【事件の表示】
　特許第２６５６５３６号「プローブおよびその製造方法」の請求項１ないし６に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結論】
　訂正を認める。
　特許第２６５６５３６号の請求項１ないし４に係る特許を維持する。
【理由】
１　手続の経緯
　特許第２６５６５３６号（昭和６３年４月１３日出願、平成９年５月３０日設定登録）について、特許異議申立人ジャグティアニ　アンド　アソシエイツより特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内に訂正請求がされた後、訂正拒絶理由が通知され、訂正拒絶理由に対して手続補正書が提出されたものである。
２　訂正の適否についての判断
２−１　特許権者が求めている訂正は、次の訂正事項ａ、ｂのとおりである。
［訂正事項ａ］
　請求項１の「同一材料」を請求項２に記載の「酸化珪素または窒化珪素」と訂正し、さらに、「一体に形成され」の後に請求項３記載の内容及び明細書記載の内容である「前記針状の凸部はシリコン基板を異方性エッチングしてなる凹部の側面に形成された膜で形成され前記板状部材に平行な面が四角形である四角錐形状である」と訂正を行なう。
　これに伴い、請求項２及び請求項３を削除し、請求項４以降を繰り上げる。
［訂正事項ｂ］
▲１▼「同一材料で一体に形成する」（公報４欄２５行）を「酸化珪素又は、窒化珪素で一体に形成され前記針状の凸部はシリコン基板を異方性エッチングしてなる凹部の側面に形成された膜で形成され前記板状部材に平行な面が四角形である四角錐形状である」と訂正する。
▲２▼「前記針状の凸部と前記板状部材とは酸化珪素または窒化珪素で形成することが望ましく、」（同４欄２６−２７行）を削除する。
▲３▼「大として」（同５欄３５行）を「大して」と訂正する。
▲４▼「第５図」（同６欄１２行）を「第４図」と訂正する。
▲５▼「これらの原子間力……範囲である。」（同６欄３０−３４行）を削除する。
２−２（訂正の目的、新規事項、拡張・変更について）
　訂正事項ａは、特許請求の範囲の減縮を目的とするもので、新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。訂正事項ｂ▲１▼▲２▼▲５▼は、特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載との整合を図るため、明りようでない記載の釈明を目的とするものであり、訂正事項ｂ▲３▼▲４▼も、明りょうでない記載の釈明を目的とするもので、いずれも新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
２−３（独立特許要件について）
　訂正後における特許請求の範囲請求項１〜４に係る発明は、訂正明細書の特許請求の範囲請求項１〜４に記載された次のとおりのものと認められる。
　「【請求項１】被測定物との間隔を一定に保ちながら前記被測定物の形状をトレースする針状の凸部を有する板状部材を備えたプローブであって、前記針状の凸部と前記板状部材とが酸化珪素または窒化珪素で一体に形成され、前記針状の凸部はシリコン基板を異方性エッチングしてなる凹部の側面に形成された膜で形成され前記板状部材に平行な面が四角形である四角錐形状であることを特徴とするプローブ。
　【請求項２】請求項１に記載のプローブを備えたことを特徴とする原子間力顕微鏡。
　【請求項３】被測定物との間隔を一定に保ちながら前記被測定物の形状をトレースする針状の凸部を有する板状部材を備えたプローブの製造方法において、次の工程を有することを特徴とする。
（１）シリコン基板の一方の面に、この面に四角形の開口部を有し側面がこのシリコン基板の｛１１１｝結晶面で構成された四角錐状の凹部を形成する工程。
