(57)【要約】薄物部品（２、１４）の第１面（１６）のマイクロ変形方法であって、前記薄物部品は、前記第１面、前記第１面の反対側の第２面（４、１８）、及び前記第１面に接続する周辺部（２０）によって区切られており、前記第１面の上の最大測定可能距離（Ｄ）が前記第１及び前記第２面の間の距離（Ｅ）の約５倍を超え、好ましくは８倍を超え、前記第２面（４、１８）又は前記周辺部（２０）に局所的な加工が適用され、当該薄物部品に機械的な力を加えることなく、前記第１面（１６）に固定される静的マイクロ変形を生じさせることを特徴とする。【選択図】図５
2013507651.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
薄物部品（２、１４）の第１面（１６）のマイクロ変形方法であって、前記薄物部品は、前記第１面、前記第１面の反対側の第２面（４、１８）、及び前記第１面に接続する周辺部（２０）によって区切られており、前記第１面の上の最大測定可能距離（Ｄ）が前記第１及び前記第２面の間の距離（Ｅ）の約５倍を超え、好ましくは８倍を超え、前記第２面（４、１８）又は前記周辺部（２０）に局所的な加工が適用され、当該薄物部品に機械的な力を加えることなく、前記第１面（１６）に完全に固定される静的マイクロ変形を生じさせることを特徴とする方法。
【請求項２】
前記薄物部品（２、１４）は、非晶質物質、金属、セラミック及びプラスチックの中から選択される材料からなり、前記第１面のマイクロ変形は、後者の局所的な変形であって、前記第２面に局所的な加工を適用することによって得られる請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記マイクロ変形が、前記薄物部品の前記第２面または前記周辺部に対するレーザによって達成される局所的なグレード研磨によって得られる請求項１及び２のいずれか一つに記載の方法。
【請求項４】
前記マイクロ変形が、前記薄物部品（２）の前記第２面または前記周辺部の局所的なグレード研磨によって得られる請求項１及び２のいずれか一つによる方法。
【請求項５】
前記局所的な加工が、局所的な化学的処理、例えばインクジェット式装置を使用して行われる請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記局所的な加工が、レーザ（２２）、イオンキャノン及びプラズマジェット装置の中から選択される装置によって達成される請求項４に記載の方法。
【請求項７】
前記局所的な加工はレーザによって行われ、前記局所的な加工の前に、前記第２面又は前記周辺部によって前記レーザから放出される放射線の吸収を促進することのできる物質を前記薄物部品の前記第２面又は前記周辺部の上に堆積する請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記マイクロ変形は、前記薄物部品の前記第２面又は前記周辺部の上の少なくとも１つの薄膜の局所的な堆積によって得られる請求項１及び２のいずれか一つに記載の方法。
【請求項９】
所望のマイクロ変形が得られたかどうかを調べるために、前記第１面（１６）のマイクロ変形の検査がさらになされ、所望のマイクロ変形が得られなかった場合、所望のマイクロ変形が得られるまで、前記第２面（１８）または前記周辺部（２０）の局所的な加工が再び行われる請求項１〜８のいずれか一つに記載の方法。
【請求項１０】
前記第２面（１８）又は前記周辺部（２０）に局所的な加工を施すことができる装置（２２）が使用され、前記検査はマイクロ変形測定装置（２８）によって実施され、前記マイクロ変形測定装置（２８）はこの方法によって測定されたマイクロ変形の代表的信号を供給することができ、前記局所的な加工を適用することができる前記装置（２２）は所望のマイクロ変形が得られるまで前記局所的な加工を再び行うための信号手段によって制御される請求項９に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄物部品の前面をマイクロ変形させる方法に関する。
【０００２】
そのような部品は、前面と呼ばれる第１面と、第１面の反対側であって背面と呼ばれる第２面と、第１面と第２面とを接続し、周辺部と呼ばれる周辺部分とによって区切られる。
