(57)【要約】  本発明は、発光ダイオードチップと電気抵抗素子とを含む発光半導体モジュールに関する。本発明によれば、前記発光ダイオードチップは、相互に独立に動作可能な少なくとも２つの発光領域と、それぞれ異なって構成された少なくとも２つの変換素子とを有しており、各発光領域は、前記発光ダイオードチップの動作時に１次電磁放射を形成するために設けられており、かつ、該１次電磁放射の少なくとも一部を前記発光ダイオードチップから出力するための発光面を１つずつ有しており、前記変換素子は、前記１次電磁放射の少なくとも一部を吸収して２次電磁放射を再放出するために設けられており、かつ、それぞれ各発光面の後方に配置されており、前記電気抵抗素子は、前記少なくとも２つの発光領域のうち少なくとも１つに対して直列または並列に接続されている。
2013502062.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光ダイオードチップ（１）と電気抵抗素子（４）とを含む
発光半導体モジュールであって、
前記発光ダイオードチップは、相互に独立に動作可能な少なくとも２つの発光領域（２ａ，２ｂ）と、それぞれ異なって構成された少なくとも２つの変換素子（３１，３２）とを有しており、
各発光領域（２ａ，２ｂ）は、前記発光ダイオードチップの動作中に１次電磁放射を形成するために設けられており、かつ、該１次電磁放射の少なくとも一部を前記発光ダイオードチップ（１）から出力するための発光面（２１，２２）を１つずつ有しており、
前記各変換素子（３１，３２）は、前記１次電磁放射の少なくとも一部を吸収して２次電磁放射を再放出するために設けられており、かつ、それぞれ各発光面の後方に配置されており、
前記電気抵抗素子（４）は、前記少なくとも２つの発光領域（２ａ，２ｂ）のうち少なくとも１つに対して直列または並列に接続されている
ことを特徴とする発光半導体モジュール。
【請求項２】
前記電気抵抗素子（４）は前記発光ダイオードチップ（１）内に集積されている、請求項１記載の発光半導体モジュール。
【請求項３】
前記電気抵抗素子（４）は前記発光ダイオードチップ（１）の外表面に被着されている、請求項１または２記載の発光半導体モジュール。
【請求項４】
前記電気抵抗素子（４）は前記発光ダイオードチップ（１）の前記発光面（２１，２２）の下方に配置されている、請求項１から３までのいずれか１項記載の発光半導体モジュール。
【請求項５】
前記電気抵抗素子（４）は前記発光ダイオードチップの外表面に被着された層として構成されている、請求項１から４までのいずれか１項記載の発光半導体モジュール。
【請求項６】
前記層は複数の導電性セクション（４１）を有しており、該複数の導電性セクションのうち少なくとも１つは、前記電気抵抗素子（４）の抵抗値を調整するために、前記発光ダイオードチップ（１）の動作時に前記導電性セクションを通って電流が流れないよう、分断されている、請求項５記載の発光半導体モジュール。
【請求項７】
前記層は、前記発光ダイオードチップ（１）のうち前記発光面（２１，２２）を含む主表面（１ａ）に配置されている、請求項１から６までのいずれか１項記載の発光半導体モジュール。
【請求項８】
前記層は、前記発光ダイオードチップ（１）のうち前記発光面（２１，２２）の反対側に位置する主表面（１ｂ）に配置されている、請求項１から７までのいずれか１項記載の発光半導体モジュール。
【請求項９】
前記層は金属から成る、請求項１から８までのいずれか１項記載の発光半導体モジュール。
【請求項１０】
前記層はドープされた半導体材料から成り、前記電気抵抗素子（４）の抵抗値は、前記導電性セクション（４１）の分断（４２）による調整加えてまたはこれに代えて、前記ドープにより調整される、請求項１から９までのいずれか１項記載の発光半導体モジュール。
【請求項１１】
各発光面（２１，２２）の後方に１つずつ変換素子（３１，３２）が配置されており、前記１次電磁放射と前記２次電磁放射とがそれぞれ混合されて白色混合光が形成される、請求項１から１０までのいずれか１項記載の発光半導体モジュール。
【請求項１２】
前記それぞれ異なって構成された少なくとも２つの変換素子（３１，３２）はそれぞれ厚さ（Ｄ）が異なる、請求項１から１１までのいずれか１項記載の発光半導体モジュール。
【請求項１３】
