(57)【要約】【課題】  半導体デバイス設計用のマスク・データの波面処理の方法を提供する。【解決手段】        半導体デバイス設計用の光波データが、領域に分割される（１０２）。第１の波面処理が、各領域の光波データだけを考慮し、各領域の隣接領域の光波データは考慮せずに、各領域の光波データに対して実行される（１０４）。第１の波面処理の結果に基づいて、各領域の光波データが規格化される（１０６）。第２の波面処理が、規格化された各領域の光波データに少なくとも基づいて、各領域の光波データに対して実行される（１０８）。第２の波面処理は、各領域の光波データと、各領域の隣接領域の光波データを含む各領域の回りの保護帯とを考慮する。第２の波面処理は、領域をグループに編成し（１１０）、第２の波面処理を各グループの領域に対して並列に逐次的に実行すること（１１４）により、逐次的に実行することができる。【選択図】      図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体デバイス設計用の光波データを、コンピューティング・デバイスのプロセッサによって複数の領域に分割すること（１０２）と、
前記光波データを前記領域に分割した後で、各領域の前記光波データだけを考慮し、各領域の複数の隣接領域の前記光波データは考慮せずに、前記プロセッサによって、各領域の前記光波データに対する第１の波面処理を実行すること（１０４）と、
各領域の前記光波データに対する前記第１の波面処理を実行した後、前記第１の波面処理の結果に基づいて、前記プロセッサによって、各領域の前記光波データを規格化すること（１０６）と、
各領域の前記光波データを規格化した後、規格化された各領域の前記光波データに少なくとも基づき、各領域の前記光波データと各領域の前記隣接領域の前記光波データを含む各領域の回りの保護帯とを考慮して、前記プロセッサによって、各領域の前記光波データに対する第２の波面処理を実行すること（１０８）と
を含む方法（１００）。
【請求項２】
前記光波データを受け取ること（１０１）をさらに含み、
前記光波データは、１つ又は複数のマスク設計プロセスに従って生成され、前記第１の波面処理及び前記第２の波面処理は、前記１つ又は複数のマスク設計プロセスの１つ又は複数の型式には依存せず且つそれらに関わりなく実行され、
前記光波データが分割されてなる前記領域は、前記マスク設計プロセスが独立且つ並列に実行された領域に対応する、
請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記光波データを受け取ること（１０１）をさらに含み、
前記光波データは、各領域に対して独立且つ並列に光近接効果補正（ＯＰＣ）を実行して、前記ＯＰＣの結果を前記光波データに変換することによって生成される、
請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記光波データを受け取ること（１０１）をさらに含み、
前記光波データは、各領域に対して独立且つ並列にソース・マスク最適化を実行することによって生成される、
請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記光波データを受け取ること（１０１）をさらに含み、
前記領域は、第１の領域であって、前記第１の領域の各々に対して独立且つ並列に実行される第１のマスク設計プロセスに従って前記光波データが生成される前記第１の領域と、第２の領域であって、前記第２の領域の各々に対して独立且つ並列に実行される第２の設計プロセスに従って前記光波データが生成される前記第２の領域とを含む、
請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記第１のマスク設計プロセスは光近接効果補正であり、前記第２のマスク設計プロセスはソース・マスク最適化である、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記第２の波面処理の結果を出力すること（１２２）をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記半導体デバイス設計の半導体デバイスのインスタンスを作製するために前記第２の波面処理の結果を用いること（１２２）をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記光波データを前記領域に分割することは、前記光波データを、行及び列を有する格子に編成された複数の矩形領域に分割することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記第２の波面処理を実行することは、
前記領域を４つのグループに編成し、前記格子の奇数番目の行の前記領域が、第１のグループから始まるグループに逐次的且つ反復的に割り当てられ、前記格子の偶数番目の行の前記領域が、第３のグループから始まるグループに逐次的且つ反復的に割り当てられるようにすること（１１０）と、
前記第１のグループの前記領域に対して並列に前記第２の波面処理を実行すること（１１４）と、
前記第１のグループの前記領域に対して前記第２の波面処理を実行した後で、第２のグループの前記領域に対して並列に前記第２の波面処理を実行すること（１１４）と、
前記第２のグループの前記領域に対して前記第２の波面処理を実行した後で、第３のグループの前記領域に対して並列に前記第２の波面処理を実行すること（１１４）と、
前記第３のグループの前記領域に対して前記第２の波面処理を実行した後で、第４のグループの前記領域に対して並列に前記第２の波面処理を実行すること（１１４）と
を含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
各領域の前記光波データに対する前記第１の波面処理を実行することは、各領域の前記光波データだけを考慮し、前記隣接領域の前記光波データを考慮せずに、各領域に対して単純な並列形式で実行される、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
各領域の前記光波データに対する前記第１の波面処理を実行することは、前記光波データ内に元から存在する各領域の光学ドメイン値から、各領域の空間ドメイン値を生成することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記第１の波面処理の前記結果に基づいて各領域の前記光波データを規格化することは、前記光波データ内の各領域の前記光学ドメイン値を、生成された前記空間ドメイン値に基づいて規格化することを含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
各領域の前記光波データに対する前記第２の波面処理を実行することは、
各領域の前記光波データの前記規格化から生じる、各領域の規格化された光学ドメイン値、及び
前記第２の波面処理によって既に生成された各領域の前記空間ドメイン値から再変換された各領域の規格化された光学ドメイン値
のうちの１つ又は複数から、各領域の空間ドメイン値を生成することを含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記第２の波面処理を実行することは、
