【事件の表示】
　特許第２７５４６５７号「反射防止層を有する高光線透過性防塵膜」の請求項１ないし３に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結論】
　訂正を認める。
　特許第２７５４６５７号の請求項１ないし３に係る特許を維持する。
【理由】
１．手続の経緯
　本件特許第２７５４６５７号発明は、平成１年２月２日に特許出願され、平成１０年３月６日にその特許の設定登録がなされ、その後、武井英夫より特許異議の申立がなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１１年５月１７日に訂正請求がなされたものである。
２．訂正の適否についての判断
（ア）訂正事項
（ａ）訂正事項ａ
　特許請求の範囲の請求項１の記載を
「【請求項１】セルロース誘導体からなる基層の両面にフッ素系ポリマーからなる反射防止層を積層し、２種の照射光に共用する防塵膜であって、基層の膜厚をｄ１（μｍ）、上記２種の照射光に対する基層の屈折率の平均値をｎ１，それぞれの反射防止層の膜厚をｄ２（ｎｍ）、上記２種の照射光に対する反射防止層の屈折率の平均値をｎ２とした場合、ｎ１よりｎ２が小さく、ｄ１、ｄ２が
　　−０．９１３６ｎ１＋２．７２０≧ｄ１≧−１．０３６ｎ１＋２．８５４　…〔Ｉ〕
および
　　−２０．０３ｎ２＋１２６．７≧ｄ２≧−４４１．４ｎ２２＋１１８４ｎ２−７３１．８　…〔ＩＩ〕
の範囲にあって、上記２種の照射光を９８％以上透過することを特徴とする高光線透過性防塵膜。」と訂正する。
（ｂ）訂正事項ｂ
　特許公報第３欄第４０行〜第４欄第２行「（１）セルロース・・・防塵膜」の記載を
「（１）セルロース誘導体からなる基層の両面にフッ素系ポリマーからなる反射防止層を積層し、２種の照射光に共用する防塵膜であって、基層の膜厚をｄ１（μｍ）、上記２種の照射光に対する基層の屈折率の平均値をｎ１、それぞれの反射防止層の膜厚をｄ２（ｎｍ）、上記２種の照射光に対する反射防止層の屈折率の平均値をｎ２とした場合、ｎ１よりｎ２が小さく、ｄ１、ｄ２が
　　−０．９１３６ｎ１＋２．７２０≧ｄ１≧−１．０３６ｎ１＋２．８５４　…〔Ｉ〕
および
　　−２０．０３ｎ２＋１２６．７≧ｄ２≧−４４１．４ｎ２２＋１１８４ｎ２−７３１．８　…〔ＩＩ〕
の範囲にあって、上記２種の照射光を９８％以上透過することを特徴とする高光線透過性防塵膜。」と訂正する。
（ｃ）訂正事項ｃ
　特許公報第４欄第１７〜２３行「基層２・・・好ましい。」の記載を
「基層２の膜厚ｄ１は前記〔Ｉ〕式で示される範囲とし、共用する照射光がｉ線およびｇ線の場合は１．２９〜１．３４μｍのものを使用する。上記〔Ｉ〕式で示される範囲の膜厚は、通常の方法で容易に製造できる。」と訂正する。
（ｄ）訂正事項ｄ
　特許公報第４欄第３２〜４１行「ものを使用する。・・・ポリマー、」の記載を
「フッ素系ポリマーを使用する。例えば基層２にプロピオン酸セルロースの薄膜を使用した場合、基層２のｉ線とｇ線に対する屈折率ｎ１は１．５１となるので、反射防止層３には屈折率の平均値が１．５１より小さいもの、好ましくは１．３７以下の低屈折率のものを使用する。使用するフッ素系ポリマーとしては、例えばテトラフルオロエチレン／ビニリデンフルオライドコポリマー、テトラフルオロエチレン／ビニリデンフルオライド／ヘキサフルオロプロピレンコポリマー、またはアクリル型のフッ素系ポリマー、」と訂正する。
（ｅ）訂正事項ｅ
　特許公報第４欄第４８行〜第５欄第４行「、好ましくは・・・好ましい。」の記載を
「とし、共用する照射光がｉ線およびｇ線の場合は６２〜９９ｎｍの範囲のものを使用する。上記〔ＩＩ〕式で示される範囲の膜厚は、通常の方法で容易に製造できる。」と訂正する。
（ｆ）訂正事項ｆ
　特許公報第５欄第４１行〜第６欄第６行「以下、・・・になる。」の記載を
「以下、前記〔Ｉ〕、〔ＩＩ〕式が導かれる過程について説明する。一般に薄膜の透過率Ｔは、薄膜の膜厚をｄ、薄膜の屈折率をｎ、入射側の層の屈折率をｎ１１、透過側の層の屈折率をｎ１２、透過光の波長をλ、入射角を０（垂直入射）とした場合、次の〔ＩＩＩ〕式で表される（例えばフジテクノシステム（株）１９８４年発行、楯田俊一監修、「評価とその応用技術ハンドブック」第１３４〜１４６頁「薄膜の作成」吉田貞央著）。
Ｔ＝８ｎ１１ｎ２ｎ１２｛（ｎ１１２＋ｎ２）（ｎ２＋ｎ１２２）＋４ｎ１１ｎ２ｎ１２＋（ｎ１１２−ｎ２）（ｎ２−ｎ１２２）ｃｏｓ（４πｎｄ／λ）｝　・・・〔ＩＩＩ〕
　上記〔ＩＩＩ〕式は単層の薄膜の透過率の計算式であるが、３層の場合は各層について〔ＩＩＩ〕式の計算を繰り返すと全体の透過率が得られることになる。」と訂正する。
（ｇ）訂正事項ｇ
　特許公報第６欄第３１行〜第７欄第２３行「▲３▼反射・・・同じ式である。」の記載を
「▲３▼反射防止層３の屈折率を０．０５プラスして▲１▼▲２▼の計算を行い、反射防止層３の屈折率が１．４０となるまで繰り返す。
▲４▼　基層２の膜厚を５ｎｍプラスして▲１▼▲２▼▲３▼の計算を行い、基層２の膜厚が１８００ｎｍとなるまで繰り返す。
▲５▼　上記▲１▼〜▲４▼で得られる透過率９８％以上のプロットを、横軸が基層屈折率、縦軸が基層膜厚の座標上に表わすと、右方向に末広がり状のほぼ横方向に伸びる帯状の領域に分散するので、その最も膜厚が広がった部分の上側の輪郭線を最小二乗法によって関数を求めることにより、基層２の上限値の式として下記〔ＩＶ〕式の不等号の左側の式が得られた。この場合、基層および反射防止層の屈折率は２種の照射光に対する屈折率の平均値として表した。同じく最も膜厚が広がった下側の輪郭線の関数を求めることにより、基層２の下限値の式として〔ＩＶ〕式の不等号の右側の式が得られた。
　７．９０９ｎ１２−２２．９２ｎ１＋１８．１４≧ｄ１≧−１．９３５ｎ１３＋１３．０８ｎ１２−２７．０４ｎ１＋１８．８２　…〔ＩＶ〕
▲６▼　上記▲１▼〜▲４▼で得られる透過率９８％以上のプロットを横軸が反射防止層屈折率、縦軸が反射防止層膜厚の座標に表すと、右方向に末広がり状のほぼ横方向に伸びる帯状の領域に分散するので、その最も膜厚が広がった部分の上側の輪郭線を▲５▼と同様にして最小二乗法によって関数を求めることにより、反射防止層の上限の式として下記〔Ｖ〕式の不等号の左側の式が得られた。同じく最も膜厚が広がった下側の輪郭線の関数を求めることにより、反射防止層の下限値の式として下記〔Ｖ〕式の不等号の右側の式が得られた。
