(57)【要約】【課題】視認性を向上させることができる透明面状体及び透明タッチスイッチを提供する。【解決手段】珪素含有層１１と、珪素含有層１１の少なくとも一方面に配設される粘着層１３と、珪素含有層１１及び粘着層１３の間に設けられるパターニングされた透明導電層１２とを有する透明面状体１であって、珪素含有層１１を介して透明導電層１２が形成されているパターン形成領域に照射される光の波長毎の反射率、及び、珪素含有層１１を介して透明導電層１２が形成されていない非パターン形成領域に照射される光の波長毎の反射率の差の絶対値の最大値と、最小値との差が、４５０ｎｍ〜７００ｎｍにおいて０．６５以下である透明面状体１。【選択図】図１
2013513136.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
珪素含有層と、前記珪素含有層の少なくとも一方面に配設される粘着層と、前記珪素含有層及び前記粘着層の間に設けられるパターニングされた透明導電層とを有する透明面状体であって、
前記珪素含有層を介して前記透明導電層が形成されているパターン形成領域に照射される光の波長毎の反射率、及び、前記珪素含有層を介して前記透明導電層が形成されていない非パターン形成領域に照射される光の波長毎の反射率の差の絶対値の最大値と、最小値との差が、４５０ｎｍ〜７００ｎｍにおいて０．６５以下である透明面状体。
【請求項２】
前記最大値は、０．８以下である請求項１に記載の透明面状体。
【請求項３】
前記珪素含有層は、低屈折率層と、該低屈折率層よりも光屈折率が高い高屈折率層とを備えており、
前記低屈折率層側に前記透明導電層が形成されている請求項１又は２に記載の透明面状体。
【請求項４】
前記低屈折率層の光屈折率は、１．４５〜１．４７であり、
前記高屈折率層の光屈折率は、１．４７より大きく１．５３以下である請求項３に記載の透明面状体。
【請求項５】
前記低屈折率層は、ＳｉＯ２により形成されており、
前記高屈折率層は、ガラス材により形成されている請求項３又は４に記載の透明面状体。
【請求項６】
前記透明導電層の厚みは、１２ｎｍ以下である請求項１から５のいずれかに記載の透明面状体。
【請求項７】
前記透明導電層の厚みが、１２ｎｍ以上１４ｎｍ以下であり、低屈折率層の厚みが、１０ｎｍ〜４５ｎｍである請求項１から５のいずれかに記載の透明面状体。
【請求項８】
前記低屈折率層の厚みは、前記透明導電層の厚みをＸとする下記数式１により算出される値以下である請求項３から７のいずれかに記載の透明面状体。
［数式１］    ０．３４０９Ｘ２−１６．７０５Ｘ＋２１７．７３
【請求項９】
前記低屈折率層の厚みは、前記透明導電層の厚みをＸとする下記数式２により算出される値以下である請求項８に記載の透明面状体。
［数式２］    −１０Ｘ＋１8５
【請求項１０】
請求項１から９のいずれかに記載の透明面状体を少なくとも１つ備える透明タッチスイッチであって、前記透明面状体の透明導電層と、該透明導電層とは異なる第２の透明導電層とが、互いに対向する向き或いは、同一方向となる向きに配置されている透明タッチスイッチ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、透明面状体及び透明タッチスイッチに関する。
【背景技術】
【０００２】
入力位置を検出するためのタッチスイッチの構成は、従来から種々検討されているが、一例として静電容量式のタッチスイッチが知られている。例えば、特許文献１に開示されたタッチスイッチは、それぞれ所定のパターン形状を有する透明導電体を備えた一対の透明面状体の間に誘電体層が介在されて構成されており、指などが操作面に触れると、人体を介して接地されることによる静電容量の変化を利用して、タッチ位置を検出することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００３−１７３２３８号公報（図１、図５）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上述したタッチスイッチは、液晶表示装置やＣＲＴなどの表面に装着して用いられるが、透明面状体に形成された透明導電体のパターン形状が目立ってしまい、視認性の低下を招いていた。このような問題は、静電容量式のタッチスイッチだけでなく、マトリックスタイプ等のパターンを要するタッチスイッチでも生じていた。
