(57)【要約】  本発明は、一平面に延在する導電性構造を備えた電気光学デバイス用の電極（１０）に関する。この構造は、前記平面における長さがＬおよび幅寸法がＤである複数の細長い要素（１２）から成る格子を備える。この導電性構造は、半径が少なくとも２Ｄである内接円と半径がＬの最大３倍である外接円とを有する接触フィールド（１４）を１つ以上さらに備える。これらの接触フィールド（１４）が占める面積は、細長い要素（１２）から成る格子が占める面積の最大２０％である。本発明は、この電極を備えた電気光学デバイスにさらに関する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の電極（１０）と第２の電極（２６）と電気光学層（２４）とを備えた電気光学デバイスであって、前記電気光学層は前記第１および前記第２の電極の間に配置され、少なくとも前記第１の電極は一平面に延在する導電性構造を備え、前記構造は前記平面における長さがＬおよび幅寸法がＤである細長い要素（１２）から成る格子を備え、前記導電性構造は半径が少なくとも２Ｄである内接円（１４ｉ）と半径がＬの最大３倍である外接円（１４ｃ）とを有する接触フィールド（１４）を１つ以上さらに備え、前記接触フィールド（１４）が占める面積は前記細長い要素（１２）から成る前記格子が占める面積の最大２０％である、電気光学デバイス。
【請求項２】
前記第１および前記第２の電極の両方が前記導電性構造を備える、請求項１に記載の電気光学デバイス。
【請求項３】
前記デバイスを取り囲む被覆と、前記被覆の内側に配置されたゲッター材料とを備える、請求項１に記載の電気光学デバイス。
【請求項４】
少なくとも前記第１の電極（２）の側に設けられた１つ以上の絶縁層（２０、２２）と、前記１つ以上の絶縁層を貫通して前記１つ以上の接触フィールドのうちの少なくとも１つまで延在する少なくとも１つの電気フィードスルー（３２）とを備える、請求項１に記載の電気光学デバイス。
【請求項５】
前記１つ以上の絶縁層はバリア層（２０）を含む、請求項４に記載の電気光学デバイス。
【請求項６】
前記１つ以上の絶縁層は基板（２２）を含む、請求項４に記載の電気光学デバイス。
【請求項７】
前記第２の電極の側に金属基板（２８）を備える、請求項１乃至６の何れか１項に記載の電気光学デバイス。
【請求項８】
電気光学デバイスを製造する方法であって、前記方法は、
前記電気光学デバイス用の電極を製造する工程を含み、前記工程は、
−担持体を設けるステップと、
−一平面に延在する導電性構造を前記担持体の表面に設けるステップであって、前記構造は前記平面における長さがＬおよび幅寸法がＤである細長い要素（１２）から成る格子を備え、前記構造は半径が少なくとも２Ｄである内接円（１４ｉ）と半径がＬの最大３倍である外接円（１４ｃ）とを有する接触フィールド（１４）を１つ以上さらに備え、前記接触フィールド（１４）が占める面積は前記細長い要素（１２）の格子が占める面積の最大２０％である、ステップと、
を含み、
前記方法は、
−電気光学層を前記電極に設けるステップと、
−前記電気光学層の前記導電性構造によって形成された前記電極とは反対の側に第２の電極を設けるステップと、
−前記１つ以上の接触フィールドのうちの少なくとも１つまで延在する、外部からアクセス可能な電気接続部を設けるステップと、
をさらに含む方法。
【請求項９】
前記設けるステップは、前記導電性構造を前記基板の前記表面に印刷することを含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記設けるステップは、
−金属基板を前記担持体の前記表面に設けることと、
−前記導電性構造を形成するために、前記金属基板を選択的にエッチングすることと、
を含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
電気光学デバイスを製造するための装置（５０）であって、前記装置は、一平面に延在する導電性構造を担持体（２）の表面に設けるために制御される設備を備えた電気光学デバイス用の電極（１０）を製造するためのデバイス（５２）を備え、前記構造は前記平面における長さがＬおよび幅寸法がＤである細長い要素（１２）から成る格子を備え、前記構造は半径が少なくとも２Ｄである内接円（１４ｉ）と半径がＬの最大３倍である外接円（１４ｃ）とを有する接触フィールド（１４）を１つ以上さらに備え、前記接触フィールド（１４）が占める面積は前記細長い要素（１２）から成る前記格子が占める面積の最大２０％であり、前記装置は電気光学層を設けるためのデバイス（５４）と第２の電極を設けるためのデバイス（５６）とをさらに備える装置（５０）。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学デバイス用の電極に関する。
【０００２】
本発明は、このような電極を備えた電気光学デバイスにさらに関する。
