(57)【要約】  本発明は、太陽電池４０を製造するために蒸着環境において基板４１をコーティングする方法であって、ａ）第１の酸化亜鉛層を基板４１上に蒸着するステップと、ｂ）蒸着環境における亜鉛前駆体含量を低減するステップと、ｃ）第１の酸化亜鉛層をジボランと水との混合物で処理し、第１の酸化亜鉛層の表面上に複数のコーティングシードを形成するステップと、ｄ）第２の酸化亜鉛層を第１の酸化亜鉛層上に蒸着するステップとを含む、太陽電池を製造するために蒸着環境において基板をコーティングする方法に関する。本発明による方法により、後にかかる基板上で成長することができるシリコン層の材料品質を改善することが可能になる。加えて、それぞれの太陽電池における光散乱及び続く光捕捉を本発明による方法により強化することができる。本発明は更に、本発明に従って製造された太陽電池に関する。【選択図】図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
太陽電池（４０）を製造するために蒸着環境において基板（４１）をコーティングする方法であって、
ａ）第１の酸化亜鉛層を基板（４１）上に蒸着するステップと、
ｂ）前記蒸着環境における亜鉛前駆体含量を低減するステップと、
ｃ）前記第１の酸化亜鉛層をジボランと水との混合物で処理し、該第１の酸化亜鉛層の表面上に複数のコーティングシードを形成するステップと、
ｄ）第２の酸化亜鉛層を前記第１の酸化亜鉛層上に蒸着するステップと、
を含む、太陽電池を製造するために蒸着環境において基板をコーティングする方法。
【請求項２】
ステップｂ）を、
前記亜鉛前駆体材料の前記蒸着環境への流入を停止することを含むステップ、
前記蒸着環境をポンピングし、より低い前駆体濃度を提供することを含むステップ、及び／又は、
前記蒸着環境を、水、ジボラン、窒素及び／又は水素の１つ若しくは複数を導入することによりパージすることを含むステップ、
の１つ又は複数により達成する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
ステップａ）の第１の酸化亜鉛層を蒸着するステップ及び／又はステップｄ）の第２の酸化亜鉛層を蒸着するステップをＬＰＣＶＤ工程により行う、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
ステップｃ）において前記第１の酸化亜鉛層を１：２〜１：４の範囲にある関係のジボランと水との混合物で処理する、請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
ステップｄ）を行う前に、前記基板（４１）から前記ジボランと水との混合物を少なくとも一部取り除く、請求項１〜４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
ステップａ）とステップｄ）とを異なる蒸着チャンバーで行い、ステップｃ）を更に別の処理チャンバーで行い、前記基板（４１）を第１の蒸着チャンバーから第２の蒸着チャンバーへと送達する、請求項１〜５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記第１の酸化亜鉛層を、前記第２の酸化亜鉛層に比べて低いドーピングの程度を有するように蒸着する、請求項１〜６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
前記第１の酸化亜鉛層を、前記第２の酸化亜鉛層に比べて高いドーピングの程度を有するように蒸着する、請求項１〜６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
少なくとも３つの酸化亜鉛層を順次蒸着し、該層が前記第１の酸化亜鉛層から次の酸化亜鉛層へと移るにつれ順次低減するドーピングの程度を有し、ステップｂ）とステップｃ）とをそれぞれの蒸着ステップの間に行う、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記第１の酸化亜鉛層を、前記第２の酸化亜鉛層と比較して等しいドーピングの程度を有するように蒸着する、請求項１〜６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
少なくとも３つの層を連続して蒸着し、中間の酸化亜鉛層が隣接する層と比較してより小さいドーピングの程度を有し、ステップｂ）とステップｃ）とをそれぞれの蒸着ステップの間に行う、請求項１〜６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
前記第１の酸化亜鉛層を前記第２の酸化亜鉛層と比較してより大きい厚さを有するように蒸着する、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】
組成及び／又は温度をステップａ）及び／又はステップｄ）の間で変更する、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４】
請求項１〜１３のいずれか一項に記載の方法によりコーティングされている少なくとも１つの基板（４１）を備える太陽電池。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、太陽電池を製造するための基板をコーティングする方法に関する。本発明は具体的には、基板を透明な導電性の酸化物層でコーティングすること、特に、シリコン薄膜太陽電池の一部を形成する、透明な導電性の前面電極の表面形状を変更させるためのものに関する。形状の変更は、透明な導電層の成長工程を変更することにより起こる。本発明による方法により、後にかかる基板上で成長することができるシリコン層の材料品質を改善することが可能になる。加えて、それぞれの太陽電池における光散乱及びそれに続く光捕捉を本発明による方法により増進することができる。
【背景技術】
【０００２】
