【事件の表示】
　特許第６４４７７８２号発明「はんだ付け方法」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第６４４７７８２号の請求項１ないし３に係る特許を維持する。
【理　由】
第１　手続の経緯
　特許第６４４７７８２号の請求項１ないし３に係る特許についての出願は、平成２９年１１月６日（優先権主張　平成２８年１１月２２日）に出願され、平成３０年１２月１４日にその特許権の設定登録がされ、平成３１年１月９日に特許掲載公報が発行された。その後、その特許に対し、令和１年６月２８日に特許異議申立人中村博章（以下「異議申立人」という。）により、特許異議の申立てがされ、同年９月４日付け当審の取消理由通知に対して同年１１月８日付けで意見書が提出されたものである。
第２　本件特許発明
　特許第６４４７７８２号の請求項１ないし３に係る特許（以下「本件特許発明１ないし３」という。）は、特許請求の範囲の請求項１ないし３に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
「【請求項１】
　はんだ合金と無残渣用フラックスが混合されてなるはんだペーストを基板上のはんだ付け部に塗布し、当該はんだペースト上に電子部品を載置する第１の工程と、
　炉内を真空状態かつ第１の温度として前記基板を加熱することにより前記はんだペーストに含まれる前記無残渣用フラックスを揮発させて無残渣の状態（フラックス残渣の量がフラックス中の１質量％以下）とする第２の工程と、
　前記炉内を還元雰囲気で第２の温度として前記基板を加熱することにより少なくとも前記はんだ付け部の酸化膜を除去する第３の工程と、
　前記炉内を真空状態でかつ前記第２の温度よりも高い第３の温度として前記基板を加熱することにより前記はんだペーストに含まれるはんだを溶融させる第４の工程と、
　を有することを特徴とするはんだ付け方法。
【請求項２】
　前記第１の工程において、前記基板上の前記はんだ付け部に対応する部分が開口された開口部を有するメタルマスクを用いて、前記基板上の前記はんだ付け部に前記はんだペーストを塗布する
　ことを特徴とする請求項１に記載のはんだ付け方法。
【請求項３】
　前記はんだ合金は、引張強度が５５ＭＰａ以上、伸びが４０％以下、０．２％耐力が４０ＭＰａ以上である
　ことを特徴とする請求項１または２に記載のはんだ付け方法。」
第３　取消理由の概要
　当審において、本件特許発明１ないし３に対して通知した取消理由の要旨は、次のとおりである。
１．（拡大先願）下記の請求項に係る発明は、本件特許出願の日前の特許出願又は実用新案登録出願であって、本件特許出願後に特許掲載公報の発行若しくは出願公開又は実用新案掲載公報の発行がされた下記の特許出願又は実用新案登録出願の願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲若しくは実用新案登録請求の範囲又は図面に記載された発明又は考案と同一であり、しかも、本件特許出願の発明者が本件特許出願前の特許出願又は実用新案登録出願に係る上記の発明又は考案をした者と同一ではなく、また本件特許出願の時において、その出願人が上記特許出願又は実用新案登録出願の出願人と同一でもないから、下記の請求項に係る特許は、特許法第２９条の２の規定に違反してされたものである。
 　　　　　　　　　　　　　　　　　記 
・請求項１及び２について、甲第１号証（ＰＣＴ／ＪＰ２０１６／７８９６１号（国際公開第２０１７／５７６５１号））
２．（実施可能要件）本件特許は、明細書の記載が下記の点で不備のため、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。
 　　　　　　　　　　　　　　　　　記 
　本件特許明細書の発明の詳細な説明の記載は、請求項１ないし３に係る発明を当業者が実施できる程度に、明確かつ十分に記載したものでない。 
第４　異議申立人が提示された各甲号証の記載
１．甲第１号証（ＰＣＴ／ＪＰ２０１６／７８９６１号（国際公開第２０１７／５７６５１号））
　甲第１号証には、「還元ガス用ソルダペースト、半田付け製品の製造方法」に関して、図面と共に以下の事項が記載されている（下線は当審で付与した。）。なお、甲第１号証の発明者及び出願人は、本件特許の発明者及び出願人と同一でない。
（１）「［０００１］　本発明は還元ガス用ソルダペースト、半田付け製品の製造方法に関し、特に還元剤・活性剤フリーのソルダペースト、それを用いた半田付け製品の製造方法に関する。
背景技術
・・・（中略）・・・
［００２３］［還元ガス用ソルダペースト］
　本発明の第１の実施の形態に係る還元ガス用ソルダペーストを説明する。
　本発明の還元ガス用
ソルダペーストは、半田粉末と、フラックスとして、チキソ剤、溶剤とを含む
　ここで還元剤とは、半田付けの際半田付け対象物の表面や半田粉末の表面の酸化膜を除去する物質であり、例えば、ロジン、ロジン誘導体などである。
　活性剤とは、還元性の向上や半田の濡れ性を向上させる物質であり、例えば、アミン−ハロゲン化水素酸塩、有機酸などである。アミン−ハロゲン化水素酸塩としては、例えば、ジエチルアミン臭化水素酸塩、シクロヘキシルアミン臭化水素酸塩などが挙げられる。有機酸としては、例えば、グルタル酸、アジピン酸、アゼライン酸、セバシン酸、ステアリン酸、安息香酸などが挙げられる。
　なお、本発明の還元ガス用ソルダペーストは、還元剤と活性剤を除き、発明の効果が得られる限りにおいて、半田粉末、チキソ剤、溶剤以外の化合物（添加物等）を含有してもよい。
