(57)【要約】【解決手段】太陽光発電装置及びその製造方法が開示される。太陽光発電装置は、基板、上記基板の上に配置される第１セル、上記第１セルに隣接する第２セル、上記第１セル及び上記第２セルを覆う第１絶縁フィルム、及び上記第１セル及び上記第２セルを連結する接続部材を含み、上記第１絶縁フィルムは上記第１セルを露出する第１ビアホール、及び上記第２セルを露出する第２ビアホールを含み、上記接続部材は上記第１ビアホール及び上記第２ビアホールを通じて上記第１セル及び上記第２セルを連結する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の上に配置される第１セルと、
前記第１セルに隣接する第２セルと、
前記第１セル及び前記第２セルを覆う第１絶縁フィルムと、
前記第１セル及び前記第２セルを連結する接続部材と、を含み、
前記第１絶縁フィルムは、前記第１セルを露出する第１ビアホール及び前記第２セルを露出する第２ビアホールを含み、
前記接続部材は、前記第１ビアホール及び前記第２ビアホールを通じて、前記第１セル及び前記第２セルを連結することを特徴とする、太陽光発電装置。
【請求項２】
前記第１絶縁フィルムの上に配置され、前記接続部材を覆う第２絶縁フィルムを含むことを特徴とする、請求項１に記載の太陽光発電装置。
【請求項３】
前記第１セルは、
前記基板の上に配置される第１後面電極と、
前記第１後面電極の上に配置される第１光吸収部と、
前記第１光吸収部の上に配置される第１ウィンドウと、を含み、
前記第２セルは、
前記基板の上に配置される第２後面電極と、
前記第２後面電極の上に配置される第２光吸収部と、
前記第２光吸収部の上に配置される第２ウィンドウと、を含み、
前記接続部材は、前記第１ウィンドウ及び前記第２後面電極を連結することを特徴とする請求項１に記載の太陽光発電装置。
【請求項４】
前記接続部材は、前記第１ウィンドウの上面に直接接触し、前記第２後面電極の上面に直接接触することを特徴とする請求項３に記載の太陽光発電装置。
【請求項５】
前記第２光吸収部は、前記第２後面電極層の上面が露出するように階段形状に積層されることを特徴とする請求項４に記載の太陽光発電装置。
【請求項６】
前記接続部材及び前記第１セルの間及び前記接続部材及び前記第２セルの間に形成されるメッキ層を含むことを特徴とする請求項１に記載の太陽光発電装置。
【請求項７】
前記基板及び前記接続部材はフレキシブルであることを特徴とする請求項１に記載の太陽光発電装置。
【請求項８】
基板と、
前記基板の上に配置される第１セルと、
前記第１セルに隣接する第２セルと、
前記第１セル及び前記第２セルに連結される接続部材と、
前記接続部材の外部面にコーティングされるメッキ層と、
を含むことを特徴とする太陽光発電装置。
【請求項９】
前記メッキ層は、前記第１セル及び前記接続部材の間に介されることを特徴とする請求項８に記載の太陽光発電装置。
【請求項１０】
前記メッキ層は、前記第２セル及び前記接続部材の間に介されることを特徴とする請求項９に記載の太陽光発電装置。
【請求項１１】
前記第１セル及び前記第２セルを覆う第１絶縁フィルムを含み、
前記第１絶縁フィルムは、前記第１セルを露出する第１ビアホール、及び前記第２セルを露出する第２ビアホールを含み、
前記接続部材は、前記第１ビアホール及び前記第２ビアホールを通じて、前記第１セル及び前記第２セルを連結することを特徴とする請求項９に記載の太陽光発電装置。
【請求項１２】
前記接続部材は、前記第１ビアホールの内、前記第２ビアホールの内、及び前記第１絶縁フィルムの上に亘って配置されることを特徴とする請求項１１に記載の太陽光発電装置。
【請求項１３】
前記接続部材及び前記第１絶縁フィルムを覆う第２絶縁フィルムを含むことを特徴とする請求項１２に記載の太陽光発電装置。
【請求項１４】
基板の上に隣り合う第１セル及び第２セルを形成するステップと、
前記第１セル及び前記第２セルを各々露出する第１ビアホール及び第２ビアホールが形成される第１絶縁フィルムを形成するステップと、
前記第１ビアホール及び前記第２ビアホールを通じて前記第１セル及び前記第２セルに接続される接続部材を形成するステップと、
