(57)【要約】  マイクロストリップ線路と矩形導波管という異なる技術を結合して、例えばセラミック上に、プリント回路基板（２）の中に集積化された線路（１）と導波管（３１−３２１−３２２）との間のモード変換器（４）を備える遷移装置を実現する。回路基板（２）には、１つの大側壁（３１ｓ）が線路のストリップ（１１）と共面かつ共軸であり、別の大側壁（３１ｉ）が筐体の底部で回路基板の金属層（２３）に固定されている導波管を含む筐体（２６）が備えられる。リンク用金属要素（６）が変換器と、線路と導波管の内の１つとの間の機械的公差の空隙（５）を橋渡しする。変換器は、回路基板の中またはマイクロ波部品（３）内の導波管の中へ集積化することができる。
2013513274.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プリント回路基板（２）上に集積された導体ストリップ線路（１）と矩形導波管（３１−３２）との間のモード変換器（４）を備える遷移装置であって、
前記回路基板は筐体（２６）を備え、前記筐体には、前記線路のストリップ（１１）と共面、共軸な大側壁（３１ｓ）と、前記筐体底面にある前記回路基板の金属層（２３）の一部の上に固定されている別の大側壁（３１ｉ）とを有する前記導波管が含まれ、
前記装置は、リンク用金属要素（６）で橋渡しされた、前記モード変換器（４）と、前記線路および前記導波管の内の１つとの間にある空隙を備えることを特徴とする遷移装置。
【請求項２】
前記リンク用金属要素（６）は、１つまたは複数の横並びになった金属シートのストリップか、またはいくつか横並びになった金属ワイヤからなる、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記モード変換器（４）は、前記ストリップ線路（１）から前記導波管（３１−３２）に向かってストリップ幅と厚さが増大し、波長の約四分の一に等しい長さを有するストリップ線路セグメント（２１−４１、２２−４２、２３−４３）を備える、請求項１又は２に記載の装置。
【請求項４】
前記ストリップ線路セグメントのストリップ（４１、４２、４３）に沿って延在し、それらのストリップと同一面にあり、かつ前記線路のストリップ（１１）に沿って同一面上に延在する金属遮蔽層（１３）と結びつく、遮蔽金属層（４７、４８、４９）を備える、請求項３に記載の装置。
【請求項５】
前記回路基板と前記導波管（３１−３２）の比誘電率（１０−２０；３３）は異なる、請求項１〜４のいずれか１項に記載の装置。
【請求項６】
前記導波管（３１−３２）は、セラミックを基板（３３）とするマイクロ波部品（３）の中に集積化されている、請求項１〜５のいずれか１項に記載の装置。
【請求項７】
前記導波管は、互い違いに配置された金属被覆孔（３２１−３２２）の列をそれぞれに備える小側壁を含んでいる、請求項１〜６のいずれか１項に記載の装置。
【請求項８】
プリント回路基板（２）に集積化されたストリップ線路（１）と矩形導波管（３１−３２）との間のモード変換器（４）を備える遷移装置の製法であって、
前記回路基板内部の金属層（２３）で部分的に構成される底部を有する筐体（２６）を前記回路基板（２）内に配置するステップと、
前記導波管の大側壁（３１ｓ）が前記線路ストリップ（１１）に共面かつ共軸となり、かつ前記導波管の別の大側壁（３１ｉ）が前記金属層の一部の上に固定されるように前記導波管を前記筐体（２６）中に導入するステップと、
前記モード変換器（４）と、前記線路および前記導波管（３１−３２）の内の１つとの間の空隙（５）を橋渡しする薄いリンク用金属要素（６）を形成して固定するステップと、を特徴とする方法。
【請求項９】
ストリップ線路セグメント（２１−４１、２２−４２、２３−４３）を前記回路基板に集積化して前記モード変換器を形成するステップと、
前記線路セグメントの前記最大幅のストリップ（４３）と前記導波管の大側壁（３１ｓ）とへ前記リンク用金属要素（６）を固定するステップと、
を含み、
