(57)【要約】  回転陽極Ｘ線管のための回転陽極（２）であって、支持部（７）を有する陽極ディスク（６）を備えている回転陽極（２）が提供される。焦点軌道（５）が、陽極ディスク（６）の外径の近傍に位置している。支持部（７）が、陽極ディスク（６）の内径の領域に機械的荷重への高い耐力をもたらし、焦点軌道（５）に熱負荷への高い耐性をもたらすために、陽極ディスク（６）の半径方向座標に沿って一様でない材料特性を有している。この手段により、動作の際の過酷な熱的および機械的負荷に対応する回転陽極Ｘ線管のための回転陽極（２）がもたらされる。さらに、そのような回転陽極（２）を製造するための方法も提供される。【選択図】  図１
2013502034.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回転陽極Ｘ線管のための回転陽極（２）であって、
支持部（７）を有する陽極ディスク（６）と、
前記陽極ディスク（６）の外径の近傍に位置する焦点軌道（５）とを備え、
前記支持部（７）が、前記陽極ディスク（６）の内径の領域に機械的荷重への高い耐力をもたらし、かつ前記焦点軌道（５）に熱的に安定な状態をもたらすために、前記陽極ディスク（６）の半径方向座標に沿って一様でない材料特性を有している回転陽極。
【請求項２】
前記支持部（７）が、高融点金属または高融点金属合金から製作され、該金属または金属合金が、前記陽極ディスク（６）の半径方向座標に沿って変化する結晶の微細構造を有していることを特徴とする、請求項１に記載の回転陽極。
【請求項３】
前記金属または金属合金の再結晶の程度が、前記陽極ディスク（６）の半径方向座標に沿って高まっていることを特徴とする、請求項２に記載の回転陽極。
【請求項４】
前記金属または金属合金の再結晶の程度が、前記陽極ディスク（６）の内径の領域において少なくともほぼゼロであり、前記焦点軌道（５）において少なくともほぼ１００％であることを特徴とする、請求項３に記載の回転陽極。
【請求項５】
前記支持部（７）が、モリブデン合金から作られていることを特徴とする、請求項１に記載の回転陽極。
【請求項６】
前記焦点軌道（５）において、陽極部（８）が前記支持部（７）へと固定されていることを特徴とする、請求項１に記載の回転陽極。
【請求項７】
支持部（７）と、該支持部（７）の外径の近傍において該支持部（７）の表面に位置する焦点軌道（５）に取り付けられた陽極部（８）とを有する陽極ディスク（６）を備える回転陽極Ｘ線管のための回転陽極（２）を製造するための方法であって、
少なくとも前記陽極ディスク（６）の内径の領域において機械的荷重への高い耐力を有する前記支持部（７）の材料を得るために、前記支持部（７）を、金属または金属合金から、該金属または金属合金の再結晶温度よりも低い温度での変形プロセスによって形成するステップと、
前記支持部（７）の表面へと前記陽極部（８）を取り付けるステップと、
前記焦点軌道（５）において熱的に安定な状態を有する前記支持部（７）の材料を得るために、前記陽極ディスク（６）を、前記支持部（７）の外径の近傍において選択的に、前記支持部（７）の材料の再結晶温度と少なくとも同じ温度で加熱するステップと
を少なくとも含んでいる方法。
【請求項８】
前記陽極ディスク（６）を前記支持部（７）の外径の近傍において選択的に加熱するステップが、前記回転陽極（２）を回転陽極Ｘ線管へと取り付けた後で、前記焦点軌道（５）において前記陽極ディスク（６）へと電子ビームを印加することによって実行されることを特徴とする、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記陽極ディスク（６）を前記支持部（７）の外径の近傍において選択的に加熱するステップが、前記回転陽極（２）を疑似の回転Ｘ線管へと取り付けた後で、前記焦点軌道（５）において前記陽極ディスク（６）の前記支持部（７）へと熱負荷を加えることによって実行されることを特徴とする、請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