　−１０５．２ｎ２＋２８１．９≧ｄ２≧−４４１．４ｎ２２＋１１８４ｎ２−７３１．８　…〔Ｖ〕
▲７▼　上記▲５▼において、膜形成が容易な基層の膜厚が６０〜１００ｎｍのプロットを同様に基層の座標に表すと、ほぼ横方向に伸びる帯状の領域に分散するので、その最も膜厚が広がった上側の輪郭線の関数を求めることにより、範囲の上限値の式として〔Ｉ〕式の不等号の左側の式を得た。同様に最も膜厚が広がった下側の輪郭線の関数を求めることにより、範囲の下限値の式として〔Ｉ〕式の不等号の右側の式を得た。
▲８▼　上記▲６▼において、膜形成が容易な反射防止層の膜厚がの膜厚が６０〜１００ｎｍのプロットを同様に反射防止層の座標に表すと、ほぼ横方向に伸びる帯状の領域に分散するので、その最も膜厚が広がった上側の輪郭線の関数を求めることにより、範囲の上限値の式として〔ＩＩ〕式の不等号の左側の式が得られた。下側の輪郭線は▲６▼と同じであり、〔ＩＩ〕式の不等号の右側の式は〔Ｖ〕式のそれと同じ式である。」と訂正する。
（ｈ）訂正事項ｈ
　特許公報第７欄第２６行、第４４行、第４６〜４７行、第４７行、及び第８欄第２行に記載された「ポリマー」を、それぞれ「フッ素系ポリマー」と訂正する。
（１）訂正事項ｉ
　特許公報第８欄第２４行に記載された「フッ素ポリマー」を、「フッ素系ポリマー」と訂正する。
（イ）訂正の目的の適否及び拡張・変更の存否
　訂正事項ａは、願書に添付された明細書（以下、「特許明細書」という。）の特許請求の範囲に記載された、「反射防止層」を「フッ素系ポリマーからなる反射防止層」と訂正するとともに、ｄ１，ｄ２の範囲を訂正後の〔Ｉ〕式及び〔ＩＩ〕式と訂正することによってより狭い範囲に限定したものであるから、特許法第１２０条の４第２項但し書き第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　また、特許公報第４欄第３７〜４６行、第４欄第３０〜３２行、第４欄第１７〜２０行、及び第４欄第４７行〜第５欄第１行の記載をその根拠とするものであって、特許明細書の記載事項の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張しまたは変更するものではない。
　訂正事項ｂ乃至訂正事項ｉは、訂正された特許請求の範囲の記載に整合するように、明細書の記載を訂正するものであり、特許法第１２０条の４第２項但し書き第３号に規定する明りょうでない記載の釈明に相当するものである。
　また、特許明細書の記載事項の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張しまたは変更するものではない。
（ウ）独立特許要件の判断
（ａ）取消理由の概要
　先に通知した取消理由の概要は以下のとおりである。
〈１．特許法第３６条違反について〉
『本件発明は、発明の詳細な説明の記載によると、「ｉ線とｇ線とに共用できる防塵膜としては、従来のものは、ｉ線の透過率とｇ線の透過率とがともに高くなるような膜厚、例えば１．４５〜１．４８μｍを選択するものがある。一方、防塵膜の表面に反射防止層を形成することによって透過率の高い範囲を拡大することが行われている。ところが、前記のｉ線とｇ線に対してともに高い透過率を示す防塵膜に反射防止層を形成すると、逆にｉ線とｇ線に対してともに高い透過率を示す膜厚の範囲が狭くなるという問題点がある。」という認識のもとに、
「２種の照射光のいずれにも高い透過率を示し、かつ高い透過率を示す膜厚の範囲が広い反射防止層を有する高光線透過性防塵膜を提供すること。」を解決すべき課題としたものである。
　そして、前記課題の解決手段の根拠となる現象が第２図を用いて特許掲載公報第３頁第５欄第５〜４０行に具体的に説明されている。
前記記載によると、従来のものは、第２図のＡ、Ｂの部分に着目していたものを、本件では従来着目されていなかったＣ、Ｄの部分に着目したことを特徴としているものとして把握される。
　ここで、請求項１の記載を取り上げると、
基層および反射防止層の屈折率を、同公報第２頁第４欄第３２〜３４行および第３頁第５欄第２２〜２３行の記載から、例として、ｎ１＝１．５１、ｎ２＝１．３７として、〔Ｉ〕式および〔ＩＩ〕式から、ｄ１、ｄ２の範囲を計算すると、
　　１．５６≧ｄ１≧１．１５　…〔Ｉ〕
　　　１３８≧ｄ２≧６２　　　…〔ＩＩ〕
となって、ｄ１の範囲は第２図（ａ）の本件で着目したＤとともに従来のＢとその他の範囲までも含んでおり、２種の照射光に対して高い透過率を示す範囲を特定したものにはなっていない。また、ｄ２についても、第５図に示された透過率９８％以上の範囲以外の範囲までも含んでおり、高い透過率の範囲を特定したものにはなっていない。
　したがって、前記〔Ｉ〕式、〔ＩＩ〕式はいずれも２種の照射光に対して高い透過率の範囲を特定する用をなしていない。そして、請求項１には、「上記２種の照射光を９８％以上透過することを特徴とする」と記載されており、この記載によって、高い透過率の範囲を特定しようとしているが、この記載は単に本件発明の技術的目的を記載したにすぎない。それ故、請求項１は、本件発明の「高い透過率を示す膜厚の範囲が広い反射防止膜を有する高光線透過性防塵膜を提供する」という目的を達成する構成、即ち、２種の照射光の透過率が９８％以上となる範囲を特定する構成が記載されたものとは認められない。
　したがって、請求項１の記載は、発明の詳細な説明に記載された発明の構成に欠くことのできない事項のみを記載したものとは認められないから、請求項１に係る特許は特許法第３６条第４項の規定に違反してなされたものであり、同法第１１３条第４号の規定により取り消されるべきである。』
〈２．特許法第２９条違反について〉
　請求項１及び２に係る発明は、いずれも刊行物１（特開昭６２−３５３５９号公報）又は刊行物２（特開昭６１−１３２０２１号公報）に記載された発明と同一であるから、請求項１及び２に係る発明の特許は特許法第２９条第１項第３号の規定に違反してなされたものであって、特許法第１１３条第２号の規定により取り消されるべきものである。
（ｂ）特許法第３６条違反についての判断
　訂正明細書の請求項１は、ｄ１及びｄ２の範囲を特定する関係式〔Ｉ〕及び〔ＩＩ〕を発明の詳細な説明の記載中で好ましいとされていた範囲を特定する式〔ＩＩＩ〕及び〔ＩＶ〕に変更したものである。そうすることにより、訂正された関係式で特定されるｄ１及びｄ２の範囲は実施例で示される２種の照射光の透過率が９８％以上となる範囲と合致するものとなる。それ故、特許法第３６条第４項に関する先の取消理由は解消したものと認められる。
