【事件の表示】
　特許第２８０２８６５号「プラズマＣＶＤ装置」の請求項１ないし２に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結論】
　訂正を認める。
　特許第２８０２８６５号の請求項１に係る特許を維持する。
【理由】
Ｉ．手続の経緯
　本件特許第２８０２８６５号（以下「本件特許」という。）は、平成４年１１月４日に特許出願されたものであって、特許権の設定の登録がなされた後、日本真空技術株式会社より請求項１及び２に係る発明について特許異議の申立がなされ、その後、当審より特許取消理由の通知、特許権者より特許異議意見書及び訂正請求書の提出がなされたものである。
ＩＩ．訂正について
（ＩＩ−１）訂正の内容
訂正事項（特許請求の範囲の訂正）
　【請求項１】及び【請求項２】を新たに【請求項１】とし、【請求項３】を新たに【請求項２】として、次のとおりに訂正する。
「【請求項１】接地基板電極を構成するアルミ製均熱板を上面に有し、このアルミ製均熱板を加熱するためのヒータを有するサセプタと、このサセプタ上の接地基板電極に対峙する、多数の貫通孔を有するアルミニウム製シャワー電極を備えた高周波電極とを有するチャンバーを有するプラズマＣＶＤ装置において、前記高周波電極とシャワー電極との間に、多数の貫通孔を有するアルミニウム製邪魔板が間挿されており、前記高周波電極と前記邪魔板との間隔は３〜４ｍｍの範囲内であり、前記邪魔板と前記シャワー電極との間隔は３〜４ｍｍの範囲内であることを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
　【請求項２】邪魔板およびシャワー電極は高周波電極に螺着されており、邪魔板、シャワー電極および高周波電極の側面は絶縁材により包囲されている請求項１のプラズマＣＶＤ装置。」
（ＩＩ−２）訂正の目的、範囲、及び実質上の拡張又は変更について
　上記訂正は特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当し、当該訂正は願書に添付した明細書に記載した事項の範囲内の訂正であり、かつ実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものとも認められない。
　以下、訂正された明細書を「訂正明細書」という。
（ＩＩ−３）独立特許要件について
（ＩＩ−３−１）本件発明
　訂正明細書の請求項１及び２に係る発明（以下「訂正後の本件発明１」及び「訂正後の本件発明２」という。）は、その請求項１及び２に記載された次の事項により特定されるとおりのものと認める。
「【請求項１】接地基板電極を構成するアルミ製均熱板を上面に有し、このアルミ製均熱板を加熱するためのヒータを有するサセプタと、このサセプタ上の接地基板電極に対峙する、多数の貫通孔を有するアルミニウム製シャワー電極を備えた高周波電極とを有するチャンバーを有するプラズマＣＶＤ装置において、前記高周波電極とシャワー電極との間に、多数の貫通孔を有するアルミニウム製邪魔板が間挿されており、前記高周波電極と前記邪魔板との間隔は３〜４ｍｍの範囲内であり、前記邪魔板と前記シャワー電極との間隔は３〜４ｍｍの範囲内であることを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
　【請求項２】邪魔板およびシャワー電極は高周波電極に螺着されており、邪魔板、シャワー電極および高周波電極の側面は絶縁材により包囲されている請求項１のプラズマＣＶＤ装置。」
（ＩＩ−３−２）発明の進歩性について
（ア）引用例の記載事実
　取消理由通知に引用し、本件出願前に頒布された刊行物であることが明らかな下記引用例１〜４には、以下の事項が記載されている。
引用例１（特開昭６２−２３１０６号公報：特許異議申立の甲第１号証）
（１ａ）「電極間に位置される被処理物に、該電極に形成された吹き出し面からシャワー状に処理流体を供給しつつ高周波電力を印加することによって前記被処理物に所定の処理を施す処理装置であって、前記電極の吹き出し面が所定の間隔をおいて多重に形成されてなることを特徴とする処理装置。」（特許請求の範囲第１項）
（１ｂ）「本発明は・・・プラズマ化学気相成長技術に適用して有効な技術に関する。」（第１頁左下欄第２０行〜右下欄第３行）
