(57)【要約】本発明は、基板に光束（Ｆ）を照射することによって基板の埋込領域を加熱し、前記埋込領域内の材料の分解を起こして、剥離層を剥離させることを目的とする、剥離層と呼ばれる層を剥離するための基板（１）を調製する方法であって、この方法は：ａ）埋込層と呼ばれる第１層（２）と、被覆層と呼ばれ、前記第１層（２）の全てまたは一部を覆う第２層（４）とを含む中間体基板を製造する工程であって、前記被覆層（４）は前記光束（Ｆ）に対して実質的に透明であり、前記基板に対する粒子の注入によって作成される前記埋込層（２）は、前記光束（Ｆ）の一部を吸収する工程と、ｂ）被処理領域と呼ばれる前記埋込層（２）の領域を、それを構成する材料の少なくとも部分的な分解が起こるまで、選択的かつ断熱的に照射する工程とを含む方法に関する。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
剥離層と呼ばれる層を剥離するための基板（１）を調製する方法であって、前記基板は、前記基板に光束（Ｆ）を照射することによって前記基板の埋込領域を加熱し、前記埋込領域内の材料の分解を起こして、前記剥離層を剥離させることを目的とし、前記方法は、
ａ）  埋込層と呼ばれる第１層（２）と、被覆層と呼ばれ、前記第１層（２）の全てまたは一部を覆う第２層（４）とを含む中間体基板を製造する工程であって、前記被覆層（４）は前記光束（Ｆ）に対して実質的に透明であり、前記基板に対する粒子の注入によって作成される前記埋込層（２）は、前記光束（Ｆ）の一部を吸収する工程と、
ｂ）  被処理領域と呼ばれる前記埋込層（２）の領域を、それを構成する材料の少なくとも部分的な分解が起こるまで、選択的かつ断熱的に照射する工程と
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記注入される粒子が軽イオンであることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記粒子が、Ｈ+およびＨｅ+の群を含むイオンであることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
注入量が１０14〜２×１０16原子・ｃｍ-2の間であることを特徴とする請求項２または３に記載の方法。
【請求項５】
前記注入が、前記被覆層を形成する工程の後に実施されることを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
前記注入が、前記被覆層を形成する工程の前に実施されることを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の方法。
【請求項７】
前記光束（Ｆ）による前記区域の照射時間が、前記時間に相当する熱拡散長さが前記層の厚さより短いか、または同一のオーダーであるように選択されることを特徴とする請求項１から６のいずれかに記載の方法。
【請求項８】
工程ａ）と工程ｂ）との間、または工程ｂ）の後に、前記基板（１）が別の部品（５）に結合されることを特徴とする請求項１から７のいずれかに記載の方法。
【請求項９】
前記別の部品（５）が、前記光束（Ｆ）の波長に対して実質的に透明であり、前記光束は、前記別の部品（５）を通して印加されることを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記基板の材料は、ＩＩＩ−Ｖ族の材料であることを特徴とする請求項１から９のいずれかに記載の方法。
【請求項１１】
前記材料の組成は、ＡｌxＧａyＩｎ1-x-yＮ型であり、ここで０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、およびｘ＋ｙ≦１であることを特徴とする請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記材料は、ニオブ酸リチウム、チタン酸ジルコン酸鉛のような圧電性材料、合金、固溶体、好ましくは熱力学的平衡にないものであることを特徴とする請求項１から９のいずれかに記載の方法。
【請求項１３】
