(57)【要約】  本発明は、少なくとも１つの電子コンポーネント（６，１６）を接触接続するための積層体（１，１１）を作製する方法に関しており、ここでは第１金属層（２，１２）と第２金属層（３，１８）との間に絶縁層（４，１４）が配置されており、上記の金属層は、少なくとも１つのコンタクト領域において互いに接触接続しており、上記の絶縁層では、１つのコンタクト領域に１つの開口部が形成されるかまたは複数のコンタクト領域に複数の開口部が形成され、少なくとも第１金属層では上記のコンタクト領域に少なくとも１つのエンボスおよび／または少なくとも１つの凹部が形成され、上記の少なくとも１つのエンボスおよび／または凹部の上記の領域において上記の２つの金属層間の間隔は低減され、これらの金属層は、絶縁層によって積層され、少なくとも１つのエンボスおよび／または少なくとも１つの凹部のサイズは、少なくとも１つの電子コンポーネントを収容するのに十分であり、少なくとも１つの電子コンポーネントは、少なくとも１つのエンボスおよび／または少なくとも１つの凹部に挿入されて、そこで導電的に接続され、これによってこの電子コンポーネントは、完全に囲われ、かつ電子コンポーネントの高さ（Ｈ）については少なくとも部分的に上記のエンボスまたは凹部に収容される。本発明はさらに、殊に上記のような方法によって作製される、電子コンポーネントを接触接続するための積層体に関する。
2013544434.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの電子コンポーネント（６，１６）を接触接続するための積層体（１，１１）を作製する方法であって、
第１金属層（２，１２）と第２金属層（３，１３）との間に絶縁層（４，１４）を配置し、
前記両金属層（２，３，１２，１３）は、少なくとも１つのコンタクト領域において互いに電気的に接触接続される金属層であり、
前記絶縁層（４，１４）において、１つの開口部を１つの前記コンタクト領域に形成するかまたは複数の開口部を複数の前記コンタクト領域に形成し、
少なくとも前記第１金属層（２，１２）において、前記コンタクト領域に少なくとも１つのエンボスおよび／または少なくとも１つの凹部を形成し、前記少なくとも１つのエンボスおよび／または凹部の領域において前記２つの金属層（２，３，１２，１３）間の互いの間隔が低減されており、
前記金属層（２，３，１２，１３）を前記絶縁層（４，１４）と共に積層する、方法において、
少なくとも１つのエンボスおよび／または少なくとも１つの凹部のサイズは、少なくとも１つの電子コンポーネント（６，１６）を収容するのに十分であり、
少なくとも１つの電子コンポーネント（６，１６）を少なくとも１つのエンボスおよび／または少なくとも１つの凹部に挿入して導電的に接続して、前記電子コンポーネント（６，１６）が周囲を完全に取り囲まれて収容され、かつ、前記電子コンポーネント（６，１６）の高さ（Ｈ）については少なくとも部分的に前記エンボスまたは前記凹部に収容されるようにする、
ことを特徴とする方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法において、
少なくとも１つのエンボスおよび／または少なくとも１つの凹部の断面を、殊にその面積および／またはサイズを、前記１つの電子コンポーネント（６，１６）または複数の電子コンポーネント（６，１６）の高さ（Ｈ）に垂直な方向の、１つの前記電子構造部分（６，１６）または複数の前記電子構造部分（６，１６）の前記サイズと、有利には断面と同じかまたはやや大きく形成する、
ことを特徴とする方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載の方法において、
前記方法において型抜きラミネーションを使用して、前記金属層（２，３，１２，１３）と前記絶縁層（４，１４）とを接続すると同時に少なくとも１つのエンボスおよび／または少なくとも１つの凹部を形成する、
ことを特徴とする方法。
【請求項４】
請求項１から３までのいずれか１項に記載の方法において、
前記第１金属層（２，１２）の少なくとも１つのエンボスおよび／または凹部を、前記絶縁層（４，１４）に設けられている少なくとも１つの開口部に位置決めする、
ことを特徴とする方法。
【請求項５】
請求項１から４までのいずれか１項に記載の方法において、
少なくとも１つのエンボスおよび／または凹部は、前記第１金属層（１，１２）における少なくとも１つの貫通部を含んでいるか、または
少なくとも１つのエンボスおよび／または凹部に少なくとも１つの貫通部を形成し、各貫通部は、前記第１金属層（２，１２）の面を突き抜けている、
