(57)【要約】  本発明は光電池セルパネルの製造に関し、ａ）各々がセル用であり、金属基板の前面上へと設置される光起電力膜（ＰＶ）を得るステップと、ｂ）光起電力膜の各前面上へと少なくとも１つの導電性膜（ＣＧ、ＣＮＤ）を形成するステップと、ｃ）セルを互いに絶縁するために基板（ＳＵＢ）を切断するステップと、ｄ）共通マウント部上にセルを封止する（ＥＮＣ）ステップとを含む。本発明によれば、ステップｄ）およびステップｃ）は、ステップｄ）が、基板の背面を切断するステップｃ）の前に基板の前面を封止するように逆にされる。その上、ステップｂ）において、導電性膜の一領域は、導電性膜が光起電力膜の前面および基板の前面と同時に接触するように基板の上方に延び、ステップｃ）において、基板が、少なくとも導電性膜の上記の領域の下、かつ領域の幅よりも狭い基板幅にわたって、光起電力膜間の短絡を回避するために切断される。
2013524483.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光電池セルのパネルを製造するための方法であって、
ａ）各々がセル用であり、金属基板（ＳＵＢ）の前面上に配置された光起電力膜（ＰＶ）を得るステップと、
ｂ）光起電力膜（ＰＶ）の各前面上に少なくとも１つの導電性膜（ＣＧ、ＣＮＤ）を形成するステップと、
ｃ）セルを互いに絶縁するために前記基板（ＳＵＢ）を切断するステップと、
ｄ）共通支持部上に前記セルを封止する（ＥＮＣ）ステップと
を含み、
前記ステップｄ）およびステップｃ）は、ステップｄ）が、ステップｃ）において前記基板がその背面を切断されることに先立って前記基板の前記前面を封止するように、逆にされ、
−  ステップｂ）において、前記導電性膜のある領域は、前記導電性膜が前記光起電力膜の前記前面および前記基板の前記前面の両方と同時に接触するように前記基板の上方に延び、
−  ステップｃ）において、前記基板が、少なくとも前記導電性膜の前記領域の下、かつ前記領域の幅よりも狭い基板幅にわたって、前記光起電力膜間の短絡を回避するために切断され、
前記導電性膜の前記領域が前記基板と結合し、よって、前記光起電力膜の前記前面は隣接するセルの光起電力膜の背面に電気的に接続される、
方法。
【請求項２】
前記導電性膜が、前記光起電力膜（ＰＶ）から発せられる電荷用であり、前記光起電力膜（ＰＶ）の前記前面に付けられたコレクタグリッド（ＣＧ）を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記導電性膜が、前記コレクタグリッドに付けられ、前記基板の前記前面と接触するために前記領域（Ｚ１、Ｚ２）を覆う導電性ストリップ（ＣＮＤ）をさらに含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記導電性膜（ＣＮＤ）が、前記光起電力膜（ＰＶ）を少なくとも部分的に覆い、前記光起電力膜（ＰＶ）を超えて第１の領域（Ｚ１）および第２の領域（Ｚ２）中へと延び、前記第２の領域（Ｚ２）が前記第１の領域（Ｚ１）よりも前記光起電力膜（ＰＶ）からさらに遠く、
−  前記第２の領域（Ｚ２）が、前記基板（ＳＵＢ）の前記前面を覆い、前記基板（ＳＵＢ）と接触し、
−  前記基板（ＳＵＢ）が、前記第１の領域（Ｚ１）の下方に空いたスペース（Ｄ）を有するように切断される、前記請求項のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
絶縁膜（ＩＳ）がステップｂ）に先立って形成され、前記絶縁膜が、
−  前記光起電力膜（ＰＶ）に隣接し、前記光起電力膜の厚さよりも厚い厚さであり、
−  前記基板の前記切断部の上方、かつ前記導電性膜の延長した前記領域（Ｚ１）の一部の下に位置するように意図される、前記請求項のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
請求項４との組み合わせで、前記絶縁膜（ＩＳ）が、前記第１の領域（Ｚ１）の下方に位置し、前記光起電力膜（ＰＶ）を前記第２の領域（Ｚ２）から分離することを意図する、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記絶縁膜が、前記第２の領域（Ｚ２）と反対側の前記光起電力膜（ＰＶ）の一方の端部を覆う、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
−  前記絶縁膜（ＩＳ）が、ステップａ）とステップｂ）との間で少なくとも前記基板の前記前面に形成され、
