(57)【要約】  本発明は、フォトレジスト層の線幅の荒れ（ＬＷＲ）を制御及び修正するための方法及び装置を提供する。一実施形態では、基板上に配置されたフォトレジスト層の線幅の荒れを制御するための装置は、内部処理領域を画定する頂壁、側壁及び底壁を有するチャンバ本体と、導波路を介してチャンバ本体に結合されたマイクロ波電力発生装置と、導波路に隣接してチャンバ本体の外周の周りに配置された１以上のコイル又は磁石と、ガス供給通路を通って導波路に結合されたガス供給源とを含む。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に配置されたフォトレジスト層の線幅の荒れを制御するための装置であって、
内部処理領域を画定する頂壁、側壁及び底壁を有するチャンバ本体と、
導波路を介してチャンバ本体に結合されたマイクロ波電力発生装置と、
導波路に隣接してチャンバ本体の外周の周りに配置された１以上のコイル又は磁石と、
ガス供給通路を通って導波路に結合されたガス供給源とを含む装置。
【請求項２】
チャンバ本体内に配置され、チャンバ本体の底壁を貫通して延びる基板支持アセンブリを含む請求項１記載の装置。
【請求項３】
基板支持アセンブリに結合されたＲＦバイアス電源を含む請求項２記載の装置。
【請求項４】
マイクロ波電力発生装置と導波路との間に配置された誘電体窓を含む請求項１記載の装置。
【請求項５】
コイル又は磁石は永久磁石又は電磁石である請求項１記載の装置。
【請求項６】
処理チャンバはグランドに結合されている請求項１記載の装置。
【請求項７】
基板支持アセンブリに結合されたＲＦバイアス電源はグランドに結合されている請求項３記載の装置。
【請求項８】
基板上に配置されたフォトレジスト層の線幅の荒れを制御するための方法であって、
上にパターニングされたフォトレジスト層を配置した基板を内部に配置した処理チャンバ内で電場を発生させる工程と、
基板上に配置したパターニングされたフォトレジスト層にガス混合物を供給する工程と、
ガス混合物内でプラズマを形成するように処理チャンバ内で電場と相互作用する磁場を発生させる工程と、
処理チャンバ内に形成されたプラズマで、パターニングされたフォトレジスト層のエッジ形状を整える工程を含む方法。
【請求項９】
電場を発生させる工程は、処理チャンバにマイクロ波電力を印加して電場を発生させる工程を含む請求項８記載の方法。
【請求項１０】
磁場を発生させる工程は、処理チャンバの外周部の周りに配置された１以上のコイル又は磁石に直流又は交流電力を印加して磁場を発生させる工程を含む請求項８記載の方法。
【請求項１１】
コイル又は磁石は永久磁石又は電磁石である請求項１０記載の方法。
【請求項１２】
ガス混合物を供給する工程は、酸素含有ガスを処理チャンバ内に供給する工程を含む請求項８記載の方法。
【請求項１３】
酸素含有ガスがＯ２である請求項１２記載の方法。
【請求項１４】
パターニングされたフォトレジスト層のエッジ形状を整える工程は、処理チャンバ内で発生された磁場と電場の間の相互作用を調整する工程を含む請求項８記載の方法。
【請求項１５】
相互作用を調節する工程は、約３．０ｎｍ未満の線幅の荒れを有するフォトレジスト層のエッジ形状を制御する工程を含む請求項１４記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【背景】
【０００１】
（発明の分野）
本発明は、概して、フォトレジスト線幅の荒れを制御するための方法及び装置に関し、より具体的には、半導体処理技術でフォトレジスト線幅の荒れを制御するための方法及び装置に関する。
【０００２】
（関連技術の説明）
集積回路は、単一のチップ上に数百万個の部品（例えば、トランジスタ、コンデンサ、抵抗）を含めることができる複雑なデバイスへと進化してきた。チップ設計の進化は、高速な回路及び高い回路密度を絶えず必要としている。高い回路密度の需要は、集積回路部品の小型化を必要とする。
