【事件の表示】
　特許第２６７３５１７号「露光装置」の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結論】
　特許第２６７３５１７号の特許を取り消す。
【理由】
１）．本件特許の経緯
　本件特許第２６７３５１７号は、昭和６２年６月１５日に特許出願され、平成９年７月１８日に設定登録がされたものであって、その後、特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１１年４月１９日に訂正請求がなされ、その後、訂正拒絶理由通知がなされ、その指定期間内である平成１１年９月７日に意見書が提出されたものである。
２）．異議申立ての概要
　異議申立人株式会社ニコンは、甲第１号証（Ｋｏｉｃｈｉｒｏ　Ｈｏｈ　ａｎｄ　Ｈｉｒｏｓｈｉ　Ｔａｎｉｎｏ，”Ｆｅａｓｉｂｉｌｉｔｙ　Ｓｔｕｄｙ　ｏｎ　ｔｈｅ　Ｅｘｔｒｅｍｅ　ＵＶ／Ｓｏｆｔ　Ｘ−ｒａｙ　Ｐｒｏｊｅｃｔｉｏｎ−ｔｙｐｅ　Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ”：Ｂｕｌｌｅｔｉｎ　ｏｆ　ｔｈｅ　ＥｌｅｃｔｒｏｔｅｃｈｎｉｃａＩ　Ｌａｂｏｒａｔｏｒｙ　Ｖｏｌ．４９　Ｎｏ．１２（１９８５）９８３−９９０頁　以下、「引用例１」という。）、甲第２号証（特開昭５３−１３９４６９号公報　以下、「引用例２」という。）、甲第３号証（特関昭６２−１３１５１８号公報　以下、「引用例３」という。）、甲第４号証（特開昭５８−１９１４３３号公報　以下、「引用例４」という。）、甲第５号証（米国特許第４，４３２，６３５明細書　以下、「引用例５」という。）及び甲第６号証（第３３回　応用物理学会関係連合講演会　難波　義治　“超精密鏡面研磨”１９８６年講演予稿集　３７５頁　以下、「引用例６」という。）を提出し、本件特許請求の範囲に記載された発明は、引用例１〜６に記載された発明及び技術事項に基いて当業者が容易に発明できたものであるから、本件特許請求の範囲に記載された発明の特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであり、特許を取り消すべき旨主張している。
３）．平成１１年２月３日付取消理由通知の概要
「本件特許の請求の範囲に記載された発明は、引用例１〜６に基いて当業者が容易に発明することができたものであるから、本件特許は取り消すべきものである。」旨の取消理由を通知した。
４）．訂正の概要
　平成１１年４月１９日付訂正請求の概要は、願書に添付された明細書の特許請求の範囲第１項の「表面にマスクパターン」、「Ｘ線領域の電磁波で照明された上記マスクのパターン」及び「Ｘ線縮小投影光学系と、」を、特許請求の範囲の減縮を目的として、それぞれ、「マスク基板の表面に多層反射膜によるマスクパターン」、「Ｘ線領域の電磁波を非垂直入射して照明された上記マスクのパターン」及び「前記複数枚のＸ線反射鏡のうち少なくとも初めの数枚に取り付けた強制冷却手段と」と訂正するものである。
５）．訂正拒絶理由の概要
「訂正請求における特許請求の範囲第１項に記載された発明は、引用例１、２及び「ＳＰＩＥ」Ｖｏｌ．６８８　Ｍｕｌｔｉｌａｙｅｒ　Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ　ａｎｄ　Ｌａｂｏｒａｔｏｒｙ　Ｘ−Ｒａｙ　Ｌａｓｅｒ　Ｒｅｓｅａｒｃｈ（１９８６）第１３９〜第１４５頁（以下、「引用例７」という。）に記載された事項に基いて当業者が容易に発明することができたものであるから、訂正後の特許請求の範囲第１項に記載された発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　従って、本件訂正請求は、特許法第１２０条の４第３項で準用する同法第１２６条第４項の規定に適合しない。」旨の訂正拒絶理由を通知した。
６）．　引用例の記載内容
６）．１　引用例１の記載内容
