【事件の表示】
　特許第２７０６０００号「樹脂封止型半導体装置」の請求項１ないし５に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結論】
　訂正を認める。
　特許第２７０６０００号の請求項１ないし５に係る特許を維持する。
【理由】
１．経緯
　本件特許第２７０６０００号（以下、本件特許という。）は、平成２年１１月１３日の出願である特願平２−３０３９３２号（以下、本件出願という。）に係り、平成９年１０月９日に設定登録され、その後、田中　完（請求項１〜４に対し）、（株）三井ハイテック（請求項１〜４に対し）、（株）住友金属エレクトロデバイス（全請求項に対し）、友野　宏（請求項１〜４に対し）、及び丸山育男（全請求項に対し）から特許異議の申立がされ、当審において審理の結果、取消理由が通知され、その指定期間内に意見書と訂正請求書が提出され、さらに当審において訂正拒絶理由の通知がされ、その指定期間内に訂正請求書の手続補正書が提出されたものである。
２．訂正請求の補正について
１）補正の内容
　当該補正は、訂正請求書に添付された全文訂正明細書の特許請求の範囲の請求項３〜５の「請求項１又は２」を「請求項１」に補正し、前記特許請求の範囲の記載を下記のとおりに補正することである。
「（１）電極パターンを有する樹脂基板上にＩＣチップを搭載した回路基板の前記ＩＣチップを、成形金型を用いて前記樹脂基板の周縁から離れた内側で樹脂封止してなる半導体装置において、前記樹脂基板は、前記成形金型に設けられた封止樹脂注入用のゲート溝に対応する基板面上に金属薄膜層を有し、前記金属薄膜層は前記電極パターンと同一の金属層であって、前記ＩＣチップと電気的に接続された電極パターンであることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
　（２）金属薄膜層は前記ＩＣチップのダイパターンに接続されていることを特徴とする請求項１記載の樹脂封止型半導体装置。
　（３）金属薄膜層は銅箔上に難酸化金属処理を施した薄膜層であることを特徴とする請求項１記載の樹脂封止型半導体装置。
　（４）ＩＣチップは接続電極を有さない部分を有し、前記金属薄膜層は前記接続電極を有さない部分に対応した樹脂基板上に設けられていることを特徴とする請求項１記載の樹脂封止型半導体装置。
　（５）金属薄膜層は他の電極パターンに比べて幅広に形成されていることを特徴とする請求項１記載の樹脂封止型半導体装置。」
２）補正の適否
　全文訂正明細書の特許請求の範囲の請求項３〜５の記載において、前記のように補正することは、引用する請求項の一部を削除するもので、補正する前の特許請求の範囲を減縮することを目的とし、前記全文訂正明細書の記載事項の範囲内であり、補正前の特許請求の範囲を実質的に拡張又は変更するものでもないので、訂正請求書の要旨を変更するものではない。また、前記訂正拒絶理由（請求項３〜５において請求項１又は２を引用することは、特許請求の範囲を減縮するものではなく、特許請求の範囲を実質的に拡張するものであるという理由）を解消するものでもある。
　そうすると、この補正は認められるものである。
３．訂正請求について
１）訂正の内容
　請求の趣旨は、特許第２７０６０００号の明細書を請求書に添付した訂正明細書のとおり訂正することであり、その要旨は、前記補正が認められることから、特許明細書の特許請求の範囲の記載を前記補正された特許請求の範囲の記載に訂正することであり、具体的には、請求項１において、「前記金属薄膜層は前記電極パターンと同一の金属層であって、前記ＩＣチップと電気的に接続された電極パターンである」という構成を付加し、請求項２において、訂正後の請求項１を引用し、前記金属薄膜層は「前記ＩＣチップと電気的に接続された電極パターンであ」り、「金属薄膜層は前記ＩＣチップのダイパターンに接続されている」という構成を付加するものであり、請求項３〜５において、請求項１を引用し、前記請求項１に付加された構成を有するものに訂正することである。
２）訂正の適否
