(57)【要約】  本発明は、式（Ｉ）の化合物、電子デバイスにおける当該化合物の使用、当該化合物の調製方法、並びに、好ましくは電子輸送材料、正孔阻止材料、マトリックス材料および／またはエミッタ材料として当該化合物を含有する電子デバイスに関する。【選択図】      なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
正確に１つの環Ａ、Ｂ又はＣを有することを特徴とする式（Ｉ）の化合物：
【化１】
2013541539.tif 000053
式中、
環Ａは、式（Ｉａ）の構造を有し、
【化２】
2013541539.tif 000054
環Ｂは、式（Ｉｂ）の構造を有し、
【化３】
2013541539.tif 000055
環Ｃは、式（Ｉｃ）の構造を有し、
【化４】
2013541539.tif 000056
環Ａまたは環Ｂが存在する場合、基Ｒ１は、式（Ｉ）の位置ａに結合しており、環Ｃが存在する場合、基Ｒ１は、式（Ｉ）の位置ｂに結合しており、さらに、
Ｒ１は、Ｈ、Ｄ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＨＯ、Ｎ（Ｒ３）２、Ｃ（＝Ｏ）Ｒ３、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ３）２、Ｓ（＝Ｏ）Ｒ３、Ｓ（＝Ｏ）２Ｒ３、ＣＲ３＝Ｃ（Ｒ３）２、ＣＮ、ＮＯ２、Ｓｉ（Ｒ３）３、Ｂ（ＯＲ３）２、ＯＳ（＝Ｏ）２Ｒ３、ＳＯ３Ｈ、Ｃ（＝Ｏ）ＯＲ３、ＯＲ３、１〜４０個のＣ原子を有する直鎖アルキル、アルコキシもしくはチオアルキル基、または３〜４０個のＣ原子を有する分枝もしくは環式アルキル、アルコキシもしくはチオアルキル基、または２〜４０個のＣ原子を有するアルケニルもしくはアルキニル基であり、これらのそれぞれは、１つ以上のラジカルＲ３によって置換されていてもよく、１つのＣＨ２基又は２つ以上の隣接していないＣＨ２基は、−Ｒ３Ｃ＝ＣＲ３−、−Ｃ≡Ｃ−、Ｓｉ（Ｒ３）２、Ｇｅ（Ｒ３）２、Ｓｎ（Ｒ３）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ３、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ３）、Ｓ＝Ｏ、Ｓ（＝Ｏ）２、ＮＲ３、−Ｏ−、−Ｓ−またはＣ（＝Ｏ）ＮＲ３によって置きかえられていてもよく、１つ以上のＨ原子は、Ｄ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮまたはＮＯ２によって置きかえられていてもよく、さらに、Ｒ１は、Ｒ１に隣接する１，３位に結合している基Ｒ２に連結していてもよく、単環式または多環式の、脂肪族または芳香族環系を形成していてもよく、
Ｒ２は、出現する毎に、同じかまたは異なっており、Ｈ、Ｄ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＨＯ、Ｎ（Ｒ３）２、Ｃ（＝Ｏ）Ｒ３、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ３）２、Ｓ（＝Ｏ）Ｒ３、Ｓ（＝Ｏ）２Ｒ３、ＣＲ３＝Ｃ（Ｒ３）２、ＣＮ、ＮＯ２、Ｓｉ（Ｒ３）３、Ｂ（ＯＲ３）２、ＯＳ（＝Ｏ）２Ｒ３、ＳＯ３Ｈ、Ｃ（＝Ｏ）ＯＲ３、ＯＲ３、１〜４０個のＣ原子を有する直鎖アルキル、アルコキシもしくはチオアルキル基、または３〜４０個のＣ原子を有する分枝もしくは環式アルキル、アルコキシもしくはチオアルキル基、または２〜４０個のＣ原子を有するアルケニルもしくはアルキニル基であり、これらのそれぞれは、１つ以上のラジカルＲ３によって置換されていてもよく、１つのＣＨ２基又は２以上の隣接していないＣＨ２基は、−Ｒ３Ｃ＝ＣＲ３−、−Ｃ≡Ｃ−、Ｓｉ（Ｒ３）２、Ｇｅ（Ｒ３）２、Ｓｎ（Ｒ３）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ３、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ３）、Ｓ＝Ｏ、Ｓ（＝Ｏ）２、ＮＲ３、−Ｏ−、−Ｓ−またはＣ（＝Ｏ）ＮＲ３によって置きかえられていてもよく、１つ以上のＨ原子は、Ｄ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮもしくはＮＯ２、または５〜６０個の芳香族環原子を有する芳香族もしくはヘテロ芳香族環系（これは、各場合、１つ以上のラジカルＲ３によって置換されていてもよく、それに結合している環と縮合していてもよい）、または５〜６０個の芳香族環原子を有するアリールオキシもしくはヘテロアリールオキシ基（これは、１つ以上のラジカルＲ３によって置換されていてもよい）、またはこれらの系の組合せによって置きかえられていてもよく、２つ以上のラジカルＲ２は、互いに連結していてもよく、単環式または多環式の、脂肪族または芳香族環系を形成していてもよく、
Ｒ３は、出現する毎に、同じかまたは異なっており、Ｈ、Ｄ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＨＯ、Ｎ（Ｒ４）２、Ｃ（＝Ｏ）Ｒ４、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ４）２、Ｓ（＝Ｏ）Ｒ４、Ｓ（＝Ｏ）２Ｒ４、ＣＲ４＝Ｃ（Ｒ４）２、ＣＮ、ＮＯ２、Ｓｉ（Ｒ４）３、Ｂ（ＯＲ４）２、ＯＳ（＝Ｏ）２Ｒ４、ＳＯ３Ｈ、Ｃ（＝Ｏ）ＯＲ４、ＯＲ４、１〜２０個のＣ原子を有する直鎖アルキル、アルコキシもしくはチオアルキル基、または３〜２０個のＣ原子を有する分枝もしくは環式アルキル、アルコキシもしくはチオアルキル基、または２〜２０個のＣ原子を有するアルケニルもしくはアルキニル基であり、これらのそれぞれは、１つ以上のラジカルＲ４によって置換されていてもよく、１つ以上のＣＨ２基又は２つ以上の隣接していないＣＨ２基は、−Ｒ４Ｃ＝ＣＲ４−、−Ｃ≡Ｃ−、Ｓｉ（Ｒ４）２、Ｇｅ（Ｒ４）２、Ｓｎ（Ｒ４）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ４、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ４）、Ｓ＝Ｏ、Ｓ（＝Ｏ）２、ＮＲ４、−Ｏ−、−Ｓ−またはＣ（＝Ｏ）ＮＲ４によって置きかえられていてもよく、１つ以上のＨ原子は、Ｄ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮもしくはＮＯ２、または５〜３０個の芳香族環原子を有する芳香族もしくはヘテロ芳香族環系（これは、各場合、１つ以上のラジカルＲ４によって置換されていてもよい）、または５〜３０個の芳香族環原子を有するアリールオキシもしくはヘテロアリールオキシ基（これは、１つ以上のラジカルＲ４によって置換されていてもよい）、またはこれらの系の組合せによって置きかえられていてもよく、２つ以上のラジカルＲ３は、互いに連結していてもよく、単環式または多環式の、脂肪族または芳香族環系を形成していてもよく、
Ｒ４は、出現する毎に、同じかまたは異なっており、Ｈ、Ｄ、Ｆ、または１〜２０個のＣ原子を有する脂肪族、芳香族および／もしくはヘテロ芳香族の有機ラジカルであり、ここでさらに、１つ以上のＨ原子は、ＤまたはＦによって置きかえられていてもよく、ここで、２つ以上の同一のまたは異なる置換基Ｒ４は、互いに連結し、単環式または多環式の、脂肪族または芳香族環系を形成していてもよく、
式（Ｉ）の化合物における少なくとも２つのラジカルＲ２は、
−５〜６０個の芳香族環原子を有する芳香族またはヘテロ芳香族環系（これは、各場合、１つ以上のラジカルＲ３によって置換されていてもよく、それらに結合している環と縮合していてもよい）、および
−２〜４０個のＣ原子を有する完全に共役したアルケニルまたはアルキニル基（これは、１つ以上のラジカルＲ３によって置換されていてもよい）
を含む群から選択されなければならず、
下記化合物は排除される。
【化５】
2013541539.tif 000057
【請求項２】
少なくとも一つのＲ２が、１つ以上のラジカルＲ３によって置換されていてもよい、５〜６０個の芳香族環原子を有する芳香族またはヘテロ芳香族環系であって、それらに結合している環と縮合している芳香族またはヘテロ芳香族環系から選択されることを特徴とする請求項１に記載の化合物。
【請求項３】
式（Ｉ）中の環Ａ、Ｂ又はＣに結合する２つのラジカルＲ２の１つが、当該環に縮合する芳香族またはヘテロ芳香族環系を表すことを特徴とする請求項１又は２に記載の化合物。
【請求項４】
式（Ｉ）の化合物が、互いに縮合する５個を超える芳香族またはヘテロ芳香族環を有する縮合アリール又はヘテロアリール基を少なくとも１つ含むことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項以上に記載の化合物。
【請求項５】
化合物が、式（Ｉ−１ａ）〜（Ｉ−３ｄ）のいずれか１つで表されることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項以上に記載の化合物。
【化６−１】
2013541539.tif 000058
【化６−２】
2013541539.tif 000059
式中、
Ｒ１およびＲ２は、請求項１に規定される通りであり、さらに、
Ｘは、出現する毎に、同じかまたは異なっており、ＣＲ３またはＮであり、但し２個以下の隣接するＸは、同時にＮに等しく、
少なくとも１つのラジカルＲ２は、
−５〜６０個の芳香族環原子を有する芳香族またはヘテロ芳香族環系（これは、各場合、１つ以上のラジカルＲ３によって置換されていてもよく、それらに結合している環と縮合していてもよい）、および
−２〜４０個のＣ原子を有する完全に共役したアルケニルまたはアルキニル基（これは、１つ以上のラジカルＲ３によって置換されていてもよい）
を含む群から選択されなければならない。
【請求項６】
化合物が、式（Ｉ−１ｅ）〜（Ｉ−１ｋ）、（Ｉ−２ｅ）〜（Ｉ−２ｋ）及び（Ｉ−３ｅ）〜（Ｉ−３ｋ）のいずれか１つで表されることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項以上に記載の化合物。
【化７−１】
2013541539.tif 000060
【化７−２】
2013541539.tif 000061
【化７−３】
2013541539.tif 000062
【化７−４】
2013541539.tif 000063
式中、Ｒ１、Ｒ２及びＸは、請求項１に規定される通りである。
【請求項７】
ＸがＣＲ３に等しいことを特徴とする請求項５又は６に記載の化合物。
【請求項８】
Ｒ１が、下記であることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項以上に記載の化合物：
Ｒ１：Ｈ、Ｄ、Ｆ、Ｎ（Ｒ３）２、Ｃ（＝Ｏ）Ｒ３、ＣＲ３＝Ｃ（Ｒ３）２、ＣＮ、Ｓｉ（Ｒ３）３、ＯＲ３、１〜１０個のＣ原子を有する直鎖アルキルもしくはアルコキシ基、３〜１０個のＣ原子を有する分枝もしくは環式アルキルもしくはアルコキシ基、または２〜１０個のＣ原子を有するアルケニルもしくはアルキニル基であり、前記基は、１つ以上のラジカルＲ３によってそれぞれ置換されていてもよく、１つのＣＨ２基又は２つ以上の隣接するまたは隣接していないＣＨ２基は、−Ｃ≡Ｃ−、Ｒ３Ｃ＝ＣＲ３、Ｓｉ（Ｒ３）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝ＮＲ３、ＮＲ３、−Ｏ−、−Ｓ−またはＣ（＝Ｏ）ＮＲ３によって置きかえられていてもよい。
【請求項９】
１つ以上のアミノ基と１つ以上のカルボニルまたはカルボキシル官能基との１つ以上の縮合反応によりヘテロ環式環を形成することを含むことを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項以上に記載の化合物の調製方法。
【請求項１０】
請求項１〜８のいずれか１項以上に記載の少なくとも１種の式（Ｉ）の化合物と少なくとも１種の溶媒を含有する調製物。
【請求項１１】
請求項１〜８のいずれか１項以上に記載の少なくとも１種の式（Ｉ）の化合物と少なくとも１種のリン光エミッタ化合物を含有する混合物。
【請求項１２】
電子デバイス、好ましくは有機エレクトロルミネッセントデバイス（ＯＬＥＤ）における請求項１〜８のいずれか１項以上に記載の化合物の使用。
【請求項１３】
