(57)【要約】多重ドープ接合を形成する方法が開示される。この方法は、第１の基板および第２の基板を提供することを含む。この方法は、第１の基板および第２の基板のそれぞれの第１の表面に第１のインクを堆積することも含み、第１のインクは、ナノ粒子の第１の組および溶媒の第１の組を含み、ナノ粒子の第１の組は、第１のドーパントの第１の濃度を含む。この方法は、第１の基板および第２の基板のそれぞれの第２の表面に第２のインクを堆積することをさらに含み、第２のインクは、ナノ粒子の第２の組および溶媒の第２の組を含み、ナノ粒子の第２の組は、第２のドーパントの第２の濃度を含む。
2013512570.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多重ドープ接合を形成する方法であって、
（Ａ）第１の基板および第２の基板を提供する工程と、
（Ｂ）前記第１の基板および前記第２の基板のそれぞれの第１の表面に第１のインクを堆積する工程であって、前記第１のインクが、ナノ粒子の第１の組および溶媒の第１の組を含み、前記ナノ粒子の第１の組が、第１のドーパントの第１の濃度を含む工程と、
（Ｃ）前記第１の基板および前記第２の基板のそれぞれの第２の表面に第２のインクを堆積する工程であって、前記第２のインクが、ナノ粒子の第２の組および溶媒の第２の組を含み、前記ナノ粒子の第２の組が、第２のドーパントの第２の濃度を含む工程と、
（Ｄ）前記第１の基板および前記第２の基板を背中合わせの構成に配置する工程と、
（Ｅ）前記第１の基板および前記第２の基板を第１のドライブイン環境中で第１の温度へ、第１の期間で加熱する工程と、
（Ｆ）前記第１の基板および前記第２の基板を前記背中合わせの構成で、堆積環境にさらす工程であり、前記堆積環境が、第２の期間で、ＰＯＣｌ3、キャリアＮ2ガス、メインＮ2ガスおよび反応性の０2ガスを含む工程と、および
（Ｇ）前記第１の基板および前記第２の基板を第２のドライブイン環境中で第３の温度へ、第３の期間で加熱する工程と、
を含む方法。
【請求項２】
前記第１の温度が、約９００℃〜約１０５０℃であり、前記第１の期間が、約１分〜約６０分である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記キャリアＮ2ガスと前記反応性０2ガスの比が、約１：１〜約１．５：１であり、約７００℃〜約１０００℃の第２の温度で、前記第２の期間が約５分〜約３５分である、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記第３の温度が、約８００℃〜約１１００℃である、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記第１のドーパントがホウ素である場合、前記第１の濃度が約５原子組成％〜約１５原子組成％であり、前記第１のドーパントがリンの場合、前記第１の濃度が約１．４原子組成％〜約５．６原子組成％である、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記第２のドーパントがホウ素である場合、前記第２の濃度が、約５原子組成％〜約１５原子組成％であり、前記第２のドーパントがリンの場合、前記第２の濃度が、約１．４原子組成％〜約５．６原子組成％である、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記第１の表面に前記第１のインクを堆積する前記工程の後に、前記第１の基板および前記第２の基板を、第１の焼成環境において、約２００℃〜約８００℃の第４の温度まで、約３分〜約２０分の第４の期間で加熱し、前記第１の焼成環境が不活性の環境と酸化性の環境のうちの１つである、ステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記第２の表面に前記第２のインクを堆積する前記工程の後に、前記第１の基板および前記第２の基板を、第２の焼成環境において、約２００℃〜約８００℃の第５の温度まで、約３分〜約２０分の第５の期間で加熱し、前記第２の焼成環境が不活性の環境と酸化性の環境のうちの１つであるステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記第１の基板および前記第２の基板を前記背中合わせの構成に配置する前記工程に先立って、湿式の薬浴において前記第１の基板および前記第２の基板を洗浄するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記湿式の薬浴が、フッ化水素酸（ＨＦ）；緩衝酸化物エッチ液（ＢＯＥ）；過酸化水素および硫酸の混合物；過酸化水素、水酸化アンモニウム、および水の混合物、の少なくとも１つを含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記第１の温度が約９７５℃〜約１０２５℃であり、前記第１の期間が約１分〜約４０分である、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記第１の温度が約１０００℃であり、前記第１の期間が約３０分である、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記第２の温度が約７２５℃〜約８２５℃であり、前記第２の期間が約１０分〜約３５分である、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
前記第２の温度が約７５０℃〜約８５０℃であり、前記第２の期間が約１０分〜約３０分である、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
前記第２の温度が約８００℃であり、前記第２の期間が約２０分である、請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
前記第３の温度が約８７５℃〜約１０００℃である、請求項１に記載の方法。
【請求項１７】
前記第３の温度が約８５０℃〜約１０５０℃である、請求項１に記載の方法。
【請求項１８】
前記第３の温度が約９００℃である、請求項１に記載の方法。
【請求項１９】
前記第３の期間が約１５分〜約３０分である、請求項１に記載の方法。
【請求項２０】
前記第１のドライブイン環境が不活性の環境および酸化性の環境のうちの１つであり、前記第２のドライブイン環境が前記不活性の環境および前記酸化性の環境のうちの１つである、請求項１に記載の方法。
【請求項２１】
前記第１のインクがホウ素でドープされ、前記第２のインクがその固有の性質を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項２２】
前記第２のインクがホウ素でドープされ、前記第１のインクがその固有の性質を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項２３】
カウンタードープした領域の組を形成する方法であって、
（Ａ）第１の基板および第２の基板を提供する工程と、
（Ｂ）前記第１の基板の第１の表面および前記第２の基板の第２の表面に第１のインクおよび第２のインクを堆積する工程であって、前記第１のインクが、ホウ素ドープしたナノ粒子の組および溶媒の第１の組を含み、前記第２のインクがリンドープしたナノ粒子および溶媒の第２の組を含む工程と、
（Ｃ）前記第１の基板および前記第２の基板を拡散チューブの内側に配置し、前記第１の表面が前記第２の表面を向く工程と、
（Ｄ）前記第１の基板および前記第２の基板を、第１のドライブイン環境において、第１の温度まで、第１の期間で加熱する工程と、
