(57)【要約】  スペクトル純度フィルタは、複数のアパーチャが貫通した材料体を備える。アパーチャは、第１波長を有する放射を抑制し、第２波長を有する放射の少なくとも一部分が該アパーチャを透過することができるように配置される。放射の第２波長は、放射の第１波長よりも短い。材料体は、タングステン‐モリブデン合金またはモリブデン‐レニウム合金、またはタングステン‐レニウム合金、またはタングステン‐モリブデン‐レニウム合金から形成される。【選択図】  図４
2013519998.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のアパーチャが貫通した材料体を備え、
前記アパーチャが、第１波長を有する放射を抑制し、かつ第２波長を有する放射の少なくとも一部分が該アパーチャを透過することができるように配置され、前記放射の第２波長が、前記放射の第１波長よりも短く、
前記材料体が、タングステン‐モリブデン合金またはモリブデン‐レニウム合金またはタングステン‐レニウム合金またはタングステン‐モリブデン‐レニウム合金から形成される、
スペクトル純度フィルタ。
【請求項２】
前記合金中のレニウムの含有量は、原子百分率で、
前記モリブデン‐レニウム合金に対して、約０．１％〜約４９％、
前記タングステン‐レニウム合金に対して、約０．１％〜約２７％
前記タングステン‐モリブデン‐レニウム合金に対して、約０．１％〜４９％である、
請求項１に記載のスペクトル純度フィルタ。
【請求項３】
前記材料体が、さらに、該材料体全体としての再結晶温度を高めるために複数のナノ粒子を備える、請求項１または２に記載のスペクトル純度フィルタ。
【請求項４】
前記ナノ粒子が、ＡＩ２Ｏ３、ＨｆＯ２、ＺｒＯ２、Ｙ２Ｏ３、ＭｇＯ、Ｌａ２Ｏ３、Ｃｅ２Ｏ３、ＳｒＯおよびＨｆＣのうちの１つ以上から成る、請求項３に記載のスペクトル純度フィルタ。
【請求項５】
前記ナノ粒子が、前記材料体内で複数の層に分散される、請求項３または４に記載のスペクトル純度フィルタ。
【請求項６】
複数のアパーチャが貫通した材料体を備え、
前記アパーチャが、第１波長を有する放射を抑制し、かつ第２波長を有する放射の少なくとも一部分が該アパーチャを透過することができるように配置され、前記放射の第２波長は、前記放射の第１波長よりも短く、
前記材料体が、モリブデンまたはタングステンから形成され、前記材料体が、該材料体全体としての再結晶温度を高めるために複数のナノ粒子をさらに備える、
スペクトル純度フィルタ。
【請求項７】
前記ナノ粒子が、ＡＩ２Ｏ３、ＨｆＯ２、ＺｒＯ２、Ｙ２Ｏ３、ＭｇＯ、Ｌａ２Ｏ３、Ｃｅ２Ｏ３、ＳｒＯおよびＨｆＣのうちの１つ以上から成る、請求項６に記載のスペクトル純度フィルタ。
【請求項８】
前記ナノ粒子が、前記材料体内で複数の層に分散される、請求項６または７に記載のスペクトル純度フィルタ。
【請求項９】
前記モリブデンが、タングステン‐モリブデン合金またはモリブデン‐レニウム合金またはタングステン‐モリブデン‐レニウム合金の一部を形成し、あるいは、前記タングステンが、タングステン‐モリブデン合金またはタングステン‐レニウム合金またはタングステン‐モリブデン‐レニウム合金の一部を形成する、請求項６〜８のいずれかに記載のスペクトル純度フィルタ。
【請求項１０】
前記合金中のレニウムの含有量が、原子百分率で、
前記モリブデン‐レニウム合金に対して、約０．１％〜約４９％、
前記タングステン‐レニウム合金に対して、約０．１％〜約２７％、
前記タングステン‐モリブデン‐レニウム合金に対して、約０．１〜約４９％である、
請求項９に記載のスペクトル純度フィルタ。
【請求項１１】
前記材料体のうち前記アパーチャが貫通している面が、実質的に純粋なモリブデンまたはタングステンから形成される領域または層から成るか、あるいは該領域または層が設けられる、請求項１〜１０のいずれかに記載のスペクトル純度フィルタ。
【請求項１２】
前記面が、使用中、前記第１波長および／または前記第２波長を含む入射放射に対向するように構成される、請求項１１に記載のスペクトル純度フィルタ。
【請求項１３】
前記放射の第２波長が、電磁スペクトルのＥＵＶ部内の波長を有する放射と実質的に同等か、または、それよりも短い波長を有する、かつ／あるいは、前記第２波長が５ｎｍ〜２０ｎｍの範囲内である、請求項１〜１２のいずれかに記載のスペクトル純度フィルタ。
【請求項１４】
前記第２波長が、１３ｎｍ〜１４ｎｍの範囲にある、請求項１３に記載のスペクトル純度フィルタ。
【請求項１５】
請求項１〜１４のいずれかに記載のスペクトル純度フィルタを有する、リソグラフィ装置または放射源。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
関連出願の相互参照
[0001]  本特許出願は、参照により全体が本明細書に組み込まれる、２０１０年２月１２日出願の米国仮特許出願第６１／３０４，１１５号の利益を請求する。
【０００２】
[0002]  本発明は、スペクトル純度フィルタに関連し、例えば、リソグラフィ装置および／またはリソグラフィ方法で使用するのに適したスペクトル純度フィルタに関連する。
【背景技術】
【０００３】
[0003]  リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板上、通常、基板のターゲット部分上に付与する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に用いることができる。その場合、ＩＣの個々の層上に形成される回路パターンを生成するために、マスクまたはレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを用いることができる。このパターンは、基板（例えば、シリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば、ダイの一部、または１つ以上のダイを含む）に転写することができる。通常、パターンの転写は、基板上に設けられた放射感応性材料（レジスト）層上への結像によって行われる。一般には、単一の基板が、連続的にパターニングされる隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。
【０００４】
[0004]  リソグラフィは、ＩＣおよび他のデバイスおよび／または構造の製造における重要なステップの１つとして広く認識されている。しかし、リソグラフィを使用して作られるフィーチャの寸法が小さくなるにつれ、リソグラフィは、小型のＩＣまたは他のデバイスおよび／または構造の製造を可能にするためのより重要な要因となっている。
【０００５】
[0005]  パターンプリンティング（つまり、パターン付与）の限界の理論的な推測は、式（１）に示す解像度についてのレイリー基準によって与えられ得る：
【数１】
2013519998.tif 000003
上の式で、λは、使用される放射の波長であり、ＮＡは、パターンを印刷（つまり、付与）するために使用される投影システムの開口数であり、ｋ１は、レイリー定数とも呼ばれているプロセス依存調節係数であり、ＣＤは、印刷された（つまり、付与された）フィーチャのフィーチャサイズ（またはクリティカルディメンジョン）である。式（１）から、フィーチャの最小印刷可能（つまり、付与可能）サイズの縮小は、以下の３つの方法：露光波長λを短くすることによって、開口数ＮＡを大きくすることによって、あるいはｋ１の値を小さくすることによって、達成することができると言える。
【０００６】
[0006]  露光波長を短くするため、ひいては、最小印刷可能（つまり、付与可能）サイズを縮小するために、極端紫外線（ＥＵＶ）放射源を使用することが提案されている。ＥＵＶ放射は、５〜２０ｎｍの範囲内、例えば１３〜１４ｎｍの範囲内、例えば６．７ｎｍまたは６．８ｎｍといった５〜１０ｎｍの範囲内の波長を有する電磁放射である。可能な放射源としては、例えば、レーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）源、放電プラズマ（ＤＰＰ）源、または電子蓄積リング（Electron storage ring）によって提供されるシンクロトロン放射に基づく放射源などが含まれる。
