(57)【要約】本発明は第１の無接触装置と、第１の電力レベルに設定された電磁界を供給する第２の無接触装置との間で電力設定交渉を行う方法に係る。本方法は、ａ）第１の無接触装置から第２の無接触装置に対して、前記電磁界を所定継続期間第２の電力レベルに設定するよう求める要請を送信するステップと、ｂ）第２の無接触装置から第１の無接触装置に対して、要請に対する第２の無接触装置の決定を反映する応答を送信するステップと、ｃ）前記決定が肯定的であったときには、前記電磁界を第２の電力レベルに切替えるステップと、を備える。【選択図】      図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の電力レベル（Ｌ０）に設定された電磁界を供給する第２の無接触装置（ＣＲ）と、設定された前記電磁界をエネルギ源として使用する第１の無接触装置（ＣＣ）との間で電力設定交渉を行う方法であって、
ａ）前記第１の無接触装置（ＣＣ）から前記第２の無接触装置（ＣＲ）に対して、前記電磁界を所定継続期間（Ｄ１）第２の電力レベル（Ｌ１）に設定するよう求める要請（ＲＥ１）を送信する第１ステップと、
ｂ）前記第２の無接触装置（ＣＲ）から前記第１の無接触装置（ＣＣ）に対して、前記要請（ＲＥ１）に対する前記第２の無接触装置（ＣＲ）の決定を反映する応答（ＡＫ１）を送信する第２ステップと、
ｃ）前記決定が肯定的であったときには、前記応答（ＡＫ１）の送信後に、前記電磁界を前記第２の電力レベル（Ｌ１）に切替える第３のステップと、
を具備することを特徴とする方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法において、さらに
ｄ）前記所定継続期間（Ｄ１）の終了時に前記電磁界を前記第１の電力レベル（Ｌ０）に切替える第４のステップを具備することを特徴とする方法。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の方法において、
前記第２の電力レベル（Ｌ１）は、前記第１の電力レベル（Ｌ０）より高いか又は低いことを特徴とする方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれかに記載の方法において、
前記第１の無接触装置（ＣＣ）が、無接触カードであり、前記第２の無接触装置（ＣＲ）が無接触リーダであることを特徴とする方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれかに記載の方法において、
前記第１の無接触装置（ＣＣ）が、フラッシュメモリ（ＦＭ）であることを特徴とする方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれかに記載の方法において、
前記第２の無接触装置（ＣＲ）が電力供給能力（ＣＡ）を備え、前記応答（ＡＫ１）が前記電力供給能力（ＣＡ）に関するデータを含むことを特徴とする方法。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれかに記載の方法において、
前記応答（ＡＫ１）が前記第１の電力レベル（Ｌ０）に関するデータを含むことを特徴とする方法。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれかに記載の方法において、
前記要請（ＲＥ１）が前記第１の電力レベル（Ｌ０）と前記第２の電力レベル（Ｌ１）との差に関するデータを含むことを特徴とする方法。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれかに記載の方法において、
前記電磁界を前記第２の電力レベル（Ｌ１）に切替える第３のステップは、前記第１の無接触装置（ＣＣ）と前記第２の無接触装置（ＣＲ）との間で更なるコマンドが交換されたとき実行されることを特徴とする方法。
【請求項１０】
第１の電力レベル（Ｌ０）に設定された電磁界をエネルギ源として前記電磁界中で使用され、前記第１の電力レベル（Ｌ０）を識別可能な第１の手段（Ｍ１）を具備する無接触装置（ＣＣ）であって、