【０００３】
集積回路部品の寸法が（例えば、サブミクロンの寸法へと）減少するにつれて、半導体集積回路上のある領域内により多くの素子が配置されることが要求される。したがって、損傷なく精密にかつ正確に基板上に更に小さな構造を転写するリソグラフィープロセスはますます困難になってきている。基板上に精密かつ正確な構造を転写するために、所望の高解像度リソグラフィープロセスでは、露光用の所望の波長範囲で放射を提供可能な適切な光源を有する必要がある。更に、リソグラフィープロセスは、最小のフォトレジスト線幅の荒れ（ＬＷＲ）を有するフォトレジスト層上に構造を転写することが要求される。結局のところ、フォトレジスト層上に所望の構造を転写するためには、無欠陥マスクが必要とされる。最近では、短い露光波長を提供するために極紫外線（ＥＵＶ）放射線源が利用され、これによって基板上での最小印刷可能サイズを更に減少させている。しかしながら、このような小さな寸法では、フォトレジスト層のエッジの荒れを制御するのは、ますます困難になってきている。
【０００４】
図１は、エッチングされるターゲット材１０２上に配置されたパターン形成されたフォトレジスト層１０４を有する基板１００の例示的な上部断面図を示す。ターゲット材１０２上に構造を転写するエッチングのために、下地のターゲット材１０２を容易に露出するようにパターニングされたフォトレジスト層１０４の間に開口部１０６が画定される。しかしながら、リソグラフィ露光プロセスの不正確な制御又は低解像度は、フォトレジスト層１０４のクリティカルディメンジョンを悪化させ、これによって許容できない線幅の荒れ（ＬＷＲ）１０８をもたらす可能性がある。フォトレジスト層１０４の大きな線幅の荒れ（ＬＷＲ）１０８は、ターゲット材１０２への不正確な構造の転写をもたらし、こうして最終的にデバイスの故障及び歩留まりのロスにつながる可能性がある。
【０００５】
したがって、所望のクリティカルディメンジョンをもつパターニングされたフォトレジスト層を得るために、線幅の荒れ（ＬＷＲ）を制御し、最小限に抑えるための方法及び装置が必要である。
【概要】
【０００６】
本発明は、フォトレジスト層の線幅の荒れ（ＬＷＲ）を制御及び修正するための方法及び装置を提供する。一実施形態では、基板上に配置されたフォトレジスト層の線幅の荒れを制御するための装置は、内部処理領域を画定する頂壁、側壁及び底壁を有するチャンバ本体と、導波路を介してチャンバ本体に結合されたマイクロ波電力発生装置と、導波路に隣接してチャンバ本体の外周の周りに配置された１以上のコイル又は磁石と、ガス供給通路を通って導波路に結合されたガス供給源とを含む。
【０００７】
別の一実施形態では、基板上に配置されたフォトレジスト層の線幅の荒れを制御するための方法は、上にパターニングされたフォトレジスト層を配置した基板を内部に配置した処理チャンバ内で電場を発生させる工程と、基板上に配置したパターニングされたフォトレジスト層にガス混合物を供給する工程と、ガス混合物内でプラズマを形成するように処理チャンバ内で電場と相互作用する磁場を発生させる工程と、処理チャンバ内に形成されたプラズマで、パターニングされたフォトレジスト層のエッジ形状を整える工程を含む。
【０００８】
更に別の一実施形態では、基板上に配置されたフォトレジスト層の線幅の荒れを制御するための方法は、内部に基板が配置された処理チャンバ内へガス混合物を供給する工程と、マイクロ波電力を処理チャンバに印加して処理チャンバ内に電場を発生させる工程と、処理チャンバの外周部の周りに配置された１以上のコイル又は磁石に直流又は交流電力を印加して磁場を発生させる工程と、磁場と電場の相互作用によってガス混合物内にプラズマを形成する工程と、処理チャンバ内に形成されたプラズマを利用して、パターニングされたフォトレジスト層のエッジ形状を整える工程を含む。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
