【事件の表示】
　特許第２７４１１２０号　「半導体製造用材料ガス検出装置」の請求項１，２に係る特許に対する特許異議申立てについて、次のとおり決定する。　
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第２７４１１２０号の特許を維持する。
【理　由】
１，手続の経緯
　特許第２７４１１２０号に係る発明についての出願は、平成３年８月２２日に特許出願され、平成１０年１月３０日にその発明について特許の設定登録がなされた。その後、その特許について、異議申立人宮城真智子より特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１１年４月１３日付けで訂正請求がなされた。これについてなされた平成１１年６月１８日付け訂正拒絶理由通知に対して平成１１年９月６日付けで手続補正書が提出され、さらに平成１１年１２月１５日付け訂正拒絶理由通知がなされ、同日付けで手続補正書が提出されたものである。
２，補正の適否についての判断
　（イ）平成１１年４月１３日付けの訂正請求は、「特許第２７４１１２０号の明細書を請求書に添付した訂正明細書のとおり訂正することを求めます。」というものであり、平成１１年１２月１５日付け手続補正書による補正は、
「（１）平成１１年９月６日提出の補正箇所を次のように補正する。平成１１年４月１３日提出の訂正請求書に添付の明細書の全文を下記のとおり補正する。
　全文補正明細書
　（以下省略）
（２）平成３年８月２２日付け提出の特許願書に添付の図２を、本書に添付の図２のとおり補正する。」
というものである。
　（ロ）二度の手続補正書の内容からみて、特許権者の求める補正は、以下のａ〜ｅのものである。
　a.訂正請求書に添付した明細書（以下、「補正前明細書」という。）の請求項１
「被検出ガスを、加熱分解または燃焼により微粒子粉末に分解する装置と、ダストセンサによりその濃度を測定し、その出力を電気的信号として取り出す装置とから構成されることにより、アルコール選択特性を高めることを特徴とする半導体製造用材料ガス検出装置。」を
「加熱用発熱体と被測定ガスが通るパイプで構成され、前記被測定ガスの分解温度以上の温度で前記被測定ガスの成分をダスト又はミスト等の微粒子に変換する分解炉と、前記ダスト又はミスト等の濃度を電気信号に変換するダストセンサと、フィルタと、前記被測定ガスの濃度を数値として指示する指示手段で構成され、前記フィルタと前記ダストセンサの間に前記分解炉を配設した半導体製造用材料ガス検出装置。」と訂正する。
　b.補正前明細書の請求項２を削除する。
　c.補正前明細書の【０００６】の記載を次のように訂正する。
「【０００６】
【課題を解決するための手段】
　該目的を達成するための本発明の構成を、実施例に対応する図１乃至図２を用いて説明すると、本発明は、加熱用発熱体と被測定ガスが通るパイプで構成され、前記被測定ガスの分解温度以上の温度で前記被測定ガスの成分をダスト又はミスト等の微粒子に変換する分解炉と、前記ダスト又はミスト等の濃度を電気信号に変換するダストセンサと、フィルタと、前記被測定ガスの濃度を数値として指示する指示手段で構成され、前記フィルタと前記ダストセンサの間に前記分解炉を配設した半導体製造用材料ガス検出装置である。」
　d.補正前明細書の【０００７】の記載を削除する。
　e.平成３年８月２２日付け提出の特許願書に添付の図２を、平成１１年１２月１５日付け手続補正書に添付の図２の通り補正する。
　（ハ）補正事項ａは、補正前明細書の【００１０】等の記載に基いてするもので、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。　補正事項ｂは、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　補正事項ｃ，ｄは、補正事項ａ，ｂにより訂正された特許請求の範囲の記載に適合するように発明の詳細な説明の記載を訂正するものであり、明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
