(57)【要約】  本発明は、基材を損傷することなく基材からポリマー熱硬化物を除去する方法に関する。本発明は、基材の物理的および化学的特性を維持した状態で、基材からポリマー熱硬化物を除去する方法に関する。より詳細には、本発明は、ポリマー熱硬化物の開裂のための生体分子の使用、およびその開裂を実施する方法に関する。【特許請求の範囲】
【請求項１】
開裂剤を用いることにより、基材を損傷することなく前記基材からポリマー熱硬化物を除去する方法であって、前記方法は、
ｉ．  ポリマー熱硬化物で被覆された基材を提供する工程と、
ｉｉ．  溶媒中１０〜５０％の開裂剤溶液を作製する工程と、
ｉｉｉ．  工程（ｉ）で提供された前記基材を、工程（ｉｉ）で作製された開裂剤溶液中に、２〜６時間の範囲の時間、２０℃〜１００℃の範囲の温度で浸漬することによって前記ポリマー熱硬化物を除去して、ポリマー熱硬化物を除去後の損傷のない基材を得る工程と、
を含む、方法。
【請求項２】
工程（ｉ）で用いられるポリマー熱硬化物が、少なくとも１つのＳ−Ｓ結合を有する架橋剤を含有するエポキシ樹脂である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記架橋剤が、シスタミンである、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
工程（ｉｉ）で用いられる開裂剤が、酸化性または還元性分子、特に生体分子を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
生体分子が、ペプチド、タンパク質、もしくは酵素、またはこれらの組み合わせを含む、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
生体分子が、グルタチオン、チオレドキシン、ペルオキシレドキシン、もしくはジチオスレイトール（ＤＴＴ）、またはこれらの組み合わせからなる群より選択される、請求項４に記載の方法。
【請求項７】
工程（ｉ）で用いられる基材が、ガラス、シリコン、ＩＴＯ（インジウムドープ酸化スズ）被覆ガラス、金属、金属合金、半導体、およびポリマーからなる材料より作られる、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
溶媒が、水、メタノール、エタノール、クロロホルム、もしくはアセトニトリル、またはこれらの組み合わせである、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
基材を損傷することなく前記基材からポリマー熱硬化物を除去するための、ペプチド、タンパク質、または酵素を含む生体分子の使用。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基材を損傷することなく、基材からポリマー熱硬化物を除去または開裂する方法に関する。本発明は、特に、再生利用または再使用に利用可能である基材からポリマー熱硬化物を除去または開裂する方法に関する。本発明は、より詳細には、基材の物理的および化学的特性を維持した状態で、基材からポリマー熱硬化物を除去する方法に関する。本発明は、より詳細には、ポリマー熱硬化物の開裂のための生体分子の使用、およびその開裂を実施する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
パッケージングおよびシーリングは、それらが、周囲環境からの保護、機械的安定性、および断熱性をデバイスに提供することから、電子デバイスの効率的な作動にとって必須である。パッケージングおよびシーリング材は、通常、それが粘性液体である間にデバイス上に適用され、硬化される。硬化方法は、ポリマー樹脂を硬化剤と単純に混合することによって開始される。樹脂は、エポキシ部分を含み、硬化剤は、アミンまたは酸のいずれかの官能基を含む。混合されると、硬化剤のアミン官能基と樹脂のエポキシ官能基との間の容易に進行する反応の結果として、ポリマー熱硬化物（ＰＴ）として知られる高度に架橋したポリマーネットワークが形成される。そのようなネットワークは、ＰＴの所望される特性を担っているが、逆説的に、それらは、ＰＴを不溶性および不融性とするものでもある。従って、下にある基材を破壊することなくＰＴを完全に除去することは、困難また不可能であり、そしてそのことが、基材の再使用を妨げている。
