(57)【要約】  自然漏洩（６）を有し、壁（７）で境界が定められた内部空間（９）を含む非密閉環境（１）の汚染を除去する装置であって、この装置は、汚染除去容器（１１、３０）と、気体を排気する手段（３２、４２）と、気体を導入する手段（３３、４３）とを備えている。汚染除去容器（１１、３０）は、密閉壁（１４、４９）で分離された、少なくとも２つのチャンバ（１２、１３、および３１、４１）を有する。第１のチャンバ（１２、３１）は、非密閉環境（１）の壁（７）と接触した位置にある、汚染除去容器の一部分で構成され、第１の気体排気手段（３２）および第１の気体導入手段（３３）と協同して作動する。第２のチャンバ（１３、４１）は、非密閉環境（１）からの自然漏洩（６）と接触した位置にある、汚染除去容器の一部分で構成され、第２の気体排気手段（４２）および第２の気体導入手段（４３）と協同して作動する。第１および第２の気体排気手段（３２）および（４２）は、独立して変化させることができる排気容量を有し、第１および第２の気体導入手段（３３）および（４３）は、独立して変化させることができる気体注入流量を有する。汚染を除去する装置はまた、内部空間（９）と第１のチャンバ（１２、３１）との間の圧力差を制御する手段も有している。【選択図】図３
2013539559.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
自然漏洩（６）を有し、壁（７）で境界が決められた内部空間（９）を含む非密閉環境（１）の汚染を除去する装置であって、
−  非密閉環境（１）を含むことができる汚染除去容器（１１、３０）と、
−  汚染除去容器（１１）から気体を排気する手段（３２、４２）と、
−  汚染除去容器（１１）の中に気体を導入する手段（３３、４３）とを備える装置において、
汚染除去容器（１１、３０）は、２つのチャンバ（１２、１３、および、３１、４１）の間の圧力差に耐えることができる密閉および分離壁（１４、４９）によって分離されている、少なくとも２つのチャンバ（１２、１３、および、３１、４１）を有し、
−  第１のチャンバ（１２、３１）は、非密閉環境（１）の壁（７）と接触した位置にある前記容器の一部分によって構成され、第１の気体排気手段（３２）および第１の気体導入手段（３３）と協同して作動し、
−  第２のチャンバ（１３、４１）は、非密閉環境（１）からの自然漏洩（６）と接触した位置にある前記容器の一部分によって構成され、第２の気体排気手段（４２）および第２の気体導入手段（４３）と協同して作動し、
気体を排気する第１および第２の手段（３２、および４２）は、独立に変化させることができ排気容量を有し、気体を導入する第１および第２の手段（３３、および４３）は、独立に変化させることができる気体注入流速を有し、
汚染を除去する前記装置は、非密閉環境（１）の内部空間（９）の圧力Ｐ３と、第１のチャンバ（１２、３１）の中の圧力Ｐ１との差を制御する手段を備えていることを特徴とする装置。
【請求項２】
第１のチャンバ（１２、３１）は、第２のチャンバ（１３、４１）の容積Ｖ２よりも小さい容積Ｖ１を有していることを特徴とする、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
第１のチャンバ（１２、３１）は、光に対して透明な窓（３９ａ、３９ｂ）を有することを特徴とする、請求項１または２に記載の装置。
【請求項４】
非密閉環境（１）の壁（７）の変形を測定する手段（４０）を備えていることを特徴とする、請求項３に記載の装置。
【請求項５】
壁（７）の前記変形を測定するための手段（４０）は、非密閉環境（１）の壁（７）に向かって光ビームを照射するレーザ（５２）と、非密閉環境（１）の壁（７）によって反射された前記光ビームを受信する受光器（５３）とを含むことを特徴とする、請求項４に記載の装置。
【請求項６】
非密閉環境（１）の内部空間（９）の中の圧力Ｐ３と、第１のチャンバ（１２、３１）の中の圧力Ｐ１との前記差を制御するための前記手段は、前記非密閉環境（１）の前記壁の前記変形を測定する手段であることを特徴とする、請求項４または５に記載の装置。
【請求項７】
各チャンバ（１２、１３、３１、４１）の中の前記排気速度を、独立に適応的に活性化させる手段を、更に備えていることを特徴とする、請求項１〜６のいずれか１項に記載の装置。
