【事件の表示】
　特許第２６８９４１９号「イオンドーピング装置」の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結論】
　訂正を認める。
　特許第２６８９４１９号の特許を維持する。
【理由】
〔１〕手続きの経緯
　本件特許第２６８９４１９号（以下「本件特許」という。）は、昭和６１年１２月１９日の出願であって、平成９年８月２９日に特許権の設定登録がなされ、その後、小山琴子により、特許異議の申立てがなされた。そして、当審において取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１１年２月２日に訂正請求がなされ、さらにその後、再度取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１１年７月２６日に再度訂正請求がなされたものである。
〔２〕訂正の適否についての判断
（１）訂正の内容
　平成１１年７月２６日付け訂正請求の要旨は、以下のとおりのものである。
▲１▼請求項１の「第１の導電性多孔板或いは導電性網」を「放電用の第１の導電性多孔板或いは導電性網」と訂正する。
▲２▼請求項１の「第２の導電性多孔板或いは導電性網」を「加速用の第２の導電性多孔板或いは導電性網」と訂正する。
▲３▼請求項１の「基板台を平行に設け」を、「基板台の順番で平行に設け」と訂正する。
▲４▼「前記導電性多孔板或いは導電性網に１ｋＶ以上の直流電圧を印加する」を「前記第１の導電性多孔板或いは導電性網を基準電位とした場合に第２の導電性多孔板あるいは導電性網が負の電位になるように前記第１及び第２の導電性多孔板或いは導電性網の間に１ｋＶ以上の直流電圧を印加する」と訂正する。
（２）訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　上記訂正事項▲１▼は、第１の導電性多孔板或いは導電性網をさらに限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当し、また、この訂正事項は、特許掲載公報第３頁第５欄第８〜９行の「放電用の高周波電極と加速用の導電性多孔板或いは導電性網を分離している」なる記載に基づくものであり、願書に添付した明細書に記載した事項の範囲内のものである。しかも、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
　上記訂正事項▲２▼は、第２の導電性多孔板或いは導電性網をさらに限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当し、また、この訂正事項は、特許掲載公報第３頁第５欄第８〜９行の「放電用の高周波電極と加速用の導電性多孔板或いは導電性網を分離している」なる記載に基づくものであり、願書に添付した明細書に記載した事項の範囲内のものである。しかも、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
　上記訂正事項▲３▼は、高周波電極、第１の導電性多孔板或いは導電性網、第２の導電性多孔板或いは導電性網及び基板台の配置の順番をさらに限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当し、また、この訂正事項は、特許掲載公報の第１図の記載に基づくものであり、願書に添付した明細書に記載した事項の範囲内のものである。しかも、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
