(57)【要約】  本発明は、少なくとも１つの基体、少なくとも１つの誘電体および少なくとも１つの半導体金属酸化物を含有する電子構造部品、殊に電界効果トランジスタ（ＦＥＴｓ）の製造法に関し、この場合有機変性された酸化ケイ素化合物をベースとする、殊にシルセスキオキサンおよび／またはシロキサンをベースとする前記誘電体またはその前駆体化合物は、溶液から処理可能であり、室温ないし３５０℃の低い温度で熱処理され、および前記半導体金属酸化物、殊にＺｎＯ、またはその前駆体化合物は、同様に溶液から室温ないし３５０℃の低い温度で処理されうる。
2013514643.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
次の工程：
（Ａ）有機変性された酸化ケイ素化合物をベースとする、少なくとも１つの誘電体またはその前駆体化合物を含有する溶液を１回または数回施し、
または
少なくとも１つの半導体金属酸化物またはその前駆体化合物を含有する溶液または分散液を、基体上に１回または数回施し、相応する溶液または分散液の溶液で被覆された基体を得、
（Ｂ）室温ないし３５０℃の温度で工程（Ａ）からの被覆された基体を熱処理し、誘電体または半導体金属酸化物で被覆された基体を得、
（Ｃ）工程（Ａ）で有機変性された酸化ケイ素化合物をベースとする、少なくとも１つの誘電体またはその前駆体化合物を含有する溶液を施した場合には、少なくとも１つの半導体金属酸化物またはその前駆体化合物を含有する溶液または分散液を、工程（Ｂ）からの基体上に１回または数回施し、
または
工程（Ａ）で少なくとも１つの半導体金属酸化物または前駆体化合物を含有する溶液または分散液を施した場合には、有機変性された酸化ケイ素化合物をベースとする、少なくとも１つの誘電体またはその前駆体化合物を工程（Ｂ）からの基体上に１回または数回施し、相応する溶液または分散液で被覆された基体を得、および
（Ｄ）室温ないし３５０℃の温度で工程（Ｃ）からの被覆された基体を熱処理し、誘電体および半導体金属酸化物で被覆された基体を得ることを含む、少なくとも１つの基体、少なくとも１つの誘電体および少なくとも１つの半導体金属酸化物を含む電子構造部品の製造法。
【請求項２】
有機変性された酸化ケイ素化合物は、一般式（Ｉ）〜（Ｖ）：
【化１】
2013514643.tif 000012
〔式中、ＲおよびＲ1は次の意味を表すことができる：
Ｒは、互いに独立に、水素、直鎖状または分枝鎖状の、置換または非置換の、場合により少なくとも１個のヘテロ原子によって中断されたＣ1〜Ｃ20アルキル、少なくとも部分的にハロゲン化された、直鎖状または分枝鎖状の、置換または非置換の、場合により少なくとも１個のヘテロ原子によって中断されたＣ1〜Ｃ20アルキル、場合により直鎖状または分枝鎖状のＣ1〜Ｃ20アルキル鎖を介して結合された、置換または非置換のＣ3〜Ｃ20シクロアルキル、直鎖状または分枝鎖状の、置換または非置換の、少なくともモノ不飽和の、場合により少なくとも１個のヘテロ原子によって中断されたＣ2〜Ｃ20アルケニル、直鎖状または分枝鎖状の、置換または非置換の、少なくともモノ不飽和の、場合により少なくとも１個のヘテロ原子によって中断されたＣ2〜Ｃ20アルキニル、場合により直鎖状または分枝鎖状のＣ1〜Ｃ20アルキル鎖を介して結合された、置換または非置換Ｃ5〜Ｃ30アリールであり、
Ｒ1は、直鎖状または分枝鎖状のＣ1〜Ｃ20−アルキリデン基、−アルケニリデン基または−アルキニリデン基、例えば場合により官能基、例えば芳香族化合物基またはヘテロ芳香族化合物基またはヘテロ原子、例えばＯ、Ｓ、ＰまたはＮによって中断されていてよいＣ1−、Ｃ2−またはＣ3−アルキル鎖、置換または非置換Ｃ5〜Ｃ30アリーレンである〕で示される単位から選択された少なくとも１つの単位を含有し、この場合単一の酸素橋は、Ｓｉ原子の間に存在する、請求項１記載の方法。
【請求項３】
少なくとも１つの半導体金属酸化物は、ＺｎＯである、請求項１または２記載の方法。
【請求項４】
工程（Ａ）または（Ｃ）で半導体金属酸化物を金属酸化物の形で分散液中で、または前駆体化合物として使用する、請求項１から３までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
半導体金属酸化物の少なくとも１つの前駆体化合物として、ｘ、ｙおよびｚが互いに無関係に０．０１〜１０である無機錯体［（ＯＨ）x（ＮＨ3）yＺｎ］zが使用され、この場合ｘ、ｙおよびｚは、記載された錯体が無電荷であるように選択される。請求項１から３までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
工程（Ｂ）および／または工程（Ｄ）を１００〜１７０℃の温度で実施する、請求項１から５までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
工程（Ａ）および／または（Ｃ）での被覆を回転塗布法、噴霧塗布法、浸漬塗布法、ドロップキャスト法および／または印刷法によって行う、請求項１から６までのいずれか１項記載の方法。
【請求項８】
基体が可撓性の基体である、請求項１から７までのいずれか１項記載の方法。
【請求項９】
可撓性の基体は、ポリエステル、例えばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリスルホンおよびその混合物からなる群から選択される、請求項８記載の方法。
【請求項１０】
有機変性された酸化ケイ素化合物をベースとする、少なくとも１つの誘電体またはその前駆体化合物を含有する溶液のための溶剤は、アルコール、水、エステル、カルボン酸、アミン、アミド、エーテル、アルデヒド、ケトン、芳香族化合物およびその混合物からなる群から選択される、請求項１から９までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１１】
少なくとも１つの半導体金属酸化物またはその前駆体化合物を含有する溶液または分散液のための溶剤または分散剤は、アルコール、水、エステル、カルボン酸、アミン、アミド、エーテル、アルデヒド、ケトン、芳香族化合物およびその混合物からなる群から選択される、請求項１から１０までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１２】
金属カチオンを有する半導体金属酸化物は、Ａｌ3+、Ｉｎ3+、Ｓｎ4+、Ｇａ3+およびその混合物からなる群から選択された金属カチオンでドープされる、請求項１から１１までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１３】
工程（Ｂ）後および／または工程（Ｄ）後、プラズマ処理を実施する、請求項１から１２までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１４】
請求項１から１３までのいずれか１項に記載の方法によって製造可能な電子構造部品。
【請求項１５】
ポリエステル、例えばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリスルホンおよびその混合物、有機変性された酸化ケイ素化合物をベースとする、少なくとも１つの誘電体、および少なくとも１つの半導体金属酸化物からなる群から選択される、少なくとも１つの可撓性基体を含む電子構造部品。
【請求項１６】
少なくとも１つの基体、溶液から処理された、有機変性された酸化ケイ素化合物をベースとする、少なくとも１つの誘電体および溶液から処理された少なくとも１つの半導体金属酸化物を含む電子構造部品。
【請求項１７】
半導体金属酸化物は、ｘ、ｙおよびｚが互いに無関係に０．０１〜１０である無機錯体［（ＯＨ）x（ＮＨ3）yＺｎ］zから製造されたＺｎＯであり、この場合ｘ、ｙおよびｚは、記載された錯体が無電荷であるように選択される、請求項１４から１６までのいずれか１項記載の電子構造部品。
【請求項１８】
請求項１４から１７までのいずれか１項記載の電子構造部品。
【請求項１９】
前記電子構造部品がゲートコンタクトを有する、ポリエチレンナフタレート基体またはポリエチレンテレフタレート基体、殊にポリエチレンナフタレートフィルム基体またはポリエチレンテレフタレートフィルム基体、ｘ、ｙおよびｚが互いに無関係に０．０１〜１０である［（ＯＨ）x（ＮＨ3）yＺｎ］z溶液、殊に［（ＯＨ）2（ＮＨ3）4Ｚｎ］溶液から処理されたＺｎＯ半導体材料、メチル−およびフェニルシルセスキオキサン単位を含有するガラス樹脂の酢酸エチル溶液から処理されたシルセスキオキサン誘電体、ならびにソース／ドメインコンタクト、有利にアルミニウムを含み、この場合ｘ、ｙおよびｚは、記載された錯体が無電荷であるように選択される、請求項１４から１８までのいずれか１項記載の電子構造部品、有利にＦＥＴ。
【請求項２０】
ポリエステル、例えばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリスルホンおよびその混合物、有機変性された酸化ケイ素化合物をベースとする、少なくとも１つの誘電体、および少なくとも１つの半導体金属酸化物からなる群から選択される、少なくとも１つの可撓性基体を含む電子構造部品を製造するための有機変性された酸化ケイ素化合物の使用。
【請求項２１】
少なくとも１つの基体、溶液から処理された、前記の有機変性された酸化ケイ素化合物をベースとする誘電体および溶液から処理された、少なくとも１つの半導体金属酸化物を含む、電子構造部品を製造するための有機変性された酸化ケイ素化合物の使用。
【請求項２２】
半導体金属酸化物は、ｘ、ｙおよびｚが互いに無関係に０．０１〜１０である無機錯体［（ＯＨ）x（ＮＨ3）yＺｎ］zから製造されたＺｎＯであり、この場合ｘ、ｙおよびｚは、記載された錯体が無電荷であるように選択される、請求項２０または２１記載の使用。
