(57)【要約】  発光デバイスは、第１の半導体層３０と、第２の半導体層３２と、第３の半導体層３４と、ｎ型領域３４とｐ型領域３８との間に配置されたIII族窒化物発光層３６を有する半導体構造１０とを含む。第２の半導体層３２は、第１の半導体層３０と第３の半導体層３４との間に配置される。第３の半導体層３４は、第２の半導体層３２と発光層３６との間に配置される。第１の半導体層３０の面内格子定数と第３の半導体層３４のバルク格子定数との差は、わずか１％である。第１の半導体層３０の面内格子定数と第２の半導体層３２のバルク格子定数との差は、少なくとも１％である。第３の半導体層３４は、少なくとも部分的に緩和される。
2013526781.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の半導体層と、
第２の半導体層と、
第３の半導体層と、
ｎ型領域とｐ型領域との間に配置されたIII族窒化物発光層を有する半導体構造と、を有し、
第２の半導体層は、第１の半導体層と第３の半導体層との間に配置され、
第３の半導体層は、第２の半導体層と前記発光層との間に配置され、
第１の半導体層の面内格子定数と第３の半導体層のバルク格子定数との差は、わずか１％であり、
第１の半導体層の面内格子定数と第２の半導体層のバルク格子定数との差は、少なくとも１％であり、
第３の半導体層は、少なくとも部分的に緩和している、デバイス。
【請求項２】
第２の半導体層は、少なくとも部分的に緩和している、請求項１記載のデバイス。
【請求項３】
第３の半導体層は、せいぜい５００ｎｍの厚さに亘って緩和している、請求項１記載のデバイス。
【請求項４】
第３の半導体層は、３．２Åよりも大きい面内格子定数を持つ、請求項１記載のデバイス。
【請求項５】
第２の半導体層は、アルミニウムを有する、請求項１記載のデバイス。
【請求項６】
第２の半導体層は、アルミニウムを有し、
第３の半導体層は、インジウムを有する、請求項１記載のデバイス。
【請求項７】
第２の半導体層は、ＡｌｘＧａｙＮ（ｘ＞０．３）である、請求項１記載のデバイス。
【請求項８】
第２の半導体層は、ＡｌＮであり、
第３の半導体層は、ＩｎＧａＮである、請求項１記載のデバイス。
【請求項９】
第２の半導体層は、ＡｌＧａＮであり、
第３の半導体層は、ＩｎＧａＮである、請求項１記載のデバイス。
【請求項１０】
第３の半導体層は、前記ｎ型領域の一部である、請求項１記載のデバイス。
【請求項１１】
第２の半導体層は、３．１６５Å以下のバルク格子定数をもつ、請求項１記載のデバイス。
【請求項１２】
第２の半導体層は、第３の半導体層と直接接触している、請求項１記載のデバイス。
【請求項１３】
第１の半導体層は、ＧａＮである、請求項１記載のデバイス。
【請求項１４】
第１の半導体層を成長させるステップと、
第２の半導体層を成長させるステップと、
第３の半導体層を成長させるステップと、
ｎ型領域とｐ型領域との間に配置されたIII族窒化物発光層を有する半導体構造を成長させるステップと、を有し、
第２の半導体層は、第１の半導体層と第３の半導体層との間に配置され、
第３の半導体層は、第２の半導体層と発光層との間に配置され、
第１の半導体層の面内格子定数と第３の半導体層のバルク格子定数との差は、わずか１％であり、
第１の半導体層の面内格子定数と第２の半導体層のバルク格子定数との差は、少なくとも１％であり、
第３の半導体層は、少なくとも部分的に緩和している、方法。
【請求項１５】
第２の半導体層は、第１の半導体層とは異なる面内格子定数を持つ、請求項１４記載の方法。
【請求項１６】
第３の半導体層は、第２の半導体層とは異なる面内格子定数を持つ、請求項１４記載の方法。
【請求項１７】
前記半導体構造を成長させた後で成長用基板を除去するステップをさらに有する、請求項１４記載の方法。
