【事件の表示】
　特許第２６６３９４０号「相変化記録媒体」の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結論】
　特許第２６６３９４０号の特許を取り消す。
【理由】
Ｉ．手続の経緯
　特許第２６６３９４０号に係る発明は、昭和６０年１２月２７日に出願された特願昭６０−２９２６３５号の出願を特許法第４４条第１項の規定により分割して新たな出願（特願平８−１７０８８１号）としたものであり、平成９年６月２０日に設定登録され、その後、特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１０年８月３１日に訂正請求書が提出され、訂正拒絶理由通知がなされ、その指定期間内である平成１１年１０月１日に手続き補正書が提出されたものである。
ＩＩ．訂正の適否について
１．訂正請求に対する補正の適否について
　訂正請求に対する補正は、訂正明細書の特許請求の範囲の情報記録用薄膜の組成を示す一般式　ＣｚＧｅαＴｅβについて、１０≦αとしたものに更に「４２≦α」なる限定を設けるものである。
　特許権者は、その根拠として、平成１１年１０月１日付特許異議意見書で、明細書の段落【００５３】の「Ｇｅの含有量の原子％であるαが２０と小さい場合には、記録消去の必要時間が２０μｓで、αが４２の場合の４μｓに比して桁違いに時間がかかる欠点がある」旨の記載事項を提示している。
　そこで以下に検討する。
▲１▼特許権者が補正の根拠とする該記載事項は、段落【００５２】から始まる実施例２のＧｅ−Ｔｅ二成分系記録用薄膜に係るもので、訂正明細書の特許請求の範囲に示される本件発明のＳｂ−Ｇｅ−Ｔｅ三成分系記録用薄膜に係るものではない。
▲２▼本件発明のＳｂ−Ｇｅ−Ｔｅ三成分系なる特定成分系の記録用薄膜については、実施例、比較例が皆無であり、また、明細書のどこにも何ら直接的な記載がない。
▲３▼段落【００５３】には、「αおよびβが大きすぎても、２０と小さすぎても、いずれの場合も消去の必要照射時間が長く、書き換え可能回数が少ないという欠点を有する。」及び「α：２０のときの消去の必要照射時間：２０μｓ、α：４２のときの消去の必要照射時間：４μｓ」との記載に加えて「Ｇｅ−Ｔｅ二成分系に、αとβの比を保って、Ａ、Ｂ及びＣで表わされる元素のうちの少なくとも一者を特定原子％以下添加しても記録用薄膜として良好な特性が得られる」旨も記載されている。この記載事項を、ｚの値が５以上でＳｂを５原子％以上必須成分として含有する本件発明のＳｂ−Ｇｅ−Ｔｅ三成分系に則して解すると、「αが（１００−ｚ）×０．２０と小さい場合には、記録消去の必要時間が長く、αが（１００−ｚ）×０．４２の場合に比して桁違いに時間がかかる欠点があること」が示されているとはいえる。
　しかし、ｚは５以上で０になることは無いので、Ｓｂ−Ｇｅ−Ｔｅ３成分系で良好な特性を示すαの下限臨界値は、４２ではなく、（１００−ｚ）×０．４２という値であることが示されているばかりである。
　結局、明細書には、「４２≦α」と限定する補正の根拠について、何ら記載もなく、示唆もないことが明らかである。
　したがって、この訂正請求に対する補正は、訂正の要旨を変更するものであり、特許法第１２０条の４第３項で準用する同法第１３１条第２項の規定に違反し、採用することができない。
２．平成１０年８月３１日付訂正請求書による訂正の適否
　特許権者は、特許明細書の特許請求の範囲の情報記録用薄膜の組成を示す一般式ＣｚＧｅαＴｅβ
