(57)【要約】本発明によるビームラインイオン注入装置は、イオンビームを発生するように構成されたイオン源と、イオンビームを走査して、走査原点から発散する軌道を有する走査イオンビームを生じるように構成されたスキャナと、このスキャナの上流に配置され、イオンビームを走査原点における焦点に集束させるように構成された集束フィールドを有する集束素子とを具える。本発明によるイオンビームチューニング方法は、イオンビームを発生させるステップと、イオンビームを走査原点に位置する焦点に集束させるステップと、イオンビームを走査して、走査原点から発散する軌道を有する走査イオンビームを生ぜしめるステップとを具える。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
イオンビームを発生するように構成されたイオン源と、
前記イオンビームを走査して、走査原点から発散する軌道を有する走査イオンビームを生じるように構成されたスキャナと、
このスキャナの上流に配置され、イオンビームを走査原点における焦点に集束させるように構成された集束フィールドを有する集束素子と
を具えるビームラインイオン注入装置。
【請求項２】
請求項１に記載のビームラインイオン注入装置において、このビームラインイオン注入装置が更に、イオンビームセットアップ手順中に走査原点に位置させるビーム電流検出装置を具えており、このビーム電流検出装置は、走査原点におけるイオンビームのビーム電流を表す電流を検出ように構成されており、前記集束素子は、最大電流がビーム電流検出装置により検出されてイオンビームが走査原点における焦点に集束されるまでイオンビームを集束させるように構成されているようにしたビームラインイオン注入装置。
【請求項３】
請求項２に記載のビームラインイオン注入装置において、前記ビーム電流検出装置は、イオンビームセットアップ手順中に走査原点に位置させる最長孔を有するプレートと、イオンビームセットアップ手順中にこのプレートの下流に位置するビーム電流センサとを具えており、前記最長孔は、イオンビームの一部分を前記ビーム電流センサに向けて通過させるものであるビームラインイオン注入装置。
【請求項４】
請求項３に記載のビームラインイオン注入装置において、前記プレートと前記ビーム電流センサとが、移動アセンブリ内に一体化されているビームラインイオン注入装置。
【請求項５】
請求項３に記載のビームラインイオン注入装置において、前記最長孔は第１の方向で第１の幅を有し、前記イオンビームは前記焦点において前記第１の方向で第２の幅を有し、前記第１の幅は前記第２の幅よりも小さくしたビームラインイオン注入装置。
【請求項６】
請求項５に記載のビームラインイオン注入装置において、前記第１の幅は約２ミリメートル（mm）とし、前記第２の幅は約３mmとしたビームラインイオン注入装置。
【請求項７】
請求項２に記載のビームラインイオン注入装置において、前記ビーム電流検出装置は、第１の方向で第１の幅を有するビーム電流センサを具えており、前記イオンビームは、前記焦点において前記第１の方向で第２の幅を有し、前記第１の幅は前記第２の幅よりも小さくしたビームラインイオン注入装置。
【請求項８】
請求項１に記載のビームラインイオン注入装置において、前記集束素子は静電レンズを有しているビームラインイオン注入装置。
【請求項９】
請求項１に記載のビームラインイオン注入装置において、前記焦点は、前記イオンビームの幅が最小の幅にある際に生じるようになっているビームラインイオン注入装置。
【請求項１０】
イオンビームを発生させるステップと、
前記イオンビームを走査原点に位置する焦点に集束させるステップと、
前記イオンビームを走査して、前記走査原点から発散する軌道を有する走査イオンビームを生ぜしめるステップと
を具えるイオンビームチューニング方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載のイオンビームチューニング方法において、この方法が更に、前記走査原点における前記イオンビームのビーム電流を表す電流を検出する検出ステップを具えており、前記イオンビームを走査原点に位置する焦点に集束させる前記ステップが、前記走査原点における前記電流が最大電流になるまで前記イオンビームを調整するステップを有するようにするイオンビームチューニング方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載のイオンビームチューニング方法において、前記検出ステップが、最長孔を有するプレートを前記走査原点に配置するとともにこのプレートの下流にビーム電流センサを配置するステップを有し、前記最長孔が前記イオンビームの一部分を前記ビーム電流センサに向けて通過させるようにし、この最長孔は第１の方向で第１の幅を有し、前記イオンビームは前記焦点において前記第１の方向で第２の幅を有し、前記第１の幅は前記第２の幅よりも小さくするようにするイオンビームチューニング方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載のイオンビームチューニング方法において、前記第１の幅は約２mmとし、前記第２の幅は約３mmとするイオンビームチューニング方法。