【請求項１８】
第１及び第２の半導体層を除去するステップをさらに有する、請求項１７記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、少なくとも部分的に緩和した半導体層上に成長した半導体発光デバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
発光ダイオード（ＬＥＤ），共振空洞発光ダイオード（ＲＣＬＥＤ），垂直共振面発光レーザダイオード（ＶＣＳＥＬ）及び端面発光レーザを含む半導体発光デバイスは、現在利用可能な光源のうち最も効率的な光源である。可視スペクトルで動作可能な高輝度の発光デバイスの製造において現在関心を集める材料系は、III族窒化物材料とも呼ばれる、特に、ガリウム，アルミニウム，インジウム及び窒素の二元，三元及び四元合金などのIII−Ｖ族化合物半導体を含む。一般的に、III族窒化物発光デバイスは、有機金属化学気相成長法（ＭＯＣＶＤ），分子線エピタキシーまたは他のエピタキシー技術によってサファイア，シリコンカーバイド，III族窒化物または他の適した基板へドーパント濃度及び組成が異なる半導体層のスタックをエピタキシャル成長させることによって製造される。大抵の場合、スタックは、基板の上に形成された、例えばシリコンをドープされた１つ以上のｎ型層、１つ以上のｎ型層の上に形成された活性領域における１つ以上の発光層、及び、活性領域の上に形成された、例えばマグネシウムを添加された１つ以上のｐ型層を含む。電気的コンタクトは、ｎ型領域及びｐ型領域上に形成される。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ここで用いられるように、「面内」格子定数は、デバイス内の層の実際の格子定数をいい、「バルク」格子定数は、緩和した、所与の組成の独立した材料の格子定数をいう。層における歪み量は、
2013526781.tif 000003
として定義される。
【０００４】
従来のように、III族窒化物デバイスがサファイア上に成長した場合、基板上に成長する第１の構造は、一般的には、約３．１８９Å以下の面内格子定数を有するＧａＮテンプレート層である。ＧａＮテンプレートは、ＩｎＧａＮ発光層を含む、テンプレート層の上に成長した全ての歪みを受けたデバイス層のための格子定数を設定する点で、発光領域のための格子定数テンプレートとして役立つ。ＩｎＧａＮのバルク格子定数は従来のＧａＮテンプレートの面内格子定数よりも大きいため、発光層は、従来のＧａＮテンプレートの上に成長した場合、圧縮歪みを受ける。例えば、約４５０ｎｍの光を放射するように構成された発光層は、ＧａＮの格子定数３．１８９Åに対して、Ｉｎ０．１６Ｇａ０．８４Ｎの組成、即ち、３．２４２Åのバルク格子定数を有する組成を持つことができる。より長波長の光を放出するように設計されたデバイスの組成のように、発光層のＩｎＮ組成が増大するにつれて、発光層内の圧縮歪みも増大する。
【０００５】
図１は、米国特許第７，５４７，９０８号により詳細に説明されたＬＥＤのエピタキシャル構造を示している。従来の低温核形成層２２は、サファイア基板２０の表面上に直接成長する。核形成層２２は、一般的には、例えば４００℃〜７５０℃の間の温度で５００Åの厚さまで成長したアモルファス、多結晶または立方相ＧａＮ層のような低品質の非単結晶層である。第２の低温層２６は、核形成層２２の上に成長する。低温層２６は、例えば４００℃〜７５０℃の間の温度で５００Åの厚さまで成長した、アモルファス、多結晶または立方相III族窒化物層のような低品質の非単結晶層であってもよい。低温層２６が、ＩｎＧａＮ発光層を含むデバイス層１０の格子定数を、従来のＧａＮテンプレートのような従来の核形成構造によって達成可能な格子定数の範囲を超えて大きくするように、低温層２６は、ＩｎＧａＮであってもよい。