(57)【要約】電源（２００）は、整流器（２３０）によって整流される交流電流の入力（１０２）を受け取る。整流された出力電圧（１３２）は、実行モードの動作中およびスタンバイモードの動作中に負荷（５００）およびマイクロプロセッサ（４００）に結合される。整流器（２３０）は、実行モードの動作中に含まれたＭＯＳＦＥＴ（２３４）によって同期整流を供給し、スタンバイモードの動作中に含まれたショットキーダイオード（２３２）によって非同期整流を供給する。整流器（２３０）におけるショットキーダイオード（２３２）は、ＭＯＳＦＥＴ（２３４）と並列であり、スタンバイモードの動作中に整流を行う。マイクロプロセッサ（４００）からのオン／オフ制御信号（２０３）の信号源（４００）は、スタンバイモードの動作中に、動作モードを変更するために負荷に印加されると共に、並行して、整流器（２３０）における同期整流を無効化するために整流器（２３０）に印加される。電源（２００）の効率は、同期整流器のコントローラ（２３６）に通電するために消費される電力を削減することによってスタンバイモードの動作時に改善がされる。電源（２００）の効率は、同期した動作を無効化するためにマイクロプロセッサ（４００）からのオン／オフ制御信号（２０３）を使用することによってスタンバイモードの動作時にやはり改善される。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
交流電流の入力供給（１０２）の供給源と、
前記入力供給を整流し、負荷（５００）に結合された電流路において、実行モードの動作中およびスタンバイモードの動作中に整流済み出力供給電流（１３４）を生成するために前記負荷に結合されている整流器（２３０）であって、前記負荷に結合された電流路において、実行モードの動作中およびスタンバイモードの動作中に整流済み出力供給電流（１３４）を生成するようになっており、前記実行モードの動作中に同期整流を供給する整流器（２３０）と、
前記整流済み出力供給電流を減少させるために前記負荷に印加されると共に、並行して、前記整流器における前記同期整流を選択的に無効化するために前記整流器に印加されるオン／オフ制御信号源（２０３）と、
を備える、電源（２００）。
【請求項２】
前記整流器における前記同期整流を無効化するために前記整流器（２３０）に印加される信号（２０２）は、前記出力供給電流（１３４）の減少によって実質的に影響を受けない、請求項１に記載の電源。
【請求項３】
前記オン／オフ制御信号の信号源は、マイクロプロセッサ（４００）を含む、請求項１に記載の電源。
【請求項４】
前記オン／オフ制御信号の信号源（４００）は、ユーザによる電源オフの命令に応答する、請求項１に記載の電源。
【請求項５】
前記整流器（２３０）は、前記スタンバイモードの動作中に同期していない動作を実行するためのダイオード（２３２）と、前記実行モードの動作中に同期した動作を可能にするために前記整流器に結合された半導体スイッチ（２４４）とを備え、前記半導体スイッチは、前記整流器における前記同期整流を選択的に無効化するために前記並行して印加されたオン／オフ制御信号に応答して、前記実行モードの動作から前記スタンバイモードの動作へ動作の前記モードを変更する、請求項１に記載の電源。
【請求項６】
前記ダイオード（２３２）は、ショットキーデバイスを含む、請求項５に記載の電源。
【請求項７】
前記整流器（２３０）は、電界効果トランジスタ（２３４）を含む、請求項１に記載の電源。
【請求項８】
電源を制御するシステムであって、
交流電流の入力を受け取る手段（１０２）と、
負荷（５００）に結合された、整流済み出力供給電流（１３４）を生成するように前記交流電流の入力を整流する手段（２３０）であって、前記負荷に結合された電流路（１３４）において、実行モードの動作中およびスタンバイモードの動作中に、前記実行モードの動作中に同期整流を供給する整流する手段（２３０）と、
前記整流済み出力供給電流を減少させるために前記負荷に印加されると共に、並行して、前記整流手段における前記同期整流を選択的に無効化する前記整流手段に印加されるオン／オフ制御信号（２０３）を供給する手段（４００）と、
