(57)【要約】  本発明は、光透過基底、陽極、光透過陰極を含み、前記陽極と前記光透過陰極の間に少なくとも２つの有機エレクトロルミネッセンス構造と少なくとも１つの電荷生成層を更に含み、２つずつ隣接する前記有機エレクトロルミネッセンス構造の間に前記電荷生成層を結合させ、前記電荷生成層と前記有機エレクトロルミネッセンス構造とが交互に配列して結合し、前記電荷生成層がＮ型半導体層と、Ｎ型半導体層に結合されるＰ型半導体層と、を含む両面発光有機エレクトロルミネッセンスデバイス及びその製造方法を開示する。この構造の両面発光有機エレクトロルミネッセンスデバイスは、必要な駆動電流が小さく、発光効率、輝度、光出力効率が高く、約３６０°の全方位照明が実現され、照射範囲と適用範囲が拡大され、寿命が長く、製造プロセスが簡単であり、生産コストが低くなった。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光透過基底、陽極、光透過陰極を含む両面発光有機エレクトロルミネッセンスデバイスであって、前記陽極と前記光透過陰極の間に少なくとも２つの有機エレクトロルミネッセンス構造と少なくとも１つの電荷生成層を更に含み、
２つずつ隣接する前記有機エレクトロルミネッセンス構造の間に前記電荷生成層を結合させ、前記電荷生成層と前記有機エレクトロルミネッセンス構造とが交互に配列して結合し、
前記電荷生成層がＮ型半導体層と、Ｎ型半導体層に結合されるＰ型半導体層と、を含むことを特徴とする両面発光有機エレクトロルミネッセンスデバイス。
【請求項２】
前記Ｎ型半導体層の厚さが１０〜３０ｎｍであり、前記Ｐ型半導体層の厚さが３〜３０ｎｍであることを特徴とする請求項１に記載の両面発光有機エレクトロルミネッセンスデバイス。
【請求項３】
前記Ｎ型半導体層がＮ型ドープ有機層であり、前記Ｐ型半導体層がＰ型ドープ有機層又は金属酸化物層であることを特徴とする請求項１に記載の両面発光有機エレクトロルミネッセンスデバイス。
【請求項４】
前記電荷生成層は、Ｎ型ドープ有機層とＰ型ドープ有機層とが結合して構成する場合に、前記Ｎ型ドープ有機層がＬｉ：Ａｌｑ３、Ｌｉ：ＴＰＢｉ、Ｃｓ：ＢＰｈｅｎ、Ｍｇ：Ａｌｑ３、Ｆ１６ＣｕＰｃ、Ｃｓ２ＣＯ３：Ａｌｑ３、Ｌｉ：ＢＰｈｅｎ、Ｃｓ：ＢＣＰ、Ｌｉ：ＢＣＰの少なくとも１種であり、
前記Ｐ型ドープ有機層がＦｅＣｌ３：ＮＰＢ、Ｆ４−ＴＣＮＱ：ＮＰＢ、Ｆ４−ＴＣＮＱ：ｍ−ＭＴＤＡＴＡ、ＣｕＰｃの少なくとも１種であることを特徴とする請求項３に記載の両面発光有機エレクトロルミネッセンスデバイス。
【請求項５】
前記電荷生成層は、Ｎ型ドープ有機層と金属酸化物層とが結合して構成する時に、前記Ｎ型ドープ有機層がＬｉ：Ａｌｑ３、Ｌｉ：ＴＰＢｉ、Ｃｓ：ＢＰｈｅｎ、Ｍｇ：Ａｌｑ３、Ｆ１６ＣｕＰｃ、Ｃｓ２ＣＯ３：Ａｌｑ３、Ｌｉ：ＢＰｈｅｎ、Ｃｓ：ＢＣＰ、Ｌｉ：ＢＣＰの少なくとも１種であり、
前記金属酸化物層における金属酸化物がＭｏＯ３、Ｖ２Ｏ５、ＷＯ３、ナノインジウムスズ金属酸化物の少なくとも１種であることを特徴とする請求項３に記載の両面発光有機エレクトロルミネッセンスデバイス。
【請求項６】
前記陽極と前記有機エレクトロルミネッセンス構造の発光層の間に順に正孔注入層、正孔輸送層の少なくとも１種を設け、前記有機エレクトロルミネッセンス構造の発光層と前記電荷生成層におけるＮ型半導体層の間に順に電子輸送層、電子注入層の少なくとも１種を含み、前記有機エレクトロルミネッセンス構造の発光層と前記電荷生成層におけるＰ型半導体層の間に順に正孔注入層、正孔輸送層の少なくとも１種を含み、前記有機エレクトロルミネッセンス構造の発光層と前記光透過陰極の間に順に電子輸送層、電子注入層の少なくとも１種を含むことを特徴とする請求項１に記載の両面発光有機エレクトロルミネッセンスデバイス。
【請求項７】
前記光透過陰極の外表面に、厚さが４０〜１００ｎｍであり、材質がＡｌｑ３、ＺｎＳｅ、ＴｅＯ２、ＭｏＯｘ、ＢＣＰ、ｍ−ＭＴＤＡＴＡ、ＺｎＳの少なくとも１種である透過率増加膜層が更に結合されていることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の両面発光有機エレクトロルミネッセンスデバイス。
【請求項８】
前記陽極と光透過基底の間及び／又は光透過陰極の外表面に、厚さが５０〜２００ｎｍであり、材質がＳｉＮｘ、ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、Ａｌ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５の少なくとも１種である水気遮断層が更に設けられていることを特徴とする請求項７に記載の両面発光有機エレクトロルミネッセンスデバイス。
【請求項９】
光透過基底を提供するステップと、
前記光透過基底の１つの表面に陽極をめっきするステップと、
前記陽極の前記光透過基底に対する表面に少なくとも２つの有機エレクトロルミネッセンス構造と少なくとも１つの電荷生成層をめっきし、そのうち、前記電荷生成層が、２つずつ隣接する前記有機エレクトロルミネッセンス構造の間に結合され、前記有機エレクトロルミネッセンス構造と交互に配列して結合し、前記電荷生成層がＮ型半導体層と、Ｎ型半導体層に結合されるＰ型半導体層と、を含むステップと、
最後に光透過陰極をめっきして、前記有機エレクトロルミネッセンスデバイスを得るステップと、を含むことを特徴とする請求項１に記載の両面発光有機エレクトロルミネッセンスデバイスの製造方法。
【請求項１０】
前記光透過陰極の外表面に透過率増加膜層が更にめっきされていることを特徴とする請求項９に記載の両面発光有機エレクトロルミネッセンスデバイスの製造方法。
【請求項１１】
前記陽極と光透過基底の間及び／又は光透過陰極の外表面に水気遮断層をめっきするステップを更に含むことを特徴とする請求項９に記載の両面発光有機エレクトロルミネッセンスデバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気的光源の技術分野に関し、具体的には、両面発光有機エレクトロルミネッセンスデバイス及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電気的光源産業は、以前から世界各国で競って研究されている人気課題であり、世界経済において非常に重要な地位にある。現在広く用いられている光源がガス放電光源であり、このような光源は、ランプの内部を真空にした後、水銀を含む混合ガスを入れ、ガス放電によって発光させたり、ガス放電によって生じた紫外光で蛍光粉を励起して発光させることを原理とする。しかしながら、ガス放電光源のパルスフラッシュによって視覚疲労を招きやすいと共に、水銀が環境に汚染を与え、社会と科学技術の進歩に伴って、伝統的な光源の代わりに、省エネであり環境にやさしいグリーン光源に対する研究開発を行うことが、各国で競って研究される重要な課題になる。