前記陽極ディスク（６）を前記支持部（７）の外径の近傍において選択的に加熱するステップが、前記陽極ディスク（６）の前記支持部（７）へと電子ビームを、前記焦点軌道（５）において前記支持部（７）の前記陽極部（８）とは反対側の裏面に印加することによって実行されることを特徴とする、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
支持部（７）と、該支持部（７）の外径の近傍において該支持部（７）の表面に位置する焦点軌道（５）に取り付けられた陽極部（８）とを有する陽極ディスク（６）を備える回転陽極Ｘ線管のための回転陽極（２）を製造するための方法であって、
前記支持部（７）を、金属または金属合金から、該支持部（７）の外径の近傍よりも前記陽極ディスク（６）の内径の領域においてより高い変形の程度の分布を有するように鍛造するステップと、
前記陽極ディスク（６）を一様な温度で加熱して、該陽極ディスクをアニーリングし、少なくとも該陽極ディスク（６）の内径の領域において機械的荷重への高い耐力を有し、前記焦点軌道（５）において熱的に安定な状態を有する前記支持部（７）の材料を得るステップと、
前記支持部（７）の表面へと前記陽極部（８）を取り付けるステップと
を少なくとも含んでいる方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回転陽極Ｘ線管のための回転陽極に関する。さらに本発明は、回転陽極Ｘ線管のための回転陽極を製造するための方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
二層回転陽極およびそのような二層回転陽極をタングステン陽極部と鋳造モリブデン合金からなる支持部とから製造するための方法が、米国特許第３，７３５，４５８号明細書から知られている。
【０００３】
支持部用のモリブデン合金として、「ＴＺＭ」という商品名で知られる材料が使用される。この材料は、モリブデンの他に、チタニウム、ジルコニウム、および炭素を含んでいる。冶金工場においてすでに実行される温度および変形処理によって、充分に機能することができる。モリブデン中のチタニウムおよびジルコニウムの混合物が、この材料を鋳造できるように融点を下げ、再結晶温度を１，８００℃へと高める。このようにして、この回転陽極の製造において達成された機械的強度の向上が、支持部の温度が１，８００℃未満に保たれる限りにおいて、過酷な動作条件のもとでも維持される。
【０００４】
米国特許第３，７３５，４５８号明細書によれば、この材料の棒からディスクが形成され、ディスクの少なくとも片面が、従来の切断プロセスによって平滑化される。
【０００５】
さらに、陽極部を形成するタングステンのディスクが製造され、このディスクの少なくとも片面が、研削および／または研磨によって最適まで平滑化されると同時に、酸化物の被膜が存在しない清浄な表面が得られる。
【０００６】
次いで、陽極部のディスクおよび支持部のディスクが、それぞれの平滑な面によって接合され、オーブンにおいて、約１，６５０℃の温度で、非酸化または還元の雰囲気にて加熱される。加熱後に、接合された陽極部および支持部のディスクは、酸化を防ぎ、冷却を最小限にするために、可能な限り素早く高速衝撃形成装置（ｑｕｉｃｋ−ａｃｔｉｏｎ  ｉｍｐａｃｔ  ｆｏｒｍｉｎｇ  ｄｅｖｉｃｅ）へと搬送される。この装置において、陽極部および支持部のディスクが、高エネルギーの打撃によって一体にプレスされる。これにより、２枚のディスクが、きわめて高い圧力で密な結合を形成する。変形が支持部の１，８００℃という再結晶温度よりも低い温度で生じるため、これは冷間変形の問題であり、衝撃によって生み出される大きな変形が、支持部を大いに固くする結果ももたらす。
【０００７】
しかしながら、最近の回転陽極Ｘ線管においては、回転陽極が、回転陽極Ｘ線管の動作の最中に過酷な温度および機械的負荷に曝される。したがって、陽極部（特に、動作の最中に陰極から発せられた電子ビームが陽極部に衝突する焦点軌道）において、陽極ディスクの温度がきわめて高くなる可能性がある。これは、陽極ディスクの支持部の材料に望ましくない影響を及ぼす可能性があり、特に陽極ディスクの支持部の材料の材料特性の望ましくない変化につながる可能性がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】米国特許第３，７３５，４５８号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明の目的は、回転陽極Ｘ線管のための回転陽極であって、動作時の過酷な温度および機械的負荷に対応する回転陽極を提供することにある。本発明のさらなる目的は、そのような回転陽極の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