【請求項１４】
請求項１１に記載のイオンビームチューニング方法において、前記検出ステップが、第１の方向で第２の幅を有するビーム電流センサを前記走査原点に配置するステップを有し、前記イオンビームが前記第１の方向で第２の幅を有し、前記第１の幅は前記第２の幅よりも小さくするようにするイオンビームチューニング方法。
【請求項１５】
請求項１０に記載のイオンビームチューニング方法において、前記イオンビームが前記走査原点の上流で第１の方向における幅を有し、前記イオンビームを前記走査原点に位置する前記焦点に集束させる前記ステップが、前記幅を前記走査原点における最小幅まで幅狭にするステップを有するようにするイオンビームチューニング方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一般的にビームラインイオン注入装置に関するものであり、特にイオンビームチューニングに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ビームラインイオン注入装置はイオンビームを発生し、このイオンビームを処理のためにワークピースに指向させる。このワークピースは例えば、材料を変形させるイオン処理を受ける半導体ウエハや、その他の物体とすることができる。ビームラインイオン注入装置は、イオンビームを発生させるイオン源と、このイオンビームを制御してワークピースに指向させるビームラインコンポーネントとを具えている。これらのビームラインコンポーネントには、質量分析器と、この質量分析器の下流にあるスキャナとを含めることができる。このスキャナは、イオンビームを走査平面内において走査周波数で往復走査させて走査原点から発散する軌道を有する走査イオンビームを生じるように構成されている。このスキャナは静電スキャナ又は磁気スキャナとすることができる。スキャナの下流に設けられた角度補正器が、走査原点から発散する軌道を有する走査イオンビームを受けて、走査イオンビームをより平行な軌道とするように走査イオンビームを偏向させる。ワークピースを走査平面に対し直交するように駆動することにより、走査イオンビームを、ワークピースの前面を横切るように分布させることができる。
【０００３】
走査イオンビームのイオンはある入射角でワークピースに当る。この入射角を制御したり、イオンビームの局所的なビーム角の広がりを最少にしたりすることはある分野にとって益々重要となってきている。このような分野の１つは、半導体ウエハ内へのチャネリングイオン注入である。半導体ウエハはシリコンから形成することができ、シリコンの結晶格子は、チャネリングを進展させるように配向されている。入射角が所望の角度から僅かに変化すると、不都合な事にチャネリングの量が減少するおそれがある。このチャネリングの量の減少は代表的に、イオンビームエネルギーが高くなると深刻となる。入射角やイオンビームの平行度を制御することにより、半導体ウエハ又はその他のワークピース内へのドーズ量の均一性を改善するのにも役立つ。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
質量分析器と、この質量分析器の下流の質量分解開口と、スキャナとを具える従来のビームラインイオン注入装置は、イオンビームを質量分解開口における焦点に集束させる。従って、イオンビームが質量分解開口の下流のスキャナの走査原点に到達する時までにこのイオンビームは拡がってしまう。この従来のビームラインイオン注入装置に対する１つの欠点は、イオンビームの局部的なビーム角の拡がりが、角度感応分野にとって許容しえない程度に大きくなるおそれがあるということである。１つの実験では、ホウ素イオンの高エネルギー（３メガ電子ボルト（ＭeV））イオンビームが０．０６°の局部的なビーム角の拡がりを有していた。すなわち、局部的なビーム角の平均に関する最大偏差は０．０６°であった。このような偏差はチャネリングの量に、従って、ドーパントイオンが半導体ウエハ内に注入される最終深さに悪影響を及ぼすおそれがある。更に、得られるドーズ量の均一性も悪影響を受けるおそれがある。
【０００５】