を含むことを特徴とする太陽光発電装置の製造方法。
【請求項１５】
前記接続部材の外部面に、電気メッキによりメッキ層を形成するステップを含むことを特徴とする請求項１４に記載の太陽光発電装置の製造方法。
【請求項１６】
前記メッキ層は、前記接続部材及び前記第１セルの間に形成されることを特徴とする請求項１５に記載の太陽光発電装置の製造方法。
【請求項１７】
前記メッキ層は、前記接続部材及び前記第２セルの間に形成されることを特徴とする請求項１６に記載の太陽光発電装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、太陽光発電装置及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
最近、エネルギーの需要が増加するにつれて、太陽光エネルギーを電気エネルギーに変換させる太陽光発電装置に対する開発が進められている。
【０００３】
特に、ガラス基板、金属後面電極層、ｐ型ＣＩＧＳ系光吸収部、高抵抗バッファ、ｎ型ウィンドウ層などを含む基板構造のｐｎヘテロ接合装置であるＣＩＧＳ系太陽光発電装置が広く使われている。
【０００４】
このような太陽光発電装置において、低い抵抗、高い透過率などの電気的な特性を向上させるための研究が進められている。また、フレキシブルな太陽光発電装置に対する研究も進行中である。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、断線などが防止されて高い信頼性を有し、容易に製造できる太陽光発電装置及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に従う太陽光発電装置は、基板、上記基板の上に配置される第１セル、上記第１セルに隣接する第２セル、上記第１セル及び上記第２セルを覆う第１絶縁フィルム、及び上記第１セル及び上記第２セルを連結する接続部材を含み、上記第１絶縁フィルムは上記第１セルを露出する第１ビアホール、及び上記第２セルを露出する第２ビアホールを含み、上記接続部材は上記第１ビアホール及び上記第２ビアホールを通じて、上記第１セル及び上記第２セルを連結する。
【０００７】
本発明に従う太陽光発電装置は、基板、上記基板の上に配置される第１セル、上記第１セルに隣接する第２セル、上記第１セル及び上記第２セルに連結される接続部材、及び上記接続部材の外部面にコーティングされるメッキ層を含む。
【０００８】
本発明に従う太陽光発電装置の製造方法は、基板の上に隣り合う第１セル及び第２セルを形成するステップ、上記第１セル及び上記第２セルを各々露出する第１ビアホール及び第２ビアホールが形成される第１絶縁フィルムを形成するステップ、及び上記第１ビアホール及び上記第２ビアホールを通じて上記第１セル及び上記第２セルに接続される接続部材を形成するステップを含む。
【発明の効果】
【０００９】
本発明に従う太陽光発電装置は、隣接するセルを絶縁フィルムに形成されるビアホールを通じて接続される接続部材により連結する。セルの上に絶縁フィルムが配置され、絶縁フィルムにセルを露出するビアホールが形成された後、接続部材はビアホールに対応してプリンティングされる。
【００１０】
即ち、接続部材はプリンティング方式により形成されるので、本発明に従う太陽光発電装置は容易に製作できる。
【００１１】
また、接続部材がプリンティングされた状態で、接続部材及びセルに電気メッキによりメッキされる。これによって、接続部材はセルに固く接続され、本発明に従う太陽光発電装置は断線などを防止する。
【００１２】
また、メッキ層によって、接続部材及びセルの間の接続特性が向上し、本発明に従う太陽光発電装置は向上した電気的な特性を有する。
【００１３】
したがって、本発明に従う太陽光発電装置は容易に形成され、向上した信頼性を有する。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の実施形態に従う太陽電池パネルを示す平面図である。
【図２】第１セル及び第２セルが接続された状態を拡大して示す平面図である。
【図３】図１のＡ−Ａ’に沿って切断した断面を示す断面図である。
【図４】本発明の実施形態に従う太陽光発電装置を製造する過程を示す図である。
