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(57)【要約】  本発明は、信号入力（Ｅ１）と信号出力（Ａ）を有し、出力信号を制限するためのリミッタ回路であって、前記出力信号は、前記信号出力（Ａ）に存在すると共に、前記リミッタ回路の前記信号出力（Ａ）に接続された追加の回路（ＳＣＨ）に供給され得、バイアス電圧（Ｕ）を供給するための電圧接続部（Ｅ２）と、トランジスタ（Ｔ）とが存在し、前記トランジスタ（Ｔ）のゲート接続部（Ｇ）は、第１のマッチング回路（Ａ１）を介して前記電圧接続部（Ｅ２）に、且つ、第２のマッチング回路（Ａ２）を介して前記信号入力（Ｅ１）に接続されているリミッタ回路に関する。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
信号入力（Ｅ１）と信号出力（Ａ）を有し、出力信号を制限するためのリミッタ回路であって、前記出力信号は、前記信号出力（Ａ）に加えられると共に、前記リミッタ回路の前記信号出力（Ａ）に接続された追加の回路（ＳＣＨ）に供給され得、
バイアス電圧（Ｕ）を供給するための電圧接続部（Ｅ２）と、トランジスタ（Ｔ）とが存在し、前記トランジスタ（Ｔ）のゲート接続部（Ｇ）は、第１のマッチング回路（Ａ１）を介して前記電圧接続部（Ｅ２）に、且つ、第２のマッチング回路（Ａ２）を介して前記信号入力（Ｅ１）に接続されている
ことを特徴とするリミッタ回路。
【請求項２】
第３のマッチング回路（Ａ３）が、前記トランジスタ（Ｔ）のドレイン接続部（Ｄ）と、前記追加の回路（ＳＣＨ）との間に存在している
ことを特徴とする請求項１に記載のリミッタ回路。
【請求項３】
前記トランジスタ（Ｔ）と、前記追加の回路（ＳＣＨ）において用いられた組立品は、電力アプリケーション用の半導体技術を用いて製造されている
ことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のリミッタ回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、請求項１の特長に従ったリミッタ回路に関する。
【背景技術】
【０００２】
http://www.mwjournal.com/Journal/Print.asp?Id=AR_4771は、組立品（アセンブリ：assembly）用の保護回路を記載している。組立品は、その保護回路に接続されている。保護回路は、ディスクリート素子（個別素子）を有する支持材上のストリップライン又は同軸技術を用いて設計されている。支持材は同様に、作動及び高周波信号用の接続部も含んでいる適当な筐体内に組み込まれている。高周波出力は、高周波ラインを介して、保護されるべき組立品の入力に接続されている。
【０００３】
この配置の不利な点は、保護回路はディスクリートの設計であること、又は、もし集積されればダイオードを用いて実装されることである。両者のアプローチは、高コストであり、且つ、小さな空間のみが利用可能なアプリケーションには不適切である。ダイオードが用いられた時、用いられたリミッタダイオードは、リミッタ回路用の高い容量（capacity）を確保する適切な特性を有していないという追加の問題を生じさせる。
【０００４】
追加のリミッタ回路は、ＵＳ５，３０１，０８１から知られている。この回路は、トランジスタを有する第１の回路ブロックと、ダイオード装置を有する第２の回路ブロックと、を備える。第１の回路ブロックのトランジスタは、複数のダイオードを有する複合検出回路によって動作させられる。このリミッタ回路の不利な点は、複雑な設計と、複数の構成部品が必要とされることである。
【発明の概要】
【０００５】
本発明の目的は、従来技術の不利な点を無くすリミッタ回路を規定することである。
【０００６】
この目的は、請求項１の特長によるリミッタ回路で達成される。本発明の有利な実施形態は、従属請求項の対象である。
【０００７】
信号入力と信号出力を有し、出力信号を制限するための本発明のリミッタ回路の場合、前記出力信号は、前記信号出力に加えられると共に、前記リミッタ回路の前記信号出力に接続された追加の回路に供給され得、バイアス電圧を供給するための電圧接続部と、トランジスタとが存在し、前記トランジスタのゲート接続部は、第１のマッチング回路を介して前記電圧接続部に、且つ、第２のマッチング回路を介して前記信号入力に接続されている。
【０００８】
