【事件の表示】
　特許第２７８４６９５号「ボンディングツールの製造方法」の請求項１ないし３に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結論】
　訂正を認める。
　特許第２７８４６９５号の請求項１ないし３に係る特許を維持する。
【理由】
Ｉ．手続の経緯
　本件特許第２７８４６９５号の請求項１〜３に係る発明は、平成３年１月１０日に出願され、平成１０年５月２９日に特許の設定の登録がなされたところ、その特許請求の範囲の請求項１〜３に係る発明の特許に対し、住友電気工業株式会社（以下、「申立人」という。）より特許異議の申立てがなされ、当審において取消理由の通知がなされ、その指定期間内である平成１１年１１月８日に訂正請求がなされた。
ＩＩ．訂正の適否についての判断
１．訂正明細書の請求項１〜３に係る発明
　訂正明細書の請求項１〜３に係る発明は、訂正明細書の記載からみて、特許請求の範囲の請求項１〜３に記載された次のとおりのものである。
「【請求項１】
　セラミックス焼結体表面に気相合成ダイヤモンド膜を形成させ、次いでこれを該ダイヤモンド膜面がボンディング面となるようにシャンクに取り付け、ボンディングツールを製造するに当たり、該セラミックス焼結体として、ダイヤモンド微粒子を１〜３０容量％の割合で含有するものを用いることを特徴とするボンディングツールの製造方法。
　【請求項２】
　ダイヤモンド微粒子が平均粒径１〜１００μｍのものである請求項１記載のボンディングツールの製造方法。
　【請求項３】
　セラミックス焼結体がＳｉＣ、Ｓｉ３Ｎ４、ＷＣ、ＴｉＣ、ＴｉＮ及びＡｌＮの中から選ばれた少なくとも１種の粉末とダイヤモンド微粒子との混合物を焼結して得られたものである請求項１又は２記載のボンディングツールの製造方法。」（上記請求項１〜３に係る発明を、以下、「訂正発明１〜３」という。）
２．訂正の内容
　訂正請求は、本件特許の願書に添付した明細書（以下、「特許明細書」という。）を訂正請求書に添付した訂正明細書のとおりに訂正しようとするものであって、その訂正の内容は次のとおりである。
（ａ）特許明細書の特許請求の範囲の請求項１の
　「ダイヤモンド微粒子を１〜７５容量％の割合で含有する」を、
　「ダイヤモンド微粒子を１〜３０容量％の割合で含有する」と訂正する。
（ｂ）特許明細書の特許請求の範囲の請求項３の
　「ボンディングツール製造方法」を
　「ボンディングツールの製造方法」と訂正する。
（ｃ）特許明細書の【０００５】の
　「すなわち、本発明は、セラミックス焼結体表面に気相合成ダイヤモンド膜を形成させ、次いでこれを該ダイヤモンド膜面がボンディング面となるようにシャンクに取り付け、ボンディングツールを製造するに当たり、該セラミックス焼結体として、ダイヤモンド微粒子を１〜７５容量％の割合で含有するものを用いることを特徴とするボンディングツールの製造方法を提供するものである。」を、
　「すなわち、本発明は、
（１）セラミックス焼結体表面に気相合成ダイヤモンド膜を形成させ、次いでこれを該ダイヤモンド膜面がボンディング面となるようにシャンクに取り付け、ボンディングツールを製造するに当たり、該セラミックス焼結体として、ダイヤモンド微粒子を１〜３０容量％の割合で含有するものを用いることを特徴とするボンディングツールの製造方法、
（２）ダイヤモンド微粒子が平均粒径１〜１００μｍのものである第１項記載のボンディングツールの製造方法、及び、
（３）セラミックス焼結体がＳｉＣ、Ｓｉ３Ｎ４、ＷＣ、ＴｉＣ、ＴｉＮ及びＡｌＮの中から選ばれた少なくとも１種の粉末とダイヤモンド微粒子との混合物を焼結して得られたものである第１項又は第２項記載のボンディングツールの製造方法、
を提供するものである。」と訂正する。
（ｄ）特許明細書の【０００７】の
「ダイヤモンド微粒子を１〜７５容量％の割合で含有する…（中略）・・７５容量％を超えると焼結が困難となる傾向がみられる。」を
