(57)【要約】  フル二次元アレイ状の端子（１１２）を備えたＢＧＡパッケージのフットプリントを有し、リードフレームの構造を基板の機能と組み合わせる金属性リードフレーム（１１０）に基づくボールグリッドアレイデバイス（１００）。少なくとも一つの端子（１１２ａ）が、デバイス底部の中央部にある。端子及びリード（１１１）が、端子でリードより厚い厚みを有する金属でつくられる。端子は、はんだ付け可能な表面を有し得る。近傍のリードにわたって延びる端子とは反対側のリードフレーム表面に半導体チップ（１２０）が取り付けられる。
2013524552.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
デバイスであって、
第１の金属のリードフレーム、及び
前記デバイスの底面の中央部の入力又は出力のための第１の端子、
を含む、デバイス。
【請求項２】
請求項１に記載のデバイスであって、前記デバイスの底面にわたって延びる二次元グリッドアレイ状に配置される前記第１の端子を含む第１の複数の端子を更に含む、デバイス。
【請求項３】
請求項２に記載のデバイスであって、前記デバイスの上面にわたって延びる第２の複数の端子を更に含む、デバイス。
【請求項４】
請求項３に記載のデバイスであって、前記リードフレームが、端子からデバイス端へ延びるリードを含み、前記リードが前記端子より薄い厚みを有する、デバイス。
【請求項５】
請求項４に記載のデバイスであって、前記端子が、はんだ付け可能な冶金学的表面構成を有する第２の金属を含む、デバイス。
【請求項６】
請求項５に記載のデバイスであって、前記リードフレームに取り付けられ、近傍のリードにわたって延びかつ前記リードによって支持されている半導体チップ、及び前記半導体チップから前記リードへ延びる電気的接続を更に含み、前記リードの前記第１の金属が、重合体封止化合物への接着のための親和性を有する表面を更に含む、デバイス。
【請求項７】
請求項６に記載のデバイスであって、前記半導体チップ及び電気的接続と共に前記リードフレームをパッケージングする重合体封止化合物を更に含み、前記重合体封止化合物が、前記端子の前記はんだ付け可能な表面と前記デバイス端の前記リードの端とをパッケージングされないまま残す、デバイス。
【請求項８】
請求項７に記載のデバイスであって、パッケージングされた端子表面に取り付けられるはんだボールを更に含む、デバイス。
【請求項９】
デバイスであって、
前記デバイスの底面の中央部に入力又は出力信号のための第１の端子を含む第１の金属のリードフレーム、
誘電体媒体で前記第１の端子に取り付けられる半導体チップ、及び
前記第１の端子を囲む、前記デバイス底部の４つのエッジ近辺に線形的に配置される第１の複数の端子、
を含む、デバイス。
【請求項１０】
請求項９に記載のデバイスであって、前記第１の端子が、前記デバイスの向かい合うエッジに延びる延在リードの一部である、デバイス。
【請求項１１】
デバイスであって、
絶縁性媒体で金属のリードフレームに取り付けられる半導体チップ、
取り付けサイト及びボンディングサイトを有する、前記リードフレームの各リード、
前記デバイスの底部側の中央部に第１の取り付けサイトを備えた第１のリード、
前記第１の端子を囲む、前記デバイスの４つのエッジに配置されるグリッドパターンに配される第１の複数の取り付けサイト、及び
前記第１のリードの他の部分で金属より厚い、前記第１の取り付けサイトの金属、
を含む、デバイス。
【請求項１２】
請求項１１に記載のデバイスであって、前記半導体チップを前記リードフレームの前記ボンディングサイトに接続するボンディングワイヤ、及び前記半導体チップを封止する化合物を更に含む、デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本願は、全般的に半導体デバイス及びプロセスの分野に関し、更に具体的には、２つの厚みのはんだ付け可能な金属性リードフレームを有する、ボールグリッドアレイデバイスの構造及び製造方法に関連する。
