(57)【要約】【解決手段】  半導体回路上のアラインメントを計算するための結合計測マーク、システム、および方法を開示する。結合計測マークは、マスク位置ずれ構造およびウェハオーバーレイマーク構造を含むことができる。【選択図】図１
2013503493.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
同じ層の上の２つの異なるパターン間のアラインメント情報を提供するように構成されたマスク位置ずれ構造と、
ウェハ上の少なくとも１つの層に印刷されるように構成され、基板の少なくとも２つの連続層上の２つの異なるパターン間のアラインメント情報を提供するように構成されるウェハオーバーレイマーク構造と、
を備える結合計測マーク。
【請求項２】
前記マスク位置ずれ構造または前記ウェハオーバーレイマーク構造の内の少なくとも１つが、
グレーティングに基づくマーク
を備える請求項１に記載の結合計測マーク。
【請求項３】
前記グレーティングに基づくマークが、
作業ゾーンの第１のセットが第１の方向で配向される少なくとも１本の粗く分けられた線によって構成される周期構造を含み、作業ゾーンの第２のセットが、前記第１の方向に直角に配向される第２の方向で配向される少なくとも１本の粗く分けられた線によって構成される周期構造を含む、少なくとも２つの矩形作業ゾーンを備える請求項２に記載の結合計測マーク。
【請求項４】
前記結合計測マークの真中に置かれるボックス形の構造をさらに備える請求項１に記載の結合計測マーク。
【請求項５】
前記ボックス形の構造が、
１μｍの接点ボックス、
を備える請求項４に記載の結合計測マーク。
【請求項６】
前記結合計測マークの真中に置かれる十字形の構造をさらに備える請求項１に記載の結合計測マーク。
【請求項７】
結合計測マークを活用することによって、半導体素子の少なくとも１つの層上の少なくとも１つのパターンのためのアラインメント情報を受け入れ、
アラインメント誤差を計算し、
マスクデータとウェハデータとの間の計算された相関を提示する
ウェハ処理のための方法。
【請求項８】
結合計測マークを活用することによって、半導体素子の少なくとも１つの層上の少なくとも１つのパターンのためのアラインメント情報の前記受け入れが、
マスク位置合わせ情報および少なくとも１つのクリティカルディメンションデータファイルの受け入れを含む
請求項７に記載のウェハ処理のための方法。
【請求項９】
アラインメント誤差の前記計算が、
ウェハ規模およびウェハデータを一致させるために必要とされる配向を含むマスク位置合わせ情報およびクリティカルディメンションデータの変換を含む
請求項７に記載のウェハ処理のための方法。
【請求項１０】
アラインメント誤差の前記計算が、
アルゴリズムを使用した少なくとも１つの外れ値の削除を含む
請求項７に記載のウェハ処理のための方法。
【請求項１１】
アラインメント誤差の前記計算が、
関連するモデルをマスクデータに適用し、未処理データ、モデル化データ、または残存データの内のすくなくとも１つの表示を含む
請求項７に記載のウェハ処理のための方法。
【請求項１２】
アラインメント誤差の前記計算が、
マスクデータとウェハデータ間の前記相関の計算を含む
請求項７に記載のウェハ処理のための方法。
【請求項１３】
マスクデータとウェハデータとの間の計算された相関の前記提示が、
マスク位置合わせ情報およびウェハオーバーレイ情報の両者の提示を含む
請求項７に記載のウェハ処理のための方法。
【請求項１４】
マスクデータとウェハデータとの間の計算された相関の前記提示が、
マスククリティカルディメンション誤差情報およびウェハクリティカルディメンション誤差情報の両者の提示を含む
請求項７に記載のウェハ処理のための方法。
【請求項１５】
マスクデータとウェハデータとの間の計算された相関の前記提示が、
ウェハオーバーレイ情報およびクリティカルディメンションデータ情報の内の少なくとも１つを差し引いた後での、マスク誤差情報の提示を含む
請求項７に記載のウェハ処理のための方法。
【請求項１６】
マスクデータとウェハデータとの間の計算された相関の前記提示が、
ウェハオーバーレイ情報およびクリティカルディメンションデータ情報の内の少なくとも１つを差し引いた後での、マスク誤差情報り提示を含む