ことを特徴とする方法。
【請求項６】
請求項１から５までのいずれか１項に記載の方法において、
前記第１金属層（２，１２）における少なくとも１つのエンボスおよび／または少なくとも１つの凹部の前記形成を、前記電子コンポーネント（６，１６）と前記第１金属層（２，１２）との接触接続と共に１つのステップで行う、
ことを特徴とする方法。
【請求項７】
請求項１から６までのいずれか１項に記載の方法において、
殊に前記第１金属層（２，１２）に対する前記側壁の角度を調整して、少なくとも１つのエンボスおよび／または少なくとも１つの凹部からの光が１つの方向に放射されるように、有利には前記第１金属層（２，１２）の面に対して垂直な方向に放射されるように、前記少なくとも１つのエンボスおよび／または少なくとも１つの凹部を成形し、
１つの電子コンポーネント（６，１６）として１つのＬＥＤが使用されるかまたは複数の電子コンポーネント（６，１６）として複数のＬＥＤが使用される、
ことを特徴とする方法。
【請求項８】
請求項７に記載の方法において、
前記少なくとも１つのエンボスおよび／または少なくとも１つの凹部の前記表面を反射面として形成し、有利には光学研磨したポンチによって形成する、
ことを特徴とする方法。
【請求項９】
請求項１から８までのいずれか１項に記載の方法において、
前記第１金属層（２，１２）の少なくとも１つの領域を切り離して、当該第１金属層（２，１２）の少なくとも２つの領域（２ａ，２ｃ，１２ａ，１２ｂ）が互いに離隔されかつ電気的に絶縁されて並んで配置されるようにし、有利には少なくとも１つのボンディングワイヤ（９，１９）により、少なくとも１つの電気構成部分（６，１６）を少なくとも２つの領域（２ａ，２ｃ，１２ａ，１２ｂ）に導電的に接続して、２つの領域（２ａ，２ｃ，１２ａ，１２ｂ）間に電圧を印加した際に前記電気構成部分（６，１６）を介して電流が流れるようにする、
ことを特徴とする方法。
【請求項１０】
例えば請求項１から９までのいずれか１項に記載の方法によって作製した、電子コンポーネント（６，１６）を接触接続させるための積層体であって、
前記積層体は、少なくとも１つのエンボスおよび／または少なくとも１つの凹部を有する第１金属層（２，１２）と、当該第１金属層（２，１２）に対して実質的に平行に配置されかつ該第１金属層（２，１２）から絶縁層（４，１４）によって分離された第２金属層（３，１３）とを有しており、
前記金属層（２，３，１２，１３）は、前記絶縁層（４，１４）における少なくとも１つの開口部が設けられている、前記少なくとも１つのエンボスおよび／または前記少なくとも１つの凹部において導電性の接触接続ゾーンを構成しており、
少なくとも１つのエンボスおよび／または凹部には少なくとも１つの電子コンポーネント（６，１６）が配置されており、当該少なくとも１つの電子コンポーネント（６，１６）は、少なくとも１つのエンボスおよび／または凹部に完全に包囲されて収容されかつ当該少なくとも１つのエンボスおよび／または凹部に導電的に接続されており、
前記少なくとも１つの電子コンポーネント（６，１６）は、当該電子コンポーネント（６，１６）の高さ（Ｈ）について、少なくとも部分的に前記少なくとも１つのエンボスまたは凹部に収容されている、
ことを特徴とする積層体。
【請求項１１】
請求項１０に記載の積層体において、
少なくとも１つのエンボスおよび／または少なくとも１つの凹部の断面は、殊に当該少なくとも１つのエンボスおよび／または少なくとも１つの凹部の面積および／またはサイズは、有利には前記１つの電子コンポーネント（６，１６）または前記複数の電子コンポーネント（６，１６）の高さ（Ｈ）に垂直な方向の断面に適合されている、
ことを特徴とする積層体。
【請求項１２】
請求項１０または１１に記載の積層体において、
少なくとも１つのエンボスおよび／または少なくとも１つの凹部の前記断面は、殊に当該少なくとも１つのエンボスおよび／または少なくとも１つの凹部の面積および／またはサイズは、前記高さ（Ｈ）に垂直な方向の、前記１つの電子コンポーネント（６，１６）または前記複数の前記電子コンポーネント（６，１６）のサイズと、有利には断面積と等しいかこれよりもやや大きい、
ことを特徴とする積層体。
【請求項１３】
請求項１０から１２までのいずれか１項に記載の積層体において、
前記金属層（２，３，１２，１３）は、溶接、半田付け、導電性接着剤による接着または焼成により、少なくとも１つのコンタクト領域において互いに接続されている、
ことを特徴とする積層体。
