(57)【要約】  電子素子モジュールであって、当該電子素子モジュールがＡ．少なくとも１つの電子素子、例えば、太陽電池、並びにＢ．前記電子素子の少なくとも１つの表面と緊密に接触しているポリマー材料であって、前記ポリマー材料が、（１）約４５を超える、より好ましくは５０を超える、最も好ましくは９５を超え、および４００の高さまで、好ましくは２００の高さまでのコモノマー分布定数で特徴付けられるエチレン系ポリマー組成物を含み、前記組成物が１２０未満の全不飽和単位／１，０００，０００Ｃを有し、好ましくは前記エチレン系ポリマー組成物が約３以下の長鎖分岐／１０００炭素、より好ましくは約０．０１〜約３長鎖分岐／１０００炭素を含み；前記エチレン系ポリマー組成物が少なくとも２のＺＳＶＲを有することができ；前記エチレン系ポリマー組成物が２０未満のビニリデン不飽和単位／１，０００，０００Ｃを含むことによってさらに特徴付けられることができ；前記エチレン系ポリマー組成物が二峰性分子量分布（ＭＷＤ）または多峰性ＭＷＤを有することができ；前記エチレン系ポリマー組成物が、パージを除いて、３５℃〜１２０℃の一峰性または二峰性分布を含むコモノマー分布プロファイルを有することができ；前記エチレン系ポリマー組成物が単一ＤＳＣ融解ピークを含むことができ；前記エチレン系ポリマー組成物が約１７，０００〜約２２０，０００の重量平均分子量（Ｍｗ）を含むことができ、（２）場合によっては、ビニルシランを含み、（３）場合によっては、フリーラジカル開始剤、例えば、ペルオキシドもしくはアゾ化合物、または光開始剤、例えば、ベンゾフェノンを含み、並びに（４）場合によっては、助剤を含む。【代表図】図１
2013528241.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子素子モジュールであって、
当該電子素子モジュールが
Ａ．少なくとも１つの電子素子、並びに
Ｂ．前記電子素子の少なくとも１つの表面と緊密に接触しているポリマー材料であって、前記ポリマー材料が、（１）約４５を超える、より好ましくは５０を超える、最も好ましくは９５を超え、および４００の高さまで、好ましくは２００の高さまでのコモノマー分布定数で特徴付けられるエチレン系ポリマー組成物を含み、前記組成物が１２０未満の全不飽和単位／１，０００，０００Ｃを有し、好ましくは前記エチレン系ポリマー組成物が約３以下の長鎖分岐／１０００炭素、より好ましくは約０．０１〜約３長鎖分岐／１０００炭素を含み；前記エチレン系ポリマー組成物が少なくとも２のＺＳＶＲを有することができ；前記エチレン系ポリマー組成物が２０未満のビニリデン不飽和単位／１，０００，０００Ｃを含むことによってさらに特徴付けられることができ；前記エチレン系ポリマー組成物が二峰性分子量分布（ＭＷＤ）または多峰性ＭＷＤを有することができ；前記エチレン系ポリマー組成物が、パージを除いて、３５℃〜１２０℃の一峰性または二峰性分布を含むコモノマー分布プロファイルを有することができ；前記エチレン系ポリマー組成物が約１７，０００〜約２２０，０００の重量平均分子量（Ｍｗ）を含むことができ、（２）場合によっては、ビニルシランを前記コポリマーの重量を基準にして少なくとも０．１重量％の量で含み、（３）場合によっては、フリーラジカル開始剤を、前記コポリマーの重量を基準にして少なくとも約０．０５重量％の量で含み、並びに（４）場合によっては、助剤を前記コポリマーの重量を基準にして少なくとも約０．０５重量％の量で含む；
電子素子モジュール。
【請求項２】
前記電子素子が太陽電池である請求項１に記載のモジュール。
【請求項３】
前記フリーラジカル開始剤が存在する請求項１に記載のモジュール。
【請求項４】
前記助剤が存在する請求項３に記載のモジュール。
【請求項５】
前記フリーラジカル開始剤がペルオキシドである請求項４に記載のモジュール。
【請求項６】
前記ポリマー材料が前記電子素子の少なくとも１つの表面と緊密に接触している単層膜の形態である請求項１に記載のモジュール。
【請求項７】
前記ポリマー材料がスコーチ防止剤を約０．０１〜約１．７重量％の量でさらに含む請求項１に記載のモジュール。
【請求項８】
少なくとも１つのガラスカバーシートをさらに含む請求項１に記載のモジュール。
【請求項９】
前記フリーラジカル開始剤が光開始剤である請求項３に記載のモジュール。
【請求項１０】
前記ポリマー材料が、少なくとも１つのエチレン性不飽和および少なくとも１つのカルボニル基を含む不飽和有機化合物でグラフト化されたポリオレフィンポリマーをさらに含む、請求項１に記載のモジュール。
【請求項１１】
前記不飽和有機化合物が無水マレイン酸である請求項１０に記載のモジュール。
【請求項１２】
前記ビニルシランが存在する請求項１に記載のモジュール。
【請求項１３】
前記ビニルシランがビニルトリエトキシシランおよびビニルトリメトキシシランの少なくとも１種である請求項１２に記載のモジュール。
【請求項１４】
前記助剤が存在する請求項１３に記載のモジュール。
【請求項１５】
前記ポリオレフィンコポリマーが、ＡＳＴＭ２７６５−９５で測定される場合に前記コポリマーが約８５パーセント未満のキシレン可溶性抽出物を含むように架橋されている請求項１３に記載のモジュール。
【請求項１６】
前記ポリマー材料が前記電子素子の少なくとも１つの表面と緊密に接触している単層膜の形態である請求項１３に記載のモジュール。
【請求項１７】
前記ポリマー材料がスコーチ防止剤を約０．０１〜約１．７重量％の量でさらに含む請求項１に３記載のモジュール。
【請求項１８】
少なくとも１つのガラスカバーシートをさらに含む請求項１３に記載のモジュール。
【請求項１９】
前記ポリマー材料が、少なくとも１つのエチレン性不飽和および少なくとも１つのカルボニル基を含む不飽和有機化合物でグラフト化されたポリオレフィンポリマーをさらに含む、請求項１３に記載のモジュール。
【請求項２０】
前記不飽和有機化合物が無水マレイン酸である請求項１９に記載のモジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本出願は、２０１０年５月２６日に出願された米国仮出願番号第６１／３４８，４８３号からの優先権を主張し、この仮出願はその全体が参照によって本明細書に組み込まれる。本出願はまた、２００９年７月６日に出願された米国仮出願番号第６１／２２２，３７１号；２００６年９月２０日に出願された米国特許出願番号第６０／８２６，３２８号；および２００６年１１月１５日に出願された米国特許出願番号第６０／８６５，９６５号にも関連し、これらの開示は米国審査手続の目的のために参照によって本明細書に組み込まれる。
【０００２】
本発明は電子素子モジュールに関する。ある形態においては、本発明は電子素子、例えば、太陽電池または光起電力（ＰＶ）セル、および保護ポリマー材料を含む電子素子モジュールに関し、別の形態においては、本発明は、保護ポリマー材料が、約４５を超える、より好ましくは５０を超える、最も好ましくは９５を超え、および４００の高さまで、好ましくは２００の高さまでのコモノマー分布定数（Ｃｏｍｏｎｏｍｅｒ  Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎ  Ｃｏｎｓｔａｎｔ）で特徴付けられるエチレン系ポリマー組成物であり、この組成物が１２０未満の全不飽和単位／１，０００，０００Ｃを有し、好ましくはエチレン系ポリマー組成物が約３以下の長鎖分岐／１０００炭素、より好ましくは約０．０１〜約３長鎖分岐／１０００炭素を含み；エチレン系ポリマー組成物が少なくとも２のＺＳＶＲを有することができ；エチレン系ポリマー組成物が２０未満のビニリデン不飽和単位／１，０００，０００Ｃを含むことによってさらに特徴付けられることができ；エチレン系ポリマー組成物が二峰性分子量分布（ＭＷＤ）または多峰性ＭＷＤを有することができ；エチレン系ポリマー組成物が、パージを除いて、３５℃〜１２０℃の一峰性または二峰性分布を含むコモノマー分布プロファイルを有することができ；エチレン系ポリマー組成物が単一ＤＳＣ融解ピークを含むことができ；エチレン系ポリマー組成物が約１７，０００〜約２２０，０００の重量平均分子量（Ｍｗ）を含むことができる。さらに別の形態においては、本発明は電子素子モジュールを製造する方法に関する。
【背景技術】
【０００３】
ポリマー材料は、太陽電池（光起電力セル）、液晶パネル、エレクトロルミネッセンス素子およびプラズマディスプレイユニットをはじめとする１以上の電子素子を含むモジュールの製造に一般的に使用されている。これらモジュールは多くの場合、１以上の基体、例えば、１以上のガラスカバーシートと組み合わされた、多くの場合２つの基体（これら基体の一方または双方がガラス、金属、プラスチック、ゴムまたは他の材料を含んで成る）の間に配置された電子素子を含む。このポリマーざいりょうは典型的にはこのモジュールの封止剤またはシーラント剤として使用され、またはこのモジュールの設計に応じて、このモジュールのスキン層成分として、例えば、太陽電池モジュールのバックスキンとして使用される。これら目的のための典型的なポリマー材料には、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、セルロースアセタート、エチレン−酢酸ビニルコポリマー（ＥＶＡ）並びにイオノマーが挙げられる。
【０００４】
米国特許出願公開第２００１／００４５２２９Ａ１号は電子素子モジュールの構築における使用が意図されるポリマー材料に望まれる多くの特性を特定している。これら特性には、（ｉ）外部環境、例えば、水分および空気への、特に長期間にわたる曝露からその素子を保護すること；（ｉｉ）機械的衝撃に対する保護；（ｉｉｉ）電子素子および基体に対する強い接着；（ｉｖ）容易な処理、例えば、シーリング；（ｖ）良好な透明性、特に、光または他の電磁放射線が重要である用途、例えば、太陽電池モジュールにおける透明性；（ｖｉ）効果の際のポリマー収縮から生じる機械的応力からのその電子素子の保護を伴う短い硬化時間；（ｖｉｉ）高い電気抵抗、存在するとしても導電性がほとんどないこと；並びに（ｖｉｉｉ）低コストが挙げられる。特定の用途においてこれら特性の全てについて最大の性能をもたらすポリマー材料は一つもなく、通常は、特定の用途に対して最も重要な特性の性能、例えば、透明性および環境に対する保護を最大化し、その用途について二番目に重要な特性、例えば、硬化時間およびコストを犠牲にするトレードオフがなされる。ポリマー材料の組み合わせも、ブレンドとして、またはモジュールの別々の構成要素として使用される。
【０００５】
光起電力（ＰＶ）モジュールにおける使用のための封止膜を作成するために、高含有量（２８〜３５重量％）の酢酸ビニルモノマーに由来する単位を有するＥＶＡコポリマーが一般的に使用される。例えば、国際公開第９５／２２８４４号、第９９／０４９７１号、第９９／０５２０６号および２００４／０５５９０８号を参照。ＥＶＡ樹脂は典型的には紫外（ＵＶ）光添加剤で安定化され、それらは典型的には、約８０〜９０℃の温度に対する耐熱性および耐クリープ性を向上させるために、ペルオキシドを用いて太陽電池積層プロセス中に架橋される。しかし、ＥＶＡ樹脂はいくつかの理由のために、理想的なＰＶセル封止膜材料を下回る。例えば、ＥＶＡ膜は、ＵＶ光の影響下でのＥＶＡ樹脂の化学分解のせいで、強い太陽光において徐々に暗くなる。この変色は、環境への４年間しか経っていない曝露の後で太陽モジュールの出力の３０％を超える低下をもたらしうる。ＥＶＡ樹脂は水分も吸収して、分解の影響を受ける。
【０００６】
上述のようにおよびそれに加えて、ＥＶＡ樹脂は典型的にはＵＶ添加剤で安定化され、かつ高温、例えば、８０〜９０℃での耐熱および耐クリープ性を向上させるためにペルオキシドを用いる太陽電池積層および／または封止プロセス中に架橋される。しかし、ＵＶ放射線を吸収するＥＶＡ分子構造中のＣ＝Ｏ結合、および硬化後のシステム中に残留するペルオキシド架橋剤の存在のせいで、ＵＶ誘起分解に対してＥＶＡを安定化させるために添加剤パッケージが使用される。残留ペルオキシドは、発色団の発生の原因である主たる酸化剤であると考えられている（米国特許第６，０９３，７５７号）。酸化防止剤、ＵＶ安定化剤、ＵＶ吸収剤などの添加剤はＥＶＡを安定化するが、同時にこの添加剤パッケージが３６０ナノメートル（ｎｍ）未満のＵＶ波長をブロックしうる。
【０００７】
光起電力モジュール効率は光起電力セル効率および封止剤を通過する太陽光波長に応じて決定される。太陽電池の効率に対する最も基本的な制限の一つはその半導体材料のバンドギャップ、すなわち、結合した価電子帯からモバイル伝導帯へ電子を引き上げるのに必要なエネルギーである。バンドギャップより小さなエネルギーを有する光子は吸収されることなくモジュールを通る。バンドギャップより高いエネルギーを有する光子は吸収されるが、その過剰なエネルギーが無駄になる（熱として散逸される）。光起電力セル効率を増大させるために、「タンデム」セルまたはマルチジャンクションセルが使用されて、エネルギー変換のための波長範囲を広くする。さらに、非晶質シリコン、テルル化カドミウムまたはセレン化ガリウムインジウム銅のような多くの薄膜技術において、半導体材料のバンドギャップは単結晶シリコンのとは異なっている。これら光起電力セルは３６０ｎｍ未満の波長に対して光を電気に変換するであろう。これら光起電力セルについては、ＰＶモジュールを効率的に維持するために、３６０ｎｍ未満の波長を吸収することができる封止剤が必要とされる。
【０００８】
米国特許第６，３２０，１１６号および第６，５８６，２７１号はこれらポリマー材料の別の重要な特性、特に太陽電池モジュールの構築に使用されるこれら材料を教示する。この特性は耐熱クリープ性、すなわち、温度の結果として期間にわたるポリマーの永続的な変改に対する耐性である。耐熱クリープ性は、概して、ポリマーの融解温度に直接比例する。建築用途における使用のために設計された太陽電池モジュールあ、多くの場合、９０℃以上の温度での熱クリープに対する優れた耐性を示す必要がある。低い融解温度を有する材料、例えば、ＥＶＡについては、それをより高い耐熱クリープ性にするためにそのポリマー材料を架橋することが多くの場合必要である。
【０００９】
架橋、特に化学的架橋は、一つの課題、例えば、熱クリープに取り組みつつ、他の課題を作り出す場合がある。例えば、ＥＶＡは、太陽電池モジュールの構築に使用される一般的なポリマー材料であり、これはむしろ低い融点を有するが、多くの場合、有機ペルオキシド開始剤を用いて架橋される。これは熱クリープ問題に対処するが、それは腐蝕の問題を生じさせ、すなわち、全架橋はめったになく、充分に達成されるとしても、これはＥＶＡ中に残留ペルオキシドを残す。この残っているペルオキシドは、例えば、電子素子モジュールの寿命にわたる酢酸の放出によって、ＥＶＡポリマーおよび／または電子素子の酸化および分解を促進することができる。さらに、ＥＶＡへの有機ペルオキシドの添加は、早すぎる架橋を回避するために、注意深い温度制御を必要とする。
【００１０】
ペルオキシド開始架橋についての別の潜在的な問題は処理装置の金属表面上への架橋した材料の蓄積である。押出実行中に、全ての金属フロー表面において高い滞留時間を経験する。押出時間のより長い期間にわたって、金属表面において架橋された材料が形成する場合があり、かつその装置のクリーニングを必要とする場合がある。ゲル形成、すなわち、処理装置の金属表面上でのポリマーのこの架橋を最小限にする現在のプラクティスは低い処理温度を使用することであり、これはひいては押出製品の生産速度を低下させる。
【００１１】
