(57)【要約】  中空のストラットを有するステントは、円筒形基材上で形成される。前記ステントのストラットは、パターン化されたフォトレジスト材料に形成された開口部の中にストラットの金属層を電鋳することにより形成される。内部ストラット材料を形成する第１金属層(106)は、第１フォトレジスト材料の開口部の中で形成される。ストラットを中空にするキャビティ(126)を形成する犠牲材料は、第２フォトレジスト材料の開口部の中で形成される。ストラットの側壁および外壁を形成する第２金属層(122)は、第３フォトレジスト材料の開口部の中と犠牲材料の周囲で形成される。フォトレジスト材料は除去される。基材のキャビティおよび犠牲材料は除去され、中空のストラットがステントパターンの中に形成されるようにする。中空ストラットには溶出用治療物質を満たすことができる。ストラットを貫通してキャビティに通じる開口部(124)は、前記形成過程で形成され得る。
2013537440.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
中空のストラットを備えたステントの作製方法であって、
少なくとも部分的に犠牲材料により形成されている略円筒形基材を利用するステップと、
前記基材上に第１フォトレジスト層を堆積させるステップと、
前記第１フォトレジスト層をパターン化して第１フォトレジスト層に開口部を設けるステップと、
前記パターン化された前記第１フォトレジスト層の開口部内で前記基材上に第１金属層を堆積させるステップと、
前記金属層上に第２フォトレジスト層を堆積させるステップと、
前記第２フォトレジスト層をパターン化して第２フォトレジスト層に開口部を設け、前記第２フォトレジスト層の開口部が前記第１金属層上に設けられるステップと、
前記パターン化された第２フォトレジスト層の開口内で、前記第１金属層上に犠牲材料を堆積させるステップと、
前記犠牲材料および前記第１金属層上に第３のフォトレジスト層を堆積させるステップと、
前記第３フォトレジスト層をパターン化して第３フォトレジスト層に開口部を提供するステップと、
前記パターン化された第３フォトレジスト層の開口部内に第２金属層を堆積させるステップと、
第１、第２および第３フォトレジスト層を除去するステップと、
前記基材および前記犠牲材料を除去するステップと、備えている、
ことを特徴とする中空のストラットを含むステントの作製方法。
【請求項２】
前記第１フォトレジスト層の除去ステップが、前記第２フォトレジスト層の堆積ステップの前に完了する、
請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第２フォトレジスト層の除去ステップが、前記第３フォトレジスト層の堆積ステップの前に完了する、
請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記第１金属層および前記第２金属層が同じ材料である、
請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記第１金属層および第２金属層が、ステンレス製スチール、コバルトクロム合金、ニッケル、ニッケル−コバルト合金、ニッケル−鉄合金、鉄−コバルト−ニッケル合金、クロム−鉄−ニッケル合金から成る群から選択される、
請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記第１金属層を堆積させるステップが、前記基材上で金属の化学組成物を電鋳するステップを備えている、
請求項１に記載の方法。
【請求項７】
電鋳ステップが、前記基材を金属の金属メッキ浴に配置するステップと、基材を通じて電流を流し、前記パターン化された第１フォトレジスト層の開口部内に金属を堆積させるステップを備えている、
請求項６に記載の方法。
【請求項８】
第１、第２および第３のフォトレジスト層の除去のステップが、レジストの溶剤溶解と、プラズマ酸素ストリッピングおよび水洗と、パターン化されたレジストの投光露光および現象とのうち一つを備えている、