【０００３】
本発明は、このような電極の製造方法にさらに関する。
【０００４】
本発明は、このような電極を備えた電気光学デバイスの製造方法にさらに関する。
【０００５】
本発明は、このような電極を製造するためのデバイスにさらに関する。
【０００６】
本発明は、このような電極を備えた電気光学デバイスを製造するための装置にさらに関する。
【背景技術】
【０００７】
電気光学デバイスは、電気信号に応じて光学効果をもたらす、または光刺激に応じて電気信号を生成する、デバイスである。前者の例は、有機発光ダイオードなどの発光ダイオードおよびエレクトロクロミックデバイスである。後者の例は光電池である。
【０００８】
可撓性プラスチック基板上の大面積ＯＬＥＤ照明には、システムを駆動するために大電流が必要とされる。陽極（例えばＩＴＯ）および陰極（例えばＢａ／Ａｌ）に現在用いられている薄膜材料は抵抗率が大きく、大電流は大幅な電圧降下を引き起こし、非均一な発光を決定付ける。大面積の可撓性ＯＬＥＤデバイスをプラスチック基板上に作製するには、一方または両方の電極を支持するために追加のメタライゼーション構造が必要である。製造コストを下げるには、このように構成されたメタライゼーション被覆をインラインロールツーロールウェブ被覆工程によってプラスチック箔のロールに施すことが好ましい。
【０００９】
したがって、発光デバイスおよびエレクトロクロミックデバイスなどの電気光学デバイスのためばかりでなく、太陽電池製品（ｐｈｏｔｏ−ｖｏｌｔａｉｃ  ｐｒｏｄｕｃｔｓ）のためにも、一方では良好な導電率を有し、他方では光子放射のための高透過率を有するメタライゼーション構造が必要とされている。
【００１０】
電気光学デバイス用の電極が米国特許出願公開第２００２１３０６０５Ａ号に開示されている。この電極は複数の伝導性要素から成るパターンを備え、光はこの電極を通過できる。これらの要素の寸法は光の波長に比べ小さいので、電極は透明に見える。この電極を貫通した後の光の強度分布は、電極を貫通する前の光の強度分布に比べ、前方散乱の影響を受けている。
【００１１】
上記の米国特許出願には、電極を外部電力線に接続する方法が記載されていない。通常、これは、電極の縁端部に接続される母線によって実現される。ただし、この電極を用いた最終製品が完成する前に、母線を設ける必要がある。したがって、母線の寸法を事前に知っておく必要がある。電極と、このような電極を備えた任意の寸法で製造可能な電気光学製品とを提供することが望まれている。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の目的は、改良された電気光学デバイスを提供することである。
【００１３】
本発明の別の目的は、電気光学デバイスを製造するための改良された方法を提供することである。
【００１４】
本発明のさらに別の目的は、電気光学デバイスを製造するための装置を提供することである。
【００１５】
本発明の第１の態様によると、第１の電極（１０）と第２の電極（２６）と電気光学層（２４）とを備えた電気光学デバイスであって、電気光学層は第１および第２の電極の間に配置され、少なくとも第１の電極は一平面に延在する導電性構造を備え、この構造は前記平面における長さがＬおよび幅寸法がＤである細長い要素から成る格子を備え、導電性構造は半径が少なくとも２Ｄである内接円と半径がＬの最大３倍である外接円とを有する接触フィールドを１つ以上さらに備え、接触フィールドが占める面積は細長い要素から成る格子が占める面積の最大２０％である、電気光学デバイスが提供される。
【００１６】
ここで、接触フィールドの内接円は、この接触フィールド内に収まる最大の円として定義される。外接円は、接触フィールドを取り囲む最小の円である。
【００１７】
なお、米国特許出願公開第２００８／２５１８０８号には、発光する積層部分を基板上に含む窒化物半導体発光デバイスが記載されている。この積層部分は、ｎ型半導体層と、活性層と、ｐ型半導体層とを含む。積層部分の周縁は傾斜しており、ｎ型半導体層の表面はこの周縁に露出している。ｎ電極は、ｎ型半導体層の露出した表面に設けられている。上記の米国特許文献は、光を生成する役割を果たす積層部分１０は傾斜した周縁を有すると教示している。迷路状構造を有する電極１２も同様に、積層部分１０の傾斜した周縁に接して設けられた傾斜部分を複数有する。この米国特許文献によると、ｎ電極のオーミック接触は、傾斜した周縁に露出したｎ型コンタクト層の表面に確立され、これによりｎ型コンタクト層による光の透過が防止される。したがって、上記の米国特許文献によると、この特許文献に開示されている各実施形態に一貫して示されているように、この効果を実現するには、迷路状構造を積層部と同じレベルに設けることが必須である。
【００１８】
