【事件の表示】
　特許第２７５０４６９号「半導体パッケージ」の請求項１ないし３に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結論】
　特許第２７５０４６９号の請求項１ないし３に係る特許を取り消す。
【理由】
１．本件特許第２７５０４６９号（請求項の数３、以下、「本件特許」という）は、平成２年８月２４日に出願された特願平２−２２３８０９号に係り、平成１０年２月２７日に登録され、その後、京セラ株式会社より全請求項に関して、また、セイコーエプソン株式会社より請求項１に関して、それぞれ特許異議の申立があったので、当審において、当該申立の理由について検討の上、本件特許の取消理由を通知したところ、その通知書で指定した期間内の平成１１年５月１８日に特許異議意見書と共に訂正請求書が提出され、この訂正請求に対して、更に当審より訂正拒絶理由を通知して、その訂正拒絶理由の通知書で指定した期間内の平成１１年１０月１８日付けで上記訂正請求について補正がされたものである。
２．訂正の適否
（１）訂正請求の補正について
　前記訂正請求に係る補正は、次の▲１▼、▲２▼を主要な内容とするものである。
▲１▼前記訂正請求書に添付された訂正明細書における特許請求の範囲の請求項１における、「接合層を介してパッケージ用ベース基板と蓋体とを封止してなる半導体パッケージにおいて、上記接合層は、」という記載に関して、「接合層を介してパッケージ用ベース基板と蓋体とを封止してなる半導体パッケージにおいて、上記ベース基板の内部の穴径は１２．５〜１８ｍｍであり、上記接合層は、」と補正して、補正後の請求項１とすると共に、同じく「接合層を介してパッケージ用ベース基板と蓋体とを封止してなる半導体パッケージにおいて、上記ベース基板の内部の穴径は１５〜１８ｍｍであり、上記接合層は、」と補正して、補正後の請求項２とする。
▲２▼補正前の請求項２を、補正後の請求項３とすると共に、当該補正前請求項２の末尾における「特徴とする請求項１記載の半導体パッケージ。」という記載を、「特徴とする請求項１又は２記載の半導体パッケージ。」という記載に補正する。
　そこで、この補正内容が前記訂正請求の要旨を変更するものか、否かについて検討する。
　上記訂正事項に関連する記載として、願書に添付した明細書（以下、「特許明細書」という。）及び前記訂正明細書の実施例には、ベース基板の穴径について「更に、ベース基板の穴径と接合層の幅について検討した。その結果、穴径が１５〜１８ｍｍの場合は、接合層の幅が０．９ｍｍ以下では、不良率０％、１．０ｍｍ、１．１ｍｍでは各々２０％であった。穴径が１２．５〜１５ｍｍの場合は、接合層の幅が１．０ｍｍ以下では不良率０％、１．１ｍｍ、１．２ｍｍでは各々３０％であった。」（第１１頁第８〜１４行）と記載されており、上記の補正は、特許明細書及び前記訂正明細書に記載された事項の範囲内において、ベース基板の穴径の数値を限定して、補正前より特許請求の範囲を減縮しようとするものであって、訂正請求の要旨を変更するものとはいえない。
　したがって、上記訂正請求についての補正は、特許法第１２０条の４第３項で準用する同第１３１条第２項の規定に適合する適法なものである。
　（２）訂正発明
　上記のとおり、上記訂正請求についての補正は、適法なものであるので、訂正請求に係る発明は、当該補正後における、平成１１年１０月１８日付で提出された訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１〜３に記載された事項によってそれぞれ特定される次のとおりものと認める。
　請求項１　「接合層を介してパッケージ用ベース基板と蓋体とを封止してなる半導体パッケージにおいて、
　上記ベース基板の内部の穴径は１２．５〜１８ｍｍであり、
　上記接合層は、Ａｕ系のロー材料、上記ベース基板上に形成される最表面層がＡｕ層からなる基板側シール層及び上記蓋体上に形成される最表面層がＡｕ層からなる蓋体側シール層を重ねて加熱することにより、上記両最表面層のＡｕが上記ロー材料中に拡散して形成されたものであり、
