(57)【要約】  優秀な膜質と段差被覆性を提供するサイクリック薄膜の蒸着方法を提供する。本発明の一実施例によるサイクリック薄膜の蒸着方法は，基板が装着されたチャンバーの内部にシリコン前駆体を注入して基板上にシリコンを蒸着する蒸着工程，チャンバーの内部から未反応シリコン前駆体及び反応副産物を除去する第１パージ工程，チャンバーの内部に第１反応ガスを供給して蒸着されたシリコンをシリコン含有絶縁膜として形成する反応工程，及び，チャンバーの内部から未反応の反応ガスと反応副産物を除去する第２パージ工程を繰り返し行う絶縁膜蒸着工程と，チャンバーの内部にプラズマ雰囲気を供給してシリコン含有絶縁膜を緻密にする緻密化工程とを含む。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板が装着されたチャンバーの内部にシリコン前駆体を注入して前記基板上にシリコンを蒸着する蒸着工程，前記チャンバーの内部から未反応シリコン前駆体及び反応副産物を除去する第１パージ工程，前記チャンバーの内部に第１反応ガスを供給して蒸着された前記シリコンをシリコン含有絶縁膜として形成する反応工程，及び前記チャンバーの内部から未反応の前記第１反応ガスと反応副産物とを除去する第２パージ工程を繰り返し行う絶縁膜蒸着工程と，
前記チャンバーの内部にプラズマ雰囲気を供給して形成された前記シリコン含有絶縁膜を緻密にする緻密化工程とを含むサイクリック薄膜の蒸着方法。
【請求項２】
前記第１反応ガスは，O２，O３，N２及びNHを含む群から選択された一以上のガスであることを特徴とする請求項１記載のサイクリック薄膜の蒸着方法。
【請求項３】
前記シリコン含有絶縁膜は，シリコン酸化膜又はシリコン窒化膜であることを特徴とする請求項２記載のサイクリック薄膜の蒸着方法。
【請求項４】
前記緻密化工程は，
Ar，He，Kr及びXeを含む群から選択された一以上の点火ガスを注入してプラズマ雰囲気を形成することを特徴とする請求項２記載のサイクリック薄膜の蒸着方法。
【請求項５】
前記反応工程は，
O２雰囲気下でプラズマを利用して形成されたO２−（酸素アニオン）又はO＊（酸素ラジカル）を第１反応ガスとして使用することを特徴とする請求項１記載のサイクリック薄膜の蒸着方法。
【請求項６】
前記緻密化工程は，
前記点火ガスと共に，H２，O２，O３，N２及びNH３を含む群から選択された一以上の第２反応ガスを更に注入することを特徴とする請求項４記載のサイクリック薄膜の蒸着方法。
【請求項７】
前記絶縁膜蒸着工程は，
前記チャンバーの内部圧力を０．０５Torr〜１０Torrに維持しながら行われることを特徴とする請求項１記載のサイクリック薄膜の蒸着方法。
【請求項８】
前記緻密化工程は，
前記チャンバーの内部圧力を０．０５Torr〜１０Torrに維持することを特徴とする請求項１記載のサイクリック薄膜の蒸着方法。
【請求項９】
前記緻密化工程の前に，
前記蒸着工程，前記第１パージ工程，前記反応工程及び前記第２パージ工程を３回〜１０回繰り返し行うことを特徴とする請求項１記載のサイクリック薄膜の蒸着方法。
【請求項１０】
前記絶縁膜蒸着工程及び前記緻密化工程を繰り返し行うことを特徴とする請求項１記載のサイクリック薄膜の蒸着方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は薄膜の蒸着方法に関するものであり，より詳しくは，シリコン含有絶縁膜を形成するサイクリック薄膜の蒸着方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
最近，半導体産業の発展と使用者のニーズ（needs）に応じて電子機器は更に高集積化及び高性能化されており，それによって電子機器の中核部品である半導体素子にも高集積化及び高性能化が要求されている。しかし，半導体素子の高集積化のための微細構造を実現するには困難を伴う。
【０００３】
例えば，微細構造を実現するためにはより薄い絶縁膜が要求されるが，絶縁膜を薄く形成すると絶縁特性などの膜質が低下する問題が発生する。また，薄膜を薄く形成しながら高性能の段差被覆性(step coverage)を得ることは困難である。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の技術的課題は，上述した従来の問題点を解決するためのものであり，優秀な膜質と段差被覆性を有する絶縁膜を蒸着する方法を提供することにある。特に，優秀な膜質と段差被覆性とを有するサイクリック薄膜の蒸着方法を提供することにある。
