【事件の表示】
　特許第２６３４１８３号「ダイヤモンド結晶の形成方法」の特許に対する特許異議の申立てについて、　次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第２６３４１８３号の特許を維持する。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯
　　特許出願　　　　　　　　　　　　　昭和６３年　２月　８日
　　設定登録　　　　　　　　　　　　　平成　９年　４月２５日
　　　　　　　　　　　　　　　　（特許第２６３４１８３号）
　　特許公報発行　　　　　　　　　　　平成　９年　７月２３日
　　特許異議の申立て　　　　　　　　　平成１０年　１月１６日
　　　　　　　　　　　　　　　　（申立人　住友電気工業株式会社）
　　取消理由通知　　　　　　　　　　　平成１０年　５月　８日
　　意見書、訂正請求書　　　　　　　　平成１０年　７月２１日
　　訂正拒絶理由通知　　　　　　　　　平成１０年　７月２９日
　　手続補正書（訂正請求書）　　　　　平成１０年１０月１２日
　
II．訂正の要旨
１．訂正請求に対する補正の適否について
　平成１０年１０月１２日付けの「手続補正書（訂正請求書）」による補正は、
（１）平成１０年７月２１日付けの訂正請求書に添付された訂正明細書の請求項１に「凹部を部分選択的に形成する」とあるのを、特許請求の範囲の減縮を目的として、「凹部を部位選択的に形成することによりダイヤモンド結晶より成る薄膜パターンを形成する」と補正し、
（２）上記「（１）」で請求項１が補正されたことに伴い、上記訂正明細書２頁９行に「凹部を部分選択的に形成する」とあるのを、明りょうでない記載の釈明を目的として、「凹部を部位選択的に形成することによりダイヤモンド結晶よりなる薄膜パターンを形成する」と補正し、
（３）同じく４頁下から１３行の「凹部を部分選択的に基体上に形成する」とあるのを、明りょうでない記載の釈明を目的として、「凹部を部位選択的に基体上に形成する」と補正し、
（４）さらに、上記「（１）」〜「（３）」の補正事項に整合するように上記訂正請求書の「訂正の原因」の記載を補正するものである。
　そして、特許明細書５頁２〜５行には「基体上に部位選択的に凹部を形成すれば、ダイヤモンド結晶より成る薄膜パターンを容易に形成することができる。」（特許公報３欄４０〜４２行）と記載されていたから、上記補正事項（１）〜（４）は、訂正請求書の要旨を変更するものではなく、特許法第１２０条の４第３項において準用する同法第１３１条第２項の規定に適合する。
２．訂正の内容
　平成１０年７月２１日付けの訂正請求書（平成１０年１０月１２日付けの手続補正書（訂正請求書）により補正された事項も含む。）における訂正の要旨は次のとおりである。
２．１　訂正事項ａ
　特許明細書の請求項１に「凹部を形成する」（特許公報１欄５行）とあるのを、「凹部を部位選択的に形成することによりダイヤモンド結晶より成る薄膜パターンを形成する」に訂正する。
２．２　訂正事項ｂ
　特許明細書３頁１３行に「凹部を形成する」（同公報３欄１４行。なお、特許公報では「凹部を形成すこと」となっているが、「凹部を形成すること」の誤植である。）とあるのを、「凹部を部位選択的に形成することによりダイヤモンド結晶より成る薄膜パターンを形成する」に訂正する。
２．３　訂正事項ｃ
　特許明細書７頁下から３行に「凹部を基体上に形成する」（同公報４欄３９〜４０行）とあるのを、「凹部を部位選択的に基体上に形成する」に訂正する。
　
III．訂正の適否に対する判断
１．訂正の目的、新規事項、拡張・変更
１．１　訂正事項ａについて
　上記訂正事項ａは、特許明細書の請求項１には凹部をどのような形態に形成するものであるか及びこの凹部に何を形成するかについては何も限定されていなかったものを、凹部を「部位選択的」に形成するものでありかつこの凹部に「ダイヤモンド結晶より成る薄膜パターン」を形成するものに限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮に相当する。
　そして、特許明細書５頁２〜５行には「基体上に部位選択的に凹部を形成すれば、ダイヤモンド結晶より成る薄膜パターンを容易に形成することができる。」（同公報３欄４０〜４２行）と記載されていたから、上記訂正事項ａは、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内のものであり、かつ実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
