【事件の表示】
　特許第２５４４３７４号「プラズマ処理装置、及びその方法」の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結論】
　特許第２５４４３７４号の特許請求の範囲第１項ないし第１０項に記載された発明についての特許を取り消す。
【理由】
１．手続の経緯
　本件特許２，５４４，３７４号に係る主な手続の経緯は以下のとおりである。
特許出願　昭和６２年３月２日
手続補正　平成８年３月１日
特許権設定登録　　　　平成８年７月２５日
特許公報発行日　　　　平成８年１０月１６日
特許異議の申立て　　　平成９年４月１６日
取消理由通知　　　　　平成９年６月１６日
第１回訂正請求及び異議意見書
　　　　　　　　　　　平成９年８月２５日
第１回訂正拒絶理由通知及び
第２回取消理由通知　　平成９年１０月２７日
第２回訂正請求及び異議意見書
　　　　　　　　　　　平成９年１２月２４日
第２回訂正拒絶理由通知及び
第３回取消理由通知　　平成１０年５月１５日
異議意見書　　　　　　平成１０年８月３日
２．訂正の適否について
　訂正請求は、上記のとおり２回行われているが、第１回目の訂正請求は、それに対する訂正拒絶理由通知により実質上取下げられたものと認め、以下には、上記第２回目（平成９年１２月２４日付）の訂正請求について検討する。
（１）訂正の目的等について
　（１．１）訂正事項▲１▼について
　（ａ）特許明細書の請求項１において、「前記電子サイクロトロン共鳴の共鳴発生位置が、少なくとも一部前記試料室内に位置する」を「前記電子サイクロトロン共鳴の共鳴発生位置が、前記試料室内の前記試料台の面と、この試料台の面と平行な前記試料室内に導入される材料ガスの導入口の面との間に位置する」とする訂正は、特許明細書の請求項２に記載されていたものを請求項１に限定的に付加したものであるので、特許請求の範囲の減縮に該当し、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内のものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張または変更するものでもない。
　（ｂ）請求項２を削除する訂正は、特許請求の範囲の減縮に該当し、「請求項３乃至請求項１０」を「請求項２乃至請求項９」に繰り上げる訂正は、明瞭でない記載の釈明に該当する。
　（ｃ）特許明細書の請求項３において、「前記電子サイクロトロン共鳴の共鳴発生位置が、少なくとも一部前記試料室内に位置する」を「前記電子サイクロトロン共鳴の共鳴発生位置が、前記試料室内の前記試料台の面と、この試料台の面と平行な前記試料室内に導入される材料ガスの導入口の面との間に位置する」とする訂正は、特許明細書の請求項２に記載されていたものを請求項３に限定的に付加したものであるので、特許請求の範囲の減縮に該当し、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内のものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張または変更するものでもない。
　（ｄ）特許明細書の請求項９において、「前記電子サイクロトロン共鳴の共鳴発生位置が、少なくとも一部前記試料室内に位置する」を「前記電子サイクロトロン共鳴の共鳴発生位置が、前記試料室内の前記試料台の面と、この試料台の面と平行な前記試料室内に導入される材料ガスの導入口の面との間に位置する」とする訂正は、特許明細書の請求項２に記載されていたものを請求項９に限定的に付加したものであるので、特許請求の範囲の減縮に該当し、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内のものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張または変更するものでもない。
　（１．２）訂正事項▲２▼について
　特許請求の範囲の訂正に伴い、明細書の「課題を解決するための手段」における「少なくとも一部試料室内に」（特許公報第６欄第２４行〜第２５行）を「試料室内の前記試料台の面と、この試料台の面と平行な前記試料室内に導入される材料ガスの導入口の面との間に」とする訂正は、特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明との整合を図るものであり、明瞭でない記載の釈明に該当する。
　（１．３）訂正事項▲３▼について
　特許明細書第２１頁第２行（特許公報第８欄第４５行〜第４６行）における「場位置を少なくとも一部試料室内（好ましくは、第１図のａ点）に位置させる」を「場位置を第１図のａ点に位置させる」とする訂正は、明瞭でない記載の釈明に該当する。
　（１．４）訂正事項▲４▼について
　特許明細書第２１頁第６行（特許公報第８欄第４９行）における「第１７図」を「第１６図」とする訂正は、第１７図の削除に伴う訂正であり、明瞭でない記載の釈明に該当する。
　（１．５）訂正事項▲５▼について
　特許明細書第２３頁第１４行〜第２４頁第１行（特許公報第９欄第４０行〜第４６行）の記載を削除する訂正は、第１７図の削除に伴う訂正であり、明瞭でない記載の釈明に該当する。
　（１．６）訂正事項▲６▼について
　特許請求の範囲の訂正に伴い、特許明細書第２５頁第１行〜第６行（特許公報第１０欄第６行〜第７行）における「少なくとも一部試料室内」を「試料室内の前記試料台の面と、この試料台の面と平行な前記試料室内に導入される材料ガスの導入口の面との間に」とする訂正は、特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明との整合を図るものであり、明瞭でない記載の釈明に該当する。
　（１．７）訂正事項▲７▼について
