【事件の表示】
　特許第２７４２５８３号「電子写真感光体」の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結論】
　訂正を認める。
　特許第２７４２５８３号の特許を維持する。
【理由】
Ｉ．手続きの経緯
　本件特許第２７４２５８３号の請求項１に係る発明は、昭和６３年５月１７日に特許出願され、平成１０年２月６日にその発明について特許の設定登録がなされたところ、東谷満より、特許異議の申立てを受けたもので、その後、取消理由通知がされ、その指定期間内である平成１１年５月７日に訂正請求がされたものである。
ＩＩ．訂正の要旨
　平成１１年５月７日付訂正請求における訂正の要旨は、次のとおりである。
▲１▼特許請求の範囲の減縮を目的として、本件特許明細書特許請粛の範囲における「導電性基板上に周期律表第Ｖａ族元素を０．０１〜１０ｐｐｍ含有した光導電性アモルファスシリコン層」とあるのを「導電性基板上にキャリア注入阻止層、周期律表第Ｖａ族元素を０．０１〜１０ｐｐｍ含有した光導電性アモルファスシリコン層」と訂正する。
ＩＩＩ．訂正の適否についての判断
１．訂正の目的、新規事項の追加、拡張又は変更の有無
　上記訂正▲１▼は、本件特許明細書第９頁第１７行〜第１０頁第３行（本件特許公報第３頁第５欄第２５〜３２行）、及び例２〜４の記載に基づき、基板とアモルファスシリコン層との間にキャリア注入阻止層を形成する構造のものに限定するものであって、また該訂正は、願書に添付した明細書に記載した事項の範囲内のものであり、かつ、実質上特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
２．独立特許要件の判断
２−１．訂正明細書の請求項１に係る発明
　訂正後の請求項１に係る発明は、その特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものである。
「導電性基板上にキャリア注入阻止層、周期律表第Ｖａ族元素を０．０１〜１０ｐｐｍ含有した光導電性アモルファスシリコン層及びシリコン元素とカーボン元素の原子比率をＳｉ（１−ｘ）Ｃｘのｘ値で０．０１≦ｘ≦０．５に、厚みを０．０５〜５μｍに、周期律表第Ｖａ族元素を０．５〜１００ｐｐｍ含有した光導電性アモルファスシリコンカーバイド層とを順次形成したＰＰＣ用の電子写真感光体。」
２−２．取消理由の趣旨
　当審が通知した取消理由は、（理由１）訂正前の請求項１に係る発明は、刊行物１（特開昭６３−８５５６５号）に記載された発明と同一であるから、本件発明の特許は、特許法第２９条第１項第３号の規定に違反してなされたものである、（理由２）訂正前の請求項１に係る発明は、刊行物２（特開昭６１−１７９４５６号公報）に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件発明の特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである、（理由３）本件明細書の記載は、周期律表第Ｖａ族元素を０．０１〜１０ｐｐｍ含有した光導電性アモルファスシリコン層に関して、特許請求の範囲と明細書の例の記載とが一致せず不明瞭であるから特許法第３６条第３項及び第４項の規定を満足していないというものである。
２−３．引用刊行物の記載
　取消理由通知で引用した刊行物１には、「（１）導電性基板上に周期律表第Ｖａ族元素を含有するアモルファスシリコンを主体としてなるキャリア注入阻止層と、アモルファスシリコンを主体としてなるキャリア輸送層と、アモルファスシリコンカーバイドを主体として成るキャリア発生層および表面保護層とを順次形成したことを特徴とする負極性に帯電可能な電子写真感光体。（２）前記アモルファスシリコンカーバイドが下記式
〔Ｓｉ（１−ｘ）Ｃｘ〕（１−Ｙ）ＡＹ
式中、ＡはＨ又はハロゲン元素
０．０１≦ｘ≦０．９
０．０５≦ｙ≦０．５
で表わされることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の電子写真感光体。・・・・・・（４）
前記キャリア輸送層が周期律表第Ｖａ族元素を含有する特許請求の範囲第１項記載の電子写真感光体。（５）前記キャリア発生層が周期律表第ＩＩＩａ族元素を含有する特許請求の範囲第１項記載の電子写真感光体。」に関して、アモルファスシリコン（以下、「ａ−Ｓｉ」と略す）を主体としてなるキャリア輸送層について、「キャリア輸送層においても前述した周期律表第ＩＩＩａ族元素を１００００ｐｐｍ以下、特に１０００ｐｐｍ以下の量でドーピングすることができる。この周期律表第ＩＩＩａ族元素の添加によってキャリア輸送層は真性化されるとともにキャリア輸送層中でのキャリア移動度を上げることができ、それにより表面電位、感度を向上させるとともに残留電位を低減することができる。」こと（第３頁左上欄下から第４行〜同頁右上欄第５行）、アモルファスシリコンカーバイド（以下、「ａ−ＳｉＣ」と略す）を主体とするキャリア発生層について、「周期律表Ｖａ族元素を１００００ｐｐｍ以下、特に０．５乃至１０００ｐｐｍの範囲で含有させることにより、キャリア発生層はｎ型半導体となり、近赤外領域の光波長に対する分光感度を向上させるとともに負帯電性を向上することができる。」こと（第３頁右上欄１３行〜１８行）、これら４層の層厚について、「キャリア注入阻止層が０．１乃至１０μｍ、・・・・、キャリア発生層が０．１乃至１０μｍ、表面保護層が０．１乃至１０μｍに設定するのが望ましい。」