前記基板（１）が、電子産業、光学産業または電気光学産業用の化合物半導体材料で形成される基板であり、工程ｂ）の後に、前記基板（１）の表面と前記埋込層（２）との間に位置する層（４）の剥離を起こすように、前記埋込層に熱的および／または機械的付加を印加することを特徴とする請求項１から１２のいずれかに記載の方法。
【請求項１４】
工程ａ）は、前記層（４）の材料の吸収係数より大きな吸収係数を有する材料による別個の結晶性層の形成を含むことを特徴とする請求項１から１３のいずれかに記載の方法。
【請求項１５】
前記粒子が前記別個の結晶性層に注入されることを特徴とする請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記別個の結晶性層は、ＩｎＧａＮまたはＡｌＧａＮおよびＧａＮの透明層で作成されることを特徴とする請求項１５に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板から層を剥離すること(detaching)を目的とする半導体材料製の基板を調製するための方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般式ＡｌxＧａyＩｎ1-x-yＮ（式中、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、およびｘ＋ｙ≦１）を有し、特にＧａＮであるＩＩＩ−Ｎ型の半導体は、光電子分野、電力部品、および高周波用途において非常に魅力的な特性を有する。
【０００３】
しかしながら、これらの用途の開発は、基板の技術−経済的限界によって減速されている。
【０００４】
実際、デバイスの製造は、一般に、ドナー基板から得られる薄層の支持基板への転写に依存する。ドナー基板は、目的とする用途に適した高品質のＩＩＩ−Ｎ材料の塊状基板である。
【０００５】
特に、ＳｍａｒｔＣｕｔ（商標）は、よく知られた転写技術であり、それは、一般的に、ドナー基板に対してある量の原子種またはイオン種を注入して、基板内の特定の深さに脆化区域を形成し、転写される層を画定する工程と、ドナー基板を支持基板すなわちレセプタ基板上に貼り付ける工程と、脆化区域においてドナー基板を破断させ、レセプタ基板上に貼り付いた前記薄層の剥離を可能にする工程とを含む。この技術において、転写される層の分離(separation)およびそのドナー基板からの剥離は、注入される種によって誘起されるプレートリットおよびホールのような結晶欠陥の生成、および熱的活性化によるそれらの合体によって得られる。
【０００６】
しかしながら、ＩＩＩ−Ｎ材料製の基板の場合、シリコンの場合よりも５〜１０倍の量の原子種またはイオン種の注入を必要とし、それは、プロセス費用の相当な増大をもたらす。
【０００７】
基板を損傷させることなしに、可能な限り薄い形態で取扱(handling)基板へと転写することができる、広いバンドギャップを有する半導体の薄板を製造する方法が、国際公開第２０１０／０６７８３５号パンフレットに記載されている（特許文献１参照）。
【０００８】
その方法は、イオン注入層を形成するための広バンドギャップ半導体表面からのイオン注入と、少なくとも取扱基板の前述の表面に対する表面活性化処理を適用する工程と、取扱基板の表面に広バンドギャップ半導体表面の表面を結合させて、結合体を形成する工程と、結合体を１５０〜４００℃の温度における熱処理を適用する工程と、イオン注入層を可視光に暴露してイオン注入層を脆化させ、広バンドギャップ半導体層を取扱基板に転写する工程とを含む。
【０００９】
前述のように、光暴露工程はイオン注入層の脆化を目的としており、そのため、この技術は、以前に言及したＳｍａｒｔＣｕｔ（商標）プロセスと完全に同種であり、必然的なコストの問題点を含む。実際、注入を実施して目的とする層を脆化し、次いで熱処理によって結晶欠陥の生成を活性化し、そして最終的に、前記結晶欠陥において前記層を断裂させる。
【００１０】
