【事件の表示】
　特許第２８００６６６号「窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子」の請求項１ないし２に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結論】
　訂正を認める。
　特許第２８００６６６号の請求項１ないし２に係る特許を維持する。
【理由】
１．手続の経緯
　本件特許第２８００６６６号の請求項１及び２に係る発明（以下、本件発明１及び２という。）は、平成５年１２月１７日に特許出願され、平成１０年７月１０日に設定登録され、その後、特許異議の申立がなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１１年８月２３日に訂正請求がなされたものである。
２．訂正の適否についての判断
　ア．訂正の内容
　訂正事項ａ
　特許請求の範囲の請求項１において、「ｎ型ＧａＮ層の上に、」を「ｎ型ＧａＮよりなるｎコンタクト層の上に、」と訂正する。
　訂正事項ｂ
　特許請求の範囲の請求項１において、「さらに前記ｎクラッド層、活性層およびｐクラッド層は幅５０μｍ以下のストライプ形状を有する」を「さらに前記ｎクラッド層、活性層及びｐクラッド層は幅５０μｍ以下のストライプ形状を有しており、前記ｎコンタクト層の表面に直接ｎ層オーミック電極が形成された」と訂正する。
　訂正事項ｃ
　特許請求の範囲の請求項２において、「少なくとも前記ｐクラッド層は幅５０μｍ以下のストライプ形状を有しており、さらにそのｐクラッド層はアニーリングにより低抵抗にされていることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子。」を「前記ｐクラッド層上にはｐ型ＧａＮコンタクト層を備え、かつ少なくとも前記ｐクラッド層及びｐ型ＧａＮコンタクト層は幅５０μｍ以下のストライプ形状とされ、さらに前記ｐクラッド層及び前記ｐ型ＧａＮコンタクト層はストライプ形状とされた後にアニーリングにより低抵抗化されていることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子。」と訂正する。
　訂正事項ｄ
　発明の詳細な説明【０００６】において、「ｎ型ＧａＮ層の上に、」（段落【０００６】２行）を「ｎ型ＧａＮ層よりなるｎコンタクト層上に、」と訂正する。
　訂正事項ｅ
　発明の詳細な説明【０００６】において、「さらに前記ｎクラッド層、活性層およびｐクラッド層は幅５０μｍ以下のストライプ形状を有する」（段落【０００６】１７行〜９行）を「さらに前記ｎクラッド層、活性層及びｐクラッド層は幅５０μｍ以下のストライプ形状を有しており、前記ｎコンタクト層の表面に直接ｎ層オーミック電極が形成された」と訂正する。
　訂正事項ｆ
　発明の詳細な説明【０００７】において、「また、本発明のレーザ素子は、ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体よりなるｎクラッド層と、ｎ型あるいはｐ型の窒化ガリウム系化合物半導体よりなる活性層と、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体よりなるｐクラッド層とが順に積層されたダブルヘテロ構造を有しており、少なくとも前記ｐクラッド層は幅５０μｍ以下のストライプ形状を有しており、さらにそのｐクラッド層はアニーリングにより低抵抗にされていることを特徴とする。」を「また、本発明のレーザ素子は、ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体よりなるｎクラッド層と、ｎ型あるいはｐ型の窒化ガリウム系化合物半導体よりなる活性層と、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体よりなるｐクラッド層とが順に積層されたダブルヘテロ構造を有しており、前記ｐクラッド層上にはｐ型ＧａＮコンタクト層を備え、かつ少なくとも前記ｐクラッド層及びｐ型ＧａＮコンタクト層は幅５０μｍ以下のストライプ形状とされ、さらに前記ｐクラッド層及び前記ｐ型ＧａＮコンタクト層はストライプ形状とされた後にアニーリングにより低抵抗化されていることを特徴とする。」と訂正する。
　イ．訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　上記訂正は、特許請求の範囲の減縮に該当し、新規事項の追加に該当せず、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
　ウ．独立特許要件の判断
　（訂正発明）
　訂正後の本件発明１及び２（以下、訂正発明１及び２という。）は、その訂正明細書の請求項１及び２に記載された次のとおりのものである。