を含む、前記システム。
【請求項９】
前記整流手段における前記同期整流を無効化するために前記整流手段に印加される信号（２０２）は、前記出力供給電流（１３４）によって実質的に影響を受けない、請求項８に記載のシステム。
【請求項１０】
前記オン／オフ制御信号を供給する前記手段は、マイクロプロセッサ（４００）を含む、請求項８に記載のシステム。
【請求項１１】
前記オン／オフ制御信号を供給する手段は、ユーザによる電源オフの命令に応答する、請求項８に記載のシステム。
【請求項１２】
前記整流手段（２３０）は、前記スタンバイモードの動作中に同期していない動作を実行するためのダイオード（２３２）と、前記実行モードの動作中に同期した動作を可能にするために前記整流手段に結合された切り換えする手段（２４４）とを含み、前記切り換え手段は、前記整流手段における前記同期整流を無効化するために前記並行して印加されたオン／オフ制御信号（２０２）に応答して、前記実行モードの動作から前記スタンバイモードの動作へ動作の前記モードを変更する、請求項８に記載のシステム。
【請求項１３】
前記ダイオード（２３２）は、ショットキーデバイスを含む、請求項１２に記載のシステム。
【請求項１４】
前記整流手段は、電界効果トランジスタ（２３４）を含む、請求項８に記載のシステム。
【請求項１５】
電源の効率を改善する方法であって、
入力交流電流を受け取るステップと、
前記入力交流電流を整流して、負荷に結合された電流路において、電子装置の実行モードの動作中に同期的に整流済み出力供給電流を生成し、前記電子装置のスタンバイモードの動作中に非同期的に整流済み出力供給電流を生成するステップと、
オン／オフ制御信号を発生させるステップであって、前記負荷をスタンバイモードの動作に切り換えるために前記負荷に印加されると共に、並行して、前記電源を非同期的に整流されるモードに選択的に切り換えるために前記電源に印加されるオン／オフ制御信号を発生させるステップと、
を含む、前記方法。
【請求項１６】
前記負荷に供給される前記電流とは独立して、前記電源を前記非同期モードに置くステップをさらに含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
マイクロプロセッサによって前記オン／オフ制御信号を発生させるステップをさらに含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１８】
ユーザによる電源オフの命令に応答して前記オン／オフ制御信号を発生させるステップをさらに含むことを特徴とする請求項１５に記載の方法。
【請求項１９】
ＦＥＴデバイスを用いて前記入力交流電流を同期的に整流するステップと、ダイオードを用いて前記入力交流電流を非同期的に整流するステップとをさらに含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項２０】
ショットキーダイオードを用いて前記入力交流電流を非同期的に整流するステップをさらに含む、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
交流電流の入力供給（１０２）の供給源と、
前記入力供給を整流するために負荷（５００）に結合された整流器（２３０）であって、実行モードの動作中および第２のモードの動作中に前記負荷に結合された整流済み出力供給（１３２）を生成するようになっており、前記実行モードの動作中に同期整流を供給する整流器（２３０）と、
前記動作モードを変更するために前記負荷に印加されると共に、並行して、前記第２のモードの動作中に前記整流器（２３０）における前記同期整流を選択的に無効化するために前記整流器（２３０）に印加されるオン／オフ制御信号（２０３）の信号源（４００）と、