１．２　訂正事項ｂ及びｃについて
　上記訂正事項ｂ及びｃは、上記訂正事項ａで特許明細書の請求項１が訂正されたことに伴い、発明の詳細な説明の記載をこれに整合するように訂正するものであるから、明りょうでない記載の釈明に相当し、また、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内のものであり、かつ実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
２．独立特許要件
２．１　訂正明細書に記載された発明
　訂正明細書に記載された請求項１の記載は次のとおりである。
【請求項１】気相法により基体上にダイヤモンド結晶を成長させる過程を含むダイヤモンド結晶の形成方法において、前記基体上にあらかじめ５０〜５０００Åの深さおよび巾を有する凹部を部位選択的に形成することによりダイヤモンド結晶より成る薄膜パターンを形成することを特徴とするダイヤモンド結晶の形成方法。
（以下において、上記請求項１に係る発明を「本件訂正発明」という。）
２．２　取消理由の概要
　平成１０年５月８日付けの取消理由の概要は、次のとおりである。
　本件請求項１に係る発明は、下記引用例１に記載された発明であるか、あるいは下記引用例１に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであると認められるから、本件請求項１に係る発明の特許は特許法第２９条第１項あるいは同条第２項の規定に違反してなされたものである。
　　　　　　　　　　　　　　　記
　引用例１：特開昭  ６１−１５１０９７号公報
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　（甲第１号証に該当）
２．３　引用例の記載
　上記引用例１には、「平滑面をもつダイヤモンド薄膜の製法」の発明に関し、
(1-1)「深さ，幅が０．１μｍ以下の微小な傷をつけたＳｉミラーウエハー基板面上にダイヤモンドを析出させてダイヤモンドの薄膜を形成し、このダイヤモンド薄膜が形成されている基板を溶解除去することを特徴とする平滑面をもつダイヤモンド薄膜の製法。」（１頁左下欄特許請求の範囲）、
(1-2)「本発明は、上記問題点を解決するために・・・（中略）・・・深さ，幅が０．１μｍ以下の微小な傷をつけたＳｉミラーウエハー基板面上にＣＶＤ法によってダイヤモンドを析出させて、ダイヤモンドの薄膜を形成し、このダイヤモンドの薄膜が形成されている基板をフッ化水素酸等によって溶解する平滑な面をもつダイヤモンド薄膜の製法にある。」（２頁左上欄１１〜１８行）、
との記載がある。
２．４　対比・判断
　本件訂正発明と上記引用例１に記載されている発明とを対比すると、引用例１に記載のダイヤモンド薄膜は、本件訂正発明と同じく、ＣＶＤ法すなわち気相法で作製されているから、「結晶」であると認められるし、また、引用例１に記載の発明における基板面に設けられた「微小な傷」は、その深さ及び巾の大きさが本件訂正発明における数値限定範囲と重複一致する範囲が存在するから、本件訂正発明における「凹部」に相当すると認められるので、結局、両者は、
「気相法により基体上にダイヤモンド結晶を成長させる過程を含むダイヤモンド結晶の成長方法であって、前記基体上にあらかじめ微小な深さ及び巾を有する凹部を形成するダイヤモンド結晶の成長方法。」
であって、かつ「微小な深さ及び巾」の具体的数値範囲が重複一致している点では共通するが、本件訂正発明では「微小な深さ及び巾を有する凹部」を「部位選択的に形成」することにより基体上に「ダイヤモンド結晶より成る薄膜パターンを形成」するものであるのに対し、引用例１に記載のものでは基体上にダイヤモンド結晶よりなる薄膜を形成」した後に基体を溶解して「ダイヤモンド結晶からなる薄膜」を得るものであるので、両者はかかる点で別異の発明である。
　また、引用例１には基体上にダイヤモンド結晶より成る薄膜パターンを形成することを示唆する記載はない。
　そして、本件訂正発明は、上記請求項１に記載される方法を採用することにより、「ダイヤモンド結晶よりなる薄膜パターンを容易に形成することができる。」（特許公報４欄４２〜４４行）という効果を奏することは、特許明細書の「以上の成膜により基板上の凹部部分に径が１００〜２００Åのダイヤモンド結晶が析出し、凹部以外の部分には、ダイヤモンド結晶はほとんど析出しなかった。」（同公報４欄１０〜１２行）との記載からして確認できる。
