(57)【要約】ナノチューブファブリック層およびフィルム内でナノチューブ要素を配列させるための方法を開示する。方向性のある力が、ナノチューブファブリック層上に適用され、ファブリック層をナノチューブ要素の秩序ネットワークに変える。つまり、ナノチューブ要素のネットワークが、側壁に沿って一つに引かれ、且つ、実質的に均一方向に配向される。ある実施形態では、方向性のある力が、ファブリック層上に円筒要素を回転させることによって適用される。他の実施形態では、方向性のある力が、ナノチューブファブリック層表面上に摩擦物質を通過させることにより適用される。他の実施形態では、方向性のある力が、所定回数、ナノチューブファブリック層上に研磨物質を走らせることにより適用される。また、例示の圧延、摩擦及び研磨装置が開示される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ネットワーク内のナノスケール要素を配列させるための方法であって、
物質層上に堆積されたナノスケール要素のネットワークを提供するステップと、
前記ナノスケール要素の前記ネットワークの部分に方向性のある力を適用して、前記ナノスケール要素の少なくとも一部を秩序ネットワークに配列させるステップと、を含む方法。
【請求項２】
前記方向性のある力が、少なくとも１回、前記ナノスケール要素の前記ネットワークの部分に適用されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記方向性のある力が一方向に沿って適用されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記方向性のある力が複数の方向に沿って適用されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記方向性のある力が円弧方向に沿って適用されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記方向性のある力を前記ナノスケール要素の前記ネットワークの部分に繰り返し適用するステップをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記方向性のある力の繰り返しの適用が、前記ナノスケール要素の前記ネットワークに亘る一定の経路に従うことを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記物質層が剛性であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記物質層が、元素シリコン、酸化ケイ素、窒化ケイ素、炭化ケイ素、ＰＴＦＥ、有機ポリマー、ｐｖｃ、スチレン、ポリビニルアルコール、ポリビニルアセテート、炭化水素ポリマー、無機骨格ポリマー、窒化ホウ素、ガリウムヒ素、ＩＩＩ／Ｖ族化合物、ＩＩ／ＶＩ族化合物、木材、金属、合金、酸化金属、セラミック、及び、ガラスからなる群から選択されることを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記物質層が剛性構造の複合物質であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記物質層が可撓性であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記物質層が、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリメチルメタクリレート、ポリアミド、ポリサルフォン及び多環式オレフィンからなる群から選択されることを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記方向性のある力を適用するステップは、前記ナノスケール要素の少なくとも一部を、前記ナノスケール要素の前記ネットワークの少なくとも１つの所定領域内で所定の配向に配列させることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
前記方向性のある力を適用する前に、前記ナノスケール要素の前記ネットワークの一部上に潤滑媒体を堆積するステップをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
前記潤滑媒体は、水、ハロカーボン液、液化ガス、ハイドロカーボン液、官能化有機液体、有機シロキサンベースの環状、線形液、二硫化モリブデン、窒化ボロン、グラファイト及びスチレンビーズからなるリストから選択された少なくとも１つの物質から構成されることを特徴とする請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記ナノスケール要素の前記ネットワークは、スピンコーティング工程、スプレーコーティング工程、ディップコーティング工程、シルクスクリーン印刷工程又はグラビア印刷工程の１つを介して形成されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１７】
前記ナノスケール要素がナノチューブであることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１８】
前記ナノチューブがカーボンナノチューブであることを特徴とする請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記ナノスケール要素の前記ネットワークが、カーボンナノチューブと他の物質の複合物質であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項２０】
前記他の物質が、バッキーボール、アモルファスカーボン、銀ナノチューブ、量子ドット、コロイダルシルバー、単分散ポリスチレンビーズ及びシリカ粒子からなる群から選択されることを特徴とする請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
前記ナノスケール要素が官能化カーボンナノチューブであることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項２２】
前記官能化カーボンナノチューブは、当該カーボンナノチューブの側壁に電気絶縁バリアを提供する部分が付着したカーボンナノチューブであることを特徴とする請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
前記部分が有機官能基であることを特徴とする請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
前記部分がシリコン官能基であることを特徴とする請求項２２に記載の方法。
【請求項２５】
前記部分が、有機シリケート、酸化ケイ素、有機酸化ケイ素、メチルシルセスキオキサン、有機シロキサン、ジメチルシロキサン／ポリ有機エーテル、有機ポリマー、ＤＮＡ及びポリアミドの少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項２２に記載の方法。
【請求項２６】
前記ナノスケール要素がナノワイヤであることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項２７】
前記ナノスケール要素の前記ネットワークが、実質的にいずれの懸濁媒体をも有さないことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項２８】
前記方向性のある力が摩擦要素を通して適用されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項２９】
前記摩擦要素が、元素シリコン、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、セルロースアセテート、セルロース（例えばレーヨン）、ポリエステル、ポリアミド（例えばナイロン）、ポリマー物質、並びに、スターチ及び水の半硬質スラリーからなる群から選択される少なくとも１つの物質を含むことを特徴とする請求項２８に記載の方法。
【請求項３０】
前記方向性のある力が研磨要素を通して適用されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３１】
前記研磨要素が、前記ナノチューブファブリック層に平行な平面内で回転されることを特徴とする請求項３０に記載の方法。
【請求項３２】
前記研磨要素が、ポリエステルマイクロファイバー、ポリアミドマイクロファイバー、ポリエステル、ポリアミド、スチレン、ポリビニルアルコールフォーム、コットン、ウール、セルロース、及び、レーヨンの少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項３０に記載の方法。
【請求項３３】
前記方向性のある力が、前記ナノチューブファブリック層上に円筒要素を回転させることにより適用されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３４】
前記円筒要素が、鉄、コバルト、ニッケル、亜鉛、タングステン、クロム、マンガン、マグネシウム、チタン、アルミニウム、スチール、ゴム、プラスチック、ポリスチレン、メラミン、シリコン、ポリカーボネート、ポリエチレン、磁器、酸化ケイ素、アルミナ、炭化ケイ素及び木材からなる群から選択された物質を含むことを特徴とする請求項３３に記載の方法。
【請求項３５】
前記方向性のある力がクライオキネティックスプレーを通して適用されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３６】
前記クライオキネティックスプレーは、二酸化炭素（ＣＯ２）及びアルゴン（Ａｒ）の１つを含むことを特徴とする請求項３５に記載の方法。
【請求項３７】
前記クライオキネティックスプレーは、直線方向に前記ナノチューブファブリック層に亘って移動されることを特徴とする請求項３５に記載の方法。
【請求項３８】
前記方向性のある力がロールトゥロールプロセス内で適用されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３９】
前記方向性のある力が前記ナノスケール要素の前記ネットワークに直接的に適用されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４０】
前記方向性のある力が介在物質を通して前記ナノスケール要素の前記ネットワークに適用されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
（関連出願）
本出願は、３５Ｕ．Ｓ．Ｃ§１１９（ｅ）に基づく以下の仮出願の優先権を主張する。その内容を本文に援用する。
【０００２】
２０１０年６月１日の米国仮特許出願６１／３５０，２６３「ナノチューブ層及びフィルム内のギャップ及びボイドを削減する方法」。
【０００３】
２０１０年３月３０日の米国仮特許出願６１／３１９，０３４「ナノチューブ層及びフィルム内のギャップ及びボイドを削減する方法」。
【０００４】
本出願は、２０１０年１１月１２日の米国特許出願１２／９４５，５０１「ナノチューブファブリック及びフィルム内にナノチューブ要素を配置する方法」の一部継続出願であり、３５Ｕ．Ｓ．Ｃ§１２０に基づく優先権を主張する。その内容を本文に援用する。また、これは、２０１０年３月３０日の米国仮特許出願６１／３１９，０３４「ナノチューブ層及びフィルム内のギャップ及びボイドを削減する方法」及び２０１０年６月１日の米国仮特許出願６１／３５０，２６３「ナノチューブ層及びフィルム内のギャップ及びボイドを削減する方法」の３５Ｕ．Ｓ．Ｃ§１１９（ｅ）に基づく優先権を主張する。これらの内容を本文に援用する。
【０００５】
本出願は、以下の米国特許出願にも関連し、本特許出願の譲受人に譲渡されており、これらの内容は本文に援用する。
【０００６】
２００２年４月２３日出願の米国特許第６，８３５，５９１号「ナノチューブフィルム及び製品の製法」。
【０００７】
２００３年１月１３日出願の米国特許第７，３３５，３９５号「カーボンナノチューブフィルム、層、ファブリック、リボン、要素及び製品を形成するためのプリフォーム（母材）ナノチューブを使用する方法」。
【０００８】
２００４年２月１１日出願の米国特許第７，２５９，４１０号「水平配置ナノファブリック製品を有する装置及びその製造方法」。
【０００９】
２００４年２月１１日出願の米国特許第６，９２４，５３８号「垂直配置ナノファブリック製品を有する装置及びその製造方法」。
【００１０】
２００４年６月３日出願の米国特許第７，３７５，３６９号「高純度ナノチューブフィルムの形成のためのスピンコーティング可能な液体」。
【００１１】
２００５年９月２０日出願の米国特許第７，３６５，６３２号「カーボンナノチューブを使用する抵抗素子」。
【００１２】
２００５年１１月２日出願の米国特許第７，５６７，４１４号「ナノチューブＥＳＤ保護装置及び対応する非揮発性及び揮発性ナノチューブスイッチ」。
【００１３】
本出願は、以下の米国特許出願にも関連し、本特許出願の譲受人に譲渡されており、これらの内容は本文に援用する。
【００１４】
２００３年１月１３日出願の米国特許出願第１０／３４１，００５号「カーボンナノチューブフィルム、層、ファブリック、リボン、要素及び製品の製造方法」。
【００１５】
２００４年６月３日出願の米国特許出願第１０／８６０，３３２号「高純度ナノチューブファブリック及びフィルム」。
【００１６】
２００５年１２月１５日出願の米国特許出願第１１／３０４，３１５号「水性カーボンナノチューブ塗布（アプリケータ）液、及び、その塗布液を製造する方法」。
【００１７】
２００９年７月３１日出願の米国特許出願第１２／５３３，６８７号「異方性ナノチューブファブリック層及びフィルム、並びに、その製造方法」。
【００１８】
２０１０年２月１２日出願の米国特許出願第６１／３０４，０４５号「ナノチューブファブリック層及びフィルム内の密度、多孔率及び／又はギャップサイズを制御する方法」。
【００１９】
本発明は、一般的に、ナノチューブファブリック（又は繊維、ｆａｂｒｉｃ）層及びフィルムに関し、特には、方向性のある力の利用を介してナノチューブファブリック層及びフィルム内のナノチューブ要素を配列させる方法に関する。
【背景技術】
【００２０】
本明細書に亘る関連技術の説明は、このような技術が広く知られていること、又は、技術分野の一般知識の一部を形成することの告白であるとみなされるべきでない。
【００２１】
ナノチューブファブリック層及びフィルムが複数の電子構造及び装置に使用されている。例えば、バーティン等による米国特許出願第１１／８３５，８５６号（その内容を本文に援用する。）は、ナノチューブファブリック層を使用して、限定されないが、ブロックスイッチ、プログラム可能な抵抗素子、プログラム可能な論理装置などの不揮発装置を実現する方法を教示する。バーティン等による米国特許第７，３６５，６３２号（その内容を本文に援用する。）は、薄いフィルムナノチューブに基づいた抵抗器の製造に当該ファブリック層及びフィルムを使用することを教示する。ワード等による米国特許出願第１２／０６６，０６３号（その内容を本文に援用する。）は、電子装置及びシステムに熱伝導素子を形成するように当該ナノチューブファブリック及びフィルムを使用することを教示する。
【００２２】
様々な従来技術（詳細は本文に援用する。）を通して、ナノチューブ素子が、ナノチューブファブリック層又はフィルムの形成前又は後に導電性、非導電性、半導電性に構成され、このようなナノチューブファブリック層及びフィルムが電子装置又はシステム内で複数の機能を発揮することを可能とする。さらに、場合によっては、ナノチューブファブリック層又はフィルムの導電性を、２以上の不揮発状態の間で調整可能であり、これはバーティン等による米国特許出願第１１／２８０，７８６号（その内容を本文に援用する。）に教示されている。これにより、当該ナノチューブファブリック層及びフィルムが電子システム内にメモリ又は論理素子として使用されることを可能としている。
【００２３】
ワード等による米国特許第７，３３４，３９５号（その内容を本文に援用する。）は、プリフォーム（母材）ナノチューブを使用して基板要素にナノチューブファブリック層及びフィルムを形成するための複数の方法を教示する。該方法は、限定されないが、スピンコーティング（ここでは、ナノチューブ溶液が基板に配置され、そしてスピンし、当該溶液を均等に基板表面に亘って分配する。）、スプレーコーティング（ここでは、複数のナノチューブがエアロゾル溶液内に懸濁され、そして、基板に亘って分散される。）、及び、ディップコーティング（複数のナノチューブが溶液内に懸濁され、基板素子が溶液内に下がり、そして離脱する。）を含む。さらに、セン等による米国特許第７，３７５，３６９号（その内容を本文に援用する。）及びゲンシウ等による米国特許出願第１１／３０４，３１５号（その内容を本文に援用する。）は、スピンコーティング工程を介して基板要素に亘ってナノチューブファブリック層を形成するのに適したナノチューブ溶液を教示している。
【００２４】
例えば、その使用が研究室環境等で単一ナノチューブ要素の位置を調整するために当業者によく知られている原子間力顕微鏡法のように個々のナノチューブ要素を移動及び配向させるための多くの従来技術が存在しているが、最先端技術において、より大きい商業的な応用のための比較的大きいスケールのナノチューブ要素のフィルム及びファブリックを配列させることの需要が高まっている。例えば、ナノチューブファブリックに基づく電子装置の物理的寸法を２０ナノメータ以下に見積もると、より高密度のナノチューブファブリックを開発する需要が高まる。つまり、場合によっては、個々のナノチューブ要素間のギャップ及びボイドの大きさを制限する（場合によっては実質的に排除する）ようにナノチューブファブリックを形成する。別例では、限定されないが、ナノチューブファブリックに基づいた電界効果装置、ナノチューブファブリックに基づいた光起電装置及びナノチューブファブリックに基づいたセンサのような特定の用途において、比較的均一な物理的及び電気的特性を表すナノチューブファブリック層の需要が存在している。このような応用では、フィルム内における互いに対するナノチューブ要素の配向が、フィルムの全体的な電気パラメータ（例えば限定されないが、電荷移動度、シート抵抗及び静電容量）に大きく影響し得る。
【００２５】
小規模のナノチューブ配列技術（例えば限定されないが、原子力間顕微鏡法）が典型的には一度に非常に少数の位置を調整することに制限され、そして典型的にはミクロの範囲においてのみである。さらに、このような研究室ベースの方法は、拡張性がなく、あるいは、任意の大規模の商業的な用途に容易に適合することができない。
【００２６】
比較的大きいスケールのフィルム内でナノチューブ要素を配向させるための多くの従来公知技術は、分散が基板層上に堆積されるときにナノチューブ要素の分散を電気的又は機械的な場（フィールド）に曝すことを含んでいる。例えば、マー等（「電界によって励起されるポリマー複合物質における官能化カーボンナノチューブの整列及び分散」、Ｃａｒｂｏｎ誌４６（４）７０６−７１０頁（２００８年））は、ナノチューブ要素の整列（アライメント）工程を教示し、それは、ポリマー複合物質内で懸垂（又は懸濁）した多量の官能化された多層カーボンナノチューブに電界を適用することを含む。電界の効果の下、官能化ナノチューブは、実質的に均一な配向にそれら自体をポリマー複合物質内で配向させる。別例では、メルクロフ等（「プラズマ化学気相堆積法によって生成されたカーボンナノチューブファブリックファイバーの整列メカニズム」、Ａｐｐｌｙｅｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ  Ｌｅｔｔｅｒｓ誌７９、２９７０（２００１年））が、ＣＶＤ成長プロセス中に電界を適用することにより、カーボンナノファイバーの成長を導く方法を教示する。この方法では、ナノチューブの成長が電界線に従う傾向がある。
【００２７】
フィルム内でナノチューブ要素を配向するためのいくつかの他の公知技術は、（下層基板の平面に対して）垂直成長したナノチューブ要素を実質的に平行なナノチューブのフィルムに圧縮するように機械的な力を適用することを含む。例えば、デヘア等（「整列したカーボンナノチューブフィルム：製造、及び、光学的及び電気的特性」Ｓｃｉｅｎｃｅ誌２６８（５２１２）：８４５−８４７（１９９５年））は、テフロン（登録商標）又はアルミニウムパッドを使用して、ナノチューブ要素の垂直配向分布を、本質的に整列したナノチューブ要素のフィルムに圧縮する方法を教示する。同様に、ターフィック等（「圧延及び印刷で形成された柔軟な高電導性カーボンナノチューブインターコネクト」Ｓｍａｌｌ（Ｗｅｉｎｈｅｉｍａｎ  ｄｅｒ  Ｂｅｒｇｓｔｒａｓｓｅ，  Ｇｅｒｍａｎｙ）（２００９年））は、ローラー要素を使用して、垂直成長したナノチューブ要素の分布を実質的に整列した水平なフィルムに圧縮（Ｐａｃｋ  Ｄｏｗｎ）する方法を教示する。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００２８】
これら関連技術は、（マー及びメルクロフによって教示された方法のように）可動液体車両（ｍｏｂｉｌｉｚｉｎｇ  ｆｌｕｉｄ  ｖｅｈｉｃｌｅ）を必要としないが、それらは垂直成長したナノチューブの分布を必要とする。このような原位置で成長した垂直フィルムの製造及び使用が、特定の応用において制限的となる虞がある。例えば、垂直ナノチューブフィルムの成長は、典型的に、特定の工程条件（例えば限定されないが、高温、特定のリジェント及び高ガス圧）を必要とし、それは望ましくないものとなり、或いは、特定の半導体製造工程内で不都合となる虞がある。例えば、このような条件は、特定の基板材料と相容れないことがある。さらに、ナノチューブを成長させることに使用される触媒は、典型的に金属又は半金属であり、当該材料が高純度の応用において除去することが困難になる虞がある。さらに、原位置でのフィルムの成長は、ナノチューブ形成体の混合物（例えば、半導体及び金属ナノチューブ、単層及び多層ナノチューブ、或いは、バッキーボールなどの他の物質、シリカ若しくは他の物質粒子で混合したナノチューブ）を形成する能力を制限する。さらに、垂直成長したフィルムの粗度は、チューブのつながりを強化する追加の液体処理なしに成長した場合、垂直チューブの密度及び均一性によって決定する。垂直ナノチューブフィルムの成長における当該制限は、それらの有効性を減少させ、且つ、それらの大規模な商業用途における応用性を制限する。