ある例では、ＵＶデバイスのＡｌＧａＮ発光領域内の引張り歪みを減少させるため、低温層２６が核形成層２２によって確立された格子定数を減少させるように、低温層２６は、ＡｌＧａＮまたはＡｌＩｎＧａＮであってもよい。そのようなデバイスの発光活性層は、例えば、ＡｌＧａＮまたはＡｌＩｎＧａＮであってもよい。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の目的は、効率的に発光する半導体発光デバイスを提供することである。
【０００７】
本発明のある実施形態では、デバイスは、第１の半導体層と、第２の半導体層と、第３の半導体層と、ｎ型領域とｐ型領域との間に配置されたIII族窒化物発光層を有する半導体構造とを含む。第２の半導体層は、第１の半導体層と第３の半導体層との間に配置される。第３の半導体層は、第２の半導体層と発光層との間に配置される。第１の半導体層の面内格子定数と第３の半導体層のバルク格子定数との差は、わずか１％である。第１の半導体層の面内格子定数と第２の半導体層のバルク格子定数との差は、少なくとも１％である。第３の半導体層は、少なくとも部分的に緩和される。
【０００８】
ある実施形態では、方法は、第１の半導体層を成長させるステップと、第２の半導体層を成長させるステップと、第３の半導体層を成長させるステップと、ｎ型領域とｐ型領域との間に配置されたIII族窒化物発光層を有する半導体構造を成長させるステップとを有する。第２の半導体層は、第１の半導体層と第３の半導体層との間に配置される。第３の半導体層は、第２の半導体層と発光層との間に配置される。第１の半導体層の面内格子定数と第３の半導体層のバルク格子定数との差は、わずか１％である。第１の半導体層の面内格子定数と第２の半導体層のバルク格子定数との差は、少なくとも１％である。第３の半導体層は、少なくとも部分的に緩和される。
【０００９】
ある実施形態では、第１の半導体層の面内格子定数と第２の半導体層のバルク格子定数との差は、第２の半導体層が少なくとも部分的に緩和するほど十分大きい。第３の半導体層のバルク格子定数と第１の半導体層の面内格子定数との差は、第３の半導体層が第２の半導体層上に成長した場合に少なくとも部分的に緩和するほど十分小さい。従って、第３の半導体層の面内格子定数は、従来の成長用テンプレートの面内格子定数より大きくてもよい。発光層は、従来の成長用テンプレートの上に成長した発光層よりも少ない歪みを持つ第３の半導体層の上に成長されてもよい。これにより、デバイスのパフォーマンスを改善することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】サファイア基板上に成長した従来技術のIII族窒化物エピタキシャル構造を示す。
【図２】ＧａＮ層上に成長した緩和層を含むIII族窒化物エピタキシャル構造を示す。
【図３】成長用基板上に直接成長した緩和層を含むIII族窒化物エピタキシャル構造を示す。
【図４】薄膜フリップチップデバイスを示す。
【図５】デバイスの同じ側に形成された複数のコンタクトを具備するデバイスを示す。
【図６】垂直射出デバイスを示す。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
本発明の実施形態では、III族窒化物デバイスは、２つの層、即ち、格子不整合層と、格子不整合層上に成長した緩和層とを含む。格子不整合層は、緩和層に対して極めて高い格子不整合を持つように選択される。不整合は、緩和層を緩和させる。緩和層は、デバイス層の１つであってもよいが、これは必須ではない。
【００１２】
