(57)【要約】測定対象物が形成された基板を検査する方法が提供される。基板検査方法は、測定対象物が形成された基板を測定し、基板の平面方程式を生成し、基板に形成された測定対象物の領域を求める。その後、測定対象物の領域を測定対象物の高さを考慮して平面方程式による基板面に変換する。その後、平面方程式による基板面に変換された測定対象物の領域と基準データによる測定対象物の領域とに基づいて測定対象物を検査する。このように、測定対象物が形成された基板の傾いた姿勢に準じて測定対象物のオフセット値を求め、このオフセット値を用いて測定データの歪曲を補償することで、測定データの信頼性を向上させることができる。
2013545972.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
測定対象物が形成された基板を撮像部で測定して前記基板の平面方程式を生成し、
前記測定された基板に形成された測定対象物の領域を求め、
前記測定対象物の領域を前記測定対象物の高さを考慮して前記平面方程式による基板面に変換し、
前記平面方程式による基板面に変換された測定対象物の領域と基準データによる測定対象物の領域とに基づいて前記測定対象物を検査すること、
を含む基板検査方法。
【請求項２】
前記平面方程式を生成することは、
前記基板に形成された認識マークの間の距離を測定して前記平面方程式を生成することを含む請求項１に記載の基板検査方法。
【請求項３】
前記平面方程式を生成することは、
レーザーを用いて前記基板を測定して前記平面方程式を生成することを含む請求項１に記載の基板検査方法。
【請求項４】
前記平面方程式を生成することは、
モアレ測定方式で前記基板を測定して前記平面方程式を生成することを含む請求項１に記載の基板検査方法。
【請求項５】
前記測定対象物の領域を求めることは、
前記測定対象物の４辺のうち互いに向き合う２辺が平行を保持するように前記測定対象物の４辺に対応する４個の直線を求めることを含む請求項１に記載の基板検査方法。
【請求項６】
前記測定対象物の領域を前記測定対象物の高さを考慮して前記平面方程式による基板面に変換することは、
前記撮像部のイメージ平面と前記平面方程式による基板面とを繋ぐ直線上の一つの点から前記基板面上の一つの点との垂直距離が前記測定対象物の高さに対応する前記測定対象物の領域の少なくとも一つの地点に対する前記基板面上の一つの点を求めることにより、前記測定対象物の領域を前記平面方程式による基板面に変換することを特徴とする請求項１に記載の基板検査方法。
【請求項７】
前記基準データによる基板面の認識マークを連結する線の中心と前記平面方程式による基板面の認識マークを連結する線の中心とを一致させ、
前記基準データによる基板面の認識マークを連結する線と前記平面方程式による基板面の認識マークを連結する線とを一致させること、をさらに含む請求項１に記載の基板検査方法。
【請求項８】
前記測定対象物の検査は、
前記基準データによる測定対象物のセンターと前記平面方程式による測定対象物のセンターと間のＸ軸方向のオフセットに該当する第１オフセットと、
前記基準データによる測定対象物のセンターと前記平面方程式による測定対象物のセンターと間のＹ軸方向のオフセットに該当する第２オフセットと、
前記基準データによる測定対象物に対する前記平面方程式による測定対象物の傾斜角度に該当する第３オフセットと、
前記基準データによる測定対象物の４つのコーナーと前記平面方程式による測定対象物の４つのコーナーと間の離隔距離に該当する第４オフセットと、
のうち少なくとも一つを検査することを特徴とする請求項１に記載の基板検査方法。
【請求項９】
テレセントリックレンズを備えた撮像部を使用して前記基板を測定することを特徴とする請求項１に記載の基板検査方法。
【請求項１０】
前記測定対象物が形成された基板を測定する前に高さ測定の基準となる基準面を補正することをさらに含む請求項１に記載の基板検査方法。
【請求項１１】
測定対象物が形成された基板を測定して前記基板の平面方程式を生成し、
前記基板に形成された測定対象物の領域を求め、
前記測定対象物の領域を前記平面方程式による基板面に変換し、
前記平面方程式による基板面と基準データによる基板面とをマッチングさせ、
前記基準データによる測定対象物の領域と前記平面方程式による基板面に変換された測定対象物の領域とに基づいて前記測定対象物を検査すること、
を含む基板検査方法。
【請求項１２】
測定対象物が形成された基板全体を少なくとも２つの測定領域に区分して、撮像部でそれぞれの測定領域を測定することにより、各測定領域での前記基板の平面方程式を生成し、
各測定領域において測定された測定対象物の領域を求め、
各測定領域で求めた前記測定対象物の領域を各測定領域での前記平面方程式による基板面に変換し、
複数の測定領域で求めた前記平面方程式による基板面を互いに同一の平面にマッチングさせ、
前記同一平面にマッチングされた基板面による測定対象物の領域と基準データによる測定対象物の領域とに基づいて前記測定対象物を検査すること、
を含む基板の基板検査方法。
【請求項１３】
前記複数の測定領域で求めた前記平面方程式による複数の基板面を互いに同一の平面にマッチングさせることは、
前記各測定領域の共通領域及び前記測定対象物の領域の少なくとも一つに基づいて前記基板面をマッチングさせることを含む請求項１２に記載の基板検査方法。
【請求項１４】
前記各測定領域で求めた前記測定対象物の領域を各測定領域での前記平面方程式による基準面に変換することは、
前記測定対象物の高さを考慮して前記各測定領域で求めた前記測定対象物の領域を前記平面方程式による基板面に変換することを含む請求項１２に記載の基板検査方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は基板検査方法に関わり、より詳細には基板に形成された測定対象物のセッティング姿勢に準じて測定データの歪曲を補正して測定信頼度を高めることのできる基板検査方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的に、電子機器内には電子機器の駆動を制御するための電子部品が実装された基板が搭載される。特に、電子機器内には電子機器の中央制御のための中央処理装置（ＣＰＵ）として、中央処理半導体チップが実装された基板が搭載される。このような中央処理装置は、電子機器の重要部品に該当するので、中央処理装置の部品信頼性を確認するために、中央処理半導体チップが基板上に適切に実装されているかを検査する必要がある。
【０００３】
最近、測定対象物が形成された基板の３次元形状を測定するために、照明源及び格子素子を含んで測定対象物にパターン光を照射する一つ以上の投影部と、パターン光の照射を通じて測定対象物のパターン画像を撮影する撮像部とを含む基板検査装置が測定対象物が実装された基板を検査するために使用されている。