前記領域を、第１のグループ及び最後のグループを含む複数のグループに編成し、各領域が１つのグループだけに割り当てられ、所与のグループの所与の領域の回りの前記保護帯が前記所与のグループの他のいずれの領域とも重なり合わず、且つ前記所与のグループの他のいずれの領域の回りの保護帯とも重なり合わないようにすること（１１０）と、
各グループの前記領域に対して並列に前記第２の波面処理を逐次的に実行し、前記第２の波面処理が最初に前記第１のグループの前記領域に対して並列に実行され、前記第２の波面処理が最後に前記最後のグループの前記領域に対して並列に実行されるようにすること（１１４）と
を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
前記第２の波面処理を実行することは、前記領域の前記光波データが効果的に縫合されることをもたらす、請求項１に記載の方法。
【請求項１７】
前記第２の波面処理を実行することは、線形計画問題を解くことを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１８】
前記第２の波面処理は、前記第１の波面処理よりも粒度が細かい、請求項１に記載の方法。
【請求項１９】
コンピューティング・デバイスのプロセッサによって実行されたときに方法（１００）が実行されるコンピュータ・プログラムをストアしたコンピュータ可読媒体であって、前記方法は、
半導体デバイス設計用の光波データを複数の領域に分割すること（１０２）と、
前記光波データを前記領域に分割した後、各領域の前記光波データだけを考慮し、各領域の複数の隣接領域の前記光波データは考慮せずに、各領域の前記光波データに対して第１の波面処理を実行すること（１０４）と、
前記光波データに対して前記第１の波面処理を各領域の実行した後で、前記第１の波面処理の結果に基づいて、各領域の前記光波データを規格化すること（１０６）と、
各領域の前記光波データを規格化した後、規格化された各領域の前記光波データに少なくとも基づき、各領域の前記光波データと、各領域の前記隣接領域の前記光波データを含む各領域の回りの保護帯とを考慮して、各領域の前記光波データに対して第２の波面処理を実行すること（１０８）と
を含む、コンピュータ可読媒体。
【請求項２０】
マスクを用いて作製される半導体デバイスであって、前記マスクは、
半導体デバイス設計用の光波データを、コンピューティング・デバイスのプロセッサによって複数の領域に分割すること（１０２）と、
前記光波データを前記領域に分割した後、各領域の前記光波データだけを考慮し、各領域の複数の隣接領域の前記光波データは考慮せずに、前記プロセッサによって、各領域の前記光波データに対する第１の波面処理を実行すること（１０４）と、
各領域の前記光波データに対する前記第１の波面処理を実行した後で、前記第１の波面処理の結果に基づいて、前記プロセッサによって、各領域の前記光波データを規格化すること（１０６）と、
各領域の前記光波データを規格化した後、各領域の規格化された前記光波データに少なくとも基づき、各領域の前記光波データと、各領域の前記隣接領域の前記光波データを含む各領域の回りの保護帯とを考慮して、前記プロセッサによって、各領域の前記光波データに対する第２の波面処理を実行すること（１０８）と
を含む方法（１００）を実行することによって生成される、半導体デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は一般に、マスク・データを有し、半導体デバイスのインスタンスを作製するのに用いることができる、半導体デバイス設計に関する。より具体的には、本発明は、このマスク・データに対して波面処理を実行して、デバイス作製中に用いられるマスク・データを最適化することに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイス作製プロセスの一型式は、フォトリソグラフィ、又は単にリソグラフィとして知られている。フォトリソグラフィにおいて、単にレジストと呼ばれることもあるフォトレジストなどの材料が、これもまた単にマスクと呼ばれることもあるフォトマスクを通して光源に曝される。露光された材料が最終的に除去され、露光されていない材料は除去されないようにされる。代替的に、露光されていない材料が最終的に除去され、露光された材料は除去されないようにすることができる。
【０００３】
ますます小さくなる構造部を有する半導体デバイスを作製するために、そのような半導体デバイスの設計に対応するフォトマスクを、フォトリソグラフィが適切に行われるように修正することができる。修正の一型式は、光近接効果補正（ＯＰＣ）として知られる。ＯＰＣは、回折又は処理の影響による結像誤差を補償するのに用いられるフォトリソグラフィ強化技術である。例えば、投影された結像は、例えば、設計よりも狭い又は広い線幅、方形の隅部の代りに丸みを帯びた隅部など、不規則性を伴って現れることがある。
【０００４】
従来のＯＰＣは、これらの誤差を、結像の不規則性がある結像条件の公称セットのもとで近似的に相殺されたと判断されるように十分に逆バイアスが蓄積されるまで、逆バイアスをかける方式でマスク縁部を移動させることによって、補正する。マスクを、フォトマスク上に書込まれるパターンがまばらな領域に追加の多角形又は他の構造部を加えることによって修正し、その結果、マスクの各領域が類似の間隔及び密度を有するパターンを含むようにすることもできる。これらの追加の構造部は、補助構造部と呼ばれ、プロセス条件が変動したときのプリントされる構造部内の変動性を減らす傾向がある。従来の多角形縁部の調節及び補助構造部の挿入の両方を、本明細書では従来型ＯＰＣと呼ぶ。
【０００５】
他の型式の修正は、ソース・マスク最適化（ＳＭＯ）であり、これは光源及びフォトマスク形状の両方を同時に最適化するものである。ＳＭＯは、従来型ＯＰＣにおいて達成されるような、フォトマスクに単に補助構造部を加えること又はフォトマスク内で縁部を移動させることよりも複雑である。ＯＰＣにおいて、フォトマスク設計は、フィードバック逆バイアス法により、又は補助構造部配置の規則に従って修正される。これと比べて、ＳＭＯにおいては、マスク・パターンを最適化するために、そして同時にマスクを照射する光源のパターンを最適化するために、より複雑な修正がフォトマスク設計に施される。１つの特定のＳＭＯ手法においては、最適化技術を用いて、リソグラフィ露光プロセスにおける好ましい照射及び結像形成波を定める光源及び光学マスク・パターンの最適なセットが決定される。この時点では、光学マスク・パターンは、周波数ドメインで又は連続的値で理想的に表される。次に、波面処理技術（ｗａｖｅｆｒｏｎｔ  ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ）を用いて、マスク・パターンが最適照射ビームにより照射されたときに最適の結像形成波を生成することができる、製造可能なマスク・パターンのセットが決定される。
【０００６】
