(57)【要約】  半導体ウェーハのフォトリソグラフィ用のマスクが開示される。マスクは、マスクのハンドリング部から突き出た突起部を備える。ハンドリング部の外形は、マスクアライナ装置によって取り扱うことが可能になるように規定される。突起は、ハンドリング部の表面領域と異なる高さに設けられた表面を有する。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウェーハのフォトリソグラフィ用のマスクであって、
当該マスクのハンドリング部から突き出た突起部と、
マスクアライナ装置により取り扱うために設けられた前記ハンドリング部の外形と
を有し、
前記突起部の表面が、前記ハンドリング部の表面領域と異なる高さに設けられることを特徴とするマスク。
【請求項２】
前記突起部は円形の形状を有する、請求項１に記載のマスク。
【請求項３】
前記ハンドリング部の前記表面領域は環状の溝によって規定される、請求項１または２に記載のマスク。
【請求項４】
前記環状の溝は、前記ハンドリング部の縁端部に向かう斜面を有する、請求項３に記載のマスク。
【請求項５】
前記環状の溝は、前記ハンドリング部の縁端部に向かう曲面部を有する、請求項３または４に記載のマスク。
【請求項６】
前記環状の溝は、前記マスクの縁端部に向かうＳ字形の部分を有する、請求項３〜５のうちの一項に記載のマスク。
【請求項７】
前記ハンドリング部は正方形の形状を有し、前記突起は円形の形状を有する、請求項１〜６のうちの一項に記載のマスク。
【請求項８】
前記ハンドリング部の中央に切り抜き穴が設けられ、前記突起は前記切り抜き穴の中に設けられる、請求項７に記載のマスク。
【請求項９】
前記ハンドリング部の前記表面からの前記突起の高さは、５００〜６８０μｍの範囲である、請求項１〜８のうちの一項に記載のマスク。
【請求項１０】
前記ハンドリング部の前記表面からの前記突起の高さは、６００〜６５０μｍの範囲である、請求項９に記載のマスク。
【請求項１１】
フォトリソグラフィマスクを製造する方法であって、
前記マスクのハンドリング部の底面に円形の突起を設けるステップであって、前記突起の表面は前記ハンドリング部の表面領域と異なる高さに設けられるステップと、
前記円形の突起の底面に不透明層を設けるステップと、
前記不透明層にパターンを形成するステップと
を含むことを特徴とする方法。
【請求項１２】
マスクアライナにマスクを備えるステップが、前記マスクの底面に環状の溝を作成することにより前記円形の突起を設けるステップを含む、
請求項１１に記載のフォトリソグラフィマスクを製造する方法。
【請求項１３】
前記環状の溝を作成する前記ステップが、前記不透明層にパターンを形成する前記ステップより前に実行される、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記不透明層にパターンを形成する前記ステップが、前記環状の溝を作成する前記ステップより前に実行される、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
ウェーハのフォトリソグラフィのための方法であって、
ウェーハに、薄化された内側部分および前記ウェーハの支持構造を設けるステップと、
前記薄化された内側部分の少なくとも一部をフォトレジスト層で覆うステップと、
マスクを設けるステップであって、前記マスクの突起が前記ウェーハの前記内側部分の上面の上に設けられ、また前記マスクのハンドリング部が前記支持構造の上面の上に、異なる高さに設けられるステップと、
前記マスクに光源で上方から光を当てるステップと、
前記マスクの前記突起を持ち上げて外すステップと、
前記フォトレジスト層を処理するステップと
を含む方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本出願は、マスクアライナを用いたウェーハフォトリソグラフィに関する。
【背景技術】
【０００２】
ウェーハ上のフォトレジストに光を当てるいくつかの方法が知られている。第１の方法によると、ウェーハに光を当てるためにステッパが用いられる。別の方法によると、ウェーハに対してただ１つのマスクが用いられる。これにより、ウェーハ毎に１回だけの露光が必要とされる。