「【請求項１】ｎ型ＧａＮ層の上に少なくともｎ型窒化ガリウム系化合物半導体よりなるｎクラッド層と、ｎ型あるいはｐ型の窒化ガリウム系化合物半導体よりなる活性層と、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体よりなるｐクラッド層とが順に積層されたダブルヘテロ構造を有しており、さらに前記ｎクラッド層、活性層およびｐクラッド層は幅５０μｍ以下のストライプ形状を有しており、前記ｎコンタクト層の表面に直接ｎ層オーミック電極が形成されたことを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子。
　【請求項２】ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体よりなるｎクラッド層と、ｎ型あるいはｐ型の室化ガリウム系化合物半導体よりなる活性層と、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体よりなるｐクラッド層とが順に積層されたダブルヘテロ構造を有しており、
　前記ｐ型クラッド層上にはｐ型ＧａＮコンタクト層を備え、かつ少なくとも前記ｐクラッド層及びｐ型ＧａＮコンタクト層は幅５０μｍ以下のストライプ形状とされ、さらに前記ｐクラッド層及び前記ｐ型ＧａＮコンタクト層はストライプ形状とされた後にアニーリングにより低抵抗にされていることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子。」
　（引用刊行物）
　当審の取消理由通知に引用した特開平２−２２９４７５号公報（以下、「刊行物１」という。）の明細書第５頁右下欄第１３行目乃至第６頁左上欄第８行目および図９には、
「膜厚５μｍのＳｎドープｎ型ＩｎＧａＡｌＮクラッド層１８、アンドープＩｎＧａＮ層１９、膜厚２μｍのＺｎドープｐ型ＩｎＧａＡｌＮクラッド層２０が積層され、活性層およびクラッド層がストライプ状に設けられ、活性層幅が０．８μｍである」ことが記載されている。
　同じく特開平５−２４３６１４号公報（以下、「刊行物２」という。）の明細書段落【００５０】〜段落【００５５】には、
「ｎ型ＧａＮ上にｎ型ＡｌＧａＮクラッド層、ＧａＮ活性層、Ｐ型ＡＩＧａＮクラッド層、さらにはＰ型ＧａＮコンタクト層が形成された半導体レーザ素子が記載されている。
　また、段落【００５７】には、本発明に記載の実施例と同様の製造方法を利用して、ストライプ構造をもつ半導体レーザを製造することができると記載されている。
　さらに、段落【００３１】にはアクセプター不純物としてＺｎ以外にＭｇ，Ｂｅなどの他のＩＩ族元素を用いても同様にＰ型結晶が得られることが記載されている。
　同じく特開平５−１８３１８９号公報（以下、「刊行物３」という。）には、例えば、その明細書第２頁の特許請求の範囲に、
「Ｐ型不純物をドープした窒化ガリウム系化合物半導体を形成した後、アニールを行うことで低抵抗のＰ型窒化ガリウム系化合物半導体を製造する」ことが記載されている。
　（対比・判断）
　（１）訂正発明１について
　訂正発明１の「ｎクラッド層、活性層およびｐクラッド層は幅５０μｍ以下のストライプ形状を有しており、前記ｎコンタクト層の表面に直接ｎ層オーミック電極が形成された」ことは、上記刊行物１〜３のいずれにも記載も示唆もされていない。
　そして、訂正発明１は、「ｎクラッド層、活性層およびｐクラッド層は幅５０μｍ以下のストライプ形状を有しており、前記ｎコンタクト層の表面に直接ｎ層オーミック電極が形成された」ことにより、レーザ素子の発光出力を増大できるという作用効果を呈するものである。
　したがって、訂正発明１は、上記刊行物１〜３に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明することができたものとすることができない。
　（２）訂正発明２について
　訂正発明２の「少なくとも前記ｐクラッド層及びｐ型ＧａＮコンタクト層は幅５０μｍ以下のストライプ形状とされ、さらに前記ｐクラッド層及び前記ｐ型ＧａＮコンタクト層はストライプ形状とされた後にアニーリングにより低抵抗にされている」ことは、上記刊行物１〜３のいずれにも記載も示唆もされていない。
　そして、訂正発明２は、「少なくとも前記ｐクラッド層及びｐ型ＧａＮコンタクト層は幅５０μｍ以下のストライプ形状とされ、さらに前記ｐクラッド層及び前記ｐ型ＧａＮコンタクト層はストライプ形状とされた後にアニーリングにより低抵抗にされている」ことにより、ｐ型ドーパントをドープした半導体層内の水素ガスが半導体層側面から放出しやすくなり面内均一に低抵抗化されるという作用効果を呈するものである。
　したがって、訂正発明２は、上記刊行物１〜３に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明することができたものとすることができない。
　（３）むすび
　以上のとおり、訂正発明１及び２は、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができない発明とすることができない。
　エ．むすび
　したがって、上記訂正請求は、特許法第１２０条の４第２項及び同条第３項でさらに準用する第１２６条第２〜４項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
３．特許異議申立についての判断
　ア．異議申立の理由の概要