【０００３】
有機エレクトロルミネッセンスデバイスは電気的光源の１種である。有機エレクトロルミネッセンス(Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｓｓｉｏｎ  Ｄｉｏｄｅ)は、ＯＬＥＤと略称され、輝度が高く、材料選択範囲が広く、駆動電圧が低く、全固体型アクティブ発光である等の特性を有すると共に、高精細、広視野角及び高応答速度等の長所を有し、そして、極めて優れたフレキシビリティーを有して、折り畳んだり曲げたりでき、かなり潜在力を有するフレキシブル表示技術と光源となり、情報時代移動通信と情報表示の発展趨勢及びグリーン照明技術の要求に合っており、現在国内外における多くの研究者に注目される重点である。
【０００４】
有機エレクトロルミネッセンスデバイスは、一般的に、サンドイッチのような構造を有し、通常、陽極、有機エレクトロルミネッセンス構造及び陰極を有し、そのうち、有機エレクトロルミネッセンス構造に正孔注入層と正孔輸送層の少なくとも１種、発光層及び電子輸送層と電子注入層の少なくとも１種を含み、図１は、これらの構造のすべてを有する従来の有機エレクトロルミネッセンスデバイスの構造模式図であり、透明ベース１１と、透明ベース１１に順に結合される陽極１２、有機エレクトロルミネッセンス構造１３、陰極１４とを有する。そのうち、有機エレクトロルミネッセンス構造１３は、正孔注入層１３１、正孔輸送層１３２、発光層１３３、電子輸送層１３４、電子注入層１３５を含む。
【０００５】
今まで、全世界各国の科学研究者は、適切な有機材料と合理的なデバイス構造設計を選択することによって、デバイスの性能の各指標を大きく向上させたが、現在では発光デバイスの駆動電流が大きく、発光効率が低く、デバイス寿命が短いので、有機エレクトロルミネッセンスデバイスの実用化を実現するために、駆動電流が小さく、発光効率が高い発光デバイス構造が迫って求められている。
【０００６】
なお、従来の技術のＯＬＥＤは、いずれも光を陽極又は陰極の片側からのみ取り出すことができ、ボトム放射又はトップ放射のＯＬＥＤデバイスしか製造できない。研究者によって発明されたいくつかの両面発光表示のＯＬＥＤ装置は、二層構造設計を採用しており、即ち、２つのＯＬＥＤ発光表示ユニットを背中合わせ(Ｂａｃｋ  ｔｏ  Ｂａｃｋ)の方式で結合させて、上記の両面の発光又は表示を実現する。このような構造設計によってＯＬＥＤ装置の構造が複雑になり、厚さや重量が大きくなり、コストが大幅に増加してしまう。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の実施例は、従来の技術の前記不足を克服して、駆動電流が小さく、発光輝度、電流効率が高い両面発光有機エレクトロルミネッセンスデバイス及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上述した発明目的を実現するために、本発明の実施例の技術方案は以下の通りである。
【０００９】
光透過基底、陽極、光透過陰極を含み、前記陽極と前記光透過陰極の間に少なくとも２つの有機エレクトロルミネッセンス構造と少なくとも１つの電荷生成層を更に含み、
２つずつ隣接する前記有機エレクトロルミネッセンス構造の間に前記電荷生成層を結合させ、前記電荷生成層と前記有機エレクトロルミネッセンス構造とが交互に配列して結合し、
前記電荷生成層がＮ型半導体層と、Ｎ型半導体層に結合されるＰ型半導体層と、を含む両面発光有機エレクトロルミネッセンスデバイス。
【００１０】
光透過基底を提供するステップと、
前記光透過基底の１つの表面に陽極をめっきするステップと、
前記陽極の前記光透過基底に対する表面に少なくとも２つの有機エレクトロルミネッセンス構造と少なくとも１つの電荷生成層をめっきし、そのうち、前記電荷生成層が、２つずつ隣接する前記有機エレクトロルミネッセンス構造の間に結合され、前記有機エレクトロルミネッセンス構造と交互に配列して結合し、前記電荷生成層がＮ型半導体層と、Ｎ型半導体層に結合されるＰ型半導体層と、を含むステップと、
最後に光透過陰極をめっきして、前記有機エレクトロルミネッセンスデバイスを得るステップと、を含む両面発光有機エレクトロルミネッセンスデバイスの製造方法。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の両面発光有機エレクトロルミネッセンスデバイスは、電荷生成層を２つ又は複数の有機エレクトロルミネッセンス構造に接続させて、約３６０°の全方位照明を実現し、照射範囲と適用範囲を拡大すると共に、この構造の両面発光有機エレクトロルミネッセンスデバイスに必要な駆動電流が小さく、発光効率、輝度、光出力効率が高く、同時に、必要な駆動電流が小さいので、その寿命を延長させた。この両面発光有機エレクトロルミネッセンスデバイスの製造方法は、順に各層の構造をめっきすればよく、その製造プロセスが簡単であり、生産効率が向上し、生産コスが低下しており、工業化生産に適用される。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】従来の片面発光有機エレクトロルミネッセンスデバイスの構造模式図である。
【図２】本発明の実施例に係る両面発光有機エレクトロルミネッセンスデバイスの第１種の構造の模式図である。
【図３】本発明の実施例に係る両面発光有機エレクトロルミネッセンスデバイスの第２種の構造の模式図である。
【図４】本発明の実施例に係る両面発光有機エレクトロルミネッセンスデバイスの第３種の構造の模式図である。
【図５】本発明の実施例に係る両面発光有機エレクトロルミネッセンスデバイスの第４種の構造の模式図である。
【図６】本発明の実施例に係る両面発光有機エレクトロルミネッセンスデバイスの封入後の構造の模式図である。
【図７】本発明の実施例に係る両面発光有機エレクトロルミネッセンスデバイスの製造方法の流れ模式図である。
