【事件の表示】
　特許第２８０５７４６号「光磁気記録媒体の信号再生方法」の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結論】
　訂正を認める。
　特許第２８０５７４６号の特許を維持する。
【理由】
Ｉ．手続の経緯
　本件特許第２８０５７４６号に係る発明についての出願は、昭和６２年１１月３０日に特許出願され、平成１０年７月２４日にその発明について特許の設定登録がなされ、その後、その特許について、異議申立人キャノン株式会社により特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１１年９月６日に訂正請求がなされたものである。
ＩＩ．訂正の適否についての判断
ア．訂正の内容
　特許権者が求める訂正の内容は、以下の２点である。
（１）訂正事項ａ
　特許請求の範囲の請求項１に係る記載、
「１．光磁気記録媒体の磁性膜にレーザ光を照射し、該レーザ光と上記磁性膜の記録磁区における光磁気相互作用によって目的情報の読み出しを行う光磁気記録媒体の信号再生方法において、
　上記光磁気記録媒体は、室温ＴＲＴで互いに磁気的に桔合した、少なくとも信号再生磁性膜となる第１の磁性膜と、第２の磁性膜と、記録保持磁性膜となる第３の磁性膜とを有してなり、
　上記第１，第２及び第３の各磁性膜のキュリー温度をＴｃ１，Ｔｃ２及びＴｃ３とするとき、Ｔｃ３＞ＴＲＴで、かつＴｃ２＞Ｔｃ１．Ｔｃ３とされ、
　上記第１の磁性膜の保磁力Ｈｃ１は、上記第２の磁性膜のキュリー温度Ｔｃ２近傍で充分小さく、
　上記第３の磁性膜の保磁力Ｈｃ３は、上記室温ＴＲＴから上記第２の磁性膜のキュリー温度Ｔｃ２より高い所要の温度ＴＰＢまでの範囲では、再生時に印加する外部磁場より充分大きい保磁力を有し、
　外部磁場印加の下で上記第２の磁性膜のキュリー温度Ｔｃ２以上の上記温度ＴＰＢで、反磁場と上記外部磁場との和による所要の磁場によって、上記信号再生磁性膜としての第１の磁性膜の記録磁区を拡大させる磁区状態の変化を生じさせ、かつ上記記録保持磁性膜としての第３の磁性膜の磁区状態を変化させない温度を与えるパワーのレーザ光照射によって上記記録情報の読み出しを行うことを特徴とする光磁気記録媒体の信号再生方法。
　を、
「１．光磁気記録媒体の磁性膜にレーザ光を、上記光磁気記録媒体に対して相対的に移動しながら照射し、該レーザ光と上記磁性膜の記録磁区における光磁気相互作用によって記録情報の読み出しを行う光磁気記録媒体の信号再生方法において、
　上記光磁気記録媒体は、室温ＴＲＴで互いに磁気的に結合した、少なくとも信号再生磁性膜となる第１の磁性膜と、第２の磁性膜と、記録保持磁性膜となる第３の磁性膜とを有してなり、
　上記第１，第２及び第３の各磁性膜のキュリー温度をＴｃ１，Ｔｃ２及びＴｃ３とするとき、Ｔｃ３＞ＴＲＴで、かつＴｃ２＞Ｔｃ１．Ｔｃ３とされ、
　上記第１の磁性膜の保磁力Ｈｃ１は、上記第２の磁性膜のキュリー温度Ｔｃ２近傍で充分小さく、
　上記第３の磁性膜の保磁力Ｈｃ３は、上記室温ＴＲＴから上記第２の磁性膜のキュリー温度Ｔｃ２より高い所要の温度ＴＰＢまでの範囲では、再生時に印加する外部磁場より充分大きい保磁力を有し、　外部磁場印加の下で上記第２の磁性膜のキュリー温度Ｔｃ２以上の上記温度ＴＰＢで、反磁場と上記外部磁場との和による所要の磁場によって、上記記録保持磁性膜としての第３の磁性膜に保持された記録磁区に対応する上記信号再生磁性膜としての第１の磁性膜の記録磁区を拡大させる磁区状態の変化を生じさせ、かつ上記記録保持磁性膜としての第３の磁性膜の磁区状態を変化させない温度を与えるパワーのレーザ光照射によって上記記録情報の読み出しを行うことを特徴とする光磁気記録媒体の信号再生方法。」
と訂正する。
（２）訂正事項ｂ
　明細書中、第９頁１６行〜１７行（特許掲載公報第３頁左欄４３〜４４行）
「レーザー光走査の中心部にある磁区ＬＢの中心に存在する」を「レーザー光走査の中心部に存在する」と訂正する。
