【事件の表示】
　特許第２８００４６８号「フォトマスクおよびその製造方法」の請求項１ないし３に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結論】
　訂正を認める。
　特許第２８００４６８号の請求項１ないし２に係る特許を維持する。
【理由】
１．手続の経緯
　本件の特許第２８００４６８号は、平成３年６月２５日に出願され、平成１０年７月１０日にその設定登録がなされ、その後、申立人　アルバック製膜株式会社及び申立人　安藤吉枝より特許異議申立がなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１１年８月１８日に訂正請求がなされたものである。
２．訂正の適否についての判断
２−１．訂正の適否についての判断
２−１−１訂正後の発明
　訂正後の請求項１、２に係る発明は、訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１、２に記載された次の事項によって特定されるものである。
「【請求項１】　透明基板上に二酸化珪素と三酸化二クロムをスパッタリングにより混合して半透明な位相部材を単層で形成し、前記位相部材を透過する光の位相シフト量をほぼ１８０度とすることを特徴とするフォトマスクの製造方法。
　【請求項２】　透明基板上に二酸化珪素と三酸化二クロムの混合物よりなる半透明な位相部材を持ち、前記位相部材を透過する光の位相シフト量はほぼ１８０度であることを特徴とするフォトマスク。」（以下、それぞれ「本件発明　１」及び「本件発明　２」という。）
２−１−２訂正の要旨
　特許権者が求めている訂正の内容は、以下のａ．、ｂ．、ｃ．のとおりである，
　ａ．特許第２８００４６８号明細書の特許請求の範囲の請求項１を削除し、「請求項２」及び「請求項３」を明りょうでない記載の釈明を目的として、それぞれ「請求項１」及び「請求項２」と訂正する。
　ｂ．特許請求の範囲の請求項２乃至３（訂正後の請求項１乃至２）中の「三酸化クロム」を特許請求の範囲の減縮を目的として「三酸化二クロム」と訂正する。それにともない明細書【０００８】段落中の「三酸化クロム」を明りょうでない記載の釈明を目的に「三酸化二クロム」と訂正する。
　ｃ．特許請求の範囲の請求項２（訂正後の請求項１）中の「請求項１記載の」を明りょうでない記載の釈明を目的として削除する。
２−１−３．訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　上記訂正事項ｂ．は、明りょうでない記載の釈明及び特許請求の範囲の減縮を目的として、本件発明を特定する位相部材を「三酸化二クロム」からなるものに、願書に添付された明細書及び図面の記載に基づいて限定するものである。また、上記訂正事項ａ．、ｃ．は、明りょうでない記載の釈明を目的とするもである。そして、これらは願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
２−１−４．独立特許要件の判断
２−１−４−１．刊行物
　当審が発した取消理由通知書において引用した先願及び刊行物は以下のとおりであり、異議申立人が提示した甲第１号証〜甲第６号証に対応する。
　刊行物１：米国特許第４８９０３０９号明細書（安藤吉枝の甲第１号証、アルバック製膜株式会社の甲第１号証）
　刊行物２：米国特許第４１７０５１２号明細書（安藤吉枝の甲第２号証）
　刊行物３：平成２年春季第３７回応用物理学会関係連合講演会予稿集（第２分冊２８ｐ−ＰＤ−２６）（安藤吉枝の甲第３号証）
　刊行物４：欧州特許公開第４１７０５１２号明細書（安藤吉枝の甲第６号証）
　先願１：特願平２−２３４２４９号（特開平４−２０４６５３号安藤吉枝の甲第４号証）
　先願２：特願平２−２８７２８９号（特開平４−１６２０３９号安藤吉枝の甲第５号証）
