【事件の表示】
　特許第２７２３８６３号「集積化受光素子及びその製造方法」の請求項１ないし７に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結論】
　訂正を認める。
　特許第２７２３８６３号の請求項１ないし３に係る特許を維持する。
【理由】
［１］手続の経緯
　特許第２７２３８６３号（昭和６３年２月１０日出願日（特願昭６３−２９２４８の分割）、平成９年１１月２８日設定登録）は、その後、石原芳雄、西垣伸孝より特許異議の申立がなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１１年６月８日に訂正請求がなされた後、同年８月４日付けで訂正拒絶理由通知の手交がなされ、同日付けで手続補正書が提出された後、さらに、その指定期間内である平成１１年１０月１日に、再度、手続補正書が提出されたものである（なお、同年８月４日付けの手続補正書は取り下げられた。）。
［２］訂正の適否についての判断
（１）訂正請求書に対する補正の適否について
１）訂正事項ｂについて
　訂正請求書の（３）訂正事項及び（４）訂正の原因における訂正事項ｂについての補正は、全文訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１について、「【請求項１】受光部と回路部とを１チップの半導体基板の表面に集積化して前記半導体基板の表面上に表面保護膜を設け、前記受光部と接続される電極部の保護用の前記表面保護膜を残して前記受光部表面の前記表面保護膜に開口部を設け、前記受光部上に設けられた前記開口部に反射防止膜を設け、前記開口部の前記受光部表面と前記反射防止膜との接触部が酸化シリコン膜である集積化受光素子。」とする、特許請求の範囲の減縮及び明りょうでない記載の釈明に該当する補正にともない、その補正との整合を保つためものである。
２）訂正事項ｃについて
　訂正請求書の（３）訂正事項及び（４）訂正の原因における訂正事項ｃについての補正は、同請求項２及び３について、請求項２を削除するとともに請求項３を新たな請求項２とする、明りょうでない記載の釈明に該当する補正にともない、その補正との整合を保つためのものである。
３）訂正事項ｄについて
　訂正請求書の（３）訂正事項及び（４）訂正の原因における訂正事項ｄについての補正は、同請求項４について、同請求項２の削除にともない、新たに請求項３として、「【請求項３】受光部と回路部とを１チップの半導体基板の表面に集積化した集積化受光素子の製造方法であって、前記受光部上の層間絶縁膜を除去する工程、前記受光部上に酸化シリコン膜を形成した後に少なくとも前記受光部上に前記反射防止膜を形成する工程、前記受光部及び前記回路部の上部に表面保護膜を形成する工程、および、前記受光部上の前記表面保護膜を前記受光部に接続された電極部周辺部を残して除去する工程を有する集積化受光素子の製造方法。」とする、特許請求の範囲の減縮及び明りょうでない記載の釈明に該当する補正にともない、その補正との整合を保つためのものである。
４）訂正事項ｅについて
　訂正請求書の（３）訂正事項における訂正事項ｅについての補正は、全文訂正明細書の段落【０００５】について、明りょうでない記載の釈明に該当する補正にともない、その補正との整合を保つためのものである。
５）訂正事項ｆについて
　訂正請求書の（３）訂正事項における訂正事項ｆについての補正は、全文訂正明細書の段落【０００７】について、明りょうでない記載の釈明に該当する補正にともない、その補正との整合を保つためのものである。
６）訂正事項ｇ、ｈ、ｉについて
　訂正請求書の（３）訂正事項における訂正事項ｇ及び訂正事項ｈについての補正は、それぞれ、全文訂正明細書の段落【０００９】及び【００１０】について、明りょうでない記載の釈明に該当する補正にともない、その補正との整合を保つためのものであり，また、（３）訂正事項における訂正事項ｉは、全文訂正明細書の段落【００１１】について、明りょうでない記載の釈明に該当する補正にともない追加したものである。
　そして、上記補正１）〜６）は、いずれも、訂正請求書の要旨を変更するものではなく（なお、上記６）において訂正事項ｉを追加しているが、この追加は、訂正請求に係る訂正を求める範囲を実質的に変更するものではない。）、特許法第１２０条の４第３項で準用する同法第１３１条第２項の規定に適合するから、以下、補正された訂正請求書に基づいて検討する。
（２）訂正事項
１）訂正事項ａについて
　本件特許明細書の特許請求の範囲の請求項１，３，５，６を削除する。
２）訂正事項ｂについて
　同請求項２を、新たに請求項１として、
　「【請求項１】受光部と回路部とを１チップの半導体基板の表面に集積化して前記半導体基板の表面上に表面保護膜を設け、前記受光部と接続される電極部の保護用の前記表面保護膜を残して前記受光部表面の前記表面保護膜に開口部を設け、前記受光部上に設けられた前記開口部に反射防止膜を設け、前記開口部の前記受光部表面と前記反射防止膜との接触部が酸化シリコン膜である集積化受光素子。」と訂正する。
３）訂正事項ｃについて
　同請求項４を、新たに請求項２として、
　「【請求項２】シリコン窒化膜を前記反射防止膜と前記表面保護膜とに渡って連続して用いた請求項１に記載の集積化受光素子。」と訂正する。
４）訂正事項ｄについて
　同請求項７を、新たに請求項３として、
　「【請求項３】受光部と回路部とを１チップの半導体基板の表面に集積化した集積化受光素子の製造方法であって、前記受光部上の層間絶縁膜を除去する工程、前記受光部上に酸化シリコン膜を形成した後に少なくとも前記受光部上に前記反射防止膜を形成する工程、前記受光部及び前記回路部の上部に表面保護膜を形成する工程、および、前記受光部上の前記表面保護膜を前記受光部に接続された電極部周辺部を残して除去する工程を有する集積化受光素子の製造方法。」と訂正する。
５）訂正事項ｅについて
　本件特許明細書の段落【０００５】を、
　「【０００５】【課題を解決するための手段】この課題を解決するために、本発明の集積化受光素子は、受光部と回路部とを１チップの半導体基板の表面に集積化して前記半導体基板の表面上に表面保護膜を設け、前記受光部と接続される電極部の保護用の前記表面保護膜を残して前記受光部表面保護膜に開口部を設け、前記受光部上に設けられた前記開口部に反射防止膜を設け、前記開口部の前記受光部表面と前記反射防止膜との接触部が酸化シリコン膜である構成を有している。」と訂正する。
６）訂正事項ｆについて
　同段落【０００７】を、
　「【０００７】また、本発明の集積化受光素子の製造方法は、受光部と回路部とを１チップの半導体基板の表面に集積化した集積化受光素子の製造方法であって、前記受光部上の層間絶縁膜を除去する工程と、前記受光部上に酸化シリコン膜を形成した後に少なくとも前記受光部上に前記反射防止膜を形成する工程と、前記受光部及び前記回路部の上部に表面保護膜を形成する工程と、前記受光部上の前記表面保護膜を前記受光部に接続された電極部周辺部を残して除去する工程を有する。」と訂正する。
７）訂正事項ｇについて
　同段落【０００９】を、
　「【０００９】【発明の実施の形態】本発明の集積化受光素子は、受光部と回路部とを１チップの半導体基板の表面に集積化して前記半導体基板の表面上に表面保護膜を設け、前記受光部と接続される電極部の保護用の前記表面保護膜を残して前記受光部表面の前記表面保護膜に開口部を設け、前記受光部上に設けられた前記開口部に反射防止膜を設け、前記開口部の前記受光部表面と前記反射防止膜との接触部が酸化シリコン膜である。このような構成をとることにより、受光部の分光感度特性が平坦化されるとともに、光の干渉もなくなり、光電変換効率が向上する。」と訂正する。
８）訂正事項ｈについて
　同段落【００１０】を、