イ．訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　上記訂正事項ａについては、特許明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載された記録信号の読み出しに際してのレーザ光と光磁気記録媒体とが相対的に移動することを限定し、更に第１の磁性膜の記録磁区が、第３の磁性膜における記録磁区に対応するものであることを明瞭にしたものであり、例えば明細書第７頁１行〜２行（特許掲載公報第２頁右欄４５行）に「そしてその再生後即ちレーザー光の走査によりその照射部が移動した後、」の記載があり、例えば第２図Ｂに第１の磁性膜１１の記録磁区が第３の磁性膜１３の記録磁区に対応していることが示されている。
　したがって、この訂正は、特許請求の範囲の減縮及び明りょうでない記載の釈明を目的とするもので、また、上記訂正事項ａは、願書に最初に添付した明細書及び図面に記載した事項であるから、新規事項の追加はなく、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
　そして、上記訂正事項ｂは明りょうでない記載の釈明を目的とし、やはり新規事項を含まず、また実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
ウ．独立特許要件
　訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１に係る発明は、特許出願の際独立して特許を受けられるものである。
エ．むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法第１２０条の４第２項及び第３項で準用する同法第１２６条第２項乃至第４項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
ＩＩＩ．特許異議申立について
ア．本件発明
　本件発明は、平成１１年９月６日付けで提出された訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載された以下の事項により特定されるとおりのものである。
「１．光磁気記録媒体の磁性膜にレーザ光を、上記光磁気記録媒体に対して相対的に移動しながら照射し、該レーザ光と上記磁性膜の記録磁区における光磁気相互作用によって記録情報の読み出しを行う光磁気記録媒体の信号再生方法において、
　上記光磁気記録媒体は、室温ＴＲＴで互いに磁気的に結合した、少なくとも信号再生磁性膜となる第１の磁性膜と、第２の磁性膜と、記録保持磁性膜となる第３の磁性膜とを有してなり、
　上記第１，第２及び第３の各磁性膜のキュリー温度をＴｃ１，Ｔｃ２及びＴｃ３とするとき、Ｔｃ３＞ＴＲＴで、かつＴｃ２〉Ｔｃ１．Ｔｃ３とされ、
　上記第１の磁性膜の保磁力Ｈｃ１は、上記第２の磁性膜のキュリー温度Ｔｃ２近傍で充分小さく、
　上記第３の磁性膜の保磁力Ｈｃ３は、上記室温ＴＲＴから上記第２の磁性膜のキュリー温度Ｔｃ２より高い所要の温度ＴＰＢまでの範囲では、再生時に印加する外部磁場より充分大きい保磁力を有し、外部磁場印加の下で上記第２の磁性膜のキュリー温度Ｔｃ２以上の上記温度ＴＰＢで、反磁場と上記外部磁場との和による所要の磁場によって、上記記録保持磁性膜としての第３の磁性膜に保持された記録磁区に対応する上記信号再生磁性膜としての第１の磁性膜の記録磁区を拡大させる磁区状態の変化を生じさせ、かつ上記記録保持磁性膜としての第３の磁性膜の磁区状態を変化させない温度を与えるパワーのレーザ光照射によって上記記録情報の読み出しを行うことを特徴とする光磁気記録媒体の信号再生方法。」
イ．申立て理由の概要
　特許異議申立人キャノン株式会社は、本件発明は、その目的である「充分な再生出力従って再生信号のＳ／Ｎを向上させる」を達成させるためには、
▲１▼レーザ光を光磁気記録媒体に対して相対的に移動させながら照射する、すなわち、
レーザ光を光磁気記録媒体に対して相対的に移動させる、
▲２▼最小ビット長に対応する周波数の間隔で幅の狭いパルスレーザ光で再生を行う、
