(57)【要約】  本発明は、第２のウェハ（１１０）に接合された第１のウェハ（１１６）の露出面に存在する材料の断片（１１８）を除去する方法に関し、この方法は、第１のウェハ（１１６）を溶液の中に入れること、及びこの溶液に超音波を伝えることから成るステップを含む。本発明はまた、多層構造体（１１１）を製造する方法に関し、この方法は、以下の連続するステップ、すなわち、第１のウェハを第２のウェハに接合して多層構造体を形成するステップと、この構造体をアニールするステップと、第１のウェハを薄くするステップとを含み、この薄くするステップは、第１のウェハを化学的にエッチングする少なくとも１つのステップを含む。この方法は、化学エッチングステップの後に、薄くした第１のウェハ（１１６）の露出面に存在する材料の断片（１１８）を除去するステップをさらに含む。【選択図】  図１Ｄ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第２のウェハ（１１０）に接合された第１の層（１１６）の露出面に存在する材料断片（１１８）を除去する方法であって、除去されるべき前記断片が２μｍよりも大きく、前記方法が、
少なくとも前記第１の層を溶液（１２６、１３０）の中に沈めるステップと、
前記溶液中に超音波を伝えるステップであって、前記超音波の周波数及び出力が、前記溶液中にキャビテーション効果を生み出すように設定されて、前記断片が前記露出面から除去されているステップと、を含む方法。
【請求項２】
前記断片が、前記第１の層を化学的にエッチングする先行するステップ（Ｅ４）の結果として生じる、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記超音波の周波数及び出力が前記溶液の粘度に応じて設定される、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
前記溶液が洗浄液（１３０）である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記溶液がエッチング液（１２６）である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記溶液が以下の溶液、すなわちＴＭＡＨ溶液、ＫＯＨ溶液及びＨ３ＰＯ４溶液のうちの少なくとも１つを含む、請求項１〜５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
除去されるべき前記材料断片（１１８）の少なくとも一部が、前記第１の層（１１６）を化学的にエッチングする先行するステップの間中に形成された前記第１の層の断片である、請求項１〜６のいずれか一項に記載の除去方法。
【請求項８】
除去されるべき前記材料断片が以下の残留物、すなわち前記第１の層（１１６）と前記第２のウェハ（１１０）の間の接合界面に少なくとも位置する酸化物層（１０６）から生じる酸化残留物と、前記第１の層の周縁部から生じるシリコン残留物と、前記第１の層の周縁部から生じる微小構成要素の残留物とのうちの少なくとも１つを含む、請求項１〜７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
多層構造体を製作する方法であって、
第１のウェハ（１０８）を第２のウェハ（１１０）に接合して多層構造体（１１１ａ）を形成するステップと、
前記構造体をアニールするステップと、
前記第１のウェハを薄くするステップと、を連続して含み、前記薄くするステップが、前記第１のウェハを化学的にエッチングする少なくとも１つのステップを含み、
前記化学エッチングステップの後に、前記薄くした第１のウェハ（１１６）の露出面に存在する材料断片（１１８）を、請求項１〜６のいずれか一項に定義された除去方法を用いて除去するステップをさらに含むことを特徴とする、方法。
【請求項１０】
前記接合ステップの前に前記第１のウェハを酸化するステップをさらに含む、請求項９に記載の製作方法。
【請求項１１】
前記化学エッチングステップがエッチング液（１２６）の槽内で実施され、前記断片の除去中に使用される前記溶液が前記エッチング液である、請求項９又は１０に記載の製作方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野及び背景技術】
【０００１】