これらの目的が、回転陽極Ｘ線管のための回転陽極であって、支持部を有する陽極ディスクと、この陽極ディスクの外径の近傍に位置する焦点軌道とを備え、支持部が、陽極ディスクの内径の領域に機械的荷重への高い耐力をもたらし、焦点軌道（すなわち、陽極ディスクの外径の近傍）に熱的に安定な状態（すなわち、熱負荷への高い耐性）をもたらすために、陽極ディスクの半径方向座標に沿って一様でない材料特性を有している回転陽極を提供する本発明によって達成される。
【００１１】
このようにして、上述の要件が、陽極ディスクの内縁および外縁（すなわち、一方では内径の領域、他方では外径の近傍）の材料特性が異なることによって満たされる。Ｘ線管の動作時に陰極によって放射される電子ビームのターゲット領域である焦点軌道の直下において、陽極ディスクはきわめて高い温度に達する。したがって、降伏強度の低い少なくともほぼ完全に再結晶した微細構造に係わる材料の熱的に安定な状態が必要とされる。強力な固定のために、内縁においては、より低い再結晶の程度に係わる高い降伏強度が必要とされる。したがって、陽極ディスクの内径の領域においては、支持部の材料の構造的な状態が、陽極ディスクへと加えられた成形プロセスの後で、変化することがあってはならない。
【００１２】
好ましくは、この種の回転陽極において、支持部は、耐熱金属または耐熱金属合金とも称される高融点金属または高融点金属合金から製作され、この金属または金属合金が、陽極ディスクの半径方向座標に沿って変化する結晶の微細構造を有している。
【００１３】
この実施の形態によれば、半径方向座標に沿った陽極ディスクの支持部の特性の変化が、半径方向における粒状組織の変化によって実現され、すなわち半径方向座標に沿って異なる粒状組織をもたらすことによって達成される。
【００１４】
回転陽極の好ましい実施の形態においては、金属または金属合金の再結晶の程度が、陽極ディスクの半径方向座標に沿って高まっている。
【００１５】
好ましくは、金属または金属合金の再結晶の程度が、陽極ディスクの内径の領域において少なくともほぼゼロであり、焦点軌道（すなわち、陽極ディスクの外径の近傍）において少なくともほぼ１００％であるように選択される。すなわち、金属または金属合金が、形成プロセスの各工程の後に、陽極ディスクの内径の領域においてはまったく、または少なくともほとんど再結晶化しておらず、焦点軌道においては完全またはほぼ完全に再結晶化している。特に、支持部の材料が、陽極ディスクの内径においては少数の小さな粒子しか示さず、陽極ディスクの外径の近傍の焦点軌道においては多数の大きな粒子を示している。
【００１６】
他の好ましい実施の形態においては、回転陽極の支持部が、モリブデン合金から製作される。好ましくは、支持部が、モリブデンで製作されてチタニウム、ジルコニウム、および炭素をさらに含んでいる合金（商品名「ＴＺＭ」でも知られている）から製作される。
【００１７】
さらに、材料特性の上述の分布は、「ＴＺＭ」だけにあてはまるのではなく、アーク鋳造（ａｒｃ−ｃａｓｔ）「ＴＺＭ」、「ＭＨＣ」、など、他の耐熱金属または耐熱金属合金にもあてはまる。アーク鋳造「ＴＺＭ」は、アーク炉において一緒に溶融させられた「ＴＺＭ」である。「ＭＨＣ」は、モリブデン−ハフニウム−カーバイドの略語であり、その特性は、「ＴＺＭ」の特性に類似する。一般に、モリブデン以外の耐熱金属は、バナジウム、ニオブ、タンタル、タングステン、クロム、チタニウム、ジルコニウム、およびハフニウムであり、そのなかでもモリブデン、タングステン、ジルコニウム、バナジウム、およびニオブが、技術的理由およびコストの理由で好ましい。特に、モリブデン、「ＴＺＭ」、「ＭＨＣ」、いくつかのモリブデン−タングステン合金、いくつかのモリブデン−ニオブ合金、いくつかのモリブデン−バナジウム合金、およびいくつかのモリブデン−ジルコニウム合金が好ましく、最終的にはタンタルを含む合金が好ましい。
