【事件の表示】
　特許第２６２３４６４号「窒化ガリウム系化合物半導体発光素子」の請求項１ないし５に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結論】
　特許第２６２３４６４号の請求項１ないし５に係る特許を取り消す。
【理由】
１．手続の経緯
　本件特許第２，６２３，４６４号に係る主な手続の経緯は以下のとおりである。
　特許出願　　　　　　平成２年４月２７日
　特許権設定登録　　　平成９年４月１１日
　特許公報発行　　　　平成９年６月２５日
　特許異議の申立て（３件）
　　　　　　　平成９年１２月２４日〜２５日
　取消理由通知　　　　平成１０年５月２０日
　異議意見書　　　　　平成１０年８月７日
　訂正請求　　　　　　平成１０年８月７日
　訂正拒絶理由通知　　平成１０年１０月２６日
　異議意見書　　　　　平成１０年１２月２６日
２．訂正の適否について
（２．１）訂正の目的等について
　（２．１．１）訂正事項１について
　特許明細書の特許請求の範囲の請求項１における「少なくとも窒素（Ｎ）とガリウム（Ｇａ）を含む窒化ガリウム系化合物半導体からなる発光層」を「少なくとも窒素（Ｎ）とガリウム（Ｇａ）を含む窒化ガリウム系化合物半導体（ＡｌｘＧａ１−ｘＮ；Ｘ＝０を含む）からなる発光層」とする訂正は、該半導体の構成元素を特定するものであるので、特許請求の範囲の減縮に相当し、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内のものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張または変更するものでもない。
　（２．１．２）訂正事項２について
　特許明細書の特許請求の範囲の請求項２における「少なくとも窒素（Ｎ）とガリウム（Ｇａ）を含む窒化ガリウム系化合物半導体」を「少なくとも窒素（Ｎ）とガリウム（Ｇａ）を含む窒化ガリウム系化合物半導体（ＡｌｘＧａ１−ｘＮ；Ｘ＝０を含む）」とする訂正は、該半導体の構成元素を特定するものであるので、特許請求の範囲の減縮に相当し、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内のものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張または変更するものでもない。
　（２．１．３）訂正事項３について
　特許請求の範囲の請求項５を削除する訂正は、特許請求の範囲の減縮に該当する。
　（２．１．４）訂正事項４について
　特許明細書（平成８年１１月１５日付全文補正明細書、以下同じ）第２頁第１１行における「窒化ガリウム系化合物半導体」を「窒化ガリウム系化合物半導体（ＡｌｘＧａ１−ｘＮ；Ｘ＝０を含む）」とする訂正は、特許請求の範囲の訂正にに伴う訂正であり、明りょうでない記載の釈明に該当する。
　（２．１．５）訂正事項５について
　特許明細書第２頁第１６行における「窒化ガリウム系化合物半導体」を「窒化ガリウム系化合物半導体（ＡｌｘＧａ１−ｘＮ；Ｘ＝０を含む）」とする訂正は、特許請求の範囲の訂正にに伴う訂正であり、明りょうでない記載の釈明に該当する。
　（２．１．６）訂正事項６について
　特許明細書第２頁第２１行〜第２２行における「さらに、少なくとも窒素（Ｎ）とガリウム（Ｇａ）を含む窒化ガリウム系化合物半導体、例えば、窒化ガリウム系化合物半導体（ＡｌｘＧａ１−ｘＮ；Ｘ＝０を含む）である。」を削除する訂正は、特許請求の範囲の訂正にに伴う訂正であり、明りょうでない記載の釈明に該当する。
　（２．１．７）訂正事項７について
　特許明細書第６頁第６行における「ＧａＮから成る発光層５５を形成した。」を「ｉ−ＧａＮから成る発光層５５を形成した。」とする訂正は、明細書の記載を図面の記載と整合させるものであり、明りょうでない記載の釈明に該当する。
　（２．１．８）訂正事項８について
