(57)【要約】【課題】  電源電圧の低下に対して発振の安定度を確保して発振停止を起こすことを防止すると共に、発振周波数の可変範囲をも拡大する。【解決手段】  発振トランジスタ２、３と、発振周波数可変用の第１のバラクタダイオード１１ｂを含み、発振トランジスタ２、３に結合される共振回路１１とを備え、共振回路１１を第２のバラクタダイオード１６を介して発振トランジスタ２、３に結合し、発振トランジスタ２、３に印加する電源電圧が少なくとも所定値以下に低下した範囲では第２のバラクタダイオード１６の容量値を電源電圧の低下にともなって漸次大きく変化させて共振回路１１と発振トランジスタ２、３との結合を密にした。【選択図】        図１
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【実用新案登録請求の範囲】
【請求項１】
発振トランジスタと、発振周波数可変用の第１のバラクタダイオードを含み、前記発振トランジスタに結合される共振回路とを備え、前記共振回路を第２のバラクタダイオードを介して前記発振トランジスタに結合し、前記発振トランジスタに印加する電源電圧が少なくとも所定値以下に低下した範囲では前記第２のバラクタダイオードの容量値を前記電源電圧の低下にともなって漸次大きく変化させたことを特徴とする発振回路。
【請求項２】
前記電源電圧が入力される定電圧回路を設け、前記第２のバラクタダイオードのアノードを直流的に接地し、前記定電圧回路から前記第２のバラクタダイオードのカソードに給電したことを特徴とする請求項１に記載の発振回路。
【請求項３】
前記発振トランジスタを内部に構成する集積回路を設け、前記共振回路と前記第２のバラクタダイオードとを前記集積回路外に配設し、前記集積回路内に前記定電圧回路を構成したことを特徴とする請求項２に記載の発振回路。
【請求項４】
前記集積回路内にアノードが接地された保護ダイオードを構成し、前記保護ダイオードのカソードを前記第２のバラクタダイオードのカソードと前記発振トランジスタとの結合点に接続したことを特徴とする請求項３に記載の発振回路。
【考案の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本考案は、テレビジョンチューナ等の局部発振用として使用される発振回路に関する。
【背景技術】
【０００２】
図４は従来の発振回路を示す。集積回路部品１内にはエミッタ同士が接続された第一及び第二の発振トランジスタ２、３が構成される。各発振トランジスタ２、３のエミッタ同士は定電流源４に接続される。また、各コレクタにはそれぞれ給電用の抵抗５、６を介して電圧が印加される。此によって各発振トランジスタ２、３は差動的に動作する。
【０００３】
集積回路部品１内には１乃至２ｐＦ（ピコファラッド）程度の第一の結合コンデンサ７と第二の結合コンデンサ８とが形成され、集積回路部品１には第一の端子９が設けられる。そして、第一の端子９には第一のトランジスタ２のコレクタが第一の結合コンデンサ７を介して結合され、第二のトランジスタ３のベースが第二の結合コンデンサ８を介して結合される。また、第一のトランジスタ２のベースは集積回路部品１内に形成された直流カットコンデンサ１０によって集積回路部品１内で高周波的に接地される。
【０００４】
集積回路部品１の外部には共振回路１１が設けられる。共振回路１１はインダクタンス素子１１ａとバラクタダイオード１１ｂとを有し、バラクタダイオード１１ｂはコンデンサ１１ｃによってインダクタンス素子１１ａに並列に接続される。そして、共振回路１１の一端が第一の端子９に接続され、他端は接地される。これによって、共振回路１１は第一のトランジスタ２のコレクタとベースとの間に結合される。また、バラクタダイオード１１ｂのアノードはインダクタンス素子１１ａを介して直流的に接地され、カソードには電圧が印加される。以上のことから、第一及び第二の発振トランジスタ２、３と共振回路１１とによって不平衡型の発振回路が構成され、バラクタダイオード１１ｂのカソードに印加する電圧を変えれば発振周波数が変化する。
【０００５】
以上の構成では、第一のトランジスタ２のコレクタが直接第一の端子９に接続されることなく、第一の結合コンデンサ７を介して接続され、同様に、第二のトランジスタ３のベースも直接第一の端子９に接続されることなく第二の結合コンデンサ８を介して接続される。従って、静電気が第一の端子９に印加された場合でも、結合コンデンサ７、８によって阻止されて発振トランジスタ２、３は静電破壊から保護される（例えば、特許文献１参照。）。
【０００６】
【特許文献１】特開２００２−３７４１２５号公報（図１）
【考案の開示】
【考案が解決しようとする課題】
【０００７】
