(57)【要約】チタン含有前駆体およびその合成方法を開示している。この化合物は、チタン、酸化チタン、ストロンチウム−チタン酸化物、およびチタン酸バリウムストロンチウムを含有する層を気相堆積方法たとえば化学気相堆積または原子相堆積を使用して堆積させるのに使用されうる。【選択図】    図６
2013527147.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の式を有する分子であって：
Ｔｉ（Ｒ1−Ｎ−Ｃ（Ｒ3）−Ｎ−Ｒ2）u（ＯＲ4）x（ＮＲ5Ｒ6）y（Ｏ2ＣＲ7）z  式Ｉ
または
Ｔｉ（Ｒ1−Ｎ−（Ｃ（Ｒ3）2）m−Ｎ−Ｒ2）v（ＯＲ4）x（ＮＲ5Ｒ6）y（Ｏ2ＣＲ7）z  式ＩＩ
ここで：
・Ｒ1、Ｒ2、Ｒ5、Ｒ6、およびＲ7はＨおよびＣ1−Ｃ6アルキル基からなる群より独立して選択され；
・Ｒ3＝Ｈ、Ｃ1−Ｃ6アルキル基、またはＮＭｅ2であり；
・Ｒ4はＣ1−Ｃ6アルキル基であり；
・ｍ＝２−４であり；
・ｕ＝０−２であり；
・ｖ＝０−１であり；
・ｘ＝１−３であり；
・ｙ＝０−２であり；
・ｚ＝０−１であり；
・式Ｉにおいて、ｕ＋ｘ＋ｙ＋ｚ＝４であり；
・式ＩＩにおいて、２ｖ＋ｘ＋ｙ＋ｚ＝４であり；および
・ｕ、ｖ、またはｚ≧１である
分子。
【請求項２】
前記分子はｕ＝１、ｘ＝３、ｙ＝０、およびｚ＝０である式Ｉを有する請求項１に記載の分子。
【請求項３】
前記分子は、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯｉＰｒ）3、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯＭｅ）3、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯＥｔ）3、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯｎＰｒ）3、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯｓＢｕ）3、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯｉＢｕ）3、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯｔＢｕ）3、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯＥｔ）3、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯＭｅ）3、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯｎＰｒ）3、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯｓＢｕ）3、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯｉＢｕ）3、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯｔＢｕ）3、およびＴｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（ＮＭｅ2）−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＰｒ）3からなる群より選択される請求項２に記載の分子。
【請求項４】
前記分子はｖ＝１、ｘ＝２、ｙ＝０、およびｚ＝０である式ＩＩを有する請求項１に記載の分子。
【請求項５】
前記分子は、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯｉＰｒ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯＭｅ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯＥｔ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯｎＰｒ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯｓＢｕ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯｉＢｕ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯｔＢｕ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯｉＰｒ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯＭｅ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯＥｔ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯｎＰｒ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯｓＢｕ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯｉＢｕ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯｔＢｕ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）3−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯｉＰｒ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）3−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯＭｅ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）3−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯＥｔ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）3−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯｎＰｒ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）3−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯｓＢｕ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）3−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯｉＢｕ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）3−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯｔＢｕ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）3−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯｉＰｒ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）3−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯＭｅ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）3−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯＥｔ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）3−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯｎＰｒ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）3−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯｓＢｕ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）3−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯｉＢｕ）2、およびＴｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）3−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯｔＢｕ）2からなる群より選択される請求項４に記載の分子。
【請求項６】
前記分子はｕ＝２、ｘ＝２、ｙ＝０、およびｚ＝０である式Ｉを有する請求項１に記載の分子。
【請求項７】
前記分子は、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）−Ｎ−ｉＰｒ）2（ＯｉＰｒ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）−Ｎ−ｉＰｒ）2（ＯＭｅ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）−Ｎ−ｉＰｒ）2（ＯＥｔ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）−Ｎ−ｉＰｒ）2（ＯｎＰｒ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）−Ｎ−ｉＰｒ）2（ＯｓＢｕ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）−Ｎ−ｉＰｒ）2（ＯｉＢｕ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）−Ｎ−ｉＰｒ）2（ＯｔＢｕ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）−Ｎ−Ｅｔ）2（ＯｉＰｒ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）−Ｎ−Ｅｔ）2（ＯＭｅ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）−Ｎ−Ｅｔ）2（ＯＥｔ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）−Ｎ−Ｅｔ）2（ＯｎＰｒ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）−Ｎ−Ｅｔ）2（ＯｓＢｕ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）−Ｎ−Ｅｔ）2（ＯｉＢｕ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）−Ｎ−Ｅｔ）2（ＯｔＢｕ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）2（ＯｉＰｒ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）2（ＯＭｅ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）2（ＯＥｔ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）2（ＯｎＰｒ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）2（ＯｓＢｕ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）2（ＯｉＢｕ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）2（ＯｔＢｕ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）2（ＯｉＰｒ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）2（ＯＭｅ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）2（ＯＥｔ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）2（ＯｎＰｒ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）2（ＯｓＢｕ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）2（ＯｉＢｕ）2、およびＴｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）2（ＯｔＢｕ）2からなる群より選択される請求項６に記載の分子。
【請求項８】
前記分子はｕ＝１、ｘ＝２、ｙ＝１、およびｚ＝０である式Ｉを有する請求項１に記載の分子。
【請求項９】
前記分子は、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＰｒ）2（ＮＭｅ2）、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＰｒ）2（ＮＥｔ2）、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＰｒ）2（ＮＥｔＭｅ）、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）（ＯｉＰｒ）2（ＮＭｅ2）、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）（ＯｉＰｒ）2（ＮＥｔ2）、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）（ＯｉＰｒ）2（ＮＥｔＭｅ）、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（ＮＭｅ2）−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＰｒ）2（ＮＭｅ2）、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（ＮＭｅ2）−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＰｒ）2（ＮＥｔ2）、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（ＮＭｅ2）−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＰｒ）2（ＮＥｔＭｅ）、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＰｒ）2（ＮＭｅｉＰｒ）、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＰｒ）2（ＮｉＰｒ2）、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＰｒ）2（ＮＭｅｔＢｕ）、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＰｒ）2（Ｎｎｅｏペンチル2）、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）（ＯｉＰｒ）2（ＮＭｅｉＰｒ）、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）（ＯｉＰｒ）2（ＮｉＰｒ2）、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）（ＯｉＰｒ）2（Ｎｎｅｏペンチル2）、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（ＮＭｅ2）−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＰｒ）2（ＮＭｅｉＰｒ）、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（ＮＭｅ2）−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＰｒ）2（ＮｉＰｒ2）、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（ＮＭｅ2）−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＰｒ）2（Ｎｎｅｏペンチル2）、およびＴｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（ＮＭｅ2）−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＰｒ）2（ＮＭｅｉＰｒ）からなる群より選択される請求項８に記載の分子。
【請求項１０】
前記分子はｕ＝１、ｘ＝２、ｙ＝０、およびｚ＝１である式Ｉを有する請求項１に記載の分子。
【請求項１１】
前記分子は、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＰｒ）2（Ｏ2ＣＭｅ）およびＴｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）（ＯｉＰｒ）2（Ｏ2ＣＭｅ）からなる群より選択される請求項１０に記載の分子。
【請求項１２】
前記分子はｖ＝１、ｘ＝１、ｙ＝０、およびｚ＝１である式ＩＩを有する請求項１に記載の分子。
【請求項１３】
前記分子は、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＰｒ）（Ｏ2ＣＭｅ）、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯＭｅ）（Ｏ2ＣＭｅ）、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯＥｔ）（Ｏ2ＣＭｅ）、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｎＰｒ）（Ｏ2ＣＭｅ)、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｓＢｕ）（Ｏ2ＣＭｅ）、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＢｕ）（Ｏ2ＣＭｅ）、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｔＢｕ）（Ｏ2ＣＭｅ）、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−Ｅｔ）（ＯｉＰｒ）（Ｏ2ＣＭｅ）、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−Ｅｔ）（ＯＭｅ）（Ｏ2ＣＭｅ）、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−Ｅｔ）（ＯＥｔ）（Ｏ2ＣＭｅ）、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−Ｅｔ）（ＯｎＰｒ）（Ｏ2ＣＭｅ）、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−Ｅｔ）（ＯｓＢｕ）（Ｏ2ＣＭｅ）、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−Ｅｔ）（ＯｉＢｕ）（Ｏ2ＣＭｅ）、およびＴｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−Ｅｔ）（ＯｔＢｕ）（Ｏ2ＣＭｅ）からなる群より選択される請求項１２に記載の分子。
【請求項１４】
前記分子はｕ、ｖ、ｙ＝０、ｘ＝２、およびｚ＝２である式Ｉまたは式ＩＩを有する請求項１に記載の分子。
【請求項１５】
前記分子はＴｉ（ＯｉＰｒ）2（Ｏ2ＣＭｅ）2である請求項１４に記載の分子。
【請求項１６】
前記分子はｕ、ｖ、ｙ＝０、ｘ＝３、およびｚ＝１である式Ｉまたは式ＩＩを有する請求項１に記載の分子。
【請求項１７】
前記分子はＴｉ（ＯｉＰｒ）3（Ｏ2ＣＭｅ）である請求項１６に記載の分子。
【請求項１８】
Ｔｉ含有膜を基板上に形成する方法であって、前記方法は：
少なくとも１枚の基板を中に配置した反応チャンバを用意し；
以下の式を有する少なくとも１種の蒸気を前記反応チャンバに導入し、
Ｔｉ（Ｒ1−Ｎ−Ｃ（Ｒ3）−Ｎ−Ｒ2）u（ＯＲ4）x（ＮＲ5Ｒ6）y（Ｏ2ＣＲ7）z  式Ｉ
または
Ｔｉ（Ｒ1−Ｎ−（Ｃ（Ｒ3）2）m−Ｎ−Ｒ2）v（ＯＲ4）x（ＮＲ5Ｒ6）y（Ｏ2ＣＲ7）z  式ＩＩ
ここで：
・Ｒ1、Ｒ2、Ｒ5、Ｒ6、およびＲ7はＨおよびＣ1−Ｃ6アルキル基からなる群より独立して選択され；
・Ｒ3＝Ｈ、Ｃ1−Ｃ6アルキル基、またはＮＭｅ2であり；
・Ｒ4はＣ1−Ｃ6アルキル基であり；
・ｍ＝２−４であり；
・ｕ＝０−２であり；
・ｖ＝０−１であり；
・ｘ＝１−３であり；
・ｙ＝０−２であり；
・ｚ＝０−１であり；
・式Ｉにおいて、ｕ＋ｘ＋ｙ＋ｚ＝４であり；
・式ＩＩにおいて、２ｖ＋ｘ＋ｙ＋ｚ＝４であり；および
・ｕ、ｖ、またはｚ≧１である；
気相堆積プロセスを使用して、前記蒸気を前記基板に接触させてＴｉ含有層を前記基板の少なくとも１つの表面上に形成する
ことを含む方法。
【請求項１９】
前記少なくとも１種の前駆体は、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯｉＰｒ）3、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯＭｅ）3、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯＥｔ）3、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯｎＰｒ）3、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯｓＢｕ）3、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯｉＢｕ）3、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯｔＢｕ）3、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯＥｔ）3、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯＭｅ）3、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯｎＰｒ）3、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯｓＢｕ）3、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯｉＢｕ）3、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯｔＢｕ）3、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（ＮＭｅ2）−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＰｒ）3、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯｉＰｒ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯＭｅ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯＥｔ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯｎＰｒ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯｓＢｕ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯｉＢｕ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯｔＢｕ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯｉＰｒ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯＭｅ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯＥｔ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯｎＰｒ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯｓＢｕ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯｉＢｕ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯｔＢｕ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）3−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯｉＰｒ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）3−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯＭｅ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）3−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯＥｔ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）3−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯｎＰｒ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）3−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯｓＢｕ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）3−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯｉＢｕ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）3−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯｔＢｕ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）3−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯｉＰｒ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）3−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯＭｅ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）3−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯＥｔ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）3−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯｎＰｒ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）3−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯｓＢｕ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）3−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯｉＢｕ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）3−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯｔＢｕ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）−Ｎ−ｉＰｒ）2（ＯｉＰｒ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）−Ｎ−ｉＰｒ）2（ＯＭｅ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）−Ｎ−ｉＰｒ）2（ＯＥｔ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）−Ｎ−ｉＰｒ）2（ＯｎＰｒ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）−Ｎ−ｉＰｒ）2（ＯｓＢｕ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）−Ｎ−ｉＰｒ）2（ＯｉＢｕ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）−Ｎ−ｉＰｒ）2（ＯｔＢｕ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）−Ｎ��Ｅｔ）2（ＯｉＰｒ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）−Ｎ−Ｅｔ）2（ＯＭｅ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）−Ｎ−Ｅｔ）2（ＯＥｔ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）−Ｎ−Ｅｔ）2（ＯｎＰｒ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）−Ｎ−Ｅｔ）2（ＯｓＢｕ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）−Ｎ−Ｅｔ）2（ＯｉＢｕ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）−Ｎ−Ｅｔ）2（ＯｔＢｕ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）2（ＯｉＰｒ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）2（ＯＭｅ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）2（ＯＥｔ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）2（ＯｎＰｒ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）2（ＯｓＢｕ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）2（ＯｉＢｕ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）2（ＯｔＢｕ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）2（ＯｉＰｒ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）2（ＯＭｅ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）2（ＯＥｔ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）2（ＯｎＰｒ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）2（ＯｓＢｕ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）2（ＯｉＢｕ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）2（ＯｔＢｕ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＰｒ）2（ＮＭｅ2）、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＰｒ）2（ＮＥｔ2）、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＰｒ）2（ＮＥｔＭｅ）、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）（ＯｉＰｒ）2（ＮＭｅ2）、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）（ＯｉＰｒ）2（ＮＥｔ2）、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）（ＯｉＰｒ）2（ＮＥｔＭｅ）、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（ＮＭｅ2）−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＰｒ）2（ＮＭｅ2）、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（ＮＭｅ2）−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＰｒ）2（ＮＥｔ2）、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（ＮＭｅ2）−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＰｒ）2（ＮＥｔＭｅ）、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＰｒ）2（Ｏ2ＣＭｅ）、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）（ＯｉＰｒ）2（Ｏ2ＣＭｅ）、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＰｒ）（Ｏ2ＣＭｅ）、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯＭｅ）（Ｏ2ＣＭｅ）、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯＥｔ）（Ｏ2ＣＭｅ）、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｎＰｒ）（Ｏ2ＣＭｅ)、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｓＢｕ）（Ｏ2ＣＭｅ）、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＢｕ）（Ｏ2ＣＭｅ）、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｔＢｕ）（Ｏ2ＣＭｅ）、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−Ｅｔ）（ＯｉＰｒ）（Ｏ2ＣＭｅ）、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−Ｅｔ）（ＯＭｅ）（Ｏ2ＣＭｅ）、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−Ｅｔ）（ＯＥｔ）（Ｏ2ＣＭｅ）、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−Ｅｔ）（ＯｎＰｒ）（Ｏ2ＣＭｅ）、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−Ｅｔ）（ＯｓＢｕ）（Ｏ2ＣＭｅ）、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−Ｅｔ）（ＯｉＢｕ）（Ｏ2ＣＭｅ）、およびＴｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−Ｅ���）（ＯｔＢｕ）（Ｏ2ＣＭｅ）、Ｔｉ（ＯｉＰｒ）2（Ｏ2ＣＭｅ）2、およびＴｉ（ＯｉＰｒ）3（Ｏ2ＣＭｅ）からなる群より選択される請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
Ｍ（Ｌ）2およびＭ（Ｌ）2Ａからなる群より選択される少なくとも１種の金属含有前駆体を含む第２の蒸気を前記反応チャンバに導入し、ここで：
−ＭはＳｒまたはＢａであり；
−Ｌは置換シクロペンタジエニル配位子構造Ｒ1Ｒ2Ｒ3Ｒ4Ｒ5Ｃｐまたはベータ−ジケトナート配位子構造−Ｏ−ＣＲ6−ＣＨ−ＣＲ7−Ｏ−であり；
−Ｒ1〜Ｒ5の各々はＨまたはＣ1−Ｃ6の線状もしくは分枝アルキル鎖から独立して選択され；
−Ｒ6およびＲ7の各々はＣ1−Ｃ6の線状または分枝アルキル鎖から独立して選択され；
−Ａはテトラヒドロフラン、ジメトキシエタン、ジグリム、トリグリム、およびテトラグリムからなる群より選択される中性の酸素含有分子であり；
気相堆積プロセスを使用して、前記第２の蒸気を前記基板に接触させて金属含有層を前記基板上の少なくとも１つの表面上に形成する
ことをさらに含む請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
前記金属含有前駆体は、Ｓｒ（ｉＰｒ3Ｃｐ）2、Ｓｒ（ｉＰｒ3Ｃｐ）2.ｔｈｆ、Ｓｒ（ｉＰｒ3Ｃｐ）2.ｄｍｅ、Ｓｒ（ｔＢｕ3Ｃｐ）2、Ｓｒ（ｔＢｕ3Ｃｐ）2.ｔｈｆ、Ｓｒ（ｔＢｕ3Ｃｐ）2.ｄｍｅ、Ｓｒ（ｔｈｍｄ）2、Ｓｒ（ｔｈｍｄ）2.トリグリム、Ｓｒ（ｔｈｍｄ）2.テトラグリム、Ｓｒ（Ｍｅ5Ｃｐ）2、Ｓｒ（Ｍｅ4Ｃｐ）2、Ｓｒ（Ｍｅ4ＥｔＣｐ）2、Ｓｒ（Ｍｅ4ｎＢｕＣｐ）2、Ｂａ（ｉＰｒ3Ｃｐ)2、Ｂａ（ｉＰｒ3Ｃｐ）2.ｔｈｆ、Ｂａ（ｉＰｒ3Ｃｐ）2.ｄｍｅ、Ｂａ（ｔＢｕ3Ｃｐ）2、Ｂａ（ｔＢｕ3Ｃｐ）2.ｔｈｆ、Ｂａ（ｔＢｕ3Ｃｐ）2.ｄｍｅ、Ｂａ（ｔｈｍｄ）2、Ｂａ（ｔｈｍｄ）2.トリグリム、Ｂａ（ｔｈｍｄ）2.テトラグリム、Ｂａ（Ｍｅ5Ｃｐ）2、Ｂａ（Ｍｅ4Ｃｐ）2、Ｂａ（Ｍｅ4ＥｔＣｐ）2、およびＢａ（Ｍｅ4ｎＢｕＣｐ）2からなる群より選択される請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
ＳＴＯまたはＢＳＴ膜を堆積させる方法であって、前記方法は：
少なくとも１枚の基板を中に配置した反応チャンバを用意し；
以下の式を有する前駆体を含む蒸気を前記反応チャンバにパルスで送り、
Ｔｉ（Ｒ1−Ｎ−Ｃ（Ｒ3）−Ｎ−Ｒ2）u（ＯＲ4）x（ＮＲ5Ｒ6）y（Ｏ2ＣＲ7）z  式Ｉ
または
Ｔｉ（Ｒ1−Ｎ−（Ｃ（Ｒ3）2）m−Ｎ−Ｒ2）v（ＯＲ4）x（ＮＲ5Ｒ6）y（Ｏ2ＣＲ7）z  式ＩＩ
ここで：
・Ｒ1、Ｒ2、Ｒ5、Ｒ6、およびＲ7はＨおよびＣ1−Ｃ6アルキル基からなる群より独立して選択され；
・Ｒ3＝Ｈ、Ｃ1−Ｃ6アルキル基、またはＮＭｅ2であり；
・Ｒ4はＣ1−Ｃ6アルキル基であり；
・ｍ＝２−４であり；
・ｕ＝０−２であり；
・ｖ＝０−１であり；
・ｘ＝１−３であり；
・ｙ＝０−２であり；
・ｚ＝０−１であり；
・式Ｉにおいて、ｕ＋ｘ＋ｙ＋ｚ＝４であり；
・式ＩＩにおいて、２ｖ＋ｘ＋ｙ＋ｚ＝４であり；および
・ｕ、ｖ、またはｚ≧１であり；
酸素供給源を前記反応チャンバにパルスで送り；
Ｍ（Ｌ）2およびＭ（Ｌ）2Ａからなる群より選択される金属含有前駆体を前記反応チャンバにパルスで送り、ここで：
−ＭはＳｒまたはＢａであり；
−Ｌは置換シクロペンタジエニル配位子構造Ｒ1Ｒ2Ｒ3Ｒ4Ｒ5Ｃｐまたはベータ−ジケトナート配位子構造−Ｏ−ＣＲ6−ＣＨ−ＣＲ7−Ｏ−であり；
−Ｒ1〜Ｒ5の各々はＨまたはＣ1−Ｃ6の線状もしくは分枝アルキル鎖から独立して選択され；
−Ｒ6およびＲ7の各々はＣ1−Ｃ6の線状または分枝アルキル鎖から独立して選択され；
−Ａはテトラヒドロフラン、ジメトキシエタン、ジグリム、トリグリム、およびテトラグリムからなる群より選択される中性の酸素含有分子であり；
第２の酸素供給源を前記反応チャンバにパルスで送り；
前記ＳＴＯまたはＢＳＴ膜におけるＭ：Ｔｉの化学量論比を、前記前駆体および前記金属含有前駆体のパルス工程の数を変更することによって制御する
ことを含む方法。
【請求項２３】
前記前駆体は、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯｉＰｒ）3、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯＭｅ）3、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯＥｔ）3、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯｎＰｒ）3、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯｓＢｕ）3、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯｉＢｕ）3、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯｔＢｕ）3、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯＥｔ）3、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯＭｅ）3、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯｎＰｒ）3、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯｓＢｕ）3、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯｉＢｕ）3、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯｔＢｕ）3、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（ＮＭｅ2）−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＰｒ）3、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯｉＰｒ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯＭｅ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯＥｔ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯｎＰｒ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯｓＢｕ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯｉＢｕ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯｔＢｕ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯｉＰｒ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯＭｅ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯＥｔ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯｎＰｒ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯｓＢｕ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯｉＢｕ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯｔＢｕ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）3−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯｉＰｒ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）3−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯＭｅ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）3−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯＥｔ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）3−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯｎＰｒ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）3−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯｓＢｕ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）3−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯｉＢｕ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）3−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯｔＢｕ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）3−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯｉＰｒ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）3−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯＭｅ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）3−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯＥｔ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）3−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯｎＰｒ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）3−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯｓＢｕ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）3−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯｉＢｕ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）3−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯｔＢｕ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）−Ｎ−ｉＰｒ）2（ＯｉＰｒ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）−Ｎ−ｉＰｒ）2（ＯＭｅ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）−Ｎ−ｉＰｒ）2（ＯＥｔ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）−Ｎ−ｉＰｒ）2（ＯｎＰｒ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）−Ｎ−ｉＰｒ）2（ＯｓＢｕ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）−Ｎ−ｉＰｒ）2（ＯｉＢｕ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）−Ｎ−ｉＰｒ）2（ＯｔＢｕ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）−Ｎ−Ｅｔ）2（ＯｉＰ���）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）−Ｎ−Ｅｔ）2（ＯＭｅ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）−Ｎ−Ｅｔ）2（ＯＥｔ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）−Ｎ−Ｅｔ）2（ＯｎＰｒ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）−Ｎ−Ｅｔ）2（ＯｓＢｕ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）−Ｎ−Ｅｔ）2（ＯｉＢｕ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）−Ｎ−Ｅｔ）2（ＯｔＢｕ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）2（ＯｉＰｒ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）2（ＯＭｅ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）2（ＯＥｔ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）2（ＯｎＰｒ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）2（ＯｓＢｕ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）2（ＯｉＢｕ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）2（ＯｔＢｕ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）2（ＯｉＰｒ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）2（ＯＭｅ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）2（ＯＥｔ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）2（ＯｎＰｒ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）2（ＯｓＢｕ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）2（ＯｉＢｕ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）2（ＯｔＢｕ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＰｒ）2（ＮＭｅ2）、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＰｒ）2（ＮＥｔ2）、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＰｒ）2（ＮＥｔＭｅ）、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）（ＯｉＰｒ）2（ＮＭｅ2）、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）（ＯｉＰｒ）2（ＮＥｔ2）、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）（ＯｉＰｒ）2（ＮＥｔＭｅ）、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（ＮＭｅ2）−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＰｒ）2（ＮＭｅ2）、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（ＮＭｅ2）−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＰｒ）2（ＮＥｔ2）、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（ＮＭｅ2）−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＰｒ）2（ＮＥｔＭｅ）、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＰｒ）2（Ｏ2ＣＭｅ）、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）（ＯｉＰｒ）2（Ｏ2ＣＭｅ）、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＰｒ）（Ｏ2ＣＭｅ）、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯＭｅ）（Ｏ2ＣＭｅ）、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯＥｔ）（Ｏ2ＣＭｅ）、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｎＰｒ）（Ｏ2ＣＭｅ)、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｓＢｕ）（Ｏ2ＣＭｅ）、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＢｕ）（Ｏ2ＣＭｅ）、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｔＢｕ）（Ｏ2ＣＭｅ）、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−Ｅｔ）（ＯｉＰｒ）（Ｏ2ＣＭｅ）、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−Ｅｔ）（ＯＭｅ）（Ｏ2ＣＭｅ）、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−Ｅｔ）（ＯＥｔ）（Ｏ2ＣＭｅ）、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−Ｅｔ）（ＯｎＰｒ）（Ｏ2ＣＭｅ）、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−Ｅｔ）（ＯｓＢｕ）（Ｏ2ＣＭｅ）、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−Ｅｔ）（ＯｉＢｕ）（Ｏ2ＣＭｅ）、およびＴｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−Ｅｔ）（ＯｔＢｕ）���Ｏ2ＣＭｅ）、Ｔｉ（ＯｉＰｒ）2（Ｏ2ＣＭｅ）2、およびＴｉ（ＯｉＰｒ）3（Ｏ2ＣＭｅ）からなる群より選択される請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
前記金属含有前駆体は、Ｓｒ（ｉＰｒ3Ｃｐ）2、Ｓｒ（ｉＰｒ3Ｃｐ）2.ｔｈｆ、Ｓｒ（ｉＰｒ3Ｃｐ）2.ｄｍｅ、Ｓｒ（ｔＢｕ3Ｃｐ）2、Ｓｒ（ｔＢｕ3Ｃｐ）2.ｔｈｆ、Ｓｒ（ｔＢｕ3Ｃｐ）2.ｄｍｅ、Ｓｒ（ｔｈｍｄ）2、Ｓｒ（ｔｈｍｄ）2.トリグリム、Ｓｒ（ｔｈｍｄ）2.テトラグリム、Ｓｒ（Ｍｅ5Ｃｐ）2、Ｓｒ（Ｍｅ4Ｃｐ）2、Ｓｒ（Ｍｅ4ＥｔＣｐ）2、Ｓｒ（Ｍｅ4ｎＢｕＣｐ）2、Ｂａ（ｉＰｒ3Ｃｐ)2、Ｂａ（ｉＰｒ3Ｃｐ）2.ｔｈｆ、Ｂａ（ｉＰｒ3Ｃｐ）2.ｄｍｅ、Ｂａ（ｔＢｕ3Ｃｐ）2、Ｂａ（ｔＢｕ3Ｃｐ）2.ｔｈｆ、Ｂａ（ｔＢｕ3Ｃｐ）2.ｄｍｅ、Ｂａ（ｔｈｍｄ）2、Ｂａ（ｔｈｍｄ）2.トリグリム、Ｂａ（ｔｈｍｄ）2.テトラグリム、Ｂａ（Ｍｅ5Ｃｐ）2、Ｂａ（Ｍｅ4Ｃｐ）2、Ｂａ（Ｍｅ4ＥｔＣｐ）2、およびＢａ（Ｍｅ4ｎＢｕＣｐ）2からなる群より選択される請求項２２に記載の方法。
【請求項２５】
前記酸素供給源および前記第２の酸素供給源は水である請求項２２に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【発明の概要】
【０００１】
関連出願の相互参照
本願は、２０１０年４月７日に出願した仮出願第61/321,763号に対する利益を米国特許法第119条(e)の定めにより主張する、２０１０年１２月３０日に出願した先の出願第12/981,872の一部継続出願であり、これら両方の全内容は参照により本明細書に組み込まれている。
【０００２】
技術分野
チタン含有前駆体、その合成方法、および気相堆積プロセスを使用してチタン含有層を堆積させるためのその使用方法を開示する。
【０００３】
背景
半導体産業が直面する重大な課題のうちの１つはＤＲＡＭおよびコンデンサー用の新たなゲート絶縁材料を開発することである。何十年もの間、二酸化珪素（ＳｉＯ2）が信頼のおける絶縁体であったが、トランジスタが小さくなり続け技術が「フルＳｉ」トランジスタから「金属ゲート／ハイｋ」トランジスタに移ったために、ＳｉＯ2ベースのゲート絶縁体の信頼性はその物理的限界に達している。新たな高比誘電率材料およびプロセスのニーズが高まっており、現行の技術に合った大きさが小さくなるにつれますます重要になってきている。
【０００４】
ＴｉＯ2のような標準的な絶縁材料、またはチタン酸ストロンチウム、たとえばＳｒＴｉＯ3もしくはＳｒ2ＴｉＯ4、もしくはチタン酸バリウムストロンチウムと呼ばれるアルカリ土類金属を含有する新たな絶縁材料は、従来の絶縁材料に比べて静電容量の点で大きな利点を提供する。また、これらの新たな絶縁材料はいくつかの薄膜用途、たとえば電子機器用の高比誘電率材料、反射防止オプティカルコーティング、生体適合膜、光触媒、および太陽電池などのための魅力的な候補である。（H. A. Durandら、Appl. Surf. Sci. 86, 122 (1995年)；C.-W. Wangら、J. Appl. Phys. 91, 9198 (2002年)；M. Keshmiriら、J. Non-Cryst. Solids 324, 289 (2003年)；T. Inoueら、Nature (London) 277,637 (1979年)；H. Kimら、Appl. Phys. Lett. 85, 64 (2004年)）。
【０００５】
加えて、ＴｉＯ2は、絶縁用途および強誘電用途のためのいくつかの重要な多種金属酸化物系、たとえばチタン酸ストロンチウム（ＳＴＯ）、チタン酸バリウムストロンチウム（ＢＳＴ）、およびチタン酸鉛ジルコニウム（ＰＺＴ）などの一成分でもある（P. Alluriら、Integr. Ferroelectr., 21, 305 (1998年)；J.F. Scottら、Science 246, 1400 (1989)）。
【０００６】
それにもかかわらず、Ｔｉ含有層の堆積は難しく、新たな材料およびプロセスが必要とされている。たとえば、原子層堆積，ＡＬＤ，は超小型電子技術製造のための重要な薄膜成長技術であると確認されており、不活性ガスパージで分けられて交互に適用される前駆体の逐次的な飽和表面反応に基づいている。しばしば、酸素供給源たとえばオゾンまたは水がこの堆積方法で使用される。ＡＬＤの表面制御の性質は、正確な厚さ制御と共に高い共形性および均一性の薄膜の成長を可能にする。
【０００７】
ＳＴＯのＡＬＤ堆積では、市販のＳｒ前駆体がＯ3との優れた反応性と許容できる水との反応性とを示す。しかしながら、酸化剤としてのオゾンの使用は、ＳＴＯ膜を高温で堆積させる場合、所望されない結果を下地層、たとえばＴｉＮまたはストロンチウムルテニウム酸化物（ＳＲＯ）などにもたらすことがある。それはＴｉＮ層を酸化させうるか、またはＲｕをＳＲＯ層から部分的にエッチングすることがある。
【０００８】
Ｔｉ化合物の原子層堆積（ＡＬＤ）が開示されてきたが、これらの金属前駆体は、特に水との反応性に乏しく、安定性が低くてしばしば低い基板温度と膜を成長させるための強酸化剤とを必要とし、この膜はしばしば炭素または窒素で汚染される。
【０００９】
Air Liquidは、標準的なホモレプティックなＴｉ分子のほとんどが限られたＡＬＤプロセス温度ウィンドウを有するかまたは堆積しないことを発表した（R. Katamreddy, V. Omarjee, B. Feist, C. Dussarrat, ECS conference 2008）。たとえば、水のＡＬＤプロセスでは、Ｔｉ分子チタンテトラキス（イソプロポキシド）（ＴＴＩＰ）、テトラキス（ジメチルアミノ）チタン（ＴＤＭＡＴ）、テトラキス（ジエチルアミノ）チタン（ＴＤＥＡＴ）、およびテトラキス（エチルメチルアミノ）チタン（ＴＥＭＡＴ）は、０．６Å／サイクル未満の堆積速度および２５０℃を超えないプロセスウィンドを有していた（同じ情報源）。
【００１０】
