(57)【要約】【課題】電磁気妨害を防ぎ部品のその他特性も改善することが可能なインダクターの構造を提供する。【解決手段】主にドラム型フェライト芯１を含み、該ドラム型フェライト芯１にエナメル銅線２を巻き、該ドラム型フェライト芯１両端に電極３を設け、外層をエポキシ樹脂密封層６により密封し、二つの電極３を底部に沿って曲げる。該エナメル銅線２表面に主にフェライトとエポキシ樹脂からなる電磁気妨害防止層５を設ける。エポキシ樹脂密封層６の底部にストッパー４０を設ける。【選択図】　　図２
0003098537.tif 000002
【実用新案登録請求の範囲】
【請求項１】
主にドラム型フェライト芯を含み、
該ドラム型フェライト芯にはエナメル銅線が巻かれており、
該ドラム型フェライト芯両端にはそれぞれ電極が設けられており、
該ドラム型フェライト芯の外層はエポキシ樹脂により密封されており、
前記二つの電極は底部に沿って曲げられており、
前記エナメル銅線の表面には、主にフェライトとエポキシ樹脂からなる電磁気妨害防止層を具有していることを特徴とするインダクターの構造。
【請求項２】
前記エナメル銅線表面にはエポキシ樹脂粘着層が設けられており、エナメル銅線を保護していることを特徴とする請求項１記載のインダクターの構造。
【請求項３】
前記エポキシ樹脂の密封層底部の二つの電極間にはストッパーが設けられていることを特徴とする請求項１記載のインダクターの構造。
【考案の詳細な説明】
【０００１】
【考案の属する技術分野】
本考案はインダクターの構造に係り、特に電磁気妨害を防ぐ機能を具有し、それにより該部品のインダクタンス値を上げ、該部品の電気特性を最良にすることができるインダクターの構造に関わる。
【０００２】
【従来の技術】
従来、電子製品の小型化、高速演算の電子部品の需要の増加に伴い、電子部品の電磁気妨害、電波妨害、静電気放電からの保護も日増しに重要になっているが、小型で高密度な電子部品はそれらの影響による破壊を受けやすい。
しかしながら、公知構造のインダクターにおいては電磁気妨害を防ぐ設計がなされていないため、外部に付加的に遮蔽設計を施さねばならない。
更に、公知構造のインダクターにおいて、仮に同じ大きさで同じインダクタンス値の構造と言う条件で、開磁路コイルと閉磁路コイルを比べた場合、閉磁路コイルの方がインダクタンス値が高くなり、Ｑ値も比較的良くなるが、耐電流値は比較的低くなる。
更に、単独の、シールドを具有する閉磁気回路コイルを製作する場合、以下に示すような厳しい技術的要求がされる。
１．ドラム型フェライト芯は（必ず）できる限り環状フェライト芯の中央に配置する。
２．コイルは平坦にする。
３．部品の全体密封をする。
【０００３】
【考案が解決しようとする課題】
本考案は、前記の欠点に鑑みてなされたもので、その課題は、電気伝導がなく元より電磁気妨害を防ぐ作用を持つフェライトと、エポキシ樹脂の結合物を閉磁路インダクターに配することにより電磁気妨害を防ぎ、インダクタンス値を向上させ、更にＲＤＣ、ＩＤＣ、Ｑ値、公差等、部品のその他特性も改善することが可能なインダクターの構造を提供するものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するため、請求項１の考案は、主にドラム型フェライト芯を含み、該ドラム型フェライト芯にはエナメル銅線が巻かれており、該ドラム型フェライト芯両端にはそれぞれ電極が設けられており、該ドラム型フェライト芯の外層はエポキシ樹脂により密封されており、前記二つの電極は底部に沿って曲げられており、前記エナメル銅線の表面には、主にフェライトとエポキシ樹脂からなる電磁気妨害防止層を具有していることを特徴とするインダクターの構造である。
