【事件の表示】
　特許第２７３９９５４号「電力用半導体装置とその製造方法」の請求項１ないし１１に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結論】
　訂正を認める。
　特許第２７３９９５４号の請求項１ないし５に係る特許を維持する。
【理由】
Ｉ．手続の経緯
　本件特許第２７３９９５４号の請求項１乃至１１に係る発明は、昭和６３年５月２０日（パリ条約による優先権主張１９８７年５月２３日、独国）に出願され、平成１０年１月２３日に、その特許の設定登録がされ、これに対して、新高明より特許異議の申立があったので、当審において、当該申立の理由を検討の上、特許取消理由を通知したところ、その通知書で指定した期間内の平成１１年８月１９日に訂正請求がなされ（その後、平成１１年１０月８日付けで取下げ）、その後さらに、特許取消理由を通知したところ、その通知書で指定した期間内の平成１１年１０月８日に訂正請求がなされたものである。
ＩＩ．訂正の適否
１．訂正の内容
　上記平成１１年１０月８日付けでなされた訂正請求は、本件特許明細書を訂正請求書に添付した全文訂正明細書のとおりに訂正するものであって、訂正される事項は、以下のとおりである。
▲１▼訂正事項ａ
　特許請求の範囲の請求項１乃至請求項１１を
「（１）上面に電路として形成される導電パターン層と、前記導電パターン層に半田溶接された電力用半導体部品およびコネクタ板を含む構成部品とを有し、プラスチックの本体容器の底部に配置された絶縁性基板と、
　製造工程において前記基板と構成部品とを保持し位置決めを行う位置決め部を有し、ここで前記コネクタ板に対する位置決め部は位置決め凹部壁により形成され、半田溶接のためプラスチックの本体容器の上部にあり対向する底部への開口部を有し、前記基板と構成部品との半田溶接の際に治具として機能するプラスチックの本体容器と、
　を有する電力用半導体装置。
　（２）前記位置決め部は、コネクタ板を装備するための広い位置決め部と、コネクタ板に設けられた狭い接続部品を装着するための狭い位置決め部からなる十字形状である請求項１に記載の電力用半導体装置。
　（３）前記本体容器は、枠部分とカバー部分に分離できる請求項１又は２に記載の電力用半導体装置。
　（４）前記構成部品の一つであるプラグ・コネクタであって、一本のワイアーが半田溶接されており、制御端子を形成するためのプラグ・コネクタを有する請求項１、２、又は３に記載の電力用半導体装置。
　（５）前記制御端子のためのプラグ・コネクタが、前記本体容器の成形凹部に挿入される請求項４に記載の電力用半導体装置。」と訂正する。
▲２▼訂正事項ｂ
　発明の名称「電力用半導体装置とその製造方法」を「電力用半導体装置」と訂正する。
▲３▼訂正事項ｃ
　明細書第４頁第１４行目〜第１５行目（特許公報第２頁左欄第２７行目〜第２８行目）の「この発明は大電力を取扱う電気回路に使用される電力用半導体装置と、その製造方法に関する。」を「この発明は大電力を取扱う電気回路に使用される電力用半導体装置に関する。」と訂正する。
▲４▼訂正事項ｄ
　明細書第６頁第１８行目〜第２０行目（特許公報第２頁右欄第１５行目〜第１７行目）の「さらに好ましい実施例は、他の請求項で明記されている。また、請求項１０と１１はこの装置の製造方法を明記している。」を「さらに好ましい実施例は、他の請求項で明記されている。」と訂正する。
２．訂正の適否についての判断
（１）訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　前記訂正事項ａは、特許請求の範囲の記載をより限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮に該当し、また、前記訂正事項ｂ乃至ｄは、前記訂正事項ａによって生じる記載内容の齟齬を訂正により整合させようとするものであるから、それぞれ明りょうでない記載の釈明に該当する。
　そして、上記訂正事項ａ乃至ｄは、いずれも新規事項の追加に該当せず、また、特許請求の範囲を実質的に拡張したり、変更したりするものでもない。
（２）独立特許要件について
（２−１）訂正明細書の請求項１乃至５に係る発明
　訂正明細書の請求項１乃至５に係る発明（以下、それぞれ本件第１乃至５発明という。）は、それぞれその特許請求の範囲の請求項１乃至５に記載された前記のとおりのものと認める。
（２−２）特許法第２９条第１項又は第２項違反について
・引用刊行物
　訂正前の各請求項に係る発明に対して、当審が平成１１年２月２日付けで通知した取消理由で引用した刊行物１乃至４には、それぞれ以下の事項が記載されている。
［刊行物１：特開昭６１−１４０１５８号公報］
　電子機器などに使用される電力半導体モジュール等の半導体装置に関し、
（ア）「第１図において、１８は外部電極インサートケース、１０〜１４は外部電極端子であり、・・・これらは上記ケース１８の下方からこれに垂直にインサートされて成形されている。」（第２頁左下欄第１１行〜第１７行）、
（イ）「上記半導体装置の組立てについて説明する。第２図はトランジスタモジュールの場合を示し、金属ベース板１上の絶縁基板２を置く位置には、予めフラックス入りハンダ板又はクリーム状のハンダをハンダ印刷しておく。・・・さらに銅電極板３も同様に端子用セラミック基板４，５、モリブデン板６、銅ブロック８及びコレクタ電極１０ｃ、１１ｃを置く位置には予めハンダを付けておく。・・・端子用セラミック基板４，５には、・・・予めハンダを付けておく。」（第２頁右下欄第４行〜第２０行）、