【０００３】
第１面及び第２面のうち少なくとも１つの面上において測定可能な最も長い距離が、第１面と第２面との間の距離の約５倍以上であり、好ましくは８倍以上である場合、それは薄物と呼ばれる。
【０００４】
例えば円柱部品の場合、その厚さをＥとし、両面のディスクの直径をＤとする。そのような部品は、Ｄ／Ｅ比が約５を超え、好ましくは約８を超える場合は薄物と呼ばれる。
【０００５】
このように、本発明では、５：１又は５：１を超えるアスペクト比のオーダー、及び好ましくは８：１又は８：１を超えるオーダーの部品について考慮される。
【０００６】
本発明は、特に、加工により被覆されているか否かを問わず、研磨または処理の欠陥により、要求される形状または平坦さの品質を満たさないミラーの波面の補正に用いられる。
【０００７】
他の用法は以下のとおりである。
【０００８】
−部品のスペクトル応答を修正するために用いられる薄層の積層に起因する応力の微細な補償。これらの薄層は、部品に更なる弯曲を与える傾向がある。
【０００９】
−部品の研磨に起因するエッジ効果（フラップ）の最小化。
【００１０】
ここで要求される目的は、変形量を最小化することであってもよく、又はこの変形量を局所的に増加させることであってもよい。
【背景技術】
【００１１】
ミラー型の光学部品の表面の平坦さは、研磨工程において、局所的な変更を用いて補正することができる。
【００１２】
しかし、光学部品がＰＶＤ（物理気相成長）法、または、ＣＶＤ（化学的気相成長）法によるハードコーティングによって処理される場合、冗長で高価な再研磨及び再処置工程が実施されない限り、この部品を補正することは非常に困難である。
【００１３】
そして、実際の表面または波面は、未研磨による欠陥、塗布された層の応力、または処理の不均一さによって変形することがある。
【００１４】
しかしながら、ある程度の補正は実施可能である。例えば、背面の光学処置は、前面に配置される層の応力に対して変形と釣り合いを取るために用いられる。この場合、全体的な球状の補正が行われる。
【００１５】
１つの可能な解決法は、マスクとロボットを用いる器材を使用して、材料に局所的に付加的な厚みを塗布することによって前面を補正することである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１６】
【特許文献１】国際公開第２００４／０３６３１６号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１７】
本発明の目的は、上記技術の欠点を克服することにある。
【００１８】
より正確には、本発明の目的は、薄物部品の前面をマイクロ変形させる方法であって、薄物部品は前面と呼ばれる第１面と、第１面の反対側であって背面と呼ばれる第２面と、第１面を第２面に接続する、周辺部と呼ばれる周辺部分とによって区切られ、第１面の上で測定可能な最も長い距離が、第１面と第２面との間の距離の約５倍以上であり、好ましくは８倍以上であって、第２面または周辺部に局所的な処理が施され、それにより薄物部品に機械力を適用することなく第１面に静的なマイクロ変形が生じ、それが完全に固定されることを特徴とする。
【００１９】
本発明の特定の実施例によれば、薄物部品は、非晶質物質（特にガラス）、金属、セラミック及びプラスチックの中から選択される材料によって形成され、そして第１面のマイクロ変形は、第２面に局所的な処理を施すことによって得られる後者の局所的な変形である。
【００２０】
発明の目的である方法の第１の特定の実施例によれば、マイクロ変形は、レーザ手段によって達成される薄物部品の第２面または周辺部の局所的なグレード研磨によって得られる。このレーザの波長は、レーザと物質との相互作用を改善するために、材料に適応させてもよい。
【００２１】
例えば、材料が二酸化ケイ素である場合は１０．６μｍで放射されるＣＯ２レーザが用いられる。
【００２２】
第２の特定の実施例によれば、マイクロ変形は薄物部品の第２面または周辺部の局所的な加工によって得られる。
【００２３】
この局所的な加工は局所的な化学的処理であってもよく、例えばインクジェット式装置によって達成されてもよい。
【００２４】