（１）訂正の目的等
　前記のように請求項１〜５を訂正することは、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり、特許明細書及びその図面に記載された範囲内である。そして、この訂正は、訂正前の特許請求の範囲を実質的に拡張又は変更するものでもない。
（２）独立特許要件
　訂正後の前記各請求項に記載された事項を構成とする発明が本件出願の際、独立して特許を受けることができるものか否かを検討する。
　ところで、前記取消理由の概要は、訂正前の請求項１に係る発明は、下記刊行物２記載のものと同一、若しくは下記刊行物１〜５記載のものに基づき、または下記刊行物３〜５記載のものと周知のことに基づき、当業者が容易に発明をすることができたものであるので、特許法第２９条第１項第３号に該当し、若しくは同法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないというものであり、同請求項２、３に係る発明は、下記刊行物２記載のものと同一であり、若しくは請求項２に係る発明は、下記刊行物１〜５記載のもの又は同刊行物２〜５記載のものと周知のことに基づき、また請求項３に係る発明は、下記刊行物１〜３、５記載のもの又は同刊行物３、５記載のものと周知のことの基づき、それぞれ当業者が容易に発明をすることができたものであるので、請求項２、３に係る発明は、特許法第２９条第１項第３号に該当し若しくは同法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないというものであり、請求項４に係る発明は、下記刊行物２記載のものと同一であり、若しくは下記刊行物１〜５記載のものと技術常識に基づき、又は同刊行物３〜５記載のものと周知のことに基づき当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第１項第３号に該当し、若しくは同法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないというものである。
　　　　　　　　　　記
刊行物１：特開平　２−２００３３号公報
刊行物２：特開平　１−１９８０１号公報
刊行物３：特開昭６１−２６９３５１号公報
刊行物４：特開昭６３−１０５５３号公報
刊行物５：特開平　２−３１４５２号公報
　そこで、上記各刊行物に記載された事項をみてみると、各刊行物には、以下の事項が記載されていると認められる。
（刊行物１）
「プリント基板上に搭載・固着されワイヤボンディングされた半導体素子をトランスファ成形金型を用いて樹脂封止して形成するＩＣモジュールの製造方法において、上記トランスファ成形金型のゲート及びランナー部に内接する部分の上記プリント基板上にソルダレジストを形成したのち、・・・・上記トランスファ成形金型のプランジャを用いて上記溶融樹脂を加圧し上記ランナー部及びゲート部を介して上記キャビティ内に上記溶融樹脂を移送・注入して上記半導体素子を樹脂封止することを特徴とするＩＣモジュールの製造方法。」（特許請求の範囲）が記載されている。
（刊行物２〜５）
　電極パターンを有する基板上にＩＣチップを搭載した回路基板において、ＩＣチップを樹脂封止する際に、封止樹脂注入用のゲート溝に対応する基板上に、金属薄膜層を形成し、基板上にゲート残りを形成しないものが記載されている。そして、刊行物２記載のものは、基板を樹脂で形成したものと認められる。
　そこで、訂正される前記請求項１〜５に記載の発明（以下、それぞれを本件発明１、本件発明２、本件発明３、本件発明４、本件発明５という。）と前記刊行物１〜５に記載されたものを比較検討すると、これら刊行物には、本件発明１〜５における「前記金属薄膜層は前記電極パターンと同一の金属であって、前記ＩＣチップと電気的に接続された電極パターンである」という構成については、これを示す記載もこれを示唆する記載のなく、そして、本件発明１〜５は、この構成を有することにより、訂正する特許明細書に記載された格別の効果を奏するものである。
