【事件の表示】
　特許第２８７４５８４号「プラズマ処理方法」の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第２８７４５８４号の特許を維持する。
【理　由】
I．手続の経緯・本件発明
　
本件特許第２８７４５８４号に係る出願は、昭和６２年１０月１４日に出願された特願昭６２−２５７２００号の一部を特許法第４４条第１項の規定により、平成７年３月１５日に、特願平７−５５４１０号として新たに特許出願されたものであって、平成１１年１月１４日に特許の設定の登録（発明の数：１）がなされたところ、その発明の特許に対し、安藤純男（以下、「申立人」という。）より特許異議の申立てがなされたものである。
そして、本件特許発明の要旨は、願書に添付した明細書（以下、「特許明細書」という。）及び図面の記載からみて、特許請求の範囲の第１項に記載された次のとおりのものと認める。
「１．被エッチング材と反応する成分および堆積膜を形成する成分を有するとともに臨界電位を有するエッチング処理ガスを減圧下でプラズマ化する工程と、前記被エッチング材が配置される電極に交流電圧波形にイオンが十分に追従する周波数２ＭＨｚ以下の高周波電圧を印加し、前記高周波電圧の出力電圧を前記臨界電位をはさんで変化させる工程とを有し、前記被エッチング材に対しエッチングと膜形成とを交互に繰り返えしながら高アスペクト比のエッチングを行なうことを特徴とするプラズマ処理方法。」
（以下、特許請求の範囲第１項に係る発明を「本件発明」という。なお、特許請求の範囲第２項は、同第１項に係る発明の実施態様項である。）
　
II．特許異議申立ての理由の概要
　
　申立人は、下記の甲第１〜４号証及び参考資料１を提出して、本件発明は、甲第１〜４号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件発明の特許は特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであり、取り消されるべきである旨主張している。
記
　甲第１号証：特開昭６２−１４４２９号公報
　甲第２号証：特開昭６２−１５４７３０号公報
　甲第３号証：特開昭５７−１３１３７４号公報
  甲第４号証：米国特許第４,５８５,５１６号明細書
　
III．本件発明と甲第１〜４号証に記載の発明との対比
　
１．本件発明の特徴点
　本件発明は、「高周波電圧の出力電圧を前記臨界電位をはさんで変化させる工程」を構成要件として備えることにより、「処理ガスの切り替えを行なうことなく、エッチング工程と成膜工程とを交互に行ない、また、試料表面に引き込まれた電子によって中和することができ、絶縁材を有した試料であっても試料に電荷を蓄積することなく、微細パターンでかつ高アスペクト比のエッチングを行なうことができる。」（特許明細書【０００９】）という効果を奏するものである。
２．甲第１〜４号証、参考資料の記載事項
　以下では、甲第１〜４号証につき、上記本発明の構成である「高周波電圧の出力電圧を前記臨界電位をはさんで変化させる工程」に関連する事項に特に着目してその記載事項を摘記する。
（１）甲第１号証
（1-1）「試料台６に外部から高周波印加電源１１によりマッチング回路２１を経て高周波電圧を加えると、試料５の表面に高周波が発生する。マイクロ波放電は原理的に無極放電であるため、プラズマと試料との間に電位差を大きく与えるためには、上記のように試料台６だけに高周波電圧を与えただけでは、自己バイアス…（中略）…が発生するだけであるため、プラズマ中のどこかに一定電位を保つ電極を設ける必要がある。」（第３頁左上欄第１９行〜同頁右上欄第８行）
（1-2）「上記のエッチング反応から、Ｃｌ系ガスを用いたエッチングにおいては試料表面に入射するイオンのエネルギを高くすることが、Ｓｉ、Ｐｏｌｙ一Ｓｉ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｔｉ、シリサイドのエッチングに有効となる。また、Ｆ系ガスとＣｌ系ガスとの混合ガス（例えばＳＦ６とＣＣｌ４、Ｃ２ＣｌＦ５、Ｃ２Ｃｌ２Ｆ４、Ｃ２Ｃｌ３Ｆ３、Ｃ２Ｃｌ４Ｆ２ 、Ｃ２Ｃｌ５Ｆ）などを用いたときは、ＷやＷシリサイドなどでも有効になる。」（第３頁左下欄第１３行〜同頁右下欄第１行）
