(57)【要約】  １つまたは複数の銅混合Ｉ−ＶＩＩ化合物半導体材料障壁層を含んだ半導体発光デバイスのための実装形態および技法が概ね開示される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｎ型領域とｐ型領域の間に配置された銅混合Ｉ−ＶＩＩ化合物半導体発光層と、
前記ｎ型領域と前記Ｉ−ＶＩＩ化合物半導体発光層の間に配置された第１の障壁層と、
前記ｐ型領域と前記Ｉ−ＶＩＩ化合物半導体発光層の間に配置された第２の障壁層と
を備え、前記第１の障壁層または前記第２の障壁層のうちの少なくとも一方が銅混合Ｉ−ＶＩＩ化合物半導体材料を備える半導体発光デバイス。
【請求項２】
前記第１の障壁層または第２の障壁層のうちの少なくとも一方が四元銅混合Ｉ−ＶＩＩ化合物半導体材料を備える、請求項１に記載のデバイス。
【請求項３】
前記第１の障壁層または第２の障壁層のうちの少なくとも一方がＣｕＩＢｒＣｌタイプの四元銅混合Ｉ−ＶＩＩ化合物半導体材料を備える、請求項１に記載のデバイス。
【請求項４】
前記第１の障壁層または第２の障壁層のうちの少なくとも一方が三元銅混合Ｉ−ＶＩＩ化合物半導体材料を備える、請求項１に記載のデバイス。
【請求項５】
前記第１の障壁層または第２の障壁層のうちの少なくとも一方がＣｕＩＣｌタイプの銅混合Ｉ−ＶＩＩ化合物半導体材料を備える、請求項１に記載のデバイス。
【請求項６】
前記銅混合Ｉ−ＶＩＩ化合物半導体が、ＣｕＣｌ、ＣｕＢｒ、ＣｕＩまたはそれらの組み合わせを備える、請求項１に記載のデバイス。
【請求項７】
前記ｎ型領域および／または前記ｐ型領域がＩ−ＶＩＩ化合物半導体を備える、請求項１に記載のデバイス。
【請求項８】
前記ｎ型領域がＳｉ基板の（１１１）表面を覆う、請求項１に記載のデバイス。
【請求項９】
前記ｐ型領域に結合された透明電極をさらに備える、請求項１に記載のデバイス。
【請求項１０】
前記ｎ型領域に結合された金属電極をさらに備える、請求項１に記載のデバイス。
【請求項１１】
前記第１の障壁層または前記第２の障壁層のうちの少なくとも一方が、前記銅混合Ｉ−ＶＩＩ化合物半導体発光層中の自発分極電界および圧電分極電界が互いに逆の方向を有することになるように適合された材料組成を有する、請求項１に記載のデバイス。
【請求項１２】
前記銅混合Ｉ−ＶＩＩ化合物半導体が、ＣｕＣｌ、ＣｕＢｒ、ＣｕＩまたはそれらの組み合わせを備え、
前記第１の障壁層または第２の障壁層のうちの少なくとも一方がＣｕＩＢｒＣｌタイプの四元銅混合Ｉ−ＶＩＩ化合物半導体材料を備え、
前記ｎ型領域および／または前記ｐ型領域がＩ−ＶＩＩ化合物半導体を備え、
前記ｎ型領域がＳｉ基板の（１１１）表面を覆い、
前記第１の障壁層または前記第２の障壁層のうちの少なくとも一方が、前記銅混合Ｉ−ＶＩＩ化合物半導体発光層中の自発分極電界および圧電分極電界が互いに逆の方向を有することになるように適合された材料組成を有する
請求項１に記載のデバイス。
【請求項１３】
リードフレームと、
前記リードフレームの上に取り付けられた半導体発光デバイスと
を備えるランプであって、前記半導体発光デバイスが、
ｎ型領域とｐ型領域の間に配置された銅混合Ｉ−ＶＩＩ化合物半導体発光層と、
前記ｎ型領域と前記Ｉ−ＶＩＩ化合物半導体発光層の間に配置された第１の障壁層と、
前記ｐ型領域と前記Ｉ−ＶＩＩ化合物半導体発光層の間に配置された第２の障壁層と
を備え、前記第１の障壁層または前記第２の障壁層のうちの少なくとも一方が銅混合Ｉ−ＶＩＩ化合物半導体材料を備えるランプ。
【請求項１４】
前記第１の障壁層または第２の障壁層のうちの少なくとも一方がＣｕＩＢｒＣｌタイプの四元銅混合Ｉ−ＶＩＩ化合物半導体材料を備える、請求項１３に記載のランプ。
【請求項１５】
前記第１の障壁層または第２の障壁層のうちの少なくとも一方がＣｕＩＣｌタイプの銅混合Ｉ−ＶＩＩ化合物半導体材料を備える、請求項１３に記載のランプ。
【請求項１６】
前記第１の障壁層または前記第２の障壁層のうちの少なくとも一方が、前記銅混合Ｉ−ＶＩＩ化合物半導体発光層中の自発分極電界および圧電分極電界が互いに逆の方向を有することになるように適合された材料組成を有する、請求項１３に記載のランプ。
【請求項１７】
ユーザインタフェースを提供することができるコンピューティングデバイスと、
前記コンピューティングデバイスに通信結合された、前記ユーザインタフェースを表示することができるディスプレイと
を備えるシステムであって、前記ディスプレイが少なくとも半導体発光デバイスを含み、前記半導体発光デバイスが、
ｎ型領域とｐ型領域の間に配置された銅混合Ｉ−ＶＩＩ化合物半導体発光層と、
前記ｎ型領域と前記Ｉ−ＶＩＩ化合物半導体発光層の間に配置された第１の障壁層と、
前記ｐ型領域と前記Ｉ−ＶＩＩ化合物半導体発光層の間に配置された第２の障壁層と
を備え、前記第１の障壁層または前記第２の障壁層のうちの少なくとも一方が銅混合Ｉ−ＶＩＩ化合物半導体材料を備えるシステム。
【請求項１８】
前記第１の障壁層または第２の障壁層のうちの少なくとも一方がＣｕＩＢｒＣｌタイプの四元銅混合Ｉ−ＶＩＩ化合物半導体材料を備える、請求項１７に記載のシステム。
【請求項１９】
前記第１の障壁層または第２の障壁層のうちの少なくとも一方がＣｕＩＣｌタイプの銅混合Ｉ−ＶＩＩ化合物半導体材料を備える、請求項１７に記載のシステム。
【請求項２０】
前記第１の障壁層または前記第２の障壁層のうちの少なくとも一方が、前記銅混合Ｉ−ＶＩＩ化合物半導体発光層中の自発分極電界および圧電分極電界が互いに逆の方向を有することになるように適合された材料組成を有する、請求項１７に記載のシステム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は一般に発光デバイスに関し、より詳細にはＩ−ＶＩＩ化合物半導体を使用して形成された発光ダイオードに関する。
【背景技術】
【０００２】
発光ダイオード（ＬＥＤ）あるいはレーザダイオードなどの半導体発光デバイスは、一般にそれらの寿命が長く、必要とされる電力が少なく、かつ、信頼性が高いため、半導体発光デバイスが光源を形成している民生用電子機器などのさまざまな用途に使用することができる。
【０００３】
青色は原色の１つであり、ＬＥＤを使用して全色表示を生成するデバイスには青色を組み込む必要があるため、ＬＥＤの中でもとりわけ青色ＬＥＤは、近頃注目の的になっている。また、青色光は波長が短いため、赤色光または黄色光と比較すると、この青色光を使用することによってより多くの情報を光学記憶装置に記憶することができる。
【０００４】
青色ＬＥＤの使用の増加に伴って、量子効率がより高いＬＥＤ、つまり所与の量の電気から生成することができる光の量が多いＬＥＤの要求、あるいは量子効率が高い発光デバイスを形成することができる新しい材料の必要性が同じく増加している。
【発明の概要】
【０００５】
