(57)【要約】  ＬＥＤドライバ回路（１７）は、とりわけセラミック支持体（４，３２）を備えたＬＥＤ（４３）であるＬＥＤ（４３）の電力制御および電力供給を行うために構成されており、前記ＬＥＤドライバ回路（１７）は、前記支持体（４，３２）の温度に依存して前記ＬＥＤ（４３）への給電電流を制御するように構成されている。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＬＥＤ（４３）の電力制御および電力供給を行うためのＬＥＤドライバ回路（１７）であって、
前記ＬＥＤ（４３）はとりわけ、セラミックの支持体（４，３２）を備えたＬＥＤ（４３）である、ＬＥＤドライバ回路（１７）において、
前記ドライバ回路（１７）は、前記支持体（４，３２）の温度に依存して前記ＬＥＤ（４３）の給電電流を制御するように構成されている
ことを特徴とする、ＬＥＤドライバ回路（１７）。
【請求項２】
前記ドライバ回路（１７）は、相互に重なって配置された少なくとも２つのプリント配線ボード（５１ａ，５１ｂ，５１ｃ）を有する、
請求項１記載のＬＥＤドライバ回路（１７）。
【請求項３】
前記ドライバ回路（１７）は、３つの重なったプリント配線ボード（５１ａ，５１ｂ，５１ｃ）を有し、
ここで、第１のプリント配線ボード（５１ｃ）は入力段であり、第２のプリント配線ボード（５１ｂ）は、温度制御される調光段であり、第３のプリント配線ボード（５１ａ）は、前記ＬＥＤ（４３）に給電するための出力段である、
請求項２記載のＬＥＤドライバ回路（１７）。
【請求項４】
前記第１のプリント配線ボード（５１ｃ）は入力段として、ブリッジ分岐に平滑キャパシタとフィルタ回路とを含むブリッジ整流回路を有する、
請求項３記載のＬＥＤドライバ回路（１７）。
【請求項５】
前記平滑キャパシタのうち少なくとも１つは、約１〜１０μＦの領域の容量を有するアルミニウム電解キャパシタを含む、
請求項４記載のＬＥＤドライバ回路（１７）。
【請求項６】
前記第２のプリント配線ボード（５１ｂ）は、前記ＬＥＤの調光器に対し、約５〜２０Ｗの領域において、有利には約１０Ｗの領域においてオーム負荷のように振舞うための、少なくとも１つのオーム分圧器を有する、
請求項３から５までのいずれか１項記載のＬＥＤドライバ回路（１７）。
【請求項７】
前記第３のプリント配線ボード（５１ａ）は、温度依存性の抵抗（Ｒ１９）を有し、
前記温度依存性の抵抗（Ｒ１９）は、温度に依存して配電網電圧より低減された給電電圧を前記ＬＥＤ（４３）に供給する、
請求項３から６までのいずれか１項記載のＬＥＤドライバ回路（１７）。
【請求項８】
前記第３のプリント配線ボード（５１ａ）は、ＬＥＤ電流を制御するために、−５５℃〜＋１２５℃の温度領域に対応するように構成された集積回路を有し、
前記集積回路の入力端は、前記温度依存性の抵抗（Ｒ１９）に接続されている、
請求項７記載のＬＥＤドライバ回路（１７）。
【請求項９】
前記集積回路の出力端と前記ＬＥＤ（４３）との間にＭＯＳ電界効果トランジスタ（Ｑ１）および／またはチョークコイル（Ｌ２）が配置されている、
請求項８記載のＬＥＤドライバ回路（１７）。
【請求項１０】
前記ドライバ回路（１７）は、前記ＬＥＤ（４３）の電力を制御するため、位相制御のための回路を有する、
請求項１から９までのいずれか１項記載のＬＥＤドライバ回路（１７）。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＬＥＤの電力制御および電力供給を行うためのＬＥＤドライバ回路（以下「ドライバ」と称する）に関する。
【０００２】
ＬＥＤは発光ダイオードであり、これに対応する、ＬＥＤを発光させるための電子ドライバ回路または電子ドライバモジュールは、ＬＥＤドライバと称する。
【０００３】