本発明は、少なくとも１つの層を最終基板の上に移転することによって製造される多層半導体構造体又はウェハの製造の分野に関する。このような層移転は、第１のウェハ（又は最初の基板）を第２のウェハ（又は最終の基板）に接合することによって、例えば直接接合することによって得られ、第１のウェハは一般に接合後に薄くする。移転された層は、ある構成要素の全部又は一部、若しくはいくつかの微小構成要素をさらに含むこともある。
【０００２】
より正確には、本発明は、接合によって形成される多層構造体の製作中に移転層の露出面に現れる材料断片の問題に関する。この汚染の影響は特に、多層構造体の第１のウェハに対し実施される化学エッチングステップの後、例えばこの第１のウェハを薄くしている間中に、また特に接合界面を完全に安定化することが不可能であった場合に確認された。
【０００３】
このタイプの汚染は、ＳＯＳ（シリコンオンサファイア（Ａｌ２Ｏ３））異種多層構造体の製作中に特に確認された。
【０００４】
化学的に薄くするステップの後に移転層の表面を清浄にするための、多層構造体の製作中に通常使用される技法は、加圧噴射を用いて洗浄する（すなわち、清浄にする）ステップである。一般に、加圧噴射の水（又は任意の洗浄液）は、清浄にされるべきウェハの表面に手動でかけられ、この技法は「シャワー洗浄」と呼ばれることもある。
【０００５】
しかし、本出願人は、この技法の効果が限られていることを確認した。その理由は、この技法によっては、清浄にされるべきウェハの表面に存在する断片のうちのほんの少ししか除去できないということである。さらに、加圧噴射を使用する洗浄ステップを満足に自動化することが現在は不可能である。この技法は人が介在する必要があり、そのため洗浄ステップの工業化は限定される。
【０００６】
さらに、研磨ステップの間中にウェハを清浄にするのに、現在は超音波槽が通常使用される。例えば、文献ＥＰ１６６２５６０には、円形凹部の境界線を成す周縁部が前面に含まれるＳＯＩウェハを処理する工程が記載されている。この工程は、この目的のために用意された機械を用いて、研磨によってこの縁部を除去することを特に含む。この研磨機械は、洗浄液を収容するトレイを特に備える。研磨後にウェハを清浄にするために、処理されるウェハが洗浄液中に沈められ、超音波が溶液中に伝えられる。
【０００７】
この洗浄技法では一般に、研磨後に残っている塵粒子を除去することが問題である場合には、満足な結果が得られる。しかし本出願人は、このタイプの機械が、化学エッチングステップ後の多層構造体の露出面に存在する材料断片は満足に除去しないことを確認した。
【０００８】
したがって、多層構造体の製作中にその表面に現れやすい材料断片を簡単に、且つ効果的に除去することが現在必要とされている。より具体的には、化学的にエッチングされた多層構造体の第１のウェハを効果的に清浄にすることが必要とされている。
【発明の概要】
【０００９】
本発明の目的の１つは、上述の必要に応じる解決方法を提供することである。この目的のために、本発明は、第２のウェハに接合された第１の層の露出面に存在する材料断片を除去する方法を提供する。この除去されるべき断片は２μｍよりも大きい。この方法は、少なくとも第１の層を溶液の中に沈めるステップと、この溶液中に超音波を伝えるステップであって、超音波の周波数及び出力は、溶液中にキャビテーション効果を生み出すように設定されて、断片が露出面から除去されているステップと、を含む。
【００１０】
断片のサイズは、断片の長さ、幅又は直径に相当しうることに留意されたい。
【００１１】
有利なことに本発明の方法では、多層構造体の表面にその製作中、特に化学エッチングステップの間中に堆積した、比較的大きい材料断片を除去することが可能になる。
【００１２】
この方法はまた、動作パラメータ（超音波の周波数、超音波の出力など）が容易に制御可能及び再現可能であるという点でも有利である。したがって、この方法では、例えば薄くするステップの間中に化学的にエッチングされた多層構造体の洗浄を工業化することが可能になる。
【００１３】
材料断片は、例えば、第１の層を化学的にエッチングする先行するステップにより生じる。
【００１４】
超音波の周波数及び出力は、好ましくは溶液の粘度に応じて設定される。したがって、以下でより詳細に説明するように、本発明の除去方法の効果を最適にすることが可能である。
【００１５】
さらに、溶液は洗浄液とすることができる。代替として、溶液はエッチング液とすることもできる。
【００１６】
したがって、本発明の方法は、多層構造体の第１のウェハを化学的にエッチングするために使用されるエッチング液の槽内で、直接実施することが可能である。この場合、エッチング液は、超音波を伝える媒体として機能する。このように、化学エッチングを実施し、第１のウェハの表面に堆積した材料断片を除去するのに、１つのトレイ及び１つの溶液しか必要としない。