（Ｅ）前記第１の基板および前記第２の基板を、堆積環境を備える拡散炉内でドーパント源にさらす工程であり、前記堆積環境が、第２の期間で、ＰＯＣｌ3、キャリアＮ2ガス、メインＮ2ガスおよび第２の反応性の０2ガスを含む工程と、および
（Ｆ）前記第１の基板および前記第２の基板を、第２のドライブイン環境で、第３の温度まで、第３の期間で加熱する工程と、
を含む方法。
【請求項２４】
前記ホウ素ドープしたナノ粒子の組がホウ素を約５原子組成％〜約１５原子組成％含み、前記リンドープしたナノ粒子の組がリンを約１．４原子組成％〜約５．６原子組成％含む、請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】
前記第１の温度が約９００℃〜約１０５０℃であり、前記第１の期間が約１分〜約６０分である、請求項２３に記載の方法。
【請求項２６】
前記キャリアＮ2ガスと前記反応性０2ガスの比が約１：１〜１．５：１であり、前記第２の温度が約７００℃〜１０００℃であり、前記第２の期間が約５分〜約３５分である、請求項２３に記載の方法。
【請求項２７】
前記第３の温度が約８００℃〜約１１００℃であり、前記第３の期間が約８７５℃〜約１０００℃である、請求項２３に記載の方法。
【請求項２８】
前記第１の基板の前記第１の表面および前記第２の基板の前記第２の表面に前記第１のインクおよび前記第２のインクを堆積する工程の後に、
前記第１の基板および前記第２の基板を、第１の焼成環境において、約２００℃〜約８００℃の第４の温度まで、約３分〜約２０分の第４の期間で加熱し、前記第１の焼成環境が不活性の環境と酸化性の環境のうちの１つであるステップをさらに含む、請求項２３に記載の方法。
【請求項２９】
前記第１の基板の前記第１の表面および前記第２の基板の前記第２の表面に前記第１のインクおよび前記第２のインクを堆積するステップが、前記第１の基板および前記第２の基板を、第２の焼成環境において、約２００℃〜約８００℃の第５の温度まで、約３分〜約２０分の第５の期間で加熱し、前記第２の焼成環境が不活性の環境と酸化性の環境のうちの１つである工程をさらに含む、請求項２３に記載の方法。
【請求項３０】
前記拡散チューブ内に前記基板を配置する工程に先立って、前記第１の基板および前記第２の基板を湿式の薬浴で洗浄するステップをさらに含む、請求項２３に記載の方法。
【請求項３１】
前記湿式の薬浴がフッ化水素酸（ＨＦ）；緩衝酸化物エッチ液（ＢＯＥ）；過酸化水素および硫酸の混合物；過酸化水素、水酸化アンモニウム、および水の混合物、の少なくとも１つを含む、請求項３０に記載の方法。
【請求項３２】
前記第１の温度が約９７５℃〜約１０２５℃であり、前記第１の期間が約１分〜約４０分である、請求項２３に記載の方法。
【請求項３３】
前記第１の温度が約１０００℃であり、前記第１の期間が約３０分である、請求項２３に記載の方法。
【請求項３４】
前記第２の温度が約７２５℃〜約８２５℃であり、前記第２の期間が約１０分〜約３５分である、請求項２３に記載の方法。
【請求項３５】
前記第２の温度が約７５０℃〜約８５０℃であり、前記第２の期間が約１０分〜約３０分である、請求項２３に記載の方法。
【請求項３６】
前記第２の温度が約８００℃であり、前記第２の期間が約２０分である、請求項２３に記載の方法。
【請求項３７】
前記第３の温度が約８５０℃〜約１０５０℃である、請求項２３に記載の方法。
【請求項３８】
前記第３の温度が約９００℃である、請求項２３に記載の方法。
【請求項３９】
前記第３の期間が約１５分〜約３０分である、請求項２３に記載の方法。
【請求項４０】
前記第１のドライブイン環境が不活性の環境および酸化性の環境のうちの１つである、請求項２３に記載の方法。
【請求項４１】
前記第２のドライブイン環境が不活性の環境および酸化性の環境のうちの１つである、請求項２３に記載の方法。
【請求項４２】
前記第１のインクがホウ素ドーパントを含み、前記第２のインクがリンドーパントを含む、請求項２３に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
関連出願の相互参照
本出願は、２００９年１１月２５日に出願された米国特許出願第１２／６２６，１９８号明細書の利益を主張し、参照によりその特許出願の開示全体が本明細書に組み込まれる。
【０００２】
本開示は、一般にｐ−ｎ接合に関し、詳細には、１組のドーパント拡散プロフィールをインサイチュに（ｉｎ−ｓｉｔｕ）制御するために１組のシリコンナノ粒子液体を使用する方法に関する。
【背景技術】
【０００３】
太陽電池は太陽エネルギーを直接、直流電気エネルギーに変換する。太陽電池は一般にフォトダイオードとして構成され、電子または正孔（電子の欠如）などの生成された電荷キャリアを、電流として抽出できるように、光がメタルコンタクトの近傍を貫通することを可能にする。ほとんどの他のダイオードと同様に、フォトダイオードは接合を形成するためにｐ型とｎ型の半導体を結合させることによって形成される。
【０００４】
その際、電界（または内蔵電位）内の、接合のｐ型側にある電子は、（通常リンドープされている）ｎ型領域に引きつけられ、かつ、（通常ホウ素ドープされている）ｐ型領域からはね返され得る一方、接合のｎ型側の電界内にある正孔は、その際ｐ型領域に引きつけられ、かつｎ型領域からはね返され得る。一般に、ｎ型領域および／またはｐ型領域はおのおの、別々に、相対的なドーパント濃度が異なるレベルで構成することができ、しばしばｎ−、ｎ＋、ｎ＋＋、ｐ−、ｐ＋、ｐ＋＋などと示される。内蔵電位、したがって、電界の大きさは、２つの隣接層間の、ドーピングのレベルに一般に依存する。
【０００５】
本質的に太陽電池性能に影響するものであるが、キャリアライフタイム（または再結合ライフタイム）は、過剰少数キャリア（半導体領域の非支配的な電流のキャリア）が、再結合し、したがって電流を伝導するのに利用できなくなるまでにかかる平均時間として定義される。同様に、拡散距離は、電荷キャリアが再結合する前に移動する平均距離である。一般に、ドーパント濃度を増加させることは導電率を改善するが、それは再結合を増加させる傾向もある。その結果、再結合ライフタイムまたは再結合長が短くなるほど、金属領域は電荷キャリアが生成された所に、より近接しなければならない。
【０００６】
従来の太陽電池は、ｐ−ｎ接合を完成するために、吸収体領域を形成する第１のドーパント（一般にホウ素）がドープされ、この吸収体領域の上に第２のカウンタードーパント（一般にリン）が拡散され、エミッター領域を形成するシリコン基板上で、前面および裏面のメタルコンタクトの１組を備えて一般に構成される。不活性化および反射防止コーティングの付加の後に、メタルコンタクト（吸収体の背面のエミッタおよびパッド上のフィンガーおよび母線）を、生成された電荷を抽出するために、付加し得る。
【０００７】
代替のリアコンタクト太陽電池構成において、すべてのメタルコンタクトをドープした基板の裏面上に交差指型の方式で配置する。すなわち交互になったｎ型領域とｐ型領域を織り込むこと。
【０００８】
一般に、ドープ領域内の（置換型の）ドーパント原子の低濃度は、低い再結合（したがってより高い太陽電池効率）および金属電極への不十分な電気コンタクトという両方の結果をもたらす。反対に、（置換型の）ドーパント原子の高濃度は、高い再結合（したがって太陽電池効率を低下させ）および金属電極への低抵抗オーミックコンタクトという両方の結果をもたらす。しばしば、製造原価を低減するために、単一（準最適）ドーパント拡散が、エミッタを形成するために一般に使用され、ドーピング濃度は低い再結合と低抵抗オーミックコンタクトの間の折衷として選択される。したがって、結果として得られる太陽電池効率（電気に変換される太陽光の割合）は低下する。
