【事件の表示】
　特許第２７２６０４８号「複合磁気ヘッド」の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結論】
　訂正を認める。
　特許第２７２６０４８号の特許を維持する。
【理由】
（１）手続の経緯
　特許第２７２６０４８号に係る発明についての出願は、昭和６２年１０月１３日に特許出願され、平成９年１２月５日にその発明について特許の設定登録がなされ、その後、その特許について、異議申立人三洋電機株式会社より特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１１年３月２３日に訂正請求がなされたものである。
（２）訂正の適否についての判断
ア．訂正の内容
　特許権者が求めている訂正の内容は、以下のとおりである。
ａ．特許請求の範囲の減縮を目的として、特許請求の範囲の請求項１の記載「少なくとも一方の磁気コア半体が酸化物磁性材料と金属磁性薄膜により構成される一対の磁気コア半体を突合せ、上記金属磁性薄膜により磁気ギャップが形成されてなる複合磁気ヘッドであって、
　上記金属磁性薄膜と上記酸化物磁性材料との界面の一部が上記磁気ギャップの近傍において該磁気ギャップと略平行であり、かつ上記金属磁性薄膜と上記酸化物磁性材料との間に２０〜２００Åの膜厚のＳｉ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ａｌ，Ｔａ，Ｚｒ，Ｍｇ，Ｍｎ，Ｚｎの酸化物薄膜の少なくとも一種を配したことを特徴とする複合磁気ヘッド。」を「少なくとも一方の磁気コア半体が酸化物磁性材料と金属磁性薄膜により構成される一対の磁気コア半体を突合せ、上記金属磁性薄膜により磁気ギャップが形成されてなる複合磁気ヘッドであって、
　上記金属磁性薄膜がＦｅ−Ｇａ−Ｓｉ系合金よりなるとともに、当該金属磁性薄膜と上記酸化物磁性材料との界面の一部が上記磁気ギャップの近傍において該磁気ギャップと略平行であり、かつ上記金属磁性薄膜と上記酸化物磁性材料との間に２０〜２０Åの膜厚のＳｉ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ａｌ，Ｔａ，Ｚｒ，Ｍｇ，Ｍｎ，Ｚｎの酸化物薄膜の少なくとも一種を配したことを特徴とする複合磁気ヘッド。」と訂正する。
ｂ．明りょうでない記載の釈明を目的として、明細書第６頁第１３行〜第７頁第５行の記載「すなわち、本発明にかかる複合磁気ヘッドは、少なくとも一方の磁気コア半体が酸化物磁性材料と金属磁性薄膜により構成される一対の磁気コア半体を突合せ、上記金属磁性薄膜により磁気ギャップが形成されてなる複合磁気ヘッドであって、上記金属磁性薄膜と上記酸化物磁性材料との界面の一部が上記磁気ギャップの近傍において該磁気ギャップと略平行であり、かつ上記金属磁性薄膜と上記酸化物磁性材料との間に２０〜２００Åの膜厚のＳｉ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ａｌ，Ｔａ，Ｚｒ，Ｍｇ，Ｍｎ，Ｚｎの酸化物薄膜の少なくとも一種を配したことを特徴とするものである。」を「すなわち、本発明にかかる複合磁気ヘッドは、少なくとも一方の磁気コア半体が酸化物磁性材料と金属磁性薄膜により構成される一対の磁気コア半体を突合せ、上記金属磁性薄膜により磁気ギャップが形成されてなる複合磁気ヘッドであって、上記金属磁性薄膜がＦｅ−Ｇａ−Ｓｉ系合金よりなるとともに、当該金属磁性薄膜と上記酸化物磁性材料との界面の一部が上記磁気ギャップの近傍において該磁気ギャップと略平行であり、かつ上記金属磁性薄膜と上記酸化物磁性材料との間に２０〜２００Åの膜厚のＳｉ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ａｌ，Ｔａ，Ｚｒ，Ｍｇ，Ｍｎ，Ｚｎの酸化物薄膜の少なくとも一種を配したことを特徴とするものである。」に訂正する。