前記発光ダイオードチップ（１）の動作中に各発光面（２１，２２）から白色混合光が放出され、前記少なくとも２つの発光領域（２ａ，２ｂ）の前記白色混合光は色座標および／または色温度および／または輝度の点でそれぞれ異なる、請求項１から１２までのいずれか１項記載の発光半導体モジュール。
【請求項１４】
少なくとも１つの第１の発光面（２１）は横方向で少なくとも１つの第２の発光面（２２−２５）によって包囲されている、請求項１から１３までのいずれか１項記載の発光半導体モジュール。
【請求項１５】
前記発光ダイオードチップ（１）の前記発光領域（２ａ，２ｂ）のコンタクトを形成するための少なくとも１つの導体路（６５）が少なくとも１つの発光面（２１，２２）の下方に配置されている、請求項１から１４までのいずれか１項記載の発光半導体モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光半導体モジュールに関する。
【０００２】
刊行物ＵＳ２００７／０２５２５１２Ａ１には、発光半導体モジュールが記載されている。
【０００３】
発光ダイオードチップにより、混合色光、特に白色光を形成するために、発光ダイオードチップから放出される１次放射の光路に配置された変換素子を用いて、波長の短い１次放射の一部を波長の長い２次放射へ変換することが知られている。
【０００４】
１次放射と２次放射との強度比により、放出される光の色が定められる。ただし、実際には、例えば種々の発光ダイオードチップが共通に製造されており、同じウェハに由来するとしても、それぞれの発光ダイオードチップの１次放射の波長が異なり、また、各変換素子の光学的密度も異なるので、得られる色に望ましくないばらつきが発生する。
【０００５】
こうした問題は、充分に大きな製造ボリュームにおいて、発光ダイオードチップの所望の範囲内の光色を測定し、発光ダイオードチップを選別する（いわゆるビニングを行う）ことにより、解決することができる。ただし、このときに利用不能な欠陥品が生じるので、このプロセスは経済的にきわめて限定された状態でしか行えない。
【０００６】
したがって、本発明の基礎とする課題は、放出される光の色を調整可能な発光半導体モジュールを提供することである。
【０００７】
本発明では、発光半導体モジュールは発光ダイオードチップを含む。発光ダイオードチップは相互に独立に動作可能な少なくとも２つの発光領域を含む。つまり、発光ダイオードチップは、相互に独立に動作可能な少なくとも２つの発光領域に分割されている。各発光領域では、同じ長さまたは異なる長さの時間にわたって、電磁放射が形成される。また、各発光領域には種々の電流強度で通電が行われ、各発光領域によってそれぞれ異なる強度を有する電磁放射を形成することができる。
【０００８】
本発明では、発光半導体モジュールは、それぞれ異なって構成された少なくとも２つの変換素子を有する。"それぞれ異なって構成された"とは、２つの変換素子が等しい波長および等しい強度の電磁放射によって照射されたときに相互に異なる２次放射を放出することを意味する。例えば、各変換素子は、幾何学的寸法、例えば厚さが異なるか、あるいは、組成が異なる。つまり、例えば、第１の変換素子が第１の発光物質を含み、第２の変換素子が第２の発光物質を含むことができる。また、各変換素子において発光物質の濃度が異なっていてもよい。
【０００９】
本発明の発光半導体モジュールでは、発光ダイオードチップの各発光領域は、動作時に１次電磁放射を形成するために設けられている。各発光領域は、例えば、発光ダイオードチップの動作時に電磁放射を形成する１つずつの活性領域を含む。各発光領域は同様に形成された活性領域を含むので、各発光領域で形成された１次放射はそれぞれ同じ波長を有する。
【００１０】
発光領域の形成は、例えば、発光ダイオードチップのコンタクト部のパターニングにより行われる。有利には、横断方向に低い導電性を有するコンタクト部がパターニングされる。各発光領域は発光領域全体にわたって延在する共通の活性層を含むため、発光領域の各活性領域は同様に形成されていることになる。
【００１１】
コンタクト部のパターニングは、発光領域間の複数の位置でコンタクトを完全になくすことによって実現される。また、発光領域間に高い接触抵抗を有する位置を設け、各発光領域を電気的に分離させることもできる。さらに、発光ダイオードチップを分離するために、複数の発光領域において発光ダイオードチップの半導体ボディそのものをパターニングし、例えば活性層を分断することも可能である。
