(57)【要約】  プラズマ形成位置へ燃料を供給するように構成された燃料供給源を含むＥＵＶ放射源である。燃料供給源は、燃料を液状に維持するために十分に高い温度に燃料を保持するように構成されたリザーバと、リザーバを収容するように構成された圧力容器であって、リザーバから少なくとも部分的に熱的に分離される圧力容器とを含む。ＥＵＶ放射源はさらに、プラズマ形成位置にて前記燃料供給源によって供給された燃料を照射するように構成されたレーザ放射源を含む。【選択図】  図３
2013516774.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマ形成位置へ燃料を供給する燃料供給源と、
前記プラズマ形成位置にて前記燃料供給源によって供給された燃料を照射するレーザ放射源と、を備え、
前記燃料供給源は、
前記燃料を液状に維持するために十分に高い温度に前記燃料を保持するリザーバと、
前記リザーバを収容し、且つ前記リザーバから少なくとも部分的に熱的に分離される圧力容器と、を備える、ＥＵＶ放射源。
【請求項２】
前記リザーバと前記圧力容器の壁との間に間隙が存在する、請求項１に記載のＥＵＶ放射源。
【請求項３】
前記リザーバの少なくとも一部の周囲に断熱ヒートシールドが設けられる、請求項１または２に記載のＥＵＶ放射源。
【請求項４】
前記断熱ヒートシールドは、アクティブ冷却装置を含む、請求項３に記載のＥＵＶ放射源。
【請求項５】
前記リザーバは、断熱材として機能する材料から形成されたサポートによって支持される、請求項１から４のいずれかに記載のＥＵＶ放射源。
【請求項６】
前記圧力容器は、４００ｂａｒを超える圧力を維持する、請求項１から５のいずれかに記載のＥＵＶ放射源。
【請求項７】
前記圧力容器は、１０００ｂａｒ以上の圧力を維持する、請求項６に記載のＥＵＶ放射源。
【請求項８】
前記燃料はスズである、請求項１から７のいずれかに記載のＥＵＶ放射源。
【請求項９】
請求項１から８のいずれかに記載のＥＵＶ放射源を備えるリソグラフィ装置。
【請求項１０】
ＥＵＶ放射を生成する方法であって、
燃料を液状に維持するために十分に高い温度に該燃料をリザーバ内で保持することと、
前記リザーバを保持し且つ前記リザーバから少なくとも部分的に熱的に分離される圧力容器を用いて、前記燃料に圧力をかけることと、
ノズルを介して前記リザーバから燃料の小滴を噴出することと、
前記燃料の小滴が蒸発しＥＵＶ放射を生成するように、前記燃料の小滴にレーザビームを誘導することと、を含む、方法。
【請求項１１】
前記圧力容器は、４００ｂａｒを超える圧力にある、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記圧力容器は、１０００ｂａｒ以上の圧力にある、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
ＥＵＶ放射を生成するＥＵＶ放射源と、
パターン付き放射ビームを形成するよう前記ＥＵＶ放射にパターンを付けるパターニングデバイスを支持するサポートと、
前記パターン付き放射ビームを基板上に投影する投影システムと、を備え、
前記ＥＵＶ放射源は、
プラズマ形成位置へ燃料を供給する燃料供給源と、
前記プラズマ形成位置にて前記燃料供給源によって供給された燃料を照射するレーザ放射源と、を備え、
前記燃料供給源は、
前記燃料を液状に維持するために十分に高い温度に前記燃料を保持するリザーバと、
前記リザーバを収容し、且つ前記リザーバから少なくとも部分的に熱的に分離される圧力容器と、を備える、リソグラフィ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
関連出願への相互参照
[0001]  本出願は、２０１０年１月７日に出願された米国仮出願第６１／２９３，１３９号の優先権を主張し、その全体が参照により本明細書に組み込まれる。
【０００２】
[0002]  本発明は、ＥＵＶ放射源およびリソグラフィ装置に関する。
【背景技術】
【０００３】
[0003]  リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板上、通常、基板のターゲット部分上に付与する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に用いることができる。その場合、ＩＣの個々の層上に形成される回路パターンを生成するために、マスクまたはレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを用いることができる。このパターンは、基板（例えばシリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば、ダイの一部、または１つ以上のダイを含む）に転写することができる。通常、パターンの転写は、基板上に設けられた放射感応性材料（レジスト）層上への結像によって行われる。一般には、単一の基板が、連続的にパターニングされる隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。