【請求項１４】
請求項１０から１３のいずれか１項に記載の積層体において、
少なくとも１つのエンボスおよび／または凹部は、前記第１金属層（２，１２）に少なくとも１つの貫通部を有しており、各貫通部は、前記第１金属層（２，１２）の前記面を突き抜けている、
ことを特徴とする積層体。
【請求項１５】
請求項１０から１４のいずれか１項に記載の積層体において、
少なくとも１つの電子コンポーネント（６，１６）は、チップ、ＬＥＤおよび／またはセンサである、
ことを特徴とする積層体。
【請求項１６】
請求項１０から１５のいずれか１項に記載の積層体において、
殊に前記第１金属層（２，１２）に対する前記側壁の角度が調整されて、前記少なくとも１つのエンボスおよび／または少なくとも凹部からの光が１つの方向に放射されるように、有利には第１金属層（２，１２）の面に対して垂直な方向に放射されるように、少なくとも１つのエンボスおよび／または少なくとも１つの凹部を成形し、
エンボスまたは凹部における前記１つの電子コンポーネント（６，１６）はＬＥＤであるか、または、前記少なくとも１つのエンボスおよび／または前記少なくとも１つの凹部における前記複数の電子コンポーネント（６，１６）はＬＥＤである、
ことを特徴とする積層体。
【請求項１７】
回路基板、センサ、ＬＥＤランプ、携帯電話コンポーネント、制御部または制御器として使用する、請求項１０から１６までのいずれか１項に記載の積層体の使用方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、少なくとも１つの電子コンポーネントを接触接続するための積層体を作製する方法に関しており、ここでは第１金属層と第２金属層との間に絶縁層が配置されており、これらの金属層は、少なくとも１つのコンタクト領域において互いに電気的に接触接続しており、上記の絶縁層では、１つの開口部が上記のコンタクト領域に形成されるかまたは複数の開口部が複数のコンタクト領域に形成され、少なくとも第１金属層に少なくとも１つのエンボスおよび／または少なくとも１つの凹部が上記のコンタクト領域に形成され、少なくとも１つのエンボスおよび／または凹部の上記の領域において上記の２つの金属層間の間隔が低減されており、またこれらの金属層は上記の絶縁層によって積層されている。
【０００２】
本発明はさらに、少なくとも１つのエンボスおよび／または少なくとも１つの凹部を備えた第１金属層と、第１金属層に実質的に平行に配置されかつ第１金属層から絶縁層によって分離される第２層とを含む積層体にも関する。最後に本発明は、このような積層体の使用方法にも関する。
【０００３】
集積回路（ＩＣ，チップ）の接触接続は、金属コーティングされたプラスチック基板を介して行われることが多い。複雑な電子回路システムを作製するためには一般的に、使用される回路基板において貫通接触接続を実現しなければならない。回路基板としては、例えば、プリント基板または型打ちラミネーション基板が使用される。
【０００４】
このような基板の上側から下側に至る上記の貫通接触接続は、この基板における複数の開口部によって得られる。これらの開口部は、基板上に載置される電子コンポーネントの複数の導電性コンタクトピースを収容することができ、これらのコンタクトピースは、上記の開口部を貫通して反対側に達し、これによって上記の２つの側の導通接続が得られる。これとは択一的に上記の開口部はその表面に、貫通式金属層を貫通接触接続部として含むことも可能である。
【０００５】
DE 198 52 832 A1からは、金属−プラスチック積層体を作製する方法が公知であり、ここでは金属シートがエンボッシングまたは深絞りによって凹み状に成形され、つぎにプラスチックシートが、この成形された金属シートに積層される。この際に金属コンタクト面プロフィールは、変わらないままである。さらに記載されているのは、まず金属シートをプラスチックシートに仮止めし、引き続いてこの金属シートをエンボッシングまたは深絞りによってはじめて凹み状に成形することである。２つのケースにおいて金属シートおよびプラスチックシートからなる積層体が得られ、このプラスチックシートは上記の凹み状の領域に開口部を有する。上記の貫通接触接続は、プラスチックシートの開口部の領域において金属シートを凹ませることによって実現される。実際の貫通接触接続は、プラスチックシート上の別の導電層によって形成され、この導電層により、上記の凹みの領域において金属シートと導通接続されるのである。
【０００６】
