(57)【要約】本発明は、一般式（Ｉ）の化合物に関する。一般式（I）において、Ｚは、・ハロゲン、ホスホン酸もしくはホスホン酸エステル基−Ｐ（Ｏ）（ＯＲ１）２（式中、ラジカルＲ１は、同一であってもよいし異なってもよく、水素原子もしくはＣ１〜Ｃ１２−アルキルに対応する）、スルホン酸基−ＳＯ３Ｈ、ハロシリルラジカル−ＳｉＨａｌｎＲ２３−ｎ（Ｒ２はＣ１〜Ｃ１８−アルキルであり、ｎは１〜３の整数である）、チオール基またはトリアルコキシシリルラジカル−Ｓｉ（ＯＲ３）３（Ｒ３はＣ１〜Ｃ１８−アルキルである）によって置換されるＣ１〜Ｃ２２−アルキルラジカル、・ハロゲン、ホスホン酸もしくはホスホン酸エステル基−Ｐ（Ｏ）（ＯＲ１）２（式中、ラジカルＲ１は、同一であってもよいし異なってもよく、水素原子もしくはＣ１〜Ｃ１２−アルキルに対応する）、スルホン酸基−ＳＯ３Ｈ、ハロシリルラジカル−ＳｉＨａｌｎＲ２３−ｎ（Ｒ２はＣ１〜Ｃ１８−アルキルであり、ｎは１〜３の整数である）、チオール基またはトリアルコキシシリルラジカル−Ｓｉ（ＯＲ３）３（Ｒ３はＣ１〜Ｃ１８−アルキルである）によって置換されるＣ５〜Ｃ１２−シクロアルキルラジカル、・ハロゲン、ホスホン酸もしくはホスホン酸エステル基−Ｐ（Ｏ）（ＯＲ１）２（式中、ラジカルＲ１は、同一であってもよいし異なってもよく、水素原子もしくはＣ１〜Ｃ１２−アルキルに対応する）、スルホン酸基−ＳＯ３Ｈ、ハロシリルラジカル−ＳｉＨａｌｎＲ２３−ｎ（Ｒ２はＣ１〜Ｃ１８−アルキルであり、ｎは１〜３の整数である）、チオール基またはトリアルコキシシリルラジカル−Ｓｉ（ＯＲ３）３（Ｒ３はＣ１〜Ｃ１８−アルキルである）によって置換されるＣ６〜Ｃ１４−アリールラジカル、またはチエニル、ピリル、フリルもしくはピリジルラジカルの群からのヘテロアリールラジカル、または、・ハロゲン、ホスホン酸もしくはホスホン酸エステル基−Ｐ（Ｏ）（ＯＲ１）２（式中、ラジカルＲ１は、同一であってもよいし異なってもよく、水素原子もしくはＣ１〜Ｃ１２−アルキルに対応する）、スルホン酸基−ＳＯ３Ｈ、ハロシリルラジカル−ＳｉＨａｌｎＲ２３−ｎ（Ｒ２はＣ１〜Ｃ１８−アルキルであり、ｎは１〜３の整数である）、チオール基またはトリアルコキシシリルラジカル−Ｓｉ（ＯＲ３）３（Ｒ３はＣ１〜Ｃ１８−アルキルである）によって任意に置換されるＣ７−Ｃ３０−アラルキルラジカル、または、・トリアルキルシリルラジカルＲ５Ｒ６Ｒ７Ｓｉ（式中、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７は互いに独立に、同一もしくは異なるＣ１〜Ｃ１８−アルキルラジカルである）に対応する。本発明は、半導体層、電子部品、電子部品の製造のためのプロセス、このプロセスによって得られる電子部品および一般式（Ｉ）の化合物の使用にも関する。【化１】2013534213.tif 000016【選択図】図１
2013534213.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式（Ｉ）の化合物であって、
【化１】
2013534213.tif 000012
式中、Ｚは、
・ハロゲン、ホスホン酸もしくはホスホン酸エステル基−Ｐ（Ｏ）（ＯＲ１）２（式中、前記ラジカルＲ１は、同一であってもよいし異なってもよく、水素原子もしくはＣ１〜Ｃ１２−アルキルに対応する）、スルホン酸基−ＳＯ３Ｈ、ハロシリルラジカル−ＳｉＨａｌｎＲ２３−ｎ（Ｒ２はＣ１〜Ｃ１８−アルキルであり、ｎは１〜３の整数である）、チオール基またはトリアルコキシシリルラジカル−Ｓｉ（ＯＲ３）３（Ｒ３はＣ１〜Ｃ１８−アルキルである）によって置換されたＣ１〜Ｃ２２−アルキルラジカル、
・ハロゲン、ホスホン酸もしくはホスホン酸エステル基−Ｐ（Ｏ）（ＯＲ１）２（式中、前記ラジカルＲ１は、同一であってもよいし異なってもよく、水素原子もしくはＣ１〜Ｃ１２−アルキルに対応する）、スルホン酸基−ＳＯ３Ｈ、ハロシリルラジカル−ＳｉＨａｌｎＲ２３−ｎ（Ｒ２はＣ１〜Ｃ１８−アルキルであり、ｎは１〜３の整数である）、チオール基またはトリアルコキシシリルラジカル−Ｓｉ（ＯＲ３）３（Ｒ３はＣ１〜Ｃ１８−アルキルである）によって置換されるＣ５〜Ｃ１２−シクロアルキルラジカル、
・ハロゲン、ホスホン酸もしくはホスホン酸エステル基−Ｐ（Ｏ）（ＯＲ１）２（式中、前記ラジカルＲ１は、同一であってもよいし異なってもよく、水素原子もしくはＣ１〜Ｃ１２−アルキルに対応する）、スルホン酸基−ＳＯ３Ｈ、ハロシリルラジカル−ＳｉＨａｌｎＲ２３−ｎ（Ｒ２はＣ１〜Ｃ１８−アルキルであり、ｎは１〜３の整数である）、チオール基またはトリアルコキシシリルラジカル−Ｓｉ（ＯＲ３）３（Ｒ３はＣ１〜Ｃ１８−アルキルである）によって置換されるＣ６〜Ｃ１４−アリールラジカル、またはチエニル、ピリル、フリルもしくはピリジルラジカルの群からのヘテロアリールラジカル、
・ハロゲン、ホスホン酸もしくはホスホン酸エステル基−Ｐ（Ｏ）（ＯＲ１）２（式中、前記ラジカルＲ１は、同一であってもよいし異なってもよく、水素原子もしくはＣ１〜Ｃ１２−アルキルに対応する）、スルホン酸基−ＳＯ３Ｈ、ハロシリルラジカル−ＳｉＨａｌｎＲ２３−ｎ（Ｒ２はＣ１〜Ｃ１８−アルキルであり、ｎは１〜３の整数である）、チオール基またはトリアルコキシシリルラジカル−Ｓｉ（ＯＲ３）３（Ｒ３はＣ１〜Ｃ１８−アルキルである）によって任意に置換されるＣ７〜Ｃ３０−アラルキルラジカル、または、
・トリアルキルシリルラジカルＲ５Ｒ６Ｒ７Ｓｉ（式中、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７は互いに独立に、同一もしくは異なるＣ１〜Ｃ１８−アルキルラジカルである）
に対応する、化合物。
【請求項２】
Ｚは、ラジカル−Ａ−Ｒ４
（式中、
Ａは、非分岐のＣ１〜Ｃ１８−アルキレンラジカルを表し、
Ｒ４は、ハロゲン、チオール基またはホスホン酸もしくはホスホン酸エステル基−Ｐ（Ｏ）（ＯＲ１）２（式中、前記ラジカルＲ１は、同一であってもよいし異なってもよく、水素原子もしくはＣ１〜Ｃ１２−アルキルに対応する）を表す）
を表す、請求項１に記載の化合物。
【請求項３】
Ａは、非分岐のＣ１〜Ｃ１２−アルキレンラジカルを表し、
Ｒ４は、ホスホン酸基−Ｐ（Ｏ）（ＯＨ）２を表す、
請求項２に記載の化合物。
【請求項４】
一般式（Ｉ）の化合物を含む半導体層であって、
【化２】
2013534213.tif 000013
式中、Ｚは
・ハロゲン、ホスホン酸もしくはホスホン酸エステル基−Ｐ（Ｏ）（ＯＲ１）２（式中、前記ラジカルＲ１は、同一であってもよいし異なってもよく、水素原子もしくはＣ１〜Ｃ１２−アルキルに対応する）、スルホン酸基−ＳＯ３Ｈ、ハロシリルラジカル−ＳｉＨａｌｎＲ２３−ｎ（Ｒ２はＣ１〜Ｃ１８−アルキルであり、ｎは１〜３の整数である）、チオール基またはトリアルコキシシリルラジカル−Ｓｉ（ＯＲ３）３（Ｒ３はＣ１〜Ｃ１８−アルキルである）によって任意に置換されるＣ１〜Ｃ２２−アルキルラジカル、
・ハロゲン、ホスホン酸もしくはホスホン酸エステル基−Ｐ（Ｏ）（ＯＲ１）２（式中、前記ラジカルＲ１は、同一であってもよいし異なってもよく、水素原子もしくはＣ１〜Ｃ１２−アルキルに対応する）、スルホン酸基−ＳＯ３Ｈ、ハロシリルラジカル−ＳｉＨａｌｎＲ２３−ｎ（Ｒ２はＣ１〜Ｃ１８−アルキルであり、ｎは１〜３の整数である）、チオール基またはトリアルコキシシリルラジカル−Ｓｉ（ＯＲ３）３（Ｒ３はＣ１〜Ｃ１８−アルキルである）によって任意に置換されるＣ５〜Ｃ１２−シクロアルキルラジカル、
・ハロゲン、ホスホン酸もしくはホスホン酸エステル基−Ｐ（Ｏ）（ＯＲ１）２（式中、前記ラジカルＲ１は、同一であってもよいし異なってもよく、水素原子もしくはＣ１〜Ｃ１２−アルキルに対応する）、スルホン酸基−ＳＯ３Ｈ、ハロシリルラジカル−ＳｉＨａｌｎＲ２３−ｎ（Ｒ２はＣ１〜Ｃ１８−アルキルであり、ｎは１〜３の整数である）、チオール基またはトリアルコキシシリルラジカル−Ｓｉ（ＯＲ３）３（Ｒ３はＣ１〜Ｃ１８−アルキルである）によって任意に置換されるＣ６〜Ｃ１４−アリールラジカル、またはチエニル、ピリル、フリルもしくはピリジルラジカルの群からのヘテロアリールラジカル、または、
・ハロゲン、ホスホン酸もしくはホスホン酸エステル基−Ｐ（Ｏ）（ＯＲ１）２（式中、前記ラジカルＲ１は、同一であってもよいし異なってもよく、水素原子もしくはＣ１〜Ｃ１２−アルキルに対応する）、スルホン酸基−ＳＯ３Ｈ、ハロシリルラジカル−ＳｉＨａｌｎＲ２３−ｎ（Ｒ２はＣ１〜Ｃ１８−アルキルであり、ｎは１〜３の整数である）、チオール基またはトリアルコキシシリルラジカル−Ｓｉ（ＯＲ３）３（Ｒ３はＣ１〜Ｃ１８−アルキルである）によって任意に置換されるＣ７〜Ｃ３０−アラルキルラジカル、または、
・トリアルキルシリルラジカルＲ５Ｒ６Ｒ７Ｓｉ（式中、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７は互いに独立に、同一もしくは異なるＣ１〜Ｃ１８−アルキルラジカルである）
に対応する、半導体層。
【請求項５】
前記一般式（Ｉ）において、Ｚは、ラジカル−Ａ−Ｒ４
（式中、
Ａは、Ｃ１〜Ｃ２２−アルキレンラジカルを表し、
Ｒ４は、ハロゲン、ホスホン酸もしくはホスホン酸エステル基−Ｐ（Ｏ）（ＯＲ１）２（式中、前記ラジカルＲ１は、同一であってもよいし異なってもよく、水素原子もしくはＣ１〜Ｃ１２−アルキルに対応する）、スルホン酸基−ＳＯ３Ｈ、ハロシリルラジカル−ＳｉＨａｌｎＲ２３−ｎ（Ｒ２はＣ１〜Ｃ１８−アルキルであり、ｎは１〜３の整数である）、チオール基、トリアルコキシシリルラジカル−Ｓｉ（ＯＲ３）３（Ｒ３はＣ１〜Ｃ１８−アルキルである）、Ｃ６〜Ｃ１４−アリールラジカル、またはチエニル、ピリル、フリルもしくはピリジルラジカルの群からのヘテロアリールラジカルを表す）
を表し、前記半導体層がこの一般式（Ｉ）の化合物の単分子層を含む、請求項４に記載の半導体層。
【請求項６】
請求項４または請求項５に記載の半導体層を含む電子部品。
【請求項７】
前記部品は電界効果トランンジスター、発光部品、光起電力セル、レーザーまたはセンサーである、請求項６に記載の電子部品。
【請求項８】
Ｚは、Ｃ１〜Ｃ２２−アルキルラジカル、Ｃ５〜Ｃ１２−シクロアルキルラジカル、Ｃ６〜Ｃ１４−アリールラジカル、またはチエニル、ピリル、フリルもしくはピリジルラジカルの群からのヘテロアリールラジカル、Ｃ７〜Ｃ３０−アラルキルラジカル、またはトリアルキルシリルラジカルＲ５Ｒ６Ｒ７Ｓｉ（式中、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７は互いに独立に、同一もしくは異なるＣ１〜Ｃ１８−アルキルラジカルである）に対応し、前記電子部品が電界効果トランジスターである、請求項６または請求項７に記載の電子部品。
【請求項９】
ｉ）基板を準備する工程と、
ｉｉ）一般式（Ｉ）の化合物を含む層を前記基板に付与する工程であって、
【化３】
2013534213.tif 000014
式中、Ｚは、
