(57)【要約】【課題】本発明は、プラズマ処理装置が開示される。【解決手段】プラズマ処理装置１は、反応チャンバ１００と、反応チャンバ１００の内部に配置され、プラズマ発生のための電源が印加される上部電極２００と、上部電極２００に結合され、上部電極２００の形状を調整する複数の調整部４００と、反応チャンバ１００の内部に配置され、基板１０が搭載支持される下部電極３００とを備える。プラズマ処理装置１は、高周波を印加する上部電極２００の形状を作業者が所望通りに調整することができるため、反応チャンバ１００内の各部位ごとにプラズマを均一に発生させることができる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
反応チャンバと、
前記反応チャンバの内部に配置され、プラズマ発生のための電力が印加される上部電極と、
前記上部電極に結合して設けられ、前記上部電極の形状を調整する複数の調整部と、
前記反応チャンバの内部に配置され、基板が搭載支持される下部電極とを備えることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】
前記複数の調整部は、その一側が前記上部電極に結合し、他側が前記反応チャンバの外側に位置するように、前記反応チャンバの上面部を貫通した状態で配置されることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項３】
前記反応チャンバの上面部に、前記複数の調整部がそれぞれ貫通する複数の貫通ホールが形成されており、
前記調整部および前記貫通ホールの内周面に、互いに噛み合うスクリュー加工が施されていることを特徴とする請求項２に記載のプラズマ処理装置。
【請求項４】
前記複数の調整部は、前記貫通ホールに挿入され、前記調整部を回転させることにより上方または下方移動し、
前記上部電極は、前記調整部の回転に対しては独立的であり、前記調整部の上方または下方への移動に応じて前記上部電極の形状を調整することを特徴とする請求項３に記載のプラズマ処理装置。
【請求項５】
前記複数の調整部の外周面を囲むように配置され、前記反応チャンバを密封する複数のガスシール手段をさらに備えることを特徴とする請求項２に記載のプラズマ処理装置。
【請求項６】
前記複数の調整部は、互いに独立して、前記上部電極の調整動作を行うことを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項７】
前記複数の調整部は、互いに一定の間隔を隔てて前記上部電極に結合されたことを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項８】
前記複数の調整部により、前記上部電極を、屈曲した形状に変形させるようにしたことを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項９】
前記複数の調整部により、前記上部電極を、中央部が最も高い凸面の形状に変形させるようにしたことを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１０】
前記上部電極に印加される電力の周波数及び前記上部電極の大きさのうちの選択された少なくとも１つに応じて、前記複数の調整部によって前記上部電極の形状を調整するようにしたことを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１１】
前記上部電極に印加される電源の周波数が３０ＭＨｚ〜３００ＭＨｚであることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマ処理装置に関し、より詳細には、高周波を印加する上部電極の形状を調整することにより、プラズマが反応チャンバ内の各部位ごとに均一に発生するようにしたプラズマ処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
高周波プラズマ処理装置は、太陽電池、薄膜トランジスタなどに使用される非晶質シリコン層、微結晶シリコン層、多結晶シリコン層、窒化シリコン層などのような半導体層または絶縁層の製造やエッチング時に用いられる。
【０００３】
高密度プラズマで半導体層または絶縁層を製造したりエッチングする場合、従来では、実用電源周波数である１３．５６ＭＨｚの無線周波数（ＲＦ）が用いられていたが、最近では、半導体層の成長速度、半導体層の特性、または半導体層のエッチング速度などを向上させるために、３０ＭＨｚ以上の超高周波（ＶＨＦ）が用いられることが一般的である。
【０００４】
