(57)【要約】  少なくとも１つのセラミック層を含む積層をパターン形成するための方法は、少なくとも１つのスルーホール（１０２）を含むセラミック層（１０１）を設けるステップを含む。導電層（１０３）は、セラミック層（１０１）の上に付与され、導電層（１０３）は少なくとも１つのスルーホール（１０２）に電気的に結合される。追加の層（１０４）は、少なくとも１つのスルーホールの領域の導電層（１０３）に生成され、追加の層（１０４）はニッケルを含む。導電層（１０３）は少なくとも１つのスルーホール（１０２）の領域の外で除去される。この方法によってパターン形成されたキャリア装置（１２１）は、電子部品に電気的かつ機械的に連結され得る。
2013502734.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つのセラミック層を含む積層をパターン形成する方法であって、
−少なくとも１つのめっきスルーホール（１０２）を有するセラミック層（１０１）を設けるステップと、
−セラミック層（１０１）の上に導電層（１０３）を付与するステップとを備え、導電層（１０３）は少なくとも１つのめっきスルーホール（１０２）に電気的に接続し、さらに、
−少なくとも１つのめっきスルーホールの領域において、ニッケルを含む追加の層（１０４）を導電層（１０３）の上に電着させるステップと、
−少なくとも１つのめっきスルーホール（１０２）の領域の外で導電層（１０３）を局所的に除去するステップとを備える、方法。
【請求項２】
局所的に除去するステップにおいて、導電層（１０３）は追加の層（１０４）の領域内に残る、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
導電層（１２０）の選択性エッチングの際、追加の層（１０４）はエッチングマスクとして使用される、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
導電層（１０３）は、シアン化合物を含むエッチング液によりエッチングすることができる金属を含み、シアン化合物を含むエッチング液は導電層（１０３）を局所的に除去することに使用される、請求項１から３に記載の方法。
【請求項５】
めっきスルーホール（１０２）は、セラミック層（１０１）の第一面（１０６）と、第一面（１０６）と対向する第二面（１０７）とを電気的に結合する、請求項１から４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
方法であって、
−フォトレジスト（１０８）を導電層（１０３）に塗布するステップと、
−導電層（１０３）が除去されるフォトレジスト（１０８）の少なくとも１つの領域（１０９）を露光させるステップと、
−フォトレジストの少なくとも１つの露光されていない領域（１１０）を除去することにより、
−露光されていない領域（１１０）において導電層（１０３）を被覆されていない状態にして、
−フォトレジスト（１０８）を現像するステップと、
−追加の層（１０４）を、露光されていない領域（１１０）の導電層（１０３）に生成させるステップとを備える、請求項１から５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
導電層（１０３）は、少なくとも１つの露光した領域（１０９）から除去される、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
フォトレジスト（１０８）を導電層（１０３）に塗布する前に、銅層（１０４）を導電層（１０３）に電着させるステップを含む、請求項６または７に記載の方法。
【請求項９】
銅層（１１４）は、少なくとも１つの露光した領域（１０９）から除去される、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
少なくとも１つの追加の層（１０４）を生成させた後、フォトレジストの少なくとも１つの露光した領域（１０９）を除去し、露光した領域（１０９）において導電層（１０３）は被覆されない状態にする、請求項６から９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
−少なくとも１つの第一層（１１１）を、導電層（１０３）が付与される前にセラミック層（１０１）に付与するステップを備え、第一層（１１１）はエッチング液に対して耐性を有し、少なくとも１つのめっきスルーホールの領域内に切り抜き部（１１２）を有し、さらに、
−追加の導電層（１１３）を追加の層（１１１）の切り抜き部（１１２）の領域内のセラミック層（１０１）に付与するステップを備え、追加の導電層（１１３）を少なくとも１つのめっきスルーホール（１０２）に電気的に結合させる、請求項１から１０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