ＬＥＤの輝度は、電力消費量の増大とともに上昇する。半導体温度が一定である場合、この上昇はほぼ比例関係にある。温度が上昇すると効率は低下していくので、冷却の仕方に応じて、限界パワーにおける光取り出し率は低下する。半導体の温度が約１５０℃の最大値を超えると、ＬＥＤは機能不全になってしまう。ＬＥＤを備えた光源の出力は、たとえば、位相制御式調光装置または抵抗素子を介して制御することができる。ＬＥＤドライバは必ず、ＬＥＤ本体から幾らか離れている。すなわち、光源自体に設けられることはない。このことの欠点は、ＬＥＤからドライバを離すとＬＥＤの制御が緩慢になってしまうことである。
【０００４】
高い光出力を有するＬＥＤは、動作時には非常に高温になるので、このようなＬＥＤは機能不全にならないように冷却しなければならない。
【０００５】
ＷＯ２００７１０７６０１Ａ１には、ＬＥＤを冷却するために、セラミックの放熱冷却部材いわゆるヒートシンクと一体となるように結合されたセラミック支持体本体上にＬＥＤを設置することが開示されている。この支持体本体上に導体路を設けることにより、当該支持体本体をボードとして形成する。この構成の特別な点は、支持体本体の表面上に焼結されたメタライジング領域を導体路として設けることである。ＬＥＤはこの導体路にはんだ付けされる。このことにより、放熱量は著しく大きくなり、セラミックの選定によって、この放熱を可変に適合することができる。
【０００６】
本発明の課題は、ＬＥＤの電気的制御と出力とを改善することである。
【０００７】
本発明のドライバ回路は、請求項１に記載の特徴により特定される。それによればドライバ回路は、ＬＥＤの温度に依存してＬＥＤの給電電流を制御するように構成されている。こうするためには、前記ドライバ回路はたとえば、前記支持体本体に熱伝導結合可能であるように構成された温度依存性の抵抗を有することができる。以下の記載では、ドライバとは必ず、電気的ドライバ回路を指す。
【０００８】
ＬＥＤの温度、ないしは、ＬＥＤを直接包囲する環境が変化すると直ちに、ＬＥＤの輝度はこの温度に追従して変化する。ドライバにおいて（風、日陰、放射の低減によって）温度が低下すると、通常は出射光が増大する。制御の速度は、ＬＥＤおよび当該ＬＥＤのドライバの基体として高熱伝導率のセラミックを用いることによりさらに上昇させることができ、伝導率が低いセラミックを用いると、制御速度が緩慢になり、本来の（未増幅の）輝度の変動の振舞いは、セラミックの熱伝導率の振舞いとは逆になる。したがって、それぞれ個別に駆動制御される複数の光源を接続すると、ランプアレイにおいて、たとえば流動作用により観察される輝度作用が生じる。
【０００９】
以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】第１のＬＥＤ光源の断面図である。
【図２】別のＬＥＤ光源の断面図である。
【図３】図２の細部図である。
【図４】別のＬＥＤ光源を示す図である。
【図５】別のＬＥＤ光源を示す図である。
【図６】別のＬＥＤ光源を示す図である。
【図７】本発明のドライバを備えたＬＥＤ光源を示す図である。
【図８】図７の実施例の詳細な電子回路図である。
【図９】図７の実施例の詳細な電子回路図である。
【図１０】図７の実施例の詳細な電子回路図である。
【図１１】図７の実施例の詳細な電子回路図である。
【図１２】図７の実施例の詳細な電子回路図である。
【図１３】図７の実施例の詳細な電子回路図である。
【図１４】図１４の実施例の電子回路にて使用される素子を示す表である。
【００１１】
図１〜３および６に、口金ＧＵ１０光源を示す。前記光源は、給電線２を有するベース部品１と、ランプシェード３と、接着可能なセラミック実装基板４とを備えている。図６に示された光源はランプシェードを有さない。それ以外の点については、図６の光源は図１の光源と同一に構成されている。
【００１２】
