【事件の表示】
　特許第２７６９２９６号「半導体ダイ用パッケージ及びその製造方法」の請求項１ないし５、８ないし１１、１３ないし２０に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結論】
　特許第２７６９２９６号の請求項１ないし５、８ないし１１、１
３ないし２０に係る特許を維持する。
【理由】
１．手続の経緯
　本件特許第２７６９２９６号は、平成７年１月１１日の出願であって、平成１０年４月１０日に特許の設定登録がなされ、その後、田尻耕一及び吉川善一郎（以下それぞれ、「申立人１」及び「申立人２」という。）より特許異議の申立てがなされたものである。
２．本件発明
　本件請求項１〜５、８〜１１、１３〜２０に係る発明（以下、それぞれ「本件発明１〜５、８〜１１、１３〜２０」という。）は、特許明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜５、８〜１１、１３〜２０に記載された下記のとおりのものである。
「【請求項１】半導体ダイ用パッケージであって、
（ａ）それぞれ前記半導体ダイを受容するための孔を有する第１誘電体層（１０９）及び第２誘電体層（１１０）と、前記第１誘電体層と第２誘電体層との間に配置された導電性層（１０３ａ）とを有するＴＡＢテープ（１０３）であって、前記第２誘電体層が、複数の開口からなる開ロアレイ（１１５）を有し、前記導電性層が、前記第２誘電体層の各前記開口アレイとそれぞれ位置が整合するように設けられた複数の導電性パッドからなる導電性パッドアレイ（１２１）と、前記第１誘電体層及び第２誘電体層の前記孔の部位から前記導電性パッドアレイへ伸びる導電性トレース（１１９）とを含む、該ＴＡＢテープ（１０３）と、
（ｂ）前記半導体ダイを受容するためのキャビティ（１２５）を有し、このキャビテイが、前記半導体ダイを受容するための前記第１誘電体層及び第２誘電体層の前記孔のそれぞれと整合されている補強材（１０６）と、
（ｃ）前記ＴＡＢテープと前記補強材とを接着するため、前記第１誘電体層の表面を前記補強材に接着する第１接着剤層（１０８，１２４）と、
（ｄ）各々の大きさは前記第２誘電体層の前記開口にほぼ等しく、かつ前記第２誘電体層の前記開口を通して各前記導電性パッドに接合された複数の半田球（１１２）と、
（ｅ）前記半導体ダイを前記補強材に接着する第２接着剤層（１０５）とを有することを特徴とし、前記補強材が熱伝導性材料を含み、前記第２接着剤層が熱伝導性エポキシ樹脂を含むことを特徴とする半導体ダイ用パッケージ。
【請求項２】前記導電性トレースが前記キャビティの中に突き出た自立した端部を有し、前記半導体ダイが複数の接続パッドを有し、この接続パッドが前記導電性層の前記導電性トレースの自立した端部にＴＡＢ内部リードボンディング接続（１０２）によって接続され、さらに、前記補強材の前記キャビティを埋め前記半導体ダイと前記ＴＡＢ内部リードボンディング接続を覆い囲う封止材（１０４）を有することを特徴とする請求項１に記載の半導体ダイ用パッケージ。
【請求項３】前記半導体ダイが複数の接続パッドを有し、前記接続パッドが前記導電性層の前記導電性トレースに、ワイアボンディング接続（２１０ａ）によって接続され、さらに、前記補強材の前記キャビティを埋め前記半導体デバイスと前記ワイアボンディング接続とを覆い囲む封止材（１０４）を有することを特徴とする請求項１に記載の半導体ダイ用パッケージ。
【請求項４】半導体ダイ用パッケージであって、
（ａ）それぞれ前記半導体ダイを受容するための孔を有する第１誘電体層（１０９）及び第２誘電体層（１１０）と、前記第１誘電体層と第２誘電体層との間に配置された導電性層（１０３ａ）とを有するＴＡＢテープ（１０３）であって、前記第２誘電体層が、複数の開口からなる開口アレイ（１１５）を有し、前記導電性層が、前記第２誘電体層の各前記開口アレイとそれぞれ位置が整合するように設けられた複数の導電性パッドからなる導電性パッドアレイ（１２１）と、前記第１誘電体層及び第２誘電体層の前記孔の部位から前記導電性パッドアレイへ伸びる導電性トレース（１１９）とを含む、該ＴＡＢテープ（１０３）と、
（ｂ）前記半導体ダイを受容するためのキャビティ（１２５）を有し、このキャビテイが、前記半導体ダイを受容するための前記第１誘電体層及び第２誘電体層の前記孔のそれぞれと整合されている補強材（１０６）と、
（ｃ）前記ＴＡＢテープと前記補強材とを接着するため、前記第１誘電体層の表面を前記補強材に接着する第１接着剤層（１０８，１２４）と、
（ｄ）各々の大きさは前記第２誘電体層の前記開口にほぼ等しく、かつ前記第２誘電体層の前記開口を通して各前記導電性パッドに接合された複数の半田球（１１２）とを有することを特徴とし、前記補強材が、熱膨張係数がシリコンの熱膨張係数に概ね等しい材料を含むことを特徴とする半導体ダイ用パッケージ。
【請求項５】半導体ダイ用パッケージであって、
（ａ）それぞれ前記半導体ダイを受容するための孔を有する第１誘電体層（１０９）及び第２誘電体層（１１０）と、前記第１誘電体層と第２誘電体層との間に配置された導電性層（１０３ａ）とを有するＴＡＢテープ（１０３）であって、前記第２誘電体層が、複数の開口からなる開口アレイ（１１５）を有し、前記導電性層が、前記第２誘電体層の各前記開口アレイとそれぞれ位置が整合するように設けられた複数の導電性パッドからなる導電性パッドアレイ（１２１）と、前記第１誘電体層及び第２誘電体層の前記孔の部位から前記導電性パッドアレイへ伸びる導電性トレース（１１９）とを含む、該ＴＡＢテープ（１０３）と、
（ｂ）前記半導体ダイを受容するためのキャビティ（１２５）を有し、このキャビティが、前記半導体ダイを受容するための前記第１誘電体層及び第２誘電体層の前記孔のそれぞれと整合されている補強材（１０６）と、
（ｃ）前記ＴＡＢテープと前記補強材とを接着するため、前記第１誘電体層の表面を前記補強材に接着する第１接着剤層（１０８，１２４）と、
（ｄ）各々の大きさは前記第２誘電体層の前記開口にほぼ等しく、かつ前記第２誘電体層の前記開口を通して各前記導電性パッドに接合された複数の半田球（１１２）とを有することを特徴とし、前記補強材が、（ｉ）銅、（ｉｉ）層状の銅／モリブデン／銅、（ｉｉｉ）層状の銅／タングステン／銅、（ｉｖ）酸化ベリリウム、及び（ｖ）金属被膜された窒化アルミニウムの中から選択された材料を含むことを特徴とする半導体ダイ用パッケージ。