【０００５】
そこで、本発明は、視認性を向上させることができる透明面状体及び透明タッチスイッチの提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の上記目的は、珪素含有層と、前記珪素含有層の少なくとも一方面に配設される粘着層と、前記珪素含有層及び前記粘着層の間に設けられるパターニングされた透明導電層とを有する透明面状体であって、前記珪素含有層を介して前記透明導電層が形成されているパターン形成領域に照射される光の波長毎の反射率、及び、前記珪素含有層を介して前記透明導電層が形成されていない非パターン形成領域に照射される光の波長毎の反射率の差の絶対値の最大値と、最小値との差が、４５０ｎｍ〜７００ｎｍにおいて０．６５以下である透明面状体により達成される。
【０００７】
また、この透明面状体において、前記最大値は、０．８以下であることが好ましい。
【０００８】
また、前記珪素含有層は、低屈折率層と、該低屈折率層よりも光屈折率が高い高屈折率層とを備えており、前記低屈折率層側に前記透明導電層が形成されていることが好ましい。
【０００９】
また、前記低屈折率層の光屈折率は、１．４５〜１．４７であり、前記高屈折率層の光屈折率は、１．４７より大きく１．５３以下であることが好ましい。
【００１０】
また、前記低屈折率層は、ＳｉＯ２により形成されており、前記高屈折率層は、ガラス材により形成されていることが好ましい。
【００１１】
また、前記透明導電層の厚みは、１２ｎｍ以下であることが好ましい。
【００１２】
前記透明導電層の厚みが、１２ｎｍ以上１４ｎｍ以下であり、低屈折率層の厚みが、１０ｎｍ〜４５ｎｍであることが好ましい。
【００１３】
また、前記低屈折率層の厚みは、前記透明導電層の厚みをＸとする下記数式１により算出される値以下であることが好ましい。
［数式１］    ０．３４０９Ｘ２−１６．７０５Ｘ＋２１７．７３
【００１４】
また、前記低屈折率層の厚みは、前記透明導電層の厚みをＸとする下記数式２により算出される値以下であることが好ましい。
［数式２］    −１０Ｘ＋１8５
【００１５】
また、上記目的は、上記透明面状体を備える透明タッチスイッチであって、前記透明面状体の透明導電層と、該透明導電層とは異なる第２の透明導電層とが、互いに対向する向き或いは、同一方向となる向きに配置されている透明タッチスイッチにより達成される。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、視認性を向上させることができる透明面状体及び透明タッチスイッチを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の一実施形態に係る透明タッチスイッチの概略断面図である。
【図２】図１に示す透明タッチスイッチの一部を示す平面図である。
【図３】図１に示す透明タッチスイッチの他の一部を示す平面図である。
【図４】図１に示す透明タッチスイッチの変形例の一部を示す平面図である。
【図５】図１に示す透明タッチスイッチの変形例の他の一部を示す平面図である。
【図６】図１に示す透明タッチスイッチを構成する透明面状体の概略構成断面図である。
【図７】サンプルにおける透明導電層の有無による反射率差の計測結果を示す図である。
【図８】透明導電層の膜厚を８ｎｍとした場合における、透明導電層の有無による反射率差のシミュレーション結果を示す図である。
【図９】透明導電層の膜厚を１０ｎｍとした場合における、透明導電層の有無による反射率差のシミュレーション結果を示す図である。
【図１０】透明導電層の膜厚を１２ｎｍとした場合における、透明導電層の有無による反射率差のシミュレーション結果を示す図である。
【図１１】透明導電層の膜厚を１４ｎｍとした場合における、透明導電層の有無による反射率差のシミュレーション結果を示す図である。
【図１２】反射率差の最大値と最小値との差が０．６５以下または０．５以下を満たす低屈折率層の厚みと、透明導電層の厚みとの関係を示すグラフである。
