(57)【要約】  照明システムは、フィールドファセットミラーデバイスと、フィールドファセットミラーデバイスに入射する放射ビームを調整する瞳ミラーとを含む。フィールドファセットミラーデバイスは、入射ビームに対して第１の向きと第２の向きの間で移動可能である反射フィールドファセットを含む。フィールドファセットは、第１の向きでは、入射放射を各反射瞳ファセットに向けて反射して、瞳ファセットミラーデバイスから反射される調整済みビームの一部を形成する。フィールドファセットは、第２の向きでは、入射放射を、ビームダンプ領域として指定された瞳ファセットミラーデバイスの各領域上へと反射する。この領域は、その領域に入射する放射が、調整済みビームの一部を形成することを防ぐように配置され、瞳ファセットミラーデバイスから反射された調整済みビームの内側領域および外側領域を規定する瞳ファセットミラーデバイスの環状領域の境界間に配置される。【選択図】  図４
2013516079.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
投影システムを用いて基板上にパターイングデバイスのパターンを投影するように配置された、リソグラフィ装置内での使用のための照明システムであって、
フィールドファセットミラーデバイスと、
瞳ファセットミラーデバイスと、
を含み、
前記フィールドファセットミラーデバイスは、複数の反射フィールドファセットを含み、各フィールドファセットは、
前記フィールドファセットを横断する入射極端紫外線ビーム部が前記瞳ファセットミラーデバイスに誘導され、そこから前記パターニングデバイスに誘導される第１の向きと、
前記ビーム部が、前記リソグラフィ装置の前記投影システムの開口数に対応する半径範囲内に配置され、かつ、入射放射を集めその放射が前記パターニングデバイスに到達することを防ぐのに効果的であるビームダンプ領域として配置された、前記瞳ファセットミラーデバイスの領域上に誘導される、追加の向きと、の間で切替え可能である、照明システム。
【請求項２】
各フィールドファセットはさらに、
前記フィールドファセットを横断する入射極端紫外線ビーム部が前記瞳ファセットミラーデバイスに誘導され、そこから前記パターニングデバイスに誘導される第２の向きに切替え可能である、請求項１に記載の照明システム。
【請求項３】
前記ビームダンプ領域は、前記瞳ファセットミラーデバイスの中心に対して偏心している分離領域を含み、前記中心は前記照明システムの光軸により規定される、請求項１または２に記載の照明システム。
【請求項４】
前記ビームダンプ領域は、前記瞳ファセットミラーデバイスの中心に対して中心が合わされた環状領域を含み、前記中心は前記照明システムの光軸により規定される、請求項１または２に記載の照明システム。
【請求項５】
各ビームダンプ領域は、入射放射を吸収するように構成される、請求項１から４のいずれか一項に記載の照明システム。
【請求項６】
前記ビームダンプ領域は、放射を吸収するように配置されかつ前記瞳ファセットミラーデバイスから離れて配置されたデバイスに関連付けられ、前記ビームダンプ領域は、入射放射を前記関連付けられた放射吸収デバイス上に反射するように配置される、請求項１から５のいずれか一項に記載の照明システム。
【請求項７】
フィールドファセットミラーデバイスおよび瞳ファセットミラーデバイスを含む照明システムと、
前記照明システムからの放射を受け取り、前記放射にパターンを形成するパターニングデバイスを支持するサポートと、
前記パターン形成された放射を基板上に投影する投影システムと、
を含み、
前記フィールドファセットミラーデバイスは、複数の反射フィールドファセットを含み、各フィールドファセットは、
前記フィールドファセットを横断する入射極端紫外線ビーム部が前記瞳ファセットミラーデバイスに誘導され、そこから前記パターニングデバイスに誘導される第１の向きと、
前記ビーム部が、前記投影システムの開口数に対応する半径範囲内に配置され、かつ、入射放射を集めその放射が前記パターニングデバイスに到達することを防ぐのに効果的であるビームダンプ領域として配置された、前記瞳ファセットミラーデバイスの領域上に誘導される、追加の向きと、
の間で切替え可能である、リソグラフィ装置。
【請求項８】
リソグラフィ装置の照明システムによって提供される照明モードを変更する方法であって、前記照明システムは、フィールドファセットミラーデバイスおよび瞳ファセットミラーデバイスを含み、前記フィールドファセットミラーデバイスは複数の反射フィールドファセットを含み、前記方法は、
放射ビームを前記フィールドファセットミラーデバイスに誘導することと、
フィールドファセットを、前記フィールドファセットを横断する入射極端紫外線ビーム部が前記瞳ファセットミラーデバイスに誘導され、そこから前記リソグラフィ装置のパターニングデバイスに誘導されて前記照明モードの生成に貢献する第１の向きから、前記ビーム部が、前記リソグラフィ装置の投影システムの開口数に対応する半径範囲内に配置され、かつ、入射放射を集めその放射が前記パターニングデバイスに到達することを防ぐのに効果的であるビームダンプ領域として配置された、前記瞳ファセットミラーデバイスの領域上に誘導される、追加の向きに切替えることと、
を含む、方法。
【請求項９】
デバイス製造方法であって、
リソグラフィ装置の照明システムによって提供される照明モードを変更することを含み、前記照明システムはフィールドファセットミラーデバイスおよび瞳ファセットミラーデバイスを含み、前記フィールドファセットミラーデバイスは複数の反射フィールドファセットを含み、前記変更することは、
放射ビームを前記フィールドファセットミラーデバイスに誘導することと、
フィールドファセットを、前記フィールドファセットを横断する入射極端紫外線ビーム部が前記瞳ファセットミラーデバイスに誘導され、そこから前記リソグラフィ装置のパターニングデバイスに誘導されて前記照明モードの生成に貢献する第１の向きから、前記ビーム部が、前記リソグラフィ装置の投影システムの開口数に対応する半径範囲内に配置され、かつ、入射放射を集めその放射が前記パターニングデバイスに到達することを防ぐのに効果的であるビームダンプ領域として配置された、前記瞳ファセットミラーデバイスの領域上に誘導される、追加の向きに切替えることと、
前記パターニングデバイスを用いて、前記照明システムから受け取った放射にパターンを形成することと、
前記投影システムを用いて、前記パターン形成された放射を基板上に投影することと、
を含む、デバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
関連出願への相互参照
[0001]  本願は、２００９年１２月２９日に出願された米国仮特許出願第６１／２９０，５３３号の優先権を主張し、この出願は、参照することによりその全体を本明細書に組み込む。