　特許明細書第２６頁第６行〜第７行（特許公報第１０欄第３９行〜４１行）における「第１５図、第１６図、及び第１７図」を「第１５図及び第１６図」とする訂正は、第１７図の削除に伴う訂正であり、明瞭でない記載の釈明に該当する。
　（１．８）訂正事項▲８▼について
　願書添付の第１７図を削除する訂正は、明瞭でない記載の釈明に該当する。
（２）独立特許要件について
　（２．１）本件発明
　訂正請求により、特許請求の範囲が減縮された訂正明細書の特許請求の範囲請求項１、請求項２及び請求項８に係る発明は、訂正明細書及び図面からしてその特許請求の範囲請求項１、２及び８に記載された以下のとおりのものである。
「【請求項１】放電ガスが導入されると共に、放電空間の一部を形成する放電管と、該放電管の放電空間内に磁場を発生する磁場発生手段と、前記放電管の放電空間内にマイクロ波を導入する手段と、前記放電管に連結され、この放電管より内径が大で、かつ、処理されるべき試料を保持する試料台が配置される試料室とを備えたプラズマ処理装置において、
　前記放電管の前記マイクロ波導入側の磁束密度を、磁場とマイクロ波による電子サイクロトロン共鳴の共鳴発生位置の磁束密度より大きくし、前記放電管から少なくとも前記試料台の位置まではほぼ単調減少する磁束密度分布形状を持ち、かつ、前記電子サイクロトロン共鳴の共鳴発生位置が、前記試料室内の前記試料台の面と、この試料台の面と平行な前記試料室内に導入される材料ガスの導入口の面との間に位置することを特徴とするプラズマ処理装置。
　【請求項２】放電ガスが導入されると共に、放電空間の一部を形成する放電管と、該放電管の放電空間内に磁場を発生する磁場発生手段と、前記放電管の放電空間内にマイクロ波を導入する手段と、前記放電管に連結され、この放電管より内径が大で、かつ、処理されるべき試料を保持する試料台が配置される試料室とを備えたプラズマ処理装置において、
　前記放電管の前記マイクロ波導入側の磁束密度を、磁場とマイクロ波による電子サイクロトロン共鳴の共鳴発生位置の磁束密度より大きくし、前記放電管から少なくとも前記試料台の位置まではほぼ単調減少する磁束密度分布形状を持ち、かつ、前記電子サイクロトロン共鳴の共鳴発生位置を、前記試料室内の前記試料台の面と、この試料台の面と平行な前記試料室内に導入される材料ガスの導入口の面との間に位置させ、前記磁場発生手段の発生する磁場の磁束密度よりは弱い磁場を発生する補助磁場発生手段を備えていることを特徴とするプラズマ処理装置（全文訂正明細書においては、「該放電管の
放電管の
　【請求項８】放電ガスが導入されると共に、放電空間の一部を形成する放電管と、該放電管の放電空間内に磁場を発生する磁場発生手段と、前記放電管の放電空間内にマイクロ波を導入する手段と、前記放電管に連結され、この放電管より内径が大で、かつ、処理されるべき試料を保持する試料台が配置される試料室とを備えたプラズマ処理装置において、
　前記放電管の前記マイクロ波導入側の磁束密度を、磁場マイクロ波による電子サイクロトロン共鳴の共鳴発生位置の磁束密度より大きくし、前記放電管から少なくとも前記試料台の位置まではほぼ単調減少する磁束密度分布形状を持ち、かつ、前記電子サイクロトロン共鳴の共鳴発生位置を、前記試料室内の前記試料台の面と、この試料台の面と平行な前記試料室内に導入される材料ガスの導入口の面との間に位置させ、前記磁場発生手段の発生する磁場の磁束密度よりは弱い磁場を発生する補助磁場発生手段を備え、該補助磁場発生手段の磁場、又は該補助磁場発生手段と前記磁場発生手段の両方の磁場によって前記電子サイクロトロン共鳴の共鳴発生位置を変化可能にしたことを特徴とするプラズマ処理装置。」
　（２．３．１）要旨変更について
　平成８年３月１日付の手続補正書により、補正前においては、特許請求の範囲第１０項において、「磁場とマイクロ波による電子サイクロトロン共鳴の共鳴発生位置が、前記容器内のマイクロ波導入側の試料近傍となるように磁場を印加」するとされていたものが、「試料台の面と、この試料台の面と平行な前記材料ガスの導入口の面との間に前記磁場とマイクロ波による電子サイクロトロン共鳴の共鳴発生位置が位置するように前記磁場を調整する」と補正された。
　しかしながら、出願当初の明細書の発明の詳細な説明中には、材料ガスの導入口が面を形成すること及び材料ガス導入口がプラズマ処理装置のどこに設けられているかについての記載はない。したがって、面の形成が不明であり、設置場所が不明である材料ガス導入口を基準にして共鳴発生位置を規定する上記補正は、明細書の要旨を変更するものである。
　この点に関し、特許権者は、上記補正の根拠として、平成９年１２月２４日付訂正請求書第７頁下から第９行〜第８頁第３行において、「出願時の明細書第１５頁第７行目から第１７行目の記載、及び出願時の図面第１図、第２図、第１１図、第１２図、第１３図、第１４図に基づくもので、特に、上記上記出願時の明細書の該当個所には“電子サイクロトロンの共鳴発生位置が試料室９内に位置し、それが第１図のａ点である”旨記載され、第１図のａ点は、該図からも明らかなように、試料台８の面と平行な材料ガス１０の導入口の面との間に位置させており、第１１図、第１２図、第１３図、第１４図では、磁場コイル１と補助磁場発生手段２１の磁場を調整して電子サイクロトロンの共鳴発生位置を、試料台８の面と、この試料台８の面と平行な材料ガス１０の導入口の面との間に位置させている。」と主張している。
　しかしながら、そもそも特許出願の願書に添付した図面は、製品を製作する際に用いる製図と異なり、明細書に記載されている技術的事項の理解を容易にするための補助手段であるので、そこに記載されている寸法等は正確ではないのが常識である。したがって、よほど図面からみて明らかな場合を除き、図面のみに記載されており、明細書中に言語をもって説明されていない事項は、明細書及び図面に記載されている事項とは認められない。本件の場合について言えば、材料ガス導入口がどこに設けられているかについては、明細書にまったく記載されていないのであるから、上記主張は採用できない。