以下の説明は、特許請求される主題についての完全な理解を提供するために、さまざまな例を特定の詳細と共に示したものである。しかしながら、特許請求される主題は、本明細書において開示されているこれらの特定の詳細の一部またはもっと多くの詳細がなくても実践することができることは当業者には理解されよう。さらに、よく知られている方法、手順、システム、コンポーネントおよび／または回路については、特許請求される主題を不必要に曖昧にすることを回避するために、場合によっては詳細には記述されていない。以下の詳細な説明では、本明細書の一部をなしている添付の図面が参照されている。図において、同様の記号は、文脈によって他に特筆されていない限り、通常、同様のコンポーネントを識別している。この「発明を実施するための形態」の中で説明されている実例実施形態、図面および特許請求の範囲は、本発明の制限を意味するものではない。本明細書において示されている主題の精神または範囲を逸脱することなく他の実施形態を利用することも可能であり、また、他の変更を加えることも可能である。本明細書において概略的に説明され、かつ、図に示されている本開示の態様は、広範囲にわたるさまざまな異なる構成で配置し、置換し、組み合わせ、分離し、かつ、設計することができ、これらはすべて明確に企図されており、また、本開示の一部をなしていることは容易に理解されよう。
【０００６】
以下の詳細な説明では、本明細書の一部をなしている添付の図面が参照されており、図の同様の数表示は、対応する構成要素、あるいは類似の構成要素を示すために、すべての図を通して同様の部品を表している。図解を簡潔にし、および／または分かり易くするために、図に示されている構成要素は必ずしもスケール通りには描かれていないことを理解されたい。たとえば、いくつかの構成要素の寸法は、分かり易くするために場合によっては他の構成要素に対して誇張されている。さらに、特許請求される主題の範囲を逸脱することなく他の実施形態を利用することも可能であり、また、構造的および／または論理的変更を加えることも可能であることを理解されたい。また、図面の説明を容易にするために、たとえば上、下、頂部、底部、等々の方向および基準を使用することも可能であり、これらには、特許請求される主題の用途を制限することは意図されていないことに留意されたい。したがって以下の詳細な説明を制限的な意味合いで解釈してはならず、特許請求される主題の範囲は、特許請求の範囲およびそれらの等価物によって定義される。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本開示によって配置される発光デバイスの一実例となる実施形態の横断面図である。
【図２】本開示によって配置されるシステムの一実例となる実施形態の一部のブロック図である。
【図３】本開示によるＬＥＤパッケージの一実例となる実施形態の一部の横断面図である。
【図４】本開示によって配置される発光デバイス構造を生成するための方法の一実例となる実施形態の流れ図である。
【図５】本開示によって配置されるコンピューティングデバイスの一実例となる実施形態のブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
本開示は、とりわけ、１つまたは複数の銅混合Ｉ−ＶＩＩ化合物半導体材料障壁層を含んだ半導体発光デバイスに関連する方法、装置およびシステムに関している。
【０００９】
一般に、発光ダイオードあるいはレーザダイオードなどの発光デバイスによって放出される色は、その発光デバイスを形成している半導体材料のバンドギャップによって決定することができる。詳細には、電磁スペクトルの緑、青、紫および紫外（ＵＶ）部分の光は、赤色光または黄色光のエネルギーより大きいエネルギーを有している。このような高エネルギー光は、広いバンドギャップ、つまりエネルギーがより大きい光子（光の基本ユニット）を生成するだけの十分なバンドギャップを有する半導体材料を使用して生成することができる。「エネルギーギャップ」とも呼ばれているバンドギャップは、一般に価電子帯の頂部と伝導帯の底部の間のエネルギー差を意味しており、電子−正孔再結合過程の間に電子がより高い軌道からより低い軌道へ移行する際に放出する、光を生成することになる光子の形態のエネルギー放出を決定している。エネルギー降下が大きいほど、よりエネルギーが大きい光子が放出され、たとえば電磁スペクトルの緑、青または紫外（ＵＶ）部分の光が放出されることになる。
【００１０】
ＧａＮなどの第ＩＩＩ属窒化物、ならびにＺｎＳｅあるいはＺｎＳなどの特定のＩＩ−ＶＩ化合物は、たとえば青、緑および／またはＵＶ高エネルギー光を生成することができる広バンドギャップ半導体材料のいくつかの例である。本開示には、発光デバイスを形成するためのこのような従来の広バンドギャップ半導体材料と置き換えることができる第Ｉ−ＶＩＩ属半導体の使用が企図されている。
【００１１】
図１は、発光デバイス５の一実例実施形態の横断面図を示したものである。図に示されているように、発光デバイス５は、ｎ型領域（陰極）１４とｐ型領域（陽極）１８の間に配置された銅混合Ｉ−ＶＩＩ化合物半導体発光層（活性層）１０を含むことができる。銅混合Ｉ−ＶＩＩ化合物半導体発光層１０は、銅（Ｉ）塩化物（ＣｕＣｌ）、銅（Ｉ）臭化物（ＣｕＢｒ）、銅（Ｉ）ヨウ化物（ＣｕＩ）またはそれらの組み合わせなどの銅混合Ｉ−ＶＩＩ化合物半導体を含むことができる。表１は、銅混合Ｉ−ＶＩＩ化合物半導体のいくつかのバンドギャップエネルギーを示したものである。
【００１２】
【表１】
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【００１３】
このような銅混合Ｉ−ＶＩＩ化合物半導体発光層１０は、比較的大きい励起子結合エネルギーを有することができ、たとえば第ＩＩＩ属窒化物の励起子結合エネルギーの少なくとも２倍大きい励起子結合エネルギーを有することができ、それにより量子効率を改善することができる。詳細には、大きい励起子結合エネルギーを有するＩ−ＶＩＩ化合物半導体は、たとえば可視スペクトルの青色領域の光を放出する発光デバイスにとっては望ましい強い光学遷移を得るためには場合によっては適切である。励起子結合エネルギーは、互いに逆の電荷を有する正孔と電子の相互作用の測度であり、この励起子結合エネルギーを使用して正孔−電子再結合過程の強さを予測することができる。たとえばＣｕＢｒは、ＺｎＯの励起子結合エネルギーより大きい約１０８ｍｅＶの励起子結合エネルギーを有していることが知られている。したがってＩ−ＶＩＩ化合物半導体ベースの発光デバイスは、第ＩＩＩ属窒化物あるいはＺｎＯをベースとする発光デバイスなどの従来の広バンドギャップ半導体より大きい光学利得を有することを期待することができる。
【００１４】
しかしながら、Ｉ−ＶＩＩ化合物半導体を含めたこれらの広バンドギャップ半導体は、場合によっては圧電分極あるいは自発（任意）分極などの特性を示すことがある。圧電分極および自発分極は、分極特性の相違、および発光デバイスを形成している半導体薄膜間の格子定数の差によって生成されることがある。つまり、発光層は、種類が異なる層と層の間の界面応力によって生じるひずみ誘導圧電効果による大きい内部電界を有することがある。また、自発分極は、たとえば発光層自体のイオン性によって生じることもある。
【００１５】
大きい内部電界は、Ｉ−ＶＩＩ化合物半導体の光電気特性に影響を及ぼし、そのために電子と正孔の間に大きい空間分離が生成され、それにより所望の光を生成するための正孔と電子の有効な放射再結合が妨害されることがある。したがってＩ−ＶＩＩ半導体材料で形成される発光デバイスの内部効率を改善するためには、場合によっては、銅混合Ｉ−ＶＩＩ化合物半導体発光層１０中に存在する可能性のある内部電界を小さくしなければならない。
【００１６】
