(57)【要約】【課題】有機電子装置における電極を改質する方法を提供する。【解決手段】本発明は、有機電子（ＯＥ：ｏｒｇａｎｉｃ  ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ）装置、特に、有機電界効果トランジスタ（ＯＦＥＴ：ｏｒｇａｎｉｃ  ｆｉｅｌｄ  ｅｆｆｅｃｔ  ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）における電極を改質する方法と、そのような方法を使用して調製されたＯＥ装置とに関する。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機電子装置における電極を改質する方法であって、
ａ）第１金属を含む電極または２個以上の電極を提供する工程と、
ｂ）前記電極（１個または複数個）上に、前記第１金属よりも高い標準電極電位を有する第２金属の層を堆積する工程と、
ｃ）任意工程として、前記第２金属の表面と相互作用する官能基を含有する有機化合物を含む組成物に、前記第２金属の層を曝露する工程と、および
ｄ）前記電極（１個または複数個）上に、および／または、前記電極間の領域に、有機半導体層を堆積する工程と
を含む方法。
【請求項２】
第２金属は、第１金属よりも高い仕事関数を有することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
第１金属は、Ｃｕ、Ａｌ、ＳｎおよびＺｎから成る群より選択されることを特徴とする請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
第２金属は、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｉｒ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、ＲｈおよびＲｅから成る群より選択されることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
第２金属の層は、無電解メッキによって堆積されることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
第２金属の層は、イオン交換プロセスによって堆積されることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
第２金属の層は、前記電極を第２金属のイオンを含有する浴に浸漬して堆積されることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
浴は、第２金属のイオンに対する還元剤を一切含有していないことを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項９】
浴は、前記第２金属の表面と相互作用する官能基を含有する有機化合物を含有することを特徴とする請求項７または８に記載の方法。
【請求項１０】
浴は、錯化剤、緩衝剤、安定剤、塩、酸および塩基から成る群より選択される１種類以上の添加剤を含有することを特徴とする請求項７〜９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
第２金属は第１金属と同等かより低い仕事関数を有し、第２金属の層上には、前記第２金属の表面と相互作用する官能基を含有する有機化合物の自己組織化単分子層が付与されていることを特徴とする請求項１〜１０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
前記第２金属の表面と相互作用する官能基を含有する有機化合物は、脂肪族または芳香族チオール、脂肪族または芳香族ジチオール、オリゴチオフェン、オリゴフェニレン、脂肪族または芳香族ジスルフィド、シアノキノアルカンジスルフィド、シラン、クロロシラン、シラザン、ヘキサメチルジシリザン（ＨＭＤＳ：ｈｅｘａｍｅｔｈｙｌｄｉｓｉｌｉｚａｎｅ）、トリアゾール、テトラゾール、イミダゾールおよびピラゾール、例えば、エイコサン酸などのカルボン酸、ホスホン酸、ホスホネート、９−アントラセンホスホネート（これらは全て置換されていてもよい。）、金属酸化物、酸化銀、酸化モリブデンから成る群より選択されることを特徴とする請求項１〜１１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１３】
追加して、ＯＳＣ層上にゲート絶縁体層を堆積する工程と、ゲート絶縁体層上にゲート電極を堆積する工程と、任意工程として、ゲート電極上にパッシベーション層を堆積する工程とを含む請求項１〜１２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１４】
有機電子装置を調製する方法であって、請求項１〜１３のいずれか１項に記載の方法を含む方法。
【請求項１５】
請求項１４に記載の方法によって入手可能か入手される有機電子装置。
【請求項１６】
有機電界効果トランジスタ（ＯＦＥＴ：ｏｒｇａｎｉｃ  ｆｉｅｌｄ  ｅｆｆｅｃｔ  ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）、有機薄膜トランジスタ（ＯＴＦＴ：ｏｒｇａｎｉｃ  ｔｈｉｎ  ｆｉｌｍ  ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）、集積回路（ＩＣ：ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  ｃｉｒｃｕｉｔｒｙ）の部品、無線識別（ＲＦＩＤ：ｒａｄｉｏ  ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ  ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）タグ、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ：ｏｒｇａｎｉｃ  ｌｉｇｈｔ  ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｄｉｏｄｅ）、エレクトロルミネセントディスプレイ、フラットパネルディスプレイ、バックライト、光検出器、センサー、論理回路、記憶素子、キャパシタ、有機光起電（ＯＰＶ：ｏｒｇａｎｉｃ  ｐｈｏｔｏｖｏｌｔａｉｃ）セル、電荷注入層、ショットキーダイオード、平坦化層、帯電防止フィルム、導電性基板またはパターン、光導電体、光受容体、電子写真記録装置またはゼログラフィック装置であることを特徴とする請求項１５に記載の有機電子装置。
【請求項１７】
トップゲートまたはボトムゲートＯＦＥＴであることを特徴とする請求項１５または１６に記載の電子装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機電子（ＯＥ：ｏｒｇａｎｉｃ  ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ）装置、特に、有機電界効果トランジスタ（ＯＦＥＴ：ｏｒｇａｎｉｃ  ｆｉｅｌｄ  ｅｆｆｅｃｔ  ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）における電極を改質する方法と、そのような方法を使用して調製されたＯＥ装置とに関する。
【背景技術】
【０００２】
有機電界効果トランジスタ（ＯＦＥＴ：ｏｒｇａｎｉｃ  ｆｉｅｌｄ  ｅｆｆｅｃｔ  ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）は、ディスプレイ装置および論理能力のある回路において使用される。ＯＦＥＴにおいては、ソース／ドレイン電極として様々な金属が使用されてきた。広く使用されてきた電極材料は金（Ａｕ）であるが、金はコストが高く、不具合な加工特性のために、例えば、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、ＮｉまたはＴｉなどの可能な代替物へと関心が移ってきた。銅（Ｃｕ）は高い導電性を有し、比較的低価格であり、通常の製造プロセスがより容易なため、銅（Ｃｕ）はＡｕを代替可能な電極材料の１つである。加えて、銅は半導体工業において既に使用されており、従って、電極用に既に確立された銅の技術と組み合わせる場合、電子装置の大規模な製造プロセスを新しい技術としての有機半導体（ＯＳＣ：ｏｒｇａｎｉｃ  ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）材料に移行することが、より容易である。
【０００３】
しかしながら、電極として、即ち、ＯＳＣ層に対する電荷キャリア注入金属としてＣｕを使用する場合、銅の低い仕事関数に起因する不具合がある（銅の仕事関数は、最も最近のＯＳＣ材料のレベルより低い）。
【０００４】
