【事件の表示】
　特許第２７８４３６４号「化合物半導体のエピタキシャル成長方法」の請求項１ないし３に係る特許に対する特許異議の甲立てについて、次のとおり決定する。
【結論】
　訂正を認める。
　特許第２７８４３６４号の請求に係る特許を維持する。
【理由】
Ｉ．手続きの経緯
　本件特許第２７８４３６４号の発明は、平成１年４月２７日に出願され、平成１０年５月２９日に設定登録がなされ、平成１０年８月６日に特許公報に掲載されたところ、平成１１年２月５日に阪本月彦から特許異議の申立がなされ、取消理由通知に対しその指定期間内である平成１１年８月１２日付けで訂正請求がなされ、平成１１年９月１６日付けの訂正拒絶理由通知に対し同日付けで訂正請求書の補正がなされたものである。
ＩＩ．訂正請求書の補正について
ＩＩ−１．補正の内容
（ａ）訂正請求書に添付された全文訂正明細書中の請求項１〜３の「特徴とする電界効果トランジスタまたはＩＣ用の化合物半導体のエピタキシャル成長方法。」を、特許請求の範囲の減縮を目的として、「特徴とする高電子移動度トランジスタまたはＩＣ用の化合物半導体のエピタキシャル成長方法。」と訂正する。
（ｂ）同全文訂正明細書中の請求項４を、特許請求の範囲の減縮を目的として、削除する。
（ｃ）訂正請求書中の訂正の要旨▲５▼において、『特許明細書第１頁第２４行目に「…技術に関する。」とある記載を不明瞭な記載の釈明として「技術に関し、特には電界効果トランジスタまたはＩＣ用の化合物半導体のエピタキシャル成長方法に関する。」と訂正する。』とあるを、不明瞭な記載の釈明を目的として、『特許明細書第１頁第２４行目に「…技術に関する。」とある記載を不明瞭な記載の釈明として「技術に関し．特には高電子移動度トランジスタまたはＩＣ用の化合物半導体のエピタキシャル成長方法に関する。」と訂正する。』と補正する。
（ｄ）訂正請求書中の訂正の要旨▲６▼において、『特許明細書第２頁第２５〜２６行目に「成長方法を提供することである。」とある記載を不明瞭な記載の釈明として「電界効果トランジスタまたはＩＣ用の化合物半導体のエピタキシャル成長方法を提供することである。」と訂正する。』とあるを、不明瞭な記載の釈明を目的として、『特許明細書第２頁第２５〜２６行目に「成長方法を提供することである。」とある記載を不明瞭な記載の釈明として「高電子移動度トランジスタまたはＩＣ用の化合物半導体のエピタキシャル成長方法を提供することである。』と訂正する。」と補正する。
（ｅ）訂正請求書中の訂正の要旨▲７▼において、『特許明細書第５頁第２４行目に「デバイス特性」とある記載を不明瞭な記載の釈明として「デバイス（電界効果トランジスタまたはＩＣ）特性」と訂正する。』とあるを、不明瞭な記載の釈明を目的として、『特許明細書第５頁第２４行目に「デバイス特性」とある記載を不明瞭な記載の釈明として「デバイス（高電子移動度トランジスタまたはＩＣ）特性」と訂正する。』と補正する。
（ｆ）訂正請求書中の訂正の要旨▲８▼において、
『特許明細書第６頁第２行目と３行目の間に不明瞭な記載の釈明として「なお、ＧａＡｓ基板上にＡＩＧａＡｓエピタキシャル層を成長させる場合には、成長温度および成長速度を上記と同様にするとともに蒸発源からのＡＩとＧａの供給比ＰＡｌ／ＰＧａを約０．３以下．ＡｓとＡＩ，Ｇａの供給量の比ＰＡｓ／（ＰＧａ＋ＰＡｌ）を１５〜２５とすることにより、上記と同様の効果が得られる。」との記載を加入する訂正をする。』とあるを、不明瞭な記載の釈明として、削除する。
ＩＩ−２．補正の適否
　上記（ａ）の補正は、訂正請求書に添付された全文訂正明細書の請求項１〜３に記載された「電界効果トランジスタ」を、該全文訂正明細書の記載に基づき、「高電子移動度トランジスタ」と限定するものであり、上記（ｂ）の補正は、同全文訂正明細書中の請求項４を削除するものであるから、それらの補正は、いずれも、訂正請求書の要旨を変更するものでない。