第一層（１１１）をプリントによって付与する、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
第一層（１１１）を付与するステップにおいて、ガラスを含む材料を付与する、請求項１１または１２に記載の方法。
【請求項１４】
導電層（１０３）は銀を含む、請求項１から１３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１５】
追加の層（１０４）の領域に少なくとも１つの追加の銅層（１１５）を電着させる、請求項１から１４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１６】
少なくとも追加の層（１０４）および導電層（１０３）を覆う別の追加の導電層（１１６）を追加の層（１０４）に付与する、請求項１から１５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１７】
少なくとも１つの電子部品のためのキャリア装置であって、
−少なくとも１つのセラミック層（１０１）を含む積層（１００）を備え、
ニッケルで構成された層（１０４）を有する少なくとも１つの接触部位（１１７）を含む、キャリア装置。
【請求項１８】
ガラスを含む追加の層（１１１）を備え、追加の層（１１１）はセラミック層の上の少なくとも１つの接触部位（１１７）の外に配置される、請求項１７に記載のキャリア装置。
【請求項１９】
少なくとも１つの追加の接触部位（１１８）を備え、少なくとも１つの接触部位（１１７）および少なくとも１つの接触部位（１１８）は、積層（１００）の層に平行な方向に、互いに１００μｍ未満の距離（１１９）をあけて設けられる、請求項１７または１８に記載のキャリア装置。
【請求項２０】
少なくとも１つの接触部位（１１７）および少なくとも１つの追加の接触部位（１１８）は、積層（１００）の層に平行な方向に互いに８０μｍ未満の距離（１１９）をあけて設けられる、請求項１９に記載のキャリア装置。
【請求項２１】
キャリア装置は、少なくとも１つの電子部品を実装するように設計されている、請求項１８から２０のいずれか１項に記載のキャリア装置。
【請求項２２】
構成であって、
−請求項１７から２１のいずれかに記載のキャリア装置（１２１）と、
−キャリア装置（１２１）の少なくとも１つの接触部位（１１７）に電気的かつ機械的に接続された電子部品（１２０）とを備える、構成。
【請求項２３】
前記電子部品（１２０）は半導体部品を含む、請求項２２に記載の構成。
【請求項２４】
前記電子部品（１２０）は光電部品を含む、請求項２２または２３に記載の構成。
【請求項２５】
前記電子部品（１２０）は発光ダイオードを含む、請求項２２から２４のいずれか１項に記載の構成。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、セラミック層を含むキャリア装置、およびこのようなキャリア装置を含む構成に関する。さらに、本発明は少なくとも１つのセラミック層を含む積層をパターン形成するための方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子部品のためのセラミックキャリアの場合、スクリーン印刷法によってキャリアに接触部位を設けることができる。このため、スクリーン印刷マスクを介してキャリアに接触部位の材料が付与される。この方法は、接触部位間の距離について、所定の下限までにしか使用できない。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
費用効果的かつ可能な限り簡易にセラミックキャリア装置をパターン形成するために、少なくとも１つのセラミック層を含む積層をパターン形成する方法、キャリア装置、およびこのようなキャリア装置を含む構成を特定することが望ましい。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
これは、請求項１の特徴を含む方法、請求項１７の特徴を含むキャリア装置、および請求項２２の特徴を含む構成によって実現される。
【０００５】
少なくとも１つのセラミック層を含む積層をパターン形成する方法は、少なくとも１つのめっきスルーホールを有するセラミック層を設けるステップを含む。導電層はセラミック層の上に付与され、これにより、導電層が少なくとも１つのめっきスルーホールに電気的に結合される。少なくとも１つの追加の層が、少なくとも１つのめっきスルーホールの領域内の導電層に電着される。追加の層はニッケルを含む。導電層は、少なくとも１つのめっきスルーホールの領域の外において局所的に除去される。ニッケル含有層は、エッチングマスクとして機能することができ、導電層を局所的に除去できるようにする。ニッケル含有層は、セラミック自体が影響を受けない、または影響を受けたとしても、その程度が少ない低アグレッシブエッチング方法によって導電層がパターン形成されるようにする。高感度セラミックの場合、簡易な方法で作成することができるエッチングストップ層を、これらのエッチング方法を行なう際に使用することができる。