　特許明細書第７頁第２１行〜第２７行における「又、発光層５５における・・・・・これらの発光ダイオードの発光色は、赤色であった。」を削除する訂正は、明細書全体からみて技術的に矛盾する部分の削除であり、明りょうでない記載の釈明に該当する。
　（２，１．９）訂正事項９について
　特許明細書第８頁第２行〜第３行における「第１４図の曲線とほぼ同様な曲線となった。」を「第１４図の曲線とほぼ同様な曲線となった。即ち、曲線Ａに比べて、波長４８０ｎｍ（青色）のＥＬ強度は減少し、波長５５０ｎｍ（緑色）のＥＬ強度は同じ位に現れ、逆に、波長７００ｎｍ（赤色）のＥＬ強度は遥かに大きくなっている。」とする訂正は、明細書全体からみて技術的に矛盾する部分の訂正であり、明りょうでない記載の釈明に該当する。
（２．２）独立特許要件について
　（２．２．１）要旨変更について
　本件特許出願の出願当初の明細書第１頁〜第３頁には以下の記載がある。
　「【従来技術】
　従来、青色の発光ダイオードとしてＧａＮ系の化合物半導体を用いたものが知られている。そのＧａＮ系の化合物半導体は直接遷移であることから発光効率が高いこと、光の３原色の１つである青色を発色光とすること等から注目されている。
　このようなＧａＮ系の化合物半導体を用いた発光ダイオードは、サファイア基板上に直接又は窒化アルミニウムから成るバッファ層を介在させて、ｎ型ＧａＮ系の化合物半導体から成るｎ層を成長させ、そのｎ層の上にｉ型ＧａＮ系の化合物半導体から成るｉ層を成長させた構造をとっている（特開昭６２−１１９１９６号公報、特開昭６３−１８８９７７号公報）。
　【発明が解決しようとする課題】
　しかし、上記構造の発光ダイオードにおけるｉ層のドーピング元素には、亜鉛が用いられている。このため、発光色が青色に固定されてしまい他の例えば白色を発光させることは出来なかった。
　そこで、本発明の目的は、ＧａＮ系の化合物半導体の発光ダイオードの発色光を変えることである。
　【課題を解決するための手段】
　本発明は、ｎ型の窒化ガリウム系化合物半導体（ＡｌｘＧａ１−ｘＮ；Ｘ＝０を含む）からなるｎ層と、ｉ型の窒化ガリウム系化合物半導体（ＡｌｘＧａ１−ｘＮ；Ｘ＝０を含む）からなるｉ層とを有する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、前記ｉ層のドーピング元素は、亜鉛（Ｚｎ）とシリコン（Ｓｉ）であることを特徴とする。
　【発明の作用及び効果】
　本発明は、ｉ層のドーピング元素に亜鉛（Ｚｎ）とシリコン（Ｓｉ）とを用いたために発色光が可変できた。
　即ち、亜鉛に対してシリコンのドーピング割合を変化させることで、青色、白色、赤色と変化させることができた。」
　以上の記載から明らかなことは、本件特許出願の出願当初の明細書に記載されている発明は、いわゆるＭＩＳ型窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、そのｉ層に亜鉛（Ｚｎ）とシリコン（Ｓｉ）とをドープして発光色を変えることができたというものである。
　一方、窒化ガリウム系化合物半導体発光素子としては上記ＭＩＳ型とともにｐｎ接合型が存在するが、上記本願の出願当初の明細書には、ｐｎ接合型に関する記載は一切存在せず、当然ながらｐｎ接合型のものに亜鉛とシリコンをドープすることにより発光色を変化させるということも一切記載されていない。
　しかるに、平成８年１１月１５日付け手続補正書により、出願当初の特許請求の範囲の請求項１において、
「ｎ型の窒化ガリウム系化合物半導体（ＡｌｘＧａ１−ｘＮ；ｘ＝ｏを含む）からなるｎ層と、ｉ型の窒化ガリウム系化合物半導体（ＡｌｘＧａ１−ｘＮ；Ｘ＝０を含む）からなるｉ層とを有する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、
　前記ｉ層のドーピング元素は、亜鉛（Ｚｎ）とシリコン（Ｓｉ）であることを特徴とする発光素子。」
とされていたものを
