【事件の表示】
　特許第２７８９２４７号「イオン処理装置のクリーニング方法」の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結論】
　特許第２７８９２４７号の特許を維持する。
【理由】
１．本件特許発明
　本件特許第２７８９２４７号（平成２年１月１２日出願、平成１０年６月１２日設定登録。）の請求項１に係る発明（以下、本件特許発明という。）は、特許明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定されるとおりのものである。
２．申立ての理由の概要
　申立人川崎重工業株式会社は、本件特許発明は、甲第１号証乃至甲第４号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、特許法第１１３条第２項の規定により取り消すべきものである旨主張している。
３．甲第１号証乃至甲第４号証に記載の発明
　甲第１号証（特開昭６１−１３５０３７号公報）には、イオン照射における放電室内のクリーニングに関して、下記の事項が図面とともに記載されている。
　「本発明は、上記問題点を解決するため、イオン照射後、照射室と別体の放電室内に付着したガス成分と反応する活性ラジカルを有するプラズマを発生せしめて、付着したガス成分を蒸発させることにより、放電室内をクリーニングする方法および装置を提供するものである。
　作用
　本発明は上記に述べたように、放電室内に発生せしめたプラズマにより、放電室内をクリーニングすることから、放電室を解体する必要がないため、クリーニングが容易であり、短時間にクリーニングが出来、さらに被照射物を保持したままで半導体製造におけるイオン照射工程において極めて好都合となる。」（第２頁右上欄２０行乃至左下欄１３行）
　「第１図のイオン照射装置において、イオン照射を行った後、バルブ４を切り替えすなわちバルブ４ｃ，４ｄを閉じてバルブ４ａ，４ｂを開いてＣＦ４とＯ２ガスを放電室１内に流入させる。その時の放電室のガス圧は、１０×１０−３Ｔｏｒｒ前後であり引き出し電極３の電圧は０または浮遊状態である。その後、フィラメント５に電流を流し放電を起こし、放電室１内をプラズマで満たす。放電室１内に形成されたプラズマはＦ＊ラジカルを有するため放電室１内に付着していたＳｉ原子と反応して、ＳｉＦ４を生成し蒸発する。またボロンも反応してＢＦ４を生成し蒸発する。一方、酸素はＣＦ４の分解生成物である炭素をＣＯ２に変えて蒸発させる。以下にその反応式を示す。
　　　Ｓｉ＋４Ｆ＊→ＳｉＦ４
　　　Ｂ　＋４Ｆ＊→＋ＢＦ４
　　　Ｃ　＋Ｏ２→ＣＯ２
　そして数分間、放電を起こした後、フィラメント電流をゼロにし、ガスバルブ４ａ，４ｂを閉じて放電を停止する。この際、放電室１を、ヒーター（図示せず）により加熱させる事により、蒸発をより促進させる事も出来る。生成したＳｉＦ４，ＢＦ４，ＣＯ２は主排気系１２から排出され、放電室１内および電極３、フィラメント５等のクリーニングがなされる。
　なお、酸素を用いたクリーニングの場合は、フィラメント５が酸化し、フィラメント５の寿命が短くなるため、クリーニングには放電室１に別のフィラメントを設置しこれを使用するのが望ましい。」（第３頁右下欄１行乃至第４頁左上欄１０行）
　甲第２号証（特開昭６３−１２６２２５号公報）には、真空容器内で試料をドライエッチングするエッチング装置に関して、下記の事項が図面とともに記載されている。
　「真空容器内で試料にイオンビームを照射するイオン源と、試料の近傍にプラズマを生成させるプラズマ生成手段とを備え、試料に対するイオンビームエッチングとイオンエッチングの併用が可能なエッチング装置において、前記プラズマ生成手段の一部を切り替える切替手段を設け、それによってプラズマ生成手段の一部を兼用してイオン源を構成する引出し電極系およびプラズマ室内壁の近傍にクリーニング用ガスのプラズマを生成させることができるようにしたことを特徴とするエッチング装置。」（特許請求の範囲）