・・・
【請求項８】半導体ダイ用パッケージであって、
（ａ）それぞれ前記半導体ダイを受容するための孔を有する第１誘電体層（１０９）及び第２誘電体層（１１０）と、前記第１誘電体層と第２誘電体層との間に配置された導電性層（１０３ａ）とを有するＴＡＢテープ（１０３）であって、前記第２誘電体層が、複数の開口からなる開口アレイ（１１５）を有し、前記導電性層が、前記第２誘電体層の各前記開口アレイとそれぞれ位置が整合するように設けられた複数の導電性パッドからなる導電性パッドアレイ（１２１）と、前記第１誘電体層及び第２誘電体層の前記孔の部位から前記導電性パッドアレイへ伸びる導電性トレース（１１９）とを含む、該ＴＡＢテープ（１０３）と、
（ｂ）前記半導体ダイを受容するためのキャビティ（１２５）を有し、このキャビティが、前記半導体ダイを受容するための前記第１誘電体層及び第２誘電体層の前記孔のそれぞれと整合されている補強材（１０６）と、
（ｃ）前記ＴＡＢテープと前記補強材とを接着するため、前記第１誘電体層の表面を前記補強材に接着する第１接着剤層（１０８，１２４）と、
（ｄ）各々の大きさは前記第２誘電体層の前記開口にほぼ等しく、かつ前記第２誘電体層の前記開口を通して各前記導電性パッドに接合された複数の半田球（１１２）とを有することを特徴とし、前記補強材が半田による濡れ性を有する金属によってめっきされた導電性の表面を有すことを特徴とする半導体ダイ用パッケージ。
【請求項９】前記金属が銀または金からなるグループから選択されることを特徴とする請求項８に記載の半導体ダイ用パッケージ。
【請求項１０】半導体ダイ用パッケージであって、
（ａ）それぞれ前記半導体ダイを受容するための孔を有する第１誘電体層（１０９）及び第２誘電体層（１１０）と、前記第１誘電体層と第２誘電体層との間に配置された導電性層（１０３ａ）とを有するＴＡＢテープ（１０３）であって、前記第２誘電体層が、複数の開口からなる開口アレイ（１１５）を有し、前記導電性層が、前記第２誘電体層の各前記開口アレイとそれぞれ位置が整合するように設けられた複数の導電性パッドからなる導電性パッドアレイ（１２１）と、前記第１誘電体層及び第２誘電体層の前記孔の部位から前記導電性パッドアレイへ伸びる導電性トレース（１１９）とを含む、該ＴＡＢテープ（１０３）と、
（ｂ）前記半導体ダイを受容するためのキャビティ（１２５）を有し、このキャビティが、前記半導体ダイを受容するための前記第１誘電体層及び第２誘電体層の前記孔のそれぞれと整合されている補強材（１０６）と、
（ｃ）前記ＴＡＢテープと前記補強材とを接着するため、前記第１誘電体層の表面を前記補強材に接着する第１接着剤層（１０８，１２４）と、
（ｄ）各々の大きさは前記第２誘電体層の前記開口にほぼ等しく、かつ前記第２誘電体層の前記開口を通して各前記導電性パッドに接合された複数の半田球（１１２）とを有することを特徴とし、前記第１接着剤層と前記第１誘電体層の厚さが、前記導電性トレースと前記補強材によってインピーダンスが小さく抑えられた電気的経路が形成されるように選択されていることを特徴とする半導体ダイ用パッケージ。
【請求項１１】前記第２誘電体層の前記開口の大きさが、リフロー過程の後、半田球のあらかじめ決められた直径を維持するように選択されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体ダイ用パッケージ。
・・・
【請求項１３】前記第１誘電体層が前記導電性トレースを完全に支持する内側及び外側の縁を有することを特徴とする請求項１に記載の半導体ダイ用パッケージ。
【請求項１４】前記第２誘電体層が前記導電性トレースをわずかな長さだけ露出する内側の縁を有することを特徴とする請求項１に記載の半導体ダイ用パッケージ。
【請求項１５】半導体ダイ用パッケージの製造力法であって、
ＴＡＢテープ（１０３）の第１誘電体層（１０９）と第２誘電体層（１１０）の間に保持された導電性トレース（１１９）を、対応する半導体ダイ（１０１）の導電性パッドに内部リードボンド（１０２）を用いて接続する接続過程と、
前記半導体ダイを熱放散板（１０６）のキャビティの背壁（１２５）に熱伝導性接着剤（１０５）を用いて接着する過程と、
前記ＴＡＢテープを前記熱放散板にＴＡＢ接着剤（１０８，１２４）を用いて接着する過程と、前記熱伝導性接着剤とＴＡＢ接着剤を硬化する過程と、
前記ダイと前記内部リードボンドを前記キャビティを埋め前記半導体ダイと前記内部リードボンドを覆う（１０４）ことによって封止する封止過程と、
前記封止材を硬化する過程と、ひとつ以上の半田球（１１１，１１２，１１３）に半田のフラックスを施す過程と、
前記半田球を前記ＴＡＢテープの導電性パッド（１２１）に接合する過程と、
前記半田球を熱を加えることによりリフローする過程と、
前記導電性パッドから余分なフラックスを適切な洗浄剤を用いることによって洗浄する過程と、
該パッケージを乾燥／焼成する過程とを含むことを特徴とする半導体ダイ用パッケージの製造方法。
【請求項１６】前記接続過程に於いて、従来の超音波溶接法を用いることを特徴とする請求項１５に記載の半導体ダイ用パッケージの製造方法。
【請求項１７】前記接続過程に於いて、パンプレス内部リードボンディング法を用いていることを特徴とする請求項１５に記載の半導体ダイ用パッケージの製造方法。
【請求項１８】前記封止過程が、シリンジ式に施される封止材を用いて行われることを特徴とする請求項１５に記載の半導体ダイ用パッケージの製造方法。
【請求項１９】半導体ダイ用パッケージの製造方法であって、
ＴＡＢテープ（１０３）を半導体ダイ（１０１）を受容するためのキャビティ（１２５）を有する熱放散板（１０６）にＴＡＢ接着剤（１０８，１２４）を用いて接着する過程と、半導体ダイを前記熱放散板の前記キャビティの背壁に熱伝導性接着剤（１０５）で接着する過程と、前記熱伝導性接着剤と前記ＴＡＢ接着剤（１０８，１２４）を硬化する過程と、前記熱放散板と第１誘電体層（１０９）と第２誘電体層（１１０）との間に保持されたＴＡＢテープ（１０３）の導電性トレース（１１９）とを半導体ダイ（１０１）の対応する導電性パッド（１２１）にワイアボンド（２１０ａ，２１０ｂ）を用いて接続する接続過程と、前記ダイと前記内部リードボンドを前記キャビティを埋め前記半導体ダイと前記内部リードボンドを覆う（１０４）ことによって封止する封止過程と、