【請求項２３】
電子構造部品はＦＥＴである、請求項２０から２２までのいずれか１項記載の使用。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、少なくとも１つの基体、少なくとも１つの誘電体および少なくとも１つの半導体金属酸化物を含む、電子構造部品、殊に電界効果トランジスタ（ＦＥＴｓ）を製造するための方法に関し、この場合有機変性された酸化ケイ素化合物をベースとする、殊にシルセスキオキサンおよび／またはシロキサンをベースとする、前記誘電体またはその前駆体化合物は、溶液から処理可能であり、室温ないし３５０℃の低い温度で熱処理され、および半導体金属酸化物、殊にＺｎＯ、またはその前駆体化合物は、同様に溶液から室温ないし３５０℃の低い温度で処理されうる。更に、本発明は、相応する電子構造部品、ならびに電子構造部品を製造するための有機変性された酸化ケイ素化合物の使用に関する。
【０００２】
電子構造部品、殊に電界効果トランジスタ（ＦＥＴｓ）を製造するための方法は、公知技術水準から既に公知である。
【０００３】
米国特許第２００５／０１４８１２９号明細書Ａ１には、活性誘電層を含むシルセスキオキサンを有する有機半導体構造部品を製造するための方法が開示されている。そのために、誘電膜は、シルセスキオキサン前駆体化合物を溶液で相応する基体上に施すことによって製造される。しかし、記載された刊行物には、溶液から施される、誘電体としてのシルセスキオキサンを有機半導体材料、殊に金属酸化物に関連して組み合わせることは、開示されていない。それというのも、記載された刊行物には、単に有機半導体材料が開示されているにすぎないからである。
【０００４】
米国特許第６８９１２３７号明細書Ｂ１には、シルセスキオキサンから出発して活性誘電層を有する有機半導体構造素子が開示されている。しかし、この刊行物には、単に場合によりシラン処理されたシルセスキオキサンからなる誘電層を有機半導体材料、例えばヘキサデカフルオロ銅フタロシアニン、α−セキシチオフェン、ジヘキシル−α−ペンタチオフェンおよびペンタセンと組み合わせることが開示されているにすぎず、しかし、前記誘電体を無機半導体材料と組み合わせることは、開示されていない。
【０００５】
Ｋｗｏｎ  ｅｔ  ａｌ．，Ｊ．Ｐｈｙｓ．Ｄ：Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．４２（２００９），０６５１０５には、ＲＦスパッタリングによって施された、半導体材料としての酸化亜鉛、ならびに回転塗布および引続く４５０℃での熱処理によって得られる、メチル−シロキサンをベースとする誘電体を含む薄膜トランジスタが開示されている。
【０００６】
Ｓａｌｉｍ  ｅｔ  ａｌ．，Ｔｈｉｎ  ｓｏｌｉｄ  ｆｉｌｍｓ  ５１８（２００９），３６２〜３６５には、光学的に透明な非揮発性の蓄積材料のための誘電体としてのＺｎＯが開示されている。この場合、主要な蓄積素子は、メチルシルセスキオキサンの２つの層の間に閉じ込められた薄手のＺｎＯ膜からなる三重の層構造である。ＺｎＯ膜は、同様にスパッタリング技術によって施され、メチルシルセスキオキサンは、４００℃の温度で熱処理される。
【０００７】
従って、記載された公知技術水準と比較して、本発明の課題は、特に簡単で安価に広範囲に亘るプロセス領域が特徴的である、電子構造部品、殊にＦＥＴｓ（電界効果トランジスタ）を製造するための方法を提供することである。このためには、殊に例えば印刷技術の使用を可能にする、溶液からの誘電体および半導体材料の処理可能性の方法ならびに殆ど非毒性で、酸化に敏感でない、極端に簡単で安価に合成することができ、ならびに光学的に透明な金属酸化物、殊にＺｎＯを、有機材料の代わりに半導体材料、殊にｎ−半導体材料として使用することが属する。更に、本発明は、電子構造部品、殊にＦＥＴｓの処理可能性に特に好適である、誘電体と半導体材料の選択および組合せのために注目することができる。更に、低い処理温度によって、感熱性の基体、例えばプラスチック膜が相応して被覆されてよいことが保証されるべきである。これは、可撓性の基体をベースとする電子構造部品への参入方法を提供するはずである。
【０００８】
この課題は、本発明によれば、次の工程：
（Ａ）有機変性された酸化ケイ素化合物をベースとする、少なくとも１つの誘電体またはその前駆体化合物を含有する溶液を１回または数回施し、
または
少なくとも１つの金属酸化物またはその前駆体化合物を含有する溶液または分散液を、基体上に１回または数回施し、相応する溶液または分散液の溶液で被覆された基体を得、
（Ｂ）室温ないし３５０℃の温度で工程（Ａ）からの被覆された基体を熱処理し、誘電体または半導体金属酸化物で被覆された基体を得、
（Ｃ）工程（Ａ）で有機変性された酸化ケイ素化合物をベースとする、少なくとも１つの誘電体またはその前駆体化合物を含有する溶液を施した場合には、少なくとも１つの半導体金属酸化物またはその前駆体化合物を含有する溶液または分散液を、工程（Ｂ）からの基体上に１回または数回施し、
または
工程（Ａ）で少なくとも１つの半導体金属酸化物または前駆体化合物を含有する溶液または分散液を施した場合には、有機変性された酸化ケイ素化合物をベースとする、少なくとも１つの誘電体またはその前駆体化合物を顔料が含有された含有する溶液を工程（Ｂ）からの基体上に１回または数回施し、相応する溶液または分散液で被覆された基体を得、および
（Ｄ）室温ないし３５０℃の温度で工程（Ｃ）からの被覆された基体を熱処理し、誘電体および半導体金属酸化物で被覆された基体を得ることを含む、少なくとも１つの基体、少なくとも１つの誘電体および少なくとも１つの半導体材料を含む電子構造部品を製造するための方法によって解決される。
【０００９】
本発明による方法の個々の工程は、以下に詳細に記載される：
工程（Ａ）：
本発明による方法の工程（Ａ）は、有機変性された酸化ケイ素化合物をベースとする、少なくとも１つの誘電体またはその前駆体化合物を含有する溶液を１回または数回施すことを含むか、
または
少なくとも１つの半導体金属酸化物またはその前駆体化合物を含有する溶液または分散液を、基体上に１回または数回施し、相応する溶液または分散液の溶液で被覆された基体を得る。
【００１０】
本発明による方法の工程（Ａ）において、１つの実施態様（第１の実施態様）で最初に有機変性された酸化ケイ素化合物をベースとする、少なくとも１つの誘電体またはその前駆体化合物を含有する溶液、またはもう１つの実施態様（第２の実施態様）で少なくとも１つの半導体金属酸化物またはその前駆体化合物を含有する溶液または分散液を基体上に施すことができ、相応する溶液または分散液で被覆された基体が得られる。
【００１１】
双方の実施態様は、製造すべき電子構造部品が有するべき幾何学的形状に応じて当業者が選択することができる。更に、工程（Ａ）で被覆される基体は、既に１つ以上の層、ゲート電極、ソース電極および／またはドレイン電極を有することができる。本発明による方法によって、考えられ得る幾何学的形状、殊に次のものを得ることができる：
１：当業者にボトムゲートトップコンタクトとして公知の、基体、誘電体、半導体、有利に基体、ゲート、誘電体、半導体、ソースおよびドレイン、
２：当業者にボトムゲートボトムコンタクトとして公知の、基体、誘電体、半導体、有利に基体、ゲート、誘電体、ソースおよびドレイン、半導体、
３：当業者にトップゲートボトムコンタクトとして公知の、基体、半導体、誘電体、有利に基体、ソースおよびドレイン、半導体、誘電体、ゲート、
４：当業者にトップゲートトップコンタクトとして公知の、基体、半導体、誘電体、有利に基体、半導体、ソースおよびドレイン、誘電体、ゲート。
【００１２】
基体は、個々の層で有利に常に基体の同じ側から被覆され、即ち基体上には、個々の層が順次に重なり合って付着される。個々の層は、場合により構造化されていてよい。
【００１３】
本発明による方法の１つの本質的な特徴は、有機変性された酸化ケイ素化合物をベースとする、殊にシルセスキオキサンおよび／またはシロキサンをベースとする誘電体またはその前駆体化合物が溶液で施されることである。この場合、シルセスキオキサンおよびシロキサンは、オリゴ−またはポリシルセスキオキサン、またはオリゴ−またはポリシロキサンとして使用され、当業者に自体公知である。
【００１４】
本発明による方法の１つの好ましい実施態様において、有機変性された酸化ケイ素化合物は、一般式（Ｉ）〜（Ｖ）：
【化１】
2013514643.tif 000003
〔式中、ＲおよびＲ1は次の意味を表すことができる：
Ｒは、互いに独立に、水素、直鎖状または分枝鎖状の、置換または非置換の、場合により少なくとも１個のヘテロ原子によって中断されたＣ1〜Ｃ20アルキル、少なくとも部分的にハロゲン化された、直鎖状または分枝鎖状の、置換または非置換の、場合により少なくとも１個のヘテロ原子によって中断されたＣ1〜Ｃ20アルキル、場合により直鎖状または分枝鎖状のＣ1〜Ｃ20アルキル鎖を介して結合された、置換または非置換のＣ3〜Ｃ20シクロアルキル、直鎖状または分枝鎖状の、置換または非置換の、少なくともモノ不飽和の、場合により少なくとも１個のヘテロ原子によって中断されたＣ2〜Ｃ20アルケニル、直鎖状または分枝鎖状の、置換または非置換の、少なくともモノ不飽和の、場合により少なくとも１個のヘテロ原子によって中断されたＣ2〜Ｃ20アルキニル、場合により直鎖状または分枝鎖状のＣ1〜Ｃ20アルキル鎖を介して結合された、置換または非置換Ｃ5〜Ｃ30アリールであり、
