(57)【要約】【課題】電子ビーム発生装置及びこれを製造する方法を提供する。【解決手段】本発明による電子ビーム発生装置方法は、カソード；カソードが一側開口部に結合されて内側に共振空洞が設けられたハウジング；及び、カソードとハウジングとの間に設けられ、カソードとハウジングとの間の結合強度に応じて圧縮され、共振空洞を外部と遮断するガスケット；を含む。前記共振空洞は、互いに連結されている第１の共振空洞と第２の共振空洞を含み、前記第１の共振空洞と前記第２の共振空洞は、前記カソードで発生された電子ビームが放出される方向に配列される。【選択図】図３
2013521610.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部に共振空洞が形成されているハウジング；
前記共振空洞の内部に入射されたレーザにより表面で電子ビームが発生されるように前記ハウジングの一側開口部に設置されるカソード；及び、
前記ハウジングの密閉のために前記カソードと前記ハウジングとの間に設置され、前記共振空洞の共振周波数を調節することができるように前記カソードと前記ハウジングとの間の結合力により圧縮される金属ガスケット；
を含む電子ビーム発生装置。
【請求項２】
前記金属ガスケットは、無酸素銅（Ｏｘｇｅｎ−Ｆｒｅｅ−Ｃｏｐｐｅｒ）で形成される請求項１に記載の電子ビーム発生装置。
【請求項３】
前記金属ガスケットは、金属板を輪形状に切断して製造されたり、鑄造または鍛造方法により輪形状に製造されるものである請求項１に記載の電子ビーム発生装置。
【請求項４】
前記共振空洞は、互いに連結されている第１の共振空洞と第２の共振空洞を含み、前記第１の共振空洞と前記第２の共振空洞は、前記カソードで発生された電子ビームが放出される方向に配列される請求項１に記載の電子ビーム発生装置。
【請求項５】
内部に共振空洞が形成されているハウジング、金属ガスケット、及びカソードを互いに結合するステップ；
前記金属ガスケット及び前記カソードが結合されている前記ハウジングの共振空洞の共振周波数を測定するステップ；及び、
測定された共振周波数が設定値と一致しない場合、前記金属ガスケットをさらに圧縮したり、或いは相違する厚さの他の金属ガスケットに交替するステップ；
を含む電子ビーム発生装置の製造方法。
【請求項６】
カソードとハウジングを結合し、前記カソードと前記ハウジングとの間の金属ガスケットを圧縮するステップ；
前記ハウジングの内部の共振空洞の共振周波数を測定するステップ；及び、
測定された共振周波数が設定値より小さい場合には前記カソードと前記ハウジングの結合強度を増加させて前記金属ガスケットをさらに圧縮し、測定された共振周波数が設定値より大きい場合には前記金属ガスケットをさらに厚い他の金属ガスケットに交替するステップ；
を含む電子ビーム発生装置の製造方法。
【請求項７】
内部に共振空洞が形成されているハウジングと、前記ハウジングの一側開口部に設置されるカソードと、前記ハウジングと前記カソードとの間に設置される金属ガスケットと、を含み、前記共振空洞は、互いに連結されている第１の共振空洞と第２の共振空洞を含む電子ビーム発生装置の製造方法において、
前記第１の共振空洞と前記第２の共振空洞の共振周波数を測定するステップ；
前記第１の共振空洞の共振周波数の調節のために前記ハウジングを圧縮したり、或いは引張することによって前記第１の共振空洞の体積を変化させるステップ；及び、
前記第２の共振空洞の共振周波数の調節のために前記金属ガスケットをさらに圧縮したり、或いは相違する厚さの他の金属ガスケットに交替するステップ；
を含むことを特徴とする電子ビーム発生装置の製造方法。
【請求項８】
前記金属ガスケットは、金属板を輪形状に切断して設けたり、鑄造または鍛造方法により輪形状に設けられるものである請求項５乃至請求項７のうちいずれか一項に記載の電子ビーム発生装置の製造方法。
【請求項９】
ハウジングの内部の共振空洞の共振周波数を測定するステップ；及び、
測定された共振周波数が設定値と一致しない場合、前記ハウジングを軸方向に圧縮したり、或いは引張することによって変形させるステップ；
を含む電子ビーム発生装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子ビーム発生装置及びこれを製造する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
