【事件の表示】
　特許第６２３９３３０号発明「透明導電性フィルムの製造方法」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第６２３９３３０号の特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１〜２〕について訂正することを認める。
　特許第６２３９３３０号の請求項１〜２に係る特許を取り消す。
【理　由】
　第１　手続の経緯 
 　 
　本件特許第６２３９３３０号（以下、「本件特許」という。）の請求項１〜２に係る特許についての出願は、平成２５年９月２６日になされ、平成２９年１１月１０日に特許権の設定登録がなされ、同年同月２９日に特許掲載公報が発行された。 
　その後、本件特許の全請求項（請求項１〜２）に係る特許に対し、特許異議申立人　小柳恵子（以下「異議申立人」という。）より、平成３０年５月２８日付けで特許異議の申立てがなされ、同年７月２４日付けで当審より取消理由が通知され、その取消理由通知の指定期間内である同年９月２０日付けで特許権者より意見書の提出及び訂正請求がされ、同年１１月５日付けで異議申立人より意見書が提出され、平成３１年１月４日付けで当審より取消理由（決定の予告）が通知され、同年３月１日に特許権者の代理人と面接が行われ、その取消理由通知の指定期間内である同年同月８日付けで特許権者より意見書の提出及び訂正請求がされ、同年４月２２日付けで異議申立人より意見書が提出され、令和１年６月２５日付けで当審より、再び、取消理由（決定の予告）が通知され、その取消理由通知の指定期間内である同年８月２０日付けで特許権者より意見書の提出及び訂正（以下、「本件訂正」という。）請求がされたものである。 
 　 
　なお、本件訂正請求がされたため、特許法第１２０条の５第７項の規定により、平成３０年９月２０日付けの訂正請求、及び、平成３１年３月８日付けの訂正請求は、いずれも、取り下げられたものとみなす。 
　第２　訂正の適否についての判断 
　本件訂正請求の請求の趣旨、及び、訂正の内容は、それぞれ以下のとおりのものであり、本件訂正の適否につき、以下のとおり判断する。 
　１．　訂正請求の趣旨  
　本件特許の特許請求の範囲を、本件訂正請求書に添付した、訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項１〜２について訂正することを求める。  
  
　２．訂正の内容 
　請求項１に
「前記２つのターゲット間の最短距離は１０ｍｍ以上１５０ｍｍ以下であり、
　前記透明導電層の結晶化後の比抵抗値が６．０×１０−４Ω・ｃｍ以下である透明導電性フィルムの製造方法。」とあるのを、 
 「
前記基材フィルムの搬送方向における前記ターゲットの両側に、前記スパッタ室を囲う隔壁を有し、
　
前記透明導電層の厚みは１５〜３５ｎｍであり、
　前記２つのターゲット間の最短距離は１０ｍｍ以上１５０ｍｍ以下であり、
　
前記スパッタ法により得られた非晶質膜である透明導電層をアニール処理することにより、
４．０×１０
−４
Ω・ｃｍ
透明導電層を得る
  
　３．　訂正の目的の適否、一群の請求項、新規事項の有無、及び特許請求
　　　の範囲の拡張・変更の存否 
（１）　訂正事項１は、訂正前の請求項１〜２の透明導電性フィルムの製造方法では、「前記透明導電層」について、結晶化後の比抵抗値を６．０×１０−４Ω・ｃｍ以下とするための工程を特定していなかったところ、その工程について、「前記スパッタ法により得られた非晶質膜である透明導電層をアニール処理することにより、」「透明導電層を得る」と特定するとともに、結晶化後の比抵抗値を「４．０×１０−４Ω・ｃｍ以下」に限定し、また、「前記透明導電層の厚みは１５〜３５ｎｍであ」るとの特定を加え、さらに、「スパッタ室」について、「前記基材フィルムの搬送方向における前記ターゲットの両側に、前記スパッタ室を囲う隔壁を有」するとの特定を加えようとするものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。 
　そして、それらの特定は、本件特許の明細書の【００１４】〜【００１５】、【００２８】〜【００３０】、【００４２】〜【００４８】、【図１】及び【図３】の記載に基づいていることから、訂正事項１は新規事項の追加に該当しない。 
　また、それらの特定によって、訂正前の請求項１〜２には包含されていなかった透明導電性フィルムの製造方法が、新たに加わるということはないから、訂正事項１は実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。 
　なお、本件特許の全請求項について特許異議の申立てがされたので、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第７項の独立特許要件の規定の適用はない。 
  
（２）　一群の請求項について  
　本件訂正前の請求項２は、請求項１を引用するものであって、訂正事項１によって記載が訂正される請求項１に連動して訂正されるものである。  
　したがって、訂正前の請求項１〜２は一群の請求項であるところ、訂正事項１は、その一群の請求項に対してされたものであるから、特許法１２０条の５第４項の規定に適合する。  
  
