(57)【要約】【課題】加熱されるプロセスチャンバーの壁の表面温度に局所的に再現可能な方法で影響を及ぼす。【解決手段】本発明は、反応炉ハウジングの中に配置された加熱可能なボディ（２）と、ボディ（２）から間隔を空けて配置されており、ボディ（２）を加熱するための加熱デバイス（４）と、ボディ（２）から間隔を空けて配置された冷却デバイス（５）とを備えるＣＶＤ反応炉に関する。加熱可能なボディと加熱デバイスと冷却デバイスとは、加熱デバイス（４）とボディ（２）の間の空間を横切って加熱デバイス（４）からボディ（２）に熱を移動させ、ボディ（２）と冷却デバイス（５）の間の空間を横切ってボディ（２）から冷却デバイス（５）に熱を移動させるように配置される。熱処理中または連続する処理ステップの間に、冷却および／または加熱デバイス（４、５）とボディ（２）との間の空間に制御ボディ（６）を挿入することができる。【選択図】図１
2013503976.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
反応炉、特に反応炉ハウジングの中に配置された加熱可能なボディ（２、３）を備えるＣＶＤ反応炉であって、
前記ボディ（２、３）を加熱するための加熱デバイス（４、１７）を備え、当該加熱デバイス（４、１７）が前記ボディ（２、３）から間隔を空けて配置され、
前記ボディ（２、３）から間隔を空けて配置された冷却デバイス（５、１８）を備え、当該冷却デバイス（５、１８）が前記加熱デバイス（４、１７）と前記ボディ（２、３）の間の中間空間を横切って前記加熱デバイス（４、１７）から前記ボディ（２、３）に熱を移動させ、前記ボディ（２、３）と前記冷却デバイス（５、１８）の間の前記中間空間を横切って前記ボディ（２、３）から前記冷却デバイス（５、１８）に熱を移動させるように配置され、
前記中間空間の中に配置された１つ以上の制御ボディ（６、１９）を備え、
前記制御ボディ（６、１９）が前記中間空間の中に動くことができ、結果として熱の移動と前記ボディ（２、３）の温度が局所的に影響を及ぼされる、
ことを特徴とする反応炉。
【請求項２】
熱伝導性のある前記制御ボディ（６、１９）が、プロセスチャンバー（１）の外側である非活性位置から前記プロセスチャンバー（１）内の前記中間空間の中の活性位置へ、または前記プロセスチャンバー（１）内の２つの活性位置の間で、前記中間空間の中に動くことができることを特徴とする請求項１に記載の反応炉。
【請求項３】
加熱可能な前記ボディ（２、３）と前記冷却デバイス（５、１８）の間の前記中間空間が第１の特定の熱伝導度を持つガスで満たされることができ、前記制御ボディ（６、１９）が第２の特定の熱伝導度を持ち、当該第２の特定の熱伝導度は前記第１の特定の熱伝導度と異なり、特に前記第１の特定の熱伝導度より大きく、望ましくは少なくとも２倍または５倍大きいことを特徴とする請求項１または２に記載の反応炉。
【請求項４】
加熱可能な前記ボディ（２、３）が、プロセスチャンバー（１）の第１の壁部を定義し、熱処理される基板を支えるためのサセプタ（２）によって形成され、または前記サセプタ（２）の反対側に前記サセプタ（２）から間隔を空けて配置された前記プロセスチャンバー（１）の第２の壁部によって形成されることを特徴とする請求項１に記載の反応炉。
【請求項５】
前記加熱デバイス（４、１７）がＲＦヒーターによって形成され、前記冷却デバイス（５、１８）が前記ＲＦヒーターの中の冷却チャンネルによって形成されることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の反応炉。
【請求項６】
前記ＲＦヒーター（４）が前記サセプタ（２）の下の平面にらせんの形状で配置され、前記サセプタ（２）が水平面に広がり、少なくとも１つの前記制御ボディ（６）が前記サセプタ（２）と前記ＲＦヒーター（４）の間で前記水平面と並行な平面内に移動可能に配置されることを特徴とする請求項５に記載の反応炉。
