【事件の表示】
　特許第２７７００１３号「エレクトロルミネッセンス表示装置」の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結論】
　特許第２７７００１３号の特許を維持する。
【理由】
１．本件特許第２７７００１３号（以下「本件特許」という。）は、昭和５９年９月２１日に特許出願された特願昭５９−１９８１５５号の分割出願として出願された特願平４−２３９１４５号の分割出願として特許出願されたものであり、平成１０年４月１７日に特許権の設定登録がされたものである。
　そして、本件発明は、明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された以下のものと認める。
「有機高分子基体と、この有機高分子基体上に形成されたインジウム、錫、アンチモンの少なくとも一種類の酸化物からなる透明導電層と、この透明導電層上に被着された厚さ５〜２００Ａの金属層とを有する透明導電性積層体を具備してなることを特徴とするエレクトロルミネッセンス表示装置。」
２．これに対して、特許異議申立人高木裕子は、「本件特許は特許法第２９条の規定に違反してされたものであり、同法第１１３条第２号の規定により取り消されるべきものである。」と主張し、以下の証拠方法を提出している。
　甲第１号証：特開昭５３−１１２４９２号公報
　甲第２号証：特開昭５５−１１８０４号広報
　そこで、甲号各証の記載事項について検討する。
　甲第１号証には、［透明導電性被膜を有する成型物の製造方法」に関して以下の事項が記載されている。
▲１▼［金属又は金属酸化物の透明導電性被膜を有する成型物を製造する方法において、インジウム金属の低酸化物を主成分とする光透過率の低い被膜（１）を表面に有する成型物を基板とし、酸素又は酸素を含む気体中で、１種又は２種以上の金属又は金属酸化物をスバタリングして該被膜（１）上に該金属または該金属酸化物の被膜（２）を形成させながら該被膜（１）を酸化せしめることを特徴とする透明導電性被膜を有する成型物の製造方法。」（特許請求の範囲）
▲２▼「酸化インジウムの低酸化物を主成分とする被膜に酸素あるいは酸素を含むガス中で、金属または金属酸化物をスバタリングすることにより、透明度が高く、且つ導電性の高い透明導電性被膜を有する成型物が得られることを見出し、本発明にいたったものである。」（第２頁左下欄第７〜１２行）
▲３▼「さらに本発明第３の方法は、導電性の向上した透明導電性膜を形成できることである。…すなわち本発明方法は、インジウム金属の低酸化物を主成分とする被膜の上に金属の薄膜を酸素または酸素を含む気体中でスバタリングして、酸化インジウムを主成分とする層と金属層からなる積層された透明導電性被膜を有する成型物を与えるものである。かかる積層物は、導電性に寄与する層が、主として金属層であるため、導電性は同じ厚さの酸化インジウムを主成分とする層のみの場合に比べてはるかに低く、かつ金属層のみからなる場合に比べてはるかに透明度が向上する。」
（第３頁右上欄第６行〜同左下欄第７行）
▲４▼「有機高分子成型物としては、例えばポリエチレンテレフタレート樹脂、…尿素樹脂などの熱硬化性樹脂などをあげることができる。」（第３頁左下欄第１２〜２０行）
▲５▼「インジウム金属の低酸化物を被覆する際、低酸化物被膜中に不純物として本発明の目的とする効果を損なわない範囲で他の元素を混入せしめたものでもよい。」（第３頁右下欄第７〜１０行）
▲６▼「インジウム金属の低酸化物を主体とする層（１）は、その上に金属または金属の酸化物連続膜を形成する以前においても、またその過程でも、あるいは形成した後でも酸化が進行し、透明導電膜として十分な性能を持つにいたる。」（第４頁左下欄第１５〜１９行）
▲７▼「導電性の向上した透明導電膜を得る目的に使用される金属としては、例えば金銀、銅、ニッケル、クロム、白金、パラジウム、チタンなどのあらゆる金属が使用されうる。…例えばチタン、スズ、カドミウム、ジルコニウム、あるいはそれらの酸化物であり、これらは酸化物被膜を形成しても導電性は失われない。」（第４頁右下欄第１８行〜第５頁左上欄第９行）