　異議申立人　シャープ株式会社は、証拠として甲第１号証（特開平２一２２９４７５号公報）、甲第２号証（特開平５一２４３６１４号公報）及び甲第３号証（特開平５一１８３１８９号公報）を提出し、異議申立人　依田昌三は、証拠として甲第１号証（特開平４−２１３８７８号公報）及び甲第２号証（特開平５−１８３１８９号公報）を提出し、そして、異議申立人　鈴木昭久は、証拠として甲第１号証（Ｊｐｎ，Ｊ，Ａｐｐｌ，Ｐｈｙｓ，Ｖｏｌ，３１（１９９２）ｐｐ．１２５８−１２６６、１９９２年５月発行）第１２６４頁右欄第３０行〜第３４行、第１２６５頁左欄第２５行〜第３９行、図１０）、甲第２号証（特開平５一１８３１８９号公報）、甲第３号証（特開平４−２４２９８５号公報）、甲第４号証（ＨＣ，Ｃａｓｅｙ，Ｊｒ，ａｎｄ　Ｍ，Ｂ，Ｐａｎｉｓｈ，″ＨＥＴＥＲＯＳＴＲＵＣＴＵＲＥ　ＬＡＳＥＲＳ″，ＰＡＲＴ　Ｂ，ＡＣＡＤＥＭＩＣ　ＰＲＥＳＳ（１９７８）ｐｐ，２１２−２１３）、１９７８年発行）及び甲第５号証（特開平５−２３５４６８号公報）を提出し、訂正発明１及び２は、特許法第２９条第１項第３号に該当し、又は、同法同条第２項の規定に違反して、もしくは同法第３６条４項又は第５項の規定に違反して、特許されたものであるから、それらの特許は取り消されるべき旨それぞれ主張している。
　イ．異議申立人が提出した甲各号証に記載の発明
　（１）異議申立人　シャープ株式会社が提出した甲各号証について
　上記「２．ウ．（引用刊行物）」を参照。
　（２）異議申立人　依田昌三が提出した甲各号証について
　甲第１号証（特開平４−２１３８７８号公報、以下、「刊行物４」という。）には、
「［実施例４］図６は、本発明の実施例４を説明する図で、・・・この素子の構造はダブルヘテロ構造を有する埋め込み型レーザである。」（甲第１号証第４頁段落番号【００１８】）ということが、
「この素子は、・・・膜厚３μｍのドープＩｎＧａＡｌＮクラッド層４３、膜厚０．５μｍのノンドープＩｎＧａＮ活性層４４、膜厚２μｍのＺｎドープＩｎＧａＡｌＮ層クラッド層４５・・・・から構成される。」（甲第１号証第４頁段落番号【００１８】）ということが、
「共振器長は３００μｍで、活性層幅は０．８μｍである。」（甲第１号証第４頁段落番号【００１８】）ということが、それぞれ図面と共に記載されている。
　甲第２号証（特開平５−１８３１８９号公報、以下、「刊行物５」という。）には、
「図１は、ｐ型不純物をドープした窒化ガリウム系化合物半導体層がアニーリングによって低抵抗なｐ型に変わることを示す図である。」（甲第２号証第３頁段落番号【００１４】）ということが、
「成長後アニーリングを行うことにより、Ｍｇ−Ｈ、Ｚｎ−Ｈ等の形で結合している水素が熱的に解離されて、ｐ型不純物をドープした窒化ガリウム系化合半導体層から出て行き、正常にｐ型不純物がアクセプターとして働くようになるため、低抵抗なｐ型窒化ガリウム系化合物半導体が得られる・・・・」（甲第２号証第４頁段落番号【００２３】）ということが、それぞれ図面と共に記載されている。
　（３）異議申立人　鈴木昭久が提出した甲各号証について
　甲第１号証（Ｊｐｎ，Ｊ，Ａｐｐｌ，Ｐｈｙｓ，Ｖｏｌ，３１（１９９２）ｐｐ．１２５８−１２６６、１９９２年５月発行）第１２６４頁右欄第３０行〜第３４行、第１２６５頁左欄第２５行〜第３９行、図１０、以下、「刊行物６」という。）には、その第１２６４頁右欄第３０行〜第３４行には、
「これらの８００℃でＮＨ３雰囲気の熱的アニーリングが行われたＧａＮ膜に対してＮ２雰囲気の熱的アニーリングを行った後には、Ｎ２雰囲気の熱的アニーリングによりＭｇ−Ｈ複合体からＨ原子が除去されたために、青色発光の強度が強くなり、ＤＬ発光が消失する。」と記載され、
　同第１２６５頁右欄第２５行〜第３９行には、
「上述の試料について、使用するプロセスにかかわらず、すなわち、ＬＥＥＢＩ処理か熱的アニーリングかにかかわらず、ｐ層の厚さが４μｍであると仮定して、正孔キャリア濃度及び比抵抗の計算が行われた。この仮定が正しいか否かを確認するため、１５ｋＶのＬＥＥＢＩあるいは７５０℃の温度でＮ２雰囲気の条件のアニーリングの処理が行われた試料に対してステップエッチが行われた。
　ＬＥＥＢＩ処理あるいはＮ２雰囲気の熱的アニーリングの前は、これらの試料の比抵抗は約１×１０６Ω・ｃｍであった。各ステップエッチの後に、比抵抗が測定された。典型的な結果が図１０に示されている。Ｎ２雰囲気の熱的アニーリングが行われたＧａＮ膜の結果は、４μｍ厚のＧａＮ膜の全体にわたって比抵抗がほぼ一定（約２Ω・ｃｍ）であることを示す。」と記載されている。
　甲第２号証（特開平５一１８３１８９号公報、以下、「刊行物７」という。）には、その第４頁左欄第２２行〜第３９行には、
「【００２１】
　アニーリングにより低抵抗なｐ型窒化ガリウム系化合物半導体が得られる理由は以下のとおりであると推察される。
　【００２２】即ち、窒化ガリウム系化合物半導体層の成長において、Ｎ源として、一般にＮＨ３が用いられており、成長中にこのＮＨ３が分解して原子状水素ができると考えられる。この原子状水素がアクセプター不純物としてドープされたＭｇ、Ｚｎ等と結合することにより、Ｍｇ、Ｚｎ等のｐ型不純物がアクセプターとして働くのを妨げていると考えられる。このため、反応後のｐ型不純物をドープした窒化ガリウム系化合物半導体は高抵抗を示す。