　上記各Ａｕ層の厚さは１．５μｍ以下であって、上記接合層の幅は０．４〜０．９ｍｍであり、該接合層には、該幅の７５％以上の大きさのボイドがないことを特徴とする半導体パッケージ。」（上記訂正しようとする請求項１に係る発明を、以下、「訂正発明」という）
　請求項２　「接合層を介してパッケージ用ベース基板と蓋体とを封止してなる半導体パッケージにおいて、
　上記ベース基板の内部の穴径は１５〜１８ｍｍであり、
　上記接合層は、Ａｕ系のロー材料、上記ベース基板上に形成される最表面層がＡｕ層からなる基板側シール層及び上記蓋体上に形成される最表面層がＡｕ層からなる蓋体側シール層を重ねて加熱することにより、上記両最表面層のＡｕが上記ロー材料中に拡散して形成されたものであり、
　上記各Ａｕ層の厚さは１．５μｍ以下であって、上記接合層の幅は０．４〜０．９ｍｍであり、該接合層には、該幅の７５％以上の大きさのボイドがないことを特徴とする半導体パッケージ。」
　請求項３　「上記接合層は、上記Ａｕ系のロー材料、上記基板側シール層及び上記蓋体シール層を重ねてクリップにより加圧しつつ加熱することにより形成されることを特徴とする請求項１又は２記載の半導体パッケージ。」
　（３）引用例とその記載事項
　これに対し、上記訂正拒絶理由において引用された、本件特許に係る出願前に頒布された刊行物と、その主要な記載事項は、次のとおりである。
　第１引用例：特開昭６２−５６４７号公報
　（特許異議申立人セイコーエプソン株式会社が提出した甲第２号証）
　第２引用例：特開平２−２８３５１号公報
　（同じく甲第１号証）
　第３引用例：特開昭５６−９１４４９号公報
　（特許異議申立人京セラ株式会社が提出した甲第１号証）
　第４引用例：特開昭６０−３２３４１号公報
　（同じく甲第２号証）
　第５引用例：「実務表面技術」１９７９年３月号、第３３〜３９頁（同じく甲第４号証）
　第６引用例：特開昭５６−１５８４５７号公報
　（同じく甲第３号証）
　第７引用例：特開昭６４−８６５３７号公報
　（同じく甲第５号証）
　▲１▼上記第１引用例には、半導体チップが搭載されるＩＣパッケージの基体を、キャップで封止することに関して、当該封止部は、金・錫合金等のシール材２を、上記基体１上に形成される「ニッケル（Ｎｉ）および金（Ａｕ）の複合メッキを施してある」基体側封止面と、上記キャップ３上に基体側封止面と同様に形成されたキャップ側封止面との間に積層して、加熱及び加圧することにより形成されることが記載されると共に、当該封止の際の問題点として、「封止部にボイドが発生する理由は接合面積が増すに従って完全な平面を作ることが難しくなる」ためであることが指摘されている。（第２頁左上欄下から３行〜同頁左下欄第１２行、同頁右下欄下から８〜５行第１、２図参照）
　また、接合層の幅に関しては、他にも「ＩＣパッケージも大型化したため、封着部にボイドが含まれ易くなり」（第２頁左上欄第１３〜１５行）、「また第８図は帯状の突起１０があるシール材２で、パッケージの側面に沿って帯状のボイドが発生し易い場合に効果的である。」（第３頁左下欄第９〜１１行）との記載があり、ボイドに関しては、「かかる封止はＩＣの長期に互っての気密性を保証するためにシール部にボイド（気泡）が含まれていないことが必要条件となる。」（第２頁左上欄第８〜１０行）及び「本発明の実施例としてキャップサイズが２０ｍｍ角のＩＣパッケージを封止する場合、従来のままの平坦な加圧部材および厚さが約５０μｍの平坦なシール材を用いて封止を行う場合はボイドの発生が製品の３０〜４０％に互って検出されるが、加圧部材に対して本発明を適用する場合はボイドの発生を１０〜２０％に減らすことができ、またシール材に対しても適用することにより５％以下まで減らすことができた。」（第３頁左下欄第１７行〜同頁右下欄第５行）と記載されている。
　▲２▼上記第２引用例には、「ベース基板３およびキャップ４の封止材１００が設けられている部分には、下地金属層としてタングステン（Ｗ）膜またはチタン（Ｔｉ）膜１０１、ニッケル（Ｎｉ）膜１０２、金（Ａｕ）膜１０３が積層して設けられている。」（第２頁右下欄第１７行〜第３頁左上欄第１行）、「キャップ４のベース基板３に接着される部分の厚さ１は、０．５ｍｍ程度と非常に薄くなっている」（第３頁左上欄第１０〜１２行）という記載がある。