請求項７に記載のウェハ処理のための方法。
【請求項１７】
請求項７記載の方法であって、更に、
マスク位置合わせ測定値およびウェハオーバーレイ測定値を識別し、
スキャナによる二重露光によってウェハオーバーレイマークを作成し、
第２のマスク位置合わせ値から第１のマスク位置合わせ値を差し引くことによって、マスク位置合わせ誤差を計算する
方法。
【請求項１８】
マスク位置合わせ測定値およびウェハオーバーレイ測定値の前記識別が、
単一マスクを二回露光することによる前記マスク位置合わせ測定値の作成を含む
請求項１７に記載のウェハを処理するための方法。
【請求項１９】
前記スキャナでの二重露光によるウェハオーバーレイマークの前記作成が、
露光条件組み合わせの活用を含む
請求項１７に記載のウェハを処理するための方法。
【請求項２０】
請求項７記載の方法であって、更に、
マスク位置合わせ誤差データを受け取り、
マスク非平坦性誤差データを受け取り、
前記マスク位置合わせ誤差データおよび前記マスク非平坦性誤差データに従って、マスク較正および適格化の内の少なくとも１つを実行する
方法。
【請求項２１】
請求項２０に記載の方法であって、更に、
像配置誤差データを受け取り、
前記像配置誤差に従って、マスク較正および適格化の内の少なくとも１つを実行する
方法。
【請求項２２】
結合計測マークを活用することによって、半導体素子の少なくとも１つの層上の少なくとも１つのパターンのアラインメント情報を受け入れるための手段と、
アラインメント誤差を計算するための手段と、
マスクデータとウェハデータの間の計算された相関を提示するための手段と、
を備える
システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
（関連出願の相互参照）
本願は、２００９年８月３１日に出願された米国仮特許出願第６１／２３８，２７６号に基づく優先権を主張する。当該出願の内容は、参照によって全体として本明細書に組み込まれる。
【背景技術】
【０００２】
本発明は、一般にオーバーレイ計測法のために使用される装置および方法に関し、さらに詳細にはレチクル位置ずれマークおよびウェハオーバーレイマークを含む結合計測マークを使用する装置およびその方法に関する。
【０００３】
形状寸法（ジオメトリー、幾何学的形状）が小さくなるのに伴い、製造メーカは、多くの場合、半導体ウェハの非破壊検査および解析を実行するための光学技術を活用している。ウェハ試験計測機器および技法は、多くの場合、アラインメントを測定するためだけではなく、ウェハが前の処理ステップによって損傷を受けていないことを検証するために使用することができる。
【発明の概要】
【０００４】
集積回路の製造で使用される１つの重大なプロセス制御技法は、ウェハ上のパターン化された連続する層間のオーバーレイ精度を測定することを含むことができる。追加のプロセス制御技法は、少なくとも２つの別々のプロセスによって形成される単一の層の上に形成される周期構造のアラインメントを測定することを含み得る。
【０００５】
半導体回路上でのアラインメントを計算するための結合計測法のマーク、システム、および方法が開示される。結合計測マークは、マスク位置ずれ構造およびウェハオーバーレイマーク構造を含むことができる。
【０００６】
システムは、結合計測マークを活用することによって半導体素子の少なくとも１つの層の上の少なくとも１つのパターンのためのアラインメント情報を受け入れるための手段と、アラインメント誤差を計算するための手段と、マスクデータとウェハデータの間の計算された相関を提示するための手段とを含むことができる。
【０００７】
方法は、結合計測マークを活用することによって半導体素子の少なくとも１つの層の少なくとも１つのパターンのためのアラインメント情報を受け入れることと、アラインメント誤差を計算することと、マスクデータとウェハデータ間の計算された相関を提示することとを含むことができる。
【０００８】
前記の概要および以下の詳細な説明は例示的且つ説明的にすぎず、必ずしも本発明を請求される通りに制限しないことが理解されるべきである。本明細書に組み込まれ、本明細書の一部を構成する添付図面は、本発明の実施形態を示し、概要とともに、本発明の原理を説明する働きをする。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