前記ストリップ線路セグメントはそれぞれが前記回路基板内に重畳された接地金属層と前記回路基板表面上の金属ストリップとを含み、前記ストリップ線路（１）から前記導波管（３１−３２）へ向かって増大するストリップ幅と厚さを有し、かつ長さは波長のほぼ四分の一である、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
ストリップ線路セグメント（２１−４１、２２−４２、２３−４３）を前記導波管構造（３１−３２）に集積化して前記モード変換器を形成するステップと、
前記線路の前記ストリップ（１１）と前記線路セグメントの少なくとも大きなストリップ（４１）とへ前記リンク用金属要素（６）を固定するステップと、
を含み、
前記ストリップ線路セグメントはそれぞれが前記導波管内に重畳された接地金属層と前記導波管構造の表面上の金属ストリップとを含み、前記ストリップ線路（１）から前記導波管（３１−３２）へ向かって増大するストリップ幅と厚さを有し、かつ長さは波長のほぼ四分の一である、請求項８に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はマイクロ波伝搬のための受動部品に関する。より具体的には、導電性マイクロストリップ線路と矩形導波管技術による部品との間のプレーナ型遷移装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
導電性マイクロストリップ技術は、Ｃバンドまで含む周波数が数ギガヘルツのマイクロ波機能を容易に集積化できる可能性を提供する。そのような技術は、約１０ＧＨｚ（Ｋｕバンド、Ｋバンド、Ｋａバンド）程度の高い周波数になるほど、利用が複雑になってくる。実際に、マイクロストリップ線路には放射しやすい性質があるために、電気遮蔽のために導電性の機械的構造の中に導体を包み込む必要がある。周波数が高いので、そのような機械的構造はそれに見合って小さくなければならない。
【０００３】
空気導波管は、本質的に放射性の構造ではないが、複雑な機能を組み込むことにはうまく適合できない。したがって、導波管は低損失装置、または高出力のマイクロ波に対して利用される。空気の代わりに比誘電率が１より大きい誘電体を利用すると、導波管をかなり小さくすることができ、基板上に集積した導波管をマイクロストリップ線路に組み込むことが可能となる。
【０００４】
Ｄｏｍｉｎｉｃ  Ｄｅｓｌａｎｄｅｓ  と  Ｋｅ  Ｗｕによる論文“Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｍｉｃｒｏｓｔｒｉｐ  ａｎｄ  Ｒｅｃｔａｎｇｕｌａｒ  Ｗａｖｅｇｕｉｄｅ  ｉｎ  Ｐｌａｎａｒ  Ｆｏｒｍ（マイクロストリップと矩形導波管のプレーナ型集積）”（ＩＥＥＥ  ＭＩＣＲＯＷＡＶＥ  ＡＮＤ  ＷＩＲＥＬＥＳＳ  ＣＯＭＰＯＮＥＮＴＳ  ＬＥＴＴＥＲＳ  第１１巻２号、２００１年２月）には、マイクロストリップ線路の準ＴＥＭ伝搬モードを導波管のＴＥ基本モードＴＥ１０へ変換する方法が述べられている。この論文による遷移装置は１枚の薄い誘電体基板からなり、マイクロストリップ線路と、矩形導波管と、線路と導波管との間の平面モード変換器と、が集積されている。モード変換器は、準ＴＥＭモードからＴＥ１０モードへの変換に加えて、線路と導波管との間の電気的連続性を提供する。ストリップ状の線路を支持する誘電体基板表面には、等脚台形状にテーパのついた導体部分を有するモード変換器があり、その上底部分がストリップの端部に合流し、下底部分が導波管の第１の大側壁の断面端の中央部に合流する。誘電体基板の反対側の面は導体層で全面が覆われ、線路に対して接地面として作用するとともに、導波管に対して第２の大側壁として作用する。導波管の長手方向の小さな側壁は、誘電体基板中に配置された、２列の金属被覆のビアホールまたは２本の金属被覆溝のいずれかで形成されている。こうして、導波管の高さ（つまり厚さ）をＴＥ１０伝搬への影響をほとんど与えずに小さくすることができ、放射による損失を低減しつつ導波管をマイクロストリップ線路の薄い誘電体基板に集積化することが可能となる。
【０００５】
