(57)【要約】  インダクタ（１００、２００）のインダクタンスが、蛇行形状に共に結合される多数のセグメント（１１６、１１８）を有する強磁性コア（１１２）を介してジグザグに進む蛇行形状を有するように導電性ワイヤ（１３２、２３０）を形成することにより増加する。強磁性コア（１１２）の各１つのセグメント（１１６）は、蛇行形状に共に結合される多数の部分（１２０、１２２、１２４、２１８、２５０）更に有する。
2013542619.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体構造であって、
非導電性の上面を有する半導体ボディ、及び
前記非導電性の上面に接する強磁性コアであって、前記強磁性コアが、複数のメインセグメントと、単一の一体化された構造を形成するように前記複数のメインセグメントに接続される複数の端部セグメントとを有し、前記複数のメインセグメントが、互いから離間され且つ横方向に互いに近接して置かれる、前記強磁性コア、
を含む、半導体構造。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体構造であって、前記複数のメインセグメントが互いに実質的に平行に置かれる、半導体構造。
【請求項３】
請求項１に記載の半導体構造であって、各セグメントが、前記複数のメインセグメントの各々に実質的に垂直に置かれる、半導体構造。
【請求項４】
請求項１に記載の半導体構造であって、各メインセグメントが、前記非導電性の上面に接する複数の下方セクション、前記非導電性の上面の上に置かれ且つ前記非導電性の上面から離間される複数の上方セクション、及び前記複数の下方セクション及び前記複数の上方セクションに接続される複数の接続セクションを含む、半導体構造。
【請求項５】
請求項４に記載の半導体構造であって、前記複数の下方セクションの各々が第１の平面に置かれ、前記複数の上方セクションの各々が、前記第１の平面に実質的に平行な第２の平面に置かれる、半導体構造。
【請求項６】
請求項４に記載の半導体構造であって、各メインセグメントが、
第１の平面に置かれる下方セクション、
第２の平面に置かれる第１の上方セクションであって、前記第２の平面が前記第１の平面の上にあり、且つ前記第１の平面に実質的に平行である、前記第２の平面、
前記第１の上方セクションから離間される第２の上方セクション、
前記下方セクションと前記第１の上方セクションとの間に置かれ、且つそれらに接する第１の接続セクション、及び
前記第１の接続セクションから離間され、前記下方セクションと前記第２の上方セクションとの間に置かれ且つそれらに接する第２の接続セクション、
を含む、半導体構造。
【請求項７】
請求項４に記載の半導体構造であって、
前記非導電性の上面及び前記強磁性コアに接する非導電性の領域、及び
前記非導電性の領域に接する導電性ワイヤであって、前記非導電性の領域が、前記導電性ワイヤを囲み且つ前記導電性ワイヤを前記強磁性コアから隔離する、前記導電性ワイヤ、
を更に含む、半導体構造。
【請求項８】
請求項７に記載の半導体構造であって、前記導電性ワイヤが、複数のメインセグメントと、単一の一体化された構造を形成するように前記導電性ワイヤの複数のメインセグメントに接続される複数の端部セグメントとを有し、前記導電性ワイヤの前記複数のメインセグメントが、互いから離間され且つ横方向に互いに近接して置かれる、半導体構造。
【請求項９】
請求項８に記載の半導体構造であって、前記導電性ワイヤの前記複数のセグメントが互いに実質的に平行に置かれる、半導体構造。
【請求項１０】
請求項７に記載の半導体構造であって、前記導電性ワイヤが、各メインセグメントの上方セクションの各々の下であり且つ下方セクションの各々の上に置かれる、半導体構造。
【請求項１１】
請求項７に記載の半導体構造であって、前記導電性ワイヤが、第１のメインセグメントの上方セクションの下を通る、半導体構造。
【請求項１２】
請求項１１に記載の半導体構造であって、前記導電性ワイヤが前記第１のメインセグメントの前記上方セクションの下を通った後、前記導電性ワイヤが次に、任意の他のメインセグメントの任意の他の下方セクションの上を通る前であり、且つ任意の他のメインセグメントの任意の他の上方セクションの下を通る前に、第２のメインセグメントの下方セクションの上を通る、半導体構造。
