(57)【要約】  美容ＲＦ皮膚トリートメントの装置において、トリートメントの最中に望ましくない電流が対象の体を流れることがないようにＲＦエネルギー供給がトリートメント対象から絶縁される。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
フラクショナル皮膚トリートメントのためのアプリケータであって、
・第１ＲＦポートに接続された複数の電圧皮膚送達要素を含む一の使い捨て可能チップであって、前記要素は、第２ＲＦポートに接続された少なくとも一の他の電圧皮膚送達要素によって結合されるチップと、
・電圧皮膚送達要素を有する前記チップのごく近くに配置された絶縁変圧器と、
・前記チップ及び前記絶縁変圧器の出力コイルに直列接続された一以上のキャパシタと
を含むアプリケータ。
【請求項２】
前記絶縁変圧器は、寄生キャパシタンスを通る接地電流を低減するべく動作可能に構成される、請求項１に記載のアプリケータ。
【請求項３】
前記絶縁変圧器の容量は１０ｐＦを超えることがない、請求項１に記載のアプリケータ。
【請求項４】
前記チップ及び出力コイルに直列接続された前記キャパシタは、前記電圧皮膚送達要素にて形成されたプラズマによって生じた低周波電流をフィルタ除去するべく動作可能に構成される、請求項１に記載のアプリケータ。
【請求項５】
前記皮膚に流れ込む電流に最大値を設定するべく動作可能に構成される電流リミッタをさらに含む、請求項１に記載のアプリケータ。
【請求項６】
前記電流リミッタはＲＦエネルギー吸収要素をさらに含む、請求項５に記載のアプリケータ。
【請求項７】
前記電流リミッタは、前記電流の増大を制限し、かつ、前記電流の大部分を前記ＲＦエネルギー吸収要素を通るように導く、請求項６に記載のアプリケータ。
【請求項８】
前記電流リミッタは、前記電流をエネルギー吸収要素に導く回路を閉じる高速スイッチを動作させる、請求項５に記載のアプリケータ。
【請求項９】
フラクショナル皮膚トリートメント用アプリケータのための使い捨て可能チップであって、
・基板であって、前記基板上に配置されて、
・前記基板の表面から突出してドーム型形状を終端とする微細な別個の電圧皮膚適用要素のクラスタと、
・前記基板の表面から突出し、かつ、前記ドーム型形状を終端とする電極の面積よりも実質的に大きな面積を有する電圧皮膚適用要素のクラスタと
である２つのクラスタに配列された一以上の電圧皮膚導通要素を有する基板と
・ＲＦ電圧接続要素と
を含む使い捨て可能チップ。
【請求項１０】
前記ドーム型形状を終端とする電圧皮膚適用要素は、一のＲＦポートに接続される、請求項９に記載の使い捨て可能チップ。
【請求項１１】
前記ドーム型形状を終端とする面積よりも実質的に大きな面積を有する前記電圧皮膚適用要素は、他のＲＦポートに接続される、請求項９に記載の使い捨て可能チップ。
【請求項１２】
前記基板の前記アプリケータへの迅速な取り外し及び取り付けを可能とするメカニズムをさらに含む、請求項９に記載の使い捨て可能チップ。
【請求項１３】
フラクショナルＲＦ皮膚トリートメントの方法であって、
・少なくとも一の電圧皮膚送達要素が存在するチップと、寄生キャパシタンスを通る接地電流を低減するべく前記チップの近くに配置された絶縁変圧器とを含むアプリケータを皮膚に適用することと、
・ＲＦトリートメントパルスの間に前記皮膚のインピーダンスをモニタリングし、かつ、所望の表皮効果をもたらすのに十分な量のエネルギーの前記皮膚への送達を制御するコントローラを動作させることと、
・前記皮膚のインピーダンスが所定インピーダンスしきい値未満の場合に前記パルスのエネルギーを増大させることと、
・前記皮膚のインピーダンスが所定皮膚インピーダンス値未満の場合にＲＦエネルギー供給を遮断することによって非効率なＲＦパルスを除外することと、
・所定皮膚インピーダンス値を超えるＲＦパルスを遮断することによって痛みを防止すること
とを含む方法。
【請求項１４】
前記皮膚インピーダンス値が増大する場合に前記チップを清浄する必要性をオペレータに通知することをさらに含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記皮膚抵抗の低い値及び前記皮膚を完全に乾燥させる必要性をオペレータに通知することをさらに含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１６】