［００２４］　本発明のソルダペーストを用いて半田付けを行う場合、還元には還元ガスを用いる。本発明のソルダペーストに含まれる半田粉末とチキソ剤は、前記還元ガスによる還元温度および還元時の気圧において溶融しないものが好ましい。すなわち、チキソ剤が溶融する温度は、還元温度よりも高い任意の温度である。半田粉末が溶融する温度は、還元温度よりも高い任意の温度であり、本実施の形態では還元温度よりも１０〜５０℃高い温度であることが好ましい。
　さらに、溶剤は還元温度以下で蒸発（気化）するものが好ましい。溶剤が蒸発する温度は、還元温度よりも低いまたは同一の任意の温度であり、例えば０〜１００℃を挙げることができる。雰囲気の圧力を調整する機構により、常圧での沸点が還元温度よりも高い溶剤であっても、溶剤の蒸発温度を還元温度よりも低くすることができる。このように、溶剤は所定の気圧において還元温度以下で蒸発するものであればよい。
　すなわち、本発明のソルダペーストは、所定の気圧において、以下の関係を有する材料を含む。
・溶剤の蒸発温度≦還元温度＜半田粉末の融点、チキソ剤の融点
　上記の「融点」とは、気圧にかかわらず物質が溶融する温度をいう。
　このように、還元ガスによる還元時の温度で、半田粉末とチキソ剤は固体であればよく、溶剤は気体であればよく、還元時の温度に合わせて、半田粉末、チキソ剤、溶剤を適宜組合せる。
　または、還元時の温度で溶融するチキソ剤であっても、溶融状態において濡れ広がりの小さいチキソ剤であれば、本発明のソルダペーストのチキソ剤として使用することができる。
　なお、以下においてチキソ剤をバインダーまたはゲル化剤と称することもあるが、チキソ剤、バインダー、ゲル化剤は同義である。
［００２５］・
半田粉末
　
半田粉末の合金組成
各種半田合金が使用可能
（２）「［００３０］　これらのチキソ剤は、ソルダペーストの粘度を上げる、チキソ比を上げる（印刷性が向上する）、熱ダレ性を向上させることができる。これらの
チキソ剤は半田内に残渣として残るが極少量（典型的には１質量％以下）であり
　なお、本願のソルダペーストには、粘度調整、印刷性向上、貯蔵安定性という目的で、還元温度よりも低い温度で溶融する低融点のチキソ剤を、還元ガスの還元効果を妨げない範囲において、さらに配合してもよい。
　チキソ剤の融点（常圧時）は、例えば８０〜２７０℃を挙げることができる。
・・・（中略）・・・
［００３３］・還元ガス
　還元ガス用ソルダペーストとともに用いる還元ガスとしては、水素、ギ酸などのカルボン酸のガス、カルボン酸以外の有機酸のガス、有機酸以外の有機化合物のガス、有機化合物以外の他の還元性のガスを挙げることができる。
　常圧、真空に関わらず、還元時の温度は１５０〜４５０℃が好ましい。例えば還元ガスがギ酸の場合は、還元時の温度は１５０〜３００℃、好ましくは１６０〜２５０℃、特に好ましくは１７０〜２３０℃である。還元ガスが水素の場合は、２５０〜４５０℃、好ましくは２６０〜４００℃、特に好ましくは２７０〜３５０℃である。
・・・（中略）・・・
［００３６］　半田粉末、チキソ剤、溶剤の組成比は、半田粉末が８０〜９９質量％、チキソ剤が０．１〜２質量％、溶剤が０．９〜１８質量％であり、好ましくは、半田粉末が８５〜９５質量％、チキソ剤が０．５〜１．５質量％、溶剤が４．５〜１３．５質量％である。例えば、半田粉末が８９質量％、チキソ剤が１質量％、溶剤が１０質量％、または、半田粉末が９０質量％、チキソ剤が１質量％、溶剤が９質量％を挙げることができる。
　本願のソルダペーストは、半田粉末、チキソ剤、溶剤を上記割合で混合して、ペースト状にしたものである。なお、チキソ剤や溶剤の量は粘度調整の程度により適宜変更することができる。チキソ剤、溶剤は、加熱しながら撹拌して混合すればよい。半田粉末との混合は、常温で撹拌機を用いて混合すればよい。
・・・（中略）・・・
［００３９］　一方で方法Ｂでは、スクリーン印刷等により半田付け対象物ＴにソルダペーストＳを塗布する（Ｂ１）。図１に示す半田付け対象物ＴとソルダペーストＳを加熱すると、溶剤の蒸発が始まる（Ｂ２）。さらに還元温度まで加熱し、還元ガスＦにより還元する（Ｂ３）。さらに半田溶融温度まで加熱し、
半田付けを行う（Ｂ４）
チキソ剤が残渣として残るが、典型的には１％以下であり
（３）「［００４０］　図２を参照して、本発明の第２の実施の形態に係る半田付け製品の製造方法をより詳細に説明する。
図２は、半田付け製品の製造方法を示す
　以下、図２、３では半田付け対象物ＴとソルダペーストＳに代えて、被接合部材として、図３に示すように基板Ｗ、ソルダペーストＳ、電子部品Ｐとを用いて説明する。
（１）ソルダペーストの提供工程
　ソルダペーストの提供工程とは、上記本発明の第１の実施の形態に係る還元ガス用ソルダペーストを使用できる状態にする工程である。ソルダペーストの製造であっても、すでに製造されたソルダペーストの準備であってもよい。
［００４１］（２）
ソルダペーストの塗布工程
　
ソルダペーストを
半田付け対象物の上に塗布する
［００４２］（３）溶剤の蒸発工程、被接合部材の還元工程、半田溶融工程
　溶剤の蒸発工程、被接合部材の還元工程、半田溶融工程について、図３に記載の半田付け装置１を用いてより詳細に説明する。
　ソルダペーストＳを塗布した
半田付け対象物として、基板Ｗ
を用いている
　なお、以下の説明において、本発明の第２の実施の形態である半田付け製品の製造方法は、半田付け装置１の作用と併せて説明するが、他の装置によって行われるものでもよい。
［００４３］　まず図３を参照して、半田付け装置１を説明する。図３は、半田付け装置１の概略構成図である。半田付け装置１は、被接合部材の半田接合が行われる空間である処理空間１１ｓを形成するチャンバ１１を有する処理部１０と、還元ガスとしてのギ酸ガスＦをチャンバ１１に供給する還元ガス供給部としてのギ酸供給部２０と、半田付け装置１内のギ酸ガスＦを排出する前に濃度を低下させる還元ガス処理部としての触媒ユニット３３と、半田付け装置１の動作を制御する制御装置５０と、これらを収容する筐体１００とを備えている。」
