(57)【要約】  フリップチップ発光ダイオード（ＬＥＤ）ダイ１０のアレイがサブマウントウェハ１２に取り付けられる発光装置を作製する方法が、記載される。前記ＬＥＤダイの各々の上に、同時に成形されるのは、半球状の第１のシリコーン層である。予備成形された可撓性の蛍光体層３８は、シリコーン内に注入される蛍光体粉体を有し、前記半球状の第１のシリコーン層の外側表面に沿うように前記第１のシリコーン層上に積層される。次いで、シリコーンレンズ６６は、前記蛍光体層上に成形される。前記蛍光体層を予備成形することによって、前記蛍光体層は、非常に厳しい公差まで作られ、試験されることができる。成形された半球状のシリコーン層により前記ＬＥＤダイから前記蛍光体層を分離することによって、観察角度に対する色は一定であり、前記蛍光体は、熱によって分解しない。前記可撓性の蛍光体層は、複数の異なる蛍光体層を有することができ、リフレクタ又は他の層を有することができる。
2013501372.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光装置を製造する方法であって、
サブマウントウェハ上に複数のフリップチップ発光ダイオード（ＬＥＤ）ダイを設けるステップと、
このウェハ上の各ＬＥＤダイ上に第１のシリコーン層を同時に成形するステップと、
前記ウェハとは別に可撓性の蛍光体層を形成するステップと、
前記蛍光体層が、前記第１のシリコーン層の外側表面に直接的に接触する及び沿うように、前記ウェハ上に前記蛍光体層を積層するステップであって、前記蛍光体層の波長変換された光は前記ＬＥＤダイから発される、ステップと、
前記蛍光体層上に第２のシリコーン層を成形するステップと、
を有する方法。
【請求項２】
前記第２のシリコーン層は、レンズを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第１のシリコーン層は、ほぼ半球状である、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記蛍光体層は、シリコーン内に注入された蛍光体粉を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記第１のシリコーン層は、第１の屈折率を有しており、第２のシリコーン層は、前記第１の屈折率よりも高い第２の屈折率を有している、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記蛍光体層は、およそ前記ウェハの面積以上の面積を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記蛍光体層は、実質的に均一の厚さを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記蛍光体層は、複数の層を有しており、前記複数の層の少なくとも２つは、異なる蛍光体を含んでいる、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記蛍光体層が複数の層を有しており、前記複数の層の少なくとも１つは、リフレクタを有している、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記蛍光体層は、光学フィーチャを有するように成形されている、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記サブマウントウェハ上に複数のＬＥＤダイを設けるステップが、前記サブマウントウェハ上の電極を前記複数のＬＥＤダイの対応する電極に結合するステップを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記第２のシリコーン層を成形するステップの後に、対応するサブマウント部分に取り付けられたＬＥＤダイを分離するように、前記サブマウントウェハを切り離すステップを更に有する、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
サブマウントに取り付けられたフリップチップ発光ダイオード（ＬＥＤ）ダイと、
前記ＬＥＤダイをコーティングする第１のシリコーン層であって、前記ＬＥＤダイ上の実質的に半球状の形状を有する前記第１のシリコーン層と、
