(57)【要約】  光電子デバイス配列が、それぞれは光電子デバイスを囲み、少なくとも１列に位置決めされている複数のパッケージを含む。各パッケージは、少なくとも１つの隣接するパッケージに重なり、密封可能である。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１列に位置決めされ、それぞれが光電子デバイスを囲んだ複数のパッケージを含む配列であって、
各パッケージが、少なくとも１つの隣接パッケージに重なる、
配列。
【請求項２】
各パッケージが、電気活性エリアを画定するエッジシールゾーンを含み、
前記エッジシールゾーンの少なくとも一部分が透明であり、
各列における第１のパッケージの前記電気活性エリアには、隣接するパッケージの前記エッジシールゾーンの前記透明部分が重なり、
各列における前記第１のパッケージ以外の各パッケージの前記エッジシールゾーンの前記透明部分が、隣接するパッケージの前記電気活性エリアに重なる、
請求項１記載の配列。
【請求項３】
前記複数のパッケージのそれぞれが、単一のピクセルを含む、請求項１記載の配列。
【請求項４】
前記複数のパッケージが、連続する光放出エリアを形成するように構成されている、請求項２記載の配列。
【請求項５】
各パッケージの前記エッジシールゾーンの一部分が不透明であり、前記列における各パッケージの前記電気活性エリアが、隣接するパッケージの前記エッジシールゾーンの前記不透明部分に重なる、請求項２記載の配列。
【請求項６】
各パッケージの前記エッジシールゾーンの前記不透明部分のエッジが、線状に位置合わせされている、請求項５記載の配列。
【請求項７】
前記エッジが、線状バスに沿って配置され、それに接続されるように構成されている、請求項６記載の配列。
【請求項８】
各パッケージの前記エッジシールゾーンの前記不透明部分のエッジが、平行に位置合わせされている、請求項５記載の配列。
【請求項９】
前記複数のパッケージが、少なくとも２列に配列され、
第１の列における各パッケージの前記エッジシールゾーンの前記透明部分が、前記第１の隣接するパッケージの前記電気活性エリアと、第２の列における隣接するパッケージの前記電気活性エリアとに重なる、請求項２記載の配列。
【請求項１０】
前記第１の列における各パッケージの前記電気活性エリアが、前記第２の列における隣接するパッケージの前記エッジシールゾーンの前記不透明部分に重なる、請求項９記載の配列。
【請求項１１】
前記エッジシールゾーンの前記不透明部分が、前記光電子デバイスのアノードおよびカソードを複数の端子を介して外部電源に接続するように構成されている導電性層を含む、請求項５記載の配列。
【請求項１２】
前記カソードおよび前記アノードが、前記エッジシールゾーンの不透明部分を通って延びる、請求項１１記載の配列。
【請求項１３】
前記導電性層が、前記アノード上に直接配置されている、請求項１１記載の配列。
【請求項１４】
前記エッジシールゾーンの前記不透明部分における前記アノードと前記導電性層との間に配置され、前記アノードを前記カソードから電気的に絶縁するように構成されている電気的絶縁層をさらに含む、請求項１１記載の配列。
【請求項１５】
各光電子デバイスがＯＬＥＤである、請求項１記載の配列。
【請求項１６】
連続する点灯エリアを形成し、それぞれが光電子デバイスを囲み、少なくとも２列に配列された複数のパッケージを含むＯＬＥＤ照明配列であって、
各パッケージが、電気活性エリアを画定し、透明部分と不透明部分とを有するエッジシールゾーンを含み、前記不透明部分が、前記光電子デバイスを複数の端子を介して外部電源に接続するように構成されている導電性層を含み、
第１の列における各パッケージの前記エッジシールゾーンの前記透明部分が、前記第１の列における隣接するパッケージの前記電気活性エリアと、第２の列における隣接するパッケージの前記電気活性エリアとに重なり、
前記第１の列における各パッケージの前記電気活性エリアが、前記第２の列における隣接するパッケージの前記エッジシールゾーンの前記不透明部分に重なり、
各パッケージの不透明エッジが、線状バスバーに沿って位置合わせされている、
ＯＬＥＤ照明配列。
【請求項１７】
電気活性エリアを画定するエッジシールゾーンと、
透明である前記エッジシールゾーンの少なくとも一部分、および不透明である前記エッジシールゾーンの一部分と
を含むパッケージ済み光電子デバイスであって、
前記エッジシールゾーンの前記不透明部分が、前記光電子デバイスのアノードおよびカソードを複数の端子を介して外部電源に接続するように構成されている導電性層を含む、
パッケージ済み光電子デバイス。
【請求項１８】
前記カソードおよび前記アノードが、前記エッジシールゾーンの不透明部分を通って延びる、請求項１７記載のパッケージ済み光電子デバイス。
【請求項１９】
前記導電性層が、前記アノード上に直接配置される、請求項１７記載のパッケージ済み光電子デバイス。
【請求項２０】
前記エッジシールゾーンの前記不透明部分における前記アノードと前記導電性層との間に配置され、前記アノードを前記カソードから電気的に絶縁するように構成されている電気的絶縁層をさらに含む、請求項１７記載のパッケージ済み光電子デバイス。
