(57)【要約】【課題】記憶装置内のデータを読み出して訂正する方法が提供される。【解決手段】該方法は、各データ・ビットに対応する複数のリファレンス・セルを用いてデータ・ワードの各データ・ビットを読み出すこと、読み出されたデータ・ビットに対してエラー検出を行うこと、エラーが検出されたならば、読み出されたデータ・ビットをエラー訂正コード（ＥＣＣ）を用いて訂正すること、および各々の対応するリファレンス・セルをそれのオリジナル記憶状態に書き込むことを含む。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
記憶装置の中のデータを読み出して訂正する、コンピュータにより実行される方法であって、
各データ・ビットに対応する複数のリファレンス・セルを用いてデータ・ワードの各データ・ビットを読み出すこと、
前記読み出されたデータ・ビットに対してエラー検出を行うこと、および
エラーが検出されたならば、読み出されたデータ・ビットをエラー訂正コード（ＥＣＣ）を用いて訂正すると共に各々の対応するリファレンス・セルをそれのオリジナル記憶状態に書き込むこと、
を含む、コンピュータにより実行される方法。
【請求項２】
前記記憶装置はスピン・トルク・ベースの記憶装置である、請求項１に記載のコンピュータにより実行される方法。
【請求項３】
各データ・ビットを読み出すことは、各データ・ビットの抵抗を前記対応するリファレンス・セルの各々の抵抗と比較することを含む、請求項１に記載のコンピュータにより実行される方法。
【請求項４】
各データ・ビットは、“０”記憶状態にプリセットされた対応するリファレンス・セルおよび“１”記憶状態にプリセットされた対応するリファレンス・セルを有する、請求項１に記載のコンピュータにより実行される方法。
【請求項５】
記憶装置の中のデータを読み出して訂正する、コンピュータにより実行される方法であって、
各データ・ビットに対応する複数のリファレンス・セルを用いてデータ・ワードの各データ・ビットを読み出すこと、および
各それぞれのデータ・ビットを読み出した後に前記対応するリファレンス・セルをそれのオリジナル記憶状態に書き込むことを含む、
コンピュータにより実行される方法。
【請求項６】
前記記憶装置はスピン・トルク・ベースの記憶装置である、請求項５に記載のコンピュータにより実行される方法。
【請求項７】
各データ・ビットを読み出すことは、各データ・ビットの抵抗を前記対応するリファレンス・セルの各々の抵抗と比較することを含む、請求項５に記載のコンピュータにより実行される方法。
【請求項８】
各データ・ビットは、“０”記憶状態にプリセットされた対応するリファレンス・セルおよび“１”記憶状態にプリセットされた対応するリファレンス・セルを有する、請求項５に記載のコンピュータにより実行される方法。
【請求項９】
記憶装置の中のデータを読み出して訂正する、コンピュータにより実行される方法であって、
データ・ワードの各データ・ビットおよび対応するリファレンス・セルを読み出すこと、
各データ・ビットに対してエラー検出を行うこと、および
エラーが検出されたならばそれぞれのデータ・ビットを訂正すると共に対応するリファレンス・セルが反対の記憶状態にあると判定されたならば、前記対応するリファレンス・セルの記憶状態を訂正すること、
を含む、コンピュータにより実行される方法。
【請求項１０】
前記記憶装置はスピン・トルク・ベースの記憶装置である、請求項９に記載のコンピュータにより実行される方法。
【請求項１１】
各データ・ビットを読み出すことは、各データ・ビットの抵抗を前記対応するリファレンス・セルの各々の抵抗と比較することを含む、請求項９に記載のコンピュータにより実行される方法。
【請求項１２】
各データ・ビットは、“０”記憶状態にプリセットされた対応するリファレンス・セルおよび“１”記憶状態にプリセットされた対応するリファレンス・セルを有する、請求項９に記載のコンピュータにより実行される方法。
【請求項１３】
コンピュータ可読プログラムを含むコンピュータ可用媒体を含むコンピュータ・プログラム製品であって、前記コンピュータ可読プログラムは、コンピュータ上で実行されると、記憶装置の中のデータを読み出して訂正する方法を前記コンピュータに実行させ、前記方法は、
各データ・ビットに対応する複数のリファレンス・セルを用いてデータ・ワードの各データ・ビットを読み出すこと、
