(57)【要約】  シリコン基板から太陽電池を製造する方法であって、このシリコン基板は、使用状態において光入射側として使用される第１主面と、背面側として使用される第２主面とを有しており、さらに第２主面にパッシベーション層を有している、太陽電池の製造方法において、この方法は、上記のシリコン基板の第２主面に酸化物含有層を被着するステップと上記の酸化物含有層を圧縮するため、およびこの酸化物含有層と、シリコン基板の第２主面との間の境界面を酸化して熱酸化物を形成するため、上記のシリコン基板を少なくとも８００℃の温度に加熱するステップとを有する。
2013524524.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン基板（１）から太陽電池を製造する方法であって、
当該シリコン基板は、使用状態において光入射側として使用される第１主面（３）と、背面側として使用される第２主面（４）とを有しており、
前記シリコン基板は、前記第２主面（４）にパッシベーション層を有している、
太陽電池を製造する方法において、
−  前記シリコン基板（１）の前記第２主面（４）に酸化物含有層（５）を被着するステップと、
−  前記酸化物含有層（５）を圧縮するため、および、当該酸化物含有層（５）と前記シリコン基板（１）の前記第２主面（４）との間の境界面を酸化して熱酸化物（６）を形成するため、前記シリコン基板（１）を少なくとも８００℃の温度に加熱するステップとを有する、
ことを特徴とする方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法において、
殊にＯ2および／またはＨ2Ｏを含むプロセス雰囲気を酸素源として機能させる、
ことを特徴とする方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載の方法において、
前記酸化物含有層を被着して、当該酸化物含有層が、例えばＳｉＯ2，ＺｒＯ2，ＳｉＯaＮbおよび／またはＳｉＯaＣbを含んで酸素透過性であるようにし、ただしそれぞれｂ≪ａである、
ことを特徴とする方法。
【請求項４】
請求項１から３までのいずれか１項に記載の方法において、
前記酸化物含有層（５）は、殊にＳｉＯ2を含んでおり、ＣＶＤ法またはＰＥＣＶＤ法により、殊にＳｉＨ4を使用して前記シリコン基板（１）の前記第２主面（４）に被着される、
ことを特徴とする方法。
【請求項５】
請求項１から４までのいずれか１項に記載の方法において、
前記酸化物含有層（５）には、ハイパーストイキオメトリの酸化物、例えばＳｉＯ2+x：Ｈおよび／または密度の低い酸化物および／または吸湿性酸化物、有利にはＢＳＧ、ＰＳＧおよび／またはＴＥＯＳ酸化物が含まれており、
前記酸化物含有層（５）は、前記酸素源として機能する、
ことを特徴とする方法。
【請求項６】
請求項１から５までのいずれか１項に記載の方法において、
さらに、前記シリコン基板（１）の加熱中に当該シリコン基板（１）に発生するシリコン酸化物層を前記第１主面（３）からエッチングによって除去し、前記酸化物含有層（５）の一部を前記第２主面（４）からエッチングによって除去する、
ことを特徴とする方法。
【請求項７】
請求項１から６までのいずれか１項に記載の方法において、
さらに、前記酸化物含有層（５）を被着した後、前記２つの主面（３）にドーピング材料を拡散注入し、例えば、有利には３臭化ホウ素を用いてホウ素を拡散注入し、および／または有利にはオキシ塩化リンを用いてリンを拡散注入し、
前記シリコン基板（１）を加熱するステップの間に前記ドーピング材料が前記第１主面（３）に拡散し、前記酸化物含有層（５）は、前記加熱中に前記第２主面（４）のマスキング層として機能する、
ことを特徴とする方法。
【請求項８】
請求項７に記載の方法において、
さらに、前記シリコン基板（１）を加熱する間に発生するドーピング材料−シリコン化合物層を前記第１主面（３）および／または前記第２主面（４）からエッチングによって除去する、
ことを特徴とする方法。
【請求項９】
請求項１から８までのいずれか１項に記載の方法において、
さらに、前記酸化物層（５）を被着する前に前記第１主面（３）および／または前記第２主面（４）に表面構造を載置する、
