【事件の表示】
　特許第２６３４３１３号「半導体ウェーハ製造用プラズマ処理方法」の請求項１ないし１１に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結論】
　特許第２６３４３１３号の請求項１ないし１１に係る特許を維持する。
【理由】
［１］本件発明
　本件特許第２６３４３１３号（平成２年１０月１日（優先権主張：１９８９年１０月３日）出願）、平成９年４月２５日設定登録。）の請求項１〜１１に係る各発明（以下、「本件発明１〜１１）という。）は、特許明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜１１に記載された下記のとおりのものである。
　「【請求項１】（ａ）プラズマリアクタのリアクタチャンバ内にプラズマを点孤し、（ｂ）前記リアクタチャンバ内に０．５〜３０ミリトールのガス圧を保持し、（ｃ）リアクタチャンバ内の処理すべきウェーハに置かれているパワー電極に、リアクタチャンバ内にプラズマを保持するのに十分なパワーレベルＰで、かつウェーハを最適に処理するように選択された周波数ｆ＞１３．５６ＭＨｚのｒｆ電力を供給するステップを具備し、前記ステップ（ａ）は、ｒｆ電力を同調をずらした整合ネットワークを介して前記パワー電極に供給し、パワー電極に十分に強いセルフバイアス場を発生させ、これによって前記プラズマを点孤する電子なだれを発生させると共に、更に該整合ネットワークを同調させて、反射される電力を実質的になくすステップ（ａ１）を更に備え、前記ステップ（ａ１）の整合ネットワークを、ウェーハの処理中に用いられる選択された周波数ｆで前記ｒｆ電源に対する電力の反射が実質的に生じないように調整し、更に、前記電極がプラズマを発生するイグナイト電極として動作されかつプラズマを保持するパワー電極としても動作されうるように可変コンデンサを調整するステップを更に備えることを特徴とする半導体ウェーハ製造用プラズマ処理方法。
【請求項２】前記周波数ｆが３０〜２００ＭＨｚの範囲にある請求項１に記載の方法。
【請求項３】前記周波数ｆが５０〜７０ＭＨｚの範囲にあり、ソフトプラズマエッチング処理に適する請求項１に記載の方法。
【請求項４】前記周波数ｆが１３７ＭＨｚよりも高く、特にプラズマクリーニング及びプラズマ強化の化学蒸着に適する、請求項１に記載の方法。
【請求項５】前記ステップ（ｂ）で、パワーレベルＰ及び周波数ｆを、３５０ボルトよりも小さい負のセルフバイアスがパワー電極に発生するように選択してソフトプラズマエッチング処理に適するようにした請求項１に記載の方法。
【請求項６】パワーレベル及び周波数を、パワー電極に１５０ボルトより高い負のセルフバイアス電圧が発生するように選択して非反応のソフトエッチング処理に適するようにした請求項５に記載の方法。
【請求項７】パワーレベル及び周波数を、パワー電極に５０ボルトより大きい負のセルフバイアス電圧が発生するように選択してソフト反応イオンエッチング処理に適するようにした請求項５に記載の方法。
【請求項８】前記周波数ｆが４０．　６８ＭＨｚであり、これにより放射パワーレベルに対する制約が非ＩＳＭ周波数の場合より少なくなるようにした請求項１に記載の方法。
【請求項９】前記プラズマが、純アルゴン、純水素、フッ素含有ガスを含むガス混合物、及び塩素含有ガスを含むガス混合物から選択されたガスの中で発生され、これによりウェーハのクリーニングに適している請求項１に記載の方法。
【請求項１０】前記プラズマが、純アルゴン、フッ素含有ガスを含むガス混合物、及び塩素含有ガスを含むガス混合物からなるセットから選択されたガスの中で発生され、これによりエッチング処理に適している請求項１に記載の方法。