【０００２】
[0002]  本発明は、概してリソグラフィ装置に関する。本発明は、リソグラフィ装置の一部を形成しうる照明システムに特に適用され、また、独占的にではないが、リソグラフィ装置内の極端紫外線（ＥＵＶ）放射ビームのプロファイルを調節するための照明システムに特に適用される。
【背景技術】
【０００３】
[0003]  リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板上、通常、基板のターゲット部分上に付与する機械である。リソグラフィ装置は、例えば集積回路（ＩＣ）の製造に用いることができる。その場合、ＩＣの個々の層上に形成される回路パターンを生成するために、マスクまたはレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを用いることができる。このパターンは、基板（例えばシリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば１つ以上のダイの一部を含む）に転写することができる。通常、パターンの転写は、基板上に設けられた放射感応性材料（レジスト）層上への結像によって行われる。一般には、単一の基板が、連続的にパターニングされる隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。リソグラフィ装置は、多くの場合、放射源からの放射を受取り、パターニングデバイスを照明するための照明ビームを生成する照明システムを含む。かかる照明システムは、通常、ビームの強度分布を誘導し、整形し、かつ制御する強度分布調節配置を含む。リソグラフィは、集積回路（ＩＣ）および他のデバイスおよび／または構造の製造における重要なステップの１つとして広く認識されている。しかしながら、リソグラフィを使用して作られるフィーチャの寸法が小さくなるにつれて、リソグラフィは小型ＩＣまたは他のデバイスおよび／または構造を製造可能にするためのより重大な要素になりつつある。パターンプリンティングの限界の理論推定値は、次式（１）に示されるような解像度についてのレイリー（Rayleigh）基準によって与えることができる。
【数１】
2013516079.tif 000003
ここで、λは用いられる放射の波長であり、ＮＡはパターンのプリントに用いられる投影システムの開口数であり、ｋ１はレイリー定数とも呼ばれる、プロセス依存型調節係数であり、ＣＤはプリントされたフィーチャのフィーチャサイズ（またはクリティカルディメンション）である。式（１）から、フィーチャの最小プリント可能サイズの縮小は、３つの方法、すなわち、露光波長λを短くすること、開口数ＮＡを大きくすること、またはｋ１の値を小さくすることによって得られることが分かる。
【０００４】
[0004]  露光波長を短くする、したがって最小プリント可能なサイズを縮小するために、極端紫外線（ＥＵＶ）源を使用することが提案されている。ＥＵＶ放射は、例えば１３〜１４ｎｍの範囲内である５〜２０ｎｍの範囲内の波長を有する電磁放射である。６．７ｎｍまたは６．８ｎｍといった例えば５〜１０ｎｍの範囲内である、１０ｎｍ未満の波長を有するＥＵＶ放射を使用しうることもさらに提案されている。可能なＥＵＶ放射源としては、例えばレーザ生成プラズマ源、放電プラズマ源、または電子蓄積リングによって供給されるシンクロトロン放射に基づいた放射源が含まれる。
【０００５】
[0005]  ＥＵＶ放射はプラズマを用いて生成されうる。ＥＵＶ放射を生成するための放射システムは、燃料を励起してプラズマを供給するためのレーザと、プラズマを閉じ込めるための放射源コレクタモジュールとを含みうる。プラズマは、例えば好適な物質（例えばスズ）の粒子、または、ＸｅガスまたはＬｉ蒸気といった適切なガスまたは蒸気のストリームである燃料にレーザビームを誘導することによって生成されうる。結果として生じるプラズマは、例えばＥＵＶ放射である放射を放出し、この放射は放射コレクタを用いて集められる。放射コレクタは、放射を受け取りかつ放射をビームに集束するミラー付き法線入射放射コレクタであってよい。放射源コレクタモジュールは、プラズマを支援するために真空環境を与えるように構成された囲い構造またはチャンバを含みうる。このような放射システムは、通常、レーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）源と呼ばれる。
【０００６】
[0006]  リソグラフィの技術分野では、基板上に投影されたパターニングデバイスの像は、パターニングデバイスが照明される角度を適切に選択することによって、すなわち、パターニングデバイスを照明する放射の角分布を適切に選択することによって改善可能であることは周知である。ケーラー（Koehler）照明システムを有するリソグラフィ装置では、パターニングデバイスを照明する放射の角分布は、照明システムの瞳面内の照明ビームの空間強度分布によって決定される。これは、瞳面における照明ビームは、パターニングデバイスに入射する照明ビームを生成するための２次的または仮想放射源として事実上機能するからである。照明システム内の瞳面における照明ビームの空間強度分布の形状は、一般に、照明モードまたはプロファイルと呼ばれる。
【０００７】
[0007]  瞳面において特定の空間強度分布を有する照明ビームは、パターニングデバイスの像が基板上に投影される際のプロセス寛容度を向上させる。具体的には、ダイポール、環状、または四極オフアクシス照明モードを有する空間強度分布を有する照明ビームは、解像度、および／または、投影システム光学収差に対する感度、露光寛容度、および焦点深度といった投影プロセスの別の特徴を高めうる。特定の「ソフトポール（soft-pole）」照明モードも、基板上に投影されるパターニングデバイスの像に有利な効果を有しうる。したがって、照明システムは、通常、照明ビームが瞳面において所望の空間強度分布（所望の照明モード）を有するように照明ビームを誘導し、整形し、かつ制御する１つ以上のデバイスまたは構造を含む。
【０００８】
[0008]  特に、ＥＵＶ放射が使用される場合、複数の主反射ファセットを有するフィールドファセットミラーデバイスを含む照明システムを設けることが知られている。以下、これらの主反射エレメントは、フィールドファセットとも呼びうる。各フィールドファセットは、使用時に、入射ビーム部、すなわち、放射源コレクタモジュールから放出されフィールドファセットミラーデバイスに入射するＥＵＶ放射ビームの一部を受け取る。各フィールドファセットの向きは、対応する入射ビーム部に対してある角度範囲で制御可能である。各フィールドファセットは、その入射ビーム部からの放射を、複数の副反射ファセットを有する瞳ファセットミラーデバイスに誘導するのに効果的である。これらの副反射エレメントは、瞳ファセットとも呼びうる。各瞳ファセットは、照射されると、パターニングデバイスに入射するＥＵＶ放射ビームが所望の照明モードを有しうるようなパターニングデバイス用の副光源として機能する。