【００１２】
本発明では、発光ダイオードチップの各発光領域は、１次電磁放射の少なくとも一部を発光ダイオードチップから出力するための発光面を１つずつ有している。各発光面は例えば発光ダイオードチップの主表面に配置されている。
【００１３】
本発明では、変換素子は、１次電磁放射の少なくとも一部を吸収して２次電磁放射を再放出するために設けられている。例えば、当該の１次電磁放射は、青色光の波長領域の電磁放射である。変換素子は、２次放射として黄色光を再放出するために設けられる。１次放射および２次放射を混合することにより白色光が形成される。
【００１４】
本発明では、それぞれ異なって構成された変換素子はそれぞれ異なる発光面の後方に配置されている。つまり、発光ダイオードチップの２つの発光領域は１つずつ発光面を有し、各発光面の後方に相互に構成の異なる各変換素子が配置されるのである。このようにすれば、２つの発光面から放出される光が相互に異なったものとなる。
【００１５】
本発明の発光半導体モジュールは電気抵抗素子を有する。電気抵抗素子とは、有利には設定可能な電気抵抗値を有する素子のことである。当該の電気抵抗素子は、少なくとも２つの発光領域のうち少なくとも１つに対して直列または並列に接続されている。この場合、発光半導体モジュールはそれぞれの発光領域に対応する複数の電気抵抗値を有する。
【００１６】
例えば、発光ダイオードチップの各発光領域を直列または並列に接続することができる。各発光領域から放出される１次放射の強度比を調整するために、各発光領域の直列回路では電気抵抗素子を発光領域に対して並列に接続し、各発光領域の並列回路では電気抵抗素子を発光領域に対して直列に接続することができる。発光領域の並列回路は、カソードまたはアノードが共通となるという利点が得られ、発光ダイオードチップの製造コストを低減することができる。
【００１７】
例えば、発光半導体モジュールは動作時に白色光を放出するために設けられており、発光領域で形成された例えば青色光が複数の変換素子によって少なくとも部分的に波長変換され、白色光が形成される。各発光領域はこの場合有利には相互に並列に接続されており、電気抵抗素子は直列に接続されている。ここで、電気抵抗素子が発光領域の前方で直列に接続されており、この発光面の後方に第１の変換素子が配置されており、第１の変換素子が発光領域で形成された電磁放射または光を他の変換素子よりも弱く変換する素子である場合、特に有利である。例えば、第１の変換素子は、他の変換素子よりも薄く構成されているか、あるいは、他の変換素子よりも発光物質の濃度が低くなるように構成されている。言い換えれば、電気抵抗素子は発光領域に直列に接続されており、例えば他の変換素子および発光領域の組よりもいっそう青色側の光を放出する。当該の手段により、温度の増大にしたがった変換素子の効率の変化の少なくとも一部が補償されることが判明している。また、当該の手段によれば、発光半導体モジュールで調光が行われる場合に、色温度が暖白色のほうへずれ、発光半導体モジュールのユーザにとって快適に感じられるようになるという利点も得られる。
【００１８】
このように、本発明の発光半導体モジュールは、発光ダイオードチップと電気抵抗素子とを含む発光半導体モジュールであって、発光ダイオードチップは、相互に独立に動作可能な少なくとも２つの発光領域を含む。電気抵抗素子は、少なくとも２つの発光領域のうち少なくとも１つに対して直列または並列に接続されている。発光ダイオードチップはさらに、それぞれ異なって構成された少なくとも２つの変換素子を有しており、各発光領域は、動作時に１次電磁放射を形成するために設けられており、かつ、１次電磁放射の少なくとも一部を発光ダイオードチップから出力するための発光面を１つずつ有している。変換素子は、１次電磁放射の少なくとも一部を吸収して２次電磁放射を再放出するために設けられており、かつ、それぞれの発光面の後方に配置されている。
【００１９】
本発明の有利な実施形態によれば、分割された１つずつの発光ダイオードチップが少なくとも２つの発光領域を有し、各発光領域が相互に別個に電気的に動作される。発光領域に対応する変換素子はそれぞれ異なる発光波長および／またはそれぞれ異なる発光強度を有する。最初の測定にしたがって、発光領域で形成された１次放射の強度を電気抵抗素子によって設定することができる。このようにすれば、全体として、所定の色の全放射を設定することのできる発光半導体モジュールを形成することができる。
