【事件の表示】
　特許第２７９１４４４号「気相エピタキシャル成長方法」の特許に対する特許異議の申立てについて、　次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第２７９１４４４号の特許を維持する。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯
　　特許出願　　　　　　　　　　　　　平成　２年　６月１４日
　　設定登録　　　　　　　　　　　　　平成１０年　６月１９日
　　　　　　　　　　　　　　　　（特許第２７９１４４４号）
　　特許公報発行　　　　　　　　　　　平成１０年　８月２７日
　　特許異議の申立て１　　　　　　　　平成１１年　２月２６日
　　　　　　　　　　　　　　　　（申立人１　　杉　浦　正　知）
　　特許異議の申立て２　　　　　　　　平成１１年　３月　１日
　　　　　　　　　　　　　　　　（申立人２　シャープ株式会社）
　　取消理由通知　　　　　　　　　　　平成１１年　６月２９日
　　意見書、訂正請求書　　　　　　　　平成１１年　９月２７日
　　訂正拒絶理由通知　　　　　　　　　平成１１年１１月　９日
　　手続補正書（訂正請求書）　　　　　平成１２年　１月１３日
　
II．訂正の要旨
１．訂正請求に対する補正の適否について
　平成１２年１月１３日付けの「手続補正書（訂正請求書）」による補正は、平成１１年９月２７日付けの訂正請求書に添付された訂正明細書の請求項２を、特許請求の範囲の減縮を目的として、削除すると共に、それに整合するように上記訂正請求書の「訂正の原因」の記載を補正するものであるから、上記補正事項は、訂正請求書の要旨を変更するものではなく、特許法第１２０条の４第３項において準用する同法第１３１条第２項の規定に適合する。
２．訂正の内容
　平成１１年９月２７日付けの訂正請求書（平成１２年１月１３日付けの手続補正書（訂正請求書）により補正された事項も含む。）における訂正の要旨は次のとおりである。
２．１　訂正事項ａ
　特許明細書の請求項１に
（１）「支持台上に成長用基板を載せ、」（特許公報１欄３行）とあるのを、「支持台上に複数枚の成長用基板を載せ、」に訂正し、
（２）「複数の原料ガスをすべて同時に供給して、」（同公報１欄５行）とあるのを、「複数の原料ガスを上記各成長用基板から離間して配置されるマニホールドを介して一箇所の吹き出し口からすべて同時に供給して、」に訂正し、
（３）「化合物半導体層が３分子層以下」（同公報１欄９行）とあるのを、「化合物半導体混晶層が２．１分子層以下」に訂正し、
（４）「支持台の回転数」（同公報１欄１０行）とあるのを「支持台の回転数（但し、回転数は５０ｒｐｍ以下）」に訂正し、さらに、
（５）「流量を制御するようにした」（同公報１欄１０〜１１行）とあるのを「流量を制御することにより、前記化合物半導体混晶層の組成の変動を４％未満とした」に訂正する。
２．２　訂正事項ｂ
　特許明細書５頁１〜９行に
（１）「支持台上に成長用基板を載せ、」（同公報３欄４２行）とあるのを、「支持台上に複数枚の成長用基板を載せ、」に訂正し、
（２）「複数の原料ガスをすべて同時に供給して、」（同公報３欄４３〜４４行）とあるのを、「複数の原料ガスを上記各成長用基板から離間して配置されるマニホールドを介して一箇所の吹き出し口からすべて同時に供給して、」に訂正し、
（３）「化合物半導体層が３分子層以下」（同公報３欄４７〜４８行）とあるのを、「化合物半導体混晶層が２．１分子層以下」に訂正し、
（４）「支持台の回転数」（同公報３欄４８行）とあるのを「支持台の回転数（但し、回転数は５０ｒｐｍ以下）」に訂正し、さらに、
（５）「流量を制御するようにした」（同公報３欄４９行）とあるのを「流量を制御することにより、前記化合物半導体混晶層の組成の変動を４％未満とした」に訂正する。
２．３　訂正事項ｃ
（１）「支持台上に成長用基板を載せ、」（同公報５欄９〜１０行）とあるのを、「支持台上に複数枚の成長用基板を載せ、」に訂正し、
（２）「複数の原料ガスをすべて同時に供給して、」（同公報５欄１１〜１２行）とあるのを、「複数の原料ガスを上記各成長用基板から離間して配置されるマニホールドを介して一箇所の吹き出し口からすべて同時に供給して、」に訂正し、
（３）「化合物半導体層が３分子層以下」（同公報５欄１５〜１６行）とあるのを、「化合物半導体混晶層が２．１分子層以下」に訂正し、
（４）「支持台の回転数」（同公報５欄１６行）とあるのを「支持台の回転数（但し、回転数は５０ｒｐｍ以下）」に訂正し、さらに、
（５）「流量を制御するようにした」（同公報５欄１７行）とあるのを「流量を制御することにより、前記化合物半導体混晶層の組成の変動を４％未満とした」に訂正する。
２．４　訂正事項ｄ
　第２図において、原点と、成長速度を０．５μｍ／ｈ、１μｍ／ｈとした場合に混晶層の表面モホロジーが良好であった場合のプロットを結ぶ線分を加筆追加すると共に、その線分に対応する成長速度が「２．１分子層／１回転」であることの説明を追加する。
