【事件の表示】
　特許第２７９８０５２号「液晶装置」の請求項１ないし４に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結論】
　訂正を認める。
　特許第２７９８０５２号の請求項１ないし４に係る特許を維持する。
【理由】
（１）手続きの経緯
　　本件特許第２７９８０５２号発明は、平成４年５月１４日に出願された実願平４−３１８４３号を平成８年５月１４日に特許出願に変更したものであって、平成１０年７月３日にその発明の特許がなされ、その後、シャープ株式会社より特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１１年８月２０日に訂正請求がなされたものである。
（２）訂正の適否についての判断
ア．特許請求の範囲の訂正
　ａ、訂正明細書の請求項１に係る発明は、その特許請求の範囲の請求項１に特定された次のとおりのものである。
「【請求項１】一対の基板間に液晶が挟持され、前記基板の端部には他の回路基板と接続される接続パターンが形成され、前記接続パターンと前記他の回路基板とは導電性微粒子が含まれた異方性導電性接着剤を介して接続されてなる液晶装置であって、前記接続パターンは、複数の導電性薄膜の間に絶縁性薄膜が形成されており、前記接続パターンの一部には、前記複数の導電性薄膜のうちの最表面の導電性薄膜と最下層の導電性薄膜との間の抵抗を低減するように、前記導電性微粒子による食い込み陥没部が形成されてなることを特徴とする液晶装置。」
　ｂ、訂正明細書の請求項２に係る発明は、その特許請求の範囲の請求項２に特定された次のとおりのものである。
「【請求項２】前記接続パターンは３層以上の積層構造であり、前記絶縁性薄膜は、導電性薄膜である金属薄膜の上に別の導電性薄膜を形成する際に非意識的に形成されてしまうものであることを特徴とする請求項１記載の液晶装置。」
　ｃ、訂正明細書の請求項３に係る発明は、その特許請求の範囲の請求項３に特定された次のとおりのものである。
「【請求項３】一対の基板間に液晶が挟持され、前記基板の端部には他の回路基板と接続される接続パターンが形成され、前記接続パターンと前記他の回路基板とは導電性微粒子が含まれた異方性導電接着剤を介して接続されてなる液晶装置であって、前記接続パターンは、第１の導電層上に絶縁層が形成され、前記絶縁層の上にさらに第２の導電層が形成されてなる積層構造を有し、前記接続パターンの一部である前記絶縁層及び前記第２の導電層の一部には、前記第２の導電層と前記第１の導電層との間の抵抗を低減するように、前記導電性微粒子による食い込み陥没部が形成されてなることを特徴とする液晶装置。」
　ｄ、訂正明細書の請求項４に係る発明は、その特許請求の範囲の請求項４に特定された次のとおりのものである。
「【請求項４】一対の基板間に液晶が挟持され、前記基板の端部には他の回路基板と接続される接続パターンが形成され、前記接続パターンと前記他の回路基板とは導電性微粒子が含まれた異方性導電接着剤を介して接続されてなる液晶装置であって、前記接続パターンは、第１の導電層上に絶縁層が形成され、前記絶縁層の上にさらに第２の導電層が形成され、前記第２の導電層の上にさらに第３の導電層が形成されてなる積層構造を有し、前記接続パターンの一部である前記絶縁層、前記第２の導電層、及び前記第３の導電層の一部には、前記第３の導電層と前記第１の導電層との間の抵抗を低減するように、前記導電性微粒子による食い込み陥没部が形成されてなることを特徴とする液晶装置。」
イ．発明の詳細な説明の訂正
ａ、明細書中の段落【０００３】（特許掲載公報第３欄の段落【０００３】）及び段落【００１２】（特許掲載公報第５欄の段落【００１２】）の「登載実装」を「搭載実装」と訂正する。
ｂ、明細書中の段落【０００４】（特許掲載公報第３欄の段落【０００４】）の「異方導電性接着２５」を「異方導電性接着剤２５」と訂正する。
ｃ、明細書中の段落【００１１】（特許掲載公報第４欄の段落【００１１】）及び段落【００１９】（特許掲載公報第７欄の段落【００１９】）の「前記接続パターンの一部には、」を「複数の導電性薄膜の間に絶縁性薄膜が形成されてなる前記接続パターンの一部には、」と訂正する。ｄ、明細書中の段落【００１８】（特許掲載公報第７欄の段落【００１８】）の「ことができる。可能である。」を「ことができる。」と訂正する。
ウ．図面の簡単な説明の訂正
ａ、明細書中の【図面の簡単な説明】（特許掲載公報第８欄の【図面の簡単な説明】）の「【図３】本発明の実施例における接続部の詳細断面図。」を「【図３】本発明の参考例における接続部の詳細断面図。」と訂正する。
エ．訂正の目的の適否及び拡張・変更・新規事項の存否
　上記訂正ア．は、特許請求の範囲の減縮に該当し、願書に添付した明細書又は図面に記載された事項の範囲内のものであり、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものではなく、新規事項の追加もない。また、上記訂正イ．ウ．は、発明の詳細な説明の欄ないし図面の簡単な説明の欄中の明瞭でない記載の釈明（特許請求の範囲の訂正に付随する訂正である。）ないし誤記の訂正を目的とするものであり、願書に添付した明細書又は図面に記載された事項の範囲内のものであり、新規事項の追加もない。
エ．独立特許要件の判断
（引用刊行物に記載された発明）
