(57)【要約】  本発明は、有機半導体（ＯＳＣ）と１種以上の有機溶媒とを含む新規組成物に関する。組成物は、２５℃の温度では固体であり、より高い温度では流体であり、溶媒の沸点は、４００℃以下である。さらに、本発明は、有機電子（ＯＥ）デバイス、特に、有機光電変換（ＯＰＶ）セルおよびＯＬＥＤデバイスを作製するための、インクとしてのこれらの組成物の使用、新規組成物を使用してＯＥデバイスを作製する方法、ならびにそのような方法および組成物から作製される、ＯＥデバイス、ＯＬＥＤデバイス、およびＯＰＶセルを説明する。【特許請求の範囲】
【請求項１】
１種以上の有機半導体化合物（ＯＳＣ）と、１種以上の有機溶媒とを含む組成物であって、前記組成物は、２５℃の温度では固体であり、より高い温度、好ましくは２００℃では流体であり、前記溶媒の沸点は、４００℃以下であることを特徴とする組成物。
【請求項２】
前記組成物は、最も高い沸点を有する前記溶媒の融点より１０℃高い温度で、２５ｍＮ／ｍ〜４５ｍＮ／ｍの範囲の表面張力を構成することを特徴とする、請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
前記組成物は、最も高い沸点を有する前記溶媒の融点より１０℃高い温度で、０．２５〜１００ｍＰａｓの範囲の粘度を構成することを特徴とする、請求項１または２に記載の組成物。
【請求項４】
前記有機溶媒は、芳香族および／またはヘテロ芳香族化合物、好ましくは、ナフタレン化合物、ベンゼン化合物、ピリジン化合物、ピラジン化合物または少なくとも１２０ｇ／ｍｏｌの分子量を有するピラゾール化合物を含むことを特徴とする、請求項１〜３のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項５】
前記溶媒は混合物であり、好ましくは、少なくともベンゼン化合物、ナフタレン化合物、スルホラン化合物、スルホン化合物またはアルコール化合物を含むものであることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項６】
前記組成物は、少なくとも１種の不活性バインダーを含むことを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項７】
前記有機半導体化合物は、有機発光材料および／または電荷輸送材料であることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項８】
前記有機半導体化合物は、下式から選択される化合物であることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の組成物：
【化１−１】
2013529375.tif 000042
【化１−２】
2013529375.tif 000043
式中、
ｎは、１より大きい整数であり、好ましくは１０〜１，０００であり、
Ｒは、出現する毎に、同一または異なり、Ｈ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮ、１〜４０個のＣ原子を有する直鎖状、分枝状もしくは環状アルキル基（ここで、１個以上のＣ原子は、Ｏ原子および／またはＳ原子が互いに直接連結されないように、Ｏ、Ｓ、Ｏ−ＣＯ、ＣＯ−Ｏ、Ｏ−ＣＯ−Ｏ、ＣＲ0＝ＣＲ0もしくはＣ≡Ｃで任意に置きかえられていてもよい）（また、ここで、１個以上のＨ原子は、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、ＩもしくはＣＮで任意に置きかえられていてもよい）を示すか、または無置換もしくは１つ以上の非芳香族基Ｒsで置換されている、４〜２０個の環原子を有するアリールもしくはヘテロアリール基を示し、ここで、１つ以上の基Ｒは、相互におよび／またはそれらが結合する環と共に、単環式または多環式の脂肪族または芳香族環系を形成していてもよく、