こと（第３頁左下欄下から第５行〜同頁右下欄第４行参照）が記載され、実施例の感光体の製造例１では、第１表においては、キャリア注入阻止層は、ＳｉＨ４、Ｈ２、ＰＨ３及びＮＯを反応ガスとして用いａ−Ｓｉ：Ｈ：Ｐ：Ｏ：Ｎとし、キャリア輸送層は、ＳｉＨ４及びＨ２を反応ガスとして用い、ａ−Ｓｉ：Ｈとし、キャリア発生層は、ＳｉＨ４、Ｃ２Ｈ２、及びＨ２を反応ガスとして用い、ａ−ＳｉＣ：Ｈとし、表面保護層は、ＳｉＨ４及びＣ２Ｈ２を反応ガスとして用い、ＳｉＣとしたこと、製造例３には、製造例１と同様にして第３表に示す流量で反応ガスに、ＳｉＨ４、Ｃ２Ｈ２、Ｂ２Ｈ６、ＰＨ３及びＮＯを反応ガスとして適宜用い、ａ−Ｓｉ：Ｈ：Ｐ：Ｏ：Ｎのキャリア注入阻止層、ａ−Ｓｉ：Ｈ：Ｂのキャリア輸送層、ａ−ＳｉＣ：Ｈ：Ｐのキャリア発生層、およびＳｉＣの表面保護層を順次設けた感光体を得たこと、及び、得られた感光体の感度を６５０ｎｍの単色光にて測定したこと（第４頁右下欄下から第３行〜第７頁左上欄第３行参照）が記載されている。
　同じく刊行物２には、「支持体と、該支持体上に、シリコン原子を母体とする非晶質材料を含有し光導電性を有する第一の層と、シリコン原子を母体とし炭素原子を含む非晶質材料を含有する第二の層とを積層してなる光受容層とで構成され、前記第一の層には、その全層領域又は一部の層領域に伝導性を制御する物質を含有し、前記第二の層には、その全層領域に伝導性を制御する物質を含有していることを特徴とする光受容部材。」（特許請求の範囲）に関して、第一の層について、「第１図のごとく、第一の層全層領域中に第ＩＩＩ族原子又は第Ｖ族原子を含有する場合は、主として伝導型及び／又は伝導率を制御する効果を奏し、・・・・第ＩＩＩ族原子又は第Ｖ族原子の含有量は比較的少量であり、好適には１×１０−３〜１０３ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ、より好適には５×１０−２〜５×１０２ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ、最適には１×１０−１〜２×１０２ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍである。・・・・第２図のごとく、支持体１０１に接している一部の層領域に第ＩＩＩ族原子又は第Ｖ族原子を含有している場合は、主として層領域１０２’が電荷注入阻止層の役割を果たすという効果を奏するものである。該効果を奏するのに必要な第ＩＩＩ族原子又は第Ｖ族原子の含有量は比較的多めであり、好適には３０〜５×１０４ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ、より好適には５０〜１×１０４ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ、最適には１×１０２〜５×１０３ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍである。」こと（第５頁左下欄下から第２行〜第６頁左上欄第６行）、第二の層について、「第二層に含有せしめる炭素原子の量については、通常は１×１０−３〜９０ａｔｏｍｉｃ％、好ましくは１〜９０ａｔｏｍｉｃ％、最適には１０〜８０ａｔｏｍｉｃ％とするのが望ましい。・・・・第二層に含有せしめる第ＩＩＩ族原子又は第Ｖ族原子の量は、通常は１．０〜１０４ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ、好ましくは１０〜５×１０３ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ、最適には１０２〜５×１０３ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍとするのが望ましい。」こと（第１１頁左下欄下から第４行〜同頁右下欄下から第２行）、第二層の層厚については、「第二層の層厚は、具体的には、通常は０．００３〜３０μとするが、好適には０．００４〜２０μ、最適には０．００５〜１０μとするのが望ましい。」こと（第１２頁左上欄第１１〜１４行）が記載されている。
２−４．対比・判断
（１）理由１について
　刊行物１には、特許請求の範囲第４項及び第５項に、キャリア輸送層に周期律表第Ｖａ族元素、キャリア発生層に周期律表第ＩＩＩａ族元素を含有すると規定されているものの、その発明の詳細な説明の項の記載では、キャリア輸送層に周期律表第ＩＩＩａ族元素、キャリア発生層に周期律表第Ｖａ族元素を含有させるとして、製造例１及び３でも、キャリア輸送層に周期律表第ＩＩＩａ族元素、キャリア発生層に周期律表第Ｖａ族元素を含有させた例が示されているにすぎないから、キャリア注入阻止層、キャリア輸送層のａ−Ｓｉ層及びキャリア発生層のａ−ＳｉＣ層の各層にドープする元素として周期律表第Ｖａ族元素のみを用いることが開示されているとはいえない。
　訂正後の本件請求項１に係る発明（以下、前者という）と刊行物１に記載された発明（以下、後者という）を対比すると、両者は、「導電性基板上にキャリア注入阻止層、光導電性アモルファスシリコン層及びシリコン元素とカーボン元素の原子比率、厚み及び周期律表第Ｖａ族元素の含有率を特定した光導電性アモルファスシリコンカーバイド層とを順次形成した電子写真感光体」で一致するが、▲１▼電子写真感光体の構成層を構成する層にドープする元素について、前者は、キャリア注入阻止層、ａ−Ｓｉ層及びａ−ＳｉＣ層の各層にドープする元素として周期律表第Ｖａ族元素のみを用い、キャリア注入阻止層、光導電性ａ−Ｓｉ層及び光導電性ａ−ＳｉＣ層とするのに対して、後者には、このような規定がなされていない点、