ドイツ国特許出願公開第１０  ２００５  ００５  ０８９号公報（特許文献１）には、Ｃｕのソースおよびドレイン電極を含むＯＦＥＴが記載されており、電極上にＣｕ酸化物層を提供することによって、電極は表面改質されている。しかしながら、周囲雰囲気内においてＣｕはＣｕ２Ｏ、次いでＣｕＯ、更にはＣｕ水酸化物へと酸化される傾向にあり、このため、Ｃｕ電極上に非金属導電層が生成されることがあり、結果として、ＯＳＣ層中への電荷キャリア注入が制限される。
【０００５】
先行技術においては、電荷キャリア注入を向上するために、例えば、チオール化合物を基礎とする金属または金属酸化物電極改質の既知の方法がある。
【０００６】
例えば、米国特許出願公開第２００８／０３１５１９１号公報（特許文献２）には、金属酸化物で形成されたソースおよびドレイン電極を含む有機ＴＦＴ（ＯＴＦＴ：ｏｒｇａｎｉｃ  ＴＦＴ）が開示されており、そこでは、チオール化合物、例えば、ペンタフルオロベンゼンチオール、ペルフルオロアルキルチオール、トリフルオロメタンチオール、ペンタフルオロエタンチオール、ヘプタフルオロプロパンチオール、ノナフルオロブタンチオール、ナトリウムブタンチオール、酪酸ナトリウムチオール、ナトリウムブタノールチオールまたはアミノチオフェノールの０．３〜１分子層の厚みを有する薄膜を形成することによる表面処理が電極表面に施されている。しかしながら、Ａｕ表面と比較して、Ｃｕ表面上においてはチオール基がより弱い化学結合を形成するため、この方策は主にＡｕまたはＡｇ電極に効果があるが、Ｃｕ電極には非常に効果がある訳ではない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】ドイツ国特許出願公開第１０  ２００５  ００５  ０８９号公報
【特許文献２】米国特許出願公開第２００８／０３１５１９１号公報
【特許文献３】米国特許出願公開第２００９／０１２１１９２号公報
【特許文献４】国際特許出願公開第０２／２９１３２号パンフレット
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
従って、金属電極または金属電荷注入層と、その上に提供されるＯＳＣ層とを含有するＯＥ装置を調製する改良された方法（これにより、電極または電荷注入層の仕事関数および層がＯＳＣ層中に電荷キャリアを注入する効率を増加でき、よって、装置全体の性能を向上できる。）を提供することを本発明の目的とする。該方法は、低い仕事関数および低い酸化安定性などの先行技術より既知な金属電極の欠点を克服しなければならない。もう一つの目的は、ＯＥ装置、特に、ＯＦＥＴおよびＯＬＥＤにおいて使用するためで金属を基礎とする改良された電極および電荷注入層と、それらを調製する方法とを提供することである。もう一つの目的は、より高い仕事関数を有し改良された電極を含有するＯＥ装置、特に、ＯＦＥＴおよびＯＬＥＤを提供することである。該方法および装置は、先行技術の方法の欠点を有していてはならず、時間、コストおよび材料面で効率よく大規模な製造ができなければならない。本発明の他の目的は、以下の記載より専門家には直ちに明らかである。
【０００９】
これらの目的は、本発明において記載される通りの方法を提供することによって達成できることが見出された。特に、本発明は、金属電極の仕事関数およびそれらの上にコートされたＯＳＣ層中への金属電極の電荷キャリア注入特性を向上する、金属電極に対する化学系処理方法に関する。これは、第１金属、例えば、Ｃｕを含む電極上に、該第１金属より高い標準電位または酸化還元電位を有する第２金属（即ち、該第１金属より貴な金属）、例えば、Ａｇなどの層を堆積することで達成される。第２金属は、好ましくは、イオン交換プロセスを使用する無電解メッキ、例えば、第２金属のイオンを含有する浴中に電極を浸漬することによって堆積する。
【００１０】
電極の仕事関数を向上するために、第１金属よりも高い仕事関数を有するように第２金属を選択するか、および／または、例えば、電極仕事関数を増加させる有機官能性分子、例えば、第１金属とよりも第２金属と良好な相互作用を示す有機分子のＳＡＭ層を形成することによって、第２金属の層に表面処理プロセスを施す。第２金属の薄層のみが必要なため、装置の製造コストを著しく増やすことなく、第１金属よりも高い仕事関数を有するか、または、貴で、より高価な金属を使用できる。また、この方法によって、例えば、Ｃｕの表面上において、チオールなどの典型的なＳＡＭ処理材料は、例えば、ＡｕまたはＡｇの表面上においてよりも弱い化学結合を形成することがある不具合を克服することも可能となる。
【００１１】
先行技術においては、例えば、Ｃｕ金属上にＡｇをメッキする方法、および、ＣｕまたはＡｇ金属層上にＳＡＭを形成する方法は、金属表面の仕上げおよび不活性を向上するか、または、例えば、印刷回路基板（ＰＣＢ：ｐｒｉｎｔｅｄ  ｃｉｒｃｕｉｔ  ｂｏａｒｄ）（印刷配線基板（ＰＷＢ：ｐｒｉｎｔｅｄ  ｗｉｒｅ  ｂｏａｒｄ）としても既知である。）において、はんだ可能性および耐腐食性を向上する可能性のある方法として示唆されてきた。しかしながら、これまでのところ、電極仕事関数を向上するために、ＯＦＥＴ、ＯＰＶ装置またはＯＬＥＤなどのＯＥ装置を製造する方法においても、これらの方法を使用することは示唆されていない。
【００１２】
米国特許出願公開第２００９／０１２１１９２号公報（特許文献３）には、はんだ可能なＣｕ基板上に堆積されたＡｇコーティングを含む物品の耐腐食性を増大する方法が開示されている。これは、Ｃｕ基板（該基板は、その上に浸漬メッキＡｇコーティングを有する。）を、抗腐食組成物（該組成物は、Ｃｕ表面と相互作用し保護する少なくとも１個の有機官能性基と、Ａｇ表面と相互作用し保護する少なくとも１個の有機官能性基とを有する多官能性分子を含有する。）に曝露することで達成される。しかしながら、当該文献は、ＯＳＣ層中への電荷キャリア注入を増大するために、電極上にＯＳＣ層が堆積されているＯＥ装置において、いかにして電極仕事関数を向上するかについては、教示も示唆も含有していない。
【００１３】
国際特許出願公開第０２／２９１３２号パンフレット（特許文献４）には、電荷交換反応の様式によりＡｇを無電解メッキするための浴（ただし、該浴は少なくとも１種類の銀ハロゲン化物錯体を含有し、Ａｇ＋イオンに対する還元剤を一切含有していない。）にＣｕ表面を曝露することによって、印刷回路基板上のＣｕ表面のはんだ可能性を向上する方法が開示されている。再度、ＯＳＣ層中への電荷キャリア注入を増大するために、電極上にＯＳＣ層が堆積されているＯＥ装置において、電極仕事関数を向上する問題を克服するための教示も示唆もない。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明は、有機電子（ＯＥ：ｏｒｇａｎｉｃ  ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ）装置における電極を改質する方法であって、
ａ）標準電極電位を有する第１金属を含む電極または２個以上の電極を提供する工程と、
ｂ）前記電極（１個または複数個）上に、第１金属の標準電極電位よりも高い標準電極電位を有する第２金属の層を堆積する工程と、
ｃ）任意工程として、前記第２金属の表面と相互作用する官能基を含有する有機化合物を含む組成物に、前記第２金属の前記層を曝露する工程と、および
ｄ）該電極（１個または複数個）上に、および／または、前記電極間の領域に、有機半導体層を堆積する工程と
を含む方法に関する。
【００１５】
本発明は、更に、ＯＥ装置を調製する方法であって、上の工程ａ）、ｂ）、ｄ）および、任意工程としてｃ）を含む方法に関する。
【００１６】
本発明は、更に、上および下に記載される通りの方法によって入手可能か入手されるＯＥ装置に関する。
【００１７】
好ましくは、前記電極は、ソースまたはドレイン電極または電荷注入層である。
【００１８】
好ましくは、ＯＥ装置は、有機電界効果トランジスタ（ＯＦＥＴ：ｏｒｇａｎｉｃ  ｆｉｅｌｄ  ｅｆｆｅｃｔ  ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）、有機薄膜トランジスタ（ＯＴＦＴ：ｏｒｇａｎｉｃ  ｔｈｉｎ  ｆｉｌｍ  ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）、有機相補型薄膜トランジスタ（ＣＴＦＴ：ｏｒｇａｎｉｃ  ｃｏｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｙ  ｔｈｉｎ  ｆｉｌｍ  ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）、集積回路（ＩＣ：ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  ｃｉｒｃｕｉｔｒｙ）の部品、無線識別（ＲＦＩＤ：ｒａｄｉｏ  ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ  ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）タグ、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ：ｏｒｇａｎｉｃ  ｌｉｇｈｔ  ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｄｉｏｄｅ）、エレクトロルミネセントディスプレイ、フラットパネルディスプレイ、バックライト、光検出器、センサー、論理回路、記憶素子、キャパシタ、有機光起電（ＯＰＶ：ｏｒｇａｎｉｃ  ｐｈｏｔｏｖｏｌｔａｉｃ）セル、電荷注入層、ショットキーダイオード、平坦化層、帯電防止フィルム、導電性基板またはパターン、光導電体、光受容体、電子写真記録装置およびゼログラフィック装置から成る群より選択され、非常に好ましくは、トップゲートまたはボトムゲートＯＦＥＴである。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】仕事関数の定義と、金（Ａｕ）およびカルシウム（Ｃａ）のフェルミ準位とを、例示的および模式的に図解する。