従って、波面処理技術は、露光光源におけるある点から照射されたときに、リソグラフィ露光ツールによって収集される光ビーム内に特定の光波を生成する、製造可能なマスク形状の生成に関連する。波が１つの表面から別の表面にどのように伝播するかは既知であるので、波は任意の平面又は表面上で指定することができる。２つの自然な選択は、波を露光ツールの投射レンズのひとみ内において指定すること（波は、例えば、回折次数振幅である）、又はマスク形状を含むマスクの出口面上の点における場振幅として指定することである。後者の場合、波は、等価な連続的マスクの透過率のマップとして理解することができ、これはピクセル値とすることができる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の目的は、半導体デバイス設計用のマスク・データの波面処理を行うための、従来技術の欠陥を克服する改善された方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の実施形態の方法は、光波データを領域に分割するコンピューティング・デバイスのプロセッサを含む。光波データを領域に分割した後、プロセッサは、各領域の光波データだけを考慮し、各領域の複数の隣接領域の光波データを考慮せずに、各領域の光波データに対して第１の波面処理を実行する。各領域の光波データに対して第１の波面処理を実行した後、プロセッサは、第１の波面処理の結果に基づいて、各領域の光波データを規格化する。各領域の光波データを規格化した後、プロセッサは、規格化された各領域の光波データに少なくとも基づいて、各領域の光波データに対して第２の波面処理を実行する。第２の波面処理は、各領域の光波データと、各領域の隣接領域の光波データを含む各領域の回りの保護帯とを考慮する。
【０００９】
一実施形態において、本方法は光波データを受け取ることを含む。光波データは、１つ又は複数のマスク設計プロセスによって生成することができる。第１の波面処理及び第２の波面処理は、これらマスク設計プロセスの型に依存せず且つそれらに関わりなく実行される。例えば、光波データは、各領域に対して独立且つ並列に光近接効果補正（ＯＰＣ）を実行し、ＯＰＣの結果を光波データに変換する（例えばフーリエ変換により）ことによって生成することができる。この実施例及び他の実施例において、光波データが分割される領域は、マスク設計プロセスが独立且つ並列に実行される領域に対応することに留意されたい。第２の例として、光波データは、各領域に対して独立且つ並列にソース・マスク最適化（ＳＭＯ）を実行することにより生成することができる。
【００１０】
第３の例として、領域は第１の領域及び第２の領域を含むことができる。光波データは、第１の領域に対して、第１の領域の各々に対して独立且つ並列に実行される第１のマスク設計プロセスに従って生成することができる。これと比べて、光波データは、第２の領域に対して、第２の領域の各々に対して独立且つ並列に実行される第２のマスク設計プロセス（第１のマスク設計プロセスとは異なる）に従って生成することができる。例えば、第１のマスク設計プロセスはＯＰＣとすることができ、一方第２のマスク設計プロセスはＳＭＯとすることができ、ここでＯＰＣは、半導体デバイスの比較的まばらな集積を有する領域に対して実行することができ、ＳＭＯは、そのデバイスの比較的密な集積を有する領域に対して実行することができる。
【００１１】
本発明の実施形態のコンピュータ可読媒体は、その上にストアされたコンピュータ・プログラムを有する。コンピューティング・デバイスのプロセッサによるコンピュータ・プログラムの実行により、方法が実行される。本方法は、半導体デバイス設計の光波データを領域に分割する。光波データを領域に分割した後、本方法は、各領域の光波データだけを考慮し、各領域の複数の隣接領域の光波データを考慮せずに、各領域の光波データに対して第１の波面処理を実行する。各領域の光波データに対して第１の波面処理を実行した後、本方法は、第１の波面処理の結果に基づいて、各領域の光波データを規格化する。各領域の光波データを規格化した後、本方法は、規格化された各領域の光波データに少なくとも基づき、各領域の光波データに対して第２の波面処理を実行する。第２の波面処理には、各領域の光波データと、各領域の隣接領域の光波データを含む各領域の回りの保護帯とを考慮する。
【００１２】
本発明の実施形態の半導体デバイスは、マスクを用いて作製される。マスクは、方法を実行することによって生成される。本方法は、光波データを領域に分割するコンピューティング・デバイスのプロセッサがことを含む。光波データを領域に分割した後、プロセッサは、各領域の光波データだけを考慮し、各領域の複数の隣接領域の光波データは考慮せずに、各領域の光波データに対して第１の波面処理を実行する。各領域の光波データに対して第１の波面処理を実行した後、プロセッサは、第１の波面処理の結果に基づいて、各領域の光波データを規格化する。各領域の光波データを規格化した後、プロセッサは、規格化された各領域の光波データに少なくとも基づき、各領域の光波データに対して第２の波面処理を実行する。第２の波面処理は、各領域の光波データと、各領域の隣接領域の光波データを含む各領域の回りの保護帯とを考慮する。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の実施形態による方法のフローチャートである。
【図２】本発明の一実施形態による、図１の方法の一パートの典型的な動作を示す図表である。
【図３】本発明の異なる実施形態による、図１の方法の異なるパートの代表的な動作を示す図である。
【図４】本発明の異なる実施形態による、図１の方法の異なるパートの代表的な動作を示す図である。
【図５】本発明の異なる実施形態による、図１の方法の異なるパートの代表的な動作を示す図である。
【図６】本発明の実施形態による、図１の第２の波面処理が代表的領域に関してどのように実行されるかを示す図である。
【図７】本発明の実施形態による、図１の第２の波面処理が領域のグループ毎にどのように実行されるかを示す図である。
【図８】本発明の一実施形態による、図１の方法をそれに関して実行することができるフォトマスクの１つの型式を示す図である。
【図９】本発明の異なる実施形態による、図１の方法をそれに関して実行することができるフォトマスクの異なる型式を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
背景技術の節で記したように、リソグラフィ結像形成用に最適化された光波に対して波面処理を実行することができ、その結果、波面処理によって生成されたマスク・パターンを用いる後続のフォトリソグラフィは、例えば作製プロセス中の半導体デバイスを含む半導体ウェハの上に、所望の構造部を適切にリソグラフィによりプリントすることができる。波面処理の実行を速めるために、従来技術の一手法は、最適化された光波データを多数の作業ユニットに分割し、波面処理を各作業ユニットについて独立に、そして多くの場合並列に実行する。即ち、各作業ユニットには、波面処理が実行される全ての他の作業ユニットと同時ではなくても並行して、独立に波面処理が実行される。独立の作業ユニットが逐次的に処理されるときでも、全体の処理時間は、作業が別個の部分に分割されるとその影響が緩和される望ましくない非直線性を処理動作が含むときには、通常短くなるであろう。
【００１５】
