(57)【要約】  本発明は、オプトエレクトロニクス素子１０に関する。この素子には、放射出射側２０を備えた少なくとも１つの半導体ボディ２が設けられている。半導体ボディ２０は、放射出射側２０とは反対側で基板１上に配置されており、放射出射側２０に、少なくとも１つの電気的な接続領域２２が配置されている。この接続領域２２の上に金属化隆起部３が配置されている。さらに半導体ボディ２には、少なくとも部分的にアイソレーション層４が設けられており、金属化隆起部３はこのアイソレーション層４よりも上に突き出ている。半導体ボディ２との平面的な接触接続のためアイソレーション層４の上に、少なくとも１つの平面導体構造５が配置されており、この平面導体構造５は、金属化隆起部３を介して電気的な接続領域２２と導電接続されている。さらに本発明は、この種のオプトエレクトロニクス素子の製造方法にも関する。
2013504187.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
オプトエレクトロニクス素子（１０）において、
放射出射側（２０）を備えた少なくとも１つの半導体ボディ（２）が設けられており、該半導体ボディ（２）は、前記放射出射側（２０）とは反対側で基板（１）上に配置されており、
前記放射出射側（２０）に、少なくとも１つの電気的な接続領域（２２）が配置されており、該接続領域（２２）の上に金属化隆起部（３）が配置されており、
前記半導体ボディ（２）には、少なくとも部分的にアイソレーション層（４）が設けられており、前記金属化隆起部（３）は該アイソレーション層（４）よりも上に突き出ており、
前記半導体ボディ（２）との平面的な接触接続のためアイソレーション層（４）の上に、少なくとも１つの平面導体構造（５）が配置されており、該平面導体構造（５）は、前記金属化隆起部（３）を介して前記電気的な接続領域（２２）と導電接続されていることを特徴とする、
オプトエレクトロニクス素子。
【請求項２】
前記金属化隆起部（３）はスタッドバンプである、請求項１記載のオプトエレクトロニクス素子。
【請求項３】
前記金属化隆起部（３）はソルダ−ボールである、請求項１記載のオプトエレクトロニクス素子。
【請求項４】
前記金属化隆起部（３）は、ニッケル−金（Ni/Au）合金および／またはニッケル−パラジウム（Ni/Pd）合金である、請求項１から３のいずれか１項記載のオプトエレクトロニクス素子。
【請求項５】
前記アイソレーション層（４）は、前記半導体ボディ（２）から送出される放射に対し透過性である、請求項１から４のいずれか１項記載のオプトエレクトロニクス素子。
【請求項６】
前記アイソレーション層（４）内に変換材料（６）が配置されている、請求項１から５のいずれか１項記載のオプトエレクトロニクス素子。
【請求項７】
少なくとも１つの別の半導体ボディ（２ｂ）が前記基板（１）上に配置されている、請求項１から６のいずれか１項記載のオプトエレクトロニクス素子。
【請求項８】
前記半導体ボディ（２ａ）と前記別の半導体ボディ（２ｂ）は、別の平面導体構造（５ｃ）を介して互いに導電接続されている、請求項７記載のオプトエレクトロニクス素子。
【請求項９】
オプトエレクトロニクス素子の製造方法において、
Ａ）半導体ボディ（２）を、放射出射側（２０）とは反対側で基板（１）の上に配置するステップと、
Ｂ）前記半導体ボディ（２）の放射出射側（２０）上に配置された電気的な接続領域（２２）の上に、金属化隆起部（３）を配置するステップと、
Ｃ）前記半導体ボディ（２）の上にアイソレーション層（４）を形成し、前記金属化隆起部（３）が該アイソレーション層（４）よりも上に突き出るようにするステップと
を有することを特徴とする、オプトエレクトロニクス素子の製造方法。
【請求項１０】
前記ステップＢ）において、スクリーン印刷プロセスまたはリフロープロセスを行う、請求項９記載の方法。
【請求項１１】
前記金属化隆起部（３）はソルダ−ボールであり、前記ステップＢ）においてはんだ付けプロセスを行う、請求項９記載の方法。
【請求項１２】