Ｒ1は、直鎖状または分枝鎖状のＣ1〜Ｃ20−アルキリデン基、−アルケニリデン基または−アルキニリデン基、例えば場合により官能基、例えば芳香族化合物基またはヘテロ芳香族化合物基またはヘテロ原子、例えばＯ、Ｓ、ＰまたはＮによって中断されていてよいＣ1−、Ｃ2−またはＣ3−アルキル鎖、置換または非置換Ｃ5〜Ｃ30アリーレンである〕で示される単位から選択された少なくとも１つの単位を含有し、この場合単一の酸素橋は、Ｓｉ原子の間に存在する。
【００１５】
本発明による特に好ましい誘電体は、オリゴ−またはポリシルセスキオキサン、即ち一般式（Ｉ）
【化２】
2013514643.tif 000004
で示される単位を含有する化合物であり、
この場合単一の酸素橋は、Ｓｉ原子間に存在し、この場合Ｒは、次の意味を有することができる：
Ｒは、互いに独立に、水素、直鎖状または分枝鎖状の、置換または非置換の、場合により少なくとも１個のヘテロ原子によって中断されたＣ1〜Ｃ20アルキル、少なくとも部分的にハロゲン化された、直鎖状または分枝鎖状の、置換または非置換の、場合により少なくとも１個のヘテロ原子によって中断されたＣ1〜Ｃ20アルキル、場合により直鎖状または分枝鎖状のＣ1〜Ｃ20アルキル鎖を介して結合された、置換または非置換のＣ3〜Ｃ20シクロアルキル、直鎖状または分枝鎖状の、置換または非置換の、少なくともモノ不飽和の、場合により少なくとも１個のヘテロ原子によって中断されたＣ2〜Ｃ20アルケニル、直鎖状または分枝鎖状の、置換または非置換の、少なくともモノ不飽和の、場合により少なくとも１個のヘテロ原子によって中断されたＣ2〜Ｃ20アルキニル、場合により直鎖状または分枝鎖状のＣ1〜Ｃ20アルキル鎖を介して結合された、置換または非置換Ｃ5〜Ｃ30アリールである。
【００１６】
本発明により使用可能なヘテロ原子は、Ｎ、Ｏ、ＰおよびＳから選択される。
【００１７】
本発明によれば、好ましくは、Ｒは、直鎖状または分枝鎖状の、置換または非置換のＣ1〜Ｃ20アルキル、特に有利にＣ1〜Ｃ12アルキル、殊に有利にＣ1〜Ｃ6アルキル、例えばメチル、エチル、プロピル、例えばｎ−プロピル、イソプロピル、ブチル、例えばｎ−ブチル、イソブチル、第三ブチル、ペンチル、例えばｎ−ペンチル、イソペンチル、第三ペンチル、またはヘキシル、直接に、または直鎖状または分枝鎖状Ｃ1〜Ｃ20アルキル鎖を介して結合された、置換または非置換のＣ5〜Ｃ30アリール、殊に有利にフェニルを表す。本発明によれば、特に有利には、Ｒは、メチルおよびフェニルである。
【００１８】
更に、好ましい実施態様において、Ｒは、少なくとも部分的にハロゲン化された、直鎖状または分枝鎖状の、置換または非置換のＣ1〜Ｃ20アルキル、特に有利にＣ1〜Ｃ12アルキル、殊に有利にＣ1〜Ｃ6アルキルを表す。アルキル基に関連して記載される基は、前記実施態様のために基本構造として使用される。この基本構造は、少なくとも部分的にハロゲン化されており、例えば弗素化、塩素化、臭素化および／または沃素化、有利に弗素化されている。前記の実施態様に記載の殊に好ましい基Ｒは、−ＣＨ2−ＣＨ2−ＣＦ3ならびに−ＣＦ3である。
【００１９】
もう１つの実施態様において、Ｒは、場合により直鎖状または分枝鎖状のＣ3〜Ｃ20アルキル鎖、有利にＣ1〜Ｃ12アルキル鎖、例えばＣ1−、Ｃ2−またはＣ3−アルキル鎖を介して結合された、置換または非置換のＣ3〜Ｃ20シクロアルキル、有利にＣ3〜Ｃ10シクロアルキル、特に有利にＣ3〜Ｃ6シクロアルキル、例えばシクロペンチル、シクロヘキシルを表す。
【００２０】
１つの好ましい実施態様において、Ｒは、場合により直接に、または直鎖状または分枝鎖状Ｃ1〜Ｃ20アルキル鎖、例えばＣ1−、Ｃ2−またはＣ3−アルキル鎖を介して結合された、置換または非置換のＣ5〜Ｃ30アリール、特に有利にＣ5〜Ｃ10アリール、殊に有利にＣ6アリール、例えばフェニルを表す。
【００２１】
本発明によるアリール基Ｒは、アルキル鎖を介して結合され、例えばベンジルである。
【００２２】
本発明により使用可能なアリールは、場合により、例えば上記のアルキル−、アルケニル−またはアルキニル鎖、ハロゲン、例えば弗素、塩素、臭素、沃素および／または例えば上記されたような官能基によって置換されていてよい。好ましくは、アリール基は、置換基を全く有しない。
【００２３】
本発明によれば、特に有利には、Ｒは、フェニルである。
【００２４】
本発明のもう１つの好ましい実施態様において、本発明により使用される誘電体は、一般式（Ｉ）の単位と共に一般式（ＩＩ）〜（Ｖ）の単位を含有し、この場合単一の酸素橋は、Ｓｉ原子の間に存在する。
【００２５】
もう１つの好ましい実施態様において、誘電体は、単位（Ｉ）、（ＩＩ）、（ＩＩＩ）、（ＩＶ）および（Ｖ）の考えられる全ての組合せを含み、この場合には、必ずしも全ての単位が存在する必要はなく、および同様に単一の酸素橋は、Ｓｉ原子の間に存在する。
【００２６】
本発明によれば、単位（Ｉ）、（ＩＩ）、（ＩＩＩ）、（ＩＶ）および／または（Ｖ）は、直鎖状または分枝鎖状のオリゴマーまたはポリマーが形成されるように互いに結合されている。また、本発明によれば、単位（Ｉ）、（ＩＩ）、（ＩＩＩ）、（ＩＶ）および／または（Ｖ）は、結合し、環式化合物を形成することが可能である。本発明により適した環式化合物の例は、デカメチルシクロペンタシロキサンまたはヘキサメチルシクロトリシロキサンである。
【００２７】
一般式（ＩＩ）、（Ｖ）の単位において、Ｒは、互いに独立に、一般式（Ｉ）と同じ意味を有することができる。特に有利には、一般式（ＩＩ）、（Ｖ）中のＲは、メチルまたはフェニルを表す。
【００２８】
一般式（ＩＩＩ）の単位は、一般にビス（シリルアルカン）と呼称される。一般式（ＩＩＩ）の前記ビス（シリルアルカン）単位において、Ｒ1は、一般に互いに独立に、直鎖状または分枝鎖状のＣ1〜Ｃ20−アルキリデン基、−アルケニリデン基または−アルキニリデン基、例えば場合により官能基、例えば芳香族化合物基またはヘテロ芳香族化合物基またはヘテロ原子、例えばＯ、Ｓ、ＰまたはＮによって中断されていてよいＣ1−、Ｃ2−またはＣ3−アルキリデン基、または置換または非置換Ｃ5〜Ｃ30アリーレンを表す。好ましくは、一般式（ＩＩＩ）中のＲ1は、−ＣＨ2−ＣＨ2−または−ＣＨ2−を表す。
【００２９】
式（ＩＶ）の単位は、例えばＸが互いに独立に、ハロゲン、例えば塩素または臭素であるＳｉＸ4、またはＲ2がＣ1〜Ｃ6アルキル、例えばメチル、エチル、プロピルであるＯＲ2から出発して製造することができる。
【００３０】
一般式（Ｉ）、（ＩＩ）、（ＩＩＩ）、（ＩＶ）、（Ｖ）の単位を含有するポリマーまたはオリゴマーの混合物が使用されてもよく、この場合には、必ずしも全ての単位が存在する必要はなく、ならびに単一の酸素橋は、Ｓｉ原子の間に存在する。
【００３１】
本発明による方法の１つの好ましい実施態様において、誘電体として、専ら、Ｓｉ原子の間の単一の酸素橋およびＲが前記の意味を有する一般式（Ｉ）の単位を含有するホモポリマーまたは−オリゴマー、またはブロックコポリマーまたは−オリゴマーが使用される。
【００３２】
本発明による方法のもう１つの好ましい実施態様において、誘電体として、Ｓｉ原子の間の単一の酸素橋およびＲが前記の意味を有する一般式（ＩＩ）および（ＩＩＩ）の単位を含有するオリゴマーまたはポリマーが使用される。本発明による方法のもう１つの好ましい実施態様において、誘電体として、Ｓｉ原子の間の単一の酸素橋およびＲが前記の意味を有する一般式（Ｉ）、（ＩＩ）および（ＩＩＩ）の単位を含有するオリゴマーまたはポリマーが使用される。
【００３３】
本発明によれば、オリゴマーの好ましい鎖長は、１０〜３０個の単位である。
【００３４】
本発明によれば、ポリマーの好ましい鎖長は、３０個を上廻る単位である。
【００３５】
記載された単位（Ｉ）、（ＩＩ）、（ＩＩＩ）、（Ｖ）の適した前駆体化合物は、例えば小さな分子、例えば水、エタノールまたはハロゲン化酸、例えばＨＣｌまたはＨＢｒの除去下に重縮合することによって、前記単位の使用される前駆体化合物の相応するオリゴマーおよびポリマーに変換されうる化合物である。適した前駆体化合物の例は、次の通りである：
【化３】
2013514643.tif 000005
【００３６】
１つの実施態様において、本発明による方法の工程（Ａ）は、有機変性された酸化ケイ素化合物をベースとする、少なくとも１つの誘電体またはその前駆体化合物を含有する溶液を基体上に１回または数回施与することを含み、この溶液で被覆された基体が得られる。
【００３７】
"１回または数回"は、本発明によれば、前記工程がその後の熱処理なしに、またはその後に熱処理を伴って１回または数回実施されうることを意味する。好ましくは、工程（Ａ）および／または（Ｃ）において、溶液または分散液が１回施される。
【００３８】
本発明によれば、前記実施態様において、工程（Ａ）で、有機変性された、殊にシルセスキオキサンおよび／またはシロキサンをベースとする酸化ケイ素化合物ができるだけ完全に溶解する状態である全ての溶剤が適している。
【００３９】
本発明による方法の１つの好ましい実施態様において、溶剤は、工程（Ａ）で、水、アルコール、例えばメタノール、エタノール、プロパノール、例えばｎ−プロパノール、イソプロパノール、ｎ−ブタノール、メトキシプロパノール、エステル、例えば酢酸エチルエステル、エチルアセテート、カルボン酸、例えば蟻酸、酢酸、アミド、アミン、エーテル、例えばジエチルエーテル、メチル−第三ブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、アルデヒド、ケトン、例えばアセトン、メチルペンチルケトン、シクロヘキサノン、芳香族化合物、例えばトルエン、およびこれらの混合物からなる群から選択される。
【００４０】