−  前記基板が、ステップｃ）において前記絶縁膜（ＩＳ）の下方で切断される、
請求項６または７のいずれかに記載の方法。
【請求項９】
−  ステップｂ）の前に、前記基板（ＳＵＢ）の前記前面が、ステップｃ）による前記基板内の前記切断部のテンプレートを形成するために、前記基板の全体の厚さ未満をエッチングされ、
−  前記エッチング操作の後で、前記絶縁膜（ＩＳ）が、前記基板（ＳＵＢ）の前記前表上に形成され、
−  前記封止ステップの後で、前記基板を切断するステップが、前記基板の前記全体の厚さにわたって完了する、
請求項６または７のいずれかに記載の方法。
【請求項１０】
−  ステップｂ）の前に、前記基板が、前記第１の領域（Ｚ１）に対応する前記基板の一領域内で局所的に、かつ前記第１の領域（Ｚ１）よりも実質的に長く切断され、
−  前記封止ステップの後で、前記基板を切断するステップが、前記第１の領域（Ｚ１）を超えて終了する、
請求項６または７のいずれかに記載の方法。
【請求項１１】
−  前記パネルの各セルの動作を機能的に試験するステップと、
−  試験したセルが不良である場合に、前記不良セルを形成するために、ステップｃ）において作った前記基板内の前記切断部（Ｄ）を導電性材料で埋めることによって前記不良セルにおける動作を短絡するステップと
をさらに含むことを特徴とする、前記請求項のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
前記請求項のいずれか１項に記載の方法を実施することによって形成した光電池セルのパネルであって、前記導電性膜が、前記光起電力膜（ＰＶ）から発せられる電荷を集めるために、前記光起電力膜（ＰＶ）の前記前面に形成されたコレクタ層（ＣＧ）を備え、
前記コレクタ層（ＣＧ）が、前記光起電力膜（ＰＶ）を少なくとも部分的に覆い、前記光起電力膜（ＰＶ）を超えて前記第１の領域（Ｚ１）および前記第２の領域（Ｚ２）の上方に延伸し、前記第２の領域（Ｚ２）が前記第１の領域（Ｚ１）よりも前記光起電力膜（ＰＶ）からさらに遠く、
−  前記第２の領域（Ｚ２）が、前記基板（ＳＵＢ）の前記前面を覆い、前記第２の領域（Ｚ２）が前記基板（ＳＵＢ）と接触し、
−  前記基板（ＳＵＢ）が、少なくとも前記第１の領域（Ｚ１）の下方で切断される（Ｄ）、
パネル。
【請求項１３】
前記基板（ＳＵＢ）内の前記切断部が、セル間の相互配線用の所定の配線図に対応する選択したパターンに従い、セルを囲む切断パターンが、直列構成に前記セルを設置することに対応する、請求項１２に記載のパネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光電池セルアセンブリを備えた光電池モジュールの製造に関する。
【背景技術】
【０００２】
光電池セルアセンブリを表す図１を参照すると、各セルは、それぞれの支持部ＳＵＰ１、ＳＵＰ２、．．．、ＳＵＰＮ−１、ＳＵＰＮ上に載置されている能動部ＰＶ１、ＰＶ２、．．．、ＰＶＮ−１、ＰＶＮを有する。通常は、各セルの能動部は、例えば、
−  例えばモリブデンである、基板（多くの場合ガラス、または金属箔の形態である）にマッチングさせるためのマッチング層、
−  光起電力特性を有する実際の能動層（例えば、銅−（インジウム、ガリウムおよび／もしくはアルミニウム）−（硫黄および／もしくはセレン）などのＩ−ＩＩＩ−ＶＩ２化合物、またはテルル化カドミウムもしくはアモルファスシリコンを含有する化合物）、
−  および、多くの場合、硫化カドミウム、酸化亜鉛、等の追加の層（光起電力特性を有する下にある層と光が相互作用することを可能にするために透明である）、
などの多くの層を有するフォトダイオードに対応する。
【０００３】
各セルの能動部を、ここでは一般的に「光起電力膜」と呼ぶ。
【０００４】
光から光起電力膜を遮らないように選択的に、光起電力効果によって発生され光起電力膜から発せられる電荷用のコレクタグリッドＳＣＧをこの膜上に堆積することをさらに行う。したがって、コレクタグリッドは、
−  光起電力効果によって発生される電子を集めるためにセルの光起電力膜の上面に形成された堆積物（線の形に図１では線で表され、例えば、スクリーン印刷される）、および
−  能動部ＰＶ１によって発生される「電気」を広く集めるためにこれらの堆積物ＳＣＧに接続された主コレクタＣＧ
を有する。
【０００５】
したがって、コレクタグリッドＳＣＧおよびコレクタＣＧの形状は、光起電力膜上の入射フォトンの数と実際に集められる電子の数との間の妥協点である。セルのコレクタグリッドＳＣＧおよびコレクタＣＧは、一般に「コレクタグリッド」と総称される。
