(57)【要約】本発明は、オプトエレクトロニクス半導体部品（３）のハウジング（１００）の製造方法に関し、あらかじめ作製される反射体（１）が、部分的にハウジング材（２）によって包囲されている。本発明は、さらに、ハウジング（１００）およびオプトエレクトロニクス半導体部品に関する。
2013514641.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
オプトエレクトロニクス半導体デバイスのハウジング（１００）の製造方法であって、
ａ）  電磁放射を反射するのに適している少なくとも１つの内側領域（１２）を有する反射体（１）、を設けるステップと、
ｂ）  前記反射体（１）を部分的にハウジング材（２）によって包囲する包囲ステップと、
を含んでおり、
−  前記包囲ステップが、射出成形法によって実施され、
−  前記反射体（１）の前記内側領域（１２）には、少なくとも部分的に前記ハウジング材（２）が存在しておらず、
−  前記反射体（１）が第１のプラスチック材料によって形成され、
−  前記ハウジング材（２）が第２のプラスチック材料によって形成され、
−  前記第１のプラスチック材料が前記第２のプラスチック材料とは異なり、
−  熱的安定性および電磁放射に対する耐性、の少なくとも一方の材料特性に関して、前記第１のプラスチック材料と前記第２のプラスチック材料とが互いに異なる、
方法。
【請求項２】
−  前記反射体（１）を設ける前記ステップの前に、前記反射体（１）が機械加工によって作製される、
請求項１に記載の方法。
【請求項３】
−  前記反射体（１）を設ける前記ステップの前に、前記反射体（１）が射出成形法によって作製される、
請求項１に記載の方法。
【請求項４】
−  前記内側領域（１２）の少なくとも一部分を除いて前記反射体（１）を前記ハウジング材（２）によって包囲するとき、前記反射体（１）の表面（１１）全体が前記ハウジング材（２）によって覆われる、
請求項１から請求項３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
オプトエレクトロニクス半導体デバイスのハウジングであって、
−  電磁放射を反射するのに適している少なくとも１つの内側領域（１２）を有する反射体（１）と、
−  前記反射体（１）の前記表面（１１）に少なくとも部分的に直接接触しているハウジング材（２）と、
を備えており、
−  前記反射体（１）と前記ハウジング材（２）が、結合手段を使用せずに互いに機械的に結合されており、
−  前記反射体（１）の前記内側領域（１２）には、少なくとも一部分または全体にわたり、ハウジング材（２）が存在しておらず、
−  前記反射体（１）が第１のプラスチック材料によって形成されており、
−  前記ハウジング材（２）が第２のプラスチック材料によって形成されており、
−  前記第１のプラスチック材料が前記第２のプラスチック材料とは異なり、
−  熱的安定性および電磁放射に対する耐性、の少なくとも一方の材料特性に関して、前記第１のプラスチック材料と前記第２のプラスチック材料とが互いに異なる、
ハウジング。
【請求項６】
−  前記反射体（１）と前記ハウジング材（２）が、射出成形法によって互いに機械的に結合されている、
請求項５に記載のハウジング。
【請求項７】
−  前記ハウジング材（２）と前記反射体（１）が、光学特性に関して互いに異なる、
請求項５または請求項６に記載のハウジング。
【請求項８】
−  前記反射体（１）が、紫外線放射、可視放射、赤外線放射のうちの少なくとも１つに対して、少なくとも８０％の反射率を有する、
請求項５から請求項７のいずれかに記載のハウジング。
【請求項９】
−  前記反射体（１）が第２のプラスチック材料および白色顔料を備えている、
請求項５から請求項８のいずれかに記載のハウジング。
【請求項１０】
−  前記白色顔料が、以下の材料、すなわち、二酸化チタン、リトポン、硫酸バリウム、酸化亜鉛、硫化亜鉛、二酸化ジルコニウム、白亜、のうちの少なくとも１種類を含んでいる、
請求項９に記載のハウジング。
【請求項１１】
−  前記第１のプラスチック材料が、以下の材料、すなわち、ポリエステル、フルオロポリマー、ポリエーテルケトン、ポリエーテルイミド、高温ポリアミド、ポリエーテルケトン、液晶ポリマー、シリコーン、のうちの少なくとも１種類からなる群、から選択される、