【０００３】
一般的なプロセスでは、光構造化可能なポリマーが、マイクロメータ域の厚さを持つポリマーが得られるように、スピニングプロセスによりウェーハ上に回転成形される。光構造化可能なポリマーをウェーハ上に載せるために、積層乾燥フィルムで被覆する等、他の方法も用いられる。
【０００４】
フォトリソグラフィのため、マスクがウェーハの上に配置され、上方から光が当てられる。マスクはガラス製の基板を通常有する一方で、特徴となる構造はマスクの底面上にクロム層でできている。いわゆるマスクアライナにおいて、光は光源から光学系を通りマスクへと到達する。光はマスクのクロム層において遮断されるが、クロムで覆われていない領域を通過する。マスクは通常正方形の形態をしているが、正方形の長さはウェーハの直径よりも数センチ大きいため、アライナのマスク保持部はウェーハあるいは光の光路に干渉しない。したがってマスクは、外径がウェーハの直径よりも大きく、そのためアライナのマスク保持部がウェーハまたは光の光路に干渉しなければ、円形の形態のものとすることができる。
【０００５】
マスクを通過する光が、レジスト上で光化学反応を引き起こさせる。ポジ型のレジストでは、露光された領域が現像後に除去され、ネガ型のレジストでは、露光されなかった領域が現像後に除去される。構造の解像度は、マスクのクロム構造での光の回折によって制限される。クロム構造を通過する光は、この構造で曲げられる。マスクにおける入射光が平行とみなすことができても、マスクを通過する光はもはや平行ではなく分散している。
【０００６】
レジストの間隙と解像度の関係は、臨界距離ＣＤによって概算することができる。臨海距離ＣＤは、間隙Ｓのもとで操作されるマスクアライナを用いることによって実現できる最小の特徴である臨界距離ＣＤは、次の関係によって与えられる。
【数１】
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ここで、ＣＤは臨界距離、λは露光で用いる光の波長、ｓはマスクとウェーハとの間隙の幅、ｔはレジストの厚さである。間隙ｔが大きいほど臨界距離が増加し、そのため解像度が減少することが、定量的に見ることができる。
【０００７】
この光の回折が、リソグラフィプロセスの解像度および精度を制限する。レジストにおいて明確に規定された特徴を持つためにできる限り高いコントラストを持つ構造を再現するため、回折の影響を最小限に抑えることが望ましい。
【０００８】
クロム層での光の回折は完全には避けることはできないが、許容レベルまで技術的に最小化することができる。これは、マスクとウェーハ間の距離である「間隙」を最小にすることにより行われる。こうすることにより、回折の強い影響が抑えられる。一般的には、間隙は２０〜８０μｍに保たれる。また間隙を実質的に持たないことも可能であり、これは「完全接触モード」と呼ばれる。このとき、回折が最小である。
【０００９】
マスクアライナやステッパとは別に、リソグラフィを行うことのできる他の光学系が知られている。投影システムは平行光を用いないが、マスクのパターンをウェーハ上に投影する光学構成を用いており、この構成において、回折が除去されはしないものの最小限に抑えられ、マスクをウェーハからより離れた位置に配置することができる。
【００１０】
半導体の特定の適用には、ウェーハの両側にリソグラフィ構造を持つことが望ましい。そのような適用は、シリコン貫通電極（Through Silicon Via：ＴＳＶ）アプリケーションを含む。ＴＳＶアプリケーションは、一方の面に集積回路、他方の面に電気的構造を有し、シリコンを貫いて両方の面を電気的に接続する電気導電構造を有することを特徴とする。
【００１１】
そのようなＴＳＶアプリケーションでは、シリコンウェーハの厚さを最小限に抑えることがさらに望ましい。この理由は主に、これらＴＳＶウェーハから生成されたチップは後にスタック状に組み立てられることによる。一般的には、望ましいシリコンの厚さは１５０μｍ未満である。シリコンがこの厚さに薄化されると、非常に砕けやすくなり自重で曲がる。
