(57)【要約】  本発明は、ｐ型ドープされたシリコン層、特に液状シラン含有処方物から製造されるｐ型ドープされたシリコン層の製造方法に関する。本発明はさらに、ｐ型ドープされたシリコン層でコーティングされた基材に関する。本発明はさらに、シリコン層のｐ型ドープのための、ホウ素化合物を基礎とする所定のドーパントの使用に関する。【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）基材を準備する工程、
（ｂ）少なくとも１のケイ素化合物、及び、ドーパントとして疎水化剤の群からの少なくとも１の化合物を含有する処方物を準備する工程、
（ｃ）前記処方物を前記基材に設ける工程、
（ｄ）コーティングされた前記基材を放射線照射及び／又は熱処理し、主としてケイ素からなる、ｐ型ドープされた層を形成させる工程、
を含む、基材に配置されたｐ型ドープされたシリコン層少なくとも１を製造する方法。
【請求項２】
前記疎水化剤の群からの化合物が、ａ）ＴＨＦ、ＮＲ3（式中、Ｒ＝Ｈ、アルキル、アリール）並びにＳＲ′2（式中、Ｒ′＝Ｈ、アルキル、アリール）からなる群から選択された錯形成剤とのＢＨ3錯体、又は、ｂ）ａ）で定義されたＢＨ3錯体と環状ジエンとの反応によって製造可能なＢxＣxnＨ2xn-x（式中、ｘ＝１〜４及びｎ＝３〜１０）タイプの化合物から選択されている、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記ケイ素化合物が、ケイ素−水素−化合物、好ましくは一般式ＳｉnＨ2n+2又はＳｉnＨ2n（式中、ｎ＝３〜２０）のケイ素−水素−化合物、ケイ素−ハロゲン化物、ケイ素−オルガニル、オリゴマーのケイ素化合物ＳｉnＲ2n+2又はＳｉnＲ2n（式中、ｎ＝８〜１００及びＲ＝Ｈ、ハロゲン、オルガニルであり、各Ｒは独立して選択されてよい）又はこれらケイ素化合物の任意の混合物である請求項１又は２記載の方法。
【請求項４】
前記ケイ素化合物、好ましくは一般式ＳｉnＨ2n+2又はＳｉnＨ2n（式中、ｎ＝３〜２０）のケイ素−水素−化合物が、工程ｂ）での使用前に、部分的に又は完全にオリゴマー化され、オリゴマー化された前記ケイ素化合物のモル質量は３３０ｇ／ｍｏｌ〜１００００ｇ／ｍｏｌ、好ましくは４００ｇ／ｍｏｌ〜３０００ｇ／ｍｏｌ、特に好ましくは５００ｇ／ｍｏｌ〜１０００ｇ／ｍｏｌに調節される請求項３記載の方法。
【請求項５】
ケイ素を含有する処方物が溶媒を含む請求項１から４のいずれか１項記載の方法。
【請求項６】
前記基材のコーティングが、フレキソ／グラビア印刷、インクジェット印刷、オフセット印刷、デジタルオフセット印刷及びスクリーン印刷、スプレー法、回転コーティング法、浸漬法、及び、メニスカスコーティング、スリットコーティング、スロットダイコーティング及びカーテンコーティングから選択される方法、を用いて行われる請求項１から５のいずれか１項記載の方法。
【請求項７】
前記熱処理を２００〜１０００℃、好ましくは２５０〜７００℃、さらに好ましくは３００〜６５０℃の温度で実施する請求項１から６のいずれか１項記載の方法。
【請求項８】
工程（ｂ）〜（ｄ）を複数回実施する請求項１から７のいずれか１項記載の方法。
【請求項９】
前記基材が導電性であるか又は導電性表面を有する請求項１から８のいずれか１項記載の方法。
【請求項１０】
ｐ型ドープがホウ素ドープであり、ホウ素が疎水化剤の群からの化合物によって導入されることを特徴とする、基材及びｐ型ドープされたシリコン層を含むコーティングされた基材。
【請求項１１】
請求項１から９のいずれか１項記載の方法によって製造された、請求項１０記載のコーティングされた基材。
【請求項１２】
前記基材が導電性であるか又は導電性表面を有する、請求項１０又は１１記載のコーティングされた基材。
【請求項１３】
光起電装置の製造方法が請求項１から９のいずれか１項記載の方法を含む、光起電装置、特にソーラーセル又はソーラーセルの組み合わせ物。