本開示の多数の利点は、添付の図を参照することによって当業者によってよりよく理解され得る。
【図１】２つの集積回路層の間のアラインメントを測定するために構成された例示的な結合計測マーク、および同じ層上の２つの異なるパターン間のアラインメント情報を示す平面図である。
【図２】２つの集積回路層の間のアラインメントを測定するために構成される例示的な結合計測マーク、および同じ層上の２つの異なるパターン間のアラインメント情報を示す平面図である。
【図３】結合計測マークが分析されるプロセスフロー図である。
【図４】結合計測マークから得られる情報が分析されるプロセスフロー図である。
【図５Ａ】スリットシグナチャ、スキャンシグナチャ、および／またはスキャン差異を決定するための方法の一部を示す説明図である。
【図５Ｂ】スリットシグナチャ、スキャンシグナチャ、および／またはスキャン差異を決定するための方法の一部を示す説明図である。
【図５Ｃ】スリットシグナチャ、スキャンシグナチャ、および／またはスキャン差異を決定するための方法の一部を示す説明図である。
【図６Ａ】例示的な結合計測マークを示す説明図である。
【図６Ｂ】例示的な結合計測マークを示す説明図である。
【図７】結合計測マークが分析されるプロセスフロー図である。
【図８】ウェハ上の複数の露光状態の一例を示す説明図である。
【図９】結合計測マークから得られる情報が分析されるプロセスフロー図である。
【図１０】平坦ではない表面を有するマスクを示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
ここで、添付図面に示される開示される主題を詳細に参照する。
【００１１】
図１から図４を概して参照すると、半導体回路上のアラインメントを計算するための結合計測マーク１００、システム３００、および方法４００が開示されている。結合計測マーク１００は、マスク位置ずれ構造１０２およびウェハオーバーレイマーク構造１０４とを含んでよい。システム３００は、結合計測マークを活用することによって、半導体素子の少なくとも１つの層上の少なくとも１つのパターンのためのアラインメント情報を受け入れるための手段と、アラインメント誤差を計算するための手段と、マスクデータとウェハデータとの間の計算された相関を提示するための手段とを含んでよい。方法４００は、結合計測マークを活用することによって半導体素子の少なくとも１つの層上の少なくとも１つのパターンのためのアラインメント情報を受け入れることと、アラインメント誤差を計算することと、マスクデータとウェハデータとの間の計算された相関を提示することとを含んでよい。
【００１２】
レチクルの製造は、マスク位置ずれマークを印刷することと、レチクルのプロセス制御、処置、および技術解析のためにそれらのマークを測定することとを含む。ウェハの製造は、ウェハオーバーレイマークを印刷することと、ウェハのプロセス制御、処置、および技術解析のためにそれらのマークを測定することとを含む。一般に、マスク位置ずれマークおよびウェハオーバーレイマークは異なり、マスク位置ずれマークおよびウェハオーバーレイマークのデータ処理は別個である。例えば、一般に、ウェハ製造工場は、マスクが規定範囲内にあることを検証する等のマスク品質情報用以外のマスクデータ（クリティカルディメンションまたは位置ずれ）は使用しない。
【００１３】
図１および図２は、レチクル位置ずれ計測法とウェハオーバーレイ計測法の両方のための結合計測マークを示す。レチクルアラインメントマークおよびウェハオーバーレイマークを結合することによって、直接的な比較を行うことができ、プロセス制御、処置、および技術解析のための以後のデータ分析はより誤差を生じにくくなる。マークのコロケーションは、空間的な外挿および内挿の必要性を排除し、より正確な結果を提供し得る。
【００１４】
