(57)【要約】  本発明は、改良型の電子デバイス、特に、パターン形成された絶縁体層および有機半導体層を備える、有機電界効果型トランジスタ（ＯＦＥＴ）の製造方法に関する。【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機電子（ＯＥ）デバイスの製造方法であって、
前記ＯＥデバイスの基板上に、または別の層の上に、架橋性の誘電体材料を含む絶縁体層を被着させるステップと、
前記誘電体材料の部分的であって完全ではない架橋を生じさせる、第１の放射線量または第１の熱エネルギーに、前記絶縁体層の１つまたは２つ以上の区域を露出させるステップと、
前記第１の放射線量または第１の熱エネルギーへの露出よりも、前記誘電体材料のより程度の高い架橋を生じさせる、第２の放射線量または第２の熱エネルギーに、前記絶縁体層の１つまたは２つ以上であって、全部ではない区域を露出させるステップであって、
前記２つの露出ステップの順序を逆転させることもできるステップと、
前記絶縁体層の少なくとも一部に有機半導体（ＯＳＣ）層を被着させて、
前記ＯＳＣ層が、前記誘電体材料のより程度の高い架橋を有する絶縁体層の区域の少なくとも一部と直接的に接触するようにするステップと
を含む、前記方法。
【請求項２】
第１の露出ステップの前に、絶縁体層の１つまたは２つ以上の、しかしすべてではない区域において、誘電体材料を部分的に架橋させて、それによって架橋された区域と架橋されていない区域とのパターンをもたらすステップであって、前記架橋が耐溶媒性を与えるのに十分である、前記ステップ
を含むことを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
第１および第２の露出ステップの後に、前記先行ステップにおいて架橋されなかった残留誘電体材料を、例えば、溶媒洗浄液によって除去するステップを含むことを特徴とする、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
ａ）基板上にゲート電極を被着させるステップと、
ｂ）架橋可能な誘電体材料を含む絶縁体層を、前記ゲート電極および／または前記基板上に被着させて、任意選択で前記誘電体材料をアニーリングするステップと、
ｂ１）任意選択で、架橋された誘電体材料を含有する区域、および架橋された誘電体材料を含有しない区域を残すように、前記絶縁体層をパターン形成するステップであって、好ましくは、フォトマスクまたはシャドーマスクを通して前記絶縁体層を光放射に露出させることによって、または熱レーザを使用して選択区域だけを加熱するように、前記絶縁体層を熱エネルギーに露出させることによって、前記誘電体材料の架橋の程度が耐溶媒性を与えるのに十分である、前記ステップと、
ｃ）前記架橋性誘電体材料の架橋を生じさせる、第１の放射線量または第１の熱エネルギーに、前記絶縁体層を露出させるステップと、
ｄ）前記絶縁体層の全部ではないが一部の区域を、ステップｃ）におけるよりも、より程度の高い架橋性誘電体材料の架橋を生じさせる、第２の放射線量または第２の熱エネルギーに露出させるステップと、
ｄ１）先行するステップにおいて架橋されなかった残留誘電体材料を、例えば溶媒洗浄液によって、任意選択で除去するステップと、
ｅ）ソース／ドレイン電極を、前記絶縁体層の上に被着させるステップと、
ｆ）ＯＳＣ層を前記ソース／ドレイン電極、ならびに前記絶縁体層の上に被着させて、任意選択で、続いて前記ＯＳＣ層をアニーリングするステップであって、
任意選択で、ステップｃ）の前にステップｄ）を実行するか、かつ／または任意選択でステップｅ）の前にステップｆ）を実行するとともに、前記ソース電極と前記ドレイン電極の間の区域がチャネル区域であって、前記ＯＳＣ層が、少なくとも前記チャネル区域において、または少なくとも前記チャネル区域が全体的に重なる区域において、前記絶縁体層と直接的に接触している、前記ステップと
を含むことを特徴とする、請求項１から３の一項または二項以上に記載の方法。
【請求項５】
第２の放射線量または第２の熱エネルギーに露出される絶縁体層の区域（単数または複数）が、チャネル区域に重ねられる区域を含むとともに、任意選択で、前記ソース電極またはドレイン電極に重ねられる区域を含むことを特徴とする、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
ａａ）架橋性誘電体材料を含有する絶縁体層が、基板上に被着されるステップと、
ｂｂ）前記絶縁体層の全部ではないが一部の区域が、前記誘電体材料の架橋を発生させるより高い線量の光放射に露出され、他の区域がより低い線量の前記光放射に露出されるステップと、
ｃｃ）ソース／ドレイン電極が、該ソース／ドレインの間のチャネル領域が前記絶縁体層のパターン形成された区域の上にある状態で、形成されるステップと、
ｄｄ）ＯＳＣ材料の層が、前記絶縁体層および前記ソース／ドレイン電極の上に被着されるステップと、
ｅｅ）有機ゲート絶縁体（ＯＧＩ）層が、前記ＯＳＣ層上に被着されるステップと、
ｆｆ）ゲート電極が、前記ＯＧＩ層上に形成されるステップと
を含むことを特徴とする、請求項１〜３の一項または二項以上に記載の方法。
【請求項７】
放射がＵＶ放射であることを特徴とする、請求項１〜６の一項または二項以上に記載の方法。
【請求項８】
第２の放射線量が、第１の放射線量と同等か、それよりも高いことを特徴とする、請求項１〜７の一項または二項以上に記載の方法。
【請求項９】
第２の露出ステップにおいて、絶縁体の選択された区域が第２の放射線量に露出されるのを少なくとも部分的に防止する、パターン形成された保護層、フォトマスク、またはシャドーマスクによって、絶縁体層が選択的に保護されていることを特徴とする、請求項１〜８の一項または二項以上に記載の方法。
【請求項１０】
絶縁体層が、ゲート絶縁体層または中間層であることを特徴とする、請求項１〜９の一項または二項以上に記載の方法。
【請求項１１】
絶縁体層が、エポキシ成分、マレイミド成分、クマリン成分またはインダン成分を含む、桂皮酸ポリビニルまたは多環オレフィンなどの、光架橋性または熱架橋性の誘電体ポリマーから選択される、架橋性誘電体材料を含むことを特徴とする、請求項１〜１０の一項または二項以上に記載の方法。
【請求項１２】
有機半導体層が、任意選択で置換されたポリアセンを含むとともに、有機結合剤を任意選択でさらに含むことを特徴とする、請求項１〜１１の一項または二項以上に記載の方法。
【請求項１３】
請求項１〜１２の少なくとも一項に記載の方法によって得られる、電子デバイス。
【請求項１４】
トップゲート型またはボトムゲート型の有機電界効果型トランジスタであることを特徴とする、請求項１３に記載の電子デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、改良型電子デバイス、特に、パターン形成された絶縁体および有機半導体の層を備える、有機電界効果型トランジスタ（ＯＦＥＴ：organic field effect transistor）の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機電界効果型トランジスタ（ＯＦＥＴ）は、ディスプレイ装置およびロジック有効回路（logic capable circuits）に使用されている。多くのディスプレイ用途に対しては、十分なコントラストと確実な動的な動作が得られるように、高いオン・オフ比が必要である。オン・オフ比における改良は、従来、例えば、米国特許第５８５４１３９号に開示されているように、有機半導体（ＯＳＣ）層をパターン形成して、寄生漏洩電流を低減することによって達成されている。半導体層は、エッチング工程を使用する、従来式のリソグラフィによってパターン形成して、不要な区域から層を除去してもよい。そのような技法は、無機電子技術において十分に確立されている。しかしながら、有機半導体（ＯＳＣ）は、エッチングによって容易に加工されないことが多い。例えば、ＯＳＣ層は、活性区域だけにインクジェットによって被着させてもよい。米国特許第５８５４１３９号は、光学マスクを通してＯＳＣ層を照明することによって、オリゴチオフェンＯＳＣをパターン形成することについて考察している。
【０００３】
国際公開ＷＯ２００６／０４８０９２Ａ１は、酸化剤をチャネル区域外のＯＳＣ層に塗布することによって、ＯＳＣ層をパターン形成する方法を提唱しており、これによってオン・オフ比が改善されると報告している。
従来技術において提唱されているＯＳＣ層をパターン形成する、報告されたもう一つの方法は、トランジスタデバイスの回りの表面の表面エネルギー（湿潤性（wettability））を変化させることに基づいている。表面エネルギー勾配を介して、被着した液滴を誘導または閉じ込めるというこの概念は、周知の原理であり、例えば、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．７９，３５３６（２００１年）に記載されているように、インクジェット印刷工程に特に好適であることが報告されている。
【０００４】
