(57)【要約】スペクトル純度フィルタを製造する方法が提供される。この方法では、スペクトル純度フィルタの複数のアパーチャに対応する基材の第１表面に開口部が形成される。少なくとも第１表面における開口部を囲う基材の表面を化学的に処理して第２材料層を形成し、基材は第２表面からエッチングされ、それによって開口部は、基材の第１表面から基材の第２表面まで延在する。【選択図】図２
2013503357.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
極端紫外線を透過させかつ第２タイプの放射の透過を抑制するように構成された複数のアパーチャを有するスペクトル純度フィルタを製造する方法であって、前記方法は、
第１主要表面および第２主要表面を有する基材を提供することと、
前記スペクトル純度フィルタの前記複数のアパーチャに対応する前記基材の前記第１表面に開口部を形成することと、
少なくとも前記第１表面における前記開口部を囲う前記基材の前記表面を化学的に処理して第２材料層を形成することであって、前記第２材料は、前記基材と異なりかつエッチングプロセスに対して未処理の基材より大きい抵抗力を有する、ことと、
少なくとも前記開口部の領域において前記基材の厚さを減少させるために前記エッチングプロセスを用いて前記基材をエッチングすることであって、それによって前記開口部が前記基材を通って延在する、ことと
を含む、方法。
【請求項２】
前記基材は単結晶シリコンであり、前記基材の前記表面を化学的に処理することは、結果として生じる第２材料が、窒化シリコン、炭化シリコン、硫化シリコンおよび酸化シリコンのうちの１つを含むシリコン化合物であるように、窒化、炭化、硫化および酸化させることのうちの１つを含む、請求項１に記載のスペクトル純度フィルタを製造する方法。
【請求項３】
前記基材の厚さを減少させ、それによって前記開口部が前記基材を通って延在するために前記基材が前記基材の第１領域からエッチングされ、前記基材は前記基材の第２領域からエッチングされず、前記第２領域は、下層の基材が前記スペクトル純度フィルタの構造サポートとして機能するように選択される、請求項１または２に記載のスペクトル純度フィルタを製造する方法。
【請求項４】
前記第１表面から最も離れている前記開口部の端面上に形成されたあらゆる前記第２材料を選択的に除去することをさらに含み、前記開口部の前記端面から前記第２材料を選択的に除去することは、任意的に、反応性イオンエッチングすることを含み、前記開口部の前記端面から前記第２材料を選択的に除去することを行う前に、マスク層が前記基材の前記第１表面の前記第２領域に設けられる、請求項３に記載のスペクトル純度フィルタを製造する方法。
【請求項５】
前記基材の厚さを減少させるために前記基材をエッチングする前に前記基材の前記第２表面の前記第１領域から前記第２材料層を選択的に除去することをさらに含む、請求項３または４に記載のスペクトル純度フィルタを製造する方法。
【請求項６】
前記第２表面の前記第１領域から前記第２材料層を選択的に除去するステップは、反応性イオンエッチングすることを含む、請求項５に記載のスペクトル純度フィルタを製造する方法。
【請求項７】
前記第２表面の前記第１領域から前記第２材料層を選択的に除去することを行う前に、マスク層が前記基材の前記第２表面の前記第２領域に設けられる、請求項５または６に記載のスペクトル純度フィルタを製造する方法。
【請求項８】
極端紫外線を透過させかつ第２タイプの放射の透過を抑制するように構成された複数のアパーチャを有するグリッドを含むスペクトル純度フィルタであって、前記グリッドは、前記アパーチャを互いから離す壁をさらに含み、前記壁は、シリコン化合物から実質的に形成される、スペクトル純度フィルタ。
【請求項９】
前記シリコン化合物は、窒化シリコン、炭化シリコン、硫化シリコンおよび酸化シリコンからなる群から選択される、請求項８に記載のスペクトル純度フィルタ。
【請求項１０】
請求項１〜７のうちのいずれかに記載の方法によって製造される請求項８または９に記載のスペクトル純度フィルタ。
【請求項１１】
請求項８〜１０のうちのいずれかに記載のスペクトル純度フィルタを含む放射源。
【請求項１２】
請求項８〜１０のうちのいずれかに記載のスペクトル純度フィルタを含むリソグラフィ装置。
【請求項１３】
放射源であって、
極端紫外線を透過させかつ第２タイプの放射の透過を抑制するように構成された複数のアパーチャを含むグリッドと、
前記アパーチャを互いから離す壁であって、前記壁はシリコン化合物から実質的に形成される、壁と
を含むスペクトル純度フィルタを含む、放射源。
【請求項１４】
リソグラフィ装置であって、
極端紫外線および第２タイプの放射を含む放射を生成するように構成された放射源と、
前記極端紫外線を透過させかつ前記第２タイプの放射の透過を抑制するように構成されたスペクトル純度フィルタであって、
前記極端紫外線を透過させかつ前記第２タイプの放射の透過を抑制するように構成された複数のアパーチャを含むグリッドと、
前記アパーチャを互いから離す壁であって、前記壁はシリコン化合物から実質的に形成される、壁と
を含むスペクトル純度フィルタと、
前記グリッドによって透過された前記極端紫外線をパターン付けするように構成されたパターニングデバイスを支持するように構成されたサポートと
前記パターン付き放射を基板上に投影するように構成された投影システムと
を含む、リソグラフィ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
[0001]  本願は、２００９年８月２７日に出願した米国仮出願第６１／２３７，６１４号の優先権を主張し、その全体を本願に参考として組み込む。
【０００２】
[0002]  本発明は、スペクトル純度フィルタ、そのようなスペクトル純度フィルタを含むリソグラフィ装置およびスペクトル純度フィルタを製造する方法に関する。
【背景技術】
【０００３】
[0003]  リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板上、通常、基板のターゲット部分上に付与する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に用いることができる。その場合、ＩＣの個々の層上に形成される回路パターンを生成するために、マスクまたはレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを用いることができる。このパターンは、基板（例えば、シリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば、ダイの一部、または１つ以上のダイを含む）に転写することができる。通常、パターンの転写は、基板上に設けられた放射感応性材料（レジスト）層上への結像によって行われる。一般には、単一の基板が、連続的にパターニングされる隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。公知のリソグラフィ装置としては、ターゲット部分上にパターン全体を一度に露光することにより各ターゲット部分を照射する、いわゆるステッパ、および放射ビームによってある特定の方向（「スキャン」方向）にパターンをスキャンすると同時に、この方向に平行または逆平行に基板をスキャンすることにより各ターゲット部分を照射する、いわゆるスキャナが含まれる。パターンを基板上にインプリントすることにより、パターニングデバイスから基板にパターンを転写することも可能である。