【０００４】
しかし、従来は基板の傾いた姿勢を考慮しない２次元測定であったため、測定対象物が形成された基板が撮像部のイメージ平面に対して若干でも傾いてセッティングされる場合、測定対象物の位置、大きさ、高さなどの測定データに歪曲が発生する可能性があるという問題があった。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
従って、本発明はこのような問題点を解決するものであり、本発明は、測定対象物が形成された基板の姿勢に準じて測定データの歪曲を補償して測定データの信頼性を向上させることのできる基板検査方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一実施形態による基板検査方法は、測定対象物が形成された基板を撮像部で測定して前記基板の平面方程式（ｐｌａｎｅ  ｅｑｕａｔｉｏｎ）を生成し、前記測定された基板に形成された測定対象物の領域を求め、前記測定対象物の領域を前記測定対象物の高さを考慮して前記平面方程式による基板面に変換し、前記平面方程式による基板面に変換された測定対象物の領域と基準データによる測定対象物の領域とに基づいて前記測定対象物を検査すること、を含む。
【０００７】
一例として、前記平面方程式を生成することは、前記基板に形成された認識マーク間の距離を測定して前記平面方程式を生成してもよい。一例として、前記平面方程式を生成することは、レーザーを用いて前記基板を測定して前記平面方程式を生成してもよい。一例として、前記平面方程式を生成することは、モアレ測定方式を用いて前記基板を測定して前記平面方程式を生成してもよい。
【０００８】
前記測定対象物の領域を求めることは、前記測定対象物の４辺のうち互いに向き合う２辺が平行を保持するように前記測定対象物の４辺に対応する４個の直線を求めることを含んでいてもよい。
【０００９】
前記測定対象物の高さを考慮して前記測定対象物の領域を前記平面方程式による基板面に変換することは、前記撮像部のイメージ平面と前記平面方程式による基板面とを繋ぐ直線上の一つの点から前記基板面上の一つの点との垂直距離が前記測定対象物の高さに対応する前記測定対象物の領域の少なくとも一つの地点に対する前記基板面上の一つの点を求めることにより、前記測定対象物の領域を前記平面方程式による基板面に変換してもよい。
【００１０】
前記基板検査方法は、前記基準データによる基板面の認識マークを連結する線の中心と前記平面方程式による基板面の認識マークを連結する線の中心とを一致させ、前記基準データによる基板面の認識マークを連結する線と前記平面方程式による基板面の認識マークを連結する線とを一致させること、をさらに含んでいてもよい。
【００１１】
前記測定対象物の検査は、前記基準データによる測定対象物のセンター（center）と前記平面方程式による測定対象物のセンターと間のＸ軸方向のオフセットに該当する第１オフセットと、前記基準データによる測定対象物のセンターと前記平面方程式による測定対象物のセンターと間のＹ軸方向のオフセットに該当する第２オフセットと、前記基準データによる測定対象物に対する前記平面方程式による測定対象物の傾斜角度に該当する第３オフセット、及び前記基準データによる測定対象物の４つのコーナー（ｃｏｒｎｅｒ）と前記平面方程式による測定対象物の４つのコーナー（ｃｏｒｎｅｒ）と間の離隔距離に該当する第４オフセットのうち少なくとも一つを測定してもよい。
【００１２】
前記基板を測定することにおいて、テレセントリックレンズを備えた撮像部を使用して前記基板を測定する。
【００１３】
前記測定対象物が形成された基板を測定する前に、高さ測定の基準となる基準面を補正することをさらに含んでもよい。
【００１４】
本発明の他の実施形態による基板検査方法は、測定対象物が形成された基板を測定して前記基板の平面方程式を生成し、前記基板に形成された測定対象物の領域を求め、前記測定対象物の領域を前記平面方程式による基板面に変換し、前記平面方程式による基板面と基準データによる基板面とをマッチングさせ、前記基準データによる測定対象物の領域と前記平面方程式による基板面に変換された測定対象物の領域とに基づいて前記測定対象物を検査すること、を含む。
【００１５】
本発明のさらに他の実施形態による基板検査方法は、測定対象物が形成された基板全体を２つ以上の測定領域に区分して、撮像部でそれぞれの測定領域を測定することにより、各測定領域での前記基板の平面方程式を生成し、各測定領域において測定された測定対象物の領域を求め、各測定領域で求めた前記測定対象物の領域を各測定領域での前記平面方程式による基板面に変換し、複数の測定領域で求めた前記平面方程式による複数の基板面を互いに同一の平面にマッチングさせ、前記同一平面にマッチングされた基板面による測定対象物の領域と基準データによる測定対象物の領域とに基づいて前記測定対象物を検査すること、を含む。
【００１６】
前記複数の測定領域で求めた前記平面方程式による複数の基板面を互いに同一の平面にマッチングさせることは、前記各測定領域の共通領域及び前記測定対象物の領域の少なくとも一つに基づいて前記基板面をマッチングさせることを含んでもよい。
【００１７】
前記各測定領域で求めた前記測定対象物の領域を各測定領域での前記平面方程式による基準面に変換することは、前記測定対象物の高さを考慮して前記各測定領域で求めた前記測定対象物の領域を前記平面方程式による基板面に変換してもよい。
【発明の効果】
【００１８】
このような基板検査方法によると、測定対象物が形成された基板の傾いた姿勢に準じて測定対象物のオフセット値を求め、オフセット値を用いて測定データの歪曲を補償することで、測定対象物の測定の信頼性を向上させることができる。
【００１９】
また、測定対象物のコーナー及びセンターの座標を求めるとき、測定対象物の４辺に対応する４個の直線のうち互いに向き合う２個の直線が互いに平行になるように保持されることで、測定対象物のコーナー及びセンターの座標をより精密に求めることができる。
【００２０】
また、測定対象物の高さを考慮して測定対象物の領域を測定データによる基板面に補正するとき、測定データによる基板面を基準データによる基板面とマッチングさせることで、より精密な測定対象物のオフセット値を求めることができる。
【００２１】
また、テレセントリックレンズの使用によって基板の傾いた姿勢を推定することができない場合、基板の傾いた姿勢を測定し、傾いた姿勢に準じて測定データの歪曲を補償することで、測定データの信頼度を向上させることができる。
【００２２】
また、撮像部の視野範囲（ＦＯＶ）内に基板の全体領域が撮影されない大型基板の場合、大型基板を複数の測定領域に分割して、各測定領域を測定し、それぞれの測定領域で測定された基板面を測定対象物のコーナーを基準とした一つの基板面にマッチングさせることで、大型基板に準じて測定対象物のオフセット値を正確に求めることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明の一実施形態による基板検査装置を示す概略図である。