　
III．訂正の適否に対する判断
１．訂正の目的、新規事項、拡張・変更
１．１　訂正事項ａについて
　上記訂正事項ａは、特許明細書の請求項１には、
（１）支持台上に載せる成長用基板の枚数については何も限定されていなかったものを、「複数枚」に限定し、
（２）複数の原料ガスをどこから供給するかについては何も限定されていなかったものを、「各成長用基板から離間して配置されるマニホールドを介して一箇所の吹き出し口」から供給するものに限定し、
（３）化合物半導体層の性質は何も限定されておらず、また化合物半導体層の１回転当りの成長速度につき「３分子層以下」と限定されていたものを、化合物半導体層が「混晶層」であると限定すると共に、化合物半導体層の１回転当りの成長速度をより狭い範囲である「２．１分子層以下」に限定し、
（４）支持台の回転数については何も限定されていなかったものを、「５０ｒｐｍ以下」に限定し、
（５）化合物半導体混晶層の組成の変動の程度については何も限定されていなかったものを、「４％未満」に限定するものであるから、
いずれも特許請求の範囲の減縮に相当する。
　そして、上記（１）の点は、特許明細書６頁６〜７行（特許公報４欄１４〜１５行）に「サセプタ３上には直径２インチのＩｎＰ基板４を３枚載置して」と記載され、また、第１図に成長用基板４をバレル型のサセプタ３（支持台に相当）に複数枚載せたものが示されていたし、上記（２）の点は、特許明細書２頁１２〜１３行（同公報２欄１２〜１３行）に「マニホールド１によって反応管２内に導入された複数の原料ガス」と記載され、また第１図に複数の原料ガスがマニホールド１を介して下部の１箇所の吹き出し口から反応管２へ供給することが示されていたし、上記（３）の点については、特許明細書６頁２行（同公報４欄１１行）に「ＧａＩｎＡｓＰ混晶層」と記載され、また、第２図の成長速度を０．５μｍ／ｈ、１μｍ／ｈとした場合に混晶層の表面モホロジーが良好であった場合のプロット（白丸印）を結ぶ線分の傾きから「２．１分子層／１回転」が読みとれるし、また、上記（４）の点は、第２図の回転数（ｒｐｍ）を表す横軸の最大値が５０であることが示されているし、さらに、上記（５）の点は、特許明細書８頁１〜４行（同公報４欄４８〜５０行）に「表１よりサセプタ１回転当りの混晶層成長速度を３分子層以下とすることにより組成比のウェーハ面内バラツキを４％未満に抑えることができることがわかる。」と記載されていたから、いずれも願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内のものであり、かつ実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
１．２　訂正事項ｂ及びｃについて
　上記訂正事項ｂ及びｃは、上記訂正事項ａで特許明細書の請求項１が訂正されたことに伴い、発明の詳細な説明の記載をこれに整合するように訂正するものであるから、明りょうでない記載の釈明に相当し、また、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内のものであり、かつ実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
１．３　訂正事項ｄについて
　上記訂正事項ｄは、第２図の技術的意味が直ちに理解できるように、第２図の成長速度を０．５μｍ／ｈ、１μｍ／ｈとした場合に混晶層の表面モホロジーが良好であった場合のプロット（白丸印）を結ぶ線分を追加すると共に、その線分に対応する成長速度を明記したものであるから、明りょうでない記載の釈明に相当し、また、また、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内のものであり、かつ実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
２．独立特許要件
２．１　訂正明細書に記載された発明
　訂正明細書に記載された請求項１の記載は次のとおりである。
【請求項１】反応管内に配置され回転機構によって回転される支持台上に複数枚の成長用基板を載せ、上記支持台を回転させながら上記反応管内に化合物半導体の構成元素をそれぞれ含む複数の原料ガスを上記各成長用基板から離間して配置されるマニホールドを介して一箇所の吹き出し口からすべて同時に供給して、上記成長用基板表面を複数の原料ガスが混合したガスにさらして化合物半導体層を成長させる気相エピタキシャル成長方法において、上記支持台の1回転当たりに成長される化合物半導体混晶層が２．１分子層以下となるように、上記支持台の回転数(但し、回転数は５０ｒｐｍ以下)および原料ガスの流量を制御することにより、前記化合物半導体混晶層の組成の変動を４％未満としたことを特徴とする気相エピタキシャル成長方法。