前記ステップＣ）において、圧力を加えて前記アイソレーション層（４）を積層する、請求項９から１１のいずれか１項記載の方法。
【請求項１３】
前記ステップＣ）において、スクリーン印刷プロセスまたはモールディングプロセスを行う、請求項９から１１のいずれか１項記載の方法。
【請求項１４】
前記ステップＣ）において、前記アイソレーション層（４）を前記金属化隆起部（３）の上に押圧する、請求項９から１１のいずれか１項記載の方法。
【請求項１５】
前記ステップＣ）において、打ち抜きプロセス、研磨プロセス、レーザ切除プロセス、プラズマプロセス、またはフリーカットプロセスを用いて、前記金属化隆起部（３）を露出させる、請求項９から１４のいずれか１項記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本願は、ドイツ連邦共和国特許出願 10 2009 039 890.2の優先権を主張するものであり、この主張に基づきその開示内容は本願に含まれるものである。
【０００２】
本発明は、半導体ボディと、絶縁層ないしはアイソレーション層と、半導体ボディの平面的な接触接続のための平面導体構造を備えたオプトエレクトロニクス素子に関する。さらに本発明は、オプトエレクトロニクス素子の製造方法にも関する。
【０００３】
平面的な接触接続が行われている半導体ボディを備えた素子は、たとえば刊行物DE 103 53 679 A1から公知である。たとえばこの素子は、基板と、この基板上に配置されたオプトエレクトロニクス半導体ボディと、絶縁すなわちアイソレーションを行う層を有しており、その際、アイソレーションを行う層は、基板とオプトエレクトロニクス半導体ボディを介して案内されている。オプトエレクトロニクス半導体ボディの接触接続のために、平面導体構造が金属化部としてアイソレーション層を介して、半導体ボディのコンタクト個所および基板の導体路へ案内されている。
【０００４】
ただし従来の平面的な接触接続技術の場合、平面導体構造を用いて半導体ボディと接触して導電接続が可能となるよう、半導体ボディにおける接続領域の露出が必要である。殊にその際に必要とされるのは、半導体ボディの接続領域においてアイソレーション層を取り除くことである。このため慣用の平坦な接触接続技術によれば、半導体ボディにおける接続領域を露出させるために、レーザ切除プロセスが用いられる。ここで必要とされるのは、接続領域の上のアイソレーション領域をほぼ残滓なく除去することである。アイソレーション層が残滓なく除去されないと、それによって素子稼働中に出力が損なわれる可能性があり、たとえば出力が劣化するおそれがある。さらに、アイソレーション層が残滓なく除去された状態から逸脱した状態が生じてしまうと、所要電力が高まる可能性があり、不都合なことにこれによって半導体ボディが損傷するおそれがある。
【０００５】
したがって本発明の課題は、改善されたオプトエレクトロニクス素子を提供することにあり、殊に構造の高さが低く、それと同時に信頼性の高い動作性能を有するとともに、製造方法が簡単な点で優れているオプトエレクトロニクス素子を提供することにある。
【０００６】
本発明によればこの課題は、請求項１の特徴を備えたオプトエレクトロニクス素子および請求項９の特徴を備えたオプトエレクトロニクス素子の製造方法によって解決される。従属請求項には、本発明による素子ならびにその製造方法の有利な実施形態が記載されている。
【０００７】
本発明によれば、放射出射側を備えた少なくとも１つの半導体ボディを有するオプトエレクトロニクス素子が設けられている。半導体ボディは、放射出射側とは反対側で基板に配置されており、放射出射側の上に少なくとも１つの電気的な接続領域が配置されている。この電気的な接続領域の上に、金属化隆起部が配置されている。さらに半導体ボディには、少なくとも部分的にアイソレーション層が設けられており、このアイソレーション層よりも上に金属化隆起部が突き出ている。アイソレーション層の上には、半導体ボディとの平面的な接触接続のために少なくとも１つの平面導体構造が配置されており、これは金属化隆起部を介して電気的な接続領域と導電接続されている。
