(57)【要約】  酸化ケイ素層を形成する方法を説明する。この方法は、無炭素ケイ素含有前駆体を活性窒素および／または水素前駆体と混合するステップと、ケイ素窒素水素含有層を基板上に堆積するステップを含みうる。次に、ケイ素窒素水素含有層をケイ素酸素含有層に変換することが、オゾン含有雰囲気中で低温アニール（「硬化」）によって開始される。このオゾン含有雰囲気中でのケイ素窒素含有膜の酸化ケイ素への変換は不完全でもよく、酸素含有環境中でより高温のアニールによって増大させることができる。
2013511150.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板処理チャンバ内の無プラズマ基板処理領域においてケイ素酸素含有層を基板上に形成する方法であって、
無炭素ケイ素窒素水素含有層を基板上に堆積するステップと、
ケイ素窒素水素含有層をある硬化温度においてオゾン含有雰囲気中で硬化させてケイ素窒素水素含有層を酸化ケイ素層に変換するステップと
を含む方法。
【請求項２】
無炭素ケイ素窒素水素含有層が、
窒素および／または水素含有前駆体をプラズマ領域に流し入れて活性窒素および／または水素含有前駆体を生成するステップと、
無プラズマ基板処理領域において無炭素ケイ素含有前駆体を活性窒素および／または水素前駆体と組み合わせるステップと、
無炭素ケイ素窒素水素含有層を基板上に堆積するステップと
によって形成される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
硬化温度が約４００℃以下である、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
硬化温度が約２００℃以下である、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
硬化温度が硬化工程において約２５０℃以下から約４００℃超の高温まで上昇し、無炭素ケイ素窒素水素含有層を酸化ケイ素層にさらに変換する、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
オゾン含有雰囲気がさらに水蒸気（Ｈ２Ｏ）を含み、基板が高温である、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
窒素および／または水素含有ガスがＮ２Ｈ２、ＮＨ３、Ｎ２およびＨ２のうちの少なくとも１つを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
窒素および／または水素含有前駆体が窒素を含有し、無炭素ケイ素含有前駆体が実質的に無窒素である、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
窒素および／または水素含有前駆体が無窒素であり、無炭素ケイ素含有前駆体が窒素を含有する、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
無炭素ケイ素含有前駆体がケイ素窒素含有前駆体を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
無炭素ケイ素含有前駆体がＮ（ＳｉＨ３）３を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
無炭素ケイ素窒素水素含有層がＳｉ−Ｎ結合およびＳｉ−Ｈ結合を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
酸素含有雰囲気中で、基板の温度を約６００℃以上の酸素アニール温度まで上昇させるステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
酸素含有雰囲気が、原子酸素、オゾン、二酸化窒素、および水蒸気（Ｈ２Ｏ）を含む群から選択された１つまたは複数のガスを含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
基板がパターニングされ、幅が約５０ｎｍ以下のトレンチを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
トレンチ内の酸化ケイ素層が実質的に無ボイドである、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
プラズマ領域が遠隔プラズマシステム内にある、請求項１に記載の方法。
【請求項１８】
プラズマ領域が、シャワーヘッドによって無プラズマ基板処理領域から分離された基板処理チャンバの仕切られた部分である、請求項１に記載の方法。
【請求項１９】
酸化ケイ素が実質的にケイ素および酸素を含む、請求項１に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
関連出願の相互参照
本出願は、２０１０年９月２８日出願の「ＣＵＲＩＮＧ  ＮＯＮ−ＣＡＲＢＯＮ  ＦＬＯＷＡＢＬＥ  ＣＶＤ  ＦＩＬＭＳ」という名称の米国特許出願第１２／８９１，９３７号のＰＣＴ出願であり、あらゆる目的のための参照により開示の全体が本明細書に組み込まれる２００９年１１月１２日出願のＪｉｎｇｍｅｉ  Ｌｉａｎｇらの「ＣＵＲＩＮＧ  ＮＯＮ−ＣＡＲＢＯＮ  ＦＬＯＷＡＢＬＥ  ＣＶＤ  ＦＩＬＭＳ」という名称の米国特許仮出願第６１／２６０，５６８号の利益を主張する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの形状は、数十年前のその導入以来、サイズが劇的に減少している。現代の半導体製造設備は、フィーチャサイズが４５ｎｍ、３２ｎｍ、および２８ｎｍのデバイスを日常的に生産し、形状がさらに小さいデバイスを作るための新規の設備が開発され実施されている。フィーチャサイズを減少すると、空間寸法が減少したデバイス上に構造フィーチャが得られる。デバイス上のギャップおよびトレンチの幅は、ギャップを誘電体材料で充填することが困難なほどギャップの深さとその幅のアスペクト比が高くなる程度まで狭くなる。誘電体材料を堆積すると、ギャップが完全に埋まる前にその上部が塞がることが多く、それによってギャップの中間にボイドまたは継ぎ目が生成される。