訂正明細書の請求項１〜４に係る発明（以下、「本件請求項１〜４に係る発明」という。）に対して、当審が通知した取消理由で引用した特開昭６４−３８７８４号公報（以下、「第１引用例」という。）には、一対の基板間に液晶が挟持され、前記基板の端部にはフレキシブル基板４と接続されるパネル端子９が形成され、前記パネル端子９と前記フレキシブル基板４とは導電性微粒子が含まれた異方性導電膜５を介して接続されてなる液晶パネル６、が記載され、同じく引用した実願平１−１４４６６４号（実開平３−８３９３８号）のマイクロフイルム（以下、「第２引用例」という。）には、一対の基板１間に液晶が挟持され、前記基板１の端部にはＦＰＣ出力端子１２と接続される薄膜端子１１が形成され、前記薄膜端子１１と前記ＦＰＣ出力端子１２とは金属粒子１３ｂが含まれた異方性導電材１３を介して接続されてなる表示素子、が記載され、同じく引用した特開平３−１０５８０２号公報（以下、「第３引用例」という。）には、ＰＤＰ４の端部にはフレキシブルケーブル２と接続される酸化被膜７が形成され、前記酸化被膜７と前記フレキシブルケーブル２とは導電粒子１，１１が含まれた樹脂６を介して接続されてなる装置、が記載され、同じく引用した特開平１−２６６７３０号公報（以下、「第４引用例」という。）には、第２の部品１７の端部には第１の部品１１と接続される電極１３が形成され、前記電極１３と第１の部品１１とはＩｎを主成分とする粉体２０が含まれた異方性導電膜１８を介して接続されてなる電気的接続構造であって、前記電極１３は、ＩＴＯ第１層１４，Ｎｉ第２層１５，Ａｕ第３層が記載されている。
（請求項１に係る発明についての対比・判断）
　本件請求項１に係る発明と第１引用例に記載の発明とを対比すると、本件請求項１に係る発明の「他の回路基板」、「接続パターン」、「異方性導電接着剤」、「液晶装置」は、第１引用例に記載の発明の「パネル端子９」、「フレキシブル基板４」、「異方性導電膜５」、「液晶パネル６」に相当するから、両者は、一対の基板間に液晶が挟持され、前記基板の端部には他の回路基板と接続される接続パターンが形成され、前記接続パターンと前記他の回路基板とは導電性微粒子が含まれた異方性導電性接着剤を介して接続されてなる液晶装置で一致し、
（イ）本件請求項１に係る発明では、前記接続パターンは、複数の導電性薄膜の間に絶縁性薄膜が形成されており、前記接続パターンの一部には、前記複数の導電性薄膜のうちの最表面の導電性薄膜と最下層の導電性薄膜との間の抵抗を低減するように、前記導電性微粒子による食い込み陥没部が形成されてなるのに対して、第１引用例記載の発明では、その点に関する記載が無い点で相違する。
　次に、本件請求項１に係る発明と第２引用例に記載の発明とを対比すると、本件請求項１に係る発明の「基板」、「他の回路基板」、「接続パターン」、「導電性微粒子」、「異方性導電接着剤」、「液晶装置」は、第２引用例に記載の発明の「基板１」、「ＦＰＣ出力端子１２」、「薄膜端子１１」、「金属粒子１３ｂ」、「異方性導電材１３」、「表示素子」に相当するから、両者は、一対の基板間に液晶が挟持され、前記基板の端部には他の回路基板と接続される接続パターンが形成され、前記接続パターンと前記他の回路基板とは導電性微粒子が含まれた異方性導電性接着剤を介して接続されてなる液晶装置で一致し、
（イ）本件請求項１に係る発明では、前記接続パターンは、複数の導電性薄膜の間に絶縁性薄膜が形成されており、前記接続パターンの一部には、前記複数の導電性薄膜のうちの最表面の導電性薄膜と最下層の導電性薄膜との間の抵抗を低減するように、前記導電性微粒子による食い込み陥没部が形成されてなるのに対して、第２引用例記載の発明では、その点に関する記載が無い点で相違する。
　さらに、本件請求項１に係る発明と第３引用例に記載の発明とを対比すると、本件請求項１に係る発明の「基板」、「他の回路基板」、「接続パターン」、「導電性微粒子」、「異方性導電接着剤」は、第３引用例に記載の発明の「ＰＤＰ４」、「フレキシブルケーブル２」、「酸化被膜７」、「導電粒子１，１１」、「樹脂６」に相当するから、両者は、基板の端部には他の回路基板と接続される接続パターンが形成され、前記接続パターンと前記他の回路基板とは導電性微粒子が含まれた異方性導電性接着剤を介して接続されてなる装置で一致し、
（イ）本件請求項１に係る発明では、前記接続パターンは、複数の導電性薄膜の間に絶縁性薄膜が形成されており、前記接続パターンの一部には、前記複数の導電性薄膜のうちの最表面の導電性薄膜と最下層の導電性薄膜との間の抵抗を低減するように、前記導電性微粒子による食い込み陥没部が形成されてなるのに対して、第３引用例記載の発明では、その点に関する記載が無い点、（ロ）本件請求項１に係る発明は液晶装置であるのに対して、第３引用例に記載の発明は、ＰＤＰである点で相違する。
　最後に、本件請求項１に係る発明と第４引用例に記載の発明とを対比すると、本件請求項１に係る発明の「基板」、「他の回路基板」、「接続パターン」、「導電性微粒子」、「異方性導電接着剤」は、第４引用例に記載の発明の「第２の部品１７」、「第１の部品１１」、「電極１３」、「Ｉｎを主成分とする粉体２０」、「異方性導電膜１８」に相当するから、両者は、基板の端部には他の回路基板と接続される接続パターンが形成され、前記接続パターンと前記他の回路基板とは導電性微粒子が含まれた異方性導電性接着剤を介して接続されてなる構造であって、前記接続パターンは、複数の導電性薄膜からなる点一致し、
（イ’）本件請求項１に係る発明では、前記接続パターンは、複数の導電性薄膜の間に絶縁性薄膜が形成されており、前記接続パターンの一部には、前記複数の導電性薄膜のうちの最表面の導電性薄膜と最下層の導電性薄膜との間の抵抗を低減するように、前記導電性微粒子による食い込み陥没部が形成されてなるのに対して、第４引用例記載の発明では、電極１３が複数の導電性薄膜からなる点、（ロ）本件請求項１に係る発明は液晶装置であるのに対して、第４引用例に記載の発明は、そのような記載が無い点で相違する。