従って、上述した不備及び欠点を解決するビームラインイオン注入装置及び方法を提供するのが好ましい。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の第１の態様によれば、ビームラインイオン注入装置を提供する。このビームラインイオン注入装置は、イオンビームを発生するように構成されたイオン源と、前記イオンビームを走査して、走査原点から発散する軌道を有する走査イオンビームを生じるように構成されたスキャナと、このスキャナの上流に配置され、イオンビームを走査原点における焦点に集束させるように構成された集束フィールドを有する集束素子とを具える。
【０００７】
本発明の他の態様によれば、イオンビームチューニング方法を提供する。この方法は、イオンビームを発生させるステップと、前記イオンビームを走査原点に位置する焦点に集束させるステップと、前記イオンビームを走査して、前記走査原点から発散する軌道を有する走査イオンビームを生ぜしめるステップとを具える。
【０００８】
以下に、添付図面に示す代表的な実施例につき本発明を更に詳細に説明する。以下では代表的な実施例につき本発明を説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。本発明の内容を利用する当業者は、本発明の範囲内の更なる実施、変形及び具現化や、その他の使用分野を認識しうるものであり、これらに対して本発明は重要な役割を果たすものである。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】図１は、本発明によるビームラインイオン注入装置を示すブロック線図である。
【図２】図２は、図１のビームラインイオン注入装置のイオンビームの軌道に対するデカルト座標系を示す線図である。
【図３】図３は、走査原点付近の、図１のイオンビームの分解平面図である。
【図４Ａ】図４Ａは、図３のライン４Ａ‐４Ａに沿って断面とした図３のイオンビームの横断面図である。
【図４Ｂ】図４Ｂは、図３のライン４Ｂ‐４Ｂに沿って断面とした図３のイオンビームの横断面図である。
【図５】図５は、ビーム電流検出装置の一実施例を示す斜視図である。
【図６】図６は、ビーム電流対時間を示すプロット図である。
【図７】図７は、図１によるビームラインイオン注入装置の一部に関する局部的なビーム角の拡がりを示す線図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
本発明を良好に理解するために添付図面を参照するが、これらの添付図面において同様な要素には同じ符号を付してある。
【００１１】
図１は、本発明によるビームラインイオン注入装置１００を示すブロック線図である。このビームラインイオン注入装置１００は、イオン源１０２と、集束素子１０４と、スキャナ１０６と、ビーム電流検出装置１４４と、コントローラ１２０と、ユーザインタフェースシステム１２２とを具えている。イオン源１０２は、イオンビーム１０５を発生するように構成されている。このイオン源１０２は、フィラメントにより熱イオン放出温度まで加熱されて電子をアークチャンバ内に放出するカソードを有する間接加熱カソード（ＩＨＣ）イオン源のような如何なる種類のイオン源とすることもできる。当該技術分野で既知のように、引出電極アセンブリは、イオンをアークチャンバ内のプラズマから引出開口を経て、良好に規定されたイオンビーム１０５となるように引き出すことができる。イオン源１０２から引き出されたイオンビーム１０５は、このイオン源１０２から引き出された際にほぼ円形の横断面形状を有するスポットビームとすることができる。スポットビームの横断面形状は、このスポットビームがビームラインに沿って下流に伝搬するにつれ変化するおそれがあり、ある場合には不規則な形状となるおそれもある。
【００１２】
集束素子１０４は、イオンビームを焦点に集束させるように構成された集束フィールドを有する。この集束フィールドは、例えば、集束素子の種類に応じて電界又は磁界とすることができる。一例では、集束素子１０４は、１つ以上の電源によりバイアスされてイオンビーム１０５を集束させる電界エネルギーを生じる１つ以上の電極を有する静電レンズとすることができる。静電レンズは、あるビームラインイオン注入装置において加減速コラム及び四極レンズの双方又は何れか一方とすることもできる。
【００１３】
スキャナ１０６は、イオンビーム１０５を走査平面内で往復走査又は偏向させて走査原点１０９から発散する軌道を有する走査イオンビーム１０７を生じるように構成されている。このスキャナ１０６は、静電スキャナ又は磁気スキャナとすることができる。静電スキャナには、ギャップを形成するように互いに離間させることができる走査プレートの形態の１組以上の走査電極を設けることができる。イオンビーム１０５は前記ギャップを通るように指向させるとともにこのギャップ内で電界により偏向させることができる。磁気スキャナには、磁極片とコイルとを設け、これらにより電磁石を構成するようにしうる。磁極片はギャップを形成するように互いに離間させ、このギャップを通るようにイオンビーム１０５を指向させるとともにこのギャップ内で磁界により偏向させるようにすることができる。