前記読み出されたデータ・ビットに対してエラー検出を行うこと、および
エラーが検出されたならば、読み出されたデータ・ビットをエラー訂正コード（ＥＣＣ）を用いて訂正すると共に各々の対応するリファレンス・セルをそれのオリジナル記憶状態に書き込むこと、
を含む、コンピュータ・プログラム製品。
【請求項１４】
前記記憶装置はスピン・トルク・ベースの記憶装置である、請求項１３に記載のコンピュータ・プログラム製品。
【請求項１５】
各データ・ビットを読み出すことは、各データ・ビットの抵抗を前記対応するリファレンス・セルの各々の抵抗と比較することを含む、請求項１３に記載のコンピュータ・プログラム製品。
【請求項１６】
各データ・ビットは、“０”記憶状態にプリセットされた対応するリファレンス・セルおよび“１”記憶状態にプリセットされた対応するリファレンス・セルを有する、請求項１３に記載のコンピュータ・プログラム製品。
【請求項１７】
コンピュータ可読プログラムを含むコンピュータ可用媒体を含むコンピュータ・プログラム製品であって、前記コンピュータ可読プログラムは、コンピュータ上で実行されると、記憶装置の中のデータを読み出して訂正する方法を前記コンピュータに実行させ、前記方法は、
データ・ワードの各データ・ビットおよび対応するリファレンス・セルを読み出すこと、
各データ・ビットに対してエラー検出を行うこと、および
エラーが検出されたならば、それぞれのデータ・ビットを訂正すると共に対応するリファレンス・セルが反対の記憶状態にあると判定されたならば、前記対応するリファレンス・セルの記憶状態を訂正すること、
を含む、コンピュータ・プログラム製品。
【請求項１８】
前記記憶装置はスピン・トルク・ベースの記憶装置である、請求項１７に記載のコンピュータ・プログラム製品。
【請求項１９】
各データ・ビットを読み出すことは、各データ・ビットの抵抗を前記対応するリファレンス・セルの各々の抵抗と比較することを含む、請求項１７に記載のコンピュータ・プログラム製品。
【請求項２０】
各データ・ビットは、“０”記憶状態にプリセットされた対応するリファレンス・セルおよび“１”記憶状態にプリセットされた対応するリファレンス・セルを有する、請求項１７に記載のコンピュータ・プログラム製品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気ランダム・アクセス・メモリに関し、特にスピン・トルク・ベースの記憶装置のためのリファレンス・セルに関する。
【背景技術】
【０００２】
スピン・トルク磁気ランダム・アクセス・メモリ（ｍａｇｎｅｔｉｃ  ｒａｎｄｏｍ  ａｃｃｅｓｓ  ｍｅｍｏｒｙ（ＭＲＡＭ））装置は、例えば、磁気トンネル接合（ｍａｇｎｅｔｉｃ  ｔｕｎｎｅｌ  ｊｕｎｃｔｉｏｎ（ＭＴＪ））スタック内のピンド層、トンネル障壁層およびフリー層を含む、スピン・トルク・ベースの記憶素子を用いる。ピンド層の磁化は、電流がＭＴＪスタックを通るときにフリー層がピンド層に対して平行または反平行のいずれかになるように１つの方向に固定される。ＭＴＪスタックの抵抗は、フリー層およびピンド層の相対的方向に依存する。フリー層がピンド層に平行であるときにはＭＴＪスタックは低抵抗状態（例えば、“１”記憶状態）にあり、それらが反平行であるときにはＭＴＪスタックは高抵抗状態（例えば、“０”記憶状態）にある。
【０００３】
データ読み出し中、小さな電流がＭＴＪスタックを通って流れ、その抵抗は、読み出されているＭＴＪスタックが高抵抗状態にあるのか低抵抗状態にあるのかを判定するために、リファレンス・セルと呼ばれる予め書き込まれてあったＭＴＪセルと比較される。リファレンス・セルは、通例、“０”記憶状態および“１”記憶状態にセットされるべく予め書き込まれる。スピン・トルク記憶装置に関連する１つの問題は、リファレンス・セルを読むという行為がデータを乱すかもしれないことである。リファレンス・セルの抵抗を読むために、電流がリファレンス・セルを通され、それらに掛かる電圧が測定される。この電流はリファレンス・ビットを偶発的に書き、“読み出し”外乱を引き起こすとことがあり得る。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、上記の問題を予防するために、エラーを判定して、誤っている違反ビットおよびそれの対応するリファレンス・セルを書き込む方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の１つの実施形態に従って、記憶装置の中のデータを読み出して訂正するコンピュータにより実行される方法が提供される。