　よって、本件訂正明細書の請求項１の記載が、特許法第３６条第３項及び第４項に違反するものとは認められない。
（ｃ）特許法第２９条違反についての判断
〈引用刊行物〉
　本件特許発明に対して当審が通知した取消理由で引用した刊行物１（特開昭６２−３５３５９号公報）及び刊行物２（特開昭６１−１３２０１号公報）には、それぞれ以下の事項が図面と共に記載されている。
　刊行物１には、「本発明はフォトマスクの防塵カバーに適した光線透過率の大きい透明樹脂薄膜の製法に関する。」（第１頁右下欄第３〜５行）、「本発明は全域にわたって厚みが均一であり、厚み０．５〜１０μｍの透明樹脂薄膜を、均一な緊張状態に保持し、その片面又は両面に、無色の金属弗化物又は金属酸化物を、それぞれ約１００ｎｍの厚さにコーティングすることを特徴とする３００〜６００ｎｍの範囲内の特定波長の光線を９６％以上透過するコーテッド薄膜の製造法」（第３頁右上欄第５〜１２行）、「本発明に使用する樹脂薄膜には、セルロース誘導体が適当である。・・・セルロース誘導体としては、・・・プロピオン酸セルロース、・・・などがある」（第３頁右上欄第１７行〜左下欄第４行）、及び「第２図から明らかなように両面コーテッド薄膜は露光光源ｇ線（４３６ｎｍ）、ｈ線（４０６ｎｍ）、ｉ線（３６５ｎｍ）に対し、光線透過率がそれぞれ９９％、９９％、９８％と９８％以上の光線透過率を示すものであった。」（第４頁右上欄第５〜９行）、がそれぞれ図面と共に記載されている。
　刊行物２には、「本発明はフォトマスクの防塵カバーに適した光線透過率の大きい透明樹脂薄膜の製法に関する。」（第１頁左下欄第１６〜１７行）、「全域にわたって厚みが均一であり、厚み０．５〜１０μｍの透明樹脂薄膜を、均一な緊張状態に保持し、その片面又は両面に、無色の金属弗化物又は金属酸化物を、それぞれ約１００ｎｍの厚さにコーティングすることを特徴とする３００〜６００ｎｍの範囲内の特定波長の光線を９６％以上透過するコーテッド薄膜の製造法」（第１頁左下欄第５〜１１行）、「本発明に使用する樹脂薄膜には、セルロース誘導体が適当である。・・・セルロース誘導体としては、・・・プロピオン酸セルロース、などがある」（第２頁左下欄第１２〜１７行）、「３種類の露光光源ｇ線（４３６ｎｍ）、ｈ線（４０６ｎｍ）、ｉ線（３６５ｎｍ）に対し、片面コーテッド膜は９６％以上、両面コーテッド膜は９８％以上の光線透過率を示すものであった。」（第３頁右下欄第１３〜１６行）がそれぞれ図面と共に記載されている。
　これらの記載から、刊行物１及び２には、いずれにも「プロピオン酸セルロースなどのセルロース誘導体からなる基層の両面に反射防止層（コーテッド薄膜）を積層し、２種の照射光に共用する防塵膜であって、基層の膜厚（ｄ１）が０．５〜１０μｍ、反射防止層の膜厚（ｄ２）が約１００ｎｍの範囲にあって、上記２種の照射光を９８％以上透過することを特徴とする高光線透過性防塵膜。」が記載されているものと認められる。
〈対比・判断〉
　本件訂正明細書の請求項１に記載された発明（以下、「本件訂正発明」という。）と刊行物１又は２に記載された発明（以下、「刊行物発明」という。）とを対比する。
　両者は、「セルロース誘導体からなる基層の両面に反射防止層（コーテッド薄膜）を積層し、２種の照射光に共用する防塵膜であって、上記２種の照射光を９８％以上透過することを特徴とする高光線透過性防塵膜。」で一致するものの、基層の膜厚ｄ１と反射防止層の膜厚ｄ２に関して、本件訂正発明では、関係式〔Ｉ〕及び〔ＩＩ〕を満足する膜厚であるのに対し、刊行物発明ではｄ１が０．５〜１０μｍ、ｄ２が約１００ｎｍである点で相違する。
　そこで、前記相違点について検討する。
　刊行物１及び２にはいずれにも、本件訂正発明の構成要件であるｄ１及びｄ２に関する関係式〔Ｉ〕及び〔ＩＩ〕に相当する記載及びそれを示唆する記載も認められない。次に、刊行物発明におけるｄ１及びｄ２の値が、本件訂正発明のｄ１及びｄ２の範囲に含まれるか否かを検討する。具体的な比較の対象として、コーティング層が本件訂正発明の実施例と同様に１層の刊行物２の実施例を取り上げる。前記刊行物２の実施例では、基層として、膜厚２．９０μｍの硝酸セルロース薄膜（屈折率ｎ１は、第２頁右下欄第９〜１１行の記載から、１５０〜１．５５）、反射防止層として、膜厚約１１０ｎｍの弗化カルシウム（屈折率ｎ２は、１．２３）が用いられている。これらのｎ１、ｎ２の値を用いて本件訂正発明の〔Ｉ〕式及び〔ＩＩ〕式を計算すると、
ｎ１＝１．５０のとき１．３５＞ｄ１＞１．３０
ｎ１＝１．５５のとき１．３０＞ｄ１＞１．２５
となって、両範囲を含めて
１．３５＞ｄ１＞１．２５
ｎ２＝１．２３のとき１０２．０６＞ｄ２＞５６．７３
となる。
　一方、刊行物２の実施例のものはｄ１＝２．９０ｄ２＝１１０であって、本件訂正発明で特定されるｄ１及びｄ２の上記範囲には適合しない。
　刊行物１のものについても同様に本件訂正発明の範囲に適合するものとは認められない。
　それ故、刊行物１及び２には、本件訂正発明の構成要件であるｄ１及びｄ２に関する関係式〔Ｉ〕式及び〔ＩＩ〕式に相当する構成が記載も示唆もされておらず、しかも、本件訂正発明では、上記構成を採ることによって他の構成と相俟って、明細書記載の「２種の照射光のいずれの光にも高い透過率を示し、かつ高い透過率を示す膜厚の範囲が広い高透過性防塵膜を得ることができる」（特許明細書第８欄第１５〜１８行）という効果を奏するものであるから、本件訂正発明が、上記刊行物１又は２に記載されたものとも、それらのものから容易になし得たものともいうことはできない。
　また、請求項２に係る発明は、請求項１に係る発明（本件訂正発明）のセルロース誘導体をプロピオン酸セルロースに限定したものであるから、請求項２に係る発明についても同様の理由で刊行物１又は２に記載されたものとも、それらのものから容易になし得たものともいうことはできない。
　よって、本件訂正明細書の請求項１及び２に係る発明が特許法第２９条第１項第３号又は第２項の規定に違反したものとすることはできない。
（ｄ）したがって、本件訂正明細書の請求項１及び２に係る発明は、特許出願の際独立して特許を受けることができない発明とすることはできない。
