【事件の表示】
　特許第２８１８１５９号　「液晶表示装置」の請求項に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第２８１８１５９号の特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　本件特許第2818159号の特許請求の範囲の請求項1〜8に係る発明（以下、「本件発明1」〜「本件発明8」という。）は、平成8年1月25日出願の特願平8-11186号（特開平9-15650号公報）を平成9年6月13日に分割して出願（特願平9-156746号）され、平成10年8月21日に設定登録され、その後、特許異議の申立がなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成11年9月3日に訂正請求がなされ、訂正拒絶理由通知がなされ、その指定期間内である平成11年12月28日に訂正請求に対して補正がなされたものである。
２．訂正の適否について
　ア．訂正請求に対する補正の適否について
　特許権者は、訂正明細書の特許請求の範囲を減縮する補正をするものであり、当該訂正請求に対する補正は、訂正請求書の要旨を変更するものでなく、特許法第120条の4第3項において準用する同法第131条第2項の規定に適合する。
　イ．訂正内容について
　訂正事項1
　特許請求の範囲の請求項1中の
「液晶分子が捻れ回転可能な液晶組成物層と、前記液晶組成物層を挟持させる第1の基板と第2の基板と、前記第1の基板面と前記液晶組成物層の面との間にマトリックス状に形成された複数の画素と、前記画素ごとに形成されたスイッチング素子と、前記第1の基板面と前記液晶組成物層の面との間に形成された映像信号線と、前記映像信号線をはさんで隣り合うそれぞれの画素に、前記映像信号線と前記スイッチング素子とを介して選択された映像信号が印加される少なくとも一つの画素電極と、対向電圧が印加される少なくとも二つ以上の対向電極とが備えられ、前記画素電極と前記対向電極の間に発生される前記第1の基板面と平行な成分を含む電界によって液晶分子の捻れ量を制御する液晶表示装置であって、
　前記それぞれの画素の対向電極のうち二つは、前記映像信号線の両脇に位置づけられ、該対向電極の短手方向の電極幅が前記映像信号線の短手方向の幅の1/2以上に設定されていることを特徴とする液晶表示装置。」とあるのを、
「液晶分子が捻れ回転可能な液晶組成物層と、前記液晶組成物層を挟持させる第1の基板と第2の基板と、前記第1の基板面と前記液晶組成物層の面との間にマトリックス状に形成された複数の画素と、前記画素ごとに形成されたスイッチング素子と、前記第1の基板面と前記液晶組成物層の面との間に形成された映像信号線と、前記映像信号線をはさんで隣り合うそれぞれの画素に、前記映像信号線と前記スイッチング素子とを介して選択された映像信号線が印加される少なくとも一つの画素電極と、対向電圧が印加される少なくとも二つ以上で、かつ前記画素電極より一つ多い対向電極とが備えられ、前記画素電極と前記対向電極の間に発生される前記第1の基板面と平行な成分を含む電界によって液晶分子の捻れ量を制御する液晶表示装置であって、
　前記画素電極と対向電極の電極幅はそれぞれ、前記液晶組成物層の厚みよりも大きく設定されているとともに、
　前記それぞれの画素の対向電極のうち二つは、前記映像信号線の両脇に位置づけられ、該対向電極の短手方向の電極幅が前記映像信号線の短手方向の幅の1/2以上に設定されていることを特徴とする液晶表示装置。」に訂正する。
　訂正事項2
　発明の詳細な説明【0012】中の
「手段1.　液晶分子が捻れ回転可能な液晶組成物層と、前記液晶組成物層を挟持させる第1の基板と第2の基板と、前記第1の基板面と前記液晶組成物層の面との間にマトリックス状に形成された複数の画素と、前記画素ごとに形成されたスイッチング素子と、前記第1の基板面と前記液晶組成物層の面との間に形成された映像信号線と、前記映像信号線をはさんで隣り合うそれぞれの画素に、前記映像信号線と前記スイッチング素子とを介して選択された映像信号が印加される少なくとも一つの画素電極と、対向電圧が印加される少なくとも二つ以上の対向電極とが備えられ、前記画素電極と前記対向電極の間に発生される前記第1の基板面と平行な成分を含む電界によって液晶分子の捻れ量を制御する液晶表示装置であって、
　前記それぞれの画素の対向電極のうち二つは、前記映像信号線の両脇に位置づけられ、該対向電極の短手方向の電極幅が前記映像信号線の短手方向の幅の1/2以上に設定されていることを特徴とするものである。」を、
「手段1.　液晶分子が捻れ回転可能な液晶組成物層と、前記液晶組成物層を挟持させる第1の基板と第2の基板と.前記第1の基板面と前記液晶組成物層の面との間にマトリックス状に形成された複数の画素と、前記画素ごとに形成されたスイッチング素子と、前記第1の基板面と前記液晶組成物層の面との間に形成された映像信号線と、前記映像信号線をはさんで隣り合うそれぞれの画素に、前記映像信号線と前記スイッチング素子とを介して選択された映像信号線が印加される少なくとも一つの画素電極と、対向電圧が印加される少なくとも二つ以上で、かつ前記画素電極より一つ多い対向電極とが備えられ、前記画素電極と前記対向電極の間に発生される前記第1の基板面と平行な成分を含む電界によって液晶分子の捻れ量を制御する液晶表示装置であって、
　前記画素電極と対向電極の電極幅はそれぞれ、前記液晶組成物層の厚みよりも大きく設定されているとともに、
　前記それぞれの画素の対向電極のうち二つは、前記映像信号線の両脇に位置づけられ、該対向電極の短手方向の電極幅が前記映像信号線の短手方向の幅の1/2以上に設定されていることを特徴とするものである。」に訂正する。
　イ．訂正の目的の適否、新規事項の有無及び特許請求の範囲の実質的な変更・拡大の存否
　上記訂正は、出願時の明細書の【0026】中の「1画素内の対向電極CTの本数Ｏ(櫛歯の本数)は、画素電極PXの本数(櫛歯の本数)ＰとＯ=Ｐ+１の関係を必ず持つように構成する」の記載及び同じく【0027】中の「画素電極PXと対向電極CTの電極幅Wp、Wcはそれぞれ6μｍとし、後述の液晶層の最大設定厚みを超える4.5μｍよりも十分大きく設定する。」の記載から、直接的かつ一義的に導きだされるものである。
　したがって、上記訂正は、特許請求の範囲の減縮及び明りょうでない記載の釈明に該当し、新規事項の追加に該当せず、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものでない。
　ウ．独立特許要件について
　（訂正発明）
　訂正後の本件特許第2818159号の特許請求の範囲の請求項1〜8に係る発明（以下、訂正発明1〜8という。）は次のとおりのものである。
「【請求項1】　液晶分子が捻れ回転可能な液晶組成物層と、前記液晶組成物層を挟持させる第1の基板と第2の基板と、前記第1の基板面と前記液晶組成物層の面との間にマトリックス状に形成された複数の画素と、前記画素ごとに形成されたスイッチング素子と、前記第1の基板面と前記液晶組成物層の面との間に形成された映像信号線と、前記映像信号線をはさんで隣り合うそれぞれの画素に、前記映像信号線と前記スイッチング素子とを介して選択された映像信号線が印加される少なくとも一つの画素電極と、対向電圧が印加される少なくとも二つ以上で、かつ前記画素電極より一つ多い対向電極とが備えられ、前記画素電極と前記対向電極の間に発生される前記第1の基板面と平行な成分を含む電界によって液晶分子の捻れ量を制御する液晶表示装置であって、
　前記画素電極と対向電極の電極幅はそれぞれ、前記液晶組成物層の厚みよりも大きく設定されているとともに、
　前記それぞれの画素の対向電極のうち二つは、前記映像信号線の両脇に位置づけられ、該対向電極の短手方向の電極幅が前記映像信号線の短手方向の幅のL/2以上に設定されていることを特徴とする液晶表示装置。
　【請求項2】　前記画素電極と前記対向電極は、それらの間に少なくとも一つの絶縁膜を介した異なる層によって形成されていることを特徴とする請求項1記載の液晶表示装置。
　【請求項3】　前記少なくとも一つの絶縁膜を介して、前記画素電極と前記対向電極の間に蓄積容量が形成されていることを特徴とする請求項2記載の液晶表示装置。
　【請求項4】　前記対向電極は陽極化成できる金属から構成され、この金属の自己陽極化成膜が対向電極上を被覆していることを特徴とする請求項1から3のうちいずれかに記載の液晶表示装置。
　【請求項5】　前記対向電極には交流電圧が印加されることを特徴とする請求項1から4のうちいずれかに記載の液晶表示装置。
　【請求項6】　前記スイッチング素子は、走査信号線からの走査信号によってオンされるとともに、このオンされたスイッチング素子を介して映像信号線からの映像信号が画素電極に印加されることを特徴とする請求項１から５のうちいずれかに記載の液晶表示装置。
　【請求項7】走査信号線はその表面が陽極化成された金属層で形成されていることを特徴とする請求項6記載の液晶表示装置。
　【請求項8】スイッチング素子は薄膜トランジスタによって構成されていることを特徴とする請求項6記載の液晶表示装置。」
　（引用刊行物）
　刊行物１(Development of Super-TFT-LCDs with in-Plane Switching Display Mode”,M.Ohta,M.Oh-e,K.Kondo,Proceedings of the fifteenth International Display Research Conference(Asia Display '95,),pp707-710,1995)には、そのp707の右欄最下行乃至p708の左欄第21行に、