を備える、電源（２００）。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、同期整流を利用する電源に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来技術の図１に示されるように、電子装置１１１の電源１００は、入力側構成要素１１０と、二次側構成要素１２０とを備える。「ホット側」とも呼ばれる入力側の構成要素は、入力供給１０２からの交流電流（ＡＣ）を整流するための入力ブリッジ１１２と、一次巻線１１４の電圧を駆動および調節するためのスイッチモード回路を含む。電源一次側は、ホット側または非分離グラウンドとしても知られている電位１１６に対応する。
【０００３】
例示的な電源１００の二次側１２０は、電源変圧器の二次巻線１２４を備え、電源１００の一次側１１０および二次側１２０は、巻線１１４と巻線１２４の間の絶縁障壁１２２によって分離されている。巻線１２４は、第１の端部で整流器２３０に接続され、整流器２３０の他の端子で「コールド側」または分離グラウンド１２８に対応する。整流器２３０は、同期整流器２３３を備え、この同期整流器２３３は、整流ダイオード２３２と並列に接続された金属酸化物半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）２３４を備える。整流ダイオード２３２は、ＭＯＳＦＥＴ２３４のドレインに接続されたそのカソードを有し、グラウンド１２８に接続されたそのアノードを有する。ＭＯＳＦＥＴ２３４は、対応するダイオード２３２と同極性であるボディダイオード２３５を備える。電源出力電圧１３２は、巻線１２４の第２の端部で発生し、そこで電源出力電圧１３２は、電解コンデンサ１３０によってフィルタ処理され、出力負荷電流１３４を電源負荷２９５に供給する。電源１００と負荷２９５の間には、負荷センサ２９０が介在する。負荷センサ２９０は、出力２０２として、負荷に従って同期整流を選択的に無効化するための信号を有する。
【０００４】
多くの電源では、整流器２３０は、巻線１２４の第２の端部に異極性で配置することができ、巻線１２４の第１の端部は、グラウンド１２８に直接接続される。図１に示されるような整流器を構成する利点は、整流器２３０のヒートシンキング（ｈｅａｔ  ｓｉｎｋｉｎｇ）を促進することである。電源一次側を、任意の個数の良く知られた電源のタイプ、例えば、クランプモードフォワードコンバータ（ｃｌａｍｐｅｄ  ｍｏｄｅ  ｆｏｒｗａｒｄ  ｃｏｎｖｅｒｔｅｒ）またはフライバックコンバータ（ｆｌｙｂａｃｋ  ｃｏｎｖｅｒｔｅｒ）として構成することができる。電源がスイッチモードの構成であることは必須ではないが、効率の必要性から通常はそのモードが好ましい。
【０００５】
この例示的なスイッチモード電源（ｓｗｉｔｃｈ−ｍｏｄｅ  ｓｕｐｐｌｙ）に示されている整流器のタイプでは、大抵非効率の大きな供給源、従来の整流ダイオードの両端間の電圧降下のために、ダイオード２３２は、大抵はショットキーダイオードである。より高い電力の電源では、ダイオードの両端間の電圧降下によってもたらされる非効率は、有意なものとなる可能性があり、したがってヒートシンキング、および場合によっては強制空冷などの積極的対策を必要とする。デジタル装置に関する高速および小型化のさらに高まる要望を満たすために、超小型電子回路の電圧レベルは低くなり続けている。５ボルトおよび１２ボルトの電源が、依然として主流であるが、３．３ボルト、２．５ボルト、１．８ボルト、および１．５ボルト、ならびに他のものが、多くの電子装置において標準電圧として次第に一般的になっている。二次ＡＣ電圧をＤＣ電圧に整流するために従来の整流ダイオードを用いる従前の設計は、一次側の電源スイッチがオフである時間中、二次側の出力電流が「フリーホイールする（ｆｒｅｅｗｈｅｅｌ）」ことを可能にする。電子装置によって消費される電力を最小にする要求がいっそう差し迫ったものとなり、現代の装置に使用される動作電圧がより低くなるにつれて、整流ダイオードにおいて生じる電力損失は、出力電力に比べて非常に大きくなる。例えば、１Ｖの出力電源において０．５Ｖのショットキーダイオードを使用すると、整流回路の出力電力のおよそ３３％の電力損失になる。
【０００６】