Ｒsは、出現する毎に、同一または異なり、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮ、Ｓｎ（Ｒ00）3、Ｓｉ（Ｒ00）3またはＢ（Ｒ00）2、１〜２５個のＣ原子を有する直鎖状、分枝状もしくは環状アルキル基（ここで、１個以上のＣ原子は、Ｏ原子および／またはＳ原子が互いに直接連結されないように、Ｏ、Ｓ、Ｏ−ＣＯ、ＣＯ−Ｏ、Ｏ−ＣＯ−Ｏ、ＣＲ0＝ＣＲ0、Ｃ≡Ｃで任意に置きかえられていてもよい）（また、ここで、１個以上のＨ原子は、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、ＩもしくはＣＮで任意に置きかえられていてもよい）を示すか、またはＲsは、無置換もしくは１つ以上の非芳香族基Ｒsで置換されている、４〜２０個の環原子を有するアリールもしくはヘテロアリール基を示し、ここで、１つ以上の基Ｒsは、相互におよび／またはＲと共に、環系を形成していてもよく、
Ｒ0は、出現する毎に、同一または異なり、Ｈ、Ｆ、Ｃｌ、ＣＮ、１〜１２個のＣ原子を有するアルキルまたは４〜１０個の環原子を有するアリールもしくはヘテロアリールを示し、
Ｒ00は、出現する毎に、同一または異なり、Ｈまたは１〜２０個のＣ原子を有する脂肪族もしくは芳香族炭化水素基を示し、ここで、２つの基Ｒ00は、それらが結合するヘテロ原子（Ｓｎ、ＳｉまたはＢ）と一緒になって環を形成していてもよく、
ｒは、０、１、２、３または４であり、
ｓは、０、１、２、３、４または５である。
【請求項９】
前記有機半導体化合物は、下式の化合物であることを特徴とする、請求項１〜７のいずれか１項に記載の組成物：
【化２】
2013529375.tif 000044
式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9、Ｒ10、Ｒ15、Ｒ16、Ｒ17は、それぞれ独立に、同じまたは異なり、それぞれ独立に、Ｈ；任意に置換されていてもよいＣ1〜Ｃ40カルビルもしくはヒドロカルビル基；任意に置換されていてもよいＣ1〜Ｃ40アルコキシ基；任意に置換されていてもよいＣ6〜Ｃ40アリールオキシ基；任意に置換されていてもよいＣ7〜Ｃ40アルキルアリールオキシ基；任意に置換されていてもよいＣ2〜Ｃ40アルコキシカルボニル基；任意に置換されていてもよいＣ7〜Ｃ40アリールオキシカルボニル基；シアノ基（−ＣＮ）；カルバモイル基（−Ｃ（＝Ｏ）ＮＨ2）；ハロホルミル基（−Ｃ（＝Ｏ）−Ｘ、式中のＸはハロゲン原子を表す）；ホルミル基（−Ｃ（＝Ｏ）−Ｈ）；イソシアノ基；イソシアナート基；チオシアナート基もしくはチオイソシアナート基；任意に置換されていてもよいアミノ基；ヒドロキシ基；ニトロ基；ＣＦ3基；ハロ基（Ｃｌ、Ｂｒ、Ｆ）；または任意に置換されていてもよいシリル基を表し；Ａは、ケイ素またはゲルマニウムを表し；
ここで、Ｒ1とＲ2、Ｒ2とＲ3、Ｒ3とＲ4、Ｒ7とＲ8、Ｒ8とＲ9、Ｒ9とＲ10、Ｒ15とＲ16、およびＲ16とＲ17の各対は独立に、任意に相互に架橋されて、Ｃ4〜Ｃ40飽和または不飽和環を形成していてもよく、その飽和または不飽和環は、酸素原子、硫黄原子または式−Ｎ（Ｒa）−の基（ここで、Ｒaは、水素原子または炭化水素基である）が任意に介在していてもよいか、あるいは任意に置換されていてもよく、
ここで、当該ポリアセン骨格の１個以上の炭素原子は、Ｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｏ、Ｓ、ＳｅおよびＴｅから選択されるヘテロ原子で任意に置換されていてもよい。
【請求項１０】
前記有機半導体化合物は、発光し、加えて、３８より大きい原子番号を有する少なくとも１つの原子を含有する有機燐光性化合物であることを特徴とする、請求項１〜７のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項１１】
