(57)【要約】薄膜太陽電池を堆積するためのクランプユニットおよび信号給電方法を提供する。クランプユニットは、電極板モジュール、信号給電モジュール（２０１）および支持フレームを含む。電極板モジュールにシールドカバー（２０４）が設けられる。信号給電モジュール（２０１）は、胴部セクションおよびヘッド部セクションを含み、ヘッド部セクションが矩形形状の信号給電表面である。信号給電モジュール（２０１）のヘッド部セクションは、電極板モジュールの給電ポートと表面接触して接続される。給電ポートは、電極板モジュールのカソード板の背面側の中心部分に配置されるくぼんだ矩形表面上に設けられる。クランプユニットは、事実上、定在波効果および表皮効果を除去し、歩留まりを改善し、コストを低減することができる。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン薄膜太陽電池のための堆積ホルダであって、
電極板要素、
信号給電要素、および
支持フレーム
を含み、
シールドカバーを持つ電極板要素が支持フレームに配置され、電気を放電するためのホルダアレイを形成し、
信号給電要素の一つの端部が電極板要素の給電ポートと表面接触して接続し、ＲＦ／ＶＨＦ電源信号を給電し、
給電ポートが、シールドカバーを持つ電極板要素のカソード板の裏側の中心における凹状の矩形領域の表面上に位置し、
信号給電要素がストリップおよび階段形状の信号給電ストリップであり、胴部および矩形形状の信号給電表面を持つヘッド部を包含する、
堆積ホルダ。
【請求項２】
信号給電要素が絶縁シールドカバーを持つ胴部を有する給電ストリップであり、信号給電要素の一つの端部が矩形形状の給電表面である、請求項１記載のシリコン薄膜太陽電池のための堆積ホルダ。
【請求項３】
信号給電ストリップがＲＦ銅導体ストリップであり、胴部がセラミック絶縁層を含有するシールド層で覆われる、請求項１または２記載のシリコン薄膜太陽電池のための堆積ホルダ。
【請求項４】
完全にシールドされたカソード板の裏側の中心における凹状の矩形領域の表面上に給電ポートが位置し、
カソード板とシールドカバーとの間に特定の空間が配置されるか、絶縁材料の層が充填される、請求項１記載のシリコン薄膜太陽電池のための堆積ホルダ。
【請求項５】
電極板要素のシールドカバーがカソード板の背面および側部表面全体を覆い、
電極板要素のカソード板とシールドカバーとの間に特定の空間が配置されるか、絶縁材料の層が充填される、請求項１記載のシリコン薄膜太陽電池のための堆積ホルダ。
【請求項６】
信号給電要素がスルーホールから出るときにシールドカバーに接触することを防ぐため、カソード板のシールドカバーが、カソード板の給電ポートに対応するスルーホールを有する、請求項１記載のシリコン薄膜太陽電池のための堆積ホルダ。
【請求項７】
シールドカバーが金属シェルを有し、シールドカバーとカソード板の背面との間にセラミック絶縁層が配置される、請求項６記載のシリコン薄膜太陽電池のための堆積ホルダ。
【請求項８】
アノード板が、接地、ガイドスロットおよび基板組立／分解要素を包含する、請求項１記載のシリコン薄膜太陽電池のための堆積ホルダ。
【請求項９】
支持フレームが、上部固定板、下部固定板および側部フレームを包含する、請求項１記載のシリコン薄膜太陽電池のための堆積ホルダ。
【請求項１０】
シリコン薄膜太陽電池のための堆積ホルダの電源信号給電方法であって、
電極板要素、信号給電要素および支持フレームを提供し、ホルダを形成する工程と、
シールドカバーを持つ電極板要素を支持フレームに配置し、電気を放電するためのホルダアレイを形成する工程であって、給電ポートと表面接触して接続する一つの端部を持つストリップおよび階段形状の信号給電ストリップを信号給電要素が包含する、工程と、
シールドカバーを持つ電極板要素のカソード板の裏側の中心における凹状の矩形領域の表面上に位置する矩形給電ポートに対し、ＲＦ／ＶＨＦ電源信号を給電する工程と、
支持フレーム内部で放電し、特定の放電空間を持つ電極板要素アレイを形成する工程と
を含む、電源信号給電方法。
【請求項１１】
ホルダアレイが電極板要素アレイを包含する、請求項１０記載のシリコン薄膜太陽電池のための堆積ホルダの電源信号給電方法。