【００１８】
好都合には、そのような回転陽極は、焦点軌道において陽極部が支持部へと固定されていることを特徴とする。陽極ディスクの支持部に取り付けられた陽極部は、回転陽極Ｘ線管の動作の最中に表面に電子ビームが衝突することでＸ線を放射するように作られた回転陽極のターゲット領域を形成している。好ましくは、この陽極部は、タングステンの層から作られる。
【００１９】
さらに、本発明の目的は、支持部と、この支持部の外径の近傍においてこの支持部の表面に位置する焦点軌道に取り付けられた陽極部とを有する陽極ディスクを備える回転陽極Ｘ線管のための回転陽極の製造方法であって、
少なくとも陽極ディスクの内径の領域において機械的荷重への高い耐力を有する支持部の材料を得るために、支持部を、金属または金属合金から、この金属または金属合金の再結晶温度よりも低い温度での変形プロセスによって形成するステップと、
支持部の表面へと陽極部を取り付けるステップと、
焦点軌道において熱的に安定な状態を有し、すなわち陽極ディスクの外径の近傍において熱負荷への高い耐性を有する支持部の材料を得るために、陽極ディスクを、支持部の外径の近傍において選択的に、支持部の材料の再結晶温度と少なくとも同じ温度で加熱するステップと
を少なくとも含んでいる製造方法によって達成される。
【００２０】
変形プロセスの後で、支持部の材料の結晶構造は「乱されて」おり、結果として機械的な荷重への耐力（降伏強度とも称される）が、大きくて規則的な粒子を呈する（再）結晶化した状態の材料と比べて、高くなっている。しかしながら、変形後の材料の結晶構造は、熱的には安定でなく、回転陽極Ｘ線管における回転陽極の動作の最中に、焦点軌道に位置する陽極部、したがって焦点軌道の近傍の陽極ディスクの支持部の材料が、衝突する電子ビームによって加熱されるときに、変化する可能性がある。上述の製造の加熱ステップによって、支持部の材料の結晶構造が、熱的に安定な状態へと選択的に変換され、すなわち再結晶化させられる。全体としての陽極ディスクの支持部の機械的荷重への耐力が、特に機械的荷重への高い耐力が不可欠である陽極ディスクの内径の領域において低下することがないよう、焦点軌道の近傍の材料だけが再結晶化させられる一方で、特に陽極ディスクの内径の領域の材料は、上述の加熱ステップから除外される。
【００２１】
この手段により、支持部の材料の結晶構造が、陽極ディスクの内径の領域においてはまったく、または少なくともほとんど再結晶化されず、焦点軌道においては完全またはほぼ完全に再結晶化される。特に、支持部の材料が、陽極ディスクの内径においては少数の小さな粒子しか示さず、陽極ディスクの外径の近傍の焦点軌道においては多数の大きな粒子を示す。
【００２２】
上述の製造工程は、再結晶化した材料で全体が作られている陽極ディスクよりも機械的な荷重に対する耐力が高いと同時に、外径において熱的に安定な状態を有し、すなわち再結晶化していない材料で全体が作られている陽極ディスクと比べて熱負荷に対する耐性がより高い陽極ディスクをもたらす。
【００２３】
上述の製造プロセスの好ましい実施の形態においては、陽極ディスクを支持部の外径の近傍において選択的に加熱するステップが、回転陽極を回転陽極Ｘ線管へと取り付けた後で、陽極ディスクへと焦点軌道に電子ビームを印加することによって実行される。
【００２４】
この目的のために、Ｘ線管の一部である陰極によって放射される電子ビームが使用される。電子ビームが陽極ディスクへと焦点軌道に向けられ、この領域において支持部を加熱する。この手段によって、加熱を、きわめて簡単かつ正確な様相で、求められる陽極ディスクの支持部の熱的安定性を得るために再結晶化プロセスを実行しなければならないまさにその領域へと実行することができる。このプロセス段階は、Ｘ線管を排気した後で行われるため、陽極ディスクの熱酸化が自動的に防止される。しかしながら、電子ビームは、通常は、Ｘ線管の通常の動作における強度よりも強い強度でなければならない。
【００２５】
上述の製造プロセスの別の好ましい実施の形態においては、陽極ディスクを支持部の外径の近傍において選択的に加熱するステップが、回転陽極を疑似の回転Ｘ線管へと取り付けた後で、焦点軌道において陽極ディスクの支持部へと熱負荷を加えることによって実行される。
