【事件の表示】
　特許第２７７４３６７号「プラズマプロセス用装置および方法」の請求項１ないし１５に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結論】
　特許第２７７４３６７号の請求項１ないし１５に係る特許を維持する。
【理由】
Ｉ．手続の経緯
　本件特許第２７７４３６７号の請求項１に係る発明ないし請求項１５に係る発明（以下、それぞれ「本件発明１」ないし「本件発明１５」という。）は、平成１年５月１２日に出願した特願平１−１１９６５１号の一部を特許法第４４条第１項の規定による新たな特許出願として平成２年８月７日に出願され、平成１０年４月２４日に特許の設定登録がなされた後、特許異議申立人　安藤純男及び株式会社東芝によりそれぞれ特許異議の申立がされたものである。
ＩＩ．本件発明
　本件発明１ないし１５は、特許明細書及び図面の記載からみてその特許請求の範囲の請求項１〜１５にそれぞれ記載された「プラズマプロセス用装置」ないし「プラズマプロセス方法」と認めるところ、便宜上それらの構成要件に記号Ａ−Ｗを付して記載すると次のとおりである。
「【請求項１】
Ａ．　減圧可能な容器内にプラズマを発生させ、該プラズマ中で被処理物の処理を行うように構成されたプラズマプロセス用装置において、
Ｂ．　前記容器内に対向するように設けられ夫々平板状に形成された第１及び第２の電極と、
Ｃ．　前記第２の電極上に被処理物を取り付けるための保持手段と、
Ｄ．　前記第１の電極に接続される第１の高周波電源と、
Ｅ．　前記第２の電極に接続される第２の高周波電源と、
Ｆ．　前記容器内に所望のガスを導入するためのガス供給手段とを少くとも備え、
Ｇ．　前記第１の高周波電源の周波数が前記第２の高周波電源の周波数より高く、前記第２の周波数が１０ＭＨｚ以上であることを特徴とするプラズマプロセス用装置。
【請求項２】
Ｈ．　前記第２の周波数は１０ＭＨｚ〜１００ＭＨｚであることを特徴とする請求項１記載のプラズマプロセス用装置。
【請求項３】
Ｉ．　前記第２の周波数は１０ＭＨｚ〜５０ＭＨｚであることを特徴とする請求項２記載のプラズマプロセス用装置。
【請求項４】
Ｊ．　前記第１の周波数は１００ＭＨｚ以上であることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項記載のプラズマプロセス用装置。
【請求項５】
Ｋ．　該プラズマプロセス用装置はリアクティブエッチング装置、プラズマ化学気相堆積装置、レジストアッシャアーのいずれかであることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項記載のプラズマプロセス用装置。
【請求項６】
Ｌ．　少くとも前記プラズマに対して安定な材料から成り前記第１の電極上を覆うように設けられる保護部材を設けたことを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１項記載のプラズマプロセス用装置。
【請求項７】
Ｍ．　前記第１の電極の裏面に磁界を発生させるための磁界発生手段を設けたことを特徴とする請求項１ないし６のいずれか１項記載のプラズマプロセス用装置。
【請求項８】
Ｎ．　前記第１の高周波電源と前記第１の電極との接続は、電極側が開口している円筒状の内導体により行われており、該第１の電極の裏面と該内導体とで形成される空間に磁界発生手段が内蔵されていることを特徴とする請求項７記載のプラズマプロセス用装置。
【請求項９】
Ｏ．　前記第１の電極の裏面に完全反磁性体を設けてることを特徴とする請求項８記載のプラズマプロセス用装置。
【請求項１０】
