(57)【要約】  本願発明は、特に、溶解性が改善した金属錯体、前記金属錯体の製造方法、これらの金属錯体を含むデバイス、および前記金属錯体の使用に関する。Ｍ（Ｌ）ｎ（Ｌ’）ｍ式１（前記化合物は、式（２）の部分Ｍ（Ｌ）ｎを含み、Ｗは式（３）に等しい）。【化１】2013537519.tif 000079【化２】2013537519.tif 000080【選択図】なし
2013537519.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（１）の化合物
【化１】
2013537519.tif 000058
（ここで、前記化合物は、式（２）の部分Ｍ（Ｌ）ｎを含み、
【化２】
2013537519.tif 000059
ここで、Ｍは、窒素原子Ｎおよび炭素原子Ｃを介して任意の所望の二座配位子Ｌに結合しており、
ここで、Ａ、ＢおよびＤは、任意の所望の芳香族またはヘテロ芳香族環を表し、第１のＢ環（ｑ＝１）は、任意の所望の可能な様式でＡ環と縮合しており、複数のＢ環が出現する場合（ｑ＞１）、後続のＢ環は、任意の所望の可能な様式で直接Ａ環にまたはそれぞれの先行のＢ環に縮合しており、Ｂ環は、それらがｑ回出現する場合、互いに独立に、同一であるかまたは異なっていてもよく、
式中、使用された記号および添え字には以下が適用される：
Ｍは、イリジウム、ロジウム、白金およびパラジウムからなる群から選択される金属であり；
Ｌ’は、出現する毎に同一であるかまたは異なり、任意の所望の共配位子であり；
Ｗは、式（３）に等しく、
【化３】
2013537519.tif 000060
ここで、Ｔは、出現する毎に同一であるかまたは異なり、−Ｃ（Ｒ１）２、−Ｓｉ（Ｒ１）２、Ｎ、−ＮＲ１、−Ｏ，−Ｓ、−Ｃ（＝Ｏ）、−Ｓ（＝Ｏ）、−ＳＯ２、−ＣＦ２、−ＳＦ４、−Ｐ、−Ｐ（＝Ｏ）Ｒ１、−ＰＦ２、−Ｐ（＝Ｓ）Ｒ１、−Ａｓ、−Ａｓ（＝Ｏ）、−Ａｓ（＝Ｓ）、−Ｓｂ、−Ｇｅ、−Ｓｉ、−Ｓｂ（＝Ｏ）、−Ｃ（Ｒ１）２−Ｃ（Ｒ１）２−、および−Ｓｂ（＝Ｓ）からなる群から選択され；
Ｑは、出現する毎に同一であるかまたは異なり、Ｒ１Ｃ＝ＣＲ１、Ｒ１Ｃ＝Ｎ、Ｏ、Ｓ、ＳｅまたはＮＲ１であり；
Ｘは、出現する毎に同一であるかまたは異なり、ＣＲ１またはＮであり；
ｑは、１以上の整数であり、
ｐは、０または１であり、ここで、ｐ＝０については、式（３）における中央の環は５員環を形成し；
ｎは、イリジウムまたはロジウムに等しいＭについては１、２または３であり、白金またはパラジウムに等しいＭについては１または２であり；
ｍは、０、１、２、３または４であり；
Ｒ１は、出現する毎に同一であるかまたは異なり、Ｈ、Ｄ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、Ｎ（Ｒ２）２、ＣＮ、ＮＯ２、Ｓｉ（Ｒ２）３、Ｂ（ＯＲ２）２、Ｃ（＝Ｏ）Ｒ２、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ２）２、Ｓ（＝Ｏ）Ｒ２、Ｓ（＝Ｏ）２Ｒ２、ＯＳＯ２Ｒ２、１〜４０個のＣ原子を有する直鎖アルキル、アルコキシまたはチオアルコキシ基または２〜４０個のＣ原子を有する直鎖アルケニルまたはアルキニル基または３〜４０個のＣ原子を有する分枝または環状アルキル、アルケニル、アルキニル、アルコキシまたはチオアルコキシ基（これらのそれぞれは、１個以上のラジカルＲ２で置換されていてもよく、ここで、１個以上の隣接しないＣＨ２基は、Ｒ２Ｃ＝ＣＲ２、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ２）２、Ｇｅ（Ｒ２）２、Ｓｎ（Ｒ２）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ２、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ２）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲ２、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ２によって置きかえられていてもよく、１個以上のＨ原子は、Ｄ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮまたはＮＯ２によって置きかえられていてもよい）、または５〜６０個の芳香族環原子を有する芳香族またはヘテロ芳香族環系（これは、それぞれの場合において、１個以上のラジカルＲ２で置換されていてもよい）、または５〜６０個の芳香族環原子を有するアリールオキシまたはヘテロアリールオキシ基（これは、１個以上のラジカルＲ２で置換されていてもよい）、または１０〜４０個の芳香族環原子を有するジアリールアミノ基、ジヘテロアリールアミノ基またはアリールヘテロアリールアミノ基（これは、１個以上のラジカルＲ２で置換されていてもよい）、またはこれらの基の２種以上の組合せであり；２個以上のラジカルＲ１は、互いに単環式または多環式、脂肪族、芳香族および／または、ベンゾ縮合環系を形成してもよく；
Ｒ２は、出現する毎に同一であるかまたは異なり、Ｈ、Ｄ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、Ｎ（Ｒ３）２、ＣＮ、ＮＯ２、Ｓｉ（Ｒ３）３、Ｂ（ＯＲ３）２、Ｃ（＝Ｏ）Ｒ３、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ３）２、Ｓ（＝Ｏ）Ｒ３、Ｓ（＝Ｏ）２Ｒ３、ＯＳＯ２Ｒ３、１〜４０個のＣ原子を有する直鎖アルキル、アルコキシまたはチオアルコキシ基または２〜４０個のＣ原子を有する直鎖アルケニルまたはアルキニル基または３〜４０個のＣ原子を有する分枝または環状アルキル、アルケニル、アルキニル、アルコキシまたはチオアルコキシ基（これらのそれぞれは、１個以上のラジカルＲ３で置換されていてもよく、ここで、１個以上の隣接しないＣＨ２基は、Ｒ３Ｃ＝ＣＲ３、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ３）２、Ｇｅ（Ｒ３）２、Ｓｎ（Ｒ３）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ３、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ３）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲ３、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ３によって置きかえられていてもよく、１個以上のＨ原子は、Ｄ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮまたはＮＯ２によって置きかえられていてもよい）、または５〜６０個の芳香族環原子を有する芳香族またはヘテロ芳香族環系（これは、それぞれの場合において、１個以上のラジカルＲ３で置換されていてもよい）、または５〜６０個の芳香族環原子を有するアリールオキシまたはヘテロアリールオキシ基（これは、１個以上のラジカルＲ３で置換されていてもよい）、または１０〜４０個の芳香族環原子を有するジアリールアミノ基、ジヘテロアリールアミノ基またはアリールヘテロアリールアミノ基（これは、１個以上のラジカルＲ３で置換されていてもよい）、またはこれらの基の２種以上の組合せであり；２個以上の隣接したラジカルＲ２は、互いに単環式または多環式、脂肪族または芳香族環系を形成してもよく；
Ｒ３は、出現する毎に同一であるかまたは異なり、Ｈ、Ｄ、Ｆまたは１〜２０個のＣ原子を有する脂肪族、芳香族および／またはヘテロ芳香族環炭化水素ラジカル（ここで、さらに、１個以上のＨ原子は、Ｆで置きかえられていてもよい）であり；２個以上の置換基Ｒ３は、互いに、単環式または多環式、脂肪族または芳香族環系を形成してもよく；
添え字ｎおよびｍは、金属の配位数が、イリジウムまたはロジウムに等しいＭについては６に一致し、白金またはパラジウムに等しいＭについては４に一致するように選択され；
複数個の配位子Ｌは、互いに結合し、またはＬは、任意の所望の架橋Ｚを介してＬ’に結合し、三座、四座、五座または六座配位子系を形成してもよい）。
【請求項２】
式（１）の化合物が、式（４）〜（９）
【化４】
2013537519.tif 000061
（ここで、請求項１からの定義は、使用された記号および添え字に適用される）
を有する部分Ｍ（Ｌ）ｎを含有することを特徴とする、請求項１に記載の化合物。
【請求項３】
式（１）の化合物が、式（１１）〜（１６）
【化５】
2013537519.tif 000062
を有する部分Ｍ（Ｌ）ｎを含有することを特徴とする、請求項１または２に記載の化合物。
【請求項４】
部分Ｍ（Ｌ）ｎが、式（１７）〜（２２）
【化６】
2013537519.tif 000063
から選択されることを特徴とする、請求項１〜３の何れか一項に記載の化合物。
【請求項５】
部分Ｍ（Ｌ）ｎが、式（２３）〜（２８）
【化７】
2013537519.tif 000064
から選択されることを特徴とする、請求項１〜４の何れか一項に記載の化合物。
【請求項６】
ｍが、１、２、３、または４であることを特徴とする、請求項１〜５の何れか一項に記載の化合物。
【請求項７】
ｍ＝０であり、Ｍ（Ｌ）ｎが、式（２９）〜（３４）
【化８】
2013537519.tif 000065
から選択されることを特徴とする、請求項１〜５の何れか一項に記載の化合物。
【請求項８】
ラジカルＷが、式（４７）〜（５５）
【化９】
2013537519.tif 000066
（ここで、線は、ラジカルＷの配位子への結合が起こる位置を示し、使用された記号は、請求項１で定義された記号と一致する）
によって与えられることを特徴とする、請求項１〜７の何れか一項に記載の化合物。
【請求項９】
部分Ｍ（Ｌ）ｎが、式（７１）〜（８５）
【化１０】
2013537519.tif 000067
【化１１】
2013537519.tif 000068
【化１２】
2013537519.tif 000069
から選択されることを特徴とする、請求項１〜８の何れか一項に記載の化合物。
【請求項１０】
Ｒ１が、出現する毎に同一であるかまたは異なり、−Ｈ、−ＮＨ２または式（８６）〜（２２４）
【化１３】
2013537519.tif 000070
【化１４】
2013537519.tif 000071
【化１５】
2013537519.tif 000072
【化１６】
2013537519.tif 000073
【化１７】
2013537519.tif 000074
【化１８】
2013537519.tif 000075
【化１９】
2013537519.tif 000076
【化２０】
2013537519.tif 000077
のラジカル（ここで前記ラジカルは、さらに、ラジカルＲ３（これは、それらが２回以上出現する場合、同一であるかまたは互いに独立であってもよい）で一置換または多置換されていてもよい）であることを特徴とする、請求項１〜９の何れか一項に記載の化合物。
【請求項１１】
Ｍが、イリジウムに等しいことを特徴とする、請求項１〜１０の何れか一項に記載の化合物。
【請求項１２】
対応する遊離配位子と、式（２８２）の金属アルコキシド、式（２８３）の金属ケトケトナートまたは式（２８４）の金属ハロゲン化物
【化２１】
2013537519.tif 000078
（ここで、記号Ｍ、ｎおよびＲ１は、上に示された意味を有し、Ｈａｌ＝Ｆ、Ｃｌ、ＢｒまたはＩである）との反応による、請求項１〜１１の何れか一項に記載の化合物の調製方法。
【請求項１３】
請求項１〜１１の何れか一項に記載の少なくとも１種の化合物と少なくとも１種の溶媒とを含む配合物。