（以下において、上記請求項１に記載されている事項により特定される発明を「本件訂正発明」という。）
２．２　取消理由の概要
　平成１１年６月２９日付けの取消理由の概要は、次のとおりである。
　本件特許の請求項１に係る発明は、下記引用例１、２又は３に記載された発明であるか、あるいは下記引用例１〜４に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、該発明の特許は、特許法第２９条第１項もしくは同条第２項の規定に違反してなされたものである。
　　　　　　　　　　　　　　　記
      　　　Proceedings of the Fifteenth International 
　　　　　　Symposium on Gallium Arsenide and Related Compounds
　　　　　　p.113-118　　　　　　（申立人１の甲第１号証に該当）
　　　 　（申立人１の甲第２号証及び申立人２の参考資料１に該当）
　　　　　　Indium Phosphide and Related Materials for Advanced
　　　　　　　　　 　　　　　　　（申立人２の甲第１号証に該当）
　　　 　　　　　　　　　　　　　（申立人２の参考資料２に該当）
２．３　各引用例の記載
２．３．１　引用例１
　上記引用例１は「ＧａＡｓ及び関連化合物」と題する報文であって、これには、
(1-1)「均一なエピタキシャル層を得るためには、基板の表面全体にわたってガスの流れが均一でなければならない。基板上のガスの流れを制御するための二つのパラメータがある。一つは流れの方向に沿うガス流量であり、一つは流れの垂直方向のガス流量である。基板の回転はこの二つのパラメータに強く影響し、一つのパラメータを減じる。」（１１３頁３８〜４２行）、
(1-2)「基板はカーボン支持台上に置かれている。カーボン支持台は、２０〜６０ｒｐｍで回転した。このシステムで、支持台の一回転で均一なエピタキシャル層が成長される。」（１１４頁１４〜１６行）、
(1-3)「トリメチルインジウム（ＴＭＩ）、トリエチルガリウム（ＴＥＧ）、アルシン（ＡｓＨ３）及びフォスフィン（ＰＨ３）が、ソース材料として用いられた。パラジウム拡散水素がキャリアガスとして用いられた。ソースガスの合計流量は６ＳＬＭ（標準状態での毎分当りのリッター数）であった。成長温度は５５０〜６００℃で、反応管の合計圧力は７６ｔｏｒｒであった。Ｖ族／III族の比は、ＩｎＧａＡｓに対しては２０〜５０で、ＩｎＰに対しては１５０〜２７０であった。」（１１４頁３５〜４０行）、
(1-4)「ＳｉドープＩｎＰは６００℃で２０ｐｐｍの水素希釈シラン（ＳｉＨ４）を使用することにより成長された。層の成長速度は２．４μｍ／ｈｒであった。」（１１６頁下から５〜１行）、
との記載があるほか、
(1-5)１１４頁の図１には、１本の原料ガス配管を４本に分岐し、それぞれのガス配管につながる４本のガス注入口から原料ガスを１枚のサブストレートに向けて噴き出し、前記サブストレートを回転させながら結晶成長を行う装置が、
(1-6)１１６頁左欄８〜９行には、Ｉｎｐの格子定数は「ａ＝５．８６８７５Å」であることが、それぞれ示されている。
２．３．２　引用例２
　上記引用例２は、「高速、回転ディスクＭＯＣＶＤ反応装置におけるＧａＡｓエピタキシャル成長の均一性の要因の調査」と題する報文であって、これには、
(2-1)「成長チャンバーはステンレス製であって、中に耐熱性のＭｏサセプターが入っている。ウェハは高速で回転することができる（２０００ｒｐｍまで）サセプタ上に直接搭載される。」（２２０頁右欄１４〜１８行）、
(2-2)「基板は［１００］２°オフ面方位の半絶縁性ＧａＡｓが用いられた。ＧａＡｓ及びＡｌＧａＡｓは、トリメチルガリウム（ＴＭＧａ）、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）及びＨ２希釈の１０％ＡｓＨ３を用いて成長された。ＳｉＨ４がｎ型ドーパントとして、Ｈ２がキャリアガスとして用いられた。組成流量やＶ族／III族の比は広い範囲で変えられた。」（２２１頁右欄３〜９行）、
(2-3)「典型的な成長速度は毎分５００Åのオーダーであった。」（２２１頁左欄８〜９行）、
(2-4)「典型的には、サセプターは約１５００ｒｐｍで回転し、・・・」（２２１頁右欄１４行〜２２２頁左欄１行）、
との記載がある。
２．３．３　引用例３
　上記引用例３は、「ＭＯＣＶＤ法による多数基板の高速回転盤リアクターにおけるＩｎＧａＡｓＰ薄膜の成長」と題する報文であって、これには、
(3-1)「Ｉｎ（１００）基板上のＩｎＧａＡｓＰは減圧のＭＯＣＶＤ法を用いて高速回転盤リアクターで成長される。回転速度は５００〜１５００ｒｐｍである。」（１１８頁ＡＢＳＴＲＡＣＴ欄３〜４行）、