（エ）むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正請求は、特許法第１２０条の４第２項及び同条第３項で準用する第１２６条第２乃至４項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
３．特許異議の申立についての判断
（ア）本件発明
　本件請求項１乃至３に係る特許発明は、訂正明細書の特許請求の範囲に記載されたとおりの以下のものである。
「【請求項１】（上記「２．（ア）（ａ）訂正事項ａ」参照）
　【請求項２】セルロース誘導体がプロピオン酸セルロースである請求項１記載の高光線透過性防塵膜。
　【請求項３】基層の厚さが１．２９〜１．３４μｍ、反射防止層の厚さが６２〜９９ｎｍで、３６５ｎｍおよび４３６ｎｍの波長の照射光を９８％以上透過する請求項２記載の高光線透過性防塵膜。」
（イ）申立の理由の概要
　申立人武井英夫は、本件特許発明に対して、証拠として甲第１号証（特開昭６４−１６８７３号公報）、甲第２号証（特公昭６３−２２５７６号公報）、甲第３号証（特開昭６０−１１８４３号公報）、及び甲第４号証（藤原史郎編石黒浩三他２名著「光学技術シリーズ１１光学薄膜第２版」（第２０３〜２０９頁）１９８６年１０月１０日共立出版（株）発行）を提出し、本件特許は特許法第２９条第１項第３号又は第２項の規定に違反してなされたものであるから、取り消されるべきである旨主張している。
（ウ）当審の判断
〈甲号各証の記載事項〉
　甲第１号証には、
「（１）セルロース誘導体薄膜の片面もしくは両面に反射防止層が形成されているペリクル膜であって、該反射防止層はＣＨ２＝ＣＨＣＯＯＲ１またはＣＨ２＝Ｃ（ＣＨ３）Ｃ００Ｒ２〔但しＲ１、Ｒ２は間にエーテル酸素原子を含んでいてもよいフルオロアルキル基〕から選ばれるモノマーの少なくとも１種からなり、ポリマー中のフッ素含有量が５０重量％以上であるポリフルオロ（メタ）アクリレートからなることを特徴とする反射防止型ペリクル膜。」（特許請求の範囲第１項）が記載され、その明細書中には、「反射防止層…は、…セルロース誘導体膜の片面もしくは両面に形成されるが、その際の膜厚はターゲットとする光の波長の１／４ｎ（ｎは屈折率）とするのが好ましいこと、セルロース誘導体薄膜はニトロセルロース、エチルセルロース、プロピオン酸セルロース等の薄膜からなり、」（第３頁右下欄９〜１６行）、「石英基盤を用い回転塗布法により、先ず基盤上にフッ素ポリマーを５００ＲＰＭで６０秒間回転させた後乾燥した。この上にニトロセルロース溶液を滴下、薄膜を形成した後乾燥し、更にこの上からフッ素ポリマーを滴下５００ＲＰＭで６０秒間回転させ、後乾燥した。…この両面単層反射防止膜の分光特性測定結果を第７図に載せた。この反射防止膜は分光特性測定結果より、３５０〜４５０ｎｍでの最低光線透過率は９５％であり平均透過率は９７〜９８％であった。」（第６頁左上欄１９行〜右上欄第９行）、が記載されている。
　甲第２号証には、
「１　少なくともニトロセルロース層が芯部をなし、屈折率が１．４２以下で反射防止すべき波長の光を吸収・散乱しないポリマーの最外側反射防止層が最外側に配設される多層膜を要部とする非反射性フォトマスク・レチクル用防塵カバー体。」（特許請求の範囲第１項）が記載され、その明細書中には、
▲１▼（反射防止層用の）「ポリマーとしては、たとえばシリコン重合体、弗素系重合体が屈折率が１．４２以下であり、又、吸収・散乱がほとんど無く良好である。・・・かかる弗素系重合体としては、テトラフロロエチレン（以下、ＴＦＥと略すことあり）とビニリデンルロライド（以下、ＶｄＦと略すことあり）の共重合体、又は、ＴＦＥとＶｄＦとへキサフロロプロピレン（以下、ＨＦＰと略すことあり）の三元共重合体のうち、・・・」（第５欄第３６行〜第６欄第１３行）、
▲２▼「ニトロセルロース層１の膜の厚さは、通常、１〜１０μｍである」旨の事項（第５欄７〜１４行）、「反射防止層の厚みは、反射防止すべき光の波長の１／４（２ｎ＋１）〔ｎ＝０、１、２〕相当厚みを有することが必要であり、・・・。又、屈折率ｎの値は通常では０、即ち、反射防止すべき光の波長の１／４相当厚みとする・・・」（第７欄２７〜３８行、但し、上記は誤記と思われ、正しくは「反射防止層の厚みは、反射防止すべき波長の１／（４ｎ）（２ｍ＋１）〔ｎは反射防止層の屈折率、ｍ＝０、１、２、・・・〕で、ｍの値は通常では０、即ち、反射防止すべき波長の１／（４ｎ）相当厚みとする。」であると推察される。）、
▲３▼「ニトロセルロースを芯部とし、両面にＴＦＥ／ＨＦＰ／ＶｄＦの三元共重合体の反射防止層を有する防塵カバー体を得、この反射防止膜は、分光硬度計による分光特性測定（第５図）から４００ｎｍ付近の光線透過率は９６．５〜９９．５％で平均透過率は９８％である」旨の事項（第９欄実施例１）、が記載されている。
　甲第３号証には、
「レチクル上に設けられる枠部材と該枠部材に支持されて該レチクルのパターン面をおおうように設けられた保護膜とを有し、第１と第２の互いに異なる波長の光に対して使用され得るレチクル保護装置において、該保護膜の膜厚は、前記第１波長光の該保護膜の媒質中における半波長の値と前記第２波長光の該保護膜の媒質中における半波長の値との最小公倍数又は該最小公倍数の整数倍とするレチクル保護装置。」（特許請求の範囲）が記載され、その目的は、「互いに異なる複数種類の単色光に対しても、照度低下、照度ムラを生ずることなく安定して使用し得るレチクル保護装置を提供すること」（第２頁左上欄末行〜右上欄３行）、具体的には、「第１波長λ１として４３６ｎｍ、第２波長λ２として３６５ｎｍを用いる場合は、ペリクル膜媒質中での各波長の２分の１の値の最小公倍数は、ｎ１・λ１’／２＝ｎ２・λ２’／２と表される。また、この場合の各波長に対する屈折率はほぼ等しい値ｎであるとみなすことができる。従って、ｎ１／ｎ２＝３６５／４３６＝５／６より、ｎ１＝５、ｎ２＝６の時に必要な光学的膜厚ｎｄは、５÷２×４３６＝１０９０ｎｍ、又は６÷２×３６５＝１０９５ｎｍであり、ほぼ１．０９μｍであるよう構成すればよい」（第２頁右下欄１４行〜第３頁左上欄６行）、が記載されている。
　甲第４号証には、