【請求項８】
各チャンバ（１２、１３、３１、４１）の中への気体注入流量を、独立に適応して活性化させる手段を、更に備えていることを特徴とする、請求項１〜７のいずれか１項に記載の装置。
【請求項９】
汚染除去容器（１１、３０）の中に、非密閉環境を（１）を設置する手段（５０）を備えていることを特徴とする、請求項１〜８のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１０】
自然漏洩（６）を有し、壁（７）によって境界が決められた内部空間（９）を備える非密閉環境（１）の汚染除去を、請求項１〜９のいずれか１項に記載の装置によって行う方法であって、
−  密閉および分離壁（１４、４９）によって分離された、２つのチャンバ（１２、１３、および３１、４１）を備える汚染除去容器（１１、３０）の中に非密閉環境（１）を設置するステップと、
−  非密閉環境（１）の上で分離壁（１４、４９）を密閉するステップと、
−  各チャンバ（１２、１３、および３１、４１）の圧力降下を、独立に調節することにより、第１のチャンバ（１２、３１）に含まれる前記気体と第２のチャンバ（１３、４１）に含まれる前記気体とを、同時に排気し、非密閉環境（１）の内部空間（９）の中の圧力Ｐ３と第１のチャンバ（１２、３１）の中の圧力Ｐ１との差が、非密閉環境（１）の壁（７）に損傷を与える可能性がある機械的変形を引き起こす圧力差より、常に、小さいようにするステップと、
−  非密閉環境（１）の内部空間（９）の中の圧力Ｐ３が、所望の低圧力値Ｐ０に到達した時には、前記排気を停止するステップと、
−  各チャンバ（１２、１３、および３１、４１）の中の圧力上昇を独立に調節することにより、第１のチャンバ（１２、３１）、および第２のチャンバ（１３、４１）の中に同時に気体を導入し、非密閉環境（１）の内部空間（９）の中の前記圧力と、第１のチャンバ（１２、３１）の中の圧力との差ΔΡが、常に、非密閉環境（１）の壁（７）を損傷する可能性がある機械的変形を促す可能性がある圧力差より小さくするステップと、
−  大気圧Ｐａｔｍが達成された時に、汚染除去容器（１１、３０）から、非密閉環境（１）を取り出すステップとを備えていることを特徴とする汚染除去方法。
【請求項１１】
所望の低圧力値Ｐ０が達成された時には、非密閉環境（１）は、圧力を上昇させる前に、低圧における休息時間が与えられることを特徴とする、請求項１０に記載の汚染除去方法。
【請求項１２】
低圧における前記休息時間の長さは、少なくとも１５分であることを特徴とする、請求項１１に記載の汚染除去方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レチクル、またはフォトマスクのペリクルの下に存在する分子汚染を除去する方法、およびこの方法を実施するための装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
レチクルは、写真のネガと均等物である。すなわち、その活性表面は、キャリアの上に印刷されるべき情報を含んでいる。レチクルは、これを通して光を透過させ、半導体基板の上に印刷を行う。入射光線は、レチクルの活性表面に焦点が当てられ、活性表面に含まれているパタンは、基板の上に再現される。レチクルの汚染は、欠陥が印刷されるので、基板上に印刷される画像に対して、直接に影響を与える。半導体業界では、記録する画像の寸法を小さくして、より小さく集積可能な、低コストの電子部品を得る方向への努力がなされている。レチクルの寸法が小さくなるに従って、汚染に対する要求条件は、厳しくなる。従って、レチクルは、清浄で、操作性がよく保持されることが要求される、重要、かつ費用のかかる複雑な要素である。
【０００３】
レチクルは、その製造の終了時に、洗浄され、検査される。レチクルは、清浄で欠陥がない場合には、その活性表面を保護するために、ペリクルが付着される。これにより、レチクルの活性表面の上に堆積される可能性がある汚染物質は、ペリクルの上に堆積される。従って、ペリクルは、ユーザに対するサービス寿命に亘って、レチクルを保護することを目的としている。ペリクルは、ペリクルを透過する光線に対する高い透過率を有し、透過する光線に対する影響が低い光学膜（平行多層面から成る）の堆積物で構成されている。このペリクルは、多くの場合、レチクルの活性表面の縁に接合され、空隙によって隔てられている。従って、ペリクルの下の雰囲気は、レチクルを輸送するために使用される容器の雰囲気からは隔離されている。ペリクルの変形を防止するために、低コンダクタンスフィルタを有する孔が、ペリクルの両側に形成されている。これらの孔は、ペリクルの下に拘禁された雰囲気と外気との間の圧力の均衡を取る自然漏洩の役割を果たしている。