　補正事項ｅは、誤記の訂正を目的とするものである。
　そして、補正事項ａ〜ｅは、訂正請求書により訂正された明細書又は図面に記載した事項の範囲内のものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。したがって、この補正は、訂正請求書の要旨を変更するものではないから、特許法第１２０条の４第３項において準用する同法第１３１条第２項の規定に適合するので、これを採用する。
３，訂正の適否についての判断
　（イ）前記補正により補正された訂正請求書からみて特許権者が求める補正は、次のとおりのものである。
　a.願書に添付した明細書の請求項１
　「被検出ガスを、加熱分解または燃焼により微粒子粉末に分解する装置と、ダストセンサによりその濃度を測定し、その出力を電気的信号として取り出す装置からなることを特徴とする半導体製造用材料ガス検出装置。」を
　「加熱用発熱体と被測定ガスが通るパイプで構成され、前記被測定ガスの分解温度以上の温度で前記被測定ガスの成分をダスト又はミスト等の微粒子に変換する分解炉と、前記ダスト又はミスト等の濃度を電気信号に変換するダストセンサと、フィルタと、前記被測定ガスの濃度を数値として指示する指示手段で構成され、前記フィルタと前記ダストセンサの間に前記分解炉を配設した半導体製造用材料ガス検出装置。」
と訂正する。
　b.願書に添付した明細書の請求項２を削除する。
　c.願書に添付した明細書の【０００６】の記載を次のように訂正する。
「【０００６】
【課題を解決するための手段】
　該目的を達成するための本発明の構成を、実施例に対応する図１乃至図２を用いて説明すると、本発明は、加熱用発熱体と被測定ガスが通るパイプで構成され、前記被測定ガスの分解温度以上の温度で前記被測定ガスの成分をダスト又はミスト等の微粒子に変換する分解炉と、前記ダスト又はミスト等の濃度を電気信号に変換するダストセンサと、フィルタと、前記被測定ガスの濃度を数値として指示する指示手段で構成され、前記フィルタと前記ダストセンサの間に前記分解炉を配設した半導体製造用材料ガス検出装置である。」
　d.願書に添付した明細書の【０００７】の記載を削除する。
　e.願書に添付した図面の図２を平成１１年１２月１５日付け手続補正書に添付した図２のように訂正する、
　（ロ）訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　訂正事項ａは、請求項１を、願書に添付した明細書の【００１０】等の記載に基づいて訂正するもので特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。訂正事項ｂは、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。訂正事項ｃ，ｄは、訂正事項ａ，ｂにより訂正された特許請求の範囲の記載に適合するように発明の詳細な説明の記載を訂正するもので、明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。訂正事項ｅは、誤記の訂正を目的とするものである。そして、訂正事項ａ〜ｅは、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内のものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものではない。
　（ハ）独立特許要件
　a.訂正明細書の請求項１に係る発明は、その特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものである。