【０００７】
[0007]  ＥＵＶ放射は、プラズマを使用して生成することができる。ＥＵＶ放射を生成するための放射システムは、燃料を励起してプラズマを提供するレーザと、プラズマを収容するための放射源コレクタモジュールと、を備える。プラズマは、例えば、好適な材料（例えば、スズ）の粒子、または、ＸｅガスもしくはＬｉ蒸気といった好適なガスもしくは蒸気の流れなどの燃料にレーザビームを誘導することにより作り出すことができる。結果として得られるプラズマは、例えばＥＵＶ放射などの出力放射を放出し、この出力放射は放射コレクタによって集光される。放射コレクタは、鏡面仕上げの法線入射放射コレクタであってよく、放射を受光してビームへと集束させる。放射源コレクタモジュールは、プラズマを支持するための真空環境を提供するように配置された閉鎖構造またはチャンバを備え得る。このような放射システムは、通常、レーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）源と呼ばれる。
【０００８】
[0008]  プラズマを使ってＥＵＶ放射を生成するような実用的なＥＵＶ源は、望ましい「帯域内」のＥＵＶ放射だけでなく、望ましくない「帯域外」の放射も放出する。この帯域外放射は、深紫外線（ＤＵＶ）放射範囲（１００〜４００ｎｍ）において最も顕著である。さらに、あるＥＵＶ源、例えばレーザ生成プラズマＥＵＶ源の場合、通常１０．６μｍのレーザからの放射が相当量の帯域外放射をもたらす。
【０００９】
[0009]  リソグラフィ装置では、いくつかの理由でスペクトル純度が望まれる。１つの理由として、レジストが帯域外の放射の波長に敏感であるため、そのような帯域外放射にレジストが暴露された場合に、レジストに付与されるパターンの像品質が劣化する恐れがあることが挙げられる。さらには、ある種のレーザ生成プラズマ源における帯域外放射の赤外放射、例えば１０．６μｍの放射は、リソグラフィ装置内のパターニングデバイス、基板および光学部品に、望ましくない不必要な加熱を引き起こす。このような加熱は、これら要素の損傷、寿命の低下、および／またはレジストコート基板上に投影および付与されるパターンの欠陥または歪みを引き起こすことがある。
【００１０】
[00010]  これらの潜在的な問題を克服するために、いくつかの異なる透過型スペクトル純度フィルタが提案されており、これら透過型スペクトルフィルタは、赤外放射の透過を実質的に防ぐと同時に、ＥＵＶ放射の透過を可能にする。これらの提案されたスペクトル純度フィルタのうちのいくつかは、例えば、赤外放射に対して実質的に不透明であると同時に、ＥＵＶ放射に対して実質的に透明である構造から成る。これらのスペクトル純度フィルタおよび他のスペクトル純度フィルタは、１つ以上のアパーチャを備えてもよい。これらアパーチャのサイズおよび間隔は、これらのアパーチャにより赤外放射が回折される（それにより抑制される）一方、ＥＵＶ放射がこれらアパーチャを透過するように選択され得る。アパーチャを備えたスペクトル純度フィルタは、アパーチャを備えていないスペクトル純度フィルタよりも高いＥＵＶ透過率を有し得る。これは、ＥＵＶ放射が、所与の厚さの中実の材料を通過するよりも簡単にアパーチャを通過することができるためである。
【００１１】
[00011]  典型的なスペクトル純度フィルタは、例えば、モリブデンなどの反射性金属でコーティングされたシリコン基礎構造物（例えば、アパーチャを備えたシリコングリッド、または他の部材）から形成され得る。典型的なスペクトル純度フィルタは、使用中、例えば、入射する赤外放射およびＥＵＶ放射からの高い熱負荷にさらされ得る。この熱負荷によって、スペクトル純度フィルタの温度が８００℃を超えることもある。モリブデンでコーティングされたシリコンを含む典型的なスペクトル純度フィルタは、８００℃を超えると、寿命が不満足な短いものになることが分かっている。これは、反射性のモリブデンコーティングとその下のシリコン支持構造との間の反応によるものであり、結果としてコーティングの剥離が生じる。シリコン基礎構造の剥離および劣化は、水素の存在により促進される。水素は、デブリ（例えば、粒子などのデブリ）がリソグラフィ装置の所定部に入ったり、該所定部から出たりするのを抑制するために、スペクトル純度フィルタが使用される環境内のガスとしてしばしば使用される。
【００１２】
[00012]  リソグラフィ装置（および／または方法）では、レジストコート基板にパターンを付与するために使用される放射の強度損失を最小限に抑えることが望ましい。この理由の１つとして、例えば露光時間を短縮してスループットを増加するために、理想的には、できるだけ多くの放射が基板へパターンを付与するのに利用可能であるべきことが挙げられる。同時に、リソグラフィ装置を通過し、かつ基板上に入射する望ましくない（例えば、帯域外の）放射の量を最小限に抑えることが望ましい。さらには、リソグラフィ方法またはリソグラフィ装置で使用されるスペクトル純度フィルタが、確実に、適度な寿命を有し、かつ、スペクトル純度フィルタが暴露され得る高い熱負荷および／またはスペクトル純度フィルタが暴露され得る水素（など）によって急速に経時劣化しないことが望ましい。したがって、改善された（または代替的な）スペクトル純度フィルタであって、例えば、リソグラフィ装置および／または方法で使用するのに適したスペクトル純度フィルタを提供することが望ましい。
【発明の概要】
【００１３】
[00013]  本発明の一態様によると、スペクトル純度フィルタが提供され、該スペクトル純度フィルタは、複数のアパーチャが貫通した材料体を備え、アパーチャが、第１波長を有する放射を抑制し、かつ第２波長を有する放射の少なくとも一部分が該アパーチャを透過することができるように配置され、放射の第２波長が、放射の第１波長よりも短く、材料体が、モリブデン‐レニウム合金またはタングステン‐レニウム合金、あるいはタングステン‐モリブデン合金、あるいはタングステン‐モリブデン‐レニウム合金から形成される。
【００１４】
[00014]  合金中のレニウムの含有量は、原子百分率で、モリブデン‐レニウム合金に対して０．１％〜４９％、タングステン‐レニウム合金に対して０．１％〜２７％、タングステン‐モリブデン‐レニウム合金に対して、０．１％〜４９％であってよい。
【００１５】
[00015]  材料体は、さらに、該材料体全体としての再結晶温度を高めるために複数のナノ粒子を含み得る。ナノ粒子は、ＡＩ２Ｏ３、ＨｆＯ２、ＺｒＯ２、Ｙ２Ｏ３、ＭｇＯ、Ｌａ２Ｏ３、Ｃｅ２Ｏ３、ＳｒＯおよびＨｆＣのうちの１つ以上から成り得る。ナノ粒子は、材料体内で複数の層に分散され得る。
【００１６】
[00016]  材料体のうちアパーチャが貫通している面は、実質的に純粋なモリブデンまたはタングステンから形成される領域または層から成り得る、あるいは該領域または層が設けられ得る。この面は、使用中、第１波長および／または第２波長を含む入射放射に対向するように構成され得る。
【００１７】
[00017]  放射の第１波長は、電磁スペクトルの赤外領域内にある波長を有し得る、かつ／あるいは、第１波長は、９μｍ〜１２μｍの範囲内、例えば、約９．４μｍまたは約１０．６μｍである。
【００１８】
[00018]  放射の第２波長は、電磁スペクトルのＥＵＶ部内の波長を有する放射と実質的に同等か、またはそれよりも短い波長を有し得る、かつ／あるいは、第２波長は、５〜２０ｎｍ、例えば、１３〜１４ｎｍまたは６ｎｍ〜７ｎｍ、例えば約６．６ｎｍ〜６．９ｎｍの範囲内にある。
【００１９】
