(57)【要約】  バイポーラ接合トランジスタ（ＢＪＴ）（１００２）及び金属酸化物半導体（ＭＯＳ）（１００４）トランジスタを含む集積回路を形成するプロセスであって、集積回路基板を５℃又はそれより低温まで冷却することにより、及び、ＢＪＴのエミッタ領域に及びＭＯＳトランジスタのソース及びドレイン領域に、種に応じて特定された最小ドーズ量の、ドーパントを同時に注入することにより、形成される。
2013545303.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＮＰＮバイポーラ接合トランジスタ（ＢＪＴ）及びＮチャネル金属酸化物半導体（ＮＭＯＳ）トランジスタを含む集積回路を形成するプロセスであって、
前記ＮＰＮ  ＢＪＴのエミッタ領域と前記ＮＭＯＳトランジスタのソース及びドレイン領域の上で、前記集積回路の基板のシリコン頂部領域の上面の上にインプラントスクリーン誘電体層を形成すること、
前記エミッタ領域と前記ソース及びドレイン領域を露出させるように前記インプラントスクリーン誘電体層の上にインプラントマスクを形成すること、
前記集積回路の前記基板を基板チャックに接触させること、
前記集積回路の前記基板が５℃又はそれより低温の温度まで冷却されるように前記基板チャックを冷却すること、及び
前記基板が５℃又はそれより低温まで冷却される一方で、Ｎ型ドーパントを前記エミッタ領域と前記ソース及びドレイン領域とに同時にイオン注入すること、
を含むプロセスであって、
前記Ｎ型ドーパント、及び前記Ｎ型ドーパントのドーズ量が、
少なくとも８×１０１４原子／ｃｍ２のドーズ量のリン、
少なくとも６×１０１３原子／ｃｍ２のドーズ量のヒ素、
少なくとも６×１０１３原子／ｃｍ２のドーズ量のアンチモン、及び
これらの任意の組み合わせ、
から成る群から選択される、
プロセス。
【請求項２】
請求項１のプロセスであって、前記Ｎ型ドーパントが、少なくとも４×１０１４原子／ｃｍ２のドーズ量のヒ素を含む、プロセス。
【請求項３】
請求項１のプロセスであって、前記Ｎ型ドーパントが、少なくとも１×１０１５原子／ｃｍ２のドーズ量のヒ素を含む、プロセス。
【請求項４】
請求項１のプロセスであって、前記インプラントスクリーン誘電体層が、少なくとも８０パーセントの二酸化シリコンを含む、プロセス。
【請求項５】
請求項１のプロセスであって、前記Ｎ型ドーパントをイオン注入する前記工程が、シリコン材料を、前記エミッタ領域と前記ソース及びドレイン領域における前記シリコン頂部領域の前記上面において少なくとも１５ナノメートルの深さまで非晶化する、プロセス。
【請求項６】
ＰＮＰ  ＢＪＴ及びＰチャネル金属酸化物半導体（ＰＭＯＳ）トランジスタを含む集積回路を形成するプロセスであって、
前記ＮＰＮ  ＢＪＴのエミッタ領域と前記ＮＭＯＳトランジスタのソース及びドレイン領域の上で、前記集積回路の基板のシリコン頂部領域の上面の上にインプラントスクリーン誘電体層を形成すること、
前記エミッタ領域と前記ソース及びドレイン領域を露出させるように前記インプラントスクリーン誘電体層の上にインプラントマスクを形成すること、
前記集積回路の前記基板を基板チャックに接触させること、
前記集積回路の前記基板が５℃又はそれより低温の温度まで冷却されるように前記基板チャックを冷却すること、及び
前記基板が５℃又はそれより低温まで冷却される一方で、Ｐ型ドーパントを前記エミッタ領域と前記ソース及びドレイン領域とに同時にイオン注入すること、
を含むプロセスであって、
前記Ｐ型ドーパント、及び前記Ｐ型ドーパントのドーズ量が、
少なくとも１×１０１６原子／ｃｍ２のドーズ量のボロン、
少なくとも７×１０１３原子／ｃｍ２のドーズ量のガリウム、
少なくとも６×１０１３原子／ｃｍ２のドーズ量のインジウム、及び
これらの任意の組み合わせ、
から成る群から選択される、
プロセス。
【請求項７】
請求項６のプロセスであって、前記インプラントスクリーン誘電体層が、少なくとも８０パーセントの二酸化シリコンを含む、プロセス。
【請求項８】
