【事件の表示】
　特許第２７３０００１号　「半導体ウエハー露光方法と露光用水銀灯」の請求項１ないし２に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結論】
　訂正を認める。
　特許第２７３０００１号の請求項１に係る特許を維持する。
【理由】
１．本件特許第２７３０００１号は、平成元年３月２０日の出願であって、平成９年１２月１９日にその特許権の設定登録がなされ、その後、岩崎電気株式会社、東芝ライテック株式会社及び株式会社ワコム電創より特許異議の申立てがなされ、取消理由が通知され、その指定期間内である平成１１年４月１９日に訂正請求がなされたものである。
２．本件特許に対し、異議申立人岩崎電気株式会社は、甲第１号証として特開昭６１−１８９６３６号公報（以下、「引用例１」という。）を、甲第２号証として特開昭５６−７６１５７号公報（以下、「引用例２」という。）を、甲第３号証として「ＴＨＥ　ＨＩＧＨ　ＰＲＥＳＳＵＲＥ　ＭＥＲＣＵＲＹ　ＶＡＰＯＵＲ　ＤＩＳＣＨＡＲＧＥ」１９５１年ＮＯＲＴＨ−ＨＯＬＬＡＮＤ　ＰＵＢＬＩＳＨＩＮＧ　ＣＯＭＰＡＮＹ発行、Ｐ．ＩＸ−ＸＩＩ，Ｐ．３０，１０８−１０９（以下、「引用例３」という。）を、甲第４号証として「照明学会雑誌Ｖｏ１．６１，Ｎｏ．１」昭和５２年１月社団法人照明学会発行、Ｐ．４−９（以下、「引用例４」という。）を、及び甲第５号証として「光学第１３巻第１号」昭和５９年２月社団法人応用物理学会光学懇話会発行Ｐ．１０−１７（以下、引用例５」という。）を提示し、本件特許の請求項１ないし２に係る発明は、甲第１号証乃至甲第５号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである旨主張する。
　また、本件特許に対し、異議申立人東芝ライテック株式会社は、甲第１号証として特開昭６１−１８９６３６号公報（異議申立人岩崎電気株式会社の提示した甲第１号証と同じ）を、甲第２号証として特開昭５４−１０８４７８号公報（以下、「引用例６」という。）を、甲第３号証として特公昭６１−５２５９号公報（以下、「引用例７」という。）を、及び甲第４号証として「ＨＡＭＡＭＴＳＵＴＥＣＨＮＩＣＡＬ　ＤＡＴＡ」浜松ホトニクス株式会社（以下、「引用例８」という。）を提示し、本件特許の請求項１ないし２に係る発明は、甲第１号証乃至甲第４号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである旨主張する。
　更に、本件特許に対し、異議申立人株式会社ワコム電創は、甲第１号証として特開昭５６−７６１５７号公報（異議申立人岩崎電気株式会社の提示した甲第２号証と同じ。）を、甲第２号証として「光技術の半導体製造への応用」昭和６２年１０月３０日株式会社オプトエレクトロニクス社発行、Ｐ．５５−５９（以下、「引用例９」という。）を、甲第３号証として、特開昭６１−１８９６３６号公報（特許異議申立人岩崎電気株式会社の提示した甲第１号証と同じ。）、甲第４号証として「電子材料　１９８８年３月号」Ｐ．３０−３６（以下、「引用例１０」という。）を、及び甲第５号証として、「日経マイクロデバイス１９８８年１月号」Ｐ．６７，６８（以下、「引用例１１」という。）を提示し、本件特許の出願日は、要旨変更に該当する平成９年２月２７日付け手続補正の日に繰り下がり、本件特許の請求項１ないし２に係る発明は、甲第１号証乃至甲第５号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、また、請求項１ないし２に係る発明は、その目的を達成できない数値範囲を含むものであるから、特許法第３６条に規定する要件を満たさない出願に対してされたものである旨主張する。
３．上記取消理由は、
ａ．前記引用例１及び引用例２を引用し、本件特許の請求項１に係る発明は、引用例２に記載されており、また、請求項１ないし２に係る発明は、引用例１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件特許は、特許法第２９条第１項及び同法第２９条第２項の規定に違反してされたものであり、また、
ｂ．発明の詳細な説明には、水銀の封入量及び希ガスの封入量が予定の範囲内であって、電圧と電流の関係がＶ＜Ａの関係にあるもののすべてがｇ線もしくはｉ線について所望のスペクトル純度が得られる根拠が明確にされておらず、発明の詳細な説明には、請求項２にかかる発明のｇ線又はｉ線のスペクトル純度が所望の値になる水銀灯を当業者が容易に実施することができるように記載されていない出願に対してされたものであるから、取り消すべきというものである。
４．上記訂正請求によって訂正された明細書の請求項１に係る発明（以下、「訂正発明」という。）は、その特許請求の範囲に記載された次のとおりのものである。