整流効率を改善するために、トランジスタ、通常は電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）、またはより具体的にはＭＯＳＦＥＴを、低電圧降下のスイッチとして使用することができ、ダイオードに取って代わる。この技法は、同期整流と呼ばれる。同期整流は、電圧の最も低い部分が整流されている間にＭＯＳＦＥＴをオンにし、電圧の最も高い部分が整流されている間にＭＯＳＦＥＴをオフにするように同期整流器の駆動を制御することを必要とする。ＳＴ  ＭｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓのＳＴＳ−Ｒ３またはＡｎａｃｈｉｐのＡＰ４３６などの集積回路のコントローラ、ならびにディスクリート回路の設計が、同期整流器の導通を制御するために使用される。
【０００７】
さらに、電力出力のわりに電源のための空間が制限される応用例では、高出力密度であることが極めて重要である。したがって、効率を高めた電源を開発し、一部ではヒートシンクの必要性または大きさを最小にすることが継続して探求されている。加えて、エネルギースター（Ｅｎｅｒｇｙ  Ｓｔａｒ）およびヨーロピアンＣｏＣ（Ｅｕｒｏｐｅａｎ  ＣｏＣ）の要求により、新しい電源の設計は、低出力電力レベルでも高い効率を維持しなければならず、小さい負荷が存在するまたは負荷が存在しないときには大きく減少した入力電力を有さなければならない。同期整流器は、標準的なダイオード整流器に特有である導通損失を減少させることによって通常負荷レベルおよび高負荷レベルでの電源の効率を改善することができる。同期整流器ＦＥＴの利点は、現在のＦＥＴの非常に低い「オン抵抗」である。同期整流器は、今日の低い電圧レベルではダイオード整流器よりもよりいっそう効率的であるが、同期整流器にその欠点がないわけではない。ある量の電力オーバーヘッド、中でも注目すべきは、低出力電力レベルが存在するときに電源の効率に影響を及ぼし得る同期整流器を駆動する際に存在する同期整流器のコントローラを動作するのに必要な電力が存在する。
【０００８】
図１の構成では、出力電流または出力電力を感知し、低電力または低電流の動作中に同期整流器２３４を無効化する。低電流または低電力の動作中に同期整流器を無効化することは、逆電流の流れを最小にし、それによって電源の効率および熱管理を改善する。しかし、望ましくないことに、追加の電力が負荷センサ２９０によって消費される。不都合なことに電力を消費し回路を複雑にする負荷センサ２９０を使用することなしに同期整流を無効化することが望ましいものであり得る。
【発明の概要】
【０００９】
本発明の開示した一実施形態は、電源に関し、この電源は、交流電流の入力供給の供給源と、入力供給を整流するために負荷に結合された整流器とを備える。負荷に結合された電流路において、実行モードの動作中およびスタンバイモードの動作中に整流済み出力供給電流が生成される。この整流器は、実行モードの動作中に同期整流を供給する。オン／オフ制御信号の信号源は、整流済み出力供給電流を減少させるために負荷に印加されると共に、並行して、整流器における同期整流を選択的に無効化するために整流器にも印加される。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】公知の電源の実施に関する一部概略図、一部構成図である。
【図２】発明の一実施形態を組み込む電子装置を部分的に構成図の形態および部分的に概略図の形態で示す図である。
【図３】図２の整流器の端子での関連した波形を示す図である。
【図４】同期整流器のコントローラのディスクリート回路を明示する概略図である。
【図５】図４の概略図の関連した波形を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