▲８▼「厚さ７５μのポリエチレンテレフタレートフィルムに通常の真空蒸着法で酸化インジウムの被膜を約３５ＯÅの厚さに形成した。得られた蒸着膜はインジウム金属の低酸化物であって表面抵抗５，７００Ω／ｃｍ２、６０ｎｍの光の透過率３６％の黒色導電性フィルムであった。
　この黒色導電フイルム上に種々の金属を酸素を２０％含むアルゴンガス中でスパタリングした。スパタリングは直径４インチの平面型マグネトロンタイプのターゲットを使用して行った。スパタリング条件及び得られた透明導電性被膜の特性を表１に示した。」（第５頁左下欄第２〜１３行）
▲９▼スパタリング金属としてＩｎを用いたときに、１２０Åの膜厚が形成されること。（表１参照）
　甲第２号証には、「積層体」に関して以下の事項が記載されている。
▲１▼「成型物基板及び、片面或いは両面を透明高屈折率薄膜層（Ｂ）によっておおわれた金属薄膜層
（Ａ）とからなる積層体において、該金属薄膜層（Ａ）が金、銀が共存する単一薄膜層であることを特徴とする積層体。」（特許請求の範囲１）
▲２▼「本発明は、…透明導電性及び／又は選択光透過性を有する上記積層体に関する。透明導電性被
膜は、…、電場発光用電極、…電気の分野の用途に広く利用されている。」（第１頁右下欄第２〜１１行）
▲３▼［透明導電性被膜として、従来から知られているものは、…▲２▼酸化インジウム、酸化スズ、ヨウ化銅等の化合物半導体膜、および▲３▼金、銀、銅、パラジウム等の導電性金属膜をある波長領域にわたり選択的に透明にしたものが知られている。」（第２頁左上欄第９〜１７行）　
▲４▼「上記▲３▼の透明導電せい膜又は選択透過性膜の代表的な構成は、金属薄膜を透明高屈折率膜ではさんだ積層体であり、例えば真空蒸着、反応性蒸着又はスパッタリングで形成されたＢｉ２Ｏ３／Ａｕ／Ｂｉ２Ｏ３、ＺｎＳ／Ａｇ／ＺｎＳ又はＴｉＯ２／Ａｇ／ＴｉＯ２等のサンドイッチ状態の積層体が提案されている。」（第２頁左下欄第１０〜１６行）
▲５▼「成型物基板及び、片面或いは両面を透明高屈折率薄膜層（Ｂ）によっておおわれた金属薄膜層（Ａ）とからなる積層体において、該金属薄膜層（Ａ）が銀金が共存する単一薄膜層であることを特徴とする」（第３頁左上欄第１６〜２０行）
▲６▼［金属薄膜層の膜厚は、より薄い程光透過領域が広がるので、透明性を増すためには２００Å以下の膜厚がよく、充分な導電性又は赤外光反射能をもたせるためには１００Å以上の膜厚が好ましい。」（第４頁右上欄第１４〜１８行）
▲７▼［本発明の積層体を構成する透明高屈折率薄膜層（Ｂ）としては…。これらの条件を満たすものとして例えば…酸化錫および酸化インジウム等の薄膜層等があげられる。」（第４頁左下欄第１４行〜同右下欄第５行）
▲８▼「成型物基板表面に設けられた透明高屈折率薄膜層（Ｂ）（第一層）が有機物質を含有する酸化チタン薄膜層（Ｃ）′である積層体は、成型物基板との接着性がすぐれている。…第一層および第三層〔第二層は金属薄膜層（Ａ）〕が共に有機物質を含有する酸化チタン薄膜層（Ｃ）′である積層体が上記の両方の利点を兼ね備えているので更に好ましい。」（第６頁左下欄第９行〜同右下欄第１行）
▲９▼「例えば、電場発光体用の透明電極、…として好ましく用いられる。…その目的のためには可視光透過率９０％以上、厚さ１０〜２５０μｍのフィルムが好ましく、ポリエチレンテレフタレートフィルムが特に好ましく用いられる。」（第７頁左下欄第１９行〜同右下欄第１０行）
　そこで、本件特許に係る発明と上記甲号各証に記載された発明とを対比する。
　甲第１号証には、透明導電層の低酸化物を主とする被膜に酸素あるいは酸素を含むガス中で、金属または金属酸化物をスパタリングすることは記載されているが　透明導電層上に金属層を被着することは記載されていない。
　甲第２号証には、基板及び片面或いは両面を透明高屈折率薄膜層によっておおわれた金属薄膜層とからなる積層体において、金属薄膜層の膜厚は透明性を増すためには２００Å以下の膜厚がよいことは記載されているが　金属薄膜層の片面を透明高屈折率薄膜層で被った場合にそのどちら側が基板上に直接形成されるのかについては記載されていない。
