(57)【要約】  本発明は、共振器に関し、横磁界モード誘電体共振器、横磁界モード誘電体フィルタ、及び基地局を開示する。本発明を使用することにより、接触表面間の良好な接触と組み立てやすさとが実現され得る。更に、本発明の実施形態による横磁界モード誘電体共振器は、良好な構造安定性と、組み立てやすさと、高い実現可能性とを有し、それによって、大量生産に適し、良好な大量生産整合性がある。
2013537011.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方の端部に開口部をもつ共振空洞（２０１）と、前記共振空洞（２０１）の中に位置決めされている誘電体共振柱（２０２）とを備え、前記誘電体共振柱（２０２）の下端表面が前記共振空洞（２０１）の内側下表面と接触し、前記共振空洞（２０１）の内側表面が導電性材料で覆われている、横磁界モード誘電体共振器であって、
前記開口部を覆う薄いカバーボード（２０３）と、前記薄いカバーボード（２０３）を覆う厚いカバーボード（２０４）とを更に備え、前記薄いカバーボード（２０３）の表面と前記厚いカバーボード（２０４）の表面とが導電性材料で覆われており、
前記厚いカバーボード（２０４）が前記薄いカバーボード（２０３）と接触する前記厚いカバーボードの表面に配置されるスロットを更に備え、該スロットは、前記厚いカバーボード（２０４）が前記薄いカバーボード（２０３）を覆うとき前記薄いカバーボード（２０３）を弾性変形させるように構成されている充填材（２０５）で充填されている、
横磁界モード誘電体共振器。
【請求項２】
前記薄いカバーボード（２０３）が前記誘電体共振柱（２０２）と接触する前記薄いカバーボードの箇所の縦断面が、正方形、円弧、又は逆台形である、
請求項１に記載の横磁界モード誘電体共振器。
【請求項３】
前記誘電体共振柱（２０２）の上端表面及び／又は前記下端表面が、導電性材料で覆われている、
請求項１又は２に記載の横磁界モード誘電体共振器。
【請求項４】
前記充填材（２０５）は、プラスチック製又は金属製バネである、
請求項１〜３のいずれか一項に記載の横磁界モード誘電体共振器。
【請求項５】
一方の端部に開口部をもつ共振空洞（２０１）と、前記共振空洞（２０１）の中に位置決めされている誘電体共振柱（２０２）とを備え、前記誘電体共振柱（２０２）の下端表面が前記共振空洞（２０１）の内側下表面と接触し、前記共振空洞（２０１）の内側表面が導電性材料で覆われ、前記誘電体共振柱（２０２）の高さが前記共振空洞（２０１）の前記内側下表面から前記共振空洞の一方の端部にある前記開口部までの高さより大きい、横磁界モード誘電体共振器であって、
前記開口部を覆う薄いカバーボード（２０３）と、前記薄いカバーボード（２０３）を覆う厚いカバーボード（２０４）とを更に備え、前記薄いカバーボード（２０３）の表面と前記厚いカバーボード（２０４）の表面とが導電性材料で覆われている、
横磁界モード誘電体共振器。
【請求項６】
前記薄いカバーボード（２０３）が前記誘電体共振柱（２０２）と接触する前記薄いカバーボードの箇所の縦断面が、正方形、円弧、又は逆台形である、
請求項５に記載の横磁界モード誘電体共振器。
【請求項７】
前記誘電体共振柱（２０２）の上端表面及び／又は前記下端表面が、導電性材料で覆われている、
請求項５又は６に記載の横磁界モード誘電体共振器。
【請求項８】
一方の端部に開口部をもつ共振空洞（２０１）と、前記共振空洞（２０１）の中に位置決めされている誘電体共振柱（２０２）とを備え、前記誘電体共振柱（２０２）の下端表面が前記共振空洞（２０１）の内側下表面と接触し、前記共振空洞（２０１）の内側表面が導電性材料で覆われ、前記誘電体共振柱（２０２）の高さが前記内側下表面から一方の端部にある前記開口部までの高さより大きい、横磁界モード誘電体共振器であって、
前記開口部を覆う厚いカバーボード（２０４）を更に含み、前記厚いカバーボード（２０４）の低い方の下表面が前記誘電体共振柱（２０２）の上端表面と接触し、スロットが前記厚いカバーボード（２０４）の前記低い方の下表面及び／又は高い方の上表面に配置され、前記厚いカバーボード（２０４）の表面が導電性材料で覆われている、
横磁界モード誘電体共振器。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか一項に記載の横磁界モード誘電体共振器を備える
横磁界モード誘電体フィルタ。
【請求項１０】
請求項９に記載の横磁界モード誘電体フィルタを備える
基地局。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、共振器に係り、より詳しくは、横磁界（トランスバース・マグネティック、ＴＭ（Ｔｒａｎｓｖｅｒｓｅ  Ｍａｇｎｅｔｉｃ））モード誘電体共振器、横磁界モード誘電体フィルタ、及び基地局に関する。
【０００２】
本出願は、２０１０年９月３日付けで中国特許庁に出願された“ＴＲＡＮＳＶＥＲＳＥ  ＭＡＧＮＥＴＩＣ  ＭＯＤＥ  ＤＩＥＬＥＣＴＲＩＣ  ＲＥＳＯＮＡＴＯＲ，  ＴＲＡＮＳＶＥＲＳＥ  ＭＡＧＮＥＴＩＣ  ＤＩＥＬＥＣＴＲＩＣ  ＦＩＬＴＥＲ，  ＡＮＤ  ＢＡＳＥ  ＳＴＡＴＩＯＮ”と題する中国特許出願第２０１０１０２７６３５７．４号の優先権を主張し、その全体が参照によって本明細書に組み込まれる。