【００２０】
このとき、特に、発光領域の少なくとも１つの発光面の後方には変換素子が配置されない。動作中、対応する発光面から、変換されていない光（例えば青色光）が放射される。残りの１つまたは複数の発光面は１つの変換素子を含むか、あるいは、相互に僅かだけ重なった変換を行う複数の変換素子を含む。すなわち、発光面を備えた発光領域と対応する変換素子との組から放射される混合光は、変換素子から放射される光の色の方向へ容易にシフトされるのである。このようにして、一方では、小さな抵抗変化で大きな色変化が達成され、他方では、直列抵抗に対する大きな抵抗値で処理が行われ、発光半導体モジュールの効率が改善される。
【００２１】
本発明の発光半導体モジュールでは、電気抵抗素子は、発光ダイオードチップから空間的に分離された素子である。例えば、発光ダイオードチップは発光領域ごとに少なくとも１つのコンタクト位置を有しており、各コンタクト位置に外部の電気抵抗素子を接続することができる。電気抵抗素子は例えば設定可能な抵抗値を有しているので、発光半導体モジュールは調光調色可能な光源となることができる。
【００２２】
例えば、電気抵抗素子は、発光ダイオードチップと共通の支持体上に配置される。こうした支持体は例えば配線板であり、この配線板上には別の電子素子、例えばメモリユニットが配置されている。メモリユニットにより、発光領域によって形成される１次放射の種々の動作パターンおよび強度比が記憶され、発光半導体モジュールの動作時に呼び出し可能となる。
【００２３】
本発明の有利な実施形態によれば、電気抵抗素子は発光ダイオードチップに集積されている。ここで、電気抵抗素子は、例えば、発光ダイオードチップの発光領域に対する支持体に集積することができる。また、電気抵抗素子を、発光ダイオードチップの外表面に配置してもよい。どちらの場合にも、発光半導体モジュールを特にコンパクトに構成することができる。
【００２４】
本発明の有利な実施形態によれば、電気抵抗素子は発光ダイオードチップの外表面に被着された層として構成されている。当該の層は、例えば、金属層またはドープされた半導体材料から成る層として形成することができる。この層は例えば直接に発光ダイオードチップの半導体ボディ上に被着される。さらに、例えば、当該の層は、発光ダイオードチップのうち、個々の発光領域の発光面を含む表面に被着される。つまり、当該の層は、例えば、発光ダイオードチップの一方面に配置される。
【００２５】
また、電気抵抗素子は各発光面の下方に配置することができる。電気抵抗素子は例えば発光ダイオードチップと支持体とのあいだに配置される。
【００２６】
本発明の有利な実施形態によれば、電気抵抗素子を形成する層は複数の導電性セクションを有している。各導電性セクションは例えば条片状に形成されており、少なくとも位置ごとに相互に接続されている。例えば、導電性セクションは、網状パターンを形成している。また、複数の導電性セクションのうち少なくとも１つは、電気抵抗素子の抵抗値を調整するために、発光ダイオードチップの動作中に当該のセクションに電流が流れないよう、分断されていてもよい。少なくとも１つの導電性セクションの分断により、電気抵抗素子の２つの接続位置間の導電接続部の数が低減され、電気抵抗素子の抵抗値を増大することができる。
【００２７】
これに代えて、所定の導電性の部分構造体を少なくとも部分的に相互に接続することにより、抵抗値を変更することもできる。この場合の導電接続部は、例えば、導電性接着剤を用いて被着されるか、あるいは、電解プロセスによって被着される。
【００２８】
本発明の有利な実施形態によれば、発光ダイオードチップの各発光面の後方に変換素子が配置されており、１次放射と２次放射とがそのつど混合されて白色光が形成される。つまり、この実施形態では、発光ダイオードチップは各発光面から白色混合光を放出する。個々の発光面からの光は混合されて観察者にはさらに全体光として観察される。それぞれの発光面から放出された各混合光は、色座標および／または色温度および／または輝度の点でそれぞれ異なっていてよい。
【００２９】