▲２▼前者が、Ｖａ族元素を０．０１〜１０ｐｐｍ含有した光導電性のａ−Ｓｉ層と光導電性ａ−ＳｉＣ層とを組み合わせてＰＰＣに使用するのに対して、後者にはこの点について何も開示がない点、
▲３▼前者が、キャリア発生層のａ−ＳｉＣ層における、シリコン元素とカーボン原子の比率、層厚及び周期律表第Ｖａ族元素の含有率を特定の数値範囲内に選定するとしているのに対し、後者は炭素原子の含有量（０．０１≦ｘ≦０．９）、層厚（０．１乃至１０μｍ）及び周期律表第Ｖａ族元素の含有率（０．５乃至１０００ｐｐｍ）が広範に規定されるだけで、その範囲内で、前者における様な特定の範囲を選定することが示されていない点で相違している。
　したがって、本件発明は、刊行物１に記載された発明であるとすることはできない。
（２）理由２について
　刊行物２の第２図には、支持体１０１上に、シリコン原子を母体とする光導電性ａ−Ｓｉの第一層１０２の一部を構成する第ＩＩＩ族原子又は第Ｖ族原子を含有している１０２’層領域（電荷注入阻止層）及び第ＩＩＩ族原子又は第Ｖ族原子のいずれも含有していない層領域１０２’’、及びシリコン原子を母体とし炭素原子を含むａ−ＳｉＣであって第ＩＩＩ族原子又は第Ｖ族原子を含有している第二層からなる光受容部材が開示されている。
　訂正後の本件請求項１に係る発明（以下、前者という）と刊行物２の第２図に記載された発明（以下、後者という）を対比すると、後者における光受容部材は、その用途に電子写真感光体を包含していることから、両者は、「導電性基板上にキャリア注入阻止層、光導電性ａ−Ｓｉ層及びシリコン元素とカーボン元素の原子比率、厚み及び周期律表第Ｖａ族元素の含有率を特定したａ−ＳｉＣ層とを順次形成した電子写真感光体」で一致するが、▲１▼電子写真感光体の構成層を構成する層にドープする元素について、前者は、キャリア注入阻止層、ａ−Ｓｉ層及びａ−ＳｉＣ層の各層にドープする元素として周期律表第Ｖａ族元素のみを用い、キャリア注入阻止層、光導電性ａ−Ｓｉ層及び光導電性ａ−ＳｉＣ層とするのに対して、後者には、このような規定がなされていない点、▲２▼光導電性ａ−Ｓｉ層に関して、前者は、周期律表第Ｖａ族元素を０．０１〜１０ｐｐｍ含有するとしているのに対して、後者には、このような規定がなされていない点、及び▲３▼光導電性ａ−ＳｉＣ層に関して、前者は、炭素原子の含有量、第Ｖａ族原子の含有率及び層厚の３者を特定の数値範囲内に選定するとしているのに対し、後者は、炭素原子の含有率（１×１０−３〜９０ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ）、第血族原子又は第Ｖ族原子の含有率（１〜１０４ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ）及び第二層の層厚（０，００３〜３０μｍ）が広範に規定されるだけで、その範囲内で、前者における様な特定の範囲を選定することが示されていない点、で相違している。
　訂正後の請求項１に係る発明は、請求項に規定された相違点▲１▼〜▲３▼を要件とすることにより、明細書記載の効果を奏するものである。（平成１１年５月７日付特許異議意見書に添付された参考資料と本件明細書の例２〜４の記載を対比すると、相違点▲２▼により、高い帯電能が得られしかも残留電位を低減化できることが確認できる。）
　上記相違点▲１▼〜▲３▼に関して、長波長側及び短波長側の両者の光感度を高めることができる、高い帯電能が得られしかも残留電位を低減化できる、ＰＰＣ用に適する、という特性を有する電子写真感光体のために、その構成を示唆する記載は刊行物２〜１にはなされていない。
　したがって、訂正後の本件請求項１に係る発明は、刊行物１及び２に記載された発明に基づき当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
（３）理由３について
　本件明細書には、特許請求の範囲に規定された、周期律表第Ｖａ族元素を０．０１〜１０ｐｐｍ含有した光導電性アモルファスシリコン層に関して、「例１〜４」は、実施例に相当するものではなく、その数値限定を実証する具体的例はないものの、その限定の根拠として、「更に、ａ−Ｓｉ層（６）にはＶａ族元素を０．０１〜１０ｐｐｍ、好適には０．１〜５ｐｐｍの範囲内で含有させてもよく、この範囲内であれば、高い帯電能が得られ、しかも、残留電位を低減化できるという点で有利である。」（本件特許明細書第８頁末行〜第９頁第４行、本件特許公報第５欄第９〜１２行）と記載されているから、該光導電性アモルファスシリコン層に関する記載が不明瞭であるとはいえない。（上記した様に、平成１１年５月７日付特許異議意見書に添付された参考資料と本件明細書の例２〜４の記載を対比すれば、「周期律表第Ｖａ族元素を０．０１〜１０ｐｐｍ含有した光導電性アモルファスシリコン層」により、高い帯電能が得られしかも残留電位を低減化できることを確認することができる。）
　よって、理由１ないし理由３によっては、訂正後の請求項１に係る発明が、特許出願の際独立して特許を受けることができない発明であるとすることはできない。
３．むすび
　してみると、上記訂正請求は、特許法第１２０条の４第２項、同条第３項で準用する第１２６条第２〜４項の規定に適合するので、上記訂正を認める。
ＩＶ．特許異議の申立てについての判断
１．申立て理由の概要
