【事件の表示】
　特許第２５７７５６２号「グロー放電分解装置」の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結論】
　訂正を認める。
　特許第２５７７５６２号の特許を維持する。
【理由】
１．手続の経緯
　特許出願　　　　　　　昭和６２年５月２６日
　特許権設定登録　　　　平成８年１１月７日
　特許異議の申立て　　　平成９年８月１日
　取消理由通知　　　　　平成９年１０月２７日
　訂正請求　　　　　　　平成９年１２月２６日
　取消理由通知　　　　　平成１１年３月４日
　前回訂正請求取下　　　平成１１年４月２３日
　訂正請求　　　　　　　平成１１年４月２３日
２．特許異議申立の概要
　特許異議申立人鈴木俊孝は、甲第１号証：特開昭６２−２０８７５号公報、甲第２号証：特開昭６１−２２１３６８号公報、甲第３号証：特開昭６０−１８４６７８号公報、甲第４号証：特開昭６１−２５１４９号公報を提示し、本件特許請求の範囲の請求項１に係る発明は、甲第１〜４号証に記載された発明から当業者が容易になし得た発明であるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、また本件特許明細書には記載の不備があり、特許法第３６条第３項及び第４項に規定する要件を満たしていないものであるから、特許を取り消すべきであると主張している。
３．訂正について
（１）訂正の内容
　訂正事項Ａ
　特許請求の範囲の請求項１を「成膜用ガスが導入される反応室内部に配設された基板載置体上に、成膜用円筒状基板が設置され、該基板に対向して円筒状グロー放電用電極板が配置されており、該基板内部の軸線方向に設置された熱源によって該基板が所要温度にまで加熱され且つグロー放電の発生によって基板上に成膜されるグロー放電分解装置において、前記熱源の形状はシース内に発熱線が封入された断面円形の棒状であり且つ前記基板内面側に挿入されたロボットハンドが該基板内面を押圧して該基板を引き上げることができるように該熱源の外周面と該基板の内周面との間に前記ロボットハンドが挿入可能な間隙を設けたことを特徴とするグロー放電分解装置。」と訂正する。
　訂正事項Ｂ
　明細書第６頁第２行〜１２行までの記載のうち、「反応室内部に成膜用筒状基板が設置され」、「グロー放電用電極板」、「該基板内部に設置された熱源」、「熱源の形状が管状又は棒状」及び「該熱源と該基板が離れている」を、それぞれ「反応室内部に配設された基板載置体上に、成膜用円筒状基板が設置され」、「円筒状グロー放電用電極板」、「該基板内部の軸線方向に設置された熱源」、「熱源の形状はシース内に発熱線が封入された断面円形の棒状」及び「該熱源の外周面と該基板の内周面との間に前記ロボットハンドが挿入可能な間隙を設けた」と訂正する。
（２）訂正の目的の適否及び拡張・変更の存否
　上記訂正事項Ａは、成膜用筒状基板の載置状態、グロー放電用電極板の形状、熱源の構造、熱源と基板との離れ具合を更に限定したものであるから、特許請求の範囲の減縮に該当する。
上記訂正事項Ｂは、訂正事項Ａに伴い、特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載との整合を図るものであり、明りょうでない記載の釈明に該当する。
　そして、上記訂正事項Ａ，Ｂは、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、実質的に特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
（３）独立特許要件の判断
（３−１）本件発明
　訂正後の発明（以下、本件発明という。）の要旨は、その特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
　「成膜用ガスが導入される反応室内部に配設された基板載置体上に、成膜用円筒状基板が設置され、該基板に対向して円筒状グロー放電用電極板が配置されており、該基板内部の軸線方向に配置された熱源によって該基板が所要温度にまで加熱され且つグロー放電の発生によって基板上に成膜されるグロー放電分解装置において、前記熱源の形状はシース内に発熱線が封入された断面円形の棒状であり且つ前記基板内面側に挿入されたロボットハンドが該基板内面を押圧して該基板を引き上げることができるように該熱源の外周面と該基板の内周面との間に前記ロボットハンドが挿入可能な間隙を設けたことを特徴とするグロー放電分解装置。」