　してみれば、第１〜４引用例のいずれにも上記（イ）、（イ’）で示した、本件請求項１に係る発明の構成の一部が無い。
　そして、本件請求項１に係る発明は、上記（イ）、（イ’）の点を有することによって、明細書記載の作用効果を奏するものであるから、本件請求項１に係る発明が、第１〜４引用例に記載された発明であるとも、第１〜４引用例に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものとも言えない。
　したがって、本件請求項１に係る発明は特許出願の際独立して特許を受けることができない発明とすることはできない。
（請求項２に係る発明についての対比・判断）
　本件請求項２に係る発明は、本件請求項１に係る発明の構成の一部をさらに限定したものであるから本件請求項１に係る発明と同様の判断となる。
　したがって、本件請求項２に係る発明は特許出願の際独立して特許を受けることができない発明とすることはできない。
（請求項３に係る発明についての対比・判断）
　本件請求項３に係る発明と第１引用例に記載の発明とを対比すると、本件請求項３に係る発明の「他の回路基板」、「接続パターン」、「異方性導電接着剤」、「液晶装置」は、第１引用例に記載の発明の「パネル端子９」、「フレキシブル基板４」、「異方性導電膜５」、「液晶パネル６」に相当するから、両者は、一対の基板間に液晶が挟持され、前記基板の端部には他の回路基板と接続される接続パターンが形成され、前記接続パターンと前記他の回路基板とは導電性微粒子が含まれた異方性導電性接着剤を介して接続されてなる液晶装置で一致し、
（イ）本件請求項３に係る発明では、前記接続パターンは、第１の導電層上に絶縁層が形成され、前記絶縁層の上にさらに第２の導電層が形成されてなる積層構造を有し、前記接続パターンの一部である前記絶縁層及び前記第２の導電層の一部には、前記第２の導電層と前記第１の導電層との間の抵抗を低減するように、前記導電性微粒子による食い込み陥没部が形成されてなるのに対して、第１引用例記載の発明では、その点に関する記載が無い点で相違する。
　次に、本件請求項３に係る発明と第２引用例に記載の発明とを対比すると、本件請求項３に係る発明の「基板」、「他の回路基板」、「接続パターン」、「導電性微粒子」、「異方性導電接着剤」、「液晶装置」は、第２引用例に記載の発明の「基板１」、「ＦＰＣ出力端子１２」、「薄膜端子１１」、「金属粒子１３ｂ」、「異方性導電材１３」、「表示素子」に相当するから、両者は、一対の基板間に液晶が挟持され、前記基板の端部には他の回路基板と接続される接続パターンが形成され、前記接続パターンと前記他の回路基板とは導電性微粒子が含まれた異方性導電性接着剤を介して接続されてなる液晶装置で一致し、
（イ）本件請求項３に係る発明では、前記接続パターンは、第１の導電層上に絶縁層が形成され、前記絶縁層の上にさらに第２の導電層が形成されてなる積層構造を有し、前記接続パターンの一部である前記絶縁層及び前記第２の導電層の一部には、前記第２の導電層と前記第１の導電層との間の抵抗を低減するように、前記導電性微粒子による食い込み陥没部が形成されてなるのに対して、第１引用例記載の発明では、その点に関する記載が無い点で相違する。
　さらに、本件請求項３に係る発明と第３引用例に記載の発明とを対比すると、本件請求項３に係る発明の「基板」、「他の回路基板」、「接続パターン」、「導電性微粒子」、「異方性導電接着剤」は、第３引用例に記載の発明の「ＰＤＰ４」、「フレキシブルケーブル２」、「酸化被膜７」、「導電粒子１，１１」、「樹脂６」に相当するから、両者は、基板の端部には他の回路基板と接続される接続パターンが形成され、前記接続パターンと前記他の回路基板とは導電性微粒子が含まれた異方性導電性接着剤を介して接続されてなる装置で一致し、
（イ）本件請求項３に係る発明では、前記接続パターンは、第１の導電層上に絶縁層が形成され、前記絶縁層の上にさらに第２の導電層が形成されてなる積層構造を有し、前記接続パターンの一部である前記絶縁層及び前記第２の導電層の一部には、前記第２の導電層と前記第１の導電層との間の抵抗を低減するように、前記導電性微粒子による食い込み陥没部が形成されてなるのに対して、第１引用例記載の発明では、その点に関する記載が無い点、（ロ）本件請求項３に係る発明は液晶装置であるのに対して、第３引用例に記載の発明は、ＰＤＰである点で相違する。
　最後に、本件請求項３に係る発明と第４引用例に記載の発明とを対比すると、本件請求項３に係る発明の「基板」、「他の回路基板」、「接続パターン」、「導電性微粒子」、「異方性導電接着剤」は、第４引用例に記載の発明の「第２の部品１７」、「第１の部品１１」、「電極１３」、「Ｉｎを主成分とする粉体２０」、「異方性導電膜１８」に相当するから、両者は、基板の端部には他の回路基板と接続される接続パターンが形成され、前記接続パターンと前記他の回路基板とは導電性微粒子が含まれた異方性導電性接着剤を介して接続されてなる構造であって、前記接続パターンは、複数の導電性薄膜からなる点一致し、
（イ’）本件請求項３に係る発明では、前記接続パターンは、第１の導電層上に絶縁層が形成され、前記絶縁層の上にさらに第２の導電層が形成されてなる積層構造を有し、前記接続パターンの一部である前記絶縁層及び前記第２の導電層の一部には、前記第２の導電層と前記第１の導電層との間の抵抗を低減するように、前記導電性微粒子による食い込み陥没部が形成されてなるのに対して、第４引用例記載の発明では、電極１３が複数の導電性薄膜からなる点、（ロ）本件請求項３に係る発明は液晶装置であるのに対して、第４引用例に記載の発明は、そのような記載が無い点で相違する。