【０００３】
長年にわたり、誘電体材料がギャップの上を塞がないようにするための、あるいは形成されたボイドまたは継ぎ目を「治す」ための多くの技法が開発されてきた。１つの手法は、回転する半導体表面に液相で塗布できる流動性の高い前駆体材料から始まった（例えば、ＳＯＧ堆積技法）。これらの流動性前駆体は、ボイドまたは弱い継ぎ目を形成することなく、非常に小さい基板ギャップに流れ込み、ギャップを充填することができる。しかし、これらの流動性の高い材料は、堆積された後に固体の誘電体材料になるように固化しなければならない。
【０００４】
多くの場合、固化プロセスには、堆積された材料から炭素基および水酸基を除去して酸化ケイ素などの固体誘電体を後に残すための熱処理が含まれる。残念なことに、炭素種および水酸種がなくなると、固化した誘電体中には最終材料の特性を低下させる細孔が後に残る。加えて、固化する誘電体にはまた、体積が縮小する傾向もあり、そのため、誘電体と周辺の基板の間の境界面に亀裂および空間が残る可能性がある。場合により、固化される誘電体の体積は４０％以上減少する可能性がある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
したがって、基板のギャップまたはトレンチ内にボイドもしくは継ぎ目、または両方を発生させることなく、構築された基板上に誘電体材料を形成する新規の堆積プロセスおよび材料が必要とされている。また、細孔がより少なく体積の減少が少ない材料および流動性誘電体材料を固化する方法が必要とされている。上記および他の必要とされていることが本出願で対処される。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
酸化ケイ素層を形成する方法を説明する。この方法は、無炭素ケイ素含有前駆体を活性窒素および／または水素前駆体と混合するステップと、ケイ素窒素水素含有層を基板上に堆積するステップを含みうる。次に、ケイ素窒素水素含有層をケイ素酸素含有層に変換することが、オゾン含有雰囲気中で低温アニール（「硬化」）によって開始される。このオゾン含有雰囲気中でのケイ素窒素含有膜の酸化ケイ素への変換は不完全でもよく、酸素含有環境中でより高温のアニールによって増大させることができる。
【０００７】
本発明の諸実施形態は、基板処理チャンバ内の無プラズマ基板処理領域においてケイ素酸素含有層を基板上に形成する方法を含む。この方法は、無炭素ケイ素窒素水素含有層を基板上に堆積するステップを含む。この方法はさらに、ケイ素窒素水素含有層をオゾン含有雰囲気中で硬化させてケイ素窒素水素含有層を酸化ケイ素層に変換するステップを含む。
【０００８】
さらなる実施形態および特徴は、一部は以下の説明に明記され、一部は、本明細書を考察することによって当業者には明らかになるであろうし、あるいは本発明を実践することによって知ることができる。本発明の特徴および利点は、本明細書に記載の手段、複合化したもの、および方法によって実現および達成することができる。
【０００９】
本発明の性質および利点をさらに理解することが、本明細書の残りの部分および図面を参照することによって実現されよう。図面では、同様の参照数字がいくつかの図面にわたって類似の構成要素を指すために使用されている。場合により、類似の複数の構成要素の１つであることを示すために、サブ標示が参照数字に付随しておりハイフンに続く。ある参照数字が既存のサブ標示の指定なしに参照されるときは、このような類似の構成要素すべてを指すことが意図されている。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の諸実施形態による、酸化ケイ素膜を作るための選択されたステップを図示する流れ図である。
【図２】本発明の諸実施形態による、基板ギャップ内に酸化ケイ素膜を作るための選択されたステップを図示する別の流れ図である。
【図３】本発明の諸実施形態による、スピンオン誘電体膜を硬化させるための選択されたステップを図示する別の流れ図である。
【図４】本発明の諸実施形態による基板処理システムの図である。
【図５Ａ】本発明の諸実施形態による基板処理チャンバの図である。
【図５Ｂ】本発明の諸実施形態によるガス供給シャワーヘッドの図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
酸化ケイ素層を形成する方法を説明する。この方法は、無炭素ケイ素含有前駆体を活性窒素および／または水素前駆体と混合するステップと、ケイ素窒素水素含有層を基板上に堆積するステップを含みうる。次に、ケイ素窒素水素含有層をケイ素酸素含有層に変換することが、オゾン含有雰囲気中で低温アニール（「硬化」）によって開始される。このオゾン含有雰囲気中でのケイ素酸素含有膜の酸化ケイ素への変換は不完全でもよく、増大させることが酸素含有環境中でより高温のアニールによってできる。
【００１２】
全く正しいこともそうでないこともある仮定のメカニズムに対する特許請求の範囲を束縛することなく、いくつかの細部について議論することは有益なことがある。堆積されたままのケイ素窒素および水素含有膜を比較的低い基板温度に維持しながらオゾンに曝すと、基板を酸素含有環境中で比較的高い基板温度でアニールするだけと比べて、酸素含有率が増加する。これは、活性窒素前駆体を無炭素ケイ素含有前駆体と混合することによるケイ素窒素膜の堆積によって生成される、比較的開いたネットワークに起因しうる。この開いたネットワークにより、オゾンは膜中により深く侵入し、それによって基板の方向に酸化物変換を延ばすことができる。この変換を高温で行うと、表面近くのネットワークが閉じられ、それによって変換の物理的な広がりが限定されうる。
【００１３】