　申立人東谷満（以下、「申立人」という）は、証拠として、甲第１号証（特開昭６１−２７２７４８号公報）、甲第２号証（「刊行物２」に相当）及び甲第３号証（「刊行物１」に相当）を提出し、（１）訂正前の請求項１に係る発明は、甲第１号証〜甲第３号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明することができたものであるから、訂正前の請求項１に係る発明についての特許は、特許法第２９条第２項に違反してなされたものであり特許を取り消すべきである、（２）▲１▼本件明細書の記載は、周期律表第Ｖａ族元素を０．０１〜１０ｐｐｍ含有した光導電性アモルファスシリコン層に関して、特許請求の範囲と明細書の例の記載とが一致せず不明瞭であるから特許法第３６条第３項及び第４項の規定を満足していない、▲２▼ａ−Ｓｉ層及びａ−ＳｉＣ層に含有させる周期律表第Ｖａ族元素の規定は、実施例ではＰ元素のみが開示されるにすぎないから、規定が広範すぎる旨主張している。
２．判断
　本件請求項１に係る発明は、訂正後の請求項１に記載されたとおりのものであって、訂正後の請求項１に係る発明は、上記ＩＩＩ．２−４．で述べたように、取消理由通知で引用した刊行物１（「甲第３号証」に相当）に記載された発明と同一であるとすることはできない、また、訂正後の請求項１に係る発明と刊行物２（「甲第２号証」に相当）に記載された発明を対比すると、相違点▲１▼〜▲３▼を有するものであり、取消理由通知で引用した刊行物１（「甲第３号証」に相当）及び刊行物２（「甲第２号証」に相当）に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
　甲第１号証には、「支持体と、該支持体上に、シリコン原子を母体とする非晶質材料で構成された光導電性を有する第一の層と、シリコン原子を母体とし炭素原子および伝導性を制御する物質を含有する非晶質材料で構成される第二の層とを積層してなる光受容層とからなり、前記光受容層が、伝導性を制御する物質を前記第一の層の全層領域又は一部の層領域に均一な分布状態で含有し、かつ、窒素原子を前記第一の層の全層領域又は一部の層領域に不均一な分布状態で含有し、必要によりさらに前記第二の層に均一な分布状態で含有していることを特徴とする光受容部材。」（特許請求の範囲第１項）に関して、「第１図に示すごとく、第一の層１０２の全層領域に第ＩＩＩ族原子又は第Ｖ族原子を含有せしめる場合には、第一の層の伝導性及び／又は伝導率を制御するという作用効果を奏する。そしてこの場合第一の層領域に含有せしめる第ＩＩＩ族原子又は第Ｖ族原子の量は比較的少量でよく、通常は１×１０−３〜１×１０３ａｔｏｍｉｃｐｐｍとするが、好ましくは５×１０−２〜５×１０２ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ、最適には１×１０−１〜２×１０２ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍとするのが望ましい。又、この場合、第一の層に含有せしめる伝導性を制御する物質の伝導型は、後述する第二の層に含有せしめるものの伝導型と同じであっても、あるいは異なっていてもよい。第２図に示すごとく、第一の層１０２の支持体と接する一部の層領域１０５に第ＩＩＩ族原子又は第Ｖ族原子を含有せしめる場合には、主として、該一部の層領域１０５が電荷阻止層となるという作用・効果を奏するものであり、そして、この場合の第一の層に含有せしめる第ＩＩＩ族原子又は第Ｖ族原子の量は比較的多量であ」ること（第５頁右下欄下から第４行〜第６頁左上欄下から第５行）、「本発明の第一の層１０２には高光感度化と高暗抵抗化、更には、支持体と第一の層の、あるいは第一の層と第二の層の密着性の改良を目的として窒素原子を含有せしめる。・・・・・窒素原子を第一の層の全層領域に不均一な分布状態で含有せしめるか、あるいは一部の層領域に不均一な分布状態で含有せしめるかについては、所望の目的、作用効果を効果的に達成するため、適宜選択する必要がある。即ち、第一の層の光感度と暗抵抗の向上を主たる目的とする場合には第１図に示すごとく、全層領域中に含有せしめる。そしてこの場合の窒素原子の含有量は、高光感度を維持するため、比較的少量とする。また、第一の層と支持体の間の密着性の良化を図ることを主たる目的とする場合には、第一の層の支持体と接する側において窒素原子の分布濃度が高くなる様な分布状態で含有せしめ、・・・・・いずれの場合にも、密着性の良化を図ることを主たる目的とする場合は、密着性の強化を確実にするために、含有せしめる窒素原子の量を比較的多量にすることが好ましい」こと（第６頁右下欄下から第６行〜第７頁右上欄第１４行）、「本発明において、第一の層に含有せしめる窒素原子の含有量は、・・・・通常は１×１０−３〜５０ａｔｏｍｉｃ％とするが、より好ましくは２×１０−３〜４０ａｔｏｍｉｃ％、最適には３×１０−３〜３０ａｔｏｍｉｃ％とする。」こと（第８頁左下欄下から第５行〜右下欄第４行）、第二の層について、「炭素原子の含有量は通常は、１×１０−３〜９０ａｔｏｍｉｃ％とし、好ましくは１〜９０ａｔｏｍｉｃ％、最適には１０〜８０ａｔｏｍｉｃ％とする」こと（第９頁右下欄下から第８〜５行）、「含有せしめる第ＩＩＩ族原子又は第Ｖ族原子の量は、通常は１．０〜１０４ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍとするが、好ましくは１０〜５×１０３ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ、最適には２〜５×１０３ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍとするのが望ましい。」こと（第１０頁左上欄下から第３行〜右上欄第２行、「含有せしめる窒素原子あるいは酸素原子の量は、通常は１×１０−３〜５０ａｔｏｍｉｃ％とするが、より好ましくは２×１０−３〜４０ａｔｏｍｉｃ％、最適には３×１０−３〜３０ａｔｏｍｉｃ％とする。」こと（第１０頁右上欄第１１〜１５行）、「第二の層厚は通常は３×１０−３〜３０μとするが、より好ましくは４×１０−３〜２０μ、特に好ましくは５×１０−３〜１０μとする」ことが記載されている。