科学技術の発展に応じて現代科学では物体の化学的または物理学的特性を把握するために電子銃を使用している。
【０００３】
電子銃とは、電子を細いビーム形状に発生させるものであり、電子顕微鏡、進行波管、ブラウン管などに使われ、併せて、サイクロトロンなどに備えられ、物体の特性を把握するときにも用いられる。
【０００４】
電子ビームを放出させるためにレーザビームをカソードに入射させることができ、この時、放出される電子ビームを加速する手段には高周波が入射される共振空洞を用いる方法がある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
粒子加速器に使われる従来の電子銃は、カソードとハウジングの結合構造にいくつかの問題を有している。そのような問題のうち一つは、ハウジングの共振空洞で高真空を形成し難いという点である。また、従来の電子銃は、共振空洞で発生する暗電流（ｄａｒｋ  ｃｕｒｒｅｎｔ）の防止が相当難しいという問題を有している。また、従来の電子銃は、共振空洞の共振周波数を正確に調節し難いという問題を有している。
【０００６】
本発明は、このような問題を解決することを課題にし、本発明の技術的課題は、以上で言及した技術的課題に制限されるものではなく、言及されない他の技術的課題は、以下の記載から当業者が明確に理解することができる。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前記課題を解決するための本発明による電子ビーム発生装置は、内部に共振空洞が形成されているハウジング；前記ハウジングの共振空洞の内部に入射されたレーザにより表面で電子ビームが発生されるように前記ハウジングの一側開口部に設置されるカソード；及び、前記共振空洞を外部と遮断するように前記カソードとハウジングとの間に設置され、前記共振空洞の共振周波数を調節することができるように前記カソードと前記ハウジングとの間の結合力により圧縮される金属ガスケット；を含む。
【０００８】
また、前記金属ガスケットは、無酸素銅で形成される。
【０００９】
また、前記金属ガスケットは、金属板を輪形状に切断して製造されたり、鑄造または鍛造方法により輪形状に製造される。
【００１０】
また、前記共振空洞は、互いに連結されている第１の共振空洞と第２の共振空洞を含み、前記第１の共振空洞と前記第２の共振空洞は、前記カソードで発生された電子ビームが放出される方向に配列される。
【００１１】
前記課題を解決するための本発明による電子ビーム発生装置の製造方法は、内部に共振空洞が形成されているハウジング、金属ガスケット、及びカソードを結合するステップ；前記金属ガスケット及び前記カソードが結合されている前記ハウジングの共振空洞の共振周波数を測定するステップ；及び、測定された共振周波数が設定値と一致しない場合、前記金属ガスケットをさらに圧縮したり、或いは相違する厚さの他の金属ガスケットに交替するステップ；を含む。
【００１２】
前記課題を解決するための本発明による電子ビーム発生装置の製造方法は、カソードとハウジングを結合し、前記カソードと前記ハウジングとの間の金属ガスケットを圧縮するステップ；前記ハウジングの内部の共振空洞の共振周波数を測定するステップ；及び、測定された共振周波数が設定値より小さい場合には前記カソードと前記ハウジングの結合強度を増加させて前記金属ガスケットをさらに圧縮し、測定された共振周波数が設定値より大きい場合には前記金属ガスケットをさらに厚い他の金属ガスケットに交替するステップ；を含む。
【００１３】
前記課題を解決するための本発明による電子ビーム発生装置の製造方法は、内部に共振空洞が形成されているハウジングと、前記ハウジングの一側開口部に設置されるカソードと、前記ハウジングとカソードとの間に設置される金属ガスケットと、を含み、前記共振空洞は、互いに連結されている第１の共振空洞と第２の共振空洞を含む電子ビーム発生装置の製造方法において、前記第１の共振空洞と前記第２の共振空洞の共振周波数を測定するステップ；前記第１の共振空洞の共振周波数の調節のために前記ハウジングを圧縮したり、或いは引張することによって前記第１の共振空洞の体積を変化させるステップ；及び、前記第２の共振空洞の共振周波数の調節のために前記金属ガスケットをさらに圧縮したり、或いは相違する厚さの他の金属ガスケットに交替するステップ；を含むことを特徴とする。
【００１４】
また、前記金属ガスケットは、金属板を輪形状に切断して設けたり、鑄造または鍛造方法により輪形状に設けられる。
【００１５】
