(57)【要約】【解決手段】本願は複数の荷電粒子ビームレットを用いる対象表面にパタンを転送する荷電粒子マルチビームレットリソグラフィシステムに関する。システムはビーム生成器、ビームブランカアレイ、保護構造及び投影システムを含む。ビーム生成器は荷電粒子ビームレットを生成すべく配置される。ビームレットブランカアレイはパタンに従ってビームレットをパタニングすべく配置される。ビームレットブランカアレイは調整器及び感光素子を含み感光素子は光線を運ぶパタンデータを受信し光線を電気信号に変換する。感光素子は受信パタンデータを調整器に提供するために調整器に電気的に接続される。保護構造は調整器によって生成される電場から感光素子の近くで生成される電場を保護する導電材の保護構造であって保護構造はある電位でセットされるように配置される。投影システムは対象表面にパタニングされたビームレットを投影するために配置される。【選択図】図３Ｂ
2013508992.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の荷電粒子ビームレットを用いるターゲットの表面にパターンを転送する荷電粒子マルチ・ビームレット・リソグラフィ・システム（charged-particle multi-beamlet lithography system）であって、
前記システムは、
複数の荷電粒子ビームレット（charged particle beamlets）を生成するビーム生成器（beam generator）と、
パターンに従って前記複数のビームレットをパターニングするビームレット・ブランカー・アレイ（beamlet blanker array）であって、前記ビームレット・ブランカー・アレイは、複数の調整器、及び複数の感光素子（light sensitive elements）を備え、感光素子は、光線（light beam）を運ぶパターン・データを受信し、前記光線を電気信号に変換し、前記感光素子は、前記受信したパターン・データを一つ又はそれ以上の調整器に提供するために、前記一つ又はそれ以上の調整器電気的に接続される、前記ビームレット・ブランカー・アレイと、
前記調整器によって生成される電場から、前記感光素子の近くで生成される電場（electric field）を実質的に保護（shielding）する導電性材料（electrically conductive material）の保護構造（shielding structure）であって、前記保護構造は、予め決められた電位（potential）でセットされるように配置され得る前記保護構造と、
前記ターゲット表面上に前記パターニングされたビームレットを投影する投影システム（projection system）と、
を備える荷電粒子マルチ・ビームレット・リソグラフィ・システム。
【請求項２】
前記ビームレット・ブランカー・アレイは、少なくとも一つの調整器を含む第１の領域と、調整器を備えない第２のアレイと、が提供される基板を備え、前記ビームレット・ブランカー・アレイへの前記保護構造の前記投影は、前記領域間の境界（boundary）を形成する
請求項１のシステム。
【請求項３】
前記第１の領域及び前記第２の領域は、近接ストリップ（adjacent strip）の形式を取り、前記保護構造は長さ及び高さを有する壁を含み、前記ビームレット・ブランカー・アレイの前記壁の高さに実質的に平行、及び前記壁の長さに実質的に垂直な方向において、前記基板表面上への投影は、前記第２の領域から前記第１の領域を分離する
請求項２のシステム。
【請求項４】
前記保護構造は、端の開いた（open-ended）箱型（box-like）構造を形成する側壁を含む
請求項１乃至３の何れか一項のシステム。
【請求項５】
前記端の開いた箱型構造の第１端は、前記ビームレット・ブランカー・アレイの前記基板表面に向かっており、前記端の開いた箱型構造の反対の第２端は、前記ビームレット・ブランカー・アレイから離れて面している
請求項４のシステム。
【請求項６】
前記端の開いた箱型構造の前記第２端は、実質的に第２端を閉じる蓋（lid）が提供される
請求項５のシステム。
【請求項７】
前記蓋（lid）は、除去可能な蓋である
請求項６のシステム。
【請求項８】
前記保護構造によって囲まれたボリューム（volume）は、前記感光素子に光線を運ぶパターン・データを誘導するために、一つまたはそれ以上の光素子（optical elements）を含む
請求項４乃至７の何れか一項のシステム。
【請求項９】
前記一つまたはそれ以上の光素子は、光ファイバーのアレイを備えている
請求項８のシステム。
【請求項１０】
前記光素子は、マイクロレンズのアレイを更に備え、前記マイクロレンズは、前記ファイバー・アレイ内の一つまたはそれ以上のファイバーに対応する
請求項９のシステム。
【請求項１１】
前記側壁の少なくとも一つは、前記保護構造によって囲まれた前記ボリューム内に光線を運ぶ前記パターン・データを導入するために配置される
請求項４乃至１０の何れか一項のシステム。
【請求項１２】
前記保護構造の前記側壁の少なくとも一つは、前記保護構造によって囲まれる前記ボリューム内の光ファイバーのエントリ（entry）を適応する（accommodating）ための開口を含む
請求項１１のシステム。
【請求項１３】
前記保護構造の前記側壁の少なくとも一つは、光線を運ぶ前記パターン・データの光を通す部分を含む
請求項１１のシステム。
【請求項１４】
前記保護構造の前記高さと、感光素子及び前記ビームレット・ブランカー・アレイ上への前記保護構造の前記近い側壁の前記垂直の投影間の距離と、の間の比（ratio）は、約１よりも大きく、好ましくは約２．５よりも大きい
請求項４乃至１３の何れか一項のシステム。
【請求項１５】
前記感光素子は、反射防止被覆（anti-reflection coating）が提供される
請求項１乃至１４の何れか一項のシステム。
【請求項１６】
前記予め決められた電位は、接地電位である
請求項１乃至１５の何れか一項のシステム。
【請求項１７】
調整器は、第１の電極、第２の電極及びアパーチャーを備え、前記第１及び第２の電極は、前記アパーチャーに渡って電場を生成するために、前記アパーチャーに対向する側面に配置される
請求項１乃至１６の何れか一項のシステム。
【請求項１８】
荷電粒子マルチ・ビームレット・リソグラフィ・システム（charged-particle multi-beamlet lithography system）で用いられる調整装置（modulation device）であって、
前記調整装置は、
パターンに従って複数のビームレットをパターニングするビームレット・ブランカー・アレイ（beamlet blanker array）であって、前記感光素子は、前記受信したパターン・データを一つ又はそれ以上の調整器に提供するために、前記一つ又はそれ以上の調整器電気的に接続される、前記ビームレット・ブランカー・アレイと、
前記調整器によって生成される電場から、前記感光素子の近くで生成される電場（electric field）を実質的に保護（shielding）する導電性材料（electrically conductive material）の保護構造（shielding structure）であって、前記保護構造は、予め決められた電位（potential）でセットされるように配置され得る前記保護構造と、
を有する調整装置。
【請求項１９】
前記複数の調整器の調整器は、第１の電極、第２の電極及びアパーチャーを備え、前記第１及び第２の電極は、前記アパーチャーに渡って電場を生成するために、前記アパーチャーに対向する側面に配置される
請求項１８の装置。
【請求項２０】
前記ビームレット・ブランカー・アレイは、少なくとも一つの調整器を含む第１の領域と、調整器を備えない第２のアレイと、が提供される基板を備え、前記ビームレット・ブランカー・アレイへの前記保護構造の前記投影は、前記領域間の境界（boundary）を形成する
請求項１８または１９の装置。
【請求項２１】
前記第１の領域及び前記第２の領域は、近接ストリップ（adjacent strip）の形式を取り、前記保護構造は長さ及び高さを有する壁を含み、前記ビームレット・ブランカー・アレイの前記壁の高さに実質的に平行、及び前記壁の長さに実質的に垂直な方向において、前記基板表面上への投影は、前記第２の領域から前記第１の領域を分離する
請求項２０の装置。
【請求項２２】
前記保護構造は、端の開いた（open-ended）箱型（box-like）構造を形成する側壁を含む
請求項１８乃至２１の何れか一項の装置。
【請求項２３】
前記端の開いた箱型構造の第１端は、前記ビームレット・ブランカー・アレイの前記基板表面に向かっており、前記端の開いた箱型構造の反対の第２端は、前記ビームレット・ブランカー・アレイから離れて面している
請求項２２の装置。
【請求項２４】
前記第２のアレイは、前記第２端を実質的に閉じる蓋（lid）が提供される
請求項２３の装置。
【請求項２５】
前記蓋（lid）は、除去可能な蓋である
請求項２４の装置。
【請求項２６】
前記保護構造によって囲まれたボリューム（volume）は、前記感光素子に光線を運ぶパターン・データを誘導するために、一つまたはそれ以上の光素子（optical elements）を含む
請求項２２乃至２５の何れか一項の装置。
【請求項２７】
前記一つまたはそれ以上の光素子は、光ファイバーのアレイを備えている
請求項２６の装置。
【請求項２８】
前記光素子は、マイクロレンズのアレイを更に備え、前記マイクロレンズは、前記ファイバー・アレイ内の一つまたはそれ以上のファイバーに対応する
請求項２７の装置。
【請求項２９】
前記側壁の少なくとも一つは、前記保護構造によって囲まれた前記ボリューム内に光線を運ぶ前記パターン・データを導入するために配置される
請求項２２乃至２８の何れか一項の装置。
【請求項３０】
前記保護構造の前記側壁の少なくとも一つは、前記保護構造によって囲まれる前記ボリューム内の光ファイバーのエントリ（entry）を適応する（accommodating）ための開口を含む
請求項２９の装置。
【請求項３１】
前記保護構造の前記側壁の少なくとも一つは、光線を運ぶ前記パターン・データの光を通す部分を含む
請求項２９の装置。
【請求項３２】
前記保護構造の前記高さと、感光素子及び前記ビームレット・ブランカー・アレイ上への前記保護構造の前記近い側壁の前記垂直の投影間の距離と、の間の比（ratio）は、約１よりも大きく、好ましくは約２．５よりも大きい