該方法は、各データ・ビットに対応する複数のリファレンス・セルを用いてデータ・ワードの各データ・ビットを読み出すこと、読み出されたデータ・ビットに対してエラー検出を行うこと、エラーが検出されたならば、読み出されたデータ・ビットをエラー訂正コード（ｅｒｒｏｒ  ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ  ｃｏｄｅ（ＥＣＣ））を用いて訂正すること、および各々の対応するリファレンス・セルをそれのオリジナル記憶状態に書き込むことを含む。
【０００６】
本発明の他の１つの実施形態に従って、記憶装置の中のデータを読み出して訂正するコンピュータにより実行される方法が提供される。該方法は、各データ・ビットに対応する複数のリファレンス・セルを用いてデータ・ワードの各データ・ビットを読み出すこと、および各それぞれのデータ・ビットを読み出した後に対応するリファレンス・セルをそれのオリジナル記憶状態に書き込むことを含む。
【０００７】
本発明のさらに他の１つの実施形態に従って、記憶装置の中のデータを読み出して訂正するコンピュータにより実行される方法が提供される。該方法は、データ・ワードの各データ・ビットおよび対応するリファレンス・セルを読み出すこと、各データ・ビットに対してエラー検出を行うこと、ならびに、エラーが検出されたならばそれぞれのデータ・ビットを訂正すること、および対応するリファレンス・セルの記憶状態を、該対応するリファレンス・セルが反対の記憶状態にあると判定されたならば、訂正することを含む。
【０００８】
本発明のさらなる実施形態において、上記方法を実行するコンピュータ・プログラム製品も提供される。
【０００９】
本発明の手法によってさらなる特徴および利点が実現される。本発明の他の実施形態および態様が本明細書で詳しく記述され、請求項に記載された発明の一部と見なされる。該利点および特徴を有する発明をより良く理解するために、記述および図面を参照されたい。
【００１０】
発明と見なされる主題は、本明細書に添付の請求項において特に指摘され明確に記載される。本発明の前述、他の特徴および利点は、添付図面と関連して考慮される次の詳細な記述から明らかである。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の実施形態の中で実現され得るメモリ・アレイを示すチャートである。
【図２】本発明の代わりの実施形態の中で実現され得るスピン・トルク・ベースの記憶装置においてデータを読み出して訂正する方法を示すフローチャートである。
【図３】本発明の代わりの実施形態の中で実現され得るスピン・トルク・ベースの記憶装置においてデータを読み出して訂正する方法を示すフローチャートである。
【図４】本発明の代わりの実施形態の中で実現され得るスピン・トルク・ベースの記憶装置においてデータを読み出して訂正する方法を示すフローチャートである。
【図５】本発明の実施形態の中で実現され得る図１ないし４に示されている方法を実行するための装置を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
図１に示されているように、本発明の１つの実施形態に従って、複数の行１０−１２および列１５−２２を含むメモリ・アレイ１００が提供される。複数の行１０−１２において、各行１０−１２は、例えばデータ・ビットおよびエラー訂正コード（ＥＣＣ）チェック・ビットを表すデータ・ワードである。該ＥＣＣチェック・ビットは、データを読み出すときにデータ・ビットに見出されたエラーを訂正するために使われる。第１行１０はデータ・ワードｎ−１を表し、第２行１１はデータ・ワードｎを表し、第３行１２はデータ・ワードｎ＋１を表す。第２複数の行１３および１４が設けられている。第２複数の行１３および１４において、各々はリファレンス・セルを表す。行１３は“０”記憶状態（例えば、高抵抗状態）にプリセットされたリファレンス・セルを表し、行１４は“１”記憶状態（例えば、低抵抗状態）にプリセットされたリファレンス・セルを表す。
【００１３】