請求項２の考案は、前記エナメル銅線表面にはエポキシ樹脂粘着層が設けられており、エナメル銅線を保護していることを特徴とする請求項１記載のインダクターの構造である。
請求項３の考案は、前記エポキシ樹脂の密封層底部の二つの電極間にはストッパーが設けられていることを特徴とする請求項１記載のインダクターの構造である。
すなわち、主にドラム型フェライト芯を含み、該ドラム型フェライト芯にエナメル銅線を巻き、該ドラム型フェライト芯両端に電極を設け、二つの電極を底部に沿って曲げる。該エナメル銅線表面に主にフェライトとエポキシ樹脂からなる電磁気妨害防止層を設けることで、電磁気妨害を防ぐだけでなく、インダクタンス値も向上させる。更にエナメル銅線表面のエポキシ樹脂粘着層はエナメル銅線を保護する働きもしている。更に、完全に空気層の障害を排除でき、同時に粘着剤としての作用も生じるので、ドラム型フェライト芯表面に、主にフェライトとエポキシ樹脂からなる電磁気妨害を防ぐ物質を具す設計にし、厳しい技術的要求を軽減させる。エポキシ樹脂密封層の底部、すなわち二つの電極間にストッパーを設け、基板への設置時の安定を図る。外層をエポキシ樹脂により密封するものである。
【０００５】
【考案実施の形態】
本考案の実施例を図面に沿って説明する。
本考案の実施例は、図１，２に示すように、主にドラム型フェライト芯１を含み、該ドラム型フェライト芯１にはエナメル銅線２が巻かれており、該ドラム型フェライト芯１両端には電極３が設けられており、外層はエポキシ樹脂４により密封されており、二つの電極３は底部に沿って曲げられており、該エナメル銅線２表面は主にフェライトとエポキシ樹脂からなる電磁気妨害防止層５を具している。
【０００６】
さらに、図３に示すように、エナメル銅線２表面にはエポキシ樹脂粘着層６が設けられており、エナメル銅線２を保護してもよい。
【０００７】
そして、これらの実施例では、エポキシ樹脂密封層４の底部、すなわち二つの電極３間にはストッパー４０が設けられており、基板への設置時の安定を可能にしている。
【０００８】
以下に具体的な製造方法、及び実験結果を示す。実験装置は図４に示すようなもので、直流電源供給器Ａから直流を供給し、黒く塗った部分はインダクタンス部を表すが、磁場妨害距離Ｌのインダクターの性能をＬＣＲメーターＢにてテストする。
【０００９】
フェライトとエポキシ樹脂からなる電磁気妨害防止層５原料の製造方法を以下に説明するが、先ず、Ｆｅ２Ｏ３＝３２７．７ｇ、ＮｉＯ＝３２．７ｇ、ＣｕＯ＝３４．５ｇを調合しμｉ＝７００のフェライト粉末を作る。
次に、該フェライト粉末を１Ｋｇのφ＝１０のジルコニウム球を含むボールタンクに入れ、更に、そこに水４００ｍｌ、分散剤ＢＹＫ−１１１＝２ｇを加え、２時間撹拌する。次に、上記混合物を摂氏１２０度で乾燥させ、乾燥後、篩（ｍａｓｈ＝８０）にかけ粉砕する。次に、摂氏９００度で３時間焼くと、電磁気妨害を防ぐ働きを持つフェライト粉末になる。
しかし、この状態では、まだ磁気を持っているので、該粉末をφ３０：φ１０：φ３＝２：３：５のジルコニウム球を含むボールタンクに入れ、２５ｒｐｍの低速で１８時間撹拌し、粉末粒径＜０．３５μｍにする。
次に、微細化した粉末を乾燥した後、篩（ｍａｓｈ＝２００）にかけ粉砕する。
次にエポキシ樹脂主剤＝１０ｇ、硬化剤＝２ｇ、（主剤：硬化剤＝１００：１６〜２３）を撹拌した後、該混合物にフェライト＝１０８ｇ、分散剤ＢＹＫ−１１１＝１ｇを加えるとフェライトとエポキシ樹脂からなる電磁気妨害防止層５原料が完成する。