この実施例では、前記実装基板４は、ＬＥＤおよびドライバ１７を支持するための支持体ないしは実装ディスクであり、この実施例では、前記実装基板４は灰色の高熱伝導率のＡｌＮと、酸化クロムドープされたルビー色の酸化アルミニウムから成るランプシェード３とから構成される。前記実装基板４は見えない所にある。ランプ本体ないしはランプシェード３は上端部において、ガラス板（図中に示されていない）によって封止される。
【００１３】
セラミック基板４の表面に、１つまたは複数のＬＥＤをはんだ付けするための、焼結されたメタライジング領域１５が設けられている。この焼結されたメタライジング領域１５が導体路を形成し、ひいてはボードを形成する。全体的に見やすくするため、前記メタライジング領域１５上に設けられるダイオードは図示されていない。ドライバ１７は概略的にのみ示されている。図中の実施形態では、ドライバ１７は前記焼結されたメタライジング領域１４および１５上には設けられておらず、実装基板４上に設けられている。ＬＥＤをさらに小型化する場合には（現在すでに、２×２ｍｍにすることが可能になっている）、ドライバを前記メタライジング領域１５上に直接取り付けることも可能である。前記実装基板４に、電気的接続ワイヤに対応するスルーホール１６（図３参照）またはコネクタ部材（２，１１）が設けられている。この接続ワイヤはドライバ１７に導電接続され、ドライバ１７はメタライジング領域１５に導電接続されている。前記実装基板４上に設けられるメタライジング領域１５の数は、任意の数とすることができる。
【００１４】
実装基板４は、より良い固定を実現するため、前記メタライジング領域１５の方を向いている周面に半径方向の陥入部１３を有する。
【００１５】
１つの実施形態では前記光源は、３つのセラミック部品からモジュール状に構成される。すなわち、給電線２を有するベース部品１と、実装基板４ないしは実装ディスクと、ランプシェード３とからモジュール状に構成される。前記給電線２，１１により、たとえば電気的接続ワイヤ（図中には示されていない）がベース部品１内に引き込まれ、このベース部品１内部においてドライバ１７まで接続され、このドライバ１７からＬＥＤに接続される。前記実装基板４は、有利には放熱量が高いセラミックから成る。実装基板４上において、ＬＥＤと導体路とがはんだ付けされる。有利には、前記ランプシェード３もセラミックから成り、このセラミックは、外表面に放熱リブ５を有する。この放熱リブ５は、前記ランプシェード３の長手方向に延在する。
【００１６】
この説明では、前記実装基板４として実装ディスクを示している。実装基板の方がより広い用語である。というのも、実装基板を実装ディスクとすることは、単に有利な例に過ぎないからである。前記実装基板をディスク状に形成しないことも可能である。その他の点については、両用語が意味する物は同じである。
【００１７】
ランプシェード３をベース部品１上に固定するのをより良好にするためには、ランプシェード３の内側面に段部８が設けられる。この段部８によって前記ランプシェード３は、実装基板４に設けられた対応する段部または陥入部１３に嵌められる。このようにして、前記ランプシェード３の下端部は実装基板４とベース部品１の上端部１２とを包囲する。このようにして前記実装基板４は、ランプシェード３とベース部品１との間に位置し、外側からは見えなくなる。前記ランプシェード３の、実装ディスク４と反対側の上端部は、ガラス板を固定するための内側段部６を有する。有利には前記ベース部品１は、内部空洞７を有する円筒形に形成される。このことにより、材料を削減することができる。
【００１８】
したがって、前記光源はベース部品１と実装ディスク４と、ＬＥＤを包囲するランプシェード３とから構成される。実装基板４上に光源が固定される。
【００１９】
