【事件の表示】
　特許第２７６８３１５号「半導体装置」の請求項１、３ないし４に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結論】
　訂正を認める。
　特許第２７６８３１５号の請求項１、３ないし４に係る特許を維持する。
【理由】
１．手続の経緯
　本件特許第２７６８３１５号は、平成７年６月２３日（優先権主張平成６年９月２２日）に出願された特許出願に係り、平成１０年４月１０日にその特許の設定登録がされ、その後、セイコーエプソン株式会社から特許異議の申立てがなされたので、当審より特許取消理由を通知したところ、その指定期間内に訂正請求書が提出され、さらに当審において訂正拒絶理由の通知がされ、その指定期間内に訂正請求書の手続補正書が提出されたものである。
２．訂正請求書の手続補正について
（１）当該補正の内容
　訂正請求書の「訂正事項（訂正の要旨）」における特許請求の範囲の請求項３及び請求項４の訂正を、それぞれ以下のように補正するとともに、その他の訂正請求書の記載については、当該補正書の「補正の内容」に記載のとおりに補正し、この補正内容のとおりに全文訂正明細書を補正するものである。
「【請求項３】　デバイスホールが開口された可撓性樹脂基板、および該可撓性樹脂基板の第１主面に設けられ一端が前記デバイスホール内に突出した配線リードを有するテープキャリアと、前記配線リードの一端に電極端子が接続された半導体チップと、少なくとも前記半導体チップの電極端子形成面を封止すると共に前記可撓性樹脂基板の第２主面上にまで延びて形成された封止樹脂と、前記配線リードに接続された導電性バンプとを備え、前記導電性バンプが前記デバイスホール開口部を除いて前記可撓性樹脂基板の第１主面上にグリッドアレイ状に配置され、前記テープキャリアの配線リードの形成面が前記導電性バンプが形成されたランド部を除いて絶縁樹脂膜によって被覆され、前記封止樹脂が第１主面側に突出し底面が前記導電性バンプの配線リード接続面より低くかつ前記導電性バンプ先端の底面より少し高い位置にある突起部を有することを特徴どする半導体装置。」
「【請求項４】　デバイスホールが開口された可撓性樹脂基板、および該可撓性樹脂基板の第１主面に設けられ一端が前記デバイスホール内に突出した配線リードを有するテープキャリアと、前記配線リードの一端に電極端子が接続された半導体チップと、少なくとも前記半導体チップの電極端子形成面を封止すると共に前記可撓性樹脂基板の第２主面上にまで延びて形成された封止樹脂と、前記配線リードに接続された導電性バンプとを備え、前記導電性バンプが前記デバイスホール開口部を除いて前記可撓性樹脂基板の第１主面上にグリッドアレイ状に配置され、前記半導体チップの電極端子の形成面に隣接する側面が前記封止樹脂で被覆され、前記半導体チップの前記電極端子の前記形成面の反対側の面が前記封止樹脂から露出し、前記封止樹脂が第１主面側に突出し底面が前記導電性バンプの配線リード接続面より低くかつ前記導電性バンブ先端の底面より少し高い位置にある突起部を有することを特徴とする半導体装置。」
（２）当該補正の適否
　特許請求の範囲の請求項３及び請求項４を前記のように補正することは、いずれも特許請求の範囲の減縮を目的とするものと認められ、その他の補正は、前記特許請求の範囲の減縮にともなって不明りょうとなった明細書の「発明の詳細な説明」の欄の記載を、特許請求の範囲の記載と整合するようにしたものであって、明りょうでない記載の釈明を目的とするものと認められる。
　そして、これら補正は、いずれも全文訂正明細書に記載された事項の範囲内のものであって、しかも全文訂正明細書の特許請求の範囲を実質的に拡張または変更するものではないので、当該補正は認められるものである。
３．訂正請求について
（１）訂正の内容
　前記補正が認められることにより、本件訂正は、特許請求の範囲の請求項１を次のように訂正するものであるとともに、同じく請求項３及び請求項４を前記補正の内容のとおりに訂正するものであり、その他の特許明細書の訂正は、前記手続補正書に添付の補正後の訂正請求書の「訂正事項（訂正の要旨）」に記載のとおりに訂正するものである。
「【請求項１】　デバイスホールが開口された可撓性樹脂基板、および該可撓性樹脂基板の第１主面に設けられ一端が前記デバイスホール内に突出した配線リードを有するテープキャリアと、前記配線リードの一端に電極端子が接続された半導体チップと、少なくとも前記半導体チップの電極端子形成面を封止すると共に前記可撓性樹脂基板の第２主面上にまで延びて形成された封止樹脂と、前記配線リードに接続された導電性バンプとを備え、前記導電性バンプが前記デバイスホール開口部を除いて前記可撓性樹脂基板の第１主面上にグリッドアレイ状に配置され、前記封止樹脂が前記第１主面の中央部に、前記導電性バンプの配線リード接続面より低くかつ前記導電性バンプの先端の底面より少し高い位置に底面がある中央突起部を有することを特徴とする半導体装置。」
（２）訂正の適否
　特許請求の範囲の請求項１、請求項３及び請求項４を前記のように訂正することは、いずれも特許請求の範囲の減縮を目的とするものと認められ、その他の訂正は、前記特許請求の範囲の減縮にともなって不明りょうとなった明細書の「発明の詳細な説明」の欄の記載を、特許請求の範囲の記載と整合するようにしたものであって、明りょうでない記載の釈明を目的とするものと認められる。
　そして、これら訂正は、いずれも全文訂正明細書に記載された事項の範囲内のものであって、しかも全文訂正明細書の特許請求の範囲を実質的に拡張または変更するものではない。
　ところで、当審の通知した訂正拒絶理由の概要は、特許請求の範囲の請求項３及び請求項４の記載が不備のため、これらの請求項に記載された事項により特定される発明は、本件出願の際独立して特許を受けることができないというものである。
　これに対し、請求項３及び請求項４は上記のように補正され、訂正拒絶理由は解消されたから、前記訂正拒絶理由によっては、本件出願の際独立して特許を受けることができない、とすることはできない。
　そして、後述するように、前記取り消し理由及び特許異議申立の理由によっても本件の請求項１、請求項３及び請求項４に係る発明の特許を取り消すことはできず、他にこれらの発明が、特許出願の際独立して特許を受けることができないとする理由及び証拠方法を発見しない。