上記の論文における遷移装置の構造が、欧州特許出願公開第１３７６７４６（Ｂ１）号において、矩形導波管のマイクロ波フィルタとマイクロストリップ線路とを同一の薄膜誘電体基板上に集積化することに利用されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】欧州特許出願公開第１３７６７４６（Ｂ１）号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、マイクロストリップ線路に関する第１の技術と、それとは異なる導波管に関する第２の技術とを、双方の技術の利点を維持しつつマイクロ波遷移装置によって結合することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
従って、プリント回路基板上に集積された導体ストリップ線路と矩形導波管との間のモード変換器を備える遷移装置が、線路のストリップと共面、共軸な大側壁と、筐体底面において回路基板の金属層の上に固定されている別の大側壁とを有する導波管を含む筐体を備える回路基板と、リンク用金属要素で橋渡しされ、モード変換器と、線路および導波管の内の１つとの間にあるギャップを備える装置、とを特徴とする。
【０００９】
このモード変換器は、第１の技術による回路基板、または第２の技術による導波管の誘電体基板内に集積化される。モード変換器が回路基板の誘電体基板内に集積化されている場合には、空隙及び金属リンク要素は、モード変換器と導波管の端との間に位置している。モード変換器が導波管の誘電体基板内に集積化されている場合には、空隙及び金属リンク要素は、ストリップ線路とモード変換器との間に位置している。空隙は、導波管構造を基板の筐体内に導入する際の機械的公差から生じる。金属リンク要素は、１つまたは複数の金属シートストリップまたは１つまたは複数の金属ワイヤからなっていてもよいが、モード変換器を介して、線路のストリップと導波管の大側壁との間の電気的連続性を与える。ここでモード変換器は、リンク要素により橋渡しされる空隙により生じるずれも考慮に入れて導波管のインピーダンスの整合を取る。インピーダンスはモード変換装置内で、ストリップ線路セグメントによって整合が取られ、ストリップ線路セグメントは、複数のストリップ幅と、複数の厚さつまりマイクロストリップ線路と接地面との間の複数の距離を有し、これはストリップ線路から導波管に向かって段階的に増大する。また、ストリップ線路セグメントは波長の約四分の一の長さを有している。
【００１０】
遷移装置の実施形態に拘らず、多層プリント回路基板と同様のマイクロストリップ線路技術と、セラミック基板上の誘電体基板集積導波管（ＳＩＷ）と同様の導波管の製造技術が共通して使用され、線路と導波管の特性選択、より具体的には、基板と導波管の異なる比誘電率の選択に、より大きな自由度が与えられる。特に、導波管をセラミックスを基板とするマイクロ波部品に集積化することが可能である。導波管の小側壁のそれぞれを、互い違いになった金属被覆孔の列で構成することが可能であり、放射損失を低減することができる。
【００１１】
本発明は、大型の金属構造部品をなくして、低放射、低損失、および低重量のマイクロ波構造物を実現可能であり、このため特に航空機用装置に有用である。本発明により、マイクロストリップ線路を、高い選択性を持つフィルタ及び高指向性のカプラを含む様々な矩形導波管構造物に接続することが可能となる。特に本発明は、約１０ギガヘルツまでの高周波で動作する、放射ヘッドまたは受信ヘッド、またはネットワークアンテナまたは電子走査アンテナなどの実装に好適である。
【００１２】
本発明はまた、プリント回路基板に集積されたストリップ線路と矩形導波管との間のモード変換器からなる遷移装置の製造方法にも関する。この方法は、回路基板内部の金属層の一部に底部を有する筐体を回路基板内に配置するステップと、導波管の大側壁が線路ストリップと共面、共軸になるように導波管を筐体内部に導入し、導波管の別の大側壁を金属層部分の上に固定するステップと、モード変換器と、線路および導波管の内の１つとの間の空隙を橋渡しする薄いリンク用金属要素を形成して固定するステップとを特徴とする。