「ダイヤモンド微粒子を１〜３０容量％の割合で含有する…（中略）・・３０容量％を超えると焼結が困難となる傾向がみられる。」と訂正する。
３．訂正の目的、新規事項禁止、拡張・変更禁止の各要件についての判断
（１）訂正事項ａについて
　訂正事項ａは、セラミックス焼結体中のダイヤモンド微粒子の含有割合が、訂正前においては「１〜７０容量％」であったものを、訂正後は「１〜３０容量％」とするものであって、これは特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　また、願書に添付した明細書の【００２１】、【００２２】には、「実施例２　平均粒径２０μｍのダイヤモンド微粒子３０容量％を含有するＳｉＣ焼結体表面に、ガス組成ＣＨ４／Ｈ２容量比１／９９、ガス圧力４０Ｔｏｒｒ、フィラメント温度２０００℃、基板温度８５０℃の条件で、プラズマＣＶＤ法により厚さ２００μｍのダイヤモンド膜を形成させ、ボンディングツールを製作した。
　このボンディングツールを図２に示す試験装置を用いて５０万回打撃後のボンディング面の状況を観察した結果、基板との剥離やカケなど全くなく、該ボンディングツールは十分に実用に耐えることが分かった。」との記載があることから、この訂正は特許明細書に記載した事項の範囲内においてされたものであり、また実質上特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
（２）訂正事項ｂについて
　訂正事項ｂは、明瞭でない記載の釈明を目的とするものであり、この訂正は特許明細書に記載した事項の範囲内においてされたものであり、また実質上特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
（３）訂正事項ｃ、ｄについて
　訂正事項ｃ、ｄは、上記訂正事項ａにより、特許請求の範囲を減縮したことに伴って生じた明細書中の明りょうでない記載の釈明を目的とするものであり、また、この訂正は特許明細書に記載した事項の範囲内においてされたものであり、実質上特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
４．独立特許要件について
（１）当審が通知した取消理由の概要
　本件発明１〜３は、特開昭６４−２１０７６号公報（以下、「引用例」という。）に記載された発明であるか、引用例に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件発明１〜３の特許は、特許法第２９条第１項又は同条第２項の規定に違反してされたものであり、取り消されるべきである。
（２）引用例の記載事項
　▲１▼「本発明は、特にＩＣチップとリードとの接続に用いるボンディングツールの素材に適した高硬度で高耐熱性を有する焼結ダイヤモンドおよびその製造方法に関するものである。」（第２頁右上欄第４行〜第７行）
　▲２▼「ダイヤモンド粒子をその構成物質の１つとして含有し、かつ真空中で１２００℃までの加熱に対して顕著な構造変化を生じない耐熱焼結体を母材とし、その表面の少なくとも１部が気相合成法で析出される多結晶ダイヤモンドおよび／または多結晶ダイヤモンド状カーボンからなる硬質膜で被覆されたことを特徴とする硬質耐熱焼結体。」（特許請求の範囲第１項）
　▲３▼「母材である耐熱焼結体が、ダイヤモンドの含有量が７０〜９９容量％を占め、残部が鉄族金属と周期律表ＩＶａ、Ｖａ、ＶＩａ族の金属もしくは炭化物の少なくとも一方を合計で０．１〜３容量％、ならびに空孔０．５〜３０容量％よりなる焼結ダイヤモンドである特許請求の範囲第（１）項記載の硬質耐熱焼結合金。」（特許請求の範囲第２項）
