【事件の表示】
　特許第６５７２７３２号発明「パワーモジュール」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第６５７２７３２号の請求項１ないし２に係る特許を維持する。
【理　由】
第１　手続の経緯
　特許第６５７２７３２号（以下、「本件特許」という。）の請求項１ないし２に係る特許についての出願は、平成２７年１０月２７日に出願され、令和１年８月２３日に特許権の設定登録がされ、令和１年９月１１日に特許掲載公報が発行された。その後、その特許に対して、令和２年３月９日に特許異議申立人廣瀬妙子により特許異議の申立てがなされたものである。
第２　本件特許発明
　本件特許の請求項１、２の特許に係る発明（以下、「本件特許発明１」、「本件特許発明２」という。）は、それぞれ、その特許請求の範囲の請求項１、２に記載された事項により特定される以下のとおりのものである。
「【請求項１】
　セラミックス基板の一方の面に銅又は銅合金からなる回路層が配設されたパワーモジュール用基板と、前記回路層の上面に搭載された半導体素子とを備えたパワーモジュールであって、
　前記半導体素子は、銀接合層を介して前記回路層の上面に接合されており、
　前記回路層の上面には、前記半導体素子の周縁部のうちの少なくともコーナー部分に、該周縁部に沿って凹溝部が設けられ、該凹溝部の内周側面が、前記半導体素子の外周側面よりも内側に配設され、かつ、前記凹溝部の外周側面が、前記半導体素子の外周側面と面一に配設されていることを特徴とするパワーモジュール。
【請求項２】
　前記凹溝部内には、銀接合層が充填されていることを特徴とする請求項１に記載のパワーモジュール。」
第３　申立理由の概要
理由１　特許異議申立人は、主たる証拠として甲第１号証又は甲第２号証、及び従たる証拠として甲第３号証−甲第６号証を提出し、請求項１、２に係る特許は第２９条第２項の規定に違反してなされたものであるため、同法第１１３条第２号により取り消されるべきである旨主張している。
理由２　特許異議申立人は、証拠として甲第７号証及び甲第８号証を提出し、請求項１、２に係る特許は、その特許請求の範囲が特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであるため、同法第１１３条第４号により取り消されるべきである旨主張している。
＜証拠方法＞
甲第１号証：特開２０１４−９６５４５号公報
甲第２号証：特開２０１３−１８２９０１号公報
甲第３号証：特開平８−２７４４２３号公報
甲第４号証：特開２０１４−１１４２３号公報
甲第５号証：特開２０１５−５３４１４号公報
甲第６号証：特開平６−３７１２２号公報
甲第７号証：特開２０１４−２２０４３８号公報
甲第８号証：特開２０１２−２５１６６６号公報
第４　理由１（第２９条第２項）について
１　甲第１号証−甲第６号証の記載事項
（１）甲第１号証
ア　甲第１号証には、以下の事項が記載されている（下線は、当審で付与したものである。以下同様。）。
「【０００１】
　この発明は、絶縁層の一方の面に回路層が配設されたパワーモジュール用基板と前記回路層上に搭載される半導体素子とを備えたパワーモジュール、及びパワーモジュールの製造方法に関するものである。」
「【００１９】
　以下に、本発明の実施形態について添付した図面を参照して説明する。本発明の実施形態であるパワーモジュールを示す。
　この
パワーモジュール１は、
セラミックス基板１１の一方の面に回路層１２が配設されたパワーモジュール用基板１０と、回路層１２
に接合された半導体素子３と
とを備えている。
【００２０】
　パワーモジュール用基板１０は、セラミックス基板１１と、このセラミックス基板１１の一方の面に配設された回路層１２と、セラミックス基板１１の他方の面に配設された金属層１３とを備えている。
　セラミックス基板１１は、回路層１２と金属層１３との間の電気的接続を防止するものであって、絶縁性の高いＡｌＮ（窒化アルミ）で構成されている。また、セラミックス基板１１の厚さは、０．２〜１．５ｍｍの範囲内に設定されており、本実施形態では、０．６３５ｍｍに設定されている。
【００２１】
　
回路層１２は、
銅又は銅合金からなる
「【００２４】
　図２に図１に示すパワーモジュールの回路層と半導体素子との接合界面の拡大説明図を示す。図２に示すように
回路層１２と半導体素子３との間には、Ａｇ焼結層３１が形成されている。
　なお、Ａｇ焼結層３１は、図１に示すように、回路層１２の表面全体には形成されておらず、半導体素子３が配設される部分にのみ選択的に形成されている。
【００２５】
　回路層１２の上に形成されたＡｇ焼結層３１は、酸化銀が還元されたＡｇの焼結体とされており、本実施形態では、後述するように、酸化銀と還元剤とを含む酸化銀ペーストの焼結体とされている。ここで、酸化銀を還元することによってＡｇ焼結層を形成し、この