前記燐光性化合物は、式（１）〜（４）の化合物であることを特徴とする請求項１０に記載の組成物：
【化３】
2013529375.tif 000045
式中、
ＤＣｙは、出現する毎に、同一または異なり、少なくとも１つのドナー原子、好ましくは、窒素、カルベンの形態の炭素またはリンを含有する環状基であり、該環状基は前記ドナー原子を介して当該金属に結合し、さらに、１つ以上の置換基Ｒ18を有していてもよく；基ＤＣｙおよびＣＣｙは、共有結合を介して相互に接続され；
ＣＣｙは、出現する毎に、同一または異なり、炭素原子を含有する環状基であり、該環状基は前記炭素原子を介して当該金属に結合し、さらに、１つ以上の置換基Ｒ18を有していてもよく；
Ａは、出現する毎に、同一または異なり、モノアニオン性二座キレート配位子、好ましくはジケトナート配位子であり；
Ｒ18は、各場合において同一または異なり、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＮＯ2、ＣＮ、１〜２０個の炭素原子を有する直鎖状、分枝状もしくは環状のアルキルもしくはアルコキシ基（ここで、１つ以上の非隣接ＣＨ2基は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＲ19−、−ＣＯＮＲ19−、−ＣＯ−Ｏ−、−Ｃ＝Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−または−Ｃ≡Ｃ−で置きかえられていてもよい）（また、ここで、１個以上の水素原子は、Ｆで置きかえられていてもよい）、または４〜１４個の炭素原子を有し、１つ以上の非芳香族Ｒ18ラジカルで置換されていてもよいアリールもしくはヘテロアリール基であり、同じ環上または２つの異なる環上の複数の置換基Ｒ18は、一緒になって、さらに、単環式または多環式の脂肪族または芳香族環系を形成していてもよく；
Ｒ19は、各場合において同一または異なり、１〜２０個の炭素原子を有する直鎖状、分枝状もしくは環状のアルキルもしくはアルコキシ基（ここで、１つ以上の非隣接ＣＨ2基は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−Ｏ−、−Ｃ＝Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−または−Ｃ≡Ｃ−で置きかえられていてもよい）（また、ここで、１個以上の水素原子は、Ｆで置き換えられていてもよい）、または４〜１４個の炭素原子を有し、１つ以上の非芳香族Ｒ18ラジカルで置換されていてもよいアリールもしくはヘテロアリール基である。
【請求項１２】
前記組成物は、ホスト材料を含むことを特徴とする請求項１〜１１のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項１３】
前記組成物は、少なくとも１種の湿潤剤を含むことを特徴とする請求項１〜１２のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項１４】
ＯＥデバイスの作製のためのコーティング用または印刷用インクとしての、請求項１〜１３のいずれか１項に記載の組成物の使用。
【請求項１５】
有機電子（ＯＥ）デバイスを作製する方法であって、
ａ）請求項１〜１３のいずれか１項に記載の組成物を基板上に堆積させて、膜または層を形成するステップと、
ｂ）前記溶媒を除去するステップと
を含む方法。
【請求項１６】
請求項１〜１３のいずれか１項に記載の組成物から、または請求項１５に記載の方法によって作製されるＯＥデバイス。
【請求項１７】