アプリケータ動作中の前記電圧皮膚送達要素にて形成されたプラズマによって生じる低周波電流をフィルタ除外することをさらに含む、請求項１３に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明及び装置は一般に皮膚トリートメント処置に関し、詳しくは美容皮膚表面再仕上げ及びリジュベネーション処置に関する。
【背景技術】
【０００２】
フラクショナル皮膚表面再仕上げ又はリジュベネーションは、最近開発された皮膚アブレーション技術である。皮膚のアブレーションには２タイプのデバイスが使用される。レーザに基づくデバイスとＲＦに基づくデバイスである。双方のタイプのデバイスは、極めて小さな直径の浅い孔又は領域のパターンのアブレーションをもたらす。当該孔は、トリートメントを受けていない皮膚面積によって囲まれた微視的に小さいトリートメント領域である。当該トリートメントにより、トリートメント対象の非常に速い治癒又は回復及び皮膚表面再仕上げが得られる。トリートメント領域の治癒プロセスでは、一層の新たな皮膚が現れ、新鮮かつ若々しい顔色が回復する。
【０００３】
当該パターンの小孔は典型的には、ＸＹ走査レーザビームによって又はＲＦエネルギー若しくは電圧の適用によって生成される。当該レーザは皮膚に焦点が合わせられる。通常はパルスモードで動作して、当該皮膚にミクロンサイズの孔のアブレーションをもたらす。
【０００４】
ＲＦに基づくフラクショナル皮膚トリートメントは、レーザと同様のミクロンサイズの孔の走査パターンを皮膚に生成する。典型的には、マトリクス又はアレイに配列された複数の電圧皮膚適用／送達要素又は接触要素を有するチップが装備されたアプリケータによって、エネルギーが皮膚に送達される。当該電圧皮膚適用要素は、トリートメントを受ける皮膚のセグメントに接触して配置されて、適切なパワー及び周波数のＲＦエネルギー源によって駆動される。高電圧ＲＦパルスの電極への適用が、各電極下の皮膚にアブレーションをもたらして小孔を形成する。
【０００５】
いくつかの例では、レーザ又はＲＦ電圧パルスの適用によって、個人の経験に基づくものであるがゆえに痛みの感覚は対象ごとに異なるかもしれないが、トリートメント対象にとって不快感及び痛みさえもが生じる。他の例では、同じトリートメントセッションにおいて、当該アプリケータにより形成されるミクロンの孔のサイズには差異が存在する。大きなサイズの孔の治癒には、小さなサイズの孔の治癒プロセスよりも長周期の時間がかかり、いくつかの例では、孔が大きければ大きいほど、所望の表皮効果をもたらすよりもむしろ皮膚へのダメージが生じる結果となる傾向がある。
【０００６】
フラクショナルトリートメントに関する不快感を和らげ、かつ、痛み等の副作用を少なくするべく、局所的に適用されるリドカインクリーム又は経口鎮静剤さえもが開業医によって使用され始めている。
【０００７】
フラクショナル皮膚トリートメントは、例えば老化の徴候、しわ、しみ、にきび、傷跡、入れ墨除去、及び他の皮膚欠陥のようなほとんどすべての美容皮膚欠陥の修正に適用可能である。ＲＦに基づく製品のコストはレーザ放射により動作する製品のコストよりも低い。また、ＲＦに基づく製品は、その使用に関する不快感及び時々の痛みがなくなれば、ほぼおそらく広範に使用されるようになるだろう。
【０００８】
本譲受人の特許文献１及び２は、フラクショナル皮膚トリートメントに適切な、例えばｅＭａｔｒｉｘ（登録商標）のようなＲＦに基づく製品を開示する。
【０００９】
用語集
本開示の文脈において、「ＲＦ電圧」及び「ＲＦエネルギー」は互換可能に使用され同じ意味を有する。これら２つのパラメータ間の数学的関係は周知であり、一方がわかると他方が容易に決定される。
【００１０】
本開示の文脈において、「皮膚（の）抵抗」及び「皮膚（の）インピーダンス」は互換可能に使用され同じ意味を有する。これら２つのパラメータ間の数学的関係は周知であり、一方がわかると他方が容易に決定される。
【００１１】
本開示で使用される用語「所望の表皮効果」は、ＲＦエネルギー適用の結果を意味する。これは、しわ除去、脱毛、コラーゲン収縮若しくは破壊、スキンリジュベネーション、並びに他の美容及び皮膚のトリートメントである。