「有機金属化合物気相成長法により成長され、少なくとも窒素（Ｎ）とガリウム（Ｇａ）を含む窒化ガリウム系化合物半導体からなる発光層を有する発光素子において、
　前記発光層のドーピング元素は、前記発光層の気相成長中においてドープされた亜鉛（Ｚｎ）とシリコン（Ｓｉ）であることを特徴とする発光素子。」
と補正することにより、補正前にあっては、ＭＩＳ構造におけるｉ層に亜鉛とシリコンをドープするとされていたものを、ＭＩＳ構造におけるｉ層のみならず、窒化ガリウム系化合物半導体からなるいかなる発光層に亜鉛及びシリコンを含有しても本件発明の技術的範囲に包含されることとされた。しかしながら、出願当初の明細書に記載された発明は、あくまでもＭＩＳ型窒化ガリウム系半導体のｉ層に亜鉛及びシリコンを含有させることにより発光色を変化させることにその特徴を有するものであるから、例えば、ｐｎ接合窒化ガリウム系半導体の活性層に亜鉛及びシリコンを含有させたものをも包含するように変更することは、願書に添付した明細書及び図面の要旨を変更するものである。
　よって、本件特許出願は、平成６年法律１１６号附則第６条１項及び平成５年法律２６号附則第２条第２号の規定により、なお従前の例とされる平成５年改正前の特許法第４０条の規定を適用して、上記手続補正書を提出した時にしたものとみなす。
　この点に関し、特許権者は、平成１０年１２月２６日付特許異議意見書の第９頁第１０行〜第１３行において、「以上のことをまとめると、ＭＩＳ型といわゆるｐｎ接合型において、電子正孔対の再結合による発光機構に差はなく、ＭＩＳ型とは、開発段階において、便宜上、付けられた名称に過ぎないと解釈するべきであり、発光素子を本質的に区別するための層構造とは成り得ない。」と主張しているが、ｐｎ接合素子による発光機構は、ｐｎ接合素子に順方向バイアスが印加されると、ｎ領域には多数のホールが、また、ｐ領域には多数の電子が注入され、遷移領域から少数キャリア拡散長の範囲にわたってキャリア再結合が起こって発光するものであるのに対し、ＭＩＳ型発光素子の発光機構は、一説として、「▲１▼トンネル効果で注入された電子が▲２▼発光中心を衝突励起し、▲３▼発光再結合することによる」（赤崎勇著「ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体」１９９４年５月２０日、培風館発行、第３４５頁第１〜２行）とされており、両者の発光メカニズムは全く異なっており、上記主張は採用できない。
　（２．２．２）本件発明
　平成１０年８月７日付け訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１〜４に係る発明（以下「訂正第１発明」乃至「訂正第４発明」という。）は、その明細書及び図面の記載からして特許請求の範囲の請求項１〜４に記載されている次のとおりのものである。
「１．有機金属化合物気相成長法により成長され、少なくとも窒素（Ｎ）とガリウム（Ｇａ）を含む窒化ガリウム系化合物半導体（ＡｌｘＧａ１−ｘＮ；Ｘ＝０を含む）からなる発光層を有する発光素子において、
　前記発光層のドーピング元素は、前記発光層の気相成長中においてドープされた亜鉛（Ｚｎ）とシリコン（Ｓｉ）であることを特徴とする発光素子。
　２．前記発光素子は、サファイア基板、サファイア基板上に形成されたバッファ層、前記バッファ層上に形成された少なくとも窒素（Ｎ）とガリウム（Ｇａ）を含む窒化ガリウム系化合物半導体（ＡｌｘＧａ１−ｘＮ；Ｘ＝０を含む）からなるシリコンがドープされた層を有することを特徴とする請求項１に記載の発光素子。
　３．前記発光層の亜鉛（Ｚｎ）濃度は５×１０１９〜３×１０２１／ｃｍ３であることを特徴とする請求項１に記載の発光素子。
　４．前記発光層のシリコン（Ｓｉ）濃度は５×１０１６〜３×１０１９／ｃｍ３であることを特徴とする請求項１に記載の発光素子。」
（２．２．３）刊行物記載の発明について