一般的に、３０ＭＨｚ以上の超高周波を用いることは、大して問題にならない。しかし、大面積の基板の場合は、電極の大きさも基板の大きさに対応して大きくなるため、電極から定在波（standing wave）が発生し得る。詳細に説明すると、電極の大きさが大きくなり、電極の大きさが超高周波波長の長さの半分に似た場合は、ある一時点で波形が左右に進行せずに停止されている定在波が電極から発生し得る。
【０００５】
このような定在波により、不均一な形態のプラズマが反応チャンバの内部に発生することがある。例えば、定在波により、相対的に電極の端部に比べて、電極の中央部付近で発生するプラズマの密度が高くなり得る。プラズマの不均一な発生は、結果的に、半導体層の不均一な成長などをもたらすため、これを改善できる新たな技術が要求されている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
そこで、本発明は、上述した従来技術の問題を解決するためになされたものであって、高周波が印加される上部電極の形状を調整することにより、反応チャンバ内の各部位ごとにプラズマを均一に発生させることができるプラズマ処理装置を提供することを目的とする。
【０００７】
また、本発明は、反応チャンバの内部に特殊な形状の上部電極を配置するために、上部電極を再度設けるか、分離型上部電極を使用しなければならないという煩わしさを低減することができるプラズマ処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記の目的を達成するために、本発明の一実施形態にかかるプラズマ装置は、反応チャンバと、前記反応チャンバの内部に配置され、プラズマ発生のための電源が印加される上部電極と、前記上部電極に接続され、前記上部電極の形状を調整する複数の調整部と、前記反応チャンバの内部に配置され、基板が搭載支持される下部電極とを備えることを特徴とする。
【０００９】
前記複数の調整部は、一側が前記上部電極に接続され、他側は前記反応チャンバの外側に位置し、前記反応チャンバの上面を貫通した状態で配置される。
【００１０】
前記反応チャンバの上面には、前記複数の調整部がそれぞれ貫通する複数の貫通ホールが形成され、前記調整部および前記貫通ホールの内周面には、相互噛み合うスクリュー加工が施される。
【００１１】
前記複数の調整部は、前記貫通ホールに挿入されて回転するに伴って上方または下方移動し、前記上部電極は、前記調整部の回転に対しては独立的で、前記調整部の上方または下方移動に対しては従属することにより、前記上部電極の形状を調整する。
【００１２】
前記プラズマ処理装置は、前記複数の調整部の外周面を囲みながら、前記反応チャンバを密封させるための複数のガスシール手段をさらに備える。
【００１３】
前記複数の調整部は、独立して調整動作を行う。
【００１４】
前記複数の調整部は、互いに一定の間隔を有して前記上部電極に接続される。
【００１５】
前記複数の調整部により、前記上部電極は、屈曲した形状を有する。
【００１６】
前記複数の調整部により、前記上部電極は、中央が最も高い凸面の形状を有する。
【００１７】
前記複数の調整部は、前記上部電極に印加される電源の周波数または前記上部電極の大きさの中で選択された少なくとも１つに対応して、前記上部電極の形状を調整する。
【００１８】
前記上部電極に印加される電源の周波数は、３０ＭＨｚ〜３００ＭＨｚである。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、高周波が印加される上部電極の形状を調整することができるため、反応チャンバ内の各部位ごとにプラズマを均一に発生させることができる。
【００２０】
また、本発明によれば、反応チャンバの内部に特殊な形状の上部電極を配置するために、上部電極を再度設けるか、分離型上部電極を用いる必要がないため、煩わしさを低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明の一実施形態にかかるプラズマ処理装置の構成を示す図である。
【図２】本発明の一実施形態にかかる、上部電極と複数の調整部とが互いに接続された様子を示す図である。
【図３】本発明の一実施形態にかかる、上部電極が中央が最も高い凸面の形状を有するように調整された様子を示す図である。
【図４】本発明の他の実施形態にかかる、上部電極が屈曲した形状を有するように調整された様子を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