請求項６のプロセスであって、前記Ｐ型ドーパントをイオン注入する前記工程が、シリコン材料を、前記エミッタ領域と前記ソース及びドレイン領域における前記シリコン頂部領域の前記上面において少なくとも１５ナノメートルの深さまで非晶化する、プロセス。
【請求項９】
インプラント領域を含む集積回路を形成するプロセスであって、 
前記インプラント領域の上で、前記集積回路の基板のシリコン頂部領域の上面の上にインプラントスクリーン誘電体層を形成すること、
前記インプラント領域を露出させるように前記インプラントスクリーン誘電体層の上にインプラントマスクを形成すること、
前記集積回路の前記基板を基板チャックに接触させること、
前記集積回路の前記基板が５℃又はそれより低温の温度まで冷却されるように前記基板チャックを冷却すること、及び
前記基板が５℃又はそれより低温まで冷却される一方で、前記インプラント領域に原子をイオン注入すること、
を含むプロセスであって、
前記原子、及び前記原子のドーズ量が、
少なくとも１×１０１６原子／ｃｍ２のドーズ量のボロン、
少なくとも８×１０１４原子／ｃｍ２のドーズ量のリン、
少なくとも７×１０１３原子／ｃｍ２のドーズ量のガリウム、
少なくとも６×１０１３原子／ｃｍ２のドーズ量のゲルマニウム、
少なくとも６×１０１３原子／ｃｍ２のドーズ量のヒ素、
少なくとも６×１０１３原子／ｃｍ２のドーズ量のインジウム、
少なくとも６×１０１３原子／ｃｍ２のドーズ量のアンチモン、及び
それらの任意の組み合わせ、
から成る群から選択される、
プロセス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本願は集積回路の分野に関し、更に特定して言えば、集積回路におけるイオン注入層に関連する。
【背景技術】
【０００２】
集積回路は、例えば、それぞれ、アナログ機能及び論理機能を提供するため、ＮＰＮバイポーラ接合トランジスタ（ＢＪＴ）及びＮチャネル金属酸化物半導体（ＮＭＯＳ）トランジスタを含み得る。製造コストを低減するため、ＮＭＯＳトランジスタのソースとドレイン領域とＮＰＮ  ＢＪＴのエミッタ領域は同時に形成され得る。ソース及びドレイン領域とエミッタ領域を形成するための処理工程は、例えば、ＮＭＯＳトランジスタにおいて所望の抵抗を得るために、６×１０１３原子／ｃｍ２を上回るドーズ量のヒ素をイオン注入することを含み得る。イオン注入されたヒ素は、エミッタ領域において、１×１０７欠陥／ｃｍ２より高い濃度で、転位ループと呼ぶこともあるエンドオブレンジ（end-of-range）欠陥を形成し得る。エンドオブレンジ欠陥は、例えば、ｈｆｅと呼ぶこともある電流利得を低減することによって、ＮＰＮバイポーラ接合トランジスタの性能に悪影響を及ぼし得る。後続の熱アニールは、エンドオブレンジ欠陥を所望のレベルまで低減させるのに充分ではない可能性がある。というのも、ＮＭＯＳトランジスタの場合において所望のレベルの性能及び歩留りを得ることは、ヒ素イオン注入工程後に集積回路の全熱プロファイルを制限することによって達成され得るためである。１×ｌ０７エンドオブレンジ欠陥／ｃｍ２以上を生成するドーズ量のイオン注入を受ける集積回路内の他のデバイスは、例えば、電気的にアクティブドーパントを提供するため又は集積回路の基板を非晶化するため、エンドオブレンジ欠陥に起因する性能パラメータの劣化に遭遇し得る。
【発明の概要】
【０００３】
ＮＰＮバイポーラ接合トランジスタ（ＢＪＴ）及びＮＭＯＳトランジスタを含む集積回路が、集積回路の基板を５℃又はそれより低温まで冷却することにより、及び、少なくとも６×１０１３原子／ｃｍ２のドーズ量で、インプラントスクリーン誘電体層を介して、ＮＰＮ  ＢＪＴのエミッタ領域とＮＭＯＳトランジスタのソース及びドレイン領域に同時にヒ素をイオン注入することにより、形成され得る。ＰＮＰ  ＢＪＴ及びＰチャネル金属酸化物半導体（ＰＭＯＳ）トランジスタを含む集積回路が、集積回路の基板を５℃又はそれより低温まで冷却することにより、及び、少なくとも６×１０１３原子／ｃｍ２のドーズ量で、インプラントスクリーン誘電体層を介して、ＰＮＰ  ＢＪＴのエミッタ領域とＰＭＯＳトランジスタのソース及びドレイン領域に同時にガリウム及び／又はインジウムをイオン注入することにより形成され得る。イオン注入された領域を含む集積回路が、集積回路の基板を５℃又はそれより低温まで冷却することにより、及び２０〜２５℃に冷却された基板において少なくとも１×１０７エンドオブレンジ欠陥／ｃｍ２を生成し得るドーズ量で、インプラントスクリーン誘電体層を介して、インプラントされた領域に種をイオン注入することにより、形成され得る。
