(57)【要約】  半導体積層体（２）を備えた発光ダイオードチップを開示する。半導体積層体は、電磁放射を生成するのに適している活性層（３）を有し、発光ダイオードチップ（１）は、表側に放射出口領域（４）を有する。発光ダイオードチップ（１）は、放射出口領域（４）とは反対の裏側の少なくとも一部分に、銀を含んでいるミラー層（５）を有する。ミラー層（５）の腐食を低減する、もしくは、ミラー層（５）の接着を改善する、またはその両方である機能層（６）が、ミラー層（５）の上に配置されており、機能層（６）を形成している材料がミラー層（５）全体に分布している。機能層（６）の材料は、ミラー層（５）の中で濃度勾配を有し、ミラー層（５）内の機能層（６）の材料の濃度が、機能層（６）から、半導体積層体（２）に向かう方向に減少していく。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光ダイオードチップ（１）であって、電磁放射（１１）を生成するのに適している活性層（３）を有する半導体積層体（２）を備えており、
前記発光ダイオードチップ（１）は、表側に放射出口領域（４）を有し、
前記発光ダイオードチップ（１）は、前記放射出口領域（４）とは反対の裏側の少なくとも一部分に、銀を含んでいるミラー層（５）を有し、
前記ミラー層（５）の腐食を低減する、もしくは、前記ミラー層（５）の接着を改善する、またはその両方である機能層（６）が、前記ミラー層（５）の上に配置されており、
前記機能層（６）を形成している材料が、前記ミラー層（５）全体にも分布しており、前記機能層（６）の前記材料が、前記ミラー層（５）の中で濃度勾配を有し、
前記ミラー層（５）内における前記機能層（６）の前記材料の濃度は、前記機能層（６）から前記半導体積層体（２）に向かう方向に減少していく、
発光ダイオードチップ。
【請求項２】
前記ミラー層（５）は、前記半導体積層体（２）に直接隣接している、
請求項１に記載の発光ダイオードチップ。
【請求項３】
前記機能層（６）は白金を含む、
請求項１または請求項２に記載の発光ダイオードチップ。
【請求項４】
前記機能層（６）は、ニッケル、クロム、パラジウム、ロジウム、または透明導電性酸化物を含む、
請求項１または請求項２に記載の発光ダイオードチップ。
【請求項５】
前記機能層（６）は、０．１ｎｍ〜１０００ｎｍの範囲内の厚さを有する、
請求項１から請求項４のいずれかに記載の発光ダイオードチップ。
【請求項６】
前記機能層（６）は、１０ｎｍ〜１００ｎｍの範囲内の厚さを有する、
請求項５に記載の発光ダイオードチップ。
【請求項７】
前記ミラー層（５）は、反射性のコンタクト積層体（１０）の一部分であり、
前記コンタクト積層体（１０）は、前記半導体積層体（２）に続く少なくとも以下の層、すなわち、
銀を含んでいる前記ミラー層（５）と、
前記ミラー層（５）の腐食を低減する、もしくは前記ミラー層（５）の接着を改善する、またはその両方である前記機能層（６）と、
拡散障壁層（７）と、
第１の電気接続層（９）と、
を、この記載順に有する、
請求項１から請求項６のいずれかに記載の発光ダイオードチップ。
【請求項８】
前記第１の電気接続層（９）は金を含む、
請求項７に記載の発光ダイオードチップ。
【請求項９】
前記拡散障壁層（７）は、チタン、クロム、ニッケル、パラジウム、窒化チタン、または窒化チタンタングステンを含む、
請求項７または請求項８に記載の発光ダイオードチップ。
【請求項１０】
前記拡散障壁層（７）と前記第１の電気接続層（９）との間に接着層（８）が配置される、
請求項７から請求項９のいずれかに記載の発光ダイオードチップ。
【請求項１１】
前記接着層（８）は、白金、チタン、またはクロムを含む、
請求項１０に記載の発光ダイオードチップ。
【請求項１２】
前記発光ダイオードチップ（１）は、第１の電気接続層（９）および第２の電気接続層（１５）を有し、
前記第１の電気接続層（９）および前記第２の電気接続層（１５）は、前記半導体積層体（２）の前記裏側にあり、パッシベーション層（１３）によって互いに電気的に絶縁されており、
前記第２の電気接続層（１５）の部分領域は、前記半導体積層体（２）の前記裏側から、前記活性層（３）の少なくとも１つの開口孔（２１ａ，２１ｂ）を通り、前記表側に向かう方向に延びており、
前記第２の電気接続層（１５）は、銀を含み、第２のミラー層として機能し、