　４．　小括 
　以上のとおりであるから、本件訂正請求による訂正は特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる事項を目的とするものであり、かつ、同条第４項、及び、同条第９項において準用する同法第１２６条第５項から第６項までの規定に適合するので、訂正後の請求項〔１〜２〕について訂正することを認める。 
  
  
　第３　本件訂正発明 
　上記第２のとおり訂正することを認めるので、本件特許の特許請求の範囲の請求項１〜２に係る発明（それぞれ、「本件訂正発明１」〜「本件訂正発明２」ということがあり、また、これらを、まとめて、「本件訂正発明」ということがある。）は、訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲の請求項１〜２に記載された事項により特定される、次のとおりのものである。  
 「【請求項１】 
　基材フィルム上にインジウム−スズ複合酸化物を含むターゲットから透明導電層をスパッタ法により形成する工程を含む透明導電性フィルムの製造方法であって、 
　前記スパッタ法は、スパッタ成膜装置における１つのスパッタ室あたり２つ備えられた前記ターゲットにそれぞれＤＣ電源を接続して行うＤＣデュアルターゲットスパッタ法であり、 
　前記基材フィルムの搬送方向における前記ターゲットの両側に、前記スパッタ室を囲う隔壁を有し、
　前記透明導電層の厚みは１５〜３５ｎｍであり、
　前記２つのターゲット間の最短距離は１０ｍｍ以上１５０ｍｍ以下であり、
　前記スパッタ法により得られた非晶質膜である透明導電層をアニール処理することにより、結晶化後の比抵抗値が４．０×１０−４Ω・ｃｍ以下である透明導電層を得る透明導電性フィルムの製造方法。 
 【請求項２】 
　前記スパッタ成膜装置には、２つ以上のスパッタ室が設けられており、 
　各スパッタ室において独立してＤＣデュアルターゲットスパッタ法により前記透明導電層を形成する請求項１に記載の透明導電性フィルムの製造方法。」 
  
  
　第４　令和１年６月２５日付けの取消理由通知書（決定の予告）で通知し
　　　た取消理由の概要
　本件特許の請求項１〜２に係る発明は、下記の引用文献１〜２に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定に違反して特許を受けたものであり、本件特許は取り消すべきものである。
  