（1-3）「イオンのエネルギを高くするために印加する高周波電圧は、高周波のピーク電圧（ＶＰＰ）と高周波印加によって新たに発生したプラズマと試料間の平均的な電位差（自己バイアス：ＶＤＣ）とがあり、これらの値でイオンのエネルギが表現できる。すなわち、ＶＤＣは試料に入射するイオンの平均的な加速電圧を意味している。一方、ＶＰＰは高周波電圧の周波数とＶＤＣとによって周期的にイオンに与える加速電圧としての効果が変化するので、この状態を第２図を用いて説明する。第２図においては、簡単のためにＶＤＣが０Ｖとなるときの試料台６の高周波電圧波形を示した。この場合、マイナス電位になる点描部分１４の時間帯だけが、イオンが加速される領域であり、最大加速電圧は１／２Ｖｐｐである。」（第３頁右下欄第１〜１５行）
（1-4）「第２図のプラス電位の時間帯ではイオンが加速されず試料に入射できない状態になり、エッチングされにくくなるか、もしくは、ガス種によっては試料表面にデポジションが起ることも考えられる。…（中略）…したがって第２図のような高周波電圧が印加されているときは、エッチングとデポジションが周期的に繰り返される。これはいわゆる周期的エッチング方式（ガスチョッピング方式）に類似したものといえる。」（第４頁左上欄第３〜１４行）
（1-5）「マイクロ波プラズマエッチング装置でも、試料面積に較べてある程度以上の面積を有するアース電極である固定電位付与電極を設けると、試料に高周波電圧を印加したとき、第３図に示すようにＶＤＣが大きくなる。…（中略）…このように有効面積が大きい場合も第２図と同じくマイナス電位になる点描領域１４ ’でイオンが加速されることになるが、第２図のＶＤＣ＝０の場合よりイオンが加速される時間帯が長くなると同時に、同じＶＰＰの場合には加速電界が強く働くことになる。したがってデボジションよりもエッチングが支配的になる。上記理由からエッチング反応を速やかにするためには、試料の損傷が許される範囲内において、高周波バイアスＶＰＰが大きく、自己バイアスＶＤＣが大きい程よいことになる。しかし、この場合、試料材質に関係なくエッチング速度が大きくなるので、材料間のエッチング速度比を大きくすることができず、選択性が悪いエッチングになってしまう。」（第４頁左上欄第１６行〜同頁左下欄第７行）
（1-6）「本発明によるエッチング方式は、選択性を低下させないために、…（中略）…高周波バイアスを印加する技術を見出したものであり、上記ＶＰＰを高く、ＶＤＣを比較的低くさせる方法である。すなわち、第２図に示した高周波電位波形に近い結果が得られる印加方法である。このような電位波形を得るには、通常の場合とは逆に、高周波電力のマッチング回路２１をオフ・マッチング状態にしてＶＤＣが下がるようにするか、あるいはマッチング状態であったとしても、プラズマ中に設けた固定電位付与電極（アース電極）１０の面積を小さくすることにより簡単に実現できる。上記マッチング回路２１は、通常コンデンサＣと抵抗Ｒとの組合わせ回路で、プラズマ発生によって生じた電気的な負荷に合わせるように調整できる回路である。したがってＣおよびＲが向変できる回路になっているものが多い。オフ・マッチング状態とは、上記ＣおよびＲの値を変化させ、高周波電力の入力効率を下げることである。」（第４頁左下欄第７行〜同頁右下欄第６行）
（1-7）試料に入射するイオンの平均的な加速電圧ＶＤＣが「ＶＤＣ＝０」で高周波のピーク電圧がＶＰＰである電位波形の高周波電圧を印加したとき、マイナス電位になる点描部分１４の時間帯がイオン加速領域であることを示す図（第２図）
（1-8）試料に入射するイオンの平均的な加速電圧ＶＤＣが「ＶＤＣ＜０」で、高周波のピーク電圧がＶＰＰである電位波形の高周波電圧を印加したとき、マイナス電位になる点描部分１４’の時間帯がイオン加速領域であることを示す図（第３図）