以下の例では、半導体デバイスは、可視光または紫外線を放射するIII族窒化物ＬＥＤであるが、本発明の実施形態は、レーザダイオード、電界効果トランジスタ及び検出器のようなＬＥＤ以外の他の半導体光電子的または電気的デバイスや、ＡｌＧａＩｎＰ，ＡｌＧａＩｎＡｓ及びＡｌＧａＩｎＡｓＰのような他の材料系で組み立てられたデバイスの実施形態に含まれてもよい。
【００１３】
図２は、本発明の実施形態に従った成長用基板２０上に成長したエピタキシャル構造を示している。第１の層３０は、例えば、ＳｉＣ，Ａｌ２Ｏ３，Ｓｉ，複合基板または任意の他の適切な基板であってもよい基板２０上に成長する。第１の層３０は、例えば、ＧａＮ，ＩｎＧａＮ，ＡｌＮ，ＡｌＧａＮまたはＡｌＩｎＧａＮであってもよいし、ｎ型，ｐ型または意図的にドープされなくてもよい。ある実施形態では、デバイス層１０のｎ型領域への電気的コンタクトは、第１の層３０上に形成された金属コンタクトによって確立される。従って、ある実施形態では、第１の層３０は、コンタクト層に適したドーパント濃度までｎ型のドーパントでドープされる。
【００１４】
格子不整合層３２は、第１の層３０上に成長する。格子不整合層３２は、図２に示される構造におけるｎ型領域３４の全てあるいは一部である、格子不整合層３２の上に成長する層とは異なるバルク格子定数を持つように選択される。格子不整合層３２のバルク格子定数とその上に直接成長する層のバルク格子定数との差は、ある実施形態では少なくとも２％であり、ある実施形態では少なくとも１％である。格子不整合層３２は、３．１８Åよりも小さいバルク格子定数を持ち、ある実施形態では３．１７Åよりも小さいバルク格子定数を持ち、ある実施形態では３．１６Åよりも小さいバルク格子定数を持ち、ある実施形態では３．１５Åよりも小さいバルク格子定数を持つ。例えば、格子不整合層３２は、３．１１Åのバルク格子定数を持つＡｌＮであってもよいし、わずか３．１６５Åのバルク格子定数を持つ、少なくとも３０％のＡｌＮ組成を有するＡｌＧａＮであってもよい。格子不整合層３２上に直接成長した層は、３．１８９Åのバルク格子定数を持つＧａＮであってもよいし、ＧａＮのバルク格子定数よりも大きいバルク格子定数を持つＩｎＧａＮであってもよいし、あるいは、ＡｌＩｎＧａＮであってもよい。格子不整合層３２上に直接成長したＩｎＧａＮ層は、ある実施形態では０％より大きく１０％までのＩｎＮ組成を持ち、ある実施形態では１％〜６％の間のＩｎＮ組成を持ち、ある実施形態では３％のＩｎＮ組成を持つ。
【００１５】
本アプリケーションの目的のために、三元または四元III族窒化物組成ＡｘＢｙＣｚＮのバルク格子定数は、ヴェガード則
2013526781.tif 000004
に従って計算されてもよい。ここで、ａは二元化合物のバルク格子定数である。ＡｌＮは３．１１１Åのバルク格子定数を持ち、ＩｎＮは３．５３３Åのバルク格子定数を持ち、ＧａＮは３．１８９Åのバルク格子定数を持つ。
【００１６】
格子不整合層３２は、ある実施形態では１０ｎｍよりも大きい厚みを持ち、ある実施形態では１０ｎｍ〜５００ｎｍの間の厚みを持ち、ある実施形態では２０ｎｍ〜２００ｎｍの間の厚みを持ち、ある実施形態では５０ｎｍ〜１００ｎｍの間の厚みを持つ。格子不整合層は、デバイス中に残っていてもよいし、除去されてもよい。デバイス中に残され、且つ、発光領域と金属コンタクトが形成されたｎ型層との間に配置される実施形態の例では、格子不整合層３２はドープされてもよい。格子不整合層を通ってデバイスから光が抽出される実施形態では、吸収格子不整合層が、できる限り薄く作られてもよい。
【００１７】