【００１７】
溶液は、以下の溶液、すなわちＴＭＡＨ溶液、ＫＯＨ溶液及びＨ３ＰＯ４溶液のうちの少なくとも１つをさらに含むことができる。
【００１８】
本発明の特定の一態様によれば、除去されるべき材料断片の少なくとも一部は、第１のウェハを化学的にエッチングする先行するステップの間中に形成された第１のウェハの断片である。
【００１９】
さらに、除去されるべき材料断片は、以下の残留物、すなわち第１のウェハと第２のウェハの間の接合界面に少なくとも位置する酸化物層から生じる酸化残留物と、第１のウェハの周縁部から生じるシリコン残留物と、第１のウェハの周縁部から生じる微小構成要素の残留物とのうちの少なくとも１つを含むことができる。
【００２０】
本発明はまた、多層構造体を製作する方法に関し、この方法は、以下の
第１のウェハを第２のウェハに接合して多層構造体を形成するステップと、
構造体をアニールするステップと、
第１のウェハを薄くするステップと、を連続して含み、この薄くするステップは、第１のウェハを化学的にエッチングする少なくとも１つのステップを含み、
化学エッチングステップの後に、第１のウェハの露出面に存在する材料断片を、上述の除去方法の各実施形態の１つに従って除去するステップをさらに含むことを特徴とする。
【００２１】
この方法は、接合ステップの前に第１のウェハを酸化するステップをさらに含みうる。
【００２２】
この追加の酸化ステップでは、酸化層を第１のウェハと第２のウェハの間の接合界面に配置して、これら２つのウェハの接合を容易にすることが特に可能になる。
【００２３】
特定の一実施形態では、化学エッチングステップはエッチング液の槽内で実施され、断片の除去中に使用される溶液はエッチング液である。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１Ａ】ＳＯＩ多層構造体の製造を示す概略図である。
【図１Ｂ】ＳＯＩ多層構造体の製造を示す概略図である。
【図１Ｃ】ＳＯＩ多層構造体の製造を示す概略図である。
【図１Ｄ】ＳＯＩ多層構造体の製造を示す概略図である。
【図２】図１Ａ〜１Ｄに示された製造工程の主なステップを流れ図の形で示す図である。
【図３】本発明による、材料断片を除去する方法を概略的に示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
本発明の他の特徴及び利点は、本発明の非限定的で例示的な一実施形態を示す添付の図を参照することで、以下の説明から明らかになろう。
【００２６】
本発明は、一般的には、多層構造体の製作中にその露出面に現れる望ましくない材料断片を除去することに関する。
【００２７】
多層すなわち複合の構造体は、第１のウェハを第２のウェハに接合することによって製造され、この第２のウェハは第１のウェハを支持する。
【００２８】
多層構造体を形成するウェハは一般に円形であり、様々な直径、特に１００ｍｍ、２００ｍｍ又は３００ｍｍの直径を有しうる。しかし、ウェハは、例えば長方形など、いかなる形状であってもよい。
【００２９】
これらのウェハは好ましくは、面取りした縁部、すなわち上方面取部及び下方面取部を含む縁部を有する。これらの面取部は一般に、丸くなった形状を有する。しかしウェハは、ベベルなど様々な形状の面取部又は縁部丸みを有しうる。
【００３０】
これらの面取部の役割は、ウェハの取り扱いを容易にすることであり、また、縁部が尖鋭であれば起こりうる縁部の断片化を防止することである。このような断片はウェハ表面の粒子汚染の原因になる。
【００３１】
次に、多層構造体を製作する例示的な工程を、図１Ａ〜図１Ｂを参照して説明する。
【００３２】
図１Ａ及び図１Ｂに示されるように、複合構造体１１１ａが、第１のウェハ１０８を第２のウェハ１１０と結合することによって形成される。
【００３３】
この例では、第１のウェハ１０８は、２つのシリコン層（すなわち上層１０１及び下層１０２）の中間の埋込酸化物層１０４を含むＳＯＩ構造体である。第２のウェハ１１０は、ここではサファイアでできている。
【００３４】
第１のウェハ１０８と第２のウェハ１１０は、ここでは同じ直径を有する。しかしこれらは、それぞれ異なる直径を有することもある。
【００３５】
