(57)【要約】  本発明は、基板上にＴＣＯ層を堆積させるステップと、照射パラメータを有するレーザー照射によりＴＣＯ層を焼なましするステップとを含む、光起電力デバイスを製作する方法を対象とし、焼なましステップがＴＣＯ層のヘイズ％を、堆積したままのＴＣＯ層と比較して増加させることを含むように、照射パラメータが選定されることを特徴とする。加えて、本発明は可視光の波長範囲内で少なくとも２％のヘイズ％と、ＲＭＳ（二乗平均平方根）で０ナノメートル未満の表面粗さとを有するＴＣＯ層を対象とする。さらに、本発明はそのようなＴＣＯ層を含む光起電力デバイスを対象とする。【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にＴＣＯ層を堆積させるステップと、照射パラメータを有するレーザー照射により前記ＴＣＯ層を焼なましするステップとを含む光起電力デバイスの製作方法において、前記焼なましステップが前記ＴＣＯ層のヘイズ％を、堆積したままのＴＣＯ層と比較して増加させることを含むように、前記照射パラメータが選定されることを特徴とする方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法において、前記焼なましステップが、前記堆積したままのＴＣＯ層と比較して、前記ＴＣＯ層のＲＭＳでの表面粗さを減少させることを追加的に含むように、前記照射パラメータが選定されることを特徴とする方法。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の方法において、前記焼なましステップが、少なくとも７０ナノメートルの前記ＴＣＯ層の粒子サイズを生成することを追加的に含むように、前記照射パラメータが選定されることを特徴とする方法。
【請求項４】
請求項１乃至３の何れか１項に記載の方法において、前記レーザー照射がパルス状であり、１００〜１０００ナノ秒のパルス持続時間を持つことを特徴とする方法。
【請求項５】
請求項１乃至４の何れか１項に記載の方法において、前記レーザー照射が、前記ＴＣＯ層を少なくとも前記ＴＣＯの溶融温度である温度にさらすことを特徴とする方法。
【請求項６】
請求項１乃至５の何れか１項に記載の方法において、前記レーザー照射が、０．１〜１０Ｊ／ｃｍ２のビームエネルギー密度を有することを特徴とする方法。
【請求項７】
請求項１乃至６の何れか１項に記載の方法において、前記レーザー照射が、前記ＴＣＯ表面層の１つの寸法に等しいか、又はそれを超える線長さを有するラインビームを用いた前記ＴＣＯ層の走査を含むことを特徴とする方法。
【請求項８】
請求項１乃至６の何れか１項に記載の方法において、前記照射がパルス状であり、各パルスを用いて少なくとも１ｃｍ２の面積が照射されることを特徴とする方法。
【請求項９】
請求項１乃至８の何れか１項に記載の方法において、前記焼なましステップがエキシマーレーザーによって行なわれることを特徴とする方法。
【請求項１０】
請求項１乃至９の何れか１項に記載の方法において、前記ＴＣＯ層の堆積ステップが、低温堆積、インクジェット印刷又はスクリーン印刷、あるいは溶液吹き付けを含むことを特徴とする方法。
【請求項１１】
可視光の波長範囲内で少なくとも２％のヘイズ％と、ＲＭＳで１０ナノメートル未満の表面粗さとを有することを特徴とするＴＣＯ層。
【請求項１２】
請求項１１に記載のＴＣＯ層において、少なくとも７０ナノメートルの粒子サイズを有することを特徴とするＴＣＯ層。
【請求項１３】
請求項１１又は１２に記載のＴＣＯ層を含むことを特徴とする光起電力デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板上に透明導電酸化物（ＴＣＯ）の層を堆積させるステップと、レーザー照射によりＴＣＯ層を焼なましするステップとを含む、光起電力デバイスの製作方法に関する。さらに、本発明は改善されたＴＣＯ層と、そのようなＴＣＯ層を含む太陽電池とに関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に知られているように、閉じ込められる入射光線が多い程、太陽電池の量子効率（ＱＥ）及び短絡電流密度（Ｊｓｃ）はより良好になる。従って、光閉じ込めを改善する技術は、太陽電池における入射光の吸収及び短絡電流を高めるために用いられる。
