【事件の表示】
　特許第２７７８３４９号「窒化ガリウム系化合物半導体の電極」の請求項１ないし３に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結論】
　訂正を認める。
　特許第２７７８３４９号の請求項１ないし２に係る特許を維持する。
【理由】
１．手続の経緯
　本件特許第２７７８３４９号の請求項１〜４に係る発明（以下、本件発明１〜４という。）は、平成４年４月１０日に特許出願され、平成１０年５月８日に設定登録され、その後、特許異議の申立がなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１１年８月１６日に訂正請求がなされ、訂正拒絶理由通知がなされ、その指定期間内である平成１１年９月１０日に訂正請求の補正がなされたものである。
２．訂正の適否についての判断
　ア．訂正の内容
▲１▼　訂正事項ａ
　特許請求の範囲の請求項１において、「ニッケルを接して、オーミック接触」とあるを「ニッケルを接してその上に金が積層された少なくとも二層構造を有し、オーミック接触」と訂正する。
▲２▼　訂正事項ｂ
　特許請求の範囲の請求項２と請求項３を削除する。
▲３▼　訂正事項ｃ
　特許請求の範囲の請求項４を請求項２と訂正する。
▲４▼　訂正事項ｄ
　明細書の段落【０００７】第２行目の「あるいは、Ｐｔを含む白金電極を使用すること」を削除する。
▲５▼　訂正事項ｅ
　明細書の段落【０００８】第１行目に【実施例】とあるを【実施例及び比較例】と訂正する。
▲３▼　訂正事項ｆ
　明細書の段落【００１３】第１行目の「ないし請求項３」を削除する。
▲７▼　訂正事項ｇ
　明細書の段落【００１３】第４行目の「ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体に接触する電極にニッケル電極を使用する」を削除する。
▲３▼　訂正事項ｈ
　明細書の段落【００１３】の【請求項４】を【請求項２】と訂正する。
　イ．訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　上記訂正は、特許請求の範囲の減縮に該当し、新規事項の追加に該当せず、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
　ウ．独立特許要件の判断
　　（訂正発明）
　本件特許第２７７８３４９号の請求項１及び２に係る発明（以下、訂正発明１及び２という。）は、訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１及び２に記載された次のとおりのものである。
「【請求項１】マグネシウムがドープされると共に、電子線照射またはアニーリングして低抵抗なｐ型となっている、一般式ＧａｘＡｌ１−ｘＮ（０≦ｘ≦１）で表される窒化ガリウム系化合物半導体の表面に、ニッケルを接してその上に金が積層された少なくとも二層構造を有し、オーミック接触させてなることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体の電極。
　【請求項２】ケイ素をドープした、一般式ＧａｘＡ１１−ｘＮ（０≦ｘ≦１）で表されるｎ型窒化ガリウム系化合物半導体の表面に、クロムが窒化ガリウム系化合物半導体に接する側とし、クロムの上にアルミニウムが形成されてオーミック接触してなることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体の電極。」
　（引用刊行物）
　これに対して、当審が取消理由通知で引用した甲第１号証（特開平４−６８５７９号公報）の８頁左下欄１１〜１５行には、
「電極形成用の金属元素としてはＡｌに限って説明したがその他のＩｎ、Ｇａ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｇｅ等の単体あるいは混合金属膜のいづれもがオーミック用電極として適用可能であることは明らかである。」ということが記載されている。
　同じく、甲第２号証（特開平３−２１８６２５号公報）の２頁左下欄８〜１５行には、
「マグネシウム（Ｍｇ）、亜鉛（Ｚｎ）或いは炭素（Ｃ）などのアクセプタ不純物を添加した（（Ｇａ１−ｘＡｌ）１−ｙＩｎｙＮ：０≦ｘ＜１、０≦ｙ＜１）よりなる窒化ガリウム系化合物半導体結晶に電子線照射処理を行い、添加したアクセブタ不純物を活性化させｐ型窒化ガリウム系化合物半導体（（Ｇａ１−ｘＡｌ）１−ｙＩｎｙＮ：０≦ｘ＜１、０≦ｙ＜１）よりなる結晶を得ること」が記載されている。
