【事件の表示】
　特許第２７３０６１０号「水酸化有機第四アンモニウム含有廃液の処理方法」の請求項１ないし４に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結論】
　特許第２７３０６１０号の請求項１ないし４に係る特許を取り消す。
【理由】
１．手続きの経緯
　本件特許第２７３０６１０号発明は、平成４年１１月１０日に特許出願され、平成９年１２月１９日にその特許の設定登録がなされたものである。
　これに対して、その後特許異議申立人宮原章より特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１１年２月２日付けで訂正請求がなされたが、この訂正請求に対し訂正拒絶理由通知がなされ、平成１１年８月３０日付けで手続補正書が提出されたものである。
２．訂正の適否についての判断
（１）訂正請求に対する補正の適否について
　この補正は、特許請求の範囲の減縮とその減縮に伴う明りょうでない記載の釈明を目的とするものであり、訂正請求の要旨を変更するものではないから、特許法第１２０条の４第３項において準用する同法第１３１条第２項の規定に適合する。
（２）訂正事項
　特許権者が求めている訂正事項は、手続補正書によって補正された全文訂正明細書のとおりに、すなわち次の（イ）及び（ロ）のとおりである。
（イ）特許請求の範囲
　特許請求の範囲については、特許時の請求項２の削除とそれに伴い請求項３を請求項２に、請求項４を請求項３にそれぞれ繰り上げると共に、特許請求の箱囲の減縮を目的として、「少なくとも水酸化有機第四アンモニウムを含有する廃液」を「少なくとも水酸化有機アンモニウムを１、０００〜５、０００ｐｐｍの範囲で含有すると共にレジスト剥離物を１０〜１００ｐｐｍの範囲で含有する廃液」に、「再処理して」を「酸でｐＨ７以下に調整して」に、「交換体」を「交換樹脂」にそれぞれ訂正して次のとおりに訂正請求されている。
「【請求項１】レジスト剥離物を含有する現像液及び／又は洗浄液に由来し、少なくとも水酸化有機第四アンモニウムを１、０００〜５、０００ｐｐｍの範囲で含有すると共にレジスト剥離物を１０〜１００ｐｐｍの範囲で含有する廃液を処理するに際し、この廃液を陽イオン交換樹脂と接触させて有機第四アンモニウムイオンを陽イオン交換樹脂に吸着させ、次いで得られた陽イオン交換処理水を酸でｐＨ７以下に調整してレジスト剥離物を分離除去することを特徴とする水酸化有機第四アンモニウム含有廃液の処理方法。
　【請求項２】陽イオン交換樹脂が弱酸性陽イオン交換樹脂である請求項１に記載の水酸化有機第四アンモニウム含有廃液の処理方法。
　【請求項３】陽イオン交換樹脂が強酸性陽イオン交換樹脂である請求項１に記載の水酸化有機第四アンモニウム含有廃液の処理方法。」
（ロ）発明の詳細な説明
　特許請求の範囲の滅縮に伴う明りょうでない記載の釈明を目的として、次の▲１▼〜▲８▼のとおりに訂正請求されている。
▲１▼明細書段落番号【０００７】の「少なくとも水酸化有機第四アンモニウムを含有する廃液」（本件特許公報第３頁第５欄第１１行〜１２行）を「少なくとも水酸化有機アンモニウムを１、０００〜５、０００ｐｐｍの範囲で含有すると共にレジスト剥離物を１０〜１００ｐｐｍの範囲で含有する廃液」と訂正請求されている。
▲２▼明細書段落番号【０００７】の「再処理して」（本件特許公報第３頁第５欄第１４行〜１５行）を「酸でｐＨ７以下に調整して」と訂正請求されている。
▲３▼明細書段落番号【０００７】の「また、本発明は、・・・処理方法である」（本件特許公報第３頁第５欄第１６行〜２０行）を削除する。
▲４▼明細書段落番号【００１０】の「このイオン交換体の基体については、・・・その形状についても、」（本件特許公報第３頁第６欄第１３行〜１７行）を「この陽イオン交換樹脂の形状については、」と訂正請求されている。
▲５▼明細書段落番号【００１０】の「弱酸性陽イオン交換体・・・陽イオン交換体の組合せ等、」（本件特許公報第３頁第６欄第１９行〜２２行）を「弱酸性陽イオン交換樹脂と強酸性陽イオン交換樹脂との組合せ、異なる形状を有する複数の陽イオン交換樹脂の組合せ等、」と訂正請求されている。