　また、上記（ｃ）〜（ｆ）の補正は、訂正請求書およびそれに添付された全文訂正明細書中の上記（ａ）、（ｂ）の補正に関連する部分の記載を、上記（ａ）、（ｂ）の補正内容に整合させるべく補正することを示すものにすぎないから、上記（ｃ）〜（ｆ）の補正は、いずれも、訂正請求書の要旨を変更するものでない。
　したがって、上記訂正請求書の補正は、特許法第１３１条第２項の規定に適合するものである。
ＩＩＩ．訂正請求について
ＩＩＩ−１．訂正の要旨
Ａ．特許明細書の請求項１〜３の「特徴とする化合物半導体のエピタキシャル成長方法。」との記載を、特許請求の範囲の減縮を目的として、「特徴とする高電子移動度トランジスタまたはＩＣ用の化合物半導体のエピタキシャル成長方法。」と訂正する。
Ｂ．特許明細書第１頁第２４行の「…技術に関する。」との記載を、「…技術に関し、特には高電子移動度トランジスタまたはＩＣ用の化合物半導体のエピタキシャル成長方法に関する。」と訂正する。
Ｃ．特許明細書第２頁第２５〜２６行の「成長方法を堤供することである。」との記載を、「高電子移動度トランジスタまたはＩＣ用の化合物半導体のエピタキシャル成長方法を提供することである。」と訂正する。
Ｄ．特許明細書第５頁第２４行の「デバイス特性」との記載を、「デバイス（高電子移動度トランジスタまたはＩＣ）特性」と訂正する。
ＩＩＩ−２．訂正の適否
ＩＩＩ−２−１．目的・新規事項・拡張変更について
　訂正の要旨Ａの訂正は、特許明細書第１頁２６〜２８行、同第４頁１８〜２０行、同第５頁１５行及び同第２頁２行の記載に基づき、特許明細書の請求項１〜３に記載の方法で製造される「化合物半導体」について、その用途を限定したものであるから、請求されたとおりに特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり、特許明細書に記載された事項の範囲内の訂正であり、特許請求の範囲を実質上拡張又は変更するものでもない。
　訂正の要旨Ｂ〜Ｄの訂正は、訂正の要旨Ａの訂正に伴い必要となった特許明細書の不整合を解消するためのものであるから、明瞭でない記載の釈明を目的とするものであり、特許明細書に記載した事項の範囲内の訂正であり、特許請求の範囲を実質上拡張又は変更するものでもない。
ＩＩＩ−３．独立特許要件について
ＩＩＩ−３−１．本件各発明
　訂正後の本件各発明は、上記訂正後の明細書の請求項１〜３に記載された次のとおりのものである。
　【請求項１】ＧａＡｓ基板上に分子線エビタキシー法によりＧａＡｓ層またはＡＩＧａＡｓ層をエピタキシャル成長させるにあたり、上記ＧａＡｓ基板として面方位を（１００）面もしくは結晶学的にそれと等価な面から角度で０．１５度以内傾けた基板を用いることにより基板の転位に起因し、かつ短径が２〜３μｍで長径が４〜７μｍの大きさの楕円形の欠陥の密度を１×１０３ｃｍ−２以下に抑えるようにしたことを特徴とする高電子移動度トランジスタまたはＩＣ用の化合物半導体のエピタキシャル成長方法。
　【請求項２】ＧａＡｓ基板上に分子線エビタキシー法によりＧａＡｓ層またはＡＩＧａＡｓ層をエピタキシャル成長させるにあたり、上記ＧａＡｓ基板として面方位を（１００）面もしくは結晶学的にそれと等価な面から角度で０．０５度以内傾けた基板を用いることにより基板の転位に起因しかつ短径が２〜３μｍで長径が４〜７μｍの大きさの楕円形の欠陥の密度を２×１０２ｃｍ−２以下に抑えるようにしたことを特徴とする高電子移動度トランジスタまたはＩＣ用の化合物半導体のエピタキシャル成長方法。
　【請求項３】上記ＧａＡｓ層のエピタキシャル成長時の基板温度を５００〜６２０℃とし、かつ蒸発源からのＡｓとＧａの供給比ＰＡｓ／ＰＧａを１５〜２５とするとともに、成長速度を０．８〜１．７μｍ／時としたことを特徴とする請求項１または２に記載の高電子移動度トランジスタまたはＩＣ用の化合物半導体のエピタキシャル成長方法。
［なお、訂正明細書の特許請求の範囲（１）、（２）、（３）を、それぞれ、【請求項１】、【請求項２】、【請求項３】とした。］
ＩＩＩ−３−２．取消理由の概要