請求項１〜８のいずれか１項以上に記載の少なくとも１種の化合物を含有する電子デバイスであって、好ましくは、有機集積回路（Ｏ−ＩＣ）、有機電界効果トランジスタ（Ｏ−ＦＥＴ）、有機薄膜トランジスタ（Ｏ−ＴＦＴ）、有機発光トランジスタ（Ｏ−ＬＥＴ）、有機太陽電池（Ｏ−ＳＣ）、有機光学検出器、有機光受容体、有機電場消光デバイス（Ｏ−ＦＱＤ）、発光電気化学セル（ＬＥＣ）、有機レーザーダイオード（Ｏ−レーザー）および有機エレクトロルミネッセントデバイス（ＯＬＥＤ）から選択される電子デバイス。
【請求項１４】
請求項１〜８のいずれか１項以上に記載の化合物が、電子輸送層中で電子輸送材料として、および／または、正孔阻止層中で正孔阻止材料として、および／または、発光層中でエミッタ材料として、および／または、発光層中でマトリックス材料として使用されることを特徴とする請求項１３に記載の有機エレクトロルミネッセントデバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、式（Ｉ）の化合物、および電子デバイスにおける機能的材料としてのその使用に関し、前記デバイスは、好ましくは、電子輸送材料、正孔阻止材料、マトリックス材料および／またはエミッタ材料として使用される。本発明はさらに、式（Ｉ）の化合物の調製方法、および式（Ｉ）の化合物を含む電子デバイスに関する。
【０００２】
本発明の化合物などの有機半導体材料は、電子デバイスのいくつかの異なる用途に合わせて開発されている。本発明の化合物を機能的材料として用いることができる有機エレクトロルミネッセントデバイス（ＯＬＥＤ）の構造は、例えば、ＵＳ４５３９５０７、ＵＳ５１５１６２９、ＥＰ０６７６４６１およびＷＯ９８／２７１３６に記載されている。
【０００３】
有機エレクトロルミネッセントデバイスの性能データに関しては、特に市販で広範に使用することを視野に入れて、さらなる改善が依然として必要である。これに関連して、有機エレクトロルミネッセントデバイスの寿命、効率および動作電圧、ならびに達成される明度は、特に重要である。特に、青色発光エレクトロルミネッセントデバイスの場合、デバイス寿命に関して潜在的な改善の可能性がある。さらに、高い熱安定性および高いガラス遷移温度を有し、分解せずに昇華することができる有機半導体材料として使用される化合物が望ましい。
【０００４】
特に、現在利用可能な電子輸送材料の場合、電子輸送材料の特性も、特に有機エレクトロルミネッセントデバイスの前述の特性に対して著しく大きい影響を有するので、それを改善することが望ましい。特に、良好な効率、長寿命および低動作電圧を同時にもたらす電子輸送材料が強く求められている。
【０００５】
これに関連して、発光層の電子が豊富であるほど良好な効率が得られるため、発光層により多くの電子を注入する電子輸送材料に大きな関心が集まっている。さらに、より良好な注入によって、動作電圧を低下することができる。この目的を達成するために、改善された特性を有する新しい電子輸送材料を提供することが望ましい。
【０００６】
従来技術で公知の正孔阻止材料の場合、正孔阻止材料も同様に、有機エレクトロルミネッセントデバイスの前述の特性に著しく大きな影響を有するので、それを改善することがやはり望ましい。これに関連して、正孔阻止材料のＨＯＭＯまたはＬＵＭＯエネルギーレベルの適切な位置により、正孔を電子輸送層から遠ざけ、正孔を発光層内に保持し、それと同時に電子を電子輸送層から発光層に輸送する正孔阻止材料に大きな関心が集まっている。この目的を達成するために、新しい材料を提供する。
【０００７】
さらに、電子デバイスで使用するためのマトリックス材料が、強く求められている。特に、良好な効率、長寿命および低動作電圧を同時にもたらす、リン光エミッタのためのマトリックス材料が強く求められている。正確には、有機エレクトロルミネッセントデバイスの寿命および効率を頻繁に制限するのが、マトリックス材料の特性である。
【０００８】
従来技術によれば、カルバゾール誘導体、例えばビス（カルバゾリル）ビフェニルが、マトリックス材料として頻繁に使用されている。ここでこの材料の、特に寿命およびガラス遷移温度に関して、潜在的な改善の可能性が依然としてある。さらに、ケトン（ＷＯ０４／０９３２０７）、ホスフィンオキシドおよびスルホン（ＷＯ０５／００３２５３）が、リン光エミッタのためのマトリックス材料として使用されている。ここで、特にその効率およびケトケトネート（ketoketonate）リガンド、例えばアセチルアセトネートを含有する金属錯体との適合性に関して、潜在的な改善の可能性が依然としてある。さらに、金属錯体、例えばＢＡｌｑまたは亜鉛（ＩＩ）ビス［２−（２−ベンゾチアゾリル）フェノレート］が、リン光エミッタのためのマトリックス材料として使用されている。ここで、特に動作電圧および化学的安定性に関して、依然として改善の必要がある。純粋に有機の化合物は、これらの金属錯体よりもしばしば安定である。このように、これらの金属錯体のいくつかは、加水分解に対して感受性があり、それにより錯体の取り扱いがより困難になっている。
【０００９】
蛍光ＯＬＥＤでは、特に青色発光エレクトロルミネッセントデバイスのために従来技術で使用されているマトリックス材料は、特に縮合芳香族化合物、例えばアントラセン誘導体、例えば９，１０−ビス（２−ナフチル）アントラセン（ＵＳ５９３５７２１）である。ＷＯ０３／０９５４４５およびＣＮ１３６２４６４は、ＯＬＥＤで使用するための９，１０−ビス（１−ナフチル）アントラセン誘導体を開示している。さらなるアントラセン誘導体は、ＷＯ０１／０７６３２３、ＷＯ０１／０２１７２９、ＷＯ０４／０１３０７３、ＷＯ０４／０１８５８８、ＷＯ０３／０８７０２３またはＷＯ０４／０１８５８７に開示されている。アリール置換ピレンおよびクリセンをベースとするマトリックス材料は、ＷＯ０４／０１６５７５に開示されている。ベンゾアントラセン誘導体ベースとするマトリックス材料は、ＷＯ０８／１４５２３９に開示されている。高品質の用途では、好ましくは改善された特性を有するさらなるマトリックス材料が利用できることが望ましい。
【００１０】
電子デバイスにおいて使用するための蛍光エミッタ材料は、継続的に強く求められている。特に、高い昇華安定性および深い青色座標を有するエミッタ材料が、強く求められている。
【００１１】
青色発光化合物の場合に言及され得る従来技術は、アリールビニルアミンの使用である（例えば、ＷＯ０４／０１３０７３、ＷＯ０４／０１６５７５、ＷＯ０４／０１８５８７）。しかし、これらの化合物は熱的に不安定であり、分解なしに蒸発することができず、それによってＯＬＥＤの製造に高い技術的複雑度が必要とされ、したがって技術的に不利である。
【００１２】
有機エレクトロルミネッセントデバイスに使用するための、窒素を含有するヘテロ芳香族化合物の領域では、以下の文献を従来技術として引用する。
【００１３】
特許出願ＷＯ２００８／１４５２３９およびＵＳ２００７／０１３１９２９は、電子不足のヘテロ芳香族単位、例えばベンゾイミダゾール単位またはベンゾジアジン単位が芳香族系の周辺に結合している、有機エレクトロルミネッセントデバイスで使用するための化合物を開示している。
【００１４】
特許出願ＪＰ２００１−４３９７８は、有機エレクトロルミネッセントデバイスで使用するためのジアザインドリジン誘導体およびイミダゾキナゾリン誘導体を開示している。
【００１５】
しかし、前記デバイスで使用するためのヘテロ芳香族化合物は、継続的に強く求められている。特に、拡張された芳香族またはヘテロ芳香族系を有し、したがって有機エレクトロルミネッセントデバイスにおける機能的材料として改善された特性を有する化合物が、強く求められている。特にそれに関連する所望の材料特性は、高いガラス遷移温度および良好なフィルム形成特性である。
【００１６】
ここで本発明の開発中に、イミダゾキナゾリン基を含有する式（Ｉ）の化合物が、有機エレクトロルミネッセントデバイスにおける機能的材料として使用するのにかなり適していることが見出された。
【００１７】
したがって本発明は、正確に１つの環Ａ、ＢまたはＣを有する式（Ｉ）の化合物に関する。
【化１】
2013541539.tif 000002
【００１８】
式中、環Ａは、式（Ｉａ）の構造を有し、
【化２】
2013541539.tif 000003
【００１９】
環Ｂは、式（Ｉｂ）の構造を有し、
【化３】
2013541539.tif 000004
【００２０】
環Ｃは、式（Ｉｃ）の構造を有し、
【化４】
2013541539.tif 000005
【００２１】
環Ａまたは環Ｂが存在する場合、基Ｒ1は、式（Ｉ）の位置ａに結合しており、環Ｃが存在する場合、基Ｒ1は、式（Ｉ）の位置ｂに結合しており、
さらに、
Ｒ1は、Ｈ、Ｄ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＨＯ、Ｎ（Ｒ3）2、Ｃ（＝Ｏ）Ｒ3、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ3）2、Ｓ（＝Ｏ）Ｒ3、Ｓ（＝Ｏ）2Ｒ3、ＣＲ3＝Ｃ（Ｒ3）2、ＣＮ、ＮＯ2、Ｓｉ（Ｒ3）3、Ｂ（ＯＲ3）2、ＯＳ（＝Ｏ）2Ｒ3、ＳＯ3Ｈ、Ｃ（＝Ｏ）ＯＲ3、ＯＲ3、１〜４０個のＣ原子を有する直鎖アルキル、アルコキシもしくはチオアルキル基、または３〜４０個のＣ原子を有する分枝もしくは環式アルキル、アルコキシもしくはチオアルキル基、または２〜４０個のＣ原子を有するアルケニルもしくはアルキニル基であり、これらのそれぞれは、１つ以上のラジカルＲ3によって置換されていてもよく、１つのＣＨ2基又は２つ以上の隣接していないＣＨ2基は、−Ｒ3Ｃ＝ＣＲ3−、−Ｃ≡Ｃ−、Ｓｉ（Ｒ3）2、Ｇｅ（Ｒ3）2、Ｓｎ（Ｒ3）2、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ3、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ3）、Ｓ＝Ｏ、Ｓ（＝Ｏ）2、ＮＲ3、−Ｏ−、−Ｓ−またはＣ（＝Ｏ）ＮＲ3によって置きかえられていてもよく、１つ以上のＨ原子は、Ｄ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮまたはＮＯ2によって置きかえられていてもよく、さらに、Ｒ1は、Ｒ1に隣接する１，３位に結合している基Ｒ2に連結していてもよく、単環式または多環式の、脂肪族または芳香族環系を形成していてもよく、
Ｒ2は、出現する毎に、同じかまたは異なっており、Ｈ、Ｄ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＨＯ、Ｎ（Ｒ3）2、Ｃ（＝Ｏ）Ｒ3、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ3）2、Ｓ（＝Ｏ）Ｒ3、Ｓ（＝Ｏ）2Ｒ3、ＣＲ3＝Ｃ（Ｒ3）2、ＣＮ、ＮＯ2、Ｓｉ（Ｒ3）3、Ｂ（ＯＲ3）2、ＯＳ（＝Ｏ）2Ｒ3、ＳＯ3Ｈ、Ｃ（＝Ｏ）ＯＲ3、ＯＲ3、１〜４０個のＣ原子を有する直鎖アルキル、アルコキシもしくはチオアルキル基、または３〜４０個のＣ原子を有する分枝もしくは環式アルキル、アルコキシもしくはチオアルキル基、または２〜４０個のＣ原子を有するアルケニルもしくはアルキニル基であり、これらのそれぞれは、１つ以上のラジカルＲ3によって置換されていてもよく、１つのＣＨ2基又は２つ以上の隣接していないＣＨ2基は、−Ｒ3Ｃ＝ＣＲ3−、−Ｃ≡Ｃ−、Ｓｉ（Ｒ3）2、Ｇｅ（Ｒ3）2、Ｓｎ（Ｒ3）2、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ3、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ3）、Ｓ＝Ｏ、Ｓ（＝Ｏ）2、ＮＲ3、−Ｏ−、−Ｓ−またはＣ（＝Ｏ）ＮＲ3によって置きかえられていてもよく、１つ以上のＨ原子は、Ｄ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮもしくはＮＯ2、または５〜６０個の芳香族環原子を有する芳香族もしくはヘテロ芳香族環系（これは、各場合、１つ以上のラジカルＲ3によって置換されていてもよく、それに結合している環と縮合していてもよい）、または５〜６０個の芳香族環原子を有するアリールオキシもしくはヘテロアリールオキシ基（これは、１つ以上のラジカルＲ3によって置換されていてもよい）、またはこれらの系の組合せによって置きかえられていてもよく、２つ以上のラジカルＲ2は、互いに連結していてもよく、単環式または多環式の、脂肪族または芳香族環系を形成していてもよく、