【図８】本発明の実施例１によって製造された両面発光有機エレクトロルミネッセンスデバイス及び対比例５における電荷生成層が設けられていない有機エレクトロルミネッセンスデバイスの発光輝度と電流密度との関係図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
本発明が解決しようとする技術問題、技術方案及び有益な効果をより明らかにするために、以下、実施例を参照しながら、本発明を更に詳しく説明する。ここで述べた具体的な実施例が本発明を説明するためのものだけであり、本発明を限定しないことを理解すべきである。
【００１４】
有機エレクトロルミネッセンスデバイス（ＯＬＥＤ）は、印加電場の作用で、電子が陰極から有機物の最低空軌道（ＬＵＭＯ）に注入され、正孔が陽極から有機物の最高被占軌道（ＨＯＭＯ）に注入されることを発光原理とする。電子と正孔が発光層で会って結合し、励起子を形成し、励起子が電場作用で遷移して、エネルギーを発光材料に伝達し、そして電子を励起させて基底状態から励起状態に遷移させ、励起状態のエネルギーが放射によって失活し、光子を発生させて、光エネルギーを放出する。発した光が基底に照射される時に、基底又は／及び基底に結合された陽極の界面で屈折されたり反射されたりし、屈折された光によって有機エレクトロルミネッセンスデバイスの発した光の損失を招くが、反射された光が有機エレクトロルミネッセンスデバイスのトップの光射出面に反射されて射出され、有機エレクトロルミネッセンスデバイスの発した光の光取り出し効率を増強できる。したがって、光の屈折が発生する界面の特性を変え、元に屈折される光がこの界面に照射された後で全反射又は反射されると、有機エレクトロルミネッセンスデバイスの発した光の光取り出し効率を更に増強できる。
【００１５】
本発明の実施例は、図２〜６に示すように、上述した原理によって駆動電流が小さく、発光輝度、電流効率が高い両面発光有機エレクトロルミネッセンスデバイスを提供する。この両面発光有機エレクトロルミネッセンスデバイスは、光透過基底２１、陽極２２、光透過陰極２５、少なくとも２つの有機エレクトロルミネッセンス構造２３、少なくとも１つの電荷生成層２４を含む。各構造の接続関係は以下の通りであり、この電荷生成層２４がそれぞれ２つずつ隣接する前記有機エレクトロルミネッセンス構造２３の間に結合され、有機エレクトロルミネッセンス構造２３と交互に配列して結合し一体に構成し、両端に位置する一方の有機エレクトロルミネッセンス構造２３ａの電荷生成層２４に対する表面が順に陽極２２、光透過基底２１に結合され、他方の有機エレクトロルミネッセンス構造２３ｂの電荷生成層２４に対する表面が光透過陰極２５に結合される。この電荷生成層２４は、Ｎ型半導体層２４１、Ｎ型半導体層２４１に結合されるＰ型半導体層２４２を含む。
【００１６】
このように、この両面発光有機エレクトロルミネッセンスデバイスは、電荷生成層を２つ又は複数の有機エレクトロルミネッセンス構造に接続させて、約３６０°の全方位照明を実現し、照射範囲と適用範囲を拡大すると共に、この構造の両面発光有機エレクトロルミネッセンスデバイスに必要な駆動電流が小さく、発光効率、輝度、光出力効率が高く、同時に、必要な駆動電流が小いので、その寿命を有効に延長させた。本発明の実施例における電荷生成層２４は、Ｎ型半導体層２４１とＰ型半導体層２４２とが結合する構造を採用している。電圧印加後、電荷生成層２４に電子と正孔とが生じ、それぞれ外部の陽極と光透過陰極２５へ移動して有機エレクトロルミネッセンス構造２３に注入され、最終的に外部電極に発生した正孔、電子と結合して励起子を形成し、発光層において放射減衰して発光させる。したがって、この電荷生成層２４によって本発明の実施例に係る両面発光有機エレクトロルミネッセンスデバイスに必要な作動電流を低下させ、両面発光有機エレクトロルミネッセンスデバイスの発光輝度を高くし、電流効率を向上させた。
【００１７】
具体的には、上述した電荷生成層２４において、Ｎ型ドープ有機層２４１の厚さが、好ましくは１０〜３０ｎｍであり、Ｐ型ドープ有機物又は金属酸化物層２４２の厚さが、好ましくは３〜３０ｎｍである。
【００１８】
上述したＮ型半導体層２４１はＮ型ドープ有機層であり、前記Ｐ型半導体層２４１はＰ型ドープ有機物層又は金属酸化物層である。
【００１９】
上述した電荷生成層２４は、Ｎ型ドープ有機層２４１とＰ型ドープ有機層２４２とが結合して構成される場合に、このＮ型ドープ有機層２４１の材質が、好ましくはＬｉ：Ａｌｑ３、Ｌｉ：ＴＰＢｉ、Ｃｓ：ＢＰｈｅｎ、Ｍｇ：Ａｌｑ３、Ｆ１６ＣｕＰｃ、Ｃｓ２ＣＯ３：Ａｌｑ３、Ｌｉ：ＢＰｈｅｎ、Ｃｓ：ＢＣＰ、Ｌｉ：ＢＣＰの少なくとも１種であり、Ｐ型ドープ有機層２４２の材質が、好ましくはＦｅＣｌ３：ＮＰＢ、Ｆ４−ＴＣＮＱ：ＮＰＢ、Ｆ４−ＴＣＮＱ：ｍ−ＭＴＤＡＴＡ、ＣｕＰｃの少なくとも１種である。
【００２０】
上述した電荷生成層２４は、Ｎ型ドープ有機層２４１と金属酸化物層２４２とが結合して構成される場合に、このＮ型ドープ有機層２４１の材質が、好ましくはＬｉ：Ａｌｑ３、Ｌｉ：ＴＰＢｉ、Ｃｓ：ＢＰｈｅｎ、Ｍｇ：Ａｌｑ３、Ｆ１６ＣｕＰｃ、Ｃｓ２ＣＯ３：Ａｌｑ３、Ｌｉ：ＢＰｈｅｎ、Ｃｓ：ＢＣＰ、Ｌｉ：ＢＣＰの少なくとも１種であり、金属酸化物層２４２の材質が、好ましくはＭｏＯ３、Ｖ２Ｏ５、ＷＯ３、ナノインジウムスズ金属酸化物の少なくとも１種である。
【００２１】
したがって、上述した電荷生成層２４がＬｉ：Ａｌｑ３／ＦｅＣｌ３：ＮＰＢ、Ｌｉ：ＴＰＢｉ／ＦｅＣｌ３：ＮＰＢ、Ｃｓ：ＢＰｈｅｎ／Ｆ４−ＴＣＮＱ：ＮＰＢ、Ｍｇ：Ａｌｑ３／Ｆ４−ＴＣＮＱ：ｍ−ＭＴＤＡＴＡ、Ｆ１６ＣｕＰｃ／ＣｕＰｃ、Ｃｓ２ＣＯ３：Ａｌｑ３／ＭｏＯ３、Ｌｉ：ＢＰｈｅｎ／ＭｏＯ３、Ｃｓ：ＢＣＰ／ＩＴＯ、Ｌｉ：ＢＣＰ／Ｖ２Ｏ５、Ｍｇ：Ａｌｑ３／ＷＯ３等の構造であってよい。
【００２２】
上述した電荷生成層２４の厚さと材質は電子と正孔の生成に更に有利であると共に、光の透過にも有利である。
【００２３】
具体的には、上述した光透過基底２１の材質は、好ましくは光透過ガラス又は透明ポリマー薄膜材料であるが、勿論、代わりに本分野の他の材質を用いてもよい。光透過基底２１の厚さは本分野で通常に用いられる厚さを採用してもよいが、優れた光透過性を有することを基準とすべきであり、測定したところ、上述した好ましい材質の光透過率が９５％と高い。
【００２４】
