(57)【要約】視射角蒸着によるバルクヘテロジャンクション型有機太陽電池の製造方法。開示される方法は基板の法線に平行ではない入射蒸気流の軌跡に依存するため、薄膜のミクロスケールおよびナノスケールの柱状構造が基板上に成長しうる。少なくとも１つの追加の有機材料を該柱状構造上に蒸着することによりドナー−アクセプターヘテロジャンクションを形成する方法も開示される。
2013519215.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を前記基板の法線に平行ではない軌跡を有する入射蒸気流に露出することにより、前記基板上に少なくとも１つの有機材料を蒸着して、有機膜の一以上の柱状構造を含む少なくとも１つのバルクヘテロジャンクションを形成する工程を含む、有機太陽電池の製造方法。
【請求項２】
前記基板を前記入射蒸気流の軌跡の周りに回転させる工程をさらに含む、請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
前記軌跡の前記基板の法線に対する角度αは３０°〜７０°の範囲である、請求項１に記載の製造方法。
【請求項４】
前記基板を前記入射蒸気流の軌跡の周りに回転させる工程をさらに含み、前記回転時に前記角度αが変化する、請求項３に記載の製造方法。
【請求項５】
少なくとも１つの追加の有機材料を前記柱状構造上に蒸着して、ドナー−アクセプターヘテロジャンクションを形成する工程をさらに含む、請求項１に記載の製造方法。
【請求項６】
前記バルクヘテロジャンクション型有機太陽電池は、アノード、ドナー層、アクセプター、励起子ブロッキング層、およびカソードを含む、請求項５に記載の製造方法。
【請求項７】
前記ドナー層は基板の回転なしで蒸着される、請求項６に記載の製造方法。
【請求項８】
前記ドナー層はサブフタロシアニン（ＳｕｂＰｃ）、フタロシアニン銅（ＣｕＰｃ）、フタロシアニンクロロアルミニウム（ＣｌＡｌＰｃ）、フタロシアニンスズ（ＳｎＰｃ）、ペンタセン、テトラセン、ジインデノペリレン（ＤＩＰ）、およびスクアライン（ＳＱ）から選択される、請求項７に記載の製造方法。
【請求項９】
前記アクセプターおよび前記励起子ブロッキング層は基板を回転させながら蒸着される、請求項６に記載の製造方法。
【請求項１０】
前記アクセプターはＣ６０、Ｃ７０、３，４，９，１０−ペリレンテトラカルボン酸−ビス−ベンゾイミダゾール（ＰＴＣＢＩ）、およびヘキサデカフルオロフタロシアニン（Ｆ１６ＣｕＰｃ）から選択される、請求項６に記載の製造方法。
【請求項１１】
前記励起子ブロッキング層はバトクプロイン（ＢＣＰ）、バトフェナントロリン（ＢＰｈｅｎ）、３，４，９，１０−ペリレンテトラカルボン酸−ビス−ベンゾイミダゾール（ＰＴＣＢＩ）、１，３，５−トリス（Ｎ−フェニルベンゾイミダゾール−２−イル）ベンゼン（ＴＰＢｉ）、トリス（アセチルアセトナト）ルテニウム（ＩＩＩ）（ＲｕＡｃａｃａ３）、およびアルミニウム（ＩＩＩ）フェノレート（Ａｌｑ２  ＯＰＨ）から選択される、請求項６に記載の製造方法。
【請求項１２】
前記カソードは、金属代替物、非金属材料、またはＡｇ、Ａｕ、およびＡｌから選択される金属材料を含む、請求項６に記載の製造方法。
【請求項１３】
前記基板は、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化スズ（ＴＯ）、ガリウムインジウムスズ酸化物（ＧＩＴＯ）、酸化亜鉛（ＺＯ）、および亜鉛インジウムスズ酸化物（ＺＩＴＯ）から選択される導電性酸化物、ならびに、透明導電性ポリマーの少なくとも１つを含む、請求項１に記載の製造方法。
【請求項１４】
前記透明導電性ポリマーはポリアニリン（ＰＡＮＩ）を含む、請求項１３に記載の製造方法。
【請求項１５】
前記バルクヘテロジャンクション型有機太陽電池は
ＩＴＯ／ＣｕＰｃ／Ｃ６０／ＢＣＰ／Ａｌ；および
ＩＴＯ／ＣｌＡｌＰｃ／Ｃ６０／ＢＣＰ／Ａｌ
を含む、請求項６に記載の製造方法。
【請求項１６】
少なくとも１つの有機層は真空熱蒸発および／または有機気相蒸着によって蒸着される、請求項５に記載の製造方法。
【請求項１７】
有機層の少なくとも１つは２５〜１２００Åの範囲の厚さを有する、請求項１６に記載の製造方法。
【請求項１８】
前記アノードはＭｏＯｘを含む界面層を含む、請求項６に記載の製造方法。
【請求項１９】
少なくとも１つの有機材料を蒸着する前に前記基板上に等角バッファ層を蒸着する工程を含む、請求項１に記載の製造方法。
【請求項２０】
前記少なくとも１つの有機材料を蒸着した後、少なくとも１つの追加の材料を蒸着する工程をさらに含み、
前記少なくとも１つの追加の材料は基板に垂直な軌跡を有する入射蒸気流を用いて蒸着される、請求項１に記載の製造方法。
【請求項２１】
前記追加の材料および少なくとも１つの有機材料の蒸着は移動する基板上で起こる、請求項２０に記載の製造方法。
【請求項２２】
前記移動する基板はオープンリール式またはインライン式蒸着システム中にある、請求項２１に記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
関連出願の相互参照
本出願は、２００９年７月２７日に出願された米国仮特許出願第６１／２２８，８９６号；２００９年１２月１日に出願された米国仮特許出願第６１／２６５，６２６号；および２００９年１２月１日に出願された米国仮特許出願第６１／２６５，６４０号の優先権を主張する。これらの全ての出願の内容が本明細書に参照により組み込まれる。
【０００２】
連邦政府の委託研究に関する記載
本発明は、米国エネルギー省、国立再生可能エネルギー研究所により授与された契約Ｎｏ．ＤＥ−ＦＧ３６−０８ＧＯ１８０２２に基づく合衆国政府の支援でなされた。合衆国政府は、本発明について一定の権利を有する。
【０００３】
共同研究契約
