(57)【要約】  ＥＵＶ放射ビームの経路の反対側の少なくとも１対の電極に少なくとも第１のＡＣ電圧が電圧レジームの第１のステージとして供給され、電圧レジームの第２のステージとしてＤＣ電圧が電極に供給されるＥＵＶ放射ビームの経路から汚染粒子を除去するシステムが提供される。【選択図】      なし
2013526004.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リソグラフィ装置でＥＵＶ放射ビームの経路から汚染粒子を除去するシステムであって、
（ａ）ＥＵＶ放射ビームの経路の反対側に備えられる少なくとも１対の電極と、
（ｂ）前記少なくとも１対の電極の間に制御された電圧を供給する電圧源と、
（ｃ）前記少なくとも１対の電極間に供給される電圧を制御するコントローラと
を備え、
前記コントローラは、前記少なくとも１対の電極間に電圧のレジームを供給し、前記レジームは、１対の電極にＡＣ電圧が供給される第１のステージと、１対の電極にＤＣ電圧が供給される第２のステージとを含む、システム。
【請求項２】
前記レジームの各ステージの必要な電圧は、それぞれの連続する期間に同じ対の電極間に供給される、請求項１に記載の汚染粒子を除去するシステム。
【請求項３】
前記ＥＵＶ放射ビームは、パルス放射源によって供給され、前記コントローラは、前記電圧レジームのステージの期間の合計が前記ＥＵＶ放射ビームの連続するパルスの開始の間の時間に対応するように構成される、請求項２に記載の汚染粒子を除去するシステム。
【請求項４】
前記第１のステージのＡＣ電圧の周波数と電位は、前記システムの構成に関して、前記１対の電極間に供給されるＡＣ電圧が前記ＥＵＶ放射ビームによって生成されるプラズマの密度を高めるように選択される、請求項２又は３に記載の汚染粒子を除去するシステム。
【請求項５】
前記第１のステージのＡＣ電圧の周波数は、２０〜１００ＭＨｚの間にある、請求項４に記載の汚染粒子を除去するシステム。
【請求項６】
前記第１のステージのＡＣ電圧の大きさは、４０〜２００Ｖの間にある、請求項４又は５に記載の汚染粒子を除去するシステム。
【請求項７】
ＡＣ電圧によって前記１対の電極に供給される電力は、０．００５〜０．０４Ｗ／ｃｍ２の間にある、請求項４から６のいずれか１項に記載の汚染粒子を除去するシステム。
【請求項８】
前記第１のステージのＡＣ電圧の周波数及び大きさは、前記システムの構成に関して、前記１対の電極間に供給されるＡＣ電圧が前記ＥＵＶ放射ビームによって生成されるプラズマを散逸させるように選択される、請求項２又は３に記載の汚染粒子を除去するシステム。
【請求項９】
前記第１のステージの前記ＡＣ電圧の周波数は、０．１〜２０ＭＨｚの間、望ましくは１０ＭＨｚである、請求項８に記載の汚染粒子を除去するシステム。
【請求項１０】
前記第１のステージの前記ＡＣ電圧の大きさは、１０〜４００Ｖの間、望ましくは２００Ｖである、請求項８又は９に記載の汚染粒子を除去するシステム。
【請求項１１】
前記電圧レジームは、ＡＣ電圧が１対の電極に供給される前記第１のステージと第２のステージとの間に設けられた中間ステージを含み、
前記第１のステージの前記ＡＣ電圧の周波数は、前記中間ステージの前記ＡＣ電圧の周波数よりも高い、請求項３に記載の汚染粒子を除去するシステム。
【請求項１２】
前記第１のステージと前記中間ステージの前記ＡＣ電圧の周波数及び大きさは、前記システムの構成に関して、前記第１のステージの前記１対の電極間に供給される前記ＡＣ電圧が前記ＥＵＶ放射ビームによって生成されるプラズマの密度を高め、前記第２のステージの前記１対の電極間に供給される前記ＡＣ電圧が前記プラズマを散逸させるように選択される、請求項１１に記載の汚染粒子を除去するシステム。
【請求項１３】
前記第１のステージの前記ＡＣ電圧の周波数は、２０〜１００ＭＨｚの間にある、請求項１２に記載の汚染粒子を除去するシステム。
【請求項１４】
前記第１のステージの前記ＡＣ電圧の大きさは、４０〜２００Ｖの間にある、請求項１２又は１３に記載の汚染粒子を除去するシステム。
【請求項１５】
前記第１のステージの前記ＡＣ電圧によって前記１対の電極に供給される電力は、０．００５〜０．０４Ｗ／ｃｍ２の間にある、請求項１２から１４のいずれか１項に記載の汚染粒子を除去するシステム。
【請求項１６】
前記中間ステージの前記ＡＣ電圧の周波数は、０．１〜２０ＭＨｚの間、望ましくは１０ＭＨｚである、請求項１２から１５のいずれか１項に記載の汚染粒子を除去するシステム。
【請求項１７】
前記中間ステージの前記ＡＣ電圧は、１０〜４００Ｖの間、望ましくは２００Ｖである、請求項１２から１６のいずれか１項に記載の汚染粒子を除去するシステム。
【請求項１８】
前記レジームの前記第１のステージの期間は、前記ＥＵＶ放射ビームの連続パルスの開始の間の時間の５〜１５％の間に対応し、望ましくは１０％未満である、請求項１１から１７のいずれか１項に記載の汚染粒子を除去するシステム。
【請求項１９】
前記レジームの前記中間ステージの期間は、前記ＥＵＶ放射ビームの連続パルスの開始の間の時間の３０％未満に対応し、望ましくは２０％未満に対応する、請求項１１から１８のいずれか１項に記載の汚染粒子を除去するシステム。
【請求項２０】
前記レジームの前記第２のステージの期間は、前記ＥＵＶ放射ビームの連続パルスの開始の間の時間の少なくとも４０％、少なくとも５０％、又は少なくとも６０％に対応する、請求項３から１９のいずれか１項に記載の汚染粒子を除去するシステム。
【請求項２１】
前記少なくとも１対の電極は、第１の対の電極が第２の対の電極よりも汚染粒子の発生源に近いように前記ＥＵＶ放射ビームの軸に沿ったそれぞれの位置に備えられる第１及び第２の対の電極を備え、
前記電圧レジームの前記第１のステージの電圧は、前記第１の対の電極に印加され、前記電極レジームの前記第２のステージの電圧は、前記第２の対の電極に印加される、請求項１に記載の汚染粒子を除去するシステム。
【請求項２２】
前記電圧レジームは、前記第１のステージと前記第２のステージとの間に備えられ、ＡＣ電圧が１対の電極に供給される中間ステージを含み、
前記第１のステージの前記ＡＣ電圧は、前記中間ステージの前記ＡＣ電圧よりも高い、請求項２１に記載の汚染粒子を除去するシステム。
【請求項２３】
前記レジームの前記中間ステージ及び第２のステージに必要な電圧は、それぞれの連続する期間に前記第２の対の電極間に供給される、請求項２２に記載の汚染粒子を除去するシステム。
【請求項２４】
前記第２のステージの前記ＤＣ電圧は、１００〜４００Ｖの範囲から選択され、望ましくは２００Ｖである、請求項１から２３のいずれか１項に記載の汚染粒子を除去するシステム。
【請求項２５】
請求項１から２４のいずれか１項に記載の汚染粒子を除去するシステムを含むリソグラフィ装置。
【請求項２６】
前記汚染粒子を除去するシステムは、照明システムと前記放射ビームにパターンを与えるパターニングデバイスとの間の前記ＥＵＶビーム経路から汚染粒子を除去する、請求項２５に記載の汚染粒子を除去するシステムを含むリソグラフィ装置。
【請求項２７】
リソグラフィ装置でＥＵＶ放射ビームの経路から汚染粒子を除去する方法であって、
ＥＵＶ放射ビームの経路の反対側に少なくとも１対の電極を備えるステップと、
前記少なくとも１対の電極間の電圧レジームを供給するステップと、
を含み、前記レジームはＡＣ電圧が１対の前記電極に供給される第１のステージと、ＤＣ電圧が前記電極に供給される第２のステージとを含む、方法。
【請求項２８】
パターニングされたＥＵＶ放射ビームを基板に投影するステップを含むデバイス製造方法であって、前記ＥＵＶ放射ビームの経路の少なくとも一部から汚染粒子を除去する、請求項２７に記載の方法を用いるステップを含むデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
（関連出願への相互参照）