（４）「［００４４］　半田付け装置１は、基板Ｗと電子部品Ｐとを、ソルダペーストＳで接合する装置となっている。基板Ｗおよび電子部品Ｐは、共に、表面に金属部分を有しており、当該金属部分が半田を介して導通するように接合されることとなる。基板Ｗおよび電子部品Ｐは、ソルダペーストＳを挟んだ状態でチャンバ１１に搬入され、チャンバ１１内で半田が溶融されて接合される。以下、
基板Ｗ、ソルダペーストＳ、電子部品Ｐが積重されて
被接合部材Ｂといい
・・・（中略）・・・
［００５１］　引き続き図４を参照して、本発明の実施の形態に係る半田付け製品Ｃの製造方法を説明する。図４は、半田付け製品Ｃの半田接合手順を示すフローチャートである。以下の説明で半田付け装置１の構成について言及しているときは、適宜図３を参照することとする。なお、チキソ剤には還元時の温度よりも高い融点をもつもの、すなわち還元時の温度において個体のものを用いている。
［００５２］　半田付け装置１に被接合部材Ｂを搬入するため、シャッタ１１ｄを開けるボタン（不図示）を押すと、制御装置５０は、真空ポンプ３１を作動させ、チャンバ１１内の気体Ｇの排気を開始した後（Ｓ１）、シャッタ１１ｄを開にする。併せて、キャリアプレート１２の大部分がチャンバ１１の外側に出るようにキャリアプレート１２を移動させる。シャッタ１１ｄを開ける前にチャンバ１１内の気体Ｇをチャンバ１１から排出させることで、シャッタ１１ｄを開けてもチャンバ１１内の気体Ｇが搬入出口１１ａを介して半田付け装置１の外に流出することを防ぐことができる。シャッタ１１ｄが開になり、キャリアプレート１２の大部分がチャンバ１１の外側に出て、キャリアプレート１２に被接合部材Ｂが載置されたら、キャリアプレート１２のチャンバ１１内への移動に伴って
被接合部材Ｂがチャンバ１１内に搬入される
被接合部材搬入工程
（５）「［００５３］　被接合部材Ｂがチャンバ１１内に搬入されたら、制御装置５０は、シャッタ１１ｄを閉じて、チャンバ１１内を密閉する。次に、シャッタ１１ｄが開の時にチャンバ１１内に流入した大気を除去し、不活性ガスの雰囲気とするため、制御装置５０は、チャンバ１１内の気体Ｇの排気を行い、その後不活性ガスＮを導入する。この工程を繰り返すことにより、チャンバ１１内の酸素濃度を低下させる（不活性ガス置換工程：Ｓ３）。酸素濃度は５ｐｐｍ以下が好ましい。不活性ガスＮは、例えば窒素ガスである。
［００５４］　次に制御装置５０は、ヒータ１３をＯＮにして、キャリアプレート１２の温度、ひいては
被接合部材Ｂの温度を、ソルダペーストＳに含まれる溶剤が
蒸発
する温度に昇温する（Ｓ４）
昇温するにつれて溶剤が蒸発し
チャンバ１１内
を真空に
する
　本実施の形態では、気化する温度が還元温度よりも低い場合で説明しているが、気化する温度は下記の還元温度と同一でもよい。同一の場合は、溶剤の一部の蒸発と被接合部材の還元が同時に起こることになる。すなわち、（Ｓ４）工程と次工程である（Ｓ５）工程および（Ｓ６）工程が並行する場合が存在する。」
（６）「［００５５］　次に制御装置５０は、
ギ酸ガスＦを
チャンバ１１内に供給する（Ｓ５）と共に、
被接合部材Ｂの温度を還元温度に昇温する（Ｓ６）
被接合部材Ｂの酸化物
還元温度は
半田粉末
の溶融温度よりも低くなっている
酸化膜を
除去する
（７）「［００５６］　還元工程（Ｓ５、Ｓ６）が終了したら、チャンバ１１内のギ酸ガスＦ雰囲気を維持したまま、ヒータ１３の出力を上げて、キャリアプレート１２の温度、ひいては被接合部材Ｂの温度を接合温度に昇温して半田を溶融させ、被接合部材Ｂの半田接合を行う（接合工程：Ｓ７）。
接合温度は、
半田粉末の溶融温度よりも高い
温度であり
・・・（中略）・・・
［００５９］　図５を参照して、本発明の実施の形態に係る半田付け製品Ｃの他の製造方法を説明する。図５は、半田付け製品Ｃの半田接合手順を示すフローチャートである。以下の説明で半田付け装置１の構成について言及しているときは、適宜図３を参照することとする。
［００６０］　（Ｓ１）〜（Ｓ６）は、図４の製造方法と同様である。
　（Ｓ６）が終了したら、制御装置５０は、真空ポンプ３１の作動およびメイン排気弁４１ｖを開にすることで、チャンバ１１内からギ酸ガスＦを排出し、チャンバ１１内を減圧する（Ｓ７）。
チャンバ１１内の
真空
を維持したまま、
被接合部材Ｂの温度を接合温度に昇温し（Ｓ８）、半田を溶融させ、被接合部材Ｂの半田接合を行う
　（Ｓ１２）〜（Ｓ１３）は、図４の製造方法と同様である。
　このように半田が溶融した状態で不活性ガスＮを導入すると、空洞（ボイド）を圧縮し潰すことができる。空洞を潰した後で半田を固化させると、半田中のボイドによる疲労寿命の低下をさらに抑制することができる。
・・・（中略）・・・
［００６３］　また以上の説明では、被接合部材Ｂを、ギ酸ガスＦの雰囲気下で昇温しソルダペーストＳを溶融することとしたが、真空（例えば１００Ｐａ（絶対圧力）程度）中で昇温してソルダペーストＳを溶融することとしてもよい。被接合部材Ｂを真空中で溶融する場合は、処理排出工程（Ｓ８、Ｓ９）が、還元工程（Ｓ５、Ｓ６）の後に行われることとなる。なお、半田付け製品Ｃをチャンバ１１から取り出す（Ｓ１１）ためのシャッタ１１ｄを開ける際に、チャンバ１１にギ酸ガスＦがほとんど存在しない場合は、チャンバ１１内を負圧にせずに（真空ポンプ３１を作動させず）、シャッタ１１ｄを開けることとしてもよい。
　なお、本発明で使用する還元ガス用ソルダペーストは、従来のソルダペーストよりもフラックス残渣が少ないため、被接合部材Ｂを真空中で接合した場合でも半田飛散を抑制することができる。
・・・（中略）・・・
［００６５］　以上のとおり、本願発明はソルダペーストの組成をよりシンプルなものとし、従来の還元剤および活性剤が担っていた酸化金属の還元や還元性の向上、さらには溶融性の向上を、装置側の還元ガスの導入および真空によって対応できるようにしたものである。