【０００８】
半導体ボディとの平面的な接触接続により、有利なことに素子の構造の高さが著しく低くなる。したがって有利には、コンパクトな素子を提供することができる。しかも有利なことに、半導体ボディに導体構造を接近させて配置することができ、そのことから素子の構造の高さが格段に低くなる。このため半導体ボディに対したとえば光学素子などを接近させて配置することができる。
【０００９】
光学素子とはたとえば、半導体ボディから送出される放射に対し所期のように作用を及ぼすコンポーネントとのことであり、一例としてレンズのように放射特性を変化させるものである。
【００１０】
半導体ボディの接続領域の上に、アイソレーション層よりも上に突き出た金属化隆起部を設けることにより、半導体ボディの電気的な接続領域上方におけるアイソレーション層のレーザ除去プロセスを省くことができる。このことによって、半導体ボディの接続領域の損傷を回避することができ、殊にそれを防止することができる。したがってたとえば均質であり妨害とならない接続領域平面が実現され、これにより半導体ボディの動作性能に影響が及ぼされるのを避けることができる。有利には、このようにして信頼性の高い素子を実現することができる。
【００１１】
金属化隆起部はたとえば、金属材料を有する凸部である。この場合、金属化隆起部は、必ずしもある特別な形状を有していなくてもよい。たとえば金属化隆起部は、アイソレーション層よりも上に突出している。一例として金属化隆起部は、半導体ボディとは反対側のアイソレーション層４の表面から突き出ている。したがって金属化隆起部は殊に放射出射側において、アイソレーション層よりも高さが高い。有利には、金属化隆起部はアイソレーション層を完全に貫通している。
【００１２】
金属化隆起部は、「バンプ Bump」として当業者に知られている。
【００１３】
金属化隆起部はたとえば、半導体ボディの接続領域および平面導体構造とは別個の素子のコンポーネントである。有利には金属化隆起部は、たとえば接続領域の上に接着されており、あるいははんだ付けされている。
【００１４】
半導体ボディは有利には半導体チップであり、殊に有利には発光ダイオード（ＬＥＤ）またはレーザダイオードである。
【００１５】
さらに有利には半導体ボディは、放射を送出する活性層を有している。有利にはこの活性層は放射を発生させるために、ｐｎ接合、ダブルヘテロ構造、単一量子井戸構造（SQW, single quantum well）または多重量子井戸構造（MQW, multi quantum well）を有している。
【００１６】
有利には半導体ボディは、窒化物化合物半導体、リン化物化合物半導体またはヒ化物化合物半導体をベースとしている。また、半導体ボディを薄膜半導体ボディとして形成するのが有利である。薄膜半導体ボディはたとえば、製造中に成長基板を剥離した半導体ボディである。
【００１７】
オプトエレクトロニクス素子の１つの有利な実施形態によれば、金属化隆起部はいわゆる「スタッドバンプ Studbump」である。スタッドバンプはたとえば線材であり、有利には押し潰された金のワイヤ（Auワイヤ）である。この線材はたとえば、有利にはコンタクトパッドとして形成された半導体ボディの接続領域の上に配置される。スタッドバンプは当業者に知られており、したがってここではこれについては詳しくは説明しない。
【００１８】
オプトエレクトロニクス素子の１つの別の有利な実施形態によれば、金属化隆起部はいわゆる「ソルダ−ボール」であり、たとえばはんだボールあるいはフリップチップバンプ "Flip Chip Bump"である。この場合、はんだボールは有利には、接続領域の上にはんだ付け可能な何らかの金属製の物体である。殊にはんだボールは、球状の物体のことだけを意味するものではない。さらにここでははんだボールは、球に似た何らかの物体たとえば柱状の物体などのことも意味する。また、単に放射側とは反対側の平面上に丸みをもつボディも、ここでははんだボールという概念に含まれる。本願発明においては、円柱状の物体もはんだボールの概念に含まれる。ソルダ−ボール、はんだボールおよびフリップチップバンプは当業者に公知であり、したがってここではこれらについて詳しくは説明しない。