Ｐ．　減圧可能な容器内に所望のガス導入するとともに、該容器内に対向するように設けられ夫々平板状に形成された第１及び第２の電極に高周波電源を付与することによりプラズマを発生させ、該プラズマ中で被処理物の処理を行うプラズマプロセス方法において
Ｑ．　前記第２の電極上に被処理物を取り付け、
Ｒ．　前記第１の高周波電源の周波数が前記第２の高周波電源の周波数より高くし、前記第２の周波数が１０ＭＨｚ以上とすることを特徴とするプラズマプロセス方法。
【請求項１１】
Ｓ．　前記第２の周波数は１０ＭＨｚ〜１００ＭＨｚであることを特徴とする請求項１０記載のプラズマプロセス方法。
【請求項１２】
Ｔ．　前記第２の周波数は１０ＭＨｚ〜５０ＭＨｚであることを特徴とする請求項１１記載のプラズマプロセス方法。
【請求項１３】
Ｕ．　前記第１の周波数は１００ＭＨｚ以上であることを特徴とする請求項１０ないし１２のいずれか１項記載のプラズマプロセス方法。
【請求項１４】
Ｖ．　該プラズマプロセス用装置はリアクティブエッチング装置、プラズマ化学気相堆積装置、レジストアッシャアーのいずれかであることを特徴とする請求項１０ないし１３のいずれか１項記載のプラズマプロセス方法。
【請求項１５】
Ｗ．　被処理物の処理中に第２の周波数を切り替えることを特徴とする請求項１０ないし１４のいずれか１項記載のプラズマプロセス方法。」
　なお、【請求項１】の構成Ｇにおける「１０ＭＨｚ以上であるとを特徴とする」は「１０ＭＨｚ以上であることを特徴とする」の誤記と認められるから、前記のように認定した。
ＩＩＩ．特許異議申立の理由の概要
　特許異議申立人　安藤　純男は、
甲第１号証；特開昭６３−５００２５号公報（以下、「引用例１」という。）
甲第２号証；実願昭５７−９７７５４号（実開昭５９−２１３２号）のマイクロフィルム（以下、「引用例２」という。）
甲第３号証；特開昭６２−１２５６２６号公報（以下、「引用例３」という。）
甲第４号証；特開昭６１−２４６３８２号公報（以下、「引用例４」という。）
を提示して、本件発明１ないし１５は、引用例１〜４に記載されたものに基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、それらの特許は特許法第１１３条第１項第２号の規定により取り消されるべき旨主張し、
また同じく株式会社東芝は、
甲第１号証；ＥＸＴＥＮＤＥＤ　　ＡＢＳＴＲＡＣＴ，ＶＯＬＵＭＥ８６−２，Ａｂｓｔｒａｃｔ　　Ｎｏ．３８５，ｐ．５８０−５８１　　Ｔｈｅ　　Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍｉｃａｌ　　ａｎｄ　　Ｓｏｃｉｅｔｙ，ＦＡＬＬ　　ＭＥＥＴＩＮＧ　　ＳＡＮ　　ＤＩＥＧＯ，ＣＡＬＩＦＯＲＮＩＡ，ＯＣＴＯＢＥＲ１９−２４．１９８６
（以下、「引用例５」という。）
甲第２号証；Ｅｘｔｅｎｄｅｄ　　Ａｂｓｔｒａｃｔｓ　　ｏｆ　　ｔｈｅ　　１７ｔｈ　Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ　　ｏｎ　　ＳＯＬＥＤ　　ＳＴＡＴＥ　　ＤＥＶＩＣＥＳ　ＡＮＤ　　ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ（Ａｕｇｕｓｔ２５−２７，１９８５　ＴＯＫＹＯ），Ｐ．３２９−３３２
（以下、「引用例６」という。）
甲第３号証；特開昭５８−１８１８６５号公報（以下、「引用例７」という。）
甲第４号証；ＰＲＯＣＥＥＤＩＮＧＳ　　ＯＦ　　ＳＹＭＰＯＳＩＵＭ　　ＯＮ　　ＤＲＹ　ＰＯＲＯＣＥＥＳＳ（第８回ドライプロセスシンポジウム，Ｎｏｖｅｍｂｅｒ１７−１８，１９８６ＴＯＫＹＯ），Ｐ４８−５２
（以下、「引用例８」という。）
