【事件の表示】
　特許第２６０６４２３号「半導体ウェハー搬送装置および搬送方法」の請求項１ないし２に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結論】
　特許第２６０６４２３号の請求項１ないし２に係る特許を取り消す。
【理由】
１．手続の経緯
　本件特許第２，６０６，４２３号に係る主な手続の経緯は以下のとおりである。
　特許出願　　　　　　平成２年８月２８日
　特許権設定登録　　　平成９年２月１３日
　特許公報発行　　　　平成９年５月７日
　特許異議の申立て　　平成９年１１月７日
　取消理由通知　　　　平成１０年２月２０日
　異議意見書　　　　　平成１０年５月１８日
　訂正請求　　　　　　平成１０年５月１８日
　訂正拒絶理由通知　　平成１０年９月２２日
　意見書　　　　　　　平成１０年１２月１日
　手続補正書　　　　　平成１０年１２月１日
２．訂正の適否について
（２．１）訂正の目的等について
　特許明細書の特許請求の範囲請求項１及び２において、
　「【請求項１】　半導体ウェハーを収納したキャリヤを上下動作することのできるエレベータ機構部と、前記キャリヤに収納されたウェハーの有無を検出する光透過型センサを有するウェハー検出機構部と、前記キャリヤからウェハーを取り出すアーム機構部と、前記エレベータ機構部を制御しながら、前記光透過型センサにより検出される前記キャリアに収納されたウェハーの間隔、及び該ウェハーの厚みをエレベータの移動情報として、所定の記憶領域に記憶し、その記憶情報に基づき、ウエハー搬送のための前記アームの挿入位置をウェハー間隔の丁度中間となるように前記エレベータ機構部を制御する制御部とを含む半導体ウェハー搬送装置。
　【請求項２】　半導体ウェハーを収納したキャリアの中のウェハーを光透型センサにより検出し、前記センサで検出されるウェハーの間隔と厚みを前記キャリアを移動させるエレベータの移動にともなって検出してウェハーの間隔と厚み情報として記憶し、その記憶情報に基づいてウェハー搬送のためのアームがウェハー間隔の丁度中間にくるよう前記エレベータを移動する半導体ウェハーの搬送方法。」とあるのを、
　「【請求項１】　半導体ウェハーを収納したキャリヤを上下動作することのできるエレベータ機構部と、前記キャリヤに収納されたウェハーの有無を検出する光透過型センサを有するウェハー検出機構部と、前記キャリヤからウェハーを取り出すアーム機構部と、前記エレベータ機構部を制御しながら、前記光透過型センサの光路が前記キャリアに収納されたウエハーにより遮蔽されないことにより検出される非遮蔽幅であるウェハー間隔、及び前記光路の前記ウェハーによる遮蔽幅であるウェハー厚みをエレベータの移動情報として、所定の記憶領域に記憶し、その記憶情報に基づき、ウェハー搬送のための前記アームの挿入位置をウェハーの傾斜量を考慮に含めて前記光透過型センサの光路の前記非遮蔽幅であるウェハー間隔の丁度中間となるように前記エレベータ機構部を制御する制御部とを含む半導体ウエハー搬送装置。
　【請求項２】　半導体ウェハーを収納したキャリアの中のウェハーを光透型センサにより検出し、前記センサの光路が前記ウェハーにより遮蔽されないことにより検出される非遮蔽幅と前記光路の前記ウェハーによる遮蔽幅を前記キャリアを移動させるエレベータの移動にともなって検出してウェハーの間隔と厚み情報として記憶し、その記憶情報に基づいてウェハー搬送のためのアームがウェハーの傾斜量を考慮に含めて前記光透過型センサの光路の前記非遮蔽幅であるウェハー間隔の丁度中間にくるよう前記エレベータを移動する半導体ウェハーの搬送方法。」
とする訂正は、特許請求の範囲の減縮に該当し、願書に添付した明細書及び図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
（２．２）独立特許要件について
　（２．２．１）訂正された発明
訂正された発明は、訂正された特許請求の範囲請求項１及び２に記載された事項により特定された上記のとおりのものである。
　訂正された発明は、上記事項により、ウエハーがキャリヤ内に傾きを持って収納されている場合や、キャリヤ自体の製造精度によらず、また、１つのキャリヤ内に厚みの異なるウエハーが収納されている場合にも、搬送のときフォークアームがウエハーに接触しウエハーを傷つけることがないという効果を生じるものである。
