(57)【要約】リソグラフィ装置用の極端紫外線を生成するための放射源は、放射ビームの中間焦点（ＩＦ）にまたはその近くに配置されたノズルを含むデブリ軽減デバイスを有する。ノズルは、放射源によって放出される微粒子デブリ（４３）を偏向させるために放射源または集光光学系に向かってガス流（３３０）を誘導するように機能する。【選択図】図５
2013522866.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
極端紫外線ビームをリソグラフィ装置に供給する放射源デバイスであって、前記放射源デバイスは、
放射生成要素を囲む真空チャンバと、
前記放射生成要素によって放出される放射を集光し、かつ前記放射を中間焦点に誘導される放射ビームに形成する放射コレクタと、
前記中間焦点の近くに配置されかつガス源に接続されたデブリ軽減デバイスであって、前記デブリ軽減デバイスは、前記ガス源によって供給されたガスを前記放射生成要素または前記放射コレクタに向かうガス流へと誘導するノズルを含み、前記ガス流は、前記中間焦点に向かって移動する微粒子デブリを偏向または遅延させるのに十分である、デブリ軽減デバイスと、
を含む、放射源デバイス。
【請求項２】
放射生成要素を囲む真空チャンバと、
前記放射生成要素によって放出される放射を集光し、かつ前記集光した放射を中間焦点に誘導される放射ビームに形成する放射コレクタと、
前記中間焦点の近くに配置されかつガス源に接続されたデブリ軽減デバイスであって、前記デブリ軽減デバイスは、前記ガス源によって供給されたガスを前記放射生成要素または前記放射コレクタに向かうガス流へと誘導するノズルを含み、前記ガス流は、前記中間焦点に向かって移動する微粒子デブリを偏向または遅延させるのに十分である、デブリ軽減デバイスと、
を含む、放射源デバイス。
【請求項３】
前記デブリ軽減デバイスは、前記放射ビームの周りに配置された複数のノズルを含む、請求項１または２に記載の放射源。
【請求項４】
前記デブリ軽減デバイスは、前記放射ビームと平行する方向に間隔を空けて配置された複数のノズルを含む、請求項１、２または３に記載の放射源。
【請求項５】
前記ノズルのうちの第１ノズルは、第１ガス流速でガスを放出し、前記ノズルのうちの第２ノズルは、第２ガス流速でガスを放出し、前記ノズルのうちの前記第２ノズルは、前記ノズルのうちの前記第１ノズルより前記中間焦点から離れており、前記第２ガス流速は前記第１ガス流速より大きい、請求項４に記載の放射源。
【請求項６】
前記ノズルまたはノズルは、前記真空チャンバの壁から内側に突出する、請求項１〜５のいずれかに記載の放射源。
【請求項７】
前記デブリ軽減デバイスは、前記ガス流によって偏向されたデブリを収集するデブリ捕獲デバイスをさらに含む、請求項１〜６のいずれかに記載の放射源。
【請求項８】
前記ガス源におけるガス圧および前記ノズルの形状は、前記ノズルにおけるガス速度が前記ガスにおける音速とほぼ等しいように選択される、請求項１〜７のいずれかに記載の放射源。
【請求項９】
前記ガス源によって供給されるガス圧および前記ノズルの形状は、前記ノズルから出るガス速度が音速であるように選択される、請求項１〜８のいずれかに記載の放射源。
【請求項１０】
前記デブリ軽減デバイスは、前記ノズルの後に前記放射ビームが通り抜けた下流領域に熱を提供するヒータをさらに含む、請求項１〜９のいずれかに記載の放射源。
【請求項１１】
パターニング手段のイメージを基板上に投影するリソグラフィ装置であって、前記放射ビームによって前記パターニング手段を照明する請求項１〜１０のいずれかに記載の放射源を含む、リソグラフィ装置。
【請求項１２】
リソグラフィ装置であって、
放射源デバイスであって、
放射生成要素を囲む真空チャンバと、
前記放射生成要素によって放出される放射を集光し、かつ前記集光した放射を中間焦点に誘導される放射ビームに形成する放射コレクタと、
前記中間焦点の近くに配置されかつガス源に接続されたデブリ軽減デバイスであって、前記デブリ軽減デバイスは、前記ガス源によって供給されたガスを前記放射生成要素または前記放射コレクタに向かうガス流へと誘導するノズルを含み、前記ガス流は、前記中間焦点に向かって移動する微粒子デブリを偏向または遅延させるのに十分である、デブリ軽減デバイスと、
を含む、放射源デバイスと、
前記放射ビームをパターン付けするパターニングデバイスと、
前記パターン付きビームを基板上に投影する投影システムと
を含む、リソグラフィ装置。
【請求項１３】
リソグラフィ装置であって、
放射生成要素を囲む真空チャンバと、
前記放射生成要素によって放出される放射を集光し、かつ前記集光した放射を中間焦点に誘導される放射ビームに形成する放射コレクタと、
前記中間焦点の近くに配置されかつガス源に接続されたデブリ軽減デバイスであって、前記デブリ軽減デバイスは、前記ガス源によって供給されたガスを前記放射生成要素または前記放射コレクタに向かうガス流へと誘導するノズルを含み、前記ガス流は、前記中間焦点に向かって移動する微粒子デブリを偏向または遅延させるのに十分である、デブリ軽減デバイスと、
前記中間焦点の後に位置決めされ、かつ前記放射ビームをパターニング手段上へと調整および誘導する照明システムと
を含む、リソグラフィ装置。
【請求項１４】
前記真空チャンバは、第１アパーチャおよび前記第１アパーチャを囲う第１円錐形壁部を有し、
前記照明システムは、第２アパーチャおよび前記第２アパーチャを囲う第２円錐形壁部を有する第２真空チャンバ内に含まれ、
前記第１円錐形壁部および前記第２円錐形壁部は、一緒に接続されて前記真空チャンバを前記第２真空チャンバに接続しかつ前記放射ビームが前記照明システムに伝搬することを可能にする、請求項１３に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１５】
リソグラフィ装置を用いるデバイス製造方法であって、前記方法は、
放射源を用いて放射を生成することと、
前記放射を集光し、かつ前記放射を中間焦点に誘導して放射ビームを形成することと、
パターニング手段を用いて前記放射ビーム上にパターンを付与することと、
前記パターン付き放射ビームを基板上に投影することと、
前記中間焦点の近くに配置されたノズルから前記放射源に向かって水素の流れを誘導することであって、前記ガス流は、前記中間焦点に向かって移動する微粒子デブリを偏向または遅延させるのに十分である、ことと
を含む、デバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
関連出願への相互参照
[0001]  本願は、２０１０年３月１２日および２０１０年３月２６日にそれぞれ出願した米国仮出願第６１／３１３，４５２号および米国仮出願第６１／３４８，４７７号の優先権を主張し、その全体を本願に参考として組み込む。
【０００２】
[0002]  本発明の実施形態は、特にリソグラフィで用いるための放射源、リソグラフィ装置およびデバイスを製造する方法に関する。
【背景技術】
【０００３】