より高いプロセス温度でのより高い熱安定性を有する新たなＴｉ前駆体が必要とされている。非常に高い比誘電率を有する（好ましくはｋ≧５０を有する）高品質のＴｉＯ2（ドープされているまたはドープされていない）およびＳＴＯ膜を作るには、高温プロセスが望ましい。緻密であり円柱状の多結晶微細構造と小さな平均粒径（３０ｎｍ）とを有するＳＴＯ膜が、高いｋ値で低い漏れ電流を得るために必要とされる（C.S. Hwang, S.O. Park, C.S. Kang, H. Cho, H. Kang, S . Ahn, and .Y. Lee, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 , 34, 5178 1995年）。
【００１１】
ZhangらはＴｉ（Ｃｙ−ＮＣ（ＮｉＰｒ2）Ｎ−Ｃｙ）2（ＯｎＢｕ）2の予想外の合成を開示している。Chinese Science Bulletin (2005年), 50(24), 2817-2820。ChenらはＴｉ（ＯｎＢｕ）2（Ｏ２ＣＭｅ）2の合成を開示している。Huaxue Xuebao (2003年), 61(10), 1592-1596。これらの化合物の使用は開示されなかった。
【００１２】
米国特許出願公開第2005/277223号は式Ｍ（Ｌ１）x（Ｌ２）yを有する金属含有前駆体を使用して金属酸化物を形成するＡＬＤ法を開示している（ここで、Ｍは金属であり、Ｌ１およびＬ２はハロゲン化物、ジケトナート、アルコキシド、アミノ、アルコキシアミン、アミジナート、または多座配位子でありうる）。しかしながら、例示的前駆体は、Ｈｆ（ＯｔＢｕ）2（ＮＥｔＭｅ）2、Ｈｆ（ＯｔＢｕ）2（ＮＥｔ2）2、Ｈｆ（ＮＥｔ2）2（ＤＭＡＭＰ）2、Ｈｆ（ＮＥｔＭｅ）2（ＤＭＡＭＰ）2、Ｔｉ（ＯｔＢｕ）3Ｃｌ、Ｔｉ（ＯｔＢｕ）3Ｍｅ、Ｔｉ（ＯｔＢｕ）2（ＮＥｔ2）2、Ｔｉ（ＮＥｔ2）2（ＤＭＡＭＰ）2、Ｔｉ（ＯｔＢｕ）2（ＤＭＡＭＰ）2、およびＴｉＣｌ2（ＤＭＡＭＰ）2のみである。
【００１３】
他の供給源およびＴｉ材料を組み込む方法が、集積回路機器の新素材のために探求されている。新たな前駆体が必要とされている。
【００１４】
概要
開示しているのは以下の式を有する分子である：
Ｔｉ（Ｒ1−Ｎ−Ｃ（Ｒ3）−Ｎ−Ｒ2）u（ＯＲ4）x（ＮＲ5Ｒ6）y（Ｏ2ＣＲ7）z  式Ｉ
または
Ｔｉ（Ｒ1−Ｎ−（Ｃ（Ｒ3）2）m−Ｎ−Ｒ2）v（ＯＲ4）x（ＮＲ5Ｒ6）y（Ｏ2ＣＲ7）z  式ＩＩ
ここで：
・Ｒ1、Ｒ2、Ｒ5、Ｒ6、およびＲ7はＨおよびＣ1−Ｃ6アルキル基からなる群より独立して選択され；
・Ｒ3＝Ｈ、Ｃ1−Ｃ6アルキル基、またはＮＭｅ2であり；
・Ｒ4はＣ1−Ｃ6アルキル基であり；
・ｍ＝２−４であり；
・ｕ＝０−２であり；
・ｖ＝０−１であり；
・ｘ＝１−３であり；
・ｙ＝０−２であり；
・ｚ＝０−１であり；
・式Ｉにおいて、ｕ＋ｘ＋ｙ＋ｚ＝４であり；
・式ＩＩにおいて、２ｖ＋ｘ＋ｙ＋ｚ＝４であり；および
・ｕ、ｖ、またはｚ≧１である。
【００１５】
開示する分子は以下の態様のうち１つ以上をさらに含むことができる：
・分子はｕ＝１、ｘ＝３、ｙ＝０、およびｚ＝０である式Ｉを有する；
・分子は、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯｉＰｒ）3、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯＭｅ）3、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯＥｔ）3、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯｎＰｒ）3、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯｓＢｕ）3、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯｉＢｕ）3、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯｔＢｕ）3、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯＥｔ）3、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯＭｅ）3、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯｎＰｒ）3、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯｓＢｕ）3、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯｉＢｕ）3、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯｔＢｕ）3、およびＴｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（ＮＭｅ2）−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＰｒ）3からなる群より選択される；
・分子は、ｖ＝１、ｘ＝２、ｙ＝０、およびｚ＝０である式ＩＩを有する；
・分子は、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯｉＰｒ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯＭｅ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯＥｔ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯｎＰｒ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯｓＢｕ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯｉＢｕ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯｔＢｕ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯｉＰｒ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯＭｅ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯＥｔ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯｎＰｒ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯｓＢｕ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯｉＢｕ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯｔＢｕ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）3−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯｉＰｒ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）3−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯＭｅ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）3−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯＥｔ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）3−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯｎＰｒ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）3−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯｓＢｕ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）3−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯｉＢｕ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）3−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯｔＢｕ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）3−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯｉＰｒ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）3−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯＭｅ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）3−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯＥｔ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）3−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯｎＰｒ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）3−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯｓＢｕ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）3−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯｉＢｕ）2、およびＴｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）3−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯｔＢｕ）2からなる群より選択される；
・分子は、ｕ＝２、ｘ＝２、ｙ＝０、およびｚ＝０である式Ｉを有する；
・分子は、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）−Ｎ−ｉＰｒ）2（ＯｉＰｒ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）−Ｎ−ｉＰｒ）2（ＯＭｅ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）−Ｎ−ｉＰｒ）2（ＯＥｔ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）−Ｎ−ｉＰｒ）2（ＯｎＰｒ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）−Ｎ−ｉＰｒ）2（ＯｓＢｕ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）−Ｎ−ｉＰｒ）2（ＯｉＢｕ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）−Ｎ−ｉＰｒ）2（ＯｔＢｕ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）−Ｎ−Ｅｔ）2（ＯｉＰｒ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）−Ｎ−Ｅｔ）2（ＯＭｅ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）−Ｎ−Ｅｔ）2（ＯＥｔ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）−Ｎ−Ｅｔ）2（ＯｎＰｒ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）−Ｎ−Ｅｔ）2（ＯｓＢｕ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）−Ｎ−Ｅｔ）2（ＯｉＢｕ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）−Ｎ−Ｅｔ）2（ＯｔＢｕ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）2（ＯｉＰｒ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）2（ＯＭｅ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）2（ＯＥｔ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）2（ＯｎＰｒ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）2（ＯｓＢｕ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）2（ＯｉＢｕ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）2（ＯｔＢｕ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）2（ＯｉＰｒ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）2（ＯＭｅ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）2（ＯＥｔ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）2（ＯｎＰｒ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）2（ＯｓＢｕ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）2（ＯｉＢｕ）2、およびＴｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）2（ＯｔＢｕ）2からなる群より選択される；
・分子は、ｕ＝１、ｘ＝２、ｙ＝１、およびｚ＝０である式Ｉを有する；
・分子は、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＰｒ）2（ＮＭｅ2）、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＰｒ）2（ＮＥｔ2）、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＰｒ）2（ＮＥｔＭｅ）、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）（ＯｉＰｒ）2（ＮＭｅ2）、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）（ＯｉＰｒ）2（ＮＥｔ2）、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）（ＯｉＰｒ）2（ＮＥｔＭｅ）、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（ＮＭｅ2）−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＰｒ）2（ＮＭｅ2）、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（ＮＭｅ2）−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＰｒ）2（ＮＥｔ2）、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（ＮＭｅ2）−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＰｒ）2（ＮＥｔＭｅ）、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＰｒ）2（ＮＭｅｉＰｒ）、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＰｒ）2（ＮｉＰｒ2）、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＰｒ）2（ＮＭｅｔＢｕ）、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＰｒ）2（Ｎｎｅｏペンチル2）、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）（ＯｉＰｒ）2（ＮＭｅｉＰｒ）、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）（ＯｉＰｒ）2（ＮｉＰｒ2）、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）（ＯｉＰｒ）2（Ｎｎｅｏペンチル2）、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（ＮＭｅ2）−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＰｒ）2（ＮＭｅｉＰｒ）、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（ＮＭｅ2）−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＰｒ）2（ＮｉＰｒ2）、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（ＮＭｅ2）−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＰｒ）2（Ｎｎｅｏペンチル2）、およびＴｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（ＮＭｅ2）−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＰｒ）2（ＮＭｅｉＰｒ）からなる群より選択される；
・分子は、ｕ＝１、ｘ＝２、ｙ＝０、およびｚ＝１である式Ｉを有する；
・分子は、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＰｒ）2（Ｏ2ＣＭｅ）およびＴｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）（ＯｉＰｒ）2（Ｏ2ＣＭｅ）からなる群より選択される；
・分子は、ｖ＝１、ｘ＝１、ｙ＝０、およびｚ＝１である式ＩＩを有する；
・分子は、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＰｒ）（Ｏ2ＣＭｅ）、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯＭｅ）（Ｏ2ＣＭｅ）、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯＥｔ）（Ｏ2ＣＭｅ）、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｎＰｒ）（Ｏ2ＣＭｅ)、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｓＢｕ）（Ｏ2ＣＭｅ）、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＢｕ）（Ｏ2ＣＭｅ）、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｔＢｕ）（Ｏ2ＣＭｅ）、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−Ｅｔ）（ＯｉＰｒ）（Ｏ2ＣＭｅ）、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−Ｅｔ）（ＯＭｅ）（Ｏ2ＣＭｅ）、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−Ｅｔ）（ＯＥｔ）（Ｏ2ＣＭｅ）、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−Ｅｔ）（ＯｎＰｒ）（Ｏ2ＣＭｅ）、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−Ｅｔ）（ＯｓＢｕ）（Ｏ2ＣＭｅ）、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−Ｅｔ）（ＯｉＢｕ）（Ｏ2ＣＭｅ）、およびＴｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−Ｅｔ）（ＯｔＢｕ）（Ｏ2ＣＭｅ）からなる群より選択される；
・分子は、ｕ、ｖ、ｙ＝０、ｘ＝２、およびｚ＝２である式Ｉまたは式ＩＩを有する；
・分子はＴｉ（ＯｉＰｒ）2（Ｏ2ＣＭｅ）2である；
・分子は、ｕ、ｖ、ｙ＝０、ｘ＝３、およびｚ＝１である式Ｉまたは式ＩＩを有する；および
・分子はＴｉ（ＯｉＰｒ）3（Ｏ2ＣＭｅ）である。
【００１６】
また、Ｔｉ含有層を基板上に形成する方法を開示する。少なくとも１枚の基板を中に配置した反応チャンバを用意する。上に開示した分子の少なくとも１種の蒸気を反応チャンバに導入する。気相堆積プロセスを使用して、蒸気を基板に接触させてＴｉ含有層を基板の少なくとも１つの表面上に形成する。開示する方法は以下の態様のうちの１つ以上をさらに含むことができる：
・反応チャンバに少なくとも１種の金属含有前駆体を含む第２の蒸気を導入すること、および気相堆積プロセスを使用して、この第２の蒸気を基板に接触させて金属含有層を基板上の少なくとも１つの表面上に形成することであって、金属含有前駆体はＭ（Ｌ）2およびＭ（Ｌ）2Ａからなる群より選択される（ここで：
−ＭはＳｒまたはＢａであり；
−Ｌは置換シクロペンタジエニル配位子構造Ｒ1Ｒ2Ｒ3Ｒ4Ｒ5Ｃｐまたはベータ−ジケトナート配位子構造−Ｏ−ＣＲ6−ＣＨ−ＣＲ7−Ｏ−であり；
−Ｒ1〜Ｒ5の各々はＨまたはＣ1−Ｃ6の線状もしくは分枝アルキル鎖から独立して選択され；
−Ｒ6およびＲ7の各々はＣ1−Ｃ6の線状または分枝アルキル鎖から独立して選択され；
−Ａはテトラヒドロフラン、ジメトキシエタン、ジグリム、トリグリム、およびテトラグリムからなる群より選択される中性の酸素含有分子である）；および
・金属含有前駆体は、Ｓｒ（ｉＰｒ3Ｃｐ）2、Ｓｒ（ｉＰｒ3Ｃｐ）2.ｔｈｆ、Ｓｒ（ｉＰｒ3Ｃｐ）2.ｄｍｅ、Ｓｒ（ｔＢｕ3Ｃｐ）2、Ｓｒ（ｔＢｕ3Ｃｐ）2.ｔｈｆ、Ｓｒ（ｔＢｕ3Ｃｐ）2.ｄｍｅ、Ｓｒ（ｔｈｍｄ）2、Ｓｒ（ｔｈｍｄ）2.トリグリム、Ｓｒ（ｔｈｍｄ）2.テトラグリム、Ｓｒ（Ｍｅ5Ｃｐ）2、Ｓｒ（Ｍｅ4Ｃｐ）2、Ｓｒ（Ｍｅ4ＥｔＣｐ）2、Ｓｒ（Ｍｅ4ｎＢｕＣｐ）2、Ｂａ（ｉＰｒ3Ｃｐ)2、Ｂａ（ｉＰｒ3Ｃｐ）2.ｔｈｆ、Ｂａ（ｉＰｒ3Ｃｐ）2.ｄｍｅ、Ｂａ（ｔＢｕ3Ｃｐ）2、Ｂａ（ｔＢｕ3Ｃｐ）2.ｔｈｆ、Ｂａ（ｔＢｕ3Ｃｐ）2.ｄｍｅ、Ｂａ（ｔｈｍｄ）2、Ｂａ（ｔｈｍｄ）2.トリグリム、Ｂａ（ｔｈｍｄ）2.テトラグリム、Ｂａ（Ｍｅ5Ｃｐ）2、Ｂａ（Ｍｅ4Ｃｐ）2、Ｂａ（Ｍｅ4ＥｔＣｐ）2、およびＢａ（Ｍｅ4ｎＢｕＣｐ）2からなる群より選択される。
【００１７】
また、ＳＴＯまたはＢＳＴ膜を堆積させる方法を開示する。少なくとも１枚の基板を中に配置したＡＬＤ反応チャンバを用意する。上に開示した化合物の少なくとも１種を反応チャンバにパルスで送る。酸素供給源を反応チャンバにパルスで送る。金属含有前駆体を反応チャンバにパルスで送る。金属含有前駆体はＭ（Ｌ）2およびＭ（Ｌ）2Ａからなる群より選択される（ここで：
−ＭはＳｒまたはＢａであり；
−Ｌは置換シクロペンタジエニル配位子構造Ｒ1Ｒ2Ｒ3Ｒ4Ｒ5Ｃｐまたはベータ−ジケトナート配位子構造−Ｏ−ＣＲ6−ＣＨ−ＣＲ7−Ｏ−であり；
−Ｒ1〜Ｒ5の各々はＨまたはＣ1−Ｃ6の線状もしくは分枝アルキル鎖から独立して選択され；
−Ｒ6およびＲ7の各々はＣ1−Ｃ6の線状または分枝アルキル鎖から独立して選択され；
−Ａはテトラヒドロフラン、ジメトキシエタン、ジグリム、トリグリム、およびテトラグリムからなる群より選択される中性の酸素含有分子である）。
【００１８】
第２の酸素供給源を反応チャンバにパルスで送る。ＳＴＯまたはＢＳＴ膜におけるＭ：Ｔｉの化学量論比は、前駆体および金属含有前駆体のパルス工程の数を変更することによって制御する。開示する方法は以下の態様のうちの１つ以上をさらに含むことができる：
・金属含有前駆体は、Ｓｒ（ｉＰｒ3Ｃｐ）2、Ｓｒ（ｉＰｒ3Ｃｐ）2.ｔｈｆ、Ｓｒ（ｉＰｒ3Ｃｐ）2.ｄｍｅ、Ｓｒ（ｔＢｕ3Ｃｐ）2、Ｓｒ（ｔＢｕ3Ｃｐ）2.ｔｈｆ、Ｓｒ（ｔＢｕ3Ｃｐ）2.ｄｍｅ、Ｓｒ（ｔｈｍｄ）2、Ｓｒ（ｔｈｍｄ）2.トリグリム、Ｓｒ（ｔｈｍｄ）2.テトラグリム、Ｓｒ（Ｍｅ5Ｃｐ）2、Ｓｒ（Ｍｅ4Ｃｐ）2、Ｓｒ（Ｍｅ4ＥｔＣｐ）2、Ｓｒ（Ｍｅ4ｎＢｕＣｐ）2、Ｂａ（ｉＰｒ3Ｃｐ)2、Ｂａ（ｉＰｒ3Ｃｐ）2.ｔｈｆ、Ｂａ（ｉＰｒ3Ｃｐ）2.ｄｍｅ、Ｂａ（ｔＢｕ3Ｃｐ）2、Ｂａ（ｔＢｕ3Ｃｐ）2.ｔｈｆ、Ｂａ（ｔＢｕ3Ｃｐ）2.ｄｍｅ、Ｂａ（ｔｈｍｄ）2、Ｂａ（ｔｈｍｄ）2.トリグリム、Ｂａ（ｔｈｍｄ）2.テトラグリム、Ｂａ（Ｍｅ5Ｃｐ）2、Ｂａ（Ｍｅ4Ｃｐ）2、Ｂａ（Ｍｅ4ＥｔＣｐ）2、およびＢａ（Ｍｅ4ｎＢｕＣｐ）2からなる群より選択される；および
・酸素供給源および第２の酸素供給源は水である。
【００１９】
表記法および命名法
以下の説明および特許請求の範囲を通じていくつかの略語、記号、および用語を使用しており、以下が挙げられる：略語「ＳＴＯ」はチタン酸ストロンチウムを表し；略語「ＢＳＴ」はチタン酸バリウムストロンチウムを表し；略語「ＰＺＴ」はチタン酸鉛ジルコニウムを表し；略語「Ｒ1−ＮＣ（Ｒ3）Ｎ−Ｒ2」は以下の化学構造を表し：
【化１】
2013527147.tif 000003
【００２０】
略語「Ｒ1−Ｎ（Ｃ（Ｒ3）2）m−Ｒ2」は以下の化学構造を表し：
【化２】
2013527147.tif 000004
【００２１】
略語「Ｏ2ＣＲ7」は以下の化学構造を表し：
【化３】
2013527147.tif 000005
【００２２】
略語「Ｃｙ」はシクロヘキシルを表し；略語「Ｃｐ」はシクロペンタジエンを表し；用語「脂肪族基」はＣ1−Ｃ6の線状または分枝鎖のアルキル基を表し；用語「アルキル基」は炭素原子および水素原子のみを含む飽和官能基を表し、線状、分枝、または環式のアルキル基が挙げられる。線状アルキル基の例としては、限定されないが、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基などが挙げられる。分枝アルキル基の例としては、限定されないが、ｔ−ブチル基が挙げられる。環式アルキル基の例としては、限定されないが、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などが挙げられる。略語「Ｍｅ」はメチル基を表し；略語「Ｅｔ」はエチル基を表し；略語「Ｐｒ」はプロピル基を表し；略語「ｉＰｒ」はイソプロピル基を表し；略語「ｉＢｕ」はイソブチル基を表し；略語「ｎＢｕ」はｎ−ブチル基を表し；略語「ｓＢｕ」はｓｅｃ−ブチル基を表し；略語「ｔＢｕ」は三級ブチル基を表し；略語「ｎｅｏ−ペンチル」は−ＣＨ2ＣＭｅ3を表し；略語「Ｎz−ａｍｄ」はＲ1−ＮＣ（Ｒ3）Ｎ−Ｒ2（ここでＲ3はＣ1−Ｃ6アルキル基であり、Ｒ1およびＲ2は、Ｍｅ、Ｅｔ、Ｐｒ、ｉＰｒ、ｎＢｕ、ｉＢｕ、ｓＢｕ、またはｔＢｕと定義されるＺである）を表し、たとえばＮMe−ａｍｄはＭｅ−ＮＣ（Ｍｅ）Ｎ−Ｍｅであり；略語「Ｎz−ｆｍｄ」はＲ1−ＮＣ（Ｒ3）Ｎ−Ｒ2（ここでＲ3はＨであり、Ｒ1およびＲ2は、Ｍｅ、Ｅｔ、Ｐｒ、ｉＰｒ、またはｔＢｕと定義されるＺである）を表し；略語「Ｎz−ｇｍｄ」はＲ1−ＮＣ（Ｒ3）Ｎ−Ｒ2（ここでＲ3はＮＲ5Ｒ6であり、Ｒ5およびＲ6はＨまたはＣ1−Ｃ6アルキル基であり、Ｒ1およびＲ2は、Ｍｅ、Ｅｔ、Ｐｒ、ｉＰｒ、ｎＢｕ、ｉＢｕ、ｓＢｕ、またはｔＢｕと定義されるＺである）を表し；略語「ＴＨＦ」はテトラヒドロフランを表し；略語「ＴＭＡ」はトリメチルアルミニウムを表し；略語「ＡＬＤ」は原子層堆積を表し；略語「ＣＶＤ」は化学気相堆積を表し；略語「ＬＰＣＶＤ」は低圧化学気相堆積を表し；略語「Ｐ−ＣＶＤ」はパルス化学気相堆積を表し；略語「ＰＥ−ＡＬＤ」はプラズマ強化原子層堆積を表し；略語「ＭＩＭ」は金属−絶縁体−金属（半導体で使用される構造）を表し；略語「ＤＲＡＭ」はダイナミックランダムアクセスメモリを表し；略語「ＦｅＲＡＭ」は強誘電体ランダムアクセスメモリを表し；略語「ＣＭＯＳ」は相補形金属酸化膜半導体を表し；略語「ＴＧＡ」は熱重量分析を表す。
【００２３】
ここでは、元素の周期表からの元素の標準的な略語を使用している。元素をこれらの略語で表すことがあることを理解されたい（たとえば、Ｔｉはチタンを表し、Ｂａはバリウムを表す、など）。
【００２４】
本発明の性質および対象をさらに理解するために、以下の詳細な説明を添付の図面と組み合わせて理解されたい。図面では、同様の部材に同じまたは類似の参照番号を付している。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】図１は、Ｔｉ（ＮiPr−ａｍｄ）（ＯｉＰｒ）3についての、温度変化に伴う質量減少の割合を示す熱重量分析（ＴＧＡ）のグラフである。
【図２】図２はＴｉ（ＮiPr−ａｍｄ）2（ＯｉＰｒ）2についてのＴＧＡのグラフである。
【図３】図３はＴｉ（ＮiPr−ｆｍｄ）2（ＯｉＰｒ）2についてのＴＧＡのグラフである。
【図４】図４はＴｉ（ＮiPr−ａｍｄ）（ＯｉＰｒ）2（ＮＭｅ2）についてのＴＧＡのグラフである。
【図５】図５はＴｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−Ｅｔ）（ＯｉＰｒ）2についてのＴＧＡのグラフである。
【図６】図６はＴｉ（Ｍｅ2ＣＨ−Ｎ−（ＣＨ2）3−Ｎ−ＣＨＭｅ2）（ＯｉＰｒ）2についてのＴＧＡグラフである。
【００２６】
好ましい実施形態の説明
新規のチタン含有前駆体、その合成方法、およびそれを使用する方法を開示する。
【００２７】
開示するヘテロレプティックなチタン含有前駆体は、様々な種類の配位子構造、例えばアミジナート、ホルムアミジナート、グアニジナート、アミド、および／またはキレートアミド配位子、ならびにアルコキシド配位子から得られる。前駆体の設計は揮発性を高め、融点を下げ（液体または非常に低い融点の固体）、水との反応性を高め、より広いプロセスウィンドゥ用途のために熱安定性を高めるのに促進させうる。
【００２８】
開示するチタン含有前駆体は以下の式を有する：
Ｔｉ（Ｒ1−Ｎ−Ｃ（Ｒ3）−Ｎ−Ｒ2）u（ＯＲ4）x（ＮＲ5Ｒ6）y（Ｏ2ＣＲ7）z  式Ｉ
または
Ｔｉ（Ｒ1−Ｎ−（Ｃ（Ｒ3）2）m−Ｎ−Ｒ2）v（ＯＲ4）x（ＮＲ5Ｒ6）y（Ｏ2ＣＲ7）z  式ＩＩ