【図５】本発明の実施形態に従う太陽光発電装置を製造する過程を示す図である。
【図６】本発明の実施形態に従う太陽光発電装置を製造する過程を示す図である。
【図７】本発明の実施形態に従う太陽光発電装置を製造する過程を示す図である。
【図８】本発明の実施形態に従う太陽光発電装置を製造する過程を示す図である。
【図９】本発明の実施形態に従う太陽光発電装置を製造する過程を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
本発明を説明するに当たって、各基板、層、膜、または電極などが、各基板、層、膜、電極などの“上（on）”に、または“下（under）”に形成されることと記載される場合において、“上（on）”と“下（under）”は、“直接（directly）”または“他の構成要素を介して（indirectly）”形成されることを全て含む。また、各構成要素の上または下に対する基準は、図面を基準として説明する。図面において、各構成要素のサイズは説明のために誇張することがあり、実際に適用されるサイズを意味するものではない。
【００１６】
図１は、本発明の実施形態に従う太陽電池パネルを示す平面図である。図２は、第１セルＣ１及び第２セルＣ２が連結された状態を拡大して示す図である。図３は、図１のＡ−Ａ’に沿って切断した断面を示す断面図である。
【００１７】
図１乃至図３を参照すると、実施形態に従う太陽電池パネルは、支持基板１００、多数個のセルＣ１，Ｃ２．．．、第１絶縁フィルム３１０、第２絶縁フィルム３２０、多数個の接続部材４００、メッキ層５００、第１バスバー６１０、及び第２バスバー６２０を含む。
【００１８】
上記支持基板１００は、上記セルＣ１，Ｃ２．．．、上記第１絶縁フィルム３１０、上記第２絶縁フィルム３２０、及び上記接続部材４００を支持する。上記支持基板１００はプレート形状を有し、フレキシブルである。
【００１９】
上記支持基板１００は絶縁体である。上記支持基板１００は、例えば、ステンレススチール基板またはエチレンビニールアセテート（ethylenevinylacetate；ＥＶＡ）、またはポリイミド（polyimide；ＰＩ）などを含むポリマー基板でありうる。
【００２０】
上記セルＣ１，Ｃ２．．．は、上記支持基板１００の上に配置される。上記セルＣ１，Ｃ２．．．は、互いに離隔してマトリックス形態に配置される。これとは異なり、上記セルＣ１，Ｃ２．．．は一方向に延びる形状を有することができ、ストライプ形態に配置される。
【００２１】
上記セルＣ１，Ｃ２．．．は互いに直列または並列に連結される。より詳しくは、互いに離隔した上記セルＣ１，Ｃ２．．．は、上記接続部材４００、上記第１バスバー６１０、及び上記第２バスバー６２０により互いに直列または並列に連結される。
【００２２】
上記セルＣ１，Ｃ２．．．は太陽光の入射を受けて電気エネルギーに変換させる。例えば、上記セルＣ１，Ｃ２．．．は、シリコン系太陽電池、ＣＩＧＳ系太陽電池のような半導体化合物系太陽電池及び染料感応太陽電池でありうる。
【００２３】
上記各々のセルＣ１，Ｃ２．．．は、後面電極２１０、光吸収部２２０、バッファ２３０、高抵抗バッファ２４０、及びウィンドウ２５０を含むことができる。
【００２４】
上記後面電極２１０は、上記支持基板１００の上に配置される。上記後面電極２１０は導電層であり、上記後面電極２１０に使われる物質の例としては、モリブデンなどが挙げられる。
【００２５】
上記後面電極２１０は相対的に大きい面積を有する。即ち、上記後面電極２１０は、上記光吸収部２２０、上記バッファ２３０、上記高抵抗バッファ２４０、及び上記ウィンドウ２５０より大きい面積を有する。
【００２６】
これによって、上記後面電極２１０の上面の一部が露出する。即ち、上記後面電極２１０の一部は上記光吸収部２２０の側面に対して側方に突出する。
【００２７】
上記光吸収部２２０は、上記後面電極層の上に配置される。上記光吸収部２２０は、上記ウィンドウ２５０を通じて入射される太陽光を吸収する。上記光吸収部２２０は、例えば、上記光吸収部２２０はＩ-ＩＩＩ-ＶＩ族系化合物を含むことができる。例えば、上記光吸収部２２０は、銅−インジウム−ガリウム−セレナイド系（Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ２；ＣＩＧＳ系）結晶構造、銅−インジウム−セレナイド系、または銅−ガリウム−セレナイド系結晶構造を有することができる。