 　　　　　　　　　　　　　　　記  
引用文献１：国際公開第２０１３／０８０９９５号
引用文献２：国際公開第２０１１／０４６０５０号（甲第１号証）  
  
  
　第５　当審の判断 
　１．　引用文献の記載事項、引用文献１記載の発明、及び、引用文献２に
　　　開示された技術事項（当審注：「…」は記載の省略を表す。）  
（１）　引用文献１の記載事項、及び、引用文献１記載の発明  
１ア．　「[0029] [実施例１] 
　酸化スズを１０重量％、酸化インジウムを９０重量％として混合し、焼結して作られたターゲット材を配置したスパッタ装置に、厚み２３μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなるフィルム基材を入れた。次いで、スパッタ装置のチャンバ内に、アルゴンガス９９体積％と酸素ガス１体積％の混合ガスを封入し、チャンバ内を０．４Ｐａの低圧環境に調整した。焼結して作られたターゲット材上の水平方向磁場を５０ｍＴとして、マグネトロンスパッタリング法により、フィルム基材上に、厚み３２ｎｍの非晶質を含むインジウムスズ酸化物を堆積させた。…
[0030]　その後、フィルム基材に堆積した非晶質部分を含むインジウムスズ酸化物を、１４０℃の加熱室内で、常圧環境下で９０分間加熱処理した。フィルム基材上に形成された非晶質部分を含むインジウムスズ酸化物は、加熱処理することにより結晶化したことを確認した。」
１イ．　「
[0040]　表１に示すように、ターゲット材上の水平方向磁場が、５０ｍＴから１８５ｍＴである場合には、…光透過性に優れ、且つ比抵抗が小さい（電気伝導性に優れる）透明導電性フィルムが得られた。」
１ウ．　「[0041]　本発明の製造方法によって得られる透明導電性フィルムには、様々な用途があり、例えば、タッチパネル、好ましくは静電容量方式のタッチパネルに用いることができる。」
１エ．　「[0013]　以下に図面を参照して、本発明の実施の一形態について説明する。図１は、非晶質部分を含むインジウムスズ酸化物を堆積させる工程を実施するためのスパッタ装置１００を示す概略図である。
[0014]　インジウムスズ酸化物のターゲット材１０８を配置したスパッタ装置１００のチャンバ１０４内に、フィルム基材１１２を入れ、ターゲット材１０８上に発生させた水平方向磁場を利用するマグネトロンスパッタリング法により、フィルム基材１１２上に非晶質部分を含むインジウムスズ酸化物（図示せず。）を堆積させる。磁場の強さは、５０ｍＴ（ミリテスラ）以上とする。
[0015]　マグネトロンスパッタリング法に用いるスパッタ装置１００は、例えば、図１に示すように、１Ｐａ以下の低圧環境を作るためのチャンバ１０４と、フィルム基材１１２を繰り出す繰り出しロール１１６と、フィルム基材１１２の搬送方向を変更するガイドロール１２８、１３２と、温度制御可能な成膜ロール１２０と、直流電源１３６と、成膜ロール１２０に向かい合うように配置され、且つ直流電源１３６に電気的に接続されたターゲット材１０８と、ターゲット材１０８の温度上昇を防ぐ冷却ステージ１４０と、ターゲット材１０８の背後（成膜ロール１２０と逆側）に配置され、且つターゲット材１０８上に水平方向磁場を発生させる磁石１４４と、フィルム基材１１２を巻き取る巻き取りロール１２４とを有する。…
[0016]　本実施形態における非晶質部分を含むインジウムスズ酸化物を堆積させる工程では、０．１Ｐａから１Ｐａといった大気圧よりも低い気圧中で発生させたプラズマ中の陽イオンを、表面上に磁場を持つ負電極として機能するターゲット材１０８に衝突させることによって、ターゲット材１０８の表面から飛散した物質（ターゲット粒子）をフィルム基材１１２に付着させるプラズマを発生させるための物質として、例えば、アルゴンガス９９体積％と酸素ガス１体積％との混合ガスを用いることができる。チャンバ１０４内に混合ガスを封入し、成膜ロール１２０とターゲット材１０８との間の電位差によって発生させた電子を混合ガスに衝突させて、混合ガスを電離させることによって、プラズマを発生させる。直流電源１３６の電力を一定にし、電圧を、例えば−４００Ｖから−１００Ｖの範囲で制御し、電流（電子の量）を調整することによって、プラズマの発生量を調整することができるが、他の手段によってプラズマの発生量を調整してもよい。マグネトロンスパッタリング法では、磁場によって多量のプラズマをターゲット材１０８の近辺に閉じ込めて、ターゲット材１０８に衝突させることができる。ターゲット材に衝突させるプラズマの量が増えると、多量のターゲット粒子を飛散させることができるため、成膜速度を大きくしやすいという特徴がある。また、水平方向磁場によって、基材の温度上昇も抑制できるため、基材として耐熱性に乏しいプラスチックフィルムを用いることができるという特徴を有する。
…
[0018]　比抵抗の小さい透明導電性フィルムを得るためには、ターゲット材１０８上の水平方向磁場を、５０ｍＴ（ミリテスラ）以上とする必要がある。…」
１オ．　「
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
１カ．　上記１ア．〜１イ．によれば、引用文献１には、実施例１として、インジウムスズ酸化物のターゲット材上の水平方向磁場を５０ｍＴとする、マグネトロンスパッタリング法により、フィルム基材上に、厚み３２ｎｍの非晶質のインジウムスズ酸化物を堆積させ、その後、加熱処理することにより、前記非晶質のインジウムスズ酸化物を結晶化して透明導電層を形成した、比抵抗が３．２×１０−４Ω・ｃｍである透明導電性フィルムの製造方法が記載されていると認められる。
１キ．　上記１カ．に示した透明導電性フィルムは、上記１ウ．によれば、静電容量方式のタッチパネルに用いることができると認められる。
１ク．　また、上記１エ．〜１オ．によれば、上記１カ．に示した透明導電性フィルムの製造方法は、ターゲットに直流電源を接続して行うマグネトロンスパッタリング法であると認められる。
１ケ．　上記１カ．〜１ク．の検討を踏まえ、実施例１の透明導電性フィルムの製造方法に注目し、本件訂正発明１に則して整理すると、引用文献１には、次の発明（以下、「引用発明１」という。）が記載されていると認められる。  
「フィルム基材上にインジウムスズ酸化物のターゲット材から透明導電層をマグネトロンスパッタリング法により製造した、静電容量方式のタッチパネルに用いることができる透明導電性フィルムの製造方法であって、前記マグネトロンスパッタリング法は、前記ターゲット材に直流電源を接続して行うマグネトロンスパッタリング法であり、前記透明導電層の厚みは３２ｎｍであり、前記マグネトロンスパッタリング法により得られた非晶質のインジウムスズ酸化物を加熱処理することにより、結晶化して、比抵抗が３．２×１０−４Ω・ｃｍである前記透明導電層を形成した、透明導電性フィルムの製造方法。」
（２）引用文献２（甲第１号証）の記載事項 、及び、引用文献２に開示された技術事項
２ア．　「本発明は、透明プラスチックフィルム上に、第１透明層（高屈折率層）、第２透明層（低屈折率層）、及び透明導電性層を積層した透明導電性フィルムの連続的な製造装置及び製造方法であって、特に抵抗膜式タッチパネル用または静電容量式タッチパネル用に好適な透明導電性フィルムを生産性良く、安定的に製造することができるものに関する。」（［0001］）  
  