【０００３】
これらの技術の１つは、光起電力デバイスの界面において、ヘイズ（ｈａｚｅ）又は光の散乱を生じさせるものである。従って、一般的にざらつきのある表面を有する基板を用いて界面の粗さを生成する。光子が所与の入射角で吸収膜の粗い表面に衝突するとき、その入射角及び屈折の材料指数を用いて平坦な界面上において伝統的に計算され得る屈折角よりも、大きな屈折角が吸収膜の内側に生成される。それゆえ、光子は吸収膜内へとより長い距離にわたり移動し、吸収される光の量を増加させる。粗い表面上においても、光子が表面から反射される光子の量がはるかに少なくなり、従ってより多くの光子が膜の内側に吸収され、光起電力デバイスにおける光の散乱及び閉じ込めが増加する。
【０００４】
吸収層の上の「スーパーストレート（ｓｕｐｅｒｓｔｒａｔｅ）」構成内に堆積されるか、ガラス又はポリマー基板上の「基板」構成内、或いは内部の反射器組立品の部分としての金属層又は金属基板の上に堆積される、透明導電酸化物（ＴＣＯ）層が、それらの導電率の高さ、光吸収特性の低さ及び散乱特性の高さのために、用いられる。
【０００５】
Ｃｈｉｍｄｉｎｄｕ  Ｕ．Ｎｅｂｏの論文，ＴＵＤｅｌｆｔ，Ｓｅｐｔｅｍｂｅｒ  ２００９（２００９年９月）に記述されているように、太陽電池用のＴＣＯ層は、より効率的にヘイズを生じさせ入射光を散乱させるために、生来の又は加工後の表面粗さを備え得る。
【０００６】
ＴＣＯの表面粗さを増加させるときの第一の問題は、加工後の表面粗さは、独国特許第１９７１３２１５号明細書に記述されているような、湿式化学エッチングを用いて表面模様をつけることにより通常得られるため、この粗くするステップは幾つかの制限を生じ得るということである。一方で、および所与のＴＣＯ厚さに対しては、エッチングにより材料の損失が生じ、それは次に導電率の損失を招く。他方で、所与のＴＣＯの粗さと導電率に対して、より厚いＴＣＯ膜が成長し得るが、しかしそのようなより厚い層は（光起電力デバイスに対して失われる）より多くの光を吸収し、そしてより長い堆積時間を必要とするであろう。
【０００７】
ＴＣＯの表面粗さを増加させるときに起きる、第二のより一般的な問題は、ＴＣＯの表面の品質低下である。特に、薄いシリコンの吸収層がＴＣＯ上に堆積する、基板構成において、ＴＣＯの表面品質が不十分であると、シリコン層の品質も不十分なものとなる。それによりピンホール又は短絡が、鋭い先端や谷の形状に起因してシリコン−ＴＣＯの界面に生成され、太陽電池の性能の低下をもたらす。
【０００８】
上述の問題を克服するための試みにおいて、例えばテルル化カドミウムのような、より大きな厚さ（１μｍ以上）で堆積されることができる、代わりの吸収材料が使用され得る。
【０００９】
Ｄｏｎｇ−Ｗｏｎ  Ｋａｎｇ  らにより提案された別の解決策（酸素の流れを制御することによる、ａ−Ｓｉ：Ｈ及びμｃ−ＳｉＨ太陽電池の前方ＴＣＯ用の、高度に透明な及び高度なヘイズのＺｎＯ：Ａｌ膜（Ｈｉｇｈｌｙ  Ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ  ａｎｄ  Ｈｉｇｈ  Ｈａｚｅ  ＺｎＯ：Ａｌ  ｆｉｌｍ  Ｆｏｒ  Ｆｒｏｎｔ  ＴＣＯ  ｏｆ  ａ−Ｓｉ：Ｈ  ａｎｄ  μｃ−Ｓｉ：Ｈ  Ｓｏｌａｒ  Ｃｅｌｌｓ  ｂｙ  Ｃｏｎｔｒｏｌｌｉｎｇ  Ｏｘｙｇｅｎ  Ｆｌｏｗ）は、シード層上の２ステップＴＣＯ堆積及びそれに続く表面模様付けステップにより、ＴＣＯの形態を修正することであり得る。これはかなり複雑で高価な処理となることが明らかである。
【００１０】
上記を考慮して、十分な表面層の品質を確保しつつ、改善された散乱特性又は光閉じ込め特性を有するＴＣＯ層と、そのようなＴＣＯ層を含む太陽電池と、そしてそのような太陽電池を製作する方法を提供することが、本発明の第一の目的である。