・ハロゲン、ホスホン酸もしくはホスホン酸エステル基−Ｐ（Ｏ）（ＯＲ１）２（式中、前記ラジカルＲ１は、同一であってもよいし異なってもよく、水素原子もしくはＣ１〜Ｃ１２−アルキルに対応する）、スルホン酸基−ＳＯ３Ｈ、ハロシリルラジカル−ＳｉＨａｌｎＲ２３−ｎ（Ｒ２はＣ１〜Ｃ１８−アルキルであり、ｎは１〜３の整数である）、チオール基またはトリアルコキシシリルラジカル−Ｓｉ（ＯＲ３）３（Ｒ３はＣ１〜Ｃ１８−アルキルである）によって任意に置換されるＣ１〜Ｃ２２−アルキルラジカル、
・ハロゲン、ホスホン酸もしくはホスホン酸エステル基−Ｐ（Ｏ）（ＯＲ１）２（式中、前記ラジカルＲ１は、同一であってもよいし異なってもよく、水素原子もしくはＣ１〜Ｃ１２−アルキルに対応する）、スルホン酸基−ＳＯ３Ｈ、ハロシリルラジカル−ＳｉＨａｌｎＲ２３−ｎ（Ｒ２はＣ１〜Ｃ１８−アルキルであり、ｎは１〜３の整数である）、チオール基またはトリアルコキシシリルラジカル−Ｓｉ（ＯＲ３）３（Ｒ３はＣ１〜Ｃ１８−アルキルである）によって任意に置換されるＣ５〜Ｃ１２−シクロアルキルラジカル、
・ハロゲン、ホスホン酸もしくはホスホン酸エステル基−Ｐ（Ｏ）（ＯＲ１）２（式中、前記ラジカルＲ１は、同一であってもよいし異なってもよく、水素原子もしくはＣ１〜Ｃ１２−アルキルに対応する）、スルホン酸基−ＳＯ３Ｈ、ハロシリルラジカル−ＳｉＨａｌｎＲ２３−ｎ（Ｒ２はＣ１〜Ｃ１８−アルキルであり、ｎは１〜３の整数である）、チオール基またはトリアルコキシシリルラジカル−Ｓｉ（ＯＲ３）３（Ｒ３はＣ１〜Ｃ１８−アルキルである）によって任意に置換されるＣ６〜Ｃ１４−アリールラジカル、またはチエニル、ピリル、フリルもしくはピリジルラジカルの群からのヘテロアリールラジカル、または、
・ハロゲン、ホスホン酸もしくはホスホン酸エステル基−Ｐ（Ｏ）（ＯＲ１）２（式中、前記ラジカルＲ１は、同一であってもよいし異なってもよく、水素原子もしくはＣ１〜Ｃ１２−アルキルに対応する）、スルホン酸基−ＳＯ３Ｈ、ハロシリルラジカル−ＳｉＨａｌｎＲ２３−ｎ（Ｒ２はＣ１〜Ｃ１８−アルキルであり、ｎは１〜３の整数である）、チオール基またはトリアルコキシシリルラジカル−Ｓｉ（ＯＲ３）３（Ｒ３はＣ１〜Ｃ１８−アルキルである）によって任意に置換されるＣ７〜Ｃ３０−アラルキルラジカル、または、
・トリアルキルシリルラジカルＲ５Ｒ６Ｒ７Ｓｉ（式中、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７は互いに独立に、同一もしくは異なるＣ１〜Ｃ１８−アルキルラジカルである）
に対応する工程と
を含む、電子部品の製造のためのプロセス。
【請求項１０】
前記一般式（Ｉ）の化合物は、溶液からまたは気相堆積により前記基板に付与される、請求項９に記載のプロセス。
【請求項１１】
前記一般式（Ｉ）において、Ｚは、ラジカル−Ａ−Ｒ４
（式中、
Ａは、Ｃ１〜Ｃ２２−アルキレンラジカルを表し、
Ｒ４は、ハロゲン、ホスホン酸もしくはホスホン酸エステル基−Ｐ（Ｏ）（ＯＲ１）２（式中、前記ラジカルＲ１は、同一であってもよいし異なってもよく、水素原子もしくはＣ１〜Ｃ１２−アルキルに対応する）、スルホン酸基−ＳＯ３Ｈ、ハロシリルラジカル−ＳｉＨａｌｎＲ２３−ｎ（Ｒ２はＣ１〜Ｃ１８−アルキルであり、ｎは１〜３の整数である）、チオール基、トリアルコキシシリルラジカル−Ｓｉ（ＯＲ３）３（Ｒ３はＣ１〜Ｃ１８−アルキルである）またはＣ６〜Ｃ１４−アリールラジカル、またはチエニル、ピリル、フリルもしくはピリジルラジカルの群からのヘテロアリールラジカルを表す）
に対応し、この一般式（Ｉ）の化合物が単分子層として前記基板に付与される、請求項９または請求項１０に記載のプロセス。
【請求項１２】
請求項９から請求項１１のいずれか１項に記載のプロセスによって得られる電子部品。
【請求項１３】
電子部品の中の半導性層における、一般式（Ｉ）の化合物の使用であって、
【化４】
2013534213.tif 000015
式中、Ｚは、
・ハロゲン、ホスホン酸もしくはホスホン酸エステル基−Ｐ（Ｏ）（ＯＲ１）２（式中、前記ラジカルＲ１は、同一であってもよいし異なってもよく、水素原子もしくはＣ１〜Ｃ１２−アルキルに対応する）、スルホン酸基−ＳＯ３Ｈ、ハロシリルラジカル−ＳｉＨａｌｎＲ２３−ｎ（Ｒ２はＣ１〜Ｃ１８−アルキルであり、ｎは１〜３の整数である）、チオール基またはトリアルコキシシリルラジカル−Ｓｉ（ＯＲ３）３（Ｒ３はＣ１〜Ｃ１８−アルキルである）によって任意に置換されるＣ１〜Ｃ２２−アルキルラジカル、
・ハロゲン、ホスホン酸もしくはホスホン酸エステル基−Ｐ（Ｏ）（ＯＲ１）２（式中、前記ラジカルＲ１は、同一であってもよいし異なってもよく、水素原子もしくはＣ１〜Ｃ１２−アルキルに対応する）、スルホン酸基−ＳＯ３Ｈ、ハロシリルラジカル−ＳｉＨａｌｎＲ２３−ｎ（Ｒ２はＣ１〜Ｃ１８−アルキルであり、ｎは１〜３の整数である）、チオール基またはトリアルコキシシリルラジカル−Ｓｉ（ＯＲ３）３（Ｒ３はＣ１〜Ｃ１８−アルキルである）によって任意に置換されるＣ５〜Ｃ１２−シクロアルキルラジカル、
・ハロゲン、ホスホン酸もしくはホスホン酸エステル基−Ｐ（Ｏ）（ＯＲ１）２（式中、前記ラジカルＲ１は、同一であってもよいし異なってもよく、水素原子もしくはＣ１〜Ｃ１２−アルキルに対応する）、スルホン酸基−ＳＯ３Ｈ、ハロシリルラジカル−ＳｉＨａｌｎＲ２３−ｎ（Ｒ２はＣ１〜Ｃ１８−アルキルであり、ｎは１〜３の整数である）、チオール基またはトリアルコキシシリルラジカル−Ｓｉ（ＯＲ３）３（Ｒ３はＣ１〜Ｃ１８−アルキルである）によって任意に置換されるＣ６〜Ｃ１４−アリールラジカル、またはチエニル、ピリル、フリルもしくはピリジルラジカルの群からのヘテロアリールラジカル、または、
・ハロゲン、ホスホン酸もしくはホスホン酸エステル基−Ｐ（Ｏ）（ＯＲ１）２（式中、前記ラジカルＲ１は、同一であってもよいし異なってもよく、水素原子もしくはＣ１〜Ｃ１２−アルキルに対応する）、スルホン酸基−ＳＯ３Ｈ、ハロシリルラジカル−ＳｉＨａｌｎＲ２３−ｎ（Ｒ２はＣ１〜Ｃ１８−アルキルであり、ｎは１〜３の整数である）、チオール基またはトリアルコキシシリルラジカル−Ｓｉ（ＯＲ３）３（Ｒ３はＣ１〜Ｃ１８−アルキルである）によって任意に置換されるＣ７〜Ｃ３０−アラルキルラジカル、または、
・トリアルキルシリルラジカルＲ５Ｒ６Ｒ７Ｓｉ（式中、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７は互いに独立に、同一もしくは異なるＣ１〜Ｃ１８−アルキルラジカルである）
に対応する、使用。
【請求項１４】
前記一般式（Ｉ）の化合物において、Ｚは、ラジカル−Ａ−Ｒ４
（式中、
Ａは、Ｃ１〜Ｃ２２−アルキレンラジカルを表し、
Ｒ４は、ハロゲン、ホスホン酸もしくはホスホン酸エステル基−Ｐ（Ｏ）（ＯＲ１）２（式中、前記ラジカルＲ１は、同一であってもよいし異なってもよく、水素原子もしくはＣ１〜Ｃ１２−アルキルに対応する）、スルホン酸基−ＳＯ３Ｈ、ハロシリルラジカル−ＳｉＨａｌｎＲ２３−ｎ（Ｒ２はＣ１〜Ｃ１８−アルキルであり、ｎは１〜３の整数である）、チオール基、トリアルコキシシリルラジカル−Ｓｉ（ＯＲ３）３（Ｒ３はＣ１〜Ｃ１８−アルキルである）またはＣ６〜Ｃ１４−アリールラジカル、またはチエニル、ピリル、フリルもしくはピリジルラジカルの群からのヘテロアリールラジカルを表す）
に対応し、前記半導体層がこの一般式（Ｉ）の化合物の単分子層を含む、請求項１３に記載の使用。
【請求項１５】
前記半導体層が誘電体層の機能も果たす、請求項１４に記載の使用。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は一置換された［１］ベンゾチエノ［３，２−ｂ］［１］−ベンゾチオフェン（ＢＴＢＴ）、半導体層、電子部品、電子部品の製造のためのプロセス、このプロセスによって得られる電子部品および一置換された［１］ベンゾチエノ［３，２−ｂ］［１］−ベンゾチオフェンの使用に関する。
【背景技術】
【０００２】
分子エレクトロニクスの分野は有機導電性と半導性化合物の開発に関して最近１５年間で急速に発展してきている。この間に、半導性化合物または電気光学特性を有する多数の化合物が見出されている。分子エレクトロニクスがシリコンに基づく従来の半導体部品に取ってかわらないであろうというのが一般的な理解である。代わりに、分子エレクトロニクス部品が、大面積をコーティングするための適合性、構造上の柔軟性、低温での加工性および低コストが必須条件になるであろう新しい使用分野を切り開くであろうことは想定される。半導性有機化合物は、有機電界効果トランジスター（ＯＦＥＴ）、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）、センサーおよび光起電力素子の使用分野のために現在、開発がある。集積された有機半導体回路でのＯＦＥＴの簡単な構造化および集積化によって、シリコン成分の価格および柔軟性の欠如のため、シリコン技術を用いては従来実現できなかったインテリジェントなカード（スマートカード）または価格タグが安価な解決策で可能になる。ＯＦＥＴは、同様に大面積フレキシブルマトリックスディスプレイでの回路素子として使用される可能性がある。有機半導体、集積された半導体回路およびその使用の概要は、例えば、非特許文献１で与えられる。
【０００３】
電界効果トランジスターは、２電極（「ソース」および「ドレイン」と呼ばれる）間の狭い伝導チャネルの導電率が薄い絶縁層によって伝導チャネルから隔てられる第３の電極（「ゲート」と呼ばれる）により制御される３電極素子である。電界効果トランジスターの最も重要な特性は、トランジスターのスイッチ速度を決定的に決める電荷キャリアの移動度、およびスイッチされた状態における電流とスイッチされていない状態における電流との比、いわゆる「オン／オフ比」がある。
【０００４】
有機電界効果トランジスターにおいて、２つに大きく分類された化合物が今まで使用されてきた。両分類の化合物は共に連続的に共役したユニットを持ち、分子量および構造に応じ共役ポリマーおよび共役オリゴマーに分類される。
【０００５】
オリゴマーとポリマーとの区別は、これらの化合物の加工で基本的な相違があるという事実を表現するためになされることが多い。オリゴマーは気化できることが多く、気相堆積プロセスにより基板に付与される。もはや蒸発させることができず、従って、他のプロセスにより付与される化合物は、分子構造にかかわらず、ポリマーと呼ばれることが多い。ポリマーの場合、液体媒体、例えば、有機溶媒に可溶であり、さらに、適切な付与プロセスにより付与することができる化合物が、概して求められる。非常に広く使用される付与プロセスは、例えば「スピンコーティング」プロセスである。インクジェットプロセスによる半導性化合物の付与は特に洗練された方法である。このプロセスにおいて、半導性化合物の溶液は非常に微細な液滴の形で基板に付与され、乾燥される。このプロセスにより、付与の間に構造化を行うことが可能になる。半導性化合物についてのこの付与プロセスの説明は、例えば、非特許文献２に記載される。