Ｒ3は、出現する毎に、同じかまたは異なっており、Ｈ、Ｄ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＨＯ、Ｎ（Ｒ4）2、Ｃ（＝Ｏ）Ｒ4、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ4）2、Ｓ（＝Ｏ）Ｒ4、Ｓ（＝Ｏ）2Ｒ4、ＣＲ4＝Ｃ（Ｒ4）2、ＣＮ、ＮＯ2、Ｓｉ（Ｒ4）3、Ｂ（ＯＲ4）2、ＯＳ（＝Ｏ）2Ｒ4、ＳＯ3Ｈ、Ｃ（＝Ｏ）ＯＲ4、ＯＲ4、１〜２０個のＣ原子を有する直鎖アルキル、アルコキシもしくはチオアルキル基、または３〜２０個のＣ原子を有する分枝もしくは環式アルキル、アルコキシもしくはチオアルキル基、または２〜２０個のＣ原子を有するアルケニルもしくはアルキニル基であり、これらのそれぞれは、１つ以上のラジカルＲ4によって置換されていてもよく、１つのＣＨ2基又は２つ以上の隣接していないＣＨ2基は、−Ｒ4Ｃ＝ＣＲ4−、−Ｃ≡Ｃ−、Ｓｉ（Ｒ4）2、Ｇｅ（Ｒ4）2、Ｓｎ（Ｒ4）2、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ4、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ4）、Ｓ＝Ｏ、Ｓ（＝Ｏ）2、ＮＲ4、−Ｏ−、−Ｓ−またはＣ（＝Ｏ）ＮＲ4によって置きかえられていてもよく、１つ以上のＨ原子は、Ｄ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮもしくはＮＯ2、または５〜３０個の芳香族環原子を有する芳香族もしくはヘテロ芳香族環系（これは、各場合、１つ以上のラジカルＲ4によって置換されていてもよい）、または５〜３０個の芳香族環原子を有するアリールオキシもしくはヘテロアリールオキシ基（これは、１つ以上のラジカルＲ4によって置換されていてもよい）、またはこれらの系の組合せによって置きかえられていてもよく、２つ以上のラジカルＲ3は、互いに連結していてもよく、単環式または多環式の、脂肪族または芳香族環系を形成していてもよく、
Ｒ4は、出現する毎に、同じかまたは異なっており、Ｈ、Ｄ、Ｆ、または１〜２０個のＣ原子を有する脂肪族、芳香族および／もしくはヘテロ芳香族の有機ラジカルであり、ここでさらに、１つ以上のＨ原子は、ＤまたはＦによって置きかえられていてもよく、ここで、２つ以上の同一のまたは異なる置換基Ｒ4は、互いに連結し、単環式または多環式の、脂肪族または芳香族環系を形成していてもよく、
式（Ｉ）の化合物の少なくとも２つのラジカルＲ2は、
−５〜６０個の芳香族環原子を有する芳香族またはヘテロ芳香族環系（これは、各場合、１つ以上のラジカルＲ3によって置換されていてもよく、それらに結合している環と縮合していてもよい）、および
−２〜４０個のＣ原子を有する完全に共役したアルケニルまたはアルキニル基（これは、１つ以上のラジカルＲ3によって置換されていてもよい）
を含む群から選択されなければならず、
以下の化合物は、特許請求の範囲から排除される。
【化５】
2013541539.tif 000006
【００２２】
アリール基は、本発明の意味では、６〜６０個のＣ原子を含有し、ヘテロアリール基は、本発明の意味では、１〜６０個のＣ原子および少なくとも１つのヘテロ原子を含有し、但しＣ原子およびヘテロ原子の合計は、少なくとも５個である。ヘテロ原子は、好ましくはＮ、Ｏおよび／またはＳから選択される。ここで、アリール基またはヘテロアリール基は、単純な芳香族環、すなわちベンゼン、または単純なヘテロ芳香族環、例えばピリジン、ピリミジン、チオフェン等、または縮合（融合）アリールもしくはヘテロアリール基、例えばナフタレン、アントラセン、フェナントレン、キノリン、イソキノリン、カルバゾール等のいずれかを意味すると解釈される。
【００２３】
アリール基は、本発明の意味では、好ましくは６〜３０個のＣ原子、特に非常に好ましくは６〜２０個のＣ原子を含有する。
【００２４】
ヘテロアリール基は、本発明の意味では、好ましくは２〜３０個のＣ原子、特に非常に好ましくは３〜２０個のＣ原子、および少なくとも１つのヘテロ原子を含有し、但しＣ原子およびヘテロ原子の合計は、少なくとも５個である。
【００２５】
アリールまたはヘテロアリール基は、各場合、前述のラジカルによって置換されていてもよく、任意の所望の位置を介して芳香族またはヘテロ芳香族環系に連結していてもよく、特に、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン、ピレン、ジヒドロピレン、クリセン、ペリレン、フルオランテン、ベンゾアントラセン、ベンゾフェナントレン、テトラセン、ペンタセン、ベンゾピレン、フラン、ベンゾフラン、イソベンゾフラン、ジベンゾフラン、チオフェン、ベンゾチオフェン、イソベンゾチオフェン、ジベンゾチオフェン、ピロール、インドール、イソインドール、カルバゾール、ピリジン、キノリン、イソキノリン、アクリジン、フェナントリジン、ベンゾ−５，６−キノリン、ベンゾ−６，７−キノリン、ベンゾ−７，８−キノリン、フェノチアジン、フェノキサジン、ピラゾール、インダゾール、イミダゾール、ベンゾイミダゾール、ナフトイミダゾール、フェナントイミダゾール、ピリドイミダゾール、ピラジンイミダゾール、キノキサリンイミダゾール、オキサゾール、ベンゾオキサゾール、ナフトオキサゾール、アントロオキサゾール、フェナントロオキサゾール、イソオキサゾール、１，２−チアゾール、１，３−チアゾール、ベンゾチアゾール、ピリダジン、ベンゾピリダジン、ピリミジン、ベンゾピリミジン、キノキサリン、ピラジン、フェナジン、ナフチリジン、アザカルバゾール、ベンゾカルボリン、フェナントロリン、１，２，３−トリアゾール、１，２，４−トリアゾール、ベンゾトリアゾール、１，２，３−オキサジアゾール、１，２，４−オキサジアゾール、１，２，５−オキサジアゾール、１，３，４−オキサジアゾール、１，２，３−チアジアゾール、１，２，４−チアジアゾール、１，２，５−チアジアゾール、１，３，４−チアジアゾール、１，３，５−トリアジン、１，２，４−トリアジン、１，２，３−トリアジン、テトラゾール、１，２，４，５−テトラジン、１，２，３，４−テトラジン、１，２，３，５−テトラジン、プリン、プテリジン、インドリジンおよびベンゾチアジアゾール、またはこれらの基の組合せに由来する基を意味すると解釈される。
【００２６】
芳香族環系は、本発明の意味では、環系内に６〜６０個のＣ原子を含有する。ヘテロ芳香族環系は、本発明の意味では、５〜６０個の芳香族環原子を含有し、その少なくとも１つはヘテロ原子である。ヘテロ原子は、好ましくは、Ｎ、Ｏおよび／またはＳから選択される。芳香族またはヘテロ芳香族環系は、本発明の意味では、必ずしもアリールまたはヘテロアリール基だけを含有するとは限らないが、複数のアリールまたはヘテロアリール基がさらに、非芳香族単位（好ましくは１０％未満のＨ以外の原子）、例えばｓｐ3混成型Ｃ、ＮまたはＯ原子によって結合していてもよい系を意味すると解釈されるものとする。したがって、例えばいくつかの系、例えば９，９’−スピロビフルオレン、９，９’−ジアリールフルオレン、トリアリールアミン、ジアリールエーテル、スチルベン等も、本発明の意味では芳香族環系であると解釈され、同様に２つ以上のアリール基が、例えば直鎖もしくは環式アルキル基によって、またはシリル基によって結合している系であると解釈されるものとする。
【００２７】
芳香族またはヘテロ芳香族環系は、好ましくは、５〜３０個の芳香族環原子、特に非常に好ましくは５〜２４個の芳香族環原子を含有する。
【００２８】
５〜６０個の芳香族環原子を有する芳香族またはヘテロ芳香族環系は、単環式または多環式であってよく、各場合、先に定義のラジカルによって置換されていてもよく、任意の所望の位置を介して芳香族またはヘテロ芳香族基に連結していてもよく、特に、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、ベンゾアントラセン、フェナントレン、ベンゾフェナントレン、ピレン、クリセン、ペリレン、フルオランテン、ナフタセン、ペンタセン、ベンゾピレン、ビフェニル、ビフェニレン、テルフェニル、テルフェニレン、クアテルフェニル、フルオレン、スピロビフルオレン、ジヒドロフェナントレン、ジヒドロピレン、テトラヒドロピレン、シス−またはトランス−インデノフルオレン、トルキセン、イソトルキセン、スピロトルキセン、スピロイソトルキセン、フラン、ベンゾフラン、イソベンゾフラン、ジベンゾフラン、チオフェン、ベンゾチオフェン、イソベンゾチオフェン、ジベンゾチオフェン、ピロール、インドール、イソインドール、カルバゾール、ピリジン、キノリン、イソキノリン、アクリジン、フェナントリジン、ベンゾ−５，６−キノリン、ベンゾ−６，７−キノリン、ベンゾ−７，８−キノリン、フェノチアジン、フェノキサジン、ピラゾール、インダゾール、イミダゾール、ベンゾイミダゾール、ナフトイミダゾール、フェナントイミダゾール、ピリドイミダゾール、ピラジンイミダゾール、キノキサリンイミダゾール、オキサゾール、ベンゾオキサゾール、ナフトオキサゾール、アントロオキサゾール、フェナントロオキサゾール、イソオキサゾール、１，２−チアゾール、１，３−チアゾール、ベンゾチアゾール、ピリダジン、ベンゾピリダジン、ピリミジン、ベンゾピリミジン、キノキサリン、１，５−ジアザアントラセン、２，７−ジアザピレン、２，３−ジアザピレン、１，６−ジアザピレン、１，８−ジアザピレン、４，５−ジアザピレン、４，５，９，１０−テトラアザペリレン、ピラジン、フェナジン、フェノキサジン、フェノチアジン、フルオルビン、ナフチリジン、アザカルバゾール、ベンゾカルボリン、フェナントロリン、１，２，３−トリアゾール、１，２，４−トリアゾール、ベンゾトリアゾール、１，２，３−オキサジアゾール、１，２，４−オキサジアゾール、１，２，５−オキサジアゾール、１，３，４−オキサジアゾール、１，２，３−チアジアゾール、１，２，４−チアジアゾール、１，２，５−チアジアゾール、１，３，４−チアジアゾール、１，３，５−トリアジン、１，２，４−トリアジン、１，２，３−トリアジン、テトラゾール、１，２，４，５−テトラジン、１，２，３，４−テトラジン、１，２，３，５−テトラジン、プリン、プテリジン、インドリジンおよびベンゾチアジアゾールに由来する基を意味すると解釈される。
【００２９】
芳香族またはヘテロ芳香族環系Ｒ2は、それに結合している環と縮合しており、本発明の目的では、当該の環と結合している少なくとも１つの共通の芳香族を有する環系を意味すると解釈される。以下のスキームは、これを例示するものである。
【化６】
2013541539.tif 000007
【００３０】
示したスキームでは、芳香族またはヘテロ芳香族環系Ｒ2は、フェニル基上で縮合しているものを表す。Ｒ2は、それに結合している環と、共通の芳香族結合（太字）を共有している。
【００３１】
ラジカルＲ1が、１，３位においてラジカルＲ1に結合している基Ｒ2に連結しており、それと同時に単環式または多環式の、脂肪族または芳香族環系を形成する態様は、例えば、以下のスキームで図示した構造が存在し、太字で印刷したラジカルＲ1およびＲ2が互いに結合して閉環することを意味すると解釈される。
【化７】
2013541539.tif 000008
【００３２】
先に示した態様では、環Ａを有する式（Ｉ）の化合物が存在する（以下の式（Ｉ−１）参照）。しかし同様に、環Ｂを有する式（Ｉ）の化合物についても、このタイプの態様が存在していてもよい（以下の式（Ｉ−２）参照）。
【００３３】
結合している環と縮合している前記芳香族またはヘテロ芳香族環系の、本発明の好ましい態様は、先に示したフェニル基、およびアリール基、例えばナフチル、アントラセニル、フェナントレニルまたはピレニル基、および窒素を含有するヘテロ環、例えばピリジン、ピロールまたはイミダゾールである。
【００３４】
本願の目的では、結合している環と縮合している基Ｒ2は、単一の基Ｒ2を意味すると解釈されるべきである。したがってさらに、芳香族またはヘテロ芳香族系上で縮合しているものを表すただ１つの基Ｒ2が存在する場合、先に定義の芳香族またはヘテロ芳香族環系、および先に定義の完全に共役したアルケニルまたはアルキニル基から選択されるさらなる基Ｒ2は、式（Ｉ）の化合物の定義に従って存在しなければならない。
【００３５】
