(57)【要約】金属コンポーネント（２６２Ｍ，３００Ｍ）は、例えば水素ラジカルジェネレータ内のスペクトル純度フィルタ（２６０）または加熱要素（３００）として、ＥＵＶリソグラフィ装置で用いるために設計される。金属の露出表面は、動作前に空気環境内の金属の酸化物の形成を抑えるように処理される（２６２Ｐ，３００Ｐ）。これは、上昇した温度での前記コンポーネントの動作中における酸化物の後続の蒸発による光学コンポーネントの汚染を防ぐ。【選択図】図６
2013535806.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＥＵＶリソグラフィ装置で用いるコンポーネントであって、
該コンポーネントは、少なくとも部分的に金属製であり、使用中は近真空の環境に配置されかつ該環境に対して上昇した温度で動作され、
前記金属の露出表面は、動作前に空気環境内の前記金属の酸化物の形成を抑えるように処理されており、それによって、前記上昇温度での動作中における前記酸化物の後続の蒸発による前記環境の汚染を防ぐ、コンポーネント。
【請求項２】
前記金属は、タングステン、タングステン合金、モリブデンまたはモリブデン合金である、請求項１に記載のコンポーネント。
【請求項３】
前記金属は、異なる材料でコーティングすることによって処理されており、該異なる材料は、前記上昇温度にて揮発性の酸化物を形成しない、請求項１または２に記載のコンポーネント。
【請求項４】
前記異なる材料は、酸化の影響を受けにくい異なる金属を含み、前記異なる金属は、例えば、イリジウム、レニウム、ロジウム、ルテニウムおよびプラチナのうちの１つを含む、請求項３に記載のコンポーネント。
【請求項５】
前記異なる材料は、前記金属自体の酸化物より安定的な酸化物、例えば、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウムおよび酸化ハフニウムのうちの１つを含む、請求項３に記載のコンポーネント。
【請求項６】
前記異なる材料は、窒化物、炭化物、ダイヤモンド状炭素および金属ケイ化物のうちの１つを含む、請求項３に記載のコンポーネント。
【請求項７】
前記金属は、異なる材料を形成するように前記金属を前記露出表面で修正することによって処理されている、請求項１または２に記載のコンポーネント。
【請求項８】
前記異なる材料は、前記金属の窒化物または炭化物である、請求項３に記載のコンポーネント。
【請求項９】
前記金属は合金を含んでおり、該合金は、少なくとも１つの構成要素が前記表面で偏析する傾向があり、それによって前記金属の組成を前記露出表面で変化させる、請求項１または２に記載のコンポーネント。
【請求項１０】
前記構成要素は、酸化の影響を受けにくい異なる金属であり、該異なる金属は、例えば、イリジウム、レニウム、ロジウム、ルテニウムおよびプラチナのうちの１つを含む、請求項９に記載のコンポーネント。
【請求項１１】
前記構成要素は、酸化物が蒸発の影響を受けにくい異なる金属、例えば、アルミニウム、酸化ジルコニウムおよびハフニウムのうちの１つである、請求項９に記載のコンポーネント。
【請求項１２】
極端紫外線を透過させるように構成されたスペクトル純度フィルタの形態を有するコンポーネントであって、該スペクトル純度フィルタは、極端紫外線を透過させかつ第２タイプの放射の透過を抑制するために複数のアパーチャを有するフィルタ部分を含み、該フィルタ部分は、前記金属で加工されるかまたはキャリア材料で加工されかつ前記金属によって少なくとも部分的にコーティングされる、請求項１〜１１のうちのいずれかに記載のコンポーネント。
【請求項１３】
原子状ガス、例えば原子状水素、の生成のために前記環境内のガス状分子を加熱するための加熱要素の形態を有する、請求項１〜１２のうちのいずれかに記載のコンポーネント。
【請求項１４】
極端紫外線を含む放射を生成するように構成された放射源と、
前記放射を放射ビームに調整するように構成された照明システムと、
前記放射ビームをパターン付けするように構成されたパターニングデバイスを支持するように構成されたサポートと、
パターン付き放射ビームをターゲット材料上に投影するように構成された投影システムとを備え、
前記放射源、前記照明システムおよび前記投影システムのうちの少なくとも１つは、請求項１〜１３のうちのいずれかに記載のコンポーネントとともに近真空環境内に収容される、リソグラフィ装置。
【請求項１５】
ＥＵＶリソグラフィ装置で用いる金属コンポーネントを製造する方法であって、少なくとも部分的に金属の前記コンポーネントを形成することと、その後、動作前に空気環境内の前記金属の酸化物の形成を抑えるように前記金属の露出表面を処理することとを含む、方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
[0001]  本出願は、２０１１年６月６日に出願した米国仮出願第６１／３６１，７５１号の優先権を主張し、その全体が参照により本出願組み込まれる。
【０００２】
[0002]  本発明は、極端紫外線（ＥＵＶ）リソグラフィ装置内部での上昇した温度で用いる金属コンポーネントに関する。そのようなコンポーネントは、例えば、金属グリッド型スペクトル純度フィルタおよびフィラメント型水素ラジカルジェネレータであってよいが、本発明はこれらに限定されない。本発明は、さらに、当該コンポーネントを含むリソグラフィ装置および当該コンポーネントを製造する方法に関する。
【背景技術】
【０００３】
[0003]  リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板上、通常、基板のターゲット部分上に付与する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に用いることができる。その場合、ＩＣの個々の層上に形成される回路パターンを生成するために、マスクまたはレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを用いることができる。このパターンは、基板（例えば、シリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば、ダイの一部、または１つ以上のダイを含む）に転写することができる。通常、パターンの転写は、基板上に設けられた放射感応性材料（レジスト）層上への結像によって行われる。一般には、単一の基板が、連続的にパターニングされる隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。公知のリソグラフィ装置としては、ターゲット部分上にパターン全体を一度に露光することにより各ターゲット部分を照射するステッパ、および放射ビームによってある特定の方向（「スキャン」方向）にパターンをスキャンすると同時に、この方向に平行または逆平行に基板をスキャンすることにより各ターゲット部分を照射する、スキャナが含まれる。パターンを基板上にインプリントすることにより、パターニングデバイスから基板にパターンを転写することも可能である。
【０００４】
