(57)【要約】  第１のインプリント層を第１のポリマー層の頂面上に提供するステップと、構造をインプリントして中間スタンプを得るステップとを備える中間ポリマースタンプから金属スタンプを得るための方法及びプロセス。インプリントされたポリマーが非導電性である場合には、シード層を得るために電性層が構造の頂面に提供され、金属スタンプを得るために中間ポリマースタンプの頂面に金属をメッキし、次いで中間スタンプを金属スタンプから分離する。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの中間スタンプからマスタースタンプと同じ構造を有する金属スタンプを得る方法であって、
‐第１のインプリント層を第１の担持体基板の頂面に提供するステップと、
‐前記マスタースタンプを使用して前記第１のインプリント層に構造をインプリントし、よって第１の前記中間スタンプを得るステップと、
‐構造化された前記第１の中間スタンプの頂面に導電層を提供し、よってシード層を得るステップと、
‐前記シード層の頂面に金属をメッキし、よって金属スタンプを得るステップと、
‐前記金属スタンプから前記第１の中間スタンプを分離するステップと、
を備える方法。
【請求項２】
少なくとも２つの中間スタンプからマスタースタンプの構造に対して反転した構造を有する金属スタンプを得る方法であって、
‐第２の担持体層の頂面に第２のインプリント層を提供するステップと、
‐前記第１の中間スタンプを使用して、前記第２のインプリント層に構造をインプリントし、よって第２の中間スタンプを得るステップと、
‐前記第２の中間スタンプの頂面に導電層を提供し、よってシード層を得るステップと、
‐前記シード層の頂面に金属をメッキして金属スタンプを得るステップと、
‐前記第２の中間スタンプを前記金属スタンプから分離するステップと、
を備える方法。
【請求項３】
前記第１及び第２の担持体基板は、ポリマー物質を備えることを特徴とする請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
前記シード層を得るステップの前に、非粘着性分子を前記レジスト中に提供するステップをさらに備えることを特徴とする請求項１又は２に記載の方法。
【請求項５】
前記第１の担持体基板は、透明な物質を備えることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記第２の担持体基板は、透明又は不透明な物質を備えることを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項７】
前記担持体基板は、ガラス、半導体物質、又は金属を備えることを特徴とする請求項１、２、５、又は６に記載の方法。
【請求項８】
前記第１及び第２のインプリント層は、前記担持体基板の頂面にコーティングされていることを特徴とする請求項１又は２に記載の方法。
【請求項９】
前記シード層は、前記第２の中間スタンプの構造の頂面にスパッタされていることを特徴とする請求項１〜８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
前記第２のシード層は、前記第２の中間スタンプの構造の頂面にスパッタされていることを特徴とする請求項１〜８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
前記シード層の厚みは、少なくとも導電性を有する１原子層であることを特徴とする請求項１〜１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
前記シード層は、導電性物質を備えることを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記導電性物質は金属を備えることを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記金属は、金属ニッケル、金、銀、チタン、銅、及びアルミニウムのうちの少なくとも１つからなることを特徴とする請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記金属スタンプは、前記導電性層の頂面に電鋳されていることを特徴とする請求項１〜１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１６】