【背景技術】
【０００３】
無線通信技術の進展に伴い、無線通信システムは、高感度送信、高感度受信、及び高品質会話に関しての要求が高まっている。基地局内のフィルタに対し、より少ない挿入損失とより優れた抑制性能とを実現することが必要である。その上、フィルタに関して、フィルタのサイズを縮小する要求が強い。ＴＭモード誘電体フィルタは、上記要求を厳密に満たすことができる。同じ体積をもつ一般的な金属同軸フィルタと比べて、このＴＭモード誘電体フィルタは、品質係数値（Ｑ値）がおよそ３０％増加し得る。ＴＭモード誘電体フィルタは、特殊な方法でカスケード化された数個のＴＭモード誘電体共振器で作られ得る。
【０００４】
典型的なＴＭモード誘電体共振器は、誘電体共振柱と金属共振空洞とを含む。更に、誘電体共振柱の上端表面及び下端表面は、金属共振空洞の上端表面及び下端表面と緊密に嵌まる必要があるので、電流は、誘電体共振柱と金属共振空洞との間の接触表面を滑らかに流れ、その結果、良好な電流ループを形成する。その上、ＴＭモード共振器の誘電体共振柱の上端表面及び下端表面と金属共振空洞の上端表面及び下端表面との間の接触表面上に強い電流が存在するので、２つの接触表面の間の良好な接触が不可欠であり、且つ、重要である。その結果、ＴＭモード誘電体共振器の設計工程において、ＴＭモード共振器の良好なＱ値及び受動相互変調（ＰＩＭ）値と安定性能とを達成するために、接触表面の間の良好な接触と、構造及び／又は工程に関する良好な構造信頼性とを保証することが必要である。
【０００５】
従来の誘電体共振器は、接触表面の間に良好な接触を達成することができず、又は、誘電体共振器の組み立ては複雑であり、又は、誘電体共振柱の上端表面及び下端表面を金属空洞の上端表面及び下端表面と接触させるために溶接工程が必要とされる。溶接はコストが高く、溶接工程の仕上がりは製品歩留まりに深刻な影響を与えるので、溶接工程を厳密に制御することが必要である。その上、溶接点の存在は、誘電体共振柱が振動するとき、不安定な性能をもたらすことがある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の実施形態は、接触表面の間に良好な接触を達成し、組み立てしやすくするために、横磁界モード誘電体共振器、横磁界モード誘電体フィルタ、及び基地局を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一態様は、一方の端部に開口部をもつ共振空洞（２０１）と、共振空洞（２０１）の中に位置決めされている誘電体共振柱（２０２）とを含み、誘電体共振柱（２０２）の下端表面が共振空洞（２０１）の内側下表面と接触し、共振空洞（２０１）の内側表面が導電性材料で覆われている、横磁界モード誘電体共振器であって、
開口部を覆う薄いカバーボード（２０３）と、薄いカバーボード（２０３）を覆う厚いカバーボード（２０４）とを更に備え、薄いカバーボード（２０３）の表面と厚いカバーボード（２０４）の表面とが導電性材料で覆われ、
薄いカバーボード（２０３）と接触する厚いカバーボード（２０４）の表面に配置されるスロットを更に備え、該スロットは、厚いカバーボード（２０４）が薄いカバーボード（２０３）を覆うとき薄いカバーボード（２０３）を弾性変形させるように構成されている充填材（２０５）で充填されている、
横磁界モード誘電体共振器を提供する。
【０００８】
本発明の別の態様は、一方の端部に開口部をもつ共振空洞（２０１）と、共振空洞（２０１）の中に位置決めされている誘電体共振柱（２０２）とを含み、誘電体共振柱（２０２）の下端表面が共振空洞（２０１）の内側下表面と接触し、共振空洞（２０１）の内側表面が導電性材料で覆われ、誘電体共振柱（２０２）の高さが共振空洞（２０１）の内側下表面から共振空洞の一方の端部にある開口部までの高さより大きい、横磁界モード誘電体共振器であって、
開口部を覆う薄いカバーボード（２０３）と、薄いカバーボード（２０３）を覆う厚いカバーボード（２０４）とを更に含み、薄いカバーボード（２０３）の表面と厚いカバーボード（２０４）の表面とが導電性材料で覆われている、
横磁界モード誘電体共振器を更に提供する。
【０００９】
本発明の別の態様は、一方の端部に開口部をもつ共振空洞（２０１）と、共振空洞（２０１）の中に位置決めされている誘電体共振柱（２０２）とを含み、誘電体共振柱（２０２）の下端表面が共振空洞（２０１）の内側下表面と接触し、共振空洞（２０１）の内側表面が導電性材料で覆われ、誘電体共振柱（２０２）の高さが内側下表面から一方の端部にある開口部までの高さより大きい、横磁界モード誘電体共振器であって、
開口部を覆う厚いカバーボード（２０４）を更に含み、厚いカバーボード（２０４）の低い方の下表面が誘電体共振柱（２０２）の上端表面と接触し、スロットが厚いカバーボード（２０４）の低い方の下表面及び／又は高い方の上表面に配置され、厚いカバーボード（２０４）の表面が導電性材料で覆われている、