　本件請求項１に係る発明（以下、前者という）と甲第１号証（以下、後者という）に記載された第２図に示される光受容部材とを対比すると、後者における、第一の層の一部を構成する第ＩＩＩ族原子又は第Ｖ族原子を比較的多量に含有する領域１０５の電荷阻止層、層領域１０５以外の第一の層、第二の層１０３は、前者における、キャリア注入阻止層、光導電性ａ−Ｓｉ層、及びａ−ＳｉＣ層にそれぞれ相当し、後者の光受容部材は、その用途に電子写真感光体を包含していること、そして、第二の層における、炭素原子の含有量（１×１０−３〜９０ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ）、第ＩＩＩ族原子又は第Ｖ族原子の含有量（１〜１０４ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ）及び第二層の層厚（３×１０−３〜３０μ）と記載されていることから、両者の関係は、刊行物２（「甲第２号証」に相当）で検討したと同様の一致点及び相違点を有していることが認められる。
　よって、上記ＩＩＩ．２−４．「（２）理由について」で検討したと同様の理由により、本件請求項１に係る発明が、甲第１号証に記載された発明に基づき当業者が容易になし得たものであるとすることはできない。
　なお、甲第１号証において、第一の層に含有させる窒素原子は、本件請求項１に係る発明における周期律表第Ｖａ族元素に相当するものであり、その濃度は、換算すると、最低でも、１０ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍとされ、更に、第１の層には、周期律表第血族又は第Ｖ族元素を１×１０−３〜１×１０３ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ含有するものであるから、長波長側及び短波長側の両者の光感度を高めることができる、高い帯電能が得られしかも残留電位を低減化できるといった効果を企図して、光導電性ａ−Ｓｉ層に周期律表第Ｖａ族元素を０．０１〜１０ｐｐｍ含有させる点（上記相違点▲２▼）は、後者の記載から導き出せる事項とはいえない。
　異議申立人の主張（２）▲１▼は、上記ＩＩＩ．２−２．（理由３）と同じものであるから、上記ＩＩＩ．２−４．「（３）理由３について」で述べた理由と同じ理由により、特許請求の範囲における、周期律表第Ｖａ族元素を０．０１〜１０ｐｐｍ含有した光導電性アモルファスシリコン層の規定が不明瞭であるとすることはできない。
　また、同じく主張（２）▲２▼については、周期律表第Ｖａ族元素について、「Ｖａ族元素にはＮ，Ｐ，Ａｓ，Ｓｂ，Ｂｉがある」と明細書に明記されており、その各元素について、必ず実施例をもって示す必要があるとは認められず、当業者の技術常識をもってすれば、周期律表第Ｖａ族元素を含有させる意義は明瞭に把握できるから、例１〜４に示されるＰ元素以外のものについての例が示されていないことをもって、特許請求の範囲の規定が広範すぎるということはできない。
（３）むすび
　したがって、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、訂正後の請求項１に係る発明の特許を取り消すことはできない。
　また、他に訂正後の請求項１に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１１年１０月２２日（１９９９．１０．２２）
【訂正の要旨】
平成１１年５月７日付訂正請求における訂正の要旨は、次のとおりである。
　特許請求の範囲の減縮を目的として、本件特許明細書特許請求の範囲における「導電性基板上に周期律表第Ｖａ族元素を０．０１〜１０ｐｐｍ含有した光導電性アモルファスシリコン層」とあるのを「導電性基板上にキャリア注入阻止層、周期律表第Ｖａ族元素を０．０１〜１０ｐｐｍ含有した　光導電性アモルファスシリコン層」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
電子写真感光体
（５７）【特許請求の範囲】
　導電性基板上に
キャリア注入阻止層
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
　本発明は短波長側及び長波長側の両者の光感度を高めて普通紙複写機に好適になった電子写真感光体に関するものである。
（従来技術及びその問題点）
　近年、超高速複写機やレーザービームプリンターなどの開発が活発に進められており、これに伴って、この機器に搭載される電子写真感光体ドラムに安定した動作特性並びに耐久性が要求されている。この要求に対してアモルファスシリコンが耐摩耗性、耐熱性、無公害性並びに光感度特性などに優れるという点で注目されている。