実施例」
（８）甲第１号証の図３によると、ソルダペーストＳは、基板Ｗ上の一部に塗布されるものである。また、被接合部材Ｂは、基板Ｗ上にソルダペーストＳが積重され、ソルダペーストＳ上に電子部品Ｐが積重されたものである。
・上記（１）によれば、ソルダペーストは、半田合金粉末と、フラックスとして、チキソ剤、溶剤とを含むものである。
・上記（２）によれば、チキソ剤は、半田付けの際に残渣として残るが極少量（典型的には１質量％以下）である。
・上記（３）及び（８）によれば、半田付け製品の製造方法は、ソルダペーストを基板上の一部に塗布する工程を有するものである。
・上記（４）及び（８）によれば、半田付け製品の製造方法は、基板上にソルダペーストが積重され、ソルダペースト上に電子部品が積重された被接合部材をチャンバ内に搬入する工程を有するものである。
・上記（５）によれば、半田付け製品の製造方法は、チャンバ内を真空にし、被接合部材の温度を、ソルダペーストに含まれる溶剤が蒸発する温度に昇温して、溶剤を蒸発させる工程を有するものである。
・上記（６）によれば、半田付け製品の製造方法は、ギ酸ガスをチャンバ内に供給すると共に、被接合部材の温度を、半田粉末の溶融温度よりも低い還元温度に昇温して、被接合部材の酸化膜を除去する工程を有するものである。
・上記（７）によれば、半田付け製品の製造方法は、チャンバ内の真空を維持したまま、被接合部材の温度を、半田粉末の溶融温度よりも高い接合温度に昇温して、半田を溶融させ、被接合部材の半田接合を行う工程を有するものである。
　上記摘示事項及び図面を総合勘案すると、甲第１号証には次の発明（以下「甲１先願発明」という。）が記載されていると認める。
 「半田合金粉末と、フラックスとして、チキソ剤、溶剤とを含むソルダペーストを基板上の一部に塗布する工程と、
　前記基板上に前記ソルダペーストが積重され、前記ソルダペースト上に電子部品が積重された被接合部材をチャンバ内に搬入する工程と、
　前記チャンバ内を真空にし、前記被接合部材の温度を、前記ソルダペーストに含まれる前記溶剤が蒸発する温度に昇温して、前記溶剤を蒸発させる工程と、
　ギ酸ガスを前記チャンバ内に供給すると共に、前記被接合部材の温度を、前記半田合金粉末の溶融温度よりも低い還元温度に昇温して、前記被接合部材の酸化膜を除去する工程と、
　前記チャンバ内の真空を維持したまま、前記被接合部材の温度を、前記半田合金粉末の溶融温度よりも高い接合温度に昇温して、半田を溶融させ、前記被接合部材の半田接合を行う工程と、
　を有する半田付け製品の製造方法であって、
　前記チキソ剤は、半田付けの際に残渣として残るが極少量（典型的には１質量％以下）である、半田付け製品の製造方法。」
２．甲第２号証（特開平６−１１２６４４号公報）
　甲第２号証には、「プリント配線基板のはんだ付け方法」に関して、図面と共に以下の事項が記載されている（下線は当審で付与した。）。
（１）「【０００５】このフラックスを洗浄する目的は，第１に，フラックス内のハロゲンを取り除いて，プリント配線基板上の銅箔や電子部品電極部等の腐食やマイグレーションを防ぎ，第２に，はんだボールによる配線のパターンショートを防ぎ，
第３に，光学系外観検査での樹脂による乱反射を防ぎ，第４に，コンタクトピンの不接触を防ぐことにある
・・・（中略）・・・
【００１０】また，
第３と第４の問題は低残渣フラックスを用いることで解決できる
（２）「【００１２】プリント配線基板２にスクリーン印刷で供給したはんだペーストが
真空排気と加熱温度によって，ペースト中の溶剤を徐々に蒸発させ
且つ，アルゴン(Ａｒ)と水素(Ｈ２)の混合ガスで還元することにより
プリント配線基板２の銅箔
の酸化物が除去される
（３）「【００１５】
【作用】
本発明では，
はんだ付けを還元性ガス雰囲気中で行う
・・・（中略）・・・
【００１８】図１〜図２により，本発明の一実施例について説明する。
先ず，はんだペーストはスクリーン印刷で, プリント配線基板２の銅箔に供給する
その上に電子部品１を搭載し, 
はんだ付け加熱装置３
内に挿入する
【００１９】本装置の加熱チャンバ９内は赤外線加熱ランプ６で加熱されている。
装置内
アルゴンと
水素の混合ガスを
導入し, 真空度を１〜１０Ｐａに保つ
【００２０】入口チャンバ１１と出口チャンバ１３には加熱機構は取り付けず, 入口チャンバ１１, 加熱チャンバ９, 出口チャンバ１３の間には，それぞれチャンバ間を遮断するゲートバルブ１４を設けてある。
【００２１】入口チャンバ１１にプリント配線基板２の所定の銅箔上に電子部品１を載置したプリント配線基板２をセットし, 加熱チャンバ９と同じ雰囲気になってからゲートバルブ１４を開けて, プリント配線基板２を加熱チャンバ９内に入れる。
【００２２】
加熱チャンバ９では，プリント配線基板２上のはんだペースト内の溶剤分が真空と加熱により蒸発する。
【００２３】先ず, 予備加熱部で４０〜６０秒間に１５０〜１６０℃まで予備加熱する。続いて, 
本加熱部で
加熱して，電子部品１をプリント配線基板２にはんだ付けする
（４）甲第２号証の図１によると、はんだ付け加熱装置３の加熱チャンバ９内の予備加熱部及び本加熱部は、プリント配線基板２を加熱するものであるといえる。
・上記（１）によれば、光学系外観検査での樹脂による乱反射及びコンタクトピンの不接触は、低残渣フラックスを用いることで解決できるものである。
・上記（２）によれば、真空排気と加熱温度により、ペースト中の溶剤を徐々に蒸発させ、且つ、アルゴンと水素の混合ガスで還元することにより、プリント配線基板の銅箔の酸化物が除去されるものである。