しかしながら、従来技術において記載されている方法には、なお、さらなる改善の余地が残されている。したがって、本発明のねらいは、改良型の有機電子（ＯＥ）デバイス、特にボトムゲート（ＢＧ）型ＯＦＥＴの製造方法を提供することである。特に、ＯＦＥＴにおけるオン・オフ比を向上させて、チャネル区域における層の移動度を維持し、同時にその他の区域における移動度を低減することがねらいである。本方法は、従来技術の方法の欠点を有することなく、時間効率、コスト効率および材料効率のよい大規模な電子デバイスの生産を可能にしなければならない。本発明のその他のねらいは、以下の詳細な説明から当業者には直ちに明白になる。
【０００５】
これらのねらいは、本発明において特許請求する方法を提供することによって達成できることがわかった。特に、高い電荷キャリア移動度を示す高い結晶化度（degree of crystallinity）を有する領域と、低い結晶化度を有するか、または低い電荷キャリア移動度を示すアモルファスでさえある領域とを含む、結晶化パターンを、ＯＳＣ層に設けることができることがわかった。このことは、後にＯＳＣ層をその上に付加する、絶縁体層を設けることによって簡単に達成することが可能であり、この場合に絶縁体層は架橋性材料を含有し、特定の領域における架橋密度は、例えば、シャドーマスクを通してＵＶ照射することによって変化させることができる。加工された絶縁体層にＯＳＣ製剤を塗布すると、増大させたＵＶ照射を施した領域においてのみ、絶縁体層の表面にＯＳＣ結晶が形成されることになる。絶縁体層の他の領域上では、塗布されたＯＳＣはアモルファスとなるか、または結晶化度が低くなる。
【０００６】
ＵＶ照射を用いて絶縁体層のパターン形成を達成する方法は従来技術において知られている。しかしながら、これらの方法は、通常、強いＵＶ放射を適用するものであり、絶縁体層の表面で非常に激しい光誘起化学反応を作用させることに基づいており、これは表面自由エネルギーの大きな変化を生じることになる。しかしながら、このことによって、絶縁性の低下を生じることが多い。ＵＶ放射に起因する絶縁体層の損傷を低減するために、米国特許第２００７／００９６０８８Ａ１は、ＵＶ放射によってその表面エネルギーを変化させることが可能であり、かつＵＶ放射に対して透過性のある材料を含む、追加の湿潤性制御層を付加することを提唱している。しかしながら、追加の層を使用すると、デバイスおよびプロセスのコストが増加することになる。
【発明の概要】
【０００７】
本発明は、有機電子（ＯＥ）デバイスの製造方法であって、
基板上に、または前記ＯＥデバイスの別の層の上に、架橋性の誘電体材料を含む絶縁体層を被着させるステップと、
前記誘電体材料の部分的であって完全ではない架橋を生じさせる、第１の放射線量または第１の熱エネルギーに、前記絶縁体層の１つまたは２つ以上の区域を露出させるステップと、
前記第１の放射線量または第１のエネルギーへの露出よりも、前記誘電体材料のより程度の高い架橋を生じさせる、第２の放射線量または第２の熱エネルギーに、前記絶縁体層の１つまたは２つ以上であって、全部ではない区域を露出させるステップであって、
前記２つの露出ステップの順序を逆転させることもできるステップと、
前記絶縁体層の少なくとも一部に有機半導体（ＯＳＣ）層を被着させて、
前記ＯＳＣ層が、前記誘電体材料のより程度の高い架橋を有する絶縁体層の区域の少なくとも一部と直接的に接触するようにするステップと
を含む、前記方法に関する。
【０００８】
好ましい態様において、本方法は、第１の露出ステップの前に、絶縁体層の１つまたは２つ以上の、しかしすべてではない区域において誘電体材料を部分的に架橋させて、それによって架橋された区域と架橋されていない区域とのパターンをもたらすステップを含み、前記誘電体材料の架橋は、好ましくは、耐溶媒性を与えるのに十分である。この好ましい態様による方法は、第１および第２の露出ステップの後に、前記先行ステップにおいて架橋されなかった残留誘電体材料を、例えば、溶媒洗浄液によって除去するステップをさらに含む。
【０００９】
本発明はさらに、前述および後述の方法によって入手可能な、または入手された有機電子（ＯＥ）デバイス、好ましくはトップゲート型またはボトムゲート型の有機電界効果型トランジスタ（ＯＦＥＴ）、特に好ましくはボトムゲート型ＯＦＥＴに関する。
好ましくは、ＯＥデバイスは、有機電界効果トランジスタ（ＯＦＥＴ）、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、集積回路（ＩＣ）の構成要素、無線周波数同定（ＲＦＩＤ）タグ、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）、エレクトロルミネセンスディスプレイ、フラットパネルディスプレイ、バックライト、光検出器、センサ、ロジック回路、メモリ素子、キャパシタ、有機光起電力（ＯＰＶ）電池、電荷注入層、ショットキーダイオード、平坦化層（planarising layers）、帯電防止フィルム、導体基板またはパターン、光電導体、光受容器、電子写真装置およびゼログラフィック装置（xerographic devices）からなる群から選択される。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１Ａ】図１Ａは、従来技術の典型的なボトムゲート／ボトムコンタクト型ＯＦＥＴを概略的に示す図である。
【図１Ｂ】図１Ｂは、従来技術の典型的なボトムゲート／トップコンタクト型ＯＦＥＴを概略的に示す図である。
【図２】図２は、従来技術の典型的なトップゲート型ＯＦＥＴを概略的に示す図である。
【図３Ａ】図３Ａは、本発明によるボトムゲート／ボトムコンタクト型ＯＦＥＴの製造方法を例示的かつ概略的に示す図である。
【図３Ｂ】図３Ｂは、本発明によるボトムゲート／トップコンタクト型ＯＦＥＴの製造方法を例示的かつ概略的に示す図である。
【図４Ａ】図４Ａは、実施例１のＯＦＥＴの交差偏光顕微鏡写真を示す図である。
【図４Ｂ】図４Ｂは、実施例１のＯＦＥＴの伝達特性を示す図である。
【図４Ｃ】図４Ｃは、実施例１のＯＦＥＴの伝達特性を示す図である。
【図４Ｄ】図４Ｄは、実施例１のＯＦＥＴの伝達特性を示す図である。
【図５Ａ】図５Ａは、比較例１のＯＦＥＴの交差偏光顕微鏡写真を示す図である。
【図５Ｂ】図５Ｂは、比較例１のＯＦＥＴの伝達特性を示す図である。
【図５Ｃ】図５Ｃは、比較例１のＯＦＥＴの伝達特性を示す図である。
【図５Ｄ】図５Ｄは、比較例１のＯＦＥＴの伝達特性を示す図である。
【図６】図６は、比較例１のＯＦＥＴと比較した、実施例１のＯＦＥＴの伝達特性を示す図である。
【図７】図７は、実施例３のＯＦＥＴの伝達特性を示す図である。
【００１１】
発明の詳細な説明
「誘電体／誘電性（dielectric）」および「絶縁性（insulating）」または「絶縁体（insulator）」という用語は、上記および下記において同義的に使用される。すなわち、絶縁体層への言及は、誘電体層をも含み、その逆も成り立つ。
「中間層（interlayer）」という用語は、デバイスの他の２つの機能層または構成要素間、例えば、ゲート絶縁体層とゲート電極の間、またはゲート絶縁体層と半導体層との間に設けられる、有機電子デバイス内の層を意味する。
【００１２】
ＯＦＥＴデバイスにおいてゲート電極によって覆われているか、またはそれと重なっている、ソース電極とドレイン電極の間の区域は、「チャネル区域」とも呼ばれる。
「ポリマー」という用語は、一般的には相対分子量の高い分子を意味し、その構造は、相対分子量の低い分子から、実際的または概念的に誘導されるユニットの多数の繰り返しを本質的に含む（Ｐｕｒｅ  Ａｐｐｌ．  Ｃｈｅｍ．、１９９６年、６８、ｐ．２２８９を参照）。
【００１３】
「繰り返し単位」または「モノマー単位」という用語は、構成繰り返し単位（ＣＲＵ：constitutional repeating unit）を意味し、これは、その反復が規則性マクロ分子、規則性オリゴマー分子、規則性ブロックまたは規則性分子鎖を形成する、最小構成単位である（Ｐｕｒｅ  Ａｐｐｌ．  Ｃｈｅｍ．、１９９６年、６８、２２９１を参照）。
【００１４】
「放射（radiation）」および「光放射（photoradiation）」という用語は、本発明による架橋性材料における架橋反応を誘発するのに使用してもよい、特定の波長または波長範囲の任意の種類の放射、例えばＵＶ放射を含むものと理解すべきである。好ましくは、本発明による架橋性材料は、ＵＶ放射への露出によって架橋可能であって、本発明の方法において使用される光放射は、ＵＶ放射である。しかしながら、ＵＶ放射に言及する、上記および下記の方法のいずれの態様も、使用する架橋性材料の種類に応じて、別の種類の光放射、例えば、可視または赤外（ＩＲ）域の波長を有する放射に適合させてもよい。
【００１５】
「放射線量（radiation dosage）」という用語は、所与の面積（ｃｍ２）にわたって所与の時間（ｓ）、試料に加えられる放射電力（Ｗ）を意味する。この線量は、Ｊ／ｃｍ２の単位で与えられ、通常は、特定波長または特定の波長域に対して定義される。