【請求項２１】
前記カソードおよび前記アノードが、前記エッジシールゾーンの不透明部分を通って延び、
前記導電性層が、前記アノード上に直接配置され、
電気的絶縁層が、前記エッジシールゾーンの前記不透明部分における前記アノードと前記導電性層との間に配置され、前記アノードを前記カソードから電気的に絶縁するように構成されている、
請求項１７記載のパッケージ済み光電子デバイス。
【請求項２２】
透明な導電性酸化物を含むパターニングされていない電極を有する、光電子デバイス。
【請求項２３】
前記透明な導電性酸化物が、インジウムスズ酸化物である、請求項２２記載の光電子デバイス。
【請求項２４】
前記パターニングされていない電極上に直接配置され、前記パターニングされていない電極および電源と電気的に連通しているように構成されている金属化層をさらに含む、請求項２２記載の光電子デバイス。
【発明の詳細な説明】
【背景技術】
【０００１】
光電子デバイスは一般に、発光デバイスおよび光起電デバイスを含む。一般にこれらのデバイスは、前面電極および背面電極と呼ばれることがあり、通常、そのうちの少なくとも１つが透明な２つの電極間に挟まれた活性層を含む。活性層は通常、１つまたは複数の半導体材料を含む。発光デバイス、例えば有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）デバイスでは、２つの電極間に印加された電圧により、電流が活性層を通って流れる。その電流により、活性層は光を放出する。光起電デバイス、例えば太陽電池では、活性層は、光からエネルギーを吸収し、それを電気エネルギーに変換し、その電気エネルギーは２つの電極間に何らかの特徴的な電圧で電流の流れをもたらす。
【０００２】
光は、ＯＬＥＤデバイスの電極のうちの少なくとも１つを通して透過される。適切な透明電極の設計には、面内電気伝導がもたらされること（より厚い層の材料が有利である）、およびその厚さを通して光透過がもたらされること（より薄い層が有利である）が必要である。電極設計におけるこれらの相反する制約を解決するために、個々の光放出領域（ピクセル）の大きさを制限すること、したがって、電極の面内を横方向に流れている電流の量を制限することが好ましい。電流が低い場合、電極における抵抗損失は低く、その結果得られるデバイスは効率的である。あるケースでは、ピクセルは、その周囲を画定する未点灯ラインによって画定され、電流は、これらの領域にバスで運ばれる。別のケースでは、ピクセルは、その周囲を画定する点によって画定可能であり、電流は、これらの点における電極（複数可）にバスで運ばれる。いずれのケースでも、未点灯領域により、普通なら均一に見えるＯＬＥＤが妨げられる。電流の流れの方向におけるピクセルの通常の最大寸法は、過度な損失前では約１ｃｍであり、結果的に均一に見えないことになる。この問題を解決する手法には、未点灯領域を非常に小さくすること（製造プロセスの複雑さを高める）、またはそれらの領域を拡散薄膜を用いて覆うこと（効率性を低下させ、費用を増大させる）が含まれる。したがって、未点灯領域の発現を少なくすることが望ましく、その結果、大きい途切れることのないエリアの光が生成可能である。より一般的には、個々のピクセルから大きい配列の点灯エリアを構成しながら、設計の柔軟性をもたらすことが望ましい。したがって、任意の規則配列パターンまたは不規則配列パターンでピクセルを構成し、互いに異なる大きさ、形状、カラーおよび輝度、ならびに間隔のピクセルを導入し、またその配列における個々のピクセルを置き換えることができることも望ましい。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００４−２５１９８１号公報
【発明の概要】
【０００４】
簡潔には、一態様では、本発明は、少なくとも１列に位置決めされ、それぞれが光電子デバイスを囲んだ複数のパッケージを含む配列に関し、それぞれのパッケージは、少なくとも１つの隣接するパッケージに重なる。各パッケージは、電気活性エリアを画定するエッジシールゾーンを含むことが可能であり、エッジシールゾーンの少なくとも一部分は透明であり、各列における第１のパッケージの電気活性エリアには、隣接するパッケージのエッジシールゾーンの透明部分が重なり、各列における第１のパッケージ以外の各パッケージのエッジシールゾーンの透明部分は、隣接するパッケージの電気活性エリアに重なり、適宜、複数のパッケージ済み光電子デバイスが、連続する光放出エリアを形成するように構成される。いくつかの実施形態では、各パッケージのエッジシールゾーンの一部分は不透明であり、列における各パッケージの電気活性エリアは、隣接するパッケージのエッジシールゾーンの不透明部分に重なる。パッケージは、密封可能である。
【０００５】
別の態様では、本発明は、電気活性エリアを画定するエッジシールゾーンを含む光電子デバイスを囲んだパッケージに関する。エッジシールゾーンの少なくとも一部分は透明であり、エッジシールゾーンの一部分は不透明であり、エッジシールゾーンの不透明部分は、光電子デバイスのアノードとカソードとを外部電源に複数の端子を介して接続するように構成されている導電性層を含む。適宜、電気的絶縁層が、エッジシールゾーンの不透明部分のアノードと導電性層との間に配置され、アノードをカソードから電気的に絶縁するように構成されている。いくつかの実施形態では、カソードおよびアノードは、エッジシールゾーンの不透明部分を通って延びる。パッケージは、密封可能である。