[00019]  本発明の一態様によると、スペクトル純度フィルタが提供され、該スペクトル純度フィルタは、複数のアパーチャが延在した材料体を備え、アパーチャが、第１波長を有する放射を抑制し、かつ第２波長を有する放射の少なくとも一部分が該アパーチャを透過することができるように配置され、放射の第２波長は、放射の第１波長よりも短く、材料体が、モリブデンまたはタングステンから形成され、材料体が、該材料体全体としての再結晶温度を高めるために複数のナノ粒子をさらに含む。
【００２０】
[00020]  ナノ粒子は、ＡＩ２Ｏ３、ＨｆＯ２、ＺｒＯ２、Ｙ２Ｏ３、ＭｇＯ、Ｌａ２Ｏ３、Ｃｅ２Ｏ３、ＳｒＯおよびＨｆＣのうちの１つ以上から成り得る。
【００２１】
[00021]  ナノ粒子は、材料体内で複数の層に分散され得る。
【００２２】
[00022]  モリブデンは、モリブデン‐レニウム合金またはタングステン‐モリブデン合金またはタングステン‐モリブデン‐レニウム合金一部を形成し、あるいは、タングステンは、タングステン‐レニウム合金またはタングステン‐モリブデン合金またはタングステン‐モリブデン‐レニウム合金の一部を形成してもよい。各合金中のレニウムの含有量は、原子百分率で、モリブデン‐レニウム合金に対して０．１％〜４９％、タングステン‐レニウム合金に対して０．１％〜２７％、タングステン‐モリブデン‐レニウム合金に対して、０．１％〜４９％であってよい。
【００２３】
[00023]  材料体のうちアパーチャが貫通している面は、実質的に純粋なモリブデンまたはタングステンから形成される領域または層から成り得る、あるいは該領域または層が設けられ得る。この面は、使用中、第１波長および／または第２波長を含む入射放射に対向するように構成され得る。
【００２４】
[00024]  放射の第１波長は、電磁スペクトルの赤外領域内にある波長を有し得る、かつ／あるいは、第１波長は、９μｍ〜１２μｍの範囲内、例えば、約９．４μｍまたは約１０．６μｍである。
【００２５】
[00025]  放射の第２波長は、電磁スペクトルのＥＵＶ部内の波長を有する放射と実質的に同等か、またはそれよりも短い波長を有し得る、かつ／あるいは、第２波長は、５〜２０ｎｍ、例えば、１３〜１４ｎｍまたは６ｎｍ〜７ｎｍ、例えば約６．６ｎｍ〜６．９ｎｍの範囲内にある。
【００２６】
[00026]  本発明の一態様によると、本明細書に記載した発明のいずれかの態様によるスペクトル純度フィルタを有するリソグラフィ装置または放射源が提供される。
【００２７】
[00027]  本発明の一態様によると、第１波長および第２波長を含む放射をフィルタ処理するように構成されたスペクトル純度フィルタを備えるリソグラフィ装置が提供される。スペクトル純度フィルタは、複数のアパーチャが貫通した材料体を備える。アパーチャは、第１波長を有する放射を抑制し、かつ第２波長を有する放射の少なくとも一部分が該アパーチャを透過することができるように配置され、放射の第２波長が、放射の第１波長よりも短い。材料体は、タングステン‐モリブデン合金またはモリブデン‐レニウム合金またはタングステン‐レニウム合金またはタングステン‐モリブデン‐レニウム合金から形成される。リソグラフィ装置は、パターニングデバイスを支持するように構築かつ配置されたサポートであって、パターニングデバイスが第２波長を有する放射にパターンを形成するように構成される、サポートと、基板上にパターン形成された放射を投影するように構成される投影システムと、を備える。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
[00028]  本発明のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の概略図を参照して以下に説明する。これらの図面において同じ参照符号は対応する部分を示す。
【００２９】
【図１】[00029]  図１は、本発明の一実施形態に係るリソグラフィ装置を概略的に示す。
【図２】[00030]  図２は、図１に示すリソグラフィ装置のより詳細な図であり、放電生成プラズマ（ＤＰＰ）源コレクタモジュールＳＯを含む。
【図３】[00031]  図３は、図１の装置の別の放射源コレクタモジュールＳＯの図であり、該別の放射源コレクタモジュールＳＯは、レーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）源コレクタモジュールである。
【図４】[00032]  図４は、透過型スペクトル純度フィルタを概略的に示す。
【図５】[00033]  図５は、図４のスペクトル純度フィルタの側面から見た部分断面図を、スペクトル純度フィルタに入射する放射と共に概略的に示す。
【図６】[00034]  図６は、図４および５のスペクトル純度フィルタの、より詳細な、または、別の、側面から見た部分断面図を概略的に示す。
【図７】[00035]  図７は、本発明の第１実施形態に係るスペクトル純度フィルタの側面から見た部分断面図を概略的に示す。
【図８】[00036]  図８は、本発明の第２実施形態に係るスペクトル純度フィルタの側面から見た部分断面図を概略的に示す。
【図９】[00037]  図９は、本発明の第３実施形態に係るスペクトル純度フィルタの側面から見た部分断面図を概略的に示す。
【図１０】[00038]  図１０は、本発明のいくつかの実施形態に係るスペクトル純度フィルタの（１０．６μｍでの）反射を、これらのスペクトル純度フィルタの厚さを関数として示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
[00039]  図１は、本発明の一実施形態に係る放射源コレクタモジュールＳＯを含むリソグラフィ装置１００を概略的に示している。このリソグラフィ装置は、放射ビームＢ（例えばＥＵＶ放射）を調整するように構成された照明システム（イルミネータとも呼ばれる）ＩＬと、パターニングデバイス（例えば、マスクまたはレチクル）ＭＡを支持するように構築され、かつパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めするように構成された第１ポジショナＰＭに連結されるサポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴと、基板（例えば、レジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構築され、かつ基板Ｗを正確に位置決めするように構成された第２ポジショナＰＷに連結される基板テーブル（例えば、ウェーハテーブル）ＷＴと、パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに付けられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば、１つ以上のダイを含む）上に投影するように構成された投影システム（例えば、反射投影システム）ＰＳと、を備える。
【００３１】
[00040]  照明システムＩＬとしては、放射を誘導し、整形し、または制御するために、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、またはその他のタイプの光コンポーネント、あるいはそれらのあらゆる組合せなどのさまざまなタイプの光コンポーネントを含むことができる。
【００３２】
[00041]  サポート構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡの向き、リソグラフィ装置１００の設計、および、パターニングデバイスＭＡが真空環境内で保持されているか否かなどの他の条件に応じた態様で、パターニングデバイスＭＡを保持する。サポート構造ＭＴは、機械式、真空式、静電式またはその他のクランプ技術を使って、パターニングデバイスＭＡを保持することができる。サポート構造ＭＴは、例えば、必要に応じて固定または可動式にすることができるフレームまたはテーブルであってもよい。サポート構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡを、例えば、投影システムＰＳに対して所望の位置に確実に置くことができる。 