前記封止剤を硬化する過程と、ひとつ以上の半田球に半田のフラックスを施す過程と、前記半田球を前記ＴＡＢテープの導電性パッドに接合する過程と、
前記半田球を熱を加えることによりリフローする過程と、
前記導電性パッドから余分なフラックスを適切な洗浄剤を用いることによって洗浄する過程と、
該パッケージを乾燥／焼成する過程とを含むことを特徴とする半導体ダイ用パッケージの製造方法。
【請求項２０】前記封止過程が、シリンジ式に施される封止材を用いて行われることを特徴とする請求項１９に記載の半導体ダイ用パッケージの製造方法。」
３．申立人の主張
３−１．申立人１は証拠方法として、
甲第１号証（特開平６−２７５６７７号公報）
甲第２号証（特開平５−４１４７１号公報）
甲第３号証（特願平６−２２８３００号（特開平７−２６３５９２号））
甲第４号証（特開平４−２８６１４５号公報）
甲第５号証（特願平６−２１４４２８号（特開平８−７８５７４号））
参考公報１（特開平２−１７７３５１号公報）
参考公報２（特開平６−２１２８７号公報）
を提出し、以下の理由で本件発明５及び８の特許は取り消されるべき旨を主張している。
（１）本件発明５は、甲第１号証、甲第２号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。
（２）本件発明８は、甲第１号証、甲第２号証及び甲第４号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。
（３）本件発明５は、その出願の日前の出願であって、その出願後に公開された甲第３号証の願書に最初に添付した明細書又は図面（「先願明細書」という。）に記載された発明と同一であると認められ、しかも本件発明に係る発明者は上記先願明細書に記載された発明の発明者と同一でも、本件出願の時において、その出願人が上記他の出願の出願人とも同一でもないので、本件発明５の特許は、特許法２９条の２の規定に違反してされたものである。
（４）本件発明５及び８は、その出願の日前の出願であって、その出願後に公開された甲第５号証の願書に最初に添付した明細書又は図面（「先願明細書」という。）に記載された発明と同一であると認められ、しかも本件発明に係る発明者は上記先願明細書に記載された発明の発明者と同一でも、本件出願の時において、その出願人が上記他の出願の出願人とも同一でもないので、本件発明５及び８の特許は、特許法２９条の２の規定に違反してされたものである。
３−２．申立人２は証拠方法として、
甲第１号証（特願平６−２１４４２８号（特開平８−７８５７４号））（申立人１の甲第５号証と同一の証拠）
甲第２号証（特願平６−２４０１１１号（特開平８−３１８６９号））
甲第３号証（特願昭６−１９５５６４号（特開平８−６４６３５号））
参考文献（香山晋、成瀬邦彦監修、「ＶＬＳＩパッケージング技術（下）」、日経ＢＰ社、ｐｐ．１８−１９、１９９３年５月３１日）
を提出し、以下の理由により、本件発明１〜５、８〜１１、１３〜２０の特許を取り消されるべき旨を主張している。
（１）本件発明１〜５、８〜１１、１３〜２０は、その出願の日前の出願であって、その出願後に公開された甲第１号証の願書に最初に添付した明細書又は図面（「先願明細書」という。）に記載された発明と同一であると認められ、しかも本件発明に係る発明者は上記先願明細書に記載された発明の発明者と同一でも、本件出願の時において、その出願人が上記他の出願の出願人とも同一でもないので、本件発明１〜５、８〜１１、１３〜２０の特許は、特許法２９条の２の規定に違反してされたものである。
（２）本件発明１〜３、５、１１、１３〜２０は、その出願の日前の出願であって、その出願後に公開された甲第２号証の願書に最初に添付した明細書又は図面（「先願明細書」という。）に記載された発明と同一であると認められ、しかも本件発明に係る発明者は上記先願明細書に記載された発明の発明者と同一でも、本件出願の時において、その出願人が上記他の出願の出願人とも同一でもないので、本件発明１〜３、５、１１、１３〜２０の特許は、特許法２９条の２の規定に違反してされたものである。
（３）本件発明１〜３、１１、１３、１４は、その出願の日前の出願であって、その出願後に公開された甲第３号証の願書に最初に添付した明細書又は図面（「先願明細書」という。）に記載された発明と同一であると認められ、しかも本件発明に係る発明者は上記先願明細書に記載された発明の発明者と同一でも、本件出願の時において、その出願人が上記他の出願の出願人とも同一でもないので、本件発明１〜３、１１、１３、１４の特許は、特許法２９条の２の規定に違反してされたものである。
４．甲各号証の記載事項
４−１．申立人１の提出した甲第１〜５号証に記載の発明
４−１−１．甲第１号証
　甲第１号証（特開平６−２７５６７７号公報）には、プリント配線基板上にフレキシブル基板、ヒートシンク等を積層した構造の半導体用パッケージに関する発明が開示され、さらに、以下の事項が記載されている。
「２１は多層のプリント配線基板であり、スルーホールめっき等の導通部を介して上下のパターン間の導通がとられ、・・・プリント配線基板２１の下面には、外部接続用のバンプ２４（端子）が形成されている。・・・プリント基板２１の中央には、チップ収納孔２５が形成されている。・・・プリント配線基板２１は、下面にバンプ２４等の端子が形成された単層のものであってもよい。」（段落【０００７】、図１、２参照）、
「２６はプリント配線基板２１の上面に接着剤により固定されたフレキシブル基板であり、図示の例では、ポリイミド等の支持フィルム２７の下面側に銅箔をエッチング加工して、支持フィルム２７の下面上の回路パターン２８ａと、前記チップ収納孔２５内に突出するインナーリード２８ｂのパターンとが形成されている。支持フィルム２７も同様に中央に孔を有する枠状に形成されているが、該孔はチップ収納孔２５より小径に形成して、支持フィルム２７の一部をチップ収納孔２５内に突出させて、チップ収納孔２５内に突出するインナーリード２８ｂの基部を支持させるようにすると好適である。フレキシブル基板２６は前記したように、接着剤２９によりプリント配線基板２１の上面に固着される。プリント配線基板２１の上面の回路パターンと支持フィルム２７下面の前記回路パターン２８ａとは、通常のプリント基板の上下パターンの接続と同様に、所要個所にドリル等により貫通孔をあけ、該貫通孔にスルーホールめっき皮膜を形成して、該スルーホールめっき皮膜により導通がとられるようになされている。・・・支持フィルム２７の上面には、ガラスフィラー入りの樹脂等からなるスペーサー３０を接着材により固定するのが好ましい。このスペーサー３０の厚さは、インナーリード２８ｂ上にチップ３１（図３）を搭載したとき、チップ３１の上面とスペーサー３０の上面とが同一の高さとなる厚さが好ましい。」（段落【０００８】、図３参照）、