【図２】本発明の一実施形態による測定対象物の歪曲を補償する方法を示すフローチャートである。
【図３】測定対象物が形成された基板を示す平面図である。
【図４】平面方程式による基板面を示す図面である。
【図５】測定対象物の領域を求める方法を示すフローチャートである。
【図６】測定対象物の領域を求める方法を示す概念図である。
【図７】測定対象物の領域を平面方程式による基板面に補正する過程を説明するための概念図である。
【図８】平面方程式による基板面と基準データによる基板面とをマッチングさせる過程を説明するための概念図である。
【図９】測定対象物を検査する過程を説明するための概念図である。
【図１０】本発明の一実施形態による基準面補正方法を示すフローチャートである。
【図１１】図１０における基準面補正方法を説明するための概念図である。
【図１２】図１０における第２試片を示す斜視図である。
【図１３】図１に示された撮像部のキャリブレーション方法を示すフローチャートである。
【図１４】キャリブレーション基板を示す斜視図である。
【図１５】基板検査装置に具備された非球面レンズの補正方法を示すフローチャートである。
【図１６】非球面レンズによる歪曲を補償する方法を説明するための概念図である。
【図１７】本発明の他の実施形態による基板検査方法を示すフローチャートである。
【図１８】大型基板のオフセット値を測定する過程を示す概念図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
本発明は多様な変更を加えることができ、多様な形態を有することできる。ここでは、特定の実施形態を図面に例示し本文に詳細に説明する。しかし、これは本発明を特定の開示形態に限定するものではなく、本発明の思想及び技術範囲に含まれる全ての変更、均等物乃至代替物を含むこととして理解されるべきである。
【００２５】
第１、第２などの用語は多用な構成要素を説明するのに使用されることがあるが、前記構成要素は前記用語によって限定解釈されない。前記用語は一つの構成要素を他の構成要素から区別する目的のみとして使用される。例えば、本発明の権利範囲を外れることなく第１構成要素を第２構成要素ということができ、類似に第２構成要素も第１構成要素ということができる。
【００２６】
本出願において使用した用語は単なる特定の実施形態を説明するために使用されたもので、本発明を限定しようとする意図はない。単数の表現は文脈上明白に示さない限り、複数の表現を含む。本出願において、「含む」または「有する」などの用語は明細書に記載された特徴、数字、ステップ、段階、動作、構成要素、部品またはこれらを組み合わせたものが存在することを意味し、一つ以上の他の特徴や数字、ステップ、段階、動作、構成要素、部品またはこれらを組み合わせたものの存在または付加可能性を予め排除しないこととして理解されるべきである。
【００２７】
特別に定義しない限り、技術的、科学的用語を含んでここで使用される全ての用語は、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者によって一般的に理解されるものと同一の意味を有する。
【００２８】
一般的に使用される辞書に定義されている用語と同じ用語は、関連技術の文脈上有する意味と一致する意味を有すると解釈されるべきであり、本出願で明白に定義しない限り、過度又は理想的な意味に解釈されない。
【００２９】
以下、図面を参照して本発明の一実施形態をより詳細に説明する。
【００３０】
図１は本発明の一実施形態による基板検査装置を示す概略図である。
【００３１】
図１を参照すると、本発明の一実施形態による基板検査装置１００は、測定対象物１１２が形成された基板１１０を支持及び移送させるためのステージ１６０、基板１１０にパターン光を照射するための一つ以上の投影部１２０、基板１１０に光を照射するための照明部１３０、基板１１０の画像を撮影するための撮像部１４０及び撮像部１４０の下部に配置されて、入射される光の一部を反射して残りの一部を透過させるビームスプリッター１５０を含む。
【００３２】
投影部１２０は、基板１１０に形成された測定対象物１１０の３次元形状を測定するためにパターン光を基板１１０に照射する。例えば、投影部１２０は、光を照射する光源１２２、光源１２２からの光をパターン光に変換する格子素子１２４を含む。また、投影部１２０は、格子素子１２４をピッチ移送（pitch-transfer）させ格子移送デバイス（図示せず）及び格子素子１２４によって変換されたパターン光を測定対象物１１２に投影する投影レンズ（図示せず）などを含んでいてもよい。格子素子１２４は、パターン光の位相遷移のためにピエゾアクチュエーター（piezoactuator：ＰＺＴ）などの格子移送デバイスによって２π/Ｎずつ移送されてもよく、ここで、Ｎは２以上の自然数である。このような構成を有する投影部１２０は、検査精密度を高めるために撮像部１４０を中心に円周方向に沿って一定の角度で離隔されるように複数個が設置されてもよい。例えば、４個の投影部１２０が撮像部１４０を中心に円周方向に沿って９０°角度で離隔されて設置されてもよい。複数の投影部１２０は、基板１１０に対して一定の角度で傾いて設置され、複数の方向から基板１１０にパターン光を照射する。
【００３３】
照明部１３０は、ビームスプリッター１５０に光を照射するように撮像部１４０と基板１１０との間に設置される。照明部１３０は、測定対象物１１２が形成された基板１１０の平面イメージを撮影するためにビームスプリッター１５０を通じて基板１１０に光を照射する。例えば、照明部１３０は、光を照射する少なくとも一つの光源１３２を含んでいてもよい。
【００３４】
撮像部１４０は、投影部１２０によって提供されたパターン光を通じて基板１１０のパターン画像を撮影し、照明部１３０から提供された光を通じて基板１５０の平面画像を撮影する。例えば、撮像部１４０は、基板１５０から垂直した上部に設置される。撮像部１４０は、画像撮影のためのカメラ１４２及び撮像部１４０に入射される光をカメラ１４２に結像させるための結像レンズ１４４を含んでいてもよい。カメラ１４２は、ＣＣＤカメラまたはＣＭＯＳカメラを含んでもよい。結像レンズ１４４は、例えば、光軸と平行である光のみ通過させて、Ｚ軸によるイメージ歪曲を最小化するためのテレセントリックレンズを含んでいてもよい。
【００３５】