【００１２】
関数の用語「プラトー」とは、当該関数が一定値を有するその一部の支配領域である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１３】
【特許文献１】米国特許出願公開第２００６／００４７２８１号明細書
【特許文献２】米国特許出願公開第２００９／０２９９３６１号明細書
【発明の概要】
【００１４】
美容ＲＦ皮膚トリートメントの装置において、トリートメントの最中に望ましくない電流が対象の体を流れることがないようにＲＦエネルギー供給がトリートメント対象から絶縁される。本装置は、チップを有するアプリケータであって、当該チップには当該チップ表面から突出して一の共通クラスタにまとめられる複数の電圧適用ドーム形状要素が存在するアプリケータと、当該ドーム形状要素に結合されて当該ドーム形状要素が有する面積よりも大きな面積を有する複数電極のクラスタとを含む。本装置は、所望の表皮効果をもたらすのに十分な規模の電圧を当該要素に適用する。電流リミッタがＲＦ誘導電流を制限して皮膚ダメージを防止する。本装置は、トリートメントを受ける皮膚セグメントのインピーダンスを連続的に感知し、かつ、低皮膚インピーダンスにおいて当該ＲＦエネルギーを変え、及び／又は皮膚インピーダンスが低すぎるか若しくは高すぎる場合は当該パルスを止める。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】集合的に図１と称する図１Ａ及び１Ｂは、従来技術のフラクショナル皮膚トリートメント用ＲＦアプリケータチップを概略的に示す。
【図２】図２は、フラクショナル皮膚トリートメント用ＲＦアプリケータチップを駆動する従来技術のＲＦ電圧供給回路を概略的に示す。
【図３】図３Ａから３Ｃは、フラクショナル皮膚トリートメント用チップの等価電気回路を概略的に示す。
【図４】図４は、フラクショナル皮膚トリートメント駆動回路用の本願チップの一実施例を概略的に示す。
【図５】図５は、フラクショナル皮膚トリートメント駆動回路用の本願チップの他実施例を概略的に示す。
【図６】図６は、ＲＦエネルギーパルス適用下での皮膚抵抗変化を概略的に示す。
【図７】図７は、フラクショナル皮膚トリートメント制御回路用の本願チップの一実施例を概略的に示す。
【図８】図８は、フラクショナル皮膚トリートメント用の本願ＲＦアプリケータチップの一実施例を概略的に示す。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
本方法及び本装置の原理及び実行が、図面及びそれに伴う当該図示に係る非制限的な実施例の記載を参照して十分に理解される。
【００１７】
図１を参照すると、本譲受人の特許文献２に開示された従来技術のフラクショナル皮膚トリートメント用ＲＦアプリケータチップが概略的に示される。上に電圧皮膚送達要素又は接触要素が形成されるキャリア１００は、一例として厚さが０．５ミルから６ミル（１２．５ミクロンから１５０ミクロン）の範囲のポリイミド膜又は同様の材料で作られた可撓性又は剛性の物品である。本開示の文脈において用語「キャリア」は、複数の電圧皮膚適用要素の一アレイすなわち複数の電圧皮膚適用要素の一の２次元アレイ又はマトリクスを有する基板を意味する。基板１０４は、その一表面１１２に、微細な（微視的な）別個の電圧皮膚適用要素１１６の一のアレイ又はマトリクスを有する。当該要素１１６は表面１１２から突出してドーム型形状１２０を終端とする。基板１０４の裏側すなわち第２側に配列された破線で示される一パターンの導体１２４及び１２８によって、すべての要素１１６すなわち複数要素１１６のクラスタ又は各要素１１６それぞれをアドレス指定することができる。電圧皮膚送達要素が、キャリア１００上に形成されて、アプリケータへの迅速な取り付けを可能とするべく構成される。当該要素は、本明細書では「チップ」又は「アプリケータチップ」と称する。高周波数電圧源への接続を可能とするＲＦ接触の配列は、基板１０４に作られた各接触配列と通じる接触点又はストリップ１０８をキャリア１０４の裏側に形成することによって与えられる。電圧皮膚送達要素１１６が対称パターンで配列される。当該対称パターンは、偶数列１２４がすべてＲＦ供給接触ストリップ又はポート１２４の一方に接続され、かつ、奇数列１２８がすべて他方の又は第２の接触ストリップ又はＲＦポート１２８に接続される。