この際に不利であるのは、上記の導電層の被着を第２の作業ステップにおいて行わなければならないことである。プラスチックシートが間に配置される２つの金属シートの貫通接触接続は、DE 102 05 521 A1に記載された、電子構成素子を接触接続するための積層体を作製する冒頭に述べた形態の方法によって得られる。ここでは２つの金属層は、相前後してまたは同時に絶縁層と一緒に積層される。第１金属層は、エンボスまたは凹部を有しており、平らな第２の金属層を上記の絶縁層によって積層する際に上記の２つの金属層の電気的な接触接続が行われる。
【０００７】
不利であるのは、電子コンポーネントの導体脚部を上記の積層体と接続した後、この電子コンポーネントが基板から突き出てしまうことである。この電子コンポーネントを浮き上がった状態で配置することにより、この電子コンポーネントは機械的な負荷に曝されてしまう。壊れやすいチップは、容易に破壊される可能性がある。この電子コンポーネントがＬＥＤの場合、このＬＥＤは、上記の積層体の表面からすべての方向に放射してしまうのである。
【０００８】
さらに、上記の電子コンポーネントをその後に積層体に接続しなければならないことは不利である。これにより、付加的な作業ステップが必要であり、この作業ステップは、大量生産において付加的な時間を必要とし、ひいては作製時のコストを大きく増大させてしまうのである。また電子コンポーネントの正確な位置決めは、種々の困難を生じることもあり、正確に位置決めが行われない場合、作製される組み立て品の所定の不良品が製造されてしまい、これらの不良品を抜き出さなくてはならないのである。
【０００９】
本発明の課題は、従来技術の欠点を克服することである。殊にここでは一層安定した構造が得られるようにしたい。例えば、携帯電話を組み立てる際に必要になる、構成部分の小型化の進歩に対し、一層平坦な構造は役に立つことになり得る。電子コンポーネントとしてＬＥＤを接触接続する場合、光収量を高めることも望まれる。上記の取り付けるべき電子コンポーネントは、積層体において上記の貫通接触接続の作製するのと同時に組み込むことも可能である。
【００１０】
上記の本発明の課題は、少なくとも１つのエンボスおよび／または少なくとも１つの凹部のサイズが、少なくとも１つの電子コンポーネントを収容するのに十分であり、少なくとも１つの電子コンポーネントが、少なくとも１つのエンボスおよび／または少なくとも１つの凹部に挿入されてそこで導電的に接続され、上記の電子コンポーネントは、完全に囲われて収容され、また電子コンポーネントの高さ（Ｈ）については少なくとも部分的に上記のエンボスまたは凹部に収容されることによって解決される。
【００１１】
凹部とは、この凹部を構成するために上記の金属層を変形または成形する必要なしにこの凹部の形状が得られるように金属層が作製されるものことである。本発明においてエンボスとは、このエンボスの形状が金属層の変形または成形によって得られるものことである。多くの場合に金属層は前段階では平らである。本発明では、複数の金属層が材料結合的に互いに固定されることもある。
【００１２】
さらに上記の２つの金属層の間隔を互いに低減して、これらの２つの金属層が互いに接触するようにすることが可能である。
【００１３】
金属層の焼成は、本発明において銀焼成ペーストによって行うことができる。
【００１４】
本発明ではまた、上記の電子コンポーネントを備えた積層体を、少なくともこの電子コンポーネントを備えた側において、プラスチック層によって積層することも可能である。
【００１５】
本発明による方法は、少なくとも１つのエンボスおよび／または少なくとも１つの凹部の上記の断面が、殊に少なくとも１つのエンボスおよび／または少なくとも１つの凹部の上記の面積および／またはサイズが、上記の１つまたは複数の電子コンポーネントに適合され、有利には１つの電子コンポーネントまたは複数の電子コンポーネントの高さ（Ｈ）に対して垂直な方向の断面に適合されるという特徴も有し得る。
【００１６】
少なくとも１つのエンボスおよび／または少なくとも１つの凹部の上記の断面が、例えば、その面積および／またはサイズが、上記の高さ（Ｈ）に対して垂直な方向の、上記の１つの電子コンポーネントまたは複数の電子コンポーネントのサイズと、有利には断面積と同じとするかまたはやや大きくすることも可能である。
【００１７】
上記の方法の有利な実施形態では、この方法において型打ちラミネーションを使用して上記の金属層と絶縁層とを接合すると同時に少なくとも１つのエンボスおよび／または少なくとも１つの凹部を形成する。
【００１８】
本発明では、少なくとも１つのエンボスおよび／または凹部を第１金属層のエンボッシングまたは曲げによって形成することも可能である。