ビームスプリッター１５０は、撮像部１４０と基板１１０との間に設置される。ビームスプリッター１５０は、入射される光の一部を反射し、残りの一部を透過させる特性を有する。従って、照明部１３０から出射された光は、ビームスプリッター１５０によって一部は基板１１０に反射され残り一部は透過される。また、基板１１０から反射された光の一部はビームスプリッター１５０を透過して撮像部１４０に入射され、残りの一部はビームスプリッター１５０によって反射される。このように、ビームスプリッター１５０を用いて散乱された光を測定対象物１１２に照射し、測定対象物１１２から反射された光が再度ビームスプリッター１５０を通じて撮像部１４０に入射されるように同軸照明方式（coaxial lightning system）を用いることで、表面反射特性の高い測定対象物１１２や周辺によって測定対象物１１２に影が発生する場合において、測定信頼度を高めることができる。
【００３６】
前記の構成を有する基板検査装置１００を用いて基板１１０に形成された測定対象物１１２を測定することは、撮像部１４０に具備される結像レンズ１４４としてテレセントリックレンズを使用する場合、基板１１０の傾いた姿勢を推定することができないため、ステージ１６０にセッティングされた基板１１０の傾いた姿勢によって測定データに歪曲が発生することがある。従って、測定対象物１１２の正確な測定データを得るためには、基板１１０の傾いた姿勢による測定データの歪曲を補償する必要がある。以下、基板のセッティング姿勢の傾きに準じて測定対象物の歪曲を補償する方法について具体的に説明する。
【００３７】
図２は本発明の一実施形態による測定対象物の歪曲を補償する方法を示すフローチャートであり、図３は測定対象物が形成された基板を示す平面図である。
【００３８】
図２及び図３を参照すると、測定対象物１１２の傾いた姿勢に準じた歪曲を補償するために、まず、測定対象物１１２が形成された基板１１０を撮像部１４０を通じて測定して基板１１０の平面方程式を生成する（Ｓ１００）。基板１１０の平面方程式は、基板１１０の任意の３点の位置を測定して求めることができる。例えば、基板１１０に形成された複数の認識マーク１１４の位置を測定して、基板１１０に対する平面方程式を生成することができる。即ち、基板１１０の４つのコーナー部分には認識マーク１１４が形成されており、４個の認識マーク１１４のうち、少なくとも３個の認識マーク１１４に対する測定データを用いて平面方程式を生成することができる。
【００３９】
図４は平面方程式による基板面を示す図面である。
【００４０】
図１及び図４を参照すると、少なくとも３個の認識マーク１１４を用いて平面方程式を生成するためには、認識マーク１１４のＸ、Ｙ、Ｚ座標が要求される。認識マーク１１４のＸ、Ｙ座標は、照明部１３０からの光を通じて撮像部１４０で撮影された測定イメージを用いて容易に求めてもよい。一方、認識マーク１１４のＺ座標は、Ｘ、Ｙ座標の測定とは異なる方法で求めてもよい。一例として、認識マーク１１４のＺ座標は、認識マーク１１４間の距離を測定して求めてもよい。即ち、測定された認識マーク１１４間の距離と基準データ（例えば、キャドデータ）によって予め知っている認識マーク１１４間の距離とを比較して傾いた角度を算出することで、認識マーク１１４の高さ（Ｚ１、Ｚ２、Ｚ３）値を求めることができる。他の例として、認識マーク１１４のＺ座標は、レーザー（図示せず）を用いて、求めてもよい。即ち、別途のレーザー源を通じてそれぞれの認識マーク１１４にレーザーを照射し、認識マーク１１４から反射されるレーザーを測定することで、各認識マーク１１４の高さ（Ｚ１、Ｚ２、Ｚ３）値を求めることができる。さらに他の例として、認識マーク１１４のＺ座標は、複数の投影部１３０を用いたモアレ測定方式で求めてもよい。即ち、複数の投影部１３０を通じたパターン光を照射して撮像部１４０を通じて得た複数のパターンイメージを用いて各認識マーク１１４の高さ（Ｚ１、Ｚ２、Ｚ）３値を求めることができる。
【００４１】
このように求めた少なくとも３個以上の認識マーク１１４または平面上の任意の点のＸ，Ｙ、Ｚ座標を用いて平面方程式を生成し、前記平面方程式を使用してステージ１６０にセッティングされた基板１１０に対応する基板面１１０ａを求めることで、基板１１０の傾いた姿勢を特定することができる。
【００４２】
図１及び図２を参照すると、基板１１０の平面方程式を求めるのと別途に、基板１１０に形成された測定対象物１１２の領域を求める（Ｓ１１０）。例えば、照明部１３０の光の照射により撮像部１４０で撮影したイメージを用いて測定対象物１１２のコーナーとセンターとの座標を求めることができる。
【００４３】
図５は測定対象物の領域を求める方法を示すフローチャートであり、図６は測定対象物の領域を求める方法を示す概念図である。
【００４４】
図５及び図６を参照すると、測定対象物１１２の領域を求めるために、まず、測定対象物１１２の４辺のうち互いに向き合う２辺が平行を保持するように測定対象物１１２の４辺に対応する４個の直線Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３、Ｌ４を求める（Ｓ１１２）。例えば、撮像部１４０で撮影されたイメージの明度（intensity）情報から得られる測定対象物１１２の４辺に対応するピクセルの分布図に基づいて各辺に対応する直線Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３、Ｌ４を求める。この際、４個の直線Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３、Ｌ４のうち互いに向き合う直線（例えば、Ｌ１とＬ３、Ｌ２とＬ４）は互いに平行を保持する条件を満たすように形成される。
【００４５】
次に、４個の直線Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３、Ｌ４のうち２個の直線の交点から測定対象物１１２のコーナーＣ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４の座標を求める（Ｓ１１４）。例えば、第１直線Ｌ１と第２直線Ｌ２との交点から第１コーナーＣ１の座標を求め、 第２直線Ｌ２と第３直線Ｌ３との交点から第２コーナーＣ２の座標を求め、 第３直線Ｌ３と第４直線Ｌ４との交点から第３コーナーＣ３の座標を求め、 第４直線Ｌ４と第１直線Ｌ１との交点から第４コーナーＣ４の座標を求める。
【００４６】
次に、測定対象物１１２の４個のコーナーＣ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４を対角線で繋ぐ２個の直線Ｌ５，Ｌ６の交点から測定対象物１１２のセンターＡの座標を求める（Ｓ１１６）。即ち、互いに対角線方向に位置した第１コーナーＣ１及び第３コーナーＣ３を連結する第５直線Ｌ５と第２コーナーＣ２及び第４コーナーＣ４を連結する第６直線Ｌ６との交点から測定対象物１１２のセンターＡの座標を求める。このように、測定対象物１１２のコーナーＣ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４とセンターＡの座標とを求めて、測定対象物１１２の領域を求めることができる。一方、測定対象物１１２のセンターＡを求める方法を用いて基板１１０のセンターも求めることができる。
