(57)【要約】  ツインチャンバ処理システムのための方法及び装置が開示され、いくつかの実施形態では、第１処理容積と第１真空ポンプの間に配置された第１ゲートバルブによって選択的に分離可能である第１処理容積内を第１動作圧力に維持するための第１真空ポンプを有する第１処理チャンバと、第２処理容積と第２真空ポンプの間に配置された第２ゲートバルブによって選択的に分離可能である第２処理容積内を第２動作圧力に維持するための第２真空ポンプを有する第２処理チャンバと、各処理容積内の圧力を臨界圧力レベル未満に低減させるための第１及び第２処理容積に結合された共用真空ポンプであって、第１又は第２処理チャンバ、又は第１又は第２真空ポンプのいずれからも選択的に分離可能である共用真空ポンプを含むことができる。
2013526062.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１処理チャンバの第１処理容積内を第１動作圧力に維持するための第１真空ポンプを有する第１処理チャンバであって、第１処理容積は、第１処理容積と第１真空ポンプの低圧側との間に配置された第１ゲートバルブによって選択的に分離可能である第１処理チャンバと、
第２処理チャンバの第２処理容積内を第２動作圧力に維持するための第２真空ポンプを有する第２処理チャンバであって、第２処理容積は、第２処理容積と第２真空ポンプの低圧側との間に配置された第２ゲートバルブによって選択的に分離可能である第２処理チャンバと、
第１及び第２ゲートバルブを開く前に、各処理容積内の圧力を臨界圧力レベル未満に低減させるための第１及び第２処理容積に結合された共用真空ポンプであって、共有真空ポンプは、第１処理チャンバ、第２処理チャンバ、第１真空ポンプ、又は第２真空ポンプのいずれからも選択的に分離可能である共用真空ポンプを含む基板処理用ツインチャンバ処理システム。
【請求項２】
１以上の処理ガスを第１及び第２処理チャンバに供給するために、第１処理チャンバ及び第２処理チャンバの各々に結合された共用ガスパネルを更に含む請求項１記載のツインチャンバ処理システム。
【請求項３】
処理ガスを共用ガスパネルから第１処理チャンバの第１処理容積へ供給するために、又は処理ガスを共用ガスパネルから共用真空ポンプに結合された前方ラインコンジット内へ迂回させるために、共用ガスパネルと第１処理チャンバとの間に配置された第１三方弁と、
処理ガスを共用ガスパネルから第２処理チャンバの第２処理容積へ供給するために、又は処理ガスを共用ガスパネルから共用真空ポンプに結合された前方ラインコンジット内へ迂回させるために、共用ガスパネルと第２処理チャンバとの間に配置された第２三方弁を更に含む請求項１〜２のいずれか１項記載のツインチャンバ処理システム。
【請求項４】
第１処理チャンバ内で処理の終点を検出するための第１終点検出器と、
第２処理チャンバ内で処理の終点を検出するための第２終点検出器を更に含む請求項３記載のツインチャンバ処理システム。
【請求項５】
第１処理チャンバ内で処理が終点に到達したときに、第１終点検出器から第１信号を受信して、第２処理チャンバ内で稼働している処理が処理終点に到達していなかったならば、処理ガスを前方ラインコンジット内に迂回させるように第１三方弁に指示し、及び第２処理チャンバ内で処理が終点に到達したときに、第２終点検出器から第２信号を受信して、第１処理チャンバ内で稼働している処理が処理終点に到達していなかったならば、処理ガスを前方ラインコンジット内に迂回させるように第２三方弁に指示する工程、
第１処理チャンバ内で処理が終点に到達したときに、第１終点検出器から第１信号を受信して、第２処理チャンバ内で稼働している処理が処理終点に到達していなかったならば、処理ガスを共用ガスパネルから第１処理容積へ流し続けながら、第１処理チャンバへＲＦ電力を供給している第１ＲＦ電源をオフにし、及び第２処理チャンバ内で処理が終点に到達したときに、第２終点検出器から第２信号を受信して、第１処理チャンバ内で稼働している処理が処理終点に到達していなかったならば、処理ガスを共用ガスパネルから第２処理容積へ流し続けながら、第２処理チャンバへＲＦ電力を供給している第２ＲＦ電源をオフにする工程、
第１及び第２チャンバ内で稼働している処理がそれぞれ処理終点に到達したときに、第１終点検出器から第１信号を、第２終点検出器から第２信号を受信して、第１又は第２信号のいずれかがコントローラによって受信されたときに処理を止めるように両方の処理チャンバに指示する工程、又は
第１及び第２チャンバ内で稼働している処理がそれぞれ処理終点に到達したときに、第１終点検出器から第１信号を、第２終点検出器から第２信号を受信して、第１又は第２信号の両方がコントローラによって受信されたときに処理を止めるように両方の処理チャンバに指示する工程のうちの少なくとも１つを実行するように構成されたコントローラを更に含む請求項４記載のツインチャンバ処理システム。
【請求項６】
第１真空ポンプを迂回させながら第１処理容積を共用真空ポンプに選択的に結合させるために、第１処理容積と共用真空ポンプの間に配置された第１粗動バルブと、
第２真空ポンプを迂回させながら第２処理容積を共用真空ポンプに選択的に結合させるために、第２処理容積と共用真空ポンプの間に配置された第２粗動バルブを更に含む請求項１〜２のいずれか１項記載のツインチャンバ処理システム。
【請求項７】
第１真空ポンプを共用真空ポンプに選択的に結合するために、第１真空ポンプの高圧側と共用真空ポンプの間に配置された第１分離バルブと、
第２真空ポンプを共用真空ポンプに選択的に結合するために、第２真空ポンプ容積の高圧側と共用真空ポンプの間に配置された第２分離バルブを更に含む請求項６記載のツインチャンバ処理システム。
【請求項８】
ツインチャンバ処理システムの第１処理チャンバの第１処理容積の圧力を、第１処理容積及びツインチャンバ処理システムの第２処理チャンバの第２処理容積に結合された共用真空ポンプを用いて、臨界圧力レベル未満に低減させる工程であって、第２処理容積は第１処理容積及び共用真空ポンプから分離している工程と、
第１処理容積を共用真空ポンプから分離した後に、第１処理容積に結合された第１真空ポンプを用いて、第１処理容積内の圧力を臨界圧力レベル未満から第１動作圧力まで低減させる工程と、
臨界圧力レベル未満の圧力を有する第１処理容積を共用真空ポンプから分離した後に、第２処理容積を共用真空ポンプに開放する工程と、
共用真空ポンプを用いて、第２処理チャンバの第２処理容積を臨界圧力未満に低減させる工程と、
第２処理容積を共用真空ポンプから分離した後に、第２処理容積に結合された第２真空ポンプを用いて、第２処理容積内の圧力を臨界圧力レベル未満から第２動作圧力まで低減させる工程を含む、ツインチャンバ処理システムの各チャンバ内の圧力を所望の動作圧力まで低減する方法。