ｃ．明りょうでない記載の釈明を目的として、明細書第１１頁第１９行〜同第１２頁第６行を削除する。
イ．訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
訂正事項ａについて
　上記訂正事項ａは、特許明細書の特許請求の範囲に記載された「金属磁性薄膜」を材料の限定を加えたより狭い範囲（下位概念）である「Ｆｅ−Ｇａ−Ｓｉ系合金よりなる金属磁性薄膜」に限定しようとするものであるから、特許請求の範囲の減縮に該当する。
　また、この点について願書に添付した明細書（以下、「特許明細書」という。）の発明の詳細な説明（明細書第８頁第８〜１４行）には「本実施例は、補助コア材となる酸化物磁性材料としてＭｎ系フェライトを、主コア材である金属薄膜に使用される軟磁性合金としてＦｅ−Ｇａ−Ｓｉ系合金をまた反応防止層の材料として膜厚の極めて薄いＳｉ等の酸化物薄膜を使用した複合磁気ヘッドの例である。」と記載されており、上記訂正ａは、新規事項ではなく、かつ実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
訂正事項ｂ．ｃについて
　これらの訂正は、上記訂正事項ａに応じて発明の詳細な説明中の記載を整合させるためのものであるから、明りようでない記載の釈明に該当し、実質上特許請求の範囲を拡張し、変更するものでもなく、かつ新規事項の追加に該当しない。
ウ．独立特許要件の判断
（先願明細書）
　訂正明細書の請求項１に係る発明に対して、当審が平成１０年１２月１７日付けで通知した取消理由で引用した特願昭６３−１６７４０７号（昭和６３年７月５日出願、平成元年５月２５日出願公開、特開平１−１３３２０４号公報参照）の願書に最初に添付された明細書又は図面（以下、「先願明細書１」という。）には、下記の点からなる発明が記載されている。
　（１）強磁性酸化物からなる一対の磁気コア半体のギャップ形成面上に強磁性金属薄膜を形成し、該強磁性金属薄膜同士を非磁性材料を介して突き合せて作動ギャップを構成する磁気ヘッドに於て、前記ギャップ形成面と前記強磁性金属薄膜との間に耐熱性薄膜を介在させる点。（先願明細書１（公報）の第５頁右下欄第１〜１２行、第６頁左上欄第９〜１３行、先願明細書２の第７頁第８行〜第８頁第６行）
（２）前記耐熱性薄膜の厚みが２ｎｍ（２０Å）以上で、且つ作動ギャップのギャップ長の２０分の１以下である点。（先願明細書１の第１２頁右上欄第３行〜同頁左下欄第５行、第２２，２３図、先願明細書２の第１３頁第１行〜第２０行）
（３）前記耐熱性薄膜の厚みの上限は、ギャップ長Ｇが０．４μｍの時、Ｎ／Ｓを２０分の１以下にするには前記薄膜の膜厚をギャップ長の１／２０にすればよいことが確認されたとの記載及び、ギャップ長が０．２，０．４μｍのヘッドの実施例に於ける特性から見て、ギャップ長が０．４μのヘッドの場合は、２０ｎｍ（２００Å）になる点。（上記（２）と同じ部分）
４）前記耐熱性薄膜は、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＺｒＯ２、ＭｇＯ、ＣａＯ、Ｔａ２Ｏ５、Ｙ２Ｏ３、Ｖ２Ｏ５等の耐熱性酸化物から構成される点。（上記（１）と同じ部分）
　なお、上記の点は、その括弧内に先願明細書２と記したように、先願明細書１の優先権の基礎となる特願昭６２−１９４８９３号（昭和６２年８月４日出願）の願書に最初に添付された明細書又は図面（先願明細書２）にも記載されている。
（対比・判断）
　本件訂正明細書の請求項１に係る発明と先願明細書１、２に記載の発明とを対比すると、先願明細書１、２の発明における「作動ギャップ」「強磁性酸化物」「強磁性金属薄膜」は、本件訂正明細書の請求項１に係る発明の「磁気ギャップ」「酸化物磁性材料」「金属磁性薄膜」に相当し、また、先願明細書１、２の発明の「耐熱性薄膜」は疑似ギャップの発生を防止しているので本件訂正明細書の請求項１に係る発明の「酸化物薄膜」に相当するから、両者は、「少なくとも一方のコア半体が酸化物磁性材料と金属磁性薄膜により構成されてなる一対の磁気コア半体を突き合せ、上記金属磁性薄膜により磁気ギャップが形成されてなる複合磁気ヘッドであって、