（１ｃ）「吹き出し面１５の内側に吹き出し面１５と平行に、複数の反応ガス吹き出し孔１６が形成された吹き出し面１７がさらに設けられており、反応ガス１３は二重に構成された吹き出し面１７および１５を通過された後に、平板電極４に載置されたウエハ９の平面にシャワー状に供給されるように構成されている。」（第２頁右下欄第１４〜２０行）
（１ｄ）「吹き出し面１５と吹き出し面１７との間隔は、所定の放電条件下において平板電極４または平板電極５の近傍に形成される、プラズマが存在しない部分の幅、すなわち電極暗部の幅よりも小さくなるようにされており、吹き出し面１７と吹き出し面１５との間には放電が発生されないように構成されている。」（第３頁左上欄第１６行〜右上欄第２行）
引用例２（特開昭６２−２１８５７８号公報：特許異議申立の甲第２号証）
（２ａ）「上部電極と接地基板電極とからなる気相反応装置用平行平板電極において、前記上部電極は、内部に反応ガス導入路が配設されている電極シャフトに結合された有孔金属板と、該金属板を包囲する絶縁ハウジングとによって画成される空間内に、前記金属板とほぼ同径の有孔絶縁板が、前記反応ガス導入路の出口と前記金属板との間に配設されていることを特徴とする気相反応装置用電極。」（特許請求の範囲第１項）
（２ｂ）「アルミニウムのような金属板上部電極に微小な直径の孔を多数穿設し、この孔の上方から反応ガスを流し、同時に、固定式接地基板電極との間でグロー放電をかける試みがなされた。」（第２頁左下欄第８〜１２行）
（２ｃ）「本発明の上部電極は反応ガス導入路出口と有孔金属板との間に絶縁材の有孔板が配設された多重構造電極である。」（第３頁左上欄第１７〜１９行）
（２ｄ）「有孔絶縁板３５０の材質は絶縁ハウジング３３０の材質と同一であることもできるし、または、異なるものであることもできる。このような絶縁材料は当業者に周知である。」（第３頁右下欄第２０行〜第４頁左上欄第３行）
（２ｅ）「上部電極用金属板は耐食性に優れたアルミニウムで構成することが好ましい。・・・接地基板電極２００は例えば、アルミニウム製の均熱盤２１０からなる。・・・均熱盤２１０の外周縁はマイカレックスのような絶縁材２３０で囲まれている。」（第４頁左上欄第８〜１７行）
引用例３（特開平２−７３６２４号公報：特許異議申立の甲第３号証）
（３ａ）「供給されたガスを拡散するガス拡散器を膜形成用基板に対向して配設し、該ガス拡散器のうち上記膜形成用基板に対向する部分に、熱変形及び熱輻射量の少ない材料により形成したガス放射板を取付けるとともに、該ガス放射板に多数のガス放出孔を形成したことを特徴とするＣＶＤ用ガス導入装置。」（特許請求の範囲第１項）
（３ｂ）［従来の技術］として、「薄膜を基板上に形成する装置の１つとして、第５図に示すようなＣＶＤ装置が使用されており・・・。このガス導入装置５１は・・・拡散したガスをアルミニウムよりなるガス放射板５４の多数の放出孔５５から基板５２に向けて放出するように構成されている。」（第２頁左上欄第１６〜１８行）
（３ｃ）「ガス放射板６は、セラミック、石英等のような熱変形が少なく、しかも熱輻射量の少ない材料により形成されている」（第２頁右下欄第１２〜１４行）
（３ｄ）「上述した実施例では、ガス拡散板４やガス拡散器２をアルミニウムにより形成した」（第３頁右下欄第１５〜１６行）
引用例４（特開平２−１７７３２２号公報：特許異議申立の甲第４号証）
（４ａ）「処理室と、前記処理室内に設けられ半導体基板を載置する下部電極と、前記下部電極に対向して設けられガス導入孔を有する上部電極と、前記上部電極の下部に設けられ複数の孔を有するガス分散板と、前記ガス分散板の下部に設けられかつ複数の凹状部とガス吹き出し口とを有し、前記ガス分散板と共に各ガス吹きだし口からのガス吹き出し速度及び吹き出し量をほぼ同一にするためのバッファ室を構成するガス吹き出し板とを含むことを特徴とする半導体基板の処理装置。」（特許請求の範囲）
（４ｂ）「ガス吹き出し板５としては、例えば表面処理されたＡ１板からなっており」（第２頁右上欄第７〜８行）
（イ）対比・判断
１．訂正後の本件発明１について
　訂正後の本件発明１と、引用例１に記載された発明とを対比すると、▲１▼：訂正後の本件発明１では均熱板及び邪魔板が共にアルミニウム製であるのに対して、引用例１の記載では吹き出し面１５及び吹き出し面１７を構成する材料が明らかでない点、及び▲２▼：訂正後の本件発明１では、高周波電極と前記邪魔板との間隔は３〜４ｍｍ、前記邪魔板と前記シャワー電極との間隔は３〜４ｍｍの各範囲内であるのに対して、引用例１には吹き出し面１５と吹き出し面１７との間隔につき、放電が発生されないように構成することが記載されているにとどまり（摘記１ｄ）、平板電極５と吹き出し面１７との間隔、及び吹き出し面１７と吹き出し面１５との具体的間隔が明らかにされていない点で、両者は相違している。