オゾンの反応性は、分子酸素の反応性と原子酸素の反応性の間にある。分子酸素では酸化を活性化するのに高温を必要とし、その結果、表面近くの開いたケイ素窒素ネットワークが閉じられることになる。こうして閉じられると、望ましくないことに、ケイ素窒素水素含有層の深い部分の酸化が限定される。原子酸素は低温であまりに容易に反応し、同様にネットワークが閉じられる。オゾンは安定性を呈して、開いたネットワークの中に深く侵入する一方で、酸化を促進するのに高温を必要としないことが分かっている。次に、酸化ケイ素層を形成する方法およびシステムのさらなる詳細について説明する。
【００１４】
例示的酸化ケイ素形成プロセス
図１は、本発明の諸実施形態による酸化ケイ素膜を作る方法１００における選択されたステップを示す流れ図である。方法１００は、無炭素ケイ素前駆体を基板処理領域に供給するステップを含む（工程１０２）。無炭素ケイ素前駆体は、ケイ素前駆体のいくつかある種類の中で、例えば、ケイ素窒素前駆体、ケイ素水素前駆体、またはケイ素窒素含有前駆体とすることができる。ケイ素前駆体は、無炭素にするとともに無酸素にすることもできる。酸素がないことにより、その前駆体から形成されるケイ素窒素層中のシラノール（Ｓｉ−ＯＨ）基の濃度が低くなる。堆積された膜中のシアノール部分が過剰であると、堆積された層から水酸基（−ＯＨ）部分を除去する堆積後のステップの間中に、多孔性増大および収縮が起こりうる。
【００１５】
無炭素ケイ素前駆体の具体的な例には、いくつかあるシリルアミンの中で、Ｈ２Ｎ（ＳｉＨ３）、ＨＮ（ＳｉＨ３）２、およびＮ（ＳｉＨ３）３などのシリルアミンが含まれうる。シリルアミンの流量は、別々の実施形態において、約２００ｓｃｃｍ以上、約３００ｓｃｃｍ以上、または約５００ｓｃｃｍ以上とすることができる。ここで示されたすべての流量は、デュアルチャンバ基板処理システムを基準としている。単一ウエハシステムでは、これらの流量の半分を必要とし、別のウエハサイズでは、処理面積によって増減される流量を必要とする。これらのシリルアミンは、キャリアガスもしくは反応ガスとして、または両方として作用しうる付加ガスと混合することができる。例示的な付加ガスには、いくつかあるガスの中で、Ｈ２、Ｎ２、ＮＨ３、Ｈｅ、Ａｒが含まれる。無炭素ケイ素前駆体の例にはまた、シラン（ＳｉＨ４）が単独で含まれ、あるいは他のケイ素含有ガス（例えば、Ｎ（ＳｉＨ３）３）、水素含有ガス（例えば、Ｈ２）および／または窒素含有ガス（例えば、Ｎ２、ＮＨ３）と混合して含まれる。無炭素ケイ素前駆体にはまた、ジシラン、トリシラン、より高次のシラン、および塩化シランが単独もしくは互いに組み合わされて含まれ、あるいは前述の無炭素ケイ素前駆体と組み合わされて含まれる。
【００１６】
活性窒素前駆体もまた、基板処理領域に供給することができる（工程１０４）。活性窒素前駆体は、基板処理領域外でより安定した窒素前駆体から発生させた窒素ラジカル含有前駆体である。例えば、ＮＨ３、ヒドラジン（Ｎ２Ｈ４）および／またはＮ２を含有する安定した窒素前駆体化合物は、チャンバプラズマ領域内、または処理チャンバ外の遠隔プラズマシステム（ＲＰＳ）内で活性化させて活性窒素前駆体を形成することができ、この活性窒素前駆体は次に、基板処理領域の中へ輸送される。安定した窒素前駆体はまた、別々の実施形態において、ＮＨ３とＮ２、ＮＨ３とＨ２、ＮＨ３とＮ２とＨ２およびＮ２とＨ２を含む混合物とすることもできる。ヒドラジンはまた、Ｎ２とＨ２の混合物中でＮＨ３の代わりに、またはそれと組み合わせて使用することもできる。安定した窒素前駆体の流量は、別々の実施形態において、約３００ｓｃｃｍ以上、約５００ｓｃｃｍ以上、または約７００ｓｃｃｍ以上とすることができる。チャンバプラズマ領域内で生産される活性窒素前駆体は、・Ｎ、・ＮＨ、・ＮＨ２などのうちの１つ以上とすることができ、またプラズマ中で形成されたイオン化種が付随してもよい。酸素の供給源もまた、遠隔プラズマ中でより安定した窒素前駆体と組み合わせることができ、この組み合わせたものは、膜に酸素をあらかじめ与える一方で流動性を低下させるように作用する。酸素の供給源には、Ｏ２、Ｈ２Ｏ、Ｏ３、Ｈ２Ｏ２、Ｎ２Ｏ，ＮＯまたはＮＯ２のうちの１つ以上が含まれる。
【００１７】
チャンバプラズマ領域を使用する実施形態では、活性窒素前駆体は、各前駆体が混合および反応して堆積基板（例えば、半導体ウエハ）上にケイ素窒素層が堆積する堆積領域から分割された、基板処理領域の一部分で発生される。活性窒素前駆体はまた、水素（Ｈ２）、窒素（Ｎ２）、ヘリウムなどのキャリアガスを伴うこともある。本明細書では、基板処理領域は、ケイ素窒素水素含有層の成長中、および低温オゾン硬化中に「無プラズマ」と説明されることがある。「無プラズマ」とは、その領域にプラズマがないことを必ずしも意味しない。チャンバプラズマ領域内のプラズマの境界は、画定しにくく、シャワーヘッドの開口を通り抜けて基板処理領域の上に入り込むことがある。誘導結合プラズマの場合では、例えば、少量のイオン化を基板処理領域内で直接開始することができる。さらに、低強度プラズマを基板処理領域内で、形成する膜の流動性質をなくすることなく作り出すことができる。活性窒素前駆体を作り出している間中にプラズマがチャンパプラズマ領域よりもずっと低いイオン密度を有することになるすべての原因が、本明細書でいう「無プラズマ」の範囲から外れない。
【００１８】
基板処理領域では、無炭素ケイ素前駆体と活性窒素前駆体が混合および反応して、ケイ素窒素水素含有膜が堆積基板上に堆積する（工程１０６）。この堆積ケイ素窒素水素含有膜は、諸実施形態のいくつかの製法の組合せを用いて共形に堆積することができる。他の実施形態では、堆積ケイ素窒素水素含有膜は、従来の窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）膜堆積技法とは異なり、流動特性を有する。形成の流動性質により、膜は、基板の堆積面上の狭いギャップ、トレンチまたは他の構造物に流れ込むことができる。
【００１９】
