【事件の表示】
　特許第２５４３６４２号「高周波交流電気エネルギ−と相対的に低い周波数の交流電気的エネルギ−を有する、工作物を処理するためのシステムおよび方法」の請求項１、５に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結論】
　特許第２５４３６４２号の請求項１、５に係る特許を取り消す。
【理由】
Ｉ．手続の経緯
　特許第２５４３６４２号の請求項１乃至９に係る発明は、平成４年１月１６日（優先権主張１９９１年１月１８日、米国）に特許出願され、平成８年７月２５日にその特許の設定登録がなされた。
　その後、特許異議申立人ホンダ電気工業株式会社より、請求項１及び５に係る発明の特許に対して、特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１０年２月２７日付けで訂正請求がなされた後、訂正拒絶理由通知がなされ、その指定期間内である平成１１年４月１２日付けで手続補正書が提出されたものである。
ＩＩ．訂正の適否の判断
（１）訂正の内容
　本件訂正は、平成１１年４月１２日付け手続補正書により適法に補正された訂正請求書に添付された訂正明細書のとおりに訂正しようとするものである。
　すなわち、
▲１▼請求項１を削除する。
▲２▼請求項２を請求項１とし、「真空処理チャンバを画定するエンクロージャー、および高周波交流電気エネルギーと相対的に低い周波数の交流電気的エネルギーを有する、工作物を処理するためのシステムであって、
　前記チャンバにプロセス・ガスを導入する入り口と、
　前記ガスからプラズマを生成させるために、前記チャンバに交流電気エネルギーを結合させるための電極と、
　前記プラズマのイオン密度を制御するために、前記電極に前記高周波交流電気エネルギーを加えるためのコネクターと、
　前記電極に関連するシース電圧を制御し、プラズマイオンエネルギーを制御するために、前記電極に相対的に低い周波数の交流電気エネルギーを加えるためのコネクターを備え、
　前記電極は、前記チャンバ内に位置し、工作物を支持するために適合した単一の電極構造を有し、且つ前記電極に交流電気エネルギーを加えるためのコネクターは、前記単一の電極構造に接続されていることを特徴とするシステム。」と訂正する。
▲３▼請求項３を請求項２とし、「真空処理チャンバを画定するエンクロージャー、および高周波交流電気エネルギーと相対的に低い周波数の交流電気的エネルギーを有する、工作物を処理するためのシステムであって、
　前記チャンバにプロセス・ガスを導入する入り口と、
　前記ガスからプラズマを生成させるために、前記チャンバに交流電気エネルギーを結合させるための電極と、
　前記プラズマのイオン密度を制御するために、前記電極に前記高周波交流電気エネルギーを加えるためのコネクターと、
　前記電極に関連するシース電圧を制御し、プラズマイオンエネルギーを制御するために、前記電極に相対的に低い周波数の交流電気エネルギーを加えるためのコネクターを備え、
　前記電極は、前記チャンバ内に位置し、その上に工作物を支持するための第１の電極構造と、プラズマ・チャンバの周囲を囲む第２の電極構造とを有し、
　前記高周波交流エネルギーを加えるためのコネクターは、前記第２の電極構造に接続され、
　前記相対的に低い周波数の交流電気エネルギーを加えるためのコネクターは、前記工作物を支持する前記第１の電極構造に接続されていることを特徴とするシステム。」と訂正する。
▲４▼請求項４は、請求項２に従属する形式とし、請求項３とする。
▲５▼請求項５は、請求項４とし、「０．１ＭＨｚ〜５０ＭＨｚ」を、「０．１ＭＨｚ〜４０ＭＨｚ」に訂正する。
▲６▼請求項６は、請求項５とする。
▲７▼請求項７は、請求項５に従属する形式とし、請求項６とする。
▲８▼請求項８は、請求項７とする。
▲９▼請求項９は、請求項７に従属する形式とし、請求項８とする。
（２）独立特許要件について
ア．訂正明細書の請求項４に係る発明
　訂正明細書の請求項４（旧請求項５）に係る発明は、平成１１年４月１２日付け手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項４に記載された次のとおりのものである。