横磁界モード誘電体共振器を更に提供する。
【００１０】
本発明の別の態様は、前述の横磁界モード誘電体共振器を含む横磁界モード誘電体フィルタを更に提供する。
【００１１】
本発明の実施形態は、本発明の実施形態による横磁界モード誘電体フィルタを含む基地局を提供する。
【発明の効果】
【００１２】
発明の実施形態による上記技術的解決手法を見ればわかるように、本発明の実施形態による横磁界モード誘電体共振器は、良好な構造安定性と、組み立てやすさと、高い実現可能性とを有し、それによって、大量生産に適し、良好な大量生産整合性がある。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
本発明の実施形態又は従来技術における技術的解決手法をより明瞭に例示するため、本実施形態又は従来技術の説明中で必要とされる添付図面が以下で簡単に説明される。明らかに、以下の説明における添付図面は、本発明の一部の実施形態だけを例示し、当業者は、創造的な努力を要することなく他の図面を取得することができる。
【００１４】
【図１】図１は、本発明の実施形態によるＴＭモード誘電体共振器の概略構造図である。
【図２】図２は、本発明の実施形態による誘電体共振柱に接触する薄いカバーボードの箇所の概略縦断面図である。
【図３】図３は、本発明の別の実施形態による誘電体共振柱に接触する薄いカバーボードの箇所の概略縦断面図である。
【図４】図４は、本発明の別の実施形態による誘電体共振柱に接触する薄いカバーボードの箇所の概略縦断面図である。
【図５】図５は、本発明の別の実施形態によるＴＭモード誘電体共振器の概略構造図である。
【図６ａ】図６ａは、本発明の実施形態による磁界モード誘電体共振器の組み立て工程の種々の段階における磁界モード誘電体共振器の概略構成図である。
【図６ｂ】図６ｂは、本発明の実施形態による磁界モード誘電体共振器の組み立て工程の種々の段階における磁界モード誘電体共振器の概略構成図である。
【図６ｃ】図６ｃは、本発明の実施形態による磁界モード誘電体共振器の組み立て工程の種々の段階における磁界モード誘電体共振器の概略構成図である。
【図６ｄ】図６ｄは、本発明の実施形態による磁界モード誘電体共振器の組み立て工程の種々の段階における磁界モード誘電体共振器の概略構成図である。
【図７】図７は、本発明の別の実施形態によるＴＭモード誘電体共振器の概略構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
本発明の実施形態における技術的解決手法は、本発明の実施形態の添付図面を参照して以下に明瞭且つ完全に記載される。明らかに、記載される実施形態は、本発明の実施形態の全部ではなく、一部に過ぎない。当業者が創造的な努力を要することなく本発明の実施形態に基づいて達成するすべての他の実施形態は、すべて本発明の保護範囲に含まれる。
【００１６】
以下は、本発明の実施形態により提供される横磁界モード誘電体共振器について記載する。図１は、本発明の実施形態による横磁界モード誘電体共振器の構造について記載する。図１に示されるように、横磁界モード誘電体共振器は、一方の端部に開口部をもつ共振空洞２０１と、共振空洞２０１の中に位置決めされている誘電体共振柱２０２とを含み、誘電体共振柱２０２の下端表面が共振空洞２０１の内側下表面と接触し、共振空洞２０１の内側表面が導電性材料で覆われ、誘電体共振柱２０２の高さが共振空洞２０１の内側下表面から共振空洞２０１の一方の端部にある開口部までの高さより大きくてもよく、誘電体共振柱２０２の高さが共振空洞２０１の内側下表面から共振空洞２０１の一方の端部にある開口部までの高さより小さくてもよく、また、誘電体共振柱２０２の高さが共振空洞２０１の内側下表面から共振空洞２０１の一方の端部にある開口部までの高さと等しくてもよい。
【００１７】
本発明の実施形態では、導電性材料は、導電性金属、例えば、金、銀、及び銅でもよいことに注意されたい。本発明の別の実施形態では、導電性材料はまた、導電性非金属材料でもよい。
【００１８】
本発明の実施形態における共振空洞２０１は、金属共振空洞でもよい。
【００１９】
本発明の別の実施形態では、誘電体共振柱２０２の上端表面及び／又は下端表面は、誘電性材料で覆われてもよい。カバリング（覆うこと）は、誘電体共振柱２０２の上端表面及び／又は下端表面に金属化表面処理を実行することにより達成されてもよい。効率的な組み立てを保証し、組み立て後の横磁界モード誘電体共振器の安定化を確実にするために、本発明の実施形態では、共振空洞２０１の内側下表面が誘電体共振柱２０２の下端表面と接触するとき、共振空洞２０１の内側下表面が誘電体共振柱２０２の下端表面と接触する場所は、共振空洞２０１の内側下表面に配置されたスペーサ柱２０６によって決定されてもよい。誘電体共振柱２０２が共振空洞２０１の中に位置決めされるとき、スペーサ柱２０６は、誘電体共振柱２０２の中空部の中に位置決めされてもよく、スペーサ柱２０６の水平断面は円形でもよく、スペーサ柱２０６の直径は誘電体共振柱２０２の中空部の直径以下である。本発明の別の実施形態では、共振空洞２０１の内側下表面が誘電体共振柱２０２の下端表面と接触するとき、共振空洞２０１の内側下表面が誘電体共振柱２０２の下端表面と接触する場所は、共振空洞２０１の内側下表面に配置されたスペーサスロットによって決定されてもよい。誘電体共振柱２０２が共振空洞２０１の中に位置決めされるとき、誘電体共振柱２０２はスペーサスロットの中に直接的に位置決めされ、スペーサスロットの直径は誘電体共振柱２０２の直径以上である。スペーサスロットの水平断面は、円形でもよく、又は、同心円形リングでもよい。