流動性は、活性窒素前駆体を無炭素ケイ素前駆体と混合することにより得られる様々な特性に起因することがある。これらの特性には、堆積膜中のかなりの水素成分、および／または短鎖ポリシラザンポリマーの存在が含まれる。これらの短鎖は成長およびネットワーク化して、膜の形成中および形成後により高密度の誘電体材料を形成する。例えば堆積膜は、シラザン型のＳｉ−ＮＨ−Ｓｉ骨格（すなわち、無炭素Ｓｉ−ＮＨ−Ｈ膜）を有してよい。ケイ素前駆体と活性窒素前駆体の両方が無炭素である場合、堆積ケイ素窒素水素含有膜もまた実質的に無炭素になる。もちろん「無炭素」とは、膜に極微量の炭素さえもないことを必ずしも意味しない。炭素汚染物質が、堆積ケイ素窒素前駆体の中に入る前駆体材料中に存在しうる。しかし、これらの炭素汚染物質の量は、炭素部分を有する窒素前駆体（例えば、ＴＥＯＳ、ＴＭＤＳＯなど）の中に見出されるものよりもずっと少ない。
【００２０】
ケイ素窒素水素含有層の堆積に続いて、堆積基板は、オゾン含有雰囲気の中で硬化させることができる（工程１０８）。この硬化工程により、窒素の濃度が低下する一方で、膜中の酸素の濃度がトレンチ中を含めて増加する。堆積基板は、硬化のために基板処理領域内にとどまることができ、あるいは基板は、オゾン含有雰囲気が導入される別のチャンバに移送することもできる。基板の硬化温度は、別々の実施形態において、約６００℃以下、約４００℃以下、約３００℃以下、約２５０℃以下、約２００℃以下、約１５０℃以下とすることができる。基板の温度は、別々の実施形態において、ほぼ室温（２５℃）以上、約５０℃以上、約１００℃以上、約１５０℃以上、約２００℃以上とすることができる。これら上限のいずれかを下限のいずれかと組み合わせて、開示された追加の諸実施形態による基板温度の追加の範囲を形成することができる。表面近くのネットワークを閉ざし、表面下の酸化を妨げる原子酸素が発生することを回避するために、諸実施形態において基板処理領域内にはプラズマが存在しない。硬化ステップの間中の基板処理領域へのオゾンの流量（オゾン寄与だけ）は、開示された諸実施形態において、約５００ｓｃｃｍ以上、約１ｓｌｍ以上、約２ｓｌｍ以上、または約５ｓｌｍ以上とすることができる。硬化ステップの間中のオゾンの分圧は、開示された諸実施形態において、約２０トル以上、約３０トル以上、約５０トル以上、または約１００トル以上とすることができる。ある条件のもとでは（例えば、約１００℃から約２００℃の間の基板温度）、変換はほぼ完全になることが分かっており、したがって、酸素含有環境中での比較的高温のアニールが諸実施形態において不要になりうる。場合により、約２５０℃以下から約４００℃超の温度（例えば５５０℃）まで高くなる温度に曝すと、ケイ素窒素水素含有膜から酸化ケイ素膜への変換が促進された。オゾン含有雰囲気に湿気（Ｈ２Ｏ）を加えることでもまた、高温（４００℃超）で行ったときに、酸化ケイ素膜への変換が増大した。
【００２１】
ケイ素窒素含有層の硬化に続けて、堆積基板は、酸素含有雰囲気の中でアニールすることができる（工程１１０）。堆積基板は、硬化に使用される同じ基板処理領域内に、オゾン含有雰囲気が導入されるときにとどまることができ、あるいは基板は、オゾン含有雰囲気が導入される別のチャンバに移送することもできる。酸素含有雰囲気には、いくつかある酸素含有ガスの中で、分子酸素（Ｏ２）、オゾン（Ｏ３）、水の蒸気（Ｈ２Ｏ）、過酸化水素（Ｈ２Ｏ２）、および酸化窒素（ＮＯ、ＮＯ２、Ｎ２Ｏなど）などの１つまたは複数の酸素含有ガスが含まれうる。酸素含有雰囲気はまた、遠隔で発生させ基板チャンバの中へ輸送できる原子酸素（Ｏ）、水酸化物（ＯＨ）などの活性酸素種および水酸基種を含みうる。酸素含有種のイオンもまた存在しうる。基板の酸素アニール温度は、別々の実施形態において、約１１００℃以下、約１０００℃以下、約９００℃以下、または約８００℃以下とすることができる。基板の温度は、別々の実施形態において、約５００℃以上、約６００℃以上、約７００℃以上、または約８００℃以上とすることができる。酸素含有雰囲気中に水蒸気が存在する場合は、約１００℃以上、約２００℃以上、約３００℃以上、または約４００℃以上の基板温度もまた、開示された諸実施形態において有効である。再び、これら上限のいずれかを下限のいずれかと組み合わせて、開示された追加の諸実施形態による基板温度の追加の範囲を形成することができる。
【００２２】
プラズマは、酸素アニール中に基板処理領域内に存在してもしなくてもよい。ＣＶＤチャンバに入る酸素含有ガスは、基板処理領域に入る前に活性化（例えば、ラジカル化、イオン化など）された１つまたは複数の化合物を含みうる。例えば、酸素含有ガスは、活性酸素種、活性水酸基種などを含んでよく、これらは、より安定した前駆体化合物を遠隔プラズマ源に通して曝すことによって、あるいはシャワーヘッドにより基板処理領域から分離されたチャンバプラズマ領域に通して曝すことによって活性化されている。より安定した前駆体には、水酸基（ＯＨ）ラジカルおよびイオンを生成する水の蒸気（Ｈ２Ｏ）および過酸化水素（Ｈ２Ｏ２）と、原子酸素（Ｏ）ラジカルおよびイオンを生成する分子酸素および／またはオゾンとが含まれうる。
【００２３】
硬化および酸素アニール両方の酸素含有雰囲気は、ケイ素窒素水素含有膜を酸化ケイ素（ＳｉＯ２）膜に変換するための酸素を供給する。のように、ケイ素窒素水素含有膜中に炭素がないことにより、最終の酸化ケイ素膜中に形成される細孔がかなり少なくなる。酸化ケイ素へ変換する間中の膜の体積減少（すなわち収縮）もまた少なくなる。例えば、炭素含有ケイ素前駆体から形成されたケイ素窒素炭素層が、酸化ケイ素に変換されるときに約４０体積％以上収縮しうる場合に、実質的に無炭素のケイ素窒素膜の収縮は、約１５体積％以下になりうる。
【００２４】
上述のように、堆積ケイ素窒素水素含有層は、活性窒素前駆体を様々な無炭素ケイ素含有前駆体と組み合わせることによって生成することができる。無炭素ケイ素含有前駆体は、諸実施形態において実質的に無窒素とすることができる。いくつかの実施形態では、無炭素ケイ素含有前駆体も活性窒素前駆体も窒素を含有する。一方、活性前駆体は、諸実施形態において実質的に無窒素とすることができ、ケイ素窒素水素含有層の窒素は、無炭素ケイ素含有前駆体から供給することができる。したがって、最も一般的にいえば、活性前駆体は、本明細書では「活性窒素および／または水素前駆体」と呼び、これは、前駆体が窒素および／または水素を含有することを意味する。同様に、活性窒素および／または水素前駆体を形成するためにプラズマに流し込まれる前駆体は、窒素および／または水素含有前駆体と呼ぶ。これらの一般化は、本明細書で開示される実施形態のそれぞれに適用することができる。諸実施形態において、窒素および／または水素含有前駆体は水素（Ｈ２）を含み、活性窒素および／または水素前駆体は・Ｈなどを含む。