　「加熱用発熱体と被測定ガスが通るパイプで構成され、前記被測定ガスの分解温度以上の温度で前記被測定ガスの成分をダスト又はミスト等の微粒子に変換する分解炉と、前記ダスト又はミスト等の濃度を電気信号に変換するダストセンサと、フィルタと、前記被測定ガスの濃度を数値として指示する指示手段で構成され、前記フィルタと前記ダストセンサの間に前記分解炉を配設した半導体製造用材料ガス検出装置。」
　b.取消理由で引用した刊行物
　刊行物１：実願昭６０−　　１７９１号（実開昭６１−１１９７５７号）のマイクロフィルム（申立人の提出した甲第１号証）
　刊行物２：実願昭６０−　　１７９２号（実開昭６１−１１９７５８号）のマイクロフィルム（申立人の提出した甲第２号証）
　刊行物３：実願昭６３−１４７５９８号（実開平　１−　８４１８５号）のマイクロフィルム（申立人の提出した甲第３号証）
　刊行物４：J.Electrochem.Soc.SOLID-STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY June,1979 PP.1042-1046（申立人の提出した甲第４号証）
　刊行物１には、シラン系ガス検出器に関する発明が記載されており、「ヒータによりシラン系ガスの酸化を強制的に促進させてシラン系ガスを燃焼させ燃焼生成物を発生するようにし、イオン化式の検煙部が低濃度のシラン系ガスで応答動作するようにしたものである。」（３頁、７−１１行）
「ボンベストッカのボンベよりモノシランガス（ＳｉＨ４）が漏洩すると、ガスはヒータＨにより加熱されＳｉＨ４＋Ｏ２→ＳｉＯ２＋２Ｈ２の反応を起こし、ガス体から酸化ケイ素の微粒子の固形物に変化され外部イオン室ＣＨ１に流入する。これにより．．．．サイリスタＳが動作し図示されない受信機にシランガスが漏洩したことが報知される。」（５頁、７−１７行）
等の記載がある。
　刊行物２にも、シラン系ガス検出器に関する発明が記載されており、刊行物１と同様の記載があるほか、ヒータが触媒を坦持したものである、ことが記載されている。
　刊行物３には、半導体工場などにおける警報および制御装置に関する発明が記載されており、
「シランガスが漏洩し空気中の酸素と反応し燃焼したことにより生ずる燃焼生成物を検出する火災感知器Ｄ１とＤ２とが設けられる。この場合燃焼生成物を検出する火災感知器として光電式煙感知器とイオン化式煙感知器が使用できるが、」（４頁、６−１１行）
等の記載がある。
　刊行物４には、テトラエトキシシランが７００−７５０℃で分解されることが記載されている。
　c.請求項１に係る発明と刊行物１−４に記載された発明とを比較すると、請求項１に係る発明の「加熱用発熱体と被測定ガスが通るパイプで構成され、前記被測定ガスの分解温度以上の温度で前記被測定ガスの成分をダスト又はミスト等の微粒子に変換する分解炉」および、「該分解炉をフィルタとダストセンサの間に配設した」ことについては、刊行物１−４のいずれにも記載がなく、示唆されてもいない。また、刊行物１−４に記載された事項に基き、前記構成の分解炉および該分解炉を前記のように配設した構成を得ることが当業者にとって容易である、とはいえない。
　したがって、請求項１に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定に違反するものではなく、特許出願の際独立して特許を受けることができるものである。
　（ニ）以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法第１２０条の４第２項及び同条第３項で準用する同法第１２６条第２項から第４項の規定に適合するものであり、当該訂正を認める。
４，特許異議の申立てについて
　（イ）本件発明
　本件請求項１に係る発明（以下「本件発明」という。）は、その特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものである。
　「加熱用発熱体と被測定ガスが通るパイプで構成され、前記被測定ガスの分解温度以上の温度で前記被測定ガスの成分をダスト又はミスト等の微粒子に変換する分解炉と、前記ダスト又はミスト等の濃度を電気信号に変換するダストセンサと、フィルタと、前記被測定ガスの濃度を数値として指示する指示手段で構成され、前記フィルタと前記ダストセンサの間に前記分解炉を配設した半導体製造用材料ガス検出装置。」