【００１８】
図２は、フラクショナル皮膚トリートメント用ＲＦアプリケータチップを駆動する従来技術のＲＦ電圧供給回路を概略的に示す。ＲＦ電圧源２００が、スタンドアロンのハウジング２０４に配置される。代替的に、ＲＦ電圧源は、破線で示すアプリケータケース２０８に配置されてよい。当該電圧源はＲＦ電圧を、アプリケータチップ２１２に、特に電圧皮膚送達要素２１６にシールドハーネス２２０を通して供給する。シールド２２４は概略的に一点鎖線で示される。ハーネス２２０の長さは、便宜な介護者動作を可能とするべく選択され、例えば１メートルから２メートルの長さである。シールド２２４と各ＲＦ電流導線２４０及び２４４との間には、所定の寄生キャパシタンス２３２及び２３６が存在する。トリートメント対象も所定のキャパシタンス２４８を有する。皮膚トリートメントに対しては、チップ２１２が、トリートメントを受ける皮膚２２８のセグメントに接触して配置される。偶数１２４及び奇数１２８の列又はクラスタにまとめられた電圧皮膚送達要素２１６と、トリートメントを受ける皮膚２２８のセグメントとの不均一な接触の結果、望ましくないＲＦ電流経路２５２が形成される。この電流が対象２２８を流れて、当該対象に痛みの感覚及び電気ショックさえをももたらす。
【００１９】
図３は、トリートメントを受ける皮膚セグメントと接触するフラクショナル皮膚トリートメント用チップ２１２の等価電気回路を概略的に示す。図３Ａはチップ２１２を概略的に示す。チップ２１２の奇数列１、３、５、及び７に配置されたすべての接触要素３３０は、集合的に３０２が付番されて図示のようにＲＦ電圧源３０６の第１ＲＦポートに接続される。また、偶数列２、４、６、及び８に配置されたすべての接触要素は、集合的に３１０が付番されて図示のようにＲＦ電圧源３０６の第２ＲＦポートに接続される。すべての接触要素は、相対的に低い伝導率の、例えば角質層のような上皮層３２０と接触する。ここで、参照番号３２４が付番するのは、角質層と比べて伝導率が相対的に高い真皮及びさらに深い皮膚層である。
【００２０】
図３Ｂを参照すると、各接触要素からの低コンダクタンス皮膚層を通る電気チャネルが抵抗として表される（説明の簡便のため、チャネルキャパシタンスは無視する）。高伝導率の真皮が共通抵抗Ｒｓとして表される。さらなる等価電気スキーム簡略化が図３Ｃに示される。ここで、すべての奇数抵抗が、等価抵抗Ｒｕ及び偶数列抵抗Ｒｅによって置換されている。典型的には、個々の接触要素抵抗それぞれは５０ｋ−１００ｋオームである。したがって、Ｒｕ及びＲｅはそれぞれ約２ｋオームである。他方、Ｒｓは一桁規模小さく約２００オームであり、議論目的上無視できる。
【００２１】
電圧皮膚送達要素又は接触要素３３０（図３Ａ）のすべてが皮膚に適切に取り付けられるわけではなく、これらのいくつかは以前のトリートメントからの多少のほこり及び他の残留物を担持し、及び、異なる皮膚セグメントが異なる抵抗を有するので、これらが形成する接触要素を通る、したがってクラスタ（偶数又は奇数のクラスタ）を通る電流に対する抵抗には差異がある。ＲＦ電圧又はエネルギーがＲｕ又はＲｅの抵抗のいずれかに流れ込むと、その抵抗が増大して正のフィードバックが生じる。この場合、大きな抵抗が小さな抵抗よりも多くのエネルギーを得てその抵抗が急速に増大するので、さらに多くのエネルギーを得る等となる。最終的な結果は、Ｒｕ又はＲｅのクラスタの最初に大きな値を有する一方が、最終的に最大エネルギーを得て、皮膚上に異なる刻印を残す（例えば、偶数又は奇数の列に配置された接触要素のみが一の刻印を残す）。これにより、当該トリートメントの効果が低くなり、望ましくない表皮効果、過剰な痛み、及び電気ショックさえもが生じる。
【００２２】
この問題を解決するべく、本譲受人に譲渡された米国特許出願第１２／３２４，９３２号明細書に開示されているように、各接触要素又はピンを個々にアドレス指定してこれを大きなインピーダンスを通して電圧源に接続することができる。当該インピーダンスは、抵抗、小さなキャパシタ、大きなインダクタ、又はこれらすべての組み合わせであってよい。これにより、個々のチャネルそれぞれに対するＲＦ誘導電流が安定化され、接触要素と接触要素のクラスタとの「競合」が低減される。滅菌及び衛生を目的として、再使用可能チップの使用よりも使い捨て可能チップの使用の方が好ましい。しかし、個々の接触要素それぞれのアドレス指定は複雑であり、かかるチップの製造コストが増大する。