［先願１］特願平２−２３４２４９号（特開平４−２０４６５３号安藤吉枝の甲第４号証）
　第８頁左上欄第１１行〜同第１７行に、「この例では、マスク表面をパタ−ン寸法（規格化寸法）に応じて、４つにわけ、遮光膜パタ−ンの代わりに、すべて２５％の透過率を有しかつ他の部分とは光路長の異なる酸化シリコンからなる半透明膜パタ−ンからなる小パタ−ンの配置密度を４段階にわけ、これらを割り当てることにより、形成したことを特徴とするものである。」、
　第８頁右上欄第１６〜１８行に、「この半透明膜は、屈折率をｎとすると、λ／（２（ｎ−１））を満たし、位相を１８０°シフトするように構成されている。」、
　第８頁右下欄第５〜６行に、「まず、実施例２と同様、透光性基板上に位相シフト層を堆積した後、…」、と記載されている。
　また、実施例３の酸化シリコンからなる半透明膜パタ−ンを堆積させる方法と同じとする実施例２の具体的な記載として、「…透光性基板上に位相シフト層を堆積した後、…」（第４号証第８頁右下欄第５行〜同第６行）とあり、また、同第７頁右上欄第１８〜１９行に、「…窒化シリコン膜１２とこの上層に…酸化シリコン膜１３とを積層した…」とある。従来の技術で説明しているフォトマスクについての記載（第３頁右上欄第１３〜１８行）に、「…石英基板１１１上にスパッタ法によりクロム（Ｃｒ）あるいは酸化クロム（Ｃｒ２Ｏ３）ｌ１２を１０００Å程度堆積し、…」と記載されている。
［先願２］特願平２−２８７２８９号（特開平４−１６２０３９号安藤吉枝の甲第５号証）
　特許請求項の範囲（１）に、「…前記ビ−ムもしくは電磁波に対する透明部分から成る第１の部分と、前記光ビ−ムもしくは電磁波に対して所定の透過率を有する半透明部から成る第２の部分とによって前記パタ−ンを形成するとともに、隣接する前記第１の部分と第２の部分との前記ビ−ムもしくは電磁波に対する光路長を異ならせて２ｎπもしくは（２ｎ＋１）π（但しｎは整数）の位相差を与えたことを特徴とするフォトマスク。」、
　第５頁右上欄第６〜１５行に、「また、上記実施例では第１図に示した如く半透明パタ−ン４を金属薄膜２と誘電体薄膜３との多層膜として形成していたが、特に金属膜２を用いずとも、誘電体膜３を吸光性の誘電体膜とし、誘電体の吸光度（すなわち種類）と膜厚とを最適化することによって単層膜であっても任意のエネルギ−透過率と位相差とを同時に与えることが可能となる．ここで、吸光性の誘電体薄膜としては、例えば色素を混入したＳｉＯ２、ＰＭＭＡ等の有機材料を用いればよい。」、
　第５頁右下欄第８〜１２行に、「第５図（ａ）は、スパッタリング、蒸着等によってフォトマスク基板１の片面に誘電体薄膜３ａ，金属薄膜２，誘電体薄膜３ｂがこの順序で積層され、所望の透過率及び位相差に応じた膜厚のもとで一様に成膜された様子を示すものである」、
　第３頁右上欄第１３行〜同左下欄第３行に、「さらに、半透明部を吸光性の誘電体膜とすれば誘電体吸光度（すなわち種類）件と膜厚を最適化することで、多層膜厚を用いずとも任意のエネルギ−透過率と位相差とを同時に与えることができ、しかも製造工程におけるパタ−ニングは一度で良く、上記多層膜と同様に従来のフォトマスクとほぼ同工程で済むといった利点がある。尚、吸光性の誘電体膜は上記の如く一層で用いても、又、上記透過率と位相差とによっては多層で用いても良く、さらには先に述べた金属膜の代わりに用いても構わない」と記載されている。
［刊行物１］米国特許第４８９０３０９号明細書（安藤吉枝の甲第１号証、アルバック製膜株式会社の甲第１号証）