【００３３】
[00042]  「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分内にパターンを作り出すように、放射ビームの断面にパターンを付けるために使用できるあらゆるデバイスを指していると、広く解釈されるべきである。放射ビームに付けられたパターンは、集積回路などのターゲット部分内に作り出されるデバイス内の特定の機能層に対応することになる。
【００３４】
[00043]  パターニングデバイスは、透過型であっても、反射型であってもよい。パターニングデバイスの例としては、マスク、プログラマブルミラーアレイ、およびプログラマブルＬＣＤパネルが含まれる。マスクは、リソグラフィでは公知であり、バイナリ、レべンソン型(alternating)位相シフト、およびハーフトーン型(attenuated)位相シフトなどのマスク型、ならびに種々のハイブリッドマスク型を含む。プログラマブルミラーアレイの一例では、小型ミラーのマトリックス配列が用いられており、各小型ミラーは、入射する放射ビームを様々な方向に反射させるように、個別に傾斜させることができる。傾斜されたミラーは、ミラーマトリックスによって反射される放射ビームにパターンを付ける。
【００３５】
[00044]  投影システムは、照明システムのように、使われている露光放射にとって、あるいは真空の使用といった他の要因にとって適切な、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、および静電型、またはその他のタイプの光コンポーネント、あるいはそれらのあらゆる組合せなどのさまざまなタイプの光コンポーネントを含み得る。ＥＵＶ放射では、他のガスが放射を吸収し過ぎることがあるため、真空を使用することが望まれ得る。したがって、真空壁および真空ポンプを使って、ビーム経路全体に真空環境が提供されてもよい。
【００３６】
[00045]  本明細書に示されているとおり、リソグラフィ装置は、反射型のもの（例えば、反射型マスクを採用しているもの）である。
【００３７】
[00046]  リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）以上の基板テーブル（および／または２つ以上のマスクテーブル）を有する型のものであってもよい。そのような「マルチステージ」機械においては、追加のテーブルは並行して使うことができ、または予備工程を１つ以上のテーブル上で実行しつつ、別の１つ以上のテーブルを露光用に使うこともできる。
【００３８】
[00047]  図１を参照すると、照明システムＩＬは、放射源コレクタモジュールＳＯから極端紫外線（ＥＵＶ）放射ビームを受ける。ＥＵＶ光を生成する方法としては、材料を、例えば、キセノン、リチウムまたはスズなど少なくとも１つの元素を有し、ＥＵＶ範囲内の１つ以上の輝線を有するプラズマ状態へと変換することが含まれるが、必ずしもこれに限定されない。そのような方法のうちの１つであり、しばしばレーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）と呼ばれる方法では、所望の輝線を放出する元素を有する材料の小滴、流れまたはクラスタなどの燃料をレーザビームで照射することにより所望のプラズマを生成することができる。放射源コレクタモジュールＳＯは、燃料を励起するレーザビームを提供するためのレーザ（図１中図示なし）を含むＥＵＶ放射システムの一部であってもよい。結果として得られるプラズマは、例えばＥＵＶ放射などの出力放射を放出し、この出力放射は放射源コレクタモジュール内に配置される放射コレクタを使って集光される。例えば、ＣＯ２レーザを使用して燃料励起のためのレーザビームを提供する場合、レーザおよび放射源コレクタモジュールは別個の構成要素とすることができる。
【００３９】
[00048]  そのような場合には、レーザは、リソグラフィ装置の一部を形成しているとはみなされず、また放射ビームは、レーザから放射源コレクタモジュールへ、例えば、適切な誘導ミラーおよび／またはビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムを使って送られる。その他の場合、例えば、放射源がしばしばＤＰＰ源と呼ばれる放電生成プラズマＥＵＶジェネレータである場合においては、放射源は、放射源コレクタモジュールの一体部分とすることもできる。
【００４０】
[00049]  照明システムＩＬは、放射ビームＢの角強度分布を調節するアジャスタを含むことができる。一般に、照明システムＩＬの瞳面内の強度分布の少なくとも外側および／または内側半径範囲（通常、それぞれσ-outerおよびσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。さらに、照明システムＩＬは、ファセットフィールド（facetted field）および瞳ミラーデバイスといったさまざまな他のコンポーネントを含むことができる。照明システムを使って放射ビームを調整すれば、放射ビームの断面に所望の均一性および強度分布をもたせることができる。
【００４１】
[00050]  放射ビームＢは、サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴ上に保持されているパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡ上に入射して、パターニングデバイスによってパターン形成される。パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡから反射された後、放射ビームＢは投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームの焦点をあわせる。第２ポジショナＰＷおよび位置センサＰＳ２（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、または静電容量センサ）を使って、例えば、さまざまなターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路内に位置決めするように、基板テーブルＷＴを正確に動かすことができる。同様に、第１ポジショナＰＭおよび別の位置センサＰＳ１を使い、パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを放射ビームＢの経路に対して正確に位置決めすることもできる。パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡおよび基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１およびＭ２と、基板アライメントマークＰ１およびＰ２とを使って、位置合わせされてもよい。
【００４２】
[00051]  例示の装置は、以下に説明するモードのうち少なくとも１つのモードで使用できる。
【００４３】
[00052]  １．ステップモードにおいては、サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴおよび基板テーブルＷＴを基本的に静止状態に保ちつつ、放射ビームＢに付けられたパターン全体を一度にターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一静的露光）。その後、基板テーブルＷＴは、Ｘおよび／またはＹ方向に移動され、それによって別のターゲット部分Ｃを露光することができる。
【００４４】
[00053]  ２．スキャンモードにおいては、サポート構造（マスクテーブル）ＭＴおよび基板テーブルＷＴを（例えば、ＸまたはＹ方向に）同期的にスキャンする一方で、放射ビームに付けられたパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一動的露光）。サポート構造（マスクテーブル）ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影システムＰＳの（縮小）拡大率および像反転特性によって決めることができる。