【０００６】
通常、光電池セルを共通基板上に作製し、次に、基板を多数の個別のセルへと切断する。この後に、例えば、一例として図１に示した一連の配線Ｃ１、２；Ｃ２、Ｎ−１；ＣＮ−１、Ｎを介して、各セルからの配線およびセル間の相互配線を作るステップが続く。このステップに関して、有効な光電池セル（光電池セルが事前に機能的に試験されていることが理解される）が共通支持部ＳＵＰ（ガラスまたはポリマー材料製）上に再び組み立てられ、前述の配線が次に作られる。次に、こうして得られた光電池モジュールを、（配線Ｃ１を介して）入力部に接続し、（配線ＣＮを介して）出力部に接続することができる。
【０００７】
先行技術によるセルアセンブリＣ１、Ｃ２のための製造方法の連続するステップをより詳細に説明するために、図１ａを参照する。後のセルＣ１、Ｃ２用に各々が適した光起電力膜ＰＶを、（例えば、セルを形成しようとする基板の領域内に光起電力膜の選択的な堆積によって、または堆積した膜の選択エッチングによって、または何らかの別の既知の手段によって）基板ＳＵＢ上に形成する。続くステップで、各ＰＶ膜にコレクタ層ＤＧを形成する。次に、後の個々のセルを形成するために、基板を切断する（参照符号Ｄ）。次に、共通支持部ＳＵＰに個々の切断片をボンディングする。次に、図１ａに示すように、コレクタ層ＣＧに隣接し、かつセル間の分離部Ｄの領域を覆う絶縁膜ＩＳを形成する。最後に、導電性膜ＣＮＤを形成し、光起電力膜ＰＶの前面と、コレクタ層ＣＧを介して基板ＳＵＢを通って隣接するセルＣ２の光起電力膜ＰＶの背面との間の配線を確立する。この例では、基板ＳＵＢが導電性、例えば金属であることが理解される。本方法は、次に、例えば、封止材料ＥＮＣで前面にボンディングした（例えば、ガラスの）保護プレートＶＥを用いて（完成して相互接続されたセルＣ１、Ｃ２を支持する）支持部ＳＵＰの前面を封止するステップに続く場合がある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、セルを切断し相互接続するためのかかる方法は、時間がかかり、産業的に高価である。
【０００９】
本発明は、この状況を改善する。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
したがって、同じ支持部上に各セルの前述の光起電力膜を保持することを提案し、前記支持部を光起電力膜の最初の基板から構成することができる。以下に説明する実施形態から分かるように、基板を切断することができるが、特にセルを分離しない、言い換えると、本発明による方法の過程においては、セルの光起電力膜は互いに動かず、このことはセル相互接続ステップまでずっと当てはまる。
【００１１】
そのために、本発明は第１に、光電池セルのパネルを製造するための方法に関し、以下のステップ、
ａ）各々がセル用であり、金属基板の前面上に配置された光起電力膜を得るステップと、
ｂ）光起電力膜の各前面上に少なくとも１つの導電性膜（コレクタグリッドなどの、例えばコレクタ層）を形成するステップと、
ｃ）セルを互いに絶縁するために基板を切断するステップと、
ｄ）共通支持部上にセルを封止するステップと、を含む。
【００１２】
本発明によれば、ステップｄ）およびステップｃ）は、ステップｄ）が、ステップｃ）において基板がその背面を切断されることに先立って基板の前面を封止するように、逆にされる。
【００１３】
さらに、
−  ステップｂ）において、導電性膜のある領域は、導電性膜が光起電力膜の前面および基板の前面の両方と同時に接触するように基板の上方に延び、
したがって、セルの光起電力膜は、このステップｂ）で金属基板によってこれらの間が短絡され、
−  ステップｃ）において、基板が、少なくとも導電性膜の上記の領域の下、かつ領域の幅よりも狭い基板幅にわたって、光起電力膜間の短絡を回避するために切断される。
【００１４】
導電性膜の前述の領域が基板と結合し、よって、光起電力膜の前面は隣接するセルの光起電力膜の背面に電気的に接続される。
【００１５】
したがって、本発明による方法は、セルの製造全体を通して同じ支持部（基板、その後、前面の封止部）上にセルを保持することを可能にし、これが次に、互いにセルの機械的な分離を回避すること、およびその後に続く共通支持部へのセルの再付着を可能にする。
【００１６】
前述の導電性膜が、光起電力膜から発せられる電荷用のコレクタグリッドを含むことが好ましく、これはしたがって、光起電力膜の前面に形成され、かつ（前述の領域内で）基板の前面の上方に延びる。
【００１７】