前記第１のインプリント層の物質は、導電性ポリマーを備えることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１７】
前記第２のインプリント層の物質は、導電性ポリマーを備えることを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項１８】
前記金属スタンプは、前記導電性ポリマーの頂面に電鋳されることを特徴とする請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記中間スタンプと前記金属スタンプとの間の分離は、機械的離型によって行われることを特徴とする請求項１〜１９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２０】
前記方法は、１５〜１００℃、好ましくは２０〜７０℃の範囲における一定の温度にて行われることを特徴とする請求項１〜１９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２１】
前記インプリント層におけるインプリントされた前記構造は、マイクロ構造及びナノ構造を備えることを特徴とする請求項１〜２０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２２】
前記構造は、５ｎｍより大きなサイズを有することを特徴とする請求項１〜２１のいずれか一項に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マイクロ構造及びナノ構造から成る中間ポリマースタンプ（ＩＰＳ：  ｉｎｔｅｒｍｅｄｉａｔｅ  ｐｏｌｙｍｅｒ  ｓｔａｍｐ）を使用するインプリントリソグラフィー技術による金属スタンプの複製に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＮＴＴの近藤氏による特許文献１に開示されているインプリントリソグラフィーの発明は、光通信、磁気データストレッジ、表示装置、ナノ‐マイクロ‐電子機械的システム（ＮＥＭＳ、ＭＥＭＳ）、ナノ‐マイクロ‐エレクトロニクス、バイオテクノロジー及び化学合成のような多くの用途において広く採用されてきた。しかし、この発明された技術における主な問題のうちの１つは、高分解能で大きな面積に低コストでナノパターンを有するインプリントスタンプを作成することであり、それは同時に任意のナノ構造を低コストで長範囲オーダを有して大きな面積に亘ってパターニングが可能であるということである（非特許文献１、２）。しかし、スタンプ複製は依然として、ナノインプリントリソグラフィー（ＮＩＬ）における決定的な課題である。ナノスケールのパターンを有する従来のシリコンスタンプの製造が、高コストのエレクトロンビームリソグラフィーに基づき、次いでドライエッチング又はメタルリフトオフのいずれかが行われるということが知られている。しかし、シリコンスタンプは、大量生産用のコンプレッション又はインジェクションテンプレートのために使用するには脆すぎ、したがって工業的用途の分野における大量生産には適していない。例えば、平井氏他は、Ｓｉ−スタンプを、高圧の衝撃がマスタースタンプのキャプティビティー（ｃａｐｔｉｖｉｔｙ）に繰り返しかけられるインプリントプロセスにおいて２０回以上使用できることはまれであることを見出した（非特許文献３）。その一方でニッケル製スタンプは、高い機械的強度と耐久性を提供するだけでなく、電鋳法を介してコスト効率の良い製造を可能にする（非特許文献４〜６）。しかし、電鋳用の好適な鋳型は、導電性を有するとともに電鋳されたニッケルスタンプに非付着性であって、１つの原鋳型から複数のニッケルスタンプのコピーを容易化するものでなければならない。分離を容易化するために、電鋳テンプレートとして、シリコンスタンプを使用するいくつかの試み（非特許文献７）、又はクオーツスタンプを使用するいくつかの試み（非特許文献８）が行われたが、高濃度アルカリ溶液を、テンプレートを溶解するために使用しなければならなかった。この場合、原鋳型は破壊され、１つのニッケルスタンプを提供することしかできない。他の良く知られた方法は、ニッケル電鋳用のガルバニックフォームとして直接供給された、構造化され、現像されたエレクトロンビームレジストを使用することである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特公昭５４−２２３８９号公報