【０００９】
さらに効率に影響するのは、従来の太陽電池構成の場合のＢＳＦ（裏面電界）またはリヤコンタクト型太陽電池構成の場合のＦＳＦ（前面電界）の存在である。表面電界は、表面領域および表面上のメタライゼーションを施された領域の両方からの少数キャリアをはね返す電界を生ずることによって、電荷キャリアの再結合を最小限にするのに役立つように構成される。吸収体領域において使用されるものと同一の型のドーパントを使用して形成されるが、表面電界のドーパント原子の濃度は、吸収体領域をドープするために使用される濃度より高いように一般に選択される。
【００１０】
ＢＳＦの場合には、アルミニウムがしばしば使用されるので、結果として得られる、電気伝導率およびＢＳＦの、少数キャリアをはね返すことに対する電界特性（すなわち電界強度および電界均一性）は高効率（すなわち、１７％を上回る）太陽電池で使用するには最適以下であり得る。通常、アルミニウムは太陽電池の裏面上にスクリーン印刷によって設けられ、次いで、前面のメタルコンタクト（一般にスクリーン印刷した銀ペーストから形成される）と共にベルト炉において共同焼成される。アルミニウム原子は、（シリコンより相当に低い熔融温度を有する）シリコン基板へ拡散し、さらにシリコン結晶へ取り込まれるようになる傾向がある。しかしながら、約２５×１０6（１／℃）のアルミニウムの熱膨脹係数αはシリコンより約１０倍大きく、そのため、焼成工程の結果として、大幅な基板湾曲を引き起こし得る。すなわち、基板の厚さが減少し、アルミニウムの厚さが増加するにつれて、基板湾曲の量は増加し、基板をモジュール製造に不適にする。
【００１１】
さらに、アルミニウムＢＳＦは、太陽電池効率損失に寄与する傾向もあり得て、それはウェハを通して透過し、アルミニウムに吸収されるいかなる光のフォトンも、電荷キャリア生成には利用できないからである。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
上記に鑑みて、前面および背面の両方のドーパント拡散プロフィールをインサイチュに制御するために、１組のシリコンナノ粒子液体を使用する方法を提供することが要望されている。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明は、一実施形態において、多重ドープ接合を形成する方法に関し、開示される。この方法は第１の基板および第２の基板を提供することを含む。この方法は、第１の基板および第２の基板のそれぞれの第１の表面に第１のインクを堆積することも含み、第１のインクは、ナノ粒子の第１の組および溶媒の第１の組を含み、ナノ粒子の第１の組は、第１のドーパントの第１の濃度を含む。この方法は、第１の基板および第２の基板のそれぞれの第２の表面に第２のインクを堆積することをさらに含み、第２のインクは、ナノ粒子の第２の組および溶媒の第２の組を含み、ナノ粒子の第２の組は、第２のドーパントの第２の濃度を含む。この方法は、第１の基板および第２の基板を背中合わせの構成に配置し、かつ、第１の基板および第２の基板を第１のドライブイン環境（ｄｒｉｖｅ−ｉｎ  ａｍｂｉｅｎｔ）中で第１の温度へ、および第１の期間で加熱することも含む。この方法は、第１の基板および第２の基板を背中合わせの構成で、堆積環境にさらし、堆積環境は、第２の期間で、ＰＯＣl3、キャリアＮ2ガス、メインＮ2ガスおよび反応性の０2ガスを含み、かつ、第１の基板および第２の基板を第２のドライブイン環境中で第３の温度へ、および第３の期間で加熱することをさらに含む。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】選択エミッタおよびブランケットＢＳＦを有する太陽電池の簡略図を示す。
【図２】本発明による、様々なシリコンナノ粒子液体構成で構成された、８組の結晶性シリコン基板の簡略図を示す。
【図３】本発明による、背中合わせの拡散の簡略図を示す。
【図４】おのおのが、本発明による、異なるシリコンインク拡散処理にさらされた、３組のシリコン基板の簡略図を示す。
【図５】おのおのが、本発明による、異なるシリコンインクホウ素ドーパント濃度を有し、同一のシリコンインク拡散処理にさらされた、３組のシリコン基板の簡略図を示す。
【図６】本発明による、バックコンタクト型太陽電池の簡略図を示す。
【図７】本発明による、リヤコンタクトの背中合わせの拡散の簡略図を示す。
【図８】おのおのが、本発明による、相異なるシリコンインクリンドーパント濃度を有し、同一のシリコンインク拡散処理にさらされた、３組のシリコン基板について、簡略図を示す。
【図９Ａ】本発明による、ｐ型太陽電池基板の組の上で選択エミッタおよびホウ素ＢＳＦを形成する簡略法を示す。
【図９Ｂ】本発明による、１組のｐ型基板上でバックコンタクト型太陽電池を形成する簡略法を示す。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
詳細な説明
ここで、添付の図面に図示するように、本発明によるいくつかの好ましい実施形態を参照し、本発明を詳細に記述する。以下の説明で、本発明についての完全な理解を提供するために、多数の特定の詳細を述べる。しかしながら、本発明はこれらの特定の詳細のうちのいくつかまたはすべてを伴わないでも実行され得ることは、当業者に明白である。他の実例において、本発明を不必要に不明瞭にしないために、周知の工程段階、および／または、構造は詳細には記述していない。
【００１６】
一般に、従来の太陽電池構成で選択エミッタなど多重ドープ接合を形成するために、ガスの組合せおよびマスキング工程が、ＩＶ族基板上にドーパントを堆積するためにしばしば使用される。すなわち、マスクは、ＩＶ族（たとえばシリコンなど）基板上で最初に堆積され、この基板内の、高度にドープされることになっている領域が露出され、その後、ＩＶ族基板は第１のドーパントガスにさらされる。次いで、マスクが除去され、次いで、ＩＶ族基板は、第２のより低い濃度のドーパントガス（または同一の濃度であるがより低い温度のドーパントガス）にさらされ、それにより選択エミッタ構成を形成する。たとえば、ホウ素ドープのシリコン基板へリンを拡散するために、ＰＯＣｌ3（オキシ塩化リン）が使用される。
【００１７】
ＰＯＣｌ3拡散処理において含まれる典型的なガスは以下のものを含む。すなわち、環境窒素ガス（メインＮ2ガス）、液体のＰＯＣｌ3で満たされたバブラーを通って流された、キャリア窒素ガス（キャリアＮ2ガス）、堆積（処理）ガスを形成するために蒸発したＰＯＣｌ3と反応するように構成された、反応性酸素ガス（反応性０2ガス）、かつ任意選択的に、後で酸化層を形成するように構成されたメイン酸素ガス（メイン０2ガス）である。
【００１８】
一般に、シリコン基板は、メインＮ2ガスを備えた、加熱されたチューブ炉に最初に配置される。次いで、ＰＯＣｌ3蒸気がチューブ炉へ流され、堆積温度に加熱され、さらに、シリコン基板上にＰ2０5（酸化リン）を形成する反応性０2ガス、および、シリコン基板中の金属不純物と相互に作用し、それらを除去するＣｌ2（塩素）ガスにさらされる。そして次に、Ｐ2０5は、シリコン基板と反応し、Ｓｉ０2および遊離したＰ原子を形成する。堆積と同時に起こるシリコンウェハの酸化は、Ｓｉ０2・Ｐ2０5層（ＰＳＧまたはリンケイ素ガラス）の形成をもたらす。
【００１９】