【０００３】
従って、基材、ならびにその物理的および化学的特性に影響を与えたり、またはそれらを犠牲にしたりすることなく、基材からポリマー熱硬化物を完全に除去することが求められている。また、特性の損傷または喪失なしに熱硬化物から分離可能である基材は、再使用および再生利用により、莫大な経済的恩恵をもたらし得ると見られている。
【０００４】
非特許文献１および非特許文献２は、エポキシ樹脂の可逆性架橋について記載している。これらによると、苛酷な条件下にてＳ−Ｓ結合を開裂可能であることが観察された。
【０００５】
特許文献１は、ジスルフィドプラスチックのポリマーを分解するための方法が報告されたことについて記載しており、前記方法は、ジスルフィドプラスチックへ、チオール基を有する還元剤の有効量を、前記プラスチック中の化学結合を破断し、種々のモノマーおよび分解生成物を作製するために添加することを含み、前記還元剤は、チオール基を有する化合物の群より選択される。
【０００６】
特許文献２は、一分子あたり少なくとも２つのオレフィンオキシド基および少なくとも１つの三級エステル基を有する特定のポリエポキシ化合物、その化合物を作製するための方法、その化合物を含有する熱硬化性樹脂組成物、その組成物の硬化生成物、ならびにその硬化生成物を除去するための方法を開示しており、硬化生成物を除去するための前記方法は、熱硬化温度よりも高い温度にて硬化生成物の全体または一部を加熱して、ポリエポキシ化合物（Ｂ）由来の三級エステル結合を熱開裂すること、および処理剤を用いてまたは用いずに、硬化生成物の加熱部分を除去することを含む。
【０００７】
下にある基材を破壊することなくポリマー熱硬化物を除去することについては示されていない。また、先行技術の方法は、ポリマー熱硬化物を除去する方法を、非常に苛酷な条件で実行するものであり、それは、あまり望ましいものではない。実際、この苛酷な条件は、基材を破壊してしまう可能性が高く、それによって、最終的には、基材を再使用に利用することができなくなってしまう。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】米国特許第６，８４１，７１０号
【特許文献２】米国特許出願第２００９０１３７７７７号
【非特許文献】
【０００９】
【非特許文献１】Journal of Applied Polymer Science, Vol. 39, 1425-1437 (1990)
【非特許文献２】Journal of Applied Polymer Science, Vol. 39, 1439-1457 (1990)
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
従って、結合の開裂を引き起こし、従って基材を損傷することなく基材から熱硬化物を除去する剤の提供が求められている。
【００１１】
また、基材がその物理的および化学的特性を維持する方法で基材からポリマー熱硬化物を除去することも求められている。
【００１２】
基材からポリマー熱硬化物を除去するための剤および方法が、温和であり、温和な方法条件にて作用することも、別に求められている。前述のように、条件が苛酷である場合、基材は破壊される。従って、基材の再使用の可能性が得られる熱硬化物の除去には、温和な条件が必要とされる。
【００１３】
本発明の第一の目的は、基材を損傷することなく、基材からポリマー熱硬化物を除去または開裂する方法を提供することである。
【００１４】
本発明の別の目的は、再生利用または再使用に利用可能である基材から、ポリマー熱硬化物を除去または開裂する方法を提供することである。
【００１５】
本発明のさらに別の目的は、基材がその固有の特性および特徴を維持するように、基材からポリマー熱硬化物を除去する方法を提供することである。
【００１６】
本発明のさらに別の目的は、温和な条件にて基材からポリマー熱硬化物を除去する方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