【特許文献２】米国特許第５，２４４，７３０号明細書
【特許文献３】米国特許第６，１８４，５７２号明細書
【特許文献４】米国特許第５，６９８，９０１号明細書
【非特許文献】
【０００４】
【非特許文献１】Ｊ．Ｊ．Ｗａｎｇ，ｅｔ  ａｌ．Ｊ．ｌｉｇｈｔｗａｖｅ  ｔｅｃｈｎｏｌ．，ｖｏｌ．２３，ｐｐ．４７４−４８５，２００５
【非特許文献２】Ｂ．Ｈｅｉｄａｒｉ，ｅｔ  ａｌ，Ｊ．Ｖａｃ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．，Ｂ  １７（６），ｐｐ．２９６１−２９６４，Ｎｏｖ／Ｄｅｃ  １９９９．
【非特許文献３】Ｙ．Ｈｉｒａｉ，ｅｔ  ａｌ．，Ｊａｐａｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，ｖｏｌ．４１，ｐｐ．４１８６−４１８９，２００２
【非特許文献４】Ｊ．Ｋ．Ｌｕｏ，ｅｔ  ａｌ．，Ｍａｔｅｒ．Ｌｅｔｔ．，ｖｏｌ．５８，ｐｐ．２３０６−２３０９，２００４
【非特許文献５】Ｔ．Ｈａａｔａｉｎｅｎ，ｅｔ  ａｌ．，Ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎ．Ｅｎｇ．，ｖｏｌ．８３，ｐｐ．９４８−９５０，２００６
【非特許文献６】Ｓ．Ｈ．Ｈｏｎｇ，ｅｔａｌ．，Ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎ．Ｅｎｇ．，ｖｏｌ．８４，ｐｐ．９７７−９７９，２００７
【非特許文献７】Ｊ．Ｋｏｕｂａ，ｅｔ  ａｌ．，Ｊ．Ｐｈｙｓ．Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ  Ｓｅｒｉｅｓ，Ｖｏｌ．３４，ｐ．８９７，２００６
【非特許文献８】Ｙ．Ｈｉｒａｉ，ｅｔ  ａｌ．，Ｊａｐａｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｖｏｌ．４１，ｐ．４１８６（２００２）
【非特許文献９】Ｈｏｎｇ，Ｓ．ｅｔ  ａｌ，Ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ，Ｅｎｇ．Ｖｏｌ．８４，ｐ．９７７，２００７
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
１つのエレクトロンビームリソグラフィー（ＥＢＬ）−レジストマスターに基づいた最大量のニッケルスタンプを複製することは、ナノインプリントリソグラフィー（ＩＮＬ）の製造コストを削減し、それによって産業においてＮＩＬ技術の用途をさらに促進するための主要な課題であることが、本願の発明者によって見出された。現今では、良く知られたプロセスを介した電鋳がＮｉ−スタンプのより多いコピーを容易化しており、これらコピーは、オリジナルのＥＢＬ−マスターと同一の構造を有している。このことは、１つのＥＢＬ−マスターが電鋳によって逆の特徴を有する１つの「父親」Ｎｉ−スタンプだけを提供するということを意味している。一方、「父親」スタンプに基づく更なる電鋳を行うことによって、ＥＢＬ−マスターと同一の構造を有する「母親」スタンプが得られた。付随的に我々は、分離中に生じる、父親スタンプと母親スタンプとの間の分離に伴う深刻な損傷の故に、特に高密度に離間した小さな特徴が大きな領域に大きなアスペクト比を有してパターンニングされる場合に、この方法によっては１０個の母親スタンプしか生産できないことを見出した。この発明によれば、我々は大量のニッケルスタンプをオリジナルマスターからＮＩＬと電鋳との組み合わせを介してコピーする新規な方法を取り入れた。オリジナルのスタンプのパターンと同一のパターンが必要とされる場合には、１ステップのＮＩＬが行われ、そうでない場合には２ステップのＮＩＬプロセスが、電鋳の後にニッケルスタンプに反転されたナノ構造を提供し、このことは、オリジナルの鋳型に対して反転したパターンがすぐに得られるものではないことを考えると、多分将来的には、はるかに有望である。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の１つの特徴は、少なくとも１つの中間的なスランプからのマスタースタンプと同じ構造を有する金属スタンプを得る方法によってもたらされ、この方法は、第１のインプリント層を第１の担持体基板の頂面に提供するステップと、マスタースタンプを使用して第１のインプリント層に構造をインプリントし、よって第１の中間スタンプを得るステップと、構造化された第１の中間スタンプの頂面に導電層を提供し、よってシード層を得るステップと、このシード層の頂面に金属をメッキし、よって金属スタンプを得るステップと、この金属スタンプから第１の中間スタンプを分離するステップと、を備える。