【請求項１１】前記プラズマが、純アルゴン、シラン、及びＴＥＯＳから選択されたガスの中で発生され、これにより化学蒸着に適する請求項１に記載の方法。
［２］特許異議申立の理由の概要
　異議申立人押田　修は、本件発明１〜１１は甲第１〜８号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、同法第１１３条第１項第２号の規定により取り消されるべきである旨主張している。
［３］甲各号証に記載の発明
（１）甲第１号証（特開昭６２−１２５６２６号公報）には、「高周波電源に接続する平行平板電極と、低周波電源に接続し、かつ処理基板を搭載する平行平板電極とを内蔵する処理室を備えるドライエッチング装置」（特許請求の範囲）に関する発明が、第１図とともに開示され、さらに、「前記高周波電源の周波数を２０ＭＨ以上に設定し、前記低周波電源の出力波形を前記基板表面の蓄積電気量による表面電位変化を相殺させるように形成したことを特徴とするドライエッチング装置。」（特許請求の範囲）、
　「第１図において、処理室１内には、一組の平行平板電極２，　３が相対向するように設置されている。その一方の電極には、ローパスフィルタ１１を介してマッチングトランス１０，低周波パワーアンプ９および低周波電源（低周波信号発信器）８が順次に接続され、かつ該電極２上に処理基板４が搭載されており、他方の電極３には、ハイパスフィルタ７を介してマッチングボックス６および周波数２７ＭＨｚの高周波電源５が順次に接続されている。前記ローパスフィルタ１１は高周波電源５の高周波２７ＭＨｚをほとんど通さないように構成されている。
　・・・
　処理室１を図示しない排気装置で排気しながら、エッチングガス供給ライン（図示せず）よりエッチングガスを供給して１０〜０．０１Ｔｏｒｒの設定圧力に保持する。ついで、高周波電源５によりマッチングボックス６およびハイパスフィルタ７を介して電極３に高周波電圧を印加すると、電極２と３との間でプラズマが発生する。
　この場合、高周波電源５の高周波電流は電極３、プラズマおよび電極２を経て直接アースに流れ、ローパスフィルタ１１を通過しない。又低周波信号発信器８の信号は低周波パワーアンプ９に入力して増幅され、マッチングトランス１０によりマッチングを取られ、さらにローパスフィルタ１１を通過して電極２に印加される。」（第２頁右上欄第５行〜左下欄第１２行）、が、それぞれ記載されている。
（２）甲第２号証（特開昭６３−１９７３２９号公報）には、高周波電力をプラズマチャンパー内の一対の電極間に印加してプラズマを発生し、基板表面に半導体フィルムを付着させる方法が、第１図とともに開示され、さらに、
　「反応器へ導入されるガスは、次記の物質：シラン（ＳｉＨ４）、ジシラン（Ｓｉ２Ｈ６）および／または一層高級のシラン類、４弗化シリコン（ＳｉＦ４）、水素の内の一つまたは数個を含むものが適する。」（第４頁左上欄末行〜右上欄第４行）、
　「第一図に概略図示した装置は、一般的に周知の構成を有し、プラズマ反応器１、その真空チャンバ２内には、接地された（但し、接地以外の電位に維持されても良い）第一電極３、および整合グリット６を経て高周波発生器５に接続された第二電極４とを備える。両電極は互いに対向して配置され、それぞれの表面はほぼ平面になっている。平板状の基板７が第一電極３の表面に固定されており、基板７の自由面が第二電極４と距離ｄになるように位置づけられている。両電極（基板を含めて）は、発生器５から給電されて静電容量素子として電気回路を形成し、かくして、チャンバー２にガスが存在する場合、両電極間に起こる高周波放電によって、プラズマ８が発生される。なお、発生器５は１−２００ＭＨｚ範囲の高周波を発生するもので、」（第４頁右下欄第３〜１８行）、
　「本発明の重要な点は、電極に印加される周波数ｆが付着速度ｒ、即ち、付着された膜の生長速度に関して非常に重要な役割を果たすと云う事実である。」（第６頁左下欄第１０〜１３行）が、それぞれ記載されている。