ここで：
・Ｒ1、Ｒ2、Ｒ5、Ｒ6、およびＲ7はＨおよびＣ1−Ｃ6アルキル基からなる群より独立して選択され；
・Ｒ3＝Ｈ、Ｃ1−Ｃ6アルキル基、またはＮＭｅ2であり；
・Ｒ4はＣ1−Ｃ6アルキル基であり；
・ｍ＝２−４であり；
・ｕ＝０−２であり；
・ｖ＝０−１であり；
・ｘ＝１−３であり；
・ｙ＝０−２であり；
・ｚ＝０−１であり；
・式Ｉにおいて、ｕ＋ｘ＋ｙ＋ｚ＝４であり；
・式ＩＩにおいて、２ｖ＋ｘ＋ｙ＋ｚ＝４であり；および
・ｕ、ｖ、またはｚ≧１である。
【００２９】
上で定義したように、Ｃ1−Ｃ6アルキル基は、１〜６個の炭素原子を有するあらゆる線状、分枝または環式のアルキル基を含み、限定されないが、Ｍｅ、ｔＢｕ、またはシクロヘキシル基が挙げられる。
【００３０】
式Ｉでは、Ｒ1−ＮＣ（Ｒ3）Ｎ−Ｒ2配位子は以下の化学構造を有する：
【化４】
2013527147.tif 000006
【００３１】
式ＩＩでは、Ｒ1−Ｎ−（Ｃ（Ｒ3）2）m−Ｎ−Ｒ2配位子は以下の化学構造を有する：
【化５】
2013527147.tif 000007
【００３２】
それゆえに、同様の元素が配位子の主鎖（すなわち−Ｎ−Ｃ−Ｎ−）中に維持されているが、配位子自体は、−Ｎ−Ｃ−Ｎ−主鎖の中に１つの負電荷が非局在化した−１配位子から、１つの負電荷が各窒素原子に局在化した−２配位子へと変わっている。加えて、式Ｉの配位子は式ＩＩの配位子よりも堅牢な構造を有する。
【００３３】
式ＩにおいてＲ1およびＲ3がＣ1−Ｃ6の線状または分枝のアルキル基である場合、Ｒ1およびＲ3は独立した置換基でもよいし、それらが互いに結合して以下に示すようなＲ1からＲ3まで延びる単環構造を形成してもよい。
【化６】
2013527147.tif 000008
【００３４】
同様に、式ＩにおいてＲ1、Ｒ3およびＲ2がＣ1−Ｃ6の線状または分枝のアルキル基である場合、Ｒ1、Ｒ3およびＲ2は独立した置換基でもよいし、それらが互いに結合して以下に示すような二環式構造を形成してもよい。
【化７】
2013527147.tif 000009
【００３５】
開示する前駆体の構造は、反応性（特にＨ2Ｏとの）と、同時に安定性とを最適にするように選択された。Ｔｉ−Ｎ結合は弱く、表面上で迅速に反応するであろう。同時に、Ｔｉ−Ｏ結合はとても強く、この分子を安定化させて高速分解を避けるのに役立つであろう。この分子を調整することによって、弱い部位のおかげで基板上で十分に反応する前駆体が得られる。
【００３６】
式Ｉにおいてｕ＝１、ｘ＝３、ｙ＝０、およびｚ＝０である場合、Ｒ1およびＲ2は好ましくはＥｔまたはｉＰｒであり、Ｒ3は好ましくはＨ、Ｍｅ、またはＮＭｅ2であり、Ｒ4は好ましくはＣ1−Ｃ4の線状または分枝のアルキル鎖である。例示的な前駆体としては、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯｉＰｒ）3、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯＭｅ）3、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯＥｔ）3、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯｎＰｒ）3、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯｓＢｕ）3、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯｉＢｕ）3、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯｔＢｕ）3、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯｉＰｒ）3、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯＭｅ）3、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯＥｔ）3、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯｎＰｒ）3、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯｓＢｕ）3、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯｉＢｕ）3、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯｔＢｕ）3、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯＥｔ）3、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯＭｅ）3、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯｎＰｒ）3、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯｓＢｕ）3、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯｉＢｕ）3、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯｔＢｕ）3、またはＴｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（ＮＭｅ2）−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯｉＰｒ）3が挙げられる。好ましい例示的な前駆体はＴｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯｉＰｒ）3である。
【００３７】
式ＩＩにおいてｍ＝２または３、ｖ＝１、ｘ＝２、ｙ＝０、およびｚ＝０である場合、Ｒ1およびＲ2は好ましくはＥｔまたはｉＰｒであり、Ｒ3は好ましくはＨであり、Ｒ4は好ましくはＣ1−Ｃ4の線状または分枝のアルキル鎖である。より好ましくは、ｍ＝２である場合Ｒ1およびＲ2はＭｅでない。例示的な前駆体としては、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯｉＰｒ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯＭｅ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯＥｔ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯｎＰｒ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯｓＢｕ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯｉＢｕ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯｔＢｕ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯｉＰｒ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯＭｅ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯＥｔ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯｎＰｒ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯｓＢｕ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯｉＢｕ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯｔＢｕ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）3−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯｉＰｒ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）3−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯＭｅ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）3−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯＥｔ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）3−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯｎＰｒ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）3−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯｓＢｕ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）3−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯｉＢｕ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）3−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯｔＢｕ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）3−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯｉＰｒ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）3−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯＭｅ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）3−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯＥｔ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）3−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯｎＰｒ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）3−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯｓＢｕ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）3−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯｉＢｕ）2、またはＴｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）3−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯｔＢｕ）2が挙げられる。好ましい例示的な前駆体はＴｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯｉＰｒ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）3−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯｉＰｒ）2、またはＴｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯｉＰｒ）2である。
【００３８】
式Ｉにおいてｕ＝２、ｘ＝２、ｙ＝０、およびｚ＝０である場合、前駆体は以下の化学構造を有する：
【化８】
2013527147.tif 000010
【００３９】
この実施形態では、Ｒ1およびＲ2は好ましくはＥｔまたはｉＰｒであり、Ｒ3は好ましくはＨまたはＭｅであり、Ｒ4は好ましくはＣ1−Ｃ4の線状または分枝のアルキル鎖である。より好ましくはＲ3はＮＭｅ2でない。例示的な前駆体としては、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）−Ｎ−ｉＰｒ）2（ＯｉＰｒ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）−Ｎ−ｉＰｒ）2（ＯＭｅ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）−Ｎ−ｉＰｒ）2（ＯＥｔ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）−Ｎ−ｉＰｒ）2（ＯｎＰｒ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）−Ｎ−ｉＰｒ）2（ＯｓＢｕ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）−Ｎ−ｉＰｒ）2（ＯｉＢｕ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）−Ｎ−ｉＰｒ）2（ＯｔＢｕ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）−Ｎ−Ｅｔ）2（ＯｉＰｒ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）−Ｎ−Ｅｔ）2（ＯＭｅ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）−Ｎ−Ｅｔ）2（ＯＥｔ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）−Ｎ−Ｅｔ）2（ＯｎＰｒ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）−Ｎ−Ｅｔ）2（ＯｓＢｕ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）−Ｎ−Ｅｔ）2（ＯｉＢｕ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）−Ｎ−Ｅｔ）2（ＯｔＢｕ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）2（ＯｉＰｒ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）2（ＯＭｅ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）2（ＯＥｔ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）2（ＯｎＰｒ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）2（ＯｓＢｕ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）2（ＯｉＢｕ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）2（ＯｔＢｕ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）2（ＯｉＰｒ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）2（ＯＭｅ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）2（ＯＥｔ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）2（ＯｎＰｒ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）2（ＯｓＢｕ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）2（ＯｉＢｕ）2、およびＴｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）2（ＯｔＢｕ）2が挙げられる。好ましい例示的な前駆体はＴｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）−Ｎ−ｉＰｒ）2（ＯｉＰｒ）2またはＴｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）2（ＯｉＰｒ）2である。
【００４０】
式Ｉにおいてｕ＝１、ｘ＝２、ｙ＝１、およびｚ＝０である場合、前駆体は以下の化学構造を有する：
【化９】
2013527147.tif 000011
【００４１】
この実施形態では、Ｒ1およびＲ2は好ましくはＥｔまたはｉＰｒであり；Ｒ3は好ましくはＨ、Ｍｅ、またはＮＭｅ2であり；Ｒ4は好ましくはｉＰｒであり；Ｒ5およびＲ6は好ましくは独立してＭｅまたはＥｔである。例示的な前駆体としては、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＰｒ）2（ＮＭｅ2）、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＰｒ）2（ＮＥｔ2）、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＰｒ）2（ＮＥｔＭｅ）、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）（ＯｉＰｒ）2（ＮＭｅ2）、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）（ＯｉＰｒ）2（ＮＥｔ2）、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）（ＯｉＰｒ）2（ＮＥｔＭｅ）、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（ＮＭｅ2）−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＰｒ）2（ＮＭｅ2）、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（ＮＭｅ2）−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＰｒ）2（ＮＥｔ2）、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（ＮＭｅ2）−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＰｒ）2（ＮＥｔＭｅ）、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＰｒ）2（ＮＭｅｉＰｒ）、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＰｒ）2（ＮｉＰｒ2）、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＰｒ）2（ＮＭｅｔＢｕ）、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＰｒ）2（Ｎｎｅｏペンチル2）、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）（ＯｉＰｒ）2（ＮＭｅｉＰｒ）、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）（ＯｉＰｒ）2（ＮｉＰｒ2）、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）（ＯｉＰｒ）2（Ｎｎｅｏペンチル2）、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（ＮＭｅ2）−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＰｒ）2（ＮＭｅｉＰｒ）、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（ＮＭｅ2）−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＰｒ）2（ＮｉＰｒ2）、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（ＮＭｅ2）−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＰｒ）2（Ｎｎｅｏペンチル2）、およびＴｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（ＮＭｅ2）−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＰｒ）2（ＮＭｅｉＰｒ）が挙げられる。好ましい例示的な前駆体はＴｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＰｒ）2（ＮＭｅ2）である。
【００４２】
式Ｉにおいてｕ＝１、ｘ＝２、ｙ＝０、およびｚ＝１である場合、前駆体は以下の化学構造を有する：
【化１０】
2013527147.tif 000012
【００４３】
この実施形態では、Ｒ1およびＲ2は好ましくはＥｔまたはｉＰｒであり；Ｒ3は好ましくはＨまたはＭｅであり；Ｒ4は好ましくはｉＰｒであり；Ｒ7は好ましくはＭｅである。例示的な前駆体としてはＴｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＰｒ）2（Ｏ2ＣＭｅ）およびＴｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）（ＯｉＰｒ）2（Ｏ2ＣＭｅ）が挙げられる。
【００４４】
式ＩＩにおいてｖ＝１、ｘ＝１、ｙ＝０、およびｚ＝１である場合、前駆体は以下の化学構造を有する：
【化１１】
2013527147.tif 000013
【００４５】
ｍ＝２、ｖ＝１、ｘ＝１、ｙ＝０、ｚ＝１、およびＲ3＝Ｈである場合、前駆体は以下の化学構造を有する：
【化１２】
2013527147.tif 000014
【００４６】
ｍ＝３、ｖ＝１、ｘ＝１、ｙ＝０、ｚ＝１、およびＲ3＝Ｈである場合、前駆体は以下の化学構造を有する：
【化１３】
2013527147.tif 000015
【００４７】
これらの実施形態では、ｍは好ましくは２または３であり、Ｒ1およびＲ2は好ましくはＥｔまたはｉＰｒであり；Ｒ3は好ましくはＨであり；Ｒ4は好ましくはＣ1−Ｃ4の線状または分枝のアルキル鎖であり；Ｒ7は好ましくはＭｅである。例示的な前駆体としては、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＰｒ）（Ｏ2ＣＭｅ）、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯＭｅ）（Ｏ2ＣＭｅ）、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯＥｔ）（Ｏ2ＣＭｅ）、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｎＰｒ）（Ｏ2ＣＭｅ)、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｓＢｕ）（Ｏ2ＣＭｅ）、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＢｕ）（Ｏ2ＣＭｅ）、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｔＢｕ）（Ｏ2ＣＭｅ）、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−Ｅｔ）（ＯｉＰｒ）（Ｏ2ＣＭｅ）、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−Ｅｔ）（ＯＭｅ）（Ｏ2ＣＭｅ）、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−Ｅｔ）（ＯＥｔ）（Ｏ2ＣＭｅ）、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−Ｅｔ）（ＯｎＰｒ）（Ｏ2ＣＭｅ）、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−Ｅｔ）（ＯｓＢｕ）（Ｏ2ＣＭｅ）、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−Ｅｔ）（ＯｉＢｕ）（Ｏ2ＣＭｅ）、およびＴｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−Ｅｔ）（ＯｔＢｕ）（Ｏ2ＣＭｅ）が挙げられる。
【００４８】
式Ｉにおいてｕ＝１、ｘ＝１、ｙ＝２、およびｚ＝０の場合、例示的前駆体としては、Ｔｉ(ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＰｒ）（ＮＭｅ2）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＰｒ）（ＮＥｔ2）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＰｒ）（ＮＥｔＭｅ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）（ＯｉＰｒ）（ＮＭｅ2）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）(ＯｉＰｒ）（ＮＥｔ2）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）（ＯｉＰｒ）（ＮＥｔＭｅ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（ＮＭｅ2）−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＰｒ）（ＮＭｅ2）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（ＮＭｅ2）−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＰｒ）（ＮＥｔ2）2、およびＴｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（ＮＭｅ2）−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＰｒ）（ＮＥｔＭｅ）2が挙げられる。
【００４９】
式ＩＩにおいてｖ＝１、ｘ＝１、ｙ＝１、およびｚ＝０である場合、例示的な前駆体としては、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＰｒ）（ＮＭｅ2）、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＰｒ）（ＮＥｔ2）、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＰｒ）（ＮＥｔＭｅ）、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−Ｅｔ）（ＯｉＰｒ）（ＮＭｅ2）、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−Ｅｔ）（ＯｉＰｒ）（ＮＥｔ2）、およびＴｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−Ｅｔ）（ＯｉＰｒ）（ＮＥｔＭｅ）が挙げられる。
【００５０】
式Ｉにおいてｕ＝１、ｘ＝１、ｙ＝０、およびｚ＝２である場合、例示的な前駆体としてはＴｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＰｒ）（Ｏ2ＣＭｅ)2およびＴｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）（ＯｉＰｒ）（Ｏ2ＣＭｅ）2が挙げられる。
【００５１】
式Ｉまたは式ＩＩのいずれかにおいてｕ、ｖ、ｙ＝０、ｘ＝２、およびｚ＝２である場合、例示的な前駆体としてはＴｉ（ＯｉＰｒ）2（Ｏ2ＣＭｅ）2が挙げられる。
【００５２】
式Ｉまたは式ＩＩのいずれかにおいてｕ、ｖ、ｙ＝０、ｘ＝３、およびｚ＝１である場合、例示的な前駆体としてはＴｉ（ＯｉＰｒ）3（Ｏ2ＣＭｅ）が挙げられる。
【００５３】
開示する前駆体は、Ｈ（Ｒ1−Ｎ−Ｃ（Ｒ3）−Ｎ−Ｒ2）の炭化水素溶液と、チタン化合物、たとえばＴｉ（ＯＲ4）3（ＮＲ5Ｒ6）またはＴｉ（ＯＲ4）2（ＮＲ5Ｒ6）2の純粋物またはその炭化水素溶液とを、窒素雰囲気下で、混合フラスコの出口をオイルバブラーに接続して化合させることによって合成できる。例示的な炭化水素溶液としてはペンタンが挙げられる。得られた溶液を室温で終夜攪拌する。適切な場合、ＨＯ2ＣＲ7を添加してさらに６−１２時間攪拌してもよい。溶媒および揮発性物質を反応混合物から減圧下で除去する。得られた液体または固体の精製は、それぞれ、蒸留または昇華によって行われる。さらなる合成の詳細は例に示す。
【００５４】
また、開示するチタン含有前駆体を気相堆積方法のために使用する方法を開示する。開示する方法は、チタン含有膜の堆積のためのチタン含有前駆体の使用を提供する。開示する方法は、半導体、光電池、ＬＣＤ−ＴＦＴ、またはフラットパネルタイプデバイスの製造において有用でありうる。この方法は：基板を用意することと；開示するチタン含有前駆体の少なくとも１種を含む蒸気を供給することと；この蒸気を基板に接触させ（および典型的には蒸気を基板に向け）てチタン含有層を基板の少なくとも１つの表面上に形成することとを含む。
【００５５】
また、開示する方法は気相堆積プロセスを使用して二種金属含有層を基板上に形成すること、より詳細には、ＳＴＯまたはＢＳＴ膜の堆積を提供する。開示する方法は半導体、光電池、ＬＣＤ−ＴＦＴ、またはフラットパネルタイプデバイスの製造において有用でありうる。この方法は：基板を用意することと；開示するチタン含有前駆体の少なくとも１種を含む蒸気を供給し、この蒸気を基板と接触させ（および典型的にはこの蒸気を基板に向け）て、二種類金属含有層を基板の少なくとも１つの表面上に形成することとを含む。酸素供給源、たとえばＯ3、Ｏ2、Ｈ2Ｏ、およびＮＯ、好ましくはＨ2Ｏを蒸気と共にさらに供給してもよい。
【００５６】
開示するチタン含有前駆体は、当業者に知られている任意の堆積方法を使用してチタン含有膜を堆積させるのに使用することができる。好適な堆積方法の例としては、限定されないが、通常の化学気相堆積（ＣＶＤ）、低圧化学気相堆積（ＬＰＣＶＤ）、原子層堆積（ＡＬＤ）、パルス化学気相堆積（Ｐ−ＣＶＤ）、プラズマ強化原子層堆積（ＰＥ−ＡＬＤ）、またはこれらの組み合わせが挙げられる。好ましくは、堆積方法はＡＬＤまたはＰＥ−ＡＬＤである。
【００５７】