　刊行物１は、いわゆる「ハ−フト−ン位相シフトＸ線マスク」に関するものであるが、その明細書中第２欄第４行〜同第２０行に、「発明によれば、一つに減衰が１００％未満（９０％が可能な選択である）と、減衰部を透過するＸ線の位相が、開口又は減衰部以外の領域でＸ線の位相に対しておよそπラジアン（又はその奇数倍）位相差を有するように、Ｘ線減衰部の材料と、膜厚が選択される。減衰部の材料と、膜厚の選択は、Ｘ線による減衰と、波長によって位相が変化するので、Ｘ線源の波長による。Ｘ線減衰部は、タングステン（Ｔ）や金（Ａｕ）の同種（単一）吸収材とするか、または、Ｘ線の裏面反射を防止するのに複数層とすることができる」、
　第５欄第５６行〜第６４行に、「この発明にある物理的性質は、光やＵＶ照射の領域においても実質的に同じである。光やＵＶの照射や近接転写の回折による有害な結果の減少は、同様の原理によって成し遂げられる。マスクの開口部を通過する光に対しておよそπラジアン方位相差を持つ小領域の減衰部を形成することである」と記載されている。
［刊行物２、３］（安藤吉枝の甲第２、３号証）
　刊行物２，３には、Ｘ線マスクにおいて、「メンブレン（＝透明基板）」上に形成する「タングステン（Ｗ）や金（Ａｕ）等の減衰膜」を形成する場合、「スパッタ成膜法」を用いることが記載されている。
［刊行物４］欧州特許公開第４１７０５１２号明細書（安藤吉枝の甲第６号証）
　刊行物４には、第１０頁第６〜１３行に、「…そして、第１４（ｃ）に示すごとく、レジストパタ−ン４の表面に位相シフ層３ａを構成する酸化シリコンを０．３８８μｍの厚さでスパッタする。その後、レジスト剥離剤でＥＢレジストを剥離することにより、透明基板層２に位相シフト層（酸化シリコン層）３ａのマスクパタ−ン層５を第１４（Ｅ）に示すごとく形成される」、
　第１０頁第４３〜５２行に、「・・・従来の方法では、不透明層４５１（第１図）が厚さ５０〜８０ｎｍで幅０．３５μｍ（レチクル寸法１．７５μｍ）のクロムとし、不透明膜パタ−ンの間隔を０．３５μｍ（レチクル寸法１．７５μｍ）とする。第１７図（Ａ）に示す如く、・・・。上記実施例においては第１７図（Ｂ）に示されるように、…暗部に変化がないことからコントラスト（解像力）も大幅に向上している。」
２−１−４−２．対比・判断
（特許法第２９条第２項）
　刊行物１は、いわゆる「ハ−フト−ン位相シフトＸ線マスク」に関するものであり、「減衰が１００％未満（９０％が可能な選択である）で、減衰部を透過するＸ線の位相が、開口又は減衰部以外の領域でＸ線の位相に関しておよそπラジアン（又はその奇数倍）位相差を有するように、Ｘ線減衰部の材料と、膜厚が選択される。減衰部の材料と、膜厚の選択は、Ｘ線による減衰と、波長によって位相が変化するので、Ｘ線源の波長による。Ｘ線減衰部は、タングステン（Ｔ）や金（Ａｕ）の同種（単一）吸収材とするか、または、Ｘ線の裏面反射を防止するのに複数層とすることができる」ことが開示されている。
　本件発明１，２と刊行物１に記載された発明とを比較すると、本件発明１，２は位相部材が「二酸化珪素と三酸化ニクロム」の混合により形成されている点で、位相部材がタングステン（Ｔ）や金（Ａｕ）の同種（単一）吸収材からなる刊行物１記載のものと相違する。
　そこで、上記相違について検討するに、位相部材を「二酸化珪素と三酸化二クロム」の混合により形成することは刊行物２〜４には記載も示唆もされていない。そして、刊行物１〜４を検討しても、刊行物１に記載された位相部材を、「二酸化珪素と三酸化二クロム」の混合により形成することが当業者が容易に想到できたとする根拠は見いだせない。
　そして、本件発明１，２は、位相部材を、「二酸化珪素と三酸化二クロム」の混合により形成することにより明細書記載の効果を奏するものと認められる。
　以上のように、本件発明１、２は、刊行物１〜４に記載された発明であるとも、また、刊行物１〜４に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明できたものとも認められない。
（特許法第２９条の２）