　このアモルファスシリコン（以下、ａ−Ｓｉと略す）から成る電子写真感光体には第３図に示す通りの積層型感光体が提案されている。
　即ち、第３図によれば、アルミニウムなどの導電性基板（１）の上にキャリア注入阻止層（２）、ａ−Ｓｉキャリア発生層（３）及び表面保護層（４）を順次積層しており、このキャリア注入阻止層（２）は基板（１）からのキャリアの注入を阻止すると共に残留電位を低下させるために形成されており、また、表面保護層（４）には高硬度な材料を用いて感光体の耐久性を高めている。
　しかしながら、このようなａ−Ｓｉ感光体においては、長波長側の光感度が高くなっており、そのため、この感光体をハロゲンランプ等の白色光を光源として用いた普通紙複写機（以下、ＰＰＣと略す）に搭載した場合、赤色付近の波長帯に対して再現性に劣る。かかる問題を解決するためにフィルタを用いて赤色波長光をカットするようにしているが、これに伴って感光層に入射する光の強度が低下し、その結果、感光体自体の光感度が見かけ上低下する。
（発明の目的）
　従って本発明は短波長側及び長波長側の光感度を高めることができた電子写真感光体を提供することにある。
　本発明の他の目的はＰＰＣ用に適した電子写真感光体を提供することにある。
（問題点を解決するための手段）
　本発明によれば、導電性基板上に周期律表第Ｖａ族元素を０．０１〜１０ｐｐｍ含有した光導電性ａ−Ｓｉ層及びシリコン（Ｓｉ）元素とカーボン（Ｃ）元素の原子比率がＳｉ（１−ｘ）Ｃｘのｘ値で０．０１≦ｘ≦０．５に、厚みを０．０５〜５μｍに、周期律表第Ｖａ族元素を０．５〜１００ｐｐｍ含有させた光導電性アモルファスシリコンカーバイド層（以下、アモルファスシリコンカーバイドをａ−ＳｉＣと略す）とを順次形成したＰＰＣ用の電子写真感光体が提供される。
　以下、本発明を詳細に説明する。
　本発明電子写真感光体の基本的層構成は第１図に示す通りであり、導電性基板（５）の上に光導電性ａ−Ｓ層（６）及び光導電性ａ−ＳｉＣ層（７）が１順次積層されている。
　本発明者等の実験によれば、上記のａ−ＳｉＣ層（７）に所定量の周期律表第Ｖａ族元素（以下、Ｖａ族元素と略す）を含有させた場合に短波長側の光感度が顕著に高められることが見出され、そして、この知見に基づいて本発明が完成されるに至った。
　即ち、第１図に示す層構成によれば、その層（７）の厚みを所定の範囲内に設定すると入射した光のうち短波長側がａ−ＳｉＣ層（７）で吸収され、しかも、そのａ−ＳｉＣ層（７）を透過した光、即ち、長波長側の光がａ−Ｓｉ層（６）で吸収され、これにより、短波長側及び長波長側の両者ともに光感度を高めることが特徴である。
　先ず、ａ−ＳｉＣ層（７）によれば、アモルファス化したＳｉ元素及びＣ元素を不可欠な構成元素と成し、そのダングリングボンドを終端させるべく水素（Ｈ）元素やハロゲン元素を所要の範囲内で含有させることによって光導電性が生じる。本発明者等がカーボンの含有比率を幾通りにも変えて光導電性を確かめる実験を行ったところ、Ｓｉ元素とＣ元素の原子比率、即ち、Ｓｉ（１−ｘ）Ｃｘのｘ値が０，０１≦ｘ≦０．５、好適には０．０５≦ｘ≦０．３の範囲内に設定された場合、暗導電率が小さくなり、短波長側の光感度を高めることができる。
　また、Ｈ元素やハロゲン元素などのダングリングボンド終端用元素Ａの含有量は〔Ｓｉ（１−ｘ）Ｃｘ〕１−ｙ〔Ａ〕ｙで表したｙ値が０．０５≦ｙ≦０．５、好適には０．０５≦ｙ≦０．４、最適には０．１≦ｙ≦０．３の範囲内になるように設定するとよい。このような元素Ａにはダングリングボンドの終端部に取り込まれ易くてバンドギャップ中の局在準位密度が低減化されるという点で通常Ｈ元素が用いられる。
　このようなａ−ＳｉＣ層（７）の厚みは０．０５〜５μｍ、好適には０．１〜３μｍの範囲内に設定するとよく、この厚みが０，０５μｍ未満の場合には短波長光の吸収が不十分となって光感度を高めることができず、５μｍを超える場合には残留電位が大きくなる。
　上記ａ−ＳｉＣ層（７）は、Ｓｉ元素とＣ元素の原子比率、即ち、前記ｘ値がその層厚方向に亘って均一である場合、又は、そのＸ値が変化する場合のいずれでもよい。
　ｘ値が層厚方向に亘って変化する場合には、そのｘ値が０．０１≦ｘ≦０．５の範囲内で層（７）の厚みが決められ、このようにして決められた厚みも０．０５〜５μｍ、好適には０．１〜３μｍの範囲内に設定する必要がある。
　このようにＸ値が層厚方向に亘って変化する場合のカーボンドーピング分布には、例えば、第４図〜第９図に示す通りがある。
　各々の図において、横軸はａ−ＳｉＣ層（７）の層厚方向を示し、ａはａ−Ｓｉ層（６）との界面であり、ｂはその反対側の界面であり、縦軸はカーボン含有量を表す。
　また、このａ−ＳｉＣ層（７）にはＶａ族元素をその層厚方向に亘って均一に０．５〜１００ｐｐｍ、好適には１〜５０ｐｐｍの範囲内で含有させるとよく、この含有量が０．５ｐｐｍ未満の場合には十分に大きな光感度が得られず、一方、１００ｐｐｍを超える場合には帯電能が低下する。
　上記Ｖａ族元素にはＮ，Ｐ，Ａｓ，Ｓｂ，Ｂｉがあるが、就中、Ｐが共有結合性に優れて半導体特性を敏感に変え得る点で、その上、優れた帯電能並びに光感度が得られるという点で望ましい。
　このようにａ−ＳｉＣ層（７）にＶａ族元素を含有させるに当たり、そのドーピング分布はその層厚方向に亘って不均一にしてもよく、例えば第１０図〜第１５図に示す通りがある。
　各々の図において、横軸はａ−ＳｉＣ層（７）の層厚方向を示し、ａはａ−Ｓ層（６）との界面であり、ｂはその反対側の界面であり、そして、縦軸はＶａ族元素含有量を表す。