　「発光管の中央に発光空間膨出部が形成され、該発光空間膨出部内に一対の電極が対向配置されるとともに、水銀と希ガスが封入されてなる半導体ウエハー露光用水銀灯であって、当該水銀の封入量を１．１５乃至１１．５ｍｇ／ｃｃの範囲から選択し、希ガスの封入量を静圧出０．２５乃至５気圧の範囲になるように選択して、直流電源で点灯させるとともに、消費電力をＷ、電圧をＶ、電流をＡとしたとき、Ｗ＝Ｖ×Ａにおいて、Ｖ＜Ａで点灯せしめて、下記の定義で決まるｇ線もしくはｉ線のスペクトル純度を８５％以上にしたことを特徴とする半導体ウエハー露光用水銀灯。
　ｇ線純度＝（４３２ｎｍ〜４４０ｎｍの積分エネルギー／４２６ｎｍ〜４４６ｎｍの積分エネルギー）×１００
　ｉ線純度＝（３６１ｎｍ〜３６９ｎｍの積分エネルギー／３５５ｎｍ〜３７５ｎｍの積分エネルギー）×１００」
５．上記訂正請求の適否について判断する。
（１）上記訂正は、願書に添付された明細書（以下、「特許明細書」という。）を、以下のａ〜のとおり訂正するものである。
ａ．特許請求の範囲について、
　特許請求の範囲第１項を削除し、特許請求の範囲第２項を第１項とする訂正をする。
ｂ．発明の詳細な説明について
　特許明細書第２頁１２−１４行目の「本発明は、微細パターン焼き付けに適した半導体ウエハー露光方法と露光用水銀灯に関するものである。」を、「本発明は、微細パターン焼き付けに適した露光用水銀灯に関するものである。」と訂正する。
ｃ．発明の詳細な説明について、
　特許明細書第４頁１３行目−第５頁３行目の「本発明の半導体ウエハー露光方法は、半導体ウエハー露光装置に、発光管の中央に発光空間膨出部が形成され、該発光空間膨出部内に一対の電極が対向配置されるとともに、水銀の封入量を１．１５乃至１１．５ｍｇ／ｃｃの範囲から選択し、希ガスの封入量を静圧で０．２５乃至５気圧の範囲内になるように選択して、該水銀と希ガスを封入してなる水銀灯を配置し、該水銀灯を直流電源で点灯させるとともに、消費電力をＷ、電圧をＶ、電流をＡとしたとき、Ｗ＝Ｖ×Ａにおいて、Ｖ＜Ａで点灯せしめて半導体ウエハーを露光することを特徴とする。
　また露光用水銀灯は、発光管の中央に発光空間膨出部が形成され、該発光空間膨出部内に一対の電極が対向配置されるとともに、水銀と希ガスが封入されてなる半導体ウエハー露光用水銀灯であって、当該水銀の封入量を１．１５乃至１１．５ｍｇ／ｃｃの範囲から選択し、希ガスの封入量を静圧で０．２５乃至５気圧の範囲になるように選択して、直流電源で点灯させるとともに、消費電力をＷ、電圧をＶ、電流をＡとしたとき、Ｗ＝Ｖ×Ａにおいて、Ｖ＜Ａで点灯せしめて、下記の定義で決まるｇ線もしくはｉ線のスペクトル純度を８５％以上にしたことを特徴とする。」を、「本発明の半導体ウエハー露光用水銀灯は、発光管の中央に発光空間膨出部が形成され、該発光空間膨出部内に一対の電極が対向配置されるとともに、水銀と希ガスが封入されてなる半導体ウエハー露光用水銀灯であって、当該水銀の封入量を１．１５乃至１１．５ｍｇ／ｃｃの範囲から選択し、希ガスの封入量を静圧で０．２５乃至５気圧の範囲になるように選択して、直流電源で点灯させるとともに、消費電力をＷ、電圧をＶ、電流をＡとしたとき、Ｗ＝Ｖ×Ａにおいて、Ｖ＜Ａで点灯せしめて、下記の定義で決まるｇ線もしくはｉ線のスペクトル純度を８５％以上にしたことを特徴とする。」と訂正する。
ｄ．発明の詳細な説明において、
　特許明細書第５頁１８行目−第６頁１２行目の「水銀の封入量を１．１５乃至１１．５ｍｇ／ｃｃの範囲から選択し、希ガスの封入量を静圧で０．２５乃至５気圧の範囲になるように選択して、該水銀と希ガスを封入してなる水銀灯を配置し、該水銀灯を直流電源で点灯させるとともに、消費電力をＷ、電圧をＶ、電流をＡとしたとき、Ｗ＝Ｖ×Ａにおいて、Ｖ＜Ａで点灯せしめて半導体ウエハーを露光するようにしたので、微細パターン焼き付けに適した露光方法とすることができ、また水銀と希ガスの封入量を前記した範囲から選択して、前記定義で決まるｇ線もしくはｉ線のスペクトル純度を８５％以上にしたので、露光時にボケの原因となる光の放射量が少なくなり、半導体ウエハーの微細パターン露光用に適した水銀灯とすることができる。」を、「水銀の封入量を１．１５乃至１１．５ｍｇ／ｃｃの範囲から選択し、希ガスの封入量を静圧で０．２５乃至５気圧の範囲になるように選択して、該水銀と希ガスを封入してなる水銀灯を配置し、該水銀灯を直流電源で点灯させるとともに、消費電力をＷ、電圧をＶ、電流をＡとしたとき、Ｗ＝Ｖ×Ａにおいて、Ｖ＜Ａで点灯して、また水銀と希ガスの封入量を前記した範囲から選択して、前記定義で決まるｇ線もしくはｉ線のスペクトル純度を８５％以上にしたので、露光時にボケの原因となる光の放射量が少なくなり、半導体ウエハーの微細パターン露光用に適した水銀灯をすることができる。」と訂正する。
ｅ．発明の詳細な説明において、
　特許明細書第８頁７−１３行目の「そして、この半導体ウエハー露光用水銀灯を直流電源で点灯するにあたって、ランプ電圧Ｖとランプ電流Ａとの関係をＶ＜Ａとなるように制御して点灯せしめて半導体ウエハーを露光させれば、前記したｇ線もしくはｉ線の純度がほぼ８５％以上になり、ボケの少ない露光方法とすることができる。」を削除する。
（２）上記訂正についてみると、
　ａの訂正事項は、請求項を削除するものであるから、特許請求の範囲の減縮に相当する。