【００１９】
オプトエレクトロニクス素子の１つの有利な実施形態によれば金属化隆起部は、ニッケル−金合金（Ni/Au合金）および／またはニッケル−パラジウム合金（Ni/Pd合金）を含んでいる。
【００２０】
有利には金属化隆起部は導電性であり、金属化隆起部によって半導体ボディの電気的な接続領域が平面導体構造と接続され、したがって金属化隆起部を介して半導体ボディとの導電的な接触が行われている。アイソレーション層は有利には金属化隆起部の領域に切り欠きを有しており、金属化隆起部はアイソレーション層を完全に貫通している。
【００２１】
オプトエレクトロニクス素子のさらに別の有利な実施形態によればアイソレーション層は、半導体ボディから送出される放射に対し透過性である。アイソレーション層は有利には、半導体ボディから送出される放射に対し少なくとも部分的に放射透過性である。したがって半導体ボディから送出される放射を、実質的に光学的な損失を生じさせることなく、アイソレーション層を通して出射させることができる。このため有利には、半導体ボディから送出される放射がアイソレーション層において吸収されてしまうのを低減することができ、その結果、素子の効率が高まり有利である。
【００２２】
アイソレーション層は有利には薄片、レジストまたはポリマー層である。
【００２３】
オプトエレクトロニクス素子のさらに別の有利な実施形態によれば、アイソレーション層に変換材料が配置されている。
【００２４】
アイソレーション層における変換材料は、半導体ボディから送出される放射を有利には少なくとも部分的に吸収し、別の波長範囲にある放射を再放出する。これにより素子は、半導体ボディから送出される放射と変換材料の２次放射とを含む混合放射を送出する。有利には一例として、白色の色座標にある混合放射を送出する素子を形成することができる。
【００２５】
オプトエレクトロニクス素子の別の有利な実施形態によれば、少なくとも１つのさらに別の半導体ボディが基板上に配置されている。たとえばこの別の半導体ボディは、既述の半導体ボディに対し横方向に間隔をおいて配置されている。この別の半導体ボディは、有利には第１の半導体ボディと同様に構成されている。さらにたとえばこの別の半導体ボディの放射出射側の上に、少なくとも１つの電気的な接続領域が配置されており、さらにこの接続領域の上に金属化隆起部が配置されている。さらにこの別の半導体ボディには、少なくとも部分的にアイソレーション層が設けられており、この場合、金属化隆起部はアイソレーション層を貫通しており、たとえばアイソレーション層よりも上に突き出ている。
【００２６】
有利には半導体ボディと別の半導体ボディは、別の平面導体構造を介して互いに導電接続されている。
【００２７】
これらの半導体ボディを相互に導電接続する別の平面導体構造によって、有利にはコンパクトなモジュールを提供することができる。その理由は、これらの半導体ボディを、スペースを節約するやり方で基板上に配置できるからである。このため素子の底面積が小さくなり有利である。
【００２８】
オプトエレクトロニクスモジュールを製造するための本発明による方法は、たとえば以下のステップを有する：
ａ）半導体ボディを、放射出射側とは反対側で基板の上に配置するステップと、
ｂ）半導体ボディの、放射出射側上に配置された電気的な接続領域の上に、金属化隆起部を配置するステップと、
ｃ）半導体ボディの上にアイソレーション層を形成し、金属化隆起部がこのアイソレーション層よりも上に突き出るようにするステップ。
【００２９】
したがってアイソレーション層を半導体ボディの上に取り付ける前に、半導体ボディの電気的な接続領域に金属化隆起部（「バンプ bump」）が設けられる。ついでアイソレーション層が形成され、有利には薄片が形成され、この場合、アイソレーション層形成後にアイソレーション層表面から金属化隆起部が突出するように形成される。したがって有利には、半導体ボディの電気的な接続領域の上でアイソレーション層をレーザ切除しなくてもよくなり、このことから半導体ボディにおける接続領域の損傷を防止することができて有利である。殊に有利には、均質であり妨害とならない接続領域面を達成することができ、これによって有利には、半導体ボディの動作性能に悪影響を及ぼすことがない。