【０００９】
[0009]  このような配置の一例が、米国特許第６，６５８，０８４号に示されており、そこから更なる情報を収集できよう。この特定の特許は、各フィールドファセットが２つの可能な向きに設定可能であるフィールドファセットミラーデバイスを含む照明システムを開示する。第１および第２の向きは、対応する第１の、または、対応する第２の瞳ファセットが照射されるような向きである。かかるシステムでは、フィールドファセットの２倍の瞳ファセットがあり、また、対応する第１の瞳ファセットが第１の照明モードを決定する一方で、対応する第２の瞳ファセットが第２の照明モードを決定する。第１または第２の瞳ファセットから反射された放射が、第１または第２の照明モードそれぞれの一部を形成する。
【００１０】
[0010]  かかる配置は、フィールドファセットがその関連の第２の瞳ファセットを照射することなく、そのフィールドファセットがその関連の第１の瞳ファセットを照射しないことによって第１の照明モードを単に変更できないという欠点を有する。同様に、フィールドファセットが第１の瞳ファセットを照射することなく、そのフィールドファセットが第２の瞳ファセットを照射しないことによって第２の照明モードを変更できない。
【発明の概要】
【００１１】
[0011]  瞳ファセットごとの照明モードの調節を可能にすることによって上述した潜在的欠点を軽減することが本発明の態様である。
【００１２】
[0012]  本発明の一態様では、投影システムを用いて基板上にパターイングデバイスのパターンを投影するように配置された、リソグラフィ装置内での使用のための照明システムが提供される。かかる照明システムは、フィールドファセットミラーデバイスと、瞳ファセットミラーデバイスとを含む。フィールドファセットミラーデバイスは、複数の反射フィールドファセットを含み、各フィールドファセットは、フィールドファセットを横断する入射極端紫外線ビーム部が瞳ファセットミラーデバイスに誘導され、そこからパターニングデバイスに誘導される第１の向きと、ビーム部が、リソグラフィ装置の投影システムの開口数に対応する半径範囲内に配置され、かつ、入射放射を集めその放射がパターニングデバイスに到達することを防ぐのに効果的であるビームダンプ領域として配置された、瞳ファセットミラーデバイスの領域上に誘導される、追加の向きと、の間で切替え可能である。
【００１３】
[0013]  本発明の一態様では、フィールドファセットミラーデバイスおよび瞳ファセットミラーデバイスを含む照明システムを含むリソグラフィ装置が提供される。リソグラフィ装置はさらに、パターニングデバイスを支持するように構成されたサポートを含む。パターニングデバイスは照明システムからの放射を受け取り、放射にパターンを形成するように構成されている。リソグラフィ装置はさらに、パターン形成された放射を基板上に投影するように構成された投影システムを含む。フィールドファセットミラーデバイスは、複数の反射フィールドファセットを含み、各フィールドファセットは、フィールドファセットを横断する入射極端紫外線ビーム部が瞳ファセットミラーデバイスに誘導され、そこからパターニングデバイスに誘導される第１の向きと、ビーム部が、投影システムの開口数に対応する半径範囲内に配置され、かつ、入射放射を集めその放射がパターニングデバイスに到達することを防ぐのに効果的であるビームダンプ領域として配置された、瞳ファセットミラーデバイスの領域上に誘導される、追加の向きとの間で切替え可能である。
【００１４】
[0014]  本発明の一態様では、リソグラフィ装置の照明システムによって提供される照明モードを変更する方法が提供される。照明システムは、フィールドファセットミラーデバイスおよび瞳ファセットミラーデバイスを含む。フィールドファセットミラーデバイスは複数の反射フィールドファセットを含む。かかる方法は、放射ビームをフィールドファセットミラーデバイスに誘導することと、フィールドファセットを、フィールドファセットを横断する入射極端紫外線ビーム部が瞳ファセットミラーデバイスに誘導され、そこからリソグラフィ装置のパターニングデバイスに誘導されて照明モードの生成に貢献する第１の向きから、ビーム部が、リソグラフィ装置の投影システムの開口数に対応する半径範囲内に配置され、かつ、入射放射を集めその放射がパターニングデバイスに到達することを防ぐのに効果的であるビームダンプ領域として配置された、瞳ファセットミラーデバイスの領域上に誘導される、追加の向きに切替えることと、を含む。
【００１５】
[0015]  本発明の一態様では、リソグラフィ装置の照明システムによって提供される照明モードを変更することを含むデバイス製造方法が提供される。照明システムはフィールドファセットミラーデバイスおよび瞳ファセットミラーデバイスを含む。フィールドファセットミラーデバイスは複数の反射フィールドファセットを含む。変更することは、放射ビームをフィールドファセットミラーデバイスに誘導することと、フィールドファセットを、フィールドファセットを横断する入射極端紫外線ビーム部が瞳ファセットミラーデバイスに誘導され、そこからリソグラフィ装置のパターニングデバイスに誘導されて照明モードの生成に貢献する第１の向きから、ビーム部が、リソグラフィ装置の投影システムの開口数に対応する半径範囲内に配置され、かつ、入射放射を集めその放射がパターニングデバイスに到達することを防ぐのに効果的であるビームダンプ領域として配置された、瞳ファセットミラーデバイスの領域上に誘導される、追加の向きに切替えることと、を含む。デバイス製造方法はさらに、パターニングデバイスを用いて、照明システムから受け取った放射にパターンを形成することと、投影システムを用いて、パターン形成された放射を基板上に投影することと、を含む。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
[0016]  本発明の実施形態を、ほんの一例として、添付概略図を参照しながら説明する。図中、対応する参照記号は対応する部分を示す。
【図１】[0017]  図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を示す。
【図２】[0018]  図２は、ＤＰＰ放射源コレクタモジュールを含む図１の装置のより詳細な図を示す。
【図３】[0019]  図３は、図１の装置の別の放射源コレクタモジュール（ＬＰＰ放射源コレクタモジュール）の図である。
【図４】[0020]  図４は、図２の照明システムのより詳細な図である。
【図５】[0021]  図５は、本発明によるものではない、照明システムにおける使用のためのフィールドファセットミラーデバイスの一例の動作を説明する略式説明図である。