これを鑑みると、この米国特許文献の教示は、米国特許出願公開第２００２１３０６０５Ａ号に開示されているような、光強度分布が前方散乱によって影響されるように発光材料を電極の背後に配置する必要がある電気光学デバイスには適用できない。
【００１９】
用途によっては、本発明によるデバイス内の第２の電極も上記のような導電性構造をさらに備えうる。これは、第２の電極も透明であることが望ましい場合に好都合である。あるいは、透明である必要がない場合は、金属箔などの一続きの電極を使用しうる。
【００２０】
本発明の第２の態様によると、電気光学デバイスを製造する方法が提供される。本方法は、
−電気光学デバイス用の電極を製造する工程を含み、この工程は、
−担持体を設けるステップと、
−一平面に延在する導電性構造を担持体の表面に設けるステップであって、この構造は前記平面における長さがＬおよび幅寸法がＤである細長い要素から成る格子を備え、この構造は半径が少なくとも２Ｄである内接円と半径がＬの最大３倍である外接円とを有する接触フィールドを１つ以上さらに備え、この接触フィールドが占める面積は細長い要素から成る格子が占める面積の最大２０％である、ステップと、
を含み、
本方法は、
−電気光学層を前記電極に設けるステップと、
−前記電気光学層の前記導電性構造によって形成された前記電極とは反対の側に第２の電極を設けるステップと、
−前記１つ以上の接触フィールドのうちの少なくとも１つまで延在する、外部からアクセス可能な電気接続部を設けるステップと、
をさらに含む。
【００２１】
本発明の第５の態様によると、電気光学デバイスを製造するための装置が提供される。本装置は、一平面に延在する導電性構造を担持体の表面に設けるために制御される設備を備えた電気光学デバイス用の電極を製造するためのデバイスを備え、前記構造は前記平面における長さがＬおよび幅寸法がＤである細長い要素から成る格子を備え、前記構造は半径が少なくとも２Ｄである内接円と半径がＬの最大３倍である外接円とを有する接触フィールドを１つ以上さらに備え、前記接触フィールドが占める面積は前記細長い要素から成る格子が占める面積の最大２０％である。本装置は、電気光学層を設けるためのデバイスと第２の電極を設けるためのデバイスとをさらに備える。
【００２２】
本発明による各方策は、任意の切断線に沿って半製品から分離されたデバイスの格子状電極への確実な電気接続をもたらすことを可能にする。本発明は、ＯＬＥＤなどの有機電気光学デバイスに特に適用可能であるが、その理由は、これらの電気光学デバイスは、環境内の湿気からデバイスの内部を遮蔽するバリア構造を備えるからである。
【００２３】
図面を参照して上記および他の態様をより詳細に説明する。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本発明の第１の態様による電気光学デバイス用の電極を示す。
【図１Ａ】図１の電極の第１の詳細を示す。
【図１Ｂ】図１の電極の第２の詳細を示す。
【図２】本発明の第１の態様による電気光学デバイスを示す。
【図２Ａ】本発明の第１の態様による電気光学デバイスの一代替実施形態を示す。
【図３Ａ】本発明の第２の態様による方法の第１ステップを示す。
【図３Ｂ】本発明の第２の態様による方法の第２ステップを示す。
【図３Ｃ】本発明の第２の態様による方法の第３ステップを示す。
【図３Ｄ】本発明の第２の態様による方法の第４ステップを示す。
【図３Ｅ】本発明の第２の態様による方法の第５ステップを示す。
【図３Ｆ】本発明の第２の態様による方法の第６ステップを示す。
【図３Ｇ】本発明の第２の態様による方法の第７ステップを示す。
【図３Ｈ】本発明の第２の態様による方法の第８ステップを示す。
【図３Ｉ】本発明の第２の態様による方法の第９ステップを示す。
【図４Ａ】本発明の第２の態様による方法の第１０ステップを示す。
【図４Ｂ】本発明の第２の態様による方法の第１１ステップを示す。
【図４Ｃ】本発明の第２の態様による方法の第１２ステップを示す。
【図５Ａ】本発明の第１の態様による電気光学デバイスの電極の一代替実施形態を示す。
【図５Ｂ】本発明の第１の態様による電気光学デバイスの電極の別の代替実施形態を示す。
【図５Ｃ】本発明の第１の態様による電気光学デバイスの電極の別の代替実施形態を示す。
【図５Ｄ】本発明の第１の態様による電気光学デバイスの電極の別の代替実施形態を示す。
【図６Ａ】本発明の第１の態様による電気光学デバイスの電極のさらに別の代替実施形態を示す。
【図６Ｂ】本発明の第１の態様による電気光学デバイスの電極のさらに別の代替実施形態を示す。
【図６Ｃ】本発明の第１の態様による電気光学デバイスの電極のさらに別の代替実施形態を示す。
【図７】本発明の第３の態様による装置を模式的に示す。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下の詳細な説明には、本発明の完全な理解をもたらすために、特定の詳細が多数述べられている。ただし、当業者は、本発明はこれらの特定の詳細なしに実施されうることを理解されるであろう。他の例では、本発明の態様を曖昧にしないように、周知の方法、手順、および部品が詳細に説明されていない。