完全に共役したアルケニルまたはアルキニル基は、本発明の意味では、Ｃ−Ｃ単結合およびＣ−Ｃ二重結合または三重結合が規則的な方式で交互に存在し、したがって、２つのＣ−Ｃ単結合が鎖中で互いに直接的に続くことは決してない、分枝、非分枝または環化炭素鎖を有する基を意味すると解釈される。完全に共役したアルケニルまたはアルキニル基は、鎖中に、Ｃ−Ｃ二重結合とＣ−Ｃ三重結合の両方を含有していてもよい。完全に共役したアルケニルまたはアルキニル基は、１つ以上のラジカルＲ3によって、好ましくはＤ、Ｆ、アリール基、例えばフェニル、ナフチルもしくはアントラセニル、またはヘテロアリール基、例えばピリジル、ピリミジル、ピラジニル、ピリダジニル、トリアジニルもしくはベンゾイミダゾリルによって置換されていてもよい。完全に共役したアルケニルまたはアルキニル基は、好ましくは４〜２０個のＣ原子を有し、特に非常に好ましくは４〜１０個のＣ原子を有する。
【００３６】
本発明の目的では、１〜４０個のＣ原子を有する直鎖アルキル基、または３〜４０個のＣ原子を有する分枝もしくは環式アルキル基、または２〜４０個のＣ原子を有するアルケニルもしくはアルキニル基（さらに、これらの個々のＨ原子またはＣＨ2基は、ラジカルＲ1およびＲ2の定義により先に言及した基によって置換されていてもよい）は、好ましくは、以下のラジカル：メチル、エチル、ｎ−プロピル、ｉ−プロピル、ｎ−ブチル、ｉ−ブチル、ｓ−ブチル、ｔ−ブチル、２−メチルブチル、ｎ−ペンチル、ｓ−ペンチル、シクロペンチル、ネオペンチル、ｎ−ヘキシル、シクロヘキシル、ネオヘキシル、ｎ−ヘプチル、シクロヘプチル、ｎ−オクチル、シクロオクチル、２−エチルヘキシル、トリフルオロメチル、ペンタフルオロエチル、２，２，２−トリフルオロエチル、エテニル、プロペニル、ブテニル、ペンテニル、シクロペンテニル、ヘキセニル、シクロヘキセニル、ヘプテニル、シクロヘプテニル、オクテニル、シクロオクテニル、エチニル、プロピニル、ブチニル、ペンチニル、ヘキシニルまたはオクチニルを意味すると解釈される。１〜４０個のＣ原子を有するアルコキシまたはチオアルキル基は、好ましくは、メトキシ、トリフルオロメトキシ、エトキシ、ｎ−プロポキシ、ｉ−プロポキシ、ｎ−ブトキシ、ｉ−ブトキシ、ｓ−ブトキシ、ｔ−ブトキシ、ｎ−ペントキシ、ｓ−ペントキシ、２−メチルブトキシ、ｎ−ヘキソオキシ、シクロヘキシルオキシ、ｎ−ヘプトキシ、シクロヘプチルオキシ、ｎ−オクチルオキシ、シクロオクチルオキシ、２−エチルヘキシルオキシ、ペンタフルオロエトキシ、２，２，２−トリフルオロエトキシ、メチルチオ、エチルチオ、ｎ−プロピルチオ、ｉ−プロピルチオ、ｎ−ブチルチオ、ｉ−ブチルチオ、ｓ−ブチルチオ、ｔ−ブチルチオ、ｎ−ペンチルチオ、ｓ−ペンチルチオ、ｎ−ヘキシルチオ、シクロヘキシルチオ、ｎ−ヘプチルチオ、シクロヘプチルチオ、ｎ−オクチルチオ、シクロオクチルチオ、２−エチルヘキシルチオ、トリフルオロメチルチオ、ペンタフルオロエチルチオ、２，２，２−トリフルオロエチルチオ、エテニルチオ、プロペニルチオ、ブテニルチオ、ペンテニルチオ、シクロペンテニルチオ、ヘキセニルチオ、シクロヘキセニルチオ、ヘプテニルチオ、シクロヘプテニルチオ、オクテニルチオ、シクロオクテニルチオ、エチニルチオ、プロピニルチオ、ブチニルチオ、ペンチニルチオ、ヘキシニルチオ、ヘプチニルチオまたはオクチニルチオを意味すると解釈される。
【００３７】
式（Ｉ）の化合物は、次式（Ｉ−１）、（Ｉ−２）および（Ｉ−３）の化合物に相当する。
【化８】
2013541539.tif 000009
【００３８】
存在する記号は、先に示した通り定義される。
【００３９】
本発明の好ましい一態様では、少なくとも１つのラジカルＲ2は、５〜６０個の芳香族環原子を有する芳香族またはヘテロ芳香族環系から選択され、これらの系は、それに結合している環と縮合しており、各場合、１つ以上のラジカルＲ3によって置換されていてもよい。
【００４０】
本発明の特に好ましい一態様では、少なくとも２つのラジカルＲ2は、５〜３０個の芳香族環原子を有する芳香族またはヘテロ芳香族環系から選択され、これらの系は、それに結合している環と縮合しており、各場合、１つ以上のラジカルＲ3によって置換されていてもよい。
【００４１】
さらに好ましくは、本発明によれば、式（Ｉ）の環Ａ、ＢまたはＣに結合している２つのラジカルＲ2の一方は、この環と縮合している芳香族またはヘテロ芳香族環系を表す。特に好ましくは、式（Ｉ）の環Ａ、ＢまたはＣに結合している２つのラジカルＲ2の一方は、この環と縮合しているフェニル環を表す。
【００４２】
本発明の好ましい一態様では、式（Ｉ）の化合物は、互いに縮合している５個を超える芳香族またはヘテロ芳香族環を有する少なくとも１つの縮合アリールまたはヘテロアリール基を含有する。本発明の特に好ましい一態様では、式（Ｉ）の化合物は、互いに縮合している６個を超える芳香族またはヘテロ芳香族環を有する少なくとも１つの縮合アリールまたはヘテロアリール基を含有する。
【００４３】
本発明の化合物の好ましい態様は、式（Ｉ−１ａ）〜（Ｉ−３ｄ）によって表される。
【化９−１】
2013541539.tif 000010
【化９−２】
2013541539.tif 000011
【００４４】
Ｒ1およびＲ2は、先に示した通り定義され、さらに、
Ｘは、出現する毎に、同じかまたは異なっており、ＣＲ3またはＮであり、但し２個以下の隣接するＸは、同時にＮに等しく、
少なくとも１つのラジカルＲ2は、
−５〜６０個の芳香族環原子を有する芳香族またはヘテロ芳香族環系（これは、各場合、１つ以上のラジカルＲ3によって置換されていてもよく、それらに結合している環と縮合していてもよい）、および
−２〜４０個のＣ原子を有する完全に共役したアルケニルまたはアルキニル基（これは、１つ以上のラジカルＲ3によって置換されていてもよい）
を含む群から選択されなければならない。
【００４５】
本発明の化合物のさらに好ましい態様は、式（Ｉ−１ｅ）〜（Ｉ−１ｋ）、（Ｉ−２ｅ）〜（Ｉ−２ｋ）および（Ｉ−３ｅ）〜（Ｉ−３ｋ）によって表される。
【化１０−１】
2013541539.tif 000012
【化１０−２】
2013541539.tif 000013
【化１０−３】
2013541539.tif 000014
【化１０−４】
2013541539.tif 000015
【００４６】
Ｒ1、Ｒ2およびＸは、先に定義の通りである。
【００４７】
先に示した式（Ｉ−１ａ）〜（Ｉ−１ｋ）、（Ｉ−２ａ）〜（Ｉ−２ｋ）および（Ｉ−３ａ）〜（Ｉ−３ｋ）の化合物では、好ましくはＸはＣＲ3に等しい。
【００４８】
さらに好ましくは、特に式（Ｉ−１ａ）〜（Ｉ−１ｋ）、（Ｉ−２ａ）〜（Ｉ−２ｋ）および（Ｉ−３ａ）〜（Ｉ−３ｋ）の化合物では、ラジカルＲ1には以下が適用される：
Ｒ1は、Ｈ、Ｄ、Ｆ、Ｎ（Ｒ3）2、Ｃ（＝Ｏ）Ｒ3、ＣＲ3＝Ｃ（Ｒ3）2、ＣＮ、Ｓｉ（Ｒ3）3、ＯＲ3、１〜１０個のＣ原子を有する直鎖アルキルもしくはアルコキシ基、３〜１０個のＣ原子を有する分枝もしくは環式アルキルもしくはアルコキシ基、または２〜１０個のＣ原子を有するアルケニルもしくはアルキニル基であり、前記基は、１つ以上のラジカルＲ3によってそれぞれ置換されていてもよく、１つのＣＨ2基又は２つ以上の隣接するまたは隣接していないＣＨ2基は、−Ｃ≡Ｃ−、Ｒ3Ｃ＝ＣＲ3、Ｓｉ（Ｒ3）2、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝ＮＲ3、ＮＲ3、−Ｏ−、−Ｓ−またはＣ（＝Ｏ）ＮＲ3によって置きかえられていてもよい。
【００４９】
特に非常に好ましくは、特に式（Ｉ−１ａ）〜（Ｉ−１ｋ）、（Ｉ−２ａ）〜（Ｉ−２ｋ）および（Ｉ−３ａ）〜（Ｉ−３ｋ）の化合物では、Ｒ1は、Ｈ、Ｄ、Ｎ（Ｒ3）2、Ｃ（＝Ｏ）Ｒ3、ＣＲ3＝Ｃ（Ｒ3）2、ＯＲ3、１〜８個のＣ原子を有する直鎖アルキル基、または３〜８個のＣ原子を有する分枝もしくは環式アルキル基から選択され、前記基は、１つ以上のラジカルＲ3によってそれぞれ置換されていてもよく、１つのＣＨ2基又は２つ以上の隣接するまたは隣接していないＣＨ2基は、−Ｃ≡Ｃ−、Ｒ3Ｃ＝ＣＲ3、Ｃ＝Ｏ、ＮＲ3、−Ｏ−または−Ｓ−によって置きかえられていてもよい。
【００５０】
さらに好ましくは、特に式（Ｉ−１ａ）〜（Ｉ−１ｋ）、（Ｉ−２ａ）〜（Ｉ−２ｋ）および（Ｉ−３ａ）〜（Ｉ−３ｋ）の化合物では、ラジカルＲ2には以下が適用される：
Ｒ2は、出現する毎に同じかまたは異なっており、Ｈ、Ｄ、Ｆ、Ｎ（Ｒ3）2、Ｃ（＝Ｏ）Ｒ3、ＣＲ3＝Ｃ（Ｒ3）2、ＣＮ、Ｓｉ（Ｒ3）3、ＯＲ3、１〜１０個のＣ原子を有する直鎖アルキルもしくはアルコキシ基、３〜１０個のＣ原子を有する分枝もしくは環式アルキルもしくはアルコキシ基、または２〜１０個のＣ原子を有するアルケニルもしくはアルキニル基であり、前記基は、１つ以上のラジカルＲ3によってそれぞれ置換されていてもよく、前述の基の１つのＣＨ2基又は２つ以上の隣接するまたは隣接していないＣＨ2基は、−Ｃ≡Ｃ−、Ｒ3Ｃ＝ＣＲ3、Ｓｉ（Ｒ3）2、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝ＮＲ3、ＮＲ3、−Ｏ−、−Ｓ−もしくはＣ（＝Ｏ）ＮＲ3、または５〜３０個の芳香族環原子を有するアリールもしくはヘテロアリール基（この基は、それに結合している環と縮合していてもよく、１つ以上の基Ｒ3によって置換されていてもよい）によって置きかえられていてもよい。
【００５１】
特に非常に好ましくは、特に式（Ｉ−１ａ）〜（Ｉ−１ｋ）、（Ｉ−２ａ）〜（Ｉ−２ｋ）および（Ｉ−３ａ）〜（Ｉ−３ｋ）の化合物では、Ｒ2は、Ｈ、Ｄ、Ｎ（Ｒ3）2、Ｃ（＝Ｏ）Ｒ3、ＣＲ3＝Ｃ（Ｒ3）2、ＯＲ3、１〜８個のＣ原子を有する直鎖アルキル基、または３〜８個のＣ原子を有する分枝もしくは環式アルキル基から選択され、前記基は、１つ以上のラジカルＲ3によってそれぞれ置換されていてもよく、１つのＣＨ2基又は２つ以上の隣接するまたは隣接していないＣＨ2基は、−Ｃ≡Ｃ−、Ｒ3Ｃ＝ＣＲ3、Ｃ＝Ｏ、ＮＲ3、−Ｏ−もしくは−Ｓ−、または５〜２０個の芳香族環原子を有するアリールもしくはヘテロアリール基（この基は、それに結合している環と縮合していてもよく、１つ以上の基Ｒ3によって置換されていてもよい）によって置きかえられていてもよい。
【００５２】
さらに好ましくは、特に式（Ｉ−１ａ）〜（Ｉ−１ｋ）、（Ｉ−２ａ）〜（Ｉ−２ｋ）および（Ｉ−３ａ）〜（Ｉ−３ｋ）の化合物では、ラジカルＲ3には以下が適用される：
Ｒ3は、出現する毎に同じかまたは異なっており、Ｈ、Ｄ、Ｆ、Ｎ（Ｒ4）2、Ｃ（＝Ｏ）Ｒ4、ＣＲ4＝Ｃ（Ｒ4）2、ＣＮ、Ｓｉ（Ｒ4）3、ＯＲ4、１〜１０個のＣ原子を有する直鎖アルキルもしくはアルコキシ基、３〜１０個のＣ原子を有する分枝もしくは環式アルキルもしくはアルコキシ基、または２〜１０個のＣ原子を有するアルケニルもしくはアルキニル基であり、前記基は、１つ以上のラジカルＲ4によってそれぞれ置換されていてもよく、前述の基の１つのＣＨ2基又は２つ以上の隣接するまたは隣接していないＣＨ2基は、−Ｃ≡Ｃ−、Ｒ4Ｃ＝ＣＲ4、Ｓｉ（Ｒ4）2、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝ＮＲ4、ＮＲ4、−Ｏ−、−Ｓ−もしくはＣ（＝Ｏ）ＮＲ4、または５〜３０個の芳香族環原子を有するアリールもしくはヘテロアリール基（この基は、１つ以上の基Ｒ4によって置換されていてもよい）によって置きかえられていてもよい。
【００５３】
特に非常に好ましくは、特に式（Ｉ−１ａ）〜（Ｉ−１ｋ）、（Ｉ−２ａ）〜（Ｉ−２ｋ）および（Ｉ−３ａ）〜（Ｉ−３ｋ）の化合物では、Ｒ3は、Ｈ、Ｄ、Ｎ（Ｒ4）2、Ｃ（＝Ｏ）Ｒ4、ＣＲ4＝Ｃ（Ｒ4）2、ＯＲ4、１〜８個のＣ原子を有する直鎖アルキル基、または３〜８個のＣ原子を有する分枝もしくは環式アルキル基から選択され、前記基は、１つ以上のラジカルＲ4によってそれぞれ置換されていてもよく、１つのＣＨ2基又は２つ以上の隣接するまたは隣接していないＣＨ2基は、−Ｃ≡Ｃ−、Ｒ4Ｃ＝ＣＲ4、Ｃ＝Ｏ、ＮＲ4、−Ｏ−もしくは−Ｓ−、または５〜２０個の芳香族環原子を有するアリールもしくはヘテロアリール基（この基は、それに結合している環と縮合していてもよく、１つ以上の基Ｒ4によって置換されていてもよい）によって置きかえられていてもよい。
【００５４】
前述の本発明の好ましい態様は、本発明の目的に合わせて所望に応じて互いに組み合わせることができる。
【００５５】
本発明の好ましい一態様では、基Ｒ1、Ｒ2およびＲ3の好ましい態様は、式（Ｉ−１ａ）〜（Ｉ−１ｋ）、（Ｉ−２ａ）〜（Ｉ−２ｋ）および（Ｉ−３ａ）〜（Ｉ−３ｋ）の好ましい態様と組み合わさって存在する。
【００５６】
式（Ｉ）の化合物の例は、以下に示す化合物である。
【化１１−１】
2013541539.tif 000016
【化１１−２】
