【事件の表示】
　特許第６３９９２５２号発明「回路基板および窒化ケイ素焼結基板の製造方法」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第６３９９２５２号の特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の〔１〜１０〕について訂正することを認める。
　特許第６３９９２５２号の請求項１〜１１、１３、１４に係る特許を維持する。
【理　由】
第１　手続の経緯
　特許第６３９９２５２号（以下、「本件特許」という。）の請求項１〜１４に係る特許についての出願は、２０１７年（平成２９年）３月２４日（優先権主張　平成２８年３月２８日　（ＪＰ）日本国）を国際出願日とする出願であって、平成３０年９月１４日にその特許権の設定登録がされ、平成３０年１０月３日に特許掲載公報が発行され、その後、その請求項１〜１１、１３及び１４に係る特許に対して、平成３１年３月２７日に特許異議申立人青木眞理により特許異議の申立てがされ、令和１年５月３０日付けで取消理由が通知され、その指定期間内である令和１年７月３０日付けで意見書の提出及び訂正の請求（以下、「本件訂正請求」という。）がされたものであり、本件訂正請求に対して、特許異議申立人から令和１年９月３日付けで意見書の提出がされたものである。
第２　訂正の適否についての判断
１　訂正の内容
　本件訂正請求による訂正の内容は、以下のとおりである。（なお、訂正箇所に下線を付した。）
（１）訂正事項１
　特許請求の範囲の請求項１において、「端部のボイド率ｖｅが１．００％以下である、」を「端部のボイド率ｖｅが１．００％以下であ
り、
前記中央部のボイド率ｖｃと前記端部のボイド率ｖｅとの比ｖｅ／ｖｃが０．５０以上である、
（２）訂正事項２
　特許請求の範囲の請求項１において、「窒化ケイ素焼結基板を用いた回路基板であって、」の後に、「
前記窒化ケイ素焼結基板における前記中央部の密度ｄｃは、前記端部の密度ｄｅよりも小さく、かつ、前記中央部のボイド率ｖｃは、前記端部のボイド率ｖｅより大きく、
（３）訂正事項３
　特許請求の範囲の請求項２において、「前記端部の密度ｄｅが３．１６０ｇ／ｃｍ３以上であり、」を「前記端部の密度ｄｅが３．１６０ｇ／ｃｍ３以上であ
る、
２　訂正要件の判断
（１）訂正事項１について
　訂正事項１は、訂正前の請求項１を引用する請求項２に記載された「前記中央部のボイド率ｖｃと前記端部のボイド率ｖｅとの比ｖｅ／ｖｃが０．５０以上である」ことを請求項１の発明特定事項として追加するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載された事項の範囲内においてなされたものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
（２）訂正事項２について
　訂正事項２は、訂正前の請求項１に記載された「比ｄｃ／ｄｅが０．９８以上」の上限を限定し、さらに、訂正事項１によって追加された「比ｖｅ／ｖｃが０．５０以上」の上限を限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。そして、願書に添付した明細書の段落【００２２】に「本願発明者の詳細な検討によれば、窒化ケイ素焼結基板のサイズを大きくすると、基板の中央付近と端部とで種々の物性に差が生じ、基板面内での物性の均一性が低下する。特に、基板の中央付近では、焼結時にグリーンシートが収縮しにくいため、基板中央付近において、密度が小さくなることおよびボイド率が大きくなることが分かった。」と記載されているから、訂正事項２は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載された事項の範囲内においてなされたものである。
（３）訂正事項３について
　訂正事項３は、訂正事項１による訂正後の請求項１との重複する記載を削除するものであるから、明瞭でない記載の釈明を目的とするものであって、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載された事項の範囲内においてなされたものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
（４）一群の請求項について
　訂正前の請求項２〜１０は、訂正前の請求項１を引用するものであるから、訂正前の請求項１〜１０は、一群の請求項である。
　したがって、訂正事項１〜３の特許請求の範囲の訂正は、この一群の請求項１〜１０について請求されたものである。
３　むすび
　以上のとおりであるから、本件訂正請求による訂正は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号及び第３号に掲げる事項を目的とするものであり、かつ、同条第４項、及び、同条第９項において準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合するので、訂正後の請求項〔１〜１０〕について訂正することを認める。
第３　特許異議の申立てについて
１　本件発明