ことが必要で、訂正前の本件発明である特許明細書の請求項１に係る発明は、この必須の構成を欠くため、本件特許は、その明細書が特許法第３６条第４項に規定する要件を満たしていない出願に対してなされたものであり、取り消されるべき旨の主張を行っている。
ウ．判断
　▲１▼に関しては、ＩＩ．ア．の訂正事項ａにおいて、「上記光磁気記録媒体に対して相対的に移動しながら照射し」と、特許請求の範囲の請求項１に記載された記録信号の読み出しに際してのレーザ光と光磁気記録媒体とが相対的に移動することを限定したことによって、異議申立ての理由を解消している。
　▲２▼に関しては、再生時の温度ＴＰＢにおいて、第３の磁性膜１３の保持力Ｈｃ３は高く、外部磁場の下でも充分大きい。一方、第１の磁性膜１１の保持力Ｈｃ１は充分小さいので、第１の磁性膜１１は、交換結合が断たれた後も静磁結合によって、第２の磁性膜を貫通する第３の磁性膜の磁界の影響を受ける。そして、一定パワーのレーザ光であっても、そのレーザ光が移動すると、この第３の磁性膜の次の記録磁区からの磁界が第１の磁性膜に作用し、対応する磁区を拡大するとともに、前の拡大磁区の復元すなわち縮小動作を行うので、異議申立ての主張のように、レーザ光の移動とともに拡大磁区が同じ磁化状態のまま移動し続けることは、特殊な条件下以外では起こり得ない。従って、「最小ビット長に対応する周波数の間隔で幅の狭いパルスレーザ光で再生を行」わなくても、拡大磁区は復元するので、この条件は必須のものとは言えない。そして、この点は、請求項１の「反磁場と外部磁場との和による所要の磁場によって」「上記信号再生磁性膜としての第１の磁性膜の記録磁区を拡大させる磁区状態の変化を生じさせ」の記載において明確であり、さらに、上記ＩＩ．ア．の訂正事項ａ中において、上記の「第１の磁性膜の（拡大・縮小する）記録磁区」を「上記記録保持磁性膜としての第３の磁性膜に保持された記録磁区に対応する」記録磁区と限定したことによって、一層明確になっている。
　以上のとおり、異議申立人の主張する２つの条件の一つは特許請求の範囲の構成要件に加えられ、他の一つは必須のものとは認められなかったため、本件発明に係る（訂正後の）特許明細書の特許請求の範囲の請求項１の記載は特許法第３６条第４項の要件を満たしていると認められる。
エ．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由によっては、本件発明についての特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１１年１０月２０日（１９９９．１０．２０）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
（１）訂正事項ａ
　特許請求の範囲の請求項１に係る記載、
「１．光磁気記録媒体の磁性膜にレーザ光を照射し、該レーザ光と上記磁性膜の記録磁区における光磁気相互作用によって　目的情報の読み出しを行う光磁気記録媒体の信号再生方法において、
　上記光磁気記録媒体は、室温ＴＲＴで互いに磁気的に桔合した、少なくとも信号再生磁性膜となる第１の磁性膜と、第２の磁性膜と、記録保持磁性膜となる第３の磁性膜とを有してなり、
　上記第１，第２及び第３の各磁性膜のキュリー温度をＴｃ１，Ｔｃ２及びＴｃ３とするとき、Ｔｃ３＞ＴＲＴで、かつＴｃ２＞Ｔｃ１．Ｔｃ３とされ、
　上記第１の磁性膜の保磁力Ｈｃ１は、上記第２の磁性膜のキュリー温度Ｔｃ２近傍で充分小　さく、
　上記第３の磁性膜の保磁力Ｈｃ３は、上記室温ＴＲＴから上記第２の磁性膜のキュリー温度Ｔｃ２より高い所要の温度ＴＰＢまでの範囲では、再生時に印加する外部磁場より充分大きい保磁力を有し、
　外部磁場印加の下で上記第２の磁性膜のキュリー温度Ｔｃ２以上の上記温度ＴＰＢで、反磁場と上記外部磁場との和による所要の磁場によって、上記信号再生磁性膜としての第１の磁性膜の記録磁区を拡大させる磁区状態の変化を生じさせ、かつ上記記録保持磁性膜としての第３の磁性膜の磁区状態を変化させない温度を与えるパワーのレーザ光照射によって上記記録情報の読み出しを行うことを特徴とする光磁気記録媒体の信号再生方法。」