（２）前記シリコン基板の前記四角錐状の凹部を形成した面及び前記四角錐状の凹部の側面にシリコン酸化膜を形成する工程。
（３）前記シリコン酸化膜を所望の形状にパターニングする工程。
（４）前記パターニングしたシリコン酸化膜から前記シリコン基板を除去することにより前記シリコン酸化膜で形成された針状の凸部を有する板状部材を形成する工程。
　【請求項４】被測定物との間を一定に保ちながら前記被測定物の形状をトレースする針状の凸部を有する板状部材を備えたプローブの製造方法において、次の工程を有することを特徴とする。
（１）異方性エッチングにより、シリコン基板の一方の面に、この面に四角形の開口部を有し側面がこのシリコン基板の｛１１１｝結晶面で構成された四角錐状の凹部を形成する工程。
（２）前記シリコン基板の前記四角錐状の凹部を形成した面及び前記四角錐状の凹部の側面にシリコン酸化膜を形成する工程。
（３）前記シリコン酸化膜を所望の形状にパターニングする工程。
（４）前記パターニングしたシリコン酸化膜から前記シリコン基板を除去することにより前記シリコン酸化膜で形成された針状の凸部を有する板状部材を形成する工程。」
　これに対して、取消理由通知に引用した引用刊行物１〜６は、次のとおりである。
引用刊行物１　ＥＵＲＯＰＨＹＳＩＣＳ　ＬＥＴＴＥＲＳ　３（１２），１５　Ｊｕｎｅ　１９８７，ｐｐ．１２８１−１２８６
引用刊行物２　特開昭　６２−１３０３０２号公報
引用刊行物３　米国特許第　４，３１２，１１７号明細書
引用刊行物４　Ｊ．Ｖａｃ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．，１８（３），Ａｐｒｉｌ
　　１９８１，ｐｐ．１１７９−１１８２
引用刊行物５　ＴＥＣＨＮＩＣＡＬ　ＤＩＧＥＳＴ　ＩＥＥＥ　ＳＯＬＩＤ−ＳＴＡＴＥ　ＳＥＮＳＯＲＳ　Ｗｏｒｋｓｈｏｐ，Ｊｕｎｅ　２−５　１９８６
　　「ＤＥＰＯＳＩＴ１０Ｎ　ＴＥＣＨＮＩＱＵＥＳ　ＡＮＤ　ＰＲＯＰＥＲＴＩＥＳ　ＯＦ　ＳＴＲＡＩＮ　ＣＯＭＰＥＮＳＡＴＥＤ　ＬＰＣＶＤ　ＳＩＬＩＣＯＮ　ＮＩＴＲＩＤＥ　ＦＩＬＭＳ」
引用刊行物６　ＰＲＯＣＥＥＤＩＮＧＳ　ＯＦ　ＴＨＥ　ＩＥＥＥ，ＶＯＬ．７０，ＮＯ．５，ＭＡＹ　１９８２　ＰＰ．４２０−４５６
　各引用刊行物には、以下のとおりの発明が記載されている。
（引用刊行物１）
　引用刊行物１には、「原子間力顕微鏡による原子分解能」に関し、二酸化珪素のカンチレバーの角部を原子間力顕微鏡サンプルに近接させること（図１）、（１００）シリコンウエハの両面に二酸化珪素膜（ＳｉＯ２）を形成した後、両面の二酸化珪素膜をエッチングして上面においてカンチレバーとなる二酸化珪素膜の細いストリップを残して、長方形の窓を形成し、下面の長方形の窓から前記上面の窓の境界まで前記シリコンウエハを（１１１）面に沿って異方性エッチングすることにより、シリコンウエハにより支持された二酸化珪素のカンチレバーを形成すること（図２）、が記載されている。
　また、「我々はレバーをわずかに傾かせ、チップとして作用する角部にてサンプルに接触するようにした。いずれは、カンチレバーの一体部分として鋭利な先端を造りつけることを計画しているが、いまのところ完了してはいない。」（１２８３頁１０−１３行）と記載されている。
（引用刊行物２）
　引用刊行物２には、原子間力顕微鏡に関し、「第１図を参照するに、原子力顕微鏡の主な構成は例えばアルミニウム・ブロックより成る剛体ベース１より成る、ベース１のアーム２はｘｙｚ駆動装置３に取付けられていて、これによってサンプル４は定置尖点５に関してｘ，ｙ及びｚ方向に変位できるようになっている。尖点５はベース１から突出し、片持ちばり７を支持するアーム６上に支持されている。好ましい実施例で、片持ちばり７は板ばねの形をなし、尖点５は該ばね７の上端に固定されている。」（３頁右上欄６〜１５行）こと、「１つの実験的な実施例として、手製で可能な微少のばねに小さなダイヤモンドのスタイラスをつけたものを製作した」（３頁右下欄第７〜９行）こと、この「ばね」の具体例として「薄い金箔より成るばね」（同１２行）が記載されている。