前記ＯＥデバイスは、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）、有機電界効果トランジスタ（ＯＦＥＴ）または有機光電変換（ＯＰＶ）デバイスであることを特徴とする、請求項１６に記載のＯＥデバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機半導体化合物（ＯＳＣ）を含む新規組成物と、有機電子（ＯＥ）デバイス、特に、有機光電変換（ＯＰＶ）セルおよびＯＬＥＤデバイスを作製するための導電性インクとしてのそれらの使用と、新規配合物を使用してＯＥデバイスを作製するための方法と、そのような方法および組成物から作製されるＯＥデバイスおよびＯＰＶセルとに関する。
【背景技術】
【０００２】
ＯＦＥＴまたはＯＰＶセルのようなＯＥデバイス、特にフレキシブルデバイスを作製する場合、ＯＳＣ層を塗布するために、通常、インクジェット印刷、ロールツーロール印刷、スロットダイコーティング、またはフレキソ／グラビア印刷のような印刷またはコーティング技術が使用される。ＯＳＣとして有用な現在の有機化合物のほとんどが、低溶解性であることに基づいて、これらの技術は、多量の溶媒の使用が必要になる。溶媒のディウェッティングを減らし、乾燥膜の平滑性を高めるために、界面活性剤を使用することができる。これらの添加剤は、小分子ＯＳＣまたは分子量の低いポリマーＯＳＣに関して、特に必要とされる。従来の界面活性剤または湿潤剤の使用は、例えば、ＷＯ２００９／０４９７４４に開示されている。しかし、明白な例が、全く述べられていない。ＯＳＣ材料のほとんどが、低溶解性であることに基づいて、必要とされる界面活性剤の量は、インク配合物におけるＯＳＣ材料の量に対して多い。
【０００３】
さらに、ＷＯ２００９／１０９２７３は、特定の粘度を実現するために特殊な溶媒を含む組成物を記載している。特定の粘度は、多量のポリマーバインダーを使用する必要性なしに、ロールツーロール印刷、スロットダイコーティング、またはフレキソ／グラビア印刷などのような塗布法を介して組成物を塗布するために必要とされる。しかし、これらの組成物のいくつかの実施形態によれば、これらのバインダーは、光学構成成分として使用することができる。それに加えて、組成物は、上述した湿潤剤を含むことができる。
【０００４】
さらに、ＪＰ２００１−２８８４１６は、液体溶媒と固体溶媒とを含む少なくとも２つの有機溶媒に溶解または分散させた塗布液組成物を開示している。液体溶媒と固体溶媒との組み合わせを使用することによって、高分散な等方的状態の、機能材料を有する薄膜がもたらされる。
【０００５】
ＷＯ２００９／０４９７４４、ＷＯ２００９／１０９２７３、およびＪＰ２００１−２８８４１６に開示されているＯＥデバイスは、有用な効率と寿命とを示している。しかし、効率、寿命、および、酸化または水に対する感度などの、ＯＳＣ層の性能を向上させることが、永続する望みである。
【０００６】
それに加えて、多量の湿潤剤を使用することなく、平滑性の高い膜を形成することは困難である。しかし、これらの湿潤剤は、形成された膜の性能に対して、いくつか好ましくない点を有することがある。
【０００７】
さらに、上述した技術に基づく多層デバイスの製造は、実現するのが困難である。既存の層に追加の層を塗布するためには、一般的に、後から塗布する組成物は、既存の層を溶解させない溶媒を含む。そのような手法は、直交溶媒（orthogonal solvent）法と一般に呼ばれる。しかし、既存の膜の有機半導体化合物と、後から塗布する組成物の半導体化合物が、類似の特性を有し、類似の溶媒に可溶である場合、そのような手法は、実現するのが困難である。
【発明の概要】
【０００８】
したがって、ＯＥデバイス、特に、薄膜トランジスタ、ダイオード、ＯＬＥＤディスプレイ、およびＯＰＶセルの作製に適した、ＯＳＣを含む改良された組成物を有することが好ましく、その組成物は、性能の高い、長寿命で、水や酸化に対して感度の低い、高効率のＯＥデバイスの製造を可能にする。本発明の一目的は、そのような改良された組成物を提供することである。別の目的は、そのような組成物からＯＥデバイスを作製する改良された方法を提供することである。別の目的は、そのような組成物および方法から得られる改良されたＯＥデバイスを提供することである。特に、別の目的は、多層デバイスを作製するための改良された方法を提供することである。さらなる目的は、以下の説明から、当業者にすぐに明らかとなる。
