【事件の表示】
　特許第２７８４８９４号「ファラデー効果素子及びそれを用いた光デバイス並びにそれらの製造方法」の請求項１ないし５に係る発明の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第２７８４８９４号の請求項１に係る発明の特許を維持する。
【理　由】
（１）手続きの経緯
  本件特許第２７８４８９４号は平成７年１月２５日に出願され、平成１０年５月２９日にその設定登録がなされ、その後、河野尚孝及び株式会社トーキンより特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１１年８月１８日に訂正請求がなされ、訂正拒絶理由通知がなされ、その指定期間内に意見書が提出され、再度の訂正拒絶理由通知がなされ、その指定期間内である平成１２年２月１５日に訂正請求の補正がなされたものである。
　
（２）訂正請求の適否についての判断
ｉ）訂正請求の補正の適否
　訂正請求の補正の内容は、請求項１の
「液相エピタキシャル法により育成されたビスマス置換鉄ガーネット単結晶から所定寸法の薄板を切り出し、その表面を鏡面加工した後、キューリー温度以上で熱処理して消磁されたファラデー効果素子を用い、そのファラデー効果素子を、所定の励磁手段を含む光デバイスを構成する部品に組み込むようにし、かつ、前記消磁後は４００Ｏｅを越える磁界を印加しないようにして各処理を行うようにした光デバイスの製造方法。」
を、
「液相エピタキシャル法により育成されたビスマス置換鉄ガーネット単結晶から所定寸法の薄板を切り出し、その表面を鏡面加工した後、キューリー温度以上で熱処理して消磁されたファラデー効果素子を用い、そのファラデー効果素子を、所定の励磁手段を含む光デバイスを構成する部品に組み込むようにし、かつ、前記消磁後は４００Ｏｅを越える磁界を印加しないようにして各処理を行うようにした、磁化を反転させるのに必要な磁界が２００Ｏｅ以下とする光デバイスの製造方法。」
と補正するものであり、光デバイスが、「磁化を反転させるのに必要な磁界が２００Ｏｅ以下」と限定するものであるから、この補正は、特許請求の範囲の減縮に相当し、補正の要件を満足するので、これを認める。
　
ii）訂正の内容
　訂正請求の内容は、特許請求の範囲の請求項１乃至請求項５、
「【請求項１】液相エピタキシャル法により育成されたビスマス置換鉄ガーネット単結晶の薄板からなり、キューリー温度以上の温度で熱処理されて消磁されていることを特徴とするファラデー効果素子。
【請求項２】　液相エピタキシャル法により育成されたビスマス置換鉄ガーネット単結晶から所定寸法の薄板を切り出し、その表面を鏡面加工した後、キューリー温度以上で熱処理して消磁することを特徴とするファラデー効果素子の製造方法。
【請求項３】　請求項１に記載のファラデー効果素子に所定の磁界を印加する励磁手段を組み合わせたファラデー回転子を含んでいることを特徴とする光デバイス。
【請求項４】　前記励磁手段が、電磁石または永久磁石のいずれかを含むものであることを特徴とする請求項３に記載の光デバイス。
【請求項５】　請求項２の方法により製造したファラデー効果素子を用い、そのファラデー効果素子を、所定の励磁手段を含む光デバイスを構成する部品に組み込むようにし、かつ、前記消磁後は一定の磁界強度を越える磁界を印加しないようにして各処理を行うようにした光デバイスの製造方法。」
を、
「【請求項１】液相エピタキシャル法により育成されたビスマス置換鉄ガーネット単結晶から所定寸法の薄板を切り出し、その表面を鏡面加工した後、キューリー温度以上で熱処理して消磁されたファラデー効果素子を用い、そのファラデー効果素子を、所定の励磁手段を含む光デバイスを構成する部品に組み込むようにし、かつ、前記消磁後は４００Ｏｅを越える磁界を印加しないようにして各処理を行うようにした、磁化を反転させるのに必要な磁界が２００Ｏｅ以下とする光デバイスの製造方法。」
と訂正し、明細書の記載を特許請求の範囲の記載と合致させるように、明細書を訂正するものである。
　