　▲３▼上記第３引用例には、「実際のマイクロ波用パッケージでは、封止リング（封止枠）の周辺長さは１０〜１３ｍｍ、高さは０．６５〜１．０ｍｍ、幅は０．３〜０．５ｍｍの範囲内程度」と記載されている。（第３頁左上欄第１３〜１６行）
　また、第４引用例には、「パッケージの半導体素子を載置するキャビティ端部とパッケージ端部との距離が小さいため、封止領域が０．５ｍｍ〜１ｍｍ程度となることがある。」と記載されている。（第２頁右上欄第２０行〜同頁左下欄第２行）
　▲４▼上記第５引用例には、「図２（ａ）の場合は、金属のふたで封止されるが、その接合は金−スズろう材で行われるのが一般的である。このろう付けはフラックスなしで行う必要があり、ふた（リッド）およびメタライゼーションはニッケルめっき下地の金めっきを行い、ろう材の濡れやすいようにしている。」という記載（第３５頁右欄第７行〜第３６頁左欄第１行）と共に、当該「金めっき」の厚さに関して、「めっき厚みは１〜２μｍが適当とされている」旨の記載がある。（第３８頁右欄第１〜１２行）
　更に、第６引用例にも、「半導体装置用パッケージにおいては、半導体チップよりなるペレットをキャビティ内に取り付けてワイヤボンディングを行った後、セラミックよりなるパッケージに対してコバールやニッケル（Ｎｉ）と鉄（Ｆｅ）の４２合金の如き金属のキャップを適用して封止を行っている。ところで、この場合、セラミックと金属との間の封着を良くするために、キャップ全面に対してたとえば１μｍ以上の金（Ａｕ）メッキを施し、Ａｕ−Ｓｎの共晶によりセラミックパッケージの封止を行うのが従来の一般的な方法である。」（第１頁左下欄第１８行から同頁右下欄第９行）、「パッケージ１の上面のキャビティ２の周囲には金（Ａｕ）のメタライズ層８がドーナツ状に形成され、このメタライズ層８は、Ａｕ−Ｓｎ合金物なるろう材９を介して、コバールまたはＮｉ−Ｆｅの４２合金よりなる封止用のキャップ１０の下面の一部に適用された金メッキ１１と熱封着され、それにより、パッケージ１とキャップ１０との封止が行われる。」（第２頁右上欄第１〜８行）と記載されている。
　また、第７引用例には、半導体パッケージの封止部の構成に関して、次のように記載されている。「セラミック製基材２２の上に」形成された金属化ベース層２４の上に、「厚さ約２．５４μ（１００μｉｎ）のニッケル電気めっき層２８を被覆する。その電気めっき層の上に厚さ約１．２７μ（５０μｉｎ）の金の電気めっき層３０を被覆する。更に、この金電気めっき層（「金層」又は「貴金属層」とも称する）３０の上に、この実施例では予め所定の形に切られた金−錫（Ａｕ−Ｓｎ）はんだフレームの形としたはんだ層２６を仮付け溶接する。金層３０は、はんだ層２６によって濡らされ易く、耐食性も極めて高い。」（第３頁右下欄第１３行〜第４頁左上欄第１３行）
　（４）発明の対比
　訂正発明と上記第１引用例の記載とを対比すると、第１引用例記載の「基体」は、訂正発明の「パッケージ用ベース基板」に、同様に、「キャップ」は「蓋体」に、「ＩＣパッケージ」は「半導体パッケージ」に、ＩＣパッケージ側及びキャップ側それぞれの「封止面」に形成される複合メッキ等の層は、それぞれ「基板側シール層」及び「蓋体側シール層」に、それぞれ相当するものであって、第１引用例記載のＩＣパッケージの基体とキャップとの封止部には、訂正発明と同様に接合層が形成されることになるし、「（金・錫合金等の）シール材」は「Ａｕ系のロー材料」で形成されたものといえる。
　したがって、訂正発明と、第１引用例に記載の発明とは、半導体パッケージに関して、「接合層を介してパッケージ用ベース基板と蓋体とを封止してなる半導体パッケージにおいて、上記接合層は、Ａｕ系のロー材料、上記ベース基板上に形成される基板側シール層及び上記蓋体上に形成される蓋体側シール層を重ねて加熱することにより形成された」点においては一致しており、一方、次のイ〜ホの各点においては相違している。
　相違点イ　ベース基板の内部の穴径に関し、訂正発明では「ベース基板の内部の穴径は１２．５〜１８ｍｍ」とされるのに対し、第１引用例においてはかかる穴径の具体的な数値に関する明確な言及がない点。