ことを特徴とする方法。
【請求項１０】
請求項１から９までのいずれか１項に記載の方法において、
さらに、前記酸化物含有層（５）を被着する前に前記第２主面（４）を平坦化する、
ことを特徴とする方法。
【請求項１１】
請求項１から１０までのいずれか１項に記載の方法において、
さらに、前記酸化物含有層（５）を被着する前に、例えばＨＮＯ3によって前記第１主面（３）および／または前記第２主面（４）をクリーニングする、
ことを特徴とする方法。
【請求項１２】
請求項１から１１までのいずれか１項に記載の方法において、
さらに、ＢＳＦ（Back Surface Field）層（１０）を形成するため、ホウ素またはリンを前記第２主面（４）に拡散または注入し、前記シリコン基板（１）を加熱することによって前記ホウ素またはリンを活性化する、
ことを特徴とする方法。
【請求項１３】
請求項１から１２までのいずれか１項に記載の方法において、殊に請求項６から１２までのいずれか１項に記載の方法において、
前記２つの主面（３，４）をエッチングした後、ＳｉＮ反射防止層（９）を前記第１主面（３）に被着する、および／または前記第２主面（４）の前記酸化物含有層（５）に被着する、
ことを特徴とする方法。
【請求項１４】
請求項１から１３までのいずれか１項に記載の方法において、
前記酸化物含有層（５）を被着する前、前記第１主面（３）と前記第２主面（４）とを接続するため、前記シリコン基板（１）を貫通する１つまたは複数のホールを例えばレーザによって形成する、
ことを特徴とする方法。
【請求項１５】
請求項１から１４までのいずれか１項に記載の方法において、前記酸化物含有層（５）を被着する前につぎのステップを実行する、すなわち
−  ドーピング材料を前記２つの主面（３，４）に拡散注入し、例えば、有利には３臭化ホウ素を用いてホウ素を拡散注入し、および／または有利にはオキシ塩化リンを用いてリンを拡散注入し、
−  前記第１主面（３）にエミッタ層を形成するため、および、前記第２主面（４）にエミッタ層を形成するため、前記シリコン基板（１）を加熱することによって前記ドーピング材料を当該シリコン基板（１）に拡散注入し、
−  前記シリコン基板（１）を加熱することによって発生するドーピング材料ガラス層を前記第１主面（３）および／または前記第２主面（４）からエッチング除去し、
−  有利にはＳｉＮであるマスキング層を前記第１主面（３）に被着し、
−  例えばエッチングによって前記第２主面（４）のエミッタ層を除去し、当該除去中には前記ＳｉＮ層が前記第１主面（３）のマスキング層として機能する、
ことを特徴とする方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、請求項１に記載した、シリコン基板から太陽電池を製造する方法に関する。
【０００２】
従来の技術
太陽電池は、シリコン基板から構成されることが多い。太陽電池の長時間安定性を保証するため、および基板に異物原子が入り込むことを回避するため、太陽電池にはパッシベーション層が設けられる。
【０００３】
太陽電池のシリコン表面をパッシベーションするため、これまで誘電性の薄膜が使用されている。工業的な実施においては殊に、プラズマ方式によってデポジットした窒化シリコン薄膜が使用される。しかしながら、熱的に成長させた酸化シリコン層により、格段に良好なパッシベーション特性が得られることは公知である。これは、殊にｐドーピングされた表面をパッシベーションする場合であり、それは、ここでは窒化シリコンにおける高濃度の正のキャリアが、性能を低下させる影響を有しているからである（反転層の形成および「寄生的な短絡形成」）。したがって殊にＰＥＲＣ(passivated emitter and rear cell)−/ＰＥＲＴ(passivated emitter, rear totally-diffused)−/ＰＥＲＬ(passivated emitter, rear locally-diffused)−セルの背面のパッシベーションに対して熱酸化を使用することが望ましい。
【０００４】