[0004]  パターン印刷を制限する重要な要因は、使用される放射の波長λである。より小さい構造を基板上に投影できるようにするためには、１０〜２０ｎｍの範囲内、例えば１３〜１４ｎｍの範囲内の波長を有する電磁放射である極端紫外線（ＥＵＶ）を使用することが提案されている。さらに、１０ｎｍより小さい波長、例えば６．７ｎｍまたは６．８ｎｍといったように５〜１０ｎｍの範囲内の波長を有するＥＵＶ放射が使用されてもよいことが提案されている。そのようなＥＵＶ放射を軟Ｘ線と呼ぶことがある。可能な放射源としては、例えば、レーザ生成プラズマ源、放電プラズマ源、または電子蓄積リングからのシンクロトロン放射が挙げられる。
【０００５】
[0005]  Ｓｎプラズマに基づくＥＵＶ源は、所望の帯域内ＥＵＶ放射のみではなく、帯域外放射、特に深ＵＶ（ＤＵＶ）範囲（１００〜４００ｎｍ）内の放射も放出する。さらに、レーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）ＥＵＶ源の場合、通常１０．６μｍのレーザからの赤外放射は、かなりの量の望ましくない放射を表す。ＥＵＶリソグラフィシステムの光学系は通常この波長においてかなりの反射率を有するため、何らかの手段がとられない場合、望ましくない放射はかなりの力を有してリソグラフィツールへと伝搬する。
【０００６】
[0006]  リソグラフィ装置においては、帯域外放射はいくつかの理由により最小限にされるべきである。第１に、レジストは帯域外波長に対して敏感であり、よって画像品質が低下し得る。第２に、望ましくない放射、特にＬＰＰ源における１０．６μｍの放射は、マスク、ウェーハおよび光学系の望ましくない加熱へと繋がる。望ましくない放射を特定の範囲内とするために、スペクトル純度フィルタ（ＳＰＦ）が開発されている。
【０００７】
[0007]  スペクトル純度フィルタは、ＥＵＶ放射に対して反射型または透過型のいずれかであってよい。
【０００８】
[0008]  グリッドＳＰＦは、望ましくない放射がＥＵＶ放射より長い波長を有した場合、例えばＬＰＰ源の１０．６μｍ放射の場合に使用することができる透過型ＳＰＦの集合を形成する。グリッドＳＰＦは、抑制するべき波長程度のサイズを有するアパーチャを含む。従来技術およびこの文書のさらなる詳細な実施形態に記載されるように、抑制機構は、様々なタイプのグリッドＳＰＦの中で異なり得る。ＥＵＶ放射の波長（１３．５ｎｍ）がアパーチャのサイズ（一般的に、＞３μｍ）より小さいため、ＥＵＶ放射は実質的な回折を伴わずにアパーチャを透過する。
【０００９】
[0009]  いくつかの既知のスペクトル純度フィルタ（ＳＰＦ）は、望ましくない放射を抑制するためにミクロンサイズのアパーチャを有するグリッドに依存する。米国特許出願公開第２００６／０１４６４１３号は、２０μｍまでの直径を有するアパーチャアレイを含むスペクトル純度フィルタ（ＳＰＦ）を開示している。放射波長と比較したアパーチャのサイズによって、ＳＰＦは異なる機構によって望ましくない放射を抑制することができる。アパーチャサイズが（望ましくない）波長の約半分より小さい場合、ＳＰＦはこの波長の事実上全てを反射する。アパーチャサイズが約半分より大きいがほぼ波長程度であった場合、放射は少なくとも部分的に回折されかつアパーチャの中の導波管内に吸収され得る。
【００１０】
[0010]  これらのＳＰＦのためのおおよその材料パラメータおよび仕様は既知であるが、製造はこれらの仕様では容易ではない。最も困難な仕様とは、通常直径４〜５μｍのアパーチャ、通常５〜１０μｍのグリッド厚さ、最大のＥＵＶ透過を保証するためのアパーチャ間の非常に薄い（通常＜１μｍ）且つ平行な（テーパー状でない）壁である。
【００１１】
[0011]  シリコンは、半導体製造では十分に理解されたフォトリソグラフィパターニングおよび異方性エッチングプロセスを用いてそのようなグリッドの製造のための有望な材料として提案されている。さらに、シリコングリッドＳＰＦは、望ましくない放射の反射率を向上させるために金属層によってコーティングされてよい。いずれの場合においても、グリッドＳＰＦは、ＥＵＶリソグラフィ装置において高温で配置および動作され得る金属または部分的金属コンポーネントのタイプである。
【００１２】
[0012]  ＥＵＶ装置内の上昇した温度で作動される動作のために提案された金属コンポーネントの別の例は、水素ラジカルジェネレータ（ＨＲＧ）である。光学ミラーを含むＥＵＶ照射表面が使用中に汚染され得ることは周知である。汚染源は、ＥＵＶ源自体を含み、コンポーネントおよび抵抗材料から炭化水素のガス放出を行う。リソグラフィ装置の光学コラムの許容できない透過損失、そして従ってリソグラフィ装置のスループット損失を防ぐために、この汚染は定期的に洗浄される必要がある。１つの方法として、ミラーから炭素堆積物を除去するためにインシチュ(in-situ)原子状水素洗浄を用いることが立案されている。ジェネレータからの水素ガス流が次いで、原子状水素を汚染された表面に向かって移動させ、その汚染された表面では原子状水素が炭素と反応し、ポンプを用いて除去することができる揮発性炭化水素（ＣＨ４およびその他のもの）を形成する。フィラメントＨＲＧは、この目的のために分子水素を原子にするための１つの手段として考慮される。このＨＲＧは、例えば１７００〜１９００℃の範囲内の高温に電流によって加熱された金属フィラメントを含む。
【００１３】
[0013]  これらの金属グリッドＳＰＦおよびフィラメントＨＲＧといった金属コンポーネントに対して、それら自体が汚染源になり得るという問題が生じる。タングステンを例にとると、コンポーネントが酸素ガス（または他の酸化剤）に露出された後、酸化タングステン（ＷＯｘ）の薄層が表面上に形成される。このＷＯｘ層は、フィラメントが事前注意なしに動作温度まで加熱された場合に、蒸発することができまた蒸発するであろう。この蒸発したＷＯｘは、その後、ＥＵＶミラーおよびセンサを含む近くの表面上に堆積され、反射損失をもたらす。
【００１４】
[0014]  使用中のコンポーネントが、制御された近真空（near-vacuum）の非酸化雰囲気を含有する真空容器で動作される一方で、システム製造および移動中のフィラメントの空気露出を防ぐことはできない。装置が完全に作動され且つ運転可能とされた後であっても、不定期のサービス動作が、コンポーネントの環境に空気を再び導入させる通気動作を必要とする。
【発明の概要】
【００１５】
[0015]  本発明の第１態様によると、ＥＵＶリソグラフィ装置で用いるコンポーネントが提供される。このコンポーネントは、少なくとも部分的に金属製であり、使用中は近真空の環境に配置されかつ該環境に対して上昇した温度で動作され、金属の露出表面は、動作前に空気環境内の金属の酸化物の形成を抑えるように処理されており、それによって、上昇温度での動作中における酸化物の後続の蒸発による環境の汚染を防ぐ。
【００１６】
[0016]  本発明のさらなる態様によると、極端紫外線を含む放射を生成するように構成された放射源と、放射を放射ビームへ調整するように構成された照明システムと、パターニングデバイスを支持するように構成されたサポートとを備えるリソグラフィ装置が提供される。パターニングデバイスは、放射ビームをパターン付けするように構成される。この装置は、パターン付き放射ビームをターゲット材料上に投影するように構成された投影システムをさらに備える。放射源、照明システムおよび投影システムのうちの少なくとも１つは、上述した本発明に記載のコンポーネントとともに近真空環境内に収容される。