【請求項１４】
電子デバイス、好ましくは有機エレクトロルミネッセンスデバイス（ＯＬＥＤ、ＰＬＥＤ）、有機集積回路（Ｏ−ＩＣ）、有機電界効果トランジスタ（Ｏ−ＦＥＴ）、有機薄膜トランジスタ（Ｏ−ＴＦＴ）、有機発光トランジスタ（Ｏ−ＬＥＴ）、有機太陽電池（Ｏ−ＳＣ）、有機光学検出器、有機感光体、有機電場消光デバイス（Ｏ−ＦＱＤ）、発光電気化学セル（ＬＥＣ）または有機レーザーダイオード（Ｏ−レーザー）からなる群から選択される電子デバイスにおける請求項１〜１１の何れか一項に記載の化合物の使用。
【請求項１５】
請求項１〜１１の何れか一項に記載の少なくとも１種の化合物を含む電子デバイス、好ましくは有機エレクトロルミネッセンスデバイス（ＯＬＥＤ、ＰＬＥＤ）、有機集積回路（Ｏ−ＩＣ）、有機電界効果トランジスタ（Ｏ−ＦＥＴ）、有機薄膜トランジスタ（Ｏ−ＴＦＴ）、有機発光トランジスタ（Ｏ−ＬＥＴ）、有機太陽電池（Ｏ−ＳＣ）、有機光学検出器、有機感光体、有機電場消光デバイス（Ｏ−ＦＱＤ）、発光電気化学セル（ＬＥＣ）または有機レーザーダイオード（Ｏ−レーザー）からなる群から選択される電子デバイス。
【請求項１６】
請求項１〜１１の何れか一項に記載の化合物が、好ましくはマトリックス材料との組み合わせで、一つ以上の発光層において発光化合物として使用されることを特徴とする、請求項１５に記載の有機エレクトロルミネッセンスデバイスであって、前記マトリックス材料は、好ましくは、ケトン、ホスフィンオキシド、スルホキシド、スルホン、トリアリールアミン、カルバゾール誘導体、インドロカルバゾール誘導体、インデノカルバゾール誘導体、アザカルバゾール誘導体、双極性マトリックス材料、シラン、アザボロール、ボロン酸エステル、トリアジン誘導体、亜鉛錯体、ジアザ−もしくはテトラアザシロール誘導体またはジアザホスホール誘導体あるいはこれらのマトリックス材料の混合物からなる群から選択される有機エレクトロルミネッセンスデバイス。
【請求項１７】
疾患および／または美容上の状態の治療、予防および／または診断のための請求項１〜１１の何れか一項に記載の化合物または請求項１５もしくは１６に記載のデバイス。
【発明の詳細な説明】
【発明の概要】
【０００１】
有機半導体が機能性材料として使用されている有機エレクトロルミネッセンスデバイス（ＯＬＥＤ）の構造は、例えば、ＵＳ  ４５３９５０７、ＵＳ  ５１５１６２９、ＥＰ  ０６７６４６１およびＷＯ  ９８／２７１３６に記載されている。本明細書で使用される発光材料は、だんだんと蛍光の代わりにリン光を示す有機金属錯体になってきている（Ｍ．Ａ．Ｂａｌｄｏら、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．１９９９、７５、４〜６）。量子力学的理由で、リン光発光体として有機金属化合物を使用して、最大４倍のエネルギーおよび電力効率が可能である。しかし、一般に、特に効率、動作電圧および寿命に関して三重項発光を示すＯＬＥＤの改良のニーズが依然として存在する。このことは、特に、比較的短波長領域、即ち、緑色および青色において発光するＯＬＥＤに当てはまる。さらに、多くのリン光発光体は、溶液からの処理のために十分な溶解性を有さず、ここにもさらなる改良のニーズが存在することを意味する。
【０００２】
従来技術によれば、リン光ＯＬＥＤに使用される三重項発光体は、特に、イリジウムおよび白金錯体であり、これらは、通常、シクロメタル化錯体として使用される。本明細書で配位子は、しばしば、フェニルピリジンの誘導体である。しかし、このような錯体の溶解性は、しばしば、低く、このことは、溶液からの処理をより困難にし、または完全に阻んでいる。
【０００３】
従来技術は、金属への配位に対してパラ位において、フェニルピリジン配位子のフェニル環上で、置換されていてもよいアリールまたはヘテロアリール基によって置換されているイリジウム錯体を開示している（ＷＯ  ２００４／０２６８８６  Ａ２）。それによって、錯体の改善された溶解性が達成された。しかし、錯体の溶解性および効率および寿命に関しての改善のさらなるニーズも依然として存在する。
【０００４】
驚くべきことに、以下にさらに詳細に記載された特定の金属キレート錯体は、改善された溶解性を有し、さらに、特に効率および寿命に関して有機エレクトロルミネッセンスデバイスの改善をもたらすことが見出された。従って、本発明は、これらの金属錯体およびこれらの錯体を含む有機エレクトロルミネッセンスデバイスに関する。
【０００５】
本発明は、式（１）の化合物に関する。
【化１】
2013537519.tif 000003
【０００６】
（ここで、一般式（１）の化合物は、式（２）の部分Ｍ（Ｌ）nを含み、
【化２】
2013537519.tif 000004
【０００７】
ここで、Ｍは、窒素原子Ｎおよび炭素原子Ｃを介して任意の所望の二座配位子Ｌに結合しており、
ここで、Ａ、ＢおよびＤは、任意の所望の芳香族またはヘテロ芳香族環を表し、第１のＢ環（ｑ＝１）は、任意の所望の可能な様式でＡ環と縮合しており、複数のＢ環が出現する場合（ｑ＞１）、後続のＢ環は、任意の所望の可能な様式で直接Ａ環にまたはそれぞれの先行のＢ環に縮合しており、Ｂ環は、それらがｑ回出現する場合、互いに独立に、同一であるかまたは異なっていてもよく、
式中、使用された記号および添え字には以下が適用される：
Ｍは、イリジウム、ロジウム、白金およびパラジウムからなる群から選択される金属であり；
Ｌ’は、出現する毎に同一であるかまたは異なり、任意の所望の共配位子であり；
Ｗは、式（３）に等しく、
【化３】
2013537519.tif 000005
【０００８】
ここで、Ｔは、出現する毎に同一であるかまたは異なり、−Ｃ（Ｒ1）2、−Ｓｉ（Ｒ1）2、Ｎ、−ＮＲ1、−Ｏ、−Ｓ、−Ｃ（＝Ｏ）、−Ｓ（＝Ｏ）、−ＳＯ2、−ＣＦ2、−ＳＦ4、−Ｐ、−Ｐ（＝Ｏ）Ｒ1、−ＰＦ2、−Ｐ（＝Ｓ）Ｒ1、−Ａｓ、−Ａｓ（＝Ｏ）、−Ａｓ（＝Ｓ）、−Ｓｂ、−Ｇｅ、−Ｓｉ、−Ｓｂ（＝Ｏ）、−Ｃ（Ｒ1）2−Ｃ（Ｒ1）2−、および−Ｓｂ（＝Ｓ）からなる群から選択され；
Ｘは、出現する毎に同一であるかまたは異なり、ＣＲ1またはＮであり；
ｑは、１以上の整数であり、
ｐは、０または１であり、ここで、ｐ＝０については、式（３）における中央の環は５員環を形成し；
ｎは、イリジウムまたはロジウムに等しいＭについては１、２または３であり、白金またはパラジウムに等しいＭについては１または２であり；
ｍは、０、１、２、３または４であり；
Ｑは、出現する毎に同一であるかまたは異なり、Ｒ1Ｃ＝ＣＲ1、Ｒ1Ｃ＝Ｎ、Ｏ、Ｓ、ＳｅまたはＮＲ1であり；
Ｒ1は、出現する毎に同一であるかまたは異なり、Ｈ、Ｄ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、Ｎ（Ｒ2）2、ＣＮ、ＮＯ2、Ｓｉ（Ｒ2）3、Ｂ（ＯＲ2）2、Ｃ（＝Ｏ）Ｒ2、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ2）2、Ｓ（＝Ｏ）Ｒ2、Ｓ（＝Ｏ）2Ｒ2、ＯＳＯ2Ｒ2、１〜４０個のＣ原子を有する直鎖アルキル、アルコキシまたはチオアルコキシ基または２〜４０個のＣ原子を有する直鎖アルケニルまたはアルキニル基または３〜４０個のＣ原子を有する分枝または環状アルキル、アルケニル、アルキニル、アルコキシまたはチオアルコキシ基（これらのそれぞれは、１個以上のラジカルＲ2で置換されていてもよく、ここで、１個以上の隣接しないＣＨ2基は、Ｒ2Ｃ＝ＣＲ2、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ2）2、Ｇｅ（Ｒ2）2、Ｓｎ（Ｒ2）2、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ2、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ2）、ＳＯ、ＳＯ2、ＮＲ2、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ2によって置きかえられていてもよく、１個以上のＨ原子は、Ｄ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮまたはＮＯ2によって置きかえられていてもよい）、または５〜６０個の芳香族環原子を有する芳香族またはヘテロ芳香族環系（これは、それぞれの場合において、１個以上のラジカルＲ2で置換されていてもよい）、または５〜６０個の芳香族環原子を有するアリールオキシまたはヘテロアリールオキシ基（これは、１個以上のラジカルＲ2で置換されていてもよい）、または１０〜４０個の芳香族環原子を有するジアリールアミノ基、ジヘテロアリールアミノ基またはアリールヘテロアリールアミノ基（これは、１個以上のラジカルＲ2で置換されていてもよい）、またはこれらの基の２種以上の組合せであり；２個以上のラジカルＲ1は、互いに単環式または多環式、脂肪族、芳香族および／または、ベンゾ縮合環系を形成してもよく；
Ｒ2は、出現する毎に同一であるかまたは異なり、Ｈ、Ｄ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、Ｎ（Ｒ3）2、ＣＮ、ＮＯ2、Ｓｉ（Ｒ3）3、Ｂ（ＯＲ3）2、Ｃ（＝Ｏ）Ｒ3、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ3）2、Ｓ（＝Ｏ）Ｒ3、Ｓ（＝Ｏ）2Ｒ3、ＯＳＯ2Ｒ3、１〜４０個のＣ原子を有する直鎖アルキル、アルコキシまたはチオアルコキシ基または２〜４０個のＣ原子を有する直鎖アルケニルまたはアルキニル基または３〜４０個のＣ原子を有する分枝または環状アルキル、アルケニル、アルキニル、アルコキシまたはチオアルコキシ基（これらのそれぞれは、１個以上のラジカルＲ3で置換されていてもよく、ここで、１個以上の隣接しないＣＨ2基は、Ｒ3Ｃ＝ＣＲ3、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ3）2、Ｇｅ（Ｒ3）2、Ｓｎ（Ｒ3）2、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ3、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ3）、ＳＯ、ＳＯ2、ＮＲ3、Ｏ、ＳまたはＣＯＮＲ3によって置きかえられていてもよく、１個以上のＨ原子は、Ｄ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮまたはＮＯ2によって置きかえられていてもよい）、または５〜６０個の芳香族環原子を有する芳香族またはヘテロ芳香族環系（これは、それぞれの場合において、１個以上のラジカルＲ3で置換されていてもよい）、または５〜６０個の芳香族環原子を有するアリールオキシまたはヘテロアリールオキシ基（これは、１個以上のラジカルＲ3で置換されていてもよい）、または１０〜４０個の芳香族環原子を有するジアリールアミノ基、ジヘテロアリールアミノ基またはアリールヘテロアリールアミノ基（これは、１個以上のラジカルＲ3で置換されていてもよい）、またはこれらの基の２種以上の組合せであり；２個以上の隣接したラジカルＲ2は、互いに単環式または多環式、脂肪族または芳香族環系を形成してもよく；
Ｒ3は、出現する毎に同一であるかまたは異なり、Ｈ、Ｄ、Ｆまたは１〜２０個のＣ原子を有する脂肪族、芳香族および／またはヘテロ芳香族炭化水素ラジカル（ここで、さらに、１個以上のＨ原子は、Ｆで置きかえられていてもよい）であり；２個以上の置換基Ｒ3は、互いに、単環式または多環式、脂肪族または芳香族環系を形成してもよく；