光起電デバイス、光電変換デバイス又は太陽電池は、光、特に太陽光を直流（ＤＣ）電力に変換するデバイスである。太陽電池構造、すなわち光起電力効果に関与する層シーケンス、ないしは光起電力効果を有する層シーケンスは、基板上に薄層となって蒸着している。この蒸着又はコーティングはそれぞれ、大気圧条件下又は真空条件下で行うことができる。蒸着技術は、例えば前面電極を形成するためのものとしては、物理蒸着（ＰＶＤ）、化学蒸着（ＣＶＤ）、プラズマ化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）、大気圧化学蒸着（ＡＰＣＶＤ）等として広く知られており、さらに全て半導体技術で使用されている。
【０００３】
基板上にコーティングした前面電極に関して、望ましくは満たされるべき様々な特徴がある。詳細には、ＴＣＯ層（透明な導電性の金属酸化物）などの前面電極は、望ましくは光学的に透明かつ導電性であるべきであり、光散乱を引き起こす粗い表面形状、並びにシリコン層の成長に最適な形状を含むべきであり、また反射を出来る限り小さくするための最適な屈折率を含むべきである。
【０００４】
しかしながら、これらの要件の達成を可能にし得るパラメータは、別のパラメータと対になっている。通例、一方の最適化は、他方の悪化を代償になされる。簡単な例は粗度である。表面粗度は、例えば酸化亜鉛（ＺｎＯ）からなるＴＣＯ層の厚さを増大することにより容易に増大させることができ、それにより光散乱は向上するが、その上にコーティングされたシリコン層は、この粗度により引き起こされる多数の欠陥を含むこととなる。
【０００５】
薄膜太陽電池に好適な前面電極の実現に関しては、これまでに特に２つの方法が確立されている。第１の方法は、化学蒸着技法、例えば酸化スズ（ＳｎＯ２）の大気圧ＣＶＤ又は酸化亜鉛の低圧ＣＶＤ等によって自然に形成された粗い表面形状を有する透明な導電性の金属酸化物ＴＣＯの成長を含む。
【０００６】
第２の方法は、酸化亜鉛の物理蒸着と、それに続く、粗い光散乱表面形状を得るための湿式化学エッチングによる後処理とを含む。この手順にはＴＣＯをコーティングしたガラスなどの基板を、希ホウ酸溶液、又は他の適切に希釈した酸又は塩基で洗浄することが含まれていてもよい。
【０００７】
上で記載された、これらの２つの方法は、現在、大面積薄膜太陽電池モジュールの大量生産に、特にシリコン薄膜太陽電池に使用されている。
【０００８】
さらに、ｐ−ｉ−ｎシリコン（silicium）薄膜太陽電池デバイスに関しては、前面電極の表面形状が光捕捉、ひいては電流発生に強く影響を及ぼすことは、周知である。ｐ−ｉ−ｎ接合を１つだけ有する単接合電池では、透明な導電性の金属酸化物の表面特徴を、単一吸収体層のスペクトル依存性の吸収特性に対して最適化することができる。例えば、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）を有する単接合のシリコン薄膜太陽電池の場合、吸収体層を、酸化スズの化学蒸着及び酸化亜鉛の低圧化学蒸着により最適化してもよい。かかるコーティング基板は既に市販されている。微結晶シリコン（μｃ−Ｓｉ：Ｈ）単接合ｐ−ｉ−ｎ太陽電池に関しては、酸化亜鉛及び酸化スズの化学蒸着をベースとする「成長したままの（as  grown）」粗い透明な導電性の金属酸化物の層ではエネルギー効率にについて劣ると判明している一方で、最大のエネルギー効率はこれまでに、化学的な後処理を含む、酸化亜鉛の物理蒸着を使用することで達成されてきた。
【０００９】
低圧化学蒸着によりコーティングされた、自然に粗く成長させた（naturally  rough  grown）酸化亜鉛（その表面形状は後処理プラズマエッチングステップにより変更されている）に関するμｃ−Ｓｉ：Ｈ単接合ｐ−ｉ−ｎ太陽電池の詳細な研究により、後処理を施さないピラミッド状の表面特徴は、欠陥のより多いμｃ−Ｓｉ：Ｈ吸収体材料を生じさせ、その一方で、低圧化学蒸着によりコーティングされた、後処理をした酸化亜鉛のクレーター状の構造は、これらの欠陥を低減するのを助け、更にはそのことが太陽電池の性能の大幅な改善及び優れた高エネルギー効率をもたらすことが明らかになった。これらの研究は更に、長期的な後処理、例えば８０分を超える処理が、物理蒸着によるコーティングを有する、化学的な後処理を施された酸化亜鉛の表面特徴と、非常に類似したクレーター状の表面特徴を生じさせることを明らかにしている。
【００１０】
このことは、図１に図示の、後処理なしの酸化亜鉛層（左の画像）、４０分間の処理後の酸化亜鉛層（中央の画像）及び８０分間の処理後の酸化亜鉛層（右の画像）で見ることができる。しかしながら、低圧化学蒸着によりコーティングされた酸化亜鉛の長時間のプラズマ処理でも、太陽電池の電流の降下が観察された。これは図２に図示されている。詳細には、左の画像では、電圧（Ｖ）及び曲線因子（ＦＦ）が処理時間と関連付けられている。曲線因子は具体的には、太陽電池が光により生じる電荷担体を収集することができる程度を表す値である。中央の画像では、電流、特に短絡電流（Ｉｓｃ）及び−２Ｖの逆電圧での逆電流（Ｉｒｅｖ）が処理時間と関連付けられている。加えて、右の画像では、効率（η）が処理時間と関連付けられている。これらは、クレーター状の表面はシリコンの成長の下支えを助けるが、最適化された光捕捉にとっては、理想的な表面形状ではないことを示している可能性がある。その上、ａ−Ｓｉ：Ｈベースの電池をμｃ−Ｓｉ：Ｈ電池と組み合わせたタンデム型デバイスでは、これら両方の電池の要件を、ａ−Ｓｉ：Ｈかμｃ−Ｓｉ：Ｈの単接合電池のどちらか一方に対して最適化された前面コンタクトによって満たすことは、極めて困難である（非特許文献１）。
【００１１】
実際、市販の様々な基板の上のシリコン薄膜タンデム型電池に関して利用可能な刊行物には、これらのタンデム型太陽電池に使用される基板の種類に応じて、光捕捉かシリコン層の成長のいずれかに制限があることがはっきりと示されている。
【００１２】
タンデム型デバイスにおける光捕捉に理想的な表面形状は、大小の特徴を含むものとされる。小さい特徴、あるいは小規模の粗度は、波長の短い光を効率的に散乱することができ、このことはａ−Ｓｉ：Ｈデバイスに極めて重要である。しかしながら下部電池のμｃ−Ｓｉ：Ｈでは、波長の長い光の散乱がより重要である。そのため、表面はより大きい構造も含むものとする。
【００１３】