　ｂ、ｃ、ｄの訂正事項は、特許請求の範囲の減縮に伴い、発明の詳細な説明の項の［産業上の利用分野］、［課題を解決するための手段］、［作用］の欄をこれに整合させるように訂正するものであるから、明りょうでない記載の釈明に相当する。
　ｅの訂正事項は、取消理由ｂで指摘された記載不備を解消するために、不適切な記載を削除するものであるから、明りょうでない記載の釈明に相当する。
　そして、上記ａ〜ｄの訂正事項は、請求項の削除とこれに伴い発明の詳細な説明の記載の整合性を求めたものであるから、明らかに、願書に添付された明細書又は図面に記載された事項の範囲内のものであって、かつ、この訂正によって、発明の目的が変更されるものでもないから、実質上特許請求の範囲を拡張するものでもなく、また、変更するものでもない。
　また、ｅの訂正事項は、単に特許請求の範囲の記載と対応しない、不適切な記載を削除しただけであるから、明らかに、願書に添付された明細書又は図面に記載された事項の範囲内のものであって、かっ、この訂正によって、発明の目的が変更されるものでもないから、実質上特許請求の範囲を拡張するものでもなく、また、変更するものでもない。
（３）次に、独立特許要件について判断する。
　前記引用例１乃至１１には、次の事項が記載されている。
引用例１；紫外線を利用して半導体ウエハーに対して図形パターンが描かれたフォトマスクを介して露光を行うための露光方法に関し、「キセノン・水銀放電灯が、主発光成分として０．１〜５気圧（室温）のキセノンと封入部の単位体積当り１〜３０ｍｇ／ｃｃ（室温）の水銀とを封入してなることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のキセノン・水銀放電灯による半導体ウエハーの露光方法。（特許請求の範囲第２項）」、「斯かる方法によれば、集積度の高い図形パターンの縮小像を鮮明にしかも効率的に半導体ウエハー上に焼付けることができる。（第３頁右上欄１４−１６行目）」、「第１図は本発明方法が適用される半導体ウエハー露光装置の概略を示す。第１図においては、１は露光用光源であるキセノン・水銀放電灯である。このキセノン・水銀放電灯１はそのアークが集光鏡２の焦点に位置するように取付けられている。このキセノン・水銀放電灯１よりの光は集光鏡２によって集光され、プロジェクションレンズ３、バンドフィルター４、縮小用結像コンデンサレンズ５を介して、回路パターンが描かれたフォトマスク６に投射され、このフォトマスク６による光像が、基台（図示せず）に保持された、その上面に紫外線感光剤よりなるフオトレジスト膜が形成された半導体ウエハー７に投影され、これにより半導体ウエハー７にフォトマスク６に対応した回路パターンが縮小された状態で焼付けられる。前記キセノン・水銀放電灯１は、主発光成分として例えば０．１〜５気圧（室温）のキセノンと封入部の単位体積当り例えば１〜３０ｍｇ／ｃｃ（室温）の水銀を封入してなり、その放射光の最大ピークの波長は３６５ｎｍである。そして前記プロジェクションレンズ３及び縮小用結像コンデンサレンズ５はいずれも波長３６５ｎｍの光の透過率が高いガラス材料からなり、プロジェクションレンズ３及び縮小用結像コンデンサレンズ５は波長３６５ｎｍの光に対する透過率が高い石英ガラスを使用している。前記バンドフィルター４は、波長３６５ｎｍの光の透過率が高いガラス材料からなり、透過光のピーク波長が３６５ｎｍとなるものであり、このピーク波長を含む狭い波長領域の光を高い透過率例えば９０％以上で透過する共に露光に不要な波長の光成分を実質上カットするものである。（第３頁右上欄２０行目一右下欄１０行目）」、「斯かるキセノン・水銀放電灯１の具体的設計の一例を下記に示す。
　定格消費電力；　　５００Ｗ（２０Ｖ，２０Ａ）（第４頁右上欄１７−１９行目）」、「主発光性分
　キセノン；　　　　３気圧
　水銀；封入部の単位体積当り７ｍｇ／ｃｃ（室温）　
　既述の如き特定圧力のキセノンと特定割合の水銀とを主発光性分とするキセノン・水銀放電灯１においては、３６５ｎｍの放射強度が大きくて焼付線幅の小さい焼付が可能であると共に露光時間の短縮を図ることができ、しかも３６５ｎｍの前後の波長の光の放射強度が急激に低下して３６５ｎｍのピーク領域の半値幅が狭く、このためレンズ系における色収差が少なくて焦点深度が大きくなって焦点合わせが容易となる。（第４頁左下欄７−１８行目）」、「一方、従来の超高圧水銀灯においては、４３６ｎｍの放射強度に比して３６５ｎｍの放射強度が低いため集積度の高い焼付を行なう場合には光の利用効率が低くて効率的な露光を行なうことができない。実際、従来の超高圧水銀灯において、水銀の封入量を種々変えて放射特性を調べる実験を行なったところ、水銀の封入量を少なくして点灯時の水銀圧力を小さくすると全体的に放射強度が小さくなり、逆に水銀の封入量を多くして点灯時の水銀圧力を大きくすると封体が破裂しない範囲では３６５ｎｍの放射強度は依然として低く、結局超高圧水銀灯では３６５ｎｍの放射強度を高くすることが困難であった。これに対して主発光成分となる封入ガスの種類及び量を種々変えて放射特性を調べる実験を行なったところ、室温下における封入圧力が例えば０．