太陽電池の作製において熱酸化物を作製するための従来公知の方法には多くの欠点がある。このプロセスには多くの時間がかかる。それはプロセス時間が層厚に伴って二乗で増大するからであり、このことは、高いプロセスコストに結びつく。さらにこのプロセスには高い熱収支が必要であり、これにより、拡散プロフィールを不利に変化させることがある。さらに上記のプロセスが内在的に両側に行われることは不利である。しかしながら上記のパッシベーション層はふつう太陽電池の片側だけに必要であるため、この太陽電池の他方の側をマスキングしなければならないのである。
【０００５】
ＰＥＲＣセルに対しては、例えば（簡単にまとめると）つぎのステップを含むプロセス（''All-Screen-Printed 120-pm-Thin Large-Area Silicon Solar Cells Applying Dielectric Rear Passivation and Laser-Fired Contacts Reaching 18% Efficiency", L. Gautero et al., 24th EU-PVSEC 2009, Hamburg, Session 2D0.2.5）が公知である。
１）  テクスチャ
２）  クリーニング（ＨＮＯ３）
３）  ドライブインステップによるＰＯＣｌ3の拡散
４）  ＰＳＧ（phosphor silicate glass）の（エッチング除去）
５）  前面のＳｉＮデポジット
６）  背面のエミッタ除去
７）  クリーニング  標準クリーニング１／標準クリーニング２
８）  酸化
９）  背面のＳｉＯ２デポジット
１０）  背面のＳｉＮデポジット
【０００６】
ここでは片側の酸化は、デポジットしたＳｉＮによる前面マスキングによって行われる。プロセス時間を低減するため、薄い１つの層（〜２０ｎｍ）酸化物だけを成長させ、引き続き、デポジットさせた酸化物または窒化物によってこれを厚くする。上記のパッシベーションにはＳｉＯ2とＳｉとの間の境界層がもっぱら関連するため、上記の積層体により、純粋な熱酸化物に匹敵するパッシベーション品質が得られる。しかしながらここでの欠点は、この方法が技術的に煩雑でありかつ高価なことである。
【０００７】
発明の開示
本発明が対象とするのは、使用状態において光入射側として使用される第１主面と、背面として使用される第２主面を有するシリコン基板から太陽電池を作製する方法であり、ここでこの基板は、第２主面上にパッシベーション層を有する。上記の方法はつぎのステップを有する。上記のシリコン基板の第２主面上に酸化物含有層をデポジットするステップと上記の酸化物含有層を圧縮しかつこの酸化物含有層とシリコン基板の第２主面との間の境界面を酸化して熱酸化物を形成するために、このシリコン基板を少なくとも８００℃に加熱するステップとを有する。ここで酸素源により、この酸化のための酸素が放出される。この方法の利点は、これが技術的に簡単でありかつコスト的に有利なことである。
【０００８】
例えばＯ2および／またはＨ2Ｏを含む上記のシリコン基板のプロセス雰囲気は、酸素源として機能することができる。上記の酸化物含有層は、これが例えばＳｉＯ2，ＺｒＯ2，ＳｉＯaＮbおよび／またはＳｉＯaＣbを含有して酸素透過性になるように被着することができる。ただしそれぞれｂ≪ａである。こうすることの利点は、上記の方法が技術的にさらに簡単になり、かつ一層コスト的に有利になることである。
【０００９】
例えばＳｉＯ2を含む酸化物含有層は、殊にＳｉＨ4を使用してＣＶＤ法またはＰＥＣＶＤ法により、上記シリコン基板の第２主面に被着することができる。これにより、この方法のコストがさらに安くなる。それは、ＣＶＤ法ならびにＰＥＣＶＤ法は極めてコスト的に有利な方法だからである。さらに上記の酸化物含有層は、第２主面に均一に被着される。
【００１０】
この酸化物含有層には、ハイパーストイキオメトリの酸化物、例えばＳｉＯ2+x：Ｈおよび／または密度の低い酸化物および／または吸湿性酸化物、有利にはＢＳＧ、ＰＳＧおよび／またはＴＥＯＳ酸化物を含めることができ、またこの酸化物含有層は、上記の酸素源として機能することができる。これによってこの方法は技術的にさらに簡単になる。それは付加的な酸素源は不要になるからである。