　したがって、本件発明の「基体上に直接形成された透明導電層と、この透明導電層上に被着された厚さ５〜２００Åの金属層とを有する透明導電性積層体」を具備する点は、いずれの甲号証にも記載も示唆もされていない。
　本件発明は上記構成を採用することにより、明細書記載の「透明導電性積層体は、光透過率が高く、かつ、発光層との接着強度が充分にあって、発光ムラが起き難く、更にはシート抵抗が低い」という効果を奏するものと認められる。
　そうすると、本件発明が、甲第１号証及び甲第２号証に記載された発明であるとすることも、甲第１号証及び甲第２号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたとすることもできない。
　よって、本件発明が許法第２９条第１項第３号及び同第２項の規定に違反するとすることはできない。
３．特許異議申立人セイコープレシジョン株式会社は、「本件特許の特許請求の範囲第１項に係る特許発明は、甲第１号証〜甲第３号証に記載された発明と同一、少なくともこの発明に基づいて、その発明の属する技術の分野にける通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであり、また、記載が不明確であるから、特許法第２９条第１項第３号及び第２項、特許法第３６条第４項又は第５項の規定により特許を受けることができないものであり、特許法第１１３条第１項第２号及び第４号の規定により取り消すべきものである。」と主張し、以下の証拠方法を提出している。
　甲第１号証：特開昭５８−２０６００８号公報
　甲第２号証：特開昭５８−０７１５８９号公報
　甲第３号証：特開昭５７−１８０８９１号公報
　そこで、甲号各証の記載事項について検討する。
　甲第１号証には、「透明導電性積層体の形成方法」に関して以下の事項が記載されている。
▲１▼「光学的に透明な基体上に少なくとも金属層と光学的に透明な導電層とを積層せしめて透明導電性積層体を形成する」（特許請求の範囲１．）
▲２▼「透明基板上に透明導電層を形成した後、この透明導電層上に金属層を形成する」（特許請求の範囲２．）
▲３▼「チタン、亜鉛、インジウム、錫、イットリウム、エルビウム　ジルコニウム、ハフニウム、セリウム、カドミウム及びアンチモンの各酸化物から選ばれた少なくとも１種の酸化物によって導電層を形成する」（特許請求の範囲５．）
▲４▼「透明導電膜又は透明導電性積層体は、例えば液晶ディスプレイ用の電極、エレクトロルミネッセンス用の電極、光導電性感光体用の電極をはじめ、ブラウン管、各種測定器の窓部分の静電遮蔽層、帯電防止層、発熱体等の電気、電子分野に広く利用されている。」（第２頁右上欄第９〜１４行）
▲５▼「透明導電膜２の蒸着源（原料物質）としては、チタン、亜鉛、インジウム、錫、…、アンチモン、及びこれらの酸化物からなる群より選ばれた少なくとも１種を使用する。…また、ガラス、金属酸化物、無機質半導体又は合成樹脂からなる基板１を使用する。」（第４頁右上欄第１５行〜同左下欄
第１３行）
▲６▼「金属層は単一金属からなる場合には１０Å〜５μｍ（好ましくは０．１μｍ〜２μｍ）の厚みに形成し、…なお、基板１は無機、有機或いは両者の複合体からなっていてよい。」（第６頁右上欄第３〜１２行）
▲７▼「有機質基板としては、ポリエチレンテレフタレート、…；或いは上記各樹脂の混合物又は共重合体が使用可能である。」（第６頁右上欄第１７行〜同左下欄第７行）
▲８▼「第６図に示した蒸着装置を用いて、Ｉｎ２Ｏ３とＳｎＯ２との混合物（ＳｎＯ２）からなる透明導電層を基板上に厚さ４００Åに蒸着形成した。…得られた透明導電層のシート抵抗は１〜０．５ＫΩ／ｃｍ２、光透過度は８５％であった。…得られたＣｒ層のシート抵抗は５〜１０Ω／ｃｍ２であって、上述したディスプレイの信号電極等として極めて望ましい電気抵抗値を有するものであった。」（第６頁左下欄第１０行〜同右下欄第１４行）
▲９▼「第６図の蒸着装置を用いて、下記の条件でＩｎ２Ｏ３からなる透明導電層を基板上に厚さ６００Åに形成した。…得られたＩｎ２Ｏ３層のシート抵抗は５０〜１００Ω／ｃｍ２、光透過度は８８％であった。…得られたＡｌ蒸着層はシート抵抗１〜５Ω／ｃｍ２を示し、充分に低い電気抵抗を有していた。」（第６頁右下欄第１６行〜同第７頁右上欄第１７行）