【０００４】
[0004]  パターン印刷を制限する重要な要因は、使用される放射の波長λである。より小さい構造を基板上に投影できるようにするためには、１０〜２０ｎｍの範囲内、例えば１３〜１４ｎｍの範囲内の波長を有する電磁放射である極端紫外線（ＥＵＶ）を使用することが提案されている。さらに、１０ｎｍより小さい波長、例えば６．７ｎｍまたは６．８ｎｍといったように５〜１０ｎｍの範囲内の波長を有するＥＵＶ放射が使用されてもよいことが提案されている。そのようなＥＵＶ放射を軟Ｘ線と呼ぶことがある。可能な放射源としては、例えば、レーザ生成プラズマ源、放電プラズマ源または電子蓄積リングからのシンクロトロン放射が挙げられる。
【０００５】
[0005]  スズ（Ｓｎ）プラズマに基づくＥＵＶ源は、所望の帯域内ＥＵＶ放射のみではなく、帯域外放射、特に深ＵＶ（ＤＵＶ）範囲（１００〜４００ｎｍ）内の放射も放出する。さらに、レーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）ＥＵＶ源の場合、通常１０．６μｍのレーザからの赤外放射は、かなりの量の望ましくない放射を表す。ＥＵＶリソグラフィシステムの光学系は通常この波長においてかなりの反射率を有するため、何らかの手段がとられない場合、望ましくない放射はかなりの力を有してリソグラフィツールへと伝搬する。
【０００６】
[0006]  リソグラフィ装置においては、帯域外放射はいくつかの理由により最小限にされるべきである。第１に、レジストは帯域外波長に対して敏感であり、よって画像品質が低下し得る。第２に、望ましくない放射、特にＬＰＰ源における１０．６μｍの放射は、マスク、ウェーハおよび光学系の望ましくない加熱へと繋がる。望ましくない放射を特定の範囲内とするために、スペクトル純度フィルタ（ＳＰＦ）が展開されている。スペクトル純度フィルタは、ＥＵＶ放射に対して反射型または透過型のいずれかであってよい。反射型ＳＰＦの実施は、既存のミラーの変形または追加の反射要素の挿入を必要とする。透過型ＳＰＦは、典型的には、コレクタとイルミネータとの間に配置され、少なくとも原理上、放射経路に影響を与えない。これは、他のＳＰＦに対する順応性および適合性という結果となるため、利点である。
【０００７】
[0007]  グリッドＳＰＦは、望ましくない放射がＥＵＶ放射よりかなり大きい波長を有する場合、例えばＬＰＰ源における１０．６μｍの放射であった場合に使用され得る一組の透過型ＳＰＦを形成する。グリッドＳＰＦは、抑制される波長程度のサイズを有するアパーチャを含む。抑制メカニズムは、従来技術および本明細書中の詳細な実施形態においてさらに説明されるように、種々のタイプのグリッドＳＰＦの間で異なり得る。ＥＵＶ放射の波長（１３．５ｎｍ）はアパーチャのサイズ（典型的には、＞３μｍ）よりかなり小さいため、ＥＵＶ放射は実質的な回折なしにアパーチャを通過する。
【０００８】
[0008]  いくつかの従来のスペクトル純度フィルタ（ＳＰＦ）は、望ましくない放射を抑制するためにミクロンサイズのアパーチャを有するグリッドに依存する。米国特許出願公開第２００６／０１４６４１３号は、２０μｍまでの直径を有するアパーチャアレイを含むスペクトル純度フィルタ（ＳＰＦ）を開示している。放射波長と比較したアパーチャのサイズによって、ＳＰＦは、異なるメカニズムによって望ましくない放射を抑制し得る。アパーチャサイズが（望ましくない）波長の約半分より小さい場合、ＳＰＦはこの波長の実質的に全ての放射を反射する。アパーチャサイズはさらに大きいが依然として波長程度であった場合、放射は少なくとも部分的に回折されてアパーチャ内の導波管に吸収され得る。
【０００９】
[0009]  これらのＳＰＦに対するおよその材料パラメータおよび仕様は周知である。しかしながら、これらの仕様における製造は簡単ではない。最も難しい仕様は、典型的には直径４μｍのアパーチャ、典型的には５〜１０μｍのグリッドの厚さ、および最大ＥＵＶ透過を確実にするためにアパーチャ間の非常に薄くて（典型的には＜１μｍ）平行な（先細りではない）壁である。
【００１０】
[0010]  シリコンは、半導体製造において十分に理解されているフォトリソグラフィパターニングおよび異方性エッチングプロセスを用いて、そのようなグリッドの製造に対する有望な材料として出現した。十分に制御された断面を有する深いアパーチャに対して、深堀り反応性イオンエッチング（ＤＲＩＥ）が有望とされているが、所要の仕様を有するＥＵＶスペクトル純度フィルタを製造する方法を提供することに対する困難が残っている。
【発明の概要】
【００１１】
[0011]  実施することが比較的簡単なＥＵＶスペクトル純度フィルタを製造する方法を提供し、かつ所望の仕様を有するＥＵＶスペクトル純度フィルタを提供することが本発明の一態様である。
【００１２】
[0012]  本発明の一実施形態によると、極端紫外線を透過させかつ第２タイプの放射の透過を抑制するように構成された複数のアパーチャを有するスペクトル純度フィルタを製造する方法が提供される。方法は、第１主要表面および第２主要表面を有する単結晶シリコンなどの基材を提供することと、スペクトル純度フィルタの所要のアパーチャに対応する基材の第１表面に開口部を形成することと、少なくとも第１表面における開口部を囲う基材の表面を化学的に処理して第２材料層を形成することであって、第２材料は、基材と異なりかつエッチングプロセスに対して未処理の基材より大きい抵抗力を有する、ことと、少なくとも開口部の領域において基材の厚さを減少させるためにエッチングプロセスを用いて基材をエッチングすることであって、それによって開口部が基材を通って延在する、こととを含む。
【００１３】
[0013]  基材の表面を化学的に処理して第２材料を形成することは、少なくとも基材のあらゆる表面上の基材の層が第２材料に変換されるように構成されてよい。任意選択として、基材をエッチングすることは、水酸化カリウムを用いてエッチングすることを含み、基材の表面を化学的に処理することは、水酸化カリウムを用いたエッチングに対して未処理の基材より大きい抵抗力を有する第２材料となる。基材は第２表面からエッチングされてよい。基材の表面を化学的に処理することは、基材の第１表面に形成された隣接する開口部間の実質的に全ての基材が第２材料に変換されるように構成されてよい。基材の第１表面に開口部を形成することは、深堀り反応性イオンエッチングすることを含んでよい。スペクトル純度フィルタを製造する方法は、任意的に、例えば、反応性イオンエッチングの手段を含む、第１表面から最も離れている開口部の端面上に形成されたあらゆる第２材料を選択的に除去することを含む。
【００１４】
[0014]  基材をエッチングするステップは、開口部の周りの基材の厚さを２μｍ〜１０μｍの範囲に減少させてよい。開口部は、隣接する開口部を隔てる材料の幅が１μｍより小さいように形成されてよい。開口部の領域内の基材の結果として生じる厚さ対隣接する開口部を隔てる材料の幅の比率は、５：１〜２０：１の範囲であってよい。方法は、開口部の周りの基材の第１表面および第２表面うちの少なくとも１つを第２タイプの放射を反射する金属などの材料によってコーティングすることをさらに含んでよい。
【００１５】
[0015]  本発明の一態様によると、上記の方法によって製造されたスペクトル純度フィルタが提供される。
【００１６】