【請求項１２】
信号給電要素が、絶縁シールドカバーを持つ胴部と、矩形形状の給電表面を持つヘッド部とを有する給電ストリップであり、胴部およびヘッド部が階段形状の給電ストリップを形成する、請求項１０記載のシリコン薄膜太陽電池のための堆積ホルダの電源信号給電方法。
【請求項１３】
信号給電要素の表面給電矩形ヘッド部に対応する給電ポートが、凹状の矩形領域の矩形表面上に位置する、請求項１０または１１記載のシリコン薄膜太陽電池のための堆積ホルダの電源信号給電方法。
【請求項１４】
信号給電要素がスルーホールから出るときにシールドカバーに接触することを防ぐため、カソード板のシールドカバーが、カソード板の給電ポートに対応するスルーホールを有する、請求項１１記載のシリコン薄膜太陽電池のための堆積ホルダの電源信号給電方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一般的に、太陽電池技術に関し、より詳細には、シリコン薄膜太陽電池を堆積するためのクランプユニットに関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、シリコン薄膜太陽電池では、多くの場合、プラズマ増強化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ）を使用して単接合または多接合光起電ＰＩＮ膜層を構築する。このタイプの高周波（ＲＦ）容量結合型平行平板反応器は、一般に、薄膜太陽電池業界で使用される。業界内では、支持フレームを持つ電極は、通例、クランプユニット、ホルダまたは固定具と呼ばれ、チャンバ内部にホルダが設置されるプラズマ化学気相堆積装置は、多くの場合、「堆積ボックス」、換言すれば、反応器チャンバと呼ばれる。
【０００３】
様々な材料、例えば、アモルファスシリコン、アモルファスシリコン−ゲルマニウム、炭化シリコン、窒化シリコンおよび酸化シリコン等の大面積薄膜堆積を行うため、ホルダが広く使用されている。シリコン薄膜太陽電池分野は、太陽光業界の重要な部門であり、ホルダが太陽光業界のコア設備の一つになる。１３．５６MHz  ＲＦのためのホルダは、高速アモルファスシリコン薄膜堆積で広く使用され、高い効率および低いプロセスコストを有する。シリコン薄膜技術に対する需要が高まるにつれ、微結晶およびナノ結晶シリコン薄膜材料が一層注目されている。
【０００４】
しかし、微結晶環境下では、１３．５６MHz  ＲＦで生成されるプラズマは、低いプラズマ密度、低い堆積速度、目標膜厚さに到達するまでの長い堆積時間および有意なバックグラウンド汚染を有することができる。したがって、多くの場合、作製される薄膜が高い不純物特性および不十分な光学的特性を有し、製品の品質および性能に深刻な影響を及ぼす。結晶シリコン薄膜技術が業界に十分に貢献するには、いかに高速堆積を行うかが重要になる。
【０００５】
超短波（ＶＨＦ）は、１３．５６MHzの二倍以上の正規の周波数を指す。業界で主に使用されるＶＨＦは、一般的に、２７．１２〜１００MHzの範囲である。しかし、容量放電モデルでは、ＶＨＦで生じる定在波効果および表皮効果が非常に顕著になり、駆動周波数が増大するとこれらの効果がより強くなる。カリフォルニア大学バークレー校のM. A. Lieberman教授は、これらの二つの効果について徹底的な調査を行った。彼の研究結果が示すように、均一な薄膜のＶＨＦ  ＰＥＣＶＤ堆積の重大な条件は、励起周波数（λ０）の自由空間波長が容量放電電極チャンバの寸法係数（Χ）よりもはるかに大きく、表皮深さ（δ）が厚さ許容係数（η０）よりもはるかに大きいことである。例として、１m2の放電面積および６０MHzの励起周波数では、λ０≒Χおよびδ≒ηである。そのため、この励起周波数では、表皮効果および定在波効果が非常に顕著になり、１m2の電極板上における不均一な放電につながる。このように、ＶＨＦで駆動される大面積の均一な放電をいかに達成するかは、結晶シリコン薄膜技術のために対処すべき技術的問題の一つである。
【０００６】
