【事件の表示】
　特許第２７９７８４６号「樹脂封止型半導体装置のＣｕ合金製リードフレーム材」の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結論】
　特許第２７９７８４６号の特許を維持する。
【理由】
（１）手続の経緯
　本件特許第２７９７８４６号に係る発明｛平成４年６月１１日出願（請求項の数１）、平成１０年７月３日設定登録｝は、特許明細書の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものである。
　「　重量％で、
Ｎｉ：１〜４％、Ｓｉ：０．１〜１％、Ｚｎ：０．１〜２％、Ｍｇ：０．００１〜０．０５％、Ｓｎ：０．０５〜１％、を含有し、残りがＣｕと不可避不純物からなり、かつ不可避不純物としての硫黄（Ｓ）および炭素（Ｃ）の含有量を、それぞれ、
　Ｓ：２０ｐｐｍ以下、
　Ｃ：２０ｐｐｍ以下、
とした組成を有するＣｕ合金で構成したことを特徴とする樹脂封止型半導体装置のＣｕ合金製リードフレーム材。」
（２）特許異議申し立ての理由の概要
　特許異議申立人西田良幸は、甲第１号証：特開昭６３−１３０７３９号公報（以下、甲１という）、甲第２号証：伸銅技術研究会誌（１９８９）第２８巻第１５２〜１５８頁（以下、甲２という）及び甲第３号証：Ｐｈａｓｅ　Ｄｉａｇｒａｍｓｏｆ　Ｂｉｎａｒｙ　Ｃｏｐｐｅｒ　Ａｌｌｏｙｓ第１０９〜１１１頁、１９９４年１１月初刷（以下、甲３という）を挙示して、請求項１に係る発明（以下、本件発明という）は、甲１に記載された発明と同一であるから特許法第２９条第１項第３号の規定により、また、本件発明は、甲１乃至甲３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明できたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができないものであり、特許を取り消すべきと主張している。
（３）甲各号証に記載された発明
　甲１には、半導体機器リード材又は導電性ばね材用高力高導電銅合金に関する発明が記載されており、▲１▼「（２）Ｎｉ：０．４〜４．０ｗｔ％、Ｓｉ：０．１〜１ｗｔ％を含み、さらに副成分として、Ｚｎ、…、Ｓｎ、…、Ｍｇ、…からなる１種又は２種以上を総量で０．００１〜３．０ｗｔ％含み、残部Ｃｕ及び不可避不純物からなり、該不純物のうち、Ｓの含有量が０．００１５ｗｔ％（１５ｐｐｍ）以下とした半導体機器リード材…」（特許請求の範囲）という記載があり、また、このような半導体機器リード材の樹脂封止用としての要求特性として▲２▼「…（２）リードとモールドとの密着性が半導体素子保護の観点から重要であるため、リード材とモールド材の熱膨張係数が近いこと。…（４）リードはリード材を抜き打ち加工し、又曲げ加工して作製されるものがほとんどである為、これらの加工性が良好なこと。…（６）パッケージング後に封止材の外に露出している、いわゆるアウター・リード部に半田付けするものが多いので良好な半田付け性を示すこと。…」（同明細書第２頁左上欄１３行目〜同頁右上欄第１８行目）が記載されている。
　甲２には、リードフレーム用銅合金における酸化膜の剥離試験に関して記載されていて、▲３▼「銅合金系リードフレームを用いたとき、信頼性に直接影響する重要特性として、はんだの耐熱剥離性と酸化膜密着性とがある。…ところで、ＩＣを樹脂で封止した場合、酸化膜と母材との密着強度が低いと、金属／酸化膜界面から水分が侵入し、銅合金系リードフレームを用いたＩＣの信頼性を著しく低下させる」（第１５２頁左下欄下から第６〜同右欄下から６行目）といった記載があり、また、第１５３頁Ｔａｂｌｅ１に酸化膜の密着性についての評価がなされている。
　甲３には、銅−炭素の２元状態図における銅への炭素の溶解度が示されている。（尚、甲３は、本件出願後に公知となった刊行物であるところから、証拠方法としては不適格なものであるので採用しない。）
（４）対比・判断
