(57)【要約】本発明は、基板に絶縁膜を形成し、絶縁膜上に互いに分離された第１の接地パッド及び第２の接地パッドを形成し、接地パッド間の間隔を埋める第１分離膜と、第１の接地パッドの一面上に積層される第２の分離膜と、第２の接地パッドの一面上に積層される第３の分離膜とを形成し、各分離膜の上部に所定の高さの第１の隔壁層を形成し、第１の隔壁層が形成された基板にシード金属をスパッタリングし、第１の隔壁層の上部に所定の高さの第２の隔壁層を形成し、第２の隔壁層が形成された基板に金属メッキ工程を行い、第１及び第２の接地パッドに接続される第１及び第２のミラーを形成し、第１及び第２の隔壁層を除去し、第１及び第２のミラー上にツェナーダイオード及びＬＥＤを接続し、第１及び第２のミラーにより形成された空間が充填されるように、蛍光体物質を積層する。
2013522902.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＬＥＤモジュールの製造方法において、
基板に絶縁膜を形成する段階；
前記絶縁膜上に互いに分離された第１の接地パッド及び第２の接地パッドを形成する段階；
前記接地パッド間の間隔を埋める第１分離膜と、前記第１の接地パッドの一面上に積層される第２の分離膜と、前記第２の接地パッドの一面上に積層される第３の分離膜とを形成する段階；
前記各分離膜の上部に所定の高さの第１の隔壁層を形成する段階；
前記第１の隔壁層が形成された基板にシード金属をスパッタリングする段階；
前記第１の隔壁層の上部に所定の高さの第２の隔壁層を形成する段階；
前記第２の隔壁層が形成された基板に金属メッキ工程を行い、第１の接地パッドに接続される第１のミラーと、前記第２の接地パッドに接続される第２のミラーとを形成する段階；
前記第１の隔壁層及び第２の隔壁層を除去する段階；
前記第１のミラー上にツェナーダイオードを接続し、前記第２のミラー上にＬＥＤを接続する段階；及び、
前記第１のミラー及び第２のミラーにより形成された空間が充填されるように、蛍光体物質を積層する段階を含むことを特徴とする、ＬＥＤモジュールの製造方法 。
【請求項２】
前記第１の隔壁層を形成する段階は、
前記分離膜が形成された基板に第１のフォトレジスト層を積層する段階；及び、
前記第１の接地パッド及び第２の接地パッドの一部が露出されるように、前記第１のフォトレジスト層をエッチングする段階を含むことを特徴とする、請求項１に記載のＬＥＤモジュールの製造方法。
【請求項３】
前記第２の隔壁層を形成する段階は、前記第１の分離膜上に形成された第１の隔壁層の上面が、前記第２の隔壁層により全部カバーされるようにすることを特徴とする、請求項１に記載のＬＥＤモジュールの製造方法。
【請求項４】
前記第２の隔壁層を形成する段階は、前記第２及び第３の分離膜上に形成された第１の隔壁層の上面が、前記第２の隔壁層により一部露出されるようにすることを特徴とする、請求項１に記載のＬＥＤモジュールの製造方法。
【請求項５】
前記第２の隔壁層を形成する段階は、
前記スパッタリングが行われた基板に第２のフォトレジスト層を積層する段階；及び、
前記第１の接地パッド及び第２の接地パッドの一部が露出され、前記第１の分離膜上に形成された第１の隔壁層の上面が、第２のフォトレジスト層により全部カバーされるように、前記第２のフォトレジスト層をエッチングする段階を含むことを特徴とする、請求項１に記載のＬＥＤモジュールの製造方法。
【請求項６】
前記絶縁膜を形成する段階は、前記基板上に酸化アルミニウム層（ＡＡＯ，Anodic Aluminum Oxide）を形成し、前記酸化アルミニウム層上に酸化シリコン（ＳｉＯ２）層を蒸着する段階を含むことを特徴とする、請求項１に記載のＬＥＤモジュールの製造方法。
【請求項７】
前記第１の接地パッド及び第２の接地パッドを形成する段階は、前記絶縁膜上にシード金属をスパッタリングし、前記第１の接地パッド及び第２の接地パッドを製作するためのフォト工程及び金属メッキ工程を行う段階を含むことを特徴とする、請求項１に記載のＬＥＤモジュールの製造方法。
【請求項８】
前記シード金属としてＴｉ又はＡｕを用い、前記金属メッキ工程にＣｕ又はＡｕ金属メッキを用いることを特徴とする、請求項７に記載のＬＥＤモジュールの製造方法。
【請求項９】