【背景技術】
【０００２】
ボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）パッケージに組み込まれる半導体デバイスは、行及び列の二次元グリッドに配列される、通常ははんだボールである、金属バンプにより外部部品に接続する。金属バンプは、基板の外側端子上でＢＧＡパッケージに取り付けられる。現在、ＢＧＡパッケージは、重合体又はセラミック材料でつくられた絶縁基板を用いている。基板は、トレースを相互接続するためにパターニングされる少なくとも一つの金属層を有する。半導体チップは、基板の内側面に搭載され、そのコンタクト・パッドを有し、これらのコンタクト・パッドがワイヤボンドによって又は金属バンプによってトレースに接続される。端子は、絶縁基板を介して金属充填ビア・ホールによってトレースに接続される。ワイヤボンディングされたアッセンブリと金属充填ビア・ホールを備えた薄い重合体基板とを備えたＢＧＡパッケージの一例は、テキサス州ダラスのテキサス・インスツルメンツから入手可能であり、ハンドヘルドワイヤレス電話に用いられる、ｍｉｃｒｏＳｔａｒ（商標）パッケージで見つけることができる。チップアッセンブリを機械的に一層ロバストにし、チップ及びボンディングワイヤを保護するため、ＢＧＡデバイスは、通常はエポキシベースのモールディング化合物である、封止化合物内にパッケージングされるのが典型的である。
【０００３】
基板のための重合体及びセラミック材料は、内側金属層をパターニングし、金属充填ビア・ホールを備えた外側端子を用意する製造工程を伴い、コストがかかる。また、ＢＧＡデバイス、特に、重合体基板を備えたものは、湿気及び歪みに敏感である。
【０００４】
数十年の間、旧来のカンチレバー・リードを備えた半導体デバイス（デュアルインライン・デバイス、クワッドフラット・パック・デバイス、及びプラスチックリード・チップ・キャリア）、ならびにクワッド・フラット・ノーリード（ＱＦＮ）及びスモール・アウトライン・ノーリード（ＳＯＮ）ファミリのデバイスは、金属性リードフレームを備えて製造されている。これらのデバイスにおいて、外部部品への接続のためのリードは、パッケージ端に沿って（２つ、３つ、又は４つ全ての端に沿って）線形的に配置される。リードフレームの設計は、ＢＧＡパッケージに必要とされるバンプ端子の二次元アレイを模していない。
【発明の概要】
【０００５】
出願人は、パッケージサイズが縮小しパッケージコストを低減する一方で、ハンドヘルド製品及びメディカルアプリケーションなどの半導体ＢＧＡデバイス・アプリーケーションにおいて進行している市場トレンドが、特に湿気のある環境において一層高いデバイス信頼性を求めていることを認識している。
【０００６】
出願人は、半導体ＢＧＡパッケージ及びそれらの現在の一金属層基板の、相対する技術的、製造上、及びコスト要件にうまく折り合いをつけるための代替物を詳細に分析する中で、重合体基板を備えたＢＧＡデバイスの湿気及び歪みに対する過敏性の問題だけでなく、セラミック基板を備えたＢＧＡデバイスのコストの問題が、フル二次元アレイ状の端子を備えたＢＧＡパッケージのフットプリントを有する金属性リードフレームベースのＢＧＡデバイスを設計及び製造することにより解決することができ、また、重合体又はセラミック基板を備えたＢＧＡパッケージと容易に置き換えることができることを見出した。リードフレームベースのＢＧＡデバイスにおいて、金属性リードフレームは、パターニングされた金属の電気的伝導性構造だけでなく、（ロバストな）基板の支持的機能も提供する。
【０００７】
出願人は更に、基板内にビア・ホールをつくること、金属でこれらのホールを充填すること、及びアンダーフィル金属を用いてはんだボールに対する応力を緩和することなど、厄介な旧来のＢＧＡ問題が、金属シートからつくられ、リードが端子用の元のシート厚みとリードのバランス用の低減された厚み（いわゆるハーフエッチングされたリードフレーム）とを含むリードフレームを用いることにより解決され得ることを見出した。また、端子は、リードフレームエリアにわたって延び、リードフレームエリア中央部を含む、規則的な二次元グリッドアレイ状に配置され得る。