[0001]  本願は２０１０年３月１２日に出願され、参照により全体を本明細書に組み込むものとする米国仮出願第６１／３１３，５０７号の利益を主張するものである。さらに、２０１０年５月２６日に出願され、参照により全体を本明細書に組み込むものとする米国仮出願第６１／３４８，５２１号の利益を主張するものである。
【０００２】
[0002]  本発明は、ＥＵＶ放射ビームの経路から汚染粒子を除去するシステム、リソグラフィ装置、ＥＵＶ放射ビームの経路から汚染粒子を除去する方法、及びデバイス製造方法に関する。
【背景技術】
【０００３】
[0003]  リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板に、通常は基板のターゲット部分に適用する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に使用可能である。このような場合、代替的にマスク又はレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを使用して、ＩＣの個々の層上に形成すべき回路パターンを生成することができる。このパターンを、基板（例えばシリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば１つ又は幾つかのダイの一部を含む）に転写することができる。パターンの転写は通常、基板に設けた放射感応性材料（レジスト）の層への結像により行われる。一般的に、１枚の基板は、順次パターンが与えられる隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。
【０００４】
[0004]  リソグラフィは、ＩＣ及びその他のデバイス及び／又は構造を製造する際の主要なステップの１つとして広く認識されている。しかし、リソグラフィを使用して製造される特徴の寸法がより微細になると共に、リソグラフィは小型ＩＣ又はその他のデバイス、及び／又は構造の製造を可能にするためのより決定的なファクタになってきている。
【０００５】
[0005]  パターン印刷の限界の理論的な推定値は方程式（１）に示すようなレイリーの解像基準によって得られる。
【数１】
2013526004.tif 000003
但し、λは使用される放射の波長、ＮＡはパターンを印刷するために使用される投影システムの開口数、ｋ１はレイリー定数とも呼ばれるプロセス依存調整係数であり、ＣＤは印刷される特徴のフィーチャサイズ（すなわちクリティカルディメンション）である。方程式（１）から、特徴の印刷可能な最小サイズの縮小は３つの方法で達成できることが分かる。すなわち、露光波長λの短縮によるもの、開口数ＮＡの増加によるもの、又はｋ１の値の減少によるものである。
【０００６】
[0006]  露光波長を短縮し、印刷可能な最小サイズを縮小するため、極端紫外（ＥＵＶ）放射源を使用することが提案されてきた。ＥＵＶ放射は５〜２０ｎｍの範囲内、例えば１３〜１４ｎｍの範囲内の波長を有する電磁放射である。さらに、例えば６．７ｎｍ又は６．８ｎｍなどの５〜１０ｎｍの範囲内の、１０ｎｍ未満の波長を有するＥＵＶ放射を使用できることが提案されてきた。このような放射は極端紫外放射、又は軟ｘ線放射と呼ばれている。可能な放射源には例えば、レーザ生成プラズマ放射源、放電プラズマ放射源、又は電子蓄積リングにより与えられるシンクロトロン放射に基づく放射源が含まれる。
【０００７】
[0007]  ＥＵＶ放射はプラズマを使用して生成することができる。ＥＵＶ放射を生成するための放射システムは、燃料を励起してプラズマを提供するレーザ、及びプラズマを封じ込めるための放射源コレクタモジュールを含んでもよい。プラズマは例えば、適切な材料（例えばスズ）などの燃料にレーザビーム、又はＸｅガス又はＬｉ蒸気などの適切なガス又は蒸気の流れを向けることによって生成することができる。その結果生ずるプラズマは例えばＥＵＶ放射などの出力放射を放出し、これは放射コレクタを使用して収集される。放射コレクタは、放射を受け、放射をビームに合焦する鏡像化垂直入射コレクタであってもよい。放射源コレクタモジュールは、プラズマを支える真空環境を提供する閉鎖構造又はチャンバを含んでもよい。このような放射システムは通常レーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）放射源と呼ばれる。
【０００８】
[0008]  このようなシステムの問題点は、燃料物質の粒子が放射と共に放出されやすく、装置を通って高速又は低速で進行することがある点である。これらの粒子がミラーレンズやレチクルなどの光学表面を汚染すると、装置の性能は劣化する。
【０００９】
[0009]  状況によっては、すべての粒子を偏向させるには光電充電が充分でないことがある。さらに別の問題が、この技術を上記水素環境で利用しようとする場合に生ずる。ガス（Ｈ２）が存在すると、ＥＵＶ放射のパルスは導電性水素プラズマを発生する。このＨ２プラズマ（ＥＵＶビームによって発生される）がコンデンサ板の間の領域に存在すると、印加された電界はプラズマによって遮蔽され、粒子を偏向させない。さらに、次第にプラズマは粒子に負の電荷を印加し、光電効果の正の電荷を消去してしまう。
【発明の概要】
【００１０】
[0010]  したがって、必要とされるのは、例えば水素などの雰囲気内のＥＵＶ装置に適する汚染粒子除去のための代替システムを提供する有効なシステム及び方法である。
【００１１】
[0011]  本発明のある実施形態では、ＥＵＶビームの経路の対向する側に備えられた少なくとも１対の電極と、少なくとも１対の電極の間に制御された電圧を供給するように構成された電圧源とを含む、リソグラフィ装置内のＥＵＶ放射経路から汚染粒子を除去するシステムが提供される。システムは、少なくとも１対の電極間に供給される電圧を制御するように構成されたコントローラを含み、コントローラは電極間の電圧レジームを提供するように構成され、このレジームは、交流（「ＡＣ」）電圧が１対の電極に供給される第１のステージと、直流（「ＤＣ」）電圧が１対の電極に供給される第２のステージとを含む。
【００１２】
[0012]  本発明のある実施形態では、システムはさらに、汚染粒子を除去するための１つ又は複数のこのようなシステムを組み込んだリソグラフィ装置を提供する。
【００１３】
[0013]  本発明のある実施形態では、リソグラフィ装置でＥＵＶ放射ビームの経路から汚染粒子を除去する方法であって、ＥＵＶ放射ビームの経路の反対側に少なくとも１対の電極を含むステップと、少なくとも１対の電極間の電圧レジームを備えるステップとを含み、レジームはＡＣ電圧が１対の電極に供給される第１のステージと、ＤＣ電圧が電極に供給される第２のステージとを含む方法が提供される。
【００１４】
[0014]  本発明のある実施形態では、上記汚染物除去方法を用いて、例えば半導体デバイスなどのデバイス製造方法が提供される。
【００１５】
[0015]  本発明の別の実施形態、特徴及び利点と、本発明の様々な実施形態の構造及び作用を添付の図面を参照して以下に詳細に説明する。本発明は、本明細書に記載する特定の実施形態に限定されないことに留意されたい。このような実施形態は、例示のみを目的として本明細書に記載されている。本明細書に含まれる教示に基づいて当業者はさらなる実施形態を容易に思い付くであろう。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
[0016]  対応する参照符号が対応する部分を示す添付の略図を参照しながら以下に本発明の実施形態について説明するが、これは単に例示としてのものに過ぎない。さらに、本明細書に組み込まれ、その一部を形成する添付の図面は本発明を図示し、説明とともに、さらに本発明の原理を説明し、当業者が本発明を作成し、使用できるような働きをする。
【図１】[0017]本発明のある実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示す。
【図２】[0018]本発明のある実施形態による装置１００のより詳細な図である。
【図３】[0019]本発明のある実施形態による図１及び図２の装置で使用可能な代替形態のＥＵＶ放射源を示す。