請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記第１金属層および第２金属層がステントのストラットを形成する、
請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記除去された犠牲材料が、ステントのストラットを有するキャビティを形成する、
請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
第３フォトレジスト層のパターン化ステップが、前記キャビティから第２金属層を貫通する開口部を形成するために、犠牲材料の部分の上に第３フォトレジスト層の部分を残すステップを備えている、
請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記キャビティを治療物質で満たすステップをさらに備えている、
請求項１０に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、治療物質を放出する埋め込み医療器具、およびこのような医療器具の形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
薬剤溶出型埋め込み医療器具は、その一次機能（構造的サポートなど）を実行する能力およびそれが埋め込まれた領域を医療的に治療する能力のゆえに、近年一般的になった。
【０００３】
例えば、薬剤溶出ステントは、冠状動脈の再狭窄を防ぐために使われている。薬剤溶出ステントは、単核細胞の局所侵潤／活性を遮断する抗炎症化合物などの治療剤を投与することができ、ＶＳＭＣ増殖および転移を誘発する可能性のある成長因子の分泌を防ぐ。その他の使用可能性がある抗再狭窄化合物には、ラパマイシンおよびパクリタキセルを含む化学療法剤などの抗増殖剤が含まれる。このような抗血栓剤、抗酸化剤、血小板凝集阻害剤および細胞増殖抑制剤などの他の分類の薬剤もまた、抗再狭窄用に提案されてきた。
【０００４】
薬剤溶出医療ステントは、ポリマー材料で被覆され、次いで、ポリマー材料が１種類の薬剤または薬剤を組み合わせたもので含浸させられている。いったんステントを目標の位置に埋め込んだら、局所組織の治療のためにポリマーから薬剤が放出される。薬剤は、生体安定性ポリマーのためのポリマー層を通して拡散される過程、および／または、ポリマー材料が生分解性ポリマーに分解するにつれて、放出される。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
薬剤浸透ポリマー材料からの薬剤溶出速度の制御は、通常、ポリマー材料の特性に基づいている。しかし、溶出過程の最後には、残りのポリマー材料が血管との不都合な反応にリンクして、小さいが危険な塊を形成する可能性がある。さらに、医療器具の露出面の薬剤含浸ポリマー被覆は剥がれるか、さもなければ送達中に損傷されることがあり、薬剤が目標の部位に到達するのが妨げられる。さらにまた、薬剤含浸ポリマー被覆では、ポリマー被覆が運ぶ薬剤の量と医療器具のサイズにより、送達される薬剤の量が限定される。ポリマー被覆を用いた溶出速度を制御することもまた困難である。
【０００６】
治療剤で満たされた中空管のワイヤーで作製されたステントが提案されてきた。しかし、中空のワイヤーをステント様式に折り曲げて中空ワイヤーステントを形成すると、最終完成品のステントに、もつれ、亀裂、またはその他の望ましくない特性が発生する可能性がある。よって、ワイヤー折り曲げてステント形状にすることなく中空ストラットを有する薬剤溶出型ステントを作製することが望ましい。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
