(57)【要約】  金属または金属合金層を基板上に形成する方法であって、以下の段階  ｉ）  少なくとも１つのコンタクト領域（１０１）の上部の永続的な樹脂層（１０３）、および該永続的な樹脂層の上部の一時的な樹脂層（１０４）を含む基板（１０２）を準備する段階、  ｉｉ）  少なくとも１つのコンタクト領域を含む基板領域全体を、伝導性層（１０６）を基板表面上に提供するために適した溶液と接触させる段階、および  ｉｉｉ）  伝導性層上に金属または金属合金層（１０７）を電気めっきする段階を含む、前記方法が記載される。
2013534367.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にはんだ堆積物を形成するための方法であって、以下の段階：
ｉ）  少なくとも１つのコンタクト領域（１０１）と、前記少なくとも１つのコンタクト領域（１０１）を覆う少なくとも１つの永続的な樹脂層（１０３）と、前記永続的な樹脂層（１０３）を覆う少なくとも１つの一時的な樹脂層（１０４）とを含む基板（１０２）を準備する段階、
ｉｉ）  一時的な樹脂層（１０４）および永続的な樹脂層（１０３）を貫通する少なくとも１つのコンタクト領域の開口部（１０５）を形成する段階、
ｉｉｉ）  永続的な樹脂層（１０３）と、一時的な樹脂層（１０４）と、少なくとも１つのコンタクト領域（１０１）とを含む基板（１０２）全体を、該基板表面上に第一の伝導性シード層（１０６）を設けるために適した溶液と接触させる段階、および
ｉｖ）  スズ、銅、スズ合金、および銅合金からなる群から選択される、金属または金属合金層（１０７）を、第一の伝導性シード層（１０６）上に電気めっきする段階
を含む前記方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、さらなる段階：
ｖ）  段階ｉｖ）の直後に、少なくとも１つのコンタクト領域の開口部（１０５）内の金属または金属合金層（１０７）を残すように、金属または金属合金層（１０７）を第一の伝導性シード層（１０６）領域から除去するために充分な量の金属または金属合金層（１０７）をエッチングにより除去する段階
を含む前記方法。
【請求項３】
請求項１に記載の方法であって、さらなる段階：
ｖｉ）ａ  はんだ付け可能なキャップ層（１１３）および／または保護層（１１７）を、金属または金属合金層（１０７）の上部に堆積する段階
を含む前記方法。
【請求項４】
請求項１または２に記載の方法であって、さらなる段階：
ｖｉ）ｂ  樹脂層（１１４）を第一の伝導性シード層（１０６）上に堆積し、且つ、前記レジスト層（１１４）をパターニングして開口部を形成し、少なくとも１つのコンタクト領域の開口部（１０５）内にめっきされた金属または金属合金層（１０７）を露出する段階、
ｖｉｉ）ｂ  はんだ付け可能なキャップ層（１１３）またはバリア層（１１５）を、レジスト層（１１４）によって形成された開口部内に堆積する段階
を含む前記方法。
【請求項５】
請求項１に記載の方法であって、さらなる段階：
ｖ）ｃ  その直後に、一時的な樹脂層（１０４）上に堆積された金属または金属合金層（１０７）および第一の伝導性シード層（１０６）を、エッチングにより除去する段階、
ｖｉ）ｃ  金属または金属合金層（１０７）上にバリア層（１１５）を堆積する段階、
ｖｉｉ）ｄ  第二の伝導性シード層（１１６）を、一時的な樹脂層（１０４）およびバリア層（１１５）の表面上に堆積する段階、
ｖｉｉｉ）ｄ  はんだ付け可能なキャップ層（１１３）を、第二の伝導性シード層（１１６）上に堆積し、且つ、その直後に、
ｉｘ）ｄ  はんだ付け可能な層（１０７）を、バリア層（１１５）の上に残すように、はんだ付け可能なキャップ層（１１３）を第二の伝導性シード層（１１６）領域から除去するために充分な量のはんだ付け可能なキャップ層（１１３）をエッチングにより除去する段階
を含む前記方法。
【請求項６】
金属または金属合金層（１０７）が、銅および銅合金からなる群から選択される、請求項１から５までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
はんだ付け可能なキャップ層（１１３）が、スズおよびスズ合金からなる群から選択される、請求項３から５までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
第一のバリア層が、少なくとも１つのコンタクト領域（１０１）上にめっきされる、請求項１から７までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
バリア層が、ニッケル、スズ、クロム、チタン、銀、金、パラジウム、それらの合金、およびそれらの多層からなる群から選択される金属または合金からなる、請求項１から８までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
一時的な樹脂層（１０４）が、アクリレート、エチレン／エチルアクリレートコポリマー、エチレン／メタクリレートコポリマー、エチレン／アクリル酸コポリマー、エチレン／ブチルアクリレートコポリマー、ポリメチルペンテンおよびポリメチルメタクリレートの１つまたはそれより多くを含む、請求項１から９までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
一時的な樹脂層（１０４）がさらに、ホウ酸アルミニウム、酸化アルミニウム、アルミニウムトリヒドロキシド、無煙炭、アンチモン酸ナトリウム、五酸化アンチモン、三酸化アンチモン、リン灰石、アタパルジャイト、メタホウ酸バリウム、硫酸バリウム、硫酸ストロンチウム、チタン酸バリウム、ベントナイト、酸化ベリリウム、窒化ホウ素、炭酸カルシウム、水酸化カルシウム、硫酸カルシウム、カーボンブラック、粘土、クリストバライト、ケイ藻土、ドロマイト、フェライト、長石、ガラスビーズ、グラファイト、ケイ酸カルシウム水和物、酸化鉄、カオリン、リトポン、酸化マグネシウム、マイカ、二硫化モリブデン、パーライト、ポリマー充填材、例えばＰＴＦＥ、ＰＥ、ポリイミド、軽石、パイロフィライト、ゴム粒子、フュームドシリカ、フューズドシリカ、沈降シリカ、海泡石、石英、砂、スレート粉、タルク、二酸化チタン、バーミキュライト、木粉、ウォラストナイト、ゼオライト、ホウ酸亜鉛、酸化亜鉛、スズ酸亜鉛、硫化亜鉛、アラミド繊維、炭素繊維、セルロース繊維、およびガラス繊維からなる群、およびそれらの混合物から選択される充填材を含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
少なくとも１つのコンタクト領域（１０１）が、バイアまたはトレンチを含む、請求項１から１１までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項１３】
基板をリフロー工程に供して、金属または金属合金層（１０７）をリフローさせる、請求項１から１２までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項１４】
第一の伝導性シード層（１０６）を、銅、銅−ニッケル合金、銅−ルテニウム合金、および銅−ロジウム合金からなる群から選択される金属または金属合金の無電解堆積によって形成する、請求項１から１３までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項１５】
第二の伝導性シード層（１１６）を、銅、銅−ニッケル合金、銅−ルテニウム合金、および銅−ロジウム合金からなる群から選択される金属または金属合金の無電解堆積によって形成する、請求項５に記載の方法。
【請求項１６】
銀または銀合金の層を、はんだ付け可能なキャップ層（１１３）上に堆積する、請求項３から１３までのいずれか１項に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、特にフリップチップパッケージのための、より特定には、電気めっきされた金属または金属合金によって形成される、フリップチップ接合および基板対基板のはんだ接合のための電気めっきによるはんだ堆積物の形成に関する。
【０００２】
背景技術
１９６０年代初期に、ＩＢＭによってフリップチップ技術が導入されて以来、フリップチップ素子は、高価なセラミック基板上に搭載されており、この場合、シリコンチップとセラミック基板との間の熱膨張の不整合はあまり重要ではない。ワイヤボンディング技術と比べて、フリップチップ技術は、より高いパッケージング密度（より少ないデバイスの輪郭）およびより高い電気的特性（より短いリードの可能性、およびより低いインダクタンス）をより良好に提供できる。これに基づき、フリップチップ技術は、過去４０年の間、セラミック基板上の高温はんだを使用して、産業的に実践されてきた（ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ  ｃｏｌｌａｐｓｅ  ｃｈｉｐ  ｃｏｎｎｅｃｔｉｏｎ、Ｃ４）。しかしながら、近年、現代の電子製品の小型化傾向のために、高密度、高速且つ低コストの半導体素子が要求されていることにより、シリコンチップと有機板構造との間の熱膨張の不整合によって誘発される熱応力を軽減するためのエポキシのアンダーフィルを用いて低コスト有機回路板（例えばプリント回路板または基板）上に搭載されたフリップチップ素子が、明らかに爆発的に増加してきている。低温フリップチップ接合および有機に基づく回路板のこの特筆すべき出現によって、現在の産業は、フリップチップ素子を安価に製造するための解答を得ることができた。
【０００３】
現在の低コストフリップチップ技術においては、半導体集積回路（ＩＣ）チップの上部表面に、電気的なコンタクトパッドのアレイがある。有機回路板も、相応のコンタクトグリッドを有している。低温はんだバンプまたは他の伝導性接着材料が、チップと回路板との間に設置され、且つ、正確に整合される。チップは逆さまに置かれて回路板上に載せられ、そこで、はんだバンプまたは伝導性の接着材料が、チップと回路板との間の電気的な入力／出力（Ｉ／Ｏ）および機械的な相互接続を提供する。はんだバンプ接合のために、有機のアンダーフィル封止剤をさらに、チップと回路板との間の隙間に施与して、熱的な不整合を妨げ、且つはんだ接合上の応力を低下させることができる。