【００１１】
さらにこの方法では、シリコン基板の加熱中にそこに発生するシリコン酸化物層を第１主面からエッチングによって除去し、また上記の酸化物含有層の一部を第２主面からエッチングによって除去することができる。こうすることの利点は、第１主面上のシリコン基板が簡単に露出されるのに対し、第２主面上では上記のパッシベーション層が部分的にしか除去されないことである。
【００１２】
本発明の方法ではさらに上記の酸化物含有層を被着した後、上記の２つの主面にドーピング材料を拡散注入することができ、例えば、有利には３臭化ホウ素を用いてホウ素を拡散注入することができ、および／または有利にはオキシ塩化リンを用いてリンを拡散注入することができ、ここではシリコン基板を加熱するステップの間にドーピング材料が第１主面に拡散し、上記の酸化物含有層は、上記の加熱中に第２主面のマスキング層として機能する。これにより、シリコン基板の第１主面に、エミッタとして機能し得るドーピング層を簡単に形成することができ、これに対し、ドーピング材料は上記のシリコン基板の第２の主面に拡散することはない。
【００１３】
上記のシリコン基板を加熱する間に発生するドーピング材料−シリコン化合物層は、第１主面および／または第２主面からエッチングによって除去することができる。こうすることの利点は、第１主面上のシリコン基板のシリコンが露出し、また第２主面上の酸化物含有層が露出することである。
【００１４】
さらに本発明の方法では、上記の酸化物含有層を被着する前、第１主面および／または第２主面に表面構造体を載置することができる。こうすることの利点は、第１主面および／または第２主面の複数の部分に、所期のように酸化物含有層が被着しないようにすることである。
【００１５】
本発明の方法ではさらに、上記の酸化物含有層を被着する前に第２主面を平坦化する。これにより、第２主面における酸化物含有層の被着が格段に改善される。さらに本発明で提案される方法では、上記の酸化物含有層を被着する前に、例えばＨＮＯ3によって第１主面および／または第２主面をクリーニングする。こうすることの利点は、上記の酸化物層の被着がさらに改善されることである。
【００１６】
この方法ではさらにＢＳＦ（Back Surface Field）層を形成するため、ホウ素またはリンを第２主面に拡散させるかまたはイオン注入によって打ち込む。このホウ素またはリンはシリコン基板を加熱した際に活性化される。このＢＳＦにより、太陽電池の効率が改善される。それは、ＢＳＦは電子に対するバリアであり、したがって電子は、上記のシリコン基板の表面に到達しないからである。
【００１７】
この方法ではさらにＳｉＮ反射防止層を第１主面および／または第２主面の酸化物含有層に被着することができる。この反射防止層により、シリコン基板によって反射する光が少なくなり、これによって一層多くの光がシリコン基板に進入する。これにより、太陽電池の効率が増大する。
【００１８】
さらに上記の第１主面と第２主面とを接続するため、酸化物含有層を被着する前に、上記のシリコン基板を通過するレーザによる１つまたは複数のホールを、例えばレーザによって作製することができる。このことの利点は、これらのホールにより、第１主面から第２主面へのないしはこの逆の電気接続を簡単に形成できることである。
【００１９】
上記の方法では酸化物含有層を被着する前につぎの方法ステップを実行することができる。すなわち、２つの主面にドーピング材料を拡散注入し、例えば、有利には３臭化ホウ素を用いてホウ素を拡散注入し、および／または有利にはオキシ塩化リンを用いてリンを拡散注入する。このドーピング材料はシリコン基板を加熱することによってシリコン基板に拡散されて、第１主面にエミッタ層が形成され、また第２主面にエミッタ層が形成される。シリコン基板を加熱することによって生じたドーピング材料−シリコン化合物層は、第１主面および／または第２主面からエッチングによって除去される。有利にはＳｉＮであるマスキング層を第１主面に被着する。第２主面のエミッタ層は、例えばエッチングによって除去され、この除去の間、ＳｉＮ層は第１主面のマスキング層として機能する。こうすることの利点は、従来技術に比べ、シリコン基板のクリーニングステップ、すなわち、標準クリーニング１／標準クリーニング２が省略されるかまたはこれを省略できることである。これによって時間およびコストが節約され、またプロセスも技術的に簡単になるのである。