【０００６】
さらなる別の態様では、本発明は、透明な導電性酸化物、具体的には、インジウムスズ酸化物を含むパターニングされていない電極を有する光電子デバイスに関する。デバイスは、パターニングされていない電極上に直接配置され、パターニングされていない電極および電源と電気的に連通しているように構成された金属化層をさらに含むことが可能である。
【０００７】
本発明のこれらならびに他の特徴、態様、および利点は、添付の図面全体を通してその中で同様の符号が同様の部分を示すそれらの図面を参照して、以下の詳細な説明を読むと、より理解されることになるであろう。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の配列で使用するためのパッケージの断面図である。
【図２Ａ】本発明の照明配列で使用されるパッケージの層を通した横断面図である。
【図２Ｂ】本発明の照明配列で使用されるパッケージの層を通した横断面図である。
【図３】重なり合うパッケージ済み光電子デバイスを示す本発明による配列の概略図である。
【図４】互いに直角に配向されたパッケージ済み光電子デバイスを有する本発明による配列の概略図である。
【図５】エッジシールゾーンの不透明部分が線状に位置合わせされた状態で配向された単一列のパッケージ済み光電子デバイスを有する本発明による配列の概略図である。
【図６】エッジシールゾーンの不透明部分が線状に位置合わせされた状態で配向された２列のパッケージ済み光電子デバイスを有する本発明による配列の概略図である。
【図７】エッジシールゾーンの不透明部分が線状に位置合わせされた状態で配向された単一列のパッケージ済み光電子デバイスを有する本発明による配列の概略図である。
【図８】エッジシールゾーンの不透明部分が線状に位置合わせされた状態で配向された２列のパッケージ済み光電子デバイスを有する本発明による配列の概略図である。
【図９】エッジシールゾーンの２つの不透明部分を有するパッケージの概略図である。
【図１０】エッジシールゾーンの不透明部分が平行に位置合わせされた状態で配向された単一列のパッケージ済み光電子デバイスを有する本発明による配列の概略図である。
【図１１】エッジシールゾーンの不透明部分が平行に位置合わせされた状態で配向された２列のパッケージ済み光電子デバイスを有する本発明による配列の概略図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
図１は、本発明の照明配列で使用するのに適している光電子デバイスパッケージ１０の断面図であり、第１のバリア層１１０、第１の電極１２０、電気活性層（複数可）１３０、第２の電極１４０、任意選択の基板１５０、および第２のバリア層１６０を示す。基板１５０が存在しない実施形態では、第２の電極１４０は、第２のバリア層１６０上に直接配置されてもよい。接着層１７０が、第１のバリア層１１０と第１の電極１２０との間に配置され、第１のバリア層１１０と第２のバリア層１６０との間にエッジシールゾーン１８０が形成される。いくつかの実施形態では、第２の電極１４０は、基板１５０と同一の範囲にわたっていてもよく、接着層１７０は、第２の電極１４０上に部分的に配置されてもよく、エッジシールゾーン１８０が形成される。他の実施形態では、基板１５０は、層１６０および１８０と同一の範囲にわたっていてもよい。エッジシールゾーンの幾何学的形状は、水および酸素の侵入を最小限に抑えるように設計されており、第１のバリア層１１０と第２のバリア層１６０との間の結合を形成する接着層１７０は、薄く、広く、したがって、好ましい幾何学的形状をもたらす。接着層１７０の接着材料は、基板とバックシートとの間に強力な結合をもたらし、湿気および酸素の侵入に対して比較的不浸透性であるように選択される。接着剤は、湿気を含まず、化学的に不活性であり、したがって、デバイス、具体的には電極を形成する材料および電気活性層の材料を劣化させない。接着剤１７０は、光放出領域を越えてエッジシールゾーン１８０に延びる範囲まで透明であるべきである。透明熱可塑性物質、感圧接着剤、アクリル、ならびに熱硬化性のエポキシおよびウレタンを含む広範な接着剤が適している可能性が高い。例えば、低コストの材料および処理は、バリア層に予め付着、次いで乾燥可能な分散剤として提供されるＲｏｈｍ  ＆  Ｈａａｓ  Ａｄｃｏｔｅ  ３７Ｔ７７などのヒートシール材料を選択することによって可能である。次いで、ＯＬＥＤデバイスに対するバリア層のラミネート加工は、例えば、連続的なロールによるラミネート加工プロセスにおいて、熱および圧力を緩和するためにわずかな露出により完了可能である。任意選択の接着層１９０は、基板１５０が存在する場合、第２の電極１４０と第２のバリア層１６０との間に配置される。
【００１０】