（３−２）特許法第２９条第２項について
（３−２−１）各刊行物
　本件特許発明に対して、特許異議申立人が提出し、また当審が平成９年１０月２７日付け取消理由通知で引用した刊行物１（甲第１号証：特開昭６２−２０８７５号公報）には、「この方法は、第４図に示した様式の堆積膜形成装置を用い、カソード電極として作用する反応槽容器２内を排気系１１により高真空に減圧し、原料ガスを導入管７，７・・・により容器内に供給した後、例えば容器２と円筒状の導電性基体６との間でグロー放電を生起させて原料ガスを励起・反応させて基体６上に堆積膜を形成させる方法で、例えば非晶質硅素膜で構成される、電子写真感光体等光導電部材を製造する際に利用される。」（第１頁左欄最終行から同右欄第９行）、「反応槽本体１は、例えばステンレス等の導電性を有する構造材から成りカソ一ド電極として作用し得る円筒状の反応槽容器２と、この容器２とは環状碍子３を介して固定された容器底板４に固定され、反応槽容器２とはほぼ軸芯を合わせて配置されている円筒状の導電性基体受け台５とで基本的に構成され、この受け台５上に反応槽容器とほぼ軸芯を合せて円筒状の導電性基体６が載置されている。」（第２頁左下欄第１０行から１８行）、「更に２０は抵抗発熱体であり、基体を所望の温度に維持する様に温度管理を行うことができる。」（第３頁右上欄第８行から９行）と記載されている。　また、第１図から抵抗発熱体２０と導電性基体６との間には空間が形成されていることがわかるが、この抵抗発熱体２０は支柱に発熱線を巻きつけたものであることも容易に理解できる。
　したがって、刊行物１には「原料ガスが導入される反応槽容器内部に配設された基体受け台上に、成膜用円筒状導電性基体が設置され、該基体に対向してグロー放電用カソ一ド電極として作用し得る円筒状の反応槽容器が配置されており、該基体内部の軸線方向に設置された抵抗発熱体によって該基体が所要温度にまで加熱され且つグロー放電の発生によって基体上に成膜されるグロー放電堆積膜形成装置において、前記抵抗発熱体は支柱に発熱線を巻き付けたものであることを特徴とするグロー放電堆積膜形成装置」が開示されている。
　同じく刊行物２（甲第２号証：特開昭６１−２２１３６８号公報）には、「成膜用ガスが導入される反応容器１２内にドラム状基体８が設置され、該基体８内に設置されたヒーター９によって該基体が所要温度にまで加熱され且つグロー放電の発生によって基体上に成膜されるａ−Ｓｉ膜の量産方式成膜方法」（第３頁右上欄第８行から第５頁右下欄第３行）が記載されている。
　また、「・・・ロボットハンド２３を上下に移動させて基体８や感光体ドラム１４を保持することができる。第５図において、・・・ロボットハンド２３は・・・反応容器１２の内部へも到達するようになっており、基体８を適宜上下に移動することができる。」（第６頁右上欄第１１行から同左下欄第９行）と記載されている。
　すなわち、刊行物２には「成膜用ガスが導入される反応容器内にドラム状基体が設置され、該基体の内側の空間に設置されたヒーターによって、該基体が所要温度まで加熱され且つグロー放電の発生によって基体上にａ−Ｓｉ膜を形成すること及びロボットハンドでドラム状基体を保持し、該基体を引き上げることができるようにすること」が開示されている。
　同じく刊行物３（甲第３号証：特開昭６０−１８４６７８号公報）には、「薄膜形成法として、プラズマＣＶＤ法が注目されている。この方法は反応室を高真空に減圧し、原料ガスを反応室に供給した後、グロー放電又はアーク放電により原料ガスを分解し、反応室内に配置された基体上に薄膜を形成するものである。」（第１頁右欄第２行から７行）、「真空槽本体１０底部中央にはモータＭにより駆動される回転機構５を配置し、該回転機構５上には内部ヒータ４により加熱される円筒形の基体３が載置固定される。内部ヒータ４による加熱は基体３上に安定したａ−Ｓｉ層を成膜するために、該基体を高温度（例えば２５０℃）に維持するのに必要である。基体３の回りには高周波電源７に接続された円筒形のカソ一ド電極２が配置され、更に電極２０回りには、プラズマを閉じ込めるための円筒形のシールド６が配置されている。」（第１頁右欄第１７行から第２頁左上欄第７行）、「ゲート３７ａ　３７ｂを開けて容器３４に設けた昇降機構３８により基体を容器３１から容器３４内に移し、・・・反応容器３２上に移された容器３４は容器３１から基体を取り出すときと同様な操作を行って、該容器３４から反応容器３２内へ基体を導入し、引き続き真空状態の反応容器３２内のヒータ３５ｂにより加熱しなから成膜処理を行う。成膜処理を終えた段階で前記したと同様なゲート操作および搬送を行い基体を取り出し・・・」（第３頁右上欄第６行から第２０行）と記載されている。