　以上のとおりであるので、上記補正事項は、出願当初の明細書及び図面に記載されておらず、自明でもないので、上記補正はこれらの要旨を変更するものである。したがって、本件特許出願は、平成６年法律第１１６号附則第６条及び平成５年法律第３０号附則第２条第２項の規定により、平成５年改正前の特許法第４０条の規定を適用して、上記補正書を提出した平成８年３月１日にしたものとみなす。
　（２．３．２）容易性について
　本件特許出願に係る出願公開公報である、特開昭６３−２１３３４４号公報（以下「刊行物」という。）には、
「１．放電ガスが導入されると共に、放電空間の一部を形成する放電管と、該放電管の放電空間内に磁場を発生する磁場発生手段と、前記放電管の放電空間内にマイクロ波を導入する手段と、前記放電管に連結され、かつ、処理されるべき試料を保持する試料台が配置される試料室とを備えたプラズマ処理装置において、前記磁場の磁束密度が前記マイクロ波導入側の放電空間から試料台方向に向かってほぼ単調減少する分布形状を持ち、かつ、前記磁場とマイクロ波により発生する電子サイクロトロン共鳴の共鳴発生位置が少なくとも一部前記試料室内に位置することを特徴とするプラズマ処理装置。」（請求項１）、
「３．放電ガスが導入されると共に、放電空間の一部を形成する放電管と、該放電管の放電空間内に磁場を発生する磁場発生手段と、前記放電管の放電空間内にマイクロ波を導入する手段と、前記放電管に連結され、かつ、処理されるべき試料を保持する試料台が配置される試料室とを備えたプラズマ処理装置において、前記磁場とマイクロ波により発生する電子サイクロトロン共鳴の共鳴発生位置を少なくとも一部前記試料室内に位置させる補助磁場発生手段を備えていることを特徴とするプラズマ処理装置。」（請求項３）及び
「一般に、プラズマ中を伝搬し、電子サイクロトロン共鳴を起こすマイクロ波は、右回り円偏波であり、この波は、前記電子サイクロトロン共鳴を起こすに必要な磁束密度より小さい磁束密度のプラズマ中では、カットオフとなり伝搬できない。このため、本発明では、放電管のマイクロ波入射端の磁束密度を電子サイクロトロン共鳴位置の磁束密度よりも大きくし、放電管から試料台方向に徐々に減少する磁束密度分布形状とし、かつ、試料室内に前記マイクロ波と電子サイクロトロン共鳴を起こす磁場位置を設けることにより、該共鳴磁束密度よりも高磁束密度領域で高密度プラズマが発生する領域を試料室内まで拡張することができ、かつ、磁場勾配によりプラズマが押し出され試料台まで輸送される距離を０とすることができる。これにより、該共鳴磁束密度より小さい磁束密度側で急激に減少するプラズマ密度に対して、該共鳴位置と試料台の距離を十分小さくできるため、試料表面に高密度プラズマを輸送することが可能となる。」（〔作用〕の項）と記載されている。
　すなわち、上記刊行物には、
放電ガスが導入されると共に、放電空間の一部を形成する放電管と、該放電管の放電空間内に磁場を発生する磁場発生手段と、前記放電管の放電空間内にマイクロ波を導入する手段と、前記放電管に連結され、かつ、処理されるべき試料を保持する試料台が配置される試料室とを備えたプラズマ処理装置において、前記放電管のマイクロ波入射端の磁束密度を電子サイクロトロン共鳴位置の磁束密度よりも大きくし、前記磁場の磁束密度が前記マイクロ波導入側の放電空間から試料合方向に向かってほぼ単調減少する分布形状を持ち、かつ、前記磁場とマイクロ波により発生する電子サイクロトロン共鳴の共鳴発生位置を少なくとも一部前記試料室内に位置せしめるとともに、前記磁場とマイクロ波により発生する電子サイクロトロン共鳴の共鳴発生位置を少なくとも一部前記試料室内に位置させる補助磁場発生手段を備えているプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法が記載されていると認められる。
　（２．４．１）訂正された請求項１に係る発明について
　そこで、訂正された請求項１に係る発明と、上記刊行物記載の特許請求の範囲１に記載された発明とを比較すると、両者は、
「放電ガスが導入されると共に、放電空間の一部を形成する放電管と、該放電管の放電空間内に磁場を発生する磁場発生手段と、前記放電管の放電空間内にマイクロ波を導入する手段と、前記放電管に連結され、かつ、処理されるべき試料を保持する試料台が配置される試料室とを備えたプラズマ処理装置において、
前記放電管のマイクロ波導入側の磁束密度を、磁場とマイクロ波による電子サイクロトロン共鳴の共鳴発生位置の磁束密度より大きくするとともに、前記磁場の磁束密度が前記マイクロ波導入側の放電空間から試料合方向に向かってほぼ単調減少する分布形状を持ち、かつ、前記磁場とマイクロ波により発生する電子サイクロトロン共鳴の共鳴発生位置が少なくとも一部前記試料室内に位置するプラズマ処理装置」である点において一致し、以下の点において相違する。
　▲１▼前者においては、試料室の内径が放電管の内径より大きいと限定されているが、後者には、その旨の記載がない点。
　▲２▼前者においては、電子サイクロトロン共鳴の共鳴発生位置が、試料室内の試料台の面と、この試料台の面と平行な前記試料室内に導入される材料ガスの導入口の面との間に位置するとされるが、後者においては、電子サイクロトロン共鳴の共鳴発生位置は少なくとも一部試料室内に位置するとされている点。
　上記相違点について検討する。
　▲１▼の点について
　上記刊行物の第１図を参照すると、試料室の内径は、放電管の内径より大きいことは明らかであるので、この点に実質的な相違はない。
　▲２▼の点について