一例として、マッチング回路は、抵抗及び／又はインダクタンス及び／又はキャパシタンス及び／又は線路素子（line element）の一部を備える。このことは、トランジスタの動作点が要求に応じて調整されるようにする。一例として、従って、トランジスタの周波数応答または入力マッチングを必要に応じて調整することができる。
【０００９】
本発明は、図面を参照して、より詳細に説明される。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】１つの図は、本発明によるリミッタ回路用の概略設計を示す。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
リミッタ回路の信号入力Ｅ１は、キャパシタＣ１及び抵抗Ｒ２を介してトランジスタＴのゲート接続部に接続されている。接続部Ｅ２は、抵抗Ｒ３及び抵抗Ｒ２を介してトランジスタＴのゲート接続部に接続されている。キャパシタＣ１と抵抗Ｒ３は、Ｋ点で互いに接続されている。接続部Ｅ２は、それに接続された電源（図示せず）を有し得る。電源からの電圧は、トランジスタＴの動作点を適切に調整するために用いられ得る。
【００１２】
この場合のＲ３とＲ２の組み合わせは、第１のマッチング回路Ａ１を表し、且つ、Ｒ２とＣ１の組み合わせは、第２のマッチング回路Ａ２を表す。
【００１３】
トランジスタＴのソース接続部Ｓは、グランドＭに接続され、且つ、ドレイン接続部Ｄは、リミッタ回路の出力Ａに接続されている。リミッタ回路Ａの出力Ａは、保護されるべき、且つ、便宜上第３のマッチング回路Ａ３を介してそれに接続されるべき、追加の回路ＳＣＨを有し得る。
【００１４】
便宜上、トランジスタＴ及び追加の回路は、電力アプリケーション用の半導体技術（例えば、窒化ガリウム）を用いた組立品の形をとっている。リミッタ回路は、保護されるべき回路ＳＣＨ内に集積化されることも更に可能である。
【００１５】
小さい入力信号（１０ｍＷより低い；リミッタ回路の通常動作に対応する）の場合、トランジスタＴのゲート電圧は変化しない。このことは、トランジスタＴはオフのままであることを意味する。大きい信号（１０ｍＷより高い）の場合、トランジスタＴにおける整流効果は、反対の電圧（opposing voltage）を生成する。その電圧は、そのトランジスタをオンにして、そして従って入力Ｅ１における入力信号の一部をグランドＭに流し、そして従ってリミッティング（制限）をもたらす（保護効果）。抵抗Ｒ２は、トランジスタＴにおける過剰なゲート電流に対するプロテクションとして用いられ、そして従って後者のそれ自体が破壊されることを防ぐ。接続点Ｅ２における電源は、リミッタ回路の通常動作中にリミッティングが起こらないように、トランジスタの動作点を調整するのに用いられる。さらに、それは、リミッティングのための応答のしきい値を調整するのにも用いられ得る。
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【国際調査報告】
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(57)【要約】  ヘキサクロロジシラン含有蒸気を、９００〜１１００ｈＰａ及び２５℃で液体の無極性炭化水素と、尿素と、９００〜１１００ｈＰａ及び２５℃で液体のアルコールとを含有する混合物へ通すことを特徴とする、ヘキサクロロジシラン含有蒸気の廃棄処理方法。【特許請求の範囲】
【請求項１】
ヘキサクロロジシラン含有蒸気の廃棄処理方法であって、
ヘキサクロロジシラン含有蒸気を、９００〜１１００ｈＰａ及び２５℃で液体の無極性炭化水素と、尿素と、９００〜１１００ｈＰａ及び２５℃で液体のアルコールとを含有する混合物へ通す
ことを特徴とする、ヘキサクロロジシラン含有蒸気の廃棄処理方法。
【請求項２】
炭化水素が常圧（９００〜１１００ｈＰａ）で１００℃未満の沸点を有する、請求項１記載のヘキサクロロジシラン含有蒸気の廃棄処理方法。
【請求項３】
炭化水素が炭素原子１〜２０個を有する、請求項１又は２記載のヘキサクロロジシラン含有蒸気の廃棄処理方法。
【請求項４】
炭化水素が炭素原子６〜１２個を有する、請求項３記載のヘキサクロロジシラン含有蒸気の廃棄処理方法。
【請求項５】
炭化水素がキシレンである、請求項１から４までのいずれか１項記載のヘキサクロロジシラン含有蒸気の廃棄処理方法。
【請求項６】
アルコールが、炭素原子１〜６個を有するアルコールである、請求項１から５までのいずれか１項記載のヘキサクロロジシラン含有蒸気の廃棄処理方法。
【請求項７】
アルコールが、１−ペンタノール、２−ペンタノール、３−ペンタノール、１−ブタノール、２−ブタノール、３−ブタノール、１−プロパノール、２−プロパノールから選択される、請求項１から６までのいずれか１項記載のヘキサクロロジシラン含有蒸気の廃棄処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