【図１３】反射率差の最大値が０．８以下または０．７以下を満たす低屈折率層厚みと、透明導電層の厚みとの関係を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明の実態形態について添付図面を参照して説明する。尚、各図面は、構成の理解を容易にするため、実寸比ではなく部分的に拡大又は縮小されている。
【００１９】
図１は、本発明の一実施形態に係る透明タッチスイッチの概略構成断面図である。この透明タッチスイッチ１０１は、静電容量式のタッチスイッチであり、
透明な珪素含有層１１と、珪素含有層１１の少なくとも一方面に配設される粘着層１３と、珪素含有層１１及び粘着層１３の間に設けられるパターニングされた透明導電層１２とを有する第１の透明面状体１と、透明基板２１の一方面にパターニングされた透明導電層２２が形成された第２の透明面状体２とを備えている。第１の透明面状体１と第２の透明面状体２とは、それぞれの透明導電層１２，２２が対向する向きとなるようにして配置されている。なお、それぞれの透明導電層１２，２２が同一方向を向くようにして配置してもよい。
【００２０】
珪素含有層１１は、低屈折率層１１１と、この低屈折率層１１１よりも光屈折率が高い高屈折率層１１２とを備えており、低屈折率層１１１側に透明導電層１２が形成されている。低屈折率層１１１を構成する材料として、例えばＳｉＯ２を挙げることができる。低屈折率層１１１の光屈折率は、１．４５〜１．４７の範囲であることが好ましい。高屈折率層１１２を構成する材料としては、例えばソーダガラス、無アルカリガラス、ホウケイ酸ガラス等のガラス材を挙げることができる。高屈折率層１１２の厚みは、特に指定はないが０．３〜５．０ｍｍ程度、光屈折率は、１．４７より大きく１．５３以下であることが好ましい。なお、珪素含有層１１の表面には、ペンや指が接触することがある場合には、透明性、耐擦傷性、耐摩耗性、ノングレア性向上のため表面処理加工を施してもよい。
また、割れ対策としてフィルムを貼り合せても良い。
【００２１】
透明基板２１は、透明性が高い材料からなることが好ましく、具体的には、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリイミド（ＰＩ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリアミド（ＰＡ）、ポリアクリル（ＰＡＣ）、アクリル、非晶質ポリオリフィン系樹脂、環状ポリオリフィン系樹脂、脂肪族環状ポリオレフィン、ノルボルネン系の熱可塑性透明樹脂などの可撓性フィルムやこれら２種以上の積層体、およびガラスなどを挙げることができる。
【００２２】
透明導電層１２，２２の材料としては、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、酸化インジウム、アンチモン添加酸化錫、フッ素添加酸化錫、アルミニウム添加酸化亜鉛、カリウム添加酸化亜鉛、シリコン添加酸化亜鉛や、酸化亜鉛−酸化錫系、酸化インジウム−酸化錫系、酸化亜鉛−酸化インジウム−酸化マグネシウム系、酸化亜鉛、スズ酸化膜等の透明導電材料、或いは、スズ、銅、アルミニウム、ニッケル、クロムなどの金属材料、金属酸化物材料を例示することができ、これら２種以上を複合して形成してもよい。また、酸やアルカリに弱い金属単体でも導電材料として使用できる。透明導電層１２，２２の形成方法は、スパッタリング法、真空蒸着法、イオンプレーティング法などのＰＶＤ法や、ＣＶＤ法、塗工法、印刷法などを例示することができる。透明導電層１２，２２の厚みは、１４ｎｍ以下であることが好ましく、１２ｎｍ以下であることがより好ましい。なお、膜厚が５ｎｍ以下では連続した膜になり難く、安定な導電層を形成することは困難である。
【００２３】
また、カーボンナノチューブやカーボンナノホーン、カーボンナノワイヤ、カーボンナノファイバー、グラファイトフィブリルなどの極細導電炭素繊維を非導電性ポリマー材料に分散させた複合材を透明導電層の材料として用いることもできる。
【００２４】