２イ．　「…本発明の透明導電性フィルムの製造方法を図１の製造装置に基づいて説明する。まず、巻き出しロール７にセットされたプラスチックフィルム１６は、フィルム巻き出し室１から出発して脱ガス室２、第１バッファ室３を順に通過して第１の成膜室４に至る。脱ガス室２では、プラスチックフィルム１６をヒーター１４で加熱してフィルム中の残留溶液や水分を蒸発させ、クライオ・コイル１１により蒸発成分を吸着する。第１の成膜室４でプラスチックフィルム１６上に第１透明層、第２透明層を順次積層した後、再び第１のバッファ室３を経由して第２のバッファ室を通り、第２の成膜室４′に至る。そして、第２の成膜室４′でプラスチックフィルム１６上にさらに第２透明層、透明導電性層を順次積層した後、再び、第２のバッファ室５を経由してフィルム巻き取り室６に至る。
　第１のバッファ室３と第１の成膜室４、および第２の成膜室４′と第２のバッファ室５は、冷却ロール９または１０と仕切り１２によって隔離されており、フィルムが通る隙間だけが開いている。第１、第２の成膜室４，４′では、ターゲットが取り付けられているカソード・ボックス１３がそれぞれ第１の冷却ロール９、第２の冷却ロール２０の半径方向側面に配置されており、例えばアルゴンガス雰囲気（酸素ガスなどの反応性ガスを含んでもよい）中で高電圧をターゲットに加えることでターゲット材料の一部がプラスチックフィルム上にスパッタリングされて、第１透明層、第２透明層および透明導電性層が連続的に成膜されるようになっている。  
　フィルム巻き出し室１と脱ガス室２、およびフィルム巻き取り室６と第２のバッファ室５の間には、フィルムを挟み込む装置１５が設けられることが好ましい。これにより、フィルムロール交換時にフィルム巻き出し室１とフィルム巻き取り室６のみを大気開放にするだけで、第１および第２の成膜室の真空度を１０Ｐａ以下に保持した状態でロール交換が可能である。  
　また、カールの大きなフィルムを用いた場合、フィルムを挟み込む装置１５を通過する際、フィルムが擦れてキズが入るおそれがある。このためフィルムを挟み込む装置１５の前後にわたってカール抑制補助機構を備えていることが好ましい。例えば補助機構としては、補助ロール１７を使用することができ、これによりフィルムを幅方向に引っ張ったり、フィルムのカールを押さえつけてフィルムの損傷を防止できる。」（［0044］〜［0047］）  
  
２ウ．　「（実施例１）  
 …塗布液を調製した。  
　両面に易接着層を有する二軸配向透明ポリエチレンテレフタレートフィルム（東洋紡績（株）製、Ａ４３００、幅：１３００ｍ、厚み：１８８μｍ）に、塗膜の厚みが５μｍになるように、調製した塗布液を塗布した。８０℃で乾燥を行った後、…塗膜を硬化させた。次いで、反対面についても同様に塗膜を設けた。  
　上記フィルムを巻回したものを図１に記載の製造装置に設置して透明導電性フィルムを製造した。第１成膜室の最初の２枚のターゲットはインジウム−スズ複合酸化物（酸化インジウム／酸化スズ＝６４重量％／３６重量％、住友金属鉱山（株）製）を用い、ＤＣマグネトロン・スパッタ法により酸素分圧３．０×１０−２Ｐａ、全圧０．６Ｐａの圧力で投入電力１．０Ｗ／ｃｍ２でスパッタリングを行った。…（第１透明層）。  
　次の第１成膜室の４枚のターゲットおよび続く第２成膜室の４枚のターゲットはＢドープ柱状晶シリコーン（アルバックマテリアル（株）製）を用い、ＤＣマグネトロン・スパッタ法により全圧０．６Ｐａの圧力で投入電力３．０Ｗ／ｃｍ２でスパッタリングを行った。…（第２透明層）。
　第２成膜室の最後の２枚のターゲットはインジウム−スズ複合酸化物（酸化インジウム／酸化スズ＝９５重量％／５重量％、住友金属鉱山（株）製）を用い、ＤＣマグネトロン・スパッタ法により酸素分圧１．０×１０−２Ｐａ、全圧０．６Ｐａの圧力で投入電力３．０Ｗ／ｃｍ２でスパッタリングを行った（透明導電性層）。」（［0056］〜［0058］）  
  
２エ．　「 
１ ：フィルム巻き出し室 
２ ：脱ガス室 
３ ：第１のバッファ室 
４ ：第１の成膜室 
４′：第２の成膜室 
５ ：第２のバッファ室 
６ ：フィルム巻き取り室 
７ ：巻き出しロール 
８ ：巻き取りロール 
９ ：第１の冷却ロール 
１０：真空排気装置 
１１：クライオ・コイル 
１２：仕切り 
１３：カソード・ボックス 
１４：ヒーター 
１５：フィルムを挟み込む装置 
１６：プラスチックフィルム 
１７：補助ロール 
１８：ＰＣ 
１９：プラズマモニター 
２０：第２の冷却ロール」（［0067］） 
  
