(57)【要約】  過ハロゲン酸と硫酸の混合物が高温で予想外に安定であり、処理が難しいイオン注入フォトレジストを含めたフォトレジストを短い処理時間でストリッピングするのに効果的である。使用時、１４５℃の温度まで、混合物の分解は観察されない。混合物中で、硫酸は高純度であり、９６ｗｔ％以上の濃度を有する。過ハロゲン酸は、好ましくはＨ5ＩＯ6である。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理するための方法であって、
前記基板を、硫酸と過ハロゲン酸の混合物と接触させることを含み、前記混合物が、１５分以下、１１０℃〜１４５℃の範囲内の温度にある方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、
過ハロゲン酸が、過ヨウ素酸（Ｈ5ＩＯ6）である、方法。
【請求項３】
請求項１に記載の方法であって、
Ｈ5ＩＯ6およびＨ2ＳＯ4として計算して、前記混合物中に、前記硫酸が５０〜９９．５ｗｔ％の範囲で存在し、過ハロゲン酸が０．１〜１０ｗｔ％の範囲で存在する、方法。
【請求項４】
請求項３に記載の方法であって、
Ｈ5ＩＯ6およびＨ2ＳＯ4として計算して、前記混合物中に、前記硫酸が７０〜９９．５ｗｔ％の範囲で存在し、過ハロゲン酸が０．２〜２ｗｔ％の範囲で存在する、方法。
【請求項５】
請求項１に記載の方法であって、
前記基板が、単一ウェハウェット処理用の装置内の半導体ウェハである、方法。
【請求項６】
請求項５に記載の方法であって、
前記半導体ウェハが、イオン注入フォトレジストを備える、方法。
【請求項７】
請求項６に記載の方法であって、
前記半導体ウェハが、ヒ素イオン注入フォトレジストを備える、方法。
【請求項８】
請求項６に記載の方法であって、
前記半導体ウェハが、ホウ素イオン注入フォトレジストを備える、方法。
【請求項９】
請求項１に記載の方法であって、
前記基板が、１０分以下、硫酸と過ハロゲン酸の混合物と接触される、方法。
【請求項１０】
請求項１に記載の方法であって、
前記基板が、４分以下、硫酸と過ハロゲン酸の混合物と接触される、方法。
【請求項１１】
請求項１に記載の方法であって、
０．５〜２ｗｔ％の水の濃度の方法。
【請求項１２】
基板を処理するための組成物であって、
硫酸と過ハロゲン酸の安定な混合物を含み、前記混合物の温度が、１１０℃〜１４５℃の範囲内である組成物。
【請求項１３】
請求項１２に記載の組成物であって、
前記過ハロゲン酸が、（Ｈ5ＩＯ6として計算して）４５〜６５重量％の過ヨウ素酸の水溶液である、組成物。
【請求項１４】
請求項１２に記載の組成物であって、
硫酸と過ハロゲン酸が、Ｈ5ＩＯ6およびＨ2ＳＯ4として計算して、過ハロゲン酸と硫酸の重量／重量比で表現して１／１００〜１／５の相対比で前記混合物中に存在する、組成物。
【請求項１５】
請求項１４に記載の組成物であって、
硫酸と過ハロゲン酸が、Ｈ5ＩＯ6およびＨ2ＳＯ4として計算して、硫酸と過ハロゲン酸の重量／重量比で表現して１／１０の相対比で前記混合物中に存在する、組成物。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板を処理するための酸性組成物、およびそのような組成物を使用して基板を処理するための方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子ビームレジストを含めたフォトレジストを用いた半導体処理は、いくつかの付随する問題にもかかわらず、広く使用されている。これらは、レジストの除去またはストリッピングにおける難点を含む。いくつかのフォトレジストは、例えば１０15原子／ｃｍ2を超えるイオン線量で、かつ２０ｋｅＶよりも高い、さらには４０ｋｅＶ以上の注入エネルギーで高濃度注入される。そのような注入レジストは、従来の基板処理プロセスによっては完全に除去することができず、いくつかの場合には、部分的にさえ除去することができない。