「ヒートシンク３２には、アルミニウム、銅・タングステン合金、銅などの金属を用いることができる。」（段落【０００９】、図３参照）、
「支持フィルム２７は、図４に示すように、インナーリード２８ｂの上下両面に設けることで、インナーリード２８ｂを両面から支持できるので強度の補填ができる。この場合にも貫通孔を設けることでパターン２８ａとプリント基板２１上面の回路パターンとの電気的接合は上記と同様にして行える。またスペーサー３０は必ずしも設けることは要しない。この場合には図５に示すようにヒートシンク３２にチップ３１の厚み分だけの凹部を設けたものを使用すると好適である。」（段落【００１０】、図４、５参照）。
４−１−２．甲第２号証
　甲第２号証（特開平５−４１４７１号公報）には、半導体チップ７を搭載したパッケージ基板２が示され（段落【００３１】、図１）、パッケージ基板２の裏面の電極３ｂには、ＣＣＢバンプ５（半田球）が接合されている（段落【００３３】）。バンプ５は電極３ｂの開口にほぼ等しいものとなっている（図１）。
４−２−３．甲第３号証
　甲第３号証（特願平６−２２８３００号（特開平７−２６３５９２号））には、プリント基板上にＴＡＢテープ、ヒートシンク等を積層した構造の半導体用パッケージに関する発明が開示され、さらに、以下の事項が記載されている。
「半導体装置１０の半導体装置用パッケージ２０を形成するプリント配線基板２１（・・・）は、プリント配線基板２１ａ、２１ｂが積層された多層プリント配線基板である。・・・プリント基板２１ｂの下面には、実装基板と接続するための外部接続用の端子２４が形成されている。本実施例の端子２４は、はんだボールである。・・・プリント基板２１ａ、２１ｂの中央部には、半導体チップ収納孔２５が形成されている。尚、プリント基板２１は、はんだボール等の外部接続用の端子２４が下面に形成された単層のプリント基板であってもよい。」（段落【０００９】、図１、２参照）、
「プリント基板２１の上面には、フレキシブル基板２６が接着剤により固着されている。このフレキシブル基板２６は、デバイスホールが開口されたポリイミド等の支持フィルム２７の表面に接着剤を介して銅箔を貼着した後、銅箔にレジストを塗布してパターニングし、次いで銅箔をエッチング加工することによって形成され、回路パターン２８ａと、回路パターン２８ａから延出されて半導体チップ収納孔２５内に突出するインナーリード２８ｂとが形成されている。」（段落【００１０】、図１参照）、
「フレキシブル基板２６は、接着剤２９によってプリント基板２１の上面に、回路パターン２８ａが形成された面を接着面として固着されており、プリント基板２１の上面に形成された回路パターンとフレキシブル基板２６の回路パターン２８ａとは、所要個所にドリル等によって形成された貫通孔に、スルーホールめっき皮膜を形成した導通部１２、１２・・を介して導通がとられるようになされている。」（段落【００１１】、図１参照）、
「図７に示す様に、搭載された半導体チップ３１に直接ヒートシンク３２を接着剤３３によって接合することが好ましい。・・・半導体チップ３１の裏面とスペーサー３０の上面に接着剤３３を塗布し、半導体チップ収納孔２５を覆うようにヒートシンク３２を固着する。尚、ヒートシンク３２には、アルミニウム、銅・タングステン合金、銅等の金属を好適に用いることができ、ヒートシンク３２の上面にフィン３５を形成することによって放熱性を更に一層向上させることができる。」（段落【００１８】、図７参照）、
「支持フィルム２７は、図１０に示す様に、インナーリード２８ｂの上下両面に設けることによって、インナーリード２８ｂを両面から支持でき強度の補填ができる。・・・図１１に示す様に、ヒートシンク３２に半導体チップ３１の厚み分だけの凹部を設けたものを使用し、樹脂３７のポッチィングによって搭載された半導体チップ３１を樹脂封止すると好適である。」（段落【００２１】、図１０、１１参照）。
４−１−４．甲第４号証
　甲第４号証（特開平４−２８６１４５号公報）には、半導体のパッケージ基板２１の主面の周緑部およびキャップ２５の脚部の下面のそれぞれに、封止用半田２６の濡れ性を向上させるためのメタライズ層２７を設けている従来例の説明が記載され（段落【０００３】、図７）、また、実施例の説明にはキャップ６とパッケージ基板２との封止用半田７の濡れ性改善のためのメタライズ層８ａを施すことが示されている（段落【００２３】、【００２４】）。
４−１−５．甲第５号証
　甲第５号証（特願平６−２１４４２８号（特開平８−７８５７４号））には、ＴＡＢテープを弾性体層を介してパッケージ基板に接着した構造の半導体用パッケージに関する発明が開示され、さらに、以下の事項が記載されている。
「平板状に形成した窒化アルミニウムセラミックのパッケージ基板１０の一方の面に半導体チップ１２を搭載し、半導体チップ１２の搭載部を除くその周囲に弾性体層１４としてシリコーンゴムシートを被着し、弾性体層１４の外面に配線パターン付きフィルム１６を接合し、さらに、配線パターン付きフィルム１６に形成した配線パターン１６ａに外部接続端子１８としてはんだボールを接合して成る。」（段落【００１０】、図１参照）、
「図２に示す実施例はパッケージ基板１０の半導体チップ１２の搭載部にキャビティ２０を設けた半導体装置の例である。この実施例の半導体装置の場合はキャビティ２２に半導体チップ１２を収容するから、弾性体層１４を薄くできるという利点がある。」（段落【００１２】、図２参照）、
「弾性体層１４は半導体チップ１２の搭載範囲を貫通孔とした弾性体シートを接着剤でパッケージ基板１０に接合して取り付ける。」（段落【００１５】）、