好ましくは、２つのウェハ１０８及び１１０のうちの少なくとも一方が、接合の前に酸化されている。この酸化により特に、接合が実施された後に２つのウェハの中間の酸化物層が得られる。この酸化は、酸化媒体中の熱処理によって行うことができる。ここで説明する例では、第１のウェハ１０８は、第１の層の表面全体にわたって酸化物層１０６が形成されるように、接合の前に酸化される。代替として、接合酸化物層と呼ばれる酸化物層を第１のウェハ１０８の結合されるべき側に、第２のウェハ１１０に接合する前に堆積することも可能であり、後者は場合により表面酸化物層も含む。したがって、第１のウェハ１０８と第２のウェハ１１０の間の界面に接合酸化物層があり、それによってこれら２つのウェハ間の接合をより良くすることができる。
【００３６】
さらに、第１のウェハ１０８は、面取縁部、すなわち上方面取部１２２ａ及び下方面取部１２２ｂを含む縁部を有する。第２のウェハ１１０は同様に、上方面取部１２４ａ及び下方面取部１２４ｂを含む縁部を有する。
【００３７】
ここで説明する例では、第１のウェハ１０８と第２のウェハ１１０は、直接接合（分子接合とも呼ばれる）によって結合され、この技法は当業者によく知られている（ステップＥ１）。
【００３８】
しかし、例えば陽極接合、金属接合又は接着剤接合など、他の接合技法を使用することもできる。
【００３９】
直接接合の原理は、２つの面を直接接触させることに基づき、すなわち特定の追加材料（接着剤、ワックス、ハンダ）が使用されないことを思い起こされたい。このような作業工程を実施するために、接合されるべき各表面は、十分に平滑でなければならず、微粒子又は汚染があってはならず、また接触が開始できるように、通常は数ナノメートル未満の距離まで、互いに十分に接近させなければならない。この場合、２つの表面間の引力は、直接接合（接合されるべき２つの表面の原子間又は分子間のすべての引き合う電子相互作用力（ファンデルワールス力）によって誘発される接合）を生じさせるのに十分なだけ強い。
【００４０】
第１のウェハ１０８は、第２のウェハ１１０に接合されるべき側に微小構成要素（図示せず）を備えることが、微小構成要素の１つ又は複数の層を最終基板へ移転する必要がある３次元集積の場合に特に可能であり、又は、例えばバックライト付き撮像装置の製作の際などの回路移転の場合に可能であることに留意されたい。
【００４１】
次に、複合構造体１１１ａは、中程度の温度（例えば、４００℃で２時間）で接合界面強化アニールにかけられる。このアニールは、第１のウェハ１０８と第２のウェハ１１０の間の接合を強化するためのものである（ステップＥ２）。
【００４２】
このアニールが実施された後、一般に第１のウェハ１０８を薄くして、所与の厚さ（例えば、約１０μｍ）を有する移転層がこの支持ウェハの上に形成される。この薄くする作業工程は一般に、化学エッチング工程を含む。
【００４３】
ここで本出願人は、化学エッチング工程を伴う薄くするステップの後に、望ましくない材料断片が第１のウェハ１０８の露出面上に現れることを確認した。
【００４４】
これらの材料断片についての深く掘り下げた調査により、その形成メカニズムを理解することが可能になった。その形成メカニズムを、第１のウェハ１０８を薄くする例示的なステップを示す図１Ｃ及び図１Ｄに関して、より詳細に説明する。
【００４５】
この薄くするステップは一般に、別々の２つのサブステップを含む。第１のウェハ１０８は、グラインダによって、又は第１のウェハの材料を研削できる他の任意の工具によって、まず機械的に薄くする（ステップＥ３）。この第１の薄くするサブステップにより、上層１０２のほとんどが除去され、残留層１１２（図１Ｃ）だけが残る。
【００４６】
次に、第２の薄くするステップで、残留層１１２は化学的にエッチングされる（ステップＥ４）。このステップは、エッチング液１２６（図１Ｄ）を備える槽に複合構造体１１１ｂを入れるものである。
【００４７】
ここで説明する例では、第１のウェハ１０８のシリコンをエッチングするのにＴＭＡＨ溶液が使用される。しかし、他の化学エッチング液を想起することもでき、これらの溶液は、薄くすべき第１のウェハの組成に応じて特に選択される。例えば、ＫＯＨ又はＨ３ＰＯ４溶液を状況に応じて使用することができる。
【００４８】
第１のウェハの層１０１と１０２の中間の埋込酸化物層１０４は、化学エッチング中にストップ層として機能する。したがって、化学エッチングは酸化物層１０４で止められる。こうして化学エッチングによって、機械的に薄くした後に残っている残留層１１２を除去する。
【００４９】
しかし、本出願人は、化学エッチング工程の後に、材料断片１１８が第１のウェハ１１６の露出面に存在していることを確認した。これらの断片は、サイズが２μｍよりも通常は大きい。
