(57)【要約】【課題】視認性に優れた透明導電性フィルム及びその製造方法について開示する。【解決手段】本発明にかかる視認性に優れた透明導電性フィルムは、透明フィルム；前記透明フィルム上に形成されるアンダーコーティング層；及び前記アンダーコーティング層上に形成される導電層；を含み、前記アンダーコーティング層は前記導電層下部に屈折率が１．４〜１．４６の物質で形成される第１低屈折層と、前記第１低屈折層と前記透明フィルム間に屈折率が１．７〜２．０のシリコン酸窒化物（Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｏｘｙｎｉｔｒｉｄｅ）で形成される高屈折層を備えることを特徴とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明フィルム；
前記透明フィルム上に形成されるアンダーコーティング層；及び
前記アンダーコーティング層上に形成される導電層；を含み、
前記アンダーコーティング層は、前記導電層下部に屈折率が１．４〜１．４６の物質で形成される第１低屈折層と、前記第１低屈折層と前記透明フィルム間に屈折率が１．７〜２．０のシリコン酸窒化物（Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｏｘｙｎｉｔｒｉｄｅ）で形成される高屈折層を備えることを特徴とする透明導電性フィルム。
【請求項２】
前記シリコン酸窒化物は、窒素のモル比率が酸素のモル比率よりさらに大きいことを特徴とする請求項１に記載の透明導電性フィルム。
【請求項３】
前記第１低屈折層は、シリコン酸化物（ＳｉＯ２）で形成されることを特徴とする請求項１に記載の透明導電性フィルム。
【請求項４】
前記アンダーコーティング層は、１０〜１００ｎｍの厚さで形成されることを特徴とする請求項１に記載の透明導電性フィルム。
【請求項５】
前記アンダーコーティング層は、前記高屈折層と前記透明フィルム間に屈折率が１．４〜１．４６の物質で形成される第２低屈折層をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の透明導電性フィルム。
【請求項６】
前記第２低屈折層は、１〜４０ｎｍの厚さで形成されることを特徴とする請求項５に記載の透明導電性フィルム。
【請求項７】
前記透明フィルムは、ＰＥＴ（ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ  ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ）、ＰＥＮ（ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅｎａｐｈｔｈａｌａｔｅ）、ＰＥＳ（ｐｏｌｙｅｔｈｅｒｓｕｌｆｏｎｅ）、ＰＣ（Ｐｏｌｙ
ｃａｒｂｏｎａｔｅ）、ＰＰ（ｐｏｌｙ ｐｒｏｐｙｌｅｎｅ）及びノルボルネン系樹脂中の１種以上からなる単一または積層フィルムであることを特徴とする請求項１に記載の透明導電性フィルム。
【請求項８】
前記導電層は、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）又はＦＴＯ（Ｆｌｕｏｒｉｎｅ−ｄｏｐｅｄ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）で形成されることを特徴とする請求項１に記載の透明導電性フィルム。
【請求項９】
前記透明導電性フィルムは、前記透明フィルムの片面または両面に形成されるハードコート層をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の透明導電性フィルム。
【請求項１０】
透明フィルム上に屈折率が１．７〜２．０間のシリコン酸窒化物で高屈折層を形成すること；
前記高屈折層上に屈折率が１．４〜１．４６の物質で第１低屈折層を形成すること；
前記第１低屈折層上に導電層を形成すること；を含み、
前記高屈折層及び前記第１低屈折層は、スパッタリング又はイオンプレーティング方法で形成することを特徴とする透明導電性フィルムの製造方法。
【請求項１１】