　「一方、イオン源２のクリーニングを行う場合は、切替スイッチ３８ａ、３８ｂを切替スイッチ４０ａ側に切り替えると共に、切替スイッチ４０ａ、４０ｂのポジションを適当に選ぶ。例えば、ｂポジションでは減速電極８ｂとシャッタ２０間に、ｃポジションでは加速電極８ａと減速電極８ｂ間に、ｄポジションでは加速電極８ａとプラズマ室４の内壁間に、高周波電源３２からの高周波電圧がそれぞれ印加される。
　そしてクリーニング用ガスを、イオンビームエッチングを行う際に使用するガス導入系、即ち前述したようなマスフローコントローラ１３およびガス切替器１４を経由して、プラズマ室４内や更にはそこから引出し電極系８の小孔を通してそれとシャッタ２０間にそれぞれ供給する。このクリーニング用ガスには、汚染物質をスパッタリングする能力を持ったもの、例えばアルゴン等の不活性ガスや窒素ガスを選択すれば良い。
　上記のようにすることによって、切替スイッチ４０ａ、４０ｂのポジションに応じて、減速電極８ｂとシャッタ２０間、加速電極８ａと減速電極８ｂ間あるいは加速電極８ａとプラズマ室４の内壁間に、高周波放電によるクリーニング用ガスのプラズマがそれぞれ生成され、それによって電極８ａ、８ｂやプラズマ室４の内壁に付着していた汚染物質がスパッタリングによって除去されてそれらの表面がクリーニングされる。従って、イオン源２をクリー．ニングするのに従来の場合と違ってそれを真空容器１８から取り外す必要は全く無く、イオン源２の取外し・取付け等に費やされる時間が省かれるため、エッチング装置本来の稼働時間を増大させてスループット（単位時間当たりの処理能力）の向上を図ることができる。」（第３頁左上欄７行乃至右上欄１９行）
　甲第３号証（特開昭６３−２２１５４０号公報）には、電子ビームによってイオンを生成する電子ビーム励起イオン源に関して、下記の事項が図面とともに記載されている。
　「この電子ビーム励起イオン源は、プラズマ領域、加速陰極、電子ビーム加速領域、加速陽極、イオン生成領域、およびターゲット陰極がこの順で配置され、加速陽極に対して負の電位をターゲット陰極に与える手段と、イオン生成領域において生成された正イオンまたは負イオンを吸引し、このイオン引き出すイオン引出電極とが備えられている。
　このような電子ビーム励起イオン源では、プラズマ領域中の電子は、加速陽極によって引き出され、イオン生成領域内に突入する。突入した電子はイオン生成領域内の不活性ガス又は金属蒸気と衝突してイオンを生成するが、このイオンの逆流によって加速陰極の出口付近に形成される負のポテンシャルバリヤが中和される。
　したがって、プラズマ密度に比例する大電流電子ビームがイオン生成領域内に流入する。
　イオン生成領域においては、流入した電子ビームの電流値に比例した数のイオンが発生し、このイオンは、イオン引出電極によってイオン生成領域外へ放射される。」（第２頁左上欄５行乃至右上欄５行）
　甲第４号証（特開昭６４−５３４２２号公報）には、半導体装置の製造等に利用されるドライエッチング装置に関して、下記の事項が図面とともに記載されている。
　「すなわち本発明のドライエッチング装置は、放電用ガスをプラズマ化する第１のプラズマ化手段と、このプラズマから電子を引出し加速する手段と、この手段により加速された電子の照射によりエッチングガスをプラズマ化して被処理物のエッチングを行う第２のプラズマ化手段とを備えたことを特徴とする。」（第２頁左上欄１２行乃至１８行）
　「電子ビーム加速領域２１の圧力は、例えば１０−４Ｔｏｒｒ程度とし、電子ビーム加速用電極８には、電子ビーム加速電圧Ｖａｃｃを印加する。そして、放電領域２０で生じたプラズマ中から電子を引出し、加速してエッチング領域２２に導入する。