【０００７】
本発明の別の特徴は、マスタースタンプの構造に対して反転した構造を有する金属スタンプを得る方法であり、この金属スタンプは、少なくとも２つの中間スタンプから、以下のステップ、すなわち第２の担持体層の頂面に第２のインプリント層を提供するステップと、第１の中間スタンプを使用してこの第２のインプリント層に構造をインプリントし、よって第２の中間スタンプを得るステップと、この第２の中間スタンプの頂面に導電層を提供し、よってシード層を得るステップと、このシード層の頂面に金属をメッキして金属スタンプを得るステップと、第２の中間スタンプを金属スタンプから分離するステップと、に従って得られる。
【０００８】
第１及び第２の担持体基板は、ポリマー物質を備えることができ、さらに第１の担持体基板は透明な物質を備えることができる。
【０００９】
第２の担持体基板は、透明な物質又は不透明な物質を備えることができ、これら担持体基板はガラス、半導体物質、又は金属を備えることができる。
【００１０】
さらに、第１及び第２のインプリント層は、担持体基板の頂面にコーティングすることができる。
【００１１】
シード層を得るステップの前に非粘着性分子をレジスト中に提供し、よって少なくとも１つの導電性原子層からなるシード層厚みを、第１の中間スタンプの構造の上にスパッタすることができる。
【００１２】
マスタースタンプの構造に対して反転した構造を有する金属スタンプを得るために、シード層は第２の中間スタンプの構造の上にスパッタすることができる。
【００１３】
導電物質は、ニッケル、金、銀、チタン、銅、及びアルミニウムのうちの少なくとも１つからなる金属とすることができる。金属スタンプは導電性層の上に電気メッキすることができる。
【００１４】
また、インプリント層にインプリントされる構造は、５ｎｍより大きなサイズのマイクロ構造及びナノ構造を備えることができる。
【００１５】
第１のインプリント層及び第２のインプリント層の物質が導電性ポリマーである場合には、シード層は必要ない。この場合には、スパッタリングのステップは行われず、金属スタンプは導電性ポリマーの上に直接電気メッキされる。
【００１６】
さらに、中間スタンプと金属スタンプとの間の分離ステップは、機械的離型によって達成することができる。
【００１７】
上述の金属スタンプのいずれの製造も、１５〜１００℃、好ましくは２０〜７０℃の範囲における一定の温度で行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】ガルバニックテンプレートとしての、ＩＰＳを使用した電鋳を介したスタンプ複製プロセスの図である。
【図２】ガルバニックテンプレートとしての、ＩＰＳインプリント基板を使用した２ステップインプリントプロセスを介したスタンプ複製プロセスの図である。
【図３】フォトニック結晶構造を有する、生産されたニッケルスタンプの走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）像及び原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）像である。
【図４】磁気記憶媒体構造を有する、生産されたニッケルスタンプのＳＥＭ像及びＡＦＭ像である。
【図５】インプリントされたＳｉ−基板のＳＥＭ像及びＡＦＭ像である。
【図６】複製されたニッケルスタンプ上で得られたＳＥＭ像である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