前記第２の電気接続層（１５）の腐食を低減する、もしくは前記第２の電気接続層（１５）の接着を改善する、またはその両方である第２の機能層（１６）は、前記第２の電気接続層（１５）の上に配置されており、前記第２の機能層（１６）を形成している材料が、前記第２の電気接続層（１５）にも含まれている、
請求項１から請求項１１のいずれかに記載の発光ダイオードチップ。
【請求項１３】
前記第２の電気接続層（１５）は、少なくとも部分的に積層体（１２）の一部であり、
前記積層体（１２）は、少なくとも以下の層、すなわち、
前記パッシベーション層（１３）と、
前記第２の電気接続層（１５）と、
前記第２の機能層（１６）と、
拡散障壁層（１７）と、
はんだ層（１８）と、
を、この記載順に含んでいる、
請求項１２に記載の発光ダイオードチップ。
【請求項１４】
前記発光ダイオードチップ（１）は、前記放射出口領域（４）とは反対側の面において、前記はんだ層（１８）によってキャリア（１９）に結合されている、
請求項１３に記載の発光ダイオードチップ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光ダイオードチップに関する。
【０００２】
［関連出願の相互参照］
本願は、独国特許出願第１０２０１０００９７１７．９号の優先権を主張し、この文書の開示内容は本願に援用される。
【背景技術】
【０００３】
特許文献１には、発光ダイオードチップであって、第１の電気接続層および第２の電気接続層が、放射出口領域とは反対側の発光ダイオードチップの裏側に配置されており、分離層によって互いに電気的に絶縁されている、発光ダイオードチップが開示されている。特許文献１において、第２の電気接続層の部分領域は、裏側から活性層の開口孔（perforation）を通り、発光ダイオードチップの表側に向かう方向に延びている。このような半導体チップのコンタクト接続は、その利点として、放射出口領域にコンタクト領域が存在しないようにすることができ、これにより、放出される放射がさえぎられない。
【０００４】
発光ダイオードチップは、いわゆる薄膜発光ダイオードチップであり、半導体積層体の元の成長基板が分離されており、代わりに、元の成長基板とは反対側の面において、半導体積層体がはんだ層によってキャリアに結合されている。このタイプの薄膜発光ダイオードチップの場合、キャリアの方向に放出される放射を放射出口領域の方に向きを変え、これにより放射効率を高める目的で、キャリアの側の半導体積層体の面にミラー層が設けられているならば、有益である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】国際公開第２００８／１３１７３５号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
可視スペクトル領域に対しては、ミラー層の材料として、特に、銀が適している。しかしながら、銀からなるミラー層の場合、半導体材料上での良好な接着と、半導体材料との良好な電気的接続と、高い反射性と、銀の腐食あるいは隣接層への銀のマイグレーションに対する高い信頼性の保護と、をすべて得ることは難しい。
【０００７】
銀からなるミラー層の、半導体材料上での接着を改善する目的で、半導体表面とミラー層との間に接着促進層を挿入することができる。しかしながら、半導体材料とミラー層との間のこのような接着促進層によって、一般には反射率が低下する。したがって、このような接着促進層は、一般には極めて薄く形成するべきであり、これにより工程制御が難しくなる。
【０００８】
本発明の目的は、裏側のミラー層を備えた発光ダイオードチップであって、ミラー層が、特徴的な特性として、特に、半導体材料上での良好な接着と、半導体材料との良好な電気的接続と、高い反射性と、銀の腐食あるいは隣接層への銀のマイグレーションに対する保護と、を有する、発光ダイオードチップを開示することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
この目的は、独立請求項１に係る発光ダイオードチップによって達成される。従属請求項は、本発明の有利な構造形態および発展形態に関する。
【００１０】
発光ダイオードチップは、電磁放射を生成するのに適している活性層を有する半導体積層体を含んでいる。発光ダイオードチップは、表側に放射出口領域を有し、活性層によって放出された電磁放射は、この放射出口領域を通って半導体積層体から出る。発光ダイオードチップの表側とは、本明細書においては、、発光ダイオードチップにおいて放射出口領域が配置されている側であるものと理解されたい。