【０００６】
一実施例において、導電層が局所的に除去される際に、導電層は追加の層の領域内に残る。追加の層は、導電層を選択エッチングする際にエッチングマスクとして使用することができる。
【０００７】
エッチングマスクとしてのニッケルを含む追加の層を利用することにより、めっきスルーホールに導電層が残るように導電層を局所的に除去することができる。
【０００８】
導電層は、シアン化合物を含むエッチング液を使用してエッチングすることができる金属を含むことができる。シアン化合物を含むエッチング液は、導電層を局所的に除去するために使用することができる。
【０００９】
めっきスルーホールは、セラミック層の第一面と第二面とを電気的に結合することができる。セラミック層の第一面は、第二面と対向して配置される。セラミック層は、多層構造の一部とすることもできる。めっきスルーホールは、多層構造の互いに対向して配置された面に電気的に結合することもできる。めっきスルーホールは、たとえば、多層構造において互いに隣接して配置された２つの層のような、多層構造のうちの個々の層を互いに電気的に結合させることもできる。
【００１０】
一実施例において、本方法は、フォトレジストを導電層に付与するステップを含む。フォトレジストの少なくとも１つの領域が露光する。導電層が除去される領域に対応するフォトレジストの領域が露光する。フォトレジストが現像される。フォトレジストの少なくとも１つの露光していない領域が除去される。これにより、露光していない領域において、導電層が被覆されていない状態となる。追加の層は、露光していない領域の導電層に生成される。追加の層は、被覆されていない導電層の領域に生成される。
【００１１】
しかし、現像後に露光した領域を除去し、露光していない領域を支持部の上に残す場合、ポジ型のフォトレジストを使用することもできる。
【００１２】
ニッケルを含有するエッチングマスクが光パターン形成によって形成されるので、形成されるエッチングマスクは比較的微細な構造を有することができる。これにより、エッチング方法によって、比較的微細な構造を有する導電層も形成することができる。光パターン形成の際には、比較的安価な材料を使用することができる。したがって、安価なパターン形成またはキャリア装置の製造が可能となる。
【００１３】
導電層は、少なくとも１つの露光した領域において除去される。ポジ型レジストの場合においては、逆の状態が対応して当てはまる。方法は、フォトレジストを塗布する前に導電層に銅層を無電解で付与するステップを含むことができる。後のステップにおいて、銅層は少なくとも１つの露光した領域において局所的に除去することができる。
【００１４】
一実施例において、少なくとも１つの追加の層を生成させた後、フォトレジストの少なくとも１つの露光した領域が除去され、これにより、露光した領域において導電層は選択的に被覆されていない状態となる。一方で、露光していない領域は、追加の層によって覆われたままとなる。ポジ型レジストの場合においては、逆の状態が対応して当てはまる。
【００１５】
一実施例において、本方法は、導電層が付与される前に少なくとも１つの第一層をセラミック層に付与するステップを含む。エッチング液に対する耐性を有するような第一層を選択することができる。第一層は、少なくとも１つのめっきスルーホールの領域に切り抜き部を有するように付与される。追加の導電層は、第一層の切り抜き部の領域でセラミック層に付与される。これにより、追加の導電層は、少なくとも１つのめっきスルーホールに電気的に結合される。
【００１６】
この実施例において、導電層は、追加の導電層によってめっきスルーホールに電気的に結合される。第一層は、セラミック層に転写することができる。第一層を付与する際には、ガラスを含む材料を付与することができる。導電層および追加の導電層は、互いに独立して銀を含むことができる。
【００１７】
少なくとも１つの追加の銅層を追加の層の領域に電着させることができる。少なくとも１つの別の追加の導電層は、追加の導電層に付与することができる。別の追加の導電層は、少なくとも追加の層および導電層を覆うことができる。
【００１８】
キャリア装置は、少なくとも１つのセラミック層を有する積層を含む。キャリア装置は、ニッケルからなる層を有する、少なくとも１つの接触部位を含む。キャリア装置は、少なくとも１つの電子部品を実装するように設計することができる。
【００１９】
一つの典型的な実施例において、キャリア装置は、ガラスを含む追加の層を有する。追加の層は、セラミック層の少なくとも１つの接触部位の外に配置される。