多層膜分光特性プログラムに関して、「以下のプログラムでは透明多層膜の特性行列を計算し、その結果から分光反射率、分光透過率を算出している。」と記載し、Ｉ．プログラムが記載され、ＩＩ．入力データに、多層膜層数、各層の膜厚および膜屈折率、基板屈折率、媒質屈折率、波長（波長初期値、波長終結値、波長間隔、計算中心波長）、光束数、光束入射角を入力すれば、ＩＩＩ．出力データに、入射角＝０゜の場合は、それぞれの波長に対するＳ成分の分光反射率、Ｐ成分の分光反射率、（Ｓ成分とＰ成分の）平均分光反射率および（Ｓ成分とＰ成分の）平均分光透過率が、入射角＝０゜の場合は分光反射率および分光透過率が出力されることが示唆されている。
〈対比・判断〉
　請求項１にかかる発明と上記甲号各証の記載事項とを対比すると、前記甲号各証のいずれにも請求項１に係る発明の構成に欠くことのできない事項である「基層の膜厚ｄ１及び反射防止層の膜厚ｄ２の範囲（訂正後の〔Ｉ〕式及び〔ＩＩ〕式で表される）」については記載も示唆もされていない。
　このことに関して、申立人は、各層の膜厚と屈折率との（訂正前の）関係式〔Ｉ〕式好ましくは〔ＩＩＩ〕式、及び〔ＩＩ〕式好ましくは〔ＩＶ〕式に対して、甲第４号証から当業者が容易に導き出せるものである旨主張している。
　ところが、甲第４号証には多層膜の透過率が計算できる旨が記載されているが、これは本願発明の詳細な説明に記載された公知の関係式（訂正後の）〔ＩＩＩ〕式を用いて計算することに相当するものと認められるものであっても、各層の屈折率から透過率９８％以上となる各層の膜厚の範囲を求めることについては記載も示唆もされていない。
　確かに、本願発明に於いても、請求項１に記載された前記関係式の導出は公知の関係式（訂正後の）〔ＩＩＩ〕式を用いてｉ線とｇ線の波長について透過率９８％以上となる各層の膜厚と屈折率との組み合わせを求めて、その得られた組み合わせのデータから前記関係式を導出したものではある。
　しかしながら、たとえ計算方法が公知であるとしても、これをいかなる観点で運用するかの示唆がなされていない以上、多層膜の透過率を求める計算方法が公知であるからといって、本願発明の請求項１に記載の、透過率が９８％以上となる各層の膜厚と屈折率との関係式を求めることが容易になし得たものということはできない。
　よって、申立人の前記主張は採用することができない。
　そして、本件特許発明では、上記構成を採ることによって他の構成と相俟って、明細書記載の効果を奏するものである。
　したがって、本件請求項１に係る発明が、甲第１号証乃至甲第４号証のいずれかに記載された発明であるとも、それらに記載のものから容易に発明をすることができたものであるともすることはできない。
　請求項２に係る発明は、請求項１に係る発明を引用して、その構成の一部を限定したものであるから、請求項１に係る発明と同様の理由で、甲第１号証乃至甲第４号証のいずれかに記載された発明であるとも、それらに記載のものから容易に発明をすることができたものであるともすることはできない。
　請求項３に係る発明は、請求項２に係る発明を引用して、さらに構成を限定したものであるから、請求項１及び２に係る発明と同様の理由で、甲第１号証乃至甲第４号証のいずれかに記載された発明であるとも、それらに記載のものから容易に発明をすることができたものであるともすることはできない。
　また、他に本件請求項１乃至３に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１１年８月１７日（１９９９．８．１７）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
　特許第２７５４６５７号の特許明細書を本件訂正請求書に添付された訂正明細書のとおりに訂正する。すなわち、
（１）　特許請求の範囲の請求項１の記載を
「（１）セルロース誘導体からなる基層の両面にフッ素系ポリマーからなる反射防止層を積層し、２種の照射光に共用する防塵膜であって、基層の膜厚をｄ１（μｍ）、上記２種の照射光に対する基層の屈折率の平均値をｎ１，それぞれの反射防止層の膜厚をｄ２（ｎｍ）、上記２種の照射光に対する反射防止層の屈折率の平均値をｎ２とした場合、ｎ１よりｎ２が小さく、ｄ１、ｄ２が
　　−０．９１３６ｎ１＋２．７２０≧ｄ１≧−１．０３６ｎ１＋２．８５４　…〔Ｉ〕
および
　　−２０．０３ｎ２＋１２６．７≧ｄ２≧−４４１．４ｎ２２＋１１８４ｎ２−７３１．８　…〔ＩＩ〕
の範囲にあって、上記２種の照射光を９８％以上透過することを特徴とする高光線透過性防塵膜。」と訂正する。
（２）特許公報第３欄第４０行〜第４欄第２行「（１）セルロース・・・防塵膜」の記載を「（１）セルロース誘導体からなる基層の両面にフッ素系ポリマーからなる反射防止層を積層し、２種の照射光に共用する防塵膜であって、基層の膜厚をｄ１（μｍ）、上記２種の照射光に対する基層の屈折率の平均値をｎ１、それぞれの反射防止層の膜厚をｄ２（ｎｍ）、上記２種の照射光に対する反射防止層の屈折率の平均値をｎ２とした場合、ｎ１よりｎ２が小さく、ｄ１、ｄ２が
　　−０．９１３６ｎ１＋２．７２０≧ｄ１≧−１．０３６ｎ１＋２．８５４　…〔Ｉ〕
および
　　−２０．０３ｎ２＋１２６．７≧ｄ２≧−４４１．４ｎ２２＋１１８４ｎ２−７３１．８　…〔ＩＩ〕
の範囲にあって、上記２種の照射光を９８％以上透過することを特徴とする高光線透過性防塵膜。」と訂正する。
（３）　特許公報第４欄第１７〜２３行「基層２・・・好ましい。」の記載を
「基層２の膜厚ｄ１は前記〔Ｉ〕式で示される範囲とし、共用する照射光がｉ線およびｇ線の場合は１．２９〜１．３４μｍのものを使用する。上記〔Ｉ〕式で示される範囲の膜厚は、通常の方法で容易に製造できる。」と訂正する。
（４）　特許公報第４欄第３２〜４１行「ものを使用する。・・・ポリマー、」の記載を「フッ素系ポリマーを使用する。例えば基層２にプロピオン酸セルロースの薄膜を使用した場合、基層２のｉ線とｇ線に対する屈折率ｎ１は１．５１となるので、反射防止層３には屈折率の平均値が１．５１より小さいもの、好ましくは１．３７以下の低屈折率のものを使用する。使用するフッ素系ポリマーとしては、例えばテトラフルオロエチレン／ビニリデンフルオライドコポリマー、テトラフルオロエチレン／ビニリデンフルオライド／ヘキサフルオロプロピレンコポリマー、またはアクリル型のフッ素系ポリマー、」と訂正する。
（５）　特許公報第４欄第４８行〜第５欄第４行「、好ましくは・・・好ましい。」の記載を
「とし、共用する照射光がｉ線およびｇ線の場合は６２〜９９ｎｍの範囲のものを使用する。上記〔ＩＩ〕式で示される範囲の膜厚は、通常の方法で容易に製造できる。」と訂正する。
（６）　特許公報第５欄第４１行〜第６欄第６行「以下、・・・になる。」の記載を