【請求項９】
第１真空ポンプの低圧側と第１処理チャンバの第１処理容積の間に配置された第１ゲートバルブを閉じることによって、第１動作圧力を有する第１処理容積を第１真空ポンプの低圧側から分離する工程と、
第１ゲートバルブが閉じられ、第１真空ポンプがアイドリング状態となった後で、第１真空ポンプの高圧側と共用真空ポンプの間に配置された第１分離バルブを閉じることによって、第１真空ポンプの高圧側を共用真空ポンプから分離する工程と、
第１及び第２処理容積に結合された共用ガスパネルからパージガスを供給することによって、第１処理容積内の圧力を第１動作圧力から増加させる工程と、
第２真空ポンプの低圧側と第１処理チャンバの第２処理容積の間に配置された第２ゲートバルブを閉じることによって、第２動作圧力を有する第２処理容積を第２真空ポンプの低圧側から分離する工程と、
第２ゲートバルブが閉じられ、第２真空ポンプがアイドリング状態となった後で、第２真空ポンプの高圧側と共用真空ポンプの間に配置された第２分離バルブを閉じることによって、第２真空ポンプの高圧側を共用真空ポンプから分離する工程と、
共用ガスパネルから第２処理容積へパージガスを供給することによって、第１処理容積内の圧力を増加させると同時に、第２処理容積内の圧力を増加させる工程を更に含む請求項８記載の方法。
【請求項１０】
第１処理容積内の圧力を第１動作圧力から増加させる工程は、
共用ガスパネルと第１処理容積の間に配置された第１パージバルブを開放する工程と、
第１パージバルブを介してパージガスを第１処理容積へ供給することによって、第１処理容積内の圧力を第１動作圧力から増加させる工程を更に含み、
第２処理容積内の圧力を第２動作圧力から増加させる工程は、
共用ガスパネルと第２処理容積の間に配置された第２パージバルブを開放する工程と、
第２パージバルブを介してパージガスを第２処理容積へ供給することによって、第２処理容積内の圧力を第２動作圧力から増加させる工程を更に含む請求項９記載の方法。
【請求項１１】
パージガスが第１処理容積へ供給された後に、第１処理容積を大気に通気する工程と、
パージガスが第２処理容積へ供給された後に、第２処理容積を大気に通気する工程を更に含む請求項１０記載の方法。
【請求項１２】
第２真空ポンプの低圧側と第１処理チャンバの第２処理容積の間に配置された第２ゲートバルブを閉じることによって、第２動作圧力を有する第２処理容積を第２真空ポンプの低圧側から分離する工程と、
第２ゲートバルブが閉じられ、第２真空ポンプがアイドリング状態となった後に、第２真空ポンプの高圧側と共用真空ポンプの間に配置された第２分離バルブを閉じることによって、第２真空ポンプの高圧側を共用真空ポンプから分離する工程と、
第１処理容積と共用真空ポンプの間に配置された第１粗動バルブを開放して、パージガスを第１処理容積から取り除くことによって、第１処理容積内の圧力を臨界圧力レベル未満に低減される工程を更に含む請求項９記載の方法。
【請求項１３】
パージガスを取り除くことによって第１処理容積内の圧力を臨界圧力レベル未満に低減させると同時に、パージガスを共用ガスパネルから第２処理容積へ供給することによって、第２処理容積内の圧力を第２動作圧力から増加させる工程と、
パージガスを取り除くことによって第２処理容積内の圧力を臨界圧力レベル未満に低減させながら、第２反復時にパージガスを第１処理容積へ供給することによって、第１処理容積内の圧力を臨界圧力未満から増加させる工程を更に含む請求項１２記載の方法。
【請求項１４】
パージガスを第１処理容積から除去した後に、第１粗動バルブを閉じ、第１粗動バルブを閉じた後に、第２処理容積と共用真空ポンプの間に配置された第２粗動バルブを開放することによって、パージガスを第２処理容積から除去することによって、第２処理容積内の圧力を臨界圧力レベル未満に低減させる工程と、
パージガスを第２処理容積から除去した後に、第２粗動バルブを閉じ、第１処理容積と共用真空ポンプの間に配置された第１粗動バルブを開放することによって、第２反復時にパージガスを第１処理容積から除去することによって、第１処理容積内の圧力を臨界圧力レベル未満に低減させる工程を更に含む請求項１３記載の方法。
【請求項１５】
第２反復時にパージガスを除去することによって、第１処理容積内の圧力を臨界圧力レベル未満に低減させると同時に、第２反復時にパージガスを第２処理容積に供給することによって、第２処理容積内の圧力を臨界圧力レベル未満から増加させる工程を更に含む請求項１４記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、概して基板処理システムに関し、より具体的には、ツインチャンバ処理システムのための方法及び装置に関する。
【背景】
【０００２】
例えば、共用の搬送チャンバに面して複数の処理チャンバを有するクラスタツール等の処理システムは、システム及び製造コストを削減し、プロセスのスループットを向上させるために利用されている。しかしながら、従来の処理チャンバは、内部で特定の処理を実行するのを促進するために必要なプロセスリソースを独立して構成している。このようなシステムは、所有と運用にコストが掛かる。
【０００３】
したがって、本発明者らは、処理チャンバ間でリソースを共用することによって、システムコストを更に削減することができるシステムを開発した。具体的には、本発明者らは、システムコスト及び基板製造コストを削減するために、共用リソース（例えば、共用真空ポンプ又は共用ガスパネル等）を有するツインチャンバ処理システムを開発した。残念なことに、チャンバのリソースを共用することの結果として、本発明者らは、ある特定のチャンバ処理（例えば、排気、通気、又はツインチャンバ処理システムの第１処理チャンバの周期的なパージ）は、ツインチャンバ処理システムの第２処理チャンバ内の条件に依存していることを更に発見した。
【０００４】
したがって、本発明者らは、共用チャンバリソースを使用して、ツインチャンバ処理システムの各チャンバ内で、チャンバ処理を実行する方法を提供する。
【概要】
【０００５】