特許請求の範囲に記載された発明は、大学−企業間共同研究契約の下記の一以上の当事者：ユニヴァシティ  オブ  ミシガンおよびグローバル  フォトニック  エネルギー  コーポレーションによって、該当事者を代表して、および／または該当事者に関連してなされた。この契約は、特許請求の範囲に記載された発明がなされた日以前に有効であり、特許請求の範囲に記載された発明は、この契約の範囲内で取り組まれた活動の結果としてなされたものである。
【０００４】
本開示の技術分野
本発明は、概して、視射角蒸着（ｇｌａｎｃｉｎｇ  ａｎｇｌｅ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）によるバルクヘテロジャンクション型有機太陽電池の製造方法に関する。より具体的には、斜方真空蒸着（ｏｂｌｉｑｕｅ  ａｎｇｌｅ  ｖａｃｕｕｍ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）（すなわち、蒸気流の軌跡が基板に平行ではない）によるバルクヘテロジャンクションのための有機薄膜の成長を目的とする。
【背景技術】
【０００５】
背景
光電子デバイスは、物質の光学的および電子的性質に基づき、電子的に電磁放射線を生
成もしくは検出する、または周囲の電磁放射線から電気を生成する。
【０００６】
感光性光電子デバイスは電磁放射線を電気に変換する。太陽電池は、光起電（ＰＶ）デバイスとも称され、特に発電に使用される感光性光電気デバイスの一種である。ＰＶデバイスは、太陽光以外の光源から電気エネルギーを発生させてもよく、電力消費負荷を駆動して例えば照明や熱を提供する目的、あるいは、電気回路、または、計算機、ラジオ、コンピュータ、遠隔モニターもしくはコミュニケーション装置のようなデバイスに電力を供給する目的で使用されうる。これらの発電への応用には、しばしば、太陽もしくは他の光源からの直接照明を利用できないときに作業を継続できるようにするため、または、特定の用途に要求されるＰＶデバイスの出力のバランスをとるために、電池や他のエネルギー蓄電デバイスの充電をも伴う。本明細書で使用される「抵抗負荷」との語は、電力消費または蓄電回路、デバイス、装置もしくはシステムを意味する。
【０００７】
他の種類の感光性光電子デバイスは光伝導性電池である。この機構において、信号検出回路は前記デバイスの抵抗を観測し、光の吸収による変化を検出する。
【０００８】
他の種類の感光性電子デバイスは光検出器である。操作時に、光検出器は、電磁放射線にさらされたときに発生する電流を測定し、かつ、印加バイアス電圧を有しうる電流検知回路と接合して使用される。本明細書に記載される「検知回路」は、バイアス電圧を光検出器に与えることができ、かつ、電磁放射線に対する光検出器の電子応答を測定することができる。
【０００９】
これらの３種類の感光性光電子デバイスは以下に定義される整流接合が存在するかどうかによって、また、そのデバイスがバイアスまたはバイアス電圧としても知られる外部印加電圧を用いて操作されるかどうかによって区別されうる。光伝導性電池は整流接合を有しておらず、通常はバイアスを用いて操作される。ＰＶデバイスは少なくも一つの整流接合を有しておりバイアスなしで操作される。光検出器は少なくとも一つの整流接合を有しているが必ずしもバイアスを用いて操作されるわけではない。原則として、太陽電池は回路、デバイスまたは装置に電力を供給するが、検出回路を制御するための信号もしくは電流、または検出回路からの情報出力を供給することはない。これに対し、光検出器や光伝導体は検出回路を制御するための信号もしくは電流、または検出回路からの情報出力を供給するが、回路、デバイスまたは装置に電力を供給することはない。
【００１０】
従来、感光性光電子デバイスは、多数の無機半導体、例えば、結晶質、多結晶質および非晶質のケイ素、ガリウムヒ素、テルル化カドミウムならびにその他で構成されてきた。本明細書において、「半導体」の語は、電荷キャリアが熱的または電磁的励起により誘起されるときに電気を通すことのできる物質を指す。「光伝導性」の語は、一般的に、電磁放射エネルギーが、吸収されることにより電荷キャリアの励起エネルギーに変換され、その結果、キャリアが物質中の電荷を伝導する、すなわち輸送することのできるというプロセスに関連する。「光伝導体」および「光伝導性材料」は、本明細書では、電磁放射線を吸収して電荷キャリアを生成する性質により選択される半導体材料を示すために用いられる。
【００１１】
ＰＶデバイスは、入射する太陽エネルギーを有用な電力に変換し得る効率によって特徴づけることができる。結晶質または非晶質ケイ素を用いるデバイスは、商業的応用において重要であり、２３％以上の効率を達成するものもある。しかしながら、効率的な結晶質ベースのデバイス、特に大きな表面積のものは、効率を損なう重大な欠陥を生ずることなく大きな結晶を製造する際の特有の問題のために、製造が困難であり高価である。一方、高効率の非晶質ケイ素デバイスは、未だ安定性の問題を有している。現状で市販されている非晶質ケイ素の電池は効率を４〜８％の間で安定させている。
【００１２】
ＰＶデバイスは、標準照明条件（すなわち、１０００Ｗ／ｍ２，ＡＭ１．５スペクトルの照明である標準試験条件（Ｓｔａｎｄａｒｄ  Ｔｅｓｔ  Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ））下で発電を最大にするように、すなわち、光電流×光起電力の発生を最大にするように最適化され得る。標準照明条件下のこのような電池の電力変換効率は以下の３つのパラメータに依存する：（１）ゼロバイアスでの電流、すなわち、短絡回路電流ＩＳＣ、アンペア単位、（２）開回路条件下での光起電力、すなわち、開放電圧ＶＯＣ、ボルト単位、および（３）曲線因子ｆｆ。
【００１３】