前記第１のシリコーン層の外側表面に沿うように前記第１のシリコーン層上に積層される蛍光体層であって、前記サブマウント上に前記ＬＥＤダイを越えて延在している前記蛍光体層において、シリコーン内に注入された蛍光体粉体を有している蛍光体層と、
前記蛍光体層上に成形された第２のシリコーン層と、
を有する発光装置。
【請求項１４】
前記蛍光体層は、シリコーン内に注入された異なる蛍光体の複数の層を有する、請求項１３に記載の装置。
【請求項１５】
前記蛍光体層は、実質的に均一の厚さを有する、請求項１３に記載の装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＬＥＤの放出を波長変換する蛍光体の基板層を備える発光ダイオード（ＬＥＤ）に関し、より詳細には、より正確な色の制御と観察角に対する均一な色とを達成するために前記ＬＥＤ上に遠隔蛍光体層を積層する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
図１は、サブマウントウェハ１２の一部に取り付けられた従来のフリップチップＬＥＤダイ１０を示している。フリップチップにおいて、ｎ及びｐ型コンタクトが、前記ＬＥＤダイの同じ側に形成される。
【０００３】
ＬＥＤダイ１０は、サファイア基板のような、成長基板上に成長された、ｎ型層１４、活性層１５及びｐ型層１６を含む半導体エピタキシャル層により形成されている。前記成長基板は、図１において、レーザーリフトオフ、エッチング又は他の技術によって取り除かれている。一つの実施例において、前記エピタキシャル層は、ＧａＮベースであり、活性層１５は青色光を発する。紫外線光を発するＬＥＤダイは、本発明にも利用可能である。
【０００４】
金属電極１８は、ｐ型層１６と電気的に接触しており、金属電極２０は、ｎ型層１４と電気的に接触している。一つの実施例において、電極１８及び２０は、セラミックのサブマウントウェハ１２上の陽極及び陰極金属パッド２２及び２４に超音波で結合されている金のパッドである。サブマウントウェハ１２は、プリント回路基板に接着するための底部金属パッド２６及び２８に至る導電ビア２４を有している。多くのＬＥＤは、サブマウントウェハ１２に取り付けられ、後に、個々のＬＥＤ／サブマウントを形成するために切り離される（singulated）。
【０００５】
ＬＥＤの更なる詳細は、参照として本明細書に引用されている本譲受人の米国特許第６，６４９，４４０号及び第６，２７４，３９９号及び米国特許出願公開第２００６／０２８１２０３Ａ１号及び第２００５／０２６９５８２  Ａ１号において、見られることが可能である。
【０００６】
青色ＬＥＤダイ１０を使用して白色光を生成するために、ＹＡＧ蛍光体、又は赤及び緑色の蛍光体を、例えば、接合材内への蛍光体の噴霧若しくはスピンコーティング、電気泳動、反射カップ内へ蛍光体の塗布、又は他の手段によって、ダイ１０上に直接的に堆積させることが、よく知られている。ＬＥＤダイ１０上に蛍光体（例えば、焼結された蛍光体粉体）の予備成形されたタイルを貼ることもよく知られている。このような蛍光体層は、半導体ダイ１０の表面に直接的に接触しているので、「非遠隔」のものである。前記蛍光体から漏れる青色光は、前記蛍光体光と組み合わされて、白色光を生成する。このような非遠隔蛍光体に関する問題は、１）当該光子の密度が、高出力ＬＥＤに関して非常に高く、前記蛍光体を飽和させるものであること、２）ＬＥＤは非常に熱く、蛍光体は、蛍光体粒子が埋め込まれている前記高分子バインダ層（例えば、シリコーン）の減光を生じるように熱に反応し得ること、３）異なる厚さの蛍光体を通過する青色光線の様々な角度により（通常の青色光線が最小の厚さを通過する）、前記色が、視野角によって変化すること、及び４）非常に均一な蛍光体層の厚さ及び密度を生成することが、困難であること、である。
【０００７】
シリコーン接合材内に蛍光体粉体を注入し、レンズを形成するために前記ＬＥＤダイ上に前記シリコーンを成形することも、知られている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、成形の公差は、蛍光体の厚さ及び位置合わせに影響を及ぼし、このことは、全体的な色並びに視野角に対する色に影響を及ぼす。成形の公差は、一般に３０―５０ミクロンであり、所望の蛍光体の厚さは、わずか１００ミクロンのオーダであるので、顧客により指定される或る観察角にわたる白色ＬＥＤのための＋／―５０Ｋの目標の相対色温度（ＣＣＴ）を達成することは、困難である。