【０００５】
本発明の更に他の目的は，後述する詳細な説明と添付図面から，より明確になるであろう。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一実施例によるサイクリック薄膜の蒸着方法は，基板が装着されたチャンバーの内部にシリコン前駆体を注入して前記基板上にシリコンを蒸着する蒸着工程，前記チャンバーの内部から未反応シリコン前駆体及び反応副産物を除去する第１パージ工程，前記チャンバーの内部に第１反応ガスを供給して蒸着された前記シリコンをシリコン含有絶縁膜として形成する反応工程，及び前記チャンバーの内部から未反応の第１反応ガスと反応副産物とを除去する第２パージ工程を繰り返し行う絶縁膜蒸着工程，及び前記チャンバーの内部にプラズマ雰囲気を供給して，形成された前記シリコン含有絶縁膜を緻密にする緻密化工程を含む。
【０００７】
前記第１反応ガスは，O２，O３，N２及びNH３を含む群から選択された一以上のガスであってもよい。
【０００８】
前記シリコン含有絶縁膜はシリコン酸化膜又はシリコン窒化膜であってもよい。
【０００９】
前記緻密化工程は，Ar，He，Kr及びXeを含む群から選択された一以上の点火ガス（iginition gas）を注入してプラズマ雰囲気を形成してもよい。
【００１０】
前記反応工程は，O２雰囲気下でプラズマを利用して形成されたO２−（酸素アニオン）又はO＊（酸素ラジカル）を第１反応ガスとして使用してもよい。
【００１１】
前記緻密化工程は，前記点火ガスと共にH２，O２，O３，N２及びNH３を含む群から選択された一以上の第２反応ガスを更に注入してもよい。
【００１２】
前記絶縁膜蒸着工程は，前記チャンバーの内部圧力を０．０５Torr〜１０Torrに維持しながら行われてもよい。
【００１３】
前記緻密化工程は，前記チャンバーの内部圧力を０．０５Torr〜１０Torrに維持してもよい。
【００１４】
前記緻密化工程の前に，前記蒸着工程，前記第１パージ工程，前記反応工程及び前記第２パージ工程を３回〜１０回繰り返して行ってもよい。
【００１５】
前記絶縁膜蒸着工程及び前記緻密化工程を繰り返し行ってもよい。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の一実施例によるサイクリック薄膜の蒸着方法は，厚さが薄くても優秀な膜質と段差被覆性を有する絶縁膜，例えばシリコン酸化膜又はシリコン窒化膜を形成することができる。
【００１７】
よって，高集積化された半導体素子を実現するために厚さが薄い絶縁膜を形成することができ，段差被覆性も優秀であるため微細構造を実現することができる。また，優秀な膜質を有するため，高集積化された半導体素子で要求される性能を満たすことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の実施例によるサイクリック薄膜の蒸着方法を示すフローチャートである。
【図２】本発明の実施例によるサイクリック薄膜の蒸着方法を行うための半導体製造装置を示す概略的な断面図である。
【図３】本発明の実施例によるサイクリック薄膜の蒸着方法を示す図である。
【図４ａ】本発明の実施例によるシリコンを蒸着する工程を示す断面図である。
【図４ｂ】本発明の実施例によるシリコンを蒸着する工程を示す断面図である。
【図４ｃ】本発明の実施例によるシリコンを蒸着する工程を示す断面図である。
【図５ａ】本発明の実施例によるシリコン含有絶縁膜を形成する工程を示す断面図である。
【図５ｂ】本発明の実施例によるシリコン含有絶縁膜を形成する工程を示す断面図である。
【図５ｃ】本発明の実施例によるシリコン含有絶縁膜を形成する工程を示す断面図である。
【図６】本発明の実施例による複数のシリコンから成る絶縁膜を示す断面図である。
【図７ａ】本発明の実施例による絶縁膜を緻密化する工程を示す断面図である。
【図７ｂ】本発明の実施例による絶縁膜を緻密化する工程を示す断面図である。
