(57)【要約】  半導体ダイオードは、第１の導電型の第１の半導体層（１０２）と、ドーピングされた第２の導電型の第２の半導体層とを有する。前記第２の半導体層は、第１の半導体層に結合された垂直なスルーコンタクト領域（１０６）を有し、該スルーコンタクト領域（１０６）が第１の導電型を有するように、該スルーコンタクト領域（１０６）内のドーピングは改質されている。さらに、本発明は前記半導体ダイオードの製造方法にも関する。
2013520813.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
・第１の導電型の第１の半導体層（１０２）と、
・ドーピングされた第２の導電型の第２の半導体層（１０４）と
を有する、半導体ダイオードであって、
前記第２の半導体層は、前記第１の半導体層に接続された垂直方向のスルーコンタクト領域（１０６）を有し、
前記スルーコンタクト領域（１０６）が前記第１の導電型を有するように、該スルーコンタクト領域（１０６）において前記ドーピングが改質されている
ことを特徴とする、半導体ダイオード。
【請求項２】
前記第１の導電型はｎ型ドーピングに相当し、
前記第２の導電型はｐ型ドーピングに相当する、
請求項１記載の半導体ダイオード。
【請求項３】
前記第１の半導体層（１０２）は、前記スルーコンタクト領域（１０６）と第１のコンタクト（１０８）とを介して、電気的にコンタクトされており、
前記第２の半導体層（１０４）は第２のコンタクト（１１０）によって電気的にコンタクトされている、
請求項１または２記載の半導体ダイオード。
【請求項４】
前記スルーコンタクト領域（１０６）は、前記第２の半導体層（１０４）中のドーピングを局所的に損傷させることによって形成されている、
請求項１から３までのいずれか１項記載の半導体ダイオード。
【請求項５】
前記スルーコンタクト領域（１０６）は、前記第２の半導体層（１０４）の側面に沿って配置されている、
請求項１から４までのいずれか１項記載の半導体ダイオード。
【請求項６】
前記半導体ダイオードはオプトエレクトロニクスダイオードとして構成されている、
請求項１から５までのいずれか１項記載の半導体ダイオード。
【請求項７】
前記半導体ダイオードは薄膜半導体素子として構成されている、
請求項１から６までのいずれか１項記載の半導体ダイオード。
【請求項８】
半導体ダイオードの製造方法において、
・第１の導電型の第１の半導体層を設けるステップと、
・第２の導電型の第２の半導体層を設けるステップと、
・前記第２の半導体層に前記第１の半導体層のコンタクト用のスルーコンタクト領域が形成されるように、該第２の半導体層のドーピングを局所的に改質させるステップと
を有することを特徴とする、製造方法。
【請求項９】
・前記第２の半導体層のドーピングを改質させるために、該ドーピングを損傷させる、
請求項８記載の製造方法。
【請求項１０】
前記ドーピングの損傷は、
・イオン打ち込み法と、
・イオン衝撃法と、
・前記第２の半導体層に欠陥を導入する手法と、
・前記第２の半導体層に水素を導入することによる電気的パッシベーション手法と
のうちいずれか１つの手法、またはいずれかの複数の手法の組み合わせによって、前記ドーピングを損傷させる、
請求項９記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ダイオードと、半導体ダイオードの製造方法とに関する。
【０００２】
半導体ダイオードは、多岐にわたる用途で使用される。特に、その中の１つの用途として、発光ダイオード（ＬＥＤ）がある。
【０００３】
ＬＥＤは、エレクトロルミネセンスによって電気エネルギーから光学的放射を生成する半導体素子である。前記光学的放射はたとえば光である。このようなＬＥＤでは通常、たとえば III-Ｖ半導体等である半導体が設けられる。半導体積層としては、基板上に成長させたエピタクシー層を用いることができる。この半導体積層は、電磁波を生成するために適切な活性ゾーンを含む。この活性ゾーンは、電磁波を生成するために、ｐｎ接合部、ダブルヘテロ構造または量子井戸構造を有することができ、該量子井戸構造はたとえば、単一量子井戸構造（ＳＱＷ、Single quantum well）または多重量子井戸構造（ＭＱＷ、multi quantum well）等である。
【０００４】
ＬＥＤでは特に、良好な光取り出し量を実現するために、電磁波を出力結合する面が可能な限り遮蔽されないようにするのが望ましい。
