(57)【要約】  中央のＥＵＶ生成位置で生成された極紫外線又はＥＵＶ光を集める光学コレクタ（１５）が反射シェル（２５）を備えている。コレクタの熱負荷に対処し、それによって変形を避けるために、冷却チャネル（２９）が反射シェル（２５）の裏側と支持構造体（２４）との間に設けられるように、反射シェル（２５）が好ましくは支持構造体（２４）上に取り付けられているとともに支持構造体によって支持されており、冷却チャネル（２９）を通って流れる冷却媒体（２６）と反射シェル（２５）の裏側との間の対流熱伝達が熱伝導に関して反射シェル（２５）から熱を除去する過程に影響を与えるように、反射シェル（２５）の厚さが実質的に減らされており、冷却媒体の圧力及び／又は質量流量が制御された状態で冷却媒体（２６）を冷却チャネル（２９）に供給するために冷却回路（３３）が冷却チャネル（２９）に接続されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
中央のＥＵＶ生成位置（２０）で生成された極紫外線又はＥＵＶ光（１８）を集める光学コレクタ（１５）であって、反射シェル（２５）を備える光学コレクタ（１５）において、
前記反射シェル（２５）に熱的に誘発された変形を補償する手段が設けられていることを特徴とする、光学コレクタ（１５）。
【請求項２】
冷却チャネル（２９）が前記反射シェル（２５）の裏側と支持構造体（２４）との間に設けられるように、前記反射シェル（２５）が、前記支持構造体（２４）上に取り付けられているとともに前記支持構造体（２４）によって支持されており、
前記冷却チャネル（２９）を通って流れる冷却媒体（２６）と前記反射シェル（２５）の前記裏側との間の対流熱伝達が、熱伝導に関して前記反射シェル（２５）から熱を除去する過程に影響を与えるように、前記反射シェル（２５）の厚さが実質的に減らされており、
前記冷却媒体の圧力及び／又は質量流量及び／又は温度が制御された状態で前記冷却媒体（２６）を前記冷却チャネル（２９）に供給するよう冷却回路（３３）が前記冷却チャネル（２９）に接続されていることを特徴とする、請求項１に記載の光学コレクタ。
【請求項３】
前記反射シェル（２５）が略楕円形状であるとともに軸線（３０）に関して線対称をなしており、前記冷却チャネル（２９）が前記軸線（３０）に関して漏斗形状であることを特徴とする、請求項２に記載の光学コレクタ。
【請求項４】
前記冷却チャネル（２９）が複数の入口ポート（２７）及び複数の出口ポート（３２）経由で前記冷却回路（３３）に接続されていることを特徴とする、請求項３に記載の光学コレクタ。
【請求項５】
ボリュート（２８、３１）が、前記入口ポート（２７）と前記冷却チャネル（２９）との間、及び前記出口ポート（３２）と前記冷却チャネル（２９）との間に設けられていることを特徴とする、請求項４に記載の光学コレクタ。
【請求項６】
前記冷却媒体（２６）が、前記軸線（３０）近くの前記冷却チャネル（２９）に入り、前記軸線（３０）から離れた前記冷却チャネル（２９）から出ることを特徴とする、請求項３〜５のいずれか一項に記載の光学コレクタ。
【請求項７】
流れを乱す手段（３６）が前記冷却チャネル（２９）内の所定位置に設けられていることを特徴とする、請求項１〜６のいずれか一項に記載の光学コレクタ。
【請求項８】
前記流れを乱す手段が、特に攪乱部材（３６）形状の、複数の障害物を含み、複数の前記障害物が、前記反射シェル（２５）の前記裏側とは反対にある前記冷却チャネル（２９）の側面及び／又は前記反射シェル（２５）の前記裏側上に取り付けられていることを特徴とする、請求項７に記載の光学コレクタ。
【請求項９】
前記冷却回路（２９）が、熱交換手段（３４）、圧縮器（３５）及び制御弁（４１）を含む閉じた回路であり、制御部（４０）が、前記圧縮器（３５）及び／又は前記制御弁（４１）及び／又は前記熱交換手段（３４）を制御するために設けられていることを特徴とする、請求項１〜６のいずれか一項に記載の光学コレクタ。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか一項に記載の光学コレクタを動作させる方法において、
前記冷却チャネル（２９）を通って流れる前記冷却媒体（２６）の前記圧力及び／又は前記質量流量及び／又は前記温度が、前記反射シェル（２５）に熱的に誘発される変形を補償するために用いられることを特徴とする方法。