格子不整合層３２と格子不整合層上に直接成長した層との間の格子不整合は、格子不整合層上に直接成長した層が格子不整合層の格子と揃わないほど十分大きい。結果として、格子不整合層３２上に直接成長した層の初期部分は多くの欠陥を含み、その後、層は、部分的または全体的に緩和する。成長条件は、層が相対的に小さい厚みに亘って緩和するように選択されてもよい。格子不整合層上に直接成長した層が緩和する厚み（即ち、欠陥に富んだ領域の厚み）は、ある実施形態では５００ｎｍよりも小さく、ある実施形態では２００ｎｍよりも小さく、ある実施形態では１００ｎｍよりも小さい。ある実施形態における、この層が緩和する厚みは、例えば三元層の場合の合金分解を低減したり、緩和のために必要な厚みの規模に対する表面粗さの形状を制限したりするために、できるだけ薄く保たれる。格子不整合層上に直接成長した層は、ある実施形態では３．１９Åよりも大きい面内格子定数を持ってもよいし、ある実施形態では３．２Åよりも大きい面内格子定数を持ってもよい。
【００１８】
ある実施形態では、第１の層３０の面内格子定数と格子不整合層３２のバルク格子定数との差は、少なくとも１％である。ある実施形態では、第１の層３０の面内格子定数と格子不整合層３２の上に成長した層のバルク格子定数との差は、わずか１％である。ある実施形態では、格子不整合層の上に成長した層のバルク格子定数と第１の層３０の面内格子定数との差は、第１の層３０上に直接成長した場合に格子不整合層３２の上に成長した層が実質的に緩和しないほど十分小さい。第１の層３０と格子不整合層の上に成長した層との両方に対して激しく格子不整合である、格子不整合層３２を第１の層３０と格子不整合層の上に成長した層との間に配置することは、格子不整合層３２とその上に成長した層との両方の全体的または部分的な緩和をもたらし得る。
【００１９】
デバイス層１０は、格子不整合層３２の上に成長する。デバイス層１０は、ｎ型領域３４とｐ型領域３８とに挟まれた、発光または活性領域３６を含む。ｎ型領域３４は、一般的には、最初に成長し、例えば、ｎ型の又は意図的にドープされない、バッファ層又は核形成層のような準備層、即ち、後で成長用基板の除去を促進するように設計された層、及び、発光領域が効率的に発光するために望ましい特定の光学的又は電気的特性のために設計されたｎ型あるいはｐ型のデバイス層といった、異なる組成及びドーパント濃度の複数の層を含んでいてもよい。発光または活性領域３６は、ｎ型領域３４の上に成長する。適切な発光領域の例は、単一の厚いまたは薄い発光層、あるいは、バリア層によって分離された多重の薄いまたは厚い量子井戸発光層を含む多重量子井戸発光領域を含む。ｐ型領域３８は、発光領域の上に成長する。ｎ型領域のように、ｐ型領域は、意図的にドープされない層またはｎ型層を含む、異なる組成、厚み、ドーパント濃度の複数の層を含んでいてもよい。
【００２０】
図３は、成長用基板２０上に直接成長した格子不整合層３２を含む本発明の実施形態に従ったエピタキシャル構造を示している。図２の構造では、格子不整合層上に直接成長した層は、デバイス層１０のｎ型領域３４の一部である。図３の構造では、格子不整合層３２上に直接成長した層３５は、デバイス層１０のｎ型領域３４と分かれている。格子不整合層３２と格子不整合層上に直接成長した層３５とは、図２を参照して上述された同一の特性を持っていてもよい。
【００２１】
図４，図５及び図６は、図２及び図３を参照して上述されたエピタキシャル構造の１つの少なくとも一部を含むデバイスを示している。
【００２２】
図４に示されたデバイスでは、金属化のためのｎ型層を露出するため、ｐ型領域の一部とデバイス層１０の活性領域の一部とがエッチングにより除去される。ｎコンタクトが形成されるｎ型層は、例えば、ｎ型領域３４、図２の第１の層３０、または、図３の層３５であってもよい。ｐコンタクト４４は、ｐ型領域３８の１つ以上の残りの部分に形成され、ｎコンタクト４２は、ｎ型層（図４のｎ型領域３４）の１つ以上の露出部分に形成される。図４に示されたデバイスでは、複数のｎコンタクト領域がｐコンタクト領域の間に入っている。他の実施形態では、単一のｎコンタクト領域及び単一のｐコンタクト領域が形成される。ｐコンタクト４４及びｎコンタクト４２は、デバイスの同じ側に形成される。コンタクトは、一般的に、反射性を有し、デバイスは、一般的に、図４に示されるようなｎ型領域３４である、デバイスの上面を通って光が抽出されるように搭載される。