　同じく、甲第３号証（Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｖｏｌ．３１，１９９２　ｐｐ．Ｌ１３９−Ｌ１４２）のアブストラクトには、「マグネシウムがドープされると共にアニーリングして低抵抗なｐ型となっているＧａＮで表される窒化ガリウム系化合物半導体」が記載され、「Ｎ２雰囲気中、７００℃以上でアニールするとＭｇドープＧａＮは、アニール前にはほぼ１×１０６Ωｃｍであったが、２Ωｃｍにに低抵抗化した。」ということが記載されている。
　Ｌ１３９左欄１〜３行には、
「このＧａＮ成長層は、青色発光ＬＥＤに用いられる。」ということが記載されている。
　同じく、甲第４号証（特開平４ー６３４７９号公報）の１０頁左下欄２〜６行には、
「ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＩｎＧａＡｌＮ等の化合物ならびに多元化合物半導体基板およびエピタキシャル基板を用いてヘテロ接合デバイスを構成する場合にも適用されることは明白である。」ということが記載されている。
　更に、その１０頁左下欄１７〜同頁右下欄６行には、「発光素子形成に使用される電極用金属元素としては、Ａｕ（正極）、Ａｌ（負極）に限って説明したが、全く同様にＡｕとともにＡｇ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｂｅ、Ｔｅ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｉｎ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ等が単体、混合体あるいは多層膜として適用可能であり、またＡｌとともに、Ｉｎ、Ｇａ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｄ等が単体、混合体あるいは多層膜として適用可能であり、オーミツク電極として好適である。」ということが記載されている。
　（対比・判断）
　▲１▼訂正発明１について
　本件発明１の「窒化ガリウム系化合物半導体の表面に、ニッケルを接してその上に金が積層された少なくとも二層構造を有し、オーミック接触させてなる」ことは、甲第１〜４号証のいずれにも記載されていない。
　そして、訂正発明１は「窒化ガリウム系化合物半導体の表面に、ニッケルを接してその上に金が積層された少なくとも二層構造を有し、オーミック接触させてなる」ことにより、図１に示されるような作用効果を呈するものである。
　なお、異議申立人は、甲第４号証には”窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、正極にＡｕ、Ｎｉを単体もしくは多層膜として用いる”ことが記載されているから、”正極としてニッケルの上に金を積層する多層膜を形成する”ことは当業者であれば容易になし得る程度のものであると、主張している。
　ところが、甲第４号証の１０頁左下欄１７〜同頁右下欄６行には、
「発光素子形成に使用される電極用金属元素としては、Ａｕ（正極）、Ａｌ（負極）に限って説明したが、全く同様にＡｕとともにＡｇ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｂｅ、Ｔｅ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｉｎ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ等が単体、混合体あるいは多層膜として適用可能であり、またＡｌとともに、１ｎ、Ｇａ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｄ等が単体、混合体あるいは多層膜として適用可能であり、オーミック電極として好適である。」と記載されている。
　上記甲第４号証の記載においては「ニッケルを接してその上に金が積層された少なくとも二層構造を有する」ことが選択肢の一つとして示唆されているにすぎないから、訂正発明１の「窒化ガリウム系化合物半導体の表面に、ニッケルを接してその上に金が積層された少なくとも二層構造を有し、オーミック接触させてなる」ことにより、図１に示されるような作用効果を呈することまでは、上記甲第４号証の記載から当業者といえども容易に予期し得ることではない。
　してみると、異議申立人の前記の主張は当を得ないものである。
　▲２▼訂正発明２について
　訂正発明２は、異議申立がなされていない訂正前の請求項４に係る発明である。
　したがって、訂正発明１及び２は、甲第１〜４号証に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明することができたものとすることができないから、特許出願の際独立して特許を受けることができるものである。
　エ．むすび
　以上のとおり、上記訂正請求は、特許法第１２０条の４第２項及び同条第３項で準用する第１２６条第２〜４項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