【００１２】
薄いシリコンの問題を克服するため、最新のキャリアレスシステムが提案されている。このコンセプトの共通の特徴は、ウェーハがリムの構造によって補強される一方で、ウェーハの中央部分は望ましい厚さに薄くなっていることである。リムの補強構造がウェーハに十分な力学的安定性を与えるが、中央部分は非常に薄くできる。この適用に照らして、そのような支持構造を外側リムに持つ薄化ウェーハを「リムウェーハ」とも呼ぶ。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
半導体ウェーハにリソグラフィを行うための改良型の装置および方法を提供することが、本出願の目的である。特に、先行技術で述べられているように、外側リムの支持構造と、薄化された内側部分とを備えるウェーハのためのリソグラフィを改善する方法および装置に関する。より具体的には、シリコン貫通電極（Through-Silicon-Via：ＴＳＶ）ウェーハのためのリソグラフィ用の改良型の方法および装置に関する。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本出願によると、リムウェーハの内側部分のリソグラフィ処理のための改良型マスクが提供される。内側部分は通常約５０〜１００μｍまで薄化される。一般的なマスクを用いると、ウェーハの内側部分の表面からマスクのクロム層までの間隙は、「完全接触モード」を用いたとして、少なくとも６００〜６５０μｍである。支持リムとマスクの間のいくらか追加の間隙を用いる場合には、間隙はこの「安全マージン」だけ広くなる。
【００１５】
本出願による改良型マスクは、距離６０μｍ未満の間隙を保たせることにより高解像度のリソグラフィを提供し、これは標準的な適用でよく用いられている。さらに、本出願は、マスクを改良することにより回折を最小限に抑える解決法を提供する一方で、アライナ自体は変更されない。このことは、既存の製品システムを追加コストなしで用いることができるというさらなる利点を有する。
【００１６】
本出願によるマスクを有するマスクアライナを用いるさらなる利点は、平行光に基づく簡単な光学構成を提供することであり、したがって投影アライナと比べて安価であり複雑でない。
【００１７】
実施形態全体にわたり、本出願は、半導体ウェーハのフォトリソグラフィ用のマスクであって、マスクのハンドリング部から突き出た突起部を備えるマスクを提供する。ハンドリング部の外形は、マスクアライナ装置により取り扱うために設けられる。ハンドリング部は、例えば正方形を用いることにより、マスクアライナ装置に嵌合するように適合される。突起の表面は、ハンドリング部の表面領域とは異なる高さに設けられる。したがって、突起の表面はリムウェーハの内側の薄化された面に近づけることができる。
【００１８】
位置合わせを容易にするために、突起部は好ましくは円形である。リムウェーハの支持構造への突起の挿入を容易にするために、円形の突起の半径は、リムウェーハのリムにおける支持構造の半径よりもわずかに小さく作られている。
【００１９】
本出願による実施形態では、突起の表面領域と異なる高さにあるハンドリング部の表面領域は、環状の溝によって規定される。
【００２０】
環状の溝は、例えばマスクの位置決めを容易にするために、種々の様式で形成してもよい。一実施形態では、溝はハンドリング部の縁端部に向かう斜面を有する。環状の溝は、ハンドリング部の縁端部に向かう曲面部をさらに有してもよい。また環状の溝は、マスクの縁端部に向かうＳ字形の部分を有してもよい。また溝は、非円形の突起を設けるために環状以外の外形を有してもよい。
【００２１】
一実施形態では、ハンドリング部が正方形で、突起が円形の形状をしている。これにより、現行のマスクアライナへの容易な挿入と同時に、ウェーハの簡単な位置合わせが可能になる。
【００２２】