　▲４▼「母材として用いる耐熱焼結体の製造方法としてダイヤモンド粉末、またはダイヤモンド粉末と周期律表ＩＶａ、Ｖａ、ＶＩａ族の金属もしくは炭化物および鉄族金属との混合粉末を作成し、１３００℃以上の温度にて、原料粉末中のダイヤモンドの一部を黒鉛化し、しかる後鉄族金属または周期律表ＩＶａ、Ｖａ、ＶＩａ族の焼結炭化物と接触させて超高圧・高温装置を用いてダイヤモンドが安定な高温高圧下においてホットプレスして焼結体を作成し、該焼結体を酸処理することにより、鉄族金属および周期律表ＩＶａ、Ｖａ、ＶＩａ族の金属もしくは炭化物の一部を溶出する方法による特許請求の範囲第（６）項記載の硬質耐熱焼結体の製造方法。」（特許請求の範囲第７項）
　▲５▼「ダイヤモンドの含有量を７０〜９９容量％、好ましくは９５〜９９容量％とする理由は７０容量％未満では空孔の容量が多くなり、強度、熱伝導率が低下すること、また９９容量％を超えるとその製造時での結合材の含有量が少なく、ダイヤモンド結合が強固な焼結体が得られない点にある。」（第４頁右上欄第２〜８行）
　▲６▼「このようにして製造されたダイヤモンド焼結体を必要形状に切断した後、たとえば王水のような鉄族金属を腐食し得る酸に入れ鉄族金属を溶出して空孔を形成し、高耐熱焼結体とする。この焼結体を母体として、ボンディング面に気相合成により多結晶ダイヤモンドおよび／または多結晶ダイヤモンド状カーボンからなる硬質膜を被覆する。」（第４頁右上欄第９〜１６行）
　▲７▼「実施例１　　平均粒度１００μｍ、５０μｍ、２０μｍおよび５〜０．２μｍのダイヤモンド粉末を、５：３：１：１の割合で配合した後、ＷＣ−Ｃｏ超硬合金製のポットとボールとを用いて５分間粉砕混合した。・・（中略）…このようにして得られた焼結体を容器より取出し、化学分析によりダイヤモンド、ＷＣおよびＣｏの含有量を測定したところ、それぞれ９６．５容量％、０．１５容量％、３．３５容量％であった。
　次に、この焼結体を加熱王水中に入れＣｏを溶出し、磁気天秤および化学分析により組成を調査したところ、ダイヤモンド９６．５容量％、ＷＣ０．１４容量％、Ｃｏ０．４容量％、空孔２．９６容量％であった。」（第４頁左下欄第１４行〜同頁右下欄第１２行）
（３）対比・判断
（３−１）訂正発明１について
　▲１▼訂正発明１の特徴的な構成
　訂正発明１は、「従来の気相合成ダイヤモンド膜を用いたボンディングツールにおいては、気相合成ダイヤモンド膜とＳｉＣやＳｉ３Ｎ４などから成るセラミックス基板とは元来密着強度が小さいため、通常前記したように該基板の表面をダイヤモンドなどの細かい粒子でキズ付け処理し、気相合成においてダイヤモンド核の発生が多くなるようにして、密着強度の改善が図られているが、ボンディングツールのような加熱状況下で荷重をかけて使用する条件ではこの方法は十分でなく、基板との剥離や割れの発生が問題となる。特に気相合成ダイヤモンド膜が厚くなると、ダイヤモンド膜と基板との熱膨張やダイヤモンド膜内に生じる応力により、剥離が顕著になり、逆に気相合成ダイヤモンド膜が薄い場合、基板との密着性は良くなるものの、研磨加工で均質なダイヤモンド膜面が得にくい上、工具寿命が低下するなどの問題が生じる。さらに、該キズ付け処理は作業者の感覚的要素が多分に入るため、密着強度にバラツキを生じる原因ともなる。」（特許明細書【０００２】）という技術的課題があることに鑑みて、「気相合成ダイヤモンド膜を用いたボンディングツールの製造において、セラミックス基板の表面にキズ付け処理を施すことなく、気相合成ダイヤモンド膜とセラミックス基板との密着強度を高めることのできるボンディングツールの製造方法を提供することを目的としてなされた」（同【０００３】）ものであり、そのための具体化手段として、「気相合成ダイヤモンド膜が単結晶ダイヤモンドと強固に密着することに着目し、その粉末粒子をセラミックス焼結体中に所定の割合で含有させることにより、その目的を達成しうる」（同【０００４】）という知見に基づいて、「セラミックス焼結体として、ダイヤモンド微粒子を１〜３０容量％の割合で含有するものを用いる」（訂正明細書【０００５】）という構成を採用することにより、「本発明によるとセラミックス焼結体基板上に強固に密着した気相合成ダイヤモンド膜が形成されるので、ボンディングツール製作における研磨時にダイヤモンド膜が剥離することがなく、かつボンディング時の熱膨張差などによるダイヤモンド膜の剥離やカケが防止され、性能に優れ、かつ寿命の長いボンディングツールが得られる。」（特許明細書【００２５】）という効果を奏し得たものである。