【００２０】
一実施例において、キャリア装置は少なくとも１つの追加の接触部位を有する。少なくとも１つの接触部位と、少なくとも１つの追加の接触部位とは、積層の層と平行な方向に１００マイクロメートルより小さい距離をおいて互いに離れている。一つの典型的な実施例において、少なくとも１つの接触部位と、少なくとも１つの追加の接触部位とは、８０マイクロメートルより小さい距離をおいて互いに離れている。
【００２１】
構成は、そのようなキャリア装置と、キャリア装置の少なくとも１つの接触部位に電気的かつ機械的に結合された電子部品とを備える。一実施例において、電子部品は、半導体部品を含む。しかし、電子部品は、受動部品、ＭＥＭＳ部品、または共通の基板に配置される電気部品および／または電子部品を同様に実装することができるモジュールであってもよい。モジュールは、複合回路、より特定的には、フィルタ回路を含むことができる。
【００２２】
さらなる利点、特徴、および発展形態については、図１から図１６と併せて説明される以下の例から明確となるであろう。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】異なる製造ステップにおけるセラミック層のパターン形成を示す概略図である。
【図２】異なる製造ステップにおけるセラミック層のパターン形成を示す概略図である。
【図３】異なる製造ステップにおけるセラミック層のパターン形成を示す概略図である。
【図４】異なる製造ステップにおけるセラミック層のパターン形成を示す概略図である。
【図５】異なる製造ステップにおけるセラミック層のパターン形成を示す概略図である。
【図６】異なる製造ステップにおけるセラミック層のパターン形成を示す概略図である。
【図７】異なる製造ステップにおけるセラミック層のパターン形成を示す概略図である。
【図８】異なる製造ステップにおけるセラミック層のパターン形成を示す概略図である。
【図９】異なる製造ステップにおけるセラミック層のパターン形成を示す概略図である。
【図１０】異なる製造ステップにおけるセラミック層のパターン形成を示す概略図である。
【図１１】異なる製造ステップにおけるセラミック層のパターン形成を示す概略図である。
【図１２】異なる製造ステップにおけるセラミック層のパターン形成を示す概略図である。
【図１３】異なる製造ステップにおけるセラミック層のパターン形成を示す概略図である。
【図１４】異なる製造ステップにおけるセラミック層のパターン形成を示す概略図である。
【図１５】セラミックキャリア装置を含む構成の一実施例を示す概略図である。
【図１６】セラミック層をパターン形成する方法の一実施例を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
同一の構成要素、同一のタイプの構成要素、および同一の動作を有する構成要素に対しては、図面内において同一の参照符号が付与される。
【００２５】
図１は、２つのめっきスルーホール１０２を有するセラミック層１０１を示す。セラミック層１０１は、その主要な展開方向において、第一面１０６と、第一面に対向する第二面１０７とを有する。
【００２６】
めっきスルーホール１０２は、層１０１を貫通する。めっきスルーホールは、第一面１０６を第二面１０７に電気的に結合させる。めっきスルーホール１０２は、層１０１の切り抜き部に挿入される導電材料を含む。セラミック層１０１は、２つよりも多くのめっきスルーホール、たとえば４つまたはそれ以上のめっきスルーホールを有することができる。
【００２７】
セラミック層が多層構造の一部である場合、めっきスルーホールは、多層構造の互いに対向して配置された面に電気的に結合することもできる。めっきスルーホールは、たとえば、多層構造において互いに隣接して配置された２つの層のような、多層構造の個々の層を互いに電気的に結合させることもできる。
【００２８】
一実施例において、セラミック層１０１は、低温同時焼成セラミック（ＬＴＣＣ）である。層１０１は、酸化亜鉛を含むことができる。更なる典型的な実施例において、層１０１は、酸化アルミニウムおよび／または１つもしくは複数のガラスを含む。更なる実施例において、層１０１は高温焼成セラミック（ＨＴＣＣ）を含む。層にめっきスルーホール１０２を形成するために、層をレーザにより切り抜く、または穿孔することができる。
【００２９】
図２に示すように、第一層としてのガラス層１０１は、層１０１の面１０６に付与される。ガラス層１１１は、いずれの場合も、めっきスルーホール１０２の領域に切り抜き部１１２を有する。めっきスルーホール１０２は、面１０６上でガラス層１１１に被覆されていない。ガラス層は、例えばスクリーン印刷法により、層１０１に付与することができる。ガラス層１１１は、記載される方法のステップにおいて、層１０１を保護する。
【００３０】