[0003]  リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板上、通常、基板のターゲット部分上に付与する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に用いることができる。その場合、ＩＣの個々の層上に形成される回路パターンを生成するために、マスクまたはレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを用いることができる。このパターンは、基板（例えば、シリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば、ダイの一部、または１つ以上のダイを含む）に転写することができる。通常、パターンの転写は、基板上に設けられた放射感応性材料（レジスト）層上への結像によって行われる。一般には、単一の基板が、連続的にパターニングされる隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。
【０００４】
[0004]  リソグラフィは、ＩＣや他のデバイスおよび／または構造の製造における重要なステップの１つとして広く認識されている。しかしながら、リソグラフィを使用して作られるフィーチャの寸法が小さくなるにつれ、リソグラフィは、小型ＩＣあるいは他のデバイスおよび／または構造を製造できるようにするための最も重要な要因になりつつある。
【０００５】
[0005]  パターン印刷の限界の理論推定値は、式（１）に示す解像度に関するレイリー基準によって得ることができる。
【数１】
2013522866.tif 000003
上の式で、λは使用される放射の波長であり、ＮＡはパターンを印刷するために使用される投影システムの開口数であり、ｋ１はレイリー定数とも呼ばれるプロセス依存調整係数であり、ＣＤは印刷されたフィーチャのフィーチャサイズ（またはクリティカルディメンジョン）である。式（１）から、フィーチャの最小印刷可能サイズの縮小は、以下の３つの方法、露光波長λを短縮することによって、開口数ＮＡを増加させることによって、あるいはｋ１の値を低下させることによって達成することができる、と言える。
【０００６】
[0006]  露光波長を短縮するため、したがって、最小印刷可能サイズを縮小させるためには、極端紫外線（ＥＵＶ）放射原を使用することが提案されている。ＥＵＶ放射は、１０〜２０ｎｍの範囲内、例えば１３〜１４ｎｍの範囲内の波長を有する電磁放射である。さらに、１０ｎｍより小さい波長、例えば６．７ｎｍまたは６．８ｎｍといったように５〜１０ｎｍの範囲内の波長を有するＥＵＶ放射が使用されてもよいことが提案されている。そのような放射を極端紫外線または軟Ｘ線と呼ぶこともできる。可能な放射源としては、例えば、レーザ生成プラズマ源、放電プラズマ源、または電子蓄積リングによって提供されるシンクロトロン放射に基づく放射源が挙げられる。
【０００７】
[0007]  ＥＵＶ放射は、プラズマを用いて生成することができる。ＥＵＶ放射を生成するための放射システムは、プラズマを提供するために燃料を励起するレーザと、プラズマを収容する放射源コレクタモジュールとを含んでよい。プラズマは、例えば、適切な材料（例えば、スズ）の粒子などの燃料にレーザビームを向けることによって、あるいはＸｅガスまたはＬｉ蒸気などの適切なガスまたは蒸気の流れにレーザビームを向けることによって生成することができる。結果として生じるプラズマは、出力放射、例えばＥＵＶ放射を放出し、これは、放射コレクタを用いて集光される。放射コレクタは、放射を受けてその放射をビームへと集束させるミラー法線入射放射コレクタであってよい。放射源コレクタモジュールは、プラズマを支持するために真空環境を提供するように配置された閉鎖構造またはチャンバを含んでよい。そのような放射システムを、一般的にレーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）源と呼ぶ。
【０００８】
[0008]  通常のレーザ生成プラズマ源では、燃料（例えば、スズ）の小滴は、それらが水素雰囲気においてプラズマに変化するように十分な力でパルスレーザビームによって照射される。水素雰囲気は、比較的低い圧力、例えば、２０〜３０ｍｂａｒにあり、小滴の移動を安定化させかつ燃料がプラズマへと変化されるときに燃料を閉じ込めるのに役立つために小滴ジェネレータから小滴キャッチャーに向かって流れるように配置される。しかしながら、プラズマの形成は、約２００ｎｍといった典型的なサイズの多数（約１０７）の小さいスズ微粒子デブリの形成という結果となり得る。このデブリは全ての方向に放出され、そのかなりの部分は中間焦点に向かって進んでその後照明システム内へと入る。照明システム内では、スズはミラー上に堆積され得る。ミラー上に堆積するあらゆるスズは、反射率のかなりの損失という結果となり得、それ以外の場合、多層コーティングにダメージを与える。そのような堆積されたスズは除去することが困難である。
【発明の概要】
【０００９】
[0009]  従来の問題が緩和または解決される放射源デバイス、特に、リソグラフィ装置の照明システムの中に入る微粒子デブリの量が減少される放射源デバイスが提供される。
【００１０】
[0010]  一態様によると、極端紫外線ビームをリソグラフィ装置に供給するための放射源デバイスが提供される。放射源デバイスは、放射生成要素を囲む真空チャンバと、放射生成要素によって放出される放射を集光し、かつ放射を中間焦点に誘導される放射ビームに形成するように配置された放射コレクタと、中間焦点の近くに配置されかつガス源に接続されたデブリ軽減デバイスであって、デブリ軽減デバイスは、ガス源によって供給されたガスを放射生成要素または放射コレクタに向かうガス流へと誘導するように配置されたノズルを含み、ガス流は、中間焦点に向かって移動する微粒子デブリを偏向または遅延させるのに十分である、デブリ軽減デバイスとを含む。
【００１１】
[0011]  別の態様によると、放射生成要素を囲む真空チャンバと、放射生成要素によって放出される放射を集光し、かつ集光した放射を中間焦点に誘導される放射ビームに形成するように配置された放射コレクタと、中間焦点の近くに配置されかつガス源に接続されたデブリ軽減デバイスであって、デブリ軽減デバイスは、ガス源によって供給されたガスを放射生成要素または放射コレクタに向かうガス流へと誘導するように配置されたノズルを含み、ガス流は、中間焦点に向かって移動する微粒子デブリを偏向または遅延させるのに十分である、デブリ軽減デバイスとを含む、放射源デバイスが提供される。
【００１２】
[0012]  中間焦点は、真空チャンバ内のアパーチャにまたはその近くにあってよい。真空チャンバは、アパーチャを囲う円錐形壁部を有してよい。ノズルは、環状であって放射ビームを囲うように配置されてよい。デブリ軽減デバイスは、放射ビームの周りに配置された複数のノズルを含んでよい。複数のノズルは、３つ、４つ、５つまたは６つのノズルからなってよい。
【００１３】
