【事件の表示】
　特許第２７１９０６８号「半導体ウエハー等のテスト装置」の請求項１ないし８に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結論】
　訂正を認める。
　特許第２７１９０６８号の請求項１ないし８に係る特許を維持する。
【理由】
　（１）手続の経緯
　特許第２７１９０６８号に係る主な手続きの経緯は、以下のとおりである。
優先権主張日　　　平成３年３月２６日
特許出願　　　　　平成４年３月２４日
特許権設定登録　　平成９年１１月１４日
特許公報発行日　　平成１０年２月２５日
特許異議の申立て　平成１０年８月２５日
取消理由通知　　　平成１１年２月１日
特許異議意見書　　平成１１年８月２４日
訂正請求書　　　　平成１１年８月２４日
　（２）特許異議申立ての概要
　特許異議申立人安藤純男は、甲第１号証として特開昭５７−４０９５０号公報（以下、引用例１という）を、甲第２号証として実願昭５７−１７０７８５号（実開昭５９−７４７２９号のマイクロフイルム）（以下、引用例２という）を、甲第３号証として実願昭６３−６８５４７号（実開平１−１７１０３４号のマイクロフイルム）（以下、引用例３という）を、甲第４号証として特開平２−２１４４号公報（以下、引用例４という）を、甲第５号証として実願昭６１−１６２８０１号（実開昭６３−６７９８０号のマイクロフイルム）（以下、引用例５という）を提示し、本件特許の請求項１−８に係る発明（以下、本件発明という）は、引用例１−５に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることが出来たものであるから、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであり本件発明に係る特許は取り消されるべきであると主張している。
　（３）当審において通知した取消理由の概要
　特許異議申立人日本電気株式会社が提示した引用例２を引用し、本件特許は、特許法第２９条第１項の規定に違反してなされたものであるから取り消されるべきものである。
　（４）訂正請求によって訂正された発明
　平成１１年８月２４日付けで補正がされた訂正請求によって訂正された明細書に係る発明（以下、訂正発明という）は、その特許請求の範囲の請求項１−８に記載されたとおりの以下のものであると認められる。
「【請求項１】　テストされるべき半導体ウエハ−等を支持するための検査台（１）と、プロ−ブ等のホルダ−を支持するための支持手段（１４）とを具備する半導体ウエハ−等のテスト装置であって、
　前記検査台（１）は、上方に閉口し該検査台（１）の周辺を取り囲む容器（２）内に配置されており、
　前記上方に開口した容器（２）は、プロ−ブ等を通すための穴（１２）を有する板（１０）によって覆われており、
　前記検査台（１）は、前記板（１０）と前記支持手段（１４）に対して、少なくとも水平面内で動くように構成されており、
　前記容器（２）と前記板（１０）により囲まれた空間内に、接続部（８）を介して空気、気体等の供給源（９）に接続された放出部（５，６）が配置されており、
　前記放出部（５，６）は、空気等の流れが前記穴（１２）の方向に向かうように前記検査台（１）と前記容器（２）の間の空間から前記空気等を放出することにより、空気等が前記穴（１２）を通って前記容器（２）から放出される様に、空気等の流れを生成することを特徴とする半導体ウエハ−等のテスト装置。
　【請求項２】　請求項１に記載の半導体ウエハ−等のテスト装置において、
　前記容器（２）は、前記検査台（１）に対して固定されている。
　【請求項３】　請求項１に記載の半導体ウエハ−等のテスト装置において、
　前記検査台（１）は、前記容器（２）に対して位置調整可能にされている。
　【請求項４】　請求項１乃至３のいずれか１項に記載の半導体ウエハ−等のテスト装置において、
　前記放出部（５，６）は、容器（２）の内部に空気あるいは気体の層流が生成される様に、多孔質の材料から形成されている。
