【事件の表示】
　特許第２７５８０９３号「半導体ウェーハの製造方法」の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第２７５８０９３号の特許を維持する。
【理　由】
［１］手続の経緯
　本件特許第２７５８０９３号の請求項１に係る発明についての特許は、平成３年１０月７日に特許出願がなされ、平成１０年３月１３日にその特許権の設定登録がなされ、その後、住友金属工業株式会社より特許異議の申立てがなされたものである。
［２］本件発明
　本件特許第２７５８０９３号の請求項１に係る発明（以下、「本件発明」という。）は、特許明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものである。
「【請求項１】チョクラルスキー法による結晶育成の際に、引上げ速度を0.6mm／min．以下にし、結晶中に14〜20ppmaの酸素をドープしたウエーハについて、イントリンシック・ゲッタリング処理を行うことを特徴とする半導体ウエーハの製造方法。」
［３］申立ての理由の概要
　申立人住友金属工業株式会社は、証拠として甲第１乃至３号証を提出し、本件発明は、甲第１号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであって、本件発明に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであるから、本件特許を取り消すべき旨、主張している。
［４］甲第１乃至３号証
　甲第１号証（「応用物理」第60巻 第8号 1991年8月10日 766〜773頁）には、「Si結晶の熱処理過程と欠陥の形成」に関し、その欠陥の形成について、結晶の冷却過程と対比して解説（766頁冒頭の要約の欄3行）され、その項目として、「（1）酸素析出物の形成，（2）リング状に分布するOSFの形成過程，（3）酸化膜耐圧特性に関連する欠陥の形成」（766頁冒頭の要約の欄3〜4行）が挙げられている。そのうち、(1)の項目である酸素析出物の形成においては、「酸素析出欠陥の形成は，当然予想される事ではあるが，結晶の冷却条件によって変化する。図3に，2種類の製造条件により育成された，それぞれ数本の結晶の酸素析出量と初期酸素濃度（as-grown結晶中の固溶酸素濃度を指す）との関係を示す。・・・熱処理条件には，析出を進行させるために，800℃，4時間，N２中、および1000℃，16時間，dryO２中の二段熱処理を用いた。」（767頁右欄7〜14行）と記載され、その図3によれば、二つの冷却条件（650℃以下徐冷及び650℃以下急冷）によって育成された結晶に前記の二段熱処理を施すと、初期酸素濃度が約8〜11×10１７atoms／cm３の範囲の場合に酸素が析出しており、その析出状態は、冷却条件によって異なっていることが認められる。また、(3)の項目である酸化膜耐圧特性に関連する欠陥の形成においては、Siウエハーの「酸化膜の耐圧特性と結晶の引き上げ速度との関係」（771頁左欄2〜3行）について、Siウエハーの酸化膜の「耐圧特性には明瞭な引き上げ速度依存性が見られ，引き上げ速度0.6mm／min以下の低速引き上げにおいて，ほぼ100％のCモード合格率を示す。」（771頁左欄15〜18行）と記載され、その原因について、「低速引き上げ結晶は，・・・全領域がリングゾーンの外側，すなわちＩ領域に相当するため，耐圧特性の劣化は生じない。」（772頁左欄14〜16行）と記載され、Cuデコレーション後のエッチピット観察結果を示した図15によれば、そのI領域においては、10μm以上の大ピットの密度はゼロであるが、10μm未満の小ピットの密度は10４以上の密度で存在していることが認められる。また、このCuデコレーション法で観察されたエッチピットの大小について、「ところで，Cuデコレーション後のエッチピットの大小から欠陥の大小を議論するのは危険であり，今後厳密な評価を行うべきである。・・・なお，リングゾーン外にも大きなエッチピットが存在する点については，Cuデコレーション法ではなく、TEMによる寸法，構造についての詳細な観察が必要である。」（772頁左欄16〜25行）と記載されている。
　甲第２号証（「1985 ANNUAL BOOKS of ASTM STANDARDS SECTION10 VOLUME10.05 242〜244頁）には、シリコン酸素濃度のppmaと×atoms/cm3の関係を示すＡＳＴＭが記載されている。
　甲第３号証（「岩波理化学辞典第４版」4頁、376〜377頁）には、アボガドロ数及びシリコンの原子量について記載されている。
［５］対比・判断