透明導電層１２，２２は、図２及び図３に示すように、平行に延びる複数の帯状導電部１２ａ，２２ａの集合体としてそれぞれ形成されており、各透明導電層１２，２２の帯状導電部１２ａ，２２ａは、互いに直交するように配置されている。透明導電層１２，２２は、導電性インクなどからなる引き廻し回路（図示せず）を介して外部の駆動回路（図示せず）に接続される。透明導電層１２，２２のパターン形状は、本実施形態のものに限定されず、指などの接触ポイントを検出可能である限り、任意の形状とすることが可能である。例えば、図４及び図５に示すように、透明導電層１２，２２を、複数の菱形状導電部１２ｂ，２２ｂが直線状に連結された構成とし、各透明導電層１２，２２における菱形状導電部１２ｂ，２２ｂの連結方向が互いに直交し、且つ、平面視において上下の菱形状導電部１２ｂ，２２ｂが重なり合わないように配置してもよい。なお、透明タッチスイッチ１０１の分解能などの動作性能については、第１の透明面状体１と第２の透明面状体２とを重ね合わせた場合に、導電部が存在しない領域を少なくする構成を採用する方が優れている。このような観点から、透明導電層１２，２２のパターン形状として、矩形状の構成よりも、複数の菱形状導電部１２ｂ，２２ｂが直線状に連結された構成の方が望ましい。
【００２５】
透明導電層１２，２２のパターニングは、珪素含有層上又は透明基板上にそれぞれ形成された透明導電層１２，２２の表面に、所望のパターン形状を有するマスク部を形成して露出部分を酸液などでエッチング除去した後、アルカリ液などによりマスク部を溶解させて行うことができる。
【００２６】
粘着層１３は、エポキシ系やアクリル系など、一般的な透明接着剤を用いることができ、ノルボルネン系樹脂の透明性フィルムからなる芯材を含むものであってもよい。また、シート状粘着材を複数枚重ね合わせることにより粘着層を形成してもよく、更に、複数種類のシート状粘着材を重ね合わせて形成してもよい。粘着層１３の厚みは、特に指定はないが、実用上では１００μｍ以下であることが好ましく、特に、２５μｍ〜７５μｍであることが好ましい。また、粘着層の光屈折率は、１．４０〜１．７０が好ましく、１．４６〜１．５７であることが更に好ましい。粘着層の屈折率は透明導電層の屈折率に近づける（高くする）と、界面での屈折率差が小さくなり、パターン形状を目立たなくする効果は高まるが、粘着層の高屈折率化には高屈折材微粒子の添加等が必要であり、透明面状体としての透過率が下がる問題がある。また粘着層は透明導電層と接しており、酸など透明導電層へダメージを与える材料を含むものは好ましくない。
【００２７】
以上の構成を備える透明タッチスイッチ１０１において、タッチ位置の検出方法は、従来の静電容量式のタッチスイッチと同様であり、第１の透明面状体１の表面側における任意の位置を指などで触れると、透明導電層１２，２２は接触位置において人体の静電容量を介して接地され、透明導電層１２，２２を流れる電流値を検出することにより、接触位置の座標が演算される。
【００２８】
ここで、図６の透明面状体１の概略構成断面図に示すように、珪素含有層１１を介して透明導電層１２が形成されているパターン形成領域に照射される光の反射光Ｌ１における波長毎の反射率、及び、珪素含有層１１を介して透明導電層１２が形成されていない非パターン形成領域に照射される光の反射光Ｌ２における波長毎の反射率の差の絶対値の最大値と、最小値との差が、光の可視範囲波長である４５０ｎｍ〜７００ｎｍにおいて０．６５以下であることが好ましく、０．５以下であることがより好ましく、０．４以下であることが更に好ましい。最大値と最小値との差が、０．６５以下である場合には、透明導電層１２のパターン形状を目立たなくすることができ、視認性を向上させることができる。
【００２９】
本発明者らは、上記構成の透明面状体についてのサンプルを作成して、珪素含有層１１を介して透明導電層１２が形成されているパターン形成領域に照射される光の反射光Ｌ１における波長毎の反射率、及び、珪素含有層１１を介して透明導電層１２が形成されていない非パターン形成領域に照射される光の反射光Ｌ２における波長毎の反射率の差の絶対値の最大値と最小値との差、及び反射率差の最大値を計測すると共に、透明導電層１２のパターン形状が目立たないか否かの官能試験を行った。サンプルは、図６に示す構造を有しており、珪素含有層１１を構成する高屈折率層１１２と低屈折率層１１１とをそれぞれ、ソーダガラス板と、ＳｉＯ２薄膜により形成した。また、透明導電層１２としてＩＴＯ膜を採用し、粘着層１３としてアクリル系粘着剤（屈折率１．５２）により形成した膜を採用してサンプルを構成した。作成したサンプルは、透明導電層１２（ＩＴＯ膜）の厚みを８ｎｍ、１０ｎｍ、１２ｎｍ、１４ｎｍ、１６ｎｍと変化させた５種類である。なお、全てのサンプルにおいて、高屈折率層１１２（ガラス板）の厚みを１．１ｍｍ、低屈折率層１１１（ＳｉＯ２薄膜）の厚みを１２．５ｎｍ、粘着層１３の厚みを２５μｍとした。なお、低屈折率層１１１（ＳｉＯ２薄膜）と透明導電層１２（ＩＴＯ膜）は、上記ガラス板上にスパッタで成膜している。