【００２０】
図面
本発明の別の利点および合理性を図面によって説明し、また以下の説明において詳述する。ここで、以下の図面は単に説明的な性質しか有しておらず、いかなる形でも本発明で制限することを意図したものではないことに注意されたい。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】パッシベーション層を有するシリコン基板から太陽電池を作製する本発明の方法の連続するステップ後のシリコン基板を示す図である。
【図２】パッシベーション層を有するシリコン基板から太陽電池を作製する本発明の別の方法の連続するステップ後のシリコン基板を示す図である。
【図３】パッシベーション層を有するシリコン基板から太陽電池を作製する本発明のさらに別の方法の連続するステップ後のシリコン基板を示す図である。
【００２２】
以下の説明において同じ部分および同じ作用を有する部分には同じ参照符号を使用する。
【００２３】
図１ａないし図１ｄには、基板の背面にパッシベーション層を有するシリコン基板から太陽電池を作製する本発明の方法の各ステップ後のシリコン基板１が示されている。図１ａにはシリコンウェハないしはシリコン基板１が示されている。シリコン基板１は、結晶シリコン２からなり、前面とも称される第１主面３と、第１主面３とは反対側にありかつ背面とも称される第２主面４とを有している。図１ｂには第１方法ステップ後のシリコン基板１が示されている。第１方法ステップではＰＥＣＶＣ法により、シリコン基板１の第２主面４上に二酸化ケイ素が被着される。この二酸化ケイ素の代わりに別の酸化物含有層も考えられ得る。この層を被着する別の方法も考えられる。
【００２４】
シリコン基板１は、第２方法ステップにおいて少なくとも８００℃の温度まで加熱される。これによって酸化物含有層５は圧縮され、シリコン基板１のシリコン２と酸化物含有層５と間の境界層が（再）酸化される。これによってこの境界層に接し、良好なパッシベーション特性を有する高品質の熱酸化物の薄い層が得られる。上記の酸素源は、シリコン基板１のプロセス雰囲気とすることができる（例えばＯ2またはＨ2Ｏ）。ここで、デポジットした酸化物含有層５は酸素透過性である。これは例えばＳｉＯ2およびＳｉＯaＮbまたはＳｉＯaＣbの場合であり、ｂがａよりも格段に小さい場合である。
【００２５】
また酸化物含有層として、例えばＺｒＯ2などの別の酸素伝導性の金属酸化物も考えられる。
【００２６】
上記の酸素源は、酸化物含有層５それ自体とすることも可能である。この場合にはハイパーストイキオメトリの酸化物を酸化物含有層として、シリコン基板１の第２主平面に被着する。上記のシリコン基板の加熱中、このハイパーストイキオメトリの酸化物によって水および／または酸素が放出される。上記のハイパーストイキオメトリの酸化物は、例えばＢＳＧ，ＰＳＧ，またはＴＥＯＳ酸化物などの吸湿性酸化物とすることができるかまたは例えばＳｉＯ2+x：Ｈとすることも可能である。付加的には密度の小さい酸化物を使用し、これによって酸素拡散を簡略化する。これはふつう低い温度におけるＳｉＨ4プロセスの場合である。
【００２７】
シリコン基板上のアモルファスＳｉＯ2層は、ＳｉＨ4および酸素源を用いてＰＥＣＶＤ法によって作製される。このための酸素源として例えば笑気ガスまたは純粋な酸素が機能し得る。
【００２８】
このＳｉＨ4プロセスは、室温と約５００℃との間の温度において進行し、有利には約２００℃で進行する。
【００２９】
図１ｃには、加熱後のシリコン基板１が示されている。第１主面３には二酸化ケイ素層６が形成されている。反対側の第２主面４では、シリコン２と酸化物含有層５との間に熱酸化物６が形成されている。
【００３０】
片側の酸化物、すなわちシリコン２の片側だけにパッシベーション層を有する太陽電池は、ここで２つの主面３，４をエッチングすることによって形成される。このエッチングにより、シリコン基板１の第１主面３上の二酸化ケイ素層が除去される。第２主面４では、上記のエッチングによって酸化物含有層５の一部だけが除去される。したがって片側だけに、すなわち背面だけに高品質な熱酸化物６を備えたパッシベーション層を有する太陽電池が形成されるのである。
