【事件の表示】
　特許第２７４５２０８号「熱処理炉用部材」の請求項１ないし２に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結論】
　特許第２７４５２０８号の請求項１ないし２に係る特許を維持する。
【理由】
１．本件発明
　特許第２７４５２０８号（平成７年６月２１日出願、平成１０年２月１３日設定登録）の請求項１，２に係る発明（以下、「本件発明１」，「本件発明２」という。）は、その特許請求の範囲に記載された次の事項により特定されるとおりのものである。
「【請求項１】炭化珪素焼結体である多孔質基体の表面を炭化珪素の化学蒸着層で被覆してなる熱処理炉用部材において、化学蒸着層が、基体表面層上に形成された気密性を有する緻密な被覆層と、被覆層に連なっており、基体表面層の浅層部分における炭化珪素粒子間に隙間なく充填された完全浸透層と、完全浸透層に連らなって、基体表面層の深層部分における炭化珪素粒子間に充満することなく形成されており、その粒子表面に膜状をなして接着する不完全浸透層と、からなる一連のものであることを特徴とする熱処理炉用部材。
【請求項２】化学蒸着層の厚さが２００μｍ以上であることを特徴とする、請求項１に記載する熱処理炉用部材。」
２．申立ての理由の概要
　特許異議申立人東芝セラミックス株式会社（以下、「申立人」という。）は、証拠として甲第１号証（特開平５−９４９５７号公報），甲第２号証（特開平３−１３０３６６号公報），甲第３号証（特公昭６１−２０１２９号公報）を提出し、本件発明１，２の特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであること、及び本件発明１，２は当業者が実施できる程度に明細書の発明の詳細な説明の欄に明確かつ十分に記載されておらず本件発明１，２の特許は、特許法第３６条第４項に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであること、を主張し、その特許を取り消すべき旨を主張している。
３．甲各号証の記載事項
（１）甲第１号証
　甲第１号証には以下の事項が記載されている。
　▲１▼「平均気孔径が２５０μｍ以下、気孔率１２〜７０％の多孔質炭化珪素基体の表面層に、厚さ１０〜２００μｍの化学蒸着法による炭化珪素浸透層が形成され、かつ、該浸透層上に厚さ１０μｍ以上の化学蒸着法による緻密炭化珪素被覆層が形成されてなることを特徴とする半導体用拡散炉部材。」（第２頁「特許請求の範囲」）
　▲２▼「図示の如く、本発明の半導体用拡散炉部材１は、多孔質ＳｉＣ基体２の表面層に、ＳｉＣ浸透層３が形成され、更に、このＳｉＣ浸透層３の上に緻密ＳｉＣ被覆層４が形成されているものである。」（第２頁【００１３】欄）
　▲３▼「このような本発明の半導体用拡散炉部材は、例えば、次のようにして製造される。即ち、まず、多孔質ＳｉＣ基体を製造する。この多孔質ＳｉＣ基体の製造には、Ｓｉの無いＳｉＣ単相からなる多孔質ＳｉＣを作製する技術であれば良く、再結晶法、発泡剤を使用する方法等、いずれの方法を採用しても良い。いずれの場合も、ＳｉＣ原料粉末の大きさ、発泡剤の種類、量、その他各種条件を、前記平均気孔径及び気孔率となるように適宜調整する。次いで、得られた多孔質ＳｉＣ基体の表層部分の所定厚さ部分に、化学蒸着法によりＳｉＣを浸透させてＳｉＣ浸透層を形成する。この場合、化学蒸着条件を適宜調整することにより、所望の深さ方向にＳｉＣを浸透させることができる。更に、上記ＳｉＣ浸透層の形成に引き続いて、化学蒸着の条件を適宜調整することにより、表面に所定厚さの緻密質ＳｉＣ被覆層を形成する。」（第２頁【００１７】欄〜第３頁【００１９】欄）
　▲４▼「本発明の半導体用拡散炉部材の基体は、多孔質ＳｉＣ基体であるため、熱歪に対する吸収効果が良好で、耐熱衝撃性に優れる。しかも、軽量で熱容量も小さい。また、その表層部には化学蒸着法によるＳｉＣ浸透層が形成され、更に緻密ＳｉＣ被覆層が形成され、表面は緻密質とされているため、