「Super-TFT-LCDでは、第1図(b)に示されるように、ドレイン電極を延長することによって、画素電極をソース電極及びドレイン電極と同じ金属層において形成する。他の金属層やスルーホールと接触することなくドレイン電極と接続が可能であるので、画素電極にとってこの層は最適である。一方、…Super-TFT-LCDではゲート層は対向層にとって最適である。…画素電極が形成されたのと同じ基板上に対向電極が形成されるべきである。…層の全数を減らすため、共通電極がソース/ドレイン/画素層、あるいはゲート層に形成されるべきである。…従来のTFT-LCDの蓄積容量のデザインコンセプトに基づいて、ソース/ドレイン層中の画素電極と、ゲート層中の対向電極との間に自動的に形成される容量は、補助容量として最も扱いやすい。」と記載されている。
　そしてp709のFigure 1は従来のTFT-LCDとSuper-TFT-LCDとを比較して示しており、Figure 1(b)にSuper-TFT-LCDの構成が断面図で示されている。
　また、p709のFigure 2には、2つのタイプのSuper-TFT-LCDの構造が平面図で示されており、Figure 2(a)(b)に示された構成はそれぞれSuper-TFT-LCDの-画素分であることが、その表題から解る。
　また、p708左欄第28行乃至第29行において、
「パターンBでは対向電極がソースバスラインに隣り合う」と記載されており、この「パターンB」はFigure 2(b)に示された「配置B」を指していると考えられる。
　そしてp708左欄第35行乃至第39行には「対向電極がソースバスラインに隣り合っている配置Bの場合には、ソースバスラインからの電界は対向電極によってシールドされ、画素電極と対向電極との間の電界はソースバスライン電位の変動の影響を受けない。」と記載されている。
　刊行物２(特公昭63-21907号公報)には、その第7図及び第6欄第14行乃至第24行において、液晶表示要素に効果的に電圧を印加するために同一基板上に形成された基準電極Z及び表示用電極Aijとが、くし歯状に組み合って設けられた態様が示されている。
　刊行物３(特開平7-36058号公報)には、その第4欄第39行乃至第43行に、
「TFTのゲート電極10に電圧を印加してTFTをオンとするとソース電極15に電圧が印加し、ソース電極15-コモン電極16間に電界E1を誘起させると、図3および図4に示すように電界方向に液晶分子が向きを変える。」と記載されており、
　その第8欄第35行乃至第38行に、
「ゲート電極10およびコモン電極16はアルミニウム(A1)で構成され、その表面はAlの自己酸化膜であるアルミナ(Al2O3)21によって被覆されている点に特徴がある。
　このような２層絶縁膜構造を採用することによりコモン電極16とドレイン、ソース電極との絶縁不良が低減できるので画素欠陥を低減できる。」と記載されている。
　（対比・判断）
　訂正発明1〜8の「画素電極と対向電極の電極幅はそれぞれ、前記液晶組成物層の厚みよりも大きく設定する」ことは、刊行物1〜3の何れにも記載も示唆もされておらず、また、当業者に周知又は自明の事項でもない。
　そして訂正発明1〜8は「前記画素電極と対向電極の電極幅はそれぞれ、前記液晶組成物層の厚みよりも大きく設定する」ことにより、「液晶層に印加される基板面に平行な電界成分が基板面に垂直な方向の電界成分よりも大きくなり、液晶を駆動する電圧の上昇を抑制することができる」という明細書に記載の作用効果を呈するものである。
　したがって、訂正発明1〜8は、刊行物1〜3に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明することができたものとすることができず、特許法第29条第2項の規定により特許を受けることができないものとすることができないから、出願の際独立して特許を受けることができるものである。
　エ．むすび
　以上のとおり、上記訂正は、特許法第120条の4第3項で準用する同法第126条第2項〜第4項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
３．特許異議申立について
　ア．本件発明
　本件請求項1〜8に係る発明（以下、本件発明1〜8という。）は、訂正後の特許明細書の特許請求の範囲の請求項1〜8（上記”２．ウ．独立特許要件（訂正発明）”を参照。）に記載されたとおりのものである。
　イ．特許異議申立の理由の概要
　特許異議申立人 株式会社アドバンスト・ディスプレイは、証拠として甲第1〜3号証（上記”２．ウ．独立特許要件（引用刊行物）”に記載の刊行物1〜3を参照。）を提出し、本件発明1〜8は特許法第29条第1項に該当し、又は、同法第29条第2項、同法第36条第4項もしくは同法同条第6項の規定に違反して特許されたものであるから、その特許は取り消されるべき旨主張している。
　ウ．特許異議申立の証拠について
　上記”２．ウ．独立特許要件（引用刊行物）”に記載の刊行物1〜3を参照。
　エ．対比・判断
　(1)特許法第29条第1項第3号に該当、又は同法同条第2項の規定違反について
　”２．ウ．独立特許要件（対比・判断）”を参照。
　(2)特許法第36条の規定違反について
　ａ．特許法第36条第6項1号の違反について
　本件発明1には、「映像信号線をはさんで隣り合うそれぞれの画素に、前記映像信号線と前記スイッチング素子とを介して選択された映像信号線が印加される少なくとも一つの画素電極と、対向電圧が印加される少なくとも二つ以上で、かつ前記画素電極より一つ多い対向電極とが備えられ」と記載されているから、本件発明1が”1画素内の対向電極CTの本数Ｏと画素電極PXの本数Ｐとの関係がＯ＝Ｐ＋１の関係”を構成要件とすることは明らかである。
　したがって、本件発明1が特許法第36条第1号の規定に違反して特許されたものとすることができない。
　ｂ．特許法第36条第6項第2号の規定違反について
　対向電極の長さが映像信号線のそれよりも短い場合でも、本件発明1が作用効果を呈することは、明細書及び図面の記載からして明らかである。
　したがって、本件発明1が特許法第36条第6項第2号の規定に違反して特許されたものとすることができない。
　ｃ．特許法第36条第4項の規定違反について
　画素電極PXと対向電極CTとに電気力線が発生するときは、対向電極CTと映像信号線DLとに電気力線は発生しないから、液晶分子の捻れ量を制御することができるものである。
　したがって、本件発明1が特許法第36条第4項の規定に違反して特許されたものとすることができない。
　オ．むすび
　以上のとおり、特許異議申立の理由及び証拠によっては、本件請求項1〜8に係る発明の特許を取り消すことができない。
　また、他に本件請求項1〜8に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年１月２８日（２０００．１．２８）
【訂正の要旨】
　　訂正事項
　▲１▼特許請求の範囲の請求項１中の「液晶分子が捻れ回転可能な液晶組成物層と、前記液晶組成物層を挟持させる第１の基板と第２の基板と、前記第１の基板面と前記液晶組成物層の面との間にマトリックス状に形成された複数の画素と、前記画素ごとに形成されたスイッチング素子と、前記第１の基板面と前記液晶組成物層の面との間に形成された映像信号線と、前記映像信号線をはさんで隣り合うそれぞれの画素に、前記映像信号線と前記スイッチング素子とを介して選択された映像信号が印加される少なくとも一つの画素電極と、対向電圧が印加される少なくとも二つ以上の対向電極とが備えられ、前記画素電極と前記対向電極の間に発生される前記第工の基板面と平行な成分を含む電界によって液晶分子の捻れ量を制御する液晶表示装置であって、
　前記それぞれの画素の対向電極のうち二つは、前記映像信号線の両脇に位置づけられ、該対向電極の短手方向の電極幅が前記映像信号線の短手方向の幅の１／２以上に設定されていることを特徴とする液晶表示装置。」とあるのを、特許請求の範囲の減縮を目的として、「液晶分子が捻れ回転可能な液晶組成物層と一前記液晶組成物層を挟持させる第１の基板と第２の基板と、前記第１の基板面と前記液晶組成物層の面との間にマトリックス状に形成された複数の画素と、前記画素ごとに形成されたスイッチング素子と、前記第１の基板面と前記液晶組成物層の面との間に形成された映像信号線と、前記映像信号線をはさんで隣り合うそれぞれの画素に、前記映像信号線と前記スイッチング素子とを介して選択された映像信号が印加される少なくとも一つの画素電極と一対向電圧が印加される少なくとも二つ以上で、かつ前記画素電極より一つ多い対向電極とが備えられ、
　前記画素電極と前記対向電極の間に発生される前記第１の基板面と平行な成分を含む電界によって液晶分子の捻れ量を制御する液晶表示装置であって、
　
前記画素電極と対向電極の電極幅はそれぞれ、前記液晶組成物層の厚みよりも大きく設定されているとともに、
　前記それぞれの画素の対向電極のうち二つは、前記映像信号線の両脇に位置づけられ、該対向電極の短手方向の電極幅が前記映像信号線の短手方向の幅の１／２以上に設定されていることを特徴とする液晶表示装置。」に訂正します。
　▲２▼発明の詳細な説明【００１２】中の「手段１．液晶分子が捻れ回転可能な液晶組成物層と、前記液晶組成物層を挟持させる第１の基板と第２の基板と、前記第１の基板面と前記液晶組成物層の面との間にマトリックス状に形成された複数の画素と、前記画素ごとに形成されたスイッチング素子と、前記第１の基板面と前記液晶組成物層の面との間に形成された映像信号線と、前記映像信号線をはさんで隣り合うそれぞれの画素に、前記映像信号線と前記スイッチング素子とを介して選択された映像信号が印加される少なくとも一つの画素電極と、対向電圧が印加される少なくとも二つ以上の対向電極とが備えられ、前記画素電極と前記対向電極の間に発生される前記第１の基板面と平行な成分を含む電界によって液晶分子の捻れ量を制御する液晶表示装置であって、