[0016]  本発明の一態様によると、極端紫外線を透過させかつ第２タイプの放射の透過を抑制するように構成された複数のアパーチャを有するグリッドを含むスペクトル純度フィルタが提供されており、グリッドは、アパーチャを互いから離す壁をさらに含み、壁は窒化シリコンなどのシリコン化合物から実質的に形成される。
【００１７】
[0017]  本発明の一態様によると、上記の方法によって製造されたスペクトル純度フィルタを含む放射源およびリソグラフィ装置が提供される。
【００１８】
[0018]  本発明の一態様によると、放射源が提供されており、放射源は、極端紫外線を透過させかつ第２タイプの放射の透過を抑制するように構成された複数のアパーチャを含むグリッドと、アパーチャを互いから離す壁であって、壁はシリコン化合物から実質的に形成される、壁とを含むスペクトル純度フィルタを含む。
【００１９】
[0019]  本発明の一態様によると、極端紫外線および第２タイプの放射を含む放射を生成するように構成された放射源と、極端紫外線を透過させかつ第２タイプの放射の透過を抑制するように構成されたスペクトル純度フィルタとを含むリソグラフィ装置が提供される。スペクトル純度フィルタは、極端紫外線を透過させかつ第２タイプの放射の透過を抑制するように構成された複数のアパーチャを含むグリッドと、アパーチャを互いから離す壁であって、壁はシリコン化合物から実質的に形成される、壁とを含む。装置は、さらに、グリッドによって透過された極端紫外線をパターン付けするように構成されたパターニングデバイスを支持するように構成されたサポートと、パターン付き放射を基板上に投影するように構成された投影システムとを含む。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
[0020]  本発明のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の概略図を参照して以下に説明する。これらの図面において同じ参照符号は対応する部分を示す。
【図１】[0021]  図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を示す。
【図２】[0022]  図２は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置の配置を示す。
【図３】[0023]  図３は、本発明の一実施形態によるスペクトル純度フィルタの正面図を示す。
【図４】[0024]  図４は、本発明の一実施形態によるスペクトル純度フィルタの変形形態の詳細を示す。
【図５】[0025]  図５は、本発明の一実施形態よる製造の中間段階におけるスペクトル純度フィルタの傾斜断面図のマイクログラフィックイメージを示す。
【図６】[0026]  図６は、図５のスペクトル純度フィルタにおける２つのアパーチャ間の壁のより詳細なイメージを示す。
【図７】[0027]  図７は、本発明の一実施形態によるスペクトル純度フィルタの製造における段階を示す。
【図８】[0027]  図８は、本発明の一実施形態によるスペクトル純度フィルタの製造における段階を示す。
【図９】[0027]  図９は、本発明の一実施形態によるスペクトル純度フィルタの製造における段階を示す。
【図１０】[0027]  図１０は、本発明の一実施形態によるスペクトル純度フィルタの製造における段階を示す。
【図１１】[0027]  図１１は、本発明の一実施形態によるスペクトル純度フィルタの製造における段階を示す。
【図１２】[0027]  図１２は、本発明の一実施形態によるスペクトル純度フィルタの製造における段階を示す。
【図１３】[0027]  図１３は、本発明の一実施形態によるスペクトル純度フィルタの製造における段階を示す。
【図１４】[0028]  図１４は、図７〜図１３に示す方法の変形形態であるスペクトル純度フィルタを製造するプロセスのステップを示す。
【図１５】[0029]  図１５は、図７〜図１３に示す方法の変形形態であるスペクトル純度フィルタを製造するプロセスのステップを示す。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
[0030]  図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示している。装置は、放射ビームＢ（例えば、ＵＶ放射またはＥＵＶ放射）を調整するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを支持するように構成され、かつ特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めるように構成された第１ポジショナＰＭに連結されているサポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴと、基板（例えば、レジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、かつ特定のパラメータに従って基板を正確に位置決めるように構成された第２ポジショナＰＷに連結されている基板テーブル（例えば、ウェーハテーブル）ＷＴと、パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに付けられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば、１つ以上のダイを含む）上に投影するように構成された投影システム（例えば、反射投影レンズシステム）ＰＳとを備える。
【００２２】
[0031]  照明システムとしては、放射を誘導し、整形し、または制御するために、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、またはその他のタイプの光コンポーネント、あるいはそれらのあらゆる組合せなどのさまざまなタイプの光コンポーネントを含むことができる。
【００２３】
[0032]  サポート構造は、パターニングデバイスの重量を支えるなどしてパターニングデバイスを支持する。サポート構造は、パターニングデバイスの向き、リソグラフィ装置の設計、および、パターニングデバイスが真空環境内で保持されているか否かなどの他の条件に応じた態様で、パターニングデバイスを保持する。サポート構造は、機械式、真空式、静電式またはその他のクランプ技術を使って、パターニングデバイスを保持することができる。サポート構造は、例えば、必要に応じて固定または可動式にすることができるフレームまたはテーブルであってもよい。サポート構造は、パターニングデバイスを、例えば、投影システムに対して所望の位置に確実に置くことができる。本明細書において使用される「レチクル」または「マスク」という用語はすべて、より一般的な「パターニングデバイス」という用語と同義であると考えるとよい。
【００２４】
[0033]  本明細書において使用される「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分内にパターンを作り出すように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用できるあらゆるデバイスを指していると、広く解釈されるべきである。なお、留意すべき点として、放射ビームに付与されたパターンは、例えば、そのパターンが位相シフトフィーチャまたはいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分内の所望のパターンに正確に一致しない場合もある。通常、放射ビームに付けたパターンは、集積回路などのターゲット部分内に作り出されるデバイス内の特定の機能層に対応することになる。