【０００９】
同じ過程を使用して形成される青色ＬＥＤダイは、僅かに異なる優性の波長（dominant wavelengths）を生成し、ＬＥＤは、時々、これらの優性の波長に従ってビンに入れられる（binned）。従って、同じ蛍光体層が各青色ＬＥＤダイに設けられている場合、全体的な色温度は、ＬＥＤダイの各ビンに関して異なり得る。白色ＬＥＤが、例えばバックライトに、整合される必要がある場合、このようなＬＥＤは、同じビンからのものでならなければならなかった。このことは、或る厳しい用途に関して収率を効果的に低下させる。
【００１０】
更に、前記蛍光体層の再現性は、従来の方法を使用しては困難である。
【００１１】
必要とされているのは、上述の不利な点の影響を受けない蛍光体変換ＬＥＤを作製するための技術である。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
白色の光（又は、他の色）を生成するために青色又は紫外線ＬＥＤダイと使用するためのより精密な蛍光体層を達成するために、遠隔蛍光体層が、使用される。前記遠隔蛍光体層は、前記ＬＥＤダイから離間されているので、前記ＬＥＤダイの表面上に直接的に形成された蛍光体と比較して、光子密度が低く、蛍光体が被る温度が低い。前記光子密度は、前記ＬＥＤダイの光が前記遠隔蛍光体層に当たる前に広域に広げられるので、低い。
【００１３】
蛍光体層の厚さ、密度及び波長変換特性のより高い精度を達成するために、蛍光体層は、シリコーン接合材内に注入される蛍光体粉体を有する予備成形された、試験された層である。このような蛍光体層のシートは、良好に制御された厚さ及び蛍光体密度を有するように形成される。前記シートは、優性の波長出力を決定するために、例えば、青色光によって励起することによって、試験される。この場合、異なる特性を有する蛍光体シートが、ビンに入れられた青色ＬＥＤダイと整合させられる。このようにして、目標の白色光ＣＣＴが、異なるビンからの青色ＬＥＤを使用して達成されることができる。
【００１４】
予備成形された蛍光体層を前記ＬＥＤダイから離間させるように、シリコーン層が、先ず、当該ダイをカプセル化するために前記ＬＥＤダイ上に成形される。一つの実施例において、この第１の成形されたシリコーン層は、実質的に半球状の形状を有する。整合された蛍光体シートは、真空を使用してシリコーン層上に積層され、加熱により、前記蛍光体シートが前記シリコーン層に付着する。前記シリコーン層を形成する際の成形又は位置合わせの何らかの典型的な不正確さ（例えば、３０―５０ミクロン）は、前記蛍光体層が遠隔のものであり、半球状の形状を有することになるので、白色光ＣＣＴには著しい影響を及ぼさない。
【００１５】
第２のシリコーン層は、前記蛍光体層を保護し、レンズとして機能するために、前記蛍光体層上に成形される。一つの実施例において、前記第２のシリコーン層は、前記白色のＬＥＤがランバートパターンを出力するように、実質的に半球状である。第２のシリコーンレンズの形状が、放出パターンの何らかの種類を生成するために形成されることができる。
【００１６】
上述の処理は、サブマウントウェハに取り付けられたＬＥＤダイのアレイに対して同時に実施される。ダイのアレイは、単一のビンからのものであり得る。前記蛍光体層は、ウェハ全体にわたって単一のシートであり得る。前記ウェハは、白色光ＬＥＤ／サブマウントを分離するために切り離される。
【００１７】
一つの実施例において、前記蛍光体層は、ＹＡＧ蛍光体（黄緑色）を含んでいる。他の実施例において、前記蛍光体層は、混合された赤及び緑の蛍光体を含む。他の実施例において、前記蛍光体層は、複数の層（例えば、赤色層及び暖かい白色を生成するためのＹＡＧの別個の層）を有する。この過程は、何らかの種類の蛍光体を使用して何らかの色の光を生成するのに使用されることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】サブマウントに取り付けられた従来技術の青色又は紫外線フリップチップＬＥＤダイの断面図である。
【図２】ＬＥＤダイのアレイ（例えば、５００―４０００個のＬＥＤ）により占有される簡略化されたサブマウントウェハを示している。このウェハ上の全てのＬＥＤダイは、同時に処理される。