を、
「１．光磁気記録媒体の磁性膜にレーザ光を、上記光磁気記録媒体に対して相対的に移動しながら照射し、該レーザ光と上記磁性膜の記録磁区における光磁気相互作用によって記録情報の読み出しを行う光磁気記録媒体の信号再生方法において、
　上記光磁気記録媒体は、室温ＴＲＴで互いに磁気的に結合した、少なくとも信号再生磁性膜となる第１の磁性膜と、第２の磁性膜と、記録保持磁性膜となる第３の磁性膜とを有してなり、
　上記第１第２及び第３の各磁性膜のキュリー温度をＴｃ１，Ｔｃ２及びＴｃ３とするとき、Ｔｃ３＞ＴＲＴで、かつＴｃ２＞Ｔｃ１．Ｔｃ３とされ、
　上記第１の磁性膜の保磁力Ｈｃ１は、上記第２の磁性膜のキュリー温度Ｔｃ２近傍で充分小さく、
　上記第３の磁性膜の保磁力Ｈｃ３は、上記室温ＴＲＴから上記第２の磁性膜のキュリー温度Ｔｃ２より高い所要の温度ＴＰＢまでの範囲では、再生時に印加する外部磁場より充分大きい保磁力を有し、外部磁場印加の下で上記第２の磁性膜のキュリー温度Ｔｃ２以上の上記温度ＴＰＢで、反磁場と上記外部磁場との和による所要の磁場によって、上記記録保持磁性膜としての第３の磁性膜に保持された記録磁区に対応する上記信号再生磁性膜としての第１の磁性膜の記録磁区を拡大させる磁区状態の変化を生じさせ、かつ上記記録保持磁性膜としての第３の磁性膜の磁区状態を変化させない温度を与えるパワーのレーザ光照射によって上記記録情報の読み出しを行うことを特徴とする光磁気記録媒体の信号再生方法。」
と訂正する。
（５４）【発明の名称】
光磁気記録媒体の信号再生方法
（５７）【特許請求の範囲】
１．　光磁気記録媒体の磁性膜にレーザ光を、上記光磁気記録媒体に対して相対的に移動しながら照射し、該レーザ光と上記磁性膜の記録磁区における光磁気相互作用によって記録情報の読み出しを行う光磁気記録媒体の信号再生方法において、
　上記光磁気記録媒体は、室温ＴＲＴで互いに磁気的に結合した、少なくとも信号再生磁性膜となる第１の磁性膜と、第２の磁性膜と、記録保持磁性膜となる第３の磁性膜とを有してなり、
　上記第１，第２及び第３の各磁性膜のキュリー温度をＴＣ１，ＴＣ２及びＴＣ３とするとき、ＴＣ２＞ＴＲＴで、かつＴＣ２＜ＴＣ１，ＴＣ３とされ、
　上記第１の磁性膜の保磁力ＨＣ１は、上記第２の磁性膜のキュリー温度ＴＣ２近傍で充分小さく、
　上記第３の磁性膜の保磁力ＨＣ３は、上記室温ＴＲＴから上記第２の磁性膜のキュリー温度ＴＣ２より高い所要の温度ＴＰＢまでの範囲では、再生時に印加する外部磁場より充分大きい保磁力を有し、
　外部磁場印加の下で上記第２の磁性膜のキュリー温度ＴＣ２以上の上記温度ＴＰＢで、反磁場と上記外部磁場との和による所要の磁場によって、上記記録保持磁性膜としての第３磁性膜に保持された記録磁区に対応する上記信号再生磁性膜としての第１の磁性膜の記録磁区を拡大させる磁区状態の変化を生じさせ、かつ上記記録保持磁性膜としての第３の磁性膜の磁区状態を変化させない温度を与えるパワーのレーザ光照射によって上記記録情報の読み出しを行うことを特徴とする光磁気記録媒体の信号再生方法。
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
　本発明は、光磁気相互作用によって情報ビット（磁区）の読み出しを行う光磁気記録媒体の信号再生方法に係わる。
〔発明の概要〕
　本発明は、少なくとも記録保持磁性膜と信号再生磁性膜とを有する記録媒体の磁性膜に対するレーザ光照射による温度上昇を与えて、磁化状態を変化させながら上記レーザ光と上記信号再生磁性膜における光磁気相互作用によって記録情報の読み出しを行うようにすることによってＳ／Ｎの向上をはかる。
〔従来の技術〕
　レーザ光照射による局部的加熱によって情報ビットすなわちバブル磁区を形成し、これを光磁気相互作用によって読み出す光磁気記録再生方法をとる場合、その光磁気記録の記録密度を上げるには、そのビット長の短縮化即ち情報磁区の微小化をはかることになるが、この場合通常一般の光磁気記録再生方式では、その再生時のＳ／Ｎを確保する上で再生時のレーザ波長、レンズの開口数等によって制約を受けている。例えば現状では、０．２μｍの情報ビット（磁区）を、スポット径が１μｍのレーザ光で読み出すことは不可能である。