　前記それぞれの画素の対向電極のうち二つは、前記映像信号線の両脇に位置づけられ、該対向電極の短手方向の電極幅が前記映像信号線の短手方向の幅の１／２以上に設定されていることを特徴とするものである。」を、明瞭でない記載の釈明を目的として、「手段１．液晶分子が捻れ回転可能な液晶組成物層と、前記液晶組成物層を挟持させる第１の基板と第２の基板と、前記第１の基板面と前記液晶組成物層の面との間にマトリックス状に形成された複数の画素と、前記画素ごとに形成されたスイッチング素子と、前記第１の基板面と前記液晶組成物層の面との間に形成された映像信号線と、前記映像信号線をはさんで隣り合うそれぞれの画素に、前記映像信号線と前記スイッチング素子とを介して選択された映像信号が印加される少なくとも一つの画素電極と、対向電圧が印加される少なくとも二つ以上で、かつ前記画素電極より一つ多い対向電極とが備えられ、
　前記画素電極と前記対向電極の間に発生される前記第１の基板面と平行な成分を含む電界によって液晶分子の捻れ量を制御する液晶表示装置であって、
　
前記画素電極と対向電極の電極幅はそれぞれ前記液晶組成物層の厚みよりも大きく設定されているとともに、
　前記それぞれの画素の対向電極のうち二つは、前記映像信号線の両脇に位置づけられ、該対向電極の短手方向の電極幅が前記映像信号線の短手方向の幅の１／２以上に設定されていることを特徴とするものである。」に訂正します。
（５４）【発明の名称】
液晶表示装置
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　液晶分子が捻れ回転可能な液晶組成物層と、前記液晶組成物層を挟持させる第１の基板と第２の基板と、前記第１の基板面と前記液晶組成物層の面との間にマトリックス状に形成された複数の画素と、前記画素ごとに形成されたスイッチング素子と、前記第１の基板面と前記液晶組成物層の面との間に形成された映像信号線と、前記映像信号線をはさんで隣り合うそれぞれの画素に、前記映像信号線と前記スイッチング素子とを介して選択された映像信号線が印加される少なくとも一つの画素電極と、対向電圧が印加される少なくとも二つ以上で、かつ前記画素電極より一つ多い対向電極とが備えられ、前記画素電極と前記対向電極の間に発生される前記第１の基板面と平行な成分を含む電界によって液晶分子の捻れ量を制御する液晶表示装置であって、
　
前記画素電極と対向電極の電極幅はそれぞれ、前記液晶組成物層の厚みよりも大きく設定されているとともに、
　前記それぞれの画素の対向電極のうち二つは、前記映像信号線の両脇に位置づけられ、該対向電極の短手方向の電極幅が前記映像信号線の短手方向の幅の１／２以上に設定されていることを特徴とする液晶表示装置。
　【請求項２】　前記画素電極と前記対向電極は、それらの間に少なくとも一つの絶縁膜を介した異なる層によって形成されていることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
　【請求項３】　前記少なくとも一つの絶縁膜を介して、前記画素電極と前記対向電極の間に蓄積容量が形成されていることを特徴とする請求項２記載の液晶表示装置。
　【請求項４】　前記対向電極は陽極化成できる金属から構成され、この金属の自己陽極化成膜が対向電極上を被覆していることを特徴とする請求項１から３のうちいずれかに記載の液晶表示装置。
　【請求項５】　前記対向電極には交流電圧が印加されることを特徴とする請求項１から４のうちいずれかに記載の液晶表示装置。
　【請求項６】　前記スイッチング素子は、走査信号線からの走査信号によってオンされるとともに、このオンされたスイッチング素子を介して映像信号線からの映像信号が画素電極に印加されることを特徴とする請求項１から５のうちいずれかに記載の液晶表示装置。
　【請求項７】　走査信号線はその表面が陽極化成された金属層で形成されていることを特徴とする請求項６記載の液晶表示装置。
　【請求項８】　スイッチング素子は薄膜トランジスタによって構成されていることを特徴とする請求項６記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】
　本発明は、液晶表示装置に係り、特に、薄膜トランジスタ等を使用したアクティブ・マトリクス方式の液晶表示装置に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）に代表されるアクティブ素子を用いたアクティブ・マトリクス型液晶表示装置は薄い、軽量という特徴とブラウン管に匹敵する高画質という点から、ＯＡ機器等の表示端末として広く普及し始めている。
　【０００３】
　この液晶表示装置の表示方式には、大別して、次の２通りがある。１つは、透明電極が構成された２つの基板により液晶を挾み込み、透明電極に印加された電圧で動作させ、透明電極を透過し液晶に入射した光を変調して表示する方式であり、現在、普及している製品が全てこの方式を採用している。また、もう１つは、同一基板上に構成した２つの電極の間の基板面にほぼ平行な電界により液晶を動作させ、２つの電極の隙間から液晶に入射した光を変調して表示する方式であり、この方式を用いた製品はないが、視野角が著しく広いという特徴を持ち、アクティブ・マトリクス型液晶表示装置に関して有望な技術である。
　【０００４】
　後者の方式の特徴に関しては、たとえば、特許出願公表平５−５０５２４７あるいは特公昭６３−２１９０７、特開平６−１６０８７８等の文献に記載されている。
　【０００５】
　【発明が解決しようとする課題】
　しかしながら、このように構成された横電界方式の液晶表示装置は、映像信号線が形成された一方の基板側に画素電極と対向電極とが形成された構成となっている。
　【０００６】
　このため、映像信号線から発生する映像信号に対応する電界が該映像信号線に比較的近い位置に位置づけられている画素電極に終端してしまうことになり、画素の表示に対するノイズとして悪影響を及ぼすことになる。
　【０００７】
　それ故、他の行の映像情報も表示に影響を及ぼすクロストーク（特に画面の上下方向）が発生し、いわゆる縦スミアと称される筋状の映像が現れてしまうという問題があった。
　【０００８】
　ちなみに、縦電界方式の場合は、映像信号線からの電界が、この映像信号線を形成している基板と対向する基板のほぼ全面に形成された対向電極によって吸収され、映像信号線からの電界が電極間の電界に影響を与えることはなかった。
　【０００９】
　【００１０】
　本発明は、このような事情に基づいてなされたものであり、その目的は、画素電極の映像信号線からの電界による悪影響を回避し、表示の良質化を図った液晶表示装置を提供することにある。
　【００１１】
　【課題を解決するための手段】
　本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
　【００１２】
　手段１．
　液晶分子が捻れ回転可能な液晶組成物層と、前記液晶組成物層を挟持させる第１の基板と第２の基板と、前記第１の基板面と前記液晶組成物層の面との間にマトリックス状に形成された複数の画素と、前記画素ごとに形成されたスイッチング素子と、前記第１の基板面と前記液晶組成物層の面との間に形成された映像信号線と、前記映像信号線をはさんで隣り合うそれぞれの画素に、前記映像信号線と前記スイッチング素子とを介して選択された映像信号線が印加される少なくとも一つの画素電極と、対向電圧が印加される少なくとも二つ以上で、かつ前記画素電極より一つ多い対向電極とが備えられ、前記画素電極と前記対向電極の間に発生される前記第１の基板面と平行な成分を含む電界によって液晶分子の捻れ量を制御する液晶表示装置であって、
　
前記画素電極と対向電極の電極幅はそれぞれ、前記液晶組成物層の厚みよりも大きく設定されているとともに、
　前記それぞれの画素の対向電極のうち二つは、前記映像信号線の両脇に位置づけられ、該対向電極の短手方向の電極幅が前記映像信号線の短手方向の幅の１／２以上に設定されていることを特徴とするものである。
　【００１３】
　手段２．
　手段１において、前記画素電極と前記対向電極は、それらの間に少なくとも一つの絶縁膜を介した異なる層によって形成されていることを特徴とするものである。
　【００１４】
　手段３．
　手段２において、前記少なくとも一つの絶縁膜を介して、前記画素電極と前記対向電極の間に蓄積容量が形成されていることを特徴とするものである。
　【００１５】
　手段４．
　手段１から手段３のいずれかにおいて、前記対向電極は陽極化成できる金属から構成され、この金属の自己陽極化成膜が対向電極上を被覆していることを特徴とするものである。
　【００１６】
　手段１に示した構成は、隣り合うそれぞれの画素がそれらの間に配置される映像信号線からの該画素を駆動する映像信号以外の映像信号の影響を受け易くなり、特に、各画素の画素電極に該映像信号に対応する電界が終端する場合には、各画素の表示に対するノイズとして悪影響を及ぼすことになる。この場合、各画素の対向電極は、その性質上、画素電極に対する基準電極として機能させることから、一定電圧を印加させるようになっており、たとえ前記映像信号線から発生する映像信号に対応する電界が終端しても、表示に悪影響を及ぼすことはない。このことに鑑み、まず、各画素の前記対向電極を、前記映像信号線の両脇に位置づけさせることによって、映像信号線から発生する電界を該対向電極に終端（吸収）させるようにしたものである。これによって画素電極に対する映像信号線からの電界の影響を減少させることができるようになる。そして、さらに、該対向電極の短手方向の電極幅を映像信号線の短手方向の幅の１／２以上に設定することにより、該映像信号線からその左右に位置づけられる画素側に分岐されて発生する電界の全てを、各画素の前記対向電極に終端（吸収）させるようになっている。このことから、画素電極は、映像信号線からの電界の影響を全く受けることがなくなり、良好な画素表示を達成できるようになる。
　【００１７】
　手段２に示した構成によれば、画素電極と対向電極は、それらの間に少なくとも一つの絶縁膜を介した異なる層によって形成されていることから、それらを近接させて形成させても電気的な短絡を防止できるようになる。
　【００１８】
　手段３に示した構成によれば、少なくとも一つの絶縁膜を介して画素電極と対向電極との重畳領域を形成することによって、容易に蓄積容量を形成することができるようになる。