請求項５から請求項１０のいずれかに記載のハウジング。
【請求項１２】
−  前記第２のプラスチック材料が、以下の材料、すなわち、ポリアミド、ポリフェニレンサルファイド、ポリエーテルイミド、ポリフェニルスルホン、のうちの少なくとも１種類からなる群、から選択される、
請求項５から請求項１１のいずれかに記載のハウジング。
【請求項１３】
−  前記第１のプラスチック材料が、前記第２のプラスチック材料よりも低い融点を有する、
請求項５から請求項１２のいずれかに記載のハウジング。
【請求項１４】
−  前記ハウジング材（２）に直接接触している前記反射体（１）の外側領域が、粗面化されている、もしくは多孔面である、またはその両方であり、前記反射体（１）の粗面または微細孔に、少なくとも部分的に前記ハウジング材（２）が入り込んでいる、
請求項５から請求項１３のいずれかに記載のハウジング。
【請求項１５】
オプトエレクトロニクスデバイスであって、
−  請求項５から請求項１４のいずれかに記載のハウジング（１００）と、
−  少なくとも１個のオプトエレクトロニクス部品（３）、特に、放射放出半導体チップと、
を備えており、
−  前記少なくとも１個のオプトエレクトロニクス部品（３）が、前記反射体の前記少なくとも１つの内側領域によって横方向に囲まれている、
オプトエレクトロニクスデバイス。
【発明の詳細な説明】
【背景技術】
【０００１】
特許文献１には、オプトエレクトロニクス半導体デバイスのハウジングが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００２】
【特許文献１】米国特許第６，６２４，４９１号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
本発明の目的は、オプトエレクトロニクス半導体デバイスのハウジングの製造方法であって、経時劣化に対する安定性が特に高い、オプトエレクトロニクス半導体デバイスのハウジングが得られる製造方法、を開示することである。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
オプトエレクトロニクス半導体デバイスのハウジングの製造方法を開示する。オプトエレクトロニクス半導体デバイスは、例えば、発光ダイオード、半導体レーザ、または光検出器である。
【０００５】
本方法の少なくとも一実施形態によると、この方法は、ハウジングの反射体を設ける方法ステップを含んでいる。すなわち、反射体はあらかじめ作製され、ハウジングの他の要素と一緒には作製されない。
【０００６】
反射体は、半導体デバイスにおいて生成される電磁放射、または半導体デバイスが受け取る電磁放射を反射する目的で設けられる。すなわち、半導体デバイスの動作時、反射体は、自身の表面に入射する電磁放射を反射する。この目的のため、反射体は、電磁放射を反射するのに適している少なくとも１つの内側領域を有する。この場合、電磁放射は、例えば、紫外線のスペクトル領域から赤外線のスペクトル領域までの波長を有する電磁放射である。反射体は、例えば断面が環状であるように形成される。この場合、「環状であるように」とは、断面が円形の環であるように反射体を具体化しなければならないことを意味するのではなく、反射体は、円、楕円、または方形の基本形状を有することが可能である。完成したオプトエレクトロニクス半導体デバイスにおいて、反射体は、例えば、半導体デバイスのオプトエレクトロニクス半導体部品（例えば発光ダイオードチップ）を枠状に（frame-like manner）囲んでいる。
【０００７】
反射体は、環状の反射体の開口部に面している少なくとも１つの内側領域を有する。完成したオプトエレクトロニクス半導体デバイスにおいて、この少なくとも１つの内側領域は、例えば、半導体デバイスのオプトエレクトロニクス半導体部品（例えば発光ダイオードチップ）に面している。
【０００８】
本方法の少なくとも一実施形態によると、この方法は、反射体をハウジング材（housing material）によって包囲する方法ステップを含んでいる。この場合、例えば、反射体の少なくとも１つの内側領域には、一部分または全体にわたりハウジング材が存在しないように、反射体の一部分のみ包囲されることが好ましい。包囲ステップ時、ハウジング材を反射体の一部分に直接接触させ、反射体とハウジング材との間に機械的に固着した結合を形成する。これにより、反射体とハウジング材は、破壊しない限りは分離することができず、すなわち、反射体とハウジング材の間の結合を再び分離するためには、一方または両方の要素を破壊する必要がある。