　当審で通知した取消理由の概要は、（イ）上記訂正前の請求項１及び２の発明は、引用例１及び２に記載された発明と構成的に区別できない場合を含み特許法第２９条第１項第３号に該当し特許を受けることができないものであり、（ロ）上記訂正前の特許明細書の記載は、請求項１および２の発明に関し、特許法（昭和６２年）第３６条第３項及び４項の規定を満足しないものであり、本件の特許は取り消されるべきものであるというものである。
　なお、引用例１は、１９８７年（昭和６２年）秋季第４８回応用物理学会予稿集第１分冊、第２２３頁、２０ｐ−Ｗ−１（甲第１号証）であり、引用例２は、「加工技術データファイル９巻初版１刷」財団法人機械振興協会技術研究所発行（昭６０年３月）“ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体単結晶の加工技術”（甲第２号証）の“（ｂ）面方位検定”の欄である。
ＩＩＩ−３−３．検討
［（イ）の理由について］
　引用例１には、「ＭＢＥ成長ＧａＡｓの表面欠陥と基板の転移との対応」との見出しのもとに「半絶縁性（１００）ＧａＡｓ基板上にＧａＡｓを１〜４．５μｍ成長した・・・図１はエピ成長表面の微小欠陥・・・である。この図からもわかるように、微小欠陥は非常によく転位に対応している。」（２０ｐ−Ｗ−１欄参照）と記載され、ＧａＡｓ基板の（１００）面上にＧａＡｓ層を分子線エピタキシー法によりエピタキシャル成長させることが記載されていると認められるものの、エピタキシャル成長により得られたものを何に用いるのか、また、基板面を（１００）面に対して傾斜させるのかどうか、について何ら記載するところがない。したがって、引用例１に、本件訂正後の請求項１および２に係る発明の「高電子移動度トランジスタまたはＩＣ用の化合物半導体のエピタキシャル成長方法」という構成（以下、本件構成Ａという）、および、「ＧａＡｓ基板として面方位を（１００）面もしくは結晶学的にそれと等価な面から角度で０．１５度以内傾けた基板を用いることにより基板の転位に起因し、かつ短径が２〜３μｍで長径が４〜７μｍの大きさの楕円形の欠陥の密度を１×１０３ｃｍ−２以下に抑える」という構成（以下、本件構成Ｂという）又は「ＧａＡｓ基板として面方位を（１００）面もしくは結晶学的にそれと等価な面から角度で０．０５度以内傾けた基板を用いることにより基板の転位に起因し、かっμｍで長径が４〜７μｍの大きさの楕円形の欠陥の密度を１×１０３ｃｍ−２以下に抑えるようにしたの密度を２×１０２ｃｍ−２以下に抑える」という構成（以下、本件構成Ｃという）を備えた発明が記載されているすることはできず、訂正後の本件請求項１および２に係る発明と区別し得ない発明が記載されているともすることができない。
　また、引用例２には、「結晶の面方位は、エピタキシャル成長層の均一性、エッチング精度およびデバイスの電気特性等を決める大きな要素の一つであるから、面方位の精度の検定と制御が要求される。表２２２．０３は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物の代表的な単結晶の成長軸方位とウェーハの面方位との関係を示したので、図中の矢印は、結晶をスライスする方向を表している。」（５／１７頁右欄下から１２〜５行）と記載され、表２２２．０３（６／１７頁）には、ＧａＡｓについてウェーハの面方位として（１００）が記載され、さらに、「基板の面方位は、マイクロ波（電界効果トランジスタ）やＩＣ用では、主面方位に対して±０．５°以下、レーザ用では、±０．１°以下の公差を要求されるので、精度の高い検定方法が必要である。」（６／１７頁左欄下から１９〜１６行）と記載されている。しかし、これらの記載は面方位検定に関するものであり、引用例２に、ＧａＡＳ層の分子線エピタキシャル成長方法が示されているわけでも、その際に基板として（１００）面に対して±０．１５度以下または±０．０５度以下の公差を有するＧａＡｓ基板を用いることが示されているわけでもない。したがって、引用例２に、本件訂正後の請求項１および２に係る発明の「分子線エピタキシー法によりＧａＡｓ層またはＡＩＧａＡｓ層をエピタキシャル成長させる」という構成および本件構成Ｂ又はＣを備えた発明が記載されているとすることはできず、訂正後の本件請求項１および２に係る発明と区別し得ない発明が記載されているとすることはできない。