「配線パターン付きフィルム１６は弾性体層１４の外面に接合し、配線パターン１６ａに接合する外部接続端子１８と半導体チップ１２とを電気的に接続するが、本実施例では配線パターン付きフィルム１６にあらかじめ半導体チップ１２を接続してから、配線パターン付きフィルム１６の配線パターン１６ａを形成した面を弾性体層１４に接合するようにした。なお、パッケージ基板１０に弾性体層１４をあらかじめ接合してから配線パターン付きフィルム１６を弾性体層１４に接合するかわりに、配線パターン付きフイルム１６に弾性体層１４を接合してから、弾性体層１４と半導体チップ１２とをパッケージ基板１０に接合することも可能である。」（段落【００１６】）、
「配線パターン付きフィルム１６は３層ＴＡＢテープあるいは２層ＴＡＢテープを製造する方法と同様な方法によって得られる。図３に配線パターン付きフィルム１６の部分的な断面図を示す。配線パターン付きフィルム１６は電気的絶縁性を有するベースフィルム２２の片面に配線パターン１６ａを形成したもので、ベースフィルム２２の片面に被着した金属箔をエッチングして配線パターン１６ａを形成する。」（段落【００１７】、図３参照）、
「ベースフィルム２２には半導体チップ１２を収容するためのデバイスホール１６ｂ、外部接続端子を接合するための接合孔１６ｃを設ける。・・・配線パターン１６ａの他端部は半導体チップ１２に接続するためデバイスホール１６ｂ内にリード状に延出し接続用リード１６ｅとなる。」（段落【００１８】）、
「バンプ付き半導体チップ１２をシングルポイントボンディングした。なお、配線パターン付きフィルム１６とシリコーンゴムシートの弾性体層１４および弾性体層１４とパッケージ基板１０とは前述したシリコーンゴムコンパウンドによって接合するが、半導体チップ１２とパッケージ基板１０とは銀エポキシ接着剤により接合する。・・・１５０℃でキュアして各々一体化した。」（段落【００１９】）、
「金・すずはんだを使用する場合はセラミック基板にメタライズを施す必要があり」（段落【００２０】）、
「半導体チップ１２をパージ基板１０に搭載した後、ポッティング法により半導体チップ１２を気密に封止する。・・・１５０℃でキュアして封止した。」（段落【００２１】）、
「配線パターン付きフィルム１６の接合孔１６ｃの各々にすず・鉛はんだボールを配置し、約２３０℃でリフローしてはんだボールを接合した。この際、配線パターン付きフィルム１６のベースフィルム２２がソルダレジストの役割をはたし、好適な形状にはんだボールを形成することができる。」（段落【００２２】）、
「パッケージ基板１０に窒化アルミニウムセラミック等の熱放散性の優れたセラミックを使用することによって放熱性の良好な半導体装置として提供することができる。なお、パッケージ基板１０の素材としては上記実施例のようにセラミックを使用する他、熱伝導性に優れた銅、アルミニウム、銅・アルミニウムの合金、あるいは、鉄・ニッケル合金、鉄・コバルト・ニッケル合金が好適に使用できる。」（段落【００２７】）。
４−１−６．参考公報１
参考公報１（特開平２−１７７３５１号公報）には、半導体装置の放熱用絶縁性基板として、酸化ベリリウム製のものが記載されている。（特許請求の範囲）
４−１−７．参考公報２
参考公報２（特開平６−２１２８７号公報）には、半導体パッケージのヒートシンクとして、モリブデンと銅の積層材が記載されている。（請求項２）
４−２．申立人２の提出した甲第１〜３号証に記載の発明
４−２−１．甲第１号証
（申立人１の甲第５号証と同一の証拠）
４−２−２．甲第２号証
甲第２号証（特願平６−２４０１１１号（特開平８−３１８６９号））には、ＴＡＢテープを用いた半導体装置についての発明が開示され、さらに以下の事項が記載されている。
「ＴＡＢテープを用い、前記インナーリードと半導体チップと接合する工程」（段落【０００９】）、
「図１（ａ）に図示するように、ＴＡＢテープのデバイスホール２２の外周部に均等に例えば１．０ｍｍピッチで配置された例えば円形状のパッド３を形成し、カバーレジスト塗布ライン５に示しているように、配線パターンの保護及び半田ポールの流れを防止する為、絶縁性のカバーレジスト７を塗布する」（段落【００１１】）、
「樹脂をチップ上部だけでなく、ベースフィルム９上にもコーティングする。」（段落【００１４】）、
「パッド３の開口部に・・・半田ボールを形成し、その後、Ｎ２雰囲気で溶融して、バンプ１１を接続形成する。」（段落【００１５】）、
「放熱性を向上する為に、Ａｌ板等からなる放熱板１６を放熱用接着剤１５で取り付けると良い。また、これ以上に放熱する場合は、ヒートシンク１４を前記放熱板１６の上部に放熱性接着剤１５で取り付けると効果がある。この放熱用の放熱板１６及びヒートシンク１４の取り付けは実施例１の構造でも可能である。この時、放熱板１６をべースフィルム９にも接着できる構造にすれば、テープの反り防止にもなる。」（段落【００３４】）、
「放熱板の材質は銅／タングステン、または銅／タングステン／ニッケルの混合物がよい。」（段落【００３７】）。
　また、図１（ａ）〜（ｄ）には、ベースフィルム９、配線パターン、カバーレジスト７の３層構造のＴＡＢテープにバンプ１１を形成する工程からなる半導体装置、図２には、半導体チツプ４上に放熱板１６を接着した半導体装置が記載されている。
４−２−３．甲第３号証
　甲第３号証（特願昭６−１９５５６４号（特開平８−６４６３５号））には、ＴＡＢテープを金属基板にて補強した構造の半導体装置についての発明が開示され、さらに以下の事項が記載されている。
「半導体装置の特徴は、ＴＡＢ基板の絶縁性テープのチップ搭載領域に開口を形成し、この開口内に導体パターンを伸長せしめ、絶縁性テープ面側に金属基板を固着するとともに、この導体パターンの半導体チップを直接接合し、ＴＡＢ基板の導体パターン形成面側を半導体チップとともに絶縁膜で被覆しこの絶縁膜に形成したスルーホールを介して半田ボールを導体パターンに接続したことにある。」（段落【００１１】）、
「本発明によれば、ＴＡＢ基板上の半導体チップを囲む領域に金属基板を固着しているため、支持強度が高く、放熱性が極めて良好である。そして、片面に導体パターンを形成した絶縁性テープすなわちＴＡＢ基板を用いて実装している」（段落【００１２】）、
「半導体チップと金属基板との間の接続を、絶縁性接着剤に代えて、シルバーペーストと指称される導電性接着剤を介して固着することにより、さらに放熱性が向上する。」（段落【００２８】）、
「最後に・・・ＴＡＢ基板が上にくるようにして、前記半導体チップ３を完全に覆うようにポリイミド樹脂膜１３を塗布し」（段落【００３４】）、
「絶縁膜としてポリイミド樹脂膜１３を塗布したのち孔を形成したが、あらかじめ孔を形成してなる樹脂膜を貼着するようにしてもよい。」（段落【００３７】）、