【０００８】
例示のＢＧＡ実施例において、半導体チップは、リードフレームの平坦な表面に非導電的に取り付けられ得、それにより、チップは支持のため幾つかの近傍のリードにわたって延びる。これらのリードは、チップと同じ表面上に、又は好ましくは反対側の表面上に、メサとして形作られる端子を有し得る。これらの端子は、はんだボールが、従来のＢＧＡデバイスにあるような二次元グリッドアレイ状に取り付けられ得るように、はんだ付け可能である冶金学的表面構成を有することが好ましい。これらの端子は、均等に間隔が空けられた位置にあることが好ましい。
【０００９】
出願人は、特定のＢＧＡリードフレームのリードは、端子が、チップの下のエリアを含む全リードフレームエリアを充分に用いるように、共通の及び非共通のネットアサイメントにおいて機能するために、従来とは異なる構成をとる必要がある場合があることを見出した。例示の一実施例として、約１．５×１．５ｍｍ２の寸法のモールディングされたＢＧＡデバイスが製造され、これは、３×３マトリックスに配置される９つの端子を備えたリードフレームを有する。これらの端子は、パッケージの底面上で封止化合物から露出される。パッケージ中央部において、半導体チップは、端子とは反対側の表面上でリードフレームに取り付けられ、幾つかの近傍のリードにわたって広がり、チップコンタクト・パッドがリードにワイヤボンディングされる。リードフレーム端子のうち、４つのコーナー端子とエッジ端子の２つは、短いリードに接続されてワイヤスティッチパッドとして機能する。中央の端子は、パッケージの向かい合うエッジへのタイバーとして延びる延在リードに属し、タイバー端部はワイヤスティッチパッドとして機能する。そのため、チップの下に位置するパッケージ中央エリアが、ネットアサイメントを備えた端子として利用される。残りの２つ端子は各々一つのタイバーに接続され、それらは２つの向かい合うエッジに延び、ワイヤスティッチパッドとして機能する。
【００１０】
代替の実施例において、チップは、金属バンプによりフリップ及びボンディングされ得、これらのバンプは、はんだボール、銅ピラー、又は金バンプ、又は他の同等物として構成され得、端子に接続されるリードへの冶金学的接合をつくる。
【００１１】
リードフレーム金属は、銅、アルミニウム、鉄ニッケル、Ｋｏｖａｒ（商標）、及び他の合金を含む群から選択され得ることは本発明の技術的利点である。開始金属シートは、端子と残りのリードの異なる金属厚みをつくるようハーフエッチングされ得、好ましい比として、端子金属がリード金属の２倍の厚みを有し得ることは別の技術的利点である。
【００１２】
リードフレーム表面が、（例えば、粗化又は酸化により）重合体化合物への接着のための親和性を備えて用意され得る一方、端子表面が、（例えば、ニッケル、パラジウム、及び金などの付加的な金属層でのめっきにより）はんだ付け可能なように用意され得ることは別の技術的利点である。
【００１３】
リードフレームが、端子がチップとは反対側の表面上、又は同じ表面上、又は両面上（パッケージのスタックを可能にする機会）にあるようにハーフエッチングされ得ることは別の技術的利点である。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】図１は、中央エリアを含むデバイスエリアにわたって延びる二次元グリッドアレイ状に配置される端子を備えた金属リードフレームを有する、パッケージングされたＱＦＮ／ＳＯＮタイプのデバイスの底部斜視図を図示し、半導体チップが、端子とは反対側の近傍のリードに取り付けられ、近傍のリードにより支持される。
【００１５】