【０００４】
一般に、はんだ接合によるフリップチップの組み立て品を実現するために、金属のバンプ、例えばはんだバンプ、金バンプまたは銅バンプが一般に、チップのパッド電極表面上に予め形成され、その際、該バンプは任意の形状、例えばスタッドバンプ、ボールバンプ、柱状バンプ、またはその他のものであってよい。典型的には低温はんだを使用する相応のはんだバンプ（または、予備はんだ（ｐｒｅｓｏｌｄｅｒ）バンプとも言う）も、回路板のコンタクト領域上に形成される。リフロー温度で、はんだ接合によって、チップが回路板に結合される。アンダーフィル封止剤が施与された後、そのようにフリップチップ素子が組み立てられる。かかる方法は当該技術分野においてよく知られており、且つ、はんだ接合を使用したフリップチップ素子の典型的な例は、例えばＵＳ７０９８１２６号内に記載されている。
【０００５】
現在、回路板上に予備はんだバンプを形成するための最も一般的な方法は、ステンシル印刷法である。ステンシル印刷法に関するいくつかの先行の提案は、ＵＳ５２０３０７５号、ＵＳ５４９２２６６号、およびＵＳ５８２８１２８号を参照することができる。フリップチップ組み立てのためのはんだバンプ技術は、バンプのピッチとサイズの小型化との両方に関する設計について考える必要がある。実際的経験によれば、ステンシル印刷は、バンプのピッチが０．１５ミリメートル未満に減少すると、実現不可能になる。対照的に、電気めっきによって堆積されたはんだバンプは、バンプのピッチを０．１５ミリメートルより下にさらに低減する能力をもたらす。フリップチップ結合のための、回路板上の電気めっきバンプに関する先行の提案は、ＵＳ５３９１５１４号およびＵＳ５４８０８３５号内に見出すことができる。回路板上の電気めっきはんだバンプが、ステンシル印刷を上回る、より微細なバンプのピッチをもたらすとはいえ、最初の実装についていくつかの課題が存在する。
【０００６】
有機基板上にはんだを形成するための多段階の方法が、ＵＳ７０９８１２６号内に記載されている。該方法においては、少なくとも１つのコンタクト領域を含む電子回路を有する表面を含む有機回路板を初めに準備する。はんだマスク層を板表面上に設置し、且つ、パターニングしてパッドを露出する。引き続き、金属のシード層を物理気相堆積、化学気相堆積、銅触媒を使用した無電解めっき、または触媒銅を使用した電気めっきによって、板の表面上に堆積する。レジスト層を前記金属シード層上に形成し、その後、パターニングする。その後、はんだ材料を、電気めっきによって開口部内に形成する。最終的に、レジストおよび該レジストの下方にある金属シード層を除去する。この方法を適用するためには、様々なパターニング段階が必要とされ、そのことはプロセスの効率という観点全体からは望ましくない。各々のパターニング段階は、パターンの不整合を引き起こす可能性がある。さらには、電子素子の小型化の結果として、隣接するコンタクト領域間の距離（ピッチ）が非常に小さい場合、該方法には限界がある。
【０００７】
回路板の伝導性バンプ構造の製造方法は、ＵＳ２００６／０２１９５６７号Ａ１内に開示されている。はんだ材料を、パターニングされたはんだマスクによって部分的に保護された基板上に電気めっきする。次に、エッチングレジストをはんだ材料層の上に堆積する。その後、はんだ材料を被覆された接続パッドが次のエッチング段階の間に保護されるように、エッチングレジストをパターニングする。はんだ堆積物（ｓｏｌｄｅｒ  ｄｅｐｏｔ）のために必要ではないはんだ材料をエッチングにより除去し、エッチングレジストで保護されたはんだ堆積物のみを接続パッド上に残す。次にエッチングレジストを除去する。
【０００８】
欧州特許出願第ＥＰ２１８０７７０号Ａ１は、はんだ堆積層の形成方法を開示しており、ここでは、コンタクト領域を有する基板上にはんだ樹脂層を堆積する。前記はんだ樹脂層をパターニングして、前記コンタクト領域を露出する。次に、パターニングされたはんだ樹脂層上に追加的な樹脂層を堆積し、そして再度パターニングする。この方法は、コンタクト領域のサイズが小さく且つピッチの距離が狭い場合に、個々にパターニングされたはんだ樹脂層および追加的な樹脂層の位置ずれをもたらすことがある。
【０００９】
発明の概要
従って、本発明の課題は、スズおよびスズ合金の電気めっき法を、はんだ堆積物の均一な層を基板上に製造するために採り入れること、および、そのために適したスズめっき浴組成物である。かかるめっき法は、ボイドまたはへこみを残さずに、高いアスペクト比を有する凹部構造を充填するために適しているべきである。
【００１０】
本発明の他の課題は、非溶融バンプ構造を提供することである。
【００１１】
本発明の他の課題は、はんだ堆積、および非溶融バンプ構造の形成のための方法であって、めっき段階の数が低減され、且つ、はんだレジスト開口部が種々の寸法を有している場合でも普遍的に適用可能である方法を提供することである。
【００１２】
本発明の他の課題は、はんだ堆積および非溶融バンプ構造形成のための方法であって、パターンの位置ずれを回避する方法を提供することである。
【００１３】
要約すると、フリップチップ接合および基板対基板のはんだ接合を形成するために、電気めっきはんだ堆積物および非溶融バンプ構造を基板上に製造する方法が開示される。本発明により、非伝導性基板、例えば少なくとも１つのコンタクト領域を含む回路板が提供される。
【００１４】
永続的な樹脂層によって被覆された少なくとも１つのコンタクト領域を有する基板を、一時的な樹脂層で被覆する。レーザードリル加工、プラズマエッチング、放電加工、および機械的なドリル加工などの方法によって、基板中にコンタクト領域の開口部を作製し、少なくとも１つのコンタクト領域を露出する。
【００１５】
次に、金属または金属合金を含有する層を、基板の伝導性領域の上にめっきしてはんだ堆積物または非溶融バンプ構造を形成する。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】図１は、先行技術から公知の方法による、位置ずれを有するコンタクト領域開口部の２段階の形成を示す。
【図２】図２は、金属または金属合金層を基板上に得るための、本発明による方法を示す。
【図３】図３は、はんだ付け可能なキャップ層を有する非溶融バンプ構造を得るための方法を示す。
【図４】図４は、はんだ付け可能なキャップ層を有する非溶融バンプ構造を得るための他の方法を示す。
【図５】図５は、はんだ付け可能なキャップ層を有する非溶融バンプ構造を得るためのさらに他の方法を示す。
【図６】図６は、バリア層によって分離された、はんだ付け可能なキャップ層を有する非溶融バンプ構造を得るための方法を示す。
【図７】図７は、リフローされたはんだ堆積物および非溶融バンプ構造を示す。
【００１７】
（１０１）  コンタクト領域
（１０２）  非伝導性基板
（１０３）  永続的な樹脂層
（１０４）  一時的な樹脂層
（１０５）  コンタクト領域の開口部
（１０６）  第１の伝導性シード層
（１０７）  金属または金属合金層
（１０８）  リフローされたはんだ堆積層
（１０９）  はんだ樹脂層
（１１０）  はんだ樹脂の開口部
（１１１）  一時的な樹脂の開口部
（１１２）  非溶融バンプ構造
（１１３）  はんだ付け可能なキャップ層
（１１４）  レジスト層
（１１５）  バリア層
（１０６）  第二の伝導性シード層
（１１７）  保護層。
【００１８】
発明の詳細な説明
本発明は、金属または金属合金層を電気めっきすることによって、金属層を基板上に形成する方法を提供する。該方法は、良好なめっきの均一性を有するはんだバンプおよび非溶融バンプ構造を回路板上に形成するために特に適している。該方法を以下でより詳細に記載する。ここで示される図は、工程の単なる説明である。該図は縮尺を合わせて描かれているわけではない、すなわち、それらは、チップパッケージ構造における実際の寸法または様々な層の造形を反映しているわけではない。同じ数字は、明細書を通して同様の素子を示す。
【００１９】
ここで、図２を参照して、本発明の好ましい実施態様により、コンタクト領域（１０１）の態様としてのコンタクトパッドを埋め込まれた非伝導性基板（１０２）が提供される（図２ａ）。少なくとも１つのコンタクト領域（１０１）は、コンタクトパッド、ビア、またはトレンチであってよい。非伝導性基板（１０２）は、有機材料または繊維強化有機材料、または粒子強化有機材料、例えばエポキシ樹脂、ポリイミド、ビスマレイミドトリアジン（ｂｉｓｍｅｌｅｉｍｉｄｅ  ｔｒｉａｚｉｎｅ）、シアネートエステル、ポリベンゾシクロブテン、またはそれらのガラス繊維複合材、およびその種のものから製造できる回路板であってよい。非伝導性基板（１０２）は、ウェハーまたはリディストリビューションウェハの一部であってもよい。そのような場合、非伝導性表面、例えば誘電体材料が、少なくとも１つのコンタクト領域の上に取り付けられて、図２ａに示されるような構造がもたらされる。
【００２０】
少なくとも１つのコンタクト領域（１０１）は、典型的には金属材料、例えば銅から形成される。随意に、第１のバリア層を、少なくとも１つのコンタクト領域（１０１）上に形成し、且つ、例えばそれはニッケル、ニッケル合金の付着層、または金の保護層であってよい。前記第１のバリア層は、ニッケル、クロム、チタン、銀、金、パラジウム、それらの合金、およびそれらの多層から製造され、電気めっき、無電解めっき、物理気相堆積または化学気相堆積によって製造できるものであってもよい。
【００２１】
少なくとも１つのコンタクト領域（１０１）は、好ましくは有機材料または繊維強化有機材料または粒子強化有機材料等、例えばエポキシ樹脂、ポリイミド、ビスマレイミドトリアジン、シアネートエステル、ポリベンゾシクロブテン、またはそれらのガラス繊維複合材等から製造される少なくとも１つの永続的な樹脂層（１０３）によって被覆される。
