【事件の表示】
　特許第２８３０９８７号「石英ガラスルツボ及びその製造方法」の請求項１ないし３に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結論】
　特許第２８３０９８７号の請求項１ないし３に係る特許を維持する。
【理由】
Ｉ．本件発明
　本件特許第２８３０９８７号（平成６年７月１９日出願、平成１０年９月２５日設定登録）の請求項１〜３に係る発明は、特許明細書及び図面の記載からみて、特許請求の範囲の請求項１〜３に記載された次のとおりのものである。
　【請求項１】回転する二酸化ケイ素粉末充填層を加熱溶融して得た石英ガラスルツボにおいて、含有される不純物濃度が原料の不純物濃度に見合った濃度を維持し、銅元素、クロム元素およびニッケル元素の各濃度が０．５ｐｐｂ以下、鉄元素濃度が１２０ｐｐｂ以下、ナトリウム元素濃度が２０ｐｐｂ以下であるとともに内表面層中に直径２ｍｍを超える微小泡集合体の数が１個以下であることを特徴とする石英ガラスルツボ。
　【請求項２】ルツボの内表面から１ｍｍ以内の深さを占める内表面層に含有される不純物の銅元素、クロム元素およびニッケル元素の各濃度が０．５ｐｐｂ以下、鉄元素濃度が１２０ｐｐｂ以下、ナトリウム元素濃度が２０ｐｐｂ以下であることを特徴とする請求項１記載の石英ガラスルツボ。
　【請求項３】内表面層が透明層であることを特徴とする請求項２記載の石英ガラスルツボ。
（以下、各請求項に係る発明を順に「本件発明１」〜「本件発明３」という。）
ＩＩ．特許異議申立ての理由の概要
　これに対し、特許異議申立人林篤史は、証拠として甲第１号証（特開昭５３−４５３１８号公報）、甲第２号証（特開昭５６−１４９３３３号公報）、甲第３号証（特開平５−５８７７０号公報）、甲第４号証（特開平４−１０８６８３号公報）及び甲第５号証（特開平５−２４９７０号公報）を提出し、本件発明１〜３は引用例１〜５に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件発明１〜３の特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであり、取り消すべきものである旨を主張している。
ＩＩＩ．甲各号証の記載内容
１．甲第１号証
　上記甲第１号証には、「高珪酸ガラス容器類の製造方法およびその製造装置」の発明に関し、
（１−１）「１．熱伝導率の大きい材料からなる容器内に高珪酸ガラス原料粉を装填し、該容器を回転させつつ容器内の原料粉末を内面から加熱し、該原料粉末を放熱させながら溶融することを特徴とする高珪酸ガラス容器類の製造方法。」（第１頁左下欄第６〜１０行）、
（１−２）「高珪酸ガラスの原料粉末としては、水晶砂の他、シリカの純度が９８％以上の硅砂も使用できる。」（第３頁左下欄第１６〜１８行）、
との記載がある。
２．甲第２号証
　上記甲第２号証には、「石英ガラスるつぼの製法及びその装置」の発明に関し、
（２−１）「本発明によれば、ほとんど気泡のない石英ガラスるつぼの製造が達成される。これは恐らく粒子中に包囲された空洞が真空（減圧）の維持によりガスをもはや含まなくなるだけでなく、ピンホールを形成し、粒子の溶融に際して合体し、実質上完全に消滅するためであることに由来すると考えられる。しかし顕微鏡的な微小な気泡が末だ残留するのを完全に排除することはできない。従って本発明はほとんど気泡のない石英ルツボの一段階製法を提供するものである。」（第２頁右下欄第５〜１４行）、