【請求項１１】
前記反射シェル（２５）の変形の特徴を示す入力信号（４２）に従って、前記冷却媒体（２６）の前記圧力及び／又は前記質量流量及び／又は前記温度が制御されることを特徴とする、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
ガスが前記冷却媒体として用いられることを特徴とする、請求項１０又は請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記ガスが、水素、ヘリウム、アルゴン、ネオン、クリプトン、キセノン、塩素、窒素、フッ素、臭素及びヨウ素を含むガスのうちの１つである、又は前記ガスのうちの２つ以上からなる混合物であることを特徴とする、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
ターゲット物質の一連のドロップレット（１９）を照射するターゲット供給システム（１７）と、ＥＵＶ生成位置（２０）で前記ターゲット物質を強熱する高出力駆動レーザ（１２）と、前記ＥＵＶ生成位置（２０）で生成された前記ＥＵＶ光（１８）を集める光学コレクタ（１５）とを備え、前記光学コレクタ（１５）が請求項１〜９のいずれか一項に記載のコレクタであることを特徴とする、ＥＵＶ源（１０）。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、極紫外線を生成し処理することに関するものである。本発明は、請求項１の前文に記載の極紫外線を集める光学コレクタに関するものである。更に、本発明は、そのような光学コレクタを動作させる方法と、そのようなコレクタを備えるＥＵＶ源とに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
極紫外線（ＥＵＶ）は、レーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）を生成する例えばスズなどのターゲット物質を、集束レーザビームを用いて励起することによって生成され得る高温高密度プラズマから放出される。このプラズマから放出される放射線の一部は、波長１０ｎｍと１００ｎｍとの間のＥＵＶスペクトルにある。放出されるエネルギーの大部分は、この波長帯域外にあり、紫外レーザ放射線、可視レーザ放射線、赤外レーザ放射線及び反射されたレーザ放射線を含んでいる。高出力及び高輝度の放射線源を得るために、放出された放射線は、更なる使用のための中間焦点に集められ平行にされる。このことは、楕円コレクタ光学系によって行われる。
【０００３】
図７はＥＵＶ源の簡略化された構成を示している。ＥＵＶ源１０は、楕円形若しくは略楕円形の多層（Ｍｏ／Ｓｉ）コレクタ又はミラー１５とターゲット供給システム１７とを含むチャンバ１１を備え、ターゲット供給システム１７は、機械的支持体１６によってチャンバ１１に取り付けられており、ターゲット物質の一連のドロップレット（液滴）１９を照射する。高出力（１００Ｗから２０ｋＷまで）及び高繰り返し率（１０Ｈｚから５００ｋＨｚまで）の駆動レーザ１２は、ＥＵＶ生成位置２０でターゲット物質を強熱（ｉｇｎｉｔｅ）する。集束された駆動レーザパルス１４は、フランジ窓１３を通ってチャンバ１１に入る。レーザパルスの時空間的な特性は、変換効率（ＣＥ）、すなわちＥＵＶエネルギーとレーザエネルギーの比率を最大にするためにターゲットサイズ及びターゲット位置に適合している。光学システム２３は、ターゲット供給システム１７から来るドロップレット１９を検出し制御するために用いられる。
【０００４】
コレクタ１５は、ＥＵＶ生成位置２０で生成されたＥＵＶ光１８を集める。コレクタ１５は、ＥＵＶ生成位置２０にある第１の焦点と、中間焦点（ＩＦ）と呼ばれる第２の焦点２１とを有し、第２の焦点では、ＥＵＶ光１８が後続のＥＵＶリソグラフィツール（図７には図示しない）において更に使用されるために集められる。コレクタ１５は、レーザ光をＥＵＶ生成位置２０に届かせるための開口部２２を有する。
【０００５】