従って、本発明は、開裂剤を用いることにより、基材を損傷することなく基材からポリマー熱硬化物を除去するための方法に関し、前記方法は、（ｉ）ポリマー熱硬化物で被覆された基材を提供する工程と、（ｉｉ）溶媒中１０〜５０％の開裂剤溶液を作製する工程と、（ｉｉｉ）工程（ｉ）で提供された基材を、工程（ｉｉ）で作製された開裂剤溶液中に、２〜６時間の範囲の時間、２０℃〜１００℃の範囲の温度、より好ましくは２２〜４０℃の範囲の温度で浸漬することによってポリマー熱硬化物を除去して、ポリマー熱硬化物を除去後の損傷のない基材を得る工程と、を含む。
【００１８】
好ましい態様では、工程（ｉ）で用いられるポリマー熱硬化物は、少なくとも１つのＳ−Ｓ結合を有する架橋剤を含有するエポキシ樹脂である。
【００１９】
本発明の別の態様では、架橋剤は、シスタミンである。
【００２０】
本発明のさらに別の態様では、工程（ｉｉ）で用いられる開裂剤は、酸化性または還元性分子、特に生体分子を含む。
【００２１】
本発明のさらに別の態様では、生体分子は、ペプチド、タンパク質、もしくは酵素、またはこれらの組み合わせを含む。
【００２２】
本発明のさらに別の態様では、生体分子は、グルタチオン、チオレドキシン、ペルオキシレドキシン、もしくはジチオスレイトール（ＤＴＴ）、またはこれらの組み合わせからなる群より選択される。
【００２３】
本発明のさらに別の態様では、工程（ｉ）で用いられる基材は、ガラス、シリコン、ＩＴＯ（インジウムドープ酸化スズ）被覆ガラス、金属、金属合金、半導体、およびポリマーからなる材料から作られる。
【００２４】
本発明の別の態様では、生体分子の使用は、基材を損傷することなく、基材からポリマー熱硬化物を除去するための、ペプチド、タンパク質、または酵素を含む。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】透明シート基材からのポリマー熱硬化物除去のＳＥＭイメージ。
【図２】銅シート基材からのポリマー熱硬化物除去のＳＥＭイメージ。
【図３】ＩＴＯ被覆ガラス基材からのポリマー熱硬化物除去のＳＥＭイメージ。
【図４】トランジスター基材からのエポキシ熱硬化物除去のＳＥＭイメージ。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
本発明は、様々な変形および代替の形態が可能であるが、その特定の態様が、例および図表の形で示されており、以下で詳細に記載される。しかし、本発明を、開示される特定の形態に限定することを意図するものではなく、逆に、本発明は、添付の請求項によって定められる本発明の趣旨および範囲の中に含まれるすべての変形、均等物、および代替物をその範囲内に含むものであることは理解されたい。
【００２７】
出願者らは、本明細書の記載事項が有益である当業者にとって容易に明らかである詳細事項によって本開示が不明瞭となることのないように、実施例は、本発明の態様の理解に関連する特定の詳細事項のみを示すように述べられることに言及しておきたい。
【００２８】
「含む（comprises）」、「含んでいる（comprising）」の用語、またはその他のその変化形のいずれも、非排他的な包含をその範囲内に含むことを意図しており、従って、成分のリストを構成する方法、生体分子、熱硬化物、架橋剤は、その成分を含むだけでなく、明確に列挙されていない、またはそのような方法に固有であるその他の成分も含んでよい。言い換えると、「含む」の後に続くシステムまたは方法中の１つ以上の要素は、それ以上の制限なしに、システムまたは方法中のその他の要素または追加の要素の存在を排除するものではない。
【００２９】
本発明の態様の以下の詳細な記述において、その一部を形成し、本発明を実践することができる特定の態様の例示として示される添付の図表が参照される。態様は、当業者による本発明の実践を可能とするように十分に詳細に記載されるものであり、ならびに、その他の態様を用いることができること、および本発明の範囲から逸脱することなく変化させることができることは理解されたい。従って、以下の記述は、限定する意味に解釈されるべきではなく、本発明の範囲は、添付の請求項によってのみ定められる。
【００３０】