後述する本発明に関する詳細な説明は、本発明が実施可能な特定の実施形態を例示として示す添付図面を参照する。これらの実施形態は、当業者が本発明を実施できるように十分に詳細に説明される。本発明の多様な実施形態は互いに異なるが、相互排他的である必要はないことが理解されなければならない。例えば、ここに記載されている特定の形状、特定の構造、および特性は、実施形態に関連して本発明の精神および範囲を逸脱しない範囲内で他の実施形態で実現可能である。また、各々の開示された実施形態における個別構成要素の位置または配置は、本発明の精神および範囲を逸脱しない範囲内で変更可能であることが理解されなければならない。したがって、後述する詳細な説明は、限定的な意味として受け止めるものではなく、本発明の範囲は、適切に説明された場合、その請求項が主張するのと均等なすべての範囲とともに添付した請求項によってのみ限定される。図面において、類似の参照符号は、様々な側面にわたって同一または類似の機能を指し示し、長さ、面積、厚さ、および形態は、便宜上、誇張して表現されることもある。
【００２３】
以下では、本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者が本発明を容易に実施できるようにするために、本発明の好ましい実施形態について、添付した図面を参照して詳細に説明する。
【００２４】
図１は、本発明の一実施形態にかかるプラズマ処理装置の構成を示す図である。
【００２５】
まず、本発明のプラズマ処理装置１では、全般的な半導体工程分野においてプラズマを用いるすべての工程を行うことができる。したがって、以下において、基板１０をプラズマ処理するとは、基板１０上に半導体層を形成することに限らず、基板１０上に形成された半導体の表面を改質すること、または基板１０上に形成された半導体層をエッチングすることなどをすべて含む意味として解釈できることを明らかにする。
【００２６】
図１を参照すると、本発明の一実施形態にかかるプラズマ処理装置１は、反応チャンバ１００を備える。反応チャンバ１００は、工程が行われている間に実質的に内部空間が密閉されるように構成され、基板１０上にプラズマ処理を行うための空間を提供する機能を果たすことができる。このような反応チャンバ１００は、最適な工程条件を維持するように構成され、形状は四角形または円形の形状に製造可能である。反応チャンバ１００の材質は、ステンレススチール、アルミニウムなどであり得るが、必ずしもこれに限定されない。
【００２７】
図１をさらに参照すると、反応チャンバ１００の上面部には、後述する複数の調整部４００が貫通するための複数の貫通ホール１１０が形成されている。調整部４００が上方または下方移動するために、各貫通ホール１１０の内周面はスクリュー加工できるが、これについては後述する。
【００２８】
一方、図１に示されていないが、反応チャンバ１００の一側には、反応チャンバ１００に基板１０を搬入および搬出するために、上下方向に開閉されるドア（図示せず）が設置可能である。前記ドアが開放された状態で、トランスファアームのような基板１０搬入装置（図示せず）を用いて基板１０を反応チャンバ１００に搬入および搬出することができる。
【００２９】
次に、図１をさらに参照すると、本発明の一実施形態にかかるプラズマ処理装置１は、上部電極２００を備えて構成可能である。上部電極２００は、外部から高周波電源を受けてプラズマを発生させる機能を果たすことができる。このとき、後述するように、複数の調整部４００により、上部電極２００の形状は多様に調整可能である。このような意味で、上部電極２００は、一定の強度および弾性を有する純金属または金属合金からなることが好ましいが、必ずしもこれに限定されるものではない。
【００３０】
本発明の上部電極２００としては、プラズマを発生させる原理による多様な形態のプラズマ電極が採用可能である。例えば、本発明の上部電極２００としては、ＩＣＰ（Inductively Coupled Plasma）型のプラズマ電極、ＥＣＲ（Electron Cyclotron Resonance）型のプラズマ電極、ＳＷＰ（Surface Wave Plasma）型のプラズマ電極などが採用可能である。ただし、本発明の上部電極２００は、容量接続方式でプラズマを発生させる平板状の電極であることが好ましい。
【００３１】
また、図１には、上部電極２００が概略的に示されているが、プラズマ工程分野において一般的に上部電極２００に採用される構成要素が本発明の上部電極２００にも採用可能である。例えば、上部電極２００に一般的に採用される誘電体（図示せず）またはシャワーヘッド方式で反応ガスを噴射させるための複数のホール（図示せず）などが本発明の上部電極２００にさらに採用可能である。
【００３２】