【００１３】
本発明のそのほかの特徴および利点は、非限定の例示として与えられる本発明のいくつかの実施形態に関する以下の説明を、対応する添付の図面を参照して読むことにより、より明確になるであろう。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明による２つの遷移装置を上から見た斜視図である。
【図２】図１の線ＩＩ−ＩＩに沿う、軸長手方向断面の斜視図である。
【図３】遷移装置のモード変換器の位置における、遷移装置の長手方向断面図である。
【図４】図２と同様の長手方向断面の斜視図であり、遷移装置のモード変換器と受動マイクロ波部品との間の空隙の位置における拡大図である。
【図５】遷移装置のマイクロストリップ線路の横断面図である。
【図６】マイクロ波部品の矩形導波管構造の横断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
図１〜４に示す本発明の一実施形態によれば、遷移装置は、多層ＰＣＢ（「プリント回路基板」）タイプの薄いプリント回路基板２に集積化されたマイクロストリップ線路１と、矩形導波管構造のマイクロ波部品３との間の受動マイクロ波回路であり、両者の間には平面モード変換器４が配置されている。これらの図面では、マイクロ波部品３の長手方向の両端の同一基板２の上に、横方向面に関して対称的に２つの遷移装置が配置されている。部品３は、基板２上で嵌合されてマイクロストリップ線路１の寸法と伝搬特性に最善の状態で適合するようになっている。マイクロストリップ線路１を集積化している基板２は、このように部品３の支持体として作用する。
【００１６】
プリント回路基板２はマイクロ波回路であり、幅Ｌに比べて厚さＥの小さい横方向断面になっている。回路基板は誘電体基板２０の複数の層から構成されていて、回路基板の第１の面に重ねられている内部金属層は、誘電体基板層の間に埋め込まれている。内部金属層は、線路１に対する接地層１２と、層１２の下にある、モード変換層４に対する接地層２１〜２３である。これらに関しては後述する。金属層１２、２１、２２は基板の全幅Ｌに亘って広がり、回路基板の深さｂ内にあるり、ｂは部品３の高さである。深さｂにある層２３と、回路基板２の第２の面上の別の金属接地層２４は、厚さＥ−ｂの基板層２０で分離されて、回路基板の全長および全幅に亘って広がっている。層２３と２４は、この回路基板上のすべての部品に共通の接地面となっている。様々な層１２および２１〜２４は、基板面に垂直な、小さな金属被覆孔２５でその間を接続されている。
【００１７】
図１、２、３、５に示すように、線路１は、基板２０の層１０と、層１０の上で回路基板の第１の面上にあり、長手方向の軸ＸＸに沿う直線構成の金属ストリップ１１と、ストリップ１１を支持する回路基板の第１の面の部分の下にある内部金属層１２で形成される接地面と、で構成される。
【００１８】
回路基板の金属層２３と２４の間には、他のマイクロ波装置（図示せず）を備えることができる。
【００１９】
基板２０は、比誘電率eｒ２の小さい誘電体である。ストリップ１１の幅ｗと、例えば約Ｅ／１２である線路の厚さｅは、回路基板と接地面１２の幅Ｌに比べて小さい。したがってマイクロストリップ線路１は準ＴＥＭモードで導波されたセンチ波帯の波を伝搬することが可能である。これには数ギガヘルツから４０ギガヘルツの高周波が含まれ、したがって例えば、Ｋｕバンド、ＫバンドおよびＫａバンドのすべてまたは一部の周波数がカバーされる。電力の大部分は誘電体中を伝搬し、僅かな部分が導体ストリップ１１の近傍の空気中を伝搬する。マイクロストリップ線路の特性インピーダンスＺ１Ｃは、典型的には５０Ωであり、ストリップの幅ｗと厚さｅ、および使用している基板２０の誘電率eｒ２に本質的に依存する。
【００２０】
図１、２、５に示すように、導体ストリップ１１の両側で線路１は軸ＸＸに対して対称的に広がる２つの金属層１３で遮蔽される。この金属層は、回路基板２の第１の面上でストリップ１１と同じ平面にあり、ストリップ１１の幅ｗの数倍の所定の距離だけ離れて平行に広がり、電力線をストリップに向かって閉じ込めるようになっている。遮蔽層１３は、金属被覆孔２５によって接地層１２および２１〜２４に接続されている。