前記高屈折層は、シリコンターゲット（Ｓｉ  ｔａｒｇｅｔ）を用いて、反応ガスとして酸素（Ｏ２）及び窒素（Ｎ２）を用いる直流電源反応性スパッタリング方法で形成するが、
前記窒素の分圧が前記酸素の分圧より高いことを特徴とする請求項１０に記載の透明導電性フィルムの製造方法。
【請求項１２】
前記第１低屈折層は、ＳｉＯ２ターゲットを用いた直流電源反応性スパッタリング方法で形成することを特徴とする請求項１０に記載の透明導電性フィルムの製造方法。
【請求項１３】
前記高屈折層と第１低屈折層は、合計１０〜１００ｎｍの厚さに形成することを特徴とする請求項１０に記載の透明導電性フィルムの製造方法。
【請求項１４】
前記高屈折層を形成する前に、前記透明フィルム上に屈折率が１．４〜１．４６の物質で第２低屈折層をさらに形成することを特徴とする請求項１０に記載の透明導電性フィルムの製造方法。
【請求項１５】
前記第２低屈折層は、１〜４０ｎｍの厚さに形成することを特徴とする請求項１４に記載の透明導電性フィルムの製造方法。
【請求項１６】
前記導電層は、ＩＴＯターゲットを用いた直流電源反応性スパッタリング方法で形成することを特徴とする請求項１０に記載の透明導電性フィルムの製造方法。
【請求項１７】
前記透明フィルムの片面または両面にハードコート層をさらに形成することを特徴とする請求項１０に記載の透明導電性フィルムの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、投写型静電容量方式のタッチパネル等に使用される透明導電性フィルムに関するものであり、より詳しくは、視認性（ｖｉｓｉｂｉｌｉｔｙ）に優れた透明導電性フィルム及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
透明電極フィルムは、タッチパネルの製造時に最も重要な部品の一つである。このような透明電極フィルムとして現在まで最も広く使用されているものは、全光線透過率が８５％以上で表面抵抗が４００Ω／ｓｑｕａｒｅ以下のインジウムスズ酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ：ＩＴＯ）フィルムである。
【０００３】
一般的な透明電極フィルムは、透明な高分子フィルムに、表面平坦性と耐熱性を備えるためのプライマーコーティング（ｐｒｉｍｅｒ  ｃｏａｔｉｎｇ）処理を施した後、ハードコーティング処理したものを基材フィルム（ｂａｓｅ  ｆｉｌｍ）として使用する。
【０００４】
この基材フィルム上に、透明アンダーコーティング（ｕｎｄｅｒ  ｃｏａｔｉｎｇ）層を湿式コーティング（ｗｅｔ  ｃｏａｔｉｎｇ）や真空スパッタリング方法で形成した後、ＩＴＯのような透明導電層をスパッタ方式で形成した。
【０００５】
一方、近年、静電容量方式のタッチパネルの使用が増加すると共に、微小定電流を防止するための表面抵抗２００Ω／ｓｑｕａｒｅ未満の低抵抗の具現と透明電導膜パターンの
視認性の改善が要求されている。
【０００６】
パターンになった透明導電層の視認性の改善は、透明導電層とその透明導電層がエッチングされた部分の反射率の差を減らさなければ達成できなく、そのために従来は透明導電層下部に適正な屈折率を有するアンダーコーティング層を備えて視認性を改善しようとした。
【０００７】
アンダーコーティング層を備える透明導電性フィルムの代表的な例として、透明電導層と透明フィルム間に屈折率１．７のシリコンスズ酸化物（Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）と屈折率１．４のシリコン酸化物（ＳｉＯ２）からなる透明アンダーコーティング層を備える構造を有する透明導電性フィルムが提示されている。
【０００８】
アンダーコーティング層を備える透明導電性フィルムのまた別の例として、屈折率２．３のインジウム酸化物−セリウム酸化物−スズ酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｏｘｉｄｅ−Ｃｅｒｉｕｍ  Ｏｘｉｄｅ−Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）からなる複合酸化物と、屈折率１．４のシリコン酸化物（ＳｉＯ２）からなる透明アンダーコーティング層を備える構造を有する透明導電性フィルムが提示されている。
