【事件の表示】
　特許第２７８８２６９号「半導体装置およびその製造方法」の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第２７８８２６９号の請求項１ないし７、９ないし１２、１６及び１８に係る特許を維持する。
【理　由】
１，手続の経緯
　  本件特許の出願日　      昭和63年12月28日
　　　　（優先権主張：昭和63年2月8日日本、昭和63年9月30日日本）
　　特許権設定登録　　      平成10年6月5日　
　　特許異議申立　　　　　　　平成11年2月18日
　　　（申立の対象：特許請求の範囲第1〜7，9〜12、16及び18項）
　　取消理由通知　　　      平成11年6月24日
　　取消理由通知　　　      平成12年3月13日
　　訂正請求　　　　　      平成12年3月28日
　　
２，訂正の適否についての判断
　a)訂正請求された特許請求の範囲第１〜７，９〜１２、１６及び１８項の発明
　訂正請求された特許請求の範囲第１〜７，９〜１２、１６及び１８項の発明は、訂正明細書の特許請求の範囲第１〜７，９〜１２、１６及び１８項に記載された次のとおりのものである。
　「 (1)第1の半導体基板と第2の半導体基板とが、第1の絶縁膜を挟んで直接接着されて一体化された基板を用いて構成され、前記第1の半導体基板は前記第1の絶縁膜に達する分離溝により複数の島領域に分割され、前記分離溝の側面には第2の絶縁膜が形成されており、前記分離溝の内部は第1の半導体層により埋め込まれ、一つの前記島領域に横型IGBTが形成され、他の一つの前記島領域に低耐圧素子が形成され、前記低耐圧素子は、前記第1および第2の絶縁膜ならびに前記第1の半導体層によって前記横型IGBTと誘電体分離されており、当該横型IGBTのドレイン層は当該ドレイン層と異なる導電型の第2の半導体層で囲まれており、当該第2の半導体層と前記第1の絶縁膜との間には前記第2の半導体層に接して前記第2の半導体層の不純物濃度より低濃度の基板領域が介在することを特徴とする半導体装置。
(2)前記第2の絶縁膜は、前記第1の絶縁膜よりも厚いものであることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
(3)前記低耐圧素子の数は2以上であることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
(4)前記第1の半導体基板が低不純物濃度であり、かつ前記横型IGBTが形成された前記島領域の前記第1の半導体基板は、前記第1の絶縁膜に接していることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
(5)一方が素子領域となり他方が支持基板となる2枚の半導体基板が、第1の絶縁膜を挟んで直接接着されて一体化された基板を用いて構成され、この基板の低不純物濃度で第1導電型の半導体層が前記第1の絶縁膜に達する分離溝により複数の島領域に分割され、前記分離溝の側面には第2の絶縁膜が形成されており、前記分離溝の内部は第1の半導体層により埋め込まれ、一つの前記島領域に横型IGBTが形成され、他の一つの前記島領域にバイポーラトランジス夕が形成され、前記バイボーラトランジス夕は、前記第1および第2の絶縁膜ならびに前記分離構内部の第1の半導体層によって前記横型IGBTと誘電体分離されており、当該横型IGBTのドレイン層は当該ドレイン層と異なる導電型の第2の半導体層で囲まれており、当該第2の半導体層と前記第1の絶縁膜との間には前記第2の半導体層に接して前記第2の半導体層の不純物濃度より低濃度の半導体領域が介在することを特徴とする半導体装置。
(6)一方が素子領域となり他方が支持基板となる2枚の半導体基板が、第1の絶縁膜を挟んで直接接着されて一体化された基板を用いて構成され、この基板の低不純物濃度で第1導電型の半導体層が前記第1の絶縁膜に達する分離溝により複数の島領域に分割され、前記分離溝の側面には第2の絶縁膜が形成されており、前記分離溝の内部は第1の半導体層により埋め込まれ、一つの前記島領域に横型IGBTが形成され、他の一つの前記島領域に低耐圧素子として第1導電型ウエルと第2導電型ウエルが両方ともまたは一方が形成されて、前記ウエルにトランジスタが形成され、前記トランジスタは、前記第1および第2の絶縁膜ならびに前記分離溝内部の第1の半導体層によって前記横型IGBTと誘電体分離されており、当該横型IGBTのドレイン層は当該ドレイン層と異なる導電型の第2の半導体層で囲まれており、当該第2の半導体層と前記第1の絶縁膜との間には前記第2の半導体層に接して前記第2の半導体層の不純物濃度より低濃度の半導体領域が介在することを特徴とする半導体装置。