　【００２３】ところが、成長後アニーリングを行うことにより、Ｍｇ−Ｈ、Ｚｎ−Ｈ等の形で結合している水素が熱的に解離されて、ｐ型不純物をドープした窒化ガリウム系化合物半導体層から出て行き、正常にｐ型不純物がアクセプターとして働くようになるため、低抵抗なｐ型窒化ガリウム系化合物半導体が得られるのである。」と記載され、
　また、その第２頁右欄第２２行〜第２６行には、
「【０００５】しかしながら、窒化ガリウム系化合物半導体を有する青色発光デバイスは未だ実用化には至っていない。なぜなら、窒化ガリウム系化合物半導体が低抵抗なｐ型にできないため、ダブルヘテロ、シングルヘテロ等の数々の構造の発光素子ができないからである。」と記載されている。
　甲第３号証（特開平４−２４２９８５号公報、以下、「刊行物８」という。）には、その第５頁左欄第４４行〜右欄第２２行には、
「【００５２】（４）ＧａＮ基板の場合
　ＧａＮ基板上に作成したレーザダイオードを図４に示す。低抵抗ｎ型ＧａＮの（０００１）面基板２３を有機洗浄の後、リン酸＋硫酸系エッチャントによりエッチングの後、この基板２３を結晶成長部に設置する。次に、成長炉を真空排気の後、水素及びＮＨ３を供給し、基板温度を１０４０℃にして、５分間放置する。次に、ＴＭＧ及びＳｉＨ４を更に加えてｎ型ＧａＮ緩衝層２４を０．５〜１μｍの厚さに形成した。
　【００５３】次に、ＴＭＡを加え、ｎ型ＧａＡｌＮ層２５を成長させた。次に、ｎ型ＧａＡｌＮ層２５の上に、前記のＳｉ基板を用いたレーザダイオードと同一構造に、同一ガスを用いて、同一成長条件で、それぞれ、ＧａＮ層２６を０．５μｍ、ＭｇドープＧａＡｌＮ層２７（ｐ層）を０．５μｍの厚さに形成した。次に、ＭｇドープＧａＡｌＮ層２７上にＳｉＯ２層２９を堆積した後、縦１ｍｍ、横５０μｍの短冊状に窓２９Ａを開け、真空チャンバに移して、ＭｇドープＧａＡｌＮ層２７（ｐ層）に電子線を照射した。電子線の照射条件は前実施例と同様である。
　【００５４】その後、ＳｉＯ２層２９側からＭｇドープＧａＡｌＮ層２７（ｐ層）に対する電極２８Ａを形成し、他方、基板２３の裏面にｎ型ＧａＡｌＮ層２５（ｎ層）に対する電極２８Ｂを形成した。
　【００５６】上記のいずれの構造のレーザダイオードも、室温においてレーザ発振した。」と記載されている。
　甲第４号証（ＨＣ，Ｃａｓｅｙ，Ｊｒ，ａｎｄ　Ｍ，Ｂ，Ｐａｎｉｓｈ，″ＨＥＴＥＲＯＳＴＲＵＣＴＵＲＥ　ＬＡＳＥＲＳ″，ＰＡＲＴ　Ｂ，ＡＣＡＤＥＭＩＣ　ＰＲＥＳＳ（１９７８）ｐｐ．２１２−２１３）、１９７８年発行、以下、「刊行物９」という。）の第２１２頁第１行〜第２１３頁第１行には、「接合ストライプ形状レーザと呼ばれるＺｎ拡散構造が図７．６−４ａに示されている。ストライプ領域はＳｉ３Ｎ。膜でマスクされ、６５０℃でＮ−ＡｌｘＧａｌ−ｘＡｓ層にＺｎが拡散された。Ｓｉ３Ｎ４膜はコンタクトメタライゼーションのために除去される。同様な電流閉じ込めは図７．６−４ｂに示される横方向接合ストライプ（ＴＪＳ）形状レーザで得られる。この場合の注入はｎ−ＧａＡｓ層からＺｎ拡散ｐ−ＧａＡｓに行うものであるため、このデバイスは非常に薄いホモ接合レーザである。他の層への注入電流に影響を及ぼす条件は７．７節で議論されるであろう。
　メサストライプ広い面積のレーザの断面積は図７．６−５ａに示されるメサストライプ形状ＤＨレーザの使用によっても低減された。これらのレーザはストライプをフォトリングラフィーによりマスクし、４−Ｈ２ＳＯ４：１−Ｈ２Ｏ２：１−Ｈ２Ｏでエッチングすることにより作製される。」と記載され、
　更に、同第２１３頁中の図７．６−５の説明には、
「図７．６−５（ａ）メサストライプ形状ＤＨレーザ。ストライプ領域の幅は１０−４０μｍであり、共振器長は２００−６００μｍである（文献１１８）。（ｂ）メサストライプ形状レーザのヒートシンキング及びマウンティング（文献１１９）。」と記載されている。
　甲第５号証（特開平５−２３５４６８号公報、以下、「刊行物１０」という。）の第４頁右欄第２４行〜第４５行には、
「【００１８】次に本発明の半導体レーザ装置の製造方法について説明する。図４はその半導体レーザ装置の製造工程図である。まず図４（ａ）に示すように、ｎ型のＧａＡｓ基板１の上にＭＯＣＶＤまたはＭＢＥ成長法により、ｎ型のＧａＡｓバッファ層２（厚さ、０．５μｍ）、ｎ型のＧａ０．５Ａｌ０．５Ａｓクラッド層３（厚さ、１μｍ）、Ｇａ０．８５Ａｌ０．１５Ａｓ活性層４（厚さ、０．０７μｍ）、ｐ型のＧａ０．５Ａｌ０．５Ａｓクラッド層５（厚さ、１μｍ）およびｐ型のＧａＡｓ保護層７（厚さ、０．２μｍ）を形成する。この保護層７電流が流れるｐ型Ｇａ０．５Ａｌ０．５Ａｓクラッド層５の表面酸化を防止するのに必要である。なお活性層４の導電型は特に記載しないが、ｐ型であってもｎ型であっても、またアンドープであってもかまわない。
　【００１９】次に図４（ｂ）に示すように、ストライプ状に窒化膜（窒化シリコン、窒化タングステン）または酸化シリコン膜等の誘電体膜９を形成し、この誘電体膜９をマスクとしてエッチングを行い、リッジ５ａ以外の領域のｐ型のＧａ０．５Ａｌ０．５Ａｓクラッド層５の厚さ（ｄｐ）は、０．１５μｍとした。」と記載されている。