　してみると、訂正後の本件請求項１および２に係る発明が上記理由（イ）により特許を受けることができないものであるとすることはできない。
［（ロ）の理由について］
　本件訂正後の明細書の記載からみて、その請求項１および２には、方法発明としての構成が明確に記載されており、発明の詳細な説明の欄には、前記構成を有するそれそれの発明の目的および効果が実施例及び図面を用いて当業者に容易に理解できる程度に記載されていると解されるので、本件の特許が上記理由（ロ）により取り消されるべきであるとすることはできない。
［その他］
　さらに、訂正後の本件請求項１〜３に係る発明が特許出願の際に独立して特許を受けることができないとする他の理由を発見しない。
ＩＩＩ−３−４．訂正に関するむすび
　以上のとおりであるから、訂正後の本件請求項１〜３に係る発明が特許出願の際に独立して特許を受けることができないとすることはできず、本件訂正請求は、特許法第１２０条の４第２項の規定および同法第１２０条の４第３項で準用する同法第１２６条第２乃至４項の規定に適合し、適法なものと認める。
ＩＶ．特許異議申立について
ＩＶ−１．本件各発明
　訂正後の本件請求項１〜３に係る発明は、訂正された明細書および図面の記載からみて、その請求項１〜３に記載されたとおりのものであり、上記ＩＩＩ−３−１に記載したとおりのものである。
ＩＶ−２．特許異議申立の理由
　特許異議申立人は、甲第１〜３号証を提示し、（１）訂正前の本件請求項１および２に係る発明は、甲第１および２号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、その特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであり、
（２）特許明細書の請求項１および２に係る発明の記載は、甲第１及び３号証の記載からみて、特許法（昭和６２年）第３６条第３項及び４項の規定を満足しないものである
として、本件特許は取り消されるべきである旨を主張する。
　なお、ここで、甲第１号証は上記引用例１であり、甲第２号証は上記引用例２であり、甲第３号証はＪＯＵＲＮＡＬ　ＯＦ　ＴＨＥ　ＥＬＥＣＴＲＯＣＨＥＭＩＣＡＬ　ＳＯＣＩＥＴＹ　Ｖｏｌ．１３３，Ｎｏ．３，Ｍａｒｃｈ　１９８６　Ｐ６０１−６０４である。
ＩＶ−３．特許異議申立理由の検討
１Ｖ−３−１．理由（１）について
　甲第１及び２号証には、ＩＩＩ−３−３で示した内容が記載されているものの、ＩＩＩ−３−３に記載したとおりに、ともに、本件訂正後の請求項１および２に係る発明の本件構成Ｂ又はＣを備えることについて記載がないから、甲第１号証及び甲第２号証を総合しても、当業者が本件訂正後の請求項１および２に係る発明の本件構成Ｂ又はＣに想到することが容易であるとすることはできない。
　また、甲第２号証には「レーザ用では、±０．１°以下の公差を要求される。」（６／１７頁左欄下から１７〜１６行）との記載はあるが、甲第１号証には用途についての記載がなくレーザ用とすることについての記載がないから、甲第１号証に記載された発明において±０．１°以下の公差を採用するという構成が当業者にとって容易に想起されるとすることはできない。
　そして、訂正後の本件請求項１および２に係る発明は、本件構成Ｂ又はＣの構成を他の構成とともに採用することにより、米粒状微小欠陥の密度を１×１０３ｃｍ−２以下又は２×１０２ｃｍ−２以下にできるという本件特許明細書および図面に記載されたとおりの効果（本件特許公報第４欄４８行〜第５欄２９行および第４図参照）を奏するものである。
　してみれば、訂正後の本件請求項１および２に係る発明が甲第１号証および甲第２号証に記載された発明に基づいて当業者に容易に発明されえたものであるとすることはできない。
　したがって、異議申立理由（１）の主張は採用できない。
ＩＶ−３−２．理由（２）について