請求項２２乃至３１の何れか一項の装置。
【請求項３３】
前記感光素子は、反射防止被覆（anti-reflection coating）が提供される
請求項１８乃至３１の何れか一項の装置。
【請求項３４】
前記予め決められた電位は、接地電位である
請求項１８乃至３１の何れか一項の装置。
【請求項３５】
ターゲットの表面にパターンを転送する荷電粒子マルチ・ビームレット・リソグラフィ・システム（charged-particle multi-beamlet lithography system）の荷電粒子ビームレットを調整する（modulating）方法であって、
前記方法は、
複数の調整器、及び複数の感光素子（light sensitive elements）を備えるビームレット・ブランカー・アレイ（beamlet blanker array）を提供することであって、前記ビームレット・ブランカー・アレイを提供することは、前記感光素子は、光線（light beam）を運ぶパターン・データを受信するように配置され、前記受信パターン・データを提供するように一つまたはそれ以上の調整器に電気的に接続され、前記調整器は、第１の電極、第２の電極及びアパーチャー（aperture）を備え、前記アパーチャーに渡って電場（electric field）を生成するために、前記第１及び第２の電極は、前記アパーチャーの対向する側面に設けられる、前記ビームレット・ブランカー・アレイを提供することと、
前記受信したパターン・データに従って、通るビームレットを調整することと、
を備え、
前記ビームレット調整は、前記感光素子の近くで生成される実質的に負担の無い電場を用いて実行される
荷電粒子ビームレットを調整する方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、概して荷電粒子マルチ・ビームレット・リソグラフィ・システム（charged-particle multi-beamlet lithography system）で用いられる調整装置に関する。さらに本開示は、概して荷電粒子マルチ・ビームレット・リソグラフィ・システムに関する。最終的に、本発明は、ターゲット表面にパターンを転送する荷電粒子マルチ・ビームレット・リソグラフィ・システムの荷電粒子ビームレットを調整する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
荷電粒子マルチ・ビームレット・システムは、例えば同じ出願人の米国特許６９５８８０４号に示すように従来から知られている。そのようなリソグラフィ・システムは、ターゲット表面にパターンを転送するために複数の荷電粒子ビームレットを使用する。そのシステムは、連続的な照射ソース（continuous radiation source）、または一定の周波数で動作するソースで動作し得る。パターン・データは、静電偏向器によってビームレットを調整するように配置された調整装置に送信される。調整されたビームレットは、ターゲット表面に転送される。一般的に、この転送の間、個々のビームレットの直径は、抑制される。さらに、ターゲット表面に関連するビームレットの位置は、時間をかけて変化する。それは例えば、ビームレットの静電スキャニング、および／またはそれぞれに対応してビームレットが転送される鏡筒（optical column）に関連するターゲット表面の移動に起因する。例えば、そのような相対的な移動は、ターゲットを保持するサポート構造が提供されるステージを用いた機械的な移動によって規定され得る。ターゲット表面にパターンンお転送を高速で実行する代わりに、制御ユニットから調整器へのパターン・データの光学転送が、例えば光線（light beam）を用いて用いられる。調整装置は、受信した光信号を対応する電気信号に変換することができる感光素子（light sensitive elements）を含み得る。
【０００３】
上述したようなシステムでパターニングすることは、ビームレットの乱れた調整に起因した不安定なパターン転送に悩まされ得る。実験は、そのような乱れの程度はほとんど予測できないということが示される。結果として、そのようなシステムを用いるターゲット表面へのパターン転写は、望まれるよりも便りにならない。
【発明の概要】
【０００４】
それ故に、荷電粒子マルチ・ビームレット・リソグラフィ・システムを用いるターゲット表面上へのパターン転送の信頼性を改善することが本発明の目的である。複数の荷電粒子ビームレットを用いるターゲットの表面にパターンを転送する荷電粒子マルチ・ビームレット・リソグラフィ・システム（charged-particle multi-beamlet lithography system）であって、前記システムは、複数の荷電粒子ビームレット（charged particle beamlets）を生成するビーム生成器（beam generator）と、パターンに従って前記複数のビームレットをパターニングするビームレット・ブランカー・アレイ（beamlet blanker array）であって、前記ビームレット・ブランカー・アレイは、複数の調整器、及び複数の感光素子（light sensitive elements）を備え、感光素子は、光線（light beam）を運ぶパターン・データを受信し、前記光線を電気信号に変換し、前記感光素子は、前記受信したパターン・データを一つ又はそれ以上の調整器に提供するために、前記一つ又はそれ以上の調整器電気的に接続される、前記ビームレット・ブランカー・アレイと、前記調整器によって生成される電場から、前記感光素子の近くで生成される電場（electric field）を実質的に保護（shielding）する導電性材料（electrically conductive material）の保護構造（shielding structure）であって、前記保護構造は、予め決められた電位（potential）でセットされるように配置され得る前記保護構造と、前記ターゲット表面上に前記パターニングされたビームレットを投影する投影システム（projection system）と、を備える荷電粒子マルチ・ビームレット・リソグラフィ・システムが提供されることで、目的が達成される。
【０００５】
本発明は、感光素子の近くの荷電粒子ソースから発生する電場及び／または地場を保護することは、潜在的な歪みを抑制し、荷電粒子リソグラフィの改善された性能を導く、という見識に基づいている。
【０００６】
本発明は更に、荷電粒子マルチ・ビームレット・リソグラフィ・システム（charged-particle multi-beamlet lithography system）で用いられる調整装置（modulation device）であって、前記調整装置は、パターンに従って複数のビームレットをパターニングするビームレット・ブランカー・アレイ（beamlet blanker array）であって、前記感光素子は、前記受信したパターン・データを一つ又はそれ以上の調整器に提供するために、前記一つ又はそれ以上の調整器電気的に接続される、前記ビームレット・ブランカー・アレイと、前記調整器によって生成される電場から、前記感光素子の近くで生成される電場（electric field）を実質的に保護（shielding）する導電性材料（electrically conductive material）の保護構造（shielding structure）であって、前記保護構造は、予め決められた電位（potential）でセットされるように配置され得る前記保護構造と、を有する調整装置に関する。
【０００７】
本発明は更に、ターゲットの表面にパターンを転送する荷電粒子マルチ・ビームレット・リソグラフィ・システム（charged-particle multi-beamlet lithography system）の荷電粒子ビームレットを調整する（modulating）方法であって、前記方法は、複数の調整器、及び複数の感光素子（light sensitive elements）を備えるビームレット・ブランカー・アレイ（beamlet blanker array）を提供することであって、前記ビームレット・ブランカー・アレイを提供することは、前記感光素子は、光線（light beam）を運ぶパターン・データを受信するように配置され、前記受信パターン・データを提供するように一つまたはそれ以上の調整器に電気的に接続され、前記調整器は、第１の電極、第２の電極及びアパーチャー（aperture）を備え、前記アパーチャーに渡って電場（electric field）を生成するために、前記第１及び第２の電極は、前記アパーチャーの対向する側面に設けられる、前記ビームレット・ブランカー・アレイを提供することと、前記受信したパターン・データに従って、通るビームレットを調整することと、を備え、前記ビームレット調整は、前記感光素子の近くで生成される実質的に負担の無い電場を用いて実行される荷電粒子ビームレットを調整する方法に関する。
【０００８】
本発明の種々の態様は、以下の図で示される実施形態に関連して更に説明される。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】図１は、本発明の実施形態で用いられ得るマスクレス・リソグラフィ・システム（maskless lithography system）を概略的に示す。
【図２】図２は、図１のリソグラフィ・システムのビームレット・ブランカー・アレイ（beamlet blkanker array）の実施形態の動作を概略的に示している。
【図３Ａ】図３Ａは、図１のリソグラフィ・システムで用いられ得るビームレット・ブランカー・アレイ（beamlet blkanker array）の一部の断面図を概略的に示している。
【図３Ｂ】図３Ｂは、本発明の実施形態に従った保護構造（shielding structure）に供給されるビームレット・ブランカー・アレイ（beamlet blkanker array）の一部の断面図を概略的に示している。
【図３Ｃ】図３Ｃは、図３Ｂのビームレット・ブランカー・アレイ（beamlet blkanker array）の一部の断面図を概略的に示している。
【図４】図４は、本発明の実施形態で用いられ得るビームレット・ブランカー・アレイ（beamlet blkanker array）のレイアウトの平面図を概略的に示している。