これも、業界内で大変な関心を生じさせた。２００３年、米国特許第２００３／０１５０５６２Ａ１号は、ＶＨＦで生じる不均質性を改善するため、容量結合型放電で磁気ミラーを使用する方法を開示した。中国特許第２００７１０１５０２２７．４号、第２００７１０１５０２２８．９号および第２００７１０１５０２２９．３号は、均一な電界を得るため、ＶＨＦ信号の異なる給電形態を適用するＶＨＦの三つの電極設計を開示した。
【０００７】
しかし、依然として以下の問題が残ることができる：  １）ＶＨＦ−ＰＥＣＶＤチャンバ内の電極が複雑な設計構造を有する；  ２）継続的な改善の一つの理由として、反応チャンバおよび電極の定常的な組立／分解および清掃により、電極の異常な変形が生じることができる；  ３）既存特許で開示された多点給電構造は、個々の給電点の対称経路を要求する小さい接触表面を有することができ、給電点のボンディング導体とカソード板との間に接触がない。より具体的には、有効な放電のため、ボンディング導体とカソード板との間に隔離シールドが要望されることができる。これらの構造設計は、比較的厳しい実際の要件を有し、均一な放電のための多過ぎる決定因子を有し、実際の生産における要望、例えば、分解および清掃を満たすことができない。
【０００８】
そのため、業界で使用される設備では、単点給電が主流の設計になる。しかしながら、定在波効果および表皮効果のため、現在の単点給電構造は、高い給電周波数を増大させるための要件を満たすことができない。したがって、現在の市場需要を満たし、コストを低減するには、既存の堆積ホルダをより実用的にするためのさらなる開発および改善が要望されることができる。他方、複数のガラスを加工または堆積することができるＣＶＤホルダシステムを使用する傾向もある。そのため、大量生産の需要を満たし、工業生産段階に入るため、有効なＶＨＦ給電モデルを適用することは、業界にとって実用的に大変に有意義である。
【０００９】
発明の内容
シリコン結晶薄膜の現在の技術的欠点についての先の分析に基づき、本発明は、ＶＨＦ駆動高速堆積薄膜の問題、例えば、不均一性および不整合性を解決することを目的とする。それゆえに、技術的解決策は、電極板要素、信号給電要素および支持フレームを包含する。シールドカバーを持つ電極板要素が支持フレームに配置され、電気を放電するためのホルダアレイを形成し、信号給電要素の一つの端部が電極板要素の給電ポートと表面接触して接続し、ＲＦ／ＶＨＦ電源信号を給電する。さらに、シールドカバーを持つ電極板要素のカソード板の裏側の中心における凹状の矩形領域の表面上に、給電ポートが位置する。信号給電要素がストリップおよび階段形状の信号給電ストリップであり、胴部および矩形形状の信号給電表面を持つヘッド部を包含する。信号給電ストリップがＲＦ銅導体ストリップであり、胴部がセラミック絶縁層を含有するシールド層で覆われる。
【００１０】
技術的解決策は、電極板要素のシールドカバーがカソード板の背面および側部表面全体を覆い、電極板要素のカソード板とシールドカバー（金属シェルを有することができる）との間に特定の空間が配置されるか、絶縁材料の層が充填されることも包含する。信号給電要素がスルーホールから出るときにシールドカバーに接触することを防ぐため、カソード板のシールドカバーが、カソード板の給電ポートに対応するスルーホールを有する。
【００１１】
技術的解決策による支持フレームが、上部固定板、下部固定板および側部フレームを包含する。アノード板が、接地、ガイドスロットおよび基板組立／分解要素を包含し、カソード板がガイドスロットから絶縁される。
【００１２】
本発明による技術的解決策は、正規の２７．１２MHz〜２００MHz  ＶＨＦで駆動される堆積ホルダの信号給電モードのための方法であって、シールドカバーを持つ電極板要素を支持フレームに配置し、電気を放電するためのホルダアレイを形成する工程であって、給電ポートと表面接触して接続する一つの端部を持つストリップおよび階段形状の信号給電ストリップを、信号給電要素が包含する、工程と；シールドカバーを持つ電極板要素のカソード板の裏側の中心における凹状の矩形領域の表面上に位置する矩形給電ポートに対し、ＲＦ／ＶＨＦ電源信号を給電する工程と；支持フレーム内部で放電し、特定の放電空間を持つ電極板要素アレイを形成する工程とを包含する、方法を包含する。ホルダアレイが電極板要素アレイを包含する。信号給電要素が、絶縁シールドカバーを持つ胴部と、凹状の矩形領域の矩形表面上に位置する給電ポートに対応する、矩形形状の給電表面を持つヘッド部とを有する。