具体的には、上述した陽極２２の材質が、好ましくはインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、アルミニウムドープ酸化亜鉛（ＡＺＯ）、インジウムドープ酸化亜鉛（ＩＺＯ）である。勿論、フッ素ドープ酸化スズ（ＦＴＯ）等の本分野で通常に用いられる他の材質を採用してもよい。光透過陽極２２の厚さは本分野で通常に用いられる厚さを採用してもよいが、正極２２の通電過程での熱量を低下させるために、優れた導電性を有することを基準とすべきであり、同時に、優れた光透過性能を有すべきである。
【００２５】
具体的には、上述した光透過陰極２５の材質が、好ましくは金(Ａｕ)、銀(Ａｇ)、カルシウム(Ｃａ)、マグネシウム(Ｍｇ)、アルミニウム(Ａｌ)、マグネシウムアルミニウム合金又はマグネシウム銀合金であり、光透過陰極２５の厚さは本分野で通常に用いられる厚さを採用してもよいが、通電過程での熱量を低下させるために、優れた導電性を有することを基準とすべきであり、同時に、優れた光透過性能を有すべきである。この光透過陰極２５は、更に好ましくはＡｌ／Ａｇ二層構造であり、そのうち、Ａｌ層の厚さが、好ましくは０．５ｎｍであり、Ａｇ層の厚さが、好ましくは２０ｎｍである。
【００２６】
具体的には、上述した有機エレクトロルミネッセンス構造２３は、発光層２３３及び／又は正孔注入層２３１、正孔輸送層２３２、電子輸送層２３４、電子注入層２３５の少なくとも１種を含む。そのうち、光層は赤、黄、青、緑等の発光材料を採用してよく、発光装置に複数の発光層が存在する時に、同じ又は異なる種類の発光材料を採用してよく、異なる発光材料を採用する場合に、発光材料の類型を調節することによって白光放射を実現でき、また、有機エレクトロルミネッセンス構造２３が２つであり、電荷生成層２４が１つである場合に、図２に示すように、有機エレクトロルミネッセンス構造２３ａの一端が陽極２２に結合され、他端が電荷生成層２４に結合されており、そのうち、有機エレクトロルミネッセンス構造２３ａにおける発光層２３３ａと陽極２２の間に正孔注入層２３１ａ、正孔輸送層２３２ａの少なくとも１種を更に有し、発光層２３３ａと電荷生成層２４におけるＮ型半導体層２４１の間に電子輸送層２３４ａ、電子注入層の少なくとも１種を有し、有機エレクトロルミネッセンス構造２３ｂの一端が光透過陰極２５に結合され、他端が電荷生産層２４に結合されており、有機エレクトロルミネッセンス構造２３ｂにおける発光層２３３ｂと光透過陰極２５の間に電子輸送層２３４ｂ、電子注入層２３５ｂの少なくとも１種を有し、発光層２３３ｂと前記電荷生成層２４におけるＰ型半導体層２４２の間に正孔注入層２３１ｂ、正孔輸送層２３２ｂの少なくとも１種を有する。
【００２７】
有機エレクトロルミネッセンス構造２３が３つであり、電荷生成層２４が２つである場合に、図３に示すように、有機エレクトロルミネッセンス構造２３と電荷生成層２４とが間隔をおいて配列して一体に結合し、有機エレクトロルミネッセンス構造２３ａの一端が陽極に結合され、他端が電荷生成層２４ａに結合され、他端の有機エレクトロルミネッセンス構造２３ｂの一端が光透過陰極２５に結合され、他端が電荷生成層２４ｂに結合されており、有機エレクトロルミネッセンス構造２３ａと有機エレクトロルミネッセンス構造２３ｂがそれぞれ発光層２３３及び／又は正孔注入層２３１、正孔輸送層２３２、電子輸送層２３４、電子注入層２３５の少なくとも１種を含み、正孔注入層２３１、正孔輸送層２３２、電子輸送層２３４、電子注入層２３５の結合方式について、上述した有機エレクトロルミネッセンス構造２３が２つであり、電荷生成層２４が１つである場合の結合方式と同様である。第３の有機エレクトロルミネッセンス構造２３ｃがこの電荷生成層２４ａと電荷生成層２４ｂの間に結合されており、そのうち、電荷生成層２４ａにおけるＰ型半導体層２４２ａと有機エレクトロルミネッセンス構造２３ｃにおける発光層２３３ｃの間に正孔注入層２３１ｃ、正孔輸送層２３２の少なくとも１種を含み、電荷生成層２４ｂにおけるＮ型半導体層２４１ｂと有機エレクトロルミネッセンス構造２３ｃにおける発光層２３３ｃの間に電子輸送層２３４ｃ、電子注入層２３５ｃの少なくとも１種を含む。そのうち、電荷生成層におけるＮ型半導体層とＰ型半導体層とを比べると、Ｎ型半導体層が正極に近く、Ｐ型半導体層が光透過陰極２５に近く、即ち、電荷生成層２４ａと電荷生成層２４ｂが本実施例に係る両面発光有機エレクトロルミネッセンスデバイスにおいて同様な方向に結合される。
【００２８】
類推で、有機エレクトロルミネッセンス構造２３の数量が３以上であり、電荷生成層２４の数量が２以上である場合に、有機エレクトロルミネッセンス構造２３と電荷生成層２４とが順に間隔をおいて配列して結合する。本実施例に係る両面発光有機エレクトロルミネッセンスデバイスの構造が図３と同様であり、有機エレクトロルミネッセンス構造２３と電荷生成層２４とが順に間隔をおいて配列して結合する数量の増加と減少だけを異なる点とする。したがって、本発明の技術方案の範囲内で行った変更であれば、すべて本発明の特許請求の範囲に含まれる。
【００２９】
以上のように、本発明の実施例に係る両面発光有機エレクトロルミネッセンスデバイスは、少なくとも以下のいくつかの構造であってよく、勿論、下述の構造のみに限定されない。
【００３０】
第１種の構造：図２に示すように、本発明の実施例に係る両面発光有機エレクトロルミネッセンスデバイスは、順に結合する光透過基底２１、陽極２２、正孔注入層２３１ａ、正孔輸送層２３２ａ、発光層２３３ａ、電子輸送層２３４ａ、Ｎ型半導体層２４１、Ｐ型半導体層２４２、正孔注入層２３１ｂ、正孔輸送層２３２ｂ、発光層２３３ｂ、電子輸送層２３４ｂ、電子注入層２３５ｂ、光透過陰極２５を含む。
【００３１】
第２種の構造：図３に示すように、本発明の実施例に係る両面発光有機エレクトロルミネッセンスデバイスは、順に結合する光透過基底２１、陽極２２、正孔注入層２３１ａ、正孔輸送層２３２ａ、発光層２３３ａ、電子輸送層２３４ａ、Ｎ型半導体層２４１ａ、Ｐ型半導体層２４２ａ、正孔注入層２３１ｃ、正孔輸送層２３２ｃ、発光層２３３ｃ、電子輸送層２３４ｃ、電子注入層２３５ｃ、Ｎ型半導体層２４１ｂ、Ｐ型半導体層２４２ｂ、正孔注入層２３１ｂ、正孔輸送層２３２ｂ、発光層２３３ｂ、電子輸送層２３４ｂ、電子注入層２３５ｂ、光透過陰極２５を含む。
【００３２】
第３種の構造：図４に示すように、本発明の実施例に係る両面発光有機エレクトロルミネッセンスデバイスは、順に結合する光透過基底２１、陽極２２、正孔輸送層２３２ａ、発光層２３３ａ、Ｎ型半導体層２４１、Ｐ型半導体層２４２、発光層２３３ｂ、電子輸送層２３４ｂ、光透過陰極２５を含む。