前記課題を解決するための本発明による電子ビーム発生装置の製造方法は、ハウジングの内部の共振空洞の共振周波数を測定するステップ；及び、測定された共振周波数が設定値と一致しない場合、前記ハウジングを軸方向に圧縮したり、或いは引張することによって変形させるステップ；を含む。
【発明の効果】
【００１６】
ガスケットの圧縮量を用いて微細に共振空洞の共振周波数を調節することができる効果がある。また、多様な厚さのガスケットを挿入することによって微細に共振空洞の共振周波数を調節することができる効果がある。また、このようなガスケットの構成により共振空洞の高真空状態を形成するのが相当容易になる効果がある。また、金属ガスケットを使用することによって高周波コンタクト（ＲＦ  ｃｏｎｔａｃｔ）が良くなる効果がある。また、共振空洞の高周波崩壊（ｒｆ  ｂｒｅａｋｄｏｗｎ）と暗電流（ｄａｒｋｃｕｒｒｅｎｔ）の発生を防止する効果がある。
【００１７】
本発明の技術的効果は、以上で言及した効果に制限されるものではなく、言及されない他の技術的効果は、以下の記載から当業者に明確に理解されることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の実施例に係る電子ビーム発生装置に対するシミュレーション装置の配置図である。
【図２】本発明の実施例に係る電子ビーム発生装置の分解斜視図である。
【図３】本発明の実施例に係る電子ビーム発生装置の断面図である。
【図４】本発明の実施例に係る共振周波数チューニング方法を示すフローチャートである。
【図５】本発明の実施例に係る電子ビーム発生装置の共振空洞の内部の電場分布に対するシミュレーション結果である。
【図６】本発明の実施例に係る第１の共振空洞と第２の共振空洞の共振周波数チューニング過程を示す側断面図である。
【図７】本発明の実施例に係る実験データとシミュレーション結果を示すグラフである。
【図８】本発明の他の実施例に係る共振周波数チューニング過程を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、添付図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する。然しながら、本実施例は、以下で開示される実施例に限定されるものではなく、互いに多様な形態に具現されることができ、本実施例は、単に本発明の開示が完全になるようにし、通常の知識を有する者に発明の範ちゅうを完全に知らせるために提供されるものである。図面における要素の形状などは、より明確な説明のために誇張されるように表現された部分があり、図面上で同一符号で表示された要素は同一要素を意味する。
【００２０】
図１は、本発明の実施例に係る電子ビーム発生装置に対するシミュレーション装置の配置図である。
【００２１】
図１に示されているように、レーザが電子ビーム発生装置である高周波銃（ｒｆ  ｇｕｎ）１００の前方から内側へ流入されることができ、レーザが高周波銃の内側のカソードに衝突しながら電子ビームが発生される。
【００２２】
発生された電子ビームは、高周波銃の外側に排出され、排出された電子ビームは、外側のソレノイド（ｓｏｌｅｎｏｉｄ）により集中され、加速コラム（ａｃｃｅｌｅｒａｔｉｎｇ  ｃｏｌｕｍｎ）を通過しながら加速される。
【００２３】
空間荷電によるエミッタンス増加を除去するためにソレノイドとブースタリニアック（ｂｏｏｓｔｅｒ  ｌｉｎａｃ）が使われることができる。
【００２４】
排出された電子ビームは、電子ビームの位置をモニタするための曲げ位置モニタ（Ｂｅｎｄｉｎｇ  ｐｏｓｉｔｉｏｎ  ｍｏｎｉｔｏｒ）及び四重極磁石（Ｑｕａｄｒｕｐｏｌｅ  ｍａｇｎｅｔ）を通過することができ、通過された電子ビームは、曲げ磁石（Ｂｅｎｄｉｎｇ  ｍａｇｎｅｔ）を通過した後にファラデーカップ（Ｆａｒａｄａｙ  ｃｕｐ）に到達することができる。このようなシミュレーション条件でのエミッタンス増加量は、数学シミュレーションプログラムＰＡＲＭＥＬＡにより計算することができる。
【００２５】
光電陰極（ｐｈｏｔｏｃａｔｈｏｄｅ）高周波銃（ｒｆ  ｇｕｎ）の研究において、高い量子効率（ｑｕａｎｔｕｍ  ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ）と低いエミッタンス（ｅｍｉｔｔａｎｃｅ）が主な関心事である。量子効率の観点でカソードの材料として適当な物質に対する研究が長い間進行されている。