酸化亜鉛層を低圧化学蒸着を用いて成長させる場合、それは小さい結晶子から始められる。層が厚くなるにつれて、一部の結晶子が他のより大きい結晶子に圧倒され、それにより表面特徴が大きくなる。実際には薄い酸化亜鉛層の表面が、ａ−Ｓｉ：Ｈデバイスでの光捕捉にはより好適であり、厚い層がμｃ−Ｓｉ：Ｈにとってより良好である。通常の方法により成長した酸化亜鉛表面は、タンデム型デバイスに有用な範囲を完全にはカバーしない特徴のサイズの分布を示す。
【００１４】
この特徴サイズの範囲を広げるための実現可能な解決策は、異なる特性を有する一連の層を成長させることを含む。通常、これはそれぞれの層のドーピングを変更することにより達成することができる。しかしながら実験によって、酸化亜鉛の成長は、ドーピング濃度（「組成」）の変化からは影響を受けないことが分かっている。第２の層の結晶子は、たとえ組成が変わったとしても第１の層の結晶子を増大させ続ける。
【００１５】
別の選択肢として、異なる材料の層を酸化亜鉛層に挿入することがある。この場合、新たな材料で再び成長が始まり、得られる表面は小さい酸化亜鉛結晶子が過成長した大きい特徴を有する。
【００１６】
全く異なる解決策には、例えば構造化ガラス等の、大きい規模で既に幾らかのコルゲーションを有する基板表面を使用することが含まれる。
【００１７】
しかしながら両手段には、生産工程において更なるステップが伴う。このことは、もっと長い工程時間と、製造システムの所有コスト（ＣＯＯ）を上げる原因となる割り増し分の材料コストにつながる。
【００１８】
マルチスケール構造を有する多層ＴＣＯを導入するステップを含む工程が、特許文献１により公知となっている。この文献によると、これは２つの手法を用いることにより実現される。即ち、２つかそれ以上の異なるＴＣＯ材料を連続して成長させるか、同じ材料よりなる２枚の層の間に、異なる材料よりなる薄い中間層を加えることである。
【００１９】
特許文献２では２つの異なる蒸着方法が使用されている。詳細には、低圧化学蒸着による酸化亜鉛のコーティングの後に、物理蒸着による酸化亜鉛の蒸着が行われる。
【００２０】
特許文献３は２つの異なるＴＣＯ材料を使用する。それだけでなく、この電池は「インバーテッド型（inverted）」、即ち光がガラス基板側からは入ってこないものである。
【００２１】
前面電極に対する上述の要件の全てが、現行の技術水準により知られている工程によって既に理想的な形で満たされているわけではない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００２２】
【特許文献１】米国特許出願公開第２００８／０１９６７６１号
【特許文献２】欧州特許出願公開第２０８４７５２号
【特許文献３】欧州特許第０９４０８５７号
【非特許文献】
【００２３】
【非特許文献１】M.  Python  et  al.  Journal  of  non-crystalline  solids,  vol.  354,  2008,  p.2258-2262
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００２４】
そのため、本発明の目的は、従来技術の上記の欠点の少なくとも１つを克服すること、すなわち増強された光散乱や光捕捉、反射損失の低減、及び電極上で成長するシリコン層の材料品質の改善の少なくとも１つを有する太陽電池を製造するための基板をコーティングする方法を提供することである。
【００２５】
この目的は独立クレームにより達成される。有益な実施の形態は従属クレームにおいて詳述される。
【課題を解決するための手段】
【００２６】
具体的には、この目的は、太陽電池を製造するために蒸着環境において基板をコーティングする方法によって達成され、当該方法は、
ａ）第１の酸化亜鉛層を基板上に蒸着するステップと、
ｂ）前記蒸着環境における亜鉛前駆体含量を低減するステップと、
ｃ）前記第１の酸化亜鉛層をジボランと水との混合物で処理し、該第１の酸化亜鉛層の表面上に複数のコーティングシードを形成するステップと、
ｄ）第２の酸化亜鉛層を前記第１の酸化亜鉛層上に蒸着するステップと、
を含むことを特徴とした太陽電池を製造するために蒸着雰囲気において基板をコーティングする方法である。
【００２７】
本発明は、特に、光散乱や光捕捉の増進、反射損失の低減、及びこれらの基板上で成長する薄膜シリコン層の材料品質の改善に関して、残った可能性を更に引き出すのを助ける。さらに、新たな手法が当該技術分野で既知の課題を克服するために与えられ、タンデム型デバイスにおけるａ−ｓｉ：Ｈ上部電池及びμｃ−Ｓｉ：Ｈ下部電池の両方の光捕捉の改善と、シリコン吸収体層での欠陥の低下をもたらす成長条件の改善とを組み合わせたタンデム型太陽電池用のＴＣＯ前面電極が開発される。
【００２８】
本発明は、第１の酸化亜鉛層をジボランと水との混合物で処理することは、更なる層を第１の層上で単に成長させることだけには終わらない、という中心思想に基づいている。単に成長させるだけの場合とは違い、新たなシーディング層の形成が含まれる。結果として、第２の層に関しては、酸化亜鉛の成長が新たなシードから再び始まる。
【００２９】
本発明者らは、組成（例えばドーピング）を単純に変えること、あるいは層の成長を単純に妨げることは、層の成長のための新たなシードを作製するのに十分効果的な手段とはいえないことを見出している。本発明による方法はこれらのこととは違い、新たなシード形成を可能にする新たな表面の処理を提供する。
【００３０】
新たなシードにより第２の層の成長が再び始まるこの方法によって、達成される主な目的の１つは、具体的には、表面粗度をシリコン層のその後の成長を妨げるレベルまで増大させずに、できる限り高いヘイズ値を得ることである。
【００３１】
本発明は、酸化亜鉛の成長を再び開始するという根本的な課題を、先端技術において知られているように、通常の工程内で、基板をプロセスチャンバーから取り出す必要のない単純な手順を用いるだけで解決している。
【００３２】
加えて、幾つかの酸化亜鉛層は交互に成長させられる。各層は特定の組成（ドーピング、Ｈ２Ｏ／ＤＥＺ比等）を有することができ、これにより前の層からは独立して層の特性を調整することが可能になる。本発明による方法の結果として、酸化亜鉛の成長は、下層の酸化亜鉛構造に左右されず再開されると考えられる。
【００３３】
