(57)【要約】  研磨監視システムを構成する方法が、複数のライブラリを選択するユーザ入力を受信するステップを含み、複数のライブラリの各ライブラリは、研磨中に測定されたスペクトルとの照合に用いるための複数の基準スペクトルを含み、複数の基準スペクトルの各基準スペクトルは関連した指標値を有し、基板の第１のゾーンに対して、複数のライブラリの第１のサブセットを選択するユーザ入力を受信するステップと、基板の第２のゾーンに対して、複数のライブラリの第２のサブセットを選択するユーザ入力を受信するステップとを含む。【選択図】      図１１
2013532912.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
研磨監視システムを構成する方法であって、
複数のライブラリを選択するユーザ入力を受信するステップを含み、前記複数のライブラリの各ライブラリは研磨中に測定されたスペクトルとの照合に用いるための複数の基準スペクトルを含み、前記複数の基準スペクトルの各基準スペクトルは関連した指標値を有し、
基板の第１のゾーンに対して、前記複数のライブラリの第１のサブセットを選択するユーザ入力を受信するステップと、
前記基板の第２のゾーンに対して、前記複数のライブラリの第２のサブセットを選択するユーザ入力を受信するステップと、
をさらに含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
研磨装置において前記基板を研磨するステップと、
その場監視システムを用いて、研磨中に前記基板の前記第１のゾーンからのスペクトルの第１のシーケンスを測定するステップと、
前記第１のゾーンからの前記スペクトルの第１のシーケンスにおける各々の測定されたスペクトルに対して、前記複数のライブラリの前記第１のサブセットからの各ライブラリに対して、最も良く合致する基準スペクトルを判断するステップと、
前記基板の前記第１のゾーンについての各々の最も良く合致する基準スペクトルについての前記ライブラリの第１のサブセットからの各ライブラリに対して、第１の指標値を求めて前記ライブラリの第１のサブセットからの各ライブラリに対する第１の指標値の第１のシーケンスを生成するステップと、
を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記その場監視システムを用いて、研磨中に前記基板の前記第２のゾーンからのスペクトルの第２のシーケンスを測定するステップと、
前記第２のゾーンからの前記スペクトルの第２のシーケンスにおける各々の測定されたスペクトルについて、前記複数のライブラリの前記第２のサブセットからの各々のライブラリについて、最も良く合致する基準スペクトルを判断するステップと、
前記基板の前記第２のゾーンについての各々の最も良く合致する基準スペクトルについての前記ライブラリの第２のサブセットからの各ライブラリに対して、第２の指標値を求めて前記ライブラリの第２のサブセットからの各ライブラリに対する第２の指標値の第２のシーケンスを生成するステップと、
を含むことを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記ライブラリの第１のサブセットからの各ライブラリに対して、第１の関数を、第１の指標値の前記第１のシーケンスに適合させるステップと、前記ライブラリの第２のサブセットからの各ライブラリに対して、第２の指標値の前記第２のシーケンスを適合させるステップとをさらに含むことを特徴とする、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記ライブラリの第１のサブセットからの各ライブラリに対する適合度を判断するステップと、前記ライブラリの第２のサブセットからの各ライブラリに対する適合度を判断するステップとをさらに含むことを特徴とする、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記ライブラリの第１のサブセットの前記最良の適合度を有する第１のライブラリを選択するステップと、前記第２のライブラリのサブセットの前記最良の適合度を有する第２のライブラリを選択するステップとをさらに含むことを特徴とする、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記第１の指標値の前記第１のシーケンス、及び、前記第１のライブラリに基づく前記第１の関数をディスプレイ上に表示するステップをさらに含むことを特徴とする、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記第１の指標値の第１のシーケンスの各々、及び、前記ライブラリの第１のサブセットの各々についての第１の関数の各々をディスプレイ上に表示するステップをさらに含むことを特徴とする、請求項６に記載の方法。
【請求項９】
前記複数のライブラリを選択するユーザ入力を受信するステップは、多数のライブラリを有するドロップダウン・リストを表示するステップを含むことを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記複数のライブラリを選択するユーザ入力を受信するステップは、前記ドロップダウン・リストにおける前記多数のライブラリから前記複数のライブラリを選択するステップをさらに含むことを特徴とする、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記ライブラリの第１のサブセットを選択するユーザ入力を受信するステップは、前記複数のライブラリの各々についての第１のチェック・ボックスを有するユーザ・インターフェースを表示するステップと、１つ又はそれ以上の第１のチェック・ボックスを選択又は選択解除するユーザ入力を受信するステップとを含むことを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記ライブラリの第２のサブセットを選択するユーザ入力を受信するステップは、前記複数のライブラリの各々についての第２のチェック・ボックスを有するユーザ・インターフェースを表示するステップと、１つ又はそれ以上の第２のチェック・ボックスを選択又は選択解除するユーザ入力を受信するステップとを含むことを特徴とする、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記複数のライブラリの各々についての前記第１のチェック・ボックスを有する前記ユーザ・インターフェース、及び、前記複数のライブラリの各々についての前記第２のチェック・ボックスを有する前記ユーザ・インターフェースが同時に表示されることを特徴とする、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記複数のライブラリの各々についての前記第１のチェック・ボックス、及び、前記複数のライブラリの各々についての前記第２のチェック・ボックスが同一のウィンドウ内に表示されることを特徴とする、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
研磨監視システムを構成するためのコンピュータ・プログラム製品であって、前記製品は機械可読媒体に有形に格納され、かつ、プロセッサに、
複数のライブラリを選択するユーザ入力を受信させ、前記複数のライブラリの各ライブラリは、研磨中測定されたスペクトルとの照合に用いるための複数の基準スペクトルを含み、前記複数の基準スペクトルの各基準スペクトルは関連した指標値を有し、
基板の第１のゾーンに対して、前記複数のライブラリの第１のサブセットを選択するユーザ入力を受信させ、
前記基板の第２のゾーンに対して、前記複数のライブラリの第２のサブセットを選択するユーザ入力を受信させる、
ように動作可能な命令を含むことを特徴とするコンピュータ・プログラム製品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、一般に、化学機械研磨中に基板上の複数のゾーンを監視することに関する。
【背景技術】
【０００２】
集積回路は、典型的には、シリコンウェハ上に導電性層、半導体層又は絶縁層を逐次的に堆積させることにより、基板上に形成される。１つの製造ステップは、非平坦面の上にフィラー層を堆積させ、フィラー層を平坦化することを含む。特定の用途において、フィラー層は、パターン化された層の上面が露出されるまで平坦化される。導電性フィラー層を、例えば、パターン化された絶縁層上に堆積させて、絶縁層のトレンチ又は孔を充填することができる。平坦化後、絶縁層の隆起したパターンの間に残る導電層の部分は、基板上の薄膜回路間の導電性経路を提供するビア、プラグ及びラインを形成する。酸化物研磨等の他の用途において、フィラー層は、非平坦面上に所定の厚さが残されるまで平坦化される。さらに、基板表面の平坦化は、通常、フォトリソグラフィに必要とされる。
【０００３】
化学機械研磨（ＣＭＰ）は、一般に認められた平坦化の１つの方法である。この平坦化法は、典型的には、基板がキャリアヘッド上に取り付けられることを必要とする。基板の露出面は、典型的には、耐久性のある粗面を有する回転研磨パッドに対して配置される。キャリアヘッドは、基板を研磨パッドに押し付けるために、基板上に制御可能な負荷を提供する。研磨用粒子を有するスラリーなどの研磨液は、典型的には、研磨パッドの表面に供給される。
【０００４】
ＣＭＰにおける１つの問題は、所望のプロファイル、例えば、所望の平坦度又は厚さまで平坦化された又は所望の量の材料が除去された基板層を達成するために適切な研磨速度を用いることである。基板層の初期厚、スラリーの組成、研磨パッドの状態、研磨パッドと基板との間の相対速度、及び基板にこうした負荷の変動が、基板にわたる及び基板ごとの材料除去速度の変動を生じさせる。この変動が、研磨終点に達するのに必要な時間及び除去される量の変動をもたらす。従って、研磨終点を単に研磨時間の関数として求めること、又は単に一定圧力を加えることにより所望のプロファイルを達成することができない場合がある。