▲６▼明細書段落番号【００１２】の「陽イオン交換樹脂や、・・・交換体が挙げられる。」（本件特許公報第４頁第７欄第２７行〜２８行）を「陽イオン交換樹脂が挙げられる。」と訂正請求されている。
▲７▼明細書段落番号【００３０】の「含有する廃液を処理する際に、・・・大量の廃液を性能を処理することができる。）（本件特許公報第７頁第１４欄第１０行〜１８行）を「１、０００〜５、０００ｐｐｍの範囲で含有すると共にレジスト剥離物を１０〜１００ｐｐｍの範囲で含有する廃液を処理する際に、効率良くかつ確実に水酸化有機第四アンモニウムを除去することができ、また、廃液中に存在する高分子物質のレジスト剥離物が陽イオン交換樹脂に付着してこの陽イオン交換樹脂の性能を劣化させることがなく、少量の陽イオン交換樹脂を用いて大量の廃液を処理することができるほか、レジスト剥離物も陽イオン交換処理水を酸でｐＨ７以下に調整するだけで容易に分離除去することができるので、廃液処理を効率良くしかも安価に行うことができる。」と訂正請求されている。
▲８▼明細書段落番号【０００６】，【０００７】，【０００８】，【００１０】，【００１１】，【００１２】，【００１３】，【００１４】，【００１６】，【００１７】，【００１８】，【００１９】，【００２１】，【００２５】，【００２９】の「交換体」を「交換樹脂」と訂正請求されている。
（３）訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　上記（２）（イ）の訂正事項は、特許請求の範囲の減縮に該当し、また、上記（２）（ロ）▲１▼〜▲８▼の訂正事項は、特許請求の範囲の減縮に伴う明りょうでない記載の釈明に該当するものであって、これら訂正事項は、特許明細書に記載した事項の範囲内でなされたものであるから新規事項の追加に該当せず、また、当該訂正によって実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
（４）独立特許要件について
（イ）本件訂正発明
　本件訂正明細書の請求項１乃至３に係る発明（以下、それぞれ「訂正発明１乃至３」という）は、平成１１年８月３０日付けで補正された訂正明細書の上記（２）（イ）で示す請求項１乃至３に記載された事項により特定されるとおりのものである。
（ロ）引用刊行物の記載内容
　当審が訂正拒絶理由通知において引用した刊行物１乃至７には，それぞれ次の事項が記載されている。
引用例１：半導体基盤技術研究会編「超純水の科学」株式会社リアライズ社発行、平成２年９月１１日、第１６３頁乃至第１９０頁
▲１▼「２．３排水を出す工程とその回収処理の方法」の項には、「ＶＬＳＩ製造工場の、超純水を使用して洗浄排水等を排出する製造工程は、大きく以下の４つの工程に分けられる。
（１）テトラメチルアンモニウムハイドライド（ＴＭＡＨ）やコリン等の現像液を使用するフォトリソグラフィー工程」（第１６６頁第１６行〜１９行）
▲２▼「（１）フォトリソグラフィー工程排水」の項には「ウエハ上にレジストを塗布し、ステッパーにより回路パターンを焼き付ける。次に現像液を使用して露光したレジストを固定化して、不要部分のレジストを除去し回路パターンを作る工程である。この工程より出る廃液は、数千ｐｐｍほどのＴＭＡＨやコリン等の有機系現像廃液を含み、またレジストも混入してくる。」（第１６６頁第３３行〜第１６７頁第４行）
▲３▼「尚、濃度の低い洗浄排水が大量に排出される場合は、これらの薬品が強酸性のカチオン交換樹脂で吸着できることより、イオン交換樹脂で吸着濃縮させて、その再生廃液を廃棄物の処理業者による取引処分とする方法が有力となる。」（第１６７頁第１０行〜１２行）
引用例２：特公平３−１７５５７号公報
▲１▼「本発明は半導体製造工程、プリント基板製造工程等から排出されるフォトレジスト含有廃液の処理方法に関する。」（第１頁第１欄第９行〜１１行）
▲２▼「そして、フォトレジスト含有廃液が、通常、ｐＨ１３程度のアルカリ性であるので、同廃液中ではフォトレジストは溶解状態で含まれている。しかし、同廃液は、何らかの原因で濃度上昇を起したり、ｐＨ低下を起すと、含有フォトレジストが容易に不溶化して固形物を析出する。」（第２頁第３欄第３９行〜４４行）
引用例３：特公昭６２−２２９７８号公報