【００３０】
殊にこのようにして改善された製造方法を実現することができ、この方法によれば、従来のやり方であるレーザ切除プロセスにより少なくとも部分的には生じていた半導体ボディの接続領域の損傷が回避される。さらに本発明による方法によれば、半導体ボディの接続領域の露出を行うステップが省かれ、たとえば半導体ボディの接続領域の上でアイソレーション層を取り除くステップが省かれるので、製造方法を簡略化することができる。
【００３１】
半導体ボディの接続領域の上に金属化隆起部を形成するために有利には、スクリーン印刷プロセス、リフロープロセス、ソルダ−ボール搭載法が適用される。
【００３２】
金属化隆起部は有利にはスタッドバンプまたはソルダ−ボールであり、この場合、金属化隆起部を電気的な接続領域の上に形成するために、たとえば接着プロセスまたははんだ付けプロセスが適用される。
【００３３】
金属化隆起部にはアイソレーション層のアイソレーション材料が設けられないよう、半導体ボディと基板と金属化隆起部の上にアイソレーション層を形成するために、たとえば以下の方法が適用される：
−相応の圧力を用いてアイソレーション層たとえば薄片を積層ないしはラミネート
−金属化隆起部の領域において、切り欠きないしは打ち抜きを用いてアイソレーション材料をスクリーン印刷
−半導体ボディの接続領域において、切り欠きないしは打ち抜きを用いてまたは用いずに、アイソレーション材料をモールド
−金属化隆起部がアイソレーション層を貫通して押し当てられるよう、金属化隆起部の上にアイソレーション層を押圧。
【００３４】
有利には、１つまたは複数の金属化隆起部はアイソレーション層の材料によっても覆われないようにするが、半導体ボディと基板は金属化隆起部以外の領域ではアイソレーション層によって囲まれるように、たとえば被覆されるように、アイソレーション層が形成される。
【００３５】
ただし、アイソレーション層の形成後にアイソレーション層の残りが金属化隆起部上に存在するようになるのであれば、金属化隆起部を打ち抜きプロセス、研磨プロセス、レーザ切除、プラズマプロセスあるいはフライカットプロセスによってさらに露出させることができ、そのようにすることによって、金属化隆起部による半導体ボディの電気的な接触接続が可能となる。したがってたとえば、アイソレーション層を金属化隆起部の上では完全に開けることができる。
【００３６】
さらに半導体ボディが、放射出射側において別の接続領域を有するように構成することができ、それらの接続領域の上にそれぞれ１つの金属化隆起部が設けられている。この場合、アイソレーション層は金属化隆起部の領域においてそれぞれ開口部を有しており、したがって金属化隆起部はアイソレーション層をそれぞれ完全に貫通している。
【００３７】
したがってこのような方法によって製造された素子は、金属化隆起部の領域を除いて有利には完全にアイソレーション層によって覆われた少なくとも１つの半導体ボディを有している。さらに、半導体ボディ上にアイソレーション層を形成するステップに、半導体ボディの取り付け領域外に位置する基板領域において基板の上にアイソレーション層を形成するステップも含めることができる。
【００３８】
アイソレーション層を半導体ボディと基板に形成した後にさらに、１つまたは複数の平面導体構造をたとえば金属構造物として取り付けることができる。このような取り付けに用いることができる手法は、たとえばDE 103 53 679 A1から当業者に知られており、その開示内容はここで明示的に本願に含まれるものとする。
【００３９】
図１〜図３を参照しながら以下で説明する実施例には、本発明によるオプトエレクトロニクス素子およびその製造方法についてのさらに別の特徴、利点、有利な実施形態ならびに用途が示されている。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】本発明による素子の実施例を示す断面図