　そうすると、本件発明１〜５は、前記取消理由及び提示した証拠方法によっては、本件出願の際、独立して特許を受けることができないとすることはできない。
　また、後述するように、各特許異議の申立の理由及び提示された証拠方法によっても、同様である。さらに、他に本件発明１〜５が、本件出願の際、独立して特許を受けることができないとする理由も発見しない。
（３）結論
　以上のことから、当該訂正は、特許法第１２０条の４第２項ただし書、及び同条第３項により準用する同法第１２６条第２〜４項の訂正に関する規定が、平成６年法律第１１６号附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされることから適用される平成５年改正特許法第１２６条第１項ただし書、及び同条第２、３項の規定に適合するので、当該訂正は認められる。
４．特許異議申立について
１）本件特許に係る発明
　本件特許に係る発明は、前記訂正が認められることから、訂正後の前記各請求項に記載されたもので、前記本件発明１〜５としたものである。
２）取消理由について
　本件発明１〜５に係る特許は、訂正についての項で説示したことから、前記取消理由及びそれにおいて提示した証拠方法によっては、取り消すことはできない。
３）各特許異議申立の理由の概要
（１）田中　完（以下、申立人１という。）
　訂正前の請求項１〜４に係る発明は、下記の甲号各証に記載されたものから当業者が容易に発明をすることができたもので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができなく、これらに係る特許は取り消されるべきである。
　　　　　　　　　記
甲第１号証：特開平　２−２００３３号公報
甲第２号証：特開平　１−１９８０４１号公報
甲第３号証：特開昭６１−２６９３５１号公報
甲第４号証：特開昭６３−１０５５３号公報
（２）株式会社三井ハイテック（以下、申立人２という。）
　訂正前の請求項１〜４に係る発明は、下記の甲号各証に記載されたものから当業者が容易に発明をすることができたもので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができなく、これらに係る特許は取り消されるべきである。
　　　　　　　　　記
甲第１号証：特開平　２−２００３３号公報
甲第２号証：特開昭６３−１０５５３号公報
甲第３号証：特開平　２−３１４５２号公報
（３）株式会社住友金属エレクトロデバイス（以下、申立人３という。）
　▲１▼訂正前の請求項１、４に係る発明は、下記の甲第１号証記載のもの又は甲第２号証記載のものと同一であり、また同請求項１〜５に係る発明は、下記の甲第１〜３号証に記載のものから当業者が容易に発明をすることができたものであるので、前記請求項１、４に係る発明は、特許法第２９条第１項第３号に該当し、また前記請求項１〜５に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができなく、これらに係る発明は、取り消されるべきものである。
　　　　　　　　　記
甲第１号証：特開昭６４−１３７４９号公報
甲第２号証：特開平　２−３１４５２号公報
甲第３号証：特開平　２−２００３３号公報
　▲２▼訂正前の請求項４に「ＩＣチップは接続電極を有さない部分を有し」とあるが、この有さない部分とはどこか不明であり、また同請求項５にある「電極パターン」「幅広に形成」される点について特許明細書に説明が無く、請求項５記載のものは、特許明細書に記載されたものではないので、本件特許明細書は記載不備であるので、本件特許は取り消されるべきである。
（４）友野　宏（以下、申立人４という。）
　▲１▼訂正前の請求項１〜４に係る発明は、下記の甲第１号証記載のものと同一であり、この甲号証に係る実用新案登録出願は、本件出願前に出願されたもので、両者の発明者、考案者は同一でなく、本件出願時両者の出願人も同一でないので、特許法第２９条の２の規定により特許を受けることができなく、これらに係る特許は取り消されるべきである。