【０００４】
[0004]  リソグラフィは、ＩＣならびに他のデバイスおよび／または構造の製造における重要なステップの１つとして広く認識されている。しかしながら、リソグラフィを使用して作られるフィーチャの寸法が小さくなるにつれ、リソグラフィは、小型ＩＣまたは他のデバイスおよび／もしくは構造を製造できるようにするための、より重要な要因になりつつある。
【０００５】
[0005]  パターンプリンティングの限界の理論推定値は、式（１）に示される解像度についてのレイリー（Rayleigh）基準によって与えることができる。
【数１】
2013516774.tif 000003
ここで、λは、用いられる放射の波長であり、ＮＡは、パターンのプリントに用いられる投影システムの開口数であり、ｋ１は、レイリー定数とも呼ばれるプロセス依存調節係数であり、ＣＤは、プリントされたフィーチャのフィーチャサイズ（またはクリティカルディメンション）である。式（１）から、フィーチャの最小プリント可能サイズの縮小は、３つの方法、すなわち、露光波長λを短くすること、開口数ＮＡを大きくすること、またはｋ１の値を小さくすること、によって得られることが分かる。
【０００６】
[0006]  露光波長を短くし、よって最小プリント可能なサイズを縮小するために、極端紫外線（ＥＵＶ：Extreme UltraViolet）放射源を使用することが提案されている。ＥＵＶ放射は、５〜２０ｎｍの範囲内の波長、例えば１３〜１４ｎｍの範囲内、例えば６．７ｎｍまたは６．８ｎｍといった５〜１０ｎｍの範囲内の波長を有する電磁放射である。可能な放射源としては、例えばレーザ生成プラズマ源、放電プラズマ源、または電子蓄積リングによって与えられるシンクロトロン放射に基づく放射源が含まれる。
【０００７】
[0007]  ＥＵＶ放射は、プラズマを用いて生成することができる。ＥＵＶ放射を生成するための放射システムは、燃料を励起してプラズマを提供するレーザと、プラズマを収容するソースコレクタモジュールとを含むことができる。プラズマは、例えば、適切な材料（例えばスズ）の小滴またはＸｅガスもしくはＬｉ蒸気などの適切なガスもしくは蒸気のストリームといった、燃料に、レーザビームを誘導することによって生成することができる。結果として生じるプラズマは、出力放射、例えばＥＵＶ放射を放出し、この放射は放射コレクタを用いて集められる。放射コレクタは、ミラー付き法線入射放射コレクタとすることができ、コレクタは放射を受け、ビームに集束させる。ソースコレクタモジュールは、真空環境を提供してプラズマを支援するように配置された囲い構造またはチャンバを含むことができる。このような放射システムは、通常、レーザ生成プラズマ（ＬＰＰ：Laser Produced Plasma）源と呼ばれる。
【０００８】
[0008]  ＬＰＰ源によって生成されるＥＵＶ放射の強度は、望ましくない変動に見舞われることがある。このような望ましくない変動は、リソグラフィ装置によって基板上にパターンが結像される精度に有害な影響を及ぼしうる。
【０００９】
[0009]  少なくとも幾つかの従来技術のＥＵＶ放射源およびリソグラフィ装置よりもＥＵＶ放射強度の変動が小さいＥＵＶ放射源およびリソグラフィ装置を提供することが望ましい。
【発明の概要】
【００１０】
[00010]  本発明の一態様では、プラズマ形成位置へ燃料を供給するように構成された燃料供給源を含むＥＵＶ放射源が提供される。この燃料供給源は、燃料を液状に維持するために十分に高い温度に燃料を保持するように構成されたリザーバと、リザーバを収容するように構成された圧力容器であって、リザーバから少なくとも部分的に熱的に分離される圧力容器とを含む。ＥＵＶ放射源はさらに、プラズマ形成位置にて燃料供給源によって供給された燃料を照射するように構成されたレーザ放射源を含む。
【００１１】
[00011]  本発明の一態様では、ＥＵＶ放射を生成する方法であって、燃料を液状に維持するために十分に高い温度に燃料をリザーバ内で保持することと、リザーバを保持し、リザーバから少なくとも部分的に熱的に分離される圧力容器を用いて、燃料に圧力をかけることと、ノズルを介してリザーバから燃料の小滴を噴出することと、燃料の小滴が蒸発しＥＵＶ放射を生成するように、燃料の小滴にレーザビームを誘導することと、を含む、方法が提供される。
【００１２】