　訂正後の明細書の記載が、請求項１および２の発明に関し、特許法（昭和６２年）第３６条第３項及び４項の規定を満足しないものであるといえないことは、ＩＩＩ−３−３に記載したとおりである。
　したがって、異議申立理由（２）も採用することができない。
　なお、甲第１号証及び甲第３号証の記載との関連について言及するに、本件明細書中には、「第２図に示すようにミクロスコピックな欠陥（以下、米粒状微小欠陥と称する）が存在する。この欠陥は短径が２〜３μｍで長径が４〜７μｍの楕円形をなし、比較的大きさが揃っている。この米粒状微小欠陥は、昭和６２年、秋季、第４８回応用物理学会予稿集２分冊第２２３頁で述べられているところの微小欠陥に相当するもので、基板の転位に起因していることが知られている。」（本件特許公報第２頁左欄９〜１６行参照）と記載され、前記予稿集と対応する甲第１号証には、「微小欠陥（文献１による分類でのタイプＤ欠陥に対応するものと思われる。）と転位との対応をより明確にするため同一エピウエハで表面欠陥とエッチピットを顕微鏡観察し、その対応を詳細に調べた。」とされ、その結果として、甲第１号証には「微小欠陥は非常によく転位に対応している」と記載されていることから、本件の請求項１および２の「短径が２〜３μｍで長径が４〜７μｍの大きさの楕円形の欠陥」が「基板の転位に起因」すると表現したことが誤りであるとすることはできない。また、甲第３号証に記載の方法は、基板の角度の点で、本件請求項１および２の発明の方法と同一であるといえないものであるから、その記載を根拠として、本件各発明における基板の転位と米粒状微小欠陥の関係に関する前記記載が誤りであるとすることはできない。さらに、甲第３号証のタイプＤ欠陥の大きさを甲第１号証の記載を介して本件各発明の欠陥と関連付けることは、甲第１号証の「微小欠陥（文献１による分類でのタイプＤ欠陥に対応するものと思われる。）」との記載は、甲第１号証の微小欠陥が上記文献１に相当する甲第３号証のタイプＤ欠陥に対応すると「思われる」としているにすぎないうえに、微小欠陥が基板の転位を反映するという点で甲第３号証のタイプＤと対応すると思われる旨を表示したものとも解されるから、甲第３号証と甲第１号証の記載を併せて検討しても、本件請求項１および２の発明における基板の転位と米粒状微小欠陥の関係に関する前記記載が誤りであるとすることはできない。そして、訂正後の明細書には、請求項１および２の発明における欠陥と基板の転位との関係が従来技術と矛盾することなく記載されており、該関係が本件請求項１および２の発明の方法を特定するために必須であるともいえないから、前記関係を明細書にさらに記載することが必要であるとすることはできない。
Ｖ．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由および証拠によっては、訂正後の本件請求項１〜３に係る発明の特許を取り消すことはできない。
　また、他に訂正後の本件請求項１〜３に係る発明の特許を取消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１１年１２月２０日（１９９９．１２．２０）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
Ａ．特許明細書の請求項１〜３の「特徴とする化合物半導体のエピタキシャル成長方法。」との記載を、特許請求の範囲の減縮を目的として、「特徴とする高電子移動度トランジスタまたはＩＣ用の化合物半導体のエピタキシャル成長方法。」と訂正する。
Ｂ．特許明細書第１頁第２４行の「…技術に関する。」との記載を、「…技術に関し、特には高電子移動度トランジスタまたはＩＣ用の化合物半導体のエピタキシャル成長方法に関する。」と訂正する。
Ｃ．特許明細書第２頁第２５〜２６行の「成長方法を堤供することである。」との記載を、「高電子移動度トランジスタまたはＩＣ用の化合物半導体のエピタキシャル成長方法を提供することである。」と訂正する。