（１）本件訂正請求により訂正された請求項１〜１０に係る発明を含む、請求項１〜１４に係る発明（以下「本件発明１」〜「本件発明１４」といい、まとめて「本件発明」という。）は、訂正特許請求の範囲の請求項１〜１４に記載された事項により特定される次のとおりのものであると認める。
「【請求項１】
　１辺が１２０ｍｍの正方形よりも大きい形状の主面を有し、前記主面における中央部の密度ｄｃと端部の密度ｄｅの比ｄｃ／ｄｅが０．９８以上であり、前記主面における中央部のボイド率ｖｃが１．８０％以下であり、端部のボイド率ｖｅが１．００％以下であ
り、前記中央部のボイド率ｖｃと前記端部のボイド率ｖｅとの比ｖｅ／ｖｃが０．５０以上である、
前記窒化ケイ素焼結基板における前記中央部の密度ｄｃは、前記端部の密度ｄｅよりも小さく、かつ、前記中央部のボイド率ｖｃは、前記端部のボイド率ｖｅより大きく、
【請求項２】
　前記中央部の密度ｄｃが３．１２０ｇ／ｃｍ３以上であり、前記端部の密度ｄｅが３．１６０ｇ／ｃｍ３以上であ
る、
【請求項３】
　前記中央部の密度ｄｃが３．１４０ｇ／ｃｍ３以上であり、前記端部の密度ｄｅが３．１６０ｇ／ｃｍ３以上であり、前記中央部のボイド率ｖｃが１．３％以下である、請求項１に記載の回路基板。
【請求項４】
　１０ｐＣの放電電荷量に達した時の電圧値で定義される部分放電開始電圧が、４．０ｋＶ以上である請求項１または２に記載の回路基板。
【請求項５】
　１０ｐＣの放電電荷量に達した時の電圧値で定義される部分放電開始電圧が、５．０ｋＶ以上である請求項１または３に記載の回路基板。
【請求項６】
　炭素含有量が０．２０質量％以下である請求項１から５のいずれかに記載の回路基板。
【請求項７】
　０．１５ｍｍ以上２．０ｍｍ以下の厚さを有する請求項１から６のいずれかに記載の回路基板。
【請求項８】
　前記主面は、１５０ｍｍ×１７０ｍｍの長方形よりも大きい形状を有する請求項１から７のいずれかに記載の回路基板。
【請求項９】
　前記主面は、１辺が２５０ｍｍの正方形またはこれよりも小さい形状を有する請求項１から８のいずれかに記載の回路基板。
【請求項１０】
　前記主面は、１辺が２２０ｍｍの正方形またはこれよりも小さい形状を有し、１０以上の絶縁破壊耐圧のワイブル係数を有する請求項１から９のいずれかに記載の回路基板。
【請求項１１】
　８０質量％以上９８．３質量％以下のＳｉ３Ｎ４粉末、酸化物換算で０．７質量％以上１０質量％以下のＭｇ化合物粉末および酸化物換算で１質量％以上１０質量％以下の少なくとも１種の希土類元素の化合物粉末を混合し、混合粉末を得る工程（ａ）と、
　前記混合粉末をスラリーにして複数のグリーンシートに成形する工程（ｂ）と、
　前記複数のグリーンシートを、窒化ホウ素粉末層を介して積層し、積層組立体を得る工程（ｃ）と、
　前記積層組立体を焼結炉内に配置し、前記積層組立体を焼結する工程（ｄ）と
を包含し、
　前記工程（ｃ）において、前記窒化ホウ素粉末層の厚さは３μｍ以上２０μｍ以下であり、
　前記工程（ｄ）は、
　８０Ｐａ以下の真空雰囲気下、９００℃以上１３００℃以下の雰囲気温度を保持し、前記グリーンシートから炭素を除去する工程（ｄ１）と、
　前記工程（ｄ１）の後、窒素雰囲気下、１６００℃以上２０００℃以下の雰囲気温度で前記グリーンシートを焼結させる工程（ｄ２）とを
含み、
　１辺が１２０ｍｍの正方形よりも大きい形状の主面を有する、窒化ケイ素焼結基板の製造方法。
【請求項１２】
　Ｓｉ３Ｎ４換算で、８０質量％以上９８．３質量％以下のＳｉ粉末、または、Ｓｉ粉末およびＳｉ３Ｎ４粉末、酸化物換算で０．７質量％以上１０質量％以下のＭｇ化合物粉末および酸化物換算で１質量％以上１０質量％以下の少なくとも１種の希土類元素の化合物粉末を混合し、混合粉末を得る工程（ａ）と、
　前記混合粉末をスラリーにして複数のグリーンシートに成形する工程（ｂ）と、
　前記複数のグリーンシートを、窒化ホウ素粉末層を介して積層し、積層組立体を得る工程（ｃ）と、
　前記積層組立体を焼結炉内に配置し、前記積層組立体を焼結する工程（ｄ）と
を包含し、
　前記工程（ｃ）において、前記窒化ホウ素粉末層の厚さは３μｍ以上２０μｍ以下であり、
　前記工程（ｄ）は、
　８０Ｐａ以下の真空雰囲気下、９００℃以上１３００℃以下の雰囲気温度を保持し、前記グリーンシートから炭素を除去する工程（ｄ１）と、
　前記工程（ｄ１）の後、窒素雰囲気下、１３５０℃以上１４５０℃以下の雰囲気温度で前記グリーンシート中の前記Ｓｉ粉末を窒化させる工程（ｄ２）と
　前記工程（ｄ２）の後、窒素雰囲気下で、１６００℃以上２０００℃以下の雰囲気温度で前記グリーンシートを焼結させる工程（ｄ３）とを
含み、
　１辺が１２０ｍｍの正方形よりも大きい形状の主面を有する、窒化ケイ素焼結基板の製造方法。
【請求項１３】
　前記主面は、１５０ｍｍ×１７０ｍｍの長方形よりも大きい形状を有する請求項１１または１２に記載の窒化ケイ素焼結基板の製造方法。
【請求項１４】
　前記主面は、１辺が２５０ｍｍの正方形またはこれよりも小さい形状を有する請求項１１から１３のいずれかに記載の窒化ケイ素焼結基板の製造方法。」
２　取消理由の概要
　訂正前の請求項１〜１０に係る特許に対して、令和１年５月３０日付けで特許権者に通知した取消理由の要旨は次のとおりである。