　（２．２．２）刊行物記載の発明
　取消理由通知書において引用した特開昭６１−２２９７２５号公報（以下「刊行物１」という。）には、「本発明は高密度集積回路製造用のウエハの処理即ち回路焼付、表面検査、チップ動作試験等に用いるウエハ処理装置に関する。」（〔分野〕の項）及び「本発明は上記難点を解消し、超精密性、高生産性、小型化等の特徴を備え、特にウエハカセットの配置およびウエハ取り出し、収納機構に改良を施され、高生産性、小型化に効果的なウエハ処理装置を提供することを目的とする。」（〔目的〕の項）と記載され、〔実施例〕の項においては「第１図は本発明の一実施例に係るウエハプローバの全体概観図にして、ＷＫ１〜ＷＫ４はウエハＷＦを多数枚収納する４個のウエハカセツトで、各々開口部を対向させて２段に積層する。ＷＫＤ１，ＷＫＤ２は各２段のウエハカセツトを連動して各々上下動させるための駆動部、ＦＧはウエハ載置用のフインガ、ＡＭ１、ＡＭ２はアーム、Ｇ１、Ｇ２、Ｇ３は軸でフインガＦＧが伸縮自在に移動可能の如く構成される。ＡＤは前記アーム及びフィンガを上下動及び回転自在に移動可能にするための駆動部である。ウエハカセツトＷＫからアームＡＭ１，ＡＭ２及びフインガＦＧによって搬出されたウエハＷＦはセンタリングハンドＣＨによって中心出しが行なわれＸＹステージＳＴ上のウエハチャックＷＣ上に移される。」（第２頁左上欄第２行〜第１７行）、「ＬＺは半導体レーザ源、ＨＭは半導体レーザ源ＬＺからのレーザ光ＬＷをウエハカセット側へ向けて照射するハーフミラーで、ウエハカセット外端に設けられた全反射ミラーＦＭで反射したレーザ光ＬＷを透過させ半導体レーザセンサＰＳに伝達する。半導体レーザセンサＰＳはこの反射レーザ光を検出することによりウエハＷＦの現在位置を確実に知ることができ、フインガＦＧとウエハＷＦの衝突等の誤動作を防止することができる。」（第２頁左下欄第５行〜第１５行）、「第５図はウエハカセットＷＫの開口部を見た正面図で、第４図のウエハＷＦが例えば２５枚収納される様子を示す。ここでウェハＷＦ２、ＷＦ３はウエハの種々の処理により弧状に変形した場合を強調して示してある。このようにウエハは厳密には平面性を失っているのが一般的と見なされるので、ウエハの取出し等の際フインガＦＧの突入位置には細心の注意を払う必要がある。そこでフィンガの出入動作の前にあらかじめ各ウエハの位置を正確に検出し、かつフインガＦＧの最安全突入位置即ち各ウエハ間の中心位置Ｐ１〜Ｐ２６等を算出しておけば良い。
　第６図はフィンガ出入制御手順を示すフローチャートで第１図のリードオンリーメモリＲＯＭにマイクロ命令として格納されているもので、以下この手順に従って動作を説明する．
　ステップＳＡ１ではまずウエハ位置検出手段例えばレーザセンサＰＳを所定の原点位置例えば第５図の最下辺位置から上昇を始め、ウエハ位置検出を開始する。センサＰＳが最初のウエハＦ１を検出した段階で最初の距離ｄ１が決定され、同様に２枚目のウエハＷＦ２の最低部を検出した段階で距離ｄ２が決定され、ステップＳＡ２にてｄ１，ｄ２を第１図のランダムアクセスメモリＲＡＭに記憶させる。　次いでステップＳＡ３で各ウエハ間の中心位置を求めるためｄ１／２，ｄ２／２を第１図のマイクロプロセッサＭＰＵが算出し、各値をＲＡＭに記憶させる。この高々２箇所の距離ｄ１，ｄ２を計測するのみで最初のウエハＷＦ１の正確な取出し、収納は可能なのでセンサＰＳをステップＳＡ４にて原点まで下降させる。次いでウエハＷＦ１の取出しのためにフインガＦＧをステップＳＡ３で算出したｄ１／２の位置まで上昇させる。
これにより第５図の最安全点Ｐ１にフインガＦＧを位置させることができる。」（第２頁右下欄第１６行〜第３頁右上欄第１３行）及び「次いでウエハＷＦ２の取出し、収納時には今度はセンサＰＳがｄ２，ｄ３を計算、ｄ２／２，ｄ３／２を算出、記憶させて上記と同様の制御を行なう。したがって各ウエハの全ての位置ｄ１〜ｄ２６を記憶させる必要がなく高々２箇所ｄｎ，ｄｎ＋１の記憶番地があれば良いのでメモリ節約効果が大となるものである。」（第３頁右下欄第８行〜第１４行）と記載されている。