　よって、訂正後の特許請求の範囲の請求項１、請求項３及び請求項４に記載された事項により特定される各発明は、特許出願の際独立して特許を受けることができない発明ではない。
　以上のとおりであるから、本件訂正請求は、特許法第１２０条の４第２項ただし書及び同条第３項で準用する同法第１２６条第２〜４項の訂正に関する規定が、平成６年法律第１１６号付則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされることから適用される、平成５年改正特許法第１２６条第１項ただし書、第２〜３項の規定に適合するので、本件訂正は認められるものである。
４．特許異議の申立てについて
（１）本件特許に係る発明について
　本件特許に係る発明は、前記訂正が認められることから、前記「当該補正の内容」の項及び「訂正の内容」の項の請求項１、請求項３及び請求項４に記載されたとおりのものと認められる（以下、それぞれの請求項に係る発明を順に、本件第１発明、本件第３発明、本件第４発明という。）。
（２）取り消し理由について
　当審の通知した取消理由の概要は、本件第１および第３発明は、下記の刊行物１に記載の発明と同一であるので、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができないものであり、また、本件第４発明は、下記の刊行物１〜３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないというものである。
　　　　　　　　　記
刊行物１：特開昭６３−３０７７６２号公報
　　　（特許異議申立人が提出した甲第１号証）
刊行物２：特開平５−３２６６２０号公報
　　　（同じく甲第２号証）
刊行物３：特開平６−８５１１１号公報
　　　（同じく甲第３号証）
　そこで、これらの理由について検討する。
　第１番目の理由に係る刊行物１には、次のように記載されている。
　「フィルム１２は、・・・ポリイミドやガラス・エポキシ樹脂などからなるものであって、その中央位置には外形と同一形状の中空部１２ａが形成されている。そして、このフィルム１２の一面（図では、裏面）には銅などからなる所定数の配線リード１５，・・・が被着形成されており、・・・それぞれの外端部１５ａ上には外部電極１６が一体的に形成されている。また、各配線リード１５の内端部１５ｂは前記中空部１２ａの内縁から内方に突出させられ、各内端部１５ｂと前記半導体素子１１の各端子電極とはパンプ１４を介しての熱圧着などによって互いに接続されている。」（第３頁左上欄第４〜１６行）、「フィルム１２裏面に配設された外部電極１６，・・・の周囲には、配線リード１５，・・・を覆って保護する所定厚みのソルダレジスト層１７が高分子樹脂材料などによって形成されている。また、半導体素子１１とフィルム１２の中空部１２ａの周囲とは、エボキシ樹脂などからなる封止本体１３によって密封封止され、外部環境の影響による損傷から保護されている。」（第３頁右上欄第２〜９行）、「この封止本体１３による密封封止範囲については、第２図に示す上記範囲に限定されるものではなく、例えば、他の実施例として示す第３図のように、フィルム１２の表面側を全面的に覆うとともに、その裏面側に形成されたソルダレジスト層１７をも全面的に覆うように形成してもよい。」（第３頁右上欄第９〜１５行）、「バンプ２１，・・・は半導体装置１０の外部電極１６，・・・に形成されていてもよく」（第４頁左上欄第４、５行）
　そして、刊行物１に記載された発明において、その「フィルム」、「中空部１２ａ」、「半導体素子」、「外部電極１６」、「封止本体」は、それぞれ、本件第１発明の「可撓性樹脂基板」、「デバイスホール」、「半導体チップ」、「導電性パンプ」、「封止樹脂」に相当すること、刊行物１の「半導体素子１１とフィルム１２の中空部１２ａの周囲とは、エポキシ樹脂などからなる封止本体１３によって密封封止され、外部環境の影響による損傷から保護されている」（第３頁右上欄第５〜９行）点の記載、および第１、２図から、刊行物１に記載された発明は、次の（１）、（２）の構成を有するものであるといえる。
　（１）封止樹脂は、少なくとも前記半導体チップの電極端子形成面を封止すると共に前記可撓性樹脂基板の第２主面上にまで延びて形成されたものであること、
　（２）導電性パンプがデバイスホール開口部を除いて可撓性樹脂基板の第１主面上にグリッドアレイ状に配置されていること、
　そこで、本件第１及び第３発明と刊行物１に記載された発明を対比すると、これらの発明は、
「デバイスホールが開口された可撓性樹脂基板、および該可撓性樹脂基板の第１主面に設けられ一端が前記デバイスホール内に突出した配線リードを有するテープキャリアと、前記配線リードの一端に電極端子が接続された半導体チップと、少なくとも前記半導体チップの電極端子形成面を封止すると共に前記可撓性樹脂基板の第２主面上にまで延びて形成された封止樹脂と、前記配線リードに接続された導電性パンプとを備え、前記導電性バンプがデバイスホール開口部を除いて可撓性樹脂基板の第１主面上にグリッドアレイ状に配置され」ているという構成を有する半導体装置である点で一致している。
　しかしながら、本件第１発明は、その構成のほかに、「封止樹脂が前記第１主面の中央部に、前記導電性バンプの配線リード接続面より低くかつ前記導電性バンプの先端の底面より少し高い位置に底面がある中央突起部を有する」という構成（以下、構成Ａという。）を有するものであり、また、本件第３発明は、同様に、「封止樹脂が前記第１主面の中央部に、前記導電性バンプの配線リード接続面より低くかつ前記導電性バンプの先端の底面より少し高い位置に底面がある突起部を有する」という構成（以下、構成Ｂという。）を有するものであるから、刊行物１にこれら構成Ａ、Ｂについての記載があるかどうかさらに検討する。
　本件第１及び第３発明において、突起部（第１発明においては中央突起部）は、半導体装置の底面から突起するものであり、テープキャリアの配線リードの形成面が絶縁樹脂膜によって被覆されされていて、絶縁樹脂膜表面が底面になる場合は、突起部や中央突起部は絶縁樹脂膜表面から当然突起しているものである。また、突起部の底面の位置を導電性バンプの先端の底面より少し高い位置とした理由は、実装基板上の電極とランドとの距離を所定の値に保持することにより、半田バンプの過剰な潰れによるショートを防止することにある。
