(57)【要約】  本発明は、複数の炭化タングステン先端部、並びにスライド可能な炭化タングステン先端部を保持できる凹み部を複数備える支持体、を含む太陽電池用シリコンウェハーを機械的にテクスチャリングするための装置、及び、複数の先端部それぞれがシリコンウェハーの厚さに依らず一定の力でシリコンウェハー上に押し付けられる状態を維持する手法、を提供する。
2013526048.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
太陽電池用シリコンウェハー（４）の機械的テクスチャリングを行うための装置（１）であって、複数の炭化タングステン先端部（３、３０、３１）、並びに、炭化タングステン先端部がスライド可能なように炭化タングステン先端部をそれぞれが保持することができる複数の凹部（２０）、及び、シリコンウェハーの厚さの変化によらず、前記シリコンウェハーに対して一定の圧力をかけ続けるための手段を含む支持体（２）を含む、太陽電池用シリコンウェハー（４）の機械的テクスチャリングを行うための装置（１）。
【請求項２】
前記支持体が、前記先端部が自由にスライド可能なように前記先端部を保持できる、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
押圧力をかける前記手段が、前記先端部（３、３０、３１）のそれぞれの固有の重量から成る、請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記先端部が、直線状の三角柱形状をした下側部分（３１）を有し、前記先端部を保持できるように、三角形の頂点の角度が前記凹部（２０）の頂点（２００）よりも小さい、請求項１から３の何れか一項に記載の装置。
【請求項５】
前記先端部（３１）の三角形の頂点の角度が３０−４５°である、請求項４に記載の装置。
【請求項６】
エッチング間隔ｄが５−４０μｍである、請求項１〜５の何れか一項に記載の装置。
【請求項７】
０．１−２Ｎの一定の押圧力が印加される方法に従って、請求項１から６の何れか一項に記載の装置（１）によって実施される、太陽電池用シリコンウェハー（４）を機械的テクスチャリングする方法。
【請求項８】
０．３−１Ｎの一定の押圧力が印加される、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記押圧力の少なくとも一部が、前記先端部に加えられるガスの圧力によって生み出される、請求項７又は８に記載の方法。
【請求項１０】
前記支持体が５−１００ｍｍ／ｓの速度で移動する、請求項７から９項の何れか一項に記載の方法。
【請求項１１】
表面に５−５０μｍの深さの均一なエッチングパターンを有する、請求項７から１０の何れか一項に記載の方法によって得られる太陽電池用多結晶シリコンウェハー（４）。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、太陽電池用シリコンウェハーにテクスチャリング（微小凹凸加工）を行う装置及び方法に関する。本発明は、得られるシリコンウェハー、特に多結晶ウェハーに関する。
【背景技術】
【０００２】
クリーンルーム環境でシリコンウェハーの加工プロセスを行う産業部門において、大部分の太陽電池（ＰＶ）は単結晶又は多結晶シリコンから製造される。最初のステップは、反射率を低減するためのウェハー表面のテクスチャリングである。
【０００３】
工業的に用いられる標準的な方法では、結晶化したインゴットはワイヤーソーイングにより切断されウェハーとなり、ウェハーは光閉じ込めを改善するために化学処理される。方法の最適化のために、数ミクロンの大きさを有する構造が一般的に求められている。この化学処理は、酸性溶剤、又は塩基性溶剤中のいずれかで行われ得る。
【０００４】
上記両ケースでは、技術が効果的に反射率を低減できるが、その欠点は、相当量の化学廃液の再処理を必要とすることである。
【０００５】