電子素子モジュールの製造において使用するためのポリマー材料の選択に重要であり得る一つの別の特性は、熱可塑性、すなわち、軟化され、成型され、および成形される能力である。例えば、ポリマー材料がフレームのないモジュールにおけるバックスキン層として使用されるべきものである場合には、それは米国特許第５，７４１，３７０号に記載されるように積層中に熱可塑性を示すべきである。しかし、この熱可塑性は効果的な耐熱クリープ性を犠牲にして得られてはならない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１２】
【特許文献１】米国特許出願公開第２００１／００４５２２９Ａ１号明細書
【特許文献２】国際公開第９５／２２８４４号パンフレット
【特許文献３】国際公開第９９／０４９７１号パンフレット
【特許文献４】国際公開第９９／０５２０６号パンフレット
【特許文献５】国際公開第２００４／０５５９０８号パンフレット
【特許文献６】米国特許第６，０９３，７５７号明細書
【特許文献７】米国特許第６，３２０，１１６号明細書
【特許文献８】米国特許第６，５８６，２７１号明細書
【特許文献９】米国特許第５，７４１，３７０号明細書
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【００１３】
一実施形態においては、本発明は電子素子モジュールであり、当該電子素子モジュールが
Ａ．少なくとも１つの電子素子、並びに
Ｂ．前記電子素子の少なくとも１つの表面と緊密に接触しているポリマー材料であって、前記ポリマー材料が、（１）約４５を超える、より好ましくは５０を超える、最も好ましくは９５を超え、および４００の高さまで、好ましくは２００の高さまでのコモノマー分布定数（Ｃｏｍｏｎｏｍｅｒ  Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎ  Ｃｏｎｓｔａｎｔ）で特徴付けられるエチレン系ポリマー組成物を含み、前記組成物が１２０未満の全不飽和単位／１，０００，０００Ｃを有し、好ましくは前記エチレン系ポリマー組成物が約３以下の長鎖分岐／１０００炭素、より好ましくは約０．０１〜約３長鎖分岐／１０００炭素を含み；前記エチレン系ポリマー組成物が少なくとも２のＺＳＶＲを有することができ；前記エチレン系ポリマー組成物が２０未満のビニリデン不飽和単位／１，０００，０００Ｃを含むことによってさらに特徴付けられることができ；前記エチレン系ポリマー組成物が二峰性分子量分布（ＭＷＤ）または多峰性ＭＷＤを有することができ；前記エチレン系ポリマー組成物が、パージを除いて、３５℃〜１２０℃の一峰性または二峰性分布を含むコモノマー分布プロファイルを有することができ；前記エチレン系ポリマー組成物が単一ＤＳＣ融解ピークを含むことができ；前記エチレン系ポリマー組成物が約１７，０００〜約２２０，０００の重量平均分子量（Ｍｗ）を含むことができ、（２）場合によっては、ビニルシラン、例えば、ビニルトリエトキシシラン、またはビニルトリメトキシシランを前記コポリマーの重量を基準にして少なくとも０．１重量％の量で含み、（３）フリーラジカル開始剤、例えば、ペルオキシドもしくはアゾ化合物、または光開始剤、例えば、ベンゾフェノンを、前記コポリマーの重量を基準にして少なくとも約０．０５重量％の量で含み、並びに（４）場合によっては、助剤（ｃｏ−ａｇｅｎｔ）を前記コポリマーの重量を基準にして少なくとも約０．０５重量％の量で含む。
【００１４】
「緊密に接触している（ｉｎ  ｉｎｔｉｍａｔｅ  ｃｏｎｔａｃｔ）」などの用語は、コーティングが基体と接触しているのと同様に、ポリマー材料が素子または他の物品の少なくとも１つの表面と接触しており、ポリマー材料と素子の面との間に隙間または空間があるとしてもわずかであり、並びに前記材料が素子の面への良好〜優れた接着を示すことを意味する。電子素子の少なくとも１つの面にポリマー材料を適用するための押出または他の方法の後で、その材料は典型的には、透明もしくは不透明、および可撓性または剛性であり得る膜を形成しおよび／または硬化する。電子素子が、太陽光に対するアクセスが妨げられていないまたは最小限にしか妨げられていないことを必要とするか、または使用者がそれ、例えば、プラズマディスプレイユニットから情報を読むのを可能にする太陽電池または他の素子である場合には、その素子のアクティブまたは「ビジネス」表面を覆うその材料のその部分は高度に透明である。
【００１５】
このモジュールは１以上の他の構成要素、例えば、１以上のガラスカバーシートをさらに含むことができ、およびこれら実施形態においては、ポリマー材料は通常は、電子素子とガラスカバーシートとの間にサンドウィッチ構造で配置される。ポリマー材料が電子素子と反対側のガラスカバーシートの表面に膜として適用される場合には、ガラスカバーシートのその表面と接触しているその膜の表面は滑らかまたは不均一、例えば、エンボス化されているかまたはテクスチャ化されていてよい。
【００１６】
典型的には、ポリマー材料はエチレン系ポリマーである。ポリマー材料は電子素子を完全に封止することができるかまたは、それはその一部分のみで緊密に接触していてよく、例えば、素子の一表面に積層されていてよい。場合によっては、ポリマー材料は、スコーチ（ｓｃｏｒｃｈ）阻害剤、およびそのモジュールが意図される用途に応じて、コポリマーおよび他の因子の化学組成物をさらに含むことができ、このコポリマーは非架橋のままであってよく、または架橋されていてもよい。架橋されている場合には、それがＡＳＴＭ２７６５−９５で測定される場合に約８５パーセント未満のキシレン可溶性抽出物を含む様に架橋される。
【００１７】
別の実施形態においては、本発明は、電子素子の少なくとも１つの表面と緊密に接触しているポリマー材料が共押出された材料であり、そこでの少なくとも１つの外側スキン層が（ｉ）架橋のためのペルオキシドを含んでおらず、かつ（ｉｉ）モジュールと緊密の接触している表面であることを除いた、上記２つの実施形態に記載される電子素子モジュールである。典型的には、この外側スキン層はガラスに対する良好な接着性を示す。この共押出された材料のこの外側スキンは多くの様々なポリマーのいずれか１種を含むことができるが、典型的には、ペルオキシド含有層のポリマーと同じであって、ペルオキシドを含まないポリマーである。本発明のこの実施形態はより高い処理温度の使用を可能にし、これはひいては、処理装置の金属表面との長期間の接触に起因する封止ポリマーにおける望まれないゲル形成無しで、より速い生産速度を可能にする。別の実施形態においては、押出された生成物は少なくとも３層を含み、その３層においては、電子モジュールに接触しているスキン層はペルオキシドを含まず、かつペルオキシド含有層がコア層である。
【００１８】
別の実施形態においては、本発明は電子素子モジュールを製造する方法であって、当該方法は
Ａ．少なくとも１種の電子素子を提供する工程、並びに
Ｂ．前記電子素子の少なくとも１つの表面をポリマー材料と接触させる工程であって、前記ポリマー材料が、（１）約４５を超える、より好ましくは５０を超える、最も好ましくは９５を超え、および４００の高さまで、好ましくは２００の高さまでのコモノマー分布定数で特徴付けられるエチレン系ポリマー組成物を含み、前記組成物が１２０未満の全不飽和単位／１，０００，０００Ｃを有し、好ましくは前記エチレン系ポリマー組成物が約３以下の長鎖分岐／１０００炭素、より好ましくは約０．０１〜約３長鎖分岐／１０００炭素を含み；前記エチレン系ポリマー組成物が少なくとも２のＺＳＶＲを有することができ；前記エチレン系ポリマー組成物が２０未満のビニリデン不飽和単位／１，０００，０００Ｃを含むことによってさらに特徴付けられることができ；前記エチレン系ポリマー組成物が二峰性分子量分布（ＭＷＤ）または多峰性ＭＷＤを有することができ；前記エチレン系ポリマー組成物が、パージを除いて、３５℃〜１２０℃の一峰性または二峰性分布を含むコモノマー分布プロファイルを有することができ；前記エチレン系ポリマー組成物が単一ＤＳＣ融解ピークを含むことができ；前記エチレン系ポリマー組成物が約１７，０００〜約２２０，０００の重量平均分子量（Ｍｗ）を含むことができ、（２）場合によっては、ビニルシランを含み、（３）フリーラジカル開始剤、例えば、ペルオキシドもしくはアゾ化合物、または光開始剤、例えば、ベンゾフェノンを、前記コポリマーの重量を基準にして少なくとも約０．０５重量％の量で含み、並びに（４）場合によっては、助剤（ｃｏ−ａｇｅｎｔ）を前記コポリマーの重量を基準にして少なくとも約０．０５重量％の量で含む工程を含む。
【００１９】
さらなる実施形態においては、本発明は、電子素子モジュールを製造する方法であって、当該方法は
Ａ．少なくとも１種の電子素子を提供する工程、並びに
Ｂ．前記電子素子の少なくとも１つの表面をポリマー材料と接触させる工程であって、前記ポリマー材料が、（１）約４５を超える、より好ましくは５０を超える、最も好ましくは９５を超え、および４００の高さまで、好ましくは２００の高さまでのコモノマー分布定数（Ｃｏｍｏｎｏｍｅｒ  Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎ  Ｃｏｎｓｔａｎｔ）で特徴付けられるエチレン系ポリマー組成物を含み、前記組成物が１２０未満の全不飽和単位／１，０００，０００Ｃを有し、好ましくは前記エチレン系ポリマー組成物が約３以下の長鎖分岐／１０００炭素、より好ましくは約０．０１〜約３長鎖分岐／１０００炭素を含み；前記エチレン系ポリマー組成物が少なくとも２のＺＳＶＲを有することができ；前記エチレン系ポリマー組成物が２０未満のビニリデン不飽和単位／１，０００，０００Ｃを含むことによってさらに特徴付けられることができ；前記エチレン系ポリマー組成物が二峰性分子量分布（ＭＷＤ）または多峰性ＭＷＤを有することができ；前記エチレン系ポリマー組成物が、パージを除いて、３５℃〜１２０℃の一峰性または二峰性分布を含むコモノマー分布プロファイルを有することができ；前記エチレン系ポリマー組成物が単一ＤＳＣ融解ピークを含むことができ；前記エチレン系ポリマー組成物が約１７，０００〜約２２０，０００の重量平均分子量（Ｍｗ）を含むことができ、（２）場合によっては、ビニルシラン、例えば、ビニルトリエトキシシラン、またはビニルトリメトキシシランを前記コポリマーの重量を基準にして少なくとも０．１重量％の量で含み、（３）フリーラジカル開始剤、例えば、ペルオキシドもしくはアゾ化合物、または光開始剤、例えば、ベンゾフェノンを、前記コポリマーの重量を基準にして少なくとも約０．０５重量％の量で含み、並びに（４）場合によっては、助剤（ｃｏ−ａｇｅｎｔ）を前記コポリマーの重量を基準にして少なくとも約０．０５重量％の量で含む工程を含む。
【００２０】
これら２つの方法の実施形態の双方の変法においては、モジュールが、素子の一表面から離れて配置された少なくとも１つの半透明カバー層をさらに含み、およびポリマー材料が電子素子とこのカバー層との間に密封関係で挿入されている。「密封関係で」および同様の用語はポリマー材料がカバー層と電子素子との双方に、典型的には、それぞれの少なくとも一表面に良好に接着し、かつ存在するとしても２つのモジュール構成要素間の隙間または空間（エンボス化またはテクスチャ化された膜の形態のカバー層にポリマー材料が適用されている、またはカバー層自体がエンボス化またはテクスチャ化されている結果としてポリマー材料とカバー層との間に存在しうる隙間または空間以外）を少ししか伴わずに、それがこれら２つを一緒に結合することを意味する。
【００２１】
さらに、これら方法の実施形態の双方において、ポリマー材料は、スコーチ防止剤をさらに含むことができ、並びにこの方法は場合によっては、コポリマーが架橋される工程、例えば、架橋条件下で電子素子および／もしくはガラスカバーシートをポリマー材料と接触させる工程、またはモジュールが形成された後で、ポリオレフィンコポリマーがＡＳＴＭ２７６５−９５で測定して約８５パーセント未満のキシレン可溶性抽出物を含むような架橋条件にモジュールをかけることを含むことができる。架橋条件には熱（例えば、少なくとも約１６０℃の温度）、放射線（例えば、Ｅビームによる場合には少なくとも約１５メガ−ｒａｄ、またはＵＶ光による場合には０．０５ジュール／ｃｍ２）、水分（例えば、少なくとも約５０％の相対湿度）が挙げられる。
【００２２】
これら方法の実施形態における別の変法においては、電子素子はポリマー材料で封止され、すなわち、完全に囲まれるかまたは封入される。これら実施形態についての別の変法においては、ガラスカバーシートがシランカップリング剤、例えば、アミノプロピルトリエトキシシランで処理される。これら実施形態についてのさらなる別の変法においては、ポリマー材料は、電子素子およびガラスカバーシートの一方または双方に対するその接着特性を増大させるために、グラフトポリマーをさらに含む。典型的には、グラフトポリマーは、ポリオレフィンコポリマーをカルボニル基を含む不飽和有機化合物、例えば、無水マレイン酸で単純にグラフト化することによってその場で形成される。
【００２３】
別の実施形態においては、本発明は、その膜が（ｉ）４００〜１１００ナノメートル（ｎｍ）の波長範囲にわたって９０％以上の透過率、および（ｉｉ）３８℃でかつ１００％相対湿度（ＲＨ）で約５０グラム／平方メートル／日（ｇ／ｍ２・日）未満、好ましくは約１５未満の水蒸気透過速度（ＷＶＴＲ）を有することで特徴付けられるエチレン／非極性α−オレフィンポリマー膜である。
【００２４】
別の実施形態においては、本発明は、約４５を超える、より好ましくは５０を超える、最も好ましくは９５を超え、および４００の高さまで、好ましくは２００の高さまでのコモノマー分布定数で特徴付けられるエチレン系ポリマー組成物であって、この組成物が１２０未満の全不飽和単位／１，０００，０００Ｃを有するエチレン系ポリマー組成物である。好ましくは、このエチレン系ポリマー組成物は約３以下の長鎖分岐／１０００炭素、より好ましくは約０．０１〜約３長鎖分岐／１０００炭素を含む。このエチレン系ポリマー組成物は少なくとも２のＺＳＶＲを有することができる。このエチレン系ポリマー組成物は２０未満のビニリデン不飽和単位／１，０００，０００Ｃを含むことによってさらに特徴付けられることができる。このエチレン系ポリマー組成物は二峰性分子量分布（ＭＷＤ）または多峰性ＭＷＤを有することができる。このエチレン系ポリマー組成物は、パージを除いて、３５℃〜１２０℃の一峰性または二峰性分布を含むコモノマー分布プロファイルを有することができる。このエチレン系ポリマー組成物は単一ＤＳＣ融解ピークを含むことができる。このエチレン系ポリマー組成物は約１７，０００〜約２２０，０００の重量平均分子量（Ｍｗ）を含むことができる。
【００２５】
新規ポリマー組成物を含む製造された物品も意図され、特に少なくとも１つの膜層の形態である。他の実施形態には、新規ポリマー組成物および少なくとも１種の天然または合成ポリマーを含む熱化組成配合物が挙げられる。
【００２６】
エチレン系ポリマー組成物は少なくとも部分的に（少なくとも５重量％ゲルで）架橋されている。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】図１は本発明の電子素子モジュールの一実施形態、すなわち、剛性光起電力（ＰＶ）モジュールの概略図である。
【図２】図２は本発明の電子素子モジュールの別の実施形態、すなわち、可撓性ＰＶモジュールの概略図である。
【図３】図３はＣＦＥからピーク温度、半値幅およびメジアン温度を得るための概略図である。