本発明の１つの実施形態に従って、データを読み出すとき、例えば、特定のワード、例えば行１１内のデータ・ワードｎ、の第１データ・ビットの抵抗が同じ列１４の中の“０”リファレンス・セルおよび“１”リファレンス・セルの抵抗と比較され、その後、第２データ・ビットの抵抗が同じ列１５の中の“０”リファレンス・セルおよび“１”リファレンス・セルの抵抗と比較される。このように、本発明の１つの実施形態に従って、どのデータ・ビットおよびＥＣＣチェック・ビットも、それらを読み出すために使用する対応する“０”リファレンス・セルおよび“１”リファレンス・セルを有する。さらに、図１に示されているように、データを読み出すとき、データ・ワードｎにおいて列１９内のデータ・ビット（円３０により示されている）のところでエラーが発見される。違反するデータ・ビット３０は、対応する“０”リファレンス・セル３２および“１”リファレンス・セル３４と共に再書き込みされる。“０”リファレンス・セルは“０”記憶状態に書き込まれ、“１”リファレンス・セルは“１”記憶状態に書き込まれる。
【００１４】
図２は、本発明の実施形態の中で実現され得るスピン・トルク・ベースの記憶装置の中のデータを読み出し訂正する方法を示すフローチャートである。図２に示されているように、該方法は動作２００から始まり、ここでデータ・ワードの各データ・ビットは、各データ・ビットに対応するリファレンス・セルを用いて読み出される。動作２００から、プロセスは動作２０５に続き、そこで、読み出されたデータ・ビットに対してエラー検出が行われる。動作２０５から、プロセスは動作２１０に進み、ここで読み出されたデータ・ビットにエラーが検出されたならば読み出されたデータ・ビットに対してエラー訂正コード（ＥＣＣ）を用いてエラー訂正が行われ、対応するリファレンス・セルはそれらのオリジナル記憶状態に書き込まれる。
【００１５】
本発明の１つの実施形態に従って、動作２００において、データ・ビットは、データ・ビットの抵抗を対応するリファレンス・セルの各々の抵抗と比較することによって読み出される。
【００１６】
本発明の１つの実施形態に従って、複数のリファレンス・セルは“０”記憶状態を有するリファレンス・セルおよび“１”記憶状態を有するリファレンス・セルを含み、各データ・ビットは“０”に書き込まれた対応するリファレンス・セルおよび“１”に書き込まれた対応するリファレンス・セルを有する。本発明は、スピン・トルク・ベースの記憶装置の中のデータを読み出し訂正する特定の方法に限定されない。図３ないし４は、本発明の代わりの実施形態の中で実行され得るスピン・トルク・ベースの記憶装置においてデータを読み出し訂正する方法を示す。
【００１７】
図３は、本発明の代わりの実施形態の中で実行され得るスピン・トルク・ベースの記憶装置においてデータを読み出し訂正する方法を示すフローチャートである。図３に示されているように、動作３００において、データ・ワードの各データ・ビットが、各データ・ビットに対応する複数のリファレンス・セルを用いて読み出される。動作３００から、プロセスは動作３０５に進み、ここで、それぞれのデータ・ビットの読み出しの後、対応するリファレンス・セルはそれのオリジナル記憶状態に書き込まれる。本発明の１つの実施形態に従って、当初“０”記憶状態に書き込まれていたリファレンス・セルは“０”記憶状態に書き戻され、当初“１”記憶状態に書き込まれていたリファレンス・セルは“１”記憶状態に書き戻される。現在の実施形態では、どの読み出しの後にも全てのリファレンス・セルが書き込まれる。
【００１８】
図４は、本発明の代わりの実施形態の中で実現され得るスピン・トルク・ベースの記憶装置においてデータを読み出し訂正する方法を示すフローチャートである。図４に示されているように、動作４００において、各データ・ビットおよび対応するリファレンス・セルが読み出される。動作４００から、プロセスは動作４０５に進み、ここで各データ・ビットに対してエラー検出が行われる。動作４０５からプロセスは動作４１０に進み、ここで、エラーが検出されたならばそれぞれのデータ・ビットに対してエラー訂正が行われ、対応するリファレンス・セルの記憶状態の訂正は、その対応するリファレンス・セルが反対の記憶状態にあると判定されたときに限って行われる。
【００１９】