・上記（３）及び（４）によれば、はんだ付けを還元性ガス雰囲気中で行う方法は、先ず、はんだペーストをスクリーン印刷でプリント配線基板の銅箔に供給し、その上に電子部品を搭載して、はんだ付け加熱装置内に挿入し、はんだ付け加熱装置内にアルゴンと水素の混合ガスを導入して真空度を１〜１０Ｐａに保ち、はんだ付け加熱装置の加熱チャンバ内でプリント配線基板上のはんだペースト内の溶剤を真空と加熱により蒸発させ、加熱チャンバ内の本加熱部でプリント配線基板を加熱して電子部品をプリント配線基板にはんだ付けするものである。
　上記摘示事項及び図面を総合勘案すると、甲第２号証には次の発明（以下「甲２発明」という。）が記載されていると認める。
「はんだペーストをスクリーン印刷でプリント配線基板の銅箔に供給し、その上に電子部品を搭載して、はんだ付け加熱装置内に挿入し、
　前記はんだ付け加熱装置内にアルゴンと水素の混合ガスを導入して真空度を１〜１０Ｐａに保ち、
　前記はんだ付け加熱装置の加熱チャンバ内で前記プリント配線基板上の前記はんだペースト内の溶剤を真空と加熱により徐々に蒸発させ、
　前記加熱チャンバ内の本加熱部で前記プリント配線基板を加熱して前記電子部品を前記プリント配線基板にはんだ付けする、はんだ付けを還元性ガス雰囲気中で行う方法であって、
　前記アルゴンと前記水素の前記混合ガスで還元することにより、前記プリント配線基板の前記銅箔の酸化物が除去され、
　低残渣フラックスを用いて、光学系外観検査での樹脂による乱反射及びコンタクトピンの不接触を解決する、
　プリント配線基板のはんだ付け方法。」
３．甲第３号証（特開２００４−２５３０５号公報）
　甲第３号証には、図面と共に以下の事項が記載されている（下線は当審で付与した。）。
「【００４７】
本発明の
ソルダペーストを用いて還元性雰囲気でリフローはんだ付けを行う
「【００６８】
【発明の効果】
本発明にかかる
ソルダペースト
リフロー時にフラックス成分のほとんどが蒸発してしまい、フラックス残渣が残らない
　上記段落【００４７】及び【００６８】によれば、甲第３号証には、「リフロー時にフラックス成分のほとんどが蒸発する無残渣ソルダペーストを用いて還元性雰囲気でリフローはんだ付けを行い、フラックス残渣が残らないようにする」技術事項が記載されている。
４．甲第４号証（特開２０１５−１２３５０３号公報）
　甲第４号証には、図面と共に以下の事項が記載されている（下線は当審で付与した。）。
「【００２４】
　以下、図面を参照しながら、本発明に係る実施の形態としての真空はんだ処理装置及びその制御方法について説明する。図１に示す真空リフロー炉１００は、
真空はんだ処理装置
表面実装用の部品をプリント基板上の所定の位置に載せて当該部品とプリント基板とをはんだ付け処理する際に、真空中で脱泡・脱気処理するようになされる
　上記段落【００２４】によれば、甲第４号証には、「真空中ではんだ付け処理する」技術事項が記載されている。
５．甲第５号証（特開２００１−９３９１６号公報）
　甲第５号証には、図面と共に以下の事項が記載されている（下線は当審で付与した。）。
「【００１５】図１（ａ）に示すように、基板１１に設けられた導体１２上に、半田ペースト１３を厚さ５０μｍ程度塗布する。この半田ペースト１３上に、図１（ｂ）に示すように、半導体チップ１４を載せる。続いて、この基板１１をチャンバ１５内に収納し、チャンバ１５内を減圧して真空状態にする。
【００１６】この
真空状態で、半田ペースト１３を加熱し
導体１２上に半導体チップ１４を半田付けする
　上記段落【００１５】及び【００１６】によれば、甲第５号証には、「真空状態で半田付けする」技術事項が記載されている。
６．甲第６号証（特開２０１４−８０６８８号公報）
　甲第６号証には、図面と共に以下の事項が記載されている（下線は当審で付与した。）。
「【００６２】
　本発明は、例えば精密機械などの
基板にはんだペーストを印刷する際に用いられるメタルマスク
　上記段落【００６２】によれば、甲第６号証には、「基板にはんだペーストを印刷する際にメタルマスクを用いる」技術事項が記載されている。
７．甲第７号証（特開２００１−９６３９５号公報）
　甲第７号証には、図面と共に以下の事項が記載されている（下線は当審で付与した。）。
「【００２５】本発明に使用する
難加工性ハンダは
【００２６】このようなものとしては、例えば
引張強度６０Ｎ／ｍｍ
２
以上及び／又は伸び３０％以下のハンダが挙げられる
　上記段落【００２５】及び【００２６】によれば、甲第７号証には、「難加工性ハンダとしては、引張強度６０Ｎ／ｍｍ２以上及び／又は伸び３０％以下のハンダが挙げられる」技術事項が記載されている。
第５　当審の判断
１．取消理由通知に記載した取消理由について
（１）特許法第２９条の２について
ア．請求項１に係る発明について
　本件特許発明１と甲１先願発明とを対比する。
（ア）甲１先願発明の「半田合金粉末」及び「ソルダペースト」は、本件特許発明１の「はんだ合金」及び「はんだペースト」にそれぞれ相当する。よって、甲１先願発明の「半田合金粉末と、フラックスとして、チキソ剤、溶剤とを含むソルダペースト」と本件特許発明１とは、「はんだ合金と」「フラックスが混合されてなるはんだペースト」である点で共通する。
　ただし、フラックスについて、本件特許発明１は「無残渣用」フラックスである旨特定するのに対し、甲１先願発明はそのような特定がない点で相違している。
（イ）甲１先願発明の「基板上の一部」は、ソルダペーストが塗布される部分であるから、本件特許発明１の「基板上のはんだ付け部」に相当する。また、甲１先願発明の「前記ソルダペースト上に電子部品が積重され」ることは、本件特許発明１の「当該はんだペースト上に電子部品を載置する」ことに相当する。