エポキシ添加量＝１０〜１５％、添加トルエン：電磁気障害防止層５原料＝１：２、粘度＝３０００ｃｐｓにする。
【００１０】
次に、本考案におけるインダクターの製造方法を以下に示す。
先ず、ドラム型フェライト芯１にΦ＝０．０６ｍｍのエナメル銅線２を８分満、６７巻きする。１Ｖｏｌｔ／１００ｋＨｚの条件でＨＰ４２７４　ＬＣＲメーターにてテストする。このときのインダクタンス値はＬ＝４０．１２μＨであった。
次に、希釈した電磁気妨害防止層５原料を三回塗装し、摂氏１００度で１５分間乾燥させ、ドラム型フェライト芯１表面に電磁気妨害防止層５を形成する。電磁気妨害防止層５の厚みは図１，２に示すように、ドラム型フェライト芯１の外縁までとし、ＬＣＲメーターにてテストする。このとき、直流電気抵抗２．２Ωで、定格電流ＩＤＣは２１０ｍＡで、インダクタンスの４７．２μＨとなり、インダクスの上昇倍率は１．１７６％に上昇する。
同様に、図５の表１に示すように、目標インダクタンスを１０μＨ、４７μＨ、３３０μＨに設定してインダクターを製造した場合を、目標インダクタンスを１０μＨとした場合はインダクスの上昇倍率は１．１６８％に上昇し、目標インダクタンスを４７μＨとした場合はインダクスの上昇倍率は１．１７３％に上昇し、目標インダクタンスを３３０μＨとした場合も、インダクスの上昇倍率は１．１７２％に上昇した。
【００１１】
更に、前記４７．２μＨのインダクターの以降の工程を簡単に説明すると、先ず、圧縮する→キャリアテープに入れる→成型する→切脚する→脚部を折り曲げる→再びＬＣＲメーターにてテストし、その結果、インダクタンス値はＬ＝４６．５６μＨとなり、インダクタンス値は約１．５％下降して完成する。
図６の表２は図４に示す装置による電磁気妨害テストデータで、本考案の前記実施例とその他の実施例のインダクタンス部品の実験データ数値の表であり、いずれも、元のインダクタンス値よりも妨害を受けたインダクタンス値が上昇し、電磁気妨害を防ぐ機能を持つことが明らかに証明されている。
【００１２】
【考案の効果】
本考案によると、インダクターにフェライトとエポキシ樹脂からなる電磁気妨害防止層を設けることにより、インダクタンス値が１．１６〜１．１７倍に上昇する効果を奏し、磁場が妨害を受ける距離も電磁気妨害防止層を設けていないインダクターと比べ短くなり、電磁気妨害を防ぐ機能を持つ効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本考案の実施例におけるインダクターの密封前の断面図である。
【図２】本考案の実施例におけるインダクターの密封後の断面図である。
【図３】本考案に実施例おけるもう一つの断面図である。
【図４】本考案におけるテスト装置図である。
【図５】本考案における他の実施例のインダクター製品の表１の図である。
【図６】本考案における実施例、並びに、他の実施例のインダクターのテストデータの表２の図である。
【符号の説明】
１　　ドラム型フェライト芯
２　　エナメル銅線
３　　電極
４　　エポキシ樹脂密封層
５　　フェライトとエポキシ樹脂からなる電磁気妨害防止層
６　　エポキシ樹脂粘着層
４０　ストッパー
Ａ　　直流電源供給器
Ｂ　　ＬＣＲメーター
Ｌ　　磁場妨害距離
【図１】
0003098537.tif 000003
【図２】
0003098537.tif 000004
【図３】
0003098537.tif 000005
【図４】
0003098537.tif 000006
【図５】
0003098537.tif 000007
【図６】
0003098537.tif 000008