この手法の問題は、作業ユニット間の境界で起る。ひとたび波面処理が各作業ユニットに対して実行されると、問題のフォトマスクを実現するために作業ユニットは再び「縫合される」必要がある。しかし、波面処理は各ユニットに対して独立に実行されるので、作業ユニットがそこで縫合される作業ユニットの境界において不一致及び不適合が起る可能性がある。
【００１６】
これらの不一致及び不適合を最小にするために、従来技術の手法は、所与の作業ユニットに対して波面処理を実行するときに所与の作業ユニットの回りの「保護帯（ｇｕａｒｄ  ｂａｎｄ」を考慮する。保護帯は、所与の作業ユニットの直ぐ隣にある各作業ユニット内の光波データの一部分を考慮に入れたものである。しかし、この回避策は作業ユニットの境界における不一致及び不適合を完全には解消しない。
【００１７】
この理由は、保護帯が所与の作業ユニットの直ぐ隣にある各作業ユニット内の元の光波データの一部分を考慮に入れたものであるからである。即ち、保護帯は、各々の隣接作業ユニット内の波面処理後の実際のマスク形状データの一部分を考慮に入れることができない。この理由は、各作業ユニットの光波データが、全ての他の作業ユニットの光波データと独立に、そして多くの場合並列に（即ち並行して）波面処理されるからである。各作業ユニットの波面処理は、単に各作業ユニットの元の光波データだけを利用したものである。
【００１８】
同様の不適合は、重なり合う作業ユニットを用いて処理される大きな面積のリソグラフィ・マスク、例えば、その構造部が光近接効果補正（ＯＰＣ）によって又は補助構造部レイアウトによって処理される大きなマスクを設計するための他の手法においても生じる。一般に、不適合は、別個の作業ユニットとして処理される隣接マスク領域のマスク・パターン内で生じる可能性がある。
【００１９】
本発明の実施形態は、これらの問題を克服する。具体的には、２つの型の波面処理が光波データに対して実行される。光波データは領域に分割される。第１の波面処理が、各領域の光波データに対して実行され、その結果に基づいて各領域の光波データを規格化することができる。この第１の波面処理は、粗い波面処理と考えることができ、その理由は、各領域の光波データだけが考慮され、いずれの隣接領域の光波データも考慮されないためである。
【００２０】
ひとたび各領域のマスク・データが規格化されると、第１の波面処理に基づいて規格化された各領域のマスク・データに少なくとも基づいて、各領域のマスク・データに対する第２の波面処理が実行される。この第２の波面処理は、微細波面処理と考えることができ、その理由は、各領域のマスク・データ、並びに各領域の回りの隣接領域のマスク・データを含む保護帯が考慮されるからである。第２の波面処理は、領域を効果的に再縫合して、フォトリソグラフィに用いることができるフォトマスクを形成する。
【００２１】
一実施形態において、第２の波面処理は、領域をグループに編成することによって実行される。各々の領域は、１つのグループにのみ割り当てられる。所与のグループの所与の領域の回りの保護帯は、所与のグループの他のいずれの領域とも重なり合わず、且つ、所与のグループの他のいずれの領域の回りの保護帯とも重なり合わない。従って、第２の波面処理は、各グループの領域に対して並列に、逐次的に実行することができる。
【００２２】
例えば、第２の波面処理は、初めに１つのグループの領域に対して並列に実行され、次いで他のグループの領域に対して並列に実行され、以下同様に、全てのグループの領域が第２の波面処理を受けるまで実行することができる。このようにして、波面処理は、領域境界における不一致及び不適合が少なくとも実質的に解消されるように実行することができる。さらに、第２の波面処理中でも、グループ毎にグループの領域に対して並列処理が行われるので、動作が過度に低下することはない。
【００２３】
従って、波面処理はソース・マスク最適化（ＳＭＯ）の要素と考えることができ、それゆえに、随意に並列波面処理のために別個の作業ユニットに分割される光波の拡張セットを、ＳＭＯステップを用いて生成することができる。しかし、光波の拡張セットはまた、マスク・パターンの予備的セットのフーリエ変換を行うことによって生成することもでき、ここで予備的とは、パターンがさらに完全に設計される必要があることを意味する。フーリエ変換は、マスク・パターンを含むマスクから外側に回折される振幅を与える。ＳＭＯ、ＯＰＣ、又は補助構造部生成などの任意のマスク設計法を随意に用いて、予備的マスク・パターンを設計することができる。
【００２４】
次に、隣接する作業ユニットの光波を波振幅の単純平均によって縫合し、予備的マスク・パターンのセット全体の回折振幅を与えることができる。この平均には、例えば、傾斜重みのような加重をかけることができ、その結果、２つの重なり合う作業ユニットのうちの対応する１つの中心に最も近い、重なり合う保護帯の特定の側に対して、近い方のユニットの波の加重をより強めることができる。これと比べて、重なり合う保護帯の反対の側にたいしては、他方の作業ユニットのパターンの加重を強めることができ、加重は、これら２つの側の間の中間領域を直線的に横切るような傾斜型とされる。この点で、このような光波は、予備的マスク・パターンが典型的には膜内の開口を表す形状をとり、従って典型的には性質上２値である点で、予備的マスク・パターン自体とは異なる。適合しない２値形状が隣接作業ユニットの保護帯内で重なり合う場合、これら２値形状が非常に異なった不適合トポロジを有し得るので、従来技術では一般に、適合しない形状間の折り合いを付ける最適縫合を表す形状を決定することが不可能である。
【００２５】
従って、ＳＭＯを伴わない、例えば、ＯＰＣ又は補助構造部生成のようなマスク設計プロセスにおいて、個別の重なり合う作業領域内の予備的マスク・パターンに対して独立にＯＰＣ又は補助構造部生成プロセスを適用することによって予備的マスク設計を形成し、次いで、これら設計を、処理された予備的設計の第１のフーリエ変換を行うことによって縫合して、光波のセットを得ることが可能である。その後、光波は、例えば傾斜加重平均によって縫合される。次に縫合された波面処理を用いて、ＯＰＣ処理された又は補助されたマスク・パターンの、縫合不適合がない縫合セットが生成される。
【００２６】
そのようなステップはまた、マスク設計が暫定的に完了したが、さらに改善が望まれるある程度の数の問題領域がその後に識別された場合にも適用することができる。各々の問題領域は別個の作業ユニットとして取り扱うことができ、この作業ユニットは次に、例えば、ＳＭＯ、又はプロセス・ウィンドウＯＰＣのような強化されたＯＰＣ法により、又は補助構造部の修正セットを用いて、修正又は改善され、次いで、作業領域及び重なり合う保護帯をフーリエ変換によって光波に変換することができる。次にこれらの光波が、例えば、傾斜加重平均によって縫合される。次に、縫合された波面処理結果を用いて、周囲領域と適合する修正された領域内のマスク・パターンを生成する。従って、このようにして従来技術に付随する問題が回避される。
【００２７】