【図６】[0022]  図６は、本発明の一実施形態にしたがって照明システムにおける使用のためのフィールドファセットミラーデバイスの動作を説明する略式説明図である。
【図７】[0023]  図７は、本発明の一実施形態にしたがって照明システムにおける図６のビームファセット瞳ファセットミラーデバイスのビームプロファイルを示す。
【図８】[0024]  図８は、本発明の一実施形態にしたがって照明システムにおける図６の瞳ファセットミラーデバイスによって生成されたビームプロファイルを示す。
【図９】[0025]  図９は、本発明の一実施形態にしたがって照明システムにおける図６の瞳ファセットミラーデバイスによって生成されたビームプロファイルを示す。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
[0026]  図１は、本発明の一実施形態による放射源コレクタモジュールＳＯを含むリソグラフィ装置１００を概略的に示す。このリソグラフィ装置は、放射ビームＢ（例えばＥＵＶ放射）を調整するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、パターニングデバイス（例えばマスクまたはレチクル）ＭＡを支持するように構成され、かつパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第１のポジショナＰＭに接続されたサポート構造（例えばマスクテーブル）ＭＴと、基板（例えばレジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、かつ基板を正確に位置決めするように構成された第２のポジショナＰＷに接続された基板テーブル（例えばウェーハテーブル）ＷＴと、パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに付けられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば１つ以上のダイを含む）上に投影するように構成された投影システム（例えば反射型投影システム）ＰＳとを含む。
【００１８】
[0027]  照明システムとしては、放射を誘導し、整形し、または制御するために、反射型、回折型、または屈折型のコンポーネントを含みうる。
【００１９】
[0028]  サポート構造ＭＴは、パターニングデバイスの向き、リソグラフィ装置の設計、および、パターニングデバイスが真空環境内で保持されているか否か等の他の条件に応じた態様で、パターニングデバイスＭＡを保持する。サポート構造は、機械式、真空式、静電式またはその他のクランプ技術を使って、パターニングデバイスを保持することができる。サポート構造は、例えば、必要に応じて固定または可動式にすることができるフレームまたはテーブルであってもよい。サポート構造は、パターニングデバイスを、例えば、投影システムに対して所望の位置に確実に置くことができる。
【００２０】
[0029]  「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分内にパターンを作り出すように、放射ビームの断面にパターンを付与するために使用できるあらゆるデバイスを指していると広く解釈されるべきである。なお、放射ビームに付与されたパターンは、集積回路等のターゲット部分内に作り出されるデバイス内の特定の機能層に対応しうる。
【００２１】
[0030]  パターニングデバイスは透過型であっても反射型であってもよい。パターニングデバイスの例としては、マスク、プログラマブルミラーアレイ、およびプログラマブルＬＣＤパネルが含まれる。マスクは、リソグラフィでは周知であり、バイナリ、レべンソン型（alternating）位相シフト、およびハーフトーン型（attenuated）位相シフト等のマスク型、ならびに種々のハイブリッドマスク型を含む。プログラマブルミラーアレイの一例では、小型ミラーのマトリックス配列が用いられ、入射する放射ビームを様々な方向に反射させるように各小型ミラーを個別に傾斜させることができる。傾斜されたミラーは、ミラーマトリックスによって反射された放射ビームにパターンを付与する。
【００２２】
[0031]  投影システムは、照明システムと同様に、用いられる露光放射に、または真空の使用といった他の要素に適切な屈折型、反射型、反射屈折型、磁気型、電磁型、静電型、または他の型の光学コンポーネント、またはそれらのあらゆる組合せを含む様々な型の光学コンポーネントを含みうる。他のガスは放射を吸収しすぎることがあるので、ＥＵＶ放射には真空を用いることが望ましい。したがって、真空環境を、真空壁および真空ポンプを用いてビーム経路全体に提供しうる。
【００２３】
[0032]  本明細書に示されるように、リソグラフィ装置は反射型装置であってよい（例えば反射型マスクを採用している）。
【００２４】
[0033]  リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）以上の基板テーブル（および／または２つ以上のマスクテーブル）を有するタイプのものであってもよい。そのような「マルチステージ」機械では、追加のテーブルを並行して使うことができ、すなわち予備工程を１つ以上のテーブル上で実行しつつ、別の１つ以上のテーブルを露光用に使うこともできる。
【００２５】
[0034]  図１を参照すると、イルミネータＩＬは、放射源コレクタモジュールＳＯから極端紫外線ビームを受け取る。ＥＵＶ光を生成する方法には、次に必ずしも限定されないが、物質を、ＥＵＶ範囲内の１本以上の輝線を有する例えばキセノン、リチウム、またはスズである少なくとも１つの元素を有するプラズマ状態に変換することが含まれる。レーザ生成プラズマ（「ＬＰＰ」）と呼ばれるこのような方法の１つでは、必要とされるプラズマは、必要な輝線を放出する元素を有する物質の小滴、ストリームまたはクラスタといった燃料をレーザビームによって照射することによって生成することができる。放射源コレクタモジュールＳＯは、燃料を励起させるレーザビームを提供するために、図１には図示されないレーザを含むＥＵＶ放射システムの一部であってよい。結果として生じるプラズマは、例えばＥＵＶ放射である出力放射を放出し、この放射は、放射源コレクタモジュール内に配置される放射コレクタを使って集められる。例えばＣＯ２レーザを用いて燃料励起のためのレーザビームを提供する場合は、レーザと放射源コレクタモジュールは別個の構成要素であってよい。
【００２６】
[0035]  その場合、レーザは、リソグラフィ装置の一部を形成しているとはみなされず、また、放射ビームはレーザから放射源コレクタモジュールへ、例えば適切な誘導ミラーおよび／またはビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムを使って送られる。その他の場合、例えば放射源が多くの場合ＤＰＰ源と呼ばれる放電生成プラズマＥＵＶジェネレータである場合、放射源は放射源コレクタモジュールの一体部分とすることもできる。