【００２５】
[0034]  パターニングデバイスは、透過型または反射型であってもよい。ＥＵＶリソグラフィの現在の提案は、図１に示すような反射型パターニングデバイスを採用している。パターニングデバイスの例としては、マスク、プログラマブルミラーアレイ、およびプログラマブルＬＣＤパネルが含まれる。マスクは、リソグラフィでは公知であり、バイナリ、レべンソン型(alternating)位相シフト、およびハーフトーン型(attenuated)位相シフトなどのマスク型、ならびに種々のハイブリッドマスク型を含む。プログラマブルミラーアレイの一例では、小型ミラーのマトリックス配列が用いられており、各小型ミラーは、入射する放射ビームを様々な方向に反射させるように、個別に傾斜させることができる。傾斜されたミラーは、ミラーマトリックスによって反射される放射ビームにパターンを付ける。
【００２６】
[0035]  本明細書において使用される「投影システム」という用語は、使われている露光放射にとって、あるいは液浸液の使用または真空の使用といった他の要因にとって適切な、屈折型、反射型、反射屈折型、磁気型、電磁型、および静電型光学系、またはそれらのあらゆる組合せを含むあらゆる型の投影システムを包含していると広く解釈されるべきである。
【００２７】
[0036]  本明細書において使用される「投影レンズ」という用語はすべて、より一般的な「投影システム」という用語と同義であると考えるとよい。ＥＵＶ波長に対しては、透過性材料は簡単に手に入らない。したがって、ＥＵＶシステムにおける照明および投影用の「レンズ」は、通常、反射型であり、すなわち、曲面ミラーである。
【００２８】
[0037]  リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）以上の基板テーブル（および／または２つ以上のマスクテーブル）を有する型のものであってもよい。そのような「マルチステージ」機械においては、追加のテーブルは並行して使うことができ、または予備工程を１つ以上のテーブル上で実行しつつ、別の１つ以上のテーブルを露光用に使うこともできる。
【００２９】
[0038]  また、リソグラフィ装置は、投影システムと基板との間の空間を満たすように、比較的高屈折率を有する液体（例えば水）によって基板の少なくとも一部を覆うことができるタイプのものであってもよい。また、リソグラフィ装置内の別の空間（例えば、マスクと投影システムとの間）に液浸液を加えてもよい。液浸技術は、投影システムの開口数を増加させることで当技術分野において周知である。本明細書において使用される「液浸」という用語は、基板のような構造物を液体内に沈めなければならないという意味ではなく、単に、露光中、投影システムと基板との間に液体があるということを意味するものである。
【００３０】
[0039]  図１を参照すると、イルミネータＩＬは、放射源ＳＯから放射ビームを受ける。例えば、放射源がエキシマレーザである場合、放射源とリソグラフィ装置は、別個の構成要素であってもよい。そのような場合には、放射源は、リソグラフィ装置の一部を形成しているとはみなされず、また放射ビームは、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへ、例えば、適切な誘導ミラーおよび／またはビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムを使って送られる。その他の場合においては、例えば、放射源が水銀ランプである場合、放射源は、リソグラフィ装置の一体部分とすることもできる。放射源ＳＯおよびイルミネータＩＬは、必要ならばビームデリバリシステムとともに、放射システムと呼んでもよい。
【００３１】
[0040]  イルミネータＩＬは、放射ビームの角強度分布を調節するように構成された調節デバイス（アジャスタ）を含むことができる。一般に、イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側および／または内側半径範囲（通常、それぞれσ-outerおよびσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。さらに、イルミネータＩＬは、インテグレータおよびコンデンサといったさまざまな他のコンポーネントを含むことができる。イルミネータを使って放射ビームを調整すれば、放射ビームの断面に所望の均一性および強度分布をもたせることができる。
【００３２】
[0041]  放射ビームＢは、サポート構造（例えば、マスクテーブルＭＴ）上に保持されているパターニングデバイス（例えば、マスクＭＡ）上に入射して、パターニングデバイスによってパターン形成される。マスクＭＡを通り抜けた後、放射ビームＢは投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームの焦点をあわせる。第２ポジショナＰＷおよび位置センサＩＦ２（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、または静電容量センサ）を使って、例えば、さまざまなターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路内に位置決めするように、基板テーブルＷＴを正確に動かすことができる。同様に、第１ポジショナＰＭおよび別の位置センサＩＦ１を使い、例えば、マスクライブラリから機械的に取り出した後またはスキャン中に、マスクＭＡを放射ビームＢの経路に対して正確に位置決めすることもできる。
【００３３】
[0042]  通常、マスクテーブルＭＴの移動は、第１ポジショナＰＭの一部を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）およびショートストロークモジュール（微動位置決め）を使って達成することができる。同様に、基板テーブルＷＴの移動も、第２ポジショナＰＷの一部を形成するロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールを使って達成することができる。ステッパの場合は（スキャナとは対照的に）、マスクテーブルＭＴは、ショートストロークアクチュエータのみに連結されてもよく、または固定されてもよい。マスクＭＡおよび基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１およびＭ２と、基板アライメントマークＰ１およびＰ２とを使って、位置合わせされてもよい。例示では基板アライメントマークが専用ターゲット部分を占めているが、基板アライメントマークをターゲット部分とターゲット部分との間の空間内に置くこともできる（これらは、スクライブラインアライメントマークとして公知である）。同様に、複数のダイがマスクＭＡ上に設けられている場合、マスクアライメントマークは、ダイとダイの間に置かれてもよい。
【００３４】
[0043]  例示の装置は、以下に説明するモードのうち少なくとも１つのモードで使用できる。
【００３５】