　上記刊行物には、「新たに前記試料室９内の試料７前面に導入された材料ガス１０」（第４頁右下欄第１２行〜第１３行）及び「この共鳴位置近傍に導入された材料ガス１０」（第５頁右上欄第９行〜第１０行）と記載されるとともに、第１図において、材料ガス１０が１本の供給管を介して電子サイクロトロン共鳴発生位置近傍に供給されている様子が示されているので、電子サイクロトロン共鳴の共鳴発生位置を試料室内の試料台の面と、この試料台の面と平行な前記試料室内に導入される材料ガスの導入口の面との間に位置するようにすることは、当業者が容易になし得たことと認められる。
　したがって、訂正請求項１に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　（２．４．２）訂正された請求項２に係る発明について
　訂正された請求項２に係る発明と、上記刊行物に記載された発明とを比較すると、
放電ガスが導入されると共に、放電空間の一部を形成する放電管と、該放電管の放電空間内に磁場を発生する磁場発生手段と、前記放電管の放電空間内にマイクロ波を導入する手段と、前記放電管に連結され、かつ、処理されるべき試料を保持する試料台が配置される試料室とを備えたプラズマ処理装置において、
　前記放電管のマイクロ波入射端の磁束密度を、電子サイクロトロン共鳴位置の磁束密度よりも大きくし、前記磁場の磁束密度が前記マイクロ波導入側の放電空間から試料合方向に向かってほぼ単調減少する分布形状を持ち、かつ、前記磁場とマイクロ波により発生する電子サイクロトロン共鳴の共鳴発生位置を少なくとも一部前記試料室内に位置せしめるとともに、前記磁場とマイクロ波により発生する電子サイクロトロン共鳴の共鳴発生位置を少なくとも一部前記試料室内に位置させる補助磁場発生手段を備えているプラズマ処理装置である点において一致し、以下の点において相違している。
　▲１▼前者においては、試料室の内径が放電管の内径より大きいと限定されているが、後者には、その旨の記載がない点。
　▲２▼前者においては、電子サイクロトロン共鳴の共鳴発生位置が、試料室内の試料台の面と、この試料台の面と平行な前記試料室内に導入される材料ガスの導入口の面との間に位置するとされるが、後者においては、電子サイクロトロン共鳴の共鳴発生位置は少なくとも一部試料室内に位置するとされている点。
　▲３▼前者においては、前記磁場発生手段の発生する磁場の磁束密度よりは弱い磁場を発生する補助磁場発生手段を有するのに対し、後者においては、磁場発生手段の発生する磁場の磁束密度と補助磁場発生手段の発生する磁場の磁束密度の大小についての記載がない点。
　上記相違点について検討する。
　▲１▼及び▲２▼の点について
　上記▲１▼及び▲２▼の点については、（２．４．１）と同じである。
　▲３▼の点について
　出願当初の第１２図及び第１４図において、磁場コイル１のみによる磁束密度分布及び補助磁場コイルのみによる磁束密度分布が示されており、図面より明らかに磁場コイル１のみによる磁束密度の方が補助磁場コイルのみによる磁束密度より大きなものが示されている。
　したがって、この点に実質的な相違はなく、訂正された請求項２に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　（２．４．３）訂正された請求項８に係る発明について
　訂正された請求項８に係る発明と、上記刊行物に記載された発明とを比較すると、上記（２．４．２）における相違点▲１▼、▲２▼、▲３▼及び▲４▼並びに▲５▼前者が、補助磁場発生手段の磁場、又は該補助磁場発生手段と磁場発生手段の両方の磁場によって電子サイクロトロン共鳴の共鳴発生位置を変化可能にしている点において相違するが、上記相違点▲１▼〜▲４▼については、上記（２．４．２）において検討したとおりであり、相違点▲５▼については、磁場発生手段及び補助磁場発生手段は、電磁石により達成することができ、電磁石においては、電磁石のコイルに流す電流により磁場の強さを変化させることは容易であるので、補助磁場発生手段の磁場、又は該補助磁場発生手段と磁場発生手段の両方の磁場によって電子サイクロトロン共鳴の共鳴発生位置を変化可能とすることは当業者が容易になし得たことと認められる。
　したがって、訂正された請求項８に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　（２．４．４）この項のむすび
　したがって、上記訂正された請求項１、請求項２及び請求項８に係る発明は、上記刊行物に記載された発明に基いて当業者が容易になし得たものであるので、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。よって、本件訂正は、平成６年法律第１１６号附則第６条により、なお従前の例とされる平成６年改正前特許法第１２６条第３項の規定により認めることができない。
３．本件発明
　本件発明は、特許された明細書の請求項１乃至請求項１０に記載された事項により特定される以下のとおりのものである（以下「本件第１発明」乃至「本件第１０発明」という。）。
「【請求項１】放電ガスが導入されると共に、放電空間の一部を形成する放電管と、該放電管の放電空間内に磁場を発生する磁場発生手段と、前期放電管の放電空間内にマイクロ波を導入する手段と、前記放電管に連結され、この放電管より内径が大で、かつ、処理されるべき試料を保持する試料台が配置される試料室とを備えたプラズマ処理装置において、
前記放電管の前記マイクロ波導入側の磁束密度を、磁場とマイクロ波による電子サイクロトロン共鳴の共鳴発生位置の磁束密度より大きくし、前記放電管から少なくとも前記試料台の位置まではほぼ単調減少する磁束密度分布形状を持ち、かつ、前記電子サイクロトロン共鳴の共鳴発生位置が、少なくとも一部前記試料室内に位置することを特徴とするプラズマ処理装置。