【００３３】
上述した正孔注入層２３１の厚さが、好ましくは２０〜８０ｎｍであり、その材質が、好ましくは遷移金属酸化物であり、更に好ましくは、ｍ−ＭＴＤＡＴＡであり、勿論、代わりに本分野で通常に用いられる他の材質を用いてもよい。正孔輸送層２３２の厚さが、好ましくは２０〜８０ｎｍであり、その材質が、好ましくはＮＰＢ、ｍ−ＭＴＤＡＴＡ、ＴＰＤ、β−ＮＰＢ、Ｓｐｉｒｏ−ＮＰＢ、ＤＭＦ−ＮＰＢ、α,β−ＮＰＢ、ｓｐｉｒｏ−ＴＡＤ、ＤＭＦ−ＴＰＤの少なくとも１種である。電子輸送層２３４の厚さが、好ましくは２０〜８０ｎｍであり、その材質が、好ましくはＢｐｈｅｎ、Ａｌｑ３、ＢＣＰ、Gａｌｑ、ＢｅＢｑ２、Ｂａｌｑ、ＴＰＢｉ、ＯＸＤ−７、ＴＡＺの少なくとも１種である。電子注入層２３５の厚さが、好ましくは２０〜８０ｎｍであり、その材質が、好ましくはＬｉＦであり、勿論、代わりに本分野で通常に用いられる他の材質を用いてもよい。例えば、アルカリ土類金属フッ化物（ＮａＦ、ＣｓＦ、ＣａＦ２、ＭｇＦ２）又は塩化物（ＮａＣｌ、ＫＣｌ、ＲｂＣｌ）が挙げられる。
【００３４】
上述した発光層２３３の厚さが、好ましくは２０〜８０ｎｍであり、この発光層２３３には赤、黄、青、緑等の発光材料を採用してよく、上述した有機エレクトロルミネッセンス構造の数が２以上である場合に、同じ又は異なる種類の発光材料を採用してよく、異なる発光材料を採用する場合に、発光材料の類型を調節することによって白光放射又は他の色の光放射を実現できる。この発光層２３３として、好ましくはＣ５４５Ｔ：Ａｌｑ３、(Ｆ−ＢＴ)２Ｉｒ(ａｃａｃ)：ＣＢＰ、ＤＰＶＢｉ、ＦＩｒＰｉｃ：ＣＢＰ、Ｉｒ(ｐｐy)３：ＣＢＰ、Ｉｒ(ｐｉｑ)３：ＣＢＰの少なくとも１種である。勿論、代わりに本分野の他の材質を採用してもよく、例えば、ジメチルキナクリドン（ＤＭＱＡ）等を採用してもよい。
【００３５】
有機エレクトロルミネッセンスデバイスは、発光過程において、正孔と電子の輸送速度率が一致していないので、電子−正孔の結合確率が通常低く、その輝度と効率の向上ができない。したがって、正孔注入層２３１、正孔輸送層２３２、発光層２３３、電子輸送層２３４、電子注入層２３５という配置を採用することによって、電子及び正孔の注入と輸送の速度率を有効に調節し、キャリヤーのバランスをとり、結合領域を制御することができ、好ましい発光輝度と発光効率が得られると同時に、本発明の実施例に係る有機エレクトロルミネッセンスデバイスにおける有機エレクトロルミネッセンス構造のそれぞれと電荷生成層２４、陽極２２、光透過陰極２５の間の良好な付着性を保証しているだけではなく、陽極２２と光透過陰極２５からのキャリヤーを容易に有機エレクトロルミネッセンス構造に注入できる。例えば、正孔注入層２３１が、好ましくは遷移金属酸化物であり、このような材料は、エネルギーレベルが有機正孔輸送層２３２とマッチングしており、陽極２２の正孔注入が著しく増強されて、電子及び正孔の注入と輸送の速度率が有効に調節され、キャリヤーのバランスが取られ、結合領域が制御されており、本発明の実施例に係る両面発光有機エレクトロルミネッセンスデバイスに好ましい発光輝度と発光効率を持たせた。
【００３６】
更に、本発明の実施例に係る両面発光有機エレクトロルミネッセンスデバイスにおいて、図５に示すように、上述した陽極２２と光透過基底２１の間に一層の水気遮断層２６を更に設けてよい。水気遮断層２６を設けるのは、使用過程において、大気中の水気が両面発光有機エレクトロルミネッセンスデバイスにしみ込んで、両面発光有機エレクトロルミネッセンスデバイスの効率に影響を与えることを防止するためである。この水気遮断層２６の厚さが、好ましくは５０〜２００ｎｍであり、その材質が、好ましくはＳｉＮｘ、ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、Ａｌ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５の少なくとも１種である。この材質と厚さの水気遮断層２６は、水気のしみ込みをより効果的に阻止できると共に、光透過性能が良好である。例えば、ＳｉＮｘで形成した水気遮断層２６は、緻密であり、光透過性が優れ、有効に水気を遮断できる。光透過基底２１の材質種類によって水気遮断層２６を設けてよく、例えば、光透過基底２１の材質が透明ポリマー薄膜材料である場合に、好ましくはこの透明ポリマー薄膜光透過基底２１の１つの表面に水気遮断層２６を設ける。勿論、光透過基底２１の材質が透明ガラスである場合に、この水気遮断層２６を増設してもよい。
【００３７】
更に、本発明の実施例に係る両面発光有機エレクトロルミネッセンスデバイスにおいて、図５に示すように、上述した光透過陰極２５の有機エレクトロルミネッセンス構造２３に対する表面に透過率増加膜層２７が結合されている。金属光透過陰極２５の光透過率が光透過ベースの光透過率よりも低いので、この透過率増加膜層２７を設けることによって光透過陰極２５の光透過性を更に増強して、光透過陰極２５の光出力効率を向上させることができる。この透過率増加膜２６の厚さが、好ましくは４０〜１００ｎｍであり、その材質が、好ましくはＡｌｑ３、ＺｎＳｅ、ＴｅＯ２、ＭｏＯｘ、ＢＣＰ、ｍ−ＭＴＤＡＴＡ、ＺｎＳの少なくとも１種である。測定したところ、本発明の実施例に係る両面発光有機エレクトロルミネッセンスデバイスに透過率増加膜層２７を増設することによって、光透過陰極２５での光透過率を８〜１０％と増加させた。
【００３８】
透過率増加膜層２７の外表面に、又は直接に光透過陰極２５の外表面に透明被覆層２８を更に増設してよく、この透明被覆層２８を設けるのは、光透過陰極２５の酸化を更に阻止するためである。図６に示すように、水気が光透過陰極２５側から本発明の実施例に係る両面発光有機エレクトロルミネッセンスデバイスにしみ込むことを阻止するために、透過率増加膜層２７、又は光透過陰極２５と透明被覆層２８の間に上述した水気遮断層２６を更に増設してよい。
【００３９】
更に、本発明の実施例に係る両面発光有機エレクトロルミネッセンスデバイスにおける各層の構造に対する更なる保護、及びその発光強度と発光効率に対する保証を図るために、光透過基底２１と透明被覆層２８の間及び２２、２３、２４、２５の周囲、又は２２、２３、２４、２５、２６、２７の周囲に更に一層の透明接着剤２９を封入してよく、この透明接着剤２９の材質が紫外線硬化接着剤(ＵＶ接着剤)であってよく、勿論、代わりに本分野の他の接着剤を採用してもよい。透明接着剤２９が封入された本発明の実施例に係る両面発光有機エレクトロルミネッセンスデバイスの構造が図６に示す通りである。