「以下、前記〔Ｉ〕、〔ＩＩ〕式が導かれる過程について説明する。一般に薄膜の透過率Ｔは、薄膜の膜厚をｄ、薄膜の屈折率をｎ、入射側の層の屈折率をｎ１１、透過側の層の屈折率をｎ１２、透過光の波長をλ、入射角を０（垂直入射）とした場合、次の〔ＩＩＩ〕式で表される（例えばフジテクノシステム（株）１９８４年発行、楯田俊一監修、「評価とその応用技術ハンドブック」第１３４〜１４６頁「薄膜の作成」吉田貞央著）。
Ｔ＝８ｎ１１ｎ２ｎ１２｛（ｎ１１２＋ｎ２）（ｎ２＋ｎ１２２）＋４ｎ１１ｎ２ｎ１２＋（ｎ１１２−ｎ２）（ｎ２−ｎ１２２）ｃｏｓ（４πｎｄ／λ）｝　・・・〔ＩＩＩ〕
　上記〔ＩＩＩ〕式は単層の薄膜の透過率の計算式であるが、３層の場合は各層について〔ＩＩＩ〕式の計算を繰り返すと全体の透過率が得られることになる。」と訂正する。
（７）　特許公報第６欄第３１行〜第７欄第２３行「▲３▼反射・・・同じ式である。」の記載を
「▲３▼　反射防止層３の屈折率を０．０５プラスして▲１▼▲２▼の計算を行い、反射防止層３の屈折率が１．４０となるまで繰り返す。
▲４▼　基層２の膜厚を５ｎｍプラスして▲１▼▲２▼▲３▼の計算を行い、基層２の膜厚が１８００ｎｍとなるまで繰り返す。
▲５▼　上記▲１▼〜▲４▼で得られる透過率９８％以上のプロットを、横軸が基層屈折率、縦軸が基層膜厚の座標上に表わすと、右方向に末広がり状のほぼ横方向に伸びる帯状の領域に分散するので、その最も膜厚が広がった部分の上側の輪郭線を最小二乗法によって関数を求めることにより、基層２の上限値の式として下記〔ＩＶ〕式の不等号の左側の式が得られた。この場合、基層および反射防止層の屈折率は２種の照射光に対する屈折率の平均値として表した。同じく最も膜厚が広がった下側の輪郭線の関数を求めることにより、基層２の下限値の式として〔ＩＶ〕式の不等号の右側の式が得られた。
　７．９０９ｎ１２−２２．９２ｎ１＋１８．１４≧ｄ１≧−１．９３５ｎ１３＋１３．０８ｎ１２−２７．０４ｎ１＋１８．８２　…〔ＩＶ〕
▲６▼　上記▲１▼〜▲４▼で得られる透過率９８％以上のプロットを横軸が反射防止層屈折率、縦軸が反射防止層膜厚の座標に表すと、右方向に末広がり状のほぼ横方向に伸びる帯状の領域に分散するので、その最も膜厚が広がった部分の上側の輪郭線を▲５▼と同様にして最小二乗法によって関数を求めることにより、反射防止層の上限の式として下記〔Ｖ〕式の不等号の左側の式が得られた。同じく最も膜厚が広がった下側の輪郭線の関数を求めることにより、反射防止層の下限値の式として下記〔Ｖ〕式の不等号の右側の式が得られた。
　　−１０５．２ｎ２＋２８１．９≧ｄ２≧−４４１．４ｎ２２＋１１８４ｎ２−７３１．８　…〔Ｖ〕
▲７▼　上記▲５▼において、膜形成が容易な基層の膜厚が６０〜１００ｎｍのプロットを同様に基層の座標に表すと、ほぼ横方向に伸びる帯状の領域に分散するので、その最も膜厚が広がった上側の輪郭線の関数を求めることにより、範囲の上限値の式として〔Ｉ〕式の不等号の左側の式を得た。同様に最も膜厚が広がった下側の輪郭線の関数を求めることにより、範囲の下限値の式として〔Ｉ〕式の不等号の右側の式を得た。
▲８▼上記▲６▼において、膜形成が容易な反射防止層の膜厚がの膜厚が６０〜１００ｎｍのプロットを同様に反射防止層の座標に表すと、ほぼ横方向に伸びる帯状の領域に分散するので、その最も膜厚が広がった上側の輪郭線の関数を求めることにより、範囲の上限値の式として〔ＩＩ〕式の不等号の左側の式が得られた。下側の輪郭線は▲６▼と同じであり、〔ＩＩ〕式の不等号の右側の式は〔Ｖ〕式のそれと同じ式である。」と訂正する。
（８）　特許公報第７欄第２６行、第４４行、第４６〜４７行、第４７行、及び第８欄第２行に記載された「ポリマー」を、それぞれ「フッ素系ポリマー」と訂正する。
（９）　特許公報第８欄第２４行に記載された「フッ素ポリマー」を、「フッ素系ポリマー」と訂正する。
　訂正事項（１）は、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　訂正事項（２）乃至（６）は、それぞれ訂正事項（１）の訂正に伴って、発明の詳細な説明の記載が不明瞭になることの釈明を目的とするものである。
　訂正事項（７）及び（８）は、それぞれ誤記の訂正を目的とするものである。
（５４）【発明の名称】
反射防止層を有する高光線透過性防塵膜
（５７）【特許請求の範囲】
　（１）セルロース誘導体からなる基層の両面に
フッ素系ポリマーからなる
ｎ１よりｎ２が小さく、
　　　
−０．９１３６ｎ１＋２．７２０
１．０３６ｎ１＋２．８５４
および
　　　−２０．０３ｎ２＋１２６．７≧ｄ２≧−４４１．４ｎ２２＋１１８４ｎ２−７３１．８　…〔ＩＩ〕
の範囲にあって、上記２種の照射光を９８％以上透過することを特徴とする高光線透過性防塵膜。
　（２）セルロース誘導体がプロピオン酸セルロースである請求項１記載の高光線透過性防塵膜。
　（３）基層の厚さが１．２９〜１．３４μｍ、反射防止層の厚さが６２〜９９ｎｍで、３６５ｎｍおよび４３６ｎｍの波長の照射光を９８％以上透過する請求項（２）記載の高光線透過性防塵膜。
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
　本発明は、半導体の製造工程において、フォトマスクやレクチルに塵埃等の異物が付着することを防止するための反射防止層を有する高光線透過性防塵膜、特に２種の照射光に共用できる防塵膜に関する。
〔従来の技術〕
　ＬＳＩなどの半導体の製造において、フォトマスクのマスクパターンをフォトレジストに転写するリソグラフィー工程では、フォトマスクやレチクルに異物が付着するのを防止する必要があり、そのためにフォトマスクやレチクルをペリクルと呼ばれる防塵膜で保護している。
　フォトリソグラフィーにおいて用いる露光装置（ステッパー）には、照射光の波長が３６５ｎｍ（ｉ線）のもの（ｉ線ステッパー）と４３６ｎｍ（ｇ線）のもの（ｇ線ステッパー）とがあり、必要に応じて両者を使い分けている。この場合、防塵膜にはｉ線に対しては高透光性を示すがｇ線に対しては高透光性を示さないものや、逆にｇ線に対しては高透光性を示すがｉ線に対しては高透光性を示さないものがあり、ｉ線ステッパーとｇ線ステッパーとでそれぞれに適した防塵膜を用意して使い分けなければならないという繁雑さがある。