２オ．　「  
 
 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」  
  
２カ．　上記２ア．によれば、引用文献２には、透明プラスチックフィルム上に第１透明層（高屈折率層）、第２透明層（低屈折率層）、及び透明導電性層を積層した透明導電性フィルムの連続的な製造方法であって、特に抵抗膜式タッチパネル用または静電容量式タッチパネル用に好適な透明導電性フィルムを生産性良く、安定的に製造することができる透明導電性フィルムの連続的な製造方法が記載されていると認められる。  
  
２キ．　上記２イ．〜２オ．によれば、上記２カ．に示した透明導電性フィルムの第１透明層（高屈折率層）は、第１の冷却ロール９と仕切り１２によって第１のバッファ室３と隔離されている、第１成膜室４において、前記第１の冷却ロール９上を移動する透明プラスチックフィルム１６に対して、インジウム−スズ複合酸化物でなる２枚のターゲットを用いたＤＣマグネトロン・スパッタ法により成膜されて得られており、また、上記２カ．に示した透明導電性フィルムの透明導電性層は、第２の冷却ロール２０と仕切り１２によって第２のバッファ室５と隔離されている、第２成膜室４’において、前記第２の冷却ロール２０上を移動する透明プラスチックフィルム１６に対して、インジウム−スズ複合酸化物でなる２枚のターゲットを用いたＤＣマグネトロン・スパッタ法により成膜されて得られているところ、前記第１成膜室４は前記第１透明層（高屈折率層）を成膜する領域とそれ以外の領域とからなっており、それ以外の領域では前記第１透明層（高屈折率層）を成膜するわけではないから、図１の図示からして、前記第１透明層（高屈折率層）を成膜する領域とそれ以外の領域は、互いに、第１の冷却ロール９と仕切り１２によって隔離されており、また、前記第２成膜室４’は前記透明導電性層を成膜する領域とそれ以外の領域とからなっており、それ以外の領域では前記透明導電性層を成膜するわけではないから、図１の図示からして、前記透明導電性層を成膜する領域とそれ以外の領域も、互いに、第２の冷却ロール２０と仕切り１２によって隔離されていると認められる。  
２ク．　また、上記２キ．の検討からすると、第１成膜室４における第１透明層（高屈折率層）を成膜する領域以外の領域と第１のバッファ室３は、いずれも、第１透明層（高屈折率層）を成膜する領域とは第１の冷却ロール９と仕切り１２によって隔離されていることから、前記第１透明層（高屈折率層）を成膜する領域に対して、隣接する室といえるし、第２成膜室４’における透明導電性層を成膜する領域以外の領域と第２のバッファ室５は、いずれも、透明導電性層を成膜する領域とは第２の冷却ロール２０と仕切り１２によって隔離されていることから、前記透明導電性層を成膜する領域に対して、隣接する室といえる。
  
２ケ．　上記２カ．〜２ク．の検討を踏まえると、引用文献２には、静電容量式タッチパネル用に好適な透明導電性フィルムを生産性良く、安定的に製造するための、透明導電性フィルムの連続的な製造方法として、第１の冷却ロールと仕切りによって隣接する室と隔離されている、第１透明層（高屈折率層）を成膜する領域において、前記第１の冷却ロール上を移動する透明プラスチックフィルムに対して、インジウム−スズ複合酸化物でなる２枚のターゲットを用いたＤＣマグネトロン・スパッタ法により成膜し、第２の冷却ロールと仕切りによって隣接する室と隔離されている、透明導電性層を成膜する領域において、前記第２の冷却ロール上を移動する透明プラスチックフィルムに対して、インジウム−スズ複合酸化物でなる２枚のターゲットを用いたＤＣマグネトロン・スパッタ法により成膜するという、技術事項が開示されていると認められる。 
  