（２−２）「本発明方法によれば、るつぼは下記のようにして製造される：囲い１と共に回転する中空型４を囲い１の中にガス密に挿入し、該中空型に結晶石英または非晶質石英ガラスからなる微細に摩砕した粒子を装入し、中空型の内壁上および底部に粒子層１３を形成させる。囲いの回転は矢印１２により示す。次いで真空ポンプ７を働らかせ、熱源９を矢印１４の方向へ移動させ、粒子を加熱することによってまず第１に半融焼結層が生成され、この半融焼結層は中空型４の内面のほとんど直前まで粒子の層を通って移り、その上に真の溶融層が続く。・・（中略）・・溶融した粒子層は内部空間１５を封止し、その結果真空が確実に維持される。粒子層はその厚さのかなりの部分（実質的な部分）にわたって完全に溶融する。薄い半融焼結した部分層と、中有型４の内壁に隣接して半融焼結してなく、また溶融もしてない隔壁層が残り、このことは普通石英ガラスの溶融温度で石英ガラスと反応する材料も中空型４に使用することを可能となす。溶融層の所望の厚さが得られたら直ちに熱源９を内部空間１５から遠ざけ、囲いを回転しながら半融焼結粒子および溶融した粒子を中空型中で固化させてるつぼとなす。」（第３頁左下欄第７行〜同頁右下欄第１５行）、
との記載がある。
３．甲第３号証
　上記甲第３号証には、「Ｎ型シリコン単結晶の製造方法」の発明に関し、
（３−１）「【請求項１】シリコン単結晶を合成石英ガラス製ルツボより引上げることを特徴とするＮ型シリコン単結晶の製造方法。
　・・（中略）・・
　【請求項３】合成石英ガラス製ルツボがアルコキシシランの加水分解重縮合によって得た非晶質のコロイダルシリカの焼結物であり、その表面および合成層における不純物含有量がＡｌ、Ｆｅが１００ｐｐｂ以下、Ｎｉ、Ｃｒが５０ｐｐｂ以下、Ｂ、Ｐが１０ｐｐｂ以下のものである請求項１に記載したＮ型シリコン単結晶の製造方法。」（【特許請求の範囲】）、
（３−２）「【産業上の利用分野】本発明はＮ型シリコン単結晶の製造方法、特にはＮ型シリコン単結晶を歩留よく引上げることができ、微少欠陥が３個／ｃｍ２以下であるシリコンウエハ−を与えるＮ型シリコン単結晶の製造方法に関するものである。」（【０００１】）、
（３−３）「Ｎ型シリコン単結晶は５価の元素をドープすることにより製造される。この５価の元素は３価の元素と簡単に結合して化合物となる。表２から判るようにルツボからはＡｌやＢ等の３価の元素が溶解するが、これがＰやＳｂのような５価のドープ元素と縮合して抵抗値を狂わせ、歩留まりが悪くなるのである。また、この化合物は微小欠陥の発生の原因となり時間を置くことによって、あるいは熱処理によって微小欠陥が多くなることになる。また、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｒなどの遷移元素も微小欠陥を融因する元素としても働くが、これもまた、推定ではあるが同様の原理によるものと思われる。」（【０００６】）、
（３−４）「本発明で使用される合成石英ガラス製ルツボは上記したゾル−ゲル法で得られたコロイダルシリカの非結質の焼結体からなる合成石英ガラス粉末を成形用型内に供給して型内に粉体層を形成させ、これをア−ク放電で溶融させて型内に合成石英ガラスからなる透明層を形成させることによって製造すればよい。」（【００１２】）、
（３−５）「つぎにこの合成石英ガラス粉を回転する成形用型内に供給して厚さ１４ｍｍの粉体層を形成させ、ア−ク放電によって内部から溶融させ、１５分後にさらにこの型内に合成石英ガラスを供給して内面に厚さ１ｍｍの透明層を形成させてルツボを作り、この外壁未溶融部を除去し、カッティングにより高さを揃えて合成石英ガラス製ルツボを作ったが、このルツボにおける各金属の分析結果は表２に示したとおりであった。」（【００１６】、