【０００５】
本発明の課題は、半導体積層の１つの面を介してコンタクトすることが可能である半導体ダイオードを実現することである。
【０００６】
前記課題は、請求項１に記載の半導体ダイオードと、請求項８に記載の半導体ダイオードの製造方法とによって解決される。
【０００７】
従属請求項に、前記発光デバイスの有利な実施形態が示されている。
【０００８】
本発明の実施形態
複数の種々の実施形態では半導体ダイオードは、第１の導電型の第１の半導体層と、ドーピングされた第２の導電型の第２の半導体層とを有する。前記第２の半導体層は、第１の半導体層に接続された垂直なスルーコンタクト領域を有し、該スルーコンタクト領域が前記第１の導電型を有するように、該スルーコンタクト領域内のドーピングは改質されている。
【０００９】
このことにより、半導体ダイオードの片面から両半導体層にコンタクトできる半導体ダイオードが実現される。このことは、第２の半導体層中のドーピングを改質させることによって実現される。このようにされた第２の半導体層は、そのまま維持される。プレーナ構造、とりわけスルーコンタクト領域は、機械的にパターニングされるのではなく、第２の半導体層中のドーピングを局所的に改質させる。前記スルーコンタクト領域は、所望のパターンに応じて任意に変更することができる。
【００１０】
第２の半導体層の面を介して半導体ダイオードのコンタクトを行えることにより、第１の半導体層の面にコンタクト要素が存在しないようにすることができる。このことは特にＬＥＤに関して有利である。というのも、このことによって、遮蔽するコンタクト要素を設ける必要なく、第１の半導体層の面を電磁波出力結合面として使用できるからである。さらに、たとえばいわゆるウェハレベルパッケージ等である別のパッケージや、半導体ダイオードが別の半導体部品上に設けられる、いわゆるシステム・イン・パッケージ等であるマルチチップパッケージを使用することもでき、たとえば、ドライバ回路を有する半導体部品上にＬＥＤを設け、ドライバ回路およびＬＥＤの双方ともパッケージ内に収容することができる。
【００１１】
このような半導体ダイオードの本質的な利点は、スルーコンタクト領域を形成する際のプロセス制御が簡単であることだ。この利点は、第２の半導体層中のドーピング領域を局所的に改質させることによって実現される。このことにより、いわゆるビア構造をスルーコンタクトとして形成する場合の、たとえば文献［１］から公知であるような、面倒なプロセス制御工程を省略することができる。とりわけ、上述の半導体ダイオードの製造時にビア構造のエッチングが省略される。リソグラフィ工程と、その次に加工断面形状差を補償するために行われるプロセス工程とが削減することにより、前記スルーコンタクト領域のプロセスが簡単になる。このことにより、片面にコンタクト要素が存在しない半導体ダイオードを簡単かつ低コストで製造することができる。
【００１２】
複数の実施形態では、第１の導電型はｎ型ドーピングに相当し、第２の導電型はｐ型ドーピングに相当する。その際には、ｐ型ドーピングを僅かに改質させるかないしは破壊できるようにするのが特に有利である。
【００１３】
複数の実施形態では、第１の半導体層はスルーコンタクト領域と第１のコンタクトとを介して電気的にコンタクトされる。前記第２の半導体層は第２のコンタクトによって電気的にコンタクトされる。
【００１４】
複数の実施形態では、前記スルーコンタクト領域は、第２の半導体層中のドーピングを局所的に損傷させることによって形成される。この第２の半導体層中のドーピングを局所的に損傷させることができる手法は、数多く存在する。これらの数多くの手法はたとえば、イオン打ち込み法、イオン衝撃法（窒化ガリウム（ＧａＮ）半導体の場合には、たとえばアルゴン（Ａｒ）イオンを用いる）、半導体中に欠陥ないしは不純物を導入する手法、または、半導体中に水素を導入することによる電気的パッシベーション法等である。後者はたとえば、プラズマにさらすかまたは水素雰囲気中でアニールすることによって行われる。上述の介入は、第２の半導体層中のドーピングまたは電荷担体に影響を直接与える。しかしここで重要なのは、スルーコンタクト領域において局所的にｐｎ接合部のダイオード特性が破壊されることである。
【００１５】
複数の実施形態では、前記スルーコンタクト領域は第２の半導体層の側面に沿って配置される。このような配置により、半導体ダイオードの側面に沿ってダイオード特性が破壊される。このことにより、この領域では電位が降下することが無くなり、このことによってとりわけ、電界によって引き起こされるイオン輸送が発生しなくなる。特に有利な実施形態では、スルーコンタクト領域は第２の半導体層の側面に沿って周縁上に延在する。