さらに本発明による解決策は、従来技術によって提示される解決策よりも簡素で、迅速かつ安価なものである。
【００３４】
提案される処理手順には、プロセスガスを処理する既知の工程ステップ、ひいては温度及び圧力を変更することだけが要求される。
【００３５】
光学的最適化の別の態様には、ＴＣＯ層とシリコン層の間の界面での反射の低減が含まれる。物質内を移動する光が屈折率の異なる物質に行き当たると反射が起こる。平界面という単純化された事例では、屈折率がｎ１である物質から屈折率がｎ２である物質へと移動する光の反射係数は、Ｒ＝（ｎ１−ｎ２）２／（ｎ１＋ｎ２）２である。反射損失は物質間の屈折率の差に応じて変わる。粗界面（片方の表面が光の波長と同程度かそれより小さい横方向サイズを有するピラミッドのような構造によって構成されているため、平坦ではない界面）を用いることで、入射光が平均屈折率を受ける（sees）ことから、反射損失を一部補うことが可能になる。平均屈折率は、光の波長よりも小さい領域における２つの材料の混合に起因する。しかしながら原理的には、本発明に従って屈折率を界面で最適化することにより、反射損失を更により低減させることが可能である。導電材料の屈折率はその導電率に影響される。導電率を増大することにより屈折率を低減することが可能である。
【００３６】
このため、第２の酸化亜鉛層の成長のための新たなシードを提供することを含む、本発明による方法により、多層の酸化亜鉛コンタクトを簡単に作製することと、完全な積層体を最適化するのにより大きな自由度を得ることとが可能になる。そのため他から独立して、導電率、粗度、ヘイズ、反射損失及び表面形状を最適化することが可能である。
【００３７】
「基板」という用語には、本発明における意味として、具体的には、太陽電池の前面電極などの電極を作製するための、透明な導電性の金属酸化物層でコーティングされた構成要素や部品、ワークピースが包含される。基板としては、長方形、正方形ないしは円形の、平らな板状の部品が挙げられるが、それらに限定されない。基板は望ましくは、薄膜太陽電池の製造に好適であり、フロートガラス、安全ガラス及び／又は石英ガラスを含むよりなるとする。さらに望ましくは、基板は必須の部材として備えられ、また最も望ましくは、薄いガラス板などの、サイズが１ｍ２以上の平面を有する完全に平らな基板であるとする。また、本発明による方法を、太陽電池の背面電極を作製するために代替的に、又は付随的に使用することができる。この場合、基板は半導体層により構成されてもよい。
【００３８】
「蒸着する」という用語は本発明では、表面上に化合物をコーティングすることが可能な全ての工程を含む。そのため「蒸着する」という用語には、例えば化学蒸着又は物理蒸着が含まれるが、それらに限定されない。化学蒸着に関しては、例えば、通常は液体又は気体の前駆体材料、ガスが工程システムに供給され、そこで前駆体の熱反応により層の蒸着が起こる。多くの場合、ジエチル亜鉛（ＤＥＺ）が、低圧ＣＶＤ（ＬＰＣＶＤ）を用いた真空処理システムにおける酸化亜鉛ＴＣＯ層の作製のための前駆体材料として使用される。
【００３９】
「ＴＣＯ」という用語は透明な導電性の酸化物を表す。すなわちＴＣＯ層は透明な導電層であり、ここで層、コーティング、蒸着物及び膜という用語は、ＣＶＤであれ、ＬＰＣＶＤ、プラズマＣＶＤ（ＰＥＣＶＤ）又は物理蒸着（ＰＶＤ）であれ、真空工程で蒸着された膜に関して、本発明内では区別なく使用される。
【００４０】
本発明による「蒸着環境」は、具体的には蒸着、望ましくは酸化亜鉛の蒸着を行うことができる環境を意味するものとする。そのため例えば、蒸着環境は蒸着の段階で好適な前駆体を適量含んでいてもよい。従って蒸着環境は具体的には、蒸着チャンバーに存在し、基板と接する雰囲気であってもよい。そのため本発明によれば、ステップａ）に関して言えば、亜鉛前駆体の含量は特に、蒸着環境において酸化亜鉛の蒸着が停止する量まで低減する。
【００４１】
「太陽電池」、あるいは「光電池」又は「ＰＶ電池」という用語は、本発明における意味として、光、即ち太陽光を光起電力効果によって、直接電気エネルギーに転換することが可能な電気構成要素を包含する。薄膜太陽電池は通常、第１の電極又は前面電極と、１つ又は複数の半導体薄膜ＰＩＮ接合と、第２の電極又は背面電極とを備え、これらは基板上に連続的に積層される。それぞれのＰＩＮ接合又は薄膜光電変換ユニットはｐ型層とｎ型層とに挟まれたｉ型層を備える。ここで「ｐ」は正にドープされていることを表し、「ｎ」は負にドープされていることを表す。実質的に真性の半導体層であるｉ型層は薄膜ＰＩＮ接合の厚さの大部分を占め、光電変換は主にこのｉ型層において起こる。
【００４２】
「ジボラン」という用語は、本明細書で言及される場合、水素中に２％Ｂ２Ｈ６を含む、市販のジボランガス混合物を意味する。
【００４３】
基板から蒸着雰囲気を「少なくとも一部」取り除くステップは、本発明では具体的には、酸化亜鉛層の蒸着雰囲気の全て、又は少なくともかなりの割合を基板から取り除くことを意味するものとする。これにより蒸着工程を停止することが可能となる。このステップは、例えば、蒸着ステップに必要とされる前駆体を含有しないガス又は気体混合物を、基板の表面又は第１の層にそれぞれ導くことにより実現することができる。これに加え、あるいはこれに代えて、このステップは前駆体を取り除くために圧力を或る特定の量まで低減することにより行うことができる。
【００４４】
第１の酸化亜鉛層をジボランと水との混合物で「処理する」ステップは、具体的には、第１の酸化亜鉛層の表面を、望ましくは表面全体を、それぞれの化合物に接触させることを意味するものとする。このステップは、この混合物を第１の酸化亜鉛層の表面に導き、十分な時間相互作用させることにより実現することができる。
【００４５】
１つの実施の形態によれば、ステップｂ）は、以下の１つ又は複数により達成される。
‐前記亜鉛前駆体材料の前記蒸着環境への流入を停止することを含むステップ、
‐前記蒸着環境をポンピングすることにより、より低い前駆体濃度を提供することを含むステップ、及び／又は、
‐前記蒸着環境を、水、ジボラン、窒素及び／又は水素の１つ若しくは複数を導入することによりパージすることを含むステップ。
【００４６】