図５は、本発明の実施形態の中で実現され得る図１ないし４に示されている方法を実行するための装置を示す図である。図５に示されているように、ここで記述される方法は汎用コンピュータで実行され、該方法は、その汎用コンピュータにより使用される取り外し可能な媒体あるいはハード媒体上の命令のセットとして符号化され得る。図５において、コンピュータ・システム５００は少なくとも１つのマイクロプロセッサまたは中央処理装置（ｃｅｎｔｒａｌ  ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  ｕｎｉｔ（ＣＰＵ））５０５を有する。ＣＰＵ５０５は、システム・バス５１０を介して、ランダム・アクセス・メモリ（ｒａｎｄｏｍ  ａｃｃｅｓｓ  ｍｅｍｏｒｙ（ＲＡＭ））５１５と、読み出し専用メモリ（ｒｅａｄ−ｏｎｌｙ  ｍｅｍｏｒｙ（ＲＯＭ））５２０と、取り外し可能なデータもしくはプログラムまたはその両方のための記憶装置５３０および大容量のデータもしくはプログラムまたはその両方のための記憶装置５３５を接続するための入力／出力（Ｉ／Ｏ）アダプタ５２５と、キーボード５４５およびマウス５５０を接続するためのユーザ・インターフェース・アダプタ５４０と、データ・ポート５６０を接続するためのポート・アダプタ８５５と、ディスプレイ装置５７０を接続するためのディスプレイ・アダプタ５６５とに相互接続されている。
【００２０】
ＲＯＭ５２０は、コンピュータ・システム５００のための基本オペレーティング・システムを包含する。代わりに、当該技術分野で知られているようにオペレーティング・システムはＲＡＭ５１５またはその他の場所に常駐することができる。取り外し可能なデータもしくはプログラムまたはその両方のための記憶装置５３０の例は、フロッピー・ドライブおよびテープ・ドライブのような磁気媒体ならびにＣＤ−ＲＯＭドライブのような光学式媒体を含む。大容量のデータもしくはプログラムまたはその両方のための記憶装置５３５は、ハード・ディスク・ドライブおよびフラッシュ・メモリのような不揮発性メモリを含む。キーボード５４５およびマウス５５０の他に、トラックボール、ライティング・タブレット、プレッシャー・パッド、マイクロフォン、ライト・ペンおよび位置感知スクリーン・ディスプレイのような他のユーザ入力装置がユーザ・インターフェース５４０に接続され得る。ディスプレイ装置の例は、陰極線管（ｃａｔｈｏｄｅ−ｒａｙ  ｔｕｂｅ（ＣＲＴ））および液晶ディスプレイ（ｌｉｑｕｉｄ  ｃｒｙｓｔａｌ  ｄｉｓｐｌａｙ（ＬＣＤ））を含む。
【００２１】
適切なアプリケーション・インターフェースを有するコンピュータ・プログラムは、本発明の実施を簡単化するために、当業者により作成され、システムまたはデータもしくはプログラムまたはその両方のための記憶装置に格納され得る。動作時に、本発明のための情報または本発明を動作させるために作成されたコンピュータ・プログラムは、適切な取り外し可能のデータもしくはプログラムまたはその両方のための記憶装置５３０にロードされ、データ・ポート５６０を通して供給され、またはキーボード５４５を用いて書き込まれる。
【００２２】
従って、前述を考慮すれば、本方法の実施形態は、コンピュータまたはコントローラにより実行されるプロセスならびにそれらのプロセスを実行するための装置の形を取ることができる。本開示は、フロッピー・ディスケット、ＣＤ−ＲＯＭ、ハード・ディスク装置、または他の任意のコンピュータ可読記憶媒体のような有形の媒体において具体化される命令を包含するコンピュータ・プログラム・コードの形で具体化されることもでき、そのコンピュータ・プログラム・コードがコンピュータまたはコントローラにロードされて実行されるとき、そのコンピュータは本発明を実施するための装置となる。本開示は、例えば、記憶媒体に格納され、コンピュータまたはコントローラにロードされもしくはそれらにより実行され、またはコンピュータまたはコントローラにロードされかつそれらにより実行され、または、電気ワイヤリングまたはケーブル布線を通して、光ファイバを通して、または電磁放射を介するなどして、何らかの伝送媒体を通して伝送されるコンピュータ・プログラム・コードまたは信号の形で具体化されることもでき、そのコンピュータ・プログラム・コードがコンピュータにロードされて実行されるとき、そのコンピュータは本発明を実施するための装置となる。汎用マイクロプロセッサ上で実行されるとき、該コンピュータ・プログラム・コードのセグメントは、特定の論理回路を作るようにマイクロプロセッサを設定する。実行可能な命令の技術的効果は、上記の代表的方法を実行することである。
【００２３】