(7)一方が素子領域となり他方が支持基板となる2枚の半導体基板が、第1の絶縁膜を挟んで直接接着されて一体化された基板を用いて構成され、この基板の低不純物濃度で第1導電型の半導体層が前記第1の絶縁膜に達する分離溝により複数の島領域に分割され、前記分離溝の側面には第2の絶縁膜が形成されており、前記分離溝の内部は第1の半導体層により埋め込まれ、一つの前記島領域に横型IGBTが形成され、他の一つの前記島領域に複数の低耐圧素子として第1導電型ウエルと第2導電型ウエルが形成されて、これらのウエルに互いに異なる導電チャネルのMOSトランジスタが形成され、前記MOSトランジスタは、前記第1および第2の絶縁膜ならびに前記分離溝内部の第1の半導体層によって前記横型IGBTと誘電体分離されており、当該横型IGBTのドレイン層は当該ドレイン層と異なる導電型の第2の半導体層で囲まれており、当該第2の半導体層と前記第1の絶縁膜との間には前記第2の半導体層に接して前記第2の半導体層の不純物濃度より低濃度の半導体領域が介在することを特徴とする半導体装置。
(9)前記横型IGBTまたは前記高耐圧素子が形成された前記低不純物濃度で第1導電型の半導体層は、前記第1の絶縁膜に接していることを特徴とする請求項5ないし請求項8記載の半導体装置。
(10)前記分離溝内部の半導体層が多結晶シリコン層であることを特徴とする請求項5ないし請求項9記載の半導体装置。
(11)鏡面研磨された低不純物濃度、第1導電型の第1の半導体基板の表面上に第1の絶縁膜を形成する工程と、支持基板となる鏡面研磨された第2の半導体基板と前記第1の半導体基板とを前記第1の絶縁膜を挟んで直接接着して一体化する工程と、前記第1の半導体基板側に複数個に分割された島領域を形成する工程と、一つの前記島領域に横型IGBTを形成し、他の一つの前記島領域に低耐圧素子を形成する工程とを備え、前記第1の半導体基板に前記第1の絶縁膜に達する分離溝を形成することにより、前記複数個に分割された前記島領域を形成し、前記分離溝の側壁に第2の絶縁膜を形成し、かつ前記分離溝内部を第1の半導体層により埋め込むことにより、前記横型IGBTと前記低耐圧素子とを誘電体分離し、また、前記横型IGBTが形成される前記島領域においては、前記横型IGBTのドレイン層を形成し、かつ当該ドレイン層を囲み当該ドレイン層と異なる導電型の第2の半導体層を、当該第2の半導体層と前記第1の絶縁膜との間に当該第2の半導体層に接し当該第2の半導体層より低濃度の半導体領域を介在させて形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
(12)鏡面研磨された低不純物濃度、第1導電型の第1の半導体基板の表面上に第1の絶縁膜を形成する工程と、支持基板となる鏡面研磨された第2の半導体基板と前記第1の半導体基板とを前記第1の絶縁膜を挟んで直接接着して一体化する工程と、前記第1の半導体基板側に複数個に分割された島領域を形成する工程と、一つの前記島領域に横型IGBTを形成する工程と、他の一つの島領域にｐｎ接合分離された複数のウェルを形成する工程と、前記ウェルに低耐圧素子を形成する工程とを備え、前記第1の半導体基板に前記第1の絶縁膜に達する分離溝を形成することにより、前記複数個に分割された前記島領域を形成し、前記分離溝の側壁に第2の絶縁膜を形成し、かつ前記分離溝内部を第1の半導体層により埋め込むことにより、前記横型IGBTと前記低耐圧素子とを誘電体分離し、また、前記横型IGBTが形成される前記島領域においては、前記横型IGBTのドレイン層を形成し、かつ当該ドレイン層を囲み当該ドレイン層と異なる導電型の第2の半導体層を、当該第2の半導体層と前記第1の絶縁膜との間に当該第2の半導体層に接し当該第2の半導体層より低濃度の半導体領域を介在させて形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
 (16)前記複数のウエルを形成する工程は、ウェル形成領域に選択的に不純物を拡散することにより行うものであることを特徴とする請求項12または請求項14記載の半導体装置の製造方法。
 (18)前記分離溝内部の半導体層が多結晶シリコン層であることを特徴とする請求項11または請求項17記載の半導体装置の製造方法。」