（ウ）上記（ア）及び（イ）を踏まえると、甲１先願発明の「半田合金粉末と、フラックスとして、チキソ剤、溶剤とを含むソルダペーストを基板上の一部に塗布」し、「前記ソルダペースト上に電子部品が積重され」ることは、本件特許発明１の「はんだ合金と」「フラックスが混合されてなるはんだペーストを基板上のはんだ付け部に塗布し、当該はんだペースト上に電子部品を載置する第１の工程」に相当する。
（エ）甲１先願発明の「チャンバ内」、「真空」、「前記ソルダペーストに含まれる前記溶剤が蒸発する温度」、「昇温」すること及び「蒸発させる」ことは、本件特許発明１の「炉内」、「真空状態」、「第１の温度」、「加熱すること」及び「揮発させ」ることにそれぞれ相当する。よって、甲１先願発明の「前記チャンバ内を真空にし、前記被接合部材の温度を、前記ソルダペーストに含まれる前記溶剤が蒸発する温度に昇温して、前記溶剤を蒸発させる工程」と本件特許発明１とは、「炉内を真空状態かつ第１の温度として前記基板を加熱することにより前記はんだペーストに含まれる前記」「フラックスを揮発させ」「る第２の工程」である点で共通する。
　ただし、第２の工程について、本件特許発明１は「前記無残渣用フラックスを揮発させて無残渣の状態（フラックス残渣の量がフラックス中の１質量％以下）とする」のに対し、甲１先願発明はそのような特定がない点で相違している。
（オ）甲１先願発明の「ギ酸ガスを前記チャンバ内に供給する」こと及び「前記半田合金粉末の溶融温度よりも低い還元温度」は、本件特許発明１の「前記炉内を還元雰囲気」にすること及び「第２の温度」にそれぞれ相当する。よって、甲１先願発明の「ギ酸ガスを前記チャンバ内に供給すると共に、前記被接合部材の温度を、前記半田合金粉末の溶融温度よりも低い還元温度に昇温して、前記被接合部材の酸化膜を除去する工程」は、本件特許発明１の「前記炉内を還元雰囲気で第２の温度として前記基板を加熱することにより少なくとも前記はんだ付け部の酸化膜を除去する第３の工程」に相当する。
（カ）甲１先願発明の「前記半田合金粉末の溶融温度よりも高い接合温度」は、還元温度よりも高いから、本件特許発明１の「前記第２の温度よりも高い第３の温度」に相当する。よって、甲１先願発明の「前記チャンバ内の真空を維持したまま、前記被接合部材の温度を、前記半田合金粉末の溶融温度よりも高い接合温度に昇温して、半田を溶融させ、前記被接合部材の半田接合を行う工程」は、本件特許発明１の「前記炉内を真空状態でかつ前記第２の温度よりも高い第３の温度として前記基板を加熱することにより前記はんだペーストに含まれるはんだを溶融させる第４の工程」に相当する。
（キ）甲１先願発明の「半田付け製品の製造方法」は、被接合部材の半田接合を行うことから、本件特許発明１の「はんだ付け方法」に相当する。
　そうすると、本件特許発明１と甲１先願発明とは、
「はんだ合金とフラックスが混合されてなるはんだペーストを基板上のはんだ付け部に塗布し、当該はんだペースト上に電子部品を載置する第１の工程と、
　炉内を真空状態かつ第１の温度として前記基板を加熱することにより前記はんだペーストに含まれる前記フラックスを揮発させる第２の工程と、
　前記炉内を還元雰囲気で第２の温度として前記基板を加熱することにより少なくとも前記はんだ付け部の酸化膜を除去する第３の工程と、
　前記炉内を真空状態でかつ前記第２の温度よりも高い第３の温度として前記基板を加熱することにより前記はんだペーストに含まれるはんだを溶融させる第４の工程と、
　を有することを特徴とするはんだ付け方法。」の点で一致し、
以下の点で相違する。
＜相違点１＞ 
　フラックスについて、本件特許発明１は「無残渣用」フラックスである旨特定するのに対し、甲１先願発明はそのような特定がない点。
＜相違点２＞ 
　第２の工程について、本件特許発明１は「前記無残渣用フラックスを揮発させて無残渣の状態（フラックス残渣の量がフラックス中の１質量％以下）とする」のに対し、甲１先願発明はそのような特定がない点。
　上記＜相違点２＞について検討する。
　無残渣用フラックスは、特許権者が令和１年１１月８日に提出した特開昭５９−１９０９５号公報（ロジンを用いない無残渣型のはんだ付け用フラックス。第１頁左欄第１７行ないし第２頁右下欄第８行を参照。乙第５号証。）及び特開平２−２９０６９３号公報（ロジンを含まないはんだペースト。第２頁右上欄第１２行ないし第３頁右下欄第１０行、第１表及び第２表を参照。乙第６号証。）、並びに本件特許明細書の段落【０００５】に特許文献１として挙げられた甲第３号証（ロジンを含有しない無残渣ソルダペースト。段落【０００８】ないし【００６８】を参照。乙第７号証。）に記載されているように、周知の技術事項であると認められる。
　しかしながら、はんだを溶融させる工程の以前に、炉内を真空状態として基板を加熱することで、はんだペーストに含まれる無残渣用フラックスを揮発させて無残渣の状態（フラックス残渣の量がフラックス中の１質量％以下）とすることは、乙第５及び６号証及び甲第３号証に記載されておらず、また、本件特許出願前において周知の技術事項であるともいえない。
　したがって、上記相違点２は課題解決のための具体化手段における微差（周知技術の付加であって新たな効果を奏するものではないもの）ではないため、上記相違点１について判断するまでもなく、請求項１に係る発明は、甲１先願発明と実質同一ではない。
　この点について、異議申立人は、特許異議申立書にて「上記相違点１及び２は、リフロー時におけるはんだの飛散防止、はんだや電極の表面に形成される酸化膜の確実な除去、フラックス洗浄工程の省略という課題解決に何ら影響を与えるものではないから、周知技術の付加であって新たな効果を奏するものではなく、課題解決のための具体化手段における微差（実質同一）といえる。」旨を主張している。ここで、相違点１及び２は、上記の＜相違点１＞及び＜相違点２＞と実質的に同じものである。