「本発明の第４の実施例として、図７に示すように、金属基板として、ハーフエッチングによってチップ搭載部に凹部を形成したキャップ状のＣｕ板１４を用い、この凹部に導電性接着剤１２を介して半導体チップ３を固着するようにしてもよい。なお、ＴＡＢ基板の導体パターン１と半導体チップ３との接続はボンディングワイヤ７を介して達成されており、ＴＡＢ基板は導体パターン１形成面が外側にくるように金属基板１４上に絶縁性接着剤６を介して貼着されている。また、導体パターン１は絶縁膜１３によって被覆保護されている。かかる構造によれば、上記効果に加え製造が容易でかつ放熱性が向上する。」（段落【００４０】、図７）。
４−２−４．参考文献
　参考文献（香山晋、成瀬邦彦監修、「ＶＬＳＩ　パッケージング技術（下）」、日経ＢＰ社、ｐｐ．１８−１９、１９９３年５月３１日）には、ダイ・ボンディングにおける接合法について以下の事項が記載されている。
「樹脂接合法の樹脂は、一般にペーストと呼ばれる。エポキシやポリイミドなどの主剤、硬化剤、フィラーから成る。溶剤の有無や、フィラーの種類による導電性、絶縁性などで分類される。」（第１９頁左欄第１４行〜右欄第１行）
「表９．２．１各種ダイ・ボンディングの特徴」において、半導体装置のパッケージ表面が金または銀でメタライズされている点。
５．対比・判断
申立人の主張毎に申立理由について検討する。
５−１−１．申立人１の主張（１）について
（２９条第２項違反）
　本件発明５と申立人１の甲第１号証に記載された発明とを対比すると、前記甲第１号証の特に図１、３には、支持フィルム２７（本件発明５の「第１誘電体層」に相当）の下面に回路パターン２８ａ（本件発明５の「導電性層」に相当）を設けた２層構造からなるフレキシブル基板２６（本件発明５の「ＴＡＢテープ」に相当）を、接着剤層２９を介してバンプ（端子）２４を有するプリント基板上に固着したものは示されているものの、本件発明５の構成要件（ａ）（ｄ）における下記の点は記載されておらず、また、示唆もされていない。
（１）ＴＡＢテープがそれぞれ半導体ダイを受容するための孔を有する第１誘電体層及び第２誘電体層と、前記第１誘電体層と第２誘電体層との間に配置された導電性層とを有する点、
（２）第２誘電体層の開口を通して導電性パッドに接合された複数の半田球とを有する点、
　ところで、申立人１は甲第１号証の接着剤層２９もしくはプリント配線基板２１がＴＡＢテープにおける第２誘電体層に相当する旨主張しているが、プリント配線基板２１は、接着剤層２９を介してフレキシブル基板２６（本件発明５の「ＴＡＢテープ」に相当）に接着しており、プリント配線基板２１のスルーホールめっき等の導通部を介してバンプ（端子）２４に接続しているためバンプ（端子）２４は、回路パターン２８ａに直接接合していない。したがって、接着剤層２９もしくはプリント配線基板２１は、ＴＡＢテープの一部ではなく、第２誘電体層を構成するものとは認められない。
　また、甲第１号証の段落【００１０】、図４には、インナーリード２８ｂの両面を支持フィルム２７にて補強した３層のＴＡＢテープ状のものが記載されているが、下層の支持フィルム２７は更にプリント基板２１にて補強されているから、前記（２）の構成と明らかに相違する。
　してみれば、前記甲第１号証に記載のバンプ（端子）２４に代えて、前記甲第２号証に記載のＣＣＢバンプ（半田球）を適用しても、前記相違点（１）、（２）を当業者が容易に想到できたものとすることはできない。
　さらに、参考公報１、２には、ヒートシンクの材料として、酸化ベリリウム、モリブデンを含むものが記載されているにすぎない。
　そして、本件発明５は、「単金属層（・・・）ＴＡＢテープ１０３を用いて、１００ＭＨｚ以上の周波数特性を可能としている。さらに、単金属層ＴＡＢテープ１０３と導電性の熱放散板１０６とによって、インピーダンスが小さく抑えられた電気的な信号路を形成し、補償されないトレースのインダクタンスを最小にしている。・・・」（段落【００３０】〜【ＯＯ３２】等の特許明細書に記載された格別の効果を奏するものである。
　よって、本件発明５は、申立人１の甲第１号証及び甲第２号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
５−１−２．申立人１の主張（２）について
（２９条第２項違反）
　本件発明８は、本件発明５に記載された（ａ）〜（ｄ）の「・・・半田球（１１２）とを有する」点までの構成が同一であり、補強材の表面処理に関する構成が本件発明５と相違するのみである。
　してみれば、本件発明８は、甲第４号証にパッケージ基板２１の主面の周縁部およびキャップ２５の脚部の下面のそれぞれに、封止用半田２６の濡れ性を向上させるためのメタライズ層２７を設ける点が記載されているものの、本件発明５の前記した理由と同じ理由により、当業者が容易に想到することができたものではない。
　よって、本件発明８は、申立人１の甲第１号証、甲第２号証及び甲第４号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
５−１−３．申立人１の主張（３）について
（２９条の２違反）
　本件発明５と申立人１の甲第３号証に記載された発明とを対比すると、前記甲第３号証の図１には、支持フィルム２７（本件発明５の「第１誘電体層」に相当）の下面に回路パターン２８ａ（本件発明５の「導電性層」に相当）を設けた２層構造からなるフレキシブル基板２６（本件発明５の「ＴＡＢテープ」に相当）を、接着剤層２９を介して端子２４（はんだボール）を有するプリント基板上に固着したものは示されているものの、本件発明５の構成要件である下記の点は記載されておらず、また、示唆もされていない。
（１）ＴＡＢテープがそれぞれ半導体ダイを受容するための孔を有する第１誘電体層及び第２誘電体層と、前記第１誘電体層と第２誘電体層との間に配置された導電性層とを有する点、
（２）第２誘電体層の開口を通して導電性パッドに接合された複数の半田球とを有する点、
　ところで、申立人１は甲第１号証の接着剤層２９もしくはプリント配線基板２１がＴＡＢテープにおける第２誘電体層に相当する旨主張しているが、プリント配線基板２１は、接着剤層２９を介してフレキシブル基板２６（本件発明５の「ＴＡＢテープ」に相当）に接着しており、プリント配線基板２１のスルーホールめっき等の導通部を介してはんだボールに接続しているためはんだボールは、回路パターン２８ａに直接接合していない。