図１は、本発明の実施形態による方法１００を示す。方法１００は、コンピュータ可読データ記憶媒体上にストアされるコンピュータ・プログラムとして実施することができる。コンピュータ可読データ記憶媒体は、ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリのような揮発性コンピュータ可読媒体、ハードディスク・ドライブ又はフラッシュ・メモリのような不揮発性コンピュータ可読媒体、及び／又は他の型のコンピュータ可読媒体とすることができる。コンピューティング・デバイス、例えばコンピュータなどのプロセッサがコンピュータ・プログラムを実行して、その結果、方法１００の実行がもたらされる。従って、コンピューティング・デバイスのプロセッサは、方法１００の各パートを実行するものと考えることができる。
【００２８】
光学的パターンが、波面処理のための入力データとして準備される（１０１）。光学的パターンは、ウェハ上の目標設計のフーリエ変換、又はＯＰＣ処理されたマスク設計のフーリエ変換を行うことによって、又はソース・マスク最適化（ＳＭＯ）からの出力によって準備することができる。これらの光学ドメイン値は、集合的に一般に光波データ呼ばれ、典型的には周波数ドメイン値であり、連続的であり得る。光学的パターンは、理想的なマスク形状及び理想的な波面処理を表す。これに比べると、例えば、空間ドメイン値は、実際のマスク形状を表すことができ、例えば２階調マスクを用いる場合には、２値のみを取ることができる。例えば、ガラスマスク上のクロムの場合、マスクの透過率値はゼロ又は１のどちらかとなる。その場合は、これに比べると光学的パターンでは許容される中間値は、存在することができない。
【００２９】
従って、パート１０１で受け取られる光波データは、ＯＰＣ又はＳＭＯなど殆ど全ての型式のマスク設計プロセスによって準備することができる。例えば、ＯＰＣ型のプロセスにおいて、ＯＰＣは典型的には光波データを生成するものとは見なされない。これに比べて、方法１００のパート１０１は、有利なことに、そして従来技術とは対照的に、それにもかかわらずＯＰＣの出力を光波データとして扱う。従って、全体として方法１００は、それゆえに本発明の実施形態は、極めて全般的な種類の設計プロセスを縫合する方法を、その設計プロセス自体がそのような縫合が可能であることを想定しない場合にも、提供する。このことは、方法１００を以下で詳しく説明する際により明白となるであろう。
【００３０】
光学的パターンは、領域に分割される（１０２）。従って、各光学的パターンが分割された各領域は、光学ドメインの光学的パターンを含む。図２は、本発明の実施形態による、方法１００のパート１０２の典型的な実行を示す。マスク・データ２００が、集合的に領域２０２と呼ばれる、領域２０２Ａ、２０２Ｂ、．．、２０２Ｎに分割される。マスク・データ２００は、より一般的には光波データと呼ばれる。図２の例において、領域２０２は、いくつかの行及びいくつかの列を有する格子に編成された矩形領域である。図２には、図示の便宜上、４つの行及び４つの列だけが描かれている。しかし、実際には通常、多数の行及び多数の列、例えば、少なくとも数百の行及び数百の列が存在することになる。
【００３１】
図２において、領域２０２の１つの特定の領域２０４を例示的に取り上げる。領域２０４は、各領域２０２がいくつかの隣接領域をどのように有するかを示すために取り上げる。領域２０４は、具体的には８つの隣接領域、２０６Ａ、２０６Ｂ、２０６Ｃ、２０６Ｄ、２０６Ｅ、２０６Ｆ、２０６Ｇ、及び２０６Ｈを有し、これらは集合的に隣接領域２０６と呼ばれる。隣接領域２０６は、それぞれ領域２０４と辺を共有する領域２０６Ｂ、２０６Ｄ、２０６Ｅ、及び２０６Ｇを含む。隣接領域２０６はまた、それぞれ領域２０４と角を共有する領域２０６Ａ、２０６Ｃ、２０６Ｆ、及び２０６Ｈを含む。
【００３２】
再び図１を参照すると、マスク・データ（即ち光波データ）が領域に分割された後、第１の波面処理と呼ばれる処理が、各領域のマスク・データ（即ち光波データ）に対して実行される（１０４）。第１の波面処理は、各領域のマスク・データ（即ち光波データ）に対して、一実施形態においては並列に実行することができる。即ち、この波面処理は、所与の領域のマスク・データ（即ち光波データ）に対して、あらゆる他の領域のマスク・データ（即ち光波データ）に対するこの波面処理の実行と並列に、実行することができる。所与の領域の第１の波面処理は、その所与の領域のマスク・データだけを考慮し、所与の領域の隣接領域など、他のいかなる領域のマスク・データ（即ち光波データ）も考慮しない。この点で、第１の波面処理は、粗い波面処理と考えることができ、その理由は、これが所与の領域の波面処理を実行するときに所与の領域の隣接領域を考慮しないためである。
【００３３】
第１の波面処理は、光学ドメインのマスク・データ（即ち光波データ）の光学値を空間ドメインに変換する。従って、元の光学的パターン値（即ち光学値）は、実際のマスク形状を表す空間値に変換される。
【００３４】
図３は、本発明の実施形態による、方法１００のパート１０４の典型的な実行を示す。図２のマスク・データ２００は、図３ではマスク・データ２００’として示され、光学値が第１の波面処理によって空間値に変換されたことを表す。従って、図２の領域２０２は、図３において対応する領域２０２’を有する。上記のように、マスク・データ２００は、より一般的には光波データと呼ばれる。図２の領域２０２が光学値の領域を表すのに対して、図３の領域２０２’は、光学値が変換された空間値の領域を表す。
【００３５】
領域２０２’は、図３では領域同士が互いに触れない分解された形式で示されており、各領域２０２が、その領域２０２のマスク・データ（即ち、光波データ）だけを考慮し、他のいずれかの領域２０２のマスク・データ（即ち、光波データ）を考慮せずに、対応する領域２０２’に変換されたことを強調するようになっている。例えば、領域２０４’は、図２の対応する領域２０４の光学値が変換された空間値を表す。この変換においては、図２の隣接領域２０６の光学値も、図３の隣接領域２０６’の空間値も考慮されていない。
【００３６】
再び図１を参照すると、第１の波面処理が実行された後、各領域のマスク・データ（即ち、光波データ）が第１の波面処理の結果に基づいて規格化される（１０６）。即ち、各領域の光学値は、第１の波面処理から得られる全ての領域の空間値に基づいて規格化される。このような規格化は、あらゆる領域が同じ輝度又は強度レベルを有することを保証する。これが実行される理由は、最終的にフォトマスクがフォトリソグラフィ中に用いられるとき、フォトマスク全体が光源に曝されるためである。即ち、フォトマスクのすべての領域は、同時に光源に曝される。
【００３７】
パート１０６の規格化は、照射量整合（ｄｏｓｅ  Ｍａｔｃｈｉｎｇ）と呼ぶことができる。照射量整合は、各領域におけるマスク・データ（即ち、光波データ）の光学値が、フォトリソグラフィ中に用いられる同じ「照射量」の光に対する露光に基づくものであることを保証する。一実施形態において、規格化は、以下のように第１の波面処理の結果に基づいて実行される。
【００３８】