　【請求項２】前記試料室内に位置する前記電子サイクロトロン共鳴の共鳴発生位置は、前記試料台の面と、この試料台の面と平行な前記試料室内に導入される材料ガスの導入口の面との間にあることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のプラズマ処理装置。
　【請求項３】放電ガスが導入されると共に、放電空間の一部を形成する放電管と、該放電管の放電空間内に磁場を発生する磁場発生手段と、前記放電管の放電空間内にマイクロ波を導入する手段と、前記放電管に連結され、この放電管より内径が大で、かつ、処理されるべき試料を保持する試料台が配置される試料室とを備えたプラズマ処理装置において、前記放電管の前記マイクロ波導入側の磁束密度を、磁場とマイクロ波による電子サイクロトロン共鳴の共鳴発生位置の磁束密度より大きくし、前記放電管から少なくとも前記試料台の位置まではほぼ単調減少する磁束密度分布形状を持ち、かつ、前記電子サイクロトロン共鳴の共鳴発生位置を少なくとも一部前記試料室内に位置させ、前記磁場発生手段の発生する磁場の磁束密度よりは弱い磁場を発生する補助磁場発生手段を備えていることを特徴とするプラズマ処理装置。
　【請求項４】前記補助磁場発生手段を、前記試料室の内側に配置したことを特徴とする特許請求の範囲第３項記載のプラズマ処理装置。
　【請求項５】前記補助磁場発生手段を、前記試料室の外側に配置したことを特徴とする特許請求の範囲第３項記載のプラズマ処理装置。
　【請求項６】前記補助磁場発生手段を、前記試料室の裏側に配置したことを特徴とする特許請求の範囲第３項、又は第４項記載のプラズマ処理装置。
　【請求項７】前記補助磁場発生手段を、前記試料室の外側に配置し、かつ、該補助磁場発生手段の磁束密度の大きさを５０ガウス以上としたことを特徴とする特許請求の範囲第３項記載のプラズマ処理装置。
　【請求項８】前記補助磁場発生手段は、前記試料室内に引出されたプラズマの流径、又は密度分布を制御するものであることを特徴とする特許請求の範囲第３項記載のプラズマ処理装置。
　【請求項９】放電ガスが導入されると共に、放電空間の一部を形成する放電管と、該放電管の放電空間内に磁場を発生する磁場発生手段と、前記放電管の放電空間内にマイクロ波を導入する手段と、前記放電管に連結され、この放電管より内径が大で、かつ、処理されるべき試料を保持する試料台が配置される試料室とを備えたプラズマ処理装置において、前記放電管の前記マイクロ波導入側の磁束密度を、磁場とマイクロ波による電子サイクロトロン共鳴の共鳴発生位置の磁束密度より大きくし、前記放電管から少なくとも前記試料台の位置まではほぼ単調減少する磁束密度分布形状を持ち、かつ、前記電子サイクロトロン共鳴の共鳴発生位置を少なくとも一部前記試料室内に位置させ、前記磁場発生手段の発生する磁場の磁束密度よりは弱い磁場を発生する補助磁場発生手段を備え、該補助磁場発生手段の磁場、又は該補助磁場発生手段と前記磁場発生手段の両方の磁場によって前記電子サイクロトロン共鳴の共鳴発生位置を変化可能にしたことを特徴とするプラズマ処理装置。
　【請求項１０】磁場発生手段を備えた容器内にマイクロ波と放電ガスを導入し、該容器内に導入された放電ガスを、前記磁場発生手段にて発生する磁場中の電子サイクロトロン運動とマイクロ波を共嶋させることにより励起、又は電離してプラズマを生成し、このプラズマを利用して前記容器内に導入された材料ガスを試料台に支持される試料の表面に導入し、該試料の表面をプラズマ処理するプラズマ処理方法において、
前記容器のマイクロ波導入窓部の磁束密度が、磁場とマイクロ波による電子サイクロトロン共鳴の共鳴発生位置の磁束密度より大きく、かつ、前記マイクロ波導入窓部側の放電空間から少なくとも前記試料を支持する試料台の位置まではほぼ単調減少する磁束密度分布形状を持った状態で、前記試料台の面と、この試料台の面と平行な前記材料ガスの導入口の面との間に前記磁場とマイクロ波による電子サイクロトロン共鳴の共鳴発生位置が位置するように前記磁場を調整するか、若しくは前記試料台を移動させ、その後にプラズマを生成し試料をプラズマ処理することを特徴とするプラズマ処理方法。」
４．引用刊行物記載の発明
　本件特許出願に係る出願公開公報である、特開昭６３−２１３３４４号公報（以下「刊行物」という。）には、その特許請求の範囲において、
「１．放電ガスが導入されると共に、放電空間の一部を形成する放電管と、該放電管の放電空間内に磁場を発生する磁場発生手段と、前記放電管の放電空間内にマイクロ波を導入する手段と、前記放電管に連結され、かつ、処理されるべき試料を保持する試料台が配置される試料室とを備えたプラズマ処理装置において、
前記磁場の磁束密度が前記マイクロ波導入側の放電空間から試料台方向に向かってほぼ単調減少する分布形状を持ち、かつ、前記磁場とマイクロ波により発生する電子サイクロトロン共鳴の共鳴発生位置が少なくとも一部前記試料室内に位置することを特徴とするプラズマ処理装置。
２　放電ガスが導入されると共に、放電空間の一部を形成する放電管と、該放電管の放電空間内に磁場を発生する磁場発生手段と、前記放電管の放電空間内にマイクロ波を導入する手段と、前記放電管に連結され、かつ、処理されるべき試料を保持する試料台が配置される試料室とを備えたプラズマ処理装置において、前記磁場の磁束密度が前記磁場とマイクロ波により発生する電子サイクロトロン共鳴の共鳴発生位置が曲面となるような分布形状を持つと共に、その電子サイクロトロン共鳴の共鳴発生位置が少なくとも一部前記試料室内に位置することを特徴とするプラズマ処理装置。