　してみれば、第１〜４引用例のいずれにも上記（イ）、（イ’）で示した、本件請求項３に係る発明の構成の一部が無い。
　そして、本件請求項３に係る発明は、上記
（イ）、（イ’）の点を有することによって、明細書記載の作用効果を奏するものであるから、本件請求項３に係る発明が、第１〜４引用例に記載された発明であるとも、第１〜４引用例に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものとも言えない。
　したがって、本件請求項３に係る発明は特許出願の際独立して特許を受けることができない発明とすることはできない。
（請求項４に係る発明についての対比・判断）
　本件請求項４に係る発明と第１引用例に記載の発明とを対比すると、本件請求項４に係る発明の「他の回路基板」、「接続パターン」、「異方性導電接着剤」、「液晶装置」は、第１引用例に記載の発明の「パネル端子９」、「フレキシブル基板４」、「異方性導電膜５」、「液晶パネル６」に相当するから、両者は、一対の基板間に液晶が挟持され、前記基板の端部には他の回路基板と接続される接続パターンが形成され、前記接続パターンと前記他の回路基板とは導電性微粒子が含まれた異方性導電性接着剤を介して接続されてなる液晶装置で一致し、
（イ）本件請求項４に係る発明では、前記接続パターンは、第１の導電層上に絶縁層が形成され、前記絶縁層の上にさらに第２の導電層が形成され、前記第２の導電層の上にさらに第３の導電層が形成されてなる積層構造を有し、前記接続パターンの一部である前記絶縁層、前記第２の導電層、及び前記第３の導電層の一部には、前記第３の導電層と前記第１の導電層との間の抵抗を低減するように、前記導電性微粒子による食い込み陥没部が形成されてなるのに対して、第１引用例記載の発明では、その点に関する記載が無い点で相違する。
　次に、本件請求項４に係る発明と第２引用例に記載の発明とを対比すると、本件請求項４に係る発明の「基板」、「他の回路基板」、「接続パターン」、「導電性微粒子」、「異方性導電接着剤」、「液晶装置」は、第２引用例に記載の発明の「基板１」、「ＦＰＣ出力端子１２」、「薄膜端子１１」、「金属粒子１３ｂ」、「異方性導電材１３」、「表示素子」に相当するから、両者は、一対の基板間に液晶が挟持され、前記基板の端部には他の回路基板と接続される接続パターンが形成され、前記接続パターンと前記他の回路基板とは導電性微粒子が含まれた異方性導電性接着剤を介して接続されてなる液晶装置で一致し、
（イ）本件請求項４に係る発明では、前記接続パターンは、第１の導電層上に絶縁層が形成され、前記絶縁層の上にさらに第２の導電層が形成され、前記第２の導電層の上にさらに第３の導電層が形成されてなる積層構造を有し、前記接続パターンの一部である前記絶縁層、前記第２の導電層、及び前記第３の導電層の一部には、前記第３の導電層と前記第１の導電層との間の抵抗を低減するように、前記導電性微粒子による食い込み陥没部が形成されてなるのに対して、第１引用例記載の発明では、その点に関する記載が無い点で相違する。
　さらに、本件請求項４に係る発明と第３引用例に記載の発明とを対比すると、本件請求項４に係る発明の「基板」、「他の回路基板」、「接続パターン」、「導電性微粒子」、「異方性導電接着剤」は、第３引用例に記載の発明の「ＰＤＰ４」、「フレキシブルケーブル２」、「酸化被膜７」、「導電粒子１，１１」、「樹脂６」に相当するから、両者は、基板の端部には他の回路基板と接続される接続パターンが形成され、前記接続パターンと前記他の回路基板とは導電性微粒子が含まれた異方性導電性接着剤を介して接続されてなる装置で一致し、
（イ）本件請求項４に係る発明では、前記接続パターンは、第１の導電層上に絶縁層が形成され、前記絶縁層の上にさらに第２の導電層が形成され、前記第２の導電層の上にさらに第３の導電層が形成されてなる積層構造を有し、前記接続パターンの一部である前記絶縁層、前記第２の導電層、及び前記第３の導電層の一部には、前記第３の導電層と前記第１の導電層との間の抵抗を低減するように、前記導電性微粒子による食い込み陥没部が形成されてなるのに対して、第１引用例記載の発明では、その点に関する記載が無い点、（ロ）本件請求項４に係る発明は液晶装置であるのに対して、第３引用例に記載の発明は、ＰＤＰである点で相違する。
　最後に、本件請求項４に係る発明と第４引用例に記載の発明とを対比すると、本件請求項４に係る発明の「基板」、「他の回路基板」、「接続パターン」、「導電性微粒子」、「異方性導電接着剤」は、第４引用例に記載の発明の「第２の部品１７」、「第１の部品１１」、「電極１３」、「Ｉｎを主成分とする粉体２０」、「異方性導電膜１８」に相当するから、両者は、基板の端部には他の回路基板と接続される接続パターンが形成され、前記接続パターンと前記他の回路基板とは導電性微粒子が含まれた異方性導電性接着剤を介して接続されてなる構造であって、前記接続パターンは、複数の導電性薄膜からなる点一致し、
（イ’）本件請求項４に係る発明では、前記接続パターンは、第１の導電層上に絶縁層が形成され、前記絶縁層の上にさらに第２の導電層が形成され、前記第２の導電層の上にさらに第３の導電層が形成されてなる積層構造を有し、前記接続パターンの一部である前記絶縁層、前記第２の導電層、及び前記第３の導電層の一部には、前記第３の導電層と前記第１の導電層との間の抵抗を低減するように、前記導電性微粒子による食い込み陥没部が形成されてなるのに対して、第４引用例記載の発明では、電極１３が複数の導電性薄膜からなる点、