[0013]  デブリ軽減デバイスは、ガス流によって偏向されたデブリを収集するように配置されたデブリ捕獲デバイスをさらに含んでよい。デブリ捕獲デバイスは、デブリを収集するように配置された複数のプレートを含んでよい。プレートは、中間焦点の前に放射ビームが通り抜ける真空チャンバの領域に配置されてよい。プレートは、放射ビームの伝搬の方向と実質的に平行して配置される。複数のプレートは、放射ビームが通り抜けていない真空チャンバの領域に配置され、かつ放射ビームの伝搬の方向と実質的に平行して配置されてよい。複数のプレートは、真空チャンバの壁に設置されてよい。デブリ捕獲デバイスは、真空チャンバの壁に形成された複数のキャビティを含んでよい。
【００１４】
[0014]  ガス源によって供給されるガス圧およびノズルの形状は、ノズルから出るガス流速が１分あたり約１０標準状態リットル（ｓｌｍ）より大きいかまたはそれに等しいように選択されてよい。ガス源におけるガス圧およびノズルの形状は、ノズルから出るガス流速が約１５ｓｌｍより少ないかまたはそれに等しいように選択されてよい。ガス源によって供給されるガス圧およびノズルの形状は、投影ビームが通り抜ける真空チャンバのゾーンにおけるガスの速度が約５００ｍ／ｓより大きく、望ましくは約１０００ｍ／ｓより大きいように配置されてよい。
【００１５】
[0015]  デブリ軽減デバイスは、ノズルの後に放射ビームが通り抜けた下流領域に熱を提供するように構成されたヒータをさらに含んでよい。ヒータは、下流領域内のガスを３００〜１０００℃、より好ましくは４００〜８００℃、さらに好ましくは５００〜７００℃の範囲の温度に加熱するように構成されることが好ましい。デブリ軽減デバイスは、ノズルよりコレクタから遠くに配置されたガスアウトレットをさらに含んでよい。ガスは、水素、重水素、三重水素およびヘリウムからなる群から選択されてよい。放射生成要素は、レーザ生成プラズマ源などのプラズマ源であってよい。レーザ生成プラズマ源は、燃料小滴を生成するように配置された小滴生成デバイスおよび小滴を照射するように配置されたレーザデバイスを含んでよい。小滴ジェネレータは、スズ小滴を生成するように配置されてよい。
【００１６】
[0016]  本発明の別の実施形態によると、パターン付きビームを基板上に投影するためのリソグラフィ装置のようなリソグラフィ装置が提供される。装置は、放射生成要素を囲む真空チャンバと、放射生成要素によって放出される放射を集光し、かつ放射を中間焦点に誘導される放射ビームに形成するように配置された放射コレクタと、中間焦点の近くに配置されかつガス源に接続されたデブリ軽減デバイスであって、デブリ軽減デバイスは、ガス源によって供給されたガスを放射生成要素または放射コレクタに向かうガス流へと誘導するように配置されたノズルを含む、デブリ軽減デバイスと、中間焦点の後に位置決めされ、かつ放射ビームをパターニング手段上へと調整および誘導するように配置された照明システムとを含む。ガス流は、中間焦点に向かって移動する微粒子デブリを偏向または遅延させるのに十分である。
【００１７】
[0017]  リソグラフィ装置の一実施形態によると、真空チャンバは、第１アパーチャおよび第１アパーチャを囲う第１円錐形壁部を有し、照明システムは、第２アパーチャおよび第２アパーチャを囲う第２円錐形壁部を有する第２真空チャンバ内に含まれ、第１円錐形壁部および第２円錐形壁部は、一緒に接続されて真空チャンバを第２真空チャンバに接続しかつ放射ビームが照明システムに伝搬することを可能にする。ノズルは、第１円錐形壁部に設けられてよい。ガスアウトレットは、第２円錐形壁部に設けられてよい。ヒータは、ノズルよりコレクタから遠い第１円錐形壁部および第２円錐形壁部のうちの少なくとも１つに設けられてよい。ネックは、第１円錐形壁部および第２円錐形壁部によってそれらが接続されるところで形成されてよい。
【００１８】
[0018]  本発明の別の実施形態によると、リソグラフィ装置を用いるデバイス製造方法が提供される。方法は、放射源を用いて放射を生成することと、放射を集光し、かつ放射を中間焦点に誘導して放射ビームを形成することと、パターニング手段を用いて放射ビーム上にパターンを付与することと、パターン付き放射ビームを基板上に投影することと、中間焦点の近くに配置されたノズルから放射源に向かって水素の流れを誘導することであって、ガス流は、中間焦点に向かって移動する微粒子デブリを偏向または遅延させるのに十分である、こととを含む。
【００１９】
[0019]  本発明の実施形態のさらなる特徴および利点、ならびに本発明の様々な実施形態の構造および動作を、添付の図面を参照しながら以下に詳細に説明する。本発明は、本明細書で説明する特定の実施形態に限定されないことに留意されたい。このような実施形態は、本明細書では例示のためにのみ提示されている。本明細書に含まれる教示に基づき、当業者には追加の実施形態が明白になるであろう。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
[0020]  明細書に組み込まれ、本明細書の一部を形成する添付の図面は、本発明を図示し、さらに、記述とともに本発明の原理を説明し、当業者が本発明を作成して使用できるように役立つ。
【図１】[0021]  図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を示す。
【図２】[0022]  図２は、本発明の一実施形態による、図１の装置のより詳細な図である。
【図３】[0023]  図３は、本発明の一実施形態による、図１および図２の装置の放射源コレクタモジュールＳＯのより詳細な図である。
【図４】[0024]  図４は、本発明の実施形態によって扱われる問題を説明するために使用される概略図である。
【図５】[0025]  図５は、本発明の一実施形態の動作の原理を示す概略図である。
【図６】[0026]  図６は、本発明の一実施形態の一部の概略的な断面図である。
【図７】[0026]  図７は、本発明の一実施形態の一部の概略的な断面図である。
【図８】[0026]  図８は、本発明の一実施形態の一部の概略的な断面図である。
【図９】[0026]  図９は、本発明の一実施形態の一部の概略的な断面図である。
【図１０】[0026]  図１０は、本発明の一実施形態の一部の概略的な断面図である。
【図１１】[0027]  図１１は、粒子阻止領域のガス流速、圧力および長さによって粒子阻止力の変動を示すグラフである。
【図１２】[0027]  図１２は、粒子阻止領域のガス流速、圧力および長さによって粒子阻止力の変動を示すグラフである。
【図１３】[0028]  図１３は、本発明の一実施形態の一部の概略的な断面図である。
【図１４】[0028]  図１４は、本発明の一実施形態の一部の概略的な断面図である。
【００２１】
[0029]  本発明の特徴および利点は、以下に述べる詳細な説明を図面と組み合わせて考慮することによりさらに明白になるであろう。ここで、同様の参照文字は全体を通して対応する要素を識別する。図面では、同様の参照番号は全体的に同一、機能的に類似する、および／または構造的に類似する要素を示す。要素が最初に現れた図面を、対応する参照番号の最も左側の（１つ以上の）桁で示す。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
[0030]  本明細書は、本発明の特徴を組み込んだ１つ以上の実施形態を開示する。開示される(１つ以上の)実施形態は、本発明を例示するにすぎない。本発明の範囲は開示される（１つ以上の）実施形態に限定されない。本発明は添付の特許請求の範囲によって定義される。
