(57)【要約】【課題】  スイッチダイオードによるバンド切替を行うことなく、ＰＬＬ回路から出力される同調電圧を最低値まで利用して広い周波数帯域のテレビジョン信号の受信を可能とする。【解決手段】  同調周波数可変用の第１のバラクタダイオード８ａ、８ｄを有する同調回路８と、テレビジョン信号を中間周波信号に周波数変換するミキサ１２と、第２のバラクタダイオード１４ａを有する発振器１３と、テレビジョン信号を選局するための同調電圧を出力するＰＬＬ回路２５とを備え、第１及び第２のバラクタダイオード８ａ、８ｂ、１４ａの各カソードに同調電圧を印加し、第１及び第２のバラクタダイオード８ａ、８ｄ、１４ａのアノードの電圧を、所定周波数以上のテレビジョン信号を受信するときよりも所定周波数以下のテレビジョン信号を受信するときに高くした。【選択図】        図１
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【実用新案登録請求の範囲】
【請求項１】
同調周波数可変用の第１のバラクタダイオードを有し、テレビジョン信号に同調回路と、前記同調回路から出力されたテレビジョン信号を中間周波信号に周波数変換するミキサと、発振周波数可変用の第２のバラクタダイオードを有し、前記ミキサに局部発振信号を供給する発振器と、前記テレビジョン信号を選局するための同調電圧を出力するＰＬＬ回路とを備え、前記第１及び第２のバラクタダイオードの各カソードに前記同調電圧を印加し、前記第１及び第２のバラクタダイオードのアノードの電圧を、所定周波数以上のテレビジョン信号を受信するときよりも前記所定周波数以下のテレビジョン信号を受信するときに高くしたことを特徴とするテレビジョンチューナ。
【請求項２】
前記第１及び第２のバラクタダイオードのアノードの電圧を切り替えるトランジスタを設け、前記トランジスタのコレクタを所定電圧にプルアップすると共に、エミッタを接地し、前記第１及び第２のバラクタダイオードの各アノードを、それぞれ対応する第１の抵抗によって前記トランジスタのコレクタに接続すると共に、それぞれ対応する第２の抵抗によって直流的に接地し、前記トランジスタを、前記所定周波数以上のテレビジョン信号を受信するときにオンさせ、前記所定周波数以下のテレビジョン信号を受信するときにオフさせたことを特徴とする請求項１に記載のテレビジョンチューナ。
【請求項３】
前記トランジスタのベースに前記同調電圧を印加したことを特徴とする請求項２に記載のテレビジョンチューナ。
【請求項４】
前記所定電圧を安定化された電圧としたことを特徴とする請求項２又は３に記載のテレビジョンチューナ。
【考案の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本考案は、テレビジョンチューナに関する。
【背景技術】
【０００２】
図４を参照して従来のテレビジョンチューナを説明する。図４において、高周波増幅器５１と混合器５２との間には、段間複同調回路（以下、複同調回路という）５３が設けられている。一次同調回路５３ａは、直列接続されたハイバンド用同調コイル５４及びローバンド用同調コイル５５と、これらに並列接続されたバラクタダイオード５６とを有している。バラクタダイオード５６は、そのアノードが接地され、カソードは直流阻止コンデンサ５７を介してハイバンド用同調コイル５４の他端に接続されている。
二次同調回路５３ｂも、直列接続されたハイバンド用同調コイル５８及びローバンド用同調コイル５９と、これらに並列接続されたバラクタダイオード６０を有している。バラクタダイオード６０は、そのアノードが接地され、カソードは直流阻止コンデンサ６１を介してハイバンド用同調コイル５８の他端に接続されている。
そして、ローバンド用同調コイル５５と５９が結合コイル６２の一端に接続され、この結合コイル６２の他端が直流阻止コンデンサ６３を介して接地されている。
【０００３】