【００５０】
調査により、これらの材料断片は、第１のウェハの縁部から生じる破片であることが示された。
【００５１】
より詳細には、第１及び第２のウェハの面取縁部は、これら２つのウェハがその周辺部で接合することで問題を引き起こす。中程度の温度の接合界面強化アニールにもかかわらず、第１のウェハ１０８の、下方面取部１２２ｂの近くに位置する周辺の環状部分は、第２のウェハ１１０と十分に接合しない（また、全く接合しないことさえある）。
【００５２】
機械的及び化学的に薄くする各ステップの間中に第１のウェハの厚さが低減することで、下方面取部１２２ｂ近くの第１のウェハの縁部が著しく脆弱になる。
【００５３】
化学エッチング工程の間中の横方向エッチングで、接合されていない（又は接合が弱い）第１のウェハの周辺域がさらに脆弱化する。このさらなる脆弱さにより一般に、薄くした第１のウェハの周辺で破損が抑制されないことになる。これらの破損により、破片又は材料断片が形成されることになり、これらはその後、薄くした第１のウェハ１１６の露出面に堆積しやすい。
【００５４】
こうして、酸化物を含有する、また場合によりシリコンを含有する断片が、薄くした第１のウェハ１１６の露出面を汚染する可能性がある（図１Ｄ）。
【００５５】
破損は特に、化学エッチング中の薄くする過程で、第１のウェハの残りの厚さではウェハがそれ自体の重量を周辺部で支えることができないときに起こる。一旦この限界状態に達すると、下方面取部１２２ｂ近くの第１のウェハの周辺部分が崩壊し、それによって望ましくない材料断片１１８が生成されるようである。
【００５６】
本出願人は、これらの材料断片１１８が一般に比較的大きいことをさらに確認した。通常これらの断片は、サイズが少なくとも２μｍある。これらの断片のサイズが大きいことは、上述した崩壊という断片形成メカニズムによって特に説明がつく。これらの断片は、そのサイズが大きいために、従来の超音波洗浄処理によっては効果的に除去することができない。
【００５７】
これらの断片１１８は、回路残留物を含みうることにもまた注意されたい。この回路残留物は、第１のウェハ内に、第１のウェハが第２のウェハ１１０と接合される側で埋め込まれる、どの微小構成要素からも生じる。
【００５８】
したがって本出願人は、多層構造体の製作中にその表面に現れる可能性があるいかなる材料断片も除去する方法を開発した。本発明の例示的な一実施形態を、図２及び図３を参照して説明する。
【００５９】
化学エッチングが実施された後（図１Ｄ）、多層構造体１１１ｃは洗浄され、次に、図３に示されるように、洗浄液１３０を収容しているトレイ１２８（又は皿）に入れられる。この洗浄液は、例えば脱イオン水（ＤＩＷ）とすることができる。しかし、他の洗浄液もまた想起することができる。
【００６０】
超音波、すなわち、例えば液体によって２０ｋＨｚよりも高い周波数で伝達される機械的な弾性波が次に、複合構造体１１１ｃが沈められている洗浄液中に伝えられる。
【００６１】
この超音波は、例えば圧電変換器を所与の周波数及び出力で発振させることによって生成することができる（例えば超音波洗浄剤を使用して）。しかし他の超音波変換器を本発明との関連で想起することもできる（磁歪変換器、空気式発生器など）。
【００６２】
特定の条件のもとで超音波を放射すると、洗浄トレイ１２８の中で、音響キャビテーション効果と呼ばれるものがもたらされる。より具体的には、超音波は、洗浄液１３０中に大幅な圧力低下を生じさせる。この圧力低下は、それが限界閾値に達したとき、洗浄液１３０中に泡を生じさせる。この泡は一般に、キャビテーション泡と呼ばれる。
【００６３】
キャビテーション泡は特に不安定であるので、薄くした第１のウェハ１１６の露出面に遭遇すると内破する。泡が内破したとき、これらの泡は衝撃波を放射しうるが、この衝撃波は、薄くした第１のウェハ１１６の露出面に存在する材料断片１１８を分解し、剥離し、分散させるのに十分な強さがある。
【００６４】
薄くした第１のウェハ１１６の露出面から剥離された後、材料断片１１８は洗浄液１３０によって除去される。
【００６５】
このキャビテーション効果をもたらす圧力低下の大きさは、放射される超音波の周波数及び出力に特に依存する。本出願人は、サイズが少なくとも２μｍある断片を除去できるキャビテーション効果を得るには、使用される超音波は周波数が低くなければならないことを確認した。言い換えると、この周波数は、２０ｋＨｚ〜１０００ｋＨｚの間に位置する一帯域内になければならない。周波数がこの帯域の下限（すなわち２０ｋＨｚ）に近ければ近いほど、より大きい断片が本発明の方法によって除去される。特定の一実施形態では、超音波の周波数は２０ｋＨｚ〜５００ｋＨｚの間にあり、２０ｋＨｚ〜１００ｋＨｚの間にさえある。一変形形態では、周波数は７００ｋＨｚ〜１０００ｋＨｚの間にある。