銅混合Ｉ−ＶＩＩ化合物半導体発光層１０の場合、このような銅混合Ｉ−ＶＩＩ化合物半導体発光層１０は、光学利得を改善するために圧縮してひずませることができるが、誘導される圧電効果によって、内部分極電界低減スキームがない場合の光学利得が小さくなることがある。Ｉ−ＶＩＩ化合物半導体を使用して形成される発光デバイスの場合、その発光デバイスを構築する際に内部電界の形成を制御することにより、広範囲にわたるさまざまな用途のために適した発光デバイスにするための異なる特性を得ることができる。内部電界の方向は、通常、ひずみおよび成長配向で決まる。発光層中の総分極は、自発分極と圧電分極の和であってもよい。
【００１７】
もう一度図１を参照すると、銅混合Ｉ−ＶＩＩ化合物半導体発光層１０中の総分極を小さくし、ひいては銅混合Ｉ−ＶＩＩ化合物半導体発光層１０中の内部電界を小さくし、それにより発光デバイス５の量子効率を高くするために、ｎ型領域１４と銅混合Ｉ−ＶＩＩ化合物半導体発光層１０の間に第１の障壁層１２を配置することができる。また、図１に示されているように、銅混合Ｉ−ＶＩＩ化合物半導体発光層１０中の総分極を小さくするために、ｐ型領域１８と銅混合Ｉ−ＶＩＩ化合物半導体発光層１０の間に第２の障壁層１３を配置することも可能である。
【００１８】
一実施形態によれば、第１の障壁層１２および／または第２の障壁層１３は、銅混合Ｉ−ＶＩＩ化合物半導体材料から構成することができる。たとえば第１の障壁層１２および／または第２の障壁層１３は、四元材料、たとえばＣｕＩＢｒＣｌタイプの銅混合Ｉ−ＶＩＩ化合物半導体材料から構成することができる。別法としては、第１の障壁層１２および／または第２の障壁層１３は、三元材料、たとえばＣｕＩＣｌタイプの銅混合Ｉ−ＶＩＩ化合物半導体材料から構成することも可能である。
【００１９】
一実施形態によれば、第１の障壁層１２および／または第２の障壁層１３は、銅混合Ｉ−ＶＩＩ化合物半導体発光層１０中の自発分極電界および圧電分極電界が互いに反対の方向を有することになる材料組成を有することができる。銅混合Ｉ−ＶＩＩ化合物半導体発光層１０中の自発分極電界および圧電分極電界は、銅混合Ｉ−ＶＩＩ化合物半導体発光層１０中の内部電界を小さくするか、あるいは相殺する（「減極」）ことができる特定の組成（たとえばさまざまな成分のモル分率）を選択し、銅混合Ｉ−ＶＩＩ化合物半導体発光層１０中にひずみを生成することによって互いに反対の方向を有するように配置することができる。
【００２０】
第１および／または第２の障壁層１２、１３の組成（たとえばさまざまな成分のモル分率）を制御することにより、第１および／または第２の障壁層１２、１３の格子定数を同じく制御することができ、それにより自発分極を小さくすることができる。さらに、自発分極を小さくするために、第１および／または第２の障壁層１２、１３の格子定数を銅混合Ｉ−ＶＩＩ化合物半導体発光層１０の格子定数より若干小さくし、あるいは若干大きくすることも可能である。
【００２１】
銅混合Ｉ−ＶＩＩ化合物半導体発光層１０中の内部電界を小さくするか、あるいは相殺するための特定のモル分率選択方法、および自発分極を小さくするための第１および／または第２の障壁層１２、１３の特定のモル分率選択方法についてのより広範囲にわたる説明は、たとえばPark, Seoung-Hwan; Ahn, Doyeol; & Kim, Jong-Wook (2008, May 2), Optical gain in InGaN/InGaAlN quantum well structures, Applied Physics Letters, 92, 171115、およびPark, Seoung-Hwan & Ahn, Doyeol (2009, Feb. 27), Internal field engineering in CdZnO/MgZnO quantum well structures, Applied Physics Letters, 94, 083507に見い出すことができる。上で参照した刊行物の内容は、いずれも参照によりその全体が本明細書に明白に組み込まれている。たとえばこのような方法を利用して、第１および／または第２の障壁層１２、１３の特定のモル分率を選択することができ、それらにはＣｕＩＢｒＣｌタイプの四元銅混合Ｉ−ＶＩＩ化合物半導体材料あるいはＣｕＩＣｌタイプの銅三元銅混合Ｉ−ＶＩＩ化合物半導体材料を含むことができる。
【００２２】
上で説明したように、内部電界の減極は、場合によっては銅混合Ｉ−ＶＩＩ化合物半導体発光層１０の圧電分極と自発分極の和の相殺によるものである。したがって、たとえば実質的に小さい内部電界または実質的にゼロの内部電界を有することにより、銅混合Ｉ−ＶＩＩ化合物半導体発光層１０の電気特性および光学特性を改善することができる。つまり、発光デバイス５は、内部電界の低減または除去による光学マトリクス要素の強化の結果として大きい光学利得を有することができる。
【００２３】
銅混合Ｉ−ＶＩＩ化合物半導体発光層１０中のひずみは、圧縮または引張りによるものであってもよい。圧縮ひずみの場合、銅混合Ｉ−ＶＩＩ化合物半導体発光層１０は、横方向、つまりウェーハの平面内で圧縮される。引張りひずみの場合、銅混合Ｉ−ＶＩＩ化合物半導体発光層１０は、横方向に沿って伸べ広げられる。いくつかの実施形態では、ひずみは引張りひずみであってもよい。
【００２４】
一実施形態によれば、発光デバイス５は、銅混合Ｉ−ＶＩＩ化合物半導体発光層１０ならびに第１および第２の障壁層１２、１３によって構成された少なくとも１つの量子井戸構造３０を含むことができる。知られているように、量子井戸構造３０は、半導体の薄い層をその半導体薄層のバンドギャップよりバンドギャップが広い半導体層と半導体層の間にはさむことによって形成することができる。半導体薄層は「井戸層」と呼ぶことができ、また、バンドギャップがより広い半導体層は「障壁層」と呼ぶことができる。バンドギャップが狭い半導体層およびバンドギャップが広い半導体層を交互に積層し、たとえば銅混合Ｉ−ＶＩＩ化合物半導体発光層１０と第１または第２の障壁層１２、１３とを交互に積層することによって多重量子井戸構造を形成することができる。いくつかの実施形態では、量子井戸構造３０は３つ以上の量子井戸を含むことができ、また、いくつかの実施形態では、５つないし７つの量子井戸を備えることができる。井戸の数を多くすることにより、発光デバイス５の総パワー出力を大きくすることができる。
【００２５】
いくつかの実施形態では、銅混合Ｉ−ＶＩＩ化合物半導体発光層１０の厚さは、約１０オングストロームないし約５０オングストロームにすることができる。特定の実施形態では、銅混合Ｉ−ＶＩＩ化合物半導体発光層１０の厚さを約２０オングストロームにし、また、第１および／または第２の障壁層１２、１３の厚さを約１００オングストロームにすることができる。量子井戸構造３０の厚さは、約３０オングストロームから約２５０オングストロームにすることができる。銅混合Ｉ−ＶＩＩ化合物半導体発光層１０または量子井戸中の成分のモル分率は調整が可能であり、したがって発光デバイス５の所望の波長放出を達成することができる。
【００２６】
発光デバイスの量子井戸構造の構造、量子機構および動作についてのより広範囲にわたる説明については、たとえばE. Fred Schubert, Light-Emitting Diodes, 2nd Edition (2006, Cambridge University Press)、Sze, Physics of Semiconductor Materials, 2d Edition (1981, John Wiley & Sons, Inc)、およびSze, Modern Semiconductor Device Physics (1998, John Wiley & Sons, Inc)に見い出すことができる。これらの原理は一般に当分野でよく理解されており、したがって本明細書においては、特許請求される主題を説明し、かつ、サポートするために必要な部分を除き、その反復は省略する。