iii）訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　特許請求の範囲の請求項１の訂正は、訂正前の請求項５の「一定の磁界強度」を「４００Ｏｅ」と特定し、さらに、「磁化を反転させるのに必要な磁界が２００Ｏｅ以下」と限定するものであり、請求項２乃至請求項５の訂正は、これを削除するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当し、また、明細書の訂正は、特許請求の範囲の訂正に合わせた訂正であるから、明りょうでない記載の釈明に該当し、共に新規事項の追加にも、実質的に特許請求の範囲を拡張・変更するものにも該当しない。
　
iv）独立特許要件の検討
（引用例）
　訂正拒絶理由通知に引用した、本件出願前公知である、特開平６−７７０８１号公報（以下、引用例１という。）には、
「請求項１　非磁性単結晶基板上に、ＬＰＥ法により１００μｍ以上の厚さにＢｉ置換稀土類鉄ガーネット膜を作成した磁気光学素子から、非磁性単結晶基板を除去した後、８００〜１２００℃において酸素含有雰囲気中で熱処理することを特徴とする磁気光学素子の製造方法。」（特許請求の範囲請求項１）、
「本発明は光アイソレータ、光サーキュレータ、光スイッチ、光磁気センサ等に使用するのに適したファラデー回転子等を構成できる磁気光学素子の製造方法に関する。」（公報第２頁左欄第２７行〜第３０行）、
「すなわち、Ｂｉを多量に含有する磁気ガーネット材料をＬＰＥ（液相エピタキシアル成長法）で単結晶基板上に成長させると、誘導磁気異方性によりこのガーネット材料は通常垂直磁化型（板面に垂直）となり、磁化しない状態では自発磁化により垂直磁化の多磁区構造を有している。これを飽和に至らない程度の磁化状態で便用すると、光透過方向の垂直磁化を有する大きな磁区と逆方向の磁化を有する小さな磁区の交互した磁化パターンが生じ、磁化方向と平行に直線偏光の光が入射すると、ファラデー効果によって偏光面が両種の磁区で互いに反対方向に回転して回折が生じる。このように多磁区構造では磁気光学材料は回折格子として作用して回折損失を生じる。」（公報第２頁右欄第１行〜第１３行）、
「こうしてほぼ垂直方向の磁化を有するＢｉ置換稀土類鉄ガーネットが成長する。次にラッピング、ポリッシュ等により基板を除去する。」（公報第３頁左欄第３行〜第５行）、
「基板を除去したＢｉ置換稀土類鉄ガーネット材料を酸素雰囲気、好ましくは純酸素中で８００〜１２００℃で熱処理する。・・・これにより垂直磁化は減少し、面内磁化が支配的となる。」（公報第３頁左欄第１３行〜第１８行）と記載されている。
　同じく、「強磁性体の物理（下）」（近角聰信著、昭和５９年３月２５日第１版発行)（以下、引用例２という。）の第２３７頁には、「強磁性体を磁化のない状態にするには２つの方法がある。その１つはキュリー点以上の高温に熱して、磁界の存在しない状態で冷却することである。これを熱消磁（ thermal demagnetization ）とよんでいる。」と記載されている。
　同じく、「光アイソレータ用磁性体の開発と応用」（機能材料、１９８７年１０月号）（以下、引用例３という。）には、
光アイソレータ用及び磁界センサー用のファラデー回転子に関し、磁性ガーネット膜は光スイッチ、光サーキュレータ、光変調器等への応用が可能であること、液相エビタキシャル法（ＬＰＥ法）により育成されたビスマス置換鉄ガーネット単結晶の薄板、磁石としてＳｍ−Ｃｏ磁石を用いて光アイソレータを構成することが記載されており、また、第１６頁の表１、図４には各種ガーネットのキュリー温度が、第１７頁の表２には、（ＧｄＢｉ）３（ＦｅＡｌＧａ）５Ｏ１２の試料では、飽和に要する磁界が２００Ｏｅ以下であることが示されている。
　
（対比）
　本件の訂正後の請求項１に係る発明（以下、訂正発明という。）と引用例１に記載された発明とを対比すると、両者は、
「液相エピタキシャル法により育成されたビスマス置換鉄ガーネット単結晶を熱処理して消磁されたファラデー効果素子を用い、そのファラデー効果素子を、所定の励磁手段を含む光デバイスを構成する部品に組み込むようにした光デバイスの製造方法。」である点で一致し、
ａ）訂正発明では、「単結晶から所定寸法の薄板を切り出し、その表面を鏡面加工」するのに対し、引用発明では、これらが明示されていない点、
ｂ）熱処理温度が、訂正発明では、「キューリー温度以上」であるのに対し、引用発明では、８００〜１２００℃である点、
ｃ）訂正発明では、「消磁後は４００Ｏｅを越える磁界を印加しないようにして各処理を行うようにした、磁化を反転させるのに必要な磁界が２００Ｏｅ以下とする光デバイス」であるのに対し、引用発明では、これらについて記載されていない点、