ヘキサクロロジシランは、チップ製造において増大する規模で使用されている。しばしば、これは、ＣＶＤプロセスを用いて気相を経て堆積される。この場合に、しかしながらなお蒸気が残留し、これらの蒸気は、堆積室を去った後に処理されなければならない。
【０００２】
米国特許出願公開(US-A1)第2009/0104100号明細書には、ヘキサクロロジシラン含有廃ガスの処理が記載されている。この場合に、前記廃ガスは、繁雑な装置中でまず最初に水分の排除下に酸化されてから、水が充填されているスクラバーに導通される。
【０００３】
ヘキサクロロジシランと水又は水分との反応の際に、一般的に、ＨＣｌガスが放出される。このガスはケイ素−ケイ素結合を攻撃する。これにより、Ｓｉ−Ｈ含有加水分解生成物が生じ、これらの生成物は機械的な接触の際に、例えば摩擦により、火花を発生しながら分解する。固体形の加水分解生成物は、それどころか水中で火花を発生しながら分解しうる。
【０００４】
本発明の課題は、技術水準を改善すること、特にヘキサクロロジシラン残留物が危険なく廃棄処理されることができる方法を提供することである。
【０００５】
この点では、蒸気あるいはまた液体ヘキサクロロジシランの危険のない廃棄処理を可能にする方法が探求されなければならなかった。ヘキサクロロジシランを尿素とアルコールとの混合物へ通す場合に、可燃性混合物が生じないことが見出された。
【０００６】
尿素が、一方では、放出されたＨＣｌを結合するのに十分に塩基性であるが、しかしながら他方では、ヘキサクロロジシランの転位に全く触媒作用を及ぼさないことが意外にも見出された。
【０００７】
本発明の対象は、ヘキサクロロジシラン含有蒸気の廃棄処理方法であって、ヘキサクロロジシラン含有蒸気が、以下：９００〜１１００ｈＰａ及び２５℃で液体の無極性炭化水素と、尿素と、９００〜１１００ｈＰａ及び２５℃で液体のアルコールとの混合物へ通されることにより特徴付けられる。
【０００８】
溶剤として、次の無極性炭化水素が使用されることができる：
好ましくは無極性炭化水素、例えば脂肪族又は芳香族の炭化水素、より好ましくは常圧（９００〜１１００ｈＰａ）で好ましくは１００℃未満の沸点を有する炭化水素をベースとする溶剤、好ましくは炭素原子１〜２０個を有する、より好ましくは炭素原子６〜１２個を有する炭化水素、特に好ましくはオクタン、ノナン、デカン、ベンゼン、トルエン、キシレン、その際にキシレンが特に好ましい。
【０００９】
アルコールとして、次のものが使用されることができる：
好ましくは９００〜１１００ｈＰａ及び２５℃で液体であるアルコール、好ましくは全て９００〜１１００ｈＰａの圧力で５０℃〜１５０℃、より好ましくは９０℃〜１１０℃、特に好ましくは１００℃〜１２０℃の沸点を有し、好ましくは炭素原子１〜６個、好ましくは炭素原子３〜５個を有する、単官能性のアルコール、二官能性又は多官能性のアルコール、特に好ましくはペンタノール類、例えば１−ペンタノール、２−ペンタノール、３−ペンタノール並びに１−ブタノール、２−ブタノール、３−ブタノール、１−プロパノール、２−プロパノール、その際に３−ブタノールが特に好ましい。
【００１０】
廃ガス処理するために高沸点アルコールを使用する場合には、アルコール１モルを基準として：
・尿素０．１〜０．５モル、特に好ましくは０．２〜０．４モル
・溶剤１０〜２００ｍｌ、特に好ましくは溶剤５０〜１００ｍｌが使用される。
【実施例】
【００１１】
ヘキサクロロジシラン含有廃ガスの処理
ヘキサクロロジシランが窒素下に蒸留される装置からの廃ガスを、キシレン５０ｍｌ、ｔ−ブタノール５０ｍｌ及び尿素１０ｇの混合物に通す。混合物を、マグネチックスターラーを用いて撹拌する。ガス出口で、廃ガスをシリコーン油のみに通す装置とは異なり、金属と接触する際に発火する白色付着物は形成されない。
【００１２】
本発明の範囲内で、それぞれ他に記載されない場合には、全ての量及びパーセントの記載は質量を基準としており、かつ全てのパーセントの記載は、全質量を基準としており、全ての温度は室温２５℃であり、かつ全ての圧力は周囲大気、すなわち９００〜１１００ｈＰａである。全ての粘度は、２５℃で測定される。
【国際調査報告】
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2013522001.tif 000004
2013522001.tif 000005