【０００９】
この場合、反射体は、包囲ステップの前に形成する。すなわち具体的には、反射体は、あらかじめ作製される、ハウジングの要素であり、上流の製造ステップにおいて個別に作製される。したがって、反射体は、機械的に安定した自立性の、ハウジングの要素である。
【００１０】
これに代えて、反射体が膜の形で存在していることも可能であり、この膜は、ハウジング材からなるハウジング基体を作製した後、ハウジング基体の上に圧着される。
【００１１】
本方法の少なくとも一実施形態によると、ハウジング材による反射体の包囲体を、射出成形法によって作製する。すなわち、ハウジングの残りの要素とは個別に作製された反射体を射出成形金型の中に挿入し、射出成形によってハウジング材を用いて包囲する。この場合、反射体の内側領域には、少なくとも部分的にハウジング材が存在しないことが好ましい。
【００１２】
本方法の少なくとも一実施形態によると、反射体は、第１のプラスチック材料によって形成され、ハウジング材は、第２のプラスチック材料によって形成される。この場合、反射体が第１のプラスチック材料からなる、あるいは、第１のプラスチック材料が、さらなる混合材および充填材のためのマトリックス材料の役割を果たすことが可能である。ハウジング材も、第２のプラスチック材料からなる、または、さらなる混合材および充填材のためのマトリックス材料の役割を果たすことができる。この場合、第１のプラスチック材料と第２のプラスチック材料は互いに異なり、好ましくは、熱的安定性および電磁放射に対する耐性、の少なくとも一方の材料特性に関して、第１のプラスチック材料と第２のプラスチック材料は互いに異なる。
【００１３】
この場合、熱的安定性とは、特に以下を意味するものと理解されたい。すなわち、熱的安定性の高いプラスチック材料は、特に、変色、変形、または破壊が始まる限界温度が、熱的安定性の低いプラスチック材料よりも高い。これに代えて、またはこれに加えて、熱的安定性の高いプラスチック材料は、特定の温度において、変形、変色、または破壊に対して、熱的安定性の低いプラスチック材料よりも長い時間にわたり耐えることができる。
【００１４】
電磁放射に対する耐性とは、特に以下を意味するものと理解されたい。すなわち、２種類のプラスチック材料が同じ条件で電磁放射による照射にさらされた場合、電磁放射に対する耐性の高い材料は、電磁放射に対する耐性の低いプラスチック材料よりも時間的に後から変形または変色する。電磁放射とは、例えば、紫外線または青色光の波長域の電磁放射である。特に、電磁放射に対する耐性の高いプラスチック材料の変色は、電磁放射に対する耐性の低い材料と比較して、時間的に遅れて発生する。
【００１５】
本方法の少なくとも一実施形態によると、この方法は、以下のステップを含んでいる。
Ａ：電磁放射を反射するようにされている少なくとも１つの内側領域を有する反射体、を形成するステップ
Ｂ：反射体を部分的にハウジング材によって包囲する包囲ステップ
この場合、包囲ステップは、射出成形法によって実施される。反射体の内側領域には、少なくとも部分的にハウジング材が存在しておらず、反射体は第１のプラスチック材料によって形成され、ハウジング材は第２のプラスチック材料によって形成される。第１のプラスチック材料は第２のプラスチック材料とは異なり、熱的安定性および電磁放射に対する耐性、の少なくとも一方の材料特性に関して、第１のプラスチック材料と第２のプラスチック材料は互いに異なる。
【００１６】
この場合、本方法は、特に以下の洞察に基づいている。すなわち、費用効果の高い基本物質は、オプトエレクトロニクス半導体デバイスにおいて、熱や電磁放射によって材料にストレスがかかる結果として、しばしば経時劣化が生じる。特に、ハウジングの光学要素（例えば反射体）に経時劣化が生じると、それによってオプトエレクトロニクス半導体デバイスの寿命が大幅に短くなることがある。この実施形態の場合、反射体およびハウジング材が互いに個別に作製され、その結果として、ハウジングの要素の材料の選択が単純化され、ハウジング全体を単独で形成するには高価すぎるプラスチック材料や、熱的安定性もしくは電磁放射に対する耐性またはその両方に関する要件が満たされないプラスチック材料を、互いに組み合わせることが可能である。