機械的なエッチング（Ｖ字型に微細加工され、ダイヤモンド研磨剤で被覆された研磨層を備える、金属部分から成る機具）に基づく別の方法が、コンスタンス大学によって提案されている（非特許文献１）。その方法は、その有効性、及び太陽電池セルのエネルギー変換率に影響を与える可能性のある欠陥を生じさせない能力、を備えることを実証している。さらに、生産性（ウェハー１枚当たり数秒の処理時間）と構成機具の磨耗及び裂けの問題が解決された。しかし、機械加工（特に先端部分の曲率半径に関するもの）とダイヤモンド粉末の粒度分布の問題が、手法の有効性を制限する。実際に、通常の処理では、エッチングの空間分解能は５０μｍ程度の値に制限されたままである。
【０００６】
スケールに関する他の極端な場合としては、ＡＦＭ先端部を用いて行われたエッチングの研究を引用可能である（非特許文献２）。非常に微細なパターンを得ることが可能であり、その表面はサブミクロンスケールで非常に綺麗である。ただし、先端部の移動速度が非常に遅く（せいぜい毎秒数百ミクロン）、そのため産業の方法と相容れないものである。
【０００７】
そのため、シリコンウェハーの高速エッチングにより数１０ミクロン程度の特徴寸法のテクスチャを形成する、簡便で有効な手段は存在しない。ワイヤーソーによるインゴット切断時に厚さが変化するという事実が、さらに問題を複雑にしている。炭化ケイ素の粒子による摩耗という従来の手法では、厚さの変化は３０−４０μｍ程度である（非特許文献３）。ダイヤモンド粒子を使用する、より精巧で高価な手法でさえ、１０μｍ以下にすることは困難であると考えられる（非特許文献３）。
【０００８】
さらに、切断工程を伴う冷間鍛造領域（ｃｏｌｄ  ｈａｍｍｅｒｅｄ  ｚｏｎｅ）を削減できるため、一般的には化学的前処理が用いられる。化学反応の動力学は結晶粒に依存して変化するため、この前処理の効果はウェハーの表面粗さを増大させることもある。結論としては、テクスチャ構造作成の準備が整ったウェハーにおける寸法のばらつきは、例外的な場合を除いて、１０μｍよりも大幅に大きくなる。
【０００９】
そのため、文献における手法では、数１０μｍ程度の深さのパターンをエッチングすることでシリコンウェハー上に機械的にテクスチャリングをすることができない。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【００１０】
【非特許文献１】Ｐ．  Ｆａｔｈ，  Ｃ．  Ｂｏｒｓｔ，  Ｃ．  Ｚｅｃｈｎｅｒ，  Ｅ．  Ｂｕｃｈｅｒ，  Ｇ．  Ｗｉｌｌｅｋｅ，  Ｓ．  Ｎａｒａｙａｎａｎ，   ”Ｐｒｏｇｒｅｓｓ  ｉｎ  ａ  ｎｏｖｅｌ  ｈｉｇｈ−ｔｈｒｏｕｇｈｐｕｔ  ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  ｔｅｘｔｕｒｉｚａｔｉｏｎ  ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ  ｆｏｒ  ｈｉｇｈｌｙ  ｅｆｆｉｃｉｅｎｔ  ｍｕｌｔｉｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ  ｓｉｌｉｃｏｎ  ｓｏｌａｒ  ｃｅｌｌｓ ”，  Ｓｏｌａｒ  Ｅｎｅｒｇｙ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ  ａｎｄ  Ｓｏｌａｒ  Ｃｅｌｌｓ  ４８  （１９９７）  ２２９−２３６
【非特許文献２】Ｌ  Ｓａｎｔｉｎａｃｃｉ，  Ｔ  Ｄｊｅｎｉｚｉａｎ，Ｐ  Ｓｃｈｗａｕｅｒ，  Ｔ  Ｓｕｔｅｒ，  Ａ  Ｅｔｃｈｅｂｅｒｒｙ  ａｎｄ  Ｐ  Ｓｃｈｍｕｋｉ，   ”Ｓｅｌｅｃｔｉｖｅ  ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍｉｃａｌ  ｇｏｌｄ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ  ｏｎｔｏ  ｐ−Ｓｉ  （１００）  ｓｕｒｆａｃｅｓ ”，  Ｊ．  Ｐｈｙｓ．  Ｄ：  Ａｐｐｌ．  Ｐｈｙｓ．  ４１  （２００８）  １７５３０１