【００２２】
本発明の１つの実施態様において、永続的な樹脂層（１０３）は、はんだ樹脂層である。
【００２３】
次に、少なくとも１つの一時的な樹脂層（１０４）を、少なくとも１つの永続的な樹脂層（１０３）上に堆積させる（図２ｂ）。少なくとも１つの一時的な樹脂層（１０４）は、乾燥膜レジスト、液体レジスト、印刷可能な樹脂などの材料から選択される。
【００２４】
一時的な樹脂層（１０４）は、アクリレート、エチレン／エチルアクリレートコポリマー（ＥＥＡＣ）、エチレン／メタクリレートコポリマー（ＥＭＡ）、エチレン／アクリル酸コポリマー（ＥＡＡ）、エチレン／ブチルアクリレートコポリマー（ＥＢＡ）、ポリメチルペンテン（ＰＭＰ）およびポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）の１つまたはそれより多くから選択されるポリマー材料から選択できる。
【００２５】
一時的な樹脂層（１０４）のためにより好ましいポリマー材料は、アクリレートおよびポリメチルペンテンからなる群から選択される。
【００２６】
一時的な樹脂層（１０４）のために最も好ましいポリマー材料は、２００００〜２０００００、より好ましくは２５０００〜１５００００、および最も好ましくは３００００〜１０００００の分子量Ｍwを有するアクリレートである。ポリマーのＴgは、ＩＳＯ１３５７−１に準拠して測定した際に、２０〜１３０℃、より好ましくは３０〜１２０℃、および最も好ましくは４０〜１１０℃の範囲内であるべきである。
【００２７】
分子量が高すぎると、選択された溶剤中での溶解度の低下がもたらされることがある。分子量が低すぎると、工程の溶液（アルカリ、酸化、酸）に対する感度が不充分となる傾向がある。Ｔgも低すぎてはならず、なぜならこの場合、処理する化学物質の、高められた温度での、ポリマー膜に対する感度が不充分であるからである。
【００２８】
随意に、充填材を、一時的な樹脂層（１０４）のポリマー材料中に混入してよい。適した充填材は、ホウ酸アルミニウム、酸化アルミニウム、アルミニウムトリヒドロキシド、無煙炭、アンチモン酸ナトリウム、五酸化アンチモン、三酸化アンチモン、リン灰石、アタパルジャイト、メタホウ酸バリウム、硫酸バリウム、硫酸ストロンチウム、チタン酸バリウム、ベントナイト、酸化ベリリウム、窒化ホウ素、炭酸カルシウム、水酸化カルシウム、硫酸カルシウム、カーボンブラック、粘土、クリストバライト、ケイ藻土、ドロマイト、フェライト、長石、ガラスビーズ、グラファイト、ケイ酸カルシウム水和物、酸化鉄、カオリン、リトポン、酸化マグネシウム、マイカ、二硫化モリブデン、パーライト、ポリマー充填材、例えばＰＴＦＥ、ＰＥ、ポリイミド、軽石、パイロフィライト、ゴム粒子、フュームドシリカ、フューズドシリカ、沈降シリカ、海泡石、石英、砂、スレート粉、タルク、二酸化チタン、バーミキュライト、木粉、ウォラストナイト、ゼオライト、ホウ酸亜鉛、酸化亜鉛、スズ酸亜鉛、硫化亜鉛、アラミド繊維、炭素繊維、セルロース繊維、およびガラス繊維からなる群、およびそれらの混合物から選択される。
【００２９】
一時的な樹脂層（１０４）のために好ましい随意の充填材料は、フューズドシリカ、フュームドシリカ、沈降シリカ、ドロマイト、カオリナイト、タルク、炭酸カルシウム、マイカ、長石、バーミキュライトおよび軽石からなる群から選択される。
【００３０】
一時的な樹脂層（１０４）のための最も好ましい随意の充填材料は、カオリナイト、タルク、マイカ、および長石からなる群から選択される。
【００３１】
溶剤除去後の配合物全体における充填材の量は、１〜７０質量％、より好ましくは２〜６５質量％、最も好ましくは３〜６０質量％の範囲である。
【００３２】
一時的な樹脂層（１０４）を、永続的な樹脂層（１０３）の上に液体の形態で、例えばディップコーティング、スピンコーティング、バーコーティング、噴霧、スクリーン印刷、およびローラーコーティングなどの方法によって堆積させることができる。他の実施態様においては、支持箔上の乾燥膜を、まず液体樹脂から作製し、その後、この乾燥膜を永続的な樹脂層（１０３）上に貼り合わせる。後で一時的な樹脂層（１０４）として使用されるポリマー材料を箔として製造することができないので、かかる支持箔が必要である。永続的な樹脂層（１０３）上に一時的な樹脂層（１０４）を堆積するための好ましい方法は、液体樹脂のローラーコーティング、液体樹脂のスクリーン印刷、基板の浸漬、または基板上への相応の乾燥膜（乾燥膜および支持箔からなる）の貼り合わせである。液体樹脂のスクリーン印刷、液体樹脂のローラーコーティング、基板上への相応の乾燥膜（乾燥膜および支持箔からなる）の貼り合わせが最も好ましい。
【００３３】
塗料を配合するために用いられる溶剤に依存して、オーブン温度および乾燥時間を調整しなければならない。乾燥膜に生じる硬度が重要である。Ｋｏｅｎｉｇによる硬度測定は、２０秒〜２００秒、より好ましくは４０秒〜１８０秒、最も好ましくは６０秒〜１６０秒の範囲であるべきである。
【００３４】
一時的な樹脂層（１０４）を、永続的な樹脂層（１０３）から、該一時的な樹脂層（１０４）と溶剤とを接触させることによって、永続的な樹脂層（１０３）に損傷を与えることなく除去する（剥離する）ことができ、前記溶剤は、アセトン、ｎ−アミルアルコール、ｎ−アミルアセテート、ベンジルアルコール、１，４−ブタンジオール、メトキシブチルアセテート、ｎ−ブチルアセテート、ｓｅｃ−ブチルアセテート、ｎ−ブタノール、２−ブタノール、ブチルジグリコール、ブチルジグリコールアセテート、ジエチレングリコールジブチルエーテル、ブチルグリコール、ブチルグリコールアセテート、ｎ−ブチルトリグリコール、クロロホルム、シクロヘキサン、シクロヘキサノール、シクロヘキサノン、シクロヘキシルアミン、ｎ−デカン、デカヒドロナフタレン、ジアセトンアルコール、１，２−ジクロロエタン、１，２−ジクロロベンゼン、１，２−ジクロロプロパン、ジエタノールアミン、ジエチレングリコール、ジエチレングリコールジブチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ｍｏｍｅｔｈｙｌｅｔｈｅｒ  ａｃｅｔａｔｅ）、ジエチルエーテル、ジエチルケトン、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジイソブチルケトン、ジイソプロピルアミン、ジイソプロパノールアミン、ジイソプロピルエーテル、ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、１，４−ジオキサン、ジペンテン、ジプロピレングリコール、ジプロピレングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ｎ−ドデカン、プロピレングリコールジアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテルアセテート（ａｃａｅｔａｔｅ）、トリプロピレングリコールモノメチルエーテル、トリプロピレングリコールモノブチルエーテル、エチル−３−エトキシプロピオネート、エタノールアミン、プロピレングリコールモノエチルエーテル、エトキシプロピルアセテート、エチルアセテート、エタリルアミルケトン、エチルベンゼン、２−エチルブタノール、エチルブチルケトン、エチルジグリコール、エチルジグリコールアセテート、１，２−ジクロロエタン、エチレングリコール、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノイソプロピルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノプロピルエーテル、エチルホルメート（ｆｏｒｍｉａｔｅ）、エチルグリコール、エチルグリコールアセテー���、エチレングリコールジエチル（ｅｔｅｈｙｌ）エーテル、２−エトキシエタノール、２−エチルヘキシルアセテート、エチルラクテート、エチルメチルケトン、ギ酸、エチルメチルケトキシム、エチルトリグリコール、フルフロール、フルフリルアルコール、フルフリルアルデヒド、グリセロール、グリセロールトリアセテート、ｎ−ヘプタン、ｎ−ヘキサデカン、ｎ−ヘキサン、ヘキシレングリコール、イソアミルアセテート、イソアミルアルコール、イソブチルアセテート、イソブチルアルコール、イソヘプタン、イソオクタン、イソペンタン、イソホロン、イソプロパノールアミン、イソプロピルアセテート、イソプロピルアルコール、イソプロピルクロリド、イソプロピルエーテル、イソプロピルグリコール、メトキシプロピルアセテート、メチルアセテート、メチルアルコール、メチルアミルケトン、メチルブチルケトン、メチルシクロヘキサン、メチルシクロヘキサノール、メチルシクロヘキサノン、メチルシクロペンタン、メチルジグリコール、メチルジグリコールアセテート、メチレンクロリド、酢酸、メチルエチルケトン、メチルエチルケトキシム、メチルグリコール、メチルグリコールアセテート、メチルイソアミルアルコール、メチルイソアミルケトン、メチルイソブチルカルビノール、メチルイソブチルケトン、メチルイソプロピルケトン、メチルプロピルケトン、Ｎ−メチルピロリドン、メチル−ｔ−ブチルエーテル、モノクロロベンゼン、モノエタノールアミン、モノイソプロパノールアミン、ニトロエタン、ニトロメタン、１−ニトロプロパン、２−ニトロプロパン、ｎ−ノナン、ｎ−オクタン、ｎ−オクチルアルコール、ｎ−ペンタデカン、ペンチルプロピオネート、パークロロエチレン、ｎ−プロピルアセテート、ｎ−プロパノール、プロピレンジクロリド、プロピレングリコール、プロピレングリコールジアセテート、プロピレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピルグリコール、ピリジン、ｓｅｃ−ブチルアセテート、ｎ−テトラデカン、テトラエチレングリコール、テトラエチレングリコールジメチルエーテル、テトラヒドロフラン、テトラヒドロフルフリルアルコール、テトラヒドロナフタレン、トルエン、トリクロロエタン、トリクロロエチレン、ｎ−トリデカン、トリエタノールアミン、トリエチレングリコール、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、トリプロピレングリコール、過酸化水素、トリプロピレングリコールモノブチルエーテル、トリプロピレングリコールモノメチルエーテル、ｎ−ウンデカン、キシレン、メシチレン、アセトフェノン、アセトアルデヒド、ブチロラクトン、エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート、アセトニトリル、ブチロニトリル、Ｎ−エチルピロリドン、およびそれらの混合物を含む群から選択される。上述の溶剤の混合物は、さらに水を含むことができる。