【図３】前記ＬＥＤダイをカプセル化する及び蛍光体層を前記ＬＥＤダイから離間するように第１のシリコーン層を形成するために型に対して持って来られる前記サブマウントウェハを示している。
【図４】型の窪みを充填している前記シリコーン内に浸漬される前記ＬＥＤダイを示している。
【図５】前記シリコーン層の外側表面に沿うように、成形されたシリコーン層上に真空及び熱を使用して積層されている予備成形された、薄く、可撓性の前記蛍光体層を示している。
【図６】赤色蛍光体の層及びＹＡＧ蛍光体（又は、緑色蛍光体）の層を備える蛍光体シートを示している。
【図７】マイクロレンズを有する上部の層が形成される多層の蛍光体シートを示している。
【図８】青色光を透過させるが、赤色、緑色及び黄色光を反射する反射層が底部に設けられた、多層蛍光体シートを示している。
【図９】個々のＬＥＤダイの特性に整合するために様々な厚みを有するように上面が形成される、多層蛍光体シートを示している。
【図１０】上を覆う色素沈着した層を備える蛍光体層を示している。
【図１１】本願明細書に記載されている処理を経た後の白色光ＬＥＤを示している。
【図１２】硬化後に前記型から取り除かれたウェハを示している。
【図１３】サブマウントウェハが個々のＬＥＤ／サブマウントを形成するように切り離されるＬＥＤを示している。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
同じ又は同等の要素は、同じ符号を付されている。
【００２０】
図２は、ＬＥＤダイ１０のアレイが取り付けられるサブマウントウェハ１２の簡略化された具体例である。単一のサブマウントウェハ１２上に５００―４０００個のＬＥＤが、設けられ得る。ウェハ１２上の全てのＬＥＤは、後述する方法を使用して同時に処理されるであろう。
【００２１】
第１のシリコーン層が、以下のように、ダイ１０をカプセル化するためにＬＥＤダイ１０上に成形される。
【００２２】
図３は、液体シリコーン３４、軟化シリコーン３４、粉体シリコーン３４又はタブレット状のシリコーンを充填されているキャビティ３２を有する型３０上に位置決めされているサブマウントウェハ１２及びＬＥＤダイ１０の一部を示している。シリコーン３４が液体又は軟化された形状において、分配される場合、型３０は、シリコーン３４を軟化するように加熱される。サブマウントウェハ１２が、図４に示されているように、型３０に対して持ち込まれ、この結果、ＬＥＤダイ１０が各キャビティ３２内のシリコーン３４に浸漬される。ウェハ１２及び型３０は、シリコーン３４が全ての空隙を充填するように互いに押圧される。周辺の封止によって、圧力が高くなることができる一方で、シリコーン３４が空隙を充填するように全ての空気が漏出するのを可能にする。更に、真空が、前記封止の周辺において真空源を使用してウェハ１２と型３０との間で引かれることもできる。
【００２３】
次いで、型３０が、使用されるシリコーン３４の種類に応じて、シリコーン３４を硬化させるために加熱される。元のシリコーン３４が、室温において固体（例えば、粉体又はタブレット）であった場合、シリコーン３４を硬化するために型３０が冷却される。代替的には、透明な型が使用されることができ、シリコーン３４は、紫外線光により硬化されることができる。
【００２４】
次いで、型３０は、ウェハ１２から取り外され、結果として図５の構造をもたらし、この得られるシリコーン層３６は、各ＬＥＤダイ１０をカプセル化する。示されている実施例において、シリコーン層３６は、実質的に半球状の形状を有するように形成されている。シリコーン層３６の厚さは、ＬＥＤ光が透明シリコーン層３６を通ってランバートパターンにおいて、広がるので、重要ではない。
【００２５】
次いで、使用されるシリコーン３４の種類に依存して、ウェハ１２が、シリコーン層３６を更に硬化するために約２５０℃の後硬化温度にさらされても良い。シリコーン以外の材料（例えば、粉体の形態におけるエポキシ成形化合物又は他の適切なポリマ）も使用されることができる。
【００２６】
シリコーン層３６は、射出成形を使用して形成されることもでき、ウェハ１２及び型は接触され、液体シリコーンは、入口を通って型内に圧力注入され、真空が作られる。前記型のキャビティ間の小さいチャネルによって、前記シリコーンは、全ての前記キャビティを充填することができる。次いで、前記シリコーンは、加熱により硬化され、前記型は、ウェハ１２から分離される。