この実施の形態によれば、前駆体の含量を低減するステップでは、前駆体の含量は蒸着環境又は蒸着チャンバーそれぞれにおいて、具体的には、蒸着が停止する量まで低減される。結果として前駆体濃度は、ステップａ）に比べれば低減している。詳しくいうと、このステップは好ましくは、同時に又は択一的に行うことが可能な３つのステップにより行うことができる。
【００４７】
第１に可能なことは、亜鉛前駆体材料の蒸着環境への流入を停止することである。結果として、前駆体の濃度が滑らかに低下する。
【００４８】
更に可能なことは、より低い前駆体濃度を提供するために蒸着環境をポンピングすることである。言い換えると、真空又は減圧をそれぞれ、蒸着環境に適用し、それによりステップａ）と比較して前駆体濃度を低減することである。
【００４９】
前駆体濃度を低減するための更に可能なステップは、水、ジボラン、窒素及び／又は水素の１つ又は複数を導入することにより蒸着環境をパージすることである。これにより、存在する前駆体を蒸着環境の外まで完全に導くことができ、それにより更なる蒸着が確実に可能となる。これとは別に、特に水及びジボランを導入することにより、ステップｃ）を即座に開始させることができ、これにより本発明による方法が特に単純になり、時間が節約される。
【００５０】
更なる実施の形態によれば、ステップａ）における第１の酸化亜鉛層を蒸着するステップ、及び／又はステップｄ）における第２の酸化亜鉛層を蒸着するステップは、ＬＰＣＶＤ工程により行われる。この蒸着方法は、辺縁のはっきりとした蒸着結果をもたらすものであり、これにより辺縁がはっきりとしておりかつコストが抑制されたやり形で、さらに進めることができる。これとは別に、本発明者らは、ＬＰＣＶＤを使用して、新たなシードから第２の酸化亜鉛層を成長させると、特に良好な結果がもたらされることを発見している。
【００５１】
更なる実施の形態によれば、ステップｃ）において、前記第１の酸化亜鉛層を混合比が１：２〜１：４の範囲にあるジボランと水との混合物で処理する。詳細には１：２．６７又は１：３．６７の混合比が、第２の酸化亜鉛層の成長の開始には十分な新しいシードをもたらすことが分かっている。それにより、第２の酸化亜鉛層の蒸着は限られた時間で行うことができ、特にライン生産に好適である。
【００５２】
更なる実施の形態によれば、ステップｄ）を行う前に、前記ジボランと水との混合物は前記基板から少なくとも一部取り除かれる。この実施の形態は、第２の酸化亜鉛層がドープされていない場合、あるいはわずかにしかドープをされずに蒸着される場合に、特に好ましい。詳しく言えば、例えばコーティング目的のために新たな前駆体ガスを導入する際に、ジボラン雰囲気をそのままにしてドーピングを行うことができるのとは対照的に、特にジボランを取り除くことにより、ドーピングを排除することができる。結果として、それぞれの成分を「少なくとも一部」取り除くこととは、ドーピングを避ける、あるいは所望の量でのみ行わせるために、濃度を十分低減するステップを意味することとなる。
【００５３】
更なる実施の形態では、ステップａ）とステップｄ）とを異なる蒸着チャンバーで行い、ステップｃ）を更に別の処理チャンバーで行う。前記基板は第１の蒸着チャンバーから第２の蒸着チャンバーへと移される。この実施の形態によれば、２つの蒸着チャンバーを備えるＬＰＣＶＤのためのシステムを使用することができる。それから、第１の蒸着チャンバーと第２の蒸着チャンバーとの間に更なるサブシステムを加えることが可能である。前記更なるサブシステムは、例えば、独立したガス混合物注入システムにより形成されてよく、また例えば、真空チャンバー内にジボランと水との制御流を注入することができる。基板が或る蒸着チャンバーから次の蒸着チャンバーへと移される場合、第１のチャンバー内で成長したＴＣＯ表面は、このようにして本発明のステップｃ）に従ってジボラン／水混合物で処理される。ＴＣＯ成長が第２のチャンバー内で継続される場合、先の記載のように、新たな結晶が成長を開始する。この実施の形態は、処理カーテンによるインライン工程と呼ぶこともある。
【００５４】
これに代わる方法として、２つの別々の機器を使用することができる。この場合、ステップｃ）によるジボラン及び水による処理を第１の機器の最後のステップとして行うことができ、その後蒸着雰囲気を低減するために基板は空気に曝露される。その後、蒸着は第２の機器で継続される。この場合であっても、層の成長は新たなシードから再び始まる。ジボラン及び水による処理は、第２の機器における蒸着の開始時に行うことができる。同様に、第１の蒸着後に更なるコーティングを施すために、複数の基板を同じ機器に供給することができる。
【００５５】
別の例では、本発明による方法は３つ以上の蒸着チャンバーで行われる。蒸着システムが３つ以上の蒸着チャンバーを備える場合、処理サブシステムを蒸着チャンバーのいずれかの間に配置することができる。処理サブシステムの数に応じて、またそれらの位置に応じて、ＴＣＯ層間で別個の厚さ比を達成することが可能である。加えて、処理時間及びパージ時間の調整により、蒸着するＴＣＯ層の厚さを制御することが可能になる。この方法はマルチチャンバーシステムと呼ばれることもある。
【００５６】
更なる実施の形態によれば、前記第１の酸化亜鉛層は、前記第２の酸化亜鉛層に比べて低いドーピングの程度を有するように蒸着される。この実施の形態によれば、本発明による方法は、作製された微結晶太陽電池において、表面粗度により誘導される欠陥を低減するのに特に好適である。この利点は特に、第１の酸化亜鉛層を第２の酸化亜鉛層と比べて厚く形成することに併せて達成することができる。
【００５７】
更なる実施の形態によれば、前記第１の酸化亜鉛層は、前記第２の酸化亜鉛層に比べて、より高いドーピングの程度を有するように蒸着される。この実施の形態によれば、特に好ましい導電率及び良好な光散乱性を達成することができる。
【００５８】
更なる実施の形態によれば、少なくとも３つの層を連続して蒸着し、該層は前記第１の酸化亜鉛層から次の酸化亜鉛層にかけて、順に低減するドーピングの程度を有し、ステップｂ）とステップｃ）とがそれぞれの蒸着ステップの間に行われる。この実施の形態によれば、反射損失が特に効果的に抑制される。
【００５９】