【００３５】
より好ましくは、溶剤はベンジルアルコール、ギ酸、ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド、シクロヘキサノン、エタノールアミン、トリエタノールアミン、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテル、およびそれらの混合物からなる群から選択される。
【００３６】
最も好ましくは、溶剤はギ酸、ベンジルアルコール、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテル、およびそれらの混合物からなる群から選択される。
【００３７】
一時的な樹脂層（１０４）を、浸漬、噴霧またはディッピングによって、溶剤と接触させる。剥離のために、溶剤を５〜１００℃、より好ましくは１０〜９０℃、および最も好ましくは１５〜８０℃の範囲の温度で保持する。剥離の間の接触時間は、１〜６００秒、より好ましくは１０〜５４０秒、および最も好ましくは２０〜４８０秒にわたる。剥離の間、永続的な樹脂層（１０４）は損傷を与えられない。
【００３８】
少なくとも１つのコンタクト領域の開口部（１０５）は、次の段階において形成される（図２ｃ）。コンタクト領域の開口部（１０５）は、一時的な樹脂層（１０４）および永続的な樹脂層（１０３）を貫通し、且つ、コンタクトパッド（１０１）を露出する。前記コンタクト領域の開口部（１０５）を形成するための適した方法は、例えば、レーザードリル加工、プラズマエッチング、放電加工および機械的ドリル加工である。永続的な樹脂層（１０３）と一時的な樹脂層（１０４）との両方からの材料を一段階で除去して、コンタクト領域の開口部（１０５）を形成する。
【００３９】
前記「多層レーザードリル加工」法の主な利点は、永続的な樹脂層（１０３）と一時的な樹脂層（１０４）とにおける開口部の位置ずれが生じ得ないことである。開口部のそのような位置ずれは、特に直径≦１５０μｍの開口部について、当該技術分野で公知の方法が適用される場合、深刻な問題である。公知の方法において、コンタクトパッドの開口部を２つの別々の段階で形成する（図１）。第１のはんだレジストの開口部（１１０）を、永続的な樹脂層（１０３）（はんだレジスト層（１０９）であってよい）内に、フォトによる構造化、ドリル加工、またはスクリーン印刷等の方法によって形成する（図１ｂ）。次に、一時的な樹脂層（１０４）を取り付け（図１ｃ）、且つ、一時的な樹脂の開口部（１１１）を、第二のフォトによる構造化法において、ドリル加工またはスクリーン印刷によって形成する（図１ｄ）。その際、コンタクト領域の開口部（１０５）は、位置ずれしたはんだ樹脂の開口部（１１０）と一時的な樹脂層の開口部（１１１）とから形成される。
【００４０】
電気めっきによって非伝導性の表面（１０２）上に金属または金属合金層（１０７）を作製するためには、電気めっきを開始するために、非伝導性表面上に形成された伝導性のシード層が必要である。かかる第１の伝導性シード層（１０６）を、図２ｄに描く。該シード層は、非伝導性表面の従来の製造においては、例えば無電解堆積によって形成され、且つ、当該技術分野でよく知られている。
【００４１】
本発明によれば、第１の伝導性シード層（１０６）を、少なくとも１つのコンタクト領域（１０１）と、永続的な樹脂層（１０３）と、一時的な樹脂層（１０４）とを含む非伝導性基板（１０２）の表面全体にわたって堆積する（図２ｄ）。
【００４２】
非伝導性の基板を、様々な方法、例えばＰｒｉｎｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔｓ  Ｈａｎｄｂｏｏｋ、Ｃ．Ｆ．Ｃｏｏｍｂｓ  Ｊｒ．  （編）、第６版、ＭｃＧｒａｗ  Ｈｉｌｌ、２８．５〜２８．９ページおよび３０．１〜３０．１１ページ内に記載される方法によって活性化することができる。それらの方法は、炭素粒子、Ｐｄコロイドまたは伝導性ポリマーを含む伝導層の形成を必要とする。
【００４３】
それらの方法のいくつかは、特許文献内に記載され、且つ、例は以下の通りである：
欧州特許ＥＰ０６１６０５３号は、（無電解被覆を用いずに）非伝導性基板に金属被覆を適用するための方法であって、以下：
ａ．  基板を、貴金属／ＩＶＡ族金属のゾルを含む活性化剤と接触させて、処理基板を得ること；
ｂ．  前記処理基板を、１１より大きく１３までのｐＨを有し、
（ｉ）  Ｃｕ（ｌｌ）、Ａｇ、ＡｕまたはＮｉの溶解性の金属塩またはそれらの混合物、
（ｉｉ）  ＩＡ族金属の水酸化物、
（ｉｉｉ）  前記金属塩の金属イオンについて、累積形成定数ｌｏｇ  Ｋ  ０．７３〜２１．９５を有する有機材料を含む錯化剤
の溶液を含む、自己加速および補給する浸漬金属組成物と接触させること
を含む方法を記載している。
【００４４】
この方法により、次の電気めっきのために使用できる薄い伝導性層がもたらされる。この方法は、当該技術分野において、「Ｃｏｎｎｅｃｔ」法として公知である。
【００４５】
ＵＳ５５０３８７７号は、非金属基板上での金属シードの生成のために錯体化合物を使用することを含む、非伝導性基板の金属化を記載している。これらの金属シードは、次の電気めっきのために充分な伝導性を提供する。この方法は、当該技術分野において、いわゆる「Ｎｅｏ−ｇａｎｔｈ」法として公知である。
【００４６】
ＵＳ５６９３２０９号は、伝導性ピロールポリマーを使用することを含む、非伝導性基板の金属化方法に関する。この方法は、当該技術分野において、「Ｃｏｍｐａｃｔ  ＣＰ」法として公知である。
【００４７】
ＥＰ１３９０５６８号Ｂ１も、非伝導性基板の直接的な電解金属化に関する。それは、次の電気めっきのための伝導性層を得るための、伝導性ポリマーの使用を含む。該伝導性ポリマーは、チオフェン単位を有する。この方法は、当該技術分野において、「Ｓｅｌｅｏ  ＣＰ」法として公知である。
【００４８】
最後に、非伝導性基板を、コロイドまたはイオノゲンのパラジウムイオン含有溶液で活性化させることもでき、そのための方法は、例えばＰｒｉｎｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔｓ  Ｈａｎｄｂｏｏｋ、Ｃ．Ｆ．Ｃｏｏｍｂｓ  Ｊｒ．  （編）、第６版、ＭｃＧｒａｗ  Ｈｉｌｌ、２８．９ページ、および３０．２〜３０．３ページ内に記載されている。
【００４９】
次の薄い中間金属被覆の無電解めっきを随意に行って、第１の伝導性シード層（１０６）を強化することができる。シード層の補助によって、本発明による金属または金属合金層（１０７）の電気めっきを行うことができる。
【００５０】
本発明によれば、前記第１の伝導性シード層（１０６）は、単独の金属層、単独の金属合金層から製造されるか、または少なくとも２つの別の単独層の多層から製造されてよい。伝導性シード層として適した金属および金属合金は、銅、スズ、コバルト、ニッケル、銀、スズ−鉛合金、スズ−銀合金、銅−ニッケル合金、銅−クロム合金、銅−ルテニウム合金、銅−ロジウム合金、銅−銀合金、銅−イリジウム合金、銅−パラジウム合金、銅−白金合金、銅−金合金および銅−希土類合金、銅−ニッケル−銀合金、銅−ニッケル−希土類金属合金からなる群から選択される。銅、および銅−ニッケル合金、銅−ルテニウム合金、および銅−ロジウム合金からなる群から選択される銅合金が、第１の伝導性シード層（１０６）として最も好ましい。
【００５１】
本発明の好ましい実施態様によれば、前記第１の伝導性シード層（１０６）も、触媒金属が貴金属を使用せずに、触媒金属としての銅を使用する無電解めっき法によって形成できる。かかる銅触媒を非伝導性表面上に形成することについての典型的な例は、ＵＳ３９９３４９１号およびＵＳ３９９３８４８号内で見出すことができる。
【００５２】
前記第１の伝導性シード層（１０６）の厚さは、好ましくは０．１ミリメートル未満、およびより好ましくは０．０００１ミリメートル〜０．００５ミリメートルの間である。前記第１の伝導性シード層（１０６）の、金属または金属合金層（１０７）における可溶性に依存して、前記第１のシード層（１０６）は、金属または金属合金層（１０７）中に完全に溶解されるか、またはリフロー工程後に少なくとも部分的に存在するかのいずれかであり得る。
【００５３】
随意に、銀または銀合金の層を、金属または金属合金（１０７）上に保護層（１１７）としてめっきする。
【００５４】
金属または金属合金層（１０７）がスズまたはスズ合金層である場合、リフローされたはんだ堆積物（１０８）または非溶融バンプ構造（１１２）を、層（１０７）から、第１の伝導性シード層（１０６）の厚さ、およびリフローの際に金属または金属合金中に溶解された第１の伝導性シード層（１０６）の量に依存して得ることができる。
【００５５】
リフローされたはんだ堆積物（１０８）は、リフローの際に２５０℃未満の融点を有するスズまたはスズ合金からなる金属または金属合金層（１０７）から得られる。
【００５６】
非溶融バンプ構造（１１２）は、リフローの際に２５０℃より高い融点を有するスズ合金層からなる金属または金属合金層（１０７）から、または、金属もしくは金属合金層（１０７）として堆積された銅もしくは銅合金層から得られる。
【００５７】