(3-2)「反応物は成長チャンバーの横から差し込まれている注入管から導入される。成長表面に反応物が向かうように、注入管は、多くの穴をもつ多岐管に分けられる。成長チャンバーの上で分離され、広く均一になった流れは、ウエハに向かって下降する。我々は以降これをシュラウドフロー（膜流）と呼ぶ。」（１１９頁１〜４行）、
(3-3)「成長温度は６３０℃〜６６０℃、Ｖ／III比は５０〜２００である。成長速度は１６０Å／分〜３５０Å／分である。・・・（中略）・・・この報告でのほとんどの成長は、６０Ｔｏｒｒ、１５００ｒｐｍであり、Ｒｅが約５００，Ｇｒ／Ｒｅ３／２が約０．１である。」（１１９頁６行〜１２０頁５行）、
との記載がある。
２．３．４　引用例４
　上記引用例４は、「垂直型回転盤型ＯＭＶＰＥ反応装置の成長特性」と題する報文であって、これには、
(4-1)「この研究では、気相輸送の数学的モデリングと、ＧａＡｓとＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層の成長を用いて、垂直型反応装置の成長特性を調べた。ガスは反応装置の頂上に位置する穴が多い差込み部（プラグ）から導入され、回転するサセプタディスクへ均一に下へ流れる。」（２２８頁右欄４〜１０行）、
(4-2)「垂直回転盤型反応装置を図１に示す。これは内径１０ｃｍの垂直な石英管と高周波加熱方式の直径６．７ｃｍのモリブデンサセプターを持つ。プロセスガスはステンレス鋼の網から、反応管に均一に流れるように導入される。・・・（中略）・・・制御されたサセプタの回転は電磁流体接続素子につながれた可変速モータを用いることにより１０００ｒｐｍまで可能である。・・・（中略）・・・サセプタの回転速度は２０ｒｐｍ〜５００ｒｐｍの間で変化させられる。」（２２９頁左欄３行〜同頁右欄２８行）、
(4-3)「基板中央の結晶層の成長速度は、調査した範囲の基板温度と、アルシンの分圧とには、大きくは依存しないことが測定された。しかし、ＴＭＧの濃度と、サセプタの回転速度に依存することが示されている。図４に示すのは、６８０℃、０．１３ａｔｍ、回転速度が２０及び５００ｒｐｍにおけるＧａＡｓ成長層の成長速度の図で、ＴＭＧの関数となっている。予想どおり、濃度に関する比例関係が見られる。サセプタの回転速度を上げると、境界層の厚さが小さくなり、成長速度が大きくなる。・・・・５ｃｍの直径の基板に成長した約１０μｍのＧａＡｓ成長層の、計算及び測定による層厚の様子を第５図に示す。回転速度は、２０，５０，５００ｒｐｍである。成長温度７００℃、０．２ａｔｍ、ＴＭＧ濃度は３×１０−４モル分率、そしてＶ／III比は８０において成長した層は鏡面モホロジーが得られた。層厚は基板中央の厚さに規格化されている。測定した厚さは、基板の周辺では中央より大きく、回転速度が２０ｒｐｍでは１５％、２００ｒｐｍでは５％、５００ｒｐｍでは１％となる。」（２３１頁右欄２〜３２行）、
(4-4)「サセプタの回転は、基板周辺の膜厚を均一に形成することに影響があり、また、非常に均一なＧａＡｓ及びＡｌｘＧａ１−ｘＡｓエピ層の成長をもたらす。膜厚の均一性は、回転数を増加させれば改善され、５００ｒｐｍでは１％となる。ドーピングの均一性と混晶の組成は、回転数と無関係で、ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ、ｘ＝０．２９２７の場合には±２．５％及び±０．０００３と測定された。」（２３３頁右欄２３〜３１行）、との記載があるほか、
(4-5)２２９頁の図１には、ほぼ円盤状のモリブデン製サセプターの上部に１枚のサブストレートを配置した構成の垂直回転盤型反応装置が、また、
(4-6)２３１頁の図４には、回転速度２０ｒｐｍ、ＴＭＧ濃度が１×１０−４モル分率のときに成長速度が約２．６Å／秒と読みとれる図が、それぞれ示されている。
２．４　対比・判断
　本件訂正発明は、ＭＯＣＶＤ法による気相エピタキシャル成長させた化合物半導体混晶の表面状態は、「混晶の膜厚は均一であっても、その組成が所望の組成から大きくずれると、表面が白濁し、表面モホロジーが悪くなる」（特許公報３欄２５〜２７行）との問題認識のもとに、その原因が「反応管内の原料ガスの濃度や流量が時間によって変化したり、濃度分布や流れの様子が反応管の各部で異なっていることにあり、この流れの不均一性によって、混晶組成が成長方向で変化したり（組成の揺らぎ）、基板間および基板面内でばらついてしまう」（同公報３欄２８〜３２行）との知見を得て、かかる点を解決するために上記【請求項１】に記載される方法を採用することによって、「サセプタが１回転する間に混晶層が数分子成長されるにすぎないため、成長方向の組成の揺らぎがあっても、基板に吸着した分子のマイグレーションによって組成の揺らぎが緩和されるとともに、各基板もしくは基板の各部が同一の濃度、流れのガスにさらされるようになって混晶層の組成の均一性が向上し、良好な表面モホロジーが得られるようになる。」（同公報４欄１〜７行）という効果を奏するものである。
　一方、上記引用例１に記載のものでは、上記「(1-6)」に摘記した記載によると、ＩｎＰの１分子層の厚さ＝ａ／２＝約１．９３Åであるし、また、上記「(1-2)」及び「(1-4)」に摘記した記載によれば、支持台の回転数は２０〜６０ｒｐｍでありかつＩｎＰの成長速度は２．４μｍ／ｈｒであるから、支持台の１回転当りのＩｎＰの成長速度は約２．３分子層〜約６．８分子層に相当する。
　してみれば、引用例１には、
「反応管内に配置され回転機構によって回転される支持台上に１枚の成長用基板を載せ、上記支持台を回転させながら上記反応管内に化合物半導体の構成元素をそれぞれ含む複数の原料ガスを上記成長用基板から離間して配置される複数箇所の吹き出し口から供給して、上記成長用基板表面を複数の原料ガスにさらして化合物半導体層を成長させる気相エピタキシャル成長方法において、上記支持台の1回転当たりに成長される化合物半導体層が約２．３分子層〜約６．８分子層となるように、上記支持台の回転数(但し、回転数は２０〜６０ｒｐｍ)および原料ガスの流量を制御したことを特徴とする気相エピタキシャル成長方法。」
の発明が記載されているといえる。
　そこで、本件訂正発明と引用例１に記載されている発明とを対比すると、両者は、共に、
「反応管内に配置され回転機構によって回転される支持台上に成長用基板を載せ、上記支持台を回転させながら上記反応管内に化合物半導体の構成元素をそれぞれ含む複数の原料ガスを上記成長用基板から離間して配置される吹き出し口から供給して、上記成長用基板表面を複数の原料ガスにさらして化合物半導体層を成長させる気相エピタキシャル成長方法において、上記支持台の回転数および原料ガスの流量を制御したことを特徴とする気相エピタキシャル成長方法。」
であって、支持台の回転数に重複・一致する範囲が存在する点では共通するが、
（１）支持台上に載せられる成長用基板が、本件訂正発明では「複数枚」であるのに対し、引用例１に記載の発明では「１枚」である点、
（２）化合物半導体の構成元素をそれぞれ含む複数の原料ガスを供給するに際し、本件訂正発明では「成長用基板から離間して配置されるマニホールドを介して一箇所の吹き出し口からすべて同時に供給」するようになしているのに対し、引用例１に記載の発明では「成長用基板から離間して配置される複数箇所の吹き出し口から供給」するようになしている点、
（３）支持台の１回転当りに成長される化合物半導体層が、本件訂正発明では「２．１分子層以下」であるのに対し、引用例１に記載のものでは「約２．３分子層〜約６．８分子層」である点、及び、
（４）化合物半導体混晶層の組成の変動を、本件訂正発明では「４％未満」となしているのに対し、引用例１にはこのようなことに関する明示の記載はない点、
で相違しているので、両者は別異の発明である。
　また、上記引用例２に記載のものでは、化合物半導体層の成長速度は毎分５００Åオーダーであり、サセプターの回転速度は約１５００ｒｐｍであるから、たとえＧａＡｓの１分子層の厚さが約２．８５ÅであることからＧａＡｓ化合物半導体層の成長速度はサセプタ１回転当り約０．１２分子層に相当するとしても、引用例２にはサセプタの回転速度を５０ｒｐｍ以下の低回転速度となすことを示唆する記載はないので、少なくともかかる点で本件発明と引用例２に記載の発明とは別異のものである。
　同様に、上記引用例３には、化合物半導体層の成長速度は毎分１６０Å〜３５０Åであり、サセプターの回転速度は１５００ｒｐｍであるから、たとえＩｎＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓＰ及びＩｎＰの１分子層の厚さが約２．９３５Åであることから化合物半導体層の成長速度はサセプタ１回転当り約０．０３６３Å〜０．０７９５分子層に相当するとしても、引用例３にはサセプタの回転速度を５０ｒｐｍ以下の低回転速度となすことを示唆する記載はないので、少なくともかかる点で本件訂正発明と引用例３に記載の発明とは別異のものである。
　したがって、本件訂正発明は、引用例１、２又は３に記載された発明であるとすることはできない。
　一方、上記引用例４には、支持台（サセプタ）の回転速度を２０ｒｐｍ、２００ｒｐｍ及び５００ｒｐｍとして化合物半導体の気相成長を行ったものが示されてはいるが、上記「(4-3)」には、膜厚は基板周辺では中央よりも大きく、その大きさの程度は、回転速度が２０ｒｐｍでは「１５％」、２００ｒｐｍでは「５％」及び５００ｒｐｍでは「１％」であることが示され、さらに、上記「(4-4)」に摘記したように、ドーピングの均一性と混晶の組成の均一性は回転数とは無関係であることが示されているていることを考慮すると、少なくとも膜厚の均一性と混晶の組成の均一性を同時に達成するためには、支持台の回転速度を約２００ｒｐｍ以上の高回転速度となす必要があることが示唆されているものと認めざるを得ない。
　したがって、引用例２〜４のいずれにも、支持台の回転速度を約５０ｒｐｍ以下の低回転速度となしても、膜厚の均一性と混晶の組成の均一性を同時に達成し得ることを示唆する記載はないから、たとえ引用例１〜４の記載を総合して勘案したところで、本件訂正発明を想到することが当業者にとり容易であるとすることはできない。
　してみれば、本件訂正発明は引用例１、２又は３に記載された発明であるとも、また、引用例１〜４に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものともすることはできないから、本件訂正発明は特許出願の際独立して特許を受けることができるものである。
３．訂正の認否
　したがって、上記「III．１．」及び「III．２．４」に述べたように、上記訂正は特許法第１２０条の４第２項及び同条第３項で準用する同法第１２６条第２項から第４項までの規定にそれぞれ適合するものであるから、当該訂正を認める。
　
IV．特許異議の申立てについての判断
１．申立て理由の概要
１．１　申立人１の申立て理由の概要
　申立人１は、証拠として甲第１号証（上記引用例１に該当）、甲第２号証（上記引用例２に該当）を提出し、本件特許の請求項１に係る発明は甲第１号証又は甲第２号証に記載された発明であるので、該発明の特許は特許法第２９条第１項の規定に違反してなされたものである旨を主張している。
１．２　申立人２の申立て理由の概要
　申立人２は、証拠として甲第１号証（上記引用例３に該当）、参考資料１（申立人１の甲第２号証に同じ）及び参考資料２（上記引用例４に該当）を提出し、本件特許の請求項１に係る発明は甲第１号証に記載された発明であるか、あるいは、甲第１号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、該発明の特許は特許法第２９条第１項もしくは第２項の規定に違反してなされたものである旨を主張している。
２．当審の判断
２．１　本件発明
　上記「III．３．」で述べたように、上記訂正を認めるので、本件特許の請求項１に係る発明は、上記「III．２．１」に摘記した訂正後の請求項１に記載されたとおり（以下、「本件発明」という。）のものである。
２．２　申立て理由についての判断
　申立人１の申立て理由及びその申立て理由で引用された甲第１及び２号証は、それぞれ当審における取消理由通知で通知した理由及び証拠として引用した引用例１及び２と同じであるから、上記「III．２．４」で述べたのと同様の理由により、本件発明は、甲第１又は２号証に記載された発明であるとすることはできない。
　また、申立人２の申立て理由及びその申立て理由で引用された甲第１号証、参考資料１及び参考資料２は、それぞれ当審における取消理由で引用した引用例３，引用例２及び引用例４と同じであるから、上記「III．２．４」で述べたのと同様の理由により、本件発明は、甲第１号証に記載された発明であるとすることはできないばかりか、たとえ参考資料１及び２の記載を参照しても、甲第１号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものともすることはできない。　
Ｖ．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件発明に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年２月２９日（２０００．２．２９）
【訂正の要旨】
　平成１１年９月２７日付けの訂正請求書（平成１２年１月１３日付けの手続補正書（訂正請求書）により補正された事項も含む。）における訂正の要旨は次のとおりである。
１．訂正事項ａ
　特許請求の範囲の減縮を目的として、特許明細書の請求項１に
（１）「支持台上に成長用基板を載せ、」（特許公報１欄３行）とあるのを、「支持台上に複数枚の成長用基板を載せ、」に訂正し、
（２）「複数の原料ガスをすべて同時に供給して、」（同公報１欄５行）とあるのを、「複数の原料ガスを上記各成長用基板から離間して配置されるマニホールドを介して一箇所の吹き出し口からすべて同時に供給して、」に訂正し、
（３）「化合物半導体層が３分子層以下」（同公報１欄９行）とあるのを、「化合物半導体混晶層が２．１分子層以下」に訂正し、
（４）「支持台の回転数」（同公報１欄１０行）とあるのを「支持台の回転数（但し、回転数は５０ｒｐｍ以下）」に訂正し、さらに、
（５）「流量を制御するようにした」（同公報１欄１０〜１１行）とあるのを「流量を制御することにより、前記化合物半導体混晶層の組成の変動を４％未満とした」に訂正する。
２．訂正事項ｂ
　明りょうでない記載の釈明を目的として、特許明細書５頁１〜９行に
（１）「支持台上に成長用基板を載せ、」（同公報３欄４２行）とあるのを、「支持台上に複数枚の成長用基板を載せ、」に訂正し、