中空のストラットを含むステントの作成方法の実施形態には、実質上円筒基材上に第１のフォトレジスト層を堆積させることが含まれる。前記基材は、少なくともその一部は犠牲材料で作製されている。第１のフォトレジスト層をパターン化して第１フォトレジスト層に開口部を提供とする。次に第１の金属層を、パターン化された第１フォトレジスト層の開口部の中の基材上に堆積させる。前記第１フォトレジスト層を除去し、第２フォトレジスト層を第１金属層の上に堆積させる。前記第２フォトレジスト層をパターン化して、第２フォトレジスト層に開口部を提供とし、第２フォトレジスト層の前記開口部が第１金属層の上に付与されるようにする。犠牲材料を、パターン化された第２フォトレジスト層の開口部の中の第１金属層上に堆積させる。第２フォトレジスト層を除去し、第３フォトレジスト層を、犠牲材料および第１金属層の上に堆積させる。第３フォトレジスト層をパターン化して第３フォトレジスト層に開口部を提供とする。第２金属層は、パターン化された第３のフォトレジスト層の開口部の中に堆積される。第３のフォトレジスト層を除去する。前記基材および犠牲材料を除去すると、中にキャビティが形成された金属層が残される。この金属層は、ステントのストラットを形成するパターンに堆積される。
【０００８】
本発明の前記およびその他の特徴および利点は、添付図面で図示した本発明の以下の記載により明らかとなる。本明細書に含まれ、その一部を形成 する添付図面はさらに、本発明の原則を説明する役目を果たし、関連する技術分野の当業者が本発明の作製、利用するのを可能とする。図面は原寸に比例していない。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】円筒形基材の断面図である。
【図２】図１の円筒形基材上に堆積させられたフォトレジスト層を示す断面図である。
【図３】図２のフォトレジスト層の一部分が除去された状態を示す断面図である。
【図３Ａ】図３のフォトレジスト概略的な断面図である。
【図４】図３のフォトレジスト層の間にある開口部に堆積した第１ストラット層を示す断面図である
【図５】図４のフォトレジストの残りが除去された状態を示す断面図である。
【図６】基材および第１ストラット層の上に堆積させられた第２フォトレジスト層を示す断面図である。
【図７】図６の第２フォトレジスト層のパターン化を示す断面図である。
【図８】図７のパターン化された第２フォトレジスト層の開口部内に堆積させられた犠牲材料を示す断面図である。
【図９】図８の第２フォトレジスト層の残りが除去された状態を示す断面図である。
【図１０】図９の基材、第１ストラット層、および犠牲材料の上に堆積させられた第３フォトレジスト層を示す断面図である。
【図１１】図１０の第３フォトレジスト層のパターン化を示す断面図である。
【図１２】図１１のパターン化された第３フォトレジスト層の開口部内に堆積させられた第２ストラット層を示す断面図である。
【図１３】図１２の第３フォトレジスト層の残りが除去された状態を示す断面図である。
【図１４】図１３の基材および犠牲材料が除去された状態を示す断面図である。
【図１４Ａ】ステントの概略的な断面図である。
【図１５】図１４Ａのライン１５−１５に沿った断面図である。
【図１６】治療物質がキャビティに堆積させられた図１５のストラットの一部である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
本発明の具体的な実施形態を、図面を参照して説明するが、同様の参照番号は、同一または機能的に類似の要素であることを示す。
【００１１】
ステント１３０の作製方法の実施形態を図１〜図１６に示す。ステント１３０の一例が図１４Ａに示されている。しかし、ステントは、ステントとしての使用に好適な任意のパターンで形成してもよい。例えば、Globermanに付与された米国特許第６０９０１２７号明細書、Palmazに付与された米国特許第４７３９７６２号明細書およびLauに付与された米国特許第５４２１９５５号明細書に示されているステントパターンも使用してもよいが、これらに限定されない。
【００１２】
図１は、基材１００の断面図である。本実施形態の基材１００は、円筒形の管である。基材１００は円筒形ロッドでもよく、または、ステントの最終の全体形状に適合する別の形状であってもよい。例えば、基材１００は楕円管またはロッドであってもよいが、これらに限定されない。基材１００は、下記で詳述するように、ステント形成過程が完了したときに除去し得る犠牲材料で作製または被覆される。基材１００に好適な犠牲材料の例として、銅、タングステン、鉄、スズ、銀、アルミニウム、マグネシウム、タンタル、モリブデン、炭素（グラファイト）、または、当業者に知られているその他の好適な材料が含まれるが、これらに限定されない。基材１００の犠牲材料は、下記で詳述するように、ステントの最終構造の材料とは異なる。