▲１▼「例えば、フェノール系、ポリスチレンのマクロポーラス系、ポリスチレンゲル系の交換基がスルフォン酸基である強酸性のイオン交換樹脂は、有機アルカリの第４級アンモニウムイオンと、イオン交換し、」（第２頁第４欄第２７行〜３１行）
▲２▼「ポリアクリルマクロポーラス系で交換基が、カルボキシル基の弱酸性のイオン交換樹脂を使用すると、意外にも第４級アンモニウムイオンは、イオン交換される度合いが減少し、金属が優先的にイオン交換され除去される。」（第２頁第４欄第３５行〜４０行）
引用例４：電子材料別冊１９８８年版「超ＬＳＩ製造・試験装置ガイドブック」株式会社工業調査会発行、昭和６２年１１月２０日、第１５１頁乃至第１５８頁
「図５に排水回収を組み込んだ超純水製造装置のブロックフローを示した。排水回収技術において特に重要な問題となるのは有機物の除去分解である。有機物の除去手段としては以下のような方法がある。
▲１▼活性炭▲２▼イオン交換樹脂▲３▼ＲＯ▲４▼ＵＶ酸化▲５▼脱気
有機物は先にも述べたように、１つの単位操作で完全に除去されるものではなく、上記の方法を回収排水の水質に応じて適切に組み合わせていくことが必要である。」（第１５６頁第８行〜第２０行）
引用例５：特開昭５８−３０７５３号公報
「溶解したホトレジストを活性炭へ吸着して液中の固形物をろ過除去した後、」（第１頁右欄第５行〜第６行）
引用例６：「高分子論文集」第４６巻、第１２号、高分子学会発行、１９８９年、第７５３頁乃至第７５６頁
「ポジ型フォトレジストのパターン形成機構をＦｉｇ．１に示す。露光部（ｅｘｐｏｓｅｄ　ｐａｒｔ）では，キノンジアド化合物が光により分解されケテンを経てインデンカルボン酸になる。これはアルカリ性の現像液に可溶であるためノボラック樹脂とともに溶解する。」（第７５３頁左欄第２１行〜第２５行）
引用例７：特開平４−２２８５８７号公報
▲１▼「代表的なポジ型レジストは、ｏ−ジアゾナフトキノン等の感光性物質を含有したノボラック樹脂が用いられている。エステル化したｏ‐ジアゾナフトキノンスルホン酸エステルとｍ‐クレゾール型ノボラック樹脂とを混合したものの一例を下記［化１］に示す。」（【０００４】）
▲２▼「ノボラック樹脂と結合したｏ−ジアゾナフトキノンスルホニル基は、ノボラック樹脂の溶解性を減ずる作用を果たしているが、ｏ‐ジアゾナフトキノンに紫外線などの光が照射されると、下記［化２］のようにケテンとなり、更に水の存在下で３−インデンカルボン酸が生じる。」（【０００６】）
▲３▼「その結果、ノボラック樹脂の溶解禁止剤としての作用を果たす作用がなくなるばかりでなく、酸が生じたためにアルカリに対する溶解性が増大することとなる。」（【０００８】）
（ハ）当審の判断
（ｉ）訂正発明１について
　訂正発明１と引用例１に記載された発明（以下、「引用例１発明」という）とを対比すると、両者は、半導体製造工程の現像液又は洗浄液に由来する「廃液の処理方法」に関する点で軌を一にするものである。また「レジスト剥離物」は「レジスト」に、「水酸化有機第四アンモニウム」は「テトラメチルアンモニウムハイドライド（ＴＭＡＨ）」に、「陽イオン交換樹脂に吸着させる」は「カチオン交換樹脂で吸着できる」ことにそれぞれ相当するから、両者は、「レジスト剥離物を含有する現像液及び／又は洗浄液に由来し、少なくとも水酸化有機第四アンモニウムを含有すると共にレジスト剥離物を含有する廃液を処理するに際し、この廃液を陽イオン交換樹脂と接触させて有機第四アンモニウムイオンを陽イオン交換樹脂に吸着させる水酸化有機第四アンモニウム含有廃液の処理方法」である点で一致し、以下の（ａ）及び（ｂ）の点で相違していると云える。
（ａ）訂正発明１は有機第四アンモニウムイオンとレジスト剥離物の濃度をそれぞれ「１、０００〜５、０００ｐｐｍ」と「１０〜１００ｐｐｍ」に限定しているのに対して、引用例１発明は「数千ｐｐｍほどのＴＭＡＨやコリン等の有機系現像廃液」であると限定している点
（ｂ）訂正発明１は「得られた陽イオン交換処理水を酸でｐＨ７以下に調整してレジスト剥離物を分離除去する」のに対して、引用例１発明はこれを分離除去していない点
　そこで、これら相違点について検討する。
相違点（ａ）について、