本発明の上述した構成を達成し、詳細に理解することができるように、上記に簡単に要約した本発明のより具体的な説明を、添付図面に示されるその実施形態を参照して行う。
【図１】従来当該技術分野において基板上に配置されたパターン化されたフォトレジスト層の例示的構成の上面図を示す。
【図２】本発明の一実施形態に係る使用された電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）プラズマリアクタの概略断面図を示す。
【図３】本発明の一実施形態に係る電子軌道図を示す。
【図４】本発明の一実施形態に係る基板上でＥＣＲプラズマ処理を行うプロセスフロー図を示す。
【図５】本発明の一実施形態に係るフォトレジスト層に隣接して通過した電子軌道の平面図を示す。
【図６】本発明の一実施形態に係る基板上に配置されたフォトレジスト層の線幅の荒れの形状を示す。
【００１０】
理解を促進するために、図面に共通する同一の要素を示す際には可能な限り同一の参照番号を使用している。一実施形態の要素及び構成を更なる説明なしに他の実施形態に有益に組み込んでもよいと理解される。
【００１１】
しかしながら、添付図面は本発明の例示的な実施形態を示しているに過ぎず、したがってこの範囲を制限されていると解釈されるべきではなく、本発明は他の等しく有効な実施形態を含み得ることに留意すべきである。
【詳細な説明】
【００１２】
本発明の実施形態は、基板上に配置されたフォトレジスト層の線幅の荒れ（ＬＷＲ）を制御するための方法及び装置を含む。フォトレジスト層の線幅の荒れ（ＬＷＲ）は、露光／現像工程後にフォトレジスト層上に電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）プラズマプロセスを行うことにより制御することができる。電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）プラズマプロセスは、フォトレジスト層パターンのエッジを滑らかにするナノメートルスケールでの化学的・電子研削方法を提供するために実行され、これによって後続のエッチングプロセスのために最小のパターンのエッジの荒れを有するフォトレジスト層の滑らかなパターンを提供する。
【００１３】
図２は、本発明に係る電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）プラズマプロセスを実行するのに適した電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）プラズマリアクタ２００の一実施形態の概略断面図を示す。本発明を実施するのに適したこのようなエッチングリアクタの１つは、カリフォルニア州サンタクララのアプライドマテリアルズ社（Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，  Ｉｎｃ．）から入手できる。他のメーカー製のものも含めて、他の適切なプラズマ処理チャンバもまた、本明細書内において使用可能であることが理解される。
【００１４】
プラズマリアクタ２００は、チャンバ本体２１０を有する処理チャンバ２５２を含む。処理チャンバ２５２は、真空ポンプ２２８が結合された高真空容器である。処理チャンバ２５２のチャンバ本体２１０は、内部に処理領域２１２を画定する頂壁２２２、側壁２２４、及び底壁２２６を含む。側壁２２４の温度は、側壁２２４の内部及び／又は周囲に配置された液体含有導管（図示せず）を用いて制御される。底壁２２６は、電気的グランド２３０に接続されている。
【００１５】