【００４５】
[00054]  ３．別のモードにおいては、プログラマブルパターニングデバイスを保持した状態で、サポート構造（マスクテーブル）ＭＴを基本的に静止状態に保ち、また基板テーブルＷＴを動かす、またはスキャンする一方で、放射ビームに付けられているパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する。このモードにおいては、通常、パルス放射源が採用されており、さらにプログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルＷＴの移動後ごとに、またはスキャン中の連続する放射パルスと放射パルスとの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、前述の型のプログラマブルミラーアレイといったプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。
【００４６】
[00055]  上述の使用モードの組合せおよび／またはバリエーション、あるいは完全に異なる使用モードもまた採用可能である。
【００４７】
[00056]  図２は、放射源コレクタモジュールＳＯ、照明システムＩＬおよび投影システムＰＳを含む装置１００をより詳細に示している。放射源コレクタモジュールＳＯは、放射源コレクタモジュールＳＯの閉鎖構造２２０内に真空環境を維持することができるように構築および配置されている。ＥＵＶ放射放出プラズマ２１０は、放電生成プラズマ（ＤＰＰ）源により形成することができる。ＥＵＶ放射は、例えばＸｅガス、Ｌｉ蒸気またはＳｎ蒸気などのガスまたは蒸気により生成され得るが、この蒸気またはガス内で、（非常に高温の）プラズマ２１０が作り出され、電磁スペクトルのＥＵＶ範囲の放射を放出する。（非常に高温の）プラズマ２１０は、例えば、少なくとも部分的にイオン化されたプラズマを作り出す放電によって作り出される。放射を効率的に生成するには、Ｘｅ、Ｌｉ、Ｓｎ蒸気または他の好適なガスもしくは蒸気の、例えば１０Ｐａの分圧が必要となり得る。一実施形態では、ＥＵＶ放射を生成するために励起されたスズ（Ｓｎ）のプラズマが提供される。
【００４８】
[00057]  プラズマ２１０により放出される放射は、放射源チャンバ２１１から、放射源チャンバ２１１の開口部内またはこの開口部の後方に位置決めされた任意選択のガスバリアまたは汚染物質トラップ２３０（場合によっては汚染物質バリアまたはフォイルトラップとも呼ばれる）を介して、コレクタチャンバ２１２内へと通過する。汚染物質トラップ２３０は、チャネル構造を含み得る。汚染物質トラップ２３０は、また、ガスバリアまたはガスバリアとチャネル構造との組み合わせを備えてもよい。本明細書においてさらに示される汚染物質トラップまたは汚染物質バリア２３０は、当技術分野で周知のように、少なくともチャネル構造を含む。
【００４９】
[00058]  コレクタチャンバ２１２は、いわゆる斜入射型コレクタであり得る放射コレクタＣＯを含んでもよい。放射コレクタＣＯは、上流放射コレクタ側２５１および下流放射コレクタ側２５２を有する。コレクタＣＯを横断する放射は、格子スペクトルフィルタ２４０で反射され、仮想放射源点ＩＦに合焦され得る。仮想放射源点ＩＦは、通常、中間焦点と呼ばれ、放射源コレクタモジュールＳＯは、この中間焦点ＩＦが閉鎖構造２２０の開口部２２１に位置する、または該開口部２２１付近に位置するように配置される。仮想放射源点ＩＦは、放射放出プラズマ２１０の像である。開口部２２１を通過する前に、放射は任意選択のスペクトル純度フィルタＳＰＦを通過してもよい。他の実施形態では、スペクトル純度フィルタＳＰＦは、リソグラフィ装置の異なる部分（例えば、放射源コレクタモジュールＳＯの外）に位置し得る。スペクトル純度フィルタのいくつかの実施形態については、以下でさらに詳細に説明する。
【００５０】
[00059]  続いて、放射は照明システムＩＬを横断する。照明システムＩＬは、パターニングデバイスＭＡにおいて放射ビーム２１に所望の角度分布を提供し、かつパターニングデバイスＭＡにおいて放射強度に所望の均一性を提供するように配置されたファセットフィールドミラーデバイス２２およびファセット瞳ミラーデバイス２４を含んでもよい。放射ビーム２１がサポート構造ＭＴに保持されたパターニングデバイスＭＡで反射されると、パターン付きビーム２６が形成され、このパターン付きビーム２６は、反射要素２８、３０を介してウェーハステージまたは基板テーブルＷＴに保持された基板Ｗ上に投影システムＰＳにより結像される。
【００５１】
[00060]  一般に、照明光学系ユニットＩＬおよび投影システムＰＳ内には図示されるよりも多い要素が存在し得る。リソグラフィ装置のタイプに応じて、格子スペクトル純度フィルタ２４０を任意選択で存在させてもよい。さらに、図に示されるよりも多い反射要素（例えば、ミラーなど）が存在してもよく、例えば、図２に示されるよりも１〜６個多い追加反射要素が投影システムＰＳ内に存在しても良い。
【００５２】
[00061]  図２に例示されるコレクタＣＯは、単にコレクタ（またはコレクタミラー）の一例として、斜入射リフレクタ２５３、２５４および２５５を有する入れ子型コレクタ（nested collector）として示されている。斜入射リフレクタ２５３、２５４および２５５は、光軸Ｏを中心に軸対称に配置され、このタイプのコレクタＣＯは、しばしばＤＰＰ源と呼ばれる放電生成プラズマ源と組み合わせて使用されるのが好ましい。
【００５３】
[00062]  あるいは、放射源コレクタモジュールＳＯは、図３に示すようなＬＰＰ放射システムの一部であるか、該ＬＰＰ放射システムを含むか、あるいは該ＬＰＰ放射システムを形成することができる。図３を参照すると、レーザＬＡは、キセノン（Ｘｅ）、スズ（Ｓｎ）またはリチウム（Ｌｉ）の小滴または領域または蒸気などの燃料内に、レーザエネルギを与え、数十ｅＶの電子温度を有する高度にイオン化されたプラズマ２１０を作り出す。これらイオンの脱励起および再結合中に生成されるエネルギ放射は、プラズマ２１０から放出され、近法線入射（near normal incidence）コレクタＣＯによって集光され、閉鎖構造２２０内の開口部２２１上に合焦される。開口部２２１を通過する前に、放射は、任意選択のスペクトル純度フィルタＳＰＦを通過してもよい。他の実施形態では、スペクトル純度フィルタＳＰＦは、リソグラフィ装置の異なる部分（例えば、放射源コレクタモジュールＳＯの外）に位置してもよい。スペクトル純度フィルタのいくつかの実施形態については、以下でさらに詳細に説明する。
【００５４】
[00063]  リソグラフィ装置において、放射ビームの望ましくない（例えば、帯域外の）波長成分をフィルタ除去するためにスペクトル純度フィルタを使用することが知られている。例えば、１つ以上のアパーチャを備えたスペクトル純度フィルタを提供することが知られている。アパーチャの直径および／またはアパーチャ間の間隔は、これらのアパーチャが、放射の１つ以上の望ましくない波長（つまり、赤外放射などの、第１波長を有する放射）を回折または散乱などにより抑制する一方、放射の１つ以上の望ましい波長（つまり、ＥＵＶ放射などの、第２波長を有する放射）がアパーチャを通過することができるように選択される。例えば、望ましくない放射は、スペクトル純度フィルタを加熱し、損傷または変形させる可能性のある赤外放射を含み、一方、望ましい放射は、レジストコート基板にパターンを付与するのに使用可能なＥＵＶまたは超ＥＵＶ（beyond EUV）放射を含み得る。
【００５５】