【００２７】
いくつかの実施形態では、第１の障壁層１２および／または第２の障壁層１３ならびに銅混合Ｉ−ＶＩＩ化合物半導体発光層１０、つまり量子井戸層は、ドープされていなくてもよい（つまりケイ素またはマグネシウムなどの不純物で故意にドープされていない）。他の実施形態では、第１および／または第２の障壁層１２、１３を不純物でドープすることができる。たとえばこのような不純物には、亜鉛（Ｚｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、等々を含むことができるｎ型ドーパントを含むことができ、あるいは酸素（Ｏ）、硫黄（Ｓ）、セレン（Ｓｅ）、等々を含むことができるｐ型ドーパントを含むことができる。
【００２８】
いくつかの実施形態では、ｎ型領域１４および／またはｐ型領域１８にはＩ−ＶＩＩ化合物半導体が含まれている。たとえばｎ型領域１４には、ｎ−ＣｕＣｌ、ｎ−ＣｕＢｒまたはｎ−ＣｕＩを含むことができ、一方、ｐ型領域１８には、ｐ−ＣｕＣｌ、ｐ−ＣｕＢｒまたはｐ−ＣｕＩを含むことができる。
【００２９】
いくつかの実施形態では、図１に示されているように、ｎ型領域１４は、Ｓｉで形成された基板２０の（１１１）表面の上方に形成することができる。Ｓｉは、たとえ異なる結晶構造を有しているとしても、その格子定数が銅混合Ｉ−ＶＩＩ化合物半導体発光層１０を形成しているＩ−ＶＩＩ化合物半導体の格子定数に近いため、サファイヤなどのより高価な従来の基板材料と比較すると比較的安価なＳｉを使用することができる。 たとえばＳｉはダイヤモンド構造を有していることが知られており、その一方でＣｕＣｌもダイヤモンド構造を有している。詳細には、Ｓｉ基板２０の（１１１）表面は、基板２０の上に積み重ねることができるＣｕＣｌの結晶構造に場合によっては適しているため、このＳｉ基板２０の（１１１）表面を使用して発光デバイス５を製造することができる。他の実施形態では、基板２０は、サファイヤ、バルク窒化ガリウム、等々を含むことができる。
【００３０】
さらに他の実施形態では、発光デバイス５には、追加として、ｐ型領域１８に結合された透明電極２２が含まれている。透明電極２２は、一例として酸化インジウムスズ（たとえば酸化インジウム（ＩＩＩ）（Ｉｎ２Ｏ３）と酸化スズ（ＩＶ）（ＳｎＯ２）の組み合わせ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、等々および／またはそれらの組み合わせを含むことができる。
【００３１】
いくつかの実施形態では、発光デバイス５は、基板２０とｎ型領域１４の間に配置された、ｎ型領域１４の不純物濃度より高い不純物濃度を有するｎ型コンタクト層１６を含むことができる。いくつかの実施形態では、ｎ型コンタクト層１６にはＩ−ＶＩＩ化合物半導体が含まれている。たとえばｎ型コンタクト層１６は、ｎ＋ＣｕＣｌ、ｎ＋ＣｕＢｒまたはｎ＋ＣｕＩを含むことができる。
【００３２】
また、金属電極２４をｎ型コンタクト層１６に結合することも可能である。金属電極２４は、一例として、アルミニウム、金、白金、銀、等々および／またはそれらの組み合わせから形成することができる。別法としては、ｎ型領域１４に金属電極２４を結合することも可能である。たとえば、発光デバイス５がｎ型コンタクト層１６を含むことができない場合、ｎ型領域１４に金属電極２４を結合することができる。
【００３３】
したがって、本開示のいくつかの実施形態によれば、発光デバイスは、障壁層の組成を制御することにより、内部電界低減スキームを備えたＩ−ＶＩＩ半導体を使用して形成することができる。内部電界を銅混合Ｉ−ＶＩＩ化合物半導体発光層１０中で小さくするか、あるいは相殺することができるため、電子と正孔の間の空間距離を短くして電子−正孔再結合過程を改善することができる。したがってより大きいエネルギーを有する光の放出を高い効率で達成することができる。
【００３４】
図２は、本開示によるシステム２００の一実例実施形態の一部のブロック図を示したものである。図に示されているように、システム２００は、ディスプレイ２０１およびコンピューティングデバイス５００を含むことができる。一実施形態では、システム２００のディスプレイ２０１およびコンピューティングデバイス５００は、セルフォーン、パーソナルデータアシスタント（ＰＤＡ）、パーソナルメディアプレーヤデバイス、無線ウェブウォッチデバイス、特定用途向けデバイス、あるいは上記機能のうちのいずれかを含むハイブリッドデバイスなどの形状係数が小さい携帯型（つまり移動）電子デバイスとして実施することができる。また、システム２００は、ラップトップコンピュータおよび非ラップトップコンピュータ構成の両方を含むパーソナルコンピュータとして実施することも可能である。
【００３５】
一実施形態では、ディスプレイ２０１は、図１を参照して上で説明した少なくとも１つの発光デバイス５を含むことができる。さらに、ディスプレイ２０１は、発光デバイス５に加えて他の形態の発光デバイスを含むことも可能である。
【００３６】
以下で図５に関連してより詳細に説明するように、一実施形態では、コンピューティングデバイス５００は、システム２００の使用を容易にし、かつ、ユーザインタフェースを提供することができる。コンピューティングデバイス５００は、一実施形態では、ユーザインタフェースの表示を容易にし、かつ、ディスプレイ２０１と対話することができる。たとえばコンピューティングデバイス５００は、さまざまなインタフェースデバイス（たとえば出力インタフェース５６０、周辺インタフェース５７０、通信インタフェース、等々）を介した通信を容易にすることができる。出力インタフェース５６０の例は、ディスプレイ２０１を含むさまざまな外部デバイスと通信するように構成することができる。周辺インタフェース５７０の例は、ディスプレイ２０１の中に含まれている外部デバイスおよび／またはディスプレイ２０１に結合されている外部デバイス、たとえばタッチ入力デバイスなどと通信するように構成することができる。一実施形態では、このような出力インタフェース５６０および／または周辺インタフェース５７０は、ディスプレイ２０１の中に含めることができる。
【００３７】
図３は、本開示によるＬＥＤパッケージ３００の一実例である実施形態の一部の横断面図を示したものである。図に示されているように、ＬＥＤパッケージ３００は、リードフレーム３１０の上に取り付けることができる発光デバイス５を含むことができる。ＬＥＤパッケージ３００は、発光デバイス５を包み、あるいは覆うように配向し、かつ、配置することができるカプセル封止３２０を含むことができる。ＬＥＤパッケージ３００は、場合によってはエネルギー効率が高く、また、環境に優しい「ランプ」と呼ぶことも可能である。ＬＥＤパッケージ３００は、貫通孔型パッケージ、表面実装技術型（ＳＭＴ）パッケージおよび／または等々を含むことができる。
【００３８】