【００２０】
共振空洞２０１の開口部を覆う薄いカバーボード２０３と、薄いカバーボード２０３を覆う厚いカバーボード２０４とが更に含まれ、薄いカバーボード２０３の表面と厚いカバーボード２０４の表面とは導電性材料で覆われる。本発明の実施形態では、厚いカバーボードは金属製の厚いカバーボードでもよく、薄いカバーボードは金属製の薄いカバーボードでもよい。スロットが、薄いカバーボード２０３に接触する厚いカバーボード２０４の表面に配置され、スロットは、充填材２０５で充填され、充填材２０５は、厚いカバーボード２０４が薄いカバーボード２０３を覆うときに薄いカバーボード２０３を弾性変形させるように構成されている。このようにして、薄いカバーボード２０３は、誘電体共振柱２０２の上端表面に密着し、その結果、薄いカバーボード２０３と誘電体共振柱２０２との間の接触部で良好な導電性を達成し、その上、誘電体共振柱２０２の下端表面は共振空洞２０１の内側下表面に密着し、その結果、共振空洞２０１の内側下表面と誘電体共振柱２０２との間の接触部で良好な導電性を達成する。
【００２１】
充填材２０５の厚さは、厚いカバーボード２０４上のスロットの高さと、誘電体共振柱２０２の上端表面と共振空洞２０１との間の高さ関係とに依存してもよい。例えば、厚いカバーボード２０４上のスロットがある程度の高さを有するとき、誘電体共振柱２０２の上端表面が共振空洞２０１より上にある場合、充填材２０５の厚さは、厚いカバーボード２０４上のスロットの高さより小さくてもよく、又は、等しくてもよく、又は、大きくてもよい。誘電体共振柱２０２の上端表面が共振空洞２０１より下にある場合、充填材２０５の厚さは、厚いカバーボード２０４上のスロットの高さより大きくなければならない。そして、誘電体共振柱２０２の上端表面が共振空洞２０１の高い方の上表面と同一平面にある場合、充填材２０５の厚さは、厚いカバーボード２０４上のスロットの高さより大きくてもよい。本発明の実施形態における充填材は、圧縮され、厚いカバーボード２０４上のスロットを充填し得る如何なる物体でもよい。充填材は、プラスチック製バネ若しくは金属製バネでもよく、又は、発泡充填剤のような空気若しくは真空でもよい。
【００２２】
薄いカバーボード２０３が誘電体共振柱２０２と接触する薄いカバーボードの箇所の縦断面は、正方形、円弧、又は逆台形などでもよい。勿論、本発明の実施形態は、薄いカバーボード２０３が誘電体共振柱２０２と接触する薄いカバーボードの箇所の縦断面が不規則な図形であることを除外しない。図２は、本発明の実施形態において薄いカバーボード２０３が誘電体共振柱２０２と接触する薄いカバーボードの箇所の縦断面の概略図である。図２に示されるように、薄いカバーボード２０３が誘電体共振柱２０２と接触する薄いカバーボードの箇所の縦断面は、正方形である。図３は、本発明の別の実施形態において、薄いカバーボード２０３が誘電体共振柱２０２と接触する薄いカバーボードの箇所の縦断面の概略図である。図３に示されるように、薄いカバーボード２０３が誘電体共振柱２０２と接触する薄いカバーボードの箇所の縦断面は、円弧である。図４は、本発明の別の実施形態において、薄いカバーボード２０３が誘電体共振柱２０２と接触する薄いカバーボードの箇所の縦断面の概略図である。図４に示されるように、薄いカバーボード２０３が誘電体共振柱２０２と接触する薄いカバーボードの箇所の縦断面は、逆台形である。
【００２３】
本発明の実施形態では、薄いカバーボード２０３は、ネジを用いて共振空洞２０１の開口部を固定して覆ってもよく、厚いカバーボード２０４も、ネジを用いて薄いカバーボード２０３を固定して覆ってもよい。勿論、本発明の実施形態は、薄いカバーボード２０３が別の方法で共振空洞２０１の開口部を固定して覆う可能性、又は、厚いカバーボード２０４が別の方法で薄いカバーボード２０３を固定して覆う可能性を除外せず、例えば、厚いカバーボードと薄いカバーボードと共振空洞とは、ネジを用いて共に固定される。
【００２４】