【００１９】
殊に有利であるのは、第１金属層の少なくとも１つのエンボスおよび／または凹部が、上記の絶縁層に設けられている少なくとも１つの開口部に位置決めされることである。
【００２０】
さらに本発明では、少なくとも１つのコンタクト領域において上記の２つの金属層を、溶接、半田付け、導電性接着材料による接着または焼成によって互いに接続することも可能である。
【００２１】
本発明の１つの発展形態では、少なくとも１つのエンボスおよび／または凹部は、第１金属層に少なくとも１つの貫通部を有しているか、または、少なくとも１つの貫通部が少なくとも１つのエンボスおよび／または凹部に形成され、各貫通部は、第１金属層の面を突き抜けている。
【００２２】
本発明による方法によって本発明による積層体を形成するため、上記の１つの電子コンポーネントまたは複数の電子コンポーネントを、少なくとも１つのエンボスおよび／または少なくとも１つの凹部内に接着、半田付けおよび／または焼成することができる。
【００２３】
殊に有利であるのは、第１金属層における少なくとも１つのエンボスおよび／または少なくとも１つの凹部の上記の形成が、電子コンポーネントと第１金属層との接触接続と一緒に１つのステップにおいて行われる場合である。
【００２４】
本発明では、上記の少なくとも１つの電子コンポーネントとして、少なくとも１つのチップ、少なくとも１つのＬＥＤおよび／または少なくとも１つのセンサを使用することができる。
【００２５】
積層体からＬＥＤ発光装置を作製するため、本発明において有利であるのは、殊に第１金属層に対する側壁の角度を設定して、少なくとも１つのエンボスおよび／または少なくとも１つの凹部からの光が１つの方向に、有利には第１金属層の面に対して垂直な方向に放射されるように少なくとも１つのエンボスおよび／または少なくとも１つの凹部を成形する場合であり、ここでは１つの電子コンポーネントとして１つのＬＥＤが使用されるかまたは複数の電子コンポーネントとして複数のＬＥＤが使用される。
【００２６】
この場合に上記の凹み部の側壁は、ＬＥＤからの光に対する一種の反射器として作用する。
【００２７】
上記の少なくとも１つのエンボスおよび／または少なくとも１つの凹部の表面を鏡面として形成し、有利には光学研磨ポンチによって形成することが可能である。
【００２８】
本発明の別の実施形態では、絶縁層としてプラスチック層、殊にプラスチックシートを使用し、これには有利にはエポキシドベースのグラスファイバ強化プラスチック、ＰＥＴまたはＰＩシートが含まれる。
【００２９】
上記の金属層のうちの少なくとも１つは銅、アルミニウムおよび／または銅合金から作製することができる。
【００３０】
本発明による方法はつぎのような特徴を有し得る。すなわち、第１金属層の少なくとも１つの領域が切り離されて、第１金属層の少なくとも２つの領域が互いに離隔されかつ電気的に絶縁されて並んで配置されるという特徴を有し得る。ここで少なくとも１つの電子コンポーネントは、有利には少なくとも１つのボンディングワイヤにより、少なくとも２つの領域に導電的に接続されるため、２つの領域間に電圧を印加した際にはこの電子コンポーネントを介して電流が流れる。
【００３１】
本発明の上記の課題は、殊に上記のような方法に作製される、電子コンポーネントを接触接続させるための積層体によっても解決され、ここで上記の積層体は、少なくとも１つのエンボスおよび／または少なくとも１つの凹部を有する第１金属層と、第１金属層に対して実質的に平行に配置されかつ第１金属層から絶縁層によって分離された第２金属層とを有する。上記の金属層は、絶縁層における少なくとも１つの開口部が設けられている、少なくとも１つのエンボスおよび／または少なくとも１つの凹部において導電性の接触接続ゾーンを構成しており、少なくとも１つのエンボスおよび／または凹部には少なくとも１つの電子コンポーネントが配置されており、この１つまたは複数の電子コンポーネントは、少なくとも１つのエンボスおよび／または凹部に完全に囲われて収容されかつこれに導電的に接続されており、少なくとも１つの電子コンポーネントは、この電子コンポーネントの高さ（Ｈ）について少なくとも部分的に少なくとも１つのエンボスまたは凹部に収容されている。
【００３２】
ここではただ１つの電子コンポーネントを１つのエンボスおよび／または凹部に設けることが可能である。
【００３３】