【００３１】
図２ａないし２ｄでは、背面にパッシベーション層を有する太陽電池を作製する本発明による別の方法の連続したステップ後のシリコン基板１が示されている。図２ａでは、シリコン２からなるウェハを含むシリコン基板１において、第１主面３とは反対側の第２主面４にすでに酸化物含有層５が被着されている。第２方法ステップでは、リンが拡散注入される。ここでシリコン基板１の第１主面３と、第２主面４の二酸化ケイ素５とにＰＳＧ７，すなわちリンケイ酸ガラスが形成される。
【００３２】
拡散注入されるリンは、シリコン基板１を加熱することによってシリコン基板１のシリコン２内にドライブインされて、シリコン基板１の第１主面３にエミッタ８が形成される。このドライブインステップ中、シリコン２と、シリコン基板１の第２主面４に被着された二酸化ケイ素５との間の境界面に熱酸化物層６が生じる。この方法ステップ後のこの積層体の状態は、図２ｂに示されている。
【００３３】
第１主面３および第２主面４をエッチングすることにより、これらの２つの主面３，４からＰＳＧ７を除去する。図２ｃには２つの主面３，４をエッチングした後の結果が示されている。第１主面３では、リンをドーピングした薄い層８を含むシリコン２が露出する。シリコン基板１の第２主面４には熱酸化物６があり、さらにここには二酸化ケイ素５の層がある。図２ｃにはこの方法ステップ後のシリコン基板１の状態が示されている。
【００３４】
別の方法ステップでは、シリコン基板１の第１主面３にＳｉＮ反射防止層９が被着される。図２ｄには、この方法が終了した後のシリコン基板１が示されている。シリコン基板１は、熱酸化物６を含むパッシベーション層を背面だけに有する。
【００３５】
図３ａないし３ｄには、シリコン基板１の片側にパッシベーション層を有する太陽電池を作製する本発明のさらに別の方法の連続したステップ後のシリコン基板１が示されている。第１ステップでは、例えば拡散により、裏面電界としてホウ素層１０がシリコン基板１の第２主面４に入れられる。この第１ステップ後のシリコン基板１が図３ａに示されている。
【００３６】
その後、シリコン基板１の第２主面４に二酸化ケイ素層５が被着される。このステップの後の積層体は、図３ｂに示されている。
【００３７】
つぎにエミッタ８を形成するためにリンを拡散する。これにより、第１主面３と、第２主面４の二酸化ケイ素５とにＰＳＧ７が形成される。シリコン２へのリンのドライブインステップ中、第２主面４に被着される二酸化ケイ素５とシリコン２との間の境界面に熱酸化物層６が発生する。さらにシリコン基板１を加熱する加熱ステップにより、ホウ素層１０のホウ素が活性化されて注入ステップによる損傷が修復される。この方法ステップ後のシリコン基板１は、図３ｃに示されている。
【００３８】
ここで第１主面３および第２主面４をエッチングすることにより、２つの主面３，４からＰＳＧ７を除去する。最後のステップとしてシリコン基板１の第１主面３にＳｉＮ反射防止層９を被着する。
【００３９】
ここで説明した方法は、上述のプロセスと組み合わせることができ、これによってプロセスの流れが格段に簡略化される。それは、付加的な酸化ステップもはや不要であり、またクリーニングステップの回数が低減されるからである。さらにすでに公知のプロセスの流れと、本発明による方法と組み合わせることにより、所要の酸化時間／温度を低減することができる。
【００４０】
本発明にしたがって変更されたプロセスはつぎのようになる。
１）  テクスチャ
２）  クリーニング（ＨＮＯ3）
３）  ドライブインステップによるＰＯＣｌ3の拡散
４）  ＰＳＧのエッチング除去
５）  前面へのＳｉＮのデポジット
６）  ＲＳのエミッタ除去
７）  背面へのＳｉＯ2のデポジット
８）  酸化
９）  背面へのＳｉＮのデポジット
【００４１】