【００１１】
ＴＣＯの散乱特性を改善するために、特定の位置及び所定の領域にわたり、ＴＣＯの処理を可能にする太陽電池を製作する方法を提供することが、本発明の第二の目的である。
【００１２】
低温又は室温において堆積されたＴＣＯから、改善された光閉じ込め特性及び表面品質特性を有するＴＣＯ層を提供するための、より単純でより費用効率的な方法を提供することが、本発明の第三の目的である。
【００１３】
低温又は室温において堆積されたＴＣＯから、太陽スペクトルの青色部分にいて光吸収がより低く、増進された導電率の性能を有する、ＴＣＯ層を提供する方法を同時に提供することが、本発明の第四の目的である。
【００１４】
さらに、薄膜太陽電池、すなわち単一接合及び多接合のアモルファスシリコン太陽電池において、及びタンデム型微細構造シリコン太陽電池において使われているものような、吸収層の厚さが２μｍよりも薄い、特に薄い膜の太陽電池における、電気的短絡の発生を低減するための、十分な表面品質を有するＴＣＯを提供することが、本発明の１つの目的である。
【００１５】
本発明の別の目的は、性能及び効率が改善された太陽電池を提供することである。
【００１６】
本発明は、焼なましステップがＴＣＯ層のヘイズ％を、堆積したままのＴＣＯ層と比較して増加させることを含むように選ばれた照射パラメータを用いて、ＴＣＯ層をレーザーで焼なましすることにより上記の目的に適合する。
【発明の概要】
【００１７】
本発明は、基板上にＴＣＯ層を堆積さるステップと、照射パラメータを有するレーザー照射によりＴＣＯ層を焼なましするステップとを含む、光起電力デバイスを製作する方法であって、焼なましステップがＴＣＯ層のヘイズ％を、堆積したままのＴＣＯ層と比較して増加させることを含むように、照射パラメータが選定されることを特徴とする方法を対象とする。
【００１８】
追加として、本発明は可視光の波長範囲内で少なくとも２％のヘイズ％と、ＲＭＳで１０ナノメートル未満の表面粗さとを有するＴＣＯ層を対象とする。
【００１９】
さらに、本発明はそのようなＴＣＯ層を含む光起電力デバイスを対象とする。
【００２０】
本発明の第一の実施形態によれば、ＴＣＯ層を基板上に堆積させるステップと、照射パラメータを有するレーザー照射によりＴＣＯ層を焼なましするステップとを含む、光起電力デバイスを製作する方法であって、焼なましステップがＴＣＯ層のヘイズ％を、堆積したままのＴＣＯ層と比較して増加させることを含むように、照射パラメータが選定されることを特徴とする方法が提供される。
【００２１】
当業者に知られているように、フレキシブルなディスプレイの分野では、低い熱量による堆積の後でＴＣＯ層を焼なましするために、レーザー焼なましが用いられる。その場合、フレキシブル・ディスプレイ用のプラスチック基板上におけるレーザーで結晶化された高品質のＩＴＯ（Ｌａｓｅｒ−Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｚｅｄ  Ｈｉｇｈ  Ｑｕａｌｉｔｙ  ＩＴＯ  ｏｎ  Ｐｌａｓｔｉｃ  Ｓｕｂｓｔｒａｔｅｓ  ｆｏｒ  Ｆｌｅｘｉｂｌｅ  Ｄｉｓｐｌａｙｓ（Ｗｏｎｓｕｋ  Ｃｈｕｎｇ  ｅｔ  ａｌ．）において説明されているように、焼なましステップは可視範囲における光の透過を増加させ、そしてヘイズ％を低減することを目的としている。驚いたことに、適切な照射パラメータを選定する際のレーザー焼なましは、ＴＣＯ層に対してヘイズを生じさせるためにも用いられ得ることが、現在分かっている。
【００２２】
本発明において、ヘイズ百分率（ヘイズ％）は正反射方向から散乱して外れる入射光の百分率である。特に、透過光線に対するヘイズ％は最も重要であり、それはこのパラメータは太陽電池の吸収層内の光路長に影響を与え、それは今度は吸収層内で光キャリアを生成する可能性を高めるからである。
【００２３】