【０００４】
最近、汚染物質が、依然としてペリクルの下に存在する可能性のあることが認識された。レチクルの広範囲な使用は、レチクルの活性面の上に欠陥を生じさせる可能性がある。これらの欠陥は。基板とペリクルとの間に存在する複数の気体の間での反応に起因している。例えば、結晶成長の現象（特に、硫酸アンモニウム（ＮＨ４）２Ｓ０４の成長）が、焦点領域の中の、レチクルの活性面とペリクルとの間に広がる可能性がある。この現象は、寸法を減少させる技術より増幅され、リソグラフィのステップに直接に影響する（欠陥が印刷されることにより）。
【０００５】
これらの欠陥がペリクルの下に存在することにより、洗浄が困難になる。既にペリクルが設けられたレチクルの洗浄は、時間を要する、複雑で費用のかかる処理である。その理由は、ペリクルは、多くの場合、洗浄のために取り除き、その後に再堆積させる必要があるためである。この繊細な操作は、ユーザではなくて、レチクル製造業者によって実行されなければならず、時間の損失と、在庫管理に関わる主要な追加費用を伴い、レチクルのサービス寿命の低下に関わってくる。従って、レチクルを広範囲に使用するユーザにとっては、ペリクルの下の環境に、いずれの分子汚染もないことを確認することが必須になる。
【０００６】
ペリクルを取り除くことなしに、レチクルの効率的な分子汚染の除去を確実にするために、１つの方法が提案されている。この方法は、非密閉環境（ｎｏｎ−ｓｅａｌｅｄ  ｃｏｎｆｉｎｅｄ  ｅｎｖｉｒｏｎｍｅｎｔ）の内部の雰囲気を排気し、その後に、この環境を開放せずに、大気圧を復元する操作を備え、これにより、例えば、特定の汚染を引き起こす可能性のある操作が行われないようにすることができる。気体は、非密閉環境の内部から外部に、またその逆方向に、自然漏洩を行う箇所を通って流れる。レチクルの場合には、気体は、ペリクルの両側に設けられている低コンダクタンスフィルタを有する孔を通して通過する。
【０００７】
しかし、この場合には、非密閉環境の壁の劣化を防止する手段を設ける必要がある。その理由は、これらの壁は、大幅な圧力差には耐えることができずに、劣化してしまうからである。レチクルの場合には、ペリクルに対して応力が加えられると、弾性限界を超える変形が引き起され、それによりペリクルは損傷を受ける。この限界は、ペリクルの種類に依存し、異なるレチクルに対しては、同じ値ではない。ペリクルは、通常、約１Ｐａより大きな圧力差に耐えることができない。その理由は、損傷を受けることないペリクルの変形は、凹面または凸面に対して、２ｍｍを超えることができないからである。
【０００８】
この損傷を防止するために、圧力を低下させる操作を調節することができ、これにより、非密閉環境の内部と外部との圧力差が、壁を損傷させる危険を伴う機械的変形を促すと考えられる圧力差より、常に小さな値になるようにすることができる。レチクルに対しては、１０００ミリバールから１０ミリバールに圧力を低下させ、その後に大気圧まで上昇させるには、上記の条件とすれば、５時間以上を要する。この方法では、レチクルを損傷することなく、大幅に時間を短縮することは、不可能であると思われる。しかし、この時間は、工業的な要求からすると、あまりにも長い時間である。実際には、この時間は、特に電子チップを製造する工場では、３０分を超えてはならない。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明の目的は、非密閉環境の効率的な分子汚染の除去を、従来技術の方法で得られる時間より短い時間（製造の制約条件に適合した十分に短い時間）の中で行うことができる装置および方法を提供することである。
【００１０】
本発明の目的はまた、非密閉環境の分子汚染の除去を、この環境を開放することなく、また、圧力差に対して耐性が低い壁を損傷することなく行うことができる装置および方法を提供することである。
【００１１】