さらに択一的には、少なくとも１つのエンボスおよび／または少なくとも１つの凹部の断面が、殊に少なくとも１つのエンボスおよび／または少なくとも１つの凹部の面積および／またはサイズが、上記の１つの電子コンポーネントまたは複数の電子コンポーネントに、有利には１つまたは複数の電子コンポーネントの高さ（Ｈ）に対して垂直な方向の断面に適合されるようにすることも可能である。
【００３４】
本発明による積層体は、少なくとも１つのエンボスおよび／または少なくとも１つの凹部の断面が、殊にその面積および／またはサイズが、１つの電子コンポーネントまたは複数の電子コンポーネントの高さ（Ｈ）に対して垂直な方向のサイズと、有利には断面積と等しいかこれよりもわずかに大きいという特徴も有し得る。
【００３５】
本発明の１つの発展形態では、上記の２つの金属層は、少なくとも１つのコンタクト領域において溶接、半田付け、導電性の接着材料による接着または焼成によって互いに接続される。
【００３６】
少なくとも１つのエンボスおよび／または凹部が、第１金属層における少なくとも１つの貫通部を有するようにすることも可能であり、各貫通部は、第１金属層の面を突き抜ける。
【００３７】
さらに上記の１つの電子コンポーネントまたは複数の電子コンポーネントは、少なくとも１つのエンボスおよび／または少なくとも１つの凹部内に接着、半田付け、および／または焼成することができる。
【００３８】
本発明の殊に有利な実施形態は、少なくとも１つの電子コンポーネントがチップ、ＬＥＤおよび／またはセンサであるという特徴を有する。
【００３９】
放射に適した積層体の特徴は、少なくとも１つのエンボスおよび／または少なくとも１つの凹部を成形して、殊に第１金属層に対して側壁の角度を設定して少なくとも１つのエンボスおよび／または少なくとも１つの凹部からの光が１つの方向に、有利には第１金属層の面に対して垂直な方向に放射されるようにすることであり、ここで１つのエンボスまたは凹部における１つの電子コンポーネントは１つのＬＥＤであり、または少なくとも１つのエンボスおよび／または少なくとも１つの凹部における複数の電子コンポーネントは複数のＬＥＤである。
【００４０】
上記の少なくとも１つのエンボスおよび／または少なくとも１つの凹部または少なくとも凹み部の表面は、鏡面とすることも可能である。
【００４１】
本発明の積層体を作製するため、上記の絶縁層をプラスチック層、殊にプラスチックシートとすることができ、ここでこのプラスチック層は、エポキシドベースのグラスファイバ強化プラスチック、ＰＥＴまたはＰＩシートを含む。
【００４２】
上記の金属層が銅、アルミニウムおよび／または銅合金を含むか、または銅、アルミニウムおよび／または銅合金から構成されるようにすることも可能である。
【００４３】
本発明の殊に有利な発展形態によれば、第１金属層の少なくとも１つの領域は切り離されているため、第１金属層の少なくとも２つの領域は互いに離隔されかつ電気的に絶縁されて並んで配置されており、少なくとも１つの電子コンポーネントは、有利には少なくとも１つのボンディングワイヤによって少なくとも２つの領域に導電的に接続されているため、少なくとも２つの領域間に電圧を印加した際にはこの電子コンポーネントを介して電流が流れる。
【００４４】
最後に本発明の上記の課題はまた、上記のような積層体を回路基板、センサ、ＬＥＤランプ、携帯電話構成部分、制御部または制御器として使用する使用方法によって解決される。
【００４５】
本発明の基礎にあるのは、上記の第１金属層におけるエンボスまたは凹部が十分に大きい場合、電子コンポーネントをこのエンボスまたは凹部に挿入されるという驚愕の知識である。このためには導体脚部だけを収容する必要があるだけでなく、電子コンポーネント全体をエンボスまたは凹部に少なくとも部分的に埋め込められる必要がある。
【００４６】
電子コンポーネントを組み込むのに必要な物理的な周囲条件は、第１金属層をエンボッシングするため、および／または２つの金属層の貫通接触接続を構成するのに有利に作用し得る。これにより、上記の電子コンポーネントの組み込みおよび貫通接触接続の作製を１つの作製ステップで行うことができる。さらにこれにより、電子コンポーネントが所望の位置に位置決めされることを保証することができる。したがって電子コンポーネントを挿入ないしは押し込む際に必要な力は同時に、第１金属層のエンボスおよび／または深絞りを形成するために利用されるのである。
【００４７】
さらに上記の電子コンポーネントと金属層とを接触接続および接続するために使用される接続手段を使用して、構造全体をサポートすることができる。上記の２つの金属層の熱伝導性かつ導電性の接続を形成するかまたは上記の構成部分を第２金属層に直接接続するため、例えば、（半田、導電性接着剤、焼成ペーストまたは溶接も含めた）上記の接続手段を利用することができる。