　これに対し、刊行物１の第３図には、封止樹脂が裏面側に形成されたソルダレジスト層１７をも全面的に覆うように形成することにより、その底面が配線リード面より低くかつ導電性バンプの先端の底面より高い位置あるものとするものが記載されているが、封止樹脂による突起部は形成されておらず、かつ底面の位置をバンプの過剰な潰れによるショートを防止するために少し高い位置としたものではない。
　したがって、刊行物１には、前記構成Ａ、Ｂについては記載されておらず、しかも、構成Ａ、Ｂが刊行物１に記載の発明からみて自明な事項とも認められない。
　そうすると、刊行物１には本件第１発明及び本件第３発明と同一の発明が記載されているとすることはできない。
　次に第２番目の理由について検討する。
　第２の理由に係る刊行物２には、ＴＡＢフィルムにＩＣチップを搭載・接続し、ＩＣチップの表面及び接続用パンプ部分を樹脂により被覆し、ＩＣチップの裏面に放熱板を設けた薄膜ＥＬ用ドライバーＩＣが記載され、同じく刊行物３には、可撓性フィルムの表面の周辺領域には複数本のリード３Ｂが固着され、このリードの一端は、突起電極を介在し、半導体ペレットの外部端子に接続され、少なくとも半導体ペレットの素子形成面、突起電極、リードの一端のそれぞれは樹脂封止体で被覆され封止されるものが記載され、また、その第１図などには、突起電極が形成された面と反対側の面が樹脂封止体から露出した状態の図が示されている。
　そこで、本件第４発明と刊行物１〜３に記載のものとを対比すると、本件第４発明も前記構成Ｂを有するものであるが、後者の刊行物のいずれにもその構成について記載がない点で両者は相違している。
　そして、本件第４発明は、構成Ｂを有することにより、実装基板上の電極とランドとの距離を所定の値に保持することができ、半田バンプの過剰な潰れによるショートを防止することができるという格別の効果を奏するものである。
　そうすると、本件第４発明は、刊行物１〜３に記載されたものに基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることができない。
　以上のことから、本件第１、第３及び第４発明に係る特許を前記取消理由によって取り消すことはできない。
（３）特許異議の申立理由
（申立理由の概要）
　特許異議申立人は、甲第１〜５号証を提出し、本件第１及び第３発明は、甲第１号証に記載の発明と同一であるので、これら発明に係る特許は、特許法第２９条第１項第３号に該当するものであり（以下、申立理由１という。）、また、本件第１、第３及び第４発明は、甲第１〜３号証に記載された発明に基づき当業者が容易に発明をすることができたものであるので、これら発明に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである（以下、申立理由２という。）と主張するとともに、本件第４発明は、本件特許出願前の特許出願であって本件特許出願後に出願公開された甲第４号証あるいは甲第５号証に係る特許出願の願書の最初に添付した明細書又は図面に記載された発明と同一であるから、この発明に係る特許は、特許法第２９条の２の規定に違反してされたものである（以下、申立理由３という。）と主張している。
（甲各号証について）
　甲第１〜３号証は、それぞれ前記刊行物１〜３に対応しており、それぞれの記載事項は前記したとおりであるので、ここでは、甲第４号証及び甲第５号証について記載する。
　甲第４号証に係る特願平６−１９５５６４号（特開平８−６４６３５号公報参照）の願書の最初に添付した明細書又は図面（以下、先願明細書等１という。）には、第２実施例として、ＴＡＢ基板としてチップ搭載部に開口を形成したものを用い、導体パターン１と半導体チップのボンディングパッドがバンプ９を介して直接接合されており半導体チップ３の周りはポッティング樹脂８Ｓにより固着されたものが第３図とともに記載され、さらに、第３実施例として、ＴＡＢ基板の絶縁性テープ面側に半導体チップ３を搭載するようにし、導体パターン１を半導体チップのボンディングパッドの直上まで伸張し、それにダイレクトボンディングにより半導体チップを接続し、さらに導体パターンに接続するように半田ボール５を形成したものが第４図とともに記載されている。
　また、甲第５号証に係る特願平５−１１５７５０号（特開平６−３３３９９６号公報参照）の願書の最初に添付した明細書又は図面（以下、先願明細書等２という。）には、中央にデバイスホールを有する絶縁性のテープ２の一面に複数のリード３を設け、その内端部に半導体チップ７が接続され、デバイスホールとチップの周囲をレジン１１で被ってパッケージとしたものが第１図とともに記載されている。
（判断）
　申立理由１は、前記取消理由と同じであり、前記取消理由の項で説示したようにこの理由によっては本件第１び第３発明に係る特許を取り消すことができない。
　次に申立理由２について検討すると、甲第１〜３号証には、少なくとも前記構成Ａ及びＢについて記載もそれを示唆する記載もなく、この点で本件第１、第３及び第４発明と相違する。
　そして、本件第１、第３及び第４発明は、この構成を有することにより、実装基板上の電極とランドとの距離を所定の値に保持することができ、半田バンプの過剰な潰れによるショートを防止することができるという格別の効果を奏するものである。
　そうすると、これらの発明は、刊行物１〜３に記載されたものに基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　したがって、本件第１、第３及び第４発明に係る特許をこの理由２によって取り消すことはできない。
　申立理由３について検討すると、先願明細書等１および２には、本件第４発明の前記構成Ｂについては記載されていない。また、その構成が先願明細書等１、２の記載からみて自明のものとも認められない。
　したがって、先願明細書等１および２に本件第４発明と同一の発明が記載されているものではなく、この理由によっても本件第４発明に係る特許を取り消すことはできない。