　ウ．当審の判断
　（特許法第３６条第４項又は第５項違反について）
　異議申立人　依田昌三は”訂正発明２は、半導体レーザ素子という物に関する発明であるにも係わらず、アニーリングという方法を含んでいるから、不明瞭である”と、そしてまた、”訂正発明２は、その「アニーリングにより低抵抗にされている」の抵抗値の範囲が不明であるから、不明瞭である”と、主張している。
　ところが、低抵抗のｐ型導電性窒化ガリウム系化合物半導体には電子線照射により形成されたものとアニーリングにより形成されたものとがあるが、両者を区別するためにはアニーリングという方法的表現以外に適切な表現がなく、また、それにより低抵抗のｐ型導電性窒化ガリウム系化合物半導体を特定することができる。
　そして、ｐ型導電性窒化ガリウム系化合物半導体の「アニーリングにより低抵抗にされている」の抵抗値の範囲は当業者に周知である。
　してみると、異議申立人　依田昌三の上記主張は当を得ないものである。
　異議申立人　鈴木昭久は”「ストライプ幅を５０μｍ以下にする」ことは、ｐ型ドーパントをドープした窒化ガリウム系化合物半導体層内の水素が放出されやすくなる観点からは、実質的に無意味の限定である”と主張している。
　しかし、本件特許明細書の第３頁右欄第１０行〜第１３行に「ストライプ幅を５０μｍ以下にしてアニーリングすることにより、ｐ型ドーパントをドープした半導体層内の水素ガスが半導体層側面から放出しやすくなる」と記載されているように、「ストライプ幅を５０μｍ以下にする」ことは、「水素ガスが半導体層側面から放出しやすくなる」ことと直接に関連しており、無意味の限定でないことは明らかである。
　してみると、上記異議申立人　鈴木昭久の上記主張は当を得ないものである。
　したがって、訂正発明１及び２の特許は、特許法第３６条第４項又は第５項の規定に違反してされたものとすることができない。
　（特許法第２９条第２項違反について）
　（１）訂正発明１について
　訂正発明１の「ｎクラッド層、活性層およびｐクラッド層は幅５０μｍ以下のストライプ形状を有しており、前記ｎコンタクト層の表面に直接ｎ層オーミック電極が形成された」ことは、上記刊行物１〜１０のいずれにも記載も示唆もされていない。
　そして、訂正発明１は、「ｎクラッド層、活性層およびｐクラッド層は幅５０μｍ以下のストライプ形状を有しており、前記ｎコンタクト層の表面に直接ｎ層オーミック電極が形成された」ことにより、レーザ素子の発光出力を増大できるという作用効果を呈するものである。
　したがって、訂正発明１は、上記刊行物１〜１０に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明することができたものとすることができないから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、または、同法同条第２項の規定に違反して特許されたものとすることができない。
　（２）訂正発明２について
　訂正発明２の「少なくとも前記ｐクラッド層及びｐ型ＧａＮコンタクト層は幅５０μｍ以下のストライプ形状とされ、さらに前記ｐクラッド層及び前記ｐ型ＧａＮコンタクト層はストライプ形状とされた後にアニーリングにより低抵抗にされている」ことは、上記刊行物１〜１０のいずれにも記載も示唆もされていない。
　そして、訂正発明２は、「少なくとも前記ｐクラッド層及びｐ型ＧａＮコンタクト層は幅５０μｍ以下のストライプ形状とされ、さらに前記ｐクラッド層及び前記ｐ型ＧａＮコンタクト層はストライプ形状とされた後にアニーリングにより低抵抗にされている」ことにより、ｐ型ドーパントをドープした半導体層内の水素ガスが半導体層側面から放出しやすくなり面内均一に低抵抗化されるという作用効果を呈するものである。
　したがって、訂正発明２は、上記刊行物１〜１０に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明することができたものとすることができないから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、または、同法同条第２項の規定に違反して特許されたものとすることができない。
　エ．むすび
　以上のとおり、異議申立の理由及び証拠によっては、訂正発明１及び２の特許を取り消すことができない。
　また、他に訂正発明１及び２の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１１年９月３０日（１９９９．９．３０）
【訂正の要旨】
訂正事項
　訂正事項ａ
　特許請求の範囲の請求項１において、
　「ｎ型ＧａＮ層の上に、」を「ｎ型ＧａＮよりなるｎコンタクト層の上に、」と訂正する。
　訂正事項ｂ
　特許請求の範囲の請求項１において、
　「さらに前記ｎクラッド層、活性層およびｐクラッド層は幅５０μｍ以下のストライプ形状を有する」を「さらに前記ｎクラッド層、活性層及びｐクラッド層は幅５０μｍ以下のストライプ形状を有しており、前記ｎコンタクト層の表面に直接ｎ層オーミック電極が形成された」と訂正する。