電荷キャリア生成に利用可能になるように、遊離したリンの原子をさらにシリコン基板へ拡散し、格子中のシリコン原子に置換型でとって代わることを可能にするために、堆積温度またはそれより高い温度を使って、付加的なドライブインステップ（いかなるＰＯＣｌ3の流れもない）が、通常、採用される。このステップの間、メインＮ2ガスおよび／またはメイン０2のガスを含み得る１組のドライブイン環境ガスが、チューブ炉へ流される。酸素の使用はシリコンウェハ表面で酸化層の形成をもたらすであろう。そのような酸化層は、シリコン基板の中へのＰＳＧ層からのＰ原子の拡散を減じ、結果として生じる拡散プロフィールに対してより多くの制御を可能にする。一般に、ある一定の温度に対して、リンは、シリコン中よりＳｉ０2中において拡散が遅い。
【００２０】
ＢＳＦの形成は、通常、太陽電池の裏面上にスクリーン印刷によってアルミニウムペーストを適用すること、および、前面メタルコンタクトと共にベルト炉においてそれを共同焼成することを含んでいる。しかしながら、相当に、アルミニウムとシリコン基板回転間の熱膨脹係数の相当の差異は、次には、焼成工程の結果として大幅な基板湾曲を引き起こし得る。
【００２１】
リアコンタクト太陽電池構成の場合には、エミッタ、裏面電界、前面電界、コンタクトカット（ｃｏｎｔａｃｔ  ｃｕｔ）および金属グリッド線の画定のために、いくつかのフォトリソグラフィおよびドーパントの拡散工程がある。
【００２２】
有利な一手法では、１組のドーパントがシリコン基板に入れ込まれるように、１組のシリコンナノ粒子液体（たとえば、インク、ペーストなど）が、シリコン基板の前面および裏面に堆積されてもよい。
【００２３】
その結果として、選択エミッタおよびホウ素ＢＳＦの両方（従来のフロントコンタクト型太陽電池の場合）、または、リヤコンタクトの１組およびＦＳＦ（リヤコンタクト太陽電池の場合）が、それらのおのおのが他方に実質的に影響を及ぼすかまたは汚染をすることなく、単一の処理ステップで形成され得る。
【００２４】
たとえば、従来のフロントコンタクト型太陽電池は、（ホウ素ドープされた）シリコン基板の前面に第１のシリコンナノ粒子液体をあるパターンで堆積し、かつ、第２のカウンタードープしたナノ粒子液体（すなわち基板と同一のドーパント型、通常はホウ素の）を基板裏面に堆積することによって（第２の基板の裏面に面して配置することによってＰＯＣｌ3からさらに遮蔽されて）、ＰＯＣｌ3プロセスを使用して製造され得る。
【００２５】
選択エミッタの場合には、基板にカウンタードープされた拡散層が形成される。すなわち、一般に約９０ｏｈｍ／ｓｑ〜約１２０ｏｈｍ／ｓｑのシート抵抗を有する低濃度ドープ領域、および、あるシート抵抗を有する高濃度ドープ領域（同一のドーパント型の）が、一般に約３０ｏｈｍ／ｓｑ〜約６０ｏｈｍ／ｓｑで、形成され得る。ホウ素ＢＳＦの場合には、ドープ領域が、反対型にドープしたウェハ上で測定したとき、約１０ｏｈｍ／ｓｑ〜約２００ｏｈｍ／ｓｑのシート抵抗を有して形成されてもよい。
【００２６】
代わりに、リアコンタクト太陽電池もｎ型ウェハ上でＰＯＣｌ3プロセスを使用して製造され得る。第１のシリコンナノ粒子液体（すなわち、リン）、および、第２のカウンタードープしたシリコンナノ粒子液体（すなわち基板と同一のドーパント型の、通常はホウ素の）が、基板背面に堆積され（かつＰＯＣｌ3から遮蔽され）得る。その結果として、交差指型のバックコンタクトの組が、リンドープのＦＳＦと同時に形成される。
【００２７】
シリコンナノ粒子液体（またはコロイド分散）は、前述したように、連続相（溶媒などの）および分散相（一般にナノ粒子）の、２つの別個の位相からなる一種の均質の混合物である。
【００２８】
一般に、ナノ粒子とはその寸法の少なくとも１つが１００ｎｍ未満の微細な粒子である。サイズにかかわらず一定の物理的特性（たとえば、融点、沸点、比重、導電率など）を有する傾向があるバルク材料（＞１００ｎｍ）と比較して、ナノ粒子は、より低い焼結温度またはより広いバンドギャップなどの、サイズに依存する物理的特性を有することがある。塗料中の顔料のように、これらのナノ粒子は、基板上に後で堆積され得るコロイド状分散中で一時的に懸濁状態とされなければならない。
【００２９】
ナノ粒子は様々な技術によって製造でき、蒸発（Ｓ．Ｉｊｉｍａ，Ｊａｐ．Ｊ  Ａｐｐｌ．  Ｐｈｙｓ．  ２６，  ３５７  （１９８７））、気相熱分解（Ｋ．  Ａ  Ｌｉｔｔａｕ，  Ｐ．  Ｊ．  Ｓｚａｊｏｗｓｋｉ，  Ａ．  Ｊ．  Ｍｕｌｌｅｒ，  Ａ．  Ｒ．  Ｋｏｒｔａｎ，  Ｌ．  Ｅ．  Ｂｒｕｓ，  Ｊ  Ｐｈｙｓ．  Ｃｈｅｍ．  ９７，  １２２４  （１９９３））、気相光分解（Ｊ．  Ｍ．  Ｊａｓｉｎｓｋｉ  ａｎｄ  Ｆ．  Ｋ．  ＬｅＧｏｕｅｓ，  Ｃｈｅｍ．  Ｍａｔｅｒ．  ３，  ９８９  （１９９１））、電気化学的エッチング（Ｖ．  Ｐｅｔｒｏｖａ−Ｋｏｃｈ  ｅｔ  ａｌ．，  Ａｐｐｌ．  Ｐｈｙｓ．  Ｌｅｔｔ．  ６１，  ９４３  （１９９２））、シランおよびポリシランのプラズマ分解（Ｈ．  Ｔａｋａｇｉ  ｅｔ  ａｌ，  Ａｐｐｌ．  Ｐｈｙｓ．  Ｌｅｔｔ．  ５６，  ２３７９  （１９９０））高圧液相酸化還元反応（Ｊ．  Ｒ．  Ｈｅａｔｈ，  Ｓｃｉｅｎｃｅ  ２５８，  １１３１  （１９９２））などの技術がある。
【００３０】
さらに、ナノ粒子は、「Ｍｅｔｈｏｄｓ  Ａｎｄ  Ａｐｐａｒａｔｕｓ  Ｆｏｒ  Ｔｈｅ  Ｐｒｏｄｕｃｔｉｏｎ  ｏｆ  Ｇｒｏｕｐ  ＩＶ  Ｎａｎｏｐａｒｔｉｃｌｅｓ  ｉｎ  ａ  Ｆｌｏｗ−Ｔｈｒｏｕｇｈ  Ｐｌａｓｍａ  Ｒｅａｃｔｏｒ」と題する、２００８年５月１日出願の米国特許出願第１２／１１３，４５１号明細書、および、「Ｉｎ  Ｓｉｔｕ  Ｄｏｐｉｎｇ  ｏｆ  Ｇｒｏｕｐ  ＩＶ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  Ｎａｎｏｐａｒｔｉｃｌｅｓ  ａｎｄ  Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍｓ  Ｆｏｒｍｅｄ  Ｔｈｅｒｅｆｒｏｍ」と題する、２００７年８月２１日出願の米国特許出願第１１／８４２，４６６号明細書に記述された技術を使ってドープすることができ、参照によりこの両者は本明細書に組み込まれる。
【００３１】
さらに、シリコンナノ粒子の表面は、シリコンナノ粒子液体の連続相と不適合であり得るので、有機キャッピング方法が、表面に官能性をもたせるために一般に使われる。第１の方法において、水素で不活性化された表面はグリニャール化学ルートによって処理されてもよい。他の方法では、水素で不活性化された表面は、アルコールおよびアルデヒドと反応させ得る。さらに他の方法では、末端アルケンおよび末端アルキンの共役結合が、ＩＶ族原子および水素原子の間に挿入され得る。Ｊ．Ｍ．Ｂｕｒｉａｋの「Ｏｒｇａｎｏｍｅｔａｌｌｉｃ  Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ  ｏｎ  Ｓｉｌｉｃｏｎ  ａｎｄ  Ｇｅｒｍａｎｉｕｍ  Ｓｕｒｆａｃｅｓ」Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｒｅｖｉｅｗｓ  １０２．５（２００２）：１２７２−１３０８．を参照されたい。水素で不活性化されたＳｉ表面の場合には、そのような反応はヒドロシリル化として周知である。
【００３２】
シリコンナノ粒子に基づいた選択エミッタの形成のプロセスは、２００９年７月２日出願の「Ｍｅｔｈｏｄｓ  ｏｆ  Ｕｓｉｎｇ  Ａ  Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｎａｎｏｐａｒｔｉｃｌｅ  Ｉｎｋ  ｔｏ  Ｃｏｎｔｒｏｌ  Ｉｎ  Ｓｉｔｕ  Ａ  Ｐｈｏｓｐｈｏｒｏｕｓ  Ｄｉｆｆｕｓｉｏｎ  Ｐｒｏｆｉｌｅ」と題する米国特許出願第６１／２２２，６２８号明細書に記述されており、参照により本明細書に組み込まれる。