　そこで、まず上記相違点▲２▼について検討する。
　引用例２には有孔金属板、絶縁ハウジング及び有孔絶縁板を備えた気相反応装置用電極が記載され、引用例３にはガス拡散板及びガス放射板を取り付けたガス拡散器が記載され、また、引用例４には上部電極の下部にガス分散板及びガス吹き出し板を有した半導体基板の処理装置が記載されているが、これら引用例２〜４のいずれにも、訂正後の本件発明１の構成である上記の高周波電極と前記邪魔板との間隔を３〜４ｍｍ、及び前記邪魔板と前記シャワー電極との間隔を３〜４ｍｍの各範囲内とすることの記載はない。
　そして、訂正後の本件発明１は、当該相違点▲２▼に係る構成を含む前記認定のとおりの構成を有することにより、上部電極内部での放電が起こらず、結果的に、邪魔板が一種のキャパシタとなり、シャワー電極と下部電極間の電界が強化され、多量のＣＶＤ成膜反応用材料ガスが分解可能となり、膜特性を維持したまま、堆積速度及びクリーニングレートの高速化が可能となり、スループットが向上するという、訂正明細書に記載された効果を奏したものと認められる。
　してみれば、訂正後の本件発明１は、上記相違点▲１▼についての検討を行うまでもなく、少なくとも上記相違点▲２▼に係る構成を具備する点で、引用例１〜４に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明ということはできない。
２．訂正後の本件発明２について
　訂正後の本件発明２は、訂正後の本件発明１をさらにその下位概念の構成に限定したものであるので、訂正後の本件発明１について行った前記検討と同じく、引用例１〜４に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明ということはできない。
（ＩＩ−４）訂正の適否の結論
　上記ＩＩ−３項に記載のとおり、訂正後の本件発明１及び２は、引用例１〜４に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明ということはできない。
　また、他に訂正後の本件発明１及び２について、特許出願の際独立して特許を受けることができない発明とすべき理由を発見しない。
　したがって、訂正後の本件発明１及び２は、特許出願の際独立して特許を受けることができる発明と認める。
　以上のとおりであるから、本訂正は、特許法第１２０条の４第２項ただし書き、及び同条第３項で準用する同法第１２６条第２項から第４項までの規定を満足するので、当該訂正を認める。
ＩＩＩ．特許異議申立について
（ＩＩＩ−１）特許異議申立人の主張
　特許異議申立人日本真空技術株式会社は、本件出願前に頒布された刊行物として甲第１〜４号証（引用例１〜４）を提示して、訂正前の請求項１及び２に係る発明（以下「訂正前の本件発明１」及び「訂正前の本件発明２」という。）は、甲第１〜４号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明であると主張している。
（ＩＩＩ−２）証拠の記載事実
　甲第１〜４号証には、上記（ＩＩ−３−２）の（ア）「引用例の記載事実」の欄に指摘した事項が記載されている。
（ＩＩＩ−３）判断
　訂正前の本件発明１及び２は、上記のとおり訂正後の本件発明１として訂正され、そして訂正後の本件発明１は、上記（ＩＩ−３）「独立特許要件について」の欄に記載したとおり、甲第１〜４号証（引用例１〜４）に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明ということはできない。
ＩＶ．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立人の主張する理由及び提示した証拠によっては、訂正後の本件発明１に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に訂正後の本件発明１に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１１年１１月９日（１９９９．１１．９）
【訂正の要旨】
訂正事項（特許請求の範囲の訂正）
　【請求項１】及び【請求項２】を新たに【請求項１】とし、【請求項３】を新たに【請求項２】として、次のとおりに訂正する。