【００１７】
[0017]  本発明のさらなる態様によると、上述した本発明に記載のコンポーネントを製造する方法が提供される。
【００１８】
[0018]  本発明の一態様によると、ＥＵＶリソグラフィ装置で用いるコンポーネントが提供される。このコンポーネントは、金属を含んでよく、この金属は、近真空の環境に配置されかつ該環境に対して上昇した温度で動作されるように構成される。金属の露出表面は、動作前に空気環境内の金属の酸化物の形成を抑えるための処理を含み、それによって、上昇温度での動作中における酸化物の後続の蒸発による環境の汚染を防ぐ。
【００１９】
[0019]  金属は、タングステン、タングステン合金、モリブデンまたはモリブデン合金を含んでよい。金属は、異なる材料のコーティングを含んでよく、異なる材料は、上昇温度で揮発性の酸化物を形成しない。異なる材料は、金属より酸化の影響を受けにくい場合があり、異なる金属は、イリジウム、レニウム、ロジウム、ルテニウムおよびプラチナのうちの１つを含む。異なる材料は、金属自体の酸化物より安定的な酸化物を含んでよく、さらに、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウムおよび酸化ハフニウムのうちの１つを含む。異なる材料は、任意的に、窒化物、炭化物、ダイヤモンド状炭素および金属ケイ化物のうちの１つを含む。金属は、金属の露出表面での処理によって形成された異なる材料の層を有してよい。異なる材料は、金属の窒化物または炭化物を含んでよい。金属は合金を含んでよく、この合金は、少なくとも１つの構成要素が表面で偏析し、それによって金属の組成を露出表面で変化させる。構成要素は、金属より酸化の影響を受けにくい異なる金属であってよく、異なる金属は、イリジウム、レニウム、ロジウム、ルテニウムおよびプラチナのうちの１つを含む。構成要素は、酸化物が金属より蒸発の影響を受けにくい異なる金属であってよく、異なる金属は、任意的に、アルミニウム、酸化ジルコニウムおよびハフニウムのうちの少なくとも１つを含む。
【００２０】
[0020]  コンポーネントは、極端紫外線を透過させるように構成されたスペクトル純度フィルタの形態を有してよく、スペクトル純度フィルタは、極端紫外線を透過させかつ第２タイプの放射の透過を抑制するために複数のアパーチャを有するフィルタ部分を含み、フィルタ部分は、金属で加工されるかまたはキャリア材料で加工され、かつ金属によって少なくとも部分的にコーティングされる。
【００２１】
[0021]  コンポーネントは、原子状水素などの原子状ガスの生成のために環境内のガス状分子を加熱するための加熱要素の形態を有してよい。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
[0022]  本発明のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の概略図を参照して以下に説明する。これらの図面において同じ参照符号は対応する部分を示す。
【図１】[0023]  図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示す。
【図２】[0024]  図２は、本発明の一実施形態による装置１００のより詳細な図である。
【図３】[0025]  図３は、本発明の一実施形態による図１および図２の装置で使用できる代替のＥＵＶ放射源を示す。
【図４】[0026]  図４は、さらに本発明の一実施形態による、修正されたリソグラフィ装置を示す。
【図５ａ】[0027]  図５ａは、ＥＵＶリソグラフィ装置で有用なグリッド型スペクトル純度フィルタの概略正面図である。
【図５ｂ】[0027]  図５ｂは、ＥＵＶリソグラフィ装置で有用なグリッド型スペクトル純度フィルタの概略断面図である。
【図６】[0028]  図６は、本発明の実施形態によって修正されたスペクトル純度フィルタ部分の概略断面図である。
【図７】[0028]  図７は、本発明の実施形態によって修正されたスペクトル純度フィルタ部分の概略断面図である。
【図８】[0029]  図８は、図１〜図４の装置で有用なフィラメント型水素ラジカルジェネレータの概略図である。
【図９】[0030]  図９は、本発明の実施形態によって修正されたフィラメント型水素ラジカルジェネレータの概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
[0031]  図１は、本発明の一実施形態による放射源コレクタ装置ＳＯを含むリソグラフィ装置１００を概略的に示している。この装置は、
[0032]  -放射ビームＢ（例えば、ＥＵＶ放射）を調整するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、
[0033]  -パターニングデバイス（例えば、マスクまたはレチクル）ＭＡを支持するように構築され、かつパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第１ポジショナＰＭに連結されているパターニングデバイスサポートまたはサポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴと、
[0034]  -基板（例えば、レジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構築され、かつ基板を正確に位置決めするように構成された第２ポジショナＰＷに連結されている基板テーブル（例えば、ウェーハテーブル）ＷＴと、
[0035]  -パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに付与されたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば、１つ以上のダイを含む）上に投影するように構成された投影システム（例えば、反射投影レンズシステム）ＰＳとを備える。
【００２４】
[0036]  照明システムとしては、放射を誘導し、整形し、または制御するために、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、またはその他のタイプの光学コンポーネント、あるいはそれらのあらゆる組合せなどのさまざまなタイプの光学コンポーネントを含むことができる。
【００２５】
[0037]  パターニングデバイスサポートＭＴは、パターニングデバイスの向き、リソグラフィ装置の設計、および、パターニングデバイスが真空環境内で保持されているか否かなどの他の条件に応じた態様で、パターニングデバイスを保持する。パターニングデバイスサポートは、機械式、真空式、静電式またはその他のクランプ技術を使って、パターニングデバイスを保持することができる。パターニングデバイスサポートは、例えば、必要に応じて固定または可動式にすることができるフレームまたはテーブルであってもよい。パターニングデバイスサポートは、パターニングデバイスを、例えば、投影システムに対して所望の位置に確実に置くことができる。 
【００２６】