【００３０】
これら５種類のサンプルについて、珪素含有層１１を介して透明導電層１２が形成されているパターン形成領域に照射される光の反射光における波長毎の分光反射率（第１分光反射率）、及び、珪素含有層１１を介して透明導電層１２が形成されていない非パターン形成領域に照射される光の反射光における波長毎の分光反射率（第２分光反射率）を計測した。計測した第１分光反射率及び第２分光反射率の差の絶対値と、波長との関係を図７に示す。なお、図７においては、光の可視範囲波長である４５０ｎｍ〜７００ｎｍにおける計測結果を示している。ここで分光反射率の計測には、日本分光株式会社（JASCO ）製の装置（V670+積分球ユニット）を使用した。測定条件は、測光モード：%R、測定範囲：800〜300 nm、データ取込間隔：5 nm、UV/Vis バンド幅：5.0
nm、NIR バンド幅：2.0 nm、レスポンス：Medium、走査速度：400 nm/min、光源切換：340 nm、回折格子切換：850 nm、光源：D2/WI、フィルタ切換：ステップ、補正：ベースラインとした。
【００３１】
上記計測した第１分光反射率及び第２分光反射率の差の絶対値の最大値、最小値、及び、これら最大値と最小値との差を算出した。算出した最大値と最小値との差（反射率差Δ）、及び反射率差の最大値を表１に示す。また、各サンプルの表面抵抗値（Ｒｓ）も表１に示す。ここで、表面抵抗値（Ｒｓ）は、株式会社三菱化学アナリテック製
抵抗率計ロレスターEP  MCP-T360型により計測した。なお、表１には、通常の室内の蛍光灯下、および黒いシートを張ったブース内での三波長蛍光灯下において、各サンプルについて行ったパターン形状を目立ちやすさについての官能試験結果も併せて記載している。
【表１】
2013513136.tif 000003
○：三波長蛍光灯下でもパターン形状確認が困難。
△：通常の蛍光灯下ではパターン形状確認が困難だが、三波長蛍光灯下ではパターン形状確認が可能。
×：通常の蛍光灯下でもパターン形状確認が可能。
【００３２】
表１より、透明導電層１２（ＩＴＯ膜）の厚みが、８ｎｍ、１０ｎｍ、１２ｎｍの場合には、透明導電層１２（ＩＴＯ膜）のパターン形状をほとんど目立たなくすることができ、非常に優れた視認性を有しているという結果を得た。また、図７より、これらの場合には、第１分光反射率及び第２分光反射率の差の絶対値の最大値と最小値との差（反射率差Δ）が、光の可視範囲波長である４５０ｎｍ〜７００ｎｍにおいて０．５以下であり、また、第１分光反射率及び第２分光反射率の差の絶対値が０．７以下であることも分かる。また透明導電層１２（ＩＴＯ膜）の厚みが１４ｎｍでも、厳しい評価条件である三波長蛍光灯下ではパターン形状が確認されるものの、通常の蛍光灯下ではほとんど見えず、反射率差Δが０．６５以下、第１分光反射率及び第２分光反射率の差の絶対値が０．８以下であれば、実用可能な視認性を有していることが分かる。一方、反射率差Δが０．６５より大きく、第１分光反射率及び第２分光反射率の差の絶対値が０．８より大きいＩＴＯ膜厚１６ｎｍの場合には、視認性があまりよくないという結果を得た。なお、表１より、表面抵抗値（Ｒｓ）は、透明導電層１２（ＩＴＯ膜）の厚みが薄くなるに従い高い値を示しているが、厚みが８ｎｍよりも薄くなると、表面抵抗値が５００Ω／□を超える値となり、タッチスイッチのセンシング精度が低下するおそれがある。したがって、透明導電層１２（ＩＴＯ膜）の厚みは、８ｎｍ以上とすることが特に好ましい。
【００３３】