（２）甲第２号証
（2-1）「上記装置は、予め真空排気した真空処理容器４の中に、ガス導入部２よりエッチングガスを所定圧で導入しながら、…（中略）…プラズマを形成することができる。…（中略）…ここでは、ウエハ上に配線形成材料として被着形成されたポリシリコン層のエッチングを例に説明する。エッチングガスは、六フッ化イオウ：ＳＦ６とトリクロロトリフロロエタン：Ｃ２Ｃｌ３Ｆ３（商品名：フロン−１１３）とを成分とする混合物である。」（第３頁左上欄第２行〜同頁右上欄第３行）
（2-2）「第１図では、上記両成分について同一のプラズマ形成条件下でＤＣバイアスを変化させた場合に認められる現象の概略が示してある。第１図のグラフは、縦軸の上方にエッチング速度を、下方に堆積速度をとり横軸にＤＣバイアスをとる。上記グラフより明らかなように、ＳＦ６ はＤＣバイアスの大小にかかわらず常にエッチング現象を呈し、ＤＣバイアスが大になるほどエッチング速度も大きくなる。一方、Ｃ２Ｃｌ３Ｆ３はＤＣバイアスが小さい範囲では堆積現象を、大きい範囲ではエッチング現象をそれぞれ呈し、その丁度境界に堆積もエッチングも生じない臨界電位（Ｖ０）を有している。これは、プラズマを形成した場合には、堆積とエッチングの両現象が併発しており、上記臨界電位より小さいＤＣバイアスの場合は堆積現象が優位に作用し、ＤＣバイアスの増大に従いプラズマ中のイオンが次第に加速され、エッチング作用が優位になり、臨界電位では堆積とエッチングとがつり合った状態が形成されていることを示している。」（第３頁右上欄第３行〜同頁左下欄第２行）
（2-3）「本実施例においては、前記混合エッチングガスを用い、ＤＣバイアスを臨界電位より低い値に制御し、ポリシリコンのエッチングを行うものである。このようにすることにより、ＳＦ６にはエッチングを、Ｃ２Ｃｌ３Ｆ３には堆積をそれぞれ行わせることができるものである。そして、この両者の調和を図ることにより、エッチングにより生じるパターン側面には、上記堆積による保護膜を形成することができるため、フリーラジカルによるいわゆるサイドエッチングを防止しながら反応性イオンによる寸法精度の高い異方性エッチングを達成することができるものである。」（第３頁左下欄第３〜１４行）
（2-4）「（効果）(1)…（中略）…真空処理室内に、少なくとも一成分は所定のプラズマ形成条件において臨界電位を有するエッチングガスを導入し、少なくとも一成分の臨界電位より低い値のＤＣバイアスを印加してエッチングを行うことにより、印加するＤＣバイアスより臨界電位が高い成分を堆積させ、保護膜を形成することができると同時に、上記ＤＣバイアスより臨界電位が低い成分又は堆積を起こさない成分によりエッチングを行わせることができるため、エッチングにより形成される垂直側面を上記保護膜で保護しながら加速イオンでエッチングを行うことができる。」（第３頁左下欄第１５行〜同頁右下欄第９行）
（３）甲第３号証
（3-1）アノードカップル対向電極型プラズマエッチング装置によってエッチングを行なうに際して、高周波電源として５００ＫＨｚ程度の低い周波数のものを用いてプラズマを発生させると、イオンが電界の変化に追従して動くため、方向性のエッチングが行えること（第１頁右下欄第１７行〜第２頁左上欄第７行参照）
（3-2）「本発明のプラズマエッチング装置は、アノード電極と、被エッチング物を載置するカソード電極を対向配置し、ガス放電によるプラズマを発生させかつ上記カソード電極側にイオンを加速させるための高周波電源として、一つは高い周波数（例えば１３．５６ＭＨｚ）もう一方は低い周波数（例えば５００ｋＨｚ）の高周波を発生する２つの高周波電源を設け、上記高い周波数の高周波電源をアノード電極に接続し、上記低い周波数の高周波電源を上記カソード電極またはアノード電極に接続して構成した。」（第２頁右上欄第１〜１１行）
（４）甲第４号証