（ウ）「外部電極インサートケース１８の金属ベース板１の周辺に相当する所に接着剤をコートし外部電極端子１０〜１４の先端に低温のクリームハンダをディスペンサーを使用しハンダ塗布を行ない、第２図において組立てたものの上に第１図のケースをかぶせてホットプレート上に数分間置き、外部電極のハンダ付けとケースの接着を行なう。」（第３頁左上欄第８行〜第１４行）及び
（エ）「このように本実施例の装置では、下方から外部電極がインサートされたケースと金属ベース板を一体化するようにしたので、金属ベース板にケースをはめ込むことにより外部電極端子の位置決めを治具によらず自動的にでき、また上記端子はケースと垂直にインサートされるので、該端子を曲げる必要はなく、さらにケースと金属ベース板が一体化しているため大幅に組立工数を減少できる。」（第３頁左上欄第１９行〜同右上欄第７行）と記載されている。
［刊行物２：特開昭６０−１５３１５５号公報］
　ケースの中の半導体素子の位置が接続端子の位置に関係なく自由に選べる電力用半導体装置に関し、
（オ）「第１図に示す電力用半導体装置は支持部材として金属製の底板１を有している。底板は例えばニッケルめっきした銅又はアルミニウムから成り、その上面ははんだ付け可能な層を備えている。底板１の上面には、電気的には絶縁性で熱伝導性のよい基板２が取付けられている。この基板は例えばベリリア磁器又はアルミナ磁器から成る。基板の上には、メタライズ層３，５を介して基板とはんだ付けされた二つの半導体６，７がマウントされいる。」（第２頁右下欄第９行〜第１８行）及び
（カ）「枠８の上には第３図に示す絶縁ふた２９がかぶせられ、このふたにはスリット状の孔３０，３１を備え、この孔を接続端子２０，１９が貫通する。」（第３頁右下欄第７行〜第９行）と記載されている。
［刊行物３：実願昭５９−１３２８１５号（実開昭６１−４６７５２号）のマイクロフィルム］
　パワートランジスタモジュールのように容器内に収容された半導体素体と接続され絶縁蓋体を貫通する端子として、素体の上方へ引き出される主端子のほかに設けられる補助端子のように、側方において上向きに引き出される端子を有する半導体装置に関し、
（キ）「絶縁型半導体素子において引き出される端子は、・・・半導体素体の電極との間を導線等によって接続していた。」（第２頁第１行〜第５行）及び
（ク）「第１図は本考案の一実施例を示し、・・・補助端子５は、金属基板１に固定された容器側枠２と断面Ｌ形の突出部２１との間に形成された溝８に差し込まれる脚部５１を有し、かつ蓋体３を貫通する貫通部５２の下に幅の広い肩部５３を有する。」（第３頁第１４行〜第１９行）と記載されている。
［刊行物４：特開昭６１−２９２９４９号公報］
　上下両面をメタライズされ、上面には構成素子を備え、プラスチックケースへ組み込まれ、封止用コンパウンドで覆われたセラミック基板から成る電力用半導体部品モジュールに関し、
（ケ）「第１図は、回復ダイオードを有する部分的に調整された単相ブリッジの実施例である。セラミック基板１の構造化されたメタライズ層２には、２個のサイリスタ３と３個のダイオード４が配置されている。」（第２頁右下欄第１５行〜第１９行）及び
（コ）「メタライズされ構造化された基板１を基礎とし、その上に、構成素子３，４と接合部材５乃至９が半田付けされている。第２図に示すように、基板１の下面は、メタライズ層１９を備えている。メタライズ層２及び１９は、好ましくは、銅とセラミックを直接結合することによって形成される。」（第３頁左上欄第１０行〜第１６行）と記載されている。
・対比・判断
　本件第１発明と上記刊行物１に記載された発明とを対比すると、刊行物１に記載の「銅電極板３」は本件第１発明の「導電パターン層」に、以下同様に、「半導体チップ７」は「電力用半導体部品」に、「絶縁基板２」は「絶縁性基板」に、「外部電極端子１０〜１４」は「コネクタ板」に、「ケース１８」は「本体容器」にそれぞれ相当すること、また、ケース１８の外部電極端子１０〜１４がインサートされている部分は、絶縁基板２に対して該外部電極端子１０〜１４を保持し位置決めを行い、該絶縁基板２と該外部電極端子１０〜１４との半田付けする際の治具として機能するものであることより、両者は、上面に電路として形成される導電パターン層と、前記導電パターン層に半田溶接された電力用半導体部品およびコネクタ板を含む構成部品とを有し、プラスチックの本体容器の底部に配置された絶縁性基板と、製造工程において前記基板と構成部品とを保持し位置決めを行う位置決め部を有し、前記基板と構成部品との半田溶接の際に治具として機能するプラスチックの本体容器と、を有する電力用半導体装置である点で一致し、以下の点において相違する。
　コネクタ板に対する位置決め部が、本件第１発明では、位置決め凹部壁により形成され、半田溶接のためプラスチックの本体容器の上部にあり対向する底部への開口部を有しているのに対し、刊行物１に記載されたものでは、そのような開口部を有していない点。
　そこで、上記相違点について検討すると、
上記刊行物１に記載されたものでは、絶縁性基板とコネクタ板との半田溶接は、予め該基板側にハンダを付けておき、該基板を熱板上に載せて行うか、加熱炉内に投入することで行うもので、本件第１発明のように本体容器の上部に設けられ、対向する底部への開口部を介して溶接を行うものと溶接手段を異にするものであり、刊行物１に記載されたものでは、そのような溶接のための開口部を必要としないものであることから、刊行物１に記載されたものから、上記相違点における本件第１発明の構成を容易に想到できるものではない。また、上記相違点に係る本件第１発明の構成は、上記刊行物２乃至４にも示唆する記載はなく、さらに、周知の構成であるとも認められない。