上記の発振回路は、共振回路１１が結合コンデンサ７及び８に直接接続されるので、発振トランジスタ２、３のコレクタ電圧（電源電圧）の低下に対しても発振の安定度はよいが、発振周波数の可変範囲が狭くなる欠点を有する。そこで、共振回路１１を他の結合コンデンサを介して上記の結合コンデンサ７、８に結合すれば可変範囲を広げることは可能であるが、電圧が低下したときの安定度が悪くなって発振停止を起こすという欠点を有する。すなわち、安定度を良くすることと可変範囲を広げることが相反する。
【０００８】
本考案は、電源電圧の低下に対して発振の安定度を確保して発振停止を起こすことを防止すると共に、発振周波数の可変範囲をも拡大することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するため、発振トランジスタと、発振周波数可変用の第１のバラクタダイオードを含み、前記発振トランジスタに結合される共振回路とを備え、前記共振回路を第２のバラクタダイオードを介して前記発振トランジスタに結合し、前記発振トランジスタに印加する電源電圧が少なくとも所定値以下に低下した範囲では前記第２のバラクタダイオードの容量値を前記電源電圧の低下にともなって漸次大きく変化させた。
【００１０】
また、前記電源電圧が入力される定電圧回路を設け、前記第２のバラクタダイオードのアノードを直流的に接地し、前記定電圧回路から前記第２のバラクタダイオードのカソードに給電した。
【００１１】
また、前記発振トランジスタを内部に構成する集積回路を設け、前記共振回路と前記第２のバラクタダイオードとを前記集積回路外に配設し、前記集積回路内に前記定電圧回路を構成した。
【００１２】
また、前記集積回路内にアノードが接地された保護ダイオードを構成し、前記保護ダイオードのカソードを前記第２のバラクタダイオードのカソードと前記発振トランジスタとの結合点に接続した。
【考案の効果】
【００１３】
請求項１の考案によれば、発振トランジスタと、発振周波数可変用の第１のバラクタダイオードを含み、発振トランジスタに結合される共振回路とを備え、共振回路を第２のバラクタダイオードを介して発振トランジスタに結合し、発振トランジスタに印加する電源電圧が少なくとも所定値以下に低下した範囲では第２のバラクタダイオードの容量値を電源電圧の低下にともなって漸次大きく変化させたので、共振回路と発振トランジスタとの結合が密となり、安定度が向上して発振停止を起こすことがない。
【００１４】
また、請求項２の考案によれば、電源電圧が入力される定電圧回路を設け、第２のバラクタダイオードのアノードを直流的に接地し、定電圧回路から第２のバラクタダイオードのカソードに給電したので、定電圧回路が一定の電圧を出力している間は第２のバラクタダイオードの容量値が一定なので発振周波数の変化はない。
【００１５】
また、請求項３の考案によれば、発振トランジスタを内部に構成する集積回路を設け、共振回路と前記第２のバラクタダイオードとを集積回路外に配設し、集積回路内に定電圧回路を構成したので、部品を増やすことがない。
【００１６】
また、請求項４の考案によれば、集積回路内にアノードが接地された保護ダイオードを構成し、保護ダイオードのカソードを第２のバラクタダイオードのカソードと発振トランジスタとの結合点に接続したので、集積回路内の発振トランジスタを静電破壊から保護することができる。
【考案を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、図１乃至図３にしたがって本考案の発振回路を説明するが、図４に示す従来例と同じ構成には同一符号を付す。
【００１８】
集積回路部品１内にはエミッタ同士が接続された第１及び第２の発振トランジスタ２、３が構成される。各発振トランジスタ２、３のエミッタ同士は定電流源４に接続される。また、各コレクタはそれぞれ給電用の抵抗５、６を介して電源端１２に接続される。電源端１２には５ボルト程度の電源電圧が印加されている。これよって各発振トランジスタ２、３は差動的に動作する。
【００１９】
集積回路部品１内には１乃至２ｐＦ（ピコファラッド）程度の第１の結合コンデンサ７と第２の結合コンデンサ８とが形成され、集積回路部品１には第１の端子９が設けられる。そして、第１の端子９には第１の発振トランジスタ２のコレクタが第１の結合コンデンサ７を介して結合され、第２の発振トランジスタ３のベースが第２の結合コンデンサ８を介して結合される。また、第１の発振トランジスタ２のベースは集積回路部品１内に形成された直流カットコンデンサ１０によって集積回路部品１内で高周波的に接地され、第２の発振トランジスタ３のコレクタも直流カットコンデンサ１３によって集積回路１内で接地される。
【００２０】
さらに、集積回路１内には電源端１２と第１の端子９との間に接続された給電抵抗１４と、第１の端子９にアノードが接続され、カソードが接地されたダイオード１５とが設けられる。よって、ダイオード１５は逆バイアスされる。