【００２６】
従来には共振空洞の内部の真空形成と共振空洞の内部の高周波漏出遮断のためにヘリコフレックスシール（ｈｅｌｉｃｏｆｌｅｘ  ｓｅａｌ）が共振空洞のハウジングとカソードとの間に設置された。然しながら、このようなヘリコフレックスシールがカソードとハウジングとの間に微細な隙間を形成するということが見出された。また、これは共振空洞の高周波崩壊（ｒｆ  ｂｒｅａｋｄｏｗｎ）と暗電流（ｄａｒｋ  ｃｕｒｒｅｎｔ）を引き起こすということも見出された。
【００２７】
図２は、本発明の実施例に係る電子ビーム発生装置の分解斜視図である。
【００２８】
図３は、本発明の実施例に係る電子ビーム発生装置の断面図である。
【００２９】
図２及び図３に示されているように、本発明による電子ビーム発生装置は、ハウジング５０、ガスケット３０、及びカソード１０を含む。ハウジング５０は、内側に第１の共振空洞５１（フルセル）（ｆｕｌｌ  ｃｅｌｌ）と第２の共振空洞５２（ハフセル）（ｈａｌｆ  ｃｅｌｌ）が設けられることができる。ハウジング５０は、銅材質で設けられることができ、特に、無酸素銅（Ｏｘｇｅｎ−Ｆｒｅｅ−Ｃｏｐｐｅｒ）で設けられることもできる。他の実施例として、ハウジングの内側に一つの共振空洞が設けられることもでき、２以上の共振空洞が設けられることもできる。
【００３０】
ハウジング５０のｚ軸方向一側には電子ビーム排出ホール５３が設けられることができる。電子ビーム排出ホール５３は、カソード１０で発生した電子ビームが外部に排出される通路である。電子ビーム排出ホール５３の外周には電子ビーム排出管フランジ（ｆｌａｎｇｅ）５４が設けられ、外部配管と連結されることができる。
【００３１】
ポンピング空洞５６は、第１の共振空洞５１及び第２の共振空洞５２の内側の真空度を維持するために、真空ポンプ（図示せず）と連結される部分である。ポンピングホール５５は、第１の共振空洞５１とポンピング空洞５６を連通させるように設けられる。
【００３２】
導波管（ｗａｖｅｇｕｉｄｅ）安着部５８は、導波管（図示せず）が設置される部分である。導波管を介して外部で生成された電磁気波を第１の共振空洞５１に伝達することができる。
【００３３】
ハウジングフランジ４０は、ハウジング５０の第２の共振空洞５２側に接合されてハウジング５０と一体をなすことができる。ハウジングフランジ４０の材質は、銅より強度が大きいステンレス鋼で設けられることができる。
【００３４】
カソード１０は、共振空洞に入射されたレーザビームが衝突して電子ビームが発生される部分である。カソード１０の材質は、銅で設けられることができ、特に、無酸素銅（Ｏｘｇｅｎ−Ｆｒｅｅ−Ｃｏｐｐｅｒ）で設けられることもできる。カソードフランジ２０は、ボルト４２を介してカソード１０と結合されることができる。または、カソードフランジとカソードは、互いにろう付け（ｂｒａｚｉｎｇ）により結合されることもできる。カソード１０と結合されたカソードフランジ２０は、ボルト４１を介してハウジングフランジ４０とボルト結合されることができる。カソードフランジ２０の材質は、銅より強度が大きいステンレス鋼で設けられることができる。
【００３５】
ハウジングフランジ４０とカソードフランジ２０との間にはガスケット３０が設置される。ガスケット３０は、共振空洞の内部を密閉させて真空を維持させるようにすることができる。ガスケット３０の材質は、金属で設けられることができ、特に、無酸素銅（Ｏｘｇｅｎ−Ｆｒｅｅ−Ｃｏｐｐｅｒ）で設けられることもできる。ガスケットの材質として銅を使用することによって高周波コンタクト（ＲＦ  ｃｏｎｔａｃｔ）が良くなる効果がある。ガスケット３０は、銅鋼板でガスケット形態を輪形状に切り出したり、鑄造または鍛造の方法により輪形状に製造することもできる。
【００３６】
カソードフランジ２０がハウジングフランジ４０とボルト結合され、結合力により、ガスケット３０は、微細に変形されながら圧縮されることができる。
【００３７】
他の実施例として、カソードフランジとハウジングフランジがガスケットに接する面にはナイフエッジ（ｋｎｉｆｅ  ｅｄｇｅ）（または突起）が設けられ、カソードフランジとハウジングフランジとの間に結合力が作用する時、前記ナイフエッジ（ｋｎｉｆｅ  ｅｄｇｅ）が微細にガスケットに食い込みながら、カソードフランジとハウジングフランジとの間の離隔距離が減少されることができる。
【００３８】