【０００６】
簡易な方法およびやり方による安価な有機集積半導体回路に到達するためのより大きな可能性は、一般的に湿式化学プロセスに起因する。
【０００７】
非常に高純度の化合物は高品質な有機半導体回路の製造のための重要な必須条件である。秩序化の現象は半導体で重要な役割を果たす。化合物の均一な配列を妨げること、および粒界を強調することは半導体特性での劇的な低下を導き、極めて高純度のものではない化合物を使用して構築された有機半導体回路は、概して使用できない。例えば、残存する不純物は半導性化合物へ電荷を注入（「ドーピング」）し、オン／オフ比を下げる、または電荷トラップとして作用し、移動度を大幅に低下させる可能性がある。さらに、不純物は酸素と半導性化合物の反応を開始し、酸化性の不純物は半導性化合物を酸化して、可能な保管時間、加工時間および使用時間を短くする可能性がある。
【０００８】
通常必要である純度は、概して、ポリマー化学の公知な方法、例えば、洗浄、再沈殿および抽出により成し遂げられることができないほど高い。一方、分子的に均一の、そして揮発性であることが多い化合物として、オリゴマーは、昇華またはクロマトグラフィーによって比較的簡単に精製することができる。
【０００９】
オリゴマー半導性化合物の重要な代表例は、例えば、オリゴチオフェン、特に次式の末端アルキル置換基を有するオリゴチオフェン
【化１】
2013534213.tif 000003
およびペンタセン
【化２】
2013534213.tif 000004
である。
【００１０】
例えばα，α’−ジヘキシルクアテルチオフェン、α，α’−ジヘキシルキンクチオフェンおよびα，α’−ジヘキシルセキシチオフェンについて、典型的な移動度は０．０５〜０．１ｃｍ２／Ｖｓである。ペンタセンはより高い移動度を示すが、非常に低い溶解度のため気相堆積によって加工できるだけである。置換されたペンタセン、例えば６，１３−ビス（トリイソプロピルシリルエチニル）ペンタセンは溶液から加工することができるが、環境の影響に対し不安定さを示す。
【００１１】
概して、溶液からのオリゴマー化合物の加工中に起こる半導性の降下は、オリゴマー化合物の低い溶解度およびそれによる膜形成の難しさに起因する。このように、不均一性は、例えば、溶液から乾燥している間の沈殿物に起因する（非特許文献３）。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【００１２】
【非特許文献１】Ｋｌａｕｋ編集、有機エレクトロニクス、材料、製造および応用（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ，  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，  Ｍａｎｕｆａｃｔｕｒｉｎｇ  ａｎｄ  Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ）、Ｗｉｌｅｙ−ＶＣＨ、２００６年
【非特許文献２】Ｎａｔｕｒｅ、第４０１巻、６８５頁
【非特許文献３】Ｃｈｅｍ．Ｍａｔｅｒ．、１９９８年、第１０巻、６３３頁
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
従って、溶液から加工される半導体膜は、気相堆積されたものより粗悪な特性を持ち続けている。従って、溶媒からの加工後の特性が改善された半導体に対するニーズがある。
【００１４】
本発明は、半導性有機化合物に関連して、特に電子部品での半導体層の構成要素としてこのような半導性有機化合物の使用に関連して先行技術から生じる欠点を克服するという目的に基づいた。
【００１５】
本発明の目的は、特に、通常の溶媒からだけでなく気相堆積によっても加工することができ、かつ良好な特性を有する半導性膜を生じる有機化合物を提供することであった。そのような化合物は、大面積にわたる有機半導体層の付与のために著しく適しているであろう。
【００１６】
さらに、これらの有機化合物からの半導体層の製造では、電子工学での使用に適した均一の厚さおよび形態を有する高品質の層が形成されるべきである。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
上記の目的を成し遂げるための寄与は、一般式（Ｉ）の化合物によりなされる。
【化３】
2013534213.tif 000005
式中、Ｚは、
・ハロゲン、ホスホン酸もしくはホスホン酸エステル基−Ｐ（Ｏ）（ＯＲ１）２（式中、ラジカルＲ１は、同一であってもよいし異なってもよく、水素原子もしくはＣ１〜Ｃ１２−アルキルに対応する）、スルホン酸基−ＳＯ３Ｈ、ハロシリルラジカル−ＳｉＨａｌｎＲ２３−ｎ（Ｒ２はＣ１〜Ｃ１８−アルキルであり、ｎは１〜３の整数である）、チオール基またはトリアルコキシシリルラジカル−Ｓｉ（ＯＲ３）３（Ｒ３はＣ１〜Ｃ１８−アルキルである）によって置換されるＣ１〜Ｃ２２−アルキル基ラジカル、
・ハロゲン、ホスホン酸もしくはホスホン酸エステル基−Ｐ（Ｏ）（ＯＲ１）２（式中、ラジカルＲ１は、同一であってもよいし異なってもよく、水素原子もしくはＣ１〜Ｃ１２−アルキルに対応する）、スルホン酸基−ＳＯ３Ｈ、ハロシリルラジカル−ＳｉＨａｌｎＲ２３−ｎ（Ｒ２はＣ１〜Ｃ１８−アルキルであり、ｎは１〜３の整数である）、チオール基またはトリアルコキシシリルラジカル−Ｓｉ（ＯＲ３）３（Ｒ３はＣ１〜Ｃ１８−アルキルである）によって置換されるＣ５〜Ｃ１２−シクロアルキルラジカル、
・ハロゲン、ホスホン酸もしくはホスホン酸エステル基−Ｐ（Ｏ）（ＯＲ１）２（式中、ラジカルＲ１は、同一であってもよいし異なってもよく、水素原子もしくはＣ１〜Ｃ１２−アルキルに対応する）、スルホン酸基−ＳＯ３Ｈ、ハロシリルラジカル−ＳｉＨａｌｎＲ２３−ｎ（Ｒ２はＣ１〜Ｃ１８−アルキルであり、ｎは１〜３の整数である）、チオール基またはトリアルコキシシリルラジカル−Ｓｉ（ＯＲ３）３（Ｒ３はＣ１〜Ｃ１８−アルキルである）によって置換されるＣ６〜Ｃ１４−アリールラジカル、またはチエニル、ピリル、フリルもしくはピリジルラジカルの群からのヘテロアリールラジカル、
・ハロゲン、ホスホン酸もしくはホスホン酸エステル基−Ｐ（Ｏ）（ＯＲ１）２（式中、ラジカルＲ１は、同一であってもよいし異なってもよく、水素原子もしくはＣ１〜Ｃ１２−アルキルに対応する）、スルホン酸基−ＳＯ３Ｈ、ハロシリルラジカル−ＳｉＨａｌｎＲ２３−ｎ（Ｒ２はＣ１〜Ｃ１８−アルキルであり、ｎは１〜３の整数である）、チオール基またはトリアルコキシシリルラジカル−Ｓｉ（ＯＲ３）３（Ｒ３はＣ１〜Ｃ１８−アルキルである）によって任意に置換されるＣ７〜Ｃ３０−アラルキルラジカル、または、
・トリアルキルシリルラジカルＲ５Ｒ６Ｒ７Ｓｉ（式中、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７は互いに独立に、同一もしくは異なるＣ１〜Ｃ１８−アルキルラジカルである）
に対応する。
【００１８】
これに関して、Ｆ、Ｃｌ、ＢｒおよびＩがハロゲンとして好ましい。
【００１９】
本発明による特に好ましい化合物は、Ｚは、ラジカル−Ａ−Ｒ４
（式中、
Ａは、好ましくは非分岐のＣ１〜Ｃ２２−アルキレンラジカル、特に好ましくは、好ましくは非分岐のＣ１〜Ｃ１８−アルキレンラジカル、最も好ましくは、好ましくは非分岐のＣ１〜Ｃ１２−アルキレンラジカルを表し、
Ｒ４は、ハロゲン（Ｈａｌ）、特に好ましくは、Ｆ、Ｃｌ、ＢｒもしくはＩ、ホスホン酸もしくはホスホン酸エステル基−Ｐ（Ｏ）（ＯＲ１）２（式中、ラジカルＲ１は、同一であってもよいし異なってもよく、水素原子もしくはＣ１〜Ｃ１２−アルキル、特に好ましくはエチルもしくはメチル基に対応する）、スルホン酸基−ＳＯ３Ｈ、ハロシリルラジカル−ＳｉＨａｌｎＲ２３−ｎ（ＨａｌはＦ、Ｃｌ、ＢｒもしくはＩであり、Ｒ２はＣ１〜Ｃ１８−アルキルであり、ｎは１〜３の整数である）、チオール基、トリアルコキシシリルラジカル−Ｓｉ（ＯＲ３）３（Ｒ３はＣ１〜Ｃ１８−アルキルである）またはＣ６〜Ｃ１４−アリールラジカル、またはチエニル、ピリル、フリルもしくはピリジルラジカルの群からのヘテロアリールラジカルを表す）
に対応する化合物である。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明による半導体層が基板としての誘電体中間層に付与された、本発明による電界効果トランジスターを示す。
【図２】実施例６ｈで製造される電界効果トランジスターの特徴的なデータを示す。
【図３】実施例８で製造されるトランジスターについての測定結果を示す。
【図４】実施例８で製造されるトランジスターについての測定結果を示す。
【図５】実施例９で製造されるトランジスターについての測定結果を示す。
【図６】実施例９で製造されるトランジスターについての測定結果を示す。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
驚くべきことに、特定の一置換された［１］ベンゾチエノ［３，２−ｂ］［１］−ベンゾチオフェン誘導体が特定の特性を有する特に適切な膜を与えることが見出された。これは驚くべきことであり予期されないことであり、なぜなら、僅かにしか溶解しない無置換誘導体とは対照的に、現在まで二置換された誘導体だけが湿式処理のために必要とされる溶解度を有するからである。しかしながら、先行技術から公知の二置換されたＢＴＢＴ誘導体の欠点は、例えばジアルキル化されたＢＴＢＴの蒸気圧が著しく低下することであり、このことは気相堆積による加工を困難にさせる。
【００２２】
一置換されたＢＴＢＴからの膜の電気的特性も改善される。これはまったく予期されないことであり、なぜなら、オリゴマー半導体を用いたＯＴＦＴの十分な移動度ついて、その必須条件の１つが最適化された層形態であるからである。現在までの先行技術によれば、これは、特に対称化合物が最適な配置を可能にするとき成し遂げられる。例えば、米国特許第６，６９０，０２９号明細書もしくはＣｈｅｍ．Ｒｅｖ．２００６年、第１０６巻、５０２８−５０４８頁およびＡｎｇｅｗ．Ｃｈｅｍ．２００８年、第１２０巻、４６０−４９２頁に記載される対称に置換されたアセン誘導体およびこれらの結晶配置、またはＨ．Ｅｂａｔａ、Ｔ．Ｉｚａｗａ、Ｅ．Ｍｉｙａｚａｋｉ、Ｋ．Ｔａｋｉｍｉｙａ、Ｍ．Ｉｋｅｄａ、Ｈ．Ｋｕｗａｂａｒａ、Ｔ．Ｙｕｉ、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．第１２９巻、１５７３２−１５７３３頁（２００７年）ならびに特許出願、国際公開第２００６／０７７８８８（Ａ）号パンフレット、国際公開第２００７／１２５６７１（Ａ）号パンフレットおよび国際公開第２００８／０４７８９６（Ａ）号に記載される対称置換されたＢＴＢＴ誘導体を参照のこと。
【００２３】
本発明による一置換された［１］ベンゾチエノ［３，２−ｂ］［１］−ベンゾチオフェン誘導体の特に好ましい実施形態によれば、Ｚは、ラジカル−Ａ−Ｒ４、