共用真空ポンプを備えたツインチャンバ処理システムのための方法及び装置が、本明細書内で開示される。いくつかの実施形態では、ツインチャンバ処理システムは、第１処理チャンバの第１処理容積内を第１動作圧力に維持するための第１真空ポンプを有する第１処理チャンバであって、第１処理容積は、第１処理容積と第１真空ポンプの低圧側との間に配置された第１ゲートバルブによって選択的に分離可能である第１処理チャンバと、第２処理チャンバの第２処理容積内を第２動作圧力に維持するための第２真空ポンプを有する第２処理チャンバであって、第２処理容積は、第２処理容積と第２真空ポンプの低圧側との間に配置された第２ゲートバルブによって選択的に分離可能である第２処理チャンバと、第１及び第２ゲートバルブを開く前に、各処理容積内の圧力を臨界圧力レベル未満に低減させるための第１及び第２処理容積に結合された共用真空ポンプであって、共有真空ポンプは、第１処理チャンバ、第２処理チャンバ、第１真空ポンプ、又は第２真空ポンプのいずれからも選択的に分離可能である共用真空ポンプを含むことができる。いくつかの実施形態では、ツインチャンバ処理システムは、１以上の処理ガスを第１及び第２処理チャンバに供給するために、第１処理チャンバ及び第２処理チャンバの各々に結合された共用ガスパネルを更に含む。
【０００６】
いくつかの実施形態では、ツインチャンバ処理システムの各チャンバ内の圧力を所望の動作圧力まで低減する方法は、ツインチャンバ処理システムの第１処理チャンバの第１処理容積の圧力を、第１処理容積及びツインチャンバ処理システムの第２処理チャンバの第２処理容積に結合された共用真空ポンプを用いて、臨界圧力レベル未満に低減させる工程であって、第２処理容積は第１処理容積及び共用真空ポンプから分離している工程と、第１処理容積を共用真空ポンプから分離した後に、第１処理容積に結合された第１真空ポンプを用いて、第１処理容積内の圧力を臨界圧力レベル未満から第１動作圧力まで低減させる工程と、臨界圧力レベル未満の圧力を有する第１処理容積を共用真空ポンプから分離した後に、第２処理容積を共用真空ポンプに開放する工程と、共用真空ポンプを用いて、第２処理チャンバの第２処理容積を臨界圧力未満に低減させる工程と、第２処理容積を共用真空ポンプから分離した後に、第２処理容積に結合された第２真空ポンプを用いて、第２処理容積内の圧力を臨界圧力レベル未満から第２動作圧力まで低減させる工程を含むことができる。
【０００７】
本発明のその他の及び更なる実施形態が、以下に説明される。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
上記に簡単に要約し、以下でより詳細に説明する本発明の実施形態は、添付の図面に示された本発明の例示的実施形態を参照することによって理解することができる。しかしながら、添付図面は本発明の典型的な実施形態を示しているに過ぎず、したがってこの範囲を制限していると解釈されるべきではなく、本発明は他の等しく有効な実施形態を含み得ることに留意すべきである。
【図１】本発明のいくつかの実施形態に係る処理システムの概略上面図を示す。
【図２】本発明のいくつかの実施形態に係るツインチャンバ処理システムの概略側面図を示す。
【図３】本発明のいくつかの実施形態に係るツインチャンバ処理システムの各チャンバ内の圧力を低減する方法のフローチャートを示す。
【図４】本発明のいくつかの実施形態に係るツインチャンバ処理システムの各チャンバの通気方法のフローチャートを示す。
【図５】本発明のいくつかの実施形態に係るツインチャンバ処理システムの各チャンバをパージ方法のフローチャートを示す。
【０００９】
理解を促進するために、図面に共通する同一の要素を示す際には可能な限り同一の参照番号を使用している。図面は、比例して描かれているわけではなく、明確にするために簡素化されているかもしれない。一実施形態の要素及び構成を更なる説明なしに他の実施形態に有益に組み込んでもよいと理解される。
【詳細な説明】
【００１０】
ツインチャンバ処理システムのための方法及び装置が、本明細書に開示されている。本発明のツインチャンバ処理システムは、ツインチャンバ処理システムの各チャンバ内で加工品質を維持しながら、システムコストを削減するために、有利なことにリソース（例えば、共用真空ポンプ、共用ガスパネル等）を兼ね備えている。更に、本発明の方法は、共用リソースがツインチャンバ処理システムの各チャンバ間で使用されるとき、例えば、減圧、通気、パージ等のチャンバプロセスの動作を有利に制御する。
【００１１】
本明細書に開示されるツインチャンバ処理システムは、例えば、図１に示される処理システム１００等の、いくつかのツインチャンバ処理システムを結合したクラスタツールの一部であることができる。図１を参照すると、いくつかの実施形態では、処理システム１００は、一般的に、真空気密処理プラットフォーム１０４と、ファクトリインターフェース１０２と、１以上のツインチャンバ処理システム１０１、１０３、１０５と、システムコントローラ１４４を含むことができる。本明細書内で提供される開示に従って適切に改造可能な処理システムの例としては、Ｃｅｎｔｕｒａ（商標名）統合処理システム、処理システムのＰＲＯＤＵＣＥＲ（商標名）ラインのうちの１つ（例えば、ＰＲＯＤＵＣＥＲ（商標名）ＧＴ（商標名））、ＡＤＶＡＮＴＥＤＧＥ（商標名）処理システム、又はカリフォルニア州サンタクララに位置するアプライドマテリアルズ社（Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，  Ｉｎｃ．）から市販されている他の適切な処理システムを含む。他の処理システムが（他のメーカーからのものも含めて）、本発明から恩恵を受けるように使用可能であることが理解される。ツインチャンバ処理システムの別の一例は、Ｍｉｎｇ  Ｘｕらによって２０１０年４月３０日に出願された、「Ｔｗｉｎ  Ｃｈａｍｂｅｒ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｓｙｓｔｅｍ」（ツインチャンバ処理システム）と題される米国仮特許出願第６１／３３０，１５６号に記載されている。
【００１２】
プラットフォーム１０４は、１以上のツインチャンバ処理システム１０１、１０３、１０５（図１には３つが示される）を含み、各ツインチャンバ処理システムは２つの処理チャンバ（例えば、１１０と１１１、１１２と１３２、１２０と１２８）を含む。プラットフォームは、真空基板搬送チャンバ１３６に結合される少なくとも１つのロードロックチャンバ（図１には２つが示される）１２２を更に含む。ファクトリインターフェース１０２は、ロードロックチャンバ１２２を介して搬送チャンバ１３６に結合されている。
【００１３】
各ツインチャンバ処理システム１０１、１０３、１０５は互いに分離することができる独立した処理容積を含む。各ツインチャンバ処理システム１０１、１０３、１０５は、後述され、図２に示されるように、ツインチャンバ処理システムの各処理チャンバ間でリソース（例えば、処理ガス供給源、真空ポンプ等）を共用するように構成可能である。
【００１４】