　　▲１▼静的強度が著しく高い。
　　▲２▼熱衝撃時における蒸着膜の耐剥離性に優れる。
　　▲３▼基体からの不純物の拡散が確実に防止される。
　といった効果が奏される。」（第３頁【００２０】欄〜【００２１】欄）
　▲５▼「本発明の半導体用拡散炉部材は、内部多孔質、表面緻密質のＳｉＣよりなり、しかも、表面の緻密ＳｉＣ被覆層と内部の多孔質ＳｉＣ基体とは、ＳｉＣ含浸層を介して強固に一体化されるため、
　（１）昇降温に耐え得る熱衝撃に対する耐久性に著しく優れる。
　（２）高温における使用に際して、不純物を外部に放出することがなく（拡散障壁）、耐汚染性に優れる。
　（３）軽量でハンドリング性に優れる。
　（４）熱容量が小さく、加熱し易い。
　という要求特性をすべて満足する高特性拡散炉部材である。」（第３頁【００３１】欄）
（２）甲第２号証
甲第２号証には以下の事項が記載されている。
▲１▼「半導体拡散炉用の反応管としては筒状の炭化珪素質基体の内面に高純度の炭化珪素被膜を形成したものが好ましいが、このような反応管を製造する場合、基体内面に高純度炭化珪素被膜を形成する方法としては、珪素源と炭素源とを含む原料ガスを基体内に供給し、常圧又は減圧下で加熱して基体内面に炭化珪素膜を蒸着する化学気相蒸着（ＣＶＤ）法が通常用いられている。」（第１頁右欄第６〜１３行）
▲２▼「蓋体２１を取った状態で該基体３１を反応管１７内に収容し、蓋体２１を反応管１７に取り付けてその上端開口部を閉塞した後、排気管２０から真空ポンプにより反応管１７内の空気を排出して反応管１７内を減圧する。この減圧状態を保持したまま、水冷誘導コイル２６に通電することにより電極１８の一部（図においては下部）を誘導加熱し、これによって被処理物の下部を帯域状に加熱すると共に、ガス供給管２８を通して上記帯域状加熱領域に炭素源と珪素源とを含む原料ガスを供給する。これにより、被処理物３１内の下部に炭化珪素膜が蒸着するが、この状態で減速モータ３を作動させて支持板３を下方に移動させ、この移動と一体に反応管１７を下方に移動させて原料ガスが供給された帯状反応領域を被処理物３１の下端部から上端部へと所定速度で移動させる。これによって被処理物３１の内面全面にその下端から上端へと順次炭化珪素被膜を気相蒸着する。なお、原料ガスとしては炭素源と珪素源とを含有するものであり、具体的にはメチルトリクロロシラン等が好適に使用され、この際通常はキャリヤーガスとして水素ガスが併用される。また、炭素源と珪素源とを別々のガスから供給することもできる。この場合、ガス供給管２８を二重構造とすることにより、原料ガスに対して任意のキャリャーガス流量が容易に選択できる。また、二種類の原料ガスを別々に供給することにより、ガス供給管２８内での反応を防ぐことができ、反応管内へ設定ガス流量で供給できる等の利点がある。反応管内の加熱温度は１１００〜１５００℃とすることができ、また反応管内を１〜１００Ｔｏｒｒ程度の減圧とすることが好ましい。更に、反応管１７の移動速度は、希望する膜厚と被処理物の大きさ、その他の処理条件とから決定する必要があるが、５０ｍｍ／ｈｒ程度とすることが好ましい。」（第３頁右下欄第１３行〜第４頁右上欄第７行）
（３）甲第３号証
　　甲第３号証には以下の事項が記載されている。
　「本発明における多孔質炭化珪素管内面への緻密質炭化珪素膜の形成方法としては、たとえば（１）多孔質炭化珪素管内にガス状のシリコン源と炭素源とを導入し、それらの反応温度に加熱して該管内面に炭化珪素を沈着する方法、（２）同炭化珪素管内にガス状のシリコン源と炭素源とを減圧状態で導入し、同様に加熱して該管内面に炭化珪素を沈着する方法、等があり、とくに（２）の方法は多孔質炭化珪素管内面への密着性が良好で緻密な炭化珪素膜を形成できるため有益である。」
（第１頁第２欄第２６行〜第２頁第３欄第９行）
４．判断
（１）特許法第２９条第２項について