　水酸化有機第四アンモニウムイオンとレジスト剥離物の上記濃度範囲については、本件特許明細書に「半導体製造装置の現像工程から排出される代表的な廃液について説明すると」（本件特許公報第３頁第５欄第４３〜４４行）として、「・・・現像工程で使用された現像液は通常５〜１０倍に希釈されて廃液となる。このため、この現像工程で排出される廃液の組成は、水酸化有機第四アンモニウムが１、０００〜５、０００ｐｐｍ程度であり、レジスト剥離物が１０〜１００ｐｐｍ程度であり」（本件特許公報第３頁第５欄第４９行〜第６欄第３行）と記載されているから、上記相違点（ａ）は、半導体製造装置の現像工程から排出される「代表的な廃液」の「通常の」濃度範囲を明示しただけのものであり、この点に格別の創意・工夫があるとは云えない。
相違点（ｂ）について、
　上記引用例２▲１▼及び▲２▼の記載によれば、半導体製造工程の現像液又は洗浄液に由来するフォトレジスト含有廃液について、そのｐＨを低下させればフォトレジストが容易に不溶化して固形物として析出する事実がすでに知られている。また、フォトレジスト含有廃液からフォトレジストを除去することも上記引用例４及び５にみられる如く周知・慣用技術であるから、上記引用例２に記載の事実を利用して廃液からフォトレジストを分離除去することも当業者であれば必要に応じて容易になし得ることと云える。そして、その際のｐＨ値についても、上記引用例２には通常のｐＨ１３程度からｐＨ低下を起すと容易に不溶化すると明示されているのであるから、ｐＨ７以下という数値範囲も引用例２の記載に照らし自明の事項であると云える。
　したがって、訂正発明１は、引用例１及び引用例２に記載された発明と周知・慣用技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　なお、特許権者は、引用例１発明の「廃液」に関し、引用例１には「尚、濃度の低い洗浄排水が大量に排出される場合は・・・カチオン交換樹脂で吸着できることより」と記載されており、この廃液はレジストを含まない廃液と解するのが相当であるから、訂正発明１の廃液と別異のものであると主張している。そして、特許権者のこの主張は、引用例１の「濃度の低い洗浄排水」という記載を根拠に、濃度が低ければｐＨが低く、ｐＨが低ければ引用例２の第３欄第３９行〜４４行に記載される如く「レジスト剥離物は不溶化して」沈殿するものであるから廃液中にはレジストは含まれないというものである。
　しかしながら、廃液の濃度が低ければ一義的にｐＨが低いと解することはできないし、上記引用例１には、廃液中にレジストが存在していないとする明示的な記載や示唆も見当たらないから、廃液の濃度とｐＨとの関係を一義的に解釈する特許権者の上記主張は採用することができない。
（ｉｉ）訂正発明２及び３について
　訂正発明２及び３は、請求項１の記載を引用すると共に請求項１の「陽イオン交換体樹脂」をそれぞれ弱酸性陽イオン交換樹脂と強酸性陽イオン交換樹脂に特定するものであるが、この特定された両樹脂とも上記引用例３に記載の如く、水酸化有機第四アンモニウムの吸着剤として周知であるから、これら発明も、引用例１乃至３に記載された発明と周知・慣用技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
（５）むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法第１２０条の４第３項で準用する同法第１２６条第４項の規定に適合しないので、当該訂正は認められない。
３．特許異議申立てについて
（１）本件発明
　特許権者が求める上記訂正請求は認めることができないから、本件請求項１乃至４に係る発明（以下、それぞれ「本件第１発明乃至第４発明」という）は、特許明細書の特許請求の範囲の請求項１乃至４に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
「【請求項１】レジスト剥離物を含有する現像液及び／又は洗浄液に由来し、少なくとも水酸化有機第四アンモニウムを含有する廃液を処理するに際し、この廃液を陽イオン交換体と接触させて有機第四アンモニウムイオンを陽イオン交換体に吸着させ、次いで得られた陽イオン交換処理水を再処理してレジスト剥離物を分離除去することを特徴とする水酸化有機第四アンモニウム含有廃液の処理方法。
　【請求項２】陽イオン交換処理水の再処理が、この陽イオン交換処理水を酸でｐＨ７以下に調整してレジスト剥離物を分離除去する請求項１に記載の水酸化有機第四アンモニウム含有廃液の処理方法。