Ａｇ焼結層によって半導体素子を接合している
「【００３２】
（塗布工程Ｓ０４）
　
回路層１２の表面に、酸化銀ペーストを直接塗布する。
　なお、酸化銀ペーストを塗布する際には、スクリーン印刷法、オフセット印刷法、感光性プロセス等の種々の手段を採用することができる。本実施形態では、スクリーン印刷法によって酸化銀ペーストを印刷した。
【００３３】
　この酸化銀ペーストは、酸化銀粉末と、還元剤と、溶剤と、を含有している。
　酸化銀粉末の含有量が酸化銀ペースト全体の６０質量％以上９２質量％以下とされ、還元剤の含有量が酸化銀ペースト全体の５質量％以上１５質量％以下とされており、残部が溶剤とされている。
　なお、この酸化銀ペーストは、その粘度が１０Ｐａ・ｓ以上１００Ｐａ・ｓ以下、より好ましくは３０Ｐａ・ｓ以上８０Ｐａ・ｓ以下に調整されている。
【００３４】
　酸化銀粉末は、その粒径が０．１μｍ以上４０μｍ以下のものが使用できる。」
「【００３９】
（積層工程Ｓ０６及び接合工程Ｓ０７）
　次に、酸化銀ペーストを塗布した状態で乾燥（例えば、室温、大気雰囲気で２４時間保管）した後、
酸化銀ペーストの上に半導体素子３を積層する。
　そして、
半導体素子３とパワーモジュール用基板１０とを積層した状態で
酸化銀ペーストの焼結を行うとともに、回路層１２と半導体素子３を接合する。
　また、望ましくは半導体素子３とパワーモジュール用基板１０とを積層方向に加圧した状態で加熱することによって、より確実に接合することができる。
　このようにして、
回路層１２の上にＡｇ焼結層３１が形成され、半導体素子３と回路層１２とが接合される。
イ　上記記載から、甲第１号証には、次の技術的事項が記載されているものと認められる。
・甲第１号証に記載された技術は、セラミックス基板１１の一方の面に銅又は銅合金からなる回路層１２が配設されたパワーモジュール用基板１０と、回路層１２に接合された半導体素子３とを備えたパワーモジュール１に関するものである（【００１９】、【００２１】）。
・パワーモジュール１は、回路層１２と半導体素子３との間にＡｇ焼結層３１を形成し、Ａｇ焼結層３１によって半導体素子３を接合している（【００２４】、【００２５】）。
ウ　上記の記載事項を総合すると、甲第１号証には、次の発明（以下、「引用発明１」という。）が記載されていると認められる。
「セラミックス基板１１の一方の面に銅又は銅合金からなる回路層１２が配設されたパワーモジュール用基板１０と、回路層１２に接合された半導体素子３とを備えたパワーモジュール１であって、
　回路層１２と半導体素子３との間にＡｇ焼結層３１を形成し、
　Ａｇ焼結層３１によって半導体素子３を接合しているパワーモジュール１。」
（２）甲第２号証
ア　甲第２号証には、以下の事項が記載されている。
「【０００１】
　この発明は、金属部材と被接合体とを接合する際に用いられる接合材料、及び、この接合材料を用いたパワーモジュール及びパワーモジュールの製造方法に関するものである。」
「【００２１】
　以下に、本発明の実施形態について添付した図面を参照して説明する。図１に本発明の実施形態であるパワーモジュールを示す。
　この
パワーモジュール１は、回路層１２が配設されたパワーモジュール用基板１０と、回路層１２の
上面
に接合された半導体素子３と
を備えている。
【００２２】
　
パワーモジュール用基板１０は、
セラミックス基板１１の一方の面
に配設された回路層１２と
を備えている。
「【００２４】
　
回路層１２は、
銅板が接合されることにより形成されている。
「【００２７】
　そして、図１に示すパワーモジュール１においては、
回路層１２と半導体素子３との間には、銀の焼成体からなる接合層３１が形成されている。
　なお、接合層３１は、図１に示すように、回路層１２の表面全体には形成されておらず、半導体素子３が配設される部分にのみ選択的に形成されている。」
イ　上記記載から、甲第２号証には、次の技術的事項が記載されているものと認められる。
・甲第２号証に記載された技術は、回路層１２が配設されたパワーモジュール用基板１０と、回路層１２の上面に接合された半導体素子３とを備えたパワーモジュール１に関するものである（【００２１】）。
・パワーモジュール用基板１０は、セラミックス基板１１の一方の面に配設された回路層１２を備えている（【００２２】）。
・回路層１２は、銅板からなっている（【００２４】）。
・回路層１２と半導体素子３との間には、銀の焼成体からなる接合層３１が形成されている（【００２７】）。
ウ　上記の記載事項を総合すると、甲第２号証には、次の発明（以下、「引用発明２」という。）が記載されていると認められる。