【図２】Ａｕ電極およびｐ型ＯＳＣのＨＯＭＯ準位間のホール注入障壁と；Ｃａ電極およびｎ型ＯＳＣのＬＵＭＯ準位間の電子注入障壁とを、例示的および模式的に図解する。
【図３】本発明による典型的なトップゲートＯＦＥＴを模式的に図解する。
【図４】本発明による典型的なボトムゲートＯＦＥＴを模式的に図解する。
【図５ａ】例１に記載される方法に従って調製されるＯＦＥＴの変換特性を示す。
【図５ｂ】例１に記載される方法に従って調製されるＯＦＥＴの変換特性を示す。
【図５ｃ】例１に記載される方法に従って調製されるＯＦＥＴの変換特性を示す。
【図５ｄ】例１に記載される方法に従って調製されるＯＦＥＴの変換特性を示す。
【図６】例１に記載される方法に従って調製されるＯＦＥＴの経時計測における変換特性を示す。
【図７】例１に記載される方法に従って調製されるＯＦＥＴの連続バイアス圧の２４時間にわたって測定されるＶＧに対する飽和移動度を示す。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以降において、用語「電極（層）」および「電荷注入層」は相互交換可能に使用される。よって、電極（層）についての言及は電荷注入層についての言及も含み、逆もまた同様である。
【００２１】
用語「標準電極電位（ｎｏｒｍａｌ  ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ  ｐｏｔｅｎｔｉａｌ）」（「標準電極電位（ｓｔａｎｄａｒｄ  ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ  ｐｏｔｅｎｔｉａｌ）」または「酸化還元電位」としても既知である。）は、左側の電極が標準水素電極（ＳＨＥ：ｓｔａｎｄａｒｄ  ｈｙｄｒｏｇｅｎ  ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）（標準水素電極（ＮＨＥ：ｎｏｒｍａｌ  ｈｙｄｒｏｇｅｎ  ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）としても既知である。）であり、右側の電極が検討されている電極であるセルの起電力を意味する（ＩＵＰＡＣ  Ｇｒｅｅｎ  Ｂｏｏｋ、第２版、６１頁；  ＰＡＣ、１９９６年、６８巻、９５７頁参照）。水素の標準（ｓｔａｎｄａｒｄまたはｎｏｒｍａｌ）電極電位Ｅ０が、全ての温度でゼロとなるように定義される。同一の温度において、任意の他の電極の電位は、標準水素電極の電位と比較される。また、高い標準電極電位を有する金属を、貴金属とも呼ぶ。
【００２２】
「仕事関数」の以下の定義を適用するものとする。仕事関数は、固体から固体表面外の点に電子を除去するために必要な最小エネルギー（または、フェルミ準位から真空準位に電子を除去するために必要なエネルギー）である（通常は、電子ボルト、即ち、ｅＶで測定される）。真空準位は常に０ｅＶのエネルギー準位とされるので、図１に示す通り、フェルミ準位は、常に負の値として定義される。フェルミ準位が負の値であっても、仕事関数（Φ）は、通常、正の値になるように、それぞれの材料について、Φ＝ＥＶＡＣ−ＥＦｅｒｍｉとして定義される。例えば、金（Ａｕ）の仕事関数は５．１ｅＶであり、Ａｕのフェルミ準位は−５．１ｅＶである。従って、Ａｕは高仕事関数の金属であり、一方、２．９ｅＶのΦＣａを有するカルシウム（Ｃａ）は、低仕事関数の金属である。
【００２３】
周期律表において、高仕事関数の金属としては、白金（ΦＰｔ＝５．６５ｅＶ）、パラジウム（ΦＰｄ＝５．１２ｅＶ）、ニッケル（ΦＮｉ＝５．１５ｅＶ）、イリジウム（ΦＩｒ＝５．２７ｅＶ）が挙げられる。低仕事関数の金属は、基本的には、リチウム（ΦＬｉ＝２．９ｅＶ）、ナトリウム（ΦＮａ＝２．７５ｅＶ）、カリウム（ΦＫ＝２．３０ｅＶ）、セシウム（ΦＣｓ＝２．１４ｅＶ）などのアルカリ金属、および、カルシウム（ΦＣａ＝２．９ｅＶ）およびバリウム（ΦＢａ＝２．７ｅＶ）などのアルカリ土類金属である。
【００２４】
本明細書において述べられる金属の全ての仕事関数の値は、文献：Ｈｅｒｂｅｒｔ  Ｂ．Ｍｉｃｈａｅｌｓｏｎ「Ｔｈｅ  ｗｏｒｋ  ｆｕｎｃｔｉｏｎ  ｏｆ  ｔｈｅ  ｅｌｅｍｅｎｔｓ  ａｎｄ  ｉｔｓ  ｐｅｒｉｏｄｉｃｉｔｙ」、Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ、４８巻（１１号）、１９７７年１１月に基づく。
【００２５】
ＯＳＣの分子の場合、仕事関数は、半導体の記述には適していない。ＯＳＣの最高被占分子軌道（ＨＯＭＯ：ｈｉｇｈｅｓｔ  ｏｃｃｕｐｉｅｄ  ｍｏｌｅｃｕｌａｒ  ｏｒｂｉｔａｌ）準位（これは、無機材料の価電子帯に対応している。）およびＯＳＣの最低空分子軌道（ＬＵＭＯ：ｌｏｗｅｓｔ  ｕｎｏｃｃｕｐｉｅｄ  ｍｏｌｅｃｕｌａｒ  ｏｒｂｉｔａｌ）準位（これは、無機材料の伝導帯に対応している。）が、電荷輸送に関与するＯＳＣ分子における軌道のエネルギー準位である。ｐ型ＯＳＣについては、ホール輸送がＨＯＭＯエネルギー準位で起きる一方で、ｎ型ＯＳＣについては、輸送はＬＵＭＯ準位で起こる。
【００２６】
ＯＦＥＴおよびＯＬＥＤにおける更に良好な装置性能のために更に良好な電荷注入を得るには、電極の仕事関数が、ＯＳＣのＨＯＭＯ（ｐ型）またはＬＵＭＯ（ｎ型）のエネルギー準位に一致していなければならない。ＯＳＣのＨＯＭＯ準位は、およそ−５．３ｅＶ（図２参照）であるため、例えば、Ｐｄ（ΦＰｄ＝５．１５ｅＶ）およびＰｔ（ΦＰｔ＝５．６５ｅＶ）はｐ型の装置に適切な電極である。しかしながら、ＰｄおよびＰｔは、電極として使用するには高価な金属である。ｎ型のＯＳＣ装置については、仕事関数が、およそ２．９ｅＶであり、これは、ＯＳＣのＬＵＭＯ準位（典型的なＯＳＣのＬＵＭＯは、−２．８〜−３．３ｅＶの間にある。）と一致しているため、Ｃａが良好な電極材料である。しかしながら、Ｃａは酸素および水分に非常に敏感である。
【００２７】
ＡｕおよびＡｇは、しばしば電極材料として使用されているが、しかしながら、製造コストを低減するためには、これらの材料をＣｕで置き換えることが望まれている。しかしながら、大多数のＯＳＣ材料について、典型的なＨＯＭＯ準位が、およそ−５．３〜−５．８ｅＶであるのに対し、Ｃｕは、４．６ｅＶの典型的な仕事関数を有する低仕事関数材料である。従って、ＯＳＣ材料のＨＯＭＯ準位に近づけ、ＯＳＣ層中への電極からの電荷キャリアの注入を向上するために、電極の電極仕事関数を増加することが望まれる。
【００２８】
多くの電極材料は、仕事関数、安定性および高い原材料コストの制限によって、ＯＥ装置において使用できない。例えば、Ａｇは、ｐ型のＯＥ装置における電極として使用するには低過ぎる４．３ｅＶの仕事関数を有している。Ａｇ電極の仕事関数を向上および増加するために、、自己組織化単分子膜（ＳＡＭ：ｓｅｌｆ−ａｓｓｅｍｂｌｅｄ  ｍｏｎｏｌａｙｅｒ）材料、例えば、ペンタフルオロベンゼンチオールなどのチオールを電極上に付与できる。
【００２９】
Ｃｕ（ΦＣｕ＝４．６５ｅＶ）などの低コストの材料については、仕事関数が比較的低く、従って、仕事関数を向上するために、これらの金属にも、好ましくは、ＳＡＭ処理を施す。これらの金属をＳＡＭで改質しなければ、ＯＥ装置は、典型的には、高い注入障壁を示し、このため、装置性能が低下する。
【００３０】
一方、ＰｔおよびＰｄは、電極材料として使用できる高い仕事関数で安定した金属の１つである。しかしながら、ＰｔおよびＰｄの原料コストは、大規模な工業的用途には高過ぎる。
【００３１】
本発明は、仕事関数がＯＳＣ材料のＨＯＭＯ準位に近づくように、安価であるが低仕事関数を有しているに過ぎない電極材料の仕事関数を増加できる低コストな方法を提供することによって、上述の問題に対する解決策を提供する。該方法は、電極表面上の金属交換プロセス、続いて、任意工程として、ＳＡＭ処理プロセスを含む。結果として、非常に低いレベルに加工コストを維持しながら、高い仕事関数（および高コスト）の材料のみから成る電極と同様に高い仕事関数を有する高仕事関数の電極を得ることができる。
【００３２】
本発明による方法は、