【請求項１３】
請求項１２に記載の半導体構造であって、前記導電性ワイヤが前記第２のメインセグメントの前記下方セクションの上を通った後、前記導電性ワイヤが次に、任意の他のメインセグメントの任意の他の下方セクションの上を通る前であり、且つ任意の他のメインセグメントの任意の他の上方セクションの下を通る前に、第３のメインセグメントの上方セクションの下を通る、半導体構造。
【請求項１４】
請求項１０に記載の半導体構造であって、前記導電性ワイヤが如何なる端部セグメントの上を通らず、如何なる端部セグメントの下を通らない、半導体構造。
【請求項１５】
非導電性の上面を有する半導体ボディ上に半導体デバイスを形成する方法であって、前記方法が、
前記非導電性の上面に接する強磁性コアを形成することを含み、
前記強磁性コアが、複数のメインセグメントと、単一の一体化された構造を形成するように前記複数のメインセグメントに接続される複数の端部セグメントとを有し、前記複数のメインセグメントが互いから離間され且つ横方向に互いに近接して置かれる、
方法。
【請求項１６】
請求項１５に記載の方法であって、前記複数のメインセグメントが、互いに実質的に平行に置かれる、方法。
【請求項１７】
請求項１５に記載の方法であって、各メインセグメントが、
前記非導電性の上面に接する複数の下方セクション、
前記非導電性の上面の上にあり且つそれから離間される複数の上方セクション、及び
前記複数の下方セクション及び前記複数の上方セクションに接続される複数の接続セクション、
を含む、方法。
【請求項１８】
請求項１７に記載の方法であって、
前記非導電性の上面及び前記強磁性コアに接する非導電性の領域を形成すること、及び
前記非導電性の領域に接する導電性ワイヤを形成することであって、前記非導電性の領域が、前記導電性ワイヤを囲み且つ前記導電性ワイヤを前記強磁性コアから隔離すること、
を更に含む、方法。
【請求項１９】
請求項１８に記載の方法であって、前記導電性ワイヤが、複数のメインセグメントと、単一の一体化された構造を形成するように前記導電性ワイヤの前記複数のメインセグメントに接続される複数の端部セグメントとを有し、前記導電性ワイヤの前記複数のメインセグメントが、互いから離間され且つ横方向に互いに近接して置かれる、方法。
【請求項２０】
請求項１９に記載の方法であって、前記導電性ワイヤが、各メインセグメントの各上方セクションの下であり且つ各下方セクションの上にある、方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インダクタに関し、更に特定して言えば、蛇行形状の導電性ワイヤと蛇行形状の強磁性コアとを備えたインダクタ、及びそのような半導体インダクタを形成する方法に関連する。
【背景技術】
【０００２】
インダクタは、電磁エネルギーをストアするために多数のデバイスにおいて用いられる一般的な回路要素である。インダクタは典型的に、インダクタンス及びストアされるエネルギーの量を増大させるため、コアとして知られている強磁性材料を用いる。多くの用途において、インダクタは、スタンドアロンデバイスとして実装され、これは、回路基板空間のかなりの量を消費する。ハンドヘルドデバイスでは必要とされる回路基板空間を最小化するため、チップ上に集積された半導体インダクタを形成することが望ましい。半導体インダクタを形成するための従来技術において多くの手法が存在するが、半導体インダクタを形成する更なる方法が必要とされている。
【発明の概要】
【０００３】
本発明の半導体構造は、増大されたインダクタンスを提供する。本発明の半導体構造が、非導電性の上面を有する半導体ボディと、非導電性の上面に接する強磁性コアとを含む。強磁性コアは、複数のメインセグメントと、単一の一体化された構造を形成するように複数のメインセグメントに接続される複数の端部セグメントとを有する。複数のメインセグメントは、互いから離間され且つ互いに横に近接して置かれる。
【０００４】