また本出願によるマスクは、ハンドリング部の中央に切り抜き穴が設けられ、そこで突起が切り抜き穴内に設けられるように、設計されてもよい。これにより、ハンドリング部を残したまま突起を交換することができる。さらに、本出願によるマスクは、突起が接着等によりハンドリング部に固定される複合構造として設計されてもよい。複合構造は、異なる屈折率を持つ部品を設けるために、または重量および／または製造コストを低減するために異なる材料を使用するために、利用することができる。
【００２３】
より具体的な実施形態では、ハンドリング部の表面からの突起の高さは、５００〜６８０μｍの範囲である。
【００２４】
さらなる実施形態では、ハンドリング部の表面からの突起の高さは、６００〜６５０μｍの範囲である。薄化ウェーハの補強／支持構造の典型的高さは、６５０〜６８０μｍであり、半導体ウェーハの典型的厚さは７００μｍであり、またウェーハの薄化部分は、より厚かったりより薄かったりすることもあるが、典型的には２０〜８０μｍの厚さである。突起の高さは、容易な位置合わせおよび／または優れたリソグラフィ解像度の理由により、補強構造の高さ未満、実質的に同じ、またはそれ以上とすることができる。これについては、図１６と関連して以下に述べる。
【００２５】
さらに本出願は、フォトリソグラフィマスクを製造する方法を開示する。円形の突起が、マスクのハンドリング部の底面に設けられる。ハンドリング部は、マスクアライナに嵌合するように正方形に形作ることができ、円形の突起よりも大きい水平断面を有することになる。突起の表面は、ハンドリング部の表面領域と異なる高さに設けられ、円形の突起の直径は、ウェーハの外側リムにおける支持構造の直径よりわずかに小さい。クロムや銅等の不透明層が円形の突起の底面に設けられ、不透明層にパターンが形成される。
【００２６】
さらなる実施形態によると、マスクアライナにマスクを備えるステップは、マスクの底面に環状の溝を作成することにより円形の突起を設けるステップを含む。この実施形態は、立方体の形をした試験片から作られているため、機械加工するのが容易である。
【００２７】
さらなる実施形態によると、環状の溝を作成するステップは、不透明層を設けるステップより前、不透明層にパターンを形成するステップより前、あるいは不透明層にパターンを形成するステップより後に実行される。
【００２８】
さらに本出願は、リムウェーハ用の低コスト高解像度リソグラフィを提供するウェーハのフォトリソグラフィのための方法を開示する。薄化された内側部分と、外側リムに支持構造とを持つウェーハが提供される。薄化された内側部分の少なくとも一部がフォトレジスト層で覆われる。マスクが、マスクアライナ内に設けられ、マスクの円形の突起がウェーハの内側部分の上面の上になり、マスクのハンドリング部が支持構造の上面の上の異なる高さに設けられるように、位置合わせされる。マスクの円形の突起は、支持構造と境を接する円形の領域に少なくとも部分的に挿入される。マスクは、光源で上部から光を当てられる。マスクの円形の突起は円形の領域から持ち上げて外され、フォトレジスト層はエッチング等により処理される。ウェーハのさらなる処理ステップは、簡潔にするためにここでは言及しない。
【００２９】
以下の図を参照し、本出願をより詳細にこれから説明する。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】図１は、リムウェーハを通る断面を示す。
【図２】図２は、本出願によるマスクを通りリムウェーハを通る断面を示す。
【図３】図３は、図２のマスクの投影面Ａ−Ａへの投影図を示す。
【図４】図４は、図２の断面の拡大部分を示す。
【図５】図５は、本出願によるマスクの第２の実施形態を通りリムウェーハを通る断面を示す。
【図６】図６は、図４のマスクの投影面Ｂ−Ｂへの投影図を示す。
【図７】図７は、本出願によるマスクの第３の実施形態を通りリムウェーハを通る断面を示す。
【図８】図８は、図７のマスクの投影面Ｃ−Ｃへの投影図を示す。
【図９】図９は、図７のマスクの拡大部分および図７のマスクの２つのさらなる変形例の拡大部分を示す。
【図１０】図１０は、本出願によるマスクのさらなる実施形態の断面を示す。
【図１１】図１１は、図１０のマスクの投影面Ｄ−Ｄへの投影図を示す。
【図１２】図１２は、本出願によるマスクのさらなる実施形態の断面を示す。