【請求項１４】
少なくとも１のケイ素化合物を含む処方物を設ける工程、及び、コーティングされた前記基材を放射線照射及び／又は熱処理し、主としてケイ素からなる、ｐ型ドープされた層を形成させる工程、を含む方法により製造される、シリコン層のｐ型ドープのための疎水化剤の群からの化合物の使用。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ｐ型ドープされたシリコン層の製造方法、特に液状シラン含有処方物から製造されるｐ型ドープされたシリコン層の製造方法に関する。本発明はさらに、ｐ型ドープされたシリコン層でコーティングされた基材に関する。本発明はさらに、シリコン層のｐ型ドープのための、ホウ素化合物を基礎とする所定のドーパントの使用に関する。
【０００２】
シリコン層の合成は、半導体産業にとって、とりわけ、例えばソーラーセル、フォトダイオード及びトランジスターにおける使用のためのエレクトロニクス又はオプトエレクトロニクス部材層の製造にとって、極めて重要である。
【０００３】
ソーラーセルの製造では、様々なドーピングの半導体層が必要とされる。１又は複数のシリコン層を適した基材に析出させることによって、１又は複数のｐ−ｎ−遷移又はｐｉｎ遷移若しくはｎｉｐ遷移を生じさせることができ、これはソーラーセルとして作用する。析出を、薄層に適した塗布装置の１つ、例えばロールｔｏロールコーターを用いて行う。発生する層を、適した温度処理によって安定化させ、その結果、前記層は典型的には、微結晶性の、ナノ結晶性の及び無定形の組織の混合物を収容する。明示的に記載されていない限り、ここでは全ての微結晶性の、ナノ結晶性の及び／又は無定形の層が、一般的に「変換されたＳｉ層」と称されるものであり、というのも、正確な区別化及び決定は、大抵の場合には良好には可能でないか、又は、達成される結果にとって副次的な意義しかないからである。
【０００４】
この場合に、ｐ型ドープされたシリコン層は、原則的に、種々の方法を介して製造される。しかし、このうちＣＶＤ技術は、高真空中で実施されなければならないという欠点を有する。気相析出を基礎とする方法は、さらに、ｉ）熱反応実施の場合には極めて高温の使用が必要であるか、又はｉｉ）電磁線の形で前駆体の分解のために必要なエネルギーの導入の場合には高いエネルギー密度が必要である、という欠点を有する。両者の場合に、前駆体の分解のために必要なエネルギーを狙いを定めてかつ均一に導入することは、極めて高価な装置的上出費を用いないと可能でない。ｐ型ドープしたシリコン層の製造のための他の方法も欠点があるので、したがって、ｐ型ドープしたシリコン層は、好ましくは、液相からの析出によって形成される。
【０００５】
ｐ型ドープしたシリコン層の製造のためのこの種の液相方法では、液状出発材料又は溶液であって固形又は液状の出発材料、ドープ材及び場合によって更なる添加剤を含むものが、コーティングすべき基材に設けられ、そして引き続き、熱によって及び／又は電磁線によってｐ型ドープしたシリコン層へと変換される。
【０００６】
好ましく使用可能な出発材料は、この場合に、ヒドリドシラン、並びにドープ材としてホウ素化合物である。ヒドリドシランは、実質的にケイ素原子及び水素原子からなり、そして変換の際に、析出されるケイ素及びガス状水素へと反応する、という利点を有する。析出されたケイ素は、この場合になお、電子的特性のために必要な残存水素含分を含んでよい。ホウ素化合物は、実質的にホウ素原子及び炭化水素基又は水素原子からなる。
【０００７】
この場合に、とりわけ、主族ＩＩＩの元素化合物の添加によって液状Ｈシランからの又はＳｉaＸbＹcのタイプのヘテロ原子環状シラン化合物からの、ｐ型ドープしたシリコン層の製造のための液相方法は、先行技術に属する。
【０００８】