（ロ）本件請求項４に係る発明は液晶装置であるのに対して、第４引用例に記載の発明は、そのような記載が無い点で相違する。
　してみれば、第１〜４引用例のいずれにも上記（イ）、（イ’）で示した、本件請求項４に係る発明の構成の一部が無い。
　そして、本件請求項４に係る発明は、上記（イ）、（イ’）の点を有することによって、明細書記載の作用効果を奏するものであるから、本件請求項４に係る発明が、第１〜４引用例に記載された発明であるとも、第１〜４引用例に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものとも言えない。
　したがって、本件請求項４に係る発明は特許出願の際独立して特許を受けることができない発明とすることはできない。
オ．むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正請求は、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、特許法第１２０条の４第２項及び第３項で準用する第１２６条第２−４項の規定に適合するので、当該訂正を認める。（３）特許異議の申立てについての判断
ア．申立ての理由の概要
　申立人シャープ株式会社は、証拠として甲第１号証（特開昭６４−３８７８４号公報、上記第１引用例）、甲第２号証（実願平１−１４４６６４号〔実開平３−８３９３８号〕のマイクロフイルム、上記第２引用例）、甲第３号証（特開平３−１０５８０２号公報、上記第３引用例）及び甲第４号証（特開平１−２６６７３０号公報、上記第４引用例）を提出し、請求項１〜４に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであるから、特許を取り消すべき旨主張している。
イ．判断
〔本件請求項１〜４に係る発明〕
　申立人シャープ　株式会社の主張に対し、甲第１〜４号証は、上記（２）エで示したとおりである。
　また、他に本件請求項１〜４に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
ウ．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件請求項１〜４に係る発明の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件請求項１〜４に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１１年１０月６日（１９９９．１０．６）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
特許請求の範囲の減縮を目的として、下記（１）〜（４）のように特許請求の範囲を訂正する。また、特許請求の範囲の訂正に応じて、発明の詳細な説明及び図面の簡単な説明についても、適合性をもたせるため、ないし誤記の訂正を目的として下記（５）〜（９）のように訂正する。
（１）特許請求の範囲の請求項１を次のとおり訂正する。
「【請求項１】一対の基板間に液晶が挟持され、前記基板の端部には他の回路基板と接続される接続パターンが形成され、前記接続パターンと前記他の回路基板とは導電性微粒子が含まれた異方性導電性接着剤を介して接続されてなる液晶装置であって、前記接続パターンは、複数の導電性薄膜の間に絶縁性薄膜が形成されており、前記接続パターンの一部には、前記複数の導電性薄膜のうちの最表面の導電性薄膜と最下層の導電性薄膜との間の抵抗を低減するように、前記導電性微粒子による食い込み陥没部が形成されてなることを特徴とする液晶装置。」
（２）特許請求の範囲の請求項２を次のとおり訂正する。
「【請求項２】前記接続パターンは３層以上の積層構造であり、前記絶縁性薄膜は、導電性薄膜である金属薄膜の上に別の導電性薄膜を形成する際に非意識的に形成されてしまうものであることを特徴とする請求項１記載の液晶装置。」
（３）特許請求の範囲の請求項３を次のとおり訂正する。
「【請求項３】一対の基板間に液晶が挟持され、前記基板の端部には他の回路基板と接続される接続パターンが形成され、前記接続パターンと前記他の回路基板とは導電性微粒子が含まれた異方性導電接着剤を介して接続されてなる液晶装置であって、前記接続パターンは、第１の導電層上に絶縁層が形成され、前記絶縁層の上にさらに第２の導電層が形成されてなる積層構造を有し、前記接続パターンの一部である前記絶縁層及び前記第２の導電層の一部には、前記第２の導電層と前記第１の導電層との間の抵抗を低減するように、前記導電性微粒子による食い込み陥没部が形成されてなることを特徴とする液晶装置。」
（４）特許請求の範囲の請求項４を次のとおり訂正する。
「【請求項４】一対の基板間に液晶が挟持され、前記基板の端部には他の回路基板と接続される接続パターンが形成され、前記接続パターンと前記他の回路基板とは導電性微粒子が含まれた異方性導電接着剤を介して接続されてなる液晶装置であって、前記接続パターンは、第１の導電層上に絶縁層が形成され、前記絶縁層の上にさらに第２の導電層が形成され、前記第２の導電層の上にさらに第３の導電層が形成されてなる積層構造を有し、前記接続パターンの一部である前記絶縁層、前記第２の導電層、及び前記第３の導電層の一部には、前記第３の導電層と前記第１の導電層との間の抵抗を低減するように、前記導電性微粒子による食い込み陥没部が形成されてなることを特徴とする液晶装置。」
（５）明細書中の段落【０００３】（特許掲載公報第３欄の段落【０００３】）及び段落【００１２】（特許掲載公報第５欄の段落【００１２】）の「登載実装」を「搭載実装」と訂正する。（６）明細書中の段落【０００４】（特許掲載公報第３欄の段落【０００４】）の「異方導電性接着２５」を「異方導電性接着剤２５」と訂正する。