【図４】[0020]本発明のある実施形態による修正されたリソグラフィ装置を示す。
【図５】[0021]本発明のある実施形態による汚染粒子を除去するシステムの実施形態を示す。
【図６】[0022]本発明のある実施形態によるシステムで汚染粒子を除去するための従来から知られているシステムの性能を比較したグラフである。
【図７】[0022]本発明のある実施形態によるシステムで汚染粒子を除去するための従来から知られているシステムの性能を比較したグラフである。
【図８】[0023]本発明のある実施形態による汚染粒子を除去するシステムの代替実施形態を示す。
【図９】[0024]本発明のある実施形態による二次電子放出係数がそれぞれ高い物質と低い物質の粒子について図８に示すシステムの性能を比較したグラフである。
【図１０】[0024]本発明のある実施形態による二次電子放出係数がそれぞれ高い物質と低い物質の粒子について図８に示すシステムの性能を比較したグラフである。
【００１７】
[0025]  本発明の特徴及び利点は、類似の参照番号がそれに対応する要素を一貫して識別する図面を参照しながら以下の説明を読むことでさらに明らかになろう。図面では、一般に、類似の番号が同一の、機能が類似した、及び／又は構造が類似した要素を示す。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
[0026]  本明細書は、本発明の特徴を組み込んだ１つ又は複数の実施形態を開示する。開示される実施形態は本発明を例示するにすぎない。本発明の範囲は開示される実施形態に限定されない。本発明は、本明細書に添付される特許請求の範囲によって定義される。
【００１９】
[0027]  記載された実施形態、及び本明細書で「一実施形態」、「ある実施形態」、「例示的実施形態」などに言及した場合、それは記載された実施形態が特定の特徴、構造、又は特性を含むことができるが、それぞれの実施形態が必ずしも特定の特徴、構造、又は特性を含まないことがあることを示す。さらに、このようなフレーズは、必ずしも同じ実施形態に言及するものではない。さらに、ある実施形態に関連して特定の特徴、構造、又は特性について記載している場合、明示的に記載されているか、記載されていないかにかかわらず、このような特徴、構造、又は特性を他の実施形態との関連で実行することが当業者の知識にあることが理解される。
【００２０】
[0028]  本発明の実施形態はハードウェア、ファームウェア、ソフトウェア又はその任意の組合せで実施することができる。本発明の実施形態は、１つ又は複数のプロセッサで読み取り、実行することができる機械読み取り式媒体に記憶した命令として実施することもできる。機械読み取り式媒体は、機械（例えば、計算デバイス）で読み取り可能な形態で情報を記憶するか、又は伝送する任意の機構を含むことができる。例えば、機械読み取り式媒体は読み取り専用メモリ（ＲＯＭ）、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、磁気ディスク記憶媒体、光記憶媒体、フラッシュメモリデバイス、電気、光、音響又は他の形態の伝搬信号（例えば、搬送波、赤外線信号、デジタル信号など）、及びその他を含むことができる。さらに、ファームウェア、ソフトウェア、ルーチン、命令を、本明細書では特定の行為を実行するものとして記述することができる。しかし、このような記述は便宜的なものにすぎず、このような行為は実際には計算デバイス、プロセッサ、コントローラ、又はファームウェア、ソフトウェア、ルーチン、命令などを実行する他のデバイスの結果であることを認識されたい。
【００２１】
[0029]  本発明のある実施形態によれば、図１は、本発明の一実施形態による放射源コレクタモジュールＳＯを含むリソグラフィ装置１００を概略的に示す。この装置は、放射ビームＢ（例えば、ＥＵＶ放射）を調節するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、パターニングデバイス（例えば、マスク又はレチクル）ＭＡを支持するように構築され、パターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第１のポジショナＰＭに接続された支持構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴとを含む。リソグラフィ装置１００は、また、基板（例えば、レジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構築され、基板を正確に位置決めするように構成された第２のポジショナＰＷに接続された基板テーブル（例えば、ウェーハテーブル）ＷＴと、基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば、１つ又は複数のダイを含む）上にパターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢへ付与されたパターンを投影するように構成された投影システム（例えば、反射投影システム）ＰＳとを含む。
【００２２】
[0030]  照明システムは、放射の誘導、整形、又は制御を行うための、屈折、反射、磁気、電磁気、静電気型等の光学コンポーネント、又はその任意の組合せなどの種々のタイプの光学コンポーネントを含んでいてもよい。
【００２３】
[0031]  支持構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡの方向、リソグラフィ装置の設計等の条件、例えばパターニングデバイスが真空環境で保持されているか否かに応じた方法で、パターニングデバイスＭＡを保持する。この支持構造は、パターニングデバイスを保持するために、機械的、真空、静電気等のクランプ技術を使用することができる。支持構造は、例えばフレーム又はテーブルでよく、必要に応じて固定式又は可動式でよい。支持構造は、パターニングデバイスが例えば投影システムなどに対して確実に所望の位置にくるようにできる。
【００２４】
[0032]  「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分にパターンを生成するように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用し得る任意のデバイスを指すものとして広義に解釈されるべきである。放射ビームに与えられるパターンは、集積回路などのターゲット部分に生成されるデバイスの特定の機能層に相当する。
【００２５】
[0033]  パターニングデバイスは透過性又は反射性でよい。パターニングデバイスの例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、及びプログラマブルＬＣＤパネルがある。マスクはリソグラフィにおいて周知のものであり、これには、バイナリマスク、レベンソン型(alternating)位相シフトマスク、ハーフトーン型(attenuated)位相シフトマスクのようなマスクタイプ、さらには様々なハイブリッドマスクタイプも含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例として、小さなミラーのマトリクス配列を使用し、そのミラーは各々、入射する放射ビームを異なる方向に反射するよう個々に傾斜することができる。傾斜したミラーは、ミラーマトリクスによって反射する放射ビームにパターンを与える。
【００２６】
[0034]  本明細書で用いる「投影システム」という用語は、様々なタイプの投影システムを包含するものとして広義に解釈されるべきであり、照明システムと同様に、使用される露光放射に適した、又は真空の使用などのその他のファクタに適した屈折、反射、磁気、電磁、静電型又はその他のタイプの光学コンポーネント、又はその組合せを含んでもよい。その他のガスは過剰な放射を吸収することがあるので、ＥＵＶ放射には真空を使用することが望ましい。したがって、真空壁及び真空ポンプを用いて真空環境をビーム経路全体に備えてもよい。