従って、本発明は、開裂剤を用いることにより、基材を損傷することなく基材からポリマー熱硬化物を除去または開裂する方法に関し、前記方法は：（ｉ）ポリマー熱硬化物で被覆された基材を提供する工程と、（ｉｉ）溶媒中１０〜５０％の開裂剤溶液を作製する工程と、（ｉｉｉ）工程（ｉ）で提供された基材を、工程（ｉｉ）で作製された開裂剤溶液中に、２〜６時間の範囲の時間、２０℃〜１００℃の範囲の温度、より好ましくは２２〜４０℃の範囲の温度で浸漬することによってポリマー熱硬化物を除去して、ポリマー熱硬化物を除去後の損傷のない基材を得る工程と、を含む。
【００３１】
好ましい態様では、工程（ｉ）で用いられるポリマー熱硬化物は、少なくとも１つのＳ−Ｓ結合を有する架橋剤を含有するエポキシ樹脂である。
【００３２】
本発明の別の態様では、架橋剤は、シスタミンである。
【００３３】
本発明のさらに別の態様では、工程（ｉｉ）で用いられる開裂剤は、酸化性または還元性分子、特に生体分子を含む。
【００３４】
本発明のさらに別の態様では、生体分子は、ペプチド、タンパク質、もしくは酵素、またはこれらの組み合わせを含む。
【００３５】
本発明のさらに別の態様では、生体分子は、グルタチオン、チオレドキシン、ペルオキシレドキシン、もしくはジチオスレイトール（ＤＴＴ）、またはこれらの組み合わせからなる群より選択される。
【００３６】
本発明のさらに別の態様では、工程（ｉ）で用いられる基材は、ガラス、シリコン、ＩＴＯ（インジウムドープ酸化スズ）被覆ガラス、金属、金属合金、半導体、およびポリマーからなる材料から作られる。
【００３７】
本発明の別の態様では、用いられる溶媒は、水、メタノール、エタノール、クロロホルム、もしくはアセトニトリル、またはこれらの組み合わせである。
【００３８】
本発明の別の態様では、生体分子の使用は、基材を損傷することなく基材からポリマー熱硬化物を除去するための、ペプチド、タンパク質、または酵素を含む。
【００３９】
本発明は、特定の基材からポリマー熱硬化物を除去または開裂して、損傷がなく再生利用または再使用に利用可能である基材を後に残す方法を提供し、開裂剤は、基材にいかなる損傷も与えず、基材の物理的および化学的特性を喪失することなく、温和な条件にて基材からポリマー熱硬化物を分離することができる酸化性および還元性分子ならびに生体分子から選択される。開裂剤としては、グルタチオンが例示される。
【００４０】
基材、ならびにその物理的および化学的特性に影響を及ぼすことなくポリマー熱硬化物を完全に除去するための解決法を提供するという本目的を達成するために、本発明は、酸化性もしくは還元性分子、または生体分子を含む剤の使用を提案する。本発明の生体分子は、これらに限定されないが、ペプチド、タンパク質、または酵素から選択される。記載を簡便にする目的で、これらの剤は、「開裂剤」と称する。
【００４１】
より詳細には、本発明は、ポリマー熱硬化物を開裂剤の溶液と接触させ、その結果として無傷の基材を後に残して熱硬化物を除去する一工程法であり、基材は、開裂性架橋剤で被覆されている。
【００４２】
方法の条件は、
温度：周囲温度（２０℃〜４０℃）
圧力：周囲圧力（７６０ｍｍＨｇ）
である。
【００４３】
【化１】
2013535552.tif 000002
【００４４】
本発明の開裂剤は、酸化性および還元性分子、特に生体分子を含む。本発明の生体分子は、ペプチド、タンパク質、および酵素を含む。本発明の生体分子は、より詳細には、グルタチオン、チオレドキシン、ペルオキシレドキシン、およびジチオスレイトール（ＤＴＴ）である。
【００４５】
開裂性架橋剤は、少なくとも１つのＳ−Ｓ結合を有するべきであり、好ましくは、シスタミンである。
【００４６】
開裂剤の溶液は、水性もしくは非水性、またはこれらの組み合わせであってよい溶媒で作製される。開裂剤は、水、メタノール、エタノール、クロロホルム、アセトニトリル、またはこれらの組み合わせに溶解される。これらは、室温（２０℃〜４０℃）での開裂に用いられる。
【００４７】
方法は、２０℃〜１００℃の範囲の温度で実施される。基材は、ガラス、シリコン、インジウムドープ酸化スズ（ＩＴＯ）被覆ガラス、金属、金属合金、半導体、およびポリマーから選択される構築材料より作られる。ＩＴＯ被覆ガラスの場合、ＩＴＯの厚さは、製造元によって様々である。
【００４８】
基材を損傷することなく基材からポリマー熱硬化物を温和条件にて除去する室温（２０℃〜４０℃）方法は、