本発明によれば、前記溶液の濃度は、この溶液が本発明により良好に処理可能であり、例えば単数または複数の有機変性された酸化ケイ素化合物がそれぞれ全溶液に対して１〜６０質量％、有利に１０〜４０質量％、特に有利に２０〜３０質量％であるように選択される。この溶液の製造は、一般に当業者に公知の方法、例えば誘電体またはその前駆体を溶剤中に導入することによって行われる。
【００４１】
本発明による方法の工程（Ａ）の前記実施態様において、有機変性された酸化ケイ素化合物をベースとする、殊にシルセスキオキサンおよび／またはシロキサンをベースとする、誘電体またはその前駆体化合物を含有する溶液は、工程（Ｂ）後に十分な厚さの誘電体層を形成させるのに十分な量で基体上に施される。相応する誘電体層は、一般に１００ｎｍ〜２μｍ、有利に２００〜８００ｎｍの厚さを有する。
【００４２】
第２の実施態様において、本発明による方法の工程（Ａ）は、少なくとも１つの半導体金属酸化物またはその前駆体化合物を含有する溶液または分散液を、基体上に１回または数回施し、相応する溶液または分散液の溶液で被覆された基体を得ることを含む。
【００４３】
半導体金属酸化物として、有利に酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化インジウム、酸化ガリウム、酸化錫、酸化アルミニウム、酸化カドミウムおよび混合酸化物ならびにドープされた金属酸化物およびその混合物酸化物から選択された、一般に当業者に適当であるとして公知の全ての金属酸化物を、本発明による方法において使用することができ、特に好ましいのは、ＺｎＯおよびドープされたＺｎＯ、例えばＡｌ、Ｇａ、Ｉｎおよび／またはＳｎでドープされたＺｎＯである。
【００４４】
従って、本発明は、少なくとも１つの半導体金属酸化物がＺｎＯである、本発明による方法にも関する。
【００４５】
本発明による方法の１つの実施態様において、半導体金属酸化物、殊にＺｎＯは、金属酸化物の形で分散液中で、または前駆体化合物として使用される。
【００４６】
従って、本発明は、有利に、工程（Ａ）または（Ｃ）で半導体金属酸化物が、金属酸化物の形で分散液中で、または前駆体化合物として使用される、本発明による方法に関する。
【００４７】
分散可能な形のＺｎＯの例は、球体、棒状体であり、場合によっては配位子、例えばアルキルアミン、ヒドロキシアルキルアミン、３−オキソグルタル酸モノエチルエステル、チオール、メトキシエタノールおよび類似物を有する。このＺｎＯは、当業者に公知の方法により適当な分散剤中に分散される。この場合、分散液中での分散されたＺｎＯの量は、一般にそれぞれ分散液に対して０．０１〜３０質量％、有利に０．１〜１０質量％、特に有利に１〜５質量％である。
【００４８】
好ましくは、工程（Ａ）の前記の第２の実施態様において、半導体金属酸化物の適当な前駆体化合物は、溶液で使用される。
【００４９】
半導体金属酸化物の適当な前駆体化合物は、相応する金属およびその混合物の、例えば、モノ−、ジ−またはポリカルボン酸のカルボキシレート、またはモノ−、ジ−またはポリカルボン酸の誘導体、アルコラート、ヒドロキシド、半カルバジド、カルバミネート、ヒドロキサメート、イソシアネート、アミジン、アミドラゾン、尿素誘導体、ヒドロキシルアミン、オキシム、ウレタン、アンモニア錯体、アミン、ホスフィン、アンモニウム化合物、アジドからなる群から選択される。
【００５０】
従って、本発明は、殊に、半導体金属酸化物の前駆体化合物が、相応する金属およびその混合物の、モノ−、ジ−またはポリカルボン酸のカルボキシレート、またはモノ−、ジ−またはポリカルボン酸の誘導体、アルコラート、ヒドロキシド、半カルバジド、カルバミネート、ヒドロキサメート、イソシアネート、アミジン、アミドラゾン、尿素誘導体、ヒドロキシルアミン、オキシム、ウレタン、アンモニア錯体、アミン、ホスフィン、アンモニウム化合物、アジドからなる群から選択される、本発明による方法に関する。
【００５１】
本発明による特に好ましいＺｎＯのためのさらに適した前駆体化合物は、亜鉛塩と錯体試薬との組合せ、例えば亜鉛塩としての硝酸亜鉛、塩化亜鉛、硫酸亜鉛、酢酸亜鉛および錯体試薬としての有機アミン、アルコールおよび／またはカルボン酸である。特に好ましいのは、次の通りである：
メトキシエタノールまたはエタノール中の２−エタノールアミンを有する酢酸亜鉛、
エチレンジアミンを有する硝酸亜鉛、
ヘキサメチレンジアミンを有する硝酸亜鉛、
（２−アルコキシイミノ）アルカノエートを有する亜鉛錯体。
【００５２】
半導体金属酸化物の使用された前駆体化合物の溶液のための溶剤として、一般に全溶液に対して、使用される前駆体化合物の少なくとも０．０１質量％が可溶性である、全ての溶剤を使用することができる。
【００５３】
適当な溶剤は、例えば水、アルコール、例えばメタノール、エタノール、イソプロパノール、ｎ−プロパノール、ｎ−ブタノール、イソブタノール、第三ブタノール、メトキシエタノール、ケトン、例えばアセトン、エーテル、例えばジエチルエーテル、メチル−第三ブチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジメトキシエタン、エステル、芳香族化合物、例えばトルエン、キシレンおよびその混合物からなる群から選択された。好ましくは、本発明による方法の工程（Ａ）の前記実施態様において、アルコール性またはエーテル性の水溶液が使用され、特に有利には、水が溶剤として使用される。
【００５４】
工程（Ａ）の前記実施態様において、分散液が使用される場合には、溶剤として挙げられた物質は、分散剤として使用されることができる。
【００５５】
従って、本発明は、殊に、少なくとも１つの半導体金属酸化物またはその前駆体化合物を含有する溶液または分散液のための溶剤または分散剤が、アルコール、水、エステル、カルボン酸、アミン、アミド、エーテル、アルデヒド、ケトン、芳香族化合物およびその混合物からなる群から選択されている、本発明による方法に関する。
【００５６】
有利に工程（Ａ）の前記実施態様において使用される溶液は、少なくとも１つの半導体金属酸化物の少なくとも１つの前駆体化合物を、それぞれ全溶液に対して一般に０．０１〜２０質量％、有利に０．１〜１０質量％、特に有利に０．５〜５質量％の濃度で含有する。
【００５７】
本発明による方法の工程（Ａ）の前記の第２の実施態様において、一般に室温ないし３５０℃、有利に１００〜３５０℃、特に有利に１００〜２５０℃、殊に有利に１００〜１７０℃、殊に１４０〜１６０℃の温度、例えば１５０℃で半導体金属酸化物に変換させることができる、半導体金属酸化物の前駆体化合物が有利に使用される。
【００５８】
半導体金属酸化物の前駆体化合物として有利に使用される、相応する金属のカルボキシレートは、例えばモノ−、ジ−またはポリカルボン酸、またはモノ−、ジ−またはポリカルボン酸の誘導体を有する、相応する金属の化合物である。モノ−、ジ−またはポリカルボン酸の誘導体は、本発明によれば、相応するモノ−、ジ−またはポリエステル、または無水物またはアミドである。本発明によれば、カルボキシレート錯体中に中心原子として存在する金属原子は、一般に配位数３〜６を有することができる。
【００５９】
酸化亜鉛が半導体金属酸化物として基体上に施される、本発明により特に好ましい場合には、工程（Ａ）の前記実施態様において、亜鉛の相応する化合物が好ましいカルボキシレートとして使用される。１つの好ましい実施態様において、本発明によれば、配位数３〜６を有する亜鉛カルボキシレート錯体が使用され、この場合亜鉛上の少なくとも１つの配位子は、モノ−、ジ−またはポリカルボン酸、またはモノ−、ジ−またはポリカルボン酸の誘導体の群に由来する。
【００６０】
更に、好ましくは、工程（Ａ）の前記実施態様において、前駆体化合物として亜鉛カルボキシレートまたはその誘導体が使用され、これらの化合物は、一般に１７０℃未満の温度で酸化亜鉛および揮発性生成物、例えば二酸化炭素、アセトン等に分解する。前記の前駆体化合物の分解のための最低温度は、例えば５０℃であり、触媒活性化の下では、例えば２０℃である。
【００６１】
本発明による方法の工程（Ａ）の前記実施態様において前駆体化合物として使用される、特に好ましいカルボキシレートは、一般式（ＶＩ）
Ｒ3−Ｍ−Ｏ−Ｃ（Ｏ）−Ｒ4  （ＶＩ）
に対応し、上記式中、
Ｍは、Ｚｎを表し、
Ｒ3は、水素、それぞれ場合により電子供与体の性質を有する官能基、例えばヒドロキシ−、アミノ−、アルキルアミノ−、アミド−、エーテルおよび／またはオキソで置換された、直鎖状または分枝鎖状Ｃ1〜Ｃ12アルキル、直鎖状または分枝鎖状Ｃ1〜Ｃ12ヘテロアルキル、置換または非置換Ｃ5〜Ｃ16アリール、直鎖状または分枝鎖状の置換または非置換Ｃ5〜Ｃ16アラルキル、直鎖状または分枝鎖状の置換または非置換Ｃ5〜Ｃ16アルカリール、ＮＲ6Ｒ7を表し、但し、この場合Ｒ6、Ｒ7は、互いに無関係にＳｉ−（Ｃ1〜Ｃ6アルキル）3またはＲ4が下記した意味を有する式−Ｏ−Ｃ（Ｏ）−Ｒ4の基を表すものとし、
Ｒ4は、それぞれ場合により電子供与体の性質を有する官能基、例えばヒドロキシ−、アミノ−、アルキルアミノ−、アミド−、エーテルおよび／またはオキソで置換された、直鎖状または分枝鎖状のＣ1〜Ｃ12アルキル、有利にＣ2〜Ｃ12アルキル、直鎖状または分枝鎖状Ｃ1〜Ｃ12ヘテロアルキル、有利にＣ2〜Ｃ12ヘテロアルキル、置換または非置換Ｃ5〜Ｃ16アリール基、直鎖状または分枝鎖状の置換または置換Ｃ5〜Ｃ16アリール、直鎖状または分枝鎖状の置換または非置換Ｃ5〜Ｃ16アラルキル、直鎖状または分枝鎖状の置換または非置換Ｃ5〜Ｃ16アルカリールを表すか、または式
【化４】
2013514643.tif 000006
で示される基を表し、この場合、
Ｒ5は、ＯおよびＣＨ2から選択され、
ｎ、ｍ、ｃは、互いに独立に、０、１、２または３、有利に０、１、２、特に有利に０または１であり、