【００２３】
[0031]  記載される実施形態、および「一実施形態」、「実施形態」、「例示的実施形態」などへの本明細書における言及は、記載される（１つ以上の）実施形態が特定の特徴、構造または特性を含むことができるが、それぞれの実施形態が必ずしも特定の特徴、構造または特性を含まないことを示す。さらに、そのようなフレーズは、必ずしも同じ実施形態に言及するものではない。さらに、一実施形態に関連して特定の特徴、構造または特性について記載している場合、明示的に記載されているか記載されていないかにかかわらず、そのような特徴、構造、または特性を他の実施形態との関連で実行することが当業者の知識にあることが理解される。
【００２４】
[0032]  実施形態をより詳細に説明する前に、本発明の実施形態を実施することができる例示的環境を示すことが有益である。
【００２５】
[0033]  図１は、本発明の一実施形態による放射源コレクタモジュールＳＯを含むリソグラフィ装置１００を概略的に示す。このリソグラフィ装置は、放射ビームＢ（例えば、ＥＵＶ放射）を調整するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、パターニングデバイス（例えば、マスクまたはレチクル）ＭＡを支持するように構築され、かつパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第１ポジショナＰＭに連結されたサポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴと、基板（例えば、レジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構築され、かつ基板を正確に位置決めするように構成された第２ポジショナＰＷに連結された基板テーブル（例えば、ウェーハテーブル）ＷＴと、パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに付けられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば、１つ以上のダイを含む）上に投影するように構成された投影システム（例えば、屈折投影レンズシステム）ＰＳとを備える。
【００２６】
[0034]  照明システムとしては、放射を誘導し、整形し、または制御するために、さまざまなタイプの光コンポーネントを含むことができる。
【００２７】
[0035]  サポート構造ＭＴは、パターニングデバイスの向き、リソグラフィ装置の設計、および、パターニングデバイスが真空環境内で保持されているか否かなどの他の条件に応じた態様で、パターニングデバイスＭＡを保持する。サポート構造は、機械式、真空式、静電式またはその他のクランプ技術を使って、パターニングデバイスを保持することができる。サポート構造は、例えば、必要に応じて固定または可動式にすることができるフレームまたはテーブルであってもよい。サポート構造は、パターニングデバイスを、例えば、投影システムに対して所望の位置に確実に置くことができる。
【００２８】
[0036]  「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分内にパターンを作り出すように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用できるあらゆるデバイスを指していると、広く解釈されるべきである。放射ビームに付けたパターンは、集積回路などのターゲット部分内に作り出されるデバイス内の特定の機能層に対応することができる。
【００２９】
[0037]  パターニングデバイスは、透過型であっても、反射型であってもよい。パターニングデバイスの例としては、マスク、プログラマブルミラーアレイ、およびプログラマブルＬＣＤパネルが含まれる。マスクは、リソグラフィでは公知であり、バイナリ、レべンソン型(alternating)位相シフト、およびハーフトーン型(attenuated)位相シフトなどのマスク型、ならびに種々のハイブリッドマスク型を含む。プログラマブルミラーアレイの一例では、小型ミラーのマトリックス配列が用いられており、各小型ミラーは、入射する放射ビームを様々な方向に反射させるように、個別に傾斜させることができる。傾斜されたミラーは、ミラーマトリックスによって反射される放射ビームにパターンを付ける。
【００３０】
[0038]  投影システムは、照明システムのように、さまざまなタイプの光コンポーネントを含むことができる。他のガスは放射を吸収しすぎることがあるので、ＥＵＶ放射に対しては真空を使用することが望ましい場合がある。したがって、真空壁および真空ポンプを用いてビームパス全体に真空環境を提供することができる。
【００３１】
[0039]  本明細書に示されているとおり、リソグラフィ装置は、反射型のもの（例えば、反射型マスクを採用しているもの）であってもよい。
【００３２】
[0040]  リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）以上の基板テーブル（および／または２つ以上のマスクテーブル）を有する型のものであってもよい。そのような「マルチステージ」機械においては、追加のテーブルは並行して使うことができ、または予備工程を１つ以上のテーブル上で実行しつつ、別の１つ以上のテーブルを露光用に使うこともできる。 
【００３３】
[0041]  図１を参照すると、イルミネータＩＬは、放射源コレクタモジュールＳＯから極端紫外線（ＥＵＶ）放射ビームを受ける。ＥＵＶ放射を生成する方法としては、材料を、ＥＵＶ範囲内の１つ以上の輝線を有する、例えばキセノン、リチウムまたはスズなどの少なくとも１つの元素を有するプラズマ状態に変換することが挙げられるが必ずしもこれに限定されない。そのような一方法では、レーザ生成プラズマ（「ＬＰＰ」）と呼ばれることが多い所要のプラズマを、所要の線発光元素を有する材料の小滴、流れまたはクラスタなどの燃料をレーザビームで照射することによって生成することができる。放射源コレクタモジュールＳＯは、燃料を励起するレーザビームを提供するためである、図１に図示されていないレーザを含むＥＵＶ放射システムの一部分であってもよい。結果として生じるプラズマは、例えばＥＵＶ放射などの出力放射を放出し、これは、放射源コレクタモジュールに配置された放射コレクタを用いて集光される。例えば、燃料励起のためのレーザビームを提供するためにＣＯ２レーザが使用される場合、レーザと放射源コレクタモジュールは、別個の構成要素であってもよい。
【００３４】
[0042]  そのような場合には、レーザは、リソグラフィ装置の一部分を形成しているとはみなされず、また放射ビームは、レーザから放射源コレクタモジュールへ、例えば、適切な誘導ミラーおよび／またはビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムを使って送られる。その他の場合においては、例えば、放射源がＤＰＰ源と呼ばれることが多い放電生成プラズマＥＵＶジェネレータである場合、放射源は、放射源コレクタモジュールの一体部分とすることもできる。