初めに、例えば分割された光学的パターンの回折次数値の平均値などの光学値が、各領域に存在する。これらの値は、ｄｏＩｎｉｔＡ、ｄｏＩｎｉｔＢ、ｄｏＩｎｉｔＣ、．．．、ｄｏＩｎｉｔＮのように表すことができる。第１の波面処理は、各々の波面処理されたマスク形状のフーリエ変換値の平均値を取ることによって得られる周波数ドメインの値をもたらす。これらの値は、ｄｏＷｅＡ、ｄｏＷｅＢ、ｄｏＷｅＣ、．．．、ｄｏＷｅＮのように表すことができる。次に、各領域に関する変換効率を、前者の値を後者の値で割ることにより決定することができる、即ち、（ｄｏＩｎｉｔＡ／ｄｏＷｅＡ）、（ｄｏＩｎｉｔＢ／ｄｏＷｅＢ）、（ｄｏＩｎｉｔＣ／ｄｏＷｅＣ）、．．．、（ｄｏＩｎｉｔＮ／ｄｏＷｅＮ）となる。最小の変換効率が規格化のために選択され、これはＫで表すことができる。各々の初期光学値（即ち、ｄｏＩｎｉｔＡ、ｄｏＩｎｉｔＢ、など）にＫを掛けて、各領域の規格化された光学値が得られる。
【００３９】
図４は、本発明の実施形態による方法１００のパート６の代表的な実行を示す。図２のマスク・データ２００は、図４ではマスク・データ２００”で示され、光学値が規格化されたこと（第１の波面処理から得られた空間値に基づいて）を表す。従って、図２の領域２０２は、図４中に、集合的に領域２０２”と呼ばれる、対応する領域２０２Ａ”、２０２Ｂ”、．．．２０２Ｎ”を有する。上記のように、マスク・データ２００はより一般的に光波データと呼ぶことができる。図２の領域２０２が規格化されていない光学値の領域を表すのに対して、図４の領域２０２”は規格化された光学値の領域を表す。
【００４０】
領域２０２”は、図４においては分解された形式で描かれていない。この理由は、光学値が、図３の全ての領域２０２’の空間値を用いて規格化されているからである。即ち、上記のように、全ての領域２０２’の空間値が分析されて最終的に最小変換効率値が探し当てられる。最小変換効率値に基づいて、図２の領域２０２の光学値が規格化されて図４の領域２０２”の規格化された光学値がもたらされる。従って、このように、図３の全ての領域２０２’の空間値を用いて、領域２０２”の規格化された光学値が生成されると言うことができる。
【００４１】
図５は、本発明の特定の実施形態に従い、どのようにして空間ドメイン値を光学ドメイン値に戻すことができるかを示す。具体的には、図５のマスク・データ２００’は、第１の波面処理によって光学値が変換された空間値を表す。図５において、２つの領域２０２Ａ’及び２０２Ｂ’を具体的に取り上げる。重み関数４０４は、領域２０２Ａ’に対して、領域２０２Ａ’の空間値を変換して光学値に戻すときに領域２０２Ａ’が用いられる程度を、領域２０２Ｂ’が用いられる程度に対立するものとして示す。重み関数４０４はまた、領域２０２Ｂ’に対して、領域２０２Ｂ’の空間値を変換して光学値に戻すときに領域２０２Ａ’が用いられる程度を、領域２０２Ｂ’が用いられる程度に対立するものとして示す。重み関数４０４は、直線的傾斜として図示されるが、他の実施形態においては別の型式の重み関数にすることができる。
【００４２】
区域４０２の左側までは、領域２０２Ａ’の空間値を光学値に戻すときに領域２０２Ｂ’は全く使われない（又は、言い換えれば、領域２０２Ａ’だけが考慮される）。しかし区域４０２内では、この変換に用いられる領域２０２Ａ’の部分が左から右に向かって減少し（図５の特定の波動関数４０４内では直線的に）、その結果、用いられる領域２０２Ｂ’の部分が増加する。同様に、区域４０２の右側までは、領域２０２Ｂ’の空間値を光学値に戻すときに領域２０２Ａ’は全く使われない（又は、言い換えれば、領域２０２Ｂ’だけが考慮される）。しかし区域４０２内では、この変換に用いられる領域２０２Ａ’の部分が右から左に向かって増加し（図５の特定の波動関数４０４内では直線的に）、その結果、用いられる領域２０２Ｂ’の部分が減少する。
【００４３】
再び図１を参照すると、各領域のマスク・データ（即ち、光波データ）が規格化された後、第２の波面処理が、各領域のマスク・データ（即ち、光波データ）に対して実行される（１０８）。パート１０４の第１の波面処理とは異なり、パート１０８における所与の領域の第２の波面処理には、所与の領域のマスク・データ（即ち、光波データ）のみならず、所与の領域の隣接領域のマスク・データ（即ち、光波データ）が考慮される。この点で、第２の波面処理は、所与の領域に対して波面処理を行うときに所与の領域の隣接領域が考慮されるので、第１の波面処理よりも粒度が細かい微細波面処理と考えることがでる。
【００４４】
第２の波面処理はまた、光学ドメイン内のマスク・データの光学値を空間ドメインに変換する。種々の実施形態において、空間ドメインに変換されるマスク・データの光学値は以下の１つ又は複数とすることができる。第１に、光学値は、パート１０６の規格化から得られる規格化された光学値とすることができる。第２に、所与の領域が第２の波面処理の実行により既に空間値に変換されている場合、そして所与の領域が別の領域を空間値に変換するのに必要とされる場合、光学値は、所与の領域の空間値が規格化された光学値に再変換されたものとすることができる。従っていずれの場合にも、第２の波面処理によって空間値に変換される光学値が、最終的に規格化された光学値となる。
【００４５】
さらに、マスク・データ（即ち、光波データ）の光学値を空間ドメインの空間値に変換する方法は、従来的に遂行される方法とすることができる。所与の領域の第２の波面処理には、所与の領域の隣接領域が考慮されるので、これらの領域の境界における不一致及び不適合は解消されるが、このことは、後で詳細な説明においてより詳しく論じる。さらに、第２の波面処理は、所与の領域の第２の波面処理に所与の領域の隣接領域が考慮されるという事実により、領域同士を効果的に縫合すると言える。
【００４６】
一実施形態において、波面処理、例えば第２の波面処理は、「Ｍｅｔｈｏｄ  ｆｏｒ  ｆｏｒｍｉｎｇ  ａｒｂｉｔｒａｒｙ  ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｉｃ  ｗａｖｅｆｒｏｎｔｓ  ｕｓｉｎｇ  ｓｔａｎｄａｒｄ  ｍａｓｋ  ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ」と題する、２００９年４月２９日出願の米国特許出願第１２／４３１，８６５号に記載されているように実行される。この手法においては、線形計画問題を解いて、最適化された空間的データが得られる。線形計画問題においては、輝度を最大にすること又はマスク・エラー増大因子（ＭＥＥＦ）を最小にすることが、目標の光学値及び製造可能性に関する種々の制約下での目的と考えることができる。
【００４７】
図６は、本発明の実施形態による、単一の代表領域に対する方法１００のパート１０８の代表的な実行を図示する。規格化された光学値の代表領域２０４”を、その隣接領域と共に具体的に示す。領域２０６Ａ’’’２０６Ｂ’’’、２０６Ｃ’’’、及び２０６Ｄ’”はトリプル・プライムで示されるが、その理由は、これらの領域が既に第２の波面処理を受けており、それゆえに空間値を含んでいるからである。これに比べて、領域２０６Ｅ”、２０６Ｆ”、２０６Ｇ”、及び２０６Ｈ”はダブル・プライムで示されるが、その理由はこれらの領域が未だ第２の波面処理を受けておらず、それゆえに規格化された光学値を含んでいるからである。図６の焦点は、領域２０４”の領域２０４’’’への変換、即ち、第２の波面処理による規格化された光学値の領域から空間的光学値の領域への変換である。
【００４８】