１〜５気圧となるキセノンと室温下における封入量が封入部の単位体積当り例えば、１〜３０ｍｇ／ｃｃとなる水銀とを封入してなるキセノン・水銀放電灯が３６５ｎｍの放射強度が高く、しかも急峻なピークを有していることが見出だされた。（第４頁左下欄１８行目−右下欄１８行目）」及び「本発明に用いるキセノン・水銀放電灯は、従来の超高圧水銀灯に比して、３６５ｎｍの放射強度が約１．７〜２．３倍と大きく、また３６５ｎｍのピーク領域の半値幅も約０．７〜０．８と小さくて急峻なピークを有し、そしてピーク領域以外のすそ領域の放射強度が約１／２と小さく、結局上記の如きキセノン・水銀放電灯を露光用光源として用い、波長３６５ｎｍの光の透過率が高いレンズ系によりマスクパターンの縮小像を半導体ウエハー７に投影して露光することにより、解像度を０８μｍにまで向上せしめることができて集積度の高いパターンの焼付を実行することができ（第５頁左上欄６−１７行目）」と記載されている。
引用例２；放電灯、特に水銀と希ガスとが放電発光に寄与し、例えばＩＣ、ＬＳＩ、超ＬＳＩその他の微細パターンを有する素子の製造における当該微細パターンの焼付、或いは転写において露光用光源として好適な水銀希ガス放電灯に関し、「バルブ内に陰極及び陽極を設け、且つ当該バルブ内に水銀と、キセノンガス並びにキセノンガスと他の希ガスとの混合希ガスの何れか一方とを封入した水銀希ガス放電灯において、バルブ内容積１ｃｃ当りの水銀の量（ｍｇ／ｃｃ）の値をＸ、キセノンガスガス並びに前記混合希ガスの何れか一方のガス圧（気圧）の値をＹ、前記陰極と陽極の電極間距離（ｍｍ）をｄとしたとき、１≦Ｘ≦１３、０．１≦Ｙ≦１０、ｄ≧２に規定してなることを特徴とする水銀希ガス放電灯。（特許請求の範囲）」、「放電灯消費電力１０００ワット、動作電圧２７．８ボルト、動作電流３６．０アンペア（第２頁右下欄１２−１４行目）」及び「第１表の結果からも明らかなように、本発明放電灯は、同一消費電力の放電灯に比して、波長２０００〜３０００Ａの紫外線の放射量が著しく大きく、焼付時間が著しく短いものである。（第３頁左上欄１３−１６行目）」と記載されている。
引用例３；
「Ｅ∝Ｐ１／２／（Ｐ−Ｐｃｏｎｄ）×ｍ７／１２／ｄ３／２
　放電空間にかかる電界Ｅ（Ｖ／ｖｍ）
　放電空間距離当りの電力Ｐ（Ｗ／ｃｍ）
　純水銀蒸気中の熱伝導による放電空間距離当りの損失電力Ｐｃｏｎｄ（Ｗ／ｃｍ）
　放電空間距離当りの蒸発水銀量ｍ（ｍｇ／ｃｍ）
　発光管の内径ｄ（ｃｍ）
（第３０頁１４行目及びＩＸ−ＸＩＩ「ＬＩＳＴ　ＯＦ　ＳＹＭＢＯＬ」参照）」及び「これまでは、管壁安定型即ち、一般的に発光管の内径が放電距離より短いものについて検討してきた。しかしコンパクト光源では、放電距離の方が管内径に比べて短くなり、一般的に発光管はより球状になる。単位放電距離ｃｍあたりの発光管表面積は大きく、そのため強制空冷手段なしでも放電距離当りに投入できる電力は大きくなる。この放電において異なる分子間に働く熱平行は、管壁安定型のランプと同様であることが確認されている。これらのランプはそれ故、電極安定型とよばれている。（第１０８頁１５行目−第１０９頁１行目参照）」と記載されている。
引用例４；「水銀ランプでは、発光管内の水銀蒸気圧が変わると放射する分光分布も変化する。図２にその一例を示すが、ランプの使用目的に合った波長域に発光の分光分布が集中するように蒸気圧が決められている（第５頁左欄８−１１行目）」と記載されている。
引用例５；「ＵＶ露光ランプには、前述したミラープロジェクションアライナ等の特殊な場合を除けば、ほとんど例外なく水銀ショートアークランプが使用されている。水銀ショートアークランプは超高圧水銀灯とも呼ばれ、点灯時のＨｇの蒸気圧が１０〜３０気圧で、点灯を容易にするため、Ａｒ等の希ガスが封入されている。アーク長は１〜２ｍｍ程度で、ほぼ点光源とみなすことができるうえ、ＵＶ領域に強い発光スペクトルを有し、その発光効率も１０％以上（ｉ線〜ｇ線）に達する。主な輝線はｉ線（３６５ｎｍ）、ｈ線（４０５ｎｍ）、ｇ線（４３６ｎｍ）、ｅ線（５４６ｎｍ）のほか、２６０〜３４０ｎｍにも多数の輝線を有する。一般にＨｇの封入圧が高くなるほど可視領域の発光スペクトル成分が増えるとともに、輝線の幅が広がる傾向を示す。（第１３頁右欄１８行目−第１４頁左欄７行目）」と記載されている。
引用例６；半導体の焼付または転写方法とそれに適した放電灯の改良に関し、「（１）バルブ内に、一対の電極と、水銀と、希ガスとを含む水銀希ガス放電灯であって、バルブ内容積１ｃｃ当りの水銀量（ｍｇ／ｃｃ）の値をＸ、希ガスの圧力（気圧）の値をＹとした時、
　　１≦Ｘ≦１３
　　０．１≦Ｙ≦１０
に規定した水銀希ガス放電灯を、直流定電流点灯させておいたうえで、更に間欠過入力の放電を重畳させ、その間欠過入力の放電時間ｔを０．１〜１２０秒に制御して半導体を焼付もしくは転写することを特徴とする半導体の焼付又は転写方法。
（２）バルブ内に、陽極と、陰極と、水銀と、希ガスとを含む水銀希ガス放電灯であって、バルブ内容積１ｃｃ当りの水銀量（ｍｇ／ｃｃ）の値をＸ、希ガスの圧力（気圧）の値をＹとした時、