基板１５０と、第１のバリア層１１０および第２のバリア層１６０とは、不透明であっても、または透明であってもよいが、デバイスの少なくとも１つの面、すなわち、第１のバリア層１１０あるいは基板１５０および／または第２のバリア層１６０は、デバイス１０によって放出または吸収される光が電気活性層（複数可）１３０から、または電気活性層（複数可）１３０に通過できるように透明である。一例では、基板１５０は、透明であり、ガラス、またはポリエステル（ＰＥＴ、ＰＥＮ）などのプラスチックから成る。バリア層はそれぞれ、湿気および酸素に対して比較的不浸透性であり、バリア層として使用するのに適している透明材料は、例えば、Ｇｅｎｅｒａｌ  Ｅｌｅｃｔｒｉｃ  Ｃｏｍｐａｎｙに譲渡された米国特許第７，０１５，６４０号、米国特許第７，１５４，２２０号、および米国特許第７，３９７，１８３号に記載されているガラスおよび超高バリア（ＵＨＢ）薄膜を含む。金属箔は、不透明なバリア層に適している。第２の電極１４０は、カソード、またはアノードのいずれかであってもよく、いくつかの実施形態では、第２の電極１４０はアノードである。具体的には、第２の電極１４０は、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）から成るアノードであってもよい。電気活性層（複数可）１３０は、（ＯＬＥＤデバイスの場合）光を放出するように、または（ＰＶデバイスの場合）光を吸収するように集合的に作用する１つまたは複数の層であり、正孔および電子注入層、正孔および電子輸送層、ならびに放出層を含むことが可能である。真空および非真空のプロセスを含む層の様々な堆積手段は、当技術分野において知られている。ＯＬＥＤデバイスおよびＰＶデバイスにおいて使用するのに適している材料、ならびにそのようなデバイスを製造するための方法はよく知られており、ここでは詳細に述べない。
【００１１】
図２Ａは、本発明の照明配列において使用するのに適しているパッケージ２０の電気活性層を通る横断面図であり、絶縁層２０１と、電気活性エリア２１０と、エリア２１０の下にあり、電極、基板、接着層（複数可）、および／またはバリア層（複数可）を含む露出層２５０とを示す。特定の実施形態では、電極はアノードであり、より具体的には、アノードはＩＴＯから成る。電気活性エリア２１０は、第２の電極と、下にある層に加えて電極間に挟まれた電気活性層とを含む。デバイス２０は、単一のピクセル、すなわち、単一の光放出面として示されているが、複数のより小さいピクセルを含んでもよい。絶縁層２０１は、典型的には薄く、電気活性エリア２１０とほぼ同じ厚さであり、電気活性エリア２１０との境界が平坦である。絶縁層は、エッジシールゾーン２２６に限定され、電気活性エリア２１０内にまで延びない。絶縁層２０１は、様々な有機絶縁体または無機絶縁体から成ることが可能である。一例では、電極２２０を堆積させる前に、粘度約１〜１０ｃＰｓの低粘性シアノアクリレート接着剤を塗布して、薄い絶縁コーティングを形成することが可能である。別の例では、無機二酸化ケイ素の薄層（１ミクロン未満）をマスクにより堆積して、絶縁層２０１を形成することが可能である。有機材料が、様々なプリント技法またはコーティング技法のいずれかによって塗布可能であり、無機材料が、蒸着法、例えば、真空蒸発、スパッタリング、および化学蒸着によって堆積可能である。
【００１２】
一実施形態では、デバイス２０は、アノードをパターニングせずに製造可能である。そのようなプロセスは、必要なステップがより少ないのでより経済的であり得、また、改善した特性を有するデバイスをもたらすこともあり得る。非限定的な例では、ＩＴＯ層がプラスチック基板上に形成され、透明なＵＨＢ層がＩＴＯ層と基板との間、または基板の他方の表面上に形成可能である。基板領域は、デバイスのほぼ最終的な形状を画定する。基板は、連続ロール形式でも、または大きいパネルであってもよく、それにより、複数の領域の部分がコーティング可能である。有機材料から成る絶縁層が、様々なプリント技法またはコーティング技法のいずれかによって低粘性コーティング組成物からパターニングされていないアノードに付着されても、あるいは無機絶縁層が、真空蒸発または他の蒸着法によってパターニングされていないアノード上に堆積されてもよい。コーティングの縁部におけるステップ高差は、典型的には、最小限にされる。電気活性層は、パターニングされていないアノード上に直接堆積され、いくつかの、またはすべての縁部における電気活性エリアと基板の周囲との間に空隙が残される。金属カソード層が、絶縁層と電気活性層との上に直接、および適宜、マスクを介してアノードの選択された部分の上に堆積される。金属層は、例えば、蒸着プロセス、または導電性インクを用いるプリントタイププロセスによって形成可能である。代替の実施形態では、ＩＴＯアノードは、普通なら絶縁層２０１によって画定される領域からエッチングプロセスによって選択的に取り除かれ、したがって、ベア基板１５０が露出し、絶縁層２０１の必要性がなくなる。電気活性層およびカソード層を堆積させる後続のステップには、変更ない。図２Ｂは、パッケージ２０の一実施形態の電極層を通る横断面図である。図示の電極層２２０は、基板上に配置されていない電極層であり、図１の第１の電極１２０に類似している。