実験結果、ガスケット３０が約５０μｍ程度圧縮される程度に結合力が作用されると、共振空洞の真空を維持することができる程度にハウジングを外部に対して密閉させることができた。然しながら、ガスケット、ハウジング、カソードの大きさや実験条件によって圧縮程度は差がある。
【００３９】
本実施例で使われたガスケットは、直径が約１０ｃｍ程度であり、厚さは約１ｍｍ程度、共振空洞の真空度は１０−１０Ｔｏｒｒ程度、共振周波数は２．８５６ＧＨｚに設定した。
【００４０】
前記のように、約５０μｍ程度圧縮された後に結合力をさらに増加させると、約２００μｍ程度さらに圧縮されることができた。然しながら、ガスケット、ハウジング、カソードの大きさや実験条件によって圧縮程度は差がある。このような圧縮により微細に共振空洞の体積を調節することができ、これによって共振空洞の共振周波数が調節されることができる。このようなガスケットの構成によって共振空洞の高真空状態を形成することが相当容易になる効果がある。
【００４１】
また、ガスケットとハウジングとの間が完全に密閉されないことによって共振空洞の高周波または暗電流が外部に漏洩されたり、高真空状態に到達することができない現象が防止される。また、順次、粒子加速器の性能が向上されながら、高電圧と高真空に対する要求を満たすことができる。また、本構成によると、最初から正確に共振空洞の大きさを製作することができないとしても、共振空洞の内部の共振周波数を正確に調節することができる。
【００４２】
図５は、本発明の実施例に係る電子ビーム発生装置の共振空洞の内部の電場分布に対するシミュレーション結果である。
【００４３】
図５に示されているように、前記図表は、ＳＵＰＥＲＦＩＳＨを使用して共振空洞の内部の電場を測定した結果である。図表の水平軸は、カソード１０の面からｚ軸方向への距離を示し、垂直軸はカソード１０の面の中心から外側方向への距離を示す。
【００４４】
前記共振空洞は、第１の共振空洞５１（フルセル）（ｆｕｌｌ  ｃｅｌｌ）と第２の共振空洞５２（ハフセル）（ｈａｌｆ  ｃｅｌｌ）を含む。第２の共振空洞５２の長さは、第１の共振空洞５１の長さの０．６倍である。本実験で電子ビーム発生装置は、π−ｍｏｄｅの共振周波数（ｆπ＝２，８５６ＭＨｚ）で動作された。
【００４５】
従来にはフルセルに形成されているホールに設置された二つのチューニングロッド（ｔｕｎｉｎｇ  ｒｏｄ）を使用してフルセルの共振周波数が調節された。また、ハフセルの共振周波数を調節するためにヘリコフレックスシールが使われた。然しながら、このような方法による場合には高周波崩壊（ｒｆ  ｂｒｅａｋｄｏｗｎ）と電場非対称（ｅｌｅｃｔｒｉｃ  ｆｉｅｌｄ  ａｓｙｍｍｅｔｒｙ）が発生した。
【００４６】
図６は、本発明の実施例に係る第１の共振空洞と第２の共振空洞の共振周波数チューニング過程を示す側断面図である。
【００４７】
図６に示されているように、本実施例では第１の共振空洞の共振周波数チューニングのためにｚ軸方向に第１の共振空洞を変形（ｄｅｆｏｒｍａｔｉｏｎ）させることによって第１の共振空洞の共振周波数を変更することができる。即ち、ハウジングを軸方向に圧縮したり、或いは引張することによってハウジングの形態に変化を与え、これによってハウジングの固有な共振周波数が変更されることができる。符号Ｄ１は、ハウジングをｚ軸方向に引張させることによってハウジングが変形された形態を示し、符号Ｄ２は、ハウジングをｚ軸方向の反対方向に圧縮させることによってハウジングが変形された形態を示す。一方、第２の共振空洞の共振周波数チューニングのためには互いに異なる厚さのガスケット３０を使用することができる。
【００４８】
図７は、本発明の実施例に係る実験データとシミュレーション結果を示すグラフである。
【００４９】
図７の（ａ）に示されているように、点は実験データを示し、実線はシミュレーション結果を示す。フルセルの共振周波数（ｆｆｕｌｌ）は、フルセルを圧縮することによって目標値に近接するように調節されることができる。フルセルの共振周波数（ｆｆｕｌｌ）は、最終的に２８５４．７ＭＨｚに設定された。フルセルのチューニング過程で、フルセルの壁は、内部に約１０マイクロメートル変形された。
【００５０】
次に、ハフセルのチューニングは、互いに異なるサイズのメタルガスケットを使用して実行されることができる。
【００５１】
図７の（ｂ）は、フルセルとハフセルとの間の加速電場（ａｃｃｅｌｅｒａｔｉｎｇ  ｅｌｅｃｔｒｉｃ  ｆｉｅｌｄ）の最大値の比が１の時、π−ｍｏｄｅの周波数と０−ｍｏｄｅの周波数との差（Δｆ）が３．４ＭＨｚであることを示す。即ち、π−ｍｏｄｅの周波数であるｆπは、Δｆが３．４ＭＨｚの時、２，８５６．９８ＭＨｚである。フルセルとハフセルのチューニングは摂氏２３．０度で実行された。