【図８】本発明の他の実施例による複数のシリコンから成る絶縁膜を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下，本発明の技術的思想による実施例について添付図面を参照して詳細に説明する。しかし，本発明の技術的思想による実施例は様々な形で変形されることができ，本発明の範囲が以下で詳述する実施例によって限定されると解釈されてはならない。本発明の技術的思想による実施例は，当業界で平均的な知識を有する者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。添付図面において，同じ符号は始終同じ要素を意味する。なお，添付図面における様々な要素と領域は概略的に示されている。よって，本発明は添付図面に示された相対的な大きさや間隔によって限定されない。
【００２０】
図１は，本発明の実施例によるサイクリック薄膜の蒸着方法を示すフローチャートである。
【００２１】
図１を参照すると，半導体製造装置のチャンバーの内部に基板を装着する（Ｓ１００）。前記チャンバーの内部に装着された基板に絶縁膜が蒸着され（Ｓ２００），シリコンを蒸着する工程（Ｓ２１０），第１パージ(purge)工程（Ｓ２２０），反応工程（Ｓ２３０）及び第２パージ工程（Ｓ２４０）が絶縁膜の蒸着と共に行われる。
【００２２】
シリコンを蒸着するために前記チャンバーの内部にシリコン前駆体を注入し，前記基板上にシリコンが蒸着されるようにしてもよい（Ｓ２１０）。前記基板上にシリコンを蒸着した後，未反応シリコン前駆体及び反応副産物を除去する第１パージ工程を行う（Ｓ２２０）。
【００２３】
次に，前記基板上に形成されたシリコンを反応ガスと反応させ，シリコン含有絶縁膜として形成する工程を行う（Ｓ２３０）。シリコン含有絶縁膜は，例えば，シリコン酸化膜又はシリコン窒化膜であってもよい。
【００２４】
シリコンをシリコン含有絶縁膜として形成するために，前記チャンバーの内部に第１反応ガスを注入してもよい。第１反応ガスは，例えば，O２，O３，N２及びNH３を含む群から選択された一以上のガスであってもよい。
【００２５】
シリコン含有絶縁膜がシリコン酸化膜である場合，前記第１反応ガスはO２又はO３のような酸素原子を含むガス，又はO２雰囲気下でプラズマを利用して形成されたO２−（酸素アニオン）又はO＊（酸素ラジカル）であってもよい。シリコン含有絶縁膜がシリコン窒化膜である場合，前記第１反応ガスはN２又はNH３のような窒素原子を含むガスであってもよい。
【００２６】
次に，チャンバーの内部で反応副産物と反応ガス又は点火ガスを除去する第２パージ工程を行ってもよい（Ｓ２４０）。
【００２７】
シリコンを蒸着する工程（Ｓ２１０），第１パージ工程（Ｓ２２０），反応工程（Ｓ２３０）及び第２パージ工程（Ｓ２４０）は繰り返し行われてもよい（Ｓ２５０）。シリコンを蒸着する工程（Ｓ２１０），第１パージ工程（Ｓ２２０），反応工程（Ｓ２３０）及び第２パージ工程（Ｓ２４０）は，例えば，３回〜１０回繰り返し行われてもよい。
【００２８】
シリコンを蒸着する工程（Ｓ２１０），第１パージ工程（Ｓ２２０），反応工程（Ｓ２３０）及び第２パージ工程（Ｓ２４０）を含む絶縁膜の蒸着工程（Ｓ２００）の間，基板の温度及びチャンバー内部の圧力を一定に維持してもよい。
【００２９】
各シリコンを蒸着する工程（Ｓ２１０）では少なくとも一のシリコン原子層が前記基板上に形成されてもよい。シリコン含有絶縁膜は，数Å〜数十Åの厚さを有するように形成されてもよい。シリコン含有絶縁膜が形成された後，緻密化工程を行う（Ｓ３００）。
【００３０】
シリコン含有絶縁膜を緻密化するために，前記チャンバーの内部にプラズマ雰囲気を形成してもよい。また，プラズマ雰囲気と共に追加的に第２反応ガスをチャンバ−内に注入してもよい。第２反応ガスは，例えば，H２，O２，O３，N２及びNH３を含む群から選択された一以上のガスであってもよい。
【００３１】
所望の厚さのシリコン含有絶縁膜を得るために，必要に応じて絶縁膜蒸着工程（Ｓ２００）及び緻密化工程（Ｓ３００）は繰り返し行われてもよい（Ｓ４００）。
【００３２】
所望の厚さのシリコン含有絶縁膜が形成された場合，基板はチャンバーから取り出される（Ｓ９００）。
【００３３】
図２は，本発明の実施例によるサイクリック薄膜の蒸着方法を行うための半導体製造装置を示す概略的な断面図である。
【００３４】
図２を参照すると，半導体製造装置１０のチャンバー１１内に反応ガスを導入するための導入部１２が形成される。導入部１２によって導入された反応ガスはシャワーヘッド１３を介してチャンバー１１の内部に噴射される。
【００３５】