前記ベース部品１は、対応するレセプタクルとの間に差込接続部を形成するためのプラグとして形成するか、または、ホルダに螺入するためのねじ部を有するように形成することもできる。または、口金に接続極が設けられている場合には、ランプレセプタクルに螺入するためのねじ部を有することができる。
【００２０】
前記ランプシェード３の周面には、複数の放熱リブ５が均等に分布されて設けられており、これにより、ランプシェード３の開口部分における外形は歯車のような外観になる。放熱リブ５は、とりわけ高出力ＬＥＤの場合、発生した熱を周辺の空気へ放熱するのに有利である。放熱リブ５の断面は、実現可能な他の任意の形状をとることもでき、たとえば半円形または半楕円形とすることができる。熱損失が低いＬＥＤの場合には、シェードが凹凸を有さないようにすることもできる。シェードの形状を他の形状とすることも可能であり、たとえば楕円形や多角形とすることができる。
【００２１】
実装基板４と一体となるように、ベース部品１を形成することもできる。この構成を図２に示す。
【００２２】
図６に、ランプシェード３を備えていない、図１の光源を示す。シェードを備えていないこの実施形態の利点は、熱および／または太陽光がドライバ温度に直接（遮蔽されることなく）影響を及ぼし、この温度変化によってＬＥＤを非常に短時間で制御できることである。図１，２および６において、符号が同一である場合には同一の物を示している。
【００２３】
図４に、９個のダイオード支持体２０から成るアレイを示す。これらのダイオード支持体２０は、ＷＯ２００７／１０７６０１Ａ２（明細書の冒頭箇所を参照されたい）に記載されたセラミック放熱器から成り、これらのセラミック放熱器には、焼結されたメタライジング領域が導体路として設けられている。各ダイオード支持体２０に６つのダイオードないしはＬＥＤ２３が取り付けられており（概略的にのみ示す）、これらのダイオードないしはＬＥＤ２３は前記メタライジング領域を介して相互に電気的に接続されている（図示されていない）。冷却のために、前記ダイオード支持体２０はフィン２７を有する。
【００２４】
図４に示されているダイオード支持体２０は正方形となっている。任意の他の形状を用いることも可能である。これら個々のダイオード支持体２０は金属フレーム２１内に挿入されているかまたは嵌め込まれており、この金属フレーム２１は同時に、ＬＥＤ２３への電流供給部としても機能する。前記ダイオード支持体２０から成るアレイは面照明のために設けられているが、点状照明に使用することも可能である。点状照明を行うためには、光が集束されるように、前記複数のダイオード支持体２０をそれぞれ異なる角度で金属フレーム２１内に固定する。
【００２５】
角２２を曲げて立てることにより、たとえば、光の焦点を有する放物面の配列体が実現される。面照明が実現されるように前記アレイを平面状にするか、または、点状照明が実現されるように前記アレイを曲面にすることもできる。
【００２６】
有利には、前記ダイオード支持体２０のうち少なくとも１つに、有利にはすべての各ダイオード支持体２０に、ＬＥＤを駆動制御するドライバも配置される。図面にはこの構成は示されていない。この構成では、前記焼結されたメタライジング領域は導体路として形成され、この導体路上にＬＥＤが配置される。
【００２７】
図５ａは、放熱を行うセラミック冷却部材３７が一体になるように設けられたセラミック支持体本体３２から成るダイオードセラミック支持体４０の上面図であり、図５ｂは、当該ダイオードセラミック支持体４０の断面図である。両図中では、前記冷却部材３７はフィンである。支持体本体３２の表面３３上に、焼結されたメタライジング領域４１が設けられており、これにより、ダイオード支持体４０はボードとなる。このダイオード支持体４０上にＬＥＤ４３が固定されており、ＬＥＤ４３は前記メタライジング領域４１にはんだ付けされている。２つ以上のダイオード支持体４０間に電流を流すための接続部および／または機械的結合部を形成してアレイを構成するために、前記ダイオード支持体４０はプラグおよび／またはソケットを接続部材として有し、このプラグおよび／またはソケットを用いて、前記ダイオード支持体４０は相互に直接または間接的に接続される。