【００２７】
[0036]  イルミネータＩＬは、放射ビームの断面に所望の強度均一性および所望の角強度分布の両方があるように、パターニングデバイスに入射する放射ビームを調整すべく用いられうる。イルミネータＩＬは、複数の反射フィールドファセットを有するフィールドファセットミラーデバイスと、複数の反射瞳ファセットを有する瞳ファセットミラーデバイスを含みうる。フィールドファセットの各々は、使用時に、放射源コレクタモジュールＳＯから放出される入射ＥＵＶ放射ビームの一部である入射ビーム部を受け取る。照明モード選択システムが、所望の照明モードを設定するように構築かつ配置されうる。例えばフィールドファセットの各々は、ＥＵＶ放射を、第１の照明モードを規定する反射瞳ファセットの第１の群に属する、対応する様々な瞳ファセットに反射するよう方向付けられうるか、または、ＥＵＶ放射を、第２の照明モードを規定する反射瞳ファセットの第２の群に属する、対応する様々な瞳ファセットに反射するように方向付けられうる。照明モードの選択は、瞳ファセットによって反射されてパターニングデバイスに向けて誘導される際に放射の対応する空間強度分布を調節することによって、パターニングデバイスＭＡに入射する放射ビームの角強度分布を調節することによって得られる。
【００２８】
[0037]  放射ビームＢは、サポート構造（例えばマスクテーブル）ＭＴ上に保持されているパターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡに入射して、パターニングデバイスによってパターン形成される。パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡから反射された後、放射ビームＢは投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームの焦点を合わせる。第２ポジショナＰＷおよび位置センサＰＳ２（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、または静電容量センサ）を使い、例えば、様々なターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路内に位置決めするように、基板テーブルＷＴを正確に動かすことができる。同様に、第１ポジショナＰＭおよび別の位置センサＰＳ１を使い、パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを放射ビームＢの経路に対して正確に位置決めすることもできる。パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡおよび基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１、Ｍ２と、基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使って位置合わせされうる。
【００２９】
[0038]  例示の装置は、以下のモードのうち少なくとも１つのモードで使用できる。 
１．ステップモードでは、サポート構造（例えばマスクテーブル）ＭＴおよび基板テーブルＷＴを基本的に静止状態に保ちつつ、放射ビームに付けられたパターン全体を一度にターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一静的露光）。その後、基板テーブルＷＴは、Ｘおよび／またはＹ方向に移動され、それにより別のターゲット部分Ｃを露光することができる。
２．スキャンモードでは、サポート構造（例えばマスクテーブル）ＭＴおよび基板テーブルＷＴを同期的にスキャンする一方で、放射ビームに付けられたパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一動的露光）。サポート構造（例えばマスクテーブル）ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影システムＰＳの（縮小）拡大率および像反転特性によって決めることができる。
３．別のモードでは、プログラマブルパターニングデバイスを保持した状態で、サポート構造（例えばマスクテーブル）ＭＴを基本的に静止状態に保ち、また基板テーブルＷＴを動かす、またはスキャンする一方で、放射ビームに付けられているパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する。このモードでは、通常、パルス放射源が採用され、さらにプログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルＷＴの移動後ごとに、またはスキャン中の連続する放射パルスと放射パルスとの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、前述のタイプのプログラマブルミラーアレイといったプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。
【００３０】
[0039]  上述の使用モードの組合せおよび／またはバリエーション、或いは完全に異なる使用モードもまた採用可能である。
【００３１】
[0040]  図２は、放射源コレクタモジュールＳＯ、照明システムＩＬ、および投影システムＰＳを含むリソグラフィ装置１００をより詳細に示す。放射源コレクタモジュールＳＯは、放射源コレクタモジュールＳＯの囲い構造２２０内に真空環境が維持可能であるように構築かつ配置される。ＥＵＶ放射を放出するプラズマ２１０が放電生成プラズマ源によって形成されうる。ＥＵＶ放射は、例えばＸｅガス、Ｌｉ蒸気またはＳｎ蒸気といったガスまたは蒸気によって生成されてよく、ガスまたは蒸気内では非常に高温のプラズマ２１０が生成されて電磁スペクトルのＥＵＶ範囲の放射が放出される。この非常に高温のプラズマ２１０は、例えば少なくとも部分的にイオン化されたプラズマを引き起こす放電によって生成される。例えば１０Ｐａの分圧のＸｅ、Ｌｉ、Ｓｎ蒸気または任意の他の好適なガスまたは蒸気が、放射の効率のよい発生には必要となりうる。一実施形態では、励起されたスズ（Ｓｎ）のプラズマが提供されてＥＵＶ放射が生成される。
【００３２】
[0041]  高温プラズマ２１０によって放出された放射は、放射源チャンバ２１１からコレクタチャンバ２１２内へと、放射源チャンバ２１１の開口内またはその後方に位置決めされる任意選択のガスバリアまたは汚染物質トラップ２３０（汚染物質バリアまたはフォイルトラップとも呼ばれることもある）を介して送られる。汚染物質トラップ２３０はチャネル構造を含みうる。汚染物質トラップ２３０はガスバリア、または、ガスバリアとチャネル構造の組み合わせを含んでもよい。本明細書に示す汚染物質トラップまたは汚染物質バリア２３０はさらに、当技術分野において知られているように少なくともチャネル構造を含む。