　「【００１０】また、本発明の集積化受光素子は、シリコン窒化膜等の応力の大きい反射防止膜と受光部との接触を回避することで、反射防止膜の剥がれや応力による特性変動をなくすことができる。」と訂正する。
９）訂正事項ｉについて
　同段落【００１１】を、
　「【００１１】本発明の集積化受光素子の製造方法は、受光部と回路部とを１チップの半導体基板の表面に集積化した集積化受光素子の製造方法であって、前記受光部上の層間絶縁膜を除去する工程と、前記受光部上に酸化シリコン膜を形成した後に少なくとも前記受光部上に前記反射防止膜を形成する工程と、前記受光部及び前記回路部の上部に表面保護膜を形成する工程と、前記受光部上の前記表面保護膜を前記受光部に接続された電極部周辺部を残して除去する工程を有する集積化受光素子の製造方法であり、反射防止膜を先に形成してその上から表面保護膜を重ねて形成し、受光部上の必要部分のみの表面保護膜を残して表面保護膜を除去した開口部に反射防止膜が形成できるので、受光部への接続電極部及び反射防止膜を表面保護膜で押えた構成を実現でき、反射防止膜の膜剥がれ防止や接続電極部及び回路部の保護が得られる。」と訂正する。
（３）訂正の目的の適否・新規事項の有無及び拡張・変更の存否
１）訂正事項ａについて
　上記訂正事項ａは、本件特許明細書の特許請求の範囲の請求項１，３，５，６を削除したものであって、明りょうでない記載の釈明に該当する。
２）訂正事項ｂについて
　上記訂正事項ｂは、同請求項２の、「【請求項２】・・・１チップに集積化して表面保護膜を設け、・・・かつ前記開口部の前記受光部表面の反射防止膜を設けた・・・」を、新たに請求項１として、「【請求項１】・・・１チップの半導体基板の表面に集積化して前記半導体基板の表面上に表面保護膜を設け、・・・前記受光部上に設けられた前記開口部に反射防止膜を設け、前記開口部の前記受光部表面と前記反射防止膜との接触部が酸化シリコン膜である・・・」と訂正したものであって、特許請求の範囲の減縮及び明りょうでない記載の釈明に該当する。
３）訂正事項ｃについて
　上記訂正事項ｃは、同請求項４を、新たに請求項２としたものであって、明りょうでない記載の釈明に該当する。
４）訂正事項ｄについて
　上記訂正事項ｄは、同請求項５を引用する請求項７を、新たに独立形式の請求項３として、「【請求項３】受光部と回路部とを１チップの半導体基板の表面に集積化した集積化受光素子の製造方法であって、前記受光部上の層間絶縁膜を除去する工程、前記受光部上に酸化シリコン膜を形成した後に少なくとも前記受光部上に前記反射防止膜を形成する工程、前記受光部及び前記回路部の上部に表面保護膜を形成する工程、および、前記受光部上の前記表面保護膜を前記受光部に接続された電極部周辺部を残して除去する工程を有する集積化受光素子の製造方法。」と訂正したものであって、特許請求の範囲の減縮及び明りょうでない記載の釈明に該当する。
５）訂正事項ｅ〜ｉについて
　上記訂正事項ｅ〜ｉは、いずれも特許請求の範囲を訂正したことにともない、その訂正との整合を保つために発明の詳細な説明を訂正したものであって、明りょうでない記載の釈明に該当する。
　そして、上記訂正事項ａ〜ｉは、いずれも新規事項の追加に該当せず、さらに実質上特許請求の範囲を拡張し、変更するものではない。
（４）独立特許要件
１）本件発明
　訂正明細書の請求項１〜３に係る発明（以下、「本件発明１〜３」という。）は、その特許請求の範囲の請求項１〜３に記載された次のとおりのものである。
　「【請求項１】受光部と回路部とを１チップの半導体基板の表面に集積化して前記半導体基板の表面上に表面保護膜を設け、前記受光部と接続される電極部の保護用の前記表面保護膜を残して前記受光部表面の前記表面保護膜に開口部を設け、前記受光部上に設けられた前記開口部に反射防止膜を設け、前記開口部の前記受光部表面と前記反射防止膜との接触部が酸化シリコン膜である集積化受光素子。
　【請求項２】シリコン窒化膜を前記反射防止膜と前記表面保護膜とに渡って連続して用いた請求項１に記載の集積化受光素子。