一般に、ヘイズ％は屈折率、表面の粗さ、光子の入射角、及び波長に依存する。いずれの理論にも縛られることなく、適切な照射パラメータを用いたレーザー焼なましにより、ＴＣＯの表面層に更に粗さを生じさせるのではなく、粒子の形態及び分布、並びにバルクＴＣＯ層における粒界特性が修正される。そのためＴＣＯ層のヘイズ％が、堆積したままのＴＣＯ層に比べて増加し、十分な表面層の品質を維持したままで、改善された散乱特性又は光閉じ込め特性が得られると考えられている。その結果としてヘイズ％の増加は、太陽電池の性能及び効率の向上をもたらし得る。
【００２４】
ＴＣＯ層のヘイズ％は可視光線の波長範囲において、堆積したままのＴＣＯ層に比べて少なくとも２％、少なくとも５％、少なくとも１０％、少なくとも１５％、又は少なくとも２０％増加し得る。
【００２５】
さらなる利点は、レーザー焼なましにより、特定の位置での及び所定の領域にわたるＴＣＯの処理が可能となることであり、これにより散乱特性がそれらの位置又は領域においてのみ改善される一方で、別の位置又は領域においてはＴＣＯが堆積されたときのまま保たれ得るようになる。
【００２６】
別の利点は、下位層又は下位の壊れやすい基板が、それらを劣化させ得る過度の熱量にさらされないように、本発明が、低温又は室温において堆積されたＴＣＯから、光閉じ込め特性及び表面品質特性が改善されたＴＣＯ層の製作を可能にすることである。
【００２７】
さらに別の利点は、本発明により、低温又は室温において堆積されたＴＣＯから、太陽スペクトルの青色部分における光吸収がより少なく、導電率の性能が改善されたＴＣＯ層を製作することが可能になることである。太陽スペクトル（４００〜５００ｎｍ）の青色部分における透過の百分率は、堆積したままのＴＣＯから少なくとも５％、少なくとも１０％、又は少なくとも１５％であり得る。
【００２８】
本発明に従う実施形態において、焼なましステップが、堆積したままのＴＣＯ層と比較して、ＴＣＯ層の二乗平均平方根（ＲＭＳ）での表面粗さを減少させることを追加的に含むように、照射パラメータが選定され得る。焼なまし後の表面粗さは、高解像度の原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）によって測定して、ＲＭＳで１０ナノメートル未満、７．５ナノメートル未満、５ナノメートル未満、又は２．５ナノメートル未満であり得る。
【００２９】
いずれの理論にも縛られることなく、適切な照射パラメータでのレーザー焼なましにより、ＴＣＯの表面層のＲＭＳでの表面粗さを低下させながら、粒子の形態及び分布、並びにバルクＴＣＯ層における粒界特性が修正され得ると考えられている。ＴＣＯ層の表面粗さのＲＭＳが、堆積したままのＴＣＯ層と比べて低いと、ＴＣＯの吸収界面において生成されるピンホール及び短絡を避けやすくなる。ＴＣＯの表面で電気的短絡の発生が減ると、太陽電池の性能及び効率が向上するであろう。
【００３０】
本発明による別の実施形態において、堆積したままのＴＣＯの粒子サイズよりも大きい、ＴＣＯ層の粒子サイズを生成するか、或いは少なくとも７０ナノメートル、少なくとも８０ナノメートル、少なくとも９０ナノメートル、又は少なくとも１００ナノメートルの粒子サイズを生成することを焼なましが追加的に含むように、照射のパラメータが選定され得る。
【００３１】
本発明に従って、レーザー照射はパルス状であり得る。そして１００ｎｓ〜１０００ｎｓの範囲内、又は１００ｎｓ〜６００ｎｓの範囲内、或いは１００ｎｓ〜３００ｎｓの範囲内、もしくは望ましくは１００〜２００ナノ秒の範囲内であり得る。
【００３２】
さらに本発明に従って、レーザー照射によりＴＣＯ層を少なくともＴＣＯの溶融温度である温度にさらしてもよい。
【００３３】
本発明に従う一実施形態において、照射はパルス状であってもよく、ここで、各パルスで少なくとも１ｃｍ２、少なくとも５ｃｍ２、少なくとも１０ｃｍ２、少なくとも２０ｃｍ２、又は少なくとも４０ｃｍ２（２５＊０．７）の部分が照射され得る。これにより本発明は、高いスループットでの大きな基板上における薄膜太陽電池の工業生産に適したものとなる。
【００３４】