〔発明が解決しようとする問題点〕
　本発明は上述した再生時の条件から規定される記録密度の制約の問題点を解決し、記録情報ビットの微小化をはかった場合においても充分な再生出力従ってＳ／Ｎ（Ｃ／Ｎ）を向上する。
〔問題点を解決するための手段〕
　本発明は、光磁気記録媒体の磁性膜にレーザ光を照射し、このレーザ光と磁性膜の記録磁区における光磁気相互作用によって記録情報の読み出しを行う光磁気記録媒体の信号再生方法において、その光磁気記録媒体の磁性膜が、少なくとも記録保持磁性膜と信号再生磁性膜とを有する光磁気記録媒体を用いるものであり、この磁性膜に対するレーザ光照射による温度上昇を与えて、この温度上昇部の磁化状態を、レーザ光照射前の状態から変化させながらレーザ光と上記信号再生磁性膜における光磁気相互作用によって記録情報の読み出しを行うようにする。
　本発明は、例えば第１図に示すように光透過性基体（１）上に必要に応じて同様に光透過性の保護膜ないしは干渉膜としての誘電体膜（２）を被着形成し、この誘電体膜（２）上に室温ＴＲＴで互に磁気的に結合する主として信号再生に寄与する第１の磁性膜（１１）と、中間膜となる第２の磁性膜（１２）と、主として記録保持に寄与する第３の磁性膜（１３）の各垂直磁化膜の積層構造を形成し、第１、第２および第３の各磁性膜（１１），（１２）および（１３）の各キュリー温度ＴＣ１，ＴＣ２およびＴＣ３とするとき、ＴＣ２＞ＴＲＴで、かつＴＣ２＜ＴＣ１，ＴＣ３とされ、第１の磁性膜（１１）の保磁力ＨＣ１が第２の磁性膜（１２）のキュリー点ＴＣ２近傍で充分小さく、第３の磁性膜（１３）の保磁力ＨＣ３が室温ＴＲＴから第２の磁性膜（１２）のキュリー温度ＴＣ２より高い所要の温度ＴＰＢまでの温度範囲で所要の磁場よりも充分大きい光磁気記録媒体Ｓを用いる。
　そして、その再生に当たって第２の磁性膜（１２）のキュリー温度ＴＣ２以上の上述の所要温度ＴＰＢで、第１の磁性膜（１１）の記録磁区すなわち情報ビットを、これに加わる反磁場と、更に必要に応じて与える外部印加磁場によって拡大させこの状態で読み出す。
　また第３の磁性膜（１３）上には必要に応じて表面保護膜（４）を被着形成する。
〔作用〕
　上述の光磁気記録媒体Ｓに対する記録即ち情報磁区の形成は、通常のように、例えば初期状態における第３の磁性膜（１３）の記録温度付近の磁化方向と逆向きのバイアス磁界を印加した状態でレーザー光をフォーカシングさせて照射し、これによって第３の磁性膜（１３）を、そのキュリー温度以上に加熱し、かつレーザ光走査が去った後の冷却時に外部磁場および浮遊磁場による方向に反転されたバブル磁区の形成によって例えば“１”の情報の記録を行う。つまり、この情報バブル磁区の有無によって“１”，“０”の２値の情報の記録を行う。
　そして、特に本発明においては、このような情報の記録がなされた光磁気記録媒体Ｓからの情報の読み出し、即ち、その再生にあたって例えばレーザー光照射によってその磁区の有無による光磁気相互作用によるカー回転角ないしはファラデー回転角によってその記録の読み出しを行うに当たってその読み出し部の温度を所要の温度ＴＰＢに、つまり、第２の磁性膜（１２）のキュリー点ＴＣ２を超える温度としたことによって、第１および第３の磁性膜（１１）および（１３）間の磁気的結合が切断される。したがってこの状態で、第１の磁性膜（１１）は、第３の磁性膜（１３）による磁気的制約を受けることなく、この記録情報磁区は、これに与えられる反磁場と、更にこのとき必要に応じて与えられる外部印加磁場等の和による所要の磁場によって、更にこの第１の磁性膜（１１）がこの温度ＴＰＢで保磁力が低下していることによって拡大する。
　したがってこの第１の磁性膜（１１）として、カー回転角ないしはファラデー回転角が大きい磁性膜を用いれば、主としてこの第１の磁性膜（１１）における記録情報により、この情報磁区の実質的面積の増大によって、大なる再生出力をとり出すことができ、Ｓ／Ｎ（Ｃ／Ｎ）の向上がはかられる。