【０００９】
驚いたことに、本発明で請求した方法と、材料と、デバイスとを提供すること、特に、２５℃の温度では固体であり、より高い温度では流体であり、溶媒の沸点が、４００℃以下である組成物を使用して、ＯＥデバイスを作製するための方法を提供することによって、これらの目的を達成でき、上述の問題を解決できることが判明した。
【００１０】
本発明は、１種以上の有機半導体化合物（ＯＳＣ）と、１種以上の有機溶媒とを含む組成物であって、２５℃の温度では固体であり、より高い温度では流体であり、溶媒の沸点が、４００℃以下であることを特徴とする組成物に関する。
【００１１】
さらに、本発明は、特にＯＥデバイスを作製するための、とりわけ、薄膜トランジスタ、ダイオード、ＯＬＥＤデバイス、ならびに剛性またはフレキシブルな有機光電変換（ＯＰＶ）セルおよびデバイスのための、上記および下記の組成物の、コーティング用または印刷用インクとしての使用に関する。
【００１２】
さらに、本発明は、有機電子（ＯＥ）デバイスを作製する方法であって、
ａ）上記および下記の組成物を基板上に堆積させて、膜または層を形成するステップと、
ｂ）溶媒を除去するステップと
を含む方法に関する。
【００１３】
さらに、本発明は、上記および下記の組成物から、および／または上記および下記の方法により作製されるＯＥデバイスに関する。
【００１４】
ＯＥデバイスとしては、限定されないが、有機電界効果トランジスタ（ＯＦＥＴ）、集積回路（ＩＣ）、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、無線ＩＤ（ＲＦＩＤ）タグ、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）、有機発光トランジスタ（ＯＬＥＴ）、エレクトロルミネセントディスプレイ、有機光電変換（ＯＰＶ）セル、有機太陽電池（Ｏ−ＳＣ）、フレキシブルＯＰＶおよびＯ−ＳＣ、有機レーザーダイオード（Ｏ−レーザー）、有機集積回路（Ｏ−ＩＣ）、照明デバイス、センサーデバイス、電極材料、光導電体、光検出器、電子写真記録デバイス、コンデンサー、電荷注入層、ショットキーダイオード、平坦化層、静電防止膜、導電性基板、導電性パターン、光導電体、電子写真デバイス、有機記憶デバイス、バイオセンサー、およびバイオチップがある。
【００１５】
好ましい実施形態によれば、本発明は、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を提供する。ＯＬＥＤデバイスは、例えば、照明のために、医用照明の目的のために、信号装置として、標識（signage）装置として、およびディスプレイにおいて使用することができる。パッシブマトリックス駆動と、トータルマトリックスアドレッシング（total matrix addressing）と、またはアクティブマトリックス駆動とを使用して、ディスプレイをアドレスすることができる。透明ＯＬＥＤは、光学上透明な電極を使用して製造することができる。フレキシブルＯＬＥＤは、フレキシブル基板の使用を通して評価可能である。
【００１６】
本発明の組成物、方法、およびデバイスは、ＯＥデバイスの効率、およびデバイスの生産を目覚ましく改良する。意外なことには、本発明の組成物を使用することにより、ＯＥデバイスが得られた場合に、これらのデバイスの性能、寿命、および効率を改良することができる。さらに、本発明の組成物は、驚くほど高いレベルの膜形成性をもたらす。特に、膜の均一性および質を改良することができる。それらに加えて、本発明は、多層デバイスのより良好な印刷を可能にする。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１ａ】本発明による典型的なボトムゲート（ＢＧ）トップコンタクト（ＴＣ）型ＯＦＥＴデバイスを、例示的かつ概略的に示している。