【請求項７】
前記ＲＦヒーター（１７）が前記プロセスチャンバー天井（３）の上の平面にらせんの形状で配置され、前記プロセスチャンバー天井（３）が前記サセプタ（２）と対向して水平面に広がり、少なくとも１つの前記制御ボディ（１９）が前記プロセスチャンバー天井（３）と前記ＲＦヒーター（１７）の間で前記水平面と並行な平面内に移動可能に配置されることを特徴とする請求項５または６に記載の反応炉。
【請求項８】
前記制御ボディ（６、１９）が、電気絶縁物であり、特にクオーツで構成されることを特徴とする請求項１ないし７のいずれか１項に記載の反応炉。
【請求項９】
加熱可能な前記ボディ（２、３）または前記加熱デバイス（４、１７）に面する前記制御ボディ（６、１９）の表面（６’、６”、１９’、１９”）が反射することを特徴とする請求項１ないし８のいずれか１項に記載の反応炉。
【請求項１０】
反応炉のプロセスチャンバー（１）内での基板の熱処理方法であって、
前記プロセスチャンバー（１）が、特にＣＶＤ反応炉における層の堆積のために、第１と第２の壁（２，３）を形成し、
前記基板が、前記プロセスチャンバー（１）の第１の壁を形成するサセプタ（２）の上で支持され、
少なくとも１つの前記壁（２、３）が、前記壁（２、３）から間隔を空けられた加熱デバイス（４、１９）によってプロセス温度に加熱され、
冷却デバイスが、少なくとも１つの加熱される前記壁（２、３）と関連し、前記壁（２、３）から間隔を空けられ、
前記冷却デバイスが、前記加熱デバイス（４、１７）と加熱される前記プロセスチャンバーの壁（２、３）の間の中間空間を横切って前記加熱デバイス（４、１７）から前記プロセスチャンバーの壁（２、３）に熱を移動させ、加熱される前記プロセスチャンバーの壁（２、３）と前記冷却デバイス（５、１８）の間の前記中間空間を横切って加熱される前記プロセスチャンバーの壁（２、３）から前記冷却デバイス（５、１８）に熱を移動させるように配置され、
熱処理の間に、および／または時間的にお互いに連続する処理ステップの間に、前記プロセスチャンバー（１）に面する加熱される前記壁（２、３）の表面温度において局所的な効果のために熱の移動が局所的に影響を及ぼされるように、冷却または加熱デバイス（４、５；１７、１８）と加熱される前記壁部（２、３）との間の前記中間空間の中に１つ以上の制御ボディ（６、１９）を動かす、
ことを特徴とする基板の熱処理方法。
【請求項１１】
前記第１の壁によって形成されるサセプタ（２）または前記第２の壁によって形成されるプロセスチャンバーの天井（３）と前記各壁と関連する前記冷却デバイス（５、１８）との間の前記中間空間の中に、第１の特定の熱伝導度を持つガスがあり、前記制御ボディ（６、１９）が少なくとも２倍前記第１の特定の熱伝導度と異なる第２の特定の熱伝導度を持つことを特徴とする請求項１０に記載の基板の熱処理方法。
【請求項１２】
前記ガスが水素、窒素または希ガスであり、前記中間空間内の全圧が１ミリバールと１０００ミリバールの間の範囲であり、前記制御ボディ（６、１９）がクオーツ、サファイアまたはガラスで構成され、加熱される前記壁（２、３）がグラファイトボディによって形成されることを特徴とする請求項１０または１１に記載の基板の熱処理方法。
【請求項１３】
前記加熱デバイス（４、１７）がチューブによって形成されるらせん状のＲＦヒーターであり、冷却流体が前記チューブによって形成される冷却チャンネル（５、１８）を通って流れることを特徴とする請求項１０ないし１２のいずれか１項に記載の基板の熱処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、反応炉、特に反応炉ハウジングの中に配置された加熱可能なボディを備えるＣＶＤ反応炉に関する。この反応炉は、前記ボディを加熱するための加熱デバイスを備え、当該加熱デバイスが前記ボディから間隔を空けて配置される。そして、この反応炉は、前記ボディから間隔を空けて配置された冷却デバイスを備え、当該冷却デバイスが前記加熱デバイスと前記ボディの間の中間空間を横切って前記加熱デバイスから前記ボディに熱を移動させ、前記ボディと前記冷却デバイスの間の前記中間空間を横切って前記ボディから前記冷却デバイスに熱を移動させるように配置される。