【００５２】
次に、共振周波数は、温度チューニング（ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  ｔｕｎｉｎｇ）により最終調節される。摂氏２３．０度から一般的な動作温度（ｏｐｅｒａｔｉｎｇ  ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ）である摂氏４０．９度に温度を増加させることによって、Δｆが３．４ＭＨｚの時、ｆπは２，８５６．０ＭＨｚに達した。測定値は、実線で表示されたシミュレーション結果とよく一致した。
【００５３】
図４は、本発明の実施例に係る共振周波数チューニング方法を示すフローチャートである。
【００５４】
まず、ガスケットをハウジングフランジとカソードフランジとの間に位置させ、ハウジングフランジとカソードフランジをボルト結合またはこれと類似の結合方式により所定の結合強度に結合する（図４のＳ１０）。
【００５５】
さらに、ポンピング空洞を介して真空排気して共振空洞の内部を真空状態で形成する。
【００５６】
以後に共振空洞の内部の共振周波数を測定するようになる（図４のＳ２０）。測定された共振周波数が目標周波数より小さい場合にはハウジングフランジとカソードフランジとの間の結合力を増加させ、ガスケットがさらに圧縮されるようにする。共振空洞の内部の共振周波数と共振空洞の大きさは、反比例関係にあるためである。
【００５７】
他の実施例として、測定された共振周波数が目標周波数と比較して顕著に大きい場合にはさらに厚いガスケットに交替したり、或いは測定された共振周波数が目標周波数と比較して顕著に小さい場合にはより薄いガスケットに交替するステップが実施されることができる。
【００５８】
以後、再び共振周波数を測定して目標周波数に達しない場合には、再びハウジングフランジとカソードフランジとの間の結合力を増加させ、ガスケットをさらに圧縮するステップを繰り返すことができる（図４のＳ３０）。このようなステップにより容易に共振周波数の調節が可能になる効果がある。
【００５９】
図８は、本発明の他の実施例に係る共振周波数チューニング過程を示すフローチャートである。
【００６０】
まず、第１の共振空洞と第２の共振空洞の共振周波数を測定するステップ（Ｓ１１０）が実行されることができる。次に、第１の共振空洞の共振周波数の調節のためにハウジングを圧縮したり、或いは引張することによって、第１の共振空洞の体積を変化させるステップ（Ｓ１２０）が実行されることができる。次に、第２の共振空洞の共振周波数の調節のために金属ガスケットをさらに圧縮したり、或いは相違する厚さの他の金属ガスケットに交替するステップ（Ｓ１３０）が実行されることができる。Ｓ１３０とＳ１２０は、互いに順序を変えて実行されることもできる。
【００６１】
前述され、図面に示す本発明の一実施例は、本発明の技術的思想を限定すると解釈されてはならない。本発明の保護範囲は、請求範囲に記載された事項によってのみ制限され、本発明の技術分野において通常の知識を有する者は、本発明の技術的思想を多様な形態に改良変更することが可能である。従って、このような改良及び変更は、通常の知識を有する者に自明である限り、本発明の保護範囲に属するようになる。
【図２】
2013521610.tif 000003
【図３】
2013521610.tif 000004
【図１】
2013521610.tif 000005
【図４】
2013521610.tif 000006
【図５】
2013521610.tif 000007
【図６】
2013521610.tif 000008
【図７】
2013521610.tif 000009
【図８】
2013521610.tif 000010
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月30日(2012.8.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
2013521610.tif 000011
【国際調査報告】
2013521610.tif 000012
2013521610.tif 000013
2013521610.tif 000014
2013521610.tif 000015