との記載があるほか、
（３−６）【表２】には、実施例のルツボの分析値は、「Ａｌ」が「０．０５５ｐｐｍ」、「Ｂ」が「＜０．０１ｐｐｍ」、「Ｆｅ」が「５５ｐｐｂ」、「Ｎｉ」が「３ｐｐｂ」、「Ｃｒ」が「２ｐｐｂ」、「Ｍｇ」が「９．３ｐｐｂ」、「Ｃａ」が「２１ｐｐｂ」、「Ｔｉ」が「８．５ｐｐｂ」であることが示されている。
４．甲第４号証
　上記甲第４号証には、「石英ガラスルツボ」の発明に関し、
（４−１）「内表面に高純度の透明石英層を形成し、該透明石英層の含有されるＴｉ、Ｚｒ、Ｅｒ、Ｆｅ濃度をそれぞれＴｉ＜９００ｐｐｂ、Ｚｒ＜３００ｐｐｂ、Ｅｒ＜７００ｐｐｂ、Ｆｅ＜２００ｐｐｂとするとともに、Ｃｕの平均濃度をＣｕ＜１．０ｐｐｂとしたことを特徴とする石英ガラスルツボ。」（第１頁左下欄第５〜１０行）、
（４−２）「石英ガラスルツボの侵食を受ける内表面に高純度の透明石英層を形成し、この透明石英層でのＴｉ、Ｚｒ、Ｅｒ、Ｆｅのそれぞれの濃度を規定し、拡散するＣｕについてはルツボ全体での平均濃度を規定すれば、引き上げられる単結晶に取り込まれる金属不純物の濃度を低く抑えることができる。」（第２頁左下欄第１５行〜同頁右下欄第１行）、
（４−３）「本発明によれば、・・（中略）・・引き上げられたシリコン単結晶を切断加工して得られたウエーハには熱酸化誘起積層欠陥（ＯＳＦ）の発生がほとんどなく、高集積度の半導体集積回路用基板として好適なウエーハを得ることができるという効果が得られる。」（第５頁右上欄下から第２行〜同頁左下欄第１０行）、
（４−４）「試験のために金属不純物の種々の濃度が選ばれたが、これは天然ケイ石又はケイ砂から作られた通常の酸処理による石英粉と適宜混合比を調節することによって調整された。」（第４頁左上欄本文第１〜４行）、
との記載があるほか、
（４−５）第４頁左上欄の表１には、原料石英粉の不純物分析値（ｐｐｂ）は、「Ｔｉ」が「＜１００」、「Ｚｒ」が「＜１００」、「Ｅｒ」が「＜１００」、「Ｆｅ」が「＜１００」及び「Ｃｕ」が「＜１０」であったこと、
（４−６）第４頁右下欄の表３には、使用前の石英ガラスルツボ中の不純物分析結果が示され、最も不純物濃度が低い「試験Ｎｏ．２」のルツボの高純度透明層中の金属不純物含有量（ｐｐｂ）は、「Ｔｉ」が「７５０」、「Ｚｒ」が「２６０」、「Ｅｒ」が「６５０」、「Ｆｅ」が「２００」、「Ｃｕ」が「０．８」であったこと、
（４−７）第５頁右上欄の表５には、使用石英ガラスルツボにおける積層欠陥（ＯＳＦ）の発生の有無が示され、「試験Ｎｏ．２」のルツボのＯＳＦの発生は「無」であったこと、
がそれぞれ示されている。
５．甲第５号証
　上記甲第５号証には、「合成石英ガラスルツボの製造方法」の発明に関し、
（５−１）「【請求項１】合成石英ガラス粉を溶融成形してなる合成石英ガラスルツボの製造方法において、該合成石英ガラス粉を粒度１００メッシュ以下のものが０．１重量％以下である非晶質シリカ粉よりなるものとしてなることを特徴とする合成石英ガラスルツボの製造方法。」（【特許請求の範囲】）、
（５−２）「【発明の効果】本発明は合成石英ガラスルツボの製造方法に関するものであり、これは前記したように合成石英ガラス粉を溶融成形してなる合成石英ガラスルツボの製造方法において、この合成石英ガラスを粒度１００メッシュ以下のものが０．１重量％以下である非晶質シリカ粉よりなるものとしてなることを特徴とするものであるが、これによれば微粉の早期の閉口化に伴なう不良泡の発生が防止されるので不良泡の発生に伴なう不利が解決され、品質のよいルツボを容易に量産することができるという有利性が与えられる。」（【００１７】）、