  
　２．　本件訂正発明と引用発明１との対比・判断  
（１）　本件訂正発明１と引用発明１との対比・判断  
ア．　本件訂正発明１と、上記１．（１）の１ケ．に示した、引用発明１とを対比するに、引用発明１における「フィルム基材」、「インジウムスズ酸化物のターゲット材」、「マグネトロンスパッタリング法により製造した」こと、「直流電源」は、それぞれ、本件訂正発明１における「基材フィルム」、「インジウム−スズ複合酸化物を含むターゲット」、「スパッタ法により形成する工程を含む」こと、「ＤＣ電源」に相当し、また、引用発明１における「前記透明導電層の厚みは３２ｎｍであ」ること、「前記マグネトロンスパッタリング法により得られた非晶質のインジウムスズ酸化物を加熱処理すること」、「結晶化して、比抵抗が３．２×１０−４Ω・ｃｍである前記透明導電層を形成した」ことは、それぞれ、本件訂正発明１における「前記透明導電層の厚みは１５〜３５ｎｍであ」ること、「前記スパッタ法により得られた非晶質膜である透明導電層をアニール処理すること」、「結晶化後の比抵抗値が４．０×１０−４Ω・ｃｍ以下である透明導電層を得る」ことに相当する。  
　してみると、両者は、以下の点で一致し、以下の点で相違していると認められる。  
 ＜一致点＞  
「基材フィルム上にインジウム−スズ複合酸化物を含むターゲットから透明導電層をスパッタ法により形成する工程を含む透明導電性フィルムの製造方法であって、  
　前記スパッタ法は、前記ターゲットにＤＣ電源を接続して行うスパッタ法であり、
　前記透明導電層の厚みは１５〜３５ｎｍであり、
　前記スパッタ法により得られた非晶質膜である透明導電層をアニール処理することにより、結晶化後の比抵抗が４．０×１０−４Ω・ｃｍ以下である透明導電層を得る透明導電性フィルムの製造方法」の点。  
  