【図５】図５は、本発明の実施形態に従った保護構造（shielding structure）に供給される図３のビームレット・ブランカー・アレイ（beamlet blkanker array）を概略的に示している。
【図６Ａ】図６Ａは、図５のビームレット・ブランカー・アレイ（beamlet blkanker array）の頂点上の光学ファイバー配置（optical fiber arrangement）を概略的に示している。
【図６Ｂ】図６Ｂは、図６Ａの線ＶＩＢ−ＶＩＢ‘に沿った図６Ａに示される配置の断面図を概略的に示している。
【図６Ｃ】図６Ｃは、図６Ａ、６Ｂの光学ファイバー配置（optical fiber arrangement）のアライメントの更なる詳細な視点を概略的に示している。
【図７】図７は、本発明の実施形態に従ったビームレット・ブランカー・アレイ（beamlet blkanker array）のトポグラフィック配置（topographic arrangement）の平面図を概略的に示している。
【図８】図８は、本発明の他の実施形態に従ったビームレット・ブランカー・アレイ（beamlet blkanker array）のトポグラフィック配置（topographic arrangement）の平面図を概略的に示している。
【図９】図９は、本発明の更に他の実施形態に従ったビームレット・ブランカー・アレイ（beamlet blkanker array）のトポグラフィック配置（topographic arrangement）の平面図を概略的に示している。
【図１０】図１０は、保護構造（shielding structure）の実施形態を含むビームレット・ブランカー・アレイ（beamlet blkanker array）の断面図を概略的に示している。
【図１１】図１１は、保護構造（shielding structure）の実施形態を含むビームレット・ブランカー・アレイ（beamlet blkanker array）の断面図を概略的に示している。
【図１２】図１２は、保護構造（shielding structure）に提供されるビームレット・ブランカー・アレイ（beamlet blkanker array）の更に他の実施形態を概略的に示している。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下は、本発明の種々の実施形態の記載であり、ほんの一例として、そして図に関連して与えられる。単に例示の目的の意図であり、スケールを図示していない。
【００１１】
図１は、荷電粒子マルチ・ビームレット・リソグラフィ・システム（charged particle multi-beamlet lithography system）１の実施形態の簡易化された概略的な図を示す。そのようなリソグラフィ・システムは、例えば、本出願の出願人に譲渡され、これにより本明細書の参照によって明示的に組み込まれた米国特許番号６，８９７，４５８と、６，９５８，８０４と、７，０８４，４１４と、７，１２９，５０２に記載されている。
【００１２】
そのようなリソグラフィ・システム１は、複数のビームレット（beamlets）を生成するビームレット生成器（beamlet generator）、調整されたビームレットを形成するために、ビームレットをパターニングするビームレット調整器（beamlet modulator）、及びターゲットの表面上に調整されたビームレットを投影するビームレット投影器（beamlet projector）を適切に備える。
【００１３】
ビームレット・ジェネレータは典型的に、ソース及び少なくとも一つのビーム・スプリッタ（beam splitter）を備える。図１のソースは、拡張電子ビーム（expanding electron beam）４と実質的に同等のものを生成するために、調整された電子ソース３である。電子ビーム４のビーム・エネルギーは、約１〜１０ｋｅＶの範囲の比較的低いものは、好ましく保たれる。これを達成するために、加速電圧（acceleration voltage）は、望ましくは低く、電子ソース３は、例え他の設定が用いられ得るとしても、接地電位におけるターゲットについて、おおよそ−１〜−１０ｋＶの間の電圧に維持され得る。
【００１４】
図１において、電子ソース３からの電子ビーム４は、電子ビーム４を平行にするコリメータ・レンズ（collimator lens）５を通る。コリメータ・レンズ５は、任意に種類の平行光学システム（collimating optical system）である。コリメーション（collimation）の前に、電子ビーム４は、ダブル・オクトポール（double octopole）（不図示）を通り得る。続いて、電子ビーム４は、図１の実施形態において、アパーチャ・アレイ（aperture array）６であるビーム・スプリットに衝突する。アパーチャ・アレイ６は、好ましくは、スルーホールを有するプレートを有している。アパーチャ・アレイ６は、ビーム４のブロック部に配置される。更に、アレイ６は、複数のビームレット７を複数の平行電子ビームレット（parallel electron beamlets）７を生成するように通す。
【００１５】
図１のリソグラフィ・システム１は、多くのビームレット７、好ましくはおおよそ１００００〜１００００００本のビームレットを生成する。とはいえ、多かれ少なかれビームレットが生成されるということは確かである。他の知られている方法もまた、平行にされたビームレットを生成するために用いられ得るということに留意する。第２のアパーチャ・アレイは、電子ビーム４からサブビーム（subbeams）を生成し、サブビームから電子ビームレット７を生成するために、システムにおいて加えられ得る。これは、特に、システムのビームレットの数が５０００またはそれ以上の場合、システム動作に有益になる更なるダウンストリームのサブビームのマニピュレーション（manipulation）を考慮する。
【００１６】
図１の調整システム８のようなビームレット調整器は、典型的に複数のブランカーの調整を含むビームレット・ブランカー・アレイ（beamlet blanker array）９と、ビームレット・ストップ・アレイ（beamlet stop array）１０とを備える。ブランカーは、一つまたはそれ以上の電子ビームレット７を偏向することができる。本発明の実施形態において、ブランカーは、より明確には、第１の電極、第２の電極、及びアパーチャーに提供される電気的な偏向器（electrostatic deflector）である。電極は、アパーチャーに渡って電解を生成するアパーチャーの逆サイドに位置する。概して、第２の電極は、接地電位に接続された電極である、接地電極である。
【００１７】
ブランカー・アレイ９の平面内で電極ビームレット７にフォーカスするために、リソグラフィ・システムは、更に、コンデンサ・レンズ・アレイを含み得る（不図示）。
【００１８】
図１の実施形態において、ビームレット・ストップ・アレイ１０は、ビームレットを通すことを許可するためのアパーチャーのアレイを含む。その基本的な構成において、ビームレット・ストップ・アレイ１０は、典型的に丸いホールだが、他の形状も用いられ得るスルーホールが供給されている基板を有する。任意の実施形態において、ビームレット・ストップ・アレイ１０の基板は、規則正しくが間隔置かれたスルーホールのアレイを含むシリコンウエハから形成され、表面チャージングを避けるため、メタルの表面層でコーティングされ得る。更に他の実施形態において、そのメタルはＣｒＭｏのようなネイティヴ・起き再度・スキン（native-oxide skin）を形成しないタイプである。
【００１９】
ビームレット・ブランカー・アレイ９及びビームレット・ストップ・アレイ１０は、ビームレット７をブロックまたはパスさせるために共に動作する。任意の実施形態において、ビームレット・ストップ・アレイ１０のアパーチャーは、ビームレット・ブランカー・アレイ９の静電偏向器のアパーチャーでアラインされる。ビームレット・ブランカー・アレイ９が、ビームレットを偏向する場合、ビームレット・ストップ・アレイ１０の対応するアパーチャーを通らない。その代わり、ビームレット・ストップ・アレイ１０の基板によってブロックされる。ビームレット・ブランカー・アレイ９が、ビームレットを偏向しない場合、ビームレット・ストップ・アレイ１０の対応するアパーチャーを通る。他の実施形態において、ビームレット・ブランカー・アレイ９及びビームレット・ストップ・アレイ１０間の連携は、非偏向は、ビームレット・ストップ・アレイ１０の基板によってブロック（blockage）という結果になるため、ブランカー・アレイ９の偏向器によるビームレットの偏向は、ビームレット・ストップ・アレイ１０の対応するアパーチャー通るビームレットのパッセージという結果になる。
【００２０】
調整システム８は、制御ユニット６０によって提供される入力の基準（basis）上のビームレット７へパターンを加えるために配置され得る。制御ユニット６０は、データ・ストレージ・ユニット６１、リード・アウト・ユニット６２、及びデータコンバータ６３を備えている。コントロール・ユニット６０は、システムのリセットから遠くに配置され得る。例えば、クリーン・ルームの内部の外。光ファイバー６４を用いることで、パターン・データを保持するモジュレートされた光線１４は、ダッシュ・ボックス及び参照番号１８によって概略的に示されるリソグラフィ・システム１の電子光学部内のファイバー・アレイ（概略的には、プレート１５として図示される）内のファイバーの端部から光を照射する投影器６５に送信され得る。
【００２１】
図１の実施形態において、モジュレートされた光線は、ビームレット・ブランカー・アレイ９に照射される。特に、光ファイバーの端部からのモジュレートされた光線１４は、ビームレット・ブランカー・アレイ９に位置する感光素子（light sensitive element）に対応する場所に照射される。感光素子（light sensitive element）は、光信号を、電気信号のような異なるタイプの信号に変換するように配置され得る。モジュレートされた光線１４は、対応する感光素子（corresponding light sensitive element）に結合される一つまたはそれ以上のブランカーを制御することについての、パターン・データの一部を運ぶ。適切に、対応する感光素子（corresponding light sensitive element）上に光線１４を照射するために、投影器６５のような光学素子（optical elements）が用いられ得る。更に、適切な入射角で光線１４の照射を許可するために、例えば、投影器６５、及びビームレット・ブランカー・アレイ９の間の適切な位置に鏡が備えられ得る。投影器６５は、制御ユニット６０の制御下の投影器ポジショニング装置（projector positioning device）１７によってプレート１５を用いて適切にアラインされ得る。結果として、感光素子（light sensitive element）内の感光素子（light sensitive elements）及び投影器６５間の距離は、同様に変化し得る。