[0044]  １．ステップモードにおいては、マスクテーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴを基本的に静止状態に保ちつつ、放射ビームに付けられたパターン全体を一度にターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一静的露光）。その後、基板テーブルＷＴは、Ｘおよび／またはＹ方向に移動され、それによって別のターゲット部分Ｃを露光することができる。ステップモードにおいては、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的露光時に結像されるターゲット部分Ｃのサイズが限定される。
【００３６】
[0045]  ２．スキャンモードにおいては、マスクテーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴを同期的にスキャンする一方で、放射ビームに付けられたパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一動的露光）。マスクテーブルＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影システムＰＳの（縮小）拡大率および像反転特性によって決めることができる。スキャンモードにおいては、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光時のターゲット部分の幅（非スキャン方向）が限定される一方、スキャン動作の長さによって、ターゲット部分の高さ（スキャン方向）が決まる。
【００３７】
[0046]  ３．別のモードにおいては、プログラマブルパターニングデバイスを保持した状態で、マスクテーブルＭＴを基本的に静止状態に保ち、また基板テーブルＷＴを動かす、またはスキャンする一方で、放射ビームに付けられているパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する。このモードにおいては、通常、パルス放射源が採用されており、さらにプログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルＷＴの移動後ごとに、またはスキャン中の連続する放射パルスと放射パルスとの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、前述の型のプログラマブルミラーアレイといったプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。
【００３８】
[0047]  上述の使用モードの組合せおよび／またはバリエーション、あるいは完全に異なる使用モードもまた採用可能である。
【００３９】
[0048]  図２は、実際のＥＵＶリソグラフィ装置の概略的な側面図を示している。その物理的な構成は図１に示す装置の構成とは異なるが、同様の動作の原理であることに留意されたい。装置は、放射源コレクタモジュールまたは放射ユニット３、照明システムＩＬおよび投影システムＰＳを含む。放射ユニット３には放射源７，ＳＯが設けられており、この放射源７，ＳＯは、電磁放射スペクトルのＥＵＶ範囲内の放射を放出するように非常に高温の放電プラズマが生成される、例えばＸｅガスあるいはＬｉ、ＧｄまたはＳｎ蒸気のようなガスまたは蒸気を使用し得る。放電プラズマは、放電の部分的にイオン化されたプラズマを光軸Ｏ上に崩壊させることによって生成される。１０Ｐａ０．１ｍｂａｒのＸｅ、Ｌｉ、Ｇｄ、Ｓｎ蒸気あるいは任意の他の適切なガスまたは蒸気の分圧は、放射の効率的な生成のために望まれる場合がある。一実施形態では、ＥＵＶ源としてＳｎ源が適用される。
【００４０】
[0049]  図２の主要部は、放電生成プラズマ（ＤＰＰ）の形態の放射源７を示す。図の左下の別の詳細は、レーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）を用いた別の形態の放射源を示す。ＬＰＰ型の放射源では、点火領域７ａには、燃料デリバリシステム７ｂからプラズマ燃料、例えば溶融Ｓｎの小滴が供給される。レーザビームジェネレータ７ｃおよび関連する光学システムは、放射ビームを点火領域に供給する。ジェネレータ７ｃは、赤外波長、例えば１０．６マイクロメータまたは９．４マイクロメータの波長を有するＣＯ2レーザであってよい。あるいは、他の適切なレーザ、例えばそれぞれ１〜１１マイクロメータの範囲内の波長を有するレーザが使用されてもよい。レーザビームとの相互作用の際、燃料小滴はプラズマ状態へと変化され、例えば６．７ｎｍの放射または５〜２０ｎｍの範囲から選択される他のあらゆるＥＵＶ放射を放出し得る。ここではＥＵＶが例として取り上げられているが、他の用途では異なるタイプの放射が生成されてもよい。プラズマで生成される放射は、中間焦点１２を有する放射源放射ビームを生成するために楕円または他の適切なコレクタ７ｄによって集められる。
【００４１】
[0050]  図２の主要部を再び参照すると、放射源ＳＯによって放出される放射は、ＤＰＰ放射源チャンバ７から、ガスバリアまたは「フォイルトラップ」の形態を有する汚染物質トラップ９を介してコレクタチャンバ８へと送られる。これを以下にさらに説明する。コレクタチャンバ８は、例えば、いわゆるかすめ入射リフレクタの入れ子化されたアレイを含むかすめ入射コレクタである放射コレクタ１０を含んでもよい。この目的に適した放射コレクタは、従来技術により知られている。コレクタ１０から発散されるＥＵＶ放射ビームは、特定の角度の広がり、例えば光軸Ｏの両側に１０度ほどの広がりを有する。左下に示すＬＰＰ源では、放射源から放射を集めるために法線入射コレクタ７ｄが設けられている。
【００４２】
[0051]  コレクタ１０を通過した放射は、本発明の実施形態によるスペクトル純度フィルタ１１を通過する。反射型格子スペクトル純度フィルタとは対照的に、透過型スペクトル純度フィルタ１１は放射ビームの方向を変えないことに留意されたい。フィルタ１１の実施形態を以下に説明する。放射は、コレクションチャンバ８内のアパーチャから仮想光源点１２（すなわち、中間焦点）に合焦される。放射ビーム１６は、チャンバ８から照明システムＩＬ内で法線入射リフレクタ１３および１４を介してレチクルまたはマスクテーブルＭＴ上に位置決めされたレチクルまたはマスクへと反射される。パターン付けされたビーム１７が形成され、投影システムＰＳによって反射要素１８および１９を介してウェーハＷが取り付けられたウェーハステージまたは基板テーブルＷＴ上へと結像される。示されたものより多いエレメントが照明システムＩＬおよび投影システムＰＳの中に通常存在してもよい。反射要素１９のうちの１つは、その前にＮＡディスク２０を有しており、ＮＡディスク２０はそこを通るアパーチャ２１を有する。アパーチャ２１のサイズは、ビームが基板テーブルＷＴに当たる時にパターン付けされた放射ビーム１７によって定められる角度αiを決定する。
【００４３】
[0052]  図２は、仮想光源点１２の近くで上流に位置決めされたスペクトル純度フィルタ１１を示す。示されていないが別の実施形態では、スペクトル純度フィルタ１１は、仮想光源点１２に位置決めされてもよく、またはコレクタ１０と仮想光源点１２との間のあらゆる箇所に位置決めされてもよい。フィルタは、放射経路内の他の場所、例えば、仮想光源点１２の下流に配置されてもよい。多数のフィルタを配置してもよい。
【００４４】