【非特許文献３】Ｄ．  Ｋｒａｙ，  Ｍ．  Ｓｃｈｕｍａｎｎ，  Ａ．  Ｅｙｅｒ，  Ｇ．  Ｐ．  Ｗｉｌｌｅｋｅ，  Ｒ．  Ｋｕｂｌｅｒ，  Ｊ．  Ｂｅｉｎｅｒｔ  ａｎｄ  Ｇ．  Ｋｌｅｅｒ，   ”Ｓｏｌａｒ  ｗａｆｅｒ  ｓｌｉｃｉｎｇ  ｗｉｔｈ  ｌｏｏｓｅ  ａｎｄ  ｆｉｘｅｄ  ｇｒａｉｎｓ ”，  Ｐｒｏｃ．  ２００６  ＩＥＥＥ  ４ｔｈ  Ｗｏｒｌｄ  Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ  ｏｎ  Ｐｈｏｔｏｖｏｌｔａｉｃ  Ｅｎｅｒｇｙ  Ｃｏｎｖｅｒｓｉｏｎ，  Ｍａｙ  ７−１２  ２００６，  Ｈａｗａｉ，  Ｖｏｌ．  １，  ９４８−９５１
【非特許文献４】ＵＳ  ｐａｔｅｎｔ  ４８２１２５０Ａ  ｅｎｔｉｔｌｅｄ   ”Ｐｒｏｃｅｓｓ  ａｎｄ  ａｐｐａｒａｔｕｓ  ｆｏｒ  ｔｈｅ  ｒｅｃｏｒｄｉｎｇ  ｏｆ  ａｎ  ｉｎｆｏｒｍａｔｉｏｎ  ｓｉｇｎａｌ ”
【非特許文献５】Ｊ．Ｒ．  Ｄａｖｉｓ，  Ｊｒ  ｅｔ  ａｌ．   ”Ｉｍｐｕｒｉｔｉｅｓ  ｉｎ  ｓｉｌｉｃｏｎ  ｓｏｌａｒ  ｃｅｌｌｓ ”，  ＩＥＥＥ  Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ  ｏｎ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｄｅｖｉｃｅｓ  ２７  （１９８０）  ６７７−６８７
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明の目的は、太陽電池会社の生産規定に準拠した速度で、５−５０μｍの欠陥を持つ領域上に、５−５０μｍの特徴寸法の均一なエッチングパターンを形成することで、シリコンウェハーのテクスチャリングを実現する手法を提案することである。
【００１２】
より一般的な目的は、簡便及び効率的な実装手法を提案することである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
これを達成するために、本発明の目的は、複数の炭化タングステン先端部、並びにスライド可能な炭化タングステン先端部を保持できる凹み部を複数備える支持体、を含む太陽電池用シリコンウェハーを機械的にテクスチャリングするための装置、及び、複数の先端部それぞれがシリコンウェハーの厚さに依らず一定の力でシリコンウェハー上に押し付けられる状態を維持する手法である。
【００１４】
支持体は、自由にスライドできるように先端部を保持できることが好ましい。押し付けを維持する手法は、先端部のそれぞれの固有の重量によって構成されるとさらに有利である。
【００１５】
言い換えると、本発明によれば、機械的なエッチングによるテクスチャリングは、数十マイクロメートルのスケールで平坦ではないシリコンウェハーをテクスチャリングするための、適切な押圧力の自己調整システムによって達成される。
【００１６】
平坦度の欠陥に関連する困難を解決するため、本発明では、エッチングされる表面のレベルの変化に追従して、複数のエッチング先端部が自由にスライドするシステムを用いる。したがって、エッチングされる表面の幾何学的なレベルによらず、押圧力は、先端部の重量に等しいままである。先端部の垂直方向の変位は、支持体によって導かれる。
【００１７】
加重質量を用いたエッチングの原理は既知のものであると考え得るが（非特許文献４）、この文献（非特許文献４）、米国４８２１２５０Ａ、に記載されている手法は、１つの先端部で局所的に溝をエッチングするという場合に適用される。しかしながら、本発明の原点における問題の特徴は、テクスチャリング時間の仕様に準拠するために、全体的に、すなわちエッチングする全面を同時に、シリコンウェハーをテクスチャリングする必要性である。
【００１８】
従って、本発明に従う装置は、先端部が挿入される凹部を有する構造部（支持体）を含む。これらの凹部は、エッチング間隔を定義する距離ｄにより、互いにオフセットされている。凹部はアセンブリの機械的結合を保証するため、互いに分離されている。凹部の下部は台形型をしており、その頂点の角度は、先端部が垂直にスライドできるように、先端部の角度よりも大きい。
【００１９】