「【請求項１】接地基板電極を構成するアルミ製均熱板を上面に有し、このアルミ製均熱板を加熱するためのヒータを有するサセプタと、このサセプタ上の接地基板電極に対峙する、多数の貫通孔を有するアルミニウム製シャワー電極を備えた高周波電極とを有するチャンバーを有するプラズマＣＶＤ装置において、前記高周波電極とシャワー電極との間に、多数の貫通孔を有するアルミニウム製邪魔板が間挿されており、前記高周波電極と前記邪魔板との間隔は３〜４ｍｍの範囲内であり、前記邪魔板と前記シャワー電極との間隔は３〜４ｍｍの範囲内であることを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
　【請求項２】邪魔板およびシャワー電極は高周波電極に螺着されており、邪魔板、シャワー電極および高周波電極の側面は絶縁材により包囲されている請求項１のプラズマＣＶＤ装置。」
　なお、上記訂正は特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
（５４）【発明の名称】
プラズマＣＶＤ装置
（５７）【特許請求の範囲】
　　【請求項１】　接地基板電極を構成するアルミ製均熱板を上面に有し、このアルミ製均熱板を加熱するためのヒータを有するサセプタと、このサセプタ上の接地基板電極に対峙する、多数の貫通孔を有するアルミニウム製シャワー電極を備えた高周波電極とを有するチャンバーを有するプラズマＣＶＤ装置において、前記高周波電極とシャワー電極との間に、多数の貫通孔を有するアルミニウム製邪魔板が間挿されて
おり、前記高周波電極と前記邪魔板との間隔は３〜４ｍｍの範囲内であり、前記邪魔板と前記シャワー電極との間隔は３〜４ｍｍの範囲内である
　　【請求項２】　
邪魔板およびシャワー電極は高周波電極に螺着されており、邪魔板、シャワー電極および高周波電極の側面は絶縁材により包囲されている請求項１のプラズマＣＶＤ装置。
【発明の詳細な説明】
　　　【０００１】
　　【産業上の利用分野】
　本発明はプラズマＣＶＤ装置に関する。更に詳細には、本発明は膜特性を維持したまま、クリーニングレートおよび堆積速度を高速化することができるプラズマＣＶＤ装置に関する。
　　　【０００２】
　　【従来の技術】
　半導体１Ｃの製造においては、ウエハの表面に酸化シリコンなどの薄膜を形成する工程がある。薄膜の形成方法には化学的気相成長法（ＣＶＤ）が用いられており、ＣＶＤ法は大別すると、常圧法、減圧法およびプラズマ法の３種類がある。最近の超しＳＩにおいては高集積化に対応して高品質で高精度な薄膜が要求され、従来の常圧、または減圧ＣＶＤ法では対応が困難となり、プラズマＣＶＤ法が注目されている。
　　　【０００３】
　このプラズマＣＶＤ法は真空中において反応ガスをグロー放電させてプラズマ化して反応に必要なエネルギーを得るもので、ステップカバレージ（まわり込み、またはパターン段差部の被覆性）が良好で、また膜質が強くて耐湿性が優れているなどの特長があり、さらに成膜速度（デポレート）が減圧法に比べて極めて速い点が有利である。
　　　【０００４】
　　【発明が解決しようとする課題】
　従来から使用されているプラズマＣＶＤ装置の一例を図１に示す。図において、チャンバー（反応炉）１０は気密とされ、そのベース１０１にヒーターユニット２１と均熱板２２とよりなるサセプタ２０を固設し、これを接地電極とする。チャンバーの蓋板１０２に金属製のノズル部（高周波電極）３０を固定し、その下部にアルミニウム製の円盤状のシャワー電極４０を絶縁リング１０３により支持する。シャワー電極に対して高周波電圧を印加する高周波電源７が設けられる。反応処理においては、チャンバー１０の側面に設けられた搬入／搬出路５０のゲート５１を開き、キャリッジ５２によりウエハ６を搬入して均熱板２２に載置する。ゲートを閉じてチャンバー内部を真空とした後、ヒーターユニット２１により均熱板が加熱され、これに載置されたウエハが所定の温度となると、インレット３１，３２より所定の反応ガスおよびキャリヤーガスが吸入されてノズル部３０の内部で混合され、シャワー電極の噴射孔４１より噴射される。ここで、シャワー電極に高周波電圧が印加されるとグロー放電により反応ガスがプラズマ化し、反応による生成物がウエハの表面に蒸着して薄膜が形成される。反応後のガスは矢印の経路を通って排気口１０４より外部に排出される。
　　　【０００５】