また、本発明者らは、上記構成の透明面状体についてシミュレーションを行った。このシミュレーションに用いたモデルは、図６に示す構造を有しており、シミュレーションにおける各種設定条件は、珪素含有層１１が、ＳｉＯ２（光屈折率：１．４６）からなる低屈折率層１１１と、ソーダガラス（光屈折率：１．５２）により形成された高屈折率層１１２とを備えるものとした。また、透明導電層１２は、ＩＴＯ膜（光屈折率：２．０）とした。粘着層１３は、アクリル系粘着剤（光屈折率：１．５２）とした。
【００３４】
このように設定した透明面状体１１において、透明導電層１２（ＩＴＯ膜）の厚みと、珪素含有層１１の低屈折率層１１１の厚みとをそれぞれ変化させて、透明導電層１２が形成された部分（パターン形成領域）と、透明導電層１２が形成されていない部分（非パターン形成領域）との光の反射率（％）の差をシミュレーションにより求めた。反射率の算出は、サイバネットシステム（株）製薄膜設計ソフトウエア（OPTAS-FILM）を用いて行った。なお、このシミュレーションにおいては、ナノオーダーの厚みを有する珪素含有層１１の低屈折率層１１１や透明導電層１２に比べて、極めて厚みの大きい部材である珪素含有層１１の高屈折率層１１２や粘着層１３については、その厚みを∞（無限大）として反射率の算出を行った。
【００３５】
透明導電層１２のパターン形状の目立ちにくさは、透明導電層１２が形成されている部分と形成されていない部分との反射率差と相関性を有しており、可視領域全体（波長：４５０〜７００ｎｍ）における反射率差の絶対値が小さいほど、パターン形状が目立ちにくく、視認性を良好にすることができる。反射率差の最大値が０．８以下である場合に好ましい視認性を得ることができ、０．７以下である場合がより好ましく、また０．５以下である場合は更に好ましい視認性を得ることができる。また、光の可視範囲波長である４５０ｎｍ〜７００ｎｍの波長領域における、反射率差の絶対値の最大値と、最小値との差が、０．６５以下である場合、より一層、透明導電層のパターン形状を目立ちにくくすることができ、視認性を良好にすることができる。
【００３６】
以下、シミュレーション結果についての説明を行う。透明導電層１２（ＩＴＯ膜）の厚みを８ｎｍとし、珪素含有層１１の低屈折率層１１１（ＳｉＯ２膜）の厚みを０ｎｍ、１０ｎｍ、２０ｎｍ、３０ｎｍと変化させた場合のシミュレーション結果を図８に、透明導電層１２（ＩＴＯ膜）の厚みを１０ｎｍとし、珪素含有層１１の低屈折率層１１１（ＳｉＯ２膜）の厚みを０ｎｍ、１０ｎｍ、２０ｎｍ、３０ｎｍと変化させた場合のシミュレーション結果を図９に示す。また、透明導電層１２（ＩＴＯ膜）の厚みを１２ｎｍとし、珪素含有層１１の低屈折率層１１１（ＳｉＯ２膜）の厚みを０ｎｍ、１０ｎｍ、２０ｎｍ、３０ｎｍと変化させた場合のシミュレーション結果を図１０に、透明導電層１２（ＩＴＯ膜）の厚みを１４ｎｍとし、珪素含有層１１の低屈折率層１１１（ＳｉＯ２膜）の厚みを０ｎｍ、１０ｎｍ、２０ｎｍ、３０ｎｍと変化させた場合のシミュレーション結果を図１１に示す。
【００３７】
また、図８〜図１１において示す各シミュレーション結果から、光の可視範囲波長である４５０ｎｍ〜７００ｎｍにおける反射率差の最大値と最小値との差を抽出したものを表２に示す。なお、図８〜図１１に示す各シミュレーション結果においては、反射率差の最大値は、波長４５０ｎｍにおける反射率差の値であり、反射率差の最小値は、波長７００ｎｍにおける反射率差の値である。
【表２】
2013513136.tif 000004
【００３８】
また、光の可視範囲波長である４５０ｎｍ〜７００ｎｍにおける反射率差の最大値を抽出したものを表３に示す。
【表３】
2013513136.tif 000005
【００３９】
図８〜図１１及び表２から、透明導電層１２（ＩＴＯ膜）の厚みが１２ｎｍ以下の場合、反射率差の最大値と最小値との差が、０．６５以下であり、また、図８〜図１１及び表３から、透明導電層１２（ＩＴＯ膜）の厚みが１２ｎｍ以下の場合、反射率差の最大値が０．８以下であった。なお、これらシミュレーション結果は、上述したサンプルにおける計測値との整合性があるものと認められる。
【００４０】