との記載があるほか、
（５−３）【表１】には、原料の合成石英ガラス粉の不純物濃度（ｐｐｍ）は、「Ａｌ」が「＜１」、「Ｆｅ」が「＜０．２」、「Ｎａ」が「＜０．２」、「Ｋ」が「＜０．２」、Ｌｉが「＜０．０１」、「Ｃｅ」が「＜０．２」、「Ｔｉ」が「＜０．０２」、「Ｂ」が「＜０．０１」、「Ｐ」が「＜０．０１」、「Ａｓ」が「＜０．０１」であること、及び【表２】には、篩別粒度（メッシュ）が「３０−６０」で、粒度分布（メッシュ）が「＋３０」のものが「０」、「３０−６０」のものが「８３．５」、「６０−１００」のものが「１６．５」、「−１００」のものが「０」の場合の泡個数は、「１．５ｍｍφ↑」のものは「０」、「１．５ｍｍφ↓」のものは「３」であり、合否判定結果は「良」であったことが示されている。
ＩＶ．対比・検討
　本件発明１〜３は、公知のチョクラルスキー法による単結晶製造に使用される石英ガラスルツボの製造方法では、「微小泡集合体を充分除去」することができず、また「高純度原料を使用してもそれに見合った内表面を作成することができなかった」ために、「結晶欠陥抑制に充分な効果が得られなかった」（【０００３】参照）ものを、「型内の二酸化ケイ素昇華成分および濃縮された不純物を含む高温ガス雰囲気の換気」（【０００４】参照）により解決することができることを見出し、完成されたものである。
　すなわち、本件発明１〜３は、「回転する二酸化ケイ素粉末充填層を加熱溶融して得た石英ガラスルツボ」において、少なくとも、
（１）「含有される不純物濃度が原料の不純物濃度に見合った濃度を維持」しており、かつ「銅元素、クロム元素およびニッケル元素の各濃度が０．５ｐｐｂ以下、鉄元素濃度が１２０ｐｐｂ以下、ナトリウム元素濃度が２０ｐｐｂ以下」であり、
（２）「内表面層中に直径２ｍｍを超える微小泡集合体の数が１個以下」、
の「石英ガラスルツボ」を得ることができたものである。
　なお、上記（１）における「含有される不純物濃度が原料の不純物濃度に見合った濃度を維持」との構成要件は、本件特許明細書の【００２１】〜【００２７】の記載に照らせば、本件発明１〜３にかかる石英ガラスルツボが上記の「型内の二酸化ケイ素昇華成分および濃縮された不純物を含む高温ガス雰囲気の換気」を行う方法のような石英ガラスルツボ中の不純物含有量が原料二酸化ケイ素粉末中の不純物含有量とほぼ同じ程度に維持できる製造方法により製造されるものであることを特定するものであることは明らかである。
　そこで、以下においては上記（１）及び（２）の点に着目して、本件発明１〜３と甲各号証に記載されている発明とを対比・検討する。
　甲第１号証には、回転する石英ガラス粉充填層を加熱溶融して得た石英ガラスルツボが記載され、原料粉末として「水晶砂の他純度が９８％以上の硅砂」を使用することができることも記載されているとは認められるが、原料粉末中及び得られた石英ガラスルツボ中の具体的な不純物元素名及びその濃度、得られた石英ガラスルツボの微小泡集合体について示唆する記載はない。
　甲第２号証には、回転する石英ガラス粉充填層を加熱溶融して得た石英ガラスルツボが記載され、ほとんど気泡のない石英ガラスルツボが得られれることも示されてはいるが、原料粉末中及び得られた石英ガラスルツボ中の具体的な不純物元素名及びその濃度について示唆する記載はない。