上記を見ればわかるように、これらの実施形態は、共振空洞を覆うために薄いカバーボードを使用してもよく、次に、薄いカバーボードを覆うために厚いカバーボードを使用してもよい、そして、スロットが厚いカバーボードが薄いカバーボードと接触する厚いカバーボードの表面に配置され、スロットが充填材で充填されるので、充填材は、厚いカバーボードが薄いカバーボードを覆うときに薄いカバーボードを弾性変形させる。それによって、薄いカバーボードは、誘電体共振柱の上端正面に密着し、誘電体共振柱の下端表面は、共振空洞の内側下表面に密着し、使用されている横磁界モード誘電体共振器は、良好なＱ値及びＰＩＭ値を達成することができる。その上、実施形態における横磁界モード誘電体共振器の個々のコンポーネントは、溶接以外の手段によって連結されてもよく、それゆえに、横磁界モード誘電体共振器は、良好な構造安定性だけでなく、組み立てやすさと高い実現可能性とを更に有し、それによって、大量生産に適し、良好な大量生産整合性がある。
【００２５】
図５は、本発明の実施形態による横磁界モード誘電体共振器の構造について記載する。図５に示されるように、横磁界モード誘電体共振器は、一方の端部に開口部をもつ共振空洞２０１と、共振空洞２０１の中に位置決めされている誘電体共振柱２０２とを含み、誘電体共振柱２０２の下端表面が共振空洞２０１の内側下表面と接触し、共振空洞２０１の内側表面が導電性材料で覆われ、誘電体共振柱２０２の高さが共振空洞２０１の内側下表面から共振空洞２０１の一方の端部にある開口部までの高さより大きい。
【００２６】
本発明の別の実施形態では、誘電体共振柱２０２の上端表面及び／又は下端表面は、導電性材料で覆われる。効率的な組み立てを保証し、組み立て後の横磁界モード誘電体共振器の安定化を確実にするために、本発明の実施形態では、共振空洞２０１の内側下表面が誘電体共振柱２０２の下端表面と接触するとき、共振空洞２０１の内側下表面が誘電体共振柱２０２の下端表面と接触する場所は、共振空洞２０１の内側下表面に配置されたスペーサ柱２０６によって決定されてもよい。誘電体共振柱２０２が共振空洞２０１の中に位置決めされるとき、スペーサ柱は、誘電体共振柱２０２の中空部の中に位置決めされ、スペーサ柱の水平断面は円形でもよく、スペーサ柱の直径は誘電体共振柱２０２の中空部の直径以下である。本発明の別の実施形態では、共振空洞２０１の内側下表面が誘電体共振柱２０２の下端表面と接触するとき、共振空洞２０１の内側下表面が誘電体共振柱２０２の下端表面と接触する場所は、共振空洞２０１の内側下表面に配置されたスペーサスロットによって決定されてもよい。誘電体共振柱２０２が共振空洞２０１の中に位置決めされるとき、誘電体共振柱２０２はスペーサスロットの中に位置決めされ、スペーサスロットの直径は誘電体共振柱２０２の直径以上である。スペーサスロットの水平断面は、円形でもよく、又は、同心円形リングでもよい。
【００２７】
共振空洞２０１の開口部を覆う薄いカバーボード２０３と、薄いカバーボード２０３を覆う厚いカバーボード２０４とが更に含まれ、薄いカバーボード２０３の表面と厚いカバーボード２０４の表面とは導電性材料で覆われる。誘電体共振柱２０２の高さは、共振空洞２０１の内側下表面から共振空洞２０１の一方の端部にある開口部までの高さより大きいため、誘電体共振柱２０２の上端表面は共振空洞２０１より上にある。厚いカバーボード２０４が薄いカバーボード２０３を覆うために使用されるとき、薄いカバーボード２０３は誘電体共振柱２０２の上端表面に密着し、その結果、薄いカバーボード２０３と誘電体共振柱２０２との間の接触部に良好な導電性を達成し、その上、誘電体共振柱２０２の下端表面は共振空洞２０１の内側下表面に密着し、その結果、誘電体共振柱２０２の下端表面と共振空洞２０１の内側下表面との間にある接触部に良好な導電性を達成する。
【００２８】
薄いカバーボード２０３が誘電体共振柱２０２と接触する薄いカバーボードの箇所の縦断面は、正方形でもよく、円弧でもよく、又は、逆台形などでもよい。
【００２９】
本発明の実施形態では、薄いカバーボード２０３は、ネジを用いて共振空洞２０１の開口部を固定して覆ってもよく、厚いカバーボード２０４も、ネジを用いて薄いカバーボード２０３を固定して覆ってもよい。勿論、本発明の実施形態は、薄いカバーボード２０３が別の方法で共振空洞２０１の開口部を固定して覆う可能性、又は、厚いカバーボード２０４が別の方法で薄いカバーボード２０３を固定して覆う可能性を除外せず、例えば、厚いカバーボードと薄いカバーボードと共振空洞とはネジを用いて共に固定される。
【００３０】
上記を見ればわかるように、実施形態は、共振空洞を覆うために薄いカバーボードを使用してもよく、次に、薄いカバーボードを覆うために厚いカバーボードを使用してもよく、誘電体共振柱の高さが共振空洞の内側下表面から一方の端部にある開口部までの高さより大きいため、誘電体共振柱の上端表面は共振空洞より上にある。厚いカバーボードが薄いカバーボードを覆うために使用されるとき、薄いカバーボードは誘電体共振柱の上端表面に密着し、誘電体共振柱の下端表面は共振空洞の内側下表面に密着し、使用されている横磁界モード誘電体共振器は良好なＱ値及びＰＩＭ値を達成し得る。その上、本実施形態における横磁界モード誘電体共振器の個々のコンポーネントは、溶接以外の手段によって連結されてもよく、それゆえに、横磁界モード誘電体共振器は、良好な構造安定性だけでなく、組み立てやすさと高い実現可能性とを更に有し、それによって、大量生産に適し、良好な大量生産整合性がある。
【００３１】