【００１３】
信号給電方法は、信号給電要素がスルーホールから出るときにシールドカバーに接触することを防ぐため、カソード板のシールドカバーが、カソード板の給電ポートに対応するスルーホールを有することも包含する。
【００１４】
本発明の開示される実施態様の効果は、側部給電モードを持つスロット型カソード板と異なり、より大きい放電面積、より高い均一性およびより安定した放電、より小さいアクセスキャパシタンス、ホルダ間のより少ないＲＦ干渉ならびにより弱い定在波および表皮効果を包含する。生産性を増大させ、バッテリーコストを低減するため、本発明は、２７．１２MHz〜２００MHzの範囲の任意の正規のＶＨＦによる大面積の均一な放電に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明によるホルダの断面透視図である。
【図２】支持フレームの構造図である。
【図３】信号給電要素２０１（給電要素または給電ストリップを指す）の構造図である。
【図４】カソード板２０３の構造図である。
【図５】カソードシールドカバー２０４の構造図である。
【図６】本発明の第一の実施態様の構造図である。
【図７】本発明の第二の実施態様の構造図である。
【図８】本発明の第三の実施態様の構造図である。
【００１６】
図１〜７では、ホルダ０２が電極板要素、信号給電要素および支持フレームを包含する。電極板要素は、アノード板２０８、カソード板２０３およびカソード板２０３とカソードシールドカバー２０４との間に配設される絶縁層２０７を包含する。信号給電要素は、胴部および矩形形状の信号給電表面２０１−１を持つヘッド部を包含する。胴部は、セラミック絶縁カバー２０２で覆われた平坦なストリップである。矩形給電表面２０１−１は、カソード電極板の裏側の中心における凹状の矩形領域に位置する給電ポート２０３−１と表面接触し、ＲＦ／ＶＨＦ電源信号を給電する。
【００１７】
支持フレームは、上部固定板２１４、下部固定板２２１および側部フレーム２１６からなり、接地された金属ガイドスロット２０９が上部固定板２１４および下部固定板２２１の両方に配置される。ホルダ０２は、真空チャンバ０１内で放電し、Ｐ−Ｉ−Ｎ膜を基板２０６上に堆積する。真空チャンバ０１は、ガスシステムアクセスポート１０１、電源システムアクセスポート１０２および真空システムアクセスポート１０５を含有する。
【００１８】
本発明によれば、表面給電ホルダの設計は、先に述べた本発明の目的を達成し、結晶シリコン系薄膜のための既存の多点給電ＶＨＦ−ＰＥＶＣＤ堆積手法の多くの解決困難な問題、例えば、反応チャンバの複雑な電極構造、容易な電極変形、小さい接触面積、個々の給電点間に要求される対称経路および完全なシールド等を克服する。本発明による表面給電ホルダ設計では、これらの問題が存在せず、チャンバ内部で電気を放電するための大面積の均一な電界を得ることができる。さらに、実用可能な工業生産プロセスを達成し、シリコン系薄膜太陽電池の大量生産の要望を満たすため、有効なＶＨＦ表面給電モデルによって、複数のガラス板を加工または堆積することができるＣＶＤホルダシステムが使用される。
【００１９】
本発明の寄与は、ＶＨＦ電源駆動高速堆積膜の均一性および整合性について、根本的な解決策を提供することも包含する。ホルダ０２が電極板要素、信号給電要素および支持フレームを包含する。支持フレームは、上部固定板２１４、下部固定板２２１、側部フレーム２１６を包含し、接地された金属ガイドスロット２０９が上部固定板２１４および下部固定板２２１の両方に配置される。
【００２０】