ファクトリインターフェース１０２は、少なくとも１つのドッキングステーション１０８と、少なくとも１つのファクトリインターフェースロボット（図１には２つが示される）１１４を含むことができ、これによって基板の搬送を促進する。ドッキングステーション１０８は、１以上の（図１には２つ示される）正面開口式カセット一体型搬送・保管箱（ＦＯＵＰ）１０６Ａ〜Ｂを受け入れるように構成することができる。ファクトリインターフェースロボット１１４は、ロードロックチャンバ１２２を介して処理するために、処理プラットフォーム１０４にファクトリインターフェース１０２から基板を搬送するように構成されたロボット１１４の一端に配置されたブレード１１６を含むことができる。オプションで、１以上の計測ステーション１１８が、ＦＯＵＰ１０６Ａ〜Ｂからの基板の測定を促進するために、ファクトリインターフェース１０２の末端１２６に接続することができる。
【００１５】
ロードロックチャンバ１２２の各々は、ファクトリインターフェース１０２に結合された第１ポート１２３と、搬送チャンバ１３６に結合された第２ポート１２５を含むことができる。ロードロックチャンバ１２２は、ロードロックチャンバ１２２を減圧及び通気する圧力制御システム（図示せず）に結合し、これによって搬送チャンバ１３６の真空環境とファクトリインターフェース１０２の実質的に周囲の（例えば、大気圧）環境との間で基板が通過するのを促進することができる。
【００１６】
搬送チャンバ１３６は、内部に真空ロボット１３０を配置している。真空ロボット１３０は、可動アーム１３１に結合された１以上の搬送ブレード１３４（図１では２つが示される）を有することができる。例えば、図示されるようにツインチャンバ処理システムが搬送チャンバ１３６に結合されたいくつかの実施形態では、真空ロボット１３０は、ロードロックチャンバ１２２とツインチャンバ処理システムの処理チャンバ（例えば、ツインチャンバ処理システム１０１の処理チャンバ１１０、１１１）の間で、真空ロボット１３０が同時に２つの基板１２４、１２６を搬送することができるように構成された、２つの平行ブレード１３４を有することができる。
【００１７】
各ツインチャンバ処理システム１０１、１０３、１０５の処理チャンバ１１０、１１１又は１１２、１３２又は１２０、１２８は、例えば、基板処理に利用される処理チャンバの任意のタイプ（例えば、エッチングチャンバ、成膜チャンバ等）が可能である。いくつかの実施形態では、各ツインチャンバ処理システム（例えば、ツインチャンバ処理システム１０１）の処理チャンバ（例えば、処理チャンバ１１０、１１１）は、同じ機能（例えば、エッチング）用に構成されている。例えば、ツインチャンバ処理システムの各処理チャンバがエッチングチャンバである実施形態では、各処理チャンバは、プラズマ源（例えば、誘導又は容量結合プラズマ源、リモートプラズマ源等）を含むことができる。更に、ツインチャンバ処理システムの各処理チャンバは、内部に配置されたエッチング基板（例えば、基板１２４、１２６）をエッチングするために、例えば、（後述するように）共用ガスパネルによって供給されるハロゲン含有ガスを使用することができる。ハロゲン含有ガスの例としては、臭化水素（ＨＢｒ）、塩素（Ｃｌ２）、四フッ化炭素（ＣＦ４）等を含む。例えば、基板１２４、１２６をエッチングした後、ハロゲン含有残留物が、基板表面上に残る場合がある。ハロゲン含有残留物は、ロードロックチャンバ１２２内における熱処理プロセスによって、又は他の適当な手段によって除去することができる。
【００１８】
図２は本発明のいくつかの実施形態に係るツインチャンバ処理システム（例えば、ツインチャンバ処理システム１０１）の概略側面図を示している。図２に示されるように、ツインチャンバ処理システム１０１は、リソースを共用する（例えば、共用真空ポンプ２０２及び共用ガスパネル２０４をもつ）処理チャンバ１１０、１１１を含む。いくつかの実施形態では、処理システム１００に結合された各ツインチャンバ処理システムは、同様に構成することができる。
【００１９】
処理チャンバ１１０（例えば、第１処理チャンバ）は、第１基板（図示せず）を支持するために内部に配置された第１基板支持体を含む第１処理容積２０８を有する。処理チャンバ１１０は、第１処理容積２０８内において第１動作圧力を維持するための第１真空ポンプ２０６を更に含む。第１真空ポンプ２０６は、例えば、ターボ分子ポンプ等が可能である。第１真空ポンプ２０６は、第１処理容積２０８に隣接した低圧側２０５と、後述するように、共用真空ポンプ２０２に選択的に結合可能な高圧側２０７を含むことができる。第１真空ポンプ２０６は、第１処理容積２０８と第１真空ポンプ２０６の間に配置された第１ゲートバルブ２１０（例えば、第１真空ポンプ２０６の低圧側２０５に隣接する）によって、第１処理容積２０８から選択的に分離することができる。
【００２０】
ツインチャンバ処理システム１０１の処理チャンバ１１１（例えば、第２処理チャンバ）は、第２基板を支持するために内部に配置された第２基板支持体を有する第２処理容積２１４を含む。処理チャンバ１１１は、第２処理容積２１４の第２動作圧力を維持するための第２真空ポンプ２１２を更に含む。第２真空ポンプ２１２は、例えば、ターボ分子ポンプ等が可能である。第２真空ポンプ２１２は、第２処理容積２１４に隣接した低圧側２１１と、後述するように、共用真空ポンプ２０２に選択的に結合可能な高圧側２１３を含むことができる。第２真空ポンプ２１２は、第２処理容積２１４と第２真空ポンプ２１２の間に配置された第２ゲートバルブ２１６（例えば、第２真空ポンプ２１２の低圧側２１１に隣接する）によって、第２処理容積２１４から選択的に分離することができる。
【００２１】
第１及び第２処理容積２０８、２１４は互いに分離することができ、これによって各処理チャンバ１１０、１１１内で、それぞれの基板処理を実質的に独立して行うことを促進する。ツインチャンバ処理システム内の処理チャンバの分離された処理容積は、有利なことに、処理容積が処理中に流体結合されるマルチ基板処理システムのために発生する可能性のある処理の問題を低減又は排除する。しかしながら、ツインチャンバ処理システムは、更に有利なことに、高い基板のスループットを促進すると同時に、システムの設置面積、ハードウェア費用、ユーティリティの使用量とコスト、メンテナンス等の削減を促進する共用リソースを利用している。例えば、共用ハードウェアは、１以上のプロセス前方ラインと粗動ポンプ、ＡＣ配電とＤＣ電源、冷却水の分配、チラー、マルチチャンネルサーモコントローラ、ガスパネル、コントローラ等を含むことができる。
【００２２】