【００４０】
本発明の実施例は、上述した原理によって上述した両面発光有機エレクトロルミネッセンスデバイスの製造方法を更に提供し、この方法の工程図が図７に示す通りであり、同時に図２〜６を参照し、この方法が、
Ｓ１：光透過基底２１を提供するステップと、
Ｓ２：光透過基底２１の１つの表面に陽極２２をめっきするステップと、
Ｓ３：陽極２２の光透過基底２１に対する表面に少なくとも２つの有機エレクトロルミネッセンス構造２３と少なくとも１つの電荷生成層２４をめっきし、そのうち、電荷生成層２４が２つずつ隣接する有機エレクトロルミネッセンス構造２３の間に結合され、有機エレクトロルミネッセンス構造２３と交互に配列して結合され、電荷生成層２４がＮ型半導体層２４１と、Ｎ型半導体層２４１に結合されるＰ型半導体層２４２と、を含むステップと、
Ｓ４：最後に光透過陰極２５をめっきして、両面発光有機エレクトロルミネッセンスデバイスを得るステップと、を含む。
【００４１】
上述した両面発光有機エレクトロルミネッセンスデバイスの製造方法は、順に各層の構造をめっきすればよく、その製造プロセスが簡単であり、生産効率が向上し、生産コストが低下しており、工業化生産に適用される。
【００４２】
具体的には、上述した両面発光有機エレクトロルミネッセンスデバイスの製造方法のステップＳ１において、光透過基底２１の構造、材質及び規格が上述した通りであり、ここでくどくどと述べない。
【００４３】
上述した両面発光有機エレクトロルミネッセンスデバイスの製造方法のステップＳ２において、陽極２をめっきする方式が、好ましくは蒸着、スパッタリング又はジェットメッキである。そのうち、スパッタリングはマグネトロンスパッタリングであってよい。陽極２の材質及びめっき厚さについては上述したので、ここでくどくどと述べない。この陽極２２の次の蒸着を行う前に、前処理が必要であり、この前処理の方式は洗浄、酸素プラズマ処理等を含む。そのうち、陽極２２の表面の異物を徹底的に除去して、陽極２２の表面を最大限に清浄にするために、洗浄方式として、順に洗剤、脱イオン水、アセトン、エタノール、イソプロパノールでそれぞれ１５ｍｉｎ超音波洗浄する方式が好ましく、陽極２２に対して洗浄処理を行ってから、酸素プラズマ処理を行い、この酸素プラズマ処理の時間が、好ましくは５−１５ｍｉｎであり、電力が、好ましくは１０−１５０Ｗであり、その主な作用は導電ガラスの表面の粗度と接触角を小さくして、その表面の湿潤性と吸着性の改善を図ることにあり、そして、表面処理によってその表面の有機汚染物を更に除去できる。
【００４４】
上述した両面発光有機エレクトロルミネッセンスデバイスの製造方法のステップＳ３において、有機エレクトロルミネッセンス構造２３と電荷生成層２４をめっきする方式が、好ましくは蒸着、スパッタリング、ジェットメッキ又は化学成長方式である。例えば、この有機エレクトロルミネッセンス構造２３が、好ましくは順に結合する正孔注入層２３１、正孔輸送層２３２、発光層２３３、電子輸送層２３４、電子注入層２３５を含む場合に、蒸着、スパッタリング、ジェットメッキ又は化学成長方式によって陽極２に順に正孔注入層２３１、正孔輸送層２３２、発光層２３３、電子輸送層２３４、電子注入層２３５をめっきする。有機エレクトロルミネッセンス構造２３と電荷生成層２４の構造等の状況については上述したので、ここでくどくどと述べない。
【００４５】
上述した両面発光有機エレクトロルミネッセンスデバイスの製造方法のステップＳ４において、光透過陰極２５をめっきする方式が有機発光構造２３をめっきする方式と同様であり、或いは、例えば陽極２２をめっきする方式を採用してよく、光透過陰極２５の厚さと材質が前記の通りである。
【００４６】
この両面発光有機エレクトロルミネッセンスデバイスの製造は、光透過基底２１に順に各層の構造をめっきすれば、最終な製品が得られ、製造プロセスが簡単であり、生産効率が向上し、生産コストが低下しており、工業化生産に適用される。
【００４７】
更に、上述した両面発光有機エレクトロルミネッセンスデバイスの製造方法のステップＳ１の後、ステップＳ２の前に、光透過基底２１の１つの表面に更に水気遮断層２６をめっきする。
【００４８】
更に、上述した両面発光有機エレクトロルミネッセンスデバイスの製造方法のステップＳ４の処理の後、上述した光透過陰極２５の外表面に更に透過率増加膜層２７をめっきする。
【００４９】
上述した水気遮断層２６、透過率増加膜層２７のめっきの厚さ、材質及び作用については上述したので、ここでくどくどと述べない。そのうち、水気遮断層２６をめっきする方式として、好ましくはＮ２雰囲気で行う。例えば、材質がＳｉＮｘである水気遮断層２６をめっきする場合に、Ｎ２雰囲気で、高純度のＳｉターゲット材を用いて、マグネトロンスパッタリングシステムにおいて光透過基底２１の１つの表面に材質がＳｉＮｘである水気遮断層２６をめっきする。勿論、水気遮断層２６、透過率増加膜層２７をめっきする方式として、更に蒸着、ジェットメッキ等の本分野で通常に用いられる方式を採用してよい。
【００５０】
以下、具体的な実例を参照しながら、本発明を更に詳しく説明する。
【００５１】
（実施例１）
本実施例に係る両面発光有機エレクトロルミネッセンスデバイスの構造は図２、図６に示す通りであり、この両面発光有機エレクトロルミネッセンスデバイスは、順に結合する光透過基底２１、陽極２２、正孔注入層２３１ａ、正孔輸送層２３２ａ、発光層２３３ａ、電子輸送層２３４ａ、Ｎ型ドープ有機層２４１、Ｐ型ドープ有機層２４２、正孔注入層２３１ｂ、正孔輸送層２３２ｂ、発光層２３３ｂ、電子輸送層２３４ｂ、電子注入層２３５ｂ、光透過陰極２５、透過率増加膜層２７、水気遮断層２６、透明被覆層２８、光透過基底２１と透明被覆層２８の間かつ陽極２２〜水気遮断層２６の周囲に封入された透明接着剤層２９を含む。
【００５２】