　（ロ）申立ての理由の概要
　特許異議申立人宮城真智子は、「請求項１及び請求項２の本件特許発明は、甲第１号証刊行物に記載された発明と同一の発明であり、また、甲第１乃至４号証刊行物に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明することができたものであるから、特許法第２９条第１項第３号、及び特許法第２９条第２項に規定された発明に該当する。
　したがって、請求項１及び請求項２の本件特許発明は、特許法第１１３条第２号の規定により取消されるべきものである。」（特許異議申立書の３．申立の理由（３）申立の根拠）と主張している。
　（ハ）判断
　甲第１−４号証は、取消理由で引用した刊行物１−４と同一のものであり、訂正後の請求項１に係る発明、すなわち本件発明が、これらの刊行物に記載された発明ではなく、これらの刊行物に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものではないことは、上記３，（ハ）に示した判断のとおりである。また、請求項２は訂正により削除された。
５，結び
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件発明の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年１月２７日（２０００．１．２７）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
１，請求項１を
　「加熱用発熱体と被測定ガスが通るパイプで構成され、前記被測定ガスの分解温度以上の温度で前記被測定ガスの成分をダスト又はミスト等の微粒子に変換する分解炉と、前記ダスト又はミスト等の濃度を電気信号に変換するダストセンサと、フィルタと、前記被測定ガスの濃度を数値として指示する指示手段で構成され、前記フィルタと前記ダストセンサの間に前記分解炉を配設した半導体製造用材料ガス検出装置。」
と訂正する。
２，請求項２を削除する。
３，明細書の【０００６】の記載を次のように訂正する。
　「【０００６】
　【課題を解決するための手段】
　該目的を達成するための本発明の構成を、実施例に対応する図１乃至図２を用いて説明すると、本発明は、加熱用発熱体と被測定ガスが通るパイプで構成され、前記被測定ガスの分解温度以上の温度で前記被測定ガスの成分をダスト又はミスト等の微粒子に変換する分解炉と、前記ダスト又はミスト等の濃度を電気信号に変換するダストセンサと、フィルタと、前記被測定ガスの濃度を数値として指示する指示手段で構成され、前記フィルタと前記ダストセンサの間に前記分解炉を配設した半導体製造用材料ガス検出装置である。」
４，明細書の【０００７】の記載を削除する。
５，図面の図２を平成１１年１２月１５日付け手続補正書に添付した図２のように訂正する、
（５４）【発明の名称】
半導体製造用材料ガス検出装置
（５７）【特許請求の範囲】
　　　【請求項１】　
加熱用発熱体と被測定ガスが通るパイプで構成され、
分解炉と、前記
と、フィルタと、前記被測定ガスの濃度を数値として指示する指示手段で構成され、前記フィルタと前記ダストセンサの間に前記分解炉を配設した
【発明の詳細な説明】
　　　　【０００１】
　　　【産業上の利用分野】
　本発明は、半導体製造に用いられる各種材料ガスの微量検出用装置に関するもので、許容濃度（スレッシホルドレベルバリュウ）以下で、警報を発し得る検出装置である。
　　　　【０００２】
　　　【従来の技術】
　この種の半導体製造用の材料ガス検出装置は、取り扱いの簡便性、保安上の安全性を厳に要求され、また、対象ガスを高感度で検出するのみでなく、高い選択性を備えていることを求められる。