ＰＶデバイスは、負荷に接続されて光を照射されたときに光発生電流を生じる。無限負荷下で照射されたときに、ＰＶデバイスは可能な最大可能電圧、Ｖ開回路またはＶＯＣを生じる。電気的接続が短絡した状態で照射されたときに、ＰＶデバイスは、最大可能電流、Ｉ短路回路またはＩＳＣを生じる。実際に発電に用いる場合には、ＰＶデバイスは有限の抵抗負荷に接続され、電力出力は電流および電圧の積、Ｉ×Ｖで与えられる。ＰＶデバイスにより発生する最大総電力は、本質的に、積ＩＳＣ×ＶＯＣを超えることはできない。負荷値が最大の電力を引き出すように最適化された場合に、電流および電圧は、それぞれＩｍａｘおよびＶｍａｘの値を有する。
【００１４】
ＰＶデバイスの性能指数は曲線因子、ｆｆ、であり、次のように定義されている：
ｆｆ＝｛ＩｍａｘＶｍａｘ｝／｛ＩＳＣＶＯＣ｝        （１）
ここで、実用ではＩＳＣとＶＯＣとが同時に得られることはないため、ｆｆは常に１より小さい。とはいえ、ｆｆが１に近づくにつれて、デバイスは直列抵抗または内部抵抗がより小さくなり、したがって、デバイスは、最適条件下で、ＩＳＣおよびＶＯＣの積のより大きな割合を、負荷に与える。Ｐｉｎｃがデバイスに入射する電力である場合、デバイスの電力効率ηｐは、下記式によって計算することができる。
【００１５】
ηＰ＝ｆｆ＊（ＩＳＣ＊ＶＯＣ）／Ｐｉｎｃ
半導体の相当な体積を占める内部発生電場を生じるための通常の方法は、特に分子の量子エネルギー状態の分布に関して、適当に選択した導電性を有する材料の二層を並列することである。これらの二つの物質の界面は光起電性接合といわれる。従来の半導体理論では、ＰＶ接合形成のための物質は、一般的にｎ型またはｐ型であることを意味するとされている。ここで、ｎ型とはキャリア種の大部分が電子であることを意味する。このことは、比較的自由なエネルギー状態に多数の電子を有する物質であるとみなすことができる。ｐ型とはキャリア種の大部分が正孔であることを意味する。このような物質は、比較的自由なエネルギー状態に多数の正孔を有している。バックグラウンドの型（タイプ）、すなわち光発生型ではない大部分のキャリア濃度は、主として、欠陥または不純物による非意図的なドーピングに依存する。不純物の種類および濃度は、伝導帯の最小エネルギーと価電子帯の最大エネルギーとの間のギャップの範囲内の、フェルミエネルギーまたはフェルミレベルの値を決定する。フェルミエネルギーは占有確率が１／２に等しいエネルギーの値で示される、分子の量子エネルギー状態の統計的な占有を特徴づける。伝導帯の最小エネルギー近傍のフェルミエネルギーは電子が支配的なキャリアであることを示す。価電子帯の最大エネルギー近傍のフェルミエネルギーは正孔が支配的なキャリアであることを示す。したがって、フェルミエネルギーは従来の半導体の第一の特徴的な性質であり、プロトタイプのＰＶ接合はこれまでｐ−ｎ界面であった。
【００１６】
「整流」との語は、特に、界面が特徴的な非対称の伝導を有する、すなわち、界面が好ましくは一方向への電荷輸送を支援することを意味する。整流は、通常、適当に選択された物質間の接合で発生する内蔵電場に関係する。
【００１７】
従来の無機半導体ＰＶ電池は、内部電場を形成するためにｐ−ｎ接合を使用する。Ｔａｎｇ，Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ  Ｌｅｔｔ．４８，１８３（１９８６）によって報告されたような初期の有機薄膜電池は、従来の無機ＰＶ電池で使用されたものに類似するヘテロジャンクションを含む。しかし、現在では、ｐ−ｎ型接合の形成に加えて、ヘテロジャンクションのエネルギー準位オフセットも重要な役割を果たすことが認識されている。
【００１８】
有機Ｄ−Ａヘテロジャンクションでのエネルギー準位オフセットは、有機材料中の光発生プロセスの基本的な性質上、有機ＰＶデバイスの操作に重要であるとされている。有機材料の光励起において、局在化したフレンケル励起子または電荷移動励起子が発生する。電気的検出または電流発生が起こるためには、束縛された励起子がそれを構成する電子と正孔とに解離しなければならない。このようなプロセスは内蔵電場によって誘起され得るが、有機デバイス中で通常観察される電場（Ｆ〜１０６Ｖ／ｃｍ）での効率は低い。有機材料中での最も効率の良い励起子解離はドナー−アクセプター（Ｄ−Ａ）界面で生じる。そのような界面では、イオン化ポテンシャルの低いドナー材料が電子親和力の高いアクセプター材料とヘテロジャンクションを形成する。ドナー材料およびアクセプター材料のエネルギー準位の配列によっては、励起子の解離はそのような界面でエネルギー的に好ましいものとなり得、アクセプター材料内の自由電子ポーラロンおよびドナー材料内の自由正孔ポーラロンを生じる。
【００１９】
有機ＰＶ電池は従来のシリコンベースのデバイスと比較すると、潜在的に多くの優位点を有している。有機ＰＶ電池は軽量で、材料の使用が経済的であり、フレキシブルなプラスチック箔などの低コストの基板に堆積できる。しかしながら、有機ＰＶデバイスは通常は、比較的低い外部量子効率（電磁放射線から電気への変換効率）を有し、１％以下のオーダーである。これは固有の光伝導性プロセスの二次的な性質によるところもある考えられる。すなわち、キャリア発生は励起子の発生、拡散およびイオン化または捕集を必要とする。これらの各プロセスに関連する効率ηがある。添え字は以下のように用いられる：Ｐは電力効率、ＥＸＴは外部量子効率、Ａは光子吸収、ＥＤは拡散、ＣＣは捕集、およびＩＮＴは内部量子効率である。この表記を用いると：
ηＰ〜ηＥＸＴ＝ηＡ＊ηＥＤ＊ηＣＣ
ηＥＸＴ＝ηＡ＊ηＩＮＴ
励起子の拡散長（ＬＤ）は通常は光吸収長（〜５００Å）に比べて大幅に小さく（ＬＤ〜５０Å）、厚いために抵抗性であり、多層にまたは高度に折りたたまれた界面を有する電池と光吸収効率の低い薄い電池との間にはトレードオフが要求される。
【００２０】
バルクヘテロジャンクションを生成するいくつかの方法が使用されており、ポリマーのスピンコート時の相分離、低分子量有機層の高温アニールにより誘導さるドナー−アクセプター混合物からの相分離、および有機気相蒸着（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｖａｐｏｒ  Ｐｈａｓｅ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）を用いた低分子量有機層の制御成長などがある。