　先願１及び先願２には、本件発明１，２を特定する技術事項である位相部材を「二酸化珪素と三酸化二クロム」の混合により形成することは示されていない。従って、先願１、先願２のいずれの明細書に記載された発明も本件発明１、２と同一であるとは認められない。
（特許法第３６条）
　当審の発した、取消理由通知において「本件の特許明細書の発明の詳細な説明には三酸化二クロムの実施例のみしか示されておらず、ＣｒＯ３等を含む三酸化クロムの例は示されていないから、本件発明２及び本件発明３における「三酸化クロム」は発明の詳細な説明に記載されたものではなく、特許請求の範囲の記載は特許法第３６条第５項の規定を満たしていない。」旨、指摘したが、この点の不備は平成１１年８月１８日付けの訂正により解消した。
２−２．むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法第１２０条の４第２項及び同条第３項で規定する訂正について、平成６年法律第１１６号附則第６条第１項の規定により、なお従前の例によるとされる、改正前の特許法第１２６条第１項ただし書き、同条第２項及び同条第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
３．特許異議の申立てについての判断
３−１申立ての理由の概要
　異議申立人　安藤吉枝は、特許第２８００４６８号の訂正前の請求項１に係る発明は、刊行物１、刊行物４、先願１又は先願２の明細書に記載された発明と同一であり、特許法第２９条第１項または同第２９条の２の規定に違反し、また、刊行物１〜４に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明できたものであるから特許法第２９条第２項の規定に違反して特許されたものである旨主張している。
　異議申立人　アルバック製膜株式会社は、特許第２８００４６８号の訂正前の請求項１、２、３に係る発明は、刊行物１に記載された発明であり、特許法第２９条第１項の規定に違反し、また、刊行物１及びＪｏｈｎ　Ｃ．Ｃ．Ｆａｎ　ａｎｄ　Ｓｔｅｖｅｎ　Ａ．Ｓｐｕｒａ，Ａｐｐｌｉｅｄ　Ｐｈｙｓｉｃｓ　Ｌｅｔｔｅｒｓ，Ｖｏｌ．３０，Ｎｏ．１０，ｐｐ．５１１−５１３（１９７７）（以下、「刊行物５」という。）に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明できたものであるから特許法第２９条第２項の規定に違反して特許されたものである旨主張している。
　なお、平成１１年８月１８日の訂正により、訂正前の請求項１の記載は削除され、訂正前の請求項２及び３の記載は、本件発明１、２のように訂正された。刊行物１〜４及び先願１、２は、前記「２−１−４−１．刊行物」の項における刊行物１〜４及び先願１、２に対応する。
３−２判断
（特許法第２９条第１項、同条第２項）
　本件発明１、２は、上記２−１−４．独立特許要件の判断で示したように、異議申立人の提示した刊行物１〜４に記載された発明ではなく、また、刊行物１〜４に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明できたものではない。さらに、刊行物５は、「Ｓｅｌｅｃｔｉｖｅ　ｂｌａｃｋ　ａｂｓｏｒｂｅｒｓ　ｕｓｉｎｇ　ｒｆ−ｓｐｕｔｔｅｒｅｄ　Ｃｒ２Ｏ３／Ｃｒ　ｃｅｒｍｅｔ　ｆｉｌｍｓ（ＲＦスパッタリングにより得られたＣｒ２Ｏ３／Ｃｒサ−メット膜を用いる黒色の選択的吸収体）」という表題の学術論文で、可視光を効率よく吸収し赤外光を効率よく反射する太陽光吸収体に関するものであり、スパッタリングにより形成したＣｒ２Ｏ３／Ｃｒサ−メット膜の光学特性を考察する実験を行うに際し、第５１３頁、左欄、第３〜７行に、「Ｃｒ２Ｏ３／Ｃｒ膜の光学定数を定めるために、反射率と透過率を、該膜が単結晶ＢａＦ２基板上に析出された試験片に対して波長の関数として測定した。」