　【請求項５】　請求項１乃至４のいずれか１項に記載の半導体ウエハ−等のテスト装置において、
　前記放出部（５，６）が接続された前記供給源（９）は、温度２０℃、結露点−１９６℃の空気を発生する。
　【請求項６】　請求項１乃至４のいずれか１項に記載の半導体ウエハ−等のテスト装置に用いられる供給源であって、
　濾過された空気が前記放出部（５，６）に導かれる。
　【請求項７】　請求項１乃至４のいずれか１項に記載の半導体ウエハ−等のテスト装置に用いられる供給源であって、
　該供給源（９）から前記放出部（５，６）に不活性な気体が導かれる。
　【請求項８】　請求項１乃至７のいずれか１項に記載の装置において、
　前記容器（２）の内部には、空気をイオン化する手段が配置されている。」
　（５）訂正請求の内容
　上記訂正請求は、本件特許の願書に添付された明細書（以下、「特許明細書」という。）を以下のとおり訂正するものである。
　特許請求の範囲の請求項１について、「前記上方に開口した容器（２）は、プロ−ブ等を通すための穴（１２）を有する板（１０）によって覆われており、
　前記容器（２）と前記板（１０）により囲まれた空間内に、接続部（８）を介して空気、気体等の供給源（９）に接続された放出部（５，６）が配置されており」を「前記上方に開口した容器（２）は、プロ−ブ等を通すための穴（１２）を有する板（１０）によって覆われており、前記検査台（１）は、前記板（１０）と前記支持手段（１４）に対して、少なくとも水平面内で動くように構成されており、
　前記容器（２）と前記板（１０）により囲まれた空間内に、接続部（８）を介して空気、気体等の供給源（９）に接続された放出部（５，６）が配置されており」と訂正する。
　（６）訂正の適否の判断
　上記訂正事項は、特許明細書の請求項１の記載について、「容器内に配置された検査台」を「前記検査台（１）は、前記板（１０）と前記支持手段（１４）に対して、少なくとも水平面内で動くように構成されており」を付加することでより下位の概念に限定したものであるから、特許請求の範囲の減縮に相当する。
　そして、訂正された「検査台（１）が、前記板（１０）と前記支持手段（１４）に対して、少なくとも水平面内で動く」構成は、特許明細書段落【０００９】第３−６行及び段落【００１２】第３−５行に直接記載されている事項であるからこの訂正は、特許明細書に記載した事項の範囲においてなされたものである。また、実質上特許請求」の範囲を拡張し、変更するものでもない。
　（７）独立特許要件についての判断
　訂正発明は、訂正された明細書および図面の記載からみて（４）で認定したとおりである。
　特許異議申立人の提示した各引用例には、以下のとおりの事項が記載されている。
　引用例１：（第２図および第２頁左上欄第１５行〜右上欄第４行）には、
「第２図はこの発明の一実施例を示す断面図である。（１４）は防湿室、（１５）は測定試料に評価用端子を取るためのプロ−ブ、（１６）は測定試料、（１７）は試料である半導体基板（１６）を固定するための試料台、（１８）は試料（１６）を冷却するための冷媒だめ、（１９）は試料（１４）を固定するための真空チャック、（２０）は防湿のための防湿室（１４）へ流すガスの導入口、（２１）はバルブ、（２２）、（２３）はプロ−ブ（１５）を所望の位置に動かすためのプロ−ブ位置ぎめ治具、（２４）は光入射のための窓板、（２５）は防湿室ガス排気口である。」
が、
（第２頁右上欄第１３〜１６行）には、
「ついで防湿室（１４）に窒素ガスを流し、冷媒だめ（１８）に液体窒素を入れて半導体基板（１６）を冷却し、窓板（２４）から赤外線を入射してチップの特性を測定する。」
が、
（第２頁左下欄第９〜１１行）には、
「防湿室（１４）に導入するガスは、防湿の目的を果たすものであれば窒素以外のガスであってもよい。」
がそれぞれ記載されている。
　引用例２：（第１図及び明細書の第３頁第７行〜第４頁第１７行）には、