また、ハイバンド用同調コイル５４とローバンド用同調コイル５５との接続点は、スイッチダイオード６４のカソードに接続され、そのアノードは直流阻止コンデンサ６５で接地されている。同様に、ハイバンド用同調コイル５８とローバンド用同調コイル５９との接続点は、スイッチダイオード６６のカソードに接続され、そのアノードは直流阻止コンデンサ６７で接地されている。
【０００４】
そして、スイッチダイオード６４のアノードが抵抗６８を介してハイバンド切替端子６９に接続され、同様に、スイッチダイオード６６のアノードが抵抗７０を介してハイバンド切替端子６９に接続されている。
また、結合コイル６２と直流阻止コンデンサ６３との接続点が抵抗７１を介してローバンド切替端子７２に接続されている。さらに、バラクタダイオード５６のカソードには同調電圧端子７３からの同調電圧が抵抗７４を介して印加され、同様に、バラクタダイオード６０のカソードにも同調電圧端子７３からの同調電圧が抵抗７５を介して印加されるようになっている。
【０００５】
複同調回路５３と混合器５２との間には、ピーキング回路７６が設けられている。ピーキング回路７６は、複同調回路５３とは直流阻止コンデンサ７７によって直流阻止されるとともに、混合器５２とは直流阻止コンデンサ７８によって直流阻止されている。
ピーキング回路７６は、ピーキングコイル７９とスイッチダイオード８０と直流阻止コンデンサ８１とが直列接続されて構成されている。そして、スイッチダイオード８０のカソードが抵抗８２を介してローバンド切替端子７２に接続され、アノードが抵抗８３を介してハイバンド切替端子６９に接続されている。ピーキングコイル７９のインダクタンスと混合器５２が有する入力容量８４とが協働してハイバンドのテレビジョン信号のうち低域のテレビジョン信号の周波数に共振するように設定されている。
【０００６】
以上の構成において、ＶＨＦ帯のハイバンドのテレビジョン信号を受信するときは、ハイバンド切替端子６９に印加した切替電圧によってスイッチダイオード６４、６６を共に導通させて複同調回路５３をハイバンドのテレビジョン信号を受信する状態にする。また、ハイバンド切替端子６９に印加した切替電圧はスイッチダイオード８０のアノードにも印加されるので、スイッチダイオード８０も導通状態となるので、ピーキングコイル７９と混合器５２が有する入力容量８４とにより、並列共振回路が構成される。
そして、ピーキングコイル７９と混合器５２が有する入力容量８４とで構成される並列共振回路によって、ハイバンドのテレビジョン信号の低域の利得を上げている。また、同調電圧端子７３に印加した同調電圧によって、複同調回路５３を所望の周波数に同調させるようにしている。
【０００７】
また、ＶＨＦ帯のローバンドのテレビジョン信号を受信するときは、ローバンド切替端子７２に印加した切替電圧によってスイッチダイオード６４、６６を共に非導通させて複同調回路５３をローバンドのテレビジョン信号を受信する状態にする。また、ローバンド切替端子７２に印加した切替電圧はスイッチダイオード８０のカソードにも印加されるので、スイッチダイオード８０も非導通状態となるので、ピーキング回路７６は無効となる（例えば特許文献１参照。）。
【０００８】
【特許文献１】特開平１１−２７５４７８号公報（図２）
【考案の開示】
【考案が解決しようとする課題】
【０００９】
以上のように、従来のテレビジョンチューナでは、同調回路にスイッチダイオードを設けてバンド切替を行うことで受信帯域を広げているので、同調回路の構成が複雑となっていた。そこで、バンド切替のない同調回路で受信帯域を広げようとすると、同調電圧は極めて低くせざるを得ないが、同調電圧はＰＬＬ回路から出力されており、低い同調電圧は安定度が低下するという問題がある。
【００１０】