【０００５】
幾つかのシステムにおいて、基板は、例えば、研磨パッド内の窓を通して、研磨中にその場（イン・サイチュ）で光学的に監視される。しかしながら、既存の光学的監視技術は、半導体デバイス製造業者のますます増大する需要を満たすことができない。
【発明の概要】
【０００６】
１つの態様において、研磨監視システムを構成する方法は、複数のライブラリを選択するユーザ入力を受信するステップを含み、複数のライブラリの各ライブラリは、研磨中に測定されたスペクトルとの照合に用いるための複数の基準スペクトルを含み、複数の基準スペクトルの各基準スペクトルは関連した指標値を有し、基板の第１のゾーンに対して、複数のライブラリの第１のサブセットを選択するユーザ入力を受信するステップと、基板の第２のゾーンに対して、複数のライブラリの第２のサブセットを選択するユーザ入力を受信するステップとを含む。
【０００７】
実装として、以下の特徴のうち１つ又はそれ以上を挙げることができる。基板は、研磨装置で研磨することができる。その場監視システムを用いて、研磨中に基板の第１のゾーンからのスペクトルの第１のシーケンスを測定することができる。第１のゾーンからのスペクトルの第１のシーケンスにおいて各々の測定されたスペクトルに対して、複数のライブラリの第１のサブセットからの各ライブラリに対して、最も良く合致する基準スペクトルを判断することができる。基板の第１のゾーンについての各々の最も良く合致する各基準スペクトルについてのライブラリの第１のサブセットからの各ライブラリに対して、第１の指標値を求めてライブラリの第１のサブセットからの各ライブラリに対する第１の指標値の第１のシーケンスを生成することができる。第２のスペクトルシーケンスは、その場監視システムを用いて、研磨中に基板の第２のゾーンから測定することができる。複数のライブラリの第２のサブセットからの各ライブラリに対して、第２のゾーンからのスペクトルの第２のシーケンスにおいて測定された各スペクトルに対して、最も良く合致する基準スペクトルを判断することができる。基板の第２のゾーンに対して最も良く合致する各基準スペクトルについて、ライブラリの第２のサブセットからの各ライブラリに対して第２の指標値を求めて、ライブラリの第２のサブセットからの各ライブラリに対して第２の指標値の第２のシーケンスを生成することができる。ライブラリの第１のサブセットからの各ライブラリに対して、第１の関数を、第１の指標値の第１のシーケンスに適合させ、かつ、ライブラリの第２のサブセットからの各ライブラリに対して、第２の関数を、第２の指標値の第２のシーケンスに適合させる。ライブラリの第１のサブセットからの各ライブラリに対する適合度を判断し、かつ、ライブラリの第２のサブセットからの各ライブラリに対する適合度を判断することができる。ライブラリの第１のサブセットに最良の適合度を有する第１のライブラリを選択し、かつ、ライブラリの第２のサブセットに最良の適合度を有する第２のライブラリを選択することができる。第１のゾーンが第１の目標指標値に到達する予測時間を、第１のライブラリに対する第１の線形関数に基づいて判断することができる。第２のゾーンに対する研磨パラメータを第２のライブラリの第２の線形関数に基づいて調整して、第２のゾーンの研磨速度が、こうした調整がない場合よりも、予測時間において第２の目標指標値に近くなるように調整する。研磨パラメータは、研磨装置のキャリアヘッドにおける圧力とすることができる。第１の指標値の第１のシーケンス及び第１のライブラリに基づく第１の関数をディスプレイ上に表示することができる。第１の指標値の各第１のシーケンス及びライブラリの第１のサブセットの各々に対する各第１の関数をディスプレイ上に同時に表示することができる。複数のライブラリを選択するユーザ入力を受信するステップは、非常に多数のライブラリを有するドロップダウン・リストを表示することを含むことができる。複数のライブラリを選択するユーザ入力を受信するステップは、ドロップダウン・リストにおける非常に多数のライブラリから複数のライブラリを選択することを含むことができる。ライブラリの第１のサブセットを選択するユーザ入力を受信するステップは、複数のライブラリの各々に対して第１のチェック・ボックスを有するユーザ・インターフェースを表示するステップと、１つ又はそれ以上の第１のチェック・ボックスを選択又は選択解除するユーザ入力を受信するステップを含むことができる。ライブラリの第２のサブセットを選択するユーザ入力を受信するステップは、複数のライブラリの各々に対して第２のチェック・ボックスを有するユーザ・インターフェースを表示するステップと、１つ又はそれ以上の第２のチェック・ボックスを選択又は選択解除するユーザ入力を受信することを含むステップを含むことができる。複数のライブラリの各々に対して第１のチェック・ボックスを有するユーザ・インターフェース及び複数のライブラリの各々に対して第２のチェック・ボックスを有するユーザ・インターフェースを同時に表示することができる。複数のライブラリの各々に対する第１のチェック・ボックス及び複数のライブラリの各々に対する第２のチェック・ボックスを同一のウィンドウ内に表示することができる。
【０００８】
他の態様において、これらの方法を実行するために、研磨システム及びコンピュータ可読媒体に有形に実装されたコンピュータ・プログラム製品が提供される。
【０００９】
特定の実装は、以下の利点のうちの１つ又はそれ以上を有することができる。ウェーハの縁部から収集されたスペクトルを類似の位置から収集された基準スペクトルに合致させることにより、改善されたスペクトルの照合を得ることができ、このことは、コンピュータ・ソフトウェア統合の研磨装置による、より正確な制御を可能にし得る。研磨工程のコントローラが基準スペクトルのゾーン特有のライブラリを選択するのを可能にするソフトウェア・ユーザ・インターフェースは、特に基板の縁部に沿った研磨工程をさらに改善することができる。
【００１０】
１つ又はそれ以上の実装の詳細が、添付図面及び以下の説明において記述される。他の特徴、態様及び利点は、説明、図面及び特許請求の範囲から明らかになるであろう。
種々の図面における類似の参照番号及び名称は、類似の要素を指す。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】２つの研磨ヘッドを有する研磨装置の一例の概略的な断面図を示す。
【図２】複数のゾーンを有する基板の概略的な上面図を示す。
【図３Ａ】研磨パッドの上面図を示し、第１の基板上でその場測定が行われる位置を示す。
【図３Ｂ】研磨パッドの上面図を示し、第２の基板上でその場測定が行われる位置を示す。
【図４】その場光学監視システムからの測定スペクトルを示す。
【図５】基準スペクトルのライブラリを示す。
【図６】指標トレースを示す。
【図７】異なる基板の異なるゾーンに対する複数の指標トレースを示す。
【図８】基準ゾーンの指標トレースが目標指標に到達する時間に基づいた複数の調整可能ゾーンに対する複数の所望の傾斜の計算を示す。
【図９】基準ゾーンの指標トレースが目標指標に到達する時間に基づいた複数の調整可能ゾーンに対する複数の所望の傾斜の計算を示す。
【図１０】異なる目標指標を有する、異なる基板の異なるゾーンに対する複数の指標トレースを示す。
【図１１】異なるゾーンのために用いられる基準ライブラリを選択するための例示的なユーザ・インターフェースを示す。
【図１２】複数のゾーンが目標時間においてほぼ同一の厚さを有するように、複数の基板における複数のゾーンの研磨速度を調整するための例示的な工程の流れ図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
その場測定から基板の各ゾーンについての研磨速度を求めることにより、目標厚に対する予測終点時間又は目標終点時間に対する予測厚さを、各ゾーンについて求めることができ、ゾーンがより近い終点状態を達成するように、少なくとも１つのゾーンについての研磨速度を調整することができる。「より近い終点状態」とは、ゾーンｏが、こうした調整がない場合よりも、ほぼ同じ時間で目標厚に達すること、又は、ゾーンが同時に研磨を停止した場合、ゾーンｏは、こうした調整がない場合よりも、ほぼ同じ厚さであることを意味する。
【００１３】
分光監視の際、測定されたスペクトルを基準スペクトルのライブラリと比較して、ライブラリからのどの基準スペクトルが最も近い合致であるかを判断することが有用であり得る。研磨工程を改良する方法は、基準スペクトルのライブラリを使用することである。例えば、ライブラリは、異なるパターン化された基板又は基板内の異なるゾーンを表す基準スペクトルを含むことができる。複数の基準スペクトルのライブラリを用いることにより、研磨速度が非線形であり得る基板の縁部に沿った研磨の進行を追跡する際の精度が改善され、その結果、より確実な研磨速度制御、従って改善されたウェーハ内非均一性を可能にするのに特に有益である。さらに、研磨工程を制御するユーザが特定のゾーンで使用する特定のライブラリを選択できる（例えば、ソフトウェア・ユーザ・インターフェースを用いて）場合、特に基板の縁部に沿って研磨均一性を改善するなど、例えば各種ライブラリからの前の満足できる結果又は満足できない結果のオペレータ知識に基づいて、研磨工程をさらに改良することができる。
【００１４】
図１は、研磨装置１００の一例を示す。研磨装置１００は、上に研磨パッド１１０が配置された回転可能な円板状プラテン１２０を含む。プラテンは、軸１２５の周りに回転するように動作可能である。例えば、モータ１２１は、駆動軸１２４を回転させてプラテン１２０を回転させることができる。研磨パッド１１０は、例えば接着剤の層によりプラテン１２０に取り外し可能に固定することができる。研磨パッド１１０は、外側研磨層１１２及び柔らかい裏打ち層１１４をもつ二層の研磨パッドとすることができる。
【００１５】