前記第１の分離膜〜第３の分離膜は、前記第１の接地パッド及び第２の接地パッド上にポリマーを塗布して形成されることを特徴とする、請求項１に記載のＬＥＤモジュールの製造方法。
【請求項１０】
前記第１のミラー及び第２のミラーは、前記第２の隔壁層が形成された基板にＮｉ、Ｓｕ、Ｃｕ、Ａｕ及びＡｇの一つ以上を電気メッキして形成されることを特徴とする、請求項１に記載のＬＥＤモジュールの製造方法。
【請求項１１】
ＬＥＤモジュールの製造方法において、
基板にツェナーダイオードを挿入する段階；
前記基板に絶縁膜を形成する段階；
前記絶縁膜上に互いに分離された第１の接地パッド及び第２の接地パッドを形成する段階；
前記接地パッド間の間隔を埋める第１の分離膜と、前記第１の接地パッドの一面上に積層される第２の分離膜と、前記第２の接地パッドの一面上に積層される第３の分離膜とを形成する段階；
前記各分離膜の上部に所定の高さの第１の隔壁層を形成する段階；
前記第１の隔壁層が形成された基板にシード金属をスパッタリングする段階；
前記第１の隔壁層の上部に所定の高さの第２の隔壁層を形成する段階；
前記第２の隔壁層が形成された基板に金属メッキ工程を行い、前記第１の接地パッドに接続される第１のミラーと、第２の接地パッドに接続される第２のミラーとを形成する段階；
前記第１の隔壁層及び第２の隔壁層を除去する段階；
前記第２のミラー上にＬＥＤを接続する段階；及び、
前記第１のミラー及び第２のミラーにより形成された空間が充填されるように、蛍光体物質を積層する段階を含むことを特徴とする、ＬＥＤモジュールの製造方法。
【請求項１２】
前記挿入されたツェナーダイオードは、前記第１のミラーの下段の方に位置することを特徴とする、請求項１１に記載のＬＥＤモジュールの製造方法。
【請求項１３】
前記第１の隔壁層を形成する段階は、前記分離膜が形成された基板に第１のフォトレジスト層を積層する段階と、前記第１の接地パッド及び第２の接地パッドの一部が露出されるように、前記第１のフォトレジスト層をエッチングする段階とを含み、
前記第２の隔壁層を形成する段階は、前記スパッタリングが行われた基板に第２のフォトレジスト層を積層する段階と、前記第１の接地パッド及び第２の接地パッドの一部が露出され、前記第１の分離膜上に形成された第１の隔壁層の上面が前記第２のフォトレジスト層により全部カバーされるようにし、前記第２及び第３の分離膜上に形成された第１の隔壁層の上面が前記第２の隔壁層により一部露出されるように、前記第２のフォトレジスト層をエッチングする段階を含むことを特徴とする、ＬＥＤモジュールの製造方法。
【請求項１４】
前記絶縁膜を形成する段階は、前記基板上に酸化アルミニウム層（ＡＡＯ，Anodic Aluminum Oxide）を形成し、前記酸化アルミニウム層の上段に酸化シリコン（ＳｉＯ２）層を蒸着する段階を含み、
前記第１の接地パッド及び第２の接地パッドを形成する段階は、前記絶縁膜上にＴｉ又はＡｕシード金属をスパッタリングし、前記第１の接地パッド及び第２の接地パッドを製作するためのフォト工程及びＣｕ又はＡｕを用いた金属メッキ工程を行う段階を含むことを特徴とする、請求項１１に記載のＬＥＤモジュールの製造方法。
【請求項１５】
前記第１の分離膜〜第３の分離膜は、前記第１の接地パッド及び第２の接地パッド上にポリマーを塗布して形成され、
前記第１のミラー及び第２のミラーは、前記第２の隔壁層が形成された基板にＮｉ、Ｓｕ、Ｃｕ、Ａｕ及びＡｇの一つ以上を電気メッキして形成されることを特徴とする、請求項１１に記載のＬＥＤモジュールの製造方法。
【請求項１６】
前記絶縁膜上にドライバーＩＣを接続させる段階をさらに含むことを特徴とする、請求項１又は請求項１１に記載のＬＥＤモジュールの製造方法。
【請求項１７】
前記絶縁膜上に集積受動素子を接続させる段階をさらに含むことを特徴とする、請求項１、請求項１１及び請求項１６の何れか１項に記載のＬＥＤモジュールの製造方法。
【請求項１８】
ＬＥＤモジュールにおいて、
絶縁膜が形成された基板上に互いに分離して形成された第１の接地パッド及び第２の接地パッドと、
前記第１の接地パッドに一面が接続された第１のミラーと、
前記第２の接地パッドに一面が接続された第２のミラーと、
前記第１のミラーに接続されたツェナーダイオードと、
前記第２のミラーの一面上に配置されたＬＥＤと、