しかし、上記の透明導電性フィルムは、視認性改善の効果が満足いくものではなく、また、アンダーコーティング層の原材料の需給に困難がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００３−１０９４３４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明の目的は、アンダーコーティング層を形成する物質を変えて視認性を向上させることができる透明導電性フィルムを提供するものである。
【００１１】
本発明の他の目的は、低コストの工程費用で視認性を向上させることができる透明導電性フィルムの製造方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
前記の一目的を達成するための本発明の実施例にかかる視認性に優れた透明導電性フィルムは、透明フィルム；前記透明フィルム上に形成されるアンダーコーティング層；及び前記アンダーコーティング層上に形成される導電層；を含み、前記アンダーコーティング層は前記導電層下部に屈折率が１．４〜１．４６の物質で形成される第１低屈折層と、前記第１低屈折層と前記透明フィルム間に屈折率が１．７〜２．０のシリコン酸窒化物（Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｏｘｙｎｉｔｒｉｄｅ）で形成される高屈折層を備えることを特徴とする。
【００１３】
前記の他の目的を達成するための本発明の実施例にかかる視認性に優れた透明導電性フィルムの製造方法は、透明フィルム上に屈折率が１．７〜２．０間のシリコン酸窒化物で高屈折層を形成すること；前記高屈折層上に屈折率が１．４〜１．４６の物質で第１低屈折層を形成すること；前記第１低屈折層上に導電層を形成すること；を含み、前記高屈折層及び前記第１低屈折層は、スパッタリング又はイオンプレーティング方法で形成することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
本発明にかかる視認性に優れた透明導電性フィルムは、アンダーコーティング層に含まれる高屈折層を、屈折率が１．７〜２．０間のシリコン酸窒化物（Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｏｘｙｎｉｔｒｉｄｅ）で形成することにより、全光線透過率及び視認性を向上させることができるという長所がある。
【００１５】
また、本発明にかかる視認性に優れた透明導電性フィルムは、高価な金属ではない相対的に低価なシリコン、シリコン酸化物等をアンダーコーティング層原料物質として利用することにより、工程費用を節減できるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の実施例にかかる視認性に優れた透明導電性フィルムの断面を概略的に示したものである。
【図２】本発明の他の実施例にかかる視認性に優れた透明導電性フィルムの断面を概略的に示したものである。
【図３】本発明のまた別の実施例にかかる視認性に優れた透明導電性フィルムの断面を概略的に示したものである。
【図４】本発明の実施例にかかる視認性に優れた透明導電性フィルムの製造方法を概略的に示したものである。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
本発明の利点及び特徴、そしてそれらを達成する方法は、添付の図面と共に詳しく後述してある実施例を参照すると明確になる。しかし、本発明は以下で開示する実施例に限定されるのではなく、相違する多様な形態で具現でき、但し、本実施例は本発明の開示が完全になるようにし、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者に発明の範疇を完全に知らせるために提供するものであり、本発明は請求項の範疇によって定義されるだけである。
【００１８】
明細書全体に亘って同一参照符号は同一構成要素を指す。