と記載され、第５１３頁、左欄、第１２〜１９行に、「ｎの波長依存性、及び式：β＝４πｋ／λを用いてｋから計算された吸収係数βの波長依存性は、それぞれ、図１及び図２に示されている。約１μｍより長い波長λでは、ｎがＣｒ含有量の増加と共に単調に増加するが、それより短い波長では、変化の度合がより複雑になる。βの値は、全波長領域にわたって、Ｃｒ含有量と共に単調に増加する。」と記載されている。しかし、本件発明１、２を特定する技術事項であり、刊行物１〜４に記載されていない事項である、位相部材を、「二酸化珪素と三酸化二クロム」の混合により形成することを記載、または示唆するもではない。従って、刊行物５を考慮しても、刊行物１に記載された位相部材を、「二酸化珪素と三酸化二クロム」の混合により形成することは当業者が容易に想到できた事項と認めることはできない。
　よって、本件発明１、２は、刊行物１〜５に記載された発明であるとも、また、刊行物１〜５に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明できたものであるとも認められない。
（特許法第２９条の２）
　また、本件発明１、２は、上記２−１−４．独立特許要件の判断で示したように、異議申立人の提示した先願１または先願２の明細書に開示された発明と同一であるとは認められない。
４．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立の理由及び証拠によっては、本件発明１及び本件発明２を取り消すことはできない。
　そして、他に本件発明１及び本件発明２を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１１年１１月５日（１９９９．１１．５）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
　特許第２８００４６８号発明（平成３年６月２５日出願、平成１０年７月１０日設定登録）の願書に添付した明細書及び図面（以下、「原明細書」という。）を、特許請求の範囲の減縮及び明りょうでない記載の釈明を目的として、訂正請求書（平成１１年８月１８日請求）に添付した訂正明細書のとおり、すなわち、次の▲１▼及び▲２▼のとおり訂正する。
▲１▼特許請求の範囲の減縮を目的として、原明細書の特許請求の範囲の請求項１を削除し、請求項２乃至３（訂正後の請求項１乃至２）中の「三酸化クロム」を特許請求の範囲の滅縮を目的として「三酸化二クロム」と訂正し、「請求項２」及び「請求項３」を明りょうでない記載の釈明を目的として、それぞれ「請求項１」及び「請求項２」と訂正し、請求項２（訂正後の請求項１）中の「請求項１記載の」を明りょうでない記載の釈明を目的として削除する。すなわち、原明細書の特許請求の範囲の記載を以下のとおりに訂正する。
「【請求項１】　透明基板上に二酸化珪素と三酸化二クロムをスパッタリングにより混合して半透明な位相部材を単層で形成し、前記位相部材を透過する光の位相シフト量をほぼ１８０度とすることを特徴とするフォトマスクの製造方法。
　【請求項２】　透明基板上に二酸化珪素と三酸化二クロムの混合物よりなる半透明な位相部材を持ち、前記位相部材を透過する光の位相シフト量はほぼ１８０度であることを特徴とするフォトマスク。」
▲２▼上記▲１▼の訂正にともない明細書【０００８】段落中の「三酸化クロム」を、明りょうでない記載の釈明を目的に「三酸化二クロム」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
フォトマスクおよびその製造方法
（５７）【特許請求の範囲】
　
【請求項１】
三酸化二クロム
　
【請求項２】
三酸化二クロム
【発明の詳細な説明】