さらに、Y.Kunoh他、「Fabrication of light emitting diodes transferred onto different substrates by GaN substrate separation technique」、Phys Status Solidi C7, N) 7-8, 2091-2093 (2010) /DOI10.002/pssc200983576)の論文は、２つの積み重ねられた層、すなわち可視光を吸収する層、および、その層を覆い、当該光に対して「透明」な層が形成される技術を記載している。犠牲層として存在する埋込層の特性は変化させられる（非特許文献１参照）。
【００１１】
この変化は、前記層の形成直後、すなわち、それが透明層で覆われる前に実施される。
【００１２】
それは、層を「熱的に分解する」アニーリングによって実施される。
【００１３】
透明層の形成前に実施されるこの分解は、「熱的損傷を受けた表面層で終端されることを回避する（LED)」ことを可能にするために提供される。
【００１４】
次いで犠牲層の上への透明層の成長をエピタキシーによって実施し、次いで光の照射が犠牲層の転写を可能にする。
【００１５】
したがって、アニーリングは、犠牲層の分解を開始させ、犠牲層をより吸収性とし、次いで分解は光の照射によって完了するように見える。
【００１６】
したがって、これは、引き続いてエピタキシーによって覆われる層の分解を伴う。これは、重大な欠点を形成する。なぜなら、犠牲層の表面はこれらの処理によって劣化し、もはやエピタキシーに最適化された結晶マトリクスを持たないからである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１７】
【特許文献１】国際公開第２０１０／０６７８３５号パンフレット
【非特許文献】
【００１８】
【非特許文献１】Y.Kunoh他、「Fabrication of light emitting diodes transferred onto different substrates by GaN substrate separation technique」、Phys Status Solidi C7, N) 7-8, 2091-2093 (2010) /DOI10.002/pssc200983576)
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１９】
本発明によって得ようとする態様の１つは、半導体の層を剥離することを目的とする、半導体材料製の基板を調製するための方法であって、既存の方法の制限を持たず、かつよりコストが低い方法を開発することである。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
この目的のために、本発明は、半導体材料製の基板を調製するための方法であって、当該基板は、基板に対する光束の照射によって基板の埋込領域を加熱し、前記剥離層を剥離するように材料を分解することによって、基板から剥離層と呼ばれる層を剥離することを目的とし、前記方法は、
ａ）  埋込層と呼ばれる第１層と、被覆層と呼ばれ、前記第１層の全てまたは一部を覆う第２層とを含む中間体基板を製造する工程であって、前記第１層の材料は、前記第２層の材料の吸収光学特性とは異なる吸収光学特性を有し、
・  被覆層は前記光束に対して実質的に透明であり、
・  基板に対する粒子の注入によって作成される前記埋込層は、前記光束の一部を吸収する工程と、
ｂ）  被処理領域と呼ばれる前記埋込層の領域を選択的かつ断熱的に照射し、それを構成する材料の少なくとも部分的な分解まで、前記光に対する光学吸収特性を増加させる工程と
を含む。
【００２１】
「吸収」という用語は、光束のエネルギーの相当部分、すなわち、埋込層に到達した光束の少なくとも１０％が、埋込層の材料により吸収されることを意味する。
【００２２】
選択的かつ断熱的照射は、埋込層の剥離に必要とされる光供給の削減を可能とする。
【００２３】
本方法の有利かつ非制限的特徴によれば、
・  前記注入される粒子は軽イオンであり；
・  前記イオンは、Ｈ+およびＨｅ+からなる群に含まれ；
・  注入量は、１０14〜２×１０16原子・ｃｍ-2の間であり；