【００２１】
マイクロ波受動部品３は、誘電体基板集積導波管（ＳＩＷ）技術により製造され、誘電体基板３３中に集積化された導波管３１−３２は矩形断面を有する。図１、２、３、４、６に示すように、導波管の矩形断面は、基板３３の大きい面上にある２つの長手方向の金属層３１ｓと３１ｉによって形成される大側壁と、基板３３を横断する、互い違いになった金属被覆孔の長手方向周辺の２対の列３２１、３２２により形成される小側壁とからなる。対になった孔の列３２１、３２２は部品３の長手方向軸に関して対称的になっている。それぞれの列内の２つの隣接する孔３２１、３２２の間の距離は、実質的に孔の直径に等しく、導波管の動作波長よりもはるかに小さくて、放射による損失を最小化するようになっている。導波管の幅ａは、対になった金属孔３２１−３２２の列同士の間の距離によって画定され、孔の大きさと、孔同士の繰り返し間隔とに依存する。回路基板２の厚さＥの方向における導波管の高さｂは、金属層３１ｓと３１ｉとの間の距離で規定される。あるいは、導波管３１−３２は、一体の金属側壁の矩形断面で中に誘電体基板３３が充填された従来型の導波管３１−３２で置き換えてもよい。部品３のＳＩＷ製造技術は、示された実施形態では低温同時焼成セラミックス（ＬＴＣＣ）法を利用する。ここで誘電体基板３３は、回路基板２中の誘電体基板２０、したがってマイクロストリップ線路１の基板層１０の比誘電率eｒ２よりも大きい比誘電率eｒ３を有するセラミックスである。
【００２２】
遷移装置の別の変形例では、回路基板２と線路１の基板２０の誘電体と、導波管３１−３２の基板３３の誘電体が、同一の性質であって、比誘電率eｒ２、eｒ３が同一である。
【００２３】
伝搬が途切れることを防ぎ、マイクロストリップ線路の準ＴＥＭモードから導波管のＴＥ１０モードへの変化を助けるために、導波管の高さｂは回路基板２で得られる厚さと同じに選択される。この目的のために、平行六面体の筐体２６が回路基板２に配置され、導波管３１−３２部品３をモード変換器４同士の間に横方向の遊びを持たせて挿入する。筐体２６の高さは、導波管の高さｂおよびマイクロストリップ線路１の金属ストリップ１１と内部金属層２３との間の厚さに等しい。金属層３１ｓで形成されている導波管の大側面の外表面は、線路１のストリップ１１と同じ面上にあり、金属層３１ｉで形成されている導波管のもう一つの大側面の外表面は、筐体底部の金属層２３の一部と機械的及び電気的に接触している。筐体２６の下にある、金属層２３と２４の間の厚さＥ−ｂの回路基板部分には、任意選択で１つまたは複数のマイクロ波装置をそこに組み込めるようになっている。筐体２６の長さは、機械的公差のある状態で配置できるように、部品３の導波管３１−３２の長さよりも実質的に長くなっている。筐体２６の幅は、回路基板の幅Ｌと同じにして、回路基板の機械加工が容易になるようにしてもよい。導波管３１−３２の幅より大きい部品３の幅は一般的に、最大で回路基板２の幅と等しい。これは、２ａの関数である導波管内のＴＥ１０モードのカットオフ周波数の関数として決定される。例えば、ａ／ｂの比は、大体１０〜１５であり、導波管はそのように扁平である。導波管３１−３２を有する部品３は筐体２６の中心に置かれ、筐体２６の底部において、金属層３１ｉを金属層２３部分にろう付け固定される。この時、導波管の長手方向の対称軸を線路１のストリップ１１の長手方向対称軸ＸＸに注意深く位置合わせする。
【００２４】
図示した実施形態によれば、矩形導波プレーナ構造３１−３２を有する受動マイクロ波部品３は、誘電体基板３３を横断し、金属層３１ｓと３１ｉに接続された６対の金属被覆孔３４からなるマイクロ波用バンドパスフィルタである。金属被覆孔３４の複数の対が、部品の長手方向軸面および横方向軸面に関して対称的に配置されている。この孔３４の配置が、フィルタの周波数応答に依存する、誘導性ピラーを構成する。別の実施例によれば、マイクロ波部品３は指向性結合装置として設計される。