【００２５】
次に図２を参照すると、本発明の諸実施形態による、基板ギャップ内に酸化ケイ素膜を形成するための方法２００の選択されたステップを図示する別の流れ図が示されている。方法２００は、ギャップを含む基板を基板処理領域の中に移送するステップを含みうる（工程２０２）。基板は、基板上に形成されるデバイス構成要素（例えば、トランジスタ）の間隔および構造を得るための複数のギャップを有してよい。これらのギャップは、高さと幅のアスペクト比（ＡＲ）（すなわちＨ／Ｗ）を画定する高さおよび幅を有してよく、この比は１：１よりもかなり大きい（例えば、５：１以上、６：１以上、７：１以上、８：１以上、９：１以上、１０：１以上、１１：１以上、１２：１以上など）。多くの場合、高いＡＲは、約９０ｎｍから約２２ｎｍ以下の範囲の小さいギャップ幅（例えば、９０ｎｍ未満、６５ｎｍ未満、５０ｎｍ未満、４５ｎｍ未満、３２ｎｍ未満、２２ｎｍ未満、１６ｎｍ未満など）に起因する。
【００２６】
無炭素ケイ素前駆体は、基板処理領域内で活性窒素前駆体と混合される（工程２０４）。流動性ケイ素窒素水素含有層は、基板上に堆積することができる（工程２０６）。この層は流動性であるので、充填材料の中心まわりにボイドまたは弱い継ぎ目を作ることなく、アスペクト比が高いギャップを充填することができる。例えば、堆積する流動性材料は、完全に充填される前に早くギャップの上部を塞いでギャップの中間にボイドを残すことが少ない。
【００２７】
次に、堆積されたままのケイ素窒素水素含有層は硬化させ（工程２０８）、酸素含有雰囲気中でアニールして（工程２１０）、ケイ素窒素水素含有層を酸化ケイ素に遷移させることができる。さらなるアニール（図示せず）を不活性環境中で高い基板温度において実行して、酸化ケイ素層を高密度にすることもできる。
【００２８】
堆積されたままのケイ素窒素水素含有層を酸素含有雰囲気中で硬化およびアニールすると、酸化ケイ素層が基板上に基板ギャップを含んで形成される（工程２０８）。諸実施形態において、工程２０８および２１０の各処理パラメータは、図１の工程１０８および１１０を参照して説明したものと同じ範囲を保有する。上記のように、酸化ケイ素層は、熱処理ステップの前に層中にかなりの量の炭素が存在する炭素含有前駆体で形成された類似の層よりも、細孔が少なく体積減少が少ない。多くの場合で、その体積減少はわずかで、縮小する酸化ケイ素のためにギャップ内にできる空間を充填、治す、または他の方法でなくするための熱後処理ステップを回避するのに十分である（例えば、体積百分率で約１５％以下）。いくつかの実施形態では、トレンチ内の酸化ケイ素層は実質的に無ボイドである。
【００２９】
図３は、本発明の諸実施形態による、酸化ケイ素膜を作製する例示的な方法の選択されたステップを図示する別の流れ図である。方法３００は、トレンチを有するパターニングされた基板をスピンオン誘電体（ＳＯＤ）装置の中に移送するステップを含みうる。無炭素ケイ素窒素水素含有層がパターニングされた基板の上に注がれ、この基板は、層を均一に分散させるために回転させる（工程３０４）。堆積したままの、スピンオン誘電体（ＳＯＤ）層はトレンチ内にあり、また基板の他の領域の上にもありうる。ＳＯＤ層は、ケイ素および窒素を含み、工程１０８および２０８と同様の条件下で硬化されて、酸化ケイ素層を形成するためのＳＯＤ層の酸化が開始される。基板は、酸化を基板のより近くで、またトレンチの中で起こせるように、オゾン含有環境中で同一の比較的低い温度に維持される。それに続く高温酸素アニールおよび高温不活性アニールが諸実施形態において使用されて、ＳＯＤ層はさらに酸化され高密度にされる。
【００３０】
例示的酸化シリコン堆積システム
本発明の諸実施形態を実施できる堆積チャンバには、いくつかあるチャンバのタイプの中で、高密度プラズマ化学気相堆積（ＨＤＰ−ＣＶＤ）チャンバ、プラズマ化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ）チャンバ、減圧化学気相堆積（ＳＡＣＶＤ）チャンバ、および熱化学気相堆積チャンバが含まれる。本発明の諸実施形態を実施できるＣＶＤシステムの具体的な例には、カリフォルニア州Ｓａｎｔａ  ＣｌａｒａのＡｐｐｌｉｅｄ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，  Ｉｎｃ．から提供されているＣＥＮＴＵＲＡ  ＵＬＴＩＭＡ（登録商標）ＨＤＰ−ＣＶＤチャンバ／システム、およびＰＲＯＤＵＣＥＲ（登録商標）ＰＥＣＶＤチャンバ／システムが含まれる。
【００３１】
本発明の例示的な方法とともに使用できる基板処理チャンバの例には、本出願の譲渡人に譲渡された２００６年３月３０日出願のＬｕｂｏｍｉｒｓｋｙらの「ＰＲＯＣＥＳＳ  ＣＨＡＭＢＥＲ  ＦＯＲ  ＤＩＥＬＥＣＴＲＩＣ  ＧＡＰＦＩＬＬ」という名称の米国特許仮出願第６０／８０３，４９９号に示され記載されたものが含まれうる。この特許仮出願の内容全体は、あらゆる目的のための参照により本明細書に組み込まれる。追加の例示的なシステムには、米国特許第６，３８７，２０７号および第６，８３０，６２４号に示され記載されたものが含まれうる。これら特許もまた、あらゆる目的の参照により本明細書に組み込まれる。
【００３２】
堆積システムの諸実施形態は、集積回路チップを生産するより大型の製造システムの中に組み込むことができる。図４は、開示された諸実施形態による、このようなチャンバの堆積、ベーキングおよび硬化のシステム４００を示す。図で、１対のＦＯＵＰ（前部開口一体化ポッド）４０２は、基板（例えば、直径３００ｍｍウエハ）を供給し、この基板はロボットアーム４０４によって受け取られ、低圧保持区域４０６の中に入れられた後、ウエハ処理チャンバ４０８ａ〜ｆのうちの１つに入れられる。第２のロボットアーム４１０を使用して、基板ウエハを保持区域４０６から処理チャンバ４０８ａ〜ｆに輸送し、戻すことができる。