【００２３】
デバイスは、ｎコンタクト４２及びｐコンタクト４４とマウント４０との間のインターコネクト（図示省略）を通ってマウント４０に搭載される。例えば、インターコネクトは、両端部が金でできたインターコネクトであってもよく、デバイスは、サーモソニックボンディングによってマウントに取り付けられてもよい。あるいは、インターコネクトは、はんだであってもよく、デバイスは、リフローはんだ付けによってマウントに取り付けられてもよい。成長用基板は、レーザリフトオフ、エッチング、あるいは、グラインディングまたは化学機械研磨のような機械的プロセスのような、成長用基板に適した技術によって除去されてもよい。ある実施形態では、半導体構造は、成長用基板から半導体構造を後で分離するのを促進するＨ＋のような注入種が注入された犠牲半導体層を含む。半導体構造は、例えば、注入領域に犠牲層を膨張させて引き裂かせる熱を加えることにより、注入種を活性化させることによって成長用基板から分離される。犠牲層の注入、並びに、注入種を活性化させることによって成長用基板から半導体構造を分離することは、参照により本願に組み込まれる、米国特許出願公開第２００５／００２６３９４号及び米国特許第５，３７４，５６４号に詳述されている。
【００２４】
成長用基板を除去後、エピタキシャル基板は、例えば、光電気化学的エッチングによって、薄くされてもよい。ある実施形態では、図２及び図３に示された基板２０とｎ型領域３４との間のエピタキシャル構造の全部または一部が、薄くされる間、除去される。薄くされた後に残っているエピタキシャル構造の上面は、光抽出を改善するために、例えば格子または光学結晶構造を有する表面を、例えば粗面化あるいはパターニングすることによって、テクスチャ化されてもよい。ある実施形態では、図２及び図３の成長用基板２０は、デバイスの一部のままである。波長変換素子、干渉フィルタ、または、レンズのような技術で知られる構造４６が、エピタキシャル構造の上に形成されてもよい。光は、構造４６を通ってデバイスから抽出される。
【００２５】
図５に示されたデバイスでは、光は、エピタキシャル構造の上面、即ち、ｎコンタクト４２及びｐコンタクト４４が形成された表面を通ってデバイスから抽出される。デバイス層１０は、上述したように、格子不整合層３２の上に成長する。粗いｐ型表面が形成されてもよい。例えば、ｐ型領域３８の上部は、粗い表面を形成するコンディション下で成長してもよく、分かれた、粗いｐ型層４８は、ｐ型領域３８の上に成長してもよく、あるいは、ｐ型層の滑らかな表面は、例えば光電気化学的エッチングによって成長後エッチングまたは粗面化されてもよい。透明な導電性酸化物のような透明な導電体５０の層が、粗いｐ型表面の上に形成される。例えば、透明な導電体５０は、インジウムスズ酸化物、亜鉛酸化物、または、ルテニウム酸化物であってもよい。ｐ型構造の一部及び発光領域３６は、ｎ型層を露出するために、除去される。ｎコンタクト４２は、露出したｎ型層に形成される。ｐコンタクト４４は、透明な導電体５０の一部に形成される。材料５０は、ｐ型領域３８を通って、電流を横方向に伝搬させる。ｎコンタクト４２及びｐコンタクト４４は、ある程度制限されてもよく、または、透明に作られてもよい。透明材料５０の表面を通って光が抽出されるように、デバイスが搭載されてもよい。
【００２６】