[0053]  ガスバリアは、本明細書に参考により援用される例えば米国特許第６，６１４，５０５号および米国特許第６，３５９，９６９号に詳細に説明されるチャネル構造を含んでよい。この汚染物質トラップの目的は、光学システムの要素に衝突する燃料材料または副生成物の入射、および時間にわたるその性能の低下を防ぐか、または少なくとも減少させることである。これらの要素は、コレクタ１０およびスペクトル純度フィルタ１１を含む。図２の左下に詳細に説明されるＬＰＰ源の場合、汚染物質トラップは楕円コレクタ７ｄを保護する第１トラップ構成９ａを含み、さらに任意選択として図９ｂに示すような更なるトラップ構成を含む。ガスバリアは、汚染物質との化学的相互作用によって、および／または荷電粒子の静電または電磁偏向によって（流体逆流によって）物理的バリアとして機能することができる。実際、できる限り大きな範囲でプラズマ材料を遮断する一方、照明システムへの放射の移動を可能とするためにこれらの方法の組み合わせが採用されてもよい。上記の米国特許で説明したように、Ｓｎまたは他のプラズマ材料を化学修飾するために特に水素ラジカルが注入されてもよい。
【００４５】
[0054]  水素ラジカルは、Ｓｎおよび光学面上に既に堆積し得る他のものの洗浄のために適用されてもよい。さらに、水素ガスは、システム内のより大きな真空空間へと入るウェーハからの汚染物質に対するバッファとして、ウェーハサポートＷＴの付近に展開されてもよい。真空環境では、典型的なフォトレジストは（サポートおよび位置決めシステムのコンポーネントは言及しないが）、時間にわたって光コンポーネントを汚染し得る有機および他のガス状材料を解放する傾向がある。
【００４６】
[0055]  これらの全ての目的のために、水素源ＨＳは、水素ガスを各汚染物質トラップ構成９ａおよび９ｂに供給するために配置され、照明システムＩＬおよび投影システムＰＳのチャンバへの出口に配置されて示されている。他のものがＨラジカルを生成する一方、一部の放射源は、単一のバッファとして水素分子ガス（Ｈ2）を供給し得る。真空環境に浸透する水素分子は、環境における放射、放電等によってラジカル化され得る。
【００４７】
[0056]  図３は、例えばリソグラフィ装置の上記のフィルタ１１として適用することができるスペクトル純度フィルタ１００の一実施形態の概略正面図である。本フィルタ１００は、極端紫外線（ＥＵＶ）を透過させるように構成されている。更なる実施形態では、フィルタ１００は、放射源によって生成される第２タイプの放射、例えば赤外（ＩＲ）放射（例えば、約１μｍより大きい、特に１０μｍより大きい波長の赤外放射）を実質的に遮断する。特に、透過されるＥＵＶ放射および（遮断される）第２タイプの放射は、同じ放射源、例えばリソグラフィ装置のＬＰＰ源ＳＯから発散することができる。
【００４８】
[0057]  記述される実施形態におけるスペクトル純度フィルタ１００は、スペクトル純度フィルタの第１領域における略平面フィルタ部分１０２（例えば、フィルタ膜またはフィルタ層）を含む。このようなフィルタ部分１０２は、「フィルタ基板」と呼ぶことができる。フィルタ部分１０２は、極端紫外線を透過させかつ第２タイプの放射の透過を抑制するために複数（好ましくは平行の）アパーチャ１０４を有する。放射源ＳＯから放射が衝突する面を前面と呼ぶ一方、放射が照明システムＩＬへと出る面を後面と呼ぶことができる。上述したように、例えば、ＥＵＶ放射は、放射の方向を変化することなくスペクトル純度フィルタによって透過される。一実施形態では、各アパーチャ１０４は、アパーチャ１０４を画定して前面から後面へと完全に延在する平行側壁を有する。
【００４９】
[0058]  スペクトル純度フィルタ１００は、第１領域に隣接するスペクトル純度フィルタの第２領域内にサポートフレーム１０８を含んでよい。サポートフレーム１０８は、フィルタ部分１０２のための構造サポートを提供するように構成されてよい。サポートフレーム１０８は、使用される装置にスペクトル純度フィルタ１００を設置するための部材を含んでよい。特定の構成では、サポートフレーム１０８はフィルタ部分１００を囲んでよい。
【００５０】
[0059]  フィルタ１００は、独立型の薄膜のシリコン（Ｓｉ）１０２および略垂直（すなわち、膜表面に対して垂直である）側壁１０６を有するアパーチャ１０４アレイを含んでもよい。アパーチャ１０４の直径は、ＥＵＶ放射が実質的な回折を伴わずにスペクトル純度フィルタ１００を通り抜けることを可能とするために、望ましくは約１００ｎｍより大きい、さらに望ましくは約１μｍより大きい。アパーチャ１０４は、円形断面を有するように概略的に示されているが（図３）、他の形状も可能であり、かつ望まれてもよい。機械的安定性の観点から、例えば六角形のアパーチャ（図４、図５および図６を参照）が有利であり得る。フィルタ１００によって抑制される波長は、透過されるＥＵＶ波長の少なくとも１０ｘであってよい。特に、フィルタ１００は、（約１００〜４００ｎｍの範囲内の波長を有する）ＤＵＶ放射および／または１μｍより大きい（例えば、１〜１１ミクロンの範囲内）の波長を有する赤外放射の透過を抑制するように構成されてよい。
【００５１】
[0060]  本発明の一実施形態によると、スペクトル純度フィルタ１００の製造は、以下に簡潔に説明する異方性エッチング方法（適切な例としては深堀り反応性イオンエッチング（ＤＲＩＥ）の技術が挙げられる）を含んでよい。ＤＲＩＥは、いわゆるボッシュ法を用いてＳｉにおける垂直エッチプロファイルの製造を可能にする高異方性エッチ率を有するエッチング法である。これは、例えば、Ｓ．Ｔａｃｈｉ，Ｋ．Ｔｓｕｊｉｍｏｔｏ，Ｓ．ＯｋｕｄａｉｒａによるＡｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．５２（１９８８），６１６の「Ｌｏｗ−ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  ｒｅａｃｔｉｖｅ  ｉｏｎ  ｅｔｃｈｉｎｇ  ａｎｄ  ｍｉｃｒｏｗａｖｅ  ｐｌａｓｍａ  ｅｔｃｈｉｎｇ  ｏｆ  ｓｉｌｉｃｏｎ」に記載されている。ボッシュ法は、Ｓｉ表面をＳＦ6プラズマおよびフルオロカーボン（例えばＣ4Ｆ8）プラズマへ交互にさらすことからなる。第１ステージでは、シリコンはほぼ等方方法でエッチングされる一方、第２ステージでは、エッチングされたプロファイルは不活性化層によって覆われる。次のエッチングでは、この不活性化層は主にイオン衝撃によって好ましくは底部が開放され、エッチングは再び開始する。エッチ／不活性化サイクルの繰り返しにより、エッチングは、横の広がりを伴わずに層ごとにシリコン表面へと下方に進む。
【００５２】
[0061]  一実施形態によると、アパーチャのアスペクト比を十分低く保ち、それによってかなりの角度の広がりを有するＥＵＶ透過を可能とするために、ＥＵＶ放射は、好ましくは比較的薄いフィルタ１００を利用してアパーチャ１０４を直接通過する。フィルタ部分１０２の厚さ（すなわち、各々のアパーチャ１０４の長さ）は、例えば約２０μｍより小さい（例えば約２μｍ〜約１０μｍの範囲内、例えば約５μｍ〜約１０μｍの範囲内）。さらに、一実施形態によると、アパーチャ１０４の各々は、約１００ｎｍ〜約１０μｍの範囲内の直径を有し得る。各アパーチャ１０４は、約１．５μｍ〜約６μｍの範囲内、例えば約２μｍ〜約４μｍの範囲内の直径を有する。
【００５３】