で相違している。
　
（当審の判断）
　上記相違点ｃについて検討すると、訂正発明は、印加磁界に対する反転させるのに必要な磁界との相関を実験により求め、磁化を反転させるのに必要な磁界が２００Ｏｅ以下の光デバイスとするために、消磁後は４００Ｏｅを越える磁界を印加しないようにして各処理を行うようにしたものであり、これに対し、各引用例には、反転磁界と印加磁界との相関や、消磁後に一定の磁界強度を越える磁界を印加させないことに関して何ら記載されていない。
　してみれば、相違点ｃに関して、当業者が容易に想到できたとすることはできず、訂正発明は、各引用例に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではないから、独立特許要件を満足するものである。
　
iv）むすび
　以上のとおりであるから、本件訂正請求は、特許法第１２０条の４第２項及び同条第３項で準用する第１２６条第２項乃至第４項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
（３）特許異議申立について
（本件発明）
　本件特許第２７８４８９４号の請求項１に係る発明は、訂正された特許明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載されたとおりのものである。
　
（特許異議申立人の主張の概要）
  特許異議申立人河野尚孝は、甲第１号証として特許第２６８１１７６号公報、甲第２号証として特開平６−８０４９９号公報、甲第３号証として理化学辞典、第３版、岩波書店、甲第４号証として、特開平６−２２２３１１号公報を提示して、訂正前の本件請求項１及び請求項２に係る発明は、甲第１号証に記載された発明と同一であるから、特許法第２９条第１項第３号の規定により特許を受けることができないものであり、訂正前の本件請求項３ないし請求項５に係る発明は、甲第１号証ないし甲第４号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである旨、主張しており、特許異議申立人株式会社トーキンは、甲第１号証として特開昭５６−４６５１８号公報、甲第２号証として、特開平６−７７０８１号公報、甲第３号証として、特開昭６２−９５８１２号公報、甲第４号証として、「光アイソレータ用磁性体の開発と応用」（機能材料、１９８７年１０月号）、甲第５号証として、「強磁性体の物理（下）」（近角聰信著、昭和５９年３月２５日第１版発行)を提示して、本件発明は、甲第１号証ないし甲第３号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである旨、主張している。
　
（甲各号証の記載内容）
　特許異議申立人河野尚孝の提示した甲第１号証（特許第２６８１１７６号公報は、本件出願前公知の文献ではないから、公開公報である、特開平３−８１７２４号公報と読み替える。）には、
「結晶基板上にガーネット結晶膜を形成し、研磨仕上、外形加工した磁気光学素子の製造方法であって前記仕上加工の後に、２００〜８００℃で３０分間以上、熱処理をすることを特徴とする磁気光学素子の製造方法。」（特許請求の範囲、請求項１）、
「すなわち本発明の磁気光学素子の製造方法は、以下のとおりである。先ずガドリニウム・ガリウム・ガーネット（ＧＧＧ）や元素の一部をＣａ、Ｍｇ、Ｚｒで置換したガーネット型構造を持つ酸化物の結晶基板を常法により製造する。次いでこの基板上にＡ３Ｂ５Ｏ１２で示されるガーネット結晶膜を形成する。ここでＡは希土類元素およびＢｉ、Ｐｂ、Ｃａの１種又は２種以上の元素で構成され、ＢはＦｅ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｇａ、Ｓｃ、ＩｎまたはＦｅ以外の他の遷移金属元素の１種又は２種以上の元素で構成される。結晶基板上にこのガーネット結晶膜を形成し、研磨仕上、外形加工した後に２００〜８００℃で３０分以上熱処理をするものである。」（公報第２頁左上欄第８行〜第２０行）、
「ＧＧＧ（ガドリニウム、ガリウム、ガーネット）単結晶の一部をＧａ、Ｍｇ、Ｚｒで置換した厚さ５００μｍの基板を常法により得る。この基板に、ガーネット（ＢｉＧｄＴｂ）３（ＦｅＧａ）６Ｏ１２単結晶膜を液相エキピタルシャルで４００μｍの厚さに着ける。これを３８０μｍの厚さまでに研磨し、３ｍｍ×３ｍｍに切断し磁気光学素子のチップを得た。」（公報第２頁右上欄１９行〜左下欄第５行）、