　このようにＶａ族元素含有量を層厚方向に亘って変化させた場合愛、その含有量はａ−ＳｉＣ層（７）全体当たりの平均値である。
　また、前記ａ−Ｓｉ層（６）はアモルファス化したＳｉ元素と、そのダングリングボンドを終端させるためのＨ元素やハロゲン元素から成り、入射光のうち長波長側の光が吸収される。
　このａ−Ｓｉ層（６）の厚みは５〜１００μｍ、好適には１０〜５０μｍの範囲内に設定するのが望ましく、この範囲内であれば、高い帯電能が得られ、しかも、長波長光が有効に吸収されるという点で有利である。
　また、ａ−Ｓｉ層（６）は実質上カーボン元素を含有しない層であるが、非常に微少量のカーボンが含有してもよい。その場合、このカーボンが１０００ｐｐｍ以下、好適には５００ｐｐｍ以下の範囲内であれば、長波長光の光感度が顕著に低下しない。
　更に、ａ−Ｓｉ層（６）にはＶａ族元素を０．０１〜１０ｐｐｍ、好適には０，１〜５ｐｐｍの範囲内で含有させてもよく、この範囲内であれば、高い帯電能が得られ、しかも、残留電位を低減化できるという点で有利である。尚、このＶａ族元素のドーピング分布は層厚方向に亘って均一又は不均一のいずれでもよく、不均一にドーピングする場合の含有量はその層（６）の全体当たりの平均値である。
　そして、このようにａ−Ｓ層（６）に含有させるＶａ族元素にはＮ，Ｐ，Ａｓ，Ｓｂ，Ｂｉがある。
　かくして、本発明の電子写真感光体が、ハロゲンランプ等の白色光を光源として用いたＰＰＣに搭載された場合、短波長側の光が主にａ−ＳｉＣ層で吸収され、しかも、長波長側の光が主にａ−Ｓｉ層で吸収されるようになり、これにより、赤外波長光をカットするためのフィルタが不要となり、感光体自体の光感度が著しく高められる。
　本発明の電子写真感光体は上記のような二層構造が不可欠であるが、それ以外にキャリア注入阻止層や表面保護層を形成してもよい。
　例えば、第２図は典型的層構造を表しており、基板（５）とａ−Ｓｉ層（６）の間にキャリア注入阻止層（８）と、そして、ａ−ＳｉＣ層（７）の上に表面保護層（９）を形成している。
　前記キャリア注入阻止層（８）については、基板（５）からのキャリアの注入を阻止するものであり、表面保護層（９）についてはａ−ＳｉＣ層（７）を保護して耐湿性などを向上させるものであり、しかも、両者の層（８）及び層（９）はいずれも感光体の暗導電率を小さくして帯電能を高めることができる。
　この表面保護層（９）にはそれ自体高絶縁性、高耐蝕性並びに高硬度性を有するものであるならば種々の材料を用いることができる。例えばポリイミド樹脂などの有機材料、ＳｉＣ、ＳｉＯ、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＮなどの無機材料を用いることができる。
　また、キャリア注入阻止層（８）も上記表面保護層用材料と同じ材料を用いることができる。
　次に本発明に係る電子写真感光体の製法を述べる。
　ａ−Ｓｉ層又はａ−ＳｉＣ層を形成するにはグロー放電分解法、イオンプレーティング法、反応性スパッタリング法、真空蒸着法、ＣＶＤ法等の薄膜形成方法がある。
　グロー放電分解法を用いる場合にはＳｉ元素含有ガスを、又はそのガスとＣ元素含有ガスを組合せ、グロー放電分解する。このＳｉ元素含有ガスにはＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６、Ｓｉ３Ｈ８、ＳｉＦ４、ＳｉＣｌ４、ＳｉＨＣｌ３等々があり、また、Ｃ元素含有ガスにはＣＨ４、Ｃ２Ｈ４、Ｃ２Ｈ２、Ｃ３Ｈ８等々があり、就中、Ｃ２Ｈ２は高速成膜性が得られるという点で望ましい。
　本発明の実施例に用いられる容量結合型グロー放電分解装置を第１６図により説明する。
　図中、第１、第２、第３、第４、第５、第６タンク（１０）（１１）（１２）（１３）（１４）（１５）には、それぞれＳｉＨ４、Ｃ２Ｈ２、ＰＨ３（Ｈ２ガス希釈で０．２％含有）、Ｂ２Ｈ６（Ｈ２ガス希釈で４０ｐｐｍ含有）、Ｈ２、ＮＯガスが密封されており、Ｈ２はキャリアガスとしても用いられる。これらのガスはそれぞれ対応する第１、第２、第３、第４、第５、第６調整弁（１６）（１７）（１８）（１９）（２０）（２１）を開放することにより放出され、その流量がマスフローコントローラ（２２）（２３）（２４）（２５）（２６）（２７）により制御され、第１、第２、第３、第４、第５タンク（１０）（１１）（１２）（１３）（１４）からのガスは第１主管（２８）へ、第６タンク（１５）からのＮＯガスは第２主管（２９）へ送られる。尚、（３０）（３１）は止め弁である。第１主管（２８）及び第２主管（２９）を通じて流れるガスは反応管（３２）へと送り込まれるが、この反応管（３２）の内部には容量結合型放電用電極（３３）が設置されており、それに印加される高周波電力は５０Ｗ〜３ｋＷが、また周波数は１〜５０ＭＨｚが適当である。反応管（３２）の内部にはアルミニウムから成る筒状の成膜基板（３４）が試料保持台（３５）の上に載置されており、この保持台（３５）はモーター（３６）により回転駆動されるようになっており、そして、基板（３４）は適当な加熱手段により約２００〜４００℃、好適には約２００〜３５０℃の温度に均一に加熱される。更に反応管（３２）の内部はａ−ＳｉＣ膜形成時に高度の真空状態（放電圧０．１〜２．０Ｔｏｒｒ）を必要とすることにより回転ポンプ（３７）と拡散ポンプ（３８）に連結されている。