【００１６】
幾つかの実施形態では、半導体ダイオードはオプトエレクトロニクスダイオードとして構成され、たとえばＬＥＤとして構成される。
【００１７】
複数の実施形態では、前記半導体ダイオードは薄膜半導体素子として構成される。
【００１８】
本発明の半導体ダイオードの製造方法は、種々の実施形態において、以下のステップを有する：
・第１の導電型の第１の半導体層を設けるステップ。
・第２の導電型の第２の半導体層を設けるステップ。
・前記第２の半導体層に前記第１の半導体層のコンタクト用のスルーコンタクト領域が形成されるように、該第２の半導体層のドーピングを局所的に改質させるステップ。
【００１９】
このような方法により、第２の半導体層の面だけでコンタクトすればよい半導体ダイオードを、簡単かつ高効率で実現することができる。
【００２０】
複数の実施形態では、前記第２の半導体層のドーピングを改質させるために該ドーピングを破壊する。複数の実施形態では、以下の手法のうちいずれか１つによって、または以下の手法のうち幾つかを組み合わせたものによって、前記ドーピングの損傷を生じさせる：
・イオン打ち込み法
・イオン衝撃法（窒化ガリウム（ＧａＮ）の場合）
・半導体中に欠陥ないしは不純物を導入する手法
・たとえばプラズマにさらすかまたは水素雰囲気中でアニールすることによって第２の半導体層中に水素を導入することによる電気的パッシベーション法
【００２１】
以下、図面を参照して、半導体ダイオードおよび半導体の製造方法の種々の実施例を詳細に説明する。図面中、符号の一番上の桁（または上位の複数の桁）の数字は、当該符号が最初に用いられる図番号を表す。すべての図において、同種類または同機能の構成要素ないしは特性には同一の符号を使用している。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】第１の実施例の半導体ダイオードの概略的な断面図である。
【図２】第２の実施例の半導体ダイオードの概略的な断面図である。
【図３】第３の実施例の半導体ダイオードの第２の半導体層のコンタクト面の構成を概略的に示す図である。
【図４】半導体ダイオードの製造方法の流れを概略的に示す図である。
【００２３】
実施例の詳細な説明
図１に、第１の実施例の半導体ダイオード１００の断面を概略的に示す。半導体ダイオード１００は、第１の半導体層１０２と第２の半導体層１０４とを含む半導体積層を有する。前記半導体積層は、たとえば薄膜プロセスにより作製されたものである。文献［２］または文献［３］に上述の薄膜プロセスが記載されている。これらの文献の記載内容は、引用によって本願の開示内容に含まれるものとする。第１の半導体層１０２は、第１のドーピング材料をドーピングすることにより第１の導電型を有する。第１の実施例では、第１の半導体層１０２はｎ型ドーピング半導体であり、たとえばＳｉドーピングＧａＮ半導体である。第２の半導体層１０４は、第２のドーピング材料をドーピングすることにより第２の導電型を有する。第２の実施例では、第２の半導体層はｐ型ドーピング半導体であり、たとえばマグネシウム（Ｍｇ）ドーピングＧａＮ半導体である。
【００２４】
第２の半導体層１０４の面を介して第１の半導体層１０２をコンタクトできるようにするためには、第２の半導体層１０４は少なくとも１つのスルーコンタクト領域１０６を有する。このスルーコンタクト領域１０６において、第２の半導体層１０４の第２のドーピング材料のドーピングを改質させる。このことはたとえば、前記スルーコンタクト領域１０６に作用する局所的なプラズマプロセスによって実現され、たとえば、第２の半導体層１０２のスルーコンタクト領域１０６を任意のプラズマに、たとえばＡｒプラズマにさらす。このプラズマにより、第２の半導体層１０４のドーピングが損傷される。この第２の半導体層中のドーピングを損傷させることができる手法は、数多く存在する。これらの数多くの手法はたとえば、イオン打ち込み法、イオン衝撃法（窒化ガリウム（ＧａＮ）半導体の場合には、たとえばアルゴン（Ａｒ）イオンを用いる）、第２の半導体層１０４中に欠陥ないしは不純物を導入する手法、または、第２の半導体層１０４中に水素を導入することによる電気的パッシベーション法等である。後者はたとえば、第２の半導体層１０４を局所的にプラズマにさらすか、または水素雰囲気中でアニールすることにより行うことができる。上述の介入は、第２の半導体層１０４中のドーピングまたは電荷担体に影響を直接与える。しかしここで重要なのは、スルーコンタクト領域１０６において局所的にｐｎ接合部のダイオード特性が破壊されることである。この不純物の周辺にはドナーないしは電荷担体が増加するので、ｐ型の第２の半導体層１０４中にｎ型のスルーコンタクト領域１０６が形成される。