本発明は、スイッチダイオードによるバンド切替を行うことなく、ＰＬＬ回路から出力される同調電圧を最低値まで利用して広い周波数帯域のテレビジョン信号を受信できるようにすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記課題を解決するため、同調周波数可変用の第１のバラクタダイオードを有し、テレビジョン信号に同調回路と、前記同調回路から出力されたテレビジョン信号を中間周波信号に周波数変換するミキサと、発振周波数可変用の第２のバラクタダイオードを有し、前記ミキサに局部発振信号を供給する発振器と、前記テレビジョン信号を選局するための同調電圧を出力するＰＬＬ回路とを備え、前記第１及び第２のバラクタダイオードの各カソードに前記同調電圧を印加し、前記第１及び第２のバラクタダイオードのアノードの電圧を、所定周波数以上のテレビジョン信号を受信するときよりも前記所定周波数以下のテレビジョン信号を受信するときに高くした。
【００１２】
また、前記第１及び第２のバラクタダイオードのアノードの電圧を切り替えるトランジスタを設け、前記トランジスタのコレクタを所定電圧にプルアップすると共に、エミッタを接地し、前記第１及び第２のバラクタダイオードの各アノードを、それぞれ対応する第１の抵抗によって前記トランジスタのコレクタに接続すると共に、それぞれ対応する第２の抵抗によって直流的に接地し、前記トランジスタを、前記所定周波数以上のテレビジョン信号を受信するときにオンさせ、前記所定周波数以下のテレビジョン信号を受信するときにオフさせた。
【００１３】
また、前記トランジスタのベースに前記同調電圧を印加した。
【００１４】
また、前記所定電圧を安定化された電圧とした。
【考案の効果】
【００１５】
請求項１の考案によれば、同調周波数可変用の第１のバラクタダイオードを有し、テレビジョン信号に同調回路と、同調回路から出力されたテレビジョン信号を中間周波信号に周波数変換するミキサと、発振周波数可変用の第２のバラクタダイオードを有し、ミキサに局部発振信号を供給する発振器と、テレビジョン信号を選局するための同調電圧を出力するＰＬＬ回路とを備え、第１及び第２のバラクタダイオードの各カソードに同調電圧を印加し、第１及び第２のバラクタダイオードのアノードの電圧を、所定周波数以上のテレビジョン信号を受信するときよりも所定周波数以下のテレビジョン信号を受信するときに高くしたので、所定周波数以下のテレビジョン信号を受信するときには同調電圧を高くすることができる。その結果、安定性に欠ける低い同調電圧を使用することなく受信周波数範囲を拡大できる。
【００１６】
また、請求項２の考案によれば、第１及び第２のバラクタダイオードのアノードの電圧を切り替えるトランジスタを設け、トランジスタのコレクタを所定電圧にプルアップすると共に、エミッタを接地し、第１及び第２のバラクタダイオードの各アノードを、それぞれ対応する第１の抵抗によってトランジスタのコレクタに接続すると共に、それぞれ対応する第２の抵抗によって直流的に接地し、トランジスタを、所定周波数以上のテレビジョン信号を受信するときにオンさせ、所定周波数以下のテレビジョン信号を受信するときにオフさせたので、所定周波数以下のテレビジョン信号を受信するときにはバラクタダイオードのアノードの電圧を高くすることができる。
【００１７】
また、請求項３１の考案によれば、トランジスタのベースに同調電圧を印加したので、同調電圧によって自動的にバラクタダイオードのアノード電圧を高くすることができる。
【００１８】
また、請求項４の考案によれば、所定電圧を安定化された電圧としたので、同調周波数、発振周波数とも安定する。
【考案を実施するための最良の形態】
【００１９】
図１に本考案によるテレビジョンチューナの構成を示す。入力端１には、例えば米国仕様のＶＨＦ帯のテレビジョン信号（周波数帯域はローバンドで５５．２５ＭＨｚ〜８３．２５ＭＨｚ、ハイバンドで１７５．２５ＭＨｚ〜２１１．２５ＭＨｚ）が入力される。
【００２０】