【００１３】
図２に示すように、基材１００は、第１フォトレジスト被覆層１０２（以後、「フォトレジスト層」と称する）で被覆される。第１フォトレジスト層１０２は、当業者であれば理解できるように、表面にパターン化された被膜を形成するために使用される光感受性材料である。第１フォトレジスト層１０２は、ポジ型レジストでも、ネガ型レジストでもよい。フォトレジスト層１０２は、限定的ではない例として、ＡＺエレクトロニックマテリアルズ株式会社製のポジ型厚膜フォトレジスト（４０００および９０００シリーズのレジスト樹脂）、または信越化学工業株式会社から入手可能なＳＩＰＲ（登録商法）７１１０Ｍ−１８であってもよく、またはＭｉｃｒｏ−Ｃｈｅｍ社製のＳＵ−８シリーズの樹脂などのネガ型フォトレジスト厚膜も、厚膜用途のために十分に開発されている。フォトレジスト層１０２は、基材１００上に噴霧被覆されるか、または当業者に知られているその他の方法により適用される。第１フォトレジスト層１０２の厚さは、１０〜１００μｍ（典型的には、２５〜５０μｍ）であるのがよい。
【００１４】
その後、第１フォトレジスト層１０２は、図３および図３Ａに示されるようにパターン化される。フォトレジスト層は、第１フォトレジスト層１０２にマスクを適用することによりパターン化される。本実施形態のマスクは管状のマスクでも、また、レーザースキャナーで適用されるマスクでもよい。マスクには、第１フォトレジスト層１０２の一部を覆うパターンが含まれており、第１のフォトレジスト層１０２の一部は露出したままである。その後、第１フォトレジスト層１０２を紫外線に露光される。ポジ型レジストを使用すると、第１フォトレジスト層１０２の露出部分が、所望のステントパターンになる。光に露光したフォトレジストの部分は、フォトレジスト現像液に対し溶解性となる。露光した後、レジストで被覆された基材１００を、露出領域を分解する現像液に浸す。ネガ型レジストを使用すれば、フォトレジスト層のマスクを当てた部分が、所望のステントパターンになる。マスクをあててフォトレジスト層を紫外線の光源に露光すると、マスクの透光領域の下にあるフォトレジストが物理的および化学的に変化し、現像液の中で溶けなくなる。露光した後に、レジスト被覆された基材１００を現像液に浸すと、硬化領域または露出領域に過剰な効果を及ぼすことなく、非露出領域を除去することができる。図３および図３Ａに示すように、ステントパターンは、第１フォトレジスト層１０２の開口部１０４、すなわち、除去されるフォトレジスト領域により定められ、よって、基材１００を露出させることとなる。
【００１５】
フォトレジスト層１０２をパターン化した後、内部ストラット層１０６が基材１００上にメッキされる。内部ストラット層１０６は、ステンレス製スチール、コバルトクロム合金、ニッケル、ニッケル−コバルト合金、ニッケル−鉄合金、鉄−コバルト−ニッケル合金、クロム−鉄−ニッケル合金、および当業者に知られているその他の金属もしくは合金で作製してもよい。内部ストラット層１０６は、内部ストラット層１０６の金属または合金の化学組成物を電鋳することにより形成してもよい。金属または合金の金属メッキ浴に基材１００を配置し、電流を基材１００の露出領域１０４に通し、その結果、開口部１０４に金属または合金を積み重ねる。内部ストラット層１０６の厚さは、約２５〜５０μｍの範囲であるのがよい。
【００１６】
次のステップで、フォトレジスト層１０２を除去し、基材１００および内部ストラット層１０６を図５に示すように残す。図５および図５Ａに示すように、開口部１０８が、内部ストラット層１０６の部分の間で、第１フォトレジスト層１０２を配置されていたところに配置され、それにより基材１００が露出する。第１フォトレジスト層１０２を、当業者に知られている方法で除去してもよい。例えば、第１フォトレジスト層を、１）レジストの溶剤溶解、２）プラズマ酸素ストリッピングおよび水洗、または３）パターン化されたレジストの投光露光および現像（ポジ型レジストおよび非硬化レジストパターン）により除去してもよいが、これらに限定されない。