（ただし、ｚ、α、βは原子パーセントでそれぞれ、５≦ｚ≦６５、α≠βとし、さらにαとβの比α／βを１／４≦α／β＜１とし、ＣはＳｂまたはＳｎのうち少なくとも一元素）におけるαについて、特許請求の範囲の減縮を目的として「１０≦α」とする訂正を求めている。
　特許権者は、その訂正の根拠として、特許明細書の段落【００４７】の「Ｇｅの含有量の原子％であるαが１０未満の場合には、結晶化温度が低い（非晶質状態の安定性が悪い）、記録消去の必要照射時間が長い、書き換え可能回数が少ないなどの欠点がある」旨の記載事項を提示している。
　そこで以下に検討する。
▲１▼特許権者が補正の根拠とする該記載事項は、段落【００３７】から始まる実施例１のＴｌ−Ｇｅ−Ｔｅ三成分系記録用薄膜に係るもので、特許明細書の特許請求の範囲に示される本件発明のＳｂ又はＳｎ−Ｇｅ−Ｔｅ三成分系記録用薄膜、ないし、Ｓｂ−Ｓｎ−Ｇｅ−Ｔｅ四成分系記録用薄膜に係るものではない。
▲２▼本件発明のＳｂ又はＳｎ−Ｇｅ−Ｔｅ三成分系、ないし、Ｓｂ−Ｓｎ−Ｇｅ−Ｔｅ四成分系なる特定成分系の記録用薄膜については、実施例、比較例が皆無であり、また、特許明細書のどこにも何ら直接的な記載がない。
▲３▼実施例１の段落【００４７】に続く段落【００４８】には、「Ｇｅの一部または全部を置換してＳｂなどの他原子を添加してもよく似た特性が得られる」旨記載されているから、実施例１の段落【００４７】〜【００４８】の記載事項を、Ｓｂを必須成分として含有する系に則して解すると、「Ｇｅの一部をＳｂに置換したＴｌ−Ｓｂ−Ｇｅ−Ｔｅ四成分系で、ＧｅとＳｂの合計の含有量原子％αが１０未満では、記録特性に欠点があること、及び、Ｇｅの全部をＳｂに置換したＴｌ−Ｓｂ−Ｔｅ三成分系で、Ｓｂの含有量原子％αが１０未満では、記録特性に欠点があること」が示されているとはいえる。
　しかし、実施例１のどこにも、Ｔｌ−Ｇｅ−Ｔｅ三成分系における成分含有量と記録特性の関係が、Ｔｌ全部をＳｂに置換したＳｂ−Ｇｅ−Ｔｅ三成分系においても成立し得るとは記載されておらず、示唆もされていない。
　結局、特許明細書には、「１０≦α」と限定する訂正の根拠について、何ら記載も示唆もなく、又、この点が出願時の技術常識であるとも認められないので、該訂正は、願書に添付した明細書の記載の範囲内のものであるとはいえない。
　したがって、平成１０年８月３１日付訂正請求書による訂正は、特許法第１２０条の４第３項において準用する同第１２６条第２項の規定に適合せず、採用することができない。
ＩＩＩ．特許異議申立てについての判断
１．本件発明
　本件発明は、特許明細書の特許請求の範囲に記載された次のとおりのものである。
「１．基板と、該基板上に直接もしくは保護層を介して形成された記録用ビームの照射を受けて膜の変形をほとんど伴なわずに原子配列変化を生ずる情報記録用薄膜を有する相変化記録媒体において、上記情報記録用薄膜の上に中間層を介して反射層を設けた構成を有し、上記情報記録用薄膜はその膜厚方向の平均組成が一般式　ＣｚＧｅαＴｅβ
（ただし、ｚ、α、およびβは原子パーセントでそれぞれ、５≦ｚ≦６５、α≠βとし、さらにαとβの比α／βを１／４≦α／β＜１とし、ＣはＳｂまたはＳｎのうち少なくとも一元素）で表され、情報記録用薄膜の膜厚が１５ｎｍ以上５０ｎｍ以下、中間層の膜厚が３ｎｍ以上４００ｎｍ以下であることを特徴とする相変化記録媒体。」
２．引用した先願明細書
　当審が通知した取消理由に引用した先願明細書（特願昭６０−１００８７５号）（特開昭６１−２５８７８７号公報参照）（特許異議申立人　五島香里の提出した甲第３号証）には、「基板上に、加熱により光の吸収係数が変化する材料からなる記録層を設け、該吸収係数の変化によって生じる光の反射率の変化によって情報を記録する情報記録用媒体において、該記録層が、一般式