【００２９】
これら及び他の類似の公知の方法は、ナノチューブ要素を整列又は配向させるいくつかの手段を提供するが、これらはナノチューブ要素の湿式懸濁液又は垂直配向に成長したナノチューブ要素のいずれかを必要とする点で制限される。多くの用途では、これら制限は、実質的に、商業的な応用におけるこれら技術の有効性を制限する。さらに、これら先行技術は、一方向に沿って整列したナノチューブ要素の配向を制限する傾向にある。すなわち、効率的且つ比較的簡易な乾式ナノチューブファブリック（例えば、基板上でナノチューブ塗布溶液をスピンコーティングすることによって形成されたナノチューブファブリック）内でナノチューブ要素を配列する方法が求められている。さらに、事前に選択された配向（複数の方向に沿ったナノチューブ配向をも含む）に従ってナノチューブファブリック内でナノチューブ要素を配列させる方法が求められている。
【課題を解決するための手段】
【００３０】
本発明は、方向性のある力の適用を介してナノチューブファブリック層及びフィルム内のナノチューブ要素を配列させる方法に関する。
【００３１】
特には、本発明は、ネットワーク内のナノスケール要素を配列させる方法を提供する。本方法は、第１に物質層上に堆積したナノスケール要素のネットワークを提供するステップを含む。本方法は、ナノスケール要素のネットワークの少なくとも一部に方向性のある力を適用して、ナノスケール要素の少なくとも一部を秩序ネットワークに配列させるステップをさらに含む。
【００３２】
本発明の一形態によれば、ナノスケール要素のネットワークがナノチューブファブリックを含む。
【００３３】
本発明の別形態によれば、ナノスケール要素は、カーボンナノチューブ、ナノワイヤ及びそれらの混合体を含む。
【００３４】
本発明の別形態によれば、方向性のある力の適用の前に、潤滑媒体がナノスケール要素のネットワーク上に堆積される。
【００３５】
本発明の別形態によれば、ナノチューブファブリック層を形成するための方法は、物質表面上に無秩序な（ｕｎｏｒｄｅｒｅｄ）ナノチューブファブリック層を形成するステップと、該無秩序なナノチューブファブリック層上に方向性のある力を適用して、該無秩序なナノチューブファブリック層の少なくとも一部をナノチューブ要素の秩序（ｏｒｄｅｒｅｄ）ネットワークに変えるステップと、を含む。
【００３６】
本発明の別形態によれば、耐穿刺性物質は、支持構造及び秩序ナノチューブファブリック要素を備えており、当該秩序ナノチューブファブリック要素が少なくとも１つの秩序ナノチューブファブリック層を備え、当該秩序ナノチューブファブリック要素が支持構造に固定されて、該秩序ナノチューブファブリック要素が該支持構造物質の少なくとも一部を被覆する。
【００３７】
本発明の別形態によれば、秩序ナノチューブファブリック層は、ナノチューブ要素のネットワークを備え、該ナノチューブ要素の集合体が、実質的に均一な形態に配列されて、ナノチューブ要素の集合体が本質的に隣接ナノチューブ要素に平行に配置される。
【００３８】
本発明の別形態によれば、秩序ナノチューブファブリック層は、一緒に高密度に充填された（纏められた）ナノチューブ要素のネットワークを備え、該秩序ナノチューブファブリック層内のギャップを実質的に最小化する。
【００３９】
本発明の別形態によれば、秩序ナノチューブファブリック層は、ナノチューブ要素のネットワークを備え、個別のナノチューブ要素が約１〜２ｎｍのギャップで隣接ナノチューブ要素から隔てられている。
【００４０】
本発明の別形態によれば、秩序ナノチューブファブリック層は、ナノチューブ要素のネットワークを備え、個別のナノチューブ要素が約１０ｎｍのギャップで隣接ナノチューブ要素から隔てられている。
【００４１】
本発明の別形態によれば、秩序ナノチューブファブリック層は、ナノチューブ要素のネットワークを備え、個別のナノチューブ要素が約５０ｎｍのギャップで隣接ナノチューブ要素から隔てられている。
【００４２】
本発明の別形態によれば、秩序ナノチューブファブリック層は、官能化ナノチューブ要素のネットワークを備え、当該官能化要素が、隣接ナノチューブ要素の側壁から個別のナノチューブ要素の側壁を電気絶縁するような部分（ｍｏｉｅｔｙ）でコーティングされている。
【００４３】
本発明の別形態によれば、ナノチューブファブリック層は、ナノチューブ要素の秩序ネットワークを備え、実質的に全てのナノチューブ要素が、ナノチューブ要素の長軸に沿って複数の他のナノチューブ要素に平行であり、且つ、接触している。
【００４４】
本発明の別形態によれば、ナノチューブファブリック層は、ナノチューブ要素の秩序ネットワークを備え、ナノチューブファブリックがミクロンサイズの粒子に不透過性である。
【００４５】
本発明の別形態によれば、ナノチューブファブリック層は、ナノチューブ要素の秩序ネットワークを備え、ナノチューブファブリックがナノサイズの粒子に不透過性である。
【００４６】
本発明の別形態によれば、無秩序なナノチューブファブリック層が、少なくとも１つのスピンコーティング工程を介して形成される。
【００４７】
本発明の別形態の下で、無秩序なナノチューブファブリック層が、少なくとも１つのスプレーコーティング工程を介して形成される。
【００４８】
本発明の別形態の下で、無秩序なナノチューブファブリック層が、少なくとも１つのディップコーティング工程を介して形成される。
【００４９】
本発明の別形態の下で、無秩序なナノチューブファブリック層が、少なくとも１つのシルクスクリーン印刷工程を介して形成される。
【００５０】
本発明の別形態の下で、無秩序なナノチューブファブリック層が、少なくとも１つのグラビア又は他の大きいフォーマットのフィルム印刷工程を介して形成される。
【００５１】
本発明の別形態の下で、無秩序なナノチューブファブリック層上に円筒要素を回転させることにより、圧延力（ｒｏｌｌｉｎｇ  ｆｏｒｃｅ）が無秩序なナノチューブファブリック層上に適用される。
【００５２】
本発明の別形態の下で、物質表面上に無秩序なナノチューブファブリック層をスライドさせることにより、摩擦力（ｒｕｂｂｉｎｇ  ｆｏｒｃｅ）が無秩序なナノチューブファブリック層上に適用される。
【００５３】
本発明の別形態の下で、柔軟フィルムをＣＮＴ表面に配置し、そして、加圧ガス、冷凍ガスのジェット又は他の粒子もしくは液体のジェットを介在柔軟層表面上に衝突させることにより、方向性のある力が無秩序なナノチューブファブリック層に適用される。
【００５４】
本発明の別形態の下で、研磨物質を無秩序なナノチューブファブリック層の表面上に通過させることにより、研磨力（ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ  ｆｏｒｃｅ）が無秩序なナノチューブファブリック層に適用される。
【００５５】
本発明の別形態の下で、回転研磨物質を無秩序なナノチューブファブリック層の表面に適用することにより、研磨力が無秩序なナノチューブファブリック層に適用される。
【００５６】
本発明の他の特徴及び利点は、以下の図面と共に提供される説明から明らかになるであろう。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】ナノチューブファブリック上での方向性のある力の伝達を表す示力図。
【図２Ａ】実質的にナノチューブ要素の無秩序なネットワークからなる例示のナノチューブファブリック層の概略図。
【図２Ｂ】実質的にナノチューブ要素の無秩序なネットワークからなる例示のナノチューブファブリック層のＳＥＭ画像。
【図２Ｃ】ナノチューブ要素の高度に秩序化したネットワークからなる例示のナノチューブファブリック層の概略図。
【図２Ｄ】ナノチューブ要素の高度に秩序化したネットワークからなる例示のナノチューブファブリック層のＳＥＭ画像。
【図３Ａ】本発明の方法に従って、方向性のある力を介して実質的に無秩序なナノチューブファブリック層をナノチューブ要素の秩序ネットワークに変えるための例示のプロセスを示す斜視図。
【図３Ｂ】本発明の方法に従って、方向性のある力を介して実質的に無秩序なナノチューブファブリック層をナノチューブ要素の秩序ネットワークに変えるための例示のプロセスを示す斜視図。
【図３Ｃ】本発明の方法に従って、方向性のある力を介して実質的に無秩序なナノチューブファブリック層をナノチューブ要素の秩序ネットワークに変えるための例示のプロセスを示す斜視図。
【図３Ｄ】本発明の方法に従って、方向性のある力を介して実質的に無秩序なナノチューブファブリック層をナノチューブ要素の秩序ネットワークに変えるための例示のプロセスを示す斜視図。
【図３Ｅ】本発明の方法に従って、方向性のある力を介して実質的に無秩序なナノチューブファブリック層をナノチューブ要素の秩序ネットワークに変えるための例示のプロセスを示す斜視図。
【図３Ｆ】本発明の方法に従って、方向性のある力を介して実質的に無秩序なナノチューブファブリック層をナノチューブ要素の秩序ネットワークに変えるための例示のプロセスを示す斜視図。
【図４】直線方向の力の適用を通して、実質的に無秩序なナノチューブファブリック層をナノチューブ要素の秩序ネットワークに変える方法を示す工程図。
【図５】各力が別々に且つ異なる方向に適用された複数の直線方向の力の適用を通して、実質的に無秩序なナノチューブファブリック層をナノチューブ要素の秩序ネットワークに変える方法を示す工程図。
【図６】回転方向の力の適用を通して、実質的に無秩序なナノチューブファブリック層をナノチューブ要素の秩序ネットワークに変える方法を示す工程図。
【図７Ａ】本発明の方法に従って、ナノチューブファブリック層上に方向性のある力を適用するのに適切な例示の圧延装置を示す斜視図。
【図７Ｂ】図７Ａの例示の圧延装置の動作を示す図。
【図８Ａ】本発明の方法に従って、ナノチューブファブリック層上に方向性のある力を適用するのに適切な例示の摩擦装置を示す斜視図。
【図８Ｂ】図８Ａの例示の摩擦装置の動作を示す図。
【図９Ａ】本発明の方法に従って、ナノチューブファブリック層上に円弧状の方向性のある力を適用するのに適切な例示の摩擦装置を示す斜視図。
【図９Ｂ】図９Ａの例示の摩擦装置の動作を示す図。
【図１０Ａ】本発明の方法に従って、ナノチューブファブリック層上に直線方向の力を適用するのに適切な例示の研磨装置を示す斜視図。
【図１０Ｂ】図１０Ａの例示の研磨装置の動作を示す図。
【図１１Ａ】本発明の方法に従って、ナノチューブファブリック層上に回転方向の力を適用するのに適切な例示の研磨装置を示す斜視図。
【図１１Ｂ】図１１Ａの例示の研磨装置の動作を示す図。
【図１２Ａ】本発明の方法に従って、ナノチューブファブリック層上に方向性のある力を適用するのに適切な例示のクライオキネティック衝撃装置を示す斜視図。
【図１２Ｂ】図１２Ａの例示のクライオキネティック衝撃装置の動作を示す図。
【図１３Ａ】本発明の方法に従って、ナノチューブファブリック層上に直線方向の力を適用するのに適切な例示のロールトゥロール研磨装置を示す斜視図。
【図１３Ｂ】図１３Ａの例示のロールトゥロール研磨装置の動作を示す図。
【図１４Ａ】実質的に無秩序なナノチューブファブリック層を含む３層構造の断面画像。
【図１４Ｂ】実質的に無秩序なナノチューブファブリック層を含む３層構造の断面画像。
【図１５Ａ】秩序ナノチューブファブリック層を含む３層構造の断面画像。
【図１５Ｂ】秩序ナノチューブファブリック層を含む３層構造の断面画像。
【図１６】部分的な秩序ナノチューブファブリック層上に観測される摩擦力を決定するのに使用された装置の概略図。
【図１７】部分的な秩序ナノチューブファブリック層上において、図１６の装置で観測された摩擦力のプロット。
【図１８】整列したナノチューブ要素の多層からなる多層ナノチューブファブリック要素を示す図であり、各層が隣接層のものと異なる方向に配向したナノチューブ要素を備える。
【図１９Ａ】方向性のある圧延力の適用を通して、秩序配列に変えられたナノチューブ要素のネットワークを備える例示のナノチューブファブリック層の（異なる倍率の）ＳＥＭ画像。
【図１９Ｂ】方向性のある圧延力の適用を通して、秩序配列に変えられたナノチューブ要素のネットワークを備える例示のナノチューブファブリック層の（異なる倍率の）ＳＥＭ画像。
【図１９Ｃ】方向性のある圧延力の適用を通して、秩序配列に変えられたナノチューブ要素のネットワークを備える例示のナノチューブファブリック層の（異なる倍率の）ＳＥＭ画像。
【図２０Ａ】テフロン（登録商標）又はポリテトラフルオロエチレンフィルム上に１５回摩擦通過させた後、部分的な秩序配列に変えられたナノチューブ要素の領域を備える例示のナノチューブファブリック層の（異なる倍率の）ＳＥＭ画像。
【図２０Ｂ】テフロン（登録商標）又はポリテトラフルオロエチレンフィルム上に１５回摩擦通過させた後、部分的な秩序配列に変えられたナノチューブ要素の領域を備える例示のナノチューブファブリック層の（異なる倍率の）ＳＥＭ画像。
【図２０Ｃ】テフロン（登録商標）又はポリテトラフルオロエチレンフィルム上に１５回摩擦通過させた後、部分的な秩序配列に変えられたナノチューブ要素の領域を備える例示のナノチューブファブリック層の（異なる倍率の）ＳＥＭ画像。
【図２１Ａ】テフロン（登録商標）又はポリテトラフルオロエチレンフィルム上に２５回摩擦通過させた後、秩序配列に変えられたナノチューブ要素のネットワークを備える例示のナノチューブファブリック層の（異なる倍率の）ＳＥＭ画像。
【図２１Ｂ】テフロン（登録商標）又はポリテトラフルオロエチレンフィルム上に２５回摩擦通過させた後、秩序配列に変えられたナノチューブ要素のネットワークを備える例示のナノチューブファブリック層の（異なる倍率の）ＳＥＭ画像。
【図２１Ｃ】テフロン（登録商標）又はポリテトラフルオロエチレンフィルム上に２５回摩擦通過させた後、秩序配列に変えられたナノチューブ要素のネットワークを備える例示のナノチューブファブリック層の（異なる倍率の）ＳＥＭ画像。
【図２２Ａ】シリコンウエハ上に２５０回摩擦通過させた後、秩序配列に変えられたナノチューブ要素のネットワークを備える例示のナノチューブファブリック層の（異なる倍率の）ＳＥＭ画像。
【図２２Ｂ】シリコンウエハ上に２５０回摩擦通過させた後、秩序配列に変えられたナノチューブ要素のネットワークを備える例示のナノチューブファブリック層の（異なる倍率の）ＳＥＭ画像。
【図２２Ｃ】シリコンウエハ上に２５０回摩擦通過させた後、秩序配列に変えられたナノチューブ要素のネットワークを備える例示のナノチューブファブリック層の（異なる倍率の）ＳＥＭ画像。
【図２３Ａ】ナノチューブファブリック層に亘って円弧運動で移動されたウール摩擦パッドの１００回の通過後、秩序配列に変えられたナノチューブ要素のネットワークを備える例示のナノチューブファブリック層の（異なる倍率の）ＳＥＭ画像。
【図２３Ｂ】ナノチューブファブリック層に亘って円弧運動で移動されたウール摩擦パッドの１００回の通過後、秩序配列に変えられたナノチューブ要素のネットワークを備える例示のナノチューブファブリック層の（異なる倍率の）ＳＥＭ画像。
【図２３Ｃ】ナノチューブファブリック層に亘って円弧運動で移動されたウール摩擦パッドの１００回の通過後、秩序配列に変えられたナノチューブ要素のネットワークを備える例示のナノチューブファブリック層の（異なる倍率の）ＳＥＭ画像。
【図２４Ａ】ナノチューブファブリック層に亘って直線運動で移動されたベロア研磨ローラーの５０回の通過後、秩序配列に変えられたナノチューブ要素のネットワークを備える例示のナノチューブファブリック層の（異なる倍率の）ＳＥＭ画像。
【図２４Ｂ】ナノチューブファブリック層に亘って直線運動で移動されたベロア研磨ローラーの５０回の通過後、秩序配列に変えられたナノチューブ要素のネットワークを備える例示のナノチューブファブリック層の（異なる倍率の）ＳＥＭ画像。
【図２４Ｃ】ナノチューブファブリック層に亘って直線運動で移動されたベロア研磨ローラーの５０回の通過後、秩序配列に変えられたナノチューブ要素のネットワークを備える例示のナノチューブファブリック層の（異なる倍率の）ＳＥＭ画像。
【図２５Ａ】６０ｒｐｍで９０秒間回転された回転ウール研磨パッドを介してナノチューブファブリック層上に回転方向の力を適応した後、秩序配列に変えられたナノチューブ要素のネットワークを備える例示のナノチューブファブリック層の（異なる倍率の）ＳＥＭ画像。
【図２５Ｂ】６０ｒｐｍで９０秒間回転された回転ウール研磨パッドを介してナノチューブファブリック層上に回転方向の力を適応した後、秩序配列に変えられたナノチューブ要素のネットワークを備える例示のナノチューブファブリック層の（異なる倍率の）ＳＥＭ画像。
【図２５Ｃ】６０ｒｐｍで９０秒間回転された回転ウール研磨パッドを介してナノチューブファブリック層上に回転方向の力を適応した後、秩序配列に変えられたナノチューブ要素のネットワークを備える例示のナノチューブファブリック層の（異なる倍率の）ＳＥＭ画像。
【図２６Ａ】無秩序なナノチューブ要素のネットワークを備える例示のナノチューブファブリック層の（異なる倍率の）ＳＥＭ画像。
【図２６Ｂ】無秩序なナノチューブ要素のネットワークを備える例示のナノチューブファブリック層の（異なる倍率の）ＳＥＭ画像。
【図２６Ｃ】無秩序なナノチューブ要素のネットワークを備える例示のナノチューブファブリック層の（異なる倍率の）ＳＥＭ画像。
【図２７Ａ】ナノチューブファブリック層の長手方向に沿って２０回、加重ＣＭＰパッドをスライドさせることによって、ナノチューブ要素のネットワークに変えられた後の図２６Ａ〜２６Ｃの例示のナノチューブファブリック層の（異なる倍率の）ＳＥＭ画像。
【図２７Ｂ】ナノチューブファブリック層の長手方向に沿って２０回、加重ＣＭＰパッドをスライドさせることによって、ナノチューブ要素のネットワークに変えられた後の図２６Ａ〜２６Ｃの例示のナノチューブファブリック層の（異なる倍率の）ＳＥＭ画像。
【図２７Ｃ】ナノチューブファブリック層の長手方向に沿って２０回、加重ＣＭＰパッドをスライドさせることによって、ナノチューブ要素のネットワークに変えられた後の図２６Ａ〜２６Ｃの例示のナノチューブファブリック層の（異なる倍率の）ＳＥＭ画像。
【図２８Ａ】クライオキネティック衝撃工程を介して秩序状態に例示のナノチューブファブリック層を変えることを詳細に示した（異なる倍率の）ＳＥＭ画像。
【図２８Ｂ】クライオキネティック衝撃工程を介して秩序状態に例示のナノチューブファブリック層を変えることを詳細に示した（異なる倍率の）ＳＥＭ画像。
【図２８Ｃ】クライオキネティック衝撃工程を介して秩序状態に例示のナノチューブファブリック層を変えることを詳細に示した（異なる倍率の）ＳＥＭ画像。
【図２８Ｄ】クライオキネティック衝撃工程を介して秩序状態に例示のナノチューブファブリック層を変えることを詳細に示した（異なる倍率の）ＳＥＭ画像。
【図２９Ａ】摩擦工程を介して、１０１８低炭素鋼基板上に堆積した例示のナノチューブファブリック層を秩序状態に変えることを詳細に示した（異なる倍率の）ＳＥＭ画像。
【図２９Ｂ】摩擦工程を介して、１０１８低炭素鋼基板上に堆積した例示のナノチューブファブリック層を秩序状態に変えることを詳細に示した（異なる倍率の）ＳＥＭ画像。
【図２９Ｃ】摩擦工程を介して、１０１８低炭素鋼基板上に堆積した例示のナノチューブファブリック層を秩序状態に変えることを詳細に示した（異なる倍率の）ＳＥＭ画像。
【図３０Ａ】圧電摩擦工程を介して、例示のナノチューブファブリック層を秩序状態に変えることを詳細に示した（異なる倍率の）ＳＥＭ画像。
【図３０Ｂ】圧電摩擦工程を介して、例示のナノチューブファブリック層を秩序状態に変えることを詳細に示した（異なる倍率の）ＳＥＭ画像。
【図３０Ｃ】圧電摩擦工程を介して、例示のナノチューブファブリック層を秩序状態に変えることを詳細に示した（異なる倍率の）ＳＥＭ画像。
【図３０Ｄ】圧電摩擦工程を介して、例示のナノチューブファブリック層を秩序状態に変えることを詳細に示した（異なる倍率の）ＳＥＭ画像。
【図３１Ａ】摩擦工程を介して、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）基板上に堆積した例示のナノチューブファブリック層を秩序状態に変えることを詳細に示した（異なる倍率の）ＳＥＭ画像。
【図３１Ｂ】摩擦工程を介して、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）基板上に堆積した例示のナノチューブファブリック層を秩序状態に変えることを詳細に示した（異なる倍率の）ＳＥＭ画像。
【図３１Ｃ】摩擦工程を介して、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）基板上に堆積した例示のナノチューブファブリック層を秩序状態に変えることを詳細に示した（異なる倍率の）ＳＥＭ画像。
【図３２Ａ】高圧エアフロー研磨工程を介して、例示のナノチューブファブリック層を秩序状態に変えることを詳細に示した（異なる倍率の）ＳＥＭ画像。
【図３２Ｂ】高圧エアフロー研磨工程を介して、例示のナノチューブファブリック層を秩序状態に変えることを詳細に示した（異なる倍率の）ＳＥＭ画像。
【図３２Ｃ】高圧エアフロー研磨工程を介して、例示のナノチューブファブリック層を秩序状態に変えることを詳細に示した（異なる倍率の）ＳＥＭ画像。
【図３２Ｄ】高圧エアフロー研磨工程を介して、例示のナノチューブファブリック層を秩序状態に変えることを詳細に示した（異なる倍率の）ＳＥＭ画像。
【図３３Ａ】摩擦工程を介して、２０２４アルミニウム合金基板上に堆積した例示のナノチューブファブリック層を秩序状態に変えることを詳細に示した（異なる倍率の）ＳＥＭ画像。
【図３３Ｂ】摩擦工程を介して、２０２４アルミニウム合金基板上に堆積した例示のナノチューブファブリック層を秩序状態に変えることを詳細に示した（異なる倍率の）ＳＥＭ画像。
【図３４Ａ】化学機械研磨（ＣＭＰ）装置を使用して実行された摩擦工程を介して、窒化チタン（ＴｉＮ）基板上に堆積した例示のナノチューブファブリック層を秩序状態に変えることを詳細に示した（異なる倍率の）ＳＥＭ画像。
【図３４Ｂ】化学機械研磨（ＣＭＰ）装置を使用して実行された摩擦工程を介して、窒化チタン（ＴｉＮ）基板上に堆積した例示のナノチューブファブリック層を秩序状態に変えることを詳細に示した（異なる倍率の）ＳＥＭ画像。
【図３４Ｃ】化学機械研磨（ＣＭＰ）装置を使用して実行された摩擦工程を介して、窒化チタン（ＴｉＮ）基板上に堆積した例示のナノチューブファブリック層を秩序状態に変えることを詳細に示した（異なる倍率の）ＳＥＭ画像。
【図３５】ストローク長１ｍｍで摩擦力を提供するように電子制御された線形アクチュエータの使用を介して、例示のナノチューブファブリック層を秩序状態に変えることを詳細に示したＡＦＭ画像。