上記金属磁性薄膜と上記酸化物磁性材料との界面の一部が上記ギャップの近傍において該磁気ギャップと略平行であり、かつ上記金属磁性薄膜と上記酸化物磁性材料との間に２０〜２００Åの膜厚のＳｉ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｍｇの酸化物薄膜の少なくとも一種を配したことを特徴とする複合磁気ヘッド。」で一致し、本件訂正明細書の請求項１に係る発明が金属磁性薄膜として「Ｆｅ−Ｇａ−Ｓｉ系合金」を用いているのに対し、先願明細書１、２に記載の発明では、このような合金を用いていない点で相違する。
　上記相違点について、検討すると、先願明細書１、２に記載の発明において、種々の組成の金属磁性薄膜を用いることが記載されているが、「Ｆｅ−Ｇａ−Ｓｉ系合金」を用いることは自明のこととは認められない。
　そして、本件訂正明細書の請求項１に係る発明は上記「Ｆｅ−Ｇａ−Ｓｉ系合金」を用した場合でも、酸化しやすいＧａが酸化物磁性材料との界面で反応して透磁率が著しく低下するのを防ぐことができるとの訂正明細書に記載のとおりの効果が得られるものと認められる。
　従って、本件訂正明細書の請求項１に係る発明は、その出願の日の前の出願であって、その出願後に特許法第４２条の２第３項の規定により出願公開されたものとみなされた特願昭６２−１９４８９３号の願書に最初に添付した明細書又は図面に記載された発明［出願公開された優先権主張を伴う特願昭６３−１６７４０７号（特開平１−１３３２０４号公報参照）の願書に最初に添付した明細書又は図面に記載された発明］と同一であるとすることはできないから、特許法第２９条の２の規定により特許を受けることができないとすることはできない。
エ．むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法第１２０条の４第２項及び同条第３項において準用する第１２６条第２、３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
（３）特許異議申立てについて
ア．本件発明
　平成１１年３月２３日付けで提出された訂正明細書の請求項１に係る発明（以下、「本件発明」という。）は、その特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定されるとおりのものである。（前記（２）ア．訂正事項ａ参照）
イ．申立ての理由の概要
　特許異議申立人三洋電機株式会社は、本件請求項１に係る発明についての特許は、甲第１号証（特開平１−１３３２０４号公報、前記先願明細書１と同じ）及び甲第２号証（特願昭６２−１９４８９３号の願書に最初に添付された明細書及び図面、前記先願明細書２と同じ）に記載された発明であるから、当該発明に係る特許は特許法第２９条の２に違反してなされたものであり、特許法第１１３号第１項第２号の規定により取り消されるべきである旨主張している。
ウ．判断
　本件発明の特許は、前記（２）ウ．独立特許要件の判断で示したように、特許法第２９条の２に規定する要件を満たす出願に対してなされたものである。
　また、他に本件発明についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
エ．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件発明の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１１年５月２０日（１９９９．５．２０）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
