【事件の表示】
　特許第２６５８０５７号「半導体装置」の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結論】
　特許第２６５８０５７号の特許を取り消す。
【理由】
（１）手続の経緯
特許出願　　　　　　　　　　　　　　　　　　昭和６２年６月２３日
特許権設定登録（第２６５８０５７号）　　　　平成９年６月６日
特許異議の申立て（申立人日本電気株式会社）　平成１０年３月３０日
取消理由通知　　　　　　　　　　　　　　　　平成１０年６月３日
特許異議意見書　　　　　　　　　　　　　　　平成１０年８月２４日
審尋書（申立人）　　　　　　　　　　　　　　平成１０年１０月２２日
回答書（申立人）　　　　　　　　　　　　　　平成１０年１２月２８日
口頭審理陳述要領書（申立人）　　　　　　　　平成１１年４月２７日
口頭審理陳述要領書（権利者）　　　　　　　　平成１１年５月１８日
口頭審理　　　　　　　　　　　　　　　　　　平成１１年６月１日
回答書（申立人）　　　　　　　　　　　　　　平成１１年６月１６日
上申書（権利者）　　　　　　　　　　　　　　平成１１年６月３０日
（２）本件特許発明
　本件特許の特許請求の範囲第１項に係る発明（以下、特許発明１という）の要旨は、その特許請求の範囲第１項に記載されたとおりの次のものである。
「半導体基板に設けられたＰチャンネルトランジスタ及びＮチャンネルトランジスタを構成要素とする相補型ＭＯＳトランジスタからなる半導体装置において、前記Ｐチャンネルトランジスタの能動領域に設けられた第１シリサイド膜、前記Ｎチャンネルトランジスタの能動領域に設けられた第２シリサイド膜を有し、前記第１シリサイド膜は、前記第２シリサイド膜より厚い膜厚を有することを特徴とする半導体装置。」
（３）取消理由について
　上記取消理由は「本件特許発明１は甲第１号証（Ｃ．Ｋ．ＬＡＵ　ｅｔ　ａｌ．，″ＴＩＴＡＮＩＵＭ　ＤＩＳＩＬＩＣＩＤＥ　ＳＥＬＦ−ＡＬＩＧＮＥＤ　ＳＯＵＲＣＥ／ＤＲＡＩＮ　＋ＧＡＴＥ　ＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹ，″ＩＥＤＭ８２、ｐ７１４−７１７）記載の発明と同一若しくはその発明から容易に発明をすることができたものであるから、取り消されるべきである。」というものである。
（３−１）甲１号証記載の発明
　甲第１号証の第７１４頁左欄第１９行乃至第２１行に「このＴｉＳｉ２セルフアラインドソース／ドレイン及びゲート技術を応用したＣＭＯＳ回路が議論される。」と記載され、同頁右欄下から第１７行乃至下から第１１行に「ＦＩＧ．１ｂに示されるように、電子ビーム蒸着やスパッタリングにより、基板全面にチタンを設ける。高温では（〜６００℃）、チタンとシリコンのソリッドステート反応を介して、シリコン又はポリシリコンにチタンが直接接触している領域に、チタンシリサイドが形成される。」と記載され、同頁右欄下から５行乃至下から第３行に「ＴｉＳｉ２はＦｉｇｕｒｅ　１ｃ　に示されているように、ポリシリコンゲートとソース・ドレイン領域に自己整合的に形成される。」と記載され、第７１５頁左欄第８行乃至第１３行に「この技術を使うことにより、ゲートとソース・ドレイン領域の両方に自己整合的に設けられたＴｉＳｉ２を有するｎチャンネル及びｐチャンネルトランジスタがともに形成される。Ｔａｂｌｅ　１　は、製造されたデバイスの物理的パラメータをまとめたものである。ＴｉＳｉ２がある場合とない場合の抵抗値がＴａｂｌｅ　２　に比較されている。」と記載され、同頁左欄第２２行乃至第２３行に「ＴｉＳｉ２の薄膜抵抗は約１６μΩ−ｃｍ」と記載されている。
　そして、ＴＡＢＬＥ　１　に、シリサイドの厚みは３５０−７００Åと記載され、ＴＡＢＬＥ　２　に、Ｎチャンネル及びＰチャンネルトランジスタそれぞれのソース・ドレイン領域の表面に形成されたシリサイド層のシート抵抗が、各々４．４Ω／□、２．３Ω／□であることが記載されている。
　そして、上記の記載があることは、特許異議申立人および権利者に争いはない。
（特許異議申立人の主張）
　特許異議申立人は、甲第１号証のＴｉＳｉ２の薄膜抵抗は約１６μΩ−ｃｍであること、Ｎチャンネル及びＰチャンネルトランジスタそれぞれのソース・ドレイン領域の表面に形成されたシリサイド層のシート抵抗が、各々４．４Ω／□、２．３Ω／□である記載に基づき、「層の厚みは、（比抵抗）÷（シート抵抗）で表されるから、従って、…甲第１号証におけるＮチャンネルトランジスタおよびＰチャンネルトランジスタのソース・ドレイン領域に形成されるＴｉＳｉ２の厚みは、各々、約３６０Å、および約７００Åとなり、Ｎチャンネルトランジスタに形成されるＴｉＳｉ２に比べ、Ｐチャンネルトランジスタに形成されるＴｉＳｉ２の方が厚く形成されることが容易に導かれる。なお、この結果は、甲第１号証のＴＡＢＬＥ　１．に記載のシリサイド厚みのデータ、すなわち、３５０−７００Åとも、ほぼ一致している。かかる点を鑑みても、上記計算方法が妥当であることは明白である。」（口頭審理陳述要領書（申立人）第２頁下から第５行乃至第３頁第１１行）と主張する。
（権利者の主張）