処理チャンバ２５２は、支持台座部２１４を含む。支持台座部２１４は、処理チャンバ２５２の底壁２２６を貫通して処理領域２１２内へと延びている。支持台座部２１４は、処理用に上に配置される基板２５０を受け取ることができる。支持台座部２１４は、整合ネットワーク２１６を介して高周波（ＲＦ）バイアス電源２１８に結合され、電気的グランド２３２へと結合されている。バイアス電源２１８は、一般的に約５０ｋＨｚ〜約６０ＭＨｚの調整可能な周波数と約０〜５０００ワットのバイアス電力を有するＲＦ信号を生成することが可能である。オプションで、バイアス電源２１８は、ＤＣ又はパルスＤＣ電源が可能である。
【００１６】
マイクロ波電力発生装置２０２は、導波路２２０を介して処理チャンバ２５２の処理領域２１２へ電力を結合する。マイクロ波電力発生装置２０２と導波路２２０との間に誘電体窓２０４を配置してもよい。一実施形態では、誘電体窓２０４は、石英ガラス、セラミックス材料等から製造することができる。
【００１７】
１以上のコイルセグメント又は磁石２０８（２０８Ａ及び２０８Ｂとして図示されている）が、処理チャンバ２５２の外周の周囲に配置されている。コイルセグメント又は磁石２０８への電力は、直流電源又は低周波交流電源（図示せず）によって制御される。コイルセグメント又は磁石２０８は、一般的に対称なパターンで離間して配置されており、極性が交互に（すなわち、Ｎ極「Ｎ」とＳ極「Ｓ」が交互に）配置されている。処理チャンバ２５２の円周の周りに配置されたコイルセグメント又は磁石２０８は、内部処理領域２１２内の円形領域の中央に向かって発生されたプラズマを「押す（プッシュする）」傾向がある。コイルセグメント又は磁石２０８は、マイクロ波を処理チャンバ２５２内に導入している電場とは垂直な方向に磁場を発生させる。コイルセグメント又は磁石２０８は、永久磁石、電磁石、又は磁場を発生させ、発生させた磁場を内部処理領域２１２内に形成することができる他の類似の装置を含むことができる。ガス供給源２０６は、処理チャンバ２５２内に処理ガスを供給するための導波路２２０に結合することができる。マイクロ波電力は、電子が周回（移動）するときに電子にエネルギーを与えながら、磁場は、磁力線２４８に沿って電子を周回させる。電場と磁場との相互作用は、ガス供給源２０６から供給されるガスを解離させ、電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）プラズマを形成させる。ＥＣＲプラズマは、磁場、自由電荷（例えば、電子やイオン）、ラジカル、又は中性原子を含むことができ、これらは回転して基板表面２５０に向かって移動することができる。ガス混合物から解離したイオンや電荷と結合したスピン電子は、磁力線２４８に沿って円形のモードで基板表面に向かって加速することができ、これによって基板表面上に形成された構造をグリッド化する。まず図３を参照すると、図３は、磁場中での電子軌道３０２を描いている。磁場によって電子は、内部処理領域２１２内で磁力線３０４に沿って回転し旋回することができるので、電子は基板表面に向かって円運動３０２で移動することができる。
【００１８】
図２を再び参照すると、コイルセグメント又は磁石２０８は、処理チャンバ２５２の軸に沿って長手方向に移動させて、内部処理領域２１２内に発生する磁場の最大点の軸方向の位置を調整することができる。ＥＣＲプラズマの形成を促進するのに十分な磁場強度を発生させることができる他の磁場発生源を用いることもできる。
【００１９】
基板処理時には、チャンバ２５２の内部のガス圧力は、所定の範囲内に制御することができる。一実施形態では、チャンバ２５２の内部処理領域２１２内のガス圧は、約０．１〜９９９ミリトールに維持される。基板２５０は、摂氏約１０〜約５００度の間の温度に維持することができる。
【００２０】