前述部および後述部において、「区域（area）」と「領域（region）」という用語は、絶縁体層またはＯＳＣ層などの、デバイス層のある一部を記述するのに同義的に使用される。
【００１６】
本発明による方法は、好ましくは、例えば、光誘起または熱誘起または両者の組合せとすることのできる、［２＋２］架橋などの、架橋に基づく材料を、ＯＥデバイス、好ましくはＯＦＥＴ、さらに好ましくはボトムゲート（ＢＧ）型構成を有するＯＦＥＴにおいて、絶縁体、特に有機ゲート絶縁体（ＯＧＩ）として使用する。絶縁体層の特定の領域における架橋密度は、異なる領域が異なる放射線量に露出されるように、シャドーマスクを通して照射することによって、変化させることができる。
【００１７】
本発明による方法の結果として、絶縁体層は、第１または第２の放射線量にのみ露出された領域と、第１および第２の放射線量の両方に露出された領域とのパターンを呈する。
加工されてパターン形成された絶縁体層に、スピン塗布ＯＳＣ製剤を塗布すると、増大されたＵＶ放射線量に露出された領域においてのみ、絶縁体の表面上にＯＳＣ材料の結晶が形成されることになる。それと対照的に、低い放射線量に露出された、絶縁体層の他の領域上では、塗布されたＯＳＣ材料が、アモルファス層または結晶性の低い層を形成するのが観察される。
【００１８】
従来技術の方法とは対照的に、本発明による結晶化パターンを有するＯＳＣ層を作成する方法は、例えば、米国特許第２００７／００９６０８８Ａ１号に開示されているように、光照射によって表面エネルギーを変化させることに基づくものではない。また、表面エネルギーは、大幅に変化することはなく、新しい表面化学が導入されることはない。
特定の理論に結びつけることを望むものではないが、本発明の発明者らは、上述および後述のＯＳＣ層で観察されるパターン化された結晶化は、ＯＳＣ層がその上に被着される絶縁体層の架橋密度に関係していると考えている。ＯＳＣ結晶が絶縁体層の表面上に形成されるには、ある程度の硬度が必要であり、これによって、硬度が架橋密度と関連づけられる。結晶が形成され始める、対応する架橋密度ＲＣは、絶縁体の不溶性を達成するのに必要な架橋密度ＲＳよりも大幅に高い。ＲＳよりも高いが、ＲＣよりも低い架橋密度に対して、塗布されたＯＳＣ製剤は、非晶質、または非結晶性の膜を生じる。
【００１９】
例えば、２＋２カップリング化学法（またはその他の二分子架橋反応）に基づく架橋性ポリマー絶縁体材料の場合には、架橋密度は、系に供給される入射光子の量（例えば、放射線量）によって容易に制御することができる。このことも、架橋化学は、自己伝播効果がなく、かつ連鎖反応によらない、個別の、ほぼ独立した二分子２＋２カップリング反応に基づくのが好ましいということによっている。
本発明の発明者らは、さらに、ＯＳＣ結晶の形成は、後続のデバイス製造工程において、ＯＧＩ層上に被着されるＯＳＣ製剤による、絶縁体層表面の膨潤量および／または貫入量に関係しているものと考えている。
【００２０】
本発明による方法は、例えば、ＯＳＣ結晶形成をチャネル区域だけに制限することによって、ＯＦＥＴデバイス、特にＢＧ型ＯＦＥＴにおけるオフ電流を低減するのに有利に使用することができる。これによって、スピン塗布などのエリア塗布技法によって、ＩＪＰなどのパターン形成被着法の低オフ電流を再現することが可能となる。さらに、その他のパターン形成方法と組み合わせて、例えば、フレキソ印刷の解像度を向上させるのに使用することができる。それによって、これらの印刷技法の解像度が、トランジスタ特長サイズよりも低くなり、その結果として、本発明の方法は、位置精度の精密調整および／または改善にも使用することができる。したがって、バンク構造などのさらなる層を不要にすることができる。
【００２１】
上述のように、本発明による方法と、従来技術に記載されている方法との重要な違いの一つは、光照射の効果である。従来技術式のＵＶ照射は、通常、トランジスタデバイスのまわりの表面の表面エネルギー（または、湿潤性）を変化させることによって、（例えば、通常はインクジェット印刷を使用する、溶媒系被着による）その後のＯＳＣ層の位置パターン形成を可能にする。表面エネルギー勾配を介して、付着液滴を誘導するか、または閉じ込めるという概念は周知の原理であり、例えばＡｐｐｌ．  Ｐｈｙｓ．  Ｌｅｔｔ．  ７９，  ｐ．３５３６（２００１年）に記載されている。
【００２２】
それと対照的に、本発明による方法においては、照射によって、意図した架橋反応以外のいかなる化学変化も生じることがないために、基板、すなわちＯＧＩ、それ自体の湿潤性／表面エネルギーは、光照射によって大きく影響されることがない。その代わりに、異なる放射線量による影響は、異なる架橋密度を有する絶縁体の領域を生成することにある。それによって、「ＯＳＣ非結晶化誘発性」である、軟質であるが耐溶媒性のある領域と、「ＯＳＣ結晶化誘発性」である、硬質領域とが絶縁体層に形成される。
【００２３】
特に、例えば、米国特許第６６９００２９号、同第７３８５２２１号、国際公開ＷＯ２００５／０５５２４８Ａ２、または同ＷＯ２００８／１０７０８９Ａ１に記載されているような、置換型ペンタセン類またはアントラジチオフェン類のような、小分子ＯＳＣ材料を使用する場合には、非結晶性の、非晶質ＯＳＣ層の極端に低い電気的性能のために、これらの非晶質領域は、トランジスタデバイスの電気的性質に寄与／破壊することはない。そうではなく、トランジスタ特性は、主として、結晶性ＯＳＣ形態を有する硬化（hard cured）領域によって決まる。結果として、トランジスタ性能は、ＯＧＩ層および／またはＯＳＣ層の物理的パターン形成によって得られるデバイスの性能と非常に類似している。
【００２４】
また、本発明による方法においては、ＯＳＣは、デバイスの全区域にわたって被着されており、能動トランジスタデバイス区域中にだけＯＳＣを被着させることによって、物理的にパターン形成されてはいない。すなわち、本方法は、「シミュレートされた」パターン形成と記述することができ、例えば、大きな区域がＯＳＣで覆われており、また表面エネルギー誘発パターン形成という概念が、被着された比較的大量のインクを閉じ込めるのに効率的ではない、フレキソ印刷またはグラビア印刷のような低解像度印刷方法に対して、特に、有利である。
【００２５】
本発明による方法は、さらなる利点をもたらす。例えば、インクジェット印刷において、液滴がチャネル中に被着されると、それは、バンク構造が使用されていない場合には、通常、チャネル領域よりも大きい。本発明によるパターン形成方法を使用する場合には、チャネル区域は、結晶化区域として定義することができ、したがって、液滴はまだ大きな領域を覆っているが、結晶化は、パターン形成されたチャネル領域においてのみ発生することになる。このことによって、インクジェット印刷によって製造されるデバイスにおける結晶形態の改良をもたらすことができるとともに、インクジェットされた液滴がいわゆる「コーヒーしみ効果（coffee stain effect）」を起こすときに見られる、有害な形態の少なくとも一部を解消することができる。
【００２６】
別の利点は、フレキソ印刷などの低解像度の方法を、ＯＳＣ材料を除去することの複雑さ、または高解像度技法によるコストを伴うことなく、高解像度のパターン形成されたチャネルを作成するのに使用することができることである。
硬度／架橋密度またはポリマー絶縁体の膨潤係数に基づく、このようなパターン形成方法は、先行技術に記載されていない。
【００２７】
本発明による方法のいくつかの好ましい特徴、および従来技術の方法と比較してのその差異は以下の通りである：
・絶縁体層のすべての部分は光放射に露出されるが、絶縁体層上に被着されたＯＳＣの結晶化が望まれる、絶縁体層の特定の領域に、より高い放射線量が当てられる、
・絶縁体層の一部の区域は、光放射に露出されず、次いで、絶縁体層のパターン形成工程の最後に、例えば、溶媒洗浄液を使用して架橋されていない誘電体材料を除去することによって、現像される。この方法は、電気接触を可能にするように、誘電体材料を貫通してバイア（Ｖｉａｓ）を作成するのに適している、
【００２８】
・第１の照射ステップにおいては、架橋性誘電体材料における架橋反応が部分的にすぎない、すなわち完全ではないように、放射線量が選択される、
・第２の照射ステップにおいては、絶縁体層の部分的に架橋された区域の一部が、さらに架橋されるか、または完全に架橋され、この場合に、完全架橋は、その後の絶縁体層のアニーリングによって達成してもよい、
・絶縁体層における架橋密度は変動し、絶縁体層の異なる区域において異なる程度の硬度および膨潤係数が得られ、これによって、絶縁体層のそれぞれの異なる区域に被着されたＯＳＣの、異なる程度の結晶化が生じる、
【００２９】
・より高い放射線量（すなわち、２つのステップにおいて２種の線量）が当てられた絶縁体層の区域は、絶縁体層上に被着されたＯＳＣの高い結晶化度と高い性能を意図した区域である（すなわち、上記の従来技術概念と反対）、