【００２６】
各図面においては、明確にするために、層および領域のサイズおよび相対サイズが誇張されていることもある。
【００２７】
本願明細書においては、第１、第２、第３などの用語はさまざまな要素、部品、領域、層、および／または区域を説明するために使用されうるが、これらの要素、部品、領域、層、および／または区域はこれらの用語によって限定されないことを理解されるであろう。これらの用語は、１つの要素、部品、領域、層、または区域を別の領域、層、または区域から区別するためにのみ使用される。したがって、以下に記載されている第１の要素、部品、領域、層、または区域は、本発明の教示から逸脱することなく、第２の要素、部品、領域、層、または区域と呼ぶことも可能である。
【００２８】
本願明細書においては、本発明の複数の実施形態が本発明の理想化された実施形態（および中間構造）の概略図である断面図を参照して説明されている。したがって、例えば製造手法および／または公差の結果として、図示の形状からの逸脱が予想されるべきである。したがって、本発明の実施形態は、本願明細書に例示されている特定の領域形状に限定されるものと解釈されるべきではなく、例えば製造に起因する、形状のずれを含むものとする。
【００２９】
特に定義されていない限り、本願明細書で使用されている（技術的および科学的用語を含む）あらゆる用語は、本発明が属する技術分野の当業者によって一般に理解される意味と同じ意味を持つ。一般に使用される辞書に定義されているような用語は、本願明細書に明示的に定義されていない限り、関連技術の文脈におけるそれぞれの意味と一致した意味を有すると解釈されるべきであり、理想化された、または過度に形式的な、意味では解釈されないことをさらに理解されるであろう。本願明細書で言及されている全ての出版物、特許出願、特許、および他の参考資料は、参照によりその内容全体が本願明細書に組み込まれるものとする。矛盾が生じた場合は、定義を含め、本願明細書が優先される。また、各材料、各方法、および各例は、単に例示のためであり、限定を意図するものではない。
【００３０】
全体にわたって同様の参照符号は同様の要素を指す。
【００３１】
図１は、電気光学デバイス用の電極１０を示す。電極１０は、図１において図面の平面に一致する平面に延在する導電性構造を備える。図１の拡大部分である図１Ａに示されているように、導電性構造は、前記平面における長さがＬおよび幅寸法がＤである細長い要素１２から成る格子を備える。細長い要素１２は開口部１１を取り囲む。図示の実施形態では、長さＬは約１ｍｍに等しい。ただし、長さＬとして別の値、例えば０．５ｍｍから５ｍｍの範囲内の値、を選択してもよい。しかしながら、一部の用途においては、長さＬをはるかに大きくしうる。例えば、導電性構造と電気光学デバイスとの間にウェル導電層が存在する大面積ＯＬＥＤの場合は、導電性構造の各要素は１０ｃｍもの長さを有しうる。このようなウェル導電層は、例えば、横方向への良好な導電率をさらに有する正孔注入層または電子注入層でもよい。要素５の幅Ｄは約５０μｍである。ただし、用途によっては、幅Ｄとして別の値、例えば１μｍから５００μｍの範囲内の値、を選択しうる。
【００３２】
電極１０は、複数の接触フィールド１４をさらに備える。そのうちの１つが図１Ｂに拡大して示されている。図示の接触フィールド１４は、半径が細長い要素１２の幅Ｄの少なくとも２倍である内接円１４ｉと、半径が細長い要素１２の長さＬの最大３倍である外接円１４ｃとを有する。この実施形態では、内接円１４ｉの半径は
【００３３】
【数１】
2013513916.tif 000003
【００３４】
であり、細長い要素１２の幅Ｄである５０μｍの２倍を超える。外接円１４ｃの半径はＬに等しい、すなわち細長い要素１２の長さＬの３倍未満である。
【００３５】
接触フィールド１４が占める表面は、細長い要素１２から成る格子が占める面積の最大２０％である。
【００３６】
これらの細長い要素１２によって形成された格子には、光子放射を通過させる六角形の開口部が複数空いている。細長い要素１２の各々は２つの開口部に界接する。したがって、各開口部に対して細長い要素１２が占める面積は、１／２×６×５０μｍ×１ｍｍ＝０．１５ｍｍ２である。
【００３７】
接触フィールド１４が占める面積は２．５ｍｍ２である。本実施形態については、この導電性構造内の１００個の開口部のうちの最大１つを接触フィールド１４に置換した場合、接触フィールド１４が占める面積は細長い要素４から成る格子が占める面積の２０％以下である。電極１０の実際の実施形態では、複数の接触フィールド１４が両方向に各３ｃｍの離間距離で配置される。
【００３８】