[0038]  「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分内にパターンを作り出すように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用できるあらゆるデバイスを指していると、広く解釈されるべきである。放射ビームに付けたパターンは、集積回路などのターゲット部分内に作り出されるデバイス内の特定の機能層に対応することになる。
【００２７】
[0039]  パターニングデバイスは、透過型であっても、反射型であってもよい。パターニングデバイスの例としては、マスク、プログラマブルミラーアレイ、およびプログラマブルＬＣＤパネルが含まれる。マスクは、リソグラフィでは公知であり、バイナリ、レべンソン型(alternating)位相シフト、およびハーフトーン型(attenuated)位相シフトなどのマスク型、ならびに種々のハイブリッドマスク型を含む。プログラマブルミラーアレイの一例では、小型ミラーのマトリックス配列が用いられており、各小型ミラーは、入射する放射ビームを様々な方向に反射させるように、個別に傾斜させることができる。傾斜されたミラーは、ミラーマトリックスによって反射される放射ビームにパターンを付ける。
【００２８】
[0040]  投影システムは、照明システムと同様に、使われている露光放射にとって、あるいは液浸液の使用または真空の使用といった他の要因にとって適切な、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、またはその他のタイプの光学コンポーネント、あるいはそれらのあらゆる組合せなどのさまざまなタイプの光学コンポーネントを含むことができる。ＥＵＶ放射に対しては真空を使用することが望ましい場合がある。なぜなら、他のガスは放射を吸収しすぎる場合があるからである。したがって、真空環境は、真空壁および真空ポンプを用いてビームパス全体に提供されてよい。
【００２９】
[0041]  本明細書に示されているとおり、リソグラフィ装置は、反射型のもの（例えば、反射型マスクを採用しているもの）であってもよい。
【００３０】
[0042]  リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）以上の基板テーブル（および／または２つ以上のマスクテーブル）を有する型のものであってもよい。そのような「マルチステージ」機械においては、追加のテーブルを並行して使うことができ、または予備工程を１つ以上のテーブル上で実行しつつ、別の１つ以上のテーブルを露光用に使うこともできる。 
【００３１】
[0043]  図１を参照すると、イルミネータＩＬは、放射源コレクタモジュールＳＯから極端紫外線ビームを受ける。ＥＵＶ光を生成する方法としては、材料を、ＥＵＶ範囲内の１つ以上の輝線を有するキセノン、リチウム、スズなどの少なくとも１つの要素を有するプラズマ状態に変えることを含むが、必ずしもこれに限定されない。そのような一方法では、レーザ生成プラズマ（「ＬＰＰ」）と称することが多い所要のプラズマは、所要の発光要素を有する材料の小滴、流れまたはクラスタなどの燃料をレーザビームによって照射することによって生成することができる。放射源コレクタモジュールＳＯは、燃料を励起させるレーザビームを提供するためのレーザ（図１に図示せず）を含むＥＵＶ放射システムの一部であってよい。結果として生じるプラズマは、放射源コレクタモジュール内に配置された放射コレクタを用いて集光される出力放射（例えば、ＥＵＶ放射）を放出する。例えば、燃料励起のためのレーザビームを提供するためにＣＯ２レーザを使用した場合、レーザおよび放射源コレクタモジュールは、別個の構成要素であってもよい。
【００３２】
[0044]  そのような場合には、レーザは、リソグラフィ装置の一部を形成しているとはみなされず、また放射ビームは、レーザから放射源コレクタモジュールへ、例えば、適切な誘導ミラーおよび／またはビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムを使って送られる。その他の場合においては、例えば、放射源がＤＰＰ源と称されることが多い放電生成プラズマＥＵＶジェネレータである場合、放射源は、放射源コレクタモジュールの一体部分とすることもできる。
【００３３】
[0045]  イルミネータＩＬは、放射ビームの角強度分布を調節するアジャスタを含むことができる。一般に、イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側および／または内側半径範囲（通常、それぞれσ-outerおよびσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。さらに、イルミネータＩＬは、ファセット視野および瞳ミラーデバイスといったさまざまな他のコンポーネントを含むことができる。イルミネータを使って放射ビームを調整すれば、放射ビームの断面に所望の均一性および強度分布をもたせることができる。
【００３４】
[0046]  放射ビームＢは、パターニングデバイスサポート（例えば、マスクテーブル）ＭＴ上に保持されているパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡ上に入射して、パターニングデバイスによってパターン形成される。パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡから反射した後、放射ビームＢは投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームの焦点をあわせる。第２ポジショナＰＷおよび位置センサＰＳ２（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、または静電容量センサ）を使って、例えば、さまざまなターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路内に位置決めするように、基板テーブルＷＴを正確に動かすことができる。同様に、第１ポジショナＰＭおよび別の位置センサＰＳ１を使い、パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを放射ビームＢの経路に対して正確に位置決めすることもできる。パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡおよび基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１およびＭ２と、基板アライメントマークＰ１およびＰ２とを使って、位置合わせされてもよい。
【００３５】
[0047]  例示の装置は、以下に説明するモードのうち少なくとも１つのモードで使用できる。 
【００３６】
[0048]  １．ステップモードにおいては、パターニングデバイスサポート（例えば、マスクテーブル）ＭＴおよび基板テーブルＷＴを基本的に静止状態に保ちつつ、放射ビームに付けられたパターン全体を一度にターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一静的露光）。その後、基板テーブルＷＴは、Ｘおよび／またはＹ方向に移動され、それによって別のターゲット部分Ｃを露光することができる。