（引用刊行物３）
　引用刊行物３には、集積回路チップを試験するプローブとして使用し、或いは最終的に接続リードとして使用する尖鋭な端部を有するリード（２１０）について開示されており、次のとおり記載されている。
　「本発明に従う接続基板１０２の作製は、図２Ａ−Ｄにおいて示された断面図のシリーズを参照して記載される。アセンブリは、半導体材料のウェーハ２０２により始められる。」（５欄５〜９行）
　「ウェーハ２０２上部には、３０，０００−４５，ｏｏｏÅの範囲における好ましい厚さの熱酸化膜（ＳｉＯ２）２０６ができており、熱酸化膜２０６の上部にはクォーツ膜（ＳｉＯ２）ができている。標準的なフォトリソグラフィー技術を使用して、丸孔２０７が、クォーツ膜２０４と熱酸化膜２０６を通してエッチングされる。」（５欄１２〜１７行、図２Ａ参照）
　「シリコン・ウェーハ２０２は、その２つの幅広い表面について（１００）の結晶学的方位を有するのが好ましい。孔２０７が熱酸化膜とクォーツ膜を通してエッチングされたあと、孔２０７は、好ましい軸に沿ってだけシリコン・ウェーハ２０２を侵すエッチング液で浸される。下向きに頂点を有し４つの側面を有する多面体の形をしている孔２０８は、このように各々エッチングされる。その多面体の各側面は、垂直軸に対してほぼ５４度の角度にある。」（同欄１９〜２８行、図２Ｂ参照）
　「それから、アルミニウム膜が、クオーツ膜２０４の表面の上に堆積される。スパッタリングは、成膜の好ましい方法として使用することができる。スパッタされたアルミニウムは、孔２０８を満たして、クォーツ膜２０４の表面の上に広がる。尖鋭な端部２１２は孔２０８の一番奥の部分で形成され、そして、その小さい凹部２１４は金属膜の端部２１２から反対側の上で形成されることに注意すべきである。」（同欄２９〜３６行、図２Ｃ参照）
　スパッタにより堆積されたアルミニウム膜は、クォーツ膜２０４の上部に所望の金属接続パターンを形成するためにそれから選択的にエッチングされる。」（同欄３７〜３９行）
　「次に、図２Ｄの図において示されるように、半導体のウェーハ２０２が選択的にエッチングされて、上部の表面上でより小さい穴であった部分にて尖鋭な端部２１２を含む接続リード２１０の端部分が露出する。」（同欄４６〜５０行、図２Ｄ参照）
　「接続リード２１０の尖鋭な端部２１２は、集積回路チップ３０２のボンディングパッド３０６の適切なものの上に位置される。好ましくは、ボンディングパッド３０６は、アルミニウムから造られる。柔軟な部材３０４によってリード２１０の端に圧力が加えられるとき、尖鋭な端部２１２はボンディングパッドに押し付けられ、空気内でアルミニウムに表面に形成されたアルミニウム酸化物のコーティングを壊し、それに電気的接続を作る。」（同欄６９行〜６欄９行、図３参照）
（引用刊行物４）
　引用刊行物４には、「慣性核融合ターゲットのための半球部品を生産する固体プロセス」に関して、図３に示されるように、シリコンウエハの表面上にシリコン窒化膜を形成した後、前記シリコン窒化膜上にクロム、金及びフォトレジストの層をマスクとして設け、前記シリコン窒化膜を選択的にエッチングし、しかる後、前記シリコン窒化膜をマスクとして前記シリコンウエハを選択的にエッチング除去して半球状のキャビティを形成し、次いで前記キャビティの壁を酸化してＳｉＯ２を形成し、残余のシリコンウエハを除去して図４に示されるようなＳｉＯ２半球殻を形成することが開示されている（１１８１頁左欄″Ａ．Ｆｒｅｅｓｔａｎｄｉｎｇ　Ｓｉ０２　ｈｅｍｉｓｈｅｌｌｓ　ｂｙ　ｓｅｌｅｃｔｉｖｅ　ｏｘｉｄａｔｉｏｎ″）．
（引用刊行物５）