共用真空ポンプ２０２は、第１及び第２処理容積２０８、２１４又は第１及び第２真空ポンプ２０６、２１２のいずれかに結合させることができ、及びそれらから選択的に分離することができる。例えば、共用真空ポンプ２０２は、第１及び第２ゲートバルブ２１０、２１６を開く前に、各処理容積内の圧力を臨界圧力レベル未満に低減するために、第１及び第２処理容積２０８、２１４に結合することができる。例えば、臨界圧力レベルは、それぞれ第１及び第２真空ポンプ２０６、２１２によって提供される第１及び第２動作圧力のいずれか一方よりも高い圧力であってもよい。しかしながら、臨界圧力レベルは、第１及び第２真空ポンプ２０６、２１２が動作を開始するのに必要な場合がある。
【００２３】
第１処理容積２０８と共用真空ポンプ２０２の間に配置された第１粗動バルブ２１８によって第１真空ポンプ２０６を迂回しながら、共用真空ポンプ２０２は、第１処理容積２０８に選択的に結合することができる。例えば、以下の方法で説明されるように、第１処理容積２０８の圧力が、（例えば、第１真空ポンプ２０６の動作に適した）臨界圧力レベル未満に低下している間、第１真空ポンプ２０６は、第１ゲートバルブ２１０によって第１処理容積２０８から分離することができる。第１真空ポンプ２０６を迂回可能な追加の実施形態が、以下にも説明される。
【００２４】
同様に、第２処理容積２１４と共用真空ポンプ２０２の間に配置された第２粗動バルブ２２０によって第２真空ポンプ２１２を迂回しながら、共用真空ポンプ２０２は、第２処理容積２１４に選択的に結合することができる。例えば、以下の方法で説明されるように、第２処理容積２１４の圧力が、（例えば、第２真空ポンプ２１２の動作に適した）臨界圧力レベル未満に低下している間、第２真空ポンプ２１２は、第２ゲートバルブ２１６によって第２処理容積２１４から分離することができる。第２真空ポンプ２０６を迂回可能な追加の方法の実施形態が、以下にも説明される。
【００２５】
共用真空ポンプ２０２は、第１分離バルブ２２２によって第１真空ポンプ２０６に選択的に結合させることができる。例えば、第１分離バルブ２２２は、第１真空ポンプ２０６の高圧側２０７と共用真空ポンプ２０２の間に配置できる。いくつかの実施形態では、例えば、第１真空ポンプ２０６が動作しているとき、第１分離バルブを開き、第１真空ポンプ２０６によって第１処理容積２０８から除去されたガス等を、第１真空ポンプ２０６の高圧側２０７から共用真空ポンプ２０２へ排出することができる。
【００２６】
同様に、共用真空ポンプ２０２は、第２分離バルブ２２４によって第２真空ポンプ２１２に選択的に結合させることができる。例えば、第２分離バルブ２２４は、第２真空ポンプ２１２の高圧側２１３と共用真空ポンプ２０２の間に配置できる。いくつかの実施形態では、例えば、第２真空ポンプ２１２が動作しているとき、第２分離バルブを開き、第２真空ポンプ２１２によって第２処理容積２１４から除去されたガス等を、第２真空ポンプ２１２の高圧側２１３から共用真空ポンプ２０２へ排出することができる。
【００２７】
共用ガスパネル２０４は、第１及び第２処理容積２０８、２１４に１以上の処理ガスを供給するために、処理チャンバ１１０、１１１の各々に結合することができる。例えば、共用ガスパネルは、各ガス源から各処理チャンバへ流れ出たガスが１以上の流量コントローラ（例えば、マスフローコントローラ、流量比コントローラ等）によって測定される１以上のガス源（図示せず）を含む。各ガス源は、各処理容積に独立に提供することができ、又は例えば、両方の処理チャンバ１１０、１１１内で同時に同じ処理を実行するために、両方の処理容積に同時に提供することができる。本明細書中で使用される場合、「同時に」は、２つの処理容積内で実行している処理が、少なくとも部分的に重なり合う、両方の基板が２つの処理容積へ運ばれた後に開始する、及び２つの処理容積のいずれか一方からいずれか一方の基板が除去される前に終了することを意味する。
【００２８】
第１三方弁２２６は、共用のガスパネル２０４と処理チャンバ１１０の第１処理容積２０８の間に配置して、処理ガスを共用ガスパネル２０４から第１処理容積２０８へ供給することができる。例えば、処理ガスは、第１シャワーヘッド２２８又は処理チャンバに処理ガスを供給するために使用される任意の適当なガス導入口において、処理チャンバ１１０に入れることができる。更に、第１三方弁２２６は、共用ガスパネル２０４から（例えば、第１処理容積２０８をバイパスして）共用真空ポンプ２０２に結合された前方ラインコンジット２３０内へ処理ガスを迂回させることができる。更に、図示されるように、前方ラインコンジット２３０は、共用真空ポンプ２０２を第１真空ポンプ２０６の高圧側２０７に結合し、共用真空ポンプ２０２を直接第１処理容積２０８に結合することができる。
【００２９】
第１シャワーヘッド２２８は、例えば、処理ガスから第１処理容積２０８内でプラズマを発生させるための第１ＲＦ電源２２９が結合した電極を含む。あるいはまた、第１ＲＦ電源２２９は、第１シャワーヘッド２２８から独立した電極（図示せず）に結合することができ、又は第１処理容積２０８の外側に配置された１以上の誘導コイル（図示せず）に結合することができる。
【００３０】
第２三方弁２３２を、共用ガスパネルと処理チャンバ１１１の第２処理容積２１４との間に配置し、これによって処理ガスを共用ガスパネル２０４から第２処理容積２１４１４へ供給することができる。例えば、処理ガスは、第２シャワーヘッド２３４又は処理チャンバに処理ガスを供給するために使用される任意の適当なガス導入口において、処理チャンバ１１１に入れることができる。更に、第２三方弁２３２は、共用ガスパネル２０４から（例えば、第２処理容積２１４をバイパスして）共用真空ポンプ２０２に結合された前方ラインコンジット２３０内へ処理ガスを迂回させることができる。更に、図示されるように、前方ラインコンジット２３０は、共用真空ポンプ２０２を第２真空ポンプ２１２の高圧側２１３に結合し、共用真空ポンプ２０２を直接第２処理容積２１４に結合することができる。
【００３１】
第２シャワーヘッド２３４は、例えば、処理ガスから第２処理容積２１４内でプラズマを発生させるための第２ＲＦ電源２３５が結合した電極を含む。あるいはまた、第２ＲＦ電源２３５は、第２シャワーヘッド２３４から独立した電極（図示せず）に結合することができ、又は第２処理容積２１４の外側に配置された１以上の誘導コイル（図示せず）に結合することができる。
【００３２】