（１）特許法第３６条第６項第２号（明確性）に関する取消理由
　訂正前の請求項１に記載された「主面における中央部の密度ｄｃと端部の密度ｄｅの比ｄｃ／ｄｅが０．９８以上であ」るとの特定事項、及び、訂正前の請求項１を引用する請求項２に記載された「前記中央部のボイド率ｖｃと前記端部のボイド率ｖｅとの比ｖｅ／ｖｃが０．５０以上である」との特定事項は、その上限が特定されていないため、例えば、１．００を大幅に超える数値を包含するのか明らかでない。
　そうしてみると、訂正前の請求項１及び２に係る発明、並びに、これらを引用する請求項３〜１０に係る発明は明確でないから、訂正前の請求項１〜１０に係る特許は、特許法第３６条第６第２号に規定する要件を満たしてない特許出願に対してされたものである。
（２）特許法第３６条第６項第１号（サポート要件）に関する取消理由
　発明の詳細な説明の段落【０００４】、【００２０】、【００２２】〜【００２４】の記載からみて、本件発明の課題は、大型の窒化ケイ素焼結基板では、密度及びボイド率の面内均一性が低く、絶縁信頼性が低いということであるところ、訂正前の請求項１に係る発明は、「中央部の密度ｄｃと端部の密度ｄｅの比ｄｃ／ｄｅ」の上限を特定しておらず、また、「中央部のボイド率ｖｃ」と「端部のボイド率ｖｅ」との相対的な関係も特定していないため、上記課題を解決できない態様を含んでいる。
　そうしてみると、訂正前の請求項１に係る発明、並びに、これらを引用する請求項２〜１０に係る発明は、発明の詳細な説明に記載された発明といえないから、訂正前の請求項１〜１０に係る特許は、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしてない特許出願に対してされたものである。
３　取消理由の検討
（１）特許法第３６条第６項第２号（明確性）に関する取消理由
　本件発明１では、「前記窒化ケイ素焼結基板における前記中央部の密度ｄｃは、前記端部の密度ｄｅよりも小さく、かつ、前記中央部のボイド率ｖｃは、前記端部のボイド率ｖｅより大きく」との事項が特定されることによって、「比ｄｃ／ｄｅ」及び「比ｖｅ／ｖｃ」が１未満であること、つまり、上限が明らかになった。
　したがって、本件発明１〜１０は明確である。
　よって、特許法第３６条第６項第２項に関する取消理由に理由はない。
（２）特許法第３６条第６項第１号（サポート要件）に関する取消理由
　本件発明１では、上記（１）において検討したように、「比ｄｃ／ｄｅ」及び「比ｖｅ／ｖｃ」の上限が特定されたため、本件発明１は、発明の詳細な説明の記載からみて、上記２（２）に示した本件発明の課題を解決できると当業者が認識できる範囲のものになった。
　したがって、本件発明１は、発明の詳細な説明に記載された発明であるといえるし、本件発明１を引用する本件発明２〜１０も同様の理由により、発明の詳細な説明に記載された発明であるといえる。
　よって、特許法第３６条第６項第１号に関する取消理由に理由はない。
（３）特許異議申立人の意見について
　ア　特許異議申立人は、実施例３〜２８のボイド率比の上限値（０．９３、実施例１１）より大きいボイド率比０．９７の参考例５１を根拠にして、本件発明１の「前記主面における中央部の密度ｄｃと端部の密度ｄｅの比ｄｃ／ｄｅが０．９８以上」、「前記主面における中央部のボイド率ｖｃが１．８０％以下」、「端部のボイド率ｖｅが１．００％以下」、「前記中央部のボイド率ｖｃと前記端部のボイド率ｖｅとの比ｖｅ／ｖｃが０．５０以上」、「前記中央部の密度ｄｃは、前記端部の密度ｄｅよりも小さく」、「前記中央部のボイド率ｖｃは、前記端部のボイド率ｖｅより大きく」及び「８．０ｋＶ以上の絶縁破壊耐圧および６以上の絶縁破壊耐圧のワイブル係数」であっても、「１辺が１２０ｍｍの正方形よりも大きい形状の主面」が得られないから、本件発明１は発明の詳細な説明に記載されたものでない旨を主張している（令和１年９月３日付け意見書の３．（１）参照）。
　この点について検討すると、発明の詳細な説明の実施例及び参考例は、大型で絶縁信頼性が高い窒化ケイ素基板の回路基板を実現するとの課題に対して、回路基板の大きさが１辺１２０ｍｍの正方形よりも大きいものを実施例、小さいものを参考例として区別したものであるから、参考例５１が、本件発明１の「１辺が１２０ｍｍの正方形よりも大きい形状の主面」との特定事項以外の特定事項の全てを満たすものであっても、「１辺が１２０ｍｍの正方形よりも大きい形状の主面」との特定事項を欠くものは、本件発明１に当らないというにすぎない。
　そして、発明の詳細な説明の実施例３〜２８には、本件発明１の「１辺が１２０ｍｍの正方形よりも大きい形状の主面」との特定事項を満たし、さらに、「前記主面における中央部の密度ｄｃと端部の密度ｄｅの比ｄｃ／ｄｅが０．９８以上」、「前記主面における中央部のボイド率ｖｃが１．８０％以下」、「端部のボイド率ｖｅが１．００％以下」、「前記中央部のボイド率ｖｃと前記端部のボイド率ｖｅとの比ｖｅ／ｖｃが０．５０以上」、「前記中央部の密度ｄｃは、前記端部の密度ｄｅよりも小さく」、「前記中央部のボイド率ｖｃは、前記端部のボイド率ｖｅより大きく」及び「８．０ｋＶ以上の絶縁破壊耐圧および６以上の絶縁破壊耐圧のワイブル係数」との発明特定事項も満たす回路基板が記載されているし、また、実施例３〜２８のボイド率比が上限値（０．９３）を超えて１未満の範囲である程に、ボイド率の均一性が向上するため、本件発明の課題を解決できることは、技術常識に照らして明らかであるから、本件発明１は、発明の詳細な説明の記載から拡張又は一般化できる範囲のものといえる。