保護帯５０２を図６に示す。保護帯５０２は、領域２０４”に対して第２の波面処理を実行して領域２０４’’’を生成するときに、各々の領域２０６Ａ’’’、２０６Ｂ’’’、２０６Ｃ’’’、２０６Ｄ’’’、２０６Ｅ’’、２０６Ｆ”、２０６Ｇ”、及び２０６Ｈ”が考慮される程度を示す。即ち、領域２０４”の隣接領域の各々の一部分が、領域２０４”に対して第２の波面処理を実行して領域２０４’’’を生成するときに考慮に入れられる。
【００４９】
領域２０４”及びその隣接領域からの領域２０４’’’の生成は、これらの領域の規格化された光学値に基づく。しかし、領域２０６Ａ’’’、２０６Ｂ’’’、２０６Ｃ’’’、及び２０６Ｄ’’’は空間値を含み、光学値を含まない。それゆえに、領域２０６Ａ’’’、２０６Ｂ’’’、２０６Ｃ’’’、及び２０６Ｄ’’’の空間値は、領域２０４’’’の生成のために、一時的に変換されて規格化された光学値に戻される。これに比べて、領域２０６Ｅ”、２０６Ｆ”、２０６Ｇ”、及び２０６Ｈ”はもとから依然として規格化された光学値を含むので、領域２０４”に対して第２の波面処理を実行して領域２０４’’’を生成するために、変換される必要はない。
【００５０】
上記のように、本発明の実施形態の第２の波面処理は領域の境界における不一致及び不適合を解消するのに対して、従来技術では、それら不一致及び不適合をせいぜい最小にすることはできるが、解消することはできない。従来技術は、領域毎に実行される波面処理の並列的実行の性質のために、それらを完全には解消することができない。即ち、全ての領域に対する波面処理を並列に実行し、一領域に対する波面処理が他の各々の領域に対して実行される波面処理と並行して及び／又は同時に実行されるようにすることによっては、従来技術において領域の境界における依存関係を適合させることはできない。
【００５１】
これと比べて、本発明の一実施形態においては、領域の境界におけるそれら不一致及び不適合を完全に解消するために、ハイブリッド型の逐次−並列手法を使用する。具体的には、領域を適切にグループに編成し、各々の領域が１つグループにのみ割り当てられるようにする。この編成は、所与のグループの所与の領域の回りの保護帯が、所与のグループの他のいずれの領域とも重なり合わず、さらに所与のグループの他のいずれの領域の回りの保護帯とも重なり合わないようにする。
【００５２】
各グループ内の領域は、並列に第２の波面処理を受けることができ、その結果、所与のグループ内の各領域が、第２の波面処理を受ける同じグループ内の他のあらゆる領域と並行して及び／又は同時に第２の波面処理を受ける。しかし、グループそれ自体は逐次的に処理される。例えば、初めに第１のグループの全ての領域が処理され（即ち、第２の波面処理を並列に受けることにより）、その後、第２のグループの全ての領域が処理され、以下同様である。この手法では、所与のいずれの時点でも所与のグループの領域だけが並列に第２の波面処理を受けるので、並列処理が逐次的に用いられる。異なるグループの領域は、逐次的に処理される。次にこの手法を詳しく説明する。
【００５３】
再び図１を参照すると、一実施形態において、パート１０８は、上記のように、初めに領域をグループに編成することによって実行される（１１０）。図７は、本発明の実施形態により、図２のマスク・データ２００の領域２０２をどのように４つの異なるグループに分割することができるかを示す。図７の各領域２０２の中央に文字Ａ、Ｂ、Ｃ、又はＤがある。文字Ａ、Ｂ、Ｃ、及びＤは、領域２０２が分割された４つのグループＡ、Ｂ、Ｃ、及びＤに対応し、ここで特定の領域２０２の内部の文字はその領域２０２が所属するグループを示す。上記のように、マスク・データ２００は、より一般的に光波データと考えることができる。
【００５４】
領域２０２は、これら４つのグループＡ、Ｂ、Ｃ、及びＤに、以下のように編成される。格子の奇数番目の行、例えば、第１の行６０４Ａ及び第３の行６０４Ｃの領域２０２は、グループＡから出発して逐次的且つ反復的にグループＡ、Ｂ、Ｃ、及びＤに割り当てられる。これと比べて、偶数番目の行、例えば、第２の行６０４Ｂ及び第４の行６０４Ｄの領域２０２は、グループＣから出発して逐次的且つ反復的にグループＡ、Ｂ、Ｃ、及びＤに割り当てられる。
【００５５】
この、領域２０２の４つのグループＡ、Ｂ、Ｃ、及びＤへの編成は、所与の領域の回りの保護帯が同じグループ内のいずれの他の領域とも重なり合わず、且つ、同じグループ内の他のいずれの領域の保護帯とも重なり合わないことを保証する。例えば、図７において、グループＡに属する領域２０２の回りの保護帯を点線６０２で示す。グループＡに属するそのような各領域２０２の回りの保護帯は、同じグループＡ内の他のいずれの領域とも重なり合わず、且つ、グループＡ内の他のいずれの領域の保護帯とも重なり合わない。
【００５６】
従って、グループＡ内の領域２０２は並列に第２の波面処理を受けることができ、グループＡ内の各領域２０２の保護帯がグループＡ内の他のいずれの領域２０２とも重なり合わないので、境界における不一致及び不適合が完全に解消される。これは、領域を並列に波面処理することにより、処理される他の領域と重なり合う保護帯を有する領域が処理されることになる従来技術とは対照的である。
【００５７】
例えば、図７に関連して、領域２０２Ａは、従来技術においては領域２０２Ｂと並列に処理され得る。しかし、領域２０２Ａの保護帯は領域２０２Ｂと重なり合い、逆もまた同様である。このことは、これら２つの領域２０２Ａ及び２０２Ｂが同時に処理されるとき競合状態が起る可能性があり、その結果、領域２０２Ａと領域２０２Ｂとの間の境界における不一致及び不適合をせいぜい最小にすることはできるが、本発明の実施形態におけるように完全に解消することはできないことを意味する。
【００５８】
再び図１を参照すると、現在グループが、領域が編成されたグループのうちの第１のグループに設定される（１１２）。第２の波面処理が、現在グループの全ての領域に対して並列に実行される（１１４）。その後、現在グループが最後のグループではない場合には（１１６）、現在グループは次のグループに進み（１１８）、方法１００はパート１１４で新たな現在グループに対して繰返される。ひとたび全ての領域のグループが第２の波面処理を受けると、現在グループが最後のグループとなり（１１６）、パート１０８は終了する（１２０）。
【００５９】
再び図７を参照すると、初めにグループＡ内の領域２０２が並列に第２の波面処理を受ける。これが終了すると、次にグループＢ内の領域２０２が並列に第２の波面処理を受ける。これが終了すると、グループＣ内の領域２０２が並列に第２の波面処理を受ける。これが終了すると、グループＤ内の領域２０２が並列に第２の波面処理を受ける。従って、所与のグループの領域の波面処理は、この所与のグループの他の領域とは並列に実行されるが、この所与のグループの領域の波面処理は、他のグループの領域に対しては直列に（即ち、逐次的に）実行される。
【００６０】