【００１７】
さらには、オプトエレクトロニクス半導体デバイスのハウジングを開示する。このハウジングは、本明細書に記載されている方法によって製造することができる。すなわち、本方法に関して開示されている特徴のすべては、ハウジングにもあてはまり、この逆も同様である。
【００１８】
本ハウジングの少なくとも一実施形態によると、ハウジングは、電磁放射を反射するのに適している少なくとも１つの内側領域を有する反射体、を備えている。さらには、ハウジングは、ハウジング材を備えており、このハウジング材は、反射体の表面に少なくとも部分的に直接接触しており、反射体およびハウジング材は、結合手段を使用せずに互いに機械的に結合されている。すなわち、ハウジング材は、接着剤や巨視的な機械的結合（例えば圧入）によって反射体に結合されているのではなく、ハウジング材が反射体の表面に直接接触しており、反射体の材料との強い結合を形成している。
【００１９】
この場合、一例として射出成形法によって、ハウジング材を反射体に機械的に結合することができる。「射出成形法」は、本デバイスに関連する特徴であり、なぜなら、射出成形法による結合は、この方法の一般的な痕跡（例えば成形シームや射出成形ノズルの分離）によって、完成したデバイスにおいて他の結合技術とは区別されるためである。すなわち、本デバイスは、射出成形法の痕跡を有する。
【００２０】
本ハウジングの少なくとも一実施形態によると、反射体の内側領域には、この場合、少なくとも部分的に、ハウジング材が存在しない。反射体の内側領域は、光学的にアクティブな、反射体の要素であり、自身に入射する電磁放射を反射する。一例として、反射体の内側領域全体にわたり、ハウジング材が存在しないようにすることが可能である。
【００２１】
本ハウジングの少なくとも一実施形態によると、反射体が第１のプラスチック材料によって形成されており、ハウジング材が第２のプラスチック材料によって形成されている。第１のプラスチック材料は第２のプラスチック材料とは異なり、熱的安定性および電磁放射に対する耐性、の少なくとも一方の材料特性に関して、第１のプラスチック材料と第２のプラスチック材料は互いに異なる。
【００２２】
オプトエレクトロニクス半導体デバイスのハウジングの少なくとも一実施形態によると、ハウジングは、電磁放射を反射するのに適している少なくとも１つの内側領域を有する反射体を備えており、さらに、ハウジングは、反射体の表面に少なくとも部分的に直接接触しているハウジング材、を備えている。この場合、反射体およびハウジング材は、結合手段を使用せずに互いに機械的に結合されており、反射体の内側領域には、少なくとも部分的にハウジング材が存在していない。反射体が第１のプラスチック材料によって形成されており、ハウジング材が第２のプラスチック材料によって形成されており、熱的安定性および電磁放射に対する耐性、の少なくとも一方の材料特性に関して、第１のプラスチック材料と第２のプラスチック材料は互いに異なる。
【００２３】
以下では、ハウジングおよびその製造方法の実施形態について説明する。これらの実施形態は、製造方法およびハウジングの両方に関連する。
【００２４】
少なくとも一実施形態によると、ハウジングの上面において、ハウジング材が反射体と同じ高さにある、またはハウジングの上面において、ハウジング材が反射体よりも突き出している。特に、反射体はハウジング材よりも突き出していない。
【００２５】
少なくとも一実施形態によると、反射体は、射出成形法のみによって、ハウジング材に機械的に結合されている。この場合、反射体とハウジング材は、互いに直接隣接している。
【００２６】
特に、反射体がハウジング材のみに直接接触していることが可能である。この場合、反射体は、ハウジングの他の要素（例えばベースプレートや接続領域）には接触していない。このようにすることで、ハウジング材と反射体とが、特に大きい領域を介して互いに接触することが可能である。
【００２７】
少なくとも一実施形態によると、反射体を設けるステップの前に、反射体を、機械加工によって作製する。この場合、機械加工または切削加工（chipping）は、材料を所望の形に形成され、余分な材料を切り屑の形で除去する方法を意味する。この場合、機械加工も、反射体に関連する特徴であり、完成したデバイスにおいて他の製造方法（例えば射出成形）とは区別することができる。第１のプラスチック材料がフルオロポリマー（例えばＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン））である反射体は、機械加工に特に適している。