【００２８】
ダイオード支持体４０上には、ＬＥＤの他に当該ＬＥＤのドライバも設置されており、このドライバはＬＥＤに適切に配線接続されている。
【００２９】
別の実施形態では、前記プラグはピン３６を有し、前記ソケットは前記ピンに対応している。前記ピン３６は、とりわけ規格ＧＵ５．３に準じたものである。図５に、もっぱらプラグのみを有する実施形態を示す。これらのプラグは、ここではピン３６から成る。このピン３６は各プラグごとに２つ設けられており、これらのピン３６はダイオード支持体４０の縁部領域に設けられている。その際には、前記プラグ３６はダイオード支持体４０の相互に対向する辺に設けられている。ここでは、２つのダイオード支持体４０を接続するために、別体の接続部材３８を使用する。図中に示された構成では、前記接続部材３８は、貫通孔４４を有し長方形または正方形に成形されたプレートである。この孔４４に、ダイオード支持体４０のピン３６が差し込まれることにより、電気的コンタクトが形成される。各接続部材３８はそれぞれ４つの孔４４を有する。各接続部材３８において孔４４がそれぞれ２つずつ、相互に電気的に接続されている。
【００３０】
前記ダイオード支持体４０をフレーム内に固定するためには、ダイオード支持体４０は少なくとも１つの縁辺に、メタライジング領域４１が配置されずかつＬＥＤ４３およびドライバも設置されないストリップ３４を有する。これにより、前記ストリップ３４は、フレームまたはレールに固定するためのセラミック凸部を形成する。その際には、少なくとも２つのレールが前記１つのフレームを形成する。前記ストリップ３４は、有利には１つのねじ部品を用いて固定するために、少なくとも１つの凹入部を有する。
【００３１】
図７は、本発明のドライバ回路を備えた光源の断面図および分解組立図である。この光源は図１の光源に類似しており、レセプタクルＥ２７に対応するように構成されている。前記光源は６つの部品ないしはユニットから構成されている。すなわち、金属ねじソケット５２と、セラミックベース部品１と、ＬＥＤ４３を駆動制御するためのドライバである電子回路モジュール５１と、セラミック実装基板４と、放熱リブ５およびガラス板５０を有するセラミックランプシェード３とから構成されている。
【００３２】
ベース部品１は、両側に開口を有する円筒体として形成されており、光源の中央の支持体本体である。ベース部品１は、前記ランプシェード３と反対側の端部に、当該ベース部品１の外壁に半径方向に入れられた雄ねじ部５４が設けられている。この雄ねじ部５４に、雌ねじ部を有するねじソケット５２が螺合されている。このねじソケット５２は、Ｅ２７規格にしたがって形成されており、金属から成る。
【００３３】
ベース部品１内に電子回路モジュール５１がスライド挿入されており、この電子回路モジュール５１がドライバを含む。全体的に見やすくするため、電子回路モジュール５１の電気的接続部は簡単に図示するに留める。前記電子回路モジュール５１は、前記実装基板４上のＬＥＤ４３に電気的に接続されている。こうするために、前記実装基板４は２つの孔を有し、これらの孔を通って、前記電子回路モジュール５１から前記ＬＥＤまで電気的接続部が繋がっている。
【００３４】
セラミックの前記実装基板４はベース部品１に接着されている。この実装基板４は、ＬＥＤ４３を支持ないしは実装するための支持体ないしは実装ディスクであり、有利には、前記実装基板４は高熱伝導率の灰色のＡｌＮから成るか、または、ランプシェード３が、酸化クロムドープされたルビー色の酸化アルミニウムから成る。前記実装基板４は外部から見えなくなっている。前記ランプシェード３の上端部は、ガラス板５０によって封止されている。