・  前記注入は、中間体基板の作成後に実施され；
・  前記注入は、中間体基板の作成前に実施され；
・  前記区域に対する光束の照射時間は、当該時間に対応する熱拡散長さが前記層の厚さより短いか、または同一のオーダーであるように選択され；
・  工程ａ）および工程ｂ）の間、または工程ｂ）の後に、基板は別の部分に結合され；
・  前記別の部分は、前記光束の波長に対して実質的に透明であり、前記光束は、前記別の部分を通して印加され；
・  前記基板は、ＩＩＩ−Ｖ族の化合物材料であり；
・  前記化合物材料の組成は、ＡｌxＧａyＩｎ1-x-yＮ（式中、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、およびｘ＋ｙ≦１）型であり；
・前記基板は、ニオブ酸リチウム、チタン酸ジルコン酸鉛のような圧電性材料、合金、ガラス、固溶体、特に熱力学的平衡にないものであり；
・  基板は、電子産業、光学産業、または電気光学産業用の化合物半導体材料で作成され、工程ｂ）の後に、基板の表面と埋込層との間に位置する層の剥離を誘起するように、熱的および／または機械的付加が埋込層に印加され；
・  工程ａ）は、層材料の吸収係数よりも大きな吸収係数を有する材料中の材料中に別個の結晶性層の形成を含み；
・  前記粒子は、前記別個の結晶性層中に注入され；
・  前記別個の結晶層は、ＩｎＧａＮまたはＡｌＧａＮ、およびＧａＮの透明層で作成される。
【００２４】
本発明の別の目的、特徴および利点は、添付の図面を参照する以下の詳細な記載に鑑みて、より良好に理解されるであろう。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】基板中の、光学的に変化した埋込層の形成を示す図である。
【図２】埋込層を含む基板に対する光束の照射を示す図である。
【図３】支持体に対する基板の結合を示す図である。
【図４】基板内部への注入時に粒子によって生成される欠陥のプロファイルを示す図であり、言い換えると、入射イオンに起因し、かつ結果として欠陥となりがちな衝突の厚さ１Åの層中の数を、深さの関数として示す図であり、したがって、注入工程後の欠陥プロファイルの形状のグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
本発明は、結晶性または非結晶性の化合物材料製の任意の基板に適用され、当該基板の光吸収特性（特に、所与の周波数範囲内の光吸収係数、または屈折率の虚数部分）は、粒子の注入によって局所化された領域内で変化させることができる。また化合物材料は、この領域内および近傍における光束によるエネルギー入力の影響下で、この領域内で分解できなければならない。
【００２７】
「化合物材料」とは、少なくとも２つの元素からなる材料を意味する。
【００２８】
「分解」とは、材料に依存して、相分離、新規な相の生成、介在物の生成などからなる、材料の基礎構造の変化を意味する。
【００２９】
化合物材料は、少なくとも２種の原子からなる材料である。前記化合物材料の中で、特にＩＩＩ−Ｖ化合物半導体、および特に窒化物（一般式ＡｌxＧａyＩｎ1-x-yＮ（式中、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、およびｘ＋ｙ≦１）を有するＩＩＩ−Ｖ化合物である）のみならず、圧電性材料（ニオブ酸リチウム、チタン酸ジルコン酸鉛…）、合金、ガラス、固溶体、特に熱力学的平衡にないものに言及することができる。
【００３０】
本明細書において、用語「基板」は、電子産業、光学産業、または電気光学産業において用いることができる基板だけではなく、粗さの大きさがイオンの注入深さよりも著しく小さい、インゴット、球、またはそれを通して注入を実施することができる表面を有する任意の他の物体をも包含する。
【００３１】
図１〜３を参照して上述される非制限的な例において、処理される部分１は、ＡｌxＧａyＩｎ1-x-yＮ（式中、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、およびｘ＋ｙ≦１）の組成を有する材料で作成される基板である。