　上記訂正事項▲４▼は、第１及び第２の導電性多孔板或いは導電性網のどちら側に直流電圧を印加し、どちら側を接地するのかを明りょうにしたものであり、明りょうでない記載の釈明を目的とするものに該当し、また、この訂正事項は特許掲載公報第３頁第５欄第３１、３２行の「他方の第１の導電性網３４は接地して真空槽Ｃ内に高周波電力の供給を行う。」及び同第３頁第５欄第４４〜４８行の「前記第２の導電性網３６は直流高電圧電源４０に電気的に接続され、ＩＫＶ以上の電圧を印加することにより、放電により生じた真空槽Ｃ内の荷電粒子を半導体基板等の試料４１の置かれた基板台３７へ押し出し加速を行う。」の記載に基づくものであり、願書に添付した明細書に記載した事項の範囲内のものである。しかも、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
（３）独立特許要件
　訂正明細書の請求項１に係る発明は、特許出願の際独立して特許を受けることができるものである（以下の〔３〕特許異議申立てについてを参照のこと）。
（４）以上のとおりであるから、本件訂正は特許法第１２０条の４第２項ただし書各号に該当し、さらに同条第３項の規定により準用する同法第１２６条第２項乃至第４項の規定にも適合するものであると認められるので、これを認めることとする。
〔３〕特許異議申立てについて
（１）本件発明
　訂正明細書の請求項１に係る発明（以下、「本件発明」という。）は、訂正明細書の請求項１に記載された以下のとおりのものと認める。
「請求項１
　ガス導入管及びガス排出管に接続された真空槽に、高周波電極、放電用の第１の導電性多孔板或いは導電性網、加速用の第２の導電性多孔板或いは導電性網、基板台の順番で平行に設け、前記真空槽の外側に磁場を発生させる磁場発生源を設け、前記第１の導電性多孔板或いは導電性網を基準電位とした場合に第２の導電性多孔板あるいは導電性網が負の電位になるように前記第１及び第２の導電性多孔板或いは導電性網の間に１ｋＶ以上の直流電圧を印加することを特徴とするイオンドーピング装置。」
（２）申立ての理由の概要
　特許異議申立人小山琴子は、「本件特許発明は、甲第１号証ないし甲第３号証に記載された発明に基づいてその発明の属する技術分野における通常の知識を有するものが容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。従って、本件特許発明は、特許法第１１３条第１１３条第１項第２号の規定により取り消すべきものである。
　更に、本件明細書の発明の詳細な説明の記載に不備があり、本件特許は、特許法第３６条第３項および第４項（昭和６０年改正法）に規定する要件を満たしていない特許出願に対してなされたことから、特許法第１１３条第１項第４号の規定により取り消すべきものである。」と主張し、以下の証拠方法を提出している。
　甲第１号証：特開昭５８−１００４３０号公報
　甲第２号証：特開昭５９−１３９６２９号公報
　甲第３号証：特開昭５５−１４１７２９号公報
（３）甲号証記載の発明
　上記甲第１号証には、プラズマ処理装置に関し以下の事項が記載されている。
▲１▼「基板は図示せざる加熱手段により３００〜４００℃程度に加熱された、基板上にシリコン窒化膜（Ｓｉ３Ｎ４）がデポジションされる。」（第２頁左上欄第２〜５行）
▲２▼「第２図は、本発明を薄膜の微細パターンエッチング用のプラズマエッチング処理として適用した実施例を示したものである。このプラズマエッチング処理装置は、反応容器１Ｂに一定圧となるようエッチガス２Ｂが導入され、排気装置３Ｂを用いてガス排気される。高周波電源６Ｂに接続された上部電極４Ｂと接地電極５Ｂの間には、２本のメッシュ電極９及び１０が設置され、メッシュ電極９は高周波電源６Ｂに接続され、一方の平行平板電極４Ｂとの間でプラズマ放電８Ｂが形成される。又他のメッシュ電極１０は、高周波フィルター１１、電流計１２を介して直流電源１３に接続される。試料７Ｂは平行平板電極５Ｂ上に載荷される。