（３）甲第３号証（特開昭５９−７３９００号公報）には、高周波電源からプラズマ発生器に高周波電力を効率良く送ってプラズマの発生を確実安定にするために用いるインピーダンス自動整合装置に関する発明が第１〜３図とともに開示され、さらに、
　「第１図は従来の自動インピーダンス整合装置の構成例図である。この図においてＰ１は高周波電源よりの入力端子、Ｐ２は負荷すなわちプラズマ発生器１０への出力端子、１は位相差とインピーダンス差の検出器、２と３は整合回路の可変素子で真空可変コンデンサ、４は整合回路素子となるインダクタンスコイル、５と６はモータで可変コンデンサ２と３の各駆動器である。またＲＬ，ＣＬはプラズマの等価インピーダンスを表わす抵抗とキャパシタ、Ｃｃはプラズマ発生器１０のストレイキャパシタである。このようなインピーダンス自動整合装置は、高周波電源から電力が与えられると検出器１で直ちに検出された位相差およびインピーダンス差の各出力で制御されるモータ５と６が可変コンデンサ２と３をそれぞれ変化させてプラズマ発生器１０内のプラズマの等価インピーダンスとＣｃとを高周波電源の出力インピーダンスに整合させることになっている。しかしこのような整合が成立するのはプラズマ発生器にプラズマが発生した後であって、プラズマが発生するまではプラズマ発生器のストレイキャパシタＣｃのインピーダンスに整合するように可変コンデンサが変化する。そしてこの変化が速いとプラズマが永久に発生しないことさえある。」（第２頁右上欄第１０行〜左下欄第１４行）
　「第２図および第３図は本発明によるインピーダンス自動整合装置の回路例図である。図中の記号は第１図と共通であるが、７はモータ５と６の制御器、９はプラズマ発生用電極、１１と１２はプラズマ発生検出器でプラズマが発生したときこれを検出する。このうち１１は高周波コイル１１ａ，コンデンサ１１ｂ，抵抗１１ｃ，１１ｅ，直流電源１１ｄおよび反転増幅器１１ｆより構成され、１２は受光素子１２ａ，抵抗１２ｂ，非反転増幅器１２Ｃから構成されている。
　高周波電源から入力端子Ｐ１に高周波電力が与えられると、可変コンデンサ２と３の値によって異なるが出力端子Ｐ２に電力が発生し、プラズマ発生器１０の内部にプラズマが発生する。第２図のプラズマ発生検出器１１ではプラズマが発生すると直流電源１１ｄから抵抗１１ｃ，高周波コイル１１ａ，出力端子Ｐ２を通ってプラズマに電流が流れ、接地から抵抗１１ｅを経て直流電源１１ｄに戻る、このとき抵抗１１ｅの両端間の電圧降下を反転増幅器１１ｆで増幅し制御器７に与える。制御器７はこの入力電圧が雑音レベル以上と判断したときに２つのモータ５と６をオンとし、検出器１で検出された位相差およびインピーダンス差の出力によって５と６を駆動し、２つの可変コンデンサ２と３がインピーダンス自動整合装置の入力側からみたインピーダンスを高周波電源の出力インピーダンスに整合させる。また第３図のプラズマ発生検出器１２ではプラズマ発生器１０内のプラズマの発光を受光素子（たとえばフォトトランジスタ）１２ａを用いて抵抗１２ｂに発生する電圧を非反転増幅器１２ｃで増幅し制御器７に与える。それから先の動作は第２図の場合と全く同一である。なお１３は透明石英板である。」（第３頁左上欄第６行〜右上欄第１８行）が、それぞれ記載されている。
（４）甲第４号証（特開昭６０−１２８６２０号公報）には、半導体ウエハの処理、加工時に用いるプラズマ装置におけるインピーダンスのマッチングを容易にする制御方法に関する発明が、第１，２図とともに開示され、さらに、