を提示して、本件発明１ないし７、１０ないし１４は、引用例５〜８に記載されたものに基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、それらの特許は特許法第１１３条第１項第２号の規定により取り消されるべき旨主張する。
ＩＶ．各引用例の記載事項
　特許異議申立人安藤純男が提示した引用例１はバイアススパッタ装置について次の事項ア〜エが記載されている。
ア．　従来のバイアススパンタ法の問題点（課題）と発明の目的について
「半導体ウエーハに自己バイアスで加速されたＡｒイオンが衝突するため、下地に損傷を与え素子の特性を劣化させるという半導体集積回路構造上重大な問題を生じている。これらの問題が、バイアス・スパッタ装置を実用化する上で大きな障害となっていた。
（発明の目的）本発明は以上の点に鑑みなされたものであり、高品質の絶縁性薄膜を下地基板に損傷を与えることなく形成できる半導体製造装置を提供するものである。」（第２頁右上欄第７〜１８行）
イ．　特許請求の範囲の記載として
「減圧状態になされた雰囲気中において、半導体基板表面に絶縁性薄膜を堆積させる装置において、前記絶縁性薄膜材料より構成されるターゲットあるいは前記絶縁性薄膜材料の構成元素の少なくとも１つよりなるターゲットと、前記半導体基板を装置内にて保持するサセプタの両方に、それぞれ第１の周波数及び第２の周波数を有する高周波電力が供給され、かつ第２の周波数が第１の周波数より大となるように設定されたことを特徴とする半導体製造装置。」
ウ．　従来のバイアススパッタ法の問題点の理由と発明の作用効果について
「従来のバイアススパッタ法では、下地基板に損傷が生じ、デバイスの特性が劣化していたのは次の理由による。すなわち、従来例では１３．５６ＭＨｚの周波数で放電させていたため、｜Ｖ　ｓｕｂ｜＝４００Ｖ〜６０００Ｖとなり、この高電圧で加速されたイオンが基板にぶつかっていた。さらにイオンのエネルギー分布が大きく、たとえエネルギーの平均値を制御しても平均値より十分大きなエネルギーをもったイオンが数多く存在することになり、こうしたハイエネルギーのイオンが大きなイオン衝撃を基板に与えることになり、これが損傷の生じる原因であった。しかるに、本発明の第１実施例では、ウエーハ・サセプタ電極１０４には１００ＭＨｚの高周波を用いているため、従来の１３．５６ＭＨｚの場合に比べて｜Ｖｓｕｂ｜は約１／４〜１／５、△Ｅｉｏｎは１／１０以下と小さくすることができた。その結果、基板への損傷をなくすことができたのである。」（第４頁左上欄第２〜末行）
エ．　実施例の記載として
「第１図（ａ）は本発明の第１の実施例である絶縁薄膜を形成するためのバイアススパッタ装置を示す模式図である。１０１は例えばＳｉＯ２の夕ーゲットであり、ターゲット電極１０２上に取り付けられている。ターゲット電極には従来例（第５図）と同様に整合回路を介して例えば１３．５６ＭＨｚの高周波電力が加えられている。また、シリコンウエーハ１０３及びスセプタ１０４には整合回路を介して、ターゲットに加えられている高周波より大きな周波数例えば１００ＭＨｚの高周波電力が加えられている。」（第２頁左下欄第１７行〜同頁右下欄第７行）、および「真空容器１０５はアースにつながれている。また、１０６はマグネトロン放電のための永久磁石である。さらに装置には真空容器を真空に引く排気ユニットや、ガスを導入する機構、さらにウエーハを出し入れする機構が設けられているが、ここには簡単のため省略してある。」（第３頁右上欄第１〜６行）