添え字ｎおよびｍは、金属の配位数が、イリジウムまたはロジウムに等しいＭについては６に一致し、白金またはパラジウムに等しいＭについては４に一致するように選択され；
複数個の配位子Ｌは、互いに結合し、またはＬは、任意の所望の架橋Ｚを介してＬ’に結合し、三座、四座、五座または六座配位子系を形成してもよい）。
【０００９】
本発明のさらなる一態様において、ラジカルＷは、式（３ａ）から（３ｄ）までの次のラジカルから選択される
【化４】
2013537519.tif 000006
【００１０】
（ここで、式（３ｄ）の化合物は、ラジカルＷの特に好ましい態様を表す）。
【００１１】
本発明の好ましい一態様において、Ｍ（Ｌ）nは、式（４）〜（９）を有するラジカルの群から選択される
【化５】
2013537519.tif 000007
【００１２】
（式中、使用された記号および添え字には以下が適用される：
Ｑは、出現する毎に同一であるかまたは異なり、Ｒ1Ｃ＝ＣＲ1、Ｒ1Ｃ＝Ｎ、Ｏ、Ｓ、ＳｅまたはＮＲ1である）。
【００１３】
本発明の一つのさらに好ましい態様において、一般式１の化合物は、式（１０）の部分Ｍ（Ｌ）nを含む。
【化６】
2013537519.tif 000008
【００１４】
本発明の一つの特に好ましい態様において、一般式（１）の化合物は、式（１１）〜（１６）の部分Ｍ（Ｌ）nを含む。
【化７】
2013537519.tif 000009
【００１５】
本発明の一つのさらに特に好ましい態様において、一般式（１）の化合物は、式（１７）〜（２２）の部分Ｍ（Ｌ）nを含む。
【化８】
2013537519.tif 000010
【００１６】
本発明の一つの一層さらに特に好ましい態様において、一般式（１）の化合物は、式（２３）〜（２８）の部分Ｍ（Ｌ）nを含む
【化９】
2013537519.tif 000011
【００１７】
（ここで、ラジカルＷは、Ｘを介して環に結合してもよく、ラジカルＲ1を置換してもよい）。特に、式（１）、Ｍ（Ｌ）n（Ｌ’）mのヘテロレプティック（heteroleptic）錯体の場合、ラジカルＷは、環の任意の可能な位置に出現してもよい。
【００１８】
本発明の非常に特に好ましい態様は、式（２９）〜（２４）を有する、ｍ＝０である一般式（１）のホモレプティック化合物である。
【化１０】
2013537519.tif 000012
【００１９】
即ち、式（２３）〜（３４）のホモレプティック錯体の場合、置換基は、好ましくは、金属Ｍに対する同じ環の結合部位に対してパラ位に位置する。
【００２０】
本発明の一つの非常に特に好ましい態様において、一般式（１）の化合物は、式（３５）〜（３７）の部分Ｍ（Ｌ）nを含む
【化１１】
2013537519.tif 000013
【００２１】
（ここで、同様に、式（３５）〜（３７）の化合物について、ホモレプティック錯体（即ちｍ＝０）の場合、ラジカルＷは、環の任意の位置に出現してもよく、一方、ヘテロレプティック錯体（即ちｍ＞０およびｎ＞０）の場合、ラジカルＷは、好ましくは、金属に対する同じ環の結合部位に対してパラ位に出現する）。
【００２２】
本発明の一つのさらに特に好ましい態様において、一般式（１）の化合物は、Ｑ＝Ｓであることを特徴とする式（１７）〜（２２）の部分Ｍ（Ｌ）nを含む。
【００２３】
本発明の一つのさらに特に好ましい態様において、一般式（１）の化合物は、式（３８）〜（４３）の部分Ｍ（Ｌ）nを含む
【化１２】
2013537519.tif 000014
【００２４】
（ここで、一般式（１）の部分Ｍ（Ｌ）nについて、特に好ましいのは、式（４４）〜（４６）の化合物である）。
【化１３】
2013537519.tif 000015
【００２５】
本発明の一つの好ましい態様において、ｐ＝０である。本発明の一つのさらに好ましい態様において、Ｐ＝１であり、Ｔは、基Ｃ（Ｒ1）2、Ｏ、ＳおよびＮＲ1、Ｓｉ、ＧｅおよびＣ（Ｒ1）2−Ｃ（Ｒ1）2から選択される。
【００２６】
本発明の一つのさらに好ましい態様において、ラジカルＷは、式（４７）〜（５５）のラジカルの群から選択される。
【化１４】
2013537519.tif 000016
【００２７】
本発明の一つのさらに非常に特に好ましい態様において、ラジカルＷは、式（４７）〜（５１）のラジカルから選択される。
【００２８】
本発明の一つの特別に好ましい態様において、ラジカルＷは、式（４７）のラジカルに等しい。
【００２９】
本発明の意味において特別に好ましい式（１）の化合物は、式（５６）〜（７０）の化合物を含む部分Ｍ（Ｌ）nを含有する。
【化１５】
2013537519.tif 000017
【化１６】
2013537519.tif 000018
【化１７】
2013537519.tif 000019
【００３０】
式（５６）〜（５８）の化合物は、本明細書で、本発明の非常に特に好ましい態様を表している。
【００３１】
本発明のさらに非常に特に好ましい態様は、式（７１）〜（８５）を有する化合物の群から選択される式（１）のホモレプティック化合物（即ちＭ＝０）である。
【化１８】
2013537519.tif 000020
【化１９】
2013537519.tif 000021
【化２０】
2013537519.tif 000022
【００３２】
式（７１）〜（７３）の化合物は、本明細書で、本発明の非常に特に好ましい態様を表している。
【００３３】
一つの特に好ましい態様において、Ｒ1は、出現する毎に同一であるかまたは異なり、Ｈ、Ｄ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、Ｎ（Ｒ2）2、ＣＮ、ＮＯ2、１〜４０個のＣ原子を有する直鎖アルキルまたはアルコキシ基または２〜４０個のＣ原子を有する直鎖アルケニルまたはアルキニル基または３〜４０個のＣ原子を有する分枝または環状アルキル、アルケニル、アルキニルまたはアルコキシ基（これらのそれぞれは、１個以上のラジカルＲ2で置換されていてもよい）または５〜６０個の芳香族環原子を有する芳香族またはヘテロ芳香族環系（これは、それぞれの場合において、１個以上のラジカルＲ2で置換されていてもよい）、または５〜６０個の芳香族環原子を有するアリールオキシまたはヘテロアリールオキシ基（これは、１個以上のラジカルＲ2で置換されていてもよい）、または１０〜４０個の芳香族環原子を有するジアリールアミノ基、ジヘテロアリールアミノ基またはアリールヘテロアリールアミノ基（これは、１個以上のラジカルＲ2で置換されていてもよい）、またはこれらの基の２種以上の組合せであり；２個以上のラジカルＲ1は、互いに単環式または多環式、脂肪族、芳香族および／またはベンゾ縮合環系を形成してもよい。
【００３４】
本発明の一つのさらに非常に特に好ましい態様において、ラジカルＲ1は、出現する毎に同一であるかまたは異なり、Ｈ、１〜４０個のＣ原子を有する直鎖アルキルまたはアルコキシ基または２〜４０個のＣ原子を有する直鎖アルケニルまたはアルキニル基または３〜４０個のＣ原子を有する分枝もしくは環状アルキル、アルケニル、アルキニルまたはアルコキシ基、−ＮＨ2、−ＳＲ3、−ＯＲ3または式（８６）〜（２２４）のラジカル（ここで、示された式は、それら自体、１個以上のラジカルＲ3で置換されていてもよい）（これらは、出現する毎に同一であるかまたは異なっていてもよい）である。
【化２１】
2013537519.tif 000023
【化２２】
2013537519.tif 000024
【化２３】
2013537519.tif 000025
【化２４】
2013537519.tif 000026
【化２５】
2013537519.tif 000027
【化２６】
2013537519.tif 000028
【化２７】
2013537519.tif 000029
【化２８】
2013537519.tif 000030
【化２９】
2013537519.tif 000031
【００３５】
ここで、線は、配位子へのラジカルＲ1の結合部位を示す。
【００３６】
本発明の一つの特別に好ましい態様において、ラジカルＲ1は、出現する毎に同一であるかまたは異なり、Ｈ、ＮＨ2または式（８６）、（９０）、（９１）、（９２）、（９３）、（９４）、（９７）、（１０２）、（１０６）、（１１２）、（１１７）、（１１９）、（１４４）、（１４５）、（１４７）、（１５８）、（１５９）、（１６０）、（１６１）、（１６２）、（１６３）、（１６４）、（１６５）、（１６７）、（１７２）、（１７６）、（１７９）、（１８１）、（１８８）、（１９１）、（１９２）、（１９４）、（１９６）、（１９９）、（２０２）、（２０７）、（２２３）および（２２４）のラジカル（ここで、示された式は、それら自体、１個以上のラジカルＲ3（これらは、出現する毎に同一であるかまたは異なっていてもよい）で置換されていてもよい）である。
【００３７】
本発明の一つのさらに特別に好ましい態様において、ラジカルＲ1は、出現する毎に同一であるかまたは異なり、Ｈ、−ＣＨ3または式（９２）のラジカル（ここで、示された式（９２）は、それ自体、１個以上のラジカルＲ3（これは、出現する毎に同一であるかまたは異なっていてもよい）で置換されていてもよい）である。
【００３８】
本発明の意味におけるアリール基は、６〜４０個のＣ原子を含み；本発明の意味におけるヘテロアリール基は、２〜４０個のＣ原子および少なくとも１個のヘテロ原子を含み、但し、Ｃ原子およびヘテロ原子の合計が少なくとも５であることを条件とする。ヘテロ原子は、好ましくはＮ、Ｏおよび／またはＳから選択される。アリール基またはヘテロアリール基は、本明細書で、単純な芳香族環、即ちベンゼン、または単純なヘテロ芳香族環、例えばピリジン、ピリミジン、チオフェンなど、または縮合アリールまたはヘテロアリール基、例えばナフタレン、アントラセン、フェナントレン、キノリン、イソキノリンなどのいずれかを意味すると解釈される。
【００３９】
本発明の意味における芳香族環系は、環系に６〜６０個のＣ原子を含む。本発明の意味におけるヘテロ芳香族環系は、環系に２〜６０個のＣ原子および少なくとも１個のヘテロ原子を含み、但し、Ｃ原子およびヘテロ原子の合計が少なくとも５であることを条件とする。ヘテロ原子は、好ましくはＮ、Ｏおよび／またはＳから選択される。本発明の目的のために、芳香族またはヘテロ芳香族環系は、必ずしもアリールまたはヘテロアリール基だけを含まず、代わりにその中で、さらに、複数のアリールまたはヘテロアリール基が、非芳香族単位（好ましくは１０％未満のＨ以外の原子）、例えば、ｓｐ3混成Ｃ、ＮまたはＯ原子またはカルボニル基などによって中断されていてもよい系を意味すると解釈されるよう意図されている。従って、例えば、９，９’−スピロビフルオレン、９，９−ジアリールフルオレン、トリアリールアミン、ジアリールエーテル、スチルベンなどの系は、同様に、本発明の目的のための芳香族環系を意味すると解釈されるよう意図されており、２個以上のアリール基が、例えば、直鎖または環状アルキル基またはシリル基によって中断されている系も同様である。
【００４０】
本発明の意味における環状アルキル、アルコキシまたはチオアルコキシ基は、単環、二環または多環基を意味すると解釈される。
【００４１】