本件発明１と甲第１号証記載の発明とを対比すると、甲第１号証の「半導体用拡散炉部材」は「熱処理炉用部材」に相当するから（本件明細書【０００２】参照）、両者は「多孔質炭化珪素基体の表面を炭化珪素の化学蒸着層で被覆してなる熱処理炉用部材」の点で一致し、本件発明１の化学蒸着層が、「基体表面層上に形成された気密性を有する緻密な被覆層と、被覆層に連なっており、基体表面層の浅層部分における炭化珪素粒子間に間隙なく充填された完全浸透層と、完全浸透層に連なって、基体表面層の深層部分における炭化珪素粒子間に充満することなく形成されており、その粒子表面に膜状をなして接着する不完全浸透層と、からなる一連の」３層構造の化学蒸着膜であるのに対して、甲第１号証記載の発明の化学蒸着層は、「化学蒸着法による炭化珪素浸透層と、該浸透層上に形成された化学蒸着法による緻密炭化珪素被覆層」からなる２層構造の化学蒸着膜である点で相違する。
　そこで、この相違点について検討する。
　申立人は、甲第１号証に関して、化学蒸着法では多孔質基体の表面からの距離に応じて原料ガスの浸透の程度が低下することは当業者にとって自明であり、その結果として多孔質基体の表面からの距離が小さい範囲では炭化珪素粒子間の間隙の充填の程度が高く、多孔質基体の表面からの距離が大きくなれば炭化珪素粒子間の間隙の充填の程度が低下することも自明であるから、甲第１号証記載のものにおける「２層構造」においては形成された炭化珪素浸透層の物理的構造を炭化珪素粒子間の間隙の充填の程度を問題にせずに単一層として把握しているのに対し、本件発明１における「３層構造」において、同じ炭化珪素の浸透層の物理的構造を炭化珪素粒子間の間隙の充填の程度を考慮して「完全浸透層」と「不完全浸透層１の２層に分けて把握しており、両者の相違は「浸透層」の構造の認識の仕方の違いに過ぎず、両者は実質的に同一構造であることを主張している。
　しかしながら、両者の化学蒸着膜の製造方法をみると、本件発明１の化学蒸着層は、基体を一定温度（１４００〜１５００℃としておくことが好ましい）に保持させた状態で、反応ガス（モノメチルトリクロルシランと所定当量比（例えば２０当量比）の水素）をチャンバ内に連続供給させると共に、チャンバからは常に排気を行い、チャンバ内を減圧雰囲気（減圧ＣＶＤ法による場合は３０００〜２００００Ｐａ、間欠ＣＶＤ法による場合は１０Ｐａ程度が好ましい）に保持させて形成されるのに対し（本件明細書【０００９】〜【００１０】参照）、甲第１号証記載のものにおける化学蒸着膜は反応ガスとしてＳｉＣｌ４／Ｃ３Ｈ８／Ｈ２の混合ガスを用いること、によって得られており、また甲第１号証には、ガス条件、温度については「調整する」と記載されていても具体的な調整方法は開示されていない（第３頁実施例の記載参照）。したがって、両者はその製造方法を比較すると、原料ガスが異なるうえ、甲第１号証記載の方法は本件発明１の熱処理炉用部材を製造するのに好ましいとされている温度条件、減圧条件を採用しているものでもないから、両者の化学蒸着膜は別異の方法によって形成されているものである。
　そして得られる化学蒸着膜の構造が製造条件の影響を受けることは明らかなことであるから、本件発明におけるものと同一とはいえない別異の製造方法で製造され、不完全浸透層について記載も示唆もされていない甲第１号証記載の化学蒸着膜が、申立人が主張するように本件発明１の「基体表面に形成された被覆層、それに連なる完全浸透層及び不完全浸透層の３層からなる化学蒸着層」と実質的に同一構造であると認めることはできない。
　また、甲第２番証には「３．（２）」に摘記したとおりの炭化珪素膜の製造装置、甲第３号証には「３．（３）」に摘記したとおりの多孔質炭化珪素の内面に緻密質炭化珪素膜を形成した炭化珪素質反応管の製造方法が記載されているが、「基体表面に形成された被覆層、それに連なる完全浸透層及び不完全浸透層の３層構造からなる化学蒸着層」については甲第２，３号証のいずれにも記載も示唆もないから、そのような３層構造の化学蒸着層を形成することは甲第１号証記載の発明と甲第２，３号証記載の発明とを組み合わせることによって当業者が容易になし得たこととは認められない。