　平成４年１月１４日に公開された特開平４−１０６６５号公報（本件特許の公開公報、以下「刊行物」という。）には、有機金属化合物気相成長法により成長され、ｎ型の窒化ガリウム系化合物半導体（Ａ１ｘＧａｌ−ｘＮ；Ｘ＝０を含む）からなるｎ層と、ｉ型の窒化ガリウム系化合物半導体（Ａ１ｘＧａｌ−ｘＮ：Ｘ＝０を含む）からなるｉ層とを有する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、前記ｉ層のドーピング元素は、上記ｉ層の気相成長中においてドープされた亜鉛（Ｚｎ）とシリコン（Ｓｉ）であり、前記亜鉛濃度は、５×１０１９〜３×１０２１／ｃｍ３であり、前記シリコン濃度は、上記亜鉛濃度に対して１／１００〜１／１０００、すなわち５×１０１６〜３×１０１９／ｃｍ３とし、また、サファイア基板、該サファイア基板上に形成されたバッファ層及び該バッファ層上にシリコンがドープされたＧａＮ層を設けた発光素子が記載されている。
（２．２．４）訂正第１発明について
　訂正第１発明（以下、この項において「前者」という。）と上記公報に記載された発明（以下、この項において「後者」という。）とを比較すると、後者におけるｉ層は、前者における発光層に相当するので、前者は少なくとも窒素とガリウムを含む窒化ガリウム系化合物半導体からなる発光層を有する発光素子を前提にしているが、後者においては、窒素とガリウムを含む窒化ガリウム系化合物半導体の内、ｉ型の窒化ガリウム系化合物半導体（Ａ１ｘＧａ１−ｘＮ：Ｘ＝０を含む）からなるｉ層を有する窒化ガリウム系化合物半導体である点において相違する。
　しかしながら、後者における窒化ガリウム系化合物半導体（Ａ１ｘＧａｌ−ｘＮ：Ｘ＝０を含む）は、前者における少なくとも窒素とガリウムを含む窒化ガリウム系化合物半導体の中の一つの下位概念に属するものであるので、両者は、窒化ガリウム系化合物半導体（Ａ１ｘＧａｌ−ｘＮ：Ｘ＝０を含む）である点において重複しており、この点において同一の発明である。
　したがって、訂正第１発明は、特許法第２９条第１項第３号に規定する発明に該当するので特許を受けることができないものである。
（２．２．５）訂正第２発明乃至第４発明について
　訂正第２発明乃至第４発明は、上記公報に記載された発明である。
　したがって、訂正第２発明乃至第４発明は、特許法第２９条第１項第３号に規定する発明に該当するので特許を受けることができないものである。
（２．２．６）この項のむすび
　以上のとおりであるので、訂正第１発明乃至第４発明は、上記刊行物に記載された発明と同一であるので、特許法第２９条第１項第３号の規定に該当し、特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから、本件訂正は、特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年改正前の特許法第１２６条第３項の規定により認めることができない。
３．本件発明
　本件発明は、以上のとおり訂正請求が認められないので、登録された明細書の特許請求の範囲請求項１乃至５に記載された事項により特定された以下のとおりのものである（以下「本件第１発明」乃至「本件第５発明」という。）。
「【請求項１】有機金属化合物気相成長法により成長され、少なくとも窒素（Ｎ）とガリウム（Ｇａ）を含む窒化ガリウム系化合物半導体からなる発光層を有する発光素子において、
　前記発光層のドーピング元素は、前記発光層の気相成長中においてドープされた亜鉛（Ｚｎ）とシリコン（Ｓｉ）であることを特徴とする発光素子。
　【請求項２】前記発光素子は、サファイア基板、サファイア基板上に形成されたバッファ層、前記バッファ層上に形成された少なくとも窒素（Ｎ）とガリウム（Ｇａ）を含む窒化ガリウム系化合物半導体からなるシリコンがドープされた層を有することを特徴とする請求項１に記載の発光素子。
　【請求項３】前記発光層の亜鉛（Ｚｎ）濃度は５×１０１９〜３×１０２１／ｃｍ３であることを特徴とする請求項１に記載の発光素子。