・絶縁体層の誘電体材料の架橋反応とは別に、好ましくは、絶縁体層の表面において、さらなる化学反応および／または新規の基は形成されない、
【００３０】
・絶縁体層の表面の極性および誘電体材料の誘電率は、好ましくは、本発明による方法の途中で大幅には変化しない（異なる放射線量を当てることによって、絶縁体層の表面エネルギーにおいて起こり得る変化は、意図するものではないが、表面エネルギーのわずかな変化は除外するものではない）、
・本方法は、（表面エネルギー誘起効果に基づく物理的パターン形成が実現可能でないか、または実際的ではない）大面積印刷方法に使用される。それによって、被着技法それ自体で達成可能なパターン形成の解像度よりも、より高い解像度を達成することができる。
【００３１】
本発明の別の好ましい態様において、第１の放射線露出ステップは、（誘電体材料が熱的に硬化可能な材料である場合に）、誘電体材料を部分的に架橋するために、熱アニーリングステップで置換される。次いで、光／熱的の双方で硬化可能な系である場合には、第２の放射ステップが、光照射を使用することによって、または（材料が熱的にだけ硬化可能である場合には）レーザーを使用して、基板を熱的にパターン形成することによって、実行される。
【００３２】
本発明の別の好ましい態様においては、実用的な架橋のための、第１の放射線量へ露出し、次いで誘電体材料のさらなる／完全な架橋のための第２の線量へ露出する過程は、逆転される。例えば、第１の露出ステップにおいて、放射線量が、シャドーマスクを通して供給されて、マスキングされていない（すなわち、露出された）誘電体材料の完全な、または部分的な架橋を誘発する。第２の露出ステップにおいて、放射線量は、第１の露出ステップにおけるよりも少なく、それは、例えば、第１の露出ステップにおいてマスキングされていた区域を架橋させて、それにより不溶化させる、フラッド照射（flood irradiation）である。
【００３３】
上記および下記で使用される、「部分架橋する」および「部分架橋された」という用語は、架橋性誘電体材料における架橋性成分の全体ではなく、一部分だけが、例えば第１の放射線量に露出されるときに、架橋反応によって反応することを意味する。「さらなる架橋」または「より程度の高い架橋」とは、先行の照射ステップにおいて反応していない、架橋性成分の少なくとも一部が、例えば、後続の照射ステップおよび／またはアニーリングステップにおける架橋反応によって反応することを意味する。
【００３４】
好ましくは、本発明による方法は、以下のステップを含む。
ａ）例えばＡｌのゲート電極を、例えば蒸着によって、基板上に被着させるステップ、
ｂ）架橋性誘電体材料を含む絶縁体層を、例えば、スピン塗布によって、ゲート電極および／または基板上に被着させ、続いて任意選択で前記誘電体材料をアニーリングするステップ、
ｂ１）任意選択で、架橋された誘電体材料を含有する区域、および架橋された誘電体材料を含有しない区域を残すように、絶縁体層をパターン形成するステップであって、前記誘電体材料の架橋の程度が、好ましくは、フォトマスクまたはシャドーマスクを通して絶縁体層を光放射に露出させることによって、または選択区域だけを加熱するように熱レーザを使用して、絶縁体層を熱エネルギーに露出させることによって、耐溶媒性を与えるのに十分である、前記ステップ、
【００３５】
ｃ）好ましくは、絶縁体層全体を露出させるとによって、かつ好ましくは、絶縁体層の異なる部分を異なる放射線量に露出させることなく、それによって架橋性誘電体材料における架橋反応を誘発させて、（ステップｂ１においてまだ架橋されていない）架橋性誘電体材料の架橋を生じさせる、第１の放射線量または第１の熱エネルギーに絶縁体層を露出させるステップであって、前記放射線量または熱エネルギーが、架橋反応が部分的だけであって、完全ではないように選択される、前記ステップ、
【００３６】
ｄ）前記絶縁体層の全部ではないが一部の区域を、好ましくは、フォトマスクまたはシャドーマスクを通して光照射することによって、または熱レーザを使用することによって、ステップｃ）におけるよりも、より程度の高い架橋性誘電体材料の架橋を生じさせる、第２の放射線量または第２の熱エネルギーに露出させるステップであって、前記露出された区域が、続いて重ねられるＯＳＣ層における結晶ＯＳＣ材料が望まれる区域、好ましくは、チャネル区域であり、その結果として、絶縁体層が、高架橋密度および低架橋密度の区域を示す、前記ステップ、
【００３７】
ｄ１）先行するステップにおいて架橋されなかった残留誘電体材料を、例えば溶媒洗浄液によって、任意選択で除去するステップ、
ｅ）例えば蒸着によって、例えばＡｕまたはＡｇのソース／ドレイン電極を、絶縁体層の上に被着させるステップ、
【００３８】
ｆ）例えば、スピン塗布によって、ＯＳＣ層を前記ソース／ドレイン電極、ならびに前記絶縁体層の上に被着させて、任意選択で、続いて前記ＯＳＣ層をアニーリングするステップであって、
任意選択で、ステップｃ）の前にステップｄ）を実行するか、かつ／または任意選択でステップｅ）の前にステップｆ）を実行するとともに、
前記ソース電極と前記ドレイン電極の間の区域がチャネル区域であって、前記ＯＳＣ層が、少なくとも前記チャネル区域において、または少なくとも前記チャネル区域が全体的に重なる区域において、前記絶縁体層と直接的に接触している、前記ステップ。
【００３９】
ＢＧ／ボトムコンタクト型ＯＦＥＴを製造するときには、ＯＳＣ層の前に、ソース／ドレイン電極がＯＧＩ層上に被着されて、その結果として、ステップｅ）およびｆ）が、上述のような順序で実行される。
ＢＧ／トップコンタクト型ＯＦＥＴを製造するときには、ソース／ドレイン電極の前に、ＯＳＣ層がＯＧＩ層上に被着される。この場合には、上記および下記のような本発明による方法において、ステップｆ）はステップｅ）の前に実行される。
【００４０】
次いで、ステップｆ）においては、ステップｄ）において絶縁体材料が第２の放射線量に露出されて、結果的に増大した架橋密度を有する、絶縁体表面の領域上に主として（好ましくはそこだけで）、ＯＳＣ結晶が形成される。絶縁体表面のその他の領域上では、ＯＳＣ材料は、非晶質であるか、または低い結晶度を有する。
正確な製造条件を容易に採用して、使用される対応する絶縁体およびＯＳＣ材料に対して最適化することができる。例えば、好ましくは、基板を洗浄するステップをステップａ）の前に実行し、基板と絶縁体層の間の凝着力を増大させるために、表面処理を適用することができる。
【００４１】
図１Ａは、従来技術による、典型的なＢＧ／ボトムコンタクト型ＯＦＥＴの概略表現であって、このＯＦＥＴは、基板（１）上に設けられたゲート電極（２）、誘電体材料の層（３）（ゲート絶縁体層）、ソース（Ｓ）／ドレイン（Ｄ）電極（５）、ＯＳＣ材料の層（４）、および後にその上に設けられることのある別の層またはデバイスから、または環境影響から、ＯＳＣ層およびＳ／Ｄ電極を遮蔽または保護する、任意選択の第２の絶縁体層または保護層（６）を含む。二重矢印で示されている、ソース／ドレイン電極（５）の間の距離が、チャネル区域である。
【００４２】
図１Ｂは、従来技術による典型的なＢＧ／トップコンタクト型ＯＦＥＴの概略表現であり、このＯＦＥＴは、基板（１）上に設けられたゲート電極（２）、誘電体材料の層（３）（ゲート絶縁体層）、ＯＳＣ材料の層（４）、ソース（Ｓ）／ドレイン（Ｄ）電極（５）、ならびに別の層から、または環境影響から、ＯＳＣ層およびＳ／Ｄ電極を遮蔽または保護する、任意選択の保護層（６）を含む。
図２は、従来技術による典型的なＴＧ型ＯＦＥＴの概略表現であり、基板（１）上に設けられたソース／ドレイン電極（５）、ＯＳＣ材料の層（４）、誘電体材料の層（３）（ゲート絶縁体層）、ゲート電極（５）、および後に設けられることのある別の層またはデバイスからゲート電極を遮蔽する、任意選択の第２の絶縁体または保護層（６）を含む。
【００４３】
図３Ａは、本発明による、ボトムゲート／ボトムコンタクト型ＯＦＥＴデバイスの製造方法を例示的かつ概略的に示す。簡単にするために、図３Ａに示すように、単一ステップにおいて設けられる層の参照番号は、次のステップでは必ずしも表示されているとは限らない。
第１のステップａ）においては、基板（１０）上にゲート電極（２０）が被着され、前記基板の表面は、好ましくは、ゲート電極を被着させる前に清浄化されている。
次のステップｂ）においては、架橋性誘電体材料（３０）の層が、ゲート電極上に被着されて、ゲート絶縁体層として役割を果たす。
【００４４】
写真パターン形成ステップｂ１）を実行することも可能であり、その場合には、誘電体材料がマスキングされて光放射を受け、その結果として、マスキングされていない部分だけが架橋される。このステップにおけるマスキングされた誘電体材料の残留部分は、次のステップｃ）およびｄ）における２種類の放射線量も受けることなく、その後に、現像工程によって、例えば、溶媒洗浄液によって除去することができる。
追加の写真パターン形成を実行することも可能であり、この場合には、次のステップｃ）およびｄ）において誘電体材料は、２種類の放射線量から完全にマスキングされており、それによってマスキングされていない部分だけが架橋される。これらのステップに続くマスキングされた誘電体材料の部分は、２種類の放射線量を受けることがなく、その後に、現像工程によって、例えば、溶媒洗浄液で洗浄することによって、除去することができる。