【００３７】
[0049]  ２．スキャンモードにおいては、パターニングデバイスサポート（例えば、マスクテーブル）ＭＴおよび基板テーブルＷＴを同期的にスキャンする一方で、放射ビームに付けられたパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一動的露光）。パターニングデバイスサポート（例えば、マスクテーブル）ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影システムＰＳの（縮小）拡大率および像反転特性によって決めることができる。
【００３８】
[0050]  ３．別のモードにおいては、プログラマブルパターニングデバイスを保持した状態で、パターニングデバイスサポート（例えば、マスクテーブル）ＭＴを基本的に静止状態に保ち、また基板テーブルＷＴを動かす、またはスキャンする一方で、放射ビームに付けられているパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する。このモードにおいては、通常、パルス放射源が採用されており、さらにプログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルＷＴの移動後ごとに、またはスキャン中の連続する放射パルスと放射パルスとの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、前述の型のプログラマブルミラーアレイといったプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。
【００３９】
[0051]  上述の使用モードの組合せおよび／またはバリエーション、あるいは完全に異なる使用モードもまた採用可能である。
【００４０】
[0052]  図２は、放射源コレクタモジュールＳＯ、照明システムＩＬおよび投影システムＰＳを含む装置１００をより詳細に示している。放射源コレクタモジュールＳＯは、真空環境が放射源コレクタモジュールＳＯの閉鎖構造２２０内で維持できるように構築および配置される。ＥＵＶ放射放出プラズマ２１０は、放電生成プラズマ源によって形成されてよい。ＥＵＶ放射は、ガスまたは蒸気、例えばＸｅガス、Ｌｉ蒸気またはＳｎ蒸気によって生成されてよい。このガスまたは蒸気では、電磁スペクトルのＥＵＶ範囲内の放射を放出するために非常に高温のプラズマ２１０が生成される。非常に高温のプラズマ２１０は、例えば、少なくとも部分電離プラズマを引き起こす放電によって生成される。例えば、１０ＰａのＸｅ、Ｌｉ、Ｓｎ蒸気あるいは他のあらゆる適切なガスまたは蒸気の分圧は、放射の効率的な生成のために必要とされる場合がある。一実施形態では、ＥＵＶ放射を生成するために励起されたスズ（Ｓｎ）のプラズマが提供される。
【００４１】
[0053]  高温のプラズマ２１０によって放出された放射は、放射源チャンバ２１１から、放射源チャンバ２１１における開口部内またはその後方に位置決めされた任意選択のガスバリアまたは汚染物質トラップ２３０（場合によっては、汚染物質バリアまたはフォイルトラップとも呼ばれている）を介してコレクタチャンバ２１２へと進む。汚染物資トラップ２３０は、チャネル構造を含んでもよい。汚染物質トラップ２３０は、ガスバリア、またはガスバリアとチャネル構造との組み合わせを含んでもよい。本明細書中にさらに述べる汚染物質トラップまたは汚染物質バリア２３０は、当該技術分野で公知であるように、少なくともチャネル構造を含む。
【００４２】
[0054]  コレクタチャンバ２１１は、いわゆるかすめ入射コレクタであり得る放射コレクタＣＯを含むことができる。放射コレクタＣＯは、上流放射コレクタ側２５１および下流放射コレクタ側２５２を有する。コレクタＣＯを通り抜けた放射は、格子スペクトルフィルタ２４０から反射して仮想光源点ＩＦで合焦することができる。仮想光源点ＩＦを一般的に中間焦点と呼び、放射源コレクタモジュールは、中間焦点ＩＦが閉鎖構造２２０内の開口部２２１にまたはその近くに配置されるように構成される。仮想光源点ＩＦは、放射放出プラズマ２１０のイメージである。
【００４３】
[0055]  その後、放射は照明システムＩＬを通り抜け、この照明システムＩＬは、パターニングデバイスＭＡにて放射ビーム２１の所望の角分布ならびにパターニングデバイスＭＡにて放射強度の所望の均一性を提供するように構成されたファセット視野ミラーデバイス２２およびファセット瞳ミラーデバイス２４を含んでよい。パターニングデバイスサポートＭＴによって保持されるパターニングデバイスＭＡにて放射ビーム２１が反射すると、パターン付きビーム２６が形成され、このパターン付きビーム２６は、投影システムＰＳによって反射要素２８および３０を介してウェーハステージまたは基板テーブルＷＴによって保持された基板Ｗ上に結像される。
【００４４】
[0056]  通常、示されているものよりも多くの要素が照明光学ユニットＩＬおよび投影システムＰＳ内に存在してよい。格子スペクトルフィルタ２４０は、リソグラフィ装置の種類によって任意に存在してよい。さらに、図示されているものより多くのミラーがあってもよく、例えば、図２に示す投影システムＰＳ内に存在する反射要素より１〜６個多くの反射要素が存在してもよい。
【００４５】
[0057]  図２に示すように、集光系ＣＯは、単なるコレクタ（または集光ミラー）の一例として、かすめ入射リフレクタ２５３、２５４および２５５を有する入れ子化されたコレクタとして示される。かすめ入射リフレクタ２５３、２５４および２５５は、光軸Ｏの周りで軸対称に配置され、この種の集光系ＣＯは、ＤＰＰ源と呼ばれることが多い放電生成プラズマ源と組み合わせて使用されることが好ましい。
【００４６】
[0058]  あるいは、図３に示すように、放射源コレクタモジュールＳＯは、ＬＰＰ放射システムの一部分であってもよい。レーザＬＡは、キセノン（Ｘｅ）、スズ（Ｓｎ）またはリチウム（Ｌｉ）などの燃料にレーザエネルギーを堆積させるように構成され、数十ｅＶの電子温度を有する高電離プラズマ２１０を生成する。これらのイオンの逆励起および再結合中に生成されるエネルギー放射はプラズマから放出され、近法線入射集光系ＣＯによって集光されて閉鎖構造２２０内の開口部２２１上で合焦される。
【００４７】
[0059]  図４は、スペクトル純度フィルタ（ＳＰＦ）２６０が反射格子ではなく透過型であるＥＵＶリソグラフィ装置のための別の構成を示している。この場合、放射源コレクタモジュールＳＯからの放射は、コレクタから中間焦点ＩＦ（仮想光源点）への直線路をたどる。別の実施形態（図示せず）では、スペクトル純度フィルタ２６０は、仮想光源点１２に位置決めされてもよく、またはコレクタ１０と仮想光源点１２との間のあらゆる箇所に位置決めされてもよい。フィルタは、放射経路内の他の場所、例えば、仮想光源点１２の下流などに置くこともできる。多数のフィルタを配置することもできる。先の例のように、コレクタＣＯは、かすめ入射型（図２）または直接反射型（図３）であってもよい。
【００４８】