「セラミックス基板１１の一方の面に銅板からなる回路層１２が配設されたパワーモジュール用基板１０と、回路層１２の上面に接合された半導体素子３とを備えているパワーモジュール１であって、
　回路層１２と半導体素子３との間には、銀の焼成体からなる接合層３１が形成されているパワーモジュール１。」
（３）甲第３号証には、以下の事項が記載されている。
「【０００１】
　【産業上の利用分野】
　本発明は、冷熱サイクルの付加等に対する信頼性を向上させたセラミックス回路基板に関する。」
「【０００５】
　ところで、上述した直接接合法や活性金属法等により金属板をセラミックス基板に接合したセラミックス回路基板においては、大電流を流せるように金属板の厚さを 0.3〜 0.5mmと厚くしているため、熱履歴に対して信頼性に乏しいという問題があった。すなわち、
熱膨張率が大きく異なるセラミックス基板と金属板とを接合すると、接合後の冷却過程や冷熱サイクル
により
金属板の外周端部
に残留応力
が作用する。
「【００１６】
【作用】本発明のセラミックス回路基板においては、金属板の接合面と反対面側の外周縁部内側に不連続な溝を形成している。ここで、
金属板の接合後の冷却過程で発生する熱応力や冷熱サイクルの付加等による熱応力
残留応力は、金属板の外周縁部内側に設けられた不連続な溝により分散されるため、金属板の外周端部への応力集中が緩和される。
「【００１９】
　図１は、本発明の一実施例によるセラミックス回路基板の構造を示す図である。同図において、１はセラミックス基板であり、この
セラミックス基板１の表面１ａには
銅板２が接合されている。
「【００２２】
　セラミックス基板１の表面１ａ側に接合された銅板２は、半導体部品等の実装部となるものであり、所望の回路形状にパターニングされている。また、セラミックス基板１の裏面１ｂ側に接合された銅板３は、接合時におけるセラミックス基板１の反り等を防止するものであり、中央付近から 2分割された状態でほぼセラミックス基板１の裏面１ｂ全面に接合、形成されている。裏面１ｂ側の銅板３には、半導体部品等の実装部となる銅板２と同じ厚さのものを使用してもよいが、銅板２の厚さの70〜 90%の厚さの銅板を使用することが好ましい。
【００２３】
　ここで、図１に示したセラミックス回路基板４は、セラミックス基板１に銅板２、３をＤＢＣ法により接合したものであるが、例えば図２に示すように、銅板２、３を活性金属法でセラミックス基板１に接合したセラミックス回路基板５であってもよい。上記活性金属法は、例えばTi、Zr、Hf、Nb等から選ばれた少なくとも 1種の活性金属を含むろう材（以下、活性金属含有ろう材と記す）層６を介して、セラミックス基板１と銅板２、３とを接合する方法である。用いる活性金属含有ろう材の組成としては、例えば Ag-Cuの共晶組成（72wt%Ag-28wt%Cu)もしくはその近傍組成の Ag-Cu系ろう材やCu系ろう材を主体とし、これに 1〜10重量% のTi、Zr、Hf、Nb等から選ばれた少なくとも 1種の活性金属を添加した組成等が例示される。なお、活性金属含有ろう材にInのような低融点金属を添加して用いることもできる。」
「【００２６】
　そして、上述したセラミックス回路基板４、５においては、図３に示すように、
半導体部品等の実装部となる銅板２の外周縁部内側に、不連続な溝７が外周縁部に沿って
形成されている。
【００２７】
　ここで、上述した銅板２（金属板）の外周縁部内側とは、図４に示すように銅板２の幅Ｄを基準として、外周縁部から中央方向へ向って銅板２の幅Ｄの 1/3以内の部分とする。すなわち、銅板２の幅Ｄを基準として、外周縁部を含まない外周縁部から中央方向に両側 1/3Ｄ以内の部分を外周縁部内側（図４においては斜線で示す）とし、銅板２の幅Ｄの中央 1/3の部分を中央部とする。不連続な溝７の形成領域が上記外周縁部内側を超えて中央部に達すると、銅板２の外周端部の応力集中を十分に緩和できなくなると共に、実装面積の低下を招くことになる。上述した不連続な溝７は、銅板２の各回路パターン部の外周縁部に沿って、所定の間隔で直線状に形成することが好ましい。このように、不連続な溝７を直線状に形成することによって、銅板２の外周端部への応力集中を効率的に緩和、言い換えると応力を効率的に分散させることができる。不連続な溝７を構成する各単体溝７ａの形状、すなわち単体溝７ａの幅Ｗおよび長さＬ0 は、後述する単体溝７ａの形成間隔や銅板２の大きさ等にもよるが、幅Ｗを 0.2〜 1.0mmの範囲、長さＬ0 を20mm以下の範囲とすることが好ましい。単体溝７ａの幅Ｗが 0.2mm未満の場合には、十分に応力を分散できないおそれがあり、また 1.0mmを超えると銅板２の強度低下を招きやすくなると共に、実装面積の低下を招くことになる。幅Ｗのさらに好ましい範囲は同様の理由から 0.4〜 0.8mmである。また、各単体溝７ａの長さＬ0 が20mmを超えると、溝非形成領域の減少に伴って銅板２の変形を十分に抑制できないおそれがある。各単体溝７ａの最小長さは特に限定されるものではないが、銅板２の外周端部への応力集中を効率的に緩和するという点から 2mm以上とすることが好ましい。」