第１の伝導性シード層（１０６）が薄い方が好ましく、なぜなら、シード層が薄いほど、エッチング溶液中で早く除去でき、前記の非伝導性基板（１０２）をエッチング溶液中に浸漬するために必要な時間を短縮できるからである。そのような場合、前記エッチング溶液による、前記一時的な樹脂層（１０４）への損傷が、受け容れ可能な低いレベルにまで低下され得る。
【００５８】
ここで、図２ｅを参照する：  スズ、銅、スズ合金および銅合金からなる群から選択される金属または金属合金を含有する金属または金属合金層（１０７）を、電気めっきによって第１の伝導性シード層（１０６）上に形成する。
【００５９】
本発明の好ましい実施態様によれば、前記金属または金属合金層（１０７）は、スズ、銅、スズと、鉛、銀、銅、ビスマス、アンチモン、亜鉛、ニッケル、アルミニウム、マグネシウム、インジウム、テルル、ガリウム、および希土類元素からなる群から選択される元素との混合物によって製造されるスズ合金、およびバナジウム、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、亜鉛、ゲルマニウム、セレン、ロジウム、パラジウム、銀、カドミウム、インジウム、スズ、アンチモン、タングステン、レニウム、イリジウム、白金、金、鉛、ビスマス、タリウムおよび希土類元素からなる群から選択される少なくとも１つの合金元素を有する銅合金からなる群から選択される。
【００６０】
スズおよびスズ合金めっき浴は、当該技術分野において公知である。一般に使用されるスズまたはスズ合金めっき浴の組成、およびめっきのためのプロセスパラメータを以下に記載する。
【００６１】
スズまたはスズ合金浴の他の成分の中に、Ｓｎ2+イオン源、酸化防止剤、および界面活性剤を添加してよい。
【００６２】
Ｓｎ2+イオン源は可溶性のスズ含有アノードであってよいか、または、不溶性のアノードが使用される場合には、可溶性のＳｎ2+イオン源であってよい。スズのメタンスルホン酸Ｓｎ（ＭＳＡ）2は、可溶性が高いため、好ましいＳｎ2+イオン源である。典型的には、Ｓｎ2+イオン源の濃度は、約１０ｇ／ｌ〜約１００ｇ／ｌ、好ましくは約１５ｇ／ｌ〜約９５ｇ／ｌ、より好ましくは約４０ｇ／ｌから約６０ｇ／ｌのＳｎ2+イオンを浴中に提供するために充分なものである。例えば、Ｓｎ（ＭＳＡ）2を約３０ｇ／ｌ〜約６０ｇ／ｌのＳｎ2+イオンをめっき浴に提供するように添加することができる。
【００６３】
好ましいスズ合金は、スズ−銀合金である。この場合、めっき浴は追加的に可溶性の銀塩を含有し、一般に使用されるのは、硝酸塩、酢酸塩、好ましくはメタンスルホン酸塩である。典型的には、Ａｇ2+イオン源の濃度は、約０．１ｇ／ｌ〜約１．５ｇ／ｌ、好ましくは約０．３ｇ／ｌ〜約０．７ｇ／ｌ、より好ましくは約０．４ｇ／ｌ〜約０．６ｇ／ｌのＡｇ2+イオンを浴中に提供するために充分なものである。例えば、Ａｇ（ＭＳＡ）を約０．２ｇ／ｌ〜約１．０ｇ／ｌのＡｇ2+イオンをめっき浴に提供するように添加することができる。
【００６４】
酸化防止剤を本発明の浴に添加して、浴中のＳｎ2+イオンの酸化に対して浴を安定化させることができる。好ましい酸化防止剤、例えばヒドロキノン、カテコール、および何らかのヒドロキシル、ジヒドロキシルまたはトリヒドロキシル安息香酸を、約０．１ｇ／ｌ〜約１０ｇ／ｌ、好ましくは約０．５ｇ／ｌ〜約３ｇ／ｌの濃度で添加できる。例えば、ヒドロキノンを約２ｇ／ｌの濃度で浴に添加できる。
【００６５】
界面活性剤を添加して、基板の濡れ性を促進できる。界面活性剤は、三次元成長をある程度まで抑制し、そのことにより膜のモフォロジーおよびトポグラフィーを改善できる穏やかな堆積防止剤として作用するように思われる。それは、粒径をより精密化することを補助することもでき、そのことによって、より均一なバンプがもたらされる。例示的なアニオン性の界面活性剤は、アルキルホスホネート、アルキルエーテルホスホネート、アルキルスルフェート、アルキルエーテルスルフェート、アルキルスルホネート、アルキルエーテルスルホネート、カルボン酸エーテル、カルボン酸エステル、アルキルアリールスルホネート、アリールアルキルエーテルスルホネート、アリールスルホネート、およびスルホスクシネートを含む。
【００６６】
本発明の電解スズまたはスズ合金めっき浴は、好ましくは酸性のｐＨを有してアノード不動態化を抑制し、より良好なカソード効率を達成し、且つより延性の堆積物を達成する。従って、浴のｐＨは好ましくは約０〜約３である。好ましい実施態様においては、浴のｐＨは０である。従って、好ましい酸性のｐＨを、硝酸、酢酸、およびメタンスルホン酸を使用して達成できる。１つの好ましい実施態様において、酸はメタンスルホン酸である。酸の濃度は、好ましくは約５０ｇ／ｌ〜約２００ｇ／ｌ、より好ましくは約７０ｇ／ｌ〜約１２０ｇ／ｌである。例えば、約５０ｇ／ｌ〜約１６０ｇ／ｌのメタンスルホン酸が電気めっき浴に添加されて、ｐＨ０の浴を達成し、且つ、伝導性の電解質として作用することができる。
【００６７】
典型的なスズまたはスズ合金浴の組成は、例えば、Ｊｏｒｄａｎ：  Ｔｈｅ  Ｅｌｅｃｔｒｏｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ  ｏｆ  Ｔｉｎ  ａｎｄ  ｉｔｓ  Ａｌｌｏｙｓ、１９９５、７１〜８４ページ内に開示されている。
【００６８】
はんだ堆積物めっきのためのスズおよびスズ合金のめっきを、直流電流（ＤＣ）またはパルスめっきによって実施できる。パルスめっきの利点は、表面分布の均一性がより良好であること、およびより微細な粒径を有するスズ堆積物により結晶構造が改善されていること、ひいては、はんだ付性がより良好であることである。また、パルスめっきによって、ＤＣめっきと比較して、より高い印加電流密度、ひいては、より高いスループットを得ることができる。
【００６９】
一般に、実行電流密度１〜２０Ａ／ｄｍ2での電流パルスを印加できる。選択的に、電流密度１〜３Ａ／ｄｍ2でのＤＣを用いて浴の稼働を行うことができる。
【００７０】
例えば、電流密度３Ａ／ｄｍ2を用いたスズのパルスめっきを適用することで、３０分のめっき時間のうちに４０μｍの平均厚さのスズ堆積物が生じる。表面上での厚さのばらつきは、±１５％だけである。ＤＣめっきの適用では、１Ａ／ｄｍ2の最大電流密度しか得ることができない。４０μｍのスズ堆積物の厚さを得るためのめっき時間は、８６分である。表面上でのばらつきは、±３３％であり、従って、パルスめっきよりもはるかに高い。
【００７１】
好ましいパルスパラメータは以下のとおりである：
少なくとも１つの順電流パルスの持続時間の、少なくとも１つの逆電流パルスの持続時間に対する比は、少なくとも１：０〜１：７、好ましくは少なくとも１：０．５〜１：４、およびより好ましくは少なくとも１：１〜１：２．５に調整される。
【００７２】
少なくとも１つの順電流パルスの持続時間を、好ましくは少なくとも５ｍｓ〜１０００ｍｓに調整できる。
【００７３】
少なくとも１つの逆電流パルスの持続時間を、好ましくは０．２〜５ｍｓ（最長）、および最も好ましくは０．５〜１．５ｍｓに調整する。
【００７４】
ワークピースにおける少なくとも１つの順電流パルスのピーク電流密度は、好ましくは１〜３０Ａ／ｄｍ2（最大）の値に調整される。水平工程（ｈｏｒｉｚｏｎｔａｌ  ｐｒｏｃｅｓｓｅｓ）においては、ワークピースにおける少なくとも１つの順電流パルスのピーク電流密度約２〜８Ａ／ｄｍ2が特に好ましい。垂直工程（ｖｅｒｔｉｃａｌ  ｐｒｏｃｅｓｓ）においては、ワークピースにおける少なくとも１つの順電流パルスの最も好ましいピーク電流密度は、１〜５Ａ／ｄｍ2（最大）である。
【００７５】
ワークピースにおける、少なくとも１つの逆電流パルスのピーク電流密度は、好ましくは０〜６０Ａ／ｄｍ2の値に調整される。ワークピースにおける少なくとも１つの逆電流パルスのピーク電流密度が、水平工程において約０〜２０Ａ／ｄｍ2であることが特に好ましい。垂直プロセスにおいては、ワークピースにおける少なくとも１つの順電流パルスの最も好ましいピーク電流密度は、０〜１２Ａ／ｄｍ2（最大）である。
【００７６】
銅および銅合金めっき浴は、当該技術分野で公知である。めっきのために通常使用される銅または銅合金めっき浴組成物および工程のパラメータを適用できる。
【００７７】
本発明の好ましい実施態様において、前記第１の伝導性シード層（１０６）は銅から製造され、且つ、金属または金属合金層（１０７）はスズまたはスズ合金からなる。リフロー作業の間、前記第１の伝導性シード層（１０６）は、完全にスズ層（１０７）中に溶解されて、均質なスズ−銅合金からなるリフローされたはんだ堆積物層（１０８）が形成される（図７ａ）。第１の伝導性シード層（１０６）の目標厚さを、スズ層（１０７）の堆積に依存して、リフロー後に典型的な無鉛はんだ材料と類似したスズ−銅合金、例えば０．７質量％の銅を有するスズ−銅合金が得られるように調節できる。
【００７８】
銅から製造される第１の伝導性シード層（１０６）の厚さがより厚い場合、スズ層（１０７）中への前記伝導性シード層の溶解により、２５０℃より高い融点を有するスズ−銅合金がもたらされる。かかるスズ−銅合金が、非溶融バンプ構造（１１２）である（図７ｂ）。金属または金属合金層（１０７）としての銅または銅合金も、非溶融バンプ構造（１１２）と類似している。
【００７９】
本発明の他の好ましい実施態様において、前記第１の伝導性シード層（１０６）は、銅または銅合金からなり、且つ、金属または金属合金層（１０７）は銅からなる。この組み合わせも、非溶融のバンプ構造（１１２）（融点２５０℃より上）をもたらす。
【００８０】
図２による構造中の開口部は、コンタクト領域の開口部（１０５）を表し、且つ、好ましくは直径約５〜１，０００μｍ、より好ましくは約１０〜５００μｍ、および最も好ましくは２０〜１５０μｍを有する。
【００８１】
コンタクト領域の開口部（１０５）の高さは、５〜２５０μｍ、好ましくは約１０〜６０μｍの間で変化する。隣接するコンタクト領域の中心点の距離はピッチとして表され、且つ、ＩＣ基板については２０〜１５０μｍ、およびプリント回路については、１５０〜１，０００μｍにわたる。
【００８２】