【００２７】
[0035]  この実施形態では、例えば装置は（例えば反射マスクを使用する）反射型である。
【００２８】
[0036]  リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）又はそれ以上の基板テーブルと、例えば２つ以上のマスクテーブルを有するタイプのものであってよい。このような「マルチステージ」機械では、追加のテーブルを並行して使用することができ、又は１つ又は複数のその他のテーブルが露光用に使用される間に１つ又は複数のテーブル上で準備ステップを実行することができる。
【００２９】
[0037]  図１を参照すると、イルミネータＩＬは、極端紫外放射ビームを放射源コレクタモジュールＳＯから受ける。ＥＵＶ光を生成する方法には、ＥＵＶ範囲内の１つ又は複数の放出線を有する、例えばキセノン、リチウム又はスズなどの少なくとも１つの元素を有するプラズマ状態に物質を変換することが含まれるが、これに限定されない。レーザ生成プラズマ（「ＬＰＰ」）と呼ばれることが多いこのような方法の１つでは、必要な線発光元素を有する物質の液滴、流れ、又はクラスタをレーザビームで照射することによって必要なプラズマを生成することができる。放射源コレクタモジュールＳＯは、燃料を励起するレーザビームを提供するための、図１には図示していないレーザを含むＥＵＶ放射システムの一部であってもよい。結果として生ずるプラズマは、例えばＥＵＶ放射などの出力放射を放出し、この放射は放射源コレクタモジュール内に配置された放射コレクタを使用して収集される。燃料励起のためのレーザビームを供給するために、例えばＣＯ２レーザが使用される場合には、レーザと放射源コレクタモジュールは別個の要素であってもよい。
【００３０】
[0038]  このような場合は、レーザはリソグラフィ装置の一部を形成するとは見なされず、放射ビームは、例えば適切な誘導ミラー及び／又はビームエクスパンダを備えるビームデリバリシステムを用いて、レーザから放射源コレクタモジュールへと送られる。別の場合は、例えば放射源がＤＰＰ放射源と呼ばれることが多い放電生成プラズマＥＵＶ発生器である場合は、放射源は放射源コレクタモジュールの一体部品であってもよい。
【００３１】
[0039]  イルミネータＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調整するアジャスタを備えてもよい。通常、イルミネータの瞳面における強度分布の少なくとも外側及び／又は内側半径範囲（一般にそれぞれ、σ-outer及びσ-innerと呼ばれる）を調整することができる。さらに、イルミネータＩＬは、ファセット型フィールド及び瞳ミラーデバイスなどの他の種々のコンポーネントを備えてもよい。イルミネータを用いて放射ビームを調節し、その断面に所望の均一性と強度分布とが得られるようにしてもよい。
【００３２】
[0040]  放射ビームＢは、支持構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴ上に保持されたパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡに入射し、パターニングデバイスによってパターニングされる。パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡに反射した後、放射ビームＢは投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳはビームを基板Ｗのターゲット部分Ｃ上に合焦させる。第２のポジショナＰＷと位置センサＰＳ２（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ又は容量センサ）を用いて、基板テーブルＷＴは、例えば、様々なターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路に位置決めできるように正確に移動できる。同様に、第１のポジショナＰＭと別の位置センサＰＳ１を用いて、放射ビームＢの経路に対してパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを正確に位置決めできる。パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡ及び基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１、Ｍ２及び基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせすることができる。
【００３３】
[0041]  図示のリソグラフィ装置は、以下のモードのうち少なくとも１つにて使用可能である。
１．ステップモードにおいては、支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴ及び基板テーブルＷＴは、基本的に静止状態に維持される一方、放射ビームに与えたパターン全体が１回でターゲット部分Ｃに投影される（すなわち単一静的露光）。次に、別のターゲット部分Ｃを露光できるように、基板テーブルＷＴがＸ方向及び／又はＹ方向に移動される。
２．スキャンモードにおいては、支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴ及び基板テーブルＷＴは同期的にスキャンされる一方、放射ビームに与えられるパターンがターゲット部分Ｃに投影される（すなわち単一動的露光）。支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度及び方向は、投影システムＰＳの拡大（縮小）及び像反転特性によって求めることができる。
３．別のモードでは、支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴはプログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止状態に維持され、基板テーブルＷＴを移動又はスキャンさせながら、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Ｃに投影する。このモードでは、一般にパルス状放射源を使用して、基板テーブルＷＴを移動させるごとに、又はスキャン中に連続する放射パルスの間で、プログラマブルパターニングデバイスを必要に応じて更新する。この動作モードは、以上で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に適用できる。
【００３４】
[0042]  上述した使用モードの組合せ及び／又は変形、又は全く異なる使用モードも利用できる。
【００３５】
[0043]  本発明のある実施形態によれば、図２は、放射源コレクタモジュールＳＯ、照明システムＩＬ、及び投影システムＰＳを含む装置１００をより詳細に示している。放射源コレクタモジュールＳＯは、放射源コレクタモジュールＳＯの閉鎖構造２２０内に真空環境を保つことができるように構成され、配置されている。ＥＵＶ放射線放出プラズマ２１０を放電生成プラズマ源によって形成することができる。ＥＵＶ放射は、例えばＸｅガス、Ｌｉ蒸気、又はＳｎ蒸気などの適切なガス又は蒸気によって生成可能であり、電磁スペクトルのＥＵＶ範囲の放射線を放出するために極めて高温のプラズマ２１０が生成される。極めて高温のプラズマ２１０は、例えば少なくとも部分的に電離されたプラズマを生ずる放電によって生成される。放射を効率的に発生するには、例えば１０ＰａのＸｅ、Ｌｉ、Ｓｎ蒸気、又はその他の適切なガス又は蒸気の部分圧が必要である。ある実施形態では、ＥＵＶプラズマを生成するために励起したスズ（Ｓｎ）が備えられる。
【００３６】