【図２】図２は、デバイスの少なくとも一つのエッジに延びるリードを備えた金属リードフレームを有する、パッケージングされたＱＦＮ／ＳＯＮタイプのデバイスの斜視上面図を図示し、半導体チップが、近傍のリードに取り付けられ、近傍のリードにより支持され、チップコンタクトがリードにワイヤボンディングされる。リードの端子は取り付けられたチップとは反対にある。
【００１６】
【図３】図３は、底部及び上部デバイス表面両方に延びる端子を備えた金属リードフレームを有する、パッケージングされたＱＦＮ／ＳＯＮタイプのデバイスの側面図である。パッケージング材料は透明であると考える。
【００１７】
【図４】図４は、ボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）デバイスに用いるためのＱＦＮ／ＳＯＮタイプのリードフレームの底部斜視図を図示し、リードフレームは、２つの金属厚みとフル二次元アレイ状の端子位置とを有する。半導体チップが、端子の反対側のリードフレーム上面上に取り付けられる。
【００１８】
【図５Ａ】図５Ａは、図４のリードフレームの上面図を示す（図２に示したチップを取り付ける前）。
【００１９】
【図５Ｂ】図５Ｂは、図５Ａの線５Ｂ−５Ｂに沿ったリードの断面である。
【００２０】
【図６】図６は、図１のＢＧＡデバイスの底部斜視図を示し、封止化合物は不透明であり、端子及びリードエッジが、露出され、重合体化合物により封止されていない。
【００２１】
【図７】図７は、図３に示す２つのリードフレームベースＢＧＡデバイスと共に組み立てられ、基板に取り付けられたスタックを図示する。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
図１は、ＱＦＮ（クワッド・フラット・ノーリード）又はＳＯＮ（スモール・アウトライン・ノーリード）ファミリの、全般的に１００で示す、例示の半導体デバイスの底面の斜視図を示す。デバイス１００のパッケージ１４０の材料は、デバイス１００の内部構造が見えるように透明として示される。図１で示すように、例示のデバイス１００は、６つの平面を備えた六面体のアウトラインを有し、底部平面が図１に示され、上部平面が図２に示されている。図１は、パッケージ１４０の材料の底面上で、複数の端子１１２がパッケージ材料により封止されないまま残り、そのため、電気的接続のため露出されることを示す。図１は更に、端子１１２はデバイス１００のリードフレーム１１０の一部であることを示し、リードフレーム１１０は第１の金属でつくられる。リードフレーム１１０は、種々の形状の複数のリード１１１を含む。
【００２３】
半導体チップ１２０が、上部リードフレーム表面に取り付けられ、幾つかの近傍のリードにわたって広がる。この構成において、リードフレーム１１０は、チップ１２０の電気的相互接続のためのリード１１１の構造と、取り付けられたチップ１２０を支持するロバスト基板の機能との両方を提供する。電気的相互接続のため、リード１１１は、複数の入力／出力(Ｉ／Ｏ)端子１１２を含むよう構成され、これらは、デバイス１００の底部側でパッケージ１４０の材料から露出される。図１が示すように、例示のデバイス１００において、端子１１２は、リードフレーム１１０の上面上に取り付けられたチップ１２０とは反対側の、リードフレーム１１０の底面上にある。好ましくは各リードが一つの端子を有するが、他のデバイスにおいて、幾つかのリードは端子を有していなくてもよく、他のリードが複数の端子を有していてもよい。端子１１２は、チップ１２０のエリアの下の、リードフレームエリアの中央部に端子１１２ａを含む。他のデバイスにおいて、中央デバイスエリアに複数の端子があってもよい。端子１１２は、はんだ付け可能な冶金学的表面構成、好ましくは、錫又は金などの第２の金属の層、を有する。
【００２４】
他のデバイスにおいて、幾つかのリードが、リードフレームの上面（その上にチップが取り付けられる）上に付加的な端子を有していてもよいことを述べておくべきであろう。これらの付加的な端子もパッケージ材料から露出され、そのため、デバイス１００を（例えば、はんだにより）デバイス１００上にスタックされる別のデバイスに接続する手段を提供する。