　このような繁雑さを解決するため、一つの防塵膜でｉ線およびｇ線のいずれの光にも高い透過性を有する防塵膜が提案されている（特願昭６２−２９０８８２号）。この防塵膜は、膜厚に対する光の透過率曲線がサインカーブを描くことを利用して、３６５ｎｍの光の透過率と４３６ｎｍの光の透過率がともに高くなるような膜厚、例えば１．４５〜１．４８μｍを選択するものである。
　しかし、上記のような従来の防塵膜では、ｉ線とｇ線に対してともに高い透過率を示す膜厚の範囲が狭いため、膜厚のわずかの変化で透過率が大幅に変動する。また膜厚を狭い範囲に制御することは困難であり、ｉ線とｇ線に対してともに透過率の高い防塵膜を得ることは事実上難しいという欠点がある。
　一方、防塵膜の透過率の高い領域を拡大する手段として、防塵膜の片面または両面に反射防止層を形成することが行われている。しかしながら、上記のようなｉ線とｇ線に対してともに高い透過率を示す防塵膜に反射防止層を形成すると、逆にｉ線とｇ線に対してともに高い透過率を示す領域が狭くなるという問題点がある。
〔発明が解決しようとする課題〕
　本発明の目的は、上記のような問題点を解決するため、２種の照射光のいずれにも高い透過率を示し、かつ高い透過率を示す膜厚の範囲が広い反射防止層を有する高光線透過性防塵膜を提供することである。
〔課題を解決するための手段〕
　本発明は、次の反射防止層を有する高光線透過性防塵膜である。
　（１）セルロース誘導体からなる基層の両面に
フッ素系ポリマーからなる
ｎ１よりｎ２が小さく、
　　　
−０．９１３６ｎ１＋２．７２０
−１．０３６ｎ１＋２．８５４
および
　　　
−２０．０３ｎ２＋１２６．７
の範囲にあって、上記２種の照射光を９８％以上透過することを特徴とする高光線透過性防塵膜。
　（２）セルロース誘導体がプロピオン酸セルロースである上記（１）記載の高光線透過性防塵膜。
　（３）基層の厚さが１．２９〜１．３４μｍ、反射防止層の厚さが６２〜９９ｎｍで、３６５ｎｍおよび４３６ｎｍの波長の照射光を９８％以上透過する上記（２）記載の高光線透過性防塵膜。
　以下、本発明を図面により説明する。第１図は防塵膜の例を示す断面図である。図において、１は防塵膜で、基層２の両面に反射防止層３が形成されている。
　本発明において、基層２として使用するセルロース誘導体としては、例えばエチルセルロース、酢酸セルロース、硫酸セルロース、リン酸セルロース、あるいはプロピオン酸セルロースのような脂肪酸セルロース等があるが、ｉ線等の短波長の照射光に対する強度、製膜の容易さの点からプロピオン酸セルロースが好ましい。
　基層２の膜厚ｄ１は前記〔Ｉ〕式で示される範
囲と
Ｉ
きる。
　第１図の反射防止層３には、２種の照射光に対する基層２の屈折率の平均値ｎ１より小さい屈折率の平均値ｎ２の
フッ素系ポリマー
る。使用するフッ素系ポリマー
は
型の
系
　それぞれの反射防止層３の膜厚ｄ２は前記〔ＩＩ〕式で示される範
囲と
ＩＩ
る。
　特定の波長の光の透過率は膜厚によって変動し、膜厚に対する透過率曲線はサインカーブを描く。そこで共用する２種の照射光、例えばｉ線とｇ線について透過率曲線を描くと、異なるサインカーブが得られる。２種の照射光、例えばｉ線、ｇ線共用防塵膜は、両方の透過率曲線のピークが一致する膜厚、すなわち２種の照射光、例えばｉ線、ｇ線の両方に対して高い透過率を示す膜厚の光線透過性膜を使用するが、このような光線透過性膜を基層２として、その上に反射防止層３を形成すると、２種の照射光、例えばｉ線およびｇ線の両方に対して高い透過性を示す膜原の範囲は逆に狭くなる。
　第２図（ｂ）は反射防止層３を積層していないプロピオン酸セルロース膜の膜厚に対するｉ線（３６５ｎｍ）およびｇ線（４３６ｎｍ）の透過率曲線図であり、ピークＡすなわち１．４５〜１．４８μｍの膜厚の範囲でｉ線およびｇ線の両方に対する透過率が高いことがわかる。
　第２図（ａ）はプロピオン酸セルロース膜（基層）の両面に厚さ７９ｎｍのフッ素ポリマーの反射防止層３（ｉ線とｇ線に対する屈折率の平均値１．３７）を積層した高光線透過性防塵膜について、基層２の膜厚の変化（反射防止層の厚さは一定）に対するｉ線（３６５ｎｍ）およびｇ線（４３６ｎｍ）の透過率曲線図であり、第２図（ｂ）におけるピークＡは、（ａ）ではピークＢに示すように２つのピークに別れ、ｉ線、ｇ線の両方に高い透過率を示す範囲は狭くなっている。一方、第２図（ｂ）において２つに分離していたピークＣ、すなわち基層２の膜厚が１．２９〜１．３４μｍの範囲では、（ａ）におけるピークＤに示すように一致したピークになり、ｉ線およびｇ線の両方に高い透過率を示し、かつ透過率９８％以上の膜厚の範囲も広くなっている。
　このように反射防止層３を積層しない状態で、ｉ線およびｇ線の透過率がともに高くない膜厚１．２９〜１．３４μｍの範囲の基層２に前記のような反射防止層３を形成することにより、ｉ線、ｇ線ともに高い透過率を示し、かつ高透過率の範囲が広い反射防止層３を有する高光線透過性防塵膜が得られる。
　以下、前記〔Ｉ〕
、〔ＩＩ〕
　一般に薄膜の透過率Ｔは、薄膜の膜厚をｄ、薄膜の屈折率をｎ、入射側の相の屈折率をｎ１１、透過側の相の屈折率をｎ１２、透過光の波長をλ、入射角を０（垂直入射）とした場合、次の〔
ＩＩＩ
　　Ｔ＝８ｎ１１ｎ２ｎ１２｛（ｎ１１２＋ｎ２）（ｎ２＋ｎ１２２）＋４ｎ１１ｎ２ｎ１２＋（ｎ１１２−ｎ２）（ｎ２−ｎ１２２）ｃｏｓ（４πｎｄ／λ）｝　…〔
ＩＩＩ
　上記〔
ＩＩＩ
ＩＩＩ
　▲１▼　初期設定として、基層２の膜厚を１２００ｎｍ、屈折率は波長３６５ｎｍの時１．４９４、波長４３６ｎｍの時は１．４８４に固定し、入射角は０度（垂直入射）とし、各反射防止層３の膜厚を６０ｎｍ、屈折率を１．３４として計算を行い、波長３６５ｎｍ、波長４３６ｎｍの透過率が共に、９８％以上となる基材膜厚をプロットする。
　▲２▼　反射防止層３の膜厚を２ｎｍプラスして▲１▼の計算を行い、反射防止層３の膜厚が１５０ｎｍになるまで繰り返した。
　▲３▼　反射防止層３の屈折率を
０．０５
　▲４▼　基層２の膜厚を５ｎｍプラスして▲１▼▲２▼▲３▼の計算を行い、基層２の膜厚が１８００ｎｍとなるまで繰り返す。
　▲５▼　上記▲１▼〜▲４▼で得られる透過率９８％以上のプロットを、横軸が基層屈折率、縦軸が基層膜厚の座標上に表わすと、右方向に末広がり状のほぼ横方向に伸びる帯状の領域に分散するので、その最も膜厚が広がった部分の上側の輪郭線を最小二乗法によって関数を求めることにより、基層２の上限値の式として
下記
ＩＶ
下記
ＩＶ