結合計測マーク１００は、外層作業ゾーン１０２と内層作業ゾーン１０４とを含んでよい。さらに、結合計測マーク１００は、ボックス１０６および／または十字等の際立った特徴を含んでもよい。実施形態では、結合計測マーク１００は、ｙ方向等の第１の方向でオーバーレイ情報を提供するように構成された４つの外層作業ゾーンを含んでよい。この４つの作業ゾーンの内、２つは、第１の基板層に置かれてよく、２つは基板の第２の層に置かれてよい。この実施形態では、作業ゾーンの対称の中心は正確に一致し、作業ゾーンの配置はマークの中心の回りで回転対称である（９０°、１８０°、２７０°、および３６０°）。作業ゾーンのそれぞれは、少なくとも１つの粗く分けられた線のある周期構造を含んでよい。各線のサイズ、間隔、および／または幅はさまざまであってよい。図示されるように、各外層作業ゾーン１０２の周期構造は、同じ方向で配向されてよい。一方、各内層作業ゾーン１０４の周期構造は、同じ方向で配向されてよいが、各外層作業ゾーン１０２の周期構造とは異なる方向であってよい。
【００１５】
さらに、結合計測マーク１００は、プロセス制御、処置、および技術解析等のウェハ処理を改善するために、レチクル位置ずれデータ、およびウェハオーバーレイデータの自動化された結合使用で活用されてよく、クリティカルディメンションデータに拡張されてよい。ウェハオーバーレイデータ分析は、グリッド分析およびフィールド分析に分かれてよい。グリッドオーバーレイデータ分析は、おもにスキャナ、プロセス、および計測法からの誤差寄与を含んでよい。フィールドオーバーレイデータ分析は、おもに、スキャナ、マスク、および計測法からの誤差寄与を含んでよい。マスクからの誤差寄与を明示的に理解することにより、誤差の原因の全てを定量化し、分離し、削減する能力を向上できる。バーインバー配置で使用される結合計測マーク１００の追加の例が図６Ａに示されている。ボックスインボックス配置で使用される結合計測マーク１００の追加の例は、図６Ｂに示されている。
【００１６】
図３に示されるように、ウェハ製造工場は、結合計測マーク１００を活用し、マスクデータを取得した後に情報を使用することがある。例えば、情報の流れは、マスクデータ、ロットデータ、ロット履歴データ、（露光ツール、ＣＭＰ、エッチング、付着等の）使用されたプロセスツールに関するデータを含んでよい。データの流れは、情報の流れに基づいてよい。例えば、ホスト３０６は、マスクデータベース３０２および高度プロセス制御データベース（ＡＰＣ  ＤＢ）３１２から選択される特定の情報を示してよい。この例では、マスク誤差計算エンジン３０４および高度プロセス制御ＡＰＣ計算エンジン３１４は、修正可能を計算し、高度プロセス制御（ＡＰＣ）３０８を通してそれらを露光ツール３１０に送信してよい。
【００１７】
図４は、概してスキャナフィールドシグナチャを決定するための方法を示す。スキャナ関連ウェハフィールドオーバーレイ誤差は、ウェハオーバーレイ誤差からマスク誤差（つまり、設計されたマスク配置と実際のマスク配置の不一致から生じる誤差）を抽出することによって結合計測マーク１００測定データから抽出され得る。ウェハオーバーレイ（フィールド）は、以下として表されてよい。
【００１８】
【数１】
2013503493.tif 000003
【００１９】
結合計測マーク１００を使用してマスク計測法およびウェハ計測法を一致させることによって、ウェハオーバーレイは以下として表されてよい。
【００２０】
【数２】
2013503493.tif 000004
【００２１】
プロセス影響（例えば、エッチング、化学／機械研磨、付着等の製造プロセスの影響から生じる誤差）は、フィールドごとに独立して線形フィールド補正を適用することによって最小限に抑制されてよく、以下として表されてよい。
【００２２】
【数３】
2013503493.tif 000005
【００２３】
この場合、計測誤差（例えば、精度の欠如、装置要因誤差、および装置要因誤差可変性（ＴＩＳ  ３５ｉｇｍａ）等の計測ツールから生じる誤差）部分は、スキャナ部分（スキャナの自号機重ね合わせ精度（「ＳＭＯ」）は６ｎｍであってよい。一方、計測法全測定最小化（「ＴＭＵ」）は１ｎｍであってよい）よりも相対的に小さい。さらに、０°および１８０°の測定を使用し、測定サイトごとに装置要因誤差（「ＴＩＳ」）補正を実行することによって、計測誤差は最小限に抑えられ得る、および／または無視され得る。したがって、ウェハオーバーレイ（フィールド）は以下として表されてよい。