【００１７】
第１フォトレジスト層１０２を除去した後、第２フォトレジスト層１１０を適用し、図６に示すように、内部ストラット層１０６と、内部ストラット層１０６の間に配置された開口部１０８とを被覆する。第２フォトレジスト層１１０は、第１フォトレジスト層１０２と同じ材料でもよく、または異なる材料でもよい。第２フォトレジスト層１１０は、第１フォトレジスト層１０２に関する上記と同様の方法で適用されてもよい。第２フォトレジスト層１１０は、厚さ１０〜１００μｍ（典型的には１０〜２５μｍ）の範囲であるのがよい。さらに、第２のフォトレジスト層１１０を、最初に第１フォトレジスト層１０２を除去することなく適用してもよい。その場合、第１フォトレジスト層１０２および第２フォトレジスト層１１０は共に後のステップで除去される。しかし、その場合、各層ごとの乾燥処理のため、後のステップで第１フォトレジスト層１０２を除去することはより困難となることがある。
【００１８】
その後、第２フォトレジスト層１１０をパターン化する。図７に示すように、第２フォトレジスト層１１０のパターン化により、内部ストラット１０６の部分に開口部１１２を作る。第２フォトレジスト層１１０を、第１フォトレジスト層１０２に関する上記方法によって、または当業者に知られているその他の方法によって、パターン化してもよい。開口部１１２は、ステントのストラットのキャビティの所望のサイズに合わせて寸法決めされる。
【００１９】
第２フォトレジスト層１１０をパターン化した後、犠牲層１１４を、第２のフォトレジスト層１１０の開口部１１２に正確に配置する。下記で詳述するように、犠牲層１１４は、銅など、基材１００（または基材１００の被覆層）と同じ材料で作製しても、または、ストラット層の最上層を配置した後に除去され得るその他の材料で作製してもよい。犠牲層１１４は、ステントのストラット内のキャビティまたは内腔に望ましい寸法に寸法決めされる。
【００２０】
その後、第２のフォトレジスト層１１０を除去し、図９に示すように、基材１００と、その基材１００上に配置された内部ストラット層１０６と、内部ストラット層１０６の部分上に配置された犠牲層１１４を残す。第２フォトレジスト層１１０を、第１フォトレジスト層１０２の除去に関する上記と同じ方法を用いて、または当業者に知られているその他の方法により除去してもよい。
【００２１】
第２フォトレジスト層１１０を除去した後、図１０に示すように、第３フォトレジスト層１１６を、犠牲層１１４と、第１ストラット層１０６と、基材１００との上に堆積させる。第２フォトレジスト層１１０を第１フォトレジスト層１０２上に適用したのと同様に、第３フォトレジスト層１１６も、第２フォトレジスト層１１０を先に除去することなく、第２フォトレジスト層１１０上に適用してもよい。しかし、上述したように、堆積したフォトレジスト層を後のステップで除去することは、より困難になる可能性がある。第３フォトレジスト層１１６を、第１のフォトレジスト層１０２に関する上述した方法により、または当業者に知られている方法により堆積させてもよい。
【００２２】
第３フォトレジスト層１１６を堆積させた後、第３フォトレジスト層１１６をパターン化する。第３フォトレジスト層１１６は、第１フォトレジスト層１０２のパターン化に関し上述した任意の方法により、または、当業者に知られている方法によりパターン化される。図１１に示されるように、第３フォトレジスト層１１６のパターンは、後述するように、ストラット材料の第２の層に開口部１１８を提供する。また、図１１に示されているように、第３フォトレジスト層１１６の部分１２０は犠牲材料１１４に留まる。下記で詳細に説明するように、部分１２０は、ストラット材料を貫通し、ストラットのキャビティヘのアクセスできるようにする開口部を提供する。
【００２３】