この実施形態では、第１の電極２２０はカソードであり、不透明であってもよく、この構成を有するＯＬＥＤデバイスを底面放出として説明する。他の実施形態では、層は透明電極であり、それを上面放出として説明する。図２Ｂは、カソードエリア２２０と、エッジシールゾーンの透明部分を形成するためのベースである下層２５０と、任意選択のエリア２０３とを示す。カソードエリア２２０および導電性エリア２０３は、透明または不透明な導電性層を含む。エリア２２０および２０３の導電性層に適している材料は、当技術分野で知られており、アルミニウムおよび銀など、元素形態の金属、ならびにＩＴＯおよび亜鉛酸化スズなどの透明導電性酸化物を含む。具体的には、アルミニウムの薄層が使用可能である。カソードエリア２２０では、その層は、絶縁層２０１および電気活性エリア２１０（図示せず）を覆って配置され、同一の範囲にわたる。任意選択の導電性エリア２０３がアノード上に直接配置される。アノードと電気的に接触している追加の導電性層を使用することは、ＩＴＯなどの限定された真性導電率を有する材料から成るアノードの導電率を向上させるために特に望ましい。さらには、導電性層、例えば金属を追加することによって、エリア２０３におけるアノードへの低抵抗電気接触が、より容易に形成可能である。
【００１３】
不透明なエッジシールゾーン２２６は、アノードと電気的に連通し、間に絶縁層を含まない２つの導電性層から成る導電性エリア２０３、および導電性材料と導電性層間の短絡を防ぐ絶縁層との２つの層から成るカソードエリア２２０の拡張部を含む（下層アノードおよび絶縁層がそれらを分離している（図示せず））。本実施形態では、普通なら絶縁層２０１によって画定される領域でＩＴＯがエッチング除去される場合には、カソードエリア２２０は、同様に、不透明なエッジシールゾーン２２６にまで延びる領域と電気的に連通しており、１つの導電層からのみ成る。
【００１４】
デバイスの気密パッケージ化は、適切な構造および方法を使用して達成される。様々なタイプの気密パッケージおよびそれらを製造するための方法は、２００８年１２月１７日に出願の米国特許出願第１２／３３６，６８３号、２００９年７月２８日に出願の米国特許出願第１２／５１０，４６３号、２００９年５月２１日に出願の米国特許出願第１２／４７０，０３３号、および２００９年９月３０日に出願の米国特許出願第１２／５７０，０２４号に記載されており、それらの全体的内容が参照によって本明細書に組み込まれている。例えば、透明な保護バックシートが、デバイスの背面に接合可能である。保護バックシートは、アノードおよびカソードと電気的に連通しているエッジシールゾーン２２６の一部が露出されるように、基板と位置決めおよび位置合わせ可能である。透明なバックシートに適している材料は、バリア薄膜を有するガラスまたはプラスチックを含む。それは、光学的に透明な接着剤を用いて下層に接合可能であり、その接着剤は、通常、強力な接合をもたらすように選択され、ＯＬＥＤを劣化させないように湿気を含まず、化学的に不活性であり、湿気および酸素のエッジ侵入に対して比較的不浸透性である。シールの幾何学的形状は、侵入を最小限にするのに十分に薄く、広いように設計されている。
【００１５】
図３は、重なり合う光電子デバイスパッケージ３１０および３２０を示す配列３０の概略図である。デバイス３１０のエッジシールゾーン３１２の透明部分は、デバイス３２０の電気活性エリア３２４に重なり、デバイス３２０の透明部分３２２は、デバイス３１０の背面における電気活性エリア３１４に重なる。ＯＬＥＤによって放出されるか、またはＰＶデバイスによって吸収されることになる光は、重なり合った透明部分を通過することができる。ＯＬＥＤの場合、電気活性エリア３１４および３２４は、介在する非光放出エリアなしに位置決め可能であり、連続する放出エリアが形成される。本発明は、透明なエッジシールゾーンを有するパッケージに限定しておらず、そのような実施形態では、光放出エリアまたは光吸収エリアは、非放出エリア／非吸収エリアによって分離可能であることに留意すべきである。
【００１６】
図４は、互いに直角に配向された重なり合うパッケージ４１０および４２０を示す配列４０の概略図である。デバイス４１０のエッジシールゾーン４１２の透明部分は、デバイス４２０の電気活性エリア４２４に重なり、デバイス４１０の電気活性エリア４１４は、デバイス４２０のエッジシールゾーン４２６の不透明部分に重なり、配列の１つの面において連続する光放出エリアまたは光吸収エリアが形成される。
【００１７】
図５は、１列に配列され、各デバイスのエッジシールゾーンの不透明部分５１６、５２６、５３６、５４６が線状に位置合わせされた状態で配向された重なり合うパッケージ５１０、５２０、５３０、および５４０を示す配列５０の概略図である。その列における第１のデバイス、デバイス５１０の電気活性エリア５１４には、隣接するデバイス５２０のエッジシールゾーンの透明部分５２２が重なる。その列におけるデバイス５３０および５４０のエッジシールゾーンの透明部分５３２および５４２は、隣接するデバイス５２０および５３０の電気活性エリア５２４および５３４に重なる。不透明部分５１６、５２６、５３６、５４６は、線状バスバー５１５に沿って配置され、その配列に電力供給するためにそれに接続されてもよい。