図１に示されている電極１０の実施形態では、各接触フィールド１４は少なくとも５つの細長い要素１２に接続可能であり、この図においては各接触フィールド１４は６つの要素に接続されていることが分かる。
【００３９】
図２は、本発明の第１の態様による電気光学製品の一実施形態を示す。
【００４０】
図示の電気光学デバイスは、第１の電極１０と第２の電極２６と電気光学層２４とを備える。電気光学層２４は、第１および第２の電極１０、２６の間に配置される。第１の電極１０は、図１、図１Ａ、図１Ｂを参照して説明したような電極である。電気光学層２４は、電流を光子放射に変換する層である。第１の電極１０と電気光学層２４との間に透明な導電層４、例えばＳｎＯ２：Ｆの層、が設けられる。透明な導電層４は、電極１０から供給された電流を横方向に分散させるローカル分散層の役割と電気光学層２４に電子を注入する電子注入層の役割の両方を果たす。あるいは、電気光学層２４は光子放射を電流に変換する層である。層２４は、光電気的に活性な有機または無機材料の積層体、あるいは有機および無機材料の組み合わせの積層体にすることもできる。さらに、これらの有機または無機層のいくつかに不純物を添加してもよい。さらに別の実施形態において、電気光学層は、電極１０、２６に印加された電圧に応じて決まる光学的性質、例えば透過率または反射率、を有しうる。これらの機能の１つを有する電気光学層は、それ自体が当該技術分野において周知である。電気光学層２４は複数の副層を備えうる。
【００４１】
図示の実施形態において、電気光学デバイスは、少なくとも第１の電極１０の側の１つ以上の絶縁層２０、２２と、１つ以上の絶縁層２０、２２を貫通して少なくとも１つ以上の接触フィールド１４まで延在する少なくとも１つの電気フィードスルー３２とを備える。
【００４２】
図示の実施形態において、１つ以上の絶縁層は少なくとも１つのバリア層２０を含む。バリア層２０は、内部への水と酸素の移動を妨げる。これは有機発光製品にとって特に重要である。１つ以上の絶縁層は基板２２をさらに含む。
【００４３】
本デバイスには、電極２６としての役割を果たすことができる正孔注入層、例えばＰＥＤＯＴ層、をさらに設けることができる。
【００４４】
本電気光学デバイスは、第２の電極２６の側に金属基板２８を備える。金属基板２８は、本デバイスのための機械的支持部として、および導体プレーンとして機能する。金属基板はバリア機能をさらに有する。金属基板は、電気鍍金によって作製されうる。要素３０は、互いに異なるセラミック材料、例えば酸化珪素および窒化珪素などの材料、の複数の副層から成る積層体を備えうるバリア層を示す。要素３０は、側面保護が必要な状況のためのオプションである。これは、機械的保護のための保護層にもなりうる。この保護層をバリア層と組み合わせてもよい。例えば、保護層が有機である場合は、この保護層にセラミック材料の積層体を組み合わせてもよい。図２は、バリア層３０を設ける前に設けられたステッカー３４をさらに示す。ステッカー３４の除去後、金属基板２８の接点が利用可能になる。
【００４５】
図２Ａは、一代替実施形態を示す。この図において、金属基板２８は、図１、図１Ａ、および図１Ｂを参照して説明した電極構造１０と同様の電極構造１０ａに置き換えられている。電極１０の各部とこれらに接続された要素３２とバリア層２０とに対応する部分は、同じ参照符号に接尾辞ａが付けられている。この実施形態において、正孔注入層２６は、電極構造１０から供給された電流を横方向に分散させるローカル分散層としても機能する。
【００４６】
図２Ａに示されている実施形態において、電極構造１０ａは別のバリア層２０ａによって覆われている。さらに、本デバイスは、電気絶縁性接着剤３８によって取り付けられた金属箔３６によって形成された被覆に埋め込まれている。絶縁性接着剤３８は、複数のゲッター粒子３９を備えている。接触要素１４ａがフィードスルー３２ａを介して電気的に結合される。
【００４７】
一部のデバイスは雰囲気の影響を受けないか、または不活性雰囲気中で使用されうる。その場合は、バリア層を省いてもよく、また接触要素に外部から直接アクセス可能な場合は接触要素へのフィードスルーも不要でありうる。
【００４８】
図３Ａから図３Ｉを参照して、本発明の第１の態様による電気光学デバイスの製造方法を説明する。
【００４９】
第１ステップ（図３Ａに図示）で、例えば２０μｍから２００μｍの範囲内の厚さ、例えば１００μｍの厚さ、を有する金属箔２、例えばアルミニウム箔、を設ける。必要であれば、この箔を、例えば（静電）粘着ロールとの接触によって、湿式化学洗浄によって、またはプラズマ処理によって、洗浄してもよい。図３Ａの部分ａおよびｂは、箔２の断面図および平面図をそれぞれ示す。
【００５０】
第２ステップ（図３Ｂに図示）で、透明導電層４を金属箔２の主面に設ける。本実施形態では、ＳｎＯ２：Ｆの透明導電層がＡＰＣＶＤによって５５０℃の温度で設けられる。設けられた層４は、一般に２０〜６００ｎｍの範囲内の厚さを有する。