【００１９】
以下、添付の図面を参照して本発明にかかる視認性に優れた透明電導性フィルム及びその製造方法に関して詳しく説明する。
【００２０】
図１は、本発明の実施例にかかる視認性に優れた透明導電性フィルムの断面を概略的に示したものである。
【００２１】
図１を参照すると、図示した透明導電性フィルムは、透明フィルム１１０、アンダーコーティング層１２０、及び導電層１３０を含む。
【００２２】
透明フィルム１１０は、透明性と強度に優れたフィルムを用いることができる。このような透明フィルム１１０の材質としては、ＰＥＴ（ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ  ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ）、ＰＥＮ（ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅｎａｐｈｔｈａｌａｔｅ）、ＰＥＳ（ｐｏｌｙｅｔｈｅｒｓｕｌｆｏｎｅ）、ＰＣ（Ｐｏｌｙ
ｃａｒｂｏｎａｔｅ）、ＰＰ（ｐｏｌｙ ｐｒｏｐｙｌｅｎｅ）、ノルボルネン系樹脂等が提示でき、これらが単独で或いは２種以上混合されていてもよい。また、透明フィルム１１０は、単一フィルムの形態または積層フィルムの形態になり得る。
【００２３】
アンダーコーティング層１２０は、透明フィルム１１０と導電層１３０間の絶縁特性及び透過度を向上させる役割をする。
【００２４】
本発明においてアンダーコーティング層１２０は、屈折率が相違する２つ以上の層で形成される。より具体的には、アンダーコーティング層１２０は屈折率が１．４〜１．４６の物質で形成される低屈折層１２１（以下、第１低屈折層とする）と、屈折率が１．７〜２．０の高屈折層１２２を備える。
【００２５】
導電層１３０の屈折率が約１．９〜２．０としたとき、反射率を減らすために各層間の屈折率の差が大きすぎたり小さすぎても良くなく、第１低屈折層１２１が導電層１３０に隣接するように形成され、高屈折層１２２が第１低屈折層１２１と透明フィルム１１０間に形成されることが好ましい。
【００２６】
このとき本発明では、高屈折層１２２としてシリコン酸窒化物（Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｏｘｙｎｉｔｒｉｄｅ）を用いた結果、屈折率が１．７〜２．０間に調節でき、透明電導性フィルムの全体的な視認性及び全光線透過率が向上した。
【００２７】
このときシリコン酸窒化物は、窒素（Ｎ）のモル比率が酸素（Ｏ）のモル比率よりも更に高いことが好ましい。窒素のモル比率が酸素のモル比率よりも更に高いと屈折率が上昇し、これにより視認性効果の上昇が目に見えて表れた。
【００２８】
一方、第１低屈折層１２１は、屈折率が１．４のシリコン酸化物（ＳｉＯ２）で形成できる。
【００２９】
アンダーコーティング層１２０は、第１低屈折層１２１及び高屈折層１２２の合計厚さが１０〜１００ｎｍで形成されることが好ましい。アンダーコーティング層１２０の厚さが１００ｎｍを超えると、膜応力がひどくなりクラックが発生し得、全光線透過率が低下し得る。逆に、アンダーコーティング層１２０の厚さが１０ｎｍ未満に非常に薄く形成されると、透過率及び視認性の向上効果が不十分だという問題点がある。
【００３０】
導電層１３０は、アンダーコーティング層１２０上に形成される。
【００３１】
このような導電層１３０は、透明性と導電性に優れたＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ
Ｏｘｉｄｅ）、ＦＴＯ（Ｆｌｕｏｒｉｎｅ−ｄｏｐｅｄ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）等で形成できる。
【００３２】
図２は、本発明の他の実施例にかかる視認性に優れた透明導電性フィルムの断面を概略的に示したものである。
【００３３】
図２を参照すると、図示した透明導電性フィルムは、透明フィルム１１０、アンダーコーティング層１２０及び導電層１３０を含み、アンダーコーティング層１２０が第１低屈折層１２１、高屈折層１２２及び第２低屈折層１２３を含む。