再び図１を参照すると、ひとたび第２の波面処理が実行されると、結果として得られる製造可能マスク形状データは、出力され又は半導体デバイスのインスタンスを作製するために使用され、後者は従来と同様である（１２２）。第２の波面処理の結果は、領域の境界間の不一致及び不適合が解消された空間値を含む実際のマスク形状データである。このマスク・データはマスクを表すものであり、これは、例えば、ユーザに対してディスプレイ装置上に表示すること、ネットワーク上で通信すること、印刷装置を用いて印刷すること、及び記憶装置上に記憶することなどによって、出力することができる。最終的に、このマスク・データが表すマスクはリソグラフィに用いられ、マスクに対応する設計を有する半導体デバイスのインスタンスが作製される。
【００６１】
このように、方法１００は、大部分のマスク設計プロセスが効率のために独立した作業ユニット内で行われる、極めて全般的な種類のマスク設計プロセスを縫合する方法を提供する。ＳＭＯ以外の全ての従来技術において、マスク設計プロセスは、光波データを生じるものとは全く考えられておらず、それに比べると方法１００はこれが出発点であると想定する。さらにＳＭＯでさえも、方法１００におけるように光波データを縫合することはせず、また波面処理自体のその後の縫合も行わない。方法１００における波面処理から得られる光波は、例えば、独立に設計された作業ユニット（即ち、領域）のマスク・パターンに対してフーリエ変換を行うことによって得ることができる。従って、一般に、方法１００は、ＳＭＯ、ＯＰＣなどの全ての型式のマスク設計プロセスに適用可能である。方法１００の核心は、光波データを、記述された領域に対して独立に生成し、次いで方法１００によって縫合することができることである。
【００６２】
方法１００のこの利点を強調するために、図８及び図９は、本発明の異なる実施形態による、方法１００を実行することができる２つの異なる型式のフォトマスクを示す。図８において、フォトマスク７００又はマスク・データが、領域７０２Ａ、７０２Ｂ、．．．、７０２Ｎに分割され、これらは集合的に領域７０２と呼ばれる。ＯＰＣを各領域７０２に対して独立に実行し、次いでフーリエ変換を行って、光波データを生じさせることができ、この光波データに対して方法１００が実行される。代替的に、ＳＭＯを各領域７０２に対して独立に実行して光波データを生じさせることができ、この光波データに対して方法１００が実行される。
【００６３】
即ち、ＯＰＣ又はＳＭＯのようなマスク設計プロセスの結果が光波データを生じる限り、方法１００を実行するのにどのような型のマスク設計プロセスを用いるかは問題ではない。従って、方法１００は、各領域７０２に対して、他のあらゆる領域７０２とは独立に適用されるマスク設計プロセスの結果を縫合することができる一般化された手法である。並列処理を有利に用いて、領域７０２毎に光波データを生成することができ、次いで、方法１００を用いて、異なる領域７０２の光波データを縫合することができる。
【００６４】
さらに、異なるマスク設計プロセスを異なる領域に用いることができる。例えば、図９において、フォトマスク７５０又はマスク・データを中央処理装置（ＣＰＵ）のようなプロセッサ用のものとする。フォトマスク７５０は、一次領域７５２と、集合的に二次領域７５４と呼ばれる２つの二次領域７５４Ａ及び７５４Ｂとを有する。一次領域７５２は比較的まばらな半導体デバイスの集積を有し、これに対して二次領域７５４は比較的密な半導体デバイスの集積を有する。図９の例において、二次領域７５４は、スタティック・ランダム・アクセス・メモリ（ＳＲＡＭ）、例えば、図９のプロセッサのレベル２（Ｌ２）キャッシュに対応するものとすることができる。
【００６５】
一次領域７５２は第１の領域に分割することができ、二次領域７５４は第２の領域に分割することができるが、これは図９には描いていない。伝統的なＯＰＣを第１の領域に対して並列に実行し、結果をフーリエ変換して光波データを得ることができ、一方ＳＭＯを第２の領域に対して並列に実行して光波データを生じさせることができる。次に、全ての第１及び第２の領域の光波データが、方法１００を実行することによって縫合される。
【００６６】
従って、図９は、必要に応じて異なるマスク設計プロセスを異なる領域に用いることができること、そしてそのような異質に生成された光波データでもなお方法１００によって縫合することができることを示す。このことは、フォトマスク７５０の異なる部分に異なる型式のマスク設計プロセスの利点を生かすことができるので、有利である。領域７５２におけるような半導体デバイスのまばらな集積には、ＳＭＯよりも典型的には迅速に実行されるＯＰＣを実行することができる。これと比べて、領域７５４におけるような半導体デバイスの密な集積にだけ、ＯＰＣよりも典型的にはゆっくり実行されるＳＭＯを実行することができる。
【００６７】
換言すれば、方法１００は、領域毎に独立に生成された光波データを入力として受け取るので、所与の領域の光波データを生成するのにどのようなマスク設計プロセスが用いられたかは、方法１００の最終的な実行には問題にならない。図９が例証するように、ＯＰＣ（及びその後のフーリエ変換）を用いて幾つかの領域の光波データを生成することができ、ＳＭＯを用いてその他の領域の光波データを生成することができる。方法１００は、所与の領域の光波データを生成するのに用いられるマスク設計プロセスには依存せず、このことは、異なるマスク設計プロセスを用いて異なる領域の光波データを生成することができることを意味する。
【００６８】
図８及び図９において、光波データを生じさせるためにＯＰＣ及び／又はＳＭＯのような１つ又は複数のマスク設計プロセスが独立且つ並列に実行される領域は、方法１００のパート１０２において全体としてのマスク・データが分割されてなる領域とすることができる。換言すれば、パート１０２におけるマスク・データの領域への分割は、光波データを生じさせるためにマスク設計プロセスが実行されたのと同じ領域を用いることによって、簡単に遂行することができる。従って、そのような実施形態において、パート１０２におけるマスク・データの領域への分割は、新たな分割ではなく、それら領域に対して独立且つ並列にマスク設計プロセスを実行する前に行われたのと同じ分割である。
【００６９】
最後に、本明細書では特定の実施形態を示し説明したが、当業者であれば、同じ目的を達成するように計算されたいずれかの配置により、図示した特定の実施形態を置き換えることができることを認識するであろうことを留意されたい。本明細書で説明したものに加えて、本発明の実施形態の他の用途及び使用が、少なくとも幾つかの実施形態に対して適用可能である。本出願は、本発明のあらゆる適合及び変形をカバーすることを意図したものである。従って、本発明は特許請求の範囲及びその均等物によってのみ限定されるべきであることが明白に意図されている。
【符号の説明】
【００７０】
２００：マスク・データ
２００’：マスク・データ（空間値）
２００”：マスク・データ（規格化された光学値）
２０２、７０２：領域
２０４：特定の領域
２０６：隣接領域
４０２：区域
５０２、６０２：保護帯
６０４：行
７５０：フォトマスク
７５２：一次領域
７５４：二次領域
Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ：グループ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【国際調査報告】
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