【００２８】
これに代えて、反射体を膜剥離法（film peeling）によって製造することが可能である。これは、反射体が膜である場合である。
【００２９】
少なくとも一実施形態によると、反射体を設ける前に、射出成形法によって反射体を作製する。射出成形法に特に適している第１の材料は、以下の材料、すなわち、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリシクロへキシレン・ジメチレン・テレフタレート（ＰＣＴ）、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）、液晶ポリマー（ＬＣＰ）、高温ポリアミド（ＨＴ−ＰＡ）、ポリエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、シリコーン、のうちの少なくとも１種類を含んでいる材料、またはこれらのうちの１種類からなる材料である。
【００３０】
すなわち、第１の実施形態によると、第１のプラスチック材料は、以下の材料、すなわち、ポリエステル、フルオロポリマー、ポリエーテルケトン、ポリエーテルイミド、高温ポリアミド、ポリエーテルケトン、液晶ポリマー、シリコーン、のうちの少なくとも１種類からなる群、から選択される。
【００３１】
少なくとも一実施形態によると、第２のプラスチック材料は、以下の材料、すなわち、ポリアミド、ポリフェニレンサルファイド、ポリエーテルイミド、ポリフェニルスルホン、のうちの少なくとも１種類からなる群、から選択される。
【００３２】
この場合、第１のプラスチック材料は、特に、電磁放射に対する高い耐性によって区別される。この場合、特に、第１のプラスチック材料が第２のプラスチック材料よりも電磁放射に対する耐性が高い。
【００３３】
この場合、熱的安定性についても、第１のプラスチック材料が第２のプラスチック材料より高いようにすることができる。しかしながら、例えば、はんだ付けによって実装されるようにオプトエレクトロニクスデバイスを製造する場合、第２のプラスチック材料が第１のプラスチック材料よりも高い熱的安定性を持つことができるように、ハウジング材を形成する第２のプラスチック材料には、熱的安定性が特に高い材料を選択することが好ましい。
【００３４】
少なくとも一実施形態によると、内側領域の少なくとも一部分を除いて反射体をハウジング材によって包囲するとき、反射体の表面全体をハウジング材によって覆う。すなわち、反射体とハウジング材との間の結合領域は、反射体の光学特性にマイナスに影響しない範囲で、特に大きく選択されることが好ましい。これによって、反射体とハウジング材との間の特に良好な接着が可能になる。
【００３５】
さらに、反射体は、ハウジング材から反射体が剥離することを阻止するための、少なくとも１つの機械的固着構造（例えばアンダーカット）を有することができる。
【００３６】
少なくとも一実施形態によると、ハウジング材と反射体は、光学特性に関して異なる。一例として、反射体は、紫外線から赤外線までのスペクトル領域の電磁放射に対して反射性であるように具体化されている。この場合、反射体は、このスペクトル範囲の少なくとも１つの波長に対して、少なくとも８０％、好ましくは少なくとも９０％の反射率を有することができる。これと対照的に、ハウジング材は、放射に対して不透明（例えば有色）、放射を吸収する、黒色、または反射性の程度が反射体よりも小さいように具体化することができる。この場合、反射体およびハウジング材の光学特性は、それぞれ、第１のプラスチック材料および第２のプラスチック材料の中の対応する混合材によって達成することができる。
【００３７】
少なくとも一実施形態によると、反射体は、第１のプラスチック材料と、このプラスチック材料の中に導入されている白色顔料とを備えている。白色顔料は、例えば、以下の材料、すなわち、酸化チタン、リトポン、硫酸バリウム、酸化亜鉛、硫化亜鉛、二酸化ジルコニウム、白亜、のうちの少なくとも１種類である。白色顔料に加えて、第１のプラスチック材料は、反射体の機械的な安定性を高めるさらなる充填材（例えばガラス繊維）を含んでいることができる。