（式中、
Ａは、好ましくは非分岐の直鎖Ｃ１〜Ｃ１８−アルキレンラジカル（−（ＣＨ２）ｎ−、ｎは１〜１８の整数である）を表し、
Ｒ４は、ハロゲン、好ましくはＦ、Ｃｌ、ＢｒもしくはＩ、またはホスホン酸もしくはホスホン酸エステル基−Ｐ（Ｏ）（ＯＲ１）２（式中、ラジカルＲ１は、同一であってもよいし異なってもよく、水素原子もしくはＣ１〜Ｃ１２−アルキル、特に好ましくはエチルもしくはメチル基に対応する）を表す）
を表す。
【００２４】
本発明による一置換された［１］ベンゾチエノ［３，２−ｂ］［１］−ベンゾチオフェン誘導体のさらにより好ましい実施形態によれば、Ｚは、ラジカル−Ａ−Ｒ４
（式中、
Ａは、好ましくは非分岐の直鎖Ｃ１〜Ｃ１２−アルキレンラジカル（−（ＣＨ２）ｎ−、ｎは１〜１２の整数である）を表し、
Ｒ４は、ホスホン酸基−Ｐ（Ｏ）（ＯＨ）２を表す）
を表す。
【００２５】
欧州特許出願公開第１５３１１５５（Ａ）号明細書は電子部品における半導体層としての一官能性半導体分子の使用を請求する。特に、これらの化合物は単分子層を形成する。それらの構造のため、それら化合物はここで、誘電体層の機能だけでなく半導体層の機能も有する単分子層を構築できる。さらに、Ｎａｔｕｒｅ、２００８年、第４５５巻、９５６頁は、誘電体としての酸化シリコン表面上での単分子半導体層としてのこのような一官能性半導体分子の使用を記載する。Ｎａｎｏ  Ｌｅｔｔｅｒｓ、２０１０年、第１０巻、１９９８頁において、同じ化合物の単分子層がポリマー誘電体上で得られている。原則として、上記の本発明による式（Ｉ）の化合物は、酸化物表面またはポリマー表面上の単分子層の製造に適している。
【００２６】
一般式（Ｉ）の化合物の合成は、例えば、ＢＴＢＴを、少なくとも１：１のモル比で、カルボン酸クロライドＺ’−ＣＯ−Ｃｌ（式中、Ｚ’は、１つのＣＨ２基だけ短縮させたラジカルＺに対応するラジカルを示す）と反応させることにより、二つの段階で実施することができる。それにより形成される一般式（ＩＩ）の中間体生成物は単離され、次いで還元され一般式（Ｉ）の化合物を与える。
【化４】
2013534213.tif 000006
【００２７】
この還元は、例えば、ヒドラジンまたは水素化ホウ素ナトリウム／塩化アルミニウム系を用い実施することができる。ホスホン酸基を有する一般式（Ｉ）の化合物は、例えば、まず、ハロゲン置換されたカルボン酸クロライドＺ’−ＣＯ−Ｃｌ（すなわち、ラジカルＺ’の中の水素原子がハロゲンで置き換えられている化合物）を使用し、次いでカルボニル基を還元した後、例えば、ホスホン酸トリエチルエステルとの反応、必要に応じて、続く脱アルキル化のためのトリメチルシリルブロマイドとの反応により、ハロゲン基をホスホン酸またはホスホン酸エステル基で置き換えるプロセスに基づき得ることができる。
【００２８】
上記の目的を成し遂げるための寄与は、一般式（Ｉ）の化合物を含む半導体層によってもなされる。
【化５】
2013534213.tif 000007
式中、Ｚは、
・ハロゲン、好ましくはＦ、Ｃｌ、ＢｒもしくはＩ、ホスホン酸もしくはホスホン酸エステル基−Ｐ（Ｏ）（ＯＲ１）２（式中、ラジカルＲ１は、同一であってもよいし異なってもよく、水素原子もしくはＣ１〜Ｃ１２−アルキル、特に好ましくはエチルもしくはメチル基に対応する）、スルホン酸基−ＳＯ３Ｈ、ハロシリルラジカル−ＳｉＨａｌｎＲ２３−ｎ（Ｒ２はＣ１〜Ｃ１８−アルキルであり、ｎは１〜３の整数であり、ＨａｌはＦ、Ｃｌ、ＢｒもしくはＩである）、チオール基またはトリアルコキシシリルラジカル−Ｓｉ（ＯＲ３）３（Ｒ３はＣ１〜Ｃ１８−アルキルである）によって任意に置換される、任意に分岐し、しかし好ましくは非分岐のＣ１〜Ｃ２２−アルキルラジカル、
・ハロゲン、好ましくはＦ、Ｃｌ、ＢｒもしくはＩ、ホスホン酸もしくはホスホン酸エステル基−Ｐ（Ｏ）（ＯＲ１）２（式中、ラジカルＲ１は、同一であってもよいし異なってもよく、水素原子もしくはＣ１〜Ｃ１２−アルキル、特に好ましくはエチルもしくはメチル基に対応する）、スルホン酸基−ＳＯ３Ｈ、ハロシリルラジカル−ＳｉＨａｌｎＲ２３−ｎ（Ｒ２はＣ１〜Ｃ１８−アルキルであり、ｎは１〜３の整数であり、ＨａｌはＦ、Ｃｌ、ＢｒもしくはＩである）、チオール基またはトリアルコキシシリルラジカル−Ｓｉ（ＯＲ３）３（Ｒ３はＣ１〜Ｃ１８−アルキルである）によって任意に置換されるＣ５〜Ｃ１２−シクロアルキルラジカル、
・ハロゲン、好ましくはＦ、Ｃｌ、ＢｒもしくはＩ、ホスホン酸もしくはホスホン酸エステル基−Ｐ（Ｏ）（ＯＲ１）２（式中、ラジカルＲ１は、同一であってもよいし異なってもよく、水素原子もしくはＣ１〜Ｃ１２−アルキル、特に好ましくはエチルもしくはメチル基に対応する）、スルホン酸基−ＳＯ３Ｈ、ハロシリルラジカル−ＳｉＨａｌｎＲ２３−ｎ（Ｒ２はＣ１〜Ｃ１８−アルキルであり、ｎは１〜３の整数であり、ＨａｌはＦ、Ｃｌ、ＢｒもしくはＩである）、チオール基またはトリアルコキシシリルラジカル−Ｓｉ（ＯＲ３）３（Ｒ３はＣ１〜Ｃ１８−アルキルである）によって任意に置換されるＣ６〜Ｃ１４−アリールラジカル、またはチエニル、ピリル、フリルもしくはピリジルラジカルの群からのヘテロアリールラジカル、
・ハロゲン、好ましくはＦ、Ｃｌ、ＢｒもしくはＩ、ホスホン酸もしくはホスホン酸エステル基−Ｐ（Ｏ）（ＯＲ１）２（式中、ラジカルＲ１は、同一であってもよいし異なってもよく、水素原子もしくはＣ１〜Ｃ１２−アルキル、特に好ましくはエチルもしくはメチル基に対応する）、スルホン酸基−ＳＯ３Ｈ、ハロシリルラジカル−ＳｉＨａｌｎＲ２３−ｎ（Ｒ２はＣ１〜Ｃ１８−アルキルであり、ｎは１〜３の整数であり、ＨａｌはＦ、Ｃｌ、ＢｒもしくはＩである）、チオール基またはトリアルコキシシリルラジカル−Ｓｉ（ＯＲ３）３（Ｒ３はＣ１〜Ｃ１８−アルキルである）によって任意に置換されるＣ７〜Ｃ３０−アラルキルラジカル、または、
・トリアルキルシリルラジカルＲ４Ｒ５Ｒ６Ｓｉ（式中、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６は互いに独立に、同一もしくは異なる、直鎖もしくは分岐のＣ１〜Ｃ１８−アルキルラジカルである）
に対応する。
【００２９】
少なくとも１０−４ｃｍ２Ｖｓの電荷キャリア移動度を有する、一般式（Ｉ）の化合物の層は特に好ましい。電荷キャリアは、例えば正孔電荷である。電荷移動度は、例えば、Ｍ．ＰｏｐｅおよびＣ．Ｅ．Ｓｗｅｎｂｅｒｇ、有機結晶およびポリマーにおける電子的プロセス（Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ  Ｐｒｏｃｅｓｓｅｓ  ｉｎ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｃｒｙｓｔａｌｓ  ａｎｄ  Ｐｏｌｙｍｅｒｓ）、第２版、７０９−７１３頁（オックスフォード大学出版（Ｏｘｆｏｒｄ  Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ  Ｐｒｅｓｓｅｓ）、ニューヨーク、オックスフォード、１９９９年）に記載されるように求められることができる。
【００３０】
上記の一般式（Ｉ）の化合物の調製は、本発明による上記の一般式（Ｉ）の化合物の調製と同様に実施することができる。
【００３１】
本発明による半導体層の特定の実施形態によれば、Ｚは、ラジカル−Ａ−Ｒ４
（式中、
Ａは、好ましくは非分岐のＣ１〜Ｃ２２−アルキレンラジカル、特に好ましくは、好ましくは非分岐のＣ１〜Ｃ１８−アルキレンラジカル、最も好ましくは、好ましくは非分岐のＣ１〜Ｃ１２−アルキレンラジカルを表し、
Ｒ４は、ハロゲン、好ましくはＦ、Ｃｌ、ＢｒもしくはＩ、ホスホン酸もしくはホスホン酸エステル基−Ｐ（Ｏ）（ＯＲ１）２（式中、ラジカルＲ１は、同一であってもよいし異なってもよく、水素原子もしくはＣ１〜Ｃ１２−アルキル、特に好ましくはエチルもしくはメチル基に対応する）、スルホン酸基−ＳＯ３Ｈ、ハロシリルラジカル−ＳｉＨａｌｎＲ２３−ｎ（Ｒ２はＣ１〜Ｃ１８−アルキルであり、ｎは１〜３の整数であり、ＨａｌはＦ、Ｃｌ、ＢｒもしくはＩである）、チオール基、トリアルコキシシリルラジカル−Ｓｉ（ＯＲ３）３（Ｒ３はＣ１〜Ｃ１８−アルキルである）またはＣ６〜Ｃ１４−アリールラジカル、またはチエニル、ピリル、フリルもしくはピリジルラジカルの群からのヘテロアリールラジカル、特に好ましくはハロゲンまたはホスホン酸もしくはホスホン酸エステル基、最も好ましくはホスホン酸基を表す）
に対応する。
【００３２】
この場合において、半導体層が、一般式（Ｉ）の化合物の単分子層を含むことがとりわけ好ましく、一般式（Ｉ）の化合物の自己組織化された単一層（ＳＡＭ層）を含むことがとりわけ好ましい。
【００３３】
本発明により使用されるさらに好ましい化合物は、Ｚが無置換、非分岐または分岐のＣ１〜Ｃ１８−アルキルラジカルを表す化合物である。この点について、特に好ましい半導体層は、Ｚが、例えば、ｎ−トリデシル、ｎ−ドデシル、ｎ−ヘキシルまたはエチルである一般式（Ｉ）の化合物、すなわち、以下の式（Ｉ−１）〜（Ｉ−４）の化合物を構成要素として含む層である。
【化６】
2013534213.tif 000008
２−トリデシル−ＢＴＢＴは使用されることがとりわけ好ましい。
【００３４】
上記の目的を成し遂げるための寄与は、本発明による上記の半導体層を含む電子部品、好ましくは、電界効果トランンジスター（ＦＥＴ）、発光部品、特に有機発光ダイオード、光起電力セル、レーザーまたはセンサーである電子部品によってもなされる。ゲート電極としての基板、好ましくは二酸化シリコン層を有するシリコンウェハー、この基板に付与される絶縁層、例えば、ポリスチレン層もしくは酸化アルミニウム層、この絶縁層に付与され、かつ一般式（Ｉ）の化合物を含む半導体層、ならびにこの半導体層に付与される電極（ドレインおよぶソース）を含む電界効果トランジスター、特に有機電界効果トランジスターは、電子部品として特に好ましい。
【００３５】
特に、一般式（Ｉ）の化合物でのラジカルＺが上記のラジカル−Ａ−Ｒ４に対応する場合、上記電子部品が、単分子半導体層として、特に好ましくは自己組織化された単一層（ＳＡＭ）として一般式（Ｉ）の化合物を含むことが好ましい。この点について、電子部品、好ましくは電界効果トランジスターにおいて、そのような単一層が半導体層の機能だけでなく誘電体層（絶縁体層）の機能を果たしていれば、さらに都合がよい可能性がある。
【００３６】
特に、一般式（Ｉ）の化合物でのラジカルＺがＣ１〜Ｃ２２−アルキルラジカル、Ｃ５〜Ｃ１２−シクロアルキルラジカル、Ｃ６〜Ｃ１４−アリールラジカル、またはチエニル、ピリル、フリルもしくはピリジルラジカルの群からのヘテロアリールラジカル、Ｃ７〜Ｃ３０−アラルキルラジカル、またはトリアルキルシリルラジカルＲ５Ｒ６Ｒ７Ｓｉ（式中、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７は互いに独立に、同一もしくは異なる、直鎖もしくは分岐のＣ１〜Ｃ１８−アルキルラジカルである）に対応する場合、当該電子部品が電界効果トランジスターに対応することはさらに好ましい。