Ｄ．特許明細書第５頁第２４行の「デバイス特性」との記載を、「デバイス（高電子移動度トランジスタまたはＩＣ）特性」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
化合物半導体のエピタキシャル成長方法
（５７）【特許請求の範囲】
（１）ＧａＡｓ基板上に分子線エピタキシー法によりＧａＡｓ層またはＡｌＧａＡｓ層をエピタキシャル成長させるにあたり、上記ＧａＡｓ基板として面方位を（１００）面もしくは結晶学的にそれと等価な面から角度で０．１５度以内傾けた基板を用いることにより基板の転位に起因し、かつ短径が２〜３μｍで長径が４〜７μｍの大きさの楕円形の欠陥の密度を１×１０３ｃｍ−２以下に抑えるようにしたことを特徴とする
高電子移動度トランジスタまたはＩＣ用の
（２）ＧａＡｓ基板上に分子線エピタキシー法によりＧａＡｓ層またはＡｌＧａＡｓ層をエピタキシャル成長させるにあたり、上記ＧａＡｓ基板として面方位を（１００）面もしくは結晶学的にそれと等価な面から角度で０．０５度以内傾けた基板を用いることにより基板の転位に起因し、かつ短径が２〜３μｍで長径が４〜７μｍの大きさの楕円形の欠陥の密度を２×１０２ｃｍ−２以下に抑えるようにしたことを特徴とする高
電子移動度トランジスタまたはＩＣ用の
（３）上記ＧａＡｓ層のエピタキシャル成長時の基板温度を５００〜６２０℃とし、かつ蒸発源からのＡｓとＧａの供給比ＰＡｓ／ＰＧａを１５〜２５とするとともに、成長速度を０．８〜１．７μｍ／時としたことを特徴とする請求項１または２に記載の高電子移動度トランジスタまたはＩＣ用の化合物半導体のエピタキシャル成長方法。
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
　本発明は、ＧａＡｓ基板上へＭＢＥ（分子線エピタキシー）法によりＧａＡｓやＡｌＧａＡｓエピタキシャル層を成長させる技術に
関し、特には高電子移動度トランジスタまたはＩＣ川の化合物半導体のエピタキシャル成長方法に関する
［従来の技術］
　ヘテロ接合を利用したＨＥＭＴ（高電子移動度トランジスタ）用のウェーハは、ＭＢＥ法でＧａＡｓ基板上にＧａＡｓ層とＡｌＧａＡｓ層をエピタキシャル成長させることで得られる。
　従来、ＭＢＥ法により成長させたエピタキシャル層の表而には、いわゆるオーバルディフェクトと呼ばれる第１図に示すようなマクロスコーピックな欠陥が存在し、ＩＣの歩留りを低下させるという問題があることが知られている（培風館、昭和６１年１１月３０日発行、「超高速化合物半導体デバイス」第１６３頁〜第１６４頁参照）。
　一方、ＭＢＥ法によるエピタキシャル層表面の欠陥は上記オーバルディフェクトのみならず、第２図に示すようにミクロスコーピックな欠陥（以下、米粒状微小欠陥と称する）が存在する。この欠陥は短径が２〜３μｍで長径が４〜７μｍの楕円形をなし、比較的大きさが揃っている。この米粒状微小欠陥は、昭和６２年、秋季、第４８回応用物理学会予稿集１分冊第２２３頁で述べられているところの微小欠陥に相当するもので、基板の転位に起因していることが知られている。
［発明が解決しようとする課題］
　しかしながら、本発明者らが実験により調べたところによると、上記米粒状微小欠陥の密度は、基板の転位密度と必ずしも同じではなく、エピタキシャル層の成長条件によって異なり、基板の転位密度が（１〜４）×１０４ｃｍ−２の場合、１×１０３ｃｍ−２〜５×１０５ｃｍ−２程度のばらつきがある。つまり、成長条件によっては、１×１０３ｃｍ−２程度にまで少なくすることが可能であることが分かった。しかしながら、そのような成長条件が上記米粒状微小欠陥以外の他の欠陥の低減に対して最適であるとは限らず、従来は、この米粒状微小欠陥のデバイス特性に及ぼす影響が十分に解明されていないために、オーバルディフェクト等他の欠陥を減らすような成長条件が選ばれ、この米粒状微小欠陥密度は無視されていた。しかし、デバイス構造が今後さらに微細かつ複雑になっていけば、当然、この米粒状微小欠陥がデバイス特性に悪影響を及ぼすと考えられる。