　訂正事項ｃ
　特許請求の範囲の請求項２において、
　「少なくとも前記ｐクラッド層は幅５０μｍ以下のストライプ形状を有しており、さらにそのｐクラッド層はアニーリングにより低抵抗にされていることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子。」を「前記ｐクラッド層上にはｐ型ＧａＮコンタクト層を備え、かつ少なくとも前記ｐクラッド層及びＰ型ＧａＮコンタクト層は幅５０μｍ以下のストライプ形状とされ、さらに前記Ｐクラッド層及び前記Ｐ型ＧａＮコンタクト層はストライプ形状とされた後にアニーリングにより低抵抗化されていることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子。」と訂正する。
　訂正事項ｄ
　発明の詳細な説明【０００６】において、
　「ｎ型ＧａＮ層の上に、」（段落【０００６】２行）を「ｎ型ＧａＮ層よりなるｎコンタクト層上に、」と訂正する。
　訂正事項ｅ
　発明の詳細な説明【０００６】において、
　「さらに前記ｎクラッド層、活性層およびｐクラッド層は幅５０μｍ以下のストライプ形状を有する」（段落【０００６】７行〜９行）を「さらに前記ｎクラッド層、活性層及びｐクラッド層は幅５０μｍ以下のストライプ形状を有しており、前記ｎコンタクト層の表面に直接ｎ層オーミック電極が形成された」と訂正する。
　訂正事項ｆ
　発明の詳細な説明【０００７】において、
　「また、本発明のレーザ素子は、ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体よりなるｎクラッド層と、ｎ型あるいはｐ型の窒化ガリウム系化合物半導体よりなる活性層と、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体よりなるｐクラッド層とが順に積層されたダブルヘテロ構造を有しており、少なくとも前記ｐクラッド層は幅５０μｍ以下のストライプ形状を有しており、さらにそのｐクラッド層はアニーリングにより低抵抗にされていることを特徴とする。」を「また、本発明のレーザ素子は、ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体よりなるｎクラッド層と、ｎ型あるいはｐ型の窒化ガリウム系化合物半導体よりなる活性層と、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体よりなるｐクラッド層とが順に積層されたダブルヘテロ構造を有しており、
　前記ｐクラッド層上にはｐ型ＧａＮコンタクト層を備え、かつ少なくとも前記ｐクラッド層及びｐ型ＧａＮコンタクト層は幅５０μｍ以下のストライプ形状とされ、さらに前記ｐクラッド層及び前記ｐ型ＧａＮコンタクト層はストライプ形状とされた後にアニーリングにより低抵抗化されていることを特徴とする。」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子
（５７）【特許請求の範囲】
　　【請求項１】　ｎ型ＧａＮ層よりなるｎコンタクト層上に、少なくともｎ型窒化ガリウム系化合物半導体よりなるｎクラッド層と、ｎ型あるいはｐ型の窒化ガリウム系化合物半導体よりなる活性層と、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体よりなるｐクラッド層とが順に積層されたダブルヘテロ構造を有しており、さらに前記ｎクラッド層、活性層及びｐクラッド層は幅５０μｍ以下のストライプ形状を有しており、前記ｎコンタクト層の表面に直接ｎ層オーミック電極が形成されたことを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子。
　　【請求項２】　ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体よりなるｎクラッド層と、ｎ型あるいはｐ型の窒化ガリウム系化合物半導体よりなる活性層と、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体よりなるｐクラッド層とが順に積層されたダブルヘテロ構造を有しており、
　前記ｐクラッド層上にはｐ型ＧａＮコンタクト層を備え、かつ少なくとも前記ｐクラッド層及びｐ型ＧａＮコンタクト層は幅５０μｍ以下のストライプ形状とされ、さらに前記ｐクラッド層及び前記ｐ型ＧａＮコンタクト層はストライプ形状とされた後にアニーリングにより低抵抗化されていることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子。
【発明の詳細な説明】
　　　【０００１】
　　【産業上の利用分野】
　本発明は、ｐ−ｎ接合を有する窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子に関するものである。
　　　【０００２】
　　【従来の技術】