　すなわち、上記刊行物１には、半導体ウェハを収納したウエハカセットを上下動作することのできる駆動部と、前記ウエハカセットに収納されたウェハの有無を検出する光透過型センサを有するウエハ検出機構部と、前記ウエハカセットからウエハを取り出すアーム機構部と、前記センサを制御しながら、前記光透過型センサの光路が前記ウエハカセットに収納されたウエハにより遮蔽されることにより隣接する２個の各ウエハの最低部位置を検出し、その位置を所定の記憶領域に記憶し、その記憶情報に基づき、ウエハ搬送のための前記アームの挿入位置をウエハの弧状に変形した量を考慮に含めて、上記２個の各ウエハの最下部の間の中間となるように制御する半導体ウエハの搬送装置が記載されている
　同じく、特開昭６３−１３１５３３号公報（以下「刊行物３」という。）には、発明の分野及び発明の目的として、「本発明は、基板カセット内に収納された基板が斜めに挿入されていることを検出する装置及び方法に関し、例えば、半導体製造装置のウエハ搬送部等に適用してウエハカセット内のウエハが斜めに挿入されていることを検出する装置および方法に関する。」（第１頁右下欄第５行〜第１１行）及び「本発明は、上述の従来形の問題点に鑑み、半導体製造装置のウエハ搬送部等に適応して、基板カセットにウエハ等の基板が斜めに挿入されていることを検出する斜め基板検出装置および方法を提供することを目的とする。また、これにより基板の破損等の事故を未然に防ぐことをも目的とする。」（第２頁右上欄第１６行〜左下欄第２行）と記載され、具体的構成に関して「第１図において、６はレーザ投光器１から照射されたレーザ光４を反射する鏡、７はレーザ光４を集光させるための凹面鏡、８はレーザ光４を検出するフォトディテクタである。第３図において、・・・・・。第４図において、１４はディテクタ８の出力であるウエハ検出信号である。１５はＤ／Ａ変換器１１の出力であるスライスレベル信号である。１６は２値化回路１２の出力であるウエハの２値化信号である。」（第２頁右下欄最下行〜第３頁右上欄第１行）および「次に、以上のレーザ投光器１の設置状態において、ウエハの斜め挿入を検出する方法を説明する。
　第３図および第４図において、レーザ投光器１は上下しながらレーザ光４を放射し、フォトディテクタ８はそのレーザ光４を検出する。そして、フォトディテクタ８はそのレーザ光４が入光している場合と、レーザ光４がウエハ３により遮光された場合とに応じ、レーザ強度信号としてアナログ信号１４を出力する。このアナログ信号１４はＡ／Ｄ変換器９により常時Ａ／Ｄ変換され、ＣＰＵ１０に入力する。ＣＰＵ１０はこの信号１４のピーク値を検出し、その値によりスレッショルドレベル値を算出し、Ｄ／Ａ変換器１１に出力する。Ｄ／Ａ変換器１１はこの値をＤ／Ａ変換し、スレッショルドレベル信号１５を２値化回路１２に送出する。２値化回路１２は、レーザ強度信号であるアナログ信号１４をスレッショルドレベル信号１５により２値化し、２値化信号１６をパルス幅・パルス間隔カウント回路１３に出力する。カウント回路１３は、第４図に示すウエハ幅ｌ１〜ｌ５およびウエハ間隔Ｌ１〜Ｌ４の間隔をカウントし、それらの値をＣＰＵ１０に出力する。ＣＰＵ１０はｌ１〜ｌ５の値を比較し、それらの中で基準値よりも大きく他の値よりも明らかに大きい異常値１ｎを見つける。第４図の場合、上から３番目のウエハ３’が斜めに挿入されている状態であり、ｌ３が異常値となっている。同様にしてパルス間隔Ｌ１〜Ｌ４も比較され、Ｌ２およびＬ３が異常値として検出される。これにより、ＣＰＵ１０は上から３枚目のウエハ３’が斜めに挿入されていることを検出する。ＣＰＵ１０はこの検出結果に基づき、ウエハ３’が斜めに挿入されていることをオペレータに喚起したり、斜めウエハ３’をスキップして処理を継続したり、ウエハ搬出機構を通常のウエハ引出し位置より下に挿入しゆっくりとウエハを引出す等の処理を行う。また、ウエハ搬出機構をウエハ３’の傾きに合わせて傾け、ウエハ３’を引出す等のリカバリー動作を行うこととしてもよい。」（第３頁右下欄第３行〜第４頁右上欄第１行）と記載されている。