　したがって、本件第１発明は、上記刊行物１に記載された発明と同一の発明であるとも、上記刊行物１乃至４に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明することができたものとすることもできない。
　また、本件第２乃至５発明は、本件第１発明を引用して更にその構成を限定するものであるから、本件第１発明と同様の理由により、上記刊行物１に記載された発明と同一の発明であるとも、上記刊行物１乃至４に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明することができたものとすることもできない。
（２−２）第２９条の２違反について
・先願明細書
　訂正前の各請求項に係る発明に対して、当審が通知した上記取消理由で引用した先願明細書１及び先願明細書２には、それぞれ以下の事項が記載されている。
［先願明細書１：特願昭６１−３０８２０７号（特開昭６３−１６４２４８号）の願書に最初に添付した明細書又は図面］
　絶縁ケースを半田固着前の電子部品の位置決め用治具として用い、絶縁ケースと位置決め用冶具とを兼用するようにした電子機器の製造方法に関し、
（サ）「電子部品搭載用基板５は、金属板５ａの上に絶縁層５ｂが形成され、この絶縁層５ｂ上に所望の電気回路に応じた所定の形状の導電パターン６が形成されている。」（公開公報第２頁右下欄第６行〜第９行）、
（シ）「絶縁ケース２０には、ねじ穴１０を有する六角棒状ナット９が挿入される六角凹所２１と、この六角凹所２１に連通するスリット２２が形成されている。このスリット２２にはコ字状端子３０が挿入される」（同第２頁右下欄第１５行〜第１９行）、
（ス）「上記コ字状端子３０は、その基部３０ａを絶縁ケース２０の基部用スリット２２ａに、また、端子立上り部３０ｂを上記絶縁ケース２０の端子立上り部用スリット２２ｂに、それぞれ挿入することができ、かつ他の別部材として用意された位置決め用冶具を使用することなく電子部品搭載用基板５の所定の位置に位置決めできることになる。」（同第３頁左上欄第１０行〜第１７行）及び
（セ）「次に、上記のように構成された各部材を用いるこの発明の電子機器の製造方法を、第２図を参照して説明する。
　まず、電子機器搭載用基板５を絶縁ケース２０の裏面から挿入し、・・・
　次に、・・・コ字状端子３０を、それぞれのスリット２２ａ，２２ｂの位置に対応するように配慮しつつ、スリット２２に挿入する。
　上記の当該スリット２２に挿入することで、コ字状端子３０の基部３０ａは、電子部品搭載用基板５の所定の導電パターン６上に自動的に位置決めされることになる。
　なお、上記コ字状端子３０の基部３０ａの裏面側には、あらかじめ適当なソルダペースト等が塗布され、・・・
以上の準備の後、上記絶縁ケース２０に収まった電子部品搭載用基板５を下面にして熱板上に載せ、あるいは加熱炉内に投入して加熱する。」（同第３頁右上欄第２行〜同左下欄第１１行）と記載されている。
［先願明細書２：特願昭６１−２５９０２４号（特開昭６３−１１１６５８号）の願書に最初に添付した明細書又は図面］
　ケース内部で樹脂封止された半導体チップを備えた半導体装置に関し、
（ソ）「第１図は本発明に係る半導体装置をダイオードモジュールに適用した例を示す斜視図で、・・・同図において、符号１１で示すものは有底筒状の箱体で、矩形状の絶縁基板１２および角筒状のケース１３からなり、その内部には半導体チップ３を封止する前記シリコンゲル８が充填されている。この箱体１１のケース１３には、前記半導体チップ３に接続する直流出力端子６および三相入力端子７を挿通保持する保持部１４が一体に設けられている。１５は前記箱体１１を密閉する蓋体で、前記ケース１３に設けられ、かつ前記保持部１４の周囲に取り付けられている。」（公開公報第２頁左上欄第１９行〜同右上欄１２行）及び
（タ）「次に、前記した半導体装置の組み立て方法について説明する。
　先ず、絶縁基板１２上に導電層４，半導体チッフ３を接合する。・・・そして、直流出力端子６，三相入力端子７が保持部１４を挿通するケース１３を絶縁基板１２に取付けることにより箱体１１を形成すると共に、直流出力端子６，三相入力端子７を半田付けし、箱体１１内にシリコンゲル１８を充填した後、ケース１３に蓋体１５を取り付ける。」（同第２頁左下欄第６行〜同欄第１６行）と記載されている。
・対比・判断
　本件第１発明と上記先願明細書１に記載された発明とを対比すると、先願明細書１に記載された「導体パターン６」は本件第１発明の「導電パターン層」に、以下同様に、「電子部品８」は「電力用半導体部品」に、「電子部品搭載用基板５」は「絶縁性基板」に、「コ字状端子３０」は「コネクタ板」に、「絶縁ケース２０」は「本体容器」にそれぞれ相当することより、両者は、上面に電路として形成される導電パターン層と、前記導電パターン層に半田溶接された電力用半導体部品およびコネクタ板を含む構成部品とを有し、プラスチックの本体容器の底部に配置された絶縁性基板と、製造工程において前記基板と構成部品とを保持し位置決めを行う位置決め部を有し、前記基板と構成部品との半田溶接の際に治具として機能するプラスチックの本体容器と、を有する電力用半導体装置である点では一致しているものの、コネクタ板に対する位置決め部が、本件第１発明では、位置決め凹部壁により形成され、半田溶接のためプラスチックの本体容器の上部にあり対向する底部への開口部を有しているのに対し、先願明細書１に記載された発明では、そのような開口部を有していない点で相違している。
　そこで、上記相違点について検討すると、