中央処理装置（ＣＰＵ）２４４と、メモリ２４２と、サポート回路２４６を含むコントローラ２４０は、本発明のプロセスの制御を促進するためにリアクタ２０２の様々なコンポーネントに結合されている。メモリ２４２は、任意のコンピュータ可読媒体（例えば、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、リードオンリーメモリ（ＲＯＭ）、フロッピー（商標名）ディスク、ハードディスク）、又はリアクタ２００又はＣＰＵ２４４に対してローカル又はリモートのその他の任意のデジタルストレージの形態であることができる。サポート回路２４６は、従来通りにＣＰＵが２４４を支援するために、ＣＰＵ２４４に結合される。これらの回路は、キャッシュ、電源、クロック回路、入力／出力回路、サブシステムなどを含む。メモリ２４２に格納されたソフトウェアルーチン又は一連のプログラム命令は、ＣＰＵ２４４によって実行されると、リアクタ２００に、本発明のプラズマ処理を実行させる。
【００２１】
図２は、単に本発明を実施するために使用できるプラズマリアクタの様々な種類の構成のうちの一例を示している。例えば、異なる結合機構を用いて、異なる種類のマイクロ波電力、磁力、バイアス電力をプラズマチャンバに結合することができる。一部のアプリケーションでは、異なる種類のプラズマを、基板が配置されている場所とは異なるチャンバ内（例えば、リモートプラズマ源）で発生させ、その後、当該技術分野で周知の技術を用いてチャンバ内に導くことができる。
【００２２】
図４は、本発明の一実施形態に係る、フォトレジストの線幅の荒れ（ＬＷＲ）の制御プロセス４００を実行する一実施形態のフロー図を示す。プロセス４００は、プロセス４００をＥＣＲプラズマ処理チャンバ（例えば、図２に示されるＥＣＲプラズマリアクタ２００又は他の適当なリアクタ）内でコントローラ２４０に実行させる命令として、メモリ２４２内に格納することができる。
【００２３】
プロセス４００は、基板（例えば、図２に示される基板２５０）を処理用の処理チャンバ２５２に供給することによって、ブロック４０２で始まる。基板２５０は、図５に示されるように、エッチングされるターゲット材５１２を上に配置することができる。一実施形態では、フォトレジストの線幅の荒れ（ＬＷＲ）の制御プロセス４００を用いてエッチングされるターゲット材５１２は、誘電体層、金属層、セラミックス材料、又は他の適切な材料が可能である。一実施形態では、エッチングされるターゲット材５１２は、半導体製造に利用されるゲート構造又はコンタクト構造又は層間誘電体構造（ＩＬＤ）として形成された誘電体材料であることができる。誘電体材料の好適な例としては、ＳｉＯ２、ＳｉＯＮ、ＳｉＮ、ＳｉＣ、ＳｉＯＣ、ＳｉＯＣＮ、ａ−Ｃなどを含む。別の一実施形態では、エッチングされるターゲット材５１２は、金属間誘電体構造（ＩＭＤ）又は他の好適な構造として形成された金属材料であることができる。金属層の好適な例としては、Ｃｕ、Ａｌ、Ｗ、Ｎｉ、Ｃｒなどを含む。
【００２４】
ブロック４０４では、フォトレジストの線幅の荒れ（ＬＷＲ）制御プロセス４００が基板２５０上に実行され、これによって図５に示されるように、フォトレジスト層５１４のエッジ５１６をグリッド化し、修正し、整えることができる。フォトレジストの線幅の荒れ（ＬＷＲ）制御プロセス４００は、ＥＣＲ処理チャンバ内で基板２５０上に配置されたフォトレジスト層５１４上でＥＣＲプラズマプロセスを実施することによって実行される。上述のように、ＥＣＲプラズマプロセス内で励起された電子は、円を描くように移動して加速される。図５に示されるように、電子の円運動５０４は、フォトレジスト層５１４の不均一なエッジ５１６を、滑らかにグリッド化し、衝突し、研磨除去する。このプロセスは、フォトレジスト層５１４の所望の荒れ具合（例えば、（仮想線５１０によって図示されるような）真直度）が達成されるまで、継続的に実行することができる。電子の運動量の良好な制御によって、フォトレジスト層５１４のエッジ５１６からの不均一な面や突起は徐々に平坦化され、これによってフォトレジストの線幅の荒れ（ＬＷＲ）を所望の最小範囲内に効率よく制御することができる。電子運動量、イオン密度、イオン質量、又は電荷密度は、磁場と電場の間の相互作用から発生した電力及び内部に供給されたガスによって制御することができる。一実施形態では、マイクロ波電場と磁場が発生するように供給された電力を調整することによって、異なる電子の運動量や移動度を得ることができる。