【００２１】
集積回路部品１の外部には共振回路１１と第２のバラクタダイオード１６とが設けられる。共振回路１１はインダクタンス素子１１ａと第１のバラクタダイオード１１ｂとを有し、第１のバラクタダイオード１１ｂはコンデンサ１１ｃによってインダクタンス素子１１ａに並列に接続される。そして、共振回路１１の一端が第２のバラクタダイオード１６のアノードに接続されれ、第２のバラクタダイオード１６のカソードが第１の端子９に接続される。第１のバラクタダイオードと第２のバラクタダイオード１４の各アノードはインダクタンス素子１１ａによって接地される。
【００２２】
この構成によって、共振回路１１は第２のバラクタダイオード１６を介して第１の発振トランジスタ２のコレクタとベースとの間に結合されると共に、第２の発振トランジスタ３のコレクタとベースとの間にも結合される。そして、第１のバラクタダイオード１１ｂのカソードには発振周波数を変化するための同調電圧Ｖｔが印加される。また、第２のバラクタダイオード１４のカソードには給電抵抗１６を介して電源電圧が印加される。以上のことから、第１及び第２の発振トランジスタ２、３と共振回路１１とによって不平衡型の発振回路が構成され、第１のバラクタダイオード１１ｂのカソードに印加する同調電圧を変えれば発振周波数が変化する。
【００２３】
以上の構成では、第２のバラクタダイオード１６のカソードに電源電圧（５ボルト）が印加されているので、その容量値は１０数ｐＦ以上となり、共振回路１１と各発振トランジスタ２、３との結合が密になり、発振回路としての安定度が確保されている。また、電源電圧が低下していくと、発振回路としての安定度が低下する傾向にあるが、その電圧低下にともなって、第２のバラクタダイオード１６の容量値が急激に増加するので、相互の結合が更に密となり、安定度は改善されて発振停止を起こすことはない。
【００２４】
また、第１の端子９には逆バイアスされたダイオード１５が接続されているので、静電気が第一の端子９に印加された場合でも、ダイオード１５及び結合コンデンサ７、８によって阻止されて各発振トランジスタ２、３は静電破壊から保護される。そして、第１の端子９にダイオード１５が接続されていることでダイオードの内部容量及び集積回路１内の浮遊容量が共振回路１１に付加されるが、第２のバラクタダイオード１６の存在によって共振回路１１が各発振トランジスタ２、３に結合しているので、発振周波数の可変範囲が狭くなるのを改善する。
【００２５】
図２は図１における給電抵抗１４の代わりに定電圧回路１７を設けた構成を示し、その他の構成は同じである。この定電圧回路１７は、図３に示すように、例えば、入力される電源電圧が４ボルト以上ではほぼ一定の電圧３．２ボルトを出力し、４ボルト以下に低下すると、それにともなって０．８ボルト低い電圧を出力する。したがって、電源電圧が所定の４ボルト以上では、第２のバラクタダイオード１６のカソードには一定の電圧（３．２ボルト）が印加されるが、それよりも低い電圧に低下すると０．８ボルト低い電圧が第２のバラクタダイオード１６に印加される。
【００２６】
このことから、４ボルト低下するまでの間では第２のバラクタダイオード１６の容量値は不変であり、電源電圧の変動に対して発振周波数はあまり変化しない。そして、４ボルト以下に低下したときには第２のバラクタダイオード１６の容量値が大きくなって、共振回路１１と各発振トランジスタ２、３との結合が密となるので発振停止を防止できる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】本考案の発振回路の構成を示す回路図である。
【図２】本考案の発振回路の他の構成を示す回路図である。
【図３】本考案の発振回路に使用する定電圧回路の特性図である。
【図４】従来の発振回路の構成を示す回路図である。
【符号の説明】
【００２８】
１  集積回路部品
２  第１の発振トランジスタ
３  第２の発振トランジスタ
４  定電流源
５、６  給電抵抗
７  第１の結合コンデンサ
８  第２の結合コンデンサ
９  第１の端子
１０、１３  直流カットコンデンサ
１１  共振回路
１１ａ  インダクタンス素子
１１ｂ  第１のバラクタダイオード
１１ｃ  コンデンサ
１２  電源端
１４  給電抵抗
１５  ダイオード
１６  第２のバラクタダイオード
１７  定電圧回路
【図１】
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【図２】
0003105078.tif 000004
【図３】
0003105078.tif 000005
【図４】
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