　しかしながら、上記に記載したとおり、相違点２は周知の技術事項ではないため、異議申立人の上記主張は採用できない。
イ．請求項２に係る発明について
　請求項２に係る発明は、請求項１に係る発明に対して、さらに「前記第１の工程において、前記基板上の前記はんだ付け部に対応する部分が開口された開口部を有するメタルマスクを用いて、前記基板上の前記はんだ付け部に前記はんだペーストを塗布する」という技術事項を追加したものである。よって、ア．に示した理由と同様の理由により、請求項２に係る発明は、甲１先願発明と実質同一ではない。
ウ．小括
　以上のとおり、請求項１及び２に係る発明は、甲第１号証に記載された発明と実質同一ではないので、特許法第２９条の２に該当しない。
（２）特許法第３６条第４項第１号について
　当審は、取消理由通知にて「本件特許発明を当業者が実施しようとする場合、請求項１に記載された『無残渣用フラックス』であって『第１の温度』で『揮発』し、『無残渣の状態（フラックス残渣の量がフラックス中の１質量％以下）』となるものは何が該当し、何が該当しないのかを明示した記載がなされていないことから、請求項１ないし３に係る発明で使用する『はんだペースト』としてどのような材料を用いるべきか不明となるため、当業者が特許発明を実施することができないというべきである。」と通知した。
　しかしながら、特許権者の令和１年１１月８日提出の意見書における主張及び提出された文献によれば、無残渣用フラックスは、上記「（１）ア．」に記載したとおり、周知の技術事項であると認められ、また、真空状態とすることにより物質の沸点が下がり気化しやすくなることも、技術常識であると認められる。よって、このような周知の技術事項及び技術常識を考慮すれば、本件特許明細書の発明の詳細な説明は、当業者が請求項１ないし３に係る発明の実施をすることができる程度に明確かつ充分に記載したものであるといえる。
　したがって、請求項１ないし３に係る発明は、特許法第３６条第４項第１号の要件を満たしていない特許出願に対してされたものではない。
２．その他の特許異議申立理由について
　異議申立人は、本件特許発明１ないし３は、甲第２号証に記載された発明、甲第３、６及び７号証に記載された技術事項、並びに周知技術（甲第４及び５号証）に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであると主張している。そこで、以下判断をする。
（１）特許法第２９条第２項について
ア．請求項１に係る発明について
　本件特許発明１と甲２発明とを対比する。
（ア）甲２発明の「はんだペースト内の溶剤」は、はんだペースト内のフラックスと認められる。また、はんだペーストは、一般的にはんだ合金とフラックスとを混合したものであるから、甲２発明と本件特許発明１とは、「はんだ合金と」「フラックスが混合されてなるはんだペースト」である点で共通する。
　ただし、フラックスについて、本件特許発明１は「無残渣用」フラックスである旨特定するのに対し、甲２発明はそのような特定がない点で相違している。
（イ）甲２発明の「スクリーン印刷で」「供給」すること及び「プリント配線基板」は、本件特許発明１の「塗布」すること及び「基板」にそれぞれ相当する。また、甲２発明の「銅箔」は、はんだペーストが供給される部分であるから、本件特許発明１の「はんだ付け部」を含んでいる。
（ウ）上記（ア）及び（イ）を踏まえると、甲２発明の「はんだペーストをスクリーン印刷でプリント配線基板の銅箔に供給し、その上に電子部品を搭載」することは、本件特許発明１の「はんだ合金と」「フラックスが混合されてなるはんだペーストを基板上のはんだ付け部に塗布し、当該はんだペースト上に電子部品を載置する第１の工程」に相当する。
（エ）甲２発明の「加熱チャンバ内」、「真空」及び「蒸発させ」ることは、本件特許発明１の「炉内」、「真空状態」及び「揮発させ」ることにそれぞれ相当する。よって、甲２発明の「前記はんだ付け加熱装置の加熱チャンバ内で前記プリント配線基板上の前記はんだペースト内の溶剤を真空と加熱により徐々に蒸発させ」ることと本件特許発明１とは、「炉内を真空状態かつ第１の温度として前記基板を加熱することにより前記はんだペーストに含まれる前記」「フラックスを揮発させ」「る第２の工程」である点で共通する。
　ただし、第２の工程について、本件特許発明１は「前記無残渣用フラックスを揮発させて無残渣の状態（フラックス残渣の量がフラックス中の１質量％以下）とする」のに対し、甲２発明はそのような特定がない点で相違している。
（オ）本件特許発明１は「第２の工程」と「第４の工程」の間に「前記炉内を還元雰囲気で第２の温度として前記基板を加熱することにより少なくとも前記はんだ付け部の酸化膜を除去する第３の工程」を有するのに対し、甲２発明はそのような特定がない点で相違している。
（カ）甲２発明の「前記はんだ付け加熱装置内」の「真空度を１〜１０Ｐａに保ち、」「前記加熱チャンバ内の本加熱部で前記プリント配線基板を加熱して前記電子部品を前記プリント配線基板にはんだ付けする」ことは、はんだ合金が溶融することではんだ付けされるから、本件特許発明１とは、「前記炉内を真空状態でかつ」「第３の温度として前記基板を加熱することにより前記はんだペーストに含まれるはんだを溶融させる第４の工程」である点で共通する。
　ただし、第３の温度について、本件特許発明１は「前記第２の温度よりも高い第３の温度」である旨特定するのに対し、甲２発明はそのような特定がない点で相違している。
（キ）甲２発明の「プリント配線基板のはんだ付け方法」は、本件特許発明１の「はんだ付け方法」に相当する。
　そうすると、本件特許発明１と甲２発明とは、
「はんだ合金とフラックスが混合されてなるはんだペーストを基板上のはんだ付け部に塗布し、当該はんだペースト上に電子部品を載置する第１の工程と、