先願明細書１に記載された発明では、絶縁性基板とコネクタ板との半田溶接は、予め該コネクタ板側にハンダを塗布しておき、該基板を熱板に載せ、あるいは加熱炉内に投入して行うもので、本件第１発明のように本体容器の上部に設けられ、対向する底部への開口部を介して溶接を行うものと溶接手段を異にするものであり、先願明細書１に記載された発明には、そのような溶接のための開口部を必要としないものであるから、先願明細書１に記載された発明において、本件第１発明のように上記開口部を設けることを、単なる設計変更とすることはできない。また、上記相違点に係る本件第１発明の構成は、周知の構成とも認められない。
　よって、本件第１発明は、上記先願明細書１に記載された発明と同一の発明であるとすることはできない。
　また、上記先願明細書２に記載された発明においても、上記先願明細書１に記載された発明との対比においての上記相違点に係る本件第１発明の構成は有していないことより、本件第１発明は、上記先願明細書２に記載された発明と同一の発明であるとすることもできない。
　さらに、本件第２乃至５発明は、本件第１発明を引用して更にその構成を限定するものであるから、本件第１発明と同様の理由により、上記先願明細書１又は先願明細書２のそれぞれに記載された発明と同一の発明であるとすることはできない。
（２−３）第３６条違反について
　訂正前の請求項１及び１０における記載について、当審が通知した上記取消理由で不明瞭とした点は、上記訂正請求により解消された。
　また、他に本件第１乃至５発明が特許出願の際独立して特許を受けることができないとする理由を発見しない。
　よって、本件第１乃至５発明は、特許出願の際独立して特許を受けることができるものである。
（３）むすび
　以上のとおりであるから、前記訂正請求は、特許法第１２０条の４第２項第１号及び第３号に掲げる事項を目的とし、同条第３項で準用する同法第１２６条第２項乃至第４項の規定について、平成６年法律第１１６号附則第６条第１項の規定により、なお従前の例によるとされることから適用される同法律第１１６号による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書き及び同条第２及び３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
ＩＩＩ．特許異議の申立についての判断
１．本件発明
　本件特許に係る発明は、訂正された特許明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１乃至５に記載された上記のとおりのものと認める（以下、上記「ＩＩ．訂正の適否」の項と同様に、それぞれ本件第１乃至５発明という。）。
２．特許異議申立の理由の概要
　特許異議申立人の新高明は、甲第１乃至６号証を提出して、訂正前の特許請求の範囲の請求項１、４、６、７、８、９、１０及び１１に係る発明は、甲第１乃至４号証に記載の発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、同請求項１、４、６、７、８、９、１０及び１１に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反（「申立理由１」）してなされたものであり、また、訂正前の特許請求の範囲の請求項１、２、３、５、９、１０及び１１に係る発明は、その出願日より前に提出された特許出願である、甲第５又は６号証に係る出願当初の明細書又は図面に記載された発明と同一であるから、同請求項１、２、３、５、９、１０及び１１に係る特許は、特許法第２９条の２の規定に違反（「申立理由２」）してなされたものであり、それらの特許を取り消すべき旨主張する。
３．申立理由１について
　上記甲第１乃至４号証は、それぞれ上記「ＩＩ．訂正の適否」の独立特許要件についての検討における刊行物１乃至４と同一のものであり、そこで指摘した事項が記載されている。
　そして、本件第１乃至５発明は、上記「ＩＩ．訂正の適否」の独立特許要件についての項で検討したとおり、甲第１乃至４号証に記載されたものから、当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
４．申立理由２について
　上記甲第５及び６号証に係る出願当初の明細書又は図面は、それぞれ上記「ＩＩ．訂正の適否」の独立特許要件についての検討における先願明細書１及び先願明細書２と同一のものであり、そこで指摘した事項が記載されている。
　そして、本件第１乃至５発明は、上記「ＩＩ．訂正の適否」の独立特許要件についての項で検討したとおり、先願明細書１又は先願明細書２のそれぞれに記載された発明と同一であるとすることはできない。
５．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立の理由及び証拠方法によっては、本件第１乃至５発明に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件第１乃至５発明に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１１年１２月２日（１９９９．１２．２）
【訂正の要旨】
　上記訂正請求における訂正の要旨は、次のとおりである。
１．特許請求の範囲の減縮を目的として、
▲１▼訂正事項ａ
　特許請求の範囲の請求項１乃至請求項１１を
「（１）上面に電路として形成される導電パターン層と、前記導電パターン層に半田溶接された電力用半導体部品およびコネクタ板を含む構成部品とを有し、プラスチックの本体容器の底部に配置された絶縁性基板と、
　製造工程において前記基板と構成部品とを保持し位置決めを行う位置決め部を有し、ここで前記コネクタ板に対する位置決め部は位置決め凹部壁により形成され、半田溶接のためプラスチックの本体容器の上部にあり対向する底部への開口部を有し、前記基板と構成部品との半田溶接の際に治具として機能するプラスチックの本体容器と、