　　　
７．９０９ｎ１２−２２．９２ｎ１＋１８．１４≧ｄ１≧−１．９３５ｎ１３＋１８．０８ｎ１２−２７．０４ｎ１＋１８．８２　…〔ＩＶ〕
　▲６▼　上記▲１▼〜▲４▼で得られる透過率９８％以上のプロットを横軸が反射防止層屈折率、縦軸が反射防止層膜厚の座標に表すと、右方向に末広がり状のほぼ横方向に伸びる帯状の領域に分散するので、その最も膜厚が広がった部分の上側の輪郭線を▲５▼と同様にして最小二乗法によって関数を求めることにより、反射防止層の上限の式とし
下記
Ｖ
下記
Ｖ
　　　
−１０５．２ｎ２＋２８１．９≧ｄ２≧−４４１．４ｎ２２＋１１８４ｎ２−７３１．８　…〔Ｖ〕
　▲７▼　上記▲５▼において、膜形成が容易な墓層の膜厚が６０〜１００ｎｍのプロットを同様に基層の座標に表わすと、ほぼ横方向に伸びる帯状の領域に分散するので、その最も膜厚が広がった上側の輪郭線の関数を求めることにより
、範
Ｉ
、範
Ｉ
　▲８▼　上記▲６▼において、膜形成が容易な反射防止層の膜厚が６０〜１００ｎｍのプロットを同様に反射防止層の座標に表わすと、ほぼ横方向に伸びる帯状の領域に分散するので、その最も膜厚が広がった上側の輪郭線の関数を求めることにより
、範
ＩＩ
ＩＩ
Ｖ
　本発明の反射防止層３を有する高光線透過性防塵膜の製造方法は、スピンナーを用いて回転製膜法により形成した基層２の両面に、低屈折率
フッ素系
　具体的には、まずスピンナーに取付けたガラス等の平滑な基板上にセルロース誘導体溶液を供給し、スピンナーを回転させて回転製膜法によりセルロース誘導体の透明薄膜からなる基層２を形成する。セルロース誘導体は溶媒に溶解し、濾過等の精製を行った溶液を使用する。溶媒としてはメチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、アセトン等のケトン類、酢酸ブチル、酢酸イソブチル等の低級脂肪酸エステル類、および前述のケトンまたはエステルとイソプロピルアルコール等との混合溶媒が使用される。形成される基層２の厚さは、溶液粘度や基板の回転速度を変化させることにより前記範囲内の厚さにする。
　基板上に形成されたセルロース誘導体透明薄膜からなる基層２は、熱風や赤外線ランプ照射等の手段によって乾燥させ、残存溶媒を除去する。
　次いで、乾燥された基層２上に、低屈折
フッ素系
低屈折率フッ素系ボリマーを溶解する溶媒は、低屈折率
フッ素系
フッ素系
　次いで、上記によって得られた防塵膜１を反転してスピンナーに取付け、前記と同様の操作により、基層２のもう一方の側に反射防止層３を積層する。
　以上のようにして製造された高光線透過性防塵膜は、従来の防塵膜と同様に枠に取付け、マスクまたはレチクル等の防塵体として用いられ、２種の照射光、例えばｉ線およびｇ線の両方に対して高い透過率を示す。そして２種の照射光、例えばｉ線およびｇ線のいずれも９８％以上透過する膜厚の幅が広いため、膜厚に多少の変動があっても高い透過率が得られ、膜の製造も容易になる。
〔発明の効果〕
　以上の通り、本発明によれば、特定の厚さの基層に、特定の反射防止層を積層するようにしたので、２種の照射光のいずれの光にも高い透過率を示し、かつ高い透過率を示す膜厚の範囲が広い高光線透過性防塵膜を得ることができる。
〔実施例〕
　次に、本発明の実施例について説明する。
実施例１
　回転製膜法により製膜したプロピオン酸セルロース膜からなる膜厚１．２５〜１．４μｍの基層に、回転製膜法により７９ｎｍのフッ素系ポリマー（ポリトリフルオロオクチルアクリレート）の反射防止層（屈折率の平均値１．３７）を積層した防塵膜について、ｉ線（３６５ｎｍ）およびｇ線（４３６ｎｍ）の透過率を測定した。結果を第３図（ａ）に示す。
　第３図（ａ）からわかるように、基層に反射防止層を積層することにより、１線およびｇ線の透過率１００％のピークがほぼ重なり、かつ透過率の変動の幅も９４〜１００％と小さく、ｉ線およびｇ線の両方が９８％以上の透過率となる膜厚の範囲は約４３ｎｍであり、この時の基層の膜厚は、１．２９〜１．３４μｍである。
比較例１
　実施例１の基層（反射防止層を有しない膜厚１．２５〜１．４μｍのプロピオン酸セルロースの薄膜）について、実施例１と同様にして透過率を測定した。結果を第３図（ｂ）に示す。
　第３図（ｂ）では、ｉ線およびｇ線の透過率１００％のピークが約２１ｎｍずれており、ｉ線およびｇ線のいずれも９８％以上透過する膜厚の範囲は約１５ｎｍである。
比較例２
　第４図（ｂ）に示すような透過率曲線を有する膜厚１．４〜１．５５μｍのプロピオン酸セルロースからなる基層に、実施例１と同様にして反射防止層を形成した防塵膜について、ｉ線およびｇ線の透過率を測定した。結果を第４図（ａ）に示す。
　第４図（ｂ）では、ｉ線およびｇ線の透過率１００％のピークが膜厚１．４６μｍ付近でほぼ一致しており、ｉ線およびｇ線のいずれも９８％以上透過する膜厚の範囲は約２８ｎｍであるが、これに反射防止層を積層すると、第４図（ａ）のように、透過率の変動幅は小さくなるものの、ｉ線およびｇ線の透過率１００％のピークが約３５ｎｍずれるためｉ線およびｇ線のいずれも９８％以上透過する膜厚の範囲は約２８ｎｍから約１９ｎｍに狭くなる。
　実施例１および比較例１〜２の結果から、１．２９〜１．３４μｍの厚さの基層に特定の反射防止層を積層した場合に、最も広い幅の範囲でｉ線およびｇ線をいずれも９８％以上透過する防塵膜を得ることができることがわかる。
　また、ｉ線およびｇ線の透過率が重なった近付の膜厚の膜に反射防止層を積層しても、ｉ線およびｇ線の透過率をさらに改善することはできないことがわかる。
実施例２および３
　実施例１において、基層の膜厚を１．２９μｍ（実施例２）または１．３４μｍ（実施例３）とし、これらの基層に５０〜１００ｎｍの反射防止層を積層した防塵膜について、実施例１と同様にして透過率を測定した。結果を第５図（ａ）（実施例２）および第５図（ｂ）（実施例３）に示す。
　以上の結果から、１．２９〜１．３４μｍの膜厚のプロピオン酸セルロースの基層に６２〜１９９ｎｍの厚さの反射防止層を積層した時、ｉ線およびｇ線をどちらも９８％以上透過する防塵膜が得られることがわかる。
【図面の簡単な説明】
　第１図は防塵膜の断面図、第２図（ａ）、（ｂ）は防塵膜の膜厚に対する透過率曲線図、第３図（ａ）、（ｂ）、第４図（ａ）、（ｂ）および第５図（ａ）、（ｂ）はそれぞれ実施例における透過率曲線図である。
　　１：防塵膜、２：基層、３：反射防止層