　炉内を真空状態かつ第１の温度として前記基板を加熱することにより前記はんだペーストに含まれる前記フラックスを揮発させる第２の工程と、
　前記炉内を真空状態でかつ第３の温度として前記基板を加熱することにより前記はんだペーストに含まれるはんだを溶融させる第４の工程と、
　を有することを特徴とするはんだ付け方法。」の点で一致し、
以下の点で相違する。
＜相違点１＞ 
　フラックスについて、本件特許発明１は「無残渣用」フラックスである旨特定するのに対し、甲２発明はそのような特定がない点。
＜相違点２＞ 
　第２の工程について、本件特許発明１は「前記無残渣用フラックスを揮発させて無残渣の状態（フラックス残渣の量がフラックス中の１質量％以下）とする」のに対し、甲２発明はそのような特定がない点。
＜相違点３＞ 
　本件特許発明１は「第２の工程」と「第４の工程」の間に「前記炉内を還元雰囲気で第２の温度として前記基板を加熱することにより少なくとも前記はんだ付け部の酸化膜を除去する第３の工程」を有するのに対し、甲２発明はそのような特定がない点。
＜相違点４＞ 
　第３の温度について、本件特許発明１は「前記第２の温度よりも高い第３の温度」である旨特定するのに対し、甲２発明はそのような特定がない点。
　上記＜相違点３＞及び＜相違点４＞について検討する。
　甲２発明は、はんだ付け加熱装置内にアルゴンと水素の混合ガスを導入し、該混合ガスで還元することにより、プリント配線基板の銅箔の酸化物を除去するものである。しかしながら、甲第２号証には、該酸化物の除去の処理を、はんだペースト内の溶剤を蒸発させる処理と電子部品をプリント配線基板にはんだ付けする処理との間で行うことが記載されておらず、また、該酸化物の除去の処理を還元雰囲気でプリント配線基板を
加熱
　したがって、上記相違点１及び２について判断するまでもなく、請求項１に係る発明は、甲第２号証に記載された発明及び甲第３ないし５号証に記載された技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　この点について、異議申立人は、特許異議申立書にて「本件特許発明１と甲２発明とを対比する。
・・・（中略）・・・したがって、両者は、以下の点で一致する。
『Ａ　はんだペーストを基板上のはんだ付け部に塗布し、当該はんだペースト上に電子部品を載置する第１の工程と、
Ｂ　炉内を真空状態かつ第１の温度として前記基板を加熱することにより前記はんだペーストに含まれる溶剤を揮発させる第２の工程と、
Ｃ　前記炉内を還元雰囲気で第２の温度として前記基板を加熱することにより少なくとも前記はんだ付け部の酸化膜を除去する第３の工程と、
Ｄ　前記炉内を、第２の温度よりも高い第３の温度として前記基板を加熱することにより前記はんだペーストに含まれるはんだを溶融させる第４の工程と、を有することを特徴とするはんだ付け方法。』」旨を主張している。
　しかしながら、上記に記載したとおり、甲第２号証には、「第２の工程」と「第４の工程」の間に「前記炉内を還元雰囲気で第２の温度として前記基板を加熱することにより少なくとも前記はんだ付け部の酸化膜を除去する第３の工程」を有することは記載されておらず、また、「前記第２の温度よりも高い第３の温度として前記基板を加熱することにより前記はんだペーストに含まれるはんだを溶融させる」ことも記載されていない。
　よって、異議申立人の上記主張は採用できない。
イ．請求項２に係る発明について
　請求項２に係る発明は、請求項１に係る発明に対して、さらに「前記第１の工程において、前記基板上の前記はんだ付け部に対応する部分が開口された開口部を有するメタルマスクを用いて、前記基板上の前記はんだ付け部に前記はんだペーストを塗布する」という技術事項を追加したものである。よって、ア．に示した理由と同様の理由により、請求項２に係る発明は、甲第２号証に記載された発明及び甲第３ないし６号証に記載された技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
ウ．請求項３に係る発明について
　請求項３に係る発明は、請求項１に係る発明に対して、さらに「前記はんだ合金は、引張強度が５５ＭＰａ以上、伸びが４０％以下、０．２％耐力が４０ＭＰａ以上である」という技術事項を追加したものである。よって、ア．に示した理由と同様の理由により、請求項３に係る発明は、甲第２号証に記載された発明及び甲第３ないし５、７号証に記載された技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
（２）特許法第３６条第６項第１号について
　異議申立人は、「無残渣用フラックス」が周知技術でないとすれば、本件特許発明１ないし３は、発明の課題が解決できることを当業者が認識できるように記載された範囲を超えるものであると主張している。
　しかしながら、無残渣用フラックスは、上記「１．（１）ア．」に記載したとおり、周知の技術事項であると認められ、また、真空状態とすることにより物質の沸点が下がり気化しやすくなることも、技術常識であると認められる。よって、このような周知の技術事項及び技術常識を考慮すれば、本件特許発明１ないし３には、課題を解決するための手段が反映されているといえる。
　したがって、請求項１ないし３に係る発明は、特許法第３６条第６項第１号の要件を満たしていない特許出願に対してされたものではない。
第６　むすび
　以上のとおりであるから、取消理由通知に記載した取消理由及び特許異議申立書に記載した特許異議申立理由によっては、請求項１ないし３に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に請求項１ないし３に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
令和１年１２月１１日（２０１９．１２．１１）