【００２７】
シリコーン層３６は、後述されるようにＬＥＤのダイから均一な蛍光体層を分離するのに役立つ。
【００２８】
図５は、ウェハ１２の表面に及びシリコーン層３６に積層される予備成形された蛍光体層３８を示している。蛍光体層３８は、ウェハ１２と同じ大きさであっても良い。蛍光体層３８は、目標の色の放出を達成するために、ＹＡＧのような適切な蛍光体粉体、赤若しくは緑の蛍光体、又は蛍光体の何らかの組み合わせにより形成されることができる。蛍光体層３８を生成するために、蛍光体粉は目標の密度を達成するようにシリコーンと混合され、蛍光体層３８は、目標の厚さを有するように形成される。所望の厚さは、この混合物を平坦な表面上にスピニングする又は前記蛍光体層を成形することによって、得ることができる。
【００２９】
蛍光体層３８が硬化された後、蛍光体層３８は、青色光源を使用して蛍光体層３８を励起させ光の放出を測定することにより試験されることができる。青色ＬＥＤは、一般に僅かに異なる優性の波長を発するので、青色ＬＥＤは、サブマウントウェハ１２に取り付けられる前に試験されることができ、前記ＬＥＤは、これらの優性の波長に従ってビンに入れられる。次いで、様々な厚み又は蛍光体の密度の予備成形された蛍光体層は、得られる色の放出が全て同じ目標の白色点（又はＣＣＴ）であり得るように、特定のビンからのＬＥＤと整合される。サブマウントウェハ１２上の全てのＬＥＤダイが、同じビンからのものであり、蛍光体層３８が、当該ビンに以前整合したものである場合、色の放出は、目標のＣＣＴになるであろう。
【００３０】
一つの実施例において、蛍光体層３８は、数百のミクロンのオーダの厚さであり、高い可撓性を有する。
【００３１】
図５に示されているように、整合された蛍光体層３８が、ウェハ１２上に配され、全ての空気を除去するように、真空が蛍光体層３８とウェハ１２のとの間で引かれる。これは、シリコーン層３６及びウェハ１２を整合的に覆う。次いで、当該構造は、蛍光体層３８内のシリコーンをシリコーン層３６に付着させるように加熱される。
【００３２】
前記ＬＥＤダイ上に蛍光体を形成するよりはむしろ、予備成形された蛍光体層を積層することによって、均一の蛍光体の厚さ及び密度が保証される。均一の蛍光体シートを生成することは、非常に容易である。シリコーン層３６を使用して蛍光体層３８をＬＥＤダイ１０から離間することによって、蛍光体層３８の光子の密度は低下され、蛍光体による熱の劣化問題も生じず、シリコーン層３６の屈折率は、抽出効率を向上するように調整されることができ、蛍光体層３８の性能に影響を及ぼす型の公差も、生じない。如何なる型の位置合わせの不良も当該蛍光体層に影響を及ぼさないので、色の均一性が改善される。観察角に対する色は、青色ＬＥＤの光が全ての角度において、蛍光体層３８の等しい厚みを通過するので、一貫している。
【００３３】
予備成形された積層された蛍光体層３８の他の有利な点は、前記蛍光体層が複数の層により形成され、各層がカスタマイズされ、正確に形成されることにある。図６―１０は、ウェハ１２上に積層されることができる幾つかの多層蛍光体層を示している。好ましい実施例において、前記多層シートが、層を一緒に積層する容易さのために、予備成形され、このシートは、次いで、試験され、ウェハ１２に対する単一のシートとして積層される。代替的には、複数の層は、個々にウェハ１２上に積層されることができる。
【００３４】
図６は、覆っているＹＡＧ蛍光体層４２を備える赤色の蛍光体層４０を示している。赤蛍光体層４０は、黄緑色のＹＡＧ蛍光体が粗い白色（harsh white）を生成する傾向にあるので、より暖かい白色を生成するようにカスタマイズされる。緑色の蛍光体が、ＹＡＧの代わりに使用されることもできる。何らかの数の蛍光体層が、所望の色特性を生成するために形成されることができる。一実施例において、紫外線のＬＥＤダイが使用され、前記層のうちの１つは青色蛍光体層である。複数の蛍光体層は、別個に形成され、熱及び圧力並びに／又は真空を使用して一緒に積層されることができる。
【００３５】
図７は、上部の蛍光体層４４が、内部全反射を減少させる、又は光散乱の増大又は他の光学効果を達成するために、表面上に小さいレンズ（又は他の光学要素）を有するように成形されることができることを示している。