「１は試料台で、２が測定用手段で、Ｘ−Ｙスキャナ−である。１７はＸ一Ｙスキヤナ−のモ−タ部、１８が試料８の電極にコンタクトをとるプロ−ブである。試料台１と測定手段２とはガスコンデンサ１０とシ−ルドキャップ１２によって囲まれている。試料台の表面に半導体ウエフア等の測定すべき試料３が載置される。試料はロ−タリ−ポンプ４によって試料台に真空吸着され、固定される。試料台の下側には熱交換部５が備えられている。
　試料を加熱乃至冷却する気体系は試料台から離れた所に設けられた加熱乃至冷却源、即ちガス加熱器６及び低温液体溜７と、それぞれの加熱乃至冷却した気体を熱交換部５に導くパイプ８、９及びこれ等加熱乃至冷却した気体を搬送するキャリアガスと、キャリアガスをガスコンデンサ部１０に導くパイプ１１とから成る。
　試料を測定するには、まず試料台に測定すべき試料を載置しロ−タリポンプを運転して試料を試料台に吸着、固定し、シ−ルドキャップをかぶせて開閉弁１５を開放してＮ２等の不活性気体をシ−ルドキャップ内に充満し、試料を外気から完全に遮断する。
　……試料を冷却する場合には開閉弁１６を開放し液体窒素ガスを熱交換器に導き、更に試料に吹き付け試料を冷却する。試料の温度はそれぞれ気体流量を開閉弁１３，１５，１６を調整することによって制御される。」が記載されている。
　引用例３：（第１図及び明細書の第２頁第６〜１９行）に、
「図において、１はステ−ジで、半導体ウェ−ハ２を吸着保持している。半導体ウェ−ハ２には、多数の半導体ペレット３が形成されており、各半導体ペレット３には多数のＡｕ等よりなるバンプ電極４が形成されている。５はステ−ジ１の上方に配置されているプロ−ブカ−ドで、前記半導体ペレット３の電極４に接触する多数の探針６が固定されている。
　上記の構成において、ステ−ジ１は半導体ペレット３の寸法に応じて１ピッチ分ずつＸ方向に間欠的に移動しながら間欠的に上昇し、半導体ペレット３の電極４に探針６の先端を接触させて、半導体ペレット３の電気的特性を測定検査している。」が、
（第４頁第１１行〜第５頁第４行）には、
「第２図との相違点は、プロ−ブカ−ド５の窓孔部５ａの上方に、不活性気体、例えばＮ２ガスを吹き出すノズル７を設けていることである。
　……かつその雰囲気がＮ２ガス雰囲気になることによって、バンプ電極４および探針６の先端部分の酸化が防止される。…」
がそれぞれ記載されている。
　引用例４：（第１〜６図及び明細書の第２頁右下欄第１６〜第３頁右上欄第４行）に、
「この検査部（５）には、ウエハ（４）を載置する載置体（６）の載置面（７）と対向面にプロ−ブカ−ド（８）がヘッドプレ−ト（９）側に設けられている。
　上記プロ−ブカ−ド（８）には、上記載置面（７）に載置されたウエハ（４）の電極パッドと対応した位置にプロ−ブ針（１０）が配置されている。
　上記プロ−ブ針（１０）と、上記ウエハ（４）とが相対的に上下動駆動部（１１）で上下動して、互いに接触するようになっている。」が、
（第３頁左下欄第１０〜１８行）に、
「このプロ−ブカ−ド（８）と、載置面（７）との間に上記噴射部（２４）がウエハ（４）面と平行に設けられ、ウエハ（４）面と斜交する如く気体が噴出するように構成されている。
　上記噴射部（２４）は、第２図に示すように、主管例えば、内径６ｍｍ銅管（２５）側面に直交方向に一列状態で内径０．８ｍｍのエア−ノズル（２６）を設け、さらに、このエア−ノズノル（２６）の近傍に放電針（２７）を設けている。」が、
（第４頁左下欄第５〜９行）に、
「本実施例の効果は、イオン化された気体を吹きつけるようにしたのでウエハ（４）に静電気が帯電しても、上記イオン化された気体によって中和され、……」がそれぞれ記載されている。
　引用例５：（第１図及び明細書の第５頁第１０行〜第６頁第２行）に、
「……送風空気をイオン化し得るイオン発生器等の除電装置１０を設けるようにしたところに特徴を有している。
　そして、このような構成によれば、炉１内への送風空気をイオン化して送り込むことができ、これにより炉１内に被検査物として収容されている半導体ＩＣ４での帯電現象を防止あるいは抑制する帯電防止機能や、帯電したものについて電気的に中和して除電し得る除電機能を発揮させ得るものである。」が記載されている。