　「本発明の制御方法におけるプラズマ装置の原理図を第１図に示す。第１図において、高周波電源装置１から進行波及び反射波の電力指示計２およびインピーダンス整合回路３を介してチャンバー４内の電極５の一極へ接続され、他の一極はアースされる。チャンバー４にはガス供給口６が設けられ、ガス流量計７で監視される。また、排気口８が設けられ真空ポンプ（図示せず）に接続されておりチャンバー４内の真空度が真空計９によって示される。このような原理において本実施例では供給ガスＯ２（酸素）とし、また高周波電源装置１は周波数１３．５６ＭＨｚの高周波高出力電力発生装置を用いる。
　このような構成によるプラズマ装置の制御方法を第２図をも含めて説明する。先ず、装置運転前に、目的とする処理条件値、即ち高周波電力値と、Ｏ２ガス流量値における整合インピーダンスをインピーダンス整合回路の調整素子１０，１１により予め設定する。そして運転が開始されると（第２図Ａ）、真空ポンプによりチャンバー４内を真空度１０−２〜１０−３Ｔｏｒｒになったところで比較的低い高周波電力と、約０．５Ｔｏｒｒ程度までのガス圧とするＯ２ガス流量が印加される（第２図曲線２０，２１）。因に、この条件において放電が開始する場合もある。
　次に、高周波電力をステップ的に上昇させてゆくが、この時反射波電力値（第２図曲線２２）は高周波電源装置からみたインピーダンスがマッチングしていないため、印加電力に比例して大きくなる。ガス圧は０．１〜０．５Ｔｏｒｒレベルで推移し、（第２図Ｂ）、やがて電極５間で放電が開始すると、この時点からインピーダンスはマッチングのとれる方向に変化する（第２図Ｃ）。これは、高周波電力の電界の強さとチャンバー４内のガス圧との関係における放電の容易さを示している。」（第２頁左下欄第７行〜右下欄末行）が記載されている。
（５）甲第５号証（特表昭６２−５０１４６０号公報）には、半導体ウエハーの表面にプラズマ処理技術により微細な線のパターンをエッチングし、または薄膜を付着させる装置に関する発明が開示され、さらに、
　「上記装置のいずれにおいてもエッチングは、たとえばほぼ純粋の酸素、塩素、ＮＦ、ＣＦ、ＣＨＦ、ＢＣ１、ＳｉＦ、またはそれのＣＦ　Ｂｒ混合物、あるいはヘリウム、アルゴン、窒素、水素、クセノン、ネオンまたはクリプトンと上記ガスの混合物、あるいはドライエッチング技術に適当であることがこの分野で知られている他のガス雰囲気のような通常のドライエッチングガスで行うことができる。」（第７頁右上欄第６〜１３行）が記載されている。
（６）甲第６号証（特開昭６２−１９３１２６号公報）には、プラズマ中のイオンによって固体表面のエッチングを行うプラズマ処理方法に関する発明が、第１，２図とともに開示され、さらに、
　「第２図によれば、全印加電圧Ｖｐｐが大きくなるに従い、自己バイアス電圧Ｖｄｃも大きくなっている。また、同一全印加電圧Ｖｐｐに対して、周波数が高くなるにつれて自己バイアス電圧Ｖｄｃも大きくなっている。すなわち、低周波である１０ＭＨｚに比べて高周波である１３．５６ＭＨｚの方が、同一全印加電圧Ｖｐｐに対して自己バイアス電圧Ｖｄｃが大きい。」（第３頁右上欄第４〜１８行）が記載されている。
（７）甲第７号証（特開昭６２−２６１９号公報）には、プラズマ反応装置に関する発明が第１，２図とともに開示され、さらに、
　「基板８のエッチング後、今度は、Ｈ２ガスを反応容器１内に導入し、スイッチ９ａ，９ｂ，１１ｂはオフ状態、スイッチ９ｃ，９ｄ，１１ａはオン状態にして、同様に、Ｈ２ガスをプラズマ状態にして基板８をプラズマクリーニングする。このとき、電極４上には自己バイアス効果が生じないため、有効なプラズマクリーニングが行える。また、本実施例のようにう回回路１０を付加したプラズマ反応装置においては、スイッチ１１ａをオフ状態、スイッチ１１ｂをオン状態にして、スイッチ９ａ，９ｂ（９ｃ，９ｄ）をオン状態、スイッチ９ｃ，９ｄ（９ａ，９ｂ）をオフにした状態で、前記プラズマクリーニングを行えば、電極４，５いずれの上にも自己バイアス効果を生ぜしめずに、より有効に、プラズマクリーニングを行うことが出来る。」（第３頁左下欄第１９行〜右下欄第１３行）が記載されている。