【００３２】
図１から分かるように、本方法の第１の工程は、基板１の埋込層２からなる埋込区域の光学特性の変化を含む。
【００３３】
「埋込」が意味するとことは、層２が完全に基板の表面まで延在せず、しかし、基板表面に平行な２つの面の間に存在し、当該２つの面のそれぞれは、基板の表面から非ゼロの深さに位置することである。言い換えると、この埋込層は、基板の表面と同一平面をなすものではなく、かつ、この層の外側では光学吸収特性は著しく変化させられない。
【００３４】
この第１工程において、埋込層２となる区域の吸収係数が、基板１の残余の部分の吸収係数に比較して、増大する。
【００３５】
この目的のために、粒子３が基板１中に注入され、形成されることが所望され、所望の吸収係数の値を有する埋込層２の厚さおよび深さによって、注入のパラメーター（基本的には、イオンの種類、量およびエネルギー）が決定される。
【００３６】
したがって、注入される粒子は、好ましくは、ヘリウムイオンおよび水素イオンのようなガス状または非ガス状のイオンである。
【００３７】
リチウムのような比較的重いイオンは、所与の深さにおいて、たとえば水素よりも大きなエネルギーを必要とする。しかしながら、それら比較的重いイオンは、欠陥を生成すること、および吸収係数を変化させることにおいて、遙かに有効性が高い。
【００３８】
注入される量は、典型的には、１０14〜２×１０16原子・ｃｍ-2の間である。
【００３９】
この点に関して、それは、ＳｍａｒｔＣｕｔ（商標）型の方法の実施のために基板を脆化させるのに用いられる量よりも遙かに少ない量であることに注意されたい。ＳｍａｒｔＣｕｔ（商標）型の方法では、ＩＩＩ−Ｖ化合物材料における通常の量は１０17イオン・ｃｍ-2よりも多い。
【００４０】
「軽い」イオンを選択することは、材料内で消費されるエネルギーが本質的に電子的制動によって伝達されるエネルギーであることを可能とし、それは、粒子がそのエネルギーのかなりの部分を核衝突によって伝達し、その結果として欠陥を生成する移動の終点を除いて、横断される厚みにおいて欠陥を誘起することがない。
【００４１】
これらの条件下で、および図４に示すグラフ（横軸は基板表面から注入が実施される場所までの深さ（単位μｍ）を示し、縦軸は欠陥数を示す）から分かるように、生成される欠陥のプロファイルの形状は、表面から始まって次第に大きくなる大きさを有し、目的深さの近傍の深さにおいて明確なピークＰに到達する。より正確には、この図は、厚さ１Åの層中の衝突（入射イオンによって誘起され、欠陥をもたらすことができる衝突）の数を、深さの関数として示している。このグラフは、注入工程後の欠陥プロファイルの形状を示す。
【００４２】
注入中、自己修復現象を回避するために、基板温度が過度に高くならないことが好ましい。自己修復現象は、埋込層の光学特性を変化させることにおける注入の効率を低下させる可能性がある。よって、注入条件は、好ましくは基板温度が低温の範囲（たとえば、常温と２００℃との間）にとどまるように選択される。
【００４３】
粒子３のそのような注入は、粒子３の移動終了領域に実質的に相当する埋込層２において欠陥を生成させると同時に、粒子３が移動した領域４（基板の表面と埋込層２との間）は、有意に外乱を受けることがなく、したがってその初期の光学特性を維持する。
【００４４】
材料が結晶性半導体である場合において、埋込層中の前記欠陥によって起こり得る効果は、半導体のバンドギャップの内部に副準位を生成させることである。
【００４５】
これらの欠陥および関連する外乱は、注入量に依存する程度まで、埋込層の吸収係数の増大をもたらす。一般的に、注入量が多いほど、光学特性の変化の程度が大きい。非常に大きい注入量においては、飽和効果が現れる可能性がある。
【００４６】
したがって、当業者は、基板材料に依存して、所望される吸収係数の変化量を得るために適切な量を選択するであろう。
【００４７】
この目的のために、当業者は、異なる量を用いる注入試験を実施し、たとえば分光光度計のような既知の装置を用いて、得られる吸収係数を測定してもよい。