【００３７】
層、特に一般式（Ｉ）の化合物から単分子層を形成するための適切な基板は、酸化物表面、例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化亜鉛、酸化アルミニウム、酸化シリコン、酸化鉄、またはポリマー表面であり、このポリマー表面は、適宜、前処理、例えば、プラズマ処理または適切な加水分解プロセスにより活性化される。
【００３８】
酸化物表面上での単分子層の形成のため使用されることが好ましい一般式（Ｉ）の化合物は、一般式（Ｉ）において、Ｚが上記のラジカル−Ａ−Ｒ４に対応し、−Ａ−Ｒ４において、Ｒ４が、ホスホン酸もしくはホスホン酸エステル基−Ｐ（Ｏ）（ＯＲ１）２（式中、ラジカルＲ１は、同一であってもよいし異なってもよく、水素原子もしくはＣ１〜Ｃ１２−アルキル、特に好ましくはエチルもしくはメチル基に対応する）、ハロシリルラジカル−ＳｉＨａｌｎＲ２３−ｎ（Ｒ２はＣ１〜Ｃ１８−アルキルであり、ｎは１〜３の整数であり、ＨａｌはＦ、Ｃｌ、ＢｒもしくはＩである）、チオール基またはトリアルコキシシリルラジカル−Ｓｉ（ＯＲ３）３（Ｒ３はＣ１〜Ｃ１８−アルキルである）に対応する化合物である。単分子層の製造のため使用されることがとりわけ好ましい一般式（Ｉ）の化合物は、Ｒ１がホスホン酸基またはハロシリルラジカル−ＳｉＨａｌｎＲ１３−ｎ（Ｒ１はＣ１〜Ｃ２−アルキルであり、ｎは１〜３の整数であり、ＨａｌはＦ、Ｃｌ、ＢｒもしくはＩである）に対応する化合物である。
【００３９】
上記の目的を成し遂げるための寄与は、
ｉ）基板を準備する工程と、
ｉｉ）一般式（Ｉ）の化合物を含む層をこの基板に付与する工程であって、
【化７】
2013534213.tif 000009
式中、Ｚが、
・ハロゲン、好ましくはＦ、Ｃｌ、ＢｒもしくはＩ、ホスホン酸もしくはホスホン酸エステル基−Ｐ（Ｏ）（ＯＲ１）２（式中、ラジカルＲ１は、同一であってもよいし異なってもよく、水素原子もしくはＣ１〜Ｃ１２−アルキルに対応する）、スルホン酸基−ＳＯ３Ｈ、ハロシリルラジカル−ＳｉＨａｌｎＲ２３−ｎ（Ｒ２はＣ１〜Ｃ１８−アルキルであり、ｎは１〜３の整数であり、ＨａｌはＦ、Ｃｌ、ＢｒもしくはＩである）、チオール基またはトリアルコキシシリルラジカル−Ｓｉ（ＯＲ３）３（Ｒ３はＣ１〜Ｃ１８−アルキルである）によって任意に置換されるＣ１−Ｃ２２−アルキルラジカル、
・ハロゲン、好ましくはＦ、Ｃｌ、ＢｒもしくはＩ、ホスホン酸もしくはホスホン酸エステル基−Ｐ（Ｏ）（ＯＲ１）２（式中、ラジカルＲ１は、同一であってもよいし異なってもよく、水素原子もしくはＣ１〜Ｃ１２−アルキルに対応する）、スルホン酸基−ＳＯ３Ｈ、ハロシリルラジカル−ＳｉＨａｌｎＲ２３−ｎ（Ｒ２はＣ１〜Ｃ１８−アルキルであり、ｎは１〜３の整数であり、ＨａｌはＦ、Ｃｌ、ＢｒもしくはＩである）、チオール基またはトリアルコキシシリルラジカル−Ｓｉ（ＯＲ３）３（Ｒ３はＣ１〜Ｃ１８−アルキルである）によって任意に置換されるＣ５〜Ｃ１２−シクロアルキルラジカル、
・ハロゲン、好ましくはＦ、Ｃｌ、ＢｒもしくはＩ、ホスホン酸もしくはホスホン酸エステル基−Ｐ（Ｏ）（ＯＲ１）２（式中、ラジカルＲ１は、同一であってもよいし異なってもよく、水素原子もしくはＣ１〜Ｃ１２−アルキルに対応する）、スルホン酸基−ＳＯ３Ｈ、ハロシリルラジカル−ＳｉＨａｌｎＲ２３−ｎ（Ｒ２はＣ１〜Ｃ１８−アルキルであり、ｎは１〜３の整数であり、ＨａｌはＦ、Ｃｌ、ＢｒもしくはＩである）、チオール基またはトリアルコキシシリルラジカル−Ｓｉ（ＯＲ３）３（Ｒ３はＣ１〜Ｃ１８−アルキルである）によって任意に置換されるＣ６〜Ｃ１４−アリールラジカル、またはチエニル、ピリル、フリルもしくはピリジルラジカルの群からのヘテロアリールラジカル、または、
・ハロゲン、好ましくはＦ、Ｃｌ、ＢｒもしくはＩ、ホスホン酸もしくはホスホン酸エステル基−Ｐ（Ｏ）（ＯＲ１）２（式中、ラジカルＲ１は、同一であってもよいし異なってもよく、水素原子もしくはＣ１〜Ｃ１２−アルキルに対応する）、スルホン酸基−ＳＯ３Ｈ、ハロシリルラジカル−ＳｉＨａｌｎＲ２３−ｎ（Ｒ２はＣ１〜Ｃ１８−アルキルであり、ｎは１〜３の整数であり、ＨａｌはＦ、Ｃｌ、ＢｒもしくはＩである）、チオール基またはトリアルコキシシリルラジカル−Ｓｉ（ＯＲ３）３（Ｒ３はＣ１〜Ｃ１８−アルキルである）によって任意に置換されるＣ７〜Ｃ３０−アラルキルラジカル、または、
・トリアルキルシリルラジカルＲ５Ｒ６Ｒ７Ｓｉ（式中、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７は互いに独立に、同一もしくは異なるＣ１〜Ｃ１８−アルキルラジカルである）
に対応する工程と
を含む、電子部品を製造するためのプロセスによってもなされる。
【００４０】
本発明により使用される、または本発明による一般式（Ｉ）の化合物は、一般に、通常の有機溶媒に易溶性であり、従って、溶液からの加工に著しく適している。特に適した溶媒は芳香族化合物、エーテルまたはハロゲン化脂肪族炭化水素、例えば、トルエン、キシレン、クロロベンゼン、ｏ−ジクロロベンゼン、メチルｔｅｒｔ−ブチルエーテル、テトラヒドロフラン、塩化メチレンもしくはクロロホルム、またはこれらの混合物である。一般式（Ｉ）の化合物は、それゆえに良好な半導性、さらには優れた膜形成特性を有する。従って、本発明により使用される化合物は大面積にわたるコーティングにとりわけ適している。さらに、本発明により使用される、または本発明による一般式（Ｉ）の半導性化合物は優れた熱安定性および良好な経時特性を有する。
【００４１】
溶解のプロセスは室温で実施されることが好ましいが、高温で実施することもできる。しかしながら、本発明により使用される、または本発明による一般式（Ｉ）の化合物が有する優れた溶解性のため、温度を上げることは概して必要とされない。得られる溶液は安定かつ加工可能である。
【００４２】
本発明による、または本発明により使用される一般式（Ｉ）の化合物は、上記の従来の溶媒、例えば、芳香族化合物、エーテルまたはハロゲン化脂肪族炭化水素に、いずれの場合も溶媒の重量に基づき、少なくとも０．１重量％、好ましくは少なくとも１重量％、特に好ましくは少なくとも５重量％の範囲まで溶解できる。
【００４３】
構築されたシリコンウェハー、または例えば、ＩＴＯでコーティングされた、コーティングされたガラス基板は、例えば、一般式（Ｉ）の化合物を含む半導体層がプロセス工程ｉｉ）で付与される、本発明による電子部品における基板としての役割を果たすことができる。本発明による、または本発明により使用される一般式（Ｉ）の化合物は、公知のプロセス、例えば、噴霧、浸漬、印刷およびナイフコーティング、スピンコーティングおよびインクジェット印刷、特に好ましくは適切な溶媒、例えばトルエンからのスピンコーティング、滴下、インクジェット印刷プロセスによって、溶液から基板に付与することができる。
【００４４】
本発明による、または本発明により使用される一般式（Ｉ）の化合物の気相堆積も同様に可能である。これに関して、本発明による、または本発明により使用される一般式（Ｉ）の化合物は高い揮発性を特徴とする。この揮発性は、例えばＴａｋｉｍｉｙａら（上記参照）によって記載されたものなどの対応する二置換された化合物の場合よりも有利に高い。なお、気相堆積による加工または加工性は、触れられた参考文献には全く記載されていない。
【００４５】
一般式（Ｉ）の化合物を含む、本発明によるプロセスによって製造される層は、付与の後、例えば、熱処理、または例えば構造化を目的にレーザーアブレーションよってさらに修飾されてもよい。
【００４６】
本発明による、または本発明で使用される一般式（Ｉ）の化合物、特に、Ｚが上記のラジカル−Ａ−Ｒ４に対応する化合物は、蒸発した溶液から均一の厚さおよび形態を有する高品質の層を形成し、従って、電子工学での使用に適している。
【００４７】
本発明によるプロセスの特定の実施形態によれば、Ｚは上記のラジカル−Ａ−Ｒ４に対応し、一般式（Ｉ）の化合物はプロセス工程ｉｉ）で単分子層として部品に付与される。これに関して、単分子層としてのこの付与は、一般式（Ｉ）の化合物の自己組織化によって生じること（ＳＡＭ層）が好ましい。
【００４８】
上記の目的を成し遂げるための寄与は、電子部品、好ましくは本発明による電子部品に関連して好ましい電子部品として上ですでに触れられた電子部品の中の半導体層における、一般式（Ｉ）の化合物の使用によってもなされる。
【化８】
2013534213.tif 000010
式中、Ｚは、
・ハロゲン、好ましくはＦ、Ｃｌ、ＢｒもしくはＩ、ホスホン酸もしくはホスホン酸エステル基−Ｐ（Ｏ）（ＯＲ１）２（式中、ラジカルＲ１は、同一であってもよいし異なってもよく、水素原子もしくはＣ１〜Ｃ１２−アルキルに対応する）、スルホン酸基−ＳＯ３Ｈ、ハロシリルラジカル−ＳｉＨａｌｎＲ２３−ｎ（Ｒ２はＣ１〜Ｃ１８−アルキルであり、ｎは１〜３の整数であり、ＨａｌはＦ、Ｃｌ、ＢｒもしくはＩである）、チオール基またはトリアルコキシシリルラジカル−Ｓｉ（ＯＲ３）３（Ｒ３はＣ１〜Ｃ１８−アルキルである）によって任意に置換されるＣ１〜Ｃ２２−アルキルラジカル、
・ハロゲン、好ましくはＦ、Ｃｌ、ＢｒもしくはＩ、ホスホン酸もしくはホスホン酸エステル基−Ｐ（Ｏ）（ＯＲ１）２（式中、ラジカルＲ１は、同一であってもよいし異なってもよく、水素原子もしくはＣ１〜Ｃ１２−アルキルに対応する）、スルホン酸基−ＳＯ３Ｈ、ハロシリルラジカル−ＳｉＨａｌｎＲ２３−ｎ（Ｒ２はＣ１〜Ｃ１８−アルキルであり、ｎは１〜３の整数であり、ＨａｌはＦ、Ｃｌ、ＢｒもしくはＩである）、チオール基またはトリアルコキシシリルラジカル−Ｓｉ（ＯＲ３）３（Ｒ３はＣ１〜Ｃ１８−アルキルである）によって任意に置換されるＣ５〜Ｃ１２−シクロアルキルラジカル、
・ハロゲン、好ましくはＦ、Ｃｌ、ＢｒもしくはＩ、ホスホン酸もしくはホスホン酸エステル基−Ｐ（Ｏ）（ＯＲ１）２（式中、ラジカルＲ１は、同一であってもよいし異なってもよく、水素原子もしくはＣ１〜Ｃ１２−アルキルに対応する）、スルホン酸基−ＳＯ３Ｈ、ハロシリルラジカル−ＳｉＨａｌｎＲ２３−ｎ（Ｒ２はＣ１〜Ｃ１８−アルキルであり、ｎは１〜３の整数であり、ＨａｌはＦ、Ｃｌ、ＢｒもしくはＩである）、チオール基またはトリアルコキシシリルラジカル−Ｓｉ（ＯＲ３）３（Ｒ３はＣ１〜Ｃ１８−アルキルである）によって任意に置換されるＣ６〜Ｃ１４−アリールラジカル、またはチエニル、ピリル、フリルもしくはピリジルラジカルの群からのヘテロアリールラジカル、または、
・ハロゲン、好ましくはＦ、Ｃｌ、ＢｒもしくはＩ、ホスホン酸もしくはホスホン酸エステル基−Ｐ（Ｏ）（ＯＲ１）２（式中、ラジカルＲ１は、同一であってもよいし異なってもよく、水素原子もしくはＣ１〜Ｃ１２−アルキルに対応する）、スルホン酸基−ＳＯ３Ｈ、ハロシリルラジカル−ＳｉＨａｌｎＲ２３−ｎ（Ｒ２はＣ１〜Ｃ１８−アルキルであり、ｎは１〜３の整数であり、ＨａｌはＦ、Ｃｌ、ＢｒもしくはＩである）、チオール基またはトリアルコキシシリルラジカル−Ｓｉ（ＯＲ３）３（Ｒ３はＣ１〜Ｃ１８−アルキルである）によって任意に置換されるＣ７〜Ｃ３０−アラルキルラジカル、または、