【００２５】
遷移装置内の伝搬モード変換器４は、マイクロストリップ線路１のストリップ１１の対向する端と、ストリップ１１と同じ面内にある導波管３１−３２の大側壁３１ｓとを接続する。また、マイクロストリップ線路の内部接地面層１２を、筐体２６の底部で金属層２３に固定されている導波管３１−３２の大側壁３１ｉに接続する。モード変換器４は、損失を最小化しつつ、マイクロストリップ線路１の準ＴＥＭモードを導波管３１−３２のＴＥ１０の導波モードへ段階的に変換し、かつそのインピーダンスを合わせる。モード変換器の平面構造は、ほぼ完全な四重極を形成するように設計されており、実使用時に導体および誘電体の不完全さから生じる損失を考慮に入れて、四重極端末における透過パラメータＳ１２とＳ２１がほぼ１に等しく、四重極端末における反射パラメータＳ１１とＳ２２がほぼ０に等しくなるようになっている。
【００２６】
図１〜４に示されており、以下で説明するように、モード変換器４は導波管３１−３２の中に組み込むことが可能であり、あるいは、回路基板２の中に集積化することも可能である。比ｗ／ｅが増大して、マイクロストリップ線路の特性インピーダンスが減少する場合、モード変換器４は、ＸＸを軸として線路１の長手方向面に関して対称的なＮ個のマイクロストリップ線路セグメント２１−４１〜２Ｎ−４Ｎから構成される。数字Ｎは通常少なくとも１であり、回路基板２の層に基づく製造技術と、マイクロ波部品３の製造技術とに依存する。モード変換器４のセグメントの長さは、動作する中心周波数の波長のほぼ四分の一に等しく、そして、セグメント間の接続部での干渉による反射を最小化しつつ、インピーダンスを段階的に変化させる。図示した実施形態によるモード変換器４は、２１−４１、２２−４２、及び２Ｎ−４Ｎ＝２３−４３のＮ＝３の線路セグメントからなっている。部品３に最も近い４Ｎ＝４３のストリップは、その長手方向の端部が、大側壁３１ｓと金属被覆孔列３２１で境界が画定される導波管３１−３２の長手方向の内部の連続した端部と実質的に同一線上にある。詳細を図４に示すように、部品３を回路基板２の筐体２６の中に横方向の遊びを持たせて組み込むと、部品３、したがって導波管３１−３２の長手方向の両端と、モード変換器４の線路セグメント２Ｎ−４Ｎ＝２３−４３の長手方向端部との間に、１０分の数ミリの空隙５が形成される。それぞれのモード変換器４に対して、長さａの薄いリンク用金属要素６が各空隙５を橋渡しし、ストリップ４Ｎ＝４３と導波管の金属層３１ｓとの対向する横方向端の高さに挿入され、それらの端部間に電気接続を与える。リンク要素６は、１枚の薄い金属ストリップまたは並置された薄い金属ストリップで実現することができ、例えば、金のシートから切り出したもの、または並置された薄い金属線であって、軸ＸＸ方向に平行に延びて、その両端がストリップと層３１ｓ上にろう付けされて、幅ａの空隙を覆うようになっている。空隙５の底は金属接地層２３の小部分となっていて、線路１の接地面１２、２１、２２、２３と、線路セグメント２１−４１、２２−４２、２３−４３との間を、そしてまた、下にある金属接地層２３部分に固定された部品３の金属層３１ｉとの間を、金属被覆孔２５を介して電気的に接続する。マイクロストリップ−誘電体線路セグメントと空気―マイクロストリップ線路との間の遷移、および空隙５の位置での空気―マイクロストリップ線路と導波管との遷移であるがゆえに、線路セグメントの長さはその間で少し異なっていおり、したがって、さまざまな遷移、特に空隙５における遷移での反射波を含む干渉効果を補償し、かつ導波管と第１の線路セグメント２１−４１との結合部において線路１の特性インピーダンスＺ１Ｃに等しいインピーダンスを変換器４によって戻すためには、線路セグメントのそれぞれの長さは動作波長の四分の一よりも少し短いかもしれないし、等しいかもしれないし、少し長いかもしれない。
【００２７】