　よって、特許異議申立人の上記主張は採用できない。
　イ　特許異議申立人は、発明の詳細な説明の実施例３〜２８の中央部のボイド率ｖｃの下限値は０．３１％であり、端部のボイド率ｖｅの下限値は０．２８％であるのに対して、本件発明１の「中央部のボイド率ｖｃが１．８０％以下」及び「端部のボイド率ｖｅが１．００％以下」との特定事項は、下限値が規定されていないため、本件発明１は、発明の詳細な説明に記載されたものといえない旨を主張している（令和１年９月３日付け意見書の３．（２）参照）。
　この点について検討すると、発明の詳細な説明の記載からみて、本件発明１の「中央部のボイド率ｖｃが１．８０％以下」及び「端部のボイド率ｖｅが１．００％以下」との特定事項は、任意の下限値まで拡張することを意味しているとは認められないし、また、ボイド率は小さいほど絶縁破壊耐圧や絶縁破壊耐圧のワイブル係数が向上し、絶縁信頼性が向上することも技術常識に照らして明らかであるため、これら特定事項の数値範囲は、発明の詳細な説明の記載を超えているといえない。
　よって、特許異議申立人の上記主張は採用できない。
　ウ　特許異議申立人は、発明の詳細な説明の段落【０１０４】の記載及び図１４の記載により、本件発明１の絶縁破壊耐圧が８．０ｋＶ以上と導き出しているが、本件発明１の「８．０ｋＶ以上の絶縁破壊耐圧」との特定事項は、上限値が規定されていないし、また、実施例３〜２８の絶縁破壊耐圧の上限値は８．７ｋＶであることからして、本件発明１は、発明の詳細な説明に記載されたものといえない旨を主張している（令和１年９月３日付け意見書の３．（３）参照）。
　この点について検討すると、発明の詳細な説明の記載からみて、本件発明１の「８．０ｋＶ以上の絶縁破壊耐圧」との特定事項は、任意の上限値まで拡張することを意味しているとは認められないし、また、絶縁破壊耐圧が大きいほど絶縁信頼性が向上することも技術常識に照らして明らかであるため、これら特定事項の数値範囲が、発明の詳細な説明の記載を超えているといえない。
　よって、特許異議申立人の上記主張は採用できない。
　エ　特許異議申立人は、発明の詳細な説明の段落【０１０３】には、図１３（ａ）から、一辺が２５０ｍｍの正方形形状を有する窒化ケイ素焼結体基板を作製しても、中央部の密度ｄｃが３．１２０ｇ／ｃｍ３以上であり、端部の密度ｄｅが３．１６０ｇ／ｃｍ３以上となり得ることが推定できることが記載されているが、図１３（ａ）の中央部の密度の近似直線と２５０ｍｍのラインとの交点は、３．１２０（ｇ／ｃｍ３）を超える値となっていて、３．１２０（ｇ／ｃｍ３）以上であるといえないから、「中央部の密度ｄｃが３．１２０ｇ／ｃｍ３以上」とする本件発明２は、発明の詳細な説明に記載されたものといえない旨を主張している（令和１年９月３日付け意見書の３．（４）参照）。
　この点について検討すると、発明の詳細な説明の段落【０１０３】記載された中央部の密度ｄｃ及び端部の密度ｄｅは、そもそも、図１３（ａ）に示された実施例及び参考例の具体的な数値の近似直線から推定された数値であって誤差を含むものであり、また、段落【００２９】の記載からみて、中央部の密度ｄｃと端部の密度ｄｅとの差が０．０６ｇ／ｃｍ３未満であれば、密度の均一性を満足するため、本件発明の課題を解決できるといえるところ、一辺が２５０ｍｍの正方形形状を有する窒化ケイ素焼結体基板においても、中央部の密度ｄｃと端部の密度ｄｅとの差は、０．０６ｇ／ｃｍ３未満になっていることからして、本件発明１の「中央部の密度ｄｃが３．１２０ｇ／ｃｍ３以上」は、発明の詳細な説明の記載を逸脱するものでない。
　よって、特許異議申立人の上記主張は採用できない。
４　取消理由通知において採用しなかった特許異議申立理由の検討
（１）特許法第３６条第６項第２号（明確性）に関する申立理由
　特許異議申立人は、訂正前の請求項１に係る発明において、「８．０ｋＶ以上の絶縁破壊耐圧」との特定事項は、その上限が特定されておらず、不明確であるし、また、「６以上の絶縁破壊耐圧のワイブル係数」との特定事項は、複数の回路基板の絶縁破壊耐圧から求められたワイブル係数を示すものなのか、１つの回路基板内の複数点の絶縁破壊耐圧から求めた単位回路基板あたりのワイブル係数を示したものなのか不明確であるから、訂正前の請求項１に係る発明は明確でない旨を主張している（特許異議申立書第９頁第２０行〜第１０頁第４行）。
　まず、「絶縁破壊耐圧」の特定事項について検討すると、本件発明１の「８．０ｋＶ以上の絶縁破壊耐圧」との特定事項は、発明の詳細な説明の記載及び技術常識を踏まえれば、上限値がないことを意味しているわけでないことは明らかであるから、その上限値の特定がなくとも当該特定事項が不明確であるとまではいえない。