【００２８】
上記光吸収部２２０のエネルギーバンドギャップ（band gap）は約１ｅＶ乃至１．８ｅＶでありうる。
【００２９】
上記バッファ２３０は、上記光吸収部２２０の上に配置される。上記バッファ２３０は硫化カドミウム（ＣｄＳ）を含み、上記バッファ２３０のエネルギーバンドギャップは約２．２ｅＶ乃至２．４ｅＶである。
【００３０】
上記高抵抗バッファ２４０は、上記バッファ２３０の上に配置される。また、上記高抵抗バッファ２４０は、不純物がドーピングされていないジンクオキサイド（ｉ−ＺｎＯ）を含む。上記高抵抗バッファ２４０のエネルギーバンドギャップは約３．１ｅＶ乃至３．３ｅＶである。
【００３１】
上記ウィンドウ２５０は、上記高抵抗バッファ２４０の上に配置される。上記ウィンドウ２５０は透明で、導電層である。また、上記ウィンドウ２５０の抵抗は上記後面電極２１０の抵抗より高い。例えば、上記ウィンドウ２５０の抵抗は上記後面電極２１０の抵抗より約１０倍乃至２００倍大きいことがある。
【００３２】
上記ウィンドウ２５０はアルミニウムドーピングされたジンクオキサイド（Al doped zinc oxide；ＡＺＯ）またはガリウムドーピングされたジンクオキサイド（Ga doped zinc oxide；ＧＺＯ）などを含むことができる。上記ウィンドウ２５０の厚さは約８００ｎｍ乃至約１２００ｎｍでありうる。
【００３３】
上記光吸収部２２０、上記バッファ２３０、上記高抵抗バッファ２４０、及び上記ウィンドウ２５０は、実質的に同一な面積を有することができる。この際、上記光吸収部２２０、上記バッファ２３０、上記高抵抗バッファ２４０、及び上記ウィンドウ２５０の面積は、上記後面電極２１０の面積より小さいことがある。
【００３４】
これによって、上記光吸収部２２０は上記後面電極２１０の上に階段形状を形成して積層される。即ち、上記光吸収部２２０は上記後面電極２１０と段差を形成することができる。上記バッファ２３０、上記高抵抗バッファ２４０、及び上記ウィンドウ層２５２は、上記後面電極２１０と段差を形成しない。即ち、上記光吸収部２２０、上記バッファ２３０、上記高抵抗バッファ２４０、及び上記ウィンドウ層２５２の外郭は互いに実質的に一致することができる。
【００３５】
上記後面電極２１０は、上記光吸収部２２０から露出する露出領域（ＯＡ）が形成される。即ち、上記露出領域（ＯＡ）は上記後面電極２１０の上面のうち、上記光吸収部２２０が配置されない領域である。
【００３６】
上記第１絶縁フィルム３１０は、上記支持基板１００の上に配置される。上記第１絶縁フィルム３１０は、上記セルＣ１，Ｃ２．．．を覆う。より詳しくは、上記第１絶縁フィルム３１０は、上記セルＣ１，Ｃ２．．．の上に配置される。上記第１絶縁フィルム３１０は、上記セルＣ１，Ｃ２．．．の全体を覆うことができる。また、上記第１絶縁フィルム３１０は、上記セルＣ１，Ｃ２．．．及び上記支持基板１００に密着する。
【００３７】
上記第１絶縁フィルム３１０は透明で、絶縁体である。上記第１絶縁フィルム３１０に使われる物質の例としては、エチレンビニールアセテートなどが挙げられる。
【００３８】
上記第１絶縁フィルム３１０には多数個の第１ビアホール３１１及び多数個の第２ビアホール３１２を含む。
【００３９】
上記第１ビアホール３１１は上記第１絶縁フィルム３１０を貫通し、上記セルＣ１，Ｃ２．．．の一部を各々露出する。より詳しくは、上記第１ビアホール３１１は上記セルＣ１，Ｃ２．．．のウィンドウ２５０の上面を露出する。上記第１ビアホール３１１は、上記セルＣ１，Ｃ２．．．のウィンドウ２５０の外郭に対応して形成される。
【００４０】
上記第２ビアホール３１２は、上記第１絶縁フィルム３１０を貫通し、上記セルＣ１，Ｃ２．．．の他の一部を各々露出する。より詳しくは、上記第２ビアホール３１２は、上記セルＣ１，Ｃ２．．．の後面電極２１０の上面を露出する。より詳しくは、上記第２ビアホール３１２は上記露出領域（ＯＡ）に対応して形成される。