研磨装置１００は、組み合わせたスラリー／リンス・アーム１３０を含むことができる。研磨中、アーム１３０は、スラリー等の研磨液１３２を研磨パッド１１０の上に計量供給するよう動作可能である。１つだけのスラリー／リンス・アーム１３０を示したが、キャリアヘッドごとに１つ又はそれ以上の専用スラリー・アームのような付加的なノズルを使用することもできる。研磨装置は、研磨パッド１１０を一貫した研磨状態に維持するために、研磨パッド１１０の研磨用の研磨パッド・コンディショナを含むことができる。
【００１６】
本実施形態において、研磨装置１１０は、２つ（又は、２つ又はそれ以上）のキャリアヘッド１４０を含む。各キャリアヘッド１４０は、基板１０（例えば、１つのキャリアヘッドにおける第１の基板１０ａ及び他のキャリアヘッドにおける第２の基板１０ｂ）を研磨パッド１１０すなわち同一の研磨パッドに対して保持するよう動作可能である。各キャリアヘッド１４０は、例えばそれぞれの基板と関連付けられた、例えば圧力などの研磨パラメータを独立制御することができる。
【００１７】
特定的には、各キャリアヘッド１４０は、基板１０を可撓性膜１４４の下に保持するための保持リング１４２を含むことができる。また、各キャリアヘッド１４０は、独立制御可能な圧力を、可撓性膜１４４上の、従って基板１０上の関連したゾーン１４８ａ−１４８ｃに加えることができる、膜により定められた複数の独立制御可能な加圧可能チャンバ、例えば３つのチャンバ１４５ａ−１４６ｃを含むこともできる（図２を参照されたい）。図２を参照すると、中央ゾーン１４８ａは実質的に円形であり、残りのゾーン１４８ｂ−１４８ｅは、中央ゾーン１４８ａの周りの同心環状ゾーンとすることができる。図示を容易にするために、図１及び図２には３つのチャンバしか示されていないが、２つのチャンバ、又は、例えば５つのチャンバなど４つ又はそれより多いチャンバがあってもよい。
【００１８】
図１に戻ると、各キャリアヘッド１４０は、例えば旋回式コンベア等の支持構造体１５０から懸架され、かつ、駆動軸１５２によりキャリアヘッド回転モータ１５４に接続されて、キャリアヘッドは軸１５５の周りを回転することができる。随意的に、各キャリアヘッド１４０は、例えば旋回式コンベア上のスライダ上を、又は旋回式コンベア自体の回転振動により、横方向に振動することができる。動作において、プラテンは、その中心軸１２５の周りに回転し、各キャリアヘッド１４０は、その中心軸１５５の周りに回転し、かつ、研磨パッドの上面にわたって横方向に並進される。
【００１９】
２つのキャリアヘッド１４０だけが示されているが、より多くのキャリアヘッドを設けて付加的な基板を保持し、研磨パッド１１０の表面積が効率的に使用されるようにすることができる。従って、同時研磨工程のために基板を保持するよう適合されたキャリアヘッド組立体の数は、少なくとも部分的に、研磨パッド１１０の表面積に基づくことができる。
【００２０】
研磨装置は、研磨速度を調整するかどうか、すなわち以下に述べるような研磨速度の調整を決定するのに使用することができるその場監視システム１６０も含む。その場監視システム１６０は、例えば分光監視システム又は渦電流監視システム等の光学監視システムを含むことができる。
【００２１】
１つの実施形態において、監視システム１６０は、光学監視システムである。研磨パッドを通る光学アクセスは、開口部（すなわち、パッドを貫通する孔）又は固体ウィンドウ１１８を含めることにより与えられる。固体ウィンドウ１１８は、例えば研磨パッドに成形又は接着固定されるなど、例えば研磨パッドの開口部を埋めるプラグとして、研磨パッド１１０に固定することができるが、幾つかの実装においては、固体ウィンドウは、プラテン１２０上に支持し、かつ、研磨パッドの開口部内に突出することができる。
【００２２】
光学監視システム１６０は、光源１６２と、光検出器１６４と、例えばコンピュータ等の遠隔コントローラ１９０と光源１６２及び光検出器１６４との間で信号を送受信するための回路１６６とを含む。１つ又はそれ以上の光ファイバを用いて光源１６２から研磨パッドの光学アクセスへ光を伝送し、かつ、基板１０から反射した光を検出器１６４へ伝送することができる。例えば、二股の光ファイバ１７０を用いて、光を光源１６２から基板１０へ伝え、そして検出器１６４に戻すことができる。二股光ファイバは、光学アクセスの近傍に配置された幹線１７２と、それぞれ光源１６２及び検出器１６４に接続された２つの分岐１７４及び１７６とを含むことができる。
【００２３】
幾つかの実装において、プラテンの上面は、二股ファイバの幹線１７２の一端を保持する光学ヘッド１６８が嵌合される凹部１２８を含むことができる。光学ヘッド１６８は、幹線１７２上部と固体ウィンドウ１１８との間の垂直方向距離を調整するための機構を含むことができる。
【００２４】
回路１６６の出力は、駆動軸１２４の、例えばスリップリング等の回転連結器１２９を通って光学監視システムのためのコントローラ１９０まで伝わるデジタル電子信号であってもよい。同様に、光源は、コントローラ１９０から回転連結器１２９を通って光学監視システム１６０まで伝わるデジタル電子信号中の制御コマンドに応答してオン又はオフすることができる。代替的に、回路１６６は、無線信号により、コントローラ１９０と通信することができる。
【００２５】
光源１６２は、白色光を放出するように動作可能である。１つの実装において、放出される白色光は、２００ナノメートルから８００ナノメートルまでの波長を有する光を含む。好適な光源は、キセノン・ランプ又はキセノン水銀ランプである。
【００２６】
光検出器１６４は、分光計とすることができる。分光計は、電磁スペクトルの一部分にわたって光の強度を測定するための光学機器である。好適な分光計は、回折格子分光計である。分光計についての典型的な出力は、波長（又は周波数）の関数としての光の強度である。
【００２７】
上述のように、光源１６２及び光検出器１６４は、それらの動作を制御し、それらの信号を受信するよう動作可能な、例えばコントローラ１９０等のコンピュータ・デバイスに接続することができる。コンピュータ・デバイスは、研磨装置の近くに配置された、例えばプログラム可能コンピュータ等のマイクロプロセッサを含むことができる。制御に関しては、コンピュータ・デバイスは、例えば光源の起動をプラテン１２０の回転と同期させることができる。
【００２８】
幾つかの実装において、その場監視システム１６０の光源１６２及び検出器１６４は、プラテン１２０内に、これと共に回転するように設置することができる。この場合、プラテンの動きにより、センサが各基板にわたって走査する。特に、プラテン１２０が回転すると、コントローラ１９０は、光源１６２に、各基板１０が光学アクセスの上を通過する直前に始まり、直後に終わる一連の閃光を放出させる。代替的に、コンピュータ・デバイスは、各基板１０が光学アクセスの上を通過する直前に始まり、直後に終わる光を連続的に光源１６２に放出させる。どちらの場合にも、検出器からの信号は、サンプリング周期にわたって積分されて、サンプリング周波数におけるスペクトル測定値を生成する。
【００２９】
動作において、コントローラ１９０は、例えば、光源の特定の閃光又は検出器の時間枠について、光検出器が受け取る光のスペクトルを記述する情報を搬送する信号を受け取ることができる。従って、このスペクトルは、研磨中にその場で測定されたスペクトルである。
【００３０】
図３Ａに示されるように、検出器がプラテン内に設置された場合、プラテンの回転（矢印２０４で示される）のために、ウィンドウ１０８が１つのキャリアヘッド（例えば、第１の基板１０ａを保持するキャリアヘッド）の下を通るとき、サンプリング周波数でスペクトル測定を行っている光学監視システムにより、第１の基板１０ａを横切る弧における位置２０１においてスペクトル測定が行われる。例えば、点２０１ａ−２０１ｋの各々は、第１の基板１０ａの、監視システムによりスペクトル測定を行う位置を表す（点の数は例示的であり、サンプリング周波数に応じて、図示したよりも多くの又は少ない測定を行うことができる）。示されるように、プラテンの１回転について、基板１０ａの異なる半径から、スペクトルが取得される。つまり、幾つかのスペクトルは、基板１０ａの中心により近い位置から取得され、幾つかのスペクトルは、縁部により近い位置から取得される。同様に、図３Ｂに示されるように、プラテンの回転のために、ウィンドウが他のキャリアヘッド（例えば、第２の基板１０ｂを保持するキャリアヘッド）の下を通るとき、サンプリング周波数でスペクトル測定を行っている光学監視システムにより、第２の基板１０ｂを横切る弧に沿った位置２０２においてスペクトル測定が行われる。
【００３１】
従って、プラテンの任意の所与の回転に対して、タイミング及びモータのエンコーダ情報に基づいて、コントローラは、どの基板、例えば基板１０ａ又は１０ｂが測定されたスペクトルの源であるかを判断することができる。さらに、基板、例えば基板１０ａ又は１０ｂにわたる光学監視システムの任意の所与の走査に対して、タイミング、モータのエンコーダ情報、及び基板及び／又は保持リングの縁部の光検出に基づいて、コントローラ１９０は、走査からの各々の測定されたスペクトルについての（走査される特定の基板１０ａ又は１０ｂの中心に対する）半径方向位置を計算することができる。研磨システムはまた、どの基板、及び測定されたスペクトルの基板上の位置の判断のための付加的なデータを与えるように、据え置き型光学的断続器を通る、プラテンの縁部に取り付けられたフランジ等の回転位置センサを含むこともできる。従って、コントローラは、種々の測定されたスペクトルを基板１０ａ及び１０ｂ上の制御可能ゾーン１４８ｂ−１４８ｅ（図２を参照されたい）と関連付けることができる。幾つかの実装において、スペクトルの測定の時間を、半径方向位置の正確な計算のための代替物として用いることができる。
【００３２】