「【００４４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のセラミックス回路基板によれば、冷熱サイクルが付加された場合等においても、金属板に生じる熱応力や残留応力を不連続な溝により分散させることで、金属板の外周端部への応力集中を緩和することができると共に、製造工程的に有利な機械加工によっても金属板の変形を防止することができる。従って、製造工程の簡略化および製造工数の低減を図った上で、冷熱サイクルの付加等によるセラミックス基板のクラック発生や強度低下を有効に防止することができ、信頼性および製造性に優れたセラミックス回路基板を提供することが可能となる。」
（４）甲第４号証には、以下の事項が記載されている。
「【０００１】
　本発明は、セラミック基板の両面の一方の主面に回路銅板、他方の主面に放熱銅板を接合させてなり、回路銅板上に接合材を介して電子部品が搭載されるパワーモジュール用基板及びその製造方法に関する。」
「【０００３】
　個片体のパワーモジュール用基板には、回路銅板側の定められた部分の銅板上に半導体素子が接合材で接合されるようになっている。また、パワーモジュール用基板には、半導体素子が接合材で接合された銅板とは異なる銅板上に外部接続端子が接合材で接合されるようになっている。そして、パワーモジュール用基板は、半導体素子と、他の部分の銅板との間をボンディングワイヤで接続して電気的な導通回路を形成し、外部接続端子を介して半導体素子に高電圧且つ高電流が流せるようにしている。また、このパワーモジュール用基板は、高電圧且つ高電流が流れることで発生する半導体素子からの発熱を速やかに熱伝導率のよい銅を用いた回路銅板側から放熱させるために、熱伝導率のよい銅を用いた放熱銅板側に伝熱させると共に、通常、放熱銅板に接合材等で接合されるヒートシンク板から放熱させている。
【０００４】
　しかしながら、上記のパワーモジュール用基板は、回路銅板側の定められた部分の銅板上に半導体素子が接合材で接合されるので、接合材付けの際に余分な接合材が半導体素子の外部や、セラミック基板上に流れ出たりするという問題が発生していた。
【０００５】
　そこで、従来のパワーモジュール用基板及びその製造方法には、半導体素子が接合材で接合される銅板の接合部位の周辺部に土手を設けて接合材流れ止め用とするパワーモジュール用基板、及びそれをエッチングで設ける製造方法が提案されている（例えば、特許文献１、特許文献２参照）。
【０００６】
　また、従来のパワーモジュール用基板には、セラミック回路基板という発明の名称の基に、セラミック基板の上面に金属回路板が接合されて成り、この金属回路板の上面に接合材を介して半導体素子が搭載されるセラミック回路基板において、金属回路板は、その上面に半導体素子の外周縁が内周と外周との間に位置する枠状の溝が形成されているものが提案されている（例えば、特許文献３参照）。」
「【００１９】
　上記のパワーモジュール用基板１０は、セラミック基板１１の一方の主面である上面側に回路銅板１２と、セラミック基板１１の他方の主面である下面側にベタ状態のパターンからなる放熱銅板１３を有している。そして、図２に示すように、パワーモジュール用基板１０は、所定位置の回路銅板１２にパワートランジスタ等の高熱を発する半導体素子２０を搭載したり、他の所定位置の回路銅板１２に外部接続端子２１を接合したり、更には、半導体素子２０と、半導体素子２０が搭載されない他の回路銅板１２間にボンディングワイヤ２２で連結させることで、電気的導通状態が形成できるようにしている。また、このパワーモジュール用基板１０は、回路銅板１２上面に接合される半導体素子２０からの発熱を速やかに伝熱及び放熱させるための放熱銅板１３を、更にヒートシンク板２３等に接合させて放熱を更に促進させることができるようにしている。
【００２０】
　上記の
パワーモジュール用基板１０は、半導体素子２０が接合材２４を介して接合される回路銅板１２上面に、パターンの少なくとも一部の幅部を半導体素子２０が跨ぐように覆われる凹み状パターン１４を有している。
【００２１】
　この回路銅板１２上面に設ける凹み状パターン１４は、半導体素子２０を回路銅板１２上に載置させるときの位置決め用として用いることができ、半導体素子２０を回路銅板１２上に正確に位置決めさせることができる。また、回路銅板１２上面に設ける凹み状パターン１４は、回路銅板１２上に接合材２４、例えば、半田を介して半導体素子２０を接合させるときに、回路銅板１２上に設けるクリーム半田中のフラックスが液化して濡れ広がろうとするのを凹み状パターン１４に流れ込ませて抑制させることができ、