　次に、「絶縁破壊耐圧のワイブル係数」の特定事項について検討すると、発明の詳細な説明の段落【００４６】には、絶縁破壊耐圧のワイブル係数の求め方について、「Ｌｎを自然対数とし、絶縁破壊確率（確率密度関数）をＦとし、絶縁耐圧をＶ（ｋＶ）とした場合、回路基板から切り出した円板について、Ｌｎ（Ｌｎ（１／（１−Ｆ）））を縦軸に、Ｌｎ（Ｖ）を横軸にとり、プロットした測定点から、Ｌｎ（Ｌｎ（１／（１−Ｆ）））＝ｍＬｎ（Ｖ）＋定数で示される近似式で求める。」と記載され、当該記載の「回路基板から切り出した円板」は、段落【００４４】に記載された「窒化ケイ素焼結基板１０１の主面１０１ａにおける中央部および端部の位置において切り出された円板」といえるから、本件発明１の「絶縁破壊耐圧のワイブル係数」の特定事項は、１つの回路基板内の複数点の絶縁破壊耐圧から求めた単位回路基板あたりのワイブル係数を示したものであることは明らかである。
　したがって、本件発明１は明確であるから、特許異議申立人の主張する申立理由に理由はない。
（２）特許法第３６条第６項第１号（サポート要件）に関する申立理由
　ア　特許異議申立人は、訂正前の請求項１に係る発明の「中央部のボイド率ｖｃが１．８０％以下」及び「端部のボイド率ｖｅが１．００％以下」との特定事項は下限値が規定されておらず、また、「８．０ｋＶ以上の絶縁破壊耐圧および６以上の絶縁破壊耐圧のワイブル係数」との特定事項は上限値が規定されていないため、発明の詳細な説明の記載を超えているし、また、「比ｄｃ／ｄｅが０．９８以上」との特定事項の０．９８（下限値）、「中央部のボイド率ｖｃが１．８０％以下」との特定事項の１．８０％（上限値）、「端部のボイド率ｖｅが１．００％以下」との特定事項の１．００％（上限値）、及び、「８．０ｋＶ以上の絶縁破壊耐圧および６以上の絶縁破壊耐圧のワイブル係数」との特定事項の８．０ｋＶ及び６（下限値）は、実施例３〜２８の数値範囲から外れているため、これら特定事項の数値範囲にまで拡張又は一般化することができないことから、訂正前の請求項１に係る発明は、発明の詳細な説明に記載されたものでない旨を主張している（特許異議申立書第１０頁第２５行〜第１３頁第７行）。
　そこで検討するに、上記３（３）イ及びウで検討したとおり、本件発明１の「中央部のボイド率ｖｃが１．８０％以下」及び「端部のボイド率ｖｅが１．００％以下」との特定事項は任意の下限値まで拡張することを意味しているとは認められないし、「８．０ｋＶ以上の絶縁破壊耐圧および６以上の絶縁破壊耐圧のワイブル係数」との特定事項も任意の上限値まで拡張することを意味しているとは認められないし、さらに、ボイド率は小さいほど、あるいは、絶縁破壊耐圧や絶縁破壊耐圧のワイブル係数が大きいほど、絶縁信頼性が向上することも技術常識に照らして明らかであるから、これら特定特定事項の下限値または上限値が規定されていなくとも、発明の詳細な説明の記載を超えているといえない。
　また、発明の詳細な説明の段落【００２９】には、「ｄｃ/ｄｅが０．９８以上であることにより、窒化ケイ素焼結基板１０１の中央部と端部との密度差が小さくなり、窒化ケイ素焼結基板１０１における密度の均一性高められる。」ことが記載されており、さらに、発明の詳細な説明の段落【０１０３】〜【０１０５】には、「中央部のボイド率ｖｃが１．８０％以下であり、端部のボイド率ｖｅが１．００％以下であり」、「絶縁破壊電圧（絶縁破壊耐圧）は８ｋＶ以上であり」、「絶縁破壊耐圧のワイブル係数は６以上であ」ることで、「耐圧および絶縁信頼性に優れ、かつ、これらの基板面内での均一性に優れることが推定される」ことが記載されていることから、「比ｄｃ／ｄｅが０．９８以上」との特定事項の０．９８（下限値）、「中央部のボイド率ｖｃが１．８０％以下」との特定事項の１．８０％（上限値）、「端部のボイド率ｖｅが１．００％以下」との特定事項の１．００％（上限値）、及び、「８．０ｋＶ以上の絶縁破壊耐圧および６以上の絶縁破壊耐圧のワイブル係数」との特定事項の８．０ｋＶ及び６（下限値）においても、本件発明の課題を解決できると当業者が認識できる範囲のものであるため、これら特定事項の数値範囲にまで拡張又は一般化できる範囲のものといえる。
　よって、本件発明１は、発明の詳細な説明に記載された発明といえるから、特許異議申立人の主張する申立理由に理由はない。
　イ　特許異議申立人は、訂正前の請求項２に係る発明の「中央部の密度ｄｃ」及び「端部の密度ｄｅ」の特定事項の下限値は、実施例３〜２８の数値範囲から外れているため、これら数値範囲にまで拡張又は一般化することができないし、また、訂正前の請求項２及び３に係る発明の「中央部の密度ｄｃ」及び「端部の密度ｄｅ」の特定事項、並びに、訂正前の請求項４及び６に係る発明の「部分放電開始電圧」の特定事項は、上限値が規定されていないため、発明の詳細な説明の記載を超えているし、さらに、訂正前の請求項３に係る発明の「中央部のボイド率ｖｃ」の特定事項、及び、訂正前の請求項６に係る発明の「炭素含有量」の特定事項は、下限値が特定されていないため、発明の詳細な説明の記載を超えているから、訂正前の請求項２〜６に係る発明は、発明の詳細な説明に記載したものでない旨を主張している（特許異議申立書第１３頁第８行〜第１４頁第１０行、第１４頁第２１行〜第１６頁第１５行）。
　しかしながら、上記アで検討したとおり、本件発明１は、本件発明の課題を解決できると当業者が認識できる範囲のものであって、発明の詳細な説明に記載された発明といえるから、本件発明１をさらに減縮した本件発明２〜６も、本件発明の課題を解決できると当業者が認識できる範囲のものであって、発明の詳細な説明に記載された発明といえる。