US 5,866,471 Aは、特に、鎖状又は環状ヒドリドシラン及びシリル基置換した鎖状又は環状ヒドリドシランの使用を記載し、これは熱によってドープ材の存在下でｎ型又はｐ型の半導体フィルムへと分解されることができる。前述の物質は室温で固形であり、有機溶媒に溶解性であり、好ましくは３〜１００００、好ましくは５〜３０の重合度を有する。前記物質は、さらに好ましくは、２００〜７００℃で熱分解され、その際、この硬化時間は１０分〜１０時間である。
【０００９】
EP 1 085 579 A1は、シラン含有液状組成物を使用し、熱、光及び／又はレーザー処理によって変換される、ソーラーセルの製造方法を記載する。液状コーティング組成物は、溶媒及び式ＳｉnＸm（式中、Ｘ＝Ｈ、Ｈａｌ、ｎ≧５、ｍ＝ｎ、２ｎ−２ｎ、２ｎ）の環状ケイ素化合物及び／又は式ＳｉaＸbＹc（式中、Ｘ＝Ｈ、Ｈａｌ、Ｙ＝Ｂ、Ｐ、ａ≧３、ｃ＝１〜ａ、ｂ＝ａ〜２ａ＋ｃ＋２）の修飾したシラン化合物を含んでよい。とりわけｐ型ドープされたＳｉ層への、前記液状組成物の変化は、乾燥工程に続く変換工程を介して行われることができる。典型的な乾燥温度として１００〜２００℃の範囲が挙げられる。ここでも、３００℃から初めてシリコン層への著しい反応が生じること、３００〜５５０℃で無定形層が生じること、そして、５５０℃から多結晶層が生じること、が行われる。
【００１０】
EP 1 357 154 A1は、光重合可能なシランをＵＶ線で照射することによって製造可能なポリシランを含む、「高級シラン」の組成物を記載する。光重合可能なシランとは、一般式ＳｉnＸm（式中、ｎ≧３、ｍ≧４、Ｘ＝Ｈ、Ｈａｌ）のシランであってよく、例示的に挙げる化合物は、式ＳｉnＸ2nの環状シラン、式ＳｉnＨ2n-2の二環式又は多環式構造及び１の環状構造を分子中に有する他のシランであり、これは光に対する極度に高い反応性を示し、かつ、効率的に光重合する。「高級シラン」の組成物は、基材に対して熱分解又は光分解によって、シリコンフィルムへと変換される。この場合に、主族ＩＩＩ又はＶの元素化合物は、重合前又は後に使用される。この場合に、湿潤フィルムは熱（典型的には１００〜２００℃）によって乾燥され、その後熱及び／又は光によって変換される。無定形フィルムは、熱処理によって５５０℃未満の温度で作成され、より高温では多結晶フィルムが生じる。実施例では、１０分間の変換時間（３５０℃、４００℃、５００℃）が挙げられ、ドーパント物質ＰＨ3、Ｐ4、Ｂ5Ｈ9、Ｂ10Ｈ14が挙げられている。ここでは、安定なクラスター故の長い変換時間並びにその毒性が欠点である。極めて安定なホウ素原子クラスター故に、ホウ素の均質な分布が困難になり、そのため、比較的高いホウ素添加量が必要である（１０ａｔ%ホウ素）。
【００１１】
EP 1640342 A1は、ＧＰＣによれば８００〜５０００ｇ／ｍｏｌの平均分子量を有するポリシランを含む、「高級シラン」の組成物を記載する。この組成物は、第３又は第５の主族の元素も含むことができる。実施例では、シクロペンタシランがデカボランと共に照射される。このフィルムは４００℃で３０分間、引き続き８００℃で５分間硬化される。ここで、安定なクラスター故の長い変換時間並びにその毒性が欠点である。極めて安定なホウ素原子クラスター故に、ホウ素の均質な分布が困難になっている。
【００１２】
US 2008022897 A1は、様々なドープ材の使用を記載する。特許請求の範囲においては、組成物のみが記載され、しかし、ｎ型又はｐ型のＳｉ層を生じる方法の説明はない。請求項１は、ＳｉnＨ2n+2（式中、ｎ＝３〜２０）及びＢＲ3（式中、各Ｒが独立してＨ、アルキル等であってよい）の組成物を記載する。
【００１３】
JP2002100576 A1は、ドープ材としてのＢＨ3−スルフィド錯体の使用を記載する。この場合に、錯体、並びに、ヒドリドシランが熱分解され、蒸気相中の好適な不活性有機媒体を通じて一緒に基材へと析出される。実施例では、４００℃の析出温度及び少なくとも２０分の変換時間が挙げられる。