【０００３】
注入エネルギーのレベルおよびドーパントのタイプ（ホウ素やヒ素など）に応じて、多くのフォトレジストおよびそれらの残渣が、ＳＰＭ（硫酸−過酸化物混合物）、ＳＯＭ（硫酸−オゾン混合物）、あるいは有機溶媒によってストリップされる。しかし、これらの技法は、すべてのレジストに関して満足な結果を与えたわけではなく、または残渣を除去することがまったくできなかった。
【０００４】
米国特許出願公開第２００９／０２８１０１６号（特許文献１）は、硫酸と過ヨウ素酸を含む組成物、およびイオン注入フォトレジストをストリップする際のそれらの使用を記載する。いくつかの実施形態での組成物は、水を含むことがあるが、含水量は、最小限であることが好ましい。比較的広いプロセス温度範囲に言及されているが、実際には、混合物は、６０〜９５℃の範囲内の温度で使用されていた。これは、爆発または過剰な放熱の危険性により、過ヨウ素酸と強鉱酸の混合物を、混合物から水がなくなる温度まで加熱すべきではないという従来の考えに合致する。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明者は、意外にも、組成物の分解または爆発を伴わずに、１１０℃〜１４５℃の範囲内のプロセス温度で、過ハロゲン酸の水溶液を濃硫酸さらには発煙硫酸とさえ安全に混合して利用することができることを発見した。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
したがって、本発明の一態様は、フォトレジストをストリップする方法であって、硫酸と過ハロゲン酸の混合物を用いて、混合物を１１０℃〜１４５℃の範囲内の温度まで加熱して、フォトレジストを処理するステップを含む方法である。
【０００７】
本方法に関連付けられる別の意外な発見は、上述した温度で使用するときの硫酸と過ハロゲン酸の混合物が、従来技術で述べられるよりもはるかに短い処理時間で、高ドープのレジスト層でさえストリップすることができることであり、その処理時間は、１５分以下、好ましくは１０分以下、より好ましくは５分以下、最も好ましくは４分以下である。処理時間の好ましい範囲は、３０秒〜１５分、好ましくは１〜１０分、より好ましくは１〜５分、最も好ましくは９０秒〜４分である。
【０００８】
本発明の別の態様は、硫酸と過ハロゲン酸の安定な混合物であり、ここで、混合物の温度は、１１０℃〜１４５℃の範囲内である。
【０００９】
本発明のさらなる態様は、フォトレジストをストリップするための組成物を生成する方法であって、過ハロゲン酸を水中に溶解して、過ハロゲン酸の水溶液を生成するステップと、過ハロゲン酸の水溶液を硫酸と混合して、処理液体を生成するステップと、処理液体を、１１０℃〜１４５℃の範囲内の温度に加熱するステップとを含む方法である。
【００１０】
実施形態の以下の詳細な説明は、本発明をさらに例示するが、添付の特許請求の範囲で採用される表現を超えた限定を与えるものとみなすべきではない。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】フォトレジスト除去の効果を実証する電子顕微鏡写真を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
特に指示しない限り、すべてのパーセンテージが重量パーセンテージである。
【００１３】
強酸化剤（Ｈ5ＩＯ6、ＨＣｌＯ4など）が、超酸性であり無機の酸化安定溶媒として働く９６％硫酸（またはより高濃度では１００％発煙硫酸）に添加される。
【００１４】
意外にも、混合物から水がなくなることが予想される温度でさえ、爆発または過剰な放熱を伴わずに、過ハロゲン酸を濃硫酸さらには発煙硫酸とさえ安全に混合することができることが発見された。水の存在は、従来は、例えばＨＣｌＯ4またはＨ5ＩＯ6の爆発性を弱めると考えられている。上述した米国特許出願公開第２００９／０２８１０１６号（特許文献１）で行われた実験に合致して、爆発／分解を回避するために、そのような高濃度の混合物を加熱することは賢明でないと従来考えられている。