【００３４】
図２において、透明フィルム１１０、アンダーコーティング層１２０の第１低屈折層１２１と高屈折層１２２、及び導電層１３０は、図１で示したものと同一なため、詳細な説明は省略する。
【００３５】
アンダーコーティング層１２０に更に備えられる第２低屈折層１２３は、高屈折層１２２と透明フィルム１１０間に形成される。
【００３６】
このような第２低屈折層１２３は、高屈折層１２２と透明フィルム１１０の反射率の差を減らし、全光線透過率を高めて視認性をより向上させる役割をし、透明フィルム１１０と高屈折層間の水分とオリゴマー等の透過を防ぐ役割をする。
【００３７】
第２低屈折層１２３もやはり、第１低屈折層１２１と同様にＳｉＯ２のような屈折率が１．４〜１．４６の物質で形成できる。
【００３８】
第２低屈折層１２３の厚さは特に限定はないが、４０ｎｍ以下、例えば１〜４０ｎｍの厚さに形成されることが好ましい。第２低屈折層１２３が４０ｎｍを超えて形成されると、それ以上の視認性等の効果の上昇はなく工程費用だけが嵩み得るためである。
【００３９】
図３は、本発明のまた別の実施例にかかる視認性に優れた透明導電性フィルムの断面を概略的に示したものである。
【００４０】
図３を参照すると、図示した透明導電性フィルムは、透明フィルム１１０、アンダーコーティング層１２０、導電層１３０及びハードコート層１４０を含む。
【００４１】
図３において、透明フィルム１１０、アンダーコーティング層１２０及び導電層１３０は、図１に示したものと同一なため、詳細な説明は省略する。
【００４２】
図３では、透明フィルム１１０の下部にハードコート層１４０がさらに形成されている。ハードコート層１４０は、表面硬度を向上させる役割をし、アクリル系化合物等、ハードコーティングの形成のために利用されるものであれば制限なく利用できる。
【００４３】
ハードコート層１４０は、図３でのように透明フィルム１１０の片面だけに形成できるが、透明フィルム１１０の両面に形成することもできる。
【００４４】
図４は、本発明の実施例にかかる視認性に優れた透明導電性フィルムの製造方法を概略的に示したものである。
【００４５】
図４を参照すると、図示した透明導電性フィルムの製造方法は、高屈折層形成段階（Ｓ４１０）、第１低屈折層形成段階（Ｓ４２０）及び導電層形成段階（Ｓ４３０）を含む。
【００４６】
また、図４に示した透明導電性フィルムの製造方法は、図１に示した構造を有する透明導電性フィルムを形成するものであり、図４に示した透明導電性フィルムの製造方法を説明するにおいて、図１に示した各構成要素の図面符号を同様に使用する。
【００４７】
高屈折層形成段階（Ｓ４１０）では、スパッタリング（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）又はイオンプレーティング（ｉｏｎ
ｐｌａｔｉｎｇ）方法を用いて、透明フィルム１１０上に屈折率が１．７〜２．０間のシリコン酸窒化物（Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｏｘｙｎｉｔｒｉｄｅ）で高屈折層１２２を形成する。
【００４８】
より具体的には、高屈折層１２２はシリコンターゲット（Ｓｉ  ｔａｒｇｅｔ）を用いて、反応ガスとして酸素（Ｏ２）及び窒素（Ｎ２）を用いる直流電源反応性スパッタリング方法で形成できる。
【００４９】
このとき、窒素の分圧（Ｎ２）が前記酸素の分圧（Ｏ２）よりも高い方が、形成されるシリコン酸窒化物において窒素のモル比率を高めることができるため、全光線透過率及び視認性向上により好ましい。
【００５０】
第１低屈折層形成段階（Ｓ４２０）では、スパッタリング又はイオンプレーティング方法を用いて、高屈折層１２２上に屈折率が１．４〜１．４６の物質で第１低屈折層１２１を形成する。
【００５１】
より具体的には、第１低屈折層１２１はＳｉＯ２ターゲットを用いた直流電源反応性スパッタリング方法で形成できる。
【００５２】
このとき、前述のように、前記高屈折層１２２と第１低屈折層１２１は、合計１０〜１００ｎｍの厚さに形成することが好ましい。
【００５３】