【００１４】
角度補正器１０８は、発散軌道を有する走査スポットビーム１０７を偏向させ、ほぼ平行なイオン経路軌道としたほぼ平行なイオンビーム経路を走査スポットビーム１０７に与えるようにする。この角度補正器１０８は、角度補正器磁石又は平行化静電レンズとすることができる。
【００１５】
エンドステーション部１１４には、所望のスペシーズのイオンがワークピース１１０に当るようにこのワークピース１１０を支持するプラテン（支持台）１１２を設けることができる。ワークピース１１０は、例えば、材料を変形させるためのイオン処理を受ける半導体ウエハ又はその他の物体とすることができる。又、ワークピース１１０は、一般的な円板状の形状のような種々の物理的な形状を成すようにもできる。エンドステーション部１１４には、ワークピース１１０をその保持領域からプラテン１１２に且つプラテン１１２から物理的に移動させるウエハ駆動システム(図示せず)を設けることもできる。ワークピース１１０は、静電クランプ処理のような既知の技術を用いてプラテン１１２に緊締させることができる。エンドステーション部１１４には、プラテン１１２を、従ってこのプラテンに緊締されたワークピース１１０を所望の態様で駆動するプラテン駆動システムを設けることもできる。このプラテン駆動システムには、例えば、サーボ駆動モータや、ねじ駆動機構や、機械的リンク機構や、当該技術分野で既知のようなその他の如何なる構成素子をも設けることができる。
【００１６】
コントローラ１２０は、ビームラインイオン注入装置１００の種々の何らかのシステム及び構成素子から入力データ及び命令を受け、これらを制御するための出力信号を生じるようにしうる。このコントローラ１２０は、所望の入力／出力機能を実行するようにプログラミングしうる汎用のコンピュータとするか又はこれを含むようにでき、或いはその回路網とするか又はこれを含むようにできる。このコントローラ１２０には、アプリケーション特有の集積回路や、その他の配線された又はプログラム可能な電子装置や、個別素子の回路等のような他の電子回路又は構成素子を含めることもできる。又、このコントローラ１２０には、通信装置や、データ記憶装置や、ソフトウェアを含めることもできる。ユーザインタフェースシステム１２２には、タッチスクリーン、キーボード、ユーザポインティングデバイス、ディスプレイ、プリンタ等のような装置を含め、ユーザが命令及びデータの双方又は何れか一方を入力しうるようにするか、又はコントローラ１２０を経てビームラインイオン注入装置１００をモニタリングするか、又はこれら入力及びモニタリングの双方を達成するようにするも、これらの装置に限定されるものではない。
【００１７】
図２を参照するに、このデカルト座標系は、ビームラインイオン注入装置１００の動作の説明を助けるために示してある。このデカルト座標系は、イオンビーム１０５の中央の軌道によって規定されたＺ軸を有している。このＺ軸に対し垂直な平面２０２にはＸ軸及びＹ軸が含まれている。Ｘ軸は平面２０２の水平軸であり、Ｙ軸はＸ軸に対し直交する、平面２０２の垂直軸である。従って、Ｚ軸はイオンビーム１０５の軌道が変化すると変化し、このＺ軸は、イオンビームがビームラインに沿って種々の個所で湾曲しうるためにこの軌道に対し接線となる。
【００１８】
ビームラインイオン注入装置１００のイオン源１０２は、動作中イオンビーム１０５を発生するように構成されている。イオンビーム１０５は、イオン源１０２から取り出された際にほぼ円形の横断面形状を有するスポットビームとすることができる。スキャナ１０６は、イオンビームを走査し、この走査されたイオンビーム１０７が走査原点１０９から発散する軌道を有するように生じるように構成されている。スキャナ１０６の上流に位置する集束フィールドを有する集束素子１０４は、イオンビーム１０５を走査原点１０９における焦点に集束させるように構成されている。イオンビーム１０５は、このイオンビームがビームラインに沿って下流に移動する際にＸ軸方向（Ｘ軸次元）で幅を変化させることができ、Ｘ軸方向におけるイオンビーム１０５の幅が最小となる際に焦点が生じうる。
【００１９】