　　１≦Ｘ≦１３
　　０．１≦Ｙ≦１０
に規定した間欠過入力重畳用直流点灯型水銀希ガス放電灯の陽極の体積を、放電灯の定格消費電力当りの値Ｚ（ｃｃ／ワット）を、
　　０．０７×１０−？＜Ｚ，０．５×１０−？
　　（？は、判読不能）
に規定してなることを特徴とする放電灯（特許請求の範囲）」、「最近超ＬＳＩの開発に併せて、１ミクロン以下の加工精度を持つ焼き付け技術、転写技術が要求されるようになった。従来の技術、つまり１ミクロン以下の加工精度で良い場合は、３５００Ａ〜４５００Ａの紫外線を放射する放電灯と、その波長に感度を備えた感光性樹脂の利用によって既にに実用化されているが、１ミクロン以下の精度が要求されると、光干渉のため、従来技術は使用できない。（第１頁右下欄１６行目−第２頁左上欄７行目）」及び「第１図の構造の放電灯において、データ採取のために設計されたものの一例は、
　　定格消費電力　　５００ワット
　　定格使用電圧　　２４．３ボルト
　　定格使用電流　　２０．５アンペア（第３頁左上欄７−１１行目）」と記載されている。
引用例７；直流点灯用ショート・アーク放電灯の改良に関し、「直流点灯用ショート・アーク放電灯において、リード棒との接合面を除く陽極の表面の総面積Ｓ［ｃｍ２］が次の２つの関係式、
０．０１５Ｉ１．５≦Ｓ≦０．０２５Ｉ１．５＋８
　　　３０≦Ｉ≦１７０
　但し、Ｉは定格電流アンペア単位で表したときの数値
で規定される範囲内であることを特徴とする直流点灯用ショート・アーク放電灯。（特許請求の範囲）」、「このように、直流点灯用ショート・アーク放電灯で、広い表面積の陽極を使用する理由は、通常、この種の放電灯が、低電圧大電流であり、陽極での発熱が大きいから、その放熱効果を大きくして、陽極の昇温を抑制する為である。（第１頁左欄１９−２３行目）」及び「即ち、定格電圧２０〜４０［Ｖ］、定格電流が３０〜１７０［Ａ］であるキセノン・ショート・アーク放電灯を多数製作し、（第２頁左欄２７−２９行目）」と記載されている。
引用例８；半導体焼付用光源に用いられる高安定水銀−キセノンランプに関し、「水銀−キセノンランプの場合は、超高圧水銀ランプに比較して３００ｎｍ以下のＤｅｅｐＵＶ領域の放射強度が高く、輝線スペクトルがシャープで、ピークが高い事などが特徴です。（第３頁左欄１４−１７行目）」と記載されている。
引用例９；紫外線のリソグラフィヘの応用と題して、「線幅に大きく影響するのが紫外光の波長で
とにより、紫外光の波長は短ければ短いほど解像度が良くなる。しかし光学系のレンズ、ミラー及びフォトレジストの感度などの問題により、紫外光の波長域にも限界がある。現在、一番良く利用されているのは水銀の発光スペクトルであるＧ線（４３６ｎｍ）、Ｈ線（４０５ｎｍ）、Ｉ線（３６５ｎｍ）である。そしてこれらの光源としては、点光源で輝度が高く、出力が大きい超高圧水銀灯が最も一般的に使用されている。半導体焼付用として市場で最も良く使用されている、２５０Ｗ，５００Ｗの超高圧水銀灯の外観及び分光分布を図−２−図−５に示す。しかしこれら波長域ではステップアンドリピート方式以外では、線幅はせいぜい数ミクロン程度である。しかしさらに短い波長２００〜３００ｎｍを使用した焼付けでは、線幅が０．５ミクロン程度まで細くできる。この光源として「ＤｅｅｐＵＶランプ」が市販されている。ＤｅｅｐＵＶランプとして５００Ｗ〜３．５ＫＷがあり、その外観及び分光分布を図−６−図−１１に示す。（第５６頁左欄１１行目−第５７頁左欄３行目）」及び「レンズの透過率の関係でＧ線（４３６ｎｍ）が使用されている。しかしここ最近、解像度を上げるためのＩ線（３６５ｎｍ）用のレンズも開発されて短波長傾向になりつつあるために、光源もＩ線用ランプが開発されている。この場合、単波長をを使用するため、さらに波長幅をできるだけ狭くし、連続波長部分をできるだけ低くすることが、要求されている。（第５７頁右欄５行目−第５８頁左欄４行目）」と記載されている。
引用例１０；ｉ線縮小投影露光装置「ＬＤ−５０１０ｉ」と題して、「露光光源には、本機のために新しく開発されたｉ線用高輝度超高圧水銀ランプを使用している。このランプはｉ線において出力および純度が高く、かつ安定になるように設計されており（第３２頁２０−２５行目）」と記載され、図１には、「解像度の　ターゲットと着目点」の題のもとに着目点として光源のスペクトル純度が挙げられている。
引用例１１；ｉ線ステッパが１６Ｍ向け有力候補に急浮上と題して、「ｉ線の線幅が１／２に　水銀ランプの特性が上がったことも、レンズ設計の制約を減らしている。半値幅が狭く、照度が高くなった（図２）。このため、色収差補正が楽になった。（第６８頁中欄６−１０行目）」と記載されている。
（４）訂正発明と前記引用例１乃至引用例１１に記載されたものとを対比すると、前記引用例１乃至引用例１１にはいずれにも、訂正発明の必須の構成である
「ｇ線純度＝（４３２ｎｍ〜４４０ｎｍの積分エネルギー／４２６ｎｍ〜４４６ｎｍの積分エネルギー）×１００
　ｉ線純度＝（３６１ｎｍ〜３６９ｎｍの積分エネルギー／３５５ｎｍ〜３７５ｎｍの積分エネルギー）×１００