第２の電力レベル（Ｌ１）とその継続期間（Ｄ１）とを識別可能な第２の手段（Ｍ２）と、
前記電磁界を前記継続期間（Ｄ１）前記第２の電力レベル（Ｌ１）に設定するよう求める要請（ＲＥ１）を作成可能な第３の手段（Ｍ３）と、
を備えることを特徴とする無接触装置。
【請求項１１】
請求項１０に記載の無接触装置（ＣＣ）において、
前記無接触装置（ＣＣ）がフラッシュメモリ（ＦＭ）を備えた無接触カード（ＣＣ）であることを特徴とする無接触装置。
【請求項１２】
第１の電力レベル（Ｌ０）と第２の電力レベル（Ｌ１）とに設定可能な電磁界を供給可能な通信手段（ＣＭ）を備えた無接触装置（ＣＲ）において、
・前記電磁界を所定継続期間（Ｄ１）第２の電力レベル（Ｌ１）に切替えるよう求める第１の無接触装置（ＣＣ）からの要請（ＲＥ１）を分析し、
・前記要請（ＲＥ１）に対して決定をし、
・前記決定を反映する応答（ＡＫ１）を前記第１の無接触装置（ＣＣ）に送信し、
・前記決定が肯定的であったときには、前記応答（ＡＫ１）の送信後に、前記第２の電力レベル（Ｌ１）に切替える交渉手段（ＮＭ）を具備することを特徴とする無接触装置。
【請求項１３】
請求項１２に記載の無接触装置（ＣＲ）において、
前記交渉手段（ＮＭ）は、前記所定継続期間（Ｄ１）の終了時に前記電磁界を前記第１の電力レベル（Ｌ０）に自動的に切替え可能とすることを特徴とする無接触装置。
【請求項１４】
請求項１３に記載の無接触装置（ＣＲ）において、
前記無接触装置（ＣＲ）が電力供給能力（ＣＡ）を備え、前記応答（ＡＫ１）が前記電力供給能力（ＣＡ）に関するデータを含むことを特徴とする無接触装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、二つの無接触装置の間で電力設定交渉を行う方法に係り、特に、電磁界をエネルギ源として使用する無接触装置による要請に応じて、リーダ装置側で電力レベルを選択する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近距離無線通信（Ｎｅａｒ  Ｆｉｅｌｄ  Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎ：ＮＦＣ）技術は、磁界を用いたデータの交換に基づくものである。
ＮＦＣリーダは、電磁界の変調、及びＮＦＣ装置へのエネルギ供給が可能なアンテナを持つ。
ＮＦＣリーダは通常、近接型結合装置（Ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ  Ｃｏｕｐｌｉｎｇ  Ｄｅｖｉｃｅ：ＰＣＤ）と呼ばれる。
【０００３】
ＮＦＣ装置は、近接型ＩＣカード又は近接型カード（Ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ  Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ  Ｃａｒｄ又はＰｒｏｘｉｍｉｔｙ  Ｃａｒｄ：ＰＩＣＣ）でもよく、又は論理ＰＩＣＣとして機能する部品を埋め込んでいてもよい。
ＰＩＣＣとＰＣＤはフィールド周波数１３．５６ＭＨｚ内での誘導結合により通信することができる。
特に、ＩＳＯ１４４４３及びＩＳＯ１８０９２標準は、変調技術及び通信プロトコルを規定している。
これらは、ＮＦＣ分野で使用できる。
【０００４】
リーダは電磁界を複数の電力レベルに設定できる。
無接触技術の規格では、無接触カードは１．５アンペア／メートルに等しい電力レベルの電磁界で正常に動作するものと規定されている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
フラッシュメモリは、大量のデータの保管を可能とする。
しかし、フラッシュメモリの「電源オン」の段階は、ＩＤ１カード内で最低でも２．５アンペア／メートルの電力レベルを必要とする。
従って、無接触カードはフラッシュメモリを駆動するのに十分なエネルギをもたないことがある。
無接触カードは、受動モードではフラッシュメモリを使用することができない。
なぜならば、カードは１．５Ａ／ｍまでに制限された無接触リーダに準拠していなければならないためである。