　引用刊行物５には、「歪み補償されたＬＰＣＶＤ窒化シリコン膜の堆積技術と特性」に関し、シリコン基板上に窒化シリコン膜を堆積して通常のリソグラフィ技術を用いて、前記基板の裏面から窒化シリコン膜が露出するようにエッチング除去することが開示されている。（１頁右欄１〜２４行）。
（引用刊行物６）
　引用刊行物６には、「機械材料としてのシリコン」に関し、（１００）結晶方向を有するシリコンウエハの表面に酸化シリコン膜を形成し、前記酸化シリコン膜に長方形の開口部を形成して前記シリコンウエハを異方性エッチングすると、（１１１）面を有するピラミッド型、即ちＶ字型のピット（穴）が形成されることが開示されている（図５参照）。
（請求項１に係る発明について）
　請求項１に係る発明と引用刊行物１に記載された発明とを対比すると、「被測定物との間隔を一定に保ちながら前記被測定物の形状をトレースする部分を有する板状部材を備えたプローブであって、前記板状部材が酸化珪素で形成されたことを特徴とするプローブ」で一致し、請求項１に係る発明のプローブのトレースする部分が▲１▼針状の凸部であって板状部材と一体に形成され、▲２▼該針状の凸部はシリコン基板を異方性エッチングしてなる凹部の側面に形成された膜で形成され前記板状部材に平行な面が四角形である四角錐形状であるのに対して、引用刊行物１に記載された発明のプローブのトレースする部分は、板状部材の角部である点で相違する。
　そこで検討すると、引用刊行物１には、「我々はレバーをわずかに傾かせ、チップとして作用する角部にてサンプルに接触するようにした。いずれは、カンチレバーの一体部分として鋭利な先端を造りつけることを計画しているが、いまのところ完了してはいない。」と記載されてはいるが、鋭利な先端については、その構造、形状などを示唆する記載はない。
　引用刊行物２の針状の凸部は、微少のばね（金箔の場合が記載されている。）に取付けられたばねとは別体の小さなダイヤモンドであるから、引用刊行物１に記載のものとを組合わせたとしても、板状部材とは別体の針状の凸部となり、本件発明に至るものではない。
　引用刊行物３に記載されたプローブは、集積回路チップを試験するプローブとして使用し、最終的に接続リードとされるものであって、導体であるアルミニウムからなり、請求項１に係る発明の「被測定物との間隔を一定に保ちながら前記被測定物の形状をトレースする針状の凸部を有する板状部材を備えたプローブ」とは技術分野を異にし、またその機能が異なるから、たとえ、形状が似ているとはいえ、酸化珪素で一体に形成されたプローブを示唆するものとはいえない。　引用刊行物４、５は、半導体製造プロセスを利用して、二酸化珪素膜からなる半球殻及び窒化シリコン膜による片持ちばりを形成することを開示するものの、酸化珪素膜ないし窒化珪素膜から成る針状の凸部を形成することを開示ないし示唆するものではなく、引用刊行物６も、シリコンウエハを異方性エッチングすると、Ｖ字型のピットが形成されることを開示するのみで、酸化珪素膜ないし窒化珪素膜から成る針状の凸部について開示ないし示唆するものではない。
　このように、引用刊行物２〜６に記載された発明を考慮しても、引用刊行物１に記載された発明と引用刊行物２〜６に記載された発明とを組合わせて本願発明とすることは容易であるとはいえない。
　そして、請求項１に係る発明の「針状の凸部を有する板状部材を備えたプローブ」を、「前記針状の凸部と前記板状部材とが酸化珪素または窒化珪素で一体に形成され、」かつ、「前記針状の凸部はシリコン基板を異方性エッチングしてなる凹部の側面に形成された膜で形成され前記板状部材に平行な面が四角形である四角錐形状である」ように構成することによって、請求項１に係る発明のプローブは高精度の鋭利な突起部と適度のたわみを生じるプレート部からなるプローブとなり、分解能が高く高精度な形状測定が可能となる作用効果を奏することが認められる。