　してみれば、本件訂正発明は上記引用例１に記載された発明であるとも、また、上記引用例１に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものともすることはできないから、本件訂正発明は特許出願の際独立して特許を受けることができるものである。
３．訂正の認否
　したがって、上記「III．１．」及び「III．２．４」に述べたように、上記訂正は特許法第１２０条の４第２項及び同条第３項で準用する同法第１２６条第２項から第４項までの規定にそれぞれ適合するものであるから、当該訂正を認める。
　
IV．特許異議の申立についての判断
１．申立理由の概要
　申立人は、証拠として甲第１号証（特開昭６１−１５１０９７号公報、上記引用例１に該当）を提出し、本件特許の請求項１に係る発明は、甲第１号証に記載された発明であるか、あるいは、甲第１号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、該発明の特許は特許法第２９条第１項もしくは第２項の規定に違反してなされたものである旨を主張している。
２．当審の判断
２．１　本件発明
　上記「III．３．」で述べたように、上記訂正を認めるので、本件特許の請求項１に係る発明は、上記「III．２．１」に摘記した訂正後の請求項１に記載されたとおりのもの（以下、「本件発明」という。）である。
２．２　申立理由についての判断
　申立人の申立理由及びその申立理由で引用された甲第１号証は、それぞれ当審における取消理由通知で通知した理由及び証拠として引用した引用例１と同じであるから、上記「III．２．４」で述べたのと同様の理由により、本件発明は、甲第１号証に記載された発明であるとも、また、甲第１号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものともすることはできない。
　
Ｖ．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件発明に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年３月１日（２０００．３．１）
【訂正の要旨】
１．訂正事項ａ
　特許請求の範囲の減縮を目的として、特許明細書の請求項１に「凹部を形成する」（特許公報１欄５行）とあるのを、「凹部を部位選択的に形成することによりダイヤモンド結晶より成る薄膜パターンを形成する」に訂正する。
２．訂正事項ｂ
　明りょうでない記載の釈明を目的として、特許明細書３頁１３行に「凹部を形成する」（同公報３欄１４行）とあるのを、「凹部を部位選択的に形成することによりダイヤモンド結晶より成る薄膜パターンを形成する」に訂正する。
３．訂正事項ｃ
　明りょうでない記載の釈明を目的として、特許明細書７頁下から３行に「凹部を基体上に形成する」（同公報４欄３９〜４０行）とあるのを、「凹部を部位選択的に基体上に形成する」に訂正する。
（５４）【発明の名称】
ダイヤモンド結晶の形成方法
（５７）【特許請求の範囲】
　気相法により基体上にダイヤモンド結晶を成長させる過程を含むダイヤモンド結晶の形成方法において、前記基体上にあらかじめ５０〜５０００Åの深さおよび巾を有する凹部を
部位選択的に
ことによりダイヤモンド結晶より成る薄膜パターンを形成する
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
　本発明は、気相法により、基体上にダイヤモンド結晶を成長させるダイヤモンド結晶の形成方法に関する。本発明により形成したダイヤモンド結晶は、例えば光学薄膜、摺動部等の機械的保護膜、半導体集積回路、光集積回路などに利用することができる。
〔従来の技術〕
　ダイヤモンド膜やダイヤモンド状炭素膜の形成方法としては、従来より幾つかの方法が知られており、例えば水素ガスと炭素含有ガスを熱分解あるいはプラズマ状態にして炭素含有ガスの活性種を生成し、その活性種からダイヤモンド膜を基体上に形成する方法（特開昭５８−９１１００号公報、特開昭５８−１１０４９４号公報、特公昭６１−２６３２号公報等）、原料ガスをイオン化し、電界により引き出して基体上にダイヤモンド膜を形成する方法（特開昭５３−１０６３４号公報等）、グラファイトやダイヤモンド等のターゲットに荷電粒子を照射することによりスパッタ蒸着させ、そのスパッタ蒸着した炭素原子によりダイヤモンド膜を基体上に形成する、いわゆるイオンビームスパッタ法（特開昭５６−２２６１６号公報等）などがある。