[0062]  フィルタアパーチャ１０４間の壁１０５の厚さＱ１は、約１μｍより小さくてもよい（例えば約０．４μｍ〜約０．６μｍの範囲内、特に約０．５μｍ）。通常、アパーチャのアスペクト比、すなわち、フィルタ部分１０２対フィルタアパーチャ１０４間の壁の厚さの比率は、５：１〜２０：１の範囲内であってよい。ＥＵＶ透過型フィルタ１００のアパーチャは、約３μｍ〜約６μｍの範囲内、特に約３μｍ〜約４μｍの範囲内、例えば約４μｍの周期Ｑ２（図４に示す）を有してもよい。結果的に、アパーチャは、フィルタ前面全体の約７０〜８０％の開放エリアを提供し得る。
【００５４】
[0063]  フィルタ１００は、多くて５％の赤外光（ＩＲ）透過を提供するように構成されてよい。さらに、フィルタ１００は、入射ＥＵＶ放射の少なくとも約６０％を法線入射で透過させるように構成されてよい。さらに、フィルタ１００は、（法線方向に対して）約１０°の入射角を有するＥＵＶ放射の透過の少なくとも約４０％を提供できる。
【００５５】
[0064]  上記ようにスペクトル純度フィルタを形成する従来の周知の方法では、フィーチャの形成の所望の精度、例えば、高アスペクト比アパーチャ１０４を提供する単純な製造方法を提供することが困難であることが証明された。特に、シリコンの薄い層から、隣接するアパーチャ１０４間の壁１０５などの高アスペクト比フィーチャを形成することが望ましかったが、フィーチャを保護するために追加のプロセスステップが使用されており、したがって、フィーチャは、製造中に薄いシリコン層を支持するために使用されるバルク材料を除去するために必要である後続のエッチングステップから形成される。
【００５６】
[0065]  本発明の一実施形態によると、スペクトル純度フィルタを製造する新しい方法が提供される。ここでは、スペクトル純度フィルタ１００のアパーチャ１０４などといったスペクトル純度フィルタの所望のフィーチャが、例えば、高アスペクト比フィーチャの形成を可能にするために選択される単結晶シリコンなどの基材内に形成される。そのように形成されたフィーチャの表面は、少なくともの基材の露光された層を化学的エッチングに対して未処理の基材より大きい抵抗力を有する異なる材料に変換させるために化学的に処理される。望ましくない材料を除去する後続のプロセスでは、化学的エッチングは、スペクトル純度フィルタのフィーチャに対するさらなる保護を設けることなく進んでよい。
【００５７】
[0066]  図７〜図１２は、本発明の一実施形態によるスペクトル純度フィルタの製造における段階を示している。
【００５８】
[0067]  示されているように、プロセスは、第１主要表面１２１および第２主要表面１２２を有する基材１２０の部分から始まってよい。その後、開口部１３０は、スペクトル純度フィルタの所要のアパーチャ１０４に対応する基材１２０の第１表面１２１に形成されてよい。特に、基材１２０の第１表面１２１における開口部１３０は、スペクトル純度フィルタ１００のアパーチャ１０４の所望の幅と実質的に同じ幅を有してよい。
【００５９】
[0068]  図８に示すように、基材１２０の第１表面１２１における開口部１３０は、第２表面１２２へと基材を貫通しない。開口部１３０の深さは、スペクトル純度フィルタ１００のフィルタ部分１０２の厚さに実質的に対応し得る。
【００６０】
[0069]  開口部１３０と開口部１３０との間には、スペクトル純度フィルタのアパーチャ１０４間の所望の壁１０５に対応する基材１２０の壁１３１が残る。したがって、基材１２０の残留壁１３１は、スペクトル純度フィルタのアパーチャ１０４間の壁１０５と実質的に同じ幅を有してよい。
【００６１】
[0070]  基材１２０の第１表面１２１における開口部１３０は、例えば、リソグラフィプロセスによって、例えば、開口部１３０が形成されない基材の第１表面１２１の部分上にマスクパターン１３５を形成し、その後、露光された基材１２０をエッチングすることによって形成されてよい。例えば、上記した深堀り反応性イオンエッチングを使用してもよい。開口部１３０が一度形成されると、残りのマスク材料１３５を除去してよい。
【００６２】
[0071]  図９に示すように、開口部１３０が一度形成されると、少なくとも開口部１３０を隔てる壁１３１は、基材を、その基材とは異なりかつエッチングプロセスに対して基材より大きい抵抗力を有する第２基材に変換するために、化学的処理される。当然のことであるが、化学的処理の選択は、後に使用されるエッチングプロセスに依存する。
【００６３】
[0072]  一例では、基材１２０のシリコンが窒化シリコンに変換される窒化プロセスが用いられてよい。あるいは、化学的処理プロセスは、基材が炭化シリコン、硫化シリコンまたは酸化シリコンのそれぞれに変換されるように炭化、硫化または酸化させることを含んでよい。一例では、プラズマ強化窒化を用いてかなりの層の厚さまでシリコンを窒化物に変換することができる。
【００６４】
[0073]  当然のことであるが、化学的処理された基材１２０の層の厚さによって、開口部１３０間の壁１３１における実質的に全ての基材が第２材料に変換されてよい。あるいは、基材１２０の芯は壁１３１の中心に残ったままでもよい。当然のことであるが、図９に示すように、基材１２０の第１表面１２１における開口部１３０間の壁１３０に化学的処理が適用されることに加えて、基材１２０の実質的に全ての外部表面に化学的処理を適用してもよい。
【００６５】
[0074]  図１０に示すように、開口部１３０の底面１３０ａ、すなわち、基材１２０の第１表面１２１から最も離れている開口部１３０の端面が、化学的処理されて基材１２０を第２材料に変換された場合、開口部１３０の基部１３０ａにおける第２材料の部分は除去されてよい。
【００６６】
[0075]  例えば、保持されるべき第２材料の部分はマスク層１４０によって保護されてよく、開口部１３０の基部１３０ａにおける材料はエッチングによって除去されてよい。例えば、反応性イオンエッチングプロセスを用いてもよい。特に、図１０に示すように、開口部１３０は基材１２０の第１表面１２１の第１領域１２１ａ内に形成されてよく、第１領域１２１に隣接する第２領域１２１ｂは、上述したようにサポートフレーム１０８を形成するために保持されてよい。したがって、マスク層１４０は、基材１２０の第１表面１２１の第２領域１２１ｂ上に設けられてよい。
【００６７】
[0076]  続いて、第２マスク層１４５が基材１２０の第２表面１２２の領域１２２ｂ上に設けられてよい。領域１２２ｂは、第１表面１２１の第２領域１２１ｂに対応しており、すなわち、スペクトル純度フィルタのサポートフレーム１０８を形成する第２表面１２２の一部である。
【００６８】
[0077]  反応性イオンエッチングなどのエッチングプロセスを用いて、アパーチャ１０４が形成されるべきスペクトル純度フィルタ１００の領域に対応する基材１２０の第２表面１２２の領域１２２ａから第２材料層を除去してよい。以下に説明する後続のエッチングステップが図１２に示すように垂直の壁の代わりに傾斜した壁を作り出す場合、第２材料層が除去される領域１２２ａは、図１１に示すように、開口部１３０が形成される基材１２０の第１表面１２１の第１領域１２１ａより僅かに大きい場合がある（さらに、それに応じて、マスク層１４５によって保護された第２表面の領域１２２ｂは、基材１２０の第１表面１２１の第２領域１２１ｂの大きさより小さい場合がある）。例えば、異方性エッチングプロセスにおいては、シリコンの１１１面は他の方向と比較してより遅くエッチングされてよく、それによってエッチングプロセスはこれらの（傾斜した）平面で効果的に止まる。
【００６９】