　一方、権利者は、口頭陳述要領書（権利者）の「５．陳述の要領」において、以下の５点の主張している。
　（１）理想的な状態（「均一な物質」）における層の厚みは『（比抵抗）÷（シート抵抗）＝（層の厚み）』という計算式で求められるものの、実際には様々な要因により形成されているチタンシリサイドは理想的な状態（「均一な物質」）にあるとはいえない。故に『（比抵抗）÷（シート抵抗）＝（層の厚み）』という計算式では一義的に層の厚みを算出することはできない。
　その証拠に、本来は物質定数であるはずのＴｉＳｉｘの比抵抗が、教科書レベルの文献において固有の値として記載されておらず、値が幅を持って記載されていることが挙げられる。また、記載されているＴｉＳｉ２の比抵抗は文献ごとに異なり、文献同士を比較すると２倍程度異なる場合すらある。
（２）甲第１号証においてＰ＋拡散層上に形成されるＴｉＳｉ２のシート抵抗がＮ＋拡散層上に形成されるＴｉＳｉ２のシート抵抗に比べ小さい値であるのは以下の理由による。
　Ｓｉ基板中に高濃度にドープされたＡｓが、高抵抗のＣ４９構造から低抵抗のＣ５４構造への相転移を抑制しているのに対し、ＢＦ２の注入量は低濃度であるため、相転移を阻害する作用が小さく、Ｐ＋拡散層上では相転移が完了しているためである。
　（３）甲第１号証には、両シリサイドの比抵抗がともに１６μΩ−ｃｍであるとは何等記載されていない。故に、甲第１号証には、Ｎチャンネル及びＰチャンネルトランジスタのソース・ドレイン領域に形成されるチタンシリサイドの比抵抗が同一なものであるという拠り所が全く無い。
　（４）異議申立人の主張通り、シリサイド膜厚が３６０Åと７００Åで測定されたとすれば、甲１第１号証ＴＡＢＬＥ１に記載された「３５０−７００Å」の中間値は何を意味するのか、説明がつかない。
　（５）甲第１号証には、Ｐチャンネルトランジスタのソース・ドレイン領域に形成されるチタンシリサイド層の膜厚を、Ｎチャンネルトランジスタのソース・ドレイン領域に形成されるチタンシリサイド層の膜厚よりも厚くするという技術思想は何等開示されていない。
（権利者の主張に対する検討）
　上記主張（１）について
　理想的な状態でなくとも、『（比抵抗）÷（シート抵抗）＝（層の厚み）』という計算式による結果は、層の厚みを概略示唆するものと認められる。そしてチタンシリサイドによって、種々の値があるとしても、権利者が提出した参考資料６の３８３頁では、ＴｉＳｉ２　１３−１６（μΩ−ｃｍ）、参考資料７では、Ｓｉｌｉｃｉｄｅ　Ｔｉ　Ｐｈａｓｅｓ　ＭＳｉ２　ａｎｄ　Ｍ５Ｓｉ３，ＭＳｉ　１６ｔｏ２６（μΩ−ｃｍ）となっており、甲第１号証の１６μΩ−ｃｍの値が、信頼できないとはいえない。
　上記主張（２）について
　Ｃ４９相の比抵抗は、Ｃ５４相の比抵抗より大きいとしても、そのことをもってシート抵抗値の大小を説明することにはならない。
　上記主張（３）について
　権利者はこの主張（３）につき、上申書にて、抵抗値の原文の英語の単語が複数形であるのは、Ｐチャンネルのソースとドレインの２つの抵抗値のことであると解され、ＰチャンネルとＮチャンネルのことではないと主張をしている。
　しかしながら、甲第１号証の「ＴｉＳｉ２の薄膜抵抗は約１６μΩ−ｃｍ」と記載されている文の一つ前の英文は、Ｐ＋型拡散層のシート抵抗は、少なくとも１０倍減少したことを云っているのであり、薄膜の比抵抗値が、Ｐ＋型拡散層に限るとすることは、文の解釈において不自然である。
　上記主張（４）について
　『（比抵抗）÷（シート抵抗）＝（層の厚み）』という計算式によると、ＮチャンネルトランジスタおよびＰチャンネルトランジスタに形成されたるＴｉＳｉ２のソース・ドレイン領域に形成されるＴｉＳｉ２の厚みは、各々、約３６０Å、および約７００Åとなり、有効数字が２桁であることを考慮すると、「３５０−７００Å」のうち、３５０は、Ｎチャンネルトランジスタのソース・ドレイン領域に形成されるＴｉＳｉ２の厚みであり、７００はＰチャンネルトランジスタのソース・ドレイン領域に形成されるＴｉＳｉ２の厚みであると解するのが自然である。
　上記主張（５）について，
　上記検討により、甲第１号証にはＮチャンネルトランジスタに形成されるＴｉＳｉ２に比べ、Ｐチャンネルトランジスタに形成されるＴｉＳｉ２の方が厚く形成されることが示唆されており、権利者の主張（５）は失当である。
（３−２　特許発明と甲第号証記載の発明との対比）
　甲第１号証にはＮチャンネルトランジスタに形成されるＴｉＳｉ２に比べ、Ｐチャンネルトランジスタに形成されるＴｉＳｉ２の方が厚く形成されることが実質的に示されている。してみると、特許発明は、甲第１号証記載の発明と同一である。
（４）まとめ
　本件特許の請求項１に係る発明は、甲第１号証記載の発明と同一であるから、特許法第２９条第１項第３号の規定に違反して特許されたものであり、特許法等の一部を改正する法律の一部の施行に伴う経過措置を定める平成７年政令第２０５号第４条に該当する。従って、請求項１に係る発明の特許は取り消されるべきものである。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１１年８月１２日（１９９９．８．１２）