【００２１】
視射角蒸着（ＧＬＡＤ）は薄膜成長の分野で公知である。例えば、彫刻薄膜（ｓｃｕｌｐｔｕｒｅｄ  ｔｈｉｎ  ｆｉｌｍ）は角度θ＞７０°での視射角蒸着および柱状薄膜ミクロ構造をナノメートルレベルで形成するための基板運動を用いて形成されてきた（Ｒｏｂｂｉｅ  ｅｔ  ａｌ．，  Ｓｃｕｌｐｔｕｒｅｄ  ｔｈｉｎ  ｆｉｌｍｓ  ａｎｄ  ｇｌａｎｃｉｎｇ  ａｎｇｌｅ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：  Ｇｒｏｗｔｈ  ｍｅｃｈａｎｉｃｓ  ａｎｄ  ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ，  Ｊ．  Ｖａｃ．  Ｓｃｉ．  Ｔｅｃｈｎｏｌ．  Ａ  １５（３）：  １４６０−１４６５  （１９９７））。この場合、気流は基板表面に平行な軸の周りを回転する。
【００２２】
薄膜のミクロスケールおよびナノスケールの柱状構造は斜方真空蒸着によっても成長させることができ、この場合、入射する気流の軌跡は基板の法線に平行ではない（Ｈａｗｋｅｙｅ，  ＭＭ．  ｅｔ  ａｌ．，  Ｇｌａｎｃｉｎｇ  ａｎｇｌｅ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：  Ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ，  ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ，  ａｎｄ  ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ  ｏｆ  ｍｉｃｒｏ−  ａｎｄ  ｎａｎｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅｄ  ｔｈｉｎ  ｆｉｌｍｓ，  Ｊ．  Ｖａｃ．  Ｓｃｉ．  Ｔｅｃｈｎｏｌ．  Ａ  ２５（５）：  １３１７−１３３５  （２００７））。これは蒸着時に原子スケールの遮蔽効果（自己遮蔽（ｓｅｌｆ−ｓｈａｄｏｗｉｎｇ））を誘発する。蒸着材料が基板中で核となって原子遮蔽が起こり、核の背後領域は核の“影（ｓｈａｄｏｗ）”に入るためにこの領域はさらなる蒸気を受けとらない。このため、蒸気は核の上しか堆積せず、柱状構造成長がもたらされる。
【００２３】
視射角蒸着法は回転基板上の斜方蒸着を組み入れてもよい（Ｈａｗｋｅｙｅ，  ＭＭ．  ｅｔ  ａｌ．；  Ｊｅｎｓｅｎ，  ＭＯ  ｅｔ  ａｌ．，  Ｐｏｒｏｓｉｔｙ  ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ  ｉｎ  Ｇｌａｎｃｉｎｇ  ａｎｇｌｅ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ  ｔｈｉｎ  ｆｉｌｍｓ，  Ａｐｐｌ．  Ｐｈｙｓ．  Ａ，  ８０：  ７６３−７６８  （２００５）；  Ｂｕｚｅａ，  Ｃ．  ｅｔ  ａｌ．，  Ｔｈｉｃｋｎｅｓｓ  ａｎｄ  ｄｅｎｓｉｔｙ  ｅｖａｌｕａｔｉｏｎ  ｆｏｒ  ｎａｎｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅｄ  ｔｈｉｎ  ｆｉｌｍｓ  ｂｙ    ｇｌａｎｃｉｎｇ  ａｎｇｌｅ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ，  Ｊ．  Ｖａｃ．  Ｓｃｉ．  Ｔｅｃｈ．  Ｂ，  ２３（６）：  ２５４５−２５５２  （２００５））。フィルムの平均密度は蒸気入射角によって与えられ、ミクロ構造の形状は基板回転によって制御されうる。最近の視射角蒸着の進展として、ミクロな柱状成長方向を蒸気の到達方向と分離することにより、フィルム中の柱状体および孔のサイズおよび分布の制御が達成された（Ｊｅｎｓｅｎ，  ＭＯ  ｅｔ  ａｌ．）。
【発明の開示】
【００２４】
要約
基板を前記基板の法線に平行ではない軌跡を有する蒸気流に露出することにより、前記基板上に少なくとも１つの有機材料を蒸着して、一以上の柱状構造を形成する工程を含む、バルクヘテロジャンクション型有機太陽電池の製造方法が開示される。一実施形態において、前記軌跡の前記基板の法線に対する角度αは３０°〜７０°の範囲でありうる。
【００２５】
本明細書で開示する方法は、前記基板を前記蒸気流の軌跡の周りに回転させる工程をさらに含んでもよい。一実施形態において、基板を入射蒸気流の軌跡の周りに回転させる間に前記角度αは固定されず、変化する。ドナー層は基板の回転なしで蒸着されうると理解される。
【００２６】
他の実施形態において、本方法は少なくとも１つの追加の有機材料を蒸着してドナー−アクセプターヘテロジャンクションを形成する工程をさらに含む。この追加の有機層は真空熱蒸発（ｖａｃｕｕｍ  ｔｈｅｒｍａｌ  ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ）および／または有機気相蒸着によって蒸着されうる。得られるバルクヘテロジャンクション型有機太陽電池は、アノード、ドナー層、アクセプター、励起子ブロッキング層（ｅｘｃｉｔｏｎ  ｂｌｏｃｋｉｎｇ  ｌａｙｅｒ）、およびカソードを含みうる。
【００２７】
図面の簡単な説明
添付図面は、本明細書の一部に組み込まれて本明細書の一部を構成しており、本発明のいくつかの実施形態を図示し、明細書とともに、本発明の原理を説明するために用いる。図形は必ずしも縮尺の通りに描かれたものではない。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】図１は（ａ）平面ヘテロジャンクションおよび（ｂ）バルクヘテロジャンクションについての典型的な有機ドナー−アクセプターヘテロジャンクションと関連する励起子解離を示す。