従来の太陽光発電用途に用いられる典型な深さである５−２０μｍ程度のエッチングプロファイルを得るには、押圧力は０．１−２Ｎ、及び優先的には０．３−１Ｎが好ましい。そして、シリコンウェハーがストレスに耐えることができることはどのような方法であれ明確ではなかったが、実施されたテストでは、ウェハーが相当な初期の割れを持っていない限り、最大２Ｎの押圧力まで耐えることができた。
【００２０】
他の一つの問題は、システムの幾何学的な制約に関するものである。実際、先端部の寸法（底辺Ｌ×ｌ、及び高さＨの平行六面体に類似している）とエッチングゾーンＡ及びＢの寸法は、以下の式で関連づけられる。
ｋ×（Ｌ＋ｅ１）＝Ａ、及び、ｎ×（１＋ｅ２）＝Ｂ
【００２１】
装置は下記式に従うエッチング間隔ｄの制約によっても指定される。
ｎ×ｄ＝Ｌ＋ｅ１
【００２２】
寸法、及び整数を定義するために使用される文字の参照は図２及び図３に示される。
【００２３】
長さＡは、テクスチャするウェハーの寸法によって決定され、一般的にＡ＝１５ｃｍとする。問題を明確にするために、凹部及び間隔の寸法については、妥当な値を採用し、Ｌ＝４ｍｍ、ｌ＝２ｍｍ、ｅ１＝ｅ２＝１ｍｍ、及び２０μｍのエッチング間隔ｄとする。上記の関係が以下の値を与える：ｋ＝３０、ｎ＝２５０、Ｂ＝０．７５ｍ。
【００２４】
もしかしたらこのようなＢの値が高いと思われるかもしれないが、特にＹ方向に並んだいくつかのシリコンウェハーをテクスチャすることができるならば、工業的用途にはまったく問題ない。寸法Ｂを減少させるには２つの可能性が考えられる。エッチング方向Ｙと垂直なＸ方向の機具の相殺により、複数の段階でテクスチャリングすることである（図２及び図３の方向に関して参照のこと。）。
【００２５】
これは、同等の上記条件の再定義を意味する：ｎ×ｄ＝（Ｌ＋ｅ１）を、ｎ×ｄ＝（Ｌ＋ｅ１）／ｊとし、ここでｊは整数である。
【００２６】
Ｌの値が与えられるため、因子ｊによりｎ、及びＢを減少することができる。しかし、生産性の理由のため、この手法はｊの値が３より大きい場合には現実的ではない。
【００２７】
Ｂを減らすための別の選択肢は、ｌの寸法を減少することだが、容認できない高さＨを必要とせずに妥当な質量を達成する、という問題が課せられる。
【００２８】
実際に、３．２ｋｇ／ｍ３程度の密度ρを有する炭化ケイ素のような材料は、底部４×２ｍｍ２の平行六面体で０．５Ｎの力に達するには、ほぼ２ｍの高さを必要とし、デバイスの体積、及び先端部の脆弱性という明確を引き起こす。これは根本的な問題であり、Ｂを最大値である０．７５ｍに維持し、ｊ＝５段階でテクスチャリングしても、これらの問題が解決できない。実際に、値Ｌ＝４ｍｍ、ｅ１＝１ｍｍと２０μｍのエッチング間隔ｄで、ｋ＝３０、ｎ＝５０となる。Ｂ＝０．７５ｍとｅ２＝１ｍｍを維持することで、前の例では２ｍｍであったｌと比較して１．４ｃｍを取ることが可能である。
【００２９】
これらの工業的構成では現実的ではない極端な条件下でさえ、Ｈの値は２８センチを超え、装置の制約と先端部の脆弱性の問題が再び出てくる。ダイヤモンド（ρ＝３．５ｋｇ／ｍ３）の利用は、コストの面での問題を引き起こし、限られた改善しかない（１０％のみのＨの削減）。
【００３０】
シリコンと互換性があることで有名な硬い材料（ダイヤモンドと炭化ケイ素）は、したがって、本発明を実施するためには適していない。
【００３１】
この困難に対応するため、本発明者らはエッチング材料として、密度が１５ｋｇ／ｍ３より大きく、ダイヤモンドや炭化ケイ素に比べて本物の技術的ブレークダウンの余地を残す炭化タングステンを試すことを決めた。そして、タングステンは少数キャリアの寿命にとって最も有害な金属のひとつであり、太陽電池効率を低下させるので、太陽電池用シリコンウェハーのエッチング用材料として、この材料を使用する明確なものはなかった（非特許文献５）。例として、１０億分の１程度（ｐｐｂ、又は同等の意味で、５×１０１３ａｔ／ｃｍ３）の含有量はｐ型シリコンで太陽電池の効率を４０％以上低下させるのに十分である。しかし、実施されたテストは、ウェハーの電子特性は影響を受けなかったことを示し、炭化タングステンを選択することの有効性を示すことができた。