　本件発明は、「ＩG（イントリンシック・ゲッタリング）処理を行った後には、DZ（デヌーデッド・ゾーン）内は完全に無欠陥であることが理想である。しかし、現実には低密度の欠陥がDZ内に存在することが判った。この欠陥は、素子の微細化がさらに進んだ場合に大きな問題となる。」（本件特許公報第3欄2〜6行参照）という課題を見出し、該課題を解決するために、特許請求の範囲の請求項１に記載された構成を採用したものである。
　これに対して、甲第１号証の「(1)酸素析出物の形成」の項目において示された図３には、二つの冷却条件によって育成（本件発明における「チョクラルスキー法による結晶育成」に相当する。）された結晶に800℃、4時間、N２中、及び1000℃、16時間、dryO２中の二段熱処理を施すと、初期酸素濃度（本件発明における「酸素をドープした」に相当する。）が約8〜11×10１７atoms／cm３（これを申立人の提出した甲第２号証及び甲第３号証を参照して本件発明におけるようなppma単位に換算すると、約16〜22ppmaとなり、本件発明における酸素含有量と重複する。）の範囲の場合に酸素が析出していることが示されているが、この二段熱処理は、図３の説明内容からみて、酸素析出を積極的に行って、チョクラルスキー法における結晶成長終了後の冷却条件が酸素析出にどのような影響を与えているのかを調べるために行った熱処理と認められ、申立人のいうような本件発明におけるイントリンシック・ゲッタリング処理に相当するものということはできない。また、甲第１号証の「(3)酸化膜耐圧特性に関連する欠陥の形成」の項目では、Siウエハーの酸化膜耐圧特性がほぼ100％の合格率を示すようになることを課題としており、該課題は、本件発明における前記した課題と全く異なっている。また、その解決手段においても、甲第１号証には、結晶の引上げ速度を0.6mm／min.以下にしたと記載されているにすぎず、本件発明におけるような引上げ速度を0.6mm／min.以下にしたウエーハについて、イントリンシック・ゲッタリング処理を行うことについては、開示も、示唆もなされていない。しかも、本件特許明細書によれば、本件発明は、特許請求の範囲の請求項１に記載された構成を採用することにより、引上げ速度を0.6mm／min.以下にしたウエーハに「僅かに生じる大きな欠陥は、高温熱処理で、特に高温でかつ酸素の少ない表面付近で、ほとんどが溶体化してしまう。したがって、理想に近い（従来に比べて欠陥が非常に少ない）DZ層の形成が可能となる。」（本件特許公報第3欄34〜38行）という知見に基いてなされたことは明らかであり、一方、甲第１号証全体の記載をみても、該知見は記載されていないし、示唆もなされていない。この点について、申立人は、甲第１号証には、結晶の引上げ速度を0.6mm／min.以下にすると、ウエーハ表面の全領域（本件特許明細書に記載された「DZ層」に相当する。）がリングゾーン（大きな欠陥のある部分）の外側、すなわち（図15における）Ｉ領域（大きな欠陥が存在しない部分）になることが記載されており、これは、本件発明における前記知見に記載された「理想に近い（従来に比べて欠陥が非常に少ない）DZ層の形成が可能となる。」と同じことであると主張している。しかしながら、甲第１号証のCuデコレーション後のエッチピット観察結果を示した図15をみると、そのＩ領域には、大ピット（大きな欠陥）の密度はゼロであるが、小ピット（小さな欠陥）の密度は10４個/cm２以上の密度で存在していることが認められること、並びに甲第１号証には、「Cuデコレーション後のエッチピットの大小から欠陥の大小を議論するのは危険であり、今後厳密な評価を行うべきである。」及び「リングゾーン外にも大きなエッチピットが存在する点については、Cuデコレーション法ではなく、TEMによる寸法、構造についての詳細な観察が必要である。」と記載されていることからみて、上記図15のＩ領域には、実際如何なる大きさの欠陥が存在しているのか不明である。したがって、Cuデコレーション法のみによっては、図１５のＩ領域に大きな欠陥がないと断定することはできないから、申立人の上記主張は、採用できない。
　してみると、甲第１号証に記載されたものから、本件発明を当業者が容易に想到し得たものとすることはできない。
　そして、本件発明は、本件特許明細書に記載する効果を奏するものである。
　したがって、本件発明は、申立人が提出した甲第１号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
　なお甲第２乃至３号証を参酌しても上記結論は変わらない。
［６］むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件請求項１に係る発明の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件請求項１に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年４月１０日（２０００．４．１０）