【００１１】
発光ダイオードチップは、放射出口領域とは反対の裏側の少なくとも一部分に、銀を含んでいるミラー層を有する。ミラー層の上に機能層が配置されており、機能層は、ミラー層の腐食を低減する、もしくはミラー層の接着を改善する、またはその両方を目的としており、機能層を形成している材料がミラー層にも含まれている。
【００１２】
ミラー層は、半導体積層体に直接隣接していることが好ましい。したがって、ミラー層と半導体積層体との間の界面における反射性を低下させうる接着促進層は、半導体積層体とミラー層との間に配置されていない。ミラー層の望ましい特性として、半導体材料上での良好な接着と、半導体材料との良好な電気的接続と、腐食および銀のマイグレーションに対する保護とを、半導体積層体とは反対側のミラー層の面に形成される機能層によって達成できることが判明した。この場合、機能層の材料がミラー層に含まれている、特に、内部拡散（indiffused）している。
【００１３】
特に、機能層の材料をミラー層に導入することによって、ミラー層の材料特性に好ましい影響を与え得ることが判明した。機能層の材料は、好ましくは拡散によってミラー層に導入される。あるいは、他の物理的工程または化学的工程も考えられる。
【００１４】
ミラー層内への機能層の材料の拡散は、ミラー層に機能層を形成した後の熱処理工程によってもたらされることが好ましい。熱処理工程の温度および時間を選択することによって、機能層の材料がミラー層内に所望の状態に拡散するように、拡散を制御することができる。
【００１５】
熱処理は、２００℃〜４００℃の範囲内の温度で行われることが好ましい。特に、熱処理工程において、２５０℃〜３５０℃の範囲内の温度が設定されることが好ましい。熱処理に要求される時間は、使用する温度に依存し、特に、例えば１分〜１時間の範囲内とすることができる。
【００１６】
機能層は、白金を含んでいる、または白金からなることが好ましい。あるいは、機能層は、ニッケル、クロム、パラジウム、ロジウム、または透明導電性酸化物を含んでいる、あるいはこれらの材料からなることができる。透明導電性酸化物は、例えば、ＩＴＯまたはＺｎＯとすることができる。
【００１７】
機能層の材料は、ミラー層の大部分に（すなわちミラー層の半分以上に）含まれているように、ミラー層内に分布していることが有利である。好ましくは、機能層の材料がミラー層全体に分布している。一例として、機能層とは反対側のミラー層の界面においても材料が検出されるような深さまで、機能層の材料をミラー層に内部拡散させることができる。このようにすることで、特に、半導体積層体上でのミラー層の接着を改善できることが判明した。この場合、ミラー層の反射率に対するマイナスの影響は、半導体積層体とミラー層との間に薄い接着促進層が配置される場合よりも小さい。
【００１８】
さらには、銀を含むミラー層内に機能層の材料を導入することによって、銀の腐食を低減できることが判明した。この効果の理由は、現時点で理論的には完全に判明していない。機能層の材料が、銀の結晶粒界に沿って拡散することが考えられる。この拡散は、ミラー層の材料の安定化に寄与する。なぜなら、腐食は一般には金属の結晶粒界から始まるためである。さらには、機能層の材料によって、電気化学列におけるその位置に従って発生電位が変化することにより、腐食効果が抑制されることも考えられる。さらには、ミラー層内に分布する機能層の材料の別の特性（例えば、触媒あるいは水素の貯蔵体（ｓｔｏｒａｇｅ）としての効果）が、ミラー層の耐久性にプラスに影響することも考えられる。
【００１９】
機能層の材料は、ミラー層内に均一に分布しているのではなく、濃度勾配を有し、ミラー層内の機能層の材料の濃度が、機能層から、半導体積層体に向かう方向に減少していくことが好ましい。特に、機能層の材料の濃度が、ミラー層と機能層との間の界面よりも、ミラー層と半導体積層体との間の界面において低くなるようにすることができる。このような勾配の利点として、半導体積層体とミラー層との間の界面の反射率に対するマイナスの影響がさほど大きくない。ミラー層内の機能層の材料の濃度勾配は、特に、例えば熱処理工程によって機能層の材料をミラー層に内部拡散させることによって、得ることができる。
【００２０】