　訂正発明と、前記引用例１−５に記載された事項とを比較すると、前記引用例１−５には訂正発明の必須の構成である「前記上方に開口した容器（２）は、プロ−ブ等を通すための穴（１２）を有する板（１０）によって覆われており、前記検査台（１）は、前記板（１０）と前記支持手段（１４）に対して、少なくとも水平面内で動くように構成されており、
　前記容器（２）と前記板（１０）により囲まれた空間内に、接続部（８）を介して空気、気体等の供給源（９）に接続された放出部（５，６）が配置されている」点が記載されておらず、かつ該構成を示唆する記載もない。
　そして、訂正発明は上記構成によって、訂正後の明細書から自明な「プロ−ブと板（１０）が固定され、これに対して検査台であるウェ−ハ載置台が移動することにより、プロ−ブによる検査を行うため板１０に設けられる穴をプロ−ブがとおれればよいだけの小さいものにすることができるために検査台による０℃付近またはそれ以下までの冷却の際には氷の結晶の生成を避け、また、０℃以上の温度においてはクリ−ンル−ムの状態を維持し、特定の目的のためにはプロ−ブの先端で起こる酸化現象を回避することができる。」という引用例１−５には記載されていない格別の効果を奏するものである。
　そうすると、訂正された明細書の請求項１に係る発明（以下、訂正発明１という。）は、引用例１−５に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることもできない。
　（８）訂正された明細書の請求項２ないし８に係る発明（以下、訂正発明２ないし８という。）について
　訂正発明２ないし８は、訂正発明１の構成を全て備えた上で、さらに限定を加えたものであるから、この限定した構成が前記引用例１−５のいずれかに記載されているとしても、前記（７）のとおり、訂正発明１が引用例１−５に記載されたものに基づき当業者が容易に発明をすることができない以上、訂正発明２ないし８も、前記引用例１−５に記載されたものに基づき当業者が容易に発明をすることができない。
　（９）以上のとおりであるから、上記訂正請求は特許法第１２０条の４第２項および同条第３項で準用する同法第１２６条第２−第４項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　（１０）特許異議の申立て及び当審で通知した取り消し理由についての判断
　本件発明は、訂正された明細書の特許請求の範囲に記載されたとおりのものであって、上記（４）で認定したとおりのものである。
　そして、本件発明は（７）、（８）で示したように、引用例１−５に記載されたものに基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
　（１０）むすび
　したがって、特許異議の申立ての理由及び証拠によっては、本件発明に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１１年１０月１２日（１９９９．１０．１２）
【訂正の要旨】
特許請求の範囲の減縮を目的として
　特許請求の範囲の請求項１について、
「前記上方に開口した容器（２）は、プロ−ブ等を通すための穴（１２）を有する板（１０）によって覆われており、
　前記容器（２）と前記板（１０）により囲まれた空間内に、接続部（８）を介して空気、気体等の供給源（９）に接続された放出部（５，６）が配置されており」を「前記上方に開口した容器（２）は、プローブ等を通すための穴（１２）を有する板（１０）によって覆われており、
　前記検査台（１）は、前記板（１０）と前記支持手段（１４）に対して、少なくとも水平面内で動くように構成されており、
　前記容器（２）と前記板（１０）により囲まれた空間内に、接続部（８）を介して空気、気体等の供給源（９）に接続された放出部（５，６）が配置されており」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
