(57)【要約】　　　（修正有）【課題】ＬＥＤダイ・チップを正確に定位し緩みを防止し、実装時のフリップ・チップの移動を防止する。【解決手段】サブマウントホルダー１、一組のＬＥＤダイ・チップにより構成し、サブマウントホルダーの両側にはそれぞれ第一連接区１２と第二連接区１３を設置し、導入槽１２１と制限区１１により通じており、陥没槽１４により第一極区１５と第二極区１６を分割し、制限区、第一連接区、二連接区、及び導入槽上には導電層２を設置する。【選択図】　図１
0003098128.tif 000002
【実用新案登録請求の範囲】
【請求項１】
主にサブマウントホルダー、該サブマウントホルダー上に設置する一組のＬＥＤダイ・チップにより構成し、
該サブマウントホルダー上には制限区を設け、該サブマウントホルダーの両側にはそれぞれ第一連接区と第二連接区を設置し、該第一連接区と該第二連接区はそれぞれ導入槽と該制限区により通じており、該サブマウントホルダーの中央には陥没槽を開設し、
該陥没槽により第一極区と第二極区を定義し、該制限区、該第一連接区、該二連接区、及び該導入槽上には導電層を設置することを特徴とするフリップ・チップ・パッケージングのサブマウントホルダー。
【請求項２】
前記サブマウントホルダーは導電体であることを特徴とする請求項１記載のフリップ・チップ・パッケージングのサブマウントホルダー。
【請求項３】
前記サブマウントホルダーが導電体であって、前記導電層と前記サブマウントホルダー間には別に絶縁層を設置することを特徴とする請求項２記載のフリップ・チップ・パッケージングのサブマウントホルダー。
【請求項４】
前記サブマウントホルダーは絶縁体であることを特徴とする請求項１記載のフリップ・チップ・パッケージングのサブマウントホルダー。
【請求項５】
前記第一連接区の区域と前記第二連接区の区域は広さが異なることを特徴とする請求項１記載のフリップ・チップ・パッケージングのサブマウントホルダー。
【請求項６】
前記サブマウントホルダーは大面積の基材上において多数のサブマウントホルダーを予め設置する構造とすることもでき、この場合には、該多数個のサブマウントホルダーにそれぞれ前記ＬＥＤダイ・チップを入れ、続いて該サブマウントホルダーのサイズに応じて裁断を行うことを特徴とする請求項１記載のフリップ・チップ・パッケージングのサブマウントホルダー。
【考案の詳細な説明】
【０００１】
【考案の属する技術分野】
本考案は一種のフリップ・チップ・パッケージングのサブマウントホルダーに関する。特に一種のＬＥＤダイ・チップのパッケージング及びワイヤリング・プロセスにおいて、ＬＥＤダイ・チップの位置を正確に保持することができるフリップ・チップ・パッケージングのサブマウントホルダーに係る。
【０００２】
【従来の技術】
従来公知のＬＥＤダイ・チップ・パッケージングは、光透過基層上にＮ型半導体層を重ね、該Ｎ型半導体層上に発光層を重ね、さらにＰ型半導体層を重ねた後、該Ｎ型半導体層と該Ｐ型半導体層の電極上にそれぞれ導線を接続し、封入するものである。
こうして、該ＬＥＤは導線により通電し発光する。
【０００３】
【考案が解決しようとする課題】
しかし、上記のＬＥＤダイ・チップは体積が非常に小さいため、該ＬＥＤダイ・チップのＮ型半導体層とＰ型半導体層上に設置する電極の体積はより小さくなる。そのため、Ｎ型半導体層とＰ型半導体層の電極上に導線を接続する製造工程は非常に難易度の高い作業となっており、大量生産を阻んでいる。
本考案は、上記公知構造の欠点を解決するため、その課題は、ＬＥＤダイ・チップは制限区によりサブマウントホルダーにおいて正確に定位され、緩みを防止することができ、かつ制限区の補助定位により、実装時のフリップ・チップの移動を防止することができ、さらに、第一、第二連接区により、ＬＥＤダイ・チップのサブマウントホルダー上でのワイヤリングの利便性を向上させることができるフリップ・チップ・パッケージングのサブマウントホルダーの提供するものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、請求項１の考案は、主にサブマウントホルダー、該サブマウントホルダー上に設置する一組のＬＥＤダイ・チップにより構成し、該サブマウントホルダー上には制限区を設け、該サブマウントホルダーの両側にはそれぞれ第一連接区と第二連接区を設置し、該第一連接区と該第二連接区はそれぞれ導入槽と該制限区により通じており、該サブマウントホルダーの中央には陥没槽を開設し、該陥没槽により第一極区と第二極区を定義し、該制限区、該第一連接区、該二連接区、及び該導入槽上には導電層を設置することを特徴とするフリップ・チップ・パッケージングのサブマウントホルダーである。