追加または別法として、本明細書において説明されている、ＬＥＤパッケージ３００、発光デバイス５、ディスプレイ２０１（図２）および／またはシステム２００（図２）に関する概念のいくつかは、増幅器、発光ダイオード、またはレイジング作用を提供するために光帰還を組み込んだ端面発光型あるいは表面発光型レーザを含めたさまざまなタイプの光電子デバイスを具体化することができる。たとえば、本明細書において説明されている、ＬＥＤパッケージ３００、発光デバイス５、ディスプレイ２０１（図２）および／またはシステム２００（図２）に関する概念のいくつかは、固体照明、固体表示、レーザ、発光ダイオード（ＬＥＤ）、生物医学的治療および診断デバイス、医療レーザ、眼科外科デバイス、ＤＶＤレーザ、等々および／またはそれらの組み合わせに用途を見い出すことができる。
【００３９】
図４は、発光デバイス構造を生成するための方法４００の一実例である実施形態の流れ図である。本明細書において説明されている方法４００および他の方法には、処理ステップ、機能的動作、事象および／または行為、等々として記述することができるさまざまな機能ブロックすなわちアクションが示されている。当業者には、本開示に照らして、図４に示されている機能ブロックに対する多くの代替をさまざまな実装形態で実践することができることを認識されよう。たとえば方法４００には、図４に示されているように１つの特定の順序のブロックすなわちアクションが含まれているが、これらのブロックすなわちアクションが出現する順序は、必ずしも特許請求される主題を何らかの特定の順序に限定するものではない。同様に、特許請求される主題の範囲を逸脱することなく、図４には示されていない介在アクション、および／または同じく図４には示されていない追加アクションを使用することができ、および／または図４に示されているアクションのうちのいくつかを省略することができる。
【００４０】
ブロック４０２で基板が提供される。ブロック４０４でｎ型コンタクト層が基板の上に堆積される。ｎ型コンタクト層は、分子線エピタキシー（ＭＢＥ）、有機金属気相成長（ＭＯＣＶＤ）、水素化物気相エピタキシー（ＨＶＰＥ）、原子層エピタキシー（ＡＬＥ）および／または等々によって堆積させることができる。ブロック４０６でｎ型領域がｎ型コンタクト層の上に堆積される。ｎ型領域は、ＭＢＥ、ＭＯＣＶＤ、ＨＶＰＥ、ＡＬＥおよび／または等々によって堆積させることができる。ブロック４０８で第１の障壁層がｎ型領域の上に堆積される。第１の障壁層は、ＭＢＥ、ＭＯＣＶＤ、ＨＶＰＥ、ＡＬＥおよび／または等々によって堆積させることができる。
【００４１】
ブロック４１０で半導体発光層が第１の障壁層の上に堆積される。半導体発光層は、ＭＢＥ、ＭＯＣＶＤ、ＨＶＰＥ、ＡＬＥおよび／または等々によって堆積させることができる。ブロック４１２で第２の障壁層が半導体発光層の上に堆積される。第２の障壁層は、ＭＢＥ、ＭＯＣＶＤ、ＨＶＰＥ、ＡＬＥおよび／または等々によって堆積させることができる。半導体発光層は第１の半導体材料を含むことができ、また、第１および第２の障壁層は第２の半導体材料を含むことができる。一例では、量子井戸は、第１の半導体材料の半導体発光層が第２の半導体材料の２つの障壁層の間にはさまれる二重ヘテロ構造を含むことができる。たとえば、１つのこのような二重ヘテロ構造は、銅混合Ｉ−ＶＩＩ化合物半導体材料（たとえばＣｕＩＢｒＣｌまたはＣｕＩＣｌ）を含めた第２の半導体材料の２つの障壁層の間にはさまれた、銅混合Ｉ−ＶＩＩ化合物半導体層（たとえばＣｕＣｌ、ＣｕＢｒまたはＣｕＩ）を含めた第１の半導体材料の半導体発光層を含むことができる。
【００４２】
ブロック４１４でｐ型領域が第２の障壁層の上に堆積される。ｐ型領域は、ＭＢＥ、ＭＯＣＶＤ、ＨＶＰＥ、ＡＬＥおよび／または等々によって堆積させることができる。ｎ型領域およびｐ型領域は、半導体発光層中に電荷担体を注入することができるｐ−ｎ接合を画定することができる。ブロック４１６で１つまたは複数の電極が堆積される。たとえば透明電極をｐ型領域の上に堆積させることができる。さらに、金属電極をｎ型コンタクト層の上に（または別法としてｎ型領域の上に）堆積させることができる。
【００４３】
図５は、本開示による、発光デバイス構造を生成するために配置されるコンピューティングデバイス５００の一実例実施形態のブロック図である。一基本構成５０１例では、コンピューティングデバイス５００は、１つまたは複数のプロセッサ５１０およびシステムメモリ５２０を含むことができる。メモリバス５３０を使用して、プロセッサ５１０とシステムメモリ５２０の間で通信することができる。
【００４４】
プロセッサ５１０は、所望の構成に応じて、それらに限定されないが、マイクロプロセッサ（μＰ）、マイクロコントローラ（μＣ）、デジタル信号プロセッサ（ＤＳＰ）またはそれらの任意の組み合わせを含めた任意のタイプのプロセッサとすることができる。プロセッサ５１０は、レベル１キャッシュ５１１およびレベル２キャッシュ５１２などの１つまたは複数のレベルのキャッシング、プロセッサコア５１３およびレジスタ５１４を含むことができる。プロセッサコア５１３は、算術論理ユニット（ＡＬＵ）、浮動小数点ユニット（ＦＰＵ）、デジタル信号処理コア（ＤＳＰ  Ｃｏｒｅ）またはそれらの任意の組み合わせを含むことができる。また、メモリコントローラ５１５をプロセッサ５１０と共に使用することも可能であり、あるいはいくつかの実装形態では、メモリコントローラ５１５はプロセッサ５１０の内部部品であってもよい。
【００４５】
システムメモリ５２０は、所望の構成に応じて、それらに限定されないが、揮発性メモリ（ＲＡＭなど）、不揮発性メモリ（ＲＯＭ、フラッシュメモリ、等々など）またはそれらの任意の組み合わせを含めた任意のタイプのシステムメモリとすることができる。システムメモリ５２０は、オペレーティングシステム５２１、１つまたは複数のアプリケーション５２２およびプログラムデータ５２４を含むことができる。いくつかの実施形態例では、アプリケーション５２２は、たとえば図４の方法４００に関連して上で説明した発光デバイス構造を生成するために、オペレーティングシステム上でプログラムデータ５２４と共に動作するように配置することができる。説明されているこの基本構成は、図５には、基本構成５０１を取り囲んでいるダッシュ線内のコンポーネントによって示されている。
【００４６】
コンピューティングデバイス５００は、基本構成５０１および必要なすべてのデバイスならびにインタフェースの間の通信を容易にする追加特徴すなわち機能および追加インタフェースを有することができる。たとえばバス／インタフェースコントローラ５４０を使用して、記憶装置インタフェースバス５４１を介した基本構成５０１と１つまたは複数のデータ記憶装置５５０の間の通信を容易にすることができる。データ記憶装置５５０は、取外し可能記憶装置５５１、非取外し可能記憶装置５５２またはそれらの組み合わせであってもよい。取外し可能記憶装置および非取外し可能記憶装置の例には、いくつかの名前を挙げると、フレキシブルディスクドライブおよびハードディスクドライブ（ＨＤＤ）などの磁気ディスクデバイス、コンパクトディスク（ＣＤ）ドライブまたはデジタル汎用ディスク（ＤＶＤ）ドライブなどの光ディスクドライブ、ソリッドステートドライブ（ＳＳＤ）およびテープドライブがある。コンピュータ記憶媒体の例には、コンピュータ可読命令、データ構造、プログラムモジュールまたは他のデータなどの情報を記憶するための任意の方法または技術を使用して実施される揮発性および不揮発性、取外し可能および非取外し可能媒体を含むことができる。
【００４７】