【図２】図２はバルクヘテロジャンクション型太陽電池の成長工程において、ドナー材料の斜方蒸着（ａ）およびアクセプター材料の標準的な蒸着（ｂ）のために用いられる成長チャンバーを示す。
【図３】図３は、（ａ）本発明の一実施形態に係る有機材料の斜方蒸着および（ｂ）入射する蒸気の斜方蒸着を用いて生成される成長表面の代表図を示す。
【図４】図４（ａ）は斜方蒸着された１５００Å  Ａｌｑ３膜のＳＥＭ像である。図４（ｂ）斜方蒸着された２７０Å  ＣｕＰｃ膜のＳＥＭ像である。
【図５】図５（ａ）は従来の方法で蒸着された２００Åの厚さのＣｌＡｌＰｃ膜のＳＥＭ像である。図５（ｂ）はインジウムスズ酸化物の基板上に５０°のスペーサーを用いて斜方蒸着された２００Åの厚さのＣｌＡｌＰｃ膜のＳＥＭ像である。
【図６】図６（ａ）および図６（ｂ）はＭｏＯｘ上に斜方蒸着されたＣｌＡｌＰｃ膜のＳＥＭ像である。
【図７】図７（ａ）は斜方蒸着されたＣｕＰｃ膜を有するバルクヘテロジャンクション型太陽電池と従来の方法で蒸着されたＣｕＰｃ膜を有する平面ヘテロジャンクション型太陽電池との間の光電流の差を示す。図７（ｂ）は斜方蒸着されたＣｕＰｃ膜を有するバルクヘテロジャンクション型太陽電池と従来の方法で蒸着されたＣｕＰｃ膜を有する平面ヘテロジャンクション型太陽電池との間の、ＣｕＰｃが吸収する５５０ｎｍ〜８００ｎｍでの一層高い外部量子効率の差を示す。
【図８】図８は、多様な蒸着角度を比較した、斜方蒸着されたＣｌＡｌＰｃ膜を有するバルクヘテロジャンクション型太陽電池と従来の方法で蒸着されたＣｌＡｌＰｃ膜を有する平面ヘテロジャンクション型太陽電池との間の一層高い外部量子効率の差を示す。
【図９】図９は、図８におけるバルクヘテロジャンクション型デバイスおよび平面ヘテロジャンクション型デバイスについて多様な蒸着角度を比較した線形目盛のＩ−Ｖ曲線を示す。
【図１０】図１０は、追加のＭｏＯｘ層ありおよび追加のＭｏＯｘ層なしのバルクヘテロジャンクション型デバイスおよび図８の平面ヘテロジャンクション型デバイスについてのＩ−Ｖ曲線を示す。
【図１１】図１１はドナー材料の等角バッファ薄層ありおよびドナー材料の等角バッファ薄層なしのＣｕＰｃ／Ｃ６０  ＰＶ電池性能の差を示す。
【図１２】図１２は図８および図１１のデバイスのデバイス性能を示す。
【図１３】図１３はＩＴＯ上およびＩＴＯ／ＭｏＯｘ上に斜方（６０°）蒸着されたＣｕＰｃおよびＣｌＡｌＰｃ膜と従来の方法（０°）で蒸着されたＣｕＰｃおよびＣｌＡｌＰｃ膜とのＳＥＭ像を比較したものである。
【図１４】図１４は２つの角度（６０°および７５°）でＣｌＡｌＰｃ膜を斜方蒸着した後に、熱蒸発によりＣ６０を蒸着したバルクヘテロジャンクション型デバイスを示す。
【図１５】図１５はＰＶ電池の高スループット製造のためのインライン式蒸着法の概略図を示す。
【図１６】図１６は本発明に係る傾斜したバルクヘテロジャンクション型ＰＶ電池および本発明により製造された材料のＳＥＭ像を示す。
【図１７】図１７（ａ）は、多様なＣｌＡｌＰｃ層の厚みおよび蒸着角度を比較した、斜方蒸着されたＣｌＡｌＰｃ膜を有するバルクヘテロジャンクション型太陽電池の外部量子効率を示し、（ｂ）は多様な蒸着角度を比較した、ＭｏＯｘアノード界面層を有するバルクヘテロジャンクション型デバイスの線形目盛のＩ−Ｖ曲線を示す。
【図１８】図１８（ａ）は多様なＣｕＰｃサンプルのＸ線回折結果を示し、（ｂ）は０°および５０°の蒸着角度で斜方蒸着されたＩＴＯ／ＣｕＰｃ膜を有するバルクヘテロジャンクション型太陽電池の外部量子効率を示す。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
発明の詳細な説明
定義
本明細書で使用される「有機」との語は、有機光電子デバイスの製造に使用されうる高分子材料および低分子有機材料を含む。「低分子」とは高分子ではない任意の有機材料を指し、「低分子」は実際にはかなり大きくてもよい。低分子は、ある環境では、繰り返し単位を含んでもよい。例えば、長鎖アルキル基を置換基として使用することにより分子が「低分子」の分類から除外されるわけではない。低分子は、例えば高分子骨格のペンダント基としてまたは骨格の一部として、高分子に組み込まれてもよい。低分子はデンドリマーのコア部位として機能してもよく、該デンドリマーはコア部位上に構築された一連の化学的シェルから構成される。デンドリマーのコア部位は蛍光性または燐光性の低分子発光体であってもよい。デンドリマーは「低分子」でありうる。一般に、低分子はどの分子でも同等の分子量を有する化学式で定義されるが、高分子は分子によって変化しうる分子量を有する化学式で定義される。本明細書で使用される「有機」は特に制限されないが、ヒドロカルビルリガンドおよびヘテロ原子で置換されたヒドロカルビルリガンドの金属錯体を含む。
【００３０】
バルクヘテロジャンクション型有機太陽電池を製造するための、視射角蒸着、特に斜方蒸着の使用方法および使用工程が本明細書に記載される。視射角蒸着法は均一な（「チェス模様（ｃｈｅｓｓｂｏａｒｄ）」）構造を製造することができる。さらに、この方法は励起子捕集効率を増大させることができ、接合の全部への電荷伝導パスを維持することにより良好な電荷捕集効率を確保しうる。バルクヘテロジャンクション型有機太陽電池は、例えば、従来の蒸着法により製造される平面ヘテロジャンクション型有機太陽電池に比して、励起子拡散効率が増大しうる。
【００３１】
視射角蒸着は真空熱蒸着で成長した有機膜に適合する。例えば、インジウムスズ酸化物基板上に斜め角度で蒸着された１５００Å  Ａｌｑ３膜および２７０Å  ＣｕＰｃ膜の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）像を図４に示す。図４（ａ）は１００ナノメートル規模の柱状体を有するＡｌｑ３厚膜を有する表面構造を示す。図４（ｂ）に示すＣｕＰｃ薄膜については、柱状体が一部の領域に形成し始めているが、表面構造の規模ははるかに小さい。蒸着角度、蒸着速度、基板回転、および基板温度などの成長条件はフィルム層の表面モルフォロジーを変更させうる。