また、図８〜図１１、表２及び表３から、透明導電層１２（ＩＴＯ膜）の厚みが１４ｎｍである場合、低屈折率層１１１（ＳｉＯ２膜）の厚み範囲が０〜３０ｎｍにおいて、反射率差の最大値と最小値との差が、０．６５以下を満たす結果を得た。また、低屈折率層１１１（ＳｉＯ２膜）の厚みが１０ｎｍ、２０ｎｍ、３０ｎｍである場合には、反射率差の最大値が、０．８以下となるが、低屈折率層１１１（ＳｉＯ２膜）の厚みが０ｎｍの場合、反射率差の最大値が、０．８を越える結果となった。
【００４１】
次に、低屈折率層１１１（ＳｉＯ２膜）の厚みをさらに変化させることにより、反射率差の最大値と最小値との差が、０．６５以下となる低屈折率層１１１（ＳｉＯ２膜）の最大厚みを上記シミュレーションにより算出したので、その結果を表４に示す。なお、表４は、光の可視範囲波長である４５０ｎｍ〜７００ｎｍにおける反射率差の最大値と最小値との差を抽出したものである。また、反射率差の最大値と最小値との差は、低屈折率層１１１（ＳｉＯ２膜）の厚みを増していくに従い、減少傾向から増加傾向に変化するため、反射率差の最大値と最小値との差の算出を部分的に割愛している。
【表４】
2013513136.tif 000006
【００４２】
表４より、反射率差の最大値と最小値との差が、０．６５以下を満たす低屈折率層１１１（ＳｉＯ２膜）の最大厚みは、透明導電層１２（ＩＴＯ膜）の厚みが１０ｎｍである場合には、８５ｎｍ程度であり、透明導電層１２（ＩＴＯ膜）の厚みが１２ｎｍである場合には、６５ｎｍ程度であることが分かる。また、透明導電層１２（ＩＴＯ膜）の厚みが１３ｎｍである場合には、６０ｎｍであり、透明導電層１２（ＩＴＯ膜）の厚みが１４ｎｍである場合には、５０ｎｍであることが分かる。
【００４３】
また、上述の反射率差の最大値と最小値との差が０．６５以下を満たす低屈折率層１１１（ＳｉＯ２膜）の各最大厚みと、透明導電層１２（ＩＴＯ膜）の厚みとの関係を、最大厚みを縦軸に、透明導電層１２（ＩＴＯ膜）の厚みを横軸とした図１２に示す。図１２中には、各最大厚みと透明導電層１２（ＩＴＯ膜）の厚みとの関係から算出される近時曲線も記載している。この近時曲線は、透明導電層１２（ＩＴＯ膜）の厚みをＸとし、低屈折率層１１１（ＳｉＯ２膜）の最大厚みをＹ１とした場合、以下の数式により表される。
［数式１］  Ｙ１＝０．３４０９Ｘ２−１６．７０５Ｘ＋２１７．７３
なお、図１２中には、上述の反射率差の最大値と最小値との差が０．５以下を満たす低屈折率層１１１（ＳｉＯ２膜）の各最大厚みと、透明導電層１２（ＩＴＯ膜）の厚みとの関係も示すと共に、これらの関係から算出される近似曲線も記載している。
【００４４】
以上より、低屈折率層１１１の厚みが、上記数式１により算出される値以下であれば、透明導電層１２が形成された部分（パターン形成領域）と、透明導電層１２が形成されていない部分（非パターン形成領域）との波長毎の反射率差における最大値と最小値との差を０．６５以下とすることができる。したがって、図１に示す構成の透明タッチスイッチ１０１において、透明導電層１２の厚みとの関係で低屈折率層１１１の厚みが上記数式１により算出される値以下とすることにより、透明導電層１２のパターン形状が目立ちにくい視認性が良好な透明タッチスイッチ１０１を得ることが可能になる。
【００４５】
また、光の可視範囲波長である４５０ｎｍ〜７００ｎｍにおける反射率差の最大値が０．８以下となる低屈折率層１１１（ＳｉＯ２膜）の最大厚みも上記シミュレーションにより算出したので、その結果を表５に示す。なお、反射率差の最大値は、低屈折率層１１１（ＳｉＯ２膜）の厚みを増していくに従い、減少傾向から増加傾向に変化するため、反射率差の最大値の算出を部分的に割愛している。
【表５】
2013513136.tif 000007
【００４６】
表５より、反射率差の最大値が０．８以下を満たす低屈折率層１１１（ＳｉＯ２膜）の最大厚みは、透明導電層１２（ＩＴＯ膜）の厚みが１０ｎｍである場合には、８５ｎｍであり、透明導電層１２（ＩＴＯ膜）の厚みが１２ｎｍである場合には、６５ｎｍであることが分かる。また、透明導電層１２（ＩＴＯ膜）の厚みが８ｎｍである場合には、１００ｎｍであっても反射率差の最大値が０．８以下であることが分かる。また、透明導電層１２（ＩＴＯ膜）の厚みが１４ｎｍである場合には、反射率差の最大値が０．８以下を満たす低屈折率層１１１（ＳｉＯ２膜）の最大厚みは、４５ｎｍであることが分かる。