　現在、多種類の半導体製造に用いられる材料ガスの内、シリコン薄膜形成等に多用されるシラン（ＳｉＨ４，モノシラン）が、重要視されているが、シランは、濃度が高くなると自然発火して、燃焼する自燃性をもつが、その室内環境中への漏洩を検知するのに定電位電解式センサあるいは半導体式センサが使用されてきた。したがって、従来のこの種半導体製造用の材料ガス検出装置にあっては、シランが高濃度で漏洩した場合、自然発火して燃焼し、その結果、高濃度シランが消失してしまって、室内環境中に多量の漏洩があるにも拘わらず、シランを検出できず、事故を惹起するというような問題があった。あるいはまた、前記の定電位電解式あるいは半導体式ガスセンサは、半導体製造工場で雰囲気中に混在するエチルアルコール等の有機溶剤にも感応して、漏洩の誤警報を発して、生産管理工程上不要のトラブルになるという問題もあった。
　　　　【０００３】
　そこで、このような従来の半導体材料ガス検出装置が有していた問題点を解決するために、定電位電解式のシランセンサと、シラン燃焼後の生成物であるＳｉＯ２（ダスト，煙）を検出する煙センサの二種類のセンサを複合して組み合わせたシラン漏洩検知センサが用いられるようになった。
　　　　【０００４】
　しかるところ、近年、その取り扱いの簡便性、安全性以外に、超ＶＬＳＩ製造時の優れた特性の利点から、テトラエトキシシラン（Ｔｅｔｒａ　Ｅｔｈｙｌ　Ｏｒｔｈｏ　Ｓｉｌｉｃａｔｅ，以下ＴＥＯＳと略称する）が、シランの代替品として使用されるようになった。しかしながら、ＴＥＯＳは毒性がシランより高いといわれており、その漏洩検出の重要さはシランより遥かに大である。そして、そのような重要度故にエタノール等有機溶剤に干渉されず、ＴＥＯＳのみを検出する装置としては、非分散型赤外線吸収式、あるいはフーリエ変換赤外線分光度法というような、高度に精密、かつ高価な大型高級測定装置が使われているのである。
　　　　【０００５】
　　　【発明が解決しょうとする課題】
　本発明は、ＳｉＨ４，ＧｅＨ４，ＡｓＨ３，ＳｂＨ３，ＴＥＯＳ等の半導体製造用材料ガスの検出装置において、選択性の向上を図ることを目的とし、作業環境中に混在する雑ガスや、エタノール等の有機溶剤等の成分に全く干渉されずに、精密かつ正確に、高選択度をもって、かつ高感度に検出することができる小型で、安価なガス検出装置を提供することにある。
　　　　【０００６】
　　　【課題を解決するための手段】
　該目的を達成するための本発明の構成を、実施例に対応する図１乃至図２を用いて説明すると、本発明は、
加熱用発熱体と被測定ガスが通るパイプで構成され、
分解炉と、前記
と、フィルタと、前記被測定ガスの濃度を数値として指示する指示手段で構成され、前記フィルタと前記ダストセンサの間に前記分解炉を配設した
　　　　
【０００７】
　　　【作用】
　以下、ＴＥＯＳを例に説明する。本発明は、このような構成としたものであるから、ＴＥＯＳをバッグに封入し、ポンプで吸引し、分解炉（３）で６００℃以上で０．１〜１ｓｅｃ程度加熱分解（燃焼）すると、ＳｉＯ２の微粒子（煙）になる。
　　　　
【０００８】
　すなわち、その燃焼化学式は、
となり、ＳｉＯ２のみが残り、他は残らない。
　そのガス体ＳｉＯ２（煙）をダストセンサにかけて電気的信号として取り出し、その濃度を測定して検出するようにして用いればよい。
　従って、本発明の半導体製造用材料ガス検出装置センサ感度は、ＳｉＯ２のみに高い選択性をもって感応して、その他のアルコール類には干渉されない。
　上記同様に、他の半導体製造用材料ガスについて例示すれば、
　ＳｉＨ４十２Ｏ２→ＳｉＯ２＋２Ｈ２Ｏ
　ＧｅＨ４＋２Ｏ２→ＧｅＯ２＋２Ｈ２Ｏ
　２ＡｓＨ３＋３Ｏ２→Ａｓ２Ｏ３＋３Ｈ２Ｏ
　２ＳｂＨ３＋３Ｏ２→Ｓｂ２Ｏ３＋３Ｈ２Ｏ
の反応により生成されるＳｉＯ２，ＧｅＯ２，Ａｓ２Ｏ３，Ｓｂ２Ｏ３等をダストセンサにより検出すればよい。
　　　　
【０００９】
　　　【実施例】
　以下本発明の実施例について図面に基づいて説明する。