Ｒ6は、Ｏ、Ｃ＝Ｏ、−Ｘ4Ｃ＝ＣＨ−、ＯＣＨ2から選択され、
Ｒ7は、Ｈ、ＯＨ、ＯＣＨ3、ＯＣ2Ｈ5、ＯＳｉ（Ｘ1）(3-a-b)（Ｘ2）a（Ｘ3）b、ＣＯ2Ｘ5、ＯＣＯ2Ｘ5、有利にＣＯ2Ｘ5から選択され、
Ｘ6は、Ｃ1〜Ｃ4アルキル、有利にメチル、エチルまたは第三ブチル、殊に有利にエチルまたは第三ブチルから選択され、
ａ、ｂは、互いに独立に、０、１、２または３であり、ａとｂの総和は、最大３であり、
Ｘ1、Ｘ2、Ｘ3、Ｘ4、Ｘ5は、互いに独立に、Ｈ、Ｃ1〜Ｃ10アルキル、有利にＨおよびＣ1〜Ｃ4アルキル、特に有利にＨ、メチルおよびエチルから選択され、ｄは、１〜１００の整数であり、
Ｘ6は、Ｈ、Ｃ1〜Ｃ10アルキル、有利にＨおよびＣ1〜Ｃ4アルキルから選択され、特に有利にメチルまたはエチルから選択される。
【００６２】
一般式（ＶＩ）の化合物は、溶液で、有利に水溶液で、場合により一般式（ＶＩ）の２つ以上の分子の凝集塊または多核付加物の形で存在し、これらは、同様に本発明により含まれる。
【００６３】
特に好ましいカルボキシレート、殊にＺｎカルボキシレート中に存在する配位子は、３−オキソグルタル酸モノアルキルエステル、例えば３−オキソグルタル酸モノメチルエステル、３−オキソグルタル酸モノエチルエステル、マロン酸モノアルキルエステル、例えばマロン酸モノメチルエステル、マロン酸モノエチルエステルおよびその混合物からなる群から選択される。
【００６４】
本発明による方法の工程（Ｃ）で前駆体化合物として使用される亜鉛カルボキシレートの１つの好ましい例は、式（ＶＩＩ）Ｚｎ［（ＥｔＯＣ（Ｏ）ＣＨ2Ｃ（Ｏ）ＣＨ2ＣＯＯ）2］の化合物である。
【００６５】
本発明により実験式および／または構造式として記載された化合物において、場合により溶剤分子、例えば水等は、化合物中に存在していてよい。
【００６６】
式（ＶＩ）の化合物を製造するための方法は、例えば化学量論的量の３−オキソグルタル酸モノエチルエステルをジエチル亜鉛とヘキサン中で０℃で反応させることによって、当業者に自体公知である。
【００６７】
本発明による方法の工程（Ａ）の実施態様において前駆体化合物として使用され、および一般式（ＶＩ）の２個の分子の付加物として存在する、亜鉛カルボキシレートのためのもう１つの特に好ましい例は、式（ＶＩＩＩ）
【化５】
2013514643.tif 000007
で示される化合物である。
【００６８】
式（ＶＩＩＩ）の化合物は、同様に、例えば等モル量の３−オキソグルタル酸モノエチルエステルと亜鉛−ビス［ビス（トリメチルシリル）アミド］とをベンゼンまたはトルエン中で室温で反応させることによって、当業者に公知の方法により製造可能である。
【００６９】
本発明による方法の工程（Ａ）の前記実施態様において前駆体化合物として使用される亜鉛カルボキシレートのためのもう１つの特に好ましい例は、式（ＩＸ）
【化６】
2013514643.tif 000008
で示される化合物である。
【００７０】
式（ＩＸ）の化合物は、同様に当業者に公知の方法により製造可能である。
【００７１】
亜鉛カルボキシレートのためのもう１つの好ましい例は、電子供与体官能基を有する式（ＩＸａ）Ｚｎ［（ＮＨ2ＣＨ2ＣＯＯ）2（Ｈ2Ｏ）］の化合物である。
【００７２】
本発明による方法の工程（Ａ）の前記実施態様において前駆体化合物として使用される亜鉛カルボキシレートのためのもう１つの特に好ましい例は、同様にカルボキシレート基に対してα位に電子供与体官能基を有する式（ＩＸｂ）Ｚｎ［{Ｒ8Ｒ9Ｎ−Ｎ＝Ｃ（ＣＨ3）ＣＯ2}2（Ｈ2Ｏ）2］の化合物である。
【００７３】
【化７】
2013514643.tif 000009
【００７４】
亜鉛カルボキシレートのためのもう１つの好ましい例は、式（ＩＸｃ）
【化８】
2013514643.tif 000010
〔式中、Ｒ8＝Ｒ9＝メチル、またはＲ8＝ＨおよびＲ9＝Ｃ（Ｏ）Ｍｅである〕で示される化合物である。
【００７５】
更に、好ましくは、本発明による方法の工程（Ａ）の前記実施態様において、少なくとも１つの金属酸化物の前駆体化合物として相応する金属のアルコラートが使用される。
【００７６】
好ましくは、金属アルコラートは、金属原子が配位数３〜６を有する前駆体化合物として使用される。酸化亜鉛が半導体金属酸化物として使用される特に好ましい場合には、殊に、少なくとも１つの配位子がアルコラートである、配位数３〜６を有する亜鉛アルコラート錯体が使用される。この本発明により存在する配位数は、本発明により使用される前駆体化合物において同じかまたは異なる分子を互いに付加することによって実現される。
【００７７】
特に好ましい実施態様において、前駆体化合物として、一般に１７０℃未満の温度で分解する亜鉛アルコラートが使用される。この前駆体化合物の分解のための最低温度は、例えば５０℃であり、触媒活性下で例えば２０℃である。
【００７８】
特に好ましい実施態様において、本発明による方法の工程（Ａ）で前駆体化合物として使用される金属アルコラートは、次の一般式（Ｘ）
（Ｒ10Ｏ）o−Ｍ−（Ｒ11）p    （Ｘ）
〔式中、
Ｍは、Ｚｎを表し、
Ｒ10は、それぞれ場合により電子供与体の性質を有する官能基、例えばヒドロキシ−、アミノ−、アルキルアミノ−、アミド−、エーテルおよび／またはオキソで置換された、直鎖状または分枝鎖状のＣ1〜Ｃ12アルキル、直鎖状または分枝鎖状Ｃ1〜Ｃ12ヘテロアルキル、置換または非置換Ｃ5〜Ｃ16アリール基、直鎖状または分枝鎖状の置換または置換Ｃ5〜Ｃ16アラルキル、直鎖状または分枝鎖状の置換または非置換Ｃ5〜Ｃ16アルカリール、有利に直鎖状または分枝鎖状のＣ1〜Ｃ6アルキル、殊にメチルまたはエチルを表し、
Ｒ11は、水素、それぞれ場合により電子供与体の性質を有する官能基、例えばヒドロキシ−、アミノ−、アルキルアミノ−、アミド−、エーテルおよび／またはオキソで置換された、直鎖状または分枝鎖状Ｃ1〜Ｃ12アルキル、直鎖状または分枝鎖状Ｃ1〜Ｃ12ヘテロアルキル、置換または非置換Ｃ5〜Ｃ16アリール、直鎖状または分枝鎖状の置換または非置換Ｃ5〜Ｃ16アラルキル、直鎖状または分枝鎖状の置換または非置換Ｃ5〜Ｃ16アルカリール、ＮＲ12Ｒ13を表し、但し、この場合Ｒ12、Ｒ13は、互いに無関係にＳｉ−（Ｃ1〜Ｃ6アルキル）3またはＲ10が上記した意味を有する式−Ｏ−Ｃ（Ｏ）−Ｒ10の基を表すものとし、特に有利には、Ｒ10およびＲ11は、互いに無関係に直鎖状または分枝鎖状Ｃ1〜Ｃ6アルキル、殊にメチルまたはエチルであり、
ｏは、１または２を表し、および
ｐは、０または１を表す〕に対応し、この場合係数は、ｏ＋ｐ＝２に当てはまるように選択され、したがって一般式（Ｘ）の無電荷の化合物が存在するか、またはヘテロクバン状型化合物、例えば（Ｅｔ−Ｚｎ−ＯＥｔ）4またはＺｎ7Ｏ8Ｍ14（式（Ｘｂ））が存在する。
【００７９】
一般式（Ｘ）の特に好ましい化合物は、メトキシメチル亜鉛またはエトキシエチル亜鉛である。
【００８０】
前記実施態様において本発明による方法の工程（Ａ）で前駆体化合物として使用される亜鉛アルコラートのための他の好ましい例は、式（Ｘａ）、（Ｘｂ）および（Ｘｃ）
【化９】
2013514643.tif 000011
で示される化合物である。
【００８１】
本発明による方法のもう１つの好ましい実施態様において、少なくとも１つの半導体金属酸化物の少なくとも１つの前駆体化合物として、相応する金属の水酸化物、半カルバジド、カルバミネート、ヒドロキサメート、イソシアネート、アミジン、アミドラゾン、尿素誘導体、ヒドロキシルアミン、オキシム、ウレタン、アンモニア錯体、アミン、アミド、ホスフィン、アンモニウム化合物、アジドおよびその混合物、特に有利に相応する金属のヒドロキソ錯体が使用される。
【００８２】
好ましくは、金属原子が配位数４〜６を有する、ヒドロキソ金属錯体が前駆体化合物として使用され、他にアコ錯体も前駆体化合物として使用される。酸化亜鉛が半導体金属酸化物として使用される特に好ましい場合には、殊に配位数４〜６を有する亜鉛錯体が使用される。
【００８３】
特に好ましい実施態様において、前駆体化合物として、一般に１５０℃未満の温度で半導体金属酸化物と揮発性生成物、例えばアンモニアに分解するヒドロキソ金属錯体が使用される。この前駆体化合物の分解のための最低温度は、例えば５０℃であり、触媒活性下で例えば２０℃である。
【００８４】
１つの特に好ましい実施態様において、前記化合物は、一般式（ＸＩ）
［（Ａ）q（Ｂ）r（Ｃ）s（ＯＨ）tＺｎ］u    （ＸＩ）
〔式中、
Ａ、Ｂ、Ｃは、互いに独立に、Ｒ13が互いに無関係に水素、Ｃ1〜Ｃ6アルキル、Ｃ5〜Ｃ12アリール、Ｃ5〜Ｃ12アラルキル、Ｃ5〜Ｃ12アルカリールであるＲ133Ｎ、Ｒ13が上記の意味を有するＮ2Ｒ134、Ｒ13が上記の意味を有するＮＲ132ＯＨ、Ｒ13が上記の意味を有する（ＮＲ132）2Ｃ＝Ｏ、Ｒ13が上記の意味を有するＲ13Ｎ−ＣＯ2-、Ｒ13、Ｎ3-、ＮＣＯ−、アセトヒドラジド、アミドラゾン、セミカルバジド、Ｒ14が互いに無関係に水素、メチルまたはエチルであるＲ143Ｐ、Ｒ14が上記の意味を有するＲ143Ａｓ、Ｒ14、オキシム、ウレタン、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、ジホルムアミド、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、アセトン、水、Ｃ1〜Ｃ12アルコール、２〜１２個の炭素原子を有するエーテル、例えば１，２−ジメトキシエタン（ＤＭＥ）、４〜１２個の炭素原子を有する環式エーテル、例えばジオキサン、殊にＮＨ3および／またはＯＨを表し、
ｑ、ｒ、ａ、ｔは、互いに独立に０〜１０、有利に０〜６、特に有利に０〜４を表し、有利にｔ＝２を表し、