｛（ＳｂｘＴｅ１−ｘ）ｙＧｅ１−ｙ｝１−ｚＭｚ
（ただし、ｘは０．２〜０．７、ｙは０．４〜０．８、ｚは０．０１〜０．５の範囲の数であり、Ｍは、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ａｕ、Ｔｌ、Ｐｄ、Ｂｉから選ばれる金属である。）で示される組成を有することを特徴とする情報記録用媒体。」（特許請求の範囲）（記載事項▲１▼）に関して、「レーザー光照射による加熱によって生じる光学特性の変化を利用する方式では、記録層の溶融、分散、或いは蒸発という過程を必要としないために、ピットの形状を制御することが容易であり、かつ、孔内の残留物発生という問題もなくなる。しかし、この方式を利用する従来の記録材では、熱的安定性が乏しく、これが実用上の障害となっていた。」（公報第２頁左上欄第８〜１５行）（記載事項▲２▼）、「記録層単独で用いても実用上充分な特性が得られるが、更に記録層の上又は下に反射層を設けた方が高いＳ／Ｎ比を得ることができるので、より好まししい。・・・（中略）・・・記録層の膜厚は、反射層の材料によっても異なるが、２００Åから１０００Åの間が好ましい。」（公報第３頁左上欄第１１〜１９行）（記載事項▲３▼）、「反射層に用いることのできる材料としては、特に制限される事はないが、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｓｅ、Ｚｒ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｔｅ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｐｂ、Ｂｉ等の金属、或いはそれらの合金が好ましい。特に、Ａｌ、Ｓｂ、Ｂｉ及びＢｉ２Ｔｅ３が好ましい。」（公報第３頁左上欄末行〜同頁右上欄第４行）（記載事項▲４▼）、「本発明において、記録層の少くとも上又は下に、或いは反射層の少くとも上又は下に金属酸化物や窒化物等の金属化合物からなる層、或いは、有機物からなる層を設けることは、記録層或いは反射層の経時的な劣化を防ぐ意味でより好ましい。・・・（中略）・・・金属酸化物、金属窒化物、或いは、有機物の膜厚は、１００Åから１０，０００Å、より好ましくは２００Åから１０００Åが好ましい。」（公報第３頁右上欄第９〜同頁左下欄第６行）（記載事項▲５▼）と記載され、さらに、実施例１として、記録用溝（深さ７００Å、巾０．６５μｍ、ピッチ１．６μｍ）を設けた厚さ１．５ｍｍの透明アクリル基板上に、
（Ｓｂ０．３５Ｔｅ０．３５Ｇｅ０．３０）９０Ｓｎ１０なる組成で膜厚４００Åの情報記録用薄膜を形成、更にこの上に、Ｓｂからなる膜厚２００Åの反射膜を形成して、情報記録媒体を構成し、該記録媒体に、透明な基板ごしに波長８３０ｎｍ、パワー４ｍＷの半導体レーザー光を照射して情報（３ＭＨｚ信号）を記録し、次いで、直ちに、波長８３０ｎｍ、パワー１．２ｍＷの半導体レーザー光で記録を再生すると、感度４．０ｍＷ、Ｃ／Ｎ比（バンド巾３０ＫＨｚ）５２ｄＢ、エラー率３×１０−５なる初期特性であり、また、情報記録後に該記録媒体を６０℃、８２％ＲＨの加速的経時変化条件下に７日間保持してから、記録再生すると、感度、Ｃ／Ｎ比、エラー率の各値は同じで、加速テスト後の特性の低下がなかったこと（記載事項▲６▼）が示されている。
　以上の記載をまとめると、先願明細書には、基板上に、レーザーの光を照射し加熱により光の吸収係数が変化する材料からなる記録層を設け、該光吸収係数の変化によって生じる光の反射率の変化によって情報を記録する情報記録用媒体において、該記録層が、　（Ｓｂ０．３５Ｔｅ０．３５Ｇｅ０．３０）９０Ｓｎ１０