【００２５】
ブロック４０６において、フォトレジスト層５１４の線幅の荒れ（ＬＷＲ）は、ＥＣＲプラズマ処理中に、調整され、グリッド化され、修正され、制御することができる。処理中に、フォトレジスト層５１４の線幅の荒れを所望の範囲に維持するように、いくつかのプロセスパラメータを制御することができる。一実施形態では、マイクロ波電力は、約５０ワット〜約２０００ワットで処理チャンバに供給することができる。処理チャンバ内に生成された磁場は、約５００Ｇ〜約１０００Ｇに制御することができる。約１００ワット〜約２０００ワットのＤＣ及び／又はＡＣ電力を使用して、処理チャンバ内に磁場を発生させることができる。処理チャンバの圧力は、約０．５ミリトール〜約５００ミリトールに制御することができる。処理ガスは、フォトレジスト層５１４のエッジの荒れの修正、調整、及び制御を支援するために、処理チャンバ内に供給することができる。フォトレジスト層５１４用に選択された材料は、しばしば有機材料であるため、酸素含有ガスが処理チャンバ内に供給される処理ガスとして選択され、これによってフォトレジスト層５１４の荒れと形状のグリッド化及び修正を支援することができる。酸素含有ガスの好適な例としては、Ｏ２、Ｎ２Ｏ、ＮＯ２、Ｏ３、Ｈ２Ｏ、ＣＯ、ＣＯ２などを含む。他の種類の処理ガスもまた、同時に又は個別に、処理チャンバ内に供給して、これによってフォトレジスト層５１４の荒れの修正を支援することができる。処理ガスの好適な例としては、Ｎ２、ＮＨ３、Ｃｌ２、又は不活性ガス（Ａｒ又はＨｅ）を含む。処理ガスは、約１０ｓｃｃｍ〜約５００ｓｃｃｍ（例えば、約１００ｓｃｃｍ〜約２００ｓｃｃｍ）の流量で処理チャンバ内に供給することができる。処理は約３０秒〜約２００秒実行可能である。特定の一実施形態では、Ｏ２ガスが処理ガスとして処理チャンバ内に供給され、これによってフォトレジスト層５１４と反応して、基板２５０上に配置されたフォトレジスト層５１４の線幅の荒れ（ＬＷＲ）を整えて、修正する。
【００２６】
上述のように、一実施形態では、マイクロ波の電場と磁場を生成するように供給された電力を調整することによって、異なる電子の運動量又は移動度を得ることができ、これによって別の衝突エネルギーを提供して、フォトレジスト層のエッジの荒れを修正又は整えることができる。高い電子移動の運動量が望まれる一実施形態では、マイクロ波電場及び磁場を発生させるためにより高い電力が供給され、これによってフォトレジスト層の荒れを整えて修正するためのより高い衝突エネルギーを提供することができる。これとは対照的に、低い電子移動の運動量が望まれる一実施形態では、マイクロ波電場及び磁場を発生させるためにより低い電力が供給され、これによってより低い衝突エネルギーを提供し、下地層をエッチングすることなく必要に応じてフォトレジスト層の荒れを穏やかに平滑化し磨くことができる。
【００２７】
フォトレジスト層５１４の所望の最小荒れが達成されるまで、フォトレジストの線幅の荒れ（ＬＷＲ）制御プロセス４００は、連続して行うことができる。一実施形態では、フォトレジスト層５１４の線幅の荒れ５１３は、約３．０ｎｍ未満（例えば、約１．０ｎｍ〜約１．５ｎｍ）の範囲内に制御することができる。フォトレジストの線幅の荒れ（ＬＷＲ）制御プロセス４００は、フォトレジスト層５１４の所望の荒れが達成されたことを示す終点信号伝達に達した後、終了させることができる。あるいはまた、フォトレジストの線幅の荒れ（ＬＷＲ）制御プロセス４００は、予め設定された時間モードによって終了させることができる。一実施形態では、フォトレジストの線幅の荒れ（ＬＷＲ）制御プロセス４００は、約１００秒〜約５００秒の間、実行することができる。