入力端１に結合された入力同調回路２はバンド非切替型の同調回路であり、直列接続されたインダクタンス素子２ａ、２ｂと、インダクタンス素子２ａの一端を接地するコンデンサ２ｃと、インダクタンス素子２ｂにアノードが接続された第１のバラクタダイオード２ｄと、第１のバラクタダイオード２ｄのカソードを接地するコンデンサ２ｅ等を有する。なお、インダクタンス素子２ａとコンデンサ２ｅとの接続点は第２の抵抗３によってグランドに接続される。また、第１のバラクタダイオード２ｄのカソードは同調電圧端子４に接続される。
【００２１】
入力同調回路２は、結合用のバラクタダイオード５と結合用のコンデンサ６との直列回路を介してＲＦアンプ７に結合される。結合用のバラクタダイオード５のアノードは第１のバラクタダイオード２ｄのアノードに接続され、カソードは同調電圧端子４に接続される。
【００２２】
ＲＦアンプ７の出力側には段間同調回路８が結合される。段間同調回路８もバンド非切替型の同調回路を構成している。一次回路は第１のバラクタダイオード８ａと、そのアノードに接続されたインダクタンス素子８ｂと、第１のバラクタダイオード８ａのカソードを接地するコンデンサ８ｃ等を有する。二次回路も第１のバラクタダイオード８ｄと、そのアノードに接続されたインダクタンス素子８ｅと、第１のバラクタダイオード８ｄのカソードを接地するコンデンサ８ｆ等を有する。２つのインダクタンス素子８ｂ、８ｅが直列に接続され、その接続点が結合用のインダクタンス素子８ｇに接続され、このインダクタンス素子８ｇの他端はコンデンサ８ｈによって接地される。２つの第１のバラクタダイオード８ａ、８ｄのカソードは同調電圧端子４に接続される。そして、結合用のインダクタンス素子８ｇとコンデンサ８ｈとの接続点が第２の抵抗９によってグランドに接続される。
【００２３】
段間同調回路８は結合用のバラクタダイオード１０とコンデンサ１１との直列回路によってミキサ１２に結合される。結合用のバラクタダイオード１０のアノードは第１のバラクタダイオード８ｄのアノードに接続され、カソードは同調電圧端子４に接続される。ミキサ１２には発振器１３から局部発振信号が供給される。そして、段間同調回路８から出力されたテレビジョン信号はミキサによって中間周波信号に変換される。
【００２４】
発振器１３は図示しない発振トランジスタと、発振トランジスタに結合された共振回路１４とを有する。共振回路１４は第２のバラクタダイオード１４ａと、そのカソードを接地するコンデンサ１４ｂと、そのアノードに接続されたインダクタンス素子１４ｃと、インダクタンス素子の他端を接地するコンデンサ１４ｄ等を有する。第２のバラクタダイオード１４ａのカソードは同調電圧端子４に接続される。また、インダクタンス素子１４ｃとコンデンサ１４ｄとの接続点は第２の抵抗１５によってグランドに接続される。
【００２５】
入力同調回路２における第１のバラクタダイオード２ｄ、段間同調回路に８における２つの第１のバラクタダイオード８ａ、８ｄ及び共振回路１４における第２のバラクタダイオード１４ａの各アノードの電圧はトランジスタ１６によって切り替えられる。トランジスタ１６のエミッタは接地され、コレクタには電源電圧Ｂを安定化する電圧安定化回路１７から保護抵抗１８を介して所定の電圧が印加される。ベースには、これをオン／オフするための切替電圧が印加される。
【００２６】
そして、入力同調回路２におけるインダクタンス素子２ａとコンデンサ２ｃとの接続点が第１の抵抗９を介してトランジスタ１６のコレクタに接続される。また、段間同調回路８における結合用のインダクタンス素子８ｇとコンデンサ８ｈとの接続点が第１の抵抗２０を介してトランジスタ１６のコレクタに接続される、さらに、共振回路１４におけるインダクタンス素子１４ｃとコンデンサ１４ｄとの接続点が第１の抵抗２１を介してトランジスタ１６のコレクタに接続される。
【００２７】
なお、発振器１３の発振周波数は、選局データＤに基づいてＰＬＬ回路２５によって制御され、その制御の結果としてＰＬＬ回路２５からは同調電圧Ｖｔが出力されて同調電圧端子４に供給される。同調電圧の最大値はおよそ３０ボルトであるが、最小値はＰＬＬ回路の内部構成によっても異なるがおよそ０．２ボルト程度である。但し、同調電圧が最小値に近くなると不安定となる。