[0060]  上記したように、ガスバリアを含む汚染物質トラップ２３０は、放射源室に設けられている。ガスバリアは、本明細書中に参照により援用される例えば米国特許第６，６１４，５０５号および米国特許第６，３５９，９６９号などに詳細に説明されるチャネル構造を含んでよい。この汚染物質トラップの目的は、光学システムの要素に衝突する燃料材料または副生成物の入射およびその要素の経時的な性能の低下を防ぐかまたは少なくとも減少させることである。ガスバリアは、汚染物質との化学的相互作用によっておよび／または荷電粒子の静電または電磁偏向によって（流体逆流によって）物理的バリアとして機能することができる。実際、できる限り大きな範囲でプラズマ材料を遮断する一方、照明システムへの放射伝達を可能とするためにこれらの方法の組み合わせが用いられる。水素または他のガスは、リソグラフィ装置における他の箇所で汚染物質粒子に対するバリアまたはバッファとして提供されてよい。特に、放射源コレクタモジュールＳＯの近真空環境への水素の流れは、投影システム内へと中間焦点アパーチャ２２１を通過しようとする粒子を妨げるように構成することができる。さらに、水素ガスは、（ｉ）レチクルを汚染するシステムからの汚染物質に対するバッファとしてパターニングデバイス（例えば、レチクル）サポートＭＴの付近および（ｉｉ）システム内のより大きい真空空間に入るウェーハからの汚染物質に対するバッファとしてウェーハサポートＷＴの付近に配置されてもよい。水素はＥＵＶ光学環境で使用することができる唯一のガスではない。汚染物質トラップで使用することができる別のガスとしてヘリウムが知られている。
【００４９】
[0061]  これら全ての目的のために、水素源ＨＳおよび水素ラジカルジェネレータＨＲＧは、装置の様々な箇所に配置される（一部を概略的に示し、一部を図示せず）。放射源ＨＳは、単純なバッファまたは「ガスロック」として分子水素ガス（Ｈ２）を供給する。水素ラジカルジェネレータＨＲＧは、ミラー、スペクトル純度フィルタ（以下参照）およびセンサ表面を含む特定の光学コンポーネントのよりアクティブな洗浄のために原子状水素（ＩＩ）を生成する。一部のユニットは、両方の機能を同時にまたは別々のときに果たすことができる。炭素系の汚染に対しては、ジェネレータからの水素ガス流が次いで原子状水素を汚染された表面に向かって移動させ、その汚染された表面では原子状水素が炭素と反応し、ポンプを用いて除去することができる揮発性炭化水素（ＣＩＩ４およびその他のもの）を形成する。図５（ａ）がスペクトル純度フィルタグリッドの一実施形態の一部の概略正面図である一方、図５（ｂ）は同じグリッドの断面図である。グリッドは、例えば、リソグラフィ装置の上記のフィルタ２６０として適用することができる。本フィルタは、極端紫外線（ＥＵＶ）を透過させるように構成されているが、放射源によって生成される第２タイプの放射（例えば赤外線（ＩＲ）、例えば約１μｍより大きい波長、特に約１０μｍより大きい波長の赤外線）を実質的に遮断する。特に、透過されるＥＵＶ放射および（遮断される）第２タイプの放射は、例えばリソグラフィ装置のＬＰＰ源などといった同じ放射源から発散することができる。
【００５０】
[0062]  記載する例におけるスペクトル純度フィルタ１００は、実質的に平面のフィルタ部分２６２Ｆ（例えば、フィルタ膜またはフィルタ層）を含む。そのようなフィルタ部分２６２Ｆを「フィルタ基板」と呼ぶことができる。フィルタ部分２６２Ｆは、極端紫外線を透過させかつ第２タイプの放射の透過を抑制するために複数の（好ましくは平行の）アパーチャ２６４を有する。放射源ＳＯから放射が衝突する面を正面と呼ぶ一方、放射が照明システムＩＬへと出て行く面を後面と呼ぶことができる。上記したように、例えば、放射の方向を変更することなくＥＵＶ放射をスペクトル純度フィルタによって透過させることができる。第１の好ましい実施形態では、各アパーチャ２６４は、アパーチャを画定しかつ正面から後面まで全体的に延在する平行の側壁を有する。
【００５１】
[0063]  フィルタ製造方法の一実施形態は、金属膜を基板上に堆積させることと、その後シリコングリッドＳＰＦの生成に用いられるものと同様の異方性エッチングを適用することとを含む。フォトリソグラフィパターニングおよび異方性エッチングプロセスは、半導体製造から十分に理解されている。十分に制御された断面を有する深いアパーチャに対しては、深反応性イオンエッチング（ＤＲＩＥ）が有望である。２００８年１２月２２日に出願した米国出願第６１／１９３，７６９号は、シリコングリッドＳＰＦの生成で適用可能でありかつ金属グリッドＳＰＦに対しても適合することができる様々な製造方法を開示している。その出願の内容は本明細書中に参照により援用される。
【００５２】
[0064]  典型的な動作状況下において、大量の力がＳＰＦに入射されることによってＳＰＦは非常に高温となり得る。シリコンがＳＰＦ製造のための有望材料である一方、シリコンより高い動作温度に耐えることができる高融点金属または合金から製造されるグリッドも考慮されている。例えば、２０１０年４月２７日に出願した米国出願第６１／３２８，４２６号は、例えばタングステン（Ｗ）またはモリブデン（Ｍｏ）などの高融点金属または合金に基づくグリッドＳＰＦを開示している。その出願の内容は本明細書中に参照により援用される。
【００５３】
[0065]  フィルタ部分２６２Ｆの壁の（最密）六面構造は非常に耐久性があって開放型構成を提供するが、唯一の可能な構成ではない。有利なことに、著しい角拡散を有するＥＵＶ透過を可能にするように十分に低いアパーチャのアスペクト比を保つために、ＥＵＶ放射は、好ましくは比較的薄いフィルタ２６０を利用してアパーチャ１０４を直接透過される。フィルタ部分２６２Ｆの厚さｈ（すなわち、各々のアパーチャ２６４の長さ）は、例えば２０μｍより小さく、例えば２〜１０μｍの範囲内にある。さらに、各々のアパーチャ２６４は、約１．５〜６μｍの範囲、例えば２〜５μｍの範囲内の直径を有してよい。フィルタアパーチャ２６４とフィルタアパーチャ２６４との間の壁の厚さｔは、１μｍより小さく、例えば約０．２〜０．６μｍの範囲内、特に約０．５μｍであってよい。アパーチャ２６４は、約２〜６μｍの範囲内、特に３〜５μｍの範囲内、例えば５μｍの周期を有してよい。結果的に、アパーチャは、フィルタ正面全体の約７０〜８０％の開口領域を提供し得る。
【００５４】
[0066]  有利なことに、フィルタ１００は、最大５％の赤外線（ＩＲ）透過を提供するように構成されている。さらに有利なことに、フィルタ１００は、入射するＥＵＶ放射の少なくとも６０％を法線入射で透過するように構成されている。そのうえ、特に、フィルタ１００は、１０°の（垂直方向に対する）入射角を有するＥＵＶ放射の透過の少なくとも４０％を提供することができる。序文で説明したように、シリコン製のＳＰＦグリッド部分が提案されている。任意的に、ＳＰＦグリッド部分は、ＩＲ反射率を改善するために金属によってコーティングされてよい。この例のグリッド部分２６２Ｆは、シリコンベースのＳＰＦより高い動作温度に耐えるように全体的に高融点金属または合金から作られているが、本発明はシリコングリッド上のメタルコーティングに適用されてもよい。グリッドが作られる高融点金属またはシリコングリッド上に使用される金属コーティングは良好なＩＲ反射率を有する必要があり（ほとんどの金属は有している）、高温および水素で安定しているべきである。したがって、モリブデンおよびタングステンの両方は適切な候補であるが、両方の材料が空気に露出されたときに薄い酸化層を形成する。動作中、フィルタは非常に高い温度、１０００℃さえにも到達し得る。それらの温度では、酸化物は揮発性となってフィルタから脱着される。脱着された材料は、図２、図３および図４に示すミラーなどのシステムのより冷たい部分で収縮し得る。これは、これらのミラーの反射率および寿命を減少させ、それによって高価なリソグラフィ装置の生産性を下げる。ＳＰＦを空気に露出することなくＳＰＦを製造および設置することは実用的ではない。