【００１４】
この全ての記載の方法は、しかし、使用される化学的に極めて安定なドープ材をＳｉ層中で活性化するために、極めて長い硬化時間を必要とする点で共通している。
【００１５】
したがって、本発明の課題は、先行技術の記載の欠点を回避する、ｐ型ドープされたシリコン層の製造方法を提供することである。特に、この方法は、液状シラン処方物の析出を基礎とすることが望ましい。加えて、使用される処方物が安定であり、基材を良好に湿潤し、一様に分布されたドーピングを有する均質なｐ型ドープされたシリコン層を生じる、ｐ型ドープされたシリコン層の液相製造方法が、提供されることが望ましい。この場合に、良好な導電性を有するｐ型ドープされたａＳｉ層を製造できることが、さらに特に好ましい。
【００１６】
前述の課題は、本発明によって、
（ａ）基材を準備する工程、
（ｂ）少なくとも１のケイ素化合物、及び、ドーパントとして疎水化剤の群からの少なくとも１の化合物を含有する処方物を準備する工程、
（ｃ）前記処方物を前記基材に設ける工程、
（ｄ）コーティングされた前記基材を放射線照射及び／又は熱処理し、主としてケイ素からなる、ｐ型ドープされた層を形成させる工程、
を含む、基材に配置されたｐ型ドープされたシリコン層少なくとも１を製造する方法によって解決される。
【００１７】
疎水化剤とは、本発明の意味合いにおいて、少なくとも１のホウ素−水素結合を有するホウ素化合物（ジボラン除く）が理解されるべきである。ジボランは、本発明の範囲では、好適な疎水化剤から除かれ、というのもジボランはガス状態故に欠点があるからである。加えて、疎水化剤としてのジボランとの反応は極めてゆっくりと進行する。好ましくは、疎水化剤は液状又は固形状である。
【００１８】
本発明の方法において好ましく使用される、疎水化剤の群からの化合物は、ａ）ＴＨＦ、ＮＲ3（式中、Ｒ＝Ｈ、アルキル、アリール）並びにＳＲ′2（式中、Ｒ′＝Ｈ、アルキル、アリール）からなる群から選択された錯形成剤とのＢＨ3錯体、又は、ｂ）ａ）で定義されたＢＨ3錯体と環状ジエンとの反応によって製造可能なＢxＣxnＨ2xn-x（式中、ｘ＝１〜４及びｎ＝３〜１０）タイプの化合物から選択されている。特に好ましくは、群ａ）及びｂ）からは、化合物ＢＨ3*ＴＨＦ、ＢＨ3ＳＭｅ2、ＢＨ3ＮＭｅ3又は９−ボラビシクロノナン（９−ＢＢＮ）、７−ボラビシクロヘプタン及び／又は１１−ボラビシクロウンデカンである。特にとりわけ好ましい疎水化剤は、ＢＨ3*ＴＨＦ、ＢＨ3*ＮＭｅ3及び９−ボラビシクロノナン（９−ＢＢＮ）である。
【００１９】
「少なくとも１のケイ素化合物、及び、疎水化剤の群からの少なくとも１の化合物を含有する」との書き方は、この場合に本発明の意味合いにおいては、少なくとも１のケイ素化合物及び疎水化剤の前述の群からの少なくとも１の化合物からなる組成物も、同様に、少なくとも１のケイ素化合物及び疎水化剤の群からの少なくとも１の化合物から製造可能な組成物、特に、少なくとも１のケイ素化合物と疎水化剤の前述の群からの少なくとも１の化合物との反応生成物をも理解すべきである。
【００２０】
前でａ）及びｂ）で挙げたクラスのドープ材は、従来は有機合成化学において、特にアルケンの疎水化のために、引き続くヒドロキシル化の際に相応するアンチマルコフニコフ生成物を得るべく使用されていた。
【００２１】
したがって、オプトエレクトロニクス部材のためのＳｉ層のドーピングのために前記化合物クラスが使用できることは、特に意外である。前記化合物クラスは、市販され、かつ、貯蔵安定性である。大抵の場合には、前記化合物クラスは有毒でなく、そして、Ｓｉ層へのドーピング原子の均質な分布を困難にするクラスター形成を示さない。
【００２２】