　すなわち、刊行物３には「原料ガスが導入される反応室内部に配設された回転機構上に成膜用円筒状基体が設置され、該基体に対向して円筒状グロー放重用電極板が配置されており、内部ヒータにより該基体が所要温度まで加熱され且つグロー放電の発生によって基体上に成膜されるグロー放電分解装置において、昇降機構により基体を引き上げることができるようにしたことを特徴とするグロー放電分解装置」が開示されている。
　同じく刊行物４（甲第４号証：特開昭６１−２５１４９号公報）には、「第２のロボットハンド１０にてドラム１１を保持して前記第１のスペーサ６ａの上端にセットし・・・ドラム１１の外周面に感光液２を塗布する。・・・さらに、第４のロボットハンド１３がドラム１１を第１のスペーサ６ａから分離する。」（第２頁右下欄第２行から第３頁左上欄第１行）と記載されている。そして、第２図によると「ロボットハンドがドラムの内面を押圧して該ドラムを引き上げること」が読みとれる。
　すなわち、刊行物４には「ドラムの外周面に感光液を塗布した後、ドラム内周面をロボットハンドで押圧してドラムを引き上げること」が開示されている。
（３−２−２）対比・判断
　そこで、本件発明と上記刊行物１〜４に記載の発明とを対比すると、上記いずれの刊行物にも本件発明の必須構成要件である、「熱源の形状はシース内に発熱線が封入された断面円形の棒状であり且つ基板内面側に挿入されたロボットハンドが該基板内面を押圧して該基板を引き上げることができるように該熱源の外周面と該基板の内周面との間に前記ロボットハンドが挿入可能な間隙を設けること」が記載されてないし、示唆もない。
　そして、本件発明は上記構成を備えることにより、発熱線に対してダメージを与えることもなく、生産効率を高め、優れた成膜形成をおこなうことができるという顕著な効果を奏するものである。
　したがって、本件発明は上記刊行物１〜４記載の発明から当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
（３−３）特許法第３６条について
　本件発明の特許明細書に対して、当審が平成９年１０月２７日付け取消理由通知で指摘した事項は次の点である。
　ａ．本件請求項１に「反応室内部に成膜用筒状基板が設置され」と記載されているが、この記載だけでは成膜用基板が反応室内部のどこに設置されているのか不明瞭である。
　ｂ．本件請求項１の「該熱源と該基板が離れている」との記載は、熱源と基板とがどのように離れているのか明確にされてない。
　そこで、上記ａ，ｂについて判断する。
　ａについては訂正請求により「反応室内部に配設された基板載置体上に、成膜用円筒状基板が設置され」と訂正し、成膜用円筒状基板の設置場所が明確にされた。
　また、ｂについては訂正請求により「該熱源の外周面と該基板の内周面との間に前記ロボットハンドが挿入可能な間隙を設けた」と訂正し、熱源と基板がどのように離れているかが明確にされた。
　なお、当審が通知した平成１１年３月４日付け取消理由は、平成９年１２月２６日付け訂正請求書の取下により解消された。
　したがって、訂正された特許明細書が、特許法第３６条第３項及び第４項に規定する要件を欠くものであるとはいえない。
（３−４）したがって、本件発明は特許出願の際独立して特許を受けることができない発明であるということができない。
（４）むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正請求は特許法第１２０条の４第２項および同条第３項で準用する同第１２６条第２〜４項の規定に適合するから上記訂正を認める。
４．特許異議申立について