第３フォトレジスト層１１６をパターン化した後、第２のストラット層１２２を第３のフォトレジスト層１１６の開口部１１８内に堆積させる。第２ストラット層１２２は、内部ストラット層１０６と同じ材料で作製されることが好ましい。第２ストラット層１２２は、図１２に示すように、第３フォトレジスト層１１６の開口部１１８内に形成される。図１２に示されているように、第２ストラット層１２２は、内部ストラット層１０６の部分の上、犠牲材料１１４の頂部の側面に沿って、かつ犠牲材料１１４の頂部上に形成される。第２ストラット層１２２を、内部ストラット層１０６に関する上記記載と同じ方法により形成してもよい。第２ストラット層１０６は、ステントのストラットの側壁および外壁を提供する。
【００２４】
第２のストラット層１２２を形成した後、第３のフォトレジスト層１１６の残部を除去する。第３のフォトレジスト層１１６を、第１のフォトレジスト層１０２を除去するための上記と同じ方法、または当業者に知られている任意の方法を用いて除去してもよい。第３フォトレジスト層１１６を除去した後、図１３に示すように、内部ストラット層１０６および第２ストラット層１２２は基材１００の上に配置されたままとし、犠牲材料１１４は、ストラット１０６と１２２との間のキャビティに留まる。
【００２５】
その後、犠牲材料１１４および基材１００を、例えば、化学エッチングまたは当業者に知られているその他の方法により除去される。ストラット層１２２、１０６を損傷することなく、犠牲材料１１４および基材１００が除去される。例えば、基材１００および犠牲材料１１４が銅または銀である場合、これらは硝酸を用いて除去されるが、これに限定されない。基材１００および／または犠牲材料１１４に鉄、スズまたはマグネシウムを使う場合、除去に塩酸が使用される。アルミニウムで作製された犠牲層を除去するためには、リン酸混合物が使用される。タングステン、モリブデン、タンタルまたは炭素で作製された犠牲層を除去するときには、ガスまたはプラズマエッチングが使用される。当業者であれば理解するであろうが、犠牲材料１１４および基材１００に様々な材料を用いることができ、ストラット層１２２、１０６にも様々な材料を用いることができる。エッチング液が溶解し、さもなければ、ストラット層材料１２２，１０６を損傷することなく、キャビティおよび基材の犠牲材料１１４，１００を除去するよう、材料およびエッチング液が選択される。全体を本明細書に援用する２００９年７月９日に出願された米国特許出願第１２／５００３５９号は、別の金属または合金を損傷することなく、一つの金属または合金を除去する様々なエッチング液を開示している。さらに、当業者であれば、基材１００が犠牲材料の表面被膜を含むだけであることを認識するであろう。このような実施形態では、表面被膜の除去により、ステント１３０が基材１００から取り外せるよう基材１００の外径が十分に小さくなる。
【００２６】
犠牲材料１１４および基材１００を除去すると、ストラット層１０６、１２２が、図１４および図１４Ａに示されているように、ステント１３０のストラット１２５として残る。ストラット１２５は、図１５に示すように、キャビティ１２６と、キャビティ１２６からストラット１２５の外部表面への開口部１２４とを含む。
【００２７】
その後、図１６に示されているように、キャビティ１２６を治療物質１２８で満たしてもよい。開口部１２４を通じて、および／またはキャビティ１２６を満たす目的で開けられたその他の開口部を通じて、キャビティ１２６を満たしてもよい。このような追加の開口部は、それを使用する場合は、キャビティ１２６を治療物質１２８で満たした後には閉じることができる。当業者に知られている方法により、キャビティ１２６を治療物資で満たしてもよい。例えば、液体または準液体状態の治療薬剤を、開口部１２４またはその他に提供される開口部を通じて流すことにより、キャビティ１２６を満たしてもよい。
【００２８】