【図４】図４はＣＦＥのいくつかの実施例および比較例のグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
本発明の実施に有用なポリオレフィンコポリマーは０．９ｇｍ／ｃｍ３以上の密度を有することができるが、約０．９ｇ／ｃｍ３未満、好ましくは約０．８９ｇ／ｃｍ３未満、より好ましくは約０．８８５ｇ／ｃｍ３未満、さらにより好ましくは約０．８８ｇ／ｃｍ３未満、およびさらにより好ましくは約０．８７５ｇ／ｃｍ３未満の密度を有していてもよい。ポリオレフィンコポリマーは典型的には約０．８５ｇｍ／ｃｍ３を超える、より好ましくは約０．８６ｇｍ／ｃｍ３を超える密度を有する。低密度ポリオレフィンコポリマーは、一般的に、非晶質、可撓性および良好な光学特性、例えば、可視およびＵＶ光の高い透過率並びに低いヘイズ（ｈａｚｅ）を有するとして特徴付けられる。
【００２９】
本発明の実施に有用であってかつメタロセン触媒またはコンストレインド構造（ｃｏｎｓｔｒａｉｎｅｄ  ｇｅｏｍｅｔｒｙ）触媒のようなシングルサイト触媒を用いて製造されるポリオレフィンコポリマーは、典型的には、約９５℃未満、好ましくは約９０℃未満、より好ましくは約８５℃未満、さらにより好ましくは約８０℃未満、御ｙほびさらにより好ましくは約７５℃未満の融点を有する。マルチサイト触媒、例えば、チーグラー−ナッタおよびフィリップス触媒を用いて製造されたポリオレフィンコポリマーについては、融点は典型的には約１２５℃未満、好ましくは約１２０℃未満、より好ましくは約１１５℃未満、およびさらにより好ましくは約１１０℃未満である。融点は、例えば、米国特許第５，７８３，６３８号に記載されるような示差走査熱量測定法（ＤＳＣ）によって測定される。低融点を有するポリオレフィンコポリマーは多くの場合、本発明のモジュールの製造に有用である望ましい可撓性および熱可塑性特性を示す。
【００３０】
本発明の実施に有用なポリオレフィンコポリマーには、当該インターポリマーの重量を基準にして約１５、好ましくは少なくとも約１２、さらにより好ましくは少なくとも約２５重量％のα−オレフィン含有量を有するエチレン／α−オレフィンインターポリマーが挙げられる。これらインターポリマーは典型的には、当該引退ポリマーの重量を基準にして約５０未満、好ましくは約４５未満、より好ましくは約４０未満、さらにより好ましくは約３５未満のα−オレフィン含有量を有する。α−オレフィン含有量は、ランドオール（Ｒａｎｄａｌｌ）（Ｒｅｖ．Ｍａｃｒｏｍｏｌ．Ｃｈｅｍ．Ｐｈｙｓ．，Ｃ２９（２＆３））に記載される手順を使用する１３Ｃ核磁気共鳴（ＮＭＲ）スペクトル分析によって測定される。一般的には、このインターポリマーのα−オレフィン含有量が大きくなると、密度がより小さくなりかつインターポリマーがより非晶質になって、そしてこのことは結果的にモジュールの保護ポリマー成分の望ましい物理的および化学的特性となる。
【００３１】
α−オレフィンは好ましくはＣ３−２０線状、分岐または環式α−オレフィンである。用語「インターポリマー」とは少なくとも２種類のモノマーから製造されたポリマーをいう。それには、例えば、コポリマー、ターポリマーおよびテトラポリマーが挙げられる。Ｃ３−２０α−オレフィンの例には、プロペン、１−ブテン、４−メチル−１−ペンテン、１−ヘキセン、１−オクテン、１−デセン、１−ドデセン、１−テトラデセン、１−ヘキサデセンおよび１−オクタデセンが挙げられる。α−オレフィンはシクロヘキサンまたはシクロペンタンのような環式構造を含んでいても良く、結果的に３−シクロヘキシル−１−プロペン（アリルシクロヘキサン）およびビニルシクロヘキサンのようなα−オレフィンでありうる。この用語の古典的な意味のα−オレフィンではないが、本発明の目的のためには、特定の環式オレフィン、例えば、ノルボルネンおよび関連するオレフィンがα−オレフィンであって、そして上述のα−オレフィンの一部分または全部の代わりに使用されうる。同様に、スチレンおよびその関連するオレフィン（例えば、α−メチルスチレンなど）が、本発明の目的のためには、α−オレフィンである。しかし、アクリル酸およびメタクリル酸並びにそれらのそれぞれのイオノマー、並びにアクリラートおよびメタクリラートは、本発明の目的のためには、α−オレフィンではない。実例となるポリオレフィンコポリマーには、エチレン／プロピレン、エチレン／ブテン、エチレン／１−ヘキセン、エチレン／１−オクテン、エチレン／スチレンなどが挙げられる。エチレン／アクリル酸（ＥＡＡ）、エチレン／メタクリル酸（ＥＭＡ）、エチレン／アクリラートまたはメタクリラート、エチレン／酢酸ビニルなどは本発明のポリオレフィンコポリマーではない。実例となるターポリマーには、エチレン／プロピレン／１−オクテン、エチレン／プロピレン／ブテン、エチレン／ブテン／１−オクテンおよびエチレン／ブテン／スチレンが挙げられる。コポリマーはランダムまたはブロックであることができる。
【００３２】
本発明におけるブレンドされる成分として有用なオレフィン系インターポリマーのより具体的な例には、極低密度ポリエチレン（ＶＬＤＰＥ）（例えば、ザダウケミカルカンパニーによって製造されるフレキソマー（ＦＬＥＸＯＭＥＲ（登録商標））エチレン／１−ヘキセンポリエチレン）、均質に分岐した線状エチレン／α−オレフィンコポリマー（例えば、三井石油化学工業によるタフマー（ＴＡＦＭＥＲ（登録商標））、およびエキソンケミカルカンパニーによるイクサクト（ＥＸＡＣＴ（登録商標）））、並びに均質に分岐した実質的に線状のエチレン／α−オレフィンポリマー（例えば、ザダウケミカルカンパニーから入手可能なアフィニティー（ＡＦＦＩＮＩＴＹ（登録商標））およびエンゲージ（ＥＮＧＡＧＥ（登録商標））ポリエチレン）が挙げられる。より好ましいポリオレフィンコポリマーは均質に分岐した線状のおよび実質的に線状のエチレンコポリマーである。実質的に線状のエチレンコポリマーが特に好ましく、そして米国特許第５，２７２，２３６号、第５，２７８，２７２号、および第５，９８６，０２８号により充分に記載されている。
【００３３】
本発明の実施におけるブレンドされる成分として有用なポリオレフィンコポリマーには、プロピレン、部練および他のアルケンベースのコポリマー、例えば、プロピレンから生じる過半量の単位および別のα−オレフィン（エチレンも包含する）から生じる半量未満の単位を含むコポリマーも挙げられる。本発明の実施に有用な典型的なポリプロピレンには、ザダウケミカルカンパニーから入手可能なバーシファイ（ＶＥＲＳＩＦＹ（登録商標））ポリマー、およびエキソンモービルケミカルカンパニーから入手可能なビスタマックス（ＶＩＳＴＡＭＡＸＸ（登録商標））ポリマーが挙げられる。
【００３４】
上記オレフィン系インターポリマーのいずれのブレンドも本発明において使用されることができ、かつポリオレフィンコポリマーは下記に示される程度まで１種以上の他のポリマーとブレンドされまたは１種以上の他のポリマーで希釈される：（ｉ）これらポリマーが互いに混和性であり、（ｉｉ）他のポリマーがポリオレフィンコポリマーの所望の特性、例えば、光学および低弾性率に、影響があるとしても、影響をほとんど及ぼさず、並びに（ｉｉｉ）本発明のポリオレフィンコポリマーがこのブレンドの少なくとも約７０、好ましくは少なくとも約７５およびより好ましくは少なくとも約８０重量パーセントを構成する。好ましくはないが、ＥＶＡコポリマーは希釈ポリマーの１種であり得る。
【００３５】
本発明の実施において有用なポリオレフィンコポリマーは、ＡＳＴＭ  Ｄ−３４１８−０３の手順を用いて示差走査熱力測定法（ＤＳＣ）によって測定して、約−３５℃未満、好ましくは約−４０℃未満、より好ましくは約−４５℃未満、さらにより好ましくは約−５０℃未満のＴｇを有する。さらに、典型的には、本発明の実施において使用されるポリオレフィンコポリマーは約１００（ｇ／１０分）未満、好ましくは約７５（ｇ／１０分）未満、より好ましくは約５０（ｇ／１０分）未満、さらにより好ましくは約３５（ｇ／１０分）未満のメルトインデックスも有する。典型的な最小ＭＩは約１であり、より典型的にはそれは約５である。
【００３６】
本発明の実施に有用なポリオレフィンコポリマーはＳＣＢＤＩ（短鎖分岐分布インデックス；Ｓｈｏｒｔ  Ｃｈａｉｎ  Ｂｒａｎｃｈ  Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎ  Ｉｎｄｅｘ）またはＣＤＢＩ（組成分布分岐インデックス；Ｃｏｍｐｏｓｉｔｉｏｎ  Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎ  Ｂｒａｎｃｈ  Ｉｎｄｅｘ）（メジアン合計モルコモノマー含有量の５０パーセント内のコモノマー含有量を有するポリマー分子の重量パーセントとして定義される）を好ましくは有する。ポリマーのＣＤＢＩは、例えば、米国特許第４，７９８，０８１号および第５，００８，２０４号に記載されるような、またはワイルド（Ｗｉｌｄ）ら、Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｐｏｌｙｍｅｒ  Ｓｃｉｅｎｃｅ，Ｐｏｌｙ．Ｐｈｙｓ．Ｅｄ．，第２０巻４４１ページ（１９８２）に記載されるような温度上昇溶離分画（ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  ｒｉｓｉｎｇ  ｅｌｕｔｉｏｎ  ｆｒａｃｔｉｏｎａｔｉｏｎ）（本明細書においては、ＴＲＥＦと略される）のような当該技術分野で既知の技術から得られるデータから容易に計算される。本発明の実施において使用されるポリオレフィンコポリマーについてのＳＣＢＤＩまたはＣＤＢＩは典型的には、約５０パーセントを超え、好ましくは約６０パーセントを超え、より好ましくは約７０パーセントを超え、さらにより好ましくは約８０パーセントを超え、最も好ましくは約９０パーセントを超える。
【００３７】
本発明の実施において使用されるポリマー材料は約４５を超える、より好ましくは５０を超える、最も好ましくは９５を超え、および４００の高さまでの、好ましくは２００の高さまでのコモノマー分布定数で特徴付けられるエチレン系ポリマー組成物であって、当該組成物が１２０未満の全不飽和単位／１，０００，０００Ｃを有し、好ましくは前記エチレン系ポリマー組成物が約３以下の長鎖分岐／１０００炭素、より好ましくは約０．０１〜約３長鎖分岐／１０００炭素を含み；前記エチレン系ポリマー組成物が少なくとも２のＺＳＶＲを有することができ；前記エチレン系ポリマー組成物が２０未満のビニリデン不飽和単位／１，０００，０００Ｃを含むことによってさらに特徴付けられることができ；前記エチレン系ポリマー組成物が二峰性分子量分布（ＭＷＤ）または多峰性ＭＷＤを有することができ；前記エチレン系ポリマー組成物が、パージを除いて、３５℃〜１２０℃の一峰性または二峰性分布を含むコモノマー分布プロファイルを有することができ；前記エチレン系ポリマー組成物が単一ＤＳＣ融解ピークを含むことができ；前記エチレン系ポリマー組成物が約１７，０００〜約２２０，０００の重量平均分子量（Ｍｗ）を含むことができる；エチレン系ポリマー組成物である。
【００３８】
本発明の実施において使用されるポリオレフィンコポリマーの低密度および弾性率のせいで、これらコポリマーは典型低的には、接触の時点で、またはモジュールが構築された後で、通常な直後に、硬化されまたは架橋される。架橋は、電子素子を環境から保護するその機能におけるコポリマーの性能について重要である。具体的には、架橋はコポリマーの耐熱クリープ性およびモジュールの熱、衝撃および溶媒耐性の点で耐久性を増大させる。架橋は多数の様々な方法のいずれかによって、例えば、熱活性化開始剤、例えば、ペルオキシドおよびアゾ化合物；光開始剤、例えば、ベンゾフェノン；放射線技術、例えば、太陽光、ＵＶ光、Ｅビームおよびｘ線；ビニルシラン、例えば、ビニルトリ−エトキシまたはビニルトリメトキシシラン；および水分硬化の使用によってもたらされうる。
【００３９】
本発明の実施において使用されるフリーラジカル開始剤には、比較的不安定でかつ少なくとも２つのラジカルに容易に分解する熱活性化化合物が挙げられる。この種の化合物の代表はペルオキシド、特に有機ペルオキシドおよびアゾ開始剤である。架橋剤として使用されるこのフリーラジカル開始剤の中で、ジアルキルペルオキシドおよびジペルオキシケタール開始剤が好ましい。これら化合物はＥｎｃｙｃｌｏｐｅｄｉａ  ｏｆ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ、第三版、第１７巻、２７〜９０ページ（１９８２）に記載されている。
【００４０】
ジアルキルペルオキシドの群においては、好ましい開始剤は：ジクミルペルオキシド、ジ−ｔ−ブチルペルオキシド、ｔ−ブチルクミルペルオキシド、２，５−ジメチル−２，５−ジ（ｔ−ブチルペルオキシ）−ヘキサン、２，５−ジメチル−２，５−ジ（ｔ−アミルペルオキシ）−ヘキサン、２，５−ジメチル−２，５−ジ（ｔ−ブチルペルオキシ）ヘキシン−３、２，５−ジメチル−２，５−ジ（ｔ−アミルペルオキシ）ヘキシン−３、α，α−ジ［（ｔ−ブチルペルオキシ）−イソプロピル］−ベンゼン、ジ−ｔ−アミルペルオキシド、１，３，５−トリ−［（ｔ−ブチルペルオキシ）−イソプロピル］ベンゼン、１，３−ジメチル−３−（ｔ−ブチルペルオキシ）ブタノール、１，３−ジメチル−３−（ｔ−アミルペルオキシ）ブタノールおよびこれら開始剤の２種以上の混合物である。
【００４１】
ジペルオキシケタール開始剤の群においては、好ましい開始剤は：１，１−ジ（ｔ−ブチルペルオキシ）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン、１，１−ジ（ｔ−ブチルペルオキシ）シクロヘキサン  ｎ−ブチル、４，４−ジ（ｔ−アミルペルオキシ）バレラート、エチル  ３，３−ジ（ｔ−ブチルペルオキシ）ブチラート、２，２−ジ（ｔ−アミルペルオキシ）プロパン、３，６，６，９，９−ペンタメチル−３−エトキシカルボニルメチル−１，２，４，５−テトラオキサシクロノナン、ｎ−ブチル−４，４−ビス（ｔ−ブチルペルオキシ）−バレラート、エチル−３，３−ジ（ｔ−アミルペルオキシ）−ブチラートおよびこれら開始剤の２種以上の混合物である。
【００４２】
他のペルオキシド開始剤、例えば、００−ｔ−ブチル−０−ヒドロゲン−モノペルオキシスクシナート；００−ｔ−アミル−０−ヒドロゲン−モノペルオキシスクシナートおよび／またはアゾ開始剤、例えば、２，２’−アゾビス−（２−アセトキシプロパン）も架橋ポリマーマトリックスを提供するために使用されうる。他の適するアゾ化合物には、米国特許第３，８６２，１０７号および第４，１２９，５３１号に開示されたものが挙げられる。２種以上のフリーラジカル開始剤の混合物も、本発明の範囲内の開始剤として一緒に使用されることができる。さらに、フリーラジカルは、剪断エネルギー、熱または放射線から形成しうる。
【００４３】
本発明の架橋性組成物中に存在するペルオキシドまたはアゾ開始剤の量は広範囲に変動しうるが、最小量は所望の範囲の架橋を提供するのに充分な量である。開始剤のその最小量は典型的には、架橋されるポリマー（１種類または複数種）の重量を基準にして少なくとも約０．０５重量％、好ましくは少なくとも約０．１重量％、より好ましくは少なくとも約０．２５重量％である。これら組成物中に使用される開始剤の最大量は高範囲に変動しうるが、それは典型的には、望まれる架橋の望まれる程度、効率およびコストのような要因によって決定される。その最大量は典型的には、架橋されるポリマー（１種類または複数種）の重量を基準にして約１０重量％未満、好ましくは約５重量％未満、より好ましくは約３重量％未満である。