システムメモリ５２０、取外し可能記憶装置５５１および非取外し可能記憶装置５５２は、すべてコンピュータ記憶媒体の例である。コンピュータ記憶媒体には、それらに限定されないが、ＲＡＭ、ＲＯＭ、ＥＥＰＲＯＭ、フラッシュメモリまたは他のメモリ技術、ＣＤ−ＲＯＭ、デジタル汎用ディスク（ＤＶＤ）または他の光記憶装置、磁気カセット、磁気テープ、磁気ディスク記憶装置または他の磁気記憶装置、あるいは所望の情報を記憶するために使用することができ、かつ、コンピューティングデバイス５００がアクセスすることができる任意の他の媒体がある。このようなコンピュータ記憶媒体は、すべてデバイス５００の一部である。
【００４８】
また、コンピューティングデバイス５００は、さまざまなインタフェースデバイス（たとえば出力インタフェース、周辺インタフェースおよび通信インタフェース）から基本構成５０１へのバス／インタフェースコントローラ５４０を介した通信を容易にするためのインタフェースバス５４２を含むことができる。出力インタフェース５６０の例は、ディスプレイまたはスピーカなどのさまざまな外部デバイスと１つまたは複数のＡ／Ｖポート５６３を介して通信するように構成することができるグラフィック処理ユニット５６１および音声処理ユニット５６２を含むことができる。周辺インタフェース５７０の例は、入力デバイス（たとえばキーボード、マウス、ペン、音声入力デバイス、タッチ入力デバイス、等々）または他の周辺デバイス（たとえばプリンタ、スキャナ、等々）などの外部デバイスと１つまたは複数のＩ／Ｏポート５７３を介して通信するように構成することができるシリアルインタフェースコントローラ５７１またはパラレルインタフェースコントローラ５７２を含むことができる。通信インタフェース５８０の例には、１つまたは複数の他のコンピューティングデバイス５９０との、１つまたは複数の通信ポート５８２を介したネットワーク通信を介した通信を容易にするように配置することができるネットワークコントローラ５８１が含まれている。通信接続は、通信媒体の一例である。通信媒体は、通常、コンピュータ可読命令、データ構造、プログラムモジュール、または搬送波あるいは他の輸送機構などの変調データ信号中の他のデータによって具体化することができ、任意の情報引渡し媒体を含むことができる。「変調データ信号」は、その特性セットのうちの１つまたは複数を有する信号、あるいは情報を信号中に符号化する方法で変化した信号であってもよい。非制限の一例として、通信媒体は、配線式ネットワークまたは直接配線接続などの配線式媒体、および音響、無線周波数（ＲＦ）、赤外（ＩＲ）などの無線媒体および他の無線媒体を含むことができる。本明細書において使用されているコンピュータ可読媒体という用語は、記憶媒体および通信媒体の両方を含むことができる。
【００４９】
コンピューティングデバイス５００は、セルフォーン、パーソナルデータアシスタント（ＰＤＡ）、パーソナルメディアプレーヤデバイス、無線ウェブウォッチデバイス、パーソナルヘッドセットデバイス、特定用途向けデバイス、あるいは上記機能のうちのいずれかを含むハイブリッドデバイスなどの形状係数が小さい携帯型（つまり移動）電子デバイスの一部として実施することができる。また、コンピューティングデバイス５００は、ラップトップコンピュータおよび非ラップトップコンピュータ構成の両方を含むパーソナルコンピュータとして実施することも可能である。さらに、コンピューティングデバイス５００は、無線基地局または他の無線システムあるいはデバイスの部分として実施することも可能である。
【００５０】
以上の詳細な説明のうちのいくつかの部分は、コンピュータメモリなどのコンピューティングシステムメモリに記憶されているデータビットまたは二進デジタル信号上の動作のアルゴリズム表現または記号表現の形で示されている。これらのアルゴリズムによる説明または表現は、データ処理分野の当業者によって使用されている技法であって、データ処理分野のこれらの当業者のワークの実体を他の当業者に伝えるための技法の例である。アルゴリズムは、ここでは一般に、所望の結果をもたらす操作または類似の処理の首尾一貫したシーケンスと見なされる。この文脈においては、操作または処理には、物理的な量の物理的な操作が必要である。必ずしもそうである必要はないが、一般的には、このような量は、記憶し、転送し、結合し、比較し、あるいは操作することができる電気信号または磁気信号の形態を取ることができる。主として広く使用されているという理由から、しばしば、このような信号をビット、データ、値、構成要素、記号、文字、用語、数字、数表示、等々として参照することが便利であることが分かっている。しかしながら、これらの項目および類似の項目は、すべて適切な物理量に関連付けるべきであり、これらは単に便利なラベルにすぎないことを理解されたい。特記されていない場合、以下の説明から明らかであるように、本明細書の説明全体を通して、「処理」、「コンピューティング」、「演算」、「決定」、等々などの用語の利用は、物理的な電子量または磁気量として表されているデータを、コンピューティングデバイスのメモリ、レジスタまたは他の情報記憶装置、転送デバイスあるいは表示デバイス内で操作し、あるいは変換するコンピューティングデバイスのアクションすなわち処理を意味していることを理解されたい。
【００５１】
特許請求される主題の範囲は、本明細書において記述されている特定の実装形態に限定されない。たとえば、いくつかの実装形態は、たとえば１つのデバイスまたは複数のデバイスの組み合わせ上で動作させるために使用される場合のようにハードウェアの中に存在させることができ、一方、他の実装形態は、ソフトウェアおよび／またはファームウェアの中に存在させることができる。同様に、特許請求される主題の範囲は、この点に関しては限定されないが、いくつかの実装形態は、信号輸送媒体、１つの記憶媒体および／または複数の記憶媒体などの１つまたは複数の物品を含むことができる。たとえばＣＤ−ＲＯＭ、コンピュータディスク、フラッシュメモリ、等々などのこれらの記憶媒体は、それらに記憶された命令を有することができ、これらの命令がたとえばコンピューティングシステム、コンピューティングプラットフォームまたは他のシステムなどのコンピューティングデバイスによって実行されると、プロセッサは、特許請求される主題、たとえば上で説明した実装形態のうちの１つなどに従って実行することができる。１つの可能性として、コンピューティングデバイスは、１つまたは複数の処理ユニットすなわちプロセッサ、ディスプレイ、キーボードおよび／またはマウスなどの１つまたは複数の入力／出力デバイス、およびスタティックランダムアクセスメモリ、ダイナミックランダムアクセスメモリ、フラッシュメモリおよび／またはハードドライブなどの１つまたは複数のメモリを含むことも可能である。
【００５２】
システムの側面でのハードウェアの実装形態とソフトウェアの実装形態との間には、ほとんど相違が残されていない。ハードウェアまたはソフトウェアの使用は、一般に（いつもそうではないが、ある状況ではハードウェアとソフトウェアの間の選択が重要になり得るという点で）コスト対効果のトレードオフを表す設計上の選択である。本明細書に記載された、プロセスおよび／またはシステムおよび／または他の技術をもたらすことができるさまざまな達成手段があり（たとえば、ハードウェア、ソフトウェア、および／またはファームウェア）、好ましい達成手段は、プロセスおよび／またはシステムおよび／または他の技術が導入される状況によって異なる。たとえば、実装者が速度と正確性が最も重要であると決定すると、実装者は主にハードウェアおよび／またはファームウェアの達成手段を選択することができる。フレキシビリティが最も重要なら、実装者は主にソフトウェアの実装形態を選択することができる。または、さらに別の代替案として、実装者は、ハードウェア、ソフトウェア、および／またはファームウェアの何らかの組み合わせを選択することができる。