　上記（３）独立特許要件の判断の（３−１）、（３−２）および（３−３）で示したとおり、本件発明は甲第１〜４号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることができず、また訂正された特許明細書が特許法第３６条第３項及び第４項に規定する要件を欠くものであるとすることもできないから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件発明の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１１年７月１日（１９９９．７．１）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
　訂正事項Ａ
　特許請求の範囲の請求項１を「成膜用ガスが導入される反応室内部に配設された基板載置体上に、成膜用円筒状基板が設置され、該基板に対向して円筒状グロー放重用電極板が配置されており、該基板内部の軸線方向に設置された熱源によって該基板が所要温度にまで加熱され且つグロー放電の発生によって基板上に成膜されるグロー放電分解装置において、前記熱源の形状はシース内に発熱線が封入された断面円形の棒状であり且つ前記基板内面側に挿入されたロボットハンドが該基板内面を押圧して該基板を引き上げることができるように該熱源の外周面と該基板の内周面との間に前記ロボットハンドが挿入可能な間隙を設けたことを特徴とするグロー放電分解装置。」と、特許請求の範囲の減縮を目的として、訂正する。
　訂正事項Ｂ
　明細書第６頁第２行〜１２行までの記載のうち、「反応室内部に成膜用筒状基板が設置され」、「グロー放電用電極板」、「該基板内部に設置された熱源」、「熱源の形状が管状又は棒状」及び「該熱源と該基板が離れている」を、それぞれ「反応室内部に配設された基板載置体上に、成膜用円筒状基板が設置され」、「円筒状グロー放重用電極板」、「該基板内部の軸線方向に設置された熱源」、「熱源の形状はシース内に発熱線が封入された断面円形の棒状」及び「該熱源の外周面と該基板の内周面との間に前記ロボットハンドが挿入可能な間隙を設けた」と、明りょうでない記載の釈明を目的として、訂正する。
（５４）【発明の名称】
グロー放電分解装置
（５７）【特許請求の範囲】
　成膜用ガスが導入される
反応室内部に配設された基板載置体上に、成膜用円筒状基板が設置され
円筒状グロー放電用電極板
該基板内部の軸線方向に設置された熱源
前記熱源の形状はシース内に発熱線が封入された断面円形の棒状
該熱源の外周面と該基板の内周面との間に前記ロボットハンドが挿入可能な間隙を設けた
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
　本発明は筒状基板上にアモルファスシリコン層などを形成することができるグロー放電分解装置に関し、その反応室内部への筒状基板の挿入又は取出しが容易となったグロー放電分解装置に関するものである。
〔従来技術及びその問題点〕
　今日、アモルファスシリコンを光導電層とした電子写真感光体が実用化されており、その優れた耐摩耗性、耐熱性及び光感度特性並びに無公害性等々によって急速に市場に浸透しつつある。
　この電子写真感光体はグロー放電分解法によって形成されるが、そのためのグロー放電分解装置は例えば第３図に示すような構成である。
　第３図において、１は円筒形状の反応容器であり、この反応容器１は例えばセラミックスから成る絶縁性の蓋体１ａ、導電性の周壁１ｂ、導電性の底板１ｃから成り、更に２は円筒形状のグロー放電用電極板、３はアルミニウム等から成る筒状の導電性基板支持体、４はアルミニウムなどから成る成膜用筒状基板であり、この基板４は基板支持体の鍔部３ａの上に載置されており、基板支持体３と基板４のそれぞれの周面ば相互にゆるやかに接触して電気的に導通しており、回転駆動手段（図示せず）によって基板支持体３が回転し、これに伴って筒状基板４が回転する。
　また、周壁１ｂは電極板２と電気的に導通しており、一方、底板１ｃは基板支持体３と電気的に導通して接地されている。そして、高周波電源５の一方の出力端子は接地され、他方の出力端子は周壁１ｂと接続されており、このような電力印加系のもとで電極板２と基板４の間でグロー放電が発生する。尚、６は周壁１ｂ及び電極板２のそれぞれと底板１ｃとを電気的に絶縁するリング体である。