【００２４】
【数４】
2013503493.tif 000006
【００２５】
上記方法を使用して純粋なスキャナフィールドシグナチャを抽出した後、以下の方程式を活用してスキャナフィールドオーバーレイ誤差の詳細な誤差成分を分析することが可能であってよい。
【００２６】
【数５】
2013503493.tif 000007
【００２７】
図５Ａから図５Ｃによってさらに示されるスリットシグナチャ、スキャンシグナチャ、および／またはスキャン差異は、（Scanner(field)として上記に示される）スキャナフィールドシグナチャから決定され得る。各スリット位置は、同じスリット位置の平均を使用してよい。例えば、位置Ａのスリット位置は、以下として表されてよい。
【００２８】
【数６】
2013503493.tif 000008
【００２９】
スキャンシグナチャは、スリット位置に応じてスキャン平均からスリットシグナチャを差し引くことによって決定され得る。例えば、スキャンシグナチャは、以下として表されてよい。
【００３０】
【数７】
2013503493.tif 000009
スキャン差異は、図５Ｃに示される＋スキャンと−スキャンの差を含んでよい。
【００３１】
図７は、アラインメント誤差を計算するための方法４００を示す。抽出されたスキャナ（フィールド）シグナチャを使用することによって、スキャナの各誤差成分が監視されてよい。操作４１０は、結合計測マークを活用することによって半導体素子の少なくとも１つの層上の少なくとも１つのパターンのためのアラインメント情報を受け入れることを示す。例では、第１に、レンズシグナチャが、抽出スキャナシグナチャの同じスキャン方向位置を平均することによって監視されてよい。第２に、ステージシグナチャ（ステージ同期）は、スキャナ（フィールド）シグナチャからレンズシグナチャを抽出し、全ての同じスリット位置データから平均値を差し引くことによって監視されてよい。第３に、スキャン方向が、方程式の＋スキャンおよび−スキャンの別個の表示を使用することによって監視されてよい。
【００３２】
【数８】
2013503493.tif 000010
【００３３】
第４に、単一ウェハ上の露光の順序として、および露光されるウェハの順序として各フィールドのフィールド補正パラメータによってドリフトが監視されてよい。第５に、（０Ｄ＊＋１８０Ｄ＊）／２を活用することによってマスクチャックが監視されてよく、ここでは０Ｄ＊および１８０Ｄ＊は、レチクル露光の０°中の、およびレチクル露光の１８０°中のウェハオーバーレイである。さらに、上記方法（複数の場合がある）は、同じマスクがマスク位置ずれマークとウェハオーバーレイマークの両方を露光するために使用された場合、マスクデータを抽出しなくても使用され得る。一実施形態では、コンピュータプロセッサが、マスク位置合わせ情報、および少なくとも１つのクリティカルディメンションファイルをウェハオーバーレイおよびクリティカルディメンション分析ソフトウェアの中に受け入れてよい。
【００３４】
操作４２０は、アラインメント誤差を計算することを示す。例えば、ウェハクリティカルディメンション誤差の抽出マスククリティカルディメンション誤差部分の計算は、マスククリティカルディメンション測定とウェハクリティカルディメンション測定の両方に、同じクリティカルディメンションターゲットを使用することによって実行され得る。例えば、２０ｘ２０μｍターゲットは、ウェハ上のさらに小さい５ｘ５μｍターゲットに変換されるレチクル上で使用されてよく、両方のターゲットともレチクルとウェハ両方からクリティカルディメンション均一性（「ＣＤＵ」）情報を抽出する計測装置を使用して測定されてよい。一実施形態では、コンピュータプロセッサは、アルゴリズム（例えば、閾値フィルタ）を使用して、ウェハ規模、及びウェハデータを一致させる、および／または少なくとも１つの外れ値を削除するために必要とされる配向を含んだマスク位置合わせデータならびにクリティカルディメンションデータを変換してよい。追加の例では、コンピュータプロセッサは、関連モデル（例えば、ｅ−ビーム書き込み装置または多項式モデル等のスキャナ補正モデル）をマスクデータに適用し、未処理データ、モデル化データ、または残存データの内の少なくとも１つを表示してよく、コンピュータプロセッサは、マスクデータとウェハデータの間の相関（例えば、差、つまりＲ2値）を計算してよい。結合計測マークの使用によって、マスクのウェハに対する関係および影響を決定することが可能になる。