【００３２】
本発明の実施では、先端部の下側部分は直線状の三角柱形状をしており三角形頂点は２０°−６０°、優先的に３０°−４５°のような角度が選択される。先端部の上側部分は、優先的に平行六面体であるが、他の形状を想定することができる。平行六面体形状の場合、特徴寸法は以下のとおりである。２−１５ｍｍの長さＬ。１−５ｍｍの幅ｌ。１−２５ｃｍの高さＨ。
【００３３】
隣接する２つの先端部を隔てる距離として定義されるエッチング間隔ｄは、好ましくは５−１００μｍ、優先的には５−４０μｍの間に選択される。
【００３４】
移動速度は５−１００ｍｍ／ｓ、及び優先的に１０−３０ｍｍ／ｓとなる。
【００３５】
構造部分は好ましくは、鋼、又はニッケルを基にした超合金の材料から製造する。どのような選択の構成であっても、ウェハーあたりのエッチング先端部の数は非常に多く、典型的には常に数千個であることに留意すべきである。そのため、それぞれの凹部内の先端部の挿入を自動化することが有利にできる。
【００３６】
本発明の別の形では、先端部の押圧力を増加するために気体の圧力が加えられる。例として、１０ｍｍ２の面積上の１ｂａｒの圧力は、１Ｎの力に相当する。この動作モードは、エッチングするウェハーの幾何学的なレベルに依存しない押圧力を保持する原理を可能にするが、十分な面積Ｌ×ｌの先端部を有する必要性が再び生じる。
【発明の効果】
【００３７】
本発明のいくつかの利点は、次のとおりである。光閉じ込めの最適化を可能にするための、ピラミッド構造以外のテクスチャリングプロファイルを達成する可能性。
【００３８】
異なる幾何学的形状の先端部を選択することによって、これらの多様なプロファイルが達成できる。先端部の幾何学的特徴の変化によって、押圧力を調整する可能性。摩耗部品である先端部が、粉末冶金型の低コスト技術を用いることで、製造できる。画像処理と組み合わせることでウェハーの表面から不良エッチングの同定を可能にし、摩耗した先端部のみを選択的に交換することができる。非常に短いテクスチャリング時間と、Ｙ方向に互いに隣接するように配された複数のウェハーを同時にエッチングできる可能性。
【００３９】
そのため本発明の目的は、太陽電池用の、特に多結晶シリコンウェハーに関するものであり、その表面は５−５０μｍの深さの均一なエッチングパターンを含む。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】本発明に従う装置の概略横断面図である。
【図２】本発明に従う、ある実施形態による装置の上面図である。
【図３】本発明に従う、別の実施形態による装置の上面図である。
【発明を実施するための形態】
【００４１】
他の利点及び特徴は、以上の図面を参照して、例示的な目的のために与えられた説明を読むことで、より明確にわかる。
【００４２】
図１に示すように、本発明１に従う装置は、複数の独立した先端部３が自由にスライドできるように固定されている、支持体２を含む。
【００４３】
凹部２０の上側部分は平行六面体形状であり、その下側部分２１には台形状の頂点２００で角度を有する。
【００４４】
先端部の上側部分３０は平行六面体形状であり、下部３１は直線状の三角柱形状である。
【００４５】
エッチング位置では先端部３の三角形部分３１は、ウェハー４の厚さの変化に関わらず、一定の力でシリコンウェハー４に圧力をかけている。
【００４６】
先端部は、好ましくは、フリッティング技術を用いて、炭化タングステンで作製される。
【００４７】
下側の三角形先端部分３１の頂点の角度は、支持体２の下側部分２１の角度２００より小さい３０°である。
【００４８】
先端部３の上側の平行六面体部分３０の寸法は、通常、次のとおりである。Ｌ＝５ｍｍ、ｌ＝２ｍｍ、及びＨ＝２０ｃｍ。
【００４９】
先端部用の凹部２０は、ｅ１＝ｅ２＝１ｍｍで隔てられている。炭化タングステンの典型的な密度１５ｋｇ／ｍ３では、先端部３当たり３０ｇの質量であることがわかり、したがって各先端部は固有の重量によって０．３Ｎのオーダーの押圧力となる。
【００５０】