【００２３】
各接触要素の抵抗又はインピーダンスを等化し、かつ、トリートメント対象への痛みの感覚及び潜在的電気ショックを低減する他の方法は、何らかの初期トリートメントによって皮膚を、例えば３０００オームのような最適かつより均一な抵抗値とすることである。しかし、抵抗が低い皮膚セグメントは常に存在し、任意のわずかな発汗が当該皮膚を低インピーダンスに追い込み得る。
【００２４】
図４は、本願チップ駆動回路の一実施例を概略的に示す。図４の実施例は、トリートメント対象に及ぼされる痛みの感覚及び電気ショックをなくすか又は少なくとも大幅に低減する。例えば４ｐＦから１０ｐＦの低キャパシタンスの絶縁変圧器４０４が、電圧皮膚送達要素２１６を有するチップ２１２のごく近くに配置される。動作中、変圧器４０４は、対象皮膚３２０、３２４と接地によってシールド２２４と各ＲＦ導線４２０及び４２４との間に形成される寄生キャパシタンス４０８及び４１２に起因して対象の体を流れる電流を低減するか又は完全になくす。すべての装置デバイスの動作を支配するコントローラ４３２がハウジング２０４に配置される。コントローラ４３２は、当該トリートメントプロセスを制御するべく必要なプロセッサ、メモリ、及び他のデバイスを有する。
【００２５】
図５は、トリートメント対象に及ぼされる痛みの感覚及び電気ショックをなくすか又は大幅に低減する本願チップ２１２の追加実施例を概略的に示す。低キャパシタンス変圧器４０４に加えて、当該電流経路に配置されて電極２１６に直列接続された一以上のキャパシタ５０２及び５０４がハイパスフィルタを形成する。装置の動作中、当該ハイパスフィルタが低周波電流をフィルタ除外する。当該低周波電流は、トリートメント対象の感受性が高く、皮膚３２０、３２４と接触する電圧皮膚送達要素２１６に形成されたプラズマによって生じて当該装置／アプリケータの動作中に当該対象の体を流れる。（Guidelines for Limiting Exposure to Time-Varying Electric, Magnetic, and Electromagnetic Fields up to 300 GHz; International Commission on Non-Ionizing Radiation Protection, Page 10を参照のこと。
【００２６】
皮膚の電気抵抗は対象ごとに異なるので、適切なＲＦエネルギー値の選択、及び美容皮膚トリートメントのためのＲＦエネルギーの適用を複雑にする。これに加え、対象の抵抗がＲＦエネルギー適用のもとで変化する。図６は、ＲＦエネルギーをパルスモードで適用した場合の皮膚抵抗変化を概略的に示す。線６０２及び６０６は、ＲＦエネルギーパルスのもとでの異なる皮膚挙動を示し、線６１０及び６１４は、所望の表皮効果が得られる上方及び下方皮膚抵抗又はインピーダンスを示すが、トリートメント対象の皮膚特性の大きな可変性ゆえに、特定の対象特性に合う他の値を実験的に設定する必要がある。以下で説明するように、当該パルスの長さは、数ミリ秒から数百ミリ秒又は数秒さえにも変化する。
【００２７】
当該トリートメントに先立ち適切なトリートメントパラメータを確立するべく、システムオペレータ又はユーザは当該装置を較正することができる。当該較正の結果として得られる動作上のトリートメントパラメータは、コントローラ４３２のメモリに格納できるルックアップテーブル（ＬＵＴ）にロードされる。較正を目的として、当該対象及びチップ挙動を模擬する周知の可変抵抗が対象の代わりにＲＦ電圧源に接続される。当該較正の一つにおいて、異なるＲＦ電圧及び異なる抵抗値にて当該回路を流れる電流が記録される。他の較正においては、当該可変抵抗すなわち模擬される異なる皮膚インピーダンスに適用されるＲＦエネルギーが記録される。
【００２８】