本発明の目的のために、Ｃ1〜Ｃ40アルキル基（この中で、さらに、個々のＨ原子またはＣＨ2基が、上記の基で置換されていてもよい）は、例えば、ラジカルのメチル、エチル、ｎ−プロピル、ｉ−プロピル、ｎ−ブチル、ｉ−ブチル、ｓ−ブチル、ｔ−ブチル、２−メチルブチル、ｎ−ペンチル、ｓ−ペンチル、ｔｅｒｔ−ペンチル、２−ペンチル、シクロペンチル、ｎ−ヘキシル、ｓ−ヘキシル、ｔｅｒｔ−ヘキシル、２−ヘキシル、３−ヘキシル、シクロヘキシル、２−メチルペンチル、ｎ−ヘプチル、２−ヘプチル、３−ヘプチル、４−ヘプチル、シクロヘプチル、１−メチルシクロヘキシル、ｎ−オクチル、２−エチルヘキシル、シクロオクチル、１−ビシクロ［２．２．２］オクチル、２−ビシクロ［２．２．２］オクチル、２−（２，６−ジメチル）オクチル、３−（３，７−ジメチル）オクチル、トリフルオロメチル、ペンタフルオロエチルまたは２，２，２−トリフルオロエチルを意味すると解釈される。アルケニル基は、例えば、エテニル、プロペニル、ブテニル、ペンテニル、シクロペンテニル、ヘキセニル、シクロヘキセニル、ヘプテニル、シクロヘプテニル、オクテニル、シクロオクテニルまたはシクロオクタジエニルを意味すると解釈される。アルキニル基は、例えば、エチニル、プロピニル、ブチニル、ペンチニル、ヘキシニル、ヘプチニルまたはオクチニルを意味すると解釈される。Ｃ1〜Ｃ40アルコキシ基は、例えば、メトキシ、トリフルオロメトキシ、エトキシ、ｎ−プロポキシ、ｉ−プロポキシ、ｎ−ブトキシ、ｉ−ブトキシ、ｓ−ブトキシ、ｔ−ブトキシまたは２−メチルブトキシを意味すると解釈される。５〜６０個の芳香族環原子を有する芳香族またはヘテロ芳香族環系（これは、それぞれの場合において、上述されたラジカルＲで置換されていてもよく、任意の所望の位置を介して芳香族またはヘテロ芳香族環系に結合していてもよい）は、例えば、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、ベンズアントラセン、フェナントレン、ベンゾフェナントレン、ピレン、クリセン、ペリレン、フルオランテン、ベンゾフルオランテン、ナフタセン、ペンタセン、ベンゾピレン、ビフェニル、ビフェニレン、テルフェニル、テルフェニレン、フルオレン、スピロビフルオレン、ジヒドロフェナントレン、ジヒドロピレン、テトラヒドロピレン、シス−またはトランス−インデノフルオレン、シス−またはトランス−モノベンゾインデノフルオレン、シス−またはトランス−ジベンゾインデノフルオレン、トルクセン、イソトルクセン、スピロトルクセン、スピロイソトルクセン、フラン、ベンゾフラン、イソベンゾフラン、ジベンゾフラン、チオフェン、ベンゾチオフェン、イソベンゾチオフェン、ジベンゾチオフェン、ピロール、インドール、イソインドール、カルバゾール、ピリジン、キノリン、イソキノリン、アクリジン、フェナントリジン、ベンゾ−５，６−キノリン、ベンゾ−６，７−キノリン、ベンゾ−７，８−キノリン、フェノチアジン、フェノキサジン、ピラゾール、インダゾール、イミダゾール、ベンズイミダゾール、ナフチミダゾール、フェナントリミダゾール、ピリジミダゾール、ピラジンイミダゾール、キノキサリンイミダゾール、オキサゾール、ベンズオキサゾール��ナフトオキサゾール、アントロオキサゾール、フェナントロオキサゾール、イソオキサゾール、１，２−チアゾール、１，３−チアゾール、ベンゾチアゾール、ピリダジン、ベンゾピリダジン、ピリミジン、ベンゾピリミジン、キノキサリン、１，５−ジアザアントラセン、２，７−ジアザピレン、２，３−ジアザピレン、１，６−ジアザピレン、１，８−ジアザピレン、４，５−ジアザピレン、４，５，９，１０−テトラアザペリレン、ピラジン、フェナジン、フェノキサジン、フェノチアジン、フルオルビン、ナフチリジン、アザカルバゾール、ベンゾカルボリン、フェナントロリン、１，２，３−トリアゾール、１，２，４−トリアゾール、ベンゾトリアゾール、１，２，３−オキサジアゾール、１，２，４−オキサジアゾール、１，２，５−オキサジアゾール、１，３，４−オキサジアゾール、１，２，３−チアジアゾール、１，２，４−チアジアゾール、１，２，５−チアジアゾール、１，３，４−チアジアゾール、１，３，５−トリアジン、１，２，４−トリアジン、１，２，３−トリアジン、テトラゾール、１，２，４，５−テトラジン、１，２，３，４−テトラジン、１，２，３，５−テトラジン、プリン、プテリジン、インドリジンおよびベンゾチアジアゾールから誘導される基を意味すると解釈される。
【００４２】
式（１）の化合物は、帯電していても帯電してなくてもよい。好ましい一態様において、式（１）の化合物は、電気的に中性である。これは簡単な方法で達成され、その方法は配位子ＬおよびＬ’の電荷が、錯体金属原子Ｍの電荷を相殺するように選択されることにある。
【００４３】
さらに、金属原子の周りの価電子の合計が、白金およびパラジウムでは１６であり、イリジウムおよびロジウムでは１８であることを特徴とする式（１）の化合物が好ましい。この選択は、これらの金属錯体の特定の安定性による。
【００４４】
本発明の好ましい一態様において、Ｍは、イリジウムまたは白金を表す。Ｍは、特に好ましくはイリジウムを表す。
【００４５】
Ｍが白金またはパラジウムを表す場合、添え字ｎは１または２を表す。添え字ｎ＝１である場合、１個の二座または２個の単座配位子Ｌ’、好ましくは１個の二座配位子Ｌ’も金属Ｍに配位している。相応じて、１個の二座配位子Ｌ’については添え字ｍ＝１であり、２個の単座配位子Ｌ’については添え字ｍ＝２である。添え字ｎ＝２である場合、添え字ｍ＝０である。
【００４６】
Ｍがイリジウムまたはロジウムを表す場合、添え字ｎは、１、２または３、好ましくは２または３、特に好ましくは３を表す。添え字ｎ＝１である場合、４個の単座または２個の二座または１個の二座および２個の単座または１個の三座および１個の単座または１個の四座配位子Ｌ’、好ましくは２個の二座配位子Ｌ’も金属に配位している。相応じて、添え字ｍは、配位子Ｌ’に応じて、１、２、３または４に等しい。添え字ｎ＝２である場合、１個の二座または２個の単座配位子Ｌ’、好ましくは１個の二座配位子Ｌ’も金属に配位している。相応じて、添え字ｍは、配位子Ｌ’に応じて、１または２に等しい。添え字ｎ＝３である場合、添え字ｍ＝０である。
【００４７】
本発明の好ましい一態様において、記号Ｘは、出現する毎に同一であるかまたは異なり、ＣＲ1を表す。
【００４８】
本発明の一つのさらに好ましい態様において、全ての記号Ｘは、出現する毎に同一であるかまたは異なり、ＣＲ1を表すか、または全ての記号ＸはＮを表すかのいずれかである。
【００４９】
本発明の一つのさらに好ましい態様において、記号Ｑは、出現する毎に同一であるかまたは異なり、Ｒ1Ｃ＝ＣＲ1、Ｒ1Ｃ＝Ｎ、ＯまたはＮＲ1、特に好ましくはＲ1Ｃ＝ＣＲ1およびＲ1Ｃ＝Ｎ、特に好ましくはＲ1Ｃ＝ＣＲ1を表す。
【００５０】
上述の選択が同時に適用されることが特に好ましい。
【００５１】
本発明の一つの特に好ましい態様において、使用された記号には以下が適用される：
Ｍは、イリジウムまたは白金、特に好ましくはイリジウムであり；
Ｘは、出現する毎に、Ｍに直接結合していない全ての位置についてＣＲ1であり；
Ｑは、出現する毎に同一であるかまたは異なり、Ｒ1Ｃ＝ＣＲ1またはＲ1Ｃ＝Ｎ、特に好ましくはＲ1Ｃ＝ＣＲ1であり；
式中、使用された記号および添え字は、上述された意味、特に上述された好ましい意味を有する。
【００５２】
配位子Ｌを１個以上のさらなる配位子ＬまたはＬ’に結び付ける架橋単位Ｚは、ラジカルＲ1の一つに存在してもよい。本発明の好ましい一態様において、架橋単位Ｚは、ラジカルＲ1の一つの代わりに存在し、配位子が三座または多座または多脚（polypodal）の特徴を有することを意味している。このタイプの２個の架橋単位Ｚが存在してもよい。これは、大環状配位子の形成またはクリプテートの形成をもたらす。
【００５３】
多座配位子を有する好ましい構造は、以下の式（２２５）〜（２３６）の金属錯体である。
【化３０】
2013537519.tif 000032
【化３１】
2013537519.tif 000033
【００５４】
（式中、使用された記号は、上述された意味を有し、Ｚは、好ましくは、部分配位子Ｌを互いにまたはＬをＬ’に共有結合させる第３、第４、第５および／または第６主族（ＩＵＰＡＣグループ１３、１４、１５または１６）からの１〜８０個の原子を含む架橋単位または３〜６員単素環または複素環を表す）。架橋単位Ｚは、本明細書で、非対称構造を有してもよく、即ち、ＺのＬまたはＬ’への結合は、同一でなくてもよい。
【００５５】
架橋単位Ｚは、中性であってもよく、一重、二重もしくは三重に負に帯電し、または一重、二重もしくは三重に正に帯電していてもよい。Ｚは、好ましくは、中性であり、または一重に負に帯電または一重に正に帯電している。Ｚの電荷は、本明細書で、好ましくは、全体として中性な錯体が生ずるように選択される。
【００５６】
Ｚが、三価の基であり、即ち、３個の配位子Ｌを互いにまたは２個の配位子ＬをＬ’にまたは１個の配位子Ｌを２個の配位子Ｌ’に橋架けする場合、Ｚは、好ましくは、出現する毎に同一であるかまたは異なり、Ｂ、Ｂ（Ｒ2）-、Ｂ（Ｃ（Ｒ2）2）3、（Ｒ2）Ｂ（Ｃ（Ｒ2）2）3-、Ｂ（Ｏ）3、（Ｒ2）Ｂ（Ｏ）3-、Ｂ（Ｃ（Ｒ2）2Ｃ（Ｒ2）2）3、（Ｒ2）Ｂ（Ｃ（Ｒ2）2Ｃ（Ｒ2）2）3-、Ｂ（Ｃ（Ｒ2）2Ｏ）3、（Ｒ2）Ｂ（Ｃ（Ｒ2）2Ｏ）3-、Ｂ（ＯＣ（Ｒ2）2）3、（Ｒ2）Ｂ（ＯＣ（Ｒ2）2）3-、Ｃ（Ｒ2）、ＣＯ-、ＣＮ（Ｒ2）2、（Ｒ2）Ｃ（Ｃ（Ｒ2）2）3、（Ｒ2）Ｃ（Ｏ）3、（Ｒ2）Ｃ（Ｃ（Ｒ2）2Ｃ（Ｒ2）2）3、（Ｒ2）Ｃ（Ｃ（Ｒ2）2Ｏ）3、（Ｒ2）Ｃ（ＯＣ（Ｒ2）2）3、（Ｒ2）Ｃ（Ｓｉ（Ｒ2）2）3、（Ｒ2）Ｃ（Ｓｉ（Ｒ2）2Ｃ（Ｒ2）2）3、（Ｒ2）Ｃ（Ｃ（Ｒ2）2Ｓｉ（Ｒ2）2）3、（Ｒ2）Ｃ（Ｓｉ（Ｒ2）2Ｓｉ（Ｒ2）2）3、Ｓｉ（Ｒ2）、（Ｒ2）Ｓｉ（Ｃ（Ｒ2）2）3、（Ｒ2）Ｓｉ（Ｏ）3、（Ｒ2）Ｓｉ（Ｃ（Ｒ2）2Ｃ（Ｒ2）2）3、（Ｒ2）Ｓｉ（ＯＣ（Ｒ2）2）3、（Ｒ2）Ｓｉ（Ｃ（Ｒ2）2Ｏ）3、（Ｒ2）Ｓｉ（Ｓｉ（Ｒ2）2）3、（Ｒ2）Ｓｉ（Ｓｉ（Ｒ2）2Ｃ（Ｒ2）2）3、（Ｒ2）Ｓｉ（Ｃ（Ｒ2）2Ｓｉ（Ｒ2）2）3、（Ｒ2）Ｓｉ（Ｓｉ（Ｒ2）2Ｓｉ（Ｒ2）2）3、Ｎ、ＮＯ、Ｎ（Ｒ2）+、Ｎ（Ｃ（Ｒ2）2）3、（Ｒ2）Ｎ（Ｃ（Ｒ2）2）3+、Ｎ（Ｃ＝Ｏ）3、Ｎ（Ｃ（Ｒ2）2Ｃ（Ｒ2）2）3、（Ｒ2）Ｎ（Ｃ（Ｒ2）2Ｃ（Ｒ2）2）+、Ｐ、Ｐ（Ｒ2）+、ＰＯ、ＰＳ、ＰＳｅ、ＰＴｅ、Ｐ（Ｏ）3、ＰＯ（Ｏ）3、Ｐ（ＯＣ（Ｒ2）2）3、ＰＯ（ＯＣ（Ｒ2）2）3、Ｐ（Ｃ（Ｒ2）2）3、Ｐ（Ｒ2）（Ｃ（Ｒ2）2）3+、ＰＯ（Ｃ（Ｒ2）2）3、Ｐ（Ｃ（Ｒ2）2Ｃ（Ｒ2）2）3、Ｐ（Ｒ2）（Ｃ（Ｒ2）2Ｃ（Ｒ2）2）3+、ＰＯ（Ｃ（Ｒ2）2Ｃ（Ｒ2）2）3、Ｓ+、Ｓ（Ｃ（Ｒ2）2）3+、Ｓ（Ｃ（Ｒ2）2Ｃ（Ｒ2）2）3+、または式（２３７）、（２３８）、（２３９）または（２４０）の単位からなる群から選択される
【化３２】
2013537519.tif 000034
【００５７】
（ここで、それぞれの場合における破線で示される結合は、部分配位子ＬまたはＬ’への結合を示し、Ａは、出現する毎に同一であるかまたは異なり、単結合、Ｏ、Ｓ、Ｓ（＝Ｏ）、Ｓ（＝Ｏ）2、ＮＲ2、ＰＲ2、Ｐ（＝Ｏ）Ｒ2、Ｐ（＝ＮＲ2）、Ｃ（Ｒ2）2、Ｃ（＝Ｏ）、Ｃ（＝ＮＲ2）、Ｃ（＝Ｃ（Ｒ2）2）、Ｓｉ（Ｒ2）2またはＢＲ2からなる群から選択される）。使用された他の記号は、上述された意味を有する。
【００５８】
Ｚが、二価の基であり、即ち、２個の配位子Ｌを互いにまたは１個の配位子ＬをＬ’に橋架けする場合、Ｚは、好ましくは、出現する毎に同一であるかまたは異なり、ＢＲ2、Ｂ（Ｒ2）2-、Ｃ（Ｒ2）2、Ｃ（＝Ｏ）、Ｓｉ（Ｒ2）2、ＮＲ2、ＰＲ2、Ｐ（Ｒ2）2+、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ2）、Ｐ（＝Ｓ）（Ｒ2）、ＡｓＲ2、Ａｓ（＝Ｏ）（Ｒ2）、Ａｓ（＝Ｓ）（Ｒ2）、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、または式（２４１）〜（２４９）の単位からなる群から選択される
【化３３】
2013537519.tif 000035
【００５９】