そのうち、光透過基底２１が厚さ２００ｎｍの透明ガラスであり、陽極２２が厚さ１００ｎｍのインジウムスズ酸化物(ＩＴＯ)層であり、正孔注入層２３１ａが厚さ３０ｎｍのｍ−ＭＴＤＡＴＡ層であり、正孔輸送層２３２ａが厚さ５０ｎｍのＮＰＢ層であり、発光層２３３ａが厚さ２０ｎｍのＣ５４５Ｔ：Ａｌｑ３層であり、電子輸送層２３４ａが厚さ４０ｎｍのＡｌｑ３層であり、Ｎ型ドープ有機層２４１が厚さ２０ｎｍのＬｉ：Ａｌｑ３層であり、Ｐ型ドープ有機層２４２が厚さ５ｎｍのＭｏＯ３であり、正孔注入層２３１ｂが厚さ３０ｎｍのｍ−ＭＴＤＡＴＡ層であり、正孔輸送層２３２ａが厚さ５０ｎｍのＮＰＢ層であり、発光層２３３ａが厚さ２０ｎｍのＣ５４５Ｔ：Ａｌｑ３層であり、電子輸送層２３４ａが厚さ４０ｎｍのＡｌｑ３層であり、電子注入層２３５ｂが厚さ１ｎｍのＬｉＦ層であり、光透過陰極２５がＡｌ／Ａｇ層であり、Ａｌ層が０．５ｎｍであり、Ａｇ層が２０ｎｍであり、水気遮断層２６が厚さ５０ｎｍのＳｉＮｘであり、透過率増加膜層２７が厚さ８０ｎｍのＡｌｑ３であり、透明被覆層２８が透明ガラスであり、接着剤層２９の材質がＵＶ接着剤である。
【００５３】
その製造方法は以下の通りであり、
（１）透明ガラスを光透過基底２１とし、光透過基底２１の１つの表面に一層のＩＴＯをスパッタリングして陽極２２とし、陽極２２を順に洗剤、脱イオン水、アセトン、エタノール、イソプロパノールでそれぞれ１５ｍｉｎ超音波洗浄することと、
（２）真空度５×１０−４Ｐａの膜めっきシステムにおいて、蒸着の方式によって順に正孔注入層２３１ａ、正孔輸送層２３２ａ、発光層２３３ａ、電子輸送層２３４ａ、Ｎ型ドープ有機層２４１、Ｐ型ドープ有機層２４２、正孔注入層２３１ｂ、正孔輸送層２３２ｂ、発光層２３３ｂ、電子輸送層２３４ｂ、電子注入層２３５ｂ、光透過陰極２５をめっきすることと、
（３）電子注入層２３５ｂの外表面に順に光透過陰極２５、透過率増加膜層２７をスパッタリングすることと、
（４）Ｎ２の雰囲気で、マグネトロンスパッタリングシステムを用いて、透過率増加膜層２７の１つの表面に厚さ５０ｎｍのＳｉＮｘを一層スパッタリングして水気遮断層２６とすることと、
（５）水気遮断層２６の外表面に透明ガラス層２８を増設することと、
（６）光透過基底２１と透明被覆層２８の間、及び陽極２２〜水気遮断層２６の周囲に透明接着剤層２９を封入して、図６に示す両面発光有機エレクトロルミネッセンスデバイスを得ることと、を含む。
【００５４】
本実施例によって製造された両面発光有機エレクトロルミネッセンスデバイスにおいて、Ｃ５４５Ｔ：Ａｌｑ３のドープ構造を緑光発光層とし、Ｌｉ：Ａｌｑ３／ＭｏＯ３の積層構造を電荷生成層２４とし、Ａｌｑ３薄膜を透過率増加膜とする。この両面発光有機エレクトロルミネッセンスデバイスの輝度と電流密度の関係を図８に示す。図８から分かるように、本発明の実施例に係る電荷生成層２４を増設していない対比例５の有機エレクトロルミネッセンスデバイスに比べて、同じ電流密度条件で、本実施例によって製造された両面発光有機エレクトロルミネッセンスデバイスの発光輝度が明らかに向上し、約１．９倍と向上した。同時に、本実施例によって製造された両面発光有機エレクトロルミネッセンスデバイスの駆動電流が小さく、発光効率、輝度、光出力効率が高いことも分かっており、必要な駆動電流が小さいので、対応してこの両面発光有機エレクトロルミネッセンスデバイスの寿命を延長させた。
【００５５】
（実施例２）
本実施例に係る両面発光有機エレクトロルミネッセンスデバイスの構造は実施例１および図６に示すものと類似である。
【００５６】
その製造方法は以下の通りであり、
（１）ＰＥＴ薄膜を得て、それに対して洗浄処理を行うことと、
（２）Ｎ２の雰囲気で、マグネトロンスパッタリングシステムを用いて、光透過基底２１の１つの表面に厚さ５０ｎｍのＳｉＮｘをスパッタリングして水気遮断層２６とすることと、
（３）水気遮断層２６の外表面に厚さ１５０ｎｍのＡＺＯをスパッタリングして陽極２２とし、それに対して洗浄処理を行い、洗浄方式が実施例１における製造方法のステップ（１）と同様であることと、
（４）真空度４×１０−４Ｐａの膜めっきシステムにおいて、蒸着の方式によって順に厚さ３０ｎｍのｍ−ＭＴＤＡＴＡ層２３１ａ、厚さ５０ｎｍのＮＰＢ層２３２ａ、厚さ３０ｎｍのＤＰＶＢｉ２３３ａ、厚さ２０ｎｍのＢｐｈｅｎ層２３４ａ、厚さ２０ｎｍのＡｌｑ３層２３５ａ、厚さ３０ｎｍのＭｇ：Ａｌｑ３層２４１、厚さ３ｎｍのＭｏＯ３層２４２、厚さ３０ｎｍのｍ−ＭＴＤＡＴＡ層２３１ｂ、厚さ５０ｎｍのＮＰＢ層２３２ｂ、厚さ３０ｎｍの(Ｆ−ＢＴ)２Ｉｒ(ａｃａｃ)：ＣＢＰ層２３３ｂ、厚さ２０ｎｍのＢｐｈｅｎ層２３４ｂ、厚さ１ｎｍのＬｉＦ層２３５ｂをめっきすることと、
（５）電子注入層２３５ｂの外表面に順に０．５ｎｍのＡｌ層、２０ｎｍのＡｇ層を蒸着して光透過陰極２５、１００ｎｍのＢＣＰ透過率増加膜層２７とすることと、
（６）Ｎ２の雰囲気で、マグネトロンスパッタリングシステムを用いて、透過率増加膜層２７の１つの表面に厚さ５０ｎｍのＳｉＮｘをスパッタリングして他方の水気遮断層２６とすることと、
（７）水気遮断層２６の外表面にＰＥＴ薄膜層２８を増設することと、
（８）光透過基底２１と透明被覆層２８の間、及び陽極２２〜他方の水気遮断層２６の周囲に透明接着剤層２９を封入して、両面発光有機エレクトロルミネッセンスデバイスを得ることと、を含む。
【００５７】
本実施例によって製造された両面発光有機エレクトロルミネッセンスデバイスにおいて、(Ｆ−ＢＴ)２Ｉｒ(ａｃａｃ)：ＣＢＰのドープ構造を黄光発光層とし、ＤＰＶＢｉを青光発光層とし、Ｍｇ：Ａｌｑ３／ＭｏＯ３の積層構造を電荷生成層とする。測定したところ、この両面発光有機エレクトロルミネッセンスデバイスの輝度と電流密度の関係が図７と類似な変化趨勢になった。
【００５８】
（実施例３）
本実施例に係る両面発光有機エレクトロルミネッセンスデバイスの構造は、図２に示す通りである。この両面発光有機エレクトロルミネッセンスデバイスは、順に結合する光透過基底２１、陽極２２、正孔注入層２３１ａ、正孔輸送層２３２ａ、発光層２３３ａ、電子輸送層２３４ａ、Ｎ型ドープ有機層２４１、Ｐ型ドープ有機層２４２、正孔注入層２３１ｂ、正孔輸送層２３２ｂ、発光層２３３ｂ、電子輸送層２３４ｂ、電子注入層２３５ｂ、光透過陰極２５を含む。
【００５９】
そのうち、光透過基底２１が厚さ２００ｎｍの透明ガラスであり、陽極２２が厚さ１５０ｎｍのＩＺＯ層であり、正孔注入層２３１ａが厚さ３０ｎｍのｍ−ＭＴＤＡＴＡ層であり、正孔輸送層２３２ａが厚さ５０ｎｍのＮＰＢ層であり、発光層２３３ａが厚さ２０ｎｍのＤＰＶＢｉ層であり、電子輸送層２３４ａが厚さ４０ｎｍのＡｌｑ３層であり、Ｎ型ドープ有機層２４１が厚さ２５ｎｍのＣｓ：ＢＰｈｅｎ層であり、Ｐ型ドープ有機層２４２が厚さ１０ｎｍのＷＯ３であり、正孔注入層２３１ｂが厚さ３０ｎｍのｍ−ＭＴＤＡＴＡ層であり、正孔輸送層２３２ｂが厚さ５０ｎｍのＮＰＢ層であり、発光層２３３ｂが厚さ２０ｎｍのＲｕｂｒｅｎｅ：Ａｌｑ３層であり、電子輸送層２３４ｂが厚さ４０ｎｍのＡｌｑ３層であり、電子注入層２３５ｂが厚さ１ｎｍのＬｉＦ層であり、光透過陰極２５が２０ｎｍのＣａ層である。