間隔２０μｍのテクスチャリングは３段階で優位に達成される。図２に従う装置を用いることで１つの段階で、又は図３に従う装置を用いることで２つの段階で、達成することも可能である。
【００５１】
３段階でのテクスチャリングの場合、構造部や支持部２は、ステンレス鋼から製造され、Ａ＝１５ｃｍ、Ｂ＝３０ｃｍの寸法である機能領域、すなわちエッチングされるべき領域に対応する領域、を備える。支持部２の外部寸法はＡ’＝２０ｃｍ、Ｂ’＝３５ｃｍ、及びＣ’＝１５ｃｍである。Ａと一方ではＡ’、Ｂと一方ではＢ’、の間の違いは、炭化タングステンのエッチング先端部３の凹部２０を含む領域Ａ×Ｂを囲む、支持体２の機械的補強と関係する。
【００５２】
支持体２に保持される先端部３を持つ装置は、寸法が１５×１５ｃｍ２である２枚のシリコンウェハー上の端から端まで占める形で配置される。
【００５３】
それから支持体２は、テクスチャリングを達成するため、ウェハー両端上を２０ｍｍ／ｓの速度で移動する。エッチングの残渣は、圧縮空気で吹き付けることによって取り除かれる。
【００５４】
酸性溶液中での軽いすすぎ洗いも用いることができる。
【符号の説明】
【００５５】
１  装置
２  支持体
３  先端部
４  シリコンウェハー
２０  凹部
２１  下側部分
３０  上側部分
３１  三角形部分
２００  頂点
【図１】
2013526048.tif 000003
【図２】
2013526048.tif 000004
【図３】
2013526048.tif 000005
【手続補正書】
【提出日】平成24年12月27日(2012.12.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の炭化タングステン先端部（３、３０、３１）、並びに、炭化タングステン先端部がスライド可能なように炭化タングステン先端部をそれぞれが保持することができる複数の凹部（２０）、及び、シリコンウェハーの厚さの変化によらず、前記シリコンウェハーに対して一定の圧力をかけ続けるための手段を含む支持体（２）を含む、太陽電池用シリコンウェハー（４）の機械的テクスチャリングを行うための装置（１）。
【請求項２】
前記支持体が、前記先端部が自由にスライド可能なように前記先端部を保持できる、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
押圧力をかける前記手段が、前記先端部（３、３０、３１）のそれぞれの固有の重量から成る、請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記先端部が、直線状の三角柱形状をした下側部分（３１）を有し、前記先端部を保持できるように、三角形の頂点の角度が前記凹部（２０）の頂点（２００）よりも小さい、請求項１から３の何れか一項に記載の装置。
【請求項５】
前記先端部（３１）の三角形の頂点の角度が３０−４５°である、請求項４に記載の装置。
【請求項６】
エッチング間隔ｄが５−４０μｍである、請求項１〜５の何れか一項に記載の装置。
【請求項７】
０．１−２Ｎの一定の押圧力が印加される方法に従って、請求項１から６の何れか一項に記載の装置（１）によって実施される、太陽電池用シリコンウェハー（４）を機械的テクスチャリングする方法。
【請求項８】
０．３−１Ｎの一定の押圧力が印加される、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記押圧力の少なくとも一部が、前記先端部に加えられるガスの圧力によって生み出される、請求項７又は８に記載の方法。
【請求項１０】
前記支持体が５−１００ｍｍ／ｓの速度で移動する、請求項７から９項の何れか一項に記載の方法。
【請求項１１】
表面に５−５０μｍの深さの均一なエッチングパターンを有する、請求項７から１０の何れか一項に記載の方法によって得られる太陽電池用多結晶シリコンウェハー（４）。
【国際調査報告】
2013526048.tif 000006
2013526048.tif 000007
2013526048.tif 000008
2013526048.tif 000009
2013526048.tif 000010
2013526048.tif 000011