本発明の更なる目的は、レチクルの活性表面とペリクルとの間に存在する可能性がある汚染化合物を、ペリクルを取り除くことなく、また、従来技術の方法と比較して、短い時間で除去しうるための効率的な装置および方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の目的は、自然漏洩を有し、壁で境界が決められた内部空間を含む、非密閉環境の汚染を除去する装置を提供することであり、この装置は、
−  非密閉環境を含むことができる汚染除去容器と、
−  汚染除去容器から気体を排気する手段と、
−  汚染除去容器の中に気体を導入する手段とを備えている。
【００１３】
汚染除去容器は、密閉分離壁によって分離された、少なくとも２つのチャンバを有する。この密閉分離壁は、２つのチャンバの間の圧力差に耐えることができる。すなわち、
−  第１のチャンバは、非密閉環境の壁に接触した位置にある、汚染除去容器の一部分で構成され、気体を排気するための第１の手段、および気体を導入するための第１の手段と協同して作動し、
−  第２のチャンバは、非密閉環境からの自然漏洩に接触した位置にある、汚染除去容器の一部分で構成され、気体を排気するための第２の手段、および気体を導入するための第２の手段と協同して作動する。気体を排気する第１および第２の手段は、独立に変化させることができる排気容量を有し、気体を導入する第１および第２の手段は、独立に変化させることができる気体注入流量を有する。また、汚染を除去する装置は、非密閉環境の内部空間の中の圧力と、第１のチャンバの中の圧力との差を制御する手段を備えている。
【００１４】
非密閉環境における分子汚染の除去を大幅に加速するためには、汚染除去の操作を行っている間に亘って、第１のチャンバの中では、非密閉環境の内部空間の中の圧力を、外部の圧力に極力近い値に維持しなければならない。この装置および関連する方法により、目的とする圧力、および最適化された方法に応じて、数１０分（例えば、１０〜３０分）から数時間（例えば、１〜５時間）の汚染除去時間を達成することができる。
【００１５】
第１のチャンバの容積は、第２のチャンバの容積より小さいと有利である。第１のチャンバの内部は、その壁の変形を防ぐために、非密閉環境の内部空間の中の圧力に極力近い値に保持されなければならない。圧力の調節に対する反応性を向上させるために、第１のチャンバの容積は、極力小さくなければならない。
【００１６】
本発明の第１の実施形態においては、第１のチャンバは、光に対して透明な窓を有している。
【００１７】
本発明による装置は、非密閉環境の壁の変形を測定する手段を有していることが望ましい。
【００１８】
壁の変形を測定する手段は、非密閉環境の壁に向かって光ビームを照射するレーザと、非密閉環境の壁によって反射された光を受信する受光器とを含むことができる。
【００１９】
ある実施形態においては、非密閉環境の内部空間の中の圧力と、第１のチャンバの中の圧力との差を制御する手段は、非密閉環境の壁の変形を測定する手段である。
【００２０】
別の実施形態においては、装置は更に、各チャンバにおける排気速度を、独立に適応的に調節する手段を備えている。排気する手段の排気容量の変化させるために、例えば、排気ユニットのモータの回転速度、および／または可変コンダクタンス弁の開口を制御することができる。
【００２１】
更に別の実施形態においては、装置は更に、各チャンバへの気体注入の流量を、独立に適応的に調整する手段を備えている。汚染除去容器への気体注入の流量を変化させるために、例えば、質量流量計により、および／または可変コンダクタンス弁の開口により、流入気体の流れを制御することができる。
【００２２】
本発明の更に別の目的は、自然漏洩を有し、かつ、壁で境界が決められた内部空間を備える非密閉環境を、前述した装置を使用して、汚染除去する方法を提供することである。本発明の方法は、
−  密閉分離壁によって分離された２つのチャンバを備える汚染除去容器の中に非密閉環境を設定するステップと、
−  非密閉環境の上の分離壁の密閉を行うステップと、
−  各チャンバの中の圧力降下を独立に調節することにより、第１のチャンバに含まれる気体と、第２のチャンバに含まれる気体とを同時に排気し、これにより、非密閉環境の内部空間の中の圧力と第１のチャンバの中の圧力との差が、常に、非密閉環境の壁に損傷を与える可能性がある機械的変形を促進させる圧力差よりも低い値であるようにするステップと、