【００５１】
図３Ｃは、第３ステップを示す。このステップでは、一平面に延在する導電性構造を備えた電極１０を設ける。ここで、この平面は、箔上の透明導電層４の表面によって、あるいは、透明導電層がない場合は箔２自体の表面によって、画成される。図３Ｃの部分ａおよびｂは、箔の断面図および平面図をそれぞれ示す。この断面は、部分ｂの線Ｃ−Ｃに沿っている。
【００５２】
電極１０は一般に印刷されるが、その理由は、電極を形成する導電性材料を迅速かつ非接触で施すことができるからである。特に電極１０は、銀ペーストを印刷することによって設けられる。ただし、銅またはアルミニウムなど、導電性の良い他の材料も同様に適している。あるいは、図１、図１Ａ、および図１Ｂに示したように、電極１０は、電気鍍金にレジスト工程を組み合わせて設けることもできる。電極１０は、前記平面における長さがＬおよび幅寸法がＤである細長い要素１２の格子によって形成された構造を備える。電極１０は、半径が少なくとも２Ｄである内接円と半径がＬの最大３倍である外接円とを有する複数の接触フィールド１４をさらに備える。これらの接触フィールド１４が占める面積は、細長い要素１２から成る格子が占める面積の最大２０％である。
【００５３】
図３Ｄに示されている第４ステップで、バリア層２０が電極１０上に設けられる。バリア層２０は、異なる無機材料が交互に重なった複数の副層を備えうる。あるいは、バリア層２０は、無機材料と有機材料とが交互に重なった複数の副層を備えうる。この実施形態では、窒化シリコン層、酸化シリコン層、窒化シリコン層、酸化シリコン層、および窒化シリコン層を連続的に含むバリア層が設けられる。これは、バリア層の全ての副層を同じ技術で設けることができるという利点を有する。
【００５４】
図３Ｅに示されている第５ステップで、バリア層２０は、例えば２０μｍから５０μｍの範囲内の厚さを有する、基板としても示されている有機支持層２２によって覆われる。有機支持層２２、例えばポリイミド層、を例えばスピンコーティングによって、設けてもよい。あるいは、有機層２２を貼合によってバリア層２０に設けてもよい。これは、相対的に高速な手順を可能にする。ただし、糊層中の泡およびＳｎＯ２：Ｆの亀裂を回避するために、糊、圧力、温度、および速度を最適化する必要がある。
【００５５】
有機支持層２２を設けた後、図３Ｆに示されている第６ステップで、第１ステップで設けた金属箔１０を除去する。この実施形態では、エッチング液、この場合はＮａＯＨの５％水溶液、を用いて温度約６０℃で１５〜１６分間でエッチングすることによって金属箔１０を除去した。エッチング後、得られた半製品をＨ３Ｐ０４溶液中で中和し、脱塩水ですすいだ。
【００５６】
図３Ｇに示されている第７ステップで、ＰＥＤＯＴ層などの導電性高分子層２４を、例えばスピンコーティングによって、設けた。この高分子層が十分に高い伝導率を有する場合は、透明導電層４を設ける第２ステップを省いてもよい。導電性高分子層２４は、一般に、約１００ｎｍ台の厚さを有する。その後、厚さ約８０ｎｍの発光層２５を同じくスピンコーティングによって設けた。
【００５７】
図３Ｈは、第８ステップを示す。このステップでは、陰極２６を、この場合は熱蒸着によって、堆積させた。堆積物は、発光高分子層に堆積された約５ｎｍのバリウム層とこのバリウム層に堆積された約１００〜４００ｎｍのアルミニウム層とを含んだ。あるいは、例えば極めて薄い金属層、例えばＢａ、Ａｌ、またはＡｇの層、を含む透明な陰極を、例えば透明な導電性酸化物層および誘電体と共に、設けてもよい。
【００５８】
図３Ｉは、第９ステップを示す。このステップでは、陰極２６を金属層２８で覆う。この第９ステップには、さまざまな選択肢が可能である。一実施形態においては、金属層は、本件と同一の出願人によって出願された欧州特許出願第０９１５８６１８．０（Ｐ８７６４９ＥＰ００）号に記載されているように、イオン液体による電気鍍金によって相対的に薄いアルミニウム層を陰極層２６に設けることによって設けられる。あるいは、導電性接着剤を用いて金属箔を陰極に接着してもよい。
【００５９】
本デバイスの陰極２６側が透明であることが望ましい場合は、代わりに、導電性構造が設けられたバリア箔、例えばステップ３Ｆで準備されたような箔、を陰極に接着することも可能である。その場合は、層４は透明である必要はない。
【００６０】
図３Ｉの半製品の製造に用いられる第１ステップから第９ステップは、ロールツーロール工程で実施されうる。この工程で得られる半製品は、例えば、幅が例えば１０ｃｍから２ｍの範囲内であり、長さが１ｍから数ｋｍの範囲内であるシートでもよい。このシートはロールに巻き付けて保存されうる。この半製品が雰囲気中の湿気や酸素などの物質に敏感な構成要素を含んでいる場合は、バリア構造１０と層２８とがこれらの構成要素を完全に封入するように注意することによって側面からの漏入を防止しうる。ただし、代わりに、半製品を保護雰囲気中に保管してもよい。