前記ツェナーダイオード及びＬＥＤ上に形成された蛍光体とを含み、
前記第１のミラーの他面及び第２のミラーの他面は、互いに対向するように形成されることを特徴とする、ＬＥＤモジュール。
【請求項１９】
前記接続されたツェナーダイオードは、前記第１のミラーの下段の方に位置することを特徴とする、ＬＥＤモジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＬＥＤモジュール及びその製造方法に関し、より詳細では、ＬＥＤモジュールを製造するＬＥＤモジュール及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、一般のＬＥＤモジュールの製造方法では、リードフレーム状のパッケージ内にＬＥＤ素子を組立て、蛍光体を塗布して個別ＬＥＤ素子を製作し、この組立された素子をＰＣＢ基板上に表面実装して照明用モジュールを製作する。
【０００３】
しかしながら、このような方法は、ＬＥＤ素子の発熱特性の低下により発光効率が低下し、大きさの制約により既存の照明用電球の明るさを作るのには限界があり、価格の低下も難しいという短所がある。
【０００４】
また、このような短所を克服するために、ＭＣＰＣＢ（Metal Core PCB）基板を用いてパッケージをなくし、ＭＣＰＣＰＢ基板に直接的にＬＥＤを組立てるＣＯＢ（Chip on Board）形態の技術が知られている。
【０００５】
しかしながら、このようなＭＣＰＣＢは、熱伝導率に優れるが、素材自体が高価であり、量産のために特別に考案された量産施設の設置による施設投資費用が発生し、ＭＣＰＣＢの製作時５０μｍ以下の微細工程が難しいという問題点がある。よって、このような技術は、照明用ＬＥＤモジュールを製作するのに非効率的であり、高価であるため、照明用モジュールとしては適切でないと指摘されている。
【０００６】
また、素子自体の発光能力を高める高効率ＬＥＤの単一チップの研究が進行しているが、高価であり、熱放出特性の向上のために特別に考案されたパッケージを使用しなければならないため、サイズの低減も困難であり、組立価格も高価であると指摘されている。
【０００７】
したがって、より効率的なＬＥＤモジュールの製造方法が要求されている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明の目的は、高輝度ＬＥＤモジュールの製造の際、ＬＥＤ素子の熱放出特性を向上させて素子の発光効率を高め、低輝度ＬＥＤをモジュール状に製作して低価且つ小型の高輝度ＬＥＤモジュールを製作できる、ＬＥＤモジュール及びその製造方法を提供することにある。
【０００９】
また、本発明の目的は、個々のＬＥＤ素子に反射板を製作して光の放出特性を向上させ、多様な形態のモジュールを製作して多機能を持つ照明用高輝度ＬＥＤを製作できる、ＬＥＤモジュール及びその製造方法を提供することにある。
【００１０】
そして、本発明の目的は、半導体工程を用いるため、量産性に優れ、モジュールの不良率を著しく低減でき、生産単価も画期的に低下させることができる、ＬＥＤモジュール及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
前記課題を解決するために、本発明の第１の側面に係るＬＥＤモジュールの製造方法は、基板に絶縁膜を形成する段階；絶縁膜上に互いに分離された第１の接地パッド及び第２の接地パッドを形成する段階；接地パッド間の間隔を埋める第１の分離膜と、第１の接地パッドの一面上に積層される第２の分離膜と、第２の接地パッドの一面上に積層される第３の分離膜とを形成する段階；各分離膜の上部に所定の高さの第１の隔壁層を形成する段階；第１の隔壁層が形成された基板にシード金属をスパッタリングする段階；第１の隔壁層の上部に所定の高さの第２の隔壁層を形成する段階；第２の隔壁層が形成された基板に金属メッキ工程を行い、第１の接地パッドに接続される第１のミラーと、第２の接地パッドに接続される第２のミラーとを形成する段階；第１の隔壁層及び第２の隔壁層を除去する段階；第１のミラー上にツェナーダイオードを接続し、第２のミラー上にＬＥＤを接続する段階；及び、第１のミラー及び第２のミラーにより形成された空間が充填されるように、蛍光体物質を積層する段階を含む。
【００１２】