【００４８】
本発明による手段により、上記の組み込み式電子コンポーネントを有する積層体の構造高が低くなる。それは、上記の１つの電子コンポーネントまたは複数の電子コンポーネントが少なくとも部分的に、対応するエンボスおよび／または凹部に埋められるからである。同時に熱管理についても利点が得られる。それは、電子コンポーネントで形成される熱が、上記の貫通接触接続部を介して直接排出できるからである。上記のエンボスないしは凹部を適当に成形することにより、測定すべきビームを電子コンポーネントとしてのセンサに反射するため、または電子コンポーネントとしてのＬＥＤのようなエミッタからの放射ビームを反射するために、それらの壁部を利用することができる。
【００４９】
以下では、概略的に示した２つの図に基づいて本発明の実施例を説明するが、これらは本発明を制限するものではない。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】本発明による積層体の概略断面図である。
【図２】本発明による第２の積層体の概略断面図である。
【００５１】
図１には、本発明による積層体１の概略断面図、または本発明に記載した方法によって形成される積層体１の概略断面図が示されている。積層体１には第１金属層２と、第２金属層３と、これらの２つの金属層２，３間の絶縁層としてのプラスチックシート４とが含まれている。金属層２，３は、ラミネーション技術によってプラスチックシート４上に載置される。第１金属層は、２つの領域２ａおよび２ｂに分割され、これらの領域は、互いに離れておりかつ互いに電気的に絶縁されている。
【００５２】
第１金属層２の第２領域２ｂにはエンボスが設けられており、このエンボスは、エンボッシング、深絞りまたは他の成形技術によって、前には平坦であった金属層２に形成される。第１領域２ａと第２領域２ｂとの間のギャップも上記の成形によって生じるかまたは型打ちすることができる。択一的には、第１金属層２を作製する際に生じる凹部を利用することもできる。したがって択一的には、第１金属層２を相応する形状にするのと同時に凹部を形成することも可能である。第１金属層２はこのため、例えば、相応する形状の上に、またはプラスチックシート４上に直接に被着することができ、これは、例えば蒸着または流し込みによって行われる。
【００５３】
上記のエンボスまたは凹部の領域においてプラスチックシート４には開口部が設けられている。この開口部は、あらかじめ設けておくかまたは第１金属層２の成形および／または型打ちと一緒に形成することができる。積層体１の作製、殊に金属層２，３とプラスチックシート４との接続は有利には、上記のエンボスまたは凹部の形成と共に１つのステップで行われる。このために本発明では殊に型打ちラミネーション技術を使用するのが適切である。
【００５４】
２つの金属層２，３は、エンボスまたは凹部の領域において溶接される。このためには、例えばレーザビーム溶接法が適している。しかしながら導電性の接続を作製するため、例えば半田付け、導電性接着剤による接着、または導電性焼成ペースト（例えば銀焼成ペースト）による焼成のような別の接続技術を使用することも可能である。したがって２つの金属層２，３は、導電性の第１接続手段５によって互いに導電的に接続されるのである。
【００５５】
上記のエンボスまたは凹部には電子コンポーネント６が入れられ、底部側は、第２接続手段７を介して第２領域２ｂの第１金属層２に導電的に接続される。第２接続手段７としては、半田、導電性接着剤および導電性焼成ペーストも対象となる。電子コンポーネント６は、チップ、ＬＥＤ、集積回路またはセンサとすることが可能である。センサとしては、例えば、フォトダイオード、フォトトランジスタが対象となり、または応力ひずみセンサも対象となる。エンボスまたは凹部によって開口部と一緒に構成される凹みに起因して、電子コンポーネント６は、保護されて積層体１内に設けられる。しかしながら電子コンポーネント６の高さＨは、エンボスまたは凹部の深さよりもわずかに大きい。したがって電子コンポーネント６はわずかに張り出している。
【００５６】
第２接続手段７による底部側における接触接続の他に、電子コンポーネント６は上側面が接触接続部８およびボンディングワイヤ９に接続されている。ボンディングワイヤ９は、電子コンポーネント６の上側面と、第１金属層２の第１領域２ａとを接続する。電子コンポーネント６は、この電子コンポーネント６に電圧を供給するための接触接続部が上側面および下側面に存在するように構成されている。したがって第１金属層２の第１領域２ａと第２領域２ｂとの間に電圧が印加されると、電子コンポーネント６を介して電流が流れるのである。これによって電子コンポーネント６が作動される。