[0044]  高温プラズマ２１０によって放出される放射は、放射源チャンバ２１１の開口部内、又はその背後に位置する（場合によっては汚染物バリア又はフォイルトラップとも呼ばれる）オプションのガスバリア又は、汚染物トラップ２３０を経て放射源チャンバからコレクタチャンバ２１２へと送られる。汚染物トラップ２３０はチャネル構造を含むことができる。汚染物トラップ２３０はさらに、ガスバリア又はガスバリアとチャネル構造との組合せを含むことができる。本明細書にさらに示されている汚染物トラップ又は汚染物バリア２３０は、この分野では公知のように少なくとも１つのチャネル構造を含む。
【００３７】
[0045]  コレクタチャンバ２１１は、斜入射コレクタであってよい放射コレクタＣＯを含むことができる。放射コレクタＣＯは、上流の放射コレクタ側２５１と、下流の放射コレクタ側２５２とを有している。コレクタＣＯを横切る放射は回折格子分光フィルタ２４０から反射して仮想放射源点ＩＦに合焦させることができる。中間焦点とも呼ばれる仮想放射源点ＩＦと放射源コレクタモジュールとは、中間焦点ＩＦが閉鎖構造２２０内の開口部、又はその近傍に位置するように配置される。仮想放射源点ＩＦは、放射線放出プラズマ２１０の像である。
【００３８】
[0046]  その後、放射は、パターニングデバイスＭＡで放射ビーム２１の所望の角度分布を与え、且つパターニングデバイスＭＡで放射強度の所望の均一性を与えるために、ファセット型フィールドミラーデバイス２２、及びファセット型瞳ミラーデバイス２４を含むことができる照明システムＩＬを横切る。支持構造ＭＴによって保持されるパターニングデバイスＭＡで放射ビーム２１が反射すると、パターニングされたビーム２６が形成され、パターニングされたビーム２６は投影システムＰＳによって反射要素２８を介して、ウェーハステージ又は基板テーブルＷＴによって保持される基板Ｗに結像される。
【００３９】
[0047]  照明光学ユニットＩＬ及び投影システムＰＳには、一般に、図示した以上の要素があってもよい。リソグラフィ装置のタイプに応じて、オプションとして回折格子分光フィルタ２４０を備えてもよい。さらに、図示した以上の追加のミラーがあってもよく、例えば図２に示した以上の１〜６個の追加の反射要素を投影システムＰＳに備えてもよい。
【００４０】
[0048]  図２に示すようなコレクタ光学系ＣＯは、コレクタ（又はコレクタミラー）の例として斜入射リフレクタ２５３、２５４、及び２５５を有する入れ子式コレクタとして示されている。斜入射リフレクタ２５３、２５４、及び２５５は光軸Ｏを中心に軸対称に配置され、このタイプのコレクタ光学系ＣＯは好ましくは、ＤＰＰ源と呼ばれることが多い放電生成プラズマ源と組み合わせて使用される。
【００４１】
[0049]  本発明のある実施形態では、図３に示すように放射源コレクタモジュールＳＯはＬＰＰ放射システムの一部であってもよい。レーザＬＡはキセノン（Ｘｅ）、スズ（Ｓｎ）、又はリチウム（Ｌｉ）などの燃料にレーザエネルギーを吸収させて数十電子ボルトの電子温度を有する高度に電離されたプラズマ２１０を生成する。これらのイオンの脱励起と再結合中に生成されるエネルギー放射はプラズマから放出され、近垂直入射コレクタ光学系ＣＯによって収集され、閉鎖構造２２０内の開口部２２１へと合焦される。
【００４２】
[0050]  本発明のある実施形態によれば、図４は、スペクトル純度フィルタＳＰＦが反射型回折格子ではなく透過型回折格子であるＥＵＶリソグラフィ装置用の配置を示している。この場合、放射源からの放射はコレクタから中間焦点ＩＦ（仮想放射源点）へと直線経路を辿る。代替実施形態（図示せず）では、スペクトル純度フィルタ１１は仮想放射源点１２に、又はコレクタ１０と仮想放射源点１２との間の任意の位置に配置することができる。フィルタは、例えば仮想放射源点１２の下流側など、放射経路の別の位置に配置することもできる。複数のフィルタを配置することができる。上記例と同様に、コレクタＣＯは斜入射型（図２）のタイプでも直接デフレクタ型（図３）のタイプでもよい。
【００４３】
[0051]  上述のように、ガスバリアを含む汚染物トラップ２３０が放射源室内に備えられる。ガスバリアは、例えば参照により全体を本明細書に組み込むものとする米国特許第６，６１４，５０５号及び米国特許第６，３５９，９６９号に記載されているようなチャネル構造を含んでいる。汚染物トラップの目的は、光学系の要素に衝突する燃料材料又は副産物の発生、及び時間経過によるこれらの要素の劣化を防止し、又は少なくとも軽減することである。ガスバリアは（流体の逆流による）物理的バリアとして、汚染物との化学反応によって、及び／又は帯電粒子の静電又は電磁偏向によって作用してもよい。実際には、プラズマ材料を可能な最大範囲までブロックしつつ、放射を照明システムに伝達するためにこれらの方法の組合せを用いてもよい。上記米国特許に説明されているように、Ｓｎ又はその他のプラズマ材料を化学的に修正するために、粒子中に水素ラジカルを注入することができる。水素ラジカルは、光学面に既に堆積している場合があるＳｎやその他の元素を洗浄するためにも利用することができる。
【００４４】
[0052]  リソグラフィ装置の別の個所で汚染粒子に対するバリア又はバッファとして水素又はその他のガスを備えることができる。特に、中間焦点アパーチャ２２１を通過しようとすることがある粒子を妨げるために、放射源室ＳＯ内への水素のフローを準備することができる。さらに、水素ガスを（ｉ）レチクルを汚染するシステムからの汚染物に対するバッファとしてレチクル支持体ＭＴの近傍に、及び（ｉｉ）システム内のより大きい真空空間に侵入するウェーハからの汚染物に対するバッファとしてウェーハ支持体の近傍に配備することができる。
【００４５】
[0053]  これらのすべての目的のため、水素供給源ＨＳ（一部は図示し、一部は図示しない）が各々の汚染物トラップ配置への水素ガス用に配備される。ある供給源は簡単なバッファとして分子水素ガス（Ｈ２）を供給してもよく、別の供給源は水素ラジカルを生成する。
【００４６】
[0054]  参照により全体を本明細書に組み込むものとし、且つ共同所有の米国特許６，７８１，６７３号（「’６７３号特許」）は、レチクルを保護するための静電偏向を提案している。同じ原理をリソグラフィ装置のその他のコンポーネントと空間に適用することができる。’６７３号特許は、ＥＵＶビーム自体の静電効果を利用して粒子に荷電することを提案しており、これがスズの粒子上に正電荷を発生する。
【００４７】
[0055]  本発明のある実施形態によれば、図５は、本発明のある実施形態によるリソグラフィ装置におけるＥＵＶ放射ビームの経路から汚染粒子を除去するためのシステムを示している。この配置では、汚染粒子を除去するシステムは、ＥＵＶ放射ビーム３０が照明システムＩＬによって供給され、パターニングデバイスＭＡに入射し、パターニングされたＥＵＶ放射ビームが投影システムＰＳへと向けられるリソグラフィ装置の領域に備えられる。
【００４８】
[0056]  上述のように、又、図５に示したように、水素は照明システムＩＬと投影システムＰＳの両方に供給され、その結果、それぞれ照明システムＩＬ及び投影システムＰＳからパターニングデバイスＭＡへの水素のフロー３２、３３が生ずる。特に、照明システムＩＬからの水素のフロー３２は、例えば放射源ＳＯからの汚染粒子を同伴することができる。したがって、このような汚染粒子３５がパターニングデバイスＭＡに到達することを防止することが望ましい。例えば、パターニングデバイスＭＡに堆積する２０ｎｍ程度の微小粒子は、その後基板上に形成されるすべてのダイに致命的な欠陥を引き起こすことがある。
【００４９】
[0057]  本発明の汚染粒子除去システムでは、ＥＵＶ放射ビームの経路のいずれかの側に１対の電極４１、４２を備えることができる。図５に示すように、電極４１、４２はパターニングデバイスＭＡの近傍のＥＵＶ放射ビームのどの側にも配置することができるので、１対の電極４１、４２は照明システムＩＬによって供給される両方のＥＵＶ放射ビームの対向する両側、及びパターニングデバイスＭＡから投影システムＰＳに向けられるＥＵＶ放射ビームのいずれかの側に位置する。