【実施例】
【００３３】
さて、図１の選択エミッタおよびブランケットＢＳＦを有する太陽電池の簡略図を参照すること。通常の構成において、ｎ＋＋拡散層１１４およびｎ−拡散層１０８が、ｐ−（低濃度ドープ）シリコン基板１１０の上に最初に形成される。基板の前面へのＳｉＮｘ層１０４の堆積に先立って、リンの堆積工程（すなわちＰＯＣｌ3）中に基板表面上に形成された残余のＰＳＧは、一般にＳｉ０2をＢＯＥにさらすことにより、実質的に除去される、
【００３４】
次いで、前面メタルコンタクト１０２および裏面電界（ＢＳＦ）／裏面メタルコンタクト１１６が、シリコン基板１１０上に一般に形成される。前面のメタルコンタクト１０２は、Ａｇ粉末（約７０原子組成％（ａｔ％）〜約８０原子組成％）を含むＡｇペースト、ホウケイ酸鉛ガラスＰｂＯ−Ｂ2０3−Ｓｉ０2（１〜１０原子組成％）、および有機成分（１５約〜３０約原子組成％）から一般に形成される。ＢＳＦ／裏面メタルコンタクト１１６は、それにより少数キャリア裏面再結合の影響をはね返し最小限にする電界を生ずるように一般に構成される。さらに、モジュールの中への相互接続のためのはんだ付けを容易にするために、銀パッド（図示せず）が、ＢＳＦ／裏面メタルコンタクト１１６上に一般に適用される。
【００３５】
ここで本発明による、様々なシリコンナノ粒子液体構成で構成された８組の結晶性シリコン基板の簡略図を示す、図２を参照する。のこぎり損傷をエッチングしたｐ型シリコン基板から構成され、おのおの、約１８０ｕｍの厚さと約２Ｏｈｍ・ｃｍのバルク固有抵抗を有するすべての基板セット。基板は、ピラニア（硫酸（Ｈ2Ｓ０4）および過酸化水素（Ｈ2０2）の混合物）で最初に洗浄された。この洗浄のあと、脱イオン水ですすぐステップ、次いで、その後の緩衝酸化物エッチ液（ｂｕｆｆｅｒｅｄ  ｏｘｉｄｅ  ｅｔｃｈ：ＢＯＥ）浸液が続き、最終の脱イオン水すすぎが続いた。次いで、基板は、シリコンナノ粒子液体に先立って、Ｎ2を使って乾燥された。（このシリコンナノ粒子液体はシリコンナノ粒子を含み、基板の片面に堆積されて、かつ、１組の有機溶媒中に約４原子組成％のシリコンナノ粒子を構成する。
【００３６】
次いで、溶媒分子を蒸発させ、かつ、高密度の膜を形成するために、基板は、約３分の期間、急速熱処理（ＲＴＰ）ツールにおいて、焼成環境の中で６００℃の温度で焼成された。この実験において焼成の環境は不活性であったが、酸化性の環境も使用し得る。
【００３７】
一般に、組２１０の基板はすべて、約７２５℃〜約８５０℃にわたる温度で、かつ、約２０分〜約３５分にわたる期間、ＰＯＣｌ3、Ｎ2および０2の堆積環境を有する拡散炉中のドーパント源にさらされ、約１０００℃までわたり、約３０分までの期間にわたって、ドライブイン環境において付加的なドライブインの熱ステップが続いた。全プロセスは、約５０分〜約２４０分にわたる期間を要した。基板表面および高密度の膜面の上の残余のＰＳＧガラス層は、約５分間のＢＯＥの洗浄工程によって、続いて除去された。
【００３８】
基板の下位組２１０ａは、全く保持時間がない、約９７５℃への昇温傾斜を有する、窒素だけのドライブイン環境を有し、約３４．７ｏｈｍ／ｓｑの平均液体領域シート抵抗および約９９．６ｏｈｍ／ｓｑの平均露出領域シート抵抗が結果として得られた。ここで液体領域とはインクによって覆われる領域である。その結果として、選択エミッタが形成され得る。
【００３９】
基板下位組２１０ｂは、約１：１の比の、メインＮ2およびメイン０2の約１５分間のドライブイン環境を有し、約３０．０ｏｈｍ／ｓｑの平均液体領域シート抵抗および約１３０．６ｏｈｍ／ｓｑの平均露出領域シート抵抗が結果として得られた。そして、平均露出領域シート抵抗は低濃度ドープ領域にとって望ましい範囲（約９０ｏｈｍ／ｓｑ〜約１２０ｏｈｍ／ｓｑ）よりわずかに高いが、それでもなお選択エミッタを形成するために使用され得る。
【００４０】
基板の下位組２１０ｃは、約１：１の比の、メインＮ2およびメイン０2の約１５分間の第１のドライブイン環境、さらに約３０分間の窒素だけの第２のドライブイン環境を有し、約２５．７ｏｈｍ／ｓｑの平均液体領域シート抵抗および約１０３．８ｏｈｍ／ｓｑの平均露出領域シート抵抗を有していた。その結果として、選択エミッタが形成され得る。
【００４１】
下位組２１６中の基板はすべて、キャリアＮ2と反応性０2の比が堆積中に約１：１で、約２０分間の約８００℃の最初の堆積温度を有し、さらに少なくとも９００℃のドライブイン温度を有していた。
【００４２】
基板の下位組２１６ａは、約１５分間のメインＮ2だけのドライブイン環境を有し、約４８．８ｏｈｍ／ｓｑの平均液体領域シート抵抗および約１０５．６ｏｈｍ／ｓｑの平均露出領域シート抵抗が結果として得られた。その結果として、選択エミッタが形成され得る。
【００４３】
基板の下位組２１６ｂは、約１：１の比の、メインＮ2およびメイン０2の約１５分間の約９２５℃のドライブイン環境を有し、約４９．３ｏｈｍ／ｓｑの平均液体領域シート抵抗および約１０６．４ｏｈｍ／ｓｑの平均露出領域シート抵抗が結果として得られた。その結果として、選択エミッタが形成され得る。
【００４４】
基板の下位組２１６ｃは、約１５分間のメインＮ2だけのドライブイン・環境を有し、約４８．７ｏｈｍ／ｓｑの平均液体領域シート抵抗および約１０５．６ｏｈｍ／ｓｑの平均露出領域シート抵抗が結果として得られた。その結果として、選択エミッタが形成され得る。
【００４５】
対照的に、基板の下位組２１２ａ〜２１２ｃ、２１４および２１８ｂは、最適な選択エミッタ構成には一般に高すぎる平均シート抵抗を有していた。前述したように、高いシート抵抗は、低濃度ドーピング構成に一般に対応し、再結合を最小限にする傾向があるが、また、不十分なオーム性のメタルコンタクトを形成する傾向がある。
【００４６】
基板の下位組２１２ａは、約２７６．９ｏｈｍ／ｓｑの平均液体領域シート抵抗および約２２７．７ｏｈｍ／ｓｑの平均露出領域シート抵抗を有していた。基板の下位組２１２ｂは、平均液体領域シート抵抗が約２３３．２ｏｈｍ／ｓｑであり、約１２７．５ｏｈｍ／ｓｑの平均露出領域シート抵抗を有していた。基板の下位組２１２ｃは、平均液体領域シート抵抗が約１４７．７ｏｈｍ／ｓｑであり、約１５３．８ｏｈｍ／ｓｑの平均露出領域シート抵抗を有していた。
【００４７】
基板セット２１４は、キャリアＮ2と反応性０2の比が堆積中に２：１で、約２０分間の約８００℃の最初の堆積温度を有し、さらに、メインＮ2およびメイン０2の中での約１５分間の約８５０℃のドライブイン温度を有していた。
【００４８】
基板下位組２１８ｂは、平均液体領域シート抵抗が約１７９．１ｏｈｍ／ｓｑであり、約５８．２ｏｈｍ／ｓｑの平均露出領域シート抵抗を有していた。基板の下位組２１８ｂは、約８５０℃の堆積温度を有し、ドライブインステップは有しなかった。これは最適な選択エミッタドーパント拡散プロフィールを形成するのに一般に不十分である。
【００４９】
対照的に、基板の下位組２１８ａ、２１８ｃ、は、最適な選択エミッタ構成には低すぎる平均露出領域シート抵抗を有していた。
【００５０】
基板下位組２１８ａは、平均液体領域シート抵抗が約３５．６ｏｈｍ／ｓｑであり、３４．１ｏｈｍ／ｓｑの平均露出領域シート抵抗を有していた。基板下位組２１８ｃは、平均液体領域シート抵抗が約４８．７ｏｈｍ／ｓｑであり、約３１．９ｏｈｍ／ｓｑの平均露出領域シート抵抗を有していた。両者は、約８５０℃以下の堆積温度および約９２５℃のドライブイン温度を有していた。これは最適な選択エミッタドーパント拡散プロフィールを形成するには、同じく不十分である。