【００３５】
操作４３０は、マスクデータとウェハデータの計算された相関を提示することを示す。例えば、計算された相関は、例えばディスプレイに、またはプリンタに提示されてよい。追加の例では、他のアラインメント情報はモバイル機器に提示されてよい。さらなる例では、マスク位置合わせ情報およびウェハオーバーレイ情報がともに提示されてよく、マスククリティカルディメンション誤差情報およびウェハクリティカルディメンション誤差情報がともに提示されてよく、マスク誤差情報は、ウェハオーバーレイ情報およびクリティカルディメンションデータ情報の内の少なくとも１つを差し引いた後に提示されてよく、および／またはマスク誤差情報は、ウェハオーバーレイ情報およびクリティカルディメンションデータ情報を差し引いた後に提示されてよい。追加の実施形態では、レチクル誤差は、レチクル上のクリティカルディメンションターゲットを測定し、次いでウェハ上に印刷される同じ場所を測定することによってウェハ誤差から分解されてよい。
【００３６】
スキャナ適格化、つまり較正は、マスク位置合わせおよびウェハオーバーレイ情報を使用した生産の間に実現されてよい。この例では、マスク位置合わせとウェハオーバーレイの相関が、スキャナのウェハオーバーレイに対する影響の測度として役立つことがある。理想的には、スキャナによるウェハオーバーレイに対する影響はない。ウェハオーバーレイに対するスキャナ影響がないとき、マスク上の位置合わせシグナチャはウェハオーバーレイに直接的に反映されてよい。さらに、マスク上の位置合わせシグナチャは、ウェハ上のオーバーレイシグナチャと同じであってよく、相関値は１である、または１に近い。ウェハオーバーレイに対するスキャナの影響が高くなりすぎる（つまり、負の性能）と、相関はより少なくなる、つまり０に近くなる。
【００３７】
位置合わせ測定値とウェハオーバーレイ測定値の間の雑音を最小限に抑えるために、マスク位置合わせ測定値とウェハオーバーレイ測定値の両方ともを識別することが必要な場合がある。例えば、位置合わせ測定およびウェハオーバーレイ測定の両方のために、同じ計測パターンが測定されてよい。ウェハオーバーレイマークは、スキャナによる２回の露光で作成されてよく、これは各ウェハオーバーレイ測定値がすでにデルタ、つまり露光間の差異であることを意味することがある。ただし、マスク位置合わせは、マークごとに実行されている。したがって、相関を決定するために使用され得るマスク位置合わせ誤差は、測定場所ごとに第２のマスク位置合わせ値から第１のマスク位置合わせ値を差し引くことによって計算されてよい。例えば、図４に示されるように、単一点相関は、ウェハオーバーレイ測定対マスク2引くマスク1の相関によって計算されてよい。別の例では、単一マスクは、マスク位置合わせ誤差を計算するために２回露光されてよい。
【００３８】
さらに、現実の生産条件下でウェハオーバーレイのスキャナ性能を適格化することが重要である。実施形態では、スキャナ適格化のためのウェハが、図８に示される組み合わせ露光等の組み合わせ露光を活用することによって作成されてよい。図８は、露光条件等の、プロセス間の異なる要因の間の関係性を決定するための情報を収集する一方で、変動が存在する実験計画法（「ＤｏＥ」）を示す。この例では、第１の露光および第２の露光に対して同じである１つの露光組み合わせ、および第３から第６の露光に活用される４つの異なる組み合わせを含む、６つの異なる露光組み合わせが活用される。さらに、６を超える露光組み合わせが使用されてよい。
【００３９】
図８は、さらに、複数のウェハフィールドに対するＤｏＥ露光組み合わせを示す。単一スキャナは、多くの場合、生産中に多くの異なるＤｏＥ露光および／または照明組み合わせを実現する。スキャナ適格化の効率を最大限にするためには、同じウェハで複数のＤｏＥ状態を露光することが必要な場合がある。図８のウェハに示されるように、各ＤｏＥ組み合わせは、等しい数の正のスキャンフィールドおよび負のスキャンフィールドを含む複数フィールド上で露光されてよい。