　▲２▼訂正前の請求項１〜４に係る発明は、下記の甲第２〜４号証に記載されたものから当業者が容易に発明をすることができたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができなく、これらに係る特許は取り消されるべきである。
　　　　　　　　記
甲第１号証：実願昭　１−９９４８７号（実開平３−３８６３４号）のマイクロフィルム
甲第２号証：特開平　２−２００３３号公報
甲第３号証：特開平　２−１２９９３３号公報
甲第４号証：特開平　１−２９６６５２号公報
（５）丸山育男（以下、申立人５という。）
　訂正前の請求項１〜５に係る発明は、下記の項第１〜５号証に記載されたものから当業者が容易に発明をすることができたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができなく、これら請求項に係る特許は、取り消されるべきである。
　　　　　　　　記
甲第１号証：特開平　２−２００３３号公報
甲第２号証：特開平　１−１９８０４１号公報
甲第３号証：特開昭６１−２６９３５１号公報
甲第４号証：特開昭６１−２７２９５６号公報
甲第５号証：特開昭６３−１３７４６０号公報
４）当審の認定、判断
（１）特許法第２９条の規定に基づく理由について
　申立人１〜５がそれぞれ提示した証拠方法のうち、特開平　２−２００３３号公報、特開平　１−１９８０４１号公報、特開昭６１−２６９３５１号公報、特開昭６３−１０５５３号公報及び特開平２−３１４５２号公報は、先の訂正請求についての検討において示した刊行物１〜５にそれぞれ該当し、これら証拠方法には、前記のとおりの記載が認められ、本件発明１〜５における、成形金型に設けられた封止樹脂注入用のゲート溝に対応する基板上の「金属薄膜層は前記電極パターンと同一の金属であって、前記ＩＣチップと電気的に接続された電極パターンである」という構成についての記載も、これを示唆する記載もない。また、上記記載がないとした本件発明１〜５の構成は、申立人の提示したその他の証拠方法、即ち申立人３の甲第１号証、申立人４の甲第３、４号証及び申立人５の甲第４、５号証にも記載されてなく、またこれを示唆する記載もない。
　そうすると、本件発明１〜５は、各申立人の提示した甲号各証に記載されたものとも、またこれら甲号各証に記載されたものから当業者が容易に発明をすることができたものともすることができなく、各申立人の主張するそれぞれの理由及び証拠方法によっては、本件発明１〜５に係る特許は、特許法第２９条第１項若しくは同法第２９条第２項の規定の規定に違反してされたものとすることができない。
（２）特許法第２９条の２の規定に基づく理由について
　申立人４の提示した甲第１号証をみてみると、これには、本件発明１〜５における、成形金型に設けられた封止樹脂注入用のゲート溝に対応する基板上の「金属薄膜層は前記電極パターンと同一の金属であって、前記ＩＣチップと電気的に接続された電極パターンである」という構成についての記載も、これを示唆する記載もない。
　そうすると、申立人の主張する本件発明１〜４が前記甲第１号証に記載されているとすることができず、本件発明１〜４に係る特許が、特許法第２９条の２の規定に違反してされたものとすることができない。
（３）明細書不備に基づく理由について
　申立人３は、請求項４に「ＩＣチップは接続電極を有さない部分を有し」とあるが、この有さない部分とはどこか不明であると主張するが、訂正が認められる全文訂正明細書に「前記ＩＣチップ４のパッドの設けられていない一辺４ａに面する回路基板上にはゲートパターン２ａが形成されている。」（第５頁第９〜１１行）とあり、この記載をもって第２図をみれば、第２図には、ＩＣチップ４の上下辺にパッド（接続電極）が設けられ、左右辺には、これが設けられていないものが示され、ゲートパターン２ａは、この電極の設けられていないＩＣチップの左右辺に対応した樹脂基板上に設けられているものが示されていると認められる。