【００４４】
電磁放射線、例えば、太陽光、紫外（ＵＶ）光、赤外（ＩＲ）放射線、電子ビーム、ベータ線、ガンマ線、ｘ線およびニュートロン線によるフリーラジカル架橋開始が使用されてもよい。放射線は、一緒になってかつ架橋することができるポリマーラジカルを生じさせることにより、架橋に影響を及ぼすと考えられる。Ｔｈｅ  Ｈａｎｄｂｏｏｋ  ｏｆ  Ｐｏｌｙｍｅｒ  Ｆｏａｍｓ  ａｎｄ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ（ポリマー発泡体および技術のハンドブック）、上記、１９８〜２０４ページはさらなる技術を提供する。元素硫黄はジエン含有ポリマー、例えば、ＥＰＤＭおよびポリブタジエンのための架橋剤として使用されうる。コポリマーを硬化させるのに使用される放射線の量は、コポリマーの化学組成、存在する場合には開始剤の組成および量、放射線の特性などによって変動するであろうが、ＵＶ光の典型的な量は少なくとも約０．０５ジュール／ｃｍ２、より典型的には少なくとも約０．１ジュール／ｃｍ２、さらにより典型的には少なくとも約０．５ジュール／ｃｍ２であり、およびＥビーム放射線の典型的な量は少なくとも約０．５メガラド、より典型的には少なくとも約１メガラド、さらにより典型的には少なくとも約１．５メガラドである。
【００４５】
硬化または架橋をもたらすのに太陽光またはＵＶ光が使用される場合には、典型的にかつ好ましくは１種以上の光開始剤が使用される。この光開始剤には、有機カルボニル化合物、例えば、ベンゾフェノン、ベンゾアントロン、ベンゾインおよびこれらのアルキルエーテル、２，２−ジエトキシアセトフェノン、２，２−ジメトキシ、２フェニルアセトフェノン、ｐ−フェノキシジクロロアセトフェノン、２−ヒドロキシシクロヘキシルフェノン、２−ヒドロキシイソプロピルフェノン、および１−フェニルプロパンジオン−２−（エトキシカルボキシル）オキシムが挙げられる。これら開始剤は既知の方法でかつ既知の量で、例えば、典型的にはコポリマーの重量を基準にして少なくとも約０．０５重量％、より典型的には少なくとも約０．１重量％、さらにより典型的には約０．５重量％で使用される。
【００４６】
硬化または架橋をもたらすのに水分、すなわち、水が使用される場合には、典型的にかつ好ましくは１種以上の加水分解／縮合触媒が使用される。このような触媒には、ルイス酸、例えば、ジブチルスズジラウラート、ジオクチルスズジラウラート、第一スズオクトノアート、およびヒドロゲンスルホナート、例えば、スルホン酸が挙げられる。
【００４７】
フリーラジカル架橋性助剤、すなわち促進剤または共開始剤（ｃｏ−ｉｎｉｔｉａｔｏｒ）には、多官能性ビニルモノマーおよびポリマー、トリアリルシアヌラートおよびトリメチロールプロパントリメタクリラート、ジビニルベンゼン、ポリオールのアクリラートおよびメタクリラート、アリルアルコール誘導体、並びに低分子量ポリブタジエンが挙げられる。硫黄架橋性促進剤には、ベンゾチアジルジスルフィド、２−メルカプトベンゾチアゾール、銅ジメチルジチオカルバマート、ジペンタメチレンチウラムテトラスルフィド、テトラブチルチウラムジスルフィド、テトラメチルチウラムジスルフィドおよびテトラメチルチウラムモノスルフィドが挙げられる。
【００４８】
これら助剤は既知の量で既知の方法で使用される。助剤の最小量は典型的には、架橋されるポリマー（１種類または複数種）の重量を基準にして少なくとも約０．０５重量％、好ましくは少なくとも約０．１重量％、より好ましくは少なくとも約０．５重量％である。これら組成物中に使用される助剤の最大量は高範囲に変動することができ、そしてそれは典型的には、望まれる架橋の望まれる程度、効率およびコストのような要因によって決定される。その最大量は典型的には、架橋されるポリマー（１種類または複数種）の重量を基準にして約１０重量％未満、好ましくは約５重量％未満、より好ましくは約３重量％未満である。
【００４９】
熱化組成材料の架橋、すなわち、硬化を促進するために熱活性化されるフリーラジカル開始剤を使用する困難性の１つは、プロセス全体における硬化が望まれる実際のフェイズの前のコンパウンディングおよび／または処理中に、それらが早すぎる架橋、すなわち、スコーチを開始させうることである。ミリング、バンバリーまたは押出のようなコンパウンディングの従来の方法によって、時間−温度関連性が結果的に、フリーラジカル開始剤が熱分解を受け、これがひいては架橋反応を開始させ、この架橋反応が配合されたポリマーの塊中にゲル粒子を作り出す場合がある条件を生じさせる場合に、スコーチが起こる。これらゲル粒子は最終生成物の均質性に悪影響を及ぼしうる。さらにその上に、過剰なスコーチは、材料が効率的に処理されることができず、バッチ全体が廃棄されることが起こりうる可能性を伴うほどその材料のプラスチック特性を低減させる場合がある。
【００５０】
スコーチを最小限にする方法の１つは組成物へのスコーチ防止剤の導入である。例えば、英国特許第１，５３５，０３９号は、ペルオキシド硬化エチレンポリマー組成物のためのスコーチ防止剤としての有機ヒドロペルオキシドの使用を開示する。米国特許第３，７５１，３７８号は、様々なコポリマー配合物中での長いムーニー（Ｍｏｏｎｅｙ）スコーチ時間を提供するための多官能性アクリラート架橋性モノマーに組み込まれるスコーチ遅延剤としてのＮ−ニトロソジフェニルアミンまたはＮ，Ｎ’−ジニトロソ−パラ−フェニルアミンの使用を開示する。米国特許第３，２０２，６４８号はポリエチレンのためのスコーチ防止剤としての亜硝酸イソアミル、亜硝酸ｔｅｒｔ−デシルなどのようなニトリットの使用を開示する。米国特許第３，９５４，９０７号はスコーチに対する保護としてモノマー性ビニル化合物の使用を開示する。米国特許第３，３３５，１２４号は芳香族アミン、フェニール系化合物、メルカプトチアゾール化合物、ビス（Ｎ，Ｎ−二置換−チオカルバモイル）スルフィド、ヒドロキノンおよびジアルキルジチオカルバマート化合物の使用を記載する。米国特許第４，６３２，９５０号は１種類の金属塩が銅をベースにしている、二置換ジチオカルバミン酸の２種類の金属塩の混合物の使用を開示する。
【００５１】
フリーラジカル、特に、ペルオキシド開始剤含有組成物における使用のための一般的に使用されるスコーチ防止剤の１種は、４−ヒドロキシ−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン−１−オキシルであり、ニトロキシル２、またはＮＲ１、または４−オキシピペリドール、またはタノール、またはテンポール、またはｔｍｐｎ、またはおそらく最も一般的には４−ヒドロキシ−ＴＥＭＰＯ、またはさらにより簡単にｈ−ＴＥＭＰＯとも称される。４−ヒドロキシ−ＴＥＭＰＯの添加は、融解処理温度における架橋性ポリマーのフリーラジカル架橋を「クエンチング」することによってスコーチを最小限にする。
【００５２】
本発明の組成物において使用されるスコーチ防止剤の好ましい量は組成物の他の成分、特にフリーラジカル開始剤の量および性質によって変化するであろうが、１．７重量パーセント（重量％）ペルオキシドと共にポリオレフィンコポリマーのシステムにおいて使用されるスコーチ防止剤の最小量は、ポリマーの重量を基準にして少なくとも約０．０１重量％、好ましくは少なくとも約０．０５重量％、より好ましくは少なくとも約０．１重量％、最も好ましくは少なくとも約０．１５重量％である。スコーチ防止剤の最大量は高範囲に変動することができ、そしてそれは他のものよりもコストおよび効率に依存する。１．７重量％のペルオキシドと共にポリオレフィンコポリマーのシステムにおいて使用されるスコーチ防止剤の典型的な最大量は、コポリマーの重量を基準にして約２重量％を超えず、好ましくは約１．５重量％を超えず、より好ましくは約１重量％を超えない。
【００５３】
ポリオレフィンコポリマーに効率的にグラフトしおよび架橋するであろうシランが本発明の実施において使用されうる。適するシランには、エチレン性不飽和ヒドロカルビル基、例えば、ビニル、アリル、イソプロペニル、ブテニル、シクロヘキセニルまたは（−（メタ）アクリロイルアリル基、並びに加水分解性基、例えば、ヒドロカルビルオキシ、ヒドロカルボニルオキシまたはヒドロカルビルアミノ基、を含む不飽和シランが挙げられる。加水分解基の例には、メトキシ、エトキシ、ホルミルオキシ、アセトキシ、プロプリオニルオキシおよびアルキルもしくはアリールアミノ基が挙げられる。好ましいシランは、ポリマー上にグラフトされうる不飽和アルコキシシランである。これらシランおよびその製造方法は米国特許第５，２６６，６２７号により充分に記載されている。ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、（−（メタ）アクリロイルプロピルトリメトキシシラン、およびこれらシランの混合物が本発明における使用に好ましいシラン架橋剤である。充填剤が存在する場合には、好ましくはこの架橋剤はビニルトリエトキシシランを含む。
【００５４】
本発明の実施において使用されるシラン架橋剤の量はポリオレフィンコポリマー、シラン、処理条件、グラフト効率、最終用途、および同様の因子に応じて広く変動しうるが、典型的には、コポリマーの重量を基準にして少なくとも０．５（樹脂１００部あたり重量％）、好ましくは少なくとも０．７（樹脂１００部あたり重量％）が使用される。簡便性および経済性の考慮が、通常、本発明の実施において使用されるシラン架橋剤の最大量の２つの主要限定事項であり、そして典型的には、シラン架橋剤の最大量はコポリマーの重量を基準にして５重量％を超えず、好ましくは２重量％を超えない。
【００５５】
シラン架橋剤は任意の従来の方法によって、典型的には、フリーラジカル開始剤、例えば、ペルオキシドおよびアゾ化合物の存在下で、またはイオン化放射線などによってポリオレフィンコポリマーにグラフトされる。上述のもののいずれか、例えば、ペルオキシドおよびアゾ開始剤のような有機開始剤が好ましい。開始剤の量は変動しうるが、それは典型的にはポリオレフィンコポリマーの架橋について上述した量で存在する。
【００５６】
任意の従来の方法が、シラン架橋剤をポリオレフィンコポリマーにグラフトさせるために使用されうるが、１つの好ましい方法は、バス（Ｂｕｓｓ）ニーダーのような反応器押出機の第一段階においてこれら２つを開始剤とブレンドすることである。このグラフト化条件は変動しうるが、融解温度は、滞留時間および開始剤のハーフライフに応じて、典型的には１６０〜２６０℃、好ましくは１９０〜２３０℃である。
【００５７】
本発明の別の実施形態においては、１以上のガラスカバーシートへの接着を、これらシートが電子素子モジュールの構成要素である程度まで増大させるために、ポリマー材料はグラフトポリマーをさらに含む。グラフトポリマーはポリマー材料のポリオレフィンコポリマーと適合性であり、かつモジュールの構成要素としてのポリオレフィンコポリマーの性能を有意に悪化させないるあらゆるグラフトポリマーであり得るが、典型的には、グラフトポリマーはグラフトポリオレフィンポリマーであり、より典型的には、ポリマー材料のポリオレフィンコポリマーと同じ組成のものであるグラフトポリオレフィンコポリマーである。この負ラフと添加剤は典型的には、ポリオレフィンコポリマーの少なくとも一部分がグラフト化材料でグラフト化されるような、そのポリオレフィンコポリマーをグラフト化試薬およびグラフト化条件に単純にかけることによってその場で製造される。
【００５８】
少なくとも１つのエチレン性不飽和、少なくとも１つのカルボニル基（−Ｃ＝Ｏ）を含み、かつポリマー、具体的には、ポリオレフィンポリマー、より具体的にはポリオレフィンコポリマーにグラフト化するであろう任意の不飽和有機化合物が、グラフト化材料として本発明のこの実施形態において使用されうる。少なくとも１つのカルボニル基を含む化合物の代表はカルボン酸、カルボン酸無水物、カルボン酸エステル、並びにそれらの金属化および非金属化双方の塩である。好ましくは、この有機化合物はカルボニル基と共役したエチレン性不飽和を含む。代表的な化合物には、マレイン酸、フマル酸、アクリル酸、メタクリル酸、イタコン酸、クロトン酸、α−メチルクロトン酸およびケイヒ酸、並びにそれらの無水物、エステルおよび塩誘導体が、存在する場合には、挙げられる。マレイン酸無水物は、少なくとも１つのエチレン不飽和および少なくとも１つのカルボニル基を有す好ましい不飽和有機化合物である。
【００５９】
グラフトポリマーの不飽和有機化合物含有量は、ポリマーおよび有機化合物の合計重量を基準にして少なくとも約０．０１重量％、好ましくは少なくとも約０．０５重量％である。不飽和有機化合物の最大含有量は便利さのために変動しうるが、典型的には、それは、約１０重量％を超えず、好ましくはそれは約５重量％を超えず、より好ましくはそれは約２重量％を超えない。
【００６０】
この不飽和有機化合物は、米国特許第３，２３６，９１７号および第５，１９４，５０９号に教示されるもののような任意の既知の技術によってポリマーにグラフト化されることができる。例えば、この９１７号特許においては、ポリマーはツーロールミキサーに導入されそして６０℃の温度で混合される。次いで、この不飽和有機化合物はフリーラジカル開始剤、例えば、ベンゾイルペルオキシドなどと共に添加され、グラフト化が完了するまでこれら成分は３０℃で混合される。この５０９号特許においては、反応温度がより高い、例えば、２１０〜３００℃であり、かつフリーラジカル開始剤が使用されないかもしくは低減された濃度で使用されることを除いて、手順は同様である。
【００６１】
混合装置として二軸脱気（ｔｗｉｎ−ｓｃｒｅｗ  ｄｅｖｏｌａｔｉｌｉｚｉｎｇ）押出機を使用することによるグラフト化の別の好ましい方法が米国特許第４，９５０，５４１号に教示されている。これら反応物質が融解する温度で、かつフリーラジカル開始剤の存在下で、押出機内で、ポリマーおよび不飽和有機化合物が混合され、反応させられる。好ましくは、不飽和有機化合物は押出機内の圧力下で維持されるゾーンに注入される。
【００６２】
本発明のポリマー材料は他の添加剤も含むことができる。例えば、このような他の添加剤には、ＵＶ安定化剤および処理安定化剤、例えば、三価リン化合物が挙げられる。このＵＶ安定化剤は、ＰＶモジュールによって吸収されうる電磁放射線の波長を低下させる（例えば、３６０ｎｍ未満まで）のに有用であり、そして、ヒンダードフェノール、例えば、シアソーブ（Ｃｙａｓｏｒｂ）ＵＶ２９０８およびヒンダードアミン、例えば、シアソーブＵＶ３５２９、ホスタビン（Ｈｏｓｔａｖｉｎ）Ｎ３０、ユニビル（Ｕｎｉｖｉｌ）４０５０、ユニビン（Ｕｎｉｖｉｎ）５０５０、キマソーブ（Ｃｈｉｍａｓｓｏｒｂ）ＵＶ１１９、キマソーブ９４４ＬＤ、チヌビン（Ｔｉｎｕｖｉｎ）６２２ＬＤなどが挙げられる。このリン化合物には、ホスホニト（ＰＥＰＱ）およびホスフィット（ウェストン（Ｗｅｓｔｏｎ）３９９、ＴＮＰＰ，Ｐ−１６８およびドバーフォス（Ｄｏｖｅｒｐｈｏｓ）９２２８）が挙げられる。ＵＶ安定化剤の量は典型的には約０．１〜０．８％、好ましくは約０．２〜０．５％である。処理安定化剤の量は典型的には約０．０２〜０．５％、好ましくは約０．０５〜０．１５％である。
【００６３】
さらに他の添加剤には、これに限定されないが、酸化防止剤（例えば、ヒンダードフェノール（例えば、チバガイギーコーポレーションによって製造されるイルガノックス（Ｉｒｇａｎｏｘ（登録商標））１０１０）、粘着性添加剤（ｃｌｉｎｇ  ａｄｄｉｔｉｖｅ）、例えば、ＰＩＢ、抗ブロック剤、抗スリップ剤、顔料、帯電防止剤および充填剤（用途について透過性が重要である場合には透明）が挙げられる。インプロセス（ｉｎ−ｐｒｏｃｅｓｓ）添加剤、例えば、ステアリン酸カルシウム、水なども使用されうる。これらおよび他の潜在的な添加剤が、当該技術分野において一般的に知られている方法および量で使用される。