皮膚が湿っている場合その抵抗は低く、ＲＦエネルギーの適用とともに下降し続ける（線６０６）。特定の理論に束縛されるわけではないが、皮膚に適用されるＲＦエネルギーのほとんどは最初に当該皮膚を乾燥させるべく浪費され、ＲＦエネルギー影響下の皮膚が乾燥すると皮膚抵抗が高い値まで増大し始めると考えられる。抵抗の増大は、組織アブレーションに伴うか又はこれに引き続く蒸発につながると考えられる。当該電極の下にある組織にアブレーションが生じると、良好なトリートメント（所望の表皮効果）になると思われる。所望の表皮効果が得られるトリートメントが、対象の皮膚の抵抗がＲｌｏｗとＲｈｉｇｈとの間にあるときに起こることが実験的に立証された。当該特定値は、当該チップ及びその配列内の電極数に及び当該皮膚の特性に依存する。図１に示される、それぞれが直径２５０μｍの６４個の電極を有する典型的なチップに対しては、Ｒｌｏｗが約１５００オームかつＲｈｉｇｈが約４０００オームである。図８の非対称チップに対しては、Ｒｌｏｗが約６００オームかつＲｈｉｇｈが約１６００オームである。皮膚の抵抗（又はインピーダンス）が下限未満に下降すると、当該皮膚に適用されるＲＦエネルギーのほとんどは、当該皮膚を乾燥するのに浪費され、所望の表皮効果を生じることがない。一般に、皮膚の抵抗の上限は、湿った皮膚に対応する下限を有する角質層抵抗の近傍に存在する。破線６１０及び６１４に示されるように、皮膚の抵抗が当該示された抵抗限界内に存在する場合、当該電圧皮膚送達要素を通しての皮膚へのＲＦの適用によって、所望の表皮効果が得られる。当該ＲＦパルスの間の皮膚インピーダンスの連続的又は疑似連続的なモニタリングによって、皮膚に送達されるエネルギーの制御が可能となる。例えば、例えば６００オームのプリセットしきい値未満に抵抗が下降すると、ＲＦパルスの時間は、当該制御ユニットが当該抵抗の増大開始を特定又は検出するまで当該制御により増やされる。当該抵抗の増大開始が検出される時刻から、送達されるエネルギー量が固定されるか、又は、そのポイントまで送達されたエネルギーが考慮される。これにより、適切な表皮効果が可能となるか又は保証される。皮膚インピーダンスがプリセットインピーダンス値又は抵抗値未満である場合は、非効率なパルスを除外するべくＲＦパルスを遮断してオペレータに通知することも可能である。他の可能性は、皮膚抵抗の低い値及び当該皮膚を完全に乾燥する必要性を当該オペレータに通知することにある。プリセット量のエネルギーを皮膚に送達するように当該装置を設定することも可能である。
【００２９】
ＲＦパルス下での皮膚挙動を少なくとも２つの典型的なケースに一般化することも可能である。これらのケースの混合及び他の皮膚挙動も存在するかもしれないが、当該ケースは、ａ）皮膚抵抗がＲＦパルス適用時間すべてを通じて高いままの場合、及び、ｂ）皮膚抵抗が下限抵抗未満に下降してこれがプラトーに到達（当該関数がプラトーに到達）した後に上昇し始める場合である。したがって、電圧皮膚送達要素回路を流れる電流をモニタリングすることによって、適切なトリートメントパラメータを設定して所望の表皮効果を得ることが可能である。痛み、火傷、及びその他の有害な副作用は生じない。Ｒｈｉｇｈを超える抵抗が、汚れたチップに対応し及び／又はチップの皮膚への不適切な取り付けに起因することがわかった。双方の場合において、パルスは望ましくない痛みを引き起こす。当該痛みを低減するべく電流リミッタ７０４（図７）又は制御システムが、当該抵抗が所定のプリセットしきい値を超える場合にパルスを迅速に遮断する。当該制御はオペレータに、当該チップの皮膚への適切な取り付けを確認及び／又は当該チップを清浄するように通知する。
【００３０】
図７は、トリートメント対象に及ぼされる痛みの感覚及び電気ショックをなくすフラクショナル皮膚トリートメント駆動回路のための本願チップの他実施例を概略的に示す。感知要素７００が、フラクショナル皮膚トリートメント回路用チップに直接流れる電流を感知する。当該感知及びサンプリングは連続的であるか、又は、例えば数十ミリ秒ごとのような非常に短い時間間隔で行われる。高速応答ＲＦ誘導電流リミッタ７０４が動作中に皮膚に流れ込む電流に最大値を設定する。当該電流が増大してプリセット値を超えるとすぐに、高速スイッチ７０８が動作する。当該電流をエネルギー吸収要素７１２に導く回路が閉じられる。エネルギー吸収要素７１２は、過剰なエネルギーを熱として分散させる。ＲＦエネルギー吸収要素７１２はパッケージ化されるか又は電流リミッタ７０４の一部でさえあってもよい。当該スイッチは、バイポーラトランジスタ、ＭＯＳＦＥＴスイッチ、ＩＧＢＴスイッチ、又は他の任意の高速スイッチである。当該スイッチがアナログ形態で動作する場合、これは当該電流をプリセット最大値以下に安定化することができる。エネルギー吸収要素７１２は、一連の複数抵抗、複数ダイオードのブリッジ、又は同様のデバイスである。これにより対象が、電気ショック、皮膚火傷、及び他の潜在的トリートメント副作用から保護される。