　そして、この情報磁区が拡大された状態、つまり実質的にその読み出し磁区面積が増大した状態で再生を行うのでその再生出力が増大し、これによってＳ／Ｎの向上がはかられる。
　そしてその再生後即ちレーザー光の走査によりその照射部が移動した後、読み出し部が冷却されれば、第１〜第３の磁性膜（１１）〜（１３）が例えば室温ＴＲＴに低下冷却する過程で、高保磁力の第３の磁性膜（１３）が磁気記録保持膜として作用し、第２の磁性膜（１２）がその磁気的結合によって磁化され、更にこの第２の磁性膜（１２）と磁気的に結合する第１の磁性膜（１１）が磁化され、初期の記録状態の情報ビット磁区を再び形成し記録状態に復元される。
　上述した方法によれば、その光磁気記録媒体Ｓの中間層としての第２の磁性膜（１２）が、第１および第３の磁性膜（１１）および（１３）間の磁気的結合状態および断面状態の両態様を採ることによって、再生時においては、この中間層の第２の磁性膜（１２）が、第１および第３の磁性膜（１１）および（１３）間の磁気的結合を分離して第１の磁性膜（１１）の記録情報磁区の拡大を可能にするものであり、第３の磁性膜（１３）はその磁化状態を保持する磁気記録保持層としての機能を保持し、第１の磁性膜（１１）は再生時にその磁区を拡大して再生出力を向上する再生層としての機能を有するようにしたので記録密度を向上させてビット情報としての磁区を微細化しても充分な再生出力を得ることができ、より記録の高密度化をはかることができる。　
　更に第２図を参照して第１〜第３の磁性膜（１１）〜（１３）がそれぞれフェロ磁性膜である場合の磁化状態を説明する。今第２図Ａに示すように各磁性膜（１１）〜（１３）が未記録状態においてその磁化の向きが一方向の垂直磁化状態にある場合を想定すると、これに今情報“１”の記録がなされることによって第２図Ｂに示すように初期の状態とは逆向きの磁化による情報ビット即ち情報磁区ＢＭが形成される。
　この情報磁区ＢＭに対する読み出しについて説明すると、この場合前述したように第２図Ｃに示すようにその情報磁区ＢＭに対してレーザ光ＬＢを照射した状態において、その例えば中心部において前述した必要の温度ＴＰＢが得られるようにする。このとき、第２の磁性膜（１２）は、そのキュリー温度ＴＣ２以上とされることによってその磁性が失われ第１および第３の磁性膜（１１）および（１３）間の磁気的結合が遮断された状態にある。この状態で、記録時の外部バイアス磁場の方向、つまり磁区ＢＭの本来の磁化方向、つまり記録時での磁化の方向と同方向の外部印加磁場Ｈｅｘを与えることによってこの磁場と反磁場との和によって、この温度ＴＰＢで保磁力ＨＣ１が小さい状態にある第１の磁性膜（１１）の磁区ＢＭは拡大される。
　なお、第２図Ｄに示すように、レーザー光ＬＢの照射が情報磁区ＢＭ外に照射された状態では、情報磁区における温度上昇は、比較的小さいことから、この情報ビット即ち磁区ＢＭの拡大は殆ど生じない。つまり読み出し状態におけるレーザ光走査の中心部に存在する情報記録磁区ＢＭにおいてのみ磁区の拡大が生じさせることができる。
　したがってこの場合例えば第３図Ａに示すように、情報記録磁区ＢＭが等ピッチに配列された磁気記録媒体に対してレーザ光走査を行う場合、その出力は第３図Ｂに示すように磁区ＢＭが消失された理想的消磁レベルを０レベルとする場合、情報磁区ＢＭの読み出しによって一方向図において上方に大きなレベルを示す波形出力として取り出すことができることになる。
　なお、実際上、第１〜第３の磁性膜（１１）〜（１３）が希土類−遷移金属磁性膜であってその遷移金属の副格子磁化と希土類金属の副格子磁化が互に逆向きのフェリ磁性を有する場合、各磁性膜が遷移金属副格子磁化優勢膜であるか、希土類副格子磁化優勢膜であるかによって再生時に与える外部印加磁場Ｈｅｘの向きを選定する必要がある。
　これについて説明するに、今この場合において再生時の外部印加磁場方向Ｈｅｘ方向を記録時の外部バイアス磁場方向を基準として考え、この場合記録の方向を支配する第３の磁性膜（１３）のキュリー点ＴＣ３直下での飽和磁化が遷移金属副格子磁化優勢膜であるか希土類副格子磁化優勢膜であるかについて分離して考察する。ここで第１の磁性膜（１１）における情報磁区ＢＭに加わる浮遊磁場および反磁場については除外して考える。