　この構成によれば発生されるプラズマは平行平板電極４Ｂとメッシュ電極９との間に局在しており、試料７Ｂは直接プラズマにさらされることはない。又メッシュ電極１０には負のバイアスが印加される。それゆえプラズマ８Ｂ中の電子がメッシュ電極１０を透過して、電極５Ｂ上の試料７Ｂに到達する数は、第１図で示した従来装置よりも少なくなる。」（第２頁右上欄第１４〜同左下欄第１５行）
　上記甲第２号証には、プラズマドライ処理装置に関し以下の事項が記載されている。
▲１▼「実施例では電極１２と１３の間に第３の電極としてメッシュ電極２５を設け、高周波電源を接続された電極１３とメッシュ電極２５との間に高周波放電を生じさせ、形成されたプラズマに電極１２、１３の外側に配置した永久磁石１９で電界と直交する方向の磁界を作用させるものである。メッシュ電極２５は正または負の直流または交流を通電するが、通常では接地している。
　本実施例によれば、形成されたプラズマ中の電子は電界と磁界の作用によりサイクロイド運動をしてエッチングガスの解離効率を向上せしめ、」（第３頁左下欄第８〜１８行）
▲２▼「以上の実施例においてはドライエッチングを行なう処理装置として構成した例であるが、反応ガス、反応条件を変更すれば、試料基板上にシリコン、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、モリブデン、モリブデンシリサイド等の各種の薄膜を高速にデポジションする装置にも適用することができる。」（第３頁右下欄第９〜１５行参照）
　甲第３号証には、イオンシヤワ装置に関して以下の事項が記載されている。
▲１▼「１５は電子サイクロトロン共鳴を引起すに必要な磁場発生用の磁気コイルである。」（第３頁左上欄第１４〜１６行）
▲２▼「イオン引出し用電極５は、例えば直径１００ｍｍの領域に直径３ｍｍの穴を多数あけた３枚の金属板５Ａ、５Ｂ、５Ｃからなり、イオンシャワ径は１００ｍｍφとなるものとする。イオンシャワ径の増大の要求に対しては、電極板５Ａ〜５Ｃのみを交換することにより容易に１５０ｍｍφ以上に変えることができる。電極板５Ａ〜５Ｃから引き出されたシャワ状イオンビームは試料室６内に設けられた試料台７およびその上に載置された試料８の表面に照射される。試料室６は排気系１２に接続されている。」（第３頁右上欄第１４行〜同左下欄第３行）
▲３▼「イオン引出し電極５は従来と同様に構成し、その３枚の電極板５Ａ〜５Ｃのうち、最も上の電極板５Ａはプラズマ発生室１と同電位であり、接地電位に対して０〜＋２ｋＶの正電位が印加されるようにする。最も下の電極板５Ｃは接地電位であり、試料室６と同電位とする。中間の電極板５Ｂは接地電位に対して０〜−３００Ｖの負電位が印加されるようにして、シャワ状イオンビームの平行性を改善し、試料室側からの電子の流入を防止するようにする。ここで、イオンは最も上の電極板５Ａと最も下の電極板５Ｃとの間に印加された０〜２ｋＶの電圧によって、プラズマ発生室１から引出され加速されて、シャワ状イオンビームとなって試料８を照射する。」（第３頁左下欄第６〜１８行）
▲４▼「導入ガスとして、アルゴンガスおよびフレオンガス（ＣＦ４およびＣ２Ｆ６）を用いた場合、プラズマ発生室１内のガス圧が８×１０−５Ｔｏｒｒ以上のとき放電が可能であり、安定にプラズマが発生した。このときの試料室６内のガス圧は３×１０−５Ｔｏｒｒであり、従来のイオンシャワ装置に比較して、より広いガス圧領域で安定なプラズマが得られた。また、イオンシャワの特性としては、プラズマ発生室１内のガス圧を５×１０−４Ｔｏｒｒ、マイクロ波電力を４００Ｗに設定し、イオン引出し電極に１．５ｋＶの電圧を印加したとき、イオン電流はアルゴンガスで８０ｍＡ以上、フレオンガスで１００ｍＡ以上の値が得られた。さらに、このときのイオンシャワの強度分布はシャワ径（１００ｍｍφ）の範囲内で±５％以下であり、良好な均一性が得られた。」（第３頁右下欄第２〜１６行）
▲５▼「本発明イオンシャワ装置は上述した微細パターンエッチング装置のみならず、イオンシャワによる付着効果を利用した膜形成装置の構成にも適用して極めて有効なものである。」（第４頁右下欄１７〜２０行）