【００６０】
その製造方法は以下の通りであり、
（１）透明ガラスを得て、それに対して洗浄処理を行うことと、
（２）水気遮断層２６の外表面に厚さ１５０ｎｍのＩＺＯをスパッタリングして陽極２２とし、それに対して洗浄処理を行い、洗浄方式が実施例１における製造方法のステップ（１）と同様であることと、
（４）真空度４×１０−４Ｐａの膜めっきシステムにおいて、蒸着の方式で順に厚さ３０ｎｍのｍ−ＭＴＤＡＴＡ層２３１ａ、厚さ５０ｎｍのＮＰＢ層２３２ａ、厚さ２０ｎｍのＤＰＶＢｉ層２３３ａ、厚さ４０ｎｍのＡｌｑ３層２３４ａ、厚さ２５ｎｍのＣｓ：ＢＰｈｅｎ層２４１、厚さ１０ｎｍのＷＯ３層２４２、厚さ３０ｎｍのｍ−ＭＴＤＡＴＡ層２３１ｂ、厚さ５０ｎｍのＮＰＢ層２３２ｂ、厚さ３０ｎｍのＲｕｂｒｅｎｅ：Ａｌｑ３層２３３ｂ、厚さ４０ｎｍのＡｌｑ３層２３４ｂ、厚さ１ｎｍのＬｉＦ層２３５ｂをめっきすることと、
（５）電子注入層２３５ｂの外表面に順に０．５ｎｍのＡｌ層、２０ｎｍのＡｇ層を蒸着して光透過陰極２５、透過率増加膜層２７とすることと、
（６）透過率増加膜層２７の外表面に厚さ５０ｎｍのＳｉＯ２を蒸着して他方の水気遮断層２６とすることと、
（７）水気遮断層２６の外表面に透明ガラス盖板２８を増設することと、
（８）光透過基底２１と透明被覆層２８の間、及び陽極２２〜他方の水気遮断層２６の周囲に透明接着剤層２９を封入して、両面発光有機エレクトロルミネッセンスデバイスを得ることと、を含む。
【００６１】
本実施例によって製造された両面発光有機エレクトロルミネッセンスデバイスにおいて、Ｒｕｂｒｅｎｅ：Ａｌｑ３のドープ構造を黄光発光層とし、ＤＰＶＢｉを青光発光層とし、Ｃｓ：ＢＰｈｅｎ／ＷＯ３の積層構造を電荷生成層とする。測定したところ、この両面発光有機エレクトロルミネッセンスデバイスの輝度と電流密度の関係が図８と類似な変化趨勢になった。
【００６２】
（実施例４）
本実施例に係る両面発光有機エレクトロルミネッセンスデバイスの構造は、図３と図６に示す通りである。この両面発光有機エレクトロルミネッセンスデバイスは、順に結合する光透過基底２１、陽極２２、正孔注入層２３１ａ、正孔輸送層２３２ａ、発光層２３３ａ、電子輸送層２３４ａ、Ｎ型ドープ有機層２４１ａ、Ｐ型ドープ有機層２４２ａ、正孔注入層２３１ｃ、正孔輸送層２３２ｃ、発光層２３３ｃ、電子輸送層２３４ｃ、電子注入層２３５ｃ、Ｎ型ドープ有機層２４１ｂ、金属酸化物２４２ｂ、正孔注入層２３１ｂ、正孔輸送層２３２ｂ、発光層２３３ｂ、電子輸送層２３４ｂ、電子注入層２３５ｂ、光透過陰極２５、透過率増加膜層２７、水気遮断層２６、透明被覆層２８、光透過基底２１と透明被覆層２８の間かつ陽極２２〜水気遮断層２６の周囲に封入された透明接着剤層２９を含む。
【００６３】
その製造方法は以下の通りであり、
（１）透明ガラスを得て、それに対して洗浄処理を行い、洗浄方式が実施例１における製造方法のステップ（１）と同様であることと、
（２）Ｎ２の雰囲気で、マグネトロンスパッタリングシステムを用いて、光透過基底２１の１つの表面に水気遮断層２６として厚さ５０ｎｍのＳｉＮｘをスパッタリングすることと、
（３）水気遮断層２６の外表面に陽極２２として厚さ１５０ｎｍのＩＴＯをスパッタリングすることと、
（４）真空度３×１０−４Ｐａの膜めっきシステムにおいて、蒸着の方式で順に厚さ３０ｎｍのｍ−ＭＴＤＡＴＡ層２３１ａ、厚さ５０ｎｍのＮＰＢ層２３２ａ、厚さ２０ｎｍのＦＩｒＰｉｃ：ＣＢＰ２３３ａ、厚さ２０ｎｍのＴＰＢｉ層２３４ａ、厚さ２０ｎｍのＬｉ：Ａｌｑ３層２４１、厚さ３０ｎｍのＦｅＣｌ３：ＮＰＢ層２４２、厚さ４０ｎｍのｍ−ＭＴＤＡＴＡ層２３１ｃ、厚さ４０ｎｍのＮＰＢ層２３２ｃ、厚さ２０ｎｍのＩｒ(ｐｐy)３：ＣＢＰ層２３３ｃ、厚さ２０ｎｍのＴＰＢｉ層２３４ｃ、厚さ１ｎｍのＮａＦ２３５ｃ、厚さ１０ｎｍのＬｉ：ＴＰＢｉ層２４１ｂ、厚さ５ｎｍのＶ２Ｏ５層２４２ｂ、厚さ４０ｎｍのｍ−ＭＴＤＡＴＡ層２３１ｂ、厚さ４０ｎｍのＮＰＢ層２３２ｂ、厚さ２０ｎｍのＩｒ(ｐｉｑ)３：ＣＢＰ層２３３ｂ、厚さ２０ｎｍのＴＰＢｉ層２３４ｂ、厚さ１ｎｍのＬｉＦ層２３５ｂをめっきすることと、
（５）電子注入層２３５ｂの外表面に順に０．５ｎｍのＡｌ層、２０ｎｍのＡｇ層をスパッタリングして光透過陰極２５、厚さ４０ｎｍのｍ−ＭＴＤＡＴＡ層２７とすることと、
（６）Ｎ２の雰囲気で、マグネトロンスパッタリングシステムを用いて、透過率増加膜層２７の表面に厚さ５０ｎｍのＳｉＮｘをスパッタリングして他方の水気遮断層２６とすることと、
（７）水気遮断層２６の外表面に透明ガラス層２８を増設することと、
（８）光透過基底２１と透明ガラス層２８の間、及び陽極２２〜他方の水気遮断層２６の周囲にＵＶ透明接着剤層２９を封入して、両面発光有機エレクトロルミネッセンスデバイスを得ることと、を含む。
【００６４】
本実施例によって製造された有機エレクトロルミネッセンスデバイスの性能を測定したところ、実施例１によって製造された有機エレクトロルミネッセンスデバイスの性能に類似する。
【００６５】
（対比例５）
本実施例の有機エレクトロルミネッセンスデバイスの構造は、順に結合する透明ガラス２１、ＩＴＯ陽極２２、３０ｎｍのｍ−ＭＴＤＡＴＡ正孔注入層、５０ｎｍのＮＰＢ正孔輸送層、２０ｎｍのＣ５４５Ｔ：Ａｌｑ３(２０ｎｍ)発光層、４０ｎｍのＡｌｑ３電子輸送層、１ｎｍのＬｉＦ電子注入層、Ａｌ(０．５ｎｍ)／Ａｇ(２０ｎｍ)の陰極、８０ｎｍのＡｌｑ３透過率増加膜層、５０ｎｍのＳｉＮｘ水気遮断層、透明ガラスの透明被覆層、光透過基底と透明被覆層の間、及び陽極〜水気遮断層の周囲に封入されたＵＶ透明接着剤層２９を含む。
【００６６】
測定したところ、本対比例の有機エレクトロルミネッセンスデバイス及び実施例１によって製造された両面発光有機エレクトロルミネッセンスデバイスの発光強度と電流密度の関係は図８に示される通りである。
【００６７】
以上で述べたのは本発明の好ましい実施例だけであり、本発明を制限するためのものではなく、本発明の精神及び原則内に行ったいかなる修正や同等な変更、改善等も、本発明の特許請求の範囲に含まれるべきである。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【国際調査報告】
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