接合材２４である半田の流れ出しを抑制させることができる。
（５）甲第５号証には、以下の事項が記載されている。
「【０００１】
　本発明は、電子部品搭載基板およびその製造方法に関し、特に、銅板また銅めっき板の一方の面がセラミックス基板に接合した金属−セラミックス接合基板の金属板の他方の面に半導体チップなどの電子部品が取り付けられた電子部品搭載基板およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
　従来、電気自動車、電車、工作機械などの大電流を制御するために、パワーモジュールが使用されている。従来のパワーモジュールでは、ベース板と呼ばれている金属板または複合材の一方の面に金属−セラミックス絶縁基板が固定され、この金属−セラミックス絶縁基板の金属板上に半導体チップが半田付けにより固定されている。
【０００３】
　近年、銀微粒子を含む銀ペーストを接合材として使用し、銅板などの被接合物間に接合材を介在させ、被接合物間に圧力を加えながら所定時間加熱して、接合材中の銀を焼結させて、被接合物同士を接合することが提案されており（例えば、特許文献１参照）、このような銀微粒子を含む銀ペーストからなる接合材を半田の代わりに使用して、金属−セラミックス絶縁基板の金属板上に半導体チップなどの電子部品を固定する試みがなされている。」
「【００１７】
　図１および図２に示すように、本発明による電子部品搭載基板の実施の形態では、平面形状が略矩形の（電子部品搭載用）金属板１０の一方の主面に、（銀の焼結体を含む）銀接合層１２により電子部品１４が接合されている。また、金属板１０の他方の主面に、平面形状が略矩形のセラミックス基板１６の一方の主面を接合し、このセラミックス基板１６の他方の主面に、平面形状が略矩形の放熱用金属板（金属ベース板）１８を接合してもよい。また、金属板１０の一方の主面に銅めっき皮膜２０を形成し、その銅めっき皮膜２０上に、銀接合層１２により電子部品１４を接合してもよい。
【００１８】
　なお、金属板１０は、銅あるいは（銅めっき皮膜２０を形成する場合には）アルミニウムまたはアルミニウム合金からなり、金属板１０の一方の主面（または銅めっき皮膜２０の表面）（電子部品１４が接合される面）の表面粗さが０．４μｍ以上、好ましくは０．５〜２．０μｍになっている。また、金属板１０の一方の主面（または銅めっき皮膜２０の表面）（電子部品１４が接合される面）のビッカース硬さＨｖが１００以下であるのが好ましく、４０以下であるのがさらに好ましい。」
（６）甲第６号証には、以下の事項が記載されている。
「【０００２】
【従来の技術】
　パワートランジスタ、パワーＩＣ等のパワー系半導体装置は、ヘッダを兼ねているフレーム金属からなる表面平らなダイパッド上に半田等のロウ材を介して半導体ペレットを接続するものであり、したがってペレット下面にわたってロウ材の厚さは均一である。
【０００３】
　消費電力の大きいパワー系半導体装置などにおいては、動作時に発生する熱により、半導体装置、とくに半導体ペレットを接続している半田等のロウ材部分が熱応力による疲労を生じて破壊に至りやすく、同時に動作機能に障害が生じることがある。このような半田疲労を防ぐ手段として従来より熱応力を緩和するためにペレットを付ける半田層を十分に厚く形成することが知られている。」
「【０００５】
【課題を解決するための手段】
　本発明はヘッダを兼ねている
ダイパッド
面にペレットの輪郭にそって溝ないし凹凸の段差を設け、この溝ないし凹凸の上にペレットの外周部がくるように半田を介してペレットを接続する
【０００６】
　上記した技術手段による機能と作用は次のように説明できる。半田疲労の低減に必要な条件は、熱膨張・収縮時にペレットとヘッダ（フレーム）との熱膨張係数の差により発生する半田層に生じるせん断歪を小さくすることである。
せん断歪はペレット付け層の半田厚さを厚くすれば低減することができる。
せん断歪の大きい外周部ないしコーナー部のみ半田厚さを厚くすればよい
【０００７】
【実施例】
　以下、実施例の図面を参照しながら説明する。図１は本発明が適用される半導体装置の従来形態の一例としてＴＯ−３ＰＬ（会社規格）パワートランジスタの組立時における、樹脂封止前のフレームの形態を斜面図で示すものである。１はヘッダ（ダイパッド）で銅などの金属を打ち抜いたリードフレームの一部として形成される。２は半導体ペレットで半田等のロウ材によりヘッダ上にペレット付けされる。３はリードで、このうち一部（中央）はヘッダと直結し、他部（両側）は樹脂封止後、ダム部分１１で互いに切り離される。４はアルミニウム（又は金）ワイヤでペレットとリードとの間を熱圧着及び超音波併用熱圧着ボンディングにより接続するものである。」