　なお、引用例１の第４図（ａ）にはターゲット電極４０２に１００ＭＨｚ、サセプタ４０４に１３．５６ＭＨｚのＲＦ電源を接続した記載があり、特許異議申立人はこの記載内容を引用例１の発明の構成として採用しているが、この記載内容は、記載事項ア〜エに示す引用例１に記載された発明の目的、特許請求の範囲、実施例及び発明の作用効果の内容と逆であって整合しないこと及び引用例１において第１の実施例として示されている第１図（ａ）記載のものにおいては、ターゲット電極１０２に１３．５６ＭＨｚ、サセプタ電極１０４に１００ＭＨｚのＲＦ電源をそれぞえれ接続し、また、第３の実施例として示されている第４図（ｂ）記載のものにおいては、ターゲット電極１０２に１３．５６ＭＨｚ、サセプタ電極１０４に１００ＭＨｚ又は４０ＭＨｚのＲＦ電源を接続していることをそれぞれ勘案すると、第４図（ａ）において、ターゲット電極に接続されているＲＦ電源の周波数を示す「１００ＭＨｚ」という記載は「１３．５６ＭＨｚ」の、また、サセプタ電極に接続されているＲＦ電源の周波数を示す「１３．５６ＭＨｚ」という記載は「１００ＭＨｚ」のそれぞれ誤記であるとするのが相当である。
　上記のとおりであるから、第４図（ａ）に示されているものをそのまま引用例１に記載された発明として採用することはできない。
　同じく引用例２には、平行平板型プラズマプラズマＣＶＤ装置について次の事項オが記載され、
オ．　実施例の記載として
「第２図は本考案の一実施例であるプラズマＣＶＤ装置を示す構成図である。一定圧に減圧されるチャンバ１１内において、上部電極１２に低い周波帯域の高周波電源ＲＦ１（数１００ＫＨｚ以下）を印加してプラズマを誘起させる。
　下部電極１３には高周波電源ＲＦ２を印加する。実施例では１３．５６ＭＨｚで励起される容量的に低パワーの高周波電源を印加することにより、ウエハ１５と下部電極１３間の抵抗値が減小し上部電極１２と下部電極１３との二極間において、特にウエハ１５上でのプラズマ放電の均一化を容易にする。」（第４頁第４〜１５行）
　同じく引用例３には、平行平板型のドライエンチング装置について次の事項カ及びキが記載され、
力．　「高周波電源に接続する平行平板電極と、低周波電源に接続し、かつ処理基板を搭載する平行平板電極とを内蔵する処理室を備えるドライエッチング装置において、前記高周波電源の周波数を２０ＭＨｚ以上に設定し、前記低周波電源の出力波形を前記基板表面の蓄積電気量による表面電位変化を相殺させるように形成したドライエッチング装置。」（特許請求の範囲）
キ．　「低周波信号発生器８により周波数がイオンの追従できる数百ＫＨｚの第２図に示す波形を発生し、さらに増幅して電極２に印加すると、プラズマ中の電子とイオンが交互に基板４に入射し、該基板４の表面電位は第３図に示す実線１６のように変化する。」（第２頁左下欄第１６行〜同頁右下欄第第２行）
　同じく引用例４には、ドライエッチング装置、特に平行平板型の反応性スパッタエッチング装置について次の事項ク及びケが記載されている。
ク．　問題点を解決するための手段について
「本発明は被エッチング物質を電極上に密接して配置するドライエッチング装置において、放電プラズマと面接する装置内面のうち、少くともイオン衝撃を受ける表面を窒化アルミニウムより被覆したことを特徴とするドライエッチング装置である。」（第２頁右上欄第７〜１２行）。
ケ．実施例の記載として
「第１図は模式的に示した平行平板型の反応性スパッタエッチング装置である。装置は真空室７内のターゲット電極１の上に窒化アルミニウムのセラミックスから成るターゲット被覆部材２を、その上方に向き合せて窒化アルミニウムのセラミックス対向板６が配置されている。」（第２頁左下欄第１１〜１６行）
　次に特許異議申立人株式会社東芝が提示した引用例５には、２周波数を用いた窒化シリコン膜のプラズマ堆積プロセスについて、次の事項コ及びサが記載され、