【００１８】
図６は、第１の列における各デバイスのエッジシールゾーンの不透明部分６１６、６２６、６３６、６４６が線状に位置合わせされ、第２の列における各デバイスのエッジシールゾーンの不透明部分（図示せず）が互いに線状に位置合わせされた状態で配向された２列の重なり合うパッケージ６１０、６２０、６３０、６４０、６５０、６６０、６７０、および６８０を示す配列６０の概略図である。第１の列における第１のデバイス、デバイス６１０の電気活性エリア６１４には、隣接するデバイス６２０のエッジシールゾーンの透明部分６２２が重なる。その列におけるデバイス６３０および６４０のエッジシールゾーンの透明部分６３２および６４２は、隣接するデバイス６２０および６３０の電気活性エリア６２４および６３４に重なる。第２の列における第１のデバイス、デバイス６５０の電気活性エリア６５４には、隣接するデバイス６６０のエッジシールゾーンの透明部分６６２が重なる。その列におけるデバイス６７０および６８０のエッジシールゾーンの透明部分６７２および６８２は、隣接するデバイス６６０および６８０の電気活性エリア６６４および６７４に重なる。第１の列におけるデバイス６１０、６２０、６３０、および６４０の電気活性エリア６１４、６２４、６３４、および６４４は、第２の列における各デバイスのエッジシールゾーンの不透明部分（図示せず）に重なり、デバイス６１０、６２０、６３０、および６４０のエッジシールゾーンの透明部分６１８、６２８、６３８、および６４８は、隣接するデバイス６５０、６６０、６７０、および６８０の不透明エリア（図示せず）に重なる。第１の列におけるデバイス６１０、６２０、６３０、および６４０の不透明部分６１６、６２６、６３６、６４６は、線状バスバー６１５に沿って配置され、その列に電力供給するためにそれに接続されてもよく、第２の列における各デバイスのエッジシールゾーンの不透明部分は、線状バスバー６２５に沿って配置され、その列に電力供給するためにそれに接続されてもよい。
【００１９】
図７は、１列に配列され、各デバイスのエッジシールゾーンの不透明部分（図示せず）が不透明部分７１６に平行に位置合わせされた状態で配向された重なり合うパッケージ７１０、７２０、７３０、および７４０を示す配列７０の概略図である。その列における右手から第１のデバイス、デバイス７４０の電気活性エリア７４４には、隣接するデバイス７３０のエッジシールゾーンの透明部分７３２が重なる。その列におけるデバイス７１０および７２０のエッジシールゾーンの透明部分７１２および７２２は、隣接するデバイス７２０および７３０の電気活性エリア７２４および７３４に重なる。電気活性エリア７１４、７２４、および７３４は、デバイス７１０の不透明部分７１６に平行に位置合わせされているデバイス７２０、７３０、および７４０のエッジシールゾーンの不透明部分（図示せず）に重なる。
【００２０】
図８は、第１の列における各デバイスのエッジシールゾーンの不透明部分（図示せず）が不透明部分８１６に平行に位置合わせされ、第２の列における各デバイスのエッジシールゾーンの不透明部分（図示せず）が平行に位置合わせされた状態で配向された２列の重なり合うパッケージ８１０、８２０、８３０、８４０、８５０、８６０、８７０、および８８０を示す配列８０の概略図である。第１の列における右手から第１のデバイス、デバイス８４０の電気活性エリア８４４には、隣接するデバイス８３０のエッジシールゾーンの透明部分８３２が重なる。その列におけるデバイス８１０および８２０のエッジシールゾーンの透明部分８１２および８２２は、隣接するデバイス８２０および８３０の電気活性エリア８２４および８３４に重なる。第２の列における右手から第１のデバイス、デバイス８８０の電気活性エリア８８４には、隣接するデバイス８７０のエッジシールゾーンの透明部分８７２が重なる。その列におけるデバイス８５０および８６０のエッジシールゾーンの透明部分８５２および８６２は、隣接するデバイス８６０および８８０の電気活性エリア８６４および８７４に重なる。第１の列におけるデバイス８１０、８２０、および８３０の電気活性エリア８１４、８２４、および８３４は、同じ列における隣接するデバイス８２０、８３０、および８４０のエッジシールゾーンの不透明部分（図示せず）に重なり、第２の列におけるデバイス８５０、８６０、８７０、および８８０のエッジシールゾーンの透明部分８５８、８６８、８７８、および８８８は、第１の列における隣接するデバイス８１０、８２０、８３０、および８４０の不透明エリア（図示せず）に重なる。不透明部分は、電気リードを介して電源に接続される。
【００２１】