【００１５】
過ハロゲン酸は、好ましくは過ヨウ素酸であり、これは、ＨＩＯ4またはＨ5ＩＯ6の形を取ることがある。過ヨウ素酸は、強酸化剤である。希釈溶液中では、過ヨウ素酸は、Ｈ+およびＩＯ4-イオンとして存在する。より高濃度になると、オルト過ヨウ素酸Ｈ5ＩＯ6が生成される。これは、結晶性固体として得ることもできる。さらなる加熱により、（式Ｉに従って）五酸化二ヨウ素（Ｉ2Ｏ5）と酸素が生じる。
【００１６】
式Ｉ：２Ｈ5ＩＯ6＝Ｉ2Ｏ5＋５Ｈ2Ｏ＋Ｏ2
【００１７】
無水七酸化二ヨウ素は、天然には存在しないが、合成して生成することができる。
【００１８】
本明細書で使用するとき、用語「過ヨウ素酸」は、ＨＩＯ4とＨ5ＩＯ6の両方を包含する。
【００１９】
原料のうち、硫酸は、技術グレード（７８％〜９３％）および他のグレード（９６％、９８〜９９％、および１００％）を含めた様々な濃度で販売または商業的に使用されている。不純物は、鉄、銅、亜鉛、ヒ素、鉛、水銀、およびセレンなどの金属、亜硫酸（ＳＯ2など）、硝酸塩、ならびに塩化物を含む。
【００２０】
しかし、半導体産業用に、高純度の硫酸が生成されている。例えば、米国特許第６，７４０，３０２号（Ｈｏｓｔａｌｅｋ等）（特許文献２）が、１０ｐｐｍ未満のＳＯ2含有量を有する硫酸を生成するためのプロセスを教示している。市販の半導体グレード硫酸としては、ＨｏｎｅｙｗｅｌｌからのＰＵＲＡＮＡＬがある。
【００２１】
過ヨウ素酸は、５０％溶液として、または９９．９９％の純度で入手可能である。また、過ヨウ素酸は、白色の結晶性固体の形態を取ることもあり得る。本発明では、（Ｈ5ＩＯ6として計算して）４５〜６５ｗｔ％の過ヨウ素酸の水溶液が好ましい。
【００２２】
試薬グレードの過ヨウ素酸は、半導体グレードＨ2ＳＯ4よりも高レベルの不純物を含む。例えば、９９．９９％のＨ5ＩＯ6は、０．０１％の他のハロゲン、０．００３％のＦｅ、およびｐｐｍレベルの金属不純物を有し、これらの金属不純物は、３ｐｐｍのＡｌ、３ｐｐｍのＣｕ、３ｐｐｍのＬｉ、３ｐｐｍのＫ、３ｐｐｍのＮａ、３ｐｐｍのＣａ、３ｐｐｍのＡｕ、３ｐｐｍのＭｇ、３ｐｐｍのＺｎ、３ｐｐｍのＣｒ、３ｐｐｍのＰｂ、３ｐｐｍのＮｉ、および３ｐｐｍのＡｇを含むことがある。
【００２３】
硫酸と過ハロゲン酸との相対比率は、好ましくは、１／１００〜１／５の範囲内であり、この比率は、Ｈ5ＩＯ6とＨ2ＳＯ4として計算した過ハロゲン酸と硫酸の重量／重量比である。
【００２４】
Ｈ2ＳＯ4とＨ5ＩＯ6の安定な混合物を得ることができるようにする緩和因子は、Ｈ5ＩＯ6が強酸化試薬であり、したがって混合物中の不純物が完全に酸化されることに起因することがある。高純度の硫酸と結合させるとき、酸化還元対（Ｆｅ++／Ｆｅ+++など）を誘発する不安定性を生じる可能性がある有意な量の材料は存在しない（例えば、Ｆｅが１６０ｐｐｔ以下である）。したがって、２つの酸の混合物は、１１０℃〜１４５℃の範囲内の高温で予想外に安定である。
【００２５】
同様に、高純度のＨ2ＳＯ4中の１０ｐｐｍ以下のＳＯ2は、ＳＯ2／ＳＯ4（Ｓ+4／Ｓ+6）酸化還元対を緩和または抑制することがある。
【００２６】
酸化剤（過ハロゲン酸）の分子濃度は比較的低く、したがって、ストリッピング組成物を再循環させるために、オゾンによる再酸化を使用することが企図される。
【００２７】
また、金属腐食の減少など、改良された特性を有するように、混合物をさらに改質することもできる。さらに、含水量の制御により金属腐食を減少させることができる。
【００２８】
比率で表現すると、硫酸と過ハロゲン酸は、Ｈ5ＩＯ6およびＨ2ＳＯ4として計算して、過ハロゲン酸と硫酸の重量／重量比で表現して１／１００〜１／５の相対比で混合物中に存在することがある。また、硫酸と過ハロゲン酸は、Ｈ5ＩＯ6およびＨ2ＳＯ4として計算して、過ハロゲン酸と硫酸の重量／重量比で表現して１／１０の相対比で混合物中に存在することがある。