【図３６】ストローク長０．１ｍｍで摩擦力を提供するように電子制御された線形アクチュエータの使用を介して、例示のナノチューブファブリック層を秩序状態に変えることを詳細に示したＡＦＭ画像。
【図３７】ストローク長０．０５ｍｍで摩擦力を提供するように電子制御された線形アクチュエータの使用を介して、例示のナノチューブファブリック層を秩序状態に変えることを詳細に示したＡＦＭ画像。
【図３８】ストローク長０．０１ｍｍで摩擦力を提供するように電子制御された線形アクチュエータの使用を介して、例示のナノチューブファブリック層を秩序状態に変えることを詳細に示したＡＦＭ画像。
【図３９Ａ】レーヨン摩擦パッドの使用を介して、シリコンナノワイヤ層でコーティングされた例示のナノチューブファブリック層を秩序状態に変えることを詳細に示したＳＥＭ画像。
【図３９Ｂ】レーヨン摩擦パッドの使用を介して、シリコンナノワイヤ層でコーティングされた例示のナノチューブファブリック層を秩序状態に変えることを詳細に示したＳＥＭ画像。
【図３９Ｃ】レーヨン摩擦パッドの使用を介して、シリコンナノワイヤ層でコーティングされた例示のナノチューブファブリック層を秩序状態に変えることを詳細に示したＳＥＭ画像。
【図３９Ｄ】レーヨン摩擦パッドの使用を介して、シリコンナノワイヤ層でコーティングされた例示のナノチューブファブリック層を秩序状態に変えることを詳細に示したＳＥＭ画像。
【発明を実施するための形態】
【００５８】
本開示は、ナノチューブファブリック層及びフィルム内のナノチューブ要素を当該層およびフィルム上に付加された方向性のある力（ｄｉｒｅｃｔｉｏｎａｌ  ｆｏｒｃｅ）の適用を通して配列させる方法を教示する。これらアプローチは、堆積したナノチューブファブリック層内で領域を、実質的に整列したナノチューブ要素の１又は複数のネットワークに変え、つまり、当該領域では、ナノチューブ要素が実質的に均一な配列に配向され、それらがその側壁に沿って１つに集まる。このように、例えば、ナノチューブファブリックが形成され、これらは高い密度を有する。特定の応用では、当該秩序（整列）ナノチューブファブリック層は、ナノチューブ要素間に本質的にギャップ（間隙）及びボイド（空孔）有さないであろう。あるいは、別例では、特定の体積よりも大きいギャップ及びボイドが本質的に存在しない秩序ナノチューブファブリックが形成され得る。さらに別例では、ファブリック内のギャップ及びボイドの数が著しく減少したナノチューブファブリックを実現するように、この方法を使用してもよい。さらなる別例では、本発明の方法に従って配列された秩序ナノチューブファブリック層が、実質的に同じ方向に配向した複数のナノチューブ要素を含んでいる。  
【００５９】
本発明では、用語「ネットワーク」は、基板の表面に亘って分散したナノチューブ要素の配列を意味することに注目すべきである。ある応用では、ナノチューブ要素のネットワークが比較的高密度であり、ナノチューブ要素が密に充填されており、場合によっては、隣接するナノチューブ要素に絡み合っている。他の応用では、ナノチューブ要素のネットワークは比較的低密度であり、個々のナノチューブ要素間にギャップ及びボイドを有する。ある応用では、低密度の（まばらな）ネットワークを有する個別のナノチューブ要素が約１〜２ｎｍのギャップで分離され得る。他の応用では、このようなギャップが約１０ｎｍである。さらに他の応用では、このようなギャップが約５０ｎｍである。
【００６０】
本開示に称されるナノチューブのファブリック（繊維又は織布）は、複数の相互接続されたカーボンナノチューブの層を含む。ナノチューブのファブリック（又はナノファブリック）（本開示では、例えば不織カーボンチューブ（ＣＮＴ）ファブリック）は、例えば、互いに対して不規則に配列した複数の絡まったナノチューブの構造を有していてもよい。代替的に又は追加的に、例えば、本発明のナノチューブのファブリックは、ある程度のナノチューブの位置規則性（例えば、それらの長軸に沿ってある程度の平行性）を有していてもよい。この位置規則性は、比較的小さいスケールで見られ、そこでは、例えば、ナノチューブのフラットアレイ（平坦配列）が、それらの長軸に沿って、ほぼ１つのナノチューブ長及び１０〜２０のナノチューブ幅のラフト（ｒａｆｔ）に纏まって配列される。他例では、このような位置規則性が大きいスケールでも見られ、整列したナノチューブ領域が場合によっては実質的にファブリック層全体上に延在している。このようなより大きいスケールの位置規則性は、本発明にとって特に興味深い。
【００６１】
ナノチューブのファブリックは、それらが形成されたナノチューブの望ましい物理的特性を保有する。例えば、ある電気的な応用では、ファブリックは好ましくは接触状態にある十分な量のナノチューブを有しており、少なくとも１つの抵抗（金属）又は半導体の経路がファブリック内の所定位置からファブリック内の別位置まで存在している。単層ナノチューブは、典型的には、約１〜３ｎｍの径を有し、多層ナノチューブは、典型的には、約３〜３０ｎｍの径を有する。例えば、ナノチューブは約０．２ミクロンから約２００ミクロンの範囲の長さを有し得る。ナノチューブは、湾曲して時折互いに交差してもよい。ファブリック内には（すなわち、横方向又は水平方向のいずれかのナノチューブの間の）ギャップが存在し得る。このようなファブリックは、単層ナノチューブ、多層ナノチューブ又はその両方を含み得る。ファブリックは、チューブが存在しない不連続な狭い領域を有し得る。ファブリックは、単層又は複数のファブリック層として準備され得る。ファブリックの厚みは、ナノチューブの実質的な単分子層と同じ厚みに選択可能であり、又は、より厚く（例えば、数十ナノメータから数百ミクロンまでの厚みで）選択可能である。ファブリックの多孔率は、高多孔率の低密度ファブリックから低多孔率の高密度ファブリックまで変化可能である。このようなファブリックは、例えば、様々な触媒と併せて化学気相堆積（ＣＶＤ）プロセスを使用したナノチューブの成長によって準備可能である。このようなファブリックを生成するための他の方法は、適切な溶媒中に懸濁した母材ナノチューブによるスピンコーティング技術及びスプレーコーティング技術、シルクスクリーン印刷、グラビア印刷、及び、静電スプレーコーティングを使用することを含むことができる。このような溶媒において、他の物質のナノ粒子がナノチューブ懸濁液に混合可能であり、そして、スピンコーティング及びスプレーコーティングによって堆積され、ナノチューブ中に分散したナノ粒子を有するファブリックを形成する。このような例示の方法は、本開示の背景技術で挙げた関連技術においてより詳細に説明されている。
【００６２】
本開示の多くは、ナノチューブファブリック内のナノチューブ要素の配列方法を説明するが、本発明の方法はこの点で限定されない。実際、本開示の方法は、複数のファブリック又はネットワーク内で高アスペクト比のナノスケールの要素（つまり、長さと幅との比が約４：１のナノスケール“チューブ類似”構造であり、これら寸法の少なくとも１つ（つまり長さ又は幅）が１００ｎｍ未満である）を配列させることに使用可能である。このようなナノスケール要素は、限定されないが、単層ナノチューブ、多層ナノチューブ、ナノワイヤ（ｎａｎｏｗｉｒｅｓ）及びそれらの混合体を含む。ここに挙げたナノワイヤは、単一のナノワイヤ、不織ナノワイヤの集合体、ナノクラスタ、ナノファブリックを含む複数のナノチューブに絡み合った複数のナノワイヤ、ナノワイヤのマット等を意味するように意図されている。ナノワイヤ（ナノロッド）物質の例は、アルミナ、ビスマス、カドミウム、セレナイド、窒化ガリウム、金、ガリウムリン、ゲルマニウム、シリコン、リン化インジウム、酸化マグネシウム、酸化マンガン、ニッケル、パラジウム、炭化ケイ素、チタン、酸化亜鉛、及び、シリコンゲルマニウム又はコーティングされる他種のような追加の混合ナノワイヤである。さらに、本開示中のナノスケール要素のネットワークは、実質的に平坦な形状において、このように自由に形成され且つ堆積したナノスケール要素の配列として説明される。例示のナノスケール要素のネットワークは、限定されないが、本開示で説明されるとおり、ナノチューブファブリック層、及び、物質表面上に分散したナノワイヤの配列を含む。
【００６３】
セン等による米国特許第７，３７５，３６９号及びゲンシウ等による米国特許出願第１１／３０４，３１５号（これら内容を本文に援用する。）に記載されているとおり、ナノチューブファブリック及びフィルムは、（例えば、限定されないが、複数のナノチューブ要素が水溶液に懸濁された）ナノチューブ塗布溶液を基板素子に亘って適用することにより形成可能である。例えば、スピンコーティングプロセスを使用可能であり、基板要素に亘ってナノチューブ要素を均一に分布させ、実質的に均一なナノチューブ要素の層を作成する。他の場合では、他のプロセス（限定されないが、スプレーコーティングプロセス、ディップコーティングプロセス、シルクスクリーン印刷プロセス及びグラビア印刷プロセス）を使用可能であり、基板要素に亘ってナノチューブ要素を適用及び分布させる。他の場合では、物質表面上のナノチューブのＣＶＤ成長を使用可能であり、無秩序なナノチューブファブリック層を実現する。さらに、セン等による米国特許出願第６１／３０４，０４５号（その内容を本文に援用する。）は、塗布溶液中で形成されるナノチューブファブリック層内のラフト化（ｒａｆｔｉｎｇ）、つまり、ナノチューブ要素がそれらの側壁に沿って１つに纏まり、高密度のラフト状構造を形成する傾向を促進又は抑制するために、ナノチューブ塗布溶液中の特定のパラメータ（例えばナノチューブ密度又は特定のイオン種の濃度）を調整する方法を教示する。ナノチューブファブリック層内のラフト化の発生を増加させることにより、当該ファブリック層の密度を増加可能であり、当該ファブリック層内のボイド及びギャップの数及びサイズの両方を減少させる。
【００６４】
注目すべきであるが、本開示の実施形態において使用され且つ示されたナノチューブ要素が単層ナノチューブ、多層ナノチューブ又はこれらの組み合わせであってもよく、且つ、様々な長さであってもよい。さらに、ナノチューブは、導電性、半導電性又はこれらの組み合わせであってもよい。さらに、ナノチューブは（例えば、ナノチューブに付随したアルコール、アルデヒド、ケトン又はカルボキシル部分を生成するように、硝酸で酸化することにより）官能化されてもよい、あるいは、それらは官能化されなくてもよい。
【００６５】
本開示の方法は、ナノチューブファブリック層内の官能化ナノチューブ要素を配列するのに非常に適していることに注目すべきである。ナノチューブ要素は、複数の動機のために官能化され得る。例えば、塗布溶液中のこれら要素の分散を付加するように、特定の部分をナノチューブ要素の側壁上に形成可能である。別例では、ナノチューブ要素の側壁上に形成された特定の部分が、ナノチューブファブリックの効率的な形成を補助する。さらなる例では、ナノチューブ要素は、該ナノチューブ要素の側壁を電気的に絶縁するように特定の部分で官能化可能である。ナノチューブ要素は、有機部分、シリカ部分又は金属部分（又はそれらのいくつかの組み合わせ）をナノチューブ要素の側壁に付着することにより官能化可能である。このような部分は、ナノチューブ要素と共有結合するか、又は、π−π結合を通して固定された状態にある。
【００６６】
ナノチューブファブリック層内のギャップ及びボイドの削減又は実質の排除は、均一なナノチューブの分散が必要である非常に小さい回路サイズを有する装置にとって特に有用である。例えば、ほとんどギャップ及びボイドを有さない、又は、非常に小さいギャップ及びボイドのみを有するファブリックがパターニング及びエッチングされたとき、残ったナノチューブ製品は、ファブリック内の大きいボイドの結果である欠けたナノチューブとは対照的なナノチューブを含有することを効果的に保証する。形状サイズが最新の実施されるリソグラフィ技術とともに減少するので、ナノチューブファブリック層内のギャップ及びボイドの最小化が、該ファブリックがエッチングされるときに機能的回路要素のより高い歩留まりを確実にするために、より重要となっている。
【００６７】
例えば、ある応用では、先進のリソグラフィ技術が、最小形状サイズ（例えば、約２０ｎｍ）を定める。僅かに該形状サイズよりも大きい（例えば、約１０ｎｍよりも大きい）ナノチューブファブリック層内のボイド及びギャップは、結果として、非機能的な又は無効な回路要素を生成する虞がある。ナノチューブファブリック層内のギャップ及びボイドの最小化又はあるいは実質的な排除により、非機能的な又は無効な回路要素の発生率を著しく減少させることができる。
【００６８】
ある応用では、ナノチューブファブリック層内のギャップ及びボイドの最小化又はあるいは実質的な排除により、該層から形成されるナノチューブスイッチング装置のアレイ（配列）の密度を増加可能である。バーティン等による米国特許出願第１１／２８０，７８６号（その内容を本文に援用する。）は、不揮発性の２つのターミナル（末端）ナノチューブスイッチング構造を教示する。このナノチューブスイッチング構造は、（少なくとも１つの実施形態において）２つの電気的に絶縁された電極素子間に配置されたナノチューブファブリック製品を有する。バーティンが教示するように、異なる電圧を上記電極素子に亘って配置することにより、ナノチューブファブリック製品の抵抗状態を、複数の不揮発状態の間で切り替え可能である。つまり、実施形態によっては、ナノチューブファブリック製品は、相対的に高い抵抗状態（結果として、本質的に２つの電極素子の間の開回路）と相対的に低い抵抗状態（結果として、本質的に２つの電極素子の間の短絡）との間で繰り返し切り替え可能である。
【００６９】
他の応用では、比較的低い濃度で整列したナノチューブファブリック（場合によっては、約１つのナノチューブ厚）が非常に有益となり得る。例えば、特定の論理用途は、電荷導電面として比較的薄いナノチューブファブリック層を利用する。このような用途は、ナノチューブファブリック層を通る導電経路が実質的に均一であることを必要とする。このような応用では、薄い及び／又は低密度のナノチューブファブリック層を、均一な方向に配列したナノチューブ要素の秩序ネットワークに配列することができる。ここでは、個別のナノチューブ要素が隣接するナノチューブ要素に重ならず又は接触しない傾向にある。
【００７０】
このようなナノチューブスイッチング装置のアレイの製造は、ナノチューブファブリック層のパターニングを含み、これら複数のナノチューブファブリック製品を実現する。ナノチューブファブリック層内のギャップ及びボイドの数及びサイズは、このようなアレイ内のこれらナノチューブファブリック製品がパターニングされる形状寸法を制限し得る。例えば、個々のナノチューブスイッチング装置が約２０ｎｍ四方である（つまり、各装置内のナノチューブファブリック製品が本質的に２０ｎｍ×２０ｎｍである）ナノチューブスイッチング装置アレイでは、ナノチューブファブリック層内の約１０ｎｍよりも大きいボイドが、例えば、非機能的な又は無効なナノチューブスイッチング装置を結果として生成する虞がある。例えば、典型的な無秩序なナノチューブファブリック層が、その表面の約２５％を超えるギャップを表し、典型的な秩序的なナノチューブファブリック層がその表面の約２％を超えるギャップを表す。ナノチューブスイッチング要素のアレイの形成前にファブリック層内のギャップ数を最小化することにより、これら非機能的な又は無効なナノチューブスイッチング装置の発生を著しく減少させることができ、又は、ある応用では本質的に排除することができる。
【００７１】
本開示の方法では、ナノチューブファブリックは典型的には他の物質層の上に（例えば、１又は複数のスピンコーティング工程を通して）形成される。ある応用では、この物質層はシリコンウエハである。他の応用では、この物質層は、限定されないが、タングステン、アルミニウム、銅、ニッケル、パラジウム、窒化チタン及び窒化タングステンのような導電物質である。さらに他の応用では、この物質層は、限定されないが、シリコン及びガリウムヒ素のような半導体物質である。他の応用では、この物質層は、限定されないが、酸化ケイ素及び酸化アルミニウムのような誘電体物質である。さらに別の応用では、この物質層は、限定されないが、ポリフルオレン、ポリチオフェン、ポリアセチレン、ポリピロール、ポリアニリン、ポリ（ｐ−フェニレン硫化物）及びポリ（ｐ−フェニレンビニレン）のような有機半導体物質である。
【００７２】
ある応用では、物質層は、限定されないが、金属（例えばスチール又はアルミニウム）、セラミック又はガラスのような剛性物質から形成可能である。別の応用では、限定されないが、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリメチルメタクリレート、ポリアミド、ポリサルフォン及び多環式オレフィンであるプラスチックフィルム又はシートのような可撓性物質から形成可能である。別の応用では、所望の（限定されないが、酸化ケイ素のような）界面物質が、（限定されないが、スチールのような）剛性物質の上に形成可能であり、基板に第１物質の所望の界面特性を第２物質の構造的特性で提供する剛性構造の複合物質を形成する。
【００７３】
応用の必要性に応じて、このような物質層は、限定されないが、元素シリコン、酸化ケイ素、窒化ケイ素、炭化ケイ素、ＰＴＦＥ、有機ポリマー（限定されないが、ポリエステル、ｐｖｃ、スチレン、ポリビニルアルコール及びポリビニルアセテートを含む）、炭化水素ポリマー（限定されないが、ポリエチレン、ポリプロピレン及びポリセロシクス（ｐｏｌｙｃｅｌｌｏｓｉｃｓ）を含む）、無機骨格ポリマー（限定されないが、シロキサン、ポリホスファゼンを含む）、窒化ホウ素、ガリウムヒ素、ＩＩＩ／Ｖ族化合物、ＩＩ／ＶＩ族化合物、木材、合金及び酸化金属を含む金属（限定されないが、スチール、アルミニウム、ニッケル、鉄、マンガン、チタン、銅、亜鉛及びスズを含む）、セラミック（限定されないが、酸化アルミニウム、酸化セリウム、酸化マグネシウム、酸化チタン、酸化スズ、酸化亜鉛を含む）、及び、ガラス（限定されないが、ケイ酸塩ガラス、ホウ素ケイ酸塩ガラス及びケイ酸ナトリウムガラスを含む）から形成可能である。
【００７４】
本発明のある実施形態では、（本開示の方法によってナノチューブ要素の秩序ネットワークに変えられた）ナノチューブファブリック層を物質層から分離可能であり、独立したナノチューブファブリック層を実現する。
【００７５】
別の応用では、（例えば、大部分のナノチューブ要素が実質的に同じ方向に配向した）秩序ナノチューブファブリック層は、比較的均一な（例えば限定されないが、シート抵抗、電荷キャリアの均一性及び熱伝導のような）電気的又は物理的特性を表すナノチューブファブリックを提供することに使用可能である。このような秩序ナノチューブファブリック層は、限定されないが不揮発スイッチング要素、ナノチューブファブリックに基づいた論理装置及び熱伝導構造のような電子装置及び要素の製造に有用である。
【００７６】
他の応用では、実質的にギャップ及びボイドを有さない秩序ナノチューブファブリック層は隣接する物質層の上又は周りに保護バリア層を形成することに使用可能である。例えば、ナノチューブ要素の秩序ネットワークからなる薄いナノチューブファブリック層は、より厚い無秩序なナノチューブファブリック層上に形成可能である。このように、薄い秩序ナノチューブファブリック層（本質的にギャップ及びボイドを有さない）は、より厚い無秩序なナノチューブファブリック層、および、続くプロセスステップにおいて２つのナノチューブファブリック層上に堆積される任意の物質層（例えばタングステンのような導電接触層）の間にバリア層を提供する。別例では、最小のギャップ及びボイドを有する秩序ナノチューブファブリック層が、外部汚染物質（例えば水、触媒金属及びアモルファスカーボン）から下層の物質層を保護することに使用可能である。このような秩序ナノチューブファブリック層は、例えば、ＯＬＥＤ（有機発光ダイオード）ディスプレイ又は太陽電池のための実質的な疎水性保護層を形成することに使用可能である。別例では、このような秩序ナノチューブファブリック層は、梱包物のための保護包装を実現することに使用可能である。さらに別例では、このような秩序ナノチューブファブリック層は、車両のボディパネル上に防食層を形成することに使用可能である。
【００７７】
他の応用では、秩序ナノチューブファブリック層は、低い又は減少した摩擦コーティングを物質層上に提供することに使用可能である。ある応用では、（本開示の方法を介してナノチューブ要素が実質的に均一な方向に配向されている）秩序ナノチューブファブリック層は低い摩擦係数を表す。このようなナノチューブファブリック層は、（限定されないが、エンジンシリンダ、ピストン及びＭＥＭＳ装置内の可動要素のような）機械的システム内の可動部品間の摩擦を低減させることに使用可能である。また、このような秩序ナノチューブファブリック層は、（限定されないが調理器具及びスキーのような）所定の物体上に低摩擦コーティングを提供することに使用可能である。
【００７８】
図１は、ナノファブリック１２０上の例示の方向性のある力の伝達（又は転換）を示す示力図である。図１に示すとおり、適用（又は付加）された力１３０が、角度θでナノチューブファブリック１２０の表面に伝えられる（この例では、ナノチューブファブリック１２０が物質層１１０上に形成されている）。適用された力１３０の垂直成分１３０ｂ及び水平成分１３０ａがナノチューブファブリック１２０に作用して、適用された力１３０が方向１５０に沿ってナノチューブファブリック１２０に亘って移動される。適用された力１３０の水平成分１３０ａが、ナノチューブファブリック１２０の面内でナノチューブファブリック１２０に亘って働くことにより、ナノチューブファブリック層に亘る方向性のある力を形成する。本開示の（適用された力１３０の水平成分１３０ａが本質的に摩擦力である）実施形態によっては、適用された力１３０の垂直成分１３０ｂの大きさは、水平成分の大きさ、すなわち、方向性のある力の大きさを調節することに使用可能である。本開示に示されるとおり、ナノチューブファブリックに亘る方向性のある力の伝達は、ナノチューブファブリック内のナノチューブ要素を方向性のある力の経路に沿って実質的に配向した秩序ネットワークに配列させる傾向にある。ナノチューブファブリックに亘る方向性の力の伝達によってなされる仕事は、エネルギーをナノチューブファブリックに与え、それは個別のナノチューブ要素を配列することに使用される。本開示の実施形態によっては、方向性のある力の多数の反復（つまり、ナノチューブファブリックに亘る方向性の力の多数の通過）が、このようなエネルギーを付与して、より多くのナノチューブ要素を各連続的な通過で秩序配列に変える。
【００７９】