本発明の有利な実施形態によれば、各変換素子はそれぞれ厚さが異なって形成されている。ここで、各変換素子の厚さは、例えば、発光ダイオードチップの第１の主表面、すなわち、発光面が存在する面に対して、垂直に延在する方向で測定される。それぞれ異なる構成の変換素子を製造するには、例えば、全ての発光面上に同じ変換素子を被着し、各変換素子の厚さを調整できるようにする。これは、段状の射出成形を行うかまたは発光面上方の材料を除去する（例えば、段付け可能な工具による研磨またはソー切削、あるいは、エッチングまたは剥離による位置選択性の除去）によって行われる。
【００３０】
それぞれ異なる厚さの変換素子を用いることに代えてまたはこれに加えて、それぞれ異なる材料組成の変換素子を利用することもできる。また、多層の変換素子が用いられる場合、例えば、変換素子の各層がそれぞれ異なる発光物質を含むようにしてもよい。また、こうした変換素子において、個々の層の厚さを調整することにより、形成される混合光の色座標の調整を行うこともできる。例えば、多層積層体状の変換素子において、各発光面の上方でそれぞれの層の厚さが異なるようにすることもできるし、これに代えて、それぞれの発光面に例えばセラミック発光物質から成るセラミック片の形態のそれぞれ異なる変換素子を配置することもできる。
【００３１】
本発明の有利な実施形態によれば、少なくとも１つの第１の発光面は横方向で少なくとも１つの第２の発光面によって包囲されている。横方向とは、ここでは、発光ダイオードチップの第１の主表面、すなわち、発光面を含む面に対して平行に延在する方向である。
【００３２】
例えば、発光ダイオードチップは、第１の主表面の中央に配置された発光面を含む。他の１つまたは複数の発光面は、第１の発光面の周囲に配置されている。複数の発光面がこのように配置されていると、発光ダイオードチップの全体光の混合がチップ平面で既に行われ、発光ダイオードチップから離れた領域において均一に発光されている印象を形成することができる。光混合のための付加的な光学素子、例えば分散プレート等は省略することができる。少なくとも１つの発光面を少なくとも１つの他の発光面で横方向に包囲することにより、発光面が直線状に配置されたモジュールに比べて、均一な全体光を放出可能なモジュールを実現することができる。
【００３３】
個々の発光面がそれぞれ条片状に配置され、当該の各発光面が互いに平行に配置されている場合にも、特に均一な全体光を放射するモジュールを実現することができる。
【００３４】
本発明の有利な実施形態によれば、発光ダイオードチップの少なくとも１つの発光領域のコンタクトを形成するための少なくとも１つの導体路が少なくとも１つの発光面の下方に配置されている。この実施形態は、発光ダイオードチップの第１の主表面を電磁放射の出力に特に効率的に利用できるので、有利である。なぜなら、発光面が第１の主表面上の導体路によって制限されないからである。発光ダイオードチップのコンタクト形成は、一方側のみから、つまり下面のみまたは上面のみから行われる。
【００３５】
以下に、本発明の発光半導体モジュールを図示の実施例に則して詳細に説明する。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】本発明の発光半導体モジュールの第１の実施例を示す図（Ａ），発光ダイオードチップの発光領域と抵抗素子との接続の２つの実施例を示す図（Ｂ，Ｃ）である。
【図２Ａ】本発明の発光半導体モジュールの第２の実施例を示す図である。
【図２Ｂ】図２Ａの発光半導体モジュールの発光領域の第１の形態を示す図である。
【図２Ｃ】図２Ａの発光半導体モジュールの発光領域の第２の形態を示す図である。
【図２Ｄ】図２Ａの発光半導体モジュールの発光領域の第３の形態を示す図である。
【図３】本発明の発光半導体モジュールの第３の実施例を示す図である。
【００３７】
図中、同じ素子または同様の機能を有する素子には同じ参照番号を付してある。なお、図中の各要素は縮尺通りには描かれておらず、理解しやすくするために意図的に拡大されている場合があることに注意されたい。
【００３８】
図１Ａには、本発明の発光半導体モジュールの概略的な平面図が示されている。
【００３９】
発光半導体モジュールは発光ダイオードチップ１を含む。発光ダイオードチップ１はこの実施例では２つの発光面２１，２２を有する。第１の発光面２１は発光ダイオードチップ１の上側の第１の主表面１ａの中央に配置されている。第１の発光面２１は横方向で見ると少なくとも部分的に第２の発光面２２によって包囲されている。
【００４０】