「【００１１】
　図５は樹脂封止された本発明による半導体装置の全断面図を示すものである。ペレット直下の半田がヘッダの溝８にかかるようにペレット２が取付けられる。ペレットの外周部の半田（６）の厚さは溝８の深さだけ厚くなり、これにより他の部分の半田量を低減できる。したがってペレット中央部では半田５が薄い状態で均一な厚さとすることができる。
【００１２】
　図６は図５に対応するペレットとヘッダとの間における熱膨張・収縮による半田部のせん断歪γの状態を示すものである。この場合の半田のせん断歪は溝があることにより、従来品より小さくすることができる。」
「【００１４】
　図８は本発明の応用例であって、溝８の形状を丸みをもつ断面のものとした場合である。図９は他の応用例であって溝８の形状をＶ字断面としたものであり、半田のせん断歪を小さくするのに同様の効果をもつ。
【００１５】
　図１０は本発明のさらに他の応用例であって、溝に対応する位置に外周が低い段差９を設けることにより、ペレット周辺直下の半田層６を厚くし、半田のせん断歪を小さくするものである。図１１はさらに他の応用例であって、図１０の段差のさらに外側に半田流れ止め用の小溝１０を設けたものである。」
２　対比・判断
（１）本件特許発明１について
ア　引用発明１を主たる発明とする場合
（ア）対比
　本件特許発明１と引用発明１を対比する。
ａ　引用発明１の「セラミックス基板１１の一方の面に銅又は銅合金からなる回路層１２が配設されたパワーモジュール用基板１０と、回路層１２に接合された半導体素子３とを備えたパワーモジュール１」は、本件特許発明１の「セラミックス基板の一方の面に銅又は銅合金からなる回路層が配設されたパワーモジュール用基板と、前記回路層の上面に搭載された半導体素子とを備えたパワーモジュール」に相当する。
ｂ　引用発明１において「半導体素子３」を、「回路層１２と半導体素子３との間に」「形成」された「Ａｇ焼結層３１によって」「接合している」ことは、本件特許発明１の「前記半導体素子は、銀接合層を介して前記回路層の上面に接合されて」いることに相当する。
　したがって、本件特許発明１と引用発明１とは、次の一致点、相違点を有する。
（一致点）
「セラミックス基板の一方の面に銅又は銅合金からなる回路層が配設されたパワーモジュール用基板と、前記回路層の上面に搭載された半導体素子とを備えたパワーモジュールであって、
　前記半導体素子は、銀接合層を介して前記回路層の上面に接合されているパワーモジュール。」
（相違点１）
　本件特許発明１は、「前記回路層の上面には、前記半導体素子の周縁部のうちの少なくともコーナー部分に、該周縁部に沿って凹溝部が設けられ、該凹溝部の内周側面が、前記半導体素子の外周側面よりも内側に配設され、かつ、前記凹溝部の外周側面が、前記半導体素子の外周側面と面一に配設されている」のに対して、引用発明１は、そのような特定がない点。
（イ）判断
　上記相違点１について検討する。
　甲第３号証には、表面１ａに銅板２が接合されているセラミックス基板１において（【００１９】）、半導体部品等の実装部となる銅板２の外周縁部内側に、不連続な溝７を外周縁部に沿って形成する技術が記載されている（【００２６】）。
　ここで、上記技術は、熱膨張率が大きく異なるセラミックス基板と銅板等の金属板とを接合したものにおいて、接合後の冷却過程や冷熱サイクルにより金属板の外周端部に作用する残留応力を（【０００５】）、金属板の外周縁部内側に設けられた不連続な溝により分散し、金属板の外周端部への応力集中を緩和するためのものである（【００１６】）。
　そうすると、上記技術において、不連続な溝７を設ける位置は、銅板２の形状に依存するものであって、半導体部品等の実装位置と無関係であり、仮に上記技術を引用発明１に適用して回路層１２に溝を設けたとしても、溝の位置と半導体素子３について何ら関連づけることはできず、上記相違点１に係る本件特許発明１の構成を得ることはできない。
　甲第４号証には、パワーモジュール用基板１０において、接合材２４である半田の流れ出しを抑制するために（【００２１】）、半導体素子２０が接合材２４を介して接合される回路銅板１２上面に、パターンの少なくとも一部の幅部を半導体素子２０が跨ぐように覆われる凹み状パターン１４を設ける技術が記載されている（【００２０】）。
　ここで、引用発明１は「回路層１２と半導体素子３との間」の「Ａｇ焼結層３１」を形成する際に、回路層１２の表面に、酸化銀ペーストを直接塗布しているので（甲第１号証（【００３２】、【００３９】））、酸化銀ペーストの流れ出しを抑制するために、上記技術を引用発明１に適用して回路層１２に凹み状パターンを設けることも考えられるが、その場合でも、パターンの少なくとも一部の幅部を半導体素子３が跨ぐように覆うことになり、上記相違点１に係る本件特許発明１の構成を得ることはできない。