ｕは、１〜１０、有利にｕ＝１を表す〕に相応し、
この場合ｑ、ｒ、ｓ、ｔ、ｕは、一般式（ＸＩ）の無電荷の化合物が存在するように選択される。
【００８５】
特に有利には、本発明による方法の工程（Ａ）の前記実施態様において、少なくとも１つの前駆体化合物として、ｘ、ｙおよびｚが互いに無関係に０．０１〜１０である無機錯体［（ＯＨ）x（ＮＨ3）yＺｎ］z、特に有利にｘ＝２、ｙ＝２または４およびｚ＝１である無機錯体［（ＯＨ）x（ＮＨ3）yＺｎ］zが使用され、この場合ｘ、ｙおよびｚは、記載された錯体が無電荷であるように選択される。
【００８６】
従って、本発明は、有利に、半導体金属酸化物の少なくとも１つの前駆体化合物として、ｘ、ｙおよびｚが互いに無関係に０．０１〜１０である無機錯体［（ＯＨ）x（ＮＨ3）yＺｎ］zが使用され、この場合ｘ、ｙおよびｚは、記載された錯体が無電荷であるように選択される、本発明による方法に関する。
【００８７】
この好ましい前駆体化合物は、一般に、例えばＳ．Ｍｅｉｅｒｓ  ｅｔ  ａｌ．，Ｊ．Ａｍ．Ｓｏｃ．，１３０（５１），２００８，１７６０３−１７６０９に記載されているように、当業者に公知の全ての方法により、例えば硝酸亜鉛を苛性ソーダ液と反応させ、引続きアンモニアで処理することによって製造されうる。
【００８８】
１つの特に好ましい実施態様において、前記の錯体は、酸化亜鉛または水酸化亜鉛をアンモニアと反応させることによって得られる。
【００８９】
従って、本発明は、殊に、工程（Ａ）の前記実施態様において、少なくとも１つの半導体金属酸化物の少なくとも１つの前駆体化合物として、ｘ、ｙおよびｚが互いに無関係に０．０１〜１０である［（ＯＨ）x（ＮＨ3）yＺｎ］zが使用され、したがって、記載された錯体は、無電荷であり、およびこの錯体は、酸化亜鉛または水酸化亜鉛とアンモニアとの反応によって得られる、本発明による方法に関する。１つの好ましい実施態様において、ｘ＝２およびｙ＝２またはｙ＝４およびｚ＝１を表し、したがって、本発明によれば、特に有利に［（ＯＨ）2（ＮＨ3）2Ｚｎ］または［（ＯＨ）2（ＮＨ3）4Ｚｎ］が使用される。
【００９０】
好ましくは、前駆体化合物として工程（Ａ）の前記実施態様において使用される、ｘ、ｙおよびｚが互いに無関係に０．０１〜１０である無電荷の［（ＯＨ）x（ＮＨ3）yＺｎ］zは、製造に使用される反応体に由来する不純物、例えば異質イオン、例えばＮａ+、Ｋ+、ＮＯ3-等が全く含まれないことが注目に値する。例えば、前記化合物の純度は、９９％超、有利に９９．５％超、特に有利に９９．９％超である。本発明によれば、この特に純粋な出発化合物から、同様に特に高い純度を有する半導体酸化亜鉛層を得ることができる。この高い純度は、例えば前記層の半導体特性に対してプラスの作用を有する。
【００９１】
好ましくは、第１の工程において、固体の酸化亜鉛または水酸化亜鉛、またはその混合物を適当な反応器中に予め装入することにより、前記の好ましい前駆体化合物が得られる。次に、前記の単数または複数の固体の酸化亜鉛および／または水酸化亜鉛は、有利に適当な溶剤中のアンモニア（ＮＨ3）の溶液で処理される。
【００９２】
溶剤は、有利に水性溶剤、例えばアルコール性溶液、水溶液または水、特に有利に水である。アンモニアは、前記の有利に水溶液中に、それぞれ全溶液に対して１〜１８ｍｏｌ／ｌ、有利に２〜１５ｍｏｌ／ｌ、特に有利に３〜１２ｍｏｌ／ｌの濃度で予め装入される。十分な量のアンモニア溶液が固体の酸化亜鉛に添加され、酸化亜鉛が一般に０．０１〜２ｍｏｌ／ｌ、有利に０．１〜１ｍｏｌ／ｌ、特に有利に０．１〜０．５ｍｏｌ／ｌの濃度で存在するような反応混合物が得られる。選択的には、直接に液体アンモニア中で作業することも可能である。
【００９３】
次に、こうして得られた反応混合物は、一般に１０〜１２０℃、有利に１０〜６０℃、特に有利に２０〜３０℃の温度で攪拌される。一般に、懸濁液は、完全な変換が得られるまで、例えば２〜７２時間、有利に２〜２４時間攪拌される。反応の完了後、望ましい生成物は、溶剤中、殊に水中に溶解されて存在する。存在する任意の懸濁物を除去するために、得られた溶液は、場合によっては濾過によって精製されてよい。従って、望ましい生成物は、特に高い純度で、有利に水溶液で得られる。
【００９４】
半導体金属酸化物またはその前駆体化合物を含有する、相応する溶液または分散液を製造するための方法は、当業者に自体公知である。
【００９５】
本発明による方法の工程（Ａ）の前記実施態様において、少なくとも１つの半導体金属酸化物の少なくとも１つの前駆体化合物を、それぞれ全溶液に対して０．０１〜２０質量％、有利に０．１〜１０質量％、特に有利に０．５〜５質量％の濃度で含有する水溶液が使用される。工程（Ａ）で、熱処理後に十分に厚手の半導体層が得られるように大量の溶液または分散液が基体上に施される。
【００９６】
相応する半導体金属酸化物層は、一般に５〜２５０ｎｍ、有利に５〜５０ｎｍの厚さを有する。
【００９７】
更に、本発明による方法の工程（Ａ）の前記実施態様において使用される溶液または分散液は、半導体金属酸化物のドーピングのために使用される、他の金属カチオンを含有していてもよい。１つの特に好ましい実施態様において、前記の金属カチオンは、Ａｌ3+、Ｉｎ3+、Ｓｎ4+、Ｇａ3+およびその混合物からなる群から選択される。前記の金属カチオンは、別々に溶液中に導入されてよいか、または既に本発明による前駆体化合物中に存在していてよい。
【００９８】
記載されたドーピング金属カチオンは、溶液の製造のために、工程（Ａ）の前記実施態様において、金属酸化物、金属水酸化物、金属アルコラートの形、または可溶性錯体の形で添加されてよい。記載されたドーピング剤は、本発明による方法の工程（Ａ）で、一般にＺｎに対して０．０２〜１０ｍｏｌ％の量で、有利にＺｎに対して０．１〜５ｍｏｌ％の量で溶液に添加されてよい。
【００９９】
従って、本発明は、前記の半導体金属酸化物が、Ａｌ3+、Ｉｎ3+、Ｓｎ4+、Ｇａ3+およびその混合物からなる群から選択される、本発明による方法にも関する。
【０１００】
本発明による方法の工程（Ａ）における溶液または分散液の施与は、溶液または分散液を基体上に施与するのに適している、当業者に公知の、液体処理のための全ての方法、例えば回転塗布法、噴霧塗布法、浸漬塗布法、ドロップキャスト法または印刷法、例えばインキジェット印刷法、フレキソ印刷法またはグラビア印刷法によって行うことができる。
【０１０１】
従って、本発明は、１つの好ましい実施態様において、溶液または分散液の施与が、工程（Ａ）で回転塗布法、浸漬塗布法、ドロップキャスト法および／または印刷法によって行われる、本発明による方法に関する。
【０１０２】
特に有利には、溶液または分散液は、工程（Ａ）で回転塗布法またはインキジェット印刷法によって施される。前記方法は、当業者に自体公知である。
【０１０３】
従って、本発明は、殊に、溶液または分散液の施与が、工程（Ａ）で回転塗布法によって行われる、本発明による方法に関する。
【０１０４】
一般に、本発明による方法で、当業者に公知の全ての基体、例えばＳｉウェーハ、ガラス、セラミック、金属、金属酸化物、半金属酸化物、プラスチック、例えばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリスチレン、ポリスルホン等を被覆することが可能である。
【０１０５】
本発明による方法の１つの好ましい実施態様において、基体は、可撓性のプラスチックから選択され、例えばポリエステル、例えばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリイミドおよびその混合物から選択される。
【０１０６】
従って、本発明は、基体が可撓性の基体である、本発明による方法にも関する。殊に、本発明は、可撓性の基体がポリエステル、例えばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリイミドおよびその混合物からなる群から選択される、本発明による方法に関する。
【０１０７】
記載された基体それ自体は、本発明による方法の工程（Ａ）において、記載された溶液または分散液で被覆されてよく、即ち溶液または分散液は、工程（Ａ）で直接基体上に施される。
【０１０８】
工程（Ａ）で使用される基体は、望ましい幾何学的形状に依存して既に別の場合により構造化された層、例えばソース電極、ドレイン電極またはゲート電極を有していてもよい。前記電極は、当業者に公知の方法により、例えばＷＯ  ２００５／０９３８４８に記載されているように、熱蒸着法、スパッタリング法または印刷法によって施されてよい。
【０１０９】
本発明による方法の工程（Ａ）は、一般に室温で実施される。
【０１１０】
工程（Ａ）後、第１の実施態様により、有機変性された酸化ケイ素化合物をベースとする、殊にシルセスキオキサンおよび／またはシロキサンをベースとする誘電体またはその前駆体化合物を含有する溶液で被覆されたか、または第２の実施態様により、少なくとも１つの半導体金属酸化物または前駆体化合物を含有する溶液または分散液で被覆された基体が得られる。
【０１１１】
工程（Ｂ）：
本発明による方法の工程（Ｂ）は、室温ないし３５０℃の温度で工程（Ａ）からの被覆された基体を熱処理することを含み、誘電体または半導体金属酸化物で被覆された基体が得られる。
【０１１２】
一般に工程（Ｂ）は、当業者に公知の、基体を加熱するための全ての装置、例えばホットプレート、炉、乾燥キャビネット、ホットエアガン、ベルト型か焼炉または空調キャビネットを用いて実施されてよい。
【０１１３】