ＥＵＶターゲット供給システム１７は、プラズマ源物質をＥＵＶ生成位置すなわち強熱位置２０に供給する。プラズマ源物質は、例えばスズ、キセノン若しくはリチウムなどの純物質からなる液状ドロップレット１９の形態、あるいは例えば水かアルコールなどの溶液にターゲット物質が入っている懸濁液からなる液状ドロップレット１９の形態である。プラズマ源物質のドロップレット１９の供給は、一定の繰り返し率及びドロップレットサイズ又はターゲットサイズで行われる。ターゲットサイズは、プラズマ形成後に存在する中性粒子の量を最小限にするために１０μｍ〜１００μｍの範囲にある。前述したように、ターゲット又はドロップレット１９は、ＥＵＶコレクタ１５の第１の焦点にあるＥＵＶ生成位置２０に届く。同様の構成は、国際公開第２００６／０９１９４８（Ａ１）号、国際公開第２００９／０２５５５７（Ａ１）号又は国際公開第２０１０／０１７８９２（Ａ１）号に示されている。
【０００６】
帯域外放射が反射光学系で部分的に吸収されると、コレクタ表面の温度上昇を招く。多層コーティングに熱的に誘発される変形及び劣化を避けるために、コレクタ１５は冷却されなければならない。しかしながら、どのようなガスでもＥＵＶ放射線を吸収するので、そのため放射線源と平行光学系は真空中で動作される。このことは、チャンバ１１内のコレクタ表面の対流冷却を妨げる。従って、冷却は別の手段で実行されなければならない。
【０００７】
垂直入射コレクタの場合、コレクタ表面に当たる放射線は一様ではない。放射方向が変動したり、コレクタ表面とプラズマとの間の距離が変動したりすることに起因して、他よりも高い熱負荷を伴う領域がコレクタ表面に存在し、このことはコレクタ表面に温度勾配をもたらす。温度レベルの上昇と温度勾配はいずれもコレクタの変形を招く熱応力を誘発する。
【０００８】
コレクタ表面の変形は、コレクタ表面を厳密に設計することによって低減できる。物質の選択もまた、動作中の変形に強い影響を与える。コレクタの反射部分に機械的な力が及ぼされると、変形を誘発するか補償することができる。
【０００９】
特開平０８−２１１２１１号公報は高出力レーザ光学系のための設計を提案しており、そのレーザ光学系は裏側から冷却される。冷却媒体の圧力によって反射部分が変形することを避けるために、ミラーが、裏部の構造に変形を誘発する圧力の全てを緩和する冷却ダクトより堅く設計されている。
【００１０】
独国特許出願公開第１９９５５５７４（Ａ１）号明細書は、高出力レーザ放射のためのガス冷却式反射体を記載している。その設計は、振動又は変形を防止するために必要とされた堅さを失うことなくミラーの対流冷却を増進するために、反射体基板の厚さが最小限に（例えば１ｍｍから２５ｍｍまで）減らされているというようなものである。更に、コレクタの裏側の対流に基づく冷却機構が提案されている。製造可能性を高めるためにコレクタの裏側に設計されたリブは、副次的利益として、表面を拡張し流れを乱すこと（ｐｅｒｔｕｒｂａｔｉｏｎ）によって冷却の増進に役に立つ。
【００１１】
米国特許出願公開第２００７／０５８２４４（Ａ１）号明細書、米国特許出願公開第２００９／２８９２０５（Ａ１）号明細書及び欧州特許出願公開２０３４４９０（Ａ１）号明細書は、提案された光学系の温度管理、冷却又は変形制御を全く考慮しない垂直入射ＥＵＶコレクタの設計及び反射体の配置を開示している。
【００１２】
米国特許第７６４１３４０（Ｂ１）号明細書は、光学面の裏側と温度制御された部材との間の狭い隙間内の液体を通る熱伝達に基づく、略真空中の光学面用の冷却機構を記載している。この熱伝達は熱伝導に基づくものであり、液体は界面張力によって適切な位置に保たれる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
本発明の目的は、特にＥＵＶ源に用いられる光学コレクタであって、動作中に光学コレクタ上の熱負荷の影響を受けずに集められた放射線の焦点を合わせる事が可能な光学コレクタを提供すること、並びに、そのような光学コレクタを動作させる方法、及び、そのような光学コレクタを備えるＥＵＶ源を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
この目的は、請求項１に記載の光学コレクタ、請求項１０に記載の方法、及び請求項１４に記載のＥＵＶ源によって達成される。本発明にかかる光学コレクタは、中央のＥＵＶ生成位置で生成された極紫外線又はＥＵＶ光を集める。反射シェルを備える光学コレクタは、反射シェルに熱的に誘発された変形を補償する手段が設けられていることを特徴とする。