【００５０】
[0058]  これまで提案されている汚染粒子を除去するシステムと同様に、１対の電極４１、４２の間に制御された電圧を設定する。したがって、静電荷を帯びる汚染粒子を一方の電極の４２に引き寄せ、ＥＵＶ放射ビームの経路から除去することができる。
【００５１】
[0059]  一実施形態では、一方の電極の４１をアースし、他方の電極４２に正の電圧を印加して、負の電荷を帯びる粒子をこれに引き寄せることができる。しかし、いずれかの電極４１、４２をアースし、他方に電圧を印加してもよいことが理解されよう。さらに、代替実施形態では、電極４１、４２のいずれか一方に正の電圧を印加し、他方の電極４１、４２に負の電圧を印加して１対の電極４１、４２の間に所望の電圧差を設けることができる。このような配置は、電極４１、４２の近傍の他方の表面をアースすることができるため、１対の電極４１、４２の間の空間に電界がより良好に閉じ込められるという利点を有している。
【００５２】
[0060]  しかし、これまで提案されている静電式汚染物除去システムとは異なり、本発明は、特定の電圧レジームを提供するために電圧源を制御するように構成されたコントローラ４５を含んでいる。１対の電極４１、４２に印加される電圧レジームを入念に選択することによって、例えば一定のＤＣ電圧を１対の電極４１、４２に供給するシステムと比較すると、汚染粒子を除去するシステムの性能の向上が得られる。
【００５３】
[0061]  上述のように、これまで提案されている静電式汚染物除去システムは、汚染粒子に正の電荷を与えるためにＥＵＶビームの光電効果を利用することに基づくものであった。しかし、水素ガスが存在する結果、ＥＵＶ放射により導電性の水素プラズマが形成される。このプラズマは、電極４１、４２間の電圧差によって生ずる静電界から汚染粒子を遮蔽することがある。さらに、水素プラズマは汚染粒子に次第に負の電荷を加え、光電効果がある正の電荷を消去してしまうことがある。本発明のある実施形態は、電極４１、４２により精巧な電圧レジームを提供することによって、システムの性能を高めることができるという認識に基づくものである。
【００５４】
[0062]  特に、本発明のある実施形態は、ＡＣ電圧が１対の電極４１、４２に供給される第１のステージと、ＤＣ電圧が１対の電極４１、４２に供給される第２のステージとを含む電圧レジームを使用してもよい。
【００５５】
[0063]  レジームの第１のステージは、これまで提案されているシステムと同様に、荷電汚染粒子３５を一方の電極４１、４２に引き込む機能を果たす。第１のステージは、第２のステージの性能を高めるため、水素プラズマの形成と相互作用するために備えられる。
【００５６】
[0064]  本発明のある実施形態では、第１のステージのＡＣ電圧は、ＥＵＶ放射ビームによって生成される水素プラズマの密度を高めるように選択される。このような実施形態では、プラズマの密度上昇は、汚染粒子３５が比較的強く負の電荷が荷電されるのに十分な、すなわち光電効果の正の電荷を補償する以上の密度上昇であってよい。汚染粒子３５への正味電荷の強度を高めることによって、個々の粒子３５が電極４２によって捕捉される第２のステージの電圧により個々の粒子３５が当初の軌道から十分に偏向される確率を高めることができる。
【００５７】
[0065]  本発明の別の実施形態では、第１のステージのＡＣ電圧は、１対の電極４１、４２の間に供給されるＡＣ電圧がＥＵＶ放射ビームによって生成された水素プラズマを散逸させる効果を有している。
【００５８】
[0066]  いずれにせよ、ＥＵＶ放射によって形成される水素プラズマは時間の経過と共に自然に散逸することを理解されたい。しかし、第１のステージのＡＣ電圧を適切に選択することによって、自然に散逸するよりも迅速に水素プラズマを散逸させることができる。したがって、第２のステージ中に水素プラズマの遮蔽作用を除去又は低減することができる。したがって、所定の電荷が汚染粒子３５に印加される場合、第２のステージで電極４１、４２に印加されるＤＣ電圧の効果はより大きくなる。一方、それは所定の汚染粒子３５が電極４２に引き寄せられる確率を高める。
【００５９】
[0067]  本発明のある実施形態で使用される電圧レジームのさらに別の配置では、ＡＣ電圧が電極４１、４２に供給される中間ステージを設けることができる。このような配置では、上述のように、ＥＵＶビームによって生成される水素プラズマのプラズマ密度を高めるように、第１のステージのＡＣ電圧を選択することができる。その後、自然散逸よりも迅速にプラズマを散逸させるように、中間ステージのＡＣ電圧を選択してもよい。
【００６０】
[0068]  したがって、このような配置では、システムはプラズマの密度を高め、ひいては汚染粒子３５に印加される静電荷の強度を高める第１のステージを有利に活用できる。その後、中間ステージがプラズマ散逸の速度を速めることで、汚染粒子３５を一方の電極４２に引き寄せるためにＤＣ電圧が使用される第２のステージの前にプラズマの遮蔽作用が除去又は低減されてもよい。
【００６１】
[0069]  上述のように、本実施形態により汚染粒子を除去するシステムのある実施形態では、電圧レジームの各ステージで必要な電圧は連続的な期間で１対の電極４１、４２の間に供給される。特に、ＥＵＶ放射ビームはパルス放射源によって供給されてもよい。したがって、ＥＵＶ放射ビームのパルスと同期して必要なレジームと電圧を供給するようにコントローラ４５を構成することができる。
【００６２】
[0070]  特に、電圧レジームの各ステージの期間の合計は、ＥＵＶ放射ビームの連続するパルスの開始の間の時間に対応してもよい。
【００６３】
[0071]  本発明のある実施形態では、ＥＵＶ放射ビームの連続するパルス間の期間、特にＥＵＶ放射の後続のパルスの直前に電圧レジームの第２のステージ、すなわちＤＣ電圧の供給ステージを備えることができる。
【００６４】
[0072]  プラズマ密度を集中させるために電圧レジームの第１のステージのＡＣ電圧が選択される場合は、このＡＣ電圧のタイミングを、ＥＵＶ放射のパルス、及び／又はＥＵＶ放射のパルスの直後の期間と一致するようにすることができる。
【００６５】
[0073]  ＡＣ電圧がプラズマを散逸させるように構成されるレジームステージのタイミングをＥＵＶ放射のパルスの少し後にすることができる。プラズマ密度を集中させるためにレジームの第１のステージも使用される場合は、プラズマを散逸させるように構成された中間ステージは第１のステージの直後、又は少し後に続いてもよい。
【００６６】
[0074]  ＥＵＶパルス放射源を使用するリソグラフィ装置では、パルス周波数は例えば５０ｋＨｚであることができ、その結果、パルス周期、すなわちＥＵＶ放射ビームの連続するパルスの開始間の時間は２０μｓとなる。例えば１００ｋＨｚ及び２００ｋＨｚなどのその他のパルス周波数を用いてもよいことが理解されよう。
【００６７】
[0075]  一般に、第２のステージ、すなわちＤＣ電圧を供給するレジームステージは、粒子が電圧４２に引き寄せられる確率を最大にするために出来るだけ長く続くことが望ましい。ある実施形態では、電圧レジームの第２のステージの期間は、ＥＵＶ放射ビームの連続するパルスの開始の間の時間の少なくとも４０％、少なくとも５０％、又は少なくとも６０％に対応する期間でよい。
【００６８】
[0076]  プラズマの荷電密度を高めるために使用される本発明による電圧レジームステージは、好ましくは出来るだけ短くてよい。このような配置は、プラズマが自然に散逸し、又は荷電汚染粒子３５を引き寄せるためにＤＣ電圧が供給される第２のステージの前に電圧レジームの中間ステージで供給されるＡＣ電圧によって補助されて散逸するための出来るだけ長い時間を与える。本発明のある実施形態では、プラズマ密度を高めるために使用される電圧レジームステージの期間は、ＥＵＶ放射ビームの連続するパルスの開始の間の時間の５〜１５％の間、望ましくは１０％未満であってよい。
【００６９】