一時的な樹脂層（１０４）も、第１の伝導性シード層（１０６）によって覆われているので、金属または金属合金層のめっきはこの層の上にもある。かかる金属または金属合金層（１０７）の厚さは、一時的な樹脂層（１０４）上で、好ましくは１０μｍを上回らず、且つより好ましくは６μｍを上回るべきではない。
【００８３】
この工程の流れは、図２による基板について詳細に記載されているが、それに限定されるわけではなく、全種の基板に適用することができる。
【００８４】
金属または金属合金層（１０７）の上部に、はんだ付け可能なキャップ層（１０３）またはバリア層を堆積するための方法の１つは、一時的な樹脂層（１０４）の除去直後に、はんだ付け可能なキャップ層（１１３）またはバリア層を堆積することを含む（図３）。はんだ付け可能なキャップ層（１１３）またはバリア層を、スズまたはスズ合金の無電解メッキ（浸漬タイプのめっきおよび自触媒めっきを含む）によって堆積する。生じるはんだ付け可能なキャップ層（１１３）またはバリア層を、金属または金属合金層（１０７）の上部だけでなく、一時的な樹脂層（１０４）の除去後に露出する金属または金属合金層（１０７）の側壁上にも堆積できる（図３ｄ）。
【００８５】
非溶融バンプ構造（１１２）の上部表面上に、はんだ付け可能なキャップ層（１１３）またはバリア層を堆積するための他の方法を、図４に示す。
【００８６】
請求項１による方法によって得られる基板を準備する（図４ａ）。
【００８７】
レジスト層（１１４）を、基板表面上に堆積し、そしてパターニングする。その後、金属または金属合金層（１０７）の上部表面を露出させる（図４ｂ）。
【００８８】
次に、スズ、ニッケル、クロム、チタン、銀、金、パラジウム、それらの合金およびそれらの多層からなる群から選択される金属または金属合金の層を、パターニングされたレジスト層（１１４）によって形成された開口部内に堆積する（図４ｃ）。前記の層がスズまたはスズ合金からなる場合、それははんだ付け可能なキャップ層（１１３）の機能を有する。該層がニッケル、クロム、チタン、銀、金、パラジウム、それらの合金およびそれらの多層からなる場合、該層はバリア層の機能を有する。
【００８９】
パターニングされたレジスト層（１１４）を、当該技術分野で公知の方法によって剥離する。一時的な樹脂層（１０４）の上部の伝導性のシード層（１０６）、および金属および金属合金層（１０７）を、第１の伝導性シード層（１０６）から除去する（図４ｄ）。金属または金属合金層（１０７）および第１の伝導性シード層（１０６）の除去前に、少なくとも１つのコンタクト領域（１０１）上方の金属または金属合金層（１０７）上に追加的なエッチングレジストは適用されない。
【００９０】
「エッチングレジスト」という用語は、ここで、任意の種類のパターニングされたバリア、例えばフォトによる像形成が可能な、またはスクリーン印刷された有機レジスト、および金属のエッチングレジストであって、エッチングの間、前記レジストの下にある材料の望ましくないエッチングを防ぐものとして定義される。
【００９１】
好ましくは、金属または金属合金層（１０７）を第１の伝導性シード層（１０６）から除去するために充分な量の金属または金属合金層（１０７）を化学エッチングすることによって除去を行い、開口部（１０５）内の少なくとも１つのコンタクト領域（１０１）上に金属または金属合金層（１０７）を残す。
【００９２】
金属または金属合金層（１０７）が、スズおよびスズ合金からなる場合、エッチングを電解的または化学的に行うことができる。また、機械的研磨を、単独で、または電解的または化学的剥離と組み合わせて適用して、金属または金属合金層（１０７）を除去することができる。
【００９３】
スズまたはスズ合金からなる金属または金属合金層（１０７）のために典型的なエッチングまたは剥離組成物は、例えばＪｏｒｄａｎ：  Ｔｈｅ  Ｅｌｅｃｔｒｏ−ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ  ｏｆ  Ｔｉｎ  ａｎｄ  ｉｔｓ  Ａｌｌｏｙｓ，  １９９５，  ３７３〜３７７ページ内に開示されている。
【００９４】
電解剥離法の間、スズまたはその合金を、１０質量％のＮａＯＨ溶液中、７０〜９０℃でアノード溶解させる。
【００９５】
化学剥離は一般に、強塩基、例えばＮａＯＨ（約１０質量％）を含有する溶液中で、７０〜９０℃の高められた温度で行う。有機添加剤、特にニトロ芳香族化合物、例えばｐ−ニトロフェノールを溶液に添加できる。
【００９６】
選択的に、化学剥離を以下の溶液中で行うことができる：
・  過酸化水素（しばしば、フッ化物添加されている）、
・  硝酸および硝酸塩に基づく系、硝酸塩５〜４０質量％
・  ＨＣｌ／塩化銅に基づく系、５〜２０質量％のＨＣｌを含有し、初期濃度２．５ｍｇ／ｌの塩化銅を有する。
【００９７】
金属または金属合金層（１０７）が、銅および銅合金からなる場合、エッチングを電解的または化学的に行うことができる。機械的研磨を、単独で、または電解的または化学的剥離と組み合わせて適用して、金属または金属合金層（１０７）を除去することもできる。
【００９８】
銅または銅合金からなる金属または金属合金層（１０７）、および銅または銅合金からなる第１の伝導性シード層（１０６）についての、典型的なエッチング組成物または剥離組成物は、例えばＣ．Ｆ．Ｃｏｏｍｂｓ，  Ｊｒ、「Ｐｒｉｎｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔｓ  Ｈａｎｄｂｏｏｋ」、第５版、２００１、ＭｃＧｒａｗ−Ｈｉｌｌ、３３．４章内に開示されている。
【００９９】
適したエッチング溶液およびエッチング条件は、ルーチンの実験において選択される。
【０１００】
随意に、銀または銀合金の層を、はんだ付け可能なキャップ層（１１３）上に、保護層（１１７）としてめっきする。
【０１０１】
非溶融バンプ構造（１１２）の上部表面上に、はんだ付け可能なキャップ層（１１３）またはバリア層（１１５）を堆積するためのさらに他の方法を、図５に示す。
【０１０２】
請求項１による方法によって得られる基板が準備される（図５ａ）。
【０１０３】
金属または金属合金層（１０７）を、第一の伝導性シード層（１０６）から、エッチングレジストを使用しないで、エッチングによって除去する（図５ｂ）。開口部（１０５）内にめっきされた部分の金属または金属合金層（１０７）のみが残る。
【０１０４】
レジスト層（１１４）を、基板表面上に堆積し、そしてパターニングする。金属または金属合金層（１０７）の上部表面を露出させる（図５ｃ）。
【０１０５】
次に、スズ、ニッケル、クロム、チタン、銀、金、パラジウム、それらの合金およびそれらの多層からなる群から選択される金属または金属合金の層を、パターニングされたレジスト層（１１４）によって形成された開口部内に堆積する（図５ｄ）。前記の層がスズまたはスズ合金からなる場合、それははんだ付け可能なキャップ層（１１３）の機能を有する。該層がニッケル、クロム、チタン、銀、金、パラジウム、それらの合金およびそれらの多層からなる場合、該層はバリア層の機能を有する。
【０１０６】
パターニングされたレジスト層（１１４）を、当該技術分野で公知の方法によって剥離する。一時的な樹脂層（１０４）の上部の伝導性シード層（１０６）を、上述の通りに除去し、次に、一時的な樹脂層（１０４）を剥離する（１０４）（図５ｅ）。
【０１０７】
非溶融バンプ構造（１１２）はこのとき、はんだ付け可能なキャップ層（１１３）またはバリア層を上部表面上に有する。図５ｆは、リフロー後の非溶融バンプ構造（１１２）およびはんだ付け可能なキャップ層（１１３）を示す。随意に、銀または銀合金の層を、はんだ付け可能なキャップ層（１１３）上に、保護層（１１７）としてめっきした後、リフローする。
【０１０８】
はんだ付け可能なキャップ層（１１３）を、非溶融バンプ構造（１１２）の上部表面上に堆積するためのさらに他の方法を、図６に示す。
【０１０９】
請求項１に記載の方法によって得られる、図６ａによる基板を準備する。
【０１１０】
第一の伝導性シード層（１０６）を、エッチングにより除去する（図６ｂ）。銅または銅合金からなる第一の伝導性シード層（１０６）についての、典型的なエッチング組成物または剥離組成物は、例えばＣ．Ｆ．Ｃｏｏｍｂｓ，  Ｊｒ、「Ｐｒｉｎｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔｓ  Ｈａｎｄｂｏｏｋ」、第５版、２００１、ＭｃＧｒａｗ−Ｈｉｌｌ、３３．４章内に開示されている。
【０１１１】
次に、バリア層（１１５）を、金属または金属合金層（１０７）の上部に堆積する（図６ｃ）。バリア層（１１５）は、ニッケル、ニッケル合金の付着層および／または金の保護層であってよい。前記バリア層（１１５）は、ニッケル、クロム、チタン、銀、金、パラジウム、それらの合金、およびそれらの多層から製造され、無電解めっき、物理気相堆積、または化学気相堆積によって製造できるものであってよい。
【０１１２】
第二の伝導性シード層（１１６）を、一時的な樹脂層（１０４）およびバリア層（１１５）の外部表面上に堆積する（図６ｄ）。第一の伝導性シード層（１０６）について議論したものと同種の材料および堆積方法を、第二の伝導性シード層に適用する（１１６）。
【０１１３】
次に、後にはんだ付け可能なキャップ層（１１３）としてはたらくスズまたはスズ合金の層を、第二の伝導性シード層（１１６）上に堆積する（図６ｅ）。
【０１１４】
その後、一時的な樹脂層（１０４）の上部にある、第二の伝導性シード層（１１６）の部分から、はんだ付け可能なキャップ層（１１３）を除去する。少なくとも１つのコンタクト領域（１０１）上方のはんだ付け可能なキャップ層（１１３）上に、追加的なエッチングレジストは適用されずに、はんだ付け可能なキャップ層（１１３）が第二の伝導性シード層（１１６）の外部表面から除去される。第二の伝導性シード層（１１６）および一時的な樹脂層（１０４）も除去され、非溶融バンプ、バリア層（１１５）およびはんだ付け可能なキャップ層（１１３）を含むバンプ構造が残る（図６ｆ）。
【０１１５】