【０００２】
更に、本発明は、反応炉のプロセスチャンバー内での基板の熱処理方法に関する。前記プロセスチャンバーは、特にＣＶＤ反応炉における層の堆積のために、第１と第２の壁部を形成する。前記基板が、前記プロセスチャンバーの第１の壁を形成するサセプタの上で支持される。少なくとも１つの前記壁部が、前記壁部から間隔を空けられた加熱デバイスによってプロセス温度に加熱される。そして、冷却デバイスが、少なくとも１つの加熱される前記壁と関連し、前記壁から間隔を空けられる。前記冷却デバイスが、前記加熱デバイスと加熱される前記プロセスチャンバーの壁の間の中間空間を横切って前記加熱デバイスから前記プロセスチャンバーの壁に熱を移動させ、加熱される前記プロセスチャンバーの壁と前記冷却デバイスの間の前記中間空間を横切って加熱される前記プロセスチャンバーの壁から前記冷却デバイスに熱を移動させるように配置される。
【背景技術】
【０００３】
一般的な種類の反応炉は、特許文献１に記載されている。ここに記載される反応炉は外側の壁を持ち、その壁によって反応炉ハウジングの内側の空間が外界から気密構造で分離される。反応炉ハウジングの内側にプロセスチャンバーがあり、それは、サセプタによって下方に区切られ、プロセスチャンバー天井によって上方に区切られる。サセプタとプロセスチャンバー天井はグラファイトで作られており、高周波交流フィールドによって加熱される。問題になっているＲＦ加熱デバイスは、サセプタの下に、またはプロセスチャンバー天井の上にあり、らせん状コイルの形を持つ。そのコイルのボディは空洞のボディから成る。その空洞のボディはらせん状に形成される。冷却媒体が空洞のボディを通って流れる。それで、加熱デバイスは同時に冷却デバイスである。ＲＦコイルによって生じる交流フィールドはサセプタとプロセスチャンバー天井に渦電流を生成する。それでサセプタとプロセスチャンバー天井は加熱される。
【０００４】
特許文献２、特許文献３および特許文献４は類似した反応炉を開示する。
【０００５】
特許文献５は、同様に一般的な種類の装置を開示する。その装置では、プロセスチャンバーの中に配置され、グラファイトで構成され、冷却液が流れるＲＦコイルによって同様に加熱されるサセプタの下にクオーツの支持プレートが与えられる。サセプタは、中心軸の周りを回転駆動されるが、ガスクッションでこのクオーツプレートの上に浮く。回転駆動するために、駆動メカニズムはサセプタの底面とクオーツプレートの上面の間の分離面を通るチャンネルによって駆動ガスで提供され、基板ホルダはサセプタの上面に位置するくぼみに包み込まれる。ここでまた、冷却液が流れるＲＦコイルは中間空間によってサセプタから間隔を空けられる。
【０００６】
特許文献６は、多数のディスク状基板のための処理デバイスを開示する。その処理デバイスでは、中間に空間を持って他のものの上に１つが積み重ねられる基板の間に熱移動ボディが与えられる。
【０００７】
特許文献７は、基板のための温度測定デバイスを開示する。その温度測定デバイスでは、基板の底面における温度が覆い部分に挿入される温度センサによって測定される。
【０００８】
特許文献８は、半導体基板の熱処理のための熱処理デバイスを開示する。ワークプレートの下に、熱放射の反射のために環状の熱補償部がある。
【０００９】