【００６４】
本発明のポリマー材料は、当該技術分野、例えば、米国特許第６，５８６，２７１号、米国特許出願公開第２００１／００４５２２９Ａ１号、国際公開第６６／０５２０６号および国際公開第９９／０４９７１号に教示されるものなどにおいて知られている封止材料と同じ量を用いて同じ方法で電子素子モジュールを構築するのに使用される。これら材料は電子素子の「スキン」（すなわち、その素子の一方もしくは双方の表面に適用される）として使用されることができか、またはその素子がその材料内に全体的に封入される封止剤としてる使用されうる。典型的には、ポリマー材料は、そのポリマー材料から形成される膜の層が最初にその素子の一方の表面に適用され、そして次いで、その素子の他の表面に適用される１以上の積層技術によって素子に適用される。別の実施形態においては、ポリマー材料は融解形態で素子上に押出され、その素子上で凝結させられる。本発明のポリマー材料は素子の表面に対して良好な接着を示す。
【００６５】
ある実施形態においては、電子素子モジュールは（ｉ）少なくとも１つの電子素子、典型的には、線状または平面パターンに配列された複数のその素子、（ｉｉ）少なくとも１つのガラスカバーシート、典型的には、前記素子の両表面上のガラスカバーシート、並びに（ｉｉｉ）少なくとも１種のポリマー材料を含む。このポリマー材料は典型的にはガラスカバーシートと素子との間に配置され、かつこのポリマー材料は前記素子および前記シートの双方に対して良好な接着を示す。この素子が特定の形態の電磁放射線、例えば、太陽光、赤外線、紫外線などへのアクセスを必要とする場合には、ポリマー材料はその放射線に対して良好な、典型的には優れた透明性、例えば、ＵＶ−可視分光法で測定して（約２５０〜１２００ナノメートルの波長範囲における吸収を測定して）９０パーセントを超える、好ましくは９５パーセントを超える、さらにより好ましくは９７パーセントを超える透過率を示す。透明性の別の方法はＡＳＴＭ  Ｄ−１００３−００の内部ヘイズ方法である。透明性が電子素子の駆動のために必要とされない場合には、ポリマー材料は不透明フィラーおよび／または顔料を含んでいても良い。
【００６６】
図１においては、剛性ＰＶモジュール１０は、本発明の実施において使用されるポリオレフィンコポリマーを含む透明保護層または封止剤１２によって囲まれまたは封止された光起電力セル１１を含む。ガラスカバーシート１３はＰＶセル１１上に配置された透明保護層の部分の前側表面を覆う。バックスキンまたは裏側シート１４、例えば、第二のガラスカバーシートまたは任意の種類の別の基体は、ＰＶセル１１の裏側表面上に配置される透明保護層１２の部分の裏側表面を支える。バックスキン層１４は、それが対向するＰＶセルの表面が太陽光に対して反応性でない場合には、透明である必要はない。この実施形態においては、保護層１２はＰＶセル１１を封止する。これら層の厚さは、絶対的なものにおいてもおよび互いに対して相対的なものでも、本発明には重要ではなく、このモジュールの全体的な設計および目的に応じて広く変動することができる。保護層１２についての典型的な厚さは約０．１２５〜約２ミリメートル（ｍｍ）の範囲であり、並びに、ガラスカバーシートおよびバックスキン層については約０．１２５〜約１．２５ｍｍの範囲である。電子素子の厚さも広く変動しうる。
【００６７】
図２においては、可撓性ＰＶモジュール２０は、本発明の実施において使用されるポリオレフィンコポリマーを含む透明保護層または封止剤２２が上に重ねられている薄膜光起電力２１を含む。ガラス／上層２３は薄膜ＰＶ２１上に配置される透明保護層の部分の前側表面を覆う。可撓性バックスキンまたは裏側シート２４、例えば、第二の保護層または任意の種類の別の可撓性基体が、薄膜ＰＶ２１の底表面を支える。バックスキン層２４は、それが支持する薄膜セルの表面が太陽光に対して反応性でない場合には、透明である必要はない。この実施形態においては、保護層２１は薄膜ＰＶセル２１を封止していない。典型的な剛性または可撓性ＰＶセルモジュールの全体的な厚さは典型的には約５〜約５０ｍｍの範囲であろう。
【００６８】
図１および２に記載されるモジュールは任意の多くの様々な方法、典型的には、膜もしくはシート共押出方法、例えば、インフレーションフィルム、修飾インフレーションフィルム、カレンダリングおよびキャスティング、並びに積層によって構築されることができる。一方法および図を参照すると、保護層１４はＰＶセルの上表面上にポリオレフィンコポリマーをまず押出して、かつこの最初の押出の押出と同時またはその後で、同じもしくは異なるポリオレフィンコポリマーをこのセルの裏側表面上に押出すことによって形成される。保護層がＰＶセルに取り付けられた後で、ガラスカバーシートおよびバックスキン層が任意の従来の方法で、例えば、押出、積層などで、この保護層に、接着剤を用いるかまたは用いずに取り付けられうる。保護層の、外側表面のいずれかもしくは双方、すなわち、ＰＶセルと接触している表面と反対側の表面は、ガラスおよびバックスキン層に対する接着性を増大させるためにエンボス化または別の処理がなされうる。図２のモジュールは同様の方法で構築されうるが、ただし、バックスキン層は、ＰＶセルに対する保護層の取り付け前または後で、接着剤を用いるかまたは用いずに、ＰＶセルに直接取り付けられる。
【００６９】
樹脂製造
全ての原料（エチレン、１−オクテン）およびプロセス溶媒（エキソンモービルコーポレーションから市販されている商標イソパー（Ｉｓｏｐａｒ）Ｅの狭い沸点範囲の高純度イソパラフィン溶媒）は反応環境に導入する前に、モレキュラーシーブで精製される。水素は高純度グレードとして加圧シリンダーにおいて供給され、さらなる精製をされない。反応器モノマーフィード（エチレン）流れは機械式コンプレッサによって７５０ｐｓｉｇでの反応圧力を超えるまで加圧される。溶媒およびコモノマー（１−オクテン）フィードは機械式容積型ポンプによって７５０ｐｓｉｇでの反応圧力を超えるまで加圧される。個々の触媒成分は、精製された溶媒（ＩｓｏｐｅｒＥ）で手作業で特定の成分濃度までバッチ希釈され、そして７５０ｐｓｉｇでの反応圧力を超えるまで加圧される。全ての反応フィード流れはマスフローメータで測定され、コンピュータ自動化バルブ制御システムで独立して制御される。
【００７０】
連続溶液重合反応器は２つの液体を満たし、非断熱で、等温で、循環しおよび独立制御され、一連の形態で駆動するループからなる。それぞれの反応器は全ての新たな溶媒、モノマー、コモノマー、水素および触媒成分フィードの独立制御を有する。各反応器への一緒にされた溶媒、モノマー、コモノマーおよび水素フィードは、このフィード流れを熱交換器を通すことによって５℃〜５０℃のどこでも、典型的には４０℃に独立して温度制御される。重合反応器への新たなコモノマーフィードは３つの選択肢のうちの１つにコモノマーを添加するように手作業で位置合わせされる：第一の反応器、第二の反応器、または一般的な溶媒、次いでその溶媒フィード分割に比例して両方の反応器に分ける。それぞれの重合反応器への新たなフィードの全てが、それぞれの注入位置の間に等しい反応器容積をほぼ有するように反応器あたり２カ所の位置で反応器に注入される。新たなフィードは典型的には、各インジェクタが全ての新たなフィードマスフローの半分を受け取るように制御される。特に設計された注入針を通して複数の触媒成分が重合反応器に注入され、そしてそれぞれは、反応器の前に接触時間を持つことなく、反応器の同じ相対位置に別々に注入される。主たる触媒成分フィードは特定のターゲットで反応モノマー濃度を維持するようにコンピュータ制御される。２つの共触媒成分は主触媒成分に対して計算された具体的なモル比に基づいて供給される。それぞれの新たな注入位置の直後で、フィード流れは、循環している重合反応器内容物と、ケニクス（Ｋｅｎｉｃｓ）静的混合要素で混合される。各反応器の内容物は、かなりの反応熱を除去する役割の熱交換基に連続的に循環させられ、そして冷却側の温度は特定の温度での等熱反応環境を維持するための役割を果たす。それぞれの反応器ループの周りの循環はスクリューポンプによって提供される。第１の重合反応器からの流出物（溶媒、モノマー、コモノマー、水素、触媒成分および融解したポリマーを含む）は第１の反応器ループを出て、制御バルブ（特定のターゲットでの第１の反応器の圧力を維持するための役割を果たす）を通って、同様の設計の第２の重合反応器に注入される。この流れがこの反応器を出る際に、それが水と接触させられて、反応を停止させる。さらに、酸化防止剤のような様々な添加剤この点で添加されうる。この流れは、次いで、別の一連のケニクス静的混合要素を通されて、触媒キル（ｋｉｌｌ）および添加剤を均一に分散させる。
【００７１】
添加剤添加の後で、流出物（溶媒、モノマー、コモノマー、水素、触媒成分および融解したポリマーを含む）は、ポリマーを他の低沸点反応成分から分離するための準備において、熱交換器を通ってその流れ温度を上げる。次いで、その流れは二段階分離および脱気システムに入り、そこでは、溶媒、水素並びに未反応モノマーおよびコモノマーからポリマーが取り出される。再利用される流れは反応器に再び入る前に精製される。この分離されかつ脱気されたポリマー融解物は、ポンプで水面下ペレット化のために特に設計されたダイを通されて、均一な固体ペレットに切り出され、乾燥させられ、そしてホッパに移される。当初ポリマー特性の検証の後で、この固体ポリマーペレットが手作業で貯蔵のための箱に入れられる。それぞれの箱は典型的には〜１２００ポンドのポリマーペレットを保持している。
【００７２】
脱気工程において取り出された非ポリマー部分は、ほとんどのエチレン（エチレンはこのシステムからベント分解ユニットに取り出される（それは製造ユニットにおいて再利用される））を分離する装置の様々な構成部分を通る。溶媒のほとんどは精製床を通った後で反応器に再循環させられる。この溶媒は依然としてその中に未反応のコモノマーを有している場合があり、これは反応器に再び入る前に新たなコモノマーで強化される。このコモノマーの強化は生成物密度制御方法の必須部分である。この再利用溶媒は依然として幾分かの水素を有することができ、水素は次いでポリマー分子量ターゲットを達成するために新たな水素で強化される。触媒流れ中の溶媒キャリアおよび市販のグレートのコモノマーの部分である少量の溶媒のせいで、非常に少量の溶媒が副生成物としてこのシステムに残る。
【００７３】
【表１】
2013528241.tif 000003
【００７４】
【表２】
2013528241.tif 000004
ＲＩＢＳ−２のＣＡＳ名称：アミン，ビス（水素化タロウアルキル）メチル、テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボラート（１−）
ＤＯＣ−６１１４のＣＡＳ名称：ジルコニウム，［２，２’’’−［１，３−プロパンジイルビス（オキシ−Ｏ）］ビス［３”，５，５”−トリス（１，１−ジメチルエチル）−５’−メチル［１，１’：３’，１”−ターフェニル］−２’−オラト−Ｏ］］ジメチル−，（ＯＣ−６−３３）−
ＭＭＡＯ＝修飾メチルアルミノキサン
【００７５】
試験方法
密度
密度が測定されるサンプルはＡＳＴＭ  Ｄ１９２８に従って調製される。測定は、ＡＳＴＭ  Ｄ７９２、方法Ｂを用いて、１時間以内のサンプル加圧で製造される。
【００７６】
メルトインデックス
メルトインデックスすなわちＩ２はＡＳＴＭ  Ｄ１２３８、条件１９０℃／２．１６ｋｇに従って測定され、そして１０分間あたりで溶出したグラム数で報告される。Ｉ１０はＡＳＴＭ  Ｄ１２３８、条件１９０℃／１０ｋｇに従って測定され、そして１０分間あたりで溶出したグラム数で報告される。
【００７７】
ＤＳＣ結晶性
広範囲の温度にわたるポリマーの融解および結晶化挙動を測定するために示差走査熱量測定（ＤＳＣ）が使用されうる。この分析を行うために、例えば、ＲＣＳ（冷蔵冷却システム）およびオートサンプラーを備えたＴＡインスツルメンツＱ１０００ＤＳＣが使用される。試験中は、５０ｍｌ／分の窒素パージガスフローが使用される。各サンプルは約１７５℃で薄膜に融解加圧され；次いで、その融解したサンプルは室温（〜２５℃）まで空気冷却される。３〜１０ｍｇで６ｍｍ直径の標本が冷却されたポリマーから取り出され、秤量され、軽量アルミニウム皿（約５０ｍｇ）内に入れられ、丸められ閉じ込められる。次いで、分析が行われて、その熱特性を測定する。
【００７８】
サンプルの熱挙動は、熱フロー対温度プロファイルを作り出すためにサンプル温度に傾斜を付けて上げ下げすることにより決定される。第１に、サンプルは、その熱履歴を除去するために、１８０℃に素早く加熱され、そして３分間にわたって同じ温度に保持される。次いで、このサンプルは１０℃／分の冷却速度で−４０℃まで冷却され、−４０℃で３分間にわたって同じ温度に保持される。次いで、このサンプルは１０℃／分の加熱速度で１５０℃まで（これは「第２の加熱」勾配）加熱される。この冷却および第２の加熱曲線が記録される。冷却曲線は結晶化の開始から−２０℃までをベースライン終点に設定することによって分析される。加熱曲線は−２０℃から融解の終わりまでをベースライン終点に設定することによって分析される。決定される曲線はピーク融解温度（Ｔｍ）、ピーク結晶化温度（Ｔｃ）、融解熱（Ｈｆ）（ジュール／グラム）、および式Ｉを用いたポリエチレンサンプルについての計算結晶度％である：
【数１】
2013528241.tif 000005
【００７９】
融解熱（Ｈｆ）およびピーク融解温度は第２の加熱曲線から報告される。ピーク結晶化温度は冷却曲線から決定される。
【００８０】
動的粘弾性分析（Ｄｙｎａｍｉｃ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ；ＤＭＳ）周波数掃引
２５ｍｍ平行プレートを備えたＴＡインスツルメンツＡＲＥＳレオメータを用いて、窒素パージ下で、融解レオロジー、一定温度周波数掃引が行われた。周波数掃引は全てのサンプルについて１９０℃で、２．０ｍｍのギャップで、１０％の一定負荷で行われた。周波数インターバルは０．１〜１００ラジアン／秒であった。応力応答は振幅および位相の観点から分析され、そこから貯蔵弾性率（Ｇ’）、損失弾性率（Ｇ”）および動的溶融粘度（η＊）が計算された。
【００８１】
ゲル浸透クロマトグラフィ（ＧＰＣ）