　また、あらかじめダイヤモンド砥粒などにより基体表面に傷を形成し、その基体に対して上述のような気相法を行なうと、その傷部分のダイヤモンドの核発生密度が向上することが知られている。
〔発明が解決しようとする課題〕
　しかしながら、傷の形成により核発生密度を高める場合、どのような形状の傷がダイヤモンド核発生密度を向上できるのかは、いまだ不明であった。
　本発明の目的は、ダイヤモンド核が良好に発生することのできる基板上の傷（凹部）の大きさおよび深さを見い出し、そのような傷を形成してダイヤモンド結晶を容易に形成する方法を提供することにある。
〔課題を解決するための手段〕
　本発明は、気相法により基体上にダイヤモンド結晶を成長させる過程を含むダイヤモンド結晶の形成方法において、前記基体上にあらかじめ５０〜５０００Åの深さおよび巾の凹部を
部位選択的に
ことによりダイヤモンド結晶より成る薄膜パターンを形成する
　以下、本発明の方法を、工程に沿って、かつ図面を用いて詳細に説明する。なお、第１図（ａ）および（ｂ）は、本発明の工程を簡略に説明するための図面であり、第１図（ａ）は凹部が形成された基体の部分断面図、第１図（ｂ）はダイヤモンド核が成長した後の基体の部分断面図である。
　まず、その表面に、気相法によりダイヤモンド結晶が成長可能であるような基体を用意する。そのような基体としては、例えばＳｉ、Ｇｅ等の半導体基板、石英等の酸化物基板、Ｍｏ、Ｗ等の金属基板を挙げることができる。なお、後述するように本発明の方法を用いればダイヤモンド核が発生し易くなるので、従来はダイヤモンド核が成長し難いような材質の基体をも使用可能な場合もある。
　次いで、第１図（ａ）に示すように、基体１上のダイヤモンド結晶形成予定部位に凹部２を形成する。その凹部は、５０〜５０００Å、好ましくは１００〜５００Åの深さおよび巾を有するものであればどのような形状であってもよい。例えば線状または点状などでもよく、線状の凹部の場合は傷の巾が上記範囲内であれば、傷の長さ５０００Å以上であってもよい。凹部の形成方法は、特定の方法に限定されるものではなく、例えばＦＩＢ（集束イオンビーム）法、ＥＢリソグラフィー（電子線描画装置）法、ドライエッチング法、ウェットエッチング法、機械的方法など種々の方法により形成することができる。なお、本発明において、基体上に部位選択的に凹部を形成すれば、ダイヤモンド結晶より成る薄膜パターンを容易に形成することができる。
　次いで、第１図（ｂ）に示すように、凹部２が形成された基体１の上に、気相法により、ダイヤモンド結晶を成長させる。その際に、基体１上の凹部２の部分からダイヤモンド核が容易に発生するので、ダイヤモンド結晶３が容易に成長し始める。
〔実施例〕
　以下、本発明を実施例により更に詳細に説明する。
実施例１
　Ｓｉ（１００）単結晶基板に、電子描画装置を用いたパターン作成法により、表−１に示すような種々の径の穴状の凹部を多数形成した。なお、基板の直径は１インチ、厚さは０．５ｍｍとした。
　次いで、その基板上にＷフィラメント法によるダイヤモンド成膜を５分間行なった。なお、その際の原料ガスは、ＣＨ４とＨ２の混合ガスでＣＨ４濃度０．５％のものを用いた。また圧力は５０Ｔｏｒｒ、基板温度は８５０℃、フィラメント温度は２１００℃とした。
　以上の成膜により、基板上の凹部部分に径が１００〜２００Åのダイヤモンド結晶が析出し、凹部以外の部分には、ダイヤモンド結晶はほとんど発生しなかった。
　表−１に、各径の凹部に対するダイヤモンド結晶発生の確率を示す。これらの結果から、本発明によればダイヤモンド核を良好に発生させることができることが確認できた。
比較例１
　凹部を形成しない以外は実施例１と全く同様にして成膜を行なった。表−１に、１ｃｍ２当たりの結晶核の析出個数を示す。
比較例２
　凹部径を１００００Åとした以外は実施例１と全く同様にして成膜を行なった。表−１に示す結果から、本発明の凹部の巾は５０００Å以下で有効であることが確認できた。
〔発明の効果〕
　以上説明したように、本発明によれば、ダイヤモンド結晶の成長のために好適な深さおよび巾の凹部を
部位選択的に
　以上のような本発明の方法により形成したダイヤモンド結晶は、例えば光学薄膜、摺動部等の機械的保護膜、半導体集積回路、光集積回路などに用いるに有用である。
【図面の簡単な説明】
　第１図（ａ）は凹部が形成された基体の部分断面図、第１図（ｂ）はダイヤモンド核が成長した後の基体の部分断面図である。
　１……基体
　２……凹部
　３……ダイヤモンド核