【００４７】
図２及び図６を参照すると、測定対象物１１２の測定をより求れた測定対象物１１２の領域を測定対象物１１２の高さを考慮して平面方程式による基板面１１０ａに変換する（Ｓ１２０）。
【００４８】
図７は測定対象物の領域を平面方程式による基板面に変換する過程を説明するための概念図である。
【００４９】
図７を参照すると、測定対象物１１２の領域、即ち、測定対象物１１２のコーナー及びセンターの座標を求めた後、これを平面方程式による基板面１１０ａに変換する。この際、実質的に検査の基準となる測定対象物１１２の領域は、基板１１０と接する測定対象物１１２の下面となるべきであるが、実際には、測定された測定対象物１１２の領域は、撮像部１４０から見て測定対象物１１２の上面となる。したがって、一定の高さを有する測定対象物１１２が傾いた場合、測定対象物１１２の高さによって上面と下面とで領域位置の偏差が発生する虞があるので、測定対象物１１２の高さを考慮して基板面１１０ａに投影された測定対象物１１２の領域を補正する必要がある。
【００５０】
基板面１１０ａに投影された測定対象物１１２の領域を補正するために、測定対象物１１２の領域のうち任意の一点（例えば、センター地点）に対して基板面上の一点Ａ３を求める。ここで、撮像部１４０のイメージ平面１４０ａと平面方程式による基板面１１０ａとを繋ぐ直線ｌ上の一つの点Ａ２から基板面１１０ａ上の一点Ａ３までの垂直距離は、測定対象物１１２の高さｋに対応する。直線ｌ上の一点Ａ２は測定対象物１１２の上面の一点を示し、基板面１１０ａ上の一点Ａ３は測定対象物１１２の下面の一点を示す。このような一連の過程を測定対象物１１２のセンター及びコーナーに適用することにより、測定対象物１１２の領域を平面方程式による基板面１１０ａに変換することができる。
【００５１】
図８は平面方程式による基板面と基準データによる基板面とをマッチングさせる過程を説明するための概念図である。
【００５２】
図２及び図８を参照すると、測定対象物１１２の領域を平面方程式による基板面１１０ａに変換した後、平面方程式による基板面１１０ａと基準データによる基板面１１０ｂとをマッチングさせてもよい。前記基準データは、基板１１０の基本情報を持っているキャドＣＡＤデータであってもよい。他にも、前記基準データとしては、印刷回路基板（ＰＣＢ）の製造のための設計データまたは製造データ、ガーバーデータ、ＰＣＢデザインファイル、ＰＣＢデザインファイルから抽出された標準及び非標準形式の各種データ（例えば、ＯＤＢ＋＋やキャドデザインツールからの抽出ファイル）が使用され、また、ベアボード（bare board）或いは実装ボードから画像カメラを通じて取得したイメージファイルから求めた情報などが使用されてもよい。前記基準データには、基板１１０に形成されている測定対象物１１２、認識マーク１１４などの位置情報が入っている。
【００５３】
平面方程式による基板面１１０ａと基準データによる基板面１１０ｂとをマッチングさせるために、例えば、平面方程式による基板面１１０ａに対する第１認識マーク１１４ａと第２認識マーク１１４ｂとを連結する線の第１中心点Ｅ１と、基準データによる基板面１１０ｂに対する第１認識マーク１１４ａと第２認識マーク１１４ｂとを連結する線の第２中心点Ｅ２とをそれぞれ求めた後、第１中心Ｅ１と第２中心Ｅ２とを一致させる。
【００５４】
その後、基準データによる基板面１１０ｂの第１認識マーク１１４ａ及び第２認識マーク１１４ｂを連結する線と平面方程式による基板面１１０ａの第１認識マーク１１４ａ及び第２認識マーク１１４ｂを連結する線とを一致させる。即ち、それぞれの基板面１１０ａ、１１０ｂに対して認識マークの中心Ｅ１、Ｅ２から認識マークを連結する直線に対応するベクトルＶ１、Ｖ２を作り、２つのベクトルＶ１、Ｖ２の端点を一致させることで、平面方程式による基板面１１０ａと基準データによる基板面１１０ｂとをマッチングさせることができる。
【００５５】
図９は測定対象物を検査する過程を説明するための概念図であえる。
【００５６】
図２及び図９を参照すると、平面方程式による基板面１１０ａと基準データによる基板面１１０ｂとをマッチングさせた後、基準データによる測定対象物１１２ａの領域と平面方程式による基板面１１０ａに変換された測定対象物１１２ｂの領域とに基づいて測定対象物１１２を検査する（Ｓ１３０）。基準データ上の測定対象物１１２ａの座標と平面方程式上の測定対象物１１２ｂの座標との間のトランスフォーム(transform)を計算し、平面方程式上の測定対象物１１２ｂ、即ち、測定データ上の測定対象物１１２ｂのオフセット値を算出する。
【００５７】
測定対象物１１２ｂのオフセット値は、基準データ上の測定対象物１１２ａに比べて測定されたデータ上の測定対象物１１２の姿勢がどれだけ傾いているかを示す値であり、Ｘ軸方向のオフセットに対応する第１オフセットｄＸ，Ｙ軸方向のオフセットに対応する第２オフセットｄＹ、傾いた角度に対応する第３オフセットθ及びコーナーの離隔距離に対応する第４オフセットＷＣＣのうち少なくとも一つを含んでいてもよい。第１オフセットｄＸは、基準データによる測定対象物１１２ａのセンターＡ１と平面方程式による測定対象物１１２ｂのセンターＡ２と間のＸ軸方向の距離差を意味する。第２オフセットｄＹは、基準データによる測定対象物１１２ａのセンターＡ１と平面方程式による測定対象物１１２ｂのセンターＡ２と間のＹ軸方向の距離差を意味する。第３オフセットθは、基準データによる測定対象物１１２ａに対して平面方程式による測定対象物１１２ｂの捩れた角度を意味する。第４オフセットＷＣＣは、基準データによる測定対象物１１２ａの４個のコーナーと平面方程式による測定対象物１１２ｂの４個のコーナーと間の離隔距離を意味する。例えば、図９において、４コーナー間の離隔距離であるＷＣＣ１、ＷＣＣ２、ＷＣＣ３、ＷＣＣ４のうち離隔距離が最も大きいＷＣＣが第４オフセットＷＣＣとして算出されてもよい。
【００５８】
このように、測定データの撮像部のイメージ平面に対する測定基板面の傾斜角度及び測定対象物の高さによる領域誤差を補正して、補正された測定データに基づいて測定対象物を検査することにより、測定データの信頼性及び精密度を高めることができる。
【００５９】
一方、モアレ測定方式を用いた基板検査装置においては、装置内に記録されている基準面に基づいて測定対象物１１２の高さが測定される。しかし、相対的な基準面が撮像部１４０のイメージ平面に対して実質的に傾いている場合、測定データの歪曲が発生する虞があるため、測定対象物の高さを測定する前に、装置の実際の基準面を新しく設定する必要がある。即ち、撮像部のイメージ平面に対して平行である理想的な基準平面と測定された基準平面との相対的な誤差を求め、前記求めた誤差値を補償データに設定することができる。