　本件発明と甲１乃至甲２に記載の各発明とを対比すると、上記▲１▼▲２▼の記載からみて、甲１に記載された半導体機器リード材は、樹脂封止型半導体装置のＣｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系合金製のリードフレーム材であることは明らかであるから、結局、甲１には”Ｎｉ：０．４〜４．０ｗｔ％、Ｓｉ：０．１〜１ｗｔ％を含み、さらに副成分として、Ｚｎ、…、Ｓｎ、…、Ｍｇ、…からなる１種又は２種以上を総量で０．００１〜３．０ｗｔ％を含有し、残りがＣｕと不可避不純物からなり、かつ不可避不純物としての硫黄（Ｓ）の含有量を０．００１５ｗｔ％（１５ｐｐｍ）以下とした組成を有するＣｕ合金で構成した樹脂封止型半導体装置のＣｕ合金製リードフレーム材”が記載されているものと認められる。そうすると、両者は、「Ｎｉ：１〜４．０ｗｔ％、Ｓｉ：０．１〜１ｗｔ％を含み、さらに副成分を含有し、残りがＣｕと不可避不純物からなり、かつ不可避不純物として硫黄（Ｓ）を特定の含有量以下とした組成を有するＣｕ合金で構成した樹脂封止型半導体装置のＣｕ合金製リ一ドフレーム材」である点で一致し、下記の点で相違している。
（１）Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系合金に添加する副成分とその添加量が、甲１の発明では、Ｚｎ、…、Ｓｎ、…、Ｍｇ、…からなる１種又は２種以上を総量で０．００１〜３．０ｗｔ％含有しているのに対して、本件発明では、重量％で、Ｚｎ：０．１〜２％、Ｍｇ：０．００１〜０．０５％、Ｓｎ：０．０５〜１％を含有している点。
（２）不可避不純物及びその含有量を、甲１の発明では、Ｓの含有量を１５ｐｐｍ以下と規定しているのに対して、本件発明では、ＳとＣの含有量をそれぞれ２０ｐｐｍ以下と規定している点。
　次に上記相違点につき検討する。
　上記相違点（１）について
　甲１の発明では、元々添加する副成分としては、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｍｇ等々を含む１８種以上もの多種多様な成分を請求しているため、その１種又は２種以上の組合わせは膨大な数になり、そのうち実施例として具体的に開示されているのはわずかに１３例にすぎない。そして、これらの実施例に発明は限定されるものではないとしても、甲１の全記載内容からみて本件発明におけるようなＺｎ、Ｓｎ、Ｍｇという特定三成分の組合わせが、当業者にとって自明もしくは容易に想到し得たものとすることは到底できず、さらにＺｎ、Ｓｎ、Ｍｇという特定三成分についての各含有量を規定するに至っては、なおさら困難なことと認める。
　また、甲２の上記▲３▼の記載内容をみても、銅合金リードフレーム材を用いたときの重要特性である課題についての概略記載があるにすぎず、本件発明におけるＣｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系合金に添加する副成分とその添加量について具体的に記載も示唆もするところがないので、結局、本件発明の上記相違点（１）については甲１及び甲２に記載も示唆もするところがない。
　上記相違点（２）について
　甲１及び甲２の上記▲１▼▲２▼及び▲３▼の記載を含む全記載のどこにも、不可避不純物としてのＣについて言及するところはなく、ましてＳ及びＣの含有量をそれぞれ２０ｐｐｍ以下に制限することによってＳｎによる所望の密着強度向上効果が得られたという本件発明を示唆するところはない。また、甲３には、銅−炭素の２元状態図における銅への炭素の溶解度が示されているだけのことであって、本件発明の判断に何ら影響を及ぼすものではなく、さらにこの事実自体公知のものでもないから、結局、本件発明の上記相違点（２）については甲１乃至甲２に記載もなければ示唆するところもない。
　そして、本件発明における銅合金リードフレーム材は、全構成成分が規定された範囲内にあることにより、強度、導電率及びはんだの耐熱剥離性という重要特性を具備し、かつ封止材であるエポキシ樹脂との間に著しく高い密着強度を確保できたという顕著な効果を奏し得たものと認める。
　従って、上記相違点（１）及び（２）を特徴とする本件発明は、甲１に記載された発明と同一ではなく、また甲１乃至甲２に記載の発明に基づいて、当業者が容易に想到し得たものとすることもできない。
（５）むすび
　以上のとおりであるから、本件異議の申立を理由があるものとすることはできない。
　また、他に本件発明に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１１年７月２６日（１９９９．７．２６）