【００３５】
[0043]  イルミネータＩＬは、放射ビームの角強度分布を調節するアジャスタを含むことができる。通常、イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側および／または内側半径範囲（それぞれ値σ-outerおよび値σ-innerを有する）を調節することができる。さらに、イルミネータＩＬは、ファセット視野および瞳ミラーデバイスといったさまざまな他のコンポーネントを含むことができる。イルミネータを使って放射ビームを調整すれば、放射ビームの断面に所望の均一性および強度分布をもたせることができる。
【００３６】
[0044]  放射ビームＢは、サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴ上に保持されているパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡ上に入射して、パターニングデバイスによってパターン形成される。パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡから反射した後、放射ビームＢは投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームの焦点をあわせる。第２ポジショナＰＷおよび位置センサＰＳ２（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、または静電容量センサ）を使って、例えば、さまざまなターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路内に位置決めするように、基板テーブルＷＴを正確に動かすことができる。同様に、第１ポジショナＰＭおよび別の位置センサＰＳ１を使い、パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを放射ビームＢの経路に対して正確に位置決めすることもできる。パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡおよび基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１およびＭ２と、基板アライメントマークＰ１およびＰ２とを使って、位置合わせされてもよい。
【００３７】
[0045]  例示のリソグラフィ装置は、以下に説明するモードのうち少なくとも１つのモードで使用できる。 
【００３８】
[0046]  １．ステップモードにおいては、サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴおよび基板テーブルＷＴを基本的に静止状態に保ちつつ、放射ビームに付けられたパターン全体を一度にターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一静的露光）。その後、基板テーブルＷＴは、Ｘおよび／またはＹ方向に移動され、それによって別のターゲット部分Ｃを露光することができる。
【００３９】
[0047]  ２．スキャンモードにおいては、サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴおよび基板テーブルＷＴを同期的にスキャンする一方で、放射ビームに付けられたパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一動的露光）。サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影システムＰＳの（縮小）拡大率および像反転特性によって決めることができる。
【００４０】
[0048]  ３．別のモードにおいては、プログラマブルパターニングデバイスを保持した状態で、サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴを基本的に静止状態に保ち、また基板テーブルＷＴを動かす、またはスキャンする一方で、放射ビームに付けられているパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する。このモードにおいては、通常、パルス放射源が採用されており、さらにプログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルＷＴの移動後ごとに、またはスキャン中の連続する放射パルスと放射パルスとの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、前述の型のプログラマブルミラーアレイといったプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。
【００４１】
[0049]  上述の使用モードの組合せおよび／またはバリエーション、あるいは完全に異なる使用モードもまた採用可能である。
【００４２】
[0050]  図２は、放射源コレクタモジュールＳＯ、照明システムＩＬおよび投影システムＰＳを含む装置１００をより詳細に示す。放射源コレクタモジュールＳＯは、真空環境が放射源コレクタモジュールＳＯの閉鎖構造２２０内で維持できるように構築および配置される。ＥＵＶ放射放出プラズマ２１０は、放電生成プラズマ源によって形成されてよい。ＥＵＶ放射は、ガスまたは蒸気、例えばＸｅガス、Ｌｉ蒸気またはＳｎ蒸気によって生成されてよい。このガスまたは蒸気では、電磁スペクトルのＥＵＶ範囲内の放射を放出するために非常に高温のプラズマ２１０が生成される。非常に高温のプラズマ２１０は、例えば放電によって生成され、これは少なくとも部分的にイオン化されたプラズマをもたらす。例えば、１０ＰａのＸｅ、Ｌｉ、Ｓｎ蒸気あるいは任意の他の適したガスまたは蒸気の分圧は、放射の効率的な生成のために必要とされる場合がある。一実施形態では、ＥＵＶ放射を生成するために励起されたスズ（Ｓｎ）のプラズマが提供される。
【００４３】
[0051]  高温のプラズマ２１０によって放出された放射は、放射源チャンバ２１１から、放射源チャンバ２１１における開口部内またはその後方に位置決めされた任意選択のガスバリアまたは汚染物質トラップ２３０（場合によっては、汚染物質バリアまたはフォイルトラップとも呼ばれている）を介してコレクタチャンバ２１２へと進む。汚染物資トラップ２３０は、チャネル構造を含んでもよい。汚染物質トラップ２３０は、ガスバリア、またはガスバリアとチャネル構造との組み合わせを含んでもよい。本明細書中にさらに述べる汚染物質トラップまたは汚染物質バリア２３０は、当該技術分野で公知であるように、少なくともチャネル構造を含む。
【００４４】
[0052]  コレクタチャンバ２１１は、いわゆるかすめ入射コレクタであり得る放射コレクタＣＯを含んでもよい。放射コレクタＣＯは、上流放射コレクタ側２５１および下流放射コレクタ側２５２を有する。コレクタＣＯを通り抜けた放射は、スペクトルフィルタ２４０から反射して仮想光源点ＩＦで合焦することができる。仮想光源点ＩＦを一般的に中間焦点と呼び、放射源コレクタモジュールは、中間焦点ＩＦが閉鎖構造２２０内の開口部２２１にまたはその近くに配置されるように配置される。仮想光源点ＩＦは、放射放出プラズマ２１０のイメージである。