ａ）例えば、ＯＦＥＴまたはＯＴＦＴにおけるソースおよびドレイン電極などの電極または２個以上の電極（前記電極（１個または複数個）は、標準電極電位を有する第１金属を含む。）を、好ましくは、基板上に提供する工程と、
ｂ）前記電極（１個または複数個）上に、第１金属の標準電極電位よりも高い標準電極電位を有する第２金属の層（即ち、第２金属は、第１金属よりも貴である。）を堆積する工程と、
ｃ）任意工程として、前記第２金属の表面と相互作用する官能基を含有する有機化合物を含む組成物に、有機化合物が第２金属上に層、好ましくは、自己組織化単分子膜（ＳＡＭ：ｓｅｌｆ−ａｓｓｅｍｂｌｅｄ  ｍｏｎｏｌａｙｅｒ）を形成するように、前記第２金属の層を曝露する工程と、および
ｄ）電極（１個または複数個）上に、および／または、前記電極間の領域に、有機半導体層を堆積する工程と
を含む。
【００３３】
２個の電極、例えば、ＯＦＥＴまたはＯＴＦＴにおいてソースおよびドレイン電極が提供される場合、ＯＳＣ層は、好ましくは、ソースおよびドレイン電極の間の領域（チャネル領域としても既知である。）内に、また、任意に電極の最表面上にも堆積される。
【００３４】
本発明の好ましい実施形態としては、限定することなく、下に列記するものが挙げられ、これらの実施形態の２個以上の任意の組み合わせが挙げられる。
【００３５】
・第２金属は、第１金属よりも高い仕事関数を有する。
【００３６】
・第１金属は、Ｃｕ、Ａｌ、ＺｎおよびＳｎから成る群より選択される。
【００３７】
・第２金属は、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｉｒ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｈ、ＲｅおよびＳｅから成る群より選択される。
【００３８】
・第２金属の層は、無電解メッキによって堆積される。
【００３９】
・第２金属の層は、イオン交換プロセスによって堆積される。
【００４０】
・第２金属の層は、第２金属のイオンを含有する浴に電極を浸漬して堆積される。
【００４１】
・浴は、第２金属のイオンに対する還元剤を一切含有していない。
【００４２】
・浴は、錯化剤、緩衝剤、安定剤、塩、酸および塩基から成る群より選択される１種類以上の添加剤を含有する。
【００４３】
・浴は、前記第２金属の表面と相互作用する官能基を含有する有機化合物を含有する。
【００４４】
・第２金属は第１金属と同等かより低い仕事関数を有し、第２金属の層上には、前記第２金属の表面と相互作用する官能基を含有する有機化合物の自己組織化単分子膜（ＳＡＭ：ｓｅｌｆ−ａｓｓｅｍｂｌｅｄ  ｍｏｎｏｌａｙｅｒ）が形成されている。
【００４５】
・有機化合物は、第１金属とよりも第２金属と更に良好な相互作用を示す官能基を含有する。
【００４６】
・有機化合物は、有機半導体と相互作用する官能基を含有する。
【００４７】
・前記第２金属の表面と相互作用する官能基を含有する有機化合物は、脂肪族または芳香族チオール、脂肪族または芳香族ジチオール、オリゴチオフェン、オリゴフェニレン、例えば、シアノキノアルカンジスルフィドなどの脂肪族または芳香族ジスルフィド、シラン、クロロシラン、例えば、ヘキサメチルジシリザン（ＨＭＤＳ：ｈｅｘａｍｅｔｈｙｌｄｉｓｉｌｉｚａｎｅ）などのシラザン、トリアゾール、テトラゾール、イミダゾールおよびピラゾール、例えば、エイコサン酸などのカルボン酸、ホスホン酸、例えば、９−アントラセンホスホネートなどのホスホネート（これらは全て置換されていてもよい。）および、例えば、酸化銀、酸化モリブデンなどの金属酸化物から成る群より選択される。
【００４８】
・方法は、追加して、上および下に記載される通りの工程ａ）〜ｄ）の後に、次の工程を含む：ＯＳＣ層上にゲート絶縁体層を堆積する工程、ゲート絶縁体層上にゲート電極を堆積する工程、および、任意工程として、ゲート電極上にパッシベーション層を堆積する工程。
【００４９】
・方法は、追加して、上および下に記載される通りの工程ａ）〜ｄ）の前に、次の工程を含む：基板上にゲート電極を堆積する工程、ゲート電極上にゲート絶縁体層を堆積する工程（ただし、工程ａ）における電極（１個または複数個）はゲート絶縁体層上に提供されている。）、および、任意工程として、方法は、追加して、上および下に記載される通りの工程ｄ）の後に、ＯＳＣ層上にパッシベーション層を堆積する工程を含む。
【００５０】
更に、また、本発明による方法において使用でき、より貴でない金属上に貴な金属をメッキする適切で好ましい方法は、国際特許出願公開第０２／２９１３２号パンフレットにも開示されており、その開示の全体が引用によって本出願に組み込まれる。
【００５１】
好ましくは、第１金属、例えば、Ｃｕの電極を、例えば、適切で既知の薬剤で洗浄して浄化し、次いで、例えば、Ａｇ＋イオンまたは他の貴な金属イオンを含有する浸漬メッキ浴に浸漬する。この結果、イオン交換反応を経て表面上で、第１金属（Ｃｕ）が第２金属（Ａｇ）に置き換わる。浸漬浴は、好ましくは、例えば、ＡｇＮＯ３などの第２金属の適切な塩を含有し、好ましくは、第２金属のイオン（Ａｇ＋イオン）に対する還元剤を一切含有しない。一定時間、例えば、１〜５分浸漬後、電極を浴より取り外し、任意工程として、例えば、脱イオン水でリンスして浄化する。
【００５２】
本発明の好ましい実施形態において、電極の仕事関数および／または安定性を更に増加し、ＯＳＣ層との相互作用を向上するために、第２金属層を形成後に、第２金属と相互作用する官能基を含有する有機分子の自己組織化単分子膜（ＳＡＭ：ｓｅｌｆ−ａｓｓｅｍｂｌｅｄ  ｍｏｎｏｌａｙｅｒ）を形成する。ＳＡＭ分子は、例えば、チオールより選択する。好ましくは、所与の時間、例えば、１分間、ＳＡＭ分子を含有する溶液中に電極を浸漬することによって、ＳＡＭ層を形成する。次いで、過剰のＳＡＭ溶液を、好ましくは、スピンで取り除くか、または、例えば、イソプロパノールなどの高揮発性の有機溶媒で洗浄して取り除く。
【００５３】
適切で好ましいＳＡＭ分子は、例えば、米国特許出願公開第２００９／０１２１１９２号公報に開示されており、その開示の全体が引用によって本出願に組み込まれる。
【００５４】
引き続き、ＯＳＣ層を電極上に堆積し、続いて、例えば、蒸着プロセスによって、ゲート電極を堆積する。
【００５５】
本発明による方法はＣｕ上にＡｇを付与することに限定されず、また、実際に使用されている装置のコストを低減するために、他の金属系電極にも付与できる。ＣｕまたはＣｕ以外の金属上に、例えば、Ｐｔ、Ｐｄ、ＳｅまたはＡｕを付与できる。
【００５６】
第２（高仕事関数）金属は、第２金属のイオンまたはイオン錯体を含有する浴中に電極を浸漬して付与でき、そこで、イオン交換の結果として、第２金属は、第１金属の薄層を形成する。
【００５７】
金属イオン交換プロセスのための浴は、好ましくは、溶液、例えば、有機または水溶液、好ましくは、水溶液である。金属イオンの濃度は、好ましくは、水溶液中１ｍＭ未満である。浸漬時間は、数秒から数時間まで変化できる。浴は金属交換のための化合物に限定されず、また、追加して、芳香族または脂肪族チオール（Ｒ−ＳＨ）、ジチオール（ＨＳ−Ｒ−ＳＨ）、チオアセチル（Ｒ−Ｓ−Ａｃ）、ジスルフィド（Ｒ−Ｓ−Ｓ−Ｒ）、オリゴチオフェン、オリゴフェニレンまたはクロロシラン（式中、Ｒは脂肪族または芳香族構造部分であり、Ａｃはアセチルである。）などのＳＡＭ分子も含有できる。
【００５８】
金属交換後の電極表面は純粋な第２金属（Ａｇなど）から成っていてもよく、酸化を経て第２金属の１種類以上の酸化物（ＡｇＯまたはＡｇ２Ｏなど）から成っていても、含有していてもよい。
【００５９】
浸漬浴は、好ましくは、金属塩を含有する。適切で好ましい塩としては、限定することなく、ＡｕＣＮまたは［ＫＡｕ（ＣＮ）２］などのＡｕ塩、ＰｄＣｌ２などのＰｄ塩、Ｋ２ＰｔＣｌ４などのＰｔ塩、ＡｇＮＯ３またはＡｇＣＮなどのＡｇ塩、または、Ｉｒ（ΦＩｒ＝５．２７ｅＶ）、Ｒｅ（ΦＲｅ＝４．９６ｅＶ）、Ｒｈ（ΦＲｈ＝４．９８ｅＶ）、Ｃｏ（ΦＣｏ＝５．０ｅＶ）またはＮｉ（ΦＮｉ＝５．１５ｅＶ）などの他の高仕事関数金属の適切な塩が挙げられる。
【００６０】
また、浸漬浴に、緩衝溶液および安定剤などの他の成分または添加剤を添加してもよい。例えば、Ａｕイオンを含有する浸漬浴に、ＫＯＨまたはＫＢＨ４を添加でき、Ｐｔ塩を含有する浸漬浴に、ヒドラジン水和物を添加できる。
【００６１】
また、浸漬浴は、ＳＡＭ分子から成る群より選択される１種類以上の化合物、酢酸アンモニウムまたはＮＨ４Ｃｌなどの緩衝剤、ＥＤＴＡ二ナトリウム、ＫＣＮまたはチオ尿素などの安定剤、酢酸、硫酸、クエン酸またはＨＣｌなどの有機または無機酸、または、ＮＨ４ＯＨまたはＮａＯＨなどの塩基も含有できる。
【００６２】
金属交換の程度は、金属イオンの濃度を変化させることで調節できる。肉眼では色の変化が見えない低濃度（０．００１ｍＭ〜０．１Ｍ）においてすら、既に、金属交換が生じることもある。例えば、Ｃｕ電極に色の変化が観察されない濃度である０．１ｍＭのＡｇＮＯ３浴中に浸漬することで、ＡｇによるＣｕの金属交換を達成できる。
【００６３】
