【事件の表示】
特許第２６８４８３５号「液品表示素子およびその製造方法」の請求項１、３ないし４に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結論】
特許第２６８４８３５号の請求項３ないし４に係る特許を取り消す。
　同請求項１に係る特許を維持する。
【理由】
（１）手続きの経緯
　本件特許第２６８４８３５号は平成２年９月２８日に出願され（遡及出願日平成１年１１月２７日）、平成９年８月１５日に設定登録され、その後、セイコーエプソン株式会社より特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１０年１０月１９日に訂正請求がなされ、訂正拒絶理由通知がなされたところ、特許権者からの応答がなかったものである。
（２）訂正の適否についての判断
　訂正請求の内容は、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであるが、訂正明細書の請求項３及び請求項４に係る発明は独立特許要件を満足しないとの、訂正拒絶理由通知の指摘は妥当なものであるから、上記訂正請求は、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、特許法第１２０条の４第３項で準用する第１２６条第４項の規定に適合しないので、当該訂正請求は認められない。
（３）特許異議の申立てについて
（請求項に係る発明）
　本件特許第２６８４８３５号の請求項１、請求項３及び請求項４に係る発明は、特許明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１、請求項３及び請求項４に記載されたとおりの
「１　非線形抵抗素子を介してリード電極と画素電極とが接続されてなる下部基板と、前記画素電極と対応して対向透明電極を設けた上部基板と、この上下部基板に挟まれた液晶とからなる液晶表示素子において、同一の前記非線形抵抗素子を２個同一平面上に設け、かつその非線形抵抗素子の上部電極または下部電極同士を接続し、他端をリード電極と画素電極にそれぞれ接続することにより２個の非線形抵抗素子を直列に設けたことを特徴とする液晶表示素子の製造方法であって、下部絶縁性基板上に前記リード電極と前記非線形抵抗素子の下部電極とを同時パターン化し、前記下部電極上に非線形抵抗体を形成し、前記画素電極と前記非線形抵抗素子の上部電極とを同時に成膜パターン化して前記下部基板を形成する工程と、前記下部基板と前記上部基板とを対向して張り合わせ、液晶を注入する工程とからなることを特徴とする液晶表示素子の製造方法。
　３　同一の、非線形抵抗体を上下２つの電極を挟んだ２端子の非線形抵抗素子を２個同一平面上に設け、かつその非線形抵抗素子の上部極同士を接続し、下部電極をリード電極と画素電極にそれぞれ接続することにより２個の非線形抵抗素子および画素電極を直列に設けた下部基板と、前記画素電極と対応して対向透明電極を設けた上部基板と、この上下部基板に挟まれた液晶とからなる液晶表示素子の製造方法であって、前記下部絶縁性基板上に前記非線形抵抗素子の下部電極と前記リード電極と前記画素電極とを同時に成膜パターン化し、その上に非線形抵抗体と上記上部電極用膜とを成膜し、上部電極をパターン形成した後その上部電極のパターンを用いて前記非線形抵抗体をパターン化して前記下部基板を形成する工程と、前記下部基板と前記上部基板とを対向して張り合わせ、液晶を注入する工程とからなることを特徴とする液晶表示素子の製造方法。
　４　同一の、非線形抵抗体を上下２つの電極で挟んだ２端子の非線形抵抗素子を２個同一平面上に設け、かつその非線形抵抗素子の上部電極同士を接続し、下部電極をリード電極と画素電極にそれぞれ接続することにより２個の非線形抵抗素子および画素電極を直列に設けた下部基板と、前記画素電極と対応して対向透明電極を設けた上部基板と、この上下部基板に挟まれた液晶とからなる液晶表示素子において、前記上部電極と前記非線形抵抗体の形状が同じであることを特徴とする液晶表示素子。」
にあるものと認める。
（特許異議申立の概要）