　エッチング領域２２は、エッチングガス導入孔１６から例えば塩素ガス、アルゴンガス等のエッチングガスを導入し、排気孔１５から排気することにより圧力例えば１０−４〜１０−２程度とし、電子ビーム加速用電極８とホルダ４との間に電圧Ｖｉを印加する。そして、電子ビーム加速領域２１から導入された電子ビームによりエッチングガスを活性化して高密度のプラズマを発生させる。なお、このプラズマは、１％以内の均一さて、例えば直径１５ｃｍ程度の領域に形成することができる。
　このプラズマ中のイオンは、ホルダ４に保持された半導体ウエハ等のターゲット表面に形成されたプラズマシース中で加速され、イオンビームとしてターゲットに射突し、ターゲットがエッチングされる。」（第３頁右上欄７行乃至左下欄６行）
４．対比・判断
　甲第１号証に記載された発明の１イオン照射装置」及び「ＣＦ４とＯ２ガス」は、本件特許発明の「イオン処理装置」及び「クリーニング用ガス」に相当するものであるから、本件特許発明の用語を使用して両者を対比すると、両者は、「イオンを被処理物に作用させて所望の処理を行うイオン処理装置をクリーニングするに際し、所定のクリーニング用ガスを導入し、このガスにプラズマを発生させ、このプラズマを作用させてクリーニングするイオン処理装置のクリーニング方法」で一致しており、本件特許発明では、所定のクリーニング用ガスを導入し、放電により生じさせた第１のプラズマから引き出した電子をクリーニング用ガスに照射して第２のプラズマを発生させ、この第２のプラズマを作用させてクリーニングするのに対して、甲第１号証に記載された発明では、ＣＦ４とＯ２ガスを放電室１内に導入し、フィラメント５に電流を流して放電を起こすことによりプラズマを発生させ、このプラズマを作用させてクリーニングする点で相違している。
　上記相違点について検討するに、甲第１号証には、クリーニング用ガスとして放電室１内に導入したＣＦ４とＯ２ガスにフィラメント５に電流を流して放電を起こすことによりプラズマを発生させてクリーニングする方法が記載されているにすぎないものであって、本件特許発明のように、フィラメントの消耗を招くことがないイオン注入装置におけるプラズマによるクリーニング方法として、放電により生じさせた第１のプラズマから引き出した電子を照射して第２のプラズマを発生させ、この第２のプラズマをクリーニング用ガスに作用させてクリーニングすることについては記載されていないばかりでなく、示唆する事項も見出すことはできない。
　また、甲第２号証にも、切替スイッチ４０ａ、４０ｂのポジションに応じて、減速電極８ｂとシャッタ２０間、加速電極８ａと減速電極８ｂ間あるいは加速電極８ａとプラズマ室４の内壁間に、高周波放電によるクリーニング用ガスのプラズマをそれぞれ生成し、それによって電極８ａ、８ｂやプラズマ室４の内壁に付着していた汚染物質をスパッタリングによって除去するクリーニング方法が記載されているにすぎないものであって、上記本件特許発明のようなクリーニング方法については記載されていないばかりでなく、示唆する事項も見出すことはできない。
　さらに、甲第３号証及び甲第４号証には、それぞれ電子ビームによってイオンを生成する電子ビーム励起イオン源及びドライエッチング装置が記載されているにすぎないものであって、クリーニング方法については記載も示唆もされていない。
　そして、本件特許発明は、上記相違点に係る技術事項によってフィラメントの消耗及びこの消耗に起因する汚染を防止しつつ、プラズマによるクリーニングを実施することができるという格別な効果を奏するものと認める。
　したがって、本件特許発明は、甲第１号証乃至甲第４号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとは認めることができない。
　５．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては本件特許発明についての特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件特許発明についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１１年５月２８日（１９９９．５．２８）