コ．　「第１図は、この実験に用いられる反応装置の概略構成を示している。夫々の平行電極は、二つの異なる周波数で駆動された。上部電極は、１３．５６ＭＨｚで駆動され、基板が載置された下部電極は２００ＫＨｚで駆動された。これらの電極はアルミニウムで作成され、２０ｍｍ離れて設置されている。基板は、下部電極の下面に電気絶縁物を介して設けられたヒータによって加熱された。」（第５８０頁左欄第３０行〜第４１行）
サ．　「要約　下部電極及び上部電極に夫々印加される二つのＲＦ２００ＫＨｚ及び１３．５６ＭＨｚを用いることにより、Ｐ−ＳｉＮ膜中のストレスを制御することが可能である。その結果、２００ＫＨｚの電源を制御することにより、低圧縮ストレスを有するより優れた最終的なパッシベーション膜を得ることができる。」（第５８０頁右欄第２１行〜第２８行）
　同じく引用例６には、バイアス−ＥＣＲ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　　Ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ　　Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ）プラズマ堆積プロセスについて次の事項シ及びスが記載され、
シ．　「バイアス−ＥＣＲプラズマ堆積システムの構成図が図１に示されている。ＥＣＲプラズマ堆積方法では、絶縁膜を低い温度範囲（５０〜１５０℃）で比較的低いガス圧（１０−５から１０−３Ｔｏｒｒ）において堆積することができる。ＥＣＲ条件として、マイクロ波周波数は２．４５ＧＨｚ、及び磁気フラックス密度は８７５Ｇａｕｓｓである。ｒｆバイアスをＥＣＲプラズマ堆積システムの基板に印加することにより、バイアス電圧及びイオンによって試料の表面にスパッタエッチングを発生させることができる。ｒｆ発生器の周波数は１３．５６ＭＨｚである。基板は水冷される。ガス管（１）から０２，Ｎ２及びＡｒガスをプラズマ室に導入し、ガス管（２）からＳｉＨ４を試料室に導入することにより、ＥＣＲプラズマ堆積方法によって絶縁膜が堆積され、あるいはｒｆバイアスによってエッチングされる。」（第３２９頁右欄第１２行〜第３３０頁左欄第３行）
ス．　「新しく開発されたバイアス−ＥＣＲプラズマ堆積の平坦化技術は、高いアスペクト比を有するサブミクロンのインターコネクションに好適である。その理由は、ＥＣＲプラズマ堆積が高い垂直方向性を有することから、サブミクロンインターコネクションの凹部領域を平坦化することができるという事実にある。」（第３３１頁左欄第４０行〜第３３２頁右欄第４行）
　同じく引用例７には、プラズマＣＶＤ装置の実施例の記載として次の事項セが記載され、
セ．　「反応室は石英あるいはアルミナ等の絶縁物材である反応室壁部１と金属材料でアース電位を有する反応室下部２と反応室上部３とで構成されており、前記反応室内部に石英あるいはアルミナ等の絶縁板４を前面に配置した上部高周波電極５と基板加熱用ヒータ６が組み込まれ基板７の支持を兼ねる下部高周波電極８とが対向して設置してある。上部高周波電極５内部にはガス導入口９より反応ガス等が導入され、前記高周波電極５前面に配置された少なくとも一つ以上のガス放出穴１０より反応ガス放出が可能となるように構成し、マッチングボックス１１を通して周波数が１３．５６ＭＨｚの高周波電源１２が接続されている。」（第２頁右上欄第６〜１８行）、および、「また上部高周波電極５前面に設置された絶縁板４および上部高周波電極５端部に近接する反応室壁部１に石英材を用いることによって不純物混入の極めて少ない酸化シリコン薄膜の形成が可能となった。」（第３頁左上欄第５〜９行）
　同じく引用例８には、プラズマを用いた反応性イオンエッチングについて次の事項ソが記載されている。