ＧＰＣシステムは、オンボード示差屈折計（ＲＩ）を備えたウォーターズ（マサチューセッツ州ミルフォード）１５０Ｃ高温クロマトグラフ（他の適する高温ＧＰＣ装置には、ポリマーラボラトリーズ（英国、シュロップシャー）モデル２１０およびモデル２２０が挙げられる）から成っている。追加の検出器には、ポリマーＣｈＡＲ（スペイン、バレンシア）からのＩＲ４赤外検出器、（マサチューセッツ州、アムハースト）精密検出器（Ｐｒｅｃｉｓｉｏｎ  Ｄｅｔｅｃｔｏｒｓ）２−アングルレーザー光散乱検出器モデル２０４０、およびビスコテック（Ｖｉｓｃｏｔｅｋ）（テキサス州、ヒューストン）１５０Ｒ  ４−キャピラリー得溶液ビスコメータが挙げられうる。最後に２つの独立した検出器および少なくとも１つの最初の検出器を備えたＧＰＣが場合によっては、「３Ｄ−ＧＰＣ」と称され、一方では、用語「ＧＰＣ」は単独では、一般的には、従来のＧＰＣをいう。サンプルに応じて、計算目的のために、１５度の角度または９０度の角度の光散乱検出器が使用される。データ収集はビスコテックトリＳＥＣソフトウェア、バージョン３および４−チャンネルビスコテックデータマネジャーＤＭ４００を用いて行われる。このシステムはポリマーラボラトリーズ（英国、シュロップシャー）からのオンライン溶媒脱ガスシステムも備えている。４本の３０ｃｍ長さのショウデックス（Ｓｈｏｄｅｘ）ＨＴ８０３  １３ミクロンカラム、または２０ミクロン混合孔サイズ充填の４本の３０ｃｍポリマーラボカラム（ミックスＡ、ＬＳ、ポリマーラボ）のような適する高温ＧＰＣカラムが使用されうる。サンプルカルセルコンパートメントは１４０℃で操作され、そしてカラムコンパートメントは１５０℃で操作される。サンプルは５０ミリリットルの溶媒中０．１グラムのポリマーの濃度で調製される。クロマトグラフ溶媒およびサンプル調製溶媒は２００ｐｐｍのブチル化ヒドロキシトルエン（ＢＨＴ）を含んでいる。両方の溶媒は窒素でスパージされる。ポリエチレンサンプルは１６０℃で４時間にわたって穏やかに攪拌される。インジェクション容積は２００マイクロリットルである。ＧＰＣを通る流量は１ｍｌ／分に設定される。
【００８２】
実施例を実行する前に、２１種類の狭い分子量分布ポリスチレン標準物質で実施することによって、ＧＰＣカラムセットは較正される。これら標準物質の分子量（ＭＷ）は５８０〜８，４００，０００グラム／モルの範囲であり、これら標準物質は６つの「カクテル」混合物中に含まれる。それぞれの標準物質混合物は個々の分子量の間に少なくとも１０の間隔を有する。この標準物質混合物はポリマーラボラトリーズ（英国、シュロップシャー）から購入される。ポリスチレン標準物質は、１，０００，０００グラム／モル以上の分子量については５０ｍＬの溶媒中０．０２５ｇ、および１，０００，０００グラム／モル未満の分子量については５０ｍＬの溶媒中０．０５ｇで調製される。ポリスチレン標準物質は８０℃で、３０分間にわたって穏やかに攪拌された。狭い標準物質の混合物が最初に、そして分解を最小限にするために最も高い分子量成分から順に実施される。ポリスチレン標準ピーク分子量は、ポリスチレンおよびポリエチレンについて後に言及されるマーク−ホウインク（Ｍａｒｋ−Ｈｏｕｗｉｎｋ）Ｋおよびａ（場合によってはαとも称される）値を用いて、ポリエチレンＭｗに変換される。この手順のデモンストレーションについては実施例のセクションを参照。
【００８３】
３Ｄ−ＧＰＣを用いて、すでに言及されたのと同じ条件を用いて適するポリエチレン標準から、絶対重量平均分子量（Ｍｗ，Ａｂｓ）および固有粘度も独立して得られる。これら狭い線状ポリエチレン標準はポリマーラボラトリーズ（英国、シュロップシャー；製品番号ＰＬ２６５０−０１０１およびＰＬ２６５０−０１０２）から得られうる。
【００８４】
多検出器オフセットの決定のための体系的なアプローチがバルク、マウリー（Ｂａｌｋｅ、Ｍｏｕｒｅｙ）（マウリーおよびバルク、Ｃｈｒｏｍａｔｏｇｒａｐｈｙ  Ｐｏｌｙｍ．，チャプター１２（１９９２）；バルク、シチラツアクル（Ｔｈｉｔｉｒａｔｓａｋｕｌ）、ロイ（Ｌｅｗ）、チェン（Ｃｈｅｕｎｇ）、マウリー、Ｃｈｒｏｍａｔｏｇｒａｐｈｙ  Ｐｏｌｙｍ．，チャプター１３（１９９２））らによって発表されたのと同じ方法で、ダウ１６８３ブロードポリスチレン（アメリカンポリマースタンダーズコーポレーション；オハイオ州、メンター）またはその等価物から得られるトリプル検出器ログ（Ｍｗおよび固有粘度）を、狭いポリスチレン標準較正曲線から得られる狭い標準カラム較正に最適化して行われる。検出器容積オフセット決定の主要因である分子量データはチム（Ｚｉｍｍ）（チムＢ．Ｈ．、Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｐｈｙｓ．，１６，１０９９（１９４８））およびクラトチビル（Ｋｒａｔｏｃｈｖｉｌ）（クラトチビル，Ｐ．、ポリマー溶液からの古典的な光散乱（Ｃｌａｓｓｉｃａｌ  Ｌｉｇｈｔ  Ｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ  ｆｒｏｍ  Ｐｏｌｙｍｅｒ  Ｓｏｌｕｔｉｏｎｓ）、エルセビア、オックスフォード、ニューヨーク（１９８７））によって発表されたのと同じ方法で得られる。分子量の決定に使用される全体的な注入濃度は適切な線状ポリエチレンホモポリマーまたはポリエチレン標準物質の１つから得られる質量検出器定数および質量検出器面積から得られる。計算分子量は、０．１０４の、屈折率濃度係数ｄｎ／ｄｃおよび言及されたポリエチレン標準物質の１種以上から得られる光散乱定数を用いて得られる。一般的には、質量検出器応答および光散乱定数は、約５０，０００ダルトンを超える分子量を有する線状標準物質から決定されるべきである。粘度計較正は製造者によって説明される方法を用いて、あるいは標準参照材料（Ｓｔａｎｄａｒｄ  Ｒｅｆｅｒｅｎｃｅ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ；ＳＲＭ）１４７５ａ、１４８２ａ、１４８３または１４８４ａのような適切な線状標準物質の発表された値を用いて達成されうる。クロマトグラフィ濃度は第２ビリアル係数効果に取り組むこと（分子量に対する濃度効果）をなくするのに充分低いと仮定される。
【００８５】
３Ｄ−ＧＰＣによるｇ’
サンプルポリマーについてのインデックス（ｇ’）は、ＳＲＭ１４７５ａホモポリマーポリエチレン（または等価参照物）を用いて上のゲル浸透クロマトグラフィ方法に記載される光散乱検出器、粘度検出器および濃度検出器を最初に較正することによって決定される。光散乱検出器および粘度計検出器オフセットは、較正において記載される様な濃度検出器に対して決定される。ベースラインは光散乱クロマトグラム、粘度計クロマトグラムおよび濃度クロマトグラムから引かれ、そして次いで、積分ウィンドウは、屈折率クロマトグラムから検出可能なポリマーの存在を示す光散乱および粘度計クロマトグラムにおける低分子量保持容積範囲の全てを積分するのを確実にする様に設定される。線状ホモポリマーポリエチレンは、ＳＲＭ１４７５ａ標準物質のような広い分子量ポリエチレン参照物質を注入し、データファイルを計算し、並びに各クロマトグラフスライスについて固有粘度（ＩＶ）および分子量（Ｍｗ）（それぞれ、光散乱検出器および粘度検出器から得られる）、並びにＲＩ検出器質量定数から決定される濃度を記録することにより、マーク−ホウインク（ＭＨ）線状参照ラインを確立するために使用される。サンプルの分析について、サンプルマーク−ホウインク線を得るために、各クロマトグラフスライスについての手順が繰り返される。いくつかのサンプルについては、より低い分子量、固有粘度および分子量データが、測定された分子量および固有粘度が漸近的に線状ホモポリマーＧＰＣ較正曲線に近づくように外挿される必要がある場合がある。この目的を達成するために、多くの高度に分岐したエチレン系ポリマーサンプルは、長鎖分岐インデックス（ｇ’）較正を始める前に、短鎖分岐の貢献について説明するために、線状参照線がわずかにシフトされることを必要とする。
【００８６】
ｇ−プライム（ｇ’）はそれぞれの分岐したサンプルのクロマトグラフスライス（ｉ）について計算され、式２に従う分子量（Ｍｉ）を測定する：
【数２】
2013528241.tif 000006
式中、この計算は、線状参照サンプルにおける等価分子量ＭｊでのＩＶ線状参照，ｊを利用する。言い換えれば、サンプルＩＶスライス（ｉ）および参照ＩＶスライス（ｊ）は同じ分子量（Ｍｉ＝Ｍｊ）を有する。簡単にするために、ＩＶ線状参照，ｊスライスは、参照マーク−ホウインクプロットの５次多項式フィットから計算される。このＩＶ比率、すなわち、ｇｉ’は光散乱データにおけるシグナル−対−ノイズ制限のせいで、３，５００を超える分子量でのみ得られる。各データスライス（ｉ）におけるサンプルポリマー（Ｂｎ）に沿った分岐の数は、０．７５の粘度シールディング（ｖｉｓｃｏｓｉｔｙ  ｓｈｉｅｌｄｉｎｇ）イプシロン因子を仮定して、式３を用いて決定されうる。
【数３】
2013528241.tif 000007
【００８７】
最終的に、全てのスライス（ｉ）にわたるポリマーにおける１０００炭素あたりの平均ＬＣＢｆ量は式４を用いて決定されうる：
【数４】
2013528241.tif 000008
【００８８】
３Ｄ−ＧＰＣによるｇｐｃＢＲ分岐インデックス
３Ｄ−ＧＰＣ設定においては、ポリエチレンおよびポリスチレン標準物質が、これら２つのポリマー種、ポリスチレンおよびポリエチレンのそれぞれについて独立して、マーク−ホウインク定数Ｋおよびαを測定するために使用されうる。これらは、以下の方法の適用におけるウィリアムスおよびワードポリエチレン等価分子量を精緻化するために使用されうる。
【００８９】
ｇｐｃＢＲ分岐インデックスは上述のような光散乱検出器、粘度検出器および濃度検出器をまず較正することによって決定される。次いで、光散乱クロマトグラム、粘度クロマトグラムおよび濃度クロマトグラムからベースラインが引かれる。次いで、屈折率クロマトグラムから検出可能なポリマーの存在を示す光散乱クロマトグラムおよび粘度計クロマトグラムにおける低分子量保持容積範囲の全ての積分を確実にするために積分ウィンドウが設定される。次いで、すでに記載されたようなポリエチレンおよびポリスチレンマーク−ホウインク定数を確立するために、線状ポリエチレン標準物質が使用される。これら定数を得たら、この２つの値が使用されて、式５および６に示されるように、溶出容積の関数として、ポリエチレン分子量およびポリエチレン固有粘度についての２つの従来の線形参照較正（ｃｃ）を構築する：
【００９０】
【数５】
2013528241.tif 000009
および
【数６】
2013528241.tif 000010
【００９１】
ｇｐｃＢＲ分岐インデックスは長鎖分岐の特徴付けのためのロバスト法である。ヨー（Ｙａｕ）、ワラセ（Ｗａｌｌａｃｅ）Ｗ．「３Ｄ−ＧＰＣ使用の例−ポリオレフィン特徴付けのためのＴＲＥＦ（Ｅｘａｍｐｌｅｓ  ｏｆ  Ｕｓｉｎｇ  ３Ｄ−ＧＰＣ−ＴＲＥＦ  ｆｏｒ  Ｐｏｌｙｏｌｅｆｉｎ  Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｚａｔｉｏｎ）」Ｍａｃｒｏｍｏｌ．Ｓｙｍｐ．，２００７，２５７，２９−４５を参照。このインデックスは、ポリマー検出器面積および面積ドット積に有利な、分岐頻度計算およびｇ’値の決定において伝統的に使用されてきたスライスごとの３Ｄ−ＧＰＣ計算を回避する。３Ｄ−ＧＰＣデータから、ピーク面積方法を用いて光散乱（ＬＳ）検出器によってサンプルバルクＭｗを得ることができる。この方法はｇ’決定に必要とされるような濃度検出器シグナル全体にわたる光散乱検出器シグナルのスライスごとの比率を回避する。
【００９２】
【数７】
2013528241.tif 000011
式７における面積計算はより多くの精密さを提供するが、なぜなら、全体のサンプル面積として、それは検出器ノイズ、並びにベースラインおよび積分限界についてのＧＰＣ設定によって引き起こされる変動に対してかなり感受性が低いからである。より重要なことには、検出器容積オフセットによってピーク面積計算は影響されない。同様に、式８に示される面積方法によって高精密サンプル固有粘度（ＩＶ）が得られる：
【数８】
2013528241.tif 000012
式中、ＤＰｉはオンライン粘度計から直接モニターされる差圧シグナルを表す。
【００９３】
ｇｐｃＢＲ分岐インデックスを決定するために、サンプルポリマーについての光散乱溶出面積が使用されて、そのサンプルの分子量を決定する。サンプルポリマーについての粘度検出器溶出面積が使用されて、そのサンプルの固有粘度（ＩＶまたは［η］）を決定する。
【００９４】
最初に、ＳＲＭ１４７５ａまたは等価物のような線形ポリエチレン標準物質サンプルについての分子量および固有粘度が、溶出容積の関数として、式９および１０によって、分子量および固有粘度の双方についての従来の較正を用いて決定される：
【数９】
2013528241.tif 000013
および
【数１０】
2013528241.tif 000014
【００９５】
ｇｐｃＢＲ分岐インデックスを決定するために式１１が使用される：
【数１１】
2013528241.tif 000015
式中、［η］は測定された固有粘度であり、［η］ｃｃは従来の較正からの固有粘度であり、Ｍｗは測定された重量平均分子量であり、並びにＭｗ，ｃｃは従来の較正の重量平均分子量である。式（７）を使用する光散乱（ＬＳ）によるＭｗは一般的に絶対Ｍｗと称され；一方で、従来のＧＰＣ分子量較正曲線を使用する式（９）からのＭｗ，ｃｃは多くの場合、ポリマー鎖Ｍｗと称される。下付き「ｃｃ」を有する全ての統計学的値はそのそれぞれの溶出容積、上述のような対応する従来の較正、並びに質量検出器応答から得られる濃度（Ｃｉ）を用いて決定される。この下付のない値は、質量検出器、ＬＡＬＬＳ、および粘度計面積に基づいて測定された値である。ＫＰＥの値は、線状参照サンプルがゼロのｇｐｃＢＲ測定値を有するまで、繰り返して調節される。例えば、この特定の場合におけるについての最終値およびｇｐｃＢＲの決定のためのＬｏｇ  Ｋは、ポリエチレンについてはそれぞれ０．７２５および−３．３５５であり、ポリスチレンについてはそれぞれ０．７２２および−３．９９３である。
【００９６】
Ｋおよびα値が決定されたら、分岐したサンプルを用いてこの手順が繰り返される。分岐したサンプルは、最良の「ｃｃ」較正値として最終マーク−ホウインク定数を使用し、かつ式１０〜１４を適用して分析される。
【００９７】
ｇｐｃＢＲの解釈は簡単である。線状ポリマーについては、ＬＳおよび粘度計によって測定される値が従来の較正標準に近いであろうから、式１４から計算されたｇｐｃＢＲはゼロに近いであろう。分岐したポリマーについては、ｇｐｃＢＲは、特に高レベルのＬＣＢを使用する場合には、ゼロより大きいであろうが、なぜなら、測定されたポリマーＭｗは計算Ｍｗ，ｃｃより大きいであろうしかつ計算ＩＶｃｃは測定されたポリマーＩＶよりも高いであろうからである。実際、ｇｐｃＢＲ値は、ポリマー分岐の結果としての分子サイズ収縮効果のせいで、フラクショナルＩＶ変化を表す。０．５または２．０のｇｐｃＢＲ値はそれぞれ、等しい重量の線状ポリマー分子に対して５０％および２００％の水準のＩＶの分子サイズ収縮効果を意味するであろう。
【００９８】
これら具体的な例については、ｇ’インデックスおよび分岐頻度計算と比較してｇｐｃＢＲを使用する利点は、ｇｐｃＢＲのより高い精度に起因する。ｇｐｃＢＲインデックス決定に使用される全てのパラメータは良好な精度を伴って得られ、かつ濃度検出器からの高分子量での低い３Ｄ−ＧＰＣ検出器応答によって悪影響を受けない。検出器容積アライメントにおける誤差もｐｇｃＢＲインデックス決定の精度に影響しない。他の特定の場合においては、Ｍｗモーメントを決定するための他の方法が上記技術に対して好ましい場合がある。
【００９９】
他に示されるか、文脈から黙示的であるか、または当該技術分野における従来のものである場合を除いて、全ての部およびパーセンテージは重量を基準にする。
【０１００】
全ての用途、出版物、特許、試験手順、および引用される他の文書、例えば、優先権書類は、そのような開示がこの開示された組成物および方法と矛盾しない程度まで、かつそのような組み込みが許容されるすべての権限について、参照によって完全に組み込まれる。
【０１０１】
ＣＥＦ方法