【００２２】
いくつかの実施形態において、少なくとも部分的に、光線は、オプティカル・ウェヴガイド（optical wave guide）の手段で、プレートから感光素子に向かって転送され得る。オプティカル・ウェヴガイドは、光を、感光素子にとても近い場所に、センチメータよりも細かく適切に、望ましくはミリメータ以上のオーダーでガイドし得る。オプティカル・ウェヴガイド及び対応する感光素子間の短い距離は、光のロスを減少する。他方で、荷電粒子ビームレット（charged particle beamlets）によって占有されるスペースから離れて配置される投影器６５及びプレート１５の使用は、ビームレット障害の最小化、ビームレット・ブランカー・アレイ９の構造が簡易化されるという利点を有している。
【００２３】
ビームレット・調整器からの出力のモジュレートされたビームレットは、ターゲット２４のターゲット表面１３上のスポットとしてビームレット・投影器によって照射される。ビームレット・投影器は、典型的に、ターゲット表面１３を越えてモジュレートをスキャニングするスキャニング偏向器（scanning deflector）、及びターゲット表面１３へのモジュレートされたビームレットをフォーカスする投影レンズ・システム（projection lens system）。これらの要素は、シングル・エンド・モジュール（single end module）に存在し得る。
【００２４】
そのようなエンド・モジュールは、挿入可能（insertable）、入れ替え可能な(replaceable)ユニットとして好ましく構成される。エンド・モジュールは、偏向アレイ１１及び投影レンズ調整器１２を含み得る。挿入可能（insertable）、入れ替え可能な(replaceable)ユニットもまた、上述したビームレット・調整器に関連して明確にされたようなビームレット・ストップ・アレイ１０を含み得る。エンド・モジュールを離れた後、ビームレット７は、ターゲット・プレーンに位置するターゲット表面１３に衝突する。リソグラフィ・アプリケーションにおいて、ターゲットは、大抵荷電粒子センシティヴ（charged-particle sensitive）層またはレジスト層が提供されたウエハを含む。
【００２５】
偏向器アレイ（deflector array）１１は、ビームレット・ストップ・アレイ１０を通った各ビームレット７を偏向するために配置されたスキャニング偏向器アレイ（scanning deflector array）の形式をとり得る。偏向器アレイ（deflector array）１１は、比較的小さい駆動電圧のアプリケーションを実行可能な複数の静電偏向器を有し得る。たとえ、偏向器アレイ１１が、投影レンズ配置（projection lens arrangement）１２のアップストリームが描画されても、偏向器アレイ１１はまた、投影レンズ配置１２及びターゲット表面１３の間に位置され得る。
【００２６】
投影レンズ配置１２は、偏向器アレイ１１によって偏向される前、または後のビームレット７をフォーカスするために配置される。好ましくは、フォーカスすることは、ダイアメータのおおよそ１０〜３０ナノメータの幾何学スポット・サイズ（geometric spot size）という結果になる。そのような望ましい実施形態において、投影レンズ配置１２は、約１００〜５００倍の縮小（demagnification）を提供するように好ましく配置される。できるだけ大きくするためには、例えば３００〜５００倍の範囲が最も好ましい。この好ましい実施形態において、投影レンズ配置１２は、ターゲット表面１３の近くに有利に配置され得る。
【００２７】
いくつかの実施形態において、ビーム・プロテクタ（不図示）は、ターゲット表面１３及び投影レンズ配置１２間に配置され得る。ビーム・プロテクタは、複数の適切に配置されたアパーチャーが与えられたフォイル（foil）またはプレート（plate）であり得る。ビーム・プロテクタは、リソグラフィ・システム１の所定のセンシティヴ・エレメントに達することができる前に、リリースされたレジスト粒子（released resist particles）を和らげるように配置される。
【００２８】
偏向器アレイ１１は、正確なスキャニング動作により、ターゲット表面１３のピクセルの位置がマイクロスケールで正しいということを保証し得るので、投影レンズ配置１２は従って、ターゲット表面１３のシングル・ピクセルのスポット・サイズが正しいとうことを保証し得る。特に、偏向器アレイ１１の動作は、ピクセルが、最終的にターゲット表面１３のパターンを構成するピクセルのグリッド内にフィットするようになる。ターゲット表面１３上のピクセルのマイクロスケールのポジショニングは、ターゲット２４の下方に存在するウエハ・ポジショニング・システム（wafer positioning system）によって適切に実行されるということが理解できる。
【００２９】
一般的に、ターゲット表面１３は、基板の上面のレジスト・フィルムを含む。レジスト・フィルムの位置は、荷電粒子ビームレット、すなわち電子の適用によって化学的に変形可能である。その結果として、フィルムの照射部（irradiates portion）は、多かれ少なかれ、現像液で溶解され、ウエハ上のレジスト・パターンということになる。ウエハ上のレジスト・パターンは、すなわち、半導体製造工程で当業者に知られているエッチング及び／またはデポジション工程の実行によって、下層に連続的に転写されることができる。明らかに、照射が均一では無い場合、レジストは均一な方法で現像されず、パターンのミステイクを導く。従って、ハイ・クオリティな投影は、再生できる結果を提供するリソグラフィ・システムを得ることに関連される。照射の無偏差（no difference）は、偏向工程から生じさせるべきである。
【００３０】
図２は、図１のリソグラフィ・システムのビームレット・ブランカー・アレイ９の実施形態の動作を概略的に示している。特に、図２は、ビームレット・ブランカー・アレイ９及びビームレット・ストップ・アレイ１０を含むビームレット調整器の一部の断面図を概略的に示している。ビームレット・ブランカー・アレイ９は、複数のアパーチャーと共に提供される。参照のために、ターゲット２４が示されている。この構成は、スケールで描画されていない。
【００３１】
ビームレット・調整器の示された部分は、三つのビームレット７ａ、７ｂ、及び７ｃをモジュレートするように調整される。ビームレット７ａ、７ｂ、及び７ｃは、単一のサブビーム、または単一のソースから由来するビームから生成され得るビームレットの単一グループの部分を形成し得る。図２のビームレット調整器は、各グループについての収束（convergence）Ｐの共通点に向かってビームレットのグループを一点に集中させるために調整される。この収束Ｐの共通点は、ビームレットのグループについての光軸（optical axis）Ｏ上に好ましく配置される。
【００３２】
図２に示されるビームレット７ａ、７ｂ、及び７ｃを考慮すると、ビームレット７ａ及び７ｃは、ビームレット及び光軸Ｏ間を拡張する入射角を有している。ビームレット７ｂの方向は、実質的に光軸と平行である。ビームレット・ストップ・アレイ１０の基板によって偏向されたビームレットのブロッキングを規定するために、ビームレット偏向の方向は、ビームレット毎に異なり得る。ビームレット７ａは、左、すなわち、破線７ａ−によって示された図２の“−”方向に向かった偏向に関してはブロックされる。他方、ビームレット７ｂ及び７ｃは、対応するビームレットのブロッキングを規定するために、右、すなわち、“＋”方向に偏向される。これらのブロッキング方向は、それぞれ破線７ｂ＋及び７ｃ＋で示される。偏向方向の選択は、自由ではないということに留意する。例えば、ビームレット７ａについて、破線７ａ＋は、右に向かったビームレット７ａの偏向は、ビームレット・ストップ・アレイ１０を通過するという結果になるということを示している。しかしながら、線７ａ＋に沿ったビームレット７ａの偏向は不適切である。他方、左に向かったビームレット７ｂの偏向は、破線７ｂ−で示され、追加である。
【００３３】
図３Ａは、図１のリソグラフィ・システムで用いられ得るビームレット・ブランカー・アレイ９の一部の断面図を概略的に示している。ビームレット・ブランカー・アレイ９は、複数の調整器１０１を含んでいる。調整器は、第１の電極１０３Ａ、第２の電極１０３Ｂ、及びアパーチャー１０５を備えている。電極１０３Ａ及び１０３Ｂは、アパーチャーに渡って電場を生成するために、アパーチャー１０５の対向するサイドに配置されている。
【００３４】
感光素子１０７は、光線（不図示）を運ぶパターン・データを受信するように調整される。感光素子１０７は、電気的な接続１０９を介して一つまたはそれ以上の調整器１０１に電気的に接続される。感光素子１０７は、光線を介してパターン・データを受信し、光信号を電気信号に変換し、受信、及び変換されたパターン・データを、電気的な接続１０９を介して、一つ又はそれ以上の接続された調整器１０１に向かって転送する。一つ又はそれ以上の調整器１０１は、受信パターン・データに従った電子ビームレット７のような通過し、荷電粒子ビームレットを調整する。光線によって運ばれたデータの正確な読み出しを妨げ得る反射された光によって引き起こされるバックグランド放射を抑制するために、感光素子１０７は、反射防止コーティング１０８が提供され得る。
【００３５】