【００２６】
疑似の回転Ｘ線管を、この文脈において、回転陽極が製造の際に製造の目的のためだけに取り付けられるＸ線管に類似した製造装置と理解することができる。したがって、上述の製造工程がこの製造装置において行われ、製造の際のＸ線管の構成要素の過負荷が回避される。
【００２７】
さらに、この好ましい実施の形態においては、陽極ディスクを支持部の外径の近傍において選択的に加熱するステップが、陽極ディスクの支持部へと電子ビームを、焦点軌道において支持部の陽極部とは反対側の裏面に印加することによって実行される。
【００２８】
この実施の形態においては、再び加熱が電子ビームによって実行されるが、今や電子ビームが、焦点軌道の直下の支持部の裏面へと向けられる。したがって、特に焦点軌道における陽極部の過度の加熱が回避され、したがってこの加熱によって引き起こされる陽極部の材料の浸食が回避される。
【００２９】
別の実施の形態によれば、回転陽極Ｘ線管のための回転陽極の上述の製造方法の一変種が提供され、この変種による回転陽極は、支持部と、この支持部の外径の近傍においてこの支持部の表面の焦点軌道に取り付けられた陽極部とを有する陽極ディスクを備えており、この製造方法は、
支持部を金属または金属合金から、支持部の外径の近傍よりも陽極ディスクの内径の領域においてより高い変形の程度の分布を有するように鍛造するステップと、
陽極ディスクを一様な温度で加熱してアニーリングし、少なくとも陽極ディスクの内径の領域において機械的荷重への高い耐力を有し、焦点軌道において熱的に安定な状態を有する支持部の材料を得るステップと、
支持部の表面へと陽極部を取り付けるステップと
を少なくとも含んでいる。
【００３０】
したがって、この実施の形態によれば、陽極ディスクは、変形の程度が外径よりも内径において大きいような特定の変形度合いの分布を有する鍛造ディスクであり、その後に一様なアニーリング温度が、例えば炉において陽極ディスクへと加えられる。これは、より簡単かつよりコストを節約する製造プロセスをもたらす。
【００３１】
要約すると、陽極ディスクへの過酷な熱的および機械的負荷によって生じる多大な要求に合致するよう、陽極ディスクの外縁および内縁において異なる材料特性が好都合である。陽極ディスクに、材料のマイクロ構造の特定の分布がもたらされる。このやり方で、材料の特性が、場所ごとに異なる負荷の要件に合わせて意図的に調節される。好ましい材料として、高融点の金属または金属合金が使用され、特にモリブデンまたはモリブデン合金（例えば、「ＴＺＭ」）が使用される。陽極ディスクは、ただ１つの材料から製作され、異なる材料からなる「層構造」または「ラジアル構造」は不要である。したがって、材料の特性が、場所ごとに異なる負荷の要件に合わせて意図的に調節される。微細構造および材料特性の分布が、特定の変形度合いおよび特定のアニーリングプロセスによって生成される。変形度合いは、陽極ディスクの材料の結晶構造に影響を有する。製造プロセスの際に半径方向の変化を有する変形度合いを選択することによって、ディスクの結晶構造を半径方向に変化させることができる。次いで、アニーリングの温度および時間を選択することで、材料に程度の異なる再結晶化がもたらされ、陽極ディスクの半径方向座標に依存して異なる結晶構造がもたらされる。製造プロセスの進行および制御は、硬さの測定によって行われる。
【００３２】
本発明は、回転陽極Ｘ線管のあらゆる陽極ディスクに適用可能である。高い出力密度および陽極ディスクを通る制御された熱の流れを有する高出力の回転陽極Ｘ線管の場合に、特に好都合である。
【００３３】
本発明のこれらの態様および他の態様が、後述される実施の形態から明らかになるであろう。
【００３４】
本発明の実施の形態を、添付の図面に沿って、以下でさらに詳しく説明する。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】陰極および回転陽極を備える回転陽極Ｘ線管の内部構成要素の概略の断面図を示しており、異なる微細構造および硬さの地点が示されている。
【図２】図１による陽極ディスクについて、陽極ディスクの内径の領域に位置する第１の地点における材料の微細構造の概略図を示している。