【図２】本発明による素子の別の実施例を示す断面図
【図３】本発明による素子のさらに別の実施例を示す断面図
【発明を実施するための形態】
【００４１】
同じ部材あるいは同等に機能する部材には、それぞれ同じ参照符号が付されている。なお、図示の構成部材ならびにそれらの構成部材相互間の大きさの関係は、実際の寸法どおりではない。
【００４２】
図１には、基板１とその上に配置された半導体ボディ２を有するオプトエレクトロニクス素子が描かれている。半導体ボディ２は有利には放射の送出を行う活性層を有しており、この活性層によって電磁放射が生成される。たとえば半導体ボディ２は半導体チップであり、有利には発光ダイオード（ＬＥＤ）あるいはレーザダイオードである。
【００４３】
図１の実施例によれば、半導体ボディ２は基板１と向き合った側にコンタクト面２３を有している。たとえば半導体ボディ２はコンタクト面２３を介して、基板１上に配置された導体路と接触して導電接続されており、あるいはここでは導電性材料を有する基板１と接触して導電接続されている。
【００４４】
半導体ボディ２の、基板１とは反対側には、放射出射側２０が配置されている。放射出射側２０によって、有利には活性層から送出される放射の大部分が半導体ボディ２から出射される。図１〜図３の実施例の場合、半導体ボディ２から送出される放射はそれぞれ矢印で描かれている。
【００４５】
半導体ボディ２の放射出射側２０の上には電気的な接続領域２２が配置されている。図１の実施例の場合、電気的な接続領域２２は、放射出射側２０の側方領域に配置されているので、この電気的な接続領域は、半導体ボディ２から送出される放射に対し必ずしも透過性でなくてもよい。
【００４６】
電気的な接続領域２２の上には、金属化凸部ないしは金属化隆起部３が配置されている。金属化隆起部３はたとえばスタッドバンプ、はんだボールあるいははんだバンプとすることができる。たとえば金属化隆起部は導電材料を有している。金属化隆起部３は、有利には素子の別個のコンポーネントである。たとえば金属化隆起部３は、半導体ボディ２の電気的な接続領域とは別個に形成されている。金属化隆起部３は有利にはニッケル−金合金を含んでいる。
【００４７】
半導体ボディ２の上には、たとえば放射出射側２０には、絶縁層ないしはアイソレーション層４が配置されている。さらにアイソレーション層４はたとえば、半導体ボディ２の周囲の領域において基板１の上にも配置されている。
【００４８】
有利にはアイソレーション層４は、電気的な接続領域２２を除いて半導体ボディ２全体を取り囲んでいる。さらに有利にはアイソレーション層４は、半導体ボディ２から送出される放射に対し透過性であり、あるいは少なくとも部分的に透過性であり、したがって半導体ボディ２から送出された放射を、放射出射側２０において素子１０から出射させることができる。
【００４９】
金属化隆起部３はアイソレーション層４よりも上に突き出ている。たとえば金属化隆起部３の領域にはアイソレーション層４は配置されていない。放射出射側２０上の金属化隆起部３の高さは、放射出射側２０上のアイソレーション層４の高さよりも高くすると有利である。さらにたとえば、金属化隆起部３上にはアイソレーション層４は配置されておらず、殊にアイソレーション層４のアイソレーション材料ないしは絶縁材料は配置されていない。
【００５０】
アイソレーション層４の上には、半導体ボディ２の平面的な接触接続のために平面導体構造５が配置されている。平面導体構造５は金属化隆起部３を介して、たとえば半導体ボディ２の電気的な接続領域２２と導電接続されている。金属化隆起部３は有利には、平面導体構造５および接続領域２２とは別個の素子１０のコンポーネントである。
【００５１】
半導体ボディ２は有利には、半導体ボディ２の、基板１に向いた側に設けられたコンタクト面２３と、金属化隆起部３および平面導体構造５を介した電気的な接続領域２２とによって、導電的に接触接続可能である。
【００５２】