の定義で決まるｇ線もしくはｉ線のスペクトル純度を８５％以上に」することは記載されておらず、かつ、水銀放電灯において、ｇ線純度もしくはｉ線純度をこのように定義し、８５％以上にすることが、前記引用例１乃至引用例１１に示唆されているとすることもできない。
　なお、引用例１、８、９、１０又は１１には、ｇ線もしくはｉ線のピーク値を高く、半値幅を小さくすることが記載されているが、これらの記載から、訂正発明で定義されたｇ線純度もしくはｉ線純度を８５％以上にすることが必然的であるとすることはできない。
　したがって、訂正発明は、前記引用例１乃至引用例１１に記載された発明と同一であるとも、それらの発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることも、できない。
（５）そして、異議申立人ワコム電創の指摘した明細書の記載不備、及び取消理由ｂで指摘した明細書の記載不備も前記訂正事項ｅの訂正により解消した。
（６）以上のとおりであるから、上記訂正請求は、特許法第１２０条の４第２項及び同条第３項で準用する第１２６条第２項〜第４項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
６．次に、特許異議の申立てについて判断する。
（１）本件特許発明は、訂正された明細書の特許請求の範囲に記載されたとおりのものであって、上記４で認定したとおりのものである。
（２）しかしながら、本件特許発明は、上記５（４）で示したように、引用例１〜１１に記載された発明と同一であるとも、それらの発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものともすることもできない。
　また、上記５（５）で示したように、明細書の記載に不備があるとすることもできない。
　なお、上記のとおり、本件特許発明は、本件特許の出願の日如何に関わらず、異議申立人の提示した引用例１〜１１に記載された発明と同一であるとも、それらの発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものともすることもできないから、本件特許の出願日について判断する必要はない。
７．したがって、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件特許発明に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に、本件特許発明に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１１年１１月２４日（１９９９．１１．２４）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
ａ．特許請求の範囲について、
　特許請求の範囲第１項を削除し、特許請求の範囲第２項を第１項と、特許請求の範囲の減縮を目的としてする訂正をする。
ｂ．発明の詳細な説明について
　特許明細書第２頁１２−１４行目の「本発明は、微細パターン焼き付けに適した半導体ウエハー露光方法と露光用水銀灯に関するものである。」を、「本発明は、微細パターン焼き付けに適した露光用水銀灯に関するものである。」と、明りょうでない記載の釈明を目的として訂正する。
ｃ．発明の詳細な説明について、
　特許明細書第４頁１３行目−第５頁３行目の「本発明の半導体ウエハー露光方法は、半導体ウエハー露光装置に、発光管の中央に発光空間膨出部が形成され、該発光空間膨出部内に一対の電極が対向配置されるとともに、水銀の封入量を１．１５乃至１１．５ｍｇ／ｃｃの範囲から選択し、希ガスの封入量を静圧で０．２５乃至５気圧の範囲内になるように選択して、該水銀と希ガスを封入してなる水銀灯を配置し、該水銀灯を直流電源で点灯させるとともに、消費電力をＷ、電圧をＶ、電流をＡとしたとき、Ｗ＝Ｖ×Ａにおいて、Ｖ＜Ａで点灯せしめて半導体ウエハーを露光することを特徴とする。
　また露光用水銀灯は、発光管の中央に発光空間膨出部が形成され、該発光空間膨出部内に一対の電極が対向配置されるとともに、水銀と希ガスが封入されてなる半導体ウエハー露光用水銀灯であって、当該水銀の封入量を１．１５乃至１１．５ｍｇ／ｃｃの範囲から選択し、希ガスの封入量を静圧で０．２５乃至５気圧の範囲になるように選択して、直流電源で点灯させるとともに、消費電力をＷ、電圧をＶ、電流をＡとしたとき、Ｗ＝Ｖ×Ａにおいて、Ｖ＜Ａで点灯せしめて、下記の定義で決まるｇ線もしくはｉ線のスペクトル純度を８５％以上にしたことを特徴とする。」を、「本発明の半導体ウエハー露光用水銀灯は、発光管の中央に発光空間膨出部が形成され、該発光空間膨出部内に一対の電極が対向配置されるとともに、水銀と希ガスが封入されてなる半導体ウエハー露光用水銀灯であって、当該水銀の封入量を１．１５乃至１１．５ｍｇ／ｃｃの範囲から選択し、希ガスの封入量を静圧で０．２５乃至５気圧の範囲になるように選択して、直流電源で点灯させるとともに、消費電力をＷ、電圧をＶ、電流をＡとしたとき、Ｗ＝Ｖ×Ａにおいて、Ｖ＜Ａで点灯せしめて、下記の定義で決まるｇ線もしくはｉ線のスペクトル純度を８５％以上にしたことを特徴とする。」と、明りょうでない記載の釈明を目的として訂正する。