【００２５】
図１が示すように、複数の端子１１２が、中央エリアを含むデバイスエリアにわたって延びる、二次元グリッドアレイ状に配置される。好ましくは、これらの端子のグリッドアレイは規則的であり、更に好ましくは、これらの端子は均等に空間が空けられる。しかし、他のデバイスにおいて、グリッドアレイは、空きの位置を含んでいてもよく、又は単調アレイの他の変形を含んでいてもよい。リードの形、アウトライン、及び配置は、図４に関連して後に更に詳細に説明する。
【００２６】
図１は、デバイス１００の側面１５０がリードの金属性端面１１１ａを示し、これらは、フレームがリードからトリムされた後露出された状態となる。端面１１１ａは、パッケージのサイドバイサイドの整合など、外部部品への導電性相互接続のために用いることができる。
【００２７】
ロバスト基板としてチップ１２０を支持するため、リードフレーム１１０は、約１５０〜２５０μｍの第１の金属シートのスタンピング又はエッチングにより形成されることが好ましいが、より厚い及びより薄いリードフレームを用いることもできる。好ましい第１の金属は、銅、銅合金、鉄ニッケル合金、アルミニウム、及びＫｏｖａｒ（商標）含む。その後、リードフレームは、或るリード部分の厚みがエッチングにより（例えば、５０％だけ）低減されるように「ハーフエッチングされ」る一方、残りの部分は元の金属厚みを保つ。封止プロセスの間、低減された厚み部分は、パッケージ１４０の重合体材料で置き換えられて、リードフレームの機械的強度を著しく強化する。
【００２８】
端子１１２の好ましいはんだ付け可能な冶金学的表面構成は、金又は錫などのはんだ付け可能な第２の金属の層によって達成され得る。この金属層は、実際は、第１の金属に接するニッケル層、ニッケルに接するパラジウム層、及びパラジウムに接する金層などの積層としてもよい。
【００２９】
図２は、ＱＦＮ（クワッド・フラット・ノーリード）又はＳＯＮ（スモール・アウトライン・ノーリード）ファミリの六面体形状の例示の半導体デバイス１００の上部面表面の斜視図を示す。デバイス１００のパッケージ１４０の材料は、デバイス１００の内部構造が見えるように透明として示される。リードフレーム１１０の複数のリード１１１は、図２では上面から見える。リードフレーム１１０の上面に取り付けられるのはチップ１２０である。図２の例示のデバイス１００において、近傍のリード１１１にわたってチップ１２０を取り付けるために電気的絶縁性接着性層が用いられる。この構成において、リードフレーム１１０は、取り付けられたチップ１２０を支持するロバスト基板の機能を提供する。リードフレーム１１０は更に、チップ１２０の電気的相互接続のためのリード１１１の構造も提供する。図２は、リード１１１の或る部分１１１ｂが、ボンディングワイヤ２２３のスティッチ・ボンド２２３ａのための取り付けサイトとして機能するように形作られ、チップ１２０の入力／出力パッド２２２のリードフレーム１１０のそれぞれのリードへの接続を可能にする。部分１１１ｂはタイバーと呼ばれる場合がある。これは、それらが、リードの端面１１１ａを露出する封止プロセス後にフレームがトリムにより外される前に、リードフレーム１１０のフレームに実際につながれるためである。
【００３０】
図３で全般的に３００で示す他のデバイスでは、半導体チップ３２０が、金属バンプ３２３によりリードフレームにフリップ取り付けされ、好ましくはバンプ３２３は金又は銅でつくられ、これらは、リードフレームの第１の金属に取り付けられる。フリップチップデバイス３００は、底部表面上で露出されるはんだ付け可能な端子３１２を有するだけでなく、デバイス３００の上面上で露出される付加的な端子３３０をたいてい有する。端子３３０は、端子３１２と同じリードフレームのハーフエッチングプロセスでつくられ、好ましくは、それらの露出された表面上にはんだ付け可能な第２の金属を含む。
【００３１】