　【０００１】本発明は投影露光装置で使用するフォトマスクおよびその製造方法に関するものである。
　【０００２】
　【従来の技術】特公昭６２−５０８１１号公報（以降文献１とする）には投影露光装置によりウエファ上にマスクパターンを転写する場合に解像度を向上させる一手法として、透明部と不透明部から構成されたフォトマスク上の隣接する透明部の少なくとも一方に位相部材を付与し、両側を透過する照明光に位相差を与える方法が述べられている。この手法は透明部が近接したパターンの解像度を向上させるが、孤立したパターンの解像度は向上させない。
　【０００３】この問題を解決するため、特開昭６２−６７５１４号公報（以降文献２とする）では第１の透明部の周囲に微細な第２の補助透明部を設け、第１の透明部および第２の補助透明部いずれか一方に位相部材を付与する手法が述べられている。第２の補助透明部を光学系の解像限界以下の微細なパターンにすると、第２の補助透明部は転写されず、同時に第１の透明部の解像度が向上する。第１の透明部のみが転写されるため、この手法は孤立したパターンに対しても有効である。
　【０００４】上記の２種類の手法では、フォトマスクは、不透明部、位相部材を付与しない透明部、位相部材を付与した透明部の３種類の部分で構成されている。このためフォトマスクの製造工程は複雑なものとなる。これに対し、第３８回応用物理学会連合講演会講演予稿集（１９９１）ｐｐ，５３５，“位相シフト法によるＳｕｂ　μｍリソグラフィー（９）−ハーフトーン位相シフトマスク”（以降文献３とする）には、透明部と、透明な位相部材を半透明はクロム膜上に付与した部分との２種類から構成されるフォトマスクが提案されている。このフォトマスクの断面図を図２に示す。１はガラス基板、３は透明部、４は位相差１８０°を与える半透明部、５は半透明クロム膜、６は透明な位相部材である。このフォトマスクは２種類の部分から構成されているため、文献１および２などの３種類の部分から構成されるフォトマスクに比べ構造が単純であり、それゆえ製造工程も比較的簡単になる。
　【０００５】以上の３つの文献では主に位相部材を透過した光の位相シフト量が１８０度の場合を考察している。これに対し、特開平１−１４７４５８号公報（以降文献４とする）では、位相シフト量が１８０度からずれた場合に、最も解像度が向上する焦点位置が変動することを利用して、位相シフト量を部分的に１８０度からずらすことにより段差のあるウエファ上に転写するパターン全体の解像度を向上する手法が述べられている。
　【０００６】
　【発明が解決しようとする課題】図２に示された文献３のフォトマスクの構造は比較的単純ではあるが、半透明なクロム膜と透明な位相部材の２種類の層を形成する必要がある。また、半透明なクロム膜を形成するにはクロムの膜厚を数十ｎｍと非常に薄くする必要があり、このような膜を無欠陥で形成するのは難しい。
　【０００７】本発明の目的は、文献３のフォトマスクと同じように孤立パターンに対しても解像度を向上させる効果を持ち、作成がより簡便なフォトマスクおよびその製造方法を提供することにある。
　【０００８】
　【課題を解決するための手段】本発明のフォトマスクの製造方法は、透明基板上にスパッタリングによって半透明な位相部材を単層で形成し、前記位相部材を透過する光の位相シフト量をほぼ１８０度とすることを特徴とする。さらに、半透明な位相部材は二酸化珪素と
三酸化二クロム
三酸化二クロム
　【０００９】