ナノプリントリソグラフィーと電鋳との組み合わせを介した金属スタンプの定量的かつ費用効果の高い複製のための方法が提案される。この方法は、中間ポリマースタンプ（ＩＰＳ）へのパターンの転写を含み、ＩＰＳはガルバニック‐マスタースタンプとして直接使用して金属スタンプを複製する（１ステップインプリンティング）ことができ、この金属スタンプはオリジナルマスタースタンプのナノ構造と同一のナノ構造を有する。また、ＩＰＳはさらに、これに限られるわけではないが、基板上の熱可塑性／紫外線硬化性レジストのようなレジストをインプリントする（２ステップインプリンティング）ために使用することができる。この態様で、電鋳金属スタンプ上のナノ構造がオリジナルマスタースタンプのナノ構造に反転される。本発明は、インプリンティング及び離型が柔らかいポリマー物質とマスタースタンプとの間で生じるのみであるので、オリジナルマスタースタンプの寿命の大幅な延長を提案し、これによって固い物質の破砕を回避し、マスタースタンプとＩＰＳとの間の界面における塵粒子のような汚染物質はＩＰＳによって取り囲まれる。ＩＰＳベースのマスタースタンプからの直接電鋳によってマスタースタンプと電鋳後の金属スタンプとの間の容易な離間が可能になる。ＩＰＳベースのナノプリンティングを使用して、１つのマスタースタンプを使用する約１０００個のＩＰＳを、マスタースタンプを汚染又は損傷させることなく生産することができ、これによって１０００個の金属スタンプを１つのマスタースタンプに基づく電鋳を介して複製することができる。さらに選択されたＩＰＳ物質が紫外線透過性を有するので、オリジナルマスタースタンプが不透過性であるか、又は紫外線不透過性であったとしても、紫外線インプリントは依然としてマスタースタンプとＩＰＳ、さらにはＩＰＳと他の不透過性・紫外線不透過性を有する基板との間において行うことができる。
【００２０】
ナノ構造をオリジナルのインプリントスタンプからニッケルスタンプに転写するためにＩ  ＰＳを使用することの利点は：
１）ＩＰＳの順応性が、平坦ではないマスタースタンプ又は基板への適用を可能にする
２）ＩＰＳが紫外線透過性であるので、オリジナルスタンプが不透過性であったとしても、依然として紫外線プロセスが可能である
３）ＩＰＳの使用は、固い物質の破砕を回避する。例えば、ＩＰＳと基板との間に塵／粒子状物が存在する場合に、それら塵／粒子状物はスタンプにクラックを生じさせることなくポリマー中に取り囲まれる。
４）離型はポリマーと硬い物質との間において生じるだけであり、よって離型による損傷が回避される。
【００２１】
オリジナルスタンプと同一の構造を有するニッケルスタンプは、図１によるＩＰＳから電鋳を介して容易に得られる。
【００２２】
図１は、ガルバニックテンプレートとしての、ＩＰＳを使用した電鋳を介したスタンプ複製プロセスの図である。ニッケルスタンプは、オリジナルマスタースタンプと同一のナノ構造を含んでいる。いずれにしても、ＩＰＳと電鋳されたニッケルスタンプとの間の離隔が難しいので、プラズマＣＶＤ（「フルオロカーボンのプラズマ堆積」との名称の特許文献２、「半導体装置用のプラズマ堆積されたフッ素化されたアモルファスカーボンフィルムを含む中間誘電体スタック」との名称の特許文献３、及び半導体装置用途のための「配線遅延を減少させるためのアモルファスカーボン層を有する半導体装置」との名称の特許文献４のような）又は他の解除層のいずれかを、金属化されたシード層に先立って、好ましくはＩＰＳに接着するべきであることが強調されなければならない。このことは、スタンプが離間の間に強いせん断力を受けるということを意味する。例として非特許文献９は、高温のエンボス加工された熱可塑性ＰＶＣフィルムを電鋳されたニッケルスタンプからポリマーフィルムを、軟化させるための有機溶媒中で分離しなければならない。パターン化された面積が拡大する（例えば、３〜４インチ）につれて、金属シード層によって覆われる表面面積は相対的に増加し、分離におけるせん断力の増加をもたらすと考えられる。したがって、増加したせん断力がポリマー物質のナノ構造を破砕するのに十分となり、よって破砕した物質がニッケルスタンプのナノ構造の空洞部を充填してしまう高いリスクがある。この場合、高価かつ進歩的な洗浄方法（例えば、後続のプラズマ洗浄）がスタンプを洗浄するために必要となる。
【００２３】
オリジナルマスタースタンプの特徴とは反転した特徴を有するスタンプが望まれる場合には、２ステップインプリントプロセスが行われた。第１のインプリントがＩＰＳを生産し、次いで第２のインプリントがインプリントレジストをプリコートされた基板上に行われた。次いで、インプリントされた基板が電鋳のためのテンプレートとして使用され、オリジナルスタンプに比較すると反転した特徴を有するニッケルスタンプが得られた。
【００２４】