【００５３】
前述の詳細な説明では、ブロック図、フローチャート、および／または例の使用によって、装置および／またはプロセスのさまざまな実施形態を説明してきた。そのようなブロック図、フローチャート、および／または例が１つまたは複数の機能および／または動作を含む限りにおいて、そのようなブロック図、フローチャート、または例の中のそれぞれの機能および／または動作は、広範囲のハードウェア、ソフトウェア、ファームウェア、または実質上それらのすべての組み合わせにより、個別におよび／または集合的に実装可能であることが、当業者には理解されるであろう。ある実施形態では、本明細書に記載された主題のいくつかの部分は、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）、フィールドプログラマブルゲートアレイ（ＦＰＧＡ）、デジタルシグナルプロセッサ（ＤＳＰ）、または他の集積化方式によって実装することができる。しかし、本明細書で開示された実施形態のいくつかの態様が、全体においてまたは一部において、１つまたは複数のコンピュータ上で動作する１つまたは複数のコンピュータプログラムとして（たとえば、１つまたは複数のコンピュータシステム上で動作する１つまたは複数のプログラムとして）、１つまたは複数のプロセッサ上で動作する１つまたは複数のプログラムとして（たとえば、１つまたは複数のマイクロプロセッサ上で動作する１つまたは複数のプログラムとして）、ファームウェアとして、あるいは実質上それらの任意の組み合わせとして、等価に集積回路に実装することができることを、当業者は認識するであろうし、電気回路の設計ならびに／またはソフトウェアおよびもしくはファームウェアのコーディングが、本開示に照らして十分当業者の技能の範囲内であることを、当業者は認識するであろう。さらに、本明細書に記載された主題のメカニズムをさまざまな形式のプログラム製品として配布することができることを、当業者は理解するであろうし、本明細書に記載された主題の例示的な実施形態が、実際に配布を実行するために使用される信号伝達媒体の特定のタイプにかかわらず適用されることを、当業者は理解するであろう。信号伝達媒体の例には、フレキシブルディスク、ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、デジタルビデオディスク（ＤＶＤ）、デジタルテープ、コンピュータメモリ、などの記録可能なタイプの媒体、ならびに、デジタル通信媒体および／またはアナログ通信媒体（たとえば、光ファイバケーブル、導波管、有線通信リンク、無線通信リンクなど）の通信タイプの媒体が含まれるが、それらには限定されない。
【００５４】
本明細書で説明したやり方で装置および／またはプロセスを記載し、その後そのように記載された装置および／またはプロセスを、データ処理システムに統合するためにエンジニアリング方式を使用することは、当技術分野で一般的であることを当業者は認識するであろう。すなわち、本明細書に記載された装置および／またはプロセスの少なくとも一部を、妥当な数の実験によってデータ処理システムに統合することができる。通常のデータ処理システムは、一般に、システムユニットハウジング、ビデオディスプレイ装置、揮発性メモリおよび不揮発性メモリなどのメモリ、マイクロプロセッサおよびデジタル信号プロセッサなどのプロセッサ、オペレーティングシステム、ドライバ、グラフィカルユーザインタフェース、およびアプリケーションプログラムなどのコンピュータ要素、タッチパッドもしくはスクリーンなどの１つもしくは複数のインタラクション装置、ならびに／またはフィードバックループおよびコントロールモータを含むコントロールシステム（たとえば、位置検知用および／もしくは速度検知用フィードバック、コンポーネントの移動用および／もしくは数量の調整用コントロールモータ）を含むことを、当業者は理解するであろう。通常のデータ処理システムは、データコンピューティング／通信システムおよび／またはネットワークコンピューティング／通信システムの中に通常見られるコンポーネントなどの、市販の適切なコンポーネントを利用して実装することができる。
【００５５】
特許請求される主題の範囲は、本明細書において記述されている特定の実装形態に限定されない。本明細書における「実装形態」、「１つの実装形態」、「いくつかの実装形態」、「他の実装形態」、「１つの実施形態」、「いくつかの実施形態」、「他の実施形態」、「一例」、「いくつかの例」、「さまざまな例」または「他の例」という表現の参照は、１つまたは複数の実装形態、実施形態または例に関連して記述されている特定の特徴、構造または特性を、少なくともいくつかの実装形態、実施形態または例に含むことができるが、必ずしもすべての実装形態、実施形態または例に含まれているわけではないことを意味している。上記の説明における、「実装形態」、「１つの実装形態」、「いくつかの実装形態」、「他の実装形態」、「１つの実施形態」、「いくつかの実施形態」、「他の実施形態」、「一例」、「いくつかの例」、「さまざまな例」または「他の例」という表現のさまざまな出現は、これらのすべてが必ずしも同じ実装形態、実施形態または例を意味しているわけではない。
【００５６】
本開示は、本出願に記載されている、さまざまな態様を実例で示すことが意図されている特定の実施形態に限定されない。当業者には明らかであるように、本発明の精神および範囲を逸脱することなく、多くの変更態様および変形形態を加えることができる。本開示の範囲内である、本明細書において挙げられている方法および装置以外の機能的に等価の方法および装置については、以上の説明から当業者には明らかであろう。このような変更態様および変形形態は、特許請求の範囲の範疇であることが意図されている。本開示は、特許請求の範囲およびこのような特許請求の範囲にその権利が与えられる等価物のすべての範囲によってのみ制限される。本開示は、特定の方法、試薬、化合物、組成あるいは生物学的システムに限定されず、これらは、当然、変更が可能であることを理解されたい。また、本明細書において使用されている専門用語は、特定の実施形態を説明するためのものにすぎず、本発明を制限することは意図されていないことを理解されたい。
【００５７】
本明細書における実質的にすべての複数形および／または単数形の用語の使用に対して、当業者は、状況および／または用途に適切なように、複数形から単数形に、および／または単数形から複数形に変換することができる。さまざまな単数形／複数形の置き換えは、理解しやすいように、本明細書で明確に説明することができる。
【００５８】