５．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠方法によっては、本件訂正後の請求項１、請求項３及び請求項４に係る特許をいずれも取り消すことはできない。
　また、他にこれらの特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１１年７月１６日（１９９９．７．１６）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
（１）特許請求の範囲の請求項１を、特許請求の範囲の減縮を目的として、
「【請求項１】　デバイスホールが開口された可撓性樹脂基板、および該可撓性樹脂基板の第１主面に設けられ一端が前記デバイスホール内に突出した配線リードを有するテープキャリアと、前記配線リードの一端に電極端子が接続された半導体チップと、少なくとも前記半導体チップの電極端子形成面を封止すると共に前記可撓性樹脂基板の第２主面上にまで延びて形成された封止樹脂と、前記配線リードに接続された導電性バンプとを備え、前記導電性バンプが前記デバイスホール開口部を除いて前記可撓性樹脂基板の第１主面上にグリッドアレイ状に配置され、前記封止樹脂が前記第１主面の中央部に、前記導電性バンプの配線リード接続面より低くかつ前記導電性バンプの先端の底面より少し高い位置に底面がある中央突起部を有することを特徴とする半導体装置。」
と訂正する。
（２）特許請求の範囲の請求項３を、特許請求の範囲の減縮を目的として、
「【請求項３】　デバイスホールが開口された可撓性樹脂基板、および該可撓性樹脂基板の第１主面に設けられ一端が前記デバイスホール内に突出した配線リードを有するテープキャリアと、前記配線リードの一端に電極端子が接続された半導体チップと、少なくとも前記半導体チップの電極端子形成面を封止すると共に前記可撓性樹脂基板の第２主面上にまで延びて形成された封止樹脂と、前記配線リードに接続された導電性バンプとを備え、前記導電性バンプが前記デバイスホール開口部を除いて前記可撓性樹脂基板の第１主面上にグリッドアレイ状に配置され、前記テープキャリアの配線リードの形成面が前記導電性バンプが形成されたランド部を除いて絶縁樹脂膜によって被覆され、前記封止樹脂が第１主面側に突出し底面が前記導電性バンプの配線リード接続面より低くかつ前記導電性バンプ先端の底面より少し高い位置にある突起部を有することを特徴とする半導体装置。」
と訂正する。
（３）特許請求の範囲の請求項４を、特許請求の範囲の減縮を目的として、
「【請求項４】　デバイスホールが開口された可撓性樹脂基板、および該可撓性樹脂基板の第１主面に設けられ一端が前記デバイスホール内に突出した配線リードを有するテープキャリアと、前記配線リードの一端に電極端子が接続された半導体チップと、少なくとも前記半導体チップの電極端子形成面を封止すると共に前記可撓性樹脂基板の第２主面上にまで延びて形成された封止樹脂と、前記配線リードに接続された導電性バンプとを備え、前記導電性バンプが前記デバイスホール開口部を除いて前記可撓性樹脂基板の第１主面上にグリッドアレイ状に配置され、前記半導体チップの電極端子の形成面に隣接する側面が前記封止樹脂で被覆され、前記半導体チップの前記電極端子の前記形成面の反対側の面が前記封止樹脂から露出し、前記封止樹脂が第１主面側に突出し底面が前記導電性バンプの配線リード接続面より低くかつ前記導電性バンプ先端の底面より少し高い位置にある突起部を有することを特徴とする半導体装置。」
と訂正する。
（４）明細書中の段落番号【００１４】を、明りょうでない記載の釈明を目的として、
「【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため、本発明は、デバイスホールが開口された可撓性樹脂基板、および該可撓性樹脂基板の第１主面に設けられ一端が前記デバイスホール内に突出した配線リードを有するテープキャリアと、前記配線リードの一端に電極端子が接続された半導体チップと、少なくとも前記半導体チップの電極端子形成面を封止すると共に前記可撓性樹脂基板の第２主面上にまで延びて形成された封止樹脂と、前記配線リードに接続された導電性バンプとを備え、前記導電性バンプが前記デバイスホール開口部を除いて前記可撓性樹脂基板の第１主面上にグリッドアレイ状に配置され、前記封止樹脂が前記第１主面の中央部に、前記導電性バンプの配線リード接続面より低くかつ前記導電性バンプの先端の底面より少し高い位置に底面がある中央突起部を有することを特徴とする。」
と訂正する。
（５）明細書中の段落番号【００１７】を、明りょうでない記載の釈明を目的として、
「【００１７】また、本発明は前記テープキャリアの配線リードの形成面が前記導電性バンプが形成されたランド部を除いて絶縁樹脂膜によって被覆され、前記封止樹脂が第１主面側に突出し底面が前記導電性バンプの配線リード接続面より低くかつ前記導電性パンプ先端の底面より少し高い位置にある突起部を有することを特徴とする。」
と訂正する。
（６）明細書中の段落番号【００１８】を、明りょうでない記載の釈明を目的として、
「【００１８】また、本発明は前記半導体チップの前記電極端子の前記形成面の反対側の面が前記封止樹脂から露出し、前記封止樹脂が第１主面側に突出し底面が前記導電性バンプの配線リード接続面より低くかつ前記導電性バンプ先端の底面より少し高い位置にある突起部を有することを特徴とする。」
と訂正する。
（７）明細書中の段落番号【０００２】の「ＦｌａｔＰａｃｋａｇｅ」を、誤記の訂正を目的として、「Ｆｌａｔ　Ｐａｃｋａｇｅ」と訂正する。
（８）明細書中の段落番号【０００３】の「反動体装置」を、誤記の訂正を目的として、「半導体装置」と訂正する。
（９）明細書中の段落番号【０００４】の「Ｌａｎｇ　Ｇｒｉｄ　Ａｒｒａｙ」を、誤記の訂正を目的として、「Ｌａｎｄ　Ｇｒｉｄ　Ａｒｒａｙ」　と訂正する。
（１０）明細書中の段落番号【００３０】の「Ｔａｐｅ　Ｃａｒｒｉｅｒ　Ｐａｃａｇｅ」を、誤記の訂正を目的として、「Ｔａｐｅ　Ｃａｒｒｉｅｒ　Ｐａｃｋａｇｅ」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
半導体装置