２ステップインプリントプロセスを介したスタンプ複製プロセスの図が図２に示されている。最終的に、歩留まり改善のためのＩＰＳ法と、特許文献４に開示された、ＵＶ硬化型又は熱硬化型物質をインプリントするための組み合わされた熱的及びＵＶによるナノインプリントと、のような出願人の技術を使用することによって、大きな面積に亘る長範囲オーダでの正確なパターン転写が、電鋳を介したニッケルスタンプ上において容易化された。しかし、出願人が強調したい１つの点は、インプリントされる基板上にシード層の金属化に先立って堆積される剥離層が非常に重要であるということであり、これは、剥離層が無いと基板のレジストが基板から剥がされてしまい、電鋳されたＮｉ‐スタンプ上に強固に付着してしまうからである。対照的に、剥離フィルム、例えばフルオロカーボンフィルムのプラズマＣＶＤを、シード層の金属化に先立って、インプリントされる基板上に採用することによって、この問題は解決された。したがって、電鋳されたニッケルスタンプが形成された後には、電気化学的なカソード洗浄とプラズマエッチングのような簡単な洗浄方法しか必要とされない。
【実施例１】
【００２５】
ＩＰＳからのＮｉ−スタンプ複製の作成プロセス
例１：  フォトニック結晶構造（ＰＣＳ）を有するニッケルスタンプ
オリジナルマスタースタンプが、例えば電子ビーム記録と電鋳プロセスとの組み合わせによって得られた。このように得られたニッケルスタンプは、４インチのパターン領域に亘る４５０ｎｍのピッチ及び１３０ｎｍの深さを有する幅２３０ｎｍのアレイから成る。アクリレートのインプリントレジストが、ポリカーボネ−トポリマーシート上にコーティングされ、次いでナノインプリンティングのための基板として使用された。ＩＰＳの離型の後、ＡＦＭ、ＳＥＭ、及び光学顕微鏡による検査が行われた。ＩＰＳの表面は、薄い（〜６ｎｍ）フルオロカーボンフィルムをプラズマ化学蒸気堆積を介して堆積することによってさらに改質された。次いで、ニッケルシード層がＩＰＳ上に、電鋳に先立ってスパッタされた。スパッタされたＮｉ‐シード層の厚みは１０ｎｍであった。我々はシード層としてニッケルを採用したので、ナノ構造の確実性は良好に維持されるはずであった。複製されたニッケル‐スタンプがオリジナルマスタースタンプの構造と同一の構造を有し、長距離オーダで、かつ忠実に複製された特徴を示すことが確認された（図３）。
【００２６】
例２：磁気記憶媒体構造を有するニッケルスタンプ
オリジナルマスタースタンプが、電子ビーム記録技術と電鋳プロセスとの組み合わせによって得られた。データトラック領域においては、パターンは幅４０ｎｍ及びピッチ１２０ｎｍの寸法を有している。インプリントされたＩＰＳは、ポリカーボネートポリマーシート上のアクリレートインプリントレジストを使用して、ＳＥＭによって検査された。反転されたナノ特徴が良好な忠実性をもって転写された。ニッケルの薄膜（〜１０ｎｍ）のスパッタの後、電鋳が行われた。厚い層の代わりに薄いメタル層をスパッタすることの利点は、大きなアスペクト比及び高いパターン密度を有する狭いナノチャネルによる正孔内包（ｈｏｌｅ−ｉｎｃｌｕｓｉｏｎ）を避けることである。オリジナルマスタースタンプのナノ構造と同一のナノ構造を有する電鋳されたニッケル‐スタンプが得られた（図４）。
【実施例２】
【００２７】
２ステップインプリントからのＮｉ‐スタンプ複製のための作成プロセス
例３：  フォトニック結晶構造を有するニッケルスタンプ
スタンプは、３インチの面積を単位として４６０ｎｍのピッチで、２００ｎｍの直径を有する点のアレイから成る。ポリカーボネート担持体ポリマーシート上のアクリレートインプリントレジストを備えるＩＰＳが、マスタースタンプ上にインプリントされた。ＩＰＳはＳｉ‐ウェハ上にパターンを転写するためにさらに使用され、このＳｉ‐ウェハはエポキシインプリントレジストでプレコートされていた（図５）。インプリントされたＳｉ‐ウェハは最終的に電鋳用の鋳型として使用されて、ニッケルスタンプレプリカが得られ、このレプリカはオリジナルスタンプ上の構造とは反転した構造を備えている。
【００２８】
例４：  磁気記憶媒体ナノ構造を有するニッケルスタンプ
磁気記憶媒体構造を有する転写ニッケルレプリカを得るために、我々は例３と同じ手順に従う。オリジナルスタンプ上の構造に対して相互補完的な構造を有する最終ニッケルスタンプが図６に示された。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【国際調査報告】
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2013518740.tif 000010
2013518740.tif 000011