図２は、電子装置を示し、すなわちより詳細には電源２００、システムコントローラもしくはマイクロプロセッサ４００、および信号プロセッサ５００を備えるセットトップボックス（ｓｅｔ  ｔｏｐ  ｂｏｘ）３００を示す。電源２００の部品は、電源１００に関して前述した構成要素と同様の機能を有する構成要素を含む。そのような場合には、これらの構成要素は、先に表したものと共通の参照符号を有する。電源２００は、ＡＣ入力１０２を受け取り、電源一次側１１０および電源二次側２２０を含む。一次側１１０および二次側２２０は、変圧器の一次巻線１１４から変圧器の二次巻線１２４へ誘導的に接続され、絶縁障壁１２２によって隔てられる。二次巻線１２４は、整流器２３０の第１の主要な電流の導通端子に第１の端子で接続され、整流出力１３２（＋Ｖ出力）、好ましい実施形態では１２ボルトを生成するために第２の端子で接続される。出力１３２は、フィルタコンデンサ１３０によってフィルタ処理されて、電源二次側２２０、マイクロプロセッサ４００、および信号プロセッサ５００内の演算回路を含む電源負荷に整流済み出力供給電流１３４を生成する。
【００１２】
整流器２３０の第２の主要な電流の導通端子は、「コールド」または分離グラウンド１２８に接続される。小さい値のコンデンサ２４５が整流器２３０の両端間に並列に接続され、整流器２３０からのスイッチングトランジェントによって引き起こされる、ラインから導かれる放射を解消する。整流器２３０は、構成要素、整流器２３０の同期整流器２３３、例えばＳＴ  ＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓからのＳＴＦ６０Ｎ５５Ｆ３などにおける導通を決定する制御端子も備える。整流器２３０は、ダイオード２３２、図２の実施形態では、Ｄｉｏｄｅｓ，ＩｎｃによるショットキーダイオードＰＤＳ８３５Ｌも備える。同期整流器２３３は、ＭＯＳＦＥＴ２３４、および集積ボディダイオード２３５を備える。本発明の一実施形態によれば、同期整流器２３３は、同期整流器２３４のドレインが、同期整流器のコントローラ２３６からの制御によって電源２００の「実行モード」としても知られている高出力動作の期間中に、その最も低いエクスカーション（ｅｘｃｕｒｓｉｏｎ）にあるときに導電となるように制御される。好ましい実施形態では、コントローラ２３６は、図４を参照して続いて説明されるようなディスクリート回路の設計である。図３に、同期整流器２３３を制御するための波形を示す。波形３０２は、ＭＯＳＦＥＴ２３４のドレインでの電圧を示しており、波形３０４は、ＭＯＳＦＥＴ２３４の導通を制御する電圧として示されている。ＭＯＳＦＥＴ２３４のドレインが、その最低の電位にあるときに、ＭＯＳＦＥＴ２３４は、ゲート波形３０４が正であることによってオンにされる。反対に、ＭＯＳＦＥＴ２３４のドレインの電位が、その最高の電位にあるときに、ゲートの電位は、ＭＯＳＦＥＴ２３４の導通を禁止するように閾値電圧未満に減少される。ＭＯＳＦＥＴ２３４のゲートからグラウンド１２８へ接続された抵抗器２４０は、コントローラ２３６の電流出力を電圧駆動波形３０４に変換し、電流路にグラウンドも与えて、ＭＯＳＦＥＴのドレインが正になるときにＭＯＳＦＥＴのスイッチを切ることができるようにする。
【００１３】
図２の実施形態では、セットトップボックス３００の「実行モード」のように約０．８アンペア〜約１．８アンペアである通常の出力電力の条件下では、同期整流器のコントローラ２３６は、ＰＮＰスイッチングトランジスタ２４４、Ｏｎ  Ｓｅｍｉ製の品番ＭＭＢＴ５８９ＬＴ１Ｇを介してＶＤＤ端子２４２で動作電圧を受け取る。トランジスタ２４４は、出力電圧１３２に接続されたエミッタ、およびコントローラ２３６のＶＤＤ端子２４２に接続されたコレクタを有する。トランジスタ２４４は、グラウンド１２８に接続されたエミッタを有する２Ｎ２２２２  ＮＰＮスイッチングトランジスタ２５２によって制御される。トランジスタ２５２のコレクタは、抵抗器２４８および抵抗器２５０によって形成された電圧分割器を通じてトランジスタ２４４のベースに接続される。トランジスタ２５２のベースは、抵抗器２５４および抵抗器２５６によって形成された電圧分割器を通じて、同期整流器を無効化する信号（以下、無効化信号）２０２からそのベースの入力を受け取る。無効化信号２０２が高状態、通常約５ボルトにあるときに、電圧分割器２５４、２５６は、トランジスタ２５２の電源をオンにする。