通常、本明細書において、特に添付の特許請求の範囲（たとえば、添付の特許請求の範囲の本体部）において使用される用語は、全体を通じて「オープンな（ｏｐｅｎ）」用語として意図されていることが、当業者には理解されよう（たとえば、用語「含む（ｉｎｃｌｕｄｉｎｇ）」は、「含むがそれに限定されない（ｉｎｃｌｕｄｉｎｇ  ｂｕｔ  ｎｏｔ  ｌｉｍｉｔｅｄ  ｔｏ）」と解釈されるべきであり、用語「有する（ｈａｖｉｎｇ）」は、「少なくとも有する（ｈａｖｉｎｇ  ａｔ  ｌｅａｓｔ）」と解釈されるべきであり、用語「含む（ｉｎｃｌｕｄｅｓ）」は、「含むがそれに限定されない（ｉｎｃｌｕｄｅｓ  ｂｕｔ  ｉｓ  ｎｏｔ  ｌｉｍｉｔｅｄ  ｔｏ）」と解釈されるべきである、など）。導入される請求項で具体的な数の記載が意図される場合、そのような意図は、当該請求項において明示的に記載されることになり、そのような記載がない場合、そのような意図は存在しないことが、当業者にはさらに理解されよう。たとえば、理解の一助として、添付の特許請求の範囲は、導入句「少なくとも１つの（ａｔ  ｌｅａｓｔ  ｏｎｅ）」および「１つまたは複数の（ｏｎｅ  ｏｒ  ｍｏｒｅ）」を使用して請求項の記載を導くことを含む場合がある。しかし、そのような句の使用は、同一の請求項が、導入句「１つまたは複数の」または「少なくとも１つの」および「ａ」または「ａｎ」などの不定冠詞を含む場合であっても、不定冠詞「ａ」または「ａｎ」による請求項の記載の導入が、そのように導入される請求項の記載を含む任意の特定の請求項を、単に１つのそのような記載を含む特許請求された主題に限定する、ということを示唆していると解釈されるべきではない（たとえば、「ａ」および／または「ａｎ」は、通常、「少なくとも１つの」または「１つまたは複数の」を意味すると解釈されるべきである）。同じことが、請求項の記載を導入するのに使用される定冠詞の使用にも当てはまる。
【００５９】
また、導入される請求項の記載で具体的な数が明示的に記載されている場合でも、そのような記載は、通常、少なくとも記載された数を意味すると解釈されるべきであることが、当業者には理解されよう（たとえば、他の修飾語なしでの「２つの記載（ｔｗｏ  ｒｅｃｉｔａｔｉｏｎｓ）」の単なる記載は、通常、少なくとも２つの記載、または２つ以上の記載を意味する）。
【００６０】
さらに、「Ａ、ＢおよびＣ、などの少なくとも１つ」に類似の慣例表現が使用されている事例では、通常、そのような構文は、当業者がその慣例表現を理解するであろう意味で意図されている（たとえば、「Ａ、Ｂ、およびＣの少なくとも１つを有するシステム」は、Ａのみ、Ｂのみ、Ｃのみ、ＡおよびＢを共に、ＡおよびＣを共に、ＢおよびＣを共に、ならびに／またはＡ、Ｂ、およびＣを共に、などを有するシステムを含むが、それに限定されない）。「Ａ、Ｂ、またはＣ、などの少なくとも１つ」に類似の慣例表現が使用されている事例では、通常、そのような構文は、当業者がその慣例表現を理解するであろう意味で意図されている（たとえば、「Ａ、Ｂ、またはＣの少なくとも１つを有するシステム」は、Ａのみ、Ｂのみ、Ｃのみ、ＡおよびＢを共に、ＡおよびＣを共に、ＢおよびＣを共に、ならびに／またはＡ、Ｂ、およびＣを共に、などを有するシステムを含むが、それに限定されない）。２つ以上の代替用語を提示する事実上いかなる離接する語および／または句も、明細書、特許請求の範囲、または図面のどこにあっても、当該用語の一方（ｏｎｅ  ｏｆ  ｔｈｅ  ｔｅｒｍｓ）、当該用語のいずれか（ｅｉｔｈｅｒ  ｏｆ  ｔｈｅ  ｔｅｒｍｓ）、または両方の用語（ｂｏｔｈ  ｔｅｒｍｓ）を含む可能性を企図すると理解されるべきであることが、当業者にはさらに理解されよう。たとえば、句「ＡまたはＢ」は、「Ａ」または「Ｂ」あるいは「ＡおよびＢ」の可能性を含むことが理解されよう。
【００６１】
本明細書において説明されている主題は、時によると、異なる他のコンポーネントの中に含まれた、あるいは異なる他のコンポーネントに接続された異なるコンポーネントを示している。示されているこのようなアーキテクチャは単なる例にすぎないこと、また、実際、同じ機能を達成する多くの他のアーキテクチャを実施することができることを理解されたい。概念的な意味では、同じ機能を達成する任意の配置のコンポーネントが、所望の機能が達成されるように効果的に「結合される」。したがって、特定の機能を達成するために本明細書において結合された任意の２つのコンポーネントは、アーキテクチャあるいは中間コンポーネントに無関係に所望の機能が達成されるように互いに「結合されている」と見なすことができる。同様に、このように結合された任意の２つのコンポーネントは、所望の機能を達成するために互いに「動作可能に接続されている」、あるいは「動作可能に結合されている」と見なすことも可能であり、また、このように結合することができる任意の２つのコンポーネントは、所望の機能を達成するために互いに「動作可能に結合することができる」と見なすことも可能である。動作可能に結合することができる特定の例には、それらに限定されないが、物理的整合可能および／または物理的に対話するコンポーネント、および／または無線対話可能および／または無線で対話するコンポーネント、および／または論理的に対話し、および／または論理的対話可能コンポーネントがある。
【００６２】
当業者には理解されるように、成文説明の提供などの何らかの目的およびあらゆる目的に対して、本明細書において開示されているすべての範囲には、任意の可能副範囲およびあらゆる可能副範囲、ならびにそれらの副範囲の組み合わせが同じく包含されている。少なくとも正確に１／２、１／３、１／４、１／５、１／１０、等々に分解された同じ範囲を十分に記述し、かつ、可能にしているため、リストされている範囲は、すべて、容易に認識することが可能である。非制限の例として、本明細書において説明されている個々の範囲は、下１／３、中１／３および上１／３、等々に容易に分解することができる。また、同じく当業者には理解されるように、「最大」、「少なくとも」、等々などのすべての言語には、列挙された、範囲を示す数字が含まれており、これらの範囲は、次に上で説明した副範囲に分解することができる。
【００６３】
以上から、実例で示すために、本明細書において本開示のさまざまな実施形態が説明されたこと、また、本開示の範囲および精神を逸脱することなく、さまざまな変更態様を加えることができることは理解されよう。したがって本明細書において開示されているさまざまな実施形態には本発明を制限することは意図されておらず、真の範囲および精神は、以下の特許請求の範囲によって示されている。
【図１】
2013511147.tif 000004
【図２】
2013511147.tif 000005
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【手続補正書】
【提出日】平成24年7月18日(2012.7.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
さらに他の実施形態では、発光デバイス５には、追加として、ｐ型領域１８に結合された透明電極２２が含まれている。透明電極２２は、一例として酸化インジウムスズ（たとえば酸化インジウム（ＩＩＩ）（Ｉｎ２Ｏ３）と酸化スズ（ＩＶ）（ＳｎＯ２）の組み合わせ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、等々および／またはそれらの組み合わせを含むことができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2013511147.tif 000009
【国際調査報告】
2013511147.tif 000010
2013511147.tif 000011