図４は、ＱＦＮ／ＳＯＮタイプのボールグリッドアレイデバイスに適した端子の規則的な二次元グリッドアレイを可能にするための金属リードフレームのリードの構成を図示するため、封止なしの図１の例示のリードフレームを底部から見る。図４が示すように、例示のＢＧＡリードフレームのリードは、端子がチップの下のエリアを含む全リードフレームエリアを充分に利用するように、共通の及び非共通のネットアサイメントで機能する従来とは異なる構成をとる必要がある場合がある。図４の例示の実施例において、ＢＧＡデバイスは、１．５×１．５ｍｍ辺長（４０１で示す）の寸法を有し、リードフレームは、３×３マトリックスに配置される９つの端子を有する。リードフレーム端子のうち、４つのコーナー端子（４１１、４１３、４３１、及び４３３）及びエッジ端子の２つ（４１２及び４３２）は、短いリード（図２では１１１ｂで示す）に接続され、これは、ワイヤスティッチパッドとして機能する。これに対し、中央端子４２２は、パッケージの向かい合うエッジへのタイバーとして延びる延在リード４４０に属し、タイバー端部はワイヤスティッチパッドとして機能する。そのため、チップの下に位置するパッケージ中央エリアが、ネットアサイメントを備えた端子（４２２）として利用される。残りの２つの端子４２１及び４２３は、各々中間の長さのタイバーに接続され、これらのタイバーは、２つの向かい合うリードフレームエッジに延び、ワイヤスティッチパッドとして機能する。
【００３２】
図４の例示のリードフレームにおいて、リードフレームの各リードは、一つの端子を含み、リードは、一つの端子から少なくとも一つのデバイスエッジへ延び、幾つかのリードは一つ以上のデバイスエッジへ延びていてよい。他のリードフレームは、一つ以上の端子を備えたリードを含み得、これらのリードも少なくとも一つのデバイスエッジへ延びる。
【００３３】
端子の高さ４５０は、それからリードフレームが形成される金属シートの元の厚みを保つ。タイバーを含むリードの低減された高さ４５１は、リードフレームの金属を部分的にエッチング又はハーフエッチングすることにより形成される。多くのリードフレームでは、高さ４５１は高さ４５０の約５０％である。従って、これらの端子は、第１の金属と呼ばれる同じ金属でつくられたそれぞれのリードから生じる金属性円柱形又は六面体に似たバンプである。先に示したように、第１の金属の好ましい選択肢は、銅、アルミニウム、及び鉄ニッケル合金を含む。金属性リードフレームから金属性端子バンプをつくるためにハーフエッチングプロセスを用いることにより、まず重合体又はセラミック基板を介してスルーホールをつくり、その後これらのホールを金属などの導電性材料で充填する従来の問題を避ける。ハーフエッチングプロセスは更に、いわゆるアンダーバンプメタライゼーションを付加することにより、端子に取り付けられるはんだボールに対する応力を低減及び吸収する従来の技術的課題を避ける。
【００３４】
図４において、幾つかの近傍のリードにわたって広がる端子とは反対側の表面上のリードフレーム中央部で半導体チップ１２０がリードフレームに取り付けられる。図４の例において、この取り付けは、絶縁性接着性フィルムを用い、チップコンタクト・パッドがリードにワイヤボンディングされる。フリップチップ取り付けの代替の方法は図３に示され、チップは、幾つかの近傍のリードにわたって広がる。
【００３５】
図５Ａは、ＱＦＮ／ＳＯＮタイプのボールグリッドアレイデバイスに適した端子の規則的な二次元グリッドアレイを可能にするための金属リードフレームのリードの構成を図示するため、封止なし及び取り付けられた半導体チップなしの図１の例示のリードフレームを上部から見る。図５Ａの切断線５Ｂ−５Ｂが、図５Ｂのリード部分及び端子の断面となる。リードの上面は５０１で示し、反対側で端子の表面は５０２で示す。端子の高さは、リードフレームが形成される金属シートの元の厚みを保ち、４５０で示され、ハーフエッチングされたリードの高さは４５１で示す。
【００３６】