本発明の実施形態による磁界モード誘電体共振器は、溶接工程を必要としないので、簡単に組み立てることができる。図６は、本発明の実施形態による磁界モード誘電体共振器の組み立て工程の種々の段階における磁界モード誘電体共振器の構造について記載する。
【００３２】
図６ａに示されるように、誘電体共振柱２０２は、共振空洞２０２の中に位置決めされ、誘電体共振柱２０２の下端表面は共振空洞の内側下表面と接触し、誘電体共振柱２０２の下端表面と共振空洞の内側下表面との間の接触部はスペーサ柱によって決定される。
【００３３】
図６ｂに示されるように、誘電体共振柱２０２は共振空洞２０２の中に位置決めされ、誘電体共振柱２０２の下端表面は共振空洞の内側下表面と接触し、薄いカバーボード２０３は共振空洞２０１の開口部を覆う。具体的には、薄いカバーボード２０３は、ネジを用いて共振空洞２０１の開口部を固定して覆ってもよい。同図は、誘電体共振柱２０２の上端表面が共振空洞２０１より上にあることを示す。
【００３４】
図６ｃに示されるように、誘電体共振柱２０２は共振空洞２０２の中に位置決めされ、誘電体共振柱２０２の下端表面は共振空右銅の内側下表面と接触し、薄いカバーボード２０３は共振空洞２０１の開口部を覆い、厚いカバーボード２０４は薄いカバーボード２０３を覆い、厚いカバーボード２０４が薄いカバーボード２０３と接触する表面に配置されたスロットは、充填材２０５で充填される。具体的には、厚いカバーボード２０４は、ネジを用いて薄いカバーボード２０３を固定して覆ってもよい。
【００３５】
図６ｄは、組み立てられた磁界モード誘電体共振器の構造について記載する。
【００３６】
図６の記載を見ればわかるように、本発明の実施形態による横磁界モード誘電体共振器は、複雑な工程（例えば、溶接）を必要とせず、それゆえに、簡単に組み立てることができる。
【００３７】
図７は、本発明の実施形態による横磁界モード誘電体共振器の構造について記載する。図７に示されるように、横磁界モード誘電体共振器は、一方の端部に開口部をもつ共振空洞２０１と、共振空洞２０１の中に位置決めされている誘電体共振柱２０２とを含み、誘電体共振柱２０２の下端表面は共振空洞２０１の内側下表面と接触し、誘電体共振柱２０２の高さは、共振空洞２０１の内側下表面から共振空洞２０１の一方の端部にある開口部までの高さより大きい。
【００３８】
本発明の別の実施形態では、誘電体共振柱２０２の上端表面及び／又は下端表面は、導電性材料で覆われる。効率的な組み立てを保証し、組み立て後の横磁界モード誘電体共振器の安定化を確実にするために、本発明の実施形態では、共振空洞２０１の内側下表面が誘電体共振柱２０２の下端表面と接触するとき、共振空洞２０１の内側下表面が誘電体共振柱２０２の下端表面と接触する場所は、共振空洞２０１の内側下表面に配置されたスペーサ柱によって決定されてもよい。誘電体共振柱２０２が共振空洞２０１の中に位置決めされるとき、スペーサ柱は、誘電体共振柱２０２の中空部の中に位置決めされてもよく、スペーサ柱の水平断面は円形でもよく、スペーサ柱の直径は誘電体共振柱２０２の中空部の直径以下である。本発明の別の実施形態では、共振空洞２０１の内側下表面が誘電体共振柱２０２の下端表面と接触するとき、共振空洞２０１の内側下表面が誘電体共振柱２０２の下端表面と接触する場所は、共振空洞２０１の内側下表面に配置されたスペーサスロットによって決定されてもよい。誘電体共振柱２０２が共振空洞２０１の中に位置決めされるとき、誘電体共振柱２０２はスペーサスロットの中に位置決めされ、スペーサスロットの直径は誘電体共振柱２０２の直径以上である。スペーサスロットの水平断面は、円形でもよく、又は、同心円形リングでもよい。
【００３９】
共振空洞２０１の開口部を覆う厚いカバーボード２０４が更に含まれ、厚いカバーボード２０４の表面は導電性材料で覆われている。厚いカバーボード２０４の低い方の下表面は誘電体共振柱２０２の上端表面と接触し、スロット２０７は厚いカバーボード２０４の低い方の下表面及び／又は高い方の上表面に配置される。図７は、スロットが厚いカバーボード２０４の低い方の下表面に配置されることを示す。スロット２０７の水平断面は円形リングでもよい。スロットは、スロット部の中の厚いカバーボード２０４の厚さが、厚いカバーボード２０４と誘電体共振柱２０２との間の接触部の厚さより小さくなるようなものでもよい。それによって、厚いカバーボード２０４のスロット部は、座屈変形を発生し、厚いカバーボード２０４の低い方の下表面を誘電体共振柱２０２の上端表面とうまく接触させるために十分な弾性力が発生させられ、その結果、厚いカバーボード２０４と誘電体共振柱２０２との間の接触部に良好な導電性を達成し、その上、誘電体共振柱２０２の下端表面は、共振空洞２０１の内側下表面とうまく接触させられ、その結果、誘電体共振柱２０２の下端表面と共振空洞２０１の内側下表面との間の接触部に良好な導電性を達成する。
【００４０】