　を有する電力用半導体装置。
　（２）前記位置決め部は、コネクタ板を装備するための広い位置決め部と、コネクタ板に設けられた狭い接続部品を装着するための狭い位置決め部からなる十字形状である請求項１に記載の電力用半導体装置。
　（３）前記本体容器は、枠部分とカバー部分に分離できる請求項１又は２に記載の電力用半導体装置。
　（４）前記構成部品の一つであるプラグ・コネクタであって、一本のワイアーが半田溶接されており、制御端子を形成するためのプラグ・コネクタを有する請求項１、２、又は３に記載の電力用半導体装置。
　（５）前記制御端子のためのプラグ・コネクタが、前記本体容器の成形凹部に挿入される請求項４に記載の電力用半導体装置。」と訂正する。
２．明細書中の明りょうでない記載の釈明を目的として、
▲２▼訂正事項ｂ
　発明の名称「電力用半導体装置とその製造方法」を「電力用半導体装置」と訂正する。
▲３▼訂正事項ｃ
　明細書第４頁第１４行目〜第１５行目（特許公報第２頁左欄第２７行目〜第２８行目）の「この発明は大電力を取扱う電気回路に使用される電力用半導体装置と、その製造方法に関する。」を「この発明は大電力を取扱う電気回路に使用される電力用半導体装置に関する。」と訂正する。
▲４▼訂正事項ｄ
　明細書第６頁第１８行目〜第２０行目（特許公報第２頁右欄第１５行目〜第１７行目）の「さらに好ましい実施例は、他の請求項で明記されている。また、請求項１０と１１はこの装置の製造方法を明記している。」を「さらに好ましい実施例は、他の請求項で明記されている。」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
電力用半導体装置
（５７）【特許請求の範囲】
　（１）上面に電路として形成される導電パターン層と、前記導電パターン層に半田溶接された電力用半導体部品
およびコネクタ板を含む構成部品
し、プラスチックの本体容器の底部に配置された
　
製造工程において
を有し、ここで前記コネクタ板に対する位置決め部は位置決め凹部壁により形成され、
プラスチックの本体容器の上部にあり対向する底部への
プラスチックの
　を有する電力用半導体装置。
　（
２
　（
３
２
　（
４
　（
５
４
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
　この発明は大電力を取扱う電気回路に使用される電力用半導体装置に関する。
〔従来の技術〕
　このような電力用半導体装置は、西独出願番号３，６０４，３１３で知られている。この電力用半導体装置は、底部で開いているプラスチックの容器を具備する。その上面に導電パターン層（金属被膜基板）を持ち、半導体素子と装置内部のための電気接続素子をもち半田で電気的に接続されているセラミック製基板は、基礎の面となる。加えて、外部に負荷電流を運ぶ基本端子の接続素子は、形成された基板に溶接されている。制御端子は、基板の平板上の突出物が基板の外の部分に広がっているため、いわゆる突出端子と呼ばれている。制御端子はワイアーボンダーによる配線工程がすんだ後、二回目の半田溶接で溶接されるか、薄い套管に挿入される。しかし主接続のためのコネクタ板は、ちょうど他の一般的な装置のように、一回目の半田溶接で前記基板上のコネクタ板が直立して半田溶接される。溶接を行なうには高価な溶接用のジグが必要であり、これは半田溶接する際にコネクタ板が破損しないよう必要な場所に設置されるものである。
　１９８７年１月８日付けのエレクトロニック・デザイン誌（ＥＩｅｃｔｒｏｎｉｃ　Ｄｅｓｉｇｎ）の１５６頁に、４ｅ図において装置の製造過程が示される中で、横になった状態のコネクタ板が溶接される製造工程が示されている。この説明の結論は一方では、半田溶接の通路が溶接後でも形成でき、溶接ジグが不必要になり、単なる整列のための道具のみ必要であることを示している。しかしコネクタ板は溶接の後、本体容器から分離され上に向けて曲げられなければならない。これは一定の複雑さをともない、半田溶接の部分に機械的な圧力を加えることとなる。
〔発明が解決しようとする課題〕
　この発明は電力用半導体装置の生産が簡略化するよう、また生産するとき特に位置決めや配列のための装置の助けが不必要となるように、電力用半導体装置の構造を工夫することを目的としている。
〔課題を解決するための手段及び作用〕
　この目的は、請求項１で特徴づけられた電力用半導体装置により達成されている。
　さらに好ましい実施例は、他の請求項で明記されている。
　この発明の一つの実施例によれば、装置は異なった半田溶接温度において二回に分けて半田溶接を行なうことによりつくられ、一回目のみでは外部接続素子は完成しない。一回目の半田溶接が終り部品を組込んだ後の電力用半導体装置の基板は溶接するに適しており、また装置の機能を試験するにも都合がよい。適切な形状に形成されたプラスチック製の本体容器の凹部は、二回目の溶接において溶接ジグとして使用される。すなわち、この容器の凹部により接続部品は正確に一直線に整列させられる。二回目の溶接においてプラスチックの容器は体積が少ないので、都合のよい短時間の溶接時間のみでよい。また連続した高熱で溶接が可能なように、耐熱構造をとっている。もう一つの方法として、接続素子の必要部分だけを溶接に必要な温度に短時間熱するだけで、二回目の溶接は都合よく可能である。この場合プラスチックの容器に対する熱の負担は最も小さく、一回目の溶接の場合と同じ温度で半田が溶ける。温度抵抗と関係がある普通の条件を満足するプラスチックの容器を使ってもよい。一回目の場合よりも低温で行なわれた二回目の溶接を終えた後、電力用半導体装置は普通の方法で容器に納められ、スプリングのロック付のカバーがその上に装着される。そして、カバーの狭い開口部より突き出した一対のコネクタ板が単純に曲げられる。