非導電性の上面を有する半導体ボディ上に半導体デバイスを形成する方法が、非導電性の上面に接する強磁性コアを形成することを含む。強磁性コアは、複数のメインセグメントと、単一の一体化された構造を形成するように複数のメインセグメントに接続される複数の端部セグメントとを有する。複数のメインセグメントは、互いから離間され且つ互いに横に近接して置かれる。
【図面の簡単な説明】
【０００５】
【図１Ａ】本発明に従ったインダクタ１００を示す平面図である。
【図１Ｂ】本発明に従ったインダクタ１００を示す図であり、図１Ａの線１Ｂ−１Ｂによる断面図である。
【図１Ｃ】本発明に従ったインダクタ１００を示す図であり、図１Ａの線１Ｃ−１Ｃによる断面図である。
【図２Ａ】本発明に従ってインダクタ２００を形成する方法の一例を図示する平面図である。
【図２Ｂ】図２Ａにおける線２Ｂ−２Ｂによる断面図である。
【図２Ｃ】図２Ａにおける線２Ｃ−２Ｃによる断面図である。
【図２Ｄ】図２Ａにおける線２Ｄ−２Ｄによる断面図である。
【図３Ａ】本発明に従ってインダクタ２００を形成する方法の一例を図示する平面図である。
【図３Ｂ】図３Ａにおける線３Ｂ−３Ｂによる断面図である。
【図３Ｃ】図３Ａにおける線３Ｃ−３Ｃによる断面図である。
【図３Ｄ】図３Ａにおける線３Ｄ−３Ｄによる断面図である。
【図４Ａ】本発明に従ってインダクタ２００を形成する方法の一例を図示する平面図である。
【図４Ｂ】図４Ａにおける線４Ｂ−４Ｂによる断面図である。
【図４Ｃ】図４Ａにおける線４Ｃ−４Ｃによる断面図である。
【図４Ｄ】図４Ａにおける線４Ｄ−４Ｄによる断面図である。
【図５Ａ】本発明に従ってインダクタ２００を形成する方法の一例を図示する平面図である。
【図５Ｂ】図５Ａにおける線５Ｂ−５Ｂによる断面図である。
【図５Ｃ】図５Ａにおける線５Ｃ−５Ｃによる断面図である。
【図５Ｄ】図５Ａにおける線５Ｄ−５Ｄによる断面図である。
【図６Ａ】本発明に従ってインダクタ２００を形成する方法の一例を図示する平面図である。
【図６Ｂ】図６Ａにおける線６Ｂ−６Ｂによる断面図である。
【図６Ｃ】図６Ａにおける線６Ｃ−６Ｃによる断面図である。
【図６Ｄ】図６Ａにおける線６Ｄ−６Ｄによる断面図である。
【図７Ａ】本発明に従ってインダクタ２００を形成する方法の一例を図示する平面図である。
【図７Ｂ】図７Ａにおける線７Ｂ−７Ｂによる断面図である。
【図７Ｃ】図７Ａにおける線７Ｃ−７Ｃによる断面図である。
【図７Ｄ】図７Ａにおける線７Ｄ−７Ｄによる断面図である。
【図８Ａ】本発明に従ってインダクタ２００を形成する方法の一例を図示する平面図である。
【図８Ｂ】図８Ａにおける線８Ｂ−８Ｂによる断面図である。
【図８Ｃ】図８Ａにおける線８Ｃ−８Ｃによる断面図である。
【図８Ｄ】図８Ａにおける線８Ｄ−８Ｄによる断面図である。
【図９Ａ】本発明に従ってインダクタ２００を形成する方法の一例を図示する平面図である。
【図９Ｂ】図９Ａにおける線９Ｂ−９Ｂによる断面図である。
【図９Ｃ】図９Ａにおける線９Ｃ−９Ｃによる断面図である。
【図９Ｄ】図９Ａにおける線９Ｄ−９Ｄによる断面図である。
【図１０Ａ】本発明に従ってインダクタ２００を形成する方法の一例を図示する平面図である。
【図１０Ｂ】図１０Ａにおける線１０Ｂ−１０Ｂによる断面図である。
【図１０Ｃ】図１０Ａにおける線１０Ｃ−１０Ｃによる断面図である。
【図１０Ｄ】図１０Ａにおける線１０Ｄ−１０Ｄによる断面図である。
【図１１Ａ】本発明に従ってインダクタ２００を形成する方法の一例を図示する平面図である。
【図１１Ｂ】図１１Ａにおける線１１Ｂ−１１Ｂによる断面図である。
【図１１Ｃ】図１１Ａにおける線１１Ｃ−１１Ｃによる断面図である。
【図１１Ｄ】図１１Ａにおける線１１Ｄ−１１Ｄによる断面図である。
【図１２Ａ】本発明に従ってインダクタ２００を形成する方法の一例を図示する平面図である。
【図１２Ｂ】図１２Ａにおける線１２Ｂ−１２Ｂによる断面図である。
【図１２Ｃ】図１２Ａにおける線１２Ｃ−１２Ｃによる断面図である。
【図１２Ｄ】図１２Ａにおける線１２Ｄ−１２Ｄによる断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００６】