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　デバイスホールが開口された可撓性樹脂基板、および該可撓性樹脂基板の第１主面に設けられ一端が前記デバイスホール内に突出した配線リードを有するテープキャリアと、前記配線リードの一端に電極端子が接続された半導体チップと、少なくとも前記半導体チップの電極端子形成面を封止すると共に前記可撓性樹脂基板の第２主面上にまで延びて形成された封止樹脂と、前記配線リードに接続された導電性バンプとを備え、前記導電性バンプが前記デバイスホール開口部を除いて前記可撓性樹脂基板の第１主面上にグリッドアレイ状に配置され、前記封止樹脂が前記第１主面の中央部に、前記
導電性バンプの
接続
　【請求項２】　デバイスホールが開口された可撓性樹脂基板、および該可撓性樹脂基板の第１主面に設けられ一端が前記デバイスホール内に突出した配線リードを有するテープキャリアと、前記配線リードの一端に電極端子が接続された半導体チップと、少なくとも前記半導体チップの電極端子形成面を封止すると共に前記可撓性樹脂基板の第２主面上にまで延びて形成された封止樹脂と、前記配線リードに接続された導電性バンプとを備え、前記導電性バンプが前記デバイスホール開口部を除いて前記可撓性樹脂基板の第１主面上にグリツドアレイ状に配置され、前記第２主面を被覆する前記封止樹脂が、前記可撓性樹脂基板の外周部の複数箇所において前記外周部を越えて前記可撓性樹脂基板側面および前記第１主面の外周部まで延在され、前記第１主面の外周部に延在された前記封止樹脂の底面の高さが前記導電性バンプの底面の高さより少し高い位置であることを特徴とする半導体装置。
　【請求項３】　デバイスホールが開口された可撓性樹脂基板、および該可撓性樹脂基板の第１主面に設けられ一端が前記デバイスホール内に突出した配線リードを有するテープキャリアと、前記配線リードの一端に電極端子が接続された半導体チップと、少なくとも前記半導体チップの電極端子形成面を封止すると共に前記可撓性樹脂基板の第２主面上にまで延びて形成された封止樹脂と、前記配線リードに接続された導電性バンプとを備え、前記導電性バンプが前記デバイスホール開口部を除いて前記可撓性樹脂基板の第１主面上にグリッドアレイ状に配置され、前記テープキャリアの配線リードの形成面が前記導電性バンプが形成されたランド部を除いて絶縁樹脂膜によって被覆され
、前記封止樹脂が第１主面側に突出し底面が前記導電性バンプの配線リード接続面より低くかつ前記導電性バンプ先端の底面より少し高い位置にある突起部を有する
　【請求項４】　デバイスホールが開口された可撓性樹脂基板、および該可撓性樹脂基板の第１主面に設けられ一端が前記デバイスホール内に突出した配線リードを有するテープキヤリアと、前記配線リードの一端に電極端子が接続された半導体チップと、少なくとも前記半導体チップの電極端子形成面を封止すると共に前記可撓性樹脂基板の第２主面上にまで延びて形成された封止樹脂と、前記配線リードに接続された導電性バンプとを備え、前記導電性バンプが前記デバイスホール開口部を除いて前記可撓性樹脂基板の第１主面上にグリッドアレイ状に配置され、前記半導体チップの電極端子の形成面に隣接する側面が前記封止樹脂で被覆され、前記半導体チップの前記電極端子の前記形成面の反対側の面が前記封止樹脂から露出し
、前記封止樹脂が第１主面側に突出し底面が前記導電性バンプの配線リード接続面より氏くかつ前記導電性バンプ先端の底面より少し高い位置にある突起部を有する
　【請求項５】　デバイスホールが開口された可撓性樹脂基板、および該可撓性樹脂基板の第１主面に設けられ一端が前記デバイスホールの縁にある配線リードを有するテープキャリアと、前記配線リードの一端と電極端子とがボンデイングワイヤで接続された半導体チップと、少なくとも前記半導体チップの電極端子形成面を封止すると共に前記可撓性樹脂基板の第２主面上にまで延びて形成された封止樹脂と、前記配線リードに接続された導電性バンプとを備え、前記導電性バンプが前記デバイスホール開口部を除いて前記可撓性樹脂基板上にグリツドアレイ状に配置されていることを特徴とする半導体装置。
　【請求項６】　前記デバイスホールの中に半導体チップを支えるためのチップ搭載部を設けたことを特徴とする請求項５に記載の半導体装置。
　【請求項７】　前記封止樹脂が前記第１主面の中央部に、前記導電性バンプの直径のほぼ半分の高さに底面がある中央突起部を有することを特徴とする請求項５に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】本発明は半導体装置に関し、特にテープキャリア（ＴａｐｅＣａｒｒｉｅｒ）を用いたＢＡＧ（Ｂａ１１　Ｇｒｉｄ　Ａｒｒａｙ）構造の半導体装置に関するものである。
　【０００２】
　【従来技術】ＯＡ機器・民生機器が多機能・高性能化されるとともにその軽薄短小化が進められるのに伴い、半導体装置に対する多ピン化・小型化への要求は益々強められており、そのための開発が活発に進められている。例えば、ＱＦＰ（Ｑｕａｄ　
Ｆｌａｔ　Ｐａｃｋａｇｅ
　【０００３】しかし、
半導体装置
　【０００４】そこで、ＱＦＰのようにパッケージ周辺部から直線的にピンを取り出す方式に代えて２次元的にピンを配置するＰＧＡ（Ｐｉｎ　Ｇｒｉｄ　Ａｒｒａｙ）やＬＧＡ（
Ｌａｎｄ
　【０００５】図６は従来の半導体装置の断面図である。
　【０００６】図６の半導体装置はＢＧＡと呼ばれるもので、ガラスエポキシ基板７の両面配線基板がパッケージ基板として用いられる。すなわち、半導体チップ１はガラスエポキシ基板７上にマウント１０材を介して搭載される。
　【０００７】ガラスエポキシ基板７上には配線リード８が形成され、また、基板裏面にはランド（図示せず）がグリッドアレイ上に配置されている。基板表面の配線リード８とランドとはスルーホール９を介して接続されており、各ランド上には半田ボールからなるバンプ５が形成されている。半導体チップ１の電極パッド１と配線リード８間はＡｕ細線等からなるボンディングワイヤ１１により接続されており、半導体チップ１及びボンディングワイヤ１１等は、ガラスエポキシ基板７の表面を覆う封止樹脂４により封止されている。
　【０００８】このＢＧＡ型半導体装置では、平面的に外部端子が配列されるため、半導体装置の多ピン化が進められても、ピン間間隔（バンプ間間隔）を広くすることができ、実装上での負担を軽減することができる。