特に好ましくは、第２金属として、ＡｇまたはＰｄを使用する場合、浸漬浴または浸漬溶液中における第２金属のイオンまたは塩の濃度は、好ましくは０．０００１〜１０ｍＭ、最も好ましくは０．０１〜１ｍＭである。
【００６４】
イオン交換およびＳＡＭプロセスを最適化し、および／または、プロセス時間を短縮するために、異なる温度を適用できる。浸漬浴の温度は、最適な条件に依存して、広い範囲内、例えば、−３０℃から１００℃までで選択できる。
【００６５】
電極上における第２金属の層厚は、好ましくは、０．３分子層から１０ｎｍまでである。
【００６６】
第２金属の層上に提供されるＳＡＭ層の厚みは、溶媒を除去後で、好ましくは、１から１０分子層までである。
【００６７】
電極の第１金属としては、好ましくは、Ｃｕを使用する。また、例えば、Ａｌ、ＺｎまたはＳｎなどのＣｕ以外の金属を使用することも可能である。
【００６８】
本発明の方法においては、固体フィルムの形状の金属電極に代えて、また、電極の他の物理的状態または形状も使用できる。例えば、第１金属のナノ粒子、ナノワイヤーまたはナノ棒を含有する層から成るか含む電極を使用することが可能である。次いで、金属交換プロセスにおいて、これらのナノ粒子、ナノワイヤーまたはナノ棒に第２金属の層を形成し、その後に、電極層上または２個以上の前記電極間の領域内にＯＳＣ層を形成する。
【００６９】
また、本発明による方法は、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ：ｏｒｇａｎｉｃ  ｌｉｇｈｔ  ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｄｉｏｄｅ）、有機光起電（ＯＰＶ：ｏｒｇａｎｉｃ  ｐｈｏｔｏｖｏｌｔａｉｃ）装置または有機光検出器の製造においても使用できる。
【００７０】
仕事関数の増加に加え、また、本発明による方法は、耐腐食性の向上、電気化学的移動の低下、接触抵抗の低下、環境的便益（例えば、浴において非揮発性溶媒を使用する場合）、装置製造コストの低減および装置製造プロセスの信頼性の向上などの更に有益な効果も提供できる。
【００７１】
第１金属を含有する電極は、好ましくは、基板上に提供され、スプレー、浸漬、ウエブまたはスピンコーティングなどの溶媒系または液体コーティング法、または、物理的蒸着（ＰＶＳ：ｐｈｙｓｉｃａｌ  ｖａｐｏｕｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）または化学的蒸着（ＣＶＤ：ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｖａｐｏｕｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）または昇華などの真空または蒸着堆積法により、基板に対して電極を形成できる。適切な基板および蒸着方法は、文献より当業者には既知である。
【００７２】
好ましくは、第２金属による金属メッキの前に、電極に予備洗浄工程を施す。洗浄工程は、好ましくは、例えば、酢酸、クエン酸またはＨＣｌなどの有機または無機酸による１回以上の酸洗浄工程と、例えば、アルゴンプラズマ、酸素プラズマまたはＣＦｘプラズマなどのプラズマへの曝露工程と、ＵＶおよび／またはオゾン処理工程と、または、例えば、過酸化水素による塩基または酸化剤洗浄工程とを含む。
【００７３】
トップゲート（ＴＧ：ｔｏｐ  ｇａｔｅ）トランジスタを調製する場合、通常、最初に、基板上にソースおよびドレイン電極を形成し、金属交換と、任意工程として、ＳＡＭ処理が実施され、続いて、ＯＳＣ堆積が実施される。次いで、ＯＳＣ層上にゲート絶縁体層を形成し、ゲート絶縁体層上にゲート電極を形成する。
【００７４】
ボトムゲート（ＢＧ：ｂｏｔｔｏｍ  ｇａｔｅ）トランジスタを調製する場合、通常、最初に、基板上にゲート電極を形成し、ゲート電極上にゲート絶縁体層を形成する。次いで、ゲート絶縁体上にソースおよびドレイン電極を形成し、金属交換と、任意工程として、ＳＡＭ処理プロセスが実施され、続いて、ＯＳＣ堆積が実施される。
【００７５】
正確なプロセスの条件は、対応する絶縁体と、使用されるＯＳＣ材料とに対して容易に採用および最適化できる。
【００７６】
図３は本発明による典型的なＴＧ  ＯＦＥＴを模式的に表したものであり、基板（１）と、第１金属を含有するソース（Ｓ）およびドレイン（Ｄ）電極（２）と、Ｓ／Ｄ電極（２）上に提供される第２金属の層（３）および任意構成要素のＳＡＭ層（示していない）と、ＯＳＣ材料の層（４）と、ゲート絶縁体層としての誘電体材料の層（５）と、ゲート電極（６）と、後に提供されることのある更なる層または装置からゲート電極（６）を守るか、環境の影響からゲート電極を保護するための、任意構成要素のパッシベーションまたは保護層（７）とを含む。ソースおよびドレイン電極（２）の間の領域は、両矢印で示される通り、チャネル領域である。
【００７７】
図４は本発明による典型的なＢＧボトムコンタクトＯＦＥＴを模式的に表したものであり、基板（１）と、ゲート電極（６）と、ゲート絶縁体層としての電体材料の層（５）と、第１金属を含有するソース（Ｓ）およびドレイン（Ｄ）電極（２）と、Ｓ／Ｄ電極（２）上に提供される第２金属の層（３）および任意構成要素のＳＡＭ層と、ＯＳＣ材料の層（４）と、後に提供されることのある更なる層または装置からＯＳＣ層（４）を守るか、環境の影響からＯＳＣ層を保護するための、任意構成要素の保護またはパッシベーション層（７）とを含む。
【００７８】
ＯＳＣ材料およびＯＳＣ層を形成する方法は、当業者に既知の標準的な材料および方法より選択でき、文献に記載されている。
【００７９】
ＯＳＣ材料はｎ型またはｐ型ＯＳＣのいずれでもよく、ＯＳＣは真空または蒸着堆積で堆積でき、または、好ましくは、溶液より堆積できる。好ましくは、１×１０−５ｃｍ２Ｖ−１ｓ−１より大きいＦＥＴ移動度を有するＯＳＣ材料を使用する。
【００８０】
ＯＳＣは、例えば、ＯＦＥＴにおけるアクティブチャネル材料または有機整流ダイドードの層要素として使用される。周辺の環境で加工できる液体コーティングによって堆積されるＯＳＣが好ましい。ＯＳＣは、好ましくは、スプレー、浸漬、ウェブまたはスピンコートされるか、任意の液体コーティング技術によって堆積される。また、インクジェット堆積も適切である。ＯＳＣを真空または蒸着堆積してもよい。
【００８１】
また、半導体チャネルは、同じ型（即ち、ｐ型またはｎ型）のＯＳＣの２種類以上の複合体でもよい。更に、層をドープする効果のために、ｐ型ＯＳＣをｎ型ＯＳＣと混合してもよい。また、多層のＯＳＣも使用できる。例えば、絶縁体界面の近傍においてＯＳＣは真性でよく、真性層に隣接して高度にドープされた領域を追加的にコートすることもできる。
【００８２】
ＯＳＣは、モノマー化合物（ポリマーまたは巨大分子と比較して、「小型分子」とも言う。）またはポリマー化合物、または、モノマーおよびポリマー化合物のいずれかまたは両者より選択される１種類以上の化合物を含有する混合物、分散物またはブレンドでよい。
【００８３】
モノマー材料の場合、ＯＳＣは、好ましくは、共役芳香族分子であり、好ましくは、少なくとも３個の芳香族環を含有する。好ましいモノマーＯＳＣは、５員、６員または７員の芳香族環を含有し、より好ましくは、５員または６員の芳香族環を含有する共役芳香族分子から成る群より選択される。
【００８４】
これらの共役芳香族分子において、それぞれの芳香族環は、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｐ、Ｓｉ、Ｂ、Ａｓ、Ｎ、ＯまたはＳより、好ましくは、Ｎ、ＯまたはＳより選択される１個以上のヘテロ原子を含有してもよい。追加または代替して、これらの共役芳香族分子において、それぞれの芳香族環は、アルキル、アルコキシ、ポリアルコキシ、チオアルキル、アシル、アリールまたは置換アリール基、ハロゲン、特に、フッ素、シアノ、ニトロ、または、−Ｎ（Ｒ３）（Ｒ４）で表される置換されていてもよい２級または３級アルキルアミンまたはアリールアミンで置換されていてもよく、式中、Ｒ３およびＲ４は、それぞれ独立に、Ｈ、置換されていてもよいアルキル基、置換されていてもよいアリール、アルコキシまたはポリアルコキシ基である。Ｒ３およびＲ４がアルキルまたはアリール基の場合、これらはフッ素化されていてもよい。
【００８５】
これらの共役芳香族分子において、芳香族環は縮合されていてもよく、または、−Ｃ（Ｔ１）＝Ｃ（Ｔ２）−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｎ（Ｒ’）−、−Ｎ＝Ｎ−、（Ｒ’）＝Ｎ−、−Ｎ＝Ｃ（Ｒ’）−などの共役連結基で、それぞれ互いに連結されていてもよく、式中、Ｔ１およびＴ２は、それぞれ独立に、Ｈ、Ｃｌ、Ｆ、−Ｃ≡ＮまたはＣ１〜Ｃ１０アルキル基、好ましくは、Ｃ１〜４アルキル基を表し；Ｒ’は、Ｈ、置換されていてもよいＣ１〜Ｃ２０アルキル基または置換されていてもよいＣ４〜Ｃ３０アリール基を表す。Ｒ’がアルキルまたはアリール基の場合、これらはフッ素化されていてもよい。
【００８６】