ａ．特許請求の範囲の減縮を目的として、特許請求の範囲の請求項１の記載「少なくとも一方の磁気コア半体が酸化物磁性材料と金属磁性薄膜により構成される一対の磁気コア半体を突合せ、上記金属磁性薄膜により磁気ギャップが形成されてなる複合磁気ヘッドであって、
　上記金属磁性薄膜と上記酸化物磁性材料との界面の一部が上記磁気ギャップの近傍において該磁気ギャップと略平行であり、かつ上記金属磁性薄膜と上記酸化物磁性材料との間に２０〜２００Ａの膜厚のＳｉ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ａｌ，Ｔａ，Ｚｒ，Ｍｇ，Ｍｎ，Ｚｎの酸化物薄膜の少なくとも一種を配したことを特徴とする複合磁気ヘッド。」を
「少なくとも一方の磁気コア半体が酸化物磁性材料と金属磁性薄膜により構成される一対の磁気コア半体を突合せ、上記金属磁性薄膜により磁気ギャップが形成されてなる複合磁気ヘッドであって、
　上記金属磁性薄膜がＦｅ−Ｇａ−Ｓｉ系合金よりなるとともに、当該金属磁性薄膜と上記酸化物磁性材料との界面の一部が上記磁気ギャップの近傍において該磁気ギャップと略平行であり、かつ上記金属磁性薄膜と上記酸化物磁性材料との間に２０〜２００Åの膜厚のＳｉ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ａｌ，Ｔａ，Ｚｒ，Ｍｇ，Ｍｎ，Ｚｎの酸化物薄膜の少なくとも一種を配したことを特徴とする複合磁気ヘッド。」と訂正する。
ｂ．明りょうでない記載の釈明を目的として、明細書第６頁第１３行〜第７頁第５行の記載「すなわち、本発明にかかる複合磁気ヘッドは、少なくとも一方の磁気コア半体が酸化物磁性材料と金属磁性薄膜により構成される一対の磁気コア半体を突合せ、上記金属磁性薄膜により磁気ギャップが形成されてなる複合磁気ヘッドであって、上記金属磁性薄膜と上記酸化物磁性材料との界面の一部が上記磁気ギャップの近傍において該磁気ギャップと略平行であり、かつ上記金属磁性薄膜と上記酸化物磁性材料との間に２０〜２００Åの膜厚のＳｉ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ａｌ，Ｔａ，Ｚｒ，Ｍｇ，Ｍｎ，Ｚｎの酸化物薄膜の少なくとも一種を配したことを特徴とするものである。」を「すなわち、本発明にかかる複合磁気ヘッドは、少なくとも一方の磁気コア半体が酸化物磁性材料と金属磁性薄膜により構成される一対の磁気コア半体を突合せ、上記金属磁性薄膜により磁気ギャップが形成されてなる複合磁気ヘッドであって、上記金属磁性薄膜がＦｅ−Ｇａ−Ｓｉ系合金よりなるとともに、当該金属磁性薄膜と上記酸化物磁性材料との界面の二部が上記磁気ギャップの近傍において該磁気ギャップと略平行であり、かつ上記金属磁性薄膜と上記酸化物磁性材料との間に２０〜２００Åの膜厚のＳｉ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ａｌ，Ｔａ，Ｚｒ，Ｍｇ，Ｍｎ，Ｚｎの酸化物薄膜の少なくとも一種を配したことを特徴とするものである。」に訂正する。
ｃ．明りょうでない記載の釈明を目的どして、明細書第１１頁第１９行〜同第１２頁第６行を削除する。
（５４）【発明の名称】
複合磁気ヘッド
（５７）【特許請求の範囲】
　少なくとも一方の磁気コア半体が酸化物磁性材料と金属磁性薄膜により構成される一対の磁気コア半体を突合せ、上記金属磁性薄膜により磁気ギャップが形成されてなる複合磁気ヘッドであって、
　上記金属磁性薄膜がＦｅ−Ｇａ−Ｓｉ系合金よりなるとともに、当該金属磁性薄膜と上記酸化物磁性材料との界面の一部が上記磁気ギャップの近傍において該磁気ギャップと略平行であり、かつ上記金属磁性薄膜と上記酸化物磁性材料との間に２０〜２００Åの膜厚のＳｉ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ａｌ，Ｔａ，Ｚｒ，Ｍｇ，Ｍｎ，Ｚｎの酸化物薄膜の少なくとも一種を配したことを特徴とする複合磁気ヘッド。