「前記により得られた磁気光学素子のチップをオーブンに入れ３００〜４００℃で５時間、熱処理をして試料片を得た。この試料片の飽和磁界強度は５８０Ｏｅ（ガウス単位）で、比較例の試料片より３０Ｏｅ低下した。この試料片の光吸収損失は０．０５ｄＢで（表面反射補正済み）、比較例の試料片より向上した。またこの試料片で同じように光アイソレータを構成し、消光性能を測定したところ消光比が４０ｄＢで、比較例の試料片より２ｄＢ向上した。」（公報第２頁左下欄第１４行〜右下欄第３行）、
「本発明の製造方法による磁気光学素子は、内部歪が除去されているため、製造当初から飽和磁化の値が小さく、経時的に安定した磁気光学素子が得られる。その磁気光学素子を光アイソレータの回転子として使用した場合に光学的特性が安定し、光吸収損失、消光性能の面でも優れている。また磁界センサとして使用した場合も、特性が安定している。」（公報第３頁左上欄第１０行〜第１７行）と記載されている。
　同じく、甲第２号証には、
「既に記述したように、ビスマス置換磁性ガーネットは、液相エピタキシャル（ＬＰＥ） 法で製造することができるため、ファラデー回転子を安価に大量に供給し得る可能性を有している。
【００１１】液相エピタキシャル法によるビスマス置換磁性ガーネット単結晶は、次のようにして製造される。即ち、先ず、白金製坩堝に、酸化鉛（ＰｂＯ） 、酸化ビスマス（Ｂｉ２Ｏ３） 、酸化ほう素（Ｂ２Ｏ３）、酸化第２鉄（Ｆｅ２Ｏ３） 、および、希土類酸化物を仕込み、これを１０００℃前後の高温に加熱・溶融して均一に混合したのち、融液温度を８００℃前後にまで冷却してビスマス置換磁性ガーネット単結晶育成用の融液を調製する。ここに調製した融液に、（１１１） ガーネット単結晶［（ＣａＧｄ）３（ＭｇＺｒＧａ）５Ｏ１２］ 基板を接触させて、基板を回転させながら、基板上にビスマス置換磁性ガーネット単結晶膜を所定の膜厚さにまで成長させる。」（公報第３頁右欄第８行〜第２３行）、
「【００１５】ビスマス置換磁性ガーネット単結晶膜で作製したファラデー回転子は、その回転角を４５度に設定される。従って、研磨法によって、その膜厚を調整する必要がある。また、基板とビスマス置換磁性ガーネット単結晶の界面でのフレネル反射を避けるために、基板も除去するのが好ましい。」（公報第４頁左欄第４８行〜右欄第３行）と記載されている。
　同じく、甲第３号証には、
「キュリー点ともいう。一般に異常比熱をともなう二次転移の転移温度のことをいうが、特に強磁性体またはフェリ磁性体の常磁性状態への磁気転移の温度、あるいは強誘電体または反強誘電体の常誘電相への転移温度をさすことが多い。」（第３１４頁、キュリー温度の項）、
「磁性体を磁化０の状態にすること。強磁性体の残留磁化に対しては＊熱消磁、＊交流消磁などが用いられる。」（第６３９頁、消磁の項）、
「強磁性体を＊消磁する方法の一つ。キュリー温度以上に熱し、外部磁場が０の状態で冷却すれば試料はいくつかの＊磁区に分かれ、全体としての磁化は消える。」（第９９９頁、熱消磁の項）と記載されている。
　同じく、甲第４号証には、
「【０００３】図３及び図４は夫々光アイソレータ及び磁気光学スイッチの原理を示す図である。図３に示す光アイソレータにおいては、偏波面選択方向８、１０がそれぞれ４５°ずれている２個の偏光子７、９とそれらの間に位置する４５°のファラデー回転角を有するファラデー回転子５、そしてファラデー回転子に矢印１１で示すように磁界を印加するための図示しない磁石，通常はファラデー回転子の周囲を覆う円筒形の永久磁石である、により構成されている。６は偏光を受ける光である。」（公報第２頁左欄第４７行〜右欄第５行）、
「【００１１】本発明によれば，ＬＰＥ法によって育成されるビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶膜において、前記単結晶膜は、化学組成が・・・で示され、前記単結晶膜面と交差する方向に外部磁界を印加し磁気飽和させたのち当該外部磁界を除去しても、磁気飽和させた際のファラデー回転効果を保持することを特徴とするビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶膜が得られる。