　したがって、訂正明細書の請求項１に係る発明は、特許出願の際独立して特許を受けることができるものである。
（請求項２に係る発明について）
　請求項２に係る発明は、請求項１に記載のプローブを備えた原子間力顕微鏡であるから、請求項１に係る発明について検討した理由と同じ理由により、特許出願の際独立して特許を受けることができるものである。
（請求項３、４に係る発明について）
　請求項３、４に係る発明は、「被測定物との間隔を一定に保ちながら前記被測定物の形状をトレースする針状の凸部を有する板状部材を備えたプローブの製造方法」に関し、工程（２）中に「前記シリコン基板の前記四角錐状の凹部を形成した面及び前記四角錐状の凹部の側面にシリコン酸化膜を形成する工程。」を含むものであって、各引用刊行物にはこれを開示ないし示唆する記載はない。
　したがって、訂正明細書の請求項３、４に係る発明は、特許出願の際独立して特許を受けることができるものである。
（むすび）
　以上のとおり、上記訂正は、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律１１６号、以下「平成６年改正法」という。）附則６条１項の規定によりなお従前の例によるとされる、特許法１２０条の４第３項で準用する平成６年改正法による改正前の１２６条１項ただし書き、２項及び３項の規定に適合するので、訂正を認める。
３　特許異議の申立について
（請求項に係る発明）
　本件請求項１〜４に係る発明は、訂正明細書の特許請求の範囲請求項１〜４に記載されたとおりのものと認められる。
（申立理由の概要）
　特許異議申立人は、甲第１号証の１〜甲第６号証の１（上記引用刊行物１〜６に同じ。）を提出して、本件請求項１〜４に係る発明は、甲各号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、各請求項に係る発明の特許は特許法２９条２項の規定に違反してされたものであるから取消すべきである旨主張している。
　しかしながら、上記２−３（独立特許要件について）で述べたとおりの理由により、本件請求項１〜４に係る発明は、甲第１号証の１〜甲第６号証の１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　なお、異議申立人は、針状の凸部が四角錐形状であること及び請求項４、５に係る製造方法の発明につき、甲第３号証の１（引用刊行物３）その他の記載から容易であると主張するが、甲第３号証の１には、導電体であるアルミニウムからなる集積回路チップに対するプローブを開示するのみで、酸化珪素ないし窒化珪素の膜から針状の凸副を形成することを開示ないし示唆する記載はなく、甲各号証を参照しても、先に述べたように甲第１号証の１（引用刊行物１）と組合わせることを示唆するものは認められず、異議申立人の主張は採用できない。
４　むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件発明の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１１年９月３０日（１９９９．９．３０）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
［訂正事項ａ］
　特許請求の範囲の縮減を目的として、請求項１の「同一素材」を「酸化珪素または窒化珪素」と訂正し、「一体に形成されている」を「一体に形成され、前記針状の凸部はシリコン基板を異方性エッチングしてなる凹部の側面に形成された膜で形成され前記板状部材に平行な面が四角形である四角錐形状である」と訂正する。
　請求項２及び請求項３を削除し、請求項４以降を繰り上げる。
［訂正事項ｂ］
　明りようでない記載の釈明を目的として、次のように訂正する。