【００６０】
図１０は本発明の一実施形態による基準面補正方法を示すフローチャートであり、図１１は図１０による基準面補正方法を説明するための概念図であり、図１２は図１０に示された第２試片を示す斜視図である。
【００６１】
図１、図１０、図１１及び図１２を参照すると、基準面の補正のために、基準位相測定のための基板（第１試片）を撮像部１４０の測定領域にセッティングし、前記基準位相測定のための基板の基準位相を測定する（Ｓ３００）。例えば、前記基準位相測定のための基板の位相は、投影部１２０を用いて位相測定形状測定法（Phａse Meaａsurement Profilometry：ＰＭＰ）を通じて測定することができる。
【００６２】
この後、撮像部１４０のイメージ平面に対する前記測定された基準位相の基準面の傾いた姿勢を取得する（Ｓ３１０）。
【００６３】
前記測定された基準位相の傾いた姿勢を取得するために、姿勢情報測定のための基板（第２試片）を撮像部１４０の測定領域にセッティングして、前記姿勢情報測定のための基板を撮像部１４０を通じて測定して前記姿勢情報測定のための基板の基板面を取得する。一例として、前記姿勢情報測定のための基板としては、図８に示されたように傾いた姿勢を特定するために複数の認識マーク４１０を有する基板４００を用いてもよい。
【００６４】
姿勢情報測定のための基板４００の基板面は、姿勢情報測定のための基板４００に形成された認識マーク４１０間の距離を測定し、これを用いることにより姿勢情報測定のための基板４００の傾いた姿勢を計算して把握することができる。例えば、認識マーク４１０のＸ，Ｙ座標は、照明部１３０からの光照射を通じて撮像部１４０によって撮影された測定イメージから求め、認識マーク４１０のＺ座標は、認識マーク４１０間の距離を測定して求めることができる。即ち、測定された認識マーク４１０間の距離と基準データ（例えば、キャドデータ）によって予め分かっている認識マーク４１０間の距離とを比較して傾いた角度を算出することで、認識マーク４１０の相対的な高さを取得することができる。一方、姿勢情報測定のための基板４００は、傾いた角度が正であるか負であるかを判断するために、中央部から一定の高さで突出された突出部４２０を含んでいてもよい。姿勢情報測定のための基板４００の傾きが正であるか負であるかによって撮像部１４０で撮影される突出部４２０の形態が異なるため、突出部４２０の測定画像を用いて姿勢情報測定のための基板４００の傾いた角度が正であるか負であるかを判断することができる。
【００６５】
このように取得した姿勢情報測定のための基板４００の傾いた姿勢を用いて平面方程式を生成し、前記平面方程式を用いて姿勢情報測定のための基板４００の基板面を求めることで、イメージ平面に対する姿勢情報測定のための基板４００の傾いた姿勢と理想的な基準面からの高さＺ４を求めることができる。
【００６６】
一方、理想的な基準面は、前記イメージ平面と平行である既設定の平面であり、例えば、前記測定された認識マーク４１０のうち一つの高さ値を用いてもよい。
【００６７】
これとは異なり、姿勢情報測定のための基板４００の基板面は、姿勢情報測定のための基板４００の傾いた姿勢を示す平面方程式を用いて把握されてもよく、例えば、前記平面方程式は姿勢情報測定のための基板４００の任意の３点の位置を測定して求めることができ、一例として、少なくとも３個の認識マーク４１０のＺ座標をレーザー（図示せず）によって求めてもよい。
【００６８】
このように求めた少なくとも３個の認識マーク４１０のＸ，Ｙ、Ｚ座標を用いて平面方程式を生成し、前記平面方程式を用いて姿勢情報測定のための基板４００の基板面を求めて、イメージ平面と平行である理想的な基準面に対する姿勢情報測定のための基板４００の傾いた姿勢と理想的な基準面からの高さＺ４を取得することができる。
【００６９】
その後、姿勢情報測定のための基板４００の位相を測定して、前記基準位相に基づいてＺ１、Ｚ２を求める。姿勢情報測定のための基板４００の位相は、投影部１２０を用いて位相測定形状測定法（ＰＭＰ）で測定されてもよい。
【００７０】
その後、姿勢情報測定のための基板４００の基板面と姿勢情報測定のための基板４００の高さとを比較して前記測定された基準位相の基準面の傾いた姿勢を求める。例えば、姿勢情報測定のための基板４００の基板面の高さＺ４を撮像部１４０のイメージ平面と平行である既設定された理想的な基準面から算出し、前記基板面の高さＺ４と姿勢情報測定のための基板４００とに基づいて、前記基準位相の基準面の傾いた姿勢を求めることができる。
【００７１】
その後、前記基準位相の基準面の傾いた姿勢に基づいて、撮像部１４０に対する基準面の補正が必要な高さＺ３を算出する（Ｓ３２０）。例えば、理想的な基準面からの姿勢情報測定のための基板４００の基板面の高さＺ４からＰＭＰ測定を通じて求めた姿勢情報測定のための基板４００の高さＺ２を差し引くことで、基準面の補正に必要な高さＺ３を求めることができ、これにより実際の基準面に適応する補正基準面の姿勢が把握されてもよい。
【００７２】
一例として、前記基準面の補正に必要な高さＺ３は、複数の投影部それぞれに対して把握されてもよい。
【００７３】
一方、前記基準位相測定のための基板（第１試片）と前記姿勢情報測定のための基板（第２試片）とは物理的にそれぞれ独立された別途の基板として形成されてもよいが、これとは異なり、前記基準位相測定のための機能と前記姿勢情報測定のための機能とが含まれた一つの基板で形成されてもよい。
【００７４】
このように、測定対象物１１２の高さ測定の前に、測定対象物１１２の高さ測定の基準となる基準面を補正することにより、測定対象物の測定信頼度をさらに向上させることができる。
【００７５】
一方、測定対象物１１２が実装された基板１１０の検査において、基板検査装置１００内に設置された光学系自体が有する歪曲によって測定データの歪曲が発生することがある。従って、測定対象物１１２の測定の前に、基板検査装置１００が有するシステム的な歪曲を補正することで、測定データに対する信頼性をより高めることができる。
【００７６】
図１３は図１に示された撮像部のキャリブレーション方法を示すフローチャートであり、図１４はキャリブレーション基板を示す斜視図である。
【００７７】
図１、図１３、図１４を参照すると、撮像部１４０のキャリブレーション方法は、キャリブレーション基板２００に形成された複数のパターン２１０間の距離を測定し、前記キャリブレーション基板２００の基準データにおける複数のパターン２１０の距離情報と前記測定された複数のパターン２１０の距離と基づいて撮像部１４０をキャリブレーションする。
【００７８】
この際、キャリブレーション基板２００が撮像部１４０のイメージ平面と平行でなく、傾く場合がある。従って、前記イメージ平面とキャリブレーション基板２００の傾いた姿勢に起因する前記複数のパターン２１０の距離情報の誤差を補正する必要がある。