2013541539.tif 000017
【化１１−３】
2013541539.tif 000018
【化１１−４】
2013541539.tif 000019
【００５７】
本発明の化合物の基本構造は、当業者に公知の合成方法によって調製することができる。式（Ｉ−１）、（Ｉ−２）および（Ｉ−３）の化合物の合成例を、以下に示す。
【００５８】
式（Ｉ−１）の態様の本発明の化合物の骨格の合成は、スキーム１に示した通り実施することができる。ここで置換基Ｒ、Ｒ’およびＲ’’は、好ましくは以下に示す通り定義される。これらの定義は、以下の反応スキームにも適用される。
【００５９】
式（Ｉ−１）の化合物の合成では、まず、例えば１−アミノ−２−シアノフェニル化合物をＣＯ2およびＤＢＵと反応させる。選択的に２位で塩素化されているキナゾリノン化合物は、塩素化し、導入された２つの塩素置換基の一方を加水分解することによって得られる。この後、アセタール基をさらに担持する脂肪族アミノ化合物にカップリングする。その後、アセタール基を、キナゾリンの無置換のアミノ基と反応させ、式（Ｉ−１）のイミダゾキナゾリン基本構造を得る。その後これを、置換基Ｒ’’を用いてさらに官能化することができる。
【００６０】
スキーム１
【化１２】
2013541539.tif 000020
【００６１】
式（Ｉ−１）のベンゾ融合化合物の合成では、例えばスキーム２に示す方法に従うことができる。この目的を達成するために、まず、２−アミノベンゾイミダゾール誘導体を合成し、その後、オルト−ブロモ安息香酸と反応させる。得られた式（Ｉ−１）のベンゾイミダゾキナゾリン基本構造は、スキーム１で既に示した通り、置換基Ｒ’’との有機金属カップリングを介して官能化することができる。
【００６２】
スキーム２
【化１３】
2013541539.tif 000021
【００６３】
スキーム３は、式（Ｉ−２）のイミダゾキナゾリン誘導体の合成を示す。まず、２−塩素置換イミダゾール誘導体を調製し、それをオルト−アミノベンゾイル塩化物と反応させる。この反応では、イミダゾキナゾリン基本構造が構築される。その後、置換基Ｒ’’を、塩素化および有機金属カップリングを含む順序を介して導入することができる。
【００６４】
スキーム３
【化１４】
2013541539.tif 000022
【００６５】
スキーム４は、式（Ｉ−２）のベンゾイミダゾキナゾリン誘導体の合成を示す。この合成は、オルト−ジアミノフェニル誘導体から出発し、まずジイソプロピルカルボジイミドと反応させ、イソチオシアネート基およびｏ−カルボキシレート基を含有する第２のフェニル誘導体と反応させる。その後、Ｂａ（ＯＨ）2を添加し、反応混合物にマイクロ波を照射すると、その間に式（Ｉ−２）のベンゾイミダゾキナゾリン基本構造が形成される。その後、置換基Ｒ’’を、塩素化および有機金属カップリングを含む順序を介して導入することができる。
【００６６】
スキーム４
【化１５】
2013541539.tif 000023
【００６７】
スキーム５は、例えば、本発明の式（Ｉ−３）の化合物を調製するために可能な合成経路を示す。共通の中間体は２−フェニルイミダゾリル誘導体であるが、これは、２つの代替の反応経路を介して、オルト−アミノ安息香酸および１，２−ジアミノエテン誘導体から得ることができる。そこから、マイクロ波を利用するＣＳ2との反応およびその後のアルキル化によって、Ｒ’’としてチオエーテルラジカルを含有する化合物を得ることができ、Ｒ’’としてアルキルラジカルを含有する化合物は、カルボン酸無水物との反応によって得ることができ、Ｒ’’がシアノ基を表す化合物は、示したＡｐｐｅｌ試薬との反応によって得ることができる。
【００６８】
スキーム５
【化１６】
2013541539.tif 000024
【００６９】
本発明による式（Ｉ）の化合物の骨格を調製する方法の共通の特徴は、１つ以上のアミノ基と１つ以上のカルボニルまたはカルボキシル官能基との１つ以上の縮合反応を使用して、ヘテロ環式環を形成することである。
【００７０】
示した反応の後に、例えば（ヘテロ）アリール置換基を導入するためのさらなる反応ステップが、有機金属カップリング反応によって、例えば鈴木、薗頭、Ｓｔｉｌｌｅ、Ｈｅｃｋ反応（選択肢はこれに制限されない）によって行われる。
【００７１】
次に、任意の追加の置換基を導入するために、さらなる官能化ステップを行うことができる。その例は、ハロゲン化、好ましくはブロム化、およびその後のカップリング反応、例えばＨａｒｔｗｉｇ−Ｂｕｃｈｗａｌｄカップリング、Ｓｔｉｌｌｅカップリングおよび／または薗頭カップリングである。
【００７２】
示した合成方法は、本発明による化合物の骨格を調製する方法の好ましい態様を表す。当業者であれば、有機合成分野の専門知識の範囲内で代替の合成経路を開発し、それらの経路を、本発明の化合物を合成するために用いることができる。
【００７３】
したがって本発明は、１つ以上のアミノ基と１つ以上のカルボニルまたはカルボキシル官能基との１つ以上の縮合反応によって、ヘテロ環式環を形成することを含む、式（Ｉ）の化合物の調製方法に関する。
【００７４】
本発明はさらに、式（Ｉ）の少なくとも１つの化合物および少なくとも１つの溶媒、好ましくは有機溶媒を含む調製物に関する。ここで、有機エレクトロルミネッセントデバイスの製造方法で通常使用されているあらゆる有機溶媒を使用することができる。
【００７５】
本発明はさらに、式（Ｉ）の少なくとも１つの化合物および少なくとも１つのさらなる有機または無機化合物を含む混合物に関する。式（Ｉ）の少なくとも１つの化合物および少なくとも１つの有機または無機アルカリ金属化合物を含む混合物が好ましい。
【００７６】
さらに、少なくとも１つのマトリックス化合物および少なくとも１つのエミッタ化合物を含む混合物が好ましく、この場合、マトリックス化合物またはエミッタ化合物のいずれかを表す式（Ｉ）の少なくとも１つの化合物が存在しなければならない。特に、式（Ｉ）の少なくとも１つの化合物および少なくとも１つのリン光エミッタ化合物を含む混合物が好ましい。
【００７７】
本発明の式（Ｉ）の化合物は、電子デバイス、特に有機エレクトロルミネッセントデバイス（ＯＬＥＤ）において使用するのに適している。前述の好ましい化合物も、好ましくはＯＬＥＤにおいて使用される。化合物は、その置換に応じて異なる機能および層で用いられるが、好ましくは電子輸送材料、正孔阻止材料、マトリックス材料および／またはエミッタ材料として用いられる。特に、電子輸送材料および／またはマトリックス材料として使用することが好ましい。化合物の好ましい使用は、特に、式（Ｉ）の置換基Ｒ1およびＲ2の選択に応じて決まる。さらに、本発明の化合物の特定の態様は、電子輸送材料、ならびに正孔阻止材料、マトリックス材料およびエミッタ材料の両方として適していることに留意されたい。
【００７８】
したがって、本発明はさらに、電子デバイス、好ましくは有機エレクトロルミネッセントデバイスにおいて本発明の式（Ｉ）の化合物を使用することに関する。
【００７９】
本発明の好ましい一態様では、式（Ｉ）の化合物は、電子輸送材料として、好ましくは電子輸送層において用いられる。
【００８０】
この場合、好ましくは、式（Ｉ）の化合物は、さらなる電子輸送材料と組み合わせて用いられてもよい。本発明の化合物と組み合わせて用いることができる、特に適切な電子輸送材料は、例えば以下の表の１つに示されている電子輸送材料、またはＹ．Ｓｈｉｒｏｔａら、Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．２００７年、１０７（４）、９５３〜１０１０頁に開示されている材料である。
【００８１】
式（Ｉ）の化合物および前述の電子輸送材料の１つが、混合物で存在する場合、式（Ｉ）の化合物対電子輸送材料の比は、各場合、体積に基づいて、好ましくは２０：８０〜８０：２０、特に好ましくは３０：７０〜７０：３０、特に非常に好ましくは３０：７０〜５０：５０である。
【００８２】
式（Ｉ）の化合物が有機エレクトロルミネッセントデバイスにおいて電子輸送材料として用いられる場合、該化合物は、本発明に従って、有機または無機アルカリ金属化合物と組み合わせて用いることができる。ここで「有機アルカリ金属化合物との組合せ」は、式（Ｉ）の化合物およびアルカリ金属化合物が、混合物の形態で１つの層にあるか、または別個に２つの連続層にあるかのいずれかであることを意味する。本発明の好ましい一態様では、式（Ｉ）の化合物および有機アルカリ金属化合物は、混合物の形態で１つの層にある。
【００８３】
有機アルカリ金属化合物は、本発明の意味では、少なくとも１つのアルカリ金属、すなわちリチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウムまたはセシウムを含有し、さらに少なくとも１つの有機リガンドを含有する化合物を意味すると解釈されるものとする。適切な有機アルカリ金属化合物は、例えばＷＯ０７／０５０３０１、ＷＯ０７／０５０３３４およびＥＰ１１４４５４３に開示されている化合物である。これらの特許文書は、参照によって本願に組み込まれる。
【００８４】
式（Ｉ）の化合物および有機または無機アルカリ金属化合物が混合物である場合、式（Ｉ）の化合物対有機アルカリ金属化合物の比は、各場合、体積に基づいて、好ましくは１０：９０〜９０：１０、特に好ましくは２０：８０〜８０：２０、特に非常に好ましくは３０：７０〜５０：５０、特に３０：７０〜４５：５５である。したがって、有機アルカリ金属化合物は、特に好ましくは、式（Ｉ）の化合物よりも高い割合で存在する。
【００８５】
本発明のさらに好ましい一態様では、本発明の化合物は、正孔阻止材料として用いられる。正孔阻止材料としての使用は、好ましくは、正孔阻止層において、特にリン光ＯＬＥＤの正孔阻止層において行われる。正孔阻止層は、本発明の意味では、発光層と電子輸送層の間に配置される層である。
【００８６】
本発明のさらに好ましい一態様では、式（Ｉ）の化合物は、発光層において、蛍光エミッタのためのマトリックス材料として用いられる。マトリックス材料として使用するのに特に適したものは、例えば複数のアリールまたはヘテロアリール基を化合物の骨格上に縮合することによって拡張された芳香族またはヘテロ芳香族系を有する式（Ｉ）の化合物である。またマトリックス材料として使用するのに特に適したものは、縮合アリールまたはヘテロアリール基を置換基として含有する式（Ｉ）の化合物である。
【００８７】
マトリックスおよびエミッタを含む系におけるマトリックス材料は、その系においてより高い割合で存在する構成成分を意味すると解釈される。マトリックス材料および複数のエミッタ材料を含む系では、マトリックス材料は、混合物における割合が最も高い構成成分を意味すると解釈される。
【００８８】
発光層における式（Ｉ）のマトリックス材料の割合は、５０．０〜９９．９体積％、好ましくは８０．０〜９９．５体積％、特に好ましくは９０．０〜９９．０体積％である。それに応じて、エミッタ材料の割合は、０．１〜５０．０体積％、好ましくは０．５〜２０．０体積％、特に好ましくは１．０〜１０．０体積％である。
【００８９】
本発明の化合物が蛍光エミッタのためのマトリックス材料として用いられる場合、使用されるエミッタ化合物は、電子デバイスにおいて当業者によって通常用いられる化合物であり得る。本発明の好ましい蛍光エミッタ材料を、以下のセクションの１つで言及する。
【００９０】
さらに好ましくは、式（Ｉ）の化合物は、発光層において、さらなるマトリックス材料と組み合わせて、マトリックス材料として用いられてもよい。本発明の化合物と組み合わせて用いることができる、特に適切なマトリックス材料は、オリゴアリーレン（例えば、ＥＰ６７６４６１による２，２’，７，７’−テトラフェニルスピロビフルオレンまたはジナフチルアントラセン）、特に縮合芳香族基を含有するオリゴアリーレン、オリゴアリーレンビニレン（例えば、ＥＰ６７６４６１によるＤＰＶＢｉまたはスピロ−ＤＰＶＢｉ）またはベンゾアントラセン（例えばＷＯ０８／１４５２３９による）のクラスから選択される。特に、ナフタレン、アントラセン、ベンゾアントラセンおよび／もしくはピレンを含むオリゴアリーレンのクラスから選択される化合物、またはこれらの化合物のアトロプ異性体が好ましい。オリゴアリーレンは、本発明の意味では、少なくとも３つのアリールまたはアリーレン基が互いに結合している化合物を意味すると解釈されるものとする。
【００９１】