−  非密閉環境の内部空間の中の圧力が、所望の低圧力値Ｐ０に到達した時には、排気を停止するステップと、
−  各チャンバの中の圧力上昇を独立に調節することにより、第１のチャンバおよび第２のチャンバの中に、同時に気体を導入し、これにより、非密閉環境の内部空間の中の圧力と第１のチャンバの中の圧力との差が、常に、非密閉環境の壁に損傷を与える可能性がある機械的変形を促進させる圧力差よりも低い値であるようにするステップと、
−  大気圧に到達した時に、汚染除去容器から非密閉環境を取り出すステップとを備えている。
【００２３】
第１の実施形態においては、所望の低圧力値Ｐ０が達成された時には、非密閉環境は、圧力の上昇が行われる前に、低圧に保持して休息させる。
【００２４】
低圧で休息させる時間は、数分間であり、完全な汚染除去を行うことができるためには、少なくとも１５分をかけることが望ましい。１回だけの排気操作を行うことが望まれる場合には、この時間は、はるかに短く、またはゼロに等しくすることもできる。
【００２５】
第２の実施形態においては、所望の低圧力値Ｐ０が達成された時には、圧力の上昇が直ちに開始される。
【００２６】
本発明の他の特徴および利点は、好適な実施形態に関する以下の説明、および添付の図面から明らかになると思う。これらの実施形態は、非網羅的な例として挙げられていることは、言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】ペリクルを備えるレチクルの断面図である。
【図２】本発明のある実施形態による汚染除去容器の中に設置されたレチクルの断面図である。
【図３】ペリクルを付したレチクルの汚染を除去するために使用される、本発明のある実施形態における汚染除去の装置を示す図である。
【図４】本発明の方法の異なるステップのシーケンスに亘って、ペリクルの下の内部空間の中の圧力の変化を示す図であり、非密閉環境の内部空間の中の圧力Ｐ３は、ｙ軸上に示され、時間Ｔに亘る本方法の進展は、ｘ軸上に示されている。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
これらの図において、同じ要素には同じ符号を付してある。
【００２９】
図１は、レチクル１を示す。パターンは、例えば、レーザビームまたは電子ビームを使用して、基板２の上に再現される。基板２は、例えば、クロム層４を張られた石英３で作成され、クロム層４の上にパターンがエッチングされる。例えば、基板は、１５２ｍｍ×１５２ｍｍの正方形であり、厚さは、６．３５ｍｍである。レチクル１は、エッチングされた後に、腐食反応による副生成物を除去するために、浸漬洗浄される。得られたレチクル１には、次に、必要に応じて、いくつかの連続した洗浄操作、制御、修復が行われる。基板２は、厚さ約２〜６ｍｍのフレーム５で囲まれている。フレーム５は、例えば、アルマイト処理されたアルミニウムからなる金属フレームである。最後の洗浄の後に、保護ペリクル７が基板２の上に設けられ、フレーム５の上部表面８に固定され、基板２とペリクル７との間に含まれる内部空間９を、外部環境から分離している。その目的は、存在し得る特定の汚染から、レチクル１の活性面を保護することであり、同時に、焦点ゾーンの外側に置かれるようにすることである。フレーム５は、いくつかの異なる幾何学的形状（矩形、曲線外形、八角形等）を有することができる。
【００３０】
フレーム５の側面１０は、約１ｍｍの直径の孔６を有し、これにより、ペリクルの下に維持されるべき圧力を、外部の圧力と同じ程度の圧力にすることができるようになっている。これらの孔６は、低コンダクタンスフィルタを有し、自然漏洩の機能を担っている。これらの孔６の数は、例えば１〜４である。この自然漏洩は、レチクル１の活性表面とペリクル７とで境界が決められた内部空間９の内部雰囲気を守るために、低コンダクタンスを有していることが必要である。従って、密閉された汚染除去容器の過度に速い排気は、レチクル１の周囲の気体圧力が急激に減少する危険を伴うことを理解することができる。内部空間９に含まれる気体は、孔６を通して脱出する時間がない。従って、内部空間９内の雰囲気は、汚染除去容器の中の外部雰囲気より高い圧力になっており、内部から外部に向かう方向への圧力差をペリクル７に与える。過度の圧力差が現れる可能性がある危険はまた、圧力を上げるステップの間にも存在する。汚染除去容器の中に導入される気体は、気体圧力を急速に上昇させる。一方で、気体がレチクル１の自然漏洩孔６を通して通過する速度は、遅い。従って、圧力差は、外側から内側に向かう方向に現れる。過度の圧力差は、ペリクル７を損傷する可能性がある機械的応力をペリクル７に与える。