▲１▼「同一材料で一体に形成する」（公報４欄２５行）を「酸化珪素又は、窒化珪素で一体に形成され前記針状の凸部はシリコン基板を異方性エッチングしてなる凹部の側面に形成された膜で形成され前記板状部材に平行な面が四角形である四角錐形状である」と訂正する。
▲２▼「前記針状の凸部と前記板状部材とは酸化珪素または窒化珪素で形成することが望ましく、」（同４欄２６−２７行）を削除する。
▲３▼「大として」（同５欄３５行）を「大して」と訂正する。
▲４▼「第５図」（同６欄１２行）を「第４図」と訂正する。
▲５▼「これらの原子間力……範囲である。」（同６欄３０−３４行）を削除する。
（５４）【発明の名称】
プローブ及びその製造方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】被測定物との間隔を一定に保ちながら前記被測定物の形状をトレースする針状の凸部を有する板状部材を備えたプローブであって、前記針状の凸部
と
酸化珪素または窒化珪素
前記針状の凸部はシリコン基板を異方性エッチングしてなる凹部の側面に形成された膜で形成され前記板状部材に平行な面が四角形である
　【請求項
２
　【請求項
３
（１）シリコン基板の一方の面に、この面に四角形の開口部を有し側面がこのシリコン基板の｛１１１｝結晶面で構成された四角錐状の凹部を形成する工程。
（２）前記シリコン基板の前記四角錐状の凹部を形成した面及び前記四角錐状の凹部の側面にシリコン酸化膜を形成する工程。
（３）前記シリコン酸化膜を所望の形状にパターニングする工程。
（４）前記パターニングしたシリコン酸化膜から前記シリコン基板を除去することにより前記シリコン酸化膜で形成された針状の凸部を有する板状部材を形成する工程。
　【請求項
４
（１）異方性エッチングにより、シリコン基板の一方の面に、この面に四角形の開口部を有し側面がこのシリコン基板の｛１１１｝結晶面で構成された四角錐状の凹部を形成する工程。
（２）前記シリコン基板の前記四角錐状の凹部を形成した面及び前記四角錐状の凹部の側面にシリコン酸化膜を形成する工程。
（３）前記シリコン酸化膜を所望の形状にパターニングする工程。
（４）前記パターニングしたシリコン酸化膜から前記シリコン基板を除去することにより前記シリコン酸化膜で形成された針状の凸部を有する板状部材を形成する工程。
【発明の詳細な説明】
　〔産業上の利用分野〕
　本発明はプローブ及びその製造方法に関し、特に原子間力顕微鏡のプローブとして用いるのに好適なプローブ及びその製造方法に関する。
　〔従来技術〕
　従来、原子間力検出プローブについては、ヨーロッパフイジイクス、レター３（１９８７）第１２８１頁から第１２８６頁（Ｅｕｒｏｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．３（１９８７）ＰＰ１２８１〜１２８６）において論じられている。
　第２図は、従来の原子間力検出顕微鏡（ＡＦＭ）の構成を示す。一般に従来のトンネル顕微鏡（ＳＴＭ）では、第２図のトンネリングチップ３はサンプル２に直接作用する。すなわち、トンネリングチップ３とサンプル２間のトンネル電流が一定となるようにチップ３にフィードバックし、チップ３とサンプル２の距離を保持することによって、サンプル２の表面形状が計測される。しかし、ＳＴＭでは、サンプル２が導体でなければならないという制約があった。原子間力検出顕微鏡は、ＳＴＭの欠点を解消するものである。第２図に示すプレート１の先端は、原子間力をうけてプレート１がたわみ、先端部とサンプルの距離は一定に保たれ、サンプル２の形状をトレースすることができる。プレート１に金属を蒸着しておけば、サンプル２が導体でなくとも、トンネリングチップ３は、プレート間のトンネル電流を一定に保って変位するようにフィードバックされるのでプレート１を介して、サンプル２の形状を間接的にトレースすることになる。この場合、サンプル形状を精度よくトレースするためには、プレート１の先端部を鋭利に加工する必要がある。