【図３】図２に概略的に示したとおりの微細構造の顕微鏡写真の図を示している。
【図４】図１による陽極ディスクについて、陽極ディスクの内外径の間の中間点に位置する第２の地点における材料の微細構造の概略図を示している。
【図５】図４に概略的に示したとおりの微細構造の顕微鏡写真の図を示している。
【図６】図１による陽極ディスクについて、陽極ディスクの外径の近傍の第３の地点における材料の微細構造の概略図を示している。
【図７】図６に概略的に示したとおりの微細構造の顕微鏡写真の図を示している。
【図８】図２〜図７による第１、第２、および第３の地点におけるビッカースピラミッド硬さの図の例を示している。
【発明を実施するための形態】
【００３６】
図１に、陰極１および回転陽極２を含む回転陽極Ｘ線管のいくつかの基本的な内部構成要素の概略の断面図が示されている。回転陽極Ｘ線管の動作の際に、電子ビーム３が陰極１から発せられ、回転軸４を中心にして回転する回転陽極２へと案内される。電子ビーム３が、焦点軌道５において回転陽極２に衝突する。
【００３７】
回転陽極２は、陽極ディスク６を備えており、陽極ディスク６は、モリブデン合金から製作され、例えばいわゆる「ＴＺＭ」で製作される支持部７を備えている。陽極ディスク６の焦点軌道５に位置する外径の近傍において、陽極部８（ターゲット層とも称される）が支持部７へと取り付けられている。
【００３８】
図１において、陽極ディスク６の支持部７の断面にさらに３つの地点が記されており、第１の地点９が、陽極ディスク６の内径の領域に位置し、第２の地点１０が、陽極ディスク６の内外径の間の中間点に位置し、第３の地点１１が、陽極ディスク６の外径の近傍に位置している。地点９、１０、および１１は、支持部７の材料の異なる微細構造および硬さの位置を示している。
【００３９】
図２に、図１による陽極ディスク６の支持部７について、陽極ディスク６の内径の領域に位置する第１の地点９における材料の微細構造の概略図が示されている。この微細構造は、第１の状態を有しており、すなわち支持部７の製造の際の変形プロセスの直後の、そのような変形プロセスによって得られた状態を有している。材料の大部分が、不規則であり、「破壊され」、あるいは「乱された」結晶構造を示しており、変形前の材料の状態からの古い結晶の境界の残りだけを見て取ることができるが、粒子はほとんど見て取ることができない。これが、図２において一様に刻まれた領域１２によって概略的に示されている。この領域の全体にわたり、すなわちこの材料において、きわめて慎重なアニーリング、すなわち陽極ディスクのわずかな加熱によって形成される新たな再結晶による結晶構造の島状の初期段階が埋め込まれている。この再結晶の始まりを、きわめてわずかな量だけ見て取ることができる（地点１３によって概略的に示されている）。２００マイクロメートルの長さを有する目盛りが、図２の下部に示されており、ここからこの図の縮尺を見て取ることができる。
【００４０】
図３が、図２に概略的に示したとおりの結晶の微細構造の顕微鏡写真の図を備えている。図２に概略的に示したとおりの結晶構造の細部が、同一の参照符号によって指し示されている。やはり、図３の下部の目盛りから縮尺を見て取ることができる。
【００４１】
図４に、図１による陽極ディスク６の支持部７について、陽極ディスク６の内外径の間の中間点に位置する第２の地点１０における材料の微細構造の概略図が示されている。この微細構造は、支持部７の製造の際の変形プロセスの直後の、そのような変形プロセスによって得られた状態（図２および図３に示したとおり）と比べ、さらに再結晶が進んだ形態である第２の状態を有している。この状態の材料も、不規則であり、「破壊され」、あるいは「乱された」結晶構造が依然として存在しており、すなわち粒子をほとんど見て取ることができない多くの領域を示している。これが、図４において、やはり参照符号１２によって指し示された一様に刻まれた領域によって概略的に示されている。しかしながら、図４に示した支持部７の詳細の全体にわたる大部分の地点において進行した再結晶のプロセスを見て取ることができる。やはり、初期の再結晶だけを見て取ることができる領域（地点１３によって概略的に示されている）が依然として存在する。地点１４および１５によって示されている他の領域は、明確に視認できる境界明瞭な粒子を有する再結晶の進んだ地点を示している。アニーリングプロセスにおける再結晶によって生じた新たな結晶である再結晶の島の数および強さが、増している。２００マイクロメートルの長さを有する目盛りが、やはり図４の下部に示されており、ここからこの図の縮尺を見て取ることができる。