【００３２】
上述のように、本方法は少なくとも１つの追加の有機材料を蒸着してドナー−アクセプターヘテロジャンクションを形成する工程をさらに含んでもよい。この追加の有機層は、例えば、真空熱蒸発および／または有機気相蒸着によって蒸着されうる。得られるバルクヘテロジャンクション型有機太陽電池は、アノード、ドナー層、アクセプター、励起子ブロッキング層、およびカソードを含みうる。
【００３３】
アノードおよびカソードのような電極は、金属または「金属代替物」から構成されうる。本明細書において「金属」との語は、元素として純粋な金属で構成される材料と、二以上の元素として純粋な金属で構成される材料である金属合金との両方を包含するように用いられる。「金属代替物」との語は、通常の定義に含まれる金属ではなく、導電性などの金属様の性質を有する材料をいう。金属代替物としては、例えば、ドープされたワイドバンドギャップ半導体、縮退半導体、導電性酸化物、および導電性ポリマーが挙げられる。
【００３４】
「カソード」との語は以下の方法で用いられる。周囲の放射下で抵抗負荷に接続されているが外部印加電圧には接続されていない、非積層型ＰＶデバイスまたは単一ユニットの積層型ＰＶデバイス、例えば、ＰＶデバイス、においては、電子が光導電性材料からカソードへと移動する。同様に、「アノード」との語は本明細書では、照明下のＰＶデバイスにおいて正孔が光導電性材料からアノードへと移動して、逆に移動する電子と等価であるというように用いられる。用語が本明細書で使用される場合、アノードおよびカソードは電極または電荷輸送層であってもよいことに留意する。
【００３５】
電極は、単層または多層（「複合」電極）を含んでよく、透明であっても、半透明であっても、不透明であってもよい。電極および電極材料の例としては、以下に限定されないが、Ｂｕｌｏｖｉｃらの米国特許第６３５２７７７号およびＰａｒｔｈａｓａｒａｔｈｙらの米国特許第６４２００３１号に開示されているものが挙げられ、これらはそれぞれ、これらそれぞれの特徴の開示について参照により本明細書中に組み込まれる。本明細書で使用する際に、ある層が関係する波長において周囲の電磁放射線の少なくとも５０％を透過する場合に、その層は「透明」であるとする。
【００３６】
一実施形態において、アノードは酸化モリブデン（ＭｏＯｘ）を含む界面層を含みうる。
【００３７】
本明細書で用いてもよいドナー層の非限定的な例としては、サブフタロシアニン（ＳｕｂＰｃ）、フタロシアニン銅（ＣｕＰｃ）、フタロシアニンクロロアルミニウム（ＣｌＡｌＰｃ）、フタロシアニンスズ（ＳｎＰｃ）、ペンタセン、テトラセン、ジインデノペリレン（ＤＩＰ）、およびスクアライン（ＳＱ）が挙げられる。ドナー層は必要に応じて基板の回転なしで蒸着されてもよいものと理解される。
【００３８】
他の実施形態において、アクセプターは基板を回転させながら蒸着されてもよい。本明細書で用いてもよいアクセプター材料の非限定的な例としては、Ｃ６０、Ｃ７０、３，４，９，１０−ペリレンテトラカルボン酸−ビス−ベンゾイミダゾール（ＰＴＣＢＩ）、およびヘキサデカフルオロフタロシアニン（Ｆ１６ＣｕＰｃ）が挙げられる。
【００３９】
他の実施形態において、励起子ブロッキング層は基板を回転させながら蒸着されてもよい。励起子ブロッキング層（ＥＢＬ）の例は、Ｆｏｒｒｅｓｔらによる米国特許第６，４５１，４１５号および第７，２３０，２６９号に記載されており、これらの特許文献は、ＥＢＬに関連する開示について、参照により本明細書に組み込まれる。ＥＢＬについてのさらなるの背景説明は、Ｐｅｕｍａｎｓらによる「Ｅｆｆｉｃｉｅｎｔ  ｐｈｏｔｏｎ  ｈａｒｖｅｓｔｉｎｇ  ａｔ  ｈｉｇｈ  ｏｐｔｉｃａｌ  ｉｎｔｅｎｓｉｔｉｅｓ  ｉｎ  ｕｌｔｒａｔｈｉｎ  ｏｒｇａｎｉｃ  ｄｏｕｂｌｅ−ｈｅｔｅｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ  ｐｈｏｔｏｖｏｌｔａｉｃ  ｄｉｏｄｅｓ」  Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ  Ｌｅｔｔｅｒｓ  ７６，  ２６５０−５２  （２０００）にも見られ、当文献も参照により本明細書に組み込まれる。ＥＢＬは励起子がドナーおよび／またはアクセプター材料から移動するのを防止することによって、クエンチを低減する。本明細書で用いてもよい励起子ブロッキング層の非限定的例としては、バトクプロイン（ＢＣＰ）、バトフェナントロリン（ＢＰｈｅｎ）、３，４，９，１０−ペリレンテトラカルボン酸−ビス−ベンゾイミダゾール（ＰＴＣＢＩ）、１，３，５−トリス（Ｎ−フェニルベンゾイミダゾール−２−イル）ベンゼン（ＴＰＢｉ）、トリス（アセチルアセトナト）ルテニウム（ＩＩＩ）（ＲｕＡｃａｃａ３）、およびアルミニウム（ＩＩＩ）フェノレート（Ａｌｑ２  ＯＰＨ）が挙げられる。
【００４０】
本明細書で用いてもよいカソードの例としては、金属代替物、非金属材料、またはＡｇ、  Ａｕ、およびＡｌから選択される金属材料が挙げられる。
【００４１】
基板は酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化スズ（ＴＯ）、ガリウムインジウムスズ酸化物（ＧＩＴＯ）、酸化亜鉛（ＺＯ）、および亜鉛インジウムスズ酸化物（ＺＩＴＯ）から選択される１つのような導電性酸化物を含んでもよく、透明導電性ポリマーはポリアニリン（ＰＡＮＩ）を含むことが理解される。一実施形態において、バルクヘテロジャンクション型有機太陽電池は以下を含む。
【００４２】
ＩＴＯ／ＣｕＰｃ／Ｃ６０／ＢＣＰ／Ａｌ；および
ＩＴＯ／ＣｌＡｌＰｃ／Ｃ６０／ＢＣＰ／Ａｌ
本明細書に記載する有機層は２５〜１２００Å、例えば５０〜９５０Å、あるいは５０〜３００Åの範囲の厚さを有しうる。