（ここで、それぞれの場合における破線で示される結合は、部分配位子ＬまたはＬ’への結合を示し、それぞれの場合における使用されたさらなる記号は、上述された意味を有する）。
【００６０】
式（１）に出現する好ましい配位子Ｌ’は、下記に記載されている。相応じて、配位子基Ｌ’は、それらが架橋単位Ｚを介してＬに結合している場合、選択することもできる。
【００６１】
配位子Ｌ’は、好ましくは、中性、一価陰イオン性、二価陰イオン性または三価陰イオン性配位子、特に好ましくは、中性または一価陰イオン性配位子である。それらは、単座、二座、三座または四座であってもよく、好ましくは二座であり、即ち、好ましくは、２個の配位部位を有する。上記のとおり、配位子Ｌ’は、架橋基Ｚを介してＬに結合していてもよい。
【００６２】
好ましい中性、単座配位子Ｌ’は、一酸化炭素、一酸化窒素、シアン化アルキル、例えば、アセトニトリルなど、シアン化アリール、例えば、ベンゾニトリルなど、アルキルイソシアニド、例えば、メチルイソニトリルなど、アリールイソシアニド、例えば、ベンゾイソニトリルなど、アミン、例えば、トリメチルアミン、トリエチルアミン、モルホリンなど、ホスフィン、特にハロホスフィン、トリアルキルホスフィン、トリアリールホスフィンまたはアルキルアリールホスフィン、例えば、トリフルオロホスフィン、トリメチルホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン、トリフェニルホスフィン、トリス（ペンタフルオロフェニル）ホスフィンなど、亜リン酸塩、例えば、亜リン酸トリメチル、亜リン酸トリエチルなど、アルシン、例えば、トリフルオロアルシン、トリメチルアルシン、トリシクロヘキシルアルシン、トリ−ｔｅｒｔ−ブチルアルシン、トリフェニルアルシン、トリス（ペンタフルオロフェニル）アルシンなど、スチビン、例えば、トリフルオロスチビン、トリメチルスチビン、トリシクロヘキシルスチビン、トリ−ｔｅｒｔ−ブチルスチビン、トリフェニルスチビン、トリス（ペンタフルオロフェニル）スチビンなど、窒素含有複素環、例えば、ピリジン、ピリダジン、ピラジン、ピリミジン、トリアジンなど、およびカルベン、特にＡｒｄｕｅｎｇｏカルベンから選択される。
【００６３】
好ましい一価陰イオン性、単座配位子Ｌ’は、水素化物、重水素化物、ハロゲン化物Ｆ-、Ｃｌ-、Ｂｒ-およびＩ-など、アルキルアセチリド、例えば、メチル−Ｃ≡Ｃ-、ｔｅｒｔ−ブチル−Ｃ≡Ｃ-など、アリールアセチリド、例えば、フェニル−Ｃ≡Ｃ-など、シアン化物、シアン酸塩、イソシアネート、チオシアネート、イソチオシアネート、脂肪族または芳香族アルコレート、例えば、メタノレート、エタノレート、プロパノレート、イソプロパノレート、ｔｅｒｔ−ブチレート、フェノレートなど、脂肪族または芳香族チオアルコレート、例えば、メタンチオレート、エタンチオレート、プロパンチオレート、イソプロパンチオレート、ｔｅｒｔ−ブタンチオレート、チオフェノレートなど、アミド、例えば、ジメチルアミド、ジエチルアミド、ジイソプロピルアミド、モルホリド、カルボキシレート、例えば、アセテート、トリフルオロアセテート、プロピオネート、ベンゾエートなど、アリール基、例えば、フェニル、ナフチル、および陰イオン性、窒素含有複素環、例えば、ピロリド、イミダゾリド、ピラゾリドなどから選択される。これらの基におけるアルキル基は、好ましくは、Ｃ1−Ｃ20アルキル基、特に好ましくは、Ｃ1−Ｃ10アルキル基、非常に特に好ましくは、Ｃ1−Ｃ4アルキル基である。アリール基も、ヘテロアリール基を意味すると解釈される。これらの基は、上に定義されたとおりである。
【００６４】
好ましい二価または三価陰イオン性配位子は、Ｏ2-、Ｓ2-、炭化物（これらは、Ｒ−Ｃ≡Ｍの形態の配位をもたらす）、およびナイトレン（これらは、Ｒ−Ｎ＝Ｍの形態の配位をもたらす）（ここで、Ｒは、一般的に置換基、またはＮ3-を表す）である。
【００６５】
好ましい中性または一価または二価陰イオン性、二座または多座配位子Ｌ’は、ジアミン、例えば、エチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルエチレンジアミン、プロピレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルプロピレンジアミン、シス−またはトランス−ジアミノシクロヘキサン、シス−またはトランス−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルジアミノシクロヘキサンなど、イミン、例えば、２−［１−（フェニルイミノ）エチル］ピリジン、２−［１−（２−メチルフェニルイミノ）エチル］ピリジン、２−［１−（２，６−ジイソプロピルフェニルイミノ）エチル］ピリジン、２−［１−（メチルイミノ）エチル］ピリジン、２−［１−（エチルイミノ）エチル］ピリジン、２−［１−（イソプロピルイミノ）エチル］ピリジン、２−［１−（ｔｅｒｔ−ブチルイミノ）エチル］ピリジンなど、ジイミン、例えば、１，２−ビス（メチルイミノ）エタン、１，２−ビス（エチルイミノ）エタン、１，２−ビス（イソプロピルイミノ）エタン、１，２−ビス（ｔｅｒｔ−ブチルイミノ）エタン、２，３−ビス（メチルイミノ）ブタン、２，３−ビス（エチルイミノ）ブタン、２，３−ビス（イソプロピルイミノ）ブタン、２，３−ビス（ｔｅｒｔ−ブチルイミノ）ブタン、１，２−ビス（フェニルイミノ）エタン、１，２−ビス（２−メチルフェニルイミノ）エタン、１，２−ビス（２，６−ジイソプロピルフェニルイミノ）エタン、１，２−ビス（２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルイミノ）エタン、２，３−ビス（フェニルイミノ）ブタン、２，３−ビス（２−メチルフェニルイミノ）ブタン、２，３−ビス（２，６−ジイソプロピルフェニルイミノ）ブタン、２，３−ビス（２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルイミノ）ブタンなど、２個の窒素原子を含む複素環、例えば、２，２’−ビピリジン、ｏ−フェナントロリンなど、ジホスフィン、例えば、ビスジフェニルホスフィノメタン、ビスジフェニルホスフィノエタン、ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン、ビス（ジフェニルホスフィノ）ブタン、ビス（ジメチルホスフィノ）メタン、ビス（ジメチルホスフィノ）エタン、ビス（ジメチルホスフィノ）プロパン、ビス（ジエチルホスフィノ）メタン、ビス（ジエチルホスフィノ）エタン、ビス（ジエチルホスフィノ）プロパン、ビス（ジ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィノ）メタン、ビス（ジ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィノ）エタン、ビス（ｔｅｒｔ−ブチルホスフィノ）プロパンなど、１，３−ジケトンから誘導される１，３−ジケトネート、例えば、アセチルアセトン、ベンゾイルアセトン、１，５−ジフェニルアセチルアセトン、ジベンゾイルメタン、ビス（１，１，１−トリフルオロアセチル）メタンなど、３−ケトエステルから誘導される３−ケトネート、例えば、エチルアセトアセテートなど、アミノカルボン酸から誘導されるカルボキシレート、例えば、ピリジン−２−カルボン酸、キノリン−２−カルボン酸、グリシン、Ｎ，Ｎ−ジメチルグリシン、アラニン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノアラニンなど、サリチルイミンから誘導されるサリチルイミネート、例えば、メチルサリチルイミン、エチルサリチルイミン、フェニルサリチルイミンなど、ジアルコールから誘導されるジアルコレート、例えば、エチレングリコール、１，３−プロピレングリコールなど、およびジチオールから誘導されるジチオレート、例えば、１，２−エチレンジチオール、１，３−プロピレンジチオールなどから選択される。
【００６６】
好ましい三座配位子は、窒素含有複素環のホウ酸塩、例えば、テトラキス（１−イミダゾリル）ボレートおよびテトラキス（１−ピラゾリル）ボレートなどである。
【００６７】
さらに、特に好ましいのは、少なくとも１個の金属−炭素結合を有するシクロメタル化５員または６員環、特にシクロメタル化５員環を、金属と形成する二座、一価陰イオン性配位子Ｌ’である。これらは、特に、有機エレクトロルミネッセンスデバイス用のリン光金属錯体の分野において一般的に使用される配位子、即ち、フェニルピリジン、ナフチルピリジン、フェニルキノリン、フェニルイソキノリンなどのタイプ（これらのそれぞれは、１種以上のラジカルＲ1からＲ7で置換されていてもよい）の配位子である。非常に多数のこのタイプの配位子が、リン光エレクトロルミネッセンスデバイスの分野における当業者に知られており、当業者は、式（１）の化合物用の配位子Ｌ’として、進歩性のない状態で、このタイプのさらなる配位子を選択することができよう。一般に、以下の式（２５０）〜（２７７）で表された２種の基の組合せは、この目的に特に好適であり、ここで、一つの基は、中性窒素原子またはカルベン原子を介して結合しており、他の基は、負に帯電した炭素原子または負に帯電した窒素原子を介して結合している。配位子Ｌ’は、それぞれの場合において＃で示された位置で互いに結合するこれらの基によって式（２５０）〜（２７７）の基から形成することができる。基が金属に配位する位置は＊で示されている。これらの基は、１個以上の架橋単位Ｚを介して配位子Ｌに結合してもよい。
【化３４】
2013537519.tif 000036
【化３５】
2013537519.tif 000037
【００６８】
式中、使用された記号は、上述されたものと同じ意味を有し、好ましくはそれぞれの基において最大３個の記号ＸがＮを表し、特に好ましくはそれぞれの基において最大２個の記号ＸがＮを表し、非常に特に好ましくはそれぞれの基において最大１個の記号ＸがＮを表す。特別に好ましくは、全ての記号Ｘが、出現する毎に同一であるかまたは異なり、ＣＲ1を表す。
【００６９】
本発明の一つの特に好ましい態様において、式（２５０）〜（２７７）の配位子Ｌ’の２個のフラグメントが、フラグメントの少なくとも一つが、位置＊においてヘテロ原子を含むように位置＃を介して互いに結合している。
【００７０】
本発明の一つの非常に特に好ましい態様において、配位子Ｌ’は、式（２５０）〜（２７７）のリストからのヘテロ原子を含まない厳密に１個のフラグメントおよび式（２５０）〜（２７７）を有するフラグメントのリストからのヘテロ原子、好ましくは窒素原子を含む厳密に１個のフラグメントからなる。
【００７１】
同様に好ましい配位子Ｌ’は、η5−シクロペンタジエニル、η5−ペンタメチルシクロペンタジエニル、η6−ベンゼンおよびη7−シクロヘプタトリエニル（これらのそれぞれは、１個以上のラジカルＲ1で置換されていてもよい）である。
【００７２】
同様に好ましい配位子Ｌ’は、特に式（２７８）の１，３，５−シス−シクロヘキサン誘導体、特に式（２７９）の１，１，１−トリ（メチレン）メタン誘導体、ならびに、特に式（２８０）および（２８１）の１，１，１−三置換メタンである
【化３６】
2013537519.tif 000038
【００７３】
（ここで、式のそれぞれにおいて、金属Ｍへの配位が描かれており、Ｒ1は、上述された意味を有し、Ａは、出現する毎に同一であるかまたは異なり、Ｏ-、Ｓ-、ＣＯＯ-、Ｐ（Ｒ1）2またはＮ（Ｒ1）2を表す）。
【００７４】