工程（Ｂ）で第１の実施態様において、基体上に存在する、有機変性された酸化ケイ素化合物をベースとする、殊にシルセスキオキサンおよび／またはシロキサンをベースとする誘電体またはその前駆体化合物を含有する溶液は、固体の誘電体層に変換される。工程（Ｂ）の第２の実施態様において、少なくとも１つの半導体金属酸化物またはその前駆体化合物を含有する溶液または分散液は、半導体金属酸化物層に変換される。
【０１１４】
本発明によれば、工程（Ｂ）の第１の実施態様において、専ら溶剤は、蒸発によって除去されることが可能であり、有機変性された酸化ケイ素化合物をベースとする、殊にシルセスキオキサンおよび／またはシロキサンをベースとする固体の誘電体が得られる。本発明によれば、工程（Ｂ）で熱処理によって存在するシルセスキオキサン単位および上記の場合により存在する他の単位は、互いに（共）重合されおよび／または架橋されることも可能である。前記の２つのプロセスの組合せは、工程（Ｂ）で行われることも可能である。
【０１１５】
本発明による方法の工程（Ｂ）の第１の実施態様は、室温ないし３５０℃、有利に１００〜３５０℃、特に有利に１００〜２５０℃、殊に有利に１００〜１７０℃、殊に１４０〜１６０℃の温度、例えば１５０℃で実施される。
【０１１６】
前記の低い温度によって、誘電体層の製造中に変形または熱分解されない、殊に可撓性のプラスチック基体が使用されることができる。
【０１１７】
本発明による方法の工程（Ｂ）の第１の実施態様は、不活性の、または酸化性の雰囲気中、または真空中で、例えば窒素、アルゴン等の下、または空気の下、有利に空気の下で実施されてよい。
【０１１８】
加熱が行われた後に、被覆された基体は、当業者に公知の他の処理方法、例えばプラズマ処理に掛けられてよい。
【０１１９】
従って、本発明は、好ましくは、工程（Ｂ）後および／または工程（Ｄ）後、殊に工程（Ｂ）後、特に有利に工程（Ａ）で、有機変性された酸化ケイ素化合物をベースとする、少なくとも１つの誘電体またはその前駆体化合物を含有する溶液が施された場合、プラズマ処理が実施されるような本発明による方法に関する。
【０１２０】
本発明による好ましいプラズマ処理、有利に酸素プラズマ処理は、当業者に自体公知である。
【０１２１】
本発明による方法の第１の実施態様に記載の工程（Ｂ）後、有機変性された酸化ケイ素化合物をベースとする、殊にシルセスキオキサンおよび／またはシロキサンをベースとする誘電体で被覆された基体が得られ、この基体は、場合によりなお他の層、例えばソース電極、ドレイン電極および／またはゲート電極を有することができる。
【０１２２】
本発明による方法の第２の実施態様において、基体上に存在する、半導体金属酸化物またはその前駆体化合物を含有する溶液または分散液は、固体の半導体金属酸化物層に変換される。
【０１２３】
本発明によれば、工程（Ｂ）の前記実施態様において、専ら溶剤または分散剤は、蒸発によって除去されることができ、誘電体上に固体の半導体金属酸化物層が得られる。本発明によれば、工程（Ｂ）での熱処理によって、配位子が除去されるかまたは存在する前駆体化合物が半導体金属酸化物に変換されることも可能である。
【０１２４】
本発明による方法の工程（Ｂ）は、前記の実施態様において、室温ないし３５０℃、有利に１００〜３５０℃、特に有利に１００〜２５０℃、殊に有利に１００〜１７０℃、殊に１４０〜１６０℃の温度、例えば１５０℃で実施される。
【０１２５】
本発明による方法の工程（Ｂ）は、前記の実施態様において、同様に不活性の、または酸化性の雰囲気中、または真空中で、例えば窒素、アルゴン等の下、または空気の下、有利に空気の下で実施されてよい。
【０１２６】
前記の第２の実施態様に記載の工程（Ｂ）後、固体の半導体金属酸化物層および場合により他の層、例えばソース電極、ドレイン電極および／またはゲート電極を備えた基体が得られる。
【０１２７】
本発明による方法の工程（Ｂ）に引き続いて、電子構造部品を得るために、２つの実施態様で、当業者に公知の他の処理方法が実施されてよく、例えば工程（Ａ）の前に未だ行われていない場合には、電気的接点、殊にソースコンタクトおよび／またはドレインコンタクトを形成させるためにアルミニウムの熱蒸着が実施されてよい。前記の他の処理方法は、後の処理工程で行われてもよいし、後の処理工程後に行われてもよい。
【０１２８】
工程（Ｃ）：
本発明による方法の工程（Ｃ）は、第１の実施態様において、工程（Ａ）で有機変性された酸化ケイ素化合物をベースとする、少なくとも１つの誘電体またはその前駆体化合物を含有する溶液を施した場合には、少なくとも１つの半導体金属酸化物またはその前駆体化合物を含有する溶液または分散液を、工程（Ｂ）からの基体上に１回または数回施すことを含むか、
或いは
第２の実施態様において、工程（Ａ）で少なくとも１つの半導体金属酸化物または前駆体化合物を含有する溶液または分散液を施した場合には、有機変性された酸化ケイ素化合物をベースとする、少なくとも１つの誘電体またはその前駆体化合物を含有する溶液は、相応する溶液または分散液で被覆された基体を得るために、工程（Ｂ）からの基体上に１回または数回施される。
【０１２９】
製造すべき電子構造部品のどのような幾何学的形状が望ましいかに応じて、本発明による方法の工程（Ａ）において、誘電体層（第１の実施態様）または半導体金属酸化物層（第２の実施態様）が施される。
【０１３０】
更に、本発明による方法の工程（Ｃ）で、それぞれ別の層が施され、即ち第１の実施態様によれば、工程（Ｃ）で少なくとも１つの半導体金属酸化物またはその前駆体化合物を含有する溶液または分散液が施され、或いは第２の実施態様により、工程（Ｃ）で有機変性された酸化ケイ素化合物をベースとする、少なくとも１つの誘電体またはその前駆体化合物の溶液が施される。
【０１３１】
相応する、有機変性された酸化ケイ素化合物をベースとする、少なくとも１つの誘電体またはその前駆体化合物、または半導体金属酸化物またはその前駆体化合物に関連して、工程（Ａ）での記載が指摘される。
【０１３２】
本発明による方法の工程（Ｃ）における被覆は、一般に溶液を基体上に施与するのに適している、当業者に公知の、液体処理のための全ての方法、例えば回転塗布法、噴霧塗布法、浸漬塗布法、ドロップキャスト法または印刷法、例えばインキジェット印刷法、フレキソ印刷法またはグラビア印刷法によって行うことができる。
【０１３３】
従って、本発明は、１つの好ましい実施態様において、被覆が工程（Ｃ）で回転塗布法、噴霧塗布法、浸漬塗布法、ドロップキャスト法および／または印刷法によって行われるような本発明による方法に関する。
【０１３４】
殊に、本発明は、被覆が工程（Ａ）および／または（Ｃ）で回転塗布法、噴霧塗布法、浸漬塗布法、ドロップキャスト法および／または印刷法によって行われるような本発明による方法に関する。
【０１３５】
特に有利には、工程（Ｃ）での被覆は、回転塗布法またはインキジェット印刷法によって行われる。前記方法は、当業者に自体公知である。
【０１３６】
本発明による法の工程（Ｃ）は、一般に室温で実施される。
【０１３７】
本発明による方法の工程（Ｃ）後に、第１の実施態様において、少なくとも１つの半導体金属酸化物またはその前駆体化合物の溶液または分散液で被覆された、誘電体層を有する基板が提供される。第２の実施態様において、有機変性された酸化ケイ素化合物をベースとする、誘電体またはその前駆体化合物を含有する溶液で被覆された、半導体金属酸化物層を有する基板が提供される。双方の実施態様において、他の層が存在していてよい。
【０１３８】
工程（Ｄ）：
本発明による方法の工程（Ｄ）は、室温ないし３５０℃の温度で工程（Ｃ）からの被覆された基体を熱処理することを含み、誘電体または半導体金属酸化物で被覆された基体が得られる。
【０１３９】
一般に工程（Ｄ）は、当業者に公知の、基体を加熱するための全ての装置、例えばホットプレート、炉、乾燥キャビネット、ホットエアガン、ベルト型か焼炉または空調キャビネットを用いて実施されてよい。
【０１４０】
本発明による方法の工程（Ｄ）は、一般に、室温ないし３５０℃、有利に１００〜３５０℃、特に有利に１００〜２５０℃、殊に有利に１００〜１７０℃、殊に１４０〜１６０℃の温度、例えば１５０℃で実施される。
【０１４１】
１つの特に好ましい実施態様において、本発明は、工程（Ｂ）および／または工程（Ｄ）が１００〜１７０℃、殊に１４０〜１６０℃の温度、例えば１５０℃で実施されるような本発明による方法に関する。
【０１４２】
工程（Ｄ）は、一般に工程（Ｂ）と同様に実施される。
【０１４３】
本発明による製造可能な電子構造部品は、例えばＦＥＴ（電界効果トランジスタ）、またはこのＦＥＴを含む構造部品、例えばＲＦＩＤタグ、ディスプレイまたはＣＭＯＳアーキテクチャーである。
【０１４４】
本発明による方法は、本発明により誘電体層および半導体金属酸化物層を室温ないし３５０℃、有利に１００〜１７０℃の温度で製造することができ、したがってプラスチック基体を熱変形または熱分解することなく、プラスチック基体を被覆することができることを示す。こうして、可撓性の基体をベースとする電子構造部品への参入方法が提供される。更に、本発明の利点は、電子構造部品が特に簡単で安価に広範囲に亘るプロセス領域が特徴的であることである。このためには、殊に例えば印刷技術の使用を可能にする、溶液からの誘電体および半導体材料の処理可能性の方法ならびに殆ど非毒性で、酸化に敏感でない、極端に簡単で安価に合成することができ、ならびに光学的に透明な金属酸化物、殊にＺｎＯを、有機材料の代わりに半導体材料、殊にｎ−半導体材料として使用することが属する。更に、本発明は、電子構造部品、殊にＦＥＴｓの処理可能性に関連して、特に好適である、誘電体と半導体材料の選択に注目することができる。
【０１４５】
従って、本発明は、本発明による方法によって製造可能な、電子構造部品にも関する。
【０１４６】