蒸着の対象となる基板１００がチャック１４の上に載置されるが，このようなチャック１４はチャック支持台１６によって支持される。チャック１４は必要な場合，基板１００に熱を加え，基板１００が所定温度を有するようにしてもよい。このような装置によって蒸着が行われた後，排出部１７によって排出される。
【００３６】
また，半導体製造装置１０はプラズマ雰囲気を形成するためにプラズマ発生部１８を含んでもよい。
【００３７】
図３は，本発明の実施例によるサイクリック薄膜の蒸着方法を示す図である。
【００３８】
図３を参照すると，シリコン(Si)前駆体の注入及びパージと第１反応ガスの注入及びパージが繰り返し行われる。シリコン(Si)前駆体を注入した後のパージと第１反応ガスを注入した後のパージが繰り返し行われた後，プラズマ雰囲気が形成される。プラズマ雰囲気が形成された状態では，必要に応じて第２反応ガスが注入されてもよい。
【００３９】
このように，シリコン前駆体の注入及びパージと第１反応ガスの注入及びパージが繰り返し行われた後，プラズマ雰囲気が形成される工程までが１サイクルとして動作する。即ち，シリコン前駆体の注入及びパージと反応ガスの注入及びパージが繰り返し行われてシリコン含有絶縁膜を形成した後，プラズマ雰囲気を形成してシリコン含有絶縁膜を緻密化する。
【００４０】
また，上述した工程を全て繰り返し，所望の厚さのシリコン含有絶縁膜を得ることができる。
【００４１】
従って，サイクリック薄膜の蒸着方法は，シリコン前駆体の注入及びパージと第１反応ガスの注入及びパージが繰り返し行われ得ることはもちろん，シリコン含有絶縁膜の形成及び緻密化も同じく繰り返し行われ得る。
【００４２】
図４ａ〜図８では，上述した内容に基づき本発明の実施例によるサイクリック薄膜の蒸着方法を段階的に詳細に説明する。図４ａ〜図８に係る説明において，必要な場合，図１〜図３に係る参照符号が使用される。
【００４３】
図４ａ〜図４ｃは，本発明の実施例によるシリコンを蒸着する工程を示す断面図である。図４ａは，本発明の実施例によるシリコン前駆体を注入する工程を示す断面図である。
【００４４】
図４ａを参照すると，基板１００が装着されたチャンバー１１内にシリコン前駆体５０が注入される。
【００４５】
基板１００は，例えば，シリコン又は化合物半導体ウェーハのような半導体基板を含んでもよい。又は，基板１００は，ガラス，金属，セラミック，石英のような半導体とは異なる基板物質を含んでもよい。
【００４６】
シリコン前駆体５０は，例えば，BEMAS（bisethylmethylaminosilane），BDMAS（bisdimethylaminosilane)，BEDAS，TEMAS（tetrakisethylmethylaminosilane)，TDMAS（tetrakisidimethylaminosilane)，TEDASのようなアミノ系シラン又はHCD（hexachlorinedisilan）のような塩化系シランであってもよい。
【００４７】
基板１００がシリコン前駆体５０と反応するよう，基板１００は５０℃〜６００℃の温度を維持してもよい。また，基板１００が装着されたチャンバー１１内部の圧力は０．０５Torr〜１０Torrを維持してもよい。
【００４８】
図４ｂは，本発明の実施例による基板上にシリコンを蒸着する工程を示す断面図である。図４ｂを参照すると，シリコン前駆体５０のうち基板１００と反応するものによって基板１００上にはシリコン原子が蒸着されて，シリコン層１１２が形成されてもよい。シリコン層１１２は少なくとも１つのシリコン原子層で形成され得る。
【００４９】
シリコン前駆体５０は基板１００と反応した後，反応副産物５２を形成し得る。また，シリコン前駆体５０のうち一部は基板１００と反応せず，未反応状態で残っていてもよい。
【００５０】
図４ｃは，本発明の実施例による第１パージ工程を行う工程を示す断面図である。図４ｃを参照すると，基板１００上にシリコン層１１２を形成した後，残留した未反応状態のシリコン前駆体５０及び反応副産物５２をチャンバー１１内部から除去するパージを行ってもよい。残留した未反応シリコン前駆体５０及び反応副産物５２をチャンバー１１内部から除去する工程を第１パージ工程と称する。
【００５１】
前記第１パージ工程の間，基板１００は５０℃〜６００℃の温度を維持してもよい。また，基板１００が装着されたチャンバー１１内部の圧力は０．０５Torr〜１０Torrを維持してもよい。即ち，シリコン層１１２を蒸着する工程及び前記第１パージ工程の間，基板１００の温度及びチャンバー１１内部の圧力を一定に維持してもよい。