　【０００９】なお、この種のＢＧＡ型半導体装置は、例えば米国特許第５、２１６、２７８号明細書等により公知となっている。
　【００１０】
　【発明が解決しようとする課題】上述した従来のＢＧＡ型半導体装置では、パッケージ基板にガラスエポキシを使っているため、基板と封止樹脂との密着性が悪く、例えば半導体装置組み立て後のＰＣＴ（Ｐｒｅｓｓｕｒｅ　Ｃｏｏｋｅｒ　Ｔｅｓｔ）による吸湿性の試験で、ガラスエポキシと樹脂との界面から水分が侵入し易いという欠点があり、さらに半導体チップが搭載されるガラスエポキシ基板自体も基板端面からの水分侵入を受け易く耐湿性が低いため、半導体装置の仕様範囲に制限を受けてしまうという問題があった。
　【００１１】ここで、パッケージ基板としてガラスエポキシに代えセラミック基板を用いれば、耐湿性を向上させることができる。しかし、この場合基板コストが高額となり、やはり使用範囲が限定されてしまう。
　【００１２】また、従来のＢＧＡ型半導体装置では、パッケージ基板としてリジッドな基板を用いているため、量産性が低くさらに両面配線基板を使用し、基板の表裏面のパターンをスルーホールで接続しなければならないため、基板コストが高くなるという問題点があった。
　【００１３】本発明は上述の点にかんがみてなされたもので、耐湿性が高く、低コストで、しかも量産性の高いＢＧＡ型の半導体装置を提供することを目的とする。
　【００１４】
　【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため、本発明は、デバイスホールが開口された可撓性樹脂基板、およびこの可撓性樹脂基板の第１主面に設けられ一端がこのデバイスホール内に突出した配線リードを有するテープキャリアと、配線リードの一端に電極端子が接続された半導体チップと、少なくともこの半導体チップの電極端子形成面を封止すると共に可撓性樹脂基板の第２主面上にまで延びて形成された封止樹脂と、配線リードに接続された導電性バンプとを備え、導電性バンプがデバイスホール開口部を除いて可撓性樹脂基板の第１主面上にグリッドアレイ状に配置され、封止樹脂が第１主面の中央部に、
導電性バンプの
接続
　【００１５】
　【００１６】また、本発明は前記第２主面を被覆する封止樹脂が、前記可撓性樹脂基板の外周部の複数箇所において前記外周部を越えて前記可撓性樹脂基板側面および第１主面の外周部まで延在され、前記第１主面の外周部まで延在された前記封止樹脂の底面の高さは前記導電性バンプの底面の高さより少し高い位置であることを特徴とする。
　【００１７】また、本発明は前記テープキャリアの配線リードの形成面は導電性バンプが形成されたランド部を除いて絶縁樹脂膜によって被覆され
、前記封止樹脂が第１主面側に突出し底面が前記導電性バンプの配線リード接続面より低くかつ前記導電性バンプ先端の底面より少し高い位置にある突起部を有する
　【００１８】また、本発明は前記半導体チップの電極端子の形成面に隣接する側面が前記封止樹脂で被覆され、前記半導体チップの電極端子の形成面の反対側の面が前記封止樹脂から露出し
、前記封止樹脂が第１主面側に突出し底面が前記導電性バンプの配線リード接続面より低くかつ前記導電性バンプ先端の底面より少し高い位置にある突起部を有する
　【００１９】また、本発明はデバイスホールが開口された可撓性樹脂基板、および該可撓性樹脂基板の第１主面に設けられ一端が前記デバイスホールの縁にある配線リードを有するテープキャリアと、前記配線リードの一端と電極端子とがボンディングワイヤで接続された半導体チップと、少なくとも前記半導体チップの電極端子形成面を封止すると共に前記可撓性樹脂基板の第２主面上にまで延びて形成された封止樹脂と、前記配線リードに接続された導電性バンプとを備え、前記導電性バンプが前記デバイスホール開口部を除いて前記可撓性樹脂基板上にグリッドアレイ状に配置されていることを特徴とする。
　【００２０】また、本発明は前記デバイスホールの中に半導体チップを支えるためのチップ搭載部を設けたことを特徴とする。
　【００２１】また、本発明は前記封止樹脂が前記第１主面の中央部に、前記導電性バンプの直径のほぼ半分の高さに底面がある中央突起部を有することを特徴とする。
　【００２２】
　【作用】本発明による半導体装置はテープキャリアに半導体チップを搭載することにより、次のような作用を呈する。
　【００２３】（１）パッケージ基板として、安価な３レイヤー１メタル方式のキャリアテープを使用しており、さらにスルーホールメッキ等の工程を必要としないので、ＢＧＡ型半導体装置を安価にする。（２）既に確立した技術であるＴＣＰ技術をほぼそのまま適用して製造することができ、量産性が高いので上記（１）の作用に加え、一層のコストダウンが可能である。
　【００２４】更に、本発明による半導体装置はモールド樹脂により半導体チップを封止するとともに、テープキャリアの配線リードの形成されていない面の大部分あるいはガラスエポキシ基板使用タイプであってもそのデバイスホールをモールド樹脂にて被覆し、さらに配線リード、配線パターンを通じてグリッドアレイ状に設けたランド上にバンプを形成したものであるので、（３）半導体チップをモールド樹脂により完全に被覆することができるので、耐湿性を向上させる。（４）更に、本発明による半導体装置はモールド樹脂が可撓性樹脂基板の表面をその四辺端部近傍まで均一の厚さに被覆されているので、他の補強材を用いることなく剛性を確保することができ、その取扱は容易である。また、このモールド樹脂により外部端子であるバンプのコプラナリテイも確保する。（５）封止樹脂（モールド樹脂）が配線リード側に突起部を形成する実施例によれば半田バンプの過剰な潰れを防止する。従って、この実施例によれば、実装基板上の電極とランドとの距離を所定の値に保持するとともに、電極間のショートを防止するので、信頼性の高い実装が可能になる。（６）電気的配線長を従来構造品よりも短くすることができ、高周波領域まで使用が可能になる。
　【００２５】
　【実施例】以下に本発明を図面に基づいて説明する。
　【００２６】図１は本発明にかかる半導体装置の第１実施例の概略構成を説明する図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図、（ｃ）は底面図である。