更に、本発明は、ポリエステル、例えばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリスルホンおよびその混合物、有機変性された酸化ケイ素化合物をベースとする、少なくとも１つの誘電体および少なくとも１つの半導体金属酸化物からなる群から選択された、少なくとも１つの可撓性の基体を含む電子構造部品にも関する。
【０１４７】
本発明の１つの好ましい実施態様において、本発明による電子構造部品は、ＦＥＴである。
【０１４８】
従って、本発明は、有利に本発明による電子構造部品に関し、この場合この電子構造部品は、ＦＥＴである。
【０１４９】
本発明による電子構造部品に関連して、詳細には一般に好ましい実施態様には、本発明による方法に関連して前記したことがこれに該当する。殊に、少なくとも１つの基体に関連して前記したこと、有機変性された酸化ケイ素化合物をベースとする、少なくとも１つの誘電体に関連して前記したこと、および少なくとも１つの半導体金属酸化物に関連して前記したことがこれに該当する。
【０１５０】
この本発明による電子構造部品は、一般に当業者に公知の全ての方法により製造することができる。好ましくは、この本発明による電子構造部品は、上記の本発明による方法によって製造される。
【０１５１】
本発明による電子構造部品において、考えられ得る全ての幾何学的形状、殊に次のものが可能である：
１：ボトムゲートトップコンタクトとして当業者に公知の、基体、誘電体、半導体、有利に基体、ゲート、誘電体、半導体、ソースおよびドレイン、
２：ボトムゲートボトムコンタクトとして当業者に公知の、基体、誘電体、半導体、有利に基体、ゲート、誘電体、ソースおよびドレイン、半導体、
３：トップゲートボトムコンタクトとして当業者に公知の、基体、半導体、誘電体、有利に基体、ソースおよびドレイン、半導体、誘電体、ゲート、
４：トップゲートトップコンタクトとして当業者に公知の、基体、半導体、誘電体、有利に基体、半導体、ソースおよびドレイン、誘電体、ゲート。
【０１５２】
本発明による電子構造部品の誘電体がベースとする有機変性された酸化ケイ素化合物は、溶液で施される、即ち溶液から処理される、有利にシルセスキオキサンおよび／またはシロキサンである。シルセスキオキサンおよびシロキサンに関連して、上記の記載がこれに該当する。
【０１５３】
本発明による電子構造部品において、少なくとも１つの半導体金属酸化物として、有利に酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化インジウム、酸化ガリウム、酸化錫、酸化アルミニウム、酸化カドミウムおよび混合酸化物ならびにドープされた金属酸化物およびその混合物酸化物から選択された、一般に当業者に適当であるとして公知の全ての金属酸化物を使用することができ、特に好ましいのは、ＺｎＯおよびドープされたＺｎＯ、例えばＡｌ、Ｇａ、Ｉｎおよび／またはＳｎでドープされたＺｎＯである。更に、好ましい実施態様に関連して、上記の記載は、これに該当する。
【０１５４】
従って、本発明は、少なくとも１つの半導体金属酸化物がＺｎＯであるような本発明による電子構造部品にも関する。
【０１５５】
本発明による電子構造部品の特に好ましい実施態様において、ｘ、ｙおよびｚが互いに無関係に０．０１〜１０である、無機錯体［（ＯＨ）x（ＮＨ3）yＺｎ］zから選択される半導体金属酸化物ＺｎＯが製造され、この場合ｘ、ｙおよびｚは、記載された錯体が無電荷であるように選択される。これに関連する詳細および好ましい実施態様は、上記に記載されている。
【０１５６】
従って、本発明は、半導体金属酸化物がｘ、ｙおよびｚが互いに無関係に０．０１〜１０である、無機錯体［（ＯＨ）x（ＮＨ3）yＺｎ］zから製造されるＺｎＯであるような本発明による電子構造部品に関し、この場合ｘ、ｙおよびｚは、記載された錯体が無電荷であるように選択される。
【０１５７】
更に、本発明は、少なくとも１つの基体、溶液から処理された、有機変性された酸化ケイ素化合物をベースとする、少なくとも１つの誘電体および溶液から処理された、少なくとも１つの半導体金属酸化物を含む電子構造部品にも関する。
【０１５８】
本発明による電子構造部品の前記実施態様において、溶液から処理された誘電体として、有利に上記された誘電体、特に有利に上記の有機変性された酸化ケイ素化合物、ならびに前記誘電体のための上記の前駆体化合物が使用される。更に、溶液から処理された半導体金属酸化物として、有利に上記の半導体金属酸化物、有利にＺｎＯ、ならびに該半導体金属酸化物のための上記の前駆体化合物が使用される。
【０１５９】
前記の実施態様において、基体は、一般に、Ｓｉウェーハ、ガラス、セラミック、金属、金属酸化物、半金属酸化物、プラスチック、例えばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリスチレン、ポリスルホンおよびその混合物からなる群から選択された。
【０１６０】
１つのことに好ましい実施態様において、本発明は、本発明による電子構造部品、有利にＦＥＴに関し、この場合このＦＥＴは、ゲートコンタクト、有利にアルミニウムゲートコンタクト、ｘ、ｙおよびｚが互いに無関係に０．０１〜１０である［（ＯＨ）x（ＮＨ3）yＺｎ］z溶液、殊に［（ＯＨ）2（ＮＨ3）4Ｚｎ］溶液、処理されたＺｎＯ半導体材料、メチル−およびフェニルシルセスキオキサン単位を含有するガラス樹脂のエチルラクテート溶液から処理された、シルセスキオキサン誘電体、ならびに有利にアルミニウムソース／ドレインコンタクトを有する、ポリエチレンナフタレート基体またはポリエチレンテレフタレート基体、殊にポリエチレンナフタレートフィルム基体またはポリエチレンテレフタレートフィルム基体を含み、この場合、ｘ、ｙおよびｚは、記載された錯体が無電荷であるように選択される。
【０１６１】
更に、本発明は、ポリエステル、例えばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリスルホンおよびその混合物、前記の有機変性された酸化ケイ素化合物をベースとする、少なくとも１つの誘電体および少なくとも１つの半導体金属酸化物からなる群から選択された、少なくとも１つの可撓性の基体を含む電子構造部品を製造するための有機変性された酸化ケイ素化合物の使用にも関する。
【０１６２】
更に、本発明は、少なくとも１つの基体、溶液から処理された、前記の有機変性された酸化ケイ素化合物をベースとする誘電体および溶液から処理された少なくとも１つの半導体金属酸化物を含む、電子構造部品を製造するための有機変性された酸化ケイ素化合物の使用に関する。
【０１６３】
本発明は、殊に半導体金属酸化物がｘ、ｙおよびｚが互いに無関係に０．０１〜１０である、無機錯体［（ＯＨ）x（ＮＨ3）yＺｎ］zから製造されるＺｎＯであるような本発明による使用に関し、この場合ｘ、ｙおよびｚは、記載された錯体が無電荷であるように選択される。
【０１６４】
更に、本発明は、殊に電子構造部品がＦＥＴであるような本発明による使用に関する。
【０１６５】
有機変性された酸化ケイ素化合物、電子構造部品の製造、殊に本発明による方法、ならびに電子構造部品それ自体、殊に基体に関連して、上記の記載がこれに該当する。
【図面の簡単な説明】
【０１６６】
【図１】本発明によるトランジスタの代表的な出発曲線（ＡＫ）を示す線図。
【図２】本発明によるトランジスタの代表的な増幅特性曲線（ＴＡＫ）を示す線図。
【実施例】
【０１６７】
実施例１：Ｚｎ（ＯＨ）2（ＮＨ3）4の製造
５００ｍｌの四口フラスコ中にＺｎＯ６．１０ｇ（Ｐｈａｒｍａ−Ｑｕａｌｉｔａｅｔ，Ｕｍｉｃｏｒｅ）を予め装入する。６．６ｍｏｌ／ｌ  ＮＨ3／Ｈ2Ｏ溶液５００ｍｌを添加する。この懸濁液を室温で一晩中、３００ｒｐｍで攪拌する。僅かな懸濁物を有する澄明な溶液を得、この懸濁物をガラスフリットを介して除去し、記載された錯体を有する澄明な溶液を得る。この溶液を元素分析することにより、溶液１００ｇ当たり１．０ｇのＺｎ含量を生じる。
【０１６８】
実施例２：溶液から処理されたＺｎＯ半導体材料および溶液から処理されたシルセスキオキサン誘電体を有するポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）フィルム基体上のＺｎＯＦＥＴの製造
アルミニウムゲート７５ｎｍ（熱蒸着）を有する清浄化されたＰＥＮフィルム基体（Ｔｅｏｎｅｘ，ＤｕＰｏｎｔ  Ｔｅｉｊｉｎ  Ｆｉｌｍｓ）上に、酢酸エチル中の、メチル−およびフェニルシルセスキオキサン単位からなるＧＲ  １５０  ガラス樹脂の２５質量％の溶液（Ｔｅｃｈｎｅｇｌａｓｓ，Ｉｎｃ．）を回転塗布し（６０秒、３０００ｒｐｍ）、引続き８０℃で１分間ならびに１５０℃で１時間、加熱する。酸素プラズマ処理（３０秒）後、実施例１からのＺｎ（ＯＨ）2（ＮＨ3）4溶液を回転塗布し（３０秒、３０００ｒｐｍ）、１５０℃で１時間、加熱する。ソース／ドレインコンタクト（チャンネル幅／チャンネル長さ比：２０）をアルミニウムの熱蒸着によって形成する。
【０１６９】
次の平均パラメーターを測定する：
移動度μ：２＊１０-2ｃｍ2／（Ｖ＊ｓ）
オン／オフ比：１０3、
ＶTしきい値電圧：５Ｖ。
【符号の説明】
【０１７０】
ＶＤ  ソースとドレインとの間の電圧、  ＩＤ  ソースとドレインとの間の電流、  ＶＧ  ソースとゲートとの間の電圧
【図１】
2013514643.tif 000013
【図２】
2013514643.tif 000014
【国際調査報告】
2013514643.tif 000015
2013514643.tif 000016
2013514643.tif 000017
2013514643.tif 000018
2013514643.tif 000019
2013514643.tif 000020