【００４５】
次のステップｃ）において、誘電体材料（３０）は、誘電体材料内での架橋を誘発する、第１の放射線量（矢印で示されている）に露出されるが、この放射線量は、架橋反応が完了することなく、部分的に架橋されたゲート絶縁体層（３１）が生じるように選択される。
次のステップｄ）において、部分的に架橋された誘電体材料を含有するゲート絶縁体層（３１）は、フォトマスクまたはシャドーマスク（７０）によって覆われており、次いで、（矢印で示された）第２の放射線量に露出される。フォトマスク（７０）は、放射線に対して透過性である領域（例えば、マスク内の穴）と、放射線に対して非透過性である、または部分的にのみ透過性である領域とのパターンを有する。結果として、部分的に架橋された誘電体層の選択された領域（３１）だけが、第２の放射線量に完全に露出されるのに対して、その他の領域は、第２の放射線量に露出されないか、または部分的にだけ露出される。第２の放射線量は、誘電体材料の完全に露出された領域（３２）において、さらなる架橋を誘発して、誘電体材料の露出されない、または部分的にだけ露出される領域（３３）と比較して、より高い架橋密度をもたらす。
【００４６】
ステップｃ）の前にステップｄ）を実行することも可能であり、それによって、上記の好ましい態様において述べたように、第１の放射線量は、部分的架橋に使用されて、第２の線量は、誘電体材料のさらなる架橋／完全架橋に使用される。
次いで、任意選択で、現像ステップｄ１）が実行され、この場合には、先行するステップにおいて架橋されなかった残留する誘電体材料が、例えば、溶媒洗浄液で洗浄することによって除去される。
次のステップｅ）において、ソース／ドレイン電極（５０）が、ゲート絶縁体層上に被着される。
【００４７】
次のステップｆ）において、有機半導体（ＯＳＣ）材料の層が、ソース／ドレイン電極（５０）およびゲート絶縁体層の上に被着されて、任意選択で、アニーリングステップが続く。ステップｄ）において第２の放射線量に完全に露出されて、結果的により高い架橋密度を有する絶縁体層表面の領域（３２）と接触している、ＯＳＣ層の領域（４２）において主として、好ましくはそこだけにＯＳＣ結晶が形成される。ソース／ドレイン電極（５０）と接触しているか、またはステップｄ）において第２のＵＶ放射線量に露出されないか、または部分的にだけ露出されて、低い架橋密度を有する絶縁体層の領域（３３）と接触している、ＯＳＣ層のその他の領域（４３）においては、ＯＳＣ材料の表面はアモルファスであるか、または結晶性が低い。
【００４８】
図３Ｂは、本発明によるボトムゲート／トップコンタクト型ＯＦＥＴデバイスの製造方法を例示的かつ概略的に示す。ステップａ）〜ｄ）は、図３Ａの工程に対して上述したように、実行される。次のステップｆ）において、ＯＳＣ材料の層が、ゲート絶縁体層の上に被着され、任意選択で、アニーリングステップがそれに続く。誘電体材料がステップｄ）において第２の放射線量に完全に露出されて、結果的により高い架橋密度を有する絶縁体層表面の領域（３２）と接触している、ＯＳＣ層の領域（４２）において主として、好ましくはそこだけに、ＯＳＣ結晶が形成される。ステップｄ）において第２のＵＶ放射線量に露出されないか、または部分的にだけ露出され、低い架橋密度を有する絶縁体層の領域（３３）と接触している、ＯＳＣ層の他の領域（４３）においては、ＯＳＣ材料の表面は非晶質である。次のステップｅ）において、ソース／ドレイン電極（５０）が、次いで、ＯＳＣ層（４１、４２）の上に被着される。
【００４９】
任意選択で、１つまたは２つ以上の別のステップにおいて、１つまたは２つ以上のさらなる絶縁体層または保護層が、ＯＳＣ層（図３Ａおよび３Ｂには示されない）の上に設けられる。図３Ａおよび３Ｂに示すような工程において、光放射を、熱エネルギーで置換することも可能であり、フォトマスクの代わりに、熱レーザを使用して選択区域だけを加熱することができる。
【００５０】
本発明による方法は、ＯＦＥＴに限定はされず、ＯＳＣ層が絶縁体層の少なくとも一部と直接的に接触するように絶縁体層の上に被着される、任意のＯＥデバイスの製造に使用することができる。当業者であれば、この工程をその他のＯＥデバイスの製造に使用するために、上記および下記に述べた方法に、容易に修正または変更を加えることが可能である。しかしながら、ＯＦＥＴ、特にＢＧ型ＯＦＥＴが特に好適である。
【００５１】
例えば、本発明の別の好ましい態様において、好ましくはＯＧＩである、パターン形成された絶縁体層を基板として使用して、ＴＧ型ＯＦＥＴデバイスが製造される。ガラス基板にＯＧＩの層を塗布し、その後に上述の工程を使用してパターン形成することによって、チャネル領域においてのみＯＳＣの結晶化を誘発することができる。上記のＢＧ型ＯＦＥＴの場合のように、この効果は、標準的なパターン形成のない工程と比較したときの、ＯＦＥＴデバイスのオフ電流を低減するのに使用することができる。
【００５２】
トップゲート型ＯＦＥＴデバイスを製造する好ましい方法は、以下のステップを含む：
ａａ）架橋性誘電体材料を含有する絶縁体層が、例えば、被覆または印刷によって基板、例えばガラス基板またはプラスチック基板の上に被着されるステップ、
ｂｂ）前記絶縁体層の全体ではないが一部の区域が、前記誘電体材料の架橋を発生させる（それによって結晶化を示す区域が生成される）より高い線量の光放射に、例えば、マスクを介して露出され、これに対して、その他の区域がより低い線量の前記光放射に露出されるステップ、
ｃｃ）ソース／ドレイン電極が、該ソース／ドレインの間のチャネル領域が前記絶縁体層のパターン形成された区域の上にある状態で、形成されるステップ、
【００５３】
ｄｄ）ＯＳＣ材料の層が、前記絶縁体層および前記ソース／ドレイン電極の上に、例えば塗布または印刷によって被着され、その結果として、パターン形成されたチャネル区域においてＯＳＣの高い結晶化度が、デバイスのその他の区域において非晶質形態または低い結晶化度が生じるステップ、
ｅｅ）有機ゲート絶縁体層（ＯＧＩ）が前記ソース／ドレインおよびＯＳＣ層の上に被着されるステップであって、ゲート絶縁体層において使用するのに好ましい誘電体材料は、例えば、旭硝子株式会社から入手可能なＣｙｔｏｐ（登録商標）８０９ｍのような、１０００Ｈｚ、２０℃において、１．５から３．３の低い誘電率を有する材料を含むか、またはそれで構成されているステップ、
ｆｆ）ＯＧＩ層上にゲート電極が形成されるステップ。
【００５４】
本発明による方法によって製造されたＯＥデバイスにおいて、架橋性の絶縁体層は、例えば、ＯＧＩ層であるが、ＯＳＣ層と、ＯＧＩ層のようなその他の機能層との間に設けられる、誘電体中間層を表わすこともできる。そのような中間層は、例えば、ＯＧＩとＯＳＣとの間の凝着力を推進するか、または改善する、追加の機能を有することもできる。
本発明の好ましい態様において、架橋性絶縁体層は、ゲート絶縁体層である。本発明の別の好ましい態様においては、架橋性絶縁体層は中間層である。
【００５５】
すなわち、別の好ましい方法においては、例えば、従来型有機誘電体材料を含む、ゲート絶縁体層が、基板の上、または上記のようなゲート電極の上に、ステップｂ１）において被着される。次のステップｂ２）において、架橋性誘電体材料絶縁体を含む第２の絶縁体層が、ゲート絶縁体層の上に被着され、ステップｃ）およびｄ）について上述したように、第１および第２の放射線量を照射される。次いで、ソース／ドレイン電極およびＯＳＣ層が、ステップｅ）およびｆ）について上述したように、第２の絶縁体層の上に被着される。
【００５６】
特に好ましいのは、以下の態様である：
・ＯＥデバイスは、ＢＧ／トップコンタクト型ＯＦＥＴである、
・ＯＥデバイスは、ＢＧ／ボトムコンタクト型ＯＦＥＴである、
・ＯＥデバイスは、ＴＧ型ＯＦＥＴである、
・絶縁体層は、ゲート絶縁体層または中間層である、
・ＯＳＣ層は、任意選択で置換ポリアセンを含むとともに、任意選択で有機結合剤を含む、
【００５７】
・第２の放射線量は、第１の放射線量よりも高い、
・第１の放射線量は、第２の放射線量よりも高い、
・第１の放射線量は、第２の放射線量と同じである、
・放射線は、好ましくは２５０〜４００ｎｍ、より好ましくは３００〜４００ｎｍの範囲の波長を有する、ＵＶ放射線である、
【００５８】
・放射線は、好ましくは３６５ｎｍの波長を有する、ＵＶＡ放射線である、
・放射線は、好ましくは３２０〜３９０ｎｍの範囲の波長を有する、ＵＶＢ放射線である、
・放射線は、好ましくは２５４ｎｍの波長を有する、ＵＶＣ放射線である、
【００５９】
・第１および／または第２の放射線量は、架橋性材料に応じて、３００〜４００ｎｍの波長に対して、０．１ｍＪ／ｃｍ２〜１５Ｊ／ｃｍ２、好ましくは０．１〜５Ｊ／ｃｍ２である、
・第２の露出ステップにおいて、絶縁体層の選択された領域が第２の放射線量に露出されるのを少なくとも部分的に防止する、パターン形成された保護層、またはフォトマスク、またはシャドーマスクによって、絶縁体層が選択的に保護されている、