　【００２７】図１に示す第１実施例において、ポリイミドフイルム等からなり、中央にデバイスホール２ａが開口されている可撓性樹脂基板２の表面に、銅箔からなる配線リード３を設けたテープキャリアがパッケージ基板として用いられる。配線リード３のデバイスホール２ａ内への突出部はインナーリード３ａとされており、また、配線リード３はインナーリード３ａの反対側の端部、またはその途中において他の部分より幅広にされたランド３ｂを有している。ランド３ｂはグリッドアレイ状に配置されている（図１（ｃ）参照）。このテープキャリアの表面は、ランド部を除いて絶縁樹脂膜６により覆われている。
　【００２８】半導体チップ１は、モールド樹脂である封止樹脂４により完全に被覆されている。封止樹脂４は可撓性樹脂基板２の配線リードの形成されていない面を四辺端部の近傍付近まで均一な厚さに被覆している。本実施例では、この封止樹脂４の強度により剛性が与えられており、補強材などの別部品を配置することなく、単純な構造でテープキャリアの変形防止が可能となっている。半導体チップ１の電極端子１ａがインナーリード３ａに接続されている。
　【００２９】配線リード３に設けられたランド３上には、半田ボールを固着することにより形成されたバンプ５が形成されている。
　【００３０】本発明によるテープキャリア方式ＢＧＡ型半導体装置は、安価な３レイヤー１メタル方式（可撓性フィルムに銅箔を接着剤により接着する方式）のキャリアテープを用いて製造されるものであり、また、スルーホールめっき等の工程を必要としないのでローコストで製造することができる。その製造工程は、既にＴＣＰ（Ｔａｐｅ　Ｃａｒｒｉｅｒ　
Ｐａｃｋａｇｅ
は
　【００３１】この実施例においては、半導体チップはモールド樹脂により完全に被覆されているので、従来のＢＧＡ型半導体装置に比較して耐湿性が向上している。
　【００３２】また、可撓性樹脂基板の表面をその四辺端部近傍まで被覆する封止樹脂４により剛性が与えられているので、他の補強材を用いる必要はなく、その取扱は容易である。また、この封止樹脂４によりバンプ５のコプラナリテイも確保することができるので、プリント基板上への実装も容易である。また、ＱＦＰ等の他の従来型の表面実装型半導体装置と同時に実装することができる。
　【００３３】また、本発明の半導体装置においては、外部端子がバンプとグリツドアレイ状に配列されているので、パッケージ外周部より直線的に外部端子を引き出す場合に比較して同一ピン数、同一パッケージサイズの場合には外部端子間の間隔をより広く設定できるようになる。例えば、ビン数３００〜４００の場合に、バンプ５のピッチを１ｍｍ〜１．５ｍｍまで広くすることができるようになり、プリント基板への実装が容易となる。あるいは、外部端子のピッチを同一とする場合には、同一サイズのパッケージからより多くの外部端子を引き出すことができる。
　【００３４】図２は本発明にかかる半導体装置の第２実施例の概略構成を説明する図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＩＩ−ＩＩ線上断面矢視図である。
　【００３５】図２において、図１の第１実施例の説明に使用した部分と同等の部分は同一の参照番号が付されているので、重複する説明は省略する。
　【００３６】この第２実施例においては、可撓性樹脂基板２の配線リード３の形成されていない面を被覆する封止樹脂４が、可撓性樹脂基板２の四隅においてこの四隅を越えて配線リードの形成されている面にまで延長され、その配線リードの形成面においてコーナ突起部４を形成している。
　【００３７】４つのコーナ突起部４ｂの底面は同一乎面を形成しており、バンプ５の底面より少し高い位置にあるように形成されている。
　【００３８】また、封止樹脂４はデバイスホール２ａを越えて基板下に突出して中央突起部４ａを形成している。この中央突起部４ａの底面は平坦にされ、コーナ突起部４ｂの底面は同一平面を形成している。
　【００３９】この第２実施例においては、半導体装置のプリント基板への実装時に、半導体装置またはプリント基板の傾きに起因する一部のバンプへの荷重の集中をこの突起部４ａ、突起部４ｂで受けることで軽減することができ、バンプの過剰変形によるショート等の不良を低減することが可能となる。
　【００４０】この第２実施例においては、中央部とコーナ部の両方に突起部を形成しているが、かならずしも両方に設ける必要はなくいずれか一方のみとすることができる。また、コーナ突起部４ｂに加えて、あるいはこれに代えて可撓性基板２の各辺の１ないし数箇所において封止樹脂をリード形成面まで延長させて突起部を形成することもできる。
　【００４１】図３は本発明にかかる半導体装置の第３実施例の概略構成を説明する断面図である。
　【００４２】この第３実施例が前述の第１実施例と相違する点は、半導体チツプ１の裏面が封止樹脂４に被覆されないで露出している点である。第３実施例の半導体装置では、放熱板（図示せず）等を半導体チップ１の裏面に直接接触させることができるため、発熱量の大きい高性能半導体装置に対し、低熱抵抗化の対応が容易となる。
　【００４３】なお、この第３実施例においては、半導体チップは一部表面が露出しているため、モールド樹脂により完全に封止されている第１実施例および第２実施例に比較して耐湿性では劣っている。したがって、耐湿性の要求される用途には第１実施例または第２実施例のものを使用する等の使い分けが必要となる。
　【００４４】図４は本発明にかかる半導体装置の第４実施例の概略構成を説明する断面図である。
　【００４５】この第４実施例では、半導体チップ１をガラスエポキシ基板７にいわゆるフェースダウンで搭載する。その搭載位置はガラスエポキシ基板７の中央のデバイスホール２ａの上である。デバイスホール２ａは半導体チップ１が落下しないような形状でなければならない。この第４実施例では半導体チップ１よりも小さな面積のデバイスホール２ａとした。ガラスエポキシ基板７には予め同一面上にボンディング点１２とバンプ実装用ランド３ｂを設けておく。両者は配線パターン１３で接続されている。