【図１ｂ】本発明によるボトムゲート（ＢＧ）ボトムコンタクト（ＢＣ）型ＯＦＥＴデバイスを、例示的かつ概略的に示している。
【図２】本発明によるトップゲート（ＴＧ）型ＯＦＥＴデバイスを、例示的かつ概略的に示している。
【図３】本発明による典型的かつ好ましいＯＰＶデバイスを例示的かつ概略的に示している。
【図４】本発明による典型的かつ好ましいＯＰＶデバイスを例示的かつ概略的に示している。
【図５】デバイスのトランジスタ特性、ならびに線形および飽和移動度を示す。
【発明の詳細な説明】
【００１８】
本発明は、２５℃の温度では固体であり、より高い温度では流体である組成物を提供する。これらのタイプのコーティング組成物または印刷用インクは、そのような組成物の塗布が、２５℃を超える温度で行われることに基づき、ホットメルト配合物と呼ぶことができる。
【００１９】
好ましくは、前記組成物は、３０℃、特に３５℃、とりわけ４０℃、より好ましくは５０℃、最も好ましくは６０℃の温度で固体である。組成物が固体である温度が高いほど、印刷をより容易に基板上に定着させることができる。固体という用語は、組成物が、通常の印刷技術により塗布できないほどにインクの粘度が非常に高いことを意味する。したがって、上述および下述の温度（特に２５℃）で少なくとも５００Ｐａｓの粘度を含む組成物は、固体とみなす。特に明記しない限り、粘度値は、５００ｓ-1のせん断速度で、パラレルプレート型回転粘度計またはレオメーター（ＴＡ  Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ）によって測定される。
【００２０】
しかし、インクが、非常に高い温度で固体である場合、これらのインクは、非常に高い温度で塗布する必要がある。高い処理温度には、特殊な設備と、安定な有機半導体化合物とが必要となる。そうした問題点に基づいて、本発明の組成物は、好ましくは、２００℃以下、特に１５０℃以下、より好ましくは１２０℃以下、最も好ましくは１００℃以下の温度で流体である。
【００２１】
流体という用語は、インクの粘度が、上述および下述の通常の印刷技術により組成物が処理できるような範囲にあることを意味する。したがって、上述および下述の温度（２００℃、１５０℃、１２０℃、および１００℃それぞれ）で０．１〜２０００ｍＰａｓの範囲の粘度を含む組成物は、流体とみなす。特に明記しない限り、粘度値は、５００ｓ-1のせん断速度で、パラレルプレート型回転粘度計またはレオメーター（ＴＡ  Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ）によって測定される。
【００２２】
好ましくは、組成物は、０．２５〜１００ｍＰａｓ、特に１．０〜４０ｍＰａｓの範囲、より好ましくは、２．０〜２０ｍＰａｓの範囲、最も好ましくは、２．１〜１５ｍＰａｓの範囲の粘度を有する。粘度は、ＴＡ  Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓにより製造されたＡＲ−Ｇ２レオメーターで測定することによって、５００ｓ-1のせん断速度で決定される。これは、パラレルプレートジオメトリーを使用して測定される。粘度を決定する温度は、好ましくは、最も高い沸点を有する溶媒の融点より約１０℃高い。流体溶媒のみが使用された場合、粘度は、組成物の処理温度で決定することができる。
【００２３】
好ましくは、本発明の組成物は、２０〜６０ｍＮ／ｍ、より好ましくは２５〜４５ｍＮ／ｍの範囲の表面張力を含む。表面張力は、上述および下述の通り、ＦＴＡ（Ｆｉｒｓｔ  Ｔｅｎ  Ａｎｇｓｔｒｏｍ）１２５接触角ゴニオメーターを使用して測定することができる。表面張力は、ポリマーバインダーおよび溶媒を適切に選択することによって得ることができる。さらに、表面張力は、湿潤剤、好ましくは、下述の揮発性湿潤剤を使用して得ることができる。表面張力を決定する温度は、好ましくは、最も高い沸点を有する溶媒の融点より約１０℃高い。