本発明において使用できる更に好ましいＯＳＣ材料としては、ポリアセン、ポリフェニレン、ポリ（フェニレンビニレン）、ポリフルオレンなどの共役炭化水素ポリマー（これらの共役炭化水素ポリマーのオリゴマーを含む）；テトラセン、クリセン、ペンタセン、ピレン、ペリレン、コロネン、またはこれらの可溶性置換誘導体などの縮合芳香族炭化水素；ｐ−クアテルフェニル（ｐ−４Ｐ）、ｐ−キンクフェニル（ｐ−５Ｐ）、ｐ−セキシフェニル（ｐ−６Ｐ）、またはこれらの可溶性置換誘導体などのオリゴパラ置換フェニレン；ポリ（３−置換チオフェン）、ポリ（３，４−二置換チオフェン）、置換されていてもよいポリチエノ［２，３−ｂ］チオフェン、置換されていてもよいポリチエノ［３，２−ｂ］チオフェン、ポリ（３−置換セレノフェン）、ポリベンゾチオフェン、ポリイソチアナフテン、ポリ（Ｎ−置換ピロール）、ポリ（３−置換ピロール）、ポリ（３，４−二置換ピロール）、ポリフラン、ポリピリジン、ポリ−１，３，４−オキサジアゾール、ポリイソチアナフテン、ポリ（Ｎ−置換アニリン）、ポリ（２−置換アニリン）、ポリ（３−置換アニリン）、ポリ（２，３−二置換アニリン）、ポリアズレン、ポリピレンなどの共役へテロ環状ポリマー；ピラゾリン化合物；ポリセレノフェン；ポリベンゾフラン；ポリインドール；ポリピリダジン；ベンジジン化合物；スチルベン化合物；トリアジン；置換されたメタロまたは金属を含まないポルフィン、フタロシアニン、フルオロフタロシアニン、ナフタロシアニンまたはフルオロナフタロシアニン；Ｃ６０およびＣ７０フラーレン；Ｎ，Ｎ’−ジアルキル、置換ジアルキル、ジアリールまたは置換ジアリール−１，４，５，８−ナフタレンテトラカルボン酸ジイミドおよびフッ素化誘導体；Ｎ，Ｎ’−ジアルキル、置換ジアルキル、ジアリールまたは置換ジアリール３，４，９，１０−ペリレンテトラカルボン酸ジイミド；バソフェナントロリン；ジフェノキノン；１，３，４−オキサジアゾール；１１，１１，１２，１２−テトラシアノナフト−２，６−キノジメタン；α，α’−ビス（ジチエノ［３，２−ｂ２’，３’−ｄ］チオフェン）；２，８−ジアルキル、置換ジアルキル、ジアリールまたはジアルキニルアントラジチオフェン；２，２’−ビベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジチオフェンから成る群より選択される化合物、オリゴマーおよび化合物の誘導体が挙げられる。好ましい化合物は、上のリストからのもの、およびそれらの有機溶媒に可溶な誘導体である。
【００８７】
特に好ましいＯＳＣ材料は、チオフェン−２，５−ジイル、３−置換チオフェン−２，５−ジイル、セレノフェン−２，５−ジイル、３−置換セレノフェン−２，５−ジイル、置換されていてもよいチエノ［２，３−ｂ］チオフェン−２，５−ジイル、置換されていてもよいチエノ［３，２−ｂ］チオフェン−２，５−ジイル、置換されていてもよい２，２’−ビチオフェン−５，５’−ジイル、置換されていてもよい２，２’−ビセレノフェン−５，５’−ジイルから選択される１種類以上の繰返単位を含むポリマーおよびコポリマーから成る群より選択される。
【００８８】
例えば、米国特許第６，６９０，０２９号明細書、国際特許出願公開第２００５／０５５２４８号パンフレットまたは米国特許第７，３８５，２２１号明細書に開示される通り、更に好ましいＯＳＣ材料は、ペンタセン、テトラセンまたはアントラセン、または、６，１３−ビス（トリアルキルシリルエチニル）ペンタセンまたは５，１１−ビス（トリアルキルシリルエチニル）アントラジチオフェンなどのそれらのヘテロ環状誘導体などの置換オリゴマーから成る群より選択される。
【００８９】
もう一つの本発明の好ましい実施形態において、例えば、国際特許出願公開第２００５／０５５２４８号パンフレットに記載される通り、レオロジー特性を調整するために、１種類以上の有機バインダー、特に、１，０００Ｈｚにおいて３．３以下の低い誘電率εを有する有機バインダーをＯＳＣ層は含む。
【００９０】
バインダーは、例えば、ポリ（アルファ−メチルスチレン）、ポリケイ皮酸ビニル、ポリ（４−ビニルビフェニル）またはポリ（４−メチルスチレン）、または、それらのブレンドから選択される。また、バインダーは、例えば、ポリアリールアミン、ポリフルオレン、ポリチオフェン、ポリスピロビフルオレン、置換ポリビニレンフェニレン、ポリカルバゾールまたはポリスチルベン、または、それらのコポリマーから選択される半導体バインダーでもよい。本発明において使用するための好ましい誘電体材料は、好ましくは、例えば、旭硝子社より商業的に入手可能なＣｙｔｏｐ（商標）８０９Ｍなどの１０００Ｈｚにおいて１．５および３．３の間の低い誘電率を有する材料を含む。
【００９１】
また、本発明によるトランジスタ装置は、ｐ型半導体チャネルおよびｎ型半導体チャネルの両者を含む相補型有機ＴＦＴ（ＣＴＦＴ：ｃｏｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｙ  ｏｒｇａｎｉｃ  ＴＦＴ）でもよい。
【００９２】
本発明による方法はＯＦＥＴまたはＯＴＦＴに限らず、また、例えば、ＯＬＥＤＳまたはＯＰＶ装置などの電荷注入層を含む任意のＯＥ装置の製造においても使用できる。他のタイプのＯＥ装置を製造するために本発明による方法を使用するため、上および下に記載される通りの方法を当業者は容易に改変または変更できる。
【００９３】
例えば、また、本発明による方法は、例えば、バルクヘテロ接合（ＢＨＪ：ｂｕｌｋ  ｈｅｔｅｒｏｊｕｎｃｔｉｏｎ）ソーラーセルなどのＯＰＶ装置における電極にも適用できる。ＯＰＶ装置は、文献より既知の任意のタイプでよい［例えば、Ｗａｌｄａｕｆら、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．８９巻、２３３５１７頁（２００６年）参照］。
【００９４】
本発明による好ましいＯＰＶ装置は、
・低仕事関数電極（例えば、アルミニウムなどの金属）および高仕事関数電極（例えば、ＩＴＯ）で、これらの一方は透明である、
・好ましくは、ＯＳＣ材料より選択され、低仕事関数電極および高仕事関数電極の間に配置され、ホール輸送材料および電子輸送材料を含む層（「活性層」とも呼ばれる）で；活性層は、例えば、バルクヘテロ接合（ＢＨＪ：ｂｕｌｋ  ｈｅｔｅｒｊｕｎｃｔｉｏｎ）（例えば、Ｃｏａｋｌｅｙ、Ｋ．Ｍ．およびＭｃＧｅｈｅｅ、Ｍ．Ｄ．Ｃｈｅｍ．Ｍａｔｅｒ．２００４年、１６巻、４５３３頁を参照）を形成しているｐ型およびｎ型半導体の二重層または２つの別個の層またはブレンドまたは混合物として存在できる、
・任意の構成要素として、高仕事関数電極の仕事関数を改質し、ホールに対するオーミックコンタクトを与えるためで、活性層および高仕事関数電極の間に配置され、例えば、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ（ｐｏｌｙ（３，４−ｅｔｈｙｌｅｎｅｄｉｏｘｙｔｈｉｏｐｈｅｎｅ、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン））：（ｐｏｌｙ（ｓｔｙｒｅｎｅｓｕｌｆｏｎａｔｅ）、ポリスチレンスルホネート）のブレンドを含む導電性ポリマー層、
・任意の構成要素として、電子に対するオーミックコンタクトを与えるためで、低仕事関数電極の活性層に面する側上の（例えば、ＬｉＦの）コーティングを含み、
ただし、少なくとも一方の電極、好ましくは、高仕事関数電極は、上および下に記載される通りで本発明による方法が施される。
【００９５】
もう一つの本発明による好ましいＯＰＶ装置は反転ＯＰＶ装置で、これは、
・低仕事関数電極（例えば、金などの金属）および高仕事関数電極（例えば、ＩＴＯ）で、これらの一方は透明である、
・好ましくは、ＯＳＣ材料より選択され、低仕事関数電極および高仕事関数電極の間に配置され、ホール輸送材料および電子輸送材料を含む層（「活性層」とも呼ばれる）で；活性層は、例えば、ＢＨＪを形成しているｐ型およびｎ型半導体の二重層または２つの別個の層またはブレンドまたは混合物として存在できる、
・任意の構成要素として、電子に対するオーミックコンタクトを与えるためで、活性層および低仕事関数電極の間に配置され、例えば、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳのブレンドを含む導電性ポリマー層、
・任意の構成要素として、ホールに対するオーミックコンタクトを与えるためで、高仕事関数電極の活性層に面する側上の（例えば、ＴｉＯｘの）コーティングを含み、
ただし、少なくとも一方の電極、好ましくは、高仕事関数電極は、上および下に記載される通りで本発明による金属交換および任意工程のＳＡＭ処理プロセスが施される。
【００９６】
よって、本発明のＯＰＶ装置においては、好ましくは、少なくとも一方の電極、好ましくは、高仕事関数電極は、それの活性層に面する表面上において、第２金属を含む層および任意構成要素のＳＡＭ層によって覆われており、これらは、上および下に記載される通りで本発明による方法によって形成される。
【００９７】