他の特定の実施例によれば、局所的な加工は、レーザ、イオンキャノン及びプラズマジェット装置の中から選択される装置によって達成される。
【００２５】
局所的な加工がレーザによって行われる場合、この局所的な加工の前に、有利にも、薄物部品の第２面または周辺部の上に、薄物部品の第２面または周辺部によってレーザから発射される放射線の吸収を促進することができる物質を堆積することが可能である。
【００２６】
本発明の目的である方法の第３の特定の実施例によれば、マイクロ変形は薄物部品の第２面または周辺部の上に少なくとも１つの薄層を局所的に積層することによって得られる。
【００２７】
発明の好ましい実施例において、所望のマイクロ変形が得られたかどうかを調べるために、第１面のマイクロ変形の検査がさらに行われ、そして、所望の変形が得られない場合、所望のマイクロ変形が得られるまで、第２面または周辺部の局所的な処理が再び行われる。
【００２８】
この場合には、局所的な処理を第２面または周辺部に行うことができる装置があれば、マイクロ変形を測定する装置によって検査を行うことが可能である。ここで、このマイクロ変形を測定する装置は、このようにして測定されるマイクロ変形の代表的信号を提供することができ、当該信号手段を用いて制御され、望ましいマイクロ変形が得られるまで再び行うための局所的な処理を行うことができる。
【発明の効果】
【００２９】
本発明によれば、当該部品に圧力を印加することのない様々な方法によって背面に補正を施すことができる。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１Ａ】本発明の第１実施例を概略的に示す図である。
【図１Ｂ】本発明の第１実施例を概略的に示す図である。
【図１Ｃ】本発明の第１実施例を概略的に示す図である。
【図１Ｄ】本発明の第１実施例を概略的に示す図である。
【図１Ｅ】本発明の第１実施例を概略的に示す図である。
【図２Ａ】本発明の第２実施例を概略的に示す図である。
【図２Ｂ】本発明の第２実施例を概略的に示す図である。
【図２Ｃ】本発明の第２実施例を概略的に示す図である。
【図２Ｄ】本発明の第２実施例を概略的に示す図である。
【図２Ｅ】本発明の第２実施例を概略的に示す図である。
【図３Ａ】本発明の第３実施例を概略的に示す図である。
【図３Ｂ】本発明の第３実施例を概略的に示す図である。
【図３Ｃ】本発明の第３実施例を概略的に示す図である。
【図３Ｄ】本発明の第３実施例を概略的に示す図である。
【図３Ｅ】本発明の第３実施例を概略的に示す図である。
【図４Ａ】本発明の第４実施例を概略的に示す図である。
【図４Ｂ】本発明の第４実施例を概略的に示す図である。
【図４Ｃ】本発明の第４実施例を概略的に示す図である。
【図４Ｄ】本発明の第４実施例を概略的に示す図である。
【図４Ｅ】本発明の第４実施例を概略的に示す図である。
【図５】本発明の他の実施例を概略的に示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００３１】
本発明が、部品の背面又は周辺部に施される適切な表面処理によって、薄物部品（そのアスペクト比は好ましくは約８：１に等しく又はそれ以上である）の前面をマイクロ変形させる方法であることを想起されたい。
【００３２】
当該部品の前面が表層を含む場合、処理によってこの表層の応力を修正することが要求される。
【００３３】
本発明を実施すれば、当該部品の回復のための処理を可能にし、ハード処理の応力の効果を補正し、加工または切削工程のエッジ効果のために行われる補正を可能にする静的な補正機能を有する。そして、特定の場合において、本発明は応力下での研磨に取って代わることができる。
【００３４】
本発明において、補正または特にマイクロ補正は、静的であると言われる。これは、このマイクロ補正がこれを最後に完全に固定されることを意味しており、それは例えば熱的変動に関して表面修正が補正されないことを意味する。
【００３５】
このような補正は、リアルタイムに修正を行い、時間とともに変化する動的な補正と対照をなす。
【００３６】
本発明の独創的な部分は、当該部品に圧力を印加することのない様々な方法によって背面に補正が施されるという事実にある。これらの方法は、特に、レーザ加工、イオン加工、プラズマ加工、化学エッチングまたは薄層による局所的な処理であってもよい。