[0077]  プラズマの散逸を補助するために使用される本発明による電圧レジームステージの期間は望ましくは、ＥＵＶ放射ビームの後続のパルスの前に、荷電汚染粒子を電極４２に引き寄せるためにＤＣ電圧が供給される電圧レジームの第２のステージのために十分な時間が残されるのに十分に短い期間であってよい。しかし、この期間はさらに、第２のステージが効果的であるために、すなわちプラズマの遮蔽作用が十分に軽減されるためプラズマが十分に散逸するために十分に長い期間でなければならない。ある配置では、本発明の電圧レジームのこのようなステージは、ＥＵＶ放射ビームの連続するパルスの開始の間の時間の３０％未満、望ましくは２０％未満に対応するものでよい。
【００７０】
[0078]  本発明で使用される電圧レジームのステージで使用される電圧、すなわち電圧の大きさと周波数を選択する際、システムの要素の幾何形状を含むシステムの構成を考慮に入れる必要がある。特に、以下のファクタは使用される電圧の選択に影響を及ぼす。
電極４１、４２に印加される電圧と共に電界強度を決定する電極４１、４２の離間距離、
汚染粒子３５の予測速度、及びそれらの予測質量範囲、
粒子が電極４１、４２によって境界付けられる空間内にあることができる時間を決定する汚染粒子の進行方向での電極４１、４２の長さ、
電極４１、４２間の空間内でのプラズマの形成、ＡＣ電圧により得られるプラズマ密度の上昇、及びその後の自然の、又は補助されるプラズマ散逸に影響を及ぼす電極４１、４２間の水素ガスの圧力、及び、
ＥＵＶ放射ビームのタイミングとパワー。
【００７１】
[0079]  本発明のシステムのセットアップ時には、汚染粒子はＥＵＶ放射ビームの複数のパルスの期間だけ、電極４１、４２によって境界付けされる空間内に留まることができることを理解する必要がある。したがって、汚染粒子３５がＥＵＶ放射ビームの複数のパルスに対応する電圧レジームの複数のサイクルを体験するようにシステムを構成することができる。各サイクルは汚染粒子上の電荷を増大することがある。例えば、パルス周波数が５０ｋＨｚであるリソグラフィ装置の予測される構成では、汚染粒子の速度は訳２０ｍ／ｓであってもよい。この場合、長さが例えば６０ｍｍの１対の電極４１、４２の場合、粒子３５はＥＵＶ放射ビームの約１５０のパルス期間だけ電極４１、４２の間に留まることができる。
【００７２】
[0080]  各パルス内で、すなわち電圧レジームの各サイクル中、汚染粒子３５上の正味電荷は増加することがあり、各パルス内で電圧レジームの第２のステージ中に汚染粒子３５に力が加わる。
【００７３】
[0081]  可能な電極４１、４２の構成では、電極の長さ（すなわち汚染粒子が進行すると予測される方法での長さ）は６０ｍｍであることができ、幅は約１００ｍｍであり、おそらく約４０ｍｍ〜９０ｍｍだけ離間されよう。しかし、一般に電極は、ＥＵＶ放射ビームと同じ幅に構成され、ビームの形状にできるだけ近い形状を辿ることが理解されよう。電極４１、４２間の空間内での水素の圧力は例えば約３Ｐａでよい。
【００７４】
[0082]  このような例示的実施形態では、ＥＵＶ放射ビームによって生成されるプラズマの密度を高めるために使用される電圧レジームステージのために選択されるＡＣ電圧は、周波数が２０〜１００ＭＨｚ、電圧の大きさは４０〜２００Ｖの間であるように選択することができる。さらに、この電圧レジームのステージで１対の電極４１、４２に供給される電力は、各電極の面積に基づいて０．００５〜０．０４Ｗ／ｃｍ２になるように選択することができる。
【００７５】
[0083]  蒸気の例示的実施形態でプラズマ散逸を促進するために使用される電極レジームのステージ用のＡＣ電圧は、周波数が０．１〜２０ＭＨｚ、望ましくは約１０ＭＨｚ、電圧の大きさは１０〜４００Ｖ、望ましくは約２００Ｖであるように選択することができる。
【００７６】
[0084]  最期に、上記の例示的実施形態用の電圧レジームの第２のステージで使用されるＤＣ電圧の選択に際して、ＤＣ電圧は１００〜４００Ｖの範囲に、例えば２００Ｖに選択することができる。
【００７７】
[0085]  プラズマ散逸を促進するための電圧、及び／又は電圧レジームの第２のステージ用の電圧を選択する際に、電圧の大きさはプラズマを持続させない十分に低い電圧に選択されなければならないことを理解されたい。従って、特定の構成のシステムでは、このようなステージ用に使用できる最高電圧はパッシェン曲線を用いて決定することができる。
【００７８】
[0086]  本発明の実施形態により、図６及び図７は電極４１、４２に２００Ｖの定電圧が印加される図５に示したようなシステム（図６）、及び３ステージの電圧レジームが備えられる配置（図７）を使用したシミュレーションの結果を比較している。特に、レジームは４０Ｖ、２μｓで１００ＭＨｚの第１のステージ、４００Ｖ、６μｓで０．２５ＭＨｚの中間ステージ、及び１２μｓでＤＣ４００Ｖの第２のステージを含んでいる。
【００７９】
[0087]  図６と図７の両方で、グラフは粒子が電極４１、４２によって境界付けされる空間内に留まる複数の異なるパルスでの粒径による非停止確率分布、すなわち電極のサイズ、及び汚染粒子の予測速度を含むシステムの基本構成の相違に対応する非停止確率分布を示している。図示のように、３ステージの電圧レジームの性能は、ＤＣ定電圧を使用するシステムよりも大幅に向上する。
【００８０】
[0088]  本発明をこれまで図５に示す実施形態に照らして記載してきたが、本発明は代替実施形態によっても実装できることを理解されたい。例えば、図８に示すように、本発明のある実施形態により、関連するそれぞれの電圧コントローラ６３、６４と共に２対の電極６１、６２を備えることができる。
【００８１】
[0089]例えば、電圧源６３は、電圧レジームの第１のステージに必要な電圧を第１の対の電極６１に供給するためにコントローラ４５によって制御されることができ、第２の電圧源６４は中間ステージ及び電圧レジームの第２のステージに必要な電圧を第２の対の電極６２に供給してもよい。第１の対の電極６１の間の第１の領域では、汚染粒子は、このレジームの第１のステージに従って第１の対の電極６１に印加される電圧の結果として密度が高まったプラズマによって荷電される。その後、第２の対の電極６２の間の空間で、汚染粒子を除去するために第２の対の電極６２に電圧レジームの第２のステージ、すなわちＤＣ電圧が印加される前に、プラズマを散逸させるために第２の対の電極６２に電圧レジームの中間ステージが印加される。
【００８２】
[0090]  図９及び図１０は、異なる汚染粒子について図８に示されるようなシステムを使用してシミュレーションの結果を示している。具体的には、図９は本発明のある実施形態により、金属などの二次電子放出率が比較的高い物質の汚染粒子の結果を示している。特に、二次電子放出率ｋは０．０２である。図１０は、絶縁体、具体的には、ｋが０．００２である絶縁体などの二次電子放出率が比較的低い物質の結果を示している。図９及び図１０の両方で、電圧レジームの第１のステージは４０Ｖ、１００ＭＨｚの電圧を使用して第１の対の電極６１によって供給され、０．０３Ｗ／ｃｍ２の電力を供給する。第２の対の電極６２に印加される中間ステージは、ＥＵＶ放射ビームの６．５μｓの各パルスの開始から２００Ｖ、１０ＭＨｚの電圧によって供給される。これも中間ステージの終端からＥＵＶ放射ビームの次のパルスの開始まで第２の対の電極６２に印加される第２のステージはＤＣ２００Ｖである。
【００８３】
[0091]  図９及び図１０に示されるように、本発明の実施形態により、ＤＣ定電圧を使用した従来から知られているシステム、すなわち図６に示すようなシステムよりも非停止確率は大幅に向上する。しかし、図８に示すような実施形態では、異なる物質の粒子は異なる減速効率を有している。
【００８４】
[0092]  図８に示すような実施形態、すなわち電圧レジームの第１及び第２のステージが空間的に離間された実施形態は、非パルス放射ビームが使用されるシステム用に使用できよう。このような配置では、第１のステージは、プラズマによる汚染粒子の荷電を促進するためにプラズマ密度を高めるように構成されたＡＣ電圧であってよい。電圧レジームの第２のステージは、荷電汚染粒子を除去するために使用されるＤＣ電圧であってよい。