　特許異議申立人セイコーエプソン株式会社は、甲第１号証として特開昭６２−２１１２６号公報、甲第２号証として特開昭６３−２４９１９１号公報、参考資料１乃至参考資料４として、特開昭６３−２７１３９１号公報、特開昭６３−２７３８３７号公報、特開昭５５−５９４９０号公報及び特開昭６０−２３８８１７号公報を提示して、請求項１は甲第１号証に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、請求項３及び請求項４は、甲第２号証に記載の発明と同一発明、若しくは甲第２号証に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである旨主張している。
（引用例）
　甲第１号証である特開昭６２−２１１２６号公報（以下、第１引用例という。）には、
「相対する２枚の電極基板と、その中に挟持される液晶層からなる液晶表示素子に於いて、該電極基板の一方の基板上に、非線形抵抗素子を画素毎に設けた事を特徴とする液晶表示素子。」（特許請求の範囲第１項）、
「第１図において、Ｔａをガラス基板上にスパッタ、パターニング後４００℃〜５００℃にて５〜２０分間熱酸化処理を施すとＴａ膜表面に数百Åの酸化層１が形成される。次に透明電極材料としてＩＴＯを蒸着または、スパッタした後、１枚のマスクによって、２のライン電極、３ａ及び３ｂの２つの非線形抵抗素子部の上電極及び４の画素電極を形成する。ＩＴＯは純金属ではないが、抵抗値を低くでき前記素子の上部電極として充分役立つ。通常ＭＩＭ素子は酸化層の上下の金属が同じものを用いないと特性が極性依存性を持つが、本発明は２つの素子３ａ及び３ｂを直列配置する事により解決している。・・・・まずライン側の電極４ａから電流が流れ込む場合、４ａ（ＩＴＯ）−３（ＴａＯ２）−２（Ｔａ）−３（ＴａＯ２）−４ｂ（ＩＴＯ）となって、画素電極に至る。次に逆特性の場合は前記の逆経路をたどる。いずれの場合にも、ＩＴＯ−ＴａＯ２−Ｔａ−ＴａＯ２−ＩＴＯとなり、正負の極性差は生じない。」（公報第２頁右上欄第１３行〜左下欄第１３行）と記載されている。
　したがって、第１引用例には、
「相対する２枚の電極基板と、その中に挟持される液晶層からなる液晶表示素子の製造方法において、下部基板上にＴａをスパッタ、パターニング後Ｔａ膜表面に酸化層を形成し、次に透明電極材料を蒸着した後、１枚のマスクによって同時にライン電極、２つの非線形抵抗素子部の上電極及び画素電極を形成することを特徴とする液晶表示素子の製造方法。」
の発明が記載されている。
　また、甲第２号証である特開昭６３−２４９１９１号公報（以下、第２引用例という。）には、「直列かつ逆方向に接続された一対の薄膜ダイオードよりなる表示装置用アクティブマトリックス用素子において、前記一対の薄膜ダイオードは、基板上に互いに離間した状態で同一の工程により形成された第１電極層を構成する画素電極用リード層および走査電極層と、これらの画素電極用リード層および走査電極層上にそれぞれ積層された半導体層と、当該半導体層上に一体的に積層され、かつ当該半導体層のそれぞれとの間においてショットキーパリアが形成される第２電極層とを有してなることを特徴とする表示装置用アクティブマトリックス用素子。」（特許請求の範囲第１項）、「第１図（イ）および（ロ）は、本発明のアクティブマトリックス用素子を液晶セルに適用する場合の具体的構成の一例を示す。同図において、１１および１２はそれぞれ第１電極層を構成する走査電極層および画素電極用リード層、２１は半導体層、３０は第２電極層、４１は上基板、４２は下基板、４３は対向電極層、４４は画素電極層、４５および４６は配向層、４７は液晶層である。この例においては、下基板４２上に、帯状の走査電極層１１と、画素電極用リード層１２とが同一の工程により形成され、これらの走査電極層１１と画素電極用リード層１２は互いに離間した位置に形成されている。そして、画素電極用リード層１２は画素を構成する画素電極層４４と一体的に形成されている。すなわち、走査電極層１１、画素電極用リード層１２、画素電極層４４は同一の工程により形成されている。そして、走査電極層１１および画素電極用リード層１２の上部には、半導体層２１が一体的に積層されて設けられ、さらにこの半導体層２１の上部には、第２電極層が積層されて設けられている。」（公報第４頁右上欄第１９行〜左下欄第１８行）、