図３を参照するに、この図３には、イオンビーム１０５がＺ軸方向で下流に向けて移動する際のこのイオンビーム１０５の展開平面図が示されている。Ｙ軸はこの図３の平面から出現するものであり、Ｘ軸方向に沿うイオンビーム１０５の幅は、このイオンビーム１０５がビームラインに沿って下流に伝搬する際に変化する。焦点３０６は、Ｘ軸に沿うイオンビーム１０５の幅が最小となる際に生じうる。図３の最上部の例では、イオンビーム１０５の焦点３０６がスキャナ１０６の走査原点１０９の下流に位置している。図３の中間部の例では、イオンビーム１０５の焦点３０６が走査原点１０９の上流に位置している。又、図３の最下部の例では、イオンビーム１０５の焦点３０６が走査原点１０９に位置している。
【００２０】
図４Ａは、図３のライン４Ａ‐４Ａに沿って断面とし、イオンビーム１０５の移動方向において下流方向に見たこのイオンビーム１０５の横断面図である。同様に、図４Ｂは、図３のライン４Ｂ‐４Ｂに沿って断面とし、イオンビーム１０５の移動方向において下流方向に見たこのイオンビーム１０５の横断面図である。図４Ｂは、イオンビーム１０５がその焦点３０６に集束された際のこのイオンビーム１０５の近似形状を示している。図４Ａに示すイオンビーム１０５の幅（Ｗ３）は、焦点３０６に生じる、図４Ｂに示すこのイオンビーム１０５の最大幅（Ｗ２）よりもかなり広い。一実施例では、この最大幅（Ｗ２）を約３ミリメートル（mm）とする。図４Ａ及び４Ｂは、Ｙ軸方向におけるイオンビーム１０５の高さがほぼ同様であることを示しているが、必ずしもこのようにする必要はない。その理由は、高さも変えることができる為である。イオンビーム１０５の横断面形状は、ある場合には不規則的な形状にすることもできる。
【００２１】
図５を参照するに、この図５には、イオンビームセットアップ手順中に走査原点１０９に位置させるビーム電流検出装置１４４の一実施例を示す斜視図が示されている。このビーム電流検出装置１４４には、最長孔５０４を有するプレート５０２を設けることができる。このビーム電流検出装置１４４には更に、最長孔５０４の下流に位置するファラデーカップのようなビーム電流センサ５０６を設けることができる。プレート５０２とビーム電流センサ５０６とは、アーム５０８により支持された移動（トラベリング）アセンブリ５１０内に一体化することができる。或いはまた、ビーム電流センサ５０６は、これが最長孔５０４を有する適切配置のプレートの下流に配置されている限り、同じ移動アセンブリ内に存在させないようにできる。アーム５０８をアクチュエータ(図示せず)により駆動するとともに、コントローラ１２０により制御して、ビームセットアップ手順中にプレート５０２の最長孔５０４が走査原点１０９に配置されるようにしうる。最長孔５０４は、図４Ｂに示すような、イオンビーム１０５の焦点３０６におけるこのイオンビーム１０５の最小幅（Ｗ２）よりも小さいＸ軸方向における幅（Ｗ１）を有するようにしうる。ある場合には、Ｘ軸方向における最長孔の幅（Ｗ１）を２mmとし、同じＸ軸方向におけるイオンビーム１０５の焦点３０６におけるこのイオンビーム１０５の最小幅（Ｗ２）を３mmとすることができる。
【００２２】
動作に当っては、ビームセットアップ手順中にビーム電流検出装置１４４を走査原点１０９に配置する。特に、最長孔５０４を有するプレート５０２をＺ軸に沿って走査原点１０９に配置しうる。最長孔５０４は、イオンビーム１０５の一部がここを通過して下流のビーム電流センサ５０６に到達するようにする。従って、ビーム電流センサ５０６はイオンビーム１０５のこの部分のビーム電流値を検出しうる。図６におけるプロットが示しているように、イオンビーム１０５のこの部分のビーム電流値は、集束素子１０４がイオンビーム１０５を集束させる為に変化する。ビーム電流センサ５０６により検出されたビーム電流は時間（t1）において最大値となり、このことは焦点３０６が走査原点１０９にあることを表している。例えば、図３を参照するに、図３の最上部の例に示されているように、焦点３０６が走査原点１０９の下流にある場合には、ビーム電流センサにより検出されるビーム電流は最大値よりも小さくなる。その理由は、同じ量のビーム電流がＸ軸方向で大きな距離に亘って分散される為である。同様に、図３の中間部の例に示されているように、焦点３０６が走査原点１０９の上流にある場合にも、ビーム電流センサにより検出されるビーム電流は最大値よりも小さくなる。最終的に、図３の最下部の例に示されているように、焦点３０６が走査原点１０９と整列されるまでは、ビーム電流センサが時間（t1）において最大値を検出することはない。
【００２３】
更に他の実施例では、ビーム電流検出装置１４４に、イオンビームの焦点３０６におけるＸ軸方向でのこのイオンビームの最小幅（Ｗ２）よりも小さいＸ軸方向での幅を有するビーム電流センサを設けることができる。一実施例では、このビーム電流センサを、最長孔５０４とほぼ同様な最長形状を有するようにするとともに、グラファイトのような導電性材料から形成するようにすることができる。
【００２４】