・トリアルキルシリルラジカルＲ５Ｒ６Ｒ７Ｓｉ（式中、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７は互いに独立に、同一もしくは異なるＣ１〜Ｃ１８−アルキルラジカルである）
に対応する。
【００４９】
本発明による使用の特定の実施形態によれば、Ｚは上で定義されたラジカル−Ａ−Ｒ４に対応し、半導体層は一般式（Ｉ）の化合物を含む単分子層、特に好ましくはＳＡＭ層である。
【００５０】
以下の実施例および図面は、本発明を例によって説明する役割を果たすが、限定するものとして解釈されるべきではない。
【実施例】
【００５１】
調製例１
２−トリデシル−［１］ベンゾチエノ［３，２−ｂ］［１］ベンゾチオフェン（２−トリデシル−ＢＴＢＴ、（Ｉ−１））
ａ）（［１］ベンゾチエノ［３，２−ｂ］ベンゾチエン−２−イル）トリデカン−１−オン（２−トリデカノイル−ＢＴＢＴ：（Ｉ−１））
２．０ｇ（８．３ｍｍｏｌ）のＢＴＢＴを、まず、１５０ｍｌの乾燥塩化メチレンに導入した。４．０ｇ（３０ｍｍｏｌ）の塩化アルミニウムを計量し、−２０℃でこの混合物に入れ、次いで、この混合物を−７０℃に冷却した。その後、７．７１ｇ（３３．１ｍｍｏｌ）のｎ−トリデカノイルクロライドを２０分間にわたって滴下した。その後、この混合物を−７０℃で１．５時間、撹拌した。次いで、７５ｍｌの水を滴下し、この反応を停止し、反応混合物を２３℃まで徐々に温めた。沈殿した固体を濾過し、トルエン／エタノール  １：１から再結晶した。収量２．２ｇ、収率６１％。１Ｈ−ＮＭＲ［ＣＤＣｌ３；ＴＭＳに対するｐｐｍ（δ）；４００ＭＨｚ］：８．５６（ｄ，Ｊ＝１．２Ｈｚ，１Ｈ）；８．０６（ｄｄ，Ｊ１＝１．２Ｈｚ，Ｊ２＝８．４Ｈｚ，１Ｈ）；７，９４（ｍ，３Ｈ）；７．４８（ｍ，２Ｈ）；３．０７（ｔ，Ｊ＝７．４Ｈｚ，２Ｈ）；１，８０（ｑｕｉｎｔ，Ｊ＝７．４Ｈｚ，２Ｈ）；１．４７〜１．２２（ｍ，１８Ｈ）；０．８８（ｔ，Ｊ＝７．０Ｈｚ，３Ｈ）。
ｂ）２−トリデシル−ＢＴＢＴ
１．８１ｇ（４７．８ｍｍｏｌ）の水素化ホウ素ナトリウムを、３０ｍｌの乾燥テトラヒドロフラン中の２．１０ｇ（４．８ｍｍｏｌ）の２−トリデカノイル−ＢＴＢＴ（調製例１ａで調製）の溶液に２３℃で添加した。その後、３．５０ｇ（２６．３ｍｍｏｌ）の塩化アルミニウムを添加した。発熱反応が静まった後、この混合物を還流下で２時間、撹拌した。その後、５０ｍｌの水を２１℃で滴下した。発泡しながら進む発熱反応が静まった後、２．０ｇ（収率９８％）の生成物を吸引濾過した。これは、移動相としてトルエンを用いたシリカゲルカラムクロマトグラフィーまたは昇華により精製できる。１Ｈ−ＮＭＲ［ＣＤＣｌ３；ＴＭＳに対するｐｐｍ（δ）；４００ＭＨｚ］：７．９１（ｄ，Ｊ＝８．０Ｈｚ，１Ｈ）；７．８６（ｄｄ，Ｊ１＝１．２Ｈｚ，Ｊ２＝７．８Ｈｚ，１Ｈ）；７．７９（ｄ，Ｊ＝８．０Ｈｚ，１Ｈ）；７．７２（ｄ，Ｊ＝１．２Ｈｚ，１Ｈ）；７．４５（ｄｄｄ，Ｊ１＝１．２Ｈｚ，Ｊ２＝７．６Ｈｚ，Ｊ３＝８．０Ｈｚ，１Ｈ）；７．３８（ｄｄｄ，Ｊ１＝１．５Ｈｚ，Ｊ２＝７．０Ｈｚ，Ｊ３＝７．８Ｈｚ，１Ｈ）；７．２８（ｄｄ，Ｊ１＝１．５Ｈｚ，Ｊ２＝８．３Ｈｚ，１Ｈ）；２．７６（ｔ，Ｊ＝７．８Ｈｚ，２Ｈ）；１．７０（ｑｕｉｎｔ，Ｊ＝７．５Ｈｚ，２Ｈ）；１．３４（ｍ，２Ｈ）；１．２５（ｍ，１８Ｈ）；０．８７（ｔ，Ｊ＝６．９Ｈｚ，３Ｈ）。
【００５２】
調製例２
２−ドデシル−［１］ベンゾチエノ［３，２−ｂ］［１］ベンゾチオフェン（２−ドデシル−ＢＴＢＴ：（Ｉ−２））
ａ）（［１］ベンゾチエノ［３，２−ｂ］［１］ベンゾチエン−２−イル）ドデカン−１−オン（２−ドデカノイル−ＢＴＢＴ）
２．０ｇ（８．３ｍｍｏｌ）のＢＴＢＴを、まず、１５０ｍｌの乾燥塩化メチレンに導入した。４．０ｇ（３０ｍｍｏｌ）の塩化アルミニウムを計量し、−３０℃でこの混合物に入れ、次いで、この混合物を−７０℃に冷却した。その後、７．２８ｇ（３３．３ｍｍｏｌ）のｎ−ドデカノイルクロライドを１０分間にわたって滴下した。その後、この混合物を、−７０℃で１時間、撹拌した。２３℃でさらに５時間、撹拌した後、４０ｍｌの水を滴下し、この反応を停止し、反応混合物を２３℃に温めた。沈殿した固体を濾過し、トルエンから再結晶した。次いで、この混合物を、移動相としてトルエンを用い、シリカゲルを通したクロマトグラフィーにかけた。収量０．４ｇ。１Ｈ−ＮＭＲ［ＣＤＣｌ３；ＴＭＳに対するｐｐｍ（δ）；４００ＭＨｚ］：８．５５（ｄｄ，Ｊ１＝０．６Ｈｚ，Ｊ２＝１．５Ｈｚ，１Ｈ）；８．０５（ｄｄ，Ｊ１＝１．５Ｈｚ，Ｊ２＝８．４Ｈｚ，１Ｈ）；７．９３（ｍ，３Ｈ）；７．４７（ｍ，２Ｈ）；３．０６（ｔ，Ｊ＝７．４Ｈｚ，２Ｈ）；１．７９（ｑｕｉｎｔ，Ｊ＝７．６Ｈｚ，２Ｈ）；１．４５〜１．２３（ｍ，１６Ｈ）；０．８８（ｔ，Ｊ＝６．６Ｈｚ，３Ｈ）。
ｂ）２−ドデシル−ＢＴＢＴ
１７６ｍｇ（４．７ｍｍｏｌ）の水素化ホウ素ナトリウムを、５ｍｌの乾燥テトラヒドロフラン中の０．４ｇ（０．９ｍｍｏｌ）の２−ドデカノイル−ＢＴＢＴ（調製例２ａで調製）の溶液に２３℃で添加した。その後、３４８ｍｇ（２．６ｍｍｏｌ）の塩化アルミニウムを添加した。この混合物を還流下で３時間、撹拌した。その後、１５ｍｌの水を、冷却しながら滴下した。発熱反応が静まった後、生成物を吸引濾過し、水で洗浄し、次いで、移動相としてトルエンを用いたシリカゲルカラムクロマトグラフィーまたは昇華により精製した。収量２３０ｍｇ、収率６１％。１Ｈ−ＮＭＲ［ＣＤＣｌ３；ＴＭＳに対するｐｐｍ（δ）；４００ＭＨｚ］：７．９１（ｄ，Ｊ＝８．０Ｈｚ，１Ｈ）；７．８６（ｄ，Ｊ＝７．８Ｈｚ，１Ｈ）；７．７９（ｄ，Ｊ＝８．２Ｈｚ，１Ｈ）；７．７２（ｓ，１Ｈ）；７．４５（ｄｄｄ，Ｊ１＝１．０Ｈｚ，Ｊ２＝７．４Ｈｚ，Ｊ３＝７．８Ｈｚ，１Ｈ）；７．３８（ｄｄｄ，Ｊ１＝１．０Ｈｚ，Ｊ２＝６．９Ｈｚ，Ｊ３＝７．８Ｈｚ，１Ｈ）；７．２８（ｄｄ，Ｊ１＝１．５Ｈｚ，Ｊ２＝８．３Ｈｚ，１Ｈ）；２．７６（ｔ，Ｊ＝７．８Ｈｚ，２Ｈ）；１．７０（ｑｕｉｎｔ，Ｊ＝７．５Ｈｚ，２Ｈ）；１，３４（ｍ，２Ｈ）；１．２６（ｍ，１６Ｈ）；０．８７（ｔ，Ｊ＝６．８Ｈｚ，３Ｈ）。
【００５３】
調製例３
２−ヘキシル−［１］ベンゾチエノ［３，２−ｂ］［１］ベンゾチオフェン（Ｉ−３：２−ヘキシル−ＢＴＢＴ）
ａ）（［１］ベンゾチエノ［３，２−ｂ］［１］ベンゾチエン−２−イル）ヘキサン−１−オン（２−ヘキサノイル−ＢＴＢＴ）
２．０ｇ（８．３ｍｍｏｌ）のＢＴＢＴを、まず、１５０ｍｌの乾燥塩化メチレンに導入した。４．０ｇ（３０ｍｍｏｌ）の塩化アルミニウムを計量し、−４０℃でこの混合物に入れ、次いで、この混合物を−７０℃に冷却した。その後、４．４４ｇ（３３ｍｍｏｌ）のｎ−ヘキサノイルクロライドを１５分間にわたって滴下した。その後、この混合物を−７０℃で７時間、撹拌した。次いで、７５ｍｌの水を滴下し、この反応を停止し、反応混合物を２３℃まで徐々に温めた。沈殿した固体を濾過した（１．５３ｇの生成物）。水相を塩化メチレンで抽出した。水で洗浄し、蒸発乾燥した後、この相からさらに０．８５ｇの生成物を単離した。精製をトルエンから再結晶により実施した。収量２．３８ｇ、収率８５％。１Ｈ−ＮＭＲ［ＣＤＣｌ３；ＴＭＳに対するｐｐｍ（δ）；４００ＭＨｚ］：８．５４（ｄ，Ｊ＝１．５Ｈｚ，１Ｈ）；８．０５（ｄｄ，Ｊ１＝１．５Ｈｚ，Ｊ２＝８．３Ｈｚ，１Ｈ）；７．９３（ｍ，３Ｈ）；７．４７（ｍ，２Ｈ）；３．０６（ｔ，Ｊ＝７．４Ｈｚ，２Ｈ）；１．８０（ｍ，２Ｈ）；１．４１（ｍ，４Ｈ）；０．９３（ｔ，Ｊ＝７．１Ｈｚ，３Ｈ）。
ｂ）２−ヘキシル−ＢＴＢＴ
０．９１ｇ（２４．１ｍｍｏｌ）の水素化ホウ素ナトリウムを、１３ｍｌの乾燥テトラヒドロフラン中の０．８２ｇ（２．４ｍｍｏｌ）の２−ヘキサノイル−ＢＴＢＴ（調製例３ａで調製）の溶液に２３℃で添加した。その後、１．７７ｇ（１３．３ｍｍｏｌ）の塩化アルミニウムを添加した。この混合物を還流下で２時間、撹拌した。その後、１０ｍｌの水を、冷却しながら滴下した。発熱反応が静まった後、２０ｍｌの酢酸エチルを加え、さらに１０ｍｌの水を加え、相を分離した。水相をもう一度、酢酸エチルで抽出した。有機相を３回、水で洗浄した。次いで、酢酸エチル相を合わせ、蒸発乾燥した。粗収量０．７８ｇ、収率９９％、融点１１９℃。精製を酢酸エチルから再結晶により実施した。１Ｈ−ＮＭＲ［ＣＤＣｌ３；ＴＭＳに対するｐｐｍ（δ）；４００ＭＨｚ］：７．９１（ｄ，Ｊ＝７．９Ｈｚ，１Ｈ）；７．８６（ｄ，Ｊ＝７．６Ｈｚ，１Ｈ）；７．７８（ｄ，Ｊ＝８．０Ｈｚ，１Ｈ）；７．７１（ｓ，１Ｈ）；７．４４（ｄｄｄ，Ｊ１＝１．３Ｈｚ，Ｊ２＝６．９Ｈｚ，Ｊ３＝７．８Ｈｚ，１Ｈ）；７．３８（ｄｄｄ，Ｊ１＝１．５Ｈｚ，Ｊ２＝７．３Ｈｚ，Ｊ３＝８．３Ｈｚ，１Ｈ）；７．２８（ｄｄ，Ｊ１＝１．５Ｈｚ，Ｊ２＝８．３Ｈｚ，１Ｈ）；２．７６（ｔ，Ｊ＝７．６Ｈｚ，２Ｈ）；１．６９（ｑｕｉｎｔ，Ｊ＝７．６Ｈｚ，２Ｈ）；１．３３（ｍ，６Ｈ）；０．８９（ｔ，Ｊ＝７．０Ｈｚ，３Ｈ）。
【００５４】
調製例４
２−エチル−［１］ベンゾチエノ［３，２−ｂ］［１］ベンゾチオフェン（Ｉ−４：２−エチル−ＢＴＢＴ）
ａ）（［１］ベンゾチエノ［３，２−ｂ］［１］ベンゾチエン−２−イル）エタン−１−オン（２−アセチル−ＢＴＢＴ）
４．０ｇ（１６．６ｍｍｏｌ）のＢＴＢＴを、まず、３００ｍｌの乾燥塩化メチレンに導入した。６．０ｇ（４５ｍｍｏｌ）の塩化アルミニウムを計量し、−３０℃でこの混合物に入れ、次いで、この混合物を−７０℃に冷却した。その後、３．３ｇ（４２ｍｍｏｌ）のアセチルクロライドを２０分間にわたって滴下した。その後、この混合物を−７０℃で５時間、撹拌した。次いで、２５ｍｌの水を滴下し、この反応を停止し、反応混合物を２３℃まで徐々に温めた。沈殿した固体を濾過した。さらなる分量の生成物を塩化メチレン相から単離し、生成物を少量の冷却した塩化メチレンおよび水／エタノールで洗浄した。収量３．６６ｇ、収率７８％。１Ｈ−ＮＭＲ［ＣＤＣｌ３；ＴＭＳに対するｐｐｍ（δ）；４００ＭＨｚ］：８．５１（ｄ，Ｊ＝１．４Ｈｚ，１Ｈ）；８．０３（ｄｄ，Ｊ１＝１．５Ｈｚ，Ｊ２＝８．３Ｈｚ，１Ｈ）；７．９１（ｍ，２Ｈ）；７．８９（ｄ，Ｊ＝８．３Ｈｚ，１Ｈ）；７．４６（ｍ，２Ｈ）；２．６９（ｓ，３Ｈ）。
ｂ）２−エチル−ＢＴＢＴ