　【請求項４】前船発光層のシリコン（Ｓｉ）濃度は５×１０１６〜３×１０１９／ｃｍ３であることを特徴とする請求項１に記載の発光素子。
　【請求項５】前記少なくとも窒素（Ｎ）とガリウム（Ｇａ）を含む窒化ガリウム系化合物半導体は窒化ガリウム系化合物半導体（ＡｌｘＧａ１−ｘＮ；Ｘ＝０を含む）であることを特徴とする請求項１又は請求項２記載の発光素子。」
４．刊行物記載の発明
　本件特許出願は、上記（２．２．１）において述べた理由により、平成８年１１月１５日付け手続補正書を提出した時に出願されたものとみなされる。上記手続補正書を提出した日の前である平成４年１月１４日に公開された特開平４−１０６６５号公報（本件特許の公開公報、以下「刊行物」という。）には、有機金属化合物気相成長法により成長され、ｎ型の窒化ガリウム系化合物半導体（Ａ１ｘＧａｌ−ｘＮ；Ｘ＝０を含む）からなるｎ層と、ｉ型の窒化ガリウム系化合物半導体（Ａ１ｘＧａｌ−ｘＮ：Ｘ＝０を含む）からなるｉ層とを有する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、前記ｉ層のドーピング元素は、上記ｉ層の気相成長中においてドープされた亜鉛（Ｚｎ）とシリコン（Ｓｉ）であり、前記亜鉛濃度は、５×１０１９〜３×１０２１／ｃｍ３であり、前記シリコン濃度は、上記亜鉛濃度に対して１／１００〜１／１０００、すなわち５×１０１６〜３×１０１９／ｃｍ３とし、また、サファイア基板、該サファイア基板上に形成されたバッファ層及び該バッファ層上にシリコンがドープされたＧａＮ層を設けだ発光素子が記載されている。
５．対比及び判断
　（５．１）本件第１発明について
　本件第１発明（以下、この項において「前者」という。）と上記公報に記載された発明（以下、この項において「後者」という。）とを比較すると、後者におけるｉ層は、前者における発光層に相当するので、前者は少なくとも窒素とガリウムを含む窒化ガリウム系化合物半導体からなる発光層を有する発光素子を前提にしているが、後者においては、窒素とガリウムを含む窒化ガリウム系化合物半導体の内、ｉ型の窒化ガリウム系化合物半導体（Ａ１ｘＧａｌ−ｘＮ：Ｘ＝０を含む）からなるｉ層を有する窒化ガリウム系化合物半導体である点において相違する。
　しかしながら、後者における窒化ガリウム系化合物半導体（Ａ１ｘＧａｌ−ｘＮ：Ｘ＝０を含む）は、前者における少なくとも窒素とガリウムを含む窒化ガリウム系化合物半導体の中の一つの下位概念に属するものであるので、両者は、窒化ガリウム系化合物半導体（Ａ１ｘＧａｌ−ｘＮ：Ｘ＝０を含む）である点において重複しており、この点において同一の発明である。
　したがって、本件第１発明は、特許法第２９条第ｌ項第３号に規定する発明に該当するので特許を受けることができないものである。
（５．２）本件第２発明乃至第５発明について
　本件第２発明乃至第５発明は、上記公報に記載された発明である。
　したがって、本件第２発明乃至第５発明は、特許法第２９条第１項第３号に規定する発明に該当するので特許を受けることができないものである。
（５．３）この項のむすび
　したがって、本件特許の請求項１乃至５記載の発明は、特許法第２９条第１項第３号に規定する発明に該当するので、特許を受けることができないものである。
６．むすび
　以上のとおり、本件特許明細書の請求項１乃至５に係る特許は、拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してなされたものであるので、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の一部の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第１項及び第２項の規定により取り消すべきものである。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１１年５月２１日（１９９９．５．２１）