【００２５】
このことにより、第２の半導体層１０４の側で半導体ダイオード１００全体をコンタクトすることができる。こうするためには、第１のコンタクト端子１０８とスルーコンタクト領域１０６とを接続する。第２のコンタクト端子１１０は第２の半導体層１０４に直接接続される。とりわけ、損傷によって形成されたスルーコンタクト領域１０６と損傷されていない第２の半導体層１０４との間の横方向の接合部が高抵抗になることが、特に有利であることが明らかになった。横方向には電荷担体の輸送はほとんど生じないので、スルーコンタクト領域１０６を介して注入された電流の大部分が第１の半導体層１０２へ供給されるようになる。このことにより、前記スルーコンタクト領域１０６と損傷されていない第２の半導体層１０４との間に特別な電気絶縁部を設ける必要が無くなる。さらに、半導体発光ダイオード１００の場合には、とりわけ均質な照明像を実現することができる。
【００２６】
図２は、第２の実施例の半導体ダイオード２００の概略的な断面図である。半導体ダイオード２００は、半導体積層から成る半導体本体を有する。この半導体本体はメサ構造となっており、半導体積層は第１の半導体層１０２と第２の半導体層１０４とを含む。その際には前記第１の半導体層１０２は、第１の実施例にて説明したのと同様のｎ型ドーピング半導体材料であり、前記第２の半導体層１０４は、第１の実施例にて説明したのと同様のｐ型ドーピング半導体材料である。
【００２７】
第２の半導体層１０４の側を介して第１の半導体層１０２をコンタクトできるようにするためには、第２の半導体層１０４は少なくとも１つのスルーコンタクト領域１０６を有する。このスルーコンタクト領域１０６において、第２の半導体層１０４の第２のドーピング材料のドーピングが改質されている。このことはたとえば、前記スルーコンタクト領域１０６に作用する局所的なプラズマプロセスによって実現される。たとえば、第２の半導体層１０２のスルーコンタクト領域１０６を任意のプラズマに、たとえばアルゴン（Ａｒ）プラズマにさらす。このプラズマにより、第２の半導体層１０４のドーピングが損傷され、とりわけ半導体材料に不純物が導入される。この不純物の周辺ではドナーが増加するので、ｐ型の第２の半導体層１０４中にｎ型のスルーコンタクト領域１０６が形成される。
【００２８】
前記半導体本体は端子パターン部上に設けられる。前記端子パターン部は第１のコンタクト１０８を有し、該第１のコンタクト１０８は前記スルーコンタクト領域１０６に電気的に接続されている。第１のコンタクト１０８は必ず、良好な電気的導体であり、たとえば金属層である。それと同時に前記第１のコンタクト１０８は、半導体本体において生成された電磁波に対して鏡面として機能し、このことによって、前記端子パターンと反対側の半導体本体の面（「ｎ型面」）を介しての光取り出し効率が上昇するようにする。そのため、前記第１のコンタクト１０８は、放射を良好に反射する導体から成り、たとえば銀（Ａｇ）または銀含有合金から成る。
【００２９】
さらに、前記端子パターンは第２のコンタクト１１０を有し、該第２のコンタクト１１０は第２の半導体層１０４に電気的に接続されている。第２のコンタクト１１０は、第１のコンタクト１０８と同様に良好な電気的導体であり、たとえば金属層である。前記第２のコンタクト１１０もまた、ｎ型面を介しての光取り出し量を上昇させるための鏡面として機能する。そのため、前記第２のコンタクト１１０もまた、放射を良好に反射する導体から成り、たとえば銀（Ａｇ）または銀含有合金から成る。短絡を回避するために、第１のコンタクト１０８と第２のコンタクト１１０とは誘電体２０２によって相互に電気的に絶縁されている。この誘電体はたとえば二酸化シリコン（ＳｉＯ２）または窒化シリコン（ＳｉＮ）を含むか、または両材料のうち１つから成る。前記誘電体はまた、第１のコンタクト１０８および第２のコンタクト１１０のパッシベーションとしても機能することができる。このことによって、たとえば酸化やイオンマイグレーション等に起因する、コンタクトの劣化が回避される。