請求項２の考案は、前記サブマウントホルダーは導電体であることを特徴とする請求項１記載のフリップ・チップ・パッケージングのサブマウントホルダーである。
請求項３の考案は、前記サブマウントホルダーが導電体であって、前記導電層と前記サブマウントホルダー間には別に絶縁層を設置することを特徴とする請求項２記載のフリップ・チップ・パッケージングのサブマウントホルダーである。請求項４の考案は、前記サブマウントホルダーは絶縁体であることを特徴とする請求項１記載のフリップ・チップ・パッケージングのサブマウントホルダーである。
請求項５の考案は、前記第一連接区の区域と前記第二連接区の区域は広さが異なることを特徴とする請求項１記載のフリップ・チップ・パッケージングのサブマウントホルダーである。
請求項６の考案は、前記サブマウントホルダーは大面積の基材上において多数のサブマウントホルダーを予め設置する構造とすることもでき、この場合には、該多数個のサブマウントホルダーにそれぞれ前記ＬＥＤダイ・チップを入れ、続いて該サブマウントホルダーのサイズに応じて裁断を行うことを特徴とする請求項１記載のフリップ・チップ・パッケージングのサブマウントホルダーである。
すなわち、上記各考案は、主にサブマウントホルダー、該サブマウントホルダー上に設置する一組のＬＥＤダイ・チップにより構成し、該サブマウントホルダー上には制限区を設け、該サブマウントホルダーの両側にはそれぞれ第一連接区と第二連接区を設置し、該第一連接区と該第二連接区はそれぞれ導入槽と該制限区により通じており、該サブマウントホルダーの中央には陥没槽を開設する。該陥没槽により第一極区と第二極区を定義し、該制限区、該該第一、二連接区、及び該導入槽上には導電層を設置したフリップ・チップ・パッケージングのサブマウントホルダーである。
【０００５】
【考案の実施の形態】
本考案の実施例を図面に沿って説明する。
本考案の実施例は、図１、２、３に示すように、サブマウントホルダー１、該サブマウントホルダー１上に設置する一組のＬＥＤダイ・チップにより構成する。該サブマウントホルダー１上には制限区１１を設け、該制限区１１に該ＬＥＤダイ・チップは設置される。しかも、該サブマウントホルダー１の両側にはそれぞれ第一連接区１２と第二連接区１３を設置する。
該第一連接区１２と該第二連接区１３の区域の広さは異なり（本考案では第一連接区１２は第二連接区１３の区域より狭い）、さらに該第一、二連接区１２、１３はそれぞれ導入槽１２１、１３１と該制限区１１により通じている。該サブマウントホルダー１の中央には陥没槽１４を開設し、該陥没槽１４により絶縁槽とし、第一極区１５（即ち、Ｐ極）と第二極区１６（即ち、Ｎ極）を定義する。該制限区１１、該該第一、二連接区１２、１３、及び導入槽１２１、１３１上には導電層２を設置する。
これらにより、該ＬＥＤダイ・チップは該制限区１１により該サブマウントホルダー１上において正確に定位され、緩みを防止することができる。しかも、該制限区１１の補助定位機能により、フリップ・チップの実装時には移動の恐れがない。さらに、該第一、二連接区１２、１３により該サブマウントホルダー１上における該ＬＥＤダイ・チップのワイヤリングは非常に容易となる。
【０００６】
次に、図４、５、６、７に示すように、本考案の実施例は、組立てにおいて、ＬＥＤダイ・チップ３を該サブマウントホルダー１の制限区１１中に入れるだけで良い。このとき、該ＬＥＤダイ・チップ３のＰ極３１とＮ極３２は、該制限区１１上に設置する導電層２と接触する。また、該陥没槽１４は絶縁槽として、該サブマウントホルダー１を第一極区１５（Ｐ極３１）と第二極区１６（Ｎ極３２）に定義する。しかも、該制限区１１、該第一、二連接区１２、１３、及び該導入槽１２１、１３１はすべて導電層２を設置する。