【００２４】
好ましくは、組成物は、例えば、１ミクロン以下に、濾過することができる。
【００２５】
本発明の組成物は、１種以上の溶媒を含む。溶媒は、トルエン、ｏ−、ｍ−、またはｐ−キシレン、トリメチルベンゼン（例えば、１，２，３−、１，２，４−、および１，３，５−トリメチルベンゼン）、テトラリン、他のモノ−、ジ−、トリ−、およびテトラアルキルベンゼン（例えば、ジエチルベンゼン、メチルクメン、テトラメチルベンゼンなど）のような芳香族炭化水素、芳香族エーテル（例えば、アニソール、アルキルアニソール、例えば、メチルアニソールの２、３および４異性体、ジメチルアニソールの２，３−、２，４−、２，５−、２，６−、３，４−、および３，５−異性体）、ナフタレン誘導体、アルキルナフタレン誘導体（例えば、１−、および２−メチルナフタレン）、ジ−およびテトラヒドロナフタレン誘導体からなる群から好ましくは選択される。また、芳香族エステル（例えば、安息香酸アルキル）、芳香族ケトン（例えば、アセトフェノン、プロピオフェノン）、アルキルケトン（例えば、シクロヘキサノン）、芳香族ケトン（例えば、ベンゾフェノン）、ヘテロ芳香族溶媒（例えば、チオフェン、モノ−、ジ−、およびトリアルキルチオフェン、２−アルキルチアゾール、ベンズチアゾール等、ピリジン）、ハロゲンアリール、およびアニリン誘導体も好ましい。これらの溶媒は、ハロゲン原子を含むことができる。
【００２６】
特に好ましいのは、３−フルオロトリフルオロメチルベンゼン、トリフルオロメチルベンゼン、ジオキサン、トリフルオロメトキシベンゼン、４−フルオロベンゼントリフルオリド（fluorobenzenetrifluoride）、３−フルオロピリジン、トルエン、２−フルオロトルエン、２−フルオロベンゼントリフルオリド、３−フルオロトルエン、ピリジン、４−フルオロトルエン、２，５−ジフルオロトルエン、１−クロロ−２，４−ジフルオロベンゼン、２−フルオロピリジン、３−クロロフルオロベンゼン、１−クロロ−２，５−ジフルオロベンゼン、４−クロロフルオロベンゼン、クロロベンゼン、２−クロロフルオロベンゼン、ｐ−キシレン、ｍ−キシレン、ｏ−キシレン、２，６−ルチジン、２−フルオロ−ｍ−キシレン、３−フルオロ−ｏ−キシレン、２−クロロベンゼントリフルオリド（chlorobenzenetrifluoride）、ジメチルホルムアミド、２−クロロ−６−フルオロトルエン、２−フルオロアニソール、アニソール、２，３−ジメチルピラジン、ブロモベンゼン、４−フルオロアニソール、３−フルオロアニソール、３−トリフルオロメチルアニソール、２−メチルアニソール、フェネトール、ベンゼンジオキソール（benzenedioxol）、４−メチルアニソール、３−メチルアニソール、４−フルオロ−３−メチルアニソール、１，２−ジクロロベンゼン、２−フルオロベンゼンニトリル（fluorobenzene-nitril）、４−フルオロベラトロール、２，６−ジメチルアニソール、アニリン、３−フルオロベンゼンニトリル、２，５−ジメチルアニソール、３，４−ジメチルアニソール、２，４−ジメチルアニソール、ベンゼンニトリル、３，５−ジメチルアニソール、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン、１−フルオロ−３，５−ジメトキシベンゼン、酢酸フェニル、Ｎ−メチルアニリン、安息香酸メチル、Ｎ−メチルピロリドン、モルホリン、１，２−ジヒドロナフタレン、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン、ｏ−トルニトリル、ベラトロール、安息香酸エチル、Ｎ，Ｎ−ジエチルアニリン、安息香酸プロピル、１−メチルナフタレン、安息香酸ブチル、２−メチルビフェニル、２−フェニルピリジン、または２，２’−ビトリルである。