　【請求項３】受光部と回路部とを１チップの半導体基板の表面に集積化した集積化受光素子の製造方法であって、前記受光部上の層間絶縁膜を除去する工程、前記受光部上に酸化シリコン膜を形成した後に少なくとも前記受光部上に前記反射防止膜を形成する工程、前記受光部及び前記回路部の上部に表面保護膜を形成する工程、および、前記受光部上の前記表面保護膜を前記受光部に接続された電極部周辺部を残して除去する工程を有する集積化受光素子の製造方法。」
２）引用刊行物
　本件発明１〜３に対し、当審が通知した取消理由で引用した、本件出願前であって、その出願後に出願公開された特願昭６１−２６３１０１号の願書に最初に添付した明細書又は図面（以下、「先願明細書」という。）には、フォトセンサと信号処理回路を備えた半導体装置において、所定波長の微弱な光を検出することのできる半導体装置に関する発明が、第１，４図とともに開示され、さらに、
　「同一半導体チップにフォトセンサと信号処理回路が形成され、両者の上に第１の光透過性絶縁膜、光透過性層間絶縁膜、受光面が開窓された遮光膜及び光透過性チップ保護膜が順に積層された半導体装置において、
　前記第１の光透過性絶縁膜の受光面上に積層した他の層を除去して該絶縁膜を露出させたことを特徴とする半導体装置。」（特許請求の範囲）、
　「そして、フォトセンサ１１の受光面上では、層間絶縁膜１６，遮光膜１４及びチップ保護膜１７が選択的に除去され、第１絶縁膜１５が露出している。しかも受光面の第１絶縁膜１５は、ここでは膜厚が２０００Åに選択的に薄くされており、その結果、第３図（Ａ）に示すように、波長８００ｎｍの光に対する透過率が最も高く、それでいて充分な保護効果を有する。
　以下、この半導体装置の製造工程を説明する。通常のバイポーラ素子製造工程に従い、フォトセンサ１１，信号処理回路１２を形成した後、その形成過程で生じた膜厚約５０００ÅのＳｉＯ２を受光面だけ選択的にエッチングしてすっかり除去し、次いで酸化することにより膜厚２０００ÅのＳｉＯ２を形成することにより、第１絶縁膜１５を形成する。
　次にＡｌ配線１３を形成する。この状態が第４図（Ａ）である。
　次にポリイミド塗料を全体に塗布して成膜した後（第４図（Ｂ）参照）、通常のフォトリソ技術により受光面だけ選択的にエッチングして除去する。エッチング剤は例えばヒドラジンが使用でき、これは、受光面のＳｉＯ２（第１絶縁膜１５）を腐蝕することがない。これにより層間絶縁膜１６が形成される。この状態が第４図（Ｂ）である。
　次に遮光膜１４としてＡｌを全体に蒸着したあと、通常のフォトリソ技術により受光面だけ選択的にエッチングして除去する。エッチング剤は例えばリン酸が使用でき、これは、受光面のＳｉＯ２（第１絶縁膜１５）を腐蝕することがない。この状態が第４図（Ｄ）である。
　ここで、またポリイミドを全体に塗布して成膜した後（第４図（Ｅ）参照）、通常のフォトリソ技術により受光面だけ選択的にエッチングして除去する。エッチング剤は例えばヒドラジンが使用でき、これは、受光面のＳｉＯ２（第１絶縁膜１５）を腐蝕することがない。これにより層間絶縁膜１６が形成される。
　こうして、第１図に示す半導体装置が製造される。
　本実施例では、層間絶縁膜１６とチップ保護膜１７を同一材料で形成したが、同一にする必要は特にない。要するに第１絶縁膜１５を腐蝕しない又は腐蝕しにくいエッチング剤でエッチングできる材料であればよい。第１絶縁膜１５がＳｉＯ２の場合、層間絶縁膜１６とチップ保護膜１７として使用できるポリイミド以外の材料としては、例えばＳｉＮ、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２などがあげられる。」（第３頁左上欄第９行〜左下欄第１６行）、
　「本発明によれば、フォトセンサの受光面上の積層膜を選択的に除去して、第１の光透過性絶縁膜だけとしたので、微弱な光に対しても感度良くキャッチでき、かつ受光する波長領域を狭い帯域に限定したときにも、時として感度が低い半導体装置が製造される場合があるという第二の問題点が解決され、常に安定して高い感度の半導体装置が製造可能である。」（第３頁左下欄第２〜９行）が、それぞれ記載されている。