[00064]  図４は、（本発明によるものではない）スペクトル純度フィルタＳＰＦを概略的に示している。スペクトル純度フィルタＳＰＦは、円形のアパーチャ３４の周期的なアレイが設けられた平面部材３２（以下でさらに詳細に説明する）の形態をした材料体から成る。アパーチャ３４の直径３６はおよび／またはアパーチャ３４間の間隔３８は、抑制されるべき放射の第１波長が、各アパーチャ３４の入口および／または各アパーチャ３４内で実質的に回折される一方、第２の、より短い波長がこれらアパーチャ３４を透過するように選択される。アパーチャ３４の直径３６は、例えば、１μｍ〜１００μｍの範囲内であり、これは、同程度の波長を有する放射（例えば、赤外放射）を回折により抑制する一方で、より短い波長を有する放射（例えば、ＥＵＶ放射）がアパーチャ３４を通過することができるようにするためである。
【００５６】
[00065]  平面部材３２は、放射の第１波長またはスペクトル純度フィルタＳＰＦが抑制するように設計された波長の範囲に対して実質的に不透明であってよい。例えば、平面部材３２は、第１波長、例えば電磁スペクトルの赤外線範囲内の波長を反射または吸収することができる。また、平面部材３２は、スペクトル純度フィルタＳＰＦが透過するように設計された放射の１つ以上の第２波長、例えば電磁スペクトルのＥＵＶ範囲の波長に対して実質的に透明あってもよい。しかし、スペクトル純度フィルタＳＰＦは、スペクトル純度フィルタＳＰＦが透過するように設計された１つ以上の第１波長に対して実質的に透明な平面部材３２から形成することもできる。これにより、スペクトル純度フィルタＳＰＦが透過するように設計された１つ以上の波長に対して、スペクトル純度フィルタの透過率を増加させることができる。
【００５７】
[00066]  スペクトル純度フィルタＳＰＦ内のアパーチャ３４は、六方パターンに配置されている。この配置は、円形のアパーチャを最密充填させ、ひいてはスペクトル純度フィルタＳＰＦに最高の透過率を与えるため、好ましい。しかし、アパーチャの他の配置もまた可能であり、例えば、正方形状、長方形状または他の周期的もしくは非周期的な配置を使用してもよい。例えば、周期的なアレイの場合、ランダムなパターンを採用することもできる。アパーチャは（いかなる配置の場合も）円形の形状であってもよく、あるいは、例えば、楕円形、六角形、正方形、長方形、または他の好適な形状であってよい。
【００５８】
[00067]  図５は、図４のスペクトル純度フィルタＳＰＦを側面から見た部分断面図を概略的に示す。図５は、さらに、第１波長を有する放射４０（例えば、赤外放射）および第２の、より短い波長を有する放射４２（例えば、ＥＵＶ放射）を示している。放射４０、４２は、放射ビームからの放射（例えば、図１〜３に関連して上述した放射ビーム）を構成する。第１波長を有する放射４０および第２波長を有する放射４２は、スペクトル純度フィルタＳＰＦに入射する。
【００５９】
[00068]  第１波長を有する放射４０および第２波長を有する放射４２がスペクトル純度フィルタＳＰＦのアパーチャ３４に向けて誘導されると、第１波長を有する４０放射はアパーチャ３４により回折され、スペクトル純度フィルタＳＰＦを透過するのを実質的に抑制される。第１波長を有する放射のわずかな割合のみがアパーチャ３４を透過する４４。第２波長を有する放射４２は、スペクトル純度フィルタＳＰＦのアパーチャ３４を容易に通過する。これは、第２波長を有する放射４２がアパーチャ３４によって実質的に回折および抑制されないためである。
【００６０】
[00069]  第１波長を有する放射４０および第２波長を有する放射４２がスペクトル純度フィルタＳＰＦを形成する平面部材３２の中実部に誘導されると、第１波長を有する放射４０は平面部材３２の中実部により反射または吸収され、それによりスペクトル純度フィルタＳＰＦを透過するのを抑制される。これは、平面部材３２が第１波長を有する放射４０に対して透過性を持たないためである。第２波長を有する放射４２は、スペクトル純度フィルタＳＰＦの平面部材３２の中実部を実質的に透過する（４６）。これは、平面部材３２が第１波長を有する放射４０に対して実質的に透過性を持つためである。
【００６１】
[00070]  図５は、第１波長を有する放射４０のわずかな量のみがスペクトル純度フィルタＳＰＦを通過する（４４）一方、対照的に、第２波長を有する放射４２のうちずっと大きい部分がスペクトル純度フィルタを通過することができる（４２、４６）ことを示している。
【００６２】
[00071]  図６は、（本発明の実施形態によるものではない）典型的なスペクトル純度フィルタＳＰＦの側面から見た部分断面図である。図示されたスペクトル純度フィルタＳＰＦは、例えば、図４および５に関連して説明したスペクトル純度フィルタＳＰＦをより詳細に表すものであってよい。
【００６３】
[00072]  スペクトル純度フィルタ７２は、シリコン基礎構造５０から成る。シリコン基礎構造は、上述したように、例えば回折などで所定の波長を有する放射を抑制するように構成された複数のアパーチャ４２を（例えば、先行する処理工程で設けられるなどして）備えている。シリコンは、リソグラフィプロセスなどにおいて容易に加工が可能なため、基礎材料として選択される。（シリコングリッドまたはシリコン格子などと呼ばれ得る）シリコン基礎構造５０には、モリブデンコーティング５４が設けられる。モリブデンコーティング５４は、スペクトル純度フィルタＳＰＦに入射する赤外放射を反射し、それによりスペクトル純度フィルタＳＰＦ全体としての熱負荷および温度を低下させるために設けられる。図面では、モリブデンコーティング５４は、シリコン支持構造５０の単一の面、例えば、入射する放射に対向する面上に位置するものとして示されている。他の実施形態では、モリブデンコーティングは、シリコン基礎構造のより多くの領域または面を覆うこともある。
【００６４】
[00073]  スペクトル純度フィルタＳＰＦの使用中、スペクトル純度フィルタＳＰＦは、反射性のモリブデンコーティング５４が存在しても、長時間の間（例えば、８００℃を超える）高い熱負荷にさらされ得る。このようなスペクトル純度フィルタＳＰＦは、８００℃を超える温度では、寿命が不完全かつ不十分になることが分かっている。これは、反射性のモリブデンコーティング５４とその下のシリコン基礎構造５０との間で反射が起こり、その結果モリブデンコーティング５４の剥離が起こるためである。スペクトル純度フィルタは、しばしば水素の存在下で使用される。これは、例えばリソグラフィ装置内の異なる部分間をデブリが通過するのを抑制したり、スペクトル純度フィルタにデブリが入射するのを防いだりするために、水素がしばしばデブリ抑制物質として使用されるためである。しかし、水素の存在下では、剥離、ひいてはシリコン基礎構造５０の劣化が促進され、スペクトル純度フィルタＳＰＦの寿命がさらに短くなることが分かっている。
【００６５】
[00074]  スペクトル純度フィルタの典型的な使用の間にさらされ得る温度に対して、かつ、例えば水素の存在下で、より回復力のある（resilient）スペクトル純度フィルタを提供することが望ましい。
【００６６】
[00075]  本発明の一実施形態では、上述した潜在的な問題に対する、材料上の解決策を見出した。本発明の一実施形態では、複数のアパーチャが貫通した材料体から成るスペクトル純度フィルタが提供される。典型的な既存のスペクトル純度フィルタと同様に、アパーチャは、第１波長を有する放射を（例えば、回折などにより）抑制し、かつ第２の、より短い波長を有する放射の少なくとも一部分が該アパーチャを透過することができるように配置される。例えば、放射の第１波長は、赤外放射、例えば、９μｍ〜１２μｍ、例えば約９．４μｍまたは約１０．６μｍの波長を有する放射であるか、あるいはそのような放射を含み得る。放射の第２波長は、例えば、電磁スペクトルのＥＵＶ部内の波長を有する放射、例えば５ｎｍ〜２０ｎｍ、例えば１３ｎｍ〜１４ｎｍ、または６ｎｍ〜７ｎｍ、例えば６．６ｎｍ〜６．９ｎｍの範囲の波長を有する放射であってよい。材料体は、モリブデン‐レニウム合金、またはタングステン‐レニウム合金、またはタングステン−モリブデン‐レニウム合金で形成され得る。このような合金は、純モリブデンまたは純タングステンのいずれよりも延性が高く、かつ、より高い再結晶温度を有し、これは、これらの合金から形成されたスペクトル純度フィルタが、上述したような典型的なスペクトル純度フィルタよりも耐久性が高く、より長い寿命を有することを意味する。別の合金として、タングステン−モリブデン合金が挙げられ、この合金でも、金属コーティングされたシリコンベースの公知のスペクトル純度フィルタよりも好適に動作する。さらに、このような合金は、水素と反応することは分かっていないため、このような合金から形成されたスペクトル純度フィルタは、水素濃度の高い雰囲気内で、水素の存在に起因する劣化のリスクがほとんどあるいは全く無く使用することができる。