本発明の方法は、複数の利点を提供する。そして、工程ｄ）においては、ドーピングされたｐ層を生じるより短い時間を達成できる。このことは、ドーピング元素が、先行技術で使用される化合物からよりも、より容易く放出されるためであろう。ドーピング元素の放出の際に発生する残分もまた安定であり、かつ良好に蒸発可能である。更なる利点は、有毒でない、市販で入手可能な物質が使用できることである。意外なことに、新規クラスのドープ材を用いてさらに、極めて良好な導電性を有するｐ型ドープされたシリコン層が入手可能になる。
【００２３】
本発明の方法で好ましく使用されるケイ素化合物は、ケイ素−水素−化合物、好ましくは一般式ＳｉnＨ2n+2又はＳｉnＨ2n（式中、ｎ＝３〜２０）のケイ素−水素−化合物、ケイ素−ハロゲン化物；ケイ素−オルガニル；オリゴマーのケイ素化合物ＳｉnＲ2n+2又はＳｉnＲ2n（式中、そのつどｎ＝８〜１００及びＲ＝Ｈ、ハロゲン、オルガニルであり、各Ｒは独立して選択されてよい）；又はこれらケイ素化合物の任意の混合物である。さらに、前述の化合物、特に一般式ＳｉnＨ2n+2又はＳｉnＨ2n（式中、ｎ＝３〜２０）のケイ素−水素−化合物が、工程ｂ）での使用前に、部分的に又は完全にオリゴマー化されることができ、モル質量３３０ｇ／ｍｏｌ〜１００００ｇ／ｍｏｌ、好ましくは４００ｇ／ｍｏｌ〜３０００ｇ／ｍｏｌ、特に好ましくは５００ｇ／ｍｏｌ〜１０００ｇ／ｍｏｌに調節されることができる。この場合に、オリゴマー化は、部分的に又は完全に、放射線照射又は熱処理によって行われることができる。
【００２４】
特に好ましくは、ケイ素−水素−化合物、即ちシラン及びオリゴシラン又はポリシランが使用され、というのも、これら化合物は、化学合成又はＳｉＨ4の触媒作用したアニーリングによって入手され、そして、化合物のモル質量に対して高いケイ素割合を有するからである。シランのうち、特に一般式ＳｉnＨ2n+2（式中、ｎ＝３〜１０、好ましくはｎ＝４〜８）又はＳｉnＨ2n（式中、ｎ＝４〜８、好ましくはｎ＝５、６）のシランが本発明の方法に適している。
【００２５】
オリゴマーのケイ素化合物ＳｉnＲ2n+2又はＳｉnＲ2n（ｎ＝８〜１００、Ｒ＝Ｈ）は、例えば、一般式のＳｉnＨ2n+2又はＳｉnＨ2n（ｎ＝３〜２０）の１又は複数のケイ素化合物のオリゴマー化によって製造されることができる。オリゴマーのケイ素化合物ＳｉnＲ2n+2又はＳｉnＲ2n（そのつどｎ＝８〜１００、Ｒ＝ハロゲン）は、例えば、１又は複数のケイ素−ハロゲン化物のオリゴマー化によって製造されることができる。最後に、オリゴマーのケイ素化合物ＳｉnＲ2n+2又はＳｉnＲ2n（そのつどｎ＝８〜１００、Ｒ＝オルガニルを有する）は、１又は複数のケイ素−オルガニル物のオリゴマー化によって製造されることができる。全ての場合に、上述のＲの各々は独立して選択されてよい。
【００２６】
本発明の方法の一変法において、ケイ素含有処方物は、一般式ＳｉnＨ2n+2（ｎ＝３〜１０、好ましくはｎ＝４〜８）又はＳｉnＨ2n（ｎ＝４〜８、好ましくはｎ＝５、６）の高級シラン少なくとも１を含む混合物のオリゴマー化及び／又はポリマー化によって製造されることができる。ＵＶ照射又は熱処理を用いたオリゴマー化には、前述の式の高級シラン（ｎ≧３を有する）が使用される。このようにして、液状の低粘性混合物から一工程において、オリゴシラン／ポリシランを含む所望の高粘性液状混合物が製造されることができる。
【００２７】
本発明の方法の更なる一変法において、ケイ素含有処方物は、エネルギーリッチな（energetisch）プロセス、例えばＵＶ照射、熱処理を用いて、少なくとも１のケイ素含有化合物及び疎水化試薬の群からの少なくとも１のドープ材を含む混合物のオリゴマー化及び／又はポリマー化によって製造されることができる（共オリゴマー化）。疎水化剤の群からの化合物の添加は、したがって、場合によって実施されるケイ素含有化合物のオリゴマー化及び／又はポリマー化の前又は後又はその間にも、行われることができる。
【００２８】