　７はガス導入口、８はガス排出口であり、ａ−Ｓｉ成膜用ガスがガス導入口７を介して反応容器１の内部へ導入され、次いで電極板２に貫設された複数個のガス噴出口９を通して基板４へ向けて吹き出される。
　ａ−Ｓｉ感光体ドラムを製作する場合、上記のような電力印加系及びガス流入系の下で基板４が回転し、更に基板支持体３の内部に配設したヒータ１０によって基板４を加熱し、その基板温度を所要の温度範囲内に設定し、グロー放電分解によって基板４上にａ−Ｓｉ膜が気相成長する。そして、この気相成長に伴って生じる分解残余ガスはガス排出口８を介して排出される。尚、図中の矢印はガス流の方向を表わす。
　しかし乍ら、上記のようなグロー放電分解装置によれば、基板４を基板支持体３へ挿着する場合或いは基板支持体３より取出す場合、基板４の内周面と期板支持体３の外周面が擦れ、これによって両者の構成材、例えばアルミニウムが微粉状となって飛び散り、この微粉が基板４の表面に付着し、その結果、その基板面上に成膜されたａ−Ｓｉ膜に欠陥が生じる。
　また、成膜終了後その成膜基板を取り出し、次いで基板支持体３を取り出すという作業がある。しかし乍ら、この基板支持体３はグロー放電により汚染されており、そのために次回の成膜に備えて洗浄する必要がある。
　更に、基板の装着や取出しは人手によって行われており、その基板の成膜面が手などによって汚染されないように気を付ける必要がある。
　このように一度の成膜形成を行うに当たっては、それに要する工程数が多くなり、煩雑な作業が要求され、更に人手が多くなるために製造管理が難しくなり、その結果、信頼性の高い成膜形成を行うことが難しくなる。
　また、基板支持体３は基板４とヒータ１０の間に介在しており、ヒータ１０の輻射加熱を妨げており、そのために基板を所要温度にまで上昇させるための加熱時間が長くなっている。そして、成膜後の基板冷却においても基板支持体がもつ熱容量に応じてその冷却に要する時間が長くなる。
〔発明の目的〕
　従って本発明は叙上に鑑みて案出されたものであり、その目的は成膜操作を簡略化し、これによって製造効率及び製造コストを改善したグロー放電分解装置を提供することにある。
　本発明の他の目的は基板に対する加熱又は冷却の応答性を高め、これによって加熱時間及び冷却時間を短縮することができたグロー放電分解装置を提供することにある。
〔問題点を解決するための手段〕
　本発明によれば、成膜用ガスが導入される反応室内部に配設された基板載置体上に、成膜用円筒状基板が設置され、該基板に対向して円筒状グロー放電用電極板が配置されており、該基板内部の軸線方向に設置された熱源によって該基板が所要温度にまで加熱され且つグロー放電の発生によって基板上に成膜されるグロー放電分解装置において、前記熱源の形状はシース内に発熱線が封入された断面円形の棒状であり且つ前記基板内面側に挿入されたロボットハンドが該基板内面を押圧して該基板を引き上げることができるように該熱源の外周面と該基板の内周面との間に前記ロボットハンドが挿入可能な間隙を設けたことを特徴とするグロー放電分解装置が提供される。
　以下、本発明をａ−Ｓｉ感光体ドラムを製作することができるグロー放電分解装置を例にとって詳細に説明する。
　本発明のグロー放電分解装置はロボットハンドにより成膜用筒状基板の挿入又は取出しが可能となったことが特徴であり、この装置を第１図と第２図によって説明する。尚、これらの図において第３図と同一箇所には同一符号が付してある。
　第１図は第３図に示した基板支持体３及びヒータ１０が付設されておらず、これに代わって底板１ｃの上にはリング状の基板載置体１１が形成されており、この基板載置体１１の上に基板４が載置されており、更にこの基板４の概ね中心軸に位置する箇所に管状又は棒状の熱源１２が設定されており、そして、蓋体１ａが取り外され、ロボットハンド１３が反応室１の上方より下りて基板４を持着している。
　このロボットハンド１３は軸部１３ａと当接部１３ｂとから成り、この当接部１３ｂは基板４の内周面を押圧しており、更に軸部１３ａは上下方向に移動させることができ、これにより、基板４を反応室内部へ挿入したり又は反応室より取出したりすることができる。
　熱源１２は管状又は棒状に形成されており、その径は基板４の径に比べて著しく小さくなっており、そのためにロボットハンド１３を熱源１２と基板４の間に挿入することができる。