【００３７】
補正は全体的であってもよく、その場合には、その補正の動作は、部品の全体または一部、すなわち局所的に認められるものでもよく、それを実現するシステムは局所的に適用することが可能である。
【００３８】
上記方法の特徴は、それらが研磨の分野でも、また、表面処理の分野でも開発されなかったという事実にある。
【００３９】
加えて、本発明は表面の欠陥の補正（溝周辺の物質の付加的な厚みにこの溝が対応するため、通常は付加的な厚み）を可能にする。実際、適用される処理は局所的であり、所望の補正に依存して、空間的な広がり、すなわち幅と強さ、すなわち深さとを有する。
【００４０】
本発明の原理は、応力の除去又は形成を利用して局所的に薄物部品の表面を修正することにある。前面に修正が観察されるには、局所作用をこの部品の背面に行えば十分である。。
【００４１】
本発明の原理を確認するために、各辺が５０ｍｍ、厚さが４ｍｍ、両面が光学研磨されており、前面が干渉計を用いて測定されるガラスの正方形の基板からなる部品が用いた。部品は、干渉計によって４０ｍｍ×４０ｍｍの領域を計測することができるフレームに連続して配置された。
【００４２】
図１Ａ、２Ａ、３Ａ及び４Ａにおいて、部品を参照符号２で示す（枠は図示せず）。
【００４３】
次に、部品または基板２の背面４を、基本波長（１ω）で動作するＹＡＧレーザを用いて、以下の４つの標準パターンに加工した。
【００４４】
−図１Ａの基板：中線上の垂直線６
【００４５】
−図２Ａの基板：対角線上の線８
【００４６】
−図３Ａの基板：４５°に傾斜し、辺の中央を連結する２本の線１０
【００４７】
−図４Ａの基板：各辺が約５ｍｍで、基板のほぼ中央に配置される正方形の領域１２
【００４８】
４つの基板の前面を、次に再計測し、そして、加工の後に得られる測定値を加工の前に得られた測定値から減算した。
【００４９】
以下において、ＰＶとは頂上から谷までの距離（英語では、ｐｅａｋ−ｔｏ−ｖａｌｌｅｙ）を意味し、また、ＲＭＳとは自乗平均（英語では、ｒｏｏｔ  ｍｅａｎ  ｓｑｕａｒｅ）を意味する。そして、図中で、ｐｉｘとはピクセル数（横座標及び縦座標）を意味する。
【００５０】
図１Ｂは、図１Ａの基板の背面を処理する前の、この基板の前面の測定結果（第１の測定）を示す。図１Ｂの場合、ＰＶは０．０８９μｍとなり、ＲＭＳは０．０１３μｍとなる。図１Ｃは、図１Ａの基板の背面を処理した後の、この基板の前面の測定結果（第２の測定）を示す。図１Ｃの場合、ＰＶは０．２０３μｍとなり、ＲＭＳは０．０３９μｍとなる。図１Ｄは、前面の変形、すなわち第１の測定（図１Ｂ）から第２の測定（図１Ｃ）を引いたものを示す。図１Ｄの場合、ＰＶは０．１７０μｍとなり、そして、ＲＭＳは０．０２８μｍとなる。図１Ｅはこの変形の断面を示す。
【００５１】
図面において、図２Ｅ、３Ｅ及び４Ｅに示すように、Ｄｉｓｔａｎｃｅは測定された領域の幅（ピクセル単位）を表し、それは約４０ｍｍに対応し、また、Ｈｅｉｇｈｔは高さの変動（μｍ単位）を表す。
【００５２】
図２Ｂは、図２Ａの基板の背面を処理する前の、この基板の前面の測定結果（第１の測定）を示す。図２Ｂの場合、ＰＶは０．０８３μｍとなり、ＲＭＳは０．０１３μｍとなる。図２Ｃは、図２Ａの基板の背面を処理した後の、この基板の前面の測定結果（第２の測定）を示す。図２Ｃの場合、ＰＶは０．２２９μｍとなり、ＲＭＳは０．０４７μｍとなる。図２Ｄは、前面の変形、すなわち第１の測定（図２Ｂ）から第２の測定（図２Ｃ）を引いたものを示す。図２Ｄの場合、ＰＶは０．２１１μｍとなり、ＲＭＳは０．０３８μｍとなる。図２Ｅはこの変形の断面を示す。
【００５３】
図３Ｂは、図３Ａの基板の背面を処理する前の、この基板の前面の測定結果（第１の測定）を示す。図３Ｂの場合、ＰＶは０．０８９μｍとなり、ＲＭＳは０．０１０μｍとなる。図３Ｃは、図３Ａの基板の背面を処理した後の、この基板の前面の測定結果（第２の測定）を示す。図３Ｃの場合、ＰＶは０．１６９μｍとなり、ＲＭＳは０．０２４μｍとなる。図３Ｄは、前面の変形、すなわち第１の測定（図３Ｂ）から第２の測定（図３Ｃ）を引いたものを示す。図３Ｄの場合、ＰＶは０．１４５μｍとなり、ＲＭＳは０．０１７μｍとなる。図３Ｅはこの変形の断面を示す。