【００４５】
[0053]  その後、放射は照明システムＩＬを通り抜け、この照明システムＩＬは、パターニングデバイスＭＡにて放射ビーム２１の所望の角度分布ならびにパターニングデバイスＭＡにて放射強度の所望の均一性を提供するように配置されたファセット視野ミラーデバイス２２およびファセット瞳ミラーデバイス２４を含んでよい。サポート構造ＭＴによって保持されるパターニングデバイスＭＡにて放射ビーム２１が反射すると、パターン付けされたビーム２６が形成され、このパターン付けされたビーム２６は、投影システムＰＳによって反射要素２８および３０を介してウェーハステージまたは基板テーブルＷＴによって保持された基板Ｗ上に結像される。
【００４６】
[0054]  照明光学ユニットＩＬおよび投影システムＰＳ内には、通常、図示されたものよりも多くの要素が存在し得る。格子スペクトルフィルタ２４０は、リソグラフィ装置の種類によって任意的に存在してよい。さらに、図示されているものより多くのミラーがあってもよく、例えば、図２に示す投影システムＰＳ内に存在する反射要素より１〜６個多くの反射要素が存在してもよい。
【００４７】
[0055]  図２に示すように、集光系ＣＯは、単なるコレクタ（または集光ミラー）の一例として、かすめ入射リフレクタ２５３、２５４および２５５を有する入れ子化されたコレクタとして示される。かすめ入射リフレクタ２５３、２５４および２５５は、光軸Ｏの周りで軸対称に配置され、このタイプの集光系ＣＯは、ＤＰＰ源と呼ばれることが多い放電生成プラズマ源と組み合わせて使用される。
【００４８】
[0056]  あるいは、図３に示すように、放射源コレクタモジュールＳＯは、ＬＰＰ放射システムの一部分であってもよい。レーザＬＡは、キセノン（Ｘｅ）、スズ（Ｓｎ）またはリチウム（Ｌｉ）などの燃料にレーザエネルギーを堆積させるように配置され、数十ｅＶの電子温度を有する高イオン化されたプラズマ２１０を生成する。これらのイオンの逆励起および再結合中に生成されるエネルギー放射はプラズマから放出され、近法線入射集光系ＣＯによって集光されて閉鎖構造２２０内の開口部２２１上で合焦される。
【００４９】
[0057]  ＥＵＶリソグラフィ装置では、放射源モジュール、照明システムおよび投影システム、ならびに投影ビームが通り抜ける他のあらゆる部分には、通常、低圧（例えば、２０〜３０ｍｂａｒ）水素環境が提供される。なぜなら、水素はＥＵＶ放射に対して低い吸収係数を有し、さらに、あらゆる炭素およびスズ堆積を装置の部分から洗浄するためにも役立つからである。しかしながら、ヘリウムなどの他のガスを代わりに用いることもでき、この場合、別の保護化合物が適切となり得る。
【００５０】
[0058]  図４は、本発明の実施形態によって扱われる放射源の問題を図示するレーザ生成プラズマの概略図である。そのような放射源では、小滴ジェネレータ４０は、例えばスズ（Ｓｎ）などの溶融燃料の小滴４１を放出し、これは、例えば、直径約２０〜５０μｍであってよい。これらの小滴は、既知の軌道に沿って落ち、小滴ジェネレータの近くの放射源（図示せず）によって放出される水素ガス流によって運ばれかつ小滴キャッチャー（図示せず）の近くのアウトレットによって取り除かれる。小滴の経路に沿った所定の場所において、パルスＣＯ２レーザビーム４２は各小滴上に誘導される。レーザビームのパルスは、各スズ小滴からプラズマを生成するための十分なエネルギーを有するように配置される。プラズマはＥＵＶ放射を放出し、これは集光光学系ＣＯによって集光されて中間焦点ＩＦに向かって誘導される。プラズマは、大量の小さい微粒子デブリ４３（１つの小滴につき約１０７粒子）も放出し、その一部は中間焦点に向かって進み、リソグラフィ装置の残部またはスキャナに入り得る。粒子は、例えば、放射源円錐２２９の壁または放射源モジュール内の別の表面によって偏向される間接経路によってもリソグラフィ装置の残部に入り得る。粒子４３のサイズは、一般には、約１００〜２００ｎｍである。
【００５１】
[0059]  図５は、上記の問題を少なくとも部分的に緩和することを目的とする本発明の一実施形態の動作の原理を示す。リソグラフィ装置の放射源および照明システムの両方は、真空チャンバ内に含まれる。これらの真空チャンバを接続して放射源から照明モジュールへの放射ビームの経路を可能とするために、それぞれの真空チャンバには、狭小ネック３１０で交わる円錐形の突起が設けられる。これらは、それぞれ、放射源円錐２２９およびスキャナ円錐３００と呼ぶことができるが、正確な円錐形である必要はない。集光光学系ＣＯによって形成される中間焦点は、放射源円錐とスキャナ円錐との接合部によって形成されるネックにまたはその近くに配置される。したがって、放射源円錐およびスキャナ円錐は、放射ビームを著しく遮断することなく真空チャンバの容積を都合よく最小にするあらゆる形状を有することができる。したがって、放射ビームの収束および発散部分の近くを囲う理想の円錐からのあらゆる偏差は、構造上または製造上の理由により生じ得る。
【００５２】
[0060]  本発明の一実施形態によると、１つ以上の開口部、例えば、ノズルまたはスリットは、中間焦点におけるまたはその近くの放射源円錐上の好都合な配置に設けられる。１つ以上の開口部は、放射源または集光光学系ＣＯに向かう高速のガス流３３０、すなわち、上向きビームまたは放射ビームの伝搬の方向と反対方向のビームを生成するように配置される。一実施形態では、ガスはＨ２であるが、例えば、重水素、三重水素またはヘリウムを用いてもよい。ガス流は、中間焦点ＩＦに向かって移動するスズ粒子４３を逆戻りさせる（軌道ａ）かまたは放射源円錐２２９の壁に偏向させる（軌道ｂ）のに十分であり得る。
【００５３】
[0061]  図６は、本発明の実際的な実施形態の関連部分をより詳細に示す。そこから明らかに分かるように、放射源円錐２２９およびスキャナ円錐３００は、放射ビームＢの中間焦点に配置されたネック３１０で交わる。スリット３２０は、放射源モジュールに向かうガス流３３０を生成するためにスキャナ円錐２２９の壁に設けられる。ガスは、ガス供給３５０からスリット３２０に供給される。スリット３２０は、放射源円錐２２９の周りの完全な環状スリットまたは放射源円錐２２９の周りに配置された複数の離散的な開口部であってよい。そのような複数の開口部（例えば、３つ〜６つ）の各々は、スリットまたは円形ノズルであってよい。スリット３２０から出るガスの流速は、約３〜約７０ｓｌｍ（１分あたりの標準状態リットル）の範囲、望ましくは、約１０〜約１５ｓｌｍ（１分あたりの標準状態リットル）の範囲であってよい。約３ｓｌｍの流速は、約１００Ｐａの典型的な放射源圧力における１秒あたり１２０メートルまでの速度を有する平均直径２００ｎｍのスズ粒子を止めるのに十分であることが分かった。約１０ｓｌｍの速度は、同じ状況下で３００ｍ／ｓまでの速度を有する２００ｎｍの粒子を止める。流速を増加させることは、止められる粒子のサイズおよび速度を増加させる。しかしながら、約１５ｓｌｍの流速より上では、照明システムＩＬ内へのガスの漏れは増加し、増加したガス流を対処するためにその真空システムを改善することが必要となる。