（４）対比・判断
　そこで、訂正明細書の請求項１に係る発明（以下「本件発明」という。）と上記甲号証１乃至３に記載の発明とを対比する。
　本件発明の構成要件である「第１の導電性多孔板或いは導電性網を基準電位とした場合に第２の導電性多孔板あるいは導電性網が負の電位になるように第１及び第２の導電性多孔板或いは導電性網の間に１ｋＶ以上の直流電圧を印加する」に関しては、上記甲第１号証乃至３のいずれにも記載も示唆もされていない。
　本件発明は、上記構成により、「放電の全面に渡って均一に電圧が印加され、一様なプラズマから極めて一様な電荷粒子ビームを半導体基板等の試料に対して照射することが可能となる。これにより大面積の試料に極めて一様な不純物のドーピング或いはプラズマ処理等を簡素な構造で行うことが可能となる。」という格別の効果を奏するものと認められる。
　したがって、本件発明は、上記構成を有さない甲第１号証乃至甲第号証に記載の発明を組み合わせても当業者が容易になし得たものとすることはできない。
（５）記載不備に関する検討
　異議申立人は、本件明細書は、以下の点で記載不備があると主張している。
▲１▼発明の詳細な説明の作用の項に「１　ｋｅＶ以上に荷電粒子を加速する」なる記載があるが、発明の詳細な説明に記載された内容では、イオンのような荷電粒子を１　ｋｅＶ以上のエネルギーに加速して試料に入射させることはできない。したがって、本件特許発明の目的効果を達成するための技術的手段に関する記載内容が不明瞭である。
▲２▼特許請求の範囲の請求項１の記載では、高周波電極、第１の導電性多孔板あるいは導電性網、第２の導電性多孔板あるいは導電性網および基板台が相互にどのような順序で、しかもどのように真空槽に設けられているのかが不明瞭である。
▲３▼特許請求の範囲の請求項１の記載では、プラズマを発生させるための構成が不明瞭である。
▲４▼特許請求の範囲の請求項１の「導電性多孔板或いは導電性網に１ｋＶ以上の直流電圧を印加する」なる記載があるが、その記載内容が不明瞭である。
▲５▼特許請求の範囲の請求項１の「真空槽の外側に磁場を発生させる磁場発生源を設け」なる記載があるが、その記載内容が不明瞭である。
　そこで、上記事項について検討する。
（イ）▲１▼に関して
　特許明細書には、「前記第２の導電性網３６と基板台３７との電位差に応じた運動エネルギーを得た荷電粒子ビーム４４は、基板台３７上の半導体基板等の試料に照射し、試料４１に対して極めて一様な不純物のドーピング或いはプラズマ処理を行う。」（第３頁第６欄第３〜７行）なる記載はあるが、荷電粒子を１ｋｅＶ以上のエネルギーに加速した状態で試料に入射させる旨の記載はない。したがって、異議申立人の主張は、明細書の記載に基づかない主張であり、採用できない。
（ロ）▲２▼に関して
　訂正後の特許請求の範囲の記載において、高周波電極、第１の導電性多孔板あるいは導電性網、第２の導電性多孔板あるいは導電性網および基板台が相互にどのような順序で、しかもどのように真空槽に設けられているのかが明瞭となったので、▲２▼に関する記載不備は解消された。
（ハ）▲３▼に関して
　特許明細書の発明の詳細な説明の実施例の項には、「容量結合型高周波グロー放電用電極３１の一方はマッチングボックス３２を介して高周波発振器３３と接続し、」（第３頁第５欄第２９〜３１行）なる記載があり、プラズマを発生させるための構成が明瞭に記載されている。そして、プラズマを発生させる構成は、本件発明の必須の構成要件であるとは認められないので、異議申立人の主張は採用できない。
（ニ）▲４▼に関して
　訂正後の特許請求の範囲の「前記第１の導電性多孔板或いは導電性網を基準電位とした場合に第２の導電性多孔板あるいは導電性網が負の電位になるように前記第１及び第２の導電性多孔板或いは導電性網の間に１ｋＶ以上の直流電圧を印加する」なる記載より、どこに直流電圧を印加するか及び印加する直流電圧の極性は何かも明瞭となり、▲４▼に関する記載不備は解消された。