　【００４６】次に、ワイヤボンディングを行う。ワイヤボンディングはデバイスホール２ａを通して行う。これにより、半導体チップ１からバンプ実装用ランド３ｂまではほぼ一直線に接続され、きわめて短い配線長となる。
　【００４７】ワイヤボンディングの後、封止樹脂４による封止を行う。封止樹脂４は少なくとも半導体チップ１とデバイスホール２ａを覆い、バンプ側の面に飛び出す。飛び出す高さはバンプ直径の１／２とする。この高さにしたのは、両面樹脂封止の際、なるべく均等な樹脂厚とすることで、ガラスエポキシ基板７と封止樹脂４の熱膨張係数の差による半導体装置全体の反りを抑えるためである。すなわち、現在主流のバンプとして使われている半田ボールで考えた場合、半田ボール径０．７６ｍｍに対し、半導体チップの厚さは０．３〜０．５ｍｍであり、ボール径の１／２の樹脂厚で両面樹脂封止すれば、半導体チップをまさに覆うことができるからである。熱抵抗を小さくするにはチップの裏面を露出させるのが良い。しかし、耐湿性向上の面から言えば、半導体チップ側は封入樹脂厚を厚くしたい。したがって、ボール径の１／２を最低樹脂厚と考え、半田ボールのスタンドオフ高さとしている。
　【００４８】封入の後、バンプ、すなわち半田ボール付けを行う。この工程は従来通りである。耐湿性向上のために、ガラスエポキシ基板７と封止樹脂４の密着性を上げることはＢＧＡ型半導体装置にとって非常に重要である。本実施例ではこの目的のため、半導体チップ搭載側は密着性向上のために面を粗にしたり、密着性の良い物質を塗布することができる。これはチップ搭載面側に配線層がないため、容易に加工できるようにするためである。これにより、ＢＧＡ型半導体装置といえども耐湿性の良いものが実現できる。
　【００４９】図５は本発明にかかる半導体装置の第５実施例の概略構成を説明する図であり、（ａ）は断面図、（ｂ）は底面図である。
　【００５０】第５実施例はその主要構成部が第４実施例と同じであるが、ガラスエポキシ基板７に設けるデバイスホール２ａの形状を変更した（図５（ｂ）参照）。第４実施例では、デバイスホールの大きさは半導体チップより小さかったが、本実施例ではチップより大きくする代わりに、デバイスホールを複数分割することでチップの支えを設け落下を防止している。第４実施例では半導体チップ側は、チップの外周部でガラスエポキシ基板と接着されていた。このため、最外周部にボンディングパッドを設けることができなかった。これに対し、第５実施例ではデバイスホール２ａが半導体チップ１より大きいため、最外周部にボンディングパッドを配置することができ、使用ピン数を多く確保できる。このボンディングパッド配置であれば、現行の半導体チップがそのまま使用できるので、ＱＦＰ等に使用していたチップで高性能なＢＧＡ型半導体装置が実現できる。
　【００５１】第４実施例および第５実施例は封止樹脂（モールド樹脂）４が配線リード側に突起部を形成するので半田バンプの過剰な潰れを防止することができる。従って、これらの実施例によれば、実装基板上の電極とランドとの距離を所定の値に保持することができるとともに、電極間のショートを防止することができるので、信頼性の高い実装が可能になる。
　【００５２】
　【発明の効果】以上説明したように、本発明による半導体装置は中央にデバイスホールが開口された可撓性樹脂基板と、該可撓性樹脂基板の第１主面上に設けられ一端が前記デバイスホール内に突出してインナーリードになされ一部にランドが形成されている配線リードとを有するテープキャリアと、電極端子が前記インナーリードに接続された半導体チップと、少なくとも前記半導体チップの電極端子形成面を封止するとともに前記可撓性樹脂基板の第２主面上の均一の厚さに被覆する封止樹脂と、前記ランド上に形成された導電性バンプとを備え、前記ランドが前記デバイスホール開口部を除いて前記可撓性樹脂基板上にグリッドアレイ状に配置されていることにより、次のような極めて優れた効果が得られる。
　【００５３】（１）パッケージ基板として、安価な３レイヤー１メタル方式のキャリアテープを使用しており、さらにスルーホールメッキ等の工程を必要としないので、ＢＧＡ型半導体装置を安価に提供することができる。
　【００５４】（２）既に確立した技術であるＴＣＰ技術をほぼそのまま適用して製造することができ、量産性が高いので上記（１）の効果に加え、一層のコストダウンが可能である。
　【００５５】（３）半導体チップをモールド樹脂により完全に被覆することができるので、耐湿性の向上を図ることができる。
　【００５６】（４）更に、本発明による半導体装置はモールド樹脂が可撓性樹脂基板の表面をその四辺端部近傍まで均一の厚さに被覆されているので、他の補強材を用いることなく剛性を確保することができ、その取扱は容易である。また、このモールド樹脂により外部端子であるバンプのコプラナリティも確保することができる。
　【００５７】（５）電気的配線長を従来構造品よりも短くすることができ、高周波領域まで使用が可能になる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】本発明による半導体装置の第１実施例の概略構成を説明する図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図、（ｃ）は底面図である。
　【図２】本発明による半導体装置の第２実施例の概略構成を説明する図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＩＩ−ＩＩ線上断面矢視図である。
　【図３】本発明による半導体装置の第３実施例の概略構成を説明する断面図である。
　【図４】本発明による半導体装置の第４実施例の概略構成を説明する断面図である。
　【図５】本発明による半導体装置の第５実施例の概略構成を説明する図であり、（ａ）は断面図、（ｂ）は底面図である。
　【図６】従来の半導体装置の概略構成を説明する断面図である。
　【符号の説明】
１　半導体チップ
１ａ　バンプ電極
２　可撓性樹脂基板
２ａ　デバイスホール
３　配線リード
３ａ　インナーリード
３ｂ　ランド
４　封止樹脂
４ａ　中央突起部
４ｂ　コーナー突起部
５　バンプ
６　絶縁樹脂膜
７　ガラスエポキシ基板
８　配線リード
９　スルーホール
１０　マウント材
１１　ボンディングワイヤ
１２　ボンディング点
１３　配線パターン