図９は、透明なエッジシールゾーン９１２と、電気活性エリア９２４と、不透明なエッジシールゾーン９２６および９２８を有するパッケージ９０の平面図である。エッジ９２６には、デバイスのアノードおよびカソード（図示せず）と、導電性エリア９０３と、任意選択の導電性タブ接点９２１とが含まれている。エッジ９２８には、アノード（図示せず）と、導電率を高めるためにその上に配置された導電性層とが含まれている。導電性アリア９０３およびエッジ９２８の導電性層は、図には連続する層として示しているが、いくつかの実施形態では、導電性のエリア／層は、アノードの導電率を高めるため、および電源に接続された１本または複数本の細い導電線を含んでもよい。電気リード９２３が、導電性タブ９２１と電源との間に接続可能である。コネクタ実装スキームに応じて、接点の設計は異なってもよい。図は、導電性接着剤を使用するカソードおよびアノード金属に取付け可能なリボンタイプの導体を示している。導電性タブは、バックシートと基板との間に内向きに延びることが可能であるが、いくつかの実施形態では、それらのタブがエッジの密封を妨げないように、それらを外部構成で配置することが好ましい場合がある。他の実施形態では、導電性タブは、バックシートにおいて薄い金属層としてプリント可能である。アノードおよびカソードへの接点は、導電性接着剤により作製可能である。さらに、特にバックシートの付着後、露出したままであってもよいエッジ領域では、環境からの脅威に抵抗性を示すバックシートに隣接する電極金属化の上部において別の層を追加することが望ましい場合もある。これは、腐食しない金属の形態でも、あるいはＵＨＢまたは他の有機もしくは無機のバリア層でもあり得る。
【００２２】
図１０は、１列に配列され、各デバイスのエッジシールゾーンの不透明部分が平行に位置合わせされた状態で配向された重なり合うパッケージ１０１０、１０２０、１０３０、および１０４０を示す配列１００の概略図である。デバイス１０２０、１０３０、および１０４０のエッジシールゾーンの不透明部分は、デバイス１０１０の露出した不透明部分１０１６に平行に配列される。その列における右手から第１のデバイス、デバイス１０４０の電気活性エリア１０４４には、隣接するデバイス１０３０のエッジシールゾーンの透明部分１０３２が重なる。その列におけるデバイス１０１０および１０２０のエッジシールゾーンの透明部分１０１２および１０２２は、隣接するデバイス１０２０および１０３０の電気活性エリア１０２４および１０３４に重なる。電気活性エリア１０１４、１０２４、および１０３４は、デバイス１０１０の不透明部分１０１６に平行に位置合わせされているデバイス１０２０、１０３０、および１０４０のエッジシールゾーンの不透明部分（図示せず）に重なる。デバイス１０１０、１０２０、１０３０、および１０４０の不透明部分１０１８、１０２８、１０３８、および１０４８は、線状に位置合わせされる。
【００２３】
図１１は、第１の列における各デバイスのエッジシールゾーンの不透明部分（図示せず）と、第２の列におけるデバイス１１５０、１１６０、１１７０、および１１８０の不透明部分１１５８、１１６８、１１７８、および１１８８とが、デバイス１１１０および１１５０の不透明部分１１１６および１１５６にそれぞれ直角に位置合わせされた状態で配向された２列の重なり合うパッケージ１１１０、１１２０、１１３０、および１１４０を示す配列１１０の概略図である。第１の列における右手から第１のデバイス、デバイス１１４０の電気活性エリア１１４４には、隣接するデバイス１１３０のエッジシールゾーンの透明部分１１３２が重なる。その列におけるデバイス１１１０および１１２０のエッジシールゾーンの透明部分１１１２および１１２２は、隣接するデバイス１１２０および１１３０の電気活性エリア１１２４および１１３４に重なる。第２の列における右手から第１のデバイス、デバイス１１８０の電気活性エリア１１８４には、隣接するデバイス１１７０のエッジシールゾーンの透明部分１１７２が重なる。その列におけるデバイス１１５０および１１６０のエッジシールゾーンの透明部分１１５２および１１６２は、隣接するデバイス１１６０および１１８０の電気活性エリア１１６４および１１７４に重なる。第１の列におけるデバイス１１１０、１１２０、および１１３０の電気活性エリア１１１４、１１２４、および１１３４は、同じ列における隣接するデバイス１１２０、１１３０、および１１４０のエッジシールゾーンの不透明部分（図示せず）に重なり、第２の列におけるデバイス１１５０、１１６０、１１７０、および１１８０の電気活性エリア１１５４、１１６４、１１７４、および１１８４は、第１の列における隣接するデバイス１１１０、１１２０、１１３０、および１１４０の不透明エリア（図示せず）に重なる。デバイス１１５０、１１６０、１１７０、および１１８０の不透明部分１１５８、１１６８、１１７８、および１１８８は、露出したままである。不透明部分は、電気リードを介して電源に接続される。
【００２４】
本発明の特定の特徴のみを本明細書に図示し、述べてきたが、多くの修正形態および変更形態が、当業者には思い付くであろう。したがって、添付の特許請求の範囲が、本発明の真の趣旨の範囲内にあるすべてのそのような修正形態および変更形態を網羅すると意図されていることを認識すべきである。
【符号の説明】
【００２５】
１０  光電子デバイスパッケージ
２０  パッケージ
３０  配列
４０  配列
５０  配列
６０  配列
７０  配列
８０  配列
９０  パッケージ
１００  配列
１１０  バリア層
１１０  配列
１２０  電極
１３０  電気活性層（複数可）
１４０  電極
１５０  基板