[00012]  本発明の一態様では、ＥＵＶ放射を生成するように構成されたＥＵＶ放射源を含むリソグラフィ装置が提供される。ＥＵＶ放射源は、プラズマ形成位置へ燃料を供給するように構成された燃料供給源を含む。燃料供給源は、燃料を液状に維持するために十分に高い温度に燃料を保持するように構成されたリザーバと、リザーバを収容するように構成された圧力容器であって、リザーバから少なくとも部分的に熱的に分離される圧力容器と、を含む。ＥＵＶ放射源はさらに、プラズマ形成位置にて燃料供給源によって供給された燃料を照射するように構成されたレーザ放射源と、パターン付き放射ビームを形成するようＥＵＶ放射にパターンを付けるように構成されたパターニングデバイスを支持するよう構成されたサポートと、パターン付き放射ビームを基板上に投影するように構成された投影システムとを含む。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
[00013]  本発明の実施形態を、ほんの一例として、添付概略図を参照しながら説明する。図中、対応する参照記号は対応する部分を示す。
【図１】[00014]  図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示す。
【図２】[00015]  図２は、ＬＰＰソースコレクタモジュールを含む図１の装置のより詳細な図である。
【図３】[00016]  図３は、図１および図２のリソグラフィ装置のＥＵＶ放射源の燃料供給源を概略的に示す。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
[00017]  図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置１００を概略的に示す。このリソグラフィ装置は、本発明の一実施形態によるＥＵＶ放射源を含む。この装置は、放射ビームＢ（例えばＥＵＶ放射）を調整するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、パターニングデバイス（例えばマスクまたはレチクル）ＭＡを支持するように構築され、かつパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第１のポジショナＰＭに接続されたサポート構造（例えばマスクテーブル）ＭＴと、基板（例えばレジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構築され、かつ基板を正確に位置決めするように構成された第２のポジショナＰＷに接続された基板テーブル（例えばウェーハテーブル）ＷＴと、パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに付けられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば１つ以上のダイを含む）上に投影するように構成された投影システム（例えば反射型投影システム）ＰＳと、を備える。
【００１５】
[00018]  照明システムとしては、放射を誘導し、整形し、または制御するために、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、若しくはその他のタイプの光コンポーネント、またはそれらの任意の組み合せといった様々なタイプの光コンポーネントを含むことができる。
【００１６】
[00019]  サポート構造ＭＴは、パターニングデバイスの向き、リソグラフィ装置の設計、および、その他の条件、例えばパターニングデバイスが真空環境内で保持されているか否かなど、に応じた態様で、パターニングデバイスＭＡを保持する。サポート構造は、機械式、真空式、静電式またはその他のクランプ技術を使って、パターニングデバイスを保持することができる。サポート構造は、例えば、必要に応じて固定または可動式にすることができるフレームまたはテーブルであってもよい。サポート構造は、パターニングデバイスを、例えば、投影システムに対して所望の位置に確実に置くことができる。
【００１７】
[00020]  「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分にパターンを作り出すように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用できるあらゆるデバイスを指すものとして広く解釈されるべきである。放射ビームに付与されたパターンは、ターゲット部分に作り出される集積回路などのデバイス内の特定の機能層に相当しうる。
【００１８】
[00021]  パターニングデバイスは、透過型であっても、反射型であってもよい。パターニングデバイスの例としては、マスク、プログラマブルミラーアレイ、およびプログラマブルＬＣＤパネルが含まれる。マスクは、リソグラフィでは周知であり、バイナリ、レべンソン型（alternating）位相シフト、およびハーフトーン型（attenuated）位相シフト等のマスク型、ならびに種々のハイブリッドマスク型を含む。プログラマブルミラーアレイの一例では、小型ミラーのマトリックス配列が用いられ、その各ミラーは入射する放射ビームを様々な方向に反射させるように個別に傾斜させることができる。傾斜されたミラーは、ミラーマトリックスによって反射される放射ビームにパターンを与える。