【００６０】
・第１の露出ステップにおいて、絶縁体の選択された領域が第１の放射線量に露出されるのを少なくとも部分的に防止する、パターン形成された保護層、またはフォトマスク、またはシャドーマスクによって、絶縁体層が選択的に保護されている、
・絶縁体層がより低い放射線量に露出されるステップにおいて、前記放射で露出される絶縁体層はマスキングされていない（フラッド照射）。
【００６１】
熱架橋性または、ＵＶ／熱デュアル架橋性誘電体材料も使用することもできる。熱架橋性誘電体材料に対しては、レーザ硬化などの技法を使用して、パターン形成を達成することができる。デュアル架橋性材料においては、フラッド照射ステップ（パターン形成ステップの前、後のいずれか）を、熱アニーリングステップで置換して耐溶媒性を達成することもできる。
【００６２】
絶縁体層を製造する材料は、好ましくは、エポキシ基、マレイミド基、クマリン基またはインダン基のような架橋性成分を含む桂皮酸ポリビニルまたは多環オレフィンなどの、光架橋性または熱架橋性の誘電体ポリマーから選択される。好適かつ好ましい材料は、例えば、Ｌｉｓｉｃｏｎ（登録商標）ＴＭＤ２０３またはＬｉｓｉｃｏｎ（登録商標）ＴＭＤ２０６（独国、ダルムシュタット、メルク社（Ｄａｒｍｓｔａｄｔ、Ｍｅｒｃｋ  ＫＧａＡ）により市販）である。
【００６３】
好ましくは、ＯＳＣ層および絶縁体層のような、上記および下記のプロセスにおける個々の機能層の被着は、溶液処理（solution processing）技法を使用して実行される。これは、例えば、好ましくは、それぞれＯＳＣまたは誘電体材料を含み、さらに１種または２種以上の有機溶媒を含む製剤を、先に被着された層に塗布し、続いて溶媒（単数または複数）を蒸着させることによって行うことができる。好ましい被着技法としては、限定ではなく、浸漬塗布、スピン塗布、インクジェット印刷、凸版印刷、スクリーン印刷、ドクタブレード塗布、ローラ捺染、逆ローラー捺染、オフセットリソグラフィ印刷、フレキソ印刷、ウェブ印刷（web pringint）、スプレー塗布、ブラシ塗布、またはパッド印刷があげられる。特に好ましい溶液被着技法は、スピン塗布、フレキソ印刷およびインクジェット印刷である。
【００６４】
好ましくは、絶縁体層は溶液処理によって被着され、特に好ましくは、１種または２種以上の有機溶媒内に上記および下記のような架橋性材料を含む溶液を使用して被着される。好ましくは、誘電体材料の被着に使用される溶媒は、ＯＳＣ材料を被着させるのに使用される溶媒と直交性であり、その逆も成り立つ。
好適な溶媒は、それに限定はされないが、炭水化物溶媒、芳香族溶媒、脂環式環状エーテル、環状エーテル、アセテート類、エステル類、ラクトン類、ケトン類、アミド類、環状炭酸塩または上記の多成分混合物を含む、溶媒から選択される。好ましい溶媒の例としては、シクロヘキサノン、メシチレン、キシレン、２‐ヘプタノン、トルエン、テトラヒドロフラン、ＭＥＫ、ＭＡＫ（２‐ヘプタノン）、シクロヘキサノン、４‐メチルアニソール、ブチル‐フェニルエーテル、およびシクロヘキシルベンゼン、特に好ましくは、ＭＡＫ、ブチルフェニルエーテルまたはシクロヘキシルベンゼン、非常に好ましくは、ＭＡＫ、ブチルフェニルエーテルまたはシクロヘキシルベンゼンがあげられる。
【００６５】
絶縁体製剤における、それぞれの機能材料の合計濃度は、０．１〜３０ｗｔ％、好ましくは１〜５ｗｔ％である。特に、高沸点の有機ケトン溶媒は、インクジェットおよびフレキソ印刷用の溶液での使用に有利である。
スピン塗布が被着方法として使用されるときには、誘電体材料は、例えば、２００〜４０００ｒｐｍ、好ましくは５００〜２０００ｒｐｍで、例えば３０秒間回転されて、典型的な層厚が０．１〜１．５μｍの層をもたらす。スピン塗布の後に、フィルムを、昇温状態で加熱して、残留するすべての揮発性溶媒を除去することができる。
【００６６】
架橋を行うには、被着後の架橋性誘電体材料を、電子ビームまたは、例えばＸ線、ＵＶ光線、ＩＲ光線または可視光線などの、電磁（化学線）放射線に露出させるのが好ましい。例えば、化学線放射は、波長が５０〜７００ｎｍ、好ましくは２００〜４５０ｎｍ、最も好ましくは３００〜４００ｎｍの波長を有するものを使用することができる。好適な放射線量は、典型的には５〜５０００ｍＪ／ｃｍ２の範囲内である。好適な放射線源としては、水銀、水銀／キセノン、水銀／ハロゲンおよびキセノンの各ランプ、アルゴンまたはキセノンのレーザー源、ｘ線、または電子ビームがあげられる。化学線放射への露出は、露出領域において、誘電体材料の架橋性基における架橋反応を誘発する。例えば、架橋性基の吸収帯域外の波長を有する光源を使用して、架橋性材料に放射線感応型の光増感剤を添加することも可能である。
【００６７】
任意選択で、放射線露出の後に誘電体層を、例えば７０〜１３０℃の温度で、例えば１〜３０分間、好ましくは１〜１０分間、アニーリングする。昇温状態におけるアニーリングステップは、誘電体材料の架橋性基が光放射に露出されることによって誘起された、架橋反応を完了させるのに使用することができる。
【００６８】
上記および下記のすべてのプロセスステップは、先行技術に記載されているとともに、当業者には周知である、既知の技法および標準的機器を使用して実行することができる。例えば、光照射ステップにおいては、市販のＵＶランプとフォトマスクを使用することができ、アニーリングステップは、オーブン内、またはホットプレート上で実行することができる。本発明による電子デバイスにおける機能層の厚さは、好ましくは１ｎｍ（単層の場合）〜１０μｍ、特に好ましくは１ｎｍ〜１μｍ、最も好ましくは５〜５００ｎｍである。
【００６９】
有機電子デバイスの製作には、様々な基板、例えばガラスまたはプラスチックを使用してもよく、プラスチック材料が好ましくは、その例として、アルキドレジン、アリルエステル、ベンゾシクロブテン、ブタジエン‐スチレン、セルロース、酢酸セルロース、エポキシド、エポキシポリマー、エチレン‐クロロトリフルオロエチレン、エチレン‐テトラ‐フルオロエチレン、ガラス繊維強化プラスチック、フルオロカーボンポリマー、ヘキサフルオロプロピレンビニリデン‐フッ化物コポリマー、高濃度ポリエチレン、パリレン、ポリアミド、ポリイミド、ポリアラミド、ポリジメチルシロキサン、ポリエーテルスルホン、ポリエチレン、ポリエチレンナフタレート、ポリエチレンテレフタレート、ポリケトン、ポリメチルメタクリレート、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリスルフォン、ポリテトラフルオロエチレン、ポリウレタン、ポリビニルクロライド、シリコーンゴム、シリコーンがあげられる。
【００７０】
好ましい基板材料は、ポリエチレンテレフタレート、ポリイミド、およびポリエチレンナフタレートである。基板は、上記の材料を塗布された、任意のプラスチック材料、金属またはガラスとしてもよい。基板は、良好なパターン定義を確実にするために、好ましくは均質でなくてはならない。基板は、また、キャリア移動度を向上させるために、押出し、延伸（stretching）、研磨（rubbing）によるか、または有機半導体の方位を誘導する、光化学技法によって、均一に事前配列させてもよい。
【００７１】
電極は、噴霧塗布、浸漬塗布、ウェブ塗布またはスピン塗布、または真空被着または蒸気被着方法、などの液体塗布によって被着させることができる。好適な電極材料および被着方法は、当業者には知られている。好適な電極材料としては、限定なしで、無機または有機の材料、両者の複合材があげられる。好適な導体または電極材料の例としては、ポリアニリン、ポリピロル、ＰＥＤＯＴまたはドープされた共役ポリマー、さらに、グラファイトまたは、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｎｉまたはその混合物などの金属の粒子の分散液またはペースト、ならびにＣｕ、Ｃｒ、Ｐｔ／Ｐｄなどをスパッタリング塗布、蒸着された金属、またはインジウムすず酸化物（ＩＴＯ）などの金属酸化物をあげることができる。有機金属前駆体は、液相から被着されてもよい。
【００７２】
ＯＳＣ材料、およびＯＳＣ層の応用方法は、当業者に知られており、文献に記載されている、標準的な材料および方法から選択することができる。
ＯＦＥＴ層がＯＳＣである、ＯＦＥＴデバイスに場合には、それは、ｎ型またはｐ型のＯＳＣの場合があり、真空被着または蒸気被着によって被着させるか、または好ましくは溶液から被着させることができる。好ましいＯＳＣは、１×１０−５ｃｍ２Ｖ−１ｓ−１を超えるＥＦＴ移動度を有する。  
【００７３】