　【００１９】
　手段４に示した構成によれば、対向電極を映像信号線に限りなく近づけ、また、交差させても短絡の発生を防止できるようになる。このため、開口率を向上させることができる。
　【００２０】
　【発明の実施の形態】
　本発明の更に他の目的及び本発明の更に他の特徴は図面を参照した以下の説明から明らかとなるであろう。
　【００２１】
《アクティブ・マトリクス液晶表示装置》
　以下、アクティブ・マトリクス方式のカラー液晶表示装置に本発明を適用した実施例を説明する。なお、以下説明する図面で、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
　【００２２】
《マトリクス部（画素部）の平面構成》
　図１は本発明のアクティブ・マトリクス方式カラー液晶表示装置の一画素とその周辺を示す平面図である。
　【００２３】
　図１に示すように、各画素は走査信号線（ゲート信号線または水平信号線）ＧＬと、対向電圧信号線（対向電極配線）ＣＬと、隣接する２本の映像信号線（ドレイン信号線または垂直信号線）ＤＬとの交差領域内（４本の信号線で囲まれた領域内）に配置されている。各画素は薄膜トランジスタＴＦＴ、蓄積容量Ｃｓｔｇ、画素電極ＰＸおよび対向電極ＣＴを含む。走査信号線ＧＬ、対向電圧信号線ＣＬは図では左右方向に延在し、上下方向に複数本配置されている。映像信号線ＤＬは上下方向に延在し、左右方向に複数本配置されている。画素電極ＰＸは薄膜トランジスタＴＦＴと接続され、対向電極ＣＴは対向電圧信号線ＣＬと一体になっている。
　【００２４】
　映像信号線ＤＬに沿って上下に隣接する２画素では、図１Ａ線で折曲げたとき、平面構成が重なり合う構成となっている。これは、対向電圧信号線ＣＬを映像信号線ＤＬに沿って上下に隣接する２画素で共通化し、対向電圧信号線ＣＬの電極幅を拡大することにより、対向電圧信号線ＣＬの抵抗を低減するためである。これにより、外部回路から左右方向の各画素の対向電極ＣＴへ対向電圧を十分に供給するためことが容易になる。
　【００２５】
　画素電極ＰＸと対向電極ＣＴは互いに対向し、各画素電極ＰＸと対向電極ＣＴとの間の電界により液晶ＬＣの光学的な状態を制御し、表示を制御する。画素電極ＰＸと対向電極ＣＴは櫛歯状に構成され、それぞれ、図の上下方向に長細い電極となっている。
　【００２６】
　１画素内の対向電極ＣＴの本数Ｏ（櫛歯の本数）は、画素電極ＰＸの本数（櫛歯の本数）ＰとＯ＝Ｐ＋１の関係を必ず持つように構成する（本実施例では、Ｏ＝３、Ｐ＝２）。これは、対向電極ＣＴと画素電極ＰＸを交互に配置し、かつ、対向電極ＣＴを映像信号線ＤＬに必ず隣接させるためである。これにより、対向電極ＣＴと画素電極ＰＸの間の電界が、映像信号線ＤＬから発生する電界から影響を受けないように、対向電極ＣＴで映像信号線ＤＬからの電気力線をシールドすることができる。対向電極ＣＴは、後述の対向電圧信号線ＣＬにより常に外部から電位を供給されているため、電位は安定している。そのため、映像信号線Ｄしに隣接しても、電位の変動がほとんどない。また、これにより、画素電極ＰＸの映像信号線ＤＬからの幾何学的な位置が遠くなるので、画素電極ＰＸと映像信号線ＤＬの間の寄生容量が大幅に減少し、画素電極電位Ｖｓの映像信号電圧による変動も抑制できる。これらにより、上下方向に発生するクロストーク（縦スミアと呼ばれる画質不良）を抑制することができる。
　【００２７】
　画素電極ＰＸと対向電極ＣＴの電極幅Ｗｐ、Ｗｃはそれぞれ６μｍとし、後述の液晶層の最大設定厚みを超える４．５μｍよりも十分大きく設定する。製造上の加工ばらつきを考慮すると２０％以上のマージンを持ったほうが好ましいので、望ましくは５．４μｍよりも十分大きくしたほうが良い。これにより、液晶層に印加される基板面に平行な電界成分が基板面に垂直な方向の電界成分よりも大きくなり、液晶を駆動する電圧の上昇を抑制することができる。また、各電極の電極幅Ｗｐ、Ｗｃの最大値は、画素電極ＰＸと対向電極ＣＴの間の間隔Ｌよりも小さい事が好ましい。これは、電極の間隔が値が大きすぎると電気力線の湾曲が激しくなり、基板面に平行な電界成分よりも基板面に垂直な電界成分の方が大きい領域が増大するため、基板面に平行な電界成分を効率よく液晶層に印加できないからである。したがって、画素電極ＰＸと対向電極ＣＴの間の間隔Ｌはマージンを２０％とると７．２μｍより大きい事が必要である。本実施例では、対角１０．４インチ６４０×４８０ドットの解像度で構成したので、画素ピッチは１１０μｍであり、画素を４分割とすることにより、間隔Ｌ＞７．２μｍを実現した。（画素を８分割以下にすることにより、間隔Ｌ＞７．２μｍを満足できる。一方、１０分割以上の時、間隔Ｌは７μｍ以下となり、条件を満足しない。）また、映像信号線ＤＬの電極幅は断線を防止するために、画素電極ＰＸと対向電極ＣＴに比較して若干広く８μｍとし、映像信号線ＤＬと対向電極ＣＴとの間隔は短絡を防止するために１μｍの間隔を開けた。ここで、映像信号線ＤＬの電極幅が、隣接する対向電極ＣＴの電極幅の２倍以下になるように設定する。または、映像信号線ＤＬの電極幅が歩留りの生産性から決まっている場合には、映像信号線ＤＬに隣接する対向電極ＣＴの電極幅を映像信号線ＤＬの電極幅の１／２以上にする。これは、映像信号線ＤＬから発生する電気力線をそれぞれ両脇の対向電極ＣＴで吸収するためであり、ある電極幅から発生する電気力線を吸収するには、それと同一幅以上の電極幅を持つ電極が必要である。したがって、映像信号線ＤＬの電極の半分（４μｍずつ）から発生する電気力線をそれぞれ両脇の対向電極ＣＴが吸収すればよいため、映像信号線ＤＬに隣接する対向電極ＣＴの電極幅が１／２以上とする。これにより、映像信号の影響によるクロストーク、（特に上下方向（縦方向）のクロストーク）を防止する。
　【００２８】
　走査信号線ＧＬは末端側の画素（後述の走査電極端子ＧＴＭの反対側）のゲート電極ＧＴに十分に走査電圧が印加するだけの抵抗値を満足するように電極幅を設定する。また、対向電圧信号線ＣＬも末端側の画素（後述の共通バスラインＣＢの反対側）の対向電極ＣＴに十分に対向電圧が印加できるだけの抵抗値を満足するように電極幅を設定する。
　【００２９】
　一方、画素電極ＰＸと対向電極ＣＴの間の電極間隔は、用いる液晶材料によって変える。これは、液晶材料によって最大透過率を達成する電界強度が異なるため、電極間隔を液晶材料に応じて設定し、用いる映像信号駆動回路（信号側ドライバ）の耐圧で設定される信号電圧の最大振幅の範囲で、最大透過率が得られるようにするためである。後述の液晶材料を用いると電極間隔は、１６μｍとなる。
　【００３０】
《マトリクス部（画素部）の断面構成》
　図２は図１の３−３切断線における断面を示す図、図３は図１の４−４切断線における薄膜トランジスタＴＦＴの断面図、図４は図１の５−５切断線における蓄積容量Ｃｓｔｇの断面を示す図である。図２〜図４に示すように、液晶層ＬＣを基準にして下部透明ガラス基板ＳＵＢ１側には薄膜トランジスタＴＦＴ、蓄積容量Ｃｓｔｇおよび電極群が形成され、上部透明ガラス基板ＳＵＢ２側にはカラーフィルタＦＩＬ、遮光用ブラックマトリクスパターンＢＭが形成されている。
　【００３１】
　また、透明ガラス基板ＳＵＢ１、ＳＵＢ２のそれぞれの内側（液晶ＬＣ側）の表面には、液晶の初期配向を制御する配向膜ＯＲＩ１、ＯＲＩ２が設けられており、透明ガラス基板ＳＵＢ１、ＳＵＢ２のそれぞれの外側の表面には、偏光軸が直交して配置された（クロスニコル配置）偏光板が設けられている。
　【００３２】
《ＴＦＴ基板》
　まず、下側透明ガラス基板ＳＵＢ１側（ＴＦＴ基板）の構成を詳しく説明する。
　【００３３】
《薄膜トランジスタＴＦＴ》
　薄膜トランジスタＴＦＴは、ゲート電極ＧＴに正のバイアスを印加すると、ソース−ドレイン間のチャネル抵抗が小さくなり、バイアスを零にすると、チャネル抵抗は大きくなるように動作する。
　【００３４】
　薄膜トランジスタＴＦＴは、図３に示すように、ゲート電極ＧＴ、ゲート絶縁膜ＧＩ、ｉ型（真性、ｉｎｔｒｉｎｓｉｃ、導電型決定不純物がドープされていない）非晶質シリコン（Ｓｉ）からなるｉ型半導体層ＡＳ、一対のソース電極ＳＤ１、ドレイン電極ＳＤ２を有す。なお、ソース、ドレインは本来その間のバイアス極性によって決まるもので、この液晶表示装置の回路ではその極性は動作中反転するので、ソース、ドレインは動作中入れ替わると理解されたい。しかし、以下の説明では、便宜上一方をソース、他方をドレインと固定して表現する。
　【００３５】
《ゲート電極ＧＴ》
　ゲート電極ＧＴは走査信号線ＧＬと連続して形成されており、走査信号線ＧＬの一部の領域がゲート電極ＧＴとなるように構成されている。ゲート電極ＧＴは薄膜トランジスタＴＦＴの能動領域を超える部分であり、ｉ型半導体層ＡＳを完全に覆うよう（下方からみて）それより大き目に形成されている。これにより、ゲート電極ＧＴの役割のほかに、ｉ型半導体層ＡＳに外光やバックライト光が当たらないように工夫されている。本例では、ゲート電極ＧＴは、単層の導電膜ｇ１で形成されている。導電膜ｇ１としては例えばスパッタで形成されたアルミニュウム（Ａｌ）膜が用いられ、その上にはＡｌの陽極酸化膜ＡＯＦが設けられている。
　【００３６】
《走査信号線ＧＬ》
　走査信号線ＧＬは導電膜ｇ１で構成されている。この走査信号線ＧＬの導電膜ｇ１はゲート電極ＧＴの導電膜ｇ１と同一製造工程で形成され、かつ一体に構成されている。この走査信号線ＧＬにより、外部回路からゲート電圧Ｖｇをゲート電極ＧＴに供給する。また、走査信号線ＧＬ上にもＡ１の陽極酸化膜ＡＯＦが設けられている。なお、映像信号線ＤＬと交差する部分は映像信号線ＤＬとの短絡の確率を小さくするため細くし、また、短絡しても、レーザートリミングで切り離すことができるように二股にしている。
　【００３７】
《対向電極ＣＴ》