　そうすると、前記の接続電極の有さない部分とは、前記第２図のＩＣチップの左右辺のような接続電極を設けていない部分をいうことは明らかである。
　また、訂正前の請求項５に記載された「電極パターン」及び「幅広に形成」される点については、確かに「電極パターン」という文言は、全文訂正明細書の発明の詳細な説明の項に記載されていないが、請求項５に記載された「他の電極パターン」とは、全文訂正明細書及び添付の図面の全記載からみて、全文訂正明細書記載の「リードパターン２ｂ」のことであることは明らかであり、また、第２、５図及びこれらに関する全文訂正明細書の記載をみれば、請求項５に記載の「金属薄膜層」に相当する「ゲートパターン２ａ」は、請求項５記載の「他の電極パターン」に相当する「リードパターン２ｂ」と比べ幅広に形成されていることも明らかである。
　そうすると、前記「電極パターン」及び「幅広に形成」する点が、明細書に記載されていないとすることができない。
５）結語
　以上のことから、申立人１〜５のそれぞれが主張する前記理由及び提出した証拠方法によっては、又は前記取消理由によっては、本件発明１〜５に係る特許を取り消すことができない。
　また、他に本件発明１〜５に係る特許を取り消す理由及び証拠方法を発見しない。
　よって、結論のとおりに決定する。
【異議決定日】
平成１１年６月１０日（１９９９．６．１０）
【訂正の要旨】
　　　訂正の要旨
　　▲１▼　訂正事項ａ
　　特許請求の範囲の
「（１）電極パターンを有する樹脂基板上にＩＣチップを搭載した回路基板の前記ＩＣチップを、成形金型を用いて前記樹脂基板の周縁から離れた内側で樹脂封止してなる半導体装置において、前記樹脂基板は、前記成形金型に設けられた封止樹脂注入用のゲート溝に対応する基板面上に金属薄膜層を有することを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
（２）金属薄膜層が電極パターンと同一の金属層であることを特徴とする請求項１記載の樹脂封止型半導体装置。
（３）金属薄膜層は銅箔上に難酸化金属処理を施した薄膜層であることを特徴とする請求項
１
（４）ＩＣチップは接続電極を有さない部分を有し、前記金属薄膜層は前記接続電極を有さない部分に対応した樹脂基板上に設けられていることを特徴とする請求項
１
（５）金属薄膜層はＩＣチップと電気的に接続された電極パターンであり、かつ他の電極パターンに比べて巾広に形成されていることを特徴とする請求項
１記
を、
「（１）電極パターンを有する樹脂基板上にＩＣチップを搭載した回路基板の前記ＩＣチップを、成形金型を用いて前記樹脂基板の周縁から離れた内側で樹脂封止してなる半導体装置において、前記樹脂基板は、前記成形金型に設けられた封止樹脂注入用のゲート溝に対応する基板面上に金属薄膜層を有
し、前記金属薄膜層は前記電極パターンと同一の金属層であって、前記ＩＣチップと電気的に接続された電極パターンであ
（２）金属薄膜層
は前記ＩＣチップのダイパターンに接続されている
（３）金属薄膜層は銅箔上に難酸化金属処理を施した薄膜層であることを特徴とする請求項
１
（４）ＩＣチップは接続電極を有さない部分を有し、前記金属薄膜層は前記接続電極を有さない部分に対応した樹脂基板上に設けられていることを特徴とする請求項
１記
（５）金属薄膜層は他の電極パターンに比べて幅広に形成されていることを特徴とする請求項
１記
と訂正する。
（５４）【発明の名称】
樹脂封止型半導体装置
（５７）【特許請求の範囲】
（１）電極パターンを有する樹脂基板上にＩＣチップを搭載した回路基板の前記ＩＣチップを、成形金型を用いて前記樹脂基板の周縁から離れた内側で樹脂封止してなる半導体装置において、前記樹脂基板は、前記成形金型に設けられた封止樹脂注入用のゲート溝に対応する基板面上に金属薄膜層を有
し、前記金属薄膜層は前記電極パターンと同一の金属層であって、前記ＩＣチップと電気的に接続された電極パターンであ
（２）金属薄膜層
は前記ＩＣチップのダイパターンに接続されている
１
（３）金属薄膜層は銅箔上に難酸化金属処理を施した薄膜層であることを特徴とする請求項