代わりに、レーザー照射は、ＴＣＯの表面層の１つの寸法に等しいか、又はそれを（僅かに）超える線長さを有するラインビームを用いたＴＣＯ層の走査を含み得る。これにより本発明は、高いスループットでの、とりわけ薄膜の太陽電池の工業生産に適したものとなる。例えば、ＴＣＯコーティングされた大きな基板を、或る走査速度（数ｍｍ／ｓｅｃ）でラインビームと直角の方向に連続的に流すことで、連続的なパルス状のレーザー照射により、大量のＴＣＯでコーティングされた基板のＴＣＯ全領域を連続的に焼なましすることが可能となるであろう。
【００３５】
レーザーは、その波長、エネルギー、及びパルス持続時間が、固体レーザー又はエキシマーレーザーのようなプロセスに適合する、任意のレーザーであり得る。望ましくは、レーザーはエキシマーレーザーであってもよく、より望ましくは塩化キセノン・エキシマーレーザーであってもよい。
【００３６】
レーザーの波長は、それらの波長におけるＴＣＯの大きなエネルギー吸収のため、１９０ｎｍ〜６００ｎｍ、１９０ｎｍ〜５５０ｎｍ、１９０ｎｍ〜４８０ｎｍであってもよいが、望ましくは３０８ｎｍであってもよい。
【００３７】
レーザーのエネルギーは１ジュール〜２５ジュールの範囲内にあってもよい。これらのエネルギーを達成するため、レーザー放電容積は典型的には１０ｃｍ（電極間の間隔）×７〜１０ｃｍ（放電幅）×１００〜２００ｃｍ（放電長）に最適化される。
【００３８】
本発明の一実施形態において、レーザーは０．１〜１０Ｊ／ｃｍ２、望ましくは０．１〜５Ｊ／ｃｍ２、そしてさらに望ましくは０．１〜２Ｊ／ｃｍ２のエネルギー密度を持つ、投影されたレーザービームを生み出すために適合し得る。
【００３９】
好適な一実施形態において、レーザーは０．１〜１０Ｊ／ｃｍ２のエネルギー密度を持つ、一般に少なくとも１ｃｍ２、少なくとも５ｃｍ２、および最大２０又は４０ｃｍ２までにも至る、投影されたビームのスポットを有する、６０ｃｍ２を超える、８０ｃｍ２を超える、望ましくは１００ｃｍ２である大面積の出力ビームを生み出すために適合した、エキシマーレーザーであってもよい。
【００４０】
本発明の好適な実施形態において、レーザーは３０８ｎｍの波長、１００〜２００ナノ秒のパルス持続時間、及び０．１〜１０Ｊ／ｃｍ２の投影されたビームのエネルギー密度を有し得る。
【００４１】
ＴＣＯの材料は、例えばフッ素ドープ酸化スズ（ＳｎＯ２：Ｆ）、真性酸化亜鉛（ｉ−ＺｎＯ）、アルミニウムドープ酸化亜鉛（Ａｌ：ＺｎＯ又はＡＺＯ）、スズドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）、チタニウムドープ酸化インジウム（ＩＴｉＯ）、亜鉛ドープ酸化インジウム（ＩＺＯ）、酸化マグネシウム亜鉛（ＺｎＭｇＯ）、酸化ガリウムインジウム（ＧａＩｎＯ３）、酸化カドミウム（Ｃｄ：Ｏ）、酸化亜鉛カドミウム（インジウム）（Ｃｄ１＋ｘＩｎ２−２ｘＳｎｘＯ４（ＣｄＩｎ２Ｏ４からＣｄ２ＳｎＯ４まで））、又はニオブドープ酸化チタン又はタンタルドープ酸化チタンを含む、酸化チタン（ＴｉＯ２）などの、光起電力技術に使用される任意のＴＣＯ材料であってもよい。
【００４２】
これらのＴＣＯ材料は、堆積技術及びプロセス条件に応じて、非結晶又は微晶質の膜構造において使用され得る。望ましくは、低温堆積が用いられる。これらの材料は、例えばインクジェット印刷又はスクリーン印刷或いは吹き付けのような各種の堆積技術による、ペースト又は溶液中の結合したＴＣＯ粒子としてもまた配合され得る。
【００４３】
基板は、光起電力技術において使用される任意の種類の基板であってもよい。その例は、ガラスか、ポリエチレン・テレフタレート（ＰＥＴ）もしくはポリエチレン・ナフタレート（ＰＥＮ）のような（剛性のある、又はフレキシブルな）ポリマーか、或いは例えば単結晶シリコン、ドープされていないシリコン又はドープしたシリコン、多結晶シリコン、注入シリコン、炭化ケイ素、非晶質シリコン、シリコンゲルマニウム、ＩＩＩ−Ｖ化合物半導体であるガリウムヒ素、ガリウム−アルミニウム−ヒ素、窒化ガリウム等、ＩＩ−ＶＩ化合物半導体であるテルル化カドミウム、二セレン化銅インジウム（ＣｕＩｎＳｅ２）又は二セレン化銅インジウム・ガリウム（Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ２）及び同類のもの、或いは多接合半導体スタックなどの、光起電性の用途に適する（バルク又は薄膜の）任意の半導体材料である。