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
　本発明は、複合磁気ヘッドに関し、特に主コア材として軟磁性の金属磁性薄膜を、補助コア材として酸化物磁性材料を用い、高周波記録・再生に適する複合磁気ヘッドに関する。
〔発明の概要〕
　本発明は、酸化物磁性材料と金属磁性薄膜により構成されるとともに、上記金属磁性薄膜により磁気ギャップが形成されるいわゆるメタル・イン・ギャップ型の複合磁気ヘッドにおいて、上記金属磁性薄膜と上記酸化物磁性材料との界面に２０〜２００Åの膜厚のＳｉ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ａｌ，Ｔａ，Ｚｒ，Ｍｇ，Ｍｎ，Ｚｎの酸化物薄膜の少なくとも一種を配することにより、上記金属磁性薄膜と上記酸化物磁性材料との間の反応を抑制し、疑似ギャップの形成を防止することを可能とするものである。
〔従来の技術〕
　近年、磁気記録の分野においては、記録信号の高密度化が進行しており、高い抗磁力と残留磁束密度を有する磁気記録媒体が使用されるようになっている。これに伴って、磁気ヘッドのコア材料には高い飽和磁束密度および透磁率を有することが要求されている。
　しかしながら、コア材料として最も広く使用されている酸化物磁性材料であるフェライトでは、飽和磁束密度が不十分である。そこで、フェライトを補助コア材とし、磁気ヘッドのギャップ部に高飽和磁束密度を有する金属磁性薄膜を主コア材として挿入した、いわゆるメタル・イン・ギャップ型の磁気ヘッドが従来から提案されており、既に一部の消去用ヘッドに採用されている。
　このような用途に使用される金属磁性薄膜としては、従来Ｆｅ−Ｎｉ系合金（パーマロイ）、Ｃｏ−Ｎｂ−Ｚｒ等のアモルファス合金等が開発されてきた。しかし、パーマロイは耐摩耗性に劣り、アモルファス合金は高温下でのガラス融着に耐えることが困難である等の問題点があった。
　これらの諸問題を解決するため、本願出願人はこれまでに高飽和磁束密度を有する金属磁性薄膜として、たとえば特願昭６０−７７３３６号明細書においてＦｅ−Ｃｏ−Ｓｉ−Ａｌ系合金を、特願昭６０−７７３３７号明細書においてＦｅ−Ａｌ−Ｇｅ系合金を、また特願昭６０−７７３３８号明細書においてＦｅ−Ｇａ−Ｓｉ系合金を開示してきた。これらの合金の飽和磁束密度は１２〜１５ｋＧにも達することから、メタル・イン・ギャップ型の複合磁気ヘッドの主コア材として有用であることが期待され、開発が続けられている。
〔発明が解決しようとする問題点〕
　ところで、Ｎｉ−Ｚｎ系フエライト，Ｍｎ−Ｚｎ系フエライト等の酸化物磁性材料から成る補助コア材の上に、高飽和磁束密度を有するＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金，Ｆｅ−Ｇａ−Ｓｉ−Ｒｕ系合金等の軟磁性合金を主コア材として成膜し、メタル・イン・ギャップ型の磁気ヘッドを構成した場合、再生信号の周波数特性が周期的に変動する、いわゆるうねりが観測されていた。これは、磁気ヘッドの製造工程において不可欠なガラス融着工程時の高温加熱により、上記金属磁性薄膜と酸化物磁性材料との界面において反応して、著しく透磁率の低下した反応層（例えばアルミ酸化膜あるいはガリウム酸化膜）が形成されるためである。上記反応層はギャップと略平行に位置して形成されるため、疑似ギャップとして作用し、本来のギャップにおける磁束と干渉を起こして疑似信号を生成し、再生信号の品質を低下させる。このような欠点が、複合磁気ヘッドの記録・再生兼用ヘッドとしての実用化を妨げる原因となっていた。
　この反応層の形成を防止するため、たとえば酸化シリコン等の非磁性材料を用いて上記界面に反応防止層を形成する試みもなされているが、従来反応防止層として使用されてきた各種の材料は、反応防止効果を得るためにある程度以上の膜厚を必要とするので、反応防止層自体が疑似ギャップとして悪影響を及ぼす虞れがある。