　甲第２号証には、「薄膜ＥＬ素子に」に関し以下の事項が記載されている。
▲１▼「密着力の問題に関しては、金属酸化膜の如く電子的な結合力をもつ酸素のような原子を含まないため、異質な膜との結合状態は電子的結合によらず、もっぱらファンデルワールス力に依存して密着しているに過ぎないということに帰因すると考えられる。」（第２頁左下欄第１０−１５行）
▲２▼「薄膜ＥＬ素子の素子構造に技術的手段を駆使することにより、素子耐圧を向上させ、安定な動作特性を得ることのできる量産に適した新規有用な薄膜ＥＬ素子の構造を提供することを目的とする」（第２頁右下欄第７〜１１行）
▲３▼「ガラス基板１上にＳｎＯ２、Ｉｎ２Ｏ３等から成る帯状にエッチング形成された透明電極２、さらにその上に積層して１００〜８００Åの膜厚のＳｉＯ膜等の金属酸化膜８とＳｉ３Ｎ４から成る非晶質の誘電体層９が第１の誘電体層として重畳形成されている。更に、第１の誘電体層に積層して０．１〜２．０ｗｔ％のＭｎがドープされたＺｎＳ発光層４が電子ビームにより厚さ５０００〜９０００Åに蒸着形成されている。」（第３頁左上欄第８〜１６行）
▲４▼「窒化シリコン膜と電極の各界面に膜厚１００〜８００Åの酸化シリコン膜又は酸化アルミニウム膜等の金属酸化膜８、１１を形成することにより素子耐圧が一層向上し、信頼性の高い薄膜ＥＬ素子となる。結晶性の高い酸化膜と非品質な窒化膜を積層することにより、密着性が向上する。」（第４頁左上欄第１１〜１７行）
▲５▼「以上の様に、…隣接層間の密着性が高く高絶縁耐圧特性を有し信頼性のある薄膜ＥＬ素子を構成することができる。」（第４頁右欄第４〜１２行）
　甲第３号証には、「ＥＬ表示素子」に関し以下の事項が記載されている。
▲１▼「このような多層構成のＥＬ表示素子の構成は第１図の要部断面図に示すように、ガラス基板１上にインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）からなる透明電極２を配設し、」（第１頁左下欄第１８行〜同右下欄第１行）
▲２▼「第２図は本発明によるＥＬ表示素子の１実施例の構造を説明するだめの要部模型断面図であって、第１図における同等部分には同一符号を付した。図から明らかなように本発明によるＥＬ表示素子の従来のものと異なる点は、ガラス基板上に配設された透明電極２の端縁部にＡｌあるいはＡｕ等の低抵抗金属層２′を付設したところにある。このように透明電極２の端縁部に前記低抵抗金属層２′を付設することにより　透明電極２の電極抵抗を著しく低くすることができ、」（第２頁右上欄第６〜１５行）
　そこで、本件発明と上記甲号各証に記載された発明とを対比する。
　甲第１号証には、透明導電層上に厚さ１０Å〜５μｍの金属層を被着する発明は記載されているが、金属層の厚さの上限値を２０ＯÅとする点は記載されていない。
　甲第２号証には、透明導電層上に金属酸化膜を被着する発明は記載されているが、金属層を被着することは記載されていない。
　甲第３号証には、透明導電層の端部に低抵抗金属層を被着する発明は記載されているが、金属層の厚さについては記載されていない。
　したがって、本件発明の「透明導電層上に被着された厚さ５〜２００Åの金属層とを有する透明導電性積層体」を具備する点は、いずれの甲号証にも記載も示唆もされていない。
　本件発明は上記構成を採用することにより　明細書記載の１透明導電性積層体は、光透過率が高く、かつ、発光層との接着強度が充分にあって、発光ムラが起き難く　更にはシート抵抗が低い」という効果を奏するものと認められる。
　そうすると、本件発明が、甲第１号証、甲第２号証及び甲第３号証に記載された発明であるとすることも、甲第１号証、甲第２号証及び甲第３号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたとすることもできない。
　また、異議申立人は、「特許請求の範囲の『金属層』が文字通りの純粋な金属層なのか、金属酸化物層なのか、あるいは両者の複合構造なのか不明確である。」と主張するが、文言上「金属層」には、金属酸化物及び金属層と金属酸化物との複合構造なるものを含まないものであることは明白であるから、この点に記載不備は認められない。