【００２９】
処理時間、すなわちストリッピング組成物が洗浄対象の表面と接触して維持される時間は、例えば単一ウェハウェット処理用の装置において３０秒〜１５分でよい。処理時間は、好ましくは１〜１０分、より好ましくは１〜５分、最も好ましくは９０秒〜４分である。半導体ウェハは、イオン注入フォトレジストを用いて処理することができる。
【００３０】
処理混合物は、過ハロゲン酸の水溶液を濃硫酸と混合して初期混合物を生成し、１１０℃〜１４５℃の範囲内の温度まで初期混合物を加熱することによって製造することができる。
【００３１】
使用時、過ヨウ素酸を水中に溶解して約６０ｗｔ％の過ヨウ素酸とし、得られた水溶液を約９６重量％の濃硫酸に添加する。得られた混合物を、１１０℃〜１４５℃の範囲の対応するプロセス温度まで加熱する。より具体的には、ＳＰ  ３０５における混合タンクシステムに約１５リットルの硫酸を充填し、その後、ＤＩ（脱イオン化水）中で約６０ｗｔ％のＨ5ＩＯ6を約２．５リットル添加する。プロセス温度を１１０℃に上昇させ、次いで１３０℃に上昇させる。分解は観察されない。この液体を、被加工物（半導体ウェハ）が取り付けられているスピンチャック上に、０．５〜５．０ｌ／分の範囲内、好ましくは１．０〜３．０ｌ／分の範囲内、最も好ましくは１．５ｌ／分の流量で、ノズルを通して供給、例えば噴霧する。好ましくは、この方法は、半導体ウェハの単一ウェハウェット処理用の装置内で行う。
【００３２】
処理液体を１４５℃に加熱した後、分解は生じず、性能は変わらなかった。しかし、１５０℃で、強い脱ガスが生じた。この理由は、証明はされていないが、格子からの水の損失、すなわち過ヨウ素酸の分解によるものと考えられる。
【００３３】
追加の酸化剤も混合物中に含めることができる。これらの酸化剤は、酸素またはオゾンの気体注入物を含むことができる。過マンガン酸塩、硝酸塩、セリウム系（例えば硝酸セリウムアンモニウム）、過塩素酸塩、次亜塩素酸塩、四酸化オスミウム、および／またはそれらの酸等の酸化剤を添加することができる。
【００３４】
１１０℃〜１４５℃の範囲内の温度で本発明による処理流体を使用するとき、直径３００ｍｍの半導体ウェハ上での処理流体の滞留時間は、好ましくは３０秒〜１５分、好ましくは１〜１０分、より好ましくは１〜５分、最も好ましくは９０秒〜４分であり、したがって、上述した米国特許出願公開第２００９／０２８１０１６号（特許文献１）に記載されているよりもはるかに短い。
【００３５】
（実験）
単一ウェハ処理装置Ｌａｍ  ＳＰ  ３０５で試験を行った。
【００３６】
まず、ツールを、手作業で硫酸ですすぎ、空にして、１５リットルの９６重量％の硫酸を再び充填した。固体Ｈ5ＩＯ6を脱イオン化水と混合して６０重量％の濃度（２．５リットル）にし、硫酸に添加した。混合物は約６０〜７０℃の温度に達し、さらに１１０℃まで加熱した。この温度で複数のピースについて実行した。他の試験に関しては、プロセス温度を１３０℃に設定した。また、タングステンおよび窒化チタンに関して、エッチング速度を決定した。
【００３７】
第２の試行において、この混合物を除去し、システムに、１５リットルの９６％の硫酸と１５リットルの６０％の過ヨウ素酸を再び充填した。この混合物は、そのシステム内に６リットルの死容積（＝水）が残っているときに、計算されたパーセンテージにより良く対応する。この配合物を用いたエッチング速度は、優れた性能を示した。
【００３８】
１４５℃で、発泡（式ＩによればＯ2の発生と考えられる）が始まったが、黄色沈殿物の生成または変色はなく、混合物は処理可能であった。１５０℃で、混合物は、循環の問題により、もはや処理可能でなかった。
【００３９】
利用したウェハは、以下の特性を備えるフォトレジスト層を有するものとした。
【００４０】
ａ）２５ｋｅＶの注入エネルギーで１×１０14原子／ｃｍ2のＡｓ