チタン含有前駆体の蒸気を、少なくとも１枚の基板を収容した反応チャンバに導入する。反応チャンバ内の温度および圧力ならびに基板の温度は、チタン含有前駆体と基板との間の接触によって基板の少なくとも１つの表面上にＴｉ含有層が形成されるのに好適な条件に保持される。また、反応剤を使用して、Ｔｉ含有層の形成を助けてもよい。
【００５８】
反応チャンバは、堆積方法が行われるデバイスの任意のエンクロージャーまたはチャンバでよく、たとえば、限定されないが、平行板タイプリアクタ、コールドウォールタイプリアクタ、ホットウォールタイプリアクタ、枚様式リアクタ、マルチウェハリアクタ、または他のこのようなタイプの堆積システムでありうる。これらの例示的な反応チャンバの全てはＡＬＤ反応チャンバとして役立つことができる。反応チャンバは、約０．５ｍＴｏｒｒ（０．０７Ｐａ）〜約２０Ｔｏｒｒ（２７００Ｐａ）の範囲にある圧力に維持されうる。加えて、反応チャンバ内の温度は約２００℃〜約６００℃の範囲にありうる。当業者であれば、温度を実験のみにより最適化して、所望の結果を達成できることが分かるであろう。
【００５９】
基板ホルダの温度を制御することによって、またはリアクタの壁の温度を制御することによって、反応チャンバの温度を制御することができる。基板を加熱するのに使用するデバイスは当技術において知られている。リアクタの壁を、所望の膜を十分な成長速度でならびに所望の物理状態および組成で得るのに十分な温度まで加熱する。リアクタの壁を加熱することができる非限定的な例示的温度範囲としては、約２００℃〜約６００℃が挙げられる。プラズマ堆積プロセスを利用する場合、堆積温度は約２００℃〜約５５０℃の範囲にありうる。あるいは、熱プロセスを行う場合、堆積温度は約４００℃〜約６００℃の範囲にありうる。
【００６０】
あるいは、基板を、所望のチタン含有膜を十分な成長速度でならびに所望の物理状態および組成で得るのに十分な温度まで加熱してもよい。基板を加熱することができる非限定的な例示的温度範囲としては約１５０℃〜約６００℃を挙げることができる。好ましくは、基板の温度は４５０℃以下のままである。
【００６１】
チタン含有膜を上に堆積させる基板のタイプは、意図する最終用途に依存して多様であろう。いくつかの実施形態では、基板は、ＭＩＭ、ＤＲＡＭ、もしくはＦｅＲａｍ技術における絶縁材料として使用される酸化物（たとえば、ＨｆＯ2ベース材料、ＴｉＯ2ベース材料、ＺｒＯ2ベース材料、希土類酸化物ベース材料、三元酸化物ベース材料など）、または銅とローｋ膜との間の酸素バリアとして使用される窒化物ベースの膜（たとえば、ＴａＮ）から選択されうる。他の基板も、半導体、光電池、ＬＣＤ−ＴＦＴ、またはフラットパネルデバイスの製造において使用できる。これらの基板の例としては、限定されないが、固体基板たとえば金属窒化物含有基板（たとえば、ＴａＮ、ＴｉＮ、ＷＮ、ＴａＣＮ、ＴｉＣＮ、ＴａＳｉＮ、およびＴｉＳｉＮ）；絶縁体（たとえば、ＳｉＯ2、Ｓｉ3Ｎ4、ＳｉＯＮ、ＨｆＯ2、Ｔａ2Ｏ5、ＺｒＯ2、ＴｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、およびチタン酸バリウムストロンチウム）；またはこれらの材料の任意の数の組み合わせを含む他の基板が挙げられる。また、実際に用いる基板は用いる具体的な前駆体の実施形態にも依存しうる。しかしながら多くの場合、用いる好ましい基板はＴｉＮ、ＳＲＯ、Ｒｕ、およびＳｉタイプの基板から選択されるであろう。
【００６２】
チタン含有前駆体を液体の状態で気化器に供給し、ここでそれを反応チャンバに導入する前に気化させてもよい。その気化の前に、任意に、チタン含有前駆体を１種以上の溶媒、１種以上の金属供給源、および１種以上の溶媒と１種以上の金属供給源との混合物に混合してもよい。溶媒は、トルエン、エチルベンゼン、キシレン、メシチレン、デカン、ドデカン、オクタン、ヘキサン、ペンタン、その他からなる群より選択できる。得られる濃度は約０．０５Ｍから約２Ｍまでの範囲にありうる。金属供給源は現在知られているまたは今後開発される任意の金属含有前駆体を含むことができる。
【００６３】
あるいは、チタン含有前駆体を、このチタン含有前駆体を入れた容器にキャリアガスを通すことによって、またはキャリアガスをチタン含有前駆体にバブリングすることによって気化させることができる。その後、キャリアガスおよびチタン含有前駆体を蒸気として反応チャンバに導入する。キャリアガスとしては、限定されないが、Ａｒ、Ｈｅ、Ｎ2、およびこれらの混合物を挙げることができる。任意に、チタン含有前駆体を１種以上の溶媒、１種以上の金属含有前駆体、またはこれらの混合物に混合させてもよい。必要な場合には、チタン含有前駆体がその液相にいることと十分な蒸気圧を有することとを許容する温度まで容器を加熱することができる。容器は、たとえば、約０℃から約１５０℃までの範囲にある温度に維持されうる。当業者であれば、気化させるチタン含有前駆体の量を制御するように容器の温度が調節されうることが分かる。
【００６４】
反応チャンバへの導入前のチタン含有前駆体の溶媒、金属含有前駆体、および安定剤との任意の混合に加えて、チタン含有前駆体を反応チャンバ内で反応剤に混合させてもよい。例示的な反応剤としては、限定されないが、金属含有前駆体たとえばストロンチウム含有前駆体、バリウム含有前駆体、アルミニウム含有前駆体たとえばＴＭＡ、およびこれらのあらゆる組み合わせが挙げられる。これらまたは他の金属含有前駆体を、得られる膜に少量でドーパントとして混入させてもよいし、得られる膜、たとえばＢＳＴおよびＳＴＯにおける第２または第３の金属として混入させてもよい。
【００６５】
所望のチタン含有膜が酸素をさらに含有する、たとえば、限定されないがＳＴＯである場合、反応剤は、限定されないが、Ｏ2、Ｏ3、Ｈ2Ｏ、Ｈ2Ｏ2、酢酸、ホルマリン、パラ−ホルムアルデヒド、およびこれらの混合物から選択される酸素供給源を含みうる。好ましくは、ＡＬＤプロセスを行う場合、反応剤はＨ2Ｏである。
【００６６】
反応剤をそのラジカルの形態に分解するために、反応剤をプラズマで処理してもよい。プラズマは反応チャンバ自体の中で発生させてもよいしまたはそこにあってもよい。あるいは、プラズマは一般的に反応チャンバから離れた場所、たとえば、遠隔設置プラズマシステムにありうる。当業者であれば、このようなプラズマ処理に好適な方法および装置が分かるであろう。
【００６７】
たとえば、反応チャンバ内でプラズマを発生させる直接プラズマリアクタに反応剤を導入して、反応チャンバ内でプラズマ処理反応剤を製造することができる。例示的な直接プラズマリアクタとしては、Tiron Technologies製のTitan（登録商標） ＰＥＣＶＤシステムが挙げられる。プラズマ処理の前に反応剤を導入して、反応チャンバ内に留めておいてもよい。あるいは、プラズマ処理を反応剤の導入と同時に行ってもよい。現場プラズマは典型的に、シャワーヘッドと基板ホルダとの間に発生する１３．５６ＭＨｚＲＦ容量結合プラズマである。基板またはシャワーヘッドは、陽イオン衝突が起こるかどうかに依存するが駆動電極でもよい。現場プラズマ発生器にかけられる典型的な電力は約１００Ｗ〜約１０００Ｗである。その場でのプラズマを使用する反応剤の解離は、同じ電力の注入の場合、リモートプラズマを使用して達成されるものよりも典型的に低く、それゆえに、リモートプラズマシステムほど反応剤の解離に有効ではないが、プラズマによってダメージを受け易い基板上での金属窒化物含有膜の堆積に有利でありうる。
【００６８】
あるいは、プラズマ処理反応剤を反応チャンバの外側で製造してもよい。MKS InstrumentsのASTRON（登録商標） i 反応性ガス発生器を使用して、反応チャンバに通す前に反応剤を処理することができる。２．４５ＧＨｚ、７ｋＷプラズマパワー、および約３Ｔｏｒｒから約１０Ｔｏｒｒまでの範囲にある圧力で動作して、反応剤Ｏ3を３つのＯ-ラジカルに分解することができる。好ましくは、リモートプラズマは、約１ｋＷから約１０ｋＷまで、より好ましくは約２．５ｋＷから約７．５ｋＷまでの範囲にあるパワーで発生させることができる。
【００６９】
所望のチタン含有膜が異種金属、たとえば、限定されないが、Ｔａ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓｒ、Ｙ、Ｂａ、Ｃａ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｃｏ、ランタニド（たとえばＥｕ）、またはこれらの組み合わせをさらに含有する場合、反応剤は、限定されないが、金属アルキル、たとえばＬｎ（ＲＣｐ）3またはＣｏ（ＲＣｐ）2、金属アミン、たとえばＺｒ（Ｃｐ）（ＮＭｅ2）3またはＨｆ（Ｃｐ）（ＮＭｅ2）3、およびこれらのあらゆる組み合わせから選択される金属含有前駆体を含みうる。
【００７０】
１つの好ましい実施形態では、反応剤は、式Ｍ（Ｌ）2およびＭ（Ｌ）2Ａを有する金属含有前駆体化合物であってもよく、ここで、ＭはＳｒまたはＢａであり、Ｌは（ａ）置換シクロペンタジエニル配位子構造（Ｒ1Ｒ2Ｒ3Ｒ4Ｒ5Ｃｐ）（ここで、Ｒ1〜Ｒ5の各々はＨまたはＣ1−Ｃ6の線状もしくは分枝アルキル鎖から独立して選択される）、または（ｂ）ベータ−ジケトナート配位子構造（−Ｏ−ＣＲ6−ＣＨ−ＣＲ7−Ｏ−）（ここで、Ｒ6およびＲ7の各々はＣ1−Ｃ6の線状または分枝アルキル鎖から独立して選択される）であり；Ａ＝は中性の酸素含有分子であり、限定されないがテトラヒドロフラン、ジメトキシエタン、ジグリム、トリグリム、テトラグリム、またはこれらの組み合わせが挙げられる。好ましくは、金属含有前駆体は、各ＲがＨ、Ｍｅ、Ｅｔ、およびｎＢｕから独立して選択される式Ｍ（Ｒ5Ｃｐ）2を有する。
【００７１】
例示的な金属含有前駆体としては、限定されないが、Ｓｒ（ｉＰｒ3Ｃｐ）2、Ｓｒ（ｉＰｒ3Ｃｐ）2.ｔｈｆ、Ｓｒ（ｉＰｒ3Ｃｐ）2.ｄｍｅ、Ｓｒ（ｔＢｕ3Ｃｐ）2、Ｓｒ（ｔＢｕ3Ｃｐ）2.ｔｈｆ、Ｓｒ（ｔＢｕ3Ｃｐ）2.ｄｍｅ、Ｓｒ（ｔｈｍｄ）2、Ｓｒ（ｔｈｍｄ）2.トリグリム、Ｓｒ（ｔｈｍｄ）2.テトラグリム、Ｓｒ（Ｍｅ5Ｃｐ）2、Ｓｒ（Ｍｅ4Ｃｐ）2、Ｓｒ（Ｍｅ4ＥｔＣｐ）2、Ｓｒ（Ｍｅ4ｎＢｕＣｐ）2、Ｂａ（ｉＰｒ3Ｃｐ)2、Ｂａ（ｉＰｒ3Ｃｐ）2.ｔｈｆ、Ｂａ（ｉＰｒ3Ｃｐ）2.ｄｍｅ、Ｂａ（ｔＢｕ3Ｃｐ）2、Ｂａ（ｔＢｕ3Ｃｐ）2.ｔｈｆ、Ｂａ（ｔＢｕ3Ｃｐ）2.ｄｍｅ、Ｂａ（ｔｈｍｄ）2、Ｂａ（ｔｈｍｄ）2.トリグリム、Ｂａ（ｔｈｍｄ）2.テトラグリム、Ｂａ（Ｍｅ5Ｃｐ）2、Ｂａ（Ｍｅ4Ｃｐ）2、Ｂａ（Ｍｅ4ＥｔＣｐ）2、およびＢａ（Ｍｅ4ｎＢｕＣｐ）2が挙げられる。
【００７２】
金属含有前駆体の蒸気（すなわち、第２の蒸気）を反応チャンバに導入する。反応チャンバ内の温度および圧力ならびに基板の温度は、金属含有前駆体と基板との間の接触によりＭ含有層が基板の少なくとも１つの表面上に形成するような好適な条件に保持される。反応剤を使用してＭ含有層の形成を助けてもよい。
【００７３】
当業者であれば、開示する堆積方法において追加の反応剤を使用できることが分かるであろう。用語「第２の蒸気」は、単にチタン含有前駆体の「蒸気」との混同を避けるために使用する。たとえば、式Ｓｒ（ｉＰｒ3Ｃｐ）2を有する金属含有前駆体の第２の蒸気と、式Ｂａ（Ｍｅ5Ｃｐ）2を有する金属含有前駆体の第３の蒸気とを、開示するチタン含有前駆体の蒸気と共に使用して、ＢＳＴ膜を形成することができる。
【００７４】
チタン含有前駆体および１種以上の反応剤は、反応チャンバに同時に導入してもよいし（化学気相堆積）、逐次的に導入してもよいし（原子層体積）、または他の組み合わせで導入してもよい。たとえば、チタン含有前駆体を１つのパルスで導入し、２種類の追加の金属供給源を共に別のパルスで導入してもよい［改良原子層堆積］。あるいは、チタン含有前駆体の導入の前に、反応チャンバに反応剤が既に入っていてもよい。反応剤を、反応チャンバから離れて設置されたプラズマシステムを通してラジカルに分解させることもできる。あるいは、異種金属供給源をパルスで導入しながら、チタン含有前駆体を反応チャンバに連続的に導入してもよい（パルスＰＥＣＶＤ）。各例において、１回のパルスの後に、導入した過剰量の成分を除去するためのパージまたは排気工程を行ってもよい。各例において、パルスは約０．０１秒から約１０秒まで、あるいは約０．３秒から約３秒まで、あるいは約０．５秒から約２秒までの範囲内にある期間にわたって続けてもよい。
【００７５】
１つの非限定的な例示的原子層堆積タイププロセスでは、チタン含有前駆体の気相を反応チャンバに導入し、ここでそれを好適な基板に接触させる。次に、過剰なチタン含有前駆体は、反応チャンバをパージおよび／または排気することによって、この反応チャンバから除去することができる。酸素供給源を反応チャンバに導入して、ここで吸収させたチタン含有前駆体とそれを自己停止式で反応させる。過剰な酸素供給源は、反応チャンバをパージおよび／または排気することによってこの反応チャンバから除去される。所望の膜が酸化チタン膜である場合、この２工程プロセスが所望の膜厚を与えることもあるし、または必要な厚さを有する膜が得られるまでこれらのプロセスを繰り返すことができる。
【００７６】
あるいは、所望の膜がチタン−金属−酸化物膜（すなわち、ＴｉＭＯ）である場合、上述の２工程プロセスに続いて、金属含有前駆体の第２の蒸気を反応チャンバに導入してもよい。金属含有前駆体は、堆積させるチタン−金属−酸化物膜の性質に応じて選択されるであろう。反応チャンバへの導入後、金属含有前駆体は基板に接触する。過剰な金属含有前駆体は、反応チャンバをパージおよび／または排気することによってこの反応チャンバから除去される。先と同じように、酸素供給源を反応チャンバに導入して、金属含有前駆体に反応させてもよい。過剰な酸素供給源は、反応チャンバをパージおよび／または排気することによってこの反応チャンバから除去される。所望の膜厚が達成されたら、このプロセスを終わりにしてもよい。しかしながら、より厚い膜が望ましい場合、４工程プロセスの全てを繰り返すことができる。チタン含有前駆体、金属含有前駆体、および酸素供給源を交互に供給することによって、所望の組成および厚さの膜を堆積させることができる。
【００７７】
加えて、パルスの回数を変更することによって、所望の化学量論Ｍ：Ｔｉ比を有する膜を得ることができる。たとえば、Ｓｒ2ＴｉＯ4膜は、チタン含有前駆体の１つのパルスと、金属含有前駆体の２つのパルスとを用い、各パルスに酸素供給源のパルスを続けることによって得ることができる。しかしながら、当業者であれば、所望の膜を得るのに必要なパルスの回数は得られる膜の化学量論比と同じでない場合があることが分かるであろう。
【００７８】
上で説明したプロセスから得られるチタン含有膜またはチタン含有層としてはＳＴＯ、ＢＳＴ、またはＰＺＴを挙げることができる。当業者であれば、適切なチタン含有前駆体および反応剤の判断力のある選択によって、所望の膜組成を得られることが分かるであろう。
【００７９】
例
本発明の実施形態をさらに説明するために、以下の非限定的な例を提供する。しかしながら、これらの例は包括的であることを意図したものではないし、発明の範囲をここで説明するものに限定することを意図したものではない。
【００８０】
例１
Ｔｉ（ＮiPr−ａｍｄ）（ＯｉＰｒ）3：２００ｍＬのペンタン溶液を−３０℃まで１時間かけて冷やし、続けて１０．０ｇ、３７．１５ｍｍｏｌのＴｉ（ＯｉＰｒ3）（ＮＭｅ）2を添加し、室温で窒素雰囲気下で攪拌した。ＮiPr−ａｍｄ−Ｈ（５．２８ｇ、３７．１５ｍｍｏｌ）の２０ｍＬペンタン溶液を上述の混合物にゆっくりと添加した。フラスコの出口をオイルバブラーに接続し、次にこれを酸スクラバに接続した。得られた溶液を室温で終夜攪拌した。溶媒および揮発性物質を反応混合物から減圧下で除去し、橙色の液体を得た。この橙色の液体を蒸留によって精製して、１２．５ｇ（９２％）を得た。図１はこの前駆体についての温度変化に伴う質量減少の割合を示すＴＧＡグラフである。ＮＭＲ（Ｃ6Ｄ6、δ）：１．１７（１２Ｈ、ｄ、（ＣＨ3）2−ＣＨ−Ｎ−Ｃ（ＣＨ3）＝Ｎ−ＣＨ−（ＣＨ3）2）、１．２３（１８Ｈ、ｄ、Ｏ−ＣＨ−（ＣＨ3）2）、１．８６（３Ｈ、ｓ、（ＣＨ3）2−ＣＨ−Ｎ−Ｃ（ＣＨ3）＝Ｎ−ＣＨ−（ＣＨ3）2）、３．５７（１Ｈ、ｍ、Ｏ−ＣＨ−（ＣＨ3）2)、４．４６（２Ｈ、ｍ、Ｏ−ＣＨ−（ＣＨ3）2）、４．７３（２Ｈ、ｍ、（ＣＨ3）2−ＣＨ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）＝Ｎ−ＣＨ−（ＣＨ3）2）。
【００８１】
例２
Ｔｉ（ＮiPr−ａｍｄ）2（ＯｉＰｒ）2：１１．１９ｇ、７８．６８ｍｍｏｌのＮiPr−ａｍｄ−Ｈを含有し室温で攪拌したペンタン溶液に、純粋物のＴｉ（ＯｉＰｒ）2（ＮＭｅ2）2（１０．００ｇ、３９．３４ｍｍｏｌ）化合物を窒素の雰囲気下でゆっくりと添加し、フラスコの出口をオイルバブラーに接続した。得られた溶液を室温で終夜攪拌した。溶媒および揮発性物質を反応混合物から減圧下で除去した。暗い橙赤色の固体が得られた。この固体の精製を昇華によって行い、１５．４ｇ、８８％の収率を得た。図２はこの前駆体についての温度変化に伴う質量減少の割合を示すＴＧＡグラフである。ＮＭＲ（Ｃ6Ｄ6、δ）：１．１４（６Ｈ、ｂｒ、（ＣＨ3）2−ＣＨ−Ｎ−Ｃ（ＣＨ3）＝Ｎ−ＣＨ−（ＣＨ3）2）、１．３１（２４Ｈ、ｂｒ、（ＣＨ3）2−ＣＨ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）＝Ｎ−ＣＨ−（ＣＨ3）2）、１．５３（１２Ｈ、ｄ、Ｏ−ＣＨ−（ＣＨ3）2）、３．５６（４Ｈ、ｂｒ、（ＣＨ3）2−ＣＨ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）＝Ｎ−ＣＨ−（ＣＨ3）2）、４．８５（２Ｈ、ｄ、Ｏ−ＣＨ−（ＣＨ3）2）。
【００８２】
例３
Ｔｉ（ＮiPr−ｆｍｄ）2（ＯｉＰｒ）2：１０．００ｇ、７８．６８ｍｍｏｌのＮiPr−ｆｍｄ−Ｈを含有し室温で攪拌したペンタン溶液に、純粋物のＴｉ（ＯｉＰｒ）2（ＮＭｅ2）2（１０．００ｇ、３９．３４ｍｍｏｌ）化合物を窒素の雰囲気下でゆっくりと添加し、フラスコの出口をオイルバブラーに接続した。得られた溶液を室温で終夜攪拌した。溶媒および揮発性物質を反応混合物から減圧下で除去した。橙黄色の固体が得られた。この固体の精製を昇華によって行い、１６．５ｇ、７４％の収率を得た。図３はこの前駆体についての温度変化に伴う質量減少の割合を示すＴＧＡグラフである。ＮＭＲ（Ｃ6Ｄ6、δ）：１．２７（２４Ｈ、ｂｒ、（ＣＨ3）2−ＣＨ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）＝Ｎ−ＣＨ−（ＣＨ3）2）、１．２９（１２Ｈ、ｄ、Ｏ−ＣＨ−（ＣＨ3）2）、３．９９（４Ｈ、ｂｒ、（ＣＨ3）2−ＣＨ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）＝Ｎ−ＣＨ−（ＣＨ3）2)、４．８８（２Ｈ、ｄ、Ｏ−ＣＨ−（ＣＨ3）2）、７．８８（２Ｈ、ｂｒ、（ＣＨ3）2−ＣＨ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）＝Ｎ−ＣＨ−（ＣＨ3）2）。
【００８３】
例４
Ｔｉ（ＮiPr−ｇｍｄ）2（ＯｉＰｒ）2：２．９８ｇ、２３．６０ｍｍｏｌのｉＰｒ−Ｎ＝Ｃ＝Ｎ−ｉＰｒを含有し室温で攪拌したペンタン溶液に、純粋物のＴｉ（ＯｉＰｒ）2（ＮＭｅ2）2（３．００ｇ、１１．８０ｍｍｏｌ）化合物を窒素の雰囲気下でゆっくりと添加し、フラスコの出口をオイルバブラーに接続した。得られた溶液を室温で終夜攪拌した。溶媒および揮発性物質を反応混合物から減圧下で除去した。赤色の固体が得られた。この固体の精製を昇華によって行い、非常に低い収率が得られ、ＮＭＲスペクトルは生成物の混合物を示した。
【００８４】
例５
Ｔｉ（ＮiPr−ａｍｄ）（ＯｉＰｒ）2（ＮＭｅ2）：１４．３ｇ、５６．３１ｍｍｏｌのＴｉ（ＯｉＰｒ）2（ＮＭｅ2）2を含有し室温で窒素の雰囲気下で攪拌した８０ｍＬのペンタン溶液に、ＮiPr−ａｍｄ−Ｈ（８．０１ｇ、５６．３１ｍｍｏｌ）の５０ｍＬペンタン溶液をゆっくりと滴下して添加した。フラスコの出口をオイルバブラーに接続し、次にこれを酸スクラバに接続した。得られた溶液を室温で終夜攪拌した。溶媒および揮発性物質を反応混合物から減圧下で除去し、橙赤色の液体が得られた。この橙赤色の液体を蒸留によって精製して、１１．５ｇ（６０％）を得た。図４はこの前駆体についての温度変化に伴う質量減少の割合を示すＴＧＡグラフである。ＮＭＲ（Ｃ6Ｄ6、δ）：１．１４（１２Ｈ、ｄ、（ＣＨ3）2−ＣＨ−Ｎ−Ｃ（ＣＨ3）＝Ｎ−ＣＨ−（ＣＨ3）2）、１．３３（１２Ｈ、ｄ、Ｏ−ＣＨ−（ＣＨ3）2）、１．４７（３Ｈ、ｓ、（ＣＨ3）2−ＣＨ−Ｎ−Ｃ（ＣＨ3）＝Ｎ−ＣＨ−（ＣＨ3）2）、３．３７（６Ｈ、ｓ、Ｎ（ＣＨ3）2）３．４６（２Ｈ、ｍ、Ｏ−ＣＨ−（ＣＨ3）2）、４．８２（２Ｈ、ｍ、（ＣＨ3）2−ＣＨ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）＝Ｎ−ＣＨ−（ＣＨ3）2）。
【００８５】
例６
Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−Ｅｔ）（ＯｉＰｒ）2：１５．０ｇ、５９．０１ｍｍｏｌのＴｉ（ＯｉＰｒ）2（ＮＭｅ2）2を含有し室温で窒素の雰囲気下で攪拌した６０ｍＬのペンタン溶液に、Ｅｔ−ＮＨ−（ＣＨ2）2−ＮＨ−Ｅｔの純粋な液体（６．８６ｇ、５９．０１ｍｍｏｌ）をゆっくりと滴下して添加した。フラスコの出口をオイルバブラーに接続し、次にこれを酸スクラバに接続した。得られた溶液を室温で終夜攪拌した。溶媒および揮発性物質を反応混合物から減圧下で除去し、橙赤色の液体が得られた。この橙赤色の液体を蒸留によって精製して、定量的な収率を得た。図５はこの前駆体についての温度変化に伴う質量減少の割合を示すＴＧＡグラフである。  
ＮＭＲ（Ｃ6Ｄ6、δ）：１．２０（６Ｈ、ｔ、ＣＨ3−ＣＨ2−Ｎ−ＣＨ2−ＣＨ2−Ｎ−ＣＨ2−ＣＨ3）、１．３（１２Ｈ、ｄ、Ｏ−ＣＨ−（ＣＨ3）2）、３．５（４Ｈ、ｓ、ＣＨ3−ＣＨ2−Ｎ−ＣＨ2−ＣＨ2−Ｎ−ＣＨ2−ＣＨ3）、３．７（４Ｈ、ｑ、（ＣＨ3−ＣＨ2−Ｎ−ＣＨ2−ＣＨ2−Ｎ−ＣＨ2−ＣＨ3）、４．７（２Ｈ、ｍ、Ｏ−ＣＨ−（ＣＨ3）2。
【００８６】
例７
Ｔｉ（Ｍｅ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−Ｍｅ）（ＯｉＰｒ）2：例６と類似した合成を行った。赤色の液体の蒸留による精製は化合物の分解をもたらした。ＮＭＲ（Ｃ6Ｄ6、δ）：１．３１（１２Ｈ、ｄ、Ｏ−ＣＨ−（ＣＨ3）2）、３．２９（６Ｈ、ｔ、ＣＨ3−Ｎ−ＣＨ2−ＣＨ2−Ｎ−ＣＨ3）、３．４１（４Ｈ、ｓ、ＣＨ3−Ｎ−ＣＨ2−ＣＨ2−Ｎ−ＣＨ3）、４．７３（２Ｈ、ｍ、Ｏ−ＣＨ−（ＣＨ3）2。
【００８７】
例８
Ｔｉ（Ｍｅ2ＣＨ−Ｎ−（ＣＨ2）3−Ｎ−ＣＨＭｅ2）（ＯｉＰｒ）2：例６と類似した合成を行った。図６はこの前駆体についての温度変化に伴う質量減少の割合を示すＴＧＡグラフである。  
ＮＭＲ（Ｃ6Ｄ6、δ）：１．２０（６Ｈ、ｔ、ＣＨ3−ＣＨ2−Ｎ−ＣＨ2−ＣＨ2−ＣＨ2−Ｎ−ＣＨ2−ＣＨ3）、１．２７（１２Ｈ、ｄ、Ｏ−ＣＨ−（ＣＨ3）2）、２．２３（２Ｈ、ｂｒ、ＣＨ3−ＣＨ2−Ｎ−ＣＨ2−ＣＨ2−ＣＨ2−Ｎ−ＣＨ2−ＣＨ3)、３．２８（４Ｈ、ｑ、（ＣＨ3−ＣＨ2−Ｎ−ＣＨ2−ＣＨ2−ＣＨ2−Ｎ−ＣＨ2−ＣＨ3）、３．３３（４Ｈ、ｑ、（ＣＨ3−ＣＨ2−Ｎ−ＣＨ2−ＣＨ2−ＣＨ2−Ｎ−ＣＨ2−ＣＨ3）、４．５５（２Ｈ、ｍ、Ｏ−ＣＨ−（ＣＨ3）2。
【００８８】
例９
例１のチタン含有前駆体、Ｔｉ（ＮiPr−ａｍｄ）（ＯｉＰｒ）3と反応剤Ｏ3とを使用して、ＴｉＯ2の膜をＳｉＯ2／Ｓｉ基板上に堆積させた。ＳｉＯ2／Ｓｉ基板は２５０℃の温度に維持した。前駆体を５０℃に維持したバブラー内で気化させた。ＡＬＤサイクルは、５秒の前駆体パルスと、続けての５秒のパージと、続けての２秒の反応剤パルスと、続けての５秒のパージとを含んでいた。ＴｉＯ2の成長速度は０．１Å／サイクルであることが認められた。このＡＬＤ法を０．３Å／サイクル程度の高さの堆積速度の３５０℃まで評価した。
【００８９】
例１０
例１のチタン含有前駆体、Ｔｉ（ＮiPr−ａｍｄ）（ＯｉＰｒ）3と反応剤Ｈ2Ｏとを使用して、ＴｉＯ2の膜をＳｉＯ2／Ｓｉ基板上に堆積させた。ＳｉＯ2／Ｓｉ基板は２５０℃の温度に維持した。前駆体を５０℃に維持したバブラー内で気化させた。ＡＬＤサイクルは、２０秒の前駆体パルスと、続けての５秒のパージと、続けての２秒の反応剤パルスと、続けての１０秒のパージとを含んでいた。ＴｉＯ2の成長速度は０．３３Å／サイクルであることが認められた。このＡＬＤ法を０．４０Å／サイクル程度の高さの堆積速度の３５０℃まで評価した。
【００９０】
例１１
例２のチタン含有前駆体、Ｔｉ（ＮiPr−ａｍｄ）2（ＯｉＰｒ）2と反応剤Ｏ3とを使用して、ＴｉＯ2の膜をＳｉＯ2／Ｓｉ基板上に堆積させた。ＳｉＯ2／Ｓｉ基板は３００℃の温度に維持した。橙赤色の前駆体を１２０℃に維持したバブラー内で気化させた。ＡＬＤサイクルは、１０秒の前駆体パルスと、続けての５秒のパージと、続けての２秒の反応剤パルスと、続けての１０秒のパージとを含んでいた。ＴｉＯ2の成長速度は０．３３Å／サイクルであることが確認された。このＡＬＤ法を０．４０Å／サイクル程度の高さの堆積速度の３２５℃まで評価した。
【００９１】
例１２
例２のチタン含有前駆体、Ｔｉ（ＮiPr−ａｍｄ）2（ＯｉＰｒ）2と反応剤Ｈ2Ｏとを使用して、ＴｉＯ2の膜をＳｉＯ2／Ｓｉ基板上に堆積させた。ＳｉＯ2／Ｓｉ基板は２７５℃の温度に維持した。橙赤色の前駆体を１２０℃に維持したバブラー内で気化させた。ＡＬＤサイクルは、１０秒の前駆体パルスと、続けての５秒のパージと、続けての２秒の反応剤パルスと、続けての５秒のパージとを含んでいた。ＴｉＯ2の成長速度は０．４０Å／サイクルであることが認められた。このＡＬＤ法を０．４７Å／サイクル程度の高さの堆積速度の３２５℃まで評価した。
【００９２】
例１３
例５のチタン含有前駆体、Ｔｉ（ＮiPr−ａｍｄ）（ＯｉＰｒ）2（ＮＭｅ2）と反応剤Ｏ3とを使用して、ＴｉＯ2の膜をＳｉＯ2／Ｓｉ基板上に堆積させた。ＳｉＯ2／Ｓｉ基板は２２５℃の温度に維持した。橙赤色の前駆体を５５℃に維持したバブラー内で気化させた。ＡＬＤサイクルは、１５秒の前駆体パルスと、続けての５秒のパージと、続けての２秒の反応剤パルスと、続けての５秒のパージとを含んでいた。ＴｉＯ2の成長速度は０．１７Å／サイクルであることが認められた。このＡＬＤ法を０．７０Å／サイクル程度の高さの堆積速度の３７５℃まで評価した。
【００９３】
例１４
例５のチタン含有前駆体、Ｔｉ（ＮiPr−ａｍｄ）（ＯｉＰｒ）2（ＮＭｅ2）と反応剤Ｈ2Ｏとを使用して、ＴｉＯ2の膜をＳｉＯ2／Ｓｉ基板上に堆積させた。ＳｉＯ2／Ｓｉ基板は２２５℃の温度に維持した。橙赤色の前駆体を５５℃に維持したバブラー内で気化させた。ＡＬＤサイクルは、１０秒の前駆体パルスと、続けての１０秒のパージと、続けての１秒の反応剤パルスと、続けての１０秒のパージとを含んでいた。ＴｉＯ2の成長速度は０．７３Å／サイクルであることが認められた。このＡＬＤ法を０．８０Å／サイクル程度の高さの堆積速度の３７５℃まで評価した。
【００９４】
例１５
例６のチタン含有前駆体、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−Ｅｔ）（ＯｉＰｒ）2と反応剤Ｏ3とを使用して、ＴｉＯ2の膜をＳｉＯ2／Ｓｉ基板上に堆積させた。ＳｉＯ2／Ｓｉ基板は２５０℃の温度に維持した。前駆体を５０℃に維持したバブラー内で気化させた。ＡＬＤサイクルは、１５秒の前駆体パルスと、続けての５秒のパージと、続けての２秒の反応剤パルスと、続けての５秒のパージとを含んでいた。ＴｉＯ2の成長速度は０．１Å／サイクルであることが認められた。このＡＬＤ法を０．３Å／サイクル程度の高さの堆積速度の３２５℃まで評価した。
【００９５】
例１６
例８のチタン含有前駆体、Ｔｉ（Ｍｅ2ＣＨ−Ｎ−（ＣＨ2）3−Ｎ−ＣＨＭｅ2）（ＯｉＰｒ）2と反応剤Ｏ3とを使用して、ＴｉＯ2の膜をＳｉＯ2／Ｓｉ基板上に堆積させた。ＳｉＯ2／Ｓｉ基板は２５０℃の温度に維持した。前駆体を５０℃に維持したバブラー内で気化させた。ＡＬＤサイクルは、１５秒の前駆体パルスと、続けての５秒のパージと、続けての２秒の反応剤パルスと、続けての５秒のパージとを含んでいた。ＴｉＯ2の成長速度は０．２Å／サイクルであることが認められた。このＡＬＤ法を０．３３Å／サイクル程度の高さの堆積速度の３２５℃まで評価した。
【００９６】
例１７
式Ｔｉ（ＯｉＰｒ）2（ＮＭｅ2）2を有するチタン含有前駆体と反応剤Ｏ3とを使用して、ＴｉＯ2の膜をＳｉＯ2／Ｓｉ基板上に堆積させた。ＳｉＯ2／Ｓｉ基板は２５０℃の温度に維持した。前駆体を３０℃に維持したバブラー内で気化させた。ＡＬＤサイクルは、１０秒の前駆体パルスと、続けての５秒のパージと、続けての２秒の反応剤パルスと、続けての５秒のパージとを含んでいた。ＴｉＯ2の成長速度は０．７７Å／サイクルであることが認められた。このＡＬＤ法を０．７７Å／サイクル程度の高さの堆積速度の２７５℃まで評価した。
【００９７】
例１８
例１２のチタン含有前駆体、Ｔｉ（ＯｉＰｒ）2（ＮＭｅ2）2と反応剤Ｈ2Ｏとを使用して、ＴｉＯ2の膜をＳｉＯ2／Ｓｉ基板上に堆積させた。ＳｉＯ2／Ｓｉ基板は２５０℃の温度に維持した。前駆体を３０℃に維持したバブラー内で気化させた。ＡＬＤサイクルは、７秒の前駆体パルスと、続けての５秒のパージと、続けての２秒の反応剤パルスと、続けての１０秒のパージとを含んでいた。ＴｉＯ2の成長速度は０．２５Å／サイクルであることが認められた。このＡＬＤ法を０．４０Å／サイクル程度の高さの堆積速度の２７５℃まで評価した。
【００９８】
本発明の性質を説明するためにここに説明および示してきた詳細、材料、工程および部品の配置に関する多くの追加の変更は、当業者により、添付の特許請求の範囲で表される発明の原理および範囲内で行われうることは理解されるであろう。したがって、本発明は、上に示した例および添付の図面における具体的な実施形態に限定されることを意図していない。
【図１】
2013527147.tif 000016
【図２】
2013527147.tif 000017
【図３】
2013527147.tif 000018
【図４】
2013527147.tif 000019
【図５】
2013527147.tif 000020
【図６】
2013527147.tif 000021
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月23日(2012.10.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の式を有する分子：
Ｔｉ（Ｒ1−Ｎ−Ｃ（Ｒ3）−Ｎ−Ｒ2）u（ＯＲ4）x（ＮＲ5Ｒ6）y（Ｏ2ＣＲ7）z
…  式Ｉ
ここで：
・Ｒ1、Ｒ2、Ｒ5、Ｒ6、およびＲ7は、ＨおよびＣ1−Ｃ6アルキル基からなる群より独立して選択され；
・Ｒ3＝Ｈ、Ｃ1−Ｃ6アルキル基、またはＮＭｅ2であり；
・Ｒ4はＣ1−Ｃ6アルキル基であり；
・ｕ、ｘ、ｙ、およびｚは、ｕ＝１、ｘ＝３、ｙ＝０、およびｚ＝０；ｕ＝２、ｘ＝２、ｙ＝０、およびｚ＝０；ｕ＝１、ｘ＝２、ｙ＝１、およびｚ＝０；並びにｕ＝１、ｘ＝２、ｙ＝０、およびｚ＝１からなる群から選択される。
【請求項２】