【００３１】
非密閉環境は、図２に示す本発明の実施形態において既に示されている。この場合には、非密閉環境は、汚染除去容器１１の中にあるレチクル１である。汚染除去容器１１は、圧力差に耐える密閉壁１４で分離された２つの汚染除去チャンバ１２および１３を有している。第１の密閉チャンバ１２は、レチクル１のペリクル７と接触して位置している汚染除去容器の一部分を占有している。チャンバ１２と孔６との間の連通はなく、ペリクルの上の環境は、全く閉じ込められている。第２の密閉チャンバ１３は、レチクル１の孔６と結合され、これにより、チャンバ１２の外部環境を囲んでいる汚染除去容器１１の一部分を占有している。
【００３２】
従って、チャンバ１２および１３は、互いに独立して、気体を排気（矢印１５）、または充填（矢印１６）することができる。これにより、第１のチャンバ１２の中の圧力Ｐ１は、第２のチャンバ１３の中の圧力Ｐ２とは異なる値にすることができる。第１のチャンバ１２の中の圧力Ｐ１は、ペリクル７の下にある内部空間９の中の圧力Ｐ３と等しくなるように連続的に調節され、これにより、ペリクル７が受ける圧力差を低い値（１Ｐａより低いことが望ましい）に保持することができる。従って、第２のチャンバ１３の中では、圧力を急速に低下させ、汚染された気体を、低コンダクタンスフィルタ６を通して内部空間９から排気する（矢印１７）ことができる。
【００３３】
チャンバ１２とチャンバ１３との間を堅固に密閉することの重要性を理解することができる。レチクル１の上の分離壁１４の密閉は、フィルタが設けられている孔６の上のフレーム５の上面８、または側面１０の上で行うことができる。図２の場合では、レチクル１の分離壁１４の密閉は、例えば、フレーム５の側面１０の上の密閉部材１８によって行うことができる。チャンバ１２および１３は、金属壁を有し、金属壁の圧力に対する高い耐力によって、第１のチャンバ１２の中の圧力Ｐ１と第２のチャンバ１３の中の圧力Ｐ２とを、独立に変化させることができ、これにより大きな自由度が得られることが望ましい。
【００３４】
図３は、本発明による汚染除去容器１３を備える装置の有利な実施形態を示す。
【００３５】
内部容積Ｖ１を有する第１の密閉チャンバ３１は、レチクル１のペリクル７と接触した位置にある、汚染除去容器３０の一部分を占有し、第１の密閉チャンバ３１に固有の、第１の気体排気手段３２、および第１の気体導入手段３３と協同して作動する。第１のチャンバ３１から気体を排気することができる排気手段３２は、可変流量弁３５を備える導管によって第１のチャンバ３１と接続された排気ユニット３４を備えている。第１のチャンバ３１へ気体の流れを導入することができる気体導入手段３３は、流量制御器３７（質量流量計または可変流量弁等）を備える導管３６により、第１のチャンバ３１と接続されている。第１のチャンバ３１はまた、圧力計３８を備えている。レチクル１のペリクル７の下にある内部空間９の中の圧力Ｐ３と第１のチャンバ３１の中の圧力Ｐ１との間の差を制御する手段（図示せず）は、本発明の方法のステップに従って、弁３５または流量制御器３７を活性化させる。
【００３６】
光に対して透明な２つの窓３９ａおよび３９ｂが、レチクル１のペリクル７と対向している第１のチャンバ３１の壁に設けられていることが望ましい。第１のチャンバ３１は、ペリクル７の変形を測定する手段４０を更に備えることができる。
【００３７】
内部容積Ｖ２を有する第２の密閉チャンバ４１は、レチクル１のフレーム５の孔６に接触した位置にある、汚染除去容器の一部分を占有し、第２の密閉チャンバ４１に固有の、第２の気体排気手段４２、および第２の気体導入手段４３と協同して作動する。チャンバ４１から気体を排気することができる排気手段４２は、可変流量弁４５を含む導管によって第２のチャンバ４１と接続された排気ユニット４４を備えている。チャンバ４１の中に気体の流れを導入することができる気体導入手段４３は、流量制御器４７（質量流量計または可変流量弁等）を備える導管４６により、チャンバ４１と結合されている。第２のチャンバ４１はまた、圧力計４８を備えている。チャンバ４１は、密閉壁４９によって、第１のチャンバ３１から分離されている。