特許文献９は、熱伝導ガスが加熱されるサセプタと冷却器の間に導入される温度制御配置に関連する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】独国特許第１００  ４３  ６００  Ａ１号明細書
【特許文献２】独国特許第１０３  ２０  ５９７  Ａ１号明細書
【特許文献３】独国特許第１０  ２００６  ０１８  ５１５  Ａ１号明細書
【特許文献４】独国特許第１０  ２００５  ０５６  ３２０  Ａ１号明細書
【特許文献５】独国特許第１０  ２００５  ０５５  ２５２  Ａ１号明細書
【特許文献６】米国特許第５，５１６，２８３  Ａ号明細書
【特許文献７】独国特許第１９８  ８０  ３９８  Ｂ４号明細書
【特許文献８】米国特許第６、２２８、１７３  Ｂ１号明細書
【特許文献９】米国特許第２００５／０１７８３３５  Ａ１号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
加熱されるプロセスチャンバーの壁の加熱に局所的に影響を及ぼす技術上の必要性が存在する。これまで、この目的のために加熱パワーが局所的に変更された。ＨＦ交流フィールドの複雑性および端の状態とパワーの依存関係のために、その結果は十分でない。
【００１２】
加熱されるプロセスチャンバーの壁の表面温度に局所的に再現可能な方法で影響を及ぼすことができる手段を提供することが本発明の目的である。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
この目的は、請求項に記載された本発明によって達成される。従属する請求項は、関連する請求項の有利な発展を示すのみならず、またいずれの場合にも、問題への独立した解決策を示す。
【００１４】
まず最初に、加熱される壁部と冷却または加熱デバイスとの間の中間空間の中に１つ以上の制御ボディを動かすことができることが与えられる。サセプタの表面における局部的な温度変化を生じさせるために、処理プロセス中に、またはお互いに連続する２つの処理プロセスの間に制御ボディを動かすことができる。
【００１５】
本発明は、例えば、特許文献５に記載されているように、ＣＶＤ反応炉では、ＲＦヒーター（ＲＦコイル）によってサセプタまたは加熱されるプロセスチャンバー天井に移されるパワーの約１０から３０％が熱伝導または熱放射として冷却デバイス、すなわち冷却液が流れるＲＦコイルに再び戻るという認識に基づく。制御ボディが熱のためのこの帰還輸送パスに介入する。
【００１６】
反応炉ハウジングの中に配置されたプロセスチャンバーで起こるプロセスは、通常１ミリバールより高い全圧で実行される。結果として、サセプタと加熱／冷却デバイスの間の中間空間には、少なくとも１ミリバールの全圧を持ったガスがある。これは、一般に不活性ガス、例えば希ガス、水素または窒素である。１０００℃より下のプロセス温度で、かなりのパワーが、このガスを経由して、加熱される壁、例えばサセプタのプロセスチャンバーと反対側の面から熱伝導によって、冷却液が流れるらせん状の巻き線（ＲＦコイル）に移る。より高い温度では、かなりのパワーが熱放射によってこれらの冷却ボディに移る。制御ボディがサセプタまたはプロセスチャンバー天井と加熱／冷却デバイスの間の中間空間の中に局所的に動くならば、この熱の輸送に影響を与える。熱の戻りが熱伝導によってかなり起こるならば、望ましくは、制御ボディは中間空間の中のガスの熱伝導度よりもかなり大きい特定の熱伝導度を持つ。望ましくは、２つの特定の熱伝導度の間の比は少なくとも２および特に少なくとも５である。方法のこの変形では、外部からサセプタまたはプロセスチャンバー天井と加熱／冷却デバイスの間の中間空間に制御ボディを押し入れることによって熱の帰還流を局所的に増加させる。それで、この位置でサセプタまたはプロセスチャンバー天井の表面温度がわずかに落ちる。制御ボディが電気絶縁物で構成されるならば、ＲＦ結合によってサセプタまたはプロセスチャンバー天井に起こるエネルギーの供給は影響を及ぼされない。