【００４１】
上記第２絶縁フィルム３２０は、上記第１絶縁フィルム３１０の上に配置される。上記第２絶縁フィルム３２０は、上記接続部材４００、上記第１バスバー６１０、及び上記第２バスバー６２０を覆うことができる。上記第２絶縁フィルム３２０は、上記第１絶縁フィルム３１０の上面の全体を覆うことができる。
【００４２】
また、上記第２絶縁フィルム３２０は、上記第１絶縁フィルム３１０に密着する。上記第２絶縁フィルム３２０は、上記セルＣ１，Ｃ２．．．、上記接続部材４００、上記第１バスバー６１０、及び上記第２バスバー６２０を外部に対して密封することができる。
【００４３】
上記第２絶縁フィルム３２０は透明で、絶縁体である。また、上記第２絶縁フィルム３２０はフレキシブルであり、高い耐久性を有することができる。また、上記第２絶縁フィルム３２０は、上記第１絶縁フィルム３１０と同一な物質で形成される。上記第２絶縁フィルム３２０に使われる物質の例としては、エチレンビニールアセテート、ポリイミド、またはポリエチレンテレフタレートなどが挙げられる。
【００４４】
上記接続部材４００は、上記セルＣ１，Ｃ２．．．の間に各々配置される。また、上記接続部材４００は、上記第１絶縁基板の上、上記第１ビアホール３１１の内側、及び上記第２ビアホール３１２の内側に配置される。
【００４５】
上記接続部材４００は、上記セルＣ１，Ｃ２．．．を互いに連結させる。より詳しくは、上記接続部材４００は隣り合うセルＣ１，Ｃ２．．．を連結させる。上記接続部材４００は、上記第１ビアホール３１１及び上記第２ビアホール３１２を通じて隣り合うセルＣ１，Ｃ２．．．を連結させる。即ち、上記接続部材４００は、上記第１ビアホール３１１及び上記第２ビアホール３１２を通じて上記セルＣ１，Ｃ２．．．に接続される。
【００４６】
上記接続部材４００は、上記セルＣ１，Ｃ２．．．を直列に連結させる。即ち、上記接続部材４００は１つのセルのウィンドウ２５０を隣接するセルの後面電極２１０に連結させる。上記接続部材４００は、上記第１ビアホール３１１及び上記第２ビアホール３１２を覆う。即ち、１つの接続部材４００は１つの第１ビアホール３１１及び１つの第２ビアホール３１２を同時に覆う。
【００４７】
上記接続部材４００は導電体である。上記接続部材４００は、例えば、導電性ペーストまたは導電テープでありうる。より詳しくは、上記接続部材４００は、例えば、銀（Ａｇ）ペーストまたは銅プレートでありうる。
【００４８】
上記接続部材４００はフレキシブルである。即ち、上記接続部材４００は、上記支持基板１００が撓むことによって湾曲される。
【００４９】
上記接続部材４００は、上記第１ビアホール３１１及び上記第２ビアホール３１２を通じて上記セルＣ１，Ｃ２．．．に各々連結される。即ち、上記接続部材４００の一部は、上記第１ビアホール３１１及び上記第２ビアホール３１２の内側に配置されて、上記セルＣ１，Ｃ２．．．に接続される。
【００５０】
例えば、図１乃至図３に示すように、上記接続部材４００のうちの１つは、第１セルＣ１及び第２セルＣ２を互いに直列に連結することができる。上記第１セルＣ１及び上記第２セルＣ２は互いに隣接して配置される。上記第１ビアホール３１１のうちの１つは、上記第１セルＣ１のウィンドウ２５１の一部を露出し、上記第２ビアホール３１２のうちの１つは上記第２セルＣ２の後面電極２１０の上面の一部を露出する。
【００５１】
上記接続部材４００は、上記第１ビアホール３１１を通じて上記第１セルＣ１のウィンドウ２５０に接続される。この際、上記接続部材４００は上記第１セルＣ１のウィンドウ２５０に直接的な接触により接続される。
【００５２】
また、上記接続部材４００は、上記第２ビアホール３１２を通じて上記第２セルＣ２の後面電極２１０の露出領域（ＯＡ）に接続される。この際、上記接続部材４００は、上記第２セルＣ２の後面電極２１０に直接的な接触により接続される。
【００５３】
上記メッキ層５００は上記接続部材４００の周囲を囲む。また、上記メッキ層５００は、上記第１ビアホール３１１により露出した上記セルＣ１，Ｃ２．．．のウィンドウ２５０の上に配置される。また、上記メッキ層５００は上記第２ビアホール３１２に露出した上記セルＣ１，Ｃ２．．．の後面電極２１０の上面に配置される。また、上記メッキ層５００は上記接続部材４００及び上記セルＣ１，Ｃ２．．．のウィンドウ２５０の間に介される。また、上記メッキ層５００は、上記接続部材４００及び上記セルＣ１，Ｃ２．．．の後面電極２１０の間に介される。