更に他の実施例では、走査原点１０９に近接するイオンビーム１０５の像を捕捉するカメラをイオンビーム１０５に対し関連する位置に配置することができる。このカメラにより捕捉されたイオンビーム１０５の像をコントローラ１２０に入力させることができる。これに応答してコントローラ１２０が、イオンビームを走査原点における焦点に集束させることを集束素子１０４に指令するようにしうる。
【００２５】
従って、スキャナの上流に位置し、イオンビームを走査原点における焦点に集束させるように構成された集束フィールドを有する集束素子を具えるビームラインイオン注入装置が得られる。有利なことに、イオンビームを走査原点における焦点に集束させることにより、イオンビーム１０５の局部的なビーム角の拡がりが最少となる。このことは、チャネリングイオン注入のためのイオンビームを高エネルギーにするようなある分野にとって望ましいことである。
【００２６】
図７は、局部的なビーム角の拡がりが最少である状態を示すブロック線図である。図７の実施例におけるスキャナ１０６は、ギャップを形成するように互いに離間された走査プレート７０２及び７０４を有する静電スキャナである。動作に当っては、以前に詳述したように、イオンビーム１０５を走査原点１０９における焦点に集束させる。スキャナの下流にある角度補正器１０８は、走査されたイオンビーム１０７の発散軌道をより一層平行な軌道に偏向させるレンズとして作用する。角度補正器１０８を出射するイオンビーム１０５も局部的なイオン軌道を有している。例えば、ワークピース１１０の１つのエッジに当るイオンビーム１０５の展開図を示してあり、この展開図において、個々のビームレット７１０、７１２、７１４、７１６及び７１８が最少の局部的なビーム角の拡がりを有するようにするのが有利であり、従って、これらのビームレットが互いに極めて平行になるようにするのが有利である。
【００２７】
一実施例では、ホウ素イオンより成る３ＭeVのイオンビームを走査原点における焦点に集束させることにより、このイオンビームは０．０１°のみの局部的なビーム角の拡がりを呈した。この局部的なビーム角の拡がりが、局部的なビーム角の平均に関する最大偏差となる。例えば、中央のビームレット７１４が０°の入射角における局部的なビーム角の平均を表し、他の何れのビームレット７１０、７１２、７１６及び７１８によるこの局部的なビーム角の平均からの最大偏差が０．０１°である場合には、局部的なビーム角の拡がりは０．０１°である。従って、有利なことに、ビームレット７１０、７１２、７１６及び７１８も互いに極めて平行となる。更に、局部的なビーム角の拡がりを制御することは、ワークピース１１０に種々の位置で当るイオンビーム１０５を比較した場合の平行度を全体的に改善するのにも役立つ。
【００２８】
これとは対照的に実験データが示した通り、ビームの焦点が質量分解スリットに生じた場合、ホウ素イオンより成る同じ３ＭeVのイオンビームはより大きな０．０６°の局部的なビーム角の拡がりを有した。更に、ワークピースとしてのイオン注入されたシリコンウエハに関する均一性の結果は、サーマウェーブ（Therma-wave:登録商標）プローブにより測定したところ０．７％から０．３％に改善された。
【００２９】
本発明の範囲はここで述べた特定の実施例に限定されるものではない。上述した説明及び図面から当業者にとって明らかなように、ここで述べた特定の実施例以外に、他の種々の例及び変形例を本発明に加えうるものである。従って、このような他の例及び変形例は本発明の範囲内に入るものである。更に、本発明は、特定の目的に対する特定の環境における特定の実施との関連で説明したが、当業者にとって明らかなように、この説明の有効性は、この関連に限定されず、本発明は種々の如何なる目的に対する種々の如何なる環境においても有効に実施しうるものである。従って、本発明の特許請求の範囲は、上述した本発明の全容及び精神を考慮して解釈すべきである。
【図１】
2013537359.tif 000003
【図２】
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【図３】
2013537359.tif 000005
【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５】
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【図６】
2013537359.tif 000009
【図７】
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【国際調査報告】
2013537359.tif 000011
2013537359.tif 000012