本発明のＯＰＶ装置は、典型的には、ｐ型（電子ドナー）半導体およびｎ型（電子アクセプター）半導体を含む。ｐ型半導体は、例えば、ポリ（３−アルキル−チオフェン）（Ｐ３ＡＴ）、好ましくは、ポリ（３−ヘキシルチオフェン）（Ｐ３ＨＴ）などのポリマー、あるいは、上に列記される通りの好ましいポリマーおよびモノマーＯＳＣ材料の群より選択される他のものである。ｎ型半導体は、酸化亜鉛またはセレン化カドミウムなどの無機材料、または、フラーレン誘導体、例えば、Ｇ．Ｙｕ、Ｊ．Ｇａｏ、Ｊ．Ｃ．Ｈｕｍｍｅｌｅｎ、Ｆ．Ｗｕｄｌ、Ａ．Ｊ．Ｈｅｅｇｅｒ、Ｓｃｉｅｎｃｅ  １９９５年、２７０巻、１７８９ｆｆ頁において例えば開示される通りで、下に示す構造を有し、「ＰＣＢＭ」または「Ｃ６０ＰＣＢＭ」としても既知の（６，６）−フェニル−酪酸メチルエステル誘導メタノＣ６０フラーレン、または、例えば、Ｃ７０フラーレン基（Ｃ７０ＰＣＢＭ）を有する構造類似化合物またはポリマー（例えば、Ｃｏａｋｌｅｙ、Ｋ．Ｍ．およびＭｃＧｅｈｅｅ、Ｍ．Ｄ．Ｃｈｅｍ．Ｍａｔｅｒ．２００４年、１６巻、４５３３頁参照）などの有機材料でよい。
【００９８】
【化１】
2013534726.tif 000003
このタイプの好ましい材料は、Ｐ３ＨＴなどのポリマー、または、上に列記される群より選択される他のポリマーと、Ｃ６０またはＣ７０フラーレンまたはＰＣＢＭなどの修飾フラーレンとのブレンドまたは混合物である。好ましくは、ポリマー：フラーレンの比は、重量で２：１〜１：２、より好ましくは、重量で１．２：１〜１：１．２、最も好ましくは、重量で１：１である。ブレンドされた混合物については、ブレンドのモルフォロジー、および結果として、ＯＰＶ装置の性能を最適化するために、任意工程のアニール工程が必要なこともある。
【００９９】
好ましくは、上および下に記載される通りの方法において、ＯＳＣ層および絶縁体層などの個々の機能層の堆積は、溶液プロセス技術を使用して行う。これは、例えば、それぞれ、ＯＳＣまたは誘電体材料を含み、１種類以上の有機溶媒を更に含む配合物、好ましくは、溶液を先に堆積した層上に塗工し、続いて、溶媒（１種類または多種類）を蒸発することで行うことができる。好ましい堆積技術としては、限定することなく、浸漬コーティング、スピンコーティング、インクジェット印刷、レタープレス印刷、スクリーン印刷、ドクターブレードコーティング、ローラー印刷、リバースローラー印刷、オフセットリソグラフィー印刷、フレキソ印刷、ウェブ印刷、スプレーコーティング、はけ塗りコーティングまたはパッド印刷が挙げられる。非常に好ましい溶液堆積技術は、スピンコーティング、フレキソ印刷およびインクジェット印刷である。
【０１００】
本発明によるＯＦＥＴ装置においては、ゲート絶縁体層のための誘電体材料は、好ましくは、有機材料である。誘電体層は溶液コートされることが好ましく、溶液コートによれば周囲環境で加工できるが、また、種々の真空堆積技術によって堆積することもできる。誘電体をパターン化する場合、誘電体は中間層絶縁体の機能を果たしてもよく、ＯＦＥＴのためのゲート絶縁体として働いてもよい。好ましい堆積技術としては、限定することなく、浸漬コーティング、スピンコーティング、インクジェット印刷、レタープレス印刷、スクリーン印刷、ドクターブレードコーティング、ローラー印刷、リバースローラー印刷、オフセットリソグラフィー印刷、フレキソ印刷、ウェブ印刷、スプレーコーティング、はけ塗りコーティングまたはパッド印刷が挙げられる。高解像度の層および装置を調製できるため、インクジェット印刷が特に好ましい。任意工程として、より良好な溶媒に対する耐性および／または構造的完結性を達成するために、および／または、パターン化（フォトリソグラフィー）を可能とするために、誘電体材料を架橋または硬化できる。好ましいゲート絶縁体は、有機半導体に対して低誘電率の界面を提供するものである。
【０１０１】
適切な溶媒は、限定することなく、炭化水素溶媒、芳香族溶媒、脂環式環状エーテル、環状エーテル、酢酸化物、エステル、ラクトン、ケトン、アミド、環状カーボネートまたは以上の多成分混合物が挙げられる溶媒より選択される。好ましい溶媒の例としては、シクロヘキサノン、メシチレン、キシレン、２−ヘプタノン、トルエン、テトラヒドロフラン、ＭＥＫ、ＭＡＫ（２−ヘプタノン）、シクロヘキサノン、４−メチルアニソール、ブチルフェニルエーテルおよびシクロヘキシルベンゼン、非常に好ましくは、
ＭＡＫ、ブチルフェニルエーテルまたはシクロヘキシルベンゼンが挙げられる。
【０１０２】
それぞれの機能性材料（ＯＳＣまたはゲート誘電体）の配合物中における総濃度は、好ましくは、０．１〜３０重量％、好ましくは、０．１〜５重量％である。特に、インクジェットおよびフレキソ印刷のための溶液において使用するためには、高い沸点を有する有機ケトン溶媒が有利である。
【０１０３】
堆積方法としてスピンコーティングを使用する場合、例えば、１０００および２０００ｒｐｍの間で、例えば、３０秒の時間で、ＯＳＣまたは誘電体材料をスピンし、典型的には、０．５および１．５μｍの間の層厚を有する層を与える。スピンコーティング後、昇温してフィルムを加熱し、全ての残存する揮発性溶媒を除去できる。
【０１０４】
架橋するためには、堆積後の架橋性誘電体材料を、好ましくは、例えば、Ｘ線、ＵＶまたは可視光の放射などの電子ビームまたは電磁気（化学線）放射に曝露する。例えば、５０ｎｍ〜７００ｎｍ、好ましくは、２００〜４５０ｎｍ、最も好ましくは、３００〜４００ｎｍの波長を有する化学線放射を使用できる。適切な放射線量は、典型的には、２５〜３，０００ｍＪ／ｃｍ２の範囲内である。適切な放射線源としては、水銀、水銀／キセノン、水銀／ハロゲンおよびキセノンランプ、アルゴンまたはキセノンレーザ光源、Ｘ線、または、電子ビームが挙げられる。化学線に曝露することで、曝露された領域内の誘電体材料の架橋性基における架橋反応が誘発されることとなる。また、例えば、架橋性基の吸収バンド外の波長を有する光源を使用することや、放射線感受性の光増感剤を架橋性材料に加えることも可能である。
【０１０５】
任意工程として、放射線に曝露後、例えば、７０℃〜１３０℃の温度において、例えば、１〜３０分、好ましくは、１〜１０分の時間において、誘電体材料層をアニールする。誘電体材料の架橋性基を光放射に曝露することで誘発された架橋反応を完結するために、昇温してアニール工程を使用できる。
【０１０６】
上および下に記載される全てのプロセス工程は、先行技術において記載され当業者に良く知られている既知の技術および標準的な設備を使用して行うことができる。例えば、光照射工程においては、商業的に入手可能ＵＶランプおよび光マスクを使用でき、オーブン内またはホットプレート上においてアニール工程を行うことができる。
【０１０７】
本発明による電子装置における機能層（ＯＳＣ層または誘電体層）の厚みは、好ましくは、１ｎｍ（単層の場合）〜１０μｍ、非常に好ましくは、１ｎｍ〜１μｍ、最も好ましくは、５ｎｍ〜５００ｎｍである。
【０１０８】
種々の基板を有機電子装置の製造のために使用でき、例えば、シリコンウエハー、ガラスまたはプラスチックであり、プラスチック材料が好ましく、例として、アルキド樹脂、アリルエステル、ベンゾシクロブテン、ブタジエン−スチレン、セルロース、セルロースアセテート、エポキシド、エポキシポリマー、エチレン−クロロトリフルオロエチレン、エチレン−テトラ−フルオロエチレン、ガラス繊維強化プラスチック、フルオロカーボンポリマー、ヘキサフルオロプロピレンビニリデン−フルオリドコポリマー、高密度ポリエチレン、パリレン、ポリアミド、ポリイミド、ポリアラミド、ポリジメチルシロキサン、ポリエーテルスルホン、ポリエチレン、ポリエチレンナフタレート、ポリエチレンテレフタレート、ポリケトン、ポリメチルメタクリレート、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリスルホン、ポリテトラフルオロエチレン、ポリウレタン、ポリ塩化ビニル、シリコーンゴムおよびシリコーンが挙げられる。
【０１０９】
好ましい基板材料は、ポリエチレンテレフタレート、ポリイミドおよびポリエチレンナフタレートである。基板は、上の材料でコートされた任意のプラスチック材料、金属またはガラスでもよい。基板は、好ましくは、良好なパターン鮮明度を保証するために均質でなければならない。また、キャリアの移動度を高めるために、有機半導体の配向を誘発するための押出、延伸、ラビングまたは光化学的技術によって基板を均一に事前配向してもよい。
【０１１０】
文脈が明らかに他を示さない限り、本明細書で用いられる場合、本明細書における用語の複数形は単数形を含むよう構成されており、逆もまた同様である。
【０１１１】
本発明の前述の実施形態は、本発明の範囲内に依然として在りながら変更できると理解されるであろう。他に明言しない限り、本明細書において開示されるそれぞれの態様を、同一、同等または同様の目的に働く代替の態様で置き換えてもよい。よって、他に明言しない限り、開示されるそれぞれの態様は、包括的で一連の同等または同様な態様の一例に過ぎない。
【０１１２】