本発明の実施形態は、スピン・トルク・ベースの記憶装置の中のデータを読み出し訂正する方法を提供し、同時に、データ読み出し動作を行うときにリファレンス・セルの読み出しにより引き起こされ得る読み出し外乱を最小にする。
【００２４】
本明細書で使用されている用語は、特定の実施形態だけを記述することを目的とし、本発明を限定するように意図されてはいない。ここで使用される、単数形“ａ”、“ａｎ”および“ｔｈｅ”は、文脈が明らかに別様に意味していなければ、複数形をも含むように意図されている。用語“ｃｏｍｐｒｉｓｅｓ”もしくは“ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ”またはその両方は、この明細書で使用されるとき、述べられた特徴、インテジャー、ステップ、動作、要素、およびコンポーネントのうちの少なくとも１つの存在を明示するが、１つ以上の他の特徴、インテジャー、ステップ、動作、要素コンポーネントおよびそれらのグループのうちの少なくとも１つの存在または追加を除外しないことがさらに理解されるであろう。
【００２５】
添付の請求項の中の全てのミーンズ・プラス・ファンクションまたはステップ・プラス・ファンクションの要素の対応する構造、材料、行為、および同等物は、明確に請求項に記載された他の要素と組み合わされた機能を実行するための任意の構造、材料、または行為を含むように意図されている。本発明の記述は解説および記述を目的として提示されているが、網羅的であることや、開示された形の発明に限定されることは意図されていない。本発明の範囲および趣旨から逸脱すること無く、多くの改変および変化形が当業者にとっては明らかであろう。実施形態は、本発明の原理および実際的な応用を最善に説明し、当業者が、考慮されている特定の使用法に適する種々の改変を伴う種々の実施態様を得るべく本発明を理解できるようにするために、選択され記述された。
【００２６】
ここで描かれている流れ図はほんの一例である。本明細書に記載されたこの図またはそれに記載されているステップ（または動作）の、本発明の趣旨から逸脱しない多くの変化形があり得る。例えば、該ステップは異なる順序で実行されることができ、あるいはステップが追加、削除または改変されることができる。それらの変化形の全てが、請求項に記載された発明の一部であると見なされる。
【００２７】
本発明の好ましい実施形態が記述されたが、現在の当業者および将来の当業者の両方が、添付の請求項の範囲内に属する種々の改良および向上をなし得ることが理解されるであろう。それらの請求項は、最初に記載された発明を適切に保護することを主張していると解釈されるべきである。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【手続補正書】
【提出日】平成24年8月3日(2012.8.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記憶装置の中のデータを読み出して訂正する、コンピュータにより実行される方法であって、
各データ・ビットに対応する複数のリファレンス・セルを用いてデータ・ワードの各データ・ビットを読み出すこと、
前記読み出されたデータ・ビットに対してエラー検出を行うこと、および
エラーが検出されたならば、読み出されたデータ・ビットをエラー訂正コード（ＥＣＣ）を用いて訂正すると共に各々の対応するリファレンス・セルをそれのオリジナル記憶状態に書き込むこと、
を含む、コンピュータにより実行される方法。
【請求項２】
前記記憶装置はスピン・トルク・ベースの記憶装置である、請求項１に記載のコンピュータにより実行される方法。
【請求項３】
各データ・ビットを読み出すことは、各データ・ビットの抵抗を前記対応するリファレンス・セルの各々の抵抗と比較することを含む、請求項１に記載のコンピュータにより実行される方法。
【請求項４】
各データ・ビットは、“０”記憶状態にプリセットされた対応するリファレンス・セルおよび“１”記憶状態にプリセットされた対応するリファレンス・セルを有する、請求項１に記載のコンピュータにより実行される方法。
【請求項５】
記憶装置の中のデータを読み出して訂正する、コンピュータにより実行される方法であって、
各データ・ビットに対応する複数のリファレンス・セルを用いてデータ・ワードの各データ・ビットを読み出すこと、および
各それぞれのデータ・ビットを読み出した後に前記対応するリファレンス・セルをそれのオリジナル記憶状態に書き込むことを含む、