【００２７】
２５℃の温度では固体であり、より高い温度では流体である組成物を実現するために、１種以上の添加剤を使用することができる。
【００２８】
本発明の好ましい実施形態によれば、２５℃では固体であり、より高い温度では、流体、好ましくは液体である溶媒を使用することができる。これらの溶媒を使用することによって、本発明の組成物を使用して得られる有機電子デバイスの性能に関する、驚くほどの改良がもたらされる。
【００２９】
好ましくは、溶媒は、２５℃、特に３０℃、とりわけ３５℃、特に４０℃、より好ましくは５０℃、最も好ましくは６０℃の温度で固体である。固体という用語は、組成物に関して上述した通りに使用する。好ましくは、溶媒は、２５℃以上、特に３０℃以上、とりわけ３５℃以上、特に４０℃以上、より好ましくは５０℃以上、最も好ましくは６０℃以上の温度に融点を有する。
【００３０】
好ましくは、溶媒は、２００℃以下、特に１５０℃以下、より好ましくは１２０℃以下、最も好ましくは１００℃以下の温度で流体である。流体という用語は、組成物に関して上述した通りに使用する。したがって、溶媒は、２００℃以下、特に１５０℃以下、より好ましくは１２０℃以下、最も好ましくは１００℃以下の温度に融点を有する。
【００３１】
これらの溶媒が有機半導体化合物と反応しなければ、これらの溶媒は、特に限定されず、アルカンなどの脂肪族化合物を含むことができ、ヒドロキシル基、カルボン酸基、またはハロゲンなどの官能基を含むことができる。本発明の特別な態様によれば、有機溶媒は、好ましくは、芳香族化合物および／またはヘテロ芳香族化合物、特に芳香族化合物、より好ましくは芳香族炭化水素化合物を含む。特に、有機溶媒は、ベンゼン化合物、ピリジン化合物、ピラジン化合物、ピラゾール化合物（少なくとも１２０ｇ／ｍｏｌ、特に少なくとも１３０ｇ／ｍｏｌ、より好ましくは少なくとも１４０ｇ／ｍｏｌの分子量を有する）、スルホン化合物、スルホラン化合物、アルコール化合物、および／またはナフタレン化合物を含むことができる。好ましいベンゼン化合物としては、例えば、１，２，４，５−テトラメチルベンゼン、ペンタメチルベンゼン、およびヘキサメチルベンゼンがある。好ましいナフタレン化合物としては、例えば、２−メチルナフタレン、１，５−ジメチルナフタレン、および２−エトキシナフタレンがある。
【００３２】
驚くほどの改良は、有機溶媒の混合物によって実現することができる。特に、溶媒混合物は、少なくとも１２０ｇ／ｍｏｌ、とりわけ、少なくとも１３０ｇ／ｍｏｌの分子量を特に有する、少なくとも１種のベンゼン化合物を含むことができる。さらに、特定の混合物は、少なくとも１種のナフタレン化合物を含むことができる。
【００３３】
溶媒として有用な化合物の例を、表１に開示する。
【表１】
2013529375.tif 000002
【００３４】
これらの溶媒は、２つ、３つまたはそれ以上の混合物として使用することができる。
【００３５】
好ましくは、溶媒は、用いられる圧力、非常に好ましくは大気圧（１０１３ｈＰａ）で、＜４００℃、特に≦３５０℃、より好ましくは≦２７０℃、最も好ましくは≦２５０℃の沸点または昇華温度を有する。蒸発は、例えば、熱および／または減圧を加えることによって、早めることもできる。
【００３６】
好ましくは、有機溶媒は、１５〜８０ｍＮ／ｍ、より好ましくは２５ｍＮ／ｍ〜４５ｍＮ／ｍの範囲の表面張力を構成することができる。表面張力は、ＦＴＡ（Ｆｉｒｓｔ  Ｔｅｎ  Ａｎｇｓｔｒｏｍ）１２５接触角ゴニオメーターを使用して測定することができる。その方法の詳細は、Ｒｏｇｅｒ  Ｐ．Ｗｏｏｄｗａｒｄ，Ｐｈ．Ｄ．による「Ｓｕｒｆａｃｅ  Ｔｅｎｓｉｏｎ  Ｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔｓ