【事件の表示】
　特許第２８６４８０８号「ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体単結晶」の請求項１乃至４に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第２８６４８０８号の請求項１乃至４に係る特許を維持する。
【理　由】
１．本件発明
　特許第２８６４８０８号（平成3年１０月４日出願、平成１０年１２月１８日設定登録）の請求項１乃至４に係る発明は、特許明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１乃至４に記載された事項により特定されるとおりのものである。
２．特許異議申立ての理由の概要
　特許異議申立人渡部賢一は、証拠として、甲第１号証乃至甲第５号証を提出して、本件の請求項１に係る発明の特許は、甲第１号証に記載された発明であるから特許法第２９条第１項第３号に違反してなされたものであり、また本件の請求項１乃至４に係る発明の特許は、甲第１号証乃至甲第５号証に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであるから、取り消されるべきものであると主張している。
３．証拠の記載内容
　特許異議申立人が提出した上記甲第１号証乃至甲第５号証には、それぞれ次の事項が記載されている。
（１）甲第１号証：「Sｅｍｉ−ＩｎｓｕｌａｔｉｎｇIII-V　Ｍａｔｅｒｉａｌｓ」Ｈａｋｏｎｅ１９８６年、ＯＨＭＳＨＡ発行、第１３３頁乃至第１３８頁
（イ）「ＩｎドープＧａＡｓサンプルから切り出した｛１１０｝部分に発生する個々の転位について、詳細な情報を提供するために、赤外吸収像、ＡＢエッチング、並びに反射型あるいは透過型Ｘ線トポグラフィーを用いて調査を行った。分析の結果、ＩｎドープまたはアンドープのいずれのＬＥＣ法によるＧａＡｓにおいても、Ａｓの析出とＥＬ２リッチ領域に関与する転位の多くの特徴について説明できる一つのモデルを提唱する。そして、これらの系における類似性についてコメントするとともに、市販のＬＥＣ法によるＧａＡｓを理解する上でＩｎドープＧａＡｓを研究することがいかに有用であるかを示す。」（第１３３頁）
（ロ）第１３７頁図２に「
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（２）甲第２号証：特開昭６３−２３３０９５号公報
（イ）「（１）液体封止チョクラルスキ法に従い、融液の上に液体封止層を設け、融液から結晶を引上げながら結晶成長させるIII−V族化合物半導体単結晶の製造方法において、前記液体封止層の表面から１０ｍｍ〜５０ｍｍまでの領域を、液体封止層の表面温度に対して±２０℃の範囲内の保温領域とするように、炉内の温度分布を制御することを特徴とする、III−V族化合物半導体単結晶の製造方法。」（第１頁左欄）
（ロ）「そして、Ｂ．Ｃｈａｌｍｅｒｓ著「金属の凝固」に記載されているように転位が固液界面に垂直に進むため、このような凹部に転位が集中しリネージが発生するものと考えられる。」（第２頁下段右欄）
（ハ）「この発明では、第２図に示したような保温領域Ｌを、液体封止層の表面上に形成させることにより、成長結晶の側面から流出する熱量を抑え、上述のような成長結晶と融液との界面での凹部の形成を抑制するものである。」（第２頁下段右欄第１７行乃至第３頁上段左欄第１行）
（３）甲第３号証：特開昭５９−１３７３９９号公報
（イ）「ルツボ中の融液を不活性のカプセル剤で覆い、このカプセル剤層を通して高圧雰囲気下で単結晶を引上げるようにした単結晶育成方法において、加熱用ヒータの他に設けた補助ヒータにより、少なくとも該融液表面とルツボとの接触部付近の温度を制御することを特徴とする低転位密度単結晶の育成方法。」（第１頁左欄）
（ロ）「第３図において、本発明による装置（補助ヒータ２個使用、ルツボの内径４５ｍｍ）を用いて結晶の直径が４０±ｌｍｍに制御されたＩｎＰ単結晶の断面内径方向の転位密度分布を曲線Ａに、従来装置（ルツボ内径１００ｍｍ）を用いて育成された約４０ｍｍ径の結晶の同分布を曲線Ｂに示す。」（第３頁上段左欄第２０行乃至上段右欄第６行）
（４）甲第４号証：特開昭６０−１５１２９９号公報
「ＬＥＣ法（液体封止式チョクラルスキー法）で成長させた砒化ガリウム（ＧａＡｓ）単結晶において、・・・転位密度を１０００ｃｍ-２以下にしたことを特徴とする砒化ガリウム単結晶。」（第１頁左欄）
（５）甲第５号証：特開平２−２６７１９８号公報
（イ）「（１）円筒状の形状を有するIII−V族化合物単結晶において、単結晶の成長軸を含む面内で観察される成長縞が成長方向に向かって中央部が凸状に突出した形状を有し、かつ、その湾曲率が０．１よりも大であることを特徴とする単結晶。（２）固化率が０．２〜０．５の範囲で、成長縞の湾曲率が、０．１より大である請求項第１項記載の単結晶。」(第１頁左欄)
４．当審の判断
（イ）請求項１に係る発明について
　上記甲第１号証の第２図には、ＬＥＣ法により製造された「ＧａＡｓ単結晶インゴット」のＸ線図が示され、この図によれば「ＧａＡｓ単結晶インゴット」がその成長軸を含む面内で中央部から周辺部にかけて成長縞を有することは一応観察されるが、この成長縞が本件発明の構成要件である（ｉ）成長縞の周辺部が成長方向に向かって凹面形状を有する点、また（ｉｉ）その凹面の曲率中心が結晶の表面上または結晶の外部に位置する点、についてまで確認することはできない。
　そこで、当審では、これらの点に関し、特許異議申立人に対し審尋を行ったが、その回答書の内容も上記甲第２号証の記載を根拠に特許異議申立人が独自に推定したものであり、依然として上記（ｉ）及び（ｉｉ）の点を客観的かつ明確に確認させるに足るものとは云えないから、本件発明は、上記甲第１号証に記載された発明であるとすることはできないし、また上記甲第１号証に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることもできない。
  次に、上記甲第２号証について検討するに、この証拠には、「III−V族化合物半導体単結晶の製造方法」に関し、リネージの発生を防止するために、「液体封止層の表面から１０ｍｍ〜５０ｍｍまでの領域を、液体封止層の表面温度に対して±２０℃の範囲内の保温領域とするように、炉内の温度分布を制御」して「成長結晶と融液との界面での凹部の形成を抑制する」ことが記載されているが、この製造方法によって得られた単結晶の成長縞がどのようなものか、その具体的な成長縞についてまで記載されていないから、この証拠にも上記（ｉ）及び（ｉｉ）の点について記載されていないと云える。
　してみると、本件発明は、上記甲第２号証に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることもできない。
　さらに、上記甲第３号証乃至甲第５号証を検討しても、これら証拠は、半導体単結晶の転位密度や固相率に関するものであり、そこには上記（ｉ）及び（ｉｉ）の点について一切記載されていない。
　以上のとおり、本件の請求項１に係る発明は、上記甲第１号証に記載された発明であるとすることはできないし、また上記甲第１号証乃至甲第５号証に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることもできない。
（ロ）請求項２乃至４に係る発明について
　これら発明は、請求項１の構成を引用したものであるから、請求項１に係る発明について述べたと同様の理由により、当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
　
５．むすび
　以上のとおり、特許異議申立ての理由及び証拠方法によっては、本件請求項１乃至４に係る発明の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件請求項１乃至４に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年２月２２日（２０００．２．２２）