【００１５】
本発明の一実施形態によれば、冷却チャネルが反射シェルの裏側と支持構造体との間に設けられるように、反射シェルが、支持構造体上に取り付けられているとともに支持構造体によって支持されており、反射シェルが、支持構造体上に取り付けられているとともに支持構造体によって支持されている冷却チャネルを通って流れる冷却媒体と反射シェルの裏側との間の対流熱伝達が熱伝導に関して反射シェルから熱を除去する過程に影響を与えるように、反射シェルの厚さが実質的に減らされており、冷却媒体の圧力及び／又は質量流量及び／又は温度が制御された状態で冷却媒体を冷却チャネルに供給するために冷却回路が冷却チャネルに接続されている。
【００１６】
本発明の別の実施形態によれば、反射シェルが略楕円形状であるとともに軸線に関して線対称をなしており、冷却チャネルが軸線に関して漏斗形状である。
【００１７】
本発明の別の実施形態によれば、冷却チャネルが複数の入口ポート及び複数の出口ポート経由で冷却回路に接続されている。
【００１８】
本発明の別の実施形態によれば、ボリュート（ｖｏｌｕｔｅ：渦巻き部）が、入口ポートと冷却チャネルとの間、及び出口ポートと冷却チャネルとの間に設けられている。
【００１９】
本発明の別の実施形態によれば、冷却媒体が軸線近くの冷却チャネルに入り、軸線から離れた冷却チャネルから出る。
【００２０】
本発明の別の実施形態によれば、流れを乱す手段が冷却チャネル内の所定位置に設けられている。
【００２１】
本発明の別の実施形態によれば、流れを乱す手段が、特に攪乱部材（ｔｕｒｂｕｌａｔｏｒ）形状の、複数の障害物を含み、その障害物が、反射シェルの裏側とは反対にある冷却チャネルの側面上及び／又は反射シェルの裏側上に取り付けられている。
【００２２】
本発明の単なる別の実施形態によれば、冷却回路が熱交換手段、圧縮器及び制御弁を含む閉じた回路であり、それによって制御部が圧縮器及び／又は制御弁及び／又は熱交換手段を制御するために設けられている。
【００２３】
本発明に係る光学コレクタを動作させる方法は、冷却チャネルを通って流れる冷却媒体の圧力及び／又は質量流量及び／又は温度が、反射シェルに熱的に誘発される変形を補償するために用いられることを特徴とする。
【００２４】
本発明に係る方法の一実施形態によれば、反射シェルの変形の特徴を示す入力信号に従って、冷却媒体の圧力及び／又は質量流量及び／又は温度が制御される。
【００２５】
本発明に係る方法の別の実施形態によれば、ガスが冷却媒体として用いられる。
【００２６】
本発明に係る方法の単なる別の実施形態によれば、ガスが、水素、ヘリウム、アルゴン、ネオン、クリプトン、キセノン、塩素、窒素、フッ素、臭素及びヨウ素を含むガスのうちの１つである、又は前記ガスのうちの２つ以上からなる混合物である。
【００２７】
本発明に係るＥＵＶ源は、ターゲット物質の一連のドロップレットを照射するターゲット供給システムと、ＥＵＶ生成位置でターゲット物質を強熱する高出力駆動レーザと、ＥＵＶ生成位置で生成されたＥＵＶ光を集める光学コレクタとを備えており、それによってその光学コレクタが本発明に係るコレクタである。
【００２８】
次に、様々な実施形態によって及び添付の図面を参照して本発明をより詳細に説明する。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】コレクタの基本的な設計の断面図を示しており、そのコレクタでは、剛性の支持構造体が反射シェル間におけるガス流に基づく対流冷却用の冷却チャネルと薄い反射シェルとを保持する。
【図２】冷却を局所的な熱負荷に適合させるための機構であって、コレクタシェルとは反対の表面上の冷却チャネル内にあるリブ状障害物が、冷却媒体の流れを乱し、冷却媒体の流れる方向を変え、冷却媒体の流れを加速させることによって熱伝達を増進する機構を説明する。
【図３】コレクタのいたる所における温度プロファイルを形成する熱伝達を増進させるリブの有効性を示す。
【図４】一定の冷却媒体圧力及び物質温度変化に対するコレクタ表面の変形を定量化している。
【図５】温度及び冷却媒体圧力の影響による薄いコレクタシェルの変形態様を図示する。