　甲第３号証には、ルツボ中の不純物濃度を減らすとＮ型シリコン単結晶の微小欠陥を減らすことができること、そのために回転する合成石英ガラス粉充填層を加熱溶融して得た石英ガラスルツボを使用すること、そのルツボの内面は透明層であり、合成石英ガラスルツボの不純物含有量はＦｅが１００ｐｐｂ以下、Ｎｉ、Ｃｒが５０ｐｐｂ以下であり、さらに実施例にはＦｅが５５ｐｐｂ、Ｎｉが３ｐｐｂ以下及びＣｒが２ｐｐｂの合成石英ガラスルツボが示されているが、Ｎｉ及びＣｒ含有量の上限値は本件発明１〜３における上限値の１００倍もの大きさであるばかりか、実施例におけるＮｉ及びＣｒ含有量も本件発明１〜３における上限値の４〜６倍もの値であるし、しかも、銅元素およびナトリウム元素の濃度、原料合成石英ガラス粉の不純物元素名及びその濃度、得られた石英ガラスルツボ中の微小泡集合体について示唆する記載はない。
　甲第４号証には、石英ガラスルツボの内表面に高純度の透明石英層を形成し、この透明石英層でのＴｉ、Ｚｒ、Ｅｒ，Ｆｅの濃度及びルツボ全体のＣｕ濃度を規定することにより、引き上げられる単結晶に取り込まれる金属不純物の濃度を低く抑えることができること、その結果として引上げられたシリコン単結晶を切断加工して得られたウエーハには熱酸化誘起積層欠陥（ＯＳＦ）の発生がほとんどないことが示されてはいるが、上記（４−６）に示した使用前の石英ガラスルツボは、上記（４−４）の記載に照らせば、上記（４−５）に示した石英粉と天然ケイ石又はケイ砂から作られた通常の酸処理による石英粉との適宜混合物から作製されたものであるので、その製造原料の不純物濃度は全く不明であるし、しかも、上記使用前の石英ガラスルツボのＣｕ含有量にしても本件発明１〜３における上限値の１．６〜２倍もの値であるばかりか、クロム元素、ニッケル元素及びナトリウム元素の濃度、得られた石英ガラスルツボ中の微小泡集合体について示唆する記載はない。
　さらに、甲第５号証には、合成石英ガラス粉を溶融成形してなる石英ガラスルツボの製造に際し、原料の合成石英ガラスの粒度を所定範囲となすことにより不良泡の発生を少なくすることができること、原料の合成石英ガラスの不純物量はＦｅ＜０．２ｐｐｍ、Ｎａ＜０．２ｐｐｍであることが示されてはいるが、銅元素、クロム元素及びニッケル元素の含有量、得られた石英ガラスルツボ中の不純物元素名及びその濃度については何も記載されていない。
　してみると、甲第１〜５号証のいずれにも原料石英粉の不純物濃度とその原料を使用して作製された石英ガラスルツボ中の不純物濃度とをほぼ同じ程度となしえることを示唆する記載はない。
　また、甲第３及び４号証には石英ガラスルツボ中の不純物濃度を低減することが示唆されているとしても、その石英ガラスルツボ中のＣｕ、Ｃｒ、Ｎｉ及びＮａ濃度を本件発明１〜３で限定している数値範囲内のものとなしたものが示されていないばかりか、石英ガラスルツボ中のｐｐｂレベルもの低濃度の不純物含有量をさらに低減させることが当業者にとり容易であるとすることを裏付ける証拠はないから、甲第１〜５号証の記載を総合して勘案したところで本件発明１〜３を想到することが当業者にとり容易になし得たものであるとすることはできない。
Ｖ．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立人の提示した証拠方法及び申立ての理由によっては本件発明１〜３の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明１〜３の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１１年１０月２９日（１９９９．１０．２９）