【００１２】また，本発明によれば，前記ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶膜からなることを特徴とするファラデー回転子が得られる。」（公報第３頁左欄第９行〜第２３行）、
「【００１５】また，本発明によれば、前記ファラデー回転子と、前記ファラデー回転子に外部磁界を印加する電磁石とを備え，前記電磁石に随時直流のパルス電流を投入して、光のスイチング動作を行うことを特徴とする磁気光学スイッチが得られる。」（公報第３頁左欄第３２行〜第３６行）と記載されている。
　また、特許異議申立人株式会社トーキンの提示した甲第１号証には、
「ファラデー回転角の絶対値が大きい、高周波での駆動が可能な光偏向素子材料等に関し、液相エビタキシャル法により育成されたビスマス置換鉄ガーネット単結晶の薄板、焼鈍して抗磁力を低下させること、低下させた光偏向素子材料およびその製造方法、及び抗磁力が低い材料が得られる」液相エピタキシャルガーネット膜の抗磁力低減法の発明が記載されている。
　同じく、甲第２号証は、上記引用例１であるから、上記（２）iv）（引用例）に示した発明が記載されており、
　同じく、甲第３号証には、
「光アイソレータに用いるビスマス含有磁性ガーネット膜の製造方法に関し、液相エビタキシャル成長（ＬＰＥ）により育成されるビスマス含有磁性ガーネット膜を熱処理により特性を改善する製法。」の発明が記載されている。
　同じく、甲第４号証は、上記引用例３であるから、上記（２）iv）（引用例）に示した発明が記載ないし示されており、
　同じく、甲第５号証は、上記引用例２であるから、上記（２）iv）（引用例）に示した発明が記載されている。
　
（対比・判断）
　本件の請求項１に係る発明（以下、本件発明という。）と両特許異議申立人の提示した甲各号証に記載された発明とを対比すると、甲各号証には、本件発明の構成要件である、磁化を反転させるのに必要な磁界が２００Ｏｅ以下とする光デバイスにおいて、「消磁後は４００Ｏｅを越える磁界を印加しないようにして各処理を行うようにした」ことについて記載されておらず、示唆されてもいない。
　そして、本件明細書の【００２３】の記載によれば、本件発明の上記構成要件は、「印加磁界に対する反転させるのに必要な磁界との相関を実験により求め、光デバイスとして使用する際の磁化を反転させるのに必要な磁界を２００Ｏｅ以下とするために、消磁後は４００Ｏｅを越える磁界を印加しないようにして各処理を行うようにした」ものであると認められるが、これに対し、甲各号証には、反転磁界と印加磁界との相関や、消磁後に一定の磁界強度を越える磁界を印加させないことに関して何ら記載されていない。
　してみれば、上記構成要件に関して、甲各号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に想到できたとすることはできない。
　
　これに関し、特許異議申立人河野尚孝は、「ファラデー効果素子の厚さは光を所定の角度回転させるように設定されるため、各処理工程において、消磁後に一定の磁界強度を越える磁界が印加されると、光の回転角度が設定値から逸することとなり、好ましくないことは自明である。」、と主張しており、特許異議申立人株式会社トーキンは、本願の【０００９】に記載されている「従来は・・・所定の磁界を印加し・・・良品・不良品の選別を行っていた。」にいう所定の磁界は単に光デバイスの動作に必要と考えられる磁界であるから、４００Ｏｅより小さな磁界であり、従来の必然的に加えられる可能性がある所定の磁界は４００Ｏｅ以下であることは明白である旨、主張している。
　しかしながら、両特許異議申立人の主張は、従来においても、消磁後に一定の磁界強度を越える磁界は印加されていないはずである、との主張に留まり、反転磁界と印加磁界との相関が公知であること、さらには、消磁後は４００Ｏｅを越える磁界を印加しなければ、反転磁界が２００Ｏｅ以下となるのは公知であることを主張するものではなく、また、これらが公知であることを示す証拠も提示されていない。
　よって、各特許異議申立人の主張は採用できない。
　
（むすび）
　以上のとおりであるから、特許異議の申立ての理由及び証拠によっては、本件の請求項１に係る発明の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件の請求項１に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年３月７日（２０００．３．７）