無接触カードによるフラッシュメモリの使用を可能とする必要性がある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の目的は、上述の技術的問題を解決することである。
本発明の目的は、第１の無接触装置と第２の無接触装置との間の電力設定交渉を行う方法である。第２の無接触装置は第１の電力レベルに設定された電磁界を供給する。本方法は、以下のステップを含む；
ａ）第１の装置から第２の装置へ、所定継続時間第２の電力レベルに設定するよう求める要請を送信するステップ
ｂ）第１の装置へ、前記要請に対する第２の装置の決定を反映した応答を送信するステップ
ｃ）前記決定が肯定的であったときに、電磁界を第２の電力レベルに切替えるステップ
【０００７】
好適には、前記方法は、所定継続期間の終わりに電磁界を第１の電力レベルに切替えるステップを含んでもよい。
第２の電力レベルは、第１の電力レベルより高くてもよい。
第２の電力レベルは、第１の電力レベルより低くてもよい。
【０００８】
好適な実施例では、第１の装置は無接触カードであり、第２の装置は無接触リーダである。
好適には、第１の装置はフラッシュメモリであってもよい。
他の実施例では、第２の装置は電力供給能力を備えていてもよく、応答は電力供給能力に係るデータを含んでいてもよい。
好適には、前記応答は、第１の電力レベルに係るデータを含んでいてもよい。
要請は、第１の電力レベルと第２の電力レベルとの差に関するデータを含んでいてもよい。
一実施例において、第２の電力レベルに切替えるステップは、第１及び第２の装置との間で更なるコマンドが交換されたときに実行してもよい。
【０００９】
本発明の他の目的は、第１の電力レベルに設定された電磁界内での使用を意図された無接触装置である。
この装置は第１の手段、第２の手段、及び第３の手段を備える。
第１の手段は、第１の電力レベルを識別することを可能にする。
第２の手段は、第２の電力レベルとその継続期間とを識別することを可能にする。
第３の手段は、第２の電力レベルとその継続期間とを求める要請を作成することを可能にする。
好適には、無接触装置は、フラッシュメモリを備える無接触カードであってもよい。
【００１０】
本発明の他の目的は、第１及び第２の電力レベルに設定可能な電磁界の供給を可能にする通信手段を備える無接触装置である。
無接触装置は、本発明の第一目的のひとつである、第２の無接触装置からの要請の分析を可能にする交渉手段を備える。
前記要請は、特定の継続期間、第２の電力レベルへの切替えを求めるものである。
前記交渉手段は、要請に対する決定、及び前記決定が肯定的であったときに電磁界を第２の電力レベルに切替えることを可能にする。
【００１１】
好適には、前記交渉手段は、特定の継続期間の終わりに、電磁界を第１の電力レベルに自動的に切替えできるようにしてもよい。
一実施例において、前記交渉手段は、第２の無接触装置へ決定を反映した応答を送信できるようにしてもよい。
他の実施例では、無接触装置は電力供給能力をもち、前記応答はその電力供給能力に係るデータを含んでいてもよい。
【００１２】
本発明のその他の特徴点及び利点は、以下に記載する本発明のいくつかの好適な実施例を、対応する添付図面を参照しながら読むことによってさらに明らかになる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明による、無接触カードと無接触リーダとの間の通信交換の一例を概略的に示す図。
【図２】本発明による、要請のＩＮＦフィールドの一例。
【図３】本発明による、応答のＩＮＦフィールドの一例。
【図４】本発明による、リーダ装置によって発生した、電磁界の電力レベルの調整のうちの第１の例を示す図。
【図５】本発明による、リーダ装置によって発生した、電磁界の電力レベルの調整のうちの第２の例を示す図。
【図６】本発明による、要請のＩＮＦフィールドの別の例。
【図７】本発明による、電力変更要請の符号化の一例。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