【００４３】
一実施形態において、バルクヘテロジャンクションは、上層を形成するための他の有機材料でフィルムを被覆して、下部のフィルムのナノ柱状物（ナノピラー）間の隙間を埋めることにより製造されうる。上層の有機材料は、例えば、真空熱蒸発（ＶＴＥ）、スピンコーティング、または有機気相蒸着（ＯＶＰＤ）によって蒸着されてもよい。ＯＶＰＤはキャリアガスを用いて蒸着チャンバーに蒸気を輸送する点で真空熱蒸発（ＶＴＥ）と異なる。蒸発機能と輸送機能とを空間的に分離することにより、蒸着過程における精密制御がもたらされ、例えば、平滑表面を有する平面あるいは突起部を有する層などの有機表面モルフォロジーの制御が可能となる。ＶＴＥと比較した際のＯＶＰＤの別の特徴は、分子の表面拡散が大きいこと、および、非弾道的軌跡（ｎｏｎ−ｂａｌｌｉｓｔｉｃ  ｔｒａｊｅｃｔｏｒｙ）の後に分子が表面に到達することである。ＯＶＰＤは既存の空隙や他の表面不均一性を埋める点で特に効果的であるが、ＶＴＥは平均自由工程が長く、かつ、弾道的軌跡の後に入射分子が続くために効果的ではない。
【００４４】
より優れたバルクヘテロジャンクション型ＰＶ電池を製造するため、視射角蒸着された有機層の膜のモルフォルジーを、成長条件を変更することにより最適化してもよい。蒸着角度を高くするほど、遮蔽効果が増大するため、ナノピラー密度が低下しうる。蒸着速度を低くし、基板温度を高くするほど、基板上の分子拡散がより顕著となるため、より大きなナノピラー直径を与える傾向がある。基板回転は柱状物のサイズだけでなく成長方向も変更しうる。
【００４５】
デバイス性能に影響する他の要因は、視射角蒸着膜を被覆する上層である。上層は
下部の視射角蒸着膜のナノピラー間の隙間を完全に埋めることが望ましいかもしれない。例えば、真空熱蒸発を用いて隙間を埋めてもよい。例えば、スピンコーティングおよび有機気相蒸着などの他の方法は良好な被覆をもたらしうる。
【００４６】
図２は斜方蒸着に用いられる代表的な成長チャンバーを示す。成長チャンバーは、一実施形態において、１つの基板ホルダー、複数の蒸発源、および、異なる角度（α）（例えば、０°、４０°、５０°、６０°、および７０°）を有する複数のゴム製の三角スペーサーを備えうる。成長速度は、蒸着に用いるスペーサーの角度に応じて異なっていてよく、シリコン基板およびエリプソメトリー測定を用いて較正されうる。較正された蒸着速度を用いる場合、ドナー材料は基板の回転なしにＩＴＯ基板上に蒸着されうる。ドナー成長後にスペーサーを除去してもよい。続いて、アクセプター材料Ｃ６０およびＢＣＰ励起子ブロッキング層を基板ホルダーに取り付けられた基板を用いて直接的に蒸着しうる。Ｃ６０およびＢＣＰ蒸着時に基板回転を用いてもよい。
【００４７】
ベース圧力が１×１０−６トール未満である熱蒸発チャンバーに投入する前に、全ての有機材料を熱勾配昇華により精製してもよい。基板、例えば、シート抵抗が２０Ω／ｓｑであるインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）被覆ガラス基板は、溶媒洗浄され、紫外線オゾン処理されうる。熱蒸発により成長するデバイス構造は、ＩＴＯアノード、多様な厚さおよび蒸着角度を有するドナー層、アクセプター（例えば、Ｃ６０アクセプターの４００Å厚膜）、励起子ブロッキング層（例えば、バトクプロイン（ＢＣＰ）の１００Å厚膜）、およびカソード（例えば、Ａｌ）を含む。不活性な窒素環境への真空破壊が、ドナー成長とアクセプター成長との間に蒸着角度を変更する目的で、および、励起子ブロッキング層の成長とカソード成長との間に１ｍｍ直径の開口の配列で構成されるシャドウマスクを設置する目的で、行われてもよい。電池は、大気中で半導体パラメータ分析器を使用して試験され、１５０Ｗキセノンアークランプを用いたＡＭ１．５Ｇ太陽シミュレータを用いて照射されうる。中性濃度フィルターを使用して入射光の強度を変化させてもよい。
【００４８】
図３は分子の陰での遮蔽によるナノ柱状体の形成を示し、図４（ａ）および図４（ｂ）はそれぞれ、ＩＴＯ基板上に斜め角度で蒸着された、１５００Å  トリス（８−ヒドロキシキノリノナト）アルミニウム（Ａｌｑ３）膜および２７０Å  フタロシアニン銅（ＣｕＰｃ）膜のＳＥＭ像である。１００ナノメートル規模の柱状体を有する表面構造がＡｌｑ３厚膜において観察される。ＣｕＰｃ薄膜については、大きな柱状体が形成し始めている領域もあるが、表面構造のスケールがはるかに小さい領域もある。
【００４９】
類似の表面モルフォロジーがＩＴＯ基板上に蒸着されたフタロシアニンクロロアルミニウム（ＣｌＡｌＰｃ）薄膜について観察される。図５にＩＴＯ基板上に常法で蒸着された２００ÅのＣｌＡｌＰｃ厚膜のＳＥＭ像（図５（ａ））と５０°スペーサーを用いて斜方蒸着された同じ膜厚のＣｌＡｌＰｃ厚膜のＳＥＭ像（図５（ｂ））とを対比する。常法で蒸着されたものは空隙のない連続膜を示している。斜方蒸着されたＣｌＡｌＰｃ膜の表面には柱状体およびサイズ〜３０ｎｍの孔が確認され、このサイズはほとんどの有機材料の励起子拡散長と近い。
【００５０】
ＭｏＯｘは有機ＰＶ電池中の代表的なアノード界面層であり、暗電流の低減および開放電圧の増大に役立つ（Ｌｉ，  Ｎ．  ｅｔ  ａｌ，．  Ｏｐｅｎ  ｃｉｒｃｕｉｔ  ｖｏｌｔａｇｅ  ｅｎｈａｎｃｅｍｅｎｔ  ｄｕｅ  ｔｏ  ｒｅｄｕｃｅｄ  ｄａｒｋ  ｃｕｒｒｅｎｔ  ｉｎ  ｓｍａｌｌ  ｍｏｌｅｃｕｌｅ  ｐｈｏｔｏｖｏｌｔａｉｃ  ｃｅｌｌｓ，  Ａｐｐｌ．  Ｐｈｙｓ．  Ｌｅｔｔ．，  ９４，  ０２３３０７，  Ｊａｎ．  ２００９）。図６に示すように、ＭｏＯｘ上に視射角蒸着されたＣｌＡｌＰｃ膜の表面モルフォロジーも観察される。視射角蒸着されたＣｌＡｌＰｃ膜（６ｂ）は表面がサイズ〜３０ｎｍの空隙で満たされているが、常法で蒸着されたＣｌＡｌＰｃ膜（６ａ）には微小な隙間のみが確認される。これらのＳＥＭ像から、視射角蒸着膜の表面構造の寸法がバルクヘテロジャンクション型有機ＰＶ電池用途に好適である。