　▲２▼引用例との対比・判断
　上記のとおり、訂正発明１は、「セラミックス焼結体として、ダイヤモンド微粒子を１〜３０容量％の割合で含有するものを用いる」という構成要件により、所期の効果を奏するものである。
　これに対して、引用例記載のものは、特に前記「ＩＩ．４（２）▲５▼」の摘示事項によると、ダイヤモンド粒子が７０〜９９容量％の割合を占めており、ダイヤモンド粒子相互がダイヤモンド結合によって結合しているダイヤモンド焼結体であって、しかも、ダイヤモンド粒子が７０容量％未満であるような場合を強度、熱伝導率が低下するという理由で排除しているものである。
　そうすると、引用例には、訂正発明１の、「セラミックス焼結体として、ダイヤモンド微粒子を１〜３０容量％の割合で含有するものを用いる」という構成については記載及び示唆がないとせざるを得ない。
　従って、訂正発明１は引用例に記載された発明であるとすることはできない。
　また、上述のとおり、引用例には、ダイヤモンドを主体としないセラミックス焼結体についての記載、セラミック焼結体と気相合成ダイヤモンド膜との密着強度を高めるという技術課題についての記載及びセラミックス焼結体にダイヤモンド微粒子を１〜３０容量％の割合で含有させるという構成についての記載がいずれもないのであるから、引用例からは、セラミックス焼結体と気相合成ダイヤモンド膜との密着強度を高める目的で「セラミックス焼結体として、ダイヤモンド微粒子を１〜３０容量％の割合で含有するものを用いる」という本件発明の構成についての示唆を得ることができたとすることはできない。
　従って、訂正発明１は、引用例に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることもできない。
（３−２）訂正発明２、３について
　訂正発明２、３は、いずれも訂正発明１の構成に更に技術的な限定を付加したものであるから、訂正発明１について述べたと同様の理由により、引用例に記載された発明であるとすることはできないばかりでなく、引用例に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることもできない。
（４）まとめ
　上記のとおりであるから、訂正発明１〜３は特許出願の際に独立して特許を受けることができるものである。
５．訂正の認否
　従って、本件訂正請求は、特許法第１２０条の４第２項ただし書及び同条第３項において準用する同法第１２６条第２〜４項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
ＩＩＩ．特許異議申立てについて
１．本件発明
　前述のように、本件訂正は適法なものであるので、本件請求項１〜３に係る発明は、前記「ＩＩ．１」において摘記したとおりの「訂正発明１〜３」である（以下、「本件発明１〜３」という。）。
２．特許異議申立ての理由の概要
　申立人は、証拠方法として甲第１号証（特開昭６４−２１０７６号公報）を提出し、請求項１〜３に係る発明は、甲第１号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１〜３に係る発明の特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであり、取り消されるべきである旨主張している。
３．対比・判断
　申立人の主張する特許異議申立ての理由及び証拠方法は、当審が取消理由通知において示した取消理由及び証拠方法と同一のものである。