本発明の方法で使用されるケイ素含有処方物は、典型的には液状処方物である。これは、前述のケイ素化合物からなり、場合によって溶媒との混合物にある。好ましくは、鎖状、分枝状又は環状の飽和、不飽和又は芳香族の、１２個までの炭素原子を有する炭化水素（場合によって、部分的に又は完全にハロゲン化されている）、アルコール、エーテル、カルボン酸、エステル、ニトリル、アミン、アミド、スルホキシド及び水からなる群からの溶媒が使用可能である。特に好ましくは、ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタン、ｎ−デカン、ドデカン、シクロヘキサン、シクロオクタン、シクロデカン、ジシクロペンタン、ベンゼン、トルエン、ｍ−キシレン、ｐ−キシレン、メシチレン、インダン、インデン、テトラヒドロナフタレン、デカヒドロナフタレン、ジエチルエーテル、ジプロピルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ｐ−ジオキサン、アセトニトリル、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、ジクロロメタン及びクロロホルムである。
【００２９】
特に好ましく使用可能な溶媒は、炭化水素ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタン、ｎ−デカン、ドデカン、シクロヘキサン、シクロオクタン、シクロデカン、ベンゼン、トルエン、ｍ−キシレン、ｐ−キシレン、メシチレン、インダン及びインデンである。
【００３０】
場合によって、更なる溶媒、更なるドーパント及び／又は更なる助剤が追加して添加されることができる。この場合に、この更なる剤又は物質は相互に独立して、既にオリゴマー化及び／又はポリマー化の前に混合物に添加されるか、又はその後に初めて添加されることができる。この場合でも、オリゴマー化及び／又はポリマー化は部分的に又は完全に放射線照射又は熱処理によって行われることができ、その際、モル質量３３０ｇ／ｍｏｌ〜１００００ｇ／ｍｏｌ、好ましくは４００ｇ／ｍｏｌ〜３０００ｇ／ｍｏｌ、特に好ましくは５００ｇ／ｍｏｌ〜１０００ｇ／ｍｏｌに調節されることができる。全処方物に対する溶媒の割合は、５〜９９質量％、好ましくは２５〜８５質量％、特に好ましくは５０〜８５質量％であることができる。
【００３１】
ケイ素含有処方物を用いた基材のコーティングは、知られているように行うことができる。好ましくは、前記処方物は、印刷方法又はコーティング方法（特にフレキソ／グラビア印刷、インクジェット印刷、オフセット印刷、デジタルオフセット印刷及びスクリーン印刷）、スプレー法、回転コーティング法（「Spin-coating」）、浸漬法（「Dip-coating」）から選択される方法を介して、及び、メニスカスコーティング、スリットコーティング、スロットダイコーティング及びカーテンコーティングから選択される方法、を介して析出される。
【００３２】
コーティングされた基材の熱処理は、知られているように行われることができ、特にＯ2及びＨ2Ｏの十分な除外下で行われることができる。そして、前記処方物を用いてコーティングされた基材は、おおよそ２００〜１０００℃、好ましくは２５０〜７００℃、さらに好ましくは３００〜６５０℃の温度に加熱されることができる。この場合に、本発明によって、少なくとも部分的に変換され、そして主としてケイ素からなる層が形成される。新規に製造された層の場合には、ＵＶランプ（例えば、波長２５４ｎｍ又は波長１８０ｎｍ）を用いても、前接続された硬化が架橋によって行われることができる。本発明の方法の好ましい一実施態様において、コーティングされた基材は照射なしに熱処理に供給される。原則的に、温度処理は、炉、加熱したローラー、加熱プレート、赤外線若しくはマイクロ波照射又は類似の手段の使用によって行われることができる。しかし、特に好ましくは、温度処理は、そうすれば生じる少ない出費のために、加熱プレートを用いて又は加熱したローラーを用いてロールｔｏロール法において、実施される。