３．放電ガスが導入されると共に、放電空間の一部を形成する放電管と、該放電管の放電空間内に磁場を発生する磁場発生手段と、前記放電管の放電空間内にマイクロ波を導入する手段と、前記放電管に連結され、かつ、処理されるべき試料を保持する試料台が配置される試料室とを備えたプラズマ処理装置において、前記磁場とマイクロ波により発生する電子サイクロトロン共鳴の共鳴発生位置を少なくとも一部前記試料室内に位置させる補助磁場発生手段を備えていることを特徴とするプラズマ処理装置。
４．前記補助磁場発生手段を、前記試料室の外側で、かつ、前記試料台とほぼ平行な位置となるように設置したことを特徴とする特許請求の範囲第３項記載のプラズマ処理装置。
５．前記補助磁場発生手段を、前記試料室の内側で、かつ、前記試料台とほぼ平行な位置となるように設置したことを特徴とする特許請求の範囲第３項記載のプラズマ処理装置。
６．前記補助磁場発生手段を、前記放電管と試料室とのほぼ中間に設置したことを特徴とする特許請求の範囲第３項記載のプラズマ処理装置。
７．前記補助磁場発生手段を、前記試料台の裏側に設置したことを特徴とする特許請求の範囲第３項記載のプラズマ処理装置。
８．前記補助磁場発生手段を、前記試料台と兼用させたことを特徴とする特許請求の範囲第３項記載のプラズマ処理装置。
９．放電ガスが導入されると共に、放電空間の一部を形成する放電管と、該放電管の放電空間内に磁場を発生する磁場発生手段と、前記放電管の放電空間内にマイクロ波を導入する手段と、前記放電管に連結され、かつ、処理されるべき試料を保持する試料台が配置される試料室とを備えたプラズマ処理装置において、前記磁場発生手段における磁束は、前記磁場とマイクロ波により発生する電子サイクロトロン共鳴の共鳴発生位置を少なくとも一部前記試料室内に位置させるような強さであることを特徴とするプラズマ処理装置。
１０．放電ガスが導入されると共に、放電空間の一部を形成する放電管と、該放電管の放電空間内に磁場を発生する磁場発生手段と、前記放電管の放電空間内にマイクロ波を導入する手段と、前記放電管に連結され、かつ、処理されるべき試料を保持する試料台が配置される試料室とを備えたプラズマ処理装置において、前記放電管内の最大磁束密度が、前記磁場とマイクロ波により発生する電子サイクロトロン共鳴の共鳴発生位置における磁束密度の約１．５倍以上であることを特徴とするプラズマ処理装置。
１１．放電ガスが導入されると共に、放電空間の一部を形成する放電管と、該放電管の放電空間内に磁場を発生する磁場発生手段と、前記放電管の放電空間内にマイクロ波を導入する手段と、前記放電管に連結され、かつ、処理されるべき試料を保持する試料台が配置される試料室とを備えたプラズマ処理装置において、前記試料室の外側に、前記磁場とマイクロ波により発生する電子サイクロトロン共鳴の共鳴発生位置を少なくとも一部前記試料室内に位置させる補助磁場発生手段を設け、該補助磁場発生手段の磁束密度の大きさを５０ガウス以上としたことを特徴とするプラズマ処理装置。
１２．放電ガスが導入されると共に、放電空間の一部を形成する放電管と、該放電管の放電空間内に磁場を発生する磁場発生手段と、前記放電管の放電空間内にマイクロ波を導入する手段と、前記放電管に連結され、かつ、処理されるべき試料を保持する試料台が配置される試料室とを備えたプラズマ処理装置において、前記磁場の磁束密度が前記マイクロ波導入側の放電空間から試料合方向に向ってほぼ単調減少する分布形状を持ち、かつ、前記磁場とマイクロ波により発生する電子サイクロトロン共鳴の共鳴発生位置を少なくとも一部前記試料室内に位置させると共に、前記試料室内に引き出されたプラズマの流径、密度等を制御する補助磁場発生手段を備えていることを特徴とするプラズマ処理装置。」と記載され、また、〔作用〕の項において、
「一般に、プラズマ中を伝搬し、電子サイクロトロン共鳴を起こすマイクロ波は、右回り円偏波であり、この波は、前記電子サイクロトロン共鳴を起こすに必要な磁束密度より小さい磁束密度のプラズマ中では、カットオフとなり伝搬できない。このため、本発明では、放電管のマイクロ波入射端の磁束密度を電子サイクロトロン共鳴位置の磁束密度よりも大きくし、放電管から試料台方向に徐々に減少する磁束密度分布形状とし、かつ、試料室内に前記マイクロ波と電子サイクロトロン共鳴を起こす磁場位置を設けることにより、該共鳴磁束密度よりも高磁束密度領域で高密度プラズマが発生する領域を試料室内まで拡張することができ、かつ、磁場勾配によりプラズマが押し出され試料台まで輸送される距離を０とすることができる。これにより、該共鳴磁束密度より小さい磁束密度側で急激に減少するプラズマ密度に対して、該共鳴位置と試料台の距離を十分小さくできるため、試料表面に高密度プラズマを輸送することが可能となる。」と、さらに、第６頁左上欄第１２行〜第１８行において、
「このような本実施例では、前記磁場コイル１を小さくでき、第１図〜第４図に示す実施例と同じ効果があり、かつ前記補助磁場発生手段２１の調整により、前記磁場コイル１による放電管２内の磁場分布にあまり影響を与えずに前記共鳴発生位置を移動調整することができる」と記載されている。
５．対比及び判断
　（５．１）本件第１発明について
　本件第１発明と上記刊行物の特許請求の範囲第１項に記載されている発明とを比較すると、両者は、
放電ガスが導入されると共に、放電空間の一部を形成する放電管と、該放電管の放電空間内に磁場を発生する磁場発生手段と、前期放電管の放電空間内にマイクロ波を導入する手段と、前記放電管に連結され、かつ、処理されるべき試料を保持する試料台が配置される試料室とを備えたプラズマ処理装置において、
前記放電管の前記マイクロ波導入側の磁束密度を、磁場とマイクロ波による電子サイクロトロン共鳴の共鳴発生位置の磁束密度より大きくし、前記放電管から少なくとも前記試料台の位置まではほぼ単調減少する磁束密度分布形状を持ち、かつ、前記電子サイクロトロン共鳴の共鳴発生位置が、少なくとも一部前記試料室内に位置するプラズマ処理装置である点において一致し、前者においては、上記試料室の内径が上記放電管の内径より大きいとされているのに対し、後者においては、直接的記載がない点において相違している。