【００３０】
前記コンタクトのコンタクトを行うために、コンタクト端子ないしはいわゆるボンディングパッドが設けられる。このコンタクト端子ないしはボンディングパッドを介して、ボンディングワイヤまたは別の適切な電気的接続部材を用いて、電気的コンタクトが形成される。たとえば、第２のコンタクト１１０との電気的コンタクトのために、コンタクト端子２０４が設けられている。前記ボンディングパッド２０４は、外部の影響に対して可能な限り不活性である電気的な導体であって、たとえばはんだ接合等によって電気的接続部に容易に接続できる電気的な導体から成る。適切な材料はたとえば、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）またはチタン（Ｔｉ）であるか、またはこれらの材料のうち１つまたは複数の材料を含む合金である。
【００３１】
この半導体本体は、端子パターンとともに支持体２０６上に設けられ、半導体本体および端子パターンは、接続はんだ２０８を介して支持体２０６に固定される。この接続はんだ２０８は、低融点の金属または低融点の金属合金を含む。
【００３２】
前記スルーコンタクト領域１０８は、前記半導体本体のメサ側面（メサエッジ）の外側エッジに沿って延在する。このことにより、側面には、ｎ型ドーピング半導体領域とｐ型ドーピング半導体領域とのコンタクト面が存在しなくなる。外側面にｐｎ接合部が無いことにより、とりわけ、第２のコンタクト１１０内から半導体本体内へＡｇ＋イオンのマイグレーション等である作用が生じるのが阻止される。第２のコンタクト１１０内に含まれる材料のマイグレーションは外部の電界によって発生し、このマイグレーションでは、金属のイオンが電界の電界線に沿って移動する。このことにより、イオンはたとえば半導体本体内に入り込み、ここで、たとえば半導体積層の電気的特性を変化させることにより損傷を引き起こす。
【００３３】
図３に、第３の実施例の半導体ダイオードの第２の半導体層のコンタクト面３００の構成を概略的に示す。前記コンタクト面３００は、第２の半導体層１０４の一方の面を含む。この第２の半導体層１０４内部には、該第２の半導体層１０４のドーピングを損傷させることにより、複数のスルーコンタクト領域１０６が形成されている。前記スルーコンタクト領域１０６は、前記コンタクト面３００の外側面に沿って周縁上に延在する。さらに、相互に分離されて配置された多数の個別の貫通領域１０６も設けられている。これらの貫通領域の大きさおよび配置によって、通電に影響が及ぼされ、このことによってたとえば、半導体ダイオードの輝度を変化させることができる。図中のように正方形の網目構造になるように配置する他に、たとえば六角形構造や別の適切な構造になるように配置することも考えられる。
【００３４】
図４は、半導体ダイオードの製造方法の流れを概略的に示す。
【００３５】
ここでは、第１のステップ４００において、たとえばエピタキシャル成長により、第１の導電型の第１の半導体層を設ける。第２のステップ４０２において、たとえば第１の半導体層上においてエピタキシャル成長を行うことにより、第２の導電型の第２の半導体層を設ける。その際には、第１の半導体層をたとえばｎ型ドーピング半導体とし、第２の半導体層をｐ型ドーピング半導体とすることができる。別の実施形態では、まず第２の半導体層を設け、その後に第１の半導体層を設ける。
【００３６】
第３のステップ４０４において、第２の半導体層のドーピングを局所的に改質させることにより、該第２の半導体層内部に、前記第１の半導体層のコンタクトを行うためのスルーコンタクト領域を形成する。第１の半導体層を設ける前にすでに、前記第２の半導体層のドーピングの改質を行うことができる。
【００３７】
第２の半導体層のドーピングを改質させるためには、該ドーピングを損傷させることができる。この第２の半導体層中のドーピングを損傷させることができる手法は、数多く存在する。このような手法には、以下のものが含まれる：
・イオン打ち込み
・イオン衝撃（窒化ガリウム（ＧａＮ）半導体の場合には、たとえばアルゴン（Ａｒ）イオンを用いる）
・半導体に欠陥または不純物を導入する手法
・プラズマにさらすかまたは水素雰囲気中でアニールすることにより、半導体中に水素を導入することによる電気的パッシベーション手法。
【００３８】
最後に