 ＜相違点＞  
相違点１：　前記スパッタ法について、本件訂正発明１は「スパッタ成膜装置における１つのスパッタ室あたり２つ備えられたターゲットにそれぞれＤＣ電源を接続して行うＤＣデュアルターゲットスパッタ法であり、基材フィルムの搬送方向における前記ターゲットの両側に、前記スパッタ室を囲う隔壁を有し、前記２つのターゲット間の最短距離は、１０ｍｍ以上１５０ｍｍ以下であ」るとの発明特定事項を備えているのに対し、引用発明１は前記の発明特定事項を備えていない点。 
イ．　そこで、上記相違点１につき検討するに、引用発明１は、上記１．（１）の１ケ．のとおり、フィルム基材上にインジウムスズ酸化物のターゲット材から透明導電層をマグネトロンスパッタリング法により製造した、静電容量方式のタッチパネルに用いることができる透明導電性フィルムの製造方法であって、前記マグネトロンスパッタリング法は、前記ターゲット材に直流電源を接続して行うマグネトロンスパッタリング法であるところ、上記１．（２）の２ケ．のとおり、引用文献２には、静電容量式タッチパネル用に好適な透明導電性フィルムを生産性良く、安定的に製造するための、透明導電性フィルムの連続的な製造方法として、第１の冷却ロールと仕切りによって隣接する室と隔離されている、第１透明層（高屈折率層）を成膜する領域において、前記第１の冷却ロール上を移動する透明プラスチックフィルムに対して、インジウム−スズ複合酸化物でなる２枚のターゲットを用いたＤＣマグネトロン・スパッタ法により成膜し、第２の冷却ロールと仕切りによって隣接する室と隔離されている、透明導電性層を成膜する領域において、前記第２の冷却ロール上を移動する透明プラスチックフィルムに対して、インジウム−スズ複合酸化物でなる２枚のターゲットを用いたＤＣマグネトロン・スパッタ法により成膜するという、技術事項（以下、「ＤＣデュアルターゲットスパッタ法」ということがある。）が開示されている。
　してみると、引用発明１の静電容量方式のタッチパネルに用いることができる透明導電性フィルムの製造方法において、当該透明導電性フィルムを生産性良く、安定的に製造するために、引用文献２に開示されているＤＣデュアルターゲットスパッタ法を適用して、第１の冷却ロールと仕切りによって隣接する室と隔離されている、第１透明層（高屈折率層）を成膜する領域において、前記第１の冷却ロール上を移動する透明プラスチックフィルムに対して、インジウム−スズ複合酸化物でなる２枚のターゲットを用いたＤＣマグネトロン・スパッタ法により成膜し、第２の冷却ロールと仕切りによって隣接する室と隔離されている、透明導電性層を成膜する領域において、前記第２の冷却ロール上を移動する透明プラスチックフィルムに対して、インジウム−スズ複合酸化物でなる２枚のターゲットを用いたＤＣマグネトロン・スパッタ法により成膜することは、当業者が容易に想到し得ることであるところ、「第１透明層（高屈折率層）を成膜する領域」及び「透明導電性層を成膜する領域」は、いずれも、本件訂正発明１における「スパッタ室」に相当し、また、「第１の冷却ロールと仕切りによって隣接する室と隔離されている」こと、「第２の冷却ロールと仕切りによって隣接する室と隔離されている」ことは、いずれも、本件訂正発明１における「基材フイルムの搬送方向における前記ターゲットの両側に、前記スパッタ室を囲う隔壁を有」することに相当することから、上記相違点１に係る本件訂正発明１の発明特定事項のうちの、「スパッタ成膜装置における１つのスパッタ室あたり２つ備えられたターゲットにそれぞれＤＣ電源を接続して行うＤＣデュアルターゲットスパッタ法であり、基材フィルムの搬送方向における前記ターゲットの両側に、前記スパッタ室を囲う隔壁を有」するとの特定事項を備えたものとすることは、当業者が容易に想到し得ることである。
　そして、その具体的適用に当たって、スパッタ室における２枚のターゲットの間の距離に、近すぎず、遠すぎない、適正な距離のあることは明らかであることからして、上記相違点１に係る本件訂正発明１の発明特定事項のように、それら２枚のターゲットの間の最短距離を特定することは、具体的適用に伴う設計的事項にすぎない。
ウ．　また、本件訂正発明１による、結晶化後の透明導電層の比抵抗が低減され、ＩＴＯ成膜の高速化できるとの発明の効果についても、引用発明１によると、上記１．（１）の１ケ．に示したとおり、シングルターゲットを用いることによって既に、結晶化後の比抵抗が３．２×１０−４Ω・ｃｍである透明導電層が得られているところ、引用文献２には、上記イ．の検討のとおり、透明導電性フィルムを生産性良く、安定的に製造するための、透明導電性フィルムの連続的な製造方法として、冷却ロールと仕切りによって隔離されている、成膜領域において、その冷却ロール上を移動する透明プラスチックフィルムに対して、インジウム−スズ複合酸化物でなる２枚のターゲットを用いる、ＤＣデュアルターゲットスパッタ法が開示されていることから、引用文献２開示の技術事項を引用発明１に適用することで、透明導電性フィルムの生産性向上、すなわち、ＩＴＯ成膜の高速化が予測できるし、引用文献２開示のように成膜領域を隔離する仕切りがあれば、その仕切りがない場合よりは、相対的に、スパッタの際のプラズマ密度が高まって、成膜されるＩＴＯ膜が緻密化し、当該透明導電層の比抵抗が更に低減することが予測され得ることを考慮すると、引用文献１〜２の記載に基いて、当業者が予測し得る程度の効果にすぎない。
エ．　補足
（エ−１）　特許権者の主張
　上記イ．〜ウ．の検討について、特許権者は、令和１年８月２０日付けの意見書において、以下の（１ａ）、（１ｂ）の主張をしている。
（１ａ）　引用文献２の実施例１と比較例１とでは表面抵抗値が同じなので、引用文献２記載の発明の目的が抵抗値の低減でないことが明らかであり、また、シングルターゲットに代えてデュアルターゲットにすることで、比抵抗の低減が図れることは、引用文献２に記載も示唆もされていないため、引用文献１記載の発明に引用文献２記載の発明を組み合わせる動機付けが全く生じないし、更に、引用文献１の実施例では、計算値として表面抵抗が８１〜１００Ω／□となるのに対して、引用文献２の実施例では、表面抵抗が２８０〜３５０Ω／□となっており、引用文献１記載の発明に引用文献２記載の発明を組み合わせることは、引用文献１記載の発明の主たる目的である「低い比抵抗」に反するため、引用文献１記載の発明と引用文献２記載の発明の両者の組合せには阻害要因があることは明らかである。