【００３５】
セラミック基板４の表面に、前記ＬＥＤ４３をはんだ付けするための、焼結されたメタライジング領域が設けられている。この焼結されたメタライジング領域が導体路を形成し、ひいてはボードを形成する。前記ドライバは前記電子回路モジュール５１において、垂直方向に相互に重ねられた３つのプリント配線ボード５１ａ，５１ｂ，５１ｃ上に設けられている。スペースが十分にあるならば、有利には、前記焼結されたメタライジング領域上または単純な実装基板４上に、前記ドライバを配置する。このドライバはＬＥＤに電気的に接続されている。
【００３６】
前記実装基板４上に設けられるメタライジング領域の数は、任意の数とすることができる。しかし図７の実施形態では、前記ドライバは、ベース部品１の空洞７内に設けられた電子回路モジュール５１内に設置される。有利には前記電子回路モジュール５１は、熱伝導性である電気絶縁性の注型材料を用いてベース部品１内において固定される。
【００３７】
実装基板４をディスク状に形成しないことも可能である。固定をより良好にするため、実装基板４は半径方向の陥入部１３を有する。前記実装基板４は、有利には放熱量が高いセラミックから成る。実装基板４上において、ＬＥＤは導体路にはんだ付けされる。
【００３８】
前記ランプシェード３は有利には、外表面に放熱リブ５を有するセラミックから成る。前記放熱リブ５は、ランプシェード３の長手方向に延在する。
【００３９】
ランプシェード３をベース部品１に固定するのをより良好にするため、ランプシェード３の内側面に段部８が設けられており、ランプシェード３はこの段部８において、これに対応する、実装基板４の段部または陥入部１３に嵌められる。その際には、ランプシェード３の下端部は実装基板４とベース部品１の上端部１２とを包囲する。有利には、ベース部品１は内側に空洞７を有する円筒形に形成される。このように形成することによって材料を削減することができ、電子回路モジュール５１のためのスペースを空けることができる。
【００４０】
前記ベース部品１は、対応するレセプタクルとの間に差込接続部を形成するためのプラグとして形成するか、または、ホルダに螺入するためのねじ部を有するように形成することもできる。または、口金に接続極が設けられている場合には、ランプレセプタクルに螺入するためのねじ部を有することができる。
【００４１】
前記ランプシェード３の周面には、光源の長手方向に延在する複数の放熱リブ５が均等に分布されて設けられており、これにより、ランプシェード３の開口部分における外形は歯車のような外観になる。放熱リブ５は、とりわけ高出力ＬＥＤの場合、発生した熱を周辺の空気へ放熱するのに有利である。放熱リブ５の断面は、実現可能な他の任意の形状をとることもでき、たとえば半円形または半楕円形とすることができる。熱損失が低いＬＥＤの場合には、シェードが凹凸を有さないようにすることもできる。シェードの形状を異なる形状とすることも可能であり、たとえば楕円形や多角形とすることができる。
【００４２】
セラミックのケーシング部品およびボード部品を使用することによって電気絶縁が実現され、直流分離なしでドライバを直接そのまま接続することができる。セラミックの熱伝導特性と、熱伝導性の注型材料および空間的にコンパクトなサンドイッチ構造（図７参照）とが組み合わさることにより、口金内部ないしはベース部品１の内部全体の熱分布が非常に良好になる。ドライバ自体の損失電力と、ＬＥＤによる熱発生とが、僅かに時間遅延して電子回路に到達し、電子回路はこれに基づいてＬＥＤの給電電流を、システム全体の温度が所定の最大温度を超えない程度に線形に低減していく。前記所定の最大温度は、予め自由に設定されたものである。このようにして、当該ドライバ回路自体が過熱するのが防止され、かつ、ＬＥＤの過熱も防止される。冷却が良好であるほどＬＥＤの照明輝度は高くなり、またその逆に、ＬＥＤの照明輝度が高くなるほど冷却も良好になる。熱的な過負荷は十分に排除される。付加的に、市販の位相制御調光器を用いて、回路全体を幅広い範囲で、手動で減光することもできる。