　
ｂ）訂正内容における新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　訂正請求に係る特許請求の範囲第１〜７，９〜１２、１６及び１８項における「半導体層」を「第１の半導体層」に変更する訂正は、願書に添付された明細書及び図面に記載された事項の範囲内の訂正であり、かつ特許請求の範囲の減縮に該当する。
　訂正請求に係る特許請求の範囲第１〜４項における「横型IGBTと誘電体分離されていること」を「前記横型IGBTと誘電体分離されており、当該横型IGBTのドレイン層は当該ドレイン層と異なる導電型の第2の半導体層で囲まれており、当該第2の半導体層と前記第1の絶縁膜との間には前記第2の半導体層に接して前記第2の半導体層の不純物濃度より低濃度の基板領域が介在すること」に変更する訂正は、願書に添付された明細書及び図面に記載された事項の範囲内の訂正であり、かつ特許請求の範囲の減縮に該当する。
　　訂正請求に係る特許請求の範囲第５〜７，９〜１０項における「横型IGBTと誘電体分離されていること」を「前記横型IGBTと誘電体分離されており、当該横型IGBTのドレイン層は当該ドレイン層と異なる導電型の第2の半導体層で囲まれており、当該第2の半導体層と前記第1の絶縁膜との間には前記第2の半導体層に接して前記第2の半導体層の不純物濃度より低濃度の半導体領域が介在すること」に変更する訂正は、願書に添付された明細書及び図面に記載された事項の範囲内の訂正であり、かつ特許請求の範囲の減縮に該当する。
　訂正請求に係る特許請求の範囲第１１〜１２、１６及び１８項における「横型IGBTと誘電体分離されていること」を「前記横型IGBTが形成される前記島領域においては、前記横型IGBTのドレイン層を形成し、かつ当該ドレイン層を囲み当該ドレイン層と異なる導電型の第2の半導体層を、当該第2の半導体層と前記第1の絶縁膜との間に当該第2の半導体層に接し当該第2の半導体層より低濃度の半導体領域を介在させて形成すること」に変更する訂正は、願書に添付された明細書及び図面に記載された事項の範囲内の訂正であり、かつ特許請求の範囲の減縮に該当する。
　また、訂正請求に係る特許請求の範囲第１〜７，９〜１２、１６及び１８項における各訂正事項は、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
　ｃ)独立特許要件の判断
〔引用刊行物及び証拠等に記載された発明〕
　当審が通知した取消理由で引用した刊行物１（特開昭６１−５９８５２号公報、特許異議申立人が提出した甲第１号証）の第１図には、鏡面研磨された主面を有するシリコン基板に熱酸化により所定の膜厚の絶縁膜を形成し、同じく鏡面研磨された主面を有する他のシリコン基板を前記シリコン基板の絶縁膜面に密着し接合した後に、他のシリコン基板に、前記絶縁膜に達する分離溝を形成し、分離溝とシリコン基板上に熱酸化により他の絶縁膜を形成し、多結晶シリコンを堆積して分離溝中に埋込み、その後分離された各素子領域中に所定の素子を形成することが記載されている。同刊行物の第２図には、分離された各素子領域のそれぞれにNPNトランジスタ、PNPトランジスタ及びCMOSトランジスタが形成されている。同じく第４図には、分離された各素子領域にはNPNトランジスタやCMOSトランジスタなどの低耐圧素子が形成され、また横方向に分離された素子領域ではあるが２つの基板間の絶縁膜がなく、縦方向の分離が除去されている領域に高耐圧の縦型パワーMOSトランジスタが形成されている。
　同じく取消理由で引用した刊行物２（Power Integrated Circuit-A Brief Overview IEEE TRANSACTION ON ELECTRON DEVICES Vol.ED-33, No.12, pp.1963-1939, Dec.1986、特許異議申立人が提出した甲第２号証）のFig.4には、半導体中の誘電体分離された領域中に、横型IGBTが形成された半導体装置が記載されている。
　同じく取消理由で引用した刊行物３（特公昭５５−４３６２６号公報、特許異議申立人が提出した甲第３号証）の第２図には、エピタキシャル半導体層中の接合分離された各素子領域中に、MOSトランジスタやIIL素子などの低耐圧素子が形成された集積回路装置が記載されている。
〔対比・判断〕