【００１９】
[00022]  投影システムは、照明システムと同様に、使用する露光放射にとって、または真空の使用といった他の要因にとって適切な、屈折型、反射型、反射屈折型、磁気型、電磁型、静電型、もしくは他のタイプの光学コンポーネント、またはそれらのあらゆる組合せといった、様々なタイプの光学コンポーネントを含むことができる。他のガスは放射を吸収しすぎることがあるので、ＥＵＶ放射には真空を用いることが望ましいことがある。したがって、真空環境を、真空壁および真空ポンプを用いてビーム経路全体に提供することができる。
【００２０】
[00023]  本明細書に示されるようにリソグラフィ装置は、反射型のものである（例えば、反射型マスクを採用している）。
【００２１】
[00024]  リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）以上の基板テーブル（および／または２つ以上のマスクテーブル）を有するタイプのものであってもよい。そのような「マルチステージ」マシンでは、追加のテーブルを並行して使うことができ、または予備工程を１つ以上のテーブル上で実行しつつ、別の１つ以上のテーブルを露光用に使うこともできる。
【００２２】
[00025]  図１を参照すると、イルミネータＩＬは、ソースコレクタモジュールＳＯから極端紫外線（ＥＵＶ）放射ビームを受ける。ＥＵＶ放射を生成する方法には、これに必ずしも限定されないが、ある材料を、ＥＵＶ範囲内の１本以上の輝線を有する例えばキセノン、リチウム、またはスズなどの少なくとも１つの元素を有するプラズマ状態に変換することが含まれる。レーザ生成プラズマ（「ＬＰＰ」）としばしば呼ばれるこのような方法では、必要とされるプラズマは、必要な輝線を放出する元素を有する材料の小滴といった燃料をレーザビームで照射することによって生成することができる。ソースコレクタモジュールＳＯは、燃料を励起させるレーザビームを供給するための図１には図示されないレーザを含むＥＵＶ放射源の一部であってよい。結果として得られるプラズマは、出力放射、例えばＥＵＶ放射を放出し、この放射は、ソースコレクタモジュール内に配置される放射コレクタを使って集められる。
【００２３】
[00026]  例えば、ＣＯ２レーザを用いて燃料励起のためのレーザビームを供給する場合、レーザとソースコレクタモジュールは別個の構成要素であってもよい。その場合、放射ビームは、レーザからソースコレクタモジュールへ、例えば適切な誘導ミラーおよび／またはビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムを使って送られる。レーザと燃料供給源は、ＥＵＶ放射源を構成すると見なされてもよい。
【００２４】
[00027]  イルミネータＩＬは、放射ビームの角強度分布を調節するためのアジャスタを含むことができる。一般に、イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側および／または内側半径範囲（通常、それぞれσ-outerおよびσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。さらに、イルミネータＩＬは、ファセット視野ミラーデバイスおよび瞳ミラーデバイスといった様々な他のコンポーネントを含むことができる。イルミネータを使って放射ビームを調整すれば、放射ビームの断面に所望の均一性および強度分布を持たせることができる。
【００２５】
[00028]  放射ビームＢは、サポート構造（例えばマスクテーブル）ＭＴ上に保持されているパターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡに入射して、パターニングデバイスによってパターン形成される。パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡから反射された後、放射ビームＢは投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームの焦点を合わせる。第２ポジショナＰＷおよび位置センサＰＳ２（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、または静電容量センサ）を使い、例えば、様々なターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路内に位置決めするように、基板テーブルＷＴを正確に動かすことができる。同様に、第１ポジショナＰＭおよび別の位置センサＰＳ１を使い、パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを放射ビームＢの経路に対して正確に位置決めすることもできる。パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡおよび基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１、Ｍ２と基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使って位置合わせすることができる。