３）対比・判断
　本件発明１〜３（訂正前の請求項２，４，７に係る発明に対応する。）と上記先願明細書に記載の発明とを対比すると、先願明細書には、本件発明１，２の構成要件である、「前記開口部の前記受光部表面と前記反射防止膜との接触部が酸化シリコン膜である」点、及び本件発明３の構成要件である、「前記受光部上に酸化シリコン膜を形成した後に少なくとも前記受光部上に前記反射防止膜を形成する工程」を有する点については記載はないし示唆となる記載もない。また、光素子における開口部の受光部表面と反射防止膜との接触部に酸化シリコン膜を形成することは、周知、慣用手段であるとすることもできない。
　したがって、本件発明１〜３は、先願明細書に記載の発明と同一であるとは認められない。
（５）むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法第１２０条の４第２項、及び第３項で準用する同法第１２６条第２〜４項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
［３］特許異議の申立について
（１）申立の理由の概要
１）特許異議申立人石原芳雄は、甲第１号証（上記先願明細書）を提出して、訂正前の請求項１〜７に係る発明は、甲第１号証に記載の発明と同一であるから、特許法第２９条の２の規定により特許を受けることができないものであり、同法第１１３条第１項第２号の規定により取り消すべき旨主張している。
２）特許異議申立人西垣伸孝は、甲第１号証（上記先明細書）及び参考資料１〜３を提出して、訂正前の請求項１〜７に係る発明は、甲第１号証に記載の発明と同一であるから、特許法第２９条の２の規定により特許を受けることができないものであり、さらに、訂正前の請求項２，４に記載の、「直接接続」、「連続した」は、それぞれ何を意味するのか不明であり、同法第３６条第４，５項の規定により特許を受けることができないものであり、それぞれ同法第１１３条第１項第２号の規定により取り消すべき旨主張している。
（２）判断
１）本件発明１〜３についての特許は、上記［２］（４）において示したように、取消理由通知で示した先願明細書に記載の発明と同一であるとすることはできない。なお、申立人西垣伸孝の提出した、参考資料１（特開昭６３−２３８７号公報）、参考資料２（特開昭６２−２８５４４２号公報）及び参考資料３（特開昭６１−２５１１５号公報）の記載（とくに、酸化シリコン膜に関する記載。）を参酌してみても、光素子における開口部の受光部表面と反射防止膜との接触部に酸化シリコン膜を形成することが、周知、慣用手段であるとすることはできない。
２）申立人西垣伸孝の、訂正前の請求項２，４に記載の、「直接接続」、「連続した」は、それぞれ何を意味しているのか不明であるとの主張は、全文訂正明細書の請求項１（訂正前の請求項２に対応する。）において、「前記開口部の前記受光部表面と前記反射防止膜との接触部が」と訂正され、また同明細書の請求項２（訂正前の請求項４に対応する。）において、「シリコン窒化膜を前記反射防止膜と前記表面保護膜とに渡って連続して用いた」と訂正され、それぞれ明りょうな記載となった。
（３）むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立の理由及び証拠によっては、本件発明１〜３の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１１年１１月１９日（１９９９．１１．１９）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
（１）特許請求の範囲の減縮を目的として、特許請求の範囲の請求項１，３，５，６を削除する。