【図面の簡単な説明】
【０００４】
【図１】図１は、本発明の原理の実装の一例に従った集積回路を形成するプロセスを示す。
【０００５】
【図２】図２は、基板温度の関数としてバイポーラ接合トランジスタ（ＢＪＴ）におけるｈｆｅの改善を示すグラフである。
【０００６】
【図３】図３は、変形された実施例に従った集積回路を形成するプロセスを示す。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
集積回路が、集積回路の基板を５℃又はそれより低温まで冷却することにより、及び２０〜２５℃に冷却された基板において少なくとも１×１０７エンドオブレンジ欠陥／ｃｍ２を生成し得るドーズ量で、基板の或る領域にインプラントスクリーン誘電体層を介して種をイオン注入することにより形成され得る。
【０００８】
一実施例において、イオン注入工程は、少なくとも１×１０１６原子／ｃｍ２のドーズ量のボロンを注入することを含み得る。別の実施例において、イオン注入工程は、少なくとも８×１０１４原子／ｃｍ２のドーズ量のリンを注入することを含み得る。更なる実施例において、イオン注入工程は、少なくとも７×１０１３原子／ｃｍ２のドーズ量のガリウムを注入することを含み得る。更に別の実施例において、イオン注入工程は、少なくとも６×１０１３原子／ｃｍ２のドーズ量のゲルマニウムを注入することを含み得る。更なる実施例において、イオン注入工程は、少なくとも６×１０１３原子／ｃｍ２のドーズ量のヒ素を注入することを含み得る。別の実施例において、イオン注入工程は、少なくとも６×１０１３原子／ｃｍ２のドーズ量のインジウムを注入することを含み得る。更なる実施例において、イオン注入工程は、少なくとも６×１０１３原子／ｃｍ２のドーズ量のアンチモンを注入することを含み得る。
【０００９】
第１の実施例において、ＮＰＮ  ＢＪＴ及びＮＭＯＳトランジスタを含む集積回路が、集積回路の基板を５℃又はそれより低温まで冷却することにより、及び上述のドーズ量で、リン、ヒ素、及び／又はアンチモンを、インプラントスクリーン誘電体層を介してＮＰＮ  ＢＪＴのエミッタ領域とソース及びＮＭＯＳトランジスタのドレイン領域に同時にイオン注入することにより、形成され得る。
【００１０】
第２の実施例において、ＰＮＰ  ＢＪＴ及びＰチャネル金属酸化物半導体（ＰＭＯＳ）トランジスタを含む集積回路が、集積回路の基板を５℃又はそれより低温まで冷却することにより、及び上述のドーズ量で、ボロン、ガリウム及び／又はインジウムを、インプラントスクリーン誘電体層を介してＰＮＰ  ＢＪＴのエミッタ領域とＰＭＯＳトランジスタのソース及びドレイン領域に同時にイオン注入することにより形成され得る。
【００１１】
第３の実施例において、インプラント領域を含む集積回路が、集積回路の基板を５℃又はそれより低温まで冷却することにより、及び上述のドーズ量で、ボロン、リン、ガリウム、ゲルマニウム、ヒ素、インジウム及び／又はアンチモンを、インプラントスクリーン誘電体層を介してインプラント領域にイオン注入することにより形成され得る。
【００１２】
図１は、第１又は第２の実施例のいずれかに従って集積回路を形成するプロセスを示す。集積回路１０００が、ＢＪＴ１００２のために画定された領域及び金属酸化物半導体（ＭＯＳ）トランジスタ１００４のために画定された領域を含む。第１の実施例において、ＢＪＴ１００２はＮＰＮ  ＢＪＴであり、ＭＯＳトランジスタ１００４はＮＭＯＳトランジスタである。第２の実施例において、ＢＪＴ１００２はＰＮＰ  ＢＪＴであり、ＭＯＳトランジスタ１００４はＰＭＯＳトランジスタである。集積回路１０００は基板１００６の中及び上に形成され、基板１００６はシリコン頂部領域１００８を含む。基板１００６ は、単結晶シリコンウエハ、ＳＯＩ（シリコンオンインシュレータ）ウエハ、異なる結晶配向のシリコン領域を用いるハイブリッド配向技術（ＨＯＴ）ウエハ、又は集積回路１０００の製造に適切なシリコン頂部領域１００８を備えた他の構造、であり得る。