本明細書において開示される態様の全ては、その様な態様および／または工程の少なくとも幾つかが互いに排他的である組み合せを除いて、任意の組み合わせで組み合わせてよい。特に、本発明の好ましい態様は本発明の全ての態様に適用可能であり、任意の組み合わせにおいて使用できる。同様に、本質的でない組み合わせで記載される態様は、個別に（組み合わせずに）使用できる。
【０１１３】
上記の態様、特に好ましい実施形態の多くは、それ自体で発明性があり、本発明の実施形態の単なる一部分ではないことが分かるであろう。本願において特許請求される任意の発明に追加するか代わりに、これらの態様に対して独立した特許保護を求める場合がある。
【０１１４】
ここで、以下の例を参照して、本発明を更に詳細に記載するが、それは単なる例示であって、本発明の範囲を限定するものではない。
【０１１５】
以下のパラメータを使用する：
μＬＮは、線形電荷キャリア移動度であり、
μＳＡＴは、飽和電荷キャリア移動度であり、
Ｗは、ドレインおよびソース電極の長さ（「チャネル幅」としても既知）であり、
Ｌは、ドレインおよびソース電極の間の距離（「チャネル長」としても既知）であり、
ＩＤは、ソース−ドレイン電流であり、
ＣＯＸは、ゲート誘電体の単位面積あたりの静電容量であり、
ＶＧは、ゲート電圧（Ｖ）であり、
ＶＤＳは、ソース−ドレイン電圧であり、
Ｓｑｒｔ（ＩＤ）は、線形電荷キャリア移動度である。
【０１１６】
他に明言しない限り、上および下で与えられる場合、誘電率（ε）、電荷キャリア移動度（μ）、溶解性パラメータ（δ）および粘度（η）などの物理的パラメータの全ての特定の値は、２０℃（±１℃）の温度で参照され、パーセンテージは、重量％として与えられる。
【実施例】
【０１１７】
＜例１＞
以下の通り、トップゲートＯＦＥＴ装置を調製する。
【０１１８】
基板の最表面上の金属シャドーマスクで熱蒸着プロセスを経て、ガラス基板上に銅電極を堆積する。その後、１％酢酸に５分浸漬し、続いて、脱イオン水で数回リンスして、基板を浄化する。次いで、この事前浄化された銅基板を０．０００１ＭのＡｇＮＯ３浴中に異なる時間（この場合、ｔ＝２、３および４分）浸漬し、続いて、脱イオン水で少なくとも５分リンスする。その後、基板をスピンで乾燥し、続いて、Ａｇ改質されたＣｕ基板をＬｉｓｉｃｏｎ（登録商標）Ｍ００１（ドイツ国ダルムシュタット市メルク社より商業的に入手可）中に１分浸漬する。次いで、基板をＩＰＡでリンスし、基板を１００℃のホットプレートの最表面上に１分置く前に、スピンで乾燥した。
【０１１９】
Ｌｉｓｉｃｏｎ（登録商標）Ｍ００１処理後、トップゲートＯＦＥＴ用のＯＳＣ配合物であるＬｉｓｉｃｏｎ（登録商標）Ｓ１２００（ドイツ国ダルムシュタット市メルク社より商業的に入手可）を、改質電極上に２０００ｒｐｍのスピン速度でスピンコートし、続いて、１００℃のホットプレートで１分アニールする。次いで、基板を移動して、誘電体を１６００ｒｐｍで３０秒スピンコートし、１００℃で１分アニールして、ＯＳＣ層の最表面上にＬｉｓｉｃｏｎ（登録商標）Ｄ１３９（ドイツ国ダルムシュタット市メルク社より商業的に入手可）の誘電体層を堆積する。最後に、シャドーマスクを使用して熱蒸着プロセスにより、Ｃｕゲート電極を誘電体層の最表面上に堆積する。
【０１２０】
次いで、ＯＦＥＴ装置性能の解析を行う。得られた結果を下に示す。
【０１２１】
＜トランジスタ特性解析＞
Ｋａｒｌ  Ｓｕｓｓ  ＰＨ１００プローブヘッドを備えるプローブステーションに接続されたＡｇｉｌｅｎｔ４１５５Ｃ半導体解析装置を使用して、トランジスタを特性解析する。
【０１２２】
トランジスタの特性を、以下の通り計測する：
ＶＤ＝−５Ｖで、ＶＧを＋２０Ｖから−６０Ｖまでスキャンし、１Ｖステップで戻す（線形モード）、
ＶＤ＝−６０Ｖで、ＶＧを＋２０Ｖから−６０Ｖまでスキャンし、１Ｖステップで戻す（飽和モード）。
【０１２３】
以下の式を使用して、移動度の値を計算した。
【０１２４】
【数１】
2013534726.tif 000004
＜ケルビンプローブを使用する仕事関数の計測＞
【０１２５】
【表１】
2013534726.tif 000005
＜ＯＦＥＴ装置性能＞
個々の基板より、それぞれ６個のＯＦＥＴ装置の平均性能を計測し、まとめる。対応するＯＦＥＴの変換特性を図５ａ〜ｄに示す。
【０１２６】
ａ）０．１ｍＭのＡｇＮＯ３、２分浸漬
μｌｉｎｅａｒ：２．１８ｃｍ２／Ｖ秒
μｓａｔ：２．０８ｃｍ２／Ｖ秒
Ｉｏｆｆ：３．８×１０−９Ａ
Ｉｏｎ／ｏｆｆ：１．９×１０４
ｂ）０．１ｍＭのＡｇＮＯ３、３分浸漬
μｌｉｎｅａｒ：２．６８ｃｍ２／Ｖ秒
μｓａｔ：２．２７ｃｍ２／Ｖ秒
Ｉｏｆｆ：４．４８×１０−９Ａ
Ｉｏｎ／ｏｆｆ：１．８×１０４
ｃ）０．１ｍＭのＡｇＮＯ３、４分浸漬
μｌｉｎｅａｒ：２．３２ｃｍ２／Ｖ秒
μｓａｔ：２．１９ｃｍ２／Ｖ秒
Ｉｏｆｆ：８×１０−９Ａ
Ｉｏｎ／ｏｆｆ：９×１０４
ｄ）Ｌｉｓｉｃｏｎ（登録商標）Ｍ００１でＣｕ（金属交換プロセス一切なし）
μｌｉｎｅａｒ：０．５ｃｍ／Ｖ秒
μｓａｔ：０．１６ｃｍ／Ｖ秒
Ｉｏｆｆ：１０−１０Ａ
Ｉｏｎ／ｏｆｆ：２×１０４
これらの結果は、表面処理は施されているが金属交換プロセスは施されていないＣｕ製Ｓ／Ｄ電極を有するＯＦＥＴ装置（ｄ）（μ＜０．５ｃｍ２／Ｖ秒）と比較して、金属交換プロセスおよび表面処理プロセスが施されているＣｕ製Ｓ／Ｄ電極を有するＯＦＥＴ装置（ａ〜ｃ）（μ＜０．５ｃｍ２／Ｖ秒）は、３〜４倍高い移動度（μ＞２ｃｍ２／Ｖ秒）を有していることを示している。また、全体の性能を変化させることなく、金属交換処理時間を２〜４分または更に長くに変化できることも見て取れる。これは、より大規模な管理限界においても、プロセスを使用できることを意味する。
【０１２７】
３分処理したＯＦＥＴ装置の１つについてバイアス・ストレス計測を、−６０Ｖゲート電圧ストレスにおいて２４時間行った。結果を、図６および７に示す。図６において、バイアス・ストレス下２４時間内の時間にわたって、ＶＧａｔｅ＝−６０ＶにおいてＩＤは、およそ、８×１０−４Ａで変化していない一方で、バイアス・ストレスプロセスにわたってＩｏｆｆは低下していることが見て取れる。これは、バイアス・ストレスプロセスを通して、ＯＦＥＴ装置の性能が非常に一貫しており、２４時間のストレス時間内では劣化が観察されないことを示唆する。図７は、バイアス・ストレスプロセスの初期における飽和移動度の変化と、１２時間毎のバイアス・ストレスにおける、その後の移動度とを図示する。初期値と比較して、１２時間後、サンプルの移動度は僅かに低下している。１２時間および２４時間の間の計測においては、移動度について、更なる低下は観察されない。これは、最初のストレス後は、更なる劣化は観察されないことを示唆する。
【０１２８】
＜例２＞
Ｃｕ−Ａｇ金属交換処理され、Ｌｉｓｉｃｏｎ（登録商標）Ｍ１０００のＳＡＭ層で表面処理されたＣｕ製Ｓ／Ｄ電極を使用して、例１に記載される通り、ボトムゲート（ＢＧ：ｂｏｔｔｏｍ  ｇａｔｅ）ＯＦＥＴを作製する。基本的な装置構造（機能層の順序）は、以下の通りである。
【０１２９】
基板／Ｃｕ（ゲート）／Ｌｉｓｉｃｏｎ（登録商標）Ｄ２０６（ゲート誘電体）／Ａｇ金属交換およびＬｉｓｉｃｏｎ（登録商標）Ｍ００１処理されたＣｕ（Ｓ／Ｄ）／ＯＳＣスピンコーティング。
【０１３０】
図８に、３分の金属交換プロセス後の、この装置の変換特性を示す。装置は、およそ、０．３ｃｍ２／Ｖ秒の平均移動度で、Ｖｇａｔｅが、およそ、０Ｖにおいて、鋭い立ち上がりを示す。飽和および線形領域におけるオン−オフ比は、２×１０４より高い。
【０１３１】
＜例３＞
例１に記載される通り、トップゲート（ＴＧ：ｔｏｐ  ｇａｔｅ）ＯＦＥＴ装置を作製するが、Ｐｄ（ＮＨ３）４（ＮＯ３）２を含有する浸漬浴を使用してＣｕ−Ｐｄ金属交換プロセスを施し、続いて、Ｌｉｓｉｃｏｎ（登録商標）Ｍ００１表面処理をＣｕ製Ｓ／Ｄ電極に施す。装置性能を、図９に示す。
【０１３２】
装置は、２．５ｃｍ２／Ｖ秒の最大μｌｉｎおよび１．８ｃｍ２／Ｖ秒のμｓａｔで、およそ、−３ＶにおいてＶｔｕｒｎ−ｏｎを示す。線形および飽和領域におけるオン−オフ比は、１０４より高い。Ｌｉｓｉｃｏｎ（登録商標）Ｍ００１処理のみが施されたＣｕ製Ｓ／Ｄ電極を有する装置と比較して、Ｌｉｓｉｃｏｎ（登録商標）Ｍ００１処理に加え、Ｐｄ金属交換が施されたＣｕ製Ｓ／Ｄ電極を有する装置は、移動度について、３〜４倍良好な性能を示す。
【図１】
2013534726.tif 000006
【図２】
2013534726.tif 000007
【図３】
2013534726.tif 000008
【図４】
2013534726.tif 000009
【図５ａ】
2013534726.tif 000010
【図５ｂ】
2013534726.tif 000011
【図５ｃ】
2013534726.tif 000012
【図５ｄ】
2013534726.tif 000013
【図６】
2013534726.tif 000014
【図７】
2013534726.tif 000015
【図８】
2013534726.tif 000016
【図９】
2013534726.tif 000017
【国際調査報告】
2013534726.tif 000018
2013534726.tif 000019
2013534726.tif 000020