【００３３】
２００℃〜１０００℃の温度が十分である。前記層は、水素及び窒素からの又は水素及びアルゴンからのフォーミングガス混合物（例えばＨ2／Ｎ2は体積割合で５／９５〜１０／９０、又は、Ｈ2／Ａｒは体積割合で５／９５〜１０／９０）の２５０℃〜７００℃、好ましくは３００℃〜６５０℃の温度での加熱によって後処理されてもよい。
【００３４】
コーティングされた基材の熱処理では、少なくとも部分的にオリゴマー化した、主としてケイ素からなるフィルムの変換が、通常は１０分間未満、好ましくは５分間未満の間に行われる。変換は、２００ｍｂａｒ〜５０ｂａｒまでの圧力下で行われることができる。好ましくは、変換は５００ｍｂａｒ〜１０ｂａｒの圧力で行われ、特にとりわけ好ましくは８００ｍｂａｒ〜１３００ｍｂａｒの圧力で行われる。この場合に、温度は２５０℃〜７００℃にあることができ、好ましくはｐ型ドープされたａＳｉ層に関して３００℃〜６５０℃にあることができる。変換は、１又は複数の連続した温度段階において実施されることができる。
【００３５】
より長い変換時間によって、発生する層はより多くの水素を失い、これは空格子点、いわゆるdangling bondsを飽和させる。この空格子点は、ドーピング荷電体のための穴を作り出し、それによって、より劣悪なドーピング効率を引き起こすことがある。より長い変換時間は、先行技術に記載のようにさらに欠点があり、というのもそれによってより長いコーティング経路にわたりより高いプロセスコストが発生するからである。
【００３６】
上述の通り、本発明の方法は、基材に配置されたシリコン層「少なくとも１」の製造に適している。より多くの相応するシリコン層を基材上で獲得することができるためには、方法工程（ｂ）〜（ｄ）は複数回実施されることができる。方法工程の複数回の通過では、個々の工程は相互に独立して実際的に整えられることができ、その結果、各層の特性は、意図される目的のために個別に調節されることができる。
【００３７】
本発明の方法にとっては、多数の基材が使用されることができる。好ましくは、基材は、ガラス、石英ガラス、グラファイト、金属、シリコンからなるか、又は、熱寛容性（hitzevertraeglich）の支持体上に存在するシリコン層、インジウムスズ酸化物層、ＺｎＯ：Ｆ層又はＳｎＯ2：Ｆ層からなる。
【００３８】
好ましい金属は、アルミニウム、特殊鋼、Ｃｒ鋼、チタン、クロム又はモリブデンである。さらに、プラスチックシート、例えばＰＥＮ、ＰＥＴ又はポリイミドからのプラスチックシートが使用されることができる。
【００３９】
基材として、しかし、既にここに記載の方法により製造された、コーティングされた基材も使用できる。
【００４０】
本発明の主題は、基材及びｐ型ドープされたシリコン層を含むコーティングされた基材であって、ｐ型ドープがホウ素ドープであり、ホウ素が疎水化剤の群からの化合物によって、上述のように導入されたことを特徴とする基材でもある。
【００４１】
上述のコーティングされた基材は、好ましくは、ここに記載の本発明の方法に応じて製造されることができる。
【００４２】
基材として、上で挙げた全ての材料及び配置が考慮され、特に導電性であるか又は導電性表面を有するものが考慮される。
【００４３】
本発明の更なる主題は、ここに記載の本発明の方法又はその変法を適用して製造されたか又は製造されることができる、光起電装置、特にソーラーセル又はソーラーセルの組み合わせ物である。
【００４４】
本発明は、特に、シリコン層のｐ型ドーピングのための疎水化剤の群からの化合物の使用をも含む。そのうち特に、少なくとも１のケイ素化合物を含む処方物を設ける工程、及び、コーティングされた基材を放射線照射及び／又は熱処理し、主としてケイ素からなる、ｐ型ドープされた層を形成させる工程、を含む方法によって製造されるシリコン層である。