（ホ）▲５▼に関して
　特許明細書の発明の詳細な説明の実施例の項には、「真空槽Ｃの外部に配した電磁石３５により印加される磁場によって電子の旋回運動（サイクロトロン運動）の励起と閉じ込めを行う」（第３頁第５欄第３２〜第３５行）なる記載があり、磁場発生源がどのような磁場を発生させるのかが明瞭に記載されている。そして、この構成は本件発明の必須の構成要件であるとは認められないので、異議申立人の主張は採用できない。
　したがって、本件発明は特許法第３６条第３項及び第４項に規定する要件を満たしているものである。
〔４〕まとめ
　以上のとおりであるから、本件の特許異議申立ての理由及び証拠方法によっては本件発明の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よっての結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１１年８月３１日（１９９９．８．３１）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
▲１▼請求項１の「第１の導電性多孔板或いは導電性網」を「放電用の第１の導電性多孔板或いは導電性網」と訂正する。
▲２▼請求項１の「第２の導電性多孔板或いは導電性網」を「加速用の第２の導電性多孔板或いは導電性網」と訂正する。
▲３▼請求項１の「基板台を平行に設け」を、「基板台の順番で平行に設け」と訂正する。
▲４▼「前記導電性多孔板或いは導電性網に１ｋＶ以上の直流電圧を印加する」を「前記第１の導電性多孔板或いは導電性網を基準電位とした場合に第２の導電性多孔板あるいは導電性網が負の電位になるように前記第１及び第２の導電性多孔板或いは導電性網の間に１ｋＶ以上の直流電圧を印加する」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
イオンドーピング装置
（５７）【特許請求の範囲】
（１）ガス導入管及びガス排出管に接続された真空槽に、高周波電極、
放電用の
加速用の
の順番で
を
前記第１の導電性多孔板或いは導電性網を基準電位とした場合に第２の導電性多孔板あるいは導電性網が負の電位になるように
第１及び第２
の間に
（２）第２の導電性多孔板或は導電性網と基板台とを平行を保ち、平行な方向に前記第２の導電性多孔板或は導電性網もしくは前記基板台のいずれかを往復運動させることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のイオンドーピング装置。
（３）基板台を加熱する加熱源を設けてなることを特徴とする特許請求の範囲第１又は２項記載のイオンドーピング装置。
（４）高周波電極の放電により生じる荷電粒子にさらされる側に、絶縁性の表面被覆を設けることを特徴とする特許請求の範囲第１、２又は３項記載のイオンドーピング装置。
（５）第１の導電性多孔板或は導電性網、第２の導電性多孔板或は導電性網に絶縁性の表面被覆を設けることを特徴とする特許請求の範囲第１〜４項のいずれかに記載のイオンドーピング装置。
（６）真空槽をゲートバルブを介して第２の真空槽或は第２プラズマ処理装置と接続し、基板台を第２の真空槽或は第２プラズマ処畑装置間を搬送させることを特徴とする特許請求の範囲第１〜５項記載のイオンドーピング装置。
【発明の詳細な説明】
　産業上の利用分野
　本発明は、半導体工業における半導体素子製造等に用いるプラズマ処理装置に関するものであり、特に大面積の半導体素子や半導体薄膜等への不純物注入、大面積の半導体薄膜形成等に用いるイオンドーピング装置に関するものである。
　従来の技術