　図中、図１及び図２は、本発明の１実施例を示す図であって、図１に示す本発明のブロック構成図について構成を説明する。
▲１▼（１）は、例えばガス吸着しない性質の材料で作ったバッグで、所定のガス濃度を保つよう調製する。すなわち、ボンベから１０ｌ容量の乾燥（合成）空気を、それに対してマイクロシリジンによりＴＥＯＳを所定量、それぞれバッグ（１）へ注入し、常温で均一濃度になるように軽くたたいて蒸発させる。
▲２▼バッグ（１）から０．１μ程度の穴径のフィルタ（２）に導き、ダストセンサ（４）に誤差を与えないように、雰囲気内に存在するダストを除去する。
▲３▼（３）は分解炉で、例えば図２に示すように、加熱用発熱体（３ａ）の外周に、ガスが通るステンレス鋼製のパイプ（３ｂ）を巻回して、ガスの入口と出口をフィルタ（２）とダストセンサ（４）の間に配設してある。分解炉（３）によって、ガス成分をダスト、ミスト等の微粒子成分に変換させる。測定対象ガスの分解温度以上で作動させる。（ＴＥＯＳの場合６００℃以上）
▲４▼
▲５▼
▲６▼
▲７▼
▲８▼
　　　　
【００１０】
　つぎに装置について、操作手順を説明する。
▲１▼予め分解炉（３）に通電し、６００℃以上に保っておき、サンプルガスの入ったバッグ（１）をフィルタ（２）に接続する。
▲２▼エアポンプ（５ａ）を作動し、サクションをかけて、流量計（５ｃ）で流量をみながら、二一ドルバルブ（５ｂ）で調節して流量を調節する。
▲３▼ダストセンサ（４）が微粒子（煙）を検出し、その検出した信号を増幅信号制御部（６）に入力し、変換した信号を指示計（７）で測定値として表示する。指示計（７）の表示値が一定以上になると、警報器（８）が動作する。
　　　　
【００１１】
　次に、本発明実施例で実測したデータを示す。
表１は、以上の手順で作成したＴＥＯＳの標準サンプルを使用して、ダストセンサ（４）の出力を指示計（７）の指示値として読んだ、ＴＥＯＳ濃度対測定装置の出力数値である。
　　　　
【００１２】
　【表１】
表２は、ＴＥＯＳのみ５０ＰＰｍ、ＴＥＯＳとエチルアルコール各５０ＰＰＭ、エチルアルコールのみ５０ＰＰＭの３種の試料について、定電位電解式アルコール測定器と本発明装置とで測定した測定値である。
　　　　
【００１３】
　【表２】
　　　　
【００１４】
　以上本発明の代表的と思われる実施例について説明したが、本発明は必ずしもこれらの実施例構造のみに限定されるものではなく、本発明にいう前記の構成要件を備え、かつ、本発明にいう目的を達成し、以下にいう効果を有する範囲内において適宜改変して実施することができるものである。
　　　　
【００１５】
　　　【発明の効果】
　以上の説明から既に明らかなように、本発明は、バッグに封入したＴＥＯＳを取り出して加熱分解（燃焼）して生成したＳｉＯ２の微粒子（煙）を、ダストセンサにかけて電気的信号として取り出し、その濃度を測定して検出するようにしたものであるから、本発明のセンサ感度は、ＳｉＯ２のみに高い選択度をもって感応して、その他のアルコール類には感応せず、正確な被測定ガスの濃度を測定できて、的確な検出を可能ならしめることができるという従来のものには期待することが出来ない顕著な効果を有するに至ったのである。
　　　　
【００１６】
　また、本発明は、以上に説明したＴＥＯＳ以外の、燃焼して微粒子、ダスト、ミストが生成するシラン、ゲルマン、スチビン、アルシン、シボラン等の他の半導体製造用材料ガスに対しても適用して検出測定可能である。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本発明の１実施例を示したブロック図。
　【図２】
　図１中の分解炉（３）の内部構造の一例を示す図。
　【符号の説明】
　（１）バッグ
　（２）フィルタ
　（３）分解炉
　（３ａ）炉芯
　（３ｃ）パイプ
　（４）ダストセンサ
　（５）流量制御部
　（５ａ）エアポンプ
　（５ｂ）ニードルバルブ
　（５ｃ）流量計
　（６）増幅信号制御部
　（７）指示計
　（８）警報部
【図面】