【００１７】
本発明の変形では、制御ボディが少なくともサセプタまたはプロセスチャンバー天井に面する側に反射面を持つことが与えられる。その面は、サセプタによる、またはプロセスチャンバー天井による熱放射を反射する。それで、サセプタから、またはプロセスチャンバー天井の表面でのＲＦコイルへの熱の戻りが減少する。この変形において、制御ボディは望ましくは低い熱伝導度を持つ。それは、ガスの熱伝導度よりも低い。この方法では、サセプタ表面での温度の局部的な上昇が可能である。また、単一のＲＦコイルの代わりに、同軸上で入れ子になった複数のＲＦコイルがお互いの周りに配置されることが可能である。これらは異なるパワーで動くことができる。このようにして、サセプタまたはプロセスチャンバー天井への局部的なエネルギーの供給の大まかな調整を達成することができる。それから、細かい調整が、サセプタから、またはプロセスチャンバー天井から冷却デバイスへの熱の戻りの調節によって上述された方法で行われる。このような方法で、増加されたパワーがサセプタまたはプロセスチャンバー天井に結合されるゾーンを与えることができる。通常の状態では、制御ボディは、加熱コイルとサセプタまたはプロセスチャンバー天井との間のこのゾーンの領域に配置される。円形の加熱ゾーンの場合には、望ましくは複数のセグメントから成る、環状の制御ボディがこの加熱ゾーンの領域全体に与えられることができる。この制御ボディが離れて動かされるならば、これはサセプタまたはプロセスチャンバー天井における表面温度の局部的な上昇に導く。このようにして、例えば、サセプタ上で支持される基板の端をサセプタの中央領域よりももっと強く加熱することができる。このようにして、基板のへこむこと、すなわち端が上に曲がることが避けられる。円形のサセプタの場合には、基板がサセプタの中心の周りに配置された基板ホルダの上に支持されており、特許文献５に記載されているように、これらの基板ホルダが各々基板を運び、それらの軸の周りを回転するときでさえ、これは可能である。この場合には、基板ホルダの端領域の下である加熱ゾーンのみが半径方向に外側にまたは半径方向に内側に調節されることが必要である。同様な方法で、プロセスチャンバーに面するプロセスチャンバー天井の表面の環状のゾーンにおける表面温度を低下させ、または上昇させることができる。
【００１８】
本発明に従う解決策によって、ヒーターが規定され、特にサセプタの表面において温度の均一性が調整されるように単純な手段によってヒーターの熱出力に局部的な影響を及ぼすことができる。調節はロバストであり、その制御に関してあまり手がかからない。冷却流体が流れるＲＦコイルの選択と配置において大まかな予備調整のみが必要である。その調整は、サセプタに間隔をあけることによって実質的にこのために達成される。同様に、例えばＲＦコイルのらせん状の形状のためにサセプタ上での表面温度分布に起こる不規則さを適切に形成されて配置された制御ボディによって補償することができる。サセプタの温度が高ければ高いほど、ＲＦコイルの温度の逆向きの結合はより強くなる。
【００１９】
添付図面を参照して本発明の典型的な実施形態を以下に説明する。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】ＣＶＤ反応炉のプロセスチャンバーの半分の断面図を示す。理解を容易にするために反応炉の壁は除かれている。
【図２】図１のII-II線断面図を示す。制御ボディは活性位置にある。
【図３】制御ボディが非活性位置に動かされたときの図２に対応する図を示す。
【図４】図１のIV-IV線断面図を示す。
【図５】シャワーヘッドによって形成されたプロセスチャンバー天井を持つ本発明の第２の実施形態を示す。