（７）明細書中の段落【００１１】（特許掲載公報第４欄の段落【００１１】）及び段落【００１９】（特許掲載公報第７欄の段落【００１９】）の「前記接続パターンの一部には、」を「複数の導電性薄膜の間に絶縁性薄膜が形成されてなる前記接続パターンの一部には、」と訂正する。
（８）明細書中の段落【００１８】（特許掲載公報第７欄の段落【００１８】）の「ことができる。可能である。」を「ことができる。」と訂正する。
（９）明細書中の【図面の簡単な説明】（特許掲載公報第８欄の【図面の簡単な説明】）の「【図３】本発明の実施例における接続部の詳細断面図。」を「【図３】本発明の参考例における接続部の詳細断面図。」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
液晶装置
（５７）【特許請求の範囲】
　　【請求項１】一対の基板間に液晶が挟持され、前記基板の端部には他の回路基板と接続される接続パターンが形成され、前記接続パターンと前記他の回路基板とは導電性微粒子が含まれた異方性導電接着剤を介して接続されてなる液晶装置であって、
　前記接続パターンは、複数の導電性薄膜の間に絶縁性薄膜が形成されており、
　前記接続パターンの一部には、前記複数の導電性薄膜のうちの最表面の導電性薄膜と最下層の導電性薄膜との間の抵抗を低減するように、前記導電性微粒子による食い込み陥没部が形成されてなることを特徴とする液晶装置。
　　【請求項２】前記接続パターンは３層以上の積層構造であり、前記絶縁性薄膜は、導電性薄膜である金属薄膜の上に別の導電性薄膜を形成する際に非意識的に形成されてしまうものであることを特徴とする請求項１記載の液晶装置。
　　【請求項３】一対の基板間に液晶が挟持され、前記基板の端部には他の回路基板と接続される接続パターンが形成され、前記接続パターンと前記他の回路基板とは導電性微粒子が含まれた異方性導電接着剤を介して接続されてなる液晶装置であって、
　前記接続パターンは、第１の導電層上に絶縁層が形成され、前記絶縁層の上にさらに第２の導電層が形成されてなる積層構造を有し、
　前記接続パターンの一部である前記絶縁層及び前記第２の導電層の一部には、前記第２の導電層と前記第１の導電層との間の抵抗を低減するように、前記導電性徴粒子による食い込み陥没部が形成されてなることを特徴とする液晶装置。
　　【請求項４】一対の基板間に液晶が挟持され、前記基板の端部には他の回路基板と接続される接続パターンが形成され、前記接続パターンと前記他の回路基板とは導電性微粒子が含まれた異方性導電接着剤を介して接続されてなる液晶装置であって、
　前記接続パターンは、第１の導電層上に絶縁層が形成され、前記絶縁層の上にさらに第２の導電層が形成され、前記第２の導電層の上にさらに第３の導電層が形成されてなる積層構造を有し、
　前記接続パターンの一部である前記絶縁層、前記第２の導電層、及び前記第３の導電層の一部には、前記第３の導電層と前記第１の導電層との間の抵抗を低減するように、前記導電性微粒子による食い込み陥没部が形成されてなることを特徴とする液晶装置。
【発明の詳細な説明】
　　　【０００１】
　　【発明の属する技術分野】
　本発明はポケットテレビ、壁掛けテレビ、プロジェクションテレビ、ラップトップパソコン、ゲーム機等に用いられる液晶装置に関する。
　　　【０００２】
　　【従来の技術】
　従来より、液晶パネルヘの半導体や半導体部品の接続、あるいは光センサーへの集積回路類の接続、さらには各種回路基板への表面実装部品の接続などのように、接続端子が相対時して細かいピッチでならんでいる場合の接続方法として、半田付けや導電ペーストによる方法が広く用いられている。しかし、これらの方法は導電性接続部材を導電回路部のみに限定して形成しなければならないので、高密度、高精細化の進む微細回路の接続には困難をきたしてきた。近年、回路の接続材料について検討が加えられ、相対峙する回路間に金属粒子やプラスチック粒子に金属メッキを施した導電性徴粒子と接着剤成分を含む異方導電性の接着部材層を設け、加圧、加熱加圧あるいは加圧光硬化手段を用いることによって、回路間を電気的に接続すると同時に隣接回路間に絶縁性を付与しながら、相対峙する回路を接着固定するという方法が提案されている。
　　　【０００３】
　この様な異方導電性接着剤を用いて液晶パネルの回路と他の回路基板とを接続する方法としては、例えば、ポリイミドテープの上に銅箔の回路パターンを形成し、これにＩＣを搭載実装した半導体部品を液晶パネルの実装端子上に接続するというものや、ＩＣチップをそのままフェイスダウンして液晶パネルの接続用回路上に接続するというものがある。
　　　【０００４】
　図６は、従来の回路基板の接続方法の一例を示すものである。図６において、ポリイミドからなるＴＡＢ用テープ材料２１上には、接続回路たる銅箔パターン２２が形成されており、この銅箔パターン２２には錫メッキが施されている。一方、液晶パネル２３の基板上には接続用回路２４が形成されており、接続用回路２４と銅箔パターン２２は異方導電性接着剤２５を介して電気的に接続されている。
　　　【０００５】
　　【発明が解決しようとする課題】
　ここで、異方導電性接着剤２５は、絶縁性接着剤層中に、プラスチック粒子に金属メッキが施された導電性徴粒子２６が混在分散されたものとなっており、硬化前はシート状である。異方導電性接着剤２５は、このようなシート状の状態で接続用回路２４と銅箔パターン２２との間に挟持される。そして、回路基板の上からヒーターツールにより加熱および加圧が施されることによって硬化し、導電性徴粒子２６が接続用回路２４と銅箔パターン２２の両方に接触する。その結果、接続用回路２４と銅箔パターン２２の電気的導通が実現する。図６より明らかなように、従来は、プラスチック粒子に金属メッキを施した導電性微粒子２６の変形が、その弾性限界を越えない程度に加圧が施されていた。