　すなわち、刊行物３には、半導体製造装置のウエハ搬送部等に適応して、基板カセットにウエハ等の基板が斜めに挿入されていることを検出する斜め基板検出装置および方法についての発明が記載されており、具体的には、その第４図を参照すると明らかなように、光透過型センサの光路が基板カセットに収納されたウエハにより遮蔽されないことにより検出される非遮蔽幅であるウエハ間隔、及び前記光路の前記ウエハによる遮蔽幅であるウエハ厚みを上記センサの移動情報として、所定の記憶領域に記憶し、その記憶情報に基づき、ウエハ搬送のためのウエハ搬出機構の挿入位置をウェハーの傾斜量を考慮に含めて前記光透過型センサの光路の前記非遮蔽幅であるウェハ間隔の適当なところとすることにより、ウエハの破損等を未然に防ぐように制御する装置及び方法が記載されている。
　（２．２．３）訂正された請求項１記載の発明について
　訂正された請求項１記載の発明と上記刊行物１記載の発明とを比較すると、後者における「ウエハ」、「ウエハカセット」及び「ウエハカセットを上下動作することのできる駆動部」は、前者における「ウェハー」、「キャリア」及び「キャリアを上下動作することのできるエレベータ機構」に相当するので、両者は、半導体ウェハーを収納したキャリャを上下動作することのできるエレベータ機構部と、前記キャリヤに収納されたウェハーの有無を検出する光透過型センサを有するウェハー検出機構部と、前記キャリヤからウェハーを取り出すアーム機構部と、前記エレベータ機構部と前記センサとの相対位置を制御しながら、前記光透過型センサの光路が前記キャリアに収納されたウェハーにより遮蔽されるか遮蔽されないかによりウエハの位置を検出して、その位置情報を所定の記憶領域に記憶し、その記憶情報に基づき、ウエハー搬送のための前記アームの挿入位置をウェハーの中間となるように制御する半導体ウエハー搬送装置である点において一致し、以下の点において相違している。　▲１▼前者においては、エレベータ機構部を制御しながらセンサによりウエハの存在検知を行っているが、後者においては、センサを制御しながらウエハの存在検知を行っている点。
　▲２▼前者においては、光透過型センサの光路がキャリアに収納されたウェハーにより遮蔽されないことにより検出される非遮蔽幅であるウェハー間隔、及び前記光路の前記ウェハーによる遮蔽幅であるウェハー厚みをエレベータの移動情報とするのに対し、後者においては、各ウエハーの下端位置のみを各ウエハーの位置情報とする点。
　▲３▼前者においては、アームの挿入位置をウェハーの傾斜量を考慮に含めて前記光透過型センサの光路の非遮蔽幅であるウェハー間隔の丁度中間となるようにエレベータ機構部を制御するするのに対し、後者においては、ウェハーの弧状に変形した量を考慮に含めて、近隣の２個の各ウエハの最下部の中間となるようにアーム位置を制御する点。
　そこで、上記相違点について検討する。
　▲１▼の点について
　光透過型センサを動かすことによりウエハの存在を検知することと、ウエハを収納するキャリアを動かすことによりウエハの存在を検知することとはお互いに相対的なことであるので、光透過型センサを動かすことによりウエハの存在を検知することが知られていれば、ウエハを収納するキャリアを動かすことによりウエハの存在を検知することは、当業者が容易になし得たことと認められる。
　▲２▼の点について
　上記刊行物３には、半導体製造装置のウエハ搬送部等に適応して、基板カセットにウエハ等の基板が斜めに挿入されていることを検出する斜め基板検出装置において、透過型センサの光路がキャリアに収納されたウェハーにより遮蔽されないことにより検出される非遮蔽幅であるウェハー間隔、及び前記光路の前記ウェハーによる遮蔽幅であるウェハー厚みを検知することが知られており、上記刊行物１記載の発明も上記刊行物３記載の発明ともにウエハの搬送に関する発明であるので、上記刊行物３記載の上記方法を上記刊行物１記載の発明に応用することは当業者が容易になし得たことと認められる。
　▲３▼の点について
　上記刊行物１においては、ウエハの最低部を検出しているので、ウエハの厚みは考慮されていないが、上記刊行物３には、センサの光の遮蔽・非遮蔽によりウエハの存在・不存在が検出され、「これにより基板の破損等の事故を未然に防ぐことを目的とする。」と記載されているので、アームの挿入位置をウェハーの傾斜量を考慮に含めて前記光透過型センサの光路の非遮蔽幅であるウェハー間隔の丁度中間となるようにエレベータ機構部を制御して、ウエハの破損等を防ぐことは当業者が容易になし得たことと認められる。