導電層形成段階（Ｓ４３０）では、第１低屈折層１２１上にＩＴＯ又はＦＴＯで導電層１３０を形成する。より具体的には、導電層１３０はＩＴＯターゲットを用いた直流電源反応性スパッタリング方法で形成できる。
【００５４】
一方、図２に示したように、高屈折層１２２を形成する前に、透明フィルム１１０上に屈折率が１．４〜１．４６の物質（例えばＳｉＯ２）で第２低屈折層（図２の１２３）をさらに形成できる。前述の通り、第２低屈折層１２３は４０ｎｍ以下の厚さに形成することが好ましい。
【００５５】
また、図３に示したように、表面硬度の向上のために、透明フィルム１１０の片面或いは両面にアクリル系化合物等でハードコート層（図３の１４０）をさらに形成することができる。
【００５６】
ハードコート層１４０は、高屈折層１２２等が形成されない透明フィルム１１０の片面或いは両面に形成でき、高屈折層１２２等が形成された状態で透明フィルム１１０の下部面だけに形成できる。
【００５７】
上述のように、本発明にかかる視認性に優れた透明導電性フィルムは、透明フィルムと導電層間のアンダーコーティング層を、屈折率が１．４〜１．４６の低屈折層と屈折率が１．７〜２．０の高屈折層で形成するが、高屈折層をシリコン酸窒化物（Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｏｘｙｎｉｔｒｉｄｅ）で形成することにより優れた全光線透過率及び視認性を有することができる。よって、フィルム外観を向上させることができ、投写型静電容量方式のタッチパネル等に有用に活用できる。
【００５８】
また、アンダーコーティング層を、原材料の確保が容易なシリコン（Ｓｉ）、シリコン酸化物（ＳｉＯ２）等を用いたスパッタリング工程で形成できるため、透明導電性フィルムの製造コストを節減できる。
【００５９】
＜実験例−透明導電性フィルムの視認性評価＞
【００６０】
［実施例１］
アクリル系ハードコート層を両面に形成した１２５μｍ厚ＰＥＴフィルムの一面上にシリコン酸窒化物を反応性スパッタリング方式で成膜した。このとき、反応ガスの比率は窒素と酸素をそれぞれ６０％と４０％にしたところ、屈折率１．７１、厚さ４０ｎｍだった。続いて、反応性スパッタリング方式で屈折率１.４７のシリコン酸化物薄膜を２０ｎｍ厚に成膜して第１屈折層を形成し、その上に熱処理後の屈折率が１．９５のＩＴＯ層２０ｎｍを成膜して透明導電性フィルムを製作し、視認性評価を実施した。
【００６１】
［実施例２］
実施例１と同一なハードコーティングされたＰＥＴフィルム上に、窒素と酸素がそれぞれ８０％と２０％の反応性ガスを使用した厚さ３５ｎｍの高屈折層を形成し、残りの第１屈折層と導電層は実施例１と同一条件で導電性フィルムを製作し、視認性評価を実施した。
【００６２】
［実施例３］
実施例１と同一なハードコーティングされたＰＥＴフィルムと高屈折層間に、反応性スパッタリング方式で屈折率１．４のシリコン酸化物薄膜を２０ｎｍ厚に成膜して第２屈折層を更に形成したことを除いては、実施例１と同一条件で導電性フィルムを製作し、視認性評価を実施した。
【００６３】
［比較例１］
実施例１で高屈折層を省略して第１屈折層と導電層の二層膜構造に導電性フィルムを製作し、視認性評価を実施した。
【００６４】
［比較例２］
実施例１と同一なハードコーティングされたＰＥＴフィルムの一面上に高屈折層を形成するためのシリコン窒化物を反応性スパッタリング方式で成膜することを除いては、実施例１と同一条件で導電性フィルムを製作し、視認性評価を実施した。
【００６５】
［比較例３］
アクリル系ハードコート層を両面に形成した１２５μｍ厚ＰＥＴフィルムの一面上にシリコン酸窒化物を反応性スパッタリング方式で成膜した。このとき、反応ガスの比率は窒素と酸素をそれぞれ２０％と８０％にしたところ、屈折率１．７１、厚さは４０ｎｍだった。続いて、反応性スパッタリング方式で屈折率１．４７のシリコン酸化物薄膜を２０ｎｍ厚に成膜して第１屈折層を形成し、その上に熱処理後の屈折率が１．９５のＩＴＯ層２０ｎｍを成膜して透明導電性フィルムを製作し、視認性評価を実施した。
【００６６】
［比較例４］