本開示は、ナノチューブファブリックに亘って方向性のある力を１又は複数の方向に伝達するための複数の装置を教示する。ある実施形態では、方向性のある力がナノチューブファブリック上に一度適用される。他の実施形態では、方向性のある力が複数回適用され、ナノチューブファブリックに亘って、方向性のある力の各反復が実質的に同じ経路に従う（この経路に亘って前後に移動するか、又は、各反復のために開始位置に戻ることにより、方向性のある力が一方向にだけ適用される）。ある実施形態では、（強度及び方向の点で）実質的に均一な方向性のある力が、ナノチューブファブリックに亘って適用されて、一方向に沿ってファブリック内のナノチューブ要素を配向させる。他の実施形態では、方向性のある力の強度及び方向が、ナノチューブファブリックの異なる領域ごとに選択されて、所定パターンにファブリック内のナノチューブ要素を配向させる。注目すべきであるが、本開示の好適な実施形態では、適用された力（図１の１３０）が非垂直角（つまりθが９０度でない）で適用され、且つ、複数の反復のために適用される。さらに、少ないよりも、多い反復を使用することが好ましい。
【００８０】
本質的に無秩序なナノチューブ要素のネットワークに亘って方向性のある力を適用することにより、ナノチューブ要素が本質的に秩序化した（整列した）ネットワークになり、ナノチューブ要素間のギャップ及びボイドの数を著しく制限し（ある応用では、実質的に排除し）、ナノチューブ要素を１又は複数の実質的に均一な方向に配向させる。図１の概略図が、ナノチューブファブリックに直接的に付加された直線方向の力の適用を示すが、本発明の方法がこの点に限定されないことに注目すべきである。本開示の方法に従って、当該方向性のある力を直接的に適用可能であり（例えば、装置が方向性のある力を直接的にファブリック層内のナノチューブ要素に適用する）又は伝達可能である（例えば、方向性のある力が別の物質を通して適用される）。さらに特定の応用では、ナノチューブファブリック層内の１又は複数のナノチューブ要素に直接的に適用された方向性のある力を、これら要素を通してファブリック層内の他のナノチューブ要素に伝達可能である。例示の方向性のある力は、限定されないが、圧延（ローリング）、摩擦（ラビング）、研磨（ポリッシング）及びクライオキネティック衝撃（ｃｒｙｏｋｉｎｅｔｉｃ  ｉｍｐｉｎｇｅｍｅｎｔ）を含む。このような力は、直線的に（つまり、直線に沿ってファブリック層の表面に亘って）、円弧状に又は回転的に、適用可能である。
【００８１】
前述したとおり、上述した方向性のある力が、自由に形成されて固定されたナノチューブファブリック上に適用可能であることに注目すべきである。つまり、実質的に乾燥し、完全に形成され、且つ、複数の自由なナノチューブ要素から形成されたナノチューブファブリック（つまり、ナノチューブのある範囲の移動を可能にする任意の懸濁媒体を有さないナノチューブファブリック）上である。すなわち、特定の応用の需要によって必要とされるとおり、ナノチューブ要素が精製（純化）され、選別され、選択され得るように、ナノチューブ要素が独立した処理において生成及び取得される。ある応用では、これにより、ナノチューブファブリック内のナノチューブ要素を配列させる方法を、該ファブリックを形成する方法から本質的に分離することを可能とする。このように本開示の方法は、（限定されないが、スピンコーティング、スプレーコーティング、ディップコーティング、シルクスクリーン印刷及びグラビア印刷のような）複数の堆積及び形成技術を通して所望の又は所定の密度、形状及び構成で形成したナノチューブファブリック層を配列させることに使用可能である。
【００８２】
さらに、本発明の方法は、垂直成長したフィルムを必要としない。前述したとおり、（実質的に整列した配列にそれらを平坦化するための方法と同様に）このような垂直成長したフィルムは、多くの応用において制限的である。例えば、垂直フィルムを平坦化するための従来の方法は、それらが一度平坦化されると、ナノチューブ要素を再配列させることができない点で制限される。示されるとおり、本開示の特定の実施形態では、複数回及び複数の方向に、自由に形成されて固定されたナノチューブファブリック層を配列させることに使用可能である。また、垂直成長フィルムは、ナノチューブフィルムが平坦でない物質層上に形成された応用においても制限され得る。堆積した触媒層から成長すると、このような応用において垂直成長したナノチューブは、下層の物質層のトポグラフィ（形状）に従う傾向にある。このような応用では、しかしながら、実質的な平坦頂面を提供するように、（例えば、スピンコーティング処理を介して）自由に形成されて固定されたナノチューブファブリックが比較的厚い層に堆積可能である。そして、本開示の方法は、この自由に形成されて固定されたナノチューブファブリックの一部又は全部を高密度な秩序化したナノチューブ要素のネットワークに配列させることに使用可能である。
【００８３】
注目すべきであるが、垂直成長ナノチューブフィルムは、成長したナノチューブ要素の種類及び質の点で制限される一方で、自由に形成されて固定されたナノチューブファブリック層を独立して選択された（場合によっては、純化及び／又は官能化された）ナノチューブ要素から構成することが可能である。このように、本開示の方法は、所定の構成で形成されたナノチューブファブリック内のナノチューブ要素を配列させることに使用可能である。例えば、本開示の方法は、金属性ナノチューブ、半導体性ナノチューブ又はこれらの組み合わせから形成されたナノチューブファブリック内のナノチューブ要素を配列させることに使用可能である。同様に、本開示の方法は、単層ナノチューブ、多層ナノチューブ又はこれらの組み合わせから形成されたナノチューブファブリック内のナノチューブ要素を配列させることに使用可能である。さらに、本開示の方法は、ナノチューブ及び（限定されないが、バッキーボール、シリカ粒子、アモルファスカーボン、銀ナノチューブ、量子ドット、コロイダルシルバー及び単分散ポリスチレンビーズのような）他の物質の複合物質であるナノチューブファブリック内のナノチューブ要素を配列させることに使用可能である。さらに、本開示の方法は、官能化されて特定の電気特性を有し、或いは、所望の方法における特定の物理的又は化学的条件で反応するナノチューブ要素から形成されたナノチューブファブリック内のナノチューブ要素を配列させることに使用可能である。
【００８４】
本発明のある実施形態では、ナノチューブファブリックに亘って物質表面を移動させることにより、方向性のある力がナノチューブファブリック上に適用される。別実施形態では、固定された物質表面に亘って（例えば、基板要素に固定された）ナノチューブファブリックを移動させることにより、方向性のある力が適用される。さらに、本開示の方法は、ナノチューブ要素及び他の物質の混合体を含むナノチューブファブリックを配列させることに使用可能である。このような物質は、限定されないが、バッキーボール、アモルファスカーボン、銀ナノチューブ、量子ドット（約２〜１０ｎｍ）、コロイダルシルバー（約２０ｎｍ）、単分散ポリスチレンビーズ（約２００ｎｍ）及びシリカ粒子（６００ｎｍ以下）を含むことができる。本開示の方法は、単層ナノチューブ又は多層ナノチューブ（又はこれらの組み合わせ）からなるナノチューブファブリック内のナノチューブ要素を配列させることに使用可能である。また、金属性ナノチューブ又は半導体性ナノチューブ（又はこれらの組み合わせ）からなるナノチューブファブリック内のナノチューブ要素を配列させることに使用可能である。
【００８５】
特定の応用では、ナノチューブファブリックの一部だけをナノチューブ要素の秩序ネットワークに配列させることが望まれている。このような応用は、特定の秩序領域と他の無秩序領域とを有するようにファブリックに要求し、或いは、ナノチューブファブリックの全多孔性が所定値だけ減少することを要求し、それは部分的なナノチューブファブリックの整列（秩序化）のみによって達成されるであろう。方向性のある力の強度、及び、方向性のある力がナノチューブファブリックに亘って伝達される回数（つまり反復数）の調整によって、ナノチューブファブリックが秩序化される度合いを簡単に制御できるので、本開示の方法は、（ナノチューブフィルム内のナノチューブ要素の位置を調整するための従来の方法と比較して）このような応用に適している。部分的にナノチューブファブリック層を秩序化すること（又は、ナノチューブファブリックの所定領域内のナノチューブのみを配列させること）への本開示のこのようなパラメータの使用は、続く図の説明において詳細に示され且つ説明される。
【００８６】
図２Ａは、互いに対して複数の配向に堆積された複数のナノチューブ要素２１０を備える実質的に無秩序なナノチューブファブリック層２０１を示す。当該ナノチューブファブリック層２０１では、ナノチューブ要素２１０間のギャップ及びボイドがファブリック層２０１を通して明らかである。換言すると、図２Ａに示されたナノチューブファブリック層２０１は、単位断面積当たりのナノチューブ要素２１０が比較的少ない低密度のナノチューブ要素２１０を有するとして見なされ得る。図２Ｂは、図２Ａに示した無秩序ナノチューブファブリック層２０１に合致するナノチューブファブリック層２０２を示すＳＥＭ画像である。
【００８７】
図２Ｃは、実質的に秩序化（整列）したナノチューブ要素２１０のネットワークを備えるナノチューブファブリック層２０３を示す。つまり、ナノチューブファブリック層２０３内のナノチューブ要素２１０は、実質的に均一な配列に配置されて、隣接するナノチューブ要素２１０がそれらの側璧に沿って１つに纏まり、実質的にナノチューブ要素間のギャップを排除する。換言すると、図２Ｃに示された秩序ナノチューブファブリック層２０３は、単位断面積当たりのナノチューブ要素２１０が比較的多い高密度のナノチューブ要素２１０を有するとして見なされ得る。図２Ｄは、図２Ｃに示した無秩序ナノチューブファブリック層２０３に合致するナノチューブファブリック層２０４を示すＳＥＭ画像である。
【００８８】
注目すべきであるが、図２Ａ及び図２Ｃの図面は、本開示の方法を説明するために単に提供され、これら方法の例示を補助するようになされていることである。特には、図２Ａ及び２Ｃで図示されたナノチューブ要素２１０の相対的なサイズ、位置及び密度は、無秩序なナノチューブファブリック層（図２Ａ）及び秩序ナノチューブファブリック層（図２Ｃ）の間で相対的な配向の変化を論理的に示すように設計され、且つ、均一なスケールに描写されていない。実際、当業者には明らかであるが、両方の例示のナノチューブファブリック層２０１及び２０３では、ナノチューブ要素２１０が、隣接するナノチューブ要素２１０間で実質的に重なり、接触した状態で、より緊密に１つに充填されるであろう。さらに、個別のナノチューブ要素２１０間のギャップサイズは、ナノチューブ要素２１０のサイズと比べて非常に小さいであろう。図２Ｂ及び２Ｄ（それぞれ無秩序なナノチューブファブリック及び秩序ナノチューブファブリックの実際のＳＥＭ画像）は、図２Ａ及び２Ｃに示された本質的な略図を補うように、このようなファブリックの現実の画像を提供するように含まれている。
【００８９】
図３Ａ〜３Ｆは、（図２Ａ及び２Ｂに図示されたナノチューブファブリック層２０１及び２０２のような）実質的に無秩序なナノチューブファブリック層を（図２Ｃ及び２Ｄに図示されたナノチューブファブリック層２０３及び２０４のような）ナノチューブ要素の秩序ネットワークに変えるための例示のプロセスを示している。図３Ａ〜３Ｆに詳述される当該例示のプロセスは、本開示の方法のディスカッション（具体的には、無秩序なナノチューブファブリック層をナノチューブ要素の秩序ネットワークに変えるための方向性のある力の使用）を（比較的高レベルで）導入及び促進することを意図している。このように、図３Ａ〜３Ｆに詳述される例示のプロセスは、概観の目的で、最初に方向性のある力を適用するように圧延プロセスの使用を導入するが、このプロセスは、図７Ａ〜７Ｃの説明においてより詳細に説明される。さらに、本開示は、このような方向性のある力をナノチューブファブリック層に適用するための圧延、摩擦、研磨及びクライオキネティック（凍結動的）衝突を含む複数の他のプロセスを（後続の図において）詳述する。
【００９０】
図３Ａ〜３Ｆに示された例示のプロセスにおいて、実質的に無秩序なナノチューブファブリック層が、３つの堆積工程を介して最初に形成される。つまり、３つの堆積工程（例えば３つのスピンコーティング工程）は、前に形成された層上に各連続層が形成されるように、３つの別々に堆積したナノチューブ要素の層を介して形成された無秩序なナノチューブファブリック層を実現するように実行される。前述したとおり、このような無秩序なナノチューブファブリック層は、限定されないが、スプレーコーティングプロセス、ディップコーティングプロセス、シルクスクリーン印刷プロセス及びグラビア印刷プロセスのような複数の堆積法を通して実現可能である。さらに、ある応用では、物質表面上のナノチューブのＣＶＤ成長が、無秩序なナノチューブファブリック層を実現することに使用可能である。個々の堆積層の厚みは、限定されないが、ナノチューブ塗布溶液の濃度、スピンコーティング工程に使用される基板の回転速度のような複数の要因を通して選択可能である。さらに、図３Ａ〜３Ｆにおいて示された例示のプロセスは、具体的に３つの堆積工程を示しているが、ナノチューブファブリック層の形成はこれに限定されない。実際、特定の応用の必要性に応じて、このようなナノチューブファブリック層は、１つの堆積工程又は複数の堆積工程において形成されてもよい。
【００９１】
以下の図３Ａ〜３Ｆの説明で詳述されるとおり、ローラー装置が、無秩序なナノチューブファブリック層上に方向性のある力を適用することに使用される。この例示のプロセスでは、この方向性のある力は、直線経路に沿って無秩序なナノチューブファブリック層に亘って伝達され、下層のナノチューブ要素をこの直線経路に平行な実質的に均一な配向に調整する。また、ある応用では、個々の堆積層が、適用された方向性のある力の下で互いに圧縮して、結果として層全体の厚みを減少させる。このように、無秩序なナノチューブファブリック層の領域がナノチューブ要素の秩序ネットワークに変えられる。
【００９２】
図３Ａ〜３Ｆに示された例示のプロセスでは、ナノチューブファブリック層の平面に垂直な力が、ナノチューブファブリック層に対してローラー装置を適用することに使用されて、結果として、ローラー装置が移動するとナノチューブファブリック層上に下方の圧力を生じる。実施形態によっては、この圧力は比較的に小さい（例えば、ローラー要素がナノチューブファブリック層に亘って移動するときの実質的にローラー要素自体の重さであり、例えば約１０パスカル）。他の実施形態では、この力は大きい（例えば約２００パスカル）。ローラー装置及びナノチューブファブリック層の間の（適用された垂直の力によって提供された）当該増加した圧力は、ナノチューブファブリック層に亘って伝達される方向性のある力を増加させる。上述したとおり、（ローラー装置及びナノチューブファブリック層の間に増加した圧力を適用するために垂直の力を使用することと同様に）このような圧延工程は、図７Ａ〜７Ｃの説明においてより詳細に説明される。
【００９３】
図３Ａを参照すると、第１プロセスステップ３０１では、基板要素３１０が提供される。この基板要素３１０は、特定の応用の必要性に最も適合する複数の物質から形成可能である。例えば、ある応用では、基板要素３１０はシリコンウエハであってもよい。他の応用では、基板要素３１０は、限定されないがタングステン、アルミニウム、銅、ニッケル、パラジウム、窒化チタン及び窒化タングステンのような導電物質層であってもよい。さらに他の応用では、基板要素３１０は、限定されないが、シリコン及びガリウム砒素のような半導体物質層であってもよい。他の応用では、基板要素３１０は、限定されないが、酸化ケイ素及び酸化アルミニウムのような誘電体層であってもよい。他の応用では、基板要素３１０は、限定されないが、ポリフルオレン、ポリチオフェン、ポリアセチレン、ポリピロール、ポリアニリン、ポリ（ｐ−フェニレン硫化物）及びポリ（ｐ−フェニレンビニレン）のような有機半導体層であってもよい。ある応用では、基板要素３１０は、限定されないが、金属（例えばスチール又はアルミニウム）、セラミック又はガラスのような剛性物質から形成されてもよい。別の応用では、限定されないが、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリメチルメタクリレート、ポリアミド、ポリサルフォン及び多環式オレフィンであるプラスチックフィルム又はシートのような可撓性物質から形成されてもよい。
【００９４】
図３Ｂを参照すると、次のプロセスステップ３０２では、無秩序なナノチューブ要素３２０が基板要素３１０上に形成される。この第１層は、例えば、前述したスプレーコーティングプロセス、ディップコーティングプロセス、シルクスクリーン印刷プロセス及びグラビア印刷プロセスを介して形成可能である。また、ある実施形態では、このような層は、物質表面上のナノチューブのＣＶＤ成長を通して形成されてもよい。図３Ｃを参照すると、次のプロセスステップ３０３では、無秩序なナノチューブ要素３２０の第２層が第１層上に形成される。図３Ｄを参照すると、次のプロセスステップ３０４では、無秩序なナノチューブ要素３２０の第３層が第２層上に形成される。このように、実質的に無秩序なナノチューブネットワークの３つの個別の堆積層を本質的に備えるナノチューブファブリック層が基板要素３１０上に形成される。
【００９５】
図３Ｅを参照すると、次のプロセスステップ３０５では、圧延装置３３０が使用されて、堆積ナノチューブファブリック層上に方向性のある力を適用する。この方向性のある力は、直線方向３９０に沿って無秩序なナノチューブファブリック層の表面上に伝達される。圧延装置３３０は、圧延要素３３０ａを含んでおり、堆積ナノチューブファブリック層上を通過して、下層のナノチューブ要素を圧延方向３９０に平行な実質的に均一な配向に調整する。ある実施形態では、圧延要素３３０が堆積ナノチューブファブリック層上を１度通過する。他の応用では、圧延要素３３０が堆積ナノチューブファブリック層上を、実質的に各通過と同じ直線経路に従って複数回（例えば、約５０回、別例では、約２５０回）通過する。図３Ｅに図示されていないが、実施形態によっては、（限定されないが、ＰＥＴ層のような）柔軟物質の中間バリア層が、圧延装置３３０の適用前に堆積ナノチューブファブリック層上に配置される。圧延要素３３０ａは、限定されないが、（限定されないが鉄、コバルト、ニッケル、亜鉛、タングステン、クロム、マンガン、マグネシウム、チタン、アルミニウム、及び、スチール類を含むそれらの合金のような）金属、ゴムを含むポリマー、（ポリスチレンを含む）プラスチック、メラミン、シリコン、ポリカーボネート、磁器、（酸化ケイ素及び他の結晶性固体を含む）ガラス、アルミナ、炭化ケイ素及び木材を含む複数の物質から形成可能である。
【００９６】
図３Ｆを参照とすると、堆積ナノチューブファブリック層の圧延領域３５０が、（構造３０６において示されているとおり）ナノチューブ要素３２０の秩序ネットワークに変えられている。図３Ｆに示されているとおり、この圧延領域３５０は、ナノチューブ要素３２０間にギャップ又はボイドを本質的に表していない。ある実施形態では、追加のプロセスステップは、ナノチューブ要素３２０の秩序ネットワークに高温アニールプロセスを提供するように使用されてもよく、例えば、基板要素３１０及びナノチューブファブリック層を（特定応用の必要性に応じて）４００℃から６２５℃の範囲内で所定時間（例えば約３０分）焼成する。この高温アニールプロセスは、実施形態によっては、ファブリックのさらなる処理の間の化学的又は物理的条件への連続的な曝露は、１度配向された秩序ナノチューブファブリック層を乱すことを防止することに有用である。例えば、ある実施形態では、このような高温アニールプロセスが、秩序ナノチューブファブリックを実質的な疎水性状態に変えることが可能であり、配列したナノチューブが水に曝されたときに反応することを防止する。しかしながら、注目すべきであるが、実施形態によっては、特定の化学的又は物理的条件への感度が特定の応用にとって有用であり得る。例えば、特定の化学的又は物理的条件に曝露されたときにファブリック内の局所的な変化を表す秩序ナノチューブファブリックは、センサ用途或いは保存及び／又は記録の用途において有用である。
【００９７】
注目すべきであるが、図３Ａ〜３Ｆの図面は、本発明の方法を説明するために単に提供され、これら方法の例示を補助するようになされていることである。特には、図３Ａ〜３Ｆで図示された異なる構造要素の相対的なサイズが均一なスケールに描写されていない。実際、当業者には明らかであるが、ナノチューブ要素３２０が、圧延装置３３０よりも非常に小さく、この要素３２０間の実際のギャップサイズも同様である。
【００９８】
図３Ａ〜３Ｆに図示された例示のプロセスが１つの直線経路に沿って方向性のある力を適用してナノチューブファブリック層を秩序（整列）状態に変えるが、本発明の方法はこの点で限定されない。実際、実施形態によっては、複数の方向性のある力が、複数の方向に連続して適用されることにより、ナノチューブファブリック層内で、隣接する秩序領域のナノチューブ要素が異なる方向に配向された複数の領域を実現可能である。他の応用では、回転方向の力を無秩序なナノチューブファブリック層上に適用可能であり、ナノチューブファブリック層内に秩序ナノチューブ要素の領域を形成する。図４〜６は、異なる方向の力の適用を示し、本開示の方法に従ってナノチューブファブリックを整列したナノチューブ要素のネットワークに変える。
【００９９】
図４を参照すると、無秩序なナノチューブファブリック層を、適用された直線的な力の使用を通して一方向に沿って実質的に配向して整列したナノチューブ要素のネットワークに変えるための例示の方法が示されている。例示のプロセスの最初に、複数のナノチューブ要素４１０を備える無秩序なナノチューブファブリック層４０１が提供される。そして、直線方向の力が無秩序なナノチューブファブリック層４０１上に適用される（例えば、圧延力が図４に示された方向に５０回適用される）ことにより、部分的な秩序ナノチューブファブリック層４０２を実現する。該部分的な秩序ナノチューブファブリック層４０２は、整列したナノチューブ要素の領域４２０を表し、そこでは、当該ナノチューブ要素は適用された力の方向に配向されている。これら領域４２０内のナノチューブ要素は、側壁に沿って纏まっており、結果として、これら領域４２０内にギャップ又はボイドを本質的に生成しない。そして、直線方向の力が再度同じ方向に沿って適用され（例えば、同じ圧延力が５０回適用され）、秩序ナノチューブファブリック層４０３を実現する。秩序ナノチューブファブリック層４０３では、本質的に全てのナノチューブ要素４１０が、適用された力の方向に沿って実質的に均一な配向に変えられる。図４に示すとおり、秩序ナノチューブファブリック層４０３は実質的にギャップ及びボイドを有さない。