【００５５】
[0067]  酸化層がかなり薄い（約１ｎｍ）可能性が高くそれによって脱着材料の量が少なくなるが、システムがサービスのために通気される度に再生し得る。これは、潜在的に非常に重要な問題となる。さらに、ミラー上で耐えることができる堆積材料の量は非常に少ない。性能を著しく低下させるには単層の汚染の小部分が十分であり得る。揮発性酸化物の形成が防がれるように薄いコーティングをグリッドに追加するかまたはグリッドの表面を修正することを提案する。これらの酸化物が形成されない場合、脱着をすることはできない。コーティングは、ＥＵＶ装置内の動作温度および水素雰囲気の両方に耐えることができるべきである。
【００５６】
[0068]  図６は、金属部分２６２Ｍが保護コーティング２６２Ｐでコーティングされている修正グリッド部分２６２Ｆを示している。図７は、シリコングリッド部分２６２Ｓが初めに反射金属層２６２Ｍ’によってコーティングされ、その後、金属表面が保護コーティング２６２Ｐによってコーティングされているシリコンベースのグリッド構造を示している。これらの層の相対的な厚さは、あまり縮尺通りではない。図示しやすくするために、層２６２Ｍ’およびコーティング２６２Ｐは誇張した厚さで示されている。
【００５７】
[0069]  数種類のコーティング２６２Ｐを、例えばタングステングリッド材料の酸化を防ぐために使用することができる。第１組の実施形態では、コーティングは、酸化物を形成しない貴金属層を含む。高温で安定するべきであると同時に、高融点も有するべきであることが好ましい。したがって、コーティングは、イリジウム、レニウム、ロジウム、ルテニウムまたはプラチナから成ってもよい。有利なことに、これらのコーティングは、良好なＩＲ反射率を有しかつ水素雰囲気に耐えることができることも期待されている。
【００５８】
[0070]  第２組の実施形態では、コーティング２６２Ｐは、動作状態であっても揮発性にならない非常に安定した酸化物を含むか形成する。可能な酸化物としては、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウムおよび酸化ハフニウムが挙げられる。さらなる組の実施形態では、窒化物または炭化物（例えば、ＳｉＣ）は、別の可能性であり、さらにダイヤモンド状炭素および様々な金属ケイ化物（例えば、ＭｏＳｉ２）も別の可能性である。
【００５９】
[0071]  例えばＨｆＯ２などの酸化物コーティングのさらなる利点は、タングステンの表面拡散を減速させ、それによって再結晶による寿命問題を防ぐか減少させることができることである。（例えば、Schlemmerら、Proc of the 5th conference on ThermoPhotovoltaic Generation of Electricity、p.164 (2003)を参照）。
【００６０】
[0072]  異物をグリッド上に堆積させる代わりに、グリッド（金属部分２６２Ｍまたは金属層２６２Ｍ’）の表面は、揮発性酸化物が形成されることを防ぐために修正されてもよい。例えば、材料が窒化物形成または炭化物形成によって修正されてもよい。あるいは、要素が貴金属（第１組の実施形態のように）であるかまたは安定的な酸化物（第２組の実施形態のように）を形成する、表面に偏析する傾向がある要素とともに合金を使用してもよい。例えば、Ｗ−Ｈｆ合金ではＨｆは表面に偏析し得る（例えば、Golubevら、Technical Physics 48, 776-779 (2003)を参照。http://www.springerlink.com/index/15L4201812058521.pdfも参照。）
【００６１】
[0073]  グリッドの開放領域部分、したがってＥＵＶ透過、を維持するために、コーティング２６２Ｐは十分に薄くあるべきである。これは、厚い層は赤外線の吸収の増加へと繋がることによって温度の上昇へと繋がることがあるため、特に酸化物および他の非金属コーティングに対して当てはまる。さらに、コーティングは、グリッド壁全体をコーティングして穴を全く含まないことが好ましい。ＩＲ反射金属コーティングの厚さが好ましくは＜１００ｎｍである一方、非反射コーティングの厚さは好ましくは＜２０ｎｍである。
【００６２】
[0074]  コーティングはＰＶＤ（物理蒸着法）、スパッタ堆積、ＣＶＤ（化学蒸着法）またはＡＬＤ（原子層堆積）などのいくつかの技術によって堆積されてよい。ＣＶＤまたはＡＬＤは最良の側壁適用範囲を与えることが予想されるため、それらを使用することが最も好ましい。ＡＬＤは、原子層を１層ずつ堆積させるために自己限定性の表面反応の交互のステップを用いる。堆積されるべき材料は、前駆物質を介して提供される。ＡＬＤ方法は、例えば、Ｍｏ，Ｔｉ，Ｒｕ，Ｐｄ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ｒｈ，Ｃｏ，Ｃｕ，ＦｅおよびＮｉなどのいくつかの金属に対して知られている。上記した酸化物などの複合材料は、一度に堆積されるか、または、金属膜（例えば、アルミニウム）および酸化層として堆積されてよい。
【００６３】
[0075]  図８は、金属フィラメント（ワイヤ）３００Ｍの形態の加熱要素を含む水素ラジカルジェネレータＨＲＧ３００を概略的な形で示している。電源３０２からの電流を用いてフィラメントを加熱することによって、フィラメントは、水素分子を分離させて原子状水素を形成するのに十分な温度に上昇される。この温度は、例えば１７００〜１９００℃であるか、またはフィラメント材料が蒸発しない場合はさらに高くてもよい。図２および図４に示すように、そのようなＨＲＧをリソグラフィ装置内のいくつかの箇所に配置することができる。ジェネレータからの水素ガス流が次いで原子状水素を汚染された表面に向かって移動させ、その汚染された表面では原子状水素が炭素と反応してポンプを用いて除去することができる揮発性炭化水素（ＣＨ４およびその他のもの）を形成する。実際には、当然、ＨＲＧ３００の加熱要素に１つより多いフィラメントが存在してもよく、かつフィラメントの形状は回旋状でありおよび／またはグリッドとなってもよい。異なる形態の金属加熱要素は、フィラメントの代わりまたはフィラメントに加えて用いられてもよく、フィラメントの形態は重要ではない。例えば、ＨＲＧとして用いられる加熱要素は、リボン、グリッドまたはメッシュの形態を有して使用される導体から成ってもよい。これらは、プレスされるかまたはシートから切り取られてもよい。ここで使用されるフィラメント３００Ｍは、単に一例として使用している。
【００６４】