【００３３】
[0042]  コレクタチャンバ２１１は、いわゆるかすめ入射コレクタでありうる放射コレクタＣＯを含みうる。放射コレクタＣＯは、上流放射コレクタ側２５１と下流放射コレクタ側２５２を有する。コレクタＣＯを通過する放射は格子スペクトルフィルタ２４０から反射されて仮想放射源点ＩＦに合焦される。仮想放射源点ＩＦは通常中間焦点と呼ばれ、放射源コレクタモジュールは中間焦点ＩＦが囲み構造２２０の開口２１９にまたはその付近に位置するように配置される。仮想放射源点ＩＦは放射を放出するプラズマ２１０の像である。
【００３４】
[0043]  次に、放射は照明システムＩＬを通過する。照明システムＩＬは、パターニングデバイスＭＡにおける放射ビーム２１の所望の角強度分布、また、パターニングデバイスＭＡにおける所望の放射強度の均一性を提供するように配置されたフィールドファセットミラーデバイス２２および瞳ファセットミラーデバイス２４を含む。上述したように、照明モードの選択は、フィールドファセットを（フィールドファセットを適切に方向付けることによって）対応する様々な瞳ファセットの軍に光学的に接続することによって得られる。照射された瞳ファセットは、照明モードを規定する所望の空間強度分布を有する副光源として機能する。例えば対応する様々な瞳ファセットの群は、極性のオフアクシス照明モードを提供するために１つ以上のオフアクシスの明るい極（bright poles）を規定するように選択されうる。例えば瞳ファセットにおいてまたはその付近のイルミネータの瞳面内の強度分布の外側半径範囲を選択できる。外側半径範囲はσ-outerと呼ばれ、σ-outerは投影システムの開口数ＮＡに一致する外側半径範囲によって除算された選択された外側半径範囲として規定される。同様に、σ-innerと呼ばれる強度分布の内側半径範囲が選択できる。サポート構造ＭＴによって保持されたパターニングデバイスＭＡにおいて放射ビーム２１が反射した後、パターン付きビーム２６が形成されて、このパターン付きビーム２６は、反射素子２８、３０を介してウェーハステージまたは基板テーブルＷＴによって保持された基板Ｗ上に投影システムＰＳによって結像される。
【００３５】
[0044]  図示されるよりも多くの要素が一般的に照明光学ユニットＩＬおよび投影システムＰＳ内に存在しうる。格子スペクトルフィルタ２４０は、リソグラフィ装置のタイプに依存して任意選択的に存在しうる。さらに図示されるよりも多くのミラーが存在してよい。例えば投影システムＰＳは実際に６個または８個の反射素子を含みうる。
【００３６】
[0045]  図２に示されるコレクタ光学部品ＣＯは、コレクタ（またはコレクタミラー）のほんの一例として、かすめ入射リフレクタ２５３、２５４、および２５５を有するネスト型コレクタとして示される。かすめ入射リフレクタ２５３、２５４、および２５５は光軸Ｏ周りに軸対称に配置され、このタイプのコレクタ光学部品ＣＯは、ＤＰＰ源と多くの場合呼ばれる放電生成プラズマ源と組み合わせて用いられることが好適である。
【００３７】
[0046]  或いは、放射源コレクタモジュールＳＯは、図３に示されるようにＬＰＰ放射システムの一部であってよい。レーザＬＡがキセノン（Ｘｅ）、スズ（Ｓｎ）、またはリチウム（Ｌｉ）といった燃料にレーザエネルギーを与えるように配置され、それにより、数十ｅＶの電子温度を有する、高度にイオン化されたプラズマ２１０が生成される。脱励起およびこれらのイオンの再結合時に発生されるエネルギー放射がプラズマから放出され、近法線入射コレクタ光学部品ＣＯによって集められ、囲い構造２２０の開口２２１に合焦される。
【００３８】
[0047]  本明細書において、ＩＣ製造におけるリソグラフィ装置の使用について具体的な言及がなされているが、本明細書に記載のリソグラフィ装置が、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンスパターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド等の製造といった他の用途を有し得ることが理解されるべきである。当業者には当然のことであるがそのような別の用途においては、本明細書で使用される「ウェーハ」または「ダイ」という用語はすべて、それぞれより一般的な「基板」または「ターゲット部分」という用語と同義であるとみなしてよい。本明細書に記載した基板は、露光の前後を問わず、例えば、トラック（通常、基板にレジスト層を塗布し、かつ露光されたレジストを現像するツール）、メトロロジーツール、および／またはインスペクションツールで処理されてもよい。適用可能な場合には、本明細書中の開示内容を上記のような基板プロセシングツールおよびその他の基板プロセシングツールに適用してもよい。さらに基板は、例えば、多層ＩＣを作るために複数回処理されてもよいので、本明細書で使用される基板という用語は、すでに多重処理層を包含している基板を表すものとしてもよい。
【００３９】
[0048]  次に、図４を参照すると、図４は、フィールドファセットミラーデバイス２２および瞳ファセットミラーデバイス２４をより詳細に示す。瞳ファセットミラーデバイスは、照明システムＩＬの瞳面においてまたはその付近に配置されよく、その中心Ｍは、図２に示されるように放射システムの光軸Ｏと一致するように配置されうる。説明されるべき本発明の実施形態では、フィールドファセット２２１、２２２、２２３といった反射フィールドファセットは、ＥＵＶ放射の各々の入射ビーム部に対して３つの可能な向きをそれぞれ有する点でトライ状態デバイスである。最初の２つの向きは、入射ビーム部を各々の第１および第２の瞳ファセットに反射するのに効果的である。これらの第１および第２の瞳ファセットは、第１および第２の瞳ファセット群それぞれの一部である。第３の向きは、入射ビーム部を、その入射ビーム部がパターニングデバイスＭＡに入射するビームに寄与しない、したがってその入射ビームが選択された照明モードに寄与しない位置に反射するのに効果的である。したがって、図４では、例示的に、反射フィールドファセット２２１は、入射ビーム部２０１を、実線の光線路で示される反射瞳ファセット２１１か、または、点線の光線路によって示される瞳ファセットミラーデバイス２４の反射瞳ファセット２４１２へと反射するとして示されている。第３の向きでは、フィールドファセット２２１は、入射ビーム部２０１を、瞳ファセットミラーデバイス２４から離れる位置へと反射する。この反射光はハッシュ線によって示される。後者の反射光は、照明システムＩＬの壁にあるビームダンプ領域ＢＤによって吸収される。反射フィールドファセットの各々の向きを、ビームの必要とされる照明構成に依存して設定可能とするように照明モード選択システムの一部でありうるアクティブ化システム（図示せず）が設けられる。二重矢印Ａ２２１は、２つの照明モード間で切り替わるために使用されるフィールドファセット２２１の角度傾斜範囲の大きさを概略的に示す。角度範囲Ａ２２１ｂは、入射ビーム部２０１を瞳ファセットミラーデバイスから離れた位置に反射させるために必要である。角度範囲Ａ２２１ｂは、範囲Ａ２２１とは異なり、概して範囲Ａ２２１より大きい。