【０１００】
図５を参照すると、無秩序なナノチューブファブリック層を、複数の方向に沿って適用された直線的な力の使用を通して複数の方向に実質的に配向して整列したナノチューブ要素のネットワークに変えるための例示の方法が示されている。例示のプロセスの最初に、複数のナノチューブ要素５１０を備える無秩序なナノチューブファブリック層５０１が提供される。そして、第１の直線方向の力が無秩序なナノチューブファブリック層５０１上に第１方向（図５参照）に適用されることにより、第１の部分的な秩序ナノチューブファブリック層５０２を実現する。この第１直線の力は、例えば、２０回適用された摩擦の力である。第１の部分的な秩序ナノチューブファブリック層５０２は、整列したナノチューブ要素の領域５２０を表し、そこでは、当該ナノチューブ要素は第１の適用された力の第１方向に配向されている。これら領域５２０内のナノチューブ要素は、側壁に沿って纏まっており、結果として、これら領域５２０内にギャップ又はボイドを本質的に生成しない。そして、第２の直線方向の力が第２方向に沿って適用され（図５参照）、第２の部分的な秩序化ナノチューブファブリック層５０３を実現する。この第２の直線的な力は、例えば、第２方向に２０回適用された別の摩擦の力であってもよい。第２の部分的な秩序ナノチューブファブリック層５０３は、複数の領域５３０を示し、そこでは、当該ナノチューブ要素が第２の適用された力の方向に配向されている。
【０１０１】
注目すべきであるが、秩序（整列）領域５２０内のナノチューブ要素５１０（つまり、第１の直線的な力の適用によって配向されたナノチューブ要素）は、一般的に、第２の直線方向の力の適用によって実質的に影響を受けない。つまり、一度、ナノチューブ要素５１０が第１方向に沿って実質的に配向された秩序ネットワークに十分に変えられた場合、当該領域内のナノチューブ要素は、その秩序状態を維持する傾向にあり、第２方向に適用された力に曝されたときでさえ、無秩序なナノチューブ要素よりももっと顕著に配向の変化に対抗する。注目すべきであるが、しかしながら、実施形態によっては、第２の直線方向の力の持続的な付加が、第２方向の力の向きに沿ってナノチューブの秩序ネットワークを再整列させる。
【０１０２】
図５に示すとおり、第２の秩序ナノチューブファブリック層５０３は、第１方向に沿って配向した領域５２０及び第２方向に沿って配向した領域５３０を含む。両方の領域のセット（５２０及び５３０）では、ナノチューブ要素５１０がそれらの側壁に沿って纏まり、結果として、これら領域（５２０及び５３０）が本質的にギャップ及びボイドを有さない。第２の部分的な秩序ナノチューブファブリック層５０３内の無秩序なナノチューブ要素５１０の残りの領域は、追加の方向性のある力の適用を通して秩序状態に変えることができる。
【０１０３】
図６を参照すると、回転方向の力の使用を通して無秩序なナノチューブファブリック層を（複数の方向に実質的に配向したファブリック層の異なる領域を有する）秩序的なナノチューブ要素のネットワークに変える例示のプロセスが図示されている。例示のプロセスの最初に、複数のナノチューブ要素６１０を備える無秩序なナノチューブファブリック層６０１が提供される。そして、回転方向の力が無秩序なナノチューブファブリック層６０１上に適用されることにより、部分的な秩序ナノチューブファブリック層６０２を提供する。このような回転方向の力は、例えば、１分当たり約６０回転でウール研磨パッドを約９０秒間回転させることにより適用可能である（このような回転方向の力を適用するために適切な装置は図１１Ａ及び１１Ｂに図示されており、以下に詳細に説明する。）。部分的な秩序ナノチューブファブリック層６０２は、整列したナノチューブ要素の複数の領域６２０を表す。これら領域６２０ではナノチューブ要素は、その側壁に沿って纏まっており、結果として、これら領域６２０内にギャップ又はボイドを本質的に生成しない。回転方向の力によって、これら秩序領域６２０が異なる方向に配向する。部分的な秩序ナノチューブファブリック層６０２内の無秩序なナノチューブ要素６１０の残りの領域は、追加の方向性のある力の適用を通して秩序状態に変えることができる。
【０１０４】
注目すべきであるが、前述の概略図における部分的な秩序ナノチューブファブリック層（つまり、図４、５及び６のナノチューブファブリック層４０２、５０２及び６０２）が、最初に、適用された方向性のある力に応答する比較的狭い帯域にそれら自体を整列させ始めるナノチューブファブリック層を表している。この点で、さらに注目すべきであるが、これら概略図が、図２０Ａ及び２５Ｂの例示のＳＥＭ画像内に描写された部分的な秩序ナノチューブファブリックに対応している。理論に縛られたくはないが、特定の実施形態では、無秩序なナノチューブファブリック内の特定数のナノチューブ要素が、適用される方向性のある力の方向に当初より配向されていることが信じられている。適用された方向性のある力に応答して、（僅かに異なる配向に配置されているが）これら特定のナノチューブ要素に隣接するナノチューブ要素は、既に所望の方向に配向したナノチューブ要素の配向に適合するようにそれらの配向を調整する傾向にある。これら実施形態では、最終的にナノチューブファブリック層全体が実質的に均一な配向に調整されるまで、増大した方向性のある力の適用（反復）が、より多くの無秩序なナノチューブ要素を、これら当初のナノチューブ要素と一致する配向に調整させる傾向にあることが信じられている。
【０１０５】
実質的に無秩序な（あるいは、ある応用では部分的に整列した）ナノチューブファブリックをナノチューブ要素の秩序ネットワークに配列させることに１又は複数の方向への比較的高いレベルの方向性のある力を具体的に利用することに関する本開示の方法を示すことにより、本開示はこのような方向性のある力を適用するための複数の方法を詳細に説明する。特には、図７Ａ〜７Ｂは、方向性のある力を適用するための圧延装置の使用を詳細に示す。図８Ａ〜８Ｂは、直線運動における方向性のある力を適用するための摩擦装置の利用を詳細に示す。図９Ａ〜９Ｂは、円弧運動の方向性のある力を適用するための摩擦装置の利用を詳細に示す。図１０Ａ〜１０Ｂは、直線方向への方向性のある力を適用するための研磨装置の利用を詳細に示す。図１１Ａ〜１１Ｂは、回転方向の力を適用するための研磨装置の利用を詳細に示す。図１２Ａ〜１２Ｂは、方向性のある力を適用するためのクライオキネティック衝撃装置の利用を詳細に示す。図１３Ａ〜１３Ｂは、大きいスケールで回転方向の力を適用するためのロールトゥロール（ｒｏｌｌ−ｔｏ−ｒｏｌｌ）研磨装置の利用を詳細に示す。
【０１０６】
図７Ａ〜７Ｂを参照すると、直線方向の力をナノチューブファブリック層に亘って適用するのに適切な圧延装置が図示されている。図３Ａ〜３Ｆの例示のプロセスに簡潔に示したとおり、ある応用では、方向性のある圧延力は、形成ナノチューブ層上に円筒要素を１又は複数回で回転させることによって適用可能である。円筒要素は、限定されないが、（限定されないが鉄、コバルト、ニッケル、亜鉛、タングステン、クロム、マンガン、マグネシウム、チタン、アルミニウム、及び、スチール類を含むそれらの合金のような）金属、ゴムを含むポリマー、（ポリスチレンを含む）プラスチック、メラミン、シリコン、ポリカーボネート、磁器、（酸化ケイ素及び他の結晶性固体を含む）ガラス、アルミナ、炭化ケイ素及び木材を含む複数の物質から形成可能である。実施形態によっては、この円筒要素は、ナノチューブファブリック層に直接的に適用される。他の実施形態では、限定されないが、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムのような中間層が、ナノチューブファブリック層と円筒要素表面との間に存在する。実施形態によっては、円筒要素が形成ナノチューブ層上を１回転する。他の実施形態では、円筒要素が形成ナノチューブ層上を約５０回転する。さらに他の実施形態では、円筒要素が形成ナノチューブ層上を約２５０回転する。実施形態によっては、円筒要素がナノチューブファブリック層上を通過するときに、追加の下方の力が適用されない。つまり、実質的に円筒要素の重量だけが、（例えば、ローラー装置が移動したときにナノチューブファブリック層上に約５００パスカルの圧力を提供する）下方の付加力を占める。別実施形態では、例えば、押圧機構の利用を通して、或いは、一定距離で離間して保持された一対の円筒ローラーにナノファブリックでコーティングされた基板を通過させる圧延装置の利用を通して、追加の下方の力（例えば、約５０ニュートン、又は、別例では約５００ニュートン）が円筒要素に適用される。このような実施形態では、この追加の下方の力は、ローラー装置が通過するとナノチューブファブリック層上に非常に大きい圧力（例えば約２０，０００パスカル）を提供する。
【０１０７】
図７Ａ及び７Ｂは、それぞれ斜視図及び応用概略図であり、本開示の方法に従って堆積ナノチューブファブリック層上に圧延力を適用するのに適切な例示の圧延装置７００を表している。ナノチューブファブリック層でコーティングされた基板要素７１０が、方向７９０に沿って上方ローラー要素７２０と下方ローラー要素７３０との間を通過する。上方ローラー要素７２０は、調整機構７４０を通してフレーム７５０内で調整可能であり、所望の圧延力が方向７９５に沿って基板要素７１０上に適用され、且つ、それが上方及び下方ローラー要素（７２０及び７３０）間を通過したときに、方向７９０に沿って基板要素７１０上に堆積したナノチューブファブリック層に亘って伝達される。このように、圧延力が、１又は複数回でナノチューブファブリック層に亘って適用可能であり、ナノチューブ層を整列したナノチューブ要素のネットワークに変える。図１９ａ〜１９Ｃ（詳細に後述する）は、このような方向性のある圧延力の適用後の例示のナノチューブファブリック層を示すＳＥＭ画像である。
【０１０８】
図８Ａ〜８Ｂを参照すると、直線方向の力をナノチューブファブリック層に亘って適用するのに適切な摩擦装置が図示されている。ある実施形態では（図８Ａ〜８Ｂの例示の装置に示されているとおり）、最初に基板層上にナノチューブファブリック層を形成し、続いて摩擦面に亘って当該ナノチューブファブリック層を１又は複数回、スライドさせる（ナノチューブファブリック層が摩擦面に直接的に接触する）ことにより、方向性のある摩擦力をナノチューブファブリック層に適用可能である。別の実施形態では、摩擦面は、形成ナノチューブファブリック層上で移動可能である。（つまり、例えば、図２１の例示の装置のように、摩擦要素が移動する一方でナノチューブファブリック層が所定位置に固定される。）本開示の方法では、摩擦要素が、平滑な界面をナノチューブファブリックに提供してナノチューブファブリックの擦り傷やスクラッチを最小化する平坦物質のシートを備える。このような摩擦面又は摩擦要素は、限定されないが、元素シリコンウエハ、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、セルロースアセテート、セルロース（例えばレーヨン）、ポリエステル（例えばポリエチレンテレフタレート及びポリブチレート）、ポリアミド（例えば、市販のナイロン）、前述のポリマー材料型又は天然物質（例えば、レザー、ファイバー又はシートのようなセルロース物質）の混合を含む（繊維性、泡状、ファブリック又はフィルム形態の）高分子材料、及び、（限定されないがスターチ及び水の半硬質スラリー）半硬質スラリーを含む複数の物質から形成可能である。
【０１０９】
ある実施形態では、ナノチューブファブリック層が摩擦面上を１回通過する。他の実施形態では、ナノチューブファブリック層が摩擦面上を約２０回通過する。さらに他の実施形態では、ナノチューブファブリック層が摩擦面上を約２５０回通過する。実施形態によっては、ナノチューブファブリック層が摩擦面上を１方向の動きで通過する。（つまり、初期位置から設定距離だけ摩擦面に対して前進し、そして、摩擦面から持ち上げられ、続く摩擦路のために当該初期位置に戻る。）他の実施形態では、ナノチューブファブリック層が摩擦面上を２方向の動きで通過する。（つまり、初期位置から設定距離だけ摩擦面に対して前進し、そして、摩擦面に対して初期位置に再び後退する。）
【０１１０】
ある実施形態では、（方向性のある力に対して直角に適用される）垂直の力が、基板要素又は摩擦面のいずれか一方（又は両方）に適用されることにより、２つの物質間の圧力を調整し、すなわち、ナノチューブファブリック層に亘って移動するときの方向性のある力の強度を調整する。実施形態によっては、追加の下方の力によって提供される圧力が約３００〜８００パスカルである。他の実施形態では、この追加の下方の力で提供される圧力が１０００パスカルよりも大きい。特定の実施形態では、このような圧力は、ファブリック層を損傷させ又は剥離させない限りにおいて、下層のナノチューブファブリック層内の整列（秩序化）の速度又は質を増大させる。
【０１１１】
図８Ａ及び８Ｂは、それぞれ斜視図及び応用概略図であり、本発明の方法に従ってナノチューブファブリック層上に方向性のある摩擦力を適用するのに適切な例示の摩擦装置８００を表している。この例では、ナノチューブファブリックが基板要素８１０上に形成され、そして、基板要素８１０が固定された摩擦面８２０に亘って移動される。（ナノチューブファブリック層でコーティングされた）基板要素８１０は、（真空ポンプ８７０を使用して）バキュームプレート８４０に対して固定され、ナノチューブファブリック層が摩擦面８２０に対向するように摩擦面８２０に対して配置されている。キャリア機構８５０が、バキュームプレート８４０の周囲に固定され、方向８９０に沿って摩擦面８２０に亘って基板要素８１０を前進させることに使用される。加重要素８６０が、バキュームプレート８４０の上に配置されて、ナノチューブファブリック層と摩擦面８２０との間に適用される圧力を増加させる。加重要素８６０によって方向８９５に提供された追加の力は、基板要素８１０を摩擦面８２０に亘って移動させるときに、ナノチューブファブリック層に亘って方向８９０に伝達される。このように、摩擦力は、１又は複数回でナノチューブファブリック層に亘って適用可能であり、ナノチューブ層を整列したナノチューブ要素のネットワークに変える。図２０Ａ〜２０Ｃ、２１Ａ〜２１Ｃ及び２２Ａ〜２２Ｃ（詳細に後述する）は、このような方向性のある摩擦力の適用後のナノチューブファブリック層を示すＳＥＭ画像である。
【０１１２】
図９Ａ〜９Ｂを参照すると、円弧運動で方向性のある力をナノチューブファブリック層に亘って適用するのに適切な摩擦装置が図示されている。ある実施形態では、円弧運動で形成ナノチューブファブリック層表面に亘って摩擦要素を通過することによって、方向性のある摩擦力をナノチューブファブリック層に適用することができる。例えば、基板要素上に堆積したナノチューブファブリック層に亘って浅い円弧で前後に摩擦パッドを通過するように、化学機械研磨（ＣＭＰ）装置（基板がＣＭＰ装置のバキュームプレートに固定位置に保持される。）を使用可能である。このような摩擦パッドは、典型的には、ポリウレタン物質から形成可能である。しかし、限定されないが、ポリエステル及びポリアミドマイクロファイバー、ポリエステルの他の形態（例えば、ポリエステルの繊維性、泡状、ファブリック又はフィルム形態）、ポリアミド及び他のポリマー、スチレン、ポリビニルアルコールフォーム、コットン、ウール、セルロース、及び、レーヨンを含む他の物質からなってもよい。
【０１１３】
図９Ａ及び９Ｂは、それぞれ斜視図及び応用概略図であり、本発明の方法に従ってナノチューブファブリック層上に円弧運動の方向性のある摩擦力を適用するのに適切な第１の例示の摩擦装置９００を表している。ナノチューブファブリック層でコーティングされた基板要素９１０がキャリアアセンブリ（組立体）９４０内に配置される。（装置表面９７０内の所定位置に固定された）摩擦面９２０に亘って回動機構９６０で弧状に回転する調整可能なアーム９５０によってキャリアアセンブリ９４０を移動させることにより、基板要素９１０表面に堆積したナノチューブファブリック層を方向９９０に摩擦面９２０上に通過させる。このように、摩擦方向の力が１又は複数回でナノチューブファブリック層に亘って適用可能であり、ナノチューブ層を整列したナノチューブ要素のネットワークに変える。図２３Ａ〜２３Ｃ（詳細に後述する）は、このような方向性のある摩擦力の適用後のナノチューブファブリック層を示すＳＥＭ画像である。注目すべきであるが、図２３Ａ〜２３Ｃでは、広域な円弧運動で適用された摩擦方向の力を介して秩序化したナノチューブファブリックは、実質的に直線方向に整列する傾向にある。
【０１１４】
図１０Ａ〜１０Ｂを参照すると、直線運動で方向性のある力をナノチューブファブリック層に亘って適用するのに適切な研磨装置が図示されている。例えば柔軟な研磨物質（限定されないが、ウール及びベロア）でコーティングされると共にその長軸の周りを回転する硬質シリンダのような円筒研磨要素が、それがナノチューブファブリック層の領域上を直線的に繰り返し数分間移動するときに（回転シリンダがナノチューブファブリック層に接触する）、１分ごとに約１５〜２０回転（ＲＰＭ）で回転可能である。適切な研磨物質は、限定されないが、ポリエステル及びポリアミドマイクロファイバー、ポリエステルの他の形態（例えば、ポリエステルの繊維性、泡状、ファブリック又はフィルム形態）、ポリアミド及び他のポリマー、スチレン、ポリビニルアルコールフォーム、コットン、ウール、セルロース、及び、レーヨンを含み得る。ナノチューブファブリック層を移動するときに研磨物質に適用される力は、２つの物質間の圧力を増加させるように選択可能である。例えば、ある実施形態では、適用される力は、ナノチューブファブリック層に対して研磨物質のナップ（表面のけば）を約５０％圧縮させるように選択される。実施形態によっては、この力が完全に研磨物質のナップを圧縮すると共に研磨物質の裏打ちをナノチューブファブリック層に物理的に接触させることを防止することが重要である。このような実施形態では、この接触の結果、裏打ち層がナノチューブファブリック層を傷付け或いは損傷させる虞がある。ある実施形態では、この適用された力は、約５から１００パスカルの圧力をナノチューブファブリック層に亘って生成する。他の実施形態では、この適用された力は、約５００パスカルの圧力を生成する。
【０１１５】
図１０Ａ及び１０Ｂは、それぞれ斜視図及び応用概略図であり、本開示の方法に従って堆積ナノチューブファブリック層上に方向性のある力を適用するのに適切な第２の例示の研磨装置１０００を表している。ナノチューブファブリック層でコーティングされた基板要素１０１０がバキュームテーブル１０７０の所定位置に固定されている。円筒研磨要素１０２０がトラック要素１０５０内に配置されて、円筒研磨要素１０２０の表面を覆う研磨物質が、基板要素１０１０上に堆積したナノチューブファブリック層に対して配置される。円筒ローラー１０２０を方向１０９０に（例えば６０ｒｐｍで）回転させ、そして、トラック要素１０５０内を移動させることにより、円筒研磨要素１０２０によって適用された力が、基板要素１０１０上に堆積されたナノチューブファブリック層に亘って伝達される。このように、研磨力が１又は複数回でナノチューブファブリック層に亘って適用可能であり、ナノチューブ層を整列したナノチューブ要素のネットワークに変える。図２４Ａ〜２４Ｃ（詳細に後述する）は、このような研磨の方向性のある力の適用後のナノチューブファブリック層を示すＳＥＭ画像である。
【０１１６】
図１１Ａ〜１１Ｂを参照すると、回転方向の力をナノチューブファブリック層上に適用するのに適切な研磨装置が図示されている。研磨要素を形成ナノチューブファブリック層の表面上で回転させることにより、回転方向の力をナノチューブファブリック層に適用可能である。例えば、研磨パッドをナノチューブファブリック層上に配置して、設定時間（例えば約９０秒）回転させることができる。研磨要素のための適切な物質は、限定されないが、ポリエステル及びポリアミドマイクロファイバー、ポリエステルの他の形態（例えば、ポリエステルの繊維性、泡状、ファブリック又はフィルム形態）、ポリアミド及び他のポリマー、スチレン、ポリビニルアルコールフォーム、コットン、ウール、セルロース、及び、レーヨンを含み得る。ある実施形態では、特定のデニール仕様（デニールは、繊維９０００メートル当たりのグラム重量を示す織物の特性である）に従って選択可能である。実施形態によっては、ナノチューブファブリック層上を回転するときに２つの物質間の圧力を増加させるように、追加の力が研磨要素に適用される。研磨要素が回転されると、この追加の力がナノチューブファブリック層に亘って伝達される。ある実施形態では、この適用された力が、ナノチューブファブリック層に亘って約２から５パスカルの圧力を生成する。他の実施形態では、この適用された力は約１００パスカルの圧力を生成する。
【０１１７】
図１１Ａ及び１１Ｂは、それぞれ斜視図及び応用概略図であり、本開示の方法に従って堆積ナノチューブファブリック層上に回転研磨力を適用するのに適切な例示の装置１１００を表している。ナノチューブファブリック層でコーティングされた基板要素１１１０がバキュームテーブル１１７０の所定位置に固定されている。研磨要素１１２０が回転アセンブリ１１４０内に固定され、且つ、調整アーム１１５０と共に配置されており、研磨要素１１２０が、基板要素１１１０上に堆積されたナノチューブファブリック層に対して配置されている。そして、研磨要素１１２０が方向１１９０に所定位置で（例えば、１分当たり６０回転で６０秒間）回転される。このように、回転研磨力がナノチューブファブリック層に亘って適用可能であり、ナノチューブ層を整列したナノチューブ要素のネットワークに変える。図２５Ａ〜２５Ｃ（詳細に後述する）は、このような研磨回転力の適用後のナノチューブファブリック層を示すＳＥＭ画像である。
【０１１８】
図１２Ａ〜１２Ｂを参照すると、方向性のある力をナノチューブファブリック層上に適用するのに適切なクライオキネティック衝撃装置が図示されている。クライオキネティックプロセスの使用を通して、方向性のある研磨力をナノチューブファブリック層に適用可能である。図１２Ａ〜１２Ｂは、本開示の方法での使用に適切な例示のクライオキネティック衝撃装置を表している。このような装置では、アプリケーションワンド（散布棒、ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ  ｗａｎｄ）１２５０が、挟角（例えばナノチューブファブリック層平面に対して約１５度）で冷凍粒子１２２０のスプレーを比較的高速（例えば、約６０ＰＳＩＧの圧力で推進する）でナノチューブファブリック層１２１０上に向けるのに使用される。これら冷凍粒子１２２０の衝突が方向性のある力を提供し、アプリケーションワンド１２５０が方向１２９０に沿って移動されるとナノチューブファブリック層１２１０に亘って当該方向性のある力が伝達される。このようなシステムでは、冷凍粒子１２２０は、限定されないが、二酸化炭素（ＣＯ２）又はアルゴンのような冷凍ガスの米粒大の粒子（例えば、約０．１２５インチ径）である。