図６は、垂直射出ＬＥＤを示している。ｐコンタクト４４は、ｐ型領域３８の表面上に形成され、エピタキシャル構造は、ｐコンタクト４４を通ってマウント５２に取り付けられる。成長用基板２０の全部または一部は、ｎ型領域の表面を露出するために、除去されてもよい。ｎコンタクト４２は、基板を除去することによって露出された表面上、または、ｎ型領域の側面のような他の露出されたｎ型表面上に形成される。図６に示されるように、ｎコンタクト４２は、半導体構造の一方の側に形成され、ｐコンタクト４４は、半導体構造の他方の側に形成される。ｎコンタクトへの電気的コンタクトは、図６に示されるようなワイヤボンド５４または金属のブリッジで作られてもよい。ｎコンタクト４２の範囲は、図６に示されるように、光がデバイスの上部から抽出され得るように、制限される。
【００２７】
ある実施形態では、例えば、散乱を増やすことによって、デバイスからの光抽出を増やすための構造がデバイスに含まれる。例えば、エピタキシャル構造の表面が粗面化されてもよい。ある実施形態では、散乱は、光学結晶、あるいは、III族窒化物構造の表面に組み込まれるか形成される格子によって、引き起こされる。そのような構造では、光屈折率の変化が、周期的に、材料中の発光領域によって放射された光の波長に近い間隔で提供される。周期及び振幅のような、周期的な屈折率変化のパラメータは、所望の発光パターンに抽出される光量を増やすために選択されてもよい。例えば、格子または光学結晶の大きさ及び間隔は、半導体構造の上面に対する法線方向へ抽出される光量を最大化するために、選択されてもよい。パラメータの選択及び光学結晶の形成については、全てが参照により本願に組み込まれる、米国特許第７，６４２，１０８号、７，４４２，９６５号、７，４４２，９６４号、７，２９４，８６２号、７，２７９，７１８号、７，０１２，２７９号及び６，９５６，２４７号に詳述されている。
【００２８】
１つ以上の波長変換素子が、白色光または他の色の単色光を作るために、デバイスの上に配置されてもよい。ＬＥＤによって放射された未変換の光は、光の最後のスペクトルの一部であってもよいが、これは必須ではない。通常の組み合わせの例は、黄色発光蛍光体と組み合わされた青色発光ＬＥＤ、緑色発光蛍光体及び赤色発光蛍光体と組み合わされた青色発光ＬＥＤ、青色発光蛍光体及び黄色発光蛍光体と組み合わされた紫外線発光ＬＥＤ、並びに、青色発光蛍光体，緑色発光蛍光体及び赤色発光蛍光体と組み合わされた紫外線発光ＬＥＤを含む。他の色の光を放射する波長変換材料が、デバイスから放射される光のスペクトルを調整するために、加えられてもよい。複数の波長変換材料が、単一の波長変換層に混合されてもよいし、あるいは、独立した層として形成されてもよい。適切な波長変換構造の例は、ＬＥＤに接着または接合された形成済みのセラミック蛍光体層、あるいは、電気光学的に堆積、ステンシル印刷、スクリーン印刷、スプレー、堆積、蒸着、スパッタ、またはＬＥＤに他の方法で施された有機的カプセル化材料内に配置された粉末状の蛍光体を含む。
【００２９】
以上、本発明について詳述したが、当業者であれば、本開示により、ここで述べられた本発明の考えを逸脱しない範囲で、種々の変形を本発明に適用できることを理解するであろう。従って、本発明の範囲が、説明及び既述された特定の実施形態に限定される意図はない。
【図１】
2013526781.tif 000005
【図２】
2013526781.tif 000006
【図３】
2013526781.tif 000007
【図４】
2013526781.tif 000008
【図５】
2013526781.tif 000009
【図６】
2013526781.tif 000010
【国際調査報告】
2013526781.tif 000011
2013526781.tif 000012
2013526781.tif 000013