上述された構造における好ましいラジカルＲ1は、出現する毎に同一であるかまたは異なり、Ｈ、Ｄ、Ｆ、Ｂｒ、Ｎ（Ｒ2）2、ＣＮ、Ｂ（ＯＲ2）2、Ｃ（＝Ｏ）Ｒ2、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ2）2、１〜１０個のＣ原子を有する直鎖アルキル基または２〜１０個のＣ原子を有する直鎖アルケニルまたはアルキニル基または３〜１０個のＣ原子を有する分枝または環状アルキル、アルケニルまたはアルキニル基（これらのそれぞれは、１個以上のラジカルＲ2（ここで、１個以上のＨ原子は、Ｆによって置きかえられていてもよい）または５〜１４個の芳香族環原子を有する芳香族またはヘテロ芳香族環系（これは、それぞれの場合において、１個以上のラジカルＲ2で置換されていてもよい）で置換されていてもよい）からなる群から選択され；複数のラジカルＲ1は、単環または多環式、脂肪族、芳香族および／またはベンゾ縮合環系を、互いに形成してもよい。特に好ましいラジカルＲ1は、出現する毎に同一であるかまたは異なり、Ｈ、Ｆ、Ｂｒ、ＣＮ、Ｂ（ＯＲ2）2、１〜６個のＣ原子を有する直鎖アルキル基、特にメチル、または３〜１０個のＣ原子を有する分枝または環状アルキル基、特にイソプロピルまたはｔｅｒｔ−ブチル（ここで、１個以上のＨ原子はＦで置きかえられていてもよい）、または５〜１２個の芳香族環原子を有する芳香族またはヘテロ芳香族環系（これは、それぞれの場合において、１個以上のラジカルＲ2で置換されていてもよい）からなる群から選択され；複数のラジカルＲ1は、単環または多環式、脂肪族、芳香族および／またはベンゾ縮合環系を、互いに形成してもよい。
【００７５】
本発明による金属錯体は、原理上は、種々の方法で調製することができる。しかし、下記に記載された方法は、とりわけ好適であることが判明した。
【００７６】
従って、本発明は、さらに、対応する遊離配位子と、式（２８２）の金属アルコキシド、式（２８３）の金属ケトケトナートまたは式（２８４）の金属ハロゲン化物との反応による式（１）の金属錯体化合物の調製の方法に関する
【化３７】
2013537519.tif 000039
【００７７】
（ここで、記号Ｍ、ｎおよびＲ1は、上記の意味を有し、Ｈａｌ＝Ｆ、Ｃｌ、ＢｒまたはＩである）。
【００７８】
アルコレートおよび／またはハロゲン化物および／またはヒドロキシルラジカルならびにケトケトナートラジカルを持っている金属化合物、特にイリジウム化合物を使用することも可能である。これらの化合物は、帯電していてもよい。出発材料として特に好適である対応するイリジウム化合物は、ＷＯ  ２００４／０８５４４９に開示されている。［ＩｒＣｌ2（ａｃａｃ）2］-、例えば、Ｎａ［ＩｒＣｌ2（ａｃａｃ）2］は、特に好適である。
【００７９】
錯体は、好ましくは、ＷＯ  ２００２／０６０９１０およびＷＯ  ２００４／０８５４４９に記載されたように合成される。ヘテロレプティック錯体も、例えば、ＷＯ  ２００５／０４２５４８に従って合成することができる。例えば、熱的に、光化学的および／またはマイクロ波照射によって合成を行うこともできる。
【００８０】
これらの方法は、本発明による式（１）の化合物が、高純度で、好ましくは９９％（1Ｈ−ＮＭＲおよび／またはＨＰＬＣを用いて測定して）を上回って得られることを可能にする。
【００８１】
本明細書で説明された合成方法は、とりわけ、以下に描かれた本発明による式（２８５）〜（３８３）の化合物の調製を可能にする。
【化３８】
2013537519.tif 000040
【化３９】
2013537519.tif 000041
【化４０】
2013537519.tif 000042
【化４１】
2013537519.tif 000043
【化４２】
2013537519.tif 000044
【化４３】
2013537519.tif 000045
【化４４】
2013537519.tif 000046
【化４５】
2013537519.tif 000047
【化４６】
2013537519.tif 000048
【化４７】
2013537519.tif 000049
【００８２】
上記の式（１）の錯体および上述された好ましい態様は、電子デバイスにおける活性成分として使用することができる。電子デバイスは、アノード、カソードおよび少なくとも一つの層（ここで、この層は、少なくとも１種の有機または有機金属化合物を含む）を含むデバイスを意味すると解釈される。従って、本発明による電子デバイスは、アノード、カソードおよび上に示された式（１）の少なくとも１種の化合物を含む少なくとも一つの層を含む。本明細書で好ましい電子デバイスは、有機エレクトロルミネッセンスデバイス（ＯＬＥＤ、ＰＬＥＤ）、有機集積回路（Ｏ−ＩＣ）、有機電界効果トランジスタ（Ｏ−ＦＥＴ）、有機薄膜トランジスタ（Ｏ−ＴＦＴ）、有機発光トランジスタ（Ｏ−ＬＥＴ：organic light-emitting transistor）、有機太陽電池（Ｏ−ＳＣ）、有機光学検出器、有機感光体、有機電場消光デバイス（Ｏ−ＦＱＤ：organic field-quench device）、発光電気化学セル（ＬＥＣ：light-emitting electrochemical cell）または有機レーザーダイオード（Ｏ−レーザー）からなる群から選択され、少なくとも一つの層に上に示された式（１）の少なくとも１種の化合物を含む。特に好ましいのは、有機エレクトロルミネッセンスデバイスである。活性成分は、一般的に、アノードおよびカソードの間に導入される有機または無機材料、例えば、電荷注入、電荷輸送または電荷遮断材料であるが、特に発光材料およびマトリックス材料である。本発明による化合物は、有機エレクトロルミネッセンスデバイスにおける発光材料として特に良好な性質を示す。従って、有機エレクトロルミネッセンスデバイスは、本発明の好ましい一態様である。
【００８３】
有機エレクトロルミネッセンスデバイスは、カソード、アノードおよび少なくとも一つの発光層を含む。これらの層の他に、それは、さらなる層、それぞれの場合において、例えば、一つ以上の正孔注入層、正孔輸送層、正孔遮断層、電子輸送層、電子注入層、励起子遮断層、電荷発生層および／または有機または無機ｐ／ｎ接合を含んでもよい。例えば、エレクトロルミネセントデバイスにおける励起子遮断機能を有し、かつ／または電荷バランスを制御する中間層が、二つの発光層の間に導入されることも可能である。しかし、これらの層のそれぞれは、必ずしも存在しなくてもよいことは指摘されるべきである。有機エレクトロルミネッセンスデバイスは、一つの発光層または複数の発光層を含んでよい。複数の発光層が存在する場合、これらは、好ましくは、全体として白色発光をもたらす全体で３８０ｎｍ〜７５０ｎｍの複数の発光極大を有し、即ち、蛍光を発するかリン光を発することができる種々の発光化合物が、発光層中に使用される。特に好ましいのは、三層が青色、緑色および橙色または赤色の発光を示す三層システム（基本構造については、例えばＷＯ  ２００５／０１１０１３を参照されたい）、または四つ以上の発光層を含むシステムである。
【００８４】
本発明の好ましい一態様において、有機エレクトロルミネッセンスデバイスは、一つ以上の発光層中に発光化合物として式（１）の化合物または上述された好ましい態様を含む。
【００８５】
式（１）の化合物が、発光層中に発光化合物として使用される場合、それは、好ましくは、１種以上のマトリックス材料と混合して使用される。式（１）の化合物およびマトリックス材料の混合物は、発光体およびマトリックス材料を含む混合物全体に対して、０．１〜９９重量％、好ましくは０．５〜４０重量％、特に好ましくは１〜３０重量％、とりわけ２〜２５重量％の式（１）の化合物を含む。相応じて、混合物は、発光体およびマトリックス材料を含む混合物全体に対して、９９〜１重量％、好ましくは９８〜６０重量％、特に好ましくは９７〜７０重量％、とりわけ９５〜７５重量％のマトリックス材料を含む。
【００８６】
本発明による化合物に好適なマトリックス材料は、例えば、ＷＯ  ２００４／０１３０８０、ＷＯ  ２００４／０９３２０７、ＷＯ  ２００６／００５６２７または出願ＤＥ  １０２００８０３３９４３．１によるケトン、ホスフィンオキシド、スルホキシドおよびスルホン、トリアリールアミン、カルバゾール誘導体、例えばＣＢＰ（Ｎ，Ｎ−ビスカルバゾリルビフェニル）またはＷＯ  ２００５／０３９２４６、ＵＳ  ２００５／００６９７２９、ＪＰ  ２００４／２８８３８１、ＥＰ  １２０５５２７またはＷＯ  ２００８／０８６８５１に開示されたカルバゾール誘導体、例えば、ＷＯ  ２００７／０６３７５４またはＷＯ  ２００８／０５６７４６によるインドロカルバゾール誘導体、例えば、出願ＤＥ  １０２００９０２３１５５．２およびＤＥ  １０２００９０３１０２１．５によるインデノカルバゾール誘導体、例えば、ＥＰ  １６１７７１０、ＥＰ  １６１７７１１、ＥＰ  １７３１５８４、ＪＰ  ２００５／３４７１６０によるアザカルバゾール、例えば、ＷＯ  ２００７／１３７７２５による双極性マトリックス材料、例えば、ＷＯ  ２００５／１１１１７２によるシラン、例えば、ＷＯ  ２００６／１１７０５２によるアザボロールまたはボロン酸エステル、例えば、出願ＤＥ  １０２００８０３６９８２．９、ＷＯ  ２００７／０６３７５４またはＷＯ  ２００８／０５６７４６によるトリアジン誘導体、例えば、ＥＰ  ６５２２７３またはＷＯ  ０９／０６２５７８による亜鉛錯体、例えば、出願ＤＥ  １０２００８０５６６８８．８によるジアザ−またはテトラアザシロール誘導体、あるいは、例えば、出願ＤＥ  １０２００９０２２８５８．６によるジアザホスホール誘導体である。
【００８７】
混合物として複数の異なるマトリックス材料、特に少なくとも１種の電子伝導マトリックス材料および少なくとも１種の正孔伝導マトリックス材料を使用することが好ましい場合もある。好ましい一つの組合せは、例えば、本発明による金属錯体用の混合マトリックスとしての芳香族ケトンまたはトリアジンのトリアリールアミン誘導体またはカルバゾール誘導体との使用である。同様に、好ましいのは、例えば、出願ＤＥ  １０２００９０１４５１３．３に開示された、正孔または電子輸送材料の、正孔輸送にも電子輸送にも関与しない材料との混合物である。
【００８８】
本発明の一つのさらに好ましい態様において、本発明による化合物は、１種以上のさらなる発光体との混合物中に使用することができる。本明細書で非常に特に好ましいのは、本発明による化合物の１種以上の蛍光発光体との混合物である。好ましいのは、さらに、１種以上のリン光発光体との混合物である。蛍光発光体は、主として励起一重項状態から発光するが、一方、リン光発光体は、主として高スピン状態（例えば、三重項および四重項）から発光する。本発明の目的のために、有機遷移金属の錯体がリン光発光体として選択される。さらなる発光体は、好ましくは有機化合物である。
【００８９】
本発明の一つの特に好ましい態様において、本発明による化合物は、３種のさらなる発光体と混合され、一つの特に好ましい態様において、２種のさらなる発光体と、特別に非常に好ましい態様において、１種のさらなる発光体と混合される。
【００９０】
本発明の一つのさらに好ましい態様において、発光体混合物は、３種の、特に好ましくは２種の、非常に特に好ましくは１種の本発明による化合物を含む。
【００９１】
本発明の一つの特に好ましい態様において、発光体混合物は、厳密に本発明による化合物の１種および厳密に１種のさらなる発光体を含む。
【００９２】
混合物の少なくとも１種の発光体の吸収スペクトルおよび少なくとも１種の他の発光体の発光スペクトルが、重複して、発光体の間のエネルギー伝達（二重ドーピング）を簡単にすることが、本発明の目的のためにさらに好ましい。本明細書でエネルギー伝達は、種々のメカニズムで起こり得る。これの非限定的な例は、ＦｏｒｓｔｅｒまたはＤｅｘｔｅｒエネルギー移動である。
【００９３】