　よって、特許異議申立人の主張する申立理由に理由はない。
（３）特許法第２９条第２項（進歩性）に関する申立理由
　ア　特許異議申立人は、訂正前の請求項１〜１０に係る発明は、下記の甲第１号証に記載された発明、及び、下記の甲第２号証〜甲第５号証に記載された技術事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであり、また、訂正前の請求項１１、１３及び１４に係る発明は、下記の甲第６号証に記載された発明、並びに、下記の甲第２号証及び甲第５号証に記載された技術事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１〜１１、１３及び１４に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである旨を主張している（特許異議申立書第１６頁第１６行〜第２３頁第１２行）。
（証拠方法）
　甲第１号証：特開２００３−１９２４４５号公報
　甲第２号証：特許第５６７３１０６号公報
　甲第３号証：特開２０１４−７３９３７号公報
　甲第４号証：特許第５１４２１９８号公報
　甲第５号証：特許第３７９７９０５号公報
　甲第６号証：特開２０１５−１６４１８４号公報
（なお、特許異議申立人が証拠方法として提出した甲第３号証（特許第５９２８８９６号公報）及び甲第６号証（特許第６３９６８１７号公報）は、いずれも、本件特許に係る出願の優先日後に頒布されたものであるため、本件特許に係る出願の優先日前に頒布された、これら特許の公開公報をそれぞれ甲第３号証、甲第６号証とした。）
　イ　甲号証に記載された発明
　（ア）甲第１号証に記載された発明
　甲第１号証には、
「【請求項１】　焼結助剤を含有する窒化けい素焼結体から成る窒化けい素基板において、上記窒化けい素焼結体中に実質的に気孔が存在しないことを特徴とする窒化けい素基板。」、
「【００６７】また焼結体の気孔率は表面性状（表面粗さ）、リーク電流の発生量、熱伝導率および強度に大きく影響するため検出限界（０．０１％未満）となるように製造する。気孔率が０．０１％以上となると、リーク電流が急増するとともに熱伝導の妨げとなり、焼結体の絶縁性および熱伝導率が低下するとともに、焼結体の強度低下が起こる。なお、上記気孔率はアルキメデス法により測定される。」、
「【００９６】上記窒化けい素基板をレーザーダイオード等のサブマウント材やパワーモジュールや回路基板として使用する場合は、窒化けい素基板上に薄膜や金属回路板を一体に接合して設け、薄膜付き窒化けい素基板や窒化けい素回路基板として用いることになる。」、及び、
「【０１０１】・・・それぞれ実施例１〜７に係る窒化けい素基板を調製した。なお、各基板のサイズは縦５０ｍｍ×横４０ｍｍに統一した。」
ことが記載されており、これら記載を整理すると、
「縦５０ｍｍ×横４０ｍｍのサイズを有し、窒化けい素焼結体中に実質的に気孔が存在せず、気孔率が０．０１％未満である窒化けい素基板を用いた回路基板。」
の発明（以下、「甲１発明」という。）が記載されているといえる。
　（イ）甲第６号証に記載された発明
　甲第６号証には、
「【００８１】
　まず、β化率が１０％（即ち、α化率が９０％）、純度が９８％である窒化珪素の粉末と、添加成分として酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化エルビウム（Ｅｒ２Ｏ３）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）および酸化モリブデン（ＭｏＯ３）の各粉末を、回転ミルを用いて湿式混合し、粒径（Ｄ９０）が１μｍ以下となるまで混合・粉砕してスラリーとした。なお、このとき、表１に示す含有量となるカルシウム粉末についても添加した。
【００８２】
　ここで、上記各粉末の含有量は、窒化珪素質基板におけるマグネシウム、エルビウム、アルミニウムおよびモリブデンの各含有量が酸化物換算でそれぞれ２．５質量％、１４質量％、０．３質量％および０．５質量％となるようにそれぞれ秤量した。
【００８３】
　次に、得られたスラリーに有機バインダを加えた後、ＡＳＴＭ  Ｅ  １１−６１に記載されている粒度番号が２５０のメッシュの篩いに通した後に噴霧乾燥機を用いて乾燥させることによって、窒化珪素質顆粒を得た。そして、粉末圧延法を用いて、窒化珪素質顆粒をシート状に成形してセラミックグリーンシートとし、このセラミックグリーンシートを所定の長さに切断し、平板状の窒化珪素質成形体を得た。
【００８４】
　次に、得られた窒化珪素質成形体を相対密度が７５％である窒化珪素質焼結体からなるこう鉢の内部に入れた。なお、このとき、窒化珪素、酸化マグネシウムおよび希土類金属の酸化物等の成分を含んだ共材を、窒化珪素質成形体の１００質量部に対して６質量部の量で窒化珪素質成形体の周囲に配置した状態で、黒鉛抵抗発熱体が設置された焼成炉内に入れて焼成した。
【００８５】