【００４４】
本発明による方法は、投影されたレーザービームを、ＸＹＺ方向において照射されるべき部分に位置合わせすることをさらに含み得る。
【００４５】
本発明による方法は、任意の種類のビーム整形システムにより、レーザービームを、修正されるべきＴＣＯの領域に対応する二次元パターンに整形することをさらに含み得る。レーザービームの二次元パターンへの整形は、特定の位置における、及び所定の領域にわたるＴＣＯの処理に明らかに有利となる。二次元パターンの画像のサイズは、修正されるべきＴＣＯの領域のサイズに適合し得る。これは、可変画像拡大システムを用いて得られうる。
【００４６】
カメラを用いて半導体材料層の上のビーム・スポットを可視化し、そのサイズを測定し、そして倍率を調整することによりさらなる調整が行われてもよい。
【００４７】
本発明の方法は、パターン認識もまた含み得る。これは基板を保持するためのステージに機械的に結合され、そしてＴＣＯの表面上方に位置する、カメラを備えたパターン認識システムにより達成され得る。特定の実施形態において、カメラからの画像は、基板上にエッチングされているか又はレーザーで切断されている、幾つか（典型的には３つ）の合わせマークを位置付けるために処理され得る。合わせマークは、レーザー装置の座標システムにおいて、修正されるべきＴＣＯの領域の正確な位置を提供する。
【００４８】
本発明に従う追加の一実施形態において、可視光の波長範囲内で少なくとも２％、少なくとも５％、少なくとも１０％、少なくとも１５％、又は少なくとも２０％のヘイズ％と、高解像度の原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）によって測定される、ＲＭＳで１０ｎｍ未満、７．５ｎｍ未満、５ｎｍ未満、又は２．５ｎｍ未満の表面粗さとを有するＴＣＯ層が提供され得る。
【００４９】
そのようなＴＣＯ層は、ＴＣＯ吸収界面において発生するピンホール及び短絡の量を低減するために、制限された表面粗さを持ちながら、改善された散乱特性又は光閉じ込め特性を示し得る。
【００５０】
本発明に従って、ＴＣＯ層は少なくとも７０、少なくとも８０、少なくとも９０、又は少なくとも１００ナノメートルの粒子サイズを有し得る。
【００５１】
一例として、本発明に従うＴＣＯ層は、多形シリコン・タンデム技術に基づく、薄膜の光起電力デバイスにおける基板構成で、又は二セレン化銅インジウム（ＣＩＳ）若しくは二セレン化銅インジウム・ガリウム（ＣＩＧＳ）若しくは硫化銅インジウム（ＣｕＩｎＳ２）若しくは銅−インジウム−ガリウム−硫黄−セレン（ＣＩＧＳＳｅ）の吸収層の上におけるスーパーストレート構成で、又は光反射器組立品の部分としての金属層若しくは金属基板の上における基板構成で使用され得る。
【００５２】
さらに、本発明に従う最後の一実施形態において、上記の実施形態において説明されているようなＴＣＯ層を含む、光起電力デバイスが提供される。そのような太陽電池は、例えば標準の単結晶及び多結晶の太陽電池、Ｎタイプ及びＰタイプの太陽電池、様々なタイプの基板上で成長したエピタキシャルシリコン太陽電池、ヘテロ接合太陽電池、バックコンタクト太陽電池又はリアコンタクト太陽電池（ＲＣＣ、ＢＣＣ）及び交互嵌合（ｉｎｔｅｒｄｉｇｉｔａｔｅｄ）バックコンタクト太陽電池（ＩＢＣ）、有機太陽光電池又は色素増感太陽電池（ＤＳＳＣ、ＤＳＣ又はＤＹＳＣ）であり得る。
【国際調査報告】
2013526027.tif 000002
2013526027.tif 000003
2013526027.tif 000004
2013526027.tif 000005