【０１１９】
図１２Ａ及び１２Ｂは、それぞれ、クライオキネティック衝撃システムの斜視図及び応用概略図である。ナノチューブファブリックコーティングされたウエハ１２１０がバキュームプレート１２３０に固定されて、研磨工程の間、所定位置にそれを保持している。アプリケーションワンド１２５０が、エアホース１２７０及びペレット供給ホース１２６０によって、ナノチューブファブリックコーティングされたウエハ１２１０に亘って冷凍ペレット１２２０のスプレーを導くように供給される。ペレタイザー（ｐｅｌｌｅｔｉｚｅｒ）ユニット上のコントロール１２８０が、ストリーム（流）１２２０の速度及び量の制御を可能とする。例示の研磨工程では、アプリケーションワンド１２５０が、挟角で配置され、且つ、方向１２９０に沿ってナノチューブファブリックで覆われたウエハ１２１０に亘って移動される。
【０１２０】
図１２Ａ及び１２Ｂに図示されていないが、実施形態によっては、クライオキネティックスプレー１２２０の適用の前に、限定されないが、ＰＥＴ層、プラスチック膜（例えば、塩化ポリビニリデンに基づくサランラップ（登録商標））、又は、薄い箔フィルムのような柔軟物質の中間バリア層が、堆積ナノチューブファブリック層上に配置される。このような実施形態では、下層のナノチューブファブリック層１２１０を保護し、且つ、高速スプレー１２２０の下の個々のナノチューブ要素のアブレーション（切削）を防ぐことに、この柔軟物質の層を使用可能である。ある実施形態では、この柔軟物質の層は、ナノチューブファブリックにクライオキネティックスプレーの力を効率的に伝達することにも有用である。このように、研磨力が１又は複数回でナノチューブファブリック層に亘って適用可能であり、ナノチューブ層を整列したナノチューブ要素のネットワークに変える。図２８Ａ〜２８Ｄ（詳細に後述する）は、このようなクライオキネティック衝撃力の適用後のナノチューブファブリック層を示すＳＥＭ画像である。
【０１２１】
他の応用では、（上述のクライオキネティック衝撃工程に対して）類似の秩序化工程が、高圧ガス又は液体（例えばエアガン）のジェットの使用を通して実現可能である。このような高圧フロー研磨工程では、無秩序なナノチューブファブリック層上にガス（例えば限定されないが窒素）を流して、当該ファブリック層をナノチューブ要素の秩序ネットワークに変えることにエアガンを使用可能である。クライオキネティック衝撃工程と同様に、ある実施形態では、高圧フロー工程が、限定されないが、ＰＥＴ層、プラスチック膜（例えば、塩化ポリビニリデンに基づくサランラップ（登録商標））、又は、薄い箔フィルムのような柔軟保護層をエアフロー工程の間、ナノチューブファブリック層上に採用してもよい。例示の高圧エアフロー研磨工程は、図３２Ａ〜３２Ｄに示されており、詳細に後述する。
【０１２２】
図１３Ａ〜１３Ｂを参照すると、方向性のある力をナノチューブファブリック層上に適用するのに適切なロールトゥロール（ｒｏｌｌ−ｔｏ−ｒｏｌｌ）研磨装置が図示されている。実質的に無秩序なナノチューブファブリック１３１０ａでコーティングされた柔軟物質１３１０（例えば限定されないが、紙、プラスチック、又は金属箔）が、第１ローラー１３５０と第２ローラー１３６０との間で方向１３９５に沿って移動される。図１３Ａ〜１３Ｂに示された例示のロールトゥロール研磨装置では、円筒研磨要素１３２０が無秩序なナノチューブファブリック層に対して方向１３９０に沿って回転されて、それが第１及び第２ローラー（１３５０及び１３６０）の間でその下で直線的に移動される。このような円筒研磨要素１３２０の構成及び使用は、上述の図１０ａ及び１０Ｂの説明において詳細に示した。円筒研磨要素１３２０で適用された方向性のある力が、（アプリケータ１３４０で堆積された）無秩序なナノチューブファブリック層１３１０ａ内のナノチューブ要素を整列したナノチューブのネットワーク１３１０ｂに配列させる。このように、大きいスケールのナノチューブファブリックを秩序ナノチューブファブリック層に配列可能である。
【０１２３】
注目すべきであるが、円筒研磨要素１３２０が図１３Ａ及び１３Ｂに示された一方で、本発明の方法はこの点に限定されない。実際、本開示内に示された圧延、摩擦及び研磨の方法のいずれかを、図１３Ａ及び１３Ｂで示したロールトゥロールシステムで使用可能である。さらに、特定の応用では、図１３Ａ及び１３Ｂで示したようなロールトゥロール研磨装置は、柔軟物質１３１０が第１ローラー１３５０と第２ローラー１３６０との間に移動されるときに、柔軟物質１３１０上にナノチューブファブリックを堆積して乾燥させることに使用可能なアプリケータ機構及び乾燥機構をさらに含んでもよい。
【０１２４】
他の応用では、圧電物質層を無秩序なナノチューブファブリック層上に配置し、ファブリック層に方向性のある力を適用することに使用することができる。このような応用では、圧電物質が、特定の電気刺激に反応して振動し、ナノチューブファブリック層上に伝達される摩擦力を効果的に生成する。ある実施形態では、圧電物質層は、当該方向性のある力をナノチューブファブリック層内の１又は複数の所定領域だけに適用するように形成される。このような実施形態では、これら所定領域がナノチューブ要素の秩序ネットワークに変えられ、残りの領域を実質的に無秩序なままにする。このような選択的に秩序化したナノチューブファブリック層は、例えば、フォトリソグラフィ工程におけるマスキング又はインプリンティングとして有用である。例示の圧電摩擦工程は、図３０Ａ〜３０Ｄに図示され、以下に詳述する。
【０１２５】
前述したとおり、ＣＭＰ装置（半導体製造設備で典型的に簡単に利用可能な研磨／平坦化装置）は、ナノチューブファブリック上に方向性のある力を適用することに（特定の応用において）適切な装置である。例えば、（図９Ａ及び９Ｂで示した例示の装置の工程と類似の工程で）ＣＭＰ装置は、シリコンウエハ上に堆積されたナノチューブファブリック層上に研磨要素又は摩擦要素を円弧又は直線経路で通過させることに使用可能である。別例では、（図１１Ａ及び１１Ｂで示した例示の装置の工程と類似の工程で）ＣＭＰ装置は、シリコンウエハ上に堆積されたナノチューブファブリック層上に研磨要素又は摩擦要素を回転させることに使用可能である。
【０１２６】
特定の応用では、研磨要素又は摩擦要素は、潤滑媒体を使用してナノチューブファブリック層に適用可能である。このような潤滑媒体は、限定されないが、水、（例えば限定されないが、ハロゲン含有のアルコール、亜硝酸アルキル、アルカノール、有機アミン、フッ素化化合物、並びに、ペルフルオロカーボン、ペルフルオロヘキサン、ペルフルオロヘプタン・クロロカーボン、（ペルフルオロヘキサン、ペルフルオロ（２−ブチル−テトラヒドロフラン）及びペルフルオロ化ポリエーテルを含む）ペルフルオロ化又は実質的にフッ素化したハロカーボン有機化合物を含む液体に含まれる）ハロカーボン、（限定されないが、液体二酸化炭素（ＣＯ２）及び液体キセノンを含む）液化ガス、（限定されないが、Ｃ３−Ｃ１２アルカン、Ｃ８−Ｃ１６アリールアルカン、Ｃ１０−Ｃ２５アリールシクロアルカン、Ｃ６−Ｃ１２芳香族、トルエン及びキシレンを含む）ハイドロカーボン液、（限定されないが、これら含有ケトン、アルデヒド、エステル、エーテル、アミド、アルコール、Ｃ２−Ｃ１２エーテル、ＤＭＥ、グリム、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、アセトン及びテトラヒドロフランを含む）官能化有機液体、（限定されないが、ポリジメチルシクロサン環状及び線形液及びポリフェニルシロキサン環状及び線形液の群を含む）有機シロキサンベースの環状及び線形液（ｃｙｃｌｉｃ  ａｎｄ  ｌｉｎｅａｒ  ｌｉｑｕｉｄｓ）、及び、（限定されないが、二硫化モリブデン、窒化ボロン、グラファイト及びスチレンビーズを含む）固体を含むことができる。
【０１２７】
このような応用では、潤滑媒体は、研磨（又は摩擦）要素とナノチューブファブリック表面との間の抵抗（引きずり）を制限することによって方向性のある力の適用を補助する。例えば、摩擦要素が比較的高い圧力で適用される秩序化工程では、生成される方向性のある力がナノチューブファブリック全体に均一に適用されることを確実にすることに潤滑媒体を使用可能である。
【０１２８】
ある応用では、秩序化工程の前に研磨／摩擦パッドに潤滑媒体を適用可能である（例えば、研磨／摩擦パッドが水で湿らされる）。他の応用では、研磨／摩擦パッドの適用の前にナノチューブファブリック上に潤滑媒体を堆積可能である。このような応用では、ナノチューブファブリック内のナノチューブ要素が適用した潤滑媒体に実質的に全く再懸濁しないように、潤滑媒体が選択及び／又は適用される。
【０１２９】
注目すべきであるが、潤滑媒体の使用が（上述したように）特定の応用で有用である一方で、別の応用では、これが秩序化工程内で問題となる虞がある。特定の応用では、例えば、潤滑媒体の適用が、基板表面からナノチューブ要素を完全に取り除く虞がある。別例では、（特定の応用において）潤滑媒体が、ナノチューブ要素と（物理的又は化学的に）反応して、無秩序なナノチューブファブリック層を損傷するか、或いは、悪影響を与える虞がある。
【０１３０】
また注目すべきであるが、本発明の方法を介したナノチューブファブリック層内のナノチューブ要素の配列は、無秩序なナノチューブファブリック層と比較して非常に平滑なナノチューブファブリックをも提供する。ある応用では、より平滑な該ファブリック層は、続く物質層の堆積のために最適化した表面を提供する。例えば、このような秩序ナノチューブファブリック層は、層全体に亘って実質的に均一な厚みを有することが予期され、応用によっては、続いて堆積する層がナノチューブファブリック層を貫通し得るファブリック内の薄い領域の可能性を減少させる。
【０１３１】
この目的を達成するために、図１４Ａ及び１４Ｂは、基板層１４１０上に堆積した実質的に無秩序なナノチューブファブリック層１４２０の断面視を示す。トップ物質層１４３０が、無秩序なナノチューブファブリック層１４２０上にさらに堆積されて３層構造を形成する。図１４Ａは、当該３層構造のＳＥＭ画像１４０１である。他方、図１４Ｂは同構造の線図である。２つのイメージ（１４０１及び１４０２）に観察可能であるとおり、実質的に無秩序なナノチューブファブリック層１４２０は、非均一な厚みを表し、基板層１４１０とトップ物質層１４３０との間に多くの「薄いスポット（領域）」を提供する。
【０１３２】
反対に、図１５Ａ及び１５Ｂは、基板層１５１０上に堆積した実質的な秩序ナノチューブファブリック層１５２０の断面視を示す。図１４Ａ及び１４Ｂの先の構造と同様に、トップ物質層１５３０が、秩序ナノチューブファブリック層１５２０上にさらに堆積されて３層構造を形成する。図１５Ａは、当該３層構造のＳＥＭ画像１５０１である。他方、図１５Ｂは同構造の線図である。２つのイメージ（１５０１及び１５０２）に観察可能であるとおり、実質的な秩序ナノチューブファブリック層１５２０は、（図１４Ａ及び１４Ｂの無秩序なナノチューブファブリック層１４２０と比較して）著しく改善した厚み均一性を表し、基板層１５１０とトップ物質層１５３０との間により均一な分離距離を提供する。
【０１３３】
また注目すべきであるが、特定の実施形態では、秩序ナノチューブファブリック層は、（無秩序なナノチューブファブリック層と比べて）減少した摩擦係数を有し、低摩擦コーティングの作成に使用可能である。例えば、ナノチューブファブリックの層は、内燃エンジン内のシリンダ内面に形成されて秩序状態に変えられる。そして、当該秩序ファブリックは、シリンダ内を移動するピストンの摩擦係数を減少させるように使用可能である。別例では、秩序ナノチューブファブリック層は、ギア、ベアリング、シャフト及び機械化システム内の他の機械部品の合わせ面上に形成可能である。このようなコーティングは、これら部品の合わせ面間の摩擦を減少させ、摩耗を減らし、個々の部品、ひいては、システム自体の寿命を延ばす。別例では、このような秩序ナノチューブファブリック層が、微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）において、ナノスケールの低摩擦面及びコーティングを提供することに使用可能である。
【０１３４】
図１６及び１７は、無秩序なナノチューブファブリック層と比較して、秩序ナノチューブファブリック層の低減した摩擦係数を実証すべく、部分的な秩序ナノチューブファブリック層に実行された実験を示す。ナノチューブファブリック層１６１０がシリコン基板１６７０上に形成され、約４ｃｍ幅及び２０ｃｍ長のストリップ（切片）に切断された。そして、ナノチューブファブリック層１６１０が、選択的に秩序状態に変えられて、図１７に示すとおり、ストリップの長手方向に沿って５つの領域（１７１０ａ〜１７１０ｅ）を実現した。次に、剛性摩擦要素を形成するように、研磨パッド１６５０が切断ＳｉＯ２ウエハ１６４０（約４ｃｍ×４ｃｍの寸法）に被せられたと共に切断ＳｉＯ２ウエハ１６４０に固定されて、選択的な秩序ナノチューブファブリック層１６１０上に配置された。加重要素１６６０（約７５ｇ）が（研磨物質１６５０及びウエハピース１６４０で形成された）当該剛性摩擦要素上に配置されることにより、摩擦要素がナノチューブファブリック層１６１０の長手方向に沿って引かれるときに下方の力を提供する。そして、方向１６９０に沿ってナノチューブファブリック層１６１０の長さに亘って研磨物質１６５０をスライドさせることに、プーリ要素１６８０と共に力計器１６３０が使用された。
【０１３５】
具体的に図１７を参照すると、図１６の方向１６９０に対応する方向１７９０に沿ってナノチューブファブリック層に亘って引かれたときに、力計器（図１６の１６３０）を使用して観測された摩擦力が、剛性摩擦要素の物理的位置にプロット及びマッピングされている。上述したとおり、ナノチューブファブリック層のストリップ（図１６の１６１０）が５つの領域に変えられている。領域１７１０ａ、１７１０ｃ及び１７１０ｅは、実質的に無秩序なままであり、実験のための制御領域として働く。領域１７１０ｂは、方向１７９０に垂直に配向した（つまり、摩擦要素の経路に垂直である）ナノチューブ要素の秩序ネットワークに変えられている。領域１７１０ｄは、方向１７９０に平行に配向した（つまり、摩擦要素の経路に平行である）ナノチューブ要素の秩序ネットワークに変えられている。
【０１３６】
図１７のプロットから明らかであるとおり、剛性摩擦要素が領域１７１０ｃの無秩序なナノチューブファブリック層上を通過したときに観測された摩擦力は約０．３１０Ｎであった。剛性摩擦要素が領域１７１０ｂの（摩擦力の方向に対して）垂直に配向したナノチューブファブリック層上を通過したときに観測された摩擦力は約０．２４５Ｎであり、制御領域１７１０ａ、１７１０ｃ及び１７１０ｅに対して約２１％の摩擦が低減した。剛性摩擦要素が領域１７１０ｄの（摩擦力の方向に対して）平行に配向したナノチューブファブリック層上を通過したときに観測された摩擦力は約０．２３５Ｎであり、制御領域１７１０ａ、１７１０ｃ及び１７１０ｅに対して約２４％の摩擦が低減した。
【０１３７】
また注目すべきであるが、本開示の多くが実質的に無秩序なナノチューブファブリックからナノチューブ要素の秩序ネットワークに変えるプロセスを説明する一方で、本発明の方法はこの点に限定されない。実際、本開示の方法は、部分的な秩序化ナノチューブファブリック層をより高度に秩序化したナノチューブファブリック層に変えることにも採用可能である。例えば、（セン等による米国特許出願第６１／３０４，４０５号に教示された方法を介して形成された）ラフト化したナノチューブファブリック層が、本開示の様々な実施形態で先に説明したような方向性のある力の適用を通して完全な秩序ナノチューブファブリック層に変えられてもよい。
【０１３８】
特定の応用では、方向性のある力を比較的厚いナノチューブファブリック層上に適用可能である。このような応用では、方向性のある力の繰り返しの適用であっても、厚いナノチューブファブリック層表面付近の該ナノチューブをナノチューブ要素の秩序ネットワークに変えるだけである。つまり、生成した構造は、より厚い無秩序なナノチューブファブリック層に隣接形成された薄い秩序ナノチューブファブリック層として説明され得る。このような構造は、無秩序なナノチューブファブリック層を備える基板要素上に形成された秩序ナノチューブファブリック層を実現することに使用可能である。実施形態によっては、このような構造（無秩序なナノチューブファブリック層上に形成された秩序ナノチューブファブリック層）は、無秩序なナノチューブ層の反対表面に方向性のある力を適用することによってさらに調整可能であり、反対表面を整列したナノチューブ要素のネットワークに変える。このような実施形態の特定の応用では、元々堆積した厚いナノチューブファブリック層が犠牲基板要素上に堆積され、当該犠牲基板要素が除去されるか、又は、揮発されることにより、無秩序なナノチューブファブリック層の反対表面に当該力の適用を可能にする。このような実施形態の実施例によっては、生成した構造は、２つの薄い秩序ナノチューブファブリック層であって、それらの間に位置する無秩序なナノチューブ要素のより厚い層とともに形成されたものとして説明することができる。
【０１３９】
注目すべきであるが、本開示内の多くの図面及び例が、半導体製造に特に関係するプロセスを図示及び説明する一方で、本発明の方法はこれの点に限定されない。実際、秩序ナノチューブファブリック層からなるナノチューブファブリックを複数のシステム及び装置において使用可能である。例えば、特定の実施形態では、このようなナノチューブファブリックは、実質的に気体不透過性であり、ガス容器（例えば、限定されないが酸素タンク及び救命具）の製造に利用可能である。他実施形態では、このようなナノチューブファブリック層は、実質的に疎水性であり、耐湿コーティング（例えば、ソーラーパネル）又は防食コーティングに利用可能である。他の実施形態では、このようなナノチューブファブリック層は、特定の粒子状汚染物に不浸透性であり、保護バリア層の製造に利用可能である。他の実施形態では、このようなナノチューブファブリック層は、特定の生体有害物質（例えば、バクテリア）に不浸透性であり、バイオフィルタ等の製造に利用可能である。他の実施形態では、このようなナノチューブファブリックは、他の物質上に適用可能である透明又は半透明保護コーティングに利用可能である。（例えば、車両シャーシ上で塗装の傷を防止し、又は、結合剤として安全ガラスとして利用可能である。）他の実施形態では、このようなナノチューブファブリック（比較的薄いままである）は、ストレス及び摩耗に高い耐性を有し、高いストレスを受ける部品（例えば、内燃エンジンのピストンシリンダ）の製造に利用可能である。
【０１４０】
他の実施形態では、このようなナノチューブファブリックは、貫通に対する高い耐性を有し、車両のアーマープレート又は人用保護具のような耐穿刺性物質の製造に利用可能である。例えば、比較的薄い秩序ナノチューブファブリック層が、パディング（詰め物）物質と併せて利用可能であり、軽量防弾ベストを実現する。別例では、ナノチューブファブリックは、物質表面上に形成可能であり、そして、本開示の方法を通して秩序ネットワークに変えられて、戦車又は自動車に使用可能な比較的軽量な実質的な防弾パネルを実現する。
【０１４１】
この目的を達成するように、図１８は、４つの個別の秩序ナノチューブファブリック層（１８２０、１８３０、１８４０及び１８５０）及び３つの無秩序ナノチューブファブリック層（１８２５、１８３５及び１８４５）を備える多層ナノチューブファブリック層１８００の斜視図である。４つの秩序ナノチューブファブリック層（１８２０、１８３０、１８４０及び１８５０）が、別々に堆積され、且つ、続くナノチューブファブリック層が堆積される前にナノチューブ要素の秩序ネットワークに変えられている。さらに、秩序ナノチューブファブリック層（１８２０、１８３０、１８４０及び１８５０）の各々が、隣接する層と比べて異なる配向に沿った秩序状態に変えられている。つまり、第１秩序ナノチューブファブリック層（１８２０）は、第１方向に適用された直線力の使用を通して秩序状態に変えられ、且つ、第２秩序ナノチューブファブリック層（１８３０）は、第２方向に適用された直線力の使用を通して秩序状態に変えられている。その他についても同様である。前述したとおり、本開示の特定の実施形態では、比較的厚いナノチューブファブリック層上に適用された方向性のある力が、当該層の表面付近の該ナノチューブだけを秩序ネットワークに変える傾向にある。このように、ナノチューブファブリック要素１８００は、用いられた秩序化プロセスから残った無秩序なナノチューブ要素の層（１８２５、１８３５及び１８４５）を含む。このように、複数のレベルのナノチューブファブリック要素１８００が形成され、複数の独立した秩序ナノチューブファブリック層（１８２０、１８３０、１８４０及び１８５０）を備える。
【０１４２】
注目すべきであるが、多層ナノチューブファブリック要素１８００（図１８参照）は、秩序ナノチューブファブリック層（１８２０、１８３０、１８４０及び１８５０）の間に無秩序なナノチューブ要素（１８２５、１８３５及び１８４５）を含む一方で、本発明の方法はこの点で限定されない。実際、本開示の方法では、続く層の形成の前に、それぞれ別個に形成した層が、（層表面だけが整列したものとは反対に）厚い秩序ナノチューブファブリック層に変えられ、本質的に無秩序な層（１８２５、１８３５及び１８４５）を排除することができる。つまり、ファブリック層が、その厚全体に亘ってナノチューブ要素の秩序ナットワークを備える。本開示のある実施形態では、それぞれ個別に形成された層が、十分に薄いままで維持可能であるため、続く層の形成の前に方向性のある力を適用する間にナノチューブファブリック層が頂部から底部まで整列することを確実にする。他の実施形態では、それぞれ個別に形成された層が、方向性のある力の十分な反復に曝されることにより、続く層の形成の前に方向性のある力を適用する間にナノチューブファブリック層が頂部から底部まで整列することを確実にする。
【０１４３】
以下の例は、本開示の方法に従って、複数の無秩序なナノチューブファブリック層を個々のナノチューブ要素の秩序ネットワークに変えることを示している。