　この発明の他の実施例によれば、配線工程を必要としない装置が示され、この装置は半導体のチップや外部端子につながる接続金具やコネクタ板が挿入され、半田溶接の段階でその状態を維持される埋込み穴を具備した耐熱性のあるプラスチックの容器を有する。
〔実施例〕
　発明は明細書の実施例の中で、さらに詳しく陳述される。
　第２図から第９図までの電力用半導体装置のさらに詳しい説明は、発明の詳細な説明により明らかになり、また第１図はこの発明の基礎となる回路図を示す。第１図においてこの電力用半導体装置は、二つのゲート・オフ・サイリスタ１と二つのダイオード２を具備し、三つの基本端子３と四つの制御用端子４を具備する。
　第２図は、直接に溶接する方法で装着された導体部分としての銅領域６を持つ、酸化アルミニウムによるセラミック製基板５を示す。半導体（ダイオード）１、２は、銅領域６に半田溶接される。半田溶接部分７、すなわち銅領域６のある部分は製造工程の一段階目で、溶接材料により半田メッキされる。その後に接続部品は、前記溶接領域７に溶接される。第２図はさらに、ダイオード２と銅領域６の間に溶接され電気的な関係をつくる留め金具８を示している。そして、超音波溶接法により作られた配線９は、サイリスタ１と銅領域６の間にされる。
　第３図は、耐熱性のプラスチックによる本体容器１０の平面図である。当該電力用半導体装置の本体容器１０として示されている架構はこの発明の本質である構成を示しており、位置決め凹部１１を作るための位置決め凹部壁１３を具備しており、第５ａ図と第５ｂ図に示すコネクタ板１２は第７図に示すように製造工程において位置決め凹部１１に挿入される。
　位置決め凹部壁１３による位置決め凹部１１の形成は、第４図に示す外観を考え合せれば明らかになる。第４図は、第３図に示された当該電力用半導体装置の本体容器１０の破線ＡＢにおける断面を示した図である。さらに位置決め凹部１１は第３図と第４図で明らかなように、それぞれ狭い位置決め凹部１４と広い位置決め凹部１５とからなる。さらに第４図は、広い位置決め凹部１５は狭い位置決め凹部１４よりも高い位置にあることを示している。広い位置決め凹部１５は、位置決め凹部壁１３上のモールド部材１６により形成されている。モールド部材１６をもつ二つの位置決め凹部壁１３は、広い部分と狭い部分とからなる十字架構造の部屋１１を形成するべく鏡像のように構成され、適当な距離を置いて形成されている。第４図に見られるように、位置決め凹部壁１３は当該電力用半導体装置の本体容器１０のほぼ中央に約１／３の高さで設けられている。この結果、位置決め凹部壁１３の下の空間は、当該電力用半導体装置の本体容器１０に挿入されるセラミック製基板５の上の部品１，２（第４図では見られぬが）が収納されるために残されている。形成された部分１６により形成された広い位置決め凹部１５は、第８図，第９図で示される容器カバー１７がその上を覆っている当該電力用半導体装置の本体容器１０の最上部の縁に達している。
　さらに当該電力用半導体装置の本体容器１０の詳細は、これは従来技術でも知られていたが、第３図、第４図で見ることができる、固定ネジのための穴１９を備えた固定突縁１８は、当該電力用半導体装置の本体容器１０に具備されている。溝２０は突縁１８の領域に設けられており、固定ネジの領域からセラミック製基板５への機械的圧力の伝達が妨げるように設けられている。当該電力用半導体装置の本体容器１０の底部において、セラミック製基板５を受けるための埋込み穴２１と、埋込み穴２１の中の粘着性の残余物を受ける溝２２が用意されている。またさらに形成された成型凹部２３は第３図にその平面図が示されており、第６ａ図に示されたプラグ・コネクタ２９は制御端子４を形作っている。
　第５ａ図と第５ｂ図は、すでに述べたがコネクタ板１２の側面図と正面図を示している。コネクタ板上部２４において、コネクタ板１２が引伸ばされた穴２５を持っている。本体容器のカバー１７が装着された後は、前記コネクタ板上部２４は本体容器カバー１７の狭い開口部２６を通して突き出され、第８図で見られるように開口部２６で曲げられる。
　さらに、だ円の穴２５を持つ広いコネクタ板上部２４で、第５ａ図と第５ｂ図で示されるコネクタ板１２は、Ｚ形に角をつけられた半田溶接部を持つ狭い接続金具２７を備えている。
　第６ａ図と第６ｂ図は、制御端子４で説明したプラグ・コネクタ２９を示す。これらは、当該電力用半導体装置の本体容器１０の成型凹部部２３に挿入されるために設けられたコネクタ・タブ３０と、コネクタ基礎部３１を備えている。コネクタ基礎部３１は、二箇所で曲げられた一本のワイアー３２を備えている。前記ワイアー３２は、プラグ・コネクタ２９が成型凹部２３に挿入された後、セラミック製基板５に備えられた半田溶接領域７にこのワイアーの先端３３が達するように曲げ加工してある。
　第７図では、当該電力用半導体装置の本体容器１０の平面図が再び示されているが、しかし各部品が装着された後であり、セラミック製基板５は当該電力用半導体装置の本体容器１０の底の面に接着され、コネクタ板１２は位置決め凹部１１に位置され、プラグ・コネクタ２９は成型凹部２３に挿入されている。目的を明快にするために、第２図で示された配線９と留め金具８は、第７図では省略している。
　第８図は本体容器カバー１７の平面図で、当該電力用半導体装置の本体容器１０の上に装着される。三つのコネクタ板上部２４は、本体カバー１７の狭い開口部２６を貫通した後、曲げられる。ネジ３４は基本端子３を形成するよう、コネクタ板上部２４の延長穴２５を通してナット止めされる。最終的に第９図は、さらに完成した当該電力用半導体装置の側面図を示している。