【００３１】
図１は、従来技術のチップを示す。これは基本的に、複数電極の偶数及び奇数アレイを含む対称チップである。図８は、チップ電極間の「競合」をなくすか又は著しく低減するフラクショナル皮膚トリートメントのための本願ＲＦアプリケータチップの一実施例を概略的に示す。チップ８００はバイポーラトリートメント用であるが、非対称チップである。チップ８００は、一以上（一のクラスター）の大きな「接地」電極８０４である。電極８０４は、基板８０８の周囲面積に配置されかつ一のＲＦ出力ポートに接続される。当該基板表面から突出してドーム型形状を終端とする複数の微細な別個の電圧皮膚適用要素８１２がすべて、ＲＦ出力変圧器の他方のポートに一緒に接続される。特定のチップが６４個の要素を有するが、異なる数の要素を有する他の設計も可能である。このソリューションのさらなる利点は、偶数及び奇数の接触ストリップに配置された電極間に競合がないので、抵抗変化がより明らかとなることにある。したがって、皮膚への望ましくない部分的な刻印及び付随する痛みが防止される。電圧皮膚適用要素８０４の面積は、ドーム型形状要素８１２を終端とする面積よりも実質的に大きい。チップ８００は、アプリケータ及びＲＦ電圧接続要素（図示せず）に対するチップの迅速な取り外し及び取り付けを可能とするメカニズム８２０を有する。
【００３２】
上記に開示の電気的形態及びチップ構造は、電気ショック感覚をなくし、トリートメントに関する痛みを低減し又はなくし、及びトリートメント効果を増大させる。寄生キャパシタンスを通る接地電流を低減するべく、絶縁変圧器がアプリケーションチップの極めて近くに配置される。当該電極までの経路に配置された複数の直列キャパシタが、当該電極にて形成されたプラズマによって生じる低周波電流をフィルタ除去し、高速電流リミッタが皮膚に流れ込む電流に最大値を設定する。
【００３３】
本装置の典型的な動作パラメータは以下のとおりである。
高インピーダンス負荷での電圧：８５０Ｖｐ−ｐ。
電流：５０−４００ｍＡ。
パルス長：１０−１５０ｍ秒。
パルス当たりのエネルギー（皮膚に送達される実際のエネルギー）：０．５−４Ｊ、より典型的には１−２Ｊ。
ＲＦ周波数：１ＭＨｚ。ただし、１００ｋＨｚから１０ＭＨｚまでが考慮される。
それぞれ６４ピン、２５０ミクロンの非対称チップのための典型的な制御パラメータ：
痛み低減を目的としたパルス遮断用上限抵抗：＞１６００オーム（６４ピンの非対称チップに対して）。
低効率パルス遮断用下限抵抗：＜２００オーム（６４ピンの非対称チップに対して）。
皮膚を乾燥させるべく制御がエネルギーを付加する抵抗の範囲：２００−６００オーム（６４ピンの非対称チップに対して）。
【図１】
2013526884.tif 000003
【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
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【図４】
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【図５】
2013526884.tif 000009
【図６】
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【図７】
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【図８】
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【国際調査報告】
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