　訂正請求された特許請求の範囲第１〜４項の発明と刊行物１〜３記載の発明とを比較すると、訂正請求された特許請求の範囲第１〜４項における「前記横型IGBTと誘電体分離されており、当該横型IGBTのドレイン層は当該ドレイン層と異なる導電型の第2の半導体層で囲まれており、当該第2の半導体層と前記第1の絶縁膜との間には前記第2の半導体層に接して前記第2の半導体層の不純物濃度より低濃度の基板領域が介在すること」という点が刊行物１〜３には示されていない。
　訂正請求された特許請求の範囲第５〜７及び９〜１０項の発明と刊行物１〜３記載の発明とを比較すると、訂正請求された特許請求の範囲第５〜７及び９〜１０項における「前記横型IGBTと誘電体分離されており、当該横型IGBTのドレイン層は当該ドレイン層と異なる導電型の第2の半導体層で囲まれており、当該第2の半導体層と前記第1の絶縁膜との間には前記第2の半導体層に接して前記第2の半導体層の不純物濃度より低濃度の半導体領域が介在すること」という点が刊行物１〜３には示されていない。
　また、訂正請求された特許請求の範囲第１１〜１２、１６及び１８項
　の発明と刊行物１〜３記載の発明とを比較すると、訂正請求された特許請求の範囲第１１〜１２、１６及び１８項における「前記横型IGBTが形成される前記島領域においては、前記横型IGBTのドレイン層を形成し、かつ当該ドレイン層を囲み当該ドレイン層と異なる導電型の第2の半導体層を、当該第2の半導体層と前記第1の絶縁膜との間に当該第2の半導体層に接し当該第2の半導体層より低濃度の半導体領域を介在させて形成すること」という点が刊行物１〜３には示されていない。
　そして、訂正請求された特許請求の範囲第１〜４項と、訂正請求された特許請求の範囲第５〜７及び９〜１０項と、訂正請求された特許請求の範囲第１１〜１２、１６及び１８項の各発明は、上記のような各点により、横型IGBTの垂直方向耐圧特性を高めることができ、そのことによって、従来（例えば刊行物１の第４図に示されている例）のように、分離領域の１つに高耐圧素子を形成するために、２つの基板間の絶縁膜を除去する必要をなくし、第１の絶縁膜（２つの基板間の絶縁膜）と第２の絶縁膜（分離溝の側面の絶縁膜）とで分離された各素子領域に低耐圧素子と高耐圧素子である横型IGBTとを一緒に形成することができるという、格別の作用効果を奏することが認められる。
　したがって、訂正請求された特許請求の範囲第１〜７，９〜１２、１６及び１８項の発明は、刊行物１〜３記載の発明から当業者が容易に想到し得たものとすることはできないので、出願の際独立して特許を受けることができない発明であるとすることはできない。
ｄ)本項のむすび
　以上のとおりであるから、上記訂正請求は、特許法等の一部を改正する法律（平成6年法律第116号）附則第6条第1項の規定によりなお従前の例によるとされる、改正前の第126条第2〜3項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
３，特許異議の申立てについての判断
　ａ)申立ての理由の概要
　特許異議申立人は、甲第１〜３号証を提出し、本件特許請求の範囲第１〜７，９〜１２、１６及び１８項の発明は特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであるから特許を取り消すべき旨主張している。
　ｂ)対比・判断
　申立人が提出した各刊行物の記載内容は上記２、―C)の〔引用刊行物及び証拠等に記載された発明〕で述べたとおりであり、また、本件特許の特許請求の範囲第１〜７，９〜１２、１６及び１８項の発明がかかる刊行物の記載内容から当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできないことは、上記２，−C)の〔対比・判断〕で述べたとおりである。
　ｃ)本項のむすび
　したがって、申立人が提出した刊行物によっては、本件特許の特許請求の範囲第１〜７，９〜１２、１６及び１８項の発明を特許法第29条第2項の規定に違反してなされたものであるとすることはできない。
４，むすび
　以上のとおりであるから、異議申立人が主張する理由及び証拠などによっても、本件特許の特許請求の範囲第１〜７，９〜１２、１６及び１８項の発明の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件特許の特許請求の範囲第１〜７，９〜１２、１６及び１８項の発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年４月１１日（２０００．４．１１）