【００４７】
また、上述の反射率差の最大値が０．８以下を満たす低屈折率層１１１（ＳｉＯ２膜）の各最大厚みと、透明導電層１２（ＩＴＯ膜）の厚みとの関係を、最大厚みを縦軸に、透明導電層１２（ＩＴＯ膜）の厚みを横軸とした図１３に示す。図１３中には、各最大厚みと透明導電層１２（ＩＴＯ膜）の厚みとの関係から算出される近時直線も記載している。この近時直線は、透明導電層１２（ＩＴＯ膜）の厚みをＸとし、低屈折率層１１１（ＳｉＯ２膜）の最大厚みをＹ２とした場合、以下の数式により表される。
［数式２］  Ｙ２＝−１０Ｘ＋１８５
低屈折率層１１１（ＳｉＯ２膜）の厚みは、上記数式により算出される値以下でれば、反射率差の最大値が０．８以下を満たすことになる（ただし、透明導電層１２（ＩＴＯ膜）の厚みが１２ｎｍ〜１４ｎｍの場合においては、低屈折率層１１１（ＳｉＯ２膜）の厚みが１０ｎｍよりも小さい場合を除く）。なお、図１３中には、上述の反射率差の最大値が０．７以下を満たす低屈折率層１１１（ＳｉＯ２膜）の各最大厚みと、透明導電層１２（ＩＴＯ膜）の厚みとの関係も示すと共に、これらの関係から算出される近似直線も記載している。
【００４８】
以上より、低屈折率層１１１の厚みが、上記数式２により算出される値以下であれば、透明導電層１２が形成された部分（パターン形成領域）と、透明導電層１２が形成されていない部分（非パターン形成領域）との波長毎の反射率差における最大値を０．８以下とすることができる。したがって、図１に示す構成の透明タッチスイッチ１０１において、透明導電層１２の厚みとの関係で低屈折率層１１１の厚みが上記数式２により算出される値以下とすることにより、透明導電層１２のパターン形状が目立ちにくい視認性が良好な透明タッチスイッチ１０１を得ることが可能になる。
【００４９】
以上、本発明に係る透明面状体１及びこれを使用する透明タッチスイッチ１０１の実施形態について説明したが、具体的構成は、上記実施形態に限定されない。例えば、上記実施形態においては、透明基板２１の一方面にパターニングされた透明導電層２２を形成することによって第２の透明面状体２を構成するようにしているが、透明基板２１の代わりに珪素含有層１１を用いて第１の透明面状体１と同一の構成とすることもできる。
【００５０】
また、上記実施形態では、珪素含有層１１が低屈折率層１１１と高屈折率層１１２とを備えるように構成しているが、高屈折率層１１２のみで珪素含有層１１を構成するようにしてもよい。図８〜図１１のシミュレーション結果を参照すると、珪素含有層１１を高屈折率層１１２のみで構成した場合であっても（ＳｉＯ２からなる低屈折率層１１１の厚みを０ｎｍとした場合であっても）、光の可視範囲波長である４５０ｎｍ〜７００ｎｍにおいて、透明導電層１２が形成された部分（パターン形成領域）と、透明導電層１２が形成されていない部分（非パターン形成領域）との波長毎の反射率差における最大値と最小値との差を０．６５以下とすることができ、透明導電層１２のパターン形状が目立ちにくい視認性が良好な透明面状体１及び透明タッチスイッチ１０１を得ることが可能になる。
【符号の説明】
【００５１】
１０１  透明タッチスイッチ
１  第１の透明面状体
２  第２の透明面状体
１１  珪素含有層
１１１  低屈折率層
１１２  高屈折率祖
１２  透明導電層
１３  粘着層
２１  透明基板
２２  透明導電層
【図１】
2013513136.tif 000008
【図２】
2013513136.tif 000009
【図３】
2013513136.tif 000010
【図４】
2013513136.tif 000011
【図５】
2013513136.tif 000012
【図６】
2013513136.tif 000013
【図７】
2013513136.tif 000014
【図８】
2013513136.tif 000015
【図９】
2013513136.tif 000016
【図１０】
2013513136.tif 000017
【図１１】
2013513136.tif 000018
【図１２】
2013513136.tif 000019
【図１３】
2013513136.tif 000020
【国際調査報告】
2013513136.tif 000021