【図１３】図１３は、図１２のマスクの投影面Ｅ−Ｅへの投影図を示す。
【図１４】図１４は、本出願によるマスク用のクロム層の第１の設計を示す。
【図１５】図１５は、本出願によるマスク用のクロム層の第２の設計を示す。
【図１６】図１６は、実施形態の変形例を示す。
【発明を実施するための形態】
【００３１】
図１は、凹部１１および支持構造１２を有するリムウェーハ１０の断面を示す。ウェーハ１０の直径は、今日の半導体製造で一般的なように、典型的には８インチ（２００ｍｍ）または１２インチ（３００ｍｍ）である。支持構造１２の高さは、通常７００μｍの帯域であり、これはウェーハ１０の当所の厚さである。支持構造１２は、ウェーハ１０のそれぞれの側で約２〜３ｍｍの幅を有する。凹部１１の底面に形成されるウェーハ１０の内側部分１３は、約５０〜１００μｍの厚さを有し、このことは６００〜６５０μｍが研削やエッチング等の方法で除去されていることを意味する。
【００３２】
本出願によるマスク１５の第１の実施形態を図２に示す。マスク１５は正方形のハンドリング部１６を備える。円形の突起１７が正方形のハンドリング部１６の底面に設けられる。ハンドリング部１６の正方形の形状および突起１７の円形の形状は、図２の投影面Ａ−Ａへのマスク１５の投影図を示す図３で最もよく見える。円形の突起１７の表面８は、ハンドリング部１６の表面９よりも低い高さに設けられる。
【００３３】
円形の突起１７は、以下の点を特徴とし、このことは図２において、および図４の拡大断面１８において見ることができる。
ａ）円形の突起１７の直径は、ウェーハ１０の薄化された内側部分１３の直径よりもわずかに小さい。
ｂ）円形の突起１７の高さは、凹部１１の深さとほぼ同じ大きさで、例えば６００〜６５０μｍである。
ｃ）突起１７の底面はクロム構造２０を備える。クロム構造２０は、薄化部分１３の上面に設けられたレジスト２１におけるパターンを規定する。
【００３４】
さらにクロム層が、突起１７の側壁２３に設けられてもよい。同様に、パターン形成されたクロム層が、マスクのハンドリング部１６に設けられてもよい。さらなるクロム層が、図４には示されていないが、マスクのさらなる実施形態を示す図１５で見ることができる。有利には、マスクのハンドリング部１６は、現行のマスクアライナとの互換性を可能にするため標準的なマスクと実質的に同じ寸法である。
【００３５】
本出願によるマスクを用いることにより、マスク１５の円形の突起１７は、ウェーハ１０の薄化された内側部分１３に密着させることができる。本出願の実施形態によると、マスク１５のハンドリング部１６は、マスク１５のリムにおける支持構造１２と接触しない。突起１７を内側部分１３の近くに配置することにより、回折を最小限に抑えることができる。このことで高解像度のリソグラフィが可能になり、これにより小さい特徴でも高精度で再現することができる。
【００３６】
本出願による別の実施形態のマスク１５’を図５に示す。図５の実施形態では、正方形のマスク１５’は、マスク１５’の底面にリング状の溝２５を含む。リング状の溝２５は、マスク１５’の底面を内側の円形突起１７と外側の縁端部分１９に分割する。図６では、溝２５のリング形状が破線で示されている。図７で見ることができるように、溝２５は、外側の支持リム１２が溝２５に嵌合するように形成されている。溝２５の側面および底面は、図５には示されていないが、クロム層で完全にまたは部分的に覆われてもよい。このクロム層にパターンを形成してもよい。これにより、マスク１５’のハンドリング部１６がウェーハ１０の薄化された内側部分１３に密着するまで、マスク１５’全体をウェーハ１０上に下げることができる。溝２５は、クロム層が塗布される前に、クロム層にパターンが形成される前に、あるいはクロム層にパターンが形成された後に、作成することができる。
【００３７】
図７〜９は、図５〜６のマスクのさらなる発展形を示す。簡略にするため、マスクは同じ参照番号１５’’で示す。溝２５は、フライス削りによる応力を最小限に抑えるために、またクロム層の構成用のいかなるレジストのより優れたスピニング加工をも可能にするために、様々な形状２５’、２５’’、２５’’’をとることができる。