　引用例１は、極端紫外線や軟Ｘ線領域での投影露光装置の実現可能性とその技術に関する論文であり、９８９頁の§６Ｓｕｍｍａｒｙの第１行目に、「極端紫外線／軟Ｘ線（１００Ａ−３００Ａ）を用いた投影型の露光システムが可能である」と記載されている。
　９８７頁の４．２Ｍａｓｋの項の１行目に、「たいていの物質は極端紫外線／軟Ｘ線を強く吸収するため、紫外線でのガラス板や軟Ｘ線でのメンブレンマスクは使えそうにない。現在考えられる代替マスクは穴あきマスクか反射型マスクである。」と記載されている。同５行目には「縮小投影を用いれば、マスク中のパターンの大きさに対する許容量が緩和される」と記載されている。
　９８６頁の１２行目に、「露光はまた円弧状に限定されるからサブフィールドの露光中にマスクとウェハは同時に移動され、そしてウェハは単独に隣のサブフィールドを露光するために移動される。」と記載されている。
　９８９頁の図４にはマスクをウェハに投影する３枚の反射鏡からなる５：１の縮小投影系が記載されている。
　９８７頁の４．２Ｍａｓｋの項の１行目に、「たいていの物質は極端紫外線や軟Ｘ線に対して強い吸収を持つ」と記載されている。
　９８８頁の７行目には、「この波長領域ではマスクの反射率が低い」と記載されている。
　９８７頁下から２行〜末行において、「反射マスクとして反射部を、４．１で議論した多層反射体とで構成できる」と記載されている。
６）．２　引用例２の記載内容
　第１頁の特許請求の範囲の第２項には、「Ｘ線感光材料を対設し、該マスクにＸ線を入射させ、その反射光によりＸ線感光材料を露光する」と記載されている。
　第３頁左上欄１４行目には、「物体がＸ線を吸収すると熱を発生するが、本発明のＸ線マスクでは基板を厚くすることが出来るので放熱が大きく発熱が少ない。また、基板の機械的強度が大きいのでヒートパイプなどの放熱部品を取り付けることも容易である。」と記載されている。
６）．３　引用例３の記載内容
　第３頁左上欄２０行目〜右上欄２行目には、「第１図のＸ線露光装置におけるＸ線露光装置用ミラーである全反射ミラー３の素材は、高熱伝導ＳｉＣセラミックスであり」と記載され、第３頁右上欄第１７行〜左下欄第２行には、「高熱伝導ＳｉＣであるため、さらに水冷構造にすることにより、温度上昇が小さくなり、また熱膨張率が小さいために、シンクロトロン放射光等の高輝度Ｘ線源において長時間使用しても、ミラーの変形が極く微量に抑えられる。」と記載されている。
７）．訂正の適否についての判断
７）．１　訂正後の特許請求の範囲第１項に記載された発明
「マスク基板の表面に多層反射膜によるマスクパターンを備えた反射型Ｘ線マスクを保持するマスクステージとウエハを保持するウエハステージと、該反射型マスクを強制冷却するための、該反射型マスクの裏面に設けた強制冷却手段と、複数枚のＸ線反射鏡を含み、Ｘ線領域の電磁波を非垂直入射して照明された上記マスクのパターンを上記ウエハ上に縮小投影するＸ線縮小投影系と、前記複数枚のＸ線反射鏡のうち少なくとも初めの数枚に取り付けた強制冷却手段とを有することを特徴とする露光装置。」
７）．２　訂正後の特許請求の範囲第１項に記載された発明（以下、「訂正発明」という。）の独立特許要件の検討
７）．２．１　刊行物１に記載された発明について
　刊行物１の９８７頁下から２行〜末行において、「反射マスクとして反射部を、４．１で議論した多層反射体とで構成できる」と記載されているので、当該記載及び刊行物１は、Ｘ線投影型リソグラフィについて論じていることを考慮すると、刊行物１には、「多層反射膜によるマスクパターンを備えた反射型Ｘ線マスク」について記載されており、上記多層反射体は、刊行物１記載の４．１を参照すると、基板上に多層反射体が積層されるものであるから、刊行物１には、「マスク基板の表面に多層反射膜によるマスクパターンを備えた反射型Ｘ線マスク」の発明が記載されている。
７）．２．２　訂正発明と刊行物１に記載された発明との対比
　訂正発明と刊行物１に記載された発明は、「マスク基板の表面に多層反射膜によるマスクパターンを備えた反射型Ｘ線マスク」