更なる実施の形態によれば、前記第１の酸化亜鉛層は、前記第２の酸化亜鉛層と比較して等しいドーピングの程度を有するように蒸着される。この実施の形態により、表面形状及び光学特性を特に効果的に制御することが可能になる。
【００６０】
更なる実施の形態によれば、少なくとも３つの酸化亜鉛層が連続して蒸着され、中間の酸化亜鉛層は隣接する層と比べて、より小さいドーピングの程度を有し、ステップｂ）とステップｃ）とはそれぞれの蒸着ステップの間に行われる。この実施の形態によれば、光の体積散乱及び低い表面粗度を特に効果的に調整することができる。
【００６１】
更なる実施の形態によれば、前記第１の酸化亜鉛層は、前記第２の酸化亜鉛層に比べ、より大きな厚みを有するように蒸着される。この実施の形態により、第１の層の構造で生じる溝を塞ぐことが可能になる。層の数を増やすことにより、徐々により平らな酸化亜鉛表面が得られ、ヘイズの低減につながると考えられる。本発明によれば、ステップｃ）による中間処理ステップでは、２つ〜８つ、できれば１つ〜４つのＴＣＯ層が好まれる。
【００６２】
結果としてこの実施の形態は、第１のＴＣＯ層に大きい厚さ、大きい平均構造サイズ、ひいては、光散乱のための大きい粗度を与えることができる。この層は、図１の左枠に示される層と同様のものである。そして、第１の層より薄い、更なるＴＣＯ層をこの第１のＴＣＯ層の上部で成長させる。この第２の層が溝を塞ぎ、それにより粗度の「平滑化（smoothing  out）」が起こる。ここでもまた大切なのは、第２の層が新たなシードから成長する点に注目することである。そのため第２の層は幾つかの小さい結晶子から構成される。これは平滑効果をもたらすための鍵となる要素である。
【００６３】
作動原理は代替的には、特徴となる溝の開口角を拡大すること、あるいは溝の底の特徴的な曲率半径を拡大すること、とみなすことができる。
【００６４】
更なる実施の形態によれば、組成及び／又は温度は、ステップａ）及び／又はステップｄ）の間に変更される。組成に関して言えば、例えばドーピング前駆体及び／又は水／ＤＥＺ比は変更されてもよい。この実施の形態では、酸化亜鉛結晶は妨げられることなく成長し続けると考えられる。この手法はＴＣＯ層の形状を改善することはない。しかしながら、この手法に更なる自由度をもたらすために、ステップｃ）による処理と組み合わせることができる。かかる構造の例は、厚い酸化亜鉛真性層（後にジボラン処理を行う）、薄いドープ層、及び最後の１／３の蒸着層（ドーピングせず、またステップｃ）による処理も行わない）である。この場合、シリコン層に対して起こり得る、ホウ素の負の作用は低減又は完全に回避される。
【００６５】
上で規定の全てのステップを組み合わせることで、多くの他の実施形態が可能となる。
【００６６】
本発明は更に、本発明による方法によりコーティングされた、少なくとも１つの基板よりなる太陽電池に関する。本発明による太陽電池は、本質的に、本発明による方法に関して記載されている利点を提供する。詳しく言えば本発明による太陽電池は、残された可能性、具体的には光散乱、光捕捉、反射損失の低減、及びこれらの基板上で成長する薄膜シリコン層の材料品質の改善に関してのものを、更に活用するのを助ける。
【００６７】
本発明によれば、太陽電池は本発明による方法で製造された前面電極を備えることができ、又／あるいは、同様の方法で形成された背面電極を備えることができる。背面電極又は背面コンタクトがそれぞれ提供される場合、ドープ層の後に真性層が続くのが好ましいとされる。このことにより背面コンタクトからの反射損失を低減することができ、背面コンタクトにおける吸収を低減することができる。
【００６８】
本発明のこれらの態様及び他の態様は以下に記載の実施形態から明らかであり、またそれらを参照して説明される。
【図面の簡単な説明】
【００６９】
【図１】従来技術による様々な処理時間後の酸化亜鉛層を示す図である。
【図２】従来技術による処理時間の更なる影響を示す図である。
【図３】本発明の基礎となる太陽電池を示す図である。
【図４】本発明による方法により得られる二重構造のＳＥＭ画像を示す図である。
【図５】分光ヘイズ測定曲線を示す図である。
【図６】２つの異なる酸化亜鉛前面コンタクト上で成長させた微結晶シリコン電池で観察される欠陥の数を示す図である。
【図７】本発明により作製される二重層の酸化亜鉛構造の拡大図を示す。
【発明を実施するための形態】
【００７０】
図３は現行の技術水準から一般的に知られ、更に本発明の基礎となる薄膜太陽電池４０のレイアウトを示している。図３に示されるように、太陽電池４０は一般に、基板上に連続して積層される、第１の電極（層）４２と、１つ又は複数の半導体薄膜ｐ−ｉ−ｎ接合４３と、第２の電極４７とを備え、それらは基板上で連続的に重ねられる。それぞれのｐ−ｉ−ｎ接合４３又は薄膜光電変換ユニットは、ｐ型層４４とｎ型層４６とに挟まれたｉ型層４５を備える（ｐ型とは正にドープされたもの、ｎ型とは負にドープされたものである）。ｉ型層４５は、実質的に真性の半導体層であり、薄膜ｐ−ｉ−ｎ接合の厚さの大部分を占める。光電変換は主にこのｉ型層において起こる。電極層４２、電極層４７は光起電的に発生した電流の収集に関与する。これらの電極は、高い導電率、良好な透過性及び隣接する光活性層に光を散乱する能力（ヘイズ）という３つの主要な課題に対処しなければならない。背面反射体層４８は吸収されなかった光が吸収体層の方向に再び反射するのを助けることができる。図３では、矢印は最初に（originally）基板４１上へと侵入する光を示す。
【００７１】
光学的に透明であり、導電性である前面電極４２は、上述のように薄膜太陽電池４０の基本部分である。太陽電池４０の高い効率は、低い寄生光損失、光活性層での完全な吸収、及び光生成電荷担体を完全に取り出すことに強く依存している。そのため前面電極４２は、良好な導電率及び光散乱を引き起こす粗い表面形状に加え、高い光透過性をもたらさねばならない。光散乱はシリコン吸収層において光の行路を広げる。言い換えれば、光が吸収される可能性を向上させるため、太陽電池デバイス内での光の捕捉にとって極めて重要である。
【００７２】