電極板要素がアノード板２０８およびカソード板２０３を包含し、絶縁層またはストリップ２０７がカソード板２０３とカソードシールドカバー２０４との間に配設される。カソードシールドカバー２０４およびアノード板２０８が接地接続される。ＲＦ／ＶＨＦ電源信号の給電ポート２０３−１は、カソード電極板２０３の裏側の中心および凹状の矩形領域の内側に位置する。信号給電要素２０１は、セラミック絶縁層２０２を持つ胴部セクションおよび矩形給電表面２０１−１を持つヘッド部セクションを包含する。胴部セクションは、容易な設置およびより少ない信号給電損失のために平坦である。ヘッド部セクションの矩形給電表面２０１−１は、カソード電極板の裏側の中心における凹状の矩形領域の矩形表面上に位置する給電ポート２０３−１と表面接触して接続する。信号給電要素２０１の他の端部２０１−３は、ＲＦ／ＶＨＦ電源および電源適合装置（図示せず）のマイナスポートに接続する。信号給電要素２０１は、階段またはステップ形状であり、一つの矩形端部は、接地装置を持つホルダ内で電極板要素の給電ポートと表面接触して接続し、その両方が絶縁およびシールド保護装置（図示せず）を有する。
【００２１】
発明の詳細な説明
第一の実施態様
【００２２】
電極板が垂直に配置され、カソードの給電ポートが、矩形形状であり、シールドカバーを持つ電極板要素のカソード電極板の裏側の中心における凹状の矩形領域の矩形表面上に位置する。信号給電要素は、平坦な胴部および矩形形状の信号給電表面を持つヘッド部を包含する。
【００２３】
以下に、本発明の本実施態様を添付図１〜６と共に詳細に例示する。
【００２４】
本発明によれば、薄膜太陽電池の堆積ホルダは、動作周波数が約２７．１２〜１００MHzであるＶＨＦ電源を使用する。真空チャンバ０１を使用して真空状態が達成され、ガスシステムアクセスポート１０１が真空チャンバ０１の上部に構成される。真空チャンバ０１は、電源システムアクセスポート１０２、真空システムアクセスポート１０５も包含し、可動真空ドア１０３が真空チャンバ１０１の前面に設置される。大量生産に好適な薄膜太陽電池板またはいわゆるチップを形成するため、ホルダ０２が真空環境で（電気を）放電してチャンバ内部に大面積の均一な電界を形成し、チャンバ内の基板２０６にヘテロ接合Ｐ−Ｉ−Ｎ積層膜が堆積する。
【００２５】
ホルダ０２上の固定ガスパイプの入口は、真空チャンバ０１の内部でガスシステムポート１０１のノズルと結合する。電源コードの一つ端部がホルダ０２の電源コネクタに接続され、電源コードの他の端部がＶＨＦ電源システムのアクセスポート１０２に接続される。絶縁層またはストリップ２０７は、カソード板２０３とカソードシールドカバー２０４との間に配設され、信号給電要素２０１のヘッド部の矩形給電表面２０１−１は、カソード板２０３の裏側の給電ポート２０３−１と表面接触し、ＲＦ／ＶＨＦ電源信号を給電する。給電ストリップの他の端部におけるスルーホール２０１−３が電源コネクタ２０５に接続される。給電要素２０１がカソードシールドカバー２０４に接触することを防ぐため、信号給電要素２０１の胴部がセラミック絶縁層２０２で覆われる。
【００２６】
信号給電要素２０１がカソードシールドカバー２０４に接触せずにカソード板２０３から出られるように、カソードシールドカバー２０４は、カソード板２０３の給電ポート２０３−１の位置に対応するスルーホール２０４−１を有する。給電ストリップ２０１は、所望の導電性を持つ金属銅で作成することができ、カソードシールドカバー２０４およびアノード板２０８の両方が接地される。プレコーティングされた基板２０６がホルダ０２のチャンバ内に配設され、ホルダ０２が真空チャンバ０１内に配設される。
【００２７】
次いで真空チャンバ０１の可動ドア１０３が閉じられ、真空システムによって所望の真空状態に到達することができる。さらに、アルゴンガスがチャンバに充填される。チャンバ内の圧力が約６０Paに到達すると、ＶＨＦ電源が入り、チャンバを清掃するために電気が放電され、その後、電源が切れる。さらに、５．０×１０−４Paの高度真空に到達すると、チャンバを清掃するためにアルゴンガスが充填される。最後に、プロセスガスが約５slpmでチャンバに供給され、堆積プロセスを開始して気相堆積膜を完成させる。
【００２８】
第二の実施態様
【００２９】
カソードの給電ポートが矩形形状であり、シールドカバーを持つ電極板要素のカソード電極板の裏側の中心における凹状の矩形領域の矩形表面上に位置する。信号給電要素は、平坦な胴部および矩形形状の信号給電表面を持つヘッド部を包含する。