　従って、上記「ＩＩ．４」で述べたと同じ理由により、申立人の主張する理由及び証拠方法によっては、本件発明１〜３の特許が、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものとすることはできない。
ＩＶ．むすび
　上記のとおりであるから、本件発明１〜３の特許は、特許異議申立ての理由及び証拠方法によっては取り消すことはできない。
　また、他に本件発明１〜３の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１１年１２月６日（１９９９．１２．６）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
　特許第２７８４６９５号発明の明細書を訂正請求書に添付された訂正明細書のとおりに訂正する。
　その訂正の内容は次のとおりである。
１．特許請求の範囲の減縮を目的として次の訂正を行う。
　明細書の特許請求の範囲の請求項１の
　「ダイヤモンド微粒子を１〜７５容量％の割合で含有する」を、
　「ダイヤモンド微粒子を１〜３０容量％の割合で含有する」と訂正する。
２．明りょうでない記載の釈明を目的として次の訂正を行う。
（１）明細書の特許請求の範囲の請求項３の
　「ボンディングツール製造方法」を
　「ボンディングツールの製造方法」と訂正する。
（２）明細書の【０００５】の
　「すなわち、本発明は、セラミックス焼結体表面に気相合成ダイヤモンド膜を形成させ、次いでこれを該ダイヤモンド膜面がボンディング面となるようにシャンクに取り付け、ボンディングツールを製造するに当たり、該セラミックス焼結体として、ダイヤモンド微粒子を１〜７５容量％の割合で含有するものを用いることを特徴とするボンディングツールの製造方法を提供するものである。」を、
　「すなわち、本発明は、
　（１）セラミックス焼結体表面に気相合成ダイヤモンド膜を形成させ、次いでこれを該ダイヤモンド膜面がボンディング面となるようにシャンクに取り付け、ボンディングツールを製造するに当たり、該セラミックス焼結体として、ダイヤモンド微粒子を１〜３０容量％の割合で含有するものを用いることを特徴とするボンディングツールの製造方法、
　（２）ダイヤモンド微粒子が平均粒径１〜１００μｍのものである第１項記載のボンディングツールの製造方法、及び、
　（３）セラミックス焼結体がＳｉＣ、Ｓｉ３Ｎ４、ＷＣ、ＴｉＣ、ＴｉＮ及びＡｌＮの中から選ばれた少なくとも１種の粉末とダイヤモンド微粒子との混合物を焼結して得られたものである第１項又は第２項記載のボンディングツールの製造方法、
　を提供するものである。」と訂正する。
（３）明細書の【０００７】の
　「ダイヤモンド微粒子を１〜７５容量％の割合で含有する…（中略）…７５容量％を超えると焼結が困難となる傾向がみられる。」を
　「ダイヤモンド微粒子を１〜３０容量％の割合で含有する…（中略）…３０容量％を超えると焼結が困難となる傾向がみられる。」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
ボンディングツールの製造方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】
　セラミックス焼結体表面に気相合成ダイヤモンド膜を形成させ、次いでこれを該ダイヤモンド膜面がボンディング面となるようにシャンクに取り付け、ボンディングツールを製造するに当たり、該セラミックス焼結体として、ダイヤモンド微粒子を
１〜３０
　【請求項２】
　ダイヤモンド微粒子か平均粒径１〜１００μｍのものである請求項１記載のボンディングツールの製造方法。
　【請求項３】
　セラミックス焼結体がＳｉＣ、Ｓｉ３Ｎ４、ＷＣ、ＴｉＣ、ＴｉＮ及ひＡｌＮの中から選ばれた少なくとも１種の粉末とダイヤモンド微粒子との混合物を焼結して得られたものてある請求項１又は２記載のボンディングツール