【図６】放射線が焦点に向けて反射され、かかる焦点の半径範囲上の変形された表面が及ぼす悪影響を示す。
【図７】ＥＵＶ源の簡略化された構成を示す。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
本発明は、楕円コレクタ光学系がＥＵＶ放射線源に用いられる際に楕円コレクタ光学系を熱的及び機械的に取り扱う冷却機構に関するものである。この光学系の目的は、その光学系のプラズマ源から来る放射線を集め、集められた放射線を中間焦点に焦点を合わせることである。本発明は、ＥＵＶ源内のコレクタ光学系が直面する２つの主な問題を解決する対処法を含む。すなわち、プラズマから生じる熱負荷が物質温度を上昇させ、コレクタのいたる所に温度勾配をもたらすことであり、これらはコレクタの反射面の変形を誘発する。一方、集められた放射線の使用には、反射された放射線の焦点において非常に小さなスポットサイズが要求される。このことは放射線源の輝度を確実に高くするためである。コレクタの反射シェルに変形が誘発されると、コレクタに要求される焦点調整の質が損なわれることになる。
【００３１】
新規の設計と制御手法は、コレクタ物質内の温度分布を調整することと、熱的に誘発された変形を補償することを可能にする。第１のステップでは、反射シェルの厚さが実質的に減らされ、このことは局所的温度に対して対流熱伝達の強い影響を及ぼす。伝導による熱の横分布は、シェルの厚さ方向にわたる熱伝達と比較して減少される。このことは、対流熱伝達を裏側の冷却媒体（ガス）に局所的に調節させることによって温度に局所的に影響を及ぼすことを可能にする。高い熱負荷を伴う領域では、ガス流の流れを加速し、流れの方向を変更し又は流れを乱すことによって局所的な熱伝達が増進される。従って、熱負荷が非均一的に分布されるにもかかわらず、反射シェルの温度を略均一（±１℃）にすることが実現できる。
【００３２】
一方では反射シェルが薄く設計され、他方では支持構造体が堅いと、反射シェルの一定の変形態様のみが可能になる。有限要素シミュレーションの結果、冷却媒体の圧力が上がると局所的な表面回転が誘発され、その局所的な表面回転が、反射面の広範囲にわたって物質温度が上昇する（冷却媒体の質量流量が減少する）ことによって誘発される局所的な表面回転とは反対方向であることがわかった。換言すると、冷却媒体の圧力が上がると楕円表面を一方向に膨張させる一方で、物質温度が上昇するとその反対方向への変形を引き起こすので、結果としてその楕円表面が変形していない形状に近く変形された輪郭になる。このため、集められた放射線をできる限り小さなスポットまで小さくして焦点調整するために有害である局所的な表面回転を補償することになる。これによって、コレクタの閉じた冷却ループ内の圧力は、対応する動作点に変形を誘発する温度を補償するために要求されたレベルに一致しなければならない。しかしながら、反射シェルの形状は必ずしも完全に楕円形であるとは限らない。動作条件によるいくつかの変形は、製造時に既に補償されることができるので、従って、「冷却」シェルはもはや完全に楕円形ではない。
【００３３】
本発明の一実施形態にかかる基本的なコレクタ機構を図１に示す。コレクタ１５は、線対称の反射シェル２５を支持する線対称の剛性支持構造体２４を備える。冷却媒体２６は、コレクタ１５の開口部２２の周りに配置された１つ又は複数の入口ポート２７からコレクタ支持構造体２４に注入される。第１の周囲のボリュート２８では、冷却媒体２６が、反射シェル２５の裏側に沿って延びている漏斗形状の冷却チャネル２９に入る前に、冷却媒体２６の流れが中心軸線３０の周りに分布される。反射シェル２５の裏側を通過した後に、冷却媒体２６は第２の周囲のボリュート３１に集められて、１つ又は複数の出口ポート３２が冷却媒体２６をその第２の周囲のボリュート３１から放出する。冷却媒体２６はガスであり、少なくとも熱交換手段３４及び圧縮器３５を含む閉じた冷却回路３３に戻る。冷却媒体２６の圧力及び／又は質量流量及び／又は入口温度は、冷却回路３３の一部である圧縮器３５及び／又は制御弁４１及び／又は熱交換手段３４によって制御されてもよい。圧縮器３５及び／又は制御弁４１及び／又は熱交換手段３４の動作は制御部４０によって制御され、制御部４０は、反射シェル２５の変形の特徴を示す入力信号４２を（例えば温度及び／又は変形センシング手段から）受信する。