「（４）上記半導体層用薄膜および第２電極層用薄膜を、第２マスクを用いて連続的なエッチングによりパターニング処理し、もって所定の形状の半導体層および第２電極層を形成した。」（公報第５頁右上欄第１３行〜第１６行）と記載されている。
　したがって、第２引用例には、
「直列かつ逆方向に接続された一対の薄膜ダイオードよりなる表示装置用アクティブマトリックス用素子において、前記一対の薄膜ダイオードは、下基板上に互いに離間した状態で同一の工程により画素電極用リード層、走査電極層および画素電極層を形成し、これらの画素電極用リード層および走査電極層上にそれぞれ積層された半導体層と、当該半導体層上に一体的に積層される第２電極層とを有し、第２電極層と半導体層とは同一のマスクを用いて連続的にエッチングされてなることを特徴とする表示装置用アクティブマトリックス用素子、及びその製造方法。」
の発明が記載されている。
　また、参考資料１乃至参考資料４は、液晶表示装置において、信号線や走査線を２層に積層して形成することが周知であることを示す資料であり、その旨の記載がある。
１．本件請求項１に係る発明について
（対比）
　本件請求項１に係る発明（以下、第１発明という。）と第１引用例に記載された発明（以下、第１引用発明という。）とを対比すると、第１引用発明の「ライン電極」、「Ｔａ」及び「Ｔａ膜表面の酸化層」は、第１発明の「リード電極」、「非線形抵抗素子の下部電極」及び「非線形抵抗体」に相当し、第１引用発明が、上部基板に対向透明電極を有することは明らかであるから、両者は、
「非線形抵抗素子を介してリード電極と画素電極とが接続されてなる下部基板と、前記画素電極と対応して対向透明電極を設けた上部基板と、この上下部基板に挟まれた液晶とからなる液晶表示素子において、同一の前記非線形抵抗素子を２個同一平面上に設け、かつその非線形抵抗素子の上部電極または下部電極同士を接続し、他端をリード電極と画素電極にそれぞれ接続することにより２個の非線形抵抗素子を直列に設けたことを特徴とする液晶表示素子の製造方法であって、下部絶縁性基板上に前記非線形抵抗素子の下部電極を成膜パターン化し、前記下部電極上に非線形抵抗体を形成し、前記画素電極と前記非線形抵抗素子の上部電極とを同時に成膜パターン化して前記下部基板を形成する工程と、前記下部基板と前記上部基板とを対向して張り合わせ、液晶を注入する工程とからなることを特徴とする液晶表示素子の製造方法。」である点、で一致しており、第１発明では、「下部絶縁性基板上にリード電極と非線形抵抗素子の下部電極とを同時に成膜パターン化し」、「画素電極と非線形抵抗素子の上部電極とを同時に成膜パターン化して前記下部基板を形成」しているのに対し、第１引用発明では、「下部基板上にＴａをスパッタし」、「同時にライン電極、２つの非線形抵抗素子部の上電極及び画素電極を形成」している点、
で相違している。
（当審の判断）
　上記相違点について検討する。
　上記相違点は、リード電極を形成する時期を、非線形抵抗素子の下部電極を形成する時期と同じにするか、非線形抵抗素子の上部電極及び画素電極を形成する時期と同じにするかの違いであるが、第１引用発明では、リード電極を画素電極と同時に形成するため、リード電極がＩＴＯとならざるを得ないのに対し、第１発明では、リード電極を画素電極と同時には形成せず、下部電極と同時に形成しており、下部電極は透明でなくてもよいため、任意の金属材料で形成することが可能となる（通常下部電極は金属材料で形成する。第１引用発明の下部電極はＴａ、第１発明の実施例の下部電極はＣｒ。）。
　その結果、第１引用発明ではリード電極の材料がＩＴＯに限定されるため、高抵抗となるのに対し、第１発明ではリード電極に低抵抗の金属電極を使用することが可能になるという作用効果を奏する。
　そして、リード電極を画素電極と同時には形成せず、下部電極と同時に形成することは、各引用例や参考資料にも記載されておらず、かつ、技術常識から自明な事項でもないから、第１発明は、第１引用発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。
２．本件請求項３に係る発明について
（対比・判断）