【００５４】
図４Ｂは、図４Ａの基板の背面を処理する前の、この基板の前面の測定結果（第１の測定）を示す。図４Ｂの場合、ＰＶは０．１０２μｍとなり、ＲＭＳは０．０１４μｍとなる。図４Ｃは、この基板の背面を処理した後の、図４Ａの基板の前面の測定結果（第２の測定）を示す。図４Ｃの場合、ＰＶは０．１４１μｍとなり、ＲＭＳは０．０１９μｍとなる。図４Ｄは、前面の変形、すなわち第１の測定（図４Ｂ）から第２の測定（図４Ｃ）を引いたものを示す。図４Ｄの場合、ＰＶは０．１１０μｍとなり、ＲＭＳは０．０１１μｍとなる。図４Ｅはこの変形の断面を示す。
【００５５】
これらの４つの例において、発明の有効性を示すためにレーザによって加工された、それぞれの方向６、８及び１０または領域１２において、前面の表面が実際に修正されたことが観測される。発生した変形量は、性質上、材料、厚み、及び加工に依存する。
【００５６】
図５は、本発明の他の実施例を示す。
【００５７】
図５に、前面１６、背面１８及び周辺部２０によって区切られる薄物部品１４を示す。前面において測定可能な最も長い距離は、少なくとも面１６と面１８との間の距離の８倍となる。したがって、アスペクト比は、少なくとも８：１となる。
【００５８】
この例において、薄物部品１４はガラスからなり、直径Ｄ及び厚みＥを有するシリンダー形状を有する。ここで、Ｄ＞８Ｅである。
【００５９】
当該前面には湾曲欠陥がある。
【００６０】
本発明の特定の実施例に基づき、この欠陥を補正するために、レーザ２２、例えばＮｄ：ＹＡＧ型のレーザであって、３ω又は４ωで動作し、３５５ｎｍ（３ω）又は２６６ｎｍ（４ω）の波長の光線２４を発するものを用いる。
【００６１】
レーザ２２には、移動及び方向手段２６を備えている。これらの手段を用いることにより、レーザ２２を移動し、そして、その方向を薄物部品１４の背面１８に適用されるように修正し、光線２４を使用して、以下の処理：点状の加工、または円形の加工のいずれかがなされ、その半径と深さとは変形量と材料の特性とに依存する。当然、処理を適用するためにレーザ２２を移動しまた方向を変える代わりに、部品１４を移動及び方向手段に取り付けて、レーザを固定するように保持することもできる。
【００６２】
この処理は、前面１６において、弯曲を除去し又は最小にするための効果を有する。
【００６３】
次に、前面１６は、欠陥が修正されたことを確認するために、例えばフィゾー型またはマイケルソン型の干渉計２８、またはシャック−ハートマン型の波面アナライザ、またはモアレ型の縞投影システムを使用して検査される。欠陥が修正されなかった場合、修正が完了するまで背面１８の処置を再び行う。
【００６４】
検査は「開ループで」なされてもよい。この場合、レーザ２２は干渉計２８と独立して操作される。
【００６５】
しかし、それは「閉ループで」なされてもよい。この場合、図５に示すように、このレーザ２２及びその運動及び方向を適切な電子制御装置３０を介して制御するために、干渉計２８によって提供される信号が使われ、この信号はレーザ２２による背面１８の局所的な処理の間、前面１６に生じるマイクロ変形を表わす。前面１６の欠陥が修正されるまで、このように、背面１８の局所的な処理を再び行う。
【００６６】
本発明は、望遠鏡のミラーまたは光学的マイクロコンポーネントのような薄物部品に適用されてもよい。アスペクト比は、全ての場合において５：１又は５：１を超過する。
【００６７】
また、上記の例において、部品はガラスからなる。しかし、本発明はそのような材料から製造される部品の処理に限定されない。例えば、これらの部品がガラス、金属、セラミックまたはプラスチックタイプの非晶質物質からなる場合、部品の前面を、その背面に対する作用を通して局所的に変形させることができる。
【００６８】
そして、本発明は、レーザの使用に限定されず、レーザの波長、力、及び反復率を当該物質に適合するように修正し、局所的に薄物部品の背面（または周辺部）を加工してもよい。
【００６９】
例えば、レーザを用いて局所的に部品の背面（または周辺部）の表面のグレード処理をすることによって当該部品の前面を変形させることができる。
【００７０】