　【請求項３】陽イオン交換体が弱酸性陽イオン交換樹脂である請求項１又は２に記載の水酸化有機第四アンモニウム含有廃液の処理方法。
　【請求項４】陽イオン交換体が強酸性陽イオン交換樹脂である請求項１又は２に記載の水酸化有機第四アンモニウム含有廃液の処理方法。」
（２）引用刊行物
　当審が平成１０年１２月４日に通知した取消理由において引用した刊行物１乃至７は、上記２．（４）（ロ）で示す訂正拒絶理由において引用された引用例１乃至７とそれぞれ同一のものである。
（３）当審の判断
（イ）本件第１発明について
　本件第１発明と引用例１発明とを対比すると、両者は、「レジスト剥離物を含有する現像液及び／又は洗浄液に由来し、少なくとも水酸化有機第四アンモニウムを含有する廃液を処理するに際し、この廃液を陽イオン交換体と接触させて有機第四アンモニウムイオンを陽イオン交換体に吸着させる水酸化有機第四アンモニウム含有廃液の処理方法。」である点で一致し、次の（ａ）点で相違するのみである。
（ａ）本件第１発明は「得られた陽イオン交換処理水を再処理してレジスト剥離物を分離除去する」のに対して、引用例１発明はこれを分離除去していない点。
　そこで、この相違点（ａ）について検討する。引用例１発明においても、水酸化有機第四アンモニウムを陽イオン交換樹脂で除去した処理液にはレジスト剥離物が含まれていることは自明の事実であり、また、フォトレジスト含有廃水からフォトレジストを除去することも上記引用例４、５にみられるように周知・慣用技術であるから、この相違点ａ．はこの技術分野の周知・慣用技術に基づいて当業者が容易に想到することができるものである。
　したがって、本件第１発明は引用例１に記載された発明と周知・慣用技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件第１発明の特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。
（ロ）本件第２発明について
　本件第２発明は、上記請求項１を引用すると共に請求項１の「陽イオン交換処理水の再処理」を「陽イオン交換処理水の再処理が、この陽イオン交換処理水を酸でｐＨ７以下に調整してレジスト剥離物を分離除去する」と特定するものであるが、この特定された構成については、上記２．（４）（ハ）（ｉ）相違点（ｂ）のところで言及したとおりである。
　したがって、本件第２発明は、引用例１及び引用例２に記載された発明と周知・慣用技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件第２発明の特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。
（ハ）本件第３発明及び本件第４発明について
　本件第３発明及び第４発明は、請求項１又は請求項２の記載を引用すると共に請求項１の「陽イオン交換体」をそれぞれ弱酸性陽イオン交換樹脂と強酸性陽イオン交換樹脂に特定するものであるが、この特定された両樹脂とも上記引用例３に記載の如く、水酸化有機第四アンモニウムの吸着剤として既に知られているから、これら発明も、引用例１乃至３に記載された発明と周知・慣用技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　したがって、本件第３発明及び第４発明の特許も、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。
（４）むすび
　以上のとおり、本件請求項１乃至４に係る発明の特許は、拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものと認める。
　よって、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法の一部を改正する法律の一部の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第１項及び第２項の規定により、上記のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１１年１２月２８日（１９９９．１２．２８）