【００２６】
[00029]  例示の装置は、以下に説明するモードのうち少なくとも１つのモードで使用できる。 
【００２７】
[00030]  １．ステップモードでは、サポート構造（例えばマスクテーブル）ＭＴおよび基板テーブルＷＴを基本的に静止状態に保ちつつ、放射ビームに付与されたパターン全体を一度にターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一静的露光）。その後、基板テーブルＷＴは、Ｘおよび／またはＹ方向に移動され、それにより別のターゲット部分Ｃを露光することができる。
【００２８】
[00031]  ２．スキャンモードでは、サポート構造（例えばマスクテーブル）ＭＴおよび基板テーブルＷＴを同期的にスキャンする一方で、放射ビームに付与されたパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一動的露光）。サポート構造（例えばマスクテーブル）ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影システムＰＳの（縮小）拡大率および像反転特性によって決めることができる。
【００２９】
[00032]  ３．別のモードでは、プログラマブルパターニングデバイスを保持した状態で、サポート構造（例えばマスクテーブル）ＭＴを基本的に静止状態に保ち、また基板テーブルＷＴを動かす、またはスキャンする一方で、放射ビームに付与されているパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する。このモードでは、通常、パルス放射源が採用され、さらにプログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルＷＴの移動後ごとに、またはスキャン中の連続する放射パルスと放射パルスとの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、前述のタイプのプログラマブルミラーアレイといったプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。
【００３０】
[00033]  上述の使用モードの組合せおよび／またはバリエーション、或いは完全に異なる使用モードもまた採用可能である。
【００３１】
[00034]  図２は、ソースコレクタモジュールＳＯ、照明システムＩＬ、および投影システムＰＳを含むリソグラフィ装置１００をより詳細に示す。ソースコレクタモジュールＳＯは、ソースコレクタモジュールの囲い構造２２０内に真空環境が維持可能であるように構築かつ配置される。
【００３２】
[00035]  レーザＬＡは、燃料供給源２００から供給されるキセノン（Ｘｅ）、スズ（Ｓｎ）、またはリチウム（Ｌｉ）といった燃料にレーザエネルギーを、レーザビーム２０５を介して与えるように配置される。これにより、プラズマ形成位置２１１に、数十ｅＶの電子温度を有する高度にイオン化されたプラズマ２１０が形成される。脱励起およびこれらのイオンの再結合時に生成されるエネルギー放射は、プラズマから放出され、近法線入射放射コレクタＣＯによって集められて集束される。レーザＬＡおよび燃料供給源２００は合わせてＥＵＶ放射源を構成していると見なされうる。
【００３３】
[00036]  放射コレクタＣＯによって反射された放射は、仮想放射源点ＩＦに合焦される。仮想放射源点ＩＦは、通常、中間焦点と呼ばれ、ソースコレクタモジュールＳＯはこの中間焦点ＩＦが囲い構造２２０の開口２２１にまたはその付近に位置するように配置される。仮想放射源点ＩＦは、放射を放出するプラズマ２１０の像である。
【００３４】
[00037]  続いて、放射は照明システムＩＬを横切る。照明システムＩＬは、パターニングデバイスＭＡにおける放射ビーム２１の所望の角度分布およびパターニングデバイスＭＡにおける放射強度の所望の均一性を与えるように配置されたファセット視野ミラーデバイス２２およびファセット瞳ミラーデバイス２４を含みうる。サポート構造ＭＴによって保持されたパターニングデバイスＭＡにおいて放射ビーム２１が反射すると、パターン付きビーム２６が形成され、このパターン付きビーム２６は、投影システムＰＳによって、反射素子２８、３０を介して、ウェーハステージまたは基板テーブルＷＴによって保持された基板Ｗ上に結像される。
【００３５】
[00038]  通常、図示されるものよりも多くの素子が照明システムＩＬおよび投影システムＰＳ内に存在しうる。さらに、図面に示されるものよりも多くのミラーが存在してよく、例えば投影システムＰＳ内には図２に示されるものよりも１〜６個多くの反射素子が存在しうる。