【００４８】
好みの問題として、埋込層２の厚さは、少なくとも０．１マイクロメートルであり、その吸収係数は１０００〜５０，０００ｃｍ-1の間にある。
【００４９】
本方法の第１の工程は、基板の厚さの範囲内で、光学特性が異なることによって基板１の残余の部分から区別される埋込層２を「マーク」すること、すなわち、局所的に画定することを可能にする。
【００５０】
埋込層２は、初期では基板１の残余の部分と同一の材料を有して、処理前には１つの領域を構成し、処理後において別個の層をもたらす。
【００５１】
光学特性を大きく変化させられる層２の深さ、およびその厚さは、それが真に埋め込まれるように、すなわち、層２が化合物の自由表面にまで延在しないようなものでなければならない。
【００５２】
この最初の処理工程の後に、基板１を厚くすること、すなわち、より大きな実質的厚さを与えることが可能である。たとえば、それは、基板１の材料と同一の材料、または、異種の材料であるが、その格子パラメーターが基板１の材料のパラメーターに整合する材料を用いるエピタキシャル成長によって実施することができる。この「増厚」は、後天的に、光学的に変化した層２をより深い位置に埋め込むことをもたらす。
【００５３】
この堆積物は、以下で説明するように、光に対して「透明」でなければならず、かつ、その前に実施した吸収係数の変化に何の効果も及ぼさない方法によって形成されなければならない。
【００５４】
図２に関して、基板１の表面に、光束Ｆを照射する。光束Ｆの波長は、埋込層２が前記波長を吸収し、表面と光学特性が変化した前記埋込層との間に位置する基板の残余の部分（層４）が前記波長に対して実質的に透明であるように選択される。
【００５５】
「実質的に透明」が意味するところは、基板１は少量の光束を吸収することが起こり得てもよいとしても、その起こり得るわずかな吸収が、埋込層の照射に必要な時間の間に、それが横断する基板の部分のわずかな加熱をもたらすのみであること、より正確には、その加熱が、材料の分解温度よりも遙かに低い温度までに限定されることを意味する。また、「実質的に透明」とは、この温度上昇による基板の層４の光学特性の変化が、埋込層２に到達する光束の通過を著しく妨害しないことを意味する。
【００５６】
しかしながら、光束は、埋込層２による吸収が、その層の加熱をもたらすように選択されるエネルギー密度および相互作用時間を有する。
【００５７】
光束Ｆは、埋込層２の吸収係数に適切な任意の波長を有することができ、したがって、可視、赤外または紫外域に属することができる。
【００５８】
光束Ｆは、不連続、すなわちある時間内に離散している光パルスからなってもよいし、連続であってもよい。後者の場合、基板１の照射は、好ましくは光束の掃引によって実施され、その表面の所与の点が、時間内に離散している光パルスの形態で光束を受容するようにすることが好ましい。
【００５９】
埋込層２と光束の相互作用は断熱的である。すなわち、温度上昇は、光束がそのエネルギーを伝達した区域（同時に光学特性が変化した区域である）に実質的に限定される。この断熱特性は、埋込層を選択的に加熱することを可能にし、以下に記載するように、材料の分解を埋込層に限定することを可能にする。
【００６０】
この目的のために、光束のパラメーターは、必要な相互作用時間が可能な限り短くなるように選択される。
【００６１】
概算値を設定する単純な規則は、たとえば、相互作用時間τ（タウ）を選択して、その時間τに相当する熱拡散長さを、その光学特性を変化させられる区域２の厚さより小さく、またはそれと同じオーダーにするようにすることである。
【００６２】
たとえば、０．１ｃｍ2／ｓの拡散係数（Ｄ）、５００ｎｍの光学的に変化する層２の厚さ、および２０，０００ｃｍ-1より大きな吸収係数を用いて、この層が入射する光束の事実上全てを吸収させるためには、τは、（Ｄ・τ）の平方根＝５００ｎｍになるように選択され、それは、τに２５ナノ秒の値を与える。
【００６３】
熱拡散係数（単位ｍ2／ｓ）はｋ／（ρ・Ｃ）の関係で与えられることを想起されたい。ここで、ｋは材料の熱伝導率であり、ρ（ロー）は材料の密度であり、Ｃは、単位質量あたりの熱容量（すなわち比熱）である。