　第２図はグロー放電を発生させて成膜ができる状態を示しており、基板４の上にはキャップ体１４が載置され、これにより、基板４の内部空間がその外部空間と隔絶され、基板内部へ放電が入り込まなくなる。また、底板１ｃは基板載置体１１及び基板４と電気的に導通し且つ接地されており、そのため、基板４と電極板２の間でグロー放電が生じる。
　前記熱源１２はその形状が管状又は棒状であり且つ加熱可能であるならば種々の構成をとることができ、例えば第４図及び第５図に示すような熱源がある。
　第４図は熱源１２の一部を切り欠いた破断面図であり、第５図は第４図中の切断面線Ｘ−Ｘによる断面図である。
　この熱源１２はその一端が閉塞された細管状でＳＵＳなどから成るシース１５と、このシース１５の内部に充▼填▲されたＭｇＯなどから成る絶縁部材１６と、更にこの絶縁部材１６の内部に埋設された発熱性の素線１７とから成り、この素線１７はＮｉ−Ｃｒなどから成る螺旋状の電熱線であり、これがＵ字型に配設されており、この発熱によってシース１５が加熱され、熱源１２となる。
　このような構成のグロー放電分解装置によりａ−Ｓｉを成膜形成する場合には、反応室１の内部を脱気し、真空度を著しく高め、次いでａ−Ｓｉ成膜用ガスをガス導入口７、ガス噴出口９を介して基板４へ向けて噴き出し、熱源１２により基板４を所要な温度になるように加熱する。また、基板載置体１１を回転駆動手段（図示せず）によって回転し、これに伴って基板４を回転し、そして、グロー放電により基板上にａ−Ｓｉ膜を形成する。
　上記のようなグロー放電分解装置においては、基板４が熱源１２によって直接加熱され、そのために熱応答性が著しく高められ、基板を所定温度にまで高めるのに要する時間を短縮することができる。また、成膜終了後の基板冷却についても自然放置又は冷却媒体を通して基板が容易に冷却され、その冷却時間を短縮することができる。
　そして、成膜終了後、蓋体１ａを取り外し、キャップ体１４も取り出し、ロボットハンド１３によりａ−Ｓｉ感光体ドラムを取り出す。次いで、次回の成膜を行うに当たって反応室内部をガスエッチング等により洗浄する。
　即ち、ａ−Ｓｉ膜をグロー放電により形成した場合、その放電に伴って汚染物が粉状又は膜状となって電極板２や反応室内面に付着しており、このような汚染物を除去するためにガスエッチングにより洗浄する場合、基板載置体１１の上に基板４と概ね同形状且つ同寸法のダミー用基板をロボットハンド１３により載置し、その上にキャップ体１４を載置し、蓋体１ａを設置し、そして、ＣＦ４，ＳＦ６，ＮＦ３，ＣＣＬ４等々のエッチングガスを反応室内に導入し、このガスをグロー放電分解させると、その分解ガスが上記汚染物をガス化し、これによって反応室内部が洗浄される。
　このガスエッチング洗浄が終了すると蓋体１ａを取り外し、キャップ体１４も取り外し、ロボットハンド１３によりダミー用基板を取り出し、その後、次回の成膜に使用される基板４を装着する。
　このような成膜プロセスによれば、基板４がロボットハンドによって挿入又は取り出されており、そのため、基板に人手が触れなくなる。
〔発明の効果〕
　以上の通り、本発明のグロー放電分解装置によれば、基板と、それを設置するための支持体との擦れがなくなり、これに起因した成膜欠陥が生じなくなり、その結果、高品質且つ高信頼性の成膜形成ができるグロー放電分解装置を提供することができる。
　また本発明のグロー放電分解装置によれば、ロボットハンドを用いて基板の挿入又は取出しができようになり、更に基板の加熱時間又は冷却時間を短縮することができ、これにより、製造効率を高めて製造時間を短縮することができ、そして、製造コストを低減させることができた高信頼性の成膜ができるようになった。
　尚、本発明は上記のような構成のグロー放電分解装置に限られるものでなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改善などは何等差支えない。
【図面の簡単な説明】
　第１図及び第２図は本発明グロー放電分解装置の説明図、第３図は従来のグロー放電分解装置の説明図、第４図は本発明グロー放電分解装置に設置される熱源の破断面図、第５図は第４図中切断面線Ｘ−Ｘによる断面図である。
２……グロー放電用電極板
４……成膜用筒状基板
１２……熱源
１３……ロボットハンド