必須ではなく任意に、導電性膜は、基板の前面と接触するために、コレクタグリッドに付着して形成され、かつコレクタグリッドの前述の領域を覆う導電性ストリップをさらに含むことができる。
【００１８】
図２を参照すると以下でより詳細に分かるように、光起電力膜（この図２ではＰＶと符号を付されている）は、導電性膜（ＣＮＤ、ＣＧ）によって少なくとも部分的に覆われる。特に、導線性膜は、光起電力膜（ＰＶ）を超えて第１の領域（Ｚ１）および第２の領域（Ｚ２）（第２の領域が第１の領域よりも光起電力膜からさらに遠い）中へと延びる。よって、
−  第２の領域（Ｚ２）が、基板（ＳＵＢ）の前面を覆い、かつ基板と接触し、
−  基板（ＳＵＢ）が、「空いた」スペース（Ｄ）を有するように切断され、以降、第１の領域（Ｚ１）の下方の「切断部（Ｄ）」と呼ぶ。
【００１９】
また、ステップｂ）に先立って形成され、
−  光起電力膜（ＰＶ）に隣接し、かつ光起電力膜の厚さよりも厚く、
−  基板の切断部（Ｄ）の上方で、かつ導電性膜の延びた領域（Ｚ１）の一部の下に位置することを意図した、
絶縁膜（ＩＳ）がある。
【００２０】
より詳しくは、絶縁膜（ＩＳ）は、第１の領域（Ｚ１）の下方に位置して光起電力膜（ＰＶ）を第２の領域（Ｚ２）から分離することを意図し、好ましくは、前述の第２の領域（Ｚ２）と反対側の光起電力膜（ＰＶ）の一方の端部を覆う。
【００２１】
第１の実施形態では、
−  絶縁膜が、ステップａ）とステップｂ）との間で少なくとも基板の前面に形成され、
−  基板が、ステップｃ）において絶縁膜の下方で切断される。
【００２２】
第１の変形形態では、
−  ステップｂ）の前に、基板の前面が、ステップｃ）による基板内の切断部のテンプレートを形成するために、基板の全体の厚さ未満をエッチングされ、
−  エッチング操作の後、絶縁膜が、エッチングの位置で基板の前面上に形成され、
−  封止ステップの後、基板を切断するステップが、基板の全体の厚さにわたり完了する。
【００２３】
さらに別の一変形形態では、
−  ステップｂ）の前に、基板が、前述の第１の領域に対応する基板のある領域内で、第１の領域よりも実質的に長い局所的な部分のみが切断され、
−  封止ステップの後、基板を切断するステップが、前記第１の領域を超えて終了する。
【００２４】
有利には、
−  パネルの各セルの動作を機能的に試験するステップと、
−  試験したセルが不良である場合に、不良セルを形成するために、ステップｃ）で作製した基板内の切断部を導電性材料で埋めることによって不良セルにおける動作を短絡するステップと、
をさらに有してもよい。
【００２５】
したがって、パネルのセルの中の不良セルの存在が、全体のパネルの後々の機能に悪影響を及ぼさず、パネルから不良セルの機械的な除去も必要としない。
【００２６】
本発明はまた、上記の方法を実施することによって得られた光電池セルのパネルに関する。セルの導電性膜は、光起電力膜から発せられる電荷を集めるために、光起電力膜の前面に形成されたコレクタ層を備え、コレクタ層が光起電力膜を少なくとも部分的に覆い、光起電力膜を超えて第１の領域および第２の領域の上方に延び、第２の領域が第１の領域よりも光起電力膜からさらに遠い。特に、
−  前記第２の領域が、基板の前面を覆い、第２の領域が基板と接触し、
−  基板が、少なくとも前記第１の領域の下方で切断される。
【００２７】
このことは、得られたパネルにおいて本発明による方法の考えられる特徴のうちの１つであることが理解されるであろう。この特徴を、図１ａと下記に説明する図４ｂとを特に比較することによって理解することができる。
【００２８】
また、図５ａから図５ｃを参照すると分かるように、都合の良いことに、基板内の切断部は、セル間の相互配線（直列、並列、直列／並列、等）用の所定の配線図に対応する選択したパターンに従うことができる。特に、セルを完全に囲む切断パターンが、直列構成にセルを設置することに対応する場合がある。
【００２９】
本発明のその他の長所および特徴は、以下に提供される、考えられる実施形態を読むことからおよび添付した図面を検討することから明らかになるであろう。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】先行技術によるセルアセンブリの上面図である。
【図１ａ】先行技術によるセルアセンブリの製造方法を説明する図である。
【図２】本発明による、２セルアセンブリを模式的に示す部分断面図である。
【図３】図２に図示したセルの上面図である。
【図４ａ】本発明の一実施形態による方法のステップを示す図である。