機能層の厚さは、０．１ｎｍ〜１０００ｎｍの範囲内（両端値を含む）が考えられる。機能層の厚さが１０ｎｍ〜１００ｎｍの範囲内（両端値を含む）である場合に、特に良好な結果が得られることが判明した。
【００２１】
好ましい一構造形態においては、ミラー層は、反射性のコンタクト積層体の一部分であり、このコンタクト積層体は、半導体積層体との電気的接続を形成する役割と、発光ダイオードチップの放射出口領域の方向に放射を反射する役割の両方を果たす。反射性のコンタクト積層体は、半導体積層体に続く少なくとも以下の層、すなわち、銀を含んでいるミラー層と、ミラー層の腐食を低減する、もしくはミラー層の接着を改善する、またはその両方である機能層と、拡散障壁層と、第１の電気接続層とを、この記載順に有することが好ましい。この場合、ミラー層は半導体積層体に直接隣接していることが有利である。
【００２２】
第１の電気接続層は、半導体積層体内に電流をできる限り均一に印加する目的で、良好な導電率を有する材料から形成されていることが好ましい。結果として、第１の電気接続層は、電流拡散層としても機能する。第１の電気接続層は、発光ダイオードチップの電気コンタクトの１つに導電接続されている。第１の電気接続層は、金層であることが好ましい。あるいは、第１の電気接続層は、例えば、銅またはニッケルを含んでいる、またはこれらの材料からなることもできる。
【００２３】
機能層と第１の電気接続層との間の拡散障壁層は、特に、第１の電気接続層の材料（例えば金）が、銀を含んでいるミラー層の中に、またはこの逆方向に拡散することを防止する。
【００２４】
拡散障壁層は、特に、チタン層とすることができる。あるいは、拡散障壁層は、例えば、クロム、ニッケル、パラジウム、窒化チタン、または窒化チタンタングステンを含んでいることができる。
【００２５】
拡散障壁層と第１の電気接続層との間には、接着層が配置されていることが好ましい。接着層は、白金層であることが好ましい。あるいは、接着層は、クロム層またはチタン層とすることもできる。
【００２６】
積層体は、機能層が白金層であり、拡散障壁層がチタン層であり、接着層が白金層であることが、特に有利であることが判明した。チタンは、銀を含んでいるミラー層と、第１の電気接続層（好ましくは金を含んでいる）との間の極めて良好な拡散障壁となることが判明した。ただし一方で、チタンは腐食や酸化しやすいが、このことは、チタン層を２層の白金層の間に埋め込むことによって、有利に回避することができる。
【００２７】
さらなる有利な構造形態においては、発光ダイオードチップは、放射出口領域とは反対側の面において、はんだ層によってキャリアに結合されている。この場合、発光ダイオードチップは、好ましくはいわゆる薄膜発光ダイオードチップであり、半導体積層体のエピタキシャル成長に使用された成長基板が半導体積層体から除去されており、代わりに、元の成長基板とは反対側の面において、半導体積層体がはんだ層によってキャリアに結合されている。
【００２８】
好ましい一構造形態においては、発光ダイオードチップは、第１の電気接続層および第２の電気接続層を有し、これら第１の電気接続層および第２の電気接続層は、半導体積層体の裏側にあり、パッシベーション層によって互いに電気的に絶縁されており、第２の電気接続層の部分領域が、半導体積層体の裏側から、表側に向かう方向に、活性層の少なくとも１つの開口孔を通って延びている。第２の電気接続層は、この構造形態の場合、銀を含んでおり第２のミラー層として機能する。
【００２９】
第２の電気接続層の上には、第２の電気接続層の腐食を低減する、もしくは、第２の電気接続層の接着を改善する、またはその両方である第２の機能層が配置されていることが有利であり、第２の機能層を形成している材料が、第２の電気接続層にも含まれている。第２の電気接続層および第２の機能層の有利な構造は、ミラー層と機能層の上述した有利な構造と同じである。特に、第２の機能層は、白金層とすることができる。
【００３０】
好ましい一構造形態においては、第２の電気接続層は、少なくとも部分的に積層体の一部であり、この積層体は、少なくとも以下の層、すなわち、パッシベーション層と、第２の電気接続層と、第２の機能層と、拡散障壁層と、はんだ層とを、この記載順に含んでいる。発光ダイオードチップは、放射出口領域とは反対側の面において、はんだ層によってキャリアに結合されていることが好ましい。はんだ層は、例えば、ＡｕＳｎ層とすることができる。
【００３１】