　半導体薄膜等に不純物をイオンの形で所望の量及び深さに注入してドーピング等の処理を行う方法としては、（１）：イオン源として直流グロー放電を用い、質量分離部を有さすイオン加速部を経てイオンを半導体基板等に注入する簡易型イオン注入装置［第２図，Ｊ．Ｃ．Ｍｕｌｌｅｒ，ｅｔ　ａｌ．：Ｐｒｏｃ．Ｅｕｒｏｐｅａｎ　Ｐｈｏｔｏｖｏｌｔａｉｃ　Ｓｏｌａｒ　Ｅｎｅｒｇｙ　Ｃｏｎｆ．（プロシーディング　ヨーロピアン　フォトボルティック　ソーラー　エナジー　コンファレンス）（Ｌｅｘｅｍｂｅｒｇ）Ｓｅｐｔ．１９７７，ｐ８９７−９０９］を用いる方法や、（２）：インオン源として絶縁性筒状管内に高周波と静磁場を重畳させて発生するプラズマを用い、質量分離部を有さずイオンを注入、ドーピングを行うイオンドープ装置［第３図］、（３）：基板室内に容量結合型高周波電極をもうけて高周波グロー放電による化学的気相反応を起こすプラズマＣＶＤ装置の高周波電極に直流電圧を印加させる方法［第４図］などがある。第２，３，４図において、１は放電室、２は直流グロー放電用アノード電極、３は放電用直流電源、４は加速用電極、５は加速用直流電源、６はガス導入管、７は絶縁体、８はガス排出管、９は基板台、Ａは放電室、Ｂは基板室、１１は絶縁性筒状管、１２は高周波電極、１３は電磁石、１４はマッチングボックス、１５は高周波発振器、１６−ａは第１の導電性バイアス部、１６一ｂは第２の導電性バイアス部、１７−ａは第１の直流電源、１７−ｂは第２の直流電源、１８はガス導入管、１９はガス排出管、２０は基板台、２１は試料、２２は真空容器、２３は高周波電極、２４はマッチングボックス、２５は高周波発振器、２６は直流電源、２７はガス導入管、２８はガス排出管、２９は試料である。
　発明が解決しようとする問題点
　不純物をイオンの形で半導体薄膜等を注入しドーピングを行う従来の技術において、
　（１）のイオン源として直流グロー放電を用い、質量分離部を有さずイオン加速部を経てイオンを半導体基板等に注入する第２図の簡易型イオン注入装置は、直流グロー放電が起こりイオン源として機能する圧力（１〜０．０１ｔｏｒｒ）にイオン源の圧力を保ちさらに基板室をイオンの平均自由行程がイオン源から基板までの距離以上になる圧力（〜１０−３ｔｏｒｒ以下）に保つために作動排気等を用いねばならず、また大面積の試料への不純物の注入のために放電電極を大きくすると電極の沿面放電等による放電の不均一性や不安定性等の問題があった。
　（２）のイオン源として絶縁性筒状管内に高周波と静磁場を重畳させて発生するプラズマを用い、質量分離部を有さずイオン注入、ドーピングを行うイオンドープ装置による第３図の方法は、比較的大口径の筒状管内で安定に放電が行え、かつ放電時の圧力が１０−３〜１０−４ｔｏｒｒと低いことから作動排気等を要せずに簡素な構造でドーピングを行うことができるが、例えば口径１３０ｍｍの絶縁管を用い、３インチの単結晶シリコンウェハーにリンを注入した場合、９００℃・３０分の熱処理後のウェハー内のシート抵抗（注入されたリンの量に関係する）のばらつきσ（Ｒｓ）／Ｒｓ（Ｒｓ：シート抵抗の平均値、σ（Ｒｓ）：シート抵抗の標準偏差）が２０％程度であるため大面積の試料に対して一様に不純物を注入することが困難であった。
　（３）の基板室内に容量結合型高周波電極をもうけて高周波グロー放電による化学的気相反応を起こすプラズマＣＶＤ装置の高周波電極に直流電圧を印加させる第４図の方法は、基板室の圧力が直流グロー放電が起こりイオン源として機能する圧力（１〜０．０１ｔｏｒｒ）に保たれていることや印加出来る電圧が１００〜１０００Ｖと低いことから所望のイオン以外の中性粒子等の試料表面への堆積が起こり、不純物の濃度を規定した高精度の不純物のドーピングが困難であった。さらに放電電極と加速電極の一致による放電の不安定さのため、大面積の試料に極めて一様にイオンを加速して照射・注入し、不純物のドーピング等を行うことが困難であった。
　問題点を解決するための手段