　（２．２．４）訂正された請求項２記載の発明について
　請求項２記載の発明は、上記請求項１記載の装置の発明を単に方法で表現したに過ぎず、実質的には同一の発明であるので、上記（２）と同じ理由により訂正された請求項２記載の発明は、当業者が容易になし得たことと認められる。
　（２．２．５）この項のむすび
　したがって、訂正された請求項１及び２に記載された発明は、上記刊行物１及び３に記載された発明に基いて当業者が容易になし得たものであるので、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　よって、本件訂正は、平成６年法律第１１６号附則第６条第１項の規定により、該規定において従前の例とされる改正前の特許法第１２６条第３項に違反するので認めることができない。
３．特許異議の申立てについての判断
　（３．１）異議申立の理由の概要
　特許異議申立人木島睦也は、甲第１号証（上記刊行物１）、甲第２号証（特開昭６１−２４８８３９号公報）及び甲第３号証（上記刊行物３）を提出し、本件特許は上記甲第１号証乃至甲第２号証刊行物記載の発明に基づいて当業者が容易になし得たものであるので、取り消すべきものであると主張する。
　（３．２）本件発明
　本件発明は、以上のとおり訂正請求が認められないので、特許された明細書の特許請求の範囲請求項１及び２に記載された事項により特定された以下のとおりのものである（以下「本件第１発明」及び「本件第２発明」という。）。
「【請求項１】　半導体ウェハーを収納したキャリヤを上下動作することのできるエレベータ機構部と、前記キャリヤに収納されたウェハーの有無を検出する光透過型センサを有するウェハー検出機構部と、前記キャリヤからウェハーを取り出すアーム機構部と、前記エレベータ機構部を制御しながら、前記光透過型センサにより検出される前記キャリアに収納されたウェハーの間隔、及び該ウェハーの厚みをエレベータの移動情報として、所定の記憶領域に記憶し、その記憶情報に基づき、ウエハー搬送のための前記アームの挿入位置をウェハー間隔の丁度中間となるように前記エレベータ機構部を制御する制御部とを含む半導体ウェハー搬送装置。
　【請求項２】　半導体ウェハーを収納したキャリアの中のウェハーを光透型センサにより検出し、前記センサで検出されるウェハーの間隔と厚みを前記キャリアを移動させるエレベータの移動にともなって検出してウェハーの間隔と厚み情報として記憶し、その記憶情報に基づいてウェハー搬送のためのアームがウェハー間隔の丁度中間にくるよう前記エレベータを移動する半導体ウェハーの搬送方法。」
　（３．３）証拠に記載された発明
　上記甲第１号証及び甲第３号証は、上記刊行物１及び刊行物３であり、その内容は、上記（２．２．２）のとおりである。
　（３．４）対比及び判断
　上記訂正された発明と上記本件発明とは、例えば、本件発明において、単に「ウエハの間隔」とあるところを「ウエハにより遮蔽されないことにより検出される非遮蔽幅であるウエハ間隔」等と限定した点で異なるのみであり、上記本件第１発明及び本件第２発明と上記甲第１号証及び甲第３号証記載の発明との対比判断は、上記（２．２．３）及び（２．２．４）のとおりである。
　（３．　５）この項のむすび
　したがって、本件第１発明及び第２発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
６．むすび
　以上のとおりであるので、本件特許明細書の請求項１及び２に係る特許は、拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してなされたものであるので、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の一部の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第１項及び第２項の規定により取り消すべきものである。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１１年６月２３日（１９９９．６．２３）