（１ｂ）　本件訂正発明１は、「前記基材フィルムの搬送方向における前記ターゲットの両側に、前記スパッタ室を囲う隔壁を有」するとの発明特定事項を備えているのに対し、前記の発明特定事項を備えることは、引用文献１には記載されていないし、引用文献２には、基材フィルムの搬送方向における上流側ターゲットの上流側と、真空排気装置１０の下流側に、隔壁を設けることが記載されているだけであり、前記の発明特定事項を備えることは、引用文献１と同様、記載されていないので、前記の発明特定事項を備える本件訂正発明１は、引用文献１〜２記載の発明に基づいて、当業者が容易に想到し得たものではない。
（エ−２）　当審の判断
　特許権者の上記（１ａ）、（１ｂ）の主張の妥当性につき、以下検討する。
（２ａ）　上記イ．の検討のとおり、引用文献２開示の技術事項は引用発明１に適用可能なものである。
　ここで、透明導電性フィルムの表面抵抗の値について、引用文献１には、上記１．（１）の１ア．〜１オ．のとおり、マグネトロンスパッタリングによってフィルム基材上に厚み３２ｎｍのインジウムスズ酸化物を堆積させる際のターゲット材上の水平方向磁場を５０ｍＴ以上の製造条件とすれば比抵抗が３．２×１０−４Ω・ｃｍ以下の低抵抗の透明導電性フィルム、すなわち、表面抵抗値が３．２×１０−４Ω・ｃｍ／３２ｎｍ＝１００Ω／□以下の低抵抗の透明導電性フィルムが得られることが記載されており、引用文献２開示の技術事項を引用発明１に適用するにあたっても、当該製造条件を保持をすれば、表面抵抗値が１００Ω／□以下の低抵抗の透明導電性フィルムが得られることは当然のことであるから、特許権者の上記（１ａ）の主張は妥当性を欠いている。
（２ｂ）　引用文献２においては、上記イ．の検討のとおり、透明導電性フィルムを生産性良く、安定的に製造するための、透明導電性フィルムの連続的な製造方法として、冷却ロールと仕切りによって隔離されている、成膜領域において、その冷却ロール上を移動する透明プラスチックフィルムに対して、インジウム−スズ複合酸化物でなる２枚のターゲットを用いる、ＤＣデュアルターゲットスパッタ法が開示されているところ、上記１．（２）の２オ．のように、ターゲットと仕切りの間に真空排気装置１０があることが図示されているとしても、スパッタ室に相当する「成膜領域」が、「冷却ロールと仕切りによって隣接する室と隔離されている」ということは、本件訂正発明１における「基材フイルムの搬送方向における前記ターゲットの両側に、前記スパッタ室を囲う隔壁を有」することに相当することに変わりはない。
　そのため、特許権者の上記（１ｂ）の主張も妥当性を欠いている。
オ．　よって、本件訂正発明１は、引用文献１〜２に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
（２）　本件訂正発明２と引用発明１との対比・判断  
ア．　本件訂正発明２と、上記１．の１ケ．に示した、引用発明１とを対比するに、本件訂正発明２における「請求項１に記載の透明導電性フィルムの製造方法」については上記（１）ア．での検討と同様であることから、両者は、上記相違点１の点以外に、次の点でも相違し、その余の点で一致していると認められる。  
 ＜相違点＞  
相違点２：　本件訂正発明２は「スパッタ成膜装置には、２つ以上のスパッタ室が設けられており、各スパッタ室において独立してＤＣデュアルターゲットスパッタ法により透明導電層を形成する」との発明特定事項を備えるものであるのに対し、引用発明１は前記の発明特定事項を備えていない点。
イ．　上記相違点１については、上記（１）イ．で検討したとおりである。  
ウ．　次に、上記相違点２について検討するに、上記相違点１についての検討と同様にして、引用発明１の静電容量方式のタッチパネルに用いることができる透明導電性フィルムの製造方法において、当該透明導電性フィルムを生産性良く、安定的に製造するために、引用文献２に開示されているＤＣデュアルターゲットスパッタ法を適用して、第１の冷却ロールと仕切りによって隣接する室と隔離されている、第１透明層（高屈折率層）を成膜する領域において、前記第１の冷却ロール上を移動する透明プラスチックフィルムに対して、インジウム−スズ複合酸化物でなる２枚のターゲットを用いたＤＣマグネトロン・スパッタ法により成膜し、第２の冷却ロールと仕切りによって隣接する室と隔離されている、透明導電性層を成膜する領域において、前記第２の冷却ロール上を移動する透明プラスチックフィルムに対して、インジウム−スズ複合酸化物でなる２枚のターゲットを用いたＤＣマグネトロン・スパッタ法により成膜すること、すなわち、上記相違点２に係る本件訂正発明２の発明特定事項を備えたものとすることも、当業者が容易に想到し得ることである。
エ．　また、本件訂正発明２による、結晶化後の透明導電層の比抵抗が低減され、また、ＩＴＯ成膜の高速化できるとの発明の効果についても、上記（１）ウ．での検討と同様にして、引用文献１〜２の記載に基いて、当業者が予測し得る程度の効果にすぎない。
オ．　よって、本件訂正発明２も、引用文献１〜２に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　第６　むすび 
　以上のとおり、本件訂正発明１〜２は、引用文献１〜２に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定に違反して特許を受けたものであり、本件特許の請求項１〜２に係る特許は、同法第１１３条第２号に該当し、取り消されるべきものである。 
　よって、結論のとおり決定する。 
【異議決定日】
令和１年９月２０日（２０１９．９．２０）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】
　基材フィルム上にインジウム−スズ複合酸化物を含むターゲットから透明導電層をスパッタ法により形成する工程を含む透明導電性フィルムの製造方法であって、
　前記スパッタ法は、スパッタ成膜装置における１つのスパッタ室あたり２つ備えられた前記ターゲットにそれぞれＤＣ電源を接続して行うＤＣデュアルターゲットスパッタ法であり、
　
前記基材フィルムの搬送方向における前記ターゲットの両側に、前記スパッタ室を囲う隔壁を有し、
　
前記透明導電層の厚みは１５〜３５ｎｍであり、
　前記２つのターゲット間の最短距離は１０ｍｍ以上１５０ｍｍ以下であり、
　
前記スパッタ法により得られた非晶質膜である透明導電層をアニール処理することにより、
４．０×１０−４Ω・ｃｍ
透明導電層を得る
　【請求項２】
　前記スパッタ成膜装置には、２つ以上のスパッタ室が設けられており、
　各スパッタ室において独立してＤＣデュアルターゲットスパッタ法により前記透明導電層を形成する請求項１に記載の透明導電性フィルムの製造方法。