　甲第６号証には、ダイパッド面にペレットの輪郭にそって溝ないし凹凸の段差を設け、この溝ないし凹凸の上にペレットの外周部がくるように半田を介してペレットを接続する技術が記載されている（【０００５】）。
　ここで、上記技術は、ペレット付け層の半田厚さを厚くすることにより、せん断歪みを低減できるので、せん断歪みの大きいペレットの外周部やコーナー部のみ半田厚さを厚くするものであるから（【０００６】）、「回路層１２と半導体素子３との間にＡｇ焼結層３１を形成し、Ａｇ焼結層３１によって半導体素子３を接合している」引用発明１に、半田付けを前提とする上記技術を適用することは、阻害要因が存在するといえる。
　また、甲第５号証には、電子部品搭載用金属板１０に凹溝部を設けることは記載されていない。
　したがって、上記相違点１に係る本件特許発明１の構成は、引用発明１、甲第３号証−甲第６号証に記載された技術に基づいて、当業者が容易になし得たこととはいえない。
　よって、本件特許発明１は、引用発明１、甲第３号証−甲第６号証に記載された技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。
イ　引用発明２を主たる発明とする場合
（ア）対比
　本件特許発明１と引用発明２を対比する。
ａ　引用発明２の「セラミックス基板１１の一方の面に銅板からなる回路層１２が配設されたパワーモジュール用基板１０と、回路層１２の上面に接合された半導体素子３とを備えているパワーモジュール１」は、本件特許発明１の「セラミックス基板の一方の面に銅又は銅合金からなる回路層が配設されたパワーモジュール用基板と、前記回路層の上面に搭載された半導体素子とを備えたパワーモジュール」に相当する。
ｂ　引用発明２において「回路層１２と半導体素子３との間には、銀の焼成体からなる接合層３１が形成され」「半導体素子３」が「回路層１２の上面に接合され」ていることは、本件特許発明１の「前記半導体素子は、銀接合層を介して前記回路層の上面に接合されて」いることに相当する。
　したがって、本件特許発明１と引用発明２とは、次の一致点、相違点を有する。
（一致点）
「セラミックス基板の一方の面に銅又は銅合金からなる回路層が配設されたパワーモジュール用基板と、前記回路層の上面に搭載された半導体素子とを備えたパワーモジュールであって、
　前記半導体素子は、銀接合層を介して前記回路層の上面に接合されているパワーモジュール。」
（相違点２）
　本件特許発明１は、「前記回路層の上面には、前記半導体素子の周縁部のうちの少なくともコーナー部分に、該周縁部に沿って凹溝部が設けられ、該凹溝部の内周側面が、前記半導体素子の外周側面よりも内側に配設され、かつ、前記凹溝部の外周側面が、前記半導体素子の外周側面と面一に配設されている」のに対して、引用発明２は、そのような特定がない点。
（イ）判断
　上記相違点２は、上記「ア　（イ）」で検討した相違点１と同じであるので、同様な理由により上記相違点２に係る本件特許発明１の構成は、引用発明２、甲第３号証−甲第６号証に記載された技術に基づいて、当業者が容易になし得たこととはいえない。
　よって、本件特許発明１は、引用発明２、甲第３号証−甲第６号証に記載された技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。
（２）本件特許発明２について
　本件特許発明１を引用する本件特許発明２は、本件特許発明１をさらに減縮したものであるから、上記本件特許発明１についての判断と同様の理由により、引用発明１、引用発明２、甲第３号証−甲第６号証に記載された技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。
３　まとめ
　以上のとおりであるから、本件特許発明１、２に係る特許は、いずれも、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであるということができず、同法第１１３条第２号により取り消すことができない。
第５　理由２（第３６条第６項第２号）について
１　特許異議申立人の主張
　特許異議申立人は、特許異議申立書において、
「本件特許の請求項１には『前記凹溝部の外周側面が、前記半導体素子の外周側面と面一に配設されている』と記載されています。・・・
　しかしながら、請求項１には『面一』の具体的な定義について何ら記載されておりません。『面一』という用語は、２つの面の間に段差が全く無い状態を表すだけでなく、わずかな段差を含む状態を表す場合にも用いられます。」として、「本件特許の請求項１の『凹溝部の外周側面が、半導体素子の外周側面と面一に配設されている』構成は、凹溝部の構成を明確に規定するものではなく、不明確であると思料します。」と主張している。