【００４３】
図８にドライバの完全な電子回路を示しており、使用される部品を図１４においてリストに挙げている。
【００４４】
図９に、電子回路モジュール５１ｃの電子回路を示す（図７参照）。図１２ａおよび１３ａに、この電子回路モジュール５１ｃを上から見た図と下から見た図とを概略的に示している。前記電子回路モジュール５１ｃは２３０Ｖ配電網に接続できるように構成されており、複数のダイオードＤ２を含むブリッジ整流回路を有する。入力電流を制限するため、前記ブリッジ整流回路に２つの抵抗Ｒ１７およびＲ２１が前置接続されており、キャパシタの放電時にはこれら２つの抵抗Ｒ１７およびＲ２１によって短絡が回避されるように構成されている。抵抗Ｒ１７およびＲ２１はさらに、最大５００Ｖの配電網電圧に対する過電圧保護部としても機能する。前記ブリッジ整流回路のブリッジには平滑キャパシタＣ１，Ｃ２およびＣ７が設けられている。これらはセラミックキャパシタとして構成されており、これらのセラミックキャパシタの寿命は、最大５００，０００時間の動作時間である。これらのキャパシタとコイルＬ１とにより、高いノイズ周波数を短絡させるためのフィルタリングが実現される。キャパシタＣ９は、生成された直流電圧を低減するためのアルミニウム電解キャパシタである。
【００４５】
図１０に、電子回路モジュール５１ｂの電子回路を示す（図７参照）。図１２ｂおよび１３ｂに、この電子回路モジュール５１ｂを上から見た図と下から見た図とを概略的に示している。電子回路モジュール５１ｂは、位相制御調光を行うための調光回路である。この調光回路は、分圧器とダイオードとＭＯＳ電界効果トランジスタとを使用する。この調光回路の動作に必要な電力が調光器に供給されるようにするためには、前記調光回路は約１０Ｗの領域においてオーム負荷のように振舞う。
【００４６】
図１１に、電子回路モジュール５１ａの電子回路を示す（図７参照）。図１２ｃおよび１３ｃに、この電子回路モジュール５１ａを上から見た図と下から見た図とを概略的に示している。電子回路モジュール５１ａは、出力側のＬＥＤ電流を制御するために、型式ＨＶ９９６１ＬＧの集積回路を有する。この集積回路の入力端７に、温度依存性の抵抗（ＮＴＣ）Ｒ１９が設置されており、この抵抗は、温度に依存してＬＥＤを駆動制御するために前記集積回路に対して制御信号を温度に依存して生成する。このように温度に依存して行われる調光は、パルス幅変調を用いて行われる。前記集積回路ＨＶ９９６１ＬＧは、長い寿命を実現するため、１０Ｗの電力クラスの−５５℃〜＋１２５℃の温度の軍用の温度領域に対応するように構成されている。この集積回路は、温度に依存して、配電網電圧より低い給電電圧をＬＥＤに対して生成し、残りの残留電圧は熱として排出される。前記集積回路の出力側には、ＭＯＳ電界効果トランジスタＱ１と、インダクタンスが３ｍＨであるチョークコイルＬ２とが設けられている。図１１に示された制御回路１つで、最大８個のＬＥＤを動作させることができる。
【００４７】
以上の構成により、とりわけ以下の利点が奏される：
１．セラミック材料を用いることにより、最大限の保護絶縁が実現される。
【００４８】
２．セラミック材料を用いることにより、最大限の放熱が実現される。
【００４９】
３．セラミック材料をケーシングとして用いることにより、魅力的なデザインを実現することができる。
【００５０】
４．熱的に結合される電子回路モジュール５１ないしはＮＴＣを組み込んで封止することにより、過熱防止が実現される。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５ａ】