　しかしながら、上記刊行物の第１図を参照すると、試料室の内径は、放電管の内径より大きいことは明らかであるので、この点に実質的な相違はない。
　したがって、本件第１発明は、上記刊行物に記載された発明であるので、特許法第２９条第１項第３号に規定する発明に該当し、特許を受けることができないものである。
　（５．２）本件第２発明について
　本件第２発明と上記刊行物の特許請求の範囲第１項に記載されている発明とを比較すると、両者は、
放電ガスが導入されると共に、放電空間の一部を形成する放電管と、該放電管の放電空間内に磁場を発生する磁場発生手段と、前期放電管の放電空間内にマイクロ波を導入する手段と、前記放電管に連結され、かつ、処理されるべき試料を保持する試料台が配置される試料室とを備えたプラズマ処理装置において、
前記放電管の前記マイクロ波導入側の磁束密度を、磁場とマイクロ波による電子サイクロトロン共鳴の共鳴発生位置の磁束密度より大きくし、前記放電管から少なくとも前記試料台の位置まではほぼ単調減少する磁束密度分布形状を持ち、かつ、前記電子サイクロトロン共鳴の共鳴発生位置が、少なくとも一部前記試料室内に位置するプラズマ処理装置である点において一致し、以下の点において相違している。
　▲１▼前者においては、上記試料室の内径が上記放電管の内径より大きいとされているのに対し、後者においては、直接的記載がない点。
　▲２▼前者においては、試料室内に位置する前記電子サイクロトロン共鳴の共鳴発生位置は、前記試料台の面と、この試料台の面と平行な前記試料室内に導入される材料ガスの導入口の面との間にあるとされているのに対し、後者においては、上記共鳴発生位置は単に一部が試料室内に位置するとされている点。
　そこで、上記相違点について検討すると、相違点▲１▼については、上記（５．１）において述べたとおりであり、相違点▲２▼については、上記（２．４．１）の相違点▲２▼で既に検討したとおりである。
　したがって、本件第２発明は、上記刊行物に記載された発明に基いて当業者が容易になし得たことと認められるので、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができないものである。
　（５．３）本件第３発明について
　本件第３発明と上記刊行物の特許請求の範囲第３項に記載されている発明とを比較すると、両者は、
放電ガスが導入されると共に、放電空間の一部を形成する放電管と、該放電管の放電空間内に磁場を発生する磁場発生手段と、前記放電管の放電空間内にマイクロ波を導入する手段と、前記放電管に連結され、かつ、処理されるべき試料を保持する試料台が配置される試料室とを備えたプラズマ処理装置において、前記磁場とマイクロ波により発生する電子サイクロトロン共鳴の共鳴発生位置を少なくとも一部前記試料室内に位置させる補助磁場発生手段を備えているプラズマ処理装置である点において一致し、以下の点において相違している。
　▲１▼前者においては、上記試料室の内径が上記放電管の内径より大きいとされているのに対し、後者においては、直接的記載がない点。
　▲２▼前者においては、前記放電管の前記マイクロ波導入側の磁束密度を、磁場とマイクロ波による電子サイクロトロン共鳴の共鳴発生位置の磁束密度より大きくし、前記放電管から少なくとも前記試料台の位置まではもまは単調減少する磁束密度分布形状を持たせているのに対し、後者においては、当該箇所に、その点の記載がない点。
　▲３▼前者においては、前記磁場発生手段の発生する磁場の磁束密度よりは弱い磁場を発生する補助磁場発生手段を備えているのに対し、後者においては、当該箇所に、その点の記載がない点。
　そこで、上記相違点について検討すると、相違点▲１▼については、上記（５．１）において述べたとおりであり、相違点▲２▼については、上記刊行物の［作用］の項において、「放電管のマイクロ波入射端の磁束密度を電子サイクロトロン共鳴位置の磁束密度よりも大きくし、放電管から試料台方向に徐々に減少する磁束密度分布形状とし」と記載されているのでこの点に相違はない。また、相違点▲３▼については、上記（２．４．２）の相違点▲３▼において既に検討したとおりである。
　したがって、本件第３発明は、上記刊行物に記載された発明であるので、特許法第２９条第１項第３号に規定する発明に該当し、特許を受けることができないものである。
　（５．４）本件第４発明について
　本件第４発明と上記刊行物の特許請求の範囲第５項に記載されている発明とを比較すると、両者は、前記補助磁場発生手段を、前記試料室の内側に配置した点は同一であり、本件第３発明と上記刊行物の特許請求の範囲第３項記載のプラズマ処理装置は、上記（５．３）で検討したとおり同一であるので、結局全体として同一の発明である。
　したがって、本件第４発明は、上記刊行物に記載された発明であるので、特許法第２９条第１項第３号に規定する発明に該当し、特許を受けることができないものである。
　（５．５）本件第５発明について
　本件第５発明と上記刊行物の特許請求の範囲第４項に記載されている発明とを比較すると、両者は、前記補助磁場発生手段を、前記試料室の外側に配置した点は同一であり、本件第３発明と上記刊行物の特許請求の範囲第３項記載のプラズマ処理装置は、上記（５．３）で検討したとおり同一であるので、結局全体として同一の発明である。
　したがって、本件第５発明は、上記刊行物に記載された発明であるので、特許法第２９条第１項第３号に規定する発明に該当し、特許を受けることができないものである。
　（５．６）本件第６発明について
　本件第６発明と上記刊行物の特許請求の範囲第７項に記載されている発明とを比較すると、両者は、前記補助磁場発生手段を、前記試料室の裏側に配置した点は同一であり、本件第３発明と上記刊行物の特許請求の範囲第３項記載のプラズマ処理装置は、上記（５．３）で検討したとおり同一であるので、結局全体として同一の発明である。