こうして、同時に該第一連接区１２と該第二連接区１３は該ＬＥＤダイ・チップ３上の極性に対して、Ｐ極連接区とＮ極連接区を形成する（該極区の形成は組立て時のＬＥＤダイ・チップ３のＰ、Ｎ極３１、３２の設置位置に応じて決定する）。しかも、該第一連接区１２は第二連接区１３の区域より狭いため、該サブマウントホルダー１において該連接区がＰ極であるかＮ極であるかを極めて容易に判断することができる。この後、熱融溶の方式で、該ＬＥＤダイ・チップ３を該サブマウントホルダー１に固設する。最後に該第一連接区１２（Ｐ極連接区）及び該第二連接区１３（Ｎ極連接区）において、それぞれワイヤリングを行い、最後にパッケージングを行う。
該サブマウントホルダー１は導電体、或いは絶縁体の何れでも良く、該サブマウントホルダー１が導電体であるなら、該導電層２と該サブマウントホルダー１間には別に絶縁層４を設置する（図７参照）。
該サブマウントホルダー１が絶縁体であるなら、該導電層２と該サブマウントホルダー１間において絶縁層４を設置する必要はない。
【０００７】
続いて、図８に示すように、本考案の実施例は、大面積の基材５上において多数のサブマウントホルダー１を予め設置する構造とすることができる。この場合には、該多数個のサブマウントホルダー１にそれぞれＬＥＤダイ・チップ３を入れ、熱融溶の方式により、該ＬＥＤダイ・チップ３を該サブマウントホルダー１に固設する。次に、該サブマウントホルダー１のサイズに応じて裁断を行い、該ＬＥＤダイ・チップ３は該制限区１１により該サブマウントホルダー１上に正確に定位される。
上記方式においては、該サブマウントホルダー１は予め裁断し独立した固体とする必要がないため、フリップ・チップのパッケージング時、大量の該フリップ・チップを同時に該サブマウントホルダー１に入れることができ、一度に大量のフリップ・チップのパッケージングを行うことができる。その後、裁断し独立した固体とすれば良く、これにより製造工程における公知方式の欠点は完全に克服可能である。
【０００８】
【考案の効果】
本考案は上記の構成であるから、本考案によれば、ＬＥＤダイ・チップは制限区によりサブマウントホルダーにおいて正確に定位され、緩みを防止することができ、かつ制限区の補助定位機能により、実装時のフリップ・チップの移動を防止することができるという効果が得られる。
さらに、第一、第二連接区の設置により、ＬＥＤダイ・チップのサブマウントホルダー上でのワイヤリングは極めて容易となるという効果が得られる。
また、本考案は大面積の基材上において多数のサブマウントホルダーを予め設置する構造とすることができるため、一度に大量のフリップ・チップのパッケージングを行うことができ、大量生産に向かないという公知方式の欠点を完全に克服可能であるという効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本考案の実施例の立体外観図である。
【図２】本考案の実施例の平面図である。
【図３】図１のＡ−Ａ線における断面図である。
【図４】本考案の実施例の組立て状態指示図である。
【図５】本考案の実施例の組立て後の立体外観図である。
【図６】図５のＢ−Ｂ線における断面図である。
【図７】本考案の実施例の断面図である。
【図８】本考案の大面積の基材上において多数のサブマウントホルダーを予め設置することを説明する斜視図である。
【符号の説明】
１　　サブマウントホルダー
１１　　制限区
１２　　第一連接区
１３　　第二連接区
１２１　導入槽
１３１　導入槽
１４　　陥没槽
１５　　第一極区
１６　　第二極区
２　　導電層
３　　ＬＥＤダイ・チップ
３１　　Ｐ極
３２　　Ｎ極
４　　絶縁層
５　　基材
【図１】
0003098128.tif 000003
【図２】
0003098128.tif 000004
【図３】
0003098128.tif 000005
【図４】
0003098128.tif 000006
【図５】
0003098128.tif 000007
【図６】
0003098128.tif 000008
【図７】
0003098128.tif 000009
【図８】
0003098128.tif 000010