【図４ｂ】本発明の一実施形態による方法のステップを示す図である。
【図５ａ】本発明によるセルアセンブリのセルを接続するための、考えられる配線図を示す図である。
【図５ｂ】本発明によるセルアセンブリのセルを接続するための、考えられる配線図を示す図である。
【図５ｃ】本発明によるセルアセンブリのセルを接続するための、考えられる配線図を示す図である。
【図６ａ】図４ａおよび図４ｂに示す方法の変形形態を示す図である。
【図６ｂ】図４ａおよび図４ｂに示す方法の変形形態を示す図である。
【図７】本発明によるセルアセンブリの１つの不良セルＣを短絡する例を示す図である。
【図８】光電池パネルの考えられる実施形態を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００３１】
まず、ＳＵＢと表した金属基板上に載置した完全なセルＣ１および隣接する部分セルＣ２を示す図２を参照する。特に、各セルＣ１は、
−  光起電力膜ＰＶ、および
−  以下に説明するように、２つのセルＣ１およびＣ２を相互接続することが可能な、少なくとも１つの導電性膜ＣＮＤ、
を備える。
【００３２】
この導電性膜ＣＮＤは、光起電力膜ＰＶの前面を少なくとも部分的に覆い、光起電力膜ＰＶを超えて基板ＳＵＢと接触するように延びる。特に、導電性膜ＣＮＤは、光起電力膜ＰＶを超えて、
−  第１の領域Ｚ１、続いて
−  第２の領域Ｚ２、
の上方に延び、第２の領域Ｚ２は、第１の領域Ｚ１よりも光起電力膜ＰＶから遠くにある。実際に、図３を参照すると分かるように、導電性膜ＣＮＤは、光起電力膜ＰＶ上への入射光を妨害しないように、光起電力膜ＰＶを部分的に覆うにすぎない。
【００３３】
本発明によれば、セルＣ１、Ｃ２は、ここでは金属基板ＳＵＢである、すべてのセルに共通の同じ支持部上に保持され、各セルの光起電力膜ＰＶが共通金属基板ＳＵＢを覆う。図３を参照すると分かるように、セルの光起電力特性を有する膜ＰＶは、金属基板ＳＵＢの全体の表面をふさがずに部分的に覆うにすぎず、基板ＳＵＢの表面の補完的な部分を、以下に説明するように配線用に残す。
【００３４】
特に、隣接するセルＣ２と相互接続されるセルＣ１では、前述の第２の領域Ｚ２が、共通基板ＳＵＢを覆って基板と接触する。さらにその上、基板ＳＵＢが切断され、それゆえ、特に第１の領域Ｚ１の下方に空いたスペースＤを有する。この空いたスペースＤがないと、セルＣ１は、例えば、金属基板ＳＵＢによって短絡される。基板を切断すること、したがってこの空いたスペースＤを作ることによって、電流は、図２に矢印によって示したようにセルＣ１およびＣ２のそれぞれの光起電力膜ＰＶ間を、セルＣ１の膜ＰＶの前面から、
−  導電性膜ＣＮＤ、
−  セルＣ１の第１の領域Ｚ１、
−  セルＣ１の第２の領域Ｚ２、
−  金属基板ＳＵＢの一部、
を介してセルＣ２の膜ＰＶの背面へと流れる。
【００３５】
図２の空いたスペースＤを、基板ＳＵＢの局所エッチングによって簡単に実現することができる。後で説明するセル相互配線の例に見られるように、基板内のかかる切断部Ｄは、セルＣ１を囲むように作ったときに、図３に図示したように、例えば、直列接続にセルＣ１がセルＣ２と短絡することを回避することを既に可能にする。
【００３６】
しかしながら、光起電力膜ＰＶが空いたスペースＤを超えて延びないこと、特に（図２の例に図示したように空いたスペースＤの右へと）セルＣ２に近い基板ＳＵＢと接触しないことを確実にしなければならない。このために、空いたスペースＤを覆い、膜ＰＶを第２の領域Ｚ２とは分離する絶縁膜ＩＳがある。
【００３７】
前に示したように、通常、光起電力膜ＰＶから発せられる電荷を集めるためのコレクタグリッドがある。図２を再び参照すると、導電性膜ＣＮＤは、光起電力膜ＰＶから発せられる電荷を集めるかかる特性を有する下地膜ＣＧを好ましくは含む。コレクタグリッド膜の一例を、図４ａから図４ｃを参照して以下により詳細に説明する。
【００３８】
このように、図２に示したように、
−  基板ＳＵＢ内の切断部を、セルＣ１の光起電力膜ＰＶとセルＣ２の光起電力膜ＰＶとの間の絶縁機能を有するようにここでは考えることができ、
−  一方で、第２の領域Ｚ２への導電性膜ＣＮＤの延長部が、２つの光起電力膜ＰＶ間の接続機能を有する。
【００３９】
したがって、図３および図５ａから図５ｃを参照すると以下から分かるように、共通基板ＳＵＢ内の切断部は、セルの電気的な相互配線用の所定の図に対応する選択したパターンに従う。
【００４０】