本発明は、無接触装置の如何なる形態にも適用することができる。
特に、本発明は、ＷＧ８Ｎ８６５又はＴＦ２Ｎ４６１に定義される超高データレート（ＶＨＤＲ）プロトコルに適合した装置に適用することができる。
本発明は、ＩＳＯ／ＩＥＣ１４４４３、ＩＳＯ／ＩＥＣ２１４８１、又はＩＳＯ／ＩＥＣ１８０９２、又はＩＳＯ／ＩＥＣ１５６９３標準に適合した無接触装置に適用することができる。
本発明は、例えば、ｅ−パスポート、ｅ−ヘルス、ｅ−アクセス、ｅ−ペイメント等、多様な分野の無接触装置に適用することができる。
【００１５】
電磁界を供給する無接触装置は、無接触リーダ又は無接触リーダとして機能することができる装置でもよい。
例えば、この無接触装置は、携帯電話又は支払い用の電子式資金移動端末のような持ち運び可能な装置でもよい。
また、リーダは、アクセスリーダ又はｅ−パスポートの出入国管理のような固定された装置でもよい。
【００１６】
本発明は、第１の無接触装置がもう一方の無接触装置に電磁界の電力レベルの一時的な調整を動的に要請できる、という事実に依存する。
従って、無接触カードは、特定の内部処理で必要とするときに、より多くのエネルギを得ることができる。
【００１７】
本発明の利点は、無接触装置が電磁界の電力レベルの減少をリーダに要請できる点にある。
従って、無接触リーダの電力消費は、特に、電磁界をエネルギ源として使用する無接触装置によって低い電力レベルが要請されたときに、抑えることができる。
この電力の節約は、ＮＦＣ装置に非常に有益である。
【００１８】
更に、リーダは電力レベル変更の要請を許可又は拒否してもよい。
従って、リーダは、マスタのままである。
それに加えて、リーダ装置は、最も多く要請された値を維持することで、複数の無接触カードからの電力変更要請に対応してもよい。
【００１９】
本発明の別の利点は、電磁界をエネルギ源として使用する無接触装置に、電磁界を発生させる装置の電力供給能力を通知する点にある。
従って、無接触カードは、更なる電力変更要請及び内部処理の順序を、リーダの電力供給能力に応じて変化させてもよい。
【００２０】
本発明は、他の装置から供給される電磁界を使用することを意図された無接触装置の如何なる形態にも適用することができる。
特に、そのような無接触装置は、カード又はパスポート冊子でもよい。
例えば、本発明は、ＩＣＡＯ９３０３標準に定義されるＩＤ１及びＩＤ３カードに適用することができる。
【００２１】
図１は、無接触カードＣＣと無接触リーダＣＲとの間の通信交換の一例を示す。
本発明のある実施例によれば、リーダ装置ＣＲは携帯電話である。
【００２２】
装置ＣＲは、無接触リーダの特性をもち、アンテナ（図には未記載）及び無接触コントローラ（図には未記載）を含む。
装置ＣＲは、電磁界の発生を可能にする通信手段ＣＭを含む。
電磁界は、少なくとも第１及び第２の電力レベルに設定できるようにしてもよい。
初期設定により、装置ＣＲは、第１の電力レベルＬ０の電磁界を発生させる。
第１の電力レベルＬ０は、１．５Ａ／ｍに等しいものである。
装置ＣＲは、所定継続期間Ｄ１第２の電力レベルＬ１への切替えを求める、要請ＲＥ１の分析が可能な交渉手段ＮＭを含む。
交渉手段ＮＭはまた、電力変更要請を許可又は拒否すること、及び電力変更要請が許可されたときに、電磁界を第２の電力レベルＬ１に切替えることも可能である。
【００２３】
交渉手段ＮＭは、第２の電力レベルＬ１が期間Ｄ１供給された後、電磁界を初期設定の第１の電力レベルＬ０に自動的に切替えることが可能である。
代替的に、別の手段が第１の電力レベルＬ０への切替えステップを起動してもよい。
【００２４】
交渉手段ＮＭは、要請ＲＥ１に対する応答ＡＫ１の送信も可能にしてもよい。
応答ＡＫ１は、電力変更要請に係る決定（すなわち、許可または拒否）を反映したデータを含む。
【００２５】
好適な実施例では、装置ＣＲは電力供給能力ＣＡをもつ。
例えば、電力供給能力は装置ＣＲによって発生する電磁界の最小及び最大の電力値によって定義してもよい。
応答ＡＫ１は、電力供給能力ＣＡに係るデータを含んでもよい。
【００２６】