　相違点ロ　基体側シール層及び蓋体側シール層に関し、訂正発明では「最表面層がＡｕ層からなる」ものであって、当該Ａｕは「ロー材料中に拡散する」とされるのに対し、第１引用例においては「ニッケル（Ｎｉ）および金（Ａｕ）の複合メッキ」を施すことのみが言及されており、最表面層に配置される金属の明示と、当該金属のロー材料中への拡散に関する明確な言及がない点。
　相違点ハ　Ａｕ層の厚さに関し、訂正発明では「Ａｕ層の厚さは１．５μｍ以下」とされるのに対し、第１引用例記載の発明においてはかかる事項に関する明確な言及がない点、
　相違点ニ　接合層の幅に関し、訂正発明では「接合層の幅は０．４〜０．９ｍｍ」とされるのに対し、第１引用例記載の発明においてはかかる事項に関する明確な言及がない点、
　相違点ホ　接合層に関し、訂正発明では「幅の７５％以上の大きさのボイドがない」とされるのに対し、第１引用例記載の発明においてはかかる事項に関する明確な言及がない点。
　（５）相違点の検討
　上記相違点について検討する。
　相違点イについて
　第１引用例の実施例において「キャップサイズが２０ｍｍ角」（第３頁左下欄第１７行）と記載されているところがら、第１引用例のベース基板の内部の穴径は２０ｍｍより小さいものとなるのは明らかであることや、また、特開昭５６−９１４４９号公報（上記第３引用例）において「封止リング（封止枠）の周辺長さは１０〜１３ｍｍ、・・・の範囲内程度である。」（第３頁左上欄第１３〜１６行）と記載されているところがらもわかるように、訂正発明のベース基板の内部の穴径の数値は常識的な範囲内のものであり、また、かかる数値は半導体パッケージの技術分野における通常の設計事項の範囲内に含まれるものにすぎず、第１引用例のものにおいても、ベース基板の内部の穴径を１２．５〜１８ｍｍと設定することは、必要とされる仕様内容等を考慮して、当業者が容易にできる数値限定といえる。
　相違点ロについて
　ベース基板と蓋体を、Ａｕ系のロー材料及びシール層からなる接合層を介して接合する際に、シール層の最表面層をＡｕ層とすることは、上記第２引用例や、第５〜７引用例にも示されているように、当該技術分野で通常採用されている慣用手段であって、第１引用例記載の発明においても斯かる慣用手段を採用することに何ら困難性は認められないし、その場合、封止に際してはシール材の融点以上の温度に加熱するものである以上、両シール層の最表面層のＡｕが、「Ａｕ系のロー材料」中に拡散することになるのは明らかである。
　相違点ハについて
　シール層を構成するＡｕ層の厚みについて、上記のとおり、第５引用例では、「１〜２μｍが適当」という記載があり、同じく第６引用例では「たとえば１μｍ以上」、第７引用例では「約１．２７μ（５０μｉｎ）」と例示されていること、また、Ａｕが高価な金属であることからみて、当該Ａｕ層の厚みを、上記各引用例に示された数値のうちの最小値に近い１．５μｍ以下とすることは、当該技術分野における通常の技術事項といえ第１引用例記載のものにおいて、かかる通常の技術事項を採用して、訂正発明のようにすることが格別困難とはいえない。
　相違点ニについて
　接合層の幅に関し、第１引用例における「ＩＣパッケージも大型化したため、封着部にボイドが含まれ易くなり」、「封止部にボイドが発生する理由は接合面積が増すに従って完全な平坦面を作ることが難しくなる」、「また第８図は帯状の突起１０があるシール材２で、パッケージの側面に沿って帯状のボイドが発生し易い場合に効果的である。」等の記載は、接合層の幅は、ある程度小さい方が好ましいことを示唆したものといえるし、当該接合層の幅に関して、上記のとおり、第２引用例には「０．５ｍｍ程度」、第３引用例には「０．３〜０．５ｍｍの範囲内程度」、第４引用例には「０．５ｍｍ〜１ｍｍ程度」という記載があるから、上記第１引用例の示唆と第２〜４引用例の記載とをもとに、適宜実験等をして、訂正発明のごとく、当該接合層の幅を０．４〜０．９ｍｍと設定することは、当業者が容易にできる数値限定といえる。
　相違点ホについて