【００５４】
上記接続部材４００は、上記メッキ層５００を通じて上記セルＣ１，Ｃ２．．．のウィンドウ２５０及び上記セルＣ１，Ｃ２．．．の後面電極２１０に接続される。即ち、上記メッキ層５００は上記接続部材４００及び上記セルＣ１，Ｃ２．．．のウィンドウ２５０の間に介されて、上記接続部材４００及び上記セルＣ１，Ｃ２．．．のウィンドウ２５０の間の電気的及び機械的な接続特性を向上させる。同様に、上記メッキ層５００は、上記接続部材４００及び上記セルＣ１，Ｃ２．．．の後面電極２１０間に介されて、上記接続部材４００及び上記セルＣ１，Ｃ２．．．のウィンドウ２５０の間の電気的及び機械的な特性を向上させる。
【００５５】
即ち、上記メッキ層５００は、上記接続部材４００、上記セルＣ１，Ｃ２．．．のウィンドウ２５０、及び上記セルＣ１，Ｃ２．．．の後面電極２１０にメッキされて形成される。
【００５６】
上記メッキ層５００は導電層であり、低い抵抗の金属を含むことができる。上記メッキ層５００に使われる物質の例としては、銅、銀、または金などが挙げられる。
【００５７】
上記第１バスバー６１０は、上記セルＣ１，Ｃ２．．．を並列に連結する。より詳しくは、上記第１バスバー６１０は、外郭に配置されるセルＣ１，Ｃ２．．．の後面電極２１０に連結される。上記第１バスバー６１０は、上記第１絶縁フィルム３１０及び上記セルＣ１，Ｃ２．．．の後面電極２１０の間に配置される。上記第１バスバー６１０は延びる形状を有し、隣接する太陽電池パネルまたは外部の蓄電装置などに連結される。
【００５８】
上記第２バスバー６２０は、上記セルＣ１，Ｃ２．．．を並列に連結する。より詳しくは、上記第１バスバー６１０は、他の外郭に配置されるセルＣ１，Ｃ２．．．のウィンドウ２５０に連結される。上記第２バスバー６２０は、第１絶縁フィルム３１０及び上記セルＣ１，Ｃ２．．．のウィンドウ２５０の間に配置される。上記第２バスバー６２０は延びる形状を有し、隣接する太陽電池パネルまたは外部の蓄電装置などに連結される。
【００５９】
第１バスバー６１０及び第２バスバー６２０は導電体であり、上記第１バスバー６１０及び上記第２バスバー６２０に使われる物質の例としては、銅または銀などが挙げられる。上記バスバー及び上記第２バスバー６２０は、ペーストまたは導電テープ形態に製作される。
【００６０】
上記接続部材４００は、隣接するセルＣ１，Ｃ２．．．を上記第１ビアホール３１１及び上記第２ビアホール３１２を通じて連結する。特に、上記接続部材４００は、上記セルＣ１，Ｃ２．．．のウィンドウ２５０の上面及び後面電極２１０の上面に接続される。これによって、上記接続部材４００はペーストなどがプリンティングされて形成される。
【００６１】
即ち、上記接続部材４００はプリンティング方式により形成されるので、実施形態に従う太陽光発電装置は、自動化工程などにより容易に製作できる。
【００６２】
また、上記接続部材４００がプリンティングされた状態で、上記接続部材４００及び上記セルＣ１，Ｃ２．．．に電気メッキにより上記メッキ層５００が形成される。これによって、上記接続部材４００は上記セルＣ１，Ｃ２．．．に固く接続され、実施形態に従う太陽電池パネルは断線などを防止する。
【００６３】
また、上記メッキ層５００によって、上記接続部材４００及び上記セルＣ１，Ｃ２．．．の間の接続特性が向上し、実施形態に従う太陽電池パネルは、向上した電気的及び機械的な特性を有する。
【００６４】
したがって、実施形態に従う太陽電池パネルは容易に形成され、向上した信頼性を有する。
【００６５】
図４乃至図９は、本発明の実施形態に従う太陽電池パネルを製造する過程を示す図である。本製造方法に対する説明に、前述した太陽電池パネルに対する説明が本質的に結合できる。
【００６６】
図４を参照すると、支持基板１００の上に多数個の後面電極２１０が形成される。
【００６７】