　そこで本発明は、上記金属磁性薄膜と酸化物磁性材料との界面における反応を効果的に抑制し、かつ疑似ギャップの発生を防止することにより、良好な記録・再生を可能とする複合磁気ヘッドの提供を目的とするものである。
〔問題点を解決するための手段〕
　上述のような従来の問題点を解決する目的で、本発明者らは金属磁性薄膜と酸化物磁性材料の界面に挿入される反応防止層の材料として種々の物質を検討した結果、Ｓｉ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ａｌ，Ｔａ，Ｚｒ，Ｍｇ，Ｍｎ，Ｚｎの酸化物薄膜の少なくとも一種を用いて成膜した場合に膜厚が薄くても良好な反応防止効果を示すことを見出し、本発明に至ったものである。
　すなわち、本発明にかかる複合磁気ヘッドは、少なくとも一方の磁気コア半体が酸化物磁性材料と金属磁性薄膜により構成される一対の磁気コア半体を突合せ、上記金属磁性薄膜により磁気ギャップが形成されてなる複合磁気ヘッドであって、上記金属磁性薄膜がＦｅ−Ｇａ−Ｓｉ系合金よりなるとともに、当該金属磁性薄膜と上記酸化物磁性材料との界面の一部が上記磁気ギャップの近傍において該磁気ギャップと略平行であり、かつ上記金属磁性薄膜と上記酸化物磁性材料との間に２０〜２００Åの膜厚のＳｉ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ａｌ，Ｔａ，Ｚｒ，Ｍｇ，Ｍｎ，Ｚｎの酸化物薄膜の少なくとも一種を配したことを特徴とするものである。
〔作用〕
　本発明にかかる複合磁気ヘッドは、補助コア材となるフエライト等の酸化物磁性材料と、主コア材となる金属磁性薄月莞との鼻面の一部が磁気ギャップの近傍に、かつ該磁気ギャップと略平行に配置された構造を有している。上記界面にはさらに、非常に膜厚の薄い（２０〜２００Å）反応防止層であるＳｉ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ａｌ，Ｔａ，Ｚｒ，Ｍｇ，Ｍｎ，Ｚｎの酸化物薄膜の少なくとも一種が挿入されているので、ガラス融着等の熱処理を経た場合にも上記酸化物磁性材料と金属磁性薄膜との間に反応が起こらない。このため、反応層が形成されない。また、反応防止層の膜厚が非常に薄いため、当該反応防止層自体が疑似ギャップとして作用することもない。
　したがって、このような複合磁気ヘッドを使用することにより、極めて良好な記録・再生特性が実現される。〔実施例〕
　以下、本発明の好適な実施例について、図面を参照しながら説明する。
　本実施例は、補助コア材となる酸化物磁性材料としてＭｎ−Ｚｎ系フェライトを、主コア材である金属磁性薄膜に使用される軟磁性合金としてＦｅ−Ｇａ−Ｓｉ系合金を、また反応防止層の材料として膜厚の極めて薄いＳｉ等の酸化物薄膜を使用した複合磁気ヘッドの例である。
　以下、本実施例にかかる複合磁気ヘッドの構成を、第１図および第２図を参照しながら説明する。
　まず第１図に、いわゆるメタル・イン・ギャップ型の複合磁気ヘッドの外観を示す。このような複合磁気ヘッドは、記録媒体対接面１の中央に位置する磁気ギャップ２を境として左右別々の磁気コア半体Ｉ，ＩＩとして作成され、最後にガラス融着等により該磁気コア半体Ｉ，ＩＩが対向して接合される。上記磁気コア半体Ｉ，ＩＩの少なくとも一方には、コイルを巻装するための巻線溝３が穿設されている。
　第２図は、この複合磁気ヘッドを記録媒体対接面１から見た要部拡大断面図である。各磁気コア半体半体Ｉ，ＩＩはフェライトからなる補助コア部４，５とＦｅ−Ｇａ−Ｓｉ−Ｒｕ系合金からなる主コア部である金属磁性薄膜６，７とに大別され、上記主コア部４，５と上記金属磁性薄膜６，７との間には２０〜２００Åの膜厚のＳｉ等の酸化物薄膜からなる反応防止層８，９がそれぞれ形成されている。上記磁気ギャップ２の両端にはトラック輻Ｔｗを規制するための略円弧状の切溝１０，１１が設けられており、この切溝１０，１１には磁気記録媒体との当たり特性を確保するとともに磁気記録媒体の摺接による偏摩耗を防止するためにガラス等の非磁性材料が充填され、ガラス充填層１２となっている。そして上記相対向する金属磁性薄膜６，７間にもガラスが充填され、この部分がギャップ・スペーサとなっている。