図３は、直列構成にある２つのセルＣ１およびＣ２の相互配線のケースを示し、図３中の矢印ＩＩが図２の断面図の面を示す。したがって図３の参照符号は、図２の参照符号と同じ構成要素を示す。特に参照符号Ｄは、基板ＳＵＢ中に形成した空いたスペースを示す。その空いたスペースＤを、ここでは溝の形態で示し、したがって、２つのセルＣ１およびＣ２を分離する。
【００４１】
しかしながら、セル間の絶縁用の溝Ｄのパターンを、セル間の相互配線用の延長領域Ｚ２のパターンのように、セルの電気的な相互配線用の所定の図に基づいて選択することができる。
【００４２】
図５ａは、４つのセルＣ１からＣ４の直列接続のために適した切断パターン（点線）を図示し、その等価図をＥＱＡで表示する。ＩＳ２で示したセルＣ２の絶縁膜がセルＣ２とＣ３との間の基板内に形成した溝まで延びることに留意されたい。セル（例えば、Ｃ１）を完全に囲む切断パターンは、そのセル（Ｃ１）と隣接するセル（例えば、Ｃ２）の直列接続に対応する。
【００４３】
図５ｂでは、もう１つの考えられる実施形態において、４つの図示したセルＣ１からＣ４が、その図中の等価図ＥＱＢに従って並列に接続される。
【００４４】
図５ｃの例では、４つの図示したセルＣ１からＣ４が、並列／直列図ＥＱＣに従って接続され、セルＣ１およびＣ２をセルＣ４およびＣ３とともに直列に接続する。
【００４５】
図４ａおよび図４ｂをここで参照して、例えば、図２に図示したセルアセンブリＣ１、Ｃ２を製造するための方法の考えられる実施形態を説明する。
【００４６】
図４ａの最上部のところの最初の図に示したように、始めに、光起電力膜ＰＶを共通金属基板ＳＵＢ上に始めに形成する。例えば、基板ＳＵＢを、鉄、銅、またはアルミニウム製の薄い金属箔（５０から１００μｍ）とすることができる。起電力特性ＰＶを有する能動層を基板上に堆積する前に、モリブデンマッチング層（図示せず）を堆積することができる。この（またはこれらの）堆積（複数可）を、例えば、電気分解によって行うことができる。というのは、基板ＳＵＢが導電性であり、したがってこの（またはこれらの）電気分解堆積（複数可）に適応できるためである。また、光起電力層ＰＶも電気分解によって堆積することができ、前に説明したようなＩ−ＩＩＩ−ＶＩ２化合物に生成することができる。当然のことながら、本発明は、任意の別のタイプの堆積におよび任意のタイプの光起電力材料に適応する。
【００４７】
次に、この実施形態における第１のステップでは、光起電力膜ＰＶおよび基板ＳＵＢの前面に広がり、光起電力膜ＰＶの一方の端部および基板ＳＵＢの前面の隣接する部分を覆う絶縁膜ＩＳを選択的に堆積する。例えば、コレクタグリッドＣＧの層の形に導電性膜を、絶縁膜ＩＳを超えて、
−  光起電力膜ＰＶの前面の一部まで、
−  絶縁膜ＩＳまで、および
−  絶縁膜ＩＳに隣接する基板ＳＵＢの前面の一部まで、
次に連続的に形成する。
【００４８】
コレクタグリッド膜ＣＧ（当然のことながら、導電性である）は、それ自体セルを相互接続するために十分である場合がある。これを、アニールして乾燥させることができる液体銀を含有するメタライゼーションペーストの形態とすることができる。任意で、コレクタ膜ＣＧの前面に付けられるもう１つの導電性膜ＣＮＤがある。この膜ＣＮＤを、単に接着性金属ストリップとすることができる。
【００４９】
絶縁膜ＩＳは、光起電力膜ＰＶを導電体ＣＧの第２の領域Ｚ２から分離し、図２を参照して前に説明した空いたスペースＤを覆うことを目的としている。したがって、絶縁膜ＩＳは、光起電力膜ＰＶと（図２の第１の領域Ｚ１内の）導電性膜ＣＧおよび／またはＣＮＤとの間の層にある。本発明による方法の実際的な実施形態では、絶縁膜ＩＳは、光起電力膜ＰＶを好ましくは部分的に覆う。実際に、膜ＰＶの側端部がコレクタグリッドＣＧから十分に絶縁されることを確実にするために、絶縁物ＩＳを、光起電力膜ＰＶの側端部を完全に覆って堆積させる。
【００５０】
このステージにおいて、膜および基板アセンブリの前面（図４ａの最上部）の封止ＥＮＣを実行する。この目的は、特に、
−  第１に、例えば、ＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）またはＰＶＢ（ポリビニルブチラール）などのポリマーなどの封止材料にボンディングした、例えば、ガラスプレートＶＥ（または任意の他の透明保護材料製）を設けることによって堆積物を保護するため、
−  第２に、図４ｂを参照してここで説明するように、基板を切断するステップを実施するときに、１つのブロックとしてアセンブリを機械的に保持するためである。
【００５１】