【００３６】
[00039]  図３は、燃料供給源２００をより詳細にではあるが概略的に示す。燃料供給源は、燃料液体３０２（例えば液体スズ）を含むリザーバ３００と、プラズマ形成位置２１１（図２参照）に向けて燃料液体の小滴を噴出するように構成されたノズル３０４を含む。燃料液体の小滴は、リザーバ内の圧力と、圧電アクチュエータによってノズルに与えられた振動との組み合わせによってノズル３０４から噴出されうる。図３には、２つの燃料小滴３０６が、燃料小滴の進行方向を示す矢印と共に示される。リザーバ３００は、圧力容器３０８内に置かれる。圧力容器３０８は、コネクタ３１０を介して高圧ガス（例えばアルゴン）源に接続される。
【００３７】
[00040]  リザーバ３００は、燃料を液状に保つために十分に高い温度に燃料を加熱するように構成されたヒータ（図示せず）を含む。例えば、燃料がスズである場合、スズは、２３２℃よりも高い温度（例えば約２７０℃）に加熱されうる。ヒータは、例えば、リザーバ３００の1つ以上の壁および／またはリザーバの底部に置かれうる。或いは、ヒータは任意の他の適切な場所に設けられうる。
【００３８】
[00041]  圧力容器の壁３１２は、リザーバ３００から少なくとも部分的に熱的に分離されている。熱的分離は、1つ以上の熱的分離特徴および／または装置を介して与えられうる。熱的分離特徴は、熱がリザーバから圧力容器の壁に直接伝導しないように、リザーバ３００と圧力容器３０８の壁３１２との間に間隙を設けることを含みうる。熱的分離装置は、リザーバ３００の周囲に設けられる断熱ヒートシールド３１４を含みうる。断熱ヒートシールド３１４は、アクティブ冷却装置（例えばヒートシールドを通る冷却流体の循環を促進する装置）を含みうる。さらに、または、代替的に、熱的分離装置は、断熱材として機能する材料から、圧力容器３０８内でリザーバ３００を支持するように用いられる構築サポート３１６を含みうる。
【００３９】
[00042]  リザーバ３００からの圧力容器３０８の少なくとも部分的な熱的分離は、圧力容器３０８の壁３１２が低温に維持されるようにする。この文脈において、「低温」とは、燃料液体３０２の温度より実質的に低い温度を意味することを意図している。
【００４０】
[00043]  リザーバ３００は、開放された構造を有し、それによりリザーバ３００内の圧力と、リザーバ外の圧力とに確実に差がないようにされる。
【００４１】
[00044]  図３の燃料供給源２００は、燃料液体を保つのに十分に高い温度に燃料３０２が維持されるようにする一方で、例えば４００、６００、８００、１０００ｂａｒ以上の圧力が燃料液体に印加されるようにする。燃料供給源２００は、従来の燃料供給源（従来の燃料供給源では２００ｂａｒに制限されうる）を用いてでは達成できない燃料液体圧力を達成できるようにする。
【００４２】
[00045]  燃料供給源２００は、燃料液体３０２を高温に維持するように使用されるリザーバ３００が圧力容器３０８の壁３１２から少なくとも部分的に熱的に分離されるので、高温と高圧の組み合わせが達成できるようにする。従来技術の燃料供給源では、燃料リザーバは、圧力容器の壁によって形成され、したがって、圧力容器の壁は、燃料液体と似た温度を有する。従来技術の燃料供給源では、温度および圧力が共に高い場合、圧力容器のシールが破損する傾向があるため、燃料液体を高温かつ高圧（例えば２７０℃および１０００ｂａｒ）に維持することが困難である。
【００４３】
[00046]  したがって、燃料供給源２００は、従来技術の燃料供給源を用いて達成可能である圧力よりも高い圧力に燃料液体３０２が保持されるようにする一方で、燃料液体を液状に保つように十分に高い温度に燃料液体を維持する。
【００４４】
[00047]  燃料液体３０２は、通常よりも高い圧力で保持されるので、燃料の小滴３０６がノズル３０４から発射される速度が増加される。燃料小滴３０６のこの増加された速度は、２つの潜在的利点を提供しうる。
【００４５】
[00048]  第１の潜在的利点は、燃料小滴はレーザビーム２０５によって蒸発された場合に衝撃波を生成することに関する。この衝撃波は、プラズマ形成位置２１１に向かって進行する後続の燃料小滴に入射する。この衝撃波は、プラズマ形成位置２１１（図２参照）におけるレーザビーム２０５の最適に合焦された部分を燃料小滴が通過せず、したがって、最適な態様で蒸発されないように燃料小滴の進行方向を変更してしまうことがある。燃料供給源２００によって生成される燃料小滴の増加された速度は、（所与のＥＵＶプラズマ生成周波数に対し）燃料小滴間の距離間隔を増加する。衝撃波は球状であり、プラズマ形成位置から距離に応じて二次的に減少するエネルギーを有する。したがって、燃料小滴間の距離間隔を増加すると、衝撃波の、後続の燃料小滴にかかる力が減少する。さらに、後続の燃料小滴はより速く進行しているので、より高い運動量を有し、したがって衝撃波による影響は少ない。これらの効果は共に、後続の燃料小滴の進行方向が衝撃波により変更される程度を減少し、したがって、後続の燃料小滴は、プラズマ形成位置においてレーザビーム２０５の最適に合焦された部分のより近くを通過する。したがって、燃料小滴は、より一貫してかつ効率よく蒸発されうる。