　よって、本件発明が特許法第２９条第１項第３号及び同第２項の規定に違反するものとは認められず、さらに本件が特許法第３６条４項及び５項の規定に違反するとすることはできない。
４．異議申立人日東電工株式会社は、「本件特許発明は、甲第１号証、甲第２号証に記載された発明に基づいてその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであります。したがって、上記発明に係る特許は特許法第１１３条第１項第２号の規定により取り消すべきものである。」と主張し、以下の証拠方法を提出している。
　甲第１号証：特開昭５７−１４５２９５号公報
　甲第２号証：特開昭５７−１１９４９６号公報
　そこで、甲号各証の記載事項について検討する。
　甲第１号証には、「ＥＬ発光体バインダー用樹脂組成物」に関し以下の事項が記載されている。
▲１▼「シアノエチルセルロースを単独でＺｎＳなどの螢光体のパインダーとして用いた発光体層は透明電極との接合面でははくりを生じ易い。さらに電極から発光層に印加する電界が、はくリした部分で
妨げられ、発光層の発光が充分行われなかったり不均一になったりする場合がしばしば生じた。特にＥＬ素子の表面側は発光層の光が外へ出るように、例えばＩＴＯ、酸化錫などの透明電極が使用されるが、これらの透明電極は、アルミニウムやニッケルなどの金属電極よりも樹脂との接合性が悪い。近年更にＥＬ素子を薄膜化し、可とう性とするため、例えばポリエステルなどのプラスッチックフィルム上に上記の透明電極を蒸着したものが使用される」（第１頁右下欄第３〜１７行）
▲２▼「実施例１〜３で用いたと同様なアセトン溶液に、それぞれＺｎＳをマトリックス樹脂の合計量１６重量部に対し、これをアルミ泊にキャスティングして乾燥させ、これらの発光体層はアルミ箔との接着性は極めて良好であり、無理に剥離させようとすれば発光体層の破損を伴なった。」（第３頁左下欄第６〜同右下欄第２行）
　甲第２号証には、「エレクトロルミネッセンスパネル」に関して以下の事項が記載されている。
▲１▼「少なくとも一方は透明な相対向する電極間にエレクトロルミネッセンスを示す螢光物質をはさむ構造からなるエレクトロルミネッセンスパネルにおいて、上記透明電極に接して、線幅３００μ以下の金属薄膜線を網目状に形成したことを特徴とするエレクトロルミネッセンスパネル。」（特許請求の範囲）
▲２▼「第２図（ａ）は基板１に付けられた透明電極２の上に金属薄膜３をメッシュ状に形成した断面を示す。」（第２頁左上欄第３〜５行）
▲３▼「上記メッシュ状の金属薄膜は好ましくは１００〜３０００Åである。」（第２頁左上欄第１５〜１７行）
　そこで、本件発明と上記甲号各証に記載された発明とを対比する。
　甲第１号証には、発光体層をアルミ箔にキャスティングすることは記載されているが、透明導電層上に金属層を被着することは記載されていない。
　甲第２号証には、透明導電層上に１００〜３０００Åの金属薄膜をメッシュ状に形成することは記載されているが、金属層の厚さを５〜２００Åとすることは記載されていない。
　したがって、本件発明の「透明導電層上に被着したがって、本件発明の「透明導電層上に被着された厚さ５〜２００Ａの金属層とを有する透明導電性積層体」を具備する点は、いずれの甲号証にも記載も示唆もされていない。
　本件発明は上記構成を採用することにより、明細書記載の［透明導電性積層体は、光透過率が高く、かつ、発光層との接着強度が充分にあって、発光ムラが起き難く、更にはシート抵抗が低い」という効果を奏するものと認められる。
　そうすると、本件発明が、甲第１号証及び甲第２号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたとすることもできない。
　よって、本件発明が許法第２９条第２項の規定に違反するとすることはできない。
５．以上のとおりであるから　各特許異議申立人の主張する申立ての理由及び提出した証拠方法によっては、本件特許を取り消すことはできない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１１年８月３０日（１９９９．８．３０）