　図で示した当該電力用半導体装置の製造方法について、以下に述べる。
　まず第一に導電体である銅領域６を備えたセラミック製基板５について述べる。銅領域６は既知の直接半田溶接する方法で、セラミック製基板５に接続される。サイリスタ１と（ここではＧＴＯサイリスタであるが）、ダイオード２と留め金具８は銅領域６に溶接される。この半田溶接は、たとえば連続的に熱せられた炉で約３００度の温度の溶解した半田により行なわれる。さらに、第２図に示された半田溶接領域７は、後の半田溶接の準備段階として、例えばＰｂＳｎ６０のような低温で溶解する材料で半田メッキされる。配線９は、ターン・オフ・サイリスタ１のカソードとゲートの端子と銅領域６の間は超音速の太線ワイアーボンディング法により配線される。明らかに配線９は、留め金具８の代りにダイオード２と接続ができる。部品が実装済みの基板は第２図で示され、重要な電気パラメーターを試験できる状態にある。この広さの中に部品が実装してあるセラミック製基板５は、第４図と第５図で示される当該電力用半導体装置の本体容器１０の底の面に備えられた埋込み穴２１に、本体容器と基板の間の機械的な衝撃を避ける目的で弾力のあるシリコン・ゴムによって接着されている。しかしそれ以外の方法としては、一度目の半田溶接で前記基板５を銅板の上に溶接し（この銅板は図にはないが）、次にそれを当該電力用半導体装置の本体容器１０に接着させることで製造される。
　当該電力用半導体装置の本体容器１０は、後の二回目の半田溶接で破壊されないように、耐熱性のあるプラスチックでできている。部分的には、例えば２００度から２６０度の間の溶解点をもつ、透明で熱可塑性のあるポリエステルなどが適している。
　接着の準備の後、第５ａ図と第５ｂ図で示されたコネクタ板１２は、第７図で示したように位置決め凹部１１に挿入される。位置決め凹部１１は、二回目の溶接工程において溶接ジグとして作用する。コネクタ板１２の半田溶接部２８は、銅領域６の半田溶接領域７に接面している。溶接面に半田がよく乗るように、コネクタ板はあらかじめニッケル・メッキか銀メッキか錫メッキにする。
　また第７図に示すように、第６ａ図と第６ｂ図で示すプラグ・コネクタ２９は、ワイア−の先端３３が半田溶接領域７に達するよう整列されたワイアーを装着し、成型凹部２３に挿入される。ワィァー３２は銅領域６とプラグ・コネクタ２９の間の接続部品として好都合であり、その理由は簡単にワイアーを曲げるだけで、銅領域６を備えた基板５の異なった設計の回路が実現するからである。
　言うなれば、必要とされる部品の数または経済的効率によっては、さらに多くの変形例が可能である。つまり、プラグコネクタ２９が、複数のワイア３２の代りとして、成型された形状で製造元から提供されるのであれば、このコネクタのみを直接装着してもよい。又、銅領域６に備えられた半田溶接領域７の代りに、溶剤を含んだ数滴の半田ペーストを備えたコネクタ板１２の半田溶接部２８とワイアー３２の解放された先端３３を用意してもよい。装着する手数を省くために、ダイオード２とプラグ・コネクタ２９がすでに装着された形で当該電力用半導体装置の本体容器１０を供給者から受取ることにしてもよい。
　コネクタ板１２とワイアー３２は、二回目の溶接において銅領域６に接続される。表面処理された半田溶接領域７が用意できた場合は、減圧下のもとで最大溶接温度の２２０度の連続燃焼炉で半田溶接が可能である。赤外線ランプの照射により連続的に熱せられた炉を使用すれば、当該電力用半導体装置の本体容器１０や基板５はその質量が小さいので、例えば１分から２分の短い時間で半田溶接が可能である。例えば３Ｍ社製のＦＣ−７０などの蒸気相半田溶接槽を用いて、沸騰点２１５度の沸騰した半田溶液を用いれば同等の効果を得られる。しかしながら他の半田溶接技術も用いられ、例えばレーザービームやあるいは抵抗加熱、加圧プローブを使ういわゆるパルス・リフローを用いた半田溶接の一点加熱による半田溶接技術が使用される。この場合、耐熱性のプラスチックの使用を少なくするために、プラスチックの部分に及ぼす熱による損害は最小となるようにしてある。
　最後の製造工程として、この大きさで完成された装置は柔らかいシリコンで内部を満たされ、既知の方法でエポキシ樹脂で満たされたのち、プラスチックの本体容器カバー１７を装着される。ナットは本体容器カバー１７の基本端子３のある場所の埋込み穴に備えられ、コネクタ板上部２４の延長穴２５はそれぞれナットの上に位置してそこにネジが入るように、カバーから突き出したコネクタ板上部２４は曲げられる。
　第二の実施例については、第１０図から第１６図で示される。この電力用半導体装置のプラスチック容器は、外部端子を配列させる半田溶接ジグとして機能するだけでなく、半導体チップと当該装置内部の接続金具のための半田溶接ジグとしても機能する。この装置は、西独特許出願３，６１０，２８８において類似した実施例がすでに知られている。しかしこの出願の装置では、装置の本体容器は半田溶接ジグとしては使用できない。出願の装置は単相整流器の実施例として開示されているにすぎない。
　第１０図はこの場合セラミック製ではない基板３５の平面図であり、たとえばポリイミド樹脂またはエポキシ樹脂などの絶縁層で表面処理された金属板であり、例えばアルミニウムの薄板等である。絶縁層３６は適当な静電容量を持ち、（たとえば１秒間に３ｋＶくらいの耐久電圧を持つ）また同じ時間で良好な温度状態を保つものである。さらに導電パターン層３７が、絶縁層３６に備えられている。絶縁層と銅層を備えたこのような金属基板としては、デンカ（ＤＥＮＫＡ）のヒット・プレート（Ｈｉｔ　Ｐｌａｔｅ）などがある。そのため、この基板の製造方法の説明は不必要である。