（２）特許請求の範囲の減縮及び明りょうでない記載の釈明を目的として、特許請求の範囲の請求項２を、新たに請求項１として、「【請求項１】受光部と回路部とを１チップの半導体基板の表面に集積化して前記半導体基板の表面上に表面保護膜を設け、前記受光部と接続される電極部の保護用の前記表面保護膜を残して前記受光部表面の前記表面保護膜に開□部を設け、前記受光部上に設けられた前記開□部に反射防止膜を設け、前記開□部の前記受光部表面と前記反射防止膜との接触部が酸化シリコン膜である集積化受光素子。」と訂正する。
（３）特許請求の範囲の減縮を目的として、特許請求の範囲の請求項４を、新たに請求項２として、「【請求項２】シリコン窒化膜を前記反射防止膜と前記表面保護膜とに渡って連続して用いた請求項１に記載の集積化受光素子。」と訂正する。
（４）特許請求の範囲の減縮及び明りょうでない記載の釈明を目的として、特許請求の範囲の請求項７を、新たに請求項３として、「【請求項３】受光部と回路部とを１チップの半導体基板の表面に集積化した集積化受光素子の製造方法であって、前記受光部上の層間絶縁膜を除去する工程、前記受光部上に酸化シリコン膜を形成した後に少なくとも前記受光部上に前記反射防止膜を形成する工程、前記受光部及び前記回路部の上部に表面保護膜を形成する工程、および、前記受光部上の前記表面保護膜を前記受光部に接続された電極部周辺部を残して除去する工程を有する集積化受光素子の製造方法。」と訂正する。
（５）明りょうでない記載の釈明を目的として、明細書の段落【０００５】を、
「【０００５】【課題を解決するための手段】この課題を解決するために、本発明の集積化受光素子は、受光部と回路不とを１チップの半導体基板の表面に集積化して前記半導体基板の表面上に表面保護膜を設け、前記受光部と接続される電極部の保護用の前記表面保護膜を残して前記受光部表面保護膜に開口部を設け、前記受光部上に設けられた前記開口部に反射防止膜を設け、前記開口部の前記受光部表面と前記反射防止膜との接触部が酸化シリコン膜である構成を有している。」と訂正する。
（６）明りょうでない記載の釈明を目的として、明細書の段落【０００７】を、
「【０００７】また、本発明の集積化受光素子の製造方法は、受光部と回路部とを１チップの半導体基板の表面に集積化した集積化受光素子の製造方法であって、前記受光部上の層間絶縁膜を除去する工程と、前記受光部上に酸化シリコン膜を形成した後に少なくとも前記受光部上に前記反射防止膜を形成する工程と、前記受光部及び前記回路部の上部に表面保護膜を形成する工程と、前記受光部上の前記表面保護膜を前記受光部に接続された電極部周辺部を残して除去する工程を有する。」と訂正する。
（７）明りょうでない記載の釈明を目的として、明細書の段落【０００９】を、
「【０００９】【発明の実施の形態】本発明の集積化受光素子は、受光部と回路部とを１チップの半導体基板の表面に集積化して前記半導体基板の表面上に表面保護膜を設け、前記受光部と接続される電極部の保護用の前記表面保護膜を残して前記受光部表面の前記表面保護膜に開□部を設け、前記受光部上に設けられた前記開口部に反射防止膜を設け、前記開ロ部の前記受光部表面と前記反射防止膜との接触部が酸化シリコン膜である。このような構成をとることにより、受光部の分光感度特性が平坦化されるとともに、光の干渉もなくなり、光電変換効率が向上する。」と訂正する。
（８）明りょうでない記載の釈明を目的として、明細書の段落【００１０】を、
「【００１０】また、本発明の集積化受光素子は、シリコン窒化膜等の応力の大きい反射防止膜と受光部との接触を回避することで、反射防止膜の剥がれや応力による特性変動をなくすことができる。」と訂正する。
（９）明りょうでない記載の釈明を目的として、明細書の段落【００１１】を、