「【請求項４】プラズマ中で工作物を処理するシステムであって、
　真空チャンバを画定するエンクロージャーと、
　ガスを前記チャンバに導入する入り口と、
　前記ガス中にプラズマを生成するために、前記チャンバに交流電気エネルギーを結合するための２つの電極構造を有する電極と、
　前記プラズマの密度を制御するために、前記電極に、５０ＭＨｚ〜８００ＭＨｚの範囲内の周波数を有する高周波交流電気エネルギーを加えるためのコネクターと、
　前記電極に関連するシース電圧とプラズマ・イオン・エネルギーとを制御するために、前記電極に、０．１ＭＨｚ〜４０ＭＨｚの範囲内の周波数を有する相対的に低い周波数の交流電気エネルギーを加えるためのコネクター、
を有することを特徴とするシステム。」
イ．引用刊行物記載の発明
　当審が訂正拒絶理由通知で引用した刊行物１（特開平２−２９８０２４号公報）には以下の事項が記載されている。
▲１▼減圧状態になされた雰囲気中において、プラズマを発生させることにより基体表面あるいは基体表面に形成された薄膜をエッチングさせる装置において、表面に保護層を有する電極と、基体を装置内にて保持するサセプタと、第１の周波数を有する高周波電力を該電極に供給するための手段と、第１の周波数より小さな第２の周波数を有する高周波電力を該サセプタに供給するための手段とを少なくとも設けたことを特徴とするリアクティブイオンエッチング装置。（公報第１頁左下欄第５〜１４行参照）
▲２▼電極１０７、サセプタ１０４には・・・、それぞれに供給させる高周波のみを供給できるので、自己バイアス等の制御、ひいてはプラズマ密度、あるいは照射されるイオンエネルギの制御を容易かつ正確に行うことが可能となる。（公報第４頁右上欄第２０行〜左下欄第６行参照）
▲３▼さらに装置には・・・ガスを導入する機構・・・が設けられている（公報第４頁右下欄第１〜３行参照）
▲４▼本発明装置では、従来の装置と異なり、サセプタ電極１０４の他に電極１０７を設けてあるため、電極１０７には電力の大きな高周波電源を供給し、それにより高密度のプラズマを発生させることができ、（公報第４頁右下欄第５〜９行参照）
▲５▼以上、電極およびサセプタに供給するＲＦの周波数をそれぞれ１００ＭＨｚと２５０ＭＨｚの場合についてのみ述べたが、これに限る必要のないことは言うまでもない。要するに前者に対し後者を高くすればよいのであって、実際の値はそれぞれの目的に応じて必要なエッチング速度や形成された膜の段差部での被覆形状等を考慮して決めればよい。（公報第６頁左下欄第１９行〜右下欄第６行参照）
▲６▼本発明の装置は、リアクティブエッチングだけではなく・・・スパッタリング成膜にも、一部の変更でただちに使用できる。
　スパッタリング成膜を行う時には、・・・高周波ｆ１の周波数を１３．５６ＭＨｚとか４０ＭＨｚとか、いわば１０〜１００ＭＨｚの間に設定する。・・・サセプタ電極１０４側の基板バイアス制御用の周波数ｆ２をｆ１より高く設定する。たとえば、１００〜２５０ＭＨｚにである。（公報第９頁左下欄第３〜１１行参照）
ウ．当審の判断
　訂正後の請求項４に係る発明と刊行物１記載の発明とを対比する。
　上記▲１▼〜▲６▼の記載と第１図（ａ）からみて、刊行物１には、
「プラズマ中で基体をエッチングあるいはスパッタリング成膜処理するシステムであって、
　真空容器と、
　ガスを真空容器に導入する機構と、
　ガス中にプラズマを生成するために、高周波電力を供給するための、表面に保護層を有する電極及びサセプタ電極と、
　前記プラズマの密度を制御するために、前記表面に保護層を有する電極あるいはサセプタ電極に第１の高周波電力を供給する手段と、
　自己バイアス、プラズマイオンエネルギーを制御するために、前記表面に保護層を有する電極あるいはサセプタ電極に、第１の高周波電力より小さい周波数の第２の高周波電力を供給する手段を有することを特徴とするシステム。」が記載されているものと認める。