【０１４４】
各例では、精製（純化）ナノチューブ塗布溶液が以下の方法を通して最初に実現された。５０グラムの原料（つまり、官能化されていない）カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）が、マイクロエレクトロニクスグレードの硝酸中に還流された。（以下の例で使用されるような）原料ナノチューブの供給は、多くのベンダー（例えば、Ｔｈｏｍａｓ  Ｓｗａｎ）から購入可能である。硝酸濃度、還流時間及び温度は、開始ＣＭＴ物質に基づいて最適化された。例えば、ＣＮＴが、２４〜３０時間、１２０℃で高濃度硝酸（７０％）中に還流された。硝酸還流ステップの後、酸中のＣＮＴ懸濁液は、０．３５から３％の硝酸溶液（８〜１６Ｌ）に希釈され、クロスフロー濾過（ＣＦＦ）の複数の通過がなされる。ＣＦＦの最初の通過（ＣＦＦ１と呼ぶ）は、懸濁液中の酸及び溶解金属塩を除去可能である。ＣＦＦ１ステップ中の懸濁液のｐＨは、各ステップの後に０．３〜３％の硝酸に物質を回収（ｒｅｃｏｖｅｒｉｎｇ）することにより、１＋／−０．３で維持される。典型的に、５〜１１回のＣＦＦ１ステップが実行された。ＣＦＦ１ステップの後、（フィルタを通過しない）残余分（ｒｅｔｅｎｔａｔｅ）がＤＩ（脱イオン）水中に集められ、ＤＩ水の懸濁液のナノチューブのｐＨが水酸化アンモニウム（濃度２９％）で８＋／−０．２に増加され、超音波で処理された。この液体には、別のＣＦＦ通過のセットがなされる（ＣＦＦ２と呼ぶ）。ＣＦＦ２は、アモルファスカーボン不純物を溶液中から除去可能である。ＣＦＦ２プロセスの後、残余分がＤＩ水に集められて、ＤＩ水液のナノチューブのｐＨが８＋／−０．２に調整されて、冷却超音波槽（４〜５℃）で１２０分間超音波処理された。
【０１４５】
このプロセスステップで、ＣＮＴ処方の所望の濃度又は光学密度が、ＣＦＦ２膜からの残余分を回収することに使用されたＤＩ水の容量を制御することによって達成可能である。例えば、最後のＣＦＦ２ステップの前、ＣＮＴ処方の光学密度が２であり、容量が２Ｌである場合、この点で浸透を通して光学密度に僅かな損失が存在することを想定して、１Ｌのリカバリー容量（ｒｅｃｏｖｅｒｙ  ｖｏｌｕｍｅ）が４付近の光学密度につながり得る。同様に、最後のＣＦＦ２ステップの前にＤＮＴ処方の光学密度が２であり、容量が１６Ｌである場合、１Ｌのリカバリー容量が、光学密度３２のＣＮＴ処方につながり得る。実施的に実現可能なＣＮＴ処方の濃度（光学密度）は、限定されないが、反応に使用される開始ＣＮＴ電荷、反応条件、ＣＦＦステップの数、ＣＦＦ膜の孔径、ＣＦＦ膜表面積及びｐＨに依存する。
【０１４６】
最後に、水溶液が、約２０〜３０分間、約７００００〜１０００００ｇで２又は３回、遠心分離される。特定の場合、沈降（作用）によって液中の残留金属又はカーボンナノ粒子を除去可能な遠心分離の通過の間、水溶液のｐＨが８＋／−０．２に調整される。遠心分離ステップの後、上澄みが集められて、最終的な精製ナノチューブ塗布溶液として使用された。最終的なナノチューブ塗布溶液の濃度は、使用された遠心分離条件に依存する。典型的には、約２０＋／−５と予測される光学密度、及び、７＋／−０．５のｐＨを有するスピンコート塗布ＣＮＴ溶液が使用された。
【０１４７】
さらに、以下の例の各々では、次に、この精製ナノチューブ塗布溶液が、基板層上にスピンコートされて、無秩序なナノチューブファブリック層を形成した。具体的には、３つのスピンコーティング工程が実行されて、例１、２、３、５、７、９、１０、１１、１２、１３、１４、１６、１７、１８、１９及び２０のナノチューブファブリック層を形成し、４つのスピンコーティング工程が実行されて、例４及び８のナノチューブファブリック層を形成し、１つのスピンコーティング工程が実行されて、例６のナノチューブファブリック層を形成し、且つ、５つのスピンコーティング工程が実行されて、例１５のナノチューブファブリック層を形成した。例１、２、３、４、５、６、７、８、９、１１、１３、１６、１７、１８、１９及び２０のナノチューブファブリック層が二酸化ケイ素基板上に形成された。例１０のナノチューブファブリック層が１０１８低炭素鋼基板上に形成された。例１２のナノチューブファブリック層がポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）上に形成された。例１４のナノチューブファブリック層が２０２４アルミニウム合金基板上に形成された。例１５のナノチューブファブリック層が窒化チタン（ＴｉＮ）基板上に形成された。
【０１４８】
全ての例にとって、スピンコーティング工程は以下のとおりである。原料ウエハが、３００℃のホットプレートで５分間、予備焼成された。ウエハが６０ｒｐｍで回転する間、約３ｍｌの調整された溶液がプラスチックピペットを介してウエハ上に散布された。３０秒後、スピン速度が２秒間、５００ｒｐｍに増加され、続いて、１８０秒間、５０ｒｐｍに減少され、最後に、２０秒間、２０００ｒｐｍに増加された。例１〜１４では、各スピンコーティング工程の間、ウエハが３００℃のホットプレートに２分間配置された。例１５では、各スピンコーティング工程の間、ウエハが５００℃の環境に５分間配置された。冷却サイクルの後、プロセス全体が再度繰り返されて、ウエハ上の塗布溶液の所望の数のコーティングを適用した。
【０１４９】
無秩序なナノチューブファブリック層がウエハ基板上に形成されると、方向性のある力がファブリック層表面上に適用されて（以下の例のそれぞれに詳述される）、ナノチューブファブリック層の少なくとも一部を、ナノチューブ要素の秩序ネットワークに変えた。例２０では、方向性のある力の適用の前に、シリコンナノワイヤの追加層が、ナノチューブファブリック層表面上に（後述するようにスピンコーティング工程を介して）適用された。最後に、アニールプロセス（６２５℃、３０分間）が実行された。
【０１５０】
（例１）
図１９Ａ〜１９Ｃは、異なる倍率（それぞれ１９０１、１９０２及び１９０３）における例示のナノチューブファブリック層のＳＥＭ画像であり、当該ナノチューブファブリック層は、精製ナノチューブ塗布溶液（上述）の３つのスピンコーティング工程を介して最初に形成され、次に、各ＳＥＭ画像内で示された方向に沿った方向性のある圧延力の適用を通してナノチューブ要素の秩序ネットワークに変えられた。圧延力は、スチールハンドローラーを介して適用され、当該ローラーが、軽い圧力（約２ニュートン）で５０回、ナノチューブファブリック層に対して直接的に回転された。図１９Ａ（倍率１０，０００ｘの画像）から明らかであるとおり、生成したナノチューブファブリック層が、適用された圧延力の方向に沿って配向した秩序状態に変えられた。
【０１５１】
（例２）
図２０Ａ〜２０Ｃは、異なる倍率（それぞれ２００１、２００２及び２００３）における例示のナノチューブファブリック層のＳＥＭ画像であり、当該ナノチューブファブリック層は、精製ナノチューブ塗布溶液（上述）の３つのスピンコーティング工程を介して最初に形成され、次に、各ＳＥＭ画像内で示された方向に沿った方向性のある摩擦力の適用を通してナノチューブ要素の秩序ネットワークに変えられた。この摩擦力は、テフロン（登録商標）又はポリテトラフルオロエチレンシート上にウエハを（ナノチューブファブリック層がテフロン（登録商標）又はポリテトラフルオロエチレンシートに直接に接触するように）下向きに配置し、１５０ｇの重りをウエハの反対側（つまり、非コーティング側）に配置し、そして、ウエハをテフロン（登録商標）又はポリテトラフルオロエチレンシートに沿って約５インチの距離で１５回スライドさせることによって適用された。図２０Ａ（倍率５，０００ｘの画像）から明らかであるとおり、生成したナノチューブファブリック層が、当該適用された摩擦力から生成した整列したナノチューブの薄いバンド（約２μｍ幅）を表している。
【０１５２】
（例３）
図２１Ａ〜２１Ｃは、異なる倍率（それぞれ２１０１、２１０２及び２１０３）における例示のナノチューブファブリック層のＳＥＭ画像であり、当該ナノチューブファブリック層は、精製ナノチューブ塗布溶液（上述）の３つのスピンコーティング工程を介して最初に形成され、次に、各ＳＥＭ画像内で示された方向に沿った方向性のある摩擦力の適用を通してナノチューブ要素の秩序ネットワークに変えられた。この摩擦力は、テフロン（登録商標）又はポリテトラフルオロエチレンシート上にウエハを（ナノチューブファブリック層がテフロン（登録商標）又はポリテトラフルオロエチレンシートに直接に接触するように）下向きに配置し、１５０ｇの重りをウエハの反対側（つまり、非コーティング側）に配置し、そして、ウエハをテフロン（登録商標）又はポリテトラフルオロエチレンシートに沿って約５インチの距離で２５回スライドさせることによって適用された。図２１Ａ（倍率５，０００ｘの画像）から明らかであるとおり、生成したナノチューブファブリック層が、当該適用された摩擦力の方向に沿って配向した秩序状態に変えられた。
【０１５３】
（例４）
図２２Ａ〜２２Ｃは、異なる倍率（それぞれ２２０１、２２０２及び２２０３）における例示のナノチューブファブリック層のＳＥＭ画像であり、当該ナノチューブファブリック層は、精製ナノチューブ塗布溶液（上述）の４つのスピンコーティング工程を介して最初に形成され、次に、各ＳＥＭ画像内で示された方向に沿った方向性のある摩擦力の適用を通してナノチューブ要素の秩序ネットワークに変えられた。この摩擦力は、３００ｍｍの二酸化ケイ素ウエハ上にウエハを（ナノチューブファブリック層が二酸化ケイ素ウエハ表面に直接に接触するように）下向きに配置し、１５０ｇの重りを反対側（つまり、非コーティング側）に配置し、そして、ウエハを二酸化ケイ素ウエハに沿って約４インチの距離で２５０回スライドさせることによって適用された。図２２Ａ（倍率５，０００ｘの画像）から明らかであるとおり、生成したナノチューブファブリック層が、当該適用された摩擦力の方向に沿って配向した秩序状態に変えられた。
【０１５４】
（例５）
図２３Ａ〜２３Ｃは、異なる倍率（それぞれ２３０１、２３０２及び２３０３）における例示のナノチューブファブリック層のＳＥＭ画像であり、当該ナノチューブファブリック層は、精製ナノチューブ塗布溶液（上述）の３つのスピンコーティング工程を介して最初に形成され、次に、各ＳＥＭ画像内で示された方向に沿った円弧状摩擦力の適用を通してナノチューブ要素の秩序ネットワークに変えられた。この摩擦力は、１００回の円弧運動でウエハ上にウール研磨パッドを通過させることによって適用された。ウール研磨パッドは、ウエハ上を通過されるときに回転されない。図２３Ａ（倍率１０，０００ｘの画像）から明らかであるとおり、生成したナノチューブファブリック層が、当該適用された円弧状の力の初期角度の実質的な直線的な接線方向に配向した秩序状態に変えられた。図２３Ｂ（倍率２５，０００ｘの画像）から明らかであるとおり、適用された摩擦力の円弧方向に拘わらず、ナノチューブ要素が略直線配向に整列した。
【０１５５】
（例６）
図２４Ａ〜２４Ｃは、異なる倍率（それぞれ２４０１、２４０２及び２４０３）における例示のナノチューブファブリック層のＳＥＭ画像であり、当該ナノチューブファブリック層は、精製ナノチューブ塗布溶液（上述）の１つのスピンコーティング工程を介して最初に形成され、次に、各ＳＥＭ画像内で示された方向に沿った直線的に付加された研磨力の適用を通してナノチューブ要素の秩序ネットワークに変えられた。この研磨力は、５０回の直線運動でウエハ上に円筒ベロアローラーを通過させることによって適用された。円筒ベロアローラーは、６０ｒｐｍの速度で回転され、各通過で約０．４インチ／秒の一定速でウエハ上を通過した。図２４Ｃ（倍率７５，０００ｘの画像）から明らかであるとおり、生成したナノチューブファブリック層が、当該適用された研磨力の方向に沿って配向した秩序状態に変えられた。
【０１５６】
（例７）
図２５Ａ〜２５Ｃは、異なる倍率（それぞれ２５０１、２５０２及び２５０３）における例示のナノチューブファブリック層のＳＥＭ画像であり、当該ナノチューブファブリック層は、精製ナノチューブ塗布溶液（上述）の３つのスピンコーティング工程を介して最初に形成され、次に、各ＳＥＭ画像内で示された方向に沿った回転研磨力の適用を通してナノチューブ要素の秩序ネットワークに変えられた。この研磨力は、ウエハ上に円形ウール研磨パッドを配置して、９０秒間、６０回転／分の速度で研磨パッドを回転させることによって適用された。図２５Ｂ（倍率２５，０００ｘの画像）から明らかであるとおり、生成したナノチューブファブリック層が、複数の方向に沿って配向した整列したナノチューブ要素の複数の領域に変えられた。
【０１５７】
（例８）
図２６Ａ〜２６Ｃは、本開示の方法によって秩序状態に変えられる前の異なる倍率（それぞれ２６０１、２６０２及び２６０３）における例示のナノチューブファブリック層のＳＥＭ画像である。図２６Ａ〜２６Ｃのナノチューブファブリック層は、精製ナノチューブ塗布溶液（上述）の４つのスピンコーティング工程を介してＳｉウエハ上に形成された。次に、堆積ナノチューブファブリック層が、直線摩擦力の適用を通してナノチューブ要素の秩序ネットワークに変えられた。直線摩擦力は、加重ＣＭＰパッド（約７５ｇ）をナノチューブファブリック層の長手方向に沿って２０回スライドさせることによって適用される。図２７Ａ〜２７Ｂは、この直線摩擦力が図２７Ａ〜２７Ｃに示された方向に沿って適用された後の図２６Ａ〜２６Ｃの同ナノチューブファブリック層のＳＥＭ画像である。図２７Ｃ（倍率７５，０００ｘの画像）から明らかであるとおり、生成したナノチューブファブリック層が、適用された力の方向に配向したナノチューブ要素の秩序ネットワークに変えられた。
【０１５８】
（例９）
図２８Ａ〜２８Ｃは、異なる倍率（それぞれ２８０１、２８０２及び２８０３）における例示のナノチューブファブリック層のＳＥＭ画像であり、当該ナノチューブファブリック層は、精製ナノチューブ塗布溶液（上述）の３つのスピンコーティング工程を介して最初に形成され、次に、各ＳＥＭ画像内で示された方向に沿ったクライオキネティック衝撃工程の適用を通してナノチューブ要素の秩序ネットワークに変えられた。図２８Ｄは、クライオキネティック衝撃工程の適用の前の形成ナノチューブファブリック層のＳＥＭ画像２８０４であり、研磨力の適用前のナノチューブファブリック層の実質的に無秩序な状態を表している。ナノチューブファブリック層がシリコン基板上に形成されると、保護プラスチック層（塩化ポリビニリデンに基づいたサランラップ（登録商標））が該ファブリック層上に配置された。そして、クライオキネティック衝撃銃（“Ｖａ−Ｔｒａｎ  Ｓｙｓｔｅｍ，Ｉｎｃ”から入手可能な商業的ドライアイスクリーニングシステム）を使用して、二酸化炭素の冷凍ペレットを１０回通過でスプレーした。各通過は、１０秒間で（プラスチック層で保護された）ウエハ表面に亘ってスプレーをスイープ（ｓｗｅｅｐ、移動）させることを含んでいる。各通過の間、保護プラスチック層は（約３０秒間で）解凍するための時間を与えられる。図２８Ｃ（倍率７５，０００ｘの画像）から明らかであるとおり、生成したナノチューブファブリック層が、当該適用されたクライオキネティック衝撃力の方向に沿って配向した秩序状態に変えられた。
【０１５９】
（例１０）
図２９Ａ〜２９Ｃは、１０１８低炭素鋼基板上に形成された例示のナノチューブファブリック層の形成及び続く秩序化を表すＳＥＭ画像である。図２９Ａは、ナノチューブファブリック層の堆積前の鋼基板のＳＥＭ画像２９０１である。図２９Ｂは、精製ナノチューブ塗布溶液（上述）の３つのスピンコーティング工程を介して形成された（実質的に無秩序な状態の）例示のナノチューブファブリック層のＳＥＭ画像２９０２である。図２９Ｃは、当該ＳＥＭ画像２９０３内に示した方向に沿った方向性のある摩擦力の適用を通して、ナノチューブ要素の整列ネットワークに変えられた後の例示のナノチューブファブリック層のＳＥＭ画像２９０４である。鋼基板表面に沿った機械加工溝が、全３つのＳＥＭ画像（２９０１、２９０２及び２９０３）に現れており、（ＳＥＭ画像２９０３に示された）適用された摩擦力の示された方向に直交するように延びている。この摩擦力は、レーヨン研磨パッド上にウエハを下向きに配置し（つまり、ナノチューブファブリック層がレーヨン研磨パッドに直接に物理的に接触するようにウエハを配置し）、そして、ウエハをパッド表面に沿って約６〜８インチで５０回スライドさせることによって適用された。この例で使用されたレーヨン研磨パッドは、Ｓｏｕｔｈ  Ｂａｙ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，Ｉｎｃ．のｐ／ＰＲＦ１２Ａ−１０の「レーヨンファインポリッシングクロス」である。図２９Ｃから明らかであるとおり、生成したナノチューブファブリック層が、当該適用された摩擦力の方向に沿って配向した秩序状態に変えられた。
【０１６０】
（例１１）
図３０Ａ〜３０Ｃは、異なる倍率（それぞれ３００１、３００２及び３００３）における例示のナノチューブファブリック層のＳＥＭ画像であり、当該ナノチューブファブリック層は、精製ナノチューブ塗布溶液（上述）の３つのスピンコーティング工程を介して最初に形成され、次に、各ＳＥＭ画像内で示された方向に沿った圧電性の生成摩擦力の適用を通してナノチューブ要素の秩序ネットワークに変えられた。図３０Ｄは、圧電性の生成摩擦力の適用の前の形成ナノチューブファブリック層のＳＥＭ画像３００４であり、摩擦力の適用前のナノチューブファブリック層の実質的に無秩序な状態を表している。ナノチューブファブリック層がシリコン基板上に形成されると、保護プラスチック層（塩化ポリビニリデンに基づいたサランラップ（登録商標））が該ファブリック層上に配置された。そして、ｙ分極した圧電性結晶要素が、プラスチック層上に配置されて、当該要素が実質的にナノチューブファブリック層全体を被覆した。そして、（重りと圧電性結晶との間に電気的絶縁を提供するようにＰＴＦＥフィルム層を使用して）１．２５ポンドの重りが圧電性結晶要素上に配置されたことで、結晶要素とナノチューブファブリック層との間に十分な圧力を維持する。次いで、圧電性結晶要素が、１１ｋＨｚ、１０Ｖ（ピーク・トゥ・ピーク）で２．５時間、圧電増幅器によって駆動された。ＳＥＭ画像２９０１、２９０２及び２９０３に示した方向が、圧電性結晶要素の振動軸を表している。図３０Ｃ（倍率７５，０００ｘの画像）から明らかであるとおり、生成したナノチューブファブリック層が、振動方向に沿って配向した秩序状態に変えられた。
【０１６１】
（例１２）
図３１Ａ〜３１Ｃは、異なる倍率（それぞれ３１０１、３１０２及び３１０３）における例示のナノチューブファブリック層のＳＥＭ画像であり、当該ナノチューブファブリック層は、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）基板上に形成され、各ＳＥＭ画像内で示された方向に沿った方向性のある摩擦力の適用を通してナノチューブ要素の秩序ネットワークに変えられた。この摩擦力は、レーヨン研磨パッド上にウエハを下向きに配置し（つまり、ナノチューブファブリック層がレーヨン研磨パッドに直接に物理的に接触するようにウエハを配置し）、そして、ウエハをパッド表面に沿って約６〜８インチで５０回スライドさせることによって適用された。この例で使用されたレーヨン研磨パッドは、Ｓｏｕｔｈ  Ｂａｙ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，Ｉｎｃ．のｐ／ＰＲＦ１２Ａ−１０の「レーヨンファインポリッシングクロス」である。図３１Ｃ（倍率７５，０００ｘの画像）から明らかであるとおり、生成したナノチューブファブリック層が、当該適用された摩擦力の方向に沿って配向した秩序状態に変えられた。
【０１６２】
（例１３）
図３２Ａ〜３２Ｃは、異なる倍率（それぞれ３２０１、３２０２及び３２０３）における例示のナノチューブファブリック層のＳＥＭ画像であり、当該ナノチューブファブリック層は、精製ナノチューブ塗布溶液（上述）の３つのスピンコーティング工程を介して最初に形成され、次に、各ＳＥＭ画像内で示された方向に沿った高圧エアフロー研磨工程の適用を通してナノチューブ要素の秩序ネットワークに変えられた。図３２Ｄは、高圧エアフロー研磨工程の適用の前の形成ナノチューブファブリック層のＳＥＭ画像３２０４であり、研磨力の適用前のナノチューブファブリック層の実質的に無秩序な状態を表している。ナノチューブファブリック層がシリコン基板上に形成されると、保護プラスチック層（塩化ポリビニリデンに基づいたサランラップ（登録商標））が該ファブリック層上に配置された。そして、エアガン（Ｅｘａｉｒから入手可能なモデル番号１４１０ＳＳの商用精密安全エアガンであり、モデル番号１１１０ＳＳの「ナノサパーエア（ｎａｎｏ  ｓｕｐｐｅｒ  ａｉｒ）」ノズルを装着している）を使用して、２０スイープ（ｓｗｅｅｐ）、１００ｐｓｉでナノチューブファブリック層上に窒素ガス（Ｎ２）をフローさせた。各スイープは、約１０秒間、「ジグザグ」パターンに（プラスチック層で保護された）ウエハ表面に亘ってエアガンを移動させることを含む。図３２Ｃ（倍率７５，０００ｘの画像）から明らかであるとおり、生成したナノチューブファブリック層が、エアフローの方向に沿って配向した秩序状態に変えられた。
【０１６３】
（例１４）
図３３Ａ〜３３Ｃは、２０２４アルミニウム合金基板上に形成された例示のナノチューブファブリック層の形成及び続く秩序化を表すＳＥＭ画像である。図３３Ａは、精製ナノチューブ塗布溶液（上述）の３つのスピンコーティング工程を介して形成された（実質的に無秩序な状態の）例示のナノチューブファブリック層のＳＥＭ画像３３０１である。図３３Ｂは、当該ＳＥＭ画像３３０２内に示した方向に沿った方向性のある摩擦力の適用を通して、ナノチューブ要素の秩序ネットワークに変えられた後の例示のナノチューブファブリック層のＳＥＭ画像３３０２である。この摩擦力は、レーヨン研磨パッド上にウエハを下向きに配置し（つまり、ナノチューブファブリック層がレーヨン研磨パッドに直接に物理的に接触するようにウエハを配置し）、そして、ウエハをパッド表面に沿って約６〜８インチで５０回スライドさせることによって適用された。この例で使用されたレーヨン研磨パッドは、Ｓｏｕｔｈ  Ｂａｙ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，Ｉｎｃ．のｐ／ＰＲＦ１２Ａ−１０の「レーヨンファインポリッシングクロス」である。図３３Ｂから明らかであるとおり、生成したナノチューブファブリック層が、当該適用された摩擦力の方向に沿って配向した秩序状態に変えられた。
【０１６４】