プラテンの複数の回転について、各基板の各ゾーンに対して、時間の経過と共に一連のスペクトルを取得することができる。いずれの特定の理論にも限定されず、基板１０から反射した光のスペクトルは、最外層の厚さが変化するために、研磨が進行するにつれて変化し、従って、一連の経時変化スペクトルを生みだす。さらに、積層の特定の厚さにより、特定のスペクトルが示される。
【００３３】
幾つかの実装において、例えばコンピュータ・デバイス等のコントローラは、測定されたスペクトルを複数の基準スペクトルと比較して、どの基準スペクトルが最良の合致を与えるかを判断するようにプログラムすることができる。特定的には、コントローラは、各基板の各ゾーンからの一連の測定されたスペクトルからの各スペクトルを、複数の基準スペクトルと比較して、各基板の各ゾーンについての最も良く合致する一連の基準スペクトルを生成するようにプログラムすることができる。
【００３４】
本明細書で用いられる場合、基準スペクトルは、基板の研磨の前に生成された所定のスペクトルである。実際の研磨速度が予測研磨速度に従うと仮定して、基準スペクトルは、スペクトルが現れると予測される研磨工程における時間を表す値との予め定められた、すなわち研磨作業前に定められ関連を有することができる。代替的に又はこれに加えて、基準スペクトルは、最外層の厚さのような基板の特性の値との所定の関連を有することができる。
【００３５】
基準スペクトルは、例えば既知の初期層厚を有する基板等の試験基板からのスペクトルを測定することにより、経験的に生成することができる。例えば、複数の基準スペクトルを生成するために、一連のスペクトルを収集する間、デバイス・ウェハの研磨の際に用いられるのと同じ研磨パラメータを用いて、設定（ｓｅｔ−ｕｐ）基板を研磨する。各スペクトルについて、スペクトルが収集された研磨工程における時間を表す値を記録する。例えば、値は、経過時間又はプラテン回転数とすることができる。基板は、目標厚に達した時に基板から反射した光のスペクトルを得ることができるように、過剰研磨する、すなわち所望の厚さを過ぎて研磨することができる。
【００３６】
各スペクトルを、例えば最外層の厚さ等の基板の特性値と関連付けるために、製品基板と同一のパターンをもつ「設定」基板の初期スペクトル及び特性を、測定ステーションにおいて研磨前に測定することができる。最終スペクトル及び特性を、同一の計測ステーション又は異なる計測ステーションで、研磨後に測定することもできる。初期スペクトルと最終スペクトルとの間のスペクトルの特性は、試験基板のスペクトルが測定された経過時間に基づいて、例えば線形補間等の補間により求めることができる。
【００３７】
経験的な特定に加えて、幾つか又は全ての基準スペクトルを、基板層の光学モデルを用いる等の理論から計算することができる。例えば、光学モデルを用いて、所与の外側層の厚さＤに対する基準スペクトルを計算することができる。例えば外側層が均一の研磨速度で除去されると仮定すること等により、基準スペクトルが収集される研磨工程における時間を表す値を計算することができる。例えば、特定の基準スペクトルに対する時間Ｔｓは、単純に初期厚さＤ０及び均一の研磨速度Ｒを仮定することにより計算することができる（Ｔｓ＝（Ｄ０−Ｄ）／Ｒ）。別の例として、光学モデルに対して用いた厚さＤに基づいて、研磨前及び研磨後の厚さＤ１、Ｄ２に対する測定時間Ｔ１、Ｔ２の間の線形補間を行うことができる（Ｔｓ＝Ｔ２−Ｔ１＊（Ｄ１−Ｄ）／（Ｄ１−Ｄ２））。
【００３８】
図４及び図５を参照すると、測定されたスペクトル３００（図４を参照されたい）を、１つ又はそれ以上のライブラリ３１０（図５参照）からの基準スペクトルと比較することができる。本明細書で用いられる場合、基準スペクトルのライブラリとは、特性を共有する基板を表す基準スペクトルの集合体である。しかしながら、単一のライブラリにおいて共有される特性は、基準スペクトルの複数のライブラリ間で変化する場合がある。例えば、２つの異なるライブラリは、２つの異なる基礎となる厚さをもつ基板を表す基準スペクトルを含むことができる。基準スペクトルの所与のライブラリの場合、他の要因（ウェハ・パターンの差、下位層の厚さ、又は層の組成などの）よりはむしろ、上部層の厚さの変動が、スペクトル強度の差の主たる原因であり得る。
【００３９】
異なるライブラリ３１０に対する基準スペクトル３２０は、異なる基板特性（例えば、下位層の厚さ又は層の組成）をもつ複数の「設定」基板を研磨し、上述のようにスペクトルを収集することによって生成することができ、１つの設定基板からのスペクトルは、第１のライブラリを提供し、異なる下位層の厚さをもつ別の基板からのスペクトルは、第２のライブラリを提供することができる。代替的に又はこれに加えて、異なるライブラリに対する基準スペクトルは、例えば第１のライブラリに対するスペクトルは第１の厚さを有する下位層をもつ光学モデルを用いて計算することができ、かつ、第２のライブラリについてのスペクトルは、異なる或る厚さを有する下位層をもつ光学モデルを用いて計算することができるなど、理論から計算することができる。
【００４０】
幾つかの実装において、各基準スペクトル３２０には、指標値３３０が割り当てられる。一般に、各ライブラリ３１０は、基板の予測研磨時間にわたる各プラテンの回転に対する基準スペクトルを、例えば１つ又はそれ以上、例えばちょうど１つなど、多くの基準スペクトル３２０を含むことができる。この指標３３０は、例えば基準スペクトル３２０が出現すると予測される研磨工程における時間を表す値とすることができる。スペクトルは、特定のライブラリにおける各スペクトルが固有の指標値を有するように、指標を付けることができる。指標化は、指標値が、スペクトルを測定した順にシーケンス化されるように実施することができる。指標値は、例えば研磨が進行するに連れて増減するなど、単調に変化するように選択することができる。特に、基準スペクトルの指標値は、時間又はプラテン回転数の線形関数を形成するように選択することができる（研磨速度が、ライブラリにおける基準スペクトルを生成するのに用いられるモデル又は試験基板の研磨速度に従うと仮定して）。例えば、指標値は、基準スペクトルが試験基板に対して測定された又は光学モデルにおいて発現したプラテン回転数に等しいなど、比例することができる。従って、各指標値は、整数とすることができる。指標数は、関連したスペクトルが発現するであろう予測プラテン回転数を表すことができる。
【００４１】
基準スペクトル及びその関連した指標値は、基準ライブラリ内に格納することができる。例えば、各スペクトル３２０及びその関連した指標値３３０は、データベース３５０の記録３４０に格納することができる。基準スペクトルの基準ライブラリのデータベース３５０は、研磨装置のコンピュータ・デバイスのメモリ内に実装することができる。
【００４２】
上述のように、各基板の各ゾーンに対して、測定されたスペクトル又はゾーン及び基板のシーケンスに基づいて、コントローラ１９０を、最も良く合致するスペクトルのシーケンスを生成するようプログラムすることができる。最も良く合致する基準スペクトルは、測定されたスペクトルを特定のライブラリからの基準スペクトルと比較することにより決定することができる。
【００４３】
幾つかの実装において、最も良く合致する基準スペクトルは、各基準スペクトルに対して、測定されたスペクトルと基準スペクトルとの間の二乗差の和を計算することにより決定することができる。最小の二乗差の和を有する基準スペクトルが最も良く適合する。最も良く合致する基準スペクトルを見つけるための他の技術も可能である。
【００４４】
コンピュータ処理を減らすために適用できる方法は、合致するスペクトルを検索するライブラリの部分を制限することである。ライブラリは、典型的には、基板の研磨中に得られるよりも広い範囲のスペクトルを含む。基板研磨中、ライブラリ検索は、ライブラリ・スペクトルの所定の範囲に限定される。幾つかの実装において、研磨されている基板の現在の回転指標Ｎが特定される。例えば、初期のプラテン回転において、Ｎは、ライブラリの全ての基準スペクトルを検索することにより決定することができる。その後の回転中に取得されるスペクトルに対しては、Ｎの自由度の範囲内でライブラリを検索する。つまり、１回転中に指標数がＮであると分かった場合、Ｘ回転後のその後の回転中、自由度がＹであるとすると、範囲は、（Ｎ＋Ｘ）−Ｙから（Ｎ＋Ｘ）＋Ｙまで検索される。
【００４５】
単一基板の単一ゾーンのみに対する結果を示す図６を参照すると、シーケンスにおける最も良く合致するスペクトルの各々の指標値を決定して、指標値２１２の経時変化シーケンスを生成することができる。この指標値のシーケンスは、指標トレース２１０と名付けることができる。幾つかの実装において、指標トレースは、各測定されたスペクトルをちょうど１つのライブラリからの基準スペクトルと比較することにより生成される。一般に、指標トレース２１０は、基板の下を光学監視システムが走査する毎に、例えばちょうど１つ等、１つの指標を含むことができる。
【００４６】
所与の指標トレース２１０に対して、光学監視システムの単一の走査において特定の基板及びゾーンについて複数のスペクトル（「現在のスペクトル」と名付ける）が測定された場合、最良の合致は、現在のスペクトルの各々と、例えばちょうど１つ等の１つ又はそれ以上のライブラリの基準スペクトルとの間で決定することができる。幾つかの実装において、各選択された現在のスペクトルを、選択されたライブラリの各基準スペクトルと比較する。例えば、所与の現在のスペクトルｅ、ｆ及びｇと基準スペクトルＥ、Ｆ及びＧについて、合致係数を以下の現在のスペクトルと基準スペクトルとの組み合わせ、ｅとＥ、ｅとＦ、ｅとＧ、ｆとＥ、ｆとＦ、ｆとＧ、ｇとＥ、ｇとＦ及びｇとＧ、について計算することができる。例えば最小であるなど、最良の合致を示す合致係数が、いずれであっても、最も良く合致する基準スペクトルを求め、従って、指標値を求める。代替的に、幾つかの実装において、現在のスペクトルを、例えば平均化するなど結合することができ、結果として得られる結合されたスペクトルを、基準スペクトルと比較して、最良の合致、従って指標値を求めることができる。