ｉ．  ポリマー熱硬化物、特にＳ−Ｓ結合を有する架橋剤と混合されたエポキシ型ポリマー熱硬化物、で被覆された基材を提供することと、
ｉｉ．  工程（ｉ）で提供されたポリマー熱硬化物被覆基材を、開裂剤と共に、２時間〜６時間の範囲の時間、大気圧（７６０ｍｍＨｇ）および周囲温度（２０℃〜４０℃）にて浸漬することと、
を含む。
【実施例】
【００４９】
以下の実施例は、説明のために与えられるものであり、従って、本発明の範囲を限定するものとして解釈してはならない。
【００５０】
実施例１
エポキシ樹脂（０．５８ｇ）をシスタミン（０．１２ｇ）と混合して、粘性物質を形成した。図１に示すように、透明シートの半分を、開裂性エポキシ熱硬化性物（粘性物質）で被覆した。この被覆を、３０℃の温度にて６時間乾燥させた（２０〜４０℃の範囲から外れる温度が悪影響を及ぼすことはない）。硬化後、シートの４分の１を、開裂剤、すなわちグルタチオン（１０％水溶液）中に２時間浸漬した。この工程により、開裂剤と接触した部分はすべて、基材からエポキシ熱硬化物が除去された。
【００５１】
浸漬した部分の熱硬化物は、グルタチオンへの曝露の過程にて、分解し、表面から脱離した。架橋剤の一体化部分であるジスルフィド官能基がチオールに変換され、架橋の破壊が引き起こされる。
【００５２】
【化２】
2013535552.tif 000003
【００５３】
基材を乾燥し、ＳＥＭ（走査型電子顕微鏡観察）による特徴付けを行って、エポキシ熱硬化物の被覆および除去の影響を調べた。熱硬化物の被覆および除去に起因する表面の認識可能な変化は観察されなかった。図１は、透明シート基材からのポリマー熱硬化物の除去を示す。
【００５４】
実施例２
銅シートの半分を開裂性エポキシ熱硬化性物で被覆した。硬化後、実施例１で考察したように、シートの４分の１を開裂剤に浸漬した。この工程により、開裂剤（グルタチオン）に曝露された部分の基材から、エポキシ熱硬化物が除去された。ポリマー熱硬化物が、銅シート基材から除去された。これが必要であるのは、電子回路基板に用いられるトランジスターの多くが熱硬化物によって被覆されているからである。従って、銅からの熱硬化物の除去は、電子回路基板の再使用を可能とすることになる。基材のＳＥＭによる特徴付けを行って、エポキシ熱硬化物の被覆および除去の影響を調べた。図２は、銅シート基材からのポリマー熱硬化物の除去を示す。
【００５５】
実施例３
ＩＴＯ（インジウムドープ酸化スズ）の熱硬化物による被覆を行い、実施例１で例示したようにしてこれを除去した。ガラス上のＩＴＯの厚さは３０ｎｍである。熱硬化物をそのような表面から除去する場合、（ｉ）ＩＴＯ薄層が熱硬化物と共に脱離し得ること、または（ｉｉ）少量の熱硬化物が表面上に残留すること、という２つの可能性がある。いずれのシナリオにおいても、導電性のＩＴＯが絶縁体となり、ＩＴＯを使用不能にしてしまう。これを試験するために、ポリ（３，４‐エチレンジオキシチオフェン）（ＰＥＤＯＴ）をＩＴＯ被覆ガラス（ＩＴＯは導電体）上、およびＩＴＯ被覆ガラスから熱硬化被覆物を除去した後に電気合成した。前記ケースのいずれにおいても、（ＰＥＤＯＴ）はＩＴＯ上に電気合成された。従って、ＩＴＯは、熱硬化被覆物の除去の前後にて導電体であり、その物理的および化学的特性が維持された。図３に示されるように、被覆‐除去表面および未被覆表面の間で、認識可能な違いはない。溶液のｐＨは７であり、実験は、大気圧（７６０ｍｍＨｇ）にて行った。
【００５６】
図３は、ＩＴＯ被覆ガラス基材からのポリマー熱硬化物の除去、およびそれに続くポリ（３，４‐エチレンジオキシチオフェン）の電気化学堆積を示す。光電子デバイスは、大気による分解からの保護のために、熱硬化物内に封入される。このようなデバイスは、インジウムドープ酸化スズ（ＩＴＯ）を含む。インジウムは、豊富に入手可能であるものではなく、非常に高価である。従って、ＩＴＯの再使用は、経済的恩恵をもたらす。通常、ガラス基材の上部に薄い層（約３０ｎｍ）が被覆され、絶縁性基材に導電性が付与される。ＩＴＯ被覆厚さは、製造元によって様々である。ＩＴＯ被覆ガラスから熱硬化物を除去する場合、（ｉ）ＩＴＯが損傷し、基材から除去されること、および（ｉｉ）熱硬化物が完全には除去されないこと、という２つの可能性が存在する。いずれの場合も、絶縁性領域をもたらされ、それによって、基材を再使用のために利用することができなくなる。本明細書にて、出願者らは、ＩＴＯ被覆ガラススライドから熱硬化物を完全に除去することが可能であることを示す。出願者らはまた、ＩＴＯの導電性が影響を受けていないことも、ポリ（３，４‐エチレンジオキシチオフェン）の電着によって示す。