　しかしながら、従来の技術では、プレート先端のチップを製造するのが困難なため、第２図（ｂ）のように長方形プレートの角部で代用したり、第２図（ｃ）のように三角形プレートの先端を用いるなどチップの先端が鋭利に加工されない状態で用いられている。従って、第２図（ａ）に示すように、プレート１は、被測定物に対して傾けて測定するなどの方法がとられている。このため、従来技術によるプレートを用いた場合には、表面凹凸のアスペクト比が高い試料では忠実にその表面形状を表わすことができないこと、また、プレート１がたわみをより感受しやすい力の方向は、プレート面の法線方向であるのに対し、従来に方法では、これよりも多少ずれた方向となっている等の問題がある。
　〔発明が解決しようとする課題〕
　従来の技術では原子間力検出プレートを平面上にしか製作できず、しかもその先端は十分に鋭利な針状チップとはなっていない。このため、特に表面の凹凸のアスペクト比が高い試料の表面をプロービングするさいに、チップの鋭利さの不足に伴なう解像度の低下が避けられないという欠点があった。
　本発明の目的は、プレートの先端に、プレート面の法線方向又はそれに近い方向に鋭利な針状のチップを一体で形成したプローブおよびその製造方法を提供する。
　〔課題を解決するための手段〕
　上記目的は、被測定物との間隔を一定に保ちながら前記被測定物の形状をトレースする針状の凸部を有する板状部材を備えたプローブを、前記針状の凸部
と
酸化珪素または窒化珪素
前記針状の凸部はシリコン基板を異方性エッチングしてなる凹部の側面に形成された膜で形成され前記板状部材に平行な面が四角形である四角錐形状である
　また、上記目的は、被測定物との間隔を一定に保ちながら前記被測定物の形状をトレースする針状の凸部を有する板状部材を備えたプローブの製造方法において、次の工程を有することにより達成される。
（ａ）シリコン基板の一方の面に、この面に四角形の開口部を有し側面がこのシリコン基板の｛１１１｝結晶面で構成された四角錐状の凹部を形成する工程。
（ｂ）前記シリコン基板の前記四角錐状の凹部を形成した面及び前記四角錐状の凹部の側面にシリコン酸化膜を形成する工程。
（ｃ）前記シリコン酸化膜を所望の形状にパターニングする工程。
（ｄ）前記パターニングしたシリコン酸化膜から前記シリコン基板を除去することにより前記シリコン酸化膜で形成された針状の凸部を有する板状部材を形成する工程。
　〔作用〕
　本発明によれば、プレート面に形成した十分に鋭利な針状のチップを有しているので、例えばチップの先端の原子が、表面原子との間で原子力を受けるので、プレート部は発生した原子間力を感受してたわみ、正確にチップ先端の原子の受ける力を検出することができる。また、この場合チップの先端をプレート面から突出して設けることによって原子間力を感受する性能を向上させることができる。これらの結果、チップ先端以外の場所の原子が被測定物の表面原子との間で力を及ぼし合うことが極めて少なくなるので、ＡＭＦのように一定の力を保ちつつ表面形状を測定する場合に試料表面内に位置誤差なく、表面形状あるいは力分布等を正確に測定することができる。
〔実施例〕
　次に本発明のプローブを実施例に基づき説明する。第１図は、熱酸化膜（ＳｉＯ２）から成り、先端に突出した鋭利な針を有するプローブを示す。すなわち第１図（ａ）は、プレート部１の先端に、プレート面外に突出した構造のチップ５を有するＡＦＭプローブを示し、第１図（ｂ），（ｃ）はそれぞれ、四角錐状、円錐状のチップ５を有するＡＦＭプローブを示す。第１図に示したプローブはいずれもプレート１の部分で原子間力を受けてたわむ構造となっている。本構造のように、プレート面外に突出した針状チップ５を形成することにより、感度の高いＡＦＭプローブとなっている。