半導体ウエハー等のテスト装置
（５７）【特許請求の範囲】
　　【請求項１】　テストされるべき半導体ウエハー等を支持するための検査台（１）と、プローブ等のホルダーを支持するための支持手段（１４）とを具備する半導体ウエハー等のテスト装置であって、
　前記検査台（１）は、上方に開口し該検査台（１）の周辺を取り囲む容器（２）内に配置されており、
　前記上方に開口した容器（２）は、プローブ等を通すための穴（１２）を有する板（１０）によって覆われており、
　
前記検査台（１）は、前記板（１０）と前記支持手段（１４）に対して、少なくとも水平面内で動くように構成されており、
　前記容器（２）と前記板（１０）により囲まれた空間内に、接続部（８）を介して空気、気体等の供給源（９）に接続された放出部（５，６）が配置されており、
　前記放出部（５，６）は、空気等の流れが前記穴（１２）の方向に向かうように前記検査台（１）と前記容器（２）の間の空間から前記空気等を放出することにより、空気等が前記穴（１２）を通って前記容器（２）から放出される様に、空気等の流れを生成することを特徴とする半導体ウエハー等のテスト装置。
　　【請求項２】　請求項１に記載の半導体ウエハー等のテスト装置において、
　前記容器（２）は、前記検査台（１）に対して固定されている。
　　【請求項３】　請求項１に記載の半導体ウエハー等のテスト装置において、
　前記検査台（１）は、前記容器（２）に対して位置調整可能にされている。
　　【請求項４】　請求項１乃至３のいずれか１項に記載の半導体ウエハー等のテスト装置において、
　前記放出部（５，６）は、容器（２）の内部に空気あるいは気体の層流が生成される様に、多孔質の材料から形成されている。
　　【請求項５】　請求項１乃至４のいずれか１項に記載の半導体ウエハー等のテスト装置において、
　前記放出部（５，６）が接続された前記供給源（９）は、温度２０°Ｃ、結露点−１９６°Ｃの空気を発生する。
　　【請求項６】　請求項１乃至４のいずれか１項に記載の半導体ウエハー等のテスト装置に用いられる供給源であって、
　濾過された空気が前記放出部（５，６）に導かれる。
　　【請求項７】　請求項１乃至４のいずれか１項に記載の半導体ウエハー等のテスト装置に用いられる供給源であって、
　該供給源（９）から前記放出部（５，６）に不活性な気体が導かれる。
　　【請求項８】　請求項１乃至７のいずれか１項に記載の装置において、
　前記容器（２）の内部には、空気をイオン化する手段が配置されている。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　　【産業上の利用分野】
　本発明は請求項１の序文に従う、半導体ウェハー等のテスト装置に関するものである。
　【０００２】
　　【従来の技術】
　半導体ウェハーのテストは−２００℃から＋４００℃までの温度の範囲で行われる。このような温度は、テストの目的で半導体ウェハーが置かれる検査台（ｐｒｏｂｅｒ　ｔａｂｌｅ）を温めたり冷やしたりすることによって得られる。０℃付近およびそれ以下の温度においては、周囲の空気に含まれる湿気によって、ウェハーや検査台そのものの上に氷の結晶ができる。このような氷の結晶の生成を避けるために、手動操作可能な検査機においては検査機上に窒素の噴出口が導かれている。
　【０００３】
　　【発明が解決しようとする課題】
　しかしながら、この方法では，半導体ウェハー上の、中心部分における氷の生成は避けられるが、窒素の噴流の端の部分において、周囲の空気の吸引によって起こる氷の結晶の生成は避けられない。
　本発明は、０℃付近またはそれ以下の温度で操作する場合には氷の結晶の生成が避けられ、また、０℃以上の温度で操作する場合には埃や酸化による妨害が避けられるように、冒頭で述べたような装置を構成することを目的とするものである。
　【０００４】
　　【課題を解決するための手段】