　この第２の実施例の基板３５は四角い形をしており、装置は中央のネジにより固定されその結果として中央に配列されるように、中央には穴３８が開いている。さらに第１０図の平面図は、第１１図の半田部分４０をその上に具備した領域３９を表わしている。領域３９は融剤を含んだ半田部分４０を、例えばスクリーン印刷の方法で焼付けられいる。半田部分４０は乾いている。この部分を乾燥させる工程はもう一つの工程と同時に達成される、すなわち、プラスチック製の本体容器４５（第１４図）に基板３５を接合させるための粘着性を乾燥させる工程と同時に行なわれる。
　第１１図は、第１０図に描かれた直線Ｃ−Ｄに沿っての断面図である。基板３５は、例えば、約１ｍｍ厚のアルミニウム板と、７０μｍの絶縁層３６と、約３５μｍの導電パターン層３７からなっている。
　第１２図は、基板に装着される部品を示しており、すなわちコネクタ上部４１と、ループ状拡張部分４２、装置の内部に半導体チップ４４を接続するための金具４３とを示している。
　第１３図は、プラスチック製の本体容器４５の平面図である。第１４図は、プラスチック製の本体容器の断面図であり、第１３図の直線Ｅ−Ｆによる。
　さらに中央穴４６はネジを留めるためのものであり、またプラスチック製の本体容器４５は、半田溶接工程時に部品４１，４３，４４の位置を固定するために特に形成された埋込み穴４７．１，４７．２を具備している。この接続において、埋込み穴４７．１にはプラグ・コネクタ上部４１を、埋込み穴４７．２には半導体チップ４４をそれぞれ挿入してその位置を固定する。金具４３は第１５図のようにそれぞれ埋込み穴４７．１，４７．２を通過し、装着するものである。またちょうど初めに示した実施例の本体容器１０のように、プラスチック製の本体容器４５は耐熱性を持っていなければならない。埋込み穴４８は基板３５を挿入するために、プラスチック製の本体容器４５の底の部分に設けられている。
　基板３５は例えば温度上昇で硬質化させたシリコン・ゴムを用いて、プラスチック容器４５に接着されている。そして、本体容器の埋込み穴４７．１と４７．２に構成部品が挿入される。初めに半導体チップ４４が挿入され、そして金具４３が、そして最後にプラグ・コネクタ上部４１が挿入される。これらの部品は溶接の前に任意に半田メッキされ、その結果として、あらかじめ半田メッキされた基板３５の半田メッキ領域３９に接合され、埋込み穴４７．１，４７．２により整列される。部品が装着された当該装置は、第１５図で示される。
　低温で融解するＰｂＳｎ（半田）は、溶接材料としてよく使用される。部品を装着された装置は、赤外線の照射により連続的に熱せられた炉で溶接される。溶接の後のフラックスの残余は溶解液で洗い落される。最終的に装置は既知の方法で、第１６図の容器の角の上部のやや下に見ることができる高さまで封入合成物４９で満たされる。第１６図は完成された当該電力用半導体装置を示している。
〔発明の効果〕
　この発明の本体容器によれば、生産の一過程である半田溶接の際に、溶接すべき構成部品を本体容器に設けられた埋込み穴、位置区分凹部に挿入しその配列を固定することで、従来のような半田溶接用のジグ（補助装置）を必要とせずに溶接を行うことが可能となり設備、工程の簡略化が計られる。
【図面の簡単な説明】
　第１図は、第２図〜第９図の電力用半導体の回路図、
　第２図は、各構成要素を装着したセラミック製基板の平面図、
　第３図は、プラスチックの容器の平面図、
　第４図は、第３図のプラスチックの容器の内部の図、
　第５図（ａ）は、取付け金具の側面図、
　第５図（ｂ）は、取付け金具の正面図、
　第６図（ａ）は、取付けワイヤーが溶接されたプラグ・コネクターの正面図、
　第６図（ｂ）は、取付けワイヤーが溶接されたプラグ・コネクターの側面図、
　第７図は、セラミック製の基板が挿入され、接続用突起物、プラグ・コネクターが装着された容器の平面図、
　第８図は、プラスチックのカバーが取付けられて完成された電力用半導体素子の平面図、
　第９図は、完成された電力用半導体素子の側面図、
　第１０図、第１１図は、第１５図、第１６図による２番目の模範的な実施例で説明される単相整流器の基板の平面図、
　第１２図は、２番目の模範的な実施例のための部品の側面図、
　第１３図、第１４図は、２番目の模範的な実施例のプラスチックの容器の平面図、
　第１５図は、部品が装着された電力用半導体素子の平面図、
　第１６図は、ケースに納められた電力用半導体素子の側面図である。
１，２…半導体（ダイオード）　３…基本端子　４…制御端子　５…セラミックの基板　６…銅領域　７…半田溶接領域　８…留め金具　９…配線　１０…本体容器　１１…位置決め凹部　１２…コネクタ板　１３…位置決め凹部壁　１４…狭い位置決め凹部　１５…広い位置決め凹部　１６…形成された部分　１７…本体容器カバー　１８…固定突縁　１９…穴　２０…溝　２１…埋込み穴　２２…溝　２３…成形凹部　２４…コネクタ板上部　２５…延長された穴　２６…狭い開口部　２７…狭い接続部分　２８…半田溶接部　２９…プラグ・コネクタ　３０…コネクタ・タブ　３１…コネクタ・基礎部　３２…ワイアー　３３…ワイアーの先端部　３４…ネジ　３５…基板　３６…絶縁層　３７…導電パターン層　３８…穴　３９…露出領域　４０…半田部分　４１…プラグ・コネクタ上部　４２…ループ状拡張部分　４３…金具　４４…半導体チップ　４５…プラスチック製の本体容器　４６…中央穴　４７．１…特別に形成された埋込み穴　４７．２…特別に形成された埋込み穴　４８…埋込み穴　４９…封入合成物。