１６０  バリア層
１７０  接着層
１８０  エッジシールゾーン
２０１  絶縁層
２０３  導電性エリア
２１０  電気活性エリア
２２０  電極層
２２６  エッジシールゾーン
２５０  露出層
２５０  下層
３１０  パッケージ
３１２  エッジシールゾーン
３１４  電気活性エリア
３２０  パッケージ
３２２  透明部分
３２４  電気活性エリア
４１０  パッケージ
４１２  エッジシールゾーン
４１４  電気活性エリア
４２０  パッケージ
４２４  電気活性エリア
４２６エッジシールゾーン
５１０  パッケージ
５１４  電気活性エリア
５１６  不透明部分
５２０  パッケージ
５２２  透明部分
５２４  電気活性エリア
５２６  不透明部分
５３０  パッケージ
５３２  透明部分
５３４  電気活性エリア
５３６  不透明部分
５４０  パッケージ
５４２  透明部分
５４６  不透明部分
５１５  バスバー
６１０  パッケージ
６１４  電気活性エリア
６１５  バスバー
６１６  不透明部分
６１８  透明部分
６２０  パッケージ
６２２  透明部分
６２４  電気活性エリア
６２５バスバー
６２６  不透明部分
６２８  透明部分
６３０  パッケージ
６３２  透明部分
６３４  電気活性エリア
６３６  不透明部分
６３８  透明部分
６４０  パッケージ
６４２  透明部分
６４４  電気活性エリア
６４６  不透明部分
６４８  透明部分
６５０  パッケージ
６５４  電気活性エリア
６６０  パッケージ
６６２  透明部分
６６４  電気活性エリア
６７０  パッケージ
６７２  透明部分
６７４  電気活性エリア
６８０  パッケージ
６８２  透明部分
７１０  パッケージ
７１０  デバイス
７１２  透明部分
７１４  電気活性エリア
７１６  不透明部分
７２０  パッケージ
７２０  デバイス
７２２  透明部分
７２４  電気活性エリア
７３０  パッケージ
７３０  デバイス
７３２  透明部分
７３４  電気活性エリア
７４０  パッケージ
７４０  デバイス
７４４  電気活性エリア
８１０  パッケージ
８１２  透明部分
８１４  電気活性エリア
８１６  不透明部分
８２０  パッケージ
８２２  透明部分
８２４  電気活性エリア
８３０  パッケージ
８３２  透明部分
８３４  電気活性エリア
８４０  パッケージ
８４４  電気活性エリア
８５０  パッケージ
８５２  透明部分
８５８  透明部分
８６０  パッケージ
８６２  透明部分
８６４  電気活性エリア
８６８  透明部分
８７０  パッケージ
８７２  透明部分
８７４  電気活性エリア
８７８  透明部分
８８０  パッケージ
８８４  電気活性エリア
８８８  透明部分
９０３  導電性エリア
９１２  エッジシールゾーン
９２１  導電性タブ接点
９２３  電気リード
９２４  電気活性エリア
９２６  エッジシールゾーン
９２８  エッジシールゾーン
１０１０  パッケージ
１０１２  透明部分
１０１４  電気活性エリア
１０１６  不透明部分
１０１８  不透明部分
１０２０  パッケージ
１０２２  透明部分
１０２４  電気活性エリア
１０２８  不透明部分
１０３０  パッケージ
１０３２  透明部分
１０３４  電気活性エリア
１０３８  不透明部分
１０４０  パッケージ
１０４４  電気活性エリア
１０４８  不透明部分
１１１０  パッケージ
１１１２  透明部分
１１１４  電気活性エリア
１１１６  不透明部分
１１２０  パッケージ
１１２２  透明部分
１１２４  電気活性エリア
１１３０  パッケージ
１１３２  透明部分
１１３４  電気活性エリア
１１４０  パッケージ
１１４４  電気活性エリア
１１５０  デバイス
１１５２  透明部分
１１５４  電気活性エリア
１１５６  不透明部分
１１５８  不透明部分
１１６０  デバイス
１１６２  透明部分
１１６４  電気活性エリア
１１６８  不透明部分
１１７０  デバイス
１１７２  透明部分
１１７４  電気活性エリア
１１７８  不透明部分
１１８０  デバイス
１１８４  電気活性エリア
１１８８  不透明部分
【図１】
2013518437.tif 000003
【図２Ａ】
2013518437.tif 000004
【図２Ｂ】
2013518437.tif 000005
【図３】
2013518437.tif 000006
【図４】
2013518437.tif 000007
【図５】
2013518437.tif 000008
【図６】
2013518437.tif 000009
【図７】
2013518437.tif 000010
【図８】
2013518437.tif 000011
【図９】
2013518437.tif 000012
【図１０】
2013518437.tif 000013
【図１１】
2013518437.tif 000014
【国際調査報告】
2013518437.tif 000015
2013518437.tif 000016
2013518437.tif 000017