　本発明においては、上方に開口した容器にプローブを通す穴のあいた板をかぶせ、その容器内に、空気や気体などの供給源と接続部を介して接続されている放出部を備えることにより、上記のような問題を解決している。
　【０００５】
　　【作用】
　本発明によって、検査台による０℃付近またはそれ以下までの冷却の際には氷の結晶の生成を避け、また、０℃以上の温度においてはクリーンルームの状態を維持し、特定の目的のためにはプローブの先端で起こる酸化現象を回避するような、半導体ウェハー等のテスト装置が提供される。
　【０００６】
　本発明に従う装置においては、検査台は上方に開いた容器の中に置かれており、この検査台は、水平方向に、容器とともに動くこともできるし、容器に対して相対的に動くこともできる。この上方に開いた容器は穴のあいた板でふたをされていて、従って、検査台は容器と板の間に限定される空間に置かれている。プローブは板の穴を通して、検査すべき半導体と接触する。氷の結晶の生成や埃の粒子の通過を避けるために、容器内にある放出部を通じて、必要な温度や好ましい結露点の気体または空気が容器内に導かれている。層流が確実に起こり、予め決められた量の空気が板の穴から出るように流速が決められる。
　【０００７】
　本発明の実施例においては、放出部は多孔性の物体からなっており、例えば、円筒形のチューブの形状をもっており、その穴からは、気体または空気が、放出部の全長に渡って容器の内部に均一に出るようになっていて、そのため、容器内では気体がかき乱されることは避けられる．
　【０００８】
　　【実施例】
　以下に、本発明に従う装置の好適な実施例について図面を参照してさらに詳しく説明する。
　図１には装置の部分的な断面図を模式的に示す。
　図２には，図１中の線２−２´に沿った、装置の部分的な断面図を模式的に示す。
　図１には，半導体ウェハーやハイブリッド回路などのテストのための装置を模式的に示している。この装置を構成する検査台１は、半導体ウェハーを置くためのものであり、既知の通り、その表面には環状の細い溝が掘ってある。この溝により、図には示されていない連絡系を通じて、置かれている半導体ウェハーを吸引することができ、上記の半導体ウェハーを検査台１の上に保持することができる。検査台１は、さらに、加熱や冷却のための装置を備えている。このような検査台１は、水平方向、すなわちＸおよびＹの方向にも動かすことができるし、垂直方向にも動かすことができる。図示されている装置の例では、検査台１の台座３の上には、上方に開いた容器２が固定されていて、この実施例においては、検査台１と共に動くことができ、底部２ａと側壁２ｂからなっている。側壁２ｂの高さは、検査台１が上記容器２の内部に位置し、検査台１の上面が側壁２ｂの上端よりも下に位置するような高さである。検査台１の台座３と、底部２ａとの間には、適当なシールが施されており、これは図には示されていないが、容器２の内部において下方に向かう気体または空気が決して逃げないようにしてある。
　検査台１の横には放出部５，６があって、例えば平行に配置されていて接続部７で接続されている（図２）。放出部５，６は接続部８でお互いに連絡し合っており、供給源９に接続されている。供給源９は気体を発生し、この気体は容器２の内部に導かれ、層流を生じる。図２に示すように、接続部８は側壁２ｂのうちの一つを通り抜けているが、空気またはガスが逃げないように、接続部８は側壁２ｂに対してシールされている。放出部５，６は、留め金具のようなものによって、底部２ａまたは側壁２ｂに対して固定することができる。
　【０００９】
　上方に開いた容器２の上側には、中央の穴１２をもった板１０がある。中央の穴１２は、円形で、同様に円形の検査台１の中心に中心があうように配置されるのが望ましい。板１０は、例えば板金でできているのであるが、装置全体に対して固定されている。そのため、この実施例においては、検査台１は容器２とともに水平方向に、板１０およびプローブ支持手段１４に対して相対的に動くことができる。
　【００１０】