ソ．「２．実験　図１は、１０−３ＴｏｒｒマグネトロンＲＩＥシステムを示す。レーストラックタイプＳｍ−Ｃｏ永久磁石組立体がアノードの背面直後に設置されている。ウエーハが、１３．５６ＭＨｚｒｆ電源に接続されたカソード上に載置されている。磁場（ベクトルＢ）の発散とシース電場（ベクトルＥ）との交差が、電子の効果的なサイクロトロン運動により、１０−３Ｔｏｒｒという低い圧力において高度にイオン化されたプラズマを発生させる。より長い平均自由行程下におけるより低い衝突プロセスのために、正カラム近傍で生成される反応性イオンビームはシース内において高度に平行化され、そしてカソードに正常に衝突する。エッチング試料は、熱成長ＳｉＯ２上に堆積されたＡｌ−Ｓｉ（１％）合金であった。レジストパターンが、中間層としてスピンオングラス（ＳＯＧ）を用いる三段階レジスト方法によって形成された。Ａｌエッチングが、ＳＯＧ及び下方のレジストマスクと共に行われた。Ｃｌ２及びＣＨＣｌ３ガスがそれぞれエッチング及び堆積に用いられた。」（第４８頁左欄第２６行〜同頁右欄第９行）。
Ｖ．対比・判断
［本件発明１について］
　本件発明１と各引用例に記載のものとを比較検討すると、引用例１に記載の「ターゲット電極」、引用例２及び５に記載の「上部電極」、引用例３に記載の「電極３」、引用例４の「対向板」、引用例７に記載の「上部高周波電極」及び引用例８に記載の「アノード」はそれぞれ本件発明１の「第１の電極」に相当し、引用例１に記載の「サセプタ」、引用例２及び５に記載の「下部電極」、引用例３に記載の「電極２」、引用例４の「ターゲット電極」、引用例７に記載の「下部高周波電極」及び引用例８に記載の「カソード」はそれぞれ本件発明１の「第２の電極」に相当するから、引用例１〜５、７〜８に記載のものは、構成Ａ〜Ｆの点では本件発明１と共通であるが、本件発明１が構成Ｇ、すなわち第１の電極に供給される高周波電力の周波数を、第２の電極に供給される高周波電力の周波数より高くすると共に、第２の電極に供給される高周波電力の周波数を１０ＭＨｚ以上としているのに対して、引用例１及び２に記載のものは、ターゲット電極及び上部電極に供給される高周波電力の周波数が、サセプタ及び下部電極に供給される高周波電力の周波数よりも低い点で相違し、引用例３及び５に記載のものは、電極３及び上部電極に係る周波数が電極２及び下部電極に供給される高周波電力の周波数より高い点でさらに本件発明１と共通するが、電極２及び下部電極に供給される高周波電力の周波数はそれぞれ数百ＫＨｚ及び２００ＫＨｚであって、本件発明１の対応する前記の周波数１０ＭＨｚよりはるかに低く、イオンがその発振振幅に追従することが可能であるため自己バイアスの形成が不可能な程度の低周波数にすぎない点で相違し、引用例４７及び８に記載のものはそれぞれの電極に係る周波数を異ならせることについて言及されていない点で相違する。
　次に、引用例６に記載のものは、本件明細書において好ましくない電磁波として明記されたマイクロ波（本件特許公報第２０欄第２４〜２７行参照）を導波管を介して減圧可能な処理容器内に送り込み、ＥＣＲ（ＥｒｅｃｔｒｎＣｙｃｌｏｔｒｎＲｅｓｏｎａｎｃｅ）即ち電子サイクロトロン共鳴現象を利用するマイクロ波放電型のプラズマプロセス用装置であり、マイクロ波の電場とソレノイドコイルによる磁場との相乗作用により、プラズマを生成するものであって、構成Ｂ〜Ｅの所謂平行平板型高周波電極を用いる高周波放電型の本発明１とはプラズマ生成の現象もそのための構成も異にするものであるから、同引用例のマイクロ波の周波数が２．４５ＧＨｚで、被処理物側に接続する高周波発電器の周波数が１３．５６ＭＨｚである旨の記載が、構成Ｇを示唆しているとすることはできず、結局同引用例に記載のものは構成Ａ及びＦにおいて本件発明１と共通するにすぎない。