第２の電気接続層とはんだ層との間の拡散障壁層は、はんだ層の材料と第２の電気接続層の材料とが相互に拡散することを防止する。拡散障壁層は、窒化チタンタングステン層であることが好ましい。
【００３２】
パッシベーション層と第２の電気接続層との間には、接着層を含めることができ、この接着層は、パッシベーション層上での第２の電気接続層の接着を改善する。接着層は、チタン層であることが好ましい。
【００３３】
以下では、本発明について、例示的な実施形態に基づき、図１〜図３を参照しながらさらに詳しく説明する。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】本発明の例示的な実施形態による発光ダイオードチップの概略的な断面図
【図２】図１に示した発光ダイオードチップの領域Ａの詳細図
【図３】図１に示した発光ダイオードチップの領域Ｂの詳細図
【発明を実施するための形態】
【００３５】
図面において、同じ構成要素または機能が同じである構成要素には、同じ参照数字・記号を付してある。図に示した構成要素と、構成要素の大きさの関係は、必ずしも互いに正しい縮尺ではない。
【００３６】
図１に示した発光ダイオードチップ１は、電磁放射１１を放出する目的で設けられている活性層３を有する半導体積層体２を備えている。
【００３７】
発光ダイオードチップ１の活性層３は、例えば、ｐｎ接合、ダブルヘテロ構造、単一量子井戸構造、または多重量子井戸構造として具体化することができる。この場合、量子井戸構造という表現は、閉じ込めの結果として電荷キャリアにおいてエネルギ状態の量子化が起こる任意の構造を包含する。特に、量子井戸構造という表現は、量子化の次元に関して何らかの指定を行うものではない。したがって、量子井戸構造には、特に、量子井戸、量子細線、および量子ドットと、これらの構造の任意の組合せが含まれる。
【００３８】
半導体積層体２は、特に、窒化物化合物半導体をベースとすることができる。「窒化物化合物半導体をベースとする」とは、本明細書においては、半導体積層体２またはその少なくとも１層が、ＩＩＩ族窒化物化合物半導体材料、好ましくはＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、ｘ＋ｙ≦１）を含んでいることを意味する。この場合、この材料は、上記の化学式に従った数学的に正確な組成を有する必要はない。むしろ、この材料は、１種類または複数のドーパントと、ＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ材料の特徴的な物理特性を実質的に変化させることのない追加の構成成分とを含んでいることができる。しかしながら、説明を簡潔にする目的で、上記の化学式は、結晶格子の本質的な構成成分（Ｉｎ、Ａｌ、Ｇａ、Ｎ）のみを含んでおり、これらの構成成分は、その一部分を少量のさらなる物質によって置き換えることができる。
【００３９】
発光ダイオードチップ１は、その表側に配置されている放射出口領域４を介して、電磁放射１１を放出する。放射の取り出しを改善する目的で、放射出口領域４に粗面または放射取り出し構造（図示していない）を設けることができる。
【００４０】
発光ダイオードチップ１は、いわゆる薄膜発光ダイオードチップである。薄膜発光ダイオードチップにおいて、半導体積層体２の元の成長基板が発光ダイオードチップ１から分離されており、代わりに発光ダイオードチップ１は、元の成長基板とは反対側の面において、はんだ層１８によってキャリア１９に結合されている。元の成長基板が分離された半導体積層体２の面は、特に、放射出口領域４の役割を果たすことができる。したがって、発光ダイオードチップ１の場合、ｎ型にドープされた半導体領域２ａ（通常では成長基板の上に最初に成長する）が、放射出口領域４の側である。半導体積層体２のｐ型にドープされた半導体領域２ｂは、キャリア１９の側である。キャリア１９は、例えば、ゲルマニウムまたはシリコンを含んでいることができる。
【００４１】
発光ダイオードチップ１の効率を改善する目的で、発光ダイオードチップ１は、放射出口領域４とは反対の裏側の一部分に、ミラー層５を有する。ミラー層５は、ｐ型にドープされた半導体領域２ｂと、発光ダイオードチップの第１の電気接続層９との間に配置されている。活性層３によってキャリア１９の方向に放出される放射は、ミラー層５によって放射出口領域４の方に反射され、これは有益である。
【００４２】