【００８５】
[0093]  本文ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置には他の用途もあることを理解されたい。例えば、これは、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用誘導及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどの製造である。こうした代替的な用途に照らして、本明細書で「ウェーハ」又は「ダイ」という用語を使用している場合、それぞれ、「基板」又は「ターゲット部分」という、より一般的な用語と同義と見なしてよいことが、当業者には認識される。本明細書に述べている基板は、露光前又は露光後に、例えばトラック（通常はレジストの層を基板に塗布し、露光したレジストを現像するツール）、メトロロジーツール及び／又はインスペクションツールで処理することができる。適宜、本明細書の開示は、以上及びその他の基板処理ツールに適用することができる。さらに基板は、例えば多層ＩＣを生成するために、複数回処理することができ、したがって本明細書で使用する基板という用語は、既に複数の処理済み層を含む基板も指すことができる。
【００８６】
[0094]  光リソグラフィの分野での本発明の実施形態の使用に特に言及してきたが、本発明は文脈によってはその他の分野、例えばインプリントリソグラフィでも使用することができ、光リソグラフィに限定されないことを理解されたい。インプリントリソグラフィでは、パターニングデバイス内のトポグラフィが基板上に作成されたパターンを画定する。パターニングデバイスのトポグラフィは基板に供給されたレジスト層内に刻印され、電磁放射、熱、圧力又はそれらの組合せを印加することでレジストは硬化する。パターニングデバイスはレジストから取り除かれ、レジストが硬化すると、内部にパターンが残される。
【００８７】
[0095]  「レンズ」という用語は、状況が許せば、屈折、反射、磁気、電磁気及び静電気光学コンポーネントを含む様々なタイプの光学コンポーネントのいずれか一つ、又はその組合せを指すことができる。
【００８８】
[0096]  以上、本発明の特定の実施形態を説明したが、説明とは異なる方法でも本発明を実践できることが理解される。例えば、本発明は、上記で開示したような方法を述べる機械読み取り式命令の１つ又は複数のシーケンスを含むコンピュータプログラム、又はこのようなコンピュータプログラムを内部に記憶したデータ記憶媒体（例えば半導体メモリ、磁気又は光ディスク）の形態をとることができる。
【００８９】
[0097]  例えば、上記検査方法を実施するために、実行可能コードを含むプログラミングを含むコンピュータシステムのソフトウェア機能を使用してもよい。ソフトウエアコードを汎用コンピュータによって実行可能にされてもよい。動作時には、コード及び場合によっては関連するデータ記録を汎用コンピュータプラットフォーム内に記憶してもよい。しかし、別の時には、ソフトウェアを別の位置に記憶し、及び／又は適切な汎用コンピュータシステムにロードするために転送してもよい。したがって、上記実施形態は、少なくとも１つの機械読み取り可能媒体に搭載される１つ又は複数のコードモジュールの形態の１つ又は複数のソフトウェアを含んでいる。コンピュータシステムのプロセッサによるこのようなコードの実行によって、プラットフォームは本明細書に記載し、図示する実施形態で実行される機能と基本的に同様の機能を実施することが可能になる。
【００９０】
[0098]  本明細書で使用するコンピュータ又は機械「読み取り可能媒体」という用語は、プロセッサに実行命令を与えることに関与する任意の媒体を指す。このような媒体は、不揮発性媒体、揮発性媒体、及び伝送媒体を含むがこれらに限定されない多くの形態をとることができる。不揮発性媒体には、例えば、上記のように動作する任意のコンピュータ内の任意のストレージデバイスなどの光学又は磁気ディスクが含まれる。揮発性媒体には、コンピュータシステムのメインメモリなどのダイナミックメモリが含まれる。物理的伝送媒体には、コンピュータシステム内にバスを備えるワイヤを含む同軸ケーブル、銅線、及び光ファイバが含まれる。搬送波伝送媒体は、無線周波数（ＲＦ）及び赤外線（ＩＲ）データ通信中に生成されるような電気又は電磁信号、又は音響又は光信号の形態をとることができる。したがって、コンピュータ読み取り可能媒体の一般的な形態には、フロッピーディスク、フレキシブルディスク、ハードディスク、磁気テープ、その他の任意の磁気媒体、ＣＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ、その他の任意の光学媒体、パンチカード、紙テープ、穿孔パターンを有するその他の任意の物理媒体などの一般にはそれほど使用されない媒体、ＲＡＭ、ＰＲＯＭ、及びＥＰＲＯＭ、ＦＬＡＳＨ−ＥＰＲＯＭ、その他の任意のメモリチップ又はカートリッジ、データ又は命令を搬送する搬送波、このような搬送波を伝送するケーブル又はリンク、又はコンピュータがプログラミングコード及び／又はデータをそこから読み取り、又は送信可能なその他の任意の媒体が含まれる。これらの形態のコンピュータ読み取り可能媒体の多くは、１つ又は複数の命令のうち１つ又は複数のシーケンスを実行するためにプロセッサに搬送することに関与し得る。
【００９１】
[0099]  特許請求の範囲を解釈するには、「発明の概要」及び「要約書」の項ではなく、「発明を実施するための形態」の項を使用するよう意図されていることを認識されたい。「発明の概要」及び「要約書」の項は、本発明者が想定するような本発明の１つ以上の例示的実施形態について述べることができるが、すべての例示的実施形態を述べることはできず、したがって本発明及び添付の特許請求の範囲をいかなる意味でも限定しないものとする。
【００９２】
[00100]  以上では、特定の機能の実施態様を例示する機能的構成記憶要素及びその関係を用いて本発明について説明してきた。これらの機能的構成記憶要素の境界は、本明細書では説明の便宜を図って任意に画定されている。特定の機能及びその関係が適切に実行される限り、代替的な境界を画定することができる。
【００９３】
[00101]  特定の実施形態に関する以上の説明は、本発明の全体的性質を十分に明らかにしているので、当技術分野の知識を適用することにより、過度の実験をせず、本発明の全体的概念から逸脱することなく、このような特定の実施形態を容易に修正する、及び／又はこれを様々な用途に適応させることができる。したがって、このような適応及び修正は、本明細書に提示された教示及び案内に基づき、開示された実施形態の同等物の意味及び範囲に入るものとする。本明細書の言葉遣い又は用語は説明のためのものであって、限定するものではなく、したがって本明細書の用語又は言葉遣いは、当業者には教示及び案内の観点から解釈されるべきことを理解されたい。
【００９４】
[00102]  本発明の幅及び範囲は、上述した例示的実施形態のいずれによっても限定されず、特許請求の範囲及びその同等物によってのみ規定されるものである。
【図１】
2013526004.tif 000004
【図２】
2013526004.tif 000005
【図３】
2013526004.tif 000006
【図４】
2013526004.tif 000007
【図５】
2013526004.tif 000008
【図６】
2013526004.tif 000009
【図７】
2013526004.tif 000010
【図８】
2013526004.tif 000011
【図９】
2013526004.tif 000012
【図１０】
2013526004.tif 000013
【国際調査報告】
2013526004.tif 000014
2013526004.tif 000015
2013526004.tif 000016