トランジスタ２５２がオンにされると、トランジスタ２５２のコレクタは、グラウンド電位に近づき、それにより分割器２４８、２５０を通じて、トランジスタ２４４をそのオン状態に変える。トランジスタ２４４がオンにされると、トランジスタ２４４のコレクタ電圧は、電圧＋Ｖ出力に近づき、したがって、動作電流をコントローラ２３６に供給する。コントローラ２３６は、ＶＤＤ端子２４２からグラウンドまでのバイパスコンデンサ２４３を有し、トランジスタ２４４が導通中であるときに、コントローラ２３６に対する低インピーダンス動作の供給を確保する。この場合、コントローラ２３６の出力３０４は、同期整流器２３３をそのオン状態に切り換える波形を生成する。
【００１４】
マイクロプロセッサ４００は、セットトップボックス３００の動作を制御するために使用される。マイクロプロセッサのユーザインタフェース４２０によって、およびしばしは遠隔制御装置４３０の利便性と共に、マイクロプロセッサ４００は、例えば、チャンネル、再生／記録、およびオン／オフを選択するように信号プロセッサ５００の動作を指示する。現代のセットトップボックスでは、オフせよとの命令により、プロセッサ５００に、可視のアクティビティ（ｖｉｅｗａｂｌｅ  ａｃｔｉｖｉｔｉｅｓ）の処理を停止し、低電力または「スタンバイモード」に入るように信号で示す。１００ｍＡ未満のこの一部電力が供給された状態は、ルーチンのソフトウェアのダウンロードに対応し、マイクロプロセッサのユーザインタフェース、および遠隔制御装置のインタフェースも活動状態に保って、命令で続いて起こることを受け取り、処理する。多くの理由から、そのようなスタンバイ状態に装置があるときに消費される電力が、できる限り低く維持されることが重要である。マイクロプロセッサ４００が、プロセッサ５００に、スタンバイもしくは低電流モードに入るようにスタンバイ信号２０３によって信号で示したとき、並行してマイクロプロセッサは、同期整流器を無効化する信号２０２を低電圧状態に設定してコントローラ２３６をオフにする。無効化信号２０２が低電圧状態にあるとき、トランジスタ２５２はオフにされ、これによりそれに応じてトランジスタ２４４をオフにする。トランジスタ２４４がそのオフモードにあるとき、波形３０４は、同期整流器のゲートから遮断され、したがってＭＯＳＦＥＴ２３４の動作をオフにする。ＭＯＳＦＥＴ２３４が動かなくさせられると、整流器２３０のダイオード２３２が出力電圧１３２の整流を行い、それによって出力電圧＋Ｖ出力をまだ供給する。ダイオード２３２は、電源２００から低電力出力でＭＯＳＦＥＴ２３４が導通しているときにＭＯＳＦＥＴ２３４が有するよりも、ダイオード２３２が導通しているときにわずかに大きい電圧降下を有してもよい。しかし、電源の効率の減少は最小限である。無効化信号２０２によって遮断されたコントローラ２３６への供給電流に関しては、電源２００の効率が大きく改善される。スタンバイモードの整流が、ＭＯＳＦＥＴのボディダイオード２３５によって与えられる場合、ダイオード２３２を整流器２３０から省くことができる。
【００１５】
無効化信号２０２およびスタンバイ信号２０３は、互いに直接接続されるように図２に示される。ここで、無効化信号２０２およびスタンバイ信号２０３は、２つの別々である可能性があるが、しかしマイクロプロセッサ４００から並列な信号経路である。別々であるが並列な信号経路である理由の１つは、異なる極性が信号２０２および信号２０３に必要とされることが具体例であり得る。信号２０２および信号２０３の一方または両方が、ＩＩＣバスなどのシリアル通信バスにおけるビットパターンによって通信できることも考慮されたい。
【００１６】