　接合層にボイドが存在しない方が好ましいことは、上記（３）▲１▼で指摘したとおり、第１引用例においても、例えば、「かかる封止はＩＣの長期に互っての気密性を保証するためにシール部にボイド（気泡）が含まれていないことが必要条件となる。」等の記載によって示唆されており、また、かかるボイドが大きいと、封止状態を損ないやすくなるのは自明というべきであるから、当該ボイドについて、接合部の幅の「７５％」という大きさの上限値を設定することも、格別困難とはいえない。
　次に、上記相違点イ〜ホで指摘した訂正発明の構成を組み合わせることに関して、特許権者は、「請求項１乃至請求項２記載の発明は、ベース基板の内部の穴径、各シール層のＡｕ層の厚さ、及び接合層の幅、を特定し、これらの各々の構成要素を組み合わせることにより、接合層の幅の７５％以上の大きさのボイドが発生せず、封止後のリークの発生が防止されるものである」旨主張しているので、この主張について検討する。
　訂正発明の「ベース基板の内部の穴径、各シール層のＡｕ層の厚さ、及び接合層の幅」の数値によって限定される各構成要素の組み合わせに関する検討結果について、訂正明細書の記載をみると、次の▲１▼〜▲３▼のとおりとなっている。
　▲１▼　実施例１に関するものでは、＜ベース基板の内部の穴径が１１．４〜１８．６ｍｍ、基板側シール層のＡｕ層の厚さが１．５μｍ、蓋体側シール層のＡｕ層の厚さが不明、接合層の幅が０．２〜１．３ｍｍ＞の条件で、穴径の変化とは無関係に接合層の幅を順次増加させた場合の検討結果と、
　▲２▼　同じく実施例１に関するもので、＜穴径が１５〜１８ｍｍで接合層の幅が０．９ｍｍ以下、穴径が１２．５〜１５ｍｍで接合層の幅が１．０ｍｍ以下、穴径が１０〜１２．５ｍｍで接合層の幅が１．１ｍｍ以下の各場合に不良率０％となる＞という検討結果。
　▲３▼　実施例２に関するものでは、＜ベース基板の内部の穴径を特定することなく（蓋体が１７×１７×０．２５ｍｍとされているので穴径は１７ｍｍ未満であることは推測できる）、また、接合層の幅も不特定（Ａｕ−Ｓｎ層の幅が１．０５ｍｍであるので、接合層の幅は１．０５ｍｍ前後と推測できる）＞のもとで、Ａｕ層の厚さを変化させた場合の検討結果。
　つまり、訂正明細書には、数値によって限定される三つの構成要素（穴径、接合幅、金層の厚み）を、訂正発明で規定する条件を満足するように組み合わせた場合に特に優れた作用効果が得られるという検討結果が示されているわけではなく、また、技術常識からみて、当該組み合わせの場合に、上記各引用例の記載から予測しうる作用効果の総和を越えるものがあるとも考えられないから、各構成要素を訂正発明のように組み合わせることによって格別の作用効果を生じるとの特許権者の上記主張には合理的な根拠がない。
　以上のとおり、上記各相違点はいずれも格別のものとはいえず、訂正発明は、上記第１〜第７引用例に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明することができたものであって、訂正発明については特許法第２９条第２項の規定により、本件特許の出願の際、独立して特許を受けることができない。
　次に、訂正明細書の特許請求の範囲の請求項２及び３に記載された発明について検討する。
　当該請求項２に係る発明は、ベース基板の内部の穴径について「１５〜１８ｍｍ」と限定するものであるが、この点は、上記の相違点イについての検討の項で前述したと同様に、当業者が容易にできる数値限定といえるし、また、同じく請求項３に記載された発明における、半導体パッケージ製造時の加圧手段として、クリップを用いることは、第１引用例に「大形のクリップなどを用いて基体１と加圧部材４との間に圧力を加え、この状態で・・・キャップ３の基体１への封着が行われている。」（第２頁左下欄第７〜１２行）と記載され、更には、訂正拒絶理由において引用された二つの周知例（特開平１−２２０４６１号公報、実願昭５５−１７０９１３号（実開昭５７−９４９５２号）のマイクロフィルム）にも同様の記載がみられるように、当該技術分野における周知の手段であって、第１引用例記載の半導体パッケージについて、かかる周知技術を採用することは、当業者が必要に応じて容易になしうるというべきである。