【００４７】
幾つかの実装において、少なくとも幾つかの基板の幾つかのゾーンについて、複数の指標トレースを生成することができる。所与の基板の所与のゾーンについて、指標トレースを、関心のある各基準ライブラリに対して生成することができる。つまり、所与の基板の所与のゾーンの関心のある各基準ライブラリについて、測定されたスペクトルのシーケンスにおける各測定されたスペクトルを、所与のライブラリからの基準スペクトルと比較し、最に良く合致する基準スペクトルのシーケンスを決定し、最も良く合致する基準スペクトルのシーケンスの指標値は、所与のライブラリに対する指標トレースを与える。
【００４８】
まとめると、各指標トレースは、指標値２１２のシーケンス２１０を含み、シーケンスの各特定の指標値２１２は、測定されたスペクトルに最も近く適合する所与のライブラリからの基準スペクトルの指標を選択することにより生成される。指標トレース２１０の各指標の対する時間値は、測定されたスペクトルが測定された時間と同一とすることができる。
【００４９】
図７を参照すると、複数の指標トレースが示される。上述のように、指標トレースを、各基板の各ゾーンに対して生成することができる。例えば、指標値２１２の第１のシーケンス２１０（中空の円で示される）を第１の基板の第１のゾーンに対して生成し、指標値２２２の第２のシーケンス２２０（中実の円で示される）を第１の基板の第２のゾーンに対して生成し、指標値２３２の第３のシーケンス２３０（中空の四角形で示される）を第２の基板の第１のゾーンに対して生成し、指標値２４２の第４のシーケンス２４０（中実の四角形で示される）を第２の基板の第２のゾーンに対して生成することができる。
【００５０】
図７に示すように、各基板指標トレースに対して、例えば一次関数（例えば、線形）等の既知の次数の多項関数を、例えばロバスト線形フィッティング（ｒｏｂｕｓｔ  ｌｉｎｅ  ｆｉｔｔｉｎｇ）等を用いて、関連付けられたゾーンについて指標値のシーケンスに当てはめる。例えば、第１の線２１４を、第１の基板の第１のゾーンに対する指標値２１２に当てはめ、第２の線２２４を、第１の基板の第２のゾーンに対する指標値２２２に当てはめ、第３の線２３４を、第２の基板の第１のゾーンに対する指標値２３２に当てはめ、第４の線２４４を、第２の基板の第２のゾーンに対する指標値２４２に当てはめることができる。線の指標値に対する当てはめは、線の傾斜Ｓの計算と、線が初期指標値、例えば０を横切るｘ−軸交差時間Ｔとを計算することを含む。関数は、ｔが時間であるとき、Ｉ（ｔ）＝Ｓ・（ｔ−Ｔ）の形で表すことができる。ｘ−軸交差時間Ｔは、基板層の初期厚さが予測より小さいことを示す、負の値を有することができる。従って、第１の線２１４は、第１の傾斜Ｓ１及び第１のｘ−軸交差時間Ｔ１を有し、第２の線２２４は、第２の傾斜Ｓ２及び第２のｘ−軸交差時間Ｔ２を有し、第３の線２３４は、第３の傾斜Ｓ３及び第３のｘ−軸交差時間Ｔ３を有し、第４の線２４４は、第４の傾斜Ｓ４及び第４のｘ−軸交差時間Ｔ４を有することができる。
【００５１】
例えば時間Ｔ０においてなど、研磨工程中のある時間において、例えばあらゆる基板の少なくとも１つのゾーンなど、少なくとも１つの基板の少なくとも１つのゾーンに対する研磨パラメータを調整して、研磨終点時間において、複数の基板の複数のゾーンの厚さが、こうした調整がない場合よりも目標厚さに近くなるように、基板のゾーンの研磨速度を調整する。幾つかの実施形態において、複数の基板の各ゾーンは、終点時間においてほぼ同一の厚さを有することができる。
【００５２】
図８を参照すると、幾つかの実装において、１つの基板の１つのゾーンを基準ゾーンとして選択し、基準ゾーンが目標指標ＩＴに到達する計画終点時間ＴＥを決定する。例えば、図８に示すように、第１の基板の第１のゾーンが基準ゾーンとして選択されるが、異なるゾーン及び／又は異なる基板を選択することもできる。目標厚さＩＴは、研磨作業前にユーザにより設定され、格納される。
【００５３】
基準ゾーンが目標指標に到達する計画終点時間を決定するために、例えば線２１４などの基準ゾーンの線と目標指標ＩＴとの交差点を計算することができる。残りの研磨工程を通して研磨速度が予測研磨速度から逸脱しないと仮定すると、指標値のシーケンスは、実質的に線形数列を保持するはずである。従って、予測終点時間ＴＥは、例えばＩＴ＝Ｓ・（ＴＥ−Ｔ）など、線の目標指標ＩＴに対する単純線形補間として計算することができる。従って、関連した第３の線２３４を有する、第２の基板の第１のゾーンが基準ゾーンとして選択される、図８の例においては、ＩＴ＝Ｓ１・（ＴＥ−Ｔ１）、つまりＴＥ＝ＩＴ／Ｓ１−Ｔ１である。
【００５４】
基準ゾーン以外の（他の基板上のゾーンを含む）、例えば全てのゾーンなどの１つ又はそれ以上のゾーンを、調整可能ゾーンとして定めることができる。調整可能ゾーンに対する線が予測終点時間ＴＥと交わるところが、調整可能ゾーンに対する計画終点を定める。従って、例えば図８における線２２４、２３４及び２４４など、各調整可能ゾーンの線形関数を用いて、関連したゾーンに対する予測終点時間ＥＴにおいて達成される指標、例えばＥＩ２、ＥＩ３及びＥＩ４などを推定することができる。例えば、第２の線２２４を用いて、第１の基板の第２のゾーンに対する予測終点時間ＥＴにおける予測指標ＥＩ２を推定し、第３の線２３４を用いて、第２の基板の第１のゾーンに対する予測終点時間ＥＴにおける予測指標ＥＩ３を推定し、第４の線２４４を用いて、第２の基板の第２のゾーンに対する予測終点時間ＥＴにおける予測指標ＥＩ３を推定することができる。
【００５５】
図８に示すように、時間Ｔ０の後、いずれかの基板のいずれかのゾーンの研磨速度に対しても調整が行われなかった場合、かつ、全ての基板に対して終点が同時に強制された場合、各基板は、異なる厚さを有することができる、つまり各基板の終点時間は異なり得る（これは欠陥及び処理量の損失をもたらすため望ましくない）。ここで、例えば、第１の基板の第２のゾーン（線２２４により示される）が、第１の基板の第１のゾーンの予測指標より大きい（従って厚さは薄い）予測指標ＥＩ２で終点に到達する。同様に、第２の基板の第１のゾーンは、第１の基板の第１のゾーンより小さい（従って厚さが厚い）予測指標ＥＴ３で終点に到達する。
【００５６】
図８に示すように、異なる基板に対して異なる時間において目標指標に到達する場合（又は同等に、調整可能ゾーンが基準ゾーンの計画終点時間において異なる予測指標を有する場合）、研磨速度を上下方向に調整して、基板が、こうした調整がない場合よりも、例えばほぼ同時といった、同一の時間で目標指標（従って、目標厚さ）に到達するように、すなわち、こうした調整がない場合よりも、目標時間において、例えばほぼ同一の指標値（従って、ほぼ同一の厚さ）といった、同一の指標値（従って同一の厚さ）に近くなるようにすることができる。
【００５７】
従って、図８の例において、時間Ｔ０において始まっているように、ゾーンの研磨速度を増大させるように（かつ、結果として、指標トレース２２４の傾斜が増大するように）、第１の基板の第２のゾーンの少なくとも１つの研磨パラメータを修正する。また、この例において、ゾーンの研磨速度を増大させるように（かつ、結果として、指標トレース２３４の傾斜が増大するように）、第２の基板の第１のゾーンの少なくとも１つの研磨パラメータを修正する。同様に、この例において、ゾーンの研磨速度を増大させるように（かつ結果として、指標トレース２４４の傾斜が増大するように）、第２の基板の第２のゾーンの少なくとも１つの研磨パラメータを修正する。結果として、両基板の両ゾーンは、ほぼ同時に目標指標（従って目標厚さ）に到達する（つまり、両基板の研磨が同時に終了した場合、両基板の両ゾーンは、最終的に同一の厚さになる）。
【００５８】
幾つかの実装において、予想終点時間ＥＴにおける予測指標が、基板のゾーンが目標厚さの所定の範囲内にあることを示す場合、そのゾーンに対する調整は不要であり得る。この範囲は、目標指標の、例えば１％以内など、２％とすることができる。
【００５９】
調整可能ゾーンに対する研磨速度を調整して、ゾーンの全てが、こうした調整がない場合よりも、予想終点時間において目標指標により近くなるようにすることができる。例えば、基準基板の基準ゾーンを選択し、他のゾーンの全てについての処理パラメータを調整することにより、ゾーンの全てが基準基板の予測時間において終点に到達される。例えば、基準ゾーンは、中央ゾーン１４８ａ又は中央ゾーンを直接囲むゾーン１４８ｂ、いずれかの基板のいずれかのゾーンの最も早い若しくは最も遅い予測終点時間を有するゾーン、又は所望の予測終点を有する基板のゾーンといった、所定のゾーンとすることができる。最も早い時間とは、研磨が同時に終了した場合に最も薄い基板と同等である。同様に、最も遅い時間とは、研磨が同時に終了した場合に最も厚い基板と同等である。例えば、基準基板は、基板の最も早い又は最も遅い予測終点時間をもつゾーンを有する基板など、所定の基板とすることができる。最も早い時間とは、研磨が同時に終了した場合に最も薄いゾーンと同等である。同様に、最も遅い時間とは、研磨が同時に終了した場合に最も厚いゾーンと同等である。
【００６０】
調整可能ゾーンの各々に対して、調整可能ゾーンが基準ゾーンと同時に目標指標に到達するように、指標トレースの所望の傾斜を計算することができる。例えば、所望の傾斜ＳＤは（ＩＴ−Ｉ）＝ＳＤ＊（ＴＥ−Ｔ０）から計算することができ、ここで、Ｉは研磨パラメータが変更される時間Ｔ０におけるゾーンの指標値（指標値のシーケンスに当てはまるよう線形関数から計算された）であり、ＩＴは目標指標であり、ＴＥは計算された予想終点時間である。図８の例において、第１の基板の第２のゾーンに対して、所望の傾斜ＳＤ２は、（ＩＴ−Ｉ２）＝ＳＤ２＊（ＴＥ−Ｔ０）から計算することができ、第２の基板の第１のゾーンに対して、所望の傾斜ＳＤ３は（ＩＴ−Ｉ３）＝ＳＤ３＊（ＴＥ−Ｔ０）から計算することができ、及び第２の基板の第２のゾーンに対して、所望の傾斜ＳＤ４は（ＩＴ−Ｉ４）＝ＳＤ４＊（ＴＥ−Ｔ０）から計算することができる。