ミラー層５は、反射性のコンタクト積層体の一部分であり、この積層体は、ミラー層５と第１の電気接続層９との間に、さらなる層を備えている（図１には、簡潔さのため、すべての層を示していない）。
【００４３】
図２は、図１の領域Ａの詳細図であり、反射性のコンタクト積層体１０の構造を示している。銀を含んでいるミラー層５は、半導体積層体２のｐ型にドープされた領域２ｂに直接隣接していることが好ましい。半導体積層体２とは反対側のミラー層５の面に、機能層６が配置されている。機能層６は、ミラー層の腐食の低減、ミラー層の接着の改善、半導体積層体２へのミラー層の電気的接続の改善、のうちの少なくとも１つの役割を果たす。これは、特に、機能層６を形成している材料が、ミラー層５の少なくとも一部分にも含まれていることによって、達成される。特に、機能層６の材料をミラー層５に内部拡散させることができる。
【００４４】
機能層６の材料をミラー層５に内部拡散させる目的で、発光ダイオードチップ１の製造方法においては、機能層６をミラー層５に形成した後、機能層６に熱処理を施すことが好ましい。熱処理は、２００℃〜４００℃の範囲内の温度、特に、２５０℃〜３５０℃の範囲内の温度で行われることが好ましい。熱処理工程の時間は、例えば、１分〜１時間の範囲内とすることができる。
【００４５】
機能層６の材料は、この材料がミラー層５の大部分に含まれるように、ミラー層５に内部拡散させることが好ましい。特に好ましくは、機能層６の材料がミラー層５全体に含まれている。この場合、機能層６の材料は、ミラー層５の領域のうち半導体積層体２に隣接する領域にも含まれている。
【００４６】
機能層６の材料がミラー層５にも含まれていることによって、ミラー層５の長期的な安定性を改善できることが判明した。特に、このようにすることで、ミラー層５の腐食を低減することと、半導体積層体２上でのミラー層５の接着を改善することが可能である。さらには、このようなミラー層５によって、半導体積層体２の半導体材料との良好な電気的接続が形成される。
【００４７】
ミラー層５に含まれている機能層６の材料は、ミラー層５の中で濃度勾配を有することができる。特に、内部拡散工程の結果として、機能層６の材料の濃度が、半導体積層体２の側のミラー層５の面において、機能層６の側の面よりも低いようにすることができる。したがって、銀を含んでいるミラー層５の、半導体積層体２との界面における反射率は、わずかにマイナスの影響を受けるのみである。特に、ミラー層５に含まれている機能層６の追加の材料による、ミラー層５の反射率に対するマイナスの影響は、半導体積層体２とミラー層５との間に接着層が挿入される場合よりも小さい。
【００４８】
白金からなる機能層６は、特に有利であることが判明した。しかしながらこれに代えて、機能層６が、ニッケル、クロム、パラジウム、ロジウム、または透明導電性酸化物（例えばＩＴＯ、ＺｎＯ）を含んでいることも考えられる。機能層６の厚さは、例えば、０．１ｎｍ〜１０００ｎｍの範囲内（両端値を含む）とすることができ、特に、機能層の厚さが１０ｎｍ〜１００ｎｍの範囲内（両端値を含む）であるとき、ミラー層５の安定性の良好な改善が達成される。
【００４９】
反射性のコンタクト積層体１０においては、機能層６の後ろに拡散障壁層７が配置されており、拡散障壁層７はチタン層であることが好ましい。あるいは、拡散障壁層の材料は、クロム、ニッケル、パラジウム、窒化チタン、窒化チタンタングステンである。拡散障壁層７は、ミラー層５の材料（特に、銀）と第１の電気接続層９の材料（例えば金）が相互に拡散することを防止する。
【００５０】
拡散障壁層７の後ろには接着層８が配置されており、この接着層８は、その後ろに配置される第１の電気接続層９の接着を改善する。接着層８は白金層であることが好ましいが、これに代えて、チタンまたはクロムも、接着層の材料として適している。
【００５１】
第１の電気接続層９は、金層であることが好ましい。あるいは、良好な導電率を有する別の材料（例えば銅、ニッケル）によって、第１の電気接続層を形成することもできる。
【００５２】
反射性のコンタクト積層体１０の特に有利な一実施形態においては、機能層６が白金層であり、拡散障壁層７がチタン層であり、接着層８が白金層である。チタンは、ミラー層５と第１の電気接続層９との間の極めて良好な拡散障壁となることが判明し、この場合、チタン層は、両側の２層の白金層によって、腐食もしくは酸化またはその両方に対して特に良好に保護されている。
【００５３】