　したがって、訂正明細書の特許請求の範囲の請求項２及び３に記載された発明についても、上記第１〜７引用例に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明することができたものであって、訂正発明と同様に特許法第２９条第２項の規定により、本件特許出願の際、独立して特許を受けることができない。
　（６）訂正の適法性
　以上検討したところによれば、訂正発明及び訂正明細書の特許請求の範囲の請求項２、３に記載された発明については、いずれも本件特許の出願の際、独立して特許を受けることができない。
　したがって、本件訂正は、特許法第１２０条の４第３項で準用され、平成６年１２月法律第１１６号附則第６条第１項の規定により適用される、同法律第１１６号による改正前の特許法第１２６条第３項の規定に適合しないので、本件訂正請求を認容することはできない。
３．特許異議申立について
　（１）本件発明
　上記のとおり、訂正請求を認容することができないので、特許異議の申立に係る本件特許発明は、特許明細書の特許請求の範囲請求項１〜３に記載された事項によってそれぞれ特定される、次のとおりのものと認める。
　請求項１　「接合層を介してパッケージ用ベース基板と蓋体とを封止してなる半導体パッケージにおいて、上記接合層の幅は０．４〜０．９ｍｍであることを特徴とする半導体パッケージ。」（上記本件特許の請求項１に係る発明を、以下、「本件発明」という）
　請求項２　「上記接合層は、Ａｕ系のロー材料、上記ベース基板上に形成される最表面層がＡｕ層からなる基板側シール層及び上記蓋体上に形成される最表面層がＡｕ層からなる蓋体側シール層を重ねて加熱することにより、上記両最表面層のＡｕが上記ロー材料中に拡散して形成されたものである請求項１記載の半導体パッケージ。」
　請求項３　「上記基板側シール層及び上記蓋体シール層のうちの各Ａｕ層の厚さが２．０μｍ以下である請求項２記載の半導体パッケージ。」
　（２）発明の対比と相違点の検討
　これに対し、上記訂正拒絶理由通知で引用すると共に、特許取消理由通知でも引用した、上記第１〜第７引用例の記載事項は、上記２．（３）の▲１▼〜▲４▼で指摘したとおりである。
　本件発明と第１引用例記載の発明とを対比すると、本件発明では、接合層について、その幅を「０．４〜０．９ｍｍ」としているのに対し、第１引用例には、接合層の幅の具体的な値については言及されていない点においてのみ相違し、他に実質的に相違するところがない。
　この相違点は、上記２．の（４）で指摘した相違点ニと同じものであり、その検討結果は、同じく（５）で述べたとおり格別のものではない。
　したがって、本件発明についての本件特許は、特許法第２９条第２項の規定に基づいて拒絶査定をされるべき出願に対してされたことになる。
　また、本件請求項２に係る発明については、基体側シール層及び蓋体側シール層の「最表面層がＡｕ層からなる」ことと、当該Ａｕが「ロー材料中に拡散」する構成を特定し、本件請求項３に係る発明については、シール層を構成するＡｕ層の厚みについて２．０μｍ以下である構成を特定するものであるが、これら各請求項で特定される構成については、いずれも、上記２．の（４）で指摘した相違点ロあるいは相違点ハに関する訂正発明の構成と実質的に同じものであり、その検討結果は、同じく（５）で述べたとおり格別のものではない。
　したがって、本件請求項２及び３に係る発明についての本件特許も、特許法第２９条第２項の規定に基づいて拒絶査定をされるべき出願に対してされたことになる。
４．むすび
　上記２．で述べたとおり、本件特許異議の申立に係る上記訂正請求は不適法なもので、当該訂正請求を認容することはできず、また、上記３．で述べたとおり、本件請求項１〜３の特許は、いずれも拒絶査定をしなければならない特許出願に対してされたことになるから、平成６年１２月法律第１１６号附則第１４条の規定によって適用される、平成７年５月政令第２０５号第４条第２項の規定によって、特許法第１１４条第２項を適用し、取り消すべきものである。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１１年１２月２８日（１９９９．１２．２８）