図１の実施例によれば、電気的な接続領域２２と金属化隆起部３と平面導体構造５は、半導体ボディ２の放射出射側２０の側方領域に配置されているので、半導体ボディ２から送出される素子からの放射の出射は、これらのコンポーネントによってもほとんど損なわれず、たとえばほとんど低減されない。平面的な接触接続構造と金属化隆起部３が側方に配置されていることによって、素子のこれらのコンポーネントにおいて発生する可能性のある吸収プロセスを低減することができ、有利なことにこれによって素子の放射効率が向上される。
【００５３】
図１の実施例により得られる利点とは、半導体ボディ２の電気的な接続領域２２が均質であり妨害を引き起こさない表面を有することである。電気的な接続領域２２の均質であり妨害を生じさせない表面は、アイソレーション層４から接続領域２２を露出させるための慣用のレーザ切除プロセスが不要なことから実現される。その理由は、電気的な接続領域２２は、アイソレーション層４よりも高さが高い金属化隆起部３を介して、平面導体構造５と導電接続されていることによる。
【００５４】
図１によるオプトエレクトロニクス素子の製造方法は、たとえば以下のステップを有する：
半導体ボディ２を、放射出射側２０とは反対側で基板１の上に配置し、ついで金属化隆起部３を、半導体ボディ２の放射出射側２０上に配置されている電気的接続領域２２の上に形成し、その後、アイソレーション層４を、金属化隆起部３がアイソレーション層４よりも上に突き出るよう半導体ボディ２上に形成する。
【００５５】
このような製造方法は、アイソレーション層４よりも上に突き出ている金属化隆起部３を介して電気的な接触接続が行われることから、接続領域２２をアイソレーション層４から露出させる必要がない、という利点を有している。これにより有利なことに、接続領域２２をたとえばレーザ切除プロセスなどで損傷させることがなく、したがって均質であり妨害を生じさせない接続領域面が実現されるようになる。
【００５６】
アイソレーション層４は、金属化隆起部３がアイソレーション層４の表面よりも上に突き出すように形成される。たとえば金属化隆起部３は、アイソレーション層４を完全に貫通している。このような作用は、たとえば以下の方法のうちの１つによって実現することができる：
−相応の圧力を用いてアイソレーション層４を積層する。たとえば薄片を積層する。
−金属化隆起部３の領域において、切り欠きないしは打ち抜きを用いてアイソレーション材料をスクリーン印刷する。
−アイソレーション材料をモールドする。
−金属化隆起部３をアイソレーション層４の中に圧入して、金属化隆起部３がアイソレーション層４を有利には完全に貫通するよう、アイソレーション層４を素子１０の上に圧着する。
【００５７】
このような方法によれば、アイソレーション層４の形成後、金属化隆起部３から有利にはアイソレーション層４のアイソレーション材料が除かれている。ただし、金属化隆起部３がアイソレーション層４をどうしても完全には貫通しなかったならば、たとえば打ち抜きプロセス、研磨プロセス、レーザ切除、プラズマプロセス、あるいはフライカット(flycut）プロセスなどによってアイソレーション層４のアイソレーション材料を、金属化隆起部３の領域において余りを残すことなく取り除くことができる。
【００５８】
金属化隆起部３は、たとえばスクリーン印刷プロセスあるいはリフロープロセスによって、電気的な接続領域２２の上に形成される。これに対する代案として金属化隆起部３を、接着プロセスまたははんだ付けプロセスによって、接続領域２２の上に形成することもできる。このケースでは、金属化隆起部３はたとえばソルダ−ボールである（"Solder-Ball-Placement"）。
【００５９】
平面導体構造５をアイソレーション層４の上に形成するための方法は、たとえば文献 DE 103 53 679 A1から当業者に公知であり、したがってこれについてはここでは詳しくは触れない。
【００６０】