　対向電極ＣＴはゲート電極ＧＴおよび走査信号線ＧＬと同層の導電膜ｇ１で構成されている。また、対向電極ＣＴ上にもＡｌの陽極酸化膜ＡＯＦが設けられている。対向電極ＣＴは、陽極酸化膜ＡＯＦで完全に覆われていることから、映像信号線と限りなく近づけても、それらが短絡してしまうことがなくなる。また、それらを交差させて構成させることもできる。対向電極ＣＴには対向電圧Ｖｃｏｍが印加されるように構成されている。本実施例では、対向電圧Ｖｃｏｍは映像信号線ＤＬに印加される最小レベルの駆動電圧Ｖｄｍｉｎと最大レベルの駆動電圧Ｖｄｍａｘとの中間直流電位から、薄膜トランジスタ素子ＴＦＴをオフ状態にするときに発生するフィードスルー電圧△Ｖｓ分だけ低い電位に設定されるが、映像信号駆動回路で使用される集積回路の電源電圧を約半分に低減したい場合は、交流電圧を印加すれば良い。
　【００３８】
《対向電圧信号線ＣＬ》
　対向電圧信号線ＣＬは導電膜ｇ１で構成されている。この対向電圧信号線ＣＬの導電膜ｇ１はゲート電極ＧＴ、走査信号線ＧＬおよび対向電極ＣＴの導電膜ｇ１と同一製造工程で形成され、かつ対向電極ＣＴと一体に構成されている。この対向電圧信号線ＣＬにより、外部回路から対向電圧Ｖｃｏｍを対向電極ＣＴに供給する。また、対向電圧信号線ＣＬ上にもＡｌの陽極酸化膜ＡＯＦが設けられている。なお、映像信号線ＤＬと交差する部分は、走査信号線ＧＬと同様に映像信号線ＤＬとの短絡の確率を小さくするため細くし、また、短絡しても、レーザートリミングで切り離すことができるように二股にしている。
　【００３９】
《絶縁膜ＧＩ》
　絶縁膜ＧＩは、薄膜トランジスタＴＦＴにおいて、ゲート電極ＧＴと共に半導体層ＡＳに電界を与えるためのゲート絶縁膜として使用される。絶縁膜ＧＩはゲート電極ＧＴおよび走査信号線ＧＬの上層に形成されている。絶縁膜ＧＩとしては例えばプラズマＣＶＤで形成された窒化シリコン膜が選ばれ、１２００〜２７００Åの厚さに（本実施例では、２４００Å程度）形成される。ゲート絶縁膜ＧＩは、マトリクス部ＡＲの全体を囲むように形成され、周辺部は外部接続端子ＤＴＭ，ＧＴＭを露出するよう除去されている。絶縁膜ＧＩは走査信号線ＧＬおよび対向電圧信号線ＣＬと映像信号線ＤＬの電気的絶縁にも寄与している。
　【００４０】
《ｉ型半導体層ＡＳ》
　ｉ型半導体層ＡＳは、非晶質シリコンで、２００〜２２００Åの厚さに（本実施例では、２０００Å程度の膜厚）で形成される。層ｄ０はオーミックコンタクト用のリン（Ｐ）をドープしたＮ（＋）型非晶質シリコン半導体層であり、下側にｉ型半導体層ＡＳが存在し、上側に導電層ｄ１（ｄ２）が存在するところのみに残されている。
　【００４１】
　ｉ型半導体層ＡＳは走査信号線ＧＬおよび対向電圧信号線ＣＬと映像信号線ＤＬとの交差部（クロスオーバ部）の両者間にも設けられている。この交差部のｉ型半導体層ＡＳは交差部における走査信号線ＧＬおよび対向電圧信号線ＣＬと映像信号線ＤＬとの短絡を低減する。
　【００４２】
《ソース電極ＳＤ１、ドレイン電極ＳＤ２》
　ソース電極ＳＤ１、ドレイン電極ＳＤ２のそれぞれは、Ｎ（＋）型半導体層ｄ０に接触する導電膜ｄ１とその上に形成された導電膜ｄ２とから構成されている。
　【００４３】
　導電膜ｄ１はスパッタで形成したクロム（Ｃｒ）膜を用い、５００〜１０００Åの厚さに（本実施例では、６００Å程度）で形成される。Ｃｒ膜は膜厚を厚く形成するとストレスが大きくなるので、２０００Å程度の膜厚を越えない範囲で形成する。Ｃｒ膜はＮ（＋）型半導体層ｄ０との接着性を良好にし、導電膜ｄ２のＡｌがＮ（＋）型半導体層ｄ０に拡散することを防止する（いわゆるバリア層の）目的で使用される。導電膜ｄ１として、Ｃｒ膜の他に高融点金属（Ｍｏ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｗ）膜、高融点金属シリサイド（Ｍｏｓｉ２、Ｔｉｓｉ２、Ｔａｓｉ２、ＷＳｉ２）膜を用いてもよい。
　【００４４】
　導電膜ｄ２はＡｌのスパッタリングで３０００〜５０００Åの厚さに（本実施例では、４０００Å程度）形成される。Ａｌ膜はＣｒ膜に比べてストレスが小さく、厚い膜厚に形成することが可能で、ソース電極ＳＤ１、ドレイン電極ＳＤ２および映像信号線ＤＬの抵抗値を低減したり、ゲート電極ＧＴやｉ型半導体層ＡＳに起因する段差乗り越えを確実にする（ステップカバーレッジを良くする）働きがある。
　【００４５】
　導電膜ｄ１、導電膜ｄ２を同じマスクパターンでパターニングした後、同じマスクを用いて、あるいは導電膜ｄ１、導電膜ｄ２をマスクとして、Ｎ（＋）型半導体層ｄ０が除去される。つまり、ｉ型半導体層ＡＳ上に残っていたＮ（＋）型半導体層ｄ０は導電膜ｄ１、導電膜ｄ２以外の部分がセルフアラインで除去される。このとき、Ｎ（＋）型半導体層ｄ０はその厚さ分は全て除去されるようエッチングされるので、ｉ型半導体層ＡＳも若干その表面部分がエッチングされるが、その程度はエッチング時間で制御すればよい。
　【００４６】
《映像信号線ＤＬ》
　映像信号線ＤＬはソース電極ＳＤ１、ドレイン電極ＳＤ２と同層の第２導電膜ｄ２、第３導電膜ｄ３で構成されている。また、映像信号線ＤＬはドレイン電極ＳＤ２と一体に形成されている。
　【００４７】
《画素電極ＰＸ》
　画素電極ＰＸはソース電極ＳＤ１、ドレイン電極ＳＤ２と同層の第２導電膜ｄ２、第３導電膜ｄ３で構成されている。また、画素電極ＰＸはソース電極ＳＤ１と一体に形成されている。
　【００４８】
《蓄積容量Ｃｓｔｇ》
　画素電極ＰＸは、薄膜トランジスタＴＦＴと接続される端部と反対側の端部において、対向電圧信号線ＣＬと重なるように形成されている。この重ね合わせば、図４からも明らかなように、画素電極ＰＸを一方の電極ＰＬ２とし、対向電圧信号ＣＬを他方の電極ＰＬ１とする蓄積容量（静電容量素子）Ｃｓｔｇを構成する。この蓄積容量Ｃｓｔｇの誘電体膜は、薄膜トランジスタＴＦＴのゲート絶縁膜として使用される絶縁膜ＧＩおよび陽極酸化膜ＡＯＦで構成されている。
　【００４９】
　図１に示すように平面的には蓄積容量Ｃｓｔｇは対向電圧信号線ＣＬの導電膜ｇ１の幅を広げた部分に形成されている。
　【００５０】
　この場合、この蓄積容量Ｃｓｔｇは、その絶縁膜ＧＩに対して下側に位置づけられる電極の材料がＡｌで形成され、かつ、その表面が陽極化成されたものであることから、Ａｌのいわゆるホイスカ等が原因する点欠陥（上側に位置づけられる電極との短絡）による弊害を発生しにくくする蓄積容量を得ることができる。
　【００５１】
《保護膜ＰＳＶ１》
　薄膜トランジスタＴＦＴ上には保護膜ＰＳＶ１が設けられている。保護膜ＰＳＶ１は主に薄膜トランジスタＴＦＴを湿気等から保護するために形成されており、透明性が高くしかも耐湿性の良いものを使用する。保護膜ＰＳＶ１はたとえばプラズマＣＶＤ装置で形成した酸化シリコン膜や窒化シリコン膜で形成されており、１μｍ程度の膜厚で形成する。
　【００５２】
　保護膜ＰＳＶ１は、マトリクス部ＡＲの全体を囲むように形成され、周辺部は外部接続端子ＤＴＭ，ＧＴＭを露出するよう除去されている。保護膜ＰＳＶ１とゲート絶縁膜ＧＩの厚さ関係に関しては、前者は保護効果を考え厚くされ、後者はトランジスタの相互コンダクタンスｇｍを薄くされる。従って、保護効果の高い保護膜ＰＳＶ１は周辺部もできるだけ広い範囲に亘って保護するようゲート絶縁膜ＧＩよりも大きく形成されている。
　【００５３】
《カラーフィルタ基板》
　次に、図１、図２に戻り、上側透明ガラス基板ＳＵＢ２側（カラーフィルタ基板）の構成を詳しく説明する。
　【００５４】
《遮光膜ＢＭ》
　上部透明ガラス基板ＳＵＢ２側には、不要な間隙部（画素電極ＰＸと対向電極ＣＴの間以外の隙間）からの透過光が表示面側に出射して、コントラスト比等を低下させないように遮光膜ＢＭ（いわゆるブラックマトリクス）を形成している。遮光膜ＢＭは、外部光またはバックライト光がｉ型半導体層ＡＳに入射しないようにする役割も果たしている。すなわち、薄膜トランジスタＴＦＴのｉ型半導体層ＡＳは上下にある遮光膜ＢＭおよび大き目のゲート電極ＧＴによってサンドイッチにされ、外部の自然光やバックライト光が当たらなくなる。
　【００５５】
　図１に示す遮光膜ＢＭの閉じた多角形の輪郭線は、その内側が遮光膜ＢＭが形成されない開口を示している。この輪郭線のパターンは、１例であり、より開口部分を大きくする場合には、図１９の様にすることもできる。図１９中のＡの領域は電界方向が乱れるが、その部分の表示は、画素内の映像情報に１対１で対応し、かつ、黒の場合には黒、白の場合には白になるため、表示の一部として利用することが可能である。また、図の上下方向の境界線は上下基板の合わせ精度によって決まり、合わせ精度が映像信号線ＤＬに隣接する対向電極ＣＴの電極幅よりも良い場合には、対向電極の幅の間に設定すれば、より開口部を拡大することができる。
　【００５６】
　遮光膜ＢＭは光に対する遮蔽性を有し、かつ、画素電極ＰＸと対向電極ＣＴの間の電界に影響を与えないように絶縁性の高い膜で形成されている。このようにすることにより、基板面に平行な電界が有効に液晶層に印加され、液晶を駆動する電圧の上昇を抑制できる。この遮光膜ＢＭの材料として、たとえば、黒色の顔料をレジスト材に混入したものを用い、１．２μｍ程度の厚さで形成している。また、他の実施例として、パラジウムおよび無電解メッキしたＮｉをレジスト材に混入させたものも使用することができる。
　【００５７】
　そして、このようにした場合、画素電極ＰＸと対向電極ＣＴとの間隔をある程度大きくすることができるので、開口率の向上が図れるという効果も奏する。
　【００５８】
　遮光膜ＢＭは各画素の周囲に格子状に形成され、この格子で１画素の有効表示領域が仕切られている。従って、各画素の輪郭が遮光膜ＢＭによって明確になる。つまり、遮光膜ＢＭはブラックマトリクスとｉ型半導体層ＡＳに対する遮光との２つの機能をもつ。
　【００５９】
　遮光膜ＢＭは周辺部にも額縁状に形成され、そのパターンはドット状に複数の開口を設けた図１に示すマトリクス部のパターンと連続して形成されている。周辺部の遮光膜ＢＭは、シール部ＳＬの外側に延長され、パソコン等の実装機に起因する反射光等の漏れ光がマトリクス部に入り込むのを防いでいる。他方、この遮光膜ＢＭは基板ＳＵＢ２の縁よりも約０．３〜１．０ｍｍ程内側に留められ、基板ＳＵＢ２の切断領域を避けて形成されている。