　従来の高周波電極とシャワー電極との組み合わせでは印加電圧を高めるとクリーニングレートと堆積速度は高まるが、膜特性が変化し、一定の品質を有するＣＶＤ膜を得ることができなかった。
　　　【０００６】
　従って、本発明の目的は、膜特性を維持したまま、クリーニングレートおよび堆積速度を高速化することのできるプラズマＣＶＤ装置を提供することである。
　　　【０００７】
　　【課題を解決するための手段】
　前記目的を達成するために、本発明では、接地基板電極を構成するアルミ製均熱板を上面に有し、このアルミ製均熱板を加熱するためのヒータを有するサセプタと、このサセプタ上の接地基板電極に対峙する、多数の貫通孔を有するアルミニウム製シャワー電極を備えた高周波電極とを有するチャンバーを有するプラズマＣＶＤ装置において、前記高周波電極とシャワー電極との間に、多数の貫通孔を有するアルミニウム製邪魔板が間挿されていることを特徴とするプラズマＣＶＤ装置を提供する。
　　　【０００８】
　　【作用】
　本発明のプラズマＣＶＤ装置では、高周波電極とシャワー電極との間に邪魔板が間挿されているので、この邪魔板が一種のキャパシタとなり、シャワー電極と下部電極間の電界を強化する。電界を強化することで、多量のＣＶＤ成膜反応用材料ガスが分解可能となり、膜特性を維持したまま、堆積速度およびクリーニングレートの高速化が可能となる。堆積速度およびクリーニングレートの高速化によりスループットが向上する。
　　　【０００９】
　　【実施例】
　以下、図面を参照しながら本発明のプラズマＣＶＤ装置の一例について更に詳細に説明する。
　　　【００１０】
　図２は本発明のプラズマＣＶＤ装置における上部電極の部分概要断面図である。図示されているように、高周波電極３０とシャワー電極４０の間に邪魔板６０が間挿されている。高周波電極３０と邪魔板６０とにより形成される第１の空間６２の高さ、すなわち、高周波電極３０と邪魔板６０との間隔は、内部で放電を起こさせないようにするため、３〜４ｍｍ程度は必要である。同様に、邪魔板６０とシャワー電極４０とにより形成される第２の空間６６の高さ、すなわち、邪魔板６０とシャワー電極４０との間隔は、内部で放電を起こさせないようにするため、３〜４ｍｍ程度は必要である。
　　　【００１１】
　シャワー電極４０および邪魔板６０はネジ６８で高周波電極３０に固定し、周囲を絶縁リング１０３で取り囲むことにより内部を密閉させる。
　　　【００１２】
　邪魔板６０は例えば、アルミニウムから構成されており、直径が１７５ｍｍ〜２１０ｍｍの範囲内で、肉厚は１０ｍｍである。表面には直径０．５ｍｍ〜０．７ｍｍの貫通孔が４〜５ｍｍピッチで開設されている。ちなみに、シャワー電極もアルミニウムから構成されており、直径が１７５ｍｍ〜２１０ｍｍの範囲内で、肉厚は３〜５ｍｍであり、表面には直径０．５〜０．７ｍｍの貫通孔が２〜４ｍｍのピッチで開設されている。
　　　【００１３】
　邪魔板は高周波電極とシャワー電極との間で一種のキャパシタとなるものであればよいので、素材としてはアルミニウム以外にも、例えば、サファイヤ、ＳｉＯ２およびアルミナなどが使用できる。また、肉厚も２〜１５ｍｍの範囲内で変化させ、開孔直径も２０〜２１０ｍｍの範囲内で変化させることができる。邪魔板の肉厚および開孔直径はシャワー電極の肉厚および開孔直径と同一である必要はない。
　　　【００１４】
　　【発明の効果】
　以上説明したように、本発明のプラズマＣＶＤ装置における上部電極では、高周波電極とシャワー電極との間に邪魔板が間挿されているので、この邪魔板が一種のキャパシタとなり、シャワー電極と下部電極間の電界を強化する。電界を強化することで、多量のＣＶＤ成膜反応用材料ガスが分解可能となり、膜特性を維持したまま、堆積速度およびクリーニングレートの高速化が可能となる。堆積速度およびクリーニングレートの高速化によりスループットが向上する。
【図面の簡単な説明】
　　【図１】
　従来のプラズマＣＶＤ装置の一例の構成を示す模式的断面図である。
　　【図２】
　本発明による上部電極の一例の部分概要断面図である。
　　【符号の説明】
　１　プラズマＣＶＤ装置
　６　ウエハ
　７　高周波電源
１０　チャンバー（反応炉）
１０１　ベース
１０２　蓋板
１０３　絶縁リング
１０４　排気口
２０　サセプタ
２１　ヒータユニット
２２　均熱板
３０　ノズル部
３１，３２　インレット
４０　シャワー電極
４１　噴射孔
５０　搬入／搬出路
５１　ゲート
５２　キャリッジ
６０　邪魔板
６２　第１の空間
６４　貫通孔
６６　第２の空間
６８　ネジ