　第３図にはもう一つのプローブの形状を示す。本構造の場合は、回転軸６を支点として、構造全体が回転する機構を有している。このため、針状のチップ５が原子間力をうけた時にプレート１は、たわむことなく、回転軸６を中心として回転する構造となる。また、ＳＴＭの針部３はプレート後部１′の変位に追従して一定の距離を保つことによってサンプルの形状を精度良くトレースすることができる。トンネリングチップ３とプレート１′の距離を一定に保つ方法としては、トンネル電流を検出して、その値を一定に保つように、ピエゾ素子等でトンネリングチップ３を変位させる方法が考えられる。なお、第３図に示す構造のプローブであれば、プレート部１と１′の長さの比を変化させることによって微細な形状を拡
大し
　なお、プローブの動きを測定する方法として、上述のトンネリングチップを用いる手段の他に、該プレート１′に対向して平板電極を設け、その間の静電容量の変化を検出する方法や、該プレート１′にレーザ光を斜めに入射させて、その反射光の角度変化をみる方法が考えられる。
　次に、上述の代表的なプローブの製造方法について述べる。第４図は、第１図（ｂ）に示すプローブの製造方法の説明図である。初めに、Ｓｉウエハ７に酸化膜８を形成する（第４図（ａ））。ついで、その片面にフォトレジスト９を形成する（第４図（ｂ））。次に露光装置によって露光、現像を行い四角パターン１０を形成する（第４図（ｃ））。さらに、レジスト９をマスクとして、フッ酸およびフッ化アンモニュウム溶液の混合液を用いて酸化膜にパターン１１を形成し、レジストを除去する（第４図（ｄ））。次に、酸化膜８をマスクとして、ＫＯＨ等のアルカリ系水溶液によって異方性エッチングすることにより、｛１１１｝系の面１２から成る凹部を生じる（第４図（ｅ））。その後、上部の酸化膜を除去し、再度全面に酸化膜を形成する（第４図（ｆ））。次に、同様の工程を経て上部の酸化膜に、第４図の（ｇ），（ｇ′）に示すパターン８′を形成する。さらに上部の酸化膜にガラス等の基板１３を接着し、（第４図（ｈ））、シリコン基板７をＫＯＨ水溶液で除去することによって所望の形状のプローブを得る（第４図（ｉ））。
　最後に、トンネル電流を検出するために、原子間力検出プレートの上面に、Ａｕ等の金属を蒸着して導電性を付与し、実用に供するＡＦＭ用プローブが完成する。
　上記実施例では、第１図（ｂ）に示すプローブの製造方法について示したが、第１図（ａ）のプローブについても同様の方法で製造可能である。一方、第１図（ｃ）のプローブは、第４図（ｃ），（ｄ）で形成するパターン１１を円形とし、次いでＣＦ４等のガス中でドライエッチングを行うことにより、針状の深みぞを形成できる。次いで酸化膜を形成し、第４図（ｇ）以降と同様のプロセスを経ることによって第１図（ｃ）のプローブを得ることができる。なお、第３図に示すプローブでは、第１図（ａ）と同様のプロセスで形成可能である。
　なお実施例では、第１図及び第３図に示す構造のプローブを作るために、第４図でＳｉＯ２をマスクとしたが、これはＳｉ３Ｎ４で代用することも可能である。
〔発明の効果〕
　以上の実施例から明らかなように、本発明のプローブは高精度の鋭利な突起部と適度のたわみを生じるプレート部から成るプローブを形成できる。この結果、プレート先端のチップは比測定物の表面形状を忠実にトレースし、分解能が高く高精度の形状測定が可能となる。
【図面の簡単な説明】
　第１図は本発明の実施例を示すＳｉＯ２で形成されたプローブの概観図、第２図は従来の原子間力検出顕微鏡（ＡＦＭ）を示す構成図、第３図は本発明の他の実施例を示すＳｉＯ２から成り、原子力を受けて回転する構造のプローブの概観図、第４図は本発明のプローブの製造方法の実施例を示すための断面図である。
　１…プレート、５…針状チップ、６…回転軸。