　焼成条件については、室温から５００℃までは真空雰囲気中にて昇温し、その後、窒素ガスを導入して、窒素分圧を１００ｋＰａに維持した。そして、焼成炉内の温度を上げて１６９０℃で５時間保持した。そして、降温速度を２００℃／時間として冷却することによって、試料Ｎｏ．１〜７の窒化珪素質基板を得た。」
ことが記載されており、これら記載を整理すると、
「窒化珪素の粉末、酸化マグネシウム粉末、酸化エルビウム粉末、酸化アルミニウム粉末及び酸化モリブデン粉末を、窒化珪素質基板におけるマグネシウム、エルビウム、アルミニウムおよびモリブデンの各含有量が酸化物換算でそれぞれ２．５質量％、１４質量％、０．３質量％および０．５質量％となるよう混合・粉砕してスラリーとし、得られたスラリーに有機バインダを加えた後、噴霧乾燥して窒化珪素質顆粒とし、得られた窒化珪素質顆粒を、粉末圧延法によりシート状にして、セラミックグリーンシートとし、焼成炉内で、室温から５００℃までは真空雰囲気中にて昇温し、その後、窒素ガスを導入して、１６９０℃で５時間焼結して窒化珪素質基板とする、窒化珪素質基板の製造方法。」の発明（以下、「甲６発明」という。）が記載されているといえる。
　ウ　当審の判断
　（ア）本件発明１〜１０について
　本件発明１と甲１発明を対比すると、本件発明１は、窒化ケイ素焼結基板が「１辺が１２０ｍｍの正方形よりも大きい形状」であり、窒化ケイ素焼結基板の密度及びボイド率のばらつきについて、「主面における中央部の密度ｄｃと端部の密度ｄｅの比ｄｃ／ｄｅが０．９８以上」であり、「中央部の密度ｄｃは、端部の密度ｄｅよりも小さく」、及び、「中央部のボイド率ｖｃと端部のボイド率ｖｅとの比ｖｅ／ｖｃが０．５０以上」であり、「中央部のボイド率ｖｃは、端部のボイド率ｖｅより大き」いことによって特定しているのに対して、甲１発明では、窒化ケイ素焼結基板の大きさが「縦５０ｍｍ×横４０ｍｍのサイズ」であって、窒化ケイ素焼結基板の密度及びボイド率のばらつきが明らかでない点で少なくとも相違している。
　そこで、上記相違点について検討すると、甲第２号証〜甲第５号証のいずれにも、１辺が１２０ｍｍの正方形よりも大きい形状の主面を有する窒化ケイ素焼結基板の中央部の密度ｄｃと端部の密度ｄｅの比ｄｃ／ｄｅ、及び、中央部のボイド率ｖｃと端部のボイド率ｖｅの比ｖｅ／ｖｃを調整することは記載されていないから、甲１発明において、窒化ケイ素焼結基板を１辺が１２０ｍｍの正方形よりも大きい形状とすると共に、密度比ｄｃ／ｄｅを０．９８以上であり、密度ｄｃを密度ｄｅよりも小さく、ボイド率比ｖｅ／ｖｃを０．５０以上であり、ボイド率ｖｃを端部のボイド率ｖｅより大きくすることは、当業者が容易に想到し得ることといえない。
　よって、本件発明１は、甲第１号証に記載された発明及び甲第２号証〜甲第５号証に記載された技術事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものでない。
　また、本件発明２〜１０は、本件発明１を引用するものであって、少なくとも上記相違点が存在するから、本件発明２〜１０も、甲第１号証に記載された発明及び甲第２号証〜甲第５号証に記載された技術事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものでない。
　よって、特許異議申立人の主張する申立理由に理由はない。
　（イ）本件発明１１、１３及び１４について
　本件発明１１と甲６発明を対比すると、本件発明１１は、「１辺が１２０ｍｍの正方形よりも大きい形状の主面を有する」窒化ケイ素焼結基板の製造方法であって、「複数のグリーンシートを、窒化ホウ素粉末層を介して積層し」て焼結する際の「窒化ホウ素粉末層の厚さ」を「３μｍ以上２０μｍ以下」としているのに対して、甲６発明では、この点が明らかでない点で少なくとも相違している。
　そこで、上記相違点について検討すると、甲第２号証及び甲第５号証のいずれにも、１辺が１２０ｍｍの正方形よりも大きい形状の主面を有する窒化ケイ素焼結基板の製造方法において、複数のグリーンシートと積層する窒化ホウ素粉末層の厚さを、３μｍ以上２０μｍ以下とすることは記載されていないから、甲６発明において、１辺が１２０ｍｍの正方形よりも大きい形状の窒化ケイ素焼結基板を製造するに際して、複数のグリーンシートを、厚さが３μｍ以上２０μｍ以下の窒化ホウ素粉末層を介して積層して焼結することは、当業者が容易に想到し得ることといえない。
　よって、本件発明１１は、甲第６号証に記載された発明、並びに、甲第２号証及び甲第５号証に記載された技術事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものでない。
　また、本件発明１３及び１４は、本件発明１１を引用するものであって、少なくとも上記相違点が存在するから、本件発明１３及び１４も、甲第６号証に記載された発明、並びに、甲第２号証及び甲第５号証に記載された技術事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものでない。
　よって、特許異議申立人の主張する申立理由に理由はない。
５　むすび