ビームレットの調整は、ビームレット・ブランカー・アレイ９内のアパーチャーに渡る電場のアプリケーションを制御することに基づく。しかしながら、図１で表された一つに示したようなリソグラフィ・システムの実現的な使用は、効果的な調整はいつも可能なわけではないということを示している。感光素子１０７は、それらの表面の散乱電子（scattered electron）の修正に起因する電場源（electric field sources）として機能し得るということがわかる。図３Ａ、及び３Ｂのコーティング１０８のような非反射コーティング（anti-reflection coating）が用いられる場合、これはそのようなケースになり得る。非反射コーティングは、概して電気的に絶縁される。それは、散乱荷電粒子（scattered charged particles）の比較的早い修正という結果になる。さらに、例えば光ファイバーのような、感光素子に光を転送するために用いられる構成は、特に、それが電導性被覆材（conductive coating）で完全に覆われていない場合、荷電粒子をよく修正し得る。
【００３６】
散乱荷電粒子のローカル修正によって生じる電場の強さは、概して、統計パラメータ（statistical parameter）及び他の管理不可能要因（uncontrollable factor）に依存する。従って、どの程度の大きさの電場が、どこに位置するかを正確に予測するということはとても難しい。実験は、散乱電子の修正から生じる電場は、荷電粒子ビームレット（charged particle beamlet）の位置の重要な影響を有するということが示される。これはビームレットの位置が不安定であるということを意味する。さらに、荷電粒子ビームレット偏向の範囲も同様に予測不能になり得る。結果として、ビームレット・ブランカー・アレイで調整を用いた調整で得られるパターン・ビームレット（patterned beamlet）は、光線を運ぶパターン・データを介してビームレット・ブランカー・アレイ９に提供されるパターンに関連するパターンを転送しない。
【００３７】
図３Ｂは、本発明の実施形態に従った保護構造（shielding structure）１１１が提供されるビームレット・ブランカー・アレイ９の一部の断面図を概略的に示している。保護構造１１１は、電気伝導構造（electrically conductive structure）であり、例えば、調整器１０５からの保護及び／または非反射の目的の感光素子１０７を覆う電気的な絶縁層の上面に、おおよそ感光素子１０７に生成される電場及び／または磁場を保護するように配置される。この明細書のリマインダにおいて、語句“電場（electric field）”の参照は、電場及び／または磁場を意味すると理解されるべきである。
【００３８】
保護構造１１１は、調整器１０１によって生成される場を含む追加の電場の干渉を減少、好ましくは除去する。電場干渉の減少及び除去は、調整器１０１による電荷粒子ビームレット７の、より正確な、強固な調整という結果になる。保護構造１１１は、予め決められた電位で保持される。好ましくは、保護構造１１１は、グランド電位に接続される。
【００３９】
図３Ｂに示されるように、保護構造は、ビームレット・ブランカー・アレイ９と接触している必要はない。保護構造１１１の目的は、感光素子１０７の近接で生成される電場を止めることである。ビームレット・ブランカー・アレイ９を含む保護構造１１１の固定された接続は、そのような目的を達成するために必要ではない。
【００４０】
図３Ｃは、図３Ｂのブランカー・アレイの一部の断面図を概略的に示している。特に、図３Ｃは、保護構造１１１の高さhと、及びビームレット・ブランカー・アレイ９上の保護構造１１１の垂直の商社及び感光素子１０７感の距離との比を図示している。好ましくは、高さｈは、少なくとも、約側面保護距離（lateral shielding distance）ｄと同様の距離である。そのような次元は、感光素子の近くで生成される電場を効果的に保護するということを許可する。特に、高さｈが、側面保護距離（lateral shielding distance）ｄの約２．５倍以上であると、調整器の動作の感光素子の近くで生成された電場の影響は、ごくわずかである。図４は、本発明の実施形態で用いられるビームレット・ブランカー・アレイ９のレイアウトの上面図を概略的に示している。
【００４１】
図４は、本発明の実施形態で用いられるビームレット・ブランカー・アレイ９のレイアウトの上面図を概略的に示している。図４に示されるビームレット・ブランカー・アレイ９は、ビーム領域１２１及び非ビーム領域１２２に分割される。ビーム領域１２１及び非ビーム領域１２２の幅が同様に示されていても、これは必須ではない。領域の次元は、用いられるレイアウトに基づいて異なる。
【００４２】
ビーム領域１２１は、ビームレットを調整するために一つまたはそれ以上の調整器を含む。非ビーム領域１２２は、一つまたはそれ以上の感光素子を含む。マスクレス・リソグラフィ・システムの鏡筒（optical column）のビーム領域１２１および非ビーム領域１２２の使用は、調整器および感光領域の度合い（density）を向上させることができるという利点がある。
【００４３】
図５は、本発明の実施形態に従った保護構造１１１が提供される図４のビームレット・ブランカー・アレイを示す。少なくともビームレット・ブランカー・アレイ表面に実質的に垂直な方向のその照射である、保護構造１１１は、非ビーム領域１２２内の感光素子およびビーム領域１２１内の調整器間に位置する。保護構造１１１は、感光素子の近くで生成される電場を実質的に保護するように配置される。
【００４４】
図５の保護構造１１１は、制限の無い箱型の構造を形成する側壁を含むように記載されることが可能である。側壁は、例えば追加の構造１１１´に接続されることで、単一のボディ（Single body）内に集積され得る。単一のボディ（Single body）は、機械強度（mechanical robustness）の向上の利益を有している。さらに、構造１１１、１１１´はさらに容易に操作され得る。保護構造１１１、１１１´を形成するための種々の要素の集積は、例えば、ウェルディング（welding）によって部分１１１´を機能的保護構造１１１を形成する分裂した壁（separate walls）に加える事によって実行され得る。代替的には保護構造は、例えば放電加工（electrical discharge machining）のような技術を用いることで、一辺から形成され得る。集積された保護構造１１１、１１１´を形成する他の方法は、サポート基板に種々の構成を接続することである。この基板は、ビームレット・ブランカー・アレイ９またはその構成要素であり、しかし、また、分割された適切な基板（separate suitable substrate）でもあり得る。
【００４５】
保護構造１１１は、ビームレット・ブランカー・アレイ９への物理的な接続を必要としていない。ビームレット・ブランカー・アレイ９の十分に近くの距離内に位置する場合、保護構造１１１は、電場を十分に保護することができる。
【００４６】
図５に示す実施形態において、保護構造１１１はさらに、部分１１１´を含む。追加の部分１１１´は、保護構造１１１への機械的なサポートを提供することができる。いくつかの実施形態において、追加の部分１１１´は、他の潜在的な妨害（potentially disturbing）する電気ケーブル（electricity cable）のような電場生成ソースから発生する電場および／または磁場を保護するように配置される。
【００４７】
保護構造１１１に適切な材料は、十分に高い導電性の材料である。さらに、その材料は、十分な強度と、被加工性（workability）を有している。保護構造の主成分として用いられる例示的な適切な材料は、チタン（Ｔｉ）である。用いられる他の例示的な材料は、モリブデン（Ｍｏ）およびアルミニウム（Ａｌ）を含んでいる。例示的な実施形態において、保護構造は、ＭｏでモーティングされたＴｉプレートを用いて形成される。他の例示的な実施形態において、保護構造は、Ａｌスペーサー（spacers）を含むＭｏシート（sheets）のスタック（stack）を含む。
【００４８】
図１を参照して記載するように、光線は、光ファイバー・アレイを用いて、感光素子に向かって方向付けられ得る。いくつかの実施形態において、光のロスを低減するために、比較的短いファイバー・アレイおよび感光素子間の距離を保つことは、有益である。
【００４９】
図６Ａは、ビームレット・ブランカー・アレイ９上に選択的に配置されている光ファイバー配置１３１の例示的な実施形態を概略的に示している。光ファイバー配置１３１は、非ビーム領域１２２内の感光素子に向かって光線を運ぶパターン・データをガイドするように配置される複数の光ファイバー１３３を含む。ファイバー１３３は、それらが、ビームレット・ブランカー・アレイ９のビーム領域内のアパーチャーを通るように配置された荷電粒子ビームレットの道（passage）を邪魔しないように、配置される。
【００５０】
図６Ａの例示的な光ファイバー配置１３１は、非ビーム領域１２２につき二つの部分を有している。第１の部分１３１ａは、一サイドから非ビーム領域１２２上にスペースを入力する多くのファイバー１３３を含む。他方で、第２の部分１３３Ｂは、反対のサイドから非ビーム領域１２２上にスペースを入力する多くのファイバー１３３を含む。ファイバー１３３の数は、各部分１３３Ａ、１３３Ｂにのいてそれぞれ等しい。種々の部分の使用は、ファイバー１３３ごとに多くのスペースを許可し、ファイバー１３３のダメージのリスクを低減する。
【００５１】
図６Ｂは、図６Ａの線ＶＩＢ−ＶＩＢ´に渡って示される配置の断面図を概略的に示している。配置１３１内のファイバー１３３は、ファイバー・アレイ１３５内で終結する。ファイバー・アレイ１３５内のファイバーの端部は、ビームレット・ブランカー・アレイ９内の非ビーム領域内の感光素子（不図示）に向かって方向づけられている。ファイバー・アレイ１３５は、ファイバー・アレイ１３５内の十分に配向していない（poorly oriented）ファイバー１３３に起因するアライメント・エラーを最小化するビームレット・ブランカー・アレイ９の表面に近接して好ましく配置される。
【００５２】
非ビーム領域を完全に封入（complete enclosure embracing）の使用は、非ビーム領域内の位置から発生する電場の効果的な保護を提供する。本実施形態の図６Ｂに示すように、壁１１１´内の一つまたはそれ以上の開口１３７は、この封入内のファイバーの導入を許可するように提供される。保護するために、これらの開口１３７の断面領域は、可能な限り小さいことが望ましい。部分の使用は、ファイバー・アレイの表面に実質的に垂直な方向の断面領域の次元を抑制する手助けをし得る。しかしながら、フリクション（friction）および／またはストレイン（strain）に起因するファイバーへのダメージを避けるために、開口１３７の断面領域は、多少大きめに選択され得る。