【００３３】
処理チャンバ４０８ａ〜ｆは、流動性誘電膜を基板ウエハ上で堆積、アニール、硬化および／またはエッチングするための１つまたは複数のシステム構成要素を含みうる。一実施形態では、２対の処理チャンバ（例えば、４０８ｃ〜ｄおよび４０８ｅ〜ｆ）を使用して流動性誘電体材料を基板上に堆積することができ、第３の対の処理チャンバ（例えば、４０８ａ〜ｂ）を使用して、堆積された誘電体をアニールすることができる。別の構成では、同じ２対の処理チャンバ（例えば、４０８ｃ〜ｄおよび４０８ｅ〜ｆ）は、流動性誘電体膜を基板上で堆積とアニールの両方をするように構成することができ、第３の対のチャンバ（例えば、４０８ａ〜ｂ）は、堆積された膜のＵＶビーム硬化またはＥビーム硬化のために使用することができる。さらに別の構成では、３対すべてのチャンバ（例えば、４０８ａ〜ｆ）を、基板上で流動性誘電体膜を堆積およびアニールするように構成することもできる。さらに別の構成では、２対の処理チャンバ（例えば、４０８ｃ〜ｄおよび４０８ｅ〜ｆ）を、流動性誘電体の堆積とＵＶビーム硬化またはＥビーム硬化との両方で使用することができ、第３の対の処理チャンバ（例えば、４０８ａ〜ｂ）は、誘電体膜をアニールするのに使用することができる。説明したプロセスのうちの任意の１つ以上を、別々の実施形態において、図示の製造システムから分離されたチャンバ（１つまたは複数）で実行することができる。
【００３４】
加えて、プロセスチャンバ４０８ａ〜ｆのうちの１つ以上をウェット処理チャンバとして構成することもできる。これらのプロセスチャンバでは、湿気を含む雰囲気中で流動性誘電体膜を加熱することが含まれる。すなわち、システム４００の諸実施形態では、堆積された誘電体膜にウェットアニールとドライアニールの両方を行うウェット処理チャンバ４０８ａ〜ｂおよびアニール処理チャンバ４０８ｃ〜ｄが含まれうる。
【００３５】
図５Ａは、開示された諸実施形態による基板処理チャンバ５００である。遠隔プラズマシステム（ＲＰＳ）５１０は、後でガス入口アセンブリ５１１を通って移動するガスを処理することができる。２つの個別ガス供給チャネルが、ガス入口アセンブリ５１１の中に見える。第１のチャネル５１２は、遠隔プラズマシステムＲＰＳ  ５１０を通過するガスを搬送し、第２のチャネル５１３は、ＲＰＳ  ５００をバイパスする。第１のチャネル５０２はプロセスガス用に使用することができ、第２のチャネル５１３は、開示された諸実施形態で処理ガス用に使用することができる。蓋（または導電性上部）５２１および穴あき仕切り５５３が、中間の絶縁リング５２４とともに示されており、この絶縁リングにより、穴あき仕切り５５３に対する交流電位を蓋５２１に印加することができる。プロセスガスは、第１のチャネル５１２を通ってチャンバプラズマ領域５２０の中へ移動し、チャンバプラズマ領域５２０の中だけで、またはＲＰＳ  ５１０と組み合わせて、プラズマによって励起することができる。チャンパプラズマ領域５２０および／またはＲＰＳ  ５１０の組合せは、本明細書で遠隔プラズマシステムと呼ぶことがある。穴あき仕切り（シャワーヘッドとも呼ぶ）５５３は、チャンバプラズマ領域５２０をシャワーヘッド５５３の下の基板処理領域５７０から分離する。シャワーヘッド５５３は、基板処理領域５７０の中のガスを直接励起することを避けるために、プラズマがチャンバプラズマ領域５２０の中に存在できるようにする一方でなお、励起された化学種がチャンバプラズマ領域５２０から基板処理領域５７０の中へ移動できるようにする。
【００３６】
シャワーヘッド５５３は、チャンバプラズマ領域５２０と基板処理領域５７０の間に配置され、チャンバプラズマ領域５２０の中に作り出されたプラズマ放出物（前駆体または他のガスの励起誘導体）が、板の厚さを横断する複数の貫通孔５５６を通過できるようにする。シャワーヘッド５５３はまた、１つまたは複数の空洞容積５５１を有し、この空洞容積は、蒸気またはガスの形の前駆体（ケイ素含有前駆体など）で充填することができ、小さい孔５５５を通じて基板処理領域５７０の中まで通すが、チャンバプラズマ領域５２０の中までは直接通さない。シャワーヘッド５５３は、本開示の実施形態では、貫通孔５５６の最小直径５５０の長さよりも厚い。チャンバプラズマ領域５２０から基板処理領域５７０へ侵入する励起された化学種をかなり高い濃度に維持するために、貫通孔の最小直径５５０の長さ５２６は、シャワーヘッド５５３を貫通する貫通孔５５６の途中までを直径の大きい部分に形成することによって制限することができる。貫通孔５５６の最小直径５５０の長さは、開示された諸実施形態では、貫通孔５５６の最小直径と同じ程度以下の大きさとすることができる。
【００３７】
図示の実施形態では、シャワーヘッド５５３はプロセスガスを配送することができ（貫通孔５５６を経由して）、このプロセスガスは、酸素、水素および／または窒素、および／またはチャンバプラズマ領域５２０内のプラズマによって励起されるこのようなプロセスガスのプラズマ放出物を含有する。諸実施形態では、ＲＰＳ  ５１０および／またはチャンバプラズマ領域５２０の中に第１のチャネル５１２を通して導入されるプロセスガスは、酸素（Ｏ２）、オゾン（Ｏ３）、Ｎ２Ｏ、ＮＯ、ＮＯ２、ＮＨ３、Ｎ２Ｈ４を含むＮｘＨｙ、シラン、ジシラン、ＴＳＡおよびＤＳＡのうちの１つ以上を含みうる。プロセスガスはまた、ヘリウム、アルゴン、窒素（Ｎ２）などのキャリアガスも含みうる。第２のチャネル５１３はまた、プロセスガスおよび／またはキャリアガス、および／または、成長している膜または堆積したままの膜から不要の成分を除去するために使用される膜硬化ガスを送出することもできる。プラズマ放出物は、プロセスガスのイオン化した、または中性の誘導体を含むことがあり、本明細書では、導入されたプロセスガスの原子的構成要素に注目して活性酸素前駆体および／または活性窒素前駆体と呼ぶこともある。