ＯＳＣは、例えば、ＯＦＥＴにおけるアクティブチャネル材料、または有機整流ダイオードの層要素として使用される。大気処理を可能にするために、液体塗布によって被着されるＯＳＣが好ましい。ＯＳＣは、好ましくは、噴霧塗布、浸漬塗布、ウェブ塗布、またはスピン塗布するか、あるいは任意の液体塗布技術によって被着させる。インクジェット被着も好適である。ＯＳＣは、任意選択で、真空被着または蒸気被着させてもよい。半導体チャネルは、同種の半導体の２つ以上の複合材としてもよい。さらに、ｐ型チャネル材料は、層をドーピングする効果のために、例えば、ｎ型材料と混合してもよい。多層半導体層も使用してもよい。例えば、半導体は、絶縁体界面近くで真性（intrinsic）であり、真性層に隣接して高度にドーピングされた領域を追加で塗布することができる。
【００７４】
ＯＳＣは、モノマー化合物（ポリマーまたはマクロ分子と比較して、「小分子」とも呼ばれる）、またはポリマー化合物、あるいはモノマー化合物およびポリマー化合物の一方または両方から選択される１種または２種以上の化合物を含有する、混合物、分散物または配合物としてもよい。
ＯＳＣは、半結晶性、結晶性または多結晶性の化合物である。好ましくは、ＯＳＣは、モノマー化合物であり、この場合には、結晶度において大きな変動を達成しやすい。さらに好ましくは、ポリマー半結晶性ＯＳＣ材料である。
【００７５】
モノマー材料の場合には、ＯＳＣは、好ましくは、共役芳香族分子であり、好ましくは、少なくとも３つの芳香族環を含有する。好ましいモノマー性ＯＳＣは、５、６または７員の芳香族環を含み、より好ましくは、５または６員の芳香族環を含有する。
芳香族環のそれぞれは、任意選択で、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｐ、Ｓｉ、Ｂ、Ａｓ、Ｎ、ＯまたはＳから、好ましくはＮ、ＯまたはＳから選択される、１つまたは２つ以上のヘテロ原子を含有する。
【００７６】
芳香族環は、任意選択で、アルキル、アルコキシ、ポリアルコキシ、チオアルキル、アシル、アリール、または置換アリール基、ハロゲン、特にフッ素、シアノ、ニトロ、または任意選択でＮ（Ｒ３）（Ｒ４）で表わされる、置換２次または３次アルキルアミンまたはアリールアミン、ここでＲ３およびＲ４は独立してＨであり、任意選択で置換アルキル、任意選択で置換アリール、アルコキシまたはポリアルコキシ基である。ここで、Ｒ３およびＲ４はアルキルまたはアリールであり、これらは任意選択でフッ素化してもよい。
これらの環は、任意選択で、−Ｃ（Ｔ１）＝ＣＴ（Ｔ２）−、−Ｃ＝Ｃ−、−Ｎ（Ｒ’）−、−Ｎ＝Ｎ−、−（Ｒ’）＝Ｎ−、−Ｎ＝Ｃ（Ｒ’）−などの共役連結基と融着または連結する。Ｔ１およびＴ２は、それぞれ独立にＨ、Ｃｌ、Ｆ、−Ｃ≡Ｎまたはアルキル基、特にＣｌ−４アルキル基を表わし；Ｒ’はＨ、任意選択で置換アルキルまたは任意選択で置換アリールを表わす。ここで、Ｒ’はアルキルまたはアリールであり、これらは任意選択でフッ素化されてもよい。
【００７７】
さらに、本発明において使用することのできる、好ましいＯＳＣ材料は、ポリアセン、ポリフェニレン、ポリ（フェニレンビニレン）、それらの共役炭化水素ポリマーのオリゴマーを含む、プロフルオレンなどの、共役炭化水素ポリマー：テトラセン、クリセン、ペンタセン、ピレン、ペリレン、コロネン、またはこれらの可溶性、置換誘導体などの、縮合芳香族炭化水素；ｐ−クウォータフェニル（ｐ−４Ｐ）、ｐ−キンキフェニル（ｐ−５Ｐ）、ｐ−セキシフェニル（ｐ−６Ｐ）、またはこれらの可溶性置換誘導体などの、オリゴマーパラ置換フェニレン；ポリ（３−置換チオフェン）、ポリ（３，４−置換チオフェン）、任意選択で置換ポリチエノ［２，３−ｂ］チオフェン、任意選択で置換ポリチエノ［３，２−ｂ］チオフェン、ポリ（３−置換セェノフェン）、ポリベンゾチオフェン、ポリイソチアナフテン、ポリ（Ｎ置換ピロール）、ポリ（３−置換ピロール）、ポリ（３，４−置換ピロール）、ポリフラン、ポリピリジン、ポリ−１，３，４−オキサジアゾール、ポリイソチアナフテン、ポリ（Ｎ置換アニリン）、ポリ（２−置換アニリン）、ポリ（３−置換アニリン）、ポリ（２，３−二置換アニリン）、ポリアズレン、ポリピレンなどの共役複素環ポリマー；
【００７８】
ピラゾリン化合物；ポリセレノフェン；ポリベンゾフラン；ポリインドール；ポリピリダジン；ベンジディン化合物；スチルベン化合物；トリアジン；置換金属または無金属ポルフィン、フタロシアニン、フルオロフタロシアニン、ナフタロシアニン、またはフルオロナフタロシアニン；Ｃ６０およびＣ７０フラーレン；Ｎ，Ｎ’−ジアルキル、置換ジアルキル、ジアリールまたは置換ジアリール−１，４，５，８−ナフタレンテトラカルボン酸ジイミドおよびフルオロ誘導体；Ｎ，Ｎ’−ジアルキル、置換ジアルキル、ジアリールまたは置換ジアリール３，４，９，１０−ペリレンテトラカルボン酸ジイミド；バソフェナントロリン；ジフェノキノン；１，３，４−オキサジアゾール；１１，１１，１２，１２−テトラシアノナフト‐２，６キジメタン；α、α’ビス（ジチエノ［３，２−ｂ２’，３’−ｄ］チオフェン）；２，８ジアルキル、置換ジアルキル、ジアリールまたはジアルキニルアントラジチオフェン；２，２’ビベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジチオフェンを含む群から選択される、化合物、オリゴマーおよび化合物の誘導体を含む。好ましい化合物は、上記のリストからのもの、および有機溶媒に可溶である、それらの誘導体である。
【００７９】
特に好ましいＯＳＣ材料は、
チオフェン−２，５−ジイル、３−置換チオフェン−２，５−ジイル、任意選択で置換チエノ［２，３−ｂ］チオフェン−２，５−ジイル、任意選択で置換チエノ［３，２−ｂ］チオフェン−２，５−ジイル、セレノフェン−２，５−ジイル、または３−置換セレノフェン−２，５−ジイルから選択される、１つまたは２つ以上の反復ユニットを含む、ポリマーまたはコポリマーである。
さらに好ましいＯＳＣ材料は、例えば、ＵＳ６，６９０，０２９、ＷＯ２００５／０５５２４８Ａ１またはＵＳ７，３８５，２２１に開示されているように、ペンタセン、テトラセンもしくはアントラセンなどの置換オリゴアセン類（oligoacenes）、またはビス（トリアルキルシリルエチニル）オリゴアセンまたはビス（トリアルキルシリルエチニル）ヘテロアセンのような、その複素環式誘導体である。
【００８０】
本発明の別の好ましい態様においては、ＯＳＣ層は、例えばＷＯ２００５／０５５２４８Ａ１に記載されているように、レオロジー特性を調整する１種または２種以上の有機結合剤、特に、１０００Ｈｚ、２０℃において３．３以下の低い誘電率εを含む有機結合剤を含む。
結合剤は、例えば、ポリ（α−メチルスチレン）、ポリビニルシンナメート、ポリ（４−ビニルビフェニル）またはポリ（４−メチルスチレン）、またはその配合物から選択される。結合剤は、また、例えばポリアリールアミン、ポリフルオレン、ポリチオフェン、ポリスピロビフルオレン、置換ポリビニレンフェニレン、ポリカルボゾールまたはポリスチルベン、あるいはそれらのコポリマーから選択される、半導体結合剤としてもよい。
【００８１】
文脈が明確にその逆を示さない限り、本明細書で使用するときには、ここでの複数形の用語は、単数形も包含し、その逆も成り立つと解釈される。
なお、本発明の範囲内にありながら、本発明の前述の態様に対する変形を加えることができることが理解されるであろう。本明細書において開示される各特徴は、特に断らない限り、同様で、等価な、または類似の目的にかなう代替的特徴によって置換してもよい。すなわち、特に断らない限りは、開示される各特徴は、包括的な一連の等価な、または類似の特徴の一例にすぎない。
【００８２】
本明細書において開示されるすべての特徴は、そのような特徴および／またはステップの少なくとも一部が互いに排他的である組合せを除いて、任意の組合せで組み合わせてもよい。特に、本発明の好ましい特徴は、本発明のすべての観点に応用可能であり、任意の組合せで使用してもよい。同様に、非本質的な組合せで記述された特徴は、（組合せではなく）別個に使用してもよい。
上記の特徴の多数は、特に好ましい態様の特徴は、本発明の態様の一部としてではなく、それ自身の権利において発明性がある。これらの特徴に対しては、本願で特許請求されているいずれかの発明に加えて、またはその代替として、独立した権利保護を要求してもよい。
【００８３】
次に、以下の実施例を参照して、本発明をより詳細に説明するが、これらの実施例は、説明の目的だけのものであり、本発明の範囲を限定するものではない。
以下のパラメータを使用する：
μ  は電荷キャリア移動度、
Ｗ  はドレイン電極／ソース電極の長さ（「チャネル幅」とも呼ばれる）、
Ｌ  はドレイン電極／ソース電極の間の距離（「チャネル長」とも呼ばれる）、
ＩＤＳ  はソース‐ドレイン電流、
Ｃｉ  はゲート誘電体の単位面積当たりのキャパシタンス、
ＶＧ  はゲート電圧（単位Ｖ）、
ＶＤＳ  はソース‐ドレイン電圧、
Ｖ０  はオフセット電圧である。
【００８４】
電気的な特性記述のために、サンプルは、プローブステーションに装入して、ＳｕｅｓｓＰＨ１００プローブヘッドを介してＡｇｉｌｅｎｔ４１５５Ｃ半導体アナライザに接続される。直線移動度および飽和移動度を、ＶＤ＝−５ＶおよびＶＤ＝−６０Ｖにおいて、それぞれ以下の式を使用して計算した：
【数１】
2013541190.tif 000002