次に、図１をさらに参照すると、本発明の一実施形態にかかるプラズマ処理装置１は、下部電極３００を備えて構成可能である。下部電極３００は、上部電極２００とともにプラズマを発生させる機能を果たすことができる。このため、図１に示すように、下部電極３００は、上部電極２００に対向する形態で反応チャンバ１００の内部に配置可能である。下部電極３００は、接地線を介して外部に接地できる。
【００３３】
図１をさらに参照すると、下部電極３００上にプラズマ処理のための基板１０が搭載支持される。このように、下部電極３００は、プラズマを発生させる機能のほか、基板１０が載置される支持台の機能を果たすことができる。このため、必ずしもそうではないが、下部電極３００は、平板状に構成可能である。
【００３４】
一方、本発明の上部電極２００に印加される電源の周波数は、特に限定されないが、超短波（ＶＨＦ：Very High Frequency）帯域の周波数、すなわち、３０ＭＨｚ〜３００ＭＨｚ範囲の周波数が印加されることが好ましい。このように超短波帯域の周波数を用いる場合、プラズマ工程の速度を顕著に向上させることができるため、プラズマ工程の生産性を向上させることができる。プラズマ工程における速度の向上は、基板１０上に形成される半導体層の成長速度の向上や、半導体層のエッチング速度の向上などを達成することができる。
【００３５】
しかし、超短波帯域の周波数は、波長の長さが相対的に短い。このような波長の短さは、上部電極２００の大きさが小さい場合は、大して問題にならないが、基板１０が大面積化されるに伴い、上部電極２００の大きさも大きく構成される場合は、均一なプラズマの発生を阻害するという問題がある。これは、印加される電源周波数の波長は短くなり、上部電極２００は長くなることによって発生する定在波（standing wave）現象のためである。プラズマの均一な発生は、定在波現象によって阻害されることがあるが、例えば、上部電極２００の端部に比べて、相対的に上部電極２００の中央部付近で発生するプラズマの密度が高くなり得る。
【００３６】
このような問題を解決するために、本発明のプラズマ処理装置１は、上部電極２００の形状を調整する複数の調整部４００を備えて構成されることを特徴とする。以下では、このような複数の調整部４００について詳細に説明する。
【００３７】
複数の調整部４００は、その下側が上部電極２００に結合され、上側は反応チャンバ１００の上面部の外側に位置する。すなわち、調整部４００は、反応チャンバ１００の上面部を貫通しており、上部電極２００の形状を調整する機能を果たすことができる。複数の調整部４００がどのような構成原理によって上部電極２００の形状を調整するかは、特に限定されない。ただし、複数の調整部４００は、上部電極２００の上面に結合されて垂直に上方または下方移動することにより、上部電極２００の形状を調整することが好ましい。例えば、上部電極２００の中央部に結合された調整部４００は固定された状態であり、周囲の他の調整部４００が垂直に下方移動することにより、上部電極２００が中央部が最も高い凸面の形状を有するように調整可能である。
【００３８】
このように、各調整部４００の下方への移動の程度が各調整部４００に結合された上部電極２００の位置を決定するという点を考慮すると、複数の調整部４００は、互いに独立して上方または下方移動することが好ましい。
【００３９】
具体的に説明すると、上部電極２００の中央部に結合された調整部４００が固定された状態であり、上部電極２００の端部に結合された調整部４００が周囲の他の調整部４００より多く下方移動すると、上部電極２００の中央部が最も高い位置を有することになる。そのため、任意の調整部４００が上方または下方移動することと、任意の調整部４００に隣接する調整部４００が上方または下方移動することとは、互いに関係ないことが好ましい。このような構成により、上部電極２００がより多様な形状を有するように調整することができる。
【００４０】
また、複数の調整部４００は、互いに一定の間隔を有して上部電極２００に結合されることが好ましい。
【００４１】
図２には、上部電極と複数の調整部とが互いに結合された様子を示している。
【００４２】
図２を参照すると、上部電極２００に複数の調整部４００が縦横に一定の間隔を有して結合されている様子を確認することができる。このような構成により、より効率的に上部電極２００の形状を調整することができる。一方、図２では、本発明の調整部４００が１５個であるとして示されているが、必ずしもこれに限定されるものではなく、本発明の利用目的に応じて多様な個数で構成可能である。
【００４３】