本発明の化合物と組み合わせるのに適したマトリックス材料は、例えば、以下の表の１つの好ましいマトリックス材料として示されている化合物、ならびにＷＯ０４／０１８５８７、ＷＯ０８／００６４４９、ＵＳ５９３５７２１、ＵＳ２００５／０１８１２３２、ＪＰ２０００／２７３０５６、ＥＰ６８１０１９、ＵＳ２００４／０２４７９３７およびＵＳ２００５／０２１１９５８に開示されている化合物である。
【００９２】
式（Ｉ）の化合物および前述のマトリックス化合物の１つが混合物である場合、式（Ｉ）の化合物対マトリックス化合物の比は、各場合、体積に基づいて、好ましくは２０：８０〜８０：２０、特に好ましくは３０：７０〜７０：３０、特に非常に好ましくは３０：７０〜５０：５０、特に３０：７０〜４５：５５である。したがって、前述のマトリックス化合物の１つは、特に好ましくは、式（Ｉ）の化合物よりも高い割合で存在する。
【００９３】
本発明のさらなる一態様では、本発明の化合物は、リン光エミッタのためのマトリックス材料として使用される。
【００９４】
この場合、好ましくは同様に、式（Ｉ）の化合物は、発光層において、さらなるマトリックス材料と組み合わせて用いられてもよい。本発明の化合物と組み合わせて用いることができる、特に適切なマトリックス材料は、例えばＷＯ０４／０１３０８０、ＷＯ０４／０９３２０７、ＷＯ０６／００５６２７または出願番号ＷＯ１０／００６６８０による、芳香族ケトン、芳香族ホスフィンオキシド、または芳香族スルホキシドもしくはスルホン、ＷＯ０５／０３９２４６、ＵＳ２００５／００６９７２９、ＪＰ２００４／２８８３８１、ＥＰ１２０５５２７またはＷＯ０８／０８６８５１に開示されている、トリアリールアミン、カルバゾール誘導体、例えばＣＢＰ（Ｎ，Ｎ−ビスカルバゾリルビフェニル）またはカルバゾール誘導体、例えばＷＯ０７／０６３７５４またはＷＯ０８／０５６７４６によるインドロカルバゾール誘導体、例えばＥＰ１６１７７１０、ＥＰ１６１７７１１、ＥＰ１７３１５８４、ＪＰ２００５／３４７１６０によるアザカルバゾール誘導体、例えばＷＯ０７／１３７７２５による二極性マトリックス材料、例えばＷＯ０５／１１１１７２によるシラン、例えばＷＯ０６／１１７０５２によるアザボロールまたはボロン酸エステル、例えばＷＯ２０１０／０１５３０６、ＷＯ０７／０６３７５４またはＷＯ０８／０５６７４６によるトリアジン誘導体、例えばＥＰ６５２２７３またはＷＯ０９／０６２５７８による亜鉛錯体、例えば出願番号ＷＯ１０／０５４７２９によるジアザシロールまたはテトラアザシロール誘導体、例えば出願番号ＷＯ１０／０５４７３０によるジアザホスホール誘導体、例えばＷＯ２０１０／１３６１０９によるインデノカルバゾール誘導体、あるいは例えばＷＯ２０１１／０４２１０７による架橋されたカルバゾール誘導体である。
【００９５】
適切なリン光の化合物（＝三重項エミッタ）は、特に、好ましくは可視領域において適切な励起状態で発光し、さらに、原子数が２０を超え、好ましくは３８を超え８４未満、特に好ましくは５６を超え８０未満である少なくとも１つの原子を含有する化合物である。この目的では、好ましくは、銅、モリブデン、タングステン、レニウム、ルテニウム、オスミウム、ロジウム、イリジウム、パラジウム、白金、銀、金またはユウロピウムを含有する化合物、特にイリジウム、白金または銅を含有する化合物が使用される。
【００９６】
前述のエミッタの例は、出願番号ＷＯ００／７０６５５、ＷＯ０１／４１５１２、ＷＯ０２／０２７１４、ＷＯ０２／１５６４５、ＥＰ１１９１６１３、ＥＰ１１９１６１２、ＥＰ１１９１６１４、ＷＯ０５／０３３２４４、ＷＯ０５／０１９３７３およびＵＳ２００５／０２５８７４２によって明らかになる。一般に、従来技術に従ってリン光ＯＬＥＤのために使用され、有機エレクトロルミネッセントデバイスの領域の技術者に公知のあらゆるリン光錯体が適している。当業者であれば、本発明のステップなしに、さらなるリン光錯体を使用することができる。
【００９７】
本発明のさらなる一態様では、式（Ｉ）の化合物は、発光層において、発光材料として用いられる。エミッタ材料として使用するのに特に適したものは、例えば複数のアリールまたはヘテロアリール基を化合物の骨格上に縮合することによって拡張された芳香族またはヘテロ芳香族系を有する式（Ｉ）の化合物である。またマトリックス材料として使用するのに特に適したものは、縮合アリールもしくはヘテロアリール基、またはアリールアミノ基を置換基として含有する式（Ｉ）の化合物である。本発明の化合物は、好ましくは、緑色または青色エミッタとして使用される。本発明の化合物がエミッタ材料として使用される場合、本発明の化合物は、好ましくは、発光層において１つ以上のマトリックス材料との混合物で用いられる。本発明の好ましいマトリックス材料を、以下のセクションで言及する。
【００９８】
発光層の混合物におけるエミッタとしての式（Ｉ）の化合物の割合は、これらの場合、０．１〜５０．０体積％、好ましくは０．５〜２０．０体積％、特に好ましくは１．０〜１０．０体積％である。それに応じて、マトリックス材料の割合は、５０．０〜９９．９体積％、好ましくは８０．０〜９９．５体積％、特に好ましくは９０．０〜９９．０体積％である。
【００９９】
本発明はまたさらに、式（Ｉ）の少なくとも１つの化合物を含む電子デバイスに関する。ここで電子デバイスは、好ましくは前述のデバイスから選択される。特に、発光層、電子輸送層または別の層であってもよい少なくとも１つの有機層が、式（Ｉ）の少なくとも１つの化合物を含むことを特徴とする、陽極、陰極および少なくとも１つの発光層を含む有機エレクトロルミネッセントデバイスが好ましい。
【０１００】
電子デバイスは、好ましくは、有機エレクトロルミネッセントデバイス（ＯＬＥＤ）、有機集積回路（Ｏ−ＩＣ）、有機電界効果トランジスタ（Ｏ−ＦＥＴ）、有機薄膜トランジスタ（Ｏ−ＴＦＴ）、有機発光トランジスタ（Ｏ−ＬＥＴ）、有機太陽電池（Ｏ−ＳＣ）、有機光学検出器、有機光受容体、有機電場消光デバイス（Ｏ−ＦＱＤ）、発光電気化学セル（ＬＥＣまたはＯＬＥＣ）、有機レーザーダイオード（Ｏ−レーザー）および「有機プラズモン発光デバイス」（Ｄ．Ｍ．Ｋｏｌｌｅｒら、Ｎａｔｕｒｅ  Ｐｈｏｔｏｎｉｃｓ  ２００８年、１〜４頁）からなる群から選択されるが、好ましくは有機エレクトロルミネッセントデバイス（ＯＬＥＤ）である。
【０１０１】
本発明の有機エレクトロルミネッセントデバイスは、陰極、陽極および少なくとも１つの発光層を含む。これらの層とは別に、このデバイスは、さらなる層、例えば１つ以上の正孔注入層、正孔輸送層、正孔阻止層、電子輸送層、電子注入層、励起子阻止層および／または電荷発生層を含んでいてもよい。同様に、例えば励起子阻止機能を有する中間層を、２つの発光層の間に導入することが可能である。しかし、これらの層のそれぞれは、必ずしも存在しているとは限らないことに注目されたい。ここで、有機エレクトロルミネッセントデバイスは、１つの発光層を含んでいてもよく、または複数の発光層を含んでいてもよい。複数の発光層が存在する場合、これらは、全体で好ましくは３８０ｎｍ〜７５０ｎｍの複数の発光極大を有し、それによって全体で白色発光をもたらし、すなわち蛍光またはリン光を発することができる様々な発光性化合物が、発光層において使用される。特に、青色、緑色および橙色または赤色発光を示す３つの発光層を有する系が好ましい（基本構造については、例えばＷＯ２００５／０１１０１３を参照）。
【０１０２】
前述の態様によれば、本発明の化合物は、前述の様々な層の１つ以上において用いることができる。ここで前述の通り、存在する置換基の電気的特性は重要である。
【０１０３】
本発明の化合物の１つ以上を、電子輸送材料、正孔阻止材料および／またはマトリックス材料および／またはエミッタ材料として含む電子デバイスが好ましい。
【０１０４】
好ましくは本発明の電子デバイスにおけるそれぞれの機能のために用いられる材料を、以下に言及する。
【０１０５】
式（Ｉ）の化合物に加えて、好ましい蛍光エミッタ材料は、アリールアミンのクラスから選択される。アリールアミンまたは芳香族アミンは、本発明の意味では、窒素に直接結合している３つの置換または無置換の芳香族またはヘテロ芳香族環系を含有する化合物を意味すると解釈される。これらの芳香族またはヘテロ芳香族環系の少なくとも１つは、特に好ましくは少なくとも１４個の芳香族環原子を有する、好ましくは縮合環系である。その好ましい例は、芳香族アントラセンアミン、芳香族アントラセンジアミン、芳香族ピレンアミン、芳香族ピレンジアミン、芳香族クリセンアミンまたは芳香族クリセンジアミンである。芳香族アントラセンアミンは、１つのジアリールアミノ基が、アントラセン基に、好ましくは９位において直接結合している化合物を意味すると解釈される。芳香族アントラセンジアミンは、２つのジアリールアミノ基が、アントラセン基に、好ましくは９，１０位において直接結合している化合物を意味すると解釈される。芳香族ピレンアミン、ピレンジアミン、クリセンアミンおよびクリセンジアミンは、それと同様に定義され、そのジアリールアミノ基は、好ましくは１位または１，６位において結合している。さらに好ましいエミッタ材料は、例えばＷＯ０６／１２２６３０によるインデノフルオレンアミンまたはインデノフルオレンジアミン、例えばＷＯ０８／００６４４９によるベンゾインデノフルオレンアミンまたはベンゾインデノフルオレンジアミン、および例えばＷＯ０７／１４０８４７によるジベンゾインデノフルオレンアミンまたはジベンゾインデノフルオレンジアミンから選択される。スチリルアミンのクラスのエミッタ材料の例は、置換もしくは無置換のトリスチルベンアミン、またはＷＯ０６／０００３８８、ＷＯ０６／０５８７３７、ＷＯ０６／０００３８９、ＷＯ０７／０６５５４９およびＷＯ０７／１１５６１０に記載のエミッタ材料である。さらに、ＷＯ２０１０／０１２３２８に開示されている縮合炭化水素が好ましい。
【０１０６】
適切な蛍光エミッタ材料は、さらに、以下の表に図示した構造であり、これらの構造の誘導体は、ＪＰ０６／００１９７３、ＷＯ０４／０４７４９９、ＷＯ０６／０９８０８０、ＷＯ０７／０６５６７８、ＵＳ２００５／０２６０４４２およびＷＯ０４／０９２１１１に開示されている。
【化１７−１】
2013541539.tif 000025
【化１７−２】
2013541539.tif 000026
【化１７−３】
2013541539.tif 000027
【化１７−４】
2013541539.tif 000028
【化１７−５】
2013541539.tif 000029
【化１７−６】
2013541539.tif 000030
【化１７−７】
2013541539.tif 000031
【０１０７】
本発明の電子デバイスにおける適切なマトリックス材料は、様々なクラスの物質に由来する材料である。好ましいマトリックス材料は、オリゴアリーレン（例えば、ＥＰ６７６４６１による２，２’，７，７’−テトラフェニルスピロビフルオレンまたはジナフチルアントラセン）、特に縮合芳香族基を含有するオリゴアリーレン、オリゴアリーレンビニレン（例えば、ＥＰ６７６４６１によるＤＰＶＢｉまたはスピロ−ＤＰＶＢｉ）、多座（polypodal）金属錯体（例えばＷＯ０４／０８１０１７による）、正孔伝導性化合物（例えばＷＯ０４／０５８９１１による）、電導性化合物、特にケトン、ホスフィンオキシド、スルホキシド等（例えばＷＯ０５／０８４０８１およびＷＯ０５／０８４０８２による）、アトロプ異性体（例えばＷＯ０６／０４８２６８による）、ボロン酸誘導体（例えばＷＯ０６／１１７０５２による）、またはベンゾアントラセン（例えばＷＯ０８／１４５２３９による）のクラスから選択される。さらに、適切なマトリックス材料は、本発明の化合物でもある。適切なマトリックス材料はまた、ナフタレン、アントラセン、ベンゾアントラセンおよび／もしくはピレンを含む化合物、またはこれらの化合物のアトロプ異性体、オリゴアリーレンビニレン、ケトン、ホスフィンオキシドおよびスルホキシドである。特に非常に好ましいマトリックス材料は、アントラセン、ベンゾアントラセン、ベンゾフェナントレンおよび／もしくはピレンを含むオリゴアリーレンのクラス、またはこれらの化合物のアトロプ異性体から選択される。オリゴアリーレンは、本発明の意味では、少なくとも３つのアリールまたはアリーレン基が互いに結合している化合物を意味すると解釈されるものとする。
【０１０８】
適切なマトリックス材料は、例えば、以下の表に図示した材料、ならびにＷＯ０４／０１８５８７、ＷＯ０８／００６４４９、ＵＳ５９３５７２１、ＵＳ２００５／０１８１２３２、ＪＰ２０００／２７３０５６、ＥＰ６８１０１９、ＵＳ２００４／０２４７９３７およびＵＳ２００５／０２１１９５８に開示されているこれらの材料の誘導体である。
