【事件の表示】
　特許第２８２８０６９号「バンプ付きワークの半田付け方法」の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第２８２８０６９号の特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　本件特許第２８２８０６９号は、平成８年１０月１１日の出願であって、平成１０年９月１８日に特許の設定登録がなされ、その後、内野光平（以下、「申立人」という。）より特許異議の申立がなされたものである。
２．本件発明
　本件請求項１に係る発明（以下、「本件発明」という。）は、特許明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された下記のとおりのものである。
「【請求項１】フラックスを用いずにバンプ付きワークのバンプをワークのパッド上に半田付けするバンプ付きワークの半田付け方法であって、バンプ付きワークのバンプから下方へ突出する突出部をワークのパッド上に形成された半田部に押し付けてこの半田部の表面の酸化膜を前記突出部により部分的に破壊し、かつ前記バンプおよび前記酸化膜の融点以下の温度で前記半田部を加熱して溶融させ、次いで固化させることを特徴とするバンプ付きワークの半田付け方法。」
３．特許異議申立ての理由の概要
  申立人は、証拠方法として、
甲第１号証（1994 IEEE/CPMT Int'l Electronics Manufacturing Technology Symposium,P.177-184）
を提出し、本件発明は、甲第１号証に記載された発明であり、また、甲第１号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第１項第３号及び同第２項の規定に違反してされたものであり、本件発明の特許は取り消されるべき旨主張している。
４．甲第１号証の記載事項
　甲第１号証には、「Ａｕ−Ｓｎ金属接合を用いる固定、フレキシブル基板のフラックスレスフリップチップの組立」の表題のもとに、その項目２．２．には、「電気めっきＡｕバンプ、機械的びょう付きＡｕバンプを用いたフリップチップの接合」として、以下の事項が記載されている。
「（Ａｕ−Ｓｎ）状態図のＳｎが多い部分に位置するフリップチップ組立においては、Ａｕはバンプの金属材料として用いられ、ＳｎとＳｎ／Ｐｂ比が６３／３７の半田は、基板に半田付けされている。この研究は、フレキシブル回路と固定プリント配線基板の両方で行われた。２．１で説明したＡｕとＳｎが８０対２０の共晶と比較して、Ｓｎの多い金属接合は、ボンディング温度の低下させることにより、ポリマー材の軟化点以下となった。用いたバンプ材は、テーブル２．２に示されている。
　基板材の詳細は、テーブル２．３に示されている。テストチップと対応するテスト基板のレイアウトは、２．５ｍｍ、５ｍｍ、７．５ｍｍ、１０ｍｍのチップサイズの種類を含んでいる。テストキットは、２００と３００μｍピッチの周辺パッドを有するチップと、ボンディングパッドが配置されたエリアを有するテストチップとを含んでいる。電気的測定用に、チップは、接触抵抗の定量測定をするためのチップ端に設けられた４つの測定構造ポイントと、電気的相互接続をテストするためのチップ中央エリアへの追加接続とを備えている。図２．５は対応するテスト基板上の２．５ｍｍチップのフリップチップアセンブリを示している。
・・・
　びょう付きバンプは、Ｆ＆Ｋ Ｄｅｌｖｏｔｅｃ社のセミオートマチック・サーモソニック・ワイャ一ボンダーを改造したものを使用して、シングルチップのボンディングにより製造された。アセンブリー前に、バンプの高さを揃えるために僅かな圧力が加えられた。図２．６はびょう付きバンプのＳＥＭの画像を示す。
　フリップチップの組み立ては、Ｋａｒｌ Ｓｕｓｓ社のボンダーＦＣ９５０を用いて、３００℃のツール温度、７〜１０ｃＮ／Ｐａｄの接合力で行われた。図２．７は、タイプ１（テーブル２．３）のフレキシブル基板上におけるチップを選択的に取り除いて、フリップチップ接合の結果を示す。この金属接合は、半田付け温度の低下を許容するので、基板材の接着性にダメージを与えることなく、再生された結合が可能になる。これは、ＡｕとＳｎの比が８０対２０のＡｕ／Ｓｎ半田バンプ（図２．３参照）で得られた結果と比較して、重要な改良である。