　プローブ支持手段１４は、検査台１を支持する台座３と同様に図示されていない枠に対して据えつけられている。プローブ支持手段１４は枠に対して、複数の円柱状のコラムガイドによって据えつけられており、可動であってもよい。円柱状のコラムガイドは図１において１８で表されている。プローブ支持手段１４の上にはプローブホルダ１５，１６が載せられており、これらが、図１には示されていないが、使用するプローブを支持する。
　【００１１】
　プローブホルダ１５，１６に支持されたプローブがテストされる半導体ウェハーと一点で接触できるように、板１０の穴１２は配置される。必要ならば、穴１２は、例えばプレキシガラスでできた環２０で閉じることもできる。この場合、環２０には穴１２よりも小さい穴２２があいていて、この穴は、穴１２と同様に円状であるのが望ましい。環２０は穴１２の直径よりもわずかに大きい外径をもつ。
　【００１２】
　環２０により、必要ならば穴の断面を小さくできる。環２０は板１０の上に載っていてもよいし、板１０の穴１２の付近の部分に、穴１２の外側に作られた円状の溝の中に挿入されてもよい。図１と図２に示された実施例においては、検査台１が、プローブ支持部に対して、またプローブホルダに留められたプローブに対して動くことができるため、検査台上の半導体ウェハーを漸次的に走査することができる。図示された実施例においては、検査台１を容器２とともにＸおよびＹ方向に動かすことにより、キャリヤレイヤーの上に置かれた個々の半導体ウェハーをテストすることができる。
　【００１３】
　放出部５，６によって、容器２の内部に流れが生ずる。この流れは、放出部５，６から均一に生じ、容器２の内部に乱れのない空気の流れを作り出す。結果として、穴１２の方向に向かって空気または気体の弱い流れが生ずるが、穴１２からは、空気または気体が均一な流れとして出る。結局、周囲から容器２の内部への周りの空気や微粒子の侵入が予防される。
　【００１４】
　放出部５，６は、例えばセラミックやプラスチックや合成繊維でできた、孔密度が、ほぼ３０μｍに１つ程度の、円筒形のチューブであることが望ましい。図２によると、これらのチューブ状の放出部５，６は、末端でシールされており、従って、空気または気体の放出は、放出部５，６から放射状にひろがる方向に向かうこととなる。上記のような構造をもつ装置を用いると、穴１２からは常に一定体積の空気が放出され、しかも、その空気はテストされる半導体ウェハーの上を通ったあとにもわすかに冷却されるのみであるという研究結果が得られている。検査台１の下においても，検査台１に起因する冷却効果が観察された。しかし、検査台１の表面温度がほぼ−５５℃の条件で、検査台１の下の空気の温度は、放出部５，６を通して供給されたもとの乾燥空気の温度、例えば２０℃、と比較して、わずかに低いのみだった。結局、この装置においては、検査台に起因する冷却効果はテストされる半導体ウェハーのみに限られており、容器２の内部の空間の他の部分は検査台１を冷却することによって影響を受けていないという点で有利である。
　【００１５】
　検査台１における半導体ウェハースを保持するための吸引は、放出部５，６の供給する空気の体積に対して無視できる程度であり、容器２の内部において望まれる層流を乱すことはない。
　従って、検査台１による冷却効果は、上記の装置においては、検査台１に置かれている半導体ウェハーのみに集中しており、残りの部分は実質的に放出部５，６を通じて供給される空気の温度と等しい温度になっている。
　【００１６】
　本発明の装置はクリーンルームの条件を維持するため、すなわち、０℃以上の温度、例えば、室温で半導体ウェハーをテストするためにも使用可能である。この目的で使用するには、特定の必要な微粒子純度の空気が容器２に導かれ、埃の粒子は穴１２を通って上から侵入しないようになっている。クリーンルーム内で、上記の装置を使用する場合には、純粋な空気の使用は絶対的に不可欠ということはなく、そのかわりにフィルタを通した空気を用いることもできる．