第１及び第２三方弁２２６、２３２は、例えば、処理チャンバ１１０内で処理の終点を検出するための第１終点検出器２３６によって、及び処理チャンバ１１１内で処理の終点を検出するための第２終点検出器２３８によって検出された処理の終点にしたがって操作することができる。例えば、コントローラ（例えば、システムコントローラ１４４又はツインチャンバ処理システム１０１の１以上のコンポーネントに結合した個々のコントローラ（図示せず）等）は、処理チャンバ１１０内で処理が終点に到達したときに、第１終点検出器２３６から第１信号を受信して、処理チャンバ１１１内で稼働している処理が処理終点に到達していなかったならば、処理ガスを前方ラインコンジット２３０内に迂回させるように第１三方弁２２６に指示するように構成することができる。例えば、処理は最初、各処理チャンバ１１０、１１１内で同期されるかもしれないが、例えば、各処理チャンバ１１０、１１１における被処理基板内の小さな変動、基板温度、プラズマ密度又はフラックス等のため、処理は各処理チャンバ１１０、１１１で異なる時間に終了するかもしれない。同様に、コントローラは、処理チャンバ１１１内で処理が終点に到達したときに、第２終点検出器から第２信号を受信して、処理チャンバ１１０内で稼働している処理が処理終点に到達していなかったならば、処理ガスを前方ラインコンジット２３０内に迂回させるように第２三方弁２３２に指示するように構成することができる。
【００３３】
あるいはまた、例えば、コントローラは、処理チャンバ１１０内において基板上で実行される処理が終点に到達した第１信号を第１終点検出器２３６から受信すると、第１処理容積２０８内でプラズマを終了させるためにＲＦ電源２２９の電力をオフにすることができる。更に、処理ガスは、プロセスの終点に達したときにＲＦ電源２２９をオフにした後で、三方弁２２６によって迂回される代わりに、第１処理容積２０８に流入し続けることができる。第２終点検出器２３８から第２信号を受信したとき、同様の代替的な実施形態が処理チャンバ１１１内で実行可能である。更に、信号を第１又は第２終点検出器２３６、２３８のいずれか一方から受信した場合、コントローラは、いくつかの実施形態では、両方のチャンバ内で処理終点が検出されるかどうかにかかわらず、両方のチャンバ内のプロセスを終了することができる。例えば、プロセスの終点が処理チャンバ１１０に達したという第１信号を第１終点検出器２３６から受信した場合、たとえ第２終点検出器２３８から第２信号を受信していなくても、コントローラは両方のチャンバ１１０、１１１内の処理を終了することができる。あるいはまた、処理チャンバ１１０で処理終点に達したことを知らせる第１信号を受信した場合、処理チャンバ１１１でも処理終点に達したことを知らせる第２信号を受信するまで、コントローラは、処理チャンバ１１０、１１１のいずれにも何の動作も引き起こさないことができる。
【００３４】
あるいはまた、処理は、両方の処理チャンバ１１０、１１１内において正確に同期させる必要はなく、例えば、基板が適切な処理温度又は他の同様な処理条件に到達したときに、各チャンバ内で開始させることができる。したがって、あるチャンバ内で処理の終点に到達すると、チャンバ１１０、１１１から基板を取り除く前に、又は更なる処理工程を開始する前に、隣接したチャンバが処理の終点に到達するまで、処理ガスは三方弁によって前方ラインコンジット２３０内へ迂回される。
【００３５】
共用ガスパネルは、処理チャンバ１１０、１１１をパージするためのガスを更に供給することができる。例えば、通気ライン２４０は、（図示されるように）直接第１及び第２処理容積２０８、２１４の各々に選択的に結合可能である。例えば、パージガスは、窒素（Ｎ２）、アルゴン（Ａｒ）、ヘリウム（Ｈｅ）等を含むことができる。パージガスは、共用ガスパネル２０４と第１処理容積２０８の間に配置された第１パージバルブ２４２を介して第１処理容積２０８に選択的に供給することができる。同様に、パージガスは、共用ガスパネル２０４と第２処理容積２１４の間に配置された第２パージバルブ２４４を介して第２処理容積２１４に選択的に供給することができる。更に、パージガスが各処理チャンバ１１０、１１１を大気へ通気するために使用されるアプリケーションでは、各チャンバ１１０、１１１が互いに独立して大気に通気できるように、通気口（図示せず）（例えば、バルブ等）を各チャンバ１１０、１１１に提供することができる。
【００３６】
図１に戻って、システムコントローラ１４４は、処理システム１００に結合されている。システムコントローラ１４４は、システム１００の処理チャンバ１１０、１１１、１１２、１３２、１２８、１２０の直接制御を利用して、あるいはまた、処理チャンバ１１０、１１１、１１２、１３２、１２８、１２０及び／又は各ツインチャンバ処理システム１０１、１０３、１０５及びシステム１００と結合したコントローラ（図示せず）を制御することによって、システム１００の動作を制御する。動作中、システムコントローラ１４４は、データの収集及びフィードバックが、システム１００のパフォーマンスを最適化することを可能にする。
【００３７】
システムコントローラ１４４は、一般に中央処理装置（ＣＰＵ）１３８、メモリ１４０、及びサポート回路１４２を含む。ＣＰＵ１３８は、工業環境で使用可能な汎用コンピュータプロセッサのいずれかの形態のうちの１つでもよい。サポート回路１４２は、従来はＣＰＵ１３８に結合され、キャッシュ、クロック回路、入力／出力サブシステム、電源等を含むことができる。ＣＰＵ１３８によって実行されるとき、ソフトウェアルーチン（例えば、１以上のチャンバ処理を制御するために以下で説明される方法３００、４００、又は５００、例えば、圧力を低減させる、ツインチャンバ処理システムの各チャンバを通気する又はパージする）は、特定の目的のコンピュータ（コントローラ）１４４にＣＰＵ１３８を変える。ソフトウェアルーチンはまた、システム１００から遠隔に位置する第２コントローラ（図示せず）によって格納され及び／又は実行されてもよい。
【００３８】
ツインチャンバ処理システムの処理チャンバの様々なチャンバ処理を制御するための方法３００、４００、５００が、図３〜５にそれぞれ示されており、図２に示されるツインチャンバ処理システム１０１に関して以下に記載される。
【００３９】
図３は、本発明のいくつかの実施形態に係るツインチャンバ処理システムの各チャンバ内の圧力を低減する方法のフローチャートを示している。例えば、第１及び第２処理容積２０８、２１４は、共通の真空ポンプ（例えば、共用真空ポンプ２０２）を共用するので、各処理容積は、減圧時に共用真空ポンプ２０２から選択的に分離することができ、これによって例えば、他の処理容積がより低い圧力にあっても、他の処理容積内への逆流を防ぐことができる。
【００４０】