　現在実用化されている半導体レーザは、可視光領域の赤色領域で発光するものしかなく、青色紫外領域で発光する半導体レーザは未だ得られておらず、早期実現が望まれている。その中で、ＩｎｘＡｌＹＧａ１−Ｘ−ＹＮ（０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ≦１）で表される窒化ガリウム系化合物半導体は直接遷移型で可視領域に禁制帯幅を有することから、青色の半導体レーザの有望な材料として期待されている。
　　　【０００３】
　従来、ｐ型ドーパントがドープされた窒化ガリウム系化合物半導体は高抵抗なｉ型にしかならず、ｐ型ができなかったためレーザ素子を得ることは不可能であった。しかし、最近になってｐ型化が可能となり（特開平２−２５７６７９号公報、特開平３−２１８３２５号公報、特開平５−１８３１８９号公報等）、ｐ−ｎ接合型の半導体レーザ素子が実現できる可能性がでてきた。
　　　【０００４】
　ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体を得るには、特開平５−１８３１８９号公報に記載されるように、ｐ型不純物をドープした窒化ガリウム系化合物半導体を４００℃以上でアニーリングする技術が有用な方法である。しかし、この方法でｐ型化が実現されたにも関わらず、窒化ガリウム系化合物半導体を用いたレーザ素子は未だ実現されていない。
　　　【０００５】
　　【発明が解決しようとする課題】
　窒化ガリウム系化合物半導体を用いた短波長のレーザ素子が実現できれば情報処理、書き込み光源等に非常に有用である。従って本発明の目的とするところは、窒化ガリウム系化合物半導体を用いた短波長のレーザ素子を実現可能とすることにある。
　　　【０００６】
　　【課題を解決するための手段】
　本発明の窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子は、ｎ型ＧａＮ層よりなるｎコンタクト層上に、少なくともｎ型窒化ガリウム系化合物半導体よりなるｎクラッド層と、ｎ型あるいはｐ型の窒化ガリウム系化合物半導体よりなる活性層と、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体よりなるｐクラッド層とが順に積層されたダブルヘテロ構造を有しており、さらに前記ｎクラッド層、活性層及びｐクラッド層は幅５０μｍ以下のストライプ形状を有しており、前記ｎコンタクト層の表面に直接ｎ層オーミック電極が形成されたことを特徴とする。
　さらに、図１および図２に示すように、ｎ型ＧａＮ層には、ストライプに対して対象なオーミック電極が設けられていることが望ましい。
　　　【０００７】
　また、本発明の窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子は、ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体よりなるｎクラッド層と、ｎ型あるいはｐ型の窒化ガリウム系化合物半導体よりなる活性層と、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体よりなるｐクラッド層とが順に積層されたダブルヘテロ構造を有しており、
　前記ｐクラッド層上にはｐ型ＧａＮコンタクト層を備え、かつ少なくとも前記ｐクラッド層及びｐ型ＧａＮコンタクト層は幅５０μｍ以下のストライプ形状とされ、さらに前記ｐクラッド層及び前記ｐ型ＧａＮコンタクト層はストライプ形状とされた後にアニーリングにより低抵抗化されていることを特徴とする。
　　　【０００８】
　図１は本発明の窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子の一構造を示す断面図であり、サファイア基板１上にＧａＮよりなるバッファ層２、Ｓｉをドープしたｎ型ＧａＮコンタクト層３が形成されている。そのＳｉドープｎ型ＧａＮコンタクト層３上に、Ｓｉをドープしたｎ型ＧａＡｌＮクラッド層４、Ｓｉをドープしたｎ型ＩｎＧａＮ活性層５、Ｍｇをドープしたｐ型ＧａＡｌＮクラッド層６、Ｍｇをドープしたｐ型ＧａＮコンタクト層７が形成されたダブルヘテロ構造を有しており、ｐ型コンタクト層７、ｐ型クラッド層６、活性層５、およびｎ型クラッド層がストライプ形状を有している。またｐ型ＧａＮコンタクト層７の上にｐ層オーミック電極８、ｎ型ＧａＮコンタクト層３の上にｎ層オーミック電極９が形成されている。
　　　【０００９】
　また、図２は図１のレーザ素子の断面図を電極側から見た図である。このように、本発明のレーザ素子は、ｐ型コンタクト層７〜ｎ型クラッド層４までをストライプ形状として、活性層５に導波路を形成している。
　　　【００１０】
　前記ストライプを作成するには、ｎ型とｐ型の窒化ガリウム系化合物半導体層を積層した後、図１に示した形状となるようにエッチングを行うことが望ましい。エッチング法としては、例えばドライエッチングを用いる。ドライエッチングには、例えば、イオンミリング、ＥＣＲエッチング、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）、イオンビームアシストエッチング等がある。この時、ストライプ幅ｄは５０μｍ以下、更に好ましくは２０〜５μｍの範囲とする。