記載された発光体混合物は、好ましくは、両方とも赤色光を発光する少なくとも２種の発光体を含む。好ましいのは、さらに、両方とも緑色光を発光する少なくとも２種の発光体を含む発光体混合物である。好ましいのは、さらに、赤色光を発光する少なくとも１種の発光体および緑色光を発光する少なくとも１種の発光体を含む発光体混合物である。
【００９４】
カソードは、好ましくは、低い仕事関数を有する金属、種々の金属（例えば、アルカリ土類金属、アルカリ金属、主族金属またはランタノイドなど（例えばＣａ、Ｂａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｍｇ、Ｙｂ、Ｓｍ、など））を含む金属合金または多層構造を含む。同様に好適なのは、アルカリ金属またはアルカリ土類金属および銀の合金、例えばマグネシウムおよび銀の合金である。多層構造の場合、比較的高い仕事関数を有するさらなる金属、例えば、銀なども、前記金属に加えて使用してもよく、この場合、金属の組合せ、例えば、Ｃａ／ＡｇまたはＢａ／Ａｇなどが一般的に使用される。金属カソードおよび有機半導体の間に高誘電率を有する材料の薄い中間層を導入することも好ましい場合がある。この目的に適するのは、例えば、アルカリ金属またはアルカリ土類金属フッ化物のみならず、対応する酸化物または炭酸塩（例えばＬｉＦ、Ｌｉ2Ｏ、ＢａＦ2、ＭｇＯ、ＮａＦ、ＣｓＦ、Ｃｓ2ＣＯ3、など）である。この層の層厚さは、好ましくは０．５〜５ｎｍである。
【００９５】
アノードは、好ましくは、高い仕事関数を有する材料を含む。アノードは、好ましくは、真空準位に対して４．５ｅＶより大きい仕事関数を有する。この目的に適するのは、一方では、高い酸化還元電位を有する金属、例えば、Ａｇ、ＰｔまたはＡｕなどである。他方では、金属／金属酸化物電極（例えばＡｌ／Ｎｉ／ＮｉＯx、Ａｌ／ＰｔＯx）も好ましい場合がある。いくつかの用途については、有機材料（Ｏ−ＳＣ）の照射または光のカップリングアウト（coupling-out）（ＯＬＥＤ／ＰＬＥＤ、Ｏ−レーザー）のいずれかを可能にするために、電極の少なくとも一つは、透明でなければならない。一つの好ましい構造は、透明なアノードを使用する。本明細書で好ましいアノード材料は、導電性混合金属酸化物である。特に好ましいのは、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）またはインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）である。好ましいのは、さらに、導電性ドープ有機材料、特に導電性ドープポリマーである。
【００９６】
一般に、従来技術による層に使用されるあらゆる材料を、さらなる層に使用することができ、当業者は、これらの材料を、発明のステップを用いずに電子デバイスにおいて本発明による材料と組み合わせることができよう。
【００９７】
このタイプのデバイスの寿命は、水および／または空気の存在下で劇的に短縮化されるため、デバイスは、（用途に応じて）相応じて構造化され、接触子が供給され、最後に密封される。
【００９８】
好ましいのは、さらに、一つ以上の層が、昇華プロセス（このプロセスにおいて、材料は、通常１０-5ｍｂａｒ未満、好ましくは１０-6ｍｂａｒ未満の初期圧力において真空昇華装置中で蒸着される）を用いて付着されることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンスデバイスである。初期圧力が、さらに低い、例えば、１０-7ｍｂａｒ未満であることも可能である。
【００９９】
同様に好ましいのは、一つ以上の層が、ＯＶＰＤ（有機気相蒸着：organic vapour phase deposition）プロセスを用いてまたはキャリアガス昇華（ここで、材料は１０-5ｍｂａｒ〜１ｂａｒの圧力において付着される）を用いて付着されることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンスデバイスである。このプロセスの特殊な場合は、ＯＶＪＰ（有機気相ジェット印刷：organic vapour jet printing）プロセス（ここで、材料は、ノズルを通して直接付着され、構造化される）である（例えば、Ｍ．Ｓ．Ａｒｎｏｌｄら、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．２００８、９２、０５３３０１）。
【０１００】
好ましいのは、さらに、一つ以上の層が、例えば、スピンコーティングによって、または任意の所望の印刷法、例えば、スクリーン印刷、フレキソ印刷またはオフセット印刷など、しかし、特に好ましくはＬＩＴＩ（光誘起熱画像化、熱転写印刷）またはインクジェット印刷によって溶液から生成されることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンスデバイスである。本発明による式（１）の化合物は、有機溶媒中における非常に良好な溶解性を有するので、それらは、溶液からの処理に特に好適である。
【０１０１】
有機エレクトロルミネッセンスデバイスは、同様に、溶液から一つ以上の層を付着し、気相堆積法によって一つ以上の他の層を付着することによってハイブリッドシステムとして形成され得る。従って、例えば、溶液から式（１）の化合物およびマトリックス材料を含む発光層を付着し、真空気相堆積法によって上に正孔遮断層および／または電子輸送層を付着することが可能である。
【０１０２】
これらのプロセスは、当業者には一般的に知られており、問題なく当業者によって式（１）の化合物または上述された好ましい態様を含む有機エレクトロルミネッセンスデバイスに適用され得る。
【０１０３】
溶液からの処理については、式（１）の化合物の溶液または配合物が必要である。２種以上の溶媒の混合物を使用することも好ましい場合がある。好適な好ましい溶媒は、例えば、トルエン、アニソール、ｏ−、ｍ−またはｐ−キシレン、メチルベンゾエート、ジメチルアニソール、メシチレン、テトラリン、ベラトロール、ＴＨＦ、メチル−ＴＨＦ、ＴＨＰ、クロロベンゼン、ジオキサン、またはこれらの溶媒の混合物である。
【０１０４】
従って、本発明は、さらに、式（１）の少なくとも１種の化合物と、１種以上の溶媒、特に有機溶媒とを含む溶液または配合物に関する。このタイプの溶液を調製することができる方法は、当業者に知られており、例えば、ＷＯ  ２００２／０７２７１４、ＷＯ  ０３／０１９６９４およびそれらの中に引用された文献に記載されている。
【０１０５】
本発明による電子デバイス、特に有機エレクトロルミネッセンスデバイスは、従来技術に対して以下の驚くべき利点によって区別される。
【０１０６】
１．式（１）の化合物は、非常に多くの通常の有機溶媒中で非常に良好な溶解性を有し、従って、溶液からの処理に極めて好適である。特に、本発明による化合物は、従来技術に記載された類似の化合物に比べてより高い溶解性を有する。
【０１０７】
２．発光材料として式（１）の化合物を含む有機エレクトロルミネッセンスデバイスは、卓越した寿命を有する。特に、寿命は、従来技術による類似の化合物の場合に比べて良い。
【０１０８】
３．発光材料として式（１）の化合物を含む有機エレクトロルミネッセンスデバイスは、卓越した効率を有する。特に、効率は、従来技術による類似の化合物の場合に比べて良い。
【０１０９】
これらの上記の利点は、他の電子特性における低下を伴わない。
【０１１０】
本発明による化合物は、特定の要件下で発光し得る。従って、これらの化合物は、非常に多用途である。本明細書での用途の主要な分野のいくつかは、表示装置または照明技術である。光療法（phototherapy）の分野に本化合物およびこれらの化合物を含むデバイスを使用することは、さらに特に有利である。
【０１１１】
従って、本発明は、さらに、疾患の治療、予防および診断のために本発明による化合物および化合物を含むデバイスの使用に関する。本発明は、さらに、美容上の状態の治療および予防のために本発明による化合物および化合物を含むデバイスの使用に関する。
【０１１２】
本発明は、さらに、治療疾患の治療、予防および／または診断のためのデバイスの生産のための本発明による化合物の使用に関する。
【０１１３】
多くの疾患は、美容的側面を伴う。従って、顔面の重篤な座瘡の患者は、疾患の医学的原因および結果のみならず、美容的な状況にも苦しむ。
【０１１４】
光療法または光線療法（light therapy）は、多くの医学的および／または美容分野で使用されている。従って、本発明による化合物およびこれらの化合物を含むデバイスは、そのために当業者が光療法の使用を考えるあらゆる疾患の治療および／または予防および／または診断ならびに／あるいは美容用途に使用され得る。照射の他に、光療法という用語は、光力学的療法（ＰＤＴ：photodynamic therapy）ならびに一般的な消毒および殺菌も含む。光療法または光線療法は、ヒトまたは動物のみならず任意の他のタイプの生物または非生物の治療に使用され得る。これらには、例えば、菌類、細菌、微生物、ウイルス、真核生物、原核生物、食物、飲料、水および飲料水が含まれる。
【０１１５】
光療法という用語には、光線療法および他のタイプの療法、例えば、活性な化合物による治療などのいずれのタイプの組合せも含まれる。多くの光線療法は、ヒトおよび動物の皮膚、外傷、粘膜、目、毛、爪、爪床、歯肉および舌などの目的物の外部に照射または治療する目的を有する。本発明による治療または照射は、さらに、例えば、内臓（心臓、肺、など）または血管または乳房を治療するために対象の内部で実施され得る。
【０１１６】
本発明による用途の治療的および／または美容分野は、好ましくは、皮膚疾患および皮膚に関係する疾患または変化または状態、例えば、乾癬、皮膚の老化、しわ、皮膚の若返り、拡大した毛穴、セルライト、油性肌、毛嚢炎、光線性角化症、前癌光線性角化症、皮膚病変、太陽で痛んだおよび太陽からストレスを受けた肌、カラスの足跡、皮膚潰瘍、座瘡、酒さ性座瘡、座瘡に起因する瘢痕、座瘡細菌、脂腺およびそれらの周辺組織のフォトモジュレーション（photomodulation）、黄疸、新生児の黄疸、白斑、皮膚癌、皮膚腫瘍、クリーグラー−ナジャー病、皮膚炎、アトピー性皮膚炎、糖尿病性皮膚潰瘍および皮膚の脱感作などの群から選択される。
【０１１７】
本発明の目的のために、特に好ましいのは、乾癬、座瘡、セルライト、しわ、皮膚の老化、黄疸および白斑の治療および／または予防である。
【０１１８】
本発明による組成物および／または組成物を含むデバイスのための本発明による用途のさらなる分野は、炎症性疾患、関節リウマチ、疼痛治療、外傷の治療、神経系の疾患および状態、浮腫、パジェット病、原発腫瘍および転移性腫瘍、結合組織疾患または変化、哺乳類の組織におけるコラーゲン、線維芽細胞、線維芽細胞由来の細胞レベルの変化、網膜の照射、新生血管および肥大性疾患、アレルギー反応、気道の照射、発汗、眼の血管新生疾患、ウイルス感染症、特にいぼおよび性器いぼの治療用の単純ヘルペスまたはＨＰＶ（ヒト乳頭腫ウイルス）に起因する感染症の群から選択される。
【０１１９】
本発明の目的のために、特に好ましいのは、関節リウマチ、ウイルス感染症および疼痛の治療および／または予防である。
【０１２０】
本発明による化合物および／または化合物を含むデバイスのための本発明による用途のさらなる分野は、冬期うつ病、睡眠病、気分を改善するための照射、疼痛の軽減、特に例えば、緊張または関節痛に起因する筋肉痛、関節の硬さの除去および歯を白くすること（漂白）から選択される。
【０１２１】