図４は、現時点で好ましい実施形態の同期整流器のコントローラ２３６の概略図を記載する。信号３０２は、ダイオード２６０のアノードおよび抵抗器２６２の一端子に加えられる。ダイオード２６０のカソードは、抵抗器２６２の第２の端子に接続され、その共通の接続は、コンデンサ２６４の第１の端子に接続される。コンデンサ２６４の第２の端子は、コントローラ２３６のＶＤＤ端子２４２に接続される。ダイオード２６０、抵抗器２６２、およびコンデンサ２６４の組み合わせは、コンデンサ２６４の第１の端子でファスト・アタック・スロー・ディケイ（ｆａｓｔ  ａｔｔａｃｋ  ｓｌｏｗ  ｄｅｃａｙ）型のフィルタ済み信号を形成する。信号３０２が正になると、コンデンサ２６４は、素早く充電される。信号３０２が負の方向になると、ダイオード２６０は、逆バイアスされ、コンデンサ２６４の第１の端子での信号は、およそ抵抗器２６２の値にコンデンサ２６４の値を乗じたものである時定数で抵抗器２６２を介して負の方向に減衰する。
【００１７】
コンデンサ２６６は、抵抗器２６２、ダイオード２６０、およびコンデンサ２６４の接合からＰＮＰトランジスタ２７４、Ｏｎ  Ｓｅｍｉによる品番ＭＭＢＴ５８９ＬＴ１Ｇのベースまで接続される。抵抗器２７２は、トランジスタ２７４のベース端子にやはり接続され、抵抗器２７２は、トランジスタ２７４のベースとエミッタの間に接続される。Ｄｉｏｄｅｓ，Ｉｎｃ．によって製造された４．７ボルトのツェナーダイオード２６８  ＢＺＴ５２Ｃ４Ｖ７、および従来のダイオード２７０は、互いに直列に接続され、トランジスタ２７４のベースからトランジスタ２７４のエミッタへも同様に接続される。ツェナーダイオード２６８のカソードは、トランジスタ２７４のベースへ接続され、およびダイオード２７０のカソードは、トランジスタ２７４のエミッタへ接続され、２つのダイオードのアノードが共に接続される。トランジスタ２７４のエミッタは、コントローラ２３６のＶＤＤ２４２に戻される。コンデンサ２６６および抵抗器２７２は、微分回路を形成して、微分されたパルスをトランジスタ２７４のベースエミッタ接合に適用する。信号３０２が負の方向になると、微分回路からの適度に幅の広いパルスによって、トランジスタ２７４に、抵抗器２４０と直列に抵抗器２７６によって形成される負荷抵抗を介してＶＤＤ２４２からグラウンド１２８への電流を導通させる。したがって、抵抗器２４０の両端間に発生する正になる電圧は、ＭＯＳＦＥＴ２３４のゲートに印加される信号３０４の正の部分を生成する。
【００１８】
電圧３０２が正の方向になると、コンデンサ２６４の両端間に発生する電圧は、急速に正になり、これが今度は、コンデンサ２６６および抵抗器２７２によって微分されて、トランジスタ２７４を非導電に素早くさせる。トランジスタ２７４が、導通をやめると、ＭＯＳＦＥＴ２３４のゲートに発生した電圧は、ＭＯＳＦＥＴの導通の閾値未満に低くなる。ダイオード２６８およびダイオード２７０によって形成されたクリッパは、トランジスタ２７４のベースエミッタ電圧のおよそ５．４ボルト（ツェナー電圧に加えて１フォワードダイオード降下（ｏｎｅ  ｆｏｒｗａｒｄ  ｄｉｏｄｅ  ｄｒｏｐ））の正のエクスカーションが、トランジスタ２７４のベースエミッタが、その逆方向降服電圧を超えないようにすることを可能にする。抵抗器２７６は、トランジスタ２７４のコレクタとＭＯＳＦＥＴ２３４のゲートの間に直列に配置されて、コンデンサ２５８と共にローパスフィルタを形成して、ＭＯＳＦＥＴ２３４の切り換えによる無線周波数干渉を減少させる。図５中の波形は、同期整流器のゲート電圧３０４に関連して、駆動トランジスタ２７４のベースエミッタ電圧５０２をグラフで示す。
【００１９】
本発明では、電源は、供給電流の負荷センサの使用を避けることによる全ての条件下でより効率的になされる。加えて、有利には、スタンバイ条件下でコントローラ２３６への電流の供給が遮断される。加えて、電源は、負荷センサに必要な構成要素および空間を削減することによって、これらの従前の応用例よりも小さく、コスト効率がよいものとすることができる。
【図１】
2013516157.tif 000003
【図２】
2013516157.tif 000004
【図３】
2013516157.tif 000005
【図４】
2013516157.tif 000006
【図５】
2013516157.tif 000007
【国際調査報告】
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