の
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　本発明はボンディングツールの製造方法の改良に関するものである。さらに詳しくいえば、本発明は、表面に気相合成ダイヤモンド膜を有するセラミックス焼結体をシャンクに取り付けた構造のボンディングツールの製造において、該気相合成ダイヤモンド膜をセラミックス焼結体表面に極めて密着性よく形成させ、性能に優れ、かつ寿命の長いボンディングツールを製造する方法に関するものである。
　【０００２】
　【従来の技術】
　ＴＡＢ用ボンディングツールは、ＩＣチップやＩＣ基板に、テープ状のフイルムキャリアに組み込まれたリード線を熱圧着により一度にボンディングするための工具であり、通常３００〜６００℃の高温下において、繰り返し荷重の加わる過酷の条件下で使用されるため、ボンディング部分は耐熱性、耐摩耗性、熱伝導性に優れ、かつ溶融した金属ハンダなどが付着しにくい素材が用いられる。
　このようなボンディングツールとしては、従来、単結晶ダイヤモンドやダイヤモンド焼結体、あるいはＣＢＮ焼結体などの素材を、焼結やロウ付けなどの方法で金属シャンクに固定したもの、又はＭｏやインコネルをはじめとする耐熱合金を直接ツールに加工したものが用いられており、さらに近年、ＩＣチップの大型化、高密度化に伴い、前記素材に気相合成ダイヤモンド膜を用いたボンディングツールも使用されはじめている。
　この気相合成ダイヤモンド膜を用いたボンディングツールは、通常ダイヤモンド膜との密着強度を増すために表面にキズ付け処理が施されたＳｉＣやＳｉ３Ｎ４などから成るセラミックス基板に、マイクロ波ＣＶＤ法、ＲＦプラズマＣＶＤ法、ＤＣプラスマＣＶＤ法、熱フィラメントＣＶＤ法などの方法による気相合成によって、直接ダイヤモンド膜を形成させ、このものを、該ダイヤモンド膜面がボンディング面となるように金属シャンクにロウ付けすることにより製造される。
　しかしながら、このような従来の気相合成ダイヤモンド膜を用いたボンディングツールにおいては、気相合成ダイヤモンド膜とＳｉＣやＳｉ３Ｎ４などから成るセラミックス基板とは元来密着強度か小さいため、通常前記したように該基板の表面をダイヤモンドなどの細かい粒子てキズ付け処理し、気相合成においてダイヤモンド核の発生が多くなるようにして、密着強度の改善か図られているが、ボンディングツールのような加熱状況下で荷重をかけて使用する条件ではこの方法は十分でなく、基板との剥離や割れの発生が問題となる。特に気相合成ダイヤモンド膜が厚くなると、ダイヤモンド膜と基板との熱膨張やダイヤモンド膜内に生じる応力により、剥離が顕著になり、逆に気相合成ダイヤモンド膜か薄い場合、基板との密着性は良くなるものの、研磨加工で均質なダイヤモンド膜面が得にくい上、工具寿命か低下するなどの問題が生じる。
　さらに、該キズ付け処理は作業者の感覚的要素が多分に入るため、密着強度にバラツキを生じる原因ともなる。
　【０００３】
　【発明か解決しようとする課題】
　本発明はこのような事情のもとで、気相合成ダイヤモンド膜を用いたボンディングツールの製造において、セラミックス基板の表面にキズ付け処理を施すことなく、気相合成ダイヤモンド膜とセラミックス基板との密着強度を高めることのてきるボンディングツールの製造方法を提供することを目的としてなされたものである。
　【０００４】
　【課題を解決するための手段】
　本発明者らは前記目的を達成するために鋭意研究を重ねた結果、気相合成ダイヤモンド膜が単結晶ダイヤモンドと強固に密着することに着目し、その粉末粒子をセラミックス焼結体中に所定の割合で含有させることにより、その目的を達成しうることを見い出し、この知見に基づいて本発明を完成するに至った。
　【０００５】
　すなわち、本発明は、