ｄ．発明の詳細な説明において、
　特許明細書第５頁１８行目−第６頁１２行目の「水銀の封入量を１．１５乃至１１．５ｍｇ／ｃｃの範囲から選択し、希ガスの封入量を静圧で０．２５乃至５気圧の範囲になるように選択して、該水銀と希ガスを封入してなる水銀灯を配置し、該水銀灯を直流電源で点灯させるとともに、消費電力をＷ、電圧をＶ、電流をＡとしたとき、Ｗ＝Ｖ×Ａにおいて、Ｖ＜Ａで点灯せしめて半導体ウエハーを露光するようにしたので、微細パターン焼き付けに適した露光方法とすることができ、また水銀と希ガスの封入量を前記した範囲から選択して、前記定義で決まるｇ線もしくはｉ線のスペクトル純度を８５％以上にしたので、露光時にボケの原因となる光の放射量が少なくなり、半導体ウエハーの微細パターン露光用に適した水銀灯とすることができる。」を、「水銀の封入量を１．１５乃至１１．５ｍｇ／ｃｃの範囲から選択し、希ガスの封入量を静圧で０．２５乃至５気圧の範囲になるように選択して、該水銀と希ガスを封入してなる水銀灯を配置し、該水銀灯を直流電源で点灯させるとともに、消費電力をＷ、電圧をＶ、電流をＡとしたとき、Ｗ＝Ｖ×Ａにおいて、Ｖ＜Ａで点灯して、また水銀と希ガスの封入量を前記した範囲から選択して、前記定義で決まるｇ線もしくはｉ線のスペクトル純度を８５％以上にしたので、露光時にボケの原因となる光の放射量が少なくなり、半導体ウエハーの微細パターン露光用に適した水銀灯をすることができる。」と、明りょうでない記載の釈明を目的として訂正する。
ｅ．発明の詳細な説明において、
　特許明細書第８頁７−１３行目の「そして、この半導体ウエハー露光用水銀灯を直流電源で点灯するにあたって、ランプ電圧Ｖとランプ電流Ａとの関係をＶ＜Ａとなるように制御して点灯せしめて半導体ウエハーを露光させれば、前記したｇ線もしくはｉ線の純度がほぼ８５％以上になり、ボケの少ない露光方法とすることができる。」を、明りょうでない記載の釈明を目的として削除する。
（５４）【発明の名称】
半導体ウエハー露光用水銀灯
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】発光管の中央に発光空間膨出部が形成され、該発光空間膨出部内に一対の電極が対向配置されるとともに、水銀と希ガスが封入されてなる半導体ウエハー露光用水銀灯であって、当該水銀の封入量を１．１５乃至１１．５ｍｇ／ｃｃの範囲から選択し、希ガスの封入量を静圧で０．２５乃至５気圧の範囲になるように選択して、直流電源で点灯させるとともに、消費電力をＷ、電圧をＶ、電流をＡとしたとき、Ｗ＝Ｖ×Ａにおいて、Ｖ＜Ａで点灯せしめて、下記の定義で決まるｇ線もしくはｉ線のスペクトル純度を８５％以上にしたことを特徴とする半導体ウエハー露光用水銀灯。
　ｇ線純度＝（４３２ｎｍ〜４４０ｎｍの積分エネルギー／４２６ｎｍ〜４４６ｎｍの積分エネルギー）×１００
　ｉ線純度＝（３６１ｎｍ〜３６９ｎｍの積分エネルギー／３５５ｎｍ〜３７５ｎｍの積分エネルギー）×１００
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
　本発明は、微細パターン焼き付けに適した露光用水銀灯に関するものである。
〔従来の技術〕
　半導体ウエハーを露光するためには、水銀灯から放射される４３６ｎｍの光（以下ｇ線と称する）もしくは３６５ｎｍの光（以下ｉ線と称する）が主に利用されているが、水銀灯からはこれらｇ線もしくはｉ線のほかにも種々の光が放射されており、必要とする光以外は露光装置内の光学フィルターや反射ミラーでカットされる。そして、レンズ系やフォトマスクを介して半導体ウエハーにはｇ線もしくはｉ線の光が照射されるようになっている。
〔発明が解決しようとする課題〕
　しかしながら、露光装置内の光学フィルターや反射ミラーでは、ｇ線を利用する場合は４２６ｎｍ以下と４４６ｎｍ以上の光、ｉ線を利用する場合は３５５ｎｍ以下と３７５ｎｍ以上の光は完全にカットされて問題とならないが、ｇ線の場合の４３６ｎｍ±１０ｎｍ以内の光、ｉ線の場合の３６５±１０ｎｍ以内の光はカットしきれないのが実情である。そして近年、半導体ウエハーの回路パターンが微細化するにしたがって、光が光学レンズ系を通過する際の色収差が問題となってきているが、ｇ線もしくはｉ線を用いて半導体ウエハーを露光するときに、色収差か問題とならない範囲は、４３６±４ｎｍ、３６５±４ｎｍの範囲とされており、露光装置内の光学フィルターや反射ミラーではカットしきれない範囲の光が露光時のボケの原因となっている。この露光時のボケを少なくするためには、前記の定義で決まるｇ線もしくはｉ線のスペクトル純度を高くすれば良いが、従来の半導体ウエハー露光用水銀灯はこのスペクトル純度が８５％未満であり、満足できる値ではなかった。本発明は以上のような従来技術の有する問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、ｇ線もしくはｉ線のスペクトル純度が高く、ボケの原因となる光の放射を少なくした半導体ウエハー露光用水銀灯を提供しょうとするものである。