更なる実施例において、以下の方法のステップで、セラミック層１０１を保護および不活性化するのに適切な更なる材料を含む層を付与することができる。
【００３１】
図３に示すように、ガラス層１１１の切り抜き部１１２において、導電層１１３はセラミック層１０１に付与される。一例として、導電層１１３は、スクリーン印刷法によって層１１１の切り抜き部１１２に導入される。導電層１１３は、めっきスルーホール１０２の領域内で層１０１の第一面１０６に付与される。導電層１１３は、層１０１の第一面１０６に接する。導電層１１３は、めっきスルーホール１０２に電気的に結合される。導電層１１３は、例えば銀を含む。導電層１１３は、ガラス層１１１を介してめっきスルーホール１０２との電気的な接触を実現する。
【００３２】
図４に示すように、追加のガラス層１２２をガラス層１１１に付与することができる。追加のガラス層１２２は、層１０１のとは反対側のガラス層１１１の面に付与される。ガラス層１１１のように、ガラス層１２２をスクリーン印刷法によりガラス層１１１に付与することができる。ガラス層１２２は、めっきスルーホール１０２、導電層１１３、および切り抜き部１１２のそれぞれの領域において切り抜き部１２３を有する。
【００３３】
更なる典型的な実施例において、記載の方法のステップで層の構造を保護および不活性化するのに適切であってガラスとは異なる材料を含む層を付与することができる。
【００３４】
ガラス層１１１および１２２は、空気を含むまたは製造により決定づけられる他の誤差を有する可能性があるため、セラミック層を保護する、および不活性化させるための２つのガラス層が、層１０１の第一面１０６に付与される。これにより、層１１１で起こり得る誤差が層１２２により補われるため、セラミック層１０１の保護が向上する。
【００３５】
図５は、追加の導電層１２４がガラス層１２２の切り抜き部１２３に注入されることを示す。導電層１２４を、たとえばスクリーン印刷により、切り抜き部１２３に注入することができる。導電層１２４は、層１０１とは反対側の導電層１１３の面に付与される。導電層１２４は、導電層１１３およびめっきスルーホール１０２に電気的に結合される。導電層１２４は、ガラス層１２２を介して、導電層１１３およびめっきスルーホール１０２との電気的接触を実現する。
【００３６】
図６は、導電層１０３がガラス層１２２および導電層１２４に付与された状態を示す。導電層１０３は、ガラス層１２２および導電層１２４に接する。導電層１０３は、導電層１０１の全領域上に延在する。導電層１０３は、導電層１２４、導電層１１３、およびめっきスルーホール１０２に電気的に結合される。導電層１０３は、たとえば銀のような、導電性材料を含む。導電層１０３は、シアン化合物を含むエッチング液によりエッチングすることができる材料を含む。
【００３７】
さらなる典型的な実施例において、導電層１０３は、層１０１およびめっきスルーホール１０２に直接的に付与される。これにより、導電層１０３は、層１０１の第一面１０６に接する。これは、層１０１の材料が層１１１のような不活性化層により保護されなくてもよい場合、および大きな損傷または機能的な特性の変化が起こることなく記載される方法に層１０１の材料が耐え得る場合である。
【００３８】
さらなる典型的な実施例において、導電層１０３はガラス層１１１および導電層１１３に直接的に付与される。これにより、導電層１０３がガラス層１１１および導電層１１３に接触する。これは、特定的には、十分に品質の高いガラス層１１１が層１０１に付与され、これにより、層１０１がガラス層１１１によって十分に保護される場合である。
【００３９】
導電層の数は、稼働中に導電層を介して放出される熱の量に応じて決めることもできる。より多くの熱を放出する必要がある場合、導電層１１３および１２４に相当する２つより多くの導電層、たとえば３つ以上の導電層を重ねて配置または作成することができる。放出する熱量が少ない場合、導電層１０３と導電層１１３とを合わせるだけで十分であり、導電層１２４は省くことができる。
【００４０】
図７に示すように、銅層１１４は、無電解の態様により、層１０１とは反対側の導電層１０３の面に付与される。
【００４１】
図８において、フォトレジスト１０８が銅層１１４に塗布される。銅層１１４は、層配列上のフォトレジストの接着を向上させる。
【００４２】
さらなる典型的な実施例において、フォトレジスト１０８を導電層１０３に塗布することができる。これにより、フォトレジスト１０８は、フォトレジスト１０８と導電層１０３との接着が十分に強い場合、導電層１０３に接する。
【００４３】
特定的には、露光することによって重合するネガ型フォトレジストが使用され、露光した領域は現像後に残る。
【００４４】
さらなる実施例において、既に固形であるレジストが露光により再度溶解可能となる場合、ポジ型レジストを使用することができる。これにより、露光前にマスクによって保護されていた領域のみが現像後に残る。