【００６４】
より高い精度が所望される場合、たとえば市販の２Ｄソフトウェアによる迅速なシュミュレーションが、この値を迅速に決定することを可能にする。
【００６５】
層２の厚さを知ると、光束を受容する材料の体積もまた知ることとなり、比熱によって、所望の温度を達成するために必要なエネルギー体積密度および光束のエネルギー密度が推定される。
【００６６】
たとえば、５００ｎｍの厚さの前述の場合において、比熱が１Ｊ／（ｃｍ3×℃）であり、達成される温度が常温よりも５００℃高い温度の場合、以下の計算が実施される。
【００６７】
断面積１ｃｍ2当たりの体積に関して、問題となる体積は、５×１０-5ｃｍ3（１ｃｍ2×５００ｎｍ）である。
【００６８】
したがって、この材料の温度を周囲より５００℃上昇させるために必要な単位体積あたりのエネルギーは、５００℃×１Ｊ／（ｃｍ3×℃）＝５００Ｊ／ｃｍ3である。
【００６９】
したがって，必要なエネルギーは、５００×５×１０-5＝２．５×１０-2Ｊであり、これは、２．５×１０-2Ｊ／ｃｍ2のエネルギー密度を有する光束に相当する。
【００７０】
したがって、このエネルギーを２５ナノ秒（ｎｓ）以内に送達するためには、必要とされるパワーフラックスは、２．５×１０-2Ｊ／ｃｍ2／２５×１０-9＝１０００ｋＷ／ｃｍ2である。
【００７１】
この光束は、レーザーを用いて得ることができる。
【００７２】
光束は、それを通して粒子３の注入を実施した基板の面に印加することができる。しかし、同様に、別法として、基板の反対側の面から印加することもできる。
【００７３】
１つの具体的実施形態において、図３に示すように、注入後に基板１の一方の面に別の部品５を結合することができる。
【００７４】
この部品５は、特に後続して基板の層の剥離が意図されている場合、たとえば、剛直または可撓性の支持体の機能を有することができる。
【００７５】
この場合、光束の照射は、基板の自由表面にて実施することができる。または、部品５も同様に光束の波長に対して実質的に透明である場合、光束の照射は、前記部品５の自由かつ露出している面にて実施することができる。
【００７６】
光束の印加によってもたらされる埋込層２の選択的加熱が十分な強度であれば、材料の局所的分解、または相分離、脆化、新しい相の生成などが、この層内で少なくとも部分的に進行する。
【００７７】
たとえば、ＧａＮの場合、約９００℃を超える温度上昇が、金属ガリウム相および気体状窒素相を与える分解をもたらすことが観察される。
【００７８】
特に有利なことには、この変化は、基板１を埋込層２で脆化させ、基板１から、基板表面とこの層２との間に位置する層４を剥離させるるために利用することができる。
【００７９】
剥離工程は、当業者によく知られている手段による熱的および／または機械的エネルギーの付加が必要となる可能性がある。
【００８０】
示されていない本発明の実施形態において、透明層の材料の吸収係数よりも大きな吸収係数を有する材料で構成されている別個の結晶性層において注入工程を実施することができる。透明層４は、たとえばエピタキシーにより、注入工程の前または後に、結晶性透明層を覆って形成することができる。この実施形態においては、層２において、より大きな吸収を利用できる。同様に前述の場合において、注入工程によって影響されていないことによって別個の結晶性層の上側表面は優れた品質を有し、これは、別個の結晶性層／層４の界面、および層４そのものの品質に好ましい効果を有する。
【符号の説明】
【００８１】
１  基板
２  第１層（埋込層）
３  粒子
４  第２層（被覆層）
５  別の部品
Ｆ  光束
【図１】
2013533621.tif 000003
【図２】
2013533621.tif 000004
【図３】
2013533621.tif 000005
【図４】
2013533621.tif 000006
【国際調査報告】
2013533621.tif 000007
2013533621.tif 000008
2013533621.tif 000009