　また、「面一」がわずかな段差を含む状態を表す場合の例として、甲第７号証及び甲第８号証の次の記載を引用している。
・甲第７号証
「【０００６】
　本発明は、前記課題を解決するため、厚み方向に隣接するセラミック層ごとを貫通する単位ビア導体同士の接続部付近で且つ前記セラミック層間に位置する配線層内の隙間などに絶縁層を形成する、ことに着想して成されたものである。即ち、本発明の多層セラミック基板（請求項１）は、複数のセラミック層が積層された基板本体と、該基板本体において、隣接する複数のセラミック層を厚み方向に沿って同軸状に貫通する複数の連続ビア導体と、を備えた多層セラミック基板であって、上記連続ビア導体の少なくとも１つは、該連続ビア導体において隣接する上記複数のセラミック層間に位置するセラミック系の絶縁層により絶縁されていると共に、かかる絶縁層は、隣接する上記セラミック層間に形成された配線層内の隙間、あるいは、複数の配線層同士間の間隙に位置している、ことを特徴とする。」
「【００１０】
　また、本発明には、前記基板本体は、該基板本体の表面の中央側に開口するキャビティを有し、隣接する複数の前記セラミック層は、該キャビティの底面と側面とを形成するものであり、前記絶縁層の周辺部の一部は、上記キャビティの側面と
面一状
前記面一状とは、前記周辺部の一部が前記キャビティの側面よりも該側面の奥側に１００μｍ以下の範囲（例えば、数１０μｍ程度）で位置していることも含んでいる。
・甲第８号証
「【００１５】
　このような着火具１は、容器６の開口内に配置され、複数の貫通孔３ａを備えたセラミック体３と、複数の前記貫通孔３ａの内周面に被着した、Ｍｏを主成分とするメタライズ層１２と、貫通孔３ａの内周面に被着した、Ｐｔを主成分とする抵抗発熱体層１４と、メタライズ層１２と抵抗発熱体層１４とを電気的に接続する、複数の貫通孔３ａの内周面に被着した、ＰｔＭｏ合金を主成分とする合金層１６と、複数の貫通孔３ａに挿入され、メタライズ層１２に電気的に接続された複数の電極ピン８と、を備えている。」
「【００３１】
　また、電極ピン８の、前記一端部の端面８Ａは、セラミック体３の第１の主面３Ａと面一とされており、さらに接合体１９の表面が、第１の主面３Ａおよび電極ピン８の端面８Ａと面一とされている。抵抗発熱体層１４は、厚さが約２０μｍ以下と薄く、セ
ラミック体３の第１の主面３Ａ、抵抗発熱体層１４、電極ピン８の端面８Ａ、および接合体１９は、いずれも面一とされている。
面一とは、表面粗さ計を用いて測定した表面プロファイルにおける、最高点と最低点との差（最大高低差）が、例えば０．５ｍｍ以下のことをいう。
２　当審の判断
　面一について、「面一（つらいち、ツライチ）とは、二つの面の間に段差が無くフラットな状態のこと。」（ウィキペディア（Wikipedia）、https://ja.wikipedia.org/wiki/%E9%9D%A2%E4%B8%80）、「面一（つらいち）　メンイチとも読み、２材を同一面で仕上げること。」（建築用語集、http://www.kenchikuyogo.com/313-tsu/017-tsura_ichi.htm）とあるように、「面一」は広く一般的に使われる用語であり、その意味するところも、二つの面の間に段差がない状態のことであり、明確である。
　そうすると、本件特許の請求項１に記載された「面一」は明確な用語であり、「前記凹溝部の外周側面が、前記半導体素子の外周側面と面一に配設されている」の記載は明確である。
　また、甲第７号証に「前記面一状とは、前記周辺部の一部が前記キャビティの側面よりも該側面の奥側に１００μｍ以下の範囲（例えば、数１０μｍ程度）で位置していることも含んでいる。」、甲第８号証に「面一とは、表面粗さ計を用いて測定した表面プロファイルにおける、最高点と最低点との差（最大高低差）が、例えば０．５ｍｍ以下のことをいう。」と記載されているが、これらの記載は、甲第７号証及び甲第８号証に記載された発明を理解する際に必要な記載であり、本件特許の請求項１の記載に影響を及ぼすものではない。
　したがって、本件特許の請求項１の記載は明確である。
　よって、本件特許発明１、２に係る特許は、その特許請求の範囲の記載が特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしており、同法第１１３条第４号により取り消すことができない。
第６　むすび
　したがって、特許異議の申立ての理由及び証拠によっては、請求項１、２に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に請求項１、２に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
令和２年６月９日（２０２０．６．９）