上記後面電極２１０が形成されるために、上記支持基板１００の上に後面電極層が形成される。上記後面電極層はスパッタリングなどの真空蒸着工程により上記支持基板１００の上にモリブデンが蒸着されて形成される。
【００６８】
以後、上記後面電極層はレーザーなどによりパターニングされて、上記後面電極層は上記後面電極２１０に区分される。
【００６９】
図５を参照すると、上記後面電極の上に、光吸収層２２１、バッファ層２３１、高抵抗バッファ層２４１、及びウィンドウ層２５２が形成される。
【００７０】
上記光吸収層２２１はスパッタリング工程または蒸発法等により形成される。
【００７１】
例えば、上記光吸収層２２１を形成するために、銅、インジウム、ガリウム、セレニウムを同時または区分して蒸発させながら銅−インジウム−ガリウム−セレナイド系（Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ２；ＣＩＧＳ系）の光吸収層２２１を形成する方法と、金属プリカーサ膜を形成させた後、セレン化（selenization）工程により形成させる方法が幅広く使われている。
【００７２】
金属プリカーサ膜を形成させた後、セレン化することを細分化すれば、銅ターゲット、インジウムターゲット、ガリウムターゲットを使用するスパッタリング工程により、上記後面電極２１０の上に金属プリカーサ膜が形成される。
【００７３】
以後、上記金属プリカーサ膜はセレン化（selenization）工程により、銅−インジウム−ガリウム−セレナイド系（Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ２；ＣＩＧＳ系）の光吸収層２２１が形成される。
【００７４】
これとは異なり、上記銅ターゲット、インジウムターゲット、ガリウムターゲットを使用するスパッタリング工程及び上記セレン化工程は、同時に進行できる。
【００７５】
これとは異なり、銅ターゲット及びインジウムターゲットのみを使用したり、銅ターゲット及びガリウムターゲットを使用するスパッタリング工程及びセレン化工程により、ＣＩＳ系またはＣＩＧ系光吸収層が形成される。
【００７６】
以後、硫化カドミウムがスパッタリング工程または溶液成長法（chemical bath depositon；ＣＢＤ）などにより蒸着され、上記バッファ層２３１が形成される。
【００７７】
以後、上記バッファ層２３１の上にジンクオキサイドがスパッタリング工程などにより蒸着され、上記高抵抗バッファ層２４１が形成される。
【００７８】
上記バッファ層２３１及び上記高抵抗バッファ層２４１は低い厚さで蒸着される。例えば、上記バッファ層２３１及び上記高抵抗バッファ層２４１の厚さは約１ｎｍ乃至約８０ｎｍである。
【００７９】
以後、上記高抵抗バッファ層２４１の上に透明な導電物質が蒸着されて上記ウィンドウ層２５２が形成される。例えば、上記ウィンドウ層２５２はアルミニウムがドーピングされたジンクオキサイドがスパッタリング工程により上記高抵抗バッファ層２４１の上に蒸着されて形成される。
【００８０】
図６を参照すると、上記光吸収層２２１、上記バッファ層２３１、上記高抵抗バッファ層２４１、及び上記ウィンドウ層２５２は、レーザーまたは機械的なスクライビング等によりパターニングされる。より詳しくは、上記光吸収層２２１、上記バッファ層２３１、上記高抵抗バッファ層２４１、及び上記ウィンドウ層２５２は、一度にパターニングできる。これによって、多数個の光吸収部２２０、多数個のバッファ２３０、多数個の高抵抗バッファ２４０、及び多数個のウィンドウ２５０が形成される。
【００８１】
これによって、上記支持基板１００の上に、上記後面電極２１０、上記光吸収部２２０、上記バッファ２３０、上記高抵抗バッファ２４０、及び上記ウィンドウ２５０を含む多数個のセルＣ１，Ｃ２．．．が形成される。
【００８２】
この際、上記光吸収層２２１、上記バッファ層２３１、上記高抵抗バッファ層２４１、及び上記ウィンドウ層２５２は、上記後面電極２１０の上面の一部を露出するようにパターニングされる。これによって、上記後面電極２１０の上面には露出領域（ＯＡ）が形成される。
【００８３】
したがって、上記後面電極２１０及び上記光吸収部２２０は階段形状に積層される構造を有する。
【００８４】