【００４２】
図５が、図４に概略的に示したとおりの結晶の微細構造の顕微鏡写真の図を備えている。図４に概略的に示したとおりの結晶構造の細部が、やはり同一の参照符号によって指し示されている。図５の下部の目盛りから、縮尺を見て取ることができる。
【００４３】
図６に、図１による陽極ディスク６の支持部７について、陽極ディスクの外径の近傍に位置する第３の地点における材料の微細構造の概略図が示されている。この微細構造は、今や再結晶のプロセスが少なくともほぼ完全に終了した第３の状態を有している。この状態の材料は、不規則であり、「破壊され」、あるいは「乱された」結晶構造が存在する領域を示しておらず、初期の再結晶だけを見て取ることができる領域も存在しない。すなわち、材料の全体にわたって、地点１４、１５、および１６によって示される明確に視認できる境界明瞭な粒子を有する進んだ再結晶の領域を見て取ることができる。２００マイクロメートルの長さを有する目盛りが、やはり図６の下部に示されており、ここからこの図の縮尺を見て取ることができる。
【００４４】
図７が、図６に概略的に示したとおりの結晶の微細構造の顕微鏡写真の図を備えている。図６に概略的に示したとおりの結晶構造の細部が、やはり同一の参照符号によって指し示されている。図７の下部の目盛りから、縮尺を見て取ることができる。
【００４５】
図８に、図２〜７による陽極ディスク６の支持部７の第１、第２、および第３の地点９、１０、および１１におけるビッカースピラミッド硬さの測定値の例が、概略図にて示されている。この図において、測定値を得た地点９、１０、１１が、位置として示されており、第１の地点９が位置１に相当し、第２の地点１０が位置２に相当し、第３の地点１１が位置３に相当する。ビッカースピラミッド硬さ（略してＨＶ１０）の測定値が、小さい四角で図中に示されている。支持部７の材料の第１の地点９、すなわち位置１において、約２６５というビッカースピラミッド硬さＨＶ１０が測定されている。支持部７の材料の第２の地点１０、すなわち位置２においては、約２１０というビッカースピラミッド硬さＨＶ１０が測定され、支持部７の材料の第３の地点１１、すなわち位置３においては、約１９０というビッカースピラミッド硬さＨＶ１０が測定されている。
【００４６】
支持部７の表面における材料の硬さの測定値は、材料の内部、すなわち表面の該当の測定点の真っ直ぐ下の塊において測定された値と同じである。したがって、支持部７の塊状の材料の内部と同じ硬さ分布を、陽極ディスク６の外面において測定することができる。このように、微細構造および関連する材料特性の分布を、支持部７を切断する必要なく、表面において測定を実行することによって容易に管理することができる。
【符号の説明】
【００４７】
１  回転陽極Ｘ線管の陰極
２  回転陽極Ｘ線管の回転陽極
３  電子ビーム
４  回転軸
５  焦点軌道
６  回転陽極２の陽極ディスク６
７  陽極ディスク６の支持部
８  陽極ディスク６の陽極部
９  陽極ディスク６の内径の領域の第１の地点
１０  陽極ディスク６の内外径の間の中間点の第２の地点
１１  陽極ディスク６の外径の近傍の第３の地点
１２  「破壊され」あるいは「乱された」結晶構造を示している一様に刻まれた領域
１３  初期の再結晶を概略的に示している地点
１４  明確に視認できる境界明瞭な粒子を有する再結晶の進んだ地点
１５  明確に視認できる境界明瞭な粒子を有する再結晶の進んだ地点
１６  明確に視認できる境界明瞭な粒子を有する再結晶の進んだ地点
【図１】
2013502034.tif 000003
【図２】
2013502034.tif 000004
【図３】
2013502034.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【国際調査報告】
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