【００２８】
図６は、フォトレジストの線幅の荒れ（ＬＷＲ）制御プロセス４００を表面においてすでに実行したフォトレジスト層５１４の断面図の典型的な一実施形態を示す。フォトレジストの線幅の荒れ（ＬＷＲ）制御プロセス４００の後、滑らかなエッジ面が得られている。エッジの荒れを最小化し、フォトレジスト層５１４のエッジの形態を平滑化するように、フォトレジスト層５１４の荒れが平滑化され、調整されている。フォトレジスト層５１４内に形成された滑らかなエッジ面は、エッチング用に下地のターゲット材５１２を露出させるために、パターニングされたフォトレジスト層５１４内にシャープで明確に画定された開口部６０４を画定し、これによってマスク層として形成される正確で真直ぐな開口幅６０６をエッチングする。一実施形態では、開口部６０４の幅６０６は、約１５ｎｍ〜約３５ｎｍの間に制御することができる。
【００２９】
一実施形態では、下地のターゲット材５１２は、線幅の荒れ（ＬＷＲ）制御プロセスを実行するために使用されたのと同じチャンバ（例えば、図２に示されるチャンバ２００）内でエッチングプロセスを実行することによってエッチングすることができる。別の一実施形態では、下地のターゲット材５１２は、線幅の荒れ（ＬＷＲ）処理チャンバを組み込むことができるクラスタシステム内に統合された他の任意の異なる適切なエッチングチャンバ内でエッチングプロセスを実行することによってエッチングすることができる。更に別の一実施形態では、下地のターゲット材５１２は、線幅の荒れ（ＬＷＲ）処理チャンバから分離した、又は線幅の荒れ（ＬＷＲ）処理チャンバを組み込むことができるクラスタシステムから分離したスタンドアロンのチャンバを含む任意の他の別の適切なエッチングチャンバ内でエッチングプロセスを実行することによってエッチングすることができる。
【００３０】
一実施形態では、線幅の荒れ（ＬＷＲ）プロセスを実行するために利用されるガス混合物は、下地のターゲット材５１２をエッチングするために利用されるガス混合物とは異なるように構成される。一実施形態では、線幅の荒れ（ＬＷＲ）プロセスを実行するために利用されるガス混合物は、酸素含有層（例えば、Ｏ２）を含み、下地のターゲット材５１２をエッチングするために利用されるガス混合物は、ハロゲン含有ガス（例えば、フッ素炭素ガス、塩素含有ガス、臭化物含有ガス、フッ素含有ガスなど）を含む。
【００３１】
このように、本発明は、フォトレジスト層の線幅の荒れ（ＬＷＲ）を制御及び修正するための方法及び装置を提供する。本方法及び装置は、有利なことに、ＥＵＶ露光処理後の基板上に配置されたフォトレジスト層の形状、線幅の荒れ、及び寸法を制御し、修正し、整えることができ、これによってフォトレジスト層内の開口部の正確なクリティカルディメンジョンを提供することができ、次のエッチングプロセスにおいて、開口部を介してエッチングされる下地層に正確にクリティカルディメンジョンを転写することができる。
【００３２】
上記は本発明の実施形態を対象としているが、本発明の他の及び更なる実施形態は本発明の基本的範囲を逸脱することなく創作することができ、その範囲は以下の特許請求の範囲に基づいて定められる。
【図１】
2013542613.tif 000003
【図２】
2013542613.tif 000004
【図３】
2013542613.tif 000005
【図４】
2013542613.tif 000006
【図５】
2013542613.tif 000007
【図６】
2013542613.tif 000008
【国際調査報告】
2013542613.tif 000009
2013542613.tif 000010