【００３８】
チャンバ４１の内部では、レチクル１は、例えば、アクチュエータを備える位置設定手段５０によって保持される。この位置設定手段５０は、これを使用して、特に、レチクル１の高さを調節し、これにより、レチクル１のフレーム５と、密閉手段５１によってフレーム５に接触している分離壁４９との間の効率的な密閉を行うことができる。
【００３９】
上記で説明した汚染除去を行う装置を使用して、図４に示す汚染除去の方法を実施することができる。
【００４０】
レチクル１の汚染除去を実行するために、分離壁４９に対するレチクル１の相対的な位置は、位置設定手段５０によって調節することにより、２つのチャンバ３１と４１との間を完全に密閉することができる。その後、気体は、それぞれ排気手段３２および４２によって、チャンバ３１および４１から排気される（曲線６０）（ステップＡ）。排気手段３２および４２は、可変排気容量を有している。各チャンバ３１および４１の中の圧力は、入力する流れの中に配置されている可変コンダクタンス弁３５および４５によって調節される。可変コンダクタンス弁３５および４５は、調整可能な開口を有している。弁３５および４５の開口を大きくしたり、小さくしたりすることにより、排気速度を増減することができる。それぞれのチャンバ３１および４１からの排気は、完全に独立した形で行うことができる。従って、内部空間９に存在する気体は、ペリクルを取り除くことなく、低コンダクタンスフィルタを備える孔６によって排気される。
【００４１】
活性化手段（図示せず）は、各排気手段３２および４２の排気容量を適応的に調整することができる。活性化手段は、レチクル１のペリクル７の下にある内部空間９の中の圧力Ｐ３と第１のチャンバ３１の中の圧力Ｐ１との差を制御する手段によって駆動される。内部空間９と第１のチャンバ３１との間の圧力差を制御する手段は、ペリクル７の変形を測定する手段４０であることが望ましい。ペリクル７の変形は、第１のチャンバ３１の内部容積Ｖ１における圧力Ｐ１と、内部空間９の容積Ｖ３における圧力Ｐ３との間の圧力差ΔΡを表している。内部空間９は、圧力がＰ２である第２のチャンバ４１の内部容積Ｖ２と連通している。活性化手段の駆動は、圧力差ΔΡの測定値Ｐ３−Ｐ１が、圧力差の閾値より常に小さくなるように行われる。この閾値は、ペリクル７を損傷し得る機械的変形を引き起こす危険性があると考えられる値である。気体は、ペリクル７を取り除くことなしに、レチクル１のペリクル７を支持しているフレーム５の中に形成された低コンダクタンスフィルタを有する孔６を通して、内部空間９から排気される。
【００４２】
孔６のコンダクタンスによって、内部空間９の中の圧力Ｐ３は、第２のチャンバ４１の中の圧力Ｐ２より高い。第２のチャンバ４１から排気する時に、従って、第１のチャンバ３１の中の圧力Ｐ１より、常に僅かに低い圧力になるように、圧力Ｐ２を調節する時に、この圧力差を考慮に入れることができる。そのため、内部空間９の中の圧力Ｐ３を、第１のチャンバ３１の中の圧力Ｐ１と、常に同程度の値に保持することができる。これにより、ペリクル７の機械的変形は、いかなる損傷も引き起こすことのない十分に低い値に保持される。フィルタ６のコンダクタンスが分かれば、機械的変形の原因となる圧力差Ｐ３−Ｐ２を正確に算出することができ、これにより、第２のチャンバ４１の排気手段４２の排気容量を、第１のチャンバ３１の中の圧力Ｐ１の関数として調節することができる。
【００４３】
変形を測定する手段４０（図３に示されている）は、レーザ５２と１組の受光セルを備える受光器５３とを使用することにより、ペリクル７の変形を制御することができる。レーザ５２は、直線的な光ビーム５４を放射する。光ビーム５４は、幅は数ミリメートルであり、ペリクル７の表面に対して垂直から数度だけ傾いた角度で、ペリクル７に向かって（その中心に向かうことが望ましい）送られる。入射光ビーム５４は、窓３９ａを通過し、ペリクル７の表面で反射される。反射光ビーム５５は、窓３９ｂを通過し、受光器５３に到達する。レーザ５２および受光器５３は、固定位置に設置されているので、ペリクル７の変形は、直接に反射光ビーム５５のシフトとなって受光器５３によって受信される。