　そして、本件発明１は、「繰り返し熱応力を受ける等の熱履歴に拘わらず、化学蒸着膜の剥離現象を効果的に防止でき、極めて高寿命の半導体拡散炉用反応管等の熱処理炉用部材を提供することができる。」（本件明細書【００２１】参照）という明細書に記載されるとおりの顕著な効果を奏するものである。
　従って、本件発明１は甲第１乃至３号証に記載された発明に基づき、当業者が容易に発明をすることができたものと認めることはできない。
　また、本件発明２は本件発明１の化学蒸着膜の厚さを更に限定したものであるから、本件発明１について述べたのと同様の理由により、甲第１乃至３号証に記載された発明に基づき、当業者が容易に発明をすることができたものと認めることはできない。
（２）特許法第３６条について
　申立人は、本件発明１，２に係る熱処理炉用部材の製造方法が本件明細書の発明の詳細な説明には当業者が実施できる程度に明確かつ十分に記載されていないことを主張しているが、本件明細書の発明の詳細な説明には、「減圧ＣＶＤ法による場合は、基体をチャンバ内に配置させた上、この基体を一定温度（１４００〜１５００℃としておくことが好ましい）に保持させた状態で、反応ガス（モノメチルトリクロルシランと所定当量比（例えば２０当量比）の水素）をチャンバ内に連続供給させると共に、チャンバからは常に排気を行い、チャンバ内を減圧雰囲気（３０００〜２００００Ｐａとしておくことが好ましい）に保持させて、ＣＨ３ＳｉＣｌ３＋Ｈ２→ＳｉＣ＋３ＨＣｌの反応により上記した３層構造の化学蒸着層を形成する。…また、間欠ＣＶＤ法による場合は、基体をチャンバ内に配置させた上、この基体を一定温度（１４００〜１５００℃としておくことが好ましい）に保持させた状態で、反応ガスとしてモノメチルトリクロルシランと所定当量比（例えば２０当量比）の水素とをチャンバ内に一定サイクルで間欠的に供給させる。そして、反応ガスの供給停止期間においてはチャンバからの排気を行い、反応ガスの供給再開を一定の減圧条件下で行う。すなわち、反応ガスの供給が停止されると、排気を開始して、チャンバ内を一定圧（１０Ｐａ程度が好ましい）まで減圧して、その圧力に保持させておき、この状態で反応ガスの供給を再開するのである。このようにガス供給と排気とを一定サイクル（ガス供給時間及び排気時間（ガス供給停止時間）は夫々２分程度としておくことが好ましい）で繰り返すことによって、反応ガスの供給期間において、反応ガスが基体内部に充分に浸透して、上記した減圧ＣＶＤ法による場合と同様の成作用が行われ、被覆層、完全浸透層及び不完全浸透層からなる一連の高純度炭化珪素層たる化学蒸着膜を形成することができる。特に、反応ガスの供給停止期間においては、排気により基体内部及びチャンバ内に残存する反応ガス残渣ガスや未反応ガスをすべて排除することから、つまり、反応ガスの供給再開時には基体内部及びチャンバ内に反応ガス残渣ガスや未反応ガスが全く存在しない状態で新たな反応ガスが供給されることから、反応ガスの供給を間欠的に行うことによって、極めて純粋で均一な物性を有する化学蒸着層を得ることができる。」　（本件明細書【０００９】〜【００１０】）と詳細に記載されているから、本件明細書の発明の詳細な説明には本件発明１，２に係る熱処理炉用部材の製造方法が当業者が実施できる程度に明確かつ十分に記載されているものと認められる。
　また、申立人は上記で摘記したとおりの製造方法を追試して本件発明１の「３層構造」が得られなかったことを立証しているものではないから、申立人のこの点の主張は証拠に基づかないものであって採用できない。
５．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立の理由及び証拠方法によっては、本件発明１，２に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明１，２に係る特許を取り消すべき理由も発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１１年８月１６日（１９９９．８．１６）