前記分子は、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯｉＰｒ）3、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯＭｅ）3、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯＥｔ）3、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯｎＰｒ）3、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯｓＢｕ）3、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯｉＢｕ）3、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯｔＢｕ）3、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯＥｔ）3、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯＭｅ）3、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯｎＰｒ）3、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯｓＢｕ）3、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯｉＢｕ）3、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯｔＢｕ）3、およびＴｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（ＮＭｅ2）−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＰｒ）3からなる群より選択される請求項１に記載の分子。
【請求項３】
前記分子は、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）−Ｎ−ｉＰｒ）2（ＯｉＰｒ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）−Ｎ−ｉＰｒ）2（ＯＭｅ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）−Ｎ−ｉＰｒ）2（ＯＥｔ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）−Ｎ−ｉＰｒ）2（ＯｎＰｒ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）−Ｎ−ｉＰｒ）2（ＯｓＢｕ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）−Ｎ−ｉＰｒ）2（ＯｉＢｕ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）−Ｎ−ｉＰｒ）2（ＯｔＢｕ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）−Ｎ−Ｅｔ）2（ＯｉＰｒ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）−Ｎ−Ｅｔ）2（ＯＭｅ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）−Ｎ−Ｅｔ）2（ＯＥｔ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）−Ｎ−Ｅｔ）2（ＯｎＰｒ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）−Ｎ−Ｅｔ）2（ＯｓＢｕ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）−Ｎ−Ｅｔ）2（ＯｉＢｕ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）−Ｎ−Ｅｔ）2（ＯｔＢｕ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）2（ＯｉＰｒ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）2（ＯＭｅ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）2（ＯＥｔ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）2（ＯｎＰｒ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）2（ＯｓＢｕ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）2（ＯｉＢｕ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）2（ＯｔＢｕ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）2（ＯｉＰｒ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）2（ＯＭｅ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）2（ＯＥｔ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）2（ＯｎＰｒ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）2（ＯｓＢｕ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）2（ＯｉＢｕ）2、およびＴｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）2（ＯｔＢｕ）2からなる群より選択される請求項１に記載の分子。
【請求項４】
前記分子は、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＰｒ）2（ＮＭｅ2）、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＰｒ）2（ＮＥｔ2）、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＰｒ）2（ＮＥｔＭｅ）、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）（ＯｉＰｒ）2（ＮＭｅ2）、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）（ＯｉＰｒ）2（ＮＥｔ2）、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）（ＯｉＰｒ）2（ＮＥｔＭｅ）、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（ＮＭｅ2）−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＰｒ）2（ＮＭｅ2）、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（ＮＭｅ2）−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＰｒ）2（ＮＥｔ2）、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（ＮＭｅ2）−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＰｒ）2（ＮＥｔＭｅ）、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＰｒ）2（ＮＭｅｉＰｒ）、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＰｒ）2（ＮｉＰｒ2）、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＰｒ）2（ＮＭｅｔＢｕ）、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＰｒ）2（Ｎｎｅｏペンチル2）、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）（ＯｉＰｒ）2（ＮＭｅｉＰｒ）、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）（ＯｉＰｒ）2（ＮｉＰｒ2）、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）（ＯｉＰｒ）2（Ｎｎｅｏペンチル2）、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（ＮＭｅ2）−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＰｒ）2（ＮＭｅｉＰｒ）、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（ＮＭｅ2）−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＰｒ）2（ＮｉＰｒ2）、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（ＮＭｅ2）−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＰｒ）2（Ｎｎｅｏペンチル2）、およびＴｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（ＮＭｅ2）−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＰｒ）2（ＮＭｅｉＰｒ）からなる群より選択される請求項１に記載の分子。
【請求項５】
前記分子は、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＰｒ）2（Ｏ2ＣＭｅ）およびＴｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）（ＯｉＰｒ）2（Ｏ2ＣＭｅ）からなる群より選択される請求項１に記載の分子。
【請求項６】
Ｔｉ含有膜を基板上に形成する方法であって、前記方法は：
少なくとも１枚の基板を中に配置した反応チャンバを用意することと；
以下の式を有する少なくとも１種の蒸気を前記反応チャンバに導入することと；
Ｔｉ（Ｒ1−Ｎ−Ｃ（Ｒ3）−Ｎ−Ｒ2）u（ＯＲ4）x（ＮＲ5Ｒ6）y（Ｏ2ＣＲ7）z
…  式Ｉ
ここで：
・Ｒ1、Ｒ2、Ｒ5、Ｒ6、およびＲ7はＨおよびＣ1−Ｃ6アルキル基からなる群より独立して選択され；
・Ｒ3＝Ｈ、Ｃ1−Ｃ6アルキル基、またはＮＭｅ2であり；
・Ｒ4はＣ1−Ｃ6アルキル基であり；
・ｕ、ｘ、ｙ、およびｚは、ｕ＝１、ｘ＝３、ｙ＝０、およびｚ＝０；ｕ＝２、ｘ＝２、ｙ＝０、およびｚ＝０；ｕ＝１、ｘ＝２、ｙ＝１、およびｚ＝０；並びにｕ＝１、ｘ＝２、ｙ＝０、およびｚ＝１からなる群から選択される；
気相堆積プロセスを使用して、前記蒸気を前記基板に接触させてＴｉ含有層を前記基板の少なくとも１つの表面上に形成すること
を含む方法。
【請求項７】
前記少なくとも１種の前駆体は、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯｉＰｒ）3、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯＭｅ）3、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯＥｔ）3、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯｎＰｒ）3、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯｓＢｕ）3、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯｉＢｕ）3、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯｔＢｕ）3、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯＥｔ）3、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯＭｅ）3、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯｎＰｒ）3、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯｓＢｕ）3、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯｉＢｕ）3、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯｔＢｕ）3、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（ＮＭｅ2）−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＰｒ）3、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）−Ｎ−ｉＰｒ）2（ＯｉＰｒ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）−Ｎ−ｉＰｒ）2（ＯＭｅ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）−Ｎ−ｉＰｒ）2（ＯＥｔ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）−Ｎ−ｉＰｒ）2（ＯｎＰｒ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）−Ｎ−ｉＰｒ）2（ＯｓＢｕ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）−Ｎ−ｉＰｒ）2（ＯｉＢｕ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）−Ｎ−ｉＰｒ）2（ＯｔＢｕ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）−Ｎ−Ｅｔ）2（ＯｉＰｒ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）−Ｎ−Ｅｔ）2（ＯＭｅ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）−Ｎ−Ｅｔ）2（ＯＥｔ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）−Ｎ−Ｅｔ）2（ＯｎＰｒ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）−Ｎ−Ｅｔ）2（ＯｓＢｕ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）−Ｎ−Ｅｔ）2（ＯｉＢｕ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）−Ｎ−Ｅｔ）2（ＯｔＢｕ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）2（ＯｉＰｒ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）2（ＯＭｅ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）2（ＯＥｔ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）2（ＯｎＰｒ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）2（ＯｓＢｕ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）2（ＯｉＢｕ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ
）−Ｎ−ｉＰｒ）2（ＯｔＢｕ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）2（ＯｉＰｒ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）2（ＯＭｅ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）2（ＯＥｔ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）2（ＯｎＰｒ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）2（ＯｓＢｕ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）2（ＯｉＢｕ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）2（ＯｔＢｕ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＰｒ）2（ＮＭｅ2）、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＰｒ）2（ＮＥｔ2）、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＰｒ）2（ＮＥｔＭｅ）、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）（ＯｉＰｒ）2（ＮＭｅ2）、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）（ＯｉＰｒ）2（ＮＥｔ2）、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）（ＯｉＰｒ）2（ＮＥｔＭｅ）、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（ＮＭｅ2）−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＰｒ）2（ＮＭｅ2）、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（ＮＭｅ2）−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＰｒ）2（ＮＥｔ2）、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（ＮＭｅ2）−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＰｒ）2（ＮＥｔＭｅ）、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＰｒ）2（ＮＭｅｉＰｒ）、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＰｒ）2（ＮｉＰｒ2）、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＰｒ）2（ＮＭｅｔＢｕ）、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＰｒ）2（Ｎｎｅｏペンチル2）、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）（ＯｉＰｒ）2（ＮＭｅｉＰｒ）、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）（ＯｉＰｒ）2（ＮｉＰｒ2）、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）（ＯｉＰｒ）2（Ｎｎｅｏペンチル2）、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（ＮＭｅ2）−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＰｒ）2（ＮＭｅｉＰｒ）、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（ＮＭｅ2）−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＰｒ）2（ＮｉＰｒ2）、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（ＮＭｅ2）−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＰｒ）2（Ｎｎｅｏペンチル2）、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（ＮＭｅ2）−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＰｒ）2（ＮＭｅｉＰｒ）、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＰｒ）2（Ｏ2ＣＭｅ）、およびＴｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅ
ｔ）（ＯｉＰｒ）2（Ｏ2ＣＭｅ）からなる群より選択される請求項６に記載の方法。
【請求項８】
Ｍ（Ｌ）2およびＭ（Ｌ）2Ａからなる群より選択される少なくとも１種の金属含有前駆体を含む第２の蒸気を前記反応チャンバに導入し、ここで：
−ＭはＳｒまたはＢａであり；
−Ｌは置換シクロペンタジエニル配位子構造Ｒ1Ｒ2Ｒ3Ｒ4Ｒ5Ｃｐまたはベータ−ジケトナート配位子構造−Ｏ−ＣＲ6−ＣＨ−ＣＲ7−Ｏ−であり；
−Ｒ1〜Ｒ5の各々はＨまたはＣ1−Ｃ6の線状もしくは分枝アルキル鎖から独立して選択され；
−Ｒ6およびＲ7の各々はＣ1−Ｃ6の線状または分枝アルキル鎖から独立して選択され；
−Ａはテトラヒドロフラン、ジメトキシエタン、ジグリム、トリグリム、およびテトラグリムからなる群より選択される中性の酸素含有分子であり；
気相堆積プロセスを使用して、前記第２の蒸気を前記基板に接触させて金属含有層を前記基板上の少なくとも１つの表面上に形成する
ことをさらに含む請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記金属含有前駆体は、Ｓｒ（ｉＰｒ3Ｃｐ）2、Ｓｒ（ｉＰｒ3Ｃｐ）2.ｔｈｆ、Ｓｒ（ｉＰｒ3Ｃｐ）2.ｄｍｅ、Ｓｒ（ｔＢｕ3Ｃｐ）2、Ｓｒ（ｔＢｕ3Ｃｐ）2.ｔｈｆ、Ｓｒ（ｔＢｕ3Ｃｐ）2.ｄｍｅ、Ｓｒ（ｔｈｍｄ）2、Ｓｒ（ｔｈｍｄ）2.トリグリム、Ｓｒ（ｔｈｍｄ）2.テトラグリム、Ｓｒ（Ｍｅ5Ｃｐ）2、Ｓｒ（Ｍｅ4Ｃｐ）2、Ｓｒ（Ｍｅ4ＥｔＣｐ）2、Ｓｒ（Ｍｅ4ｎＢｕＣｐ）2、Ｂａ（ｉＰｒ3Ｃｐ)2、Ｂａ（ｉＰｒ3Ｃｐ）2.ｔｈｆ、Ｂａ（ｉＰｒ3Ｃｐ）2.ｄｍｅ、Ｂａ（ｔＢｕ3Ｃｐ）2、Ｂａ（ｔＢｕ3Ｃｐ）2.ｔｈｆ、Ｂａ（ｔＢｕ3Ｃｐ）2.ｄｍｅ、Ｂａ（ｔｈｍｄ）2、Ｂａ（ｔｈｍｄ）2.トリグリム、Ｂａ（ｔｈｍｄ）2.テトラグリム、Ｂａ（Ｍｅ5Ｃｐ）2、Ｂａ（Ｍｅ4Ｃｐ）2、Ｂａ（Ｍｅ4ＥｔＣｐ）2、およびＢａ（Ｍｅ4ｎＢｕＣｐ）2からなる群より選択される請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
ＳＴＯまたはＢＳＴ膜を堆積させる方法であって、前記方法は：
少なくとも１枚の基板を中に配置した反応チャンバを用意することと；
以下の式を有する前駆体を含む蒸気を前記反応チャンバにパルスで送ることと、
Ｔｉ（Ｒ1−Ｎ−Ｃ（Ｒ3）−Ｎ−Ｒ2）u（ＯＲ4）x（ＮＲ5Ｒ6）y（Ｏ2ＣＲ7）z
…  式Ｉ
ここで：
・Ｒ1、Ｒ2、Ｒ5、Ｒ6、およびＲ7はＨおよびＣ1−Ｃ6アルキル基からなる群より独立して選択され；
・Ｒ3＝Ｈ、Ｃ1−Ｃ6アルキル基、またはＮＭｅ2であり；
・Ｒ4はＣ1−Ｃ6アルキル基であり；
・ｕ、ｘ、ｙ、およびｚは、ｕ＝１、ｘ＝３、ｙ＝０、およびｚ＝０；ｕ＝２、ｘ＝２、ｙ＝０、およびｚ＝０；ｕ＝１、ｘ＝２、ｙ＝１、およびｚ＝０；並びにｕ＝１、ｘ＝２、ｙ＝０、およびｚ＝１からなる群から選択される；
酸素供給源を前記反応チャンバにパルスで送ることと；
Ｍ（Ｌ）2およびＭ（Ｌ）2Ａからなる群より選択される金属含有前駆体を前記反応チャンバにパルスで送ることと［ここで：
−ＭはＳｒまたはＢａであり；
−Ｌは置換シクロペンタジエニル配位子構造Ｒ1Ｒ2Ｒ3Ｒ4Ｒ5Ｃｐまたはベータ−ジケトナート配位子構造−Ｏ−ＣＲ6−ＣＨ−ＣＲ7−Ｏ−であり；
−Ｒ1〜Ｒ5の各々はＨまたはＣ1−Ｃ6の線状もしくは分枝アルキル鎖から独立して選択され；
−Ｒ6およびＲ7の各々はＣ1−Ｃ6の線状または分枝アルキル鎖から独立して選択され；
−Ａはテトラヒドロフラン、ジメトキシエタン、ジグリム、トリグリム、およびテトラグリムからなる群より選択される中性の酸素含有分子である］；
第２の酸素供給源を前記反応チャンバにパルスで送ることと；
前記ＳＴＯまたはＢＳＴ膜におけるＭ：Ｔｉの化学量論比を、前記前駆体および前記金属含有前駆体のパルス工程の数を変更することによって制御すること
を含む方法。
【請求項１１】
前記前駆体は、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯｉＰｒ）3、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯＭｅ）3、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯＥｔ）3、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯｎＰｒ）3、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯｓＢｕ）3、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯｉＢｕ）3、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯｔＢｕ）3、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯＥｔ）3、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯＭｅ）3、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯｎＰｒ）3、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯｓＢｕ）3、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯｉＢｕ）3、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯｔＢｕ）3、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（ＮＭｅ2）−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＰｒ）3、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）−Ｎ−ｉＰｒ）2（ＯｉＰｒ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）−Ｎ−ｉＰｒ）2（ＯＭｅ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）−Ｎ−ｉＰｒ）2（ＯＥｔ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）−Ｎ−ｉＰｒ）2（ＯｎＰｒ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）−Ｎ−ｉＰｒ）2（ＯｓＢｕ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）−Ｎ−ｉＰｒ）2（ＯｉＢｕ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）−Ｎ−ｉＰｒ）2（ＯｔＢｕ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）−Ｎ−Ｅｔ）2（ＯｉＰｒ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）−Ｎ−Ｅｔ）2（ＯＭｅ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）−Ｎ−Ｅｔ）2（ＯＥｔ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）−Ｎ−Ｅｔ）2（ＯｎＰｒ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）−Ｎ−Ｅｔ）2（ＯｓＢｕ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）−Ｎ−Ｅｔ）2（ＯｉＢｕ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）−Ｎ−Ｅｔ）2（ＯｔＢｕ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）2（ＯｉＰｒ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）2（ＯＭｅ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）2（ＯＥｔ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）2（ＯｎＰｒ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）2（ＯｓＢｕ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）2（ＯｉＢｕ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）