[0078]  図１２に示すように、基材１２０は、その後、アパーチャ１０４が形成されるべき領域に対応する第２表面１２２の領域１２２ａから除去されてよく、それによって全ての基材１２０は対応する開口部１３０の下から除去される。したがって、開口部の領域内の基材の厚さは、開口部がスペクトル純度フィルタ１００の第１側面からスペクトル純度フィルタ１００の第２側面へと通り抜けるまで減少される。
【００７０】
[0079]  特に、図１２に示すように、化学エッチングによって基材１２０を第２側面１２２から除去してよい。例えば、水酸化カリウム（ＫＯＨ）液ＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム）を使用してもよい。気相エッチング、プラズマエッチングまたはスパッタリングを使用してもよい。
【００７１】
[0080]  さらに、当然のことであるが、望ましい場合、エッチングプロセスは、代替としてまたはそれに加えて、基材１２０の第１側面１２１から行われてよく、すなわち、開口部１３０の基部１３０ａにおける材料をエッチングする。
【００７２】
[0081]  透過が最小となるべき第２タイプの放射に対するスペクトル純度フィルタ１００の反射率を上げるために、任意選択として、図１３に示すように、さらなる材料層１５０をスペクトル純度フィルタ１００の表面上に形成してもよい。例えば、図１３に示すように、さらなる材料層１５０が、上記したように第２材料に変換され得た基材１２０の第１表面１２１の残りの部分上に形成されてよい。例えば、赤外線放射の反射率を上げるために金属層を設けてもよい。
【００７３】
[0082]  上記したように所望の仕様を有するスペクトル純度フィルタ１００を製造するための比較的単純な手順を提供する方法に加えて、アパーチャ１０４間のグリッド構造の壁がシリコン以外の材料から形成されるスペクトル純度フィルタの供給は、さらなる利点を提供し得る。例えば、グリッド構造の壁が窒化シリコンから構成される場合、これは、上記の例のように、高電力ＥＵＶ源内で予期され得る環境状況に対してより安定性があることが想定される。特に、この材料は、上記したように、想定され得る比較的高い温度および比較的高い水素ラジカル濃度におけるシリコンより安定性があり得る。さらに、スペクトル純度フィルタ１００のアパーチャ１０４間の壁１０５に金属コーティングが適用されかつ壁がシリコンから構成されている場合、反射金属コーティングのシリコン化が生じ得る。しかしながら、壁が窒化シリコンからなる場合、上記の例のように、これは生じない場合がある。さらに、窒化シリコンは、近赤外領域においてシリコンよりかなり高い放射率を有する（ドーピングレベルおよび温度によって、０．１〜０．７に対して０．９〜０．９５）。したがって、スペクトル純度フィルタ１００の第２表面１２２ｂ上の窒化シリコンのコーティングは効果的な放射率を上げ、より低い動作温度へと繋がり得る。
【００７４】
[0083]  当然のことであるが、上記したスペクトル純度フィルタ１００を形成する方法の変形形態を用いてもよい。例えば、インプリントリソグラフィを用いて基材１２０の第１表面１２１に開口部１３０を形成してもよい。その代替としてまたはそれに加えて、さらなる処理を用いてもよい。
【００７５】
[0084]  例えば、図１４に示すように、開口部１３０が基材１２０の第１表面１２１に一度形成されると、基材１２０の表面の化学的に処理するステップの前に、マスク層１６０を開口部１３０の基部１３０ａに設けてもよい。これは、この領域における窒化シリコンなどの第２材料への基材１２０の変換を防ぐことができる。その後、開口部１３０の基部１３０ａから第２材料をエッチングするステップを除去してもよい。
【００７６】
[0085]  その代替としてまたはそれに加えて、基材１２０を第２材料に変換するために基材１２０を化学的に処理するステップの前に、図１５に示すように、開口部１３０が基材１２０の第１表面１２１に形成される領域に対応する基材１２０の第２表面１２２の領域１２２ａにマスク層１６１が設けられてよい。図１４に示す変形形態と同様に、これは、図１２に示すような基材を第２表面１２２から化学的にエッチングするステップの前に領域１２２ａ内の第２材料をエッチングするステップの要求を除去することができる。
【００７７】
[0086]  スペクトル純度フィルタを組み込む図１および図の装置をリソグラフィ製造プロセスに用いてもよいことが理解されるであろう。そのようなリソグラフィ装置は、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンスパターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド等の製造に用いられてもよい。当業者にとっては当然のことであるが、そのような別の用途においては、本明細書で使用される「ウェーハ」または「ダイ」という用語はすべて、それぞれより一般的な「基板」または「ターゲット部分」という用語と同義であるとみなしてよい。本明細書に記載した基板は、露光の前後を問わず、例えば、トラック（通常、基板にレジスト層を塗布し、かつ露光されたレジストを現像するツール）、メトロロジーツール、および／またはインスペクションツールで処理されてもよい。適用可能な場合には、本明細書中の開示内容を上記のような基板プロセシングツールおよびその他の基板プロセシングツールに適用してもよい。さらに基板は、例えば、多層ＩＣを作るために複数回処理されてもよいので、本明細書で使用される基板という用語は、すでに多重処理層を包含している基板を表すものとしてもよい。
【００７８】
[0087]  上記の説明は、制限ではなく例示を意図したものである。したがって、当業者には明らかなように、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本記載の発明に変更を加えてもよい。
【００７９】
[0088]  本発明の実施形態は、放電生成プラズマ源（ＤＰＰ源）またはレーザ生成プラズマ源（ＬＰＰ源）を含むがそれらに限定されない、あらゆるタイプのＥＵＶ源に対して使用されてもよいことが理解されるであろう。しかしながら、本発明の一実施形態は、特に、典型的にはレーザ生成プラズマ源の一部を形成するレーザ源からの放射を抑制するために適していてよい。これは、そのようなプラズマ源が、多くの場合、レーザから発生する二次放射を出力するからである。
【００８０】
[0089]  スペクトル純度フィルタは、実際には放射経路のあらゆる箇所に配置されてもよい。一実施形態では、スペクトル純度フィルタは、ＥＵＶ放射源からＥＵＶを含む放射を受けてＥＵＶ放射を適切な下流ＥＵＶ放射光学システムへと運ぶ領域内に配置されており、ここでＥＵＶ放射源からの放射は、光学システムに入る前にスペクトル純度フィルタを通るように構成されている。一実施形態では、スペクトル純度フィルタはＥＵＶ放射源内にある。一実施形態では、スペクトル純度フィルタは、ＥＵＶリソグラフィ装置内、例えば照明システムまたは投影システム内にある。一実施形態では、スペクトル純度フィルタは、プラズマの後ではあるがコレクタの前の放射経路内に配置される。
【００８１】
[0090]  以上、本発明の具体的な実施形態を説明してきたが、本発明は、上述以外の態様で実施できることが明らかである。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【国際調査報告】
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