従来では、特殊な形状の上部電極２００を配置するために、既存の上部電極２００を分離し、上部電極２００を再配置しなければならないという問題があった。これを解決するために、互いに分離可能な複数の電極を用いて多様な形態で電極を組み立てることにより、特殊な形状の上部電極２００を配置する技術が紹介されたりもした。しかし、このような従来の技術によれば、各電極に電力供給のための別の構成が追加で設けられなければならないため、設置費用が多くかかり、上部電極２００の構造が複雑になるという限界があった。このような従来の技術とは異なり、本発明では、複数の調整部４００を独立して上方または下方移動させることにより、上部電極２００の形状を調整するため、上部電極２００の形状をより容易に変形させることができるという利点がある。
【００４４】
本発明の複数の調整部４００は、前述したように、上部電極２００の上面に結合された状態で上方または下方移動することができる。このため、公知の様々な垂直移動原理が本発明の調整部４００に採用できるが、好ましくは、次のような構成が採用可能である。
【００４５】
まず、図１をさらに参照すると、複数の調整部４００は、具体的には、上部電極２００の上面に結合され、反応チャンバ１００の上面部を貫通して配置可能である。このため、前述したように、反応チャンバ１００の上面部には、複数の調整部４００が貫通する複数の貫通ホール１１０が形成可能である。このとき、貫通ホール１１０の内径は、調整部４００の外径と実質的に一致することが好ましい。
【００４６】
また、上部電極２００が一定の形状を有するようにするためには、調整部４００が上方または下方移動し、このように移動した場所に固定されている必要がある。このような点を考慮すると、貫通ホール１１０と調整部４００には、スクリュー原理が採用可能である。つまり、貫通ホール１１０の内周面はスクリュー加工されていてよく、これと接触する調整部４００の外周面もスクリュー加工されていてよい。このような構成により、複数の調整部４００は、複数の貫通ホール１１０の内周面と接触した状態で回転することにより、固定して上方または下方移動することができる。
【００４７】
一方、調整部４００が回転するとき、上部電極２００は回転しないように構成されることが好ましい。したがって、調整部４００の上下方向の直線運動力は上部電極２００に伝達され、調整部４００の回転力は上部電極２００に伝達されないように構成されることが好ましい。
【００４８】
また、図１に示すように、各貫通ホール１１０の上部には、貫通ホール１１０と調整部４００との間に発生し得る隙間を密閉させて、反応チャンバ１００内へのガスの流入を防止するガスシール手段１２０がさらに配置可能である。このようなガスシール手段１２０としては、複数のＯリング（図示せず）および管状のカラー（collar）（図示せず）が採用可能である。カラーの内周面は、貫通ホール１１０と類似して調整部４００が貫通できるようにスクリュー加工されていてよい。
【００４９】
前述したように、複数の調整部４００は、上部電極２００が多様な形状を有するように調整することができる。このとき、上部電極２００の形状の調整は、プラズマの均一な発生を誘導する方向に行われることが好ましい。つまり、反応チャンバ１００内の局所的な位置にプラズマが偏って発生せず、反応チャンバ１００内の全位置においてプラズマが均一に発生できるように上部電極２００の形状を調整することが好ましい。
【００５０】
定在波現象は、不均一なプラズマが発生する主な理由の１つである。したがって、均一なプラズマ発生のための最善の方法の１つは、定在波現象を最小化する方向で上部電極２００の形状を調整することである。定在波現象が、上部電極２００に印加される電源の周波数波長が短くなり、これと同時に、上部電極２００の大きさが大きくなることによって発生するという点を考慮すると、定在波現象を最小化するためには、上部電極２００に印加される電源の周波数または上部電極２００の大きさを考慮して上部電極２００の形状を調整することが好ましい。
【００５１】
例えば、上部電極２００の大きさが上部電極２００に印加される周波数の波長長さの半分である場合を想定する。この場合、上部電極２００の中央部付近で最も高い密度のプラズマが発生し、上部電極２００の端部にいくほど次第に低密度のプラズマが発生し得る。このような問題を改善するために、複数の調整部４００により、上部電極２００は、中央部が最も高い凸面の形状を有するように調整可能である。すると、上部電極２００の中央部と下部電極３００との間の距離が最も遠くなるので、上部電極２００の中央部では相対的に低密度のプラズマが発生する。これにより、上部電極２００と下部電極３００との間には均一なプラズマが発生する。すなわち、反応チャンバ１００の内部には、各部位ごとに均一なプラズマが発生することになる。
【００５２】
図３は、本発明の一実施形態にかかる、上部電極の中央部が最も高い凸面の形状を有するように調整された様子を示す図である。