　本件請求項３に係る発明（以下、第３発明という。）と第２引用例に記載された発明（以下、第２引用発明という。）とを対比すると、第２引用発明の「直列かつ逆方向に接続された一対の薄膜ダイオード」、「画素電極用リード層」、「走査電極層」、「半導体層」、「第２電極層と半導体層とは同一のマスクを用いて連続的にエッチング」及び「表示装置用アクティブマトリックス用素子の製造方法」は、第３発明の「２個の２端子の非線形抵抗素子」、「非線形抵抗素子の下部電極」、「リード電極」、「非線形抵抗体」、「上部電極をパターン形成した後その上部電極のパターンを用いて前記非線形抵抗体をパターン化」及び「液晶表示素子の製造方法」に相当し、第２引用発明が、上部基板に対向透明電極を有することは明らかであるから、両者は、
「同一の、非線形抵抗体を上下２つの電極を挟んだ２端子の非線形抵抗素子を２個同一平面上に設け、かつその非線形抵抗素子の上部電極同士を接続し、下部電極をリード電極と画素電極にそれぞれ接続することにより２個の非線形抵抗素子および画素電極を直列に設けた下部基板と、前記画素電極と対応して対向透明電極を設けた上部基板と、この上下部基板に挟まれた液晶とからなる液晶表示素子の製造方法であって、前記下部絶縁性基板上に前記非線形抵抗素子の下部電極と前記リード電極と前記画素電極とを同時に成膜パターン化し、その上に非線形抵抗体と上記上部電極用膜とを成膜し、上部電極をパターン形成した後その上部電極のパターンを用いて前記非線形抵抗体をパターン化して前記下部基板を形成する工程と、前記下部基板と前記上部基板とを対向して張り合わせ、液晶を注入する工程とからなることを特徴とする液晶表示素子の製造方法。」
である点で一致しており、相違点はない。
　よって、第３発明は、第２引用発明と同一であるから、特許法第２９条第１項第３号の規定により、特許を受けることができない。
３．本件請求項４に係る発明について
（対比・判断）
　本件請求項４に係る発明（以下、第４発明という。）と第２引用発明とを対比すると、第２引用発明の「直列かつ逆方向に接続された一対の薄膜ダイオード」、「走査電極層」、「半導体層」及び「表示装置用アクティブマトリックス用素子」は、第４発明の「２個の２端子の非線形抵抗素子」、「リード電極」、「非線形抵抗体」及び「液晶表示素子」に相当し、第２引用発明において、「第２電極層と半導体層とは同一のマスクを用いて連続的にエッチング」すると、第２電極層と半導体層とは同じ形状になるから、第４発明の「上部電極と前記非線形抵抗体の形状が同じである」ことに相当し、また、第２引用発明が、上部基板に対向向透明電極を有することは明らかであるから、両者は、
「同一の、非線形抵抗体を上下２つの電極で挟んだ２端子の非線形抵抗素子を２個同一平面上に設け、かつその非線形抵抗素子の上部電極同士を接続し、下部電極をリード電極と画素電極にそれぞれ接続することにより２個の非線形抵抗素子および画素電極を直列に設けた下部基板と、前記画素電極と対応して対向透明電極を設けた上部基板と、この上下部基板に挟まれた液晶とからなる液晶表示素子において、前記上部電極と前記非線形抵抗体の形状が同じであることを特徴とする液晶表示素子。」
である点で一致しており、相違点はない。
　よって、第４発明は、第２引用発明と同一であるから、特許法第２９条第１項第３号の規定により、特許を受けることができない。
（４）むすび
　よって、本件請求項１に係る発明についての特許は、特許異議申立ての理由及び証拠によっては取り消すことはできず、また他に本件請求項１に係る発明についての特許を取り消すべき理由を発見できない。
　さらに、本件請求項３及び請求項４に係る発明についての特許は、拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してなされたものであるから、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の一部の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第１項及び第２項の規定により、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１１年３月１５日（１９９９．３．１５）