　したがって、接着剤層２９もしくはプリント配線基板２１は、ＴＡＢテープの一部ではなく、第２誘電体層を構成するものとは認められない。
　また、甲第３号証の図１０には、３層構造のＴＡＢテープが記載されているが、前記相違点（２）が記載されておらず、また、示唆もされていない。
　したがって、本件発明５は、申立人２の甲第３号証に記載された発明と同一であると認めることはできない。
５−１−４．申立人１の主張（４）について
（２９条の２違反）
　本件発明５及び８と申立人１の甲第５号証に記
載された発明とを対比すると、前記甲第５号証には、ベースフィルム２２（本件発明５、８の「第２誘電体層」に相当）の上面に配線パターン１６ａ（本件発明５、８の「導電性層」に相当）を設けた２層構造からなる配線パターン付きフィルム１６（本件発明５、８の「ＴＡＢテープ」に相当）を有する点、ベースフィルムの下面には開口を通して配線パターン１６ａに接合した複数の半田球とを有する点、配線パターン付きフィルム１６の上面は、弾性体層１４を介して銅等の素材からなるパッケージ基板１０に接合することは示されているものの、本件発明５及び８に共通の構成要件である下記の点は記載されておらず、また、示唆もされていない。
（１）ＴＡＢテープがそれぞれ半導体ダイを受容するための孔を有する第１誘電体層及び第２誘電体層と、前記第１誘電体層と第２誘電体層との間に配置された導電性層とを有する点、
　ところで、申立人１は甲第５号証に記載されたフィルム１６が第１誘電体層に相当する旨主張しているが、フィルム１６は、図３に示されるように配線パターン１６ａとその下層に接合したべースフィルム２２からなる２層構造であり、第１誘電体層に相当するものは記載されていない。
　したがって、本件発明５及び８は、申立人１の甲第５号証に記載された発明と同一であると認めることはできない。
５−２−１．申立人２の主張（１）について
（２９条の２違反）
（本件発明１、４、５、８、１０について）
　本件発明１、４、５、８、１０と申立人２の甲第１号証（申立人１の甲第５号証と同一の証拠）に記載された発明を対比すると、本件発明１、４、１０については、本件発明５及び８のＴＡＢテープについての構成を共通にしているから、５−１−４．「申立人１の主張（４）について」に記載した理由と同じ理由により申立人２の甲第１号証に記載の発明と同一とすることはできない。
　申立人２は、甲第１号証の弾性体層１４が本件発明１、４、５、８、１０の第１誘電体層に相当する旨主張しているが、甲第１号証に記載の配線パターン付きフィルム１６が本件発明１、４、５、８、１０のＴＡＢテープに相当するものと解され、弾性体層１４は、配線パターン付きフィルムとパッケージ基板（本件発明１、４、５、８、１０の「補強材」に相当）との間に接合されるものであるから、ＴＡＢテープにおける第１誘電体層を構成するものとは認められない。
　また、甲第１号証には、「配線パターン付きフィルム１６は３層ＴＡＢテープあるいは２層ＴＡＢテープを製造する方法と同様な方法によって得られる。」（段落【００１７】）との記載もあるが、３層ＴＡＢテープについての具体的な構成は、何ら記載されていない。
（本件発明１５について）
　本件発明１５と申立人２の甲第１号証に記載された発明を対比すると、前記甲第１号証には、半導体チップ１２をパッケージ基板１０のキャビティ２０に銀エポキシ接着剤により接合する過程、半導体チップ１２をパッケージ基板１０に搭載した後、ポッティング法により気密封止する過程、はんだボールを接合する過程が断片的に記載されているのみであり、本件発明１５における下記の点が記載されておらず、また、示唆もされていない。
（１）ＴＡＢテープの第１誘電体層と第２誘電体層の間に保持された導電性トレースを、対応する半導体ダイの導電性パッドに内部リードボンドを用いて接続する接続過程、
　ところで、申立人２は、異議申立書５６頁（ｂ）において、甲第１号証の弾性体層１４が本件発明の第１誘電体層に相当する旨主張しているが、「（本件発明１、４、５、８、１０について）」において前述したように弾性体層１４は、本件発明１５の第１誘電体層に相当するものとは認められないし、また、弾性体層１４をフィルム１６に接合した後に、半導体チップとのボンディングを行っている旨の記載もない。
　したがって、本件発明１５は、申立人２の甲第１号証に記載された発明と同一であると認めることはできない。
（本件発明１９について）
　本件発明１９と申立人２の甲第１号証を対比すると、甲第１号証には、「（本件発明１５について）」において前述した点が断片的に記載されているのみであり、本件発明１９の構成である下記の点が記載されておらず、また、示唆もされていない。
（１）熱放散板と第１誘電体層と第２誘電体層との間に保持されたＴＡＢテープの導電性トレースとを半導体ダイの対応する導電性パッドにワイアボンドを用いて接続する接続過程、
　この点について申立人２は、「甲第１号証では、接続用リード１６ｅを直接的にチップ１２に取付ているが、直接取り付けるかワイヤを介して取り付けるかは、極めて簡単な設計的事項である。」（異議申立書第５９頁２０〜２２行）と主張しているが、前記甲第１号証には、ワイヤボンドに関する記載も、これを示唆する記載もなく、また、直接取り付けるものにかえてワイヤを介して取り付けることが当業者にとって単なる設計的事項でもない。
　したがって、本件発明１９は、申立人２の甲第１号証に記載された発明と同一であると認めることはできない。
（本件発明２、３、９、１１、１３、１４、１６〜１８、２０について）
　本件発明２、３、９、１１、１３、１４、１６〜１８、２０については、本件発明１、８、１５、１９をそれぞれ引用して、さらに構成を付加、限定したものであるから前記本件発明１、８、１５、１９についての理由と同様の理由により、甲第１号証に記載された発明と同一であると認めることはできない。
５−２−２．申立人２の主張（２）について
（２９条の２違反）
（本件発明１、５について）