１記
（４）ＩＣチップは接続電極を有さない部分を有し、前記金属薄膜層は前記接続電極を有さない部分に対応した樹脂基板上に設けられていることを特徴とする請求項
１記
（５）金属薄膜層は他の電極パターンに比べて幅広に形成されていることを特徴とする請求項
１
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
　本発明は回路基板上に設けられたＩＣ等の電子部品を熱硬化性樹脂で樹脂封止する方法に関するものである。
　　〔従来の技術〕
　近年、ＩＣカードや携帯用電子計算機等の小型で且つ薄型の電子機器の開発が急速に進歩している。このような電子機器では、小型・薄型の形状を保つために内部に収納されているＩＣチップ等の電子部品を小型・薄型に実装することが要求されている。以下の説明では、従来のＩＣカード及びＩＣカードに収納されるＩＣモジュールを例にして従来の技術を説明する。
　第６図は従来のＩＣカードの外観図、第７図は第６図のＡ−Ａ断面図、第８図はＩＣカードのカード基体を示す外観図、第９図は従来のＩＣチップ樹脂封止構造を示す断面図、第１０図は従来のＩＣモジュールを示す外観図である。
　第６図において、ＩＣカード３０は表面に複数のデータ入出力端子３３ａが設けられており、全体の形状は第８図に示したプラスチック製のカード基体３１で決められている。
　第７図に示すごとく、このカード基体３１には、凹部３１ａが形成されており、この凹部３１ａ内には、ＣＰＵ、メモリチップ等のＩＣチップ４３を回路基板３３にボンディングし、ＩＣチップ４３へ樹脂による封止部３４を形成したＩＣモジュール３２が収納固定される。
　ＩＣカード３０は、カード基体３１の凹部３１ａ内にＩＣモジュール３２を収納固定した後、カード基体３１の画面をオーバーシート３５で覆って構成される。
　又第７図に示す各素子の関係は、ＩＣモジュール３２は、封止部３４の上面が凹部３１ａの底面に当接して厚味が規制され、又回路基板３３の外周が凹部３１ａの内周に係合して平面位置が規制されている。
　一般にＩＣカード３０は厚さが約０．８ｍｍであり、携帯時や使用時に受ける外力によって破壊されないようにするため、ある程度の曲げに耐える柔軟性が必要である。そのため、カード基体３１の柔軟性はもちろん必要であるとともに、ＩＣモジュール３２は、曲げによってＩＣチップ４３の割れやボンデイングワイヤーの断線等が生じない様に、剛性が高く、又耐湿性にすぐれた樹脂で封止する必要がある。
　しかも上記の如く薄いカード基体３１の凹部３１ａの底面に封止部３４の上面が当接して厚味が規制されるので、封止部３４は、厚味のバラツキが生じないように外形形状を管理しなければならない。従って、従来から多用しているＩＣチップ上に溶融樹脂を滴下させるポッティング封止方法では、封止部３４の厚味にバラツキが生じ易いので、ＩＣモジュール３２の封止部３４は、形状精度が良く、かつ剛性の高い熱硬化性樹脂を用いたトランスファーモールド方法で形成するのが最適であった。
　第９図に基づいて従来のトランスファーモールドによるＩＣチップの樹脂封止構造を説明する。
　第９図に於いて、３６は下金型であり、その上面にはＩＣチップ４３をボンディングした回路基板３３が載置される。３７はキャビティー３７ａが形成された上金型であり、上金型３７はキャビティー３７ａがＩＣチップ４３の上面を覆うように下金型３６に固定される。
　上金型３７にはゲート溝３９ａとランナー溝４０ａが形成されており、この上金型３７と下金型３６の合わせ面及び上金型３７と回路基板３３の合わせ面には、樹脂３８をキャビティー３７ａに導くランナー４０及びゲート３９が構成され、いわゆるサイドゲート方式のトランスファーモールド方法になる。
　封止部３４は、加熱、溶融した樹脂３８をプランジャー４１でランナー４０へ注入し、ゲート３９を通った樹脂３８をキャビティー３７ａ内に充填することによって形成され、更に樹脂３８が硬化したら上金型３７を外して封止部３４が形成されたＩＣモジュール３２が取出される。