【００３０】
図７のホルダは、第一の実施態様のものと同様である。本実施態様では、垂直堆積チャンバを使用する。１２個のアノード板２０８および１２個のカソード板２０３が１２セットの電極を形成し、合計２４個の基板２０６に同時に薄膜を堆積することができる。詳細な手順を次に記載する。
【００３１】
ａ）  厚さ約６００nmの透明導電性膜でそれぞれコーティングされた２４個のガラス基板２０６（１６４０mm×７０７mm×３mm）を、膜側が外側に、ガラス側が電極に向くように、ホルダ０２上の対応する２４個の基板位置に配設する。
【００３２】
ｂ）  可動ドア１０３を開き、ホルダ０２を真空チャンバ０１内に配設し、真空チャンバ０１の可動ドア１０３を閉じる。
【００３３】
ｃ）  真空チャンバ内部を約５．０×１０−４Paの真空状態に到達させ、アルゴンガスを充填する。チャンバ内部の圧力が約６０Paに到達したときに、４０．６８MHz  ＶＨＦ電源を入れ、４００Ｗで放電してチャンバを２分間清掃し、電源を切る。
【００３４】
ｄ）  約５．０×１０−４Paの高度真空状態に到達させ、チャンバをアルゴンガスで２回清掃する。
【００３５】
ｅ）  ガス混合物（シランおよび水素）を５slpmでチャンバ内に投入し、チャンバ内部の圧力が約６０Paに到達したときに、４０．６８MHz  ＶＨＦ電源を入れる。そのうえで、４００Ｗで放電して微結晶真性シリコン層を４０分間堆積する。
【００３６】
ｆ）  電源を切り、高度真空状態に到達させる。
【００３７】
ｇ）  チャンバに窒素ガスを大気圧まで充填し、真空チャンバの可動ドア１０３を開き、ホルダ０２を取り出し、ＴＣＯガラスを室温で冷却する。
【００３８】
第三の実施態様
【００３９】
カソードの給電ポートが、矩形形状であり、シールドカバーを持つ電極板要素のカソード電極板の裏側の中心における凹状の矩形領域の矩形表面上に位置する。信号給電要素は、平坦な胴部および矩形形状の信号給電表面を持つヘッド部を包含する。
【００４０】
図８のホルダは、第一の実施態様のものと同様である。本実施態様では、水平堆積チャンバを使用する。アノード板２０８およびカソード板２０３が１セットの電極を形成し、合計二つの基板２０６に同時に薄膜を堆積することができる。
【００４１】
ａ）  厚さ約６００nmの透明導電性膜でそれぞれコーティングされた二つのガラス基板２０６（１６４０mm×７０７mm×３mm）を、膜側が外側に、ガラス側が電極板に向くように、ホルダ０２上の対応する二つの基板位置に配設する。
【００４２】
ｂ）  真空チャンバの可動ドア１０３を開き、ホルダ０２を真空チャンバ０１内に配設し、真空チャンバ０１の可動ドア１０３を閉じる。
【００４３】
ｃ）  真空チャンバ内部を約５．０×１０−４Paの真空状態に到達させ、アルゴンガスを充填する。チャンバ内部の圧力が約６０Paに到達したときに、４０．６８MHz  ＶＨＦ電源を入れ、４００Ｗで放電してチャンバを２分間清掃し、電源を切る。
【００４４】
ｄ）  約５．０×１０−４Paの高度真空状態に到達させ、チャンバをアルゴンガスで２回清掃する。
【００４５】
ｅ）  ガス混合物（シランおよび水素）を５slpmでチャンバ内に投入し、チャンバ内部の圧力が約６０Paに到達したときに、４０．６８MHz  ＶＨＦ電源を入れる。さらに、４００Ｗで放電して微結晶真性シリコン層を４０分間堆積する。
【００４６】
ｆ）  電源を切り、高度真空状態に到達させる。
【００４７】
ｇ）  チャンバに窒素ガスを大気圧まで充填し、真空チャンバの可動ドアを開き、ホルダ０２を取り出し、ＴＣＯガラスを室温で冷却する。
【００４８】
先の詳細な説明は、本発明の実施態様を添付図によって例示している。しかし、本発明は、実施態様、特に、給電要素およびカソード板の形状に関して限定されない。当業者は、本発明の原理および目的を逸することなく、様々な変更を行うことができる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【国際調査報告】
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