無接触カードＣＣは、電磁界の現行の第１の電力レベルＬ０を測定できる手段Ｍ１を含む。
無接触カードＣＣは、第２の電力レベルＬ１及びその第２の電力レベルＬ１の所定継続期間Ｄ１の識別ができる手段Ｍ２を含む。
第２の電力レベルＬ１及び期間Ｄ１の識別は、無接触カードＣＣによる今後の所要電力を考慮にいれることによって行われる。
特に、これらの今後の所要電力は、カードＣＣ内で実行されるべき、計画された処理に依存してもよい。
【００２７】
無接触カードＣＣは、期間Ｄ１第２の電力レベルＬ１への電力レベル変更を求める要請ＲＥ１を作成することができる手段Ｍ３を含む。
要請ＲＥ１は、電磁界を供給する無接触装置への送信を意図されたものである。
【００２８】
好適な実施例によれば、無接触装置ＣＣは、フラッシュメモリＦＭである。
従って、要請ＲＥ１／応答ＡＫ１によって、無接触カードＣＣと装置ＣＲとの、適用される電力レベルについての交渉が可能となる。
【００２９】
図２は、本発明に従って、要請ＲＥ１に含まれるフィールドの一例を示す。
ＩＳＯ／ＩＥＣ１４４４３−４標準はＳ（）ブロック要請及びＳ（）ブロック応答を規定する。
好適な実施例では、要請ＲＥ１は１バイト長ＩＮＦフィールドを含むＳ（）ブロック要請である。
特に要請ＲＥ１は、「ＰｏＷｅｒ  ｅＸｔｅｎｓｉｏｎ」を表すＳ（ＰＷＸ）要請によりなされうる。
【００３０】
図２は、要請ＲＥ１のＩＮＦフィールドの一例（Ｒ−ＩＮＦ）を示す。
フィールドＲ−ＩＮＦは、２つのパートＰＷＸＭ、ＰＷＤＩを含む。
パートＰＷＸＭは、電力増強が要請される値を含む。
図２の例では、ＰＷＸＭの値は、０乃至１５の範囲内において、４つの最上位ビット（すなわちＢ８乃至Ｂ５）上で符号化される。
ＲＥ１の目的が電磁界を第２の電力レベルＬ１に設定することであると仮定すると、要請された電力増強はレベルＬ０とＬ１との差に等しい。
つまり、ＰＷＸＭはＬ１−Ｌ０に等しい。
【００３１】
パートＰＷＤＩは、第２の電力レベルＬ１と関連する目標とされた所定継続期間Ｄ１に係る値を含む。
図２の例において、ＰＷＤＩ値は、０乃至１４の範囲内において、４つの最下位ビット（すなわちＢ４乃至Ｂ１）上で符号化される。
ＰＷＤＩ値１５は使用されない。
所定継続期間Ｄ１は、次の式に従って計算される：
Ｄ１＝（２５６×（１６／ｆｃ））×２ＰＷＤＩ
ｆｃはＭＨｚで表される搬送周波数である。
この場合に、計算された所定継続期間Ｄ１は、マイクロ秒で表される。
特に、搬送周波数ｆｃは、１３．５６ＭＨｚに等しいものとしてもよい。
例えば、ＰＷＤＩが７に等しいとき、所定継続期間Ｄ１はおよそ３８．６ミリ秒に等しい。
ＰＷＤＩの初期設定値は４であってもよい。
この値は、およそ４．８ミリ秒に等しい所定継続期間Ｄ１に対応する。
【００３２】
図３は、本発明による応答ＡＫ１に含まれるフィールドの一例である。
好適な実施例では、応答ＡＫ１は、１バイト長ＩＮＦフィールドを含むＳ（）ブロックの応答である。
特に応答ＡＫ１はＳ（ＰＷＸ）応答の結果なされてもよい。
【００３３】
図３は、要請ＲＥ１のＩＮＦフィールドの一例（Ａ−ＩＮＦ）を示す。
フィールドＡ−ＩＮＦは、２つのパートＣＡＰ、ＰＯＷを含む。
パートＣＡＰは、装置ＣＲの電力供給能力ＣＡに係る値を含む。
図３の例において、ＣＡＰ値は０乃至１５の範囲内において、４つの最上位ビット（すなわちＢ８乃至Ｂ５）上で符号化される。
例えば、ＣＡＰが１１に等しいとき、リーダ装置ＣＲは１．５Ａ／ｍに等しい最低電力レベル、３Ａ／ｍに等しい最大電力レベルを有する。
他の例において、ＣＡＰが１５に等しいとき、リーダ装置ＣＲは１．５Ａ／ｍに等しい最低電力レベル、７．５Ａ／ｍに等しい最大電力レベルを有する。
【００３４】
パートＰＯＷは、装置ＣＲによって用いられる現在の電力レベルに係る値を含む。
このデータは、装置ＣＣが目下使用される電力レベルＬ０を得ることができるようにする。
従って、現在の電力レベルＬ０と要請された増強を知ることによって、装置ＣＣは、次の電力レベルＬ１を計算することができる。
図３の例において、ＰＯＷ値は０乃至１５の範囲内において、４つの最下位ビット（すなわちＢ４乃至Ｂ１）上で符号化される。
【００３５】