したがって、ツインチャンバ処理システム１０１の各処理チャンバ１１０、１１１内の圧力を低減するための方法３００は、処理チャンバ１１０の第２処理容積２１４を共用真空ポンプ２０２から分離させながら、共用真空ポンプ２０２を用いて処理チャンバ１１０の第１処理容積２０８内の圧力を臨界圧力レベル未満に低減させる３０２で始まる。例えば、３０２では、第１及び第２ゲートバルブ２１０、２１６及び第２粗動及び分離バルブ２２０、２２４は閉じることができる。第１粗動バルブ２１８及び第１分離バルブ２２２は、例えば、共用真空ポンプが第１処理容積２０８内の圧力及び第１真空ポンプ２０６内の圧力を臨界圧力レベル未満に低減可能にするために、開いていてもよい。更に、３０２では、第１及び第２真空ポンプ２０６、２１２は、電源がオフになっていてもよい。
【００４１】
３０４では、第１処理容積２０８内の圧力が臨界圧力レベル未満となった後、第１粗動バルブ２１８は、共用真空ポンプ２０２から第１処理容積２０８を分離するために閉じられる。次に、第１真空ポンプ２０６をオンにすることができ、第１真空ポンプ２０６を使用して、第１処理容積２０８内の圧力を第１動作圧力まで低減させるために、第１ゲートバルブ２１０を開くことができる。
【００４２】
３０６では、第１処理容積２０８が臨界圧力レベル未満の圧力を有するとき、第１粗動バルブ２１８を閉じることによって、共用真空ポンプ２０２から第１処理容積２０８を分離した後に、第２処理容積２１４を共用真空ポンプ２０２に対して開くことができる。例えば、第２処理容積２１４内の圧力を臨界圧力レベル未満に低減させるために、第２粗動バルブ２２０を開くことができる。更に、第２真空ポンプ２１２内の圧力を臨界圧力レベル未満に低減させるために、第２ゲートバルブ２１６を開き、第２真空ポンプ２１２をオンにする前に、第２分離バルブ２２４を開くことができる。
【００４３】
３０８では、第２処理容積２１４内の圧力が臨界圧力レベルを下回った後、共用真空ポンプ２０２から第２処理容積２１４を分離するために、第２粗動バルブ２２０を閉じる。次に、３１０では、第２真空ポンプ２１２をオンにして、第２ゲートバルブ２１６を開くことによって、第２処理容積２１４内の圧力を臨界圧レベル未満から第２動作圧力まで低下させることができる。
【００４４】
３１０における第２処理容積内の圧力の第２動作圧力までの低減が完了すると、処理チャンバ１１０、１１１は動作圧力となり、各処理チャンバ１１０、１１１内に配置された基板上で処理（例えば、エッチング処理）を実行するための準備ができる。いくつかの実施形態では、最後のチャンバが所望の動作圧力に達したとき、両チャンバ１１０、１１１内でプロセスが開始するように、処理を同期させてもよい。あるいはまた、たとえ他方の処理チャンバが所望の動作圧力に到達する前であっても、所望の動作圧力に到達したらすぐに一方の処理チャンバ内で処理を開始してもよい。上述のように、処理チャンバ１１０内で処理の終点に到達したときに、処理チャンバ１１１内で処理の終点に到達するのを待ちながら、処理中にガスパネルによって処理チャンバ１１０に供給される処理ガスを前方ラインコンジット２３０に迂回させることができる。
【００４５】
ツインチャンバ処理システム１０１の両方の処理チャンバ１１０、１１１が動作圧力（例えば、所望の動作圧力）にある状態から、方法４００及び５００で後述されるように（例えば、処理が完了した後で、処理チャンバ内で後続の処理を実行する前に）、一方又は両方のチャンバを大気に通気又はパージする（例えば、周期的にパージする）ことができる。あるいはまた、処理チャンバ１１０、１１１は動作圧力にある必要はなく、別の圧力（例えば、臨界圧力レベル未満又は大気圧）であってもよい。しかしながら、処理チャンバ１１０、１１１が動作圧力にあるときに開始する方法４００、５００が、例示的に後述される。
【００４６】
図４は、本発明のいくつかの実施形態に係るツインチャンバ処理システムの各チャンバの通気方法のフローチャートを示している。方法４００は、第１動作圧力を有する処理チャンバ１１０の第１処理容積２０８を、例えば、第１ゲートバルブ２１０を閉じることによって、第１真空ポンプ２０６の低圧側２０５から分離する４０２で始まる。第１ゲートバルブ２１０を閉じた後、第１真空ポンプ２０６はアイドリング状態とすることができる。
【００４７】
４０４では、第１ゲートバルブ２１０を閉じ、第１真空ポンプ２０６がアイドリング状態となった後、第１真空ポンプ２０６の高圧側２０７は、共用真空ポンプ２０２から分離することができる。例えば、第１真空ポンプ２０６の高圧側２０７を前方ラインコンジット２３０に結合している第１分離バルブ２２２を閉じることによって、高圧側２０７を共用真空ポンプ２０２から分離することができる。
【００４８】
４０６では、共用ガスパネル２０４からパージガスを供給することによって、第１処理容積２０８内の圧力を、第１動作圧力から増加させることができる。例えば、前出の方法工程で、第１ゲートバルブ２１０を閉じて、第１真空ポンプをアイドリング状態として、第１分離バルブを閉じた後に、第１パージバルブ２４２を開けることができる。第１ゲートバルブ２１０は閉じたままでいることができ、パージガスが通気ライン２４０を通って第１処理容積２０８に供給され、これによって第１処理容積２０８内の圧力を第１動作圧力から増加させることができる。上述したように、通気ライン２４０は、第１処理容積２０８に直接結合する必要はなく、４０６で方法４００を実行するために、第１真空ポンプ２０６の高圧側２０７に直接結合されたパージバルブを含む同様の通気ライン構成によって結合してもよい。通気ライン構成のこの代替実施形態では、第１ゲートバルブ２１０は４０６で開けることができ、パージガスをアイドリング状態の第１真空ポンプ２０６を通して第１処理容積２０８内に流して、第１処理容積２０８内の圧力を高めることができる。
【００４９】
オプションで、いくつかの実施形態では、４０８で第１動作圧力から第１処理容積２０８内の圧力を増加させるためにパージガスを供給した後に、第１処理容積２０８を大気に通気することができる。例えば、サービス、修理等のために、処理チャンバ１１０を通気することができる。例えば、大気へのチャンバの通気は、第１処理容積２０８を大気へ開放するために、処理チャンバ１１０に結合された通気口（図示せず）を開けることによって達成することができる。あるいはまた、第１処理容積２０８の通気は、処理チャンバ１１０等の蓋を開けることによって達成することができる。
【００５０】
あるいはまた、方法４００は、工程４０８を省略して、第２動作圧力を有する処理チャンバ１１１の第２処理容積２１４を、例えば、第２ゲートバルブ２１６を閉じることによって、第２真空ポンプ２１２の低圧側２１１から分離することができる４１０へ進むことができる。第２ゲートバルブ２１６が閉じられた後、第２真空ポンプ２１２は、アイドリング状態にすることができる。