コンピュータにより実行される方法。
【請求項６】
前記記憶装置はスピン・トルク・ベースの記憶装置である、請求項５に記載のコンピュータにより実行される方法。
【請求項７】
各データ・ビットを読み出すことは、各データ・ビットの抵抗を前記対応するリファレンス・セルの各々の抵抗と比較することを含む、請求項５に記載のコンピュータにより実行される方法。
【請求項８】
各データ・ビットは、“０”記憶状態にプリセットされた対応するリファレンス・セルおよび“１”記憶状態にプリセットされた対応するリファレンス・セルを有する、請求項５に記載のコンピュータにより実行される方法。
【請求項９】
記憶装置の中のデータを読み出して訂正する、コンピュータにより実行される方法であって、
データ・ワードの各データ・ビットおよび対応するリファレンス・セルを読み出すこと、
各データ・ビットに対してエラー検出を行うこと、および
エラーが検出されたならばそれぞれのデータ・ビットを訂正すると共に対応するリファレンス・セルが反対の記憶状態にあると判定されたならば、前記対応するリファレンス・セルの記憶状態を訂正すること、
を含む、コンピュータにより実行される方法。
【請求項１０】
前記記憶装置はスピン・トルク・ベースの記憶装置である、請求項９に記載のコンピュータにより実行される方法。
【請求項１１】
各データ・ビットを読み出すことは、各データ・ビットの抵抗を前記対応するリファレンス・セルの各々の抵抗と比較することを含む、請求項９に記載のコンピュータにより実行される方法。
【請求項１２】
各データ・ビットは、“０”記憶状態にプリセットされた対応するリファレンス・セルおよび“１”記憶状態にプリセットされた対応するリファレンス・セルを有する、請求項９に記載のコンピュータにより実行される方法。
【請求項１３】
コンピュータ可読プログラムを含むコンピュータ・プログラムであって、前記コンピュータ可読プログラムは、コンピュータ上で実行されると、記憶装置の中のデータを読み出して訂正する方法を前記コンピュータに実行させ、前記方法は、
各データ・ビットに対応する複数のリファレンス・セルを用いてデータ・ワードの各データ・ビットを読み出すこと、
前記読み出されたデータ・ビットに対してエラー検出を行うこと、および
エラーが検出されたならば、読み出されたデータ・ビットをエラー訂正コード（ＥＣＣ）を用いて訂正すると共に各々の対応するリファレンス・セルをそれのオリジナル記憶状態に書き込むこと、
を含む、コンピュータ・プログラム。
【請求項１４】
前記記憶装置はスピン・トルク・ベースの記憶装置である、請求項１３に記載のコンピュータ・プログラム。
【請求項１５】
各データ・ビットを読み出すことは、各データ・ビットの抵抗を前記対応するリファレンス・セルの各々の抵抗と比較することを含む、請求項１３に記載のコンピュータ・プログラム。
【請求項１６】
各データ・ビットは、“０”記憶状態にプリセットされた対応するリファレンス・セルおよび“１”記憶状態にプリセットされた対応するリファレンス・セルを有する、請求項１３に記載のコンピュータ・プログラム。
【請求項１７】
コンピュータ可読プログラムを含むコンピュータ・プログラムであって、前記コンピュータ可読プログラムは、コンピュータ上で実行されると、記憶装置の中のデータを読み出して訂正する方法を前記コンピュータに実行させ、前記方法は、
データ・ワードの各データ・ビットおよび対応するリファレンス・セルを読み出すこと、
各データ・ビットに対してエラー検出を行うこと、および
エラーが検出されたならば、それぞれのデータ・ビットを訂正すると共に対応するリファレンス・セルが反対の記憶状態にあると判定されたならば、前記対応するリファレンス・セルの記憶状態を訂正すること、
を含む、コンピュータ・プログラム。
【請求項１８】
前記記憶装置はスピン・トルク・ベースの記憶装置である、請求項１７に記載のコンピュータ・プログラム。
【請求項１９】
各データ・ビットを読み出すことは、各データ・ビットの抵抗を前記対応するリファレンス・セルの各々の抵抗と比較することを含む、請求項１７に記載のコンピュータ・プログラム。
【請求項２０】
各データ・ビットは、“０”記憶状態にプリセットされた対応するリファレンス・セルおよび“１”記憶状態にプリセットされた対応するリファレンス・セルを有する、請求項１７に記載のコンピュータ・プログラム。
【国際調査報告】
2013516725.tif 000008