【００４６】
[00049]  第２の潜在的な利点は、レーザビーム２０５が、プラズマ形成位置２１１から離すように各燃料小滴を押す力を各燃料小滴に加えることに関する。燃料小滴がレーザビーム２０５の最適に合焦された部分を通過せず、したがって燃料小滴は最適な態様で蒸発されないため、プラズマ形成位置２１１から離れる燃料小滴の逸脱は望ましくない。燃料小滴の速度を増加すると、レーザビーム２０５に起因するプラズマ形成位置２１１からの燃料小滴の逸脱が減少する。その結果、燃料小滴は、レーザビーム２０５の最適に合焦された部分のより近くを通過し、したがって、燃料小滴はより一貫してかつ効率よく蒸発されうる。
【００４７】
[00050]  上述した潜在的利点は共に、燃料小滴３０６が、プラズマ形成位置へ向上された精度で送られるようにしうる。このことは翻って、燃料小滴の蒸発がより一貫してかつ効率よく達成できるようにしうる。したがって、ＥＵＶ放射は、より一貫した強度で供給されうる。
【００４８】
[00051]  図３から分かるように、リザーバ３００は、上端において開放されている。代替の配置では、リザーバ３００は、上端において部分的に閉じられていてもよい。これは、リザーバの上端においていくらかの断熱が与えられるようにする。リザーバは、完全には閉じられておらず、したがって、圧力容器中の圧力は、リザーバ内の圧力と等しい。
【００４９】
[00052]  図３に示されるリザーバ３００と圧力容器３０８は共に形状が矩形であり、共に垂直側面および水平底面が備わっているが、これらは、任意の好適な形状または向きを有してよい。例えば、リザーバおよび圧力容器は、図２に概略的に示されるように垂直線に対して角度が付けられて方向付けられてもよい。
【００５０】
[00053]  上記説明は燃料小滴に言及したものである。上記説明は例えば燃料物質のクラスタ、または、他の個別の小片で供給される燃料物質を含みうる。
【００５１】
[00054]  上記説明は、圧力容器から少なくとも部分的に熱的に分離されたリザーバに言及する。「少なくとも部分的に熱的に分離された」との文言は、リザーバから圧力容器に全く熱が通らないことを意味するものではない。そうではなくて、この文言は、リザーバから圧力容器に少なくとも一部の熱が通らないことを意味すると解釈されうる。これは、圧力容器の壁の温度が、リザーバの温度よりも著しく低くてよいようにする。
【００５２】
[00055]  本明細書において、ＩＣ製造におけるリソグラフィ装置の使用について具体的な言及がなされているが、本明細書記載のリソグラフィ装置が、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンスパターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド等の製造といった他の用途を有し得ることが理解されるべきである。当業者には当然のことであるがそのような別の用途においては、本明細書で使用される「ウェーハ」または「ダイ」という用語はすべて、それぞれより一般的な「基板」または「ターゲット部分」という用語と同義であるとみなしてよい。本明細書に記載した基板は、露光の前後を問わず、例えば、トラック（通常、基板にレジスト層を塗布し、かつ露光されたレジストを現像するツール）、メトロロジーツール、および／またはインスペクションツールで処理されてもよい。適用可能な場合には、本明細書中の開示内容を上記のような基板プロセシングツールおよびその他の基板プロセシングツールに適用してもよい。さらに基板は、例えば多層ＩＣを作るために複数回処理されてもよいので、本明細書で使用される基板という用語は、すでに多重処理層を包含している基板を表すものとしてもよい。
【００５３】
[00056]  「レンズ」という用語は、文脈によって、屈折、反射、磁気、電磁気、および静電型光コンポーネントを含む様々な種類の光学コンポーネントのいずれか１つまたはこれらの組合せを指すことができる。
【００５４】
[00057]  以上、本発明の具体的な実施形態を説明してきたが、本発明は、上述以外の態様で実施できることが明らかである。上記説明は、限定ではなく例示を意図したものである。したがって、特許請求の範囲から逸脱することなく、記載された本発明を変更しうることは、当業者には明らかであろう。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【国際調査報告】
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