【００５４】
[0062]  一実施形態では、ノズル３２０は中間焦点に近い。一実施形態では、ノズル３２０と中間焦点が位置決めされたネック３１０との間の距離は、約５ｍｍ〜約５０ｍｍの間の範囲、例えば、１０ｍｍである。一実施形態では、ノズル３２０の形状は、ガス流がガス内の音速と同等の速度を有する最も狭い部分３２２を有するような形状である。ノズルの最も狭い部分３２２の後で、ノズルは、スキャナ円錐２２９に入るガス流が超音速であるように広がる。別の実施形態では、ノズルの最も狭い部分は出口にある。その場合、ガス流は音速である。ガス流は放射源円錐内でできる限り高いことが望ましい。一実施形態では、ノズル開口部３２０とスキャナ円錐２２９との間の接合部３２１は、ガス流におけるあらゆる乱れまたは不安定性を防ぐように滑らかである。
【００５５】
[0063]  図７は、本発明のさらなる実施形態の関連部分を示し、このさらなる実施形態は、以下に述べること以外は上記の第１実施形態と同様である。この実施形態では、スキャナ円錐２２９の内面上に一連の空洞３４０が設けられる。軌道ｃで示すように、これらの空洞は、ガス流３３０によってスキャナ円錐２２９の壁へと偏向された粒子をトラップするのに効果的である。空洞は、そのような粒子がスキャナ円錐壁から跳ね返ることを防ぎ、かつ本発明の粒子偏向効果を高めるように作用する。空洞３４０は、スキャナ円錐壁の内面を整形することによって、あるいは、例えばプレートなどの複数の部材をそこに取り付けることによって形成されてもよい。
【００５６】
[0064]  図８は、以下に述べること以外は上記の第１実施形態と同様であり得る本発明のさらなる実施形態の関連部分を示す。この実施形態では、複数のプレート３６０が、スキャナ円錐２２９の中で投影ビームＢが通り抜ける領域に設けられる。プレート３６０は、ビームＢの伝搬の方向に対して実質的に平行に配置される。お互いに平行となるように図８に示しているが、実際にはそれらは中間焦点に直接向くように配置されてよい。言い換えると、プレート３６０は、それらが延在した場合に中間焦点で交差するように配置されてよい。プレート３６０は、中間焦点に向かう直線コースからの少量のガス流３３０によって偏向される粒子ｄがプレート３６０のうちの１つに衝突してそこに付着する。プレート３６０およびその支持構造は、投影ビームＢの吸収を最小にするように配置されてよい。
【００５７】
[0065]  図９は、以下に述べること以外は上記の第１または第２実施形態と同様であり得る本発明のさらなる別の実施形態の関連部分を示す。この実施形態では、ヒータ３７０が、放射源円錐２２９の一部および／またはノズル３２０の下流にあるスキャナ円錐３００の一部に設けられる。ヒータ３７０は、放射源円錐およびノズル３２０の下流にあるスキャナ円錐内に配置されたあらゆるガスを加熱するのに効果的である。この領域内のガスは、約３００℃から１０００℃までの温度に加熱されてよい。一実施形態では、ガスは、約４００℃から８００℃までの温度に加熱される。さらなる実施形態では、ガスは、約５００℃から７００℃までの温度に加熱される。中間焦点の領域内のガスを加熱することによって、この領域内の流れ抵抗は強まる。したがって、これは、放射源およびコレクタに向かう所望の方向ではなく中間焦点へと戻るように流れる、ノズル３２０から放出されるガス量を減少させる。逆ガス流３３１を最小限にすることによって、粒子を偏向させるためのノズル３２０によって放出されるガスの有効性は高まる。
【００５８】
[0066]  図１０は、以下に述べること以外は上記の第１、第２および第３実施形態と同様であり得る本発明のさらなる別の実施形態の関連部分を示す。この実施形態では、ネック３１０の下流にあるスキャナ円錐３００にガスアウトレット３８０が設けられる。ガスアウトレット３８０は、スキャナ円錐に入るガス流３３１の少なくとも一部を取り除き、それによって、照明モジュール真空チャンバに含まれるガスの望ましくない増加を防ぐ。ガスアウトレット３８０は、真空ポンプ（図示せず）に接続されてよい。一実施形態では、ガスアウトレット３８０は、ネック３１０のできる限り近くに位置決めされ、それによって、ガス流３３１は比較的高圧であって、その結果より容易に取り除かれる。
【００５９】
[0067]  本発明らは、より高いガス流速、より高い圧力およびガス流を遮断する範囲の増大は、個別におよび合わせて、本発明の実施形態の粒子の阻止力の増加に寄与することを決定した。これは、図１１および図１２に示している。
【００６０】
[0068]  図１１は、長さ４０ｍｍにわたる圧力１００Ｐａにおける５００ｍ／ｓのガス流速を有する本発明の一実施形態の阻止力を示している。ｙ軸は、ガス流に入る粒子の初期速度ＶＩをｍ／ｓで示し、ｘ軸は粒子の直径ｄを示す。輪郭線は、ガス流領域の端の粒子速度を示す。したがって、直径２００ｎｍである１２０ｍ／ｓまでの初期速度を有する粒子は止められることが分かる。
【００６１】
[0069]  図１２は、長さ１２０ｍｍにわたる圧力１３５Ｐａにおける１０００ｍ／ｓのガス流速を有する一実施形態のための同等の図である。ここでは、３１５ｎｍまでの初期速度を有する２００ｎｍの粒子は止められることが分かる。
【００６２】
[0070]  図１３では、デブリを偏向させるために高いガス流を有するより大きな領域を提供するデブリ軽減デバイスを有する本発明の改善された実施形態を示している。この実施形態では、第２ノズル２３２が、放射源円錐２２９の側壁に設けられ、例えば、ノズル２３０と同じガス供給などのガス供給（図示せず）が接続される。第２ノズル３２３は、ノズル３２０のように、放射源円錐２２９の周りを完全に延在する単一の環状ノズル、あるいは、放射源円錐２２９の周りに間隔を空けて配置された複数の離散的なノズルまたはスリットであってよい。デバイスの使用中、ガスは、放射源プラズマによって放出されるデブリを遅延および／または偏向させるための十分な速度で放射生成要素または放射コレクタに向かって流れるように第２ノズル３２３から放出される。
【００６３】
[0071]  第２ノズル３２３は、ノズル３２０によって形成された偏向ゾーンＺ１を囲う第２偏向ゾーンＺ２を形成する。ノズル３２０および３２３によって形成されたガス流領域は、一部の場合、高速のガス流を有する単一の領域を形成するために結合することができる。一実施形態では、この高速のガス流を有する単一の領域は、個別に動作する各ノズルによって生成されるガス流領域の合計より大きくてもよい。高速のガス流を有する追加の領域を提供することによって、および／または高速のガス流を有する領域を延在することによって、より大きい初期速度を有する粒子が中間焦点ＩＦに到達することを防止することができる。
【００６４】
[0072]  一実施形態では、ノズル３２３は、スキャナ円錐２２９の直径が第１ノズル３２０の位置におけるスキャナ円錐の直径より約２倍である位置に配置される。一実施形態では、第２ノズル３２３を通るガス流速は、第１ノズル３２０を通るガス流速の少なくとも約２倍である。一実施形態では、第３ノズル（図示せず）は、スキャナ円錐直径が再度２倍となりかつ使用中に第２ノズル３２３より少なくとも２倍のガス流を放出する位置に設けられる。
【００６５】