【００６６】
しかし、洗浄液１３０の粘度もまた、得られる圧力低下の大きさに影響を及ぼす。これは、洗浄液１３０の粘度が高ければ高いほど、キャビテーション効果を得ることがより困難になることによる。したがって、超音波が伝わる溶液の粘度は最小限にすることが推奨される。通常では溶液の粘度は、２５℃で３０ｍＰａ・ｓ（すなわち３０ｃＰ）以下でなければならない。本明細書では、「粘度」という語は、媒体の動粘度を意味すると理解されていることに注意されたい。
【００６７】
したがって、超音波の周波数及び出力は、洗浄液１３０の粘度に応じて設定される。
【００６８】
溶液の温度を、考えられる状況に適合させることもまた可能である。特に、溶液の温度が高ければ高いほど、溶液の粘度がいっそう減少する。したがって、３０ｍＰａ・ｓ未満の粘度を得るには、超音波が伝わる溶液を加熱することが可能である。
【００６９】
さらに、超音波の出力を変えると、材料断片１１８が除去される率が変わる。すなわち、超音波の出力が大きければ大きいほど、除去率がいっそう高くなる。この出力は、例えば６００Ｗ〜１２００Ｗの間に設定される。
【００７０】
下の表には実験条件が整理されており、これらの条件は、薄くした第１のウェハ１１６の表面の材料断片１１８を除去することを可能にするキャビテーション効果が得られるように、通常は適用することができる。
【表１】
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【００７１】
代替として、本発明による除去方法を、図１Ｄに示された化学エッチング工程の間中に、エッチング液１２６の槽内で直接実施することも可能である。この場合、エッチング液１２６（例えば、ＴＭＡＨ溶液）は、超音波を伝える媒体として機能し、キャビテーションは、エッチング液１２６のエッチング作用に伴う。
【００７２】
本発明による断片を除去する方法が実施された後、薄くした第１のウェハ１１６の周辺から環状部分を除去するために、輪郭削り工程を実施することが可能である。
【００７３】
さらに、本発明の方法は、あらゆるタイプの多層構造体に適用可能であり、より具体的には、ウェハに面取縁部（又は任意の形状の丸み付け縁部）がある多層構造体で、接合界面を完全に安定化させるために高温まで加熱することができない多層構造体に適用可能である。本発明は、ＳＯＳ構造体に特に適用可能である。
【００７４】
したがって、本発明による除去方法では、多層構造体の表面、より具体的には移転層（すなわち、薄くした第１の層）の露出面に堆積する、又は堆積しやすい材料断片を有利に除去する。
【００７５】
本発明の方法は、サイズが比較的大きい、すなわち通常はサイズが２μｍを超える微粒子を除去するのに特に適している。すなわちこの方法では、サイズが数ミクロン、さらに数センチメートルの断片が除去される。
【００７６】
本発明の方法はまた、動作パラメータが制御可能且つ再現可能であるという点でも有利である。したがって、この技法は、工業化のために最適化及び自動化することができる（従来の加圧噴射のもとでの洗浄処理とは対照的に）。例えば、本発明の方法を実施できるようにするために、超音波槽は、多層構造体を製造するラインに有利に組み入れることができる。
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図１Ｃ】
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【図１Ｄ】
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【図２】
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【図３】
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【国際調査報告】
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2013520829.tif 000011
2013520829.tif 000012
2013520829.tif 000013
2013520829.tif 000014
2013520829.tif 000015