【００６７】
[00076]  本発明の一実施形態では、複数のアパーチャが貫通した材料体を備えるスペクトル純度フィルタが提供される。前述した本発明の態様と同様に、アパーチャは、第１波長を有する放射を（例えば、回折などにより）抑制し、かつ第２の、より短い波長を有する放射の少なくとも一部分が該アパーチャを透過することができるように配置される。例えば、放射の第１波長は、赤外放射、例えば、９μｍ〜１２μｍ、例えば約９．４μｍまたは約１０．６μｍの波長を有する放射であるか、あるいは該放射を含み得る。放射の第２波長は、例えば、電磁スペクトルのＥＵＶ部内の波長を有する放射、例えば５ｎｍ〜２０ｎｍ、例えば１３ｎｍ〜１４ｎｍ、または６ｎｍ〜７ｎｍ、例えば６．６ｎｍ〜６．９ｎｍの範囲の波長を有する放射であってよい。本発明の本実施形態では、材料体は、モリブデンまたはタングステンから形成される。さらに、材料体は、全体として、スペクトル純度フィルタを形成する材料体の再結晶温度を高めるために複数のナノ粒子をさらに備える。再結晶温度を高めることにより、材料体、ひいては、スペクトル純度フィルタが、全体として、高温での長時間の使用に対してより高い回復力を有するようになる。ここでもやはり、モリブデンまたはタングステンの使用により、材料体、ひいてはスペクトル純度フィルタが水素に対して反応しなくなり、これにより、水素濃度の高い環境内でスペクトル純度フィルタが使用可能になる。
【００６８】
[00077]  上述した本発明の両実施形態では、スペクトル純度フィルタのアパーチャは、第１波長を有する放射を抑制し、かつ、第２の、より短い波長を有する放射の少なくとも一部分が該アパーチャを透過することができるように配置されるものとして説明した。このような配置は、従来技術において公知であり、本発明の主題ではないため、そのような配置の典型例について、本明細書では詳述を省略する。むしろ、本発明は、スペクトル純度フィルタを形成する材料に注目するものであり、いくつかの実施形態を、図７〜１０に関連して以下でさらに詳細に説明する。図７〜１０において、図は特定の縮尺で記載されたものではなく、単に例示を目的として示されている。
【００６９】
[00078]  図７は、本発明の一実施形態に係るスペクトル純度フィルタＳＰＦ１の側面から見た部分断面図を概略的に示す。スペクトル純度フィルタＳＰＦ１は、複数のアパーチャ６２が貫通した材料体６０を備える（あるいは、該材料体６０から形成される）。アパーチャは、ドリル加工などを使用して、あるいは他のあらゆる態様で、設けられ得る。アパーチャ６２は、第１波長を有する放射を（例えば、回折などにより）抑制し、かつ第２の、より短い波長を有する放射の少なくとも一部分が該アパーチャ６２を透過することができるように配置される。材料体６０は、モリブデン‐レニウム合金から形成され得る。別の例では、材料体は、タングステン‐レニウム合金、またはタングステン‐モリブデン‐レニウム合金から形成してもよい。いずれの合金も、純モリブデンまたは純タングステンよりも延性が高く、より高い再結晶温度を有し、典型的な（既存の）シリコンおよびモリブデンベースのスペクトル純度フィルタよりも長時間、より高い温度下で機能することができる。さらに別の例では、材料体は、タングステン‐モリブデン合金から形成してもよく、この合金もまた、典型的な（既存の）シリコンおよびモリブデンベースのスペクトル純度フィルタよりも長時間、より高い温度下で機能することができる。
【００７０】
[00079]  材料体６０がモリブデ‐レニウム合金から形成される場合、合金中のレニウムの含有量は、原子百分率で、約０．１％〜約４９％であってよい。材料体がタングステン‐レニウム合金から形成される場合、合金中のレニウムの含有量は、原子百分率で、約０．１％〜約２７％であってよい。材料体６０がタングステン‐モリブデン‐レニウム合金から形成される場合、合金中のレニウムの含有量は、原子百分率で、約０．１％〜約４９％であってよい。
【００７１】
[00080]  図８は、スペクトル純度フィルタＳＰＦ２の別の実施形態を概略的に示す。モリブデン‐レニウム合金またはタングステン‐レニウム合金またはタングステン‐モリブデン‐レニウム合金またはタングステン‐モリブデン合金により、材料体６０を形成する。スペクトル純度フィルタＳＰＦ２は、第１波長を有する放射の抑制、および第２の、より短い波長を有する放射の透過を目的とした上述したアパーチャ６２を備える。スペクトル純度フィルタＳＰＦ２の本実施形態と、図７のスペクトル純度フィルタとの違いは、スペクトル純度フィルタＳＰＦ２において、材料体６０には、材料体６０全体としての再結晶温度を高め、それによりスペクトル純度フィルタＳＰＦ２の温度回復力を向上させるための複数のナノ粒子６４がさらに設けられていることである。ナノ粒子は、ＡＩ２Ｏ３、ＨｆＯ２、ＺｒＯ２、Ｙ２Ｏ３、ＭｇＯ、Ｌａ２Ｏ３、Ｃｅ２Ｏ３、ＳｒＯ、ＨｆＣのうちの１つ以上を含み得る。ナノ粒子６４は、一実施形態において、１つ以上の層の形態で材料体内６０に分散される。例えば、スペクトル純度フィルタＳＰＦ２の形成時には、ある量の合金の堆積、次いてナノ粒子層の堆積、次いてある量の合金の堆積、というように材料体およびスペクトル純度フィルタが形成されるまで繰り返され得る。層の形態でナノ粒子を提供することは、例えば、材料体全体を通して均一に分散されるような別の分散方法よりも容易に実施することができる。
【００７２】
[00081]  スペクトル純度フィルタの（図示されない）他の実施形態では、実質的に純粋なタングステンまたは純粋なモリブデン、あるいはタングステンとモリブデンとの合金（つまり、レニウムは存在しない）を含む材料体内に、ナノ粒子が（たとえば一つ以上の層の形態で）提供されてもよい。レニウムが存在しないということは、材料体およびスペクトル純度フィルタが全体として、モリブデン‐レニウム合金またはタングステン‐レニウム合金を含むスペクトル純度フィルタほどは延性が高くないことを意味している。しかし、ナノ粒子が存在することによって、スペクトル純度の再結晶温度は高まることになる。再結晶温度を高めることにより、上述したように、材料体、ひいてはスペクトル純度フィルタは、全体として、典型的なシリコンおよびモリブデンベースのスペクトル純度フィルタと比較して、高温下での長時間の使用に対してさらに高い回復力を持つようになる。
【００７３】
[00082]  スペクトル純度フィルタの機能は、例えば赤外放射などの第１波長を有する放射を実質的に抑制し、かつ第２の、より短い波長を有する放射の透過または通過を（アパーチャを通して、またはスペクトル純度フィルタを形成する材料体を通して）可能にすることである。第１波長を有する放射は、アパーチャの開口部にて、またはアパーチャ内で放射を回折すること、および／または該放射をスペクトル純度フィルタ自体から反射させることによって、抑制され得る。純粋なタングステンまたはモリブデンは、例えば、赤外放射（たとえば１０．６μｍの放射）に対して、所定の反射率を有することが知られている。しかし、タングステン‐ニウム合金およびモリブデン‐レニウム合金は、純粋なモリブデンまたはタングステンよりも低い反射率を有することが知られている。高温下で長時間の使用に対して回復力を有するものの、スペクトル純度フィルタが抑制および／または反射するように設計されている放射の反射率の低下（または実質的な低下）に悩まされることのないスペクトル純度フィルタを提供できることが望ましい。図９は、どのように均衡を取ればこれらの望まれる仕様が満たされるかを示している。