【００３８】
諸実施形態では、貫通孔５５６の数は約６０から約２０００の間とすることができる。貫通孔５５６は、様々な形状を有することができるが、最も簡単には円形に作製することができる。貫通孔５５６の最小直径５５０は、開示された諸実施形態では約０．５ｍｍから約２０ｍｍの間、または約１ｍｍから約６ｍｍの間とすることができる。貫通孔の断面形状を選択するにも自由裁量の範囲があり、断面形状は円錐形、円筒形、またはこれら２つの形状を合わせたものに作製することができる。ガスを基板処理領域５７０の中に導入するために使用される小孔５５５の数は、別々の実施形態で約１００から約５０００の間、または約５００から約２０００の間とすることができる。小孔５５５の直径は、約０．１ｍｍから約２ｍｍの間とすることができる。
【００３９】
図５Ｂは、開示された諸実施形態による、処理チャンバで使用するためのシャワーヘッド５５３の底面図である。シャワーヘッド５５３は、図５Ａに示されたシャワーヘッドに対応する。貫通孔５５６は、シャワーヘッド５５３の底面では内径（ＩＤ）が大きく描かれ、上面ではＩＤが小さく描かれている。小孔５５５は、シャワーヘッドの表面にわたって、貫通孔５５６の間でもほぼ均一に分布しており、このことが本明細書に記載の他の実施形態よりも均一な混合を行う助けになる。
【００４０】
例示的な膜は、シャワーヘッド５５３の貫通孔５５６を通って到着するプラズマ放出物が、空洞容積５５１から始まる小孔５５５を通って到着するケイ素含有前駆体と一緒になるときに、基板処理領域５７０内でペデスタル（図示せず）によって支持された基板上に作り出される。基板処理領域５７０は、硬化などの他のプロセスでプラズマを支持するように装備されているが、例示の膜の成長中にはプラズマは存在しない。
【００４１】
プラズマは、シャワーヘッド５５３の上のチャンバプラズマ領域５２０内、またはシャワーヘッド５５３の下の基板処理領域５７０内で点火することができる。プラズマがチャンバプラズマ領域５２０内に存在して、窒素水素含有ガスの流入物から活性窒素前駆体を生成する。通常は無線周波数（ＲＦ）の範囲にある交流電圧が、処理チャンバの導電性上部５２１とシャワーヘッド５５３の間に印加されて、プラズマが堆積の間中チャンバプラズマ領域５２０内で点火する。ＲＦ電源が１３．５６ＭＨｚの高いＲＦ周波数を発生するが、他の周波数を単独で、または１３．５６ＭＨｚの周波数と一緒に発生することもできる。
【００４２】
基板処理領域５７０内の下部プラズマが、膜を硬化させるため、または基板処理領域５７０の境を成す内部表面を洗浄するためにオンになっているときには、上部プラズマは低電力または無電力にしておくことができる。基板処理領域５７０内のプラズマは、シャワーヘッド５５３とチャンバのペデスタルまたは底部との間に交流電圧を印加することによって点火される。プラズマが存在している間、洗浄ガスを基板処理領域５７０の中に導入することができる。
【００４３】
ペデスタルは熱交換チャネルを有することができ、基板の温度を制御するための熱交換流体がこのチャネルを通って流れる。この構成により、冷却または加熱されるべき基板温度を比較的低い温度（室温から約１２０℃まで）に維持することができる。熱交換流体は、エチレングリコールおよび水を含みうる。ペデスタルのウエハ支持プラッタ（好ましくはアルミニウム、セラミック、またはこれらの組合せ）もまた、比較的高い温度を得るために（約１２０℃から約１１００℃まで）、平行同心円の形に２回完全に折り返す構成とした埋込み単ループヒータ要素を使用して抵抗加熱されることが可能である。ヒータ要素の外側部分は、支持プラッタの周辺に隣接して通すことができ、内側部分は、小さい半径を有する同心円の経路上を通す。ヒータ要素への配線は、ペデスタルのステムの中を通る。
【００４４】
基板処理システムは、システムコントローラによって制御される。例示的な一実施形態では、システムコントローラはハードディスクドライブ、フロッピーディスクドライバおよびプロセッサを含む。プロセッサは、シングルボードコンピュータ（ＳＢＣ）、アナログおよびデジタル入出力ボード、インターフェースボード、およびステッピングモータコントローラボードを含む。ＣＶＤシステムの様々な部分が、ボード、カードエッジ、およびコネクタの寸法およびタイプを規定するＶｅｒｓａ  Ｍｏｄｕｌａｒ  Ｅｕｒｏｐｅａｎ（ＶＭＥ）規格に準拠している。ＶＭＥ規格はまた、１６ビットデータバスおよび２４ビットアドレスバスを有するバス構成を規定する。
【００４５】
システムコントローラは、ＣＶＤ機械の動作のすべてを制御する。システムコントローラは、コンピュータ可読の媒体に記憶されたコンピュータプログラムであるシステム制御ソフトウェアを実行する。好ましくは、この媒体はハードディスクドライブであるが、媒体は他の種類のメモリでもよい。コンピュータプログラムは、タイミング、ガスの混合、チャンバ圧力、チャンバ温度、ＲＦ電力レベル、サセプタ位置、および他の特定の処理のパラメータを指示する命令のセットを含む。例えば、フロッピーディスクドライブまたは別の適切なドライブを含む、他のメモリデバイスに記憶された他のコンピュータプログラムはまた、システムコントローラに指示するために使用することもできる。
【００４６】
膜積層を基板上に堆積するプロセス、またはチャンバを洗浄するプロセスは、システムコントローラによって実行されるコンピュータプログラム製品を使用して実施することができる。コンピュータプログラムコードは、例えば６８０００アセンブリ言語、Ｃ、Ｃ＋＋、パスカル、フォートランその他である、任意の従来のコンピュータ可読プログラミング言語で書くことができる。適切なプログラムコードは、従来のテキストエディタを使用して単一のファイル、または複数のファイルに入力され、コンピュータが利用可能なコンピュータのメモリシステムなどの媒体に記憶または収録される。入力されたコードテキストが高レベル言語である場合、そのコードはコンパイルされ、得られたコンパイラコードが次に、プリコンパイルされたＭｉｃｒｏｓｏｆｔ  Ｗｉｎｄｏｗｓ（登録商標）ライブラリルーチンのオブジェクトコードとリンクされる。リンクされコンパイルされたオブジェクトコードを実行するには、システムユーザがオブジェクトコードを呼び出し、それによってコンピュータシステムにコードをメモリにロードさせる。次に、ＣＰＵがコードを読み出し実行して、プログラムで特定されたタスクが行われる。