【００４０】
[0049]  図５は、瞳ファセットミラーデバイス２４のセクタの上面図を示す。上述したように、フィールドファセットミラーデバイス２２の各フィールドファセットは、その特定のフィールドファセットの向きに応じて、２つの関連付けられた瞳ファセットを１つずつ照明することができる。３対のそのような関連付けられた瞳ファセット（２４１１、２４１２）、（２４２１、２４２２）、および（２４３１、２４３２）が図５に示され、各瞳ファセットは、点付き陰影によって示され、関連付けられた瞳ファセットの各対は、それぞれの二重矢印によって接続されて示されている。
【００４１】
[0050]  当然ではあるが、フィールドファセットミラーデバイスの各フィールドファセットは、入射放射を、瞳ファセットミラーデバイスの２つの瞳ファセットに誘導できるので、瞳ファセットミラーデバイスは、フィールドファセットの数に比べて２倍のファセット数を有することになる。さらに、図４では、フィールドファセットミラーデバイス２２内に幾つかのフィールドファセットしか示されていないが、フィールドファセットミラーデバイスは、例えば３２×３２個のフィールドファセット、または、任意の好適な数のフィールドファセットからなるアレイを含みうる。
【００４２】
[0051]  また、当然ではあるが、図４および図５に関連して説明した照明システムでは、フィールドファセットミラーデバイス２２によって、瞳ファセットミラーデバイス２４から離れたビームダンプ領域ＢＤへと反射される放射は、フィールドファセットミラーデバイス２２のフィールドファセットによって、反射された放射が照明モードの一部を形成する角度とは異なる角度で偏向されなければならない。フィールドファセット２２１は、図５における二重矢印Ａ２２１に垂直な軸周りの回転可能であってよく、したがって、図４に示されるようにビームダンプＢＤへと入射ビーム部を反射するためには当該軸周りの追加の、更なる回転が必要となる。その結果、図４に示されるように全回転範囲Ａ２２１ｂは、概して範囲Ａ２２１よりも大きい。フィールドファセットの所望傾斜範囲の大きさが、フィールドファセットとその隣接フィールドファセット間の必要自由空間を決定する。自由空間は、隣接するフィールドファセットが密接している場合に比べて、フィールドファセットミラーデバイスの空間的に積分される反射率（spatially integrated reflectance）を減少する。例えばフィールドファセットは（その反射面に垂直な軸に沿って）３ｍｍの厚さを有してよく、また、図４における傾斜範囲Ａ２２１ｂは１００ｍｒａｄでありうる。この例では、所望の自由空間は０．３ｍｍとなる。隣接フィールドファセットも同様の範囲に亘って回転可能であるならば、２つのフィールドファセット間の自由空間は、他の製造またはシステム公差を含まないで０．６ｍｍである必要がありうる。これは、上述した積分反射率を数パーセント減少しうる。ＥＵＶ放射の損失といったこのような影響を軽減することが望ましい。
【００４３】
[0052]  本発明の一実施形態では、複数の反射フィールドファセットを含むフィールドファセットミラーデバイスを含む、リソグラフィ装置内での使用のためのイルミネータシステムが提供される。各フィールドファセットは、フィールドファセットを横断する入射放射ビーム部が瞳ファセットミラーデバイスに誘導され、それによりフィールドファセットミラーデバイスからパターニングデバイス上に放射を誘導する向きと、かかるビーム部が、リソグラフィ装置の投影システムの開口数に対応する半径範囲内に配置され、かつ、ビームダンプ領域として配置された、瞳ファセットミラーデバイスの領域に誘導され、それにより入射放射を集め、その入射放射がパターニングデバイスに到達することを防ぐ向きとの間で切替え可能である。したがって後者の放射はどの照明モードの一部でもない。
【００４４】
[0053]  図６は、本実施形態の更なる態様を示す。図６において二重矢印Ａ２２１によって接続されて示される瞳ファセット対（２４１１、２４１２）といった関連付けられた瞳ファセットの各対間には、瞳領域ＰＤＢを横断するまたはこの領域に入射するＥＵＶ放射がパターニングデバイスＭＡに入射するビームに貢献しないように、ビームダンプ領域として配置された瞳領域ＰＢＤが設けられている。この領域ＰＢＤは、瞳ファセットミラーデバイスの中心Ｍに対してその半径範囲内に配置される。この範囲は、σ＝１に対応する半径Ｒを有する。したがって、半径範囲Ｒは、リソグラフィ装置の投影システムの開口数に対応する。この半径範囲は、図６では、円形の破線により示される。ビームダンプ領域ＰＢＤは、吸収物質で作られうる。或いは、ビームダンプ領域は、入射放射を、瞳ファセットミラーデバイスから離れて位置するビームダンプ領域（図示せず）に反射するように配置されてもよい。ここには、ＥＵＶ放射吸収物質が設けられる。
【００４５】
[0054]  図６では、ビームダンプ領域ＰＢＤは、４つの瞳ファセット状の領域の直線配置として示される。ビームダンプ領域ＰＢＤは、その一部が、関連付けられた瞳ファセットの対のそれぞれ（２４１１、２４１２）、（２４２１、２４２２）および（２４３１、２４３２）を接続する線上にあるように位置決めされる。その結果、各フィールドファセット２２１、２２２、および２２３の傾斜範囲Ａ２２１、Ａ２２２、およびＡ２２３は、それぞれ、各フィールドファセットによって反射された放射がどの照明モードにも貢献しない傾斜を含むようになり、その一方で傾斜範囲の大きさは、選択可能な照明モードの対によって決定される。したがって、フィールドファセット傾斜範囲の大きさは、後者の照明モードに関連した大きさを超えることはなくなり、これは、今度は、隣接フィールドファセット間に必要な自由空間を減少する。なお、図５および図６では、３対の瞳ファセットしか示されていないが、実際には、関連付けられた瞳ファセットの対は、瞳ファセットミラーデバイス２４全体に分布されてよく、瞳ファセットミラーデバイス２４上のビームダンプ領域ＰＢＤの位置は、以下に説明するように、特定の必要とされる照明モードに鑑みて選択される。
【００４６】