スロットが厚いカバーボード２０４の低い方の下表面と高い方の上表面とに配置されるとき、スロット部はより顕著な座屈変形とより大きい弾性力とを発生し、それによって、厚いカバーボード２０４の低い方の下表面と誘電体共振柱２０２の上端表面との間で良好な接触を更に確実にさせる。本発明の実施形態では、高い方の下表面に配置されたスロットと低い方の下表面に配置されたスロットとは、対称的な分布を有してもよい。
【００４１】
上記を見ればわかるように、実施形態における共振空洞の開口部を覆う厚いカバーボードは、誘電体共振柱の上端表面と直接的に接触し、誘電体共振柱の高さは、共振空洞の内側下表面から一方の端部にある開口部までの高さより大きくされ、その結果、厚いカバーボードの低い方の下表面が誘電体共振柱の上端表面と緊密に嵌まることを確実にする。その上、スロットは、厚いカバーボードの低い方の下表面に配置されるので、厚いカバーボードの低い方の下表面を誘電体共振柱の上端表面にうまく接触させるため十分な弾性力を発生させるために、スロット部の中の厚いカバーボードの厚さは、厚いカバーボードと誘電体共振柱との間の接触部の厚さより小さく、そして、厚いカバーボードのスロット部は、座屈変形を発生させてもよい。本発明の別の実施形態では、スロットは、厚いカバーボードの高い方の下表面に更に配置されるので、スロット部は、より顕著な座屈変形とより大きい弾性力とを発生し、それによって、厚いカバーボードの低い方の下表面と誘電体共振柱の上端表面との間の良好な接触と、横磁界モード誘電体発振器の構造安定性とを更に確実にする。その上、実施形態における横磁界モード誘電体共振器の個々のコンポーネントは、溶接以外の手段によって連結されてもよく、それゆえに、横磁界モード誘電体共振器は、良好な構造安定性だけでなく、組み立てやすさと高い実現可能性とを更に有し、それによって、大量生産に適し、良好な大量生産整合性がある。
【００４２】
本発明の実施形態は、本発明の実施形態による横磁界モード誘電体共振器を含む横磁界モード誘電体フィルタを更に提供する。横磁界モード誘電体フィルタのため要求される様々な性能に従って、異なった方法でカスケード化された異なった個数の横磁界モード誘電体共振器が所望の性能をもつ横磁界モード誘電体フィルタを達成するために選択されてもよい。この具体的な達成モードは、従来技術における従来型の形態を参照してもよいが、本発明は、この従来型の形態に限定されない。
【００４３】
本発明の実施形態は、本発明の実施形態による横磁界モード誘電体フィルタを含む基地局を更に提供し、この横磁界モード誘電体フィルタは、具体的には、基地局のアンテナシステムの一部に位置している。
【００４４】
本発明の原理及び実施が本明細書において例示的な実施形態を参照して詳細に記載されているが、上記実施形態の説明は、本発明の方法及び着想の理解を助けるためだけに使用される。その上、当業者は、本発明の着想に従って実施及び適用に関して幾らかのバリエーションを作ることができる。要約すると、本明細書は、本発明の限定として解釈されるべきではない。
【図１】
2013537011.tif 000003
【図２】
2013537011.tif 000004
【図３】
2013537011.tif 000005
【図４】
2013537011.tif 000006
【図５】
2013537011.tif 000007
【図６ａ】
2013537011.tif 000008
【図６ｂ】
2013537011.tif 000009
【図６ｃ】
2013537011.tif 000010
【図６ｄ】
2013537011.tif 000011
【図７】
2013537011.tif 000012
【手続補正書】
【提出日】平成25年4月9日(2013.4.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明の実施形態における技術的解決手法をより明瞭に例示するため、本実施形態の説明中で必要とされる添付図面が以下で簡単に説明される。明らかに、以下の説明における添付図面は、本発明の一部の実施形態だけを例示し、当業者は、創造的な努力を要することなく他の図面を取得することができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
図６ａに示されるように、誘電体共振柱２０２は、共振空洞２０１の中に位置決めされ、誘電体共振柱２０２の下端表面は共振空洞の内側下表面と接触し、誘電体共振柱２０２の下端表面と共振空洞の内側下表面との間の接触部はスペーサ柱によって決定される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
図６ｂに示されるように、誘電体共振柱２０２は共振空洞２０１の中に位置決めされ、誘電体共振柱２０２の下端表面は共振空洞の内側下表面と接触し、薄いカバーボード２０３は共振空洞２０１の開口部を覆う。具体的には、薄いカバーボード２０３は、ネジを用いて共振空洞２０１の開口部を固定して覆ってもよい。同図は、誘電体共振柱２０２の上端表面が共振空洞２０１より上にあることを示す。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