　【作用】図１（ｂ），（ｃ）で本発明のフォトマスクにより孤立パターンの解像度が向上する理由を説明する。透明基板１に付着された半透明な位相部材２の膜厚は透過光の位相を１８０度シフトさせる値となっている。この膜厚は数百ｎｍとなり文献２で必要とされる半透明なクロム膜の膜厚よりずっと厚いため精度よく形成可能である。また、位相部材２の光の透過率は透過光の強度がフォトレジストの感度より低くなるように調節される。このとき半透明部４は強度が弱いためレジストには転写されない。また同時に、半透明部４の透過光は透明部３の透過光とは位相が１８０度異なるため、透明部３の透過光の回折による横方向への広がりを抑えている。それゆえ、本発明のフォトマスクを用いると孤立パターンの解像度が向上する。文献２において、本発明と同様な効果は透明部の近傍に位相を反転した微細な補助透明部を設けることにより得られているが、本発明に比べてより複雑な構造となっている。
　【００１０】
　【実施例】図１（ａ）は本発明の一実施例であるフォトマスクの断面を示す。透明なガラス基板１の下に半透明な位相部材２を付着させている。位相部材の屈折率ｎは通常１．５程度なので、露光光源の波長としてλ＝３６５ｎｍを用いると、位相部材の膜厚をλ／２／（ｎ−１）〜３６５ｎｍとすることにより１８０度の位相シフト量が得られる。透明部３の幅を１．５μｍ、縮小光学系の倍率１／５、縮小レンズの開口数ＮＡ＝０．５、コヒレンスファクターσ＝０．５として、ウエファ上の光強度を計算した結果を図３に示す。光強度は透明部の中心で１となるように規格化してある。７は半透明部４の光の透過率が０％の場合のウエファ上の光強度分布を、８は透過率が５％の場合のウエファ上の光強度分布を、９は透過率が１０％の場合のウェファ上の光強度分布を示している。透過率は０％の場合は不透明な膜を用いた場合と同じ結果を与える。また、半透明部４の光の透過率を５％あるいは１０％とすることにより、光強度分布の幅が不透明な膜を用いた場合に比べ狭くなり解像度が向上することがわかる。但し、このとき透明部３の中心での光強度は不透明な膜を用いた場合に比べそれぞれ５８％あるいは５５％と小さくなるため、半透明部４の光の透過率の選び方には、光源の照度，レジストの感度などの露光条件に応じた最適化が必要である。
　【００１１】半透明な位相部材２は、例えば前記波長において光の透過率の高い二酸化珪素と透過率の低い三酸化二クロムをスパッタリングにより混合して透明基板上に積層することにより形成される。あるいは前記波長において透明なＳＯＧ（スピンオングラス）に不純物を混合することにより透過率を下げ、これを塗布することによっても形成可能である。露光波長がより短波長になるとＳＯＧの透過率が下がるため、不純物を混合しなくても半透明な位相部材が形成される。
　【００１２】以上、位相シフト量として１８０度の場合を例として挙げたが、文献４に述べられているように位相シフト量を１８０度からずらすことにより段差のあるウエファ上に転写するパターン全体の解像度を向上させることができる。
　【００１３】
　【発明の効果】本発明のフォトマスクは、透明基板に半透明な位相部材を付着させるだけなので作成が非常に簡単である。半透明な位相部材の膜厚は、光の透過率を同一にした場合、半透明なクロム膜よりずっと厚くとれるため欠陥も生じにくい。本発明のフォトマスクを用いることにより、孤立パターンをパターンの一部として有するフォトマスクを投影露光する場合、転写パターンの解像度を向上させることが出来る。
【図面の簡単な説明】
　【図１】（ａ）は本発明の一実施例を示すフォトマスク断面図、（ｂ），（ｃ）はこのフォトマスクを使用した場合のウエファ上での透過光の振幅および強度を示す図である。
　【図２】従来の文献３中のフォトマスクの断面図である。
　【図３】図１（ａ）のフォトマスクにおける半透明部４の光の透過率を様々に変化させた場合のウエファ上における透過光の強度分布を示す図である。
　【符号の説明】
１　ガラス基板
２　半透明な位相部材
３　透明部
４　位相差１８０°を与える半透明部
５　半透明クロム膜
６　透明な位相部材
７　透過率が０％の場合のウエファ上の光強度分布
８　透過率が５％の場合のウエファ上の光強度分布
９　透過率が１０％の場合のウエファ上の光強度分布