図１Ａ〜図１Ｃは、本発明に従ったインダクタ１００を示す図である。図１Ａはインダクタ１００の平面図であり、図１Ｂは、図１Ａの線１Ｂ−１Ｂによる断面図を示し、図１Ｃは、図１Ａの線１Ｃ−１Ｃによる断面図である。
【０００７】
これ以降により詳細に説明するように、本発明は、蛇行形状を有する導電性ワイヤを用いることによりインダクタのインダクタンスを増大させる。導電性ワイヤは、蛇行形状に共に結合される多数のセグメントを有する強磁性コアを介してジグザグに進み（weave）、強磁性コアの各セグメントは、蛇行形状に共に結合される多数の部分を更に含む。
【０００８】
図１Ａ〜図１Ｃに示すように、本発明のインダクタ１００は、半導体ボディ１１０及び強磁性コア１１２を含む。半導体ボディ１１０は非導電性の上面１１４を有し、強磁性コア１１２は半導体ボディ１１０の非導電性の上面１１４に接する。
【０００９】
図１Ａ〜図１Ｃに更に示すように、強磁性コア１１２は、多数のメインセグメント１１６と、単一の一体化された構造を形成するようにメインセグメント１１６に接続される多数の端部セグメント１１８とを有する。メインセグメント１１６は、互いから離間され且つ互いに横に近接して置かれる。この例において、メインセグメント１１６は互いに実質的に平行に置かれる。また、端部セグメント１１８は、メインセグメント１１６に実質的に垂直に置かれ、実質的に角が矩形の蛇行形状を形成するようにメインセグメント１１６に接続される。
【００１０】
各メインセグメント１１６は、多数の下方セクション１２０、多数の上方セクション１２２、及び下方セクション１２０及び上方セクション１２２に接続される多数の接続セクション１２４を有する。この例において、下方セクション１２０の各々は実質的に第１の面１２６にあり、上方セクション１２２の各々は実質的に、第１の面１２６に実質的に平行な第２の平面１２８にある。更に、接続セクション１２４は、下方及び上方セクション１２０及び１２２に実質的に垂直に置かれ、実質的に角が矩形の蛇行形状を形成するように下方及び上方セクション１２０及び１２２に接続される。
【００１１】
そのため、各メインセグメント１１６は、下方セクション１２０−Ｌ、上方セクション１２２−Ｕ１、上方セクション１２２−Ｕ１から離間される上方セクション１２２−Ｕ２、下方セクション１２０−Ｌと上方セクション１２２−Ｕ１との間に置かれそれらに接する接続セクション１２４−Ｃ１、及び接続セクション１２４−Ｃ１から離間され、且つ、下方セクション１２０−Ｌと上方セクション１２２−Ｃ２との間に置かれそれらに接する接続セクション１２４−Ｃ２を有する。
【００１２】
その結果、各メインセグメント１１６の下方及び上方セクション１２０及び１２２は、半導体ボディ１１０の非導電性の上面１１４に接する下方セクション１２０と、半導体ボディ１１０の非導電性の上面１１４の上の或る距離にある上方セクション１２２との間を交互に行ったり来たりする。
【００１３】
また、横に近接するメインセグメント１１６の各対は、セクションが交互になるように互い違いになる。そのため、例えば、第１のメインセグメント１１６−１の第１のセクションＦＳが上方セクション１２２である場合、第１のメインセグメント１１６−１の横に近接して置かれる第２のメインセグメント１１６−２の対応する第１のセクションＦＳが下方セクション１２０であり、第２のメインセグメント１１６−２の横に近接して置かれる第３のメインセグメント１１６−３の対応する第１のセクションＦＳが上方セクション１２２であり、第３のメインセグメント１１６−３の横に近接して置かれる第４のメインセグメント１１６−４の対応する第１のセクションＦＳが下方セクション１２０である。
【００１４】
図１Ａ〜図１Ｃに更に示すように、インダクタ１００は、半導体ボディ１１０の非導電性の上面１１４及び強磁性コア１１２に接する非導電性の領域１３０と、非導電性の領域１３０に接する導電性ワイヤ１３２とを含む。非導電性の領域１３０は、導電性ワイヤ１３２を囲みそれを強磁性コア１１２から隔離する。
【００１５】