　　　【０００６】
　一方、図６に示すような回路基板においては接続ピッチを小さく抑えなければならない宿命にあるため、プラスチック粒子の大きさは直径５〜１０μｍ程度とかなり小さな寸法にしなければならない。一般に、金属メッキを施すプラスチック粒子にはポリスチレン系のものが多く用いられるが、ポリスチレン系のプラスチック粒子の弾性限界は極めて小さく５ｋｇｗ／ｃｍ２程度である。よって、直径５〜１０μｍ程度という小さな寸法のプラスック粒子を弾性限界を越えない程度に、すなわちプラスチック粒子が破砕あるいはクラックを起こさない程度に押しつぶすには、その変形量を１〜２μｍ程度に抑えなければならない。
　　　【０００７】
　しかるに、プラスチック粒子の変形量を１〜２μｍ程度に抑えるにはたいへん難度の高い技術を要する。まず、ヒーターツールによる加熱および加圧を押しつけるものに対してきわめて良い平行度で行なうとともに、ヒーターツールそのものの平面度を出さなければならない。通常、おのおの１μｍ以下の精度に収めなければならないが、このような高い精度に収めるのはきわめて難しい。しかも、仮に上記ヒーターツールを常温において平面研磨して平面度を１μｍの精度に収めたとしても、加熱した際にこの平面度が保たれているかどうかは保証されず、通常平面度は低下しまう。
　　　【０００８】
　さらに、プラスチック粒子を弾性限界を超えない程度に弱く液晶パネルの接続用回路に押し付けなければならないが、この場合、導電性徴粒子と液晶パネルの接続用回路２４との導通接続は単に接触によってのみ図られている事となってしまい、相対時する接続回路の接続信頼性がかなり低減してしまうことも考えられる。特に、なんらかの影響で接続用回路の表面に薄い酸化膜が出来てしまったような場合にはなおさらである。
　　　【０００９】
　このように、プラスチック粒子を押しつぶす量を均一にし、かつプラスチック粒子の変形量を１〜２μｍ程度に抑えるというのはかなり困難である。従って、従来は、プラスチック粒子の変形量のばらつきが所々で大きくなってしまい、場所によってはその限界応力を越えて変形してしまうことがあった。その結果、プラスチック粒子は中途半端に破壊してしまい、接続回路どうしが点、あるいはきわめて小面積で接触している状態となり、接続信頼性がかなり低くなってしまう。
　　　【００１０】
　そこで、本発明は従来のこのような欠点を解決し、回路基板どうしの接続加工性を向上し、かつ接続の信頼性を向上させることを目的とする。
　　　【００１１】
　　【課題を解決するための手段】
　本発明は、一対の基板間に液晶が挟持され、前記基板の端部には他の回路基板と接続される接続パターンが形成され、前記接続パターンと前記他の回路基板とは導電性微粒子が含まれた異方性導電接着剤を介して接続されてなる液晶装置であって、複数の導電性薄膜の間に絶縁性薄膜が形成されてなる前記接続パターンの一部には、前記導電性微粒子による食い込み陥没部が形成されてなることを特徴とする。
　　　【００１２】
　　【発明の実施の形態】
　図１、図２は、それぞれ本発明の一実施形態を示したものである。図１はＴＡＢテープを実装した例、図２はＩＣチップを直接パネルの実装端子面に搭載実装した例を要部断面図をもって示したものである。さらに図３、図４、図５は図１および図２の接続部を中心に、さらに拡大し詳細に示した断面図である。図１〜図５に於て、１はＴＡＢ用テープ材料、２は接続回路たる銅箔パターンであり、この銅箔パターン２には錫メッキが施されている。３は液晶パネル、５は回路基板上に形成された接続用回路を示す。また、図中６は接続用回路４と銅箔パターン２の間に存在する異方導電性接着剤であり、７は導電性徴粒子、８は絶縁性接着剤層を示す。さらに、９はＩＣチップ、１０はＩＣチップの接続用回路たる金バンプを示す。また１１、１３、１４は導電性薄膜層、１２は絶縁性薄膜層を示す。絶縁性薄膜層１２は、例えば液晶パネルの回路パターンを形成する工程において意識的に形成することもあれば、金属薄膜の上に例えばＩＴＯ等の別の導電性薄膜を形成する際に非意識的に形成されてしまうこともある。
　　【００１３】
　絶縁性接着剤層８と導電性徴粒子７とからなる異方導電性接着剤６は、硬化前シート状をしており、この状態で接続用回路５と銅箔パターン２の間に挟持される。そして、回路基板の上からヒーターツールにより加熱および加圧が施され、これによって異方導電性接着剤６が硬化し、導電性徴粒子７が接続用回路５と銅箔パターン２の両方に接触し、さらに接続用回路５に力強く押し付けられ、ついには接続用回路５には導電性微粒子の形状に対応した陥没性の穴があけられ、この様な導電性徴粒子７の接続用回路５への食い込みによっても接続用回路５と銅箔パターン２との電気的導通が図られる。なお、一般に絶縁性接着剤層８は熱硬化性の接着剤を基材としており、例えばエポキシ系の主材と硬化材をブレンドした材料からなる。ヒーターツールによって加熱を行なうと、硬化材の周囲にまぶしてあるコート材が溶けて、主材と硬化材が反応し、絶縁性接着剤８が硬化する。
　　【００１４】
　このように、導電性徴粒子７を液晶パネルの接続用回路５に食い込ませるまで単純完全押し付け指向で圧着するようにすれば、回路基板たるＴＡＢテープの上からヒーターツールを押しつけるとき、押しつけられる回路部品に対するヒーターツールの平行度は比較的緩やかで良く、ヒーターツールそのものの表面の平面度も比較的緩やかで良い。加工精度が比較的緩やかでも良いため加工難度が低く、したがって、加エコストを低減することが可能となる。