【００４５】
図９は、フォトレジスト１０８を露光するステップを示す。フォトマスク１２５は、フォトレジスト１０８の上に配置される。フォトレジストの溶解性は、光が入るフォトレジスト１０８の特定領域における光化学反応により変更される。フォトマスク１２５は、作成される構造に応じて、フォトレジスト１０８が露光されないように形成される。示される典型的な実施例において、めっきスルーホール１０２の上に位置する領域１１０は露光しない。領域１０９は、めっきスルーホール１０２の間に位置する。フォトマスク１２５の切り抜き部は、フォトレジスト１０８への光が通過し、例えば１００マイクロメートルより小さい幅、特定的には、８０マイクロメートルより小さい幅を有する。２５ミクロンより小さい幅をパターン形成することもできる。しかし、フォトレジストは走査により露光させることもできる。
【００４６】
フォトレジスト１０９は、その後に続く方法のステップで除去されない位置が露光する。これにより、フォトレジスト１０９が現像される。特定的には、フォトレジストに対応する場合、現像剤としての有機溶媒を省くことができる。
【００４７】
図１０は、現像後の層配列の上に設けられたフォトレジスト１０８を示す。領域１１０において、フォトレジストは銅層１１４から除去される。めっきスルーホール１０２、導電層１１３、および導電層１２４の上の領域１１０には、フォトレジストは配置されない。層１０３は、領域１１０において被覆されていない状態となる。
【００４８】
図１１に示すように、フォトレジスト１０８の無い領域１１０において、銅層１１４の上にニッケルが電気分解により付与される。更なる実施例において、フォトレジスト１０８の無い銅層１１４の領域に、ニッケルが化学的に付与される。ニッケルを含む層１０４は、銅層１１４に接触する。層１０１とは反対側の銅層１１４の面に対するニッケル層の生成は、フォトレジスト１０８の残りの領域１０９により横方向において制限される。
【００４９】
銅層１１５は、領域１１０に追加で電着される。銅層１１５は、たとえば、より均一にニッケルを生成させるために、ニッケル層を生成させる前に付与することができる。さらに、層の熱伝導性は、銅層１１５により向上させることができる。電着された銅の厚みは、積層を介してどの程度の熱が放出されるかに応じて設定することができる。より多くの熱を放出させる必要がある場合は、銅層１１５は、より大きな厚みをもって生成される。少ない熱を放出させるときは、銅層１１５はより薄く生成される。
【００５０】
図１２に示すように、フォトレジスト１０８の残りの領域１０９が層配列から除去された後、エッチングマスクがニッケル層１０４を介して層配列に付与される。たとえば、シアン化合物の水溶液、より特定的には、カリウムシアン化合物ＫＮＣのようなエッチング液の補助により、銅層１１４および導電層１０３は部分的に除去することができる。エッチング液は、より特定的には、銀および／または銅を分解するよう設計されたアルカリ性の水溶液を含む。
【００５１】
図１３に示すように、銅層１１４および導電層１０３よりもエッチング液に対する耐性を有するニッケル層１０４の領域において、銅層１１４および導電層１０３が残る。ニッケル層１０４はエッチング液により損傷を受けず、ニッケル層１０４より下の層を保護することため、銅層１１４および導電層１０３は残る。ニッケル層１０４が配置されている領域、より特定的には、めっきスルーホール１０２の領域においては、導電層１０３および銅層１１４の残りの領域も配置される。
【００５２】
選択性エッチングの後、エッチング液により除去されなかったガラス層１２２において、ニッケル層１０４が配置されていない領域は被覆されていない状態となる。ニッケルの無い領域では、ガラス層１２２の上にある層１１４および１０３が除去されている。ガラス層１２２およびガラス層１１１は、セラミック層１０１をエッチング液から保護する。ガラス層１２２とガラス層１１１は、セラミック層１０１がエッチング液により損傷しないようにするためのエッチング止めとしての役割を果たす。
【００５３】
図１４に示すように、端の部分が被覆されていない層１０３、１１４、および１０４の残りの領域は、追加の導電層１１６により被覆される。導電層１１６は、たとえば、金および／またはさらなる導電性材料を含む。
【００５４】
図１４は、部品が実装される前のキャリア装置１２１を示す。図１２から図１３への遷移に見られるように、導電層１０３および銅層１０４が部分的に除去される上記のエッチング処理の際に、ガラス層１２２および１１１はそれぞれセラミック層１０１を保護する。
【００５５】
図１５は、少なくとも１つの部品が実装された後のキャリア装置１２１を示す。キャリア装置１２１は、Ａ−Ａ′線に沿ったｘ方向の以下の順序で層を有する積層１００を含む。
【００５６】