導電性ワイヤ１３２は、多数のメインセグメント１３４と、単一の一体化された構造を形成するようにメインセグメント１３４に接続される多数の端部セグメント１３６とを有する。メインセグメント１３４は、互いから離間され且つ互いに横に近接して置かれる。この例において、メインセグメント１３４は互いに実質的に平行に置かれる。
【００１６】
また、端部セグメント１３６は、メインセグメント１３４に実質的に垂直であり、実質的に角が矩形の蛇行形状を形成するようにメインセグメント１３４に接続される。そのため、インダクタコイルの形状は蛇行しており、端部セグメント１３６により一端で接続される一対の平行のメインセグメント１３４が、従来のスパイラル又はソレノイドインダクタの１巻に相当するものを形成する。
【００１７】
また、導電性ワイヤ１３２は、導電性ワイヤ１３２が、各メインセグメント１１６の下方セクション１２０の各々の上であり上方セクション１２２の各々の下にあるように、強磁性コア１１２を介してジグザグに進む。図１Ａ〜図１Ｃに示すように、導電性ワイヤ１３２は、第１のメインセグメント１１６−１の第１の上方セクション１２２−１の下を通る。
【００１８】
導電性ワイヤ１３２が第１のメインセグメント１１６−１の第１の上方セクション１２２−１の下を通った後、導電性ワイヤ１３２は次に、任意の他のメインセグメント１１６の任意の他の下方セクション１２０の上を通る前であり、且つ任意の他のメインセグメント１１６の任意の他の上方セクション１２２の下を通る前に、第２のメインセグメント１１６−２（これは、如何なる他のセグメントも間に置かれないように第１のメインセグメント１１６−１の横に近接して置かれる）の第１の下方セクション１２０−１の上を通る。
【００１９】
導電性ワイヤ１３２が第２のメインセグメント１１６−２の第１の下方セクション１２０−１の上を通った後、導電性ワイヤ１３２が次に、任意の他のメインセグメント１１６の任意の他の下方セクション１２０の上を通る前であり、且つ任意の他のメインセグメント１１６の任意の他の上方セクション１２２の下を通る前に、第３のメインセグメント１１６−３（これは、如何なる他のセグメントも間に置かれないように第２のメインセグメント１１６−２の横に近接して置かれる）の第１の上方セクション１２２−１の下を通る。
【００２０】
導電性ワイヤ１３２が第３のメインセグメント１１６−３の第１の上方セクション１２２−１の下を通った後、導電性ワイヤ１３２は次に、任意の他のメインセグメント１１６の任意の他の下方セクション１２０の上を通る前であり、且つ任意の他のメインセグメント１１６の任意の他の上方セクション１２２の下を通る前に、第４のメインセグメント１１６−４（これは、如何なる他のセグメントも間に置かれないように、第３のメインセグメント１１６−３の横に近接して置かれる）の第１の下方セクション１２０−１の上を通る。
【００２１】
図１Ａ〜図１Ｃに示すように、導電性ワイヤ１３２が第１の下方セクション１２０の上を通過した又は最後のメインセグメント１１６の第１の上方セクション１２２の下を通過した後、導電性ワイヤ１３２その後、曲り、第２の下方セクション１２０の上を通る又は最後のメインセグメント１１６の第２の上方セクション１２２の下を通る。
【００２２】
そのため、導電性ワイヤ１３２が第４のメインセグメント１１６−４の第２の上方セクション１２２−２の下を通過すると、導電性ワイヤ１３２は次に、任意の他のメインセグメント１１６の任意の他の下方セクション１２０の上を通る前であり、且つ任意の他のメインセグメント１１６の任意の他の上方セクション１２２の下を通る前に、第３のメインセグメント１１６−３の第２の下方セクション１２０−２の上を通る。
【００２３】
導電性ワイヤ１３２が第３のメインセグメント１１６−３の第２の下方セクション１２０−２の上を通過した後、導電性ワイヤ１３２は次に、任意の他のメインセグメント１１６の任意の他の下方セクション１２０の上を通る前であり、且つ任意の他のメインセグメント１１６の任意の他の上方セクション１２２の下を通る前に、第２のメインセグメント１１６−２の第２の上方セクション１２２−２の下を通る。
【００２４】