　上述のような複合磁気ヘッドの構成においては、上記金属磁性薄膜６，７が、上記切溝１０，１１に沿い、かつ磁気ギャップ２を囲むように形成され、磁気ギャップ２へ向かって収束する形状を有しているので、磁束を集中的に該磁気ギャップ２へ導くことができる。
　上述の金属磁性薄膜６，７の材料としては、本例ではＦｅ−Ｇａ−Ｓｉ−Ｒｕ系合金としたが、たとえば組成が次式
　　　ＦｅａＧａｂＳｉｃ
　（ただし、ａ，ｂ，ｃはそれぞれ組成比を原子％として表す。）
で表され、その組成範囲が
　　　６８≦ａ＋ｂ≦８４
　　　１≦ｂ≦２３
　　　９≦ｃ≦３１
　　　ａ＋ｂ＋ｃ＝１００
なる関係を満足するＦｅ−Ｇａ−Ｓｉ系合金が使用可能である。
　また、上記Ｆｅ−Ｇａ−Ｓｉ系合金材料において、耐蝕性、耐摩耗性を向上させるためにＦｅの１５原子％までをＣｏで置換してもよいが、これより多くＣｏを使用すると飽和磁束密度が低下するので注意を要する。
　さらに、上記Ｆｅ−Ｇａ−Ｓｉ系合金材料の耐蝕性や耐摩耗性の一層の向上を図るために、Ｆｅ（一部をＣｏで置換したものを含む），Ｇａ，Ｓｉを基本組成とする合金に、Ｔｉ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｗ，Ｒｕ，Ｏｓ，Ｒｈ，Ｉｒ，Ｒｅ，Ｎｉ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｈｆ，Ｖの少なくとも１種を添加しても良い。この場合、添加元素毎に添加量による飽和磁束密度の低下率が異なるため、添加量は橋加元素毎に所定の範囲内で適宜設定する。特に、Ｒｕは耐摩耗性の改善に好適であり、１５原子％以内の添加量一であれば軟磁気特性にも悪影響を及ぼさない。
　なお、この金属磁性薄膜６，７は、各種スパッタリング、イオン・プレーティング、真空蒸着法、クラスター・イオン・ビーム法等により被着形成することができる。
　また、反応防止層８，９の材料として使用できる酸化物薄膜としては、上述のＳｉの酸化物薄膜の他、Ｔｉ，Ｃｒ，Ａｌ，Ｔａ，Ｚｒ，Ｍｇ，Ｍｎ，Ｚｎ等の酸化物薄膜がある。これらの酸化物薄膜は、単層膜または各酸化物を積層した積層膜としてもよく、さらには上記各酸化物を混合した混合膜として使用してもよい。なお、この反応防止層８，９も、上述の金属磁性薄膜６，７と同様の手段にて被着形成される。ここで、上記反応防止層８，９は、２０〜２００Åの膜厚に設定する必要がある。すなわち、上記反応防止層８，９をの膜厚を上記範囲に限定するのは、次に示すような実験結果に基づくものである。
　本発明者らは、上記反応防止層８，９の膜厚を０〜４００Åの範囲で何種類か膜厚の異なった上述した如き複合磁気ヘッドを、以下に示す工程により作成した。その結果、最も良好な反応防止効果を示す膜厚の範囲を見出すに至った。
　まず、各磁気コア半体の補助コア材となるＭｎ−Ｚｎ系のフエライト基板を用意し、トラック幅Ｔｗを規制するための切溝および必要に応じて巻線溝を切削形成した。
　次に、これらの各フェライト基板に対してスパッタリング等の手法で反応防止層を被着形成した。本実験では、反応防止層としてＳｉＯ２膜を使用した。
　次に、上記反応防止層の上にスパッタリングにより金属磁性薄膜となるＦｅ−Ｇａ−Ｓｉ−Ｒｕ系合金を被着形成し各磁気コア半体を作成した。
　そしてこれら各磁気コア半体を互いに対向させ、加熱してガラス融着により接合するとともに、ガラス等の非磁性材料を用いて切溝を充填した。
　最後にスライシングにより個々の複合磁気ヘッドとなるチップに切分け、記録媒体対接面に適当な研磨処理を施して複合磁気ヘッドを完成させた。