【００５７】
電子コンポーネント６の挿入および接続と同時に、第１金属層２における上記のエンボッシングおよび凹部の形成を行うことができる。
【００５８】
図２には本発明による積層体１１，または本発明による方法によって作製される別の積層体１１の概略断面図が示されている。積層体１１の構造は、図１に基づいて説明した積層体１に類似している。ここでも第１金属層１２と第２金属層１３とが、絶縁層１４によって互いに分離されている。絶縁層１４は、例えば、例えばＰＥＴのようなプラスチック、ガラス、またはグラスファイバエポキシド結合材料から形成することができる。第１金属層１２は、互いに絶縁された２つの領域１２ａおよび１２ｂに分割されている。第１金属層１２の第２領域１２ｂには、第１金属層１２の面を突き抜ける貫通部が配置されている。
【００５９】
この貫通部を跨いで電子コンポーネント１６が配置されており、この電子コンポーネントは底部側が、貫通部を充填する接続手段１７を介して、第１金属層１２の第２領域１２ｂにも第２金属層１３にも共に導電的に接続されている。上側面において電子コンポーネント１６は、接触接続部１８を介してボンディングワイヤ１９に接続されており、このボンディングワイヤは、電子コンポーネント１６と、第１金属層１２の第１領域１２ａとを接続する。
【００６０】
電子コンポーネント６，１６がＬＥＤの場合、第１金属層２，１２によって構成される上記のエンボスまたは凹部の壁部は、ＬＥＤから放射される光に対する反射器として作用する。エンボスまたは凹部が適当なツールで形成される場合、このエンボスまたは凹部の反射特性に所期のように影響を及ぼして最適化することができる。例えば、エンボスまたは凹部の側壁部の角度を設定して、ＬＥＤから放射される光を所定の方向に、例えば、第１金属層２，１２に対して垂直な方向に偏向する。電子コンポーネント６，１６が光センサまたはフォトセンサの場合、同じ原理を逆に適用することができる。この場合にこの光または電磁ビームは、エンボスまたは凹部の壁部からセンサに向かって反射する。エンボッシングのためにエンボスポンチを使用する場合、このエンボスポンチが光学的な品質で研磨されれば、このエンボスポンチは、殊に平坦なエンボス表面を形成できるため、入射または出射するビームの不所望の散乱が可能な限りに小さくなる。
【００６１】
２つの図に基づいて説明した、組み込み式電子コンポーネント６，１６を有する積層体１，１１は、複数のエンボスおよび／または凹部を有する積層体１，１１に容易に拡張することができ、ここでこれは、図で説明した構造を任意に横に並べて配置することによって行われ、または（図１から３の図の面に対して）前後に並べて配置することによっても行われる。この場合に異なるエンボスおよび／または凹部には、同じまたは異なる電子コンポーネント６，１６が配置される。第１金属層２，１２の異なる領域２ａ，２ｂ，１２ａ，１２ｂは、異なる仕方で互いに接触接続するかまたは互いに分離することができる。例えば、電子コンポーネント６，１６を直列または並列接続することができる。
【００６２】
より良好に熱が排出されるようにするため、下側の第２金属層３，１３を一層厚く実施することができる。例えばペルチェ素子、空冷または液体冷却による第２金属層３，１３のアクティブな冷却も考えることができる。
【００６３】
上の説明、特許請求の範囲、図面および実施例に開示した本発明の特徴は、種々異なる実施形態において本発明を実現するために個別でも任意の組み合わせでも共に重要になり得る。
【符号の説明】
【００６４】
１，１１  積層体、  ２，１２  第１金属層、  ２ａ，１２ａ  第１領域、  ２ｂ，１２ｂ  第２領域、  ３，１３  第２金属層、  ４  プラスチックシート、  ５，７，１７  接続手段、  ６，１６  電子コンポーネント、  ８，１８  接触接続部、  ９，１９  ボンディングワイヤ、  １４  絶縁層
【図１】
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【図２】
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【国際調査報告】
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