【化１８−１】
2013541539.tif 000032
【化１８−２】
2013541539.tif 000033
【化１８−３】
2013541539.tif 000034
【０１０９】
本発明の有機エレクトロルミネッセントデバイスの正孔注入または正孔輸送層において使用することができる適切な電荷輸送材料は、例えば、Ｙ．Ｓｈｉｒｏｔａら、Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．２００７年、１０７（４）、９５３〜１０１０頁に開示されている化合物、または従来技術に従ってこれらの層において用いられる他の材料である。
【０１１０】
本発明のエレクトロルミネッセントデバイスの正孔輸送または正孔注入層において使用することができる好ましい正孔輸送材料の例は、インデノフルオレンアミンおよび誘導体（例えばＷＯ０６／１２２６３０またはＷＯ０６／１００８９６による）、ＥＰ１６６１８８８に開示されているアミン誘導体、ヘキサアザトリフェニレン誘導体（例えばＷＯ０１／０４９８０６による）、縮合芳香族環を含有するアミン誘導体（例えば、ＵＳ５，０６１，５６９による）、ＷＯ９５／０９１４７に開示されているアミン誘導体、モノベンゾインデノフルオレンアミン（例えばＷＯ０８／００６４４９による）、またはジベンゾインデノフルオレンアミン（例えばＷＯ０７／１４０８４７による）である。さらに適切な正孔輸送および正孔注入材料は、ＪＰ２００１／２２６３３１、ＥＰ６７６４６１、ＥＰ６５０９５５、ＷＯ０１／０４９８０６、ＵＳ４７８０５３６、ＷＯ９８／３００７１、ＥＰ８９１１２１、ＥＰ１６６１８８８、ＪＰ２００６／２５３４４５、ＥＰ６５０９５５、ＷＯ０６／０７３０５４およびＵＳ５０６１５６９に開示されている化合物である。
【０１１１】
適切な正孔輸送または正孔注入材料は、さらに、例えば以下の表に示されている材料である。
【化１９−１】
2013541539.tif 000035
【化１９−２】
2013541539.tif 000036
【化１９−３】
2013541539.tif 000037
【０１１２】
有機エレクトロルミネッセントデバイスの陰極は、好ましくは様々な金属、例えばアルカリ土類金属、アルカリ金属、主族金属またはランタノイド（例えば、Ｃａ、Ｂａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｍｇ、Ｙｂ、Ｓｍ等）を含む、低い仕事関数を有する金属、金属合金または多層構造を含む。また、アルカリ金属またはアルカリ土類金属および銀を含む合金、例えばマグネシウムおよび銀を含む合金が適している。多層構造の場合、相対的に高い仕事関数を有するさらなる金属、例えばＡｇまたはＡｌを、前記金属に加えて使用することもでき、この場合、金属の組合せ、例えばＣａ／ＡｇまたはＢａ／Ａｇが一般に使用される。好ましくは、金属性の陰極と有機半導体の間に、高い比誘電率を有する材料の薄い中間層が導入されていてもよい。この目的では、例えば、アルカリ金属フッ化物またはアルカリ土類金属フッ化物が適しているが、対応する酸化物または炭酸塩（例えば、ＬｉＦ、Ｌｉ2Ｏ、ＢａＦ2、ＭｇＯ、ＮａＦ、ＣｓＦ、Ｃｓ2ＣＯ3等）も適している。この層の層厚さは、好ましくは０．５〜５ｎｍである。
【０１１３】
陽極は、好ましくは高い仕事関数を有する材料を含む。陽極は、好ましくは、真空に対して４．５ｅＶを超える仕事関数を有する。一方では、この目的では、高い酸化還元電位を有する金属、例えばＡｇ、ＰｔまたはＡｕが適している。他方では、金属／金属酸化物電極（例えば、Ａｌ／Ｎｉ／ＮｉＯx、Ａｌ／ＰｔＯx）も好ましい。いくつかの適用では、電極の少なくとも１つは、有機材料の照射（Ｏ−ＳＣ）または光のカップリングアウト（ＯＬＥＤ、Ｏ−レーザー）のいずれかを容易にするために、透明または部分的に透明でなければならない。ここで好ましい陽極材料は、伝導性の混合金属酸化物である。特に、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）または酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）が好ましい。さらに、伝導性のドープされた有機材料、特に伝導性のドープされたポリマーが好ましい。
【０１１４】
本発明のデバイスの寿命は、水および／または空気の存在下では短くなるので、デバイスは、適切に（用途に応じて）構造化され、接点を提供され、最後に封止される。
【０１１５】
さらに、１つ以上の層が昇華法を用いてコーティングされることを特徴とする、本発明の化合物の１つ以上を含む有機エレクトロルミネッセントデバイスが好ましく、その材料は、真空昇華ユニット内で、初期圧力１０-5ｍｂａｒ未満、好ましくは１０-6ｍｂａｒ未満で蒸着することによって適用される。しかし、初期圧力はそれより低くてもよく、例えば１０-7ｍｂａｒ未満であってもよいことに留意されたい。
【０１１６】
同様に、１つ以上の層がＯＶＰＤ（有機気相堆積）法を用いて、またはキャリアガス昇華を利用してコーティングされることを特徴とする、本発明の化合物の１つ以上を含む有機エレクトロルミネッセントデバイスが好ましく、その材料は、１０-5ｍｂａｒ〜１ｂａｒの圧力で適用される。この方法の特殊な場合が、ＯＶＪＰ（有機気相ジェット印刷）法であり、この場合、材料は、ノズルを介して直接適用され、そのように構造化される（例えば、Ｍ．Ｓ．Ａｒｎｏｌｄら、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．２００８年、９２、０５３３０１頁）。
【０１１７】
さらに、１つ以上の層が、例えばスピンコーティングによって、または任意の所望の印刷方法、例えばスクリーン印刷、フレキソ印刷もしくはオフセット印刷、特に好ましくはＬＩＴＩ（光誘発性の赤外線画像、熱転写印刷）もしくはインクジェット印刷を用いることによって溶液から生成されることを特徴とする有機エレクトロルミネッセントデバイスが好ましい。この目的では、式（Ｉ）の可溶性化合物が必要である。高い可溶性は、例えば長鎖アルキル基またはオリゴフェニル基によって化合物を適切に置換することによって達成され得る。
【０１１８】
有機エレクトロルミネッセントデバイスはまた、溶液から１つ以上の層を適用し、１つ以上の他の層を蒸着により適用することによって、ハイブリッド系として製造することができる。したがって、例えば、溶液から、式（Ｉ）の化合物およびリン光エミッタ化合物を含む発光層を適用し、これに真空蒸着によって正孔阻止層および／または電子輸送層を適用することが可能である。同様に、真空蒸着によって式（Ｉ）の化合物およびリン光エミッタ化合物を含む発光層を適用し、溶液から１つ以上の他の層を適用することが可能である。あるいはまたはさらに、例えば溶液から発光層を適用し、これに真空蒸着によって、式（Ｉ）の化合物を任意選択により有機アルカリ金属化合物と組み合わせて含む電子輸送層を適用することも可能である。
【０１１９】
これらの方法は、一般に当業者に公知であり、当業者によって本発明のステップなしに、式（Ｉ）の化合物を含む有機エレクトロルミネッセントデバイスに適用され得る。
【０１２０】
式（Ｉ）の１つ以上の化合物を含む有機エレクトロルミネッセントデバイスは、ディスプレイにおいて、照明用途における光源として、ならびに医療および／または化粧適用（例えば、光線療法）における光源として、本発明に従って用いることができる。
【０１２１】
本発明の化合物は、以下の有利な特性の１つ以上によって区別される：
１．本発明の化合物は、高い電荷キャリア移動度を有する。移動度は、好ましくは１０-4Ｖｓ／ｃｍ2を超え、特に好ましくは１０-3Ｖｓ／ｃｍ2を超える値である。高い電荷キャリア移動度は、特に電子輸送材料および／または正孔阻止材料として使用するのにかなり望ましい。高い電荷キャリア移動度は、電子デバイスの高い電力効率の値をもたらす。
【０１２２】
２．本発明の化合物は、高い安定性を有する。したがってこの化合物は、分解なしに昇華することができ、このことは、高純度が達成され得ることを意味する。化合物の高い安定性は、化合物を含む電子デバイスの寿命および動作データに対して有利な効果を有する。
【０１２３】
３．本発明の化合物は、高いガラス遷移温度を有する。このことは、材料のフィルム形成特性に対して有利な効果を有し、したがって化合物を含む本発明のデバイスの安定性および性能データに対して有利な効果を有する。
【０１２４】
ここで本発明を、以下の例によって、本発明を制限することなくより詳細に説明する。当業者であれば、一般的な専門知識および本願の開示内容を使用して、式（Ｉ）のさらなる化合物を合成し、それらの化合物を電子デバイスにおいて用いることができる。
【０１２５】
［使用例］
合成例１：４−［４−（１０−フェニルアントラセン−９−イル）フェニル］−６，７，１１ｂ−トリアザベンゾ［ｃ］フルオレン
第１ステップ
【化２０】
2013541539.tif 000038
【０１２６】
最初に、水４０００ｍｌおよびｏ−フェニレンジアミン６４８．０ｇ（６．０ｍｏｌ）を、機械的撹拌機、内部温度計、滴下漏斗および還流冷却器を備えた６ｌの四つ口フラスコに導入する。室温で出発して、塩化シアン３６９ｇ（６．３ｍｏｌ）を、冷却浴（アセトン／ドライアイス）中、撹拌しながら１５分かけて滴下漏斗から滴下添加すると、その間に、反応混合物の温度は、内部温度約６５℃に上昇する。その後、４５％水酸化ナトリウム溶液５５０ｇを使用してｐＨを約９に調節し、混合物を、冷却浴中で撹拌しながら１５℃に冷却する。固体を濾別し、氷水ですすぎ、２−アミノベンゾイミダゾールを乾燥させる。収量：７５０ｇ（９４％）
第２ステップ
【化２１】
2013541539.tif 000039
【０１２７】
Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド５００ｍｌ中２−アミノベンゾイミダゾール（２２ｇ、１６０ｍｍｏｌ）および２，６−ジブロモ安息香酸（４４．８ｇ、１６０ｍｍｏｌ）を、保護ガス注入口、還流冷却器および機械的撹拌機を備えた２ｌの四つ口フラスコ内で、無水炭酸カリウム（２７ｇ、１５６ｍｍｏｌ）とウルマン銅０．８ｇおよびヨウ化カリウム０．０１ｇと共に、還流状態で５時間撹拌する。冷却した後、反応混合物を水で希釈し、１０％塩酸を使用してｐＨ１に調節する。沈殿物を吸引によって濾別し、水で洗浄し、次にＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミドから再結晶化させる。収量：３６．２ｇ（９３％）。
【０１２８】
第３ステップ
【化２２】
2013541539.tif 000040
【０１２９】
ＮａＢＨ4５ｇ（１３２ｍｍｏｌ）を、機械的撹拌機および保護ガス注入口を備えた４ｌの四つ口フラスコ内で、ケトン７８．５ｇ（２５０ｍｍｏｌ）のエタノール２０００ｍｌ溶液に添加し、室温で撹拌する。反応混合物を還流状態で１５分間加熱し、室温に冷却する。溶媒の体積を、３分の１未満に減少させ、混合物を１０ｌの洗浄フラスコに移し、沈殿物が溶解するまで十分な水（約５０００ｍｌ）を添加し、混合物を、合計４０００ｍｌのジクロロメタンで５回抽出する。混合有機相を、水で２回洗浄し、硫酸ナトリウムを使用して乾燥させ、真空中で溶媒を除去して、粗生成物であるアルコールを定量的収量で得る。このアルコールをトルエン１５００ｍｌに溶解し、２〜５重量％のｐ−トルエンスルホン酸を添加した後、水分離器内で、窒素雰囲気下において３０分間加熱する。冷却した後、混合物を飽和ＮａＨＣＯ3溶液で２回洗浄し、水で１回洗浄し、硫酸ナトリウムを使用して乾燥させる。ロータリーエバポレーター内で溶媒を除去し、残渣を真空蒸留することによって、所望の生成物を得る。収量：５９．６ｇ（８０％）
第４ステップ
【化２３】
2013541539.tif 000041
【０１３０】