【００４１】
ｂ）４０ｋｅＶの注入エネルギーで４×１０15原子／ｃｍ2のＢＦ3
【００４２】
ＬＡＭ  ＳＰ  ３０５試験に関する結果を表１に記載する。濃度（括弧内）は、混合物から計算したものであり、ここで、遊離水が遊離ＳＯ3（発煙硫酸に由来する）と十分に反応してＨ2ＳＯ4になると仮定した。以下の表中の濃度は、計算した濃度を反映しており、生じ得る解離は反映していない。
【表１】
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【００４３】
また、試験クーポンを使用してスクリーニング試験を行った。ビーカー試験に関して、同等の混合物を生成するために、脱イオン水中で５０％のＨ5ＩＯ6溶液と、９６％のＨ2ＳＯ4を、１：５の比で混合した。具体的には、ビーカー内で、１００ｍｌの９６％硫酸を２０ｍｌの５０％Ｈ5ＩＯ6に添加した。溶媒和による温度上昇が続いて起こり、そこで、試験クーポンを２分間、溶液中に浸漬した。２分は、単一ウェハ処理装置の性能を予測するのに適当なスクリーニング時間と考えた。３０ｋｅＶの注入エネルギー、注入線量３×１０15でヒ素（Ａｓ）を注入したタイプのウェハに関して試験を行った。
【００４４】
クーポン試験に関する処理条件を表２に記載する。
【表２】
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【００４５】
また、３０ＫｅＶで３×１０15原子／ｃｍ2のヒ素ドープを施したタイプのウェハに関しても試験を行った。処理条件を表３に示す。
【表３】
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【００４６】
走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を使用して結果を評価した。結果を表４に記載する。
【表４】
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【００４７】
これらの結果は、２５ｋｅＶで１×１０14原子／ｃｍ2のＡｓを注入した試料が、１２０℃で１２０秒でフォトレジストを除去され、２５ｋｅＶで１×１０14原子／ｃｍ2のＡｓを注入した試料が、１３０℃で６０秒でフォトレジストを除去されたことを示した。
【００４８】
４０ｋｅＶで４×１０15原子／ｃｍ2のＢＦ3を注入した試料は、１１０℃では３６０秒でフォトレジストを除去され、１３０℃では３００秒でフォトレジストを除去された。１４５℃では、４０ｋｅＶで４×１０15原子／ｃｍ2のＢＦ3を注入した試料は、２４０秒ではフォトレジストを除去されなかった。ここで、フォトレジストを除去できなかったのは、１５０℃で脱ガスが観察されたので、化学組成の破壊が原因である可能性がある。
【００４９】
図１は、ストリッピングの効果および完全性を実証する電子顕微鏡写真を示し、ここで、この処理は、実質的に残渣を残していない。
【００５０】
窒化チタン層およびタングステン層に施したエッチングの速度から、水の濃度が低くなるにつれて腐食も低くなることが示された（混合物中の水濃度と水を含まない媒質との比較）。
【００５１】
水の減少は、腐食を制限する。プロセス時間に関して、約４分を超える時間は、腐食に関して悪影響をもたらす。
【００５２】
また、ＳＥＭおよび顕微鏡写真は、単一ウェハ処理装置内での高温およびせん断流量（約１．５ｌ／分）が、ストリッピング溶液によって解放されたクラストおよびデブリを水から除去するのに大きな助けとなったことを示した。
【００５３】
すべてのデブリが溶解されるわけではないので、混合物は、再循環して、フィルタによって不純物／残渣を除去することができる。これは、バッチプロセスにわたって長い浴寿命を提供すると予想される。
【００５４】
比較例の結果は、米国特許出願公開第２００９／０２８１０１６号（特許文献１）の実施例１〜６から得られる。