【００５２】
図５ａ〜図５ｃは，本発明の実施例によるシリコン含有絶縁膜を形成する工程を示す断面図である。図５ａは，本発明の実施例による反応ガスを注入する工程を示す断面図である。
【００５３】
図５ａを参照すると，基板１００が装着されたチャンバー１１内に第１反応ガス６０が注入される。第１反応ガス６０は，例えば，O２，O３，N２及びNH３を含む群から選択された一以上のガスであってもよい。又は，第１反応ガス６０は，例えば，O２雰囲気下でプラズマを利用して形成されたO２−（酸素アニオン）又はO＊（酸素ラジカル）であってもよい。
【００５４】
基板１００が第１反応ガス６０と反応するよう，基板１００は５０℃〜６００℃の温度を維持してもよい。また，基板１００が装着されたチャンバー１１内部の圧力は０．０５Torr〜１０Torrを維持してもよい。
【００５５】
図５ｂは，本発明の実施例による基板上にシリコン含有絶縁膜を蒸着する工程を示す断面図である。図５ｂを参照すると，第１反応ガス６０のうちシリコン層１１２と反応したものによって，基板１００上にはシリコン含有絶縁膜１２２ａが形成され得る。
【００５６】
第１反応ガス６０は，シリコン層１１２と反応した後，反応副産物６２を形成してもよい。また，第１反応ガス６０のうち一部はシリコン層１１２と反応せず，未反応状態で残っていてもよい。
【００５７】
第１反応ガス６０として，例えばO２又はO３のような酸素原子を含むガス又はO２雰囲気下でプラズマを利用して形成されたO２−（酸素アニオン）又はO＊（酸素ラジカル）を使用する場合，シリコン層１１２は第１反応ガス６０に含まれた酸素原子と反応してシリコン酸化膜として形成され得る。又は，第１反応ガス６０として，例えばN２，NH３のような窒素原子を含むガスを使用する場合，シリコン層１１２は第１反応ガス６０に含まれた窒素原子と反応してシリコン窒化膜として形成され得る。
【００５８】
図５ｃは，本発明の実施例による第２パージ工程を行う工程を示す断面図である。図５ｃを参照すると，基板１００上にシリコン含有絶縁膜１２２ａを形成した後，残留した未反応状態の第１反応ガス６０及び反応副産物６２をチャンバー１１内部から除去するパージを行うことができる。残留した未反応状態の第１反応ガス６０及び反応副産物６２をチャンバー１１内部から除去する工程を第２パージ工程と称する。
【００５９】
前記第２パージ工程の間，基板１００は５０℃〜６００℃の温度を維持してもよい。また，基板１００が装着されたチャンバー１１内部の圧力は０．０５Torr〜１０Torrを維持してもよい。
【００６０】
図６は，本発明の実施例による複数のシリコン含有絶縁膜の形成を示す断面図である。図６を参照すると，図４ａ〜図５ｃで示した工程を繰り返し，複数のシリコン含有絶縁膜１２２ａ，１２２ｂ，１２２ｃから成る絶縁膜層１２２を形成する。
【００６１】
該絶縁膜層１２２は数Å〜数十Åの厚さを有してもよい。絶縁膜層１２２が３個〜１０個のシリコン含有絶縁膜１２２ａ，１２２ｂ，１２２ｃを含むように，各シリコン含有絶縁膜１２２ａ，１２２ｂ又は１２２ｃを蒸着する過程を３回〜１０回繰り返し行ってもよい。
【００６２】
このように絶縁膜層１２２を複数のシリコン含有絶縁膜１２２ａ，１２２ｂ，１２２ｃで形成すると，絶縁膜層１２２は優秀な膜質と段差被覆性を有することができる。
【００６３】
図７ａ及び図７ｂは，本発明の実施例による絶縁膜を緻密化する工程を示す断面図である。図７ａは，本発明の実施例による絶縁膜層にプラズマ雰囲気を供給す工程を示す断面図である。
【００６４】
図７ａを参照すると，絶縁膜層１２２が形成された基板１００上にプラズマを加える。即ち，基板１００が装着されたチャンバー１１の内部をプラズマ雰囲気で形成する。プラズマ雰囲気を形成するために，ICP（Inductively Coupled Plasma），CCP（Capacitively Coupled Plasma）又はMW（Microwave）Plasma方式を使用してもよい。この際，プラズマ雰囲気を形成するために１００W〜３kWの電力が印加され得る。
【００６５】
プラズマ雰囲気を形成するために，例えば，Ar，He，Kr及びXeを含む群から選択された一以上の点火ガスが注入されてもよい。この際，点火ガスは１００sccm〜３０００sccmの流量で注入されてもよい。
【００６６】