随意に、銀または銀合金の層を、はんだ付け可能なキャップ層（１１３）上に、保護層（１１７）としてめっきする。以下の例により、本発明をさらに説明する。
【０１１６】
リフロー温度で、リフローされたはんだ堆積物（１０８）（図７ａ）または非溶融バンプ構造（１１２）（図７ｂ）のいずれかを、金属または金属層（１０７）から形成できる。リフローされたはんだ堆積物（１０８）をもたらす金属または金属合金層（１０７）が、２５０℃未満の融点を有する一方で、リフロー温度で非溶融のバンプ構造（１１２）をもたらす金属または金属合金層（１０７）は、２５０℃より高い融点を有する。
【０１１７】
本発明の好ましい実施態様によれば、第一に伝導性シード層（１０６）を、一時的な樹脂層（１０４）からさらに除去し、且つ、一時的な樹脂層（１０４）を剥離することによって、リフローされたはんだ堆積物（１０８）を形成できる。かかるリフローされたはんだ堆積物（図７ａ）を、フリップチップ接合および基板対基板のはんだ接合を形成するために適用することができる。
【０１１８】
リフローされたはんだ堆積物（１０８）は、任意の形状、例えばスタッドバンプ、ボールバンプ、柱状バンプ、またはその他のものであってよい。
【０１１９】
非溶融のバンプ構造（１１２）を、リフローされたはんだ堆積物（１０８）の製造について適用した方法と同一の方法を用いて製造する。リフローの間、伝導性のシード層を、非溶融のバンプ構造（１１２）に中に、部分的または完全に溶解させることができる（図７ｂ）。これは、シード層の厚さ、およびその組成、および適用される温度の持続時間に依存する。部分的に溶解されたシード層の場合、バンプの中心は、拡散により形成される、より高い融点の円筒部（ｂａｒｒｅｌ）よりも低い融点を有することがある。かかる非溶融のバンプ構造は、最低１回のリフローサイクルに耐え、次の洗浄およびアンダーフィル工程のために充分なスタンドオフ高さを支持することができる。
【０１２０】
非溶融バンプ構造（１１２）を、フリップチップ接合および基板対基板のはんだ接合を形成するために、はんだ付け可能なキャップ層（１１３）を堆積して、または堆積しないで、使用することができる。はんだ付け可能なキャップ層の場合、これは好ましくは、はんだ付け可能なキャップ層（１１３）を前記非溶融のバンプ構造（１１２）の上部表面上に電気めっきすることによって行うことがある。
【０１２１】
非溶融バンプ構造（１１２）の上部のバリア層は、はんだ材料が、はんだ付けの間に非溶融バンプ構造（１１２）中に拡散することを防ぎ、且つそれにより非溶融バンプ構造（１１２）の熱的特性および機械的特性を保持する。
【０１２２】
実施例
実施例１
図２ａによるコンタクトパッド構造を有するＩＣ基板を使用する。
【０１２３】
非伝導性基板（１０２）は、ＧＸ−１３材料  （製造元：  味の素ファインテクノ株式会社）からなり、永続性の樹脂層（１０３）はＧＸ−９２材料（製造元：  味の素ファインテクノ株式会社、層の高さ：  ２５μｍ）からなり、且つ、コンタクトパッドは銅からなる。
【０１２４】
一時的な樹脂層（１０４）（ＤｕＰｏｎｔ  ＰＭ２００、高さ：５０μｍ）を、永続的な樹脂層（１０３）上に貼り合わせた。
【０１２５】
次に、コンタクト領域の開口部（１０５）を、一時的な樹脂層（１０４）および永続的な樹脂層（１０３）を通じて、ＵＶレーザーを用いて、１段階で形成する。コンタクト領域の開口部（１０５）の直径は１００μｍである。
【０１２６】
めっきの順序は、図２ｄ〜ｅに従う。まず、銅の第一の伝導性シード層（１０６）を基板表面の全体上に形成する。このために、表面をまず、無機パラジウムを含有する酸性溶液と、次に、無電解銅堆積のための溶液と接触させる。
【０１２７】
その後、スズ層（１０７）を、下記を含有する浴から、伝導性層上にめっきする：
４５ｇ／ＬのＳｎ2+  （Ｓｎ（ＭＳＡ）2として）、６０ｍＬ／ＬのＭＳＡ  （７０％溶液）、２ｇ／Ｌのヒドロキノンおよび１００ｍｇ／Ｌのベンザルアセトン。
【０１２８】
浴のｐＨは０であり、温度は２５℃である。めっきは１５分間である。電流密度１Ａ／ｄｍ2を用いた標準的なＤＣめっきを適用する。
【０１２９】
図２ｄによる、コンタクト領域の開口部（１０５）を、スズはんだ堆積物を用い、いかなるボイド形成もなく、完全に満たす。追加的に、スズが一時的な樹脂層（１０４）領域上に堆積され、その厚さは３μｍである（図２ｅ）。
【０１３０】
一時的な樹脂層（１０４）領域上のスズ層（１０７）並びに第一の伝導性シード層（１０６）を、その直後に、３０容積％の硝酸を含有する溶液中で、温度４０℃で１分間、処理することによって除去する。
【０１３１】
エッチング工程の後、スズ層（１０７）だけが、開口部内に残る一方で、スズ層（１０７）、並びに一時的な樹脂層（１０４）上の銅の第一の伝導性シード層（１０６）を、完全に除去する。次に、一時的な樹脂層（１０４）を、炭酸カリウムの２質量％水溶液中に基板を浸漬させることによって除去する。スズ層、即ち、はんだ堆積物は、非常に均質な表面分布を示し、且つ、ウィスカーがない。それは、チップまたは回路にはんだ付けするために適している。
【０１３２】
実施例２
スズ製のはんだ付け可能なキャップ層（１１３）を有する、スズ−銅合金からなる非溶融バンプ構造（１１２）を製造した。図２ａによる少なくとも１つのコンタクト領域構造を有するＩＣ基板を使用する。
【０１３３】
非伝導性基板（１０２）は、ＧＸ−１３材料（製造元：  味の素ファインテクノ株式会社）からなり、永続的な樹脂層（１０３）は、ＧＸ−９２材料（製造元：  味の素ファインテクノ株式会社、層の高さ：  ２５μｍ）からなり、且つ、コンタクトパッド（１０１）は銅からなる。
【０１３４】
一時的な樹脂層（１０４）  （ＤｕＰｏｎｔ  ＰＭ  ２００、高さ：  ５０μｍ）を、永続的な樹脂層（１０３）上に貼り合わせた。
【０１３５】
次に、コンタクト領域の開口部（１０５）を、一時的な樹脂層（１０４）および永続的な樹脂層（１０３）を通じて、ＵＶレーザーを用いて、１段階で形成する。コンタクト領域の開口部（１０５）の直径は１００μｍである。
【０１３６】
めっきの順序は、図２ｄ〜ｅに従う。銅の第一の伝導性シード層（１０６）を基板表面の全体上に形成する。このために、表面をまず、無機パラジウムを含有する酸性溶液と、次に、無電解銅堆積のための溶液と接触させる。開口部（１０５）内の第一の伝導性シード層（１０６）の厚さは、リフロー作業の間にスズ層（１０７）を用いてスズ−銅合金を形成するために充分なものである。生じるスズ−銅合金は、２５０℃より高い融点を有し、従って非溶融バンプ（１１２）としてはたらく。
【０１３７】
その後、スズ層（１０７）を、下記を含有する浴から、第一の伝導性シード層（１０６）上にめっきする：
４５ｇ／ｌのＳｎ2+  （Ｓｎ（ＭＳＡ）2として）、６０ｍｌ／ｌのＭＳＡ  （７０質量％溶液）、２ｇ／ｌのヒドロキノン、コポリマーに基づく界面活性剤、および１００ｍｇ／ｌのベンザルアセトン。
【０１３８】
浴のｐＨは０であり、温度は２５℃である。めっきは１５分間である。電流密度１Ａ／ｄｍ2を用いた標準的なＤＣめっきを適用する。
【０１３９】
図２ｄによる、コンタクト領域の開口部（１０５）を、いかなるボイド形成もなく、スズはんだ堆積物で完全に満たす。追加的に、スズが一時的な樹脂層（１０４）領域上に堆積され、その厚さは３μｍである（図２ｅ）。
【０１４０】
第一の伝導性シード層（１０６）の上のスズ層（１０７）を、その後、３０容積％の硝酸を含有する溶液中で、温度４０℃で１分間、処理することによって除去する。エッチングレジストは適用されない。エッチング工程後、開口部（１０５）内のスズ層（１０７）だけが残る。
【０１４１】
レジスト層（１１４）を、剥離溶液内で除去し、次に第一の伝導性シード層（１０６）をエッチング除去する。
【０１４２】
次に、一時的な樹脂層（１０４）を、基板を剥離溶液中に浸漬することによって除去する。スズはんだ堆積物は、非常に均質な表面分布を示し、且つ、ウィスカーがない。それは、チップまたは回路にはんだ付けするために適している。
【０１４３】
実施例３
スズ製のはんだ付け可能なキャップ層（１１３）を有する、銅からなる非溶融バンプ構造（１１２）を製造した。
【０１４４】
実施例１において使用されたとおりの、非伝導性基板（１０２）、コンタクト領域（１０１）、永続的な樹脂層（１０３）および一時的な樹脂層（１０４）を含むＩＣ基板を準備する。
【０１４５】
コンタクト領域の開口部（１０５）を、一時的な樹脂層（１０４）および永続的な樹脂層（１０３）を通じて、ＵＶレーザーを用いて、１段階で形成する。コンタクト領域の開口部（１０５）の直径は１００μｍである。めっきの順序は、図２ｄ〜ｅに従う。銅の第一の伝導性シード層（１０６）を基板表面の全体上に形成する。このために、表面をまず、無機パラジウムを含有する酸性溶液と、次に、無電解銅堆積のための溶液と接触させる。
【０１４６】
その後、銅層（１０７）を、第一の伝導性シード層（１０６）上に、４５ｇ／ｌのＣｕ2+  （ＣｕＳＯ4として）、５０ｍｌ／ｌのＨ2ＳＯ4、１ｍｌ／ｌの光沢剤、および２０ｍｌ／ｌのレベリング添加剤を含有する浴から電気めっきする。浴のｐＨは０であり、温度は２５℃である。めっきは４５分間である。平均電流密度４Ａ／ｄｍ2を有する標準的なパルスパラメータを適用する。
【０１４７】
図２ｃによる、コンタクト領域の開口部（１０５）を、いかなるボイド形成もなく、銅堆積物で完全に満たす。追加的に、銅が一時的な樹脂層（１０４）領域上に堆積され、その厚さは＜１５μｍである（図２ｅ）。
【０１４８】
その後、レジスト層（１１４）  （ＤｕＰｏｎｔ  ＰＭ  ２００）を、銅層（１０７）上に貼り合わせ、そしてパターニングする。
【０１４９】
次に、４５ｇ／ｌのＳｎ2+  （Ｓｎ（ＭＳＡ）2として）、６０ｍｌ／ｌのＭＳＡ  （７０質量％溶液）、２ｇ／ｌのヒドロキノン、コポリマーに基づく界面活性剤、および１００ｍｇ／ｌのベンザルアセトンを含むめっき浴組成物から、スズを電気めっきして、はんだ付け可能な低溶融キャップ層（１１３）を形成する。
【０１５０】