【００５１】
図３を参照し、本発明による、従来のフロントコンタクト型太陽電池の背中合わせの拡散の簡略図を示す。一般に、シリコン基板３１２は、水平の拡散炉３０２において石英チューブ内に垂直に配置する。しかしながら、通常の拡散構成と異なり、１つの有利な手法では、基板３１２は基板キャリアボート３０６のスロット内に背中合わせで（基板の背面が互いを向いて）配置される。すなわち、各基板３１２の前面３０３上の３１０において堆積されたインク膜の第１の組は、環境ガス３０４に実質的にさらされ、一方、各基板３１２の裏面３１３上に堆積されたインク膜３１６の第２の組は、環境ガス３０４から実質的に遮蔽されるであろう。その結果として、環境ガス３０４がＰＯＣｌ3などのドーパント源を含む場合でも、裏面３１３上のカウンタードープされた（第２の）インク３１６（ＢＳＦ用などの）は、そのドーパント源にさらされないであろう。すなわち、拡散環境からの干渉なしで基板をドープするために、第２のインク３１６が使われてもよく、このサンプルの他の領域とは対照的に、基板の裏面でインクの下において異なった拡散が結果として得られる。
【００５２】
拡散処理中における、インクからその下にある基板の中へのドーパントの拡散に加えて、ドーパントのうちのいくらかは基板間の隙間３１８を横切って輸送され、隣りの基板へ拡散され得る。一般に、第２のインク膜３１３中のドーパントの一部は、加熱プロセス（一般に７５０℃を超える）の間に揮発性になり得る。ウェハの全域での意図しない拡散強度変化を最小限にするために、インクで覆われた領域は、一般に、実質的に同等のドーパント濃度を有し、互いに隣接して配置される。
【００５３】
図４を参照すると、簡略図が、本発明による、３組のシリコン基板について示され、おのおのは異なったホウ素ドープシリコンインク拡散処理にさらされたものである。一般に、ＢＳＦプロセスに対して、１０19〜５×１０20／ｃｍ3の実質的に一様なホウ素ドーパント濃度が表面電界の生成に有用である。このホウ素ドーパント濃度は、リン（カウンター）ドープされた基板上において、約１０ｏｈｍ／ｓｑ〜約１００ｏｈｍ／ｓｑのシート抵抗率に対応する。背中合わせの構成において拡散された、ｎ型（リンドープされた）基板上の、ボロンドープ層の測定されたシート抵抗率が、ｏｈｍ／ｓｑで縦軸４０４に示され、一方、拡散プロセスは横軸４０２に沿って示される。
【００５４】
基板の第１の組への第１の拡散４０６は、上述のように、ＰＯＣｌ3プロセスの間に実行された。すなわち、約３００ｎｍ〜約１ｕｍの、高密度のホウ素ドープした薄膜を形成するために、焼成する環境において、約２００℃〜８００℃の第１の温度で、約３分〜約２０分の第１の期間、基板を加熱すること。次に、ＰＯＣｌ3、キャリアＮ2ガス、メインＮ2ガスおよび反応性０2ガスを含み、キャリアＮ2ガスと反応性０2ガスの比が、約１：１〜約１．５：１にある堆積環境中で、約７００℃〜１０００℃の第２の温度で、約５分〜約３５分の第２の期間、拡散炉中のドーパント源に基板をさらすことであり、ＰＳＧ層が、基板前面および高密度の膜インクパターン上に形成される。最後に、ドライブイン環境において、約８００℃〜約１１００℃の第３の温度に基板を加熱すること。ここで、１組のシート抵抗が平均８００ｏｈｍ／ｓｑと測定され、これは有用な表面電界には一般に高すぎる。
【００５５】
ＰＯＣｌ3のない第２の拡散４０８が基板の第２の組で実行された。初めに、基板の第２の組は、焼成する環境において約２００℃〜約８００℃の第１の温度に、約３分〜約２０分の第１の期間、高密度の膜を形成するために加熱された。次に、基板の第２の組は、不活性の環境（ここでは窒素）において、第２の温度９５０℃に、約３０分の第２の期間、加熱された。ここで、１組のシート抵抗が平均約２００ｏｈｍ／ｓｑと測定され、これは、対応する基板表面が、たとえば、誘電体層を備えて実質的に不活性化される場合、適切な表面電界を形成し得る。
【００５６】
すなわち、必要なＢＳＦの強度は、表面の最終の不活性化手法に一般に依存する。絶縁体での不活性化（酸化物または窒化物の層などの）がある場合、少数キャリアが表面で再結合する傾向がないため、ＢＳＦドーパント濃度および対応する表面電界強度は、低減され得る。しかしながら、表面が金属の（前述したようにアルミニウムを有するなど）場合、シリコン金属界面に沿った少数キャリア再結合を最小限にするために、表面電界は一般に、相当に強くなければならない。
【００５７】
最後に、ＰＯＣｌ3のない第３の拡散４１０は、基板の第３の組で実行された。初めに、基板の第３の組は、高密度の膜を形成するために、焼成する環境において、約２００℃〜約８００℃の第１の温度に、約３分〜約２０分の第１の期間、加熱された。次に、基板の第２の組は、不活性の環境（ここでは窒素）において、約１０００℃の第２の温度に、約３０分の第２の期間、加熱された。最初の２つの拡散と異なり、ここで測定されたシート抵抗の組は、平均７０ｏｈｍ／ｓｑを有し、これはブランケット裏面電界の生成に有益である。
【００５８】
代替の構成において、その最初に第３の拡散４１０を実行し、続けて、第１の拡散４０６を実行するプロセスもまた、平均約７０ｏｈｍ／ｓｑをもたらし、これは表面電界の生成に有益である。
【００５９】
図５を参照すると、簡略図が３組のシリコン基板について示されており、おのおのは、本発明によって、同一のシリコンインク拡散処理にさらされたが、異なったシリコンインクドーパント濃度（粒子合成段階中で、シリコンインクに懸濁する前に測定されたとき）を有していた。図４のように、結果として得られる拡散の測定を分離するために、基板は、インク（ホウ素）のドーパントに対してカウンタードープとなるｎ型ドーパント（リン）をドープされていた。ここで、拡散はすべて、不活性の（窒素）環境において、約ｌ０００℃で、約３０分間実行された。横軸に沿って、ホウ素含有量百分率５０２を示し、一方、縦軸は、ドープした領域に対する、ｏｈｍ／ｓｑでのシート抵抗５０４を示される。
【００６０】
第１の拡散５０６は、シリコンに対して１原子組成％（粒子合成段階中で、シリコンインクに懸濁する前に測定されたとき）のホウ素濃度を有するナノ粒子インクを含んでいた。結果として得られた、測定されたシート抵抗の組は平均６００ｏｈｍ／ｓｑを有し、これは、有用な表面電界にはあまりにも高すぎるであろう。
【００６１】
対照的に、第２の拡散５０８および第３の拡散５１０は、シリコンに対して、それぞれ、７．２原子組成％および１１％（粒子合成段階中で、シリコンインクに懸濁する前に測定されたとき）のホウ素濃度を有するナノ粒子インクを含んでいた。結果として得られた、測定されたシート抵抗の組は、７．２原子組成％の濃度に対して平均７５Ｏｈｍ／ｓｑ、および、１１原子組成％のホウ素濃度に対して６５Ｏｈｍ／ｓｑを有する（ホウ素濃度は、粒子合成段階中で、シリコンインクに懸濁する前に測定された）。これらは、両者とも有用な表面電界（たとえばバックコンタクト型太陽電池において）に最適である。
【００６２】
図６は、本発明による、バックコンタクト型太陽電池の簡略図を示す。前述したように、バックコンタクト型太陽電池はエミッタおよびＢＳＦの両方を一般に有し、したがって、対応するメタルコンタクトをソーラの裏面に交差指型の構成で有する。その結果として、前面遮光損失は実質的に除去され、これは全体の太陽電池効率を改善する傾向がある。
【００６３】