（８）甲第８号証（特開昭６０−２２３１７号公報）には、化合物半導体素子のオーミック電極に用いられる合金電極の製造方法に関する発明が開示され、さらに、
　「本発明はガスプラズマにより基板表面をクリーニングし、金およびゲルマニウムを同時にスパッタし、そしてフラッシュ加熱によりアロイ化することを特徴とする。
　本発明では、第４図に示すような、ＤＣスパツタ装置を用いる。回転基板ホルダ１２にゲート電極５を形成済みのＧｕＡｓウェハー１３が装填されている。はじめに、１０−２−１０−３ＴｏｒｒのＡｒプラズマ中で、基板１２にバイアスを加えて逆スパッタエッチングを行なうことにより、ウエハー１３表面の自然酸化膜を除去する。」（第２頁右上欄第１４行〜左下欄第４行）が記載されている。
［４］対比・判断
（本件発明１について）
　本件発明１と甲第１号証に記載の発明とを対比すると、甲第１号証に記載の発明は、プラズマを用いた半導体装置のドライエッチング方法に関するものであって、本件発明１の半導体ウエーハ製造用プラズマ処理方法と技術分野が共通し、また、甲第１号証の「（処理室１に）エッチングガスを供給して１０〜０．０１Ｔｏｒｒ（１０トール〜１０ミリトール）の設定圧力に保持する。」（第２頁右上欄第１９行〜左下欄第２行）との記載からみて、本件発明１におけるリアクタチャンバ内のガス圧０．５〜３０ミリトールのうち、１０〜３０ミリトールが含まれることは明らかであり、さらに、甲第１号証に記載のものも、平行平板電極に高周波電源を接続し、この周波数を２０ＭＨｚ以上に設定してドライエッチングすることにより、従来のプラズマ発生電源の周波数１３．５６ＭＨｚよりもプラズマ密度が増大し、エッチングを向上させている。
　そうしてみると、両者は、「（ａ）プラズマリアクタのリアクタチャンバ内にプラズマを点弧し、（ｂ）前記リアクタチャンバ内に１０〜３０ミリトールのガス圧を保持し、（ｃ）リアクタチャンバ内の処理すべきウエーハに置かれているパワー電極に、リアクタチャンバ内にプラズマを保持するのに十分なパワーレベルＰで、かつウェーハを最適に処理するように選択された周波数ｆ＞１３．５ＭＨｚのｒｆ電力を供給するステップを具備した半導体ウェーハ製造用プラズマ処理方法」の点で一致する。
　しかしながら、本件発明１は、「前記ステップ（ａ）は、ｒｆ電力を同調をずらした整合ネットワークを介して前記パワー電極に供給し、パワー電極に十分に強いセルフバイアス場を発生させ、これによって前記プラズマを点弧する電子なだれを発生させると共に、更に該整合ネットワークを同調させて、反射される電力を実質的になくすステップ（ａ１）を更に備え、前記ステップ（ａ１）の整合ネットワークを、ウェーハの処理中に用いられる選択された周波数ｆで前記ｒｆ電源に対する電力の反射が実質的に生じないように調整し、更に、前記電極がプラズマを発生するイグナイト電極として動作されかつプラズマを保持するパワー電極としても動作されうるように可変コンデンサを調整するステップ（以下、「ステップ（ａ２）」という。）を更に備える」のに対し、甲第１号証に記載の発明は、このようなステップ（ａ１）、（ａ２）を有していない点で、甲第１号証に記載の発明と相違する。
　そこで、上記相違点について、以下検討する。
　前記甲第３号証に記載のプラズマ発生器用インピーダンス自動整合装置は、高周波電力を入力端子Ｐ１からプラズマ発生器１０内の電極に印加して、プラズマをプラズマ発生器１０内に発生させており、高周波電源から電力が与えられると、可変コンデンサ２，３を変化させて、プラズマ発生器１０内のプラズマの等価インピーダンスＲＬ，ＣＬとストレイキャパシタＣｃとを高周波電源の出力インピーダンスに整合させることになっており、しかもこのような整合が成立するのはプラズマ発生器１０にプラズマが発生した後である（第２頁左下欄第２〜１０行参照）。