【００４０】
図９は、マスク要因オーバーレイ誤差データを極紫外線（ＥＵＶ）スキャナ９０１に提供するためのデータフロー図９００を示す。オーバーレイ誤差データは、マスク位置合わせ誤差測定データ９０２と、マスク非平坦性誤差データ９０３と、像配置誤差データ９０４を含んでよい。図４に関して上述されるように、マスク位置合わせ誤差は、所与の測定場所について、第２の測定マスク位置合わせから第１の測定マスク位置合わせ値を差し引くことによって計算されてよい。
【００４１】
図１０は、マスク１０００の非平面状の部分によって誘因されることがあるマスク非平坦性誤差を示す。チャックの上に置かれるとき、マスク１０００は、実質的に平面状の部分１００１、およびその平面状の部分１００１に関して少なくとも部分的に非平面状の部分１００２を有してよい。実質的な平面上の部分１００１の、少なくとも部分的に非平面状の部分１００２に対する偏差の程度は、マスク計測法、またはスキャナレチクルステージに基づくことがある高さの差異（△ｚ）で表されてよい。この高さの差異は測定され得る。非平坦性誤差を表すマスク偏移値（△ｘ）は、以下の方程式に従って算出されてよい。
【００４２】
【数９】
2013503493.tif 000011
【００４３】
上式では、θは入射角度であり、Ｍはマスクとウェハの間の倍率である。多様なマスクのマスク偏移値（△ｘ）は、マスク非平坦性誤差データを生成するために比較されてよい。
【００４４】
再び図９を参照すると、像配置誤差は、多様な露光条件（例えば、照明、素子特長情報、およびスキャナ収差情報）から生じるパターン配置誤差（例えば、投射レンズの波頭に起因するコマ収差のための誤差）の比較によって算出されてよい。
【００４５】
マスク位置合わせ誤差測定データ９０２、マスク非平坦性誤差データ９０３、および像配置誤差データ９０４は、オーバーレイ誤差シグナチャ９０５に結合されてよい。オーバーレイ誤差シグナチャ９０５は、ＥＵＶスキャナ９０１に対する入力として提供されてよく、それによってＥＵＶスキャナ９０１は、スキャナ較正または適格化を実施し、それらの誤差を補償するためにオーバーレイ誤差シグナチャ９０５を活用してよい。
【００４６】
本開示では、開示されている方法は、例えばメモリ等の有形の媒体で具体化される装置によって読み取り可能な命令のセットまたはソフトウェアとして実装され得る。さらに、開示される方法でのステップの特定の順序または階層が例示的な手法の例であることが理解される。設計の優先順位に基づき、方法のステップの特定の順序または階層が、開示される主題の範囲内に留まる一方、配置し直すことができることが理解される。添付の方法請求項は、同じ順序での多様なステップの要素を提示しており、必ずしも提示される特定の順序または階層に制限されることを意味しない。
【００４７】
本開示、およびその付随する利点の多くが、前記説明によって理解されると考えられ、多様な変更が、開示されている主題から逸脱することなく、またはその材料の利点のすべてを犠牲にすることなく構成部品の形式、構造および配置において加えられてよいことは明らかとなるだろう。説明される形式は単に例示的にすぎず、かかる変更を包含し、含めて考えることが以下の請求項の意図である。
【図１】
2013503493.tif 000012
【図２】
2013503493.tif 000013
【図３】
2013503493.tif 000014
【図４】
2013503493.tif 000015
【図５Ａ】
2013503493.tif 000016
【図５Ｂ】
2013503493.tif 000017
【図５Ｃ】
2013503493.tif 000018
【図６Ａ】
2013503493.tif 000019
【図６Ｂ】
2013503493.tif 000020
【図７】
2013503493.tif 000021
【図８】
2013503493.tif 000022
【図９】
2013503493.tif 000023
【図１０】
2013503493.tif 000024
【国際調査報告】
2013503493.tif 000025
2013503493.tif 000026