　以上のとおりであるから、取消理由通知書に記載した取消理由、及び、特許異議申立書に記載された申立理由によっては、本件請求項１〜１１、１３及び１４に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件請求項１〜１１、１３及び１４に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
令和１年１０月４日（２０１９．１０．４）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】
　１辺が１２０ｍｍの正方形よりも大きい形状の主面を有し、前記主面における中央部の密度ｄｃと端部の密度ｄｅの比ｄｃ／ｄｅが０．９８以上であり、前記主面における中央部のボイド率ｖｃが１．８０％以下であり、端部のボイド率ｖｅが１．００％以下であ
り、前記中央部のボイド率ｖｃと前記端部のボイド率ｖｅとの比ｖｅ／ｖｃが０．５０以上である、
前記窒化ケイ素焼結基板における前記中央部の密度ｄｃは、前記端部の密度ｄｅよりも小さく、かつ、前記中央部のボイド率ｖｃは、前記端部のボイド率ｖｅより大きく、
　【請求項２】
　前記中央部の密度ｄｃが３．１２０ｇ／ｃｍ３以上であり、前記端部の密度ｄｅが３．１６０ｇ／ｃｍ３以上
である
　【請求項３】
　前記中央部の密度ｄｃが３．１４０ｇ／ｃｍ３以上であり、前記端部の密度ｄｅが３．１６０ｇ／ｃｍ３以上であり、前記中央部のボイド率ｖｃが１．３％以下である、請求項１に記載の回路基板。
　【請求項４】
　１０ｐＣの放電電荷量に達した時の電圧値で定義される部分放電開始電圧が、４．０ｋＶ以上である請求項１または２に記載の回路基板。
　【請求項５】
　１０ｐＣの放電電荷量に達した時の電圧値で定義される部分放電開始電圧が、５．０ｋＶ以上である請求項１または３に記載の回路基板。
　【請求項６】
　炭素含有量が０．２０質量％以下である請求項１から５のいずれかに記載の回路基板。
　【請求項７】
　０．１５ｍｍ以上２．０ｍｍ以下の厚さを有する請求項１から６のいずれかに記載の回路基板。
　【請求項８】
　前記主面は、１５０ｍｍ×１７０ｍｍの長方形よりも大きい形状を有する請求項１から７のいずれかに記載の回路基板。
　【請求項９】
　前記主面は、１辺が２５０ｍｍの正方形またはこれよりも小さい形状を有する請求項１から８のいずれかに記載の回路基板。
　【請求項１０】
　前記主面は、１辺が２２０ｍｍの正方形またはこれよりも小さい形状を有し、１０以上の絶縁破壊耐圧のワイブル係数を有する請求項１から９のいずれかに記載の回路基板。
　【請求項１１】
　８０質量％以上９８．３質量％以下のＳｉ３Ｎ４粉末、酸化物換算で０．７質量％以上１０質量％以下のＭｇ化合物粉末および酸化物換算で１質量％以上１０質量％以下の少なくとも１種の希土類元素の化合物粉末を混合し、混合粉末を得る工程（ａ）と、
　前記混合粉末をスラリーにして複数のグリーンシートに成形する工程（ｂ）と、
　前記複数のグリーンシートを、窒化ホウ素粉末層を介して積層し、積層組立体を得る工程（ｃ）と、
　前記積層組立体を焼結炉内に配置し、前記積層組立体を焼結する工程（ｄ）と
を包含し、
　前記工程（ｃ）において、前記窒化ホウ素粉末層の厚さは３μｍ以上２０μｍ以下であり、
　前記工程（ｄ）は、
　８０Ｐａ以下の真空雰囲気下、９００℃以上１３００℃以下の雰囲気温度を保持し、前記グリーンシートから炭素を除去する工程（ｄ１）と、
　前記工程（ｄ１）の後、窒素雰囲気下、１６００℃以上２０００℃以下の雰囲気温度で前記グリーンシートを焼結させる工程（ｄ２）とを
含み、
　１辺が１２０ｍｍの正方形よりも大きい形状の主面を有する、窒化ケイ素焼結基板の製造方法。
　【請求項１２】
　Ｓｉ３Ｎ４換算で、８０質量％以上９８．３質量％以下のＳｉ粉末、または、Ｓｉ粉末およびＳｉ３Ｎ４粉末、酸化物換算で０．７質量％以上１０質量％以下のＭｇ化合物粉末および酸化物換算で１質量％以上１０質量％以下の少なくとも１種の希土類元素の化合物粉末を混合し、混合粉末を得る工程（ａ）と、
　前記混合粉末をスラリーにして複数のグリーンシートに成形する工程（ｂ）と、
　前記複数のグリーンシートを、窒化ホウ素粉末層を介して積層し、積層組立体を得る工程（ｃ）と、
　前記積層組立体を焼結炉内に配置し、前記積層組立体を焼結する工程（ｄ）と
を包含し、
　前記工程（ｃ）において、前記窒化ホウ素粉末層の厚さは３μｍ以上２０μｍ以下であり、
　前記工程（ｄ）は、
　８０Ｐａ以下の真空雰囲気下、９００℃以上１３００℃以下の雰囲気温度を保持し、前記グリーンシートから炭素を除去する工程（ｄ１）と、
　前記工程（ｄ１）の後、窒素雰囲気下、１３５０℃以上１４５０℃以下の雰囲気温度で前記グリーンシート中の前記Ｓｉ粉末を窒化させる工程（ｄ２）と
　前記工程（ｄ２）の後、窒素雰囲気下で、１６００℃以上２０００℃以下の雰囲気温度で前記グリーンシートを焼結させる工程（ｄ３）とを
含み、
　１辺が１２０ｍｍの正方形よりも大きい形状の主面を有する、窒化ケイ素焼結基板の製造方法。
　【請求項１３】
　前記主面は、１５０ｍｍ×１７０ｍｍの長方形よりも大きい形状を有する請求項１１または１２に記載の窒化ケイ素焼結基板の製造方法。
　【請求項１４】
　前記主面は、１辺が２５０ｍｍの正方形またはこれよりも小さい形状を有する請求項１１から１３のいずれかに記載の窒化ケイ素焼結基板の製造方法。