「【００１１】本発明の集積化受光素子の製造方法は、受光部と回路部とを１チップの半導体基板の表面に集積化した集積化受光素子の製造方法であって、前記受光部上の層間絶縁膜を除去する工程と、前記受光部上に酸化シリコン膜を形成した後に少なくとも前記受光部上に前記反射防止膜を形成する工程と、前記受光部及び前記回路部の上部に表面保護膜を形成する工程と、前記受光部上の前記表面保護膜を前記受光部に接続された電極部周辺部を残して除去する工程を有する集積化受光素子の製造方法であり、反射防止膜を先に形成してその上から表面保護膜を重ねて形成し、受光部上の必要部分のみの表面保護膜を残して表面保護膜を除去した開□部に反射防止膜が形成できるので、受光部への接続電極部及び反射防止膜を表面保護膜で押えた構成を実現でき、反射防止膜の膜剥がれ防止や接続電極部及び回路部の保護が得られる。」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
集積化受光素子及びその製造方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　受光部と回路部とを１チップ
の半導体基板の表面
前記半導体基板の表面上に
、前記受光部上に設けられた
に
、前記開口部の前記受光部表面と前記反射防止膜との接触部が酸化シリコン膜である
　
【請求項２】
シリコン窒化膜を
と
とに渡って
１に
　
【請求項３】
受光部と回路部とを１チップの半導体基板の表面に集積化した集積化受光素子の製造方法であって、前記受光部上の層間絶縁膜を除去する工程、前記受光部上に酸化シリコン膜を形成した後に
前記
前記
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】
　本発明は、受光部と回路部（例えば増幅回路）とを１チップに集積化した半導体素子（集積化受光素子）に関するものである。
　【０００２】
　【従来の技術】
　増幅回路を集積化したシリコン半導体集積回路素子では、電気特性安定化のために、素子の表面保護膜としてシリコン酸化膜、シリコン窒化膜などの絶縁性被膜が用いられている。
　【０００３】
　受光部と増幅回路とを一体化した集積受光素子においても、従来の半導体集積回路の表面保護膜がそのまま使われている。図２に従来例の集積化受光素子の断面構造を示す。増幅回路部および受光部の作りこみがなされた半導体層上に、シリコン酸化膜１１、シリコン窒化膜１３が形成されている。このシリコン酸化膜は２０００〜６０００Åの厚さに、またシリコン窒化膜は５０００〜２００００Åの厚さに形成されている。
　【０００４】
　【発明が解決しようとする課題】
　従来の、保護膜を備えた半導体素子においては、受光部を形成する領域の表面上にも回路部領域の表面と同等の保護膜が形成されるため、光の干渉による光電変換効率の低下やばらつきが大きくなるという課題があった。特に、半導体レーザから発せられる特定波長光に対して、ばらつきが大きくなりやすく、したがってこれを搭載した機器の不動作にもつながることがあった。
　【０００５】
　【課題を解決するための手段】
　この課題を解決するために、本発明の集積化受光素子は、受光部と回路部とを１チップ
の半導体基板の表面
前記半導体基板の表面上に
開口部を設け、前記受光部上に設けられた
に
、前記開口部の前記受光部表面と前記反射防止膜との接触部が酸化シリコン膜である
　【０００６】
　これにより、従来と同等の保護効果を有し、特定波長の入射光に対し高い光電変換効率を呈し、かつ、感度のばらつきを抑えた集積化受光素子が得られる。
　【０００７】
　また、本発明の集積化受光素子の製造方法は、
受光部と回路部とを１チップの半導体基板の表面に集積化した集積化受光素子の製造方法であって、前記受光部上の層間絶縁膜を除去する工程と、前記受光部上に酸化シリコン膜を形成した後に少なくとも前記
前記
前記
前記受光部に接続された電極部周辺部を残して
　【０００８】
　それにより、受光部上に反射防止膜と回路部上の保護膜を形成でき、従来と同等の保護効果を有して、本願発明の集積化受光素子が得られる。
　【０００９】