で示され、その膜厚が４００Å（４０ｎｍ）である情報記録用層、記録層或いは反射層の経時的な劣化を防ぐための膜厚１００〜１０，０００Å（１０〜１０００ｎｍ）の金属酸化物層、更にその上にＳｂからなる膜厚２００Å（２０ｎｍ）の反射膜を形成した情報記録用媒体が記載されている。
３．対比・判断
　本件発明と先願明細書に記載された発明とを対比すると、
・後者の記録用薄膜層の組成
（Ｓｂ０．３５Ｔｅ０．３５Ｇｅ０．３０）９０Ｓｎ１０は、本件発明の一般式
ＣｚＧｅαＴｅβ　で表される組成で、α＝２７原子％、β＝３１．５原子％、ｚ＝４１．５原子％、Ｃ＝Ｓｂ及びＳｎの場合に相当し、５≦ｚ≦６５、α≠β、１／４≦α／β＝約０．８６≦１であって、前者の組成に係る条件を全て満足すること（記載事項▲６▼参照）、
・後者の記録用薄膜層の膜厚は、４００Å即ち、４０ｎｍで、前者の「１５ｎｍ以上５０ｎｍ以下」との規定を満足すること（記載事項▲６▼参照）、・後者の、記録層の近傍で、反射層とは別に、記録層或いは反射層の経時的な劣化を防ぐ等のために設けられる金属酸化物の層は、前者の記録膜と反射層との相互拡散を防止するために設けられるＧｅＯ２、Ａｌ２Ｏ３等からなる中間層（段落００５８参照）に相当し、その膜厚も、２００〜１０００Å即ち、２０〜１００ｎｍで、前者の「３ｎｍ以上４００ｎｍ以下」との規定を満足すること（記載事項▲５▼参照）、
・後者の記録用薄膜層の機能は、「レーザー光照射により光の吸収係数が変化し、それによって生じる光の反射率の変化で情報を記録する」と規定しており、前者の「記録用ビーム、即ち、レーザー光の照射を受けて膜の変形をほとんど伴わずに原子配列変化を生じ、反射率が変化することで情報を記録する」との規定と表現上相違するが、情報記録に伴って、記録層の溶融、分散、蒸発等の現象がなく、記録ピット形状変化等の問題もなく、光の反射率が変化する点から、実質的に「記録用薄膜層の変形をほとんど伴わずに原子配列変化を生じて」光の反射率が変化することと解され、前者と変わらないこと（記載事項▲２▼参照）
が明らかであるから、両者は、基板と、該基板上に形成された記録用ビームの照射を受けて膜の変形をほとんど伴なわずに原子配列変化を生ずるＳｂ、Ｓｎ、Ｇｅ及びＴｅの金属の情報記録用薄膜を有する情報記録媒体であって、情報記録用薄膜の組成割合（原子パーセント）とその膜厚、金属酸化物の層とその膜厚、Ｓｂからなる反射膜とその膜厚や、積層構成も一致している。
　したがって、本件発明は、特願昭６０−１００８７５号の願書に最初に添付された明細書に記載された発明と同一であり、本件特許の発明者及び出願人が、その出願前の出願に係る上記先願の発明の発明者及び出願人とそれぞれ同一であるとも認められないから、本件発明の特許は、特許法第２９条の２第１項の規定により特許を受けることができないものである。
ＩＶ．むすび
　以上のとおりであるから、本件発明の特許は、拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してなされたものと認める。
　よって、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の一部の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第１項及び第２項の規定により、上記のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１１年１１月１８日（１９９９．１１．１８）