〔１〕第３の磁性膜（１３）の磁化がキュリー点ＴＣ３直下で遷移金属副格子磁化優勢膜である場合、
（１−ａ）第２の磁性膜（１２）のキュリー点ＴＣ２近傍で第１の磁性膜（１１）の磁化が遷移金属副格子優勢である場合は、その再生時の外部磁場方向は記録時の外部磁場方向と同一方向に与えることによって情報記録磁区ＢＭの増大化をはかることができる。
（１−ｂ）第２の磁性膜（１２）のキュリー点ＴＣ２近傍で第１の磁性膜（１１）の磁化が零に近い場合は、その再生時の温度を第２の磁性膜（１２）のキュリー点ＴＣ２近傍より更に上昇させて第１の磁性膜（１１）の磁化が遷移金属副格子優勢になる状態において再生して、この場合記録時と同一の方向の外部印加磁場Ｈｅｘ下でバブル磁区ＢＭの増大化をはかることができる。（１−ｃ）第２の磁性膜（１２）のキュリー点ＴＣ２近傍で第１の磁性膜（１１）の磁化が希土類副格子優勢の場合、再生時の外部印加磁場Ｈｅｘは記録時のそれとは逆方向に設定することによって磁区ＢＭの拡大をはかることができる。
〔２〕第３の磁性膜（１３）の磁化がそのキュリー点ＴＣ３直下で希土類副格子優勢である場合、
（２−ａ）第２の磁性膜（１２）のキュリー点ＴＣ２近傍で第１の磁性膜（１１）の磁化が遷移金属副格子優勢の場合、再生時の外部印加磁場Ｈｅｘは、記録時のそれとは逆方向に選定することによってバブル磁区ＢＭの拡大をはかることができる。
（２−ｂ）第２の磁性膜（１２）のキュリー点ＴＣ２近傍で第１の磁性膜（１１）の磁化が零に近い場合は、再生時の温度ＴＰＢを第２の磁性膜（１２）のキュリー点ＴＣ２近傍より更に上昇させて第１の磁性膜（１１）の磁化が遷移金属副格子優勢になる状態にしてその外部印加磁場Ｈｅｘを記録時のそれとは逆方向にすることによって磁区ＢＭの拡大をはかることができる。
（２−ｃ）第２の磁性膜（１２）のキュリー点ＴＣ２近傍で第１の磁性膜（１１）の磁化が希土類副格子優勢の場合、再生時の外部バイアス磁場Ｈｅｘは記録磁性膜のそれと同一方向とすることによってバブル磁区ＢＭの拡大をはかることができる。
〔実施例〕
　基体（１）は、光透過性の例えばガラス板、あるいは例えばアクリル板等の樹脂板等よりなり、図示しないが一方の面にトラッキングサーボ用のトラック溝が例えば１．６μｍピッチをもって形成され、これの上に例えばＳｉ３Ｎ４膜よりなる誘電体膜（２）と、さらに第１〜第３の磁性膜（１１）〜（１３）と、さらにそれの上に保護膜（４）とが例えばマグネトロンスパッタ装置による連続スパッタリングあるいは蒸着等によって連続的に被着形成される。
　第１の磁性膜（１１）としては、例えばＧｄＣｏ，ＧｄＦｅＣｏ，ＧｄＦｅによって構成し得、第２の磁性膜（１２）は、例えばＤｙＦｅ，ＤｙＦｅＣｏ，ＴｂＦｅによって構成し得、第３の磁性膜（１３）は、ＴｂＦｅ，ＴｂＦｅＣｏ，ＤｙＦｅＣｏ等によって形成し得、これら第３の磁性膜（１３）によれば０．１μｍ以下の直径の磁区ＢＭを形成することができる。
実施例１
　トラックピッチ１．６μｍのトラック溝を有するガラス基板上にＳｉ３Ｎ４より成る誘電体膜（２）と、ＧｄＦｅＣｏ膜より成る第１の磁性膜（１１）と、ＤｙＦｅＣｏ膜より成る第２の磁性膜（１２）と、ＤｙＦｅＣｏ膜より成る第３の磁性膜（１３）と、Ｓｉ３Ｎ４膜より成る保護膜（４）とを順次マグネトロンスパッタ装置によって連続スパッタリングによって被着形成して、光磁気記録媒体即ち光ディスクＳを作製した。この場合の各磁性膜（１１）〜（１３）の各単層膜としての厚さおよび磁気特性を表１に示す。
　上記表１においてＦｅＣｏリッチとは室温でＦｅＣｏ副格子磁化優勢膜を示すものであり、Ｄｙリッチとは室温でＤｙ副格子磁化優勢膜を示す。