特に図３または図５ａを参照して上に論じたように、基板は各セルの周りが完全に切断されることがあり、可能性としてセルが互いに機械的に離脱するという結果になる場合がある。基板の切断に先立つアセンブリの前面の封止により、かかる離脱が回避される。
【００５２】
したがって、図４ｂを参照すると、保護プレートＶＥをボンディングした後では（図４ｂの一番上の図）、基板ＳＵＢの背面を自由のまま残すことが分かる。基板ＳＵＢを、次に背面から切断して、特に各セルの絶縁物ＩＳの下方に空いたスペースＤを形成する。したがって、これが、セル間の電気的な短絡を回避する。この切断ステップを、レーザエッチング技法を用いて、または単にソーイングによって、または化学エッチングによって、または少なくとも絶縁膜ＩＳの上方のコレクタグリッドＣＧへの損傷を回避することを可能にする任意の他のタイプの技術によって、行うことができる。一旦、基板を切断し、セルの短絡を回避すると、次に、保護コーティングＰＲＯＴを基板ＳＵＢの背面に形成する。
【００５３】
ここで図６ａを参照して、特に、基板ＳＵＢ切断ステップ中に絶縁膜ＩＳおよびとりわけコレクタグリッドＣＧをできるだけ多く保存しようとする変形形態を説明する。特に、ここでは、基板の前面上のその厚さの一部だけ基板を事前に切断する（図６ａの領域Ｄ’）。プレートＶＥのボンディングにより前面の封止ＥＮＣまで、光起電力膜ＰＶ、絶縁膜ＩＳ、コレクタグリッドＣＧの堆積物、および補足的な導電性膜ＣＮＤを形成するための後続のステップを実行する。次に、空いたスペースＤを、特に絶縁膜ＩＳの下に作り出すために基板の全厚さにわたり、追加の切断を基板ＳＵＢの背面から実行する。次に、保護プレートＰＲＯＴを、完全に切断した基板の背面にボンディングすることができる。
【００５４】
例えば、この実施形態では、絶縁膜ＩＳを堆積する前に、共通基板ＳＵＢの金属を、前面から部分的にレーザエッチングすることができる。その後、基板の完全な切断を、プロセスの最後に低いレーザ出力で実行することができ、これによって、コレクタ層ＣＧまたはコネクタストリップＣＮＤに損傷を与えるリスクを低減する。
【００５５】
このように、基板を切断することによってコレクタグリッドＣＧが悪影響を受けるリスクがある場合には、基板ＳＵＢ切断プロセスは、特にコレクタグリッドＣＧの存在下では重要である。したがって、別の一変形形態は、グリッドＣＧを維持するために、基板上に絶縁体ＩＳおよびコレクタグリッドＣＧを堆積する前に、基板ＳＵＢの全厚さを局所的に切断することから構成される。この変形形態を図６ｂに示す。この変形形態による方法では、絶縁体ＩＳおよびコレクタ層ＣＧの堆積を受けようとする基板の領域Ｄ内だけ、基事前に板ＳＵＢを局所的に切断する。図４ａおよび図６ａを参照して上に説明した方法の始めのところにおけるように、光起電力膜ＰＶを形成する。次に、基板を局所的に切断することによって作り出された空いたスペースＤ上に、絶縁体ＩＳを堆積する。ここでは、絶縁膜ＩＳの材料がスペースＤ中へと入り込むことができることに留意すべきである。しかしながら、かかる可能性は、セルの最終機能に悪影響を及ぼさず、スペースＤの目的は、前記スペースＤの両側の基板の２つの部分を実際に絶縁することである。基板の厚さが（図６ａの最上部のところの最初の図に示したように）部分的にだけ事前に切断されるときには、同じことが当てはまる。次に、コレクタグリッドＣＧおよび導電体ＣＮＤならびに封止体ＥＮＣを堆積する別のステップを、基板ＳＵＢの背面を自由のまま残した状態で実行する。一旦、これらのステップを実行すると、例えばセルの周縁部全体の周りを背面まで完全に、基板を切断することができる。図６ｂの例では、基板が各セルＣ１、Ｃ２の全体の周りを切断されるという事実を、点線によって図示する。一旦、基板を完全に切断すると、背面の封止を実行することもまた可能である。
【００５６】
図６ａおよび図６ｂによるこれらの方法による解決策が、方法の終わりまですべてのセルを互いに一体的に付着させて機械的に維持することの可能性を有することに、やはり留意すべきである。
【００５７】
したがって、本発明による方法は、
−  セルを規則正しく個々に切断すること、
−  共通支持部上にすべてのセルをしっかりと固定すること、
−  各セルに対するコンタクトの作製、
−  それから最後に、セルの相互配線、
を可能にすることを必要とせずに、その支持部上に堆積したすべての光電池セルを、基板ＳＵＢによって実施される同じ支持部上に都合よく維持することを可能にする。
【００５８】
ここでは、基板ＳＵＢは、基板の前面の封止までセルに対する機械的な支持部として働く。