　　【００１５】
　さらに、昨今、液晶パネルの進歩はめざましいものがあり、とくにＭＩＭ、ＴＦＴといったアクティブマトリックスパネルの開発進度はめざましいものがある。ＳＴＮのような単純マトリックスパネルと異なり、アクテイブマトリックスパネルは一般には配線パターンが２種類以上の多層配線となっている。例えば、ＭＩＭパネルのＭＩＭ素子を形成した基板には、最下層にはタンタルの薄膜、第２層にはタンタルの酸化膜である五酸化タンタル、さらにその上にはＣｒやＩＴＯが形成されている。これらの層のうち、実装端子を構成するものはパネルのサイズ、めざす目的等によって若干異なるが、図３に示すようなタンタル（導電性薄膜１１）とＩＴＯ（導電性薄膜１３）の２層構造、図４に示すようなタンタル（導電性薄膜１１）、五酸化タンタル（絶縁性薄膜１２）、ＩＴＯ（導電性薄膜１３）の３層構造、図５に示すようなタンタル（導電性薄膜１１）、五酸化タンタル（絶縁性薄膜１２）、Ｃｒ（導電性薄膜１３）、ＩＴＯ（導電性薄膜１４）の４層構造が考えられる。ＴＦＴ基板においても同様に、実装端子は複数の薄膜層で構成されている。
　　【００１６】
　このうち、図４に示すタンタル１１、五酸化タンタル１２、ＩＴＯ１３の３層構造の実装端子構造や、図５に示すタンタル１１、五酸化タンタル１２、Ｃｒ１３、ＩＴＯ１４の４層構造の実装端子構造では、複数の導電性薄膜の間に絶縁性の酸化膜が形成されているため、酸化膜の上下の導電性薄膜層の間のピンホールの存在等により最表面と最下層との間の抵抗が端子によって大きく異なってくる。ピンホールが多い程最表面と最下層との間の抵抗が低くなり、ピンホールが少ない程抵抗が高くなる。ここで、図１、図２からわかるように、ＴＡＢ用テープ１の接続用回路２やフェイスダウンにて実装されるＩＣチップ９の金バンプ１０は、上記実装端子の最表面（ＩＴＯ１３、１４）に接続されるのに対し、パネルの内部の画素部にはパネルの実装端子の最下層（タンタル１１）が接続されていることが多い。このような場合、外部回路や駆動ＩＣからの信号は、実装端子の最表面から供給されることになる。すると、接続用回路２や金バンプ１０とパネルの内部パターンとの間には、パネルの実装端子たる接続用回路５の最表面の導電性薄膜と最下層の導電性薄膜との間の抵抗が付加されることになり、しかも、最表面の導電性薄膜と最下層の導電性薄膜との間の抵抗が端子によって大きく違ってしまうこととなる。しかるに、液晶パネルの画像品質は、パネル接続用回路５の最表面の導電性薄膜と最下層の導電性薄膜との間の抵抗によって大きく影響されてしまうため、抵抗のばらさつきが大きいと液晶パネルの画像品質が著しく低下してしまい、最もひどい場合は線欠陥になってしまう。このようなぱらつきは、ピンホールを少なくすることによりできるだけ抑えることが望ましいが、スパッタの原理、その他の薄膜形成方法からして、薄膜間のピンホールを皆無にすることは不可能である。
　　【００１７】
　したがって、このピンホールを積極的に多くして、接続用回路５の最表面の薄膜層と最下層の薄膜層との間の抵抗を同じように低下させることが必要となる。本発明は、この様なピンホールに相当するものを外から積極的に形成するものである。すなわち、異方導電接着剤６中に存在する導電性徴粒子７によって、積極的にパネル上の実装端子たる接続用回路５の最表面層を強く押し付け、酸化膜を突き破ることにより、接続用回路５の最表面の薄膜層と最下層の薄膜層との間の抵抗を一様に低減させることが可能となる。
　　【００１８】
　この様に、導電性徴粒子によって接続用回路５の酸化膜層を突き破るようにすることにより、多数のＴＡＢテープ１やＩＣチップ９を接続する際、ＴＡＢテープ１間、あるいはＩＣチップ９間の接続抵抗のばらつきが低減し、その結果、画像品質の低減を防ぐことが出来る。また、液晶パネル内への画像信号の書き込みを行いやすくすることができ、これによっても画質の向上を図ることができる。さらに、接続用回路５の最表面の薄膜層と最下層の薄膜層の間の抵抗を一様に低減することにより、接続の信頼性を著しく向上させることも可能となる。
　　【００１９】
　【発明の効果】
　以上説明したように、本発明は、一対の基板間に液晶が挟持され、前記基板の端部には他の回路基板と接続される接続パターンが形成され、前記接続端子と前記他の回路基板とは導電性徴粒子が含まれた異方性導電接着剤を介して接続されてなる液晶装置であって、複数の導電性薄膜の間に絶縁性薄膜が形成されてなる前記接続パターンの一部には、前記導電性徴粒子による食い込み陥没部が形成されてなることにより、液晶パネルの画像品質を向上させ、接続用回路の接続信煩性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
　　【図１】　本発明の一実施例を示す要部断面図。
　　【図２】　本発明の一実施例を示す要部断面図。
　　【図３】　本発明の参考例における接続部の詳細断面図。
　　【図４】　本発明の実施例における接続部の詳細断面図。
　　【図５】　本発明の実施例における接続部の詳細断面図。
　　【図６】　従来技術を示す要部断面図。
　　【符号の説明】
　１，２１　ＴＡＢテープ
　２，２２　ＴＡＢテープ上の接続用回路
　３，２３　液晶パネル
　５，２４　液晶パネル上の接続用回路
　６，２５　異方導電性接着剤
　７，２６　導電性徴粒子
　８　絶縁性接着剤層
　９　ＩＣチップ
１０　金バンプ
１１　導電性薄膜
１２　絶縁性薄膜
１３　導通性薄膜
１４　導通性薄膜