３．特許異議申立についての判断
　ア．異議申立の理由の概要
　異議申立人　高木　栄は、証拠として甲第１号証（特開平４−６８５７９号公報）、甲第２号証（特開平３−２１８６２５号公報）、甲第３号証（Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｖｏ１．３１，１９９２　ｐｐ．Ｌ１３９−Ｌ１４２）及び甲第４号証（特開平４−６３４７９号公報）を提出し、訂正発明１及び２は、甲各号証に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明することができるものであり、特許法第２９条第２項に違反して特許されたものであるから、その特許を取り消すべき旨主張している。
　イ．異議申立人が提出した甲各号証に記載の発明
　上記「２．ウ．（引用刊行物）」の記載を参照。
　ウ．訂正発明と異議申立人が提出した甲各号証に記載の発明との対比・判断
　上記「２．ウ．（対比・判断）」で示したとおり、訂正発明１及び２は、甲各号証に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明することができたものとすることができないから、特許法第２９条第２項に違反して特許されたものとすることができない。
　エ．むすび
　以上のとおりであるから、異議申立の理由及び証拠によっては、訂正発明１及び２についての特許を取り消すことができない。
　また、他に訂正発明１及び２についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１１年９月１６日（１９９９．９．１６）
【訂正の要旨】
　　　　訂正要旨
　▲１▼　訂正事項ａ
　　特許請求の範囲の請求項１において、「ニッケルを接して、オーミック接触」とあるを「ニッケルを接してその上に金が積層された少なくとも二層構造を有し、オーミック接触」と訂正する。
　▲２▼　訂正事項ｂ
　　特許請求の範囲の請求項２と請求項３を削除する。
　▲３▼　訂正事項ｃ
　　特許請求の範囲の請求項４を請求項２と訂正する。
　▲４▼　訂正事項ｄ
　　明細書の段落【０００７】第２行目の「あるいは、Ｐｔを含む白金電極を使用すること」を削除する。
　▲５▼　訂正事項ｅ
　　明細書の段落【０００８】第１行目に【実施例】とあるを【実施例及び比較例】と訂正する。
　▲６▼　訂正事項ｆ
　　明細書の段落【００１３】第１行目の「ないし請求項３」を削除する。
　▲７▼　訂正事項ｇ
　　明細書の段落【００１３】第４行目の「ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体に接触する電極にニッケル電極を使用する」を削除する。
　▲８▼　訂正事項ｈ
　　明細書の段落【００１３】第７行目の「請求項４」を「請求項２」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
　窒化ガリウム系化合物半導体の電極
（５７）【特許請求の範囲】
　　【請求項１】　マグネシウムがドープされると共に、電子線照射またはアニーリングして低抵抗なｐ型となっている、一般式ＧａｘＡｌ１−ｘＮ（０≦ｘ≦１）で表される窒化ガリウム系化合物半導体の表面に、ニッケルを接してその上に金が積層された少なくとも二層構造を有し、オーミック接触させてなることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体の電極。
　　【請求項２】　ケイ素をドープした、一般式ＧａｘＡＩ１−ｘＮ（０≦ｘ≦１）で表されるｎ型窒化ガリウム系化合物半導体の表面に、クロムが窒化ガリウム系化合物半導体に接する側とし、クロムの上にアルミニウムが形成されてオーミック接触してなることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体の電極。
【発明の詳細な説明】
　　　【０００１】
　　【産業上の利用分野】
　本発明は紫外、青色発光ダイオード、レーザーダイオード等に使用される窒化ガリウム系化合物半導体の電極に係り、特に半導体層とオーミック接触が得られる電極に関する。
　　　【０００２】
　　【従来の技術】
　紫外、青色発光ダイオード、レーザーダイオード等の発光デバイスの材料として、一般式がＧａｘＡ１１−ｘＮ（０≦ｘ≦１）で表される窒化ガリウム系化合物半導体が知られている。しかし、室化ガリウム系化合物半導体の物性については、未だよく解明されておらず、窟化ガリウム系化合物半導体のｐ蜃層、およびｎ型層とオーミック接触を得ることのできる電極材料もよく知られていないのが実伏である。
　　　【０００３】
　　【発明が解決しようとする課題】