【００７９】
キャリブレーション基板２００の傾きに起因する誤差補正のために、カメラ１４２及び撮像レンズ１４４を含む撮像部１４０で複数のパターン２１０が形成されたキャリブレーション基板２００を撮影してイメージを取得する（Ｓ４００）。この際、前記撮像レンズ１４４は球面レンズを含んでいてもよく、例えば、前記球面レンズは、光軸と平行である光のみ通過させてＺ軸によるイメージ歪曲を最小化させるためにテレセントリックレンズを含んでいてもよい。
【００８０】
その後、撮像部１４０を用いて取得されたイメージから複数のパターン２１０間の距離情報を求める（Ｓ４１０）。例えば、複数のパターン２１０のうち一つのパターン２１０ａを基準として他のパターンとのＸ軸方向への離隔距離またはＹ軸方向への離隔距離を計算してパターン２１０間の距離情報を求める。
【００８１】
一方、基板検査装置１００は、撮像部１４０を用いて取得したイメージから複数のパターン２１０間の距離情報を求めるのとは別途に、キャリブレーション基板２００の基準データ（例えば、キャドデータ）を読み込む（Ｓ４２０）。前記基準データには、パターン２１０間の距離情報が含まれている。
【００８２】
その後、撮像部１４０を用いて取得された複数のパターン２１０間の距離情報と対応する前記基準データにおいての複数のパターン２１０間の距離情報とを用いてキャリブレーション基板２００の傾いた姿勢を示す姿勢情報を求める（Ｓ４３０）。ここで、キャリブレーション基板２００の傾いた姿勢は、撮像部１４０のイメージ平面に対する相対的な姿勢を意味する。例えば、撮像部１４０を用いて測定されたパターン２１０間の距離情報とキャリブレーション基板２００の基準データ（例えば、キャドデータ）を通じて事前に分かっているパターン２１０間の距離情報を比較することにより、キャリブレーション基板２００の傾いた角度を算出することができる。
【００８３】
一方、キャリブレーション基板２００を複数の他の姿勢に対して少なくとも２回測定した後、前記測定された距離の平均値を使用して撮像部１４０をキャリブレーションしてもよい。即ち、キャリブレーション基板２００の姿勢と位置を多様に変化させながら複数のパターン２１０間の距離情報を取得し、前記複数のパターン２１０間の距離情報と対応するキャリブレーション基板２００の基準データとをそれぞれ比較して、前記比較結果の誤差が最少となる姿勢情報または前記比較結果の平均姿勢情報のうち少なくとも一つに基づいて、キャリブレーション基板２００の基板面と撮像部１４０のイメージ平面との相対的に傾いた角度を算出してもよい。
【００８４】
一方、キャリブレーション基板２００の姿勢情報を求めることにおいて、撮像部１４０を用いて測定されたパターン２１０のうち少なくとも２つのパターンの大きさを比較することで、キャリブレーション基板２００の傾きが正である負であるかを判断することができる。この際、対角線方向に比較的に離れている２個のパターン２１０の大きさを比較することが望ましい。
【００８５】
その後、キャリブレーション基板２００の前記姿勢情報と事前に分かっているキャリブレーション基板２００の基準データとを用いて撮像部１４０をキャリブレーションする（Ｓ４４０）。例えば、撮像部１４０の特性を数式的に定義した撮像部行列方程式に前記姿勢情報及び基準データを代入することで、未知数に該当する撮像部１４０の焦点距離情報及び/または倍率情報などのキャリブレーションデータをキャリブレーションすることができる。この際、前記キャリブレーションデータの精密度を高めるために、キャリブレーション基板２００の少なくとも２つの姿勢を測定して取得したキャリブレーションデータの平均値を用いて撮像部１４０のキャリブレーションを行ってもよい。
【００８６】
このように、キャリブレーション基板２００の姿勢情報を考慮して撮像部１４０のキャリブレーションを実行し、これを測定対象物の測定に用いることで、測定の正確性を向上させることができる。
【００８７】
図１５は基板検査装置に具備された非球面レンズの補正方法を示すフローチャートである。
【００８８】
図１及び図１５を参照すると、本発明の一実施形態による基板検査装置１００は、撮像部１４０内に具備された撮像レンズ（例えば、テレセントリックレンズ）１４４と、撮像部１４０下部に設置されたビームスプリッター１５０（ビームスプリッターは非球面レンズの一種）を含む光学系を用いて測定対象物の３次元形状を測定する。
【００８９】
この際、前記光学系自体が有する非均一性に起因して撮像画像に歪曲が発生する場合がある。従って、前記光学系による歪曲を補償する必要がある。
【００９０】
一方、前記光学系は球面レンズと非球面レンズとを含み、球面レンズによる誤差は一般的に規則的な歪曲を有し、非球面レンズは不規則な歪曲を有する。従って、前記光学系の誤差を補償するとき、球面レンズ及び非球面レンズの全体的な歪曲を補償してもよく、または、球面レンズと非球面レンズとの歪曲をそれぞれ補償してもよい。
【００９１】
一実施形態による基板検査装置１００において、撮像レンズ１４４は球面レンズを含むが、球面レンズ自体が有する非均一性によって撮像画像の歪曲が発生することがある。従って、測定対象物１１２の測定の前に、基板検査装置１００に具備された光学系を補正して、球面レンズを含む撮像レンズ１４４の非均一性による歪曲を補償してもよい。このような球面レンズの補償方法は一般的に知られた公知の技術に該当するので、これに対する詳細な説明は省略する。
【００９２】
一方、基板検査装置１００に具備された光学系で非球面レンズに起因する歪曲を補償する必要がある。一実施形態として、前記非球面レンズは、ビームスプリッター１５０であってよい。ビームスプリッター１５０は、一実施形態として、プレート形状に形成され、両面にコーティング層が形成された構造を有する。このようなビームスプリッター１５０は、領域によって屈折率が異なり、撮像画像の歪曲を引き起こす。
【００９３】
図１６は非球面レンズによる歪曲を補償する方法を説明するための概念図である。
【００９４】
図１、図１５及び図１６を参照すると、非球面レンズの非均一性による歪曲を補償するために、複数のパターン３１０が形成された基板３００を撮像部１４０で撮影して基板３００のイメージを取得する（Ｓ５００）。この後、撮像部１４０を用いて撮影された基板３００のイメージを複数のサブ領域３２０に区分し、それぞれのサブ領域３２０にそれぞれ異なる補償条件を適用して歪曲を補償する（Ｓ５１０）。例えば、基板３００のイメージは格子形状のサブ領域３２０に区分される。
【００９５】