【００６１】
図９を参照すると、幾つかの実装において、基準ゾーンは存在しない。例えば、予想終点時間ＴＥ’は、研磨工程前にユーザにより設定される所定時間ＴＥ’とすることができ、又は１つ又はそれ以上の基板からの２つ又はそれ以上のゾーン（種々のゾーンに対する線を目標指標に投射することにより、計算される）の予想終点時間の平均又は他の組み合わせから計算することができる。この実装において、所望の傾斜は、（予想終点時間ＴＥではなく、予想終点時間ＴＥ’を用いて）実質的に上述のように計算されるが、第１の基板の第１のゾーンに対する所望の傾斜も計算する必要があり、例えば、所望の傾斜ＳＤ１を（ＩＴ−Ｉ１）＝ＳＤ１＊（ＴＥ’−Ｔ０）から計算することができる。
【００６２】
図１０を参照すると、（図９に示す実装とも組み合わせることができる）幾つかの実装において、異なるゾーンに対して異なる目標指標がある。これは、基板上に計画的ではあるが制御可能な非均一な厚さプロファイルの生成を可能にする。目標指標は、例えばコントローラ上の入力装置を用いて、ユーザにより入力することができる。例えば、第１の基板の第１のゾーンは、第１の目標指標ＩＴ１を有し、第１の基板の第２のゾーンは、第２の目標指標ＩＴ２を有し、第２の基板の第１のゾーンは、第３の目標指標ＩＴ３を有し、及び第２の基板の第２のゾーンは、第４の目標指標ＩＴ４を有することができる。
【００６３】
各調整可能ゾーンに対する所望の傾斜ＳＤは（ＩＴ−Ｉ）＝ＳＤ＊（ＴＥ−Ｔ０）から計算することができ、ここで、Ｉは研磨パラメータが変更される時間Ｔ０におけるゾーンの指標値（ゾーンに対する指標値のシーケンスに当てはまるよう線形関数から計算された）だり、ＩＴは特定のゾーンの目標指標であり、ＴＥは計算される予想終点時間（図８に関連して上述した基準ゾーンから、又は図９に関連して上述した所定の終点時間、又は予想終点時間の組み合わせからのいずれか）である。図１０の例において、第１の基板の第２のゾーンに対して、所望の傾斜ＳＤ２は（ＩＴ２−Ｉ２）＝ＳＤ２＊（ＴＥ−Ｔ０）から計算することができ、第２の基板の第１のゾーンに対して、所望の傾斜ＳＤ３は（ＩＴ３−Ｉ３）＝ＳＤ３＊（ＴＥ−Ｔ０）から計算することができ、及び第２の基板の第２のゾーンに対して、所望の傾斜ＳＤ４は（ＩＴ４−Ｉ４）＝ＳＤ４＊（ＴＥ−Ｔ０）から計算することができる。
【００６４】
図８−図１０に関して上述した上記方法のいずれに対しても、研磨速度は、指標トレースの傾斜を所望の傾斜に近づけるように調整される。研磨速度は、例えば、キャリアヘッドの対応するチャンバにおける圧力を増減することにより調整することができる。研磨速度の変化は、例えば単純プレストニアン・モデル（ｓｉｍｐｌｅ  Ｐｒｅｓｔｏｎｉａｎ  ｍｏｄｅｌ）等、圧力における変化に直接比例すると仮定することができる。例えば、各基板の各ゾーンについて、ゾーンが、時間Ｔ０の前に圧力Ｐｏｌｄで研磨された場合、時間Ｔ０の後で適用する新しい圧力Ｐｎｅｗは、Ｐｎｅｗ＝Ｐｏｌｄ＊（ＳＤ／Ｓ）として計算することができ、ここで、Ｓは時間Ｔ０の前の線の傾斜であり、ＳＤは所望の傾斜である。
【００６５】
例えば、圧力Ｐｏｌｄ１が第１の基板の第１のゾーンに適用され、圧力Ｐｏｌｄ２が第１の基板の第２のゾーンに適用され、圧力Ｐｏｌｄ３が第２の基板の第１のゾーンに適用され、及び圧力Ｐｏｌｄ４が第２の基板の第２のゾーンに適用されたと仮定すると、第１の基板の第１のゾーンに対する新しい圧力Ｐｎｅｗ１はＰｎｅｗ１＝Ｐｏｌｄ１＊（ＳＤ１／Ｓ１）として計算することができ、第１の基板の第２のゾーンに対する新しい圧力Ｐｎｅｗ２はＰｎｅｗ２＝Ｐｏｌｄ２＊（ＳＤ２／Ｓ２）として計算することができ、第２の基板の第１のゾーンに対する新しい圧力Ｐｎｅｗ３はＰｎｅｗ３＝Ｐｏｌｄ３＊（ＳＤ３／Ｓ３）として計算することができ、第２の基板の第２のゾーンに対する新しい圧力Ｐｎｅｗ４はＰｎｅｗ４＝Ｐｏｌｄ４＊（ＳＤ４／Ｓ４）として計算することができる。
【００６６】
基板が目標厚さに到達する予測時間を求めるプロセス及び研磨速度の調整は、例えば特定の時間、例えば予想研磨時間の４０％乃至６０％といった指定された時間、研磨工程中に１回だけ実行すること、又は、例えば３０秒乃至６０秒ごとなど、研磨工程中複数回実行することができる。研磨工程中のその後の時間において、適切な場合は、速度を再び調整することができる。研磨工程中、研磨速度の変更を、４回、３回、２回又は１回だけなど、数回のみ行うことができる。調整は、研磨工程が始まってすぐ、研磨工程の中間又は終わり近くに行うことができる。
【００６７】
研磨は、例えば時間Ｔ０の後など、研磨速度が調整された後も継続し、光学監視システムは、スペクトルを収集し、各基板の各ゾーンに対する指標値を求め続ける。ひとたび基準ゾーンの指標トレースが（例えば、時間Ｔ０の後で指標値のシーケンスに新しい線形関数を当てはめることにより計算され、かつ新しい線形関数が目標指標に到達する時間を求めることにより、計算された）目標指標に到達すると、終点が決定され、両基板についての、研磨作業が停止する。終点を決定するために使用される基準ゾーンは、予想終点時間を計算するために上述のように用いられた同一の基準ゾーン又は異なるゾーンとすることができる（又は、図８を参照して説明されたようにゾーンの全てが調整された場合、基準ゾーンは、終点決定のために選択することができる）。
【００６８】
例えば銅の研磨などの幾つかの実装において、基板に対する終点を検出した後、基板は、例えば銅の残留物を除去するために、基板に、直ちに過剰研磨工程が施される。過剰研磨工程は、例えば１乃至１．５ｐｓｉなど、基板の全てのゾーンについて均一な圧力で行うことができる。過剰研磨工程は、例えば１０乃至１５秒など、予め設定された時間、行うことができる。
【００６９】
幾つかの実装において、基板の研磨は同時に終了しない。こうした実装において、終点決定のために、各基板に対して１つの基準ゾーンがあり得る。ひとたび特定の基板の基準ゾーンの指標トレースが目標指標（例えば、Ｔ０が目標指標に達した後で線形関数が指標値のシーケンスに適合する時間により計算されたような）に到達すると、特定の基板に対して終点が決定され、特定の基板の全てのゾーンに対する圧力の適用は同時に停止される。しかしながら、１つ又はそれ以上の他の基板の研磨は継続し得る。残りの基板の全てに対して終点が決定された後（又は、全ての基板に対する過剰研磨が完了した後）に初めて、残りの基板の基準ゾーンに基づいて、研磨パッドの洗浄が開始される。さらに、キャリアヘッドの全ては、研磨パッドから基板を同時に持ち上げることができる。
【００７０】
幾つかの実装において、複数のライブラリ（例えば、ライブラリ３１０）を各ゾーンに対して用いることができる。研磨速度及び研磨工程が非線形である場合、複数のライブラリは、例えば、基板の縁部における若しくは縁部の近くにおける研磨の監視のために特に適している。各ゾーンについて用いられるライブラリは、例えば、特定のライブラリを用いた類似のゾーンの研磨の満足のいく結果の知見に基づいて、ユーザにより選択することができる。従って、ユーザは、１つのゾーンに対して１つのライブラリのサブセット、別のゾーンに対して第２のライブラリのサブセット等を選択することができる。各ライブラリからの基準スペクトルは、研磨中に測定されたスペクトルの照合に用いることができ、各基準スペクトルは、上述のような関連した指標値を有することができる。
【００７１】
図１１は、異なるゾーンに対して用いられる基準ライブラリの選択のためのユーザ・インターフェース１１００の例を示す。ユーザ・インターフェース１１００は、研磨装置１００とインタフェース接続するコンピュータ・ソフトウェアと共に含ませることができる。一例として、ユーザ・インターフェース１１００のユーザ（例えば、研磨装置１００を制御する人）は、各ゾーンに対して、例えば図５を参照して上述したようなライブラリ３１０などの、複数のライブラリを選択することができる。選択したライブラリに基づいて、例えば、研磨装置１００は、研磨工程中の各種ゾーンに対する研磨圧力及び時間を動的に調整することができる。異なるライブラリを選択することにより、例えば、研磨装置１００は、ウェーハの縁部において他の場合には典型的な非線形の結果を補償することができる。例えば、ウェーハの縁部に沿って、単一の基準ゾーンを用いたロバスト線形フィッティング（図７に関連して説明された）と関連した工程は、十分な結果をもたらすことができない。ウェーハの縁部において特定のライブラリを選択することにより、例えば、研磨工程は類似の縁部特性と関連したライブラリを使用することにより、研磨工程を改善することができる。
【００７２】
ユーザ・インターフェース１１００を用いて選択された複数のライブラリは、各研磨ヘッドが、そのゾーンにおける研磨挙動を最もよく説明するそれぞれのライブラリ・スペクトルの組を用いることを可能にする。従って、各ゾーンに対する最も良く合致するライブラリ指標に対するロバスト線形フィッティングは、指標に対するより良い適合度を有することができる。各ゾーンはそれぞれの目標指標を有することができ、コントローラ１９０は、終点において各ゾーンの目標指標を達成するように圧力を動的に調整することができる。この概念は、ウェーハの領域に特有の上流のウェーハ処理の結果もたらされる基礎をなすばらつきを取り扱うように拡張することができる。ゾーン又はウェーハの領域ごとに異なる基準スペクトルの組を割り当てることにより、各ゾーンに対するロバスト線形フィッティングの精度を改善することができる。
【００７３】
ユーザ・インターフェース１１００は、ユーザが複数のライブラリを選択することを可能にする、例えばドロップダウン・メニュー又は閲覧ウィンドウなどの、初期ライブラリ選択制御を含むことができる。
【００７４】