典型的な積層１００の構成は、めっきスルーホール１０２を有するセラミック層１０１から始まる。セラミック層１０１の上には、ガラス層１１１が配置され、導電層１１３は、ガラス層１１１の切り抜き部１１２に配置される。その後、追加のガラス層１２２がガラス層１１１の上に配置される。導電層１１３の上において、導電層１２４はガラス層１２２の切抜き部１２３の中に配置される。導電層１０３は、導電層１２４の上に配置される。銅層１１４は、導電層１０３の上に配置される。ニッケル層１０４は、銅層１１４の上に配置される。銅層１１５は、銅層とニッケル層１０４との間に配置することができる。ニッケル層１０４の上には、パラジウム層が配置され、その上には、金層１１６が配置される。金層１１６は、層１０４、１１４、および１０３の側面も覆う。パラジウム層は、無電解の態様で他の層に付与することができる。
【００５７】
はんだ付けが可能な接触部位１１７および１１８は、この積層により形成される。接触部位は配線への適性、および／または接着、フリップチップ接着、熱圧着、ワイヤ接着（アルミニウムワイヤ接着、金ワイヤ接着、銅ワイヤ接着、およびプラチナワイヤ接着）のための接触部位としての適性を有している。接触部位は、さらなる形成法および／または結合法により処理されるように設計されている。電子部品１２０は、はんだ接合１２６により接触部位１１７および１１８に結合される。接触部位１１７は、接触部位１１８からｙ軸方向に距離１１９をおいて配置されている。図１から図１４と併せて記載されるように、減法エッチングによって接触部位１１７および１１８が作成されるという事実により、距離１１９は比較的小さくすることができる。特定的には、距離１１９は１２０マイクロメートルより小さくすることができ、より特定的には、１００マイクロメートルより小さくできる。一例として、距離１１９は８０マイクロメートルより小さくすることができ、より特定的には６０マイクロメートルより小さくすることができる。当然、１２０マイクロメートルより大きい距離１１９も記載される方法により形成することができる。キャリア装置１２１は、特定的に微細な、および微細さが低い接触部位または接触部位間の隙間を同時に形成することができ、記載の製造方法により特定的に良好に作成することができる。
【００５８】
電子部品１２０は、特定的には、集積半導体部品を含む。一例として、電子部品１２０は、光電子部品、より特定的には、発光ダイオードを含む。部品１２０は、特定的には、たとえば増幅回路のような大量の熱を発する半導体回路を含むことができる。受動素子、またはマイクロエレクトロメカニカルシステムの部品（ＭＥＭＳ部品）も適する。稼働中に発生する電子部品１２０の熱は、積層１００を介して良好に放出される。
【００５９】
図１６は、たとえばキャリア装置のような、セラミック層を含む層構造を作成またはパターン形成する方法のフローチャートを示す。第一の方法ステップ２０１では、少なくとも１つのめっきスルーホール１０２を有するセラミック層１０１が設けらる。ステップ２０２では、導電層１０３、より特定的には銀がセラミック層１０１に付与される。ステップ２０３では、ニッケル層１０４が導電層１０３に電着される。ステップ２０４では、導電層１０３がめっきスルーホール１０２の領域の外で除去され、これにより、導電層１０３は少なくとも１つのめっきスルーホールの領域に残る。
【００６０】
ステップ２０３の前に、露光と現像により、フォトレジストが導電層１０３に塗布され、ニッケル層１０４のための付与マスクとして機能する。ステップ２０４において、たとえば銀を含む導電層１０３が、たとえばシアン化合物を含むエッチング液により、エッチングマスクとして使用されるニッケル層１０４の補助によりパターン形成される。
【００６１】
記載された方法により、スパッタ処理によってクロムおよび／または銅により被覆された１つまたはそれ以上のポリイミド層を使用した光パターニングを省くことができる。特定的には、ガラス層を使用することによって、ポリイミドによる不活性化を省くことができる。さらに、フォトレジストの現像剤としての有機溶媒を省くことができる。
【符号の説明】
【００６２】
参照符号
１００  積層
１０１  セラミック層
１０２  めっきスルーホール
１０３  導電層
１０４  追加の層
１０６  第一面
１０７  第二面
１０８  フォトレジスト
１０９、１１０  領域
１１１，１２２  ガラス層
１１２、１２３  切り抜き部
１１３、１１６、１２４  導電層
１１４、１１５  銅層
１１７、１１８  接触部位
１１９  距離
１２０  部品
１２１  キャリア装置
１２５  フォトマスク
１２６  はんだ接合
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【国際調査報告】
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