（１）セラミックス焼結体表面に気相合成ダイヤモンド膜を形成させ、次いでこれを該ダイヤモンド膜面がボンディング面となるようにシャンクに取り付け、ボンディングツールを製造するに当たり、該セラミックス焼結体として、ダイヤモンド微粒子を１〜３０容量％の割合て含有するものを用いることを特徴とするボンディングツールの製造方法、
（２）ダイヤモンド微粒子か平均粒径１〜１００μｍのものてある第１項記載のボンディングツールの製造方法、及び、
（３）セラミックス焼結体かＳｉＣ、Ｓｉ３Ｎ４、ＷＣ、ＴｉＣ、ＴｉＮ及ひＡｌＮの中から選ばれた少なくとも１種の粉末とダイヤモンド微粒子との混合物を焼結して得られたものである第１項又は第２項記載のボンディングツールの製造方法、
を提供するものである。
　【０００６】
　以下、本発明を詳細に説明する。
　【０００７】
　本発明方法においては、セラミックス焼結体から成る基板表面に気相合成法によりダイヤモンド膜を形成させるが、該セラミックス焼結体としては、ダイヤモンド微粒子を１〜３０容量％の割合で含有するものを用いることが必要である。この量が１容量％未満では気相合成ダイヤモンド膜とセラミックス焼結体との密着強度が十分でなく、ロウ付け時に該ダイヤモンド膜が剥離するおそれがあるし、３０容量％を超えると焼結が困難となる傾向がみられる。
　【０００８】
　また、該ダイヤモンド粒子の平均粒径は通常１〜１００μｍの範囲て選ばれる。この平均粒径が１μｍ未満では焼結性に劣り、かつ気相合成ダイヤモンド膜とセラミックス焼結体との密着強度が十分ではないし、１００μｍを超えると該密着強度が低下する傾向がみられる。
　【０００９】
　本発明で用いる前記セラミックス焼結体は、ＳｉＣ、Ｓｉ３Ｎ４、ＷＣ、ＴｉＣ及びＡｌＮの中から選ばれた少なくとも１種の粉末とダイヤモンド微粒子とを、所定の割合で混合した粉末を、公知の方法に従って焼結することにより、製造することができる。
　【００１０】
　本発明においては、このようにして得られたダイヤモンド微粒子を均質に含有するセラミックス焼結体から成る基板表面に、気相合成法により、ダイヤモンド膜を形成させる。この気相合成によるダイヤモンド膜の形成方法については特に制限はなく、従来気相合成によるダイヤモンド膜の形成に慣用されている方法、例えば物理蒸着法及び化学蒸着法を採用することがてきるが、特にマイクロ波ＣＶＤ法、ＲＦプラズマＣＶＤ法、ＤＣプラズマＣＶＤ法、熱フィラメントＣＶＤ法、イオンビームＣＶＤ法なとの化学蒸着法が好ましく用いられる。
　【００１１】
　このようにして、セラミックス焼結体から成る基板表面に強固に密着した気相合成ダイヤモンド膜が形成される。このダイヤモンド膜の厚さは、通常１〜１０００μｍの範囲で選ばれ、この厚さが１μｍ未満では使用時にクラックや破損が生じやすいし、１０００μｍを超えると厚さの割にはツールとしての性能上の向上は認められず、むしろ成膜に時間がかかりすぎて生産効率が低下し、好ましくない。
　【００１２】
　本発明においては、このようにして表面に気相合成ダイヤモンド膜を有するセラミックス焼結体は、該ダイヤモンド膜面がボンディング面となるように金属シャンクにロウ付けされる。この金属シャンクとしてはタングステンやモリブデンなどの低熱膨張性素材から成るものが好ましく用いられる。また、ロウ付けの方法については特に制限はなく、従来セラミックス焼結体を金属シャンクにロウ付けする場合に慣用されている方法を用いることができる。
　【００１３】
　図１は、本発明方法により得られたボンディングツールの１例の断面図であって、ボンディング面に気相合成ダイヤモンド膜１が設けられたダイヤモンド微粒子含有セラミックス焼結体２が、熱電対取り付け穴３及びヒーター取り付け穴４を有する金属シャンク５にロウ付けされた構造を示している。
　【００１４】
　【作用】