[0076]  使用中のコンポーネントが、制御された近真空の非酸化雰囲気を含有する真空容器で動作される一方で、システム製造および移動中のフィラメントの空気露出を防ぐことはできない。装置が完全に作動され且つ運転可能とされた後であっても、不定期のサービス動作が、コンポーネントの環境に空気を再び導入させる通気動作を必要とする。タングステンフィラメントＨＲＧ内のこの汚染源を緩和させるためには、還元性（水素）雰囲気内でフィラメントの蒸発温度以下の制御温度にてフィラメントをある期間動作させることを提案している、２０１０年６月１０日に出願された同時係属出願第６１／３５３，３５９号を参照されたい。この同時係属出願は、本明細書中に参照により援用される。
[0077]
【００６５】
[0078]  ＳＰＦ金属グリッド２６２Ｍの場合のように、適切な金属としてはタングステンおよびモリブデンが挙げられる。この議論の便宜上、タングステンを例とする。不都合なことに、フィラメント３００Ｍが酸素ガス（または他の酸化剤）と接触した後、金属酸化物（この例の場合、酸化タングステン（ＷＯｘ））の薄層が表面上に形成される。このＷＯｘ層は、フィラメントが事前注意なしに動作温度に加熱された場合に蒸発することができ、そして蒸発するであろう。この蒸発したＷＯｘは、その後、ＥＵＶミラーおよびセンサを含む近くの表面上に堆積され、反射損失をもたらす。ＨＲＧ洗浄ユニットが３ヶ月の空気露出の後の一回目のターン・オンでＥＵＶミラーに対する〜０．７の相対反射損失を誘導し得ることが実験で分かった。そのような損失は重大であるが、フィラメントの空気露出は製造、移動および設置中に防ぐことができない。
【００６６】
[0079]  装置ＳＯ、ＩＬまたＰＳ内の真空環境が通気された場合、空気露出はサービス中にも生じる。通気時間を短縮することは、酸化を少なくさせるが１時間の通気動作でさえもＥＵＶミラー上への許容できないタングステン堆積をもたらし得る。
【００６７】
[0080]  したがって、揮発性酸化物の形成を防ぐようにフィラメント３００Ｍに薄いコーティングを追加するかまたはフィラメントの表面を修正することが提案されている。これらの酸化物が形成されない場合、それらは脱着することができない。コーティングは、ＥＵＶ装置内の動作温度および水素雰囲気の両方に耐えることができるべきである。
【００６８】
[0081]  図９は、フィラメント３００Ｍの表面上に適用または形成されるコーティング３００Ｐによって修正されたＨＲＧ３００を示している。コーティング材料の選択およびその材料を適用または形成することができる方法に関する考察は、図６および図７のスペクトル純度フィルタグリッド２６２Ｆ上のコーティング２６２Ｐに関して検討したものと同じである。抗酸化コーティングを有するスペクトル純度フィルタおよび／またはＨＲＧフィラメントなどの金属コンポーネントを組み込む図１〜図４の装置がリソグラフィ製造プロセスに用いられてもよいことが理解されるであろう。そのようなリソグラフィ装置は、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンスパターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド等の製造に用いられてもよい。当業者にとっては当然のことであるが、そのような別の用途においては、本明細書で使用される「ウェーハ」または「ダイ」という用語はすべて、それぞれより一般的な「基板」または「ターゲット部分」という用語と同義であるとみなしてよい。本明細書に記載した基板は、露光の前後を問わず、例えば、トラック（通常、基板にレジスト層を塗布し、かつ露光されたレジストを現像するツール）、メトロロジーツール、および／またはインスペクションツールで処理されてもよい。適用可能な場合には、本明細書中の開示内容を上記のような基板プロセシングツールおよびその他の基板プロセシングツールに適用してもよい。さらに基板は、例えば、多層ＩＣを作るために複数回処理されてもよいので、本明細書で使用される基板という用語は、すでに多重処理層を包含している基板を表すものとしてもよい。
【００６９】
[0082]  上記の説明は、制限ではなく例示を意図したものである。したがって、当業者には明らかなように、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本記載の発明に変更を加えてもよい。
【００７０】
[0083]  本発明の実施形態は、放電生成プラズマ源（ＤＰＰ源）またはレーザ生成プラズマ源（ＬＰＰ源）を含むがそれらに限定されない、あらゆるタイプのＥＵＶ源に対して使用されてもよいことが理解されるであろう。しかしながら、本発明の一実施形態は、特に、典型的にはレーザ生成プラズマ源の一部を形成するレーザ源からの放射を抑制するために適していてよい。これは、そのようなプラズマ源が、多くの場合、レーザから発生する二次放射を出力するからである。
【００７１】
[0084]  スペクトル純度フィルタは、実際には放射経路のあらゆる箇所に配置されてもよい。一実施形態では、スペクトル純度フィルタは、ＥＵＶ放射源からＥＵＶ含有放射を受けてＥＵＶ放射を適切な下流のＥＵＶ放射光学システムへと運ぶ領域内に配置されている。ここで、ＥＵＶ放射源からの放射は、光学システムに入る前にスペクトル純度フィルタを通過するように構成されている。一実施形態では、スペクトル純度フィルタはＥＵＶ放射源内にある。一実施形態では、スペクトル純度フィルタは、ＥＵＶリソグラフィ装置内、例えば照明システムまたは投影システム内にある。一実施形態では、スペクトル純度フィルタは、放射経路内でプラズマの後でコレクタの前に配置される。
【００７２】
[0085]  フィラメントＨＲＧは、原子状水素の洗浄作用を効果的に適用できる全ての場所といった装置内のあらゆるまたは多数の箇所に配置することができる。
【００７３】
[0086]  揮発性酸化物形成の問題が生じるといったＳＰＦグリッドおよびＨＲＧフィラメントの形態を有する金属コンポーネントが特定の例として示されたが、本発明はそれらのタイプのコンポーネントに限定されない。通常、そのようなコーティングは、ＥＵＶリソグラフィ装置の動作中に上昇した温度に露出されるあらゆる金属コンポーネント上の揮発性酸化物の形成を防ぐために適用することができる。必要に応じて、同じ技術をＥＵＶリソグラフィ装置の分野外のコンポーネントに適用することができる。この文脈における「揮発性」の定義は、実際、個々のコンポーネントの予想動作温度に依存する。当然、酸化物の蒸発温度はコンポーネントが作られる金属に依存し、実施形態の酸化タングステンより高くても低くてもよい。
【００７４】
[0087]  以上、本発明の具体的な実施形態を説明してきたが、本発明は、上述以外の態様で実施できることが明らかである。
【図１】
2013535806.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５（ａ）】
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【図５（ｂ）】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【国際調査報告】
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