２．４２ｇ（６４ｍｍｏｌ）の水素化ホウ素ナトリウムを、３６ｍｌの乾燥テトラヒドロフラン中の１．８２ｇ（６．４ｍｍｏｌ）の２−アセチル−ＢＴＢＴ（調製例４ａで調製）の溶液に２３℃で添加した。その後、４．６９ｇ（３５．２ｍｍｏｌ）の塩化アルミニウムを０℃で添加した。発熱反応が静まった後、この混合物を還流下で、さらに２．５時間、撹拌した。その後、３０ｍｌの水を、冷却しながら滴下した。その後、２０ｍｌの酢酸エチルを加え、さらに１０ｍｌの水を加え、相を分離した。有機相を２回、水で洗浄した。そうして、合計０．９ｇの非常に純粋な２−エチル−ＢＴＢＴが沈殿し、融点１３８〜１３９℃。さらに０．３４ｇの僅かに純度の低い生成物を母溶液から単離した。全体の収率７２％。精製を酢酸エチルから再結晶により実施した。１Ｈ−ＮＭＲ［ＣＤＣｌ３；ＴＭＳに対するｐｐｍ（δ）；４００ＭＨｚ］：７．９１（ｄ，Ｊ＝８．０Ｈｚ，１Ｈ）；７．８６（ｄｄ，Ｊ１＝１．２Ｈｚ，Ｊ２＝８．０Ｈｚ，１Ｈ）；７．７９（ｄ，Ｊ＝８．０Ｈｚ，１Ｈ）；７．７４（ｓ，１Ｈ）；７．４５（ｄｄｄ，Ｊ１＝１．４Ｈｚ，Ｊ２＝７．４Ｈｚ，Ｊ３＝７．８Ｈｚ，１Ｈ）；７．３８（ｄｄｄ，Ｊ１＝１．１Ｈｚ，Ｊ２＝６．９Ｈｚ，Ｊ３＝８．３Ｈｚ，１Ｈ）；７．３０（ｄｄ，Ｊ１＝１．５Ｈｚ，Ｊ２＝７．８Ｈｚ，１Ｈ）；２．８１（ｑ，Ｊ＝７．６Ｈｚ，２Ｈ）；１．３３（ｔ，Ｊ＝７．６Ｈｚ，３Ｈ）。
【００５５】
実施例１
２−（１２−ブロモ）ドデシル−ＢＴＢＴ
ａ）（［１］ベンゾチエノ［３，２−ｂ］［１］ベンゾチエン−２−イル）−１２−ブロモドデカン−１−オン（２−（１２−ブロモ）ドデカノイル−ＢＴＢＴ）
１．０ｇ（４．２ｍｍｏｌ）のＢＴＢＴを、まず、１００ｍｌの乾燥塩化メチレンに導入した。０．８３ｇ（６．２ｍｍｏｌ）の塩化アルミニウムを計量し、−１０℃でこの混合物に入れ、次いで、この混合物を−７０℃に冷却した。その後、１．８５ｇ（６．２ｍｍｏｌ）の１２−ブロモドデカノイルクロライドを２０分間にわたって滴下した。その後、この混合物を−７０℃で１．５時間、撹拌した。次いで、４０ｍｌの水を滴下し、この反応を停止し、反応混合物を２３℃まで徐々に温めた。水相を、各回３０ｍｌの塩化メチレンで２回抽出し、その後、合わせた有機相を５０ｍｌの水で洗浄した。溶媒を蒸発乾燥した後、得られた固体を大量のエタノールで洗浄し、さらなる精製なしで還元ｂ）に供した。融点１２３℃、収量１．９１ｇ、収率９１％。１Ｈ−ＮＭＲ［ＣＤＣｌ３；ＴＭＳに対するｐｐｍ（δ）；４００ＭＨｚ］：８．５４（ｄ，Ｊ＝１．０Ｈｚ，１Ｈ）；８．０５（ｄｄ，Ｊ１＝１．４Ｈｚ，Ｊ２＝８．３Ｈｚ，１Ｈ）；７．９３（ｍ，３Ｈ）；７．４７（ｍ，２Ｈ）；３．４０（ｔ，Ｊ＝７．０Ｈｚ，２Ｈ）；３．０６（ｔ，Ｊ＝７．３Ｈｚ，２Ｈ）；１．８５（ｑｕｉｎｔ，Ｊ＝６．８Ｈｚ，２Ｈ）；１．７９（ｑｕｉｎｔ，Ｊ＝７．４Ｈｚ，２Ｈ）；１．４６〜１．２５（ｍ，１４Ｈ）。
ｂ）［１］ベンゾチエノ［３，２−ｂ］［１］ベンゾチエン−２−イル）−１２−ブロモドデカン（２−（１２−ブロモ）ドデシル−ＢＴＢＴ）
２．５８ｇ（６８．２ｍｍｏｌ）の水素化ホウ素ナトリウムを、１５ｍｌの乾燥テトラヒドロフラン中の１．７ｇ（３．４ｍｍｏｌ）の２−（１２−ブロモ）ドデカノイル−ＢＴＢＴ（実施例１ａで調製）の溶液に２３℃で添加した。その後、０．９９ｇ（７．４ｍｍｏｌ）の塩化アルミニウムを１０℃で添加した。発熱反応が静まった後、この混合物を還流下で３時間、撹拌した。その後、１０ｍｌの水を２１℃で滴下した。発泡しながら進む発熱反応が静まった後、さらに１０ｍｌの水および２０ｍｌの酢酸エチルを加えた。この混合物を２３℃で１４時間、撹拌した。沈殿した生成物を濾過し、移動相としてトルエンを用いたシリカゲルカラムクロマトグラフィーまたは昇華により精製した。収量０．７ｇ（収率４２％）、融点８７℃。１Ｈ−ＮＭＲ［ＣＤＣｌ３；ＴＭＳに対するｐｐｍ（δ）；４００ＭＨｚ］：７．９０（ｄ，Ｊ＝７．８Ｈｚ，１Ｈ）；７．８６（ｄ，Ｊ＝７．７Ｈｚ，１Ｈ）；７．７８（ｄ，Ｊ＝８．２Ｈｚ，１Ｈ）；７．７１（ｓ，１Ｈ）；７．４４（ｄｄｄ，Ｊ１＝１．２Ｈｚ，Ｊ２＝６．９Ｈｚ，Ｊ３＝７．８Ｈｚ，１Ｈ）；７．３８（ｄｄｄ，Ｊ１＝１．２Ｈｚ，Ｊ２＝７．２Ｈｚ，Ｊ３＝７．８Ｈｚ，１Ｈ）；７．２７（ｄｄ，Ｊ１＝１．５Ｈｚ，Ｊ２＝７．８Ｈｚ，１Ｈ）；３．３９（ｔ，Ｊ＝６．８Ｈｚ，２Ｈ）；２．７５（ｔ，Ｊ＝７．７Ｈｚ，２Ｈ）；１．８４（ｑｕｉｎｔ，Ｊ＝６．９Ｈｚ，２Ｈ）；１．６９（ｑｕｉｎｔ，Ｊ＝７．２Ｈｚ，２Ｈ）；１．４５〜１．２３（ｍ，１６Ｈ）。
【００５６】
実施例２
２−（１１−ブロモ）ウンデシル−ＢＴＢＴ
ａ）（［１］ベンゾチエノ［３，２−ｂ］［１］ベンゾチエン−２−イル）−１１−ブロモウンデカン−１−オン（２−（１１−ブロモ）ウンデカノイル−ＢＴＢＴ）
１．７ｇ（７．１ｍｍｏｌ）のＢＴＢＴを、まず、１２５ｍｌの乾燥塩化メチレンに導入した。１．４１ｇ（１０．６ｍｍｏｌ）の塩化アルミニウムを計量し、−１０℃でこの混合物に入れ、次いで、この混合物を−７０℃に冷却した。その後、３．０ｇ（１０．６ｍｍｏｌ）の１１−ブロモウンデカノイルクロライドを５分間にわたって滴下した。その後、この混合物を−７０℃で１時間、撹拌した。冷却を除去し、一晩放置した後、３０ｍｌの水を滴下し、反応を停止した。有機相を飽和塩化ナトリウムで洗浄し中性にした。溶媒を蒸発乾燥した後、得られた固体をエタノールで再結晶した。収量３．３２ｇ、収率９５％。１Ｈ−ＮＭＲ［ＣＤＣｌ３；ＴＭＳに対するｐｐｍ（δ）；４００ＭＨｚ］：８．５５（ｄ，Ｊ＝１．４Ｈｚ，１Ｈ）；８．０５（ｄｄ，Ｊ１＝１．４Ｈｚ，Ｊ２＝８．３Ｈｚ，１Ｈ）；７．９３（ｍ，３Ｈ）；７．４７（ｍ，２Ｈ）；３．４０（ｔ，Ｊ＝６．８Ｈｚ，２Ｈ）；３．０６（ｔ，Ｊ＝７．３Ｈｚ，２Ｈ）；１．８５（ｑｕｉｎｔ，Ｊ＝７．０Ｈｚ，２Ｈ）；１．８０（ｑｕｉｎｔ，Ｊ＝７．４Ｈｚ，２Ｈ）；１．４７〜１．６２８（ｍ，１２Ｈ）。
ｂ）（［１］ベンゾチエノ［３，２−ｂ］［１］ベンゾチエン−２−イル）−１１−ブロモウンデカン（２−（１１−ブロモ）ウンデシル−ＢＴＢＴ）
０．５２ｇ（１３．６ｍｍｏｌ）の水素化ホウ素ナトリウムを、１２ｍｌの乾燥テトラヒドロフラン中、１．６５ｇ（３．４ｍｍｏｌ）の２−（１１−ブロモ）ウンデカノイル−ＢＴＢＴ（実施例２ａで調製）に２３℃で添加した。その後、０．９９ｇ（７．４ｍｍｏｌ）の塩化アルミニウムを添加した。発熱反応が静まった後、この混合物を２３℃で２時間、撹拌した。その後、１５ｍｌの水を滴下した。発泡しながら進む発熱反応が静まった後、１５ｍｌの酢酸エチルを加えた。沈殿した粗生成物を、有機相の母溶液から得られた画分と共に再結晶した。収量０．６９ｇ（収率４３％）、融点７８℃。１Ｈ−ＮＭＲ［ＣＤＣｌ３；ＴＭＳに対するｐｐｍ（δ）；４００ＭＨｚ］：７．９０（ｄ，Ｊ＝７．８Ｈｚ，１Ｈ）；７．８６（ｄ，Ｊ＝７．８Ｈｚ，１Ｈ）；７．７８（ｄ，Ｊ＝８．１Ｈｚ，１Ｈ）；７．７１（ｄ，Ｊ＝１．０Ｈｚ，１Ｈ）；７．４４（ｄｄｄ，Ｊ１＝１．０Ｈｚ，Ｊ２＝７．３Ｈｚ，Ｊ３＝７．９Ｈｚ，１Ｈ）；７．３７（ｄｄｄ，Ｊ１＝１．３Ｈｚ，Ｊ２＝７．４Ｈｚ，Ｊ３＝７．８Ｈｚ，１Ｈ）；７．２８（ｄｄ，Ｊ１＝１．５Ｈｚ，Ｊ２＝８．３Ｈｚ，１Ｈ）；３．３９（ｔ，Ｊ＝６．９Ｈｚ，２Ｈ）；２．７６（ｔ，Ｊ＝７．６Ｈｚ，２Ｈ）；１．８４（ｑｕｉｎｔ，Ｊ＝７．２Ｈｚ，２Ｈ）；１．７０（ｑｕｉｎｔ，Ｊ＝７．５Ｈｚ，２Ｈ）；１．４５〜１．２４（ｍ，１４Ｈ）。
【００５７】
実施例３
［１２−（［１］ベンゾチエノ［３，２−ｂ］ベンゾチエン−２−イル）−ドデシル］ホスホン酸ジエチル
（［１］ベンゾチエノ［３，２−ｂ］［１］ベンゾチエン−２−イル）−１２−ブロモドデカン（０．５８５ｇ、１．２ｍｍｏｌ）およびリン酸トリエチルエステル（１０ｍｌ）を１６０℃で１６時間、加熱した。次いで、揮発性成分を真空中で取り除いた。残渣をトルエンに溶解し、溶液を、シリカゲルを通したクロマトグラフィーにかけた。溶出を、まず、トルエンで実施し、次いで、生成物をトルエン：エタノール  ４：１の混合物で溶出した。収量０．４４ｇ（収率６７％）の淡黄色の固体。１Ｈ−ＮＭＲ［ＣＤＣｌ３；ＴＭＳに対するｐｐｍ（δ）；４００ＭＨｚ］：７．９０（ｄ，Ｊ＝７．８９Ｈｚ，１Ｈ）；７．８６（ｄｄ，Ｊ１＝１．１８Ｈｚ，Ｊ２＝７．６９Ｈｚ，１Ｈ）；７．７８（ｄ，Ｊ＝８．０５Ｈｚ，１Ｈ）；７．７１（ｄ，Ｊ＝０．８５Ｈｚ，１Ｈ）；７．４４（ｍ，１Ｈ）；７．３８（ｍ，１Ｈ）；４．０９（ｍ，４Ｈ）；２．７５（ｔ，Ｊ＝７．５７Ｈｚ，２Ｈ）；１．７１（ｍ，４Ｈ）；１．５８（ｍ，２Ｈ）；１．３１（ｍ，Ｈｚ）。
【００５８】
実施例４
［１２−（［１］ベンゾチエノ［３，２−ｂ］ベンゾチエン−２−イル）−ドデシル］ホスホン酸
［１２−（［１］ベンゾチエノ［３，２−ｂ］ベンゾチエン−２−イル）−ドデシル］ホスホン酸ジエチル（０．２１８ｇ、０．４ｍｍｏｌ）を２０ｍｌのトルエンに溶解した。トリメチルシリルブロマイド（１．０６ｍｌ、０．８ｍｍｏｌ）を５分間にわたって注射器を用いこの溶液に滴下し、この溶液を、まず、２３℃で１時間、次いで６０℃で１時間、そして８０℃で１６時間、撹拌した。冷却後、１０ｍｌのメタノールを加え、この混合物を少しの間、沸騰させた。白い沈殿物を吸引濾過し、ＴＨＦから再結晶した。収量５０ｍｇ（収率２５．５％）の白い固体。ＭＳ（ＥＩ）：ｍ／ｚ（％）＝４８８（１００）［Ｍ］，４０８（５）［Ｍ−Ｐ（Ｏ）（ＯＨ）２］。
【００５９】
実施例５
２−ベンジル−［１］ベンゾチエノ［３，２−ｂ］［１］ベンゾチオフェン
ａ）２−ベンゾイル−［１］ベンゾチエノ［３，２−ｂ］［１］ベンゾチオフェン
２．０ｇ（８．３ｍｍｏｌ）のＢＴＢＴを、まず、１５０ｍｌの乾燥塩化メチレンに導入した。３．０ｇ（２２．５ｍｍｏｌ）の塩化アルミニウムを計量し、−２０℃でこの混合物に入れ、次いで、この混合物を−７０℃に冷却した。その後、２．９５ｇ（２１ｍｍｏｌ）のベンゾイルクロライドを５分間にわたって滴下した。その後、この混合物を−７０℃で５時間、撹拌した。次いで、２５ｍｌの水を滴下し、反応を停止し、反応混合物を２３℃まで徐々に温めた。沈殿した固体（１．７ｇ）を濾過し、エタノール／水で洗浄した（融点２２２℃）。ほとんど同じ融点を有するさらなる０．４ｇの生成物を有機相から単離した。２つの画分をさらなる精製なしに実施例１ｂ）による還元に供した。収量２．１ｇ、収率７３％。１Ｈ−ＮＭＲ［ＣＤＣｌ３；ＴＭＳに対するｐｐｍ（δ）；４００ＭＨｚ］：８．４０（ｍ，１Ｈ）；７．９５（ｍ，４Ｈ）；７．８５（ｍ，２Ｈ）；７．６３（ｔｔ，Ｊ１＝２．０Ｈｚ，Ｊ２＝７．４Ｈｚ，１Ｈ）；７．５６〜７．４４（ｍ，４Ｈ）。
ｂ）２−ベンジル−［１］ベンゾチエノ［３，２−ｂ］［１］ベンゾチオフェン
２．２９ｇ（６０．５ｍｍｏｌ）の水素化ホウ素ナトリウムを、３０ｍｌの乾燥テトラヒドロフラン中の２．１０ｇ（６．１ｍｍｏｌ）の２−ベンゾイル−［１］ベンゾチエノ［３，２−ｂ］［１］ベンゾチオフェン（実施例５ａで調製）の溶液に２２℃で添加した。その後、この混合物を０℃に冷却し、４．４５ｇ（３３．４ｍｍｏｌ）の塩化アルミニウムを添加した。発熱反応が静まった後、この混合物を還流下で２時間、撹拌した。その後、３０ｍｌの水を２２℃で滴下した。発泡しながら進む発熱反応が静まった後、生成物のほぼ無色の結晶１．８７ｇ（収率９３％）を吸引濾過し、水／エタノールで洗浄した。これは、移動相としてトルエンを用いたシリカゲルカラムクロマトグラフィーまたは昇華により精製できる。１Ｈ−ＮＭＲ［ＣＤＣｌ３；ＴＭＳに対するｐｐｍ（δ）；４００ＭＨｚ］：７．９０（ｄ，Ｊ＝７．８Ｈｚ，１Ｈ）；７．８６（ｄｄ，Ｊ１＝１．５Ｈｚ，Ｊ２＝７．８Ｈｚ，１Ｈ）；７．７９（ｄ，Ｊ＝８．２Ｈｚ，１Ｈ）；７．７１（ｄ，Ｊ＝１．０Ｈｚ，１Ｈ）；７．４５（ｄｄｄ，Ｊ１＝１．５Ｈｚ，Ｊ２＝７．３Ｈｚ，Ｊ３＝７．８Ｈｚ，１Ｈ）；７．４０（ｄｄｄ，Ｊ１＝１．５Ｈｚ，Ｊ２＝７．３Ｈｚ，Ｊ３＝７．８Ｈｚ，１Ｈ）；７．３１（ｍ，３Ｈ）；７．２４（ｍ，２Ｈ）；４．１４（ｓ，２Ｈ）．