結晶化溶離分画（Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ  Ｅｌｕｔｉｏｎ  Ｆｒａｃｔｉｏｎａｔｉｏｎ；ＣＥＦ）（スペインのポリマーカー（ＰｏｌｙｍｅｒＣｈａｒ）（Ｂモンラバルら、Ｍａｃｒｏｍｏｌ．Ｓｙｍｐ．２５７，７１〜７９（２００７）））を用いてコモノマー分布分析が行われる。６００ｐｐｍの酸化防止剤ブチル化ヒドロキシトルエン（ＢＨＴ）を伴うオルト−ジクロロベンゼン（ＯＤＣＢ）が溶媒として使用される。１６０℃で２時間にわたって、４ｍｇ／ｍｌで浸透させて、オートサンプラーを用いてサンプル調製が行われる（他に特定されない限りは）。インジェクション容積は３００μｌである。ＣＥＦの温度プロファイルは：１１０℃から３０℃まで３℃／分で結晶化、３０℃で５分間熱平衡化、３０℃から１４０℃まで３℃／分で溶離である。結晶化中の流量は０．０５２ｍｌ／分である。溶離中の流量は０．５０ｍｌ／分である。データは１つのデータ点／秒で集められた。ＣＥＦカラムはザダウケミカルカンパニーによって１２５ｕｍ±６％（ＭＯ−ＳＣＩ特殊製品）のガラスビーズを１／８インチステンレス管に充填される。ガラスビーズは、ザダウケミカルカンパニーからの要求によってＭＯ−ＳＣＩ特殊によって酸洗浄される。カラム容積は２  ０６ｍｌである。ＯＤＣＢ中のＮＩＳＴ標準参照物質線状ポリエチレン１４７５ａ（１．０ｍｇ／ｍｌ）およびエイコサン（２ｍｇ／ｍｌ）を用いることによってカラム温度較正が行われる。ＮＩＳＴ線状ポリエチレン１４７５ａが１０１．０℃でピーク温度を有しかつエイコサンが３０．０℃でピーク温度を有するように、溶出加熱速度を調節することによって温度は較正される。ＮＩＳＴ線状ポリエチレン１４７５ａ（１．０ｍｇ／ｍｌ）およびヘキサコンタン（フルカ、プルム（ｐｕｒｕｍ）、９７．０％以上、１ｍｇ／ｍｌ）の混合物でＣＥＦカラム分解能が計算される。ヘキサコンタンとＮＩＳＴポリエチレン１４７５ａとのベースライン分離が達成される。ヘキサコンタンの面積（３５．０〜６７．０℃）対ＮＩＳＴ１４７５ａ６７．０〜１１０．０℃の面積は５０対５０であり、３５．０℃未満の可溶性画分の量は１．８重量％未満である。
【０１０２】
ＣＥＦカラム分解能は以下のように定義される：
【数１２】
2013528241.tif 000016
カラム分解能は６．０である。
【０１０３】
ＣＤＣ方法
ＣＥＦによってコモノマー分布プロファイルからコモノマー分布定数（ＣＤＣ）が計算される。ＣＤＣはコモノマー分布インデックスをコモノマー分布形状因子（Ｃｏｍｏｎｏｍｅｒ  Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎ  Ｓｈａｐｅ  Ｆａｃｔｏｒ）で割って、１００をかけたものとして定義される（式１２）。
【数１３】
2013528241.tif 000017
【０１０４】
コモノマー分布インデックスは３５．０〜１１９．０℃で０．５のメジアンコモノマー定数（Ｃメジアン）から１．５のＣメジアンの範囲のコモノマー定数を有するポリマー鎖の全重量分率を表す。コモノマー分布形状因子は、コモノマー分布プロファイルの半値幅を、ピーク温度（Ｔｐ）からのコモノマー分布プロファイルの標準偏差で割った比率として定義される。
【０１０５】
ＣＤＣは以下のステップに従って計算される：
式１３に従ってＣＥＦから０．２００℃の温度ステップで、３５．０℃から１１９．０℃までのそれぞれの温度（Ｔ）での重量分率（ｗＴ（Ｔ））を得る。
【数１４】
2013528241.tif 000018
【０１０６】
０．５００の累積重量分率での平均温度（Ｔ平均）を計算する（式１４）
【数１５】
2013528241.tif 000019
【０１０７】
コモノマー含有量較正曲線を用いて、メジアン温度（Ｔメジアン）での対応するメジアンコモノマー含有量をモル％単位で（Ｃメジアン）計算する。
【数１６】
2013528241.tif 000020
【０１０８】
（３ｉ）既知の量のコモノマー含有量を有する一連の参照材料を使用することによって、コモノマー含有量較正曲線が構築される。狭いコモノマー分布（３５．０〜１１９．０℃でのＣＥＦにおける単一モードコモノマー分布）を有し、０．０モル％〜７．０モル％のコモノマー含有量範囲で、３５，０００〜１１５，０００の重量平均Ｍｗ（従来のＧＰＣによる）を有する１１種の参照材料がＣＥＦで、ＣＥＦ実験セクションに特定されるのと同じ実験条件で分析される。
（３ｉｉ）コモノマー含有量較正はそれぞれの参照材料のピーク温度（Ｔｐ）およびそのコモノマー含有量を用いることによって計算される。この較正はＲ２は相関定数である。
【０１０９】
コモノマー分布インデックスは０．５＊Ｃメジアンから１．５＊Ｃメジアンまでの範囲のコモノマー定数を有する全重量分率である。Ｔメジアンが９８．０℃よりも高い場合には、コモノマー分布インデックスは０．９５と定義される。
【０１１０】
３５．０℃〜１１９．０℃で最も高いピーク（２つのピークが同じである場合には、最も低い温度ピークが選択される）について各データポイントをサーチすることによって、ＣＥＦコモノマー分布プロファイルから最大ピーク高さが得られる。半値幅は最大ピーク高さの半分での前側温度と後側温度との間の温度差として定義される。最大ピークの半分での前側温度は３５．０℃から前方に向かってサーチされるが、一方で、最大ピークの半分での後側温度は１１９．０℃から戻る方にサーチされる。ピーク温度の差が各ピークの半値幅の合計の１．１倍以上である、充分に特定された二峰性分布の場合においては、そのポリマーの半値幅は各ピークの半値幅の相加平均として計算される。
【０１１１】
温度の標準偏差（Ｓｔｄｅｖ）は式１６に従って計算される：
【数１７】
2013528241.tif 000021
コモノマー分布プロファイルの実施例（実施例３  ０８Ｃ１６Ｒ０４）が図３に示される。
【０１１２】
Ｂ．クリープゼロ剪断粘度測定方法：
ゼロ−剪断粘度は、１９０℃で２５ｍｍ直径平行板を用いて、ＡＲ−Ｇ２応力制御レオメータ（ＴＡインスツルメンツ；デラウェア州、ニューカッスル）において行われたクリープ試験によって得られた。レオメータオーブンはゼロ化固定の前に少なくとも３０分間試験温度に設定される。試験温度においては、圧縮成形サンプルディスクがこれら板の間に挿入され、５分間平衡化される。次いで、上側板が所望の試験ギャップ（１．５ｍｍ）の上方５０μｍまで下げられる。余分な材料が除かれ、上側板が所望のギャップまで下げられる。測定は５Ｌ／分の流量での窒素パージ下で行われる。デフォルトクリープ時間は２時間に設定される。
【０１１３】
定常状態剪断速度がニュートン領域（Ｎｅｗｔｏｎｉａｎ  ｒｅｇｉｏｎ）にあるほど充分低いことを確実にするために、２０Ｐａの一定の低剪断応力が全てのサンプルに適用される。得られる定常状態剪断速度は、この検討におけるサンプルについては、１０−３〜１０−４ｓ−１の範囲である。定常状態はｌｏｇ（Ｊ（ｔ））対ｌｏｇ（ｔ）（ここで、Ｊ（ｔ）はクリープコンプライアンスであって、ｔはクリープ時間である）のプロットの最後の１０％タイムウィンドウにおける全てのデータについて線形回帰を採用することによって決定される。線形回帰の傾きが０．９７より大きい場合には、定常状態は到達されていると見なされ、次いでクリープ試験は停止させられる。この試験における全ての場合において、この傾きは２時間以内にこの基準を満たす。定常状態剪断速度は、ε対ｔ（ここで、εは歪みである）のプロットの最後の１０％タイムウィンドウにおけるデータポイントの全ての線形回帰の傾きから決定される。ゼロ剪断粘度は、適用される応力の定常状態剪断速度に対する比率から決定される。
【０１１４】
クリープ試験中にサンプルが分解しているかどうかを決定するために、０．１〜１００ｒａｄ／ｓでの同じ標本についてのクリープ試験の前および後で、小振幅振動（ｓｍａｌｌ  ａｍｐｌｉｔｕｄｅ  ｏｓｃｉｌｌａｔｏｒｙ）剪断試験が行われる。これら２つの試験の複素粘度値が比較される。０．１ｒａｄ／ｓでのこの粘度値の差が５％より大きい場合には、このサンプルはクリープ試験中に分解したと見なされ、そしてその試験は破棄される。
【０１１５】
Ｃ．ＺＳＶＲ定義：
ゼロ剪断粘度比（ＺＳＶＲ）は、以下の式において示されるような、等しい重量平均分子量（Ｍｗ−ｇｐｃ）での、分岐したポリエチレン材料のゼロ剪断粘度（ＺＳＶ）の線状ポリエチレン材料のＺＳＶに対する比率として定義される。
【数１８】
2013528241.tif 000022
【０１１６】
このＺＳＶ値は上記方法による１９０℃でのクリープ試験から得られる。Ｍｗ−ｇｐｃ値は、上述のような従来のＧＰＣ方法によって決定される。線状ポリエチレンのＺＳＶとそのＭｗ−ｇｐｃとの間の相関は一連の線状ポリエチレン参照材料に基づいて確立された。ＺＳＶ−Ｍｗ相関についての説明は、ＡＮＴＥＣ手続：カルジャラ、テレサＰ．；サムラー、ロバートＬ．；マンガス、マークＡ．；ハツリット、ロニーＧ．；ジョンソン、マークＳ．；ハーゲン、チャールスＭ．，Ｊｒ．；ヒュアン、ジョーＷ．Ｌ．；リチェック、ケネスＮ．ポリオレフィン中の低水準の長鎖分岐の検出（Ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ  ｏｆ  ｌｏｗ  ｌｅｖｅｌｓ  ｏｆ  ｌｏｎｇ−ｃｈａｉｎ  ｂｒａｎｃｈｉｎｇ  ｉｎ  ｐｏｌｙｏｌｅｆｉｎｓ）、Ａｎｎｕａｌ  Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ  Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ−Ｓｏｃｉｅｔｙ  ｏｆ  Ｐｌａｓｔｉｃｓ  Ｅｎｇｉｎｅｅｒｓ（年次技術大会−プラスチック技術者協会）（２００８）、第６６回、８８７−８９１に認められうる。
【０１１７】
１Ｈ  ＮＭＲ方法
３．２６ｇのストック溶液が、１０ｍｍＮＭＲチューブ内の０．１３３ｇのポリオレフィンサンプルに添加される。このストック溶液はテトラクロロエタン−ｄ２（ＴＣＥ）およびペルクロロエチレン（５０：５０、ｗ：ｗ）の混合物であり、０．００１ＭのＣｒ３＋を伴う。チューブ内のこの溶液はＮ２で５分間パージされて、酸素の量を低減させる。キャップされたこのサンプルチューブは室温で一晩置かれて、ポリマーサンプルを膨潤させる。このサンプルは１１０℃で振とうしつつ溶解させられる。このサンプルは不飽和に寄与しうる添加剤、例えば、エルカミドのようなスリップ剤を含まない。
【０１１８】
１Ｈ  ＮＭＲは、ブルカー（Ｂｒｕｋｅｒ）ＡＶＡＮＣＥ４００ＭＨｚスペクトロメータにおいて、１０ｍｍクリオプローブを用いて１２０℃で実施される。
【０１１９】
不飽和を得るために２つの実験：対照実験および二重プレ飽和実験：が行われる。
対照実験については、データはＬＢ＝１Ｈｚの指数ウィンドウ関数で処理され、ベースラインは７から−２ｐｐｍに修正された。ＴＣＥの残留１Ｈからのシグナルは１００に設定され、対照実験におけるポリマー全体からのシグナルとして−０．５から３ｐｐｍまでの積分「Ｉ合計」が使用される。ポリマー中のＣＨ２基の数、ＮＣＨ２は以下のように計算される：
ＮＣＨ２＝Ｉ合計／２
【０１２０】
二重プレ飽和実験については、データはＬＢ＝１Ｈｚの指数ウィンドウ関数で処理され、ベースラインは６．６から４．５ｐｐｍに修正された。ＴＣＥの残留１Ｈからのシグナルは１００に設定され、不飽和についての対応する積分（Ｉビニレン、Ｉトリ置換、ＩビニルおよびＩビニリデン）が、以下の図に示される領域に基づいて積分された。ビニレン、トリ置換、ビニルおよびビニリデンについての不飽和単位の数が計算される：
Ｎビニレン＝Ｎビニレン／２
Ｎトリ置換＝Ｉトリ置換
Ｎビニル＝Ｉビニル／２
Ｎビニリデン＝Ｉビニリデン／２
【０１２１】
不飽和単位／１，０００，０００炭素が以下のように計算される：
Ｎビニレン／１，０００，０００Ｃ＝（Ｎビニレン／ＮＣＨ２）＊１，０００，０００
Ｎトリ置換／１，０００，０００Ｃ＝（Ｎトリ置換／ＮＣＨ２）＊１，０００，０００
Ｎビニル／１，０００，０００Ｃ＝（Ｎビニル／ＮＣＨ２）＊１，０００，０００
Ｎビニリデン／１，０００，０００Ｃ＝（Ｎビニリデン／ＮＣＨ２）＊１，０００，０００
【０１２２】
不飽和ＮＭＲ分析についての要件には：定量の水準が、１０ｍｍ高温クリオプローブ、３．９重量％のサンプルで、２００スキャン（対照実験を実施するための時間を含む１時間未満のデータ蓄積）で、Ｖｄ２について、０．４７±０．０２／１，０００，０００炭素（Ｖｄ２構造については、Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅｓ，第３８巻、６９８８、２００５）が挙げられる。定量の水準は０のシグナル対ノイズ比として定義される。
【０１２３】
化学シフト参照は、ＴＣＴ−ｄ２からの残留プロトンからの１Ｈシグナルについて６．０ｐｐｍに設定される。対照はＺＧパルス、ＴＤ  ３２７６８、ＮＳ  ４、ＤＳ  １２、ＳＷＨ  １０，０００Ｈｚ、ＡＱ  １．６４ｓ、Ｄ１  １４ｓで行われる。二重プレ飽和実験が、修飾パルスシークエンス、Ｏ１Ｐ  １．３５４ｐｐｍ、Ｏ２Ｐ  ０．９６０ｐｐｍ、ＰＬ９  ５７ｄｂ、ＰＬ２１  ７０ｄｂ、ＴＤ  ３２７６８，ＮＳ  ２００、ＤＳ  ４、ＳＷＨ  １０，０００Ｈｚ、ＡＱ  １．６４ｓ、Ｄ１  １ｓ、Ｄ１３  １３ｓで行われる。
【０１２４】
ゲル含有量
ゲル含有量は、キシレン中で、ＡＳＴＭ  Ｄ２７６５−０１  方法Ａに従って決定される。サンプルはカミソリの刃を用いて必要なサイズに切り出される。
【０１２５】
膜試験条件
以下の物理的特性が製造された膜について測定される：
合計（全体）、表面および内部ヘイズ：内部ヘイズおよび全体ヘイズについて測定されたサンプルはＡＳＴＭ  Ｄ１００３に従ったサンプルでありかつそれに従って調製される。内部ヘイズは、膜の両面に鉱油を用いる屈折率マッチングによって得られた。ヘイズガードプラス（Ｈａｚｅｇａｒｄ  Ｐｌｕｓ）（ＢＹＫ−ガードナーＵＳＡ；コロンビア、ＭＤ）が試験のために使用される。表面ヘイズは全体ヘイズと内部ヘイズとの間の差として、式１７に示されるように決定される。表面ヘイズは膜の表面粗さに関連する傾向があり、その膜では表面粗さが増加するにつれて表面が増大する。表面ヘイズ対内部ヘイズ比は式１８に示されるように、表面ヘイズ値を内部ヘイズ値で割ったものである。
ヘイズ＝内部ヘイズ＋表面ヘイズ  （式１７）
Ｓ／Ｉ＝表面ヘイズ／内部ヘイズ  （式１８）
【０１２６】
４５°光沢：ＡＳＴＭ  Ｄ−２４５７。
ＭＤおよびＣＤエルメンドルフ引裂き強さ：ＡＳＴＭ  Ｄ−１９２２
ＭＤおよびＤＣ引っ張り強さ：ＡＳＴＭ  Ｄ−８８２
ダート衝撃強さ：ＡＳＴＭ  Ｄ−１７０９
穿刺力（Ｐｕｎｃｔｕｒｅ  Ｓｔｒｅｎｇｔｈ）：穿刺（ｐｕｎｃｔｕｒｅ）はインストロンモデル（Ｉｎｓｔｒｏｎ  Ｍｏｄｅｌ）４２０１において、シンテック（Ｓｉｎｔｅｃｈ）テストワークスソフトウェアバージョン３．１０を用いて測定される。標本サイズは６”×６”であり、平均穿刺値を決定するために４回の測定がなされる。膜は、膜製造の後４０時間かつＡＳＴＭ制御実験室において少なくとも２４時間にわたってコンディショニングされる。１２．５６”平方の丸められた標本ホルダーを伴って１００  ｌｂロードセルが使用される。穿刺プローブは７．５”の最大移動長さを有する１／２”直径の研磨されたステンレス鋼ボールである。ゲージ長さは存在せず；このプローブは標本にできるだけ近いが接触してはいない。使用されるクロスヘッド速度は１０”／分である。厚さは標本の中央で測定される。ソフトウェアによって穿刺を決定するために、膜の厚さ、移動するクロスヘッド距離、およびピーク負荷が使用される。穿刺プローブは各標本の後で、キムワイプを用いて清浄化される。
【０１２７】