【００３４】
コレクタ１５の温度分布を形成する手段を図２に図示する。断面図は、既定の局所的な幅の冷却チャネル２９を示す。冷却媒体の流れ２６を加速させ、反射シェル２５の裏側へ向かわせるために、リブ又は攪乱部材３６形状（この場合はくさび形状）のインサートが所定位置において支持構造体２４の内面上に分布されている。これらの攪乱部材３６が取り付けられ障害物として機能する領域では、反射シェル２５の裏側から冷却媒体２６の流れへの熱伝達が増進される。あるいはまた、類似の攪乱部材が反射シェル２５の裏側に設けられていてもよい。
【００３５】
図３は、実験的に取得されたコレクタ１５の半径方向温度プロファイル（半径位置に依存する平均温度Ｔｍｅａｎからの偏差）を比較するものである。元の温度プロファイル（曲線Ｂ）と比較して、攪乱部材が挿入された領域において温度が低下されていること（曲線Ａ）は、これらの領域において冷却が増進されていることを証明するものである。温度プロファイルを形成するために、攪乱部材の間隔、位置、サイズ及び方向のような様々なパラメータの影響は、詳細に調査されており、この図面にも部分的に認められ得る。
【００３６】
基板温度や冷却媒体圧力の変化によって変形が誘発される際のコレクタ１５の薄い反射シェル２５の変形態様を図５に示す（変形されたシェルは番号２５’及び２５’’によって参照される）。内側支持体３７及び外側支持体３８に近く、堅い又は固定された領域はそれぞれ、反射シェル２５の中央の楕円部分３９の変形よりも小さい変形に直面している。変形の形状は、ある位置における温度上昇による表面回転（２５’）が、冷却媒体圧力の上昇によって誘発される表面回転（２５’’）とは反対方向となるようなものである。これらの変形の相対的な程度は、半径位置に依存し、シェル２５の物質温度が１０℃上昇することを補償するために冷却媒体圧力が１バール（ｂａｒ）まで上昇することを要求されるようなものである。このことは図４から分かることができ、図４は、様々な表面角度に対する表面温度や冷却媒体圧力の変化による表面回転の増加を示す。反射シェル２５は必ずしも均一な厚さを有していなくてもよい。いくつかの場合には、熱的又は機械的に誘発された変形の所望の態様を作り出すために、反射シェル２５の厚さが反射シェルの表面にわたってわずかに変化することが有利であり得る。
【００３７】
変形されたコレクタ表面が補償無しでＥＵＶ源１０の中間焦点すなわち第２の焦点２１のスポットサイズにどの程度影響を及ぼすかは、図６におけるレイトレーシング結果から分かり得る。完全な楕円がミラー形状として用いられる場合、反射された光線はコレクタの変形によって動作条件下で中間焦点から１．２ｍｍまで外れる。薄く設計するという本解決策のため、熱的に誘発された変形を補償することは、十分に小さい焦点スポットサイズを実現するために不可欠である。
【００３８】
本発明をＥＵＶ放射線に関して上述したが、本発明はＸ線、すなわち波長範囲１ｎｍから１００ｎｍまでのすべてに役に立ち得る。
【符号の説明】
【００３９】
１０  ＥＵＶ源
１１  チャンバ
１２  駆動レーザ
１３  窓
１４  駆動レーザパルス
１５  コレクタ（楕円形）
１６  機械的支持体
１７  ターゲット供給システム
１８  ＥＵＶ光
１９  （ターゲット物質の）ドロップレット
２０  ＥＵＶ生成位置
２１  第２の焦点
２２  開口部
２３  光学システム
２４  支持構造体
２５、２５’、２５’’  反射シェル
２６  冷却媒体
２７  入口ポート
２８、３１  ボリュート
２９  冷却チャネル
３０  軸線
３２  出口ポート
３３  （閉じた）冷却回路
３４  熱交換手段
３５  圧縮器
３６  攪乱部材
３７  内側支持体
３８  外側支持体
３９  （シェルの）楕円部分
４０  制御部
４１  制御弁
４２  入力信号
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2013522889.tif 000009
【国際調査報告】
2013522889.tif 000010
2013522889.tif 000011
2013522889.tif 000012