　したがって、本件第６発明は、上記刊行物に記載された発明であるので、特許法第２９条第１項第３号に規定する発明に該当し、特許を受けることができないものである。
　（５．７）本件第７発明について
　本件第７発明と上記刊行物の特許請求の範囲第３項及び第１１項に記載されている発明とを比較すると、両者は、前記補助磁場発生手段を、前記試料室の外側に配置し、かつ、該補助磁場発生手段の磁束密度の大きさを５０ガウス以上とする点については、上記刊行物の特許請求の範囲第１１項に記載されており同一であり、その他の点については、上記（５．３）で検討したとおり同一であるので、結局全体として同一の発明である。
　したがって、本件第７発明は、上記刊行物に記載された発明であるので、特許法第２９条第１項第３号に規定する発明に該当し、特許を受けることができないものである。
　（５．８）本件第８発明について
　本件第８発明と上記刊行物の特許請求の範囲第３項及び第１２項に記載されている発明とを比較すると、両者は、補助磁場発生手段は、前記試料室内に引出されたプラズマの流径、又は密度分布を制御するものである点については、上記刊行物の特許請求の範囲第１２項に記載されており同一であり、その他の点については、上記（５．３）で検討したとおり同一であるので、結局全体として同一の発明である。
　したがって、本件第８発明は、上記刊行物に記載された発明であるので、特許法第２９条第１項第３号に規定する発明に該当し、特許を受けることができないものである。
　（５．９）本件第９発明について
　本件第９発明と上記刊行物の特許請求の範囲第３項及び第６頁左上欄に記載されている発明とを比較すると、両者は、前記補助磁場発生手段の調整により、前記共鳴発生位置を移動調整するは同一であり、その他の点については、上記（５．３）で検討したとおり同一であるので、結局全体として同一の発明である。
　したがって、本件第９発明は、上記刊行物に記載された発明であるので、特許法第２９条第１項第３号に規定する発明に該当し、特許を受けることができないものである。
　（５．１０）本件第１０発明について
　本件第１０発明と上記刊行物の特許請求の範囲第３項に記載されている発明とを比較すると、後者における「放電ガスが導入されると共に、放電空間の一部を形成する放電管と、該放電管の放電空間内に磁場を発生する磁場発生手段と、前記放電管の放電空間内にマイクロ波を導入する手段と、前記放電管に連結され、かつ、処理されるべき試料を保持する試料台が配置される試料室とを備えたプラズマ処理装置において、前記磁場とマイクロ波により発生する電子サイクロトロン共鳴の共鳴発生位置を少なくとも一部前記試料室内に位置させる補助磁場発生手段を備えているプラズマ処理」は、前者における「磁場発生手段を備えた容器内にマイクロ波と放電ガスを導入し、該容器内に導入された放電ガスを、前記磁場発生手段にて発生する磁場中の電子サイクロトロン運動とマイクロ波を共嶋させることにより励起、又は電離してプラズマを生成し、このプラズマを利用して前記容器内に導入された材料ガスを試料台に支持される試料の表面に導入し、該試料の表面をプラズマ処理するプラズマ処理方法」に実質的に対応するので、相違するのは、以下の点である。
　▲１▼前者においては、前記容器のマイクロ波導入窓部の磁束密度が、磁場とマイクロ波による電子サイクロトロン共鳴の共鳴発生位置の磁束密度より大きく、かつ、前記マイクロ波導入窓部側の放電空間から少なくとも前記試料を支持する試料台の位置まではほぼ単調減少する磁束密度分布形状を持っているのに対し、後者においては、当該箇所には、その点の記載がない点。
　▲２▼前者においては、前記試料台の面と、この試料台の面ど平行な前記材料ガスの導入口の面との間に前記磁場とマイクロ波による電子サイクロトロン共鳴の共鳴発生位置が位置するように前記磁場を調整するが、後者においては、上記共鳴発生位置を少なくとも一部前記試料室内に位置させる点。
　▲３▼前者においては、上記共鳴発生位置の調整後にプラズマを生成し試料をプラズマ処理するが、後者においては、プラズマの生成時期については記載されていない点。
　上記相違点について検討すると、
　上記相違点▲１▼については、上記（５．３）の▲２▼において検討したとおりであり、
　上記相違点▲２▼については、上記（２．４．１）の相違点▲２▼で検討したとおりである。
　上記相違点▲３▼については、プラズマの生成時期は、共鳴発生位置の調整の前あるいは後が考えられるが、通常は、磁場の強度等を調整した後にプラズマを生成させるものと認められるので、上記刊行物記載のプラズマ処理方法においても、共鳴発生位置の調整後にプラズマ生成させることは当業者が容易になし得たことと認められる。
　したがって、本件第１０発明は、上記刊行物に記載された発明に基いて当業者が容易になし得たことと認められるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
６．むすび
　以上のとおり、本件特許明細書の請求項１乃至１０に係る特許は、拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してなされたものであるので、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の一部の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第１項及び第２項の規定により取り消すべきものである。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１１年９月６日（１９９９．９．６）