　しかし、前述した如く上金型３７と回路基板３３の合わせ面にゲート３９が構成されるため、ＩＣモジュール３２の回路基板３３上には、第１０図に示す如く封止部３４につながってゲート残り３４ａが形成されてしまうという問題があった。
　一般にカード基体３１はポリ塩化ビニルシート（以下ＰＶＣシートと略記する）を多層に貼り合せて構成されており、ＩＣモジュール３２の封止部３４が収納される凹部３１ａは、ザグリ加工によって形成されている。従って第１０図に示したようにＩＣモジュール３２にゲート残り３４ａが形成されると、第８図に示す如くカード基板３１には更にゲート残り３４ａを収納するための溝部３１ｂを形成しなければならないので、ザグリ加工が大変面倒なものとなっていた。
　そこでカード基体３１に溝部３１ｂを形成しないようにするため、回路基板３３上のゲート残り３４ａを機械的に除去すると、ゲート残り３４ａと回路基板３３の面３３ｃとの接着性が高いので、第１０図に示す如く１点鎖線で示すゲート残り３４ａ´を折取る時に、その力がゲート残り３４ａに及び、回路基板３３の面３３ｃを剥離してしまい、場合によっては回路パターンまでも切断してしまうという問題があった。
　そこでカード基体３１に溝部３１ｂを形成しなくても良いようにするため、ＩＣモジュール３２の回路基板３３上にゲート残り３４ａを形成しないでＩＣチップ４３を封止できるトランスファーモールド方法が望まれていた。
　しかるに前記従来の樹脂封止方法の持つ欠点を解決する樹脂封止方法が特開平２−２００３３号公報に提案されている。
　この樹脂封止方法を第１１図、第１２図に基づいて説明する。尚、前述の第９図と第１０図に示した構成と同一のものについては、同一番号を付してその説明を省略する。
　第１１図に示す如く上金型３７のゲート溝３９ａ、ランナー溝４０ａに対向するＩＣモジュール３２の回路基板３３上には、予めシルク印刷等の方法によりソルダレジスト４２が形成されている。そして封止樹脂３８はこのソルダレジスト４２上のランナー４０、ゲート３９を通ってキャビティー３７ａ内に充填されてＩＣチップ４３を封止している。従ってソルダレジスト４２上で硬化した封止樹脂３８は、ＩＣモジュール３２を金型から取り出した時に切り取られるので、第１３図に一点鎖線で示す如く、回路基板３３上のゲート残り３４ａは存在せず、第９図に示したようなカード基体３１の溝部３１ｂは不要となる。
〔発明が解決しようとする課題〕
　しかしながら上記の如く、ＩＣモジュールの回路基板上にソルダレジストを形成してゲート残りを取り除く樹脂封止構造においても、下記の如き問題があった。
　即ち、ソルダレジストに対する封止樹脂の密着力は、回路基板に対するそれよりも幾分弱いものの比較的強く密着するので、完全に取り除こうとすると、結局機械的な除去処理が必要となり面倒であった。
　又、回路基板上のゲート残りを除去する時に回路基板にキズをつけたり、ゲート残りが多少残ったまたのＩＣモジュールをカード基体の凹部に接着すると、この部分で不完全接着となってカード基体からＩＣモジュールが脱落するという問題があった。
　本発明の目的は上記問題点を解決し、サイドゲート方式のトランスファーモールド方法において、回路基板上に特別なレジストを形成せずに、しかも機械的な除去処理をしなくても容易にゲート残りを取り除くことが可能な樹脂封止構造を提供することである。
〔実施例〕
　以下図面により本発明の実施例を詳述する。
　第２図は本発明に於ける回路基板２の平面図であり、回路基板２のダイパターン２ｃにはＩＣチップ４が接着されており該ＩＣチップ４の接続電極である各パッドはリードパターン２ｂとワイヤーボンデングされている。又前記ＩＣチップ４のパッドの設けられていない一辺４ａに面する回路基板２上にはゲートパターン２ａが形成されている。点線で示す円は後述する封止部３の範囲を示しており前記ゲートパターン２ａは回路基板２の外端部から前記封止部３の範囲にすこし喰込むように形成されている。尚、第２図に示すゲートパターン２ａは電気的接続を有さない捨パターンになっているが、点線で示すごとく細いパターンにてダイパターン２ｃに接続しておいてもよい。尚前記ゲートパターン２ａはリードパターン２ｂと同一工程によって形成されており該リードパターン２ｂと同様銅箔上に薄い金メッキ層を形成したものである。