図１、２に示すように、線路セグメント２１−４１、２２−４２、２３−４３は、遮蔽層１３上に対称的な対を成している金属層４７、４８、４９によって遮蔽されている。遮蔽層４７、４８、４９は回路基板の第１の面上でストリップ４１、４２、４３と同じ面上にあり、ストリップ１１の幅ｗの数倍の所定の距離だけ離れて、それらのストリップに平行に延びている。遮蔽層４７、４８、４９は、金属被覆孔２５によって下にある接地層１２、２１、２４にそれぞれ接続されている。
【００２８】
第２の実施形態では、モード変換器が導波管３１−３２の中に、したがって部品３に集積化されており、回路基板内に配置された筐体２６ははるかに長い。遮蔽層４７、４８、４９を持つ線路セグメント２１−４１、２２−４２、２３−４３の配置と導波管の幅ａはそのままである。ストリップ４１、４２、４３は導波管の大側壁３１ｓと同じ金属層から始まり、導波管構造の基板３３の同じ面上にある大側壁と電気的につながっている。導波管構造の基板３３の中に重なって集積化された金属接地層を持つ線路セグメントは多層構造タイプであり、その大きさは、特に比誘電率eｒ３の関数として変更される。部品３に最も近い、ストリップ４Ｎ＝４３は、依然として導波管３１−３２の幅ａであり、導波管の大側壁３１ｓの横方向端に直接接続されている。したがって、線路セグメント２３−４３と導波管３１−３２との間の空隙５はなくなり、回路基板の筐体中に２つのモード変換器を持つ部品のモノリシックアセンブリを導入するのに必要なあそびの結果としての空隙に置き換えられる。空隙は、ストリップ線路１の端部と、狭いストリップを持つ線路セグメント２１−４１との間に位置し、要素６と同様であるが幅がｗのリンク用金属要素によって、ストリップ１１と４１にろう付けされて橋渡しされている。
【００２９】
遷移装置の製造方法は以下の様なステップになっている。図示した実施形態に従って、多層プリント回路基板を製造した後、モード変換器４が回路基板に組み込まれるか、あるいは本発明の第２の実施形態では、モード変換器が部品の導波管構造内に集積化される。
【００３０】
次に、平行六面体構造の筐体２６が、矩形導波管３１−３２の高さｂと同じ深さで回路基板２内に配置され、これは例えば、回路基板の製造時に、筐体と同じ寸法の母型を誘電体基板の層に押し付け、それに種々の金属層を重ねて被覆することで製造される。したがって、内部接地層２３の一部が筐体の底部を構成する。
【００３１】
矩形の導波管３１−３２、あるいは特に矩形の導波管構造を持つ部品３が、長手方向のあそびを持って導入され筐体２６の中心に置かれ、導波管の大側壁３１ｓが線路１のストリップ１１と共面、共軸となり、導波管のもう一方の大側壁３１ｉが筐体底部の回路基板の金属層２３の部分にろう付けされて固定される。長手方向のあそびは、矩形の導波管３１−３２、あるいは特に部品３を、筐体２６内に挿入するための機械公差から生じる。
【００３２】
次にストリップ、または金属シートから切り出されたストリップをいくつか横並びにした織物、または幅が空隙５の幅よりも大きく、金属層と同じ厚さの金属ワイヤをいくつか横並びにした織物が、空隙５上に置かれて、薄いリンク用金属要素６が形成される。リンク用金属要素の長手方向の両端は、空隙５の端部の上に固定される。図示した実施形態においては、リンク用金属要素６は、回路基板２に集積化されたモード変換器４と導波管３１−３２との間の空隙５を橋渡し、導波管の幅ａに等しい長さを持ち、モード変換器の線路セグメント２１−４１、２２−４２、２Ｎ−４Ｎ＝２３−４３の最大ストリップ４３の横方向端部と、導波管の大側壁３１ｓの横方向端部とへ、その長手方向の端部がろう付けされる。第２の実施形態に関しては、リンク用金属要素６は、マイクロストリップ線路１と、導波管構造３１−３２の中に集積化されたモード変換器４とを橋渡し、導体ストリップ１１の幅ｗと同じ長さを持ち、ストリップ１１の断面端部と、モード変換器の線路セグメント２１−４１，２２−４２、２Ｎ−４Ｎ＝２３−４３の幅の狭い方のストリップ４１の横方向端部とへ、その長手方向の端部がろう付けされる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【国際調査報告】
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