他に示されない限りは、全ての部およびパーセンテージは重量基準である。
【０１２８】
具体的な実施形態
【表３】
2013528241.tif 000023
【０１２９】
【表４】
2013528241.tif 000024
【０１３０】
【表５】
2013528241.tif 000025
【０１３１】
比較例１＝Ｅｘｃｅｅｄ（エクシード）１０１８（１ｇ／１０分のＩ２および０．９１８ｇ／ｃｍ３の密度を有するエチレン／ヘキセンコポリマー）およびＥｘｃｅｅｄ３５１２（３．５ｇ／１０分のＩ２および有するエチレン／ヘキセンコポリマー）の５０／５０ブレンド。
比較例２＝ＥＬＩＴＥ（エリート）５４００Ｇ（１ｇ／１０分のＩ２および０．９１６ｇ／ｃｍ３の密度を有するエチレン／オクテンコポリマー）。
比較例３＝ＥＬＩＴＥ（エリート）５５００Ｇ（１．５ｇ／１０分のＩ２および０．９１４ｇ／ｃｍ３の密度を有するエチレン／オクテンコポリマー）。
【０１３２】
【表６】
2013528241.tif 000026
【０１３３】
【表７】
2013528241.tif 000027
【０１３４】
【表８】
2013528241.tif 000028
【０１３５】
以下の予言的実施例が本発明をさらに説明する。
膜製造：
全ての樹脂が、コリン（Ｃｏｌｌｉｎ）３層インフレーションフィルム上に製造される単層膜に吹き込まれる。このインフレーションフィルムラインはシングルフライトスクリューを備えた３本溝付き供給押出機（２５：３０：２５ｍｍ）からなる。全てのスクリューの長さ／直径（Ｌ／Ｄ）比は２５：１である。インフレーションフィルムラインは６０ｍｍのダイを有し、デュアルリップエアリング冷却システムを備え、２０：４０：６０：８０：２０メッシュのスクリーンパックコンフィグレーションを有する。全ての膜は１ｍｉｌ厚さで製造される。
【０１３６】
実施例Ａ
実施例１のポリエチレン８０重量％、無水マレイン酸（ＭＡＨ）修飾エチレン／１−オクテンコポリマー（エンゲージ（ＥＮＧＡＧＥ（登録商標））８４００  約１重量％のＭＡＨの量でグラフト化され、かつ約１．２５ｇ／１０分の修飾後ＭＩおよび約０．８７ｇ／ｃｃの密度を有するポリエチレン）２０重量％、１．５重量％のルペルソール（Ｌｕｐｅｒｓｏｌ（登録商標））１０１、０．８重量％のトリ−アリルシアヌラート、０．１重量％のチマソーブ（Ｃｈｉｍａｓｓｏｒｂ（登録商標））９４４、０．２重量％のナウガード（Ｎａｕｇａｒｄ（登録商標））Ｐ、並びに０．３重量％のシアソーブ（Ｃｙａｓｏｒｂ（登録商標））ＵＶ５３１を含むブレンドから、単層１５ｍｉｌ厚さの保護膜が製造される。押出中の膜の早すぎる架橋を回避するために、膜形成中の溶融温度は約１２０℃未満に保たれる。次いで、この膜は、太陽電池モジュールを製造するために使用される。この膜は、約１５０℃の温度でスーパーストレート、例えば、ガラスカバーシート、および太陽電池の前側表面に、次いで太陽電池の裏側表面およびバックスキン材料、例えば、別のガラスカバーシートまたは他の基体に積層される。この保護膜は、次いで、その膜が実質的に架橋されるのを確実にするであろう条件にかけられる。
【０１３７】
実施例Ｂ：ブレンドが９０重量％の実施例１および１０重量％の無水マレイン酸（ＭＡＨ）修飾エチレン／１−オクテン（エンゲージ（ＥＮＧＡＧＥ（登録商標））８４００  約１重量％のＭＡＨの量でグラフト化され、かつ約１．２５ｇ／１０分の修飾後ＭＩおよび約０．８７ｇ／ｃｃの密度を有するポリエチレン）を含んでいたことを除いて、実施例Ａの手順が繰り返され、かつ押出中の膜の早すぎる架橋を回避するために、膜形成中の溶融温度が約１２０℃未満に保たれた。
【０１３８】
実施例Ｃ：ブレンドが９７重量％の実施例３および３重量％のビニルシラン（無水マレイン酸修飾ＥＮＧＡＧＥ（登録商標）８４００ポリエチレンを含んでいない）を含んでいたことを除いて実施例Ａの手順が繰り返され、かつ押出中の膜の早すぎる架橋を回避するために、膜形成中の溶融温度が約１２０℃未満に保たれた。
【０１３９】
配合物および処理手順：
ステップ１：アドヘアスクリュー（Ａｄｈｅｒｅ  Ｓｃｒｅｗ）を備えたＺＳＫ−３０押出機を使用して、増幅（Ａｍｐｌｉｆｙ）を伴ってまたは伴わずに、樹脂および添加剤パッケージを混ぜ合わせる。
ステップ２：ステップ２からの材料を４時間、最大１００Ｆで乾燥させる（Ｗ＆Ｃキャニスター型ドライヤーを使用する）。
ステップ３：ドライヤーからの加熱された材料に溶融したＤｉＣｕｐ＋シラン＋ＴＡＣを添加し、１５分間タンブル（ｔｕｍｂｌｅ）ブレンドし、そして４時間にわたって浸漬させた。
【０１４０】
【表９】
2013528241.tif 000029
【０１４１】
試験方法および結果：
ガラスとの接着が、シラン処理されたガラスを用いて測定される。ガラス処理の手順は、ゲレストインコーポレーティド（Ｇｅｌｅｓｔ，Ｉｎｃ．）「Ｓｉｌａｎｓ  ａｎｄ  Ｓｉｌｉｃｏｎｅｓ，Ｃａｔａｌｏｇ（シランおよびシリコーンカタログ）３０００Ａ」における手順からのそれに合わせられる。
【０１４２】
溶液をわずかに酸性にするために、約１０ｍＬの酢酸が２００ｍＬの９５％エタノールに添加される。次いで、４ｍＬの３−アミノプロピルトリメトキシシランが攪拌しつつ添加され、シランの〜２％溶液を作成する。この溶液を５分間置いておき、加水分解を開始させ、次いでそれがガラス皿に移される。各板がこの溶液に、穏やかに攪拌しつつ、２分間にわたって沈められ、取り出され、９５％エタノールで簡単にすすがれて過剰なシランを除去し、そしてドレインする。これら板は１１０℃で１５分間にわたってオーブン内で硬化させられる。次いで、それらは、アミンの酢酸塩を遊離アミンに変換するために、重炭酸ナトリウムの５％溶液中に２分間浸漬される。それらは水ですすがれ、ペーパータオルで拭って乾燥させられ、そして室温で一晩空気乾燥させられる。
【０１４３】
ポリマーとガラスとの間の接着強さを試験する方法は１８０剥離試験である。これはＡＳＴＭ標準試験ではないが、それはＰＶモジュールのためのガラスとの接着を試験するために使用される。試験サンプルはガラスの上に未硬化膜を配置し、次いでこの膜を圧縮成型装置内で加圧下で硬化させることにより準備される。この成型されたサンプルは、試験前２日間にわたって実験室条件下に保持される。負荷速度は２ｉｎ／分であり、かつその試験は周囲条件下で実施される。この試験は、安定な剥離領域が観察された（約２インチ）後で停止させられる。膜幅に対する剥離負荷の比率が接着強さとして報告される。
【０１４４】
引張および動的機械的分析（ＤＭＡ）方法を用いて、硬化膜のいくつかの重要な機械的特性が評価される。引張試験は２ｉｎ／分の負荷速度で周囲条件下で行われる。ＤＭＡ方法は−１００から１２０℃まで行われる。
【０１４５】
光学特性は以下のように決定される：ＵＶ−可視分光法によって、光透過率のパーセントが測定される。それは２５０ｎｍ〜１２００ｎｍの波長における吸光度を測定する。内部ヘイズはＡＳＴＭ  Ｄ１００３−６１を用いて測定される。
【０１４６】
結果は表２に報告される。ＥＶＡはエチメックス（Ｅｔｉｍｅｘ）から入手可能な充分に配合された膜である。
【０１４７】
【表１０】
2013528241.tif 000030
【０１４８】
ガラスとの接着はシラン処理ガラスを用いて測定される。ガラス処理の手順は、ゲレストインコーポレーティド（Ｇｅｌｅｓｔ，Ｉｎｃ．）「Ｓｉｌａｎｓ  ａｎｄ  Ｓｉｌｉｃｏｎｅｓ，Ｃａｔａｌｏｇ（シランおよびシリコーンカタログ）３０００Ａ」における手順からのそれに合わせられる。
【０１４９】
溶液をわずかに酸性にするために、約１０ｍＬの酢酸が２００ｍＬの９５％エタノールに添加される。次いで、４ｍＬの３−アミノプロピルトリメトキシシランが攪拌しつつ添加され、シランの〜２％溶液を作成する。この溶液を５分間置いておき、加水分解を開始させ、次いでそれがガラス皿に移される。各板がこの溶液に、穏やかに攪拌しつつ、２分間にわたって沈められ、取り出され、９５％エタノールで簡単にすすがれて過剰なシランを除去し、そしてドレインする。これら板は１１０℃で１５分間にわたってオーブン内で硬化させられる。次いで、それらは、アミンの酢酸塩を遊離アミンに変換するために、重炭酸ナトリウムの５％溶液中に２分間浸漬される。それらは水ですすがれ、ペーパータオルで拭って乾燥させられ、そして室温で一晩空気乾燥させられる。
【０１５０】
光学特性は以下のように決定される：ＵＶ−可視分光法によって、光透過率のパーセントが測定される。それは２５０ｎｍ〜１２００ｎｍの波長における吸光度を測定する。内部ヘイズはＡＳＴＭ  Ｄ１００３−６１を用いて測定される。
【０１５１】
実施例Ｄ：ポリエチレン系封止膜
実施例１（ザダウケミカルカンパニーによって製造される）がこの実施例において使用される。１００ｐｐｍの酸化防止剤（イルガノックス（Ｉｒｇａｎｏｘ）１０７６）が樹脂中に存在する。機能を追加するかまたは樹脂の長期間安定性を向上させるためにいくつかの添加剤が選択される。それらは、ＵＶ吸収剤シアソーブ（Ｃｙａｓｏｒｂ）ＵＶ５３１、ＵＶ安定化剤キマソーブ（Ｃｈｉｍａｓｓｏｒｂ）９４４ＬＤ、酸化防止剤チヌビン（Ｔｉｎｕｖｉｎ）６２２ＬＤ、ビニルトリメトキシシラン（ＶＴＭＳ）およびペルオキシド（ルペロックス（Ｌｕｐｅｒｏｘ）−１０１）である。この配合の重量パーセントが表３に記載される。
【０１５２】
【表１１】
2013528241.tif 000031
【０１５３】
サンプル製造
実施例１のペレットが４０℃で一晩ドライヤー内で乾燥させられる。このペレットおよび添加剤は乾燥混合され、ドラム内に入れられ、３０分間回転させられる。次いで、シランおよびペルオキシドがそのドラム内に入れられ、さらに１５分間回転させられる。この充分に混合された材料が膜キャスティングのための膜押出機に供給される。
膜は膜ライン（単軸押出機、２４インチ幅シートダイ）においてキャストされ、そして処理条件は表４にまとめられる。
【０１５４】
【表１２】
2013528241.tif 000032
【０１５５】
１８〜１９ｍｉｌ厚さの膜が５．３フィート／分（ｆｔ／ｍｉｎ）で確保される。この膜サンプルは、ＵＶ照射および水分を回避するために、アルミニウム袋内に密閉される。
【０１５６】
試験方法および結果
１．光学特性
この膜の光透過率は、ＵＶ可視分光計（パーキンエルマーＵＶ−Ｖｉｓ９５０、走査二重モノクロメータおよび積分球アクセサリを備える）によって実験される。この分析に使用されるサンプルは１５ｍｉｌの厚さを有する。
【０１５７】
２．ガラスへの接着
接着試験に使用される方法は１８０°剥離試験である。これはＡＳＴＭ標準試験ではないが、光起電力モジュールおよび自己積層ガラス用途のためのガラスとの接着を試験するために使用される。試験サンプルは、圧縮成型装置内で加圧下でガラスの上に膜を配置することにより準備される。所望の接着幅は１．０インチである。サンプルを保持するのに使用されるフレームは５インチ×５インチである。テフロン（登録商標）シートがガラスとこの材料との間に配置されて、試験セットアップの目的のために、ガラスとポリマーとを隔てる。ガラス／膜サンプル調製のための条件は以下の通りである：
（１）１６０℃、３分間、８０ポンド／平方インチ（ｐｓｉ）（２０００  ｌｂｓ）
（２）１６０℃、３０分間、３２０ｐｓｉ（８０００  ｌｂｓ）
（３）３２０ｐｓｉ（８０００  ｌｂｓ）で室温まで冷却
（４）チェイスからサンプルを取り出し、接着試験前に、４８時間、その材料を室温の条件にする。
【０１５８】
接着強さは材料試験システム（インストロン（Ｉｎｓｔｒｏｎ）５５８１）を用いて測定される。負荷速度は２インチ／分であり、およびこの試験は周囲条件で実施される（２４℃および５０％ＲＨ）。ガラスへの接着を評価するために、安定な剥離領域が必要とされる（約２インチ）。膜幅に対する安定な剥離領域における剥離負荷の割合が接着強さとして報告される。
【０１５９】
熱水（８０℃）中で１週間老化させたサンプルを用いて、接着強さへの温度および水分の影響が試験される。これらサンプルはガラス上で成形され、次いで、１週間にわたって熱水中に浸漬される。次いで、これらサンプルは、接着試験前に、実験室条件下で２日間にわたって乾燥させられる。これに対して、同じ上述のような市販のＥＶＡ膜の接着強さも同じ条件下で評価される。実験膜および市販のサンプルの接着強さが表５に示される。
【０１６０】
【表１３】
2013528241.tif 000033
＊このサンプルは剥離しなかったが、その代わりに、膜自体の崩壊が始まった。
【０１６１】
３．水蒸気透過率（ＷＶＴＲ）：
透過分析装置（モコンパーマトラン（Ｍｏｃｏｎ  Ｐｅｒｍａｔｒａｎ）Ｗモデル１０１Ｋ）を用いて水蒸気透過率が測定される。全てのＷＶＴＲ単位は、３８℃および５０℃、並びに１００％ＲＨで、平均２つの標本で測定された、１平方メートルあたり、１日あたりのグラム数（ｇ／ｍ２・日）である。上述の市販のＥＶＡ膜も、水分バリア特性を比較するために試験される。本発明の膜および市販の膜厚さは１５ｍｉｌであり、そして両方の膜は１６０℃で３０分間硬化させられる。ＷＶＴＲ試験の結果が表６に報告される。
【０１６２】
【表１４】
2013528241.tif 000034
【０１６３】
実施例Ｅ：
異なるＵＶ安定化剤を使用することによって、ＵＶ吸収がシフトさせられることを示すために２組のサンプルが準備される。実施例１が使用され、そして表８は様々なＵＶ安定化剤を含む（全ての量は重量パーセントである）配合物を報告する。これらサンプルは１９０℃の温度で５分間にわたってミキサーを使用して製造される。圧縮成型装置を用いて１６ｍｉｌの厚さを有する膜が製造される。成型条件は１６０℃で１０分間、次いで２４℃で３０分間冷却することである。ラムダ（Ｌａｍｂｄａ）９５０のようなＵＶ／可視分光計を用いてＵＶスペクトルが測定される。結果は様々な種類のＵＶ安定化剤が３６０ｎｍ未満の波長でＵＶ放射線の吸収を可能にすることができることを示す。
【０１６４】
【表１５】
2013528241.tif 000035
【０１６５】
ＵＶ安定性を試験するために別のサンプルのセットが準備される。再び、ポリオレフィンエラストマー、実施例１がこの試験について選択される。表８は光起電力モジュールのための封止剤ポリマーに望まれ、様々なＵＶ安定化剤、シランおよびペルオキシド、並びに酸化防止剤を含む配合物を報告する。これら配合物はＵＶ吸収を低下させ、かつ同時に長期間ＵＶ安定性を維持および向上させるように設計される。
【表１６】
2013528241.tif 000036
【０１６６】
本発明は、上記記載および実施例を通じてかなり詳細に説明されたが、この詳細は例示目的のためであり、特許請求の範囲において記載される本発明の範囲についての制限として解釈されるものではない。上記特定される全ての米国特許、公開された特許出願および許可された特許出願は参照によって本明細書に組み込まれる。
【符号の説明】
【０１６７】
１０  剛性ＰＶモジュール
１１  光起電力セル
１２  封止剤
１３  ガラスカバーシート
１４  裏側シート
２０  可撓性ＰＶモジュール
２１  薄膜光起電力
２２  封止剤
２３  ガラス／上層
２４  可撓性裏側シート
【図１】
2013528241.tif 000037
【図２】
2013528241.tif 000038
【図３】
2013528241.tif 000039
【図４】
2013528241.tif 000040
【国際調査報告】
2013528241.tif 000041
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