　以上のように構成されたグロー放電分解装置において、例えばａ−ＳｉＣ膜を基板（３４）に形成する場合、第１、第２、第５調整弁（１６）（１７）（２０）を開いてそれぞれよりＳｉＨ４、Ｃ２Ｈ２、Ｈ２ガスを放出し、その放出量はマスフローコントローラ（２２）（２３）（２６）により制御され、ＳｉＨ４、Ｃ２Ｈ２、Ｈ２の混合ガスは第１主管（２８）を介して反応管（３２）へ流し込まれる。そして、反応管（３２）の内部が０．１〜２．０Ｔｏｒｒ程度の真空状態、基板温度が２００〜４００℃、容量結合型放電用電極（３３）に印加される高周波電力が５０Ｗ〜３ｋＷ、また周波数が１〜５０ＭＨｚに設定されていることに相侯ってグロー放電が起こり、ガスが分解してａ−ＳｉＣ膜が基板上に高速で形成される。
（実施例）
　次に本発明の実施例を説明する。
（例１）
　第１６図のグロー放電分解装置を用いて第１表に示す通りの成膜条件によりアルミニウム製基板上に光導電性ａ−Ｓｉ層（６）及び光導電性ａ−ＳｉＣ層（７）を順次積層し、第１図に示す通りの感光体ドラムを製作した。
　かくして得られた感光体ドラムに、可視光分光器により分光された０．３μＷ／ｃｍ２の単色光を照射し、表面電位の半減時間を求めて分光感度を測定したところ、第１７図に示す通りの結果が得られた。
　同図において、横軸は波長であり、縦軸は光感度であり、そして、○印は測定結果のプロットであり、ａはその特性曲線である。
　また第１７図には上記感光体ドラムより光導電性ａ−ＳｉＣ層が除かれた感光体ドラムが比較例として示されており、その分光感度を測定したところ、●印に示される測定結果のプロットが得られ、ｂはその特性曲線である。
　この結果より明らかな通り、本発明の感光体ドラムは短波長側の光感度が顕著に大きくなっていることが判る。
　尚、上記光導電性ａ−ＳｉＣ層のカーボン量をＥＳＣＡ分析により求めたところ、Ｓｉ１−ｘＣｘのｘ値で０．１２であり、また、そのＰ含有量を二次イオン質量分析計により求めたところ、２０ｐｐｍであった。
（例２）
　本例においては、第２表に示す通りの成膜条件によりアルミニウム製基板上にキャリア注入阻止層（８）、光導電性ａ−Ｓｉ層（６）、光導電性ａ−ＳｉＣ層（７）及び表面保護層（９）を順次積層し、第２図に示す通りの感光体ドラムを製作した。
　かくして得られた感光体ドラムをＰＰＣに搭載し、そして、赤色カットフィルタを用いないでハロゲンランプを投光源とし、更にコロナチャージャで−５．６ｋＶの電圧を印加して負帯電させ、これにより、表面電位、光感度並びに残留電位を測定したところ、下記に示す通りの結果が得られた。
　表面電位・・・・・・・・−３８０Ｖ
　光感度（記録露光量）・・０．５２１ｕｘ・ｓｅｃ
　残留電位（露光開始５秒後の値）・・１８Ｖ
　また、この感光体ドラムを高速ＰＰＣに搭載し、５０枚／分の速度にて画像出しテストを行ったところ、黒色部及び赤色部に対する忠実なる再現性が得られ、しかも、高い濃度で且つカブリのない鮮明な画像が得られた。
（例３）
　次に本例においては、（例２）にて得られた感光体ドラムについて、光導電性ａ−ＳｉＣ層の厚みを幾通りにも変え、これによって得られる感光体ドラムＡ〜Ｇの表面電位、光感度（記録露光量）並びに残留電位（露光開始５秒後の値）を測定したところ、第３表に示す通りの結果が得られた。
　第３表より明らかな通り、本発明の感光体ドラムＢ〜Ｆは表面電位が高く、残留電位が小さく、しかも、優れた光感度が得られていることが判る。
　然るに感光体ドラムＡは光感度に劣っており、感光体ドラムＧは残留電位が大きくなっている。
（例４）
　本例においては、（例２）にて得られた感光体ドラムについて、光導電性ａ−ＳｉＣ層のカーボン含有量とＰ含有量をそれぞれ幾通りにも変え、これによって得られる感光体ドラムＨ〜Ｏの表面電位、光感度（記録露光量）並びに残留電位（露光開始５秒後の値）を測定したところ、第４表に示す通りの結果が得られた。
　第４表より明らかな通り、本発明の感光体ドラムＪ〜Ｍは表面電位が高く、残留電位が小さく、しかも、優れた光感度が得られていることが判る。
　然るに感光体ドラムＨとＩは光感度に劣っており、感光体ドラムＮとＯはいずれも表面電位が小さく、残留電位が大きく、しかも、光感度に劣っている。
　また、本発明者等は上記感光体ドラムＢ〜Ｆ及びＪ〜Ｍをそれぞれ高速ＰＰＣに搭載し、５０枚／分の速度にて画像出しテストを行ったところ、黒色部及び赤色部に対する忠実なる再現性が得られ、しかも、高い濃度で且つカブリのない鮮明な画像が得られることを確認した。
（発明の効果）
　以上の通り、本発明の電子写真感光体によれば、光導電性ａ−Ｓｉ層と光導電性ａ−ＳｉＣ層を積層し、そのａ−ＳｉＣ層の原子比率及び厚み並びにＶａ族元素含有量をそれぞれ所定の範囲内に設定し、これにより、長波長側及び短波長側の両者の光感度を高めることができ、その結果、赤外波長光カットフィルタを用いないで優れた光感度が得られるＰＰＣ用の電子写真感光体が提供される。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明電子写真感光体の基本的な層構造を示す断面図、第２図は本発明電子写真感光体の典型的層構造を示す断面図、第３図は従来の電子写真感光体の層構造を示す断面図、第４図、第５図、第６図、第７図、第８図及び第９図はカーボンドーピング分布を示す線図、第１０図、第１１図、第１２図、第１３図、第１４図及び第１５図は周期律表第Ｖａ族元素ドーピング分布を示す線図、第１６図はグロー放電分解装置の概略図、第１７図は分光感度を示す線図である。
１，５……導電性基板２，８……キャリア注入阻止層４，９……表面保護層６…　…光導電性アモルファスシリコン層７……光導電性アモルファスシリコンカーバイド層