[0073]  図１４は、さらに、デブリを偏向または遅延させるために高速のガス流を有するより大きい領域を提供するデブリ軽減デバイスを有する別の改善された実施形態を示している。この実施形態では、放射生成要素および／または放射コレクタと第１ノズル３２０との間の放射源円錐に第２ノズル３２４および第３ノズル３２５が設けられる。第２ノズル３２４および第３ノズル３２５は、放射源円錐を囲うまたはほぼ囲う単一の環状スリットであってよい。あるいは、第２ノズル３２４および第３ノズル３２５のいずれかまたは両方は、スキャナ円錐の周りに空間を空けて配置された複数の離散的なノズルまたはスリットとして組み込むことができる。
【００６６】
[0074]  第２ノズル３２４および第３ノズル３２５は、１つ以上のガス源（例えば、ノズル３２０に接続されるガス源と同じもの）に接続され、それによって、使用中、高速のガス流を放射生成要素または放射コレクタに向かって放出する。高速のガス流は、中間焦点ＩＦに向かって進むデブリ粒子を遅延または偏向させる。図１４に示すように、第２ノズル３２４は、高速ガスを有する第２ゾーンＺ２を生成し、第３ノズル３２５は、ノズル３２０によって形成される高速ガスゾーンＺ１の偏向および遅延効果を補う高速ガスの第３ゾーンＺ３を生成する。一実施形態では、高速ガスゾーンＺ１、Ｚ２およびＺ３は、１つ以上のより大きい高速ガスゾーンを形成するために結合してよい。
【００６７】
[0075]  図１４にさらに示すように、第２ノズル３２４および第３ノズル３２５は、放射源円錐２２６の側壁から内向きに突出する。第２ノズル３２４および第３ノズル３２５の側壁３２７は、図１４の下方部分における粒子軌道ｅによって示されるように、粒子が中間焦点ＩＦに向かってスキャナ円錐２２９の壁から跳ね返ることを防止することができるバッフルを形成する。さらに、再循環ゾーンＺ４がノズル間に形成される。再循環ゾーンＺ４では、ガスが循環する傾向がある。循環ガスは、ゾーンに入る粒子をさらに遅延させかつ捉えることができ、それによって、それらが中間焦点に到達してスキャナ円錐内に入ることを防止する。第２ノズル３２４および第３ノズル３２５は、点線３２８によって示す投影ビームの最も外側の境界までスキャナ円錐内に突出しないことに留意されたい。一実施形態では、連続するノズル３２０、３２４および３２５を通るガス流速は、それぞれのノズルの位置における放射源円錐の直径の二乗に対して比例的に増加する。
【００６８】
[0076]  一実施形態では、単一のガス速度プロファイルが、放射源円錐２２９の軸と垂直である平面（例えば、点線３２９によって示される）にわたって展開される。
【００６９】
[0077]  図７〜図１０、図１３および図１４の実施形態のさらなる特徴は、当然のことながら、本発明の一実施形態における所望の性能を提供するために必要に応じて任意の所望の組み合わせで組み合わされてもよい。
【００７０】
[0078]  本明細書において、ＩＣ製造におけるリソグラフィ装置の使用について具体的な言及がなされているが、本明細書記載のリソグラフィ装置が、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンスパターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド等の製造といった他の用途を有し得ることが理解されるべきである。当業者にとっては当然のことであるが、そのような別の用途においては、本明細書で使用される「ウェーハ」または「ダイ」という用語はすべて、それぞれより一般的な「基板」または「ターゲット部分」という用語と同義であるとみなしてよい。本明細書に記載した基板は、露光の前後を問わず、例えば、トラック（通常、基板にレジスト層を塗布し、かつ露光されたレジストを現像するツール）、メトロロジーツール、および／またはインスペクションツールで処理されてもよい。適用可能な場合には、本明細書中の開示内容を上記のような基板プロセシングツールおよびその他の基板プロセシングツールに適用してもよい。さらに基板は、例えば、多層ＩＣを作るために複数回処理されてもよいので、本明細書で使用される基板という用語は、すでに多重処理層を包含している基板を表すものとしてもよい。
【００７１】
[0079]  光リソグラフィの関連での本発明の実施形態の使用について上述のとおり具体的な言及がなされたが、当然のことながら、本発明は、他の用途、例えば、インプリントリソグラフィに使われてもよく、さらに状況が許すのであれば、光リソグラフィに限定されることはない。インプリントリソグラフィにおいては、パターニングデバイス内のトポグラフィによって、基板上に創出されるパターンが定義される。パターニングデバイスのトポグラフィは、基板に供給されたレジスト層の中にプレス加工され、基板上では、電磁放射、熱、圧力、またはそれらの組合せを加えることによってレジストは硬化される。パターニングデバイスは、レジストが硬化した後、レジスト内にパターンを残してレジストの外へ移動される。
【００７２】
[0080]  「レンズ」という用語は、文脈によっては、屈折、反射、磁気、電磁気、および静電型光コンポーネントを含む様々な種類の光コンポーネントのいずれか１つまたはこれらの組合せを指すことができる。
【００７３】
[0081]  「発明の概要」および「要約書」の項は、発明者が考える本発明の１つ以上の例示的実施形態を記載できるがそのすべては記載できないため、本発明および添付の特許請求の範囲を決して限定するものではない。
【００７４】
[0082]  特定の機能およびそれらの関係の実施態様を示す機能ビルディングブロックを使用して本発明の実施形態について説明した。本明細書においては、これらの機能ビルディングブロックの境界は、説明の便宜上、任意に画定されている。特定の機能およびそれらの関係が適切に実施される限り、代替境界を画定することも可能である。
【００７５】
[0083]  特定の実施形態についての上記説明は、本発明の一般的な性質を余すところなく開示しており、したがって当業者は、当分野における知識を適用することにより、不適切な過度の実験作業を必要とすることなく、また、本発明の一般概念から逸脱することなく、様々な用途のためにこのような特定の実施形態に容易に修正を加え、および／または適合させることができる。したがって、このような適合および修正は、開示されている実施形態の、本明細書において示されている教示および手引きに基づく同等物の意味および範囲内に含まれることが意図されている。本明細書における表現または用語は、説明を目的としたものであって本発明を限定するためのものではなく、したがって本明細書の用語または表現は、当業者によって、教示およびガイダンスに照らして解釈されるべきものであることを理解されたい。
【００７６】
[0084]  本発明の広さおよび範囲は、上述したいずれの例示的実施形態によっても限定されず、唯一添付の特許請求の範囲およびそれらの同等物によってのみ定義されるものとする。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【国際調査報告】
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