【００５３】
図６Ｃは、図６Ａ,６Ｂの光ファイバー配置のアライメントのより詳細な図を概略的に示している。図６Ｃに示すように、ファイバー・アレイ１３５内のファイバー１３３は、ビームレット・ブランカー・アレイ９の非ビーム領域に位置する対応する感光素子１０７で、実質的にアラインされる。
【００５４】
図６Ｃに示す実施形態において、ファイバー・アレイ１３５は、マイクロレンズ１３９のアレイを含む。マイクロレンズ１３９の使用は、光通信を改善する。マイクロレンズ１３９は、感光素子１０７上の対応するファイバー１３３を離れた光をフォーカスするために配置される。したがって、マイクロレンズ１３９は、感光素子１０７の光受信表面における光線のスポット・サイズを抑制する。マイクロレンズの使用は、ファイバー・アレイ１３５および感光素子１０７間のアライメント要求を緩和する。減少されたスポット・サイズ（spot side）の小量の偏差（deviation）は依然として感光素子で対応（handle)できる。なぜなら各ファイバー１３３をあとにする（leaving）光のほとんどもしくは全てが感光素子に依然として落ちる(fall)からである。
【００５５】
マイクロレンズ１３９の使用の代わりに、ファイバー・アレイ１３５は、光のロスを抑制した通信を実現するために、感光素子１０７の近くに配置され得る。そのような実施形態は、マイクロレンズ１３９の不在に起因して、容易であるという利点を有している。
【００５６】
図７は、本発明の実施形態にしたがった、ビームレット・ブランカー・アレイのトポログラフィック配置の上面図を概略的に示している。ビームレット・ブランカー・アレイ９は、ビーム領域１２１および非ビーム領域１２２で再び分割される。図７において、ビーム領域１２１および非ビーム領域１２２は、上述したように保護構造１１１を形成する壁によって分割される。
【００５７】
ビーム領域１２１は、複数の調整器１０１を備えている。非ビーム領域１２２は、複数の感光素子１０７を備えている。感光素子１０７の適切な例は、フォトダイオードおよびフォトトランジスタを含むが、これに限定されない。
【００５８】
非ビーム領域１２２は、さらにデマルチプレクサ（demultiplexers）１４０を備えている。この実施形態において、感光素子１０７によって受信された光信号は、一つの調整器１０１よりも情報を含むマルチプレクスされた信号（multiplexed signals）である。感光素子１０７によって受信された信号は、デマルチプレクサ（demultiplexers）１４０に転送される。デマルチプレクサ（demultiplexers）１４０は、信号をデマルチプレクスし、デマルチプレクスされた信号を、専用の電気接続１４２を介して正しい調整器１０１に向かわせる。
【００５９】
マルチプレクスされた光信号、デマルチプレクサ（demultiplexers）１４０およびデマルチプレクスされた電気信号の結果として、感光素子１０７の数は、調整器１０１の数よりも少ない。感光素子１０７の数が限定されることは、非ビーム領域１２２の次元の抑制が可能となる。複数のビーム領域１２１は、ブランカー・アレイ９のユニット領域辺りの調整器１０１の数を増加させるために、互いにより近く配置され得る。マルチプレクスを行わない実施形態に比較して、ビームレット・ブランカー・アレイ９のレイアウトは、同じ数の調整器１０１が使用される場合よりもよりコンパクトである。ブランカー・アレイ９の次元が、実質的に同じである場合、より多くの調整器を使用することができる。代替的に、非ビーム領域１２２のサイズの減少の代わりに、図７に示すようなマルチプレクスされる実施形態の使用は、より多くの受光領域を含む感光素子１０７の使用を可能にする。感光素子１０７につき、より広い受光領域を使うことにより、光信号を正しい感光素子に向けるために必要な光学(optics)の複雑性が減少することができ、また光線と感光素子１０７の配列に関する要件を軽減させることが可能になり得る。
【００６０】
図８は、本発明のほかの実施形態に従ったビームレット・ブランカー・アレイ９のトポログラフィック配置の上面図を概略的に示している。図７に示した実施形態と比較して、保護構成１１１は、非ビーム領域１２２内のデマルチプレクサ１４２および感光素子１０７の一部を包囲している。このモジューラー・アプローチは、デマルチプレクサ１４２のような機能不全（malfunctioning）チャンネル及び／または要素はより簡単に修正されることができるという利益を有する。
【００６１】
図９は、本発明のさらにほかの実施形態に従ったビームレット・ブランカー・アレイ９のトポログラフィック配置の上面図を概略的に示している。図８で示した実施形態に比べて、保護構造１１１は、非ビーム領域１２２内の感光素子１０７を単に囲むだけである。
【００６２】
留意点として、先行の実施例、特に、図６Ａ〜６Ｃに示される実施例は、光線を運ぶパターン・データを光ファイバーを経由して感光素子の近くの位置に転送することに向けれていて、同様に空間光通信、特にビームレット・ブランカー・アレイの近くの場所での使用を可能としている。空間光通信の使用は、ファイバーのアコモデーション（accommodation）のために受信される空間が必要ないという利点を有する。さらに、種々の光経路（light paths）は、鏡のような光素子を用いることによって形成され得る。空間光通信の光素子使用は、光経路の形成の柔軟性を向上させる。光ファイバーの機械的な限定は、例えば小さい空間を曲げるために限定された能力は、役に立たない。
【００６３】
図１０は、空間光通信を用いた保護構造１１１の実施形態のビームレット・ブランカー・アレイ９の断面図を概略的に示す。ダッシュ・ドット矢印で示される光線１４１は、おおよそ９０度の入射角を有する。これは重要ではないということに留意する。
【００６４】
図１０に示す保護構造１１１の詳細な実施形態は、それに拡張して側壁１６１が提供される基板１６０を含む。側壁１６１は、ビームレット・ブランカー・アレイ９内の一つまたはそれ以上のアパーチャー１０５でアラインされる基板１６０内のアパーチャー１６５に近接して配置される。図１０のビームレット７は実質的に垂直にビームレット・アレイ９をパスするが、これは重要ではないということに留意する。
【００６５】
側壁１６１は、導電材料で適切に形成される。ほかの実施形態において、側壁１６１は、アパーチャー１６５の周囲に配置される。ほかの実施形態において、側壁１６１は、一つまたはそれ以上の感光素子１０７によって定義される横の領域（lateral area）の周りに配置される。そのようなケースにおいて、側壁１６１の構造は、感光素子の横の領域の周囲に広がった側壁、およびアパーチャー１６５の周りに広がった側壁を含んで提供され得る。保護構造１１１は、ビームレット・ブランカー・アレイ９を封じられる必要はない。
【００６６】
保護構造１１１の実施形態は、図７に示すようなトポロジカル配置について、特に適切である。一方向（図７の垂直方向）における側壁の長い拡張、保護構造１１１の高さ要求は、光線を運ぶデータが、感光素子１０７へ向けられることが可能である角度に対して重要な効果を有しない。特に、デザインが、保護構造の高さが保護構造の横の拒理よりも大きいような場所で用いられる場合、保護構造を形成する壁の方向に実質的に垂直な重要な部品による方向からの光を導入することは、光が感光素子１０７に到達できる角度を制限する。
【００６７】
保護構造１１１を形成する側壁の方向の保護された領域の長い拡張は、ビームが側壁方向に対して実質的に垂直な重要な部品による方向から発生する場合にのみ、そのような限定された可能な開口（limited possible entry）の光線を引き起こすということ確かにする。側壁方向に対して実質的に平行な方向からの入射の場合、光が保護された領域で結合する角度は、重要な保護はこれらの方向で必要ではないので、広く変化し得る、
上述で説明したように、保護構造１１１は、ビームレット・ブランカー・アレイ０に物理的に接続される必要はない。しかしながら、いくつかの実施形態において、同じ構成が接続されている。例えば、図１１は、保護構造１１１が半田ボール（solder balls）１７０を用いるブランカー・アレイ９に結合される実施形態を示している。半田ボール１７０は、ＩＣ製造で通常用いられるパッシベーション層（passivation layer）（不図示）を通って拡大し得る。そのような半田接続の使用は、例えば図８および９に示すようなトポログラフィカル・配置を有する実施形態のような比較的小さい領域を囲む保護構造１１１の実施形態について特に適切である。
【００６８】
さらに、上述した実施形態において、保護構造１１１は、横の保護距離への次元と少なくとも同様である高さを有する壁状（wall-like）の構造である。しかしながら、いくつかのアプリケーションでは、アパーチャー１７５を含むプレート１７１を含む保護構造１１１を用いるために、十分でありうる。光線（不図示）を運ぶデータによって、これらの素子のイルミネーションを許可するために、ほかが、感光素子１０７を用いてアラインされ、いくつかのアパーチャーは、ビームレット・ブランカー・アレイ９内のアパーチャー１０５でアラインされる。
【００６９】
図１１に示す実施形態は、調整器１０５の静電偏向器１０３Ａ、１０３Ｂを含む異なるレベルで感光素子１０７の接続を可能にするように配置された配線構造１７３が提供されるビームレット・ブランカー・アレイ９を含んでいる。そのようなマルチ・レベル接続構造は、ビームレット・ブランカー・アレイ９内の調整器ピッチを抑制し得る。それは、よりコンパクトなデザインという結果になることができる。
【００７０】
プレート１７１は、例えば半田ボール１７０を介してビームレット・ブランカー・アレイ９に物理的に接続され、破線の輪郭が提供される構造１７１´によって、図１１で、示されるいくつかの距離で配置され得る。そのようなケースにおいて、ビームレット・ブランカー・アレイ９と、構造１７１´は、両方の構造が、互いに関連して適切にアラインされるということを確かにするために同じフレームに接続され得る。構造１７１´およびブランカー・アレイ９間の距離は、電場保護の望ましい範囲、および感光素子１０７に当てるための光線を運ぶデータについての有効な角度に基づいて適切にデザインされ得る。