　　　【００１１】
　このようにして所望のストライプ形状に得られた半導体を、特開平５−１８３１８９号公報に示すように４００℃以上でアニーリングすることにより、ｐ型ドーパントをドープした窒化ガリウム系化合物半導体層を低抵抗なＰ型にすることができる。
　　　【００１２】
　【作用】
　本発明の半導体レーザ素子において、前述したようにストライプ幅を５０μｍ以下にして、アニーリングを行うと、ｐ型ドーパントをドープした半導体層内の水素ガスが放出されやすくなるという利点がある。ストライプ幅を５０μｍ以下にしてアニーリングすることにより、水素ガスはストライプの半導体層側面から放出されるため、ストライプ幅を狭くしてアニーリングを行った方が半導体層内の水素ガスが放出されやすくなり、ｐ型ドーパントをドープした半導体層全体を均一にｐ型化でき、発光出力の高い半導体レーザ素子を得ることができる。
　　　【００１３】
　さらにｐ型ドーパントをドープした窒化ガリウム系化合物半導体のストライプ幅を狭くすると、もう一つの利点がある。半導体レーザはｐ層とｎ層間の電子の授受により電流が流れ発光するものであるが、ストライプ幅を狭くすると、そこに電子が集中して入ってくるので半導体層内の電流密度が大きくなり発振しきい値電流が減少する。
　　　【００１４】
　　【実施例】
　以下の実施例で、本発明の窒化ガリウム系半導体レーザ素子について図面に基づき詳しく述べる。
　　　【００１５】
　　【実施例】
　まず、ＭＯＣＶＤ装置を用いてサファイア基板１上にＧａＮバッファ層２を２００オングストローム成長させる。続いて、バッファ層２上にＳｉをドープしたｎ型ＧａＮコンタクト層３を４μｍ、Ｓｉをドープしたｎ型ＧａＡｌＮクラッド層４を０．２μｍ、Ｓｉをドープしたｎ型ＩｎＧａＮ活性層５を２００オングストローム、更にＭｇをドープしたｐ型ＧａＡｌＮクラッド層６を０．２μｍ、Ｍｇをドープしたｐ型ＧａＮコンタクト層７を０．５μｍの膜厚で順次成長させる。
　　　【００１６】
　次いで、最上層のＭｇドープｐ型ＧａＮ層７上に所望の形状のマスクを形成し、図１に示したようにｎ型ＧａＮ層３が露出されるまでエッチングし、ストライプ幅ｄを５０μｍとした導波路を得る。
　　　【００１７】
　エッチング終了後、マスクを剥離し、６００℃で１０分間アニーリングを行いＭｇドープＧａＮコンタクト層７及びＭｇドープＧａＡｌＮクラッド層６を低抵抗化させ、ｐ−ｎ接合を得る。
　　　【００１８】
　アニーリング後、ｐ電極形成用マスクを形成し、図１に示すように、ｐ層上にＮｉ／Ａｕを蒸着させｐ層オーミック電極８とする。蒸着後、マスクを剥離し、続いてｎ電極形成用のマスクを形成し、図１に示すように、ｎ層上にＡｌを蒸着させ、ｎ層オーミック電極９とする。
　　　【００１９】
　以上のようにして得られたウエハーを、チップ状にカットして半導体レーザ素子を得た。
　　　【００２０】
　　【比較例】
　上記実施例と同様に、基板上にバッファ層、ｎ型及びｐ型半導体層を成長させる。半導体層成長後、導波路のストライプ幅が６０μｍとなるように、ｐ型ＧａＮコンタクト層上にマスクを形成し、ｎ型ＧａＮコンタクト層に達するまでエッチングを行う。それ以外は、上記実施例と同様にして半導体レーザ素子を形成した。
　　　【００２１】
　以上のようにして形成されたものについてレーザ発振を行い、発振しきい値電流密度、発振波長、素子寿命について比較を行った。すると、導波路の幅を６０μｍとした従来のものは発振しきい値電流密度３ｋＡ／ｃｍ２で発振波長４２０ｎｍ、素子寿命が約１時間であったのに対し、本実施例により得られた半導体レーザ素子では、発振しきい値電流密度２ｋＡ／ｃｍ２で発振波長４２０ｎｍ、素子寿命が約１００時間と著しく向上した。
　　　【００２２】
　　【発明の効果】
　以上説明したように、窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子のストライプ幅を５０μｍ以下にしてアニーリングすることにより、ｐ型ドーパントをドープした半導体層内の水素ガスが半導体層側面から放出されやすくなり、面内均一に低抵抗化されたｐ型ＧａＮ層及びｐ型ＧａＡｌＮ層を得ることが可能となる。従って本発明によれば、発光強度の増加した高輝度な窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子を実現できる。さらにｎ型ＧａＮ層に、ストライプに対して左右対称の電極を設けたことにより、電流が均一に流れて発振しやすくなる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】　本発明に係る一半導体レーザ素子の概略断面図。
　【図２】　図１のレーザ素子を電極側から見た平面図。
　【符号の説明】
１・・・・サファイア基板
２・・・・バッファ層
３・・・・Ｓｉドープｎ型ＧａＮコンタクト層
４・・・・Ｓｉドープｎ型ＧａＡｌＮクラッド層
５・・・・Ｓｉドープｎ型ＩｎＧａＮ活性層
６・・・・Ｍｇドープｐ型ＧａＡｌＮクラッド層
７・・・・Ｍｇドープｐ型ＧａＮコンタクト層
８・・・・ｐ層オーミック電極
９・・・・ｎ層オーミック電極
ｄ・・・・ストライプ幅