注目すべきであるが、２０２４アルミニウム合金基板は、酸化アルミニウム表面コーティング内に大きいポア（孔）を表し、そこでは、ナノチューブファブリック層内のナノチューブ要素が表面から凹んだ位置に置かれる。これらポア領域内のナノチューブ要素は、整列の証拠をほとんど示さないが、より高密度の酸化アルミニウム面の表面上のナノチューブ要素（つまり、ポア内でない該ナノチューブ要素）が、非常に高度の整列（アライメント）を示している。これは、ファブリックとの接触が当該サンプルを整列させることに重要な特徴であることを示唆している。
【０１６５】
（例１５）
図３４Ａ〜３４Ｃは、異なる倍率（それぞれ３４０１、３４０２及び３４０３）における例示のナノチューブファブリック層のＳＥＭ画像であり、当該ナノチューブファブリック層は、精製ナノチューブ塗布溶液（上述）の５つのスピンコーティング工程を介して最初に形成され、次に、各ＳＥＭ画像内で示された方向に沿った方向性のある摩擦力の適用を通してナノチューブ要素の秩序ネットワークに変えられた。この摩擦力は、２０”ＲＯＨＭ  ＨＡＡＳ  ＳＰＭ３１００のＣＭＰパッド上にウエハを（ナノチューブファブリック層がＣＭＰパッド表面に直接接触するように）下向きに配置することによって適用された。摩擦工程の開始前、ＣＭＰ装置のヘッドに装填（ロード）されたウエハが、脱イオン化した水でスプレーされて、ウエハ表面上のナノチューブファブリック層とＣＭＰパッドとの間の界面に潤滑媒体を提供する。ＣＭＰヘッドが、１．６インチの最大ストローク長において１０ストローク／分の速度で５分間、ＣＭＰパッド上でウエハを前後に通過する。ウエハがその表面に亘って摩擦されるときにＣＭＰパッドは回転されない。図３４Ｃ（倍率７５，０００ｘの画像）から明らかであるとおり、ナノチューブファブリック層が、適用された摩擦力の方向に沿って配向した秩序状態に変えられた。
【０１６６】
（例１６）
図３５は、例示のナノチューブファブリック層のＡＦＭ画像３５０１であり、当該ナノチューブファブリック層は、精製ナノチューブ塗布溶液（上述）の３つのスピンコーティング工程を介して最初に形成され、次に、電子制御された線形アクチュエータを介した摩擦力の適用を通してナノチューブ要素の秩序ネットワークに変えられた。この例では、ニュートン線形アクチュエータ（モデル番号、ＣＭＡ  １２ＣＣＣＬ）が、ニューポート自在移動制御ドライバ（Ｎｅｗｐｏｒｔ  ｕｎｉｖｅｒｓａｌ  ｍｏｔｉｏｎ  ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ  ｄｒｉｖｅｒ）（モデル番号、ＥＳＰ３００）で駆動されて、シリコンウエハを例示のナノチューブファブリック層表面上で前後に移動させる。アクチュエータ及び移動制御ドライバの両方が、カリフォルニア州アーバインのＮｅｗｐｏｒｔ  Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎから入手可能である。この装置の使用は、当業者にとってよく知られている。シリコンウエハは、各ストローク１ｍｍの距離で、合計１００回の反復で移動された。また、アセンブリは、３８ｇの下方の力（ナノチューブファブリック層に対してシリコン摩擦面を押圧する力）を提供した。図３５から明らかであるとおり、ナノチューブファブリック層が、適用された摩擦力の方向に沿って配向した秩序状態に変えられた。
【０１６７】
（例１７）
図３６は、例示のナノチューブファブリック層のＡＦＭ画像３６０１であり、当該ナノチューブファブリック層は、精製ナノチューブ塗布溶液（上述）の３つのスピンコーティング工程を介して最初に形成され、次に、電子制御された線形アクチュエータを介した摩擦力の適用を通してナノチューブ要素の秩序ネットワークに変えられた。この例では、ニュートン線形アクチュエータ（モデル番号、ＣＭＡ  １２ＣＣＣＬ）が、ニューポート自在移動制御ドライバ（Ｎｅｗｐｏｒｔ  ｕｎｉｖｅｒｓａｌ  ｍｏｔｉｏｎ  ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ  ｄｒｉｖｅｒ）（モデル番号、ＥＳＰ３００）で駆動されて、シリコンウエハを例示のナノチューブファブリック層表面上で前後に移動させる。アクチュエータ及び移動制御ドライバの両方が、カリフォルニア州アーバインのＮｅｗｐｏｒｔ  Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎから入手可能である。この装置の使用は、当業者にとってよく知られている。シリコンウエハは、各ストローク１ｍｍの距離で、合計１０００回の反復で移動された。また、アセンブリは、４２ｇの下方の力（ナノチューブファブリック層に対してシリコン摩擦面を押圧する力）を提供した。図３６から明らかであるとおり、ナノチューブファブリック層が、適用された摩擦力の方向に沿って配向した秩序状態に変えられた。
【０１６８】
（例１８）
図３７は、例示のナノチューブファブリック層のＡＦＭ画像３７０１であり、当該ナノチューブファブリック層は、精製ナノチューブ塗布溶液（上述）の３つのスピンコーティング工程を介して最初に形成され、次に、電子制御された線形アクチュエータを介した摩擦力の適用を通してナノチューブ要素の秩序ネットワークに変えられた。この例では、ニュートン線形アクチュエータ（モデル番号、ＣＭＡ  １２ＣＣＣＬ）が、ニューポート自在移動制御ドライバ（Ｎｅｗｐｏｒｔ  ｕｎｉｖｅｒｓａｌ  ｍｏｔｉｏｎ  ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ  ｄｒｉｖｅｒ）（モデル番号、ＥＳＰ３００）で駆動されて、シリコンウエハを例示のナノチューブファブリック層表面上で前後に移動させる。アクチュエータ及び移動制御ドライバの両方が、カリフォルニア州アーバインのＮｅｗｐｏｒｔ  Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎから入手可能である。この装置の使用は、当業者にとってよく知られている。シリコンウエハは、各ストローク０．０５ｍｍの距離で、合計１０００回の反復で移動された。また、アセンブリは、８０ｇの下方の力（ナノチューブファブリック層に対してシリコン摩擦面を押圧する力）を提供した。図３７から明らかであるとおり、ナノチューブファブリック層が、適用された摩擦力の方向に沿って配向した秩序状態に変えられた。
【０１６９】
（例１９）
図３８は、例示のナノチューブファブリック層のＡＦＭ画像３８０１であり、当該ナノチューブファブリック層は、精製ナノチューブ塗布溶液（上述）の３つのスピンコーティング工程を介して最初に形成され、次に、電子制御された線形アクチュエータを介した摩擦力の適用を通してナノチューブ要素の秩序ネットワークに変えられた。この例では、ニュートン線形アクチュエータ（モデル番号、ＣＭＡ  １２ＣＣＣＬ）が、ニューポート自在移動制御ドライバ（Ｎｅｗｐｏｒｔ  ｕｎｉｖｅｒｓａｌ  ｍｏｔｉｏｎ  ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ  ｄｒｉｖｅｒ）（モデル番号、ＥＳＰ３００）で駆動されて、シリコンウエハを例示のナノチューブファブリック層表面上で前後に移動させる。アクチュエータ及び移動制御ドライバの両方が、カリフォルニア州アーバインのＮｅｗｐｏｒｔ  Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎから入手可能である。この装置の使用は、当業者にとってよく知られている。シリコンウエハは、各ストローク０．０１ｍｍの距離で、合計１０００回の反復で移動された。また、アセンブリは、２８ｇの下方の力（ナノチューブファブリック層に対してシリコン摩擦面を押圧する力）を提供した。図３８から明らかであるとおり、ナノチューブファブリック層が、適用された摩擦力の方向に沿って配向した秩序状態に変えられた。
【０１７０】
（例２０）
図３９Ａ〜３９Ｄは、例示のシリコンナノワイヤ層と共に例示のナノチューブファブリック層を形成すること及び続く秩序化を表すＳＥＭ画像である。図３９Ａは、精製ナノチューブ塗布溶液（上述）の３つのスピンコーティング工程を介してシリコンウエハ上に最初に形成された例示のナノチューブファブリック層のＳＥＭ画像３９０１である。特に、単分散のシリコンナノワイヤ（ミズーリ州のＳｉｇｍａ−Ａｌｄｒｉｃｈ，Ｉｎｃ．からモデル番号、７３０８６６で入手可能）が、形成ナノチューブファブリック層に滴下して適用された。３０滴が適用され、続く滴下が適用される前に各液滴を空気乾燥可能である。全３０滴が適用された後、（ナノチューブファブリック層及びシリコンナノワイヤ層でコーティングされた）シリコンウエハが、２分間、３００℃で焼成された。図３９Ｂ〜３９Ｄは、方向性のある摩擦力の適用を通してナノチューブ要素の秩序ネットワークに変えられた後の異なる倍率（それぞれ３９０２、３９０３及び３９０４）における例示のナノチューブファブリック及びシリコンナノワイヤ層のＳＥＭ画像である。この摩擦力は、レーヨン研磨パッド上にウエハを下向きに配置し（つまり、ナノチューブファブリック及びシリコンナノワイヤ層がレーヨン研磨パッドに直接に物理的に接触するようにウエハを配置し）、そして、ウエハをパッド表面に沿って約４インチで３０回スライドさせることによって適用された。この例で使用されたレーヨン研磨パッドは、Ｓｏｕｔｈ  Ｂａｙ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，Ｉｎｃ．のｐ／ＰＲＦ１２Ａ−１０の「レーヨンファインポリッシングクロス」である。図３９Ｃ（倍率１０，０００ｘの画像）から明らかであるとおり、ナノチューブファブリック層及びシリコンナノワイヤの両方が、当該適用された摩擦力の方向に沿って配向した秩序状態に変えられた。本例は、（限定されないが、ナノチューブ及びナノワイヤを含む）高アスペクト比のナノスケール構造を整列（秩序化）させることに利用するための本開示の方法の普遍性を実証している。
【０１７１】
ナノチューブファブリック内のギャップ及びボイドを最小化し、又は、実質的に排除するための複数の技術を説明した。また、当該技術は、ファブリック内のナノチューブの位置を制御し、ナノチューブファブリック内のギャップの位置を制御し、且つ、ファブリック内のナノチューブの濃度を制御するように述べることができる。例えば、これら技術は、低い多孔率、高密度のファブリックを提供可能である。さらに、当該技術は、ナノチューブファブリック内のナノチューブのギャップを制御するように説明可能である。すなわち、最新リソグラフィの制限（例えば、約２０ｎｍ以下）以下の装置を作成するための技術を開示した。また、低多孔性及び高密度なファブリックは、例えば、追加のナノチューブ要素でナノチューブフィルム内のギャップを満たすことでも作成可能である。
【０１７２】
さらに、ナノチューブファブリック層上に方向性のある力を伝達するための複数の方法及び装置を説明した。これら秩序化工程における方法のうちの１又は複数の選択及び使用は、本開示の方法のほとんどの応用において、工程中にナノチューブファブリック層内のナノチューブが損傷しない又は剥離しないような方法及び装置にのみ限定されるべきである。
【０１７３】
さらに、当業者が理解すべきであるが、ここに開示した方法で作成された秩序ナノチューブファブリックが、薄い強い耐久性のある膜が特定の機能のために要求される任意な装置、製品又はプロセスにおいて使用可能である。例えば、本開示の方法は、ファブリック内のナノチューブ要素の濃度又はファブリック内のギャップの数又はサイズが所定の許容範囲内に適合することが要求される、ナノチューブファブリックを使用する任意の用途に利用可能である。
【０１７４】
本発明は特定の実施形態に関して説明されたが、多くの他の変形及び改変並びに他の使用が当業者にとって明らかである。したがって、本発明はここにおける特定の開示によって限定されることはなく、添付のクレームで定められる。また、これらクレームは、説明したものへの修正及び改善を包含するものである。
【図１】
2013527806.tif 000003
【図２Ａ】
2013527806.tif 000004
【図２Ｃ】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
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【図３Ｄ】
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【図３Ｅ】
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【図３Ｆ】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
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【図１０Ａ】
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【図１０Ｂ】
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【図１１Ａ】
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【図１１Ｂ】
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【図１２Ａ】
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【図１２Ｂ】
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【図１３Ａ】
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【図１３Ｂ】
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【図１４Ａ】
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【図１４Ｂ】
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【図１５Ａ】
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【図１５Ｂ】
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【図１６】
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【図１８】
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【図２Ｂ】
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【図２Ｄ】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図１７】
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【図１９Ａ】
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【図１９Ｂ】
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【図１９Ｃ】
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【図２０Ａ】
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【図２０Ｂ】
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【図２０Ｃ】
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【図２１Ａ】
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【図２１Ｂ】
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【図２１Ｃ】
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【図２２Ａ】
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【図２２Ｂ】
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【図２２Ｃ】
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【図２３Ａ】
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【図２３Ｂ】
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【図２３Ｃ】
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【図２４Ａ】
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【図２４Ｂ】
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【図２４Ｃ】
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【図２５Ａ】
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【図２５Ｂ】
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【図２５Ｃ】
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【図２６Ａ】
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【図２６Ｂ】
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【図２６Ｃ】
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【図２７Ａ】
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【図２７Ｂ】
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【図２７Ｃ】
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【図２８Ａ】
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【図２８Ｂ】
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【図２８Ｃ】
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【図２８Ｄ】
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【図２９Ａ】
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【図２９Ｂ】
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【図２９Ｃ】
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【図３０Ａ】
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【図３０Ｂ】
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【図３０Ｃ】
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【図３０Ｄ】
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【図３１Ａ】
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【図３１Ｂ】
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【図３１Ｃ】
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【図３２Ａ】
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【図３２Ｂ】
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【図３２Ｃ】
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【図３２Ｄ】
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【図３３Ａ】
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【図３３Ｂ】
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【図３４Ａ】
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【図３４Ｂ】
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【図３４Ｃ】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９Ａ】
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【図３９Ｂ】
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【図３９Ｃ】
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【図３９Ｄ】
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【国際調査報告】
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