　以上の工程を繰り返して膜厚の異なる複合磁気ヘッドを数種類形成した。
　次に、このようにして製造された各複合磁気ヘッドを用いて磁気テープに対して定電流記録を行い、５ＭＨｚでの再生出力のうねりをそれぞれ測定した。その結果を第３図に示す。図中、縦軸は再生出力のうねり（単位ｄＢ）を示し、横軸はそれそれ設定した反応防止層の膜厚（単位Å）を示す。
　第３図から分かるように、反応防止層の膜厚が２０〜２００Åの範囲では、再生出力のうねりが最大約２．５ｄＢ以下に抑えられ、良好な再生信号特性を有していることが分かった。また、上記反応防止層はその膜厚が２０〜２００Åと極めて薄い膜厚で良好な反応防止効果を発揮することが分かった。
　これに対して、膜厚が２０Å以下に設定した場合の複合磁気ヘッドでは、うねりが大きくなり、補助コア材であるフェライトと主コア材である金属磁性薄膜との間に反応層が生成し、疑似ギャップとして悪影響を与えていることが示唆された。
　また、逆に膜厚が２００Å以上に形成された複合磁気ヘッドでは、やはり再生出力のうねりが大きくなっており、この場合は、反応防止層自体が疑似ギャップとして作動しているものと考えられる。
　以上ＳｉＯ２膜に関して実験を行ったが、Ｔｉ，Ｃｒ，Ａｌ，Ｔａ，Ｚｒ，Ｍｇ，Ｍｎ，Ｚｎ等の酸化物薄膜でも同様の結果であった。
　なお、本実施例においては、両方の磁気コア半体に金属磁性薄膜が形成された複合磁気ヘッドについて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、たとえば片方の磁気コア半体のみに金属磁性薄膜が形成された複合磁気ヘッドにも応用できることは言うまでもない。
　また、本発明を薄膜形成技術により形成された上部磁性体および下部磁性体を主とし、特に下部磁性体が酸化物磁性基板と金属磁性薄膜の複合体である薄膜磁気ヘッドにも適用することができる。すなわち、第４図に示すように、フェライト基板１５とＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金の金属磁性薄膜１４よりなる下部磁性体と、やはりＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金等によりなる上部磁性体１３、銅，アルミニウム等の導体材料よりなるコイル導体１７が絶縁層を介して順次積層されてなる薄膜磁気ヘッドにおいて、フェライト基板１５とこの基板１５上に形成される金属磁性薄膜１４との間に本発明に係る反応防止層１６を積層して疑似ギャップの発生を防止することもできる。
〔発明の効果〕
　以上の説明からも明らかなように、本溌明にかかる複合磁気ヘッドにおいては、補助コア材であるフェライトと主コア材である金属磁性薄膜との間に極めて薄い２０〜２００Åの膜厚のＳｉ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ａｌ，Ｔａ，Ｚｒ，Ｍｇ，Ｍｎ，Ｚｎの酸化物薄膜の少なくとも一種を反応防止層として設けているので、上記金属磁性薄膜との界面における反応を効果的に抑制することができ、且つ疑似ギャップの発生を防止することができる。また、反応防止層の膜厚が極めて薄いことから反応防止層自体が疑似ギャップとして作用することもない。
　したがって、記録時および再生時の両方に良好な特性を発揮する記録再生兼用ヘッドの提供が可能となる。
【図面の簡単な説明】
　第１図は本発明を適用した複合磁気ヘッドの一実施例を示す外観斜視図であり、第２図はその記録媒体対接面を示す要部拡大平面図である。第３図は反応防止層の膜厚を変えたときの再生出力のうねりを示す特性図である。第４図は本発明を薄膜磁気ヘッドに適用した一実施例を示す要部拡大断面図である。
　Ｉ，ＩＩ・・・　磁気コア半体
　１　　　・・・　記録媒体対接面
　２　　　・・・　磁気ギャップ
　４，５　・・・　補助コア部
　６，７　・・・　金属磁性薄膜
　８，９　・・・　反応防止層