（２）「複数の原料ガスをすべて同時に供給して、」（同公報３欄４３〜４４行）とあるのを、「複数の原料ガスを上記各成長用基板から離間して配置されるマニホールドを介して一箇所の吹き出し口からすべて同時に供給して、」に訂正し、
（３）「化合物半導体層が３分子層以下」（同公報３欄４７〜４８行）とあるのを、「化合物半導体混晶層が２．１分子層以下」に訂正し、
（４）「支持台の回転数」（同公報３欄４８行）とあるのを「支持台の回転数（但し、回転数は５０ｒｐｍ以下）」に訂正し、さらに、
（５）「流量を制御するようにした」（同公報３欄４９行）とあるのを「流量を制御することにより、前記化合物半導体混晶層の組成の変動を４％未満とした」に訂正する。
３．訂正事項ｃ
　明りょうでない記載の釈明を目的として、特許明細書８頁１３行〜９頁９行に、
（１）「支持台上に成長用基板を載せ、」（同公報５欄９〜１０行）とあるのを、「支持台上に複数枚の成長用基板を載せ、」に訂正し、
（２）「複数の原料ガスをすべて同時に供給して、」（同公報５欄１１〜１２行）とあるのを、「複数の原料ガスを上記各成長用基板から離間して配置されるマニホールドを介して一箇所の吹き出し口からすべて同時に供給して、」に訂正し、
（３）「化合物半導体層が３分子層以下」（同公報５欄１５〜１６行）とあるのを、「化合物半導体混晶層が２．１分子層以下」に訂正し、
（４）「支持台の回転数」（同公報５欄１６行）とあるのを「支持台の回転数（但し、回転数は５０ｒｐｍ以下）」に訂正し、さらに、
（５）「流量を制御するようにした」（同公報５欄１７行）とあるのを「流量を制御することにより、前記化合物半導体混晶層の組成の変動を４％未満とした」に訂正する。
４．訂正事項ｄ
　明りょうでない記載の釈明を目的として、第２図において、原点と、成長速度を０．５μｍ／ｈ、１μｍ／ｈとした場合に混晶層の表面モホロジーが良好であった場合のプロットを結ぶ線分を加筆追加すると共に、その線分に対応する成長速度が「２．１分子層／１回転」であることの説明を追加する。
（５４）【発明の名称】
気相エピタキシャル成長方法
（５７）【特許請求の範囲】
（１）反応管内に配置され回転機構によって回転される支持台上に
複数枚の
上記各成長用基板から離間して配置されるマニホールドを介して一箇所の吹き出し口から
混晶
２．１
（但し、回転数は５０ｒｐｍ以下）
ことにより、前記化合物半導体混晶層の組成の変動を４％未満とした
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
　本発明はエピタキシャル成長技術さらには回転式サセプタを有する気相成長装置におけるサセプタの回転制御方法に関し、特にＭＯＣＶＤ法（有機金属気相成長法）によりＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体混晶をエピタキシャル成長させる場合に利用して好適な技術に関する。
［従来の技術］
　化合物半導体のエピタキシャル成長技術として、ＶＰＥ法（気相エピタキシャル成長方法）やＭＯＣＶＤ法、ＭＢＥ法（分子線エピタキシャル法）が知られている。このうち、ＭＯＣＶＤ法は膜厚制御性が良好で大量生産に適しているため、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体混晶のエピタキシャル成長に利用されている。
　第１図には、化合物半導体気相成長装置の概略が示されている。すなわち、この気相成長装置は、マニホールド１によって反応管２内に導入された複数の原料ガスが、バレル型のサセプタ３上に載置された基板４に向かって流下し、高周波コイル５によって加熱された基板上で熱分離して基板上にエピタキシャル層が成長されるというものである。
　上記気相成長装置においては、流下する原料ガスの濃度や流れを反応管内全体に亘って均一に制御することが困難であり、流れが不均一であるとエピタキシャル層の均一性が得られにくい。そこで、サセプタ３を支持する支持軸６を回転機構７によって回転させながらエピタキシャル成長を行なう方法が提案されている。
［発明が解決しようとする課題］
　しかしながら、上記気相成長装置を用いてサセプタを回転させながら、ＭＯＣＶＤ法によりＧａＩｎＡｓＰやＡｌＧａＡｓのようなＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体混晶の成長を行なったところ、混晶層表面を光学顕微鏡で観察したときに良好な鏡面となっている場合と白濁状態になっている場合とがあることが分かった。
　本発明は、上記問題点を解決すべくなされたもので、その目的とするところは、回転式サセプタを有する気相成長装置によりＭＯＣＶＤ法でＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体混晶をエピタキシャル成長させる場合に、表面モホロジー（表面状態）が良好で、かつ面内均一性の高い混晶層を得るための気相成長技術を提供することにある。