【００６０】
実施例６
ＯＦＥＴ素子の作成
ａ）ＯＦＥＴのための基板と洗浄
一方の面が磨かれ、熱成長させた酸化物層３００ｎｍ厚を有するｐ−ドープされたシリコンウェハー（Ｓｉｌ−Ｃｈｅｍ）を寸法２５ｍｍ×２５ｍｍの基板にカットした。まず、基板を十分に洗浄した。付着したシリコン破片を、蒸留水を流しクリーンルームワイパー（Ｂｅｍｃｏｔ  Ｍ−３、Ａｓａｈｉ  Ｋａｓｅｉ  Ｃｏｒｐ．）で擦ることにより取り除き、次いで、この基板を超音波漕中、１５分間、６０℃で２％強度の水／Ｍｕｃａｓｏｌ水溶液を用い洗浄した。その後、基板を蒸留水ですすぎ、遠心分離機で遠心乾燥した。コーティングの直前に、磨かれた表面をＵＶ／オゾン反応装置で（ＰＲ−１００、ＵＶＰ  Ｉｎｃ．、英国、ケンブリッジ）、１０分間洗浄した。
【００６１】
ｂ）誘電体層
ｉ．オクチルジメチルクロロシラン（ＯＤＭＳ）：誘電体中間層のため使用するオクチルジメチルクロロシラン（Ａｌｄｒｉｃｈ、２４６８５９）を、内部底面をちょうど覆うようにペトリ皿に注ぎ込んだ。洗浄したＳｉ基板を縁を下にして収容するマガジンを上に置いた。ひっくり返したガラスビーカーですべてを覆い、ペトリ皿を７０℃に加熱した。基板をオクチルジメチルクロロシランの濃縮された雰囲気下に１５分間留めた。
ｉｉ．ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）：誘電体中間層のために使用するヘキサメチルジシラザン（Ａｌｄｒｉｃｈ、３７９２１−２）を、洗浄したＳｉ基板が垂直に立っているマガジンを含むガラスビーカーに注ぎ込んだ。このシラザンは完全に基板を覆った。ガラスビーカーを覆い、ホットプレート上で７０℃に加熱した。基板を、このシラザン中に２４時間留めた。次いで、基板を乾燥した窒素の流れの中で乾燥した。
ｉｉｉ．ポリマー：使用するポリマーは、ポリスチレン（Ａｌｄｒｉｃｈ、ＣＡＳ番号９００３−５３−６）、Ｐａｒａｌｏｉｄ  Ｂ−７２（Ｄｒ．Ｇ．Ｋｒｅｍｅｒ製のアクリレートエステルポリマー、品番６７４００）およびＣＯＣ５０１３（Ｔｏｐａｓ  Ａｄｖａｎｃｅｄ  Ｐｏｌｙｍｅｒｓ  ＧｍｂＨ製のシクロオレフィンポリマー、品目Ｔｏｐａｓ５０１３Ｓ−０４、バッチ番号１１９４１２）であった。適切なポリマーを５ｍｇ／ｍｌの濃度でトルエン中に溶解した。約１ｍｌのこのポリマー溶液を、上記の基板の上に広げた。次いで、スピンコーター（Ｋａｒｌ  Ｓｕｅｓｓ、ＲＣ８）により薄層を製造した。スピンコーティングの間の条件は、回転速度、２，０００ｒｐｍ、加速度、２００ｒｐ（分・秒）であり、蓋は開いていた。溶液を用いたスピンコーティングの後、基板をホットプレート上に置き、約１３０℃で１分間乾燥した。
【００６２】
ｃ）有機半導体
溶液からの半導体層の付与のため、適した溶媒中で調製例１〜４からの化合物の溶液を調製した。それらの溶液の濃度は０．３重量％であった。
誘電体中間層を設けた基板を、磨いた面を上にして、スピンコーター（Ｋａｒｌ  Ｓｕｅｓｓ、Ｇｙｒｓｅｔ（商標登録）  ＲＣ８）のホルダーに置き、ヘアードライヤーで約７０℃に加熱した。約１ｍｌのまだ熱い有機半導体溶液を表面に滴下し、有機半導体溶液を基板上に、加速度５００ｒｐｓ２でＧｙｒｓｅｔ（商標登録）を開けて、３０秒間、１，２００ｒｐｍでスピンコーティングした。この方法で製造した膜をホットプレートで、７０℃で３分間乾燥した。この層は均一で曇りを示さなかった。
熱昇華による気相からの有機半導体層の付与のため、誘電体層を設けた基板を気相堆積ユニット（Ｕｎｉｖｅｘ  ３５０、Ｌｅｙｂｏｌｄ）に移した。約２５ｍｇの本発明による化合物を熱エバポレーター（Ｍｏ  Ｂｏａｔ、Ｕｍｉｃｏｒｅ  ０４８２０５４）に入れた。１０−３Ｐａの圧力下、本発明による化合物が融解し、蒸発するまで、エバポレーターを流れる電流を増加させた。
【００６３】
ｄ）電極の付与
次いで、ソースおよびドレインのための電極をこの層の上に気相堆積した。２つの組み合わせ櫛の４つのくぼみを有する、電気めっきで製造したＮｉ箔を含むシャドウマスクを気相堆積のために使用した。個々の櫛の歯は幅１００μｍおよび長さ４．７ｍｍであった。コーティングした基板の表面上にマスクを置き、磁石で裏から固定した。
この基板を、気相堆積ユニット（Ｕｎｉｖｅｘ  ３５０、Ｌｅｙｂｏｌｄ）中で金の気相堆積にかけた。この方法で製造した電極の構造は、幅１００μｍで分離し、１４．８５ｃｍの長さを有していた。
【００６４】
ｅ）静電容量測定
この構成の静電容量を、有機半導体層なしで同様な方法で調製した基板を同じシャドウマスクの後ろで並行に気相堆積することにより求めた。ｐ−ドープされたシリコンウェハーと気相堆積した電極との間の静電容量をマルチメーター、ＭｅｔｒａＨｉｔ  １８Ｓ、Ｇｏｓｓｅｎ  Ｍｅｔｒａｗａｔｔ  ＧｍｂＨを用いて求めた。この構成、例えば、誘電体としたポリスチレンを用いて測定した静電容量はＣ＝１．１５ｎＦであり、電極構造に基づいて単位面積あたりの静電容量はＣ＝１０．９ｎＦ／ｃｍ２となった。
【００６５】
ｆ）電気的特性
２つの電流−電圧源（Ｋｅｉｔｈｌｅｙ  ２３８）を用いて、特徴曲線を測定した。１つの電圧源は電位をソースおよびドレインに印加し、それによって、流れる電流を求め、一方、第２の電圧源は電位をゲートおよびソースに印加する。ソースおよびドレインは印刷したＡｕピンで接触し、高ドープされたＳｉウェハーはゲート電極を形成し、これは、酸化物がないように擦過した裏面を介して接触した。特徴曲線をプロットし、例えば「有機薄膜トランジスター：最新の進歩ついての概説（Ｏｒｇａｎｉｃ  ｔｈｉｎ−ｆｉｌｍ  ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒｓ：Ａ  ｒｅｖｉｅｗ  ｏｆ  ｒｅｃｅｎｔ  ａｄｖａｎｃｅｓ）」、Ｃ．Ｄ．Ｄｉｍｉｔｒａｋｏｐｏｕｌｏｓ、Ｄ．Ｊ．Ｍａｓｃａｒｏ、ＩＢＭ  Ｊ．Ｒｅｓ．＆  Ｄｅｖ．第４５巻、第１号、２００１年１月に記載される公知の方法により評価した。
電気的特性（図１）は、このトランジスター構造に対する以下の関連のあるパラメーターを与えた。
ｉ．移動度
ｉｉ．オン／オフ比ＩＤ（ＵＧ＝−６０Ｖ）／ＩＤ（ＵＧ＝０Ｖ）
注：オフ電流測定ＩＤ（ＵＧ＝０Ｖ）の感度は、不完全に遮蔽されたケーブルのために約１ｎＡに制限される。
ｉｉｉ．しきい電圧
これらＯＦＥＴ（図１）の電気的特性の結果を表１にまとめる。
【表１】
2013534213.tif 000011
説明
実施例６ａ：調製例１からの化合物（Ｉ−１）である２−トリデシル−ＢＴＢＴを有するＯＦＥＴ
実施例６ｂ：調製例２からの化合物（Ｉ−２）である２−ドデシル−ＢＴＢＴを有するＯＦＥＴ
実施例６ｃ：調製例３からの化合物（Ｉ−３）である２−ヘキシル−ＢＴＢＴを有するＯＦＥＴ
実施例６ｄ：調製例４からの化合物（Ｉ−４）である２−エチル−ＢＴＢＴを有するＯＦＥＴ
実施例６ｅ〜６ｋ：調製例１からの化合物（Ｉ−１）である２−トリデシル−ＢＴＢＴを有するＯＦＥＴ
ＯＤＭＳはオクチルジメチルクロロシランある
ＨＭＤＳはヘキサメチルジシラザンである
ＰＳはポリスチレンである
【００６６】
実施例７
１００ｎｍ厚の酸化シリコン層を有するシリコンウェハーを、まず、アセトンおよびイソプロパノールですすぎ、乾燥した。次いで、３０ｎｍ厚のアルミニウム層を３〜４Å／秒の気相堆積速度でゲート電極として酸化物表面上に堆積した。アルミニウム層を、２分の酸素プラズマ処理より表面を酸化し、その結果、約４ｎｍ厚のＡｌＯｘ層が形成した。この方法で製造した基板を、［１２−（［１］ベンゾチエノ［３，２−ｂ］ベンゾチエン−２−イル）−ドデシル］ホスホン酸（実施例４からの化合物）のテトラヒドロフラン溶液（０．３ｍｍｏｌ／ｌ）に２０時間、浸した。次いで、この基板をテトラヒドロフランですすぎ、乾燥した。次いで、ソース電極およびドレイン電極ための３０ｎｍ金端子を、シャドウマスクを通してＵｎｉｖｅｘ気相堆積ユニット中で気相堆積した（気相堆積速度：最初の１０ｎｍについては０．１Å／秒、次いで０．２Å／秒）。電極構造はＷ×Ｌ＝１５０×８ｎｍであった。トランジスター測定において、２桁のゲート電流に対するドレイン電流の比およびドレイン電流の変調および数ナノアンペア領域でのオン／オフ比を測定した。
【００６７】
実施例８
１００ｎｍ厚の酸化シリコン層を有するシリコンウェハーを、まず、アセトンおよびイソプロパノールですすぎ、乾燥した。次いで、３０ｎｍ厚のアルミニウム層を３〜４Å／秒の気相堆積速度でゲート電極として酸化物表面上に堆積した。アルミニウム層を、２．５分の酸素プラズマ処理より表面を酸化し、その結果、約５ｎｍ厚のＡｌＯｘ層が形成した。約３０ｎｍ厚の２−トリデシル−［１］ベンゾチエノ［３，２−ｂ］［１］ベンゾチオフェン（２−トリデシル−ＢＴＢＴ：調製例１からの化合物（Ｉ−１））層を基板へ気相堆積した。次いで、ソース電極およびドレイン電極ための３０ｎｍ金端子を、シャドウマスクを通してＵｎｉｖｅｘ気相堆積ユニット中で気相堆積した（気相堆積速度、最初の１０ｎｍについては０．１Å／秒、次いで０．２Å／秒）。電極構造はＷ×Ｌ＝５００×２００μｍであった。トランジスター測定は電荷移動度３．２ｃｍ２／Ｖｓを与えた。（図３および４を参照）
【００６８】
実施例９
１００ｎｍ厚の酸化シリコン層を有するシリコンウェハーを、まず、アセトンおよびイソプロパノールですすぎ、乾燥した。次いで、３０ｎｍ厚のアルミニウム層を３〜４Å／秒の気相堆積速度でゲート電極として酸化物表面上に堆積した。アルミニウム層を、２．５分の酸素プラズマ処理より表面を酸化し、その結果、約５ｎｍ厚のＡｌＯｘ層が形成した。この方法で製造した基板を、テトラデカンホスホン酸（Ｃ１４ＰＡ）のテトラヒドロフラン溶液（０．３ｍｍｏｌ／ｌ）に２０時間、浸した。次いで、この基板をテトラヒドロフランですすぎ、乾燥した。約３０ｎｍ厚の２−トリデシル−［１］ベンゾチエノ［３，２−ｂ］［１］ベンゾチオフェン（２−トリデシル−ＢＴＢＴ：調製例１からの化合物（Ｉ−１））層をこの方法で処理した基板に気相堆積した。次いで、ソース電極およびドレイン電極ための３０ｎｍ金端子を、シャドウマスクを通してＵｎｉｖｅｘ気相堆積ユニット中で気相堆積した（気相堆積速度：最初の１０ｎｍについては０．１Å／秒、次いで０．２Å／秒）。電極構造はＷ×Ｌ＝５００×２００μｍであった。トランジスター測定は電荷移動度１．９ｃｍ２／Ｖｓを与えた。（図５および６を参照）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【国際調査報告】
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