【００３８】
したがって全体として、ハウジングの要素の機械的特性、光学特性、および光化学特性が、それぞれの使用条件に合わせて単純な方法で設定されるハウジングを実現することが可能である。
【００３９】
さらには、オプトエレクトロニクスデバイスを開示する。このオプトエレクトロニクスデバイスは、本明細書に記載されているハウジングを備えている。すなわち、ハウジングに関して開示されている特徴のすべては、オプトエレクトロニクスデバイスにもあてはまる。さらに、このオプトエレクトロニクスデバイスは、少なくとも１個のオプトエレクトロニクス部品（例えば放射放出半導体チップ）を備えている。放射放出半導体チップは、例えば、発光ダイオードチップまたはレーザダイオードチップとすることができる。
【００４０】
この場合、少なくとも１個のオプトエレクトロニクス部品が、反射体の少なくとも１つの内側領域によって横方向に囲まれているように、ハウジングの中に導入されている。すなわち、反射体を貫く開口部（cutout）がハウジングに形成されており、この開口部の横方向の境界は、反射体の少なくとも１つの内側領域が形成している。この開口部の中にオプトエレクトロニクス部品が挿入されている。動作時にオプトエレクトロニクス部品によって生成される電磁放射は、反射体の少なくとも１つの内側領域に入射し、内側領域から、特定の方向に、または拡散的に（内側領域の実施形態によって決まる）、反射される。
【００４１】
以下では、本発明の方法、本発明のハウジング、および本発明のデバイスについて、例示的な実施形態および添付の図面に基づいてさらに詳しく説明する。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１Ａ】本発明のハウジングの例示的な実施形態の反射体を概略図として示している。
【図１Ｂ】本発明のハウジングの例示的な実施形態の反射体を概略図として示している。
【図２Ａ】本発明のハウジングの例示的な実施形態を備えた、本発明のデバイスの例示的な実施形態を、概略図として示している。
【図２Ｂ】本発明のハウジングの例示的な実施形態を備えた、本発明のデバイスの例示的な実施形態を、概略図として示している。
【図３】本発明のハウジングの例示的な実施形態を備えた、本発明のデバイスの例示的な実施形態を、概略図として示している。
【発明を実施するための形態】
【００４３】
図面において、同じ要素、同じタイプの要素、または同じ機能の要素には、同じ参照数字を付してある。図面と、図面に示した要素のサイズの互いの関係は、正しい縮尺ではないものとみなされたい。むしろ、便宜上、または深く理解できるようにする目的で、個々の要素を誇張した大きさで示してある。
【００４４】
図１Ａは、本発明のハウジングの例示的な実施形態の反射体を、概略的な斜視図として示している。図１Ｂは、この反射体を平面図として示している。反射体１は、環状に具体化されている。反射体１は、内側領域１２を取り囲む表面１１を有する。内側領域１２は、電磁放射に対して反射性であるように具体化されている。
【００４５】
反射体１は、本明細書に記載されている第１のプラスチック材料から形成されており、反射体１の放射反射特性を向上する目的で、このプラスチック材料には白色顔料が導入されている。
【００４６】
反射体１は、例えば、機械加工によって、または射出成形法によって、ハウジングの残りの要素とは個別に作製される。反射体１は、機械的に自立性であり堅い、ハウジングの要素であり、本明細書に記載されている製造方法によって、ハウジングの残りの要素に機械的にしっかりと結合されている。
【００４７】
図２Ａは、本発明のハウジング１００を備えた、本発明のオプトエレクトロニクス半導体デバイスの第１の例示的な実施形態を、概略的な断面図として示しており、図２Ｂは、対応する平面図を示している。
【００４８】
ハウジング１００は、図１Ａおよび図１Ｂを参照しながら説明した反射体１を備えている。反射体１は、その表面１１において、部分的にハウジング材２に直接接触している。
【００４９】
ハウジング材２は、射出成形法によって反射体１の上に射出成形されており、したがって、部分的に反射体１に直接接触している。すなわち、ハウジング材２は、結合手段を使用せずに反射体１に結合されている。この実施形態の場合、反射体１の内側領域１２の全体にわたり、ハウジング材２が存在しない、または実質的に存在しない。ハウジング材２が実質的に存在しないとは、例えば、反射体１の内側領域１２のうち面積比率で最大で１０％、特に、最大で５％が、ハウジング材２によって覆われていることを意味する。