　【００６０】
《カラーフィルタＦＩＬ》
　カラーフィルタＦＩＬは画素に対向する位置に赤、緑、青の繰り返しでストライプ状に形成される。カラーフィルタＦＩＬは遮光膜ＢＭのエッジ部分と重なるように形成されている。
　【００６１】
　カラーフィルタＦＩＬは次のように形成することができる。まず、上部透明ガラス基板ＳＵＢ２の表面にアクリル系樹脂等の染色基材を形成し、フォトリソグラフィ技術で赤色フィルタ形成領域以外の染色基材を除去する。この後、染色基材を赤色染料で染め、固着処理を施し、赤色フィルタＲを形成する。つぎに、同様な工程を施すことによって、緑色フィルタＧ、青色フィルタＢを順次形成する。
　【００６２】
《オーバーコート膜ＯＣ》
　オーバーコート膜ＯＣはカラーフィルタＦＩＬの染料の液晶ＬＣへの漏洩の防止、および、カラーフィルタＦＩＬ、遮光膜ＢＭによる段差の平坦化のために設けられている。オーバーコート膜ＯＣはたとえばアクリル樹脂、エポキシ樹脂等の透明樹脂材料で形成されている。
　【００６３】
《液晶層および偏向板》
　次に、液晶層、配向膜、偏光板等について説明する。
　【００６４】
《液晶層》
　液晶材料ＬＣとしては、誘電率異方性△εが正でその値が１３．２、屈折率異方性△ｎが０．０８１（５８９ｎｍ、２０℃）のネマティック液晶と、誘電率異方性△εが負でその値が−７．３、屈折率異方性△ｎが０．０５３（５８９ｎｍ、２０℃）のネマティック液晶を用いた。液晶層の厚み（ギャップ）は、誘電率異方性△εが正の場合２．８μｍ超４．５μｍ未満とした。これは、リタデーション△ｎ・ｄは０．２５μｍ超０．３２μｍ未満の時、可視光の範囲内で波長依存性がほとんどない透過率特性を得られ、誘電率異方性△εが正を有する液晶の大部分が複屈折異方性△ｎが０．０７超０．０９未満であるためである。一方、誘電率異方性△εが負の場合は、液晶層の厚み（ギャップ）は、４．２μｍ超８．０μｍ未満とした。これは誘電率異方性△εが正の液晶と同様に、リタデーション△ｎ・ｄを０．２５μｍ超０．３２μｍ未満に抑えるためで、誘電率異方性△εが負を有する液晶の大部分が複屈折異方性△ｎが０．０４超０．０６未満であるためである。
　【００６５】
　また、後述の配向膜と偏光板と組み合わせにより、液晶分子がラビング方向から電界方向に４５°回転したとき最大透過率を得ることができる。
　【００６６】
　なお、液晶層の厚み（ギャップ）は、ポリマビーズで制御している。
　【００６７】
　なお、液晶材料ＬＣは、ネマチック液晶であれば、特に限定したものではない。また、誘電率異方性△εは、その値が大きいほうが、駆動電圧が低減できる。また、屈折率異方性△ｎは小さいほうが、液晶層の厚み（ギャップ）を厚くでき、液晶の封入時間が短縮され、かつギャップばらつきを少なくすることができる。
　【００６８】
《配向膜》
　配向膜ＯＲＩとしては、ポリイミドを用いる。ラビング方向ＲＤＲは上下基板で互いに平行にし、かつ印加電界方向ＥＤＲとのなす角度は７５°とする。図２０にその関係を示す。
　【００６９】
　なお、ラビング方向ＲＤＲと印加電界方向ＥＤＲとのなす角度は、液晶材料の誘電率異方性△εが正であれば、４５℃以上９０℃未満、誘電率異方性△εが負であれば、０°を超え４５°以下であれば良い。
　【００７０】
《偏光板》
　偏光板ＰＯＬとしては、日東電工社製Ｇ１２２０ＤＵを用い、下側の偏光板ＰＯＬ１の偏光透過軸ＭＡＸ１をラビング方向ＲＤＲと一致させ、上側の偏向板ＰＯＬ２の偏光透過軸ＭＡＸ２を、それに直交させる。図２０にその関係を示す。これにより、本発明の画素に印加される電圧（画素電極ＰＸと対向電極ＣＴの間の電圧）を増加させるに伴い、透過率が上昇するノーマリクローズ特性を得ることができる。
　【００７１】
《マトリクス周辺の構成》
　図５は上下のガラス基板ＳＵＢ１，ＳＵＢ２を含む表示パネルＰＮＬのマトリクス（ＡＲ）周辺の要部平面を示す図である。また、図６は、左側に走査回路が接続されるべき外部接続端子ＧＴＭ付近の断面を、右側に外部接続端子が無いところのシール部付近の断面を示す図である。
　【００７２】
　このパネルの製造では、小さいサイズであればスループット向上のため１枚のガラス基板で複数個分のデバイスを同時に加工してから分割し、大きいサイズであれば製造設備の共用のためどの品種でも標準化された大きさのガラス基板を加工してから各品種に合ったサイズに小さくし、いずれの場合も一通りの工程を経てからガラスを切断する。図５、図６は後者の例を示すもので、図５、図６の両図とも上下基板ＳＵＢ１，ＳＵＢ２の切断後を表しており、ＬＮは両基板の切断前の縁を示す。いずれの場合も、完成状態では外部接続端子群Ｔｇ，Ｔｄおよび端子ＣＴＭが存在する（図で上辺と左辺の）部分はそれらを露出するように上側基板ＳＵＢ２の大きさが下側基板ＳＵＢ１よりも内側に制限されている。端子群Ｔｇ，Ｔｄはそれぞれ後述する走査回路接続用端子ＧＴＭ、映像信号回路接続用端子ＤＴＭとそれらの引出配線部を集積回路チップＣＨＩが搭載されたテープキャリアパッケージＴＣＰ（図１６、図１７）の単位に複数本まとめて名付けたものである。各群のマトリクス部から外部接続端子部に至るまでの引出配線は、両端に近づくにつれ傾斜している。これは、パッケージＴＣＰの配列ピッチ及び各パッケージＴＣＰにおける接続端子ピッチに表示パネルＰＮＬの端子ＤＴＭ，ＧＴＭを合わせるためである。また、対向電極端子ＣＴＭは、対向電極ＣＴに対向電圧を外部回路から与えるための端子である。マトリクス部の対向電極信号線ＣＬは、走査回路用端子ＧＴＭの反対側（図では右側）に引き出し、各対向電圧信号線を共通バスラインＣＢで一纏めにして、対向電極端子ＣＴＭに接続している。
　【００７３】
　透明ガラス基板ＳＵＢ１、ＳＵＢ２の間にはその縁に沿って、液晶封入口ＩＮＪを除き、液晶ＬＣを封止するようにシールパターンＳＬが形成される。シール材は例えばエポキシ樹脂から成る。
　【００７４】
　配向膜ＯＲＩ１、ＯＲＩ２の層は、シールパターンＳＬの内側に形成される。偏光板ＰＯＬ１、ＰＯＬ２はそれぞれ下部透明ガラス基板ＳＵＢ１、上部透明ガラス基板ＳＵＢ２の外側の表面に構成されている。液晶ＬＣは液晶分子の向きを設定する下部配向膜ＯＲＩ１と上部配向膜ＯＲＩ２との間でシールパターンＳＬで仕切られた領域に封入されている。下部配向膜ＯＲＩ１は下部透明ガラス基板ＳＵＢ１側の保護膜ＰＳＶ１の上部に形成される。
　【００７５】
　この液晶表示装置は、下部透明ガラス基板ＳＵＢ１側、上部透明ガラス基板ＳＵＢ２側で別個に種々の層を積み重ね、シールパターンＳＬを基板ＳＵＢ２側に形成し、下部透明ガラス基板ＳＵＢ１と上部透明ガラス基板ＳＵＢ２とを重ね合わせ、シール材ＳＬの開口部１ＮＪから液晶ＬＣを注入し、注入口ＩＮＪをエポキシ樹脂などで封止し、上下基板を切断することによって組み立てられる。
　【００７６】
《ゲート端子部》
　図７は表示マトリクスの走査信号線ＧＬからその外部接続端子ＧＴＭまでの接続構造を示す図であり、（Ａ）は平面であり（Ｂ）は（Ａ）のＢ−Ｂ切断線における断面を示している。なお、同図は図７下方付近に対応し、斜め配線の部分は便宜状一直線状で表した。
　【００７７】
　ＡＯはホトレジスト直接描画の境界線、言い換えれば選択的陽極酸化のホトレジストパターンである。従って、このホトレジストは陽極酸化後除去され、図に示すパターンＡＯは完成品としては残らないが、ゲート配線ＧＬには断面図に示すように酸化膜ＡＯＦが選択的に形成されるのでその軌跡が残る。平面図において、ホトレジストの境界線ＡＯを基準にして左側はレジストで覆い陽極酸化をしない領域、右側はレジストから露出され陽極酸化される領域である。陽極酸化されたＡＬ層ｇ１は表面にその酸化物Ａｌ２Ｏ３膜ＡＯＦが形成され下方の導電部は体積が減少する。勿論、陽極酸化はその導電部が残るように適切な時間、電圧などを設定して行われる。
　【００７８】
　図中ＡＬ層ｇ１は、判り易くするためハッチを施してあるが、陽極化成されない領域は櫛状にパターニングされている。これは、Ａｌ層の幅が広いと表面にホイスカが発生するので、１本１本の幅は狭くし、それらを複数本並列に束ねた構成とすることにより、ホイスカの発生を防ぎつつ、断線の確率や導電率の犠牲を最低限に押さえる狙いである。
　【００７９】
　ゲート端子ＧＴＭはＡｌ層ｇ１と、更にその表面を保護し、かつ、ＴＣＰ（Ｔａｐｅ　Ｃａｒｒｉｅｒ　Ｐａｃｋｅｇｅ）との接続の信頼性を向上させるための透明導電層ｇ２とで構成されている。この透明導電膜ｇ２はスパッタリングで形成された透明導電膜（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ−Ｏｘｉｄｅ　ＩＴＯ：ネサ膜）からなり、１０００〜２０００Åの厚さに（本実施例では、１４００Å程度の膜厚）形成される。またＡｌ層ｇ１上及びその側面部に形成された導電層ｄ１及びｄ２は、Ａｌ層と透明導電層ｇ２との接続不良を補うために、Ａｌ層と透明導電層ｇ２の両方に接続性の良いＣｒ層ｄ１を接続し、接続抵抗の低減を図るためのものであり、導電層ｄ２は導電層ｄ１と同一マスク形成しているために残っているものである。
　【００８０】
　平面図において、ゲート絶縁膜ＧＩはその境界線よりも右側に、保護膜ＰＳＶ１もその境界線よりも右側に形成されており、左端に位置する端子部ＧＴＭはそれらから露出し外部回路との電気的接触ができるようになっている。図では、ゲート線ＧＬとゲート端子の一つの対のみが示されているが、実際はこのような対が図７に示すように上下に複数本並べられ端子群Ｔｇ（図５）が構成され、ゲート端子の左端は、製造過程では、基板の切断領域を越えて延長され配線ＳＨｇ（図示せず）によって短絡される。製造過程におけるこのような短絡線ＳＨｇは陽極化成時の給電と、配向膜ＯＲＩ１のラビング時等の静電破壊防止に役立つ。
　【００８１】
《ドレイン端子ＤＴＭ》