【００５５】
比較実施例１は、高濃度注入レジストを除去するために、注入物の種類、線量、およびエネルギーに応じて、６０〜９５℃の温度および３０〜６０分の反応時間で、過ヨウ素酸の濃度を５〜１５％とした硫酸と過ヨウ素酸の混合物を使用した。例えば、濃硫酸中の４．７５ｗｔ％および９．１ｗｔ％過ヨウ素酸溶液で、６０℃で３０分間、注入レジスト（２×１０15原子／ｃｍ-2のＡｓ、２０ｋｅＶ）の試験パターンを洗浄した。このプロセスは、少量の水を許容し、例えば２ｇの過ヨウ素酸、１ｇの水、および１９ｇの（約９６％の）濃硫酸である。
【００５６】
比較実施例２は、濃硫酸溶液中での１０％過ヨウ素酸の大きなバッチを使用し、２２個の異なる容器に分け、８０℃に加熱した。２０ｋｅＶで２×１０15原子／ｃｍ-2のＡｓを注入したウェハを使用して、これらの溶液を、洗浄能力に関して様々な処理時間で試験した。
【００５７】
比較実施例３は、マスクを使用し、ＵＶ１１０Ｇポジ型２４８ｎｍレジストと複合イオン注入物を含むウェハに対して行った。幅２２５ｎｍおよびピッチ４００ｎｍまで、典型的には９０ｎｍおよびそれをわずかに超えるノードパターンのレジストラインを評価した。より高濃度の注入物（例えば４×１０15原子／ｃｍ-2のＢＦ2+および３．５×１０15原子／ｃｍ-2のＡｓ）の場合には、かなりのレジスト残渣がウェハ上に再堆積した。
【００５８】
比較実施例４は、反応の速度を上げるために、５％過ヨウ素酸−濃硫酸の混合物への過マンガン酸カリウムの添加を伴った。添加したＫＭｎＯ4の濃度は、４９ｐｐｍ、２２０ｐｐｍ、および１０００ｐｐｍであり、試験試料には、２０ｋｅＶで１×１０16原子／ｃｍ-2のＡｓを注入した。
【００５９】
比較実施例５は、過ヨウ素酸およびＫＭｎＯ4がウェハ汚損の危険を引き起こすかどうかを判断するためのものであった。ブランケットシリコンウェハを、９０℃で３０分間、（ａ）５％過ヨウ素酸−濃硫酸の混合物中、または（ｂ）（ａ）に２２０ｐｐｍのＫＭｎＯ4を添加した配合物中で処理した。次いで、ウェハを、水中または水性洗浄溶液中ですすぎ、全反射蛍光Ｘ線分光法（ＴＸＲＦ）によって検査した。
【００６０】
比較実施例６は、独自のマスクを使用して現像されたウェハのバッチを使用した一連の実験であり、ここで、ウェハは、ポジ型２４８ｎｍレジストと複合イオン注入物（１５ＫｅＶで３×１０14原子／ｃｍ-2のＧｅと１５ＫｅＶで３．５×１０15原子／ｃｍ-2のＡｓ）を含むものであった。ウェハを、６０℃で３０分間、以下に述べる配合物Ａ〜Ｃ中に浸漬して、すすぎ、光学顕微鏡写真を得た。配合物Ａ：１ｗｔ％の過硫酸アンモニウムと、４：１のｖ／ｖ比を有する９９ｗｔ％のＳＰＭ（硫酸／過酸化水素の混合物）。配合物Ｂ：５ｗｔ％の過硫酸アンモニウムと、４：１のｖ／ｖ比を有する９５ｗｔ％のＳＰＭ。配合物Ｃ：１５ｗｔ％の過硫酸アンモニウムと、４：１のｖ／ｖ比を有する８５ｗｔ％のＳＰＭ。
【００６１】
結果を以下の表５に示す。
【表５】
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【００６２】
表に見ることができるように、比較技術のより低い温度範囲では、不完全な除去、再堆積、沈殿、およびウェハ汚損があった。対照的に、本出願の技術の高温は、短縮された処理時間で、完全なレジスト除去を実現する。
【００６３】
本明細書で示される前述の説明および具体的な実施形態は、本技術およびその原理を単に例示するにすぎず、本発明の精神および範囲から逸脱することなく当業者が容易に修正および追加を行うことができることを理解されたい。したがって、本発明は、添付の特許請求の範囲によってのみ限定されるものと理解される。
【図１】
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【国際調査報告】
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