　以上の問題点を解決するために本発明に係るプラズマ処理装置は、ガス導入管及びガス排出管に接続された真空槽内に、高周波電極、第１の導電性多孔板或は導電性網、第２の導電性多孔板或は導電性網、基板台の順番で平行に設け、前記真空槽の外側に前記高周波電極の印加する電場に対して直交する成分をもつ磁場を発生させる磁場発生源を設けてなるものである。すなわち本発明は、真空槽内に、容量結合型の平行平板高周波電源として高周波電極及び第１の導電性多孔板或は導電性網を用い、高周波電極及び第１の導電性多孔板或は導電性網と平行に荷電粒子引き出し用の第２の導電性多孔板或は導電性網を設け、基板台を高周波電極、第１の導電性多孔板或は導電性網、第２の導電性多孔板或は導電性網と平行に備え、さらに前記真空槽の外側に高周波電極の印加する電場に対して直交する成分をもつ磁場を発生させる磁場発生源を設けるというものである。
　作用
　磁場発生源を配することで放電室内に印加された磁場による電子の閉じ込め及び高周波電極の印加する電場に対して直交する成分をもつ磁場による旋回運動（サイクロトロン運動）の励起を行い、高周波によって供給されるエネルギーを有効に用いて例えば１０−３〜１０−４ｔｏｒｒの気体圧力でも安定かつ一様に放電させる。
　高周波の電力は高周波電極と第１の導電性多孔板或は導電性網の間に供給され、この間の容量とマッチングボックスの容量を等しくさせることにより高周波の電力を最も効率よく放電によって生じるプラズマに伝達することにより放電を維持する。
　また、この１０−３〜１０−４ｔｏｒｒの気体圧力下でイオンの平均自由行程はイオン種によって異なるが、放電室から基板台までの距離（約１０ｃｍ）と同程度あるいはそれ以上となるために真空槽に配した第１の導電性多孔板或は導電性網、第２の導電性多孔板或は導電性網の間に電圧を印加するという簡素な構造で荷電粒子の押し出し及び加速を行い、基板台上の半導体等の試料まで荷電粒子を輸送し、前記試料に照射する。さらに装置内の圧力が１０−３〜１０−４ｔｏｒｒ以下であること及び放電用の高周波電極と加速用の導電性多孔板或は導電性網を分離していることから、圧力が高いことや電圧が高いことによる沿面放電やなだれ放電等の異常な放電を起こすことなく、かつ放電電極と加速電極の一致による放電の不安定さを引き起こすことなく１ＫｅＶ以上に荷電粒子を加速する。また基板室の圧力が１０３〜１０４ｔｏｒｒ以下に保たれていることから所望のイオン以外の中性粒子等の試料表面への堆積が起こらず、不純物の濃度を規定した高精度の不純物のドーピングを行う。また、導電性多孔板或は導電性網により、放電の全面に渡って均一に電圧が印加され、極めて一様に荷電粒子ビームを基板台に堆して照射し、その結果大面積に渡る均一に不純物のドーピングを行う。加えてプラズマ処理の圧力を適当に選ぶことにより大面積に渡る均一かつ高精度のエッチングや薄膜形成等のプラズマ処理を行う。
　実施例
　以下図面に基づいて本発明についてさらに詳しく説明する。
　第１図は本発明に係るプラズマ処理装置の第１実施例の概略構成図を示したものである。真空槽Ｃの内部の容量結合型高周波グロー放電用電極３１には導電性の良い銅ニッケル等の金属を行い、容量結合型高周波グロー放電用電極３１の一方はマッチングボックス３２を介して高周波発振器３３と接続し、他方の第１の導電性網３４は接地して真空槽Ｃ内に高周波電力の供給を行う。さらに真空槽Ｃの外部に配した電磁石３５により印加される磁場によって電子の旋回運動（サイクロトロン運動）の励起と閉じ込めを行うことにより、比較的低い圧力（１０−３〜１０−４ｔｏｒｒ）で高周波電力を有効に放電のために用いることによって真空槽Ｃ内にプラズマを安定に発生させる。この磁場の強度は真空槽Ｃに於て５０〜２００ガウス程度で良く、磁場発生源として永久磁石等を用いても良い。