従来公知のプロセスと比べてステップ８）とステップ９）とが入れ替わっている（ここではステップ８）および７））。公知のSintoプロセスのステップ７）、すなわちコストがかかりかつ煩雑な金属汚染物を除去するための標準クリーニング１／標準クリーニング２ステップが省略されるかないしはこれを省略することができる。
【００４２】
このプロセスによって作製したＰＥＲＣセルは、ホウ素注入によってＰＥＲＴセルに拡張することができる。この場合にＰＯＣｌ3／ＢＢｒ3拡散はさらに、打ち込んだ調量を活性化するという機能を果たすため、合わせて２つの高温ステップを節約することができるのである。
【００４３】
本発明による新しいＰＥＲＣプロセスはつぎのとおりである。
１）  テクスチャ（＋背面平坦化）
２）  クリーニング（ＨＮＯ3、場合によってそれ以上）
３）  背面へのＳｉＯ：Ｈデポジット
４）  ドライブインステップによるＰＯＣｌ3の拡散
５）  ＰＳＧのエッチング除去
６）  前面へのＳｉＮデポジット
７）  背面へのＳｉＮデポジット
【００４４】
この新しいＰＥＲＣプロセスによって付加的な酸化ステップが省略される。
【００４５】
付加的にはこの方法と、ＭＷＴ（metal wrap though）のプロセスの流れとを組み合わせることができる。
【００４６】
本発明による新たなＰＥＲＣ−ＭＷＴプロセスはつぎのとおりである。
１）  テクスチャ（＋背面平坦化）
２）  クリーニング
３）  背面へのＳｉＯ：Ｈデポジット
４）  ホールをレーザで作製（＋場合によってはブスバー領域において背面を除去）
５）  ドライブインステップによるＰＯＣｌ3の拡散
６）  ＰＳＧの除去
７）  前面へのＳｉＮデポジット
８）  背面へのＳｉＮデポジット
【００４７】
本発明による、イオン注入を有する新しいＰＥＲＴプロセスはつぎのとおりである。
１）  テクスチャ（＋背面平坦化）
２）  クリーニング
３）  ＢＳＦ注入（リンまたはホウ素）
４）  背面へのＳｉＯ：Ｈデポジット
５）  ドライブインステップによるＢＢｒ3またはＰＯＣｌ3の拡散
６）  ＰＳＧのエッチング除去
７）  前面へのＳｉＮデポジット
８）  背面へのＳｉＮデポジット
【００４８】
ＰＯＣｌ3またはＢＢｒ3拡散ないしは上記のドライブインステップは同時にホウ素注入の活性化としても作用するため、ここでは２つの高温ステップが節約される。
【００４９】
ここで提案したプロセスの流れは制限なしに、選択的な前面拡散を有するセルプロセスの流れにも適用可能である。ここでは上記の背面パッシベーションの品質は、前面拡散の長いドライブインステップによってさらに改善することができる。
【００５０】
ここで指摘しておきたいのは、上で説明した本発明のすべてのステップは、単独でも、またあらゆる組み合わせにおいても請求され、殊に図面に示した詳細は、本発明にとって重要なものとして請求されることである。これについての変更は、当業者によく知られている。
【００５１】
また本発明の実施は、上で説明した例および強調して説明した様相に限定されることはなく、添付の特許請求の範囲の保護範囲だけによって限定される。
【図１ａ】
2013524524.tif 000003
【図１ｂ】
2013524524.tif 000004
【図１ｃ】
2013524524.tif 000005
【図１ｄ】
2013524524.tif 000006
【図２ａ】
2013524524.tif 000007
【図２ｂ】
2013524524.tif 000008
【図２ｃ】
2013524524.tif 000009
【図２ｄ】
2013524524.tif 000010
【図３ａ】
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【図３ｂ】
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【図３ｃ】
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【図３ｄ】
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【国際調査報告】
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