［課題を解決するための手段］
　本発明者らは、ＭＯＣＶＤ法で気相エピタキシャル成長させた化合物半導体混晶の表面状態の不良の原因について解析を行なった。その結果、混晶の膜厚は均一であっても、その組成が所望の組成から大きくずれると、表面が白濁し、表面モホロジーが悪くなることを見出した。そして、その原因は、反応管内の原料ガスの濃度や流量が時間によって変化したり、濃度分布や流れの様子が反応管の各部で異なっていることにあり、この流れの不均一性によって、混晶組成が成長方向で変化したり（組成の揺らぎ）、基板間および基板面内でばらついてしまうとの結論に達した。
　そこで、混晶組成の揺らぎやばらつきの少ない成長条件を見つけるべく実験を行なった。その結果、サセプタが１回転する間に成長される混晶層が３分子層以下となるように原料ガスの流量およびサセプタの回転速度を制御すれば、混晶組成の変動を４％未満に抑えることができることを見出した。
　この発明は上記知見に基づいてなされたもので、反応管内に配置され回転機構によって回転される支持台上に
複数枚の
上記各成長用基板から離間して配置されるマニホールドを介して一箇所の吹き出し口から
混晶
２．１
（但し、回転数は５０ｒｍ以下）
により、前記化合物半導体混晶層の組成の変動を４％未満となるようにした。
［作用］
　上記した手段によれば、サセプタが１回転する間に混晶層が数分子成長されるにすぎないため、成長方向の組成の揺らぎがあっても、基板に吸着した分子のマイグレーションによって組成の揺らぎが緩和されるとともに、各基板もしくは基板の各部が同一の濃度、流れのガスにさらされるようになって混晶層の組成の均一性が向上し、良好な表面モホロジーが得られるようになる。
［実施例］
　第１図に示すような構成の気相成長装置を用いて、原料ガスの流量とサセプタの回転数を変えて、ＩｎＰ基板上へＧａＩｎＡｓＰ混晶層の成長を繰り返し行なった。使用した装置は、反応管２の内径が１２ｃｍ、サセプタ３の直径（ウェーハ載置部）が１０ｃｍである。
　上記サセプタ３上には直径２インチのＩｎＰ基板４を３枚載置して、基板表面が６２５℃となるように高周波コイル５で加熱し、真空ポンプ８で反応管内を７６ｔｏｒｒに引きながらマニホールド１よりトリエチルガリウムとトリメチルインジウムとアルシン（ＡｓＨ３）およびホスフイン（ＰＨ３）を、所望の組成比（ｘ＝０．２８，ｙ＝０．６１）となるように、各原料ガスの流量を決定して流し、基板表面に厚み約２μｍのＧａｘＩｎ１−ｘＡｓｙＰ１−ｙ混晶層を成長させた。
　成長終了後、反応管２より基板４を取り出して表面の混晶層を光学顕微鏡で観察した。その結果を第２図に示す。
　第２図は横軸にサセプタ３の回転数を、また縦軸に成長速度をとったもので、混晶層の表面モホロジーが良好であったものを○印で、表面モホロジーが不良であったものを●印でそれぞれ示してある。
　同図より、サセプタ１回転当たりの成長速度が３分子層以下である場合に、良好な表面モホロジーを有する混晶層が得られることが分かる。
　さらに、第２図に符号Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄで示す試料について、フォトルミネッセンスと二結晶Ｘ線回折法によって混晶層の組成分析を行ない、そのばらつきを算出した。
　なお、組成分析は基板の中心を通る２つの直交軸に沿って中心から２０ｍｍの位置まで５ｍｍ間隔で計１７点について行ない、目標とする組成比からのずれをｘ，ｙそれぞれについて百分率で算出した。その結果を表１に示す。
　表１よりサセプタ１回転当たりの混晶層成長速度を３分子層以下とすることにより組成比のウェーハ面内ばらつきを４％未満に抑えることができることが分かる。
　なお、上記実施例では、ＩｎＰ基板上にＧａＩｎＡｓＰ混晶層をＭＯＣＶＤ法でエピタキシャル成長させた場合について説明したが、この発明はそれに限定されるものでなく、ＧａＡｓ基板上にＡｌＧａＡｓ混晶層を成長させる場合その他ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体混晶をエピタキシャル成長させる場合一般に適用することができる。
［発明の効果］
　以上説明したようにこの発明は、反応管内に配置され回転機構によって回転される支持台上に
複数枚の
上記各成長用基板から離間して配置されるマニホールドを介して一箇所の吹き出し口から
混晶
２．１
（但し、回転数は５０ｒｐｍ以下）
ことにより、前記化合物半導体混晶層の組越の変動を４％未満となるようにした
【図面の簡単な説明】
　第１図は本発明方法を適用して好適な気相成長装置の一例を示す概略構成図、
　第２図はＩｎＰ基板上にＧａＩｎＡｓＰ混晶層をＭＯＣＶＤ法で成長させた場合のサセプタ回転数および成長速度と混晶層の表面状態との相関を示すグラフである。
１‥‥マニホールド、２‥‥反応管、３‥‥サセプタ、４‥‥半導体基板、５‥‥高周波コイル、６‥‥支持軸。
【図面】