【００４５】
実施例：
記載の層厚を、Ellipsometer SENpro（Sentech社、ベルリン）で測定した。記載の電気的測定を、Ｎ2雰囲気（１ｐｐｍ未満の酸素濃度及び最高１ｐｐｍの水含有量を有した）を有するグローブブックス中でKeithley装置を用いて実施した。
【００４６】
実施例１：疎水化剤（ＢＨ3*ＴＨＦ）でｐ型ドープしたＳｉ層の製造
Ｎ2雰囲気（１ｐｐｍ未満の酸素濃度及び最高１ｐｐｍの水含有量を有した）を有するグローブボックス中で、３ｍＬのシクロペンタシランを、３ｍＬのトルエン及び０．５ｍＬのＢＨ3*ＴＨＦ錯体と混合し、開放容器中で波長２５４ｎｍのＵＶランプを用いて１５０分間の期間照射する。この場合に、さらさらとしたシランがよりどろりとする（処方物１）。
【００４７】
０．２ｍＬの処方物１及び０．９ｍＬのシクロオクタンからの処方物２  ４滴を、サイズ２．５ｃｍ×２．５ｃｍのガラス片に設け、スピンコーターを用いて６０００ｒｐｍで一様に前記ガラス片に分布させる。引き続き、加熱プレートを用いて前記フィルムを５００℃で１分間の期間にわたり加熱する。黒っぽい、実質的に酸素不含のｐ型ドープされたシリコン層が前記基材に発生する。この層厚は、１３４ｎｍである。導電性測定によって、２×１０Ｅ＋０５Ｏｈｍｃｍの比暗抵抗（spez. Dunkelwiderstand）が生じる。
【００４８】
実施例２：９−ボラビシクロノナンでｐ型ドープされたＳｉ層の製造
Ｎ2雰囲気（１ｐｐｍ未満の酸素濃度及び最高１ｐｐｍの水含有量を有した）を有するグローブボックス中で、４ｍＬのシクロペンタシランを、４ｍＬのシクロオクタンと混合し、開放容器中で波長２５４ｎｍのＵＶランプを用いて１６０分間の期間照射する。この場合に、さらさらとしたシランがよりどろりとする（処方物３）。
【００４９】
０．０７５ｍＬの処方物３、０．１４１ｍＬのシクロオクタン、０．１０３ｍＬのトルエン及び０．０５６ｍＬのシクロペンタシランからの処方物４  ４滴を９ｍｇの９−ＢＢＮと混合し、サイズ２．５ｃｍ×２．５ｃｍのガラス片に設け、スピンコーターを用いて３０００ｒｐｍで一様に前記ガラス片に分布させる。引き続き、加熱プレートを用いて前記フィルムを５００℃で１分間の期間にわたり加熱する。黒っぽい、実質的に酸素不含のｐ型ドープされたシリコン層が前記基材に発生する。この層厚は、１４９ｎｍである。導電性測定によって、約７×１０Ｅ＋０４Ｏｈｍｃｍの比暗抵抗が生じる。
【００５０】
実施例３（比較）：デカボランでｐ型ドープされたＳｉ層の製造
Ｎ2雰囲気（１ｐｐｍ未満の酸素濃度及び最高１ｐｐｍの水含有量を有した）を有するグローブボックス中で、１．７ｇの、トルエン中のシクロペンタシラン１：１混合物を、０．０５ｇのデカボランと混合し、開放容器中で波長２５４ｎｍのＵＶランプを用いて９０分間の期間照射する。この場合に、さらさらとしたシランがよりどろりとする（処方物５）。さらに、２．５ｍＬのシクロペンタシランを単独で５５分間照射する。シクロペンタシランは、この場合に、どろりとしたオリゴマーへとオリゴマー化する。０．２ｍＬの前記のどろりとしたオリゴマーを、０．０５ｍＬの処方物５及び０．５ｍＬのトルエンと混合する（処方物６）。
【００５１】
処方物６  ４滴を、サイズ２．５ｃｍ×２．５ｃｍのガラス片に設け、スピンコーターを用いて３０００ｒｐｍで一様に前記ガラス片に分布させる。引き続き、加熱プレートを用いて前記フィルムを５００℃で１分間の期間にわたり加熱する。黒っぽい、実質的に酸素不含のｐ型ドープされたシリコン層が前記基材に発生する。この層厚は、１７３ｎｍである。導電性測定によって、２．６×１０Ｅ＋０９Ｏｈｍｃｍの比暗抵抗が生じる。
【国際調査報告】
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