導電性ワイヤ１３２が第２のメインセグメント１１６−２の第２の上方セクション１２２−２の下を通過すると、導電性ワイヤ１３２は次に、任意の他のメインセグメント１１６の任意の他の下方セクション１２０の上を通る前であり、且つ任意の他のメインセグメント１１６の任意の他の上方セクション１２２の下を通る前に、第１のメインセグメント１１６−１の第２の下方セクション１２０−２の上を通る。
【００２５】
導電性ワイヤ１３２は、同様の方式で、メインセグメント１１６の第３の下方及び上方セクション１２０及び１２２、メインセグメント１１６の第４の下方及び上方セクション１２０及び１２２、メインセグメント１１６の第５の下方及び上方セクション１２０及び１２２を介して、以下同様に、ジグザグに進み続け、メインセグメント１１６の最後の下方及び上方セクション１２０及び１２２を介してジグザグに進んだ後、強磁性コア１１２を出る。
【００２６】
そのため、第１のメインセグメント１１６−１の第１の上方セクション１２２−１の下を通過した後、導電性ワイヤ１３２は、導電性ワイヤ１３２が、第１のメインセグメント１１６−１の第２の下方セクション１２０−２の上を通過することができる前に、第２のメインセグメント１１６−２の第１の下方セクション１２０−１の上及び第２のメインセグメント１１６−２の第２の上方セクション１２２−２下を通過する必要がある。更に、図１Ａ〜図１Ｃに示すように、導電性ワイヤ１３２は、如何なる端部セグメント１１８の上を通らず、如何なる端部セグメント１８８の下を通らない。
【００２７】
図２Ａ〜図２Ｄから図１２Ａ〜図１２Ｄは、本発明に従ってインダクタ２００を形成する方法の一例を図示する一連の図である。図２Ａ〜図１２Ａは、一連の平面図である。図２Ｂ〜図１２Ｂは、それぞれ、図２Ａ〜図１２Ａにおける線２Ｂ〜２０Ｂによる一連の断面図を示す。図２Ｃ〜図１２Ｃは、それぞれ、図２Ａ〜図１２Ａにおける線２Ｃ〜１２Ｃによる一連の断面図を示す。図２Ｄ〜図１２Ｄは、それぞれ、図２Ａ〜図１２Ａにおける線２Ｄ〜１２Ｄによる一連の断面図を示す。
【００２８】
図２Ａ〜図２Ｄに示すように、インダクタ２００を形成する方法は、従来のように形成された半導体ボディ２１０を用いる。ボディ２１０は、シリコンなどの導電性材料、及び、酸化物など、上にある非導電性の層で実装され得る。また、ボディ２１０は、上にある非導電性の層に接する一対のパッドＰ１及びＰ２を含み得、これらは、金属相互接続構造を介してトランジスタ、レジスタ、キャパシタ、及び回路により要求される他の要素、に電気的に接続される。代替として、ボディ２１０は、クオーツ又はＧ１０−ＦＲ４などの非導電性材料で実装され得る。
【００２９】
図２Ａ〜図２Ｄに更に示すように、この方法は、半導体ボディ２１０上にシード層２１２を形成することにより開始する。例えば、シード層２１２は、３００Åのチタン、３０００Åの銅、及び３００Åのチタンを堆積することによって形成され得る。（シード層２１２は更に、必要とされる場合、銅エレクトロマイグレーションを防止するため障壁層を含み得る。）シード層２１２が形成されると、シード層２１２の上面上にめっきモールド２１４が形成される。めっきモールド２１４は、シード層２１２の一部を露出させる多数の開口２１６を有する。
【００３０】
図３Ａ〜図３Ｄに示すように、めっきモールド２１４の形成に続いて、頂部チタン層が剥がされ、パーマロイのような、ニッケルと鉄の合金などの磁性材料が、多数の底部２１８を形成するように電気めっきにより堆積される。図４Ａ〜図４Ｄに示すように、電気めっきの後、めっきモールド２１４、及びシード層２１２のその下にある領域が取り除かれる。
【００３１】
底部２１８が形成された後、図５Ａ〜図５Ｄに示すように、非導電性の層２２０が底部２１８及び半導体ボディ２１０上に堆積される。非導電性の層２２０が堆積された後、多数の開口２２２が非導電性の層２２０に形成される。
【００３２】
この例において、非導電性の層２２０は、実質的に自己平坦化する、ＳＵ−８などの光描写可能な（photoimageable）エポキシ又はポリマーの層で形成される。光描写可能なエポキシ又はポリマーが堆積されると、開口２２２が、光に曝された非導電性の層２２０の領域を軟化させる非導電性の層２２０上にパターニングされる画像を形成するようにマスクを介して光を投射すること、及びその後、非導電性の層２２０の軟化された領域を取り除くことによって形成される。