ここで、ＬおよびＷはチャネルの長さおよび幅であり、ＣＯＸは誘電体キャパシタンス［Ｆ／ｃｍ２］、ＩＤはドレイン電流、平方根ＩＤは、ＩＤの絶対値の平方根、ＶＧはゲート電圧、ＶＤはドレイン電圧である。
【００８５】
特に断らない限り、上記および下記に示す、誘電率（ε）、電荷キャリヤ移動度（μ）、溶解度パラメータ（δ）、および粘度（η）のような物理パラメータのすべての具体的な値は、２０℃（±１℃）の温度を基準としている。オリゴマーおよびポリマーの分子量は、重量平均分子量ＭＷを意味し、これはポリスチレン標準に対する好適な溶媒内のＧＰＣによって求めることができる。
【００８６】
実施例１
高線量ＵＶＢ処理を使用するパターン形成ＢＧ型ＯＦＥＴデバイス
ボトムゲートＯＦＥＴは、以下に示し、図３Ａに図解するように製造される。コーニング社のＥａｇｌｅＸＧ（登録商標）ガラスを、３％Ｄｅｃｏｎ９０に７０℃で３０分間、音波処理し、水で２度洗浄し、ＭｅＯＨで音波処理し、次いで、スピン塗布機上で振り落として乾燥させる。
３０ｎｍ厚さのアルミニウムゲート電極が、基板の上に蒸着される（ステップａ）。
【００８７】
Ｌｉｓｉｃｏｎ（登録商標）Ｄ２０３（独国、ダルムシュタット、メルク社（Ｄａｒｍｓｔａｄｔ、Ｍｅｒｃｋ  ＫＧａＡ）により入手可能）の誘電体層が、基板上にスピン塗布され（１５００ｒｐｍで３０秒）、１２０℃で１分間、ホットプレート上で加熱される（ステップｂ）。
基板全体を、３２０〜３９０ｎｍの間のＵＶＢ照射に０．１Ｗ／ｃｍ２の電力で３０秒間、露出させる（合計線量は３Ｊ／ｃｍ２）（ステップｃ）。
次いで、基板がシャドーマスクを介して、３２０〜３９０ｎｍの間の第２の線量のＵＶＢ照射に０．１Ｗ／ｃｍ２の電力で３０秒間、露出させる（ステップｄ）。このステップで露出される区域は、結晶化が必要とされる区域である。
【００８８】
銀のソース／ドレイン電極が、誘電体層上に蒸着されて、チャネルＬ＝５０μｍおよびＷ＝１０００μｍのデバイスを作成する。基板は、表面処理製剤Ｌｓｉｃｏｎ（登録商標）Ｍ００１（独国、ダルムシュタット、メルク社（Ｄａｒｍｓｔａｄｔ、Ｍｅｒｃｋ  ＫＧａＡ）により入手可能）で１分間処理されて、イソプロピルアルコールで洗浄し、スピン塗布機上で振り落としによって乾燥される（ステップｅ）。
ＯＳＣ製剤Ｌｉｓｉｃｏｎ（登録商標）Ｓ１２００（独国、ダルムシュタット、メルク社（Ｄａｒｍｓｔａｄｔ、Ｍｅｒｃｋ  ＫＧａＡ）により入手可能）を、上記の処理の後に基板上にスピン塗布し、次いで、ホットプレート上で１００℃で１分間、アニーリングする（ステップｆ）。任意選択で、デバイスは、最終ステップにおいて、不動態化することができる。
【００８９】
比較例１
高線量ＵＶＢ処理を使用する非パターン形成ＢＧ型デバイス
ボトムゲートＯＦＥＴデバイスは、次の点を除いて実施例１におけるのと同一の方法で構築される。すなわち、ステップｄにおいてシャドーマスクを適用せず、２つの露出ステップ（ｃおよびｄ）を同一のものとして、これによって、０．１Ｗ／ｃｍ２の電力で６０秒間のＵＶＢ照射への一回の露出と等価になる。
【００９０】
図４Ａは、実施例１に従って製造されて、偏光顕微鏡を通して観察された、パターン形成されたデバイスを示す。増大されたＵＶ線量を受けた区域は、結晶の形成を示しているが、それに対して低いＵＶ線量を受けた区域は、結晶形成を示さず、黒く見えている。
図５Ａは、比較例１に従って製造されて、偏光顕微鏡を通して観察された、パターン形成されていないデバイスを示す。この実施例においては、基板横断方向の架橋密度／ＵＶ線量の間の区別がなく、したがって、結晶の形成が基板全体にわたって発生する。
【００９１】
図４Ｂ〜Ｄは、実施例１に従って製造された、パターン形成されたデバイスの典型的なトランジスタ性能を示している。図５Ｂ〜Ｄは、比較例１に従って製造された、パターン形成されていないデバイスの典型的なトランジスタ性能を示す。パターン形成されたデバイスで測定されたオフ電流は、パターン形成されていないデバイスで見られるよりも低いことが明確にわかる。この明確な効果は、線形移動度および飽和移動度の値に対して、またはオン電流の値に対して、重大な弊害なしに得られている。
【００９２】
実施例２
低線量ＵＶＡ処理を使用するパターン形成ＢＧ型ＯＦＥＴ
この実施例におけるボトムゲートＯＦＥＴデバイスは、次の点を除いて実施例１におけるのと同一の方法で構築される。すなわち、ステップｂにおいて誘電体層材料Ｌｉｓｉｃｏｎ  ＴＭＤ２０３がＬｉｓｉｃｏｎ  ＴＭＤ２０６によって置き換えられ、ステップｃにおいて使用されるＵＶ線量が、ＵＶＡ（３６５ｎｍ）を０．０１Ｗ／ｃｍ２の電力で３０秒間（０．３Ｊ／ｃｍ２線量）であり、ステップｄで使用されるＵＶ線量が、ＵＶＡ（３６５ｎｍ）を０．０１Ｗ／ｃｍ２の電力で６０秒間（０．６Ｊ／ｃｍ２線量）である。
【００９３】
図６は、３６５ｎｍＵＶＡ放射による、実施例２において記述した方法によって製造されたデバイスの典型的なトランジスタ性能を示しており、このデバイスは、パターン形成された区域とパターン形成なしの区域の両方を生成するような方法で製造された（基板の半分は、シャドーマスクの使用なしに照射された）。トランジスタ特性の測定によって、パターン形成が、オフ電流を装置の検出限界まで低減するのに効果を有することが示されている。パターン形成しないデバイスは、より高い、そして安定性の低いオフ電流の値を示す。測定されたオン電流において変化はない。
【００９４】
実施例３
高線量ＵＶＡ誘電体をパターン形成可能中間層／基板として使用するパターン形成されたＴＧ型ＯＦＥＴ
パターン形成されたトップゲートＯＦＥＴデバイスが次のように製造される。Ｃｏｒｎｉｎｇ１７３７（登録商標）ガラスの基板を、３％Ｄｅｃｏｎ９０中で７０℃で３０分間、音波処理し、水で２度洗浄し、ＭｅＯＨ中で音波処理し、次いで、スピン塗布機上で振り落として乾燥させる。Ｌｉｓｉｃｏｎ  ＴＭＤ２０３（登録商標）（独国、ダルムシュタット、メルク社（Ｄａｒｍｓｔａｄｔ、Ｍｅｒｃｋ  ＫＧａＡ）により入手可能）の誘電体層が基板上にスピン塗布されて（１５００ｒｐｍで３０秒）、１２０℃で１分間、ホットプレート上で加熱される（ステップａａ）。
【００９５】
基板全体を、３２０〜３９０ｎｍの間のＵＶＢ照射に０．１Ｗ／ｃｍ２の電力で３０秒間、露出させる（合計線量は３Ｊ／ｃｍ２）。次いで、この基板を、３２０〜３９０ｎｍの間の第２の線量のＵＶＢ照射に、シャドーマスクを介して、０．１Ｗ／ｃｍ２の電力で３０秒間、露出させる（ステップｂｂ）。露出される区域は、結晶化が必要とされる区域である。
３０ｎｍ厚さの金のソース／ドレイン電極が基板上に蒸着されて、パターン形成された中間層上に、Ｌ＝５０μｍおよびＷ＝１０００μｍのチャネルを作成する（ステップｃｃ）。
【００９６】
基板は、表面処理製剤Ｌｓｉｃｏｎ（登録商標）Ｍ００１（独国、ダルムシュタット、メルク社（Ｄａｒｍｓｔａｄｔ、Ｍｅｒｃｋ  ＫＧａＡ）により入手可能）で１分間処理されて、イソプロピルアルコールで洗浄し、スピン塗布機上で振り落としによって乾燥される。ＯＳＣ製剤Ｌｉｓｉｃｏｎ（登録商標）Ｓ１２００（独国、ダルムシュタット、メルク社（Ｄａｒｍｓｔａｄｔ、Ｍｅｒｃｋ  ＫＧａＡ）により入手可能）を、上記の処理の後に、基板上にスピン塗布し、次いで、ホットプレート上で、１００℃で１分間、アニーリングする（ステップｄｄ）。
ＣＹＴＯＰ（登録商標）（ＦＣ−４３中に９％、旭硝子株式会社）の誘電体層が、冷却された基板上にスピン塗布されて（５００ｒｐｍで１０秒間、および２０００ｒｐｍで２０秒間）、ホットプレート上で１００℃で２分間、加熱される（ステップｅｅ）。
【００９７】
次いで、３０ｎｍの金層が、中間層上にゲート電極として蒸着される（ステップｆｆ）。
図７は、パターン形成されたＴＧ型デバイスが生成されるときに、大幅に改善されるオフ電流を示す。比較デバイスは、標準のトップゲート型デバイスであり、清浄化されたガラス基板上にパターン形成中間層なしで製造されており、基板上には、Ｓ／Ｄ電極が熱的に蒸着されている。
【図１Ａ】
2013541190.tif 000003
【図１Ｂ】
2013541190.tif 000004
【図２】
2013541190.tif 000005
【図３Ａ】
2013541190.tif 000006
【図３Ｂ】
2013541190.tif 000007
【図４Ａ】
2013541190.tif 000008
【図４Ｂ】
2013541190.tif 000009
【図４Ｃ】
2013541190.tif 000010
【図４Ｄ】
2013541190.tif 000011
【図５Ａ】
2013541190.tif 000012
【図５Ｂ】
2013541190.tif 000013
【図５Ｃ】
2013541190.tif 000014
【図５Ｄ】
2013541190.tif 000015
【図６】
2013541190.tif 000016
【図７】
2013541190.tif 000017
【国際調査報告】
2013541190.tif 000018
2013541190.tif 000019