比較例３と同一なハードコーティングされたＰＥＴフィルム上に、窒素と酸素がそれぞれ４０％と６０％の反応性ガスを使用した厚さ３５ｎｍの高屈折層を形成し、残りの第１屈折層と導電層は実施例１と同一条件で導電性フィルムを製作した。
【００６７】
［比較例５］
比較例３と同一なハードコーティングされたＰＥＴフィルム上に、窒素と酸素がそれぞれ５０％と５０％の反応性ガスを使用した厚さ３５ｎｍの高屈折層を形成し、残りの第１屈折層と導電層は実施例１と同一条件で導電性フィルムを製作した。
【００６８】
［比較例６］
実施例１と同一なハードコーティングされたＰＥＴフィルムと高屈折層間に、反応性スパッタリング方式で屈折率１．４のシリコン酸窒化物薄膜を４０ｎｍ厚に成膜して第２屈折層を形成したことを除いては、実施例１と同一条件で導電性フィルムを製作した。
【００６９】
［比較例７］
実施例１と同一なハードコーティングされたＰＥＴフィルムと高屈折層間に、反応性スパッタリング方式で屈折率が１．５のシリコン酸化物薄膜を４０ｎｍ厚に成膜して第２屈折層を形成したことを除いては、実施例１と同一条件で導電性フィルムを製作した。
【００７０】
［比較例８］
実施例１と同一なハードコーティングされたＰＥＴフィルムと高屈折層間に、反応性スパッタリング方式で屈折率１．４のシリコン酸化物薄膜を５０ｎｍ厚に成膜して第２屈折層を形成したことを除いては、実施例１と同一条件で導電性フィルムを製作した。
【００７１】
＜実験結果＞
下表１は、実施例及び比較例の透明導電性フィルムの全光線透過率と、ＩＴＯ層エッチングパターンの肉眼確認有無を評価した結果を示したものである。
【００７２】
【表１】
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【００７３】
実施例１の場合、１５０℃の温度で１時間処理した後、前記導電性フィルムの導電層だけ一部エッチングしてパターンを作り、パターン視認性を肉眼で評価した結果、肉眼でパターン有無が識別し難いレベルであることを確認し、実施例２もまた実施例１と同等なレベルの外観評価結果を得た。
【００７４】
また、前記表１を参照すると、アンダーコーティング層の高屈折層としてシリコン酸窒化物を適用した場合は視認性が優れ、特に、窒素分率が酸素分率よりも更に高い場合は全光線透過率が約２％程度向上したため、視認性改善効果が大きいことが分かる。
【００７５】
特に、第２屈折層が付加された実施例３の場合は、実施例１及び２よりも肉眼でのパターン有無が更に識別し難かったため、一定要件の第２屈折層を追加することにより透明導電性フィルムの視認性に優れることを確認した。
【００７６】
一方、比較例１のように導電性フィルムを製作して外観評価を行った結果、ＩＴＯパターンが肉眼で確実に区分できた。また、比較例２を通じて、シリコン酸窒化物ではないシリコン窒化物で高屈折層を形成する場合は、全光線透過率が低くなるという問題点が見付かった。
【００７７】
比較例３〜５は、実施例１〜２と異なり、全光線透過率が低下して視認性が普通であると測定されたことから、シリコン酸窒化物において窒素の分圧が酸素の分圧より高いか、シリコン酸窒化物において窒素のモル比率が高いほど、全光線透過率及び視認性向上により好ましいことが確認できた。
【００７８】
また、比較例６〜８のように第２屈折層を含む場合でも、シリコン酸化物で形成されなかったり、一定の屈折率及び一定の厚さの範囲から外れた場合であれば、導電性フィルムの外観評価において、ＩＴＯパターンが肉眼で確実に区分でき、視認性が不十分であることが分かった。
【００７９】
以上では、本発明の実施例を中心に説明したが、これは例示的なものに過ぎなく、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する技術者であれば、これにより多様な変形および均等な他実施例が可能だという点が理解できると考える。よって、本発明の真正な技術的保護範囲は、以下に記載する特許請求の範囲によって判断しなければならない。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【国際調査報告】
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