【００４４】
従って、ペリクルの変形を測定する手段４０を使用して、内部空間９の中の圧力Ｐ３が、第１のチャンバ３１の中の圧力Ｐ１と殆ど差がないことを確認することができる。従って、ペリクル７の変形を測定する手段４０を使用して、チャンバ３１および４１のいずれかの排気速度を、観測されたペリクル７の変形の関数として調節することができる。
【００４５】
内部空間９における圧力Ｐ３が、設定された十分に低い圧力Ｐ０と同等レベルに到達すると、休息時間（ステップＢ）を設定し、汚染物質の脱着を完了することができる（曲線６１）。汚染除去の観点から有意な結果を得るためには、休息時間を、少なくとも１５分取ることが望ましい。汚染が非常に僅かである場合には、当然、１回だけの汚染除去操作を実行するだけでよいことがある。この場合には、更に短い休憩時間でよく、また更に休息時間を設けなくてもよい。休息時間を設けない場合には、排気停止の直後に圧力を上昇させることができる（曲線６２）。
【００４６】
休息時間の後に、チャンバ３１および４１の中に、気体または気体の混合物を同時に注入する（ステップＣ）ことにより、汚染除去容器３０の中の圧力を、大気圧Ｐａｔｍまで上昇させることができる（曲線６３）。気体は、ペリクルを取り除く必要なしに、低コンダクタンスフィルタを有する孔６により、内部空間９の中に導入される。流量制御器等の活性化手段（図示せず）は、それぞれ導入手段３３および４３によって注入される気体の流れを、独立的に適応するように調整するようになっている。注入流量を増減することにより、大気圧への上昇速度を、増減することができる。これらの活性化手段は、レチクル１のペリクル７の下にある内部空間９の中の圧力と、第１のチャンバ３１の中の圧力との差を制御する手段（図示せず）により駆動される。内部空間９の中の圧力と第１のチャンバ３１の中の圧力との差を制御する手段は、第１のチャンバ３１と第２のチャンバ４１に連通している内部空間９との間の圧力差ΔΡの関数として、ペリクル７の変形を測定する手段４０であることが望ましい。気体は、ペリクル７を取り除く必要なしに、レチクル１のペリクル７を支持するフレーム５に形成されている低コンダクタンスフィルタを有する孔６を通して、内部空間９に導入される。チャンバ３１および４１、および内部空間９の中で大気圧が復元された後には、レチクルは、位置設定手段５０から外し、最終的には汚染除去容器から取り出すことができる。
【００４７】
本発明は、上記の実施形態に限定されるものではなく、当業者が着想可能な多くの代替的実施形態も、本発明の精神から逸脱するものではないことは、言うまでもない。具体的には、汚染除去チャンバの中の圧力と非密閉環境の内部空間の中の圧力とを、制御、および／または比較する任意の公知の手段を使用して、汚染除去チャンバの形状および容積を変更することは、本発明の思想から逸脱するものではない。
【符号の説明】
【００４８】
１  レチクル、非密閉環境
２  基板
３  石英
４  クロム層
５  フレーム
６  孔
７  ペリクル
８  上面
９  内部空間
１０  側面
１１  汚染除去容器
１２  第１の汚染除去チャンバ
１３  第２の汚染除去チャンバ
１４  分離壁
１５  気体排気方向
１６  気体導入方向
１７  気体排気方向
１８  密閉部材
３０  汚染除去容器
３１  第１の密閉チャンバ
３２  第１の気体排気手段
３３  第１の気体導入手段
３４  排気ユニット
３５  可変流量弁
３６  導管
３７  流量制御器
３８  圧力計
３９ａ、３９ｂ  窓
４０  測定手段
４１  第２の密閉チャンバ
４２  第２の気体排気手段
４３  第２の気体導入手段
４４  排気ユニット
４５  可変流量弁
４６  導管
４７  流量制御器
４８  圧力計
４９  密閉壁
５０  位置設定手段
５１  密閉手段
５２  レーザ
５３  受光器
５４  入射光ビーム
５５  反射光ビーム
６０  圧力下降
６１  休息時間
６２  圧力上昇
６３  圧力上昇
Ａ  ステップＡ
Ｂ  ステップＢ
Ｃ  ステップＣ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【国際調査報告】
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