　しかしながら、このインピーダンス自動整合装置は、プラズマが発生するまでは、プラズマ発生器１０のストレイキャパシタＣｃのインピーダンスに整合するようにしている（第２頁左下欄第１０〜１３行参照）から、本件発明１のステップ（ａ１）のように、ｒｆ電力を同調をずらした整合ネットワークを介してパワー電極に供給したものではないし、しかも、パワー電極に十分強いセルフバイアス場を発生させることは記載されていないし、示唆もされていない。
　また、前記甲第４号証には、プラズマ装置におけるインピーダンスマッチング方法において、装置運転前に、高周波電力値と整合インピーダンスをインピーダンス整合回路の調整素子１０，１１により予め設定し、運転が開始されると、反射波電力値（第２図曲線２２）は、高周波電源装置からみたインピーダンスがマッチングしていないと、印加電力に比例して大きくなるものの、電極５間で放電（点弧）が開始するとインピーダンスはマッチングのとれる方向に変化し、反射波電力値も低下すること（第２頁右下欄第１２〜１８行及び第２図参照）が記載されている。
　しかしながら、この高周波電源装置からみたインピーダンスは、電極５間で放電が開始するまではマッチングしていないで、放電が開始するとマッチングのとれる方向に変化させているものの、本件発明１のステップ（ａ１）のように、パワー電極に十分強いセルフバイアス場を発生させ、これによってプラズマを点弧する電子なだれを発生させることは記載されていないし、示唆もされていない。
　そうしてみると、本件発明１のステップ（ａ２）において、「ステップ（ａ１）の整合ネットワークを、ウエーハの処理中に用いられる選択された周波数ｆでｒｆ電源に対する電力の反射が実質的に生じないように調整する」構成に相当するものが甲第３，４号証に開示されているとしても、また、同じくステップ（ａ２）において、「パワー電極がプラズマを発生するイグナイト電極として動作されかつプラズマを保持するパワー電極としても動作されうるように可変コンデンサを調整する」構成に相当するものが甲第３，４号証に開示されているとしても、本件発明１は甲第１〜８号証に記載のものから容易になし得たものであるとすることはできない。
　そして、本件発明１は、上記相違点の構成を具備することにより、プラズマは、整合ネットワークの同調を外し、パワー電極をイグナイタとして作用させることによって発生させ、次に整合ネットワークを同調させてセルフバイアス電圧を、ウ工一ハを痛めることなくウェーハをエッチングするのに適当な電圧レベルまで低減させる、という明細書に記載の顕著な効果を奏するものである。
　したがって、本件発明１は、甲第１〜８号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
（本件発明２〜１１について）
　本件発明２〜５、８〜１１については本件発明１を引用して、また、本件発明６、７については本件発明５を引用して、さらに構成を付加、限定したものであるから，前記と同様な理由により甲第１〜８号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
［５］むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立の理由及び証拠によっては、本件請求項１〜１１に係る発明の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件請求項１〜１１に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１１年６月１７日（１９９９．６．１７）