【００７４】
[00083]  図９は、本発明の第３実施形態に係るスペクトル純度フィルタＳＰＦ３を概略的に示している。スペクトル純度フィルタＳＰＦ３は、図７に示し、かつ図７を参照して説明したスペクトル純度フィルタに多くの点で類似している。図９に戻ると、スペクトル純度フィルタＳＰＦ３は、複数のアパーチャが貫通した材料体６０から成る。アパーチャ６２は、やはり、第１波長を有する放射を抑制し、かつ第２の、より短い波長を有する放射の少なくとも一部分が該アパーチャを透過することができるように配置される。材料体６０は、モリブデン‐レニウム合金、またはタングステン‐レニウム合金、またはタングステン‐モリブデン‐レニウム合金から形成される。上述したように、これらの合金は、例えば、１０．６μｍの赤外放射に対して、純タングステンまたは純モリブデンよりも反射率が低い。
【００７５】
[00084]  この潜在的な問題を克服するために、材料体６０のうちアパーチャ６２が貫通する一面は、実質的に純粋なモリブデンもしくはタングステン６６から、またはモリブデンおよびタングステンの合金から形成される領域または層から成るか、あるいは該領域または層が設けられる。他の実施形態では、材料体の面上に別個の層が設けられなくてもよい。例えば、材料体は、この一部に合金を含み、そして、材料体の面に近付き、かつこの面を含む領域において、該材料がもはや合金ではなく、純粋なモリブデンもしくはタングステン、あるいはレニウムを含まないモリブデンおよびタングステンの合金になるように、材料体の加工または製造がなされ得るようにして、形成することができる。
【００７６】
[00085]  使用において、実質的に純粋なモリブデンもしくはタングステン、またはそれらの合金の（領域を備える）層が設けられた面は、例えば、放射の第１波長を反射するために、放射の第１波長および／または第２波長を含んだ入射する放射に対向することになる。
【００７７】
[00086]  図９は、例示のみを目的として示されている。例えば、（図示しない）別の実施形態では、このような純モリブデンまたは純タングステンの層または領域は、実質的に純粋なモリブデンもしくはタングステンまたはそれらの合金（つまり、レニウムを含む合金ではない）を含む材料体の面上に設けられるか、または該面から成り、ナノ粒子が追加され得る。（図示しない）別の実施形態では、そのような純粋なモリブデンまたはタングステン（あるいはそれらの合金）の層または領域は、上述したようなナノ粒子が追加されたモリブデン‐レニウム合金、またはナノ粒子が追加されたタングステン‐レニウム合金、またはナノ粒子が追加されたタングステン‐モリブデン‐レニウム合金から形成された材料体の面上に設けられるか、該面を構成し得る。
【００７８】
[00087]  図９に示し、かつ図９に関連して説明した反射層または反射領域は、キャッピング領域またはキャッピング層と呼ばれることがある。
【００７９】
[00088]  図１０は、複数の例示的なスペクトル純度フィルタの反射率（fractional reflectivity）Ｒを、各スペクトル純度フィルタの厚さＴを関数として示すグラフである。反射率は、１０．６μｍで測定される。
【００８０】
[00089]  （実線によって表された）第１シリーズ７０は、タングステン‐レニウム合金を含み、かつ純粋なタングステンの反射層または反射領域を面上に含まない（つまり、キャッピング層を含まない）材料体から形成されるスペクトル純度フィルタの反射率を示す。
【００８１】
[00090]  （破線により示された）第２シリーズ７２は、タングステン‐レニウム合金を含み、かつ、１００ｎｍの厚さの純粋なタングステンの層または領域が面上に追加的に設けられた材料体から形成されたスペクトル純度フィルタの反射率を示す。（第１シリーズ７０に見られるような）純粋なタングステンの反射層が存在しない場合と比較して、反射率が増加していることが見て取れる。
【００８２】
[00091]  傾向を実証するために、（鎖線により示された）第３シリーズ７４は、純タングステンから形成される（つまりレニウムが存在せず、キャッピング層が存在しない）スペクトル純度フィルタを示している。反射率が増加しているのがわかる。しかし、スペクトル純度フィルタが純タングステンから形成される最後の例では、このスペクトル純度フィルタは、本発明のいくつかの実施形態において上述したスペクトル純度フィルタほどは、熱的な回復力が高くない。
【００８３】
[00092]  上述したスペクトル純度フィルタは、多様な用途において使用することができる。たとえば、スペクトル純度フィルタは、図１〜３に関連して上述したようなリソグラフィ装置において使用することができる。これとは別に、またはこれに加えて、スペクトル純度フィルタは、放射源などにおいて使用してもよく、または放射源などの一部を形成してもよい。
【００８４】
[00093]  上述したスペクトル純度フィルタは、材料体から形成されるものとして説明してきた。この材料体は、熱回復力が付加された（例えば、追加の層または他の部材が無い）単一の連続した材料片であり得る。材料体は、実質的に平面状であり得るが、例えば湾曲した形状など別の形状を有してもよい。
【００８５】
[00094]  誤解を避けるために、スペクトル純度フィルタは、語尾に「グリッド」または「格子」と付けられることがある（つまり、スペクトル純度フィルタ格子またはスペクトル純度フィルタグリッドと呼ばれることがある）。これとは別に、またはこれに加えて、スペクトル純度フィルタは、グリッドフィルタまたは格子フィルタと呼ばれることもある。
【００８６】
[00095]  本明細書において、ＩＣ製造におけるリソグラフィ装置の使用について具体的な言及がなされているが、本明細書記載のリソグラフィ装置が、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンスパターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド等の製造といった他の用途を有し得ることが理解されるべきである。当業者にとっては当然のことであるが、そのような別の用途においては、本明細書で使用される「ウェーハ」または「ダイ」という用語はすべて、それぞれより一般的な「基板」または「ターゲット部分」という用語と同義であるとみなしてよい。本明細書に記載した基板は、露光の前後を問わず、例えば、トラック（通常、基板にレジスト層を塗布し、かつ露光されたレジストを現像するツール）、メトロロジーツール、および／またはインスペクションツールで処理されてもよい。適用可能な場合には、本明細書中の開示内容を上記のような基板プロセシングツールおよびその他の基板プロセシングツールに適用してもよい。さらに基板は、例えば、多層ＩＣを作るために複数回処理されてもよいので、本明細書で使用される基板という用語は、すでに多重処理層を包含している基板を表すものとしてもよい。
【００８７】
[00096]  「レンズ」という用語は、文脈によっては、屈折、反射、磁気、電磁気、および静電型光コンポーネントを含む様々な種類の光コンポーネントのいずれか１つまたはこれらの組合せを指すことができる
【００８８】
[00097]  以上、本発明の具体的な実施形態を説明してきたが、本発明は、上述以外の態様で実施できることが明らかである。上記の説明は、制限ではなく例示を意図したものである。したがって、当業者には明らかなように、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本記載の発明に変更を加えてもよい。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【国際調査報告】
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