　図８は映像信号線ＤＬからその外部接続端子ＤＴＭまでの接続を示す図であり、（Ａ）はその平面を示し、（Ｂ）は（Ａ）のＢ−Ｂ切断線における断面を示す。なお、同図は図５右上付近に対応し、図面の向きは便宜上変えてあるが右端方向が基板ＳＵＢ１の上端部に該当する。
　【００８２】
　ＴＳＴｄは検査端子でありここには外部回路は接続されないが、プローブ針等を接触できるよう配線部より幅が広げられている。同様に、ドレイン端子ＤＴＭも外部回路との接続ができるよう配線部より幅が広げられている。外部接続ドレイン端子ＤＴＭは上下方向に配列され、ドレイン端子ＤＴＭは、図５に示すように端子群Ｔｄ（添字省略）を構成し基板ＳＵＢ１の切断線を越えて更に延長され、製造過程中は静電破壊防止のためその全てが互いに配線ＳＨｄ（図示せず）によって短絡される。検査端子ＴＳＴｄは図８に示すように一本置きの映像信号線ＤＬに形成される。
　【００８３】
　ドレイン接続端子ＤＴＭは透明導電層ｇ２単層で形成されており、ゲート絶縁膜ＧＩを除去した部分で映像信号線ＤＬと接続されている。ゲート絶縁膜ＧＩの端部上に形成された半導体層ＡＳはゲート絶縁膜ＧＩの縁をテーパ状にエッチングするためのものである。端子ＤＴＭ上では外部回路との接続を行うため保護膜ＰＳＶ１は勿論のこと取り除かれている。
　【００８４】
　マトリクス部からドレイン端子部ＤＴＭまでの引出配線は、映像信号線ＤＬと同じレベルの層ｄ１，ｄ２が保護膜ＰＳＶ１の途中まで構成されており、保護膜ＰＳＶ１の中で透明導電膜９２と接続されている。これは、電触し易いＡｌ層ｄ２を保護膜ＰＳＶ１やシールパターンＳＬでできるだけ保護する狙いである。
　【００８５】
《対向電極端子ＣＴＭ》
　図９は対向電極信号線ＣＬからその外部接続端子ＣＴＭまでの接続を示す図であり、（Ａ）はその平面を示し、（Ｂ）は（Ａ）のＢ−Ｂ切断線における断面を示す。なお、同図は図５左上付近に対応する。
　【００８６】
　各対向電圧信号線ＣＬは共通バスラインＣＢで一纏めして対向電極端子ＣＴＭに引き出されている。共通バスラインＣＢは導電層ｇ１の上に導電層ｄ１、導電層ｄ２を積層した構造となっている。これは、共通バスラインＣＢの抵抗を低減し、対向電圧が外部回路から各対向電圧信号線ＣＬに十分に供給されるようにするためである。これにより、対向電極ＣＴが末端の画素まで充分に伝達され、これら各対向電極ＣＴの映像信号線ＤＬに供給される映像信号に応じた歪みによるクロストーク（特に画面の左右方向のクロストーク）の発生を低減できる。本構造では、特に新たに導電層を負荷することなく、共通バスラインの抵抗を下げられるのが特徴である。共通バスラインＣＢの導電層ｇ１は導電層ｄ１、導電層ｄ２と電気的に接続されるように、陽極化成はされていない。また、ゲート絶縁膜ＧＩからも露出している。
　【００８７】
　対向電極端子ＣＴＭは、導電層ｇ１の上に透明導電層ｇ２が積層された構造になっている。透明導電層ｇ２により、その表面を保護し、電触等を防ぐために耐久性のよい透明導電層ｇ２で、導電層ｇ１を覆っている。
　【００８８】
　なお、上述した実施例では、共通バスラインＣＢ上に導電層ｄ１および導電層ｄ２が積層されている構成としたものであるが、必ずしもこれらの導電層に限定されることはない。この場合においても共通バスラインＣＢの抵抗の低減化が図れるからである。
　【００８９】
《表示装置全体等価回路》
　表示マトリクス部の等価回路とその周辺回路の結線図を図１０に示す。同図は回路図ではあるが、実際の幾何学的配置に対応して描かれている。ＡＲは複数の画素を二次元状に配列したマトリクス・アレイである。
　【００９０】
　図中、Ｘは映像信号線ＤＬを意味し、添字Ｇ、ＢおよびＲがそれぞれ緑、青および赤画素に対応して付加されている。Ｙは走査信号線ＧＬを意味し、添字１，２，３，…，ｅｎｄは走査タイミングの順序に従って付加されている。
　【００９１】
　走査信号線Ｙ（添字省略）は垂直走査回路Ｖに接続されており、映像信号線Ｘ（添字省略）は映像信号駆動回路Ｈに接続されている。
　【００９２】
　ＳＵＰは１つの電圧源から複数の分圧した安定化された電圧源を得るための電源回路やホスト（上位演算処理装置）からのＣＲＴ（陰極線管）用の情報をＴＦＴ液晶表示装置用の情報に交換する回路を含む回路である。
　【００９３】
《駆動方法》
　図１１に本発明の液晶表示装置の駆動波形を示す。対向電圧をＶｃｈとＶｃｌの２値の交流矩型波にし、それに同期させて走査信号Ｖｇ（ｉ−１）、Ｖｇ（ｉ）の非選択電圧を１走査期間ごとに、ＶｇｌｈとＶｇｌｌの２値で変化させる。対向電圧の振幅値と非選択電圧の振幅値は同一にする。映像信号電圧は、液晶層に印加したい電圧から、対向電圧の振幅の１／２を差し引いた電圧である。
　【００９４】
　対向電圧は直流でもよいが、交流化することで映像信号電圧の最大振幅を低減でき、映像信号駆動回路（信号側ドライバ）に耐圧の低いものを用いることが可能になる。
　【００９５】
《蓄積容量Ｃｓｔｇの働き》
　蓄積容量Ｃｓｔｇは、画素に書き込まれた（薄膜トランジスタＴＦＴがオフした後の）映像情報を、長く蓄積するために設ける。本発明で用いている電界を基板面と平行に印加する方式では、電界を基板面に垂直に印加する方式と異なり、画素電極と対向電極で構成される容量（いわゆる液晶容量）がほとんど無いため、蓄積容量Ｃｓｔｇが映像情報を画素に蓄積することができない。したがって、電界を基板面と平行に印加する方式では、蓄積容量Ｃｓｔｇは必須の構成要素である。
　【００９６】
　また、蓄積容量Ｃｓｔｇは、薄膜トランジスタＴＦＴがスイッチングするとき、画素電極電位Ｖｓに対するゲート電位変化△Ｖｇの影響を低減するようにも働く。この様子を式で表すと、次のようになる。
　【００９７】
　【数１】　△Ｖｓ＝｛Ｃｇｓ／（Ｃｇｓ＋Ｃｓｔｇ＋Ｃｐｉｘ）｝×△Ｖｇ
　ここで、Ｃｇｓは薄膜トランジスタＴＦＴのゲート電極ＧＴとソース電極ＳＤ１との間に形成される寄生容量、Ｃｐｉｘは画素電極ＰＸと対向電極ＣＴとの間に形成される容量、△Ｖｓは△Ｖｇによる画素電極電位の変化分いわゆるフィードスルー電圧を表わす。この変化分△Ｖｓは液晶ＬＣに加わる直流成分の原因となるが、保持容量Ｃｓｔｇを大きくすればする程、その値を小さくすることができる。液晶ＬＣに印加される直流成分の低減は、液晶ＬＣの寿命を向上し、液晶表示画面の切り替え時に前の画像が残るいわゆる焼き付きを低減することができる。
　【００９８】
　前述したように、ゲート電極ＧＴはｉ型半導体層ＡＳを完全に覆うよう大きくされている分、ソース電極ＳＤ１、ドレイン電極ＳＤ２とのオーバラップ面積が増え、従って寄生容量Ｃｇｓが大きくなり、画素電極電位Ｖｓはゲート（走査）信号Ｖｇの影響を受け易くなるという逆効果が生じる。しかし、蓄積容量Ｃｓｔｇを設けることによりこのデメリットも解消することができる。
　【００９９】
《製造方法》
　つぎに、上述した液晶表示装置の基板ＳＵＢ１側の製造方法について図１２〜図１４を参照して説明する。なお同図において、中央の文字は工程名の略称であり、左側は図３に示す薄膜トランジスタＴＦＴ部分、右側は図７に示すゲート端子付近の断面形状でみた加工の流れを示す。工程Ｂ、工程Ｄを除き工程Ａ〜工程Ｉは各写真処理に対応して区分けしたもので、各工程のいずれの断面図も写真処理後の加工が終わりフォトレジストを除去した段階を示している。なお、写真処理とは本説明ではフォトレジストの塗布からマスクを使用した選択露光を経てそれを現像するまでの一連の作業を示すものとし、繰返しの説明は避ける。以下区分けした工程に従って、説明する。
　【０１００】
　工程Ａ、図１２
　ＡＮ６３５ガラス（商品名）からなる下部透明ガラス基板ＳＵＢ１上に膜厚が３０００ÅのＡｌ−Ｐｄ、Ａｌ−Ｓｉ、Ａｌ−Ｔａ、Ａｌ−Ｔｉ−Ｔａ等からなる導電膜ｇ１をスパッタリングにより設ける。写真処理後、リン酸と硝酸と氷酢酸との混酸液で導電膜ｇ１を選択的にエッチングする。それによって、ゲート電極ＧＴ、走査信号線ＧＬ、対向電極ＣＴ、対向電圧信号線ＣＬ、電極ＰＬ１、ゲート端子ＧＴＭ、共通バスラインＣＢの第１導電層、対向電極端子ＣＴＭの第１導電層、ゲート端子ＧＴＭを接続する陽極酸化バスラインＳＨｇ（図示せず）および陽極酸化バスラインＳＨｇに接続された陽極酸化パッド（図示せず）を形成する。
　【０１０１】
　工程Ｂ、図１２
　直接描画による陽極酸化マスクＡＯの形成後、３％酒石酸をアンモニアによりＰＨ６．２５±０．０５に調整した溶液をエチレングリコール液で１：９に稀釈した液からなる陽極酸化液中に基板ＳＵＢ１を浸漬し、化成電流密度が０．５ｍＡ／ｃｍ２になるように調整する（定電流化成）。次に所定のＡｌ２Ｏ３膜厚が得られるのに必要な化成電圧１２５Ｖに達するまで陽極酸化を行う。その後この状態で数１０分保持することが望ましい（定電圧化成）。これは均一なＡｌ２Ｏ３膜を得る上で大事なことである。それによって、導電膜ｇ１を陽極酸化され、ゲート電極ＧＴ、走査信号線ＧＬ、対向電極ＣＴ、対向電圧信号線ＣＬおよび電極ＰＬ１上に膜厚が１８００Åの陽極酸化膜ＡＯＦが形成される。
　【０１０２】
　工程Ｃ、図１２
　膜厚が１４００ÅのＩＴＯ膜からなる透明導電膜ｇ２をスパッタリングにより設ける。写真処理後、エッチング液として塩酸と硝酸との混酸液で透明導電膜ｇ２を選択的にエッチングすることにより、ゲート端子ＧＴＭの最上層、ドレイン端子ＤＴＭおよび対向電極端子ＣＴＭの第２導電層を形成する。
　【０１０３】
　工程Ｄ、図１３
　プラズマＣＶＤ装置にアンモニアガス、シランガス、窒素ガスを導入して、膜厚が２２００Åの窒化Ｓｉ膜を設け、プラズマＣＶＤ装置にシランガス、水素ガスを導入して、膜厚が２０００Åのｉ型非晶質Ｓｉ膜を設けたのち、プラズマＣＶＤ装置に水素ガス、ホスフィンガスを導入して、膜厚が３００ÅのＮ（＋）型非晶質ｓｉ膜を設ける。
　【０１０４】
　工程Ｅ、図１３
　写真処理後、ドライエッチングガスとしてＳＦ６、ＣＣｌ４を使用してＮ（＋）型非晶質Ｓｉ膜、ｉ型非晶質Ｓｉ膜を選択的にエッチングすることにより、ｉ型半導体層ＡＳの島を形成する。
　【０１０５】
　工程Ｆ、図１３
　写真処理後、ドライエッチングガスとしてＳＦ６を使用して、窒化Ｓｉ膜を選択的にエッチングする。