【００３６】
図８は、積層された層のうちの１つが、青色光は通過させるが、更に長い波長光は反射する色リフレクタ（chromatic reflector）４６であっても良いことを示している。このようにして、前記蛍光体により生成された光は、ＬＥＤダイ１０により吸収されず、常に上方へ反射される。
【００３７】
図９は、上部の蛍光体層４８は、各ＬＥＤに関して同じ目標のＣＣＴを達成するために、ウェハ１２上の個々の青色ＬＥＤダイ１０と整合するように異なる厚みを有するように成形されることができることを示している。
【００３８】
図１０は、蛍光体層４２は、着色された色フィルタ、光散乱層（例えば、ＴｉＯ２の粒子を含んでいるシリコーン）又はより他の種類の層であり得る非蛍光体光学層５０を積層されることができることを示している。
【００３９】
図１１は、ＬＥＤの上にシリコーンレンズを形成するために型６０に対して持ってこられる積層された蛍光体層３８を有するウェハ１２を示している。このことは、積層された蛍光体層３８を保護し、何らかの所望の放出パターンを生成し、前記シリコーンの屈折率及び前記レンズの形状を調整することによって、光抽出を増大させる。
【００４０】
図１１において、型６０は、半球状のレンズ６６（図１２）を形成するためにシリコーン６４を充填されるキャビティ６２を含んでいる。この成形工程は、図３に関して記載されたものと同じであり得る。レンズ６６は、側部発光レンズ又はレンズの何らかの他の種類のレンズであり得る。レンズ６６は、出力の色温度をシフトさせるために蛍光体粉（例えば、赤色蛍光体）を有することさえできる。
【００４１】
図１２は、硬化の後に型６０から取り除かれるウェハ１２を示している。
【００４２】
一実施例において、第１のシリコーン層３８は、１．４の屈折率を有しており、レンズ６６は、内部反射される青色の光子の割合を低下させるように１．５の屈折率を有する。外側のレンズ６６のための型は、光抽出効率を増大させるために粗くされた外側の表面を生成することができる。
【００４３】
予備成形された蛍光体層３８の積層を使用することにより、型の公差は、観察角に対する色又は色放出に影響を及ぼさない。同じビンからの多くのＬＥＤがウェハスケールにおいて、同時に処理され、蛍光体層３８は、大きいシートとして積層されるので、前記ＬＥＤは、目標のＣＣＴを非常に厳しい許容誤差（５０Ｋ未満）まで生成し、処理は比較的容易である。
【００４４】
次いで、サブマウントウェハ１２は、個々のＬＥＤ／サブマウントを形成するように切り離され、このようなＬＥＤは図１３に示される。蛍光体層３８が、切り離されたサブマウントのエッジまで続いていることに留意されたい。
【００４５】
本明細書において、「サブマウントウェハ」なる語は、ＬＥＤダイのアレイに対する支持体を意味することを目的としており、前記ウェハ上の電気的接触部は、前記ＬＥＤダイ上の電極に結合され、前記ウェハは、１つ以上のＬＥＤを単一のサブマウント上に形成するように後に切り離され、前記サブマウントは、電源に接続されるべき電極を有する。
【００４６】
本発明の特定の実施例を図示し説明したが、広い見地において、本発明から逸脱することなく変形及び変更がなされることができることは、当業者にとって明らかであり、従って、添付の請求項の目的は、本発明の真の精神及び範囲内にある変形及び変更を含むことにある。
【図１】
2013501372.tif 000003
【図２】
2013501372.tif 000004
【図３】
2013501372.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
2013501372.tif 000008
【図７】
2013501372.tif 000009
【図８】
2013501372.tif 000010
【図９】
2013501372.tif 000011
【図１０】
2013501372.tif 000012
【図１１】
2013501372.tif 000013
【図１２】
2013501372.tif 000014
【図１３】
2013501372.tif 000015
【国際調査報告】
2013501372.tif 000016
2013501372.tif 000017
2013501372.tif 000018