ユーザ・インターフェース１１００は、各ゾーンについて使用される１つ又はそれ以上のライブラリ（初期ライブラリ選択ダイアログで事前に識別された複数のライブラリからの）を独立して選択するために使用することができるライブラリ選択ウィンドウ１１０２を含む。一例として、ライブラリ選択ウィンドウ１１０２は、ゾーンに対してライブラリを関連付け、フリーズさせるために使用することができるゾーン・ライブラリ関連付け制御１１０４を選択した後で現れるポップアップ・ウィンドウとすることができる。ゾーン・ライブラリ関連付け制御１１０４は、ユーザがアクセスすることができ、かつ、例えば、研磨工程の他の態様のためのユーザ制御を提供する、種々の他の制御１１０６（例えば、ボタン、フィールド、チェック・ボックス等）と共に含ませることができる。任意の所与の時間において、ゾーン・ライブラリ・サマリ１１０８は、ライブラリ選択ウィンドウ１１０２が表示されない時間など、ライブラリ選択スクリーン１１０２により現在定義される情報のサマリを提供することができる。幾つかの実装において、表示されるゾーンの数がゾーン・ライブラリ・サマリ１１０８に対して割り当てられた表示領域を超える場合など、スクロール可能リスト（例えば、スクロール・バーが含まれている）において、ゾーン・ライブラリ・サマリ１１０８を提供することができる。
【００７５】
ライブラリ選択ウィンドウ１１０２は、ライブラリを特定の番号が付けられたゾーンに割り当てるためのライブラリ選択領域１１１０とゾーン及びオプションがどのように使用されるかを指定するためのオプション領域１１１２とを含む、２つのメイン領域を含むことができる。図１１に示すように、ライブラリ選択ウィンドウ１１０２は、ゾーン特有のライブラリ・チェック・ボックス１１１４、全／無（ａｌｌ／ｎｏｎｅ）の制御１１１６、フリーズ・チェック・ボックス１１１８及び百分率フィールド１１２０を含む。ユーザは、各ライブラリ番号の隣にあるチェック・ボックスにチェックする（又はチェックを外す）ことにより、個々のライブラリ（例えばライブラリ１、２及び／又は３）を選択（又は選択解除）することができる。
【００７６】
例えば、ゾーンＺ１に対する第１の行１１２１ａは、ライブラリ１及び２が選択されたことを示す一方、ゾーンＺ４に対するハイライトされた行１１２１ｂは、３つのライブラリ１０３が全て選択されたことを示す。これら及び他の選択は、強調表示されたゾーンＺ４に対する情報も示すゾーン・ライブラリ・サマリ１１０８に要約される。幾つかの実装において、ユーザ・インターフェース１１００は、ユーザが現在操作している行（例えば行１１２１ａ、１１２１ｂ等）を強調表示することができる。示されるように、どの行（例えば行１１２１ａ、１１２１ｂ等）も、フリーズ・チェック・ボックス１１１８にチェックされていない。行１１２１ｃは、研磨工程において現在制御されていないゾーンＺ６を識別する。幾つかの実装において、制御されていないゾーン名（例えばＺ６）を選択又はクリックすることにより、ゾーンに対する制御１１１４乃至１１２０がイネーブルにされ、ユーザがゾーンに対して用いるためにライブラリを選択し、他の選択を行うことを可能にする。
【００７７】
幾つかの実装において、上述のように、図１１には示されないドロップダウン・メニュー、閲覧ダイアログ又は他の制御を用いて、各ゾーンについての選択可能な候補ライブラリとして表示されたライブラリを制御することができる。例えば、こうした制御を用いて、ユーザは、ゾーン特有のライブラリ・チェック・ボックス１１１４に現在現れていないライブラリ４及び／又は他のライブラリを付加することができる。
【００７８】
幾つかの実装において、図１１に示されない他の制御により、ユーザは各ライブラリについての情報を定義又は表示することができる。例えば、ユーザは、ライブラリの特徴についての注記を書き、特定のゾーンに対して使用可能なものとしてどのライブラリを割り当てるかを決定するときなどに、そのライブラリに関する情報を後で引き出すことができる。
【００７９】
全／無のボタン１１１６は、ユーザに、ライブラリ・チェック・ボックスの全てをチェックするか（例えば「全」ボタンを用いて）又はチェック・ボックスの全てを選択しないか（例えば「無」ボタンを用いて）のいずれかのための迅速な方法を提供する。例えば、行１１２１ｂのゾーンＺ４に関するチェック・ボックスのチェックの状況は、ユーザがその行の「全」ボタンを選択した結果とすることができる。
【００８０】
フリーズ・チェック・ボックス１１１８は、ユーザが、最良の適合を与えるライブラリの自動選択のタイミングを制御することを可能にする。特定的には、研磨中、経過時間が指定された百分率以内である場合（例えば、各百分率フィールド１１２０において指定されるように）、最良の適合度を有する線形関数を与えるライブラリが選択され、研磨工程の残りに対して使用される。特定のゾーンに対してフリーズ・チェック・ボックス１１１８が選択されない場合、百分率フィールド１１２０は、グレーアウトされるか又は他の方法でディスエーブルにされる。
目標ゾーン・チェック・ボックス１１２２により、システムは、調整可能ゾーンの全てに対する基準ゾーンのための最良のライブラリを使用する。
【００８１】
チェック・ボックスの作成１１２４は、各特定のゾーンに対して使用するための最良のライブラリを決定する際にオペレータを支援するツールとして用いることができる。幾つかの実装において、ユーザ・インターフェース１１００は、研磨工程がリアルタイムで進行するにつれて、最良のライブラリから生成された指標値及び線形関数を示す表示（図１１には示されない）を含むことができる。しかしながら、チェック・ボックス１１２４がチェックされると、所与のゾーンに対して選択された各基準ライブラリについての指標値及び線形関数を示す表示が生成される。これにより、所与のゾーンに対してうまく機能しないライブラリもユーザのオプションで表示することが可能になる。ユーザは、このタイプの最良／最悪ライブラリ情報を用いて、例えば、個々のゾーン特有のライブラリ・チェック・ボックス１１１４をチェックする際、どのライブラリを使用するいか（又は、回避するか）を決定することができる。
【００８２】
制御１１２６は、ここではＯＫボタン及びキャンセル・ボタンを含むものとして示され、ユーザが、ライブラリ選択ウィンドウ１１０２上で行ったユーザ入力又は変更を実行又は廃棄することを可能にする。一例として、ＯＫボタンを選択する（例えば、クリックする）ことにより、ユーザがライブラリ選択領域１１１０で行った任意の入力及びオプション領域１１１２で行った任意のオプション選択を適用することができる。これと比較して、キャンセル・ボタンを選択することにより、ユーザはライブラリ選択ウィンドウ１１０２を終了することが可能になる。
【００８３】
ゾーンの各々に対してユーザにより選択された複数のライブラリを用いて、研磨装置１００は、研磨工程中、基板の第１のゾーンからの第１のスペクトルのシーケンスを測定することができる。基板の第１のゾーンからの第１のスペクトルのシーケンスにおける各測定されたスペクトル、及び、第１のゾーンと関連した各ライブラリに対して、研磨装置１００は、最も良く合致する基準スペクトルを決定することができる。ゾーンの各ライブラリからの最も良く合致する基準スペクトルの各々に対して、研磨装置１００は、研磨工程中に用いるための指標値のシーケンスを決定することができる。この工程は、各ゾーンに対して定められた複数のライブラリを用いて、残りのゾーンについて繰り返すことができる。
【００８４】
例えば、特定のゾーン及び基板に対して関心のあるライブラリの各々について１つの指標トレースなど、特定のゾーン及び基板に対して複数の指標トレースが生成される場合、特定のゾーン及び基板に対する終点又は圧力制御アルゴリズムにおいて使用するために、指標トレースのうちの１つを選択することができる。例えば、同一のゾーン及び基板に対して生成された指標トレースの各々について、コントローラ１９０は、その指標トレースの指標値に対して線形関数を当てはめて、その線形関数の指標値のシーケンスに対する適合度を求めることができる。その指標値に対して最も良い適合度をもつ線を有する生成された指標トレースを、特定のゾーン及び基板に対する指標トレースとして選択することができる。例えば、調整可能ゾーンの研磨速度をどのように調整するかを決定する際に、例えば時間Ｔ０において、最良の適合度を持つ線形関数を計算において用いることができる。別の例として、最良の適合度を持つ線に対する計算された指標値（指標値のシーケンスに当てはめられた線形関数から計算された）が、目標指標に合致する若しくはこれを超えたとき、終点とすることができる。また、線形関数から指標値を計算するよりも、むしろ指標値自体を目標指標と比較して、終点を判断することができる。
【００８５】
スペクトル・ライブラリと関連した指標トレースがライブラリと関連した線形関数に最良の適合度を有するかどうかを判断することは、関連したスペクトル・ライブラリの指標トレースが、関連したロバスト線と別のライブラリと関連した指標トレースとの差と比較して、例えば最小標準偏差、最大相関又は他の差異の尺度など、相対的に、関連したロバスト線からの差が最小であるかどうかを判断することを含む。１つの実装において、適合度は、指標データポイントと線形関数との間の二乗差の和を計算することにより求められ、二乗差の和が最小のライブラリが最良の適合度を有する。
【００８６】