【００１３】
ＢＪＴ１００２は、シリコン頂部領域１００８内にベース拡散された領域１０１０を含む。第１の実施例において、ベース拡散された領域１０１０はＰ型である。第２の実施例において、ベース拡散された領域１０１０はＮ型である。ＭＯＳトランジスタ１００４はゲート構造１０１２を含み、ゲート構造１０１２は、ゲート、及びゲート誘電体層、及び場合によってはゲート側壁スペーサを含む。図示しないが、軽くドープされたドレイン（ＬＤＤ）領域が、ゲートの近傍の基板１００６の上面において形成され得る。基板１００６の上面の上にインプラントスクリーン誘電体層１０１４が形成される。インプラントスクリーン誘電体層１０１４は少なくとも５ナノメートル厚みである。一実施例において、インプラントスクリーン誘電体層１０１４は、少なくとも１５ナノメートル厚みであり得る。インプラントスクリーン誘電体層１０１４は、基板１００６の横方向端部まで延長していてもしていなくてもよい。一実施例において、インプラントスクリーン誘電体層１０１４は、少なくとも８０パーセントの二酸化シリコンを含み得る。この二酸化シリコンは、基板１００６の上面におけるシリコンの熱酸化により形成され得、例えば、テトラエトキシシラン又はＴＥＯＳとしても知られているオルトけい酸テトラエチルの分解により基板１００６上に堆積され得、又は別のプロセスにより形成されてもよい。
【００１４】
ＢＪＴ１００２内のエミッタ領域１０１８を露出させるように且つＭＯＳトランジスタ１００４内のソース及びドレイン領域１０２０を露出させるように、インプラントスクリーン誘電体層１０１４の上にインプラントマスク１０１６が形成される。インプラントマスク１０１６は、フォトレジストで又は他の感光性ポリマーフォトリソグラフィプロセスを用いて形成され得、又は、例えば、マスキング及びエッチングプロセスにより、他の誘電性材料で形成され得る。
【００１５】
基板１００６の裏面は、基板チャック１０２２に接する。基板チャック１０２２は、基板１００６が５℃又はそれより低温まで冷却されるまで、図１に冷却材流れ矢印１０２６で示すように、例えば、基板チャック１０２２を介して冷却流体１０２４を流すことにより、５℃又はそれより低温まで冷却される。基板チャック１０２２を冷却する他の手段は、これらの実施例の範囲内にある。
【００１６】
基板１００６が５℃又はそれより低温まで冷却される一方、エミッタ領域１０１８とソース及びドレイン領域１０２０にドーパント種を注入するイオン注入プロセス１０２８が実行される。第１の実施例において、イオン注入プロセス１０２８は、少なくとも８×１０１４原子／ｃｍ２のドーズ量のリンを注入し得、及び／又は少なくとも６×１０１３原子／ｃｍ２のドーズ量のヒ素を注入し得、及び／又は少なくとも６×１０１３原子／ｃｍ２のドーズ量のアンチモンを注入し得る。第１の実施例の１つのバージョンにおいて、イオン注入プロセス１０２８は、少なくとも４×１０１４原子／ｃｍ２のドーズ量のヒ素を注入し得る。第１の実施例の別のバージョンにおいて、イオン注入プロセス１０２８ は、少なくとも１×１０１５原子／ｃｍ２のドーズ量のヒ素を注入し得る。第２の実施例において、イオン注入プロセス１０２８は、少なくとも１×１０１６原子／ｃｍ２のドーズ量のボロンを注入し得、及び／又は少なくとも７×１０１３原子／ｃｍ２のドーズ量のガリウムを注入し得、及び／又は少なくとも６×１０１３原子／ｃｍ２のドーズ量のインジウムを注入し得る。第１及び第２の実施例の１つのバージョンにおいて、エミッタ領域１０１８及びソース及びドレイン領域１０２０内のシリコン頂部領域１００８におけるシリコン基板材料が、基板１００６の上面において少なくとも１５ナノメートルの深さまで非晶化され得る。図１を参照して説明したようにエミッタ領域１０１８を形成することで、基板が２０℃〜２５℃まで冷却される間、同じドーズ量及びエネルギーのエミッタインプラントプロセスを用いて形成された同様のＢＪＴに比べてｈｆｅが改良されたＢＪＴ１００２が提供され得る。