【００３８】
図７は、本出願によるさらなる実施形態のマスク１５’’の断面を示す。図９は、図７の実施形態の拡大部分およびこの実施形態の変形例の拡大部分を示す。ここで、
変形例ａ）は、マスク１５’’の縁端部分１９に向かう斜面を有する溝２５’を含む。
変形例ｂ）は、マスク１５’’の縁端部分１９に向かう曲面部を有する溝２５’’を含む。
変形例ｃ）は、マスク１５’’の縁端部分１９に向かうＳ字形の部分を有する溝２５’’’を含む。
【００３９】
さらなる実施形態のマスク１５’’’を図１０に示す。図１１は、図１０のマスク１５’’’の投影面Ｄ−Ｄへの投影図を示す。図７の実施形態では、マスク１５’’’は上部の正方形のハンドリング部１６’’’および下部の円形の突起１７’を含む複合物として設計されている。
【００４０】
さらなる実施形態のマスク１５’’’’を図１２に示す。図１３は、図１２のマスク１５’’’’の投影面Ｅ−Ｅへの投影図を示す。図７の実施形態では、マスク１５’’’’は、ハンドリング部１６’’’’の中央に切り抜き穴２６を有する正方形のハンドリング部１６’’’’からなる複合物として設計されている。ハンドリング部１６’’’’における切り抜き穴２６の直径は、ウェーハ１０の薄化された内側部分１３の直径よりもわずかに小さい。この切り抜き穴２６の中に、円形のディスク１７’’が配置され、図１２には示されていないが、ディスク１７’’は底面にクロム構造を有する。円形のディスク１７’’の厚さは、円形のディスク１７’’の下部がハンドリング部１６’’’’から突き出るように、ハンドリング部１６’’’’よりも大きい。複合物のマスク１５’’’’がウェーハ１０上に下ろされると、マスク１５’’’’の突出しているディスク１７’’がウェーハ１０の薄化された内側部分１３に密着することができる。
【００４１】
以下でマスク１５と呼ぶ全てのマスク１５〜１５’’’に対して、クロム層およびこの層のパターン形成に関してさらなる変形が可能である。ウェーハ１０の薄化された内側部分１３に密着する突起１７は、マスクの「円形部」とも呼ばれる。円形部を担持するマスク１５のハンドリング部１６〜１６’’’’は、マスク１５の「正方形部」とも呼ばれる。ハンドリング部はマスクアライナに嵌合する形状を備える。典型的には正方形をしているが、長方形や他の形状で設けられてもよい。さらに「側壁」が、「円形部」から「正方形部」への移行領域であるマスク１５の領域として画定される。
【００４２】
有利には、構造化されたクロム層が、フォトリソグラフィを可能にするために円形部に設けられる。好みに応じて、正方形部はクロム層を有していても、いなくてもよい。
１．ポジ型レジスト２１、２１’が使用される場合、レジスト２１、２１’が支持リム１２において完全に除去されると、クロム層２０、２０’は正方形部には必要とされない。
２．ポジ型レジスト２１、２１’が使用される場合、レジスト２０、２１’が支持リム１２に残ると、正方形部に構造化されていないクロム層２０、２０’が必要であり、これにより光は正方形部を通過しない。
３．ネガ型レジスト２１、２１’が使用される場合、上記の考慮事項が当てはまるが、反対の分布のクロム層２０、２０’を伴う。すなわち、レジスト２１、２１’が残る場合、クロム層２０、２０’は必要とされず、レジスト２１、２１’が除去される場合、完全な構造化されていないクロム層２０、２０’が必要である。
４．レジスト２１、２１’（ポジ型またはネガ型）が、例えばテスト構造のために、構造化されている場合、マスク１５の正方形部は構造化されたクロム層２０、２０’を持たなければならない。
【００４３】
同様の変形をマスク１５の側壁に行うことができる。プロセスの好みに応じて、この領域はクロム２０、２０’で覆うか、あるいは無いままとすることができる。
【００４４】
図１４および１５は、例として、円形部１７’の底面におけるクロム層２０、２０’およびウェーハ１０の上面におけるレジスト層２１’の２つの設計を示す。図１４によると、クロム層は、マスクの円形部１７’の底面部を覆う。レジスト層２１’は、薄化部分１３、支持構造１２の内側の側壁、および支持構造１２の上面を覆う。
【００４５】