【００５３】
図３を参照すると、上部電極２００の中央部が最も高い凸面の形状を有するようにするために、上部電極２００の中央部の調整部４１０は固定された状態で、上部電極２００の中央部と端部との間に位置する調整部４２０を所定分下方移動させ、上部電極２００の端部の調整部４３０を最も低く下方移動させることができる。ここで、調整部４２０を所定分下方移動させるとは、最も低く下方移動した調整部４３０より少なく下方移動させることを意味する。
【００５４】
一方、上部電極２００の形状がこのように調整された状態で、上部電極２００を他の新たな形状に変更しようとすることができる。この場合は、下方移動させていた上部電極２００の中央部と端部との間に位置する調整部４２０および上部電極２００の端部の調整部４３０を再び上方移動させる。すると、上部電極２００の弾性によって上部電極２００が平板の形状を有するようにし、この状態で新たに上部電極２００の形状の調整を行うことができる。
【００５５】
また、非常に高い周波数が上部電極２００に印加され、上部電極２００の大きさが周波数の波長長さの半分以下になる場合を想定する。この場合は、上部電極２００の中央部付近で最も高い密度のプラズマが発生することになるが、端部にいくほど次第に低密度のプラズマが発生し、所定の位置以降には再びプラズマの発生密度が高くなり、上部電極２００の中央部と端部との間の位置において最も低い密度のプラズマが発生することができる。したがって、この場合は、複数の調整部４００により、上部電極２００の形状が屈曲した形状を有するように調整することができる。
【００５６】
図４は、本発明の一実施形態にかかる、上部電極が屈曲した形状を有するように調整された様子を示す図である。
【００５７】
図４を参照すると、上部電極２００は、中央部が最も高いものの、端部にいくほど高さが次第に低くなり、所定の位置以降には再び高さが高くなり、中央部と端部との間の位置が最も低い形状を有するように調整可能である。図４をさらに参照すると、上部電極２００がこのような形状を有するようにするために、上部電極２００の中央部の調整部４１０が固定された状態で、上部電極２００の中央部と端部との間に位置する調整部４２０を最も低く下方移動させ、上部電極２００の端部の調整部４３０を所定分下方移動させることができる。ここで、調整部４３０を所定分下方移動させるとは、最も低く下方移動した調整部４２０より少なく下方移動させることを意味する。
【００５８】
上記では、上部電極２００の形状が調整される２つの例示的な形態について説明したが、上部電極２００に印加される電源の周波数または上部電極２００の大きさに応じてより多様な形態で上部電極２００が調整できることは自明である。
【００５９】
一方、上部電極２００の形状の調整は手動的に行うことができるが、好ましくは、外部演算装置によって自動的に行うことができる。ここで、外部演算装置は、マイクロプロセッサを搭載し、情報処理能力を備えた機器であり得る。外部演算装置は、上部電極２００に印加される電源の周波数または上部電極２００の大きさを考慮した最適な上部電極２００の形状を導き出し、自動的に上部電極２００の形状を調整することができる。
【００６０】
また、図１に示されていないが、本発明のプラズマ処理装置１には、一般的に、プラズマ処理装置１に採用される構成要素、例えば、工程ガス供給部、補助ガス供給部などがさらに採用可能である。ただし、このような構成要素は、本発明の属する技術分野における公知の構成要素に該当するため、これに関する詳細な説明は省略する。
【００６１】
本発明は、上述したように好ましい実施形態を挙げて図示および説明したが、上記の実施形態に限定されず、本発明の精神を逸脱しない範囲内で当該発明の属する技術分野における通常の知識を有する者によって多様な変形および変更が可能である。そのような変形例および変更例は、本発明と添付した特許請求の範囲の範囲内に属するとみなさなければならない。
【符号の説明】
【００６２】
１００：反応チャンバ
１１０：貫通ホール
１２０：ガスシール手段
２００：上部電極
３００：下部電極
４００：調整部
【図１】
2013528934.tif 000003
【図２】
2013528934.tif 000004
【図３】
2013528934.tif 000005
【図４】
2013528934.tif 000006
【国際調査報告】
2013528934.tif 000007
2013528934.tif 000008
2013528934.tif 000009
2013528934.tif 000010
2013528934.tif 000011
2013528934.tif 000012