【００５０】
反射体１の材料は、例えば、その融点がハウジング材２の融点よりも低いように選択する。一例として、反射体１の融点は、ハウジング材２の融点よりも、少なくとも５℃、最大で３０℃低い。これによって、射出成形による封止工程時に、反射体１が瞬間的に柔らかくなってハウジング材２に良好に接着するようにすることができる。
【００５１】
しかしながら、反射体１の融点が、ハウジング材２の融点よりも高い、または等しいことも可能である。この場合、特に、ハウジング材２に面している反射体１の外側領域が粗面または多孔面として具体化され、したがって、溶融状態のハウジング材２を、反射体１の粗面または微細孔に入り込ませることができる。
【００５２】
反射体１は、ハウジング１００における開口部を形成しており、オプトエレクトロニクス半導体部品３（例えば放射放出半導体チップ）がこの開口部の中に配置されている。反射体１の内側領域１２は、部品３を枠状に囲んでいる。
【００５３】
ハウジング１００は、さらに、第１の接続領域６ａおよび第２の接続領域６ｂを備えている。半導体部品３は、結合手段（例えば導電性接着剤またははんだ材料）によって第１の接続領域６ａに結合されている。半導体部品３は、コンタクトワイヤ５によって第２の接続領域６ｂに導電接続されている。第１の接続領域６ａおよび第２の接続領域６ｂは、反射体１と同じ射出成形工程における射出成形により、ハウジング材２によって包囲され、これによってハウジング材２に機械的に結合されることが好ましい。
【００５４】
ハウジング材２は第２のプラスチック材料によって形成されており、第２のプラスチック材料は、例えば、以下の材料、すなわち、ポリアミド、ポリフェニレンサルファイド、ポリエーテルイミド、ポリフェニルスルホン、のうちの少なくとも１種類を含んでいる。
【００５５】
光学特性および機械的安定性を設定するための充填材（例えばカーボンブラック、顔料、ガラス繊維の少なくとも１種類）を、第２のプラスチック材料の中に導入することができる。
【００５６】
図２Ａおよび図２Ｂの例示的な実施形態においては、反射体１の表面１１のうち、接続領域６ａ，６ｂとは反対側の上面には、ハウジング材２が存在しない。
【００５７】
これとは異なり、図３の例示的な実施形態においては、反射体１の上面がハウジング材２によって覆われており、ハウジング材に直接接触している。すなわち、この例示的な実施形態においては、ハウジング材２が存在しないのは、反射体１の内側領域１２のみである。この例示的な実施形態においては、反射体１は、ハウジング材２に、特に良好な接着状態で機械的に結合されている。ハウジング材２に直接接触している反射体１の外側領域は、一例として、粗面化されている、もしくは多孔性である、またはその両方であり、反射体１の粗面もしくは微細孔またはその両方には、少なくとも部分的にハウジング材２が入り込んでいる。
【００５８】
ここまで、本発明について例示的な実施形態に基づいて説明してきたが、本発明はこれらの実施形態に限定されない。本発明は、任意の新規の特徴および特徴の任意の組合せを包含しており、特に、請求項における特徴の任意の組合せを含んでいる。これらの特徴または特徴の組合せは、それ自体が請求項あるいは例示的な実施形態に明示的に記載されていない場合であっても、本発明に含まれる。
【００５９】
関連出願
本特許出願は、独国特許出願第１０２００９０５８４２１．８号の優先権を主張し、この文書の開示内容は参照によって本出願に組み込まれている。
【図１Ａ】
2013514641.tif 000003
【図１Ｂ】
2013514641.tif 000004
【図２Ａ】
2013514641.tif 000005
【図２Ｂ】
2013514641.tif 000006
【図３】
2013514641.tif 000007
【国際調査報告】
2013514641.tif 000008
2013514641.tif 000009
2013514641.tif 000010
2013514641.tif 000011
2013514641.tif 000012
2013514641.tif 000013