図７を参照すると、上記セルＣ１，Ｃ２．．．の上に第１絶縁フィルム３１０が形成される。即ち、上記セルＣ１，Ｃ２．．．が形成された支持基板１００の上に上記第１絶縁フィルム３１０が合着される。以後、上記第１絶縁フィルム３１０には多数個の第１ビアホール３１１及び多数個の第２ビアホール３１２が形成される。
【００８５】
上記第１ビアホール３１１は上記ウィンドウ２５０の上面を露出し、上記第２ビアホール３１２は上記後面電極２１０の露出領域（ＯＡ）を露出する。
【００８６】
図８を参照すると、上記第１絶縁フィルム３１０の上に多数個の接続部材４００が形成される。上記接続部材４００はシルクスクリーン印刷などのプリンティング方式により形成される。
【００８７】
即ち、金属粒子などの導電性粒子を含む導電性ペーストが上記セルＣ１，Ｃ２．．．の間にプリントされる。また、上記導電性ペーストは上記第１ビアホール３１１及び上記第２ビアホール３１２を覆うようにプリントされる。これによって、上記接続部材４００が形成される。
【００８８】
以後、上記接続部材４００は別に乾燥工程及び熱処理工程をさらに経ることができる。
【００８９】
図９を参照すると、メッキ層５００が形成され、上記第１絶縁フィルム３１０の上に第２絶縁フィルム３２０が形成される。
【００９０】
上記メッキ層５００は電気メッキにより形成される。例えば、上記接続部材４００に負極が連結されて、電解質に含まれた銅イオンなどの金属イオンが上記接続部材４００、露出したウィンドウ２５０、及び露出した後面電極２１０にメッキされる。
【００９１】
上記接続部材４００は、上記後面電極２１０及び上記ウィンドウ２５０に完全に密着しないことがある。即ち、上記接続部材４００の一部は上記後面電極２１０及び上記ウィンドウ２５０に直接接触されるが、上記接続部材４００の他の一部は上記後面電極２１０及び上記ウィンドウ２５０と若干の空間を形成し、離隔する。
【００９２】
この際、上記接続部材４００、上記後面電極２１０の上面、及び上記ウィンドウ２５０の上面に電気メッキによりメッキ層５００が形成される。また、上記接続部材４００及び上記後面電極２１０の間の若干の空間及び上記接続部材４００及び上記ウィンドウ２５０の間の若干の空間に上記メッキ層５００が形成される。
【００９３】
即ち、電解質に含まれた金属イオンは、上記接続部材４００及び上記ウィンドウ２５０の間の空間及び上記接続部材４００及び上記後面電極２１０の間の空間でもメッキできる。
【００９４】
したがって、上記メッキ層５００は、上記接続部材４００及び上記ウィンドウ２５０の間、及び上記接続部材４００及び上記後面電極２１０の間の電気的及び機械的な特性を向上させる。
【００９５】
このように、実施形態に従う太陽電池パネルは、上記接続部材４００をプリンティング方式により一括的に形成することができる。また、上記メッキ層５００によって、実施形態に従う太陽電池パネルは向上した特性を有する。
【００９６】
以上、実施形態に説明された特徴、構造、効果などは、本発明の少なくとも１つの実施形態に含まれ、必ず１つの実施形態のみに限定されるものではない。延いては、各実施形態で例示された特徴、構造、効果などは、実施形態が属する分野の通常の知識を有する者により他の実施形態に対しても組合または変形されて実施可能である。したがって、このような組合と変形に関連した内容は本発明の範囲に含まれることと解釈されるべきである。
【００９７】
以上、本発明を好ましい実施形態をもとに説明したが、これは単なる例示であり、本発明を限定するのでない。本発明の本質的な特性を逸脱しない範囲内で、多様な変形及び応用が可能であることが同業者にとって明らかである。例えば、実施形態に具体的に表れた各構成要素は変形して実施することができ、このような変形及び応用にかかわる差異点も、特許請求の範囲で規定する本発明の範囲に含まれるものと解釈されるべきである。
【産業上の利用可能性】
【００９８】
本発明に従う太陽光発電装置及びその製造方法は、太陽光発電分野に利用できる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【国際調査報告】
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