【００５７】
実施例４
トランジスター基材を、熱硬化物で被覆し、これを除去した。図４は、トランジスター基材からのエポキシ熱硬化物の除去を示す。ＳＥＭによる特徴付けにより、厚さ約１０ｎｍの金皮膜が、熱硬化物除去の間に影響を受けていないことが観察された。
【００５８】
開示される本発明の利点は、従って、経済的、実用的、および容易な形で達成される。好ましい態様および例としての構成を示し、記載してきたが、様々なさらなる変形および追加の構成が当業者には明らかであることは理解されたい。本明細書で開示する具体的な実施形態および構成は、本発明の好ましい性質および本発明を実践するための最良モードを説明するものであって、本発明の範囲を限定するものとして解釈してはならないことを意図している。
【００５９】
本発明の利点
本発明の主たる利点は以下の通りである。
１．  基材の物理的および化学的特性に影響を与えることなく、基材から熱硬化物を除去すること。
２．  方法が、中性ｐＨ、室温、および大気圧などの温和条件下で実施され、そのためにそれが環境にやさしい方法であること。
【図１】
2013535552.tif 000004
【図２】
2013535552.tif 000005
【図３】
2013535552.tif 000006
【図４】
2013535552.tif 000007
【手続補正書】
【提出日】平成25年4月10日(2013.4.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
開裂剤を用いることにより、基材を損傷することなく前記基材からポリマー熱硬化物を除去する方法であって、前記方法は、
ｉ．  ポリマー熱硬化物で被覆された基材を提供する工程であって、  前記ポリマー熱硬化物が、少なくとも１つのＳ−Ｓ結合を有する架橋剤を含有するエポキシ樹脂である工程と、
ｉｉ．  溶媒中１０〜５０％の開裂剤溶液を作製する工程と、
ｉｉｉ．  工程（ｉ）で提供された前記基材を、工程（ｉｉ）で作製された開裂剤溶液中に、２〜６時間の範囲の時間、２０℃〜１００℃の範囲の温度で浸漬することによって前記ポリマー熱硬化物を除去して、ポリマー熱硬化物を除去後の損傷のない基材を得る工程と、
を含む、方法。
【請求項２】
前記架橋剤が、シスタミンである、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
工程（ｉｉ）で用いられる開裂剤が、酸化性または還元性分子、特に生体分子を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
生体分子が、ペプチド、タンパク質、もしくは酵素、またはこれらの組み合わせを含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
生体分子が、グルタチオン、チオレドキシン、ペルオキシレドキシン、もしくはジチオスレイトール（ＤＴＴ）、またはこれらの組み合わせからなる群より選択される、請求項３に記載の方法。
【請求項６】
工程（ｉ）で用いられる基材が、ガラス、シリコン、ＩＴＯ（インジウムドープ酸化スズ）被覆ガラス、金属、金属合金、半導体、およびポリマーからなる材料より作られる、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
溶媒が、水、メタノール、エタノール、クロロホルム、もしくはアセトニトリル、またはこれらの組み合わせである、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
基材を損傷することなく前記基材からポリマー熱硬化物を除去するための、ペプチド、タンパク質、または酵素を含む生体分子の使用。
【国際調査報告】
2013535552.tif 000008
2013535552.tif 000009