それぞれのサブ領域３２０に適用される補償条件は、サブ領域３２０に含まれた複数のパターン３１０にそれぞれ対応するパターン別補償値を用いてサブ領域３２０に特化される。例えば、基板３００の基準データ（例えば、キャドデータ）におけるパターン３１０の位置と撮影イメージのパターン３１０の位置とを比較して、各パターン３１０間の誤差値（即ち、補償の必要な補償値）を計算した後、各サブ領域３２０に含まれたパターン３１０のパターン別補償値の誤差が最少となる値、またはパターン別補償値の平均値を計算することにより、これを該当サブ領域３２０の補償条件に設定できる。
【００９６】
一方、サブ領域３２０の形状を異なるようにし、複数回に渡って歪曲補償を実行した後、求めた複数の補償データに基づいて最適化されたサブ領域３２０の形成を決定してもよい。例えば、格子形状のサブ領域３２０の大きさを大きくまたは小さく変更しながらそれぞれ異なる大きさのサブ領域３２０に対して特化された補償条件を適用して、その結果に基づいて歪曲量が最も少ないサブ領域３２０の形状を選択することで、サブ領域３２０を最適化させることができる。
【００９７】
また、サブ領域３２０の歪曲を補償することにおいて、図１３及び図１４を参照して説明した撮像部１４０のキャリブレーション過程で取得姿勢情報を活用することで、非球面レンズの歪曲補償をより正確に実行してもよい。
【００９８】
このように、基板検査装置１００内に具備された撮像部１４０及びビームスプリッター１５０などの光学系の非均一性による歪曲を実際の測定前に補償することで、測定対象物の測定信頼度を向上させることができる。
【００９９】
一方、撮像部１４０の視野範囲（Field of view：ＦＯＶ）内に全体領域が入らない大型基板の場合、前記方法とは別途に追加工程が必要である。
【０１００】
図１７は本発明の他の実施形態による基板検査方法を示すフローチャートであり、図１８は大型基板に対するオフセット値を測定する過程を示す概念図である。
【０１０１】
図１、図１７及び図１８を参照すると、撮像部１４０で測定対象物１１２が形成された基板全体を撮影することのできない大型基板１１０の場合、基板１１０を少なくとも２個の測定領域に区分して、それぞれの測定領域を測定して各測定領域における基板１１０の平面方程式を生成する（Ｓ２００）。例えば、基板１１０を第１測定領域Ｒ１及び第２測定領域Ｒ２に区分して各測定領域を測定した後、各測定領域に対応する平面方程式を生成する。この際、第１測定領域Ｒ１及び第２測定領域Ｒ２内には測定対象物１１２の全体領域が含まれていることが望ましい。一方、各測定領域Ｒ１、Ｒ２の平面方程式を生成する方法は、前述した図４を参照して説明した方法と同一であるのでこれに対する説明は省略する。このように生成した２つの平面方程式を用いて各測定領域Ｒ１、Ｒ２においての基板１１０の基板面１１０ａ、１１０ｂを求めることができる。
【０１０２】
その後、各測定領域Ｒ１、Ｒ２で測定対象物１１２の領域を求める（Ｓ２１０）。測定対象物１１２の領域、即ち、コーナー及びセンターの座標を求める方法は、図５及び図６を参照して説明した方法と同一であるので、これに対する説明は省略する。
【０１０３】
その後、各測定領域Ｒ１、Ｒ２で求めた測定対象物１１２の領域、即ち、コーナー及びセンターの座標を各測定領域Ｒ１、Ｒ２に対する平面方程式による基板面１１０ａ、１１０ｂに変換する（Ｓ２２０）。測定対象物１１２の領域を基板面１１０ａ、１１０ｂに変換する方法は、前述した図７を参照して説明した方法と同一であるので、これに対する説明は省略する。
【０１０４】
その後、複数の測定領域で取得された平面方程式による基板面１１０ａ、１１０ｂを同一の平面にマッチングさせる（Ｓ２３０）。基板面１１０ａ、１１０ｂをマッチングさせることにおいて、各測定領域Ｒ１、Ｒ２の共通領域及び測定対象物１１２の領域のうち少なくとも一つを基準としてマッチングさせてもよい。例えば、第１領域Ｒ１で取得された基板面１１０ａ上の測定対象物１１２の４個のコーナーＣ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４の座標と第２領域Ｒ２で取得された基板面１１０ｂ上の測定対象物１１２の４個のコーナーＣ５、Ｃ６、Ｃ７、Ｃ８の座標をマッチングさせて、一つの基板面を生成する。
【０１０５】
その後、同一の平面にマッチングされた基板面と基準データによる基板面とをマッチングさせてもよい。同一平面にマッチングされた基板面と基準データによる基板面とをマッチングさせる方法は前記図８を参照して説明した方法と同一であるので、これに対する説明は省略する。
【０１０６】
その後、同一平面にマッチングされた基板面による測定対象物１１２の領域と基準データによる測定対象物１１２の領域とに基づいて測定対象物１１２を検査する（Ｓ２４０）。測定対象物１１２を検査する方法は図９を参照して説明した方法と同一であるので、これに対する説明は省略する。
【０１０７】
このように、撮像部１４０で測定対象物が形成された基板全体を撮影することのできない大型基板の場合、基板を２個の測定領域に区分して測定した後、それぞれの測定領域で測定された基板面を測定対象物の領域にマッチングさせて一つの基板面を生成することで、大型基板上の測定対象物の検査を正確に実行することができる。
【０１０８】
以上、本発明の実施形態によって詳細に説明したが、本発明はこれに限定されず、本発明が属する技術分野において通常の知識を有する者であれば、本発明の思想と精神を離れることなく、本発明を修正または変更できる。
【符号の説明】
【０１０９】
１００      基板検査装置
１１０      基板
１１２      測定対象物
１１４      認識マーク
１２０      投影部
１３０      照明部
１４０      撮像部
１５０      ビームスプリッター
【図１】
2013545972.tif 000003
【図２】
2013545972.tif 000004
【図３】
2013545972.tif 000005
【図４】
2013545972.tif 000006
【図５】
2013545972.tif 000007
【図６】
2013545972.tif 000008
【図７】
2013545972.tif 000009
【図８】
2013545972.tif 000010
【図９】
2013545972.tif 000011
【図１０】
2013545972.tif 000012
【図１１】
2013545972.tif 000013
【図１２】
2013545972.tif 000014
【図１３】
2013545972.tif 000015
【図１４】
2013545972.tif 000016
【図１５】
2013545972.tif 000017
【図１６】
2013545972.tif 000018
【図１７】
2013545972.tif 000019
【図１８】
2013545972.tif 000020
【国際調査報告】
2013545972.tif 000021
2013545972.tif 000022
2013545972.tif 000023
2013545972.tif 000024