〔課題を解決するための手段〕
　
本発明の半導体ウエハー露光用放電灯は、
　ｇ線純度＝（４３２ｎｍ〜４４０ｎｍの積分エネルギー／４２６ｎｍ〜４４６ｎｍの積分エネルギー）×１００
　ｉ線純度＝（３６１ｎｍ〜３６９ｎｍの積分エネルギー／３５５ｎｍ〜３７５ｎｍの積分エネルギー）×１００
〔作用〕
　水銀の封入量を１．１５乃至１１．５ｍ／ｃｃの範囲から選択し、希ガスの封入量を静圧で０．２５乃至５気圧の範囲になるように選択して、該水銀と希ガスを封入してなる水銀灯を配置し、該水銀灯を直流電源で点灯させるとともに、消費電力をＷ、電圧をＶ、電流をＡとしたとき、Ｗ＝Ｖ×Ａにおいて、Ｖ＜Ａで点灯して、また水銀と希ガスの封入量を前記した範囲から選択して、前記の定義で決まるｇ線もしくはｉ線のスペクトル純度を８５％以上にしたので、露光時にボケの原因となる光の放射量が少なくなり、半導体ウエハーの微細パターン露光用に適した水銀灯をすることができる。
〔実施例〕
　以下本発明の実施例を図面に基づいて詳細に説明する。
　第１図は、本発明に係わる半導体ウエハー露光用水銀灯の説明図であり、１の発光管の中央には略楕円球状をした発光空間膨出部１１が形成され、この発光空間膨出部１１の両サイドに気密封止部１２、１３が伸びている。そして、この気密封止部１２、１３内にはそれぞれ金属箔２１、２２が埋設され、金属箔２１、２２からは、内導線３１、３２と外導線４１、４２がそれぞれ伸びており、一方の内導線３１の先端には陽極５１が取りつけられ、他方の内導線３２の先端には陰極５２が取りつけられて、発光空間膨出部１１内で対向配置されている。この半導体ウエハー露光用水銀灯の発光空間膨出部１１内には、１．１５乃至１１．５ｍｇ／ｃｃの範囲から選択された水銀と、静圧で０．２５乃至５気圧の篭囲になるよう選択された希ガスが封入され、封入される水銀と希ガスの量は、前記したｇ線もしくはｉ線のスペクトル純度が８５％以上となる値から選択される。この封入される水銀の量を１．１５ｍｇ／ｃｃ以下から選択すると、ｇ線もしくはｉ線の有効なスペクトル強度（ｇ綜の場合は４３６±４ｎｍ、ｉ線の場合は３６５±４ｎｍの範囲の積分値）が弱くなりすぎるし、逆に水銀の封入量が１１．５ｍｇ／ｃｃ以上の範囲から選択すると、前記した定義で決まるｇ線もしくはｉ線のスペクトル純度を８５％以上にすることが困難となる。そして、希ガスの圧力が静圧で５気圧以上になる範囲から希ガスの封入量を選択すると、前記した範囲から水銀の封入量を選択しても、ｇ線もしくはｉ線のスペクトル純度を８５％以上にすることが困難となり、また希ガスの圧力が静圧で０．２５気圧以下になる範囲から希ガスの封入量を選択すると、ランプ電流値が高くなりすぎるので好ましくない。第２図は、本発明に係わる半導体ウエハー露光用水銀灯と従来の半導体ウエハー露光用水銀灯を実際に点灯して測定したスペクトル分布図の比較であり、実線は、水銀の封入量を３．７ｍｇ／ｃｃ、希ガスの封入量を静圧で１．２５気圧とした、消費電力７００Ｗの本発明に係わる半導体ウエハー露光用水銀灯のスペクトル分布図であり、また点線は、水銀の封入量を４０．５ｍｇ／ｃｃ、希ガスの封入量を静圧で０．２５気圧とした、同じ消費電力である従来の半導体ウエハー露光用水銀灯のスペクトル分布図であるが、同図に於いて、本発明の水銀灯はスペクトル線が非常にシャープになっており、前記した定義のｇ線もしくはｉ線のスペクトル純度は、本発明の水銀灯が９０％、従来の水銀灯が７０％となっている。またスペクトル線がシャープになった分、露光エネルギーが低くなっているが、この点に関しては露光時間を長くするか、水銀灯への入力電流を大きくすることにより解決することができる。そしてランプ電圧とランプ電流の関係は、本発明の方は２５Ｖ、２８Ａに制御して点灯されるので、Ｖ＜Ａの関係になるが、従来の方は５０Ｖ、１４Ａで点灯され、Ｖ＞Ａの関係になっている。
〔発明の効果〕
　以上説明したように、本発明の半導体ウエハー露光用水銀灯は、水銀の封入量を１．１５乃至１１．５ｍｇ／ｃｃの範囲から選択し、静圧での希ガスの封入量を０．２５乃至５気圧の節囲から選択して、該水銀灯を直流電源で点灯させるにあたって、消費電力をＷ、電圧をＶ、電流をＡとしたとき、Ｗ＝Ｖ×Ａにおいて、Ｖ＜Ａで点灯させるように設計したので、微細パターン焼き付けに適した露光方法とすることができ、また前記の定義で決まるｇ線もしくはｉ線のスペクトル純度を８５％以上としたので、露光時にボケの原因となる光の放射が少なく、微細パターン焼き付けに適した半導体ウエハー露光用水銀灯とすることができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明に係わる半導体ウエハー露光用水銀灯の説明図、第２図は本発明と従来の半導体ウエハー露光用水銀灯の放射スペクトル分布の比較図である。
１……発光管、１１……発光空間膨出部　１２、１３……気密封止部、２１、２２……金属箔　３１、３２……内導線、４１、４２……外導線　５１……陽極、５２……陰極