本発明による太陽電池を改善するために、基板４１をＴＣＯ層、特に酸化亜鉛層でコーティングする必要がある。本発明による蒸着環境において、太陽電池４０を製造するために基板４１をコーティングする方法は、以下のステップを含む。
ａ）第１の酸化亜鉛層を基板４１上に蒸着するステップ、
ｂ）前記蒸着環境で亜鉛前駆体含量を低減するステップ、
ｃ）前記第１の酸化亜鉛層をジボランと水との混合物で処理し、該第１の酸化亜鉛層の表面上に複数のコーティングシードを形成するステップ、及び
ｄ）第２の酸化亜鉛層を前記第１の酸化亜鉛層上に蒸着するステップ。
【００７３】
本発明による方法の、典型的な性能は以下のとおりである。上述のように、本発明による方法は、それまでに蒸着された酸化亜鉛層上で酸化亜鉛層の成長を再び開始する手順を含む。この例では、該方法は従来の低圧化学蒸着工程環境における１．４ｍ２の寸法を有するガラス基板をベースとするものである。この手順はさらに、ステップｃ）において第１の酸化亜鉛層をジボランで処理することをベースとしており、そのため以下では「ジボラン処理」と呼ぶこととする。この典型的な方法は以下のステップを含む。
【００７４】
第１のステップは工程チャンバー又は蒸着チャンバーそれぞれにおいてＤＥＺ（ＺｎＯ蒸着の前駆体材料であるジエチル亜鉛）流を停止することを含む。ジボラン、水、窒素又は水素のような他のプロセスガスを停止する場合もある。
【００７５】
更なるステップは、ポンピング又はパージをすることにより、蒸着チャンバー内においてＤＥＺ濃度を低減することを含む。ポンピングステップは、具体的にはチャンバー内の圧力を通常のプロセス圧力の約１／２以下、すなわち最低（at  least）０．２ｍｂａｒ、例えば０．２ｍｂａｒ〜０．１ｍｂａｒの範囲の圧力まで低減することを含み得る。取り付けられたポンプの性能によるが、ポンピング時間はおよそ６０秒以下である。別の方法では、これまでの工程ステップで残っているＤＥＺを、ジボラン、水、水素、窒素又は別の不活性ガス等の、他のプロセスガスを用いてチャンバーをパージすることにより取り除くことができる。６０秒間、４００ｓｃｃｍの水でパージすれば十分であることが分かっている。より大きいパージガス流量によりこのステップを短縮することが可能である。
【００７６】
更なるステップは、ジボラン及び水を、基板が置かれた工程チャンバー又は蒸着チャンバーそれぞれに導入することを含む。１．４ｍ２の基板のための市販のＴＣＯ  １２００システム（Oerlikon  Solar）の有効な処理には、１つの単一処理チャンバーに対して５５０ｓｃｃｍの水、１５０ｓｃｃｍのジボラン、加えて任意で水素が使用される。最低でも３０秒間、例としては６０秒間以上、基板を上記ガス混合物に曝露すれば十分である。制作に好適となる、より迅速な処理には、１０００ｓｃｃｍの水及び３７５ｓｃｃｍのジボランが使用される。この場合、処理の成功を達成するには１５秒もあれば十分である。実験によると数分間かの、例えば１５分間〜２０分間の範囲の処理が可能であることが分かっているが、経済的な理由から処理期間を制限するのが好ましい可能性もある。一般には５秒間〜２０分間の間の、例えば１５秒間〜５分間の処理時間が望まれる。更なる実施形態では、曝露される酸化亜鉛表面１ｍ２当たり９０ｓｃｃｍ〜１２０ｓｃｃｍ、好ましくは１１０ｓｃｃｍのジボランの曝露比は３０秒間で達成された。更なる実施形態では、曝露される表面積当たりのジボランガス流量の比率と処理時間の積は、基本的に一定に保たれている。
【００７７】
このステップは新たな層を作製しないことに留意されたい。測定の示すところでは、小さい島や粒子（多くの場合酸化ホウ素によるもの）がＴＣＯ表面上に形成されるが、完全な層とはならない。より小量のジボランによる処理でもうまくいく可能性はあるが、その場合は、処理時間を増やす必要があるかもしれない。同様に、より大量のジボラン流量は処理時間を更に低減させる可能性がある。プロセス圧力は通常、従来の酸化亜鉛蒸着ステップで知られているようなものであり、したがって０．１ｍｂａｒ〜１ｍｂａｒの範囲内である。プロセス温度は、前のステップで使用される、従来の酸化亜鉛蒸着に用いられるものから変化させない。
【００７８】
さらに、上記のように蒸着雰囲気を取り除いてから蒸着チャンバーをパージするのではなく、上で規定のジボラン／水混合物を用いて、蒸着チャンバーに対しより長時間のパージのみ行うことも可能である。酸化亜鉛の成長を停止させるためには、ＤＥＺの量を減らすことがただ重要である。
【００７９】
次のステップではジボラン処理の後、再び上述のように工程チャンバーがパージされてもよい。このステップは、いかなるジボランドーピングも行わずに連続層を蒸着する場合には推奨されるが、そうでない場合は省略が可能である。
【００８０】
これに続き第２の酸化亜鉛層の成長が、上記のような工程環境を用意することにより開始される。これに関し工程環境は、酸化亜鉛蒸着のためのＬＰＣＶＤ工程に関する従来の技術分野において、既知のものと同様であってもよい。
【００８１】
例としては、酸化亜鉛層積層体の蒸着シーケンスは、第１の表面性状を示す酸化亜鉛の第１の層を蒸着するステップと、前記第１の層の表面を、層を蒸着させずにジボランを含むが亜鉛成分を含まないガス混合物で処理するステップと、その後の、前記第１の表面性状よりも特徴を持つ表面性状を示す、酸化亜鉛の第２の層を蒸着するステップよりなる。
【００８２】
上で規定の方法の結果として、第２の酸化亜鉛層の成長が、その下の第１の酸化亜鉛層には関わりなく開始される。この手順に基づき、粗度、平均構造サイズ及び屈折率を含む様々な特性をそれぞれ有する酸化亜鉛層の所定のシーケンスを作製することが、このようにして可能になる。
【００８３】
作製され得る構造の例としては、以下のものが挙げられる。
【００８４】