【図６】サセプタ２に対向するプロセスチャンバー天井３を加熱可能である本発明の第３の実施形態を示す。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
容易に理解できるように、本発明の説明のためにプロセスチャンバー１のみが図面中に概略的に示される。プロセスチャンバー１は、床２、天井３およびその他のユニットとともに反応炉ハウジングの内側に配置される。
【００２２】
図面中に示されるプロセスチャンバー１とそれらのユニットはステンレス鋼でできた反応炉ハウジングの内側にある。反応炉ハウジングの中に配置されるプロセスガスの供給ラインとＲＦヒーター４、１７の稼働のための熱エネルギーの供給ラインとが、図示されない反応炉ハウジングの壁を通って与えられる。使用されるプロセスガスの排出ラインと冷却液の供給ラインおよび排出ラインとが与えられる。後者は、冷却チャンネル５、１８を通って流れる冷却液を、反応炉ハウジングの中へ、およびその外へ運ぶ。反応炉ハウジングは外側に気密構造であり、同様に図示されない真空ポンプによって排気され、定義された内側の全圧を維持することができる。
【００２３】
図１から図４に示される第１の実施形態は、１体としてまたは複数の部品で構成されたグラファイトディスクによって形成されるサセプタ２を備える。ディスクの形状のサセプタ２は、柱１４の中にある中心軸の周りを回転可能である。このために、柱１４は回転駆動されることができる。柱１４とサセプタ２の内側にガス供給ライン８があり、それはプロセスチャンバー１に面するサセプタ２の上面の凹部で終わる。これらの凹部の中に、いずれの場合にもディスク状の基板ホルダ７がある。サセプタ２は、出口開口から吹き出るガスジェットによって浮き上がって保持され、回転することができる。１つ以上の基板が基板ホルダ７上で支持され、プロセスチャンバー１の中で熱処理される。
【００２４】
熱処理プロセスは、コーティングプロセスであることができる。これはＣＶＤプロセス、好ましくはＭＯＣＶＤプロセスであることができる。そこでは、キャリアガスとともに反応性プロセスガスがガス注入エレメント９を通ってプロセスチャンバー１の中に導入される。ガス注入エレメント９はプロセスチャンバー１の中心にある。プロセスガスは水素化物、例えばＮＨ３であることができる。これは、サセプタ２の真上にある供給ライン１２を通ってプロセスチャンバー１の中に導入される。供給ライン１２の上に位置する供給ライン１１を通って有機金属物質、例えばＴＭＧａまたはＴＭＩｎがプロセスガスとしてプロセスチャンバー１の中に導入される。
【００２５】
プロセスチャンバー１は、サセプタ２によって下方に区切られる一方、プロセスチャンバー天井３によって上方に区切られる。プロセスチャンバー天井３とサセプタ２はグラファイトで構成することができる。
【００２６】
ガス注入エレメント９を通ってプロセスチャンバー１の中に導入されたプロセスガスは、実質的には基板ホルダ７の上に置かれた基板の表面上でのみ分解される。基板は、そこで熱分解が起こるのに適した基板温度を有する。分解生成物は基板の表面上にIII-V族単結晶層を形成する。
【００２７】
サセプタ２を加熱するために、ＲＦヒーター４が与えられる。ＲＦヒーター４はらせん状に湾曲したチューブで構成される。このチューブは、らせん状に湾曲しているが、サセプタ２の下の並行な面の中にある。ＲＦヒーター４とサセプタ２の底面の間に中間空間がある。そのチューブは冷却チャンネル５を形成する。冷却チャンネル５を通って冷却液、例えば水が流れる。ＲＦコイル（ＲＦヒーター４）によって生成される高周波交流フィールドが導電性を有するサセプタ２に渦電流を生じさせる。これらの渦電流は、サセプタ２にその電気抵抗のために熱を生じさせる。それで、サセプタ２は１０００℃より下、または１０００℃より上のプロセス温度まで加熱される。一般的に、サセプタ２が加熱される温度は５００℃より上である。