ストラット１２５内に本質的に１つのキャビティ１２６が延びており、ストラット全に沿って様々な位置に開口部１２４が配置されているように、ストラット１２５のキャビティ１２６は連続的であるのがよいことは、当業者であれば理解できる。しかし、フォトレジスト層のパターンを変更することにより、特に、第２および第３フォトレジスト層１１０／１１６、キャビティ１２６は、連続的である必要はない。例えば、ある位置では、第２フォトレジスト層１１０がこれらの場所に残るよう、第２フォトレジスト層１１０の複数の開口部１１２は含まれなくてもよいが、これに限定されない。このため、犠牲材料１１４をこれらの場所には追加せず、これらの位置にある第３フォトレジスト層１１６の部分１２０を除去する。よって、これらの場所にキャビティ１２４が存在しないよう、第２のストラット層１２２はこれらの場所で第１のストラット層１０６を完全に覆う。例えば、ステンの各末端近くには、固体のストラットが提供され得るが、これに限定されない。よって、第１の治療物質はステントの末端で使用され得、第２の治療物質はステントの中間部分で使用され得る。変形例として、送達中または拡張中により高負荷のステントの部分は、高い耐荷重を提供するため、中実ストラットを含んでもよい。本明細書に記載の方法を用いて、キャビティ１２６を所望の数の個別のキャビティに分けるため、またはストラット全体の長さに沿って、単一の継続するキャビティを有するためのフォトレジスト層パターン化の可能性が無数に存在することを、当業者であれば理解できる。
【００２９】
開口部１２４が連続的でないことが好ましいと、さらに理解できる。代わりに、開口部１２４は、図１４Ａに示されているように、ストラット１２５に沿って異なる場所に位置する。しかしながら、当業者であれば、開口部１２４は連続的であってもよいと認識するであろう。さらに、フォトレジスト層のパターン化を変えることにより、開口部１２４の寸法、形状、および／または密度（単位長または単位領域当たりの数）は、ステントの中でも異なってもよい。その様な変化は、ステントに沿って治療物質の溶出速度を変えられる。例えば、ステントの中間部分に、より多く又はより大きな開口部が開け、ステントの末端近くには、より少ない又はより小さい開口部が開けられるが、これに限定されない。
【００３０】
治療物質１２８は、抗腫瘍性物質、抗有糸分裂物質、抗炎症物質、抗血小板物質、抗凝固物質、抗フィブリン物質、抗トロンビン物質、抗増殖物質、抗生物質、抗酸化物質、抗アレルギー物質ならびにそれらの組合せが挙げられるが、これに限定されない。抗腫瘍剤および/または抗有糸分裂剤の例として、パクリタキセル（例えば、ブリストル・マイヤーズ株式 会社（コネチカット州スタンフォード）のＴＡＸＯＬ（登録商標））、ドセタキセル（例えば、Ａｖｅｎｔｉｓ  Ｓ．Ａ．社（ドイツ、フランクフルト）のＴａｘｏｔｅｒｅ（登録商標））、メトトレキサート、アザチオプリン、ビンクリスチン、ビンブラスチン、フルオロウラシル、塩酸ドキソルビシン（例えば、Ｐｈａｒｍａｃｉａ＆Ｕｐｊｏｈｎ社（ニュージャージー州ピーパック）のＡｄｒｉａｍｙｃｉｎ（登録商標））、およびマイトマイシン（例えば、ブリストル・マイヤーズ株式会社（コネチカット州スタンフォード）のＭｕｔａｍｙｃｉｎ（登録商標））が挙げられる。抗血小板剤、抗凝固剤、抗フィブリン剤、および抗トロンビン剤の例として、ヘパリンナトリウム、低分子量ヘパリン、ヘパリン類似物質、ヒルジン、アルガトロバン、フォルスコリン、バピプロスト、プロスタサイクリンおよびプロスタサイクリンアナログ、デキストラン、Ｄ−ｐｈｅ−ｐｒｏ−ａｒｇ−クロロメチルケトン（合成抗トロンビン）、ジピリダモール、糖タンパク質ＩＩｂ／ＩＩＩａ血小板膜受容体拮抗剤抗体、組換えヒルジン、およびＡｎｇｉｏｍａｘ（商標）（Ｂｉｏｇｅｎ社、マサチューセッツ州ケンブリッジ）などのトロンビン阻害剤が挙げられる。このような細胞増殖抑制剤または抗増殖剤の例として、ラパマイシン（シロリムス）、ゾタロリムス、エベロリムス、アンギオペプチン、カプトプリル（例えば、ブリストル・マイヤーズ株式 会社（コネチカット州スタンフォード）製のＣａｐｏｔｅｎ（登録商標）およびＣａｐｏｚｉｄｅ（登録商標））などのアンギオテンシン変換酵素阻害剤、シラザプリルまたはリシノプリル（例えば、Ｍｅｒｃｋ＆Ｃｏ．