加えて、本発明において用いられる局所的な処理は、レーザ加工に限定されない。本発明では、例えばインクジェット式装置を用いて、局所的に部品の背面（または周辺部）を処理するために化学的処理を用いることができる。
【００７１】
部品の背面（または周辺部）によるレーザ光線の吸収を最適化するために、インクまたは他の物質の蓄積により光エネルギーの蓄積を最適化する観点から、この用法はそれ固有の手段（例えば、酸による化学エッチング）であってもよく、またはレーザ加工に対して補完的な手段であってもよい。
【００７２】
局所的に部品の背面（または周辺部）を処理するために、本発明はイオンキャノンまたはプラズマジェットを用いて実施されてもよい。
【００７３】
本発明は、部品の背面（または周辺部）に局所的に一つ以上の薄層からなるコーティングを用いることで実施されてもよい。
【００７４】
これらの層とその場所の性質及び厚みは、実施される修正の大きさや修正される欠陥の位置に応じて選択される。薄層のこの堆積は、ＰＶＤまたはソル−ゲル技術またはインクジェットによるマスキングによって実施されてもよい。
【００７５】
本発明において、部品の前面の表面の補正を促進するために、フィゾー型またはマイケルソン型の干渉計２８、またはシャック−ハートマン型の波面アナライザ、またはモアレ型の縞投影システムを用いることができる。このシステムは、選択された実施装置において開ループまたは閉ループであってもよい。
【００７６】
本発明は、したがって、構成要素の先行する製造工程と独立した、構成要素の前面の表面状態を修正するための静的な方法の適用を提案する。
【００７７】
この方法は、構成要素の前面の上の薄層の存在に起因する応力の効果を補償するために用いることができる。実際、そのような薄層によって構成要素が凸状になる傾向があることが一般に知られている。
【００７８】
この方法は、部品の加工またはカットのプロセスに関するエッジ効果を補償するために用いられることもできる。
【００７９】
加えて、本発明は、部品の前面のマイクロ変形を引き起こす観点から、薄物部品の背面の局所的な処理に限定されないものと規定される。このマイクロ変形を引き起こすために、局所的な処理を部品の周辺部に適用することも可能である。
【００８０】
確かに、文献ＷＯ  ２００４／０３６３１６には、薄い光学素子のマイクロ変形方法がすでに記載されている。この方法によれば、素子の背面が照らされ、加熱されて、その背面が変形される。
【００８１】
本発明の目的を構成する方法によれば、達成されるマイクロ変形は静的であり、これを最後に完全に固定される。上記文献によって開示される方法は、この部分において完全に異なるカテゴリー、すなわち動的な修正方法のカテゴリーに属している。これは、加熱のために、２０°Ｃ以上温度を上昇させない目的で、１Ｗ．ｃｍ−２オーダーの表面出力密度を供給するレーザダイオードまたはレーザを使用するからである。例えば、１０３〜１０９Ｗ．ｃｍ−２オーダーの、１Ｗ．ｃｍ−２オーダーの表面出力密度は、グレード研磨処理のために、またはレーザアブレーションのために要求されるパワーをかなり下回る。加えて、本発明は単に部品の背面だけに対する局所的な処理の適用にも、また、レーザの使用にも限定されない。
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図１Ｃ】
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【図１Ｄ】
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【図１Ｅ】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
2013507651.tif 000009
【図２Ｃ】
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【図２Ｄ】
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【図２Ｅ】
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【図３Ａ】
2013507651.tif 000013
【図３Ｂ】
2013507651.tif 000014