　図２．８は、これに対応する金属組織断面を示す。Ａｕ−Ｓｎ接合界面の定量的なＥＤＳ解析は、Ｓｎは全体的に消滅し、主に内部金属組成物としてＡｕＳｎとＡｕＳｎ２が形成されることを示している。ＨｙｓｏｌのＦＰ４５１０のタイプによるアンダーフィルを用いたこれらの接合の最初の信頼性のある結果は、−５５℃〜１２５℃の熱サイクルで２５０個まで失敗はなかった。これらの有望な結果は、この金属接合はフラックスを用いないフリップチップの組み立てプロセスを考えることができることを示している。」
（１８０頁左欄第１行〜１８１頁右欄第９行）　
　テーブル２．２には、適用したバンプ材として、Ａｕからなる直径８０μｍ、高さ５０〜５０μｍの機械的びょう付きバンプが記載されている。
　テーブル２．３には、機械的びょう付きＡｕバンプのフリップチップボンディングに用いた基板材（タイプ１）として、Ｃｕ３５μｍ、Ｓｎ１５μｍからなるフレキシブル基板が記載されている。
　図2.6には、突出部を有する機械的びょう付きバンプが示されている。
　図2.7、図2.8には、機械的びょう付バンプをフレキシブル基板に接合した画像と接合部の金属組織断面が示されている。
５．対比・判断
　本件発明と上記甲第１号証に記載の発明とを、以下、対比する。
　甲第１号証にはフラックスを用いないでバンプ付きフリップチップを基板パッド部へ接合する方法について開示されている。
　そして、フリップチップのバンプとしては、ワイヤーボンダーにより形成され、図2.6に示されているような突出部を有するＡｕからなるびょう付きバンプを用いること、基板パッド部としては、フレキシブル基板に３５μｍの銅とスズ１５μｍとから形成したものからなり、びょう付きバンプと基板パッド部との接合温度は３００℃の温度で行われ、接合後の状態を示した図2.7、図2.8から、接合はびょう付きバンプ突出部を基板のパッド部に押し付ける方向で行われたものと推察される。
　しかしながら、甲第１号証には本件発明の構成要件である、「突出部をワークのパッド上に形成された半田部に押し付けてこの半田部の表面の酸化膜を前記突出部により部分的に破壊し、かつ前記バンプおよび前記酸化膜の融点以下の温度で前記半田部を加熱して溶融させ、次いで固化させる」点について何ら記載されておらず、また、示唆もされていない。
　この点について、申立人は特許異議申立書において、「びょう付きバンプのびょう部分をパッドに押し付ける際に、半田部の表面に形成された酸化膜を部分的に破壊するのは、びょう付きバンプの形状上不可避的に生じる現象である。すなわち、半田部の表面に酸化膜が形成されてしまうことは当業者にとって技術常識であり、このことは、本件特許発明の明細書における【０００４】には、『ワークバッド上に形成された半田部は空気に触れることにより酸化しやすいことから、半田部の表面には酸化膜が生じている。』と記載されている。つまり、半田部の表面に酸化膜が形成されてしまうのは、当業者にとってあたりまえのことである。したがって、甲第１号証にバンプのびょう部分が半田部の表面の酸化膜を部分的に破壊するという直接的記載はなくとも、びょう付きバッドに７〜１０ｃＮ／Ｐａｄの力で押し付ける以上、びょう部分が酸化膜を部分的に破壊してしまうことは当業者であれば明らかである。」（特許異議申立書第１０頁第８〜２０行）旨主張している。
　ところが、甲第１号証には、接合によりバンプを形成するＡｕと基板上のＳｎが金属間化合物を形成することは記載されているものの、基板のパッド上に形成されたＳｎ上に酸化膜が形成されているか否かについて、また、接合の際にびょう付きバンプの突出部が酸化膜を部分的に破壊するか否かについては、具体的には何も記載されおらず、３００℃の接合温度についても基板にダメージを与えないための温度であって、本件発明のように接合温度を半田部表面の酸化膜の融点以下とすることにより残存した酸化膜が硬い殻として溶融した半田を覆うようにする点については何らの記載も開示もなく、上記相違点は当業者が容易に想到できるものでもない。
　そして、上記相違点により本件発明は、「半田部の表面の酸化膜のうち、破壊されるのはバンプの突出部が突き破る部分だけであり、他の酸化膜は半田部の表面に残存して硬い殻として溶融した半田を覆うので、半田が側方へ流出して半田ブリッジが生じるのを解消できる。」（段落【００２２】）という特許明細書に記載された格別の効果を奏するものである。
　よって、本件発明は、甲第１号証に記載された発明であるとも、また、甲第１号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものでもない。
６．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件発明の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年３月１５日（２０００．３．１５）