図６ｃに示されるように、誘電体共振柱２０２は共振空洞２０１の中に位置決めされ、誘電体共振柱２０２の下端表面は共振空右銅の内側下表面と接触し、薄いカバーボード２０３は共振空洞２０１の開口部を覆い、厚いカバーボード２０４は薄いカバーボード２０３を覆い、厚いカバーボード２０４が薄いカバーボード２０３と接触する表面に配置されたスロットは、充填材２０５で充填される。具体的には、厚いカバーボード２０４は、ネジを用いて薄いカバーボード２０３を固定して覆ってもよい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方の端部に開口部をもつ共振空洞と、前記共振空洞の中に位置決めされている誘電体共振柱とを備え、前記誘電体共振柱の下端表面が前記共振空洞の内側下表面と接触し、前記共振空洞の内側表面が導電性材料で覆われている、横磁界モード誘電体共振器であって、
前記開口部を覆う薄いカバーボードと、前記薄いカバーボードを覆う厚いカバーボードとを更に備え、前記薄いカバーボードの表面と前記厚いカバーボードの表面とが導電性材料で覆われており、
前記厚いカバーボードが前記薄いカバーボードと接触する前記厚いカバーボードの表面に配置されるスロットを更に備え、該スロットは、前記厚いカバーボードが前記薄いカバーボードを覆うとき前記薄いカバーボードを弾性変形させるように構成されている充填材で充填されている、
横磁界モード誘電体共振器。
【請求項２】
前記充填材の厚さは、前記厚いカバーボード上の前記スロットの高さと、前記誘電体共振柱の前記上端表面と前記共振空洞との間の高さ関係とに依存する、
請求項１に記載の横磁界モード誘電体共振器。
【請求項３】
前記誘電体共振柱の高さは、前記共振空洞の前記内側下表面から前記共振空洞の前記一方の端部にある前記開口部までの高さより大きいか、小さいか、又は等しい、
請求項１又は２に記載の横磁界モード誘電体共振器。
【請求項４】
前記薄いカバーボードが前記誘電体共振柱と接触する前記薄いカバーボードの箇所の縦断面が、正方形、円弧、又は逆台形である、
請求項１〜３のいずれか一項に記載の横磁界モード誘電体共振器。
【請求項５】
前記誘電体共振柱の上端表面及び／又は前記下端表面が、導電性材料で覆われている、
請求項１〜４のいずれか一項に記載の横磁界モード誘電体共振器。
【請求項６】
前記充填材は、プラスチック製又は金属製バネである、
請求項１〜５のいずれか一項に記載の横磁界モード誘電体共振器。
【請求項７】
前記共振空洞の前記内側下表面が前記誘電体共振柱の前記下端表面と接触する場所は、前記共振空洞の前記内側下表面に配置されているスペーサ柱又はスペーサスロットによって決定される、
請求項１〜６のいずれか一項に記載の横磁界モード誘電体共振器。
【請求項８】
一方の端部に開口部をもつ共振空洞と、前記共振空洞の中に位置決めされている誘電体共振柱とを備え、前記誘電体共振柱の下端表面が前記共振空洞の内側下表面と接触し、前記共振空洞の内側表面が導電性材料で覆われ、前記誘電体共振柱の高さが前記共振空洞の前記内側下表面から前記共振空洞の一方の端部にある前記開口部までの高さより大きい、横磁界モード誘電体共振器であって、
前記開口部を覆う薄いカバーボードと、前記薄いカバーボードを覆う厚いカバーボードとを更に備え、前記薄いカバーボードの表面と前記厚いカバーボードの表面とが導電性材料で覆われている、
横磁界モード誘電体共振器。
【請求項９】
前記薄いカバーボードが前記誘電体共振柱と接触する前記薄いカバーボードの箇所の縦断面が、正方形、円弧、又は逆台形である、
請求項８に記載の横磁界モード誘電体共振器。
【請求項１０】
前記誘電体共振柱の上端表面及び／又は前記下端表面が、導電性材料で覆われている、
請求項８又は９に記載の横磁界モード誘電体共振器。
【請求項１１】
一方の端部に開口部をもつ共振空洞と、前記共振空洞の中に位置決めされている誘電体共振柱とを備え、前記誘電体共振柱の下端表面が前記共振空洞の内側下表面と接触し、前記共振空洞の内側表面が導電性材料で覆われ、前記誘電体共振柱の高さが前記内側下表面から一方の端部にある前記開口部までの高さより大きい、横磁界モード誘電体共振器であって、
前記開口部を覆う厚いカバーボードを更に含み、前記厚いカバーボードの低い方の下表面が前記誘電体共振柱の上端表面と接触し、スロットが前記厚いカバーボードの前記低い方の下表面及び／又は高い方の上表面に配置され、前記厚いカバーボードの表面が導電性材料で覆われている、
横磁界モード誘電体共振器。
【請求項１２】
前記スロットの水平断面は、円形リングである、
請求項１１に記載の横磁界モード誘電体共振器。
【請求項１３】
請求項１〜１２のいずれか一項に記載の横磁界モード誘電体共振器を備える
横磁界モード誘電体フィルタ。
【請求項１４】
請求項１３に記載の横磁界モード誘電体フィルタを備える
基地局。
【国際調査報告】
2013537011.tif 000013
2013537011.tif 000014
2013537011.tif 000015
2013537011.tif 000016
2013537011.tif 000017
2013537011.tif 000018