　ところで、本件発明１は構成Ｇを採ることにより、第１の電極に供給される第１の周波数の高周波電力により、発生するプラズマ密度や基板に照射されるイオン照射量を制御するが、プラズマ発生の役割を担うその電力は通常大きくても、周波数は高いから、第１の電極の自己バイアスは十分小さくでき、照射されるイオンエネルギーは十分小さくなって、該電極表面のスパッタによる基板の汚染を防止し、一方第２の電極に供給される第２の周波数の高周波電力によりその自己バイアスにより、基板表面に入射するイオンのエネルギーを最適値に制御して基板の損傷、汚染を防止するという作用をなすものであるところ（本件明細書の作用の欄、本件特許公報第７欄第１９行〜第４３行作用の欄参照）、前記したように各引用例のいずれにも構成Ｇについては記載されていないし、かかる作用についても示すところがない以上、構成Ｇは各引用例に記載のものに基づいて当業者が容易に想到し得たとすることはできない。
　なお、引用例６に記載の前記の２．４５ＧＨｚと１３．５６ＭＨｚの周波数関係を引用例３及び５の平行平板型高周波電極に適用することは、前記した作用の点に加えて両者のプラズマ生成の現象やそのための構成を異にするから、動機付けも見当たらず、当業者が容易に想到し得たとすることはできない。
　そして、本件発明１は、その構成特に構成Ｇを具備することにより、ＲＩＥ、プラズマ化学気相堆積、レジストアッシャー、ドライ洗浄等の各種プラズマプロセスを、被処理物の基体等への損傷や汚染を与えることなく、また、処理雰囲気の汚染を生じさせることなく行うことができ、高品質の半導体を提供でき、また、構造上の基本的な構成部分は変更することなく、特定の設計条件、例えば高周波電源の出力周波数の大きさ、導入するガスの種類等わずかな仕様を変更するだけで各種プラズマプロセスの装置に適用できるので、各装置の規格化が可能となり、半導体装置製造の一貫した統一性のある操業の実現を可能にする等の明細書記載の格別な効果を奏するものである。
　したがって、本件発明１は、引用例１〜８に記載されたものに基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
［本件発明１０について］
　本件発明１０の構成Ｒは、実質的に本件発明１の構成Ｇと同じであって、構成Ｇは前記したように各引用例のいずれにも記載されてなく、また示唆するものもない。
　そして、本件発明１０も前記と同様な格別な効果を奏するものである。
　したがって、本件発明１０は、引用例１〜８に記載されたものに基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
［本件発明２ないし９、及び本件発明１１ないし１５について］
　本件発明２ないし９は、本件発明１を引用しさらに構成を付加限定したものであるから、本件発明１についての前記の判断の理由と同様な理由により、また、本件発明１１ないし１５は、本件発明１０を引用しさらに構成を付加限定したものであるから、本件発明１０についての前記の判断の理由と同様な理由により、これらの発明のいずれも、引用例１〜８に記載されたものに基づいて当業者が容易に発明をすることができたとすることはできない。
ＶＩ．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立の理由及び証拠によっては、本件請求項１ないし１５に係る発明の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件請求項１ないし１５に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１１年８月１６日（１９９９．８．１６）