各発光面の後方には変換素子３１，３２が配置されており、２つの変換素子は相互に異なって構成されている。例えば、２つの変換素子はそれぞれ異なる厚さに構成されている。発光ダイオードチップ１の動作時には、発光面２１，２２から同時に、それぞれの１次放射および２次放射から成る混合光が放出される。
【００４１】
発光半導体モジュールはさらに電気抵抗素子４を含む。電気抵抗素子４は、発光ダイオードチップ１の外表面すなわち第１の主表面１ａに配置されており、発光ダイオードチップ１に集積されている。電気抵抗素子４は、格子パターン状に配置された複数の導電性セクション４１を有する金属層として構成されている。当該の金属層は、例えば、金またはニッケルまたは白金から成り、発光ダイオードチップ１の半導体ボディ上に堆積されている。さらに、電気抵抗素子４は、発光ダイオードチップ１の動作中にこれらの導電性セクションに電流が流れないようにこれらを分断する分断部４２を有する。導電性セクション４１の分断は、例えば、各導電性セクション４１の溶融または熱破壊によって行われる。これは、例えば、高電流またはレーザー光の衝撃を印加することにより行われる。
【００４２】
また、電気抵抗素子４の抵抗値の調整は、次のようにして行われる。すなわち、まず、まだウェハ接合体上にある発光ダイオードチップ１を第１の測定後にフォトレジストによってコーティングする。ここで有利には、ウェハ接合体の発光ダイオードチップ１全体がフォトレジストによってコーティングされる。その後、チップ選択的に、すなわち、発光ダイオードチップ１ごとに個別に、例えば導電性セクション４１の分断すべき位置または接続すべき位置のフォトレジストが、例えばレーザーダイレクトストラクチャリング法により、露光される。その後、エッチングによって、定められた電気抵抗素子の分離が行われるか、あるいは、金属の電解成長プロセスによる接合、または、例えば金属の蒸着および続くフォトレジスト除去などの平面状コーティングによる接合が行われる。
【００４３】
代替的なプロセスとして、ウェハの上方に金属コーティングを有するシートを配置し、当該の金属コーティングを、電気抵抗素子の接続すべき位置で、１つまたは複数のレーザーパルスによってウェハへ転写させてもよい。つまり、レーザー誘導型の金属転写によって、化合物が形成される。
【００４４】
電気抵抗素子４の導電性セクション４１を形成するために、金属に代えて、半導体材料を用いることもできる。半導体材料によって形成されている電気抵抗素子の抵抗値は、半導体材料の相応のドープ、例えばイオン衝撃法によって行われる。こうした電気抵抗素子は例えば発光ダイオードチップの発光領域に対する支持体内に集積することもできる。
【００４５】
図１Ｂおよび図１Ｃの回路装置では、電気抵抗素子４を有する発光ダイオードチップの発光領域２ａ，２ｂを接続する種々の手段が示されている。どちらのケースにおいても、発光領域２ａ，２ｂがコンタクト位置５ａ，５ｂを介してコンタクトされる。図１Ｂの実施例では、発光領域が並列接続され、電気抵抗素子が一方の発光領域に直列に接続される。この場合、他方の発光領域に同様に電気抵抗素子４を直列に接続することもできる。
【００４６】
図１Ｃの実施例では、発光領域２ａ，２ｂが直列に接続され、電気抵抗素子４が一方の発光領域２ａに並列に接続されている。
【００４７】
図２Ａ−図２Ｄには、本発明の発光半導体モジュールの別の実施例の平面図が示されている。
【００４８】
図２Ａの実施例では、中央に配置されている発光面２１とこれに対応する変換素子３１とが別の４つの発光面２２−２５によって包囲されている。４つの発光面２２−２５の後方には、各発光面に対応する変換素子３２−３５が配置されている。つまりこの発光半導体モジュールは、それぞれ対応する変換素子を有する５つの発光領域を含む。各発光面から白色光が放射され、それぞれの発光面の混合光は色座標および／または色温度および／または輝度の点で異なっていてよい。
【００４９】
図２Ｂの実施例では、変換素子３１を有する発光面２１が、変換素子３２を有する別の発光面２２によって包囲されている。
【００５０】
図２Ｃの実施例では、発光半導体モジュールの発光ダイオードチップ１はそれぞれ対応する変換素子を有する３つの異なる発光面２１−２３を含む。
【００５１】