図６に図示するように、例示のデバイス１００のすべての端子の表面５０２及びすべてのリード端の面１１１ａは、デバイスの封止化合物１５０から露出される。露出された端子表面５０２は好ましくは、はんだボール取り付けを容易にする冶金学的構成を有する。端子表面の第１の金属上に金又は錫などのはんだ付け可能な第２の金属の層を堆積することにより、この構成を達成することが好ましい。代替として、例えば、第１の金属に接するニッケルの層（約０．５〜２．０μｍの厚み）、ニッケルに接するパラジウムの層（約０．０１〜０．１μｍの厚み）、及びパラジウムに接する金の層（約０．００３〜０．００９μｍの厚み）などの金属層のスタックが第１の金属の上に堆積されてもよい。
【００３７】
これに対し、リード端面１１１ａは、（フレームを切り取る）トリミング工程によってつくられ、そのため、リードフレームの第１の金属を露出する。
【００３８】
金属性リードフレームと重合体封止化合物との間の接着を向上させるため、エポキシベースのモールディング化合物に対し広く用いられている方法が、リードフレーム表面に窪み、溝、又は突起などの設計特徴を付加する。一例は、金属内の窪みのパターンを生成することによるリード表面の機械的「ディンプリング」である。他の方法は、金属表面を酸化することにより又は化学的エッチングによりこの表面を粗化することによりリードフレーム表面を化学的に改変する。更に別の方法は、粗いニッケル層を堆積する特殊なニッケルめっき槽を用いる。
【００３９】
重合体製剤と特定の金属との接着のベースとして重合体封止化合物が選択され得る他のデバイスでは、リードフレーム全体がはんだ付け可能な第２の金属（上記参照）でフラッドめっきされ得る。はんだ付け可能な金属と封止化合物との信頼性の高い接着は、選択された化合物の特定の重合体構成によって達成される。
【００４０】
図７は、ＱＦＮ／ＳＯＮファミリのリードフレームベースのボールグリッドアレイデバイス７０１が、はんだ本体７１０により別のリードフレームベースのＢＧＡデバイス７０２にどのようにスタックされ得るか、及びそのスタックがその後、はんだ本体７１１によって基板又はボード７２０にどのように取り付けられるかの一例を図示する。図７において、ＢＧＡデバイス７０１及び７０２は、図３に示した例示のデバイスに類似するフリップ組み立てされたチップを含むように示されている。他のデバイスにおいて、ＢＧＡデバイスの少なくとも一つにおいてワイヤボンディングされたチップを備えた類似のアッセンブリが可能である。図７に示すように、デバイス中央エリアにおけるはんだ接続は、基板アッセンブリに充分に関与している。
【００４１】
同様の原理が、均等に空間が空けられたグリッドアレイ状に端子を備えたリードフレームベースのＢＧＡデバイスに、及び不均等に空間が空けられたグリッドアレイ状に端子を備えたデバイスに適用される。これらの原理は、行及び列に均一に配置される端子を備えたデバイスに、及び選択端子位置が空けられたデバイスに適用される。
【００４２】
当業者であれば、本発明が請求する範囲内で多くの他の実施例及びその変形が可能であることが分かるであろう。例示の実施例の文脈で説明したような特徴又は工程の全て又はその幾つかを有する例示の実施例の文脈で説明した一つ又はそれ以上の特徴又は工程の異なる組み合わせを有する実施例も、本明細書に包含されることも意図している。
【図１】
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【図２】
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【図３】
2013524552.tif 000005
【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
2013524552.tif 000008
【図６】
2013524552.tif 000009
【図７】
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【国際調査報告】
2013524552.tif 000011
2013524552.tif 000012