また、本発明の第２の側面に係るＬＥＤモジュールの製造方法は、基板にツェナーダイオードを挿入する段階；基板に絶縁膜を形成する段階；絶縁膜上に互いに分離された第１の接地パッド及び第２の接地パッドを形成する段階；接地パッド間の間隔を埋める第１の分離膜と、第１の接地パッドの一面上に積層される第２の分離膜と、第２の接地パッドの一面上に積層される第３の分離膜とを形成する段階；各分離膜の上部に所定の高さの第１の隔壁層を形成する段階；第１の隔壁層が形成された基板にシード金属をスパッタリングする段階；第１の隔壁層の上部に所定の高さの第２の隔壁層を形成する段階；第２の隔壁層が形成された基板に金属メッキ工程を行い、第１の接地パッドに接続される第１のミラーと、第２の接地パッドに接続される第２のミラーとを形成する段階；第１の隔壁層及び第２の隔壁層を除去する段階；第２のミラー上にＬＥＤを接続する段階；及び、第１のミラー及び第２のミラーにより形成された空間が充填されるように、蛍光体物質を積層する段階を含む。
【００１３】
また、本発明の第３の側面に係るＬＥＤモジュールは、絶縁膜が形成された基板上に互いに分離して形成された第１の接地パッド及び第２の接地パッドと、第１の接地パッドに一面が接続された第１のミラーと、第２の接地パッドに一面が接続された第２のミラーと、第１のミラーに接続されたツェナーダイオードと、第２のミラーの一面上に配置されたＬＥＤと、ツェナーダイオード及びＬＥＤ上に形成された蛍光体とを含み、第１のミラーの他面及び第２のミラーの他面は、互いに対向するように形成される。
【発明の効果】
【００１４】
上述した本発明によれば、高輝度ＬＥＤモジュールの製造の際、ＬＥＤ素子の熱放出特性を向上させて素子の発光効率を高め、低輝度のＬＥＤをモジュール形態に製作して低価且つ小型の高輝度ＬＥＤモジュールを製作できる。
【００１５】
また、上述した本発明によれば、個々のＬＥＤ素子に反射板を製作して光の放出特性を向上させ、多様な形態のモジュールを製作できるため、多機能を持つ照明用高輝度ＬＥＤを製作できる。
【００１６】
また、上述した本発明によれば、半導体工程を用いるため、量産性に優れ、モジュールの不良率を著しく低減でき、生産単価も画期的に低下させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１ａ】本発明の一実施例に係るＬＥＤモジュールの製造方法を示す図である。
【図１ｂ】本発明の一実施例に係るＬＥＤモジュールの製造方法を示す図である。
【図１ｃ】本発明の一実施例に係るＬＥＤモジュールの製造方法を示す図である。
【図１ｄ】本発明の一実施例に係るＬＥＤモジュールの製造方法を示す図である。
【図１ｅ】本発明の一実施例に係るＬＥＤモジュールの製造方法を示す図である。
【図１ｆ】本発明の一実施例に係るＬＥＤモジュールの製造方法を示す図である。
【図１ｇ】本発明の一実施例に係るＬＥＤモジュールの製造方法を示す図である。
【図１ｈ】本発明の一実施例に係るＬＥＤモジュールの製造方法を示す図である。
【図２】本発明の一実施例に係るＬＥＤモジュールを示す断面図である。
【図３ａ】本発明の他の実施例に係るＬＥＤモジュールの製造方法を示す図である。
【図３ｂ】本発明の他の実施例に係るＬＥＤモジュールの製造方法を示す図である。
【図３ｃ】本発明の他の実施例に係るＬＥＤモジュールの製造方法を示す図である。
【図４】本発明の一実施例に係るＬＥＤモジュールの製造方法を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、添付図面に基づき、本発明の好適な実施例を詳細に説明する。但し、本発明はこれに限定されず、多様に具現可能である。また、図面において、本発明を明確に説明するために、説明と関係ない部分は省略し、明細書において類似な部分に対しては類似な図面符号を付けた。
【００１９】
明細書の全般において、ある部分が他の部分と“連結”されているというのは、“直接的に連結”されている場合だけでなく、その中間に他の素子を挟んで“電気的に連結”されている場合も含む。また、ある部分がある構成要素を“含む”というのは、特別に反対される記載がない限り、他の構成要素を除外するものでなく、他の構成要素をさらに含むことを意味する。
【００２０】
図１ａ〜図１ｈは、本発明の一実施例に係るＬＥＤモジュールの製造方法を示す図である。