図２Ｄの実施例では、発光半導体モジュールの発光ダイオードチップ１は、それぞれ条片状に形成された変換素子３１，３２を備えた２つの発光面２１，２２を有する。この場合、個々の条片は相互に並列に延在しており、交互に配置されている。発光面２１，２２から白色混合光が放射され、異なる発光面の混合光は、色座標および／または色温度および／または輝度の点で異なっていてよい。条片状の配置により、放射される光の特に良好な混合が達成される。
【００５２】
全体として、本発明の発光半導体モジュールの発光ダイオードチップ１は、発光領域、すなわち、発光面およびこれに対応する変換素子に関して、きわめてフレキシブルに構成することができる。複数の異なる発光面を比較的小さな空間に収容することができ、これにより、ほかの光学素子を設けなくても、個々の発光面からの混合光を重畳して放射される全体光につき、離れた箇所において均一な色印象を形成することができる。
【００５３】
図３の概略的な断面図に関連して、本発明の発光半導体モジュールの別の実施例、すなわち、発光ダイオードチップ１の発光領域２ａ，２ｂを接続するための導体路６５が発光面２１，２２の下方に配置されている実施例を詳細に説明する。
【００５４】
発光ダイオードチップ１は、この実施例では、２つの発光領域２ａ，２ｂを含む。発光領域２ａ，２ｂは電気的絶縁性の分離層６１によって電気的に相互に分離されている。
【００５５】
コンタクト位置５ａは、導体路６５に導電接続されており、かつ、発光領域２ａの発光面２１の下方に延在している。コンタクト位置５ｂは、導体路６５に導電接続されており、かつ、発光領域２ｂの発光面２２の下方に延在している。
【００５６】
電流は例えば電流拡大層６２を介して導体路６５から発光領域２ａ，２ｂの活性領域６４へ印加される。発光面２１，２２は例えば電磁放射の出射の確率を高める粗面化部６３を有することができる。
【００５７】
また、各発光領域は、電磁放射を発光面２１，２２のほうへ反射させるための鏡６８を含んでいてもよい。
【００５８】
発光ダイオードチップ１はさらに、接合材料６６によって当該の発光ダイオードチップ１の別の領域に接合された支持体６７を含む。当該の支持体６７は電気的絶縁性を有するように形成してもよい。
【００５９】
導体路が発光面の下方を延在する同様のコンタクト形成のスキーマは、例えば文献ＤＥ１０２００７０２２９４７Ａ１に詳細に説明されているので、ここではこれ以上立ち入らない。
【００６０】
電気抵抗素子４は発光面２１，２２の下方に配置されている。電気抵抗素子４は発光ダイオードチップ１と支持体６７とのあいだに配置されている。電気抵抗素子４は、発光ダイオードチップ１内に集積されており、発光ダイオードチップ１の外表面、すなわち、発光ダイオードチップ１の下側の第２の主表面１ｂに配置されている。電気抵抗素子４は金属層として構成されており、格子状に配置された複数の導電性セクション４１を有する（図１Ａを参照）。
【００６１】
これに代えて、電気抵抗素子４は発光ダイオードチップ１の下方で支持体６７内に集積されてもよい。いずれにしても、電気抵抗素子４は発光ダイオードチップ１によってカバーされ、発光ダイオードチップ１の発光面が縮小されることはない。よって、電気抵抗素子４は発光ダイオードチップ１の発光面２１，２２の下方に配置されることになるのである。
【００６２】
本願は、独国出願第１０２００９０３７１８６．９号の優先権を主張する。当該の出願の内容は引用により本発明に含まれるものとする。
【００６３】
本発明は上述した実施例に限定されない。本発明の新規な種々の特徴は、特許請求の範囲あるいは実施例に特に明示的なことわりがなくても、単独で、または、任意に組み合わせて、本発明の対象となりうる。
【図１Ａ】
2013502062.tif 000003
【図１Ｂ】
2013502062.tif 000004
【図１Ｃ】
2013502062.tif 000005
【図２Ａ】
2013502062.tif 000006
【図２Ｂ】
2013502062.tif 000007
【図２Ｃ】
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【図２Ｄ】
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【図３】
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【国際調査報告】
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