好適には、装置ＣＲが電力増強要請を拒否するとき、フィールドＡ−ＩＮＦは０（すなわちＣＡＰ＝０、ＰＯＷ＝０）に設定されてもよい。
前述の例において、所定継続期間Ｄ１は、時間の持続として表されている。
代替的に、所定継続期間Ｄ１は事前に設定された事象の数として表されてもよい。
例えば、所定継続期間Ｄ１は実行済みの指令や交換された要請のしきい値によって定義されてもよい。
【００３６】
好適には、装置ＣＣは、いくつかの連続する電力増強を要請してもよい。
特に、追加的な電力変更要請は前回の電力変更が未だ作動しているときに送信されてもよい。
好適な実施例では、後の電力増強は、前の電力レベルから計算される。
代替的に、後の電力増強は、初期設定の電力レベルから計算される。
【００３７】
図４は、電磁界の電力レベルが本発明に従って調整される第１の図を示す。
Ｌ０に等しい初期設定値を有する電磁界が、装置ＣＲによって発生される。
装置ＣＣが更なるエネルギを必要とするとき、Ｄ１の期間中電力レベルＬ１となるように、装置ＣＣは要請ＲＥ１を送る。
装置ＣＲはその電力変更要請を受け入れ、応答ＡＫ１を送信する。
組み合わせＲＥ１／ＡＫ１は唯一の矢印として示されているが、これらの２つのメッセージの作成及び送信は短い期間を要求する。
つまり、ＲＥ１／ＡＫ１の送信は、瞬間的ではない。
次に、電磁界の電力レベルはＬ１に設定する。
このレベルはＤ１に等しい期間保持される。
次に装置ＣＲは電磁界の電力レベルをＬ０に設定する。
電力レベルがＬ１に設定されるとき、装置ＣＣは高いレベルのエネルギを必要とする内部処理を実行してもよい。
例えば、無接触カードは、所定継続期間Ｄ１の間、そのフラッシュメモリを駆動させてもよい。
【００３８】
次に、装置ＣＣは、限られた期間の間、他の更なるエネルギを必要としてもよい。
装置ＣＣは、期間Ｄ２の間、電力レベルＬ２となるように要請ＲＥ２を送信する。
装置ＣＲは、電力変更要請を受け入れ、応答ＡＫ２を送信する。
そして、電磁界の電力レベルはＬ２に設定される。
このレベルはＤ２に等しい期間の間保持される。
所定継続期間Ｄ２の終わりに、装置ＣＲは、電磁界の電力レベルをＬ０に設定する。
【００３９】
次に、装置ＣＣは、所定継続期間Ｄ３の間、エネルギを必要としない。
従って、装置ＣＣは、期間Ｄ３の間、電力レベルＬ３になるように、要請ＲＥ３を送信してもよい。
装置ＣＲは、電力変更要請を受け入れ、応答ＡＫ３を送信する。
ゆえに電磁界の電力レベルはＬ３に設定される。
このレベルはＤ３に等しい期間の間保持される。
所定継続期間Ｄ３の終わりに至るとき、装置ＣＲは、電磁界の電力レベルをＬ０に設定する。
図４の例において、Ｌ０は１．５アンペア／メートルに等しくてもよく、Ｌ１は２．５アンペア／メートルに等しくてもよく、Ｌ３は１．０アンペア／メートルに等しくてもよい。
【００４０】
それぞれの時間に、新たな電力レベルはＳブロック応答の送信の直後に活性化される。
好適には、装置ＣＣは、事前に設定された期間内に、応答が受信されたかどうかを調べることができるようタイマーを制御してもよい。
そのような事態は、電磁界を発生する装置が、電力変更要請を処理できないときに起こりうる。
例えば、事前に設定される期間は、１又は５ミリ秒に設定されてもよい。
【００４１】
図５は、電磁界の電力レベルが本願発明に従って調整される、第２の図を示す。
Ｌ０に等しい初期設定値を有する電磁界が、装置ＣＲによって発生される。
装置ＣＣが更なるエネルギを必要とするとき、装置ＣＣは期間Ｄ４の間電力レベルＬ４になるように要請ＲＥ４を送信する。
装置ＣＲは、電力変更要請を受け入れ、応答ＡＫ４を送信する。
そして、電磁界の電力レベルは装置ＣＲによってＬ４に設定される。
【００４２】
装置ＣＣの内部処理にレベルＬ４の時間が、更に必要なとき、装置ＣＣは所定継続期間Ｄ４の終わりの前に他の要請ＲＥ５を送信してもよい。
追加的な要請ＲＥ５は、追加的な期間Ｄ５の間に現在の電力レベルＬ４を保持しようとする。
装置ＣＲは、電力変更要請を受け入れ、応答ＡＫ５を送信する。
そして、電磁界の電力レベルはＤ４＋Ｄ５に等しい期間の間Ｌ４に保持される。