【００４７】
ユーザとコントローラの間のインターフェースは、フラットパネルタッチセンスモニタを介する。好ましい実施形態では、２つのモニタが使用され、一方が操作員用に洗浄室の壁に取り付けられ、他方がサービス技術者用に壁の背後に取り付けられる。これら２つのモニタは、同じ情報を同時に表示することができ、この場合、一時に一方だけが入力を受け入れる。特定の画面または機能を選択するには、操作員はタッチセンスモニタの指定された区域に指またはマウスで接触する。接触された区域では、その強調表示された色が変化し、または新しいメニューもしくは画面が表示されて、操作員とタッチセンスモニタの間の通信が確認される。キーボード、マウス、または他のポインティングデバイスもしくは通信デバイスなど他のデバイスは、ユーザがシステムコントローラと通信できるように、タッチセンスモニタの代わりに、またはそれに加えて使用することができる。
【００４８】
本明細書で「基板」とは、上に層が形成されている、または形成されていない支持基板のことでありうる。支持基板は絶縁体、または様々なドーピング濃度およびプロファイルの半導体とすることができ、例えば、集積回路の製造に使用されるタイプの半導体基板とすることができる。層の「酸化ケイ素」は、ケイ素酸素含有材料の簡略表現として、またそれと交換可能に用いられる。そのようなものとして、酸化ケイ素は、窒素、水素、炭素など、ある濃度の他の元素成分を含みうる。いくつかの実施形態では、酸化ケイ素は、実質的にケイ素および酸素から成る。「前駆体」という語は、表面から材料を除去する、または表面に材料を堆積する反応に加わるあらゆるプロセスガスを指すために用いられる。「励起状態」のガスとは、ガス分子の少なくとも一部が振動的に励起され、解離され、および／またはイオン化された状態にあることをいう。ガス（または前駆体）は、２つ以上のガス（または前駆体）が組み合わさったものでありうる。「活性前駆体」とは、基板から材料を除去する、または基板に材料を堆積する反応に関与するプラズマ放出物（プラズマを放出している励起状態のガス）を記述するのに使用される。「活性窒素前駆体」とは窒素を含有する活性前駆体であり、「活性水素前駆体」とは水素を含有する活性前駆体である。「不活性ガス」という語句は、膜をエッチングする、または膜に取り込まれる場合に化学結合を形成しないあらゆるガスを指す。例示的な不活性ガスには希ガスが含まれるが、膜中に（通常は）極微量が閉じ込められた場合に化学結合が形成されない限り、他のガスも含まれうる。
【００４９】
「トレンチ」という用語は、全体を通して、エッチングされた形状寸法の横のアスペクト比が大きいということを含意せずに用いられる。面の上から見て、トレンチは円形、楕円形、多角形、長方形、または他の様々な形状に見えうる。「ビア」という語は、垂直電気接続を形成するために金属で充填されることもされないこともある、アスペクト比が小さいトレンチを指すのに使用される。本明細書では、共形層とは、ある表面上の、その表面と同じ形の材料の概ね一様な層を指す。すなわち層の表面と覆われている表面とが概ね平行である。当業者には、堆積される材料を１００％共形にすることは多分できないことが理解されよう。したがって、「概ね」という語は、許容できる公差を見越したものである。
【００５０】
いくつかの実施形態を説明したが、当業者には、本発明の趣旨から逸脱することなく様々な修正、代替構造物、および等価物を使用できることが認識されよう。加えて、いくつかのよく知られた処理および要素は、本発明を不必要に不明瞭にしないようにするために、説明されていない。それゆえに、上記の説明は、本発明の範囲を限定するものと解釈されるべきではない。
【００５１】
ある範囲の値が与えられている場合、その範囲の上限と下限の間の、特に指示されていない限り下限の１０分の１までの各介在値もまた、明確に開示されていることを理解されたい。提示された範囲内の任意の提示値または介在値と、その提示された範囲内の別の任意の提示値または介在値との間のそれぞれのより小さい範囲が包容されている。これらのより小さな範囲の上限および下限は、別個にその範囲内に含まれることも除外されることもあり、そのより小さな範囲内に上下限のどちらかまたは両方が含まれ、あるいはどちらも含まれないそれぞれの範囲もまた、提示された範囲内で明確に除外されたどの限度も条件として、本発明の中に包容される。提示された範囲がこれら限度の一方または両方を含む場合、これらの含まれた限度のどちらかまたは両方を除外する範囲もまた含まれる。
【００５２】
本明細書および添付の特許請求の範囲では、単数形「１つの（ａ）」、「１つの（ａｎ）」、および「その（ｔｈｅ）」は、特に指示されていない限り複数の指示物を含む。すなわち、例えば、「１つの処理」を示すことには、複数のこのような処理を示すことが含まれ、「その前駆体」を示すことには、１つまたは複数の前駆体、および当業者に知られているその等価物を示すことが含まれる、などである。
【００５３】
また、「備える（ｃｏｍｐｒｉｓｅ）」、「備えている（ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ）」、「含む（ｉｎｃｌｕｄｅ）」、「含んでいる（ｉｎｃｌｕｄｉｎｇ）」、および「含む（ｉｎｃｌｕｄｅｓ）」という語は、本明細書および添付の特許請求の範囲では、提示された特徴、完全体、構成要素、またはステップの存在を明示するものであるが、他の１つまたは複数の特徴、完全体、構成要素、ステップ、作用または群の、存在または追加を排除しない。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【国際調査報告】
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