通常の構成において、１組のｐ型（エミッタ）領域６１２および１組のｎ型ベースコンタクト領域６１６は、ｎ型（リンドープの）シリコン基板６０８へ拡散される。任意選択的に、窒化ケイ素または酸化ケイ素の表面不活性化層６１０を、表面の裏面に堆積することができる。電荷キャリアを抽出するために、エミッタメタルコンタクト６０２が、ｐ型領域６１２の組の上に堆積され、ベースメタルコンタクト６１１が、ｎ型領域６１３の組の上に堆積される。さらに、ＦＳＦ（前面電界）を含む前面層６０４および、反射防止コーティング（前述したように）も堆積される。
【００６４】
図７を参照すると、本発明による、リヤのコンタクトの背中合わせの拡散の簡略図が示されている。一般に、図３に示すように、シリコン基板７１２は、水平の拡散炉７０２において石英チューブ内に垂直に配置する。しかしながら、通常の拡散構成と異なり、１つの有利な手法では、基板７１２は基板キャリアボート７０６のスロット内に背中合わせで（基板の背面が互いを向いて）配置される。すなわち、ドープしたインク膜７１６の第１の組およびカウンタードープしたインク膜７１７の第２の組は、各基板セット７１２の裏面７１３で、交差指型の構成において、各インク膜が環境ガス７０４から実質的に遮蔽されるように堆積される。その結果として、環境ガス７０４がＰＯＣｌ3などのドーパント源を含む場合でも、ＦＳＦ／（前面電界）が、裏面上のカウンタードープしたインク膜の組と共にインサイチュに形成され得る。
【００６５】
拡散処理中における、インクからその下にある基板中へのドーパントの拡散に加えて、ドーパントのうちのいくらかは基板間の隙間７１８を横切って輸送され、隣りの基板へ拡散され得る。すなわち、ドープしたインク膜７１６の第１の組、および、カウンタードープしたインク膜７１７の第２の組の中のドーパントの一部は、加熱プロセス（一般に７５０℃を超える）の間に揮発性になる。ウェハの全域での意図しない拡散強度変化を最小限にするために、同一のドーパント型のインクで覆われた領域は、実質的に同等の濃度を有するお互いと隣接して、一般に配置される。
【００６６】
図８を参照すると、簡略図が３組のシリコン基板について示されており、おのおのは、本発明によって、同一のシリコンインク拡散処理にさらされたが、異なったシリコンインクホウ素ドーパント濃度（粒子合成段階中で、シリコンインクに懸濁する前に測定されたとき）を有していた。結果として得られる拡散の測定を分離するために、基板は、インク（リン）のドーパントに対してカウンタードープとなるｐ型ドーパント（ホウ素）をドープされていた。ここで、拡散はすべて、不活性の（窒素）環境において約ｌ０００℃で、約３０分間実行された。横軸に沿って、ホウ素含有量百分率８０２を示し、一方、縦軸は、ドープした領域に対する、ｏｈｍ／ｓｑでのシート抵抗８０４を示す。
【００６７】
第１の拡散８０６および第２の拡散８０８は、シリコンに対して、それぞれ、０．８原子組成％および１．４％（粒子合成段階中で、シリコンインクに懸濁する前に測定されたとき）のリン濃度を有するナノ粒子を含んでいた。結果として得られた、測定されたシート抵抗の組は、０．８原子組成％の濃度に対して平均２３０Ｏｈｍ／ｓｑ、１．４原子組成％のリン濃度に対して１３０ｏｈｍ／ｓｑを有する（リン濃度は、粒子合成段階中で、シリコンインクに懸濁する前に測定された）。これらは、両者ともリヤコンタクト型太陽電池の低抵抗メタルコンタクトを形成するにはあまりにも高すぎる。
【００６８】
対照的に、第３の拡散８１０は、オーム性のメタルコンタクトのために最適なシート抵抗を有する。ここで、拡散８１０は、シリコンに対して原子組成５．６％のリン濃度（粒子合成段階中で、シリコンインクに懸濁する前に測定されたとき）を有するナノ粒子インクを含んでいた。結果として得られた、測定されたシート抵抗の組は平均４０Ｏｈｍ／ｓｑを有する。
【００６９】
図９Ａを参照し、本発明による、ｐ型太陽電池基板の組の上で選択エミッタおよびホウ素ＢＳＦを形成する簡略法。
【００７０】
最初にステップ９０２で、第１のインクが、各基板の第１の表面（前面または裏面）に堆積される。第１の表面が太陽電池基板の裏面である場合、第１のインクはホウ素でドープされる。
【００７１】
任意選択的にステップ９０３で、基板は、第１のインクから溶媒の組を取り除き、かつ、堆積されたインクの密度を約１００ｎｍ〜約１０００ｎｍの厚さを有する膜へ高めるために、焼成される。これは、約２００℃〜約８００℃の第１の温度において、約３分〜約２０分の第１の期間で実施され得る。
【００７２】
次に、ステップ９０４で、第２のインクが、各基板の第２の（反対側の）表面に堆積される。第２の表面が太陽電池基板の裏面である場合、第２のインクはホウ素でドープされる。
【００７３】
次に、ステップ９０５で、各基板は、第２のインク（および、既に焼成されていない場合、第１のインク）から溶媒の組を取り除き、かつ、堆積されたインクの密度を、約１００ｎｍ約１０００ｎｍの厚さを有する膜へ高めるために、焼成される。これは、約２００℃〜約８００℃の第２の温度において、約３分〜約２０分の第２の期間で実施され得る。
【００７４】
任意選択的にステップ９０６で、シリコン膜の不要な不純物および酸化した部分を除去するために各基板は薬浴において洗浄される。このステップで使われる化学薬品の例として、フッ化水素酸（ＨＦ）；緩衝酸化物エッチ液（ＢＯＥ）；過酸化水素および硫酸の混合物、過酸化水素、水酸化アンモニウム、および水の混合物、の少なくとも１つが挙げられるが、限定はされない
【００７５】
ステップ９０７で、基板の組は、拡散チューブ中において、ホウ素を含むインク領域（形成を可能にする、ＢＳＦ）が、互いを向いて、かつＰＯＣｌ3環境にさらされないように、背中合わせの構成で配置される。
【００７６】
次に、ステップ９０８で、基板の組は、裏面に堆積されたインクへのドーパントを基板内に追い込む（ｄｒｉｖｅ）ために加熱される。これは、好ましくは約８７５℃〜約１０５０℃の、より好ましくは約９５０℃〜約１０２５℃の、および最も好ましくは約１０００℃の第３の温度で実施され得る。第３の期間は、好ましくは約１分〜約６０分で、より好ましくは約１分〜約４０分で、および最も好ましくは約３０分でなければならない。さらに、ドーパント濃度（粒子合成段階中で、シリコンインクに懸濁する前に測定されたとき）は、好ましくは約５原子組成％〜約１５原子組成％で、より好ましくは約７原子組成％〜約１３原子組成％で、および最も好ましくは約１１原子組成％であろう。
【００７７】
次に、ステップ９１０で、基板の組はＰ０Ｃ１3環境において加熱される。ここで、基板は、ＰＯＣｌ3、キャリアＮ2ガス、メインＮ2ガスおよび反応性０2ガスを含み、キャリアＮ2ガスと反応性０2ガスの比が、約１：１〜約１．５：１にある堆積環境中で、約７００℃〜約１０００℃の第４の温度で、約５分〜約３５分の第４の期間、拡散炉中でドーパント源にさらされ、ＰＳＧ層が基板前面上に形成される。
【００７８】
次に、ステップ９１２で、基板の組は、不活性、または酸化性の環境中で再び加熱される。すなわち、基板は、リン（ＰＳＧからの）とホウ素（高密度化されたインクからの）の両方のドーパントを追い込みする（ドライブイン：ｄｒｉｖｅ  ｉｎ）ために、ドライブイン環境において、約８００℃〜約１１００℃の第５の温度まで、加熱される。
【００７９】
最後に、ステップ９１４で、インクは、各基板から適切な方法によって、一般にＨＦ溶液を用いて、任意選択的に取り除かれる。
【００８０】
図９Ｂを参照し、本発明による、１組のドープしたシリコン基板上にバックコンタクト型太陽電池を形成する簡略法。選択エミッタを有する太陽電池の場合、１組のリンドープ領域が、ホウ素ドープしたＢＳＦを有するホウ素ドープした基板上に形成される。１組のバックコンタクトを有する、典型的な太陽電池の場合、１組の交差指型のカウンタードープされた領域が、リンドープしたＢＳＦを有するリンドープした基板上に形成される。代わりに、ホウ素ドープＢＳＦを有する、ホウ素ドープ基板をこの構成において使うことができる。