【００２８】
次に、以上の構成における動作を図２をも参照して説明する。ハイバンドのテレビジョン信号を受信するときには、トランジスタ１６がオンされる。すると、各バラクタダイオード２ｄ、８ａ、８ｄ、１４ａのアノードは接地電位となる。この状態では、図２に示すように、同調電圧Ｖｔが３０ボルトのときにハイバンドの最高周波数２１１．２５ＭＨｚを受信するようになっていると、同調電圧をＶｔ１まで下げるとハイバンドの最低周波数１７５．２５ＭＨｚが受信できる。この電圧（Ｖｔ１）は通常、同調電圧の最小値（０．２ボルト）よりも十分に高いので安定性に問題はない。
【００２９】
そのまま、同調電圧を下げてローバンドのテレビジョン信号を受信すると、同調電圧の安定性が低下するので、本考案においては、ローバンドのテレビジョン信号を受信するときにトランジスタ１６をオフにする。すると、第１のバラクタダイオード２ｄのアノードには第１の抵抗１９と第２の抵抗３とによって分圧された電圧が印加され、第１のバラクタダイオード８ａ、８ｄのアノードのは第１の抵抗２０と第２の抵抗９とによって分圧された電圧が印加され、第２のバラクタダイオード１４ａのアノードには第１の抵抗２１と第２の抵抗１５とによって分圧された電圧が印加される。
【００３０】
ローバンドのテレビジョン信号（８３．２５ＭＨｚ〜５５．２５ＭＨｚ）を受信するために必要な各バラクタダイオードのアノード−カソード間の電圧が図２の点線Ａに示すようにＶｔ２〜Ｖｔ３と低い場合、分圧された電圧がＶｂならば、各バラクタダイオードのカソードに印加される同調電圧は実線Ｂに示すようにＶｂ＋Ｖｔ２〜Ｖｂ＋Ｖｔ３と高くすることができる。従って、安定性に欠ける低い同調電圧を使用することなく受信周波数範囲を拡大できる。
【００３１】
また、各第１の抵抗１９、２０、２１及び各第２の抵抗３、９、１５の抵抗値をそれぞれ独立して設定すれば、ローバンドにおける同調周波数と発振周波数との間のトラッキングずれを補正することができる。
【００３２】
なお、図３に示すように、トランジスタ１６のベースを抵抗２２によってグランドに接続し、抵抗２３を介してベースに同調電圧Ｖｔを印加し、抵抗２２、２３の抵抗値を適宜に設定すれば、自動的に、同調電圧がＶｔ１以上でトランジスタをオンさせ、それ以下でオフさせることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】本考案のテレビジョンチューナの構成を示す回路図である。
【図２】本考案のテレビジョンチューナにおける受信周波数曲線図である。
【図３】本考案のテレビジョンチューナにおける電圧切替用のトランジスタの他の使用例の回路図である。
【図４】従来のテレビジョンチューナの構成を示す回路図である。
【符号の説明】
【００３４】
１：入力端
２：入力同調回路
２ａ、２ｂ：インダクタンス素子
２ｃ、２ｅ：コンデンサ
２ｄ：第１のバラクタダイオード
３：第２の抵抗
４：同調電圧端子
５：結合用バラクタダイオード
６：結合用コンデンサ
７：ＲＦアンプ
８：段間同調回路
８ａ、８ｄ：第１のバラクタダイオード
８ｂ、８ｅ、８ｇ：インダクタンス素子
８ｃ、８ｆ、８ｈ：コンデンサ
９：第２の抵抗
１０：結合用バラクタダイオード
１１：結合用コンデンサ
１２：ミキサ
１３：発振器
１４：共振回路
１４ａ：第２のバラクタダイオード
１４ｂ、１４ｄ：コンデンサ
１４ｃ：インダクタンス素子
１５：第２の抵抗
１６：トランジスタ
１７：電圧安定化回路
１８：保護抵抗
１９、２０、２１：第１の抵抗
２２、２３：抵抗
２５：ＰＬＬ回路
【図１】
0003106132.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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