2（ＯｔＢｕ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）2（ＯｉＰｒ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）2（ＯＭｅ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）2（ＯＥｔ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）2（ＯｎＰｒ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）2（ＯｓＢｕ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）2（ＯｉＢｕ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）2（ＯｔＢｕ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＰｒ）2（ＮＭｅ2）、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＰｒ）2（ＮＥｔ2）、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＰｒ）2（ＮＥｔＭｅ）、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）（ＯｉＰｒ）2（ＮＭｅ2）、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）（ＯｉＰｒ）2（ＮＥｔ2）、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）（ＯｉＰｒ）2（ＮＥｔＭｅ）、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（ＮＭｅ2）−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＰｒ）2（ＮＭｅ2）、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（ＮＭｅ2）−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＰｒ）2（ＮＥｔ2）、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（ＮＭｅ2）−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＰｒ）2（ＮＥｔＭｅ）、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＰｒ）2（ＮＭｅｉＰｒ）、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＰｒ）2（ＮｉＰｒ2）、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＰｒ）2（ＮＭｅｔＢｕ）、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＰｒ）2（Ｎｎｅｏペンチル2）、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）（ＯｉＰｒ）2（ＮＭｅｉＰｒ）、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）（ＯｉＰｒ）2（ＮｉＰｒ2）、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）（ＯｉＰｒ）2（Ｎｎｅｏペンチル2）、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（ＮＭｅ2）−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＰｒ）2（ＮＭｅｉＰｒ）、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（ＮＭｅ2）−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＰｒ）2（ＮｉＰｒ2）、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（ＮＭｅ2）−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＰｒ）2（Ｎｎｅｏペンチル2）、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（ＮＭｅ2）−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＰｒ）2（ＮＭｅｉＰｒ）、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＰｒ）2（Ｏ2ＣＭｅ）、およびＴｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）（ＯｉＰｒ）
2（Ｏ2ＣＭｅ）からなる群より選択される請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記金属含有前駆体は、Ｓｒ（ｉＰｒ3Ｃｐ）2、Ｓｒ（ｉＰｒ3Ｃｐ）2.ｔｈｆ、Ｓｒ（ｉＰｒ3Ｃｐ）2.ｄｍｅ、Ｓｒ（ｔＢｕ3Ｃｐ）2、Ｓｒ（ｔＢｕ3Ｃｐ）2.ｔｈｆ、Ｓｒ（ｔＢｕ3Ｃｐ）2.ｄｍｅ、Ｓｒ（ｔｈｍｄ）2、Ｓｒ（ｔｈｍｄ）2.トリグリム、Ｓｒ（ｔｈｍｄ）2.テトラグリム、Ｓｒ（Ｍｅ5Ｃｐ）2、Ｓｒ（Ｍｅ4Ｃｐ）2、Ｓｒ（Ｍｅ4ＥｔＣｐ）2、Ｓｒ（Ｍｅ4ｎＢｕＣｐ）2、Ｂａ（ｉＰｒ3Ｃｐ)2、Ｂａ（ｉＰｒ3Ｃｐ）2.ｔｈｆ、Ｂａ（ｉＰｒ3Ｃｐ）2.ｄｍｅ、Ｂａ（ｔＢｕ3Ｃｐ）2、Ｂａ（ｔＢｕ3Ｃｐ）2.ｔｈｆ、Ｂａ（ｔＢｕ3Ｃｐ）2.ｄｍｅ、Ｂａ（ｔｈｍｄ）2、Ｂａ（ｔｈｍｄ）2.トリグリム、Ｂａ（ｔｈｍｄ）2.テトラグリム、Ｂａ（Ｍｅ5Ｃｐ）2、Ｂａ（Ｍｅ4Ｃｐ）2、Ｂａ（Ｍｅ4ＥｔＣｐ）2、およびＢａ（Ｍｅ4ｎＢｕＣｐ）2からなる群より選択される請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
前記酸素供給源および前記第２の酸素供給源は水である請求項１０に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９８】
本発明の性質を説明するためにここに説明および示してきた詳細、材料、工程および部品の配置に関する多くの追加の変更は、当業者により、添付の特許請求の範囲で表される発明の原理および範囲内で行われうることは理解されるであろう。したがって、本発明は、上に示した例および添付の図面における具体的な実施形態に限定されることを意図していない。
以下に、本出願の当初の特許請求の範囲に記載の発明を付記する。
［１］以下の式を有する分子であって：
Ｔｉ（Ｒ1−Ｎ−Ｃ（Ｒ3）−Ｎ−Ｒ2）u（ＯＲ4）x（ＮＲ5Ｒ6）y（Ｏ2ＣＲ7）z  式Ｉ
または
Ｔｉ（Ｒ1−Ｎ−（Ｃ（Ｒ3）2）m−Ｎ−Ｒ2）v（ＯＲ4）x（ＮＲ5Ｒ6）y（Ｏ2ＣＲ7）z  式ＩＩ
ここで：
・Ｒ1、Ｒ2、Ｒ5、Ｒ6、およびＲ7はＨおよびＣ1−Ｃ6アルキル基からなる群より独立して選択され；
・Ｒ3＝Ｈ、Ｃ1−Ｃ6アルキル基、またはＮＭｅ2であり；
・Ｒ4はＣ1−Ｃ6アルキル基であり；
・ｍ＝２−４であり；
・ｕ＝０−２であり；
・ｖ＝０−１であり；
・ｘ＝１−３であり；
・ｙ＝０−２であり；
・ｚ＝０−１であり；
・式Ｉにおいて、ｕ＋ｘ＋ｙ＋ｚ＝４であり；
・式ＩＩにおいて、２ｖ＋ｘ＋ｙ＋ｚ＝４であり；および
・ｕ、ｖ、またはｚ≧１である
分子。
［２］前記分子はｕ＝１、ｘ＝３、ｙ＝０、およびｚ＝０である式Ｉを有する［１］に記載の分子。
［３］前記分子は、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯｉＰｒ）3、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯＭｅ）3、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯＥｔ）3、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯｎＰｒ）3、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯｓＢｕ）3、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯｉＢｕ）3、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯｔＢｕ）3、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯＥｔ）3、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯＭｅ）3、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯｎＰｒ）3、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯｓＢｕ）3、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯｉＢｕ）3、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯｔＢｕ）3、およびＴｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（ＮＭｅ2）−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＰｒ）3からなる群より選択される［２］に記載の分子。
［４］前記分子はｖ＝１、ｘ＝２、ｙ＝０、およびｚ＝０である式ＩＩを有する［１］に記載の分子。
［５］前記分子は、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯｉＰｒ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯＭｅ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯＥｔ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯｎＰｒ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯｓＢｕ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯｉＢｕ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯｔＢｕ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯｉＰｒ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯＭｅ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯＥｔ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯｎＰｒ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯｓＢｕ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯｉＢｕ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯｔＢｕ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）3−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯｉＰｒ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）3−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯＭｅ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）3−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯＥｔ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）3−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯｎＰｒ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）3−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯｓＢｕ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）3−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯｉＢｕ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）3−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯｔＢｕ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）3−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯｉＰｒ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）3−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯＭｅ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）3−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯＥｔ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）3−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯｎＰｒ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）3−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯｓＢｕ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）3−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯｉＢｕ）2、およびＴｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）3−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯｔＢｕ）2からなる群より選択される［４］に記載の分子。
［６］前記分子はｕ＝２、ｘ＝２、ｙ＝０、およびｚ＝０である式Ｉを有する［１］に記載の分子。
［７］前記分子は、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）−Ｎ−ｉＰｒ）2（ＯｉＰｒ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）−Ｎ−ｉＰｒ）2（ＯＭｅ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）−Ｎ−ｉＰｒ）2（ＯＥｔ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）−Ｎ−ｉＰｒ）2（ＯｎＰｒ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）−Ｎ−ｉＰｒ）2（ＯｓＢｕ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）−Ｎ−ｉＰｒ）2（ＯｉＢｕ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）−Ｎ−ｉＰｒ）2（ＯｔＢｕ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）−Ｎ−Ｅｔ）2（ＯｉＰｒ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）−Ｎ−Ｅｔ）2（ＯＭｅ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）−Ｎ−Ｅｔ）2（ＯＥｔ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）−Ｎ−Ｅｔ）2（ＯｎＰｒ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）−Ｎ−Ｅｔ）2（ＯｓＢｕ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）−Ｎ−Ｅｔ）2（ＯｉＢｕ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）−Ｎ−Ｅｔ）2（ＯｔＢｕ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）2（ＯｉＰｒ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）2（ＯＭｅ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）2（ＯＥｔ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）2（ＯｎＰｒ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）2（ＯｓＢｕ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）2（ＯｉＢｕ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）2（ＯｔＢｕ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）2（ＯｉＰｒ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）2（ＯＭｅ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）2（ＯＥｔ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）2（ＯｎＰｒ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）2（ＯｓＢｕ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）2（ＯｉＢｕ）2、およびＴｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）2（ＯｔＢｕ）2からなる群より選択される［６］に記載の分子。
［８］前記分子はｕ＝１、ｘ＝２、ｙ＝１、およびｚ＝０である式Ｉを有する［１］に記載の分子。
［９］前記分子は、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＰｒ）2（ＮＭｅ2）、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＰｒ）2（ＮＥｔ2）、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＰｒ）2（ＮＥｔＭｅ）、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）（ＯｉＰｒ）2（ＮＭｅ2）、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）（ＯｉＰｒ）2（ＮＥｔ2）、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）（ＯｉＰｒ）2（ＮＥｔＭｅ）、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（ＮＭｅ2）−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＰｒ）2（ＮＭｅ2）、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（ＮＭｅ2）−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＰｒ）2（ＮＥｔ2）、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（ＮＭｅ2）−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＰｒ）2（ＮＥｔＭｅ）、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＰｒ）2（ＮＭｅｉＰｒ）、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＰｒ）2（ＮｉＰｒ2）、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＰｒ）2（ＮＭｅｔＢｕ）、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＰｒ）2（Ｎｎｅｏペンチル2）、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）（ＯｉＰｒ）2（ＮＭｅｉＰｒ）、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）（ＯｉＰｒ）2（ＮｉＰｒ2）、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）（ＯｉＰｒ）2（Ｎｎｅｏペンチル2）、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（ＮＭｅ2）−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＰｒ）2（ＮＭｅｉＰｒ）、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（ＮＭｅ2）−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＰｒ）2（ＮｉＰｒ2）、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（ＮＭｅ2）−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＰｒ）2（Ｎｎｅｏペンチル2）、およびＴｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（ＮＭｅ2）−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＰｒ）2（ＮＭｅｉＰｒ）からなる群より選択される［８］に記載の分子。
［１０］前記分子はｕ＝１、ｘ＝２、ｙ＝０、およびｚ＝１である式Ｉを有する［１］に記載の分子。
［１１］前記分子は、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＰｒ）2（Ｏ2ＣＭｅ）およびＴｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）（ＯｉＰｒ）2（Ｏ2ＣＭｅ）からなる群より選択される［１０］に記載の分子。
［１２］前記分子はｖ＝１、ｘ＝１、ｙ＝０、およびｚ＝１である式ＩＩを有する［１］に記載の分子。
［１３］前記分子は、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＰｒ）（Ｏ2ＣＭｅ）、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯＭｅ）（Ｏ2ＣＭｅ）、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯＥｔ）（Ｏ2ＣＭｅ）、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｎＰｒ）（Ｏ2ＣＭｅ)、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｓＢｕ）（Ｏ2ＣＭｅ）、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＢｕ）（Ｏ2ＣＭｅ）、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｔＢｕ）（Ｏ2ＣＭｅ）、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−Ｅｔ）（ＯｉＰｒ）（Ｏ2ＣＭｅ）、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−Ｅｔ）（ＯＭｅ）（Ｏ2ＣＭｅ）、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−Ｅｔ）（ＯＥｔ）（Ｏ2ＣＭｅ）、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−Ｅｔ）（ＯｎＰｒ）（Ｏ2ＣＭｅ）、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−Ｅｔ）（ＯｓＢｕ）（Ｏ2ＣＭｅ）、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−Ｅｔ）（ＯｉＢｕ）（Ｏ2ＣＭｅ）、およびＴｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−Ｅｔ）（ＯｔＢｕ）（Ｏ2ＣＭｅ）からなる群より選択される［１２］に記載の分子。
［１４］前記分子はｕ、ｖ、ｙ＝０、ｘ＝２、およびｚ＝２である式Ｉまたは式ＩＩを有する［１］に記載の分子。
［１５］前記分子はＴｉ（ＯｉＰｒ）2（Ｏ2ＣＭｅ）2である［１４］に記載の分子。
［１６］前記分子はｕ、ｖ、ｙ＝０、ｘ＝３、およびｚ＝１である式Ｉまたは式ＩＩを有する［１］に記載の分子。
［１７］前記分子はＴｉ（ＯｉＰｒ）3（Ｏ2ＣＭｅ）である［１６］に記載の分子。
［１８］Ｔｉ含有膜を基板上に形成する方法であって、前記方法は：
少なくとも１枚の基板を中に配置した反応チャンバを用意し；
以下の式を有する少なくとも１種の蒸気を前記反応チャンバに導入し、
Ｔｉ（Ｒ1−Ｎ−Ｃ（Ｒ3）−Ｎ−Ｒ2）u（ＯＲ4）x（ＮＲ5Ｒ6）y（Ｏ2ＣＲ7）z  式Ｉ
または
Ｔｉ（Ｒ1−Ｎ−（Ｃ（Ｒ3）2）m−Ｎ−Ｒ2）v（ＯＲ4）x（ＮＲ5Ｒ6）y（Ｏ2ＣＲ7）z  式ＩＩ
ここで：
・Ｒ1、Ｒ2、Ｒ5、Ｒ6、およびＲ7はＨおよびＣ1−Ｃ6アルキル基からなる群より独立して選択され；
・Ｒ3＝Ｈ、Ｃ1−Ｃ6アルキル基、またはＮＭｅ2であり；
・Ｒ4はＣ1−Ｃ6アルキル基であり；
・ｍ＝２−４であり；
・ｕ＝０−２であり；
・ｖ＝０−１であり；
・ｘ＝１−３であり；
・ｙ＝０−２であり；
・ｚ＝０−１であり；
・式Ｉにおいて、ｕ＋ｘ＋ｙ＋ｚ＝４であり；
・式ＩＩにおいて、２ｖ＋ｘ＋ｙ＋ｚ＝４であり；および
・ｕ、ｖ、またはｚ≧１である；
気相堆積プロセスを使用して、前記蒸気を前記基板に接触させてＴｉ含有層を前記基板の少なくとも１つの表面上に形成する
ことを含む方法。
［１９］前記少なくとも１種の前駆体は、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯｉＰｒ）3、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯＭｅ）3、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯＥｔ）3、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯｎＰｒ）3、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯｓＢｕ）3、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯｉＢｕ）3、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯｔＢｕ）3、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯＥｔ）3、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯＭｅ）3、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯｎＰｒ）3、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯｓＢｕ）3、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯｉＢｕ）3、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯｔＢｕ）3、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（ＮＭｅ2）−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＰｒ）3、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯｉＰｒ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯＭｅ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯＥｔ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯｎＰｒ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯｓＢｕ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯｉＢｕ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯｔＢｕ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯｉＰｒ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯＭｅ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯＥｔ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯｎＰｒ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯｓＢｕ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯｉＢｕ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯｔＢｕ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）3−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯｉＰｒ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）3−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯＭｅ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）3−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯＥｔ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）3−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯｎＰｒ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）3−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯｓＢｕ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ
−Ｎ−（ＣＨ2）3−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯｉＢｕ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）3−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯｔＢｕ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）3−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯｉＰｒ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）3−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯＭｅ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）3−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯＥｔ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）3−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯｎＰｒ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）3−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯｓＢｕ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）3−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯｉＢｕ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）3−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯｔＢｕ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）−Ｎ−ｉＰｒ）2（ＯｉＰｒ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）−Ｎ−ｉＰｒ）2（ＯＭｅ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）−Ｎ−ｉＰｒ）2（ＯＥｔ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）−Ｎ−ｉＰｒ）2（ＯｎＰｒ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）−Ｎ−ｉＰｒ）2（ＯｓＢｕ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）−Ｎ−ｉＰｒ）2（ＯｉＢｕ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）−Ｎ−ｉＰｒ）2（ＯｔＢｕ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）−Ｎ−Ｅｔ）2（ＯｉＰｒ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）−Ｎ−Ｅｔ）2（ＯＭｅ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）−Ｎ−Ｅｔ）2（ＯＥｔ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）−Ｎ−Ｅｔ）2（ＯｎＰｒ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）−Ｎ−Ｅｔ）2（ＯｓＢｕ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）−Ｎ−Ｅｔ）2（ＯｉＢｕ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）−Ｎ−Ｅｔ）2（ＯｔＢｕ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）2（ＯｉＰｒ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）2（ＯＭｅ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）2（ＯＥｔ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）2（ＯｎＰｒ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）2（ＯｓＢｕ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）2（ＯｉＢｕ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）2（ＯｔＢｕ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）2（ＯｉＰｒ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）2（ＯＭｅ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）2（ＯＥｔ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）2（ＯｎＰｒ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）2（ＯｓＢｕ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ
（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）2（ＯｉＢｕ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）2（ＯｔＢｕ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＰｒ）2（ＮＭｅ2）、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＰｒ）2（ＮＥｔ2）、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＰｒ）2（ＮＥｔＭｅ）、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）（ＯｉＰｒ）2（ＮＭｅ2）、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）（ＯｉＰｒ）2（ＮＥｔ2）、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）（ＯｉＰｒ）2（ＮＥｔＭｅ）、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（ＮＭｅ2）−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＰｒ）2（ＮＭｅ2）、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（ＮＭｅ2）−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＰｒ）2（ＮＥｔ2）、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（ＮＭｅ2）−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＰｒ）2（ＮＥｔＭｅ）、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＰｒ）2（Ｏ2ＣＭｅ）、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）（ＯｉＰｒ）2（Ｏ2ＣＭｅ）、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＰｒ）（Ｏ2ＣＭｅ）、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯＭｅ）（Ｏ2ＣＭｅ）、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯＥｔ）（Ｏ2ＣＭｅ）、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｎＰｒ）（Ｏ2ＣＭｅ)、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｓＢｕ）（Ｏ2ＣＭｅ）、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＢｕ）（Ｏ2ＣＭｅ）、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｔＢｕ）（Ｏ2ＣＭｅ）、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−Ｅｔ）（ＯｉＰｒ）（Ｏ2ＣＭｅ）、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−Ｅｔ）（ＯＭｅ）（Ｏ2ＣＭｅ）、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−Ｅｔ）（ＯＥｔ）（Ｏ2ＣＭｅ）、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−Ｅｔ）（ＯｎＰｒ）（Ｏ2ＣＭｅ）、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−Ｅｔ）（ＯｓＢｕ）（Ｏ2ＣＭｅ）、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−Ｅｔ）（ＯｉＢｕ）（Ｏ2ＣＭｅ）、およびＴｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−Ｅｔ）（ＯｔＢｕ）（Ｏ2ＣＭｅ）、Ｔｉ（ＯｉＰｒ）2（Ｏ2ＣＭｅ）2、およびＴｉ（ＯｉＰｒ）3（Ｏ2ＣＭｅ）からなる群より選択される［１８］に記載の方法。
［２０］Ｍ（Ｌ）2およびＭ（Ｌ）2Ａからなる群より選択される少なくとも１種の金属含有前駆体を含む第２の蒸気を前記反応チャンバに導入し、ここで：
−ＭはＳｒまたはＢａであり；
−Ｌは置換シクロペンタジエニル配位子構造Ｒ1Ｒ2Ｒ3Ｒ4Ｒ5Ｃｐまたはベータ−ジケトナート配位子構造−Ｏ−ＣＲ6−ＣＨ−ＣＲ7−Ｏ−であり；
−Ｒ1〜Ｒ5の各々はＨまたはＣ1−Ｃ6の線状もしくは分枝アルキル鎖から独立して選択され；
−Ｒ6およびＲ7の各々はＣ1−Ｃ6の線状または分枝アルキル鎖から独立して選択され；
−Ａはテトラヒドロフラン、ジメトキシエタン、ジグリム、トリグリム、およびテトラグリムからなる群より選択される中性の酸素含有分子であり；
気相堆積プロセスを使用して、前記第２の蒸気を前記基板に接触させて金属含有層を前記基板上の少なくとも１つの表面上に形成する
ことをさらに含む［１９］に記載の方法。
［２１］前記金属含有前駆体は、Ｓｒ（ｉＰｒ3Ｃｐ）2、Ｓｒ（ｉＰｒ3Ｃｐ）2.ｔｈｆ、Ｓｒ（ｉＰｒ3Ｃｐ）2.ｄｍｅ、Ｓｒ（ｔＢｕ3Ｃｐ）2、Ｓｒ（ｔＢｕ3Ｃｐ）2.ｔｈｆ、Ｓｒ（ｔＢｕ3Ｃｐ）2.ｄｍｅ、Ｓｒ（ｔｈｍｄ）2、Ｓｒ（ｔｈｍｄ）2.トリグリム、Ｓｒ（ｔｈｍｄ）2.テトラグリム、Ｓｒ（Ｍｅ5Ｃｐ）2、Ｓｒ（Ｍｅ4Ｃｐ）2、Ｓｒ（Ｍｅ4ＥｔＣｐ）2、Ｓｒ（Ｍｅ4ｎＢｕＣｐ）2、Ｂａ（ｉＰｒ3Ｃｐ)2、Ｂａ（ｉＰｒ3Ｃｐ）2.ｔｈｆ、Ｂａ（ｉＰｒ3Ｃｐ）2.ｄｍｅ、Ｂａ（ｔＢｕ3Ｃｐ）2、Ｂａ（ｔＢｕ3Ｃｐ）2.ｔｈｆ、Ｂａ（ｔＢｕ3Ｃｐ）2.ｄｍｅ、Ｂａ（ｔｈｍｄ）2、Ｂａ（ｔｈｍｄ）2.トリグリム、Ｂａ（ｔｈｍｄ）2.テトラグリム、Ｂａ（Ｍｅ5Ｃｐ）2、Ｂａ（Ｍｅ4Ｃｐ）2、Ｂａ（Ｍｅ4ＥｔＣｐ）2、およびＢａ（Ｍｅ4ｎＢｕＣｐ）2からなる群より選択される［２０］に記載の方法。
［２２］ＳＴＯまたはＢＳＴ膜を堆積させる方法であって、前記方法は：
少なくとも１枚の基板を中に配置した反応チャンバを用意し；
以下の式を有する前駆体を含む蒸気を前記反応チャンバにパルスで送り、
Ｔｉ（Ｒ1−Ｎ−Ｃ（Ｒ3）−Ｎ−Ｒ2）u（ＯＲ4）x（ＮＲ5Ｒ6）y（Ｏ2ＣＲ7）z  式Ｉ
または
Ｔｉ（Ｒ1−Ｎ−（Ｃ（Ｒ3）2）m−Ｎ−Ｒ2）v（ＯＲ4）x（ＮＲ5Ｒ6）y（Ｏ2ＣＲ7）z  式ＩＩ
ここで：
・Ｒ1、Ｒ2、Ｒ5、Ｒ6、およびＲ7はＨおよびＣ1−Ｃ6アルキル基からなる群より独立して選択され；
・Ｒ3＝Ｈ、Ｃ1−Ｃ6アルキル基、またはＮＭｅ2であり；
・Ｒ4はＣ1−Ｃ6アルキル基であり；
・ｍ＝２−４であり；
・ｕ＝０−２であり；
・ｖ＝０−１であり；
・ｘ＝１−３であり；
・ｙ＝０−２であり；
・ｚ＝０−１であり；
・式Ｉにおいて、ｕ＋ｘ＋ｙ＋ｚ＝４であり；
・式ＩＩにおいて、２ｖ＋ｘ＋ｙ＋ｚ＝４であり；および
・ｕ、ｖ、またはｚ≧１であり；
酸素供給源を前記反応チャンバにパルスで送り；
Ｍ（Ｌ）2およびＭ（Ｌ）2Ａからなる群より選択される金属含有前駆体を前記反応チャンバにパルスで送り、ここで：
−ＭはＳｒまたはＢａであり；
−Ｌは置換シクロペンタジエニル配位子構造Ｒ1Ｒ2Ｒ3Ｒ4Ｒ5Ｃｐまたはベータ−ジケトナート配位子構造−Ｏ−ＣＲ6−ＣＨ−ＣＲ7−Ｏ−であり；
−Ｒ1〜Ｒ5の各々はＨまたはＣ1−Ｃ6の線状もしくは分枝アルキル鎖から独立して選択され；
−Ｒ6およびＲ7の各々はＣ1−Ｃ6の線状または分枝アルキル鎖から独立して選択され；
−Ａはテトラヒドロフラン、ジメトキシエタン、ジグリム、トリグリム、およびテトラグリムからなる群より選択される中性の酸素含有分子であり；
第２の酸素供給源を前記反応チャンバにパルスで送り；
前記ＳＴＯまたはＢＳＴ膜におけるＭ：Ｔｉの化学量論比を、前記前駆体および前記金属含有前駆体のパルス工程の数を変更することによって制御する
ことを含む方法。
［２３］前記前駆体は、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯｉＰｒ）3、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯＭｅ）3、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯＥｔ）3、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯｎＰｒ）3、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯｓＢｕ）3、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯｉＢｕ）3、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯｔＢｕ）3、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯＥｔ）3、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯＭｅ）3、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯｎＰｒ）3、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯｓＢｕ）3、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯｉＢｕ）3、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯｔＢｕ）3、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（ＮＭｅ2）−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＰｒ）3、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯｉＰｒ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯＭｅ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯＥｔ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯｎＰｒ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯｓＢｕ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯｉＢｕ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯｔＢｕ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯｉＰｒ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯＭｅ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯＥｔ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯｎＰｒ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯｓＢｕ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯｉＢｕ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯｔＢｕ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）3−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯｉＰｒ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）3−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯＭｅ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）3−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯＥｔ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）3−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯｎＰｒ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）3−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯｓＢｕ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）
3−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯｉＢｕ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）3−Ｎ−ｉＰｒ）1（ＯｔＢｕ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）3−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯｉＰｒ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）3−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯＭｅ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）3−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯＥｔ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）3−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯｎＰｒ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）3−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯｓＢｕ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）3−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯｉＢｕ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）3−Ｎ−Ｅｔ）1（ＯｔＢｕ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）−Ｎ−ｉＰｒ）2（ＯｉＰｒ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）−Ｎ−ｉＰｒ）2（ＯＭｅ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）−Ｎ−ｉＰｒ）2（ＯＥｔ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）−Ｎ−ｉＰｒ）2（ＯｎＰｒ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）−Ｎ−ｉＰｒ）2（ＯｓＢｕ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）−Ｎ−ｉＰｒ）2（ＯｉＢｕ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）−Ｎ−ｉＰｒ）2（ＯｔＢｕ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）−Ｎ−Ｅｔ）2（ＯｉＰｒ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）−Ｎ−Ｅｔ）2（ＯＭｅ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）−Ｎ−Ｅｔ）2（ＯＥｔ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）−Ｎ−Ｅｔ）2（ＯｎＰｒ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）−Ｎ−Ｅｔ）2（ＯｓＢｕ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）−Ｎ−Ｅｔ）2（ＯｉＢｕ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）−Ｎ−Ｅｔ）2（ＯｔＢｕ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）2（ＯｉＰｒ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）2（ＯＭｅ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）2（ＯＥｔ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）2（ＯｎＰｒ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）2（ＯｓＢｕ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）2（ＯｉＢｕ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）2（ＯｔＢｕ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）2（ＯｉＰｒ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）2（ＯＭｅ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）2（ＯＥｔ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）2（ＯｎＰｒ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）2（ＯｓＢｕ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅ
ｔ）2（ＯｉＢｕ）2、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）2（ＯｔＢｕ）2、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＰｒ）2（ＮＭｅ2）、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＰｒ）2（ＮＥｔ2）、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＰｒ）2（ＮＥｔＭｅ）、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）（ＯｉＰｒ）2（ＮＭｅ2）、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）（ＯｉＰｒ）2（ＮＥｔ2）、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）（ＯｉＰｒ）2（ＮＥｔＭｅ）、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（ＮＭｅ2）−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＰｒ）2（ＮＭｅ2）、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（ＮＭｅ2）−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＰｒ）2（ＮＥｔ2）、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（ＮＭｅ2）−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＰｒ）2（ＮＥｔＭｅ）、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＰｒ）2（Ｏ2ＣＭｅ）、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−Ｃ（Ｍｅ）−Ｎ−Ｅｔ）（ＯｉＰｒ）2（Ｏ2ＣＭｅ）、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＰｒ）（Ｏ2ＣＭｅ）、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯＭｅ）（Ｏ2ＣＭｅ）、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯＥｔ）（Ｏ2ＣＭｅ）、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｎＰｒ）（Ｏ2ＣＭｅ)、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｓＢｕ）（Ｏ2ＣＭｅ）、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｉＢｕ）（Ｏ2ＣＭｅ）、Ｔｉ（ｉＰｒ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−ｉＰｒ）（ＯｔＢｕ）（Ｏ2ＣＭｅ）、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−Ｅｔ）（ＯｉＰｒ）（Ｏ2ＣＭｅ）、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−Ｅｔ）（ＯＭｅ）（Ｏ2ＣＭｅ）、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−Ｅｔ）（ＯＥｔ）（Ｏ2ＣＭｅ）、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−Ｅｔ）（ＯｎＰｒ）（Ｏ2ＣＭｅ）、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−Ｅｔ）（ＯｓＢｕ）（Ｏ2ＣＭｅ）、Ｔｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−Ｅｔ）（ＯｉＢｕ）（Ｏ2ＣＭｅ）、およびＴｉ（Ｅｔ−Ｎ−（ＣＨ2）2−Ｎ−Ｅｔ）（ＯｔＢｕ）（Ｏ2ＣＭｅ）、Ｔｉ（ＯｉＰｒ）2（Ｏ2ＣＭｅ）2、およびＴｉ（ＯｉＰｒ）3（Ｏ2ＣＭｅ）からなる群より選択される［２２］に記載の方法。
［２４］前記金属含有前駆体は、Ｓｒ（ｉＰｒ3Ｃｐ）2、Ｓｒ（ｉＰｒ3Ｃｐ）2.ｔｈｆ、Ｓｒ（ｉＰｒ3Ｃｐ）2.ｄｍｅ、Ｓｒ（ｔＢｕ3Ｃｐ）2、Ｓｒ（ｔＢｕ3Ｃｐ）2.ｔｈｆ、Ｓｒ（ｔＢｕ3Ｃｐ）2.ｄｍｅ、Ｓｒ（ｔｈｍｄ）2、Ｓｒ（ｔｈｍｄ）2.トリグリム、Ｓｒ（ｔｈｍｄ）2.テトラグリム、Ｓｒ（Ｍｅ5Ｃｐ）2、Ｓｒ（Ｍｅ4Ｃｐ）2、Ｓｒ（Ｍｅ4ＥｔＣｐ）2、Ｓｒ（Ｍｅ4ｎＢｕＣｐ）2、Ｂａ（ｉＰｒ3Ｃｐ)2、Ｂａ（ｉＰｒ3Ｃｐ）2.ｔｈｆ、Ｂａ（ｉＰｒ3Ｃｐ）2.ｄｍｅ、Ｂａ（ｔＢｕ3Ｃｐ）2、Ｂａ（ｔＢｕ3Ｃｐ）2.ｔｈｆ、Ｂａ（ｔＢｕ3Ｃｐ）2.ｄｍｅ、Ｂａ（ｔｈｍｄ）2、Ｂａ（ｔｈｍｄ）2.トリグリム、Ｂａ（ｔｈｍｄ）2.テトラグリム、Ｂａ（Ｍｅ5Ｃｐ）2、Ｂａ（Ｍｅ4Ｃｐ）2、Ｂａ（Ｍｅ4ＥｔＣｐ）2、およびＢａ（Ｍｅ4ｎＢｕＣｐ）2からなる群より選択される［２２］に記載の方法。
［２５］前記酸素供給源および前記第２の酸素供給源は水である［２２］に記載の方法。
【国際調査報告】
2013527147.tif 000022
2013527147.tif 000023