図１に示したように、発光ダイオードチップ１は、第２の電気接続層１５を有し、この第２の電気接続層１５によって、放射出口領域４とは反対の裏側から、発光ダイオードチップ１との接続が形成される。したがって、第１の電気接続層９および第２の電気接続層１５の両方が、発光ダイオードチップ１の裏側、キャリア１９の側に配置されている。この構造の利点として、放射出口領域４に電気接続層が存在せず、したがって、発光ダイオードチップ１によって放出される電磁放射１１が、電気接続層９，１５の一方によってさえぎられない。
【００５４】
第１の電気接続層９は、半導体積層体２のｐ型にドープされた領域２ｂに接触していることが好ましい。第２の電気接続層１５は、半導体積層体２のｎ型にドープされた領域２ａに接触していることが好ましい。これを目的として、第２の電気接続層１５は、発光ダイオードチップ１の裏側から、１つまたは複数の開口孔２１ａ，２１ｂ（半導体積層体のｐ型にドープされた領域２ｂと活性層３とを貫いている）を通って、半導体積層体２のｎ型にドープされた領域２ａの中に達している。短絡を防止する目的で、第２の電気接続層１５は、開口孔２１ａ，２１ｂの領域内のパッシベーション層１３によって、半導体積層体２の活性層３およびｐ型にドープされた領域２ｂから、電気的に絶縁されている。
【００５５】
さらには、パッシベーション層１３は、第２の電気接続層１５を第１の電気接続層９から絶縁している。パッシベーション層１３は、電気絶縁性材料（例えば、ＳｉＯ２、ＳｉＮ）から形成されている。
【００５６】
第２の電気接続層１５は、銀を含んでおり、特に、開口孔２１ａ，２１ｂの領域の中では、発光ダイオードチップ１によって放出される電磁放射１１に対する第２のミラー層として機能する。
【００５７】
はんだ層１８と第２の電気接続層１５との間には、拡散障壁層１７が配置されている。パッシベーション層１３、第２の電気接続層１５、拡散障壁層１７の間には、さらなる層が配置されており、これらのさらなる層は、図１には簡潔さのため示していない。図１の領域Ｂの詳細図である図３に、これらの層を示してある。
【００５８】
パッシベーション層１３と第２の電気接続層１５との間には接着層１４を配置することができ、この接着層１４は、銀を含んでおり、第２のミラー層として機能する。接着層１４は、チタン層であることが好ましい。オプションとして、接着層１４を省くこともできる。
【００５９】
パッシベーション層１３とは反対側の、第２の電気接続層１５の面に、第２の機能層１６が形成されており、この第２の機能層１６は、白金層であることが好ましい。第２の機能層１６は、その役割および有利な構造に関して、ミラー層５に関連して上述した機能層６と同じである。特に、機能層１６の材料も、第２の電気接続層１５に含まれている。
【００６０】
積層体１２においては、機能層１６の後ろに拡散障壁層１７が配置されており、拡散障壁層１７は、窒化チタンタングステンを含んでいることが好ましい。拡散障壁層１７の後ろには、はんだ層１８が配置されており、この層によって発光ダイオードチップ１がキャリア１９の上にはんだ付けされている。はんだ層１８は、特に、ＡｕＳｎを含んでいることができる。拡散障壁層１７は、はんだ層１８の一部が第２の電気接続層１５に拡散すること、またはこの逆を防止する。
【００６１】
図１に示した発光ダイオードチップ１のキャリア１９は、例えば、ゲルマニウムのキャリアとすることができる。発光ダイオードチップ１とは反対側のキャリアの裏面に、コンタクトメタライゼーション２０を形成することができ、このコンタクトメタライゼーション２０を介して、第２の電気接続層１５が外部と電気的に接続される。第１の電気接続層９は、例えばボンディングパッド２２およびボンディングワイヤ２３を介して、外部と電気的に接続することができる。
【００６２】
ここまで、本発明について例示的な実施形態に基づいて説明してきたが、本発明はこれらの実施形態に限定されない。本発明は、任意の新規の特徴および特徴の任意の組合せを包含しており、特に、請求項における特徴の任意の組合せを含んでいる。これらの特徴または特徴の組合せは、それ自体が請求項あるいは例示的な実施形態に明示的に記載されていない場合であっても、本発明に含まれる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【国際調査報告】
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