である点で一致し、訂正発明が、「マスクを保持するマスクステージとウエハを保持するウエハステージ」（以下、「訂正発明の構成１」という。）、「反射型マスクを強制冷却するための、該反射型マスクの裏面に設けた強制冷却手段」（以下、「訂正発明の構成２」という。）、「複数枚のＸ線反射鏡を含み、Ｘ線領域の電磁波を非垂直入射して照明された上記マスクのパターンを上記ウエハ上に縮小投影するＸ線縮小投影系」（以下、「訂正発明の構成３」という。）及び「複数枚のＸ線反射鏡のうちの少なくとも初めの数枚に取り付けた強制冷却手段とを有すること」（以下、「訂正発明の構成４」という。）を有するのに対し、刊行物１に記載された発明は、上記訂正発明の構成１〜４がない点で相違する。
　そこで、上記訂正発明の構成１〜４について検討する。
７）．２．２．１　訂正発明の構成１について
　縮小投影露光装置において当然備えている手段である。
７）．２．２．２　訂正発明の構成２について
　刊行物７の第１３９頁Ａｂｓｔｒａｃｔの項には、多層膜Ｘ線光学素子の多くの有望な適用が、強い輻射に当てることを伴うとの記載がされている。また、同頁Ｉｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎの項には、多層膜がシンクロトロンの適用によって、真空下において高温に加熱されることが記載されている。従って、刊行物７には、多層膜Ｘ線光学素子は、使用中に高温になることが記載されており、多層膜Ｘ線光学素子を用いる際には、冷却手段を設ける必要があることは、当業者において自明であると認められる。
　そうすると、「多層反射膜によるマスクパターンを備えた反射型Ｘ線マスク」を用いる際に、当該多層反射膜を冷却することは、当業者が容易になし得たものである。さらに、「反射型マスクを強制冷却するための、該反射型マスクの裏面に設けた強制冷却手段」なる強制冷却手段の構成については、Ｘ線マスクが真空中で使用されることを考慮すると自明のことにすぎない。
７）．２．２．３　訂正発明の構成３について
　上記構成要件のうち、「Ｘ線領域の電磁波を非垂直入射して照明された上記マスク」について検討すると、反射型マスクにおいては、マスクに対してＸ線領域の電磁波を垂直に入射させると、マスクから反射したＸ線領域の電磁波は、当該Ｘ線領域の電磁波を発生する線源の方向に回帰するので、当該線源によって、マスクから反射したＸ線領域の電磁波による像が劣化しないようにするために何らかの手段を講じなければならないことは当業者において明らかである。
　そうすると、マスクに、「Ｘ線領域の電磁波を非垂直入射して照明」することについては、当業者が通常に選択する事項である。
　また、その効果は、上記マスクが多層反射膜によるマスクであることを考慮しても、当業者が予測できたものである。
　また、「複数枚のＸ線反射鏡を含み、Ｘ線領域の電磁波を照明された上記マスクのパターンを上記ウエハ上に縮小投影するＸ線縮小投影系」について検討すると、刊行物１には、上記構成要件が記載されている。
７）．２．２．４　訂正発明の構成４について
　刊行物７の第１３９頁Ａｂｓｔｒａｃｔの項には、多層膜Ｘ線光学素子の多くの有望な適用が、強い輻射に当てることを伴うとの記載がされている。また、同頁Ｉｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎの項には、多層膜がシンクロトロンの適用によって、真空下において高温に加熱されることが記載されている。従って、刊行物７には、多層膜Ｘ線光学素子は、使用中に高温になることが記載されており、多層膜Ｘ線光学素子を用いる際には、冷却手段を設ける必要があることは、当業者において自明であると認められる。
　また、複数枚の反射光学素子を用いる際には、入射側の最初の反射光学素子が光の影響を最も強く受け、次の反射光学素子が受ける光の影響は、最初の反射光学素子が光を吸収した分、緩和されることは当業者において自明であって、「複数枚のＸ線反射鏡のうちの少なくとも初めの数枚に取り付けた強制冷却手段とを有すること」は、当業者が容易に想到できることである。
　なお、Ｘ線光学素子を用いる際には、冷却手段を設ける必要があることは、刊行物３にも記載されている。