　【発明の実施の形態】
　本発明の
集積化受光素子
の半導体基板の表面
前記半導体基板の表面上に
開口部を設け、前記受光部上に設けられた
に
、前記開口部の前記受光部表面と前記反射防止膜との接触部が酸化シリコン膜である。このような構成をとることにより、
　【００１０】
　また、本発明の
集積化受光素子
接触
　【００１１】
　本発明の
集積化受光素子の製造方法
受光部と回路部とを１チップの半導体基板の表面に集積化した集積化受光素子の製造方法であって、前記受光部上の層間絶縁膜を除去する工程と、前記受光部上に酸化シリコン膜を形成した後に少なくとも前記
前記
前記
前記受光部に接続された電極部周辺部を残して
　【００１２】
　図１に、本発明の実施の形態の一例である、受光部と回路部とを１チップに集積化した半導体素子の断面構造を示す。この例では回路部については１個のトランジスタのみで示しているが、通常は複数のトランジスタ、抵抗、コンデンサ等で構成される。
　【００１３】
　図１に示すように、Ｐ型半導体基板１にＮ型埋込層２を選択形成した後、Ｎ型エピタキシャル層を形成する。次に、このＮ型エピタキシャル層にＰ型層３を拡散形成して分離し、Ｎ型層４、５とする。そして、これらＮ型層４、５内にＰ型拡散層６、およびＮ型拡散層８、９を形成する。このようにして、Ｎ型層４、２、９をコレクタ領域、Ｐ型層６をベース領域、Ｎ型層８をエミッタ領域とするトランジスタを構成する。受光部のアノード領域７はトランジスタのベース領域形成工程で、また、カソード領域１０はトランジスタのエミッタ領域形成工程で、それぞれ同時形成される。
　【００１４】
　次に、回路部等に設けてある層間絶縁膜１１である受光部領域主面上のシリコン酸化膜を選択的に除去し、半導体レーザ光（８００ｎｍ）に対して、反射防止膜となるようシリコン酸化膜１４を厚さ３００Åに、シリコン窒化膜１５を厚さ８００Åにそれぞれ制御して形成した。続いて、コンタクトメタル及び配線電極であるアルミニウム電極１２を形成した後、プラズマＣＶＤ法により、厚さ１００００Åのシリコン窒化膜１３を素子表面に表面保護膜として形成し、受光部領域の前記シリコン窒化膜１３を選択除去して、表面保護膜に開口部を形成した。
　【００１５】
　その際、受光部領域の接続電極として用いるアルミニウム電極１２上の表面保護膜は残して保護効果を高めている。
　【００１６】
　上述の例では、０．６Ａ／Ｗと高い光電変換効率を実現でき、半導体層の表面を受光部及び回路部を、シリコン窒化膜からなる絶縁被膜で覆っているため、耐湿性やナトリウムイオンなどに対する遮蔽効果が大きいという優れた特性をもつ。
　また、周辺回路部の絶縁被膜上に、アルミニウム膜等を付設すれば、光による漏れ電流の防止、およびＳＮ比の向上がなされる。
　【００１７】
　なお、受光部領域の反射防止膜は、シリコン酸化膜１４を厚さ１００〜１０００Åに、シリコン窒化膜１５を厚さ５００〜１０００Åに積層形成した保護膜構造であるのが、表面保護効果として良い。
　【００１８】
　【発明の効果】
　本発明によれば、受光部と回路部とを１チップに集積化して表面保護膜を設け、前記受光部と接続される電極部の保護用の前記表面保護膜を残して前記受光部表面の前記表面保護膜に設けた開口部、および、前記開口部の前記受光部表面の反射防止膜を設けたことにより、約０．６０Ａ／Ｗ（入射波長８００ｎｍ）高光電変換効率を実現できた。また、光電変換効率のばらつきも±５％程度になり、従来比でみると、およそ１／２以下に抑えることができ、実用上大きな効果がある。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本発明の集積化受光素子における実施の形態の一例の断面構造図
　【図２】
　従来例の集積化受光素子の断面構造図
　【符号の説明】
　１１　シリコン酸化膜
　１２　アルミニウム電極
　１３　シリコン窒化膜
　１４　シリコン酸化膜
　１５　シリコン窒化膜