【００２１】
本発明の実施例に係るＬＥＤモジュールは、絶縁膜１２０が形成された基板１１０上に、互いに分離して形成された第１の接地パッド１４２及び第２の接地パッド１４４と、第１の接地パッド１４２に一面が接続された第１のミラー１８２と、第２の接地パッド１４４に一面が接続された第２のミラー１８４と、第１のミラー１８２に接続されたツェナーダイオード１９１と、第２のミラー１８４の一面上に配置されたＬＥＤ（１９２）と、ツェナーダイオード１９１及びＬＥＤ（１９２）上に形成された蛍光体１９４とを含む。このとき、第１のミラー１８２の他面及び第２のミラー１８４の他面は、対向するように形成され得る。以下、ＬＥＤモジュールの製造方法については、より具体的に説明する。
【００２２】
まず、図１ａに示すように、基板１１０に絶縁膜１２０を形成する。具体的には、Ｓｉ基板１１０上にＡｌ金属を蒸着し、陽極酸化方式により５ｎｍ以下の小さなナノ孔（pore）が形成された酸化アルミニウム層（ＡＡＯ、Anodic Aluminum Oxide）を形成し、酸化シリコン（ＳｉＯ２）層をプラズマ化学気相装置により蒸着して、ＬＥＤモジュールのための絶縁膜１２０を製作する。このような絶縁膜１２０を製作する具体的な内容は、本出願人の先行技術（韓国特許登録番号１０−０８９９８９４）を参照されたい。
【００２３】
次に、図１ｂに示すように、絶縁膜１２０上に接地パッド１４０を形成するが、互いに分離されている第１の接地パッド１４２及び第２の接地パッド１４４を形成する。ここで、絶縁膜１２０上にシード金属をスパッタリングし、第１の接地パッド１４２及び第２の接地パッド１４４を製作するためのフォトレジスト層１３０を用いたフォト工程及び金属メッキ工程により、第１の接地パッド１４２及び第２の接地パッド１４４が形成され得る。
【００２４】
より具体的には、電気メッキのためのシード金属であるＴｉ又はＡｕをスパッタリングして感光膜を塗布した後、フォト工程により接地パッドを製作するためのパターンを形成する。そして、電気メッキにて接地パッドをＣｕ又はＡｕを用いて製作する。
【００２５】
次に、図１ｃに示すように、分離膜１５０を形成するが、接地パッド１４２、１４４間の間隔を埋める第１の分離膜１５１と、第１の接地パッド１４２の一面上に積層される第２の分離膜１５２と、第２の接地パッド１４４の一面上に積層される第３の分離膜１５３とを形成する。
【００２６】
ここで、第１の分離膜１５１〜第３の分離膜１５３は、第１の接地パッド１４２及び第２の接地パッド１４４上にポリマーを塗布して形成され得る。
【００２７】
次に、図１ｄに示すように、分離膜１５０の上部に所定の高さの第１の隔壁層１６０を形成する。ここで、第１の隔壁層１６０は、分離膜１５０が形成された基板１１０に第１のフォトレジスト層を積層し、第１の接地パッド１４２及び第２の接地パッド１４４の一部が露出されるように、第１のフォトレジスト層をエッチングする過程により形成され得る。
【００２８】
そして、図１ｅに示すように、第１の隔壁層１６０が形成された基板１１０にシード金属１６２をスパッタリングする。
【００２９】
また、図１ｆに示すように、第１の隔壁層１６０の上部に所定の高さの第２の隔壁層１７０を形成する。具体的に、スパッタリングが行われた基板１１０に第２のフォトレジスト層を積層し、第１の接地パッド１４２及び第２の接地パッド１４４の一部が露出され、第１の分離膜１５１上に形成された第１の隔壁層１６０の上面１６４が第２のフォトレジスト層により全部カバーされるように第２のフォトレジスト層をエッチングする。
【００３０】
ここで、第１の分離膜１５１上に形成された第１の隔壁層１６０の上面１６４が第２の隔壁層１７０により全部カバーされるように第２の隔壁層１７０を形成できる。また、第２及び第３の分離膜１５３上に形成された第１の隔壁層１６０の上面１６６、１６８が第２の隔壁層１７０により一部露出されるように第２の隔壁層１７０を形成できる。これにより、第１の分離膜１５１上に形成された第１の隔壁層１６０の周辺にミラー１８０が形成されることを防止できる。
【００３１】