　本件発明１、５と申立人２の甲第２号証に記載された発明とを対比すると、前記甲第２号証には、ＴＡＢテープが、ベースフィルム９（本件発明１、５の「第１誘電体層」に相当）、配線パターン（「本件発明１、５の「導電性層」に相当）、カバーレジスト７（本件発明１、５の「第２誘電体層」に相当）からなる３層構造である点、および、放熱板１６（本件発明１、５の「補強材」に相当）をベースフィルム９（本件発明１、５の「第１誘電体層」に相当）、半導体チップ４（本件発明１、５の「半導体ダイ」に相当）に接着剤にて接着する点は記載されているものの、本件発明１、５に共通の構成要件である下記の点は記載されておらず、また、示唆もされていない。
（１）半導体ダイを受容するためのキャビティを有し、このキャビティが、前記半導体ダイを受容するための第１誘電体層及び第２誘電体層の孔のそれぞれと整合されている補強材を有する点、
　ところで、申立人２は、甲第２号証の「この時、放熱板１６をベースフィルム９にも接着できる構造にすれば、テープの反り防止にもなる。」（段落【００３４】）との記載から、キャビティは必然的にできると主張しているが、甲第２号証の図２に放熱板１６を半導体チップ４にのみに接着したものが記載されているだけで、仮に、放熱板１６をベースフィルム９にも接着した場合に、キャビティに相当するものができたとしても、本件発明１、５の第１誘電体層及び第２誘電体層の孔のそれぞれと整合されている補強材については、甲第２号証には、何らの記載も示唆もされていない。
　したがって、本件発明１、５は、申立人２の甲第２号証に記載された発明と同一であると認めることはできない。
（本件発明１５について）
　本件発明１５と申立人２の甲第２号証に記載された発明とを対比すると、前記甲第２号証には、３層構造のＴＡＢテープのリードに半導体チップを接続する過程、半導体チップ、ＴＡＢテープに放熱板を接着する過程、パッドにバンプ（半田球）を接続する過程は記載されているものの、甲第２号証の図２に放熱板１６を半導体チップ４にのみに接着したものが記載されているだけで、放熱板１６をベースフィルム９にも接着した場合の放熱板の具体的な形状、キャビティの封止構造については、明らかでなく、しかも、本件発明１５の構成要件である下記の点は記載されておらず、また、示唆もされていない。
（１）熱放散板がキャビティを有し、このキャビティに半導体ダイを接着する過程、
（２）キャビティを埋め半導体ダイと内部リードボンドを覆うことによって封止する封止過程、
　したがって、本件発明１５は、申立人２の甲第２号証に記載された発明と同一であると認めることはできない。
（本件発明１９について）
　本件発明１９と申立人２の甲第２号証に記載された発明とを対比すると、前記甲第２号証には、３層構造のＴＡＢテープのリードに半導体チップを接続する過程、半導体チップ、ＴＡＢテープに放熱板を接着する過程、パッドにバンプ（半田球）を接続する過程が断片的に記載されているものの、本件発明１９の構成要件である下記の点が記載されておらず、また、示唆もされていない。
（１）ＴＡＢテープと半導体ダイを熱放散板に接着してからＴＡＢテープと半導体ダイをワイアボンドにて接続する接続過程
　したがって、本件発明１９は、申立人２の甲第２号証に記載された発明と同一であると認めることはできない。
（本件発明２、３、１１、１３、１４、１６〜１８、２０について）
　本件発明２、３、１１、１３、１４、１６〜１８、２０については、本件発明１、１５、１９をそれぞれ引用して、さらに構成を付加、限定したものであるから前記本件発明１、１５、１９についての理由と同様の理由により、甲第２号証に記載された発明と同一であると認めることはできない。
５−２−１．申立人２の主張（３）について
（２９条の２）
（本件発明１について）
　本件発明１と申立人２の甲第３号証に記載された発明とを対比すると、前記甲第３号証の図７には、絶縁性チップ２（本件発明１の「第１誘電体層」に相当）の下面に導体パターン１を形成した２層構造のＴＡＢ基板の上面に、チップ搭載部に凹部を形成した金属基板１４（本件発明１の「補強材」に相当）を接着し、導体パターン１の下面には複数の半田ボールを接合し、導体パターンの下面は絶縁膜１３にて保護されている半導体装置が示されているものの、本件発明１の構成要件である下記の点は記載されておらず、また、示唆もされていない。
（１）ＴＡＢテープがそれぞれ半導体ダイを受容するための孔を有する第１誘電体層及び第２誘電体層と、前記第１誘電体層と第２誘電体層との間に配置された導電性層とを有する点、
　ところで、申立人２は、甲第３号証のポリイミド樹脂膜１３が本件発明１の第２誘電体層に相当する旨主張している。
　しかしながら、甲第３号証には、「本発明によれば、・・・片面に導体パターンを形成した絶縁性テープすなわちＴＡＢ基板を用いて実装しているため」（段落【００１２】）、「最後に・・・ＴＡＢ基板が上にくるようにして、前記半導体チップ３を完全に覆うようにポリイミド樹脂膜１３を塗布し」（段落【００３４】）と記載されていることから、半導体装置の組立工程において、ポリイミド樹脂膜１３を導体パターン１基板上へ塗布もしくは貼着するものであるから、ポリイミド樹脂膜１３は、ＴＡＢテープにおける第２誘電体層を構成するものとは認められない。
　したがって、本件発明１は、申立人２の甲第３号証に記載された発明と同一であると認めることはできない。
（本件発明２、３、１１、１３、１４について）
　本件発明２、３、１１、１３、１４については、本件発明１を引用して、さらに構成を付加、限定したものであるから上記本件発明１についての理由と同様の理由により、甲第３号証に記載された発明と同一であると認めることはできない。
　なお、申立人２が本件発明１、９について、それぞれ甲第３、１号証と対比した説明で引用している参考文献は、半導体チップのダイ・ボンディングの接合法に関するものが記載されており、本件発明１、９に相当する記載はないし、示唆もされていないので、本件発明１、９は、参考文献に記載の発明と同一であると認めることはできない。
６．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立人田尻耕一及び吉川喜一郎の特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件発明１〜５、８〜１１、１３〜２０の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明１〜５、８〜１１、１３〜２０の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１１年８月３１日（１９９９．８．３１）