　窒化ガリウム系化合物半導体を利用して、低駆動電圧化、高輝度化した発光デバイスを実現するには、ｐ型層およびｎ型層からオーミック接触を得ることが不可欠である。
　　　【０００４】
　従来の窒化ガリウム系化合物半導体の電極には、金、インジウム、インジウムーアルミニウムが使用されている。しかしながら、これ等の電極は好ましいオーミック接触が得られず、駆動電圧が高くなる欠点がある。
　　　【０００５】
　本発明はこのような事晴を鑑み成されたもので、窒化ガリウム系化合物半導体層にオーミック接触の得られる電極を提供して、高輝度化、低竜圧駆動化で　２０きる発光デバイスを実現するものである。
　　　【０００６】
　　【課題を解決するための手段】
　本発明者らはＭＯＣＶＤ法を用い、サファイア基板上にＳｉをドープしたｎ型ＧａｘＡ１１−ｘＮと、Ｍｇをドープしたｐ型ＧａｘＡｌ１−ｘＮとをそれぞれ成長させ、さらにｐ型ＧａｘＡｌ１−ｘＮには電子線を照射、または５００℃以上にアニーリングしてさらに低抵抗なｐ型とした後、ｎ型及びｐ型ＧａｘＡｌ１−ｘＮに数十種類の電極材料を蒸着して、オーミック接触の確認を取ったところ、特定の金属、またはそれらの合金に対してのみ良好なオーミック接触が得られることを発見し、本発明を成すに至った。
　　　【０００７】
　本発明の窒化ガリウム系化合物半導体の電極は、ｐ型不純物をドープした窒化ガリウム系化合物半導体にはＮｉを含むニッケル電極を使用することを特徴とするものであり、また、ｎ型不純物をドープした窒化ガリウム系化合物半導体には、Ｃｒを含むクロム電極を使用することを特徴とするものである。
　　　【０００８】
　　【実施例及び比較例】
　図１にｐ型ＧａｘＡｌ１−ｘＮに電極を蒸着し、その電流電圧特性を測定してオーミック接触を調べた結果を示す。この図において、（１）は白金電極単独、▲２▼はＮｉをベースとし、その上にＡｕを設けた電極、▲３▼はＡｕ電極単独である。また、いうまマもなくＮｉ電極単独、またはＮｉをベースとしその上にＰｔ、Ａｇを設けた場合は▲２▼と同一の直線となる。
　　　【０００９】
　この図に示すようにいずれの電極材料でもｐ型層に対しオーミック接触が得られるが、特に好ましい電極材料として
▲１▼Ｐｔ、
▲２▼Ｎｉベースの電極を挙げることができる。
特にＮｉをベースとすることにより、例えば、ｐ型ＧａｘＡｌ１−ｘＮに対しアニーリング等の熱処理を行った場合、Ａｕ電極単独であれば剥がれ落ちてしまう欠点があるが、アニーリングの熱にも耐えることができ、強固に電極を付着させることができる。蒸着する好ましいＮｉの厚さは０．０１μｍ〜０，５μｍであり、その上に形成するＡｕの厚さは０．０１μｍ〜０，８μｍである。それらの範囲で電極を形成することにより、剥がれ落ちにくく、良好なオーミック接触が得られる。
　　　【００１０】
　図２にｎ型ＧａｘＡｌ１−ｘＮに同じく電極を蒸着し、その電流電圧特性を測定してオーミック接触を調べた結果を示す。この図において、▲４▼は本発明の実施例の電極、（Ｅ）は従来の比較例の下記の電極の電流電圧特性を示す。
▲４▼はＣ「をベースとし、その上にＡ１を設けた電極、（５）はＡ１電極単独である。
Ｃｒ電極単独、またはＣｒをベースとしその上にＴｉ、Ｉｎを設けた場合は▲４▼と同一の直線となる。
　　　【００１１】
　この図に示すように、▲４▼のＣｒベースのクロムが従来のＡ１電極に勝る優れた特性を示す。
　　　【００１２】
　窒化ガリウム系化合物半導体に不純物をドープしてｐ型にし得る不純物とじてはＭｇを用い、またｎ型にし得る不純物としてはＳｉを用いる。
　　　【００１３】
　　【発明の効果】
　本発明の請求項１に記載される窒化ガリウム系化合物半導体の電極は、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体の表面に極めて低抵抗な状態でオーミック接触する。このため、低い駆動電圧で高輝度に発光できる発光ディバイスを実現できる。さらに、本発明の請求項１の電極は、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体を熱処理する工程での剥離を有効に阻止できる特長も実現する。さらに、本発明の請求項２に記載されるクロム電極は、ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体の表面に極めて低抵抗な状態でオーミック接触する。このため、低い駆動電圧で高輝度に発光できる発光ディバイスを実現する。このため、本発明の窒化ガリウム系化合物半導体に接続される電極は、ＧａｘＡｌ１−ｘＮに低抵抗な状態でオーミック接触され、これを利用して発光ダイオード、レーザーダイオード等の開発に向けてその利用価値は多大である。
【図面の簡単な説明】
　【図１】　電極を蒸着したｐ型ＧａｘＡｌ１−ｘＮの電流電圧特性を示す図。
　【図２】　電極を蒸着したｎ型ＧａｘＡ１１−ｘＮの電流電圧特性を示す図。