【００２８】
揮発性の反応生成物とキャリアガスが円形のプロセスチャンバー１から半径方向に外側に動き、ガス排出アニュラス１０によって排出される。空洞のボディによって形成されるガス排出アニュラス１０は開口１３を備える。開口１３を通ってガスがガス排出アニュラス１０の中に入ることができる。ガス排出アニュラス１０は、既に上述した真空ポンプに接続される。
【００２９】
ＲＦコイル（ＲＦヒーター４）によって生成される交流電磁場は、単にプロセスチャンバー１を囲む要素の形状と材料特性によって決まるのではないらせん状の形状を持つ。交流電磁場のらせん状の形状は、またＲＦヒーターに供給されるパワーに依存する。この結果として、プロセスチャンバー１に面するサセプタ２の表面上の温度プロファイルは、ＲＦヒーター４の形状によって、すなわちコイルの巻き線の間隔等によって荒く調整されることができるのみである。ＲＦフィールドを経由してサセプタ２に伝わったパワーは、熱放射によって、およびキャリアガスによる熱伝導によってサセプタ２からプロセスチャンバー１の中に伝わる。後者については、プロセスチャンバー天井３の方向に熱が伝わる。プロセスチャンバー天井３は、それ自体は積極的に加熱されないが、サセプタ２によって与えられる熱によって加熱される。
【００３０】
けれどもまた、サセプタ２によって吸収されるＲＦエネルギーのかなりの部分が冷却されるＲＦヒーター４の方向にサセプタ２の底面によって与えられる。ＲＦヒーター４とサセプタ２の間の中間空間は、浄化ガス、例えば水素または窒素によって浄化される。一般的に１ミリバールより上であるが、そこでの全圧のために、ＲＦヒーター４への熱伝導によってサセプタ２からかなりの量の熱が奪われる。そこでは冷却チャンネル５を通って流れる冷却媒体によって熱が除かれる。
【００３１】
制御ボディ６が与えられる。本実施形態において、環状セグメントがあり、それはプロセスチャンバー１の中心に対して非活性位置から活性位置に半径方向に動かすことができる。環状セグメント（制御ボディ６）は、図２の平面図と図１の断面図に示される。図３は、非活性位置にある制御ボディ６を平面図で示す。図１の制御ボディ６は、非活性位置において鎖線で示される。制御ボディ６は、活性位置においてまとまって円を構成するが、中間空間の中でガスよりも著しく大きな熱伝導度を持つ材料で構成される。図１に示される本実施形態において、制御ボディ６は中間空間の高さの半分よりもかなり大きな材料の厚さを持つ。ここで、制御ボディ６はクオーツ、サファイア、ガラスまたは他の同様な非導電性の材料で構成される。従って、制御ボディ６は、その横断面において、制御ボディ６の無い同じパスよりも高い熱伝導性を持つ熱伝導パスを形成する。従って、図１において鎖線で示される非活性位置から実線の輪郭で示される活性位置への制御ボディ６の移動は、制御ボディ６によって覆われるサセプタ２のゾーン内でのサセプタ２からＲＦヒーター４への熱の戻りの増加に導く。これは、サセプタ２の表面における局部的な冷却効果に帰着する。制御ボディ６は、まとまって図２に示すリングを形成するが、サセプタ２の下であって、基板ホルダ７の端部の下に半径方向に外側のゾーンに位置する。基板ホルダ７は制御ボディ６の外側に位置する軸の周りを回転するので、基板ホルダ７上で支持される基板の端部のみが冷却される。基板ホルダ７は回転軸の周りを回転するので、サセプタ２の半径方向に外側の領域での温度の局部的な降下は、基板ホルダ７の表面全体に渡って実質的に広がる円形の基板の端部全体における基板温度の低下に導く。このようにして、基板のいかなるゆがみも避けられる。
【００３２】
モータによって駆動される図示されない機械駆動によって、制御ボディ６は図２と図３に示される２つの位置の間で往復して動かされることができる。
【００３３】