図２には、本発明によるオプトエレクトロニクス素子の別の実施例が示されている。図２の実施例が図１の実施例と異なる点は、アイソレーション層４に変換材料６が設けられていることである。変換材料６は、半導体ボディ２から送出された放射の少なくとも一部分を吸収して、半導体ボディ２から送出された放射の波長領域とは異なる波長領域をもつ２次放射を再放出する。有利にはこのことによって、半導体ボディ２から送出される放射と２次放射とを有する混合放射を生じさせる素子を実現することができる。したがってたとえば、白色を放出する素子を得ることができる。その他の点では、図２の実施例は図１の実施例と一致している。
【００６１】
図３には、本発明による素子のさらに別の実施例が示されている。図１に示した実施例とは異なり図３の実施例の場合、基板１の上にさらに別の半導体ボディ２ｂが配置されている。たとえば半導体ボディ２ａと別の半導体ボディ２ｂは並置されている。半導体ボディ２ａ，２ｂ相互間の間隔が僅かであると有利である。
【００６２】
有利には、別の半導体ボディ２ｂは半導体ボディ２ａと同様に構成されている。たとえば別の半導体ボディ２ｂは、基板１とは反対側に放射出射側２０ｂを有している。さらに別の半導体ボディ２ｂは複数の電気的な接続領域２２を有しており、それらの上にそれぞれ金属化隆起部３が配置されている。半導体ボディ２ｂの、基板１とは反対側には、アイソレーション層４が配置されており、これは半導体ボディ２ｂを少なくとも部分的に覆っている。金属化隆起部３はアイソレーション層４よりも上に突き出ており、したがって金属化隆起部３を介して、電気的接続領域２２と接触して導電接続を行うことができる。
【００６３】
図１に示した実施例とは異なり半導体ボディ２ａ，２ｂは、放射出射側２０ａ，２０ｂの上にそれぞれ２つの電気的な接続領域２２を有しており、これらの接続領域２２の上にそれぞれ金属化隆起部３が配置されている。したがって図３の実施例の場合、半導体ボディ２ａ，２ｂの電気的な接触接続のために、図１および図２の実施例に示されているコンタクト面２３は不要である。
【００６４】
電気的な接続領域２２および金属化隆起部３は、有利には放射出射側２０ａの互いに対向する側に配置されており、たとえば放射出射側２０ａ，２０ｂのそれぞれ周縁領域に配置されている。
【００６５】
半導体ボディ２ａと別の半導体ボディ２ｂは、別の平面導体構造５ｃを介して互いに電気的に接続されている。たとえば半導体ボディ２ａの金属化隆起部３は別の半導体ボディ２ｂの金属化隆起部３と、別の平面導体構造５ｃを介して電気的に接触接続されている。それぞれ他方の半導体ボディ２ａ，２ｂと導電接続されていない金属化隆起部３は、それぞれ平面導体構造５ａ，５ｂと接続されており、したがって半導体ボディ２ａ，２ｂは、平面導体構造５ａ，５ｂ，５ｃを介し電気的接続領域２２および金属化隆起部３を用いることで電気的に接触接続可能であり、たとえば外部から電気的に接続することができる。
【００６６】
このように図３の素子１０は複数の半導体ボディを有しており、たとえば２つの半導体ボディ２ａ，２ｂを有しており、これらの半導体ボディは互いに電気的に接触接続されており、平面導体構造５ａ，５ｂを介して外部から電気的に接続することができる。このような接触接続によって、相互に僅かな間隔で複数の半導体ボディ２ａ，２ｂを有する素子１０を実現することができ、その結果、このような素子１０の底面積を低減することができ有利である。したがって複数の半導体ボディを備えた小型化された素子１０を実現することができる。その他の点では、図３の実施例は図１の実施例と一致している。
【００６７】
本発明は、実施例に基づく上述の説明によってそれらの実施例に限定されるものではなく、あらゆる新規の特徴ならびにそれら新規の特徴の組み合わせを含むものであり、殊に特許請求の範囲に記載されている特徴のいかなる特徴をも含むものである。このことは、特許請求の範囲あるいは実施例に、それらの特徴自体が、あるいはそれらの特徴の組み合わせ自体が明示的に記載されていないとしても、あてはまるものである。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【国際調査報告】
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