【００６１】
第１０ステップでは、所望の形状およびサイズを有する部分を第９ステップで得られた半製品から分離する。部分の分離は、例えばレーザ切断または打抜きによって行われうる。
【００６２】
図１は、円形部分が半製品から分離される例を示す。図４Ａは、分離された対応する部分を示す。ただし、分離される部分が少なくとも１つの接触フィールド１４を含んでいる限り、分離される部分は如何なる形状およびサイズでも有しうる。
【００６３】
第１１ステップ（図４Ｂに図示）では、製品を分離したことによって露出した側面にバリア層３０を設ける。バリア層３０は、互いに異なる複数のセラミック材料、例えば酸化珪素および窒化珪素などの材料、から成る複数の副層から成る積層体を含みうる。場合によっては、製品の陰極２６がある側にもバリア層３０を設けてもよいが、この側は金属箔２８によって既に保護されているので、このバリア層３０は厳密には必要ではない。バリア層３０を設ける場合は、バリア層３０を設ける前に、ステッカー３４（図４Ｃを参照）を金属箔２８に設けてもよい。バリア層３０を設けた後に、ステッカー３４をバリア層３０と共に除去することによって、電気接点を金属箔２８に残すことができる。バリア層３０を低温ＰＥＣＶＤ工程によって設け、その後に、例えばポリイミドまたはＰＥＮなどの有機層をその上に浸漬被覆によって設けることによって、得られたバリア層３０を機械的に保護してもよい。
【００６４】
第１２ステップ（図４Ｃに図示）で、有機支持層２２およびバリア層２０を貫通して導電性構造１０の接触フィールド１４まで延在する電気フィードスルー３２を少なくとも１つ設ける。導電性構造１０に少なくとも１つの接触フィールド１４が存在することにより、導電性構造１０と外部導電体との間の確実な電気接触を容易に得られる。所望されれば、このような電気フィードスルーを介して導電性構造１０内の複数の接触フィールド１４を外部導電体に接続しうる。
【００６５】
図示の実施形態において、接触フィールド１４は、細長い要素１２から成る格子の開口部１１に取って代わる。これは、接触フィールド１４と細長い要素１２から成る格子との間に極めて良好な電気的接続が実現されるという利点を有する。ただし、図５Ａまたは５Ｂに示されているように、代わりに、細長い要素１２から成る格子の内部における接触フィールド１４の他の相対位置も可能である。また、接触フィールド１４は開口部と同じサイズを有する必要はなく、より小さくても（図５Ｃ）またはより大きくても（図５Ｄ）よい。図５Ｃの例では、内接円の半径は０．４５ｍｍであり、細長い要素の幅Ｄ（５０μｍ）の約９倍である。外接円の半径は０．５ｍｍであり、細長い要素の長さＬ（１ｍｍ）の約０．５倍である。図５Ｄの例では、内接円の半径は１ｍｍであり、細長い要素の幅Ｄ（５０μｍ）の約２０倍である。図５Ｄでは、外接円の半径は１．１ｍｍであり、細長い要素の長さＬ（１ｍｍ）の約１．１倍である。
【００６６】
細長い要素１２から成る格子は六角形の格子である必要はない。例えば矩形の格子（図６Ａ）、三角形の格子（図６Ｂ）、または八角形の格子（図６Ｃ）を使用してもよい。格子は完全に規則的である必要はない。代わりに、格子は不規則的でもよく、例えば、サイズが異なる複数の細長い要素の組み合わせによって格子が形成されてもよい。ただし、ＯＬＥＤの場合は、観察者に一様に見える強度分布をもたらす電流分布になるように格子が十分に規則的であることが望ましい場合もある。
【００６７】
本発明による導電性構造を有する基板を提供するために、さまざまな方法を適用可能である。上記のように、このような方法の１つによると導電性構造は印刷され、別の方法によると導電性構造は電気鍍金によって設けられる。さらに別の方法によると、例えば、本願と同一の出願人によって先に出願された欧州特許出願第０８１７３０４０（Ｐ８６８３０ＥＰ００）号に記載されているように、選択エッチング工程後に残った金属箔材料が導電性構造を形成するように、金属箔の選択エッチングによって導電性構造を設けてもよい。このようにして得られた導電性構造を、例えば本願と同一の出願人によって先に出願された欧州特許出願第０９１６７４１６．８（Ｐ８８２００ＥＰ００）号に記載されているように、バリア層に埋め込んでもよい。
【００６８】
図７は、電気光学デバイスを製造するための装置５０を模式的に示す。装置５０は、設備、例えば一平面に延在する導電性構造を担持体２の表面に設けるために制御される印刷設備、を備えた電気光学デバイス用の電極１０を製造するためのデバイス５２を備える。この印刷設備によって設けられる構造、例えば図１、図１Ａ、および図１Ｂの構造は、前記平面における長さがＬおよび幅寸法がＤである細長い要素１２から成る格子を備える。この構造は、半径が少なくとも２Ｄである内接円１４ｉと半径がＬの最大３倍である外接円１４ｅとを有する接触フィールド１４を１つ以上さらに備える。これらの接触フィールド１４が占める面積は、細長い要素１２から成る格子が占める面積の最大２０％である。装置５０は、電気光学層２４を設けるためのデバイス５４と第２の電極２６（図２を参照）を設けるためのデバイス５６とをさらに備える。