本発明の基礎となる思想を具体的に説明するため、幾つかの実施例を参照して半導体ダイオードおよび半導体ダイオードの製造方法を説明したが、これらの実施例は、特徴の特定の組合わせに限定するためのものではない。またいくつかの特徴と構成が個別の実施例において、若しくは特定の実施例との関連の中で説明されてきたものであったとしても、それらが別の実施例からの異なる特徴とそれぞれ組合わせ可能であることは明らかである。また一般的な技術的思想が実現される限り、前記実施例において個別に示した特徴若しくは特別な構成をさらに追加したり省略することも可能である。
【００３９】
参考文献
本願明細書にて引用した刊行物は、以下の通りである：
［１］ＤＥ１０２００８０５１０４８
［３］ＥＰ０９０５７９７Ａ２
［４］ＷＯ０２／１３２８１Ａ１
【符号の説明】
【００４０】
１００  半導体ダイオード
１０２  第１の半導体層
１０４  第２の半導体層
１０８  スルーコンタクト領域
１１０  第１のコンタクト
１１２  第２のコンタクト
２００  半導体ダイオード
２０２  誘電体
２０４  コンタクト端子
２０６  支持体
２０８  接続はんだ
３００  コンタクト面
４００  第１のステップ
４０２  第２のステップ
４０４  第３のステップ
【図１】
2013520813.tif 000003
【図２】
2013520813.tif 000004
【図３】
2013520813.tif 000005
【図４】
2013520813.tif 000006
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月18日(2012.9.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体本体を有する半導体ダイオードであって、
前記半導体本体は、
・第１の導電型の第１の半導体層（１０２）と、
・ドーピングされた第２の導電型の第２の半導体層（１０４）と
を有し、
前記第２の半導体層は、前記第１の半導体層に接続された垂直方向のスルーコンタクト領域（１０６）を有し、
前記スルーコンタクト領域（１０６）が前記第１の導電型を有するように、該スルーコンタクト領域（１０６）において前記ドーピングが改質されており、
前記スルーコンタクト領域（１０６）は、前記半導体本体のメサ側面の外側エッジに沿って延在する
ことを特徴とする、半導体ダイオード。
【請求項２】
前記第１の導電型はｎ型ドーピングに相当し、
前記第２の導電型はｐ型ドーピングに相当する、
請求項１記載の半導体ダイオード。
【請求項３】
前記第１の半導体層（１０２）は、前記スルーコンタクト領域（１０６）と第１のコンタクト（１０８）とを介して、電気的にコンタクトされており、
前記第２の半導体層（１０４）は第２のコンタクト（１１０）によって電気的にコンタクトされている、
請求項１または２記載の半導体ダイオード。
【請求項４】
前記スルーコンタクト領域（１０６）は、前記第２の半導体層（１０４）中のドーピングを局所的に損傷させることによって形成されている、
請求項１から３までのいずれか１項記載の半導体ダイオード。
【請求項５】
前記半導体ダイオードはオプトエレクトロニクスダイオードとして構成されている、
請求項１から４までのいずれか１項記載の半導体ダイオード。
【請求項６】
前記半導体ダイオードは薄膜半導体素子として構成されている、
請求項１から５までのいずれか１項記載の半導体ダイオード。
【請求項７】
半導体ダイオードの製造方法において、
・第１の導電型の第１の半導体層を設けるステップと、
・第２の導電型の第２の半導体層を設けるステップと、
・前記第２の半導体層に前記第１の半導体層のコンタクト用のスルーコンタクト領域が形成されるように、該第２の半導体層のドーピングを局所的に改質させるステップと
を有することを特徴とする、製造方法。
【請求項８】
・前記第２の半導体層のドーピングを改質させるために、該ドーピングを損傷させる、
請求項７記載の製造方法。
【請求項９】
前記ドーピングの損傷は、
・イオン打ち込み法と、
・イオン衝撃法と、
・前記第２の半導体層に欠陥を導入する手法と、
・前記第２の半導体層に水素を導入することによる電気的パッシベーション手法と
のうちいずれか１つの手法、またはいずれかの複数の手法の組み合わせによって、前記ドーピングを損傷させる、
請求項８記載の製造方法。
【国際調査報告】
2013520813.tif 000007
2013520813.tif 000008
2013520813.tif 000009
2013520813.tif 000010