　本発明においては、セラミックス焼結体中に均質に分散したダイヤモンド微粒子が、キズ付け処理効果をもつと同時に、アンカー効果の役目を果たし、ダイヤモンド膜がダイヤモンド微粒子上に強固に密着して形成される。そのため、セラミックス単体の基板にダイヤモンド膜を形成させたものよりも、はるかに高い密着強度を発揮し、ボンディングツール製作における研磨時のダイヤモンド膜の剥離が防止されるとともにボンディング時の熱膨張差による剥離やカケも防止される。
　【００１５】
　本発明方法における気相合成ダイヤモンド膜形成の手法はボンディングツールのみならず、バイトなどの切削工具やワークレスト、シューなどの耐摩耗工具にも利用できる。
　【００１６】
　【実施例】
　次に実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの例によってなんら限定されるものではない。
　【００１７】
　なお、実施例で得られたボンディングツールの性能は図２示す試験装置を用いて評価した。
　【００１８】
　すなわち、ボンディングツール６を、ヒーター７で５５０℃に加熱保持し、エアーシリンダー８によりピストン９を作動して、加圧力２５ｋｇ／ｃｍ２で５０万回打撃を加え、打撃後のボンディング面の状況を観察した。
　【００１９】
　実施例１
　平均粒径５μｍのダイヤモンド微粒子２０容量％を含有するＳｉＣ焼結体表面に、ガス組成ＣＨ４／Ｈ２容量比１／９９、ガス圧力４０Ｔｏｒｒ、フィラメント温度２０００℃、基板温度８５０℃の条件で、プラズマＣＶＤ法により厚さ２００μｍのダイヤモンド膜を形成させ、ボンディングツールを製作した。
　【００２０】
　このボンディングツールを図２に示す試験装置を用いて５０万回打撃後のボンディング面の状況を観察した結果、基板との剥離やカケなど全くなく、該ボンディングツールは十分に実用に耐えることが分かった。
　【００２１】
実施例２
　平均粒径２０μｍのダイヤモンド微粒子３０容量％を含有するＳｉＣ焼結体表面に、ガス組成ＣＨ４／Ｈ２容量比１／９９、ガス圧力４０Ｔｏｒｒ、フィラメント温度２０００℃、基板温度８５０℃の条件で、プラズマＣＶＤ法により厚さ２００μｍのダイヤモンド膜を形成させ、ボンディングツールを製作した。
　【００２２】
　このボンディングツールを図２に示す試験装置を用いて５０万回打撃後のボンディング面の状況を観察した結果、基板との剥離やカケなど全くなく、該ボンディングツールは十分に実用に耐えることが分かった。
　【００２３】
実施例３
　平均粒径５μｍのダイヤモンド微粒子２０容量％を含有するＳｉ３Ｎ４焼結体表面に、ガス組成ＣＨ４／Ｈ２容量比１／９９、ガス圧力４０Ｔｏｒｒ、フィラメント温度２０００℃、基板温度８５０℃の条件で、プラズマＣＶＤ法により厚さ２００μｍのダイヤモンド膜を形成させ、ボンディングツールを製作した。
　【００２４】
　このボンディングツールを図２に示す試験装置を用いて５０万回打撃後のボンディング面の状況を観察した結果、基板との剥離やカケなど全くなく、該ボンディングツールは十分に実用に耐えることが分かった。
　【００２５】
　【発明の効果】
　本発明によるとセラミックス焼結体基板上に強固に密着した気相合成ダイヤモンド膜が形成されるので、ボンディングツール製作における研磨時にダイヤモンド膜が剥離することがなく、かつボンディング時の熱膨張差などによるダイヤモンド膜の剥離やカケが防止され、性能に優れ、かつ寿命の長いボンディングツールが得られる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本発明方法により得られたボンディングツールの１例の断面図。
　【図２】
　実施例で得られたボンディングツールの性能を評価するための試験装置の概略図。
　【符号の説明】
　１　気相合成ダイヤモンド膜
　２　ダイヤモンド微粒子含有セラミックス焼結体
　３　熱電対取り付け穴
　４　ヒーター取り付け穴
　５　金属シャンク
　６　ボンディングツール
　７　ヒーター
　８　エアーシリンダー
　９　ピストン
　１０　熱電対