【００６９】
実際には、装置５０は、製造する電気光学デバイスの種類によっては、他の層を設けるための設備をさらに備えうる。例えば、製造する電気光学デバイスがＯＬＥＤの場合は、正孔注入層、バリア層などを設けるための設備が存在しうる。これらの各種設備は、運転のために特殊な雰囲気条件を必要としうる。例えば、無機層を設けるには、減圧雰囲気中での運転が必要とされうる。この場合、このような特殊な雰囲気条件により処理される半製品は、特定の設備を有し、処理中に必要とされる特殊な雰囲気条件を提供するチャンバ内にバッチ単位で配置されうる。あるいは、ロールツーロール工程のような連続処理フローが必要とされる場合は、本願と同一の出願人によって出願された欧州特許出願第０９１６９６６８．２（Ｐ８８８４７ＥＰ００）号に記載されているように、特定の設備を有し、必要な特殊な雰囲気条件を雰囲気分離スロットを介して提供するチャンバ内に処理対象の半製品を搬入および搬出してもよい。図示の実施形態において、処理対象の基板２は少なくとも巻き出しロール５１と巻き取りロール５９とを備えた搬送設備によって、さまざまな設備に沿って案内される。
【００７０】
本発明を図面および上記説明において例示し詳細に説明してきたが、このような例示および説明は説明および例示のためであり、制限するものではないと見なされるべきである。本発明は開示された実施形態に限定されるものではない。
【００７１】
当業者は、これらの図面、開示、および添付の特許請求の範囲を検討されることにより、開示された実施形態の他の変形例を理解し、特許請求された本発明の実施時に具体化できるであろう。特許請求の範囲において、単語「備える／含む（ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ）」は、他の要素またはステップを排除するものではなく、不定冠詞「ａ」または「ａｎ」は複数を排除するものではない。単一のプロセッサなどのユニットは、特許請求の範囲に記載されているいくつかの項目の機能を果たしうる。特定の方策が互いに異なる請求項に記載されているという単なる事実は、これらの方策の組み合わせを好都合に使用できないことを示すものではない。特許請求の範囲における如何なる参照符号も範囲を限定するものと解釈されるべきではない。
【図１】
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【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図２】
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【図２Ａ】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
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【図３Ｄ】
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【図３Ｅ】
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【図３Ｆ】
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【図３Ｇ】
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【図３Ｈ】
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【図３Ｉ】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図４Ｃ】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図５Ｃ】
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【図５Ｄ】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図６Ｃ】
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【図７】
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【国際調査報告】
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