【００７１】
プレート１７１、１７１´は、アパーチャーがパンチングによって形作られる金属辺（metal piece）であり得る。そのようなピースの例は、リードフレームとして半導体製造では呼ばれる。代替的には、プレート１７１、１７１´は、例えば一つまたはそれ以上の適切なエッチング技術を用いて形成されるスルーホールを有する半導体、またはセラミック基板の形式をとり得る。
【００７２】
荷電粒子ビームレット７の方向は重要ではないということに留意する。図１１に示す実施形態は、粒子ビームレット７が実質的に情報の方向でアパーチャー１０５をパスする間、用いられる。
【００７３】
図１２は、保護構造１１１を提供するビームレット・ブランカー・アレイ９のさらにほかの実施形態を示している。この実施形態のビームレット・ブランカー・アレイ９は、第１の実施形態２００および第２の実施形態２０１を備えている。偏向器１０３Ａ、１０３Ｂを含む調整器は、第１の基板２００上で定義されている。感光素子１０７は、第２の基板２０１の表面で定義されている。半田ボール２０２は、第１の基板２００から第２の基板２０１への機械的な接続、および感光素子１０７と偏向器１０３Ａ、１０３Ｂとの電気的な接続、および／または所定の中間回路（intermediate circuitry）を提供する。光線１４１は、例えばカラムの上面側のような、反対の方向から、感光素子１０７に到着する。それに対して、照射アパーチャー２０５は、第１の基板２００上に存在する。示された実施形態において、保護構造１１１は、第２の基板２０１に接続され、側壁の形式をとる。側壁は、（例えば図７のトポログラフィック配置を参照）単一の方向に拡張し、（例えば図８および９のトポログラフィック配置を参照）一つまたはそれ以上の感光素子１０７を覆う。
【００７４】
発明は、上でぎろんしたような明確な実施形態を参照して記載されている。これらの実施形態は、本発明の範囲及びスピリットから逸脱することなしに、当業者に知られた範囲で、種々の変形、および代替形式がかのうであるということが正しく認識されるべきである。したがって、特別な実施形態が記載されていても、これらは一例であり、添付した特許請求の範囲で定義された本発明の範囲を限定するものではない。
【図１】
2013508992.tif 000003
【図２】
2013508992.tif 000004
【図３Ａ】
2013508992.tif 000005
【図３Ｂ】
2013508992.tif 000006
【図３Ｃ】
2013508992.tif 000007
【図４】
2013508992.tif 000008
【図５】
2013508992.tif 000009
【図６Ａ】
2013508992.tif 000010
【図６Ｂ】
2013508992.tif 000011
【図６Ｃ】
2013508992.tif 000012
【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【手続補正書】
【提出日】平成24年8月1日(2012.8.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
荷電粒子マルチ・ビームレット・リソグラフィ・システム（charged-particle multi-beamlet lithography system）で用いられる調整装置（modulation device）であって、
前記調整装置は、
パターンに従って複数のビームレットをパターニングするビームレット・ブランカー・アレイ（beamlet blanker array）であって、前記ビームレット・ブランカー・アレイは、複数の調整器及び複数の感光素子（light sensitive elements）を備え、感光素子は、光線（light beam）を運ぶパターン・データを受信し、前記光線を電気信号に変換するように配置され、前記感光素子は、前記受信したパターン・データを一つ又はそれ以上の調整器に提供するために、前記一つ又はそれ以上の調整器に電気的に接続される、前記ビームレット・ブランカー・アレイと、
前記調整器によって生成される電場から、前記感光素子の近くで生成される電場（electric field）を実質的に保護（shielding）する導電性材料（electrically conductive material）の保護構造（shielding structure）であって、前記保護構造は、予め決められた電位（potential）でセットされるように配置され得る前記保護構造と、
を有する調整装置。
【請求項２】
前記複数の調整器の調整器は、第１の電極、第２の電極及びアパーチャーを備え、前記第１及び第２の電極は、前記アパーチャーに渡って電場を生成するために、前記アパーチャーに対向する側面に配置される
請求項１の装置。
【請求項３】
前記ビームレット・ブランカー・アレイは、少なくとも一つの調整器を含む第１の領域と、調整器を備えない第２の領域と、が提供される基板を備え、前記ビームレット・ブランカー・アレイへの前記保護構造の前記投影は、前記領域間の境界（boundary）を形成する
請求項１または２の装置。
【請求項４】
前記第１の領域及び前記第２の領域は、近接ストリップ（adjacent strip）の形式を取り、前記保護構造は長さ及び高さを有する壁を含み、前記ビームレット・ブランカー・アレイの前記壁の高さに実質的に平行、及び前記壁の長さに実質的に垂直な方向において、前記基板表面上への前記保護構造の投影は、前記第２の領域から前記第１の領域を区別する
請求項３の装置。
【請求項５】
前記保護構造は、端の開いた（open-ended）箱型（box-like）構造を形成する側壁を含む
請求項１乃至４の何れか一項の装置。
【請求項６】
前記端の開いた箱型構造の第１端は、前記ビームレット・ブランカー・アレイの前記基板表面に向かっており、前記端の開いた箱型構造の反対の第２端は、前記ビームレット・ブランカー・アレイから離れて面している
請求項５の装置。
【請求項７】
前記第２のアレイは、前記第２端を実質的に閉じる蓋（lid）が提供される
請求項６の装置。
【請求項８】
前記保護構造によって囲まれたボリューム（volume）は、前記感光素子に光線を運ぶパターン・データを誘導するために、一つまたはそれ以上の光素子（optical elements）を含む
請求項５乃至７の何れか一項の装置。
【請求項９】
前記一つまたはそれ以上の光素子は、光ファイバーのアレイを備えている
請求項８の装置。
【請求項１０】
前記側壁の少なくとも一つは、前記保護構造によって囲まれた前記ボリューム内に光線を運ぶ前記パターン・データを導入するために配置される
請求項５乃至９の何れか一項の装置。
【請求項１１】
前記保護構造の前記側壁の少なくとも一つは、前記保護構造によって囲まれる前記ボリューム内の光ファイバーのエントリ（entry）を適応する（accommodating）ための開口を含む
請求項１０の装置。
【請求項１２】
前記保護構造の前記側壁の少なくとも一つは、光線を運ぶ前記パターン・データの光を通す部分を含む
請求項１０の装置。
【請求項１３】
前記保護構造の前記高さと、感光素子及び前記ビームレット・ブランカー・アレイ上への前記保護構造の前記近い側壁の前記垂直の投影間の距離と、の間の比（ratio）は、約１よりも大きく、好ましくは約２．５よりも大きい
請求項５乃至１２の何れか一項の装置。
【請求項１４】
複数の荷電粒子ビームレットを用いるターゲットの表面にパターンを転送する荷電粒子マルチ・ビームレット・リソグラフィ・システム（charged-particle multi-beamlet lithography system）であって、
前記システムは、
複数の荷電粒子ビームレット（charged particle beamlets）を生成するビーム生成器（beam generator）と、
請求項１乃至１３のいずれかに一項に従った保護構造と、
前記ターゲット表面上に前記パターニングされたビームレットを投影する投影システム（projection system）と、
を備える荷電粒子マルチ・ビームレット・リソグラフィ・システム。
【請求項１５】
ターゲットの表面にパターンを転送する荷電粒子マルチ・ビームレット・リソグラフィ・システム（charged-particle multi-beamlet lithography system）の荷電粒子ビームレットを調整する（modulating）方法であって、
前記方法は、
複数の調整器、及び複数の感光素子（light sensitive elements）を備えるビームレット・ブランカー・アレイ（beamlet blanker array）を提供することであって、前記ビームレット・ブランカー・アレイを提供することは、前記感光素子は、光線（light beam）を運ぶパターン・データを受信するように配置され、前記受信パターン・データを提供するように一つまたはそれ以上の調整器に電気的に接続され、前記調整器は、第１の電極、第２の電極及びアパーチャー（aperture）を備え、前記アパーチャーに渡って電場（electric field）を生成するために、前記第１及び第２の電極は、前記アパーチャーの対向する側面に設けられる、前記ビームレット・ブランカー・アレイを提供することと、
前記受信したパターン・データに従って、通るビームレットを調整することと、
を備え、
前記ビームレット調整は、前記感光素子の近くで生成される実質的に負担の無い電場を用いて実行される
荷電粒子ビームレットを調整する方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７４】
発明は、上で議論したような明確な実施形態を参照して記載されている。これらの実施形態は、本発明の範囲及びスピリットから逸脱することなしに、当業者に知られた範囲で、種々の変形、および代替形式がかのうであるということが正しく認識されるべきである。したがって、特別な実施形態が記載されていても、これらは一例であり、添付した特許請求の範囲で定義された本発明の範囲を限定するものではない。
１．複数の荷電粒子ビームレットを用いるターゲットの表面にパターンを転送する荷電粒子マルチ・ビームレット・リソグラフィ・システム（charged-particle multi-beamlet lithography system）であって、