　さらに、上記の装置は比較的高温で半導体ウェハーをテストするのにも使用可能である。比較的高温においては、（プローブの）針の先端において酸化反応が起こることがある。しかし、本発明に従う装置を用いれば、この現象は回避できる。そのためには、放出部５，６を通して、不活性な気体（例えばアルゴンや窒素）を容器２の内部に引き込み、ホルダ１５，１６によって支持されているプローブの先端のところに常に不活性な気体が流れているようにする。このようにして、誤った測定結果をもたらす酸化現象を防止することができる。
　【００１７】
　結露点が例えば−６０℃以下の乾燥空気との組み合わせで本発明の装置を使用する場合には、放出部５，６から容器２の中にはいる前に空気をイオン化するためのイオン化装置を容器２の内部に設けることが必要になる場合がある。空気をイオン化するのは、半導体ウェハーのテストの最中に、容器２の中で火花が散るのを避けるためである。
　【００１８】
　図に示されていない、さらに改良された実施例においては、検査台１は容器２に対する位置、特に、Ｘ−Ｙ方向の位置を調整することができる。そうするためには、底部２ａに相当する大きさの穴を作り、底部２ａの穴の部分の台座３の周りの部分に可塑性のシールを取付けて、台座３の位置を底部２ａに対して調整できるようにする。
　【００１９】
　容器２を板１０の下面に密着させて置くために、図１に示した実施例においては、はね２５，２６が取付けられている。これらが付勢力を生じ、容器の側壁２ｂの上端を板１０の下面に押しつける．
　板１０に対して容器２を移動させるときに撃力が起きないようにするために、すなわち、側壁２ｂの上端と板１０の間の摩擦抵抗を実質的に小さくするために、好適な実施例においては側壁２ｂの上側の端は丸くなっている。側壁２ｂの端を丸めるかわりに、例えば上方から挿入したスライドピンの端などのようなスライド部材を加えることもできる。
　【００２０】
　容器２の中を点検しやすくするために、容器２はプレキシガラスでできていることが望ましい。
　図２においては、放出部５，６は、水平に、実質的にお互いに平行に配置され、接続チューブ７によって、実質的にＵ字あるいは環状の構造をとっているが、これは、ひとつの可能な構造を示しているに過ぎない。接続部７のかわりに、相当する放出部品を取付けて、放出部５，６と接続してもよい。
　本発明の装置は以下のような使い方ができる。
　【００２１】
　検査台１の上に置かれている半導体ウェハーに対して、検査台１により、その表面において、−２００℃から＋４００℃に渡る温度が作り出されるようなテストの操作において、氷の結晶の生成を避けるために、供給源９によって、例えば温度２０℃、結露点−６０℃の、空気の流れを発生する。
　本発明に従う装置は、特に手動操作可能な検査機に適しているのだが、その場合、盆形の容器２は水平面の方向に移動させることができるので、上にある板１０に対して動かすことによって、引出のようにして検査台１を出すことによって、半導体ウェハーを取り替えることができる。
　【００２２】
　ウェハーのテストにおいては、検査針やニードルエッジの形をしたプローブを、ウェハーやハイブリッド回路などと接触させて使うことができる。
　【００２３】
　　【発明の効果】
　以上説明した様に、本発明の半導体ウェハー等のテスト装置によれば、検査台による０℃付近またはそれ以下までの冷却の際には氷の結晶の生成を避け、また、０℃以上の温度においてはクリーンルームの状態を維持し、特定の目的のためにはプローブの先端で起こる酸化現象を回避することができる。
【図面の簡単な説明】
　　【図１】
　実施例の半導体ウエハー等のテスト装置の一部を模式的に示した断面図である。
　　【図２】
　図１における線２−２’に沿った装置の部分断面図である。
　　【符号の説明】
　１　　　　　検査台
　２　　　　　容器
　３　　　　　台座
　５，６　　　放出部
　７　　　　　接続部
　８　　　　　接続部
　９　　　　　供給源
　１０　　　　板
　１２　　　　穴
　１４　　　　プローブ支持手段
　１５，１６　プローブホルダ
　１８　　　　コラムガイド
　２０　　　　環
　２２　　　　穴
　２５，２６　ばね