次に、図１ｇに示すように、第２の隔壁層１７０が形成された基板１１０に金属メッキ工程を行い、第１の接地パッド１４２に接続される第１のミラー１８２と、第２の接地パッド１４４に接続される第２のミラー１８４とを形成する。ここで、第１のミラー１８２及び第２のミラー１８４は、第２の隔壁層１７０が形成された基板１１０にＮｉ、Ｓｕ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇを電気メッキして形成され得る。
【００３２】
これにより、第１の隔壁層１６０、第１の隔壁層１６０にスパッタリングしたシード金属、スパッタリングしたシード金属を一部カバーする第２の隔壁層１７０の構成により、示すようなミラー１８０の構造を形成できる。
【００３３】
次に、図１ｈに示すように、第１の隔壁層１６０及び第２の隔壁層１７０を除去する。
【００３４】
そして、第１のミラー１８２上にツェナーダイオード１９１を接続し、第２のミラー１８４上にＬＥＤ（１９２）を接続する。そして、電気配線のためのＡｕワイヤボンディング（wire bonding）１９３を行い、第１のミラー１８２及び第２のミラー１８４により形成された空間が充填されるように、蛍光体１９４物質を積層する。
【００３５】
図２は、本発明の一実施例に係る図１ａ〜図１ｈの過程により製造されたＬＥＤモジュールを示す断面図である。
【００３６】
図２に示すように、前記のように製造されたＬＥＤモジュールにおいて、個々のＬＥＤ素子に反射板を製作して光の放出特性を向上させ、多様な形態のモジュールを製作して多機能を持つ照明用高輝度ＬＥＤを製作できる。
【００３７】
そして、半導体工程を用いるため、量産性に優れ、モジュールの不良率を著しく低減でき、生産単価も画期的に低下させることができる。
【００３８】
また、多様な種類のカラーランク（color rank）が異なるＬＥＤを一つのモジュール内に組み立てることで、ＬＥＤを用いた感性照明装置の製作が可能になる。
【００３９】
図３ａ〜図３ｃは、本発明の他の実施例に係るＬＥＤモジュールの製造方法を示す図である。
【００４０】
図３ａに示すように、基板１１０に絶縁膜１２０を形成する前、基板１１０にツェナーダイオード１９１を挿入し得る。ここで、挿入されたツェナーダイオード１９１は、第１のミラー１８２の下段の方に位置し得る。このように、ツェナーダイオード１９１を先に挿入すれば、工程をより簡単化することができ、小型化したＬＥＤモジュールの製作が可能になる。
【００４１】
そして、図３ｂに示すように、ＬＥＤモジュールの絶縁膜１２０上にドライバーＩＣ（Integrated Circuit）２００を付着し得る。すなわち、製作が完了したＬＥＤモジュール上に、ＬＥＤのドライバーＩＣ（２００）をベア（bare）状に付着してワイヤボンディングを行うと、モジュールの集積度を高めることができる。
【００４２】
そして、図３ｃに示すように、絶縁膜１２０上に集積受動素子２１０を共に集積することができる。
【００４３】
このように、高輝度ＬＥＤモジュールを製造する際、ＬＥＤ素子の熱放出特性を向上させて素子の発光効率を高めると共に、低輝度のＬＥＤをモジュール状に製作して低価且つ小型の高輝度ＬＥＤモジュールを製作できる。
【００４４】
図４は、本発明の一実施例に係るＬＥＤモジュールの製造方法を示すフローチャートである。
【００４５】
まず、基板１１０に絶縁膜１２０を形成する（Ｓ１０１）。ここで、基板１１０上に酸化アルミニウム層を形成し、酸化アルミニウム層上に酸化シリコン（ＳｉＯ２）層を蒸着する過程により絶縁膜１２０を形成できる。また、他の実施例では、段階Ｓ１０１の前にツェナーダイオード１９１が挿入され得る。
【００４６】
次に、絶縁膜１２０上に互いに分離された第１の接地パッド１４２及び第２の接地パッド１４４を形成する（Ｓ１１１）。ここで、絶縁膜１２０上にシード金属をスパッタリングし、第１の接地パッド１４２及び第２の接地パッド１４４を製作するためのフォト工程及び金属メッキ工程を行う。そして、シード金属としてＴｉ又はＡｕを用い、金属メッキ工程にＣｕ又はＡｕ金属メッキを用いる。
【００４７】
次に、接地パッド間の間隔を埋める第１の分離膜１５１と、第１の接地パッド１４２の一面上に積層される第２の分離膜１５２と、第２の接地パッド１４４の一面上に積層される第３の分離膜１５３とを形成する（Ｓ１２１）。ここで、第１の分離膜１５１〜第３の分離膜１５３は、第１の接地パッド１４２及び第２の接地パッド１４４上にポリマーを塗布して形成され得る。
【００４８】