本発明による化合物および／または化合物を含むデバイスのための本発明による用途のさらなる分野は、消毒の群から選択される。本発明による化合物および／または本発明によるデバイスは、消毒の目的でいずれのタイプの目的物（非生物）または対象（生物、例えば、ヒトおよび動物など）の治療のために使用することができる。これには、例えば、外傷の消毒、細菌の減少、手術器具または他の物品の消毒、食物、液体、特に水、飲料水および他の飲料の消毒、粘膜および歯肉および歯の消毒が含まれる。本明細書で消毒は、望ましくない影響の生きている微生物学的な病原因子、例えば、細菌、病原菌の削減を意味すると解釈される。
【０１２２】
上記の光療法の目的のためには、本発明による化合物を含むデバイスは、好ましくは、２５０〜１２５０ｎｍ、特に好ましくは３００〜１０００ｎｍ、特別に好ましくは４００〜８５０ｎｍの波長を有する光を発光する。
【０１２３】
本発明の一つの特に好ましい態様において、本発明による化合物は、光療法の目的のための有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）または有機発光電気化学セル（ＯＬＥＣ）に使用される。ＯＬＥＤとＯＬＥＣの両方とも、単層または多層構造を有する任意の所望の切断面（例えば、丸い、楕円の、多角形の、四角な）を有する平面のまたは繊維に似た構造を有し得る。これらのＯＬＥＣおよび／またはＯＬＥＤは、さらなる機械的、接着性および／または電子的要素（例えば、照射回数、強度および波長の調節のための電池および／または制御装置）を含む他のデバイスに組み込むことができる。本発明によるＯＬＥＣおよび／またはＯＬＥＤを含むこれらのデバイスは、好ましくは、プラスター、パッド、テープ、包帯、カフ、ブランケット、キャップ、寝袋、織物およびステントを含む群から選択される。
【０１２４】
ＯＬＥＤおよび／またはＯＬＥＣを使用する本発明によるデバイスを用いて、より低い照射強度の均一な照射が、実質的に任意の場所および１日の任意の時間において可能であるので、前記治療的および／または美容目的のための前記デバイスの使用は、従来技術と比べて特に有利である。照射は、入院患者として、通院患者としておよび／または患者自身によって、即ち、医師または美容専門家によって開始されることなく実施され得る。従って、例えば、プラスターは、衣服の下に付けることができ、従って、労働時間、余暇時間または睡眠中にも照射が可能である。複雑な入院患者／通院患者の処置は、多くの場合、回避することができ、またはそれらの頻度を減らすことができる。本発明によるデバイスは、再使用または使い捨て商品向きであってもよく、これは、１回、２回または３回の使用後に使い捨てすることができる。
【０１２５】
従来技術に比べたさらなる利点は、例えば、より低い熱の発生および情緒的な側面である。従って、黄疸のため治療される新生児は、一般的に、親と身体が接触することなく保育器中で目隠しされたまま照射を受けなければならず、これは、親と新生児にとっての情緒的なストレス状況に相当する。本発明によるＯＬＥＤおよび／またはＯＬＥＣを含む本発明によるブランケットを用いて、情緒的なストレスを著しく低減させることができる。さらに、従来の照射装置と比べた本発明によるデバイスの低減された熱発生によって、小児のより良い温度制御が可能である。
【０１２６】
本発明において記載された態様の変形は、本発明の範囲に含まれることは、指摘されるべきである。本発明に開示されたそれぞれの特徴は、明示的に除外された場合を除き、同一、同等または類似の目的を果たす代わりの特徴によって置きかえられ得る。従って、本発明に開示されたそれぞれの特徴は、特に指定のない限り、一般的な系列の一例としてまたは同等または類似の特徴としてみなされるべきである。
【０１２７】
本発明のあらゆる特徴は、特定の特徴および／またはステップが相互排他的ではないかぎり、任意の方法で互いに組み合わせることができる。これは、特に、本発明の好ましい特徴に当てはまる。同様に、本質的でない組合せの特徴は、別々に（組み合わせずに）使用することができる。
【０１２８】
特徴の多く、特に本発明の好ましい態様のものは、それら自体創意に富むものとしてみなされるべきであり、単に本発明の態様の部分としてみなされるべきではないことは、さらに指摘されるべきである。独立した保護が、現在、特許請求の範囲に記載されたそれぞれの発明に加えてまたは代替物としてこれらの特徴に与えられ得る。
【０１２９】
本発明と共に開示された技術的活動に関する教示は、要約し、他の例と組み合わせることができる。
【０１３０】
それによって制限されることを望むことなく以下の実施例によって本発明がさらに詳細に説明される。
【０１３１】
［実施例］
以下の合成は、他に指示がない限り、無水溶媒中において保護ガス雰囲気下で実施される。出発材料ＩＶおよびＸＩおよび使用された溶媒は、例えばＡＬＤＲＩＣＨから市販されている。化合物ＩおよびＸは、ＷＯ  ０２／０６８４３５と同様に調製することができる。化合物ＩＩは、Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ、２００５、１６１９−１６２４に従って調製することができる。化合物ＶＩは、Ｃｈｅｍ．Ｂｅｒ．、１９８４、１１７、２７０３−２７１３に従って調製することができる。化合物ＶＩＩＩは、Ｂｉｏｏｒｇ．Ｍｅｄ．Ｃｈｅｍ．Ｌｅｔｔ．２００７、１７、３０１４−３０１７に従って調製することができる。
【０１３２】
例１
化合物ＩＩＩの調製
化合物ＩＩＩの調製のための合成手順
【化４８】
2013537519.tif 000050
【０１３３】
７．０ｇ（６．７ｍｍｏｌ）の化合物Ｉ、１３．１ｇ（５３．８ｍｍｏｌ）の化合物ＩＩおよび５７ｇ（２６９ｍｍｏｌ）のＫ3ＰＯ4を、８５０ｍｌのｐ−キシレン中に懸濁する。４５ｍｇ（０．２０ｍｍｏｌ）のＰｄ（ＯＡｃ）2および２．７ｍｌの１Ｍトリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン溶液を、この懸濁液に添加する。この反応混合物を、還流下で４２時間加熱する。冷却後、有機相を分離し、１２５ｍｌの水で３回洗浄し、続いて蒸発乾固する。残留物をエタノールで洗浄し、トルエンから再結晶させ、最後に減圧下で乾燥する。収量は６．３ｇ（４．１ｍｍｏｌ）であり、理論値の６１．３％に相当する。
【０１３４】
例２
化合物Ｖの調製
化合物Ｖの調製のための合成手順
【化４９】
2013537519.tif 000051
【０１３５】
６．２ｇ（６．０ｍｍｏｌ）の化合物Ｉを使用して化合物ＩＩＩと同様に合成を実施し、ここで、例１からの化合物ＩＩは、１５．２１ｇ（４７．６ｍｍｏｌ）の３，６−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール（化合物ＩＶ）で置きかえられている。収量は７．２ｇ（４．１ｍｍｏｌ）であり、理論値の６８．８％に相当する。
【０１３６】
例３
化合物ＶＩＩの調製
化合物ＶＩＩの調製のための合成手順
【化５０】
2013537519.tif 000052
【０１３７】
５．８ｇ（５．６ｍｍｏｌ）の化合物Ｉを使用して化合物ＩＩＩと同様に合成を実施し、ここで、例１からの化合物ＩＩは、１０．６ｇ（４４．５ｍｍｏｌ）の２，７，９，９−テトラメチル−９，１０−ジヒドロアクリジン（化合物ＩＶ）で置きかえられている。収量は４．５ｇ（３．０ｍｍｏｌ）であり、理論値の５３．５％に相当する。
【０１３８】
例４
化合物ＩＸの調製
化合物ＩＸの調製のための合成手順
【化５１】
2013537519.tif 000053
【０１３９】
６．２ｇ（６．０ｍｍｏｌ）の化合物Ｉを使用して化合物ＩＩＩと同様に合成を実施し、ここで、例１からの化合物ＩＩは、１３．１ｇ（４７．６ｍｍｏｌ）の３−フェニル−１０Ｈ−フェノチアジンで置きかえられている。収量は５．７ｇ（３．５ｍｍｏｌ）であり、理論値の５８．９％に相当する。
【０１４０】
例５
化合物ＸＩＩの調製
化合物ＸＩＩの調製のための合成手順
【化５２】
2013537519.tif 000054
【０１４１】
化合物ＩＩＩと同様に合成を実施し、ここで、化合物Ｉは、８．５ｇ（８．２ｍｍｏｌ）の化合物Ｘで置きかえられており、化合物ＩＩは、１２．０ｇ（６５．３ｍｍｏｌ）の１０Ｈ−フェノキサジン（化合物ＸＩ）で置きかえられている。収量は６．９ｇ（５．１ｍｍｏｌ）であり、理論値の６２．７％に相当する。
【０１４２】
例６〜１０
本発明による化合物を含む有機エレクトロルミネッセンスデバイスの製造および特徴づけ
本発明による化合物Ｔ−１〜Ｔ−５、ＴＭＭ  １（ＤＥ  １０２００８０３６９８２．９に従って合成された）およびＴＭＭ−２（ＤＥ  １０２００８０１７５９１．９に従って合成された）の構造が、明確に以下に描かれている。
【０１４３】
発光体の構造
【化５３】
2013537519.tif 000055
【０１４４】
マトリックスの構造
【化５４】
2013537519.tif 000056
【０１４５】
本発明による材料は、溶液から使用することができ、ここで、それらは、良好な性質を有する単一のデバイスをもたらす。このような部品の生産は、ポリマー発光ダイオード（ＰＬＥＤ）の生産に基づき、これは、既に文献（例えばＷＯ  ２００４／０３７８８７に）に度々記載されている。本発明の場合、本発明による化合物Ｔ−１〜Ｔ−５をトルエンに溶解する。本明細書におけるようにデバイスの８０ｎｍの一般的な層厚さがスピンコーティングを用いて達成される場合、このような溶液の一般的な固形成分含有量は、１６〜２５ｇ／ｌである。使用されるＰＬＥＤデバイスは、次の構造を示す。ＩＴＯ／ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ／中間層／ＥＭＬ／カソード、ここでＥＭＬは、発光層を表す。本発明による化合物Ｔ−１〜Ｔ−５（それぞれ４重量％の濃度で存在する）の他に、発光層（ＥＭＬ）は、それぞれ４８重量％の濃度で（即ちＴＭＭ−１：ＴＭＭ２＝１：１）マトリックス材料ＴＭＭ−１およびＴＭＭ−２を含む。構造化されたＩＴＯ基板およびいわゆる緩衝層（ＰＥＤＯＴ、実際はＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ）の材料は市販されている（ＩＴＯはＴｅｃｈｎｏｐｒｉｎｔ他から、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳはＣｌｅｖｉｏｓ  Ｂａｙｔｒｏｎ  Ｐ水性分散液としてＨ．Ｃ．Ｓｔａｒｃｋから）。使用される中間層は、正孔注入に役立ち、この場合、ＭｅｒｃｋからのＨＩＬ−０１２を使用した。発光層は、不活性ガス雰囲気で（本発明の場合、アルゴン）スピンコーティングによって付着し、１２０℃において１０分間加熱することにより乾燥する。最後に、バリウムおよびアルミニウムカソードを、真空気相堆積法によって付着する。正孔遮断層および／または電子輸送層も、発光層およびカソードの間に気相堆積法によって付着することができ、中間層は、１種以上の層によって置きかえられてもよく、この層は、溶液からの発光層の堆積の後続処理ステップによって再び引き離されることがないという条件を単に満たせばよい。
【０１４６】
デバイスは標準の方法によって特徴づけられ、記載されたＯＬＥＤの例は、未だ最適化されていない。表１は得られたデータを要約している。処理されたデバイスの場合、本発明による材料は、効率および／または寿命において従来得られるものに対して優れていることは本明細書で明らかである。
【表１】
2013537519.tif 000057
【国際調査報告】
2013537519.tif 000081
2013537519.tif 000082
2013537519.tif 000083
2013537519.tif 000084
2013537519.tif 000085
2013537519.tif 000086