【００５１】
４１２では、第２ゲートバルブ２１６が閉じられ、第２真空ポンプ２１２がアイドリング状態となった後に、第２真空ポンプ２１２の高圧側２１３は、共用真空ポンプ２０２から分離することができる。例えば、高圧側２１３は、第２真空ポンプ２１２の高圧側２１３を前方ラインコンジット２３０に結合している第２分離バルブ２２４を閉じることによって、共用真空ポンプ２０２から分離することができる。
【００５２】
４１４では、第２処理容積２１４内の圧力は、共用ガスパネル２０４からパージガスを供給することによって、第２動作圧力から増加させることができる。４０６で、第１処理容積内の圧力を増加させるのと同時に、第２処理容積２１４内の圧力を増加させることができる。例えば、第２処理容積内の圧力を増加させるために、第２ゲートバルブ２１６が閉じられ、第２真空ポンプ２１２がアイドリング状態となり、第２分離バルブが閉じられた後に、第２パージバルブ２４４を開くことができる。第２ゲートバルブ２１６は閉じたままでいることができ、パージガスが通気ライン２４０を通って第２処理容積２１４に供給され、これによって第２処理容積２１４内の圧力を第２動作圧力から増加させることができる。上述したように、通気ライン２４０は、第２処理容積２０８に直接結合する必要はなく、４１４で方法４００を実行するために、第２真空ポンプ２１２の高圧側２１３に直接結合されたパージバルブを含む同様の通気ライン構成によって結合してもよい。通気ライン構成のこの代替実施形態では、第２ゲートバルブ２１６は４１４で開けることができ、パージガスをアイドリング状態の第２真空ポンプ２１６を通して第２処理容積２１４内に流して、第２処理容積２１４内の圧力を高めることができる。
【００５３】
４１６では、パージガスが第１及び第２処理容積２０８、２１４のそれぞれに供給された後、処理チャンバ１１０、１１１を大気に通気することができる。あるいはまた、処理チャンバ１１０、１１１を通気する追加の方法が可能である。例えば、処理チャンバ１１０、１１１を上述のように同時に通気する代わりに連続して通気することもできる。例えば、４０８で処理チャンバ１１０を通気した後に、処理チャンバ１１１を大気へ通気するために、工程４０２〜４０８で説明したものと同様な方法を処理チャンバ１１１に実行する４１０へ進むことができる。
【００５４】
図５は、本発明のいくつかの実施形態に係るツインチャンバ処理システムの各チャンバをパージする方法５００のフローチャートを示している。方法４００の４１２を完了し、方法４００の４０８を省略した後、方法５００は開始する。したがって、５０２の前に、第１処理容積２０８はパージガスで満たされており、大気に通気されてはおらず、第１パージバルブ２４２は、追加のパージガスが第１処理容積２０８に入るのを防ぐために閉じられている。更に、第２ゲートバルブ２１６及び第２分離バルブ２２４が閉じられており、第２真空ポンプ２１２は、アイドリング状態となっている。
【００５５】
５０２では、第２処理容積２１４を共用真空ポンプ２０２から分離したままにしながら、共用真空ポンプ２０２を使用して、第１処理容積２０８からパージガスを除去することによって、第１処理容積２０８内の圧力を臨界圧力レベル未満に低減させる。例えば、共用真空ポンプ２０２を用いて前方ラインコンジット２３０にパージガスを流すために、第１粗動バルブ２１８を開くことによって、第１処理容積２０８内の圧力を低減させることができる。
【００５６】
５０４では、５０２で第１処理容積２０８内の圧力を減らすと同時に、パージガスを共用ガスパネル２０４から第２処理容積２１４へ供給することによって、第２処理容積２１４内の圧力を第２動作圧力から増加させることができる。上述したように、第２処理容積２１４にパージガスを供給する第２分離バルブ２４４を開くことによって、第２処理容積２１４内の圧力を増加させることができる。
【００５７】
５０６では、第１処理容積２０８内の圧力を臨界圧力レベル未満に低減した後、第１粗動バルブ２１８を閉じることによって、第１処理容積２０８を共用真空ポンプ２０２から分離することができる。
【００５８】
５０８では、第１処理容積２０８が５０６で分離した後、共用真空ポンプ２０２を使用して、第２処理容積２１４からパージガスを除去することによって、第２処理容積２１４内の圧力を臨界圧力レベル未満に低減することができる。例えば、共用真空ポンプ２０２を用いて前方ラインコンジット２３０にパージガスを流すために、第２粗動バルブ２２０を開くことによって、第２処理容積２１４内の圧力を低減させることができる。更に、追加のパージガスが第２処理容積２１４に入ることを防ぐために、第２粗動バルブ２２０を前方ラインコンジット２３０に対して開放する前に、第２パージバルブ２４４を閉じることができる。方法５００が２回目の反復又は所望の回数の反復に対して繰り返されるいくつかの態様では、第２処理容積内の圧力を５０８で低減させながら、第１処理容積内の圧力を臨界圧力レベル未満から増加させるために、４０６で上述したように、パージガスを再び第１処理容積２０８に同時に供給することができる。
【００５９】
５１０では、第２処理容積２１４内の圧力を臨界圧力レベル未満に低減した後、第２粗動バルブ２２０を閉じることによって、第１処理容積２１４を共用真空ポンプ２０２から分離することができる。５１０で、第２処理容積２１４内の圧力の後に臨界圧レベルの下に低減され、第２処理容積２１４は第２粗動バルブ２２０を閉じることによって、共用真空ポンプ２０２から単離することができる。
【００６０】
５１２では、処理チャンバ１１０、１１１の各々をサイクルパージするために２回目の反復又は所望の回数の反復に対して５０２〜５１０を繰り返すことができる。
【００６１】
このように、ツインチャンバ処理システムのための方法及び装置が提供された。本発明のツインチャンバ処理システムは、ツインチャンバ処理システムの各チャンバ内で加工品質を維持しながら、システムコストを削減するために、有利なことにリソース（例えば、共用真空ポンプ、共用ガスパネル等）を兼ね備えている。更に、本発明の方法は、共用リソースがツインチャンバ処理システムの各チャンバ間で使用されるとき、例えば、減圧、通気、パージ等のチャンバプロセスの動作を有利に制御する。
【００６２】
上記は本発明の実施形態を対象としているが、本発明の他の及び更なる実施形態は本発明の基本的範囲を逸脱することなく創作することができる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【国際調査報告】
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