最初に、第３ステップからの生成物（１１０．３ｇ、０．３７ｍｏｌ）、ボロン酸エステル（１８７．１ｇ、０．４１ｍｏｌ、ＭｉｇｕｅｌＡｎｇｅｌ  Ｃｈｅｍから購入）およびリン酸カリウム（１６５．５ｇ、７．８０ｍｏｌ）を、フラスコに導入する。その後、トルエン１０００ｍｌ、水１０００ｍｌおよびジオキサン４１５ｍｌを添加する。混合物を、アルゴンに通過させることによって、撹拌しながら３０分間かけて脱気する。次に、ホスフィン（６．８ｇ、２２．２８ｍｍｏｌ）を添加し、混合物を簡単に撹拌し、次に酢酸パラジウム（ＩＩ）（８３３ｍｇ、３．７１ｍｍｏｌ）を添加する。その後、混合物を還流状態で２４時間加熱する（油浴１２０℃）。冷却した後、氷酢酸／エタノール１：１（１２００ｍｌ）を添加する。沈殿した固体を吸引によって濾別し、トルエン約２５０ｍｌで２回、水／エタノール混合物（１：１比）約４５０ｍｌで２回、最後にエタノール５５０ｍｌで２回すすぐ。固体を、ソックスレー抽出器内で７２時間、トルエン３ｌに抽出し、脱気したアセトニトリルおよび脱気したジクロロメチル中、還流状態で撹拌することによって洗浄する。生成物を、４×１０-6ｍｂａｒおよび約３３０℃で昇華する。ＨＰＬＣによる純度は、９９．９％より高い。収量：１１１ｇ（５５％）；Ｔｇ（ＤＳＣ）＝１６１℃。
【０１３１】
合成例２：７，９−ジフェナントレン−９−イル−４ｂ，１０，１１−トリアザベンゾ［ｂ］フルオレン
第１ステップ
【化２４】
2013541539.tif 000042
【０１３２】
酢酸エチル１３０ｍｌ中チオホスゲン（２．３ｍｌ、３０ｍｍｏｌ）の混合物を、磁気撹拌機、内部温度計、滴下漏斗および保護ガス通路（pass-over）を備えた５００ｍｌの四つ口フラスコ内で、−７８℃に冷却し、酢酸エチル８０ｍｌ中トリエチルアミン（８．４ｍｌ、６０ｍｍｏｌ）の混合物を、激しく撹拌しながら３０分かけて滴下添加する。さらに１０分経過した後、メチル３，５−ジブロモ−２−アミノベンゾエート（８．４ｇ、２７．３ｍｍｏｌ）の酢酸エチル８０ｍｌ溶液を、３０分かけて反応混合物に添加し、混合物を室温で１２時間撹拌する。反応混合物を、酢酸エチル１００ｍｌで希釈し、水および飽和ＮａＣｌ溶液で逐次的に洗浄し、ＭｇＳＯ4で乾燥させる。溶媒を蒸留する。カラムクロマトグラフィー（溶離液：ヘキサン／トルエン９：１）によって、所望のアリールイソチオシアン酸エステルを得る。収量：８．７ｇ（９１％）
第２ステップ
【化２５】
2013541539.tif 000043
【０１３３】
ジクロロメタン８００ｍｌ中アリールイソチオシアン酸エステル（５４．４ｇ、１５５ｍｍｏｌ）を、ｏ−フェニレンジアミン（１７．６ｇ、１６３ｍｍｏｌ）のジクロロメタン（８００ｍｌ）溶液に３０分かけて滴下添加し、混合物を終夜撹拌する。次に、ジイソプロピルカルボジイミド（ＤＩＣ、６９．１ｍｌ、４６５ｍｍｏｌ）を添加し、混合物を１８時間撹拌する。溶媒を除去し、残渣をジクロロメタン／ヘキサン中で再結晶化させる。固体（約６０％ベンゾイミダゾールエステルおよび４０％ベンゾイミダゾキナゾリンの混合物）を、ジオキサンに溶解し、各場合において部分的に、マイクロ波反応器において封止反応容器中、水酸化バリウム（合計２５０ｇ、８１５ｍｍｏｌ）と一緒に１６０℃で２６分間かけて継続的に加熱する。形成された固体を、ＮＨ4Ｃｌ水溶液、水、ジオキサン、ジクロロメタンおよび酢酸エチルで逐次的に洗浄する。収量：５８．５ｇ（９６％）
第３ステップ
【化２６】
2013541539.tif 000044
【０１３４】
ＮａＢＨ4５ｇ（１３２ｍｍｏｌ）を、機械的撹拌機および保護ガス注入口を備えた４リットルの四つ口フラスコ内で、ケトン７８．５ｇ（２５０ｍｍｏｌ）のエタノール２０００ｍｌ溶液に添加し、室温で撹拌する。反応混合物を、１５分間還流させ、静置して室温に冷却する。溶媒の体積を、３分の１未満に減少させ、混合物を１０リットルの洗浄フラスコに移し、沈殿物が溶解するまで十分な水（約５０００ｍｌ）を添加し、混合物を、合計４０００ｍｌのジクロロメタンで５回抽出する。混合有機相を、水で２回洗浄し、硫酸ナトリウムを使用して乾燥させ、真空中で溶媒を除去して、粗生成物であるアルコールを定量的収量で得る。このアルコールをトルエン１５００ｍｌに溶解し、２〜５重量％のｐ−トルエンスルホン酸を添加した後、水分離器内で、窒素雰囲気下において３０分間加熱する。冷却した後、混合物を飽和ＮａＨＣＯ3溶液で２回洗浄し、水で１回洗浄し、硫酸ナトリウムを使用して乾燥させる。ロータリーエバポレーター内で溶媒を除去し、残渣を真空蒸留することによって、所望の生成物を得る。収量：５９．６ｇ（８０％）
第４ステップ
【化２７】
2013541539.tif 000045
【０１３５】
最初に、臭化物（１３９．５ｇ、０．３７ｍｏｌ）、ボロン酸エステル（１５３．８ｇ、０．８０ｍｏｌ）およびリン酸カリウム（１６５．５ｇ、７．８０ｍｏｌ）を導入し、次にトルエン１０００ｍｌ、水１０００ｍｌおよびジオキサン４１５ｍｌを添加する。混合物を、アルゴンに通過させることによって、撹拌しながら３０分間かけて脱気する。次に、ホスフィン（６．８ｇ、２２．２８ｍｍｏｌ）を添加し、混合物を簡単に撹拌し、次に酢酸パラジウム（ＩＩ）（８３３ｍｇ、３．７１ｍｍｏｌ）を添加する。その後、混合物を還流状態で２４時間加熱する（油浴１２０℃）。冷却した後、氷酢酸／エタノール１：１（１２００ｍｌ）を添加する。沈殿した固体を吸引によって濾別し、トルエン約２５０ｍｌで２回、水／エタノール混合物（１：１比）約４５０ｍｌで２回、最後にエタノール５５０ｍｌで２回すすぐ。固体を、ソックスレー抽出器内で７２時間、トルエン３ｌに抽出し、脱気したアセトニトリルおよび脱気したジクロロメチル中、還流状態で撹拌することによって洗浄する。次に、生成物を、ジオキサンから２回再結晶化させる。生成物を、２．５×１０-6ｍｂａｒおよび約３４０℃で昇華する。ＨＰＬＣによる純度は、９９．９％より高い。７，９−ジフェナントレン−９−イル−４ｂ，１０，１１−トリアザベンゾ［ｂ］フルオレン１１６ｇ（５５％）を、薄黄色固体として得る。Ｔｇ（ＤＳＣ）＝１４０℃。
【０１３６】
合成例３：１０−ベンゾ［４，５］イミダゾ［１，２−ｃ］キナゾリン−４−イル−１２，１２−ジメチル−１０，１２−ジヒドロ−１０−アザインデノ［２，１−ｂ］フルオレン
第１ステップ
【化２８】
2013541539.tif 000046
【０１３７】
ポリリン酸４００ｍｌ中３−ブロモアントラニル酸（２−アミノ−３−ブロモ安息香酸、４３．２ｇ、０．２ｍｏｌ）およびｏ−フェニレンジアミン（２１．６ｇ、０．２ｍｏｌ）を、機械的撹拌機、内部温度計および還流冷却器を備えた４ｌの四つ口フラスコ内で撹拌しながら、４〜５時間かけて２５０℃で加熱する。次に、反応混合物を１００℃に冷却し、激しく撹拌しながら氷水２０００ｍｌを入れ、５０％ＮａＯＨ溶液を使用してｐＨを８〜９に調節する。形成された沈殿物を濾別し、中性になるまで水で洗浄し、エタノール／水混合物（１：１）から再結晶化させる。収量：１９ｇ（３３％）
第２ステップ
【化２９】
2013541539.tif 000047
【０１３８】
オルトギ酸トリエチル１００ｍｌおよびＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡＣ）１００ｍｌ中２−（２−アミノ−３−ブロモフェニル）ベンゾイミダゾール（５７．６ｇ、２００ｍｍｏｌ）を、保護ガス注入口、還流冷却器および機械的撹拌機を備えた５００ｍｌの四つ口フラスコ内で、還流状態で４時間撹拌する。冷却した後、形成された沈殿物を吸引によって濾別し、次にクロロホルム／水（１：１）から再結晶化させる。収量：５１．８ｇ（８７％）。
【０１３９】
第３ステップ
【化３０】
2013541539.tif 000048
【０１４０】
臭化物４１．４ｇ（１３８ｍｍｏｌ）、１２，１２−ジメチル−１０，１２−ジヒドロ−１０−アザインデノ［２，１−ｂ］フルオレン３７．５ｇ（１３２ｍｍｏｌ）およびリン酸カリウム（８４．２ｇ、３９６ｍｍｏｌ）を、ｏ−キシレン７５０ｍｏｌに溶解し、保護ガス注入口、還流冷却器および機械的撹拌機を備えた５００ｍｌの四つ口フラスコ内で脱気する。次に、２−（ジシクロヘキシルホスフィノ）−２’，６’−メトキシビフェニル（Ｓ−Ｐｈｏｓ、Ａｌｄｒｉｃｈ）１．０８ｇおよび酢酸パラジウム３００ｍｇ（１．３ｍｍｏｌ）を添加し、混合物を還流状態で１２時間加熱する。混合物を冷却し、水１ｌに注ぎ、有機相をＭｇＳＯ4で乾燥させる。溶媒を除去し、残渣を、ジオキサンから２回再結晶化させ、ソックスレー抽出器内においてトルエンで１回抽出する。生成物を、２×１０-6ｍｂａｒおよび約３５０℃で昇華して、１０−ベンゾ［４，５］イミダゾ［１，２−ｃ］キナゾリン−４−イル−１２，１２−ジメチル−１０，１２−ジヒドロ−１０−アザインデノ［２，１−ｂ］フルオレン２５．６ｇ（３９％）を黄色固体として得る。ＨＰＬＣによる純度は、９９．９％より高い。Ｔｇ（ＤＳＣ）＝１４２℃。
【０１４１】
デバイス例：ＯＬＥＤの製造
本発明のＯＬＥＤおよび従来技術のＯＬＥＤを、一般的な方法によってＷＯ０４／０５８９１１に従って製造し、それを本明細書に記載の環境（層の厚さの変動、使用した材料）に適応させる。
【０１４２】
様々なＯＬＥＤの結果を、以下の例１〜１４に提示する（表１および２参照）。厚さ１５０ｎｍの構造化されたＩＴＯ（酸化インジウムスズ）でコーティングしたガラスプレートを、処理を改善するために２０ｎｍのＰＥＤＯＴ（ポリ（３，４−エチレンジオキシ−２，５−チオフェン、Ｈ．Ｃ．Ｓｔａｒｃｋ、Ｇｏｓｌａｒ、ドイツから購入、スピンコーティングによって水から適用）でコーティングする。これらのコーティングしたガラスプレートは、ＯＬＥＤが適用される基板を形成する。ＯＬＥＤは、主に以下の層構造を有している：基板／正孔輸送層（ＨＴＬ）／任意選択の中間層（ＩＬ）／電子阻止層（ＥＢＬ）／発光層（ＥＭＬ）／任意選択の正孔阻止層（ＨＢＬ）／電子輸送層（ＥＴＬ）／任意選択の電子注入層（ＥＩＬ）および最後に陰極。陰極は、厚さ１００ｎｍのアルミニウム層によって形成される。ＯＬＥＤの正確な構造を、表１に示す。ＯＬＥＤの製造に使用した材料を、表３に示す。
【０１４３】
すべての材料を、真空チャンバー内で熱蒸着によって適用する。ここで発光層は、通常、少なくとも１つのマトリックス材料（ホスト材料）および発光性ドーパント（エミッタ）からなり、この発光性ドーパントには、１つ以上のマトリックス材料が、特定の体積割合で同時蒸発によって混合される。ここで、例えばＨ１：ＳＥＢ１（９５％：５％）という表現は、材料Ｈ１が９５体積％の割合で層中に存在し、ＳＥＢ１が５体積％の割合で層中に存在することを意味する。電子輸送層も同様に、２つの材料の混合物からなっていてもよい。
【０１４４】
ＯＬＥＤは、標準の方法によって特徴付けられる。この目的では、エレクトロルミネッセンススペクトル、電流効率（ｃｄ／Ａで測定）、電力効率（ｌｍ／Ｗで測定）および光束密度の関数としての外部量子効率（ＥＱＥ、パーセントで測定）を、電流／電圧／輝度の特徴線（ＩＵＬの特徴線）から算出し、寿命を決定する。寿命は、光束密度が、特定の初期光束密度Ｉ0から特定の割合まで低下するのにかかる時間と定義される。ＬＤ５０という表現は、与えられた寿命が、光束密度が０．５×Ｉ0まで（５０％まで）低下する、すなわち、例えば６０００ｃｄ／ｍ2から３０００ｃｄ／ｍ2まで低下するのにかかる時間であることを意味する。
【０１４５】
本発明の化合物は、中でも、リン光ドーパントのためのマトリックス材料（ホスト材料）として用いることができる。ここで、本発明の化合物Ｈ２を使用する。従来技術で使用されている比較化合物は、化合物Ｈ３である。本発明の化合物を使用すると、より高い効率およびより長い寿命が得られ（例１２〜１４）、特に本発明の電子伝導体と組み合わせると、動作電圧が低くなる（ＥＴＭ２、例１４）。
【０１４６】
本化合物は、さらに、蛍光デバイスにおける電子伝導体として適している。青色発光ドーパントＳＥＢ−１、ならびに本発明の化合物ＥＴＭ２およびＥＴＭ３を含むＯＬＥＤを示す。ＯＬＥＤの結果を、表２にまとめる。例１〜３は、従来技術の材料を含むＯＬＥＤを示しており、比較例として働く。本発明のＯＬＥＤ６〜１１は、本発明の化合物ＥＴＭ２およびＥＴＭ３の使用による利点を示している。本発明の電荷輸送材料が使用されるデバイスは、より低い動作電圧およびより長い寿命を示す。
【表１】
2013541539.tif 000049
【表２】
2013541539.tif 000050
【表３−１】
2013541539.tif 000051
【表３−２】
2013541539.tif 000052
【国際調査報告】
2013541539.tif 000064
2013541539.tif 000065
2013541539.tif 000066
2013541539.tif 000067
2013541539.tif 000068
2013541539.tif 000069
2013541539.tif 000070
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