，Ｉｎｃ（ニュージャージー州ホワイトハウスステーション）製のＰｒｉｎｉｖｉｌ（登録商標）およびＰｒｉｎｚｉｄｅ（登録商標））、カルシウムチャネル遮断薬（ニフェジピンなど）、コルヒチン、線維芽細胞成長因子（ＦＧＦ）拮抗薬、魚油（オメガ３脂肪酸）、ヒスタミン拮抗薬、ロバスタチン（ＨＭＧ−ＣｏＡ還元酵素の阻害剤、コレステロール低下薬、ブリストル・マイヤーズ株式会社（コネチカット州スタンフォード）製の商品名Ｍｅｖａｃｏｒ（登録商標））、モノクロナール抗体（血小板由来増殖因子（ＰＤＧＦ）受容体に特化したもの）、ニトロプルシド、ホスホジエステラーゼ阻害剤、プロスタグランジン阻害剤、スラミン、セロトニン遮断薬、ステロイド、チオプロテアーゼ阻害剤、トリアゾロピリミジン（ＰＤＧＦ拮抗薬）、および一酸化窒素が挙げられる。抗アレルギー剤の例として、ペミロラストカリウムが挙げられる。使用され得るその他の治療物質または治療剤には、一酸化窒素、α−インターフェロン、遺伝子操作された上皮細胞、およびデキサメタゾンが含まれ得る。他の実施例では、治療物質は、放射線治療手順における埋め込み型装置使用のための放��性同位元素である。放射性同位元素の例として、リン（Ｐ32）、パラジウム（Ｐｄ103）、セシウム（Ｃｓ131）、イリジウム（Ｉ192）およびヨウ素（Ｉ125）が挙げられるが、これらに限定されない。前記の治療物質または治療剤の予防および治療特性は、当業者によく知られているが、前記物質または薬剤は例として提供されるのであり、制限することを意図しない。その他の治療物質は、開示された方法および組成物での利用に等しく適用可能である。
【００３１】
さらに、治療物質または治療剤に担体を使用してもよい。好適な担体の例として、エタノール、アセトン、テトラヒドロフラン、ジメチルスルホキシド、それらの組み合わせ、または当業者に既知のその他の好適な担体が含まれるが、これらに限定されない。さらにまた、薬剤の溶出を支援するために、薬剤および溶剤と共に界面活性剤を処方してもよい。
【００３２】
本発明の様々な実施形態について先に記載したが、これらは図示および例示としてのみ表されたのであって、これらに限定されないことを理解されるべきである。本発明の精神および範囲を離れることなく、形式および詳細において様々な変更を行い得ることは、関連技術分野の当業者には明らかであろう。よって、本発明の広さおよび範囲は、上記の任意の模範的実施例に限定されるべきではないが、添付の請求の範囲およびその同等物に従ってのみ定義されるべきである。本明細書に記載の各実施形態および本明細書に引用の各引用の各特徴は、任意の他の実施形態との組合せで使用され得る。さらに、前記の技術分野、背景技術、発明の概要または発明を実施するための形態に提示された任意の明示的または暗示的な任意の理論により拘束されることを意図していない。本明細書に記載の全ての特許文献および刊行物は、その全体を引用により含めるものとする。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図３Ａ】
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【図４】
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【図４Ａ】
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【図５】
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【図５Ａ】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１４Ａ】
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【図１５】
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【図１６】
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【国際調査報告】
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