７）．２．２．５　相乗効果について
　平成１１年９月７日付け意見書で主張している構成要件間の相乗効果については、刊行物１に記載されたマスクヘの照明光を非垂直入射させることは当業者が通常に採用する構成であるから、当該構成と当業者が通常に採用するその他の構成により生ずる効果は、訂正発明に特有のものとはいえない。　したがって、訂正発明の構成要件相互の関係においても相乗効果は認められない。
７）．３　結論
　そうすると、訂正発明は、刊行物１、２及び７に記載されたものに基いて当業者が容易に発明できたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　従って、訂正発明は、特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから、本件訂正請求は特許法第１２０条の４第３項で準用する同法第１２６条第４項の規定に適合しないので、本件訂正請求は認められない。
８）．異議申立に対する判断
８）．１　本件の特許請求の範囲に記載された発明（以下、「本件特許発明」という。）の要旨
「表面にマスクパターンを備えた反射型Ｘ線マスクを保持するマスクステージと、ウエハを保持するウエハステージと、該反射型マスクを強制冷却するための、該反射型マスクの裏面に設けた強制冷却手段と、複数枚のＸ線反射鏡を含み、Ｘ線領域の電磁波で照明された上記マスクのパターンを上記ウエハ上に縮小投影するＸ線縮小投影系と、を有することを特徴とする露光装置。」
８）．２　取消理由に引用した引用例の内容
　上記６）．１に記載のとおり。
８）．３　本件特許発明と取消理由に引用した引用例との対比
　引用例１には、反射膜によるマスクパターンを備えた反射型Ｘ線マスクによる、３枚の反射鏡を用いた縮小投影光学系の発明が記載されているから、本件特許発明と、引用例１に記載された発明を対比すると、両者は、表面にマスクパターンを備えた反射型Ｘ線マスクを複数枚のＸ線反射鏡を含み、Ｘ線領域の電磁波で照明された上記マスクのパターンを上記ウエハ上に縮小投影するＸ線縮小投影系と、を有する露光装置」である点で一致し、本件特許発明が、「マスクを保持するマスクステージと、ウエハを保持するウエハステージと、該反射型マスクを強制冷却するための、該反射型マスクの裏面に設けた強制冷却手段」を有するのに対し、引用例１に記載された発明にはこの点の記載がない点で相違する。
　上記相違点について検討すると、「マスクを保持するマスクステージと、ウエハを保持するウェハステージ」については、投影露光装置における慣用手段にすぎない。
　また、「反射型マスクを強制冷却するための、該反射型マスクの裏面に設けた強制冷却手段」については、
　刊行物７の第１３９頁Ａｂｓｔｒａｃｔの項には、多層膜Ｘ線光学素子の多くの有望な適用が、強い輻射に当てることを伴うとの記載がされている。また、同頁Ｉｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎの項には、多層膜がシンクロトロンの適用によって、真空下において高温に加熱されることが記載されている。従って、刊行物７には、多層膜Ｘ線光学素子は、使用中に高温になることが記載されており、多層膜Ｘ線光学素子を用いる際には、冷却手段を設ける必要があることは、当業者において自明であると認められる。
　また、冷却手段を反射型マスクの表面に設けるとマスクが用をなさないことは明らかであり、さらに、冷却手段を被冷却物に密接させることは慣用手段であるので、冷却手段を反射型マスクの裏面に設けることは、設計上の事項である。
　そうすると、本件特許発明は、引用例１及び当業者の知得事項に基いて当業者が容易に発明できたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
９）．むすび
　以上のとおりであるから、本件特許発明に係る特許は、取消すべきものである。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１１年１１月１１日（１９９９．１１．１１）