　次に本発明に於けるＩＣモジュールの樹脂封止構造を第３図、第４図及び第１図に基づいて説明する。尚、第９図及び第１１図と同一のものについては同一番号を付してその説明を省略する。
　第３図に示すごとく上金型３７のゲート溝３９ａ、ランナー溝４０ａに対向するＩＣモジュール１の回路基板２上には前述のごとくゲートパターン２ａが設けられており、封止樹脂３８はこのゲートパターン２ａ上のランナー４０、ゲート３９を通ってキャビティー３７ａ内に充填されることによりＩＣチップ４を封止している。
　第４図は第３図のＢ−Ｂ断面図でありゲ―ト溝３９ａとゲートパターン２ａの断面を示すものである。
　すなわちゲートパターン２ａは銅箔層５の表面上に薄い金層６をメッキ処理したものであり前記リードパターン２ｂと同一工程によって形成されている。そして前記ゲートパターン２ａ上の金層６は基板やソルダーレジストに比べて封止樹脂３８との密着力が著しく低いためゲートパターン２ａ上で硬化した封止樹脂３８はＩＣモジュール１を金型から取り出すときに簡単に切り取られてしまうため第１図に一点鎖線で示す如く回路基板２上にはゲート残り３ａは存在しない。
　第５図は本発明の他の実施例を示す回路基板２の平面図であり、第２図と同一のものについては同一番号を付し説明を省略する。
　第５図に於いて第２図と異るところは、第２図のゲートパターン２ａが電気的な接続を有さない捨パターンであるのに対し、第５図のゲートパターン２ａは電源端子等の電気的機能を有するパターンであり前記ＩＣチップ４のパッドとワイヤーボンデングされていることである。
　すなわち第２図に示すＩＣカード用のＩＣモジュールの場合はＩＣチップ４にパツドを設けない辺が存在するので前記ゲートリード２ａを捨パターンとし設けることが出来るが、第５図に示すメモリカード用のＩＣモジュールの場合にはパッドを設けない辺が存在しないので、リードパターンの１つを巾広にしてゲートパターンにする方式が適している。
　尚、本実施例に於いてはゲートパターン２ａをリードパターン２ｂと同一工程によって形成可能な金層６としたが、これに限定されるものではなく、銀、クロム、ニッケル等の面状態が安定した難酸化金属層であれば前記封止樹脂３８との密着力を低くすることが可能であり、ゲートパターンとして利用することが出来る。また上記実施例ではＩＣカード用のモジュールを示したが、本発明はこれに限定されるものではなく、回路基板の周縁から離れた内側樹脂封止するものであればどんなものでも良く、例えばＰＧＡ（ピングリットアレイ）、ＢＧＡ（ボールグリッドアレイ）等の樹脂封止型半導体装置にも適用できるものである。
〔発明の効果〕
　上記のごとく本発明によれば、回路基板上に形成した金属層をゲートパターンとして封止樹脂のゲート残りを除去するようにしているため回路基板面をキズにしたり、汚したりすることなく、又特別な機械的除去処理を必要とすることなくゲート残りの存在しないＩＣモジュールを提供することが可能となる。
　さらにゲートパターンの形成はリードパターンと同一工程で行うことが出来るため特別な費用を必要としない等、回路基板を用いたＩＣモジュールの品質向上に大なる効果を有する。
【図面の簡単な説明】
　第１図〜第５図は本発明の実施例を示し、第１図はＩＣモジュールの外観図、第２図及び第５図は回路基板の平面図、第３図はＩＣチップ樹脂封止構造を示す断面図、第４図は第３図のＢ−Ｂ断面図である。第６図は従来のＩＣカードの外観図、第７図は第６図のＡ−Ａ断面図、第８図はＩＣカードのカード基体を示す外観図、第９図及び第１１図は従来のＩＣチップ樹脂封止構造を示す断面図、第１０図及び第１２図は従来のＩＣモジュールを示す外観図である。
１、３２……ＩＣモジュール、
２、３３……回路基板、
４、４３……ＩＣチップ、
２ａ……ゲートパターン、
３ａ、３４ａ……ゲート残り。