次に、各分離膜の上部に所定の高さの第１の隔壁層１６０を形成する（Ｓ１３１）。ここで、第１の隔壁層１６０は、分離膜が形成された基板１１０に第１のフォトレジスト層を積層し、第１の接地パッド１４２及び第２の接地パッド１４４の一部が露出されるように、第１のフォトレジスト層をエッチングする過程により形成され得る。
【００４９】
次に、第１の隔壁層１６０が形成された基板１１０にシード金属をスパッタリング（Ｓ１４１）。
【００５０】
次に、第１の隔壁層１６０の上部に所定の高さの第２の隔壁層１７０を形成する（Ｓ１５１）。ここで、第１の分離膜１５１上に形成された第１の隔壁層１６０の上面１６４が、第２の隔壁層１７０により全部カバーされるように、第２の隔壁層１７０を形成できる。また、第２及び第３の分離膜１５３上に形成された第１の隔壁層１６０の上面１６６、１６８が、第２の隔壁層１７０により一部露出されるように、第２の隔壁層１７０を形成できる。
【００５１】
次に、第２の隔壁層１７０が形成された基板１１０に金属メッキ工程を行い、第１の接地パッド１４２に接続される第１のミラー１８２と、第２の接地パッド１４４に接続される第２のミラー１８４とを形成する（Ｓ１６１）。第１のミラー１８２及び第２のミラー１８４は、第２の隔壁層１７０が形成された基板１１０にＮｉ、Ｓｕ、Ｃｕ、Ａｕ又はＡｇを電気メッキして形成され得る。
【００５２】
次に、第１の隔壁層１６０及び第２の隔壁層１７０を除去する（Ｓ１７１）。
【００５３】
次に、第１のミラー１８２上にツェナーダイオード１９１を接続し、第２のミラー１８４上にＬＥＤ（１９２）を接続する（Ｓ１８１）。
【００５４】
次に、第１のミラー１８２及び第２のミラー１８４により形成された空間が充填されるように、蛍光体１９４物質を積層する（Ｓ１９１）。
【００５５】
一方、他の実施例において、ＬＥＤモジュールの絶縁膜１２０上にドライバーＩＣ（２００）及び集積受動素子２１０が共に集積され得る。
【００５６】
上述した本発明の説明は例示のためのものであり、本発明が属する技術分野の通常の知識を有する者は、本発明の技術的思想や必須な特徴を変更しなくて他の具体的な形態に容易に変形可能であることが分かる。よって、上述した実施例は、全般的に例示的であり、限定的でないことが分かる。例えば、単一型に説明されている各構成要素は分散されて実施され得、同様に、分散されたものとして説明されている構成要素も、結合された形態として実施され得る。
【００５７】
本発明の範囲は前記詳細な説明より後述する特許請求の範囲により示され、特許請求の範囲の意味及び範囲、その均等概念から導出される全ての変更又は変形された形態は、本発明の範囲に含まれるものと解析されるべきである。
【図１ａ】
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【図１ｂ】
2013522902.tif 000004
【図１ｃ】
2013522902.tif 000005
【図１ｄ】
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【図１ｅ】
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【図１ｆ】
2013522902.tif 000008
【図１ｇ】
2013522902.tif 000009
【図１ｈ】
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【図２】
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【図３ａ】
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【図３ｂ】
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【図３ｃ】
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【図４】
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【国際調査報告】
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