【実施例】
【００５１】
実施例
本発明の具体例が本明細書に図解され、かつ／または、記載される。しかし、本発明の精神および範囲から逸脱しない限り、本発明の修正や変更が上記の教示によって特許請求の範囲内に包含されることは理解されるであろう。
【００５２】
（実施例１）
バルクヘテロジャンクション型ＩＴＯ／ＣｕＰｃ（２００Å）／Ｃ６０（４００Å）／ＢＣＰ（１００Å）／Ａｌ（１０００Å）太陽電池を上述した工程を用いて製造した。従来の方法で蒸着したＣｕＰｃ層を有する平面ヘテロジャンクション型（ＰＨＪ）デバイスも対照用に製造した。結果を図７に示す。視射角蒸着により成長させたＣｕＰｃデバイスは、より高い光電流（図７（ａ））およびＣｕＰｃが吸収する５５０ｎｍ〜８００ｎｍの領域でのより高い外部量子効率（ＥＱＥ）（図７（ｂ））を示す。これはバルクヘテロジャンクション型デバイスのＣｕＰｃ層中の励起子拡散効率の増大に起因するかもしれない。Ｃ６０が吸収する３５０ｎｍ〜５５０ｎｍの領域におけるＥＱＥの類似性は、Ｃ６０層中の励起子拡散距離が大きく、界面モルフォロジーによって誘導される励起子の拡散効率の変化が無視できるほど小さいことに起因するかもしれない。
【００５３】
（実施例２）
バルクヘテロジャンクション型ＩＴＯ／ＣｌＡｌＰｃ／Ｃ６０（４００Å）／ＢＣＰ（１００Å）／Ａｌ（１０００Å）ＰＶ電池も上述の工程を用いて製造した。視射角蒸着されたバルクヘテロジャンクション型ＰＶ電池を多様なＣｌＡｌＰｃ厚みを有するＰＨＪ電池と比較した。図８に示すように、蒸着角度の増加に伴い、デバイスのＥＱＥは増大した。蒸着角度が４０°および５０°であった場合に、６００ｎｍ〜８００ｎｍのＥＱＥはＰＨＪ電池に比べて高かった。このことは、視射角蒸着されたバルクヘテロジャンクション型ＰＶ電池が同一の材料を用いて製造したＰＨＪ  ＰＶ電池よりもより高いＥＱＥを有しうることを示唆する。
【００５４】
図９は暗所およびｏｎｅ  ｓｕｎ下での上記ＣｌＡｌＰｃ／Ｃ６０  ＰＶ電池の電流−電圧（Ｉ−Ｖ）曲線を示す。短絡回路電流（ＪＳＣ）は視射角蒸着されたバルクヘテロジャンクション型電池の方がより高く、蒸着角度が６０°になるにつれて増大した。しかし、開放電圧（Ｖｏｃ）は暗電流の増加のために視射角蒸着されたバルクヘテロジャンクション型電池の方がより低く、これは多孔質膜の結果であった。図１０に示すように、１００ÅのＭｏＯｘ界面層を組み込んで、暗電流を遮断し、Ｖｏｃを増加させてもよい（Ｌｉ，  Ｎ．ら）。デバイス性能を図１２の表にまとめた。また、以下の表１に、ｏｎｅ  ｓｕｎ、ＡＭ１．５照明下でのＣｌＡｌＰｃ／Ｃ６０デバイス性能の概要を示す。
【００５５】
【表１】
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【００５６】
暗電流の低減および界面接合領域の増大のため、斜方蒸着の前に、ドナー材料の等角バッファ薄層をＩＴＯ基板上に最初に常法で蒸着してもよい。図１１は当該等角バッファ薄層がある場合とない場合とでＣｕＰｃ／Ｃ６０  ＰＶ電池性能を比較したものである。本実験には、ＣｕＰｃ／Ｃ６０平面ヘテロジャンクション型デバイス（Ａ）、斜方蒸着されたＢＨＪデバイス（Ｂ）、および平面バッファ層を有する斜方蒸着されたＢＨＪデバイス（Ｃ）が含まれる。図１１に示すように、デバイス（Ｃ）が全デバイス中で最高のＪＳＣおよび２．７％という最良の電力変換効率を示す。さらに、デバイス（Ｃ）は、デバイス（Ｂ）に比べて暗電流が低いためＶｏｃが高く、暗電流の差が無視できるほど小さい場合Ｖｏｃは光電流とともに増加するため平面ヘテロジャンクション型デバイス（Ａ）に比べてＶｏｃがわずかに高い。
【００５７】
本明細書に記載されるＰＶ電池構造の高スループット製造は図１５に示すインライン式蒸着法を用いることによって起こりうる。図１５に示すように、大面積の基板が左から右へと移動する。供給源１は第１層の斜方蒸着のために角度αで傾斜している。供給源２は、前記供給源１の蒸着中に形成されたナノ構造を被覆するための第２層の通常の蒸着をもたらす。基板が左から右へと移動する間に、バルクヘテロジャンクションが大面積の基板上に連続的に高いスループットで形成されうる。この工程は、ロール・トゥ・ロール処理との適合性もある。
【００５８】
ここに記載した明細書および実施例は例示にすぎず、特許請求の範囲に示される発明の真の範囲および精神の範囲内で考慮されるよう意図される。
【００５９】
実施例以外の場合または別途指示する場合には、明細書および特許請求の範囲で使用される構成成分の量、反応条件、分析測定などはすべての例で「約」との語により修飾されると理解するべきである。したがって、反対のことを指示した場合を除き、本明細書および添付された特許請求の範囲で説明する数値パラメータは本開示によって得ようとする所望の特性に応じて変更してもよい近似値である。少なくとも、特許請求の範囲に対する均等論の適用を限定する試みではなく、各数値パラメータは有効数字および通常の丸め法の数字に照らして解釈されるべきである。
【００６０】
本開示の広い範囲を説明する数値範囲およびパラメータは近似値であるが、別途指示した場合を除き具体例で説明された数値は可能な限り正確に報告されている。しかし、どの数値も各試験測定に見出される標準誤差から必然的に生じる一定の誤差を本質的に含む。
【００６１】
本明細書で使用される単数形「ｔｈｅ」、「ａ」、または「ａｎ」の語は「少なくとも１つ」を意味し、明確に反対のことを指示していない限り「１つのみ」に限定されるべきではない。したがって、例えば「層（ａ  ｌａｙｅｒ）」は「少なくとも１つの層」を意味すると解釈すべきである。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【国際調査報告】
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