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【図５ｂ】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【手続補正書】
【提出日】平成25年9月5日(2013.9.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＬＥＤ（４３）の電力制御および電力供給を行うためのＬＥＤドライバ回路（１７）であって、
前記ＬＥＤ（４３）は、セラミックの支持体（４，３２）を備えたＬＥＤ（４３）である、ＬＥＤドライバ回路（１７）において、
前記ドライバ回路（１７）は、前記支持体（４，３２）の温度に依存して前記ＬＥＤ（４３）の給電電流を制御するように構成されている
ことを特徴とする、ＬＥＤドライバ回路（１７）。
【請求項２】
前記ドライバ回路（１７）は、相互に重なって配置された少なくとも２つのプリント配線ボード（５１ａ，５１ｂ，５１ｃ）を有する、
請求項１記載のＬＥＤドライバ回路（１７）。
【請求項３】
前記ドライバ回路（１７）は、３つの重なったプリント配線ボード（５１ａ，５１ｂ，５１ｃ）を有し、
ここで、第１のプリント配線ボード（５１ｃ）は入力段であり、第２のプリント配線ボード（５１ｂ）は、温度制御される調光段であり、第３のプリント配線ボード（５１ａ）は、前記ＬＥＤ（４３）に給電するための出力段である、
請求項２記載のＬＥＤドライバ回路（１７）。
【請求項４】
前記第１のプリント配線ボード（５１ｃ）は入力段として、ブリッジ分岐に平滑キャパシタとフィルタ回路とを含むブリッジ整流回路を有する、
請求項３記載のＬＥＤドライバ回路（１７）。
【請求項５】
前記平滑キャパシタのうち少なくとも１つは、１〜１０μＦの領域の容量を有するアルミニウム電解キャパシタを含む、
請求項４記載のＬＥＤドライバ回路（１７）。
【請求項６】
前記第２のプリント配線ボード（５１ｂ）は、前記ＬＥＤ（４３）の調光器に対し、５〜２０Ｗの領域においてオーム負荷のように振舞うための、少なくとも１つのオーム分圧器を有する、
請求項３から５までのいずれか１項記載のＬＥＤドライバ回路（１７）。
【請求項７】
前記第２のプリント配線ボード（５１ｂ）は、前記ＬＥＤ（４３）の調光器に対し、１０Ｗの領域においてオーム負荷のように振舞うための、少なくとも１つのオーム分圧器を有する、
請求項３から５までのいずれか１項記載のＬＥＤドライバ回路（１７）。
【請求項８】
前記第３のプリント配線ボード（５１ａ）は、温度依存性の抵抗（Ｒ１９）を有し、
前記温度依存性の抵抗（Ｒ１９）は、温度に依存して配電網電圧より低減された給電電圧を前記ＬＥＤ（４３）に供給する、
請求項３から７までのいずれか１項記載のＬＥＤドライバ回路（１７）。
【請求項９】
前記第３のプリント配線ボード（５１ａ）は、ＬＥＤ電流を制御するために、−５５℃〜＋１２５℃の温度領域に対応するように構成された集積回路を有し、
前記集積回路の入力端は、前記温度依存性の抵抗（Ｒ１９）に接続されている、
請求項８記載のＬＥＤドライバ回路（１７）。
【請求項１０】
前記集積回路の出力端と前記ＬＥＤ（４３）との間にＭＯＳ電界効果トランジスタ（Ｑ１）および／またはチョークコイル（Ｌ２）が配置されている、
請求項９記載のＬＥＤドライバ回路（１７）。
【請求項１１】
前記ドライバ回路（１７）は、前記ＬＥＤ（４３）の電力を制御するため、位相制御のための回路を有する、
請求項１から１０までのいずれか１項記載のＬＥＤドライバ回路（１７）。
【国際調査報告】
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