　【０１０６】
　工程Ｇ、図１４
　膜厚が６００ÅのＣｒからなる導電膜ｄ１をスパッタリングにより設け、さらに膜厚が４０００ÅのＡｌ−Ｐｄ、Ａｌ−ｓｉ、Ａｌ−Ｔａ、Ａｌ−Ｔｉ−Ｔａ等からなる導電膜ｄ２をスパッタリングにより設ける。写真処理後、導電膜ｄ２を工程Ｂと同様な液でエッチングし、導電膜ｄ１を工程Ａと同様な液でエッチングし、映像信号線ＤＬ、ソース電極ＳＤ１、ドレイン電極ＳＤ２、画素電極ＰＸ、電極ＰＬ２、共通バスラインＣＢの第２導電層、第３導電層およびドレイン端子ＤＴＭを短絡するバスラインＳＨｄ（図示せず）を形成する。つぎに、ドライエッチング装置にＣＣｌ４、ＳＦ６を導入して、Ｎ（＋）型非晶質Ｓｉ膜をエッチングすることにより、ソースとドレイン間のＮ（＋）型半導体層ｄ０を選択的に除去する。
　【０１０７】
　工程Ｈ、図１４
　プラズマＣＶＤ装置にアンモニアガス、シランガス、窒素ガスを導入して、膜厚が１μｍの窒化Ｓｉ膜を設ける。写真処理後、ドライエッチングガスとしてＳＦ６を使用した写真蝕刻技術で窒化ｓｉ膜を選択的にエッチングすることによって、保護膜ＰＳＶ１を形成する。
　【０１０８】
《表示パネルＰＮＬと駆動回路基板ＰＣＢ１》
　図１５は、図５等に示した表示パネルＰＮＬに映像信号駆動回路Ｈと垂直走査回路Ｖを接続した状態を示す上面図である。
　【０１０９】
　ＣＨＩは表示パネルＰＮＬを駆動させる駆動ＩＣチップ（下側の５個は垂直走査回路側の駆動１Ｃチップ、左の１０個ずつは映像信号駆動回路側の駆動ＩＣチップ）である。ＴＣＰは図１６、図１７で後述するように駆動用ＩＣチップＣＨＩがテープ・オートメイティド・ボンディング法（ＴＡＢ）により実装されたテープキャリアパッケージ、ＰＣＢ１は上記ＴＣＰやコンデンサ等が実装された駆動回路基板で、映像信号駆動回路用と走査信号駆動回路用の２つに分割されている。ＦＧＰはフレームグランドパッドであり、シールドケースＳＨＤに切り込んで設けられたバネ状の破片が半田付けされる。ＦＣは下側の駆動回路基板ＰＣＢ１と左側の駆動回路基板ＰＣＢ１を電気的に接続するフラットケーブルである。フラットケーブルＦＣとしては図に示すように、複数のリード線（りん青銅の素材にＳｎ鍍金を施したもの）をストライプ状のポリエチレン層とポリビニルアルコール層とでサンドイッチして支持したものを使用する。
　【０１１０】
《ＴＣＰの接続構造》
　図１６は走査信号駆動回路Ｖや映像信号駆動回路Ｈを構成する、集積回路チップＣＨＩがフレキシブル配線基板に搭載されたテープキャリアパッケージＴＣＰの断面構造を示す図であり、図１７はそれを液晶表示パネルの、本例では走査信号回路用端子ＧＴＭに接続した状態を示す要部断面図である。
　【０１１１】
　同図において、ＴＴＢは集積回路ＣＨＩの入力端子・配線部であり、ＴＴＭは集積回路ＣＨＩの出力端子・配線部であり、例えばＣｕから成り、それぞれの内側の先端部（通称インナーリード）には集積回路ＣＨＩのボンディングパッドＰＡＤがいわゆるフェースダウンボンディング法により接続される。端子ＴＴＢ，ＴＴＭの外側の先端部（通称アウターリード）はそれぞれ半導体集積回路チップＣＨＩの入力及び出力に対応し、半田付け等によりＣＲＴ／ＴＦＴ変換回路・電源回路ＳＵＰに、異方性導電膜ＡＣＦによって液晶表示パネルＰＮＬに接続される。パッケージＴＣＰは、その先端部がパネルＰＮＬ側の接続端子ＧＴＭを露出した保護膜ＰＳＶ１を覆うようにパネルに接続されており、従って、外部接続端子ＧＴＭ（ＤＴＭ）は保護膜ＰＳＶ１かパッケージＴＣＰの少なくとも一方で覆われるので電触に対して強くなる。
　【０１１２】
　ＢＦ１はポリイミド等からなるベースフィルムであり、ＳＲＳは半田付けの際半田が余計なところへつかないようにマスクするためのソルダレジスト膜である。シールパターンＳＬの外側の上下ガラス基板の隙間は洗浄後エポキシ樹脂ＥＰＸ等により保護され、パッケージＴＣＰと上側基板ＳＵＢ２の間には更にシリコーン樹脂ＳＩＬが充填され保護が多重化されている。
　【０１１３】
《駆動回路基板ＰＣＢ２》
　駆動回路基板ＰＣＢ２は、ＩＣ、コンデンサ、抵抗等の電子部品が搭載されている。この駆動回路基板ＰＣＢ２には、１つの電圧源から複数の分圧した安定化された電圧源を得るための電源回路や、ホスト（上位演算処理装置）からのＣＲＴ（陰極線管）用の情報をＴＦＴ液晶表示装置用の情報に変換する回路を含む回路ＳＵＰが搭載されている。ＣＪは外部と接続される図示しないコネクタが接続されるコネクタ接続部である。
　【０１１４】
　駆動回路基板ＰＣＢ１と駆動回路基板ＰＣＢ２とはフラットケーブルＦＣにより電気的に接続されている。
　【０１１５】
《液晶表示モジュールの全体構成》
　図１８は、液晶表示モジュールＭＤＬの各構成部品を示す分解斜視図である。
　【０１１６】
　ＳＨＤは金属板から成る枠状のシールドケース（メタルフレーム）、ＬＣＷその表示窓、ＰＮＬは液晶表示パネル、ＳＰＢは光拡散板、ＬＣＢは導光体、ＲＭは反射板、ＢＬはバックライト蛍光管、ＬＣＡはバックライトケースであり、図に示すような上下の配置関係で各部材が積み重ねられてモジュールＭＤＬが組み立てられる。
　【０１１７】
　モジュールＭＤＬは、シールドケースＳＨＤに設けられた爪とフックによって全体が固定されるようになっている。
　【０１１８】
　バックライトケースＬＣＡはバックライト蛍光管ＢＬ、光拡散板ＳＰＢ光拡散板、導光体ＬＣＢ、反射板ＲＭを収納する形状になっており、導光体ＬＣＢの側面に配置されたバックライト蛍光管ＢＬの光を、導光体ＬＣＢ、反射板ＲＭ、光拡散板ＳＰＢにより表示面で一様なバックライトにし、液晶表示パネルＰＮＬ側に出射する。
　【０１１９】
　バックライト蛍光管ＢＬにはインバータ回路基板ＰＣＢ３が接続されており、バックライト蛍光管ＢＬの電源となっている。
　【０１２０】
　以上、本発明を前記実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは勿論である。例えば、前記実施例では、アクティブ素子としてアモルファスシリコン薄膜トランジスタＴＦＴを使用しているが、他にポリシリコン薄膜トランジスタ、シリコンウエハ上のＭＯＳ型トランジスタ、または、ＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ−Ｉｎｔｒｉｎｓｉｃ−ｍｅｔａｌ）ダイオード等の２端子素子を用いても可能である。また、少なくとも一方は透明な一対の基板、反射手段、偏光手段とから構成される反射型の液晶表示装置にも、本発明は適用できる。
　【０１２１】
　【発明の効果】
　以上説明したことから明らかなように、本発明による液晶表示装置によれば、駆動電圧の上昇が抑制できるとともに、いわゆるクロストーク（スミア）の低減を図ることができるようになる。
　【０１２２】
　したがって、ブラウン管と同様の視野角を実現でき、低電圧、低消費電力で、かつ、画質の良好な液晶表示装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
　　【図１】
　本発明のアクティブ・マトリクス型カラー液晶表示装置の液晶表示部の一画素とその周辺を示す要部平面図である。
　　【図２】
　図１の３−３切断線における画素の断面図である。
　　【図３】
　図１の４−４切断線における薄膜トランジスタ素子ＴＦＴの断面図である。
　　【図４】
　図１の５−５切断線における蓄積容量Ｃｓｔｇの断面図である。
　　【図５】
　表示パネルのマトリクス周辺部の構成を説明するための平面図である。
　　【図６】
　左側に走査信号端子、右側に外部接続端子の無いパネル縁部分を示す断面図である。
　　【図７】
　ゲート端子ＧＴＭとゲート配線ＧＬの接続部近辺を示す平面と断面の図である。
　　【図８】
　ドレイン端子ＤＴＭと映像信号線ＤＬとの接続部付近を示す平面と断面の図である。
　　【図９】
　共通電極端子ＣＴＭ、共通バスラインＣＢおよび共通電圧信号線ＣＬの接続部付近を示す平面と断面の図である。
　　【図１０】
　本発明のアクティブ・マトリクス型カラー液晶表示装置のマトリクス部とその周辺を含む回路図である。
　　【図１１】
　本発明のアクティブ・マトリクス型カラー液晶表示装置の駆動波形を示す図である。
　　【図１２】
　基板ＳＵＢ１側の工程Ａ〜Ｃの製造工程を示す画素部とゲート端子部の断面図のフローチャートである。
　　【図１３】
　基板ＳＵＢ１側の工程Ｄ〜Ｆの製造工程を示す画素部とゲート端子部の断面図のフローチャートである。
　　【図１４】
　基板ＳＵＢ１側の工程Ｇ〜Ｈの製造工程を示す画素部とゲート端子部の断面図のフローチャートである。
　　【図１５】
　液晶表示パネルに周辺の駆動回路を実装した状態を示す上面図である。
　　【図１６】
　駆動回路を構成する集積回路チップＣＨＩがフレキシブル配線基板に搭載されたテープキャリアパッケージＴＣＰの断面構造を示す図である。
　　【図１７】
　テープキャリアパッケージＴＣＰを液晶表示パネルＰＮＬの走査信号回路用端子ＧＴＭに接続した状態を示す要部断面図である。
　　【図１８】
　液晶表示モジュールの分解斜視図である。
　　【図１９】
　本発明のブラックマトリクスのパターンの１例を示す図である。
　　【図２０】
　印加電界方向、ラビング方向、偏光板透過軸の関係を示す図である。
　　【符号の説明】
　ＳＵＢ…透明ガラス基板、ＧＬ…走査信号線、ＤＬ…映像信号線ＣＬ…対向電圧信号線、ＰＸ…画素電極、ＣＴ…対向電極、ＧＩ…絶縁膜、ＧＴ…ゲート電極、ＡＳ…ｉ型半導体層、ＳＤ…ソース電極またはドレイン電極、ＰＳＶ…保護膜、ＢＭ…遮光膜、ＬＣ…液晶、ＴＦＴ…薄膜トランジスタ、ｇ，ｄ…導電膜、Ｃｓｔｇ…蓄積容量、ＡＯＦ…陽極酸化膜、ＡＯ…陽極酸化マスク、ＧＴＭ…ゲート端子、ＤＴＭ…ドレイン端子、ＣＢ…共通バスライン、ＤＴＭ…共通電極端子、ＳＨＤ…シールドケース、ＰＮＬ…液晶表示パネル、ＳＰＢ…光拡散板、ＬＣＢ…導光体、ＢＬ…バックライト蛍光管、ＬＣＡ…バックライトケース、ＲＭ…反射板、（以上添字省略）。