[0055]  図７は、瞳ファセットミラーデバイス２４上のビームダンプ領域ＰＢＤの一例であって、ビームダンプ領域が、環状領域７１に一致する実質的に環状形状に配置されている一例の上面図を示す。簡単にするために、瞳ファセットおよびビームダンプ領域ＰＢＤの一部分のみが詳細に示される。ビームダンプ領域は、瞳ファセットミラーデバイス２４上にファセット状ビームダンプ領域からなる環状リングとして形成され、それにより外側半径範囲Ｒと内側半径範囲Ｒｉとの間にある実質的に環状のリング７１を形成する。外周Ｒは、図６と同様に、装置１００の光学投影システムＰＳの開口数ＮＡに対応する。かかる環状ビームダンプ領域の潜在的利点は、瞳ファセット対を規定するための割り当てスキームに使用できることであり、一対のうち１つの瞳ファセットは、ＲとＲｉとの間の選択された半径範囲内で選択され、その対のうちもう１つの瞳ファセットは、その選択された半径範囲外で選択される。かかる割り当てスキームは、例えば環状照明モードおよびオフアクシス多極照明モードを含む選択可能な照明モードの群をサポートするのに適している。各対に関連付けられた角度傾斜範囲は、その場合、「オフ状態」、すなわち、ある照明モードを、その照明モードに瞳ファセットが貢献しないようにすることによって、変更するように使用するための状態に、対応するフィールドファセットを設定可能である傾斜を含む。したがって、本発明の一実施形態による照明システムでは、照明ビームの特定の構成に対応する「オフ」状態にあるフィールドファセット、または、フィールドファセットミラーデバイス内に生じうる任意の欠陥のあるフィールドファセットでは、不所望の放射を、十分にフィールドファセットミラーの最大角度範囲内のフィールドファセット傾斜において瞳ファセットミラーデバイス２４上のビームダンプＰＢＤに誘導できる。減少された傾斜角度範囲によって、細長いフィールドファセット２２１、２２２、２２３等（マスクＭＡにおける照明スリットに応じた形状を有する）は、ファセット厚を大きくする、ミラーファセットの製造にシリコンといった様々な物質選択を可能とすることにより堅くすることができる。
【００４７】
[0056]  当然ではあるが、瞳ファセットミラーデバイスを用いたビームダンプ領域ＰＢＤの他の構成も提供可能である。図８は、４つの極性ビームダンプ領域ＰＢＤを含む瞳ファセットミラーデバイス２４を示す。各ビームダンプ領域ＰＢＤは、σ＝１を有する半径Ｒ内に配置される。このように瞳ファセットミラーデバイス上に４つのこのようなビームダンプ領域を用いると、フィールドファセットの最大傾斜角度範囲は、ビームダンプ領域が瞳ファセットミラーデバイスの外側、外周内にある配置に対する傾斜角度範囲の７０％に制限できることが分かっている。
【００４８】
[0057]  次に図９を参照すると、図９は、瞳ファセットミラーデバイス２４上の適切な瞳ファセット状領域がビームダンプとして機能するように、または、入射ＥＵＶ放射を外部のビームダンプ領域（図示せず）に誘導するように配置されていることによって、ＲとＲｉとの間に配置された８つのビームダンプ領域ＰＢＤが配置された配置を示す。この場合、フィールドファセットミラーデバイス２２上の対応するフィールドファセットの傾斜角度範囲は、放射が瞳ファセットミラーデバイス２４の周囲の外側に誘導されなければならない配置の傾斜角度範囲の５０％に制限できる。
【００４９】
[0058]  当然ではあるが、図７、８、および９の配置に示されるようにビームダンプ領域を半径範囲ＲとＲｉとの間に有することが有利でありうる一方で、本発明では、図４に示されるように瞳ファセットミラーデバイス２４の端に追加のビームダンプ領域を配置できる。フィールドファセットミラーデバイス２２のフィールドファセットが傾斜可能でなければならない範囲は他の実施形態ほどには減少しないが、瞳ファセットミラーデバイスの外周を一部の瞳ファセットのビームダンプ配置の一部として使用することにより、依然として従来技術に優る利点があり、フィールドファセットミラーデバイス２２のすべてのフィールドファセットが、瞳ファセットミラーデバイス２４の外周の外側に放射を誘導するように傾斜可能である必要はない。
【００５０】
[0059]  当然ではあるが、本発明はＥＵＶ放射を使用するリソグラフィ装置に特に適用されるが、本発明は他の波長範囲内の放射を有するリソグラフィ装置にも適用される。
【００５１】
[0060]  さらに当然ではあるが、前述した特定の実施形態では、フィールドファセットミラーデバイスのファセットは、３つの可能な向きを有する３状態デバイスであるが、本発明はさらに、２つの状態を有するフィールドファセットミラーにも適用可能である。２つの状態のうち１つの状態は、入射放射が、パターニングデバイスＭＡに入射するビーム内に誘導されるファセット向きに対応し、また、１つの状態は、ビームが、瞳ファセットミラーデバイス上のビームダンプ領域として配置される瞳ファセット状領域に誘導される向きに対応する。同様に、本発明は、入射ビーム部分に対して４、５、またはより多くの傾斜において位置決め可能であるフィールドファセットミラーにも適用可能である。
【００５２】
[0061]  光リソグラフィの関連での本発明の実施形態の使用について上述のとおり具体的な言及がなされたが、当然のことながら、本発明の実施形態は、他の用途、例えば、インプリントリソグラフィに使われてもよく、さらに状況が許すのであれば、光リソグラフィに限定されることはない。インプリントリソグラフィにおいては、パターニングデバイス内のトポグラフィによって、基板上に創出されるパターンが定義される。パターニングデバイスのトポグラフィは、基板に供給されたレジスト層の中にプレス加工され、基板上では、電磁放射、熱、圧力、またはそれらの組合せによってレジストは硬化される。パターニングデバイスは、レジストが硬化した後、レジスト内にパターンを残してレジストの外へ移動される。
【００５３】
[0062]  「レンズ」という用語は、文脈によって、屈折、反射、磁気、電磁気、および静電型光コンポーネントを含む様々な種類の光コンポーネントのいずれか１つまたはこれらの組合せを指しうる。
【００５４】
[0063]  以上、本発明の具体的な実施形態を説明してきたが、本発明は、上述以外の態様で実施できることが明らかである。例えば、本発明の実施形態は、上に開示された方法を記述する１つまたは複数のシーケンスの機械可読命令を含むコンピュータプログラム、または、かかるコンピュータプログラムが記憶されたデータ記憶媒体（例えば半導体メモリ、磁気または光ディスク）の形態を取りうる。上記説明は、限定ではなく例示的あることを意図している。したがって、当業者であれば、以下に記載される特許請求の範囲から逸脱することなく本発明に変更を行いうることは明らかであろう。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【国際調査報告】
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