　刊行物１記載の発明において、「基体」、「真空容器」、「高周波電力を供給する手段」、「自己バイアス」、「第１の高周波電力」、「第１の高周波電力より小さい周波数の第２の高周波電力」は、それぞれ、訂正後の請求項４に係る発明の「工作物」、「真空チャンバを画定するエンクロージャー」、「交流電気エネルギーを加えるためのコネクター」、「電極に関連するシース電圧」、「高周波交流電気エネルギー」、「相対的に低い周波数の交流電気エネルギー」に相当するから、両者は、
「プラズマ中で工作物を処理するシステムであって、
　真空チャンバを画定するエンクロージャーと、
　ガスを前記チャンバに導入する手段と、
　前記ガス中にプラズマを生成するために、前記チャンバに交流電気エネルギーを結合するための２つの電極構造を有する電極と、
　前記プラズマの密度を制御するために、前記電極に、高周波交流電気エネルギーを加えるためのコネクターと、
　前記電極に関連するシース電圧とプラズマ・イオン・エネルギーとを制御するために、前記電極に、相対的に低い周波数の交流電気エネルギーを加えるためのコネクター、
を有することを特徴とするシステム。」である点で一致し、以下の２点で相違する。
▲１▼訂正後の請求項４に係る発明においては、ガスを真空チャンバに導入する手段が「入り口」であるのに対し、刊行物１記載の発明では、その構成が明記されていない点。
▲２▼高周波交流電気エネルギー及び相対的に低い周波数の交流電気エネルギーの周波数が、訂正後の請求項４に係る発明においては、それぞれ、「５０ＭＨｚ〜８００ＭＨｚ」、「０．１ＭＨｚ〜４０ＭＨｚ」の範囲に限定しているのに対し、刊行物１記載の発明では、周波数が特に限定されていない点。
　相違点▲１▼について検討する。
　真空チャンバにおいてガスを導入するために「入り口」を設けることは、当該分野における常套手段であるから、相違点▲１▼は当業者が適宜なし得る設計事項にすぎない。
　次に、相違点▲２▼について検討する。
　刊行物１の上記▲５▼、▲６▼に記載に照らせば、高周波交流電気エネルギー及び相対的に低い周波数の交流電気エネルギーの周波数は、必要に応じて当業者が適宜選択し得るところであり、また、高周波交流エネルギーの周波数として、「１００〜２５０ＭＨＺ」を、相対的に低い周波数の交流電気エネルギーの周波数として「１０〜１００ＭＨｚ」を選択することについても開示があるから、相違点▲２▼のような数値範囲に、高周波交流電気エネルギー及び相対的に低い周波数の交流電気エネルギーの周波数を限定することも当業者が容易になし得たことと認められる。
　したがって、訂正後の本願請求項４に係る発明は、刊行物１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際に独立して特許を受けることができないものである。
（３）むすび
　以上のとおりであるので、上記訂正は、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、特許法第１２０条の４第３項で準用する同法第１２６条第４項の規定に適合しないので、上記訂正は認められない。
ＩＩＩ．特許異議の申立てについて
（１）本件請求項１及び５に係る発明
　特許第２５４３６４２号の請求項１及び５に係る発明（以下「本件発明１及び５」という。）は、その特許請求の範囲の請求項１及び５に記載された次のとおりのものである。
「【請求項１】真空処理チャンバを画定するエンクロージャー、および高周波交流電気エネルギーと相対的に低い周波数の交流電気的エネルギーを有する、工作物を処理するためのシステムであって、
　前記チャンバにプロセス・ガスを導入する入り口と、
　前記ガスからプラズマを生成させるために、前記チャンバに交流電気エネルギーを結合させるための電極と、
　前記プラズマのイオン密度を制御するために、前記電極に前記高周波交流電気エネルギーを加えるためのコネクターと、
　前記電極に関連するシース電圧を制御し、プラズマイオンエネルギーを制御するために、前記電極に相対的に低い周波数の交流電気エネルギーを加えるためのコネクター、
を有することを特徴とするシステム。
　【請求項５】プラズマ中で工作物を処理するシステムであって、
　真空チャンバを画定するエンクロージャーと、
　ガスを前記チャンバに導入する入り口と、
　前記ガス中にプラズマを生成するために、前記チャンバに交流電気エネルギーを結合するための２つの電極構造を有する電極と、