【００５９】
しかしながら、本発明による方法では、図７をここで参照して、セルアセンブリ中の不良セルＣという問題が生じることがある。ここでは、セルが共通支持部を介して互いに機械的に取り付けられているが、不良セルＣを電気的に除外しなければならない。この困難を下記のように克服する。すなわち、
−  前面の封止に先立って、各セルの動作の機能試験を実行し、
−  試験したセルが不良である場合には、導電性材料ＣＯＮＤを用いて不良セルＣの下方の空いたスペースＤを埋めることによって、短絡操作を不良セルに実行する。
【００６０】
例えば、前記セルＣのスペースＤを再接合するために準備を行うことができ、これはそのときには、前記セルのアノードとカソードとの間を短絡する効果を有する。
【００６１】
当然のことながら、本発明は、上に説明した実施形態に限定されず、一例として他の変形形態に適用される。
【００６２】
したがって、本発明が、本発明による方法において使用される任意のタイプの光起電力材料ＰＶまたは絶縁材料ＩＳまたは導電性材料ＣＧ、ＣＮＤに対して適用され、上に与えた実施形態に決して限定されないことが、理解されるであろう。同様に、図に示した膜の幾何学的形状、およびそれぞれの厚さもまた、単に説明のための例として提示されている。例えば、図８を参照すると、図１から図７に示したものの変形形態として光起電力膜ＰＶの１つの考えられる形状は、基板の全体の幅にわたって延びるストリップから構成される。各膜ＰＶは、絶縁膜ＩＳがその上に形成される基板内の切断部Ｄによってもう１つの隣接する膜ＰＶとは分離される。各膜ＰＶ上に堆積したコレクタグリッドＣＧは、切断スペースＤの直ぐ後ろの金属基板と接触する導電性フィンガを含む。かかるアセンブリは、２つのセル電極ＥＬＥ（アノードおよびカソード）間の直列接続に対応する。
【００６３】
さらにその上、コレクタ層ＣＧに付けたコネクタストリップＣＮＤを、一例として上に説明したが、任意選択とすることができる。実際に、領域Ｚ２において基板ＳＵＢと接触するコレクタ層ＣＧは、光起電力膜ＰＶの前表面を基板へ、そしてそこから隣接するセルの光起電力膜の背面へと相互接続するために十分である。図１ａに図示したような先行技術のコレクタ層ＣＧが、かかる機能を持たず、単純に絶縁膜ＩＳのところで止まることに、やはり留意すべきである。したがって、特に図２に図示したような本発明のケースとは対照的に、光起電力膜ＰＶを超えてコレクタ層が延びる領域Ｚ１およびＺ２は、先行技術においては認められない。基板ＳＵＢ上のコレクタ層ＣＧのこの延長部が、得られる光電池セルパネルにおいて本発明に従った方法の特徴のうちの１つであることが、したがって理解されるであろう。
【図１】
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【図１ａ】
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【図２】
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【図３】
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【図４ａ】
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【図４ｂ】
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【図５ａ】
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【図５ｂ】
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【図５ｃ】
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【図６ａ】
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【図６ｂ】
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【図７】
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【図８】
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【国際調査報告】
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