【図３Ｃ】
2013507651.tif 000015
【図３Ｄ】
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【図３Ｅ】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
2013507651.tif 000019
【図４Ｃ】
2013507651.tif 000020
【図４Ｄ】
2013507651.tif 000021
【図４Ｅ】
2013507651.tif 000022
【図５】
2013507651.tif 000023
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月19日(2011.5.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
薄物部品（２、１４）の第１面（１６）の完全に固定される静的なマイクロ変形方法であって、前記薄物部品は、前記第１面、前記第１面の反対側の第２面（４、１８）、及び前記第１面に接続する周辺部（２０）によって区切られており、前記第１面の上の最大測定可能距離（Ｄ）が前記第１及び前記第２面の間の距離（Ｅ）の約５倍を超え、好ましくは８倍を超え、前記第２面（４、１８）又は前記周辺部（２０）に局所的な処理が適用され、当該薄物部品に機械的な力を加えることなく、前記第１面（１６）に完全に固定される前記マイクロ変形を生じさせることを特徴とする方法。
【請求項２】
前記薄物部品（２、１４）は、非晶質物質、金属、セラミック及びプラスチックの中から選択される材料からなり、前記第１面のマイクロ変形は、後者の局所的な変形であって、前記第２面に局所的な加工を適用することによって得られる請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記マイクロ変形が、前記薄物部品の前記第２面または前記周辺部に対するレーザによって達成される局所的なグレード研磨によって得られる請求項１及び２のいずれか一つに記載の方法。
【請求項４】
前記マイクロ変形が、前記薄物部品（２）の前記第２面または前記周辺部の局所的なグレード研磨によって得られる請求項１及び２のいずれか一つによる方法。
【請求項５】
前記局所的な加工が、局所的な化学的処理、例えばインクジェット式装置を使用して行われる請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記局所的な加工が、レーザ（２２）、イオンキャノン及びプラズマジェット装置の中から選択される装置によって達成される請求項４に記載の方法。
【請求項７】
前記局所的な加工はレーザによって行われ、前記局所的な加工の前に、前記第２面又は前記周辺部によって前記レーザから放出される放射線の吸収を促進することのできる物質を前記薄物部品の前記第２面又は前記周辺部の上に堆積する請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記マイクロ変形は、前記薄物部品の前記第２面又は前記周辺部の上の少なくとも１つの薄膜の局所的な堆積によって得られる請求項１及び２のいずれか一つに記載の方法。
【請求項９】
所望のマイクロ変形が得られたかどうかを調べるために、前記第１面（１６）のマイクロ変形の検査がさらになされ、所望のマイクロ変形が得られなかった場合、所望のマイクロ変形が得られるまで、前記第２面（１８）または前記周辺部（２０）の局所的な加工が再び行われる請求項１〜８のいずれか一つに記載の方法。
【請求項１０】
前記第２面（１８）又は前記周辺部（２０）に局所的な加工を施すことができる装置（２２）が使用され、前記検査はマイクロ変形測定装置（２８）によって実施され、前記マイクロ変形測定装置（２８）はこの方法によって測定されたマイクロ変形の代表的信号を供給することができ、前記局所的な加工を適用することができる前記装置（２２）は所望のマイクロ変形が得られるまで前記局所的な加工を再び行うための信号手段によって制御される請求項９に記載の方法。
【国際調査報告】
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