（4-1）「同様に、電源２４は１００ＫＨｚの周波数で信号を送り、電源２４はモジュレータ２５とマッチングネットワーク２３を介してウエハチャック１５に結合されている。コントロール手段２７は電気的にモジュレータ２２と２５の作用を制御するためにモジュレータ２２と２５のそれぞれと接続されている。特に、コントロール手段２７は、電源２１と２４から信号の振幅を変調するための適当な信号を発生させる。」（第２欄４２〜４９行）
（4-2）「処理される物品を受け入れるための空間を画定する第１、第２及び第３の電極と、高周波信号電源と、低周波信号電源と、高周波信号電源を一つの電極に低周波信号電源を他の電極に選択的に接続する手段（該手段は、それらの信号の少なくとも一つが１００％未満の衝撃係数（duty cylce）を有するようにそれらの信号の振幅を変調するための制御手段を含む）とからなるプラズマ反応装置」（第４欄３１〜４２行）
（５）参考資料
  プラズマエッチング方法において、イオンが追従できる周波数の交流を印加しすることによって、制御されたエネルギーのイオンを基板に到着させることができること（特許請求の範囲第１項、第６頁左上欄第７行〜同頁右上欄第２行参照）
３．対比・判断
（１）甲第１〜４号証に記載の発明との対比
（１−１）甲第１号証
　前記「III．2(1)（1-6）」に摘記したところによると、甲第１号証には、高周波のピーク電圧（ＶＰＰ）を高く、自己バイアス（ＶＤＣ）を比較的低くさせて行うことについては記載があるが、具体的な方法として示されている第２図及び第３図のものは、いずれも高周波の波形は時間的に一定であり、出力電圧（波の山が示す電圧値）も一定である。
　従って、甲第１号証には、高周波の出力電圧を変化させることについては記載及び示唆がないから、甲第１号証は、「高周波電圧の出力電圧を前記臨界電位をはさんで変化させる」という本件発明の構成要件については何らの知見も与えない。
（１−２）甲第２号証
  前記「III．2(2)（2-3）に摘記したところによると、甲第２号証には、ＤＣバイアスを臨界電位より低い値に制御すること及びエッチング作用と堆積との調和を図ることにより寸法精度の高い異方性エッチングを達成することができることについての記載があるのみで、「高周波電圧の出力電圧を前記臨界電位をはさんで変化させる」という本件発明の構成要件については示唆するところがない。
（１−３）甲第３、４号証
  甲第３号証及び甲第４号証には５００ＫＨｚ又は１００ＫＨｚの低い周波数の高周波電源を用いてプラズマエッチングを行うことが記載され、甲第４号証には高周波信号の振幅を変調して適当な信号を発生させることについての記載があるが、甲第２号証及び甲第３号証のいずれも、「高周波電圧の出力電圧を前記臨界電位をはさんで変化させる」という本件発明の構成要件については示唆するところがない。
（１−４）甲第１〜４号証記載の発明を組み合わせる点について
　上記したように、甲第１〜４号証のいずれにも、「高周波電圧の出力電圧を前記臨界電位をはさんで変化させる」点については記載及び示唆がないのであるから、当業者が甲第１〜４号証の記載を相互に勘案しても、本件発明の前記構成要件についての知見を得ることができたとすることはできない。
　また、参考資料１には、イオンが追従できる周波数の交流を印加して、制御されたエネルギーのイオンを基板に到着させることができることが記載されている（特許請求の範囲第１項、第６頁左上欄第７行〜同頁右上欄第２行参照）のみであり、「高周波電圧の出力電圧を前記臨界電位をはさんで変化させる」という本件発明の構成要件については何ら示唆するところがないから、参考資料１を勘案しても、上記の認定は変わらない。
（２）まとめ
　上記のとおりであるから、本件発明は、甲第１〜４号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
　
IV．むすび
　
以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠方法によっては本件発明に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年２月１４日（２０００．２．１４）