【００３３】
図６Ａ〜図６Ｄに示すように、開口２２２が形成された後、非導電性の層２２０上にシード層２２４が形成される。例えば、シード層２２４は、３００Åのチタン、３０００Åの銅、及び３００Åのチタンを堆積することによって形成され得る。（シード層２２４は必要とされる場合、銅エレクトロマイグレーションを防止するため障壁層を更に含み得る。）シード層２２４が形成されると、シード層２２４の上面上にめっきモールド２２６が形成される。めっきモールド２２６は、シード層２２４の一部を露出させる開口２２８を有する。
【００３４】
図７Ａ〜図７Ｄに示すように、めっきモールド２２６の形成に続いて、頂部チタン層が剥がされ、導電性ワイヤ２３０を形成するように電気めっきにより銅が堆積される。図８Ａ〜図８Ｄに示すように、電気めっきの後、めっきモールド２２６、及びシード層２２４のその下にある領域が取り除かれる。
【００３５】
導電性ワイヤ２３０が形成された後、図９Ａ〜図９Ｄに示すように、非導電性の層２４０が導電性ワイヤ２３０及び非導電性の層２２０上に堆積される。非導電性の層２４０が堆積された後、非導電性の層２４０に多数の開口２４２が形成される。
【００３６】
この例において、非導電性の層２４０は、実質的に自己平坦化する、ＳＵ−８などの光描写可能なエポキシ又はポリマーの層で形成される。光描写可能なエポキシ又はポリマーが堆積されると、開口２４２が、光に曝された非導電性の層２４０の領域を軟化させる非導電性の層２４０上にパターニングされた画像を形成するようにマスクを介して光を投射すること、及びその後、非導電性の層２４０の軟化された領域を取り除くことによって形成される。開口２４２は、開口２２２を露出させ、底部２１８を露出させる。
【００３７】
図１０Ａ〜図１０Ｄに示すように、開口２４２が形成された後、シード層２４４が、開口２４２を裏打ちし且つ底部２１８に接するように非導電性の層２４０上に形成される。例えば、シード層２４４は、３００Åのチタン、３０００Åの銅、及び３００Åのチタンを堆積することによって形成され得る。（シード層２４４は更に、必要とされる場合、銅エレクトロマイグレーションを防止するため障壁層を含むこともできる。）シード層２４４が形成されると、シード層２４４の上面上にめっきモールド２４６が形成される。めっきモールド２４６は、シード層２４４の一部を露出させる多数の開口２４８を有する。
【００３８】
図１１Ａ〜図１１Ｄに示すように、めっきモールド２４６の形成に続いて、頂部チタン層が剥がされ、底部２１８に接する多数の上方セクション２５０を形成するように、パーマロイのような、ニッケルと鉄の合金などの磁性材料が、電気めっきにより堆積される。図１２Ａ〜図１２Ｄに示すように、電気めっきの後、インダクタ２００を形成するように、めっきモールド２４６、及びシード層２４４のその下にある領域が取り除かれる。インダクタ１００を形成するために図２Ａ〜図２Ｄから図１２Ａ〜図１２Ｄに示す方法を用いることができる。
【００３９】
このように、インダクタ及びインダクタを形成する方法が説明された。本発明のインダクタは幾つかの利点を有する。利点の一つは、強磁性コアの蛇行形状が、強磁性コア内の低磁気抵抗フラックス経路を確保する点である。また、低電流インダクタンス値を調節するため磁性ギャップが容易に導入され得る。別の利点は、磁性材料が薄膜状にされ（薄く）、それが、渦電流を低減し、周波数特性を著しく改善する点である。
【００４０】
上述の説明は、本発明の例であること、及び本発明を実施するために本発明の本明細書に記載の種々の代替例を用い得ることを理解されたい。そのため、後に続く特許請求の範囲が本発明の範囲を定義し、これらの請求項及びそれらの等価物の範囲内の構造及び方法がここに含有されることを意図している。
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図１Ｃ】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図２Ｃ】
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【図２Ｄ】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
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【図３Ｄ】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図４Ｃ】
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【図４Ｄ】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図５Ｃ】
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【図５Ｄ】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図６Ｃ】
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【図６Ｄ】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図７Ｃ】
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【図７Ｄ】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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【図８Ｃ】
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【図８Ｄ】
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【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
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【図９Ｃ】
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【図９Ｄ】
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【図１０Ａ】
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【図１０Ｂ】
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【図１０Ｃ】
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【図１０Ｄ】
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【図１１Ａ】
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【図１１Ｂ】
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【図１１Ｃ】
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【図１１Ｄ】
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【図１２Ａ】
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【図１２Ｂ】
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【図１２Ｃ】
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【図１２Ｄ】
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【国際調査報告】
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