【００８１】
最初に、ステップ９２２で、第１のドープしたインクは、各基板の表面に堆積される。
【００８２】
任意選択的に、ステップ９２３で、各基板は、インクから溶媒の組を取り除き、かつ、堆積されたインクの密度を、約１００ｎｍ〜約１０００ｎｍの厚さを有する膜へ高めるために、焼成される。これは、約２００℃〜約８００℃の第１の温度において、約３分〜約２０分の第１の期間で実施してもよい。
【００８３】
次に、ステップ９２４で、前述したように第２のカウンタードープしたインクが、各基板の第１のドープしたインクと同一の表面に交差指型のパターンにおいて堆積される。
【００８４】
次に、ステップ９２５で、各基板は、インクから溶媒の組を取り除き、かつ、堆積されたインクの密度を、約１００ｎｍ〜約１０００ｎｍの厚さを有する膜へ高めるために、焼成される。これは、約２００℃〜約８００℃の第２の温度において、約３分〜約２０分の第２の期間で実施され得る。
【００８５】
ステップ９２６で任意選択的に、シリコン膜の不要な不純物および酸化した部分を除去するために各基板は薬浴において洗浄され得る。このステップで使われる化学薬品の例として、フッ化水素酸（ＨＦ）；緩衝酸化物エッチ液（ＢＯＥ）；過酸化水素および硫酸の混合物；過酸化水素、水酸化アンモニウム、および水の混合物、の少なくとも１つが挙げられるが、限定はされない。
【００８６】
ステップ９２７で、基板の組は、拡散チューブ中において、同等なドーパント型は互いを向いて（すなわち、ホウ素を含む領域は互いを向いて、一方、リンを含む領域は互いを向く）傾向があるように、背中合わせで配置され、その後に、ＰＯＣｌ3環境への接触を低減する。
【００８７】
次に、ステップ９２８で、基板の組は、裏面堆積インク内のドーパントを基板内へ追い込むために、加熱される。これは、好ましくは約８７５℃〜約１０５０℃の、より好ましくは約９５０℃〜約１０２５℃の、および最も好ましくは約１０００℃の第３の温度で実施され得る。第３の期間は、好ましくは約１分〜約６０分で、より好ましくは約１分〜約４０分で、および最も好ましくは約３０分でなくてはならない。さらに、ドーパント濃度（粒子合成段階中で、シリコンインクに懸濁する前に測定されたとき）は、好ましくは約５原子組成％〜約１５原子組成％で、より好ましくは約７原子組成％〜約１３原子組成％で、および最も好ましくは約１１原子組成％であろう。リンドーパント濃度（粒子合成段階中で、シリコンインクに懸濁する前に測定されたとき）は、好ましくは約１原子組成％〜約１０原子組成％で、より好ましくは約３原子組成％〜約６原子組成％で、最も好ましくは約５原子組成％でなくてはならない。
【００８８】
次に、ステップ９３０で、基板の組はＰＯＣｌ3環境において加熱される。ここで、基板は、ＰＯＣｌ3、キャリアＮ2ガス、メインＮ2ガスおよび反応性０2ガスを含み、キャリアＮ2ガスと反応性０2ガスの比が、約１：１〜約１．５：１にある堆積環境中で、約７００℃〜約１０００℃の第４の温度で、約５分〜約３５分の第４の期間、拡散炉中でドーパント源にさらされ、ＰＳＧ層が、基板前面および高密度の膜インクパターン上に形成される。
【００８９】
次に、ステップ９３２で、基板の組は、不活性または酸化性の環境中で再び加熱される。すなわち、基板は、リンおよびホウ素の両方のドーパントを追い込みするために、追い込み環境において約８００℃〜約１１００℃の第５の温度まで、加熱される。
【００９０】
説明的に本明細書で記述された本発明は、いかなる素子または素子群、限定または限定群が欠けていても、特に本明細書で開示されていなくても、適切に実行されてもよい。したがって、たとえば、用語「備える」、「含む」、「包含している」などは、拡張的に、かつ、限定せずに読まれるものとする。さらに、本明細書で使用された用語と表現は、記述の用語として使用されたもので、限定の用語として使用されたものではなく、そのような用語および表現の使用において、示され、記述された特徴およびその特徴の部分の、いかなる均等物も除外する意図はなく、様々な変更が請求された本発明の請求の範囲内で可能であることが認識されるはずである。
【００９１】
したがって、本発明を、好ましい実施形態および任意選択的な特徴によって具体的に開示してきたが、本明細書で開示された本発明の修正、改善および変更が当業者によって行使されてもよいこと、および、そのような修正、改善および変更は、本発明の範囲内であると見なされることは、理解すべきである。本明細書で提供される材料、方法、および実施例は、好ましい実施形態の代表的なものであり、見本になるものであり、本発明の範囲に対する限定として意図されたものではない。
【００９２】
当業者によって理解される通り、いかなる、かつ、全ての目的に対しても、特に書面による記述の提供の点で、本明細書で開示された全ての範囲はまた、その範囲の、いかなる、かつ、全ての可能な下位の範囲およびそれらの下位の範囲の組み合わせを包含する。いかなる列挙された範囲も、その同じ範囲が少なくとも、等分、３等分、４等分、５等分、１０等分などに分割されることを、十分に記述し可能にしているものとして、容易に認めることができる。非限定例として、本明細書で説明された範囲はおのおの、下側の３分の１、中央の３分の１、上側の３分の１へ容易に分割できる。さらに当業者によって理解されるように、「まで」、「少なくとも」、「より大きい」、「より小さい」および同種のものなど、全ての言葉は詳述された数を含み、かつ、上記に説明したとおり、下位の範囲に後で分割することができる範囲を表す。さらに、用語「ドーパント、またはドープされた」および「カウンタードーパント、またはカウンタードープされた」は反対の型の１組のドーパントを表す。すなわち、ドーパントがｐ型である場合、カウンタードーパントはｎ型である。さらに、特に断らない限り、ドーパントの型は入れ替えてもよい。さらに、用語「基板」は単結晶および多結晶の両方の基板を含んでもよい。
【００９３】
本明細書で参照された全ての刊行物、特許出願、登録特許、および他の文献は、おのおのの個別の、刊行物、特許出願、登録特許、および他の文献を具体的かつ個別に引用した場合その全体を組み込むのと同程度に、参照により、本明細書に組み込む。参照によって組み込まれたテキストに包含されている定義は、本開示中の定義と矛盾する範囲については除外される。
【００９４】
本開示の目的のために、および特に指定がない限り、「１つ」は「１つまたは複数」を意味する。本明細書に引用した全ての特許、特許出願、参考文献、および刊行物は、それらが個別に参照として組み込まれている場合と同程度に、それらの全体を参照として組み込む。さらに、単語「組」は、１つまたは複数の、品目または物の、集合を指す。
【００９５】
本発明の利点には、１組のドーパント拡散プロフィールをインサイチュに制御するために１組のシリコンナノ粒子液体を使う方法を含む。さらなる利点は、効率的な太陽電池の製造を含む。
【００９６】
例示的な実施形態および最良の形態を開示してきたが、以下の特許請求の範囲によって定義される本発明の主題および精神の範囲内で、開示した実施形態に修正および変更を施すことができる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
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【国際調査報告】
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