図１２を参照すると、サマリの流れ図６００が示される。上述のように、同一の研磨パッドにより研磨装置において複数の基板の複数のゾーンが同時に研磨される（ステップ６０２）。この研磨作業中、各基板の各ゾーンは、例えば特定のゾーンの上のキャリアヘッドのチャンバにより適用される圧力など、独立に変化する研磨パラメータにより、他の基板とは独立して制御可能な研磨速度を有する。研磨作業中、基板は、上述のように、例えば各基板の各ゾーンから取得された測定されたスペクトルを用いて監視される（ステップ６０４）。最良の適合の基準スペクトルを判断する（ステップ６０６）。最良の適合である各基準スペクトルに対する指標値を求めて、指標値のシーケンスを生成する（ステップ６１０）。各基板の各ゾーンに対して、線形関数を指標値のシーケンスに当てはめられる（ステップ６１０）。１つの実装において、例えば線形関数の線形補間により、基準ゾーンに対する線形関数が目標指標値に到達する予送終点時間を判断する（ステップ６１２）。他の実装において、予想終点時間は、複数のゾーンの予想終点時間の組み合わせとして予め定める又は計算される。必要に応じて、その基板の研磨速度を調整するように、他の基板の他のゾーンに対する研磨パラメータを調整して、複数の基板の複数のゾーンがほぼ同時に目標厚さに到達するか、又は、複数の基板の複数のゾーンが目標時間においてほぼ同じ厚さ（又は目標厚さ）を有するようにする（ステップ６１４）。研磨は、パラメータを調整した後も継続し、各基板の各ゾーンに対して、スペクトルを測定し、ライブラリから最も良く合致する基準スペクトルを決定し、最も良く合致するスペクトルについての指標値を求めて、研磨パラメータを調整した後の時間についての指標値の新しいシーケンスを生成し、線形関数を指標値に当てはめる（ステップ６１６）。研磨は、ひとたび基準ゾーンに対する指標値（例えば、指標値の新しいシーケンスに当てはめられた線形関数から生成された計算された指標値）が目標指標に到達すると、研磨を停止することができる（ステップ６３０）。
【００８７】
基板の縁部に沿ったゾーンの研磨は、上述のような工程を用いることができる（例えばステップ６０２乃至ステップ６１６）。さらに、縁部に沿った研磨は、ライブラリの定義及び特定のゾーンへのライブラリの割り当てを含むことができる（ステップ６３２）。例えば、ライブラリ（例えばライブラリ３１０）を定めることができる。さらに、ライブラリは、例えば、ユーザ・インターフェース１１００を用いて１つ又はそれ以上のライブラリ（例えば、ライブラリ１、２、３等）を特定のゾーン（例えば、ゾーンＺ１、Ｚ２等）に割り当てるなど、各ゾーンに対して割り当てることができる。各ゾーンに割り当てられたライブラリを用いて、縁部に沿った研磨が行われる（ステップ６３４）。ゾーンの指標値が目標指標に到達したときなど、ステップ６３０完了として研磨を停止することができる（ステップ６３６）。幾つかの実装において、ステップ６３２乃至ステップ６３６は、ステップ６０２乃至ステップ６３０と平行して、又は研磨装置１００により実行可能な任意の順序で実行することができる。
【００８８】
上述の技術は、渦電流システムを用いた金属層の監視にも適用可能である。この場合、スペクトルの合致を行うのでなく、渦電流システムにより、層厚（又は、それを表す値）を直接測定し、層厚は、計算のための指標値の代わりに用いられる。
【００８９】
終点の調整に用いられる方法は、実施される研磨のタイプに基づいて異なり得る。銅バルクの研磨に対しては、単一の渦電流監視システムを用いることができる。単一プラテン上に複数のウェーハを有する銅洗浄ＣＭＰに対しては、基板の全てが同時に第１のブレークスルーに到達するように、単一の渦電流監視システムを最初に用いることができる。次に、渦電流監視システムをレーザ監視システムに切り替えて、ウェーハを洗浄及び過剰研磨することができる。単一のプラテン上に複数のウェーハを有するバリア及び誘電体ＣＭＰに対しては、光学監視システムを用いることができる。
【００９０】
コントローラ１９０は、中央演算処理装置（ＣＰＵ）１９２、メモリ１９４、及び例えば、入力／出力回路、電源、時計回路、キャッシュ及び他の類似のもの等のサポート回路１９６を含むことができる。光学監視システム１６０（及び、いずれかの他の終点検知システム１８０）から信号を受信することに加えて、コントローラ１９０は、研磨装置１００に接続して、様々なプラテン及びキャリアヘッドの回転速度及びキャリアヘッドにより適用される圧力等、研磨パラメータを制御することができる。メモリはＣＰＵ１９２に接続される。メモリ、又はコンピュータ可読媒体は、ランダム・アクセス・メモリ（ＲＡＭ）、読み出し専用メモリ（ＲＯＭ）、フロッピー（登録商標）・ディスク、ハードディスク又は他のデジタル記憶装置の形態のような１つ又はそれ以上の容易に利用可能なメモリとすることができる。さらに、単一のコンピュータとして示されているが、コントローラ１９０は、例えば複数の独立に動作するプロセッサ及びメモリを含む等、分散システムとすることもできる。
【００９１】
本明細書に記載される本発明の実施形態及び機能操作の全ては、デジタル電子回路、又はコンピュータ・ソフトウェア、ファームウェア、又は本明細書に開示された構造的手段及びその構造的同等物、若しくはそれらの組み合わせを含む、ハードウェアにおいて実装することができる。本発明の実施形態は、例えば、プログラム可能プロセッサ、コンピュータ、又は複数のプロセッサ若しくはコンピュータ等のデータ処理装置によって、又はその動作を制御するために、１つ又はそれ以上のコンピュータ・プログラム製品、すなわち機械可読格納媒体に有形に具体化された１つ又はそれ以上のコンピュータ・プログラムとして実装することができる。コンピュータ・プログラム（プログラム、ソフトウェア、ソフトウェア・アプリケーションとしても知られる）は、コンパイルされた又は翻訳された言語を含む、いずれかの形態のプログラミング言語で書くことができ、かつ、スタンドアローン・プログラム、又は、モジュール、コンポーネント、サブルーチン、又はコンピュータ環境において用いるのに適した他のユニットとして、任意の形態で展開することができる。コンピュータ・プログラムは、必ずしもファイルに対応しない。プログラムは、他のプログラム又はデータを保持するファイルの一部、当該プログラム専用の単一のファイル、又は複数の協調したファイル（例えば、１つ又はそれ以上のモジュール、サブプログラム、又はコードの部分）内に格納することができる。コンピュータ・プログラムは、１つのサイトにおいて１つのコンピュータ又は複数のコンピュータ上で実行されるように、又は複数のサイトにわたって分散させ、通信ネットワークにより相互接続されるように展開することができる。
【００９２】
本明細で説明される工程及び論理の流れは、入力データ上で動作しかつ出力を生成することにより機能を実行するように、１つ又はそれ以上のコンピュータ・プログラムを実行する１つ又はそれ以上のプログラム可能プロセッサにより実施することができる。工程及び論理の流れは、例えばＦＰＧＡ（フィールド・プログラム可能ゲートアレイ）又はＡＳＩＣ（特定用途向け集積回路）等の特定用途論理回路によって実行することができ、装置は、例えばＦＰＧＡ（フィールド・プログラム可能ゲートアレイ）又はＡＳＩＣ（特定用途向け集積回路）等の特定用途論理回路として実装することもできる。
【００９３】
上述の研磨装置及び方法は、種々の研磨システムに適用することができる。研磨パッド又はキャリアヘッドのいずれか、若しくは両方が、研磨表面と基板との間の相対運動をもたらすように動くことができる。例えば、プラテンは、回転ではなく、軌道運動することができる。研磨パッドは、プラテンに固定された円形（又は、何らかの他の形状）とすることができる。終点検知システムの幾つかの態様は、例えば研磨パッドが線形に運動する連続的な又はリール間ベルトである、線形研磨システムに適用可能である。研磨層は、標準的な（例えば、フィラー付き又は無しのポリウレタン）研磨材料、軟質材料又は固定研磨材とすることができる。相対位置の用語が用いられるが、研磨表面と基板は、垂直方向の配向又は幾つかの他の配向に保持できることを理解すべきである。
【００９４】
本発明の特定の実施形態について説明した。他の実施形態も、以下の特許請求の範囲の範囲内にある。
【符号の説明】
【００９５】
１００：研磨装置
１００：研磨装置
１０８：ウィンドウ
１０ａ、１０ｂ：基板
１１０：研磨パッド
１１２：外側研磨層
１１４：裏打ち層
１１８：固体ウィンドウ
１２０：プラテン
１２１：モータ
１２４：駆動軸
１２５：軸
１２８：凹部
１２９：回転連結器
１３０：組み合わせたスラリー／リンス・アーム
１３２：研磨液
１４０：キャリアヘッド
１４２：保持リング
１４４：可撓性膜
１４５ａ−１４６ｃ：チャンバ
１４８ａ−１４８ｃ：ゾーン
１５０：支持構造体
１５２：駆動軸
１５４：キャリアヘッド回転モータ
１５５：軸
１６０：その場（光学）監視システム
１６２：光源
１６４：光検出器
１６６：回路
１６８：光学ヘッド
１７０：二股光ファイバ
１７２：幹線
１７４、１７６：枝線
１９０：遠隔コントローラ
２１０：シーケンス
２１０：指標トレース
２１２：指標値
２２２、２３２、２４２、３３０：指標値
３００：スペクトル
３１０：ライブラリ
３２０：基準スペクトル
３４０：記録
３５０：データベース
１１００：ユーザ・インターフェース
１１０２：ライブラリ選択ウィンドウ
１１０４：ゾーン・ライブラリ関連付け制御
１１０６：制御
１１０８：ゾーン・ライブラリ・サマリ
１１１０：ライブラリ選択領域
１１１２：オプション領域
１１１４：ゾーン特有ライブラリ・チェック・ボックス
１１１６：全／無の制御
１１１８：フリーズ・チェック・ボックス
１１２０：百分率フィールド
１１２１ａ、１１２１ｂ：行
【図１】
2013532912.tif 000003
【図２】
2013532912.tif 000004
【図３Ａ】
2013532912.tif 000005
【図３Ｂ】
2013532912.tif 000006
【図４】
2013532912.tif 000007
【図５】
2013532912.tif 000008
【図６】
2013532912.tif 000009
【図７】
2013532912.tif 000010
【図８】
2013532912.tif 000011
【図９】
2013532912.tif 000012
【図１０】
2013532912.tif 000013
【図１１】
2013532912.tif 000014
【図１２】
2013532912.tif 000015
【国際調査報告】
2013532912.tif 000016
2013532912.tif 000017
2013532912.tif 000018