　この実施例１による光磁気記録媒体Ｓのキャリアレベル対ノイズレベル（Ｃ／Ｎ）の記録周波数依存性の測定結果を第４図に示す。第４図中実線曲線は、対物レンズの開口数Ｎ．Ａ．＝０．５０，レーザ波長７８０ｎｍのピックアップを用いてその線速度を７．５ｍ／ｓｅｃ，記録パワー＝７．０ｍＷ，記録外部磁場５００（Ｏｅ）とし、再生時外部印加磁場を零、再生パワー３．５ｍＷとしたものであり、第４図中点線図示は、その再生パワーを１．５ｍＷとした場合である。このように再生パワーを１．５ｍＷとした場合は、その磁性膜全体をＴｂＦｅＣｏの単層膜によって構成した場合の光ディスクにおけるＣ／Ｎの周波数依存性と同等の結果を示した。これはこの程度の再生パワーでは、第２の磁性膜（１２）のキュリー点ＴＣ２まで加熱温度が達しておらず記録された磁区は再生時において変形していないものと考えられる。これに比し再生パワーが３．５ｍＷの場合、再生パワーが１．５ｍＷの場合に比して磁区長即ちビット長ｌ＜０．７μｍでＣ／Ｎは著しく増加した。またｌ＝０．３μｍでもＣ／Ｎは低いものの信号成分は得られた。またｌ＞０．７μｍでは逆にＣ／Ｎは減少しているが、これはノイズＮの増加によるものである。また再生パワー３．５ｍＷで再生した場所を再び再生した場合、再生パワー１．５ｍＷ，３．５ｍＷの何れでもＣ／Ｎは再現されていることが確かめられた。
　また、上述の実施例１において再生時のレーザ光のパワーを一定とした場合、媒体Ｓ中の熱拡散のために、温度プロファイルが広がり、微小情報ビット（磁区）の再生分解能が低下するが、この温度プロファイルを急峻にするためには例えば最小ビット長に対応する周波数の間隔で幅の狭いパルスレーザー光で再生を行えば良いことになる。更に、磁性膜に吸収された熱エネルギーが速やかに放熱されるように熱伝導性の良い例えばＡｌ放熱膜を第３の磁性膜（１３）上（第２の磁性膜（１２）と接する側とは反対側）に被着することができる。
〔発明の効果〕
　上述の本発明方法によれば、単に光磁気記録媒体におけるレーザ光の光磁気効果、すなわちカー効果やファラデー効果を用いた情報の読み出しを行うものではなく、このレーザ光の照射によって同時に温度上昇を生じさせて磁化状態の変化を生じさせて、記録情報の読み出しを行うので、再生信号レベル、したがって、Ｓ／Ｎ（Ｃ／Ｎ）が、記録磁区の形状、大きさ、更に読み出し光学系の開口数、読み出しレーザ光の波長によって制限されるレーザ光のスポット径によって直接的に制約されずに、記録磁区の磁化状態に、所要の変化を与えることによって、その信号レベルやＳ／Ｎ（Ｃ／Ｎ）の向上がはかられるものであり、ひいては記録磁区の微細化、したがって、高記録密度化をはかることができる。
　そして上述した再生方法によるときは、磁性膜が第１〜第３の磁性膜（１１）〜（１３）が積層された構造として常温においては、即ち常態においては３者が磁気的に結合状態を保持できるようにするも、再生時においての加熱において第２の磁性膜（１２）が第１および第３の磁性膜（１１）及び（１３）の磁気的結合を分断させる効果を得るようにして第１の磁性膜（１１）の情報磁区の拡大をはかるようにしたことによって再生出力のＳ／Ｎ（Ｃ／Ｎ）の向上をはかることができるにもかかわらず、その第３の磁性膜（１３）に関しては記録状態が保持できるようにするので、再生終了後においては再び記録状態に復元でき、くり返しの再生を害うことなく良好な再生特性を得ることができる。
　そして、上述したように本発明によれば、充分な再生出力を得ることができることからその記録情報磁区ＢＭは充分縮小することができ、このこと自体で記録密度の向上をはかることができると共に、更にその光磁気記録媒体としては、その基板にトラック溝が形成された構成をとる場合においても、情報磁区ＢＭの縮小化が充分はかられることによって、通常のようにランド部にのみその記録磁区の形成を行うに限られるものではなく、ランド部とトラック溝との双方に記録磁区の形成を行うことができることによって、更に情報の記録密度を向上することができる。
【図面の簡単な説明】
　第１図は本発明方法に用いる光磁気記録媒体の略線的構成図、第２図Ａ〜Ｄは本発明方法の説明に供する磁化状態を示す図、第３図は再生出力波形を磁化状態と共に説明する図、第４図は記録周波数に対する再生特性曲線図である。
（１）は基体、（１１）〜（１３）は第１〜第３の磁性膜、Ｓは光磁気記録媒体である。