前記システムは、
複数の荷電粒子ビームレット（charged particle beamlets）を生成するビーム生成器（beam generator）と、
パターンに従って前記複数のビームレットをパターニングするビームレット・ブランカー・アレイ（beamlet blanker array）であって、前記ビームレット・ブランカー・アレイは、複数の調整器、及び複数の感光素子（light sensitive elements）を備え、感光素子は、光線（light beam）を運ぶパターン・データを受信し、前記光線を電気信号に変換し、前記感光素子は、前記受信したパターン・データを一つ又はそれ以上の調整器に提供するために、前記一つ又はそれ以上の調整器電気的に接続される、前記ビームレット・ブランカー・アレイと、
前記調整器によって生成される電場から、前記感光素子の近くで生成される電場（electric field）を実質的に保護（shielding）する導電性材料（electrically conductive material）の保護構造（shielding structure）であって、前記保護構造は、予め決められた電位（potential）でセットされるように配置され得る前記保護構造と、
前記ターゲット表面上に前記パターニングされたビームレットを投影する投影システム（projection system）と、
を備える荷電粒子マルチ・ビームレット・リソグラフィ・システム。
２．前記ビームレット・ブランカー・アレイは、少なくとも一つの調整器を含む第１の領域と、調整器を備えない第２のアレイと、が提供される基板を備え、前記ビームレット・ブランカー・アレイへの前記保護構造の前記投影は、前記領域間の境界（boundary）を形成する
１のシステム。
３．前記第１の領域及び前記第２の領域は、近接ストリップ（adjacent strip）の形式を取り、前記保護構造は長さ及び高さを有する壁を含み、前記ビームレット・ブランカー・アレイの前記壁の高さに実質的に平行、及び前記壁の長さに実質的に垂直な方向において、前記基板表面上への投影は、前記第２の領域から前記第１の領域を区別する
２のシステム。
４．前記保護構造は、端の開いた（open-ended）箱型（box-like）構造を形成する側壁を含む
１乃至３の何れか一項のシステム。
５．前記端の開いた箱型構造の第１端は、前記ビームレット・ブランカー・アレイの前記基板表面に向かっており、前記端の開いた箱型構造の反対の第２端は、前記ビームレット・ブランカー・アレイから離れて面している
４のシステム。
６．前記端の開いた箱型構造の前記第２端は、実質的に第２端を閉じる蓋（lid）が提供される
５のシステム。
７．前記蓋（lid）は、除去可能な蓋である
６のシステム。
８．前記保護構造によって囲まれたボリューム（volume）は、前記感光素子に光線を運ぶパターン・データを誘導するために、一つまたはそれ以上の光素子（optical elements）を含む
４乃至７の何れか一項のシステム。
９．前記一つまたはそれ以上の光素子は、光ファイバーのアレイを備えている
８のシステム。
１０．前記光素子は、マイクロレンズのアレイを更に備え、前記マイクロレンズは、前記ファイバー・アレイ内の一つまたはそれ以上のファイバーに対応する
９のシステム。
１１．前記側壁の少なくとも一つは、前記保護構造によって囲まれた前記ボリューム内に光線を運ぶ前記パターン・データを導入するために配置される
４乃至１０の何れか一項のシステム。
１２．前記保護構造の前記側壁の少なくとも一つは、前記保護構造によって囲まれる前記ボリューム内の光ファイバーのエントリ（entry）を適応する（accommodating）ための開口を含む
１１のシステム。
１３．前記保護構造の前記側壁の少なくとも一つは、光線を運ぶ前記パターン・データの光を通す部分を含む
１１のシステム。
１４，前記保護構造の前記高さと、感光素子及び前記ビームレット・ブランカー・アレイ上への前記保護構造の前記近い側壁の前記垂直の投影間の距離と、の間の比（ratio）は、約１よりも大きく、好ましくは約２．５よりも大きい
４乃至１３の何れか一項のシステム。
１５．前記感光素子は、反射防止被覆（anti-reflection coating）が提供される
１乃至１４の何れか一項のシステム。
１６．前記予め決められた電位は、接地電位である
１乃至１５の何れか一項のシステム。
１７．調整器は、第１の電極、第２の電極及びアパーチャーを備え、前記第１及び第２の電極は、前記アパーチャーに渡って電場を生成するために、前記アパーチャーに対向する側面に配置される
１乃至１６の何れか一項のシステム。
１８．荷電粒子マルチ・ビームレット・リソグラフィ・システム（charged-particle multi-beamlet lithography system）で用いられる調整装置（modulation device）であって、
前記調整装置は、
パターンに従って複数のビームレットをパターニングするビームレット・ブランカー・アレイ（beamlet blanker array）であって、前記感光素子は、前記受信したパターン・データを一つ又はそれ以上の調整器に提供するために、前記一つ又はそれ以上の調整器電気的に接続される、前記ビームレット・ブランカー・アレイと、
前記調整器によって生成される電場から、前記感光素子の近くで生成される電場（electric field）を実質的に保護（shielding）する導電性材料（electrically conductive material）の保護構造（shielding structure）であって、前記保護構造は、予め決められた電位（potential）でセットされるように配置され得る前記保護構造と、
を有する調整装置。
１９．前記複数の調整器の調整器は、第１の電極、第２の電極及びアパーチャーを備え、前記第１及び第２の電極は、前記アパーチャーに渡って電場を生成するために、前記アパーチャーに対向する側面に配置される
１８の装置。
２０．前記ビームレット・ブランカー・アレイは、少なくとも一つの調整器を含む第１の領域と、調整器を備えない第２のアレイと、が提供される基板を備え、前記ビームレット・ブランカー・アレイへの前記保護構造の前記投影は、前記領域間の境界（boundary）を形成する
１８または１９の装置。
２１．前記第１の領域及び前記第２の領域は、近接ストリップ（adjacent strip）の形式を取り、前記保護構造は長さ及び高さを有する壁を含み、前記ビームレット・ブランカー・アレイの前記壁の高さに実質的に平行、及び前記壁の長さに実質的に垂直な方向において、前記基板表面上への投影は、前記第２の領域から前記第１の領域を区別する
２０の装置。
２２．前記保護構造は、端の開いた（open-ended）箱型（box-like）構造を形成する側壁を含む
１８乃至２１の何れか一項の装置。
２３．前記端の開いた箱型構造の第１端は、前記ビームレット・ブランカー・アレイの前記基板表面に向かっており、前記端の開いた箱型構造の反対の第２端は、前記ビームレット・ブランカー・アレイから離れて面している
２２の装置。
２４．前記第２のアレイは、前記第２端を実質的に閉じる蓋（lid）が提供される
２３の装置。
２５．前記蓋（lid）は、除去可能な蓋である
２４の装置。
２６．前記保護構造によって囲まれたボリューム（volume）は、前記感光素子に光線を運ぶパターン・データを誘導するために、一つまたはそれ以上の光素子（optical elements）を含む
２２乃至２５の何れか一項の装置。
２７．前記一つまたはそれ以上の光素子は、光ファイバーのアレイを備えている
２６の装置。
２８．前記光素子は、マイクロレンズのアレイを更に備え、前記マイクロレンズは、前記ファイバー・アレイ内の一つまたはそれ以上のファイバーに対応する
２７の装置。
２９．前記側壁の少なくとも一つは、前記保護構造によって囲まれた前記ボリューム内に光線を運ぶ前記パターン・データを導入するために配置される
２２乃至２８の何れか一項の装置。
３０．前記保護構造の前記側壁の少なくとも一つは、前記保護構造によって囲まれる前記ボリューム内の光ファイバーのエントリ（entry）を適応する（accommodating）ための開口を含む
２９の装置。
３１．前記保護構造の前記側壁の少なくとも一つは、光線を運ぶ前記パターン・データの光を通す部分を含む
２９の装置。
３２．前記保護構造の前記高さと、感光素子及び前記ビームレット・ブランカー・アレイ上への前記保護構造の前記近い側壁の前記垂直の投影間の距離と、の間の比（ratio）は、約１よりも大きく、好ましくは約２．５よりも大きい
２２乃至３１の何れか一項の装置。
３３．前記感光素子は、反射防止被覆（anti-reflection coating）が提供される
１８乃至３１の何れか一項の装置。
３４．前記予め決められた電位は、接地電位である
１８乃至３１の何れか一項の装置。
３５．ターゲットの表面にパターンを転送する荷電粒子マルチ・ビームレット・リソグラフィ・システム（charged-particle multi-beamlet lithography system）の荷電粒子ビームレットを調整する（modulating）方法であって、
前記方法は、
複数の調整器、及び複数の感光素子（light sensitive elements）を備えるビームレット・ブランカー・アレイ（beamlet blanker array）を提供することであって、前記ビームレット・ブランカー・アレイを提供することは、前記感光素子は、光線（light beam）を運ぶパターン・データを受信するように配置され、前記受信パターン・データを提供するように一つまたはそれ以上の調整器に電気的に接続され、前記調整器は、第１の電極、第２の電極及びアパーチャー（aperture）を備え、前記アパーチャーに渡って電場（electric field）を生成するために、前記第１及び第２の電極は、前記アパーチャーの対向する側面に設けられる、前記ビームレット・ブランカー・アレイを提供することと、
前記受信したパターン・データに従って、通るビームレットを調整することと、
を備え、
前記ビームレット調整は、前記感光素子の近くで生成される実質的に負担の無い電場を用いて実行される
荷電粒子ビームレットを調整する方法。
【国際調査報告】
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