　前記プラズマの密度を制御するために、前記電極に、５０ＭＨｚ〜８００ＭＨｚの範囲内の周波数を有する高周波交流電気エネルギーを加えるためのコネクターと、
　前記電極に関連するシース電圧とプラズマ・イオン・エネルギーとを制御するために、前記電極に、０．１ＭＨｚ〜５０ＭＨｚの範囲内の周波数を有する相対的に低い周波数の交流電気エネルギーを加えるためのコネクター、
を有することを特徴とするシステム。」
（２）特許法第２９条第２項違反について
ア．引用刊行物記載の発明
　当審が取消理由通知で引用した刊行物１（訂正拒絶理由通知で引用した刊行物１に該当）には、上記ＩＩ．（２）イに記載されたとおりの発明が記載されている。
イ．対比・判断
ｉ）本件発明１について
　本件発明１と刊行物１記載の発明とを対比すると、両者は、
「真空処理チャンバを画定するエンクロージャー、および高周波交流電気エネルギーと相対的に低い周波数の交流電気的エネルギーを有する、工作物を処理するためのシステムであって、
　前記チャンバにプロセス・ガスを導入する手段と、
　前記ガスからプラズマを生成させるために、前記チャンバに交流電気エネルギーを結合させるための電極と、
　前記プラズマのイオン密度を制御するために、前記電極に前記高周波交流電気エネルギーを加えるためのコネクターと、
　前記電極に関連するシース電圧を制御し、プラズマイオンエネルギーを制御するために、前記電極に相対的に低い周波数の交流電気エネルギーを加えるためのコネクター、
を有することを特徴とするシステム。」である点で一致し、以下の点で相違する。
・相違点
　本件発明１においては、プロセス・ガスを真空チャンバに導入する手段が「入り口」であるのに対し、刊行物１記載の発明では、その構成が明記されていない点。
　しかしながら、上記ＩＩ．（２）ウの相違点▲１▼の検討において述べたように、上記相違点に格別の困難性は認めらず、その効果も当業者が当然予測し得る範囲内のものである。
　したがって、本件発明１は、刊行物１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件発明１についての特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである。
ｉｉ）本件発明５について
　本件発明５と刊行物１記載の発明とを対比すると、上記ＩＩ．（２）ウで述べたように以下の２点で相違するものの、その余の点では一致している。
▲１▼本件発明５においては、ガスを真空チャンバに導入する手段が「入り口」であるのに対し、刊行物１記載の発明では、その構成が明記されていない点。
▲２▼高周波交流電気エネルギー及び相対的に低い周波数の交流電気エネルギーの周波数が、本件発明５においては、それぞれ、「５０ＭＨｚ〜８００ＭＨｚ」、「０．１ＭＨｚ〜５０ＭＨｚ」の範囲に限定しているのに対し、刊行物１記載の発明では、周波数が特に限定されていない点。
　しかしながら、上記ＩＩ．（２）ウで述べたとおり、上記相違点▲１▼、▲２▼は当業者にとって格別の困難性が認められず、その効果も当業者が予測し得る範囲内のものと認められる。
　したがって、本件発明５は、刊行物１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件発明５についての特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである。
（３）むすび
　以上のとおり、本件発明１及び５についての特許は、拒絶査定をしなければならない特許出願に対してなされたものである。
　よって、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条に基づく、特許法等の一部を改正する法律の一部の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第１項及び第２項の規定により、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１１年５月２４日（１９９９．５．２４）