　本発明の課題は、ＧａＡｓ基板上にＭＢＥ法（分子線エピタキシー法）によりＧａＡｓ層またはＡｌＧａＡｓ層をエピタキシャル成長させる際における成長層表面の米粒状微小欠陥の密度を低減し、デバイス特性を向上させ得るような
高電子移動度トランジスタまたはＩＣ用の化合物半導体のエピタキシャル
［問題点を解決するための手段］
　ＭＢＥ法でエピタキシャル成長を行なう際には、通常、而方位が（１００）ジャストの基板が使用される。しかし、（１００）ジャストといっても実際には角度で０．５度程度ずれている。
　本発明者らは基板の面方位のずれの程度によって米粒状微小欠陥の発生状況が異なるのではないかと考え、ＧａＡｓ基板上に分子線エピタキシー法によりＧａＡｓ層をエピタキシャル成長させた場合の基板の（１００）方向からのずれ角度（傾き）と米粒状微小欠陥密度との関係を調べた。その結果、第３図（縦軸はＧａＡｓエピタキシャル成長層の米粒状微小欠陥の密度）に示すように両者は相関があり、ずれ角度が小さいほど、米粒状微小欠陥の密度は小さくなる。また、米粒状微小欠陥の密度が１×１０４ｃｍ−２以上と大きい場合には、欠陥は第２図に示したように基板の転位の分布と同様に、セル状またはりネージ状に集団的に発生するが、欠陥密度が１×１０３ｃｍ−２程度の場合には、欠陥はまとまって発生せずに１個１個が散在していることが分かった。
　本発明は、上記知見に基づいてなされたもので、ＧａＡｓ基板上に分子線エピタキシー法によりＧａＡｓ層またはＡｌＧａＡｓ層をエピタキシャル成長させる際に基板の面方位を（１００）方向からのずれ角度で０．１５度以内、より好ましくは０．０５度以内に抑えるという手段を講じたものである。
［実施例］
　ＧａＡｓ基板上にＧａＡｓエピタキシャル層をＭＢＥ法で成長させる場合に、面方位が（１００）而からのずれ角度で０．１５度以内の基板を使用するとともに、成長時の基板温度を５００〜６２０℃としかつ蒸発源からのＡｓとＧａの供給量の比ＰＡｓ／ＰＧａを１５〜２５とする。また、上記ＧａＡｓ成長層の上にＡｌＸＧａ１−ＸＡｓエピタキシャル層をＭＢＥ法で成長させる場合に、成長時の基板温度を５００〜６２０℃としかつ蒸発源からのＡｌとＧａの供給量の比ＰＡｌ／ＰＧａを約０．３、ＡｓとＡｌ，Ｇａの供給量の比ＰＡｓ／（ＰＧａ＋ＰＡｌ）を１５〜２５とする（ｘ≒０．３の場合）。
　成長時の基板温度を５００〜６２０℃としたのは、半絶縁性化のためＳｉを１×１０１４ｃｍ−２程度ドープしたＧａＡｓ基板では補償比が０．２以下であることが望まれるが、基板温度が５００℃未満であったり６２０℃を超えると補償比が０．２を超えてしまい電気的特性が劣化するとともに、６２０℃以上ではフォトルミネッセンスによるカーボン強度が大きくなってしまうからである。
　一方、ＡｓとＧａの供給量の比ＰＡｓ／ＰＧａを１５〜２５としたのは、ＡｓとＧａの供給比が２５を超えると原料のＡｓ中のＳやＣがＧａＡｓエピタキシャル成長層中に入ってこれらの不純物濃度が高くなるとともに、供給比が１５未満ではＧａＡｓエピタキシャル成長層がＡｓ不足となって表面粗さが悪くなるためである。
　さらに、ＧａＡｓ基板上にＧａＡｓもしくはＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ（ｘ≒０．３）エピタキシャル層をＭＢＥ法で成長させる場合、層の成長速度を０．８〜１．７μｍ／時とする。成長速度が０．８μｍ／時未満であったり１．７μｍ／時を超えるような場合には補償比が０．２を超えて半絶縁性が悪くなるとともに、成長速度が０．８μｍ／時未満のときは成長炉内のガスの取込みによりエピタキシャル層中の不純物濃度が高くなり、また成長速度が１．７μｍ／時を超えるときはＧａセル（蒸発源）の温度が高いためＧａ中の不純物（炭素等）がエピタキシャル層中に多く入ってしまうからである。
（具体例）
　直径２インチのアンドープ半絶縁性ＧａＡｓ単結晶インゴットから（１００）面が表面に現われるようにウェーハを切り出して、表面の面方位が（１００）面からのずれ角度で０．１５度以内となるようにラッピングおよびエッチングを行ない、このウェーハ基板上へＭＢＥ法によりエピタキシャル成長を行なった。エピタキシャル層はＧａＡｓ層とその上にＡｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓ層を成長させた標準的なＨＥＭＴ構造であり、全体で１μｍの厚みとした。