図１５によると、クロム層２０’はマスクの円形部１７’の側壁の底面を覆う。クロム層２０’の一部分２７が、円形部１７’の外側のハンドリング部１６’’’の底面部を覆う。図１４と同様に、レジスト層２１’が、ウェーハ１０の薄化部分１３と内側の側壁を覆い、レジスト２１’の一部分２８が支持構造１２の上面を覆う。
【００４６】
さらなる変形例ａ）、ｂ）、ｃ）、ｄ）を図１６に示す。これらの変形例は先に述べた全ての実施形態に当てはまる。簡略にするため、マスク１５の種々の実施形態をマスク１５と呼ぶ。マスク１５の円形底部１７の厚さに応じて、マスク１５とウェーハ１０の間の接触モードに関しては、所望の適用に合わせることができるいくつかのバリエーションが実現できる。
【００４７】
変形例ａ）、ｂ）、ｃ）、ｄ）は、マスク１５、１５’、１５’’が正方形部１６、１６’、１６’’および円形部１７を持つ単一の部品からなる図２〜９の実施形態とともに、マスク１５’’’、１５’’’’が正方形部１６’’’、１６’’’’および円形部１７’、１７’’を持つ２つの部品からなる図１０〜１３の実施形態に当てはまる。
【００４８】
ａ）マスク１５の円形部１７は、ウェーハ１０の凹部１３よりも薄い。この場合、マスク１５の正方形部１６はウェーハ１０の支持リム１２と接触することができる一方、マスク１５の円形部１７はウェーハ１０の薄化された内側部分１３に全く接触しない。したがって、正確な高さの間隙を提供することができる。
ｂ）マスク１５は、ウェーハ１０のいずれの部分にも接触しないようにマスクアライナに固定される。したがって、機械的な接触は避けられる。
ｃ）円形部１７がウェーハの凹部１１よりも厚い場合、マスクの円形部１７は、マスク１５の正方形部がウェーハ１０に全く触れないようにして、ウェーハ１０の中央の薄化部分１３に直接接触することができる。この構成は「完全接触モード」とも呼ばれる。
ｄ）円形部１７が凹部１１と同じ厚さである場合、マスク１５の両方の部位がウェーハ１０と直接接触する。
【符号の説明】
【００４９】
８  突起の表面
９  ハンドリング部の表面
１０  ウェーハ
１１  凹部
１２  支持リム
１３  薄化部分
１５  マスク
１６  ハンドリング部
１７  円形の突起
１８  拡大断面
１９  縁端部分
２０、２０’  クロム構造／層
２１、２１’  レジスト層
２３  側壁
２５、２５’、２５’’、２５’’’  溝
２６  円形の切り抜き穴
２７  クロム層２０’の一部分
２８  レジスト層２１’の一部分
【図１】
2013539549.tif 000004
【図２】
2013539549.tif 000005
【図３】
2013539549.tif 000006
【図４】
2013539549.tif 000007
【図５】
2013539549.tif 000008
【図６】
2013539549.tif 000009
【図７】
2013539549.tif 000010
【図８】
2013539549.tif 000011
【図９ａ）】
2013539549.tif 000012
【図９ｂ）】
2013539549.tif 000013
【図９ｃ）】
2013539549.tif 000014
【図１０】
2013539549.tif 000015
【図１１】
2013539549.tif 000016
【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６ａ）】
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【図１６ｂ）】
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【図１６ｃ）】
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【図１６ｄ）】
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【国際調査報告】
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