プラズマ雰囲気で絶縁膜層１２２を更に緻密化するために，第２反応ガス６４が追加的に注入されてもよい。第２反応ガス６４は，例えば，H２，O２，O３，N２及びNH３を含む群から選択された一以上のガス又はO２雰囲気下でプラズマを利用して形成されたO２−（酸素アニオン）又はO＊（酸素ラジカル）であってもよい。
【００６７】
絶縁膜層１２２がシリコン酸化膜である場合，第２反応ガス６４としては，例えばO２又はO３のような酸素原子を含むガス，O２雰囲気下でプラズマを利用して形成されたO２＋（酸素カチオン）又はO＊（酸素ラジカル），又はH２を使用してもよい。
【００６８】
絶縁膜層１２２がシリコン窒化膜である場合，第２反応ガス６４としては，例えばN２及びNH３のような窒素原子を含むガス又はH２を使用してもよい。
【００６９】
図７ｂは，本発明の実施例による緻密化された絶縁膜層１２２Ｄを形成する工程を示す断面図である。図７ａ及び図７ｂを参照すると，プラズマ雰囲気下で絶縁膜層１２２は緻密化(densification)が行われ，緻密化された絶縁膜層１２２Ｄが形成される。緻密化された絶縁膜層１２２Ｄを形成するために，基板１００が装着されたチャンバー１１の圧力を０．０５Torr〜１０Torrに維持してもよい。
【００７０】
また，絶縁膜層１２２をプラズマ雰囲気で処理して得られた緻密化された絶縁膜層１２２Ｄは，絶縁特性などの膜質が優秀である。特に，緻密化された絶縁膜層１１２Ｄを薄く形成しても優秀な膜質を有することができる。
【００７１】
図８は，本発明の他の実施例によるシリコン含有絶縁膜を示す断面図である。図８を参照すると，図４ａ〜図７ｂで説明した工程を繰り返して複数の緻密化された絶縁膜層１２２Ｄ，１２４Ｄが含まれる絶縁膜１２０を形成することができる。
【００７２】
図７ａに示す絶縁膜層１２２が相対的に厚い場合，絶縁膜層１２２の下部にはプラズマ又は第２反応ガス６４による影響が相対的に小さく及ぼされる。従って，絶縁膜１２０の膜質を更に向上させるために，相対的に薄い複数の緻密化された絶縁膜層１２２Ｄ，１２４Ｄが含まれる絶縁膜１２０を形成してもよい。
【００７３】
また，絶縁膜１２０は２つの緻密化された絶縁膜層１２２Ｄ，１２４Ｄを含むものとして図示したが，３つ以上の緻密化された絶縁膜層を含んでもよい。即ち，絶縁膜１２０が含む緻密化された絶縁膜層の個数は，所望の絶縁膜１２０の厚さを考慮して決定してもよい。即ち，所望の絶縁膜１２０の厚さを考慮して図４ａ〜図７ｂで説明した工程を繰り返す回数を決定してもよい。
【００７４】
以上，好ましい実施例により本発明を詳細に説明したが，これとは異なる形の実施例も可能である。よって，後述する特許請求の技術的思想と範囲は好ましい実施例に限定されない。
【産業上の利用可能性】
【００７５】
本発明は，蒸着工程のような多様な形の半導体製造工程に応用することができる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４ａ】
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【図４ｂ】
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【図４ｃ】
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【図５ａ】
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【図５ｂ】
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【図５ｃ】
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【図６】
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【図７ａ】
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【図７ｂ】
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【図８】
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【国際調査報告】
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