例えば、Ｌ０は１．５アンペア／メートルに等しくてもよく、Ｌ４は４．５アンペア／メートルに等しくてもよく、Ｄ４は１２ミリ秒に等しくてもよく、Ｄ５は８ミリ秒に等しくてもよい。
【００４３】
一実施例において、図２に表されるようなＰＷＸＭ値は、０に設定される４つの最上位ビット（すなわちＢ８乃至Ｂ５）を用いて符号化されてもよい。
従って、ＰＷＸＭの値０は時間延長が現在の電力レベルを要求されることを意味する。
本発明の有利な点は、電磁界からのエネルギ源を得る無接触装置内でフラッシュメモリを使用することにより、大量のデータを格納できることにある。
他の実施例において、電磁界を発生する装置ＣＲは電力変更要請に応答して、特定のメッセージを送信しうる。
特定のメッセージは、装置ＣＣのユーザに装置ＣＲに接近するよう求める要請を含みうる。
【００４４】
図６は、本願発明による要請ＲＥ１に含まれるフィールドＲ−ＩＮＦの第２の例を示す。
フィールドＲ−ＩＮＦは、３つのパート、ＤＩＲ、ＰＷＭ、ＲＰを含む。
パートＤＩＲは、シングルビット（ｂ８）上で符号化され、電力変更（増加もしくは減少）の類型に対応する。
例えば、ｂ８＝０が、電力減少が要求されることを意味してもよく、ｂ８＝１が、電力増加が要求されることを意味してもよい。
【００４５】
パートＲＰは最後の５ビット（ｂ５乃至ｂ１）によって構成され、今後の使用のために、取っておかれる。
つまり、パートＲＰの値は、電力変更要請のために用いられない。
好適には、ＲＰは０に設定されてもよい。
【００４６】
パートＰＷＭは、２つのビット（ｂ７、ｂ６）上で符号化され、目標とされる電力レベルに対応する。
目標とされる電力レベルは、装置ＣＲによって発生されうる最大もしくは最低の電力レベルであってもよい。
目標とされる電力レベルはまた、現在の電力レベルの直下もしくは直上のレベルであってもよい。
【００４７】
図７は、電力変更要請の符号化の例を示す。
特に図７はパートＰＷＭの符号化の一例を表す。
例えば組み合わせｂ７＝０とｂ６＝０は、目標とされる電力レベルが装置ＣＲによってサポートされる最低の電力レベルを意味してもよい。
組み合わせｂ７＝１とｂ６＝１は、目標とされる電力レベルが装置ＣＲによってサポートされる最高の電力レベルを意味してもよい。
組み合わせｂ７＝１とｂ６＝０は、目標とされる電力レベルが装置ＣＲによって現在もたらされる電力レベルより一段階高いことを意味してもよい。
組み合わせｂ７＝０とｂ６＝１は、目標とされる電力レベルが装置ＣＲによって発生される現在の電力レベルより一段階低いことを意味してもよい。
つまり、この最後の組み合わせは、現在の電力レベル直下のレベルにおける増加を要求する。
【００４８】
図６の例において、フィールドＲ−ＩＮＦは、目標とされる電力レベルに関する所定継続期間に係る明確な値を含んでいない。
この場合に、所定継続期間は現在進行中の指令によって黙示的に定義される。
例えば、その順序は次のようになる。
第１に、リーダＣＲはＩＳＯ１４４４３標準規格に定義されるような、第１のＩブロックを送る。
それから、装置ＣＣは、図６によるＩＮＦフィールドを含むＳ（ＰＷＸ）要請を送信する。
そして、リーダＣＲは電力変更要請を受け入れ、装置ＣＣに対してＳ（ＰＷＸ）応答を送信する。
リーダＣＲは電磁界をＳ（ＰＷＸ）要請によって目標とされた電力レベルに切り替える。
次に、装置ＣＣは、Ｉブロック応答を送信する。
Ｉブロック応答を受信すると、リーダＣＲは電磁界を初期設定の電力レベルに切り替える。
【００４９】
つまり、所定継続期間はＳ（ＰＷＸ）応答の送信に伴い開始されてもよく、また、装置ＣＣによって現在処理される指令の終了に伴い終了されてもよい。
所定継続期間の正確な値は、Ｓ（ＰＷＸ）要請を送信するときに知られていなくてもよい。
所定継続期間は、要請をしている装置ＣＣにおいて、処理の終わりに係る事象に黙示的に関連づけられるようにしてもよい。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【国際調査報告】
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