導電性のステンレス・アルミニウム・銅等で作られた第２の導電性網３６は、絶縁を保って第１の導電性網３４と導電性のステンレス・アルミニウム・銅等で作られた基板台３７の間に設ける。真空槽Ｃへの材料ガスの導入はガス導入管３８を経て、ガス導入口３９より行う。前記第２の導電性網３６は直流高電圧電源４０に電気的に接続され、１ｋＶ以上の電圧を印加することにより、放電により生じた真空槽Ｃ内の荷電粒子を半導体基板等の試料４１の置かれた基板台３７へ押し出し加速を行う。真空槽Ｃはガス排出管４２に接続され、１０−３〜１０−４ｔｏｒｒの圧力に保たれる。試料４１はヒーター４３により加熱を行い、不純物のドーピング或はプラズマ処理の効率を上げる。容量結合型高周波グロー放電用電極３１と第１の導電性網３４との間に一様に生じるプラズマより引き出され、前記第２の導電性網３６と基板台３７との電位差に応じた運動エネルギーを得た荷電粒子ビーム４４は、基板台３７上の半導体基板等の試料４１に照射し、試料４１に対して極めて一様な不純物のドーピング或はプラズマ処理等を行う。
　発明の効果
　本発明は高周波と静磁場を重畳させることにより、１０−３〜１０−４ｔｏｒｒと比較的低い圧力下で一様なプラズマを安定に発生させることが可能となる。また第２の導電性多孔板或は導電性網を設けることにより放電の全面に渡って均一に電圧が印加され、一様なプラズマから極めて一様な電荷粒子ビームを半導体基板などの試料に対して照射することが可能となる。これにより大面積の試料に極めて一様な不純物のドーピング或はプラズマ処理等を簡素な構造で行うことが可能となる。さらに所望のイオン以外の中性粒子等の試料表面への堆積が起こらず、不純物の濃度を規定した高精度の大面積に渡る均一な不純物ドーピング等の処理を行うことが可能になる。以上の効果は第２の導電性多孔板或は導電性網と基板台とを平行に保ち、平行な方向に前記第２の導電性多孔板或は導電性網もしくは前記基板台のいずれかを往復運動させること、基板台を第２の導電性多孔板或は導電性網と平行を保ち第２の導電性多孔板或は銅電性網と平行な方向に往復運動させること、基板台を加熱する加熱源を設けること、高周波電極の放電により生じる荷電粒子にさらされる側に絶縁性の表面被覆を設けること、第１の導電性多孔板或は導電性網、第２の導電性多孔板或は導電性網に絶縁性の表面被覆を設けること、真空槽をゲートバルブを介して第２の真空槽或は第２のプラズマ処理装置と接続して基板台を真空槽と第２の真空槽或は第２のプラズマ処理装置間を搬送させることによっても同様に得られる。本発明によるイオンドーピング装置は、例えば大口径の単結晶シリコン基板上等に作成される半導体素子製造における不純物のドーピング等の処理を簡素な構造で極めて均一に一括して行うことが可能となるという点で極めて有用性の高いものである。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明に係るプラズマ処理装置の第１実施例の概略構成図、第２図は従来の技術のうちイオン源として直流グロー放電を用い、質量分離部を有さずイオン加速部を経てイオンを半導体基板等に注入する簡易型イオン注入装置の概略構成図、第３図は従来の技術のうちイオン源として絶縁性筒状管内に高周波と静磁場を重畳させて発生するプラズマを用い、質量分離部を有さずイオンを注入、ドーピングを行うイオンドープ装置の概略構成図、第４図は従来の技術のうち基板室内に容量結合型高周波電極をもうけて高周波グロー放電による化学的気相反応を起こすプラズマＣＶＤ装置の高周波電極に直流電圧を印加させる方法の概略構成図である。
ｃ……放電室、３１……容量結合型平行平板高周波グロー放電用電極、３２……マッチングボックス、３３……周波発振器、３４……第１の導電性網、３５……電磁石、３６……第２の導電性網、３７……基板台、３８……ガス導入管、３９ガス導入口、４０……直流高電圧電源、４１……試料、４２……ガス排出管、４３……ヒーター、４４……荷電粒子ビーム。