図５に示される実施形態では、同一の参照符号はプロセスチャンバー１の同一の要素を示す。この実施形態では、プロセスチャンバー天井３は１体としてまたは複数の部品で構成された中身の詰まったグラファイトプレートで構成されていない。ここで、プロセスチャンバー天井３はふるいのように配置された多数の出口開口１６を持つ。ここで、プロセスチャンバー天井３は”シャワーヘッド”１５によって形成される。プロセスガスは出口開口１６を通ってプロセスチャンバー１の中に導入される。
【００３４】
また、この実施形態では、サセプタ２とその下に配置されるＲＦヒーター４との間に、制御ボディ６がある。制御ボディ６は、その位置を変えることができ、高い熱伝導度を持つが、電気的に絶縁されている。
【００３５】
図６に示される第３の実施形態では、プロセスチャンバー天井３はグラファイトまたは他の導電性のある材料で作られる。プロセスチャンバー天井３の上に、同様に垂直の間隔をあけてらせん状に湾曲したチューブによって形成されるＲＦヒーター１７がある。そのチューブは冷却媒体が流れる冷却チャンネル１８を形成する。ＲＦヒーター１７とプロセスチャンバー天井３との間に、クオーツ、ガラス、サファイアまたは他の適切な材料の制御ボディ１９がある。制御ボディ１９は特有の高い熱伝導度を持つが、電気的に絶縁されている。ここでまた、多数の制御ボディ１９が与えられることができ、それらは図６に示される活性位置においてまとまって閉じた円を作る。
【００３６】
ここで同様に、制御ボディ６がサセプタ２とＲＦヒーター４の間に与えられる。制御ボディ１９と制御ボディ６は、平面図においてプロセスチャンバー１の外側である非活性位置と、平面図に見られるようにプロセスチャンバー１とともに位置する活性位置との間を動くことができる。
【００３７】
本発明の変形として、制御ボディ６と制御ボディ１９を非常に低い熱伝導度を持つ材料で構成することが与えられる。このように形成された制御ボディ６と制御ボディ１９を使って、サセプタ２とプロセスチャンバー天井３から冷却チャンネル５または冷却チャンネル１８への熱の戻りを削減することができる。
【００３８】
５００℃と１０００℃の間のプロセス温度で、問題となっている熱輸送機構の働きによる熱伝導は熱の再循環のためである。より高い温度では、熱放射が優勢である。この輸送において最適に介在することができるために、サセプタ２に面する制御ボディ６の表面６’またはプロセスチャンバー天井３に面する制御ボディ１９の表面１９’を反射するように形成することができる。この構成で、ＲＦヒーター４またはＲＦヒーター１７とサセプタ２またはプロセスチャンバー天井３との間の中間空間に制御ボディ６と制御ボディ１９を押し込むことによって、サセプタ２またはプロセスチャンバー天井３から冷却チャンネル５または冷却チャンネル１８への熱の戻りを削減することができる。
【００３９】
ＲＦヒーター４およびＲＦヒーター１７に面する制御ボディ６および制御ボディ１９の表面６''および１９''を、同様に反射するように形成することができる。けれども、これは本質的ではない。
【００４０】
全ての開示された特徴は、（それ自体で）本発明に関連する。関係する／添付の優先権書類（先の出願のコピー）の開示内容もまた、本願の特許請求の範囲にこれらの書類の特徴を包含させる目的も含め、その出願の開示全体をここに含める。
【図１】
2013503976.tif 000003
【図２】
2013503976.tif 000004
【図３】
2013503976.tif 000005
【図４】
2013503976.tif 000006
【図５】
2013503976.tif 000007
【図６】
2013503976.tif 000008
【国際調査報告】
2013503976.tif 000009
2013503976.tif 000010
2013503976.tif 000011
2013503976.tif 000012