　ＧａＡｓ層成長時の基板温度は６００℃、蒸発源からのＡｓとＧａの供給比は２０、成長速度は１μｍ／時とした。
　上記条件によりエピタキシャル成長したＧａＡｓ層の表面の米粒状微小欠陥を観察した結果を、横軸に基板の（１００）面からのずれ角を、縦軸に欠陥密度をとって第４図に示す。比較のため、表面の面方位を（１００）面から０．１５〜０．７５度傾けた基板に同一条件でＧａＡｓ層をエピタキシャル成長させたものについても表面の米粒状微小欠陥を測定し、その結果も第４図に併せて示した。なお、第４図の縦軸は対数表示である。
　第４図において、■印で示されているのが、表面の面方位を（１００）面から０．１５度以内の様々の角度にずらした場合における、具体例の条件でＧａＡｓ層のエピタキシャル成長を行なった基板についての測定結果、□印で示されているのが比較例におけるＧａＡｓ層のエピタキシャル成長を行なった基板についての測定結果である。
　第４図より、比較例の方法の場合にはＧａＡｓエピタキシャル成長層表面の米粒状微小欠陥密度はほとんどが１×１０３ｃｍ−２以上であるが、具体例の方法の場合には、米粒状微小欠陥がすべて１×１０３ｃｍ−２以下になり、さらに（１００）面からの角度のずれを０．０５度以内にした場合には、米粒状微小欠陥が２×１０３ｃｍ−２以下になることがわかる。
　また、Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓ層も上記ＧａＡｓエピタキシャル成長層の上にエピタキシャル成長させたが、その際の条件は、基板温度を６００℃、蒸発源からのＡｌとＧａの供給比は０．３、ＡｓとＡｌ，Ｇａの供給量の比ＰＡｓ’（ＰＧａ＋ＰＡｌ）２０、成長速度は１．４３μｍ／時とした。
　なお、上記具体例では、ＡｌＧａＡｓ層を成長させる場合にＡｌＸＧａ１−ＸＡｓで表される結晶におけるｘの値をＨＥＭＴで一般的な０．３とした場合を説明したが、ｘが約０．３もしくはそれ以下であれば、ＧａとＡｓの原子半径の相違に起因するエピタキシャル層の構造、欠陥はＧａＡｓとほとんど異ならないので米粒状微小欠陥が低減されると充分に予想される。
［発明の効果］
　以上説明したように本発明は、ＧａＡｓ基板上に分子線エピタキシー法によりＧａＡｓまたはＡｌＧａＡｓエピタキシャル層を成長させるにあたり、上記基板の面方位を（１００）面もしくは結晶学的にそれと等価な面からの角度のずれを０．１５度以内としたことにより、エピタキシャル層表面の米粒状微小欠陥密度を低減させ、
デバイス（高電子移動度トランジスタまたはＩＣ）
　上記角度のずれを０．０５度以内とすれば、上記米粒状微小欠陥密度をさらに低減させ、デバイス特性をさらに向上させることができる。
　また、ＧａＡｓ基板上にＧａＡｓエピタキシャル層を成長させる場合において、エピタキシャル成長時の基板温度を５００〜６２０℃とし、かつ蒸発源からのＡｓとＧａの供給比ＰＡｓ／ＰＧａを１５〜２５とするとともに、成長速度を０．８〜１．７μｍ／時としたことにより、補償比を悪化させることなく米粒状微小欠陥を低減させてデバイス特性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
　第１図は従来のＭＢＥ法によるＧａＡｓエピタキシャル層の表面のマクロスコーピックな欠陥を示す顕微鏡写真、
　第２図は同じく従来のＭＢＥ法によるＧａＡｓエピタキシャル層の表面の米粒状微小欠陥を示す顕微鏡写真、
　第３図は従来法によりＧａＡｓ層をエピタキシャル成長させた場合における、ＧａＡｓ基板の（１００）面からのずれ角度と米粒状微小欠陥密度との関係を示す図、
　第４図は本発明方法を適用してＧａＡｓ層をエピタキシャル成長させた場合における、ＧａＡｓ基板の（１００）面からのずれ角度と米粒状微小欠陥密度との関係を示す図である。