第１の例としては、真性（又は低ドープ）酸化亜鉛層の上に、少なくとも１つのドープ酸化亜鉛層（例えばＤＥＺ／ジボランの流量比  １／０．５、代替的には１／０．１）を設けることができる。実現に成功したものの１つを図４に示す。図示された例では厚さ比は１（ドープ）対６（真性）であったが、更に１対４の比も効果的である可能性がある。同様の層シーケンスは、微結晶太陽電池４０において、表面粗度によりもたらされる欠陥の低減には好適である。厚さ比及びドーピングレベルの最適化が、導電率、透過性、特徴のサイズ、光散乱及びシリコン成長に対する影響の調整には必須である。実現可能なものは、１枚の比較的厚い真性（又は低ドープ）酸化亜鉛層と、それに続く２枚以上のより薄く、よりドープされた酸化亜鉛層とを含む。本発明に記載されるステップｃ）による処理はそれぞれの層の間で行われる。この実現例により、第１の層の溝を塞ぐことが可能になる。層の数を増やすことで、酸化亜鉛の表面は徐々により平坦となり、それがヘイズの低減につながる。本発明によれば、本発明による中間処理ステップを伴うＴＣＯ層が２枚から８枚、好ましくは１枚から４枚提案される。
【００８５】
更なる例としては、低ドープ層の上に真性層が設けられてよい。この場合、低ドープ層（Ｈ２Ｏ／ＤＥＺ／Ｂ２Ｈ６の典型的な流量比：１／１．２／０．０１、７００秒）は許容可能な導電率と良好な光散乱とをもたらす。更なる真性層（Ｈ２Ｏ／ＤＥＺ／Ｂ２Ｈ６の典型的な流量比：１／１．２／０、１００秒）は、その下のドープ層よりも大きい屈折率をもち、ＴＣＯ／シリコン界面で光反射を低減するのに有用である。この手法を用いて、後の光起電デバイスで生じる電流を増大させることが可能である。
【００８６】
更なる例としては、名目上同じドーピングレベルの２つの酸化亜鉛層を重ねて成長させることができる。この場合も、表面形状及び光学特性を制御することが可能である。
【００８７】
更なる例としては、屈折率の増大をもたらす、低減したドーピングレベルを有する３つ以上の層を設けることができる。この手法は反射を更に低減させる。光散乱は、それぞれの層の厚さを調整することにより、最適化することができる。
【００８８】
更なる例としては、低ドーピング／高ドーピング／低ドーピングの３層積層体を設けられてもよい。この種のシステムは、光の体積散乱及び低い表面粗度の達成を可能にするとされる。
【００８９】
再び図４を参照すると、この図は新規の二重構造のＳＥＭ画像を示している。詳細には、図４は真性層（Ｈ２Ｏ／ＤＥＺ／Ｂ２Ｈ６の流量比  １／１．１／０、１６０秒）上にあるドープ（Ｈ２Ｏ／ＤＥＺ／Ｂ２Ｈ６の流量比  １／１．１／０．３、９６０秒）酸化亜鉛層のＳＥＭ画像を示す。小さい構造が、より大きな構造の上で成長する様子を明らかに見て取ることができる。
【００９０】
図５は、新規の二重構造の分光ヘイズ測定曲線を、典型的な酸化亜鉛単層及び、ＰＶＤ酸化亜鉛層ベースの後処理した前面電極と比較して示したものである。詳しく言えば、図５は他の基板と比較した新規の二重構造に関する分光ヘイズ測定結果を示している。ヘイズは、ＬＰＣＶＤ前面コンタクトの標準手順と、ＰＶＤにより蒸着された、化学的な後処理を受けた酸化亜鉛層との間の領域にあることを確認することができる。
【００９１】
図６は、新規の二重構造を使用することによる、微結晶シリコン電池において観察される欠陥の数に対しての効果を示している。二重層の酸化亜鉛前面コンタクトにより、ヘイズが上昇し、欠陥の数が低減する。詳しく言えば、図６は２つの異なる酸化亜鉛前面コンタクト上で成長させた、微結晶シリコン電池で観察される欠陥の数の詳細を示している。左のデータは、電池が標準的な単層酸化亜鉛上で成長させられた場合のものを示す。右のデータは、電池が、本発明による方法に従って調製された二重層の酸化亜鉛前面コンタクト（図４に図示）上で成長させられた場合のものを示す。欠陥の数は明らかに低減しており、これによって太陽電池４０の品質は向上する。
【００９２】
図７は、本発明に従って作製された二重層の酸化亜鉛構造の拡大図、即ち二重層ＴＣＯの詳細を示している。図７のＳＴＥＭ画像は、より厚い酸化亜鉛層の上で成長した薄い酸化亜鉛層を示している。層構造のよりよい理解のために、本発明に従って成長させた付加的な（正：additional）薄い酸化亜鉛層を、破線で強調している。左上隅のスケールバーは２００ｎｍに相当する。わずかに異なるコントラストを持つ、外見上異なった２つの酸化亜鉛層を観察することができる。コントラストの差は、付加的な酸化亜鉛層の密度の差、異なるドーピング等に起因するものであると考えられる。この画像はＳＴＥＭ（走査型透過電子顕微鏡）システムにより測定し、ＦＩＢ（集束イオンビーム）システムを用いてＴＣＯ／Ｓｉ層の薄片を切断したものである。同様の画像は、ＴＥＭ（透過電子顕微鏡）を用いて得ることができる。サンプル調製をＦＩＢにより、又は好適なサンプルの機械的切断及び連続研磨により行うことができる。
【００９３】
本発明は図面及び上記の記載において、詳細に図示され又は記述されているが、かかる図示及び記述は、解説ないしは例示であって、限定的なものではないと捉えられるべきである。本発明は、開示された実施形態に限定されるものではない。当業者であれば、図面、開示及び添付の特許請求の範囲の検討により、開示された実施形態の他の変形形態を理解し、実施することが可能である。特許請求の範囲における「〜よりなる」という文言は、他の工程やステップを排除せず、不定冠詞（"a"や"an"）は、（その不定冠詞に修飾されるものが）複数存在する可能性を排除しない。或る特定の異なる方法が、互いに異なる複数の従属クレームに記載されていることは、それらの方法の組合せが利用できないことを意味しない。特許請求の範囲におけるいかなる参照符号も、範囲を限定するものとして解釈されるべきではない。
【符号の説明】
【００９４】
４０  太陽電池
４１  基板
４２  電極層
４３  ｐ−ｉ−ｎ接合
４４  ｐ型層
４５  ｉ型層
４６  ｎ型層
４７  電極層
４８  背面反射体層
【図１】
2013542317.tif 000003
【図２】
2013542317.tif 000004
【図３】
2013542317.tif 000005
【図４】
2013542317.tif 000006
【図５】
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【図６】
2013542317.tif 000008
【図７】
2013542317.tif 000009
【国際調査報告】
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2013542317.tif 000011
2013542317.tif 000012