【００１７】
図２は、図２で「インプランタチラー（Implanter
Chiller）冷却温度」として記載する基板温度の関数として、ＮＰＮ  ＢＪＴにおけるｈｆｅの改善を示す。平均データポイント２０００は、図１を参照して説明したようにエミッタインプラントで形成されるＮＰＮ  ＢＪＴのセットのｈｆｅの平均値を示す。範囲バー２００２は、各基板温度値でのｈｆｅ値の＋／−３の標準偏差の限界を示す。補間によりｈｆｅ値を推定するガイドとして傾向ライン２００４が提供される。
【００１８】
図３は、第３の実施例に従って集積回路を形成するプロセスを示す。集積回路３０００は基板３００２の中及び上に形成され、基板３００２は、シリコン頂部領域３００４を含む。基板３００２及びシリコン頂部領域３００４は、図１を参照して説明したような基板１００６及びシリコン頂部領域１００８の特性を有する。基板３００２の上面の上にインプラントスクリーン誘電体層３００６が形成される。インプラントスクリーン誘電体層３００６は、図１を参照して説明したようなインプラントスクリーン誘電体層１０１４の特性を有する。集積回路３０００内のインプラント領域３０１０を露出させるように、インプラントスクリーン誘電体層３００６の上にインプラントマスク３００８が形成される。インプラントマスク３００８は、図１を参照して説明したようなインプラントマスク１０１６の特性を有する。
【００１９】
基板３００２の裏面は、基板チャック３０１２に接する。基板チャック３０１２は、例えば、基板３００２が５℃又はそれより低温まで冷却されるまで、図３に冷却材流れ矢印３０１６で示すように、基板チャック３０１２を介して冷却流体３０１４を流すことにより、５℃又はそれより低温まで冷却される。基板チャック３０１２を冷却する他の手段は、これらの実施例の範囲内にある。
【００２０】
基板３００２が５℃又はそれより低温まで冷却される一方で、インプラント領域３０１０に１つ又は複数のドーパント及び／又は非晶化原子種を注入するイオン注入プロセス３０１８が実行される。本（第３の）実施例において、イオン注入プロセス３０１８は、少なくとも１×１０１６原子／ｃｍ２のドーズ量のボロンを注入し得、及び／又は少なくとも８×１０１４原子／ｃｍ２のドーズ量のリンを注入し得、及び／又は少なくとも７×１０１３原子／ｃｍ２のドーズ量のガリウムを注入し得、及び／又は少なくとも６×１０１３原子／ｃｍ２のドーズ量のゲルマニウムを注入し得、及び／又は少なくとも６×１０１３原子／ｃｍ２のドーズ量のヒ素を注入し得、及び／又は少なくとも６×１０１３原子／ｃｍ２のドーズ量のインジウムを注入し得、及び／又は少なくとも６×１０１３原子／ｃｍ２のドーズ量のアンチモンを注入し得る。本（第３の）実施例の１つのバージョンにおいて、インプラント領域３０１０のシリコン頂部領域３００４におけるシリコン基板材料は、基板３００２の上面において少なくとも１５ナノメートルの深さまで非晶化され得る。１×１０７欠陥／ｃｍ２より多くなる、基板が２０℃〜２５℃まで冷却される間、同じドーズ量及びエネルギーのインプラントプロセスを用いて形成された同様のインプラント領域に比べて、図３を参照して説明したようにインプラント領域３０１０を形成することで１×１０７欠陥／ｃｍ２より少なくなり得る。
【００２１】
本発明に関連する技術に習熟した者であれば、説明した例示の実施例に変形が成され得ること、及び本発明の特許請求の範囲内で他の実施例を実装し得ることが分かるであろう。
【図１】
2013545303.tif 000003
【図２】
2013545303.tif 000004
【図３】
2013545303.tif 000005
【国際調査報告】
2013545303.tif 000006
2013545303.tif 000007