レジスト層（１１４）を、標準的な乾燥膜レジスト剥離溶液中で剥離する。
【０１５１】
その後、一時的な樹脂層（１０４）の表面上に堆積された第一の伝導性シード層（１０６）および銅層（１０７）を、一時的な樹脂層（１０４）の表面から、３０容積％の硝酸を含有する溶液中で、温度４０℃で１分間、処理することによって除去する。
【０１５２】
次に、一時的な樹脂層（１０４）を、基板を剥離溶液中に再度浸漬することによって除去する。
【０１５３】
非溶融バンプ（ｐｕｍｐ）およびはんだキャップ堆積物は、非常に均質な表面分布を示し、且つ、ウィスカーがない。それは、充分なスタンドオフ高さを有してチップまたは回路にはんだ付けするために適している。
【０１５４】
一時的な樹脂層（１０４）として適した樹脂材料の製造
ＩＳＯ１１３５７−１に準拠して測定されたＴｇ５３℃およびＩＳ０１６２８−１に準拠して測定された粘度数３３を有するアクリル樹脂を３２ｇの量で、スクリーン印刷配合物のために適し且つ沸点１８０〜２００℃を有する溶剤４５ｇ中に、攪拌（５００〜７００ｒｐｍ）および８０℃で加熱しながら溶解する。該溶液が８０℃に達したら、１５ｇの層状充填材およびケイ素含有添加剤を添加し、そのことは、液体配合物をチキソトロープ性にするため、ひいてはスクリーン印刷用途に適するようにするために必要である。該混合物を１０分間攪拌し、且つ、三本ロールミル上で粉砕した。そのように得られた配合物を、永続的な樹脂層（１０３）上にスクリーン印刷し、且つ、対流式オーブン内で乾燥させた（乾燥後のケーニッヒ硬度：  １００ｓ）。そのように得られたコーティングを、酸性溶液（２．５％塩酸、５０℃、ｐＨ＜１）中に、損傷を与えずに５分間ディッピングすることができる。同じように、アルカリ溶液（３％水酸化ナトリウム、５０℃、ｐＨ＜１３）中に、損傷なくディッピングすることができる。酸または塩基中での両方の処理の後、該コーティングを、ジメチルアセトアミドでの処理（５０℃、４分）によって基板から完全に除去することができる。下にある永続的な樹脂層（１０３）は、それらの条件下で侵食されない。
【図１】
2013534367.tif 000003
【図２】
2013534367.tif 000004
【図３】
2013534367.tif 000005
【図４】
2013534367.tif 000006
【図５−１】
2013534367.tif 000007
【図５−２】
2013534367.tif 000008
【図６−１】
2013534367.tif 000009
【図６−２】
2013534367.tif 000010
【図７】
2013534367.tif 000011
【手続補正書】
【提出日】平成25年4月16日(2013.4.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にはんだ堆積物を形成するための方法であって、以下の段階：
ｉ）  少なくとも１つのコンタクト領域（１０１）と、前記少なくとも１つのコンタクト領域（１０１）を覆う少なくとも１つの永続的な樹脂層（１０３）と、前記永続的な樹脂層（１０３）を覆う少なくとも１つの一時的な樹脂層（１０４）とを含む基板（１０２）を準備する段階、
ｉｉ）  一時的な樹脂層（１０４）および永続的な樹脂層（１０３）を貫通する少なくとも１つのコンタクト領域の開口部（１０５）を形成する段階、
ｉｉｉ）  永続的な樹脂層（１０３）と、一時的な樹脂層（１０４）と、少なくとも１つのコンタクト領域（１０１）とを含む基板（１０２）全体を、該基板表面上に第一の伝導性シード層（１０６）を設けるために適した溶液と接触させる段階、および
ｉｖ）  スズ、銅、スズ合金、および銅合金からなる群から選択される、金属または金属合金層（１０７）を、第一の伝導性シード層（１０６）上に電気めっきする段階
を含む前記方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、さらなる段階：
ｖ）  段階ｉｖ）の直後に、少なくとも１つのコンタクト領域の開口部（１０５）内の金属または金属合金層（１０７）を残すように、金属または金属合金層（１０７）を第一の伝導性シード層（１０６）領域から除去するために充分な量の金属または金属合金層（１０７）をエッチングにより除去する段階
を含む前記方法。
【請求項３】
請求項１に記載の方法であって、さらなる段階：
ｖｉ）ａ  はんだ付け可能なキャップ層（１１３）および／または保護層（１１７）を、金属または金属合金層（１０７）の上部に堆積する段階
を含む前記方法。
【請求項４】
請求項１または２に記載の方法であって、さらなる段階：
ｖｉ）ｂ  レジスト層（１１４）を第一の伝導性シード層（１０６）上に堆積し、且つ、前記レジスト層（１１４）をパターニングして開口部を形成し、少なくとも１つのコンタクト領域の開口部（１０５）内にめっきされた金属または金属合金層（１０７）を露出する段階、
ｖｉｉ）ｂ  はんだ付け可能なキャップ層（１１３）またはバリア層（１１５）を、レジスト層（１１４）によって形成された開口部内に堆積する段階
を含む前記方法。
【請求項５】
請求項１に記載の方法であって、さらなる段階：
ｖ）ｃ  その直後に、一時的な樹脂層（１０４）上に堆積された金属または金属合金層（１０７）および第一の伝導性シード層（１０６）を、エッチングにより除去する段階、
ｖｉ）ｃ  金属または金属合金層（１０７）上にバリア層（１１５）を堆積する段階、
ｖｉｉ）ｄ  第二の伝導性シード層（１１６）を、一時的な樹脂層（１０４）およびバリア層（１１５）の表面上に堆積する段階、
ｖｉｉｉ）ｄ  はんだ付け可能なキャップ層（１１３）を、第二の伝導性シード層（１１６）上に堆積し、且つ、その直後に、
ｉｘ）ｄ  はんだ付け可能なキャップ層（１１３）を、バリア層（１１５）の上に残すように、はんだ付け可能なキャップ層（１１３）を第二の伝導性シード層（１１６）領域から除去するために充分な量のはんだ付け可能なキャップ層（１１３）をエッチングにより除去する段階
を含む前記方法。
【請求項６】
金属または金属合金層（１０７）が、銅および銅合金からなる群から選択される、請求項１から５までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
はんだ付け可能なキャップ層（１１３）が、スズおよびスズ合金からなる群から選択される、請求項３から５までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
第一のバリア層が、少なくとも１つのコンタクト領域（１０１）上にめっきされる、請求項１から７までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
バリア層が、ニッケル、スズ、クロム、チタン、銀、金、パラジウム、それらの合金、およびそれらの多層からなる群から選択される金属または合金からなる、請求項１から８までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
一時的な樹脂層（１０４）が、アクリレート、エチレン／エチルアクリレートコポリマー、エチレン／メタクリレートコポリマー、エチレン／アクリル酸コポリマー、エチレン／ブチルアクリレートコポリマー、ポリメチルペンテンおよびポリメチルメタクリレートの１つまたはそれより多くを含む、請求項１から９までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
一時的な樹脂層（１０４）がさらに、ホウ酸アルミニウム、酸化アルミニウム、アルミニウムトリヒドロキシド、無煙炭、アンチモン酸ナトリウム、五酸化アンチモン、三酸化アンチモン、リン灰石、アタパルジャイト、メタホウ酸バリウム、硫酸バリウム、硫酸ストロンチウム、チタン酸バリウム、ベントナイト、酸化ベリリウム、窒化ホウ素、炭酸カルシウム、水酸化カルシウム、硫酸カルシウム、カーボンブラック、粘土、クリストバライト、ケイ藻土、ドロマイト、フェライト、長石、ガラスビーズ、グラファイト、ケイ酸カルシウム水和物、酸化鉄、カオリン、リトポン、酸化マグネシウム、マイカ、二硫化モリブデン、パーライト、ポリマー充填材、例えばＰＴＦＥ、ＰＥ、ポリイミド、軽石、パイロフィライト、ゴム粒子、フュームドシリカ、フューズドシリカ、沈降シリカ、海泡石、石英、砂、スレート粉、タルク、二酸化チタン、バーミキュライト、木粉、ウォラストナイト、ゼオライト、ホウ酸亜鉛、酸化亜鉛、スズ酸亜鉛、硫化亜鉛、アラミド繊維、炭素繊維、セルロース繊維、およびガラス繊維からなる群、およびそれらの混合物から選択される充填材を含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
少なくとも１つのコンタクト領域（１０１）が、ビアまたはトレンチを含む、請求項１から１１までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項１３】
基板をリフロー工程に供して、金属または金属合金層（１０７）をリフローさせる、請求項１から１２までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項１４】
第一の伝導性シード層（１０６）を、銅、銅−ニッケル合金、銅−ルテニウム合金、および銅−ロジウム合金からなる群から選択される金属または金属合金の無電解堆積によって形成する、請求項１から１３までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項１５】
第二の伝導性シード層（１１６）を、銅、銅−ニッケル合金、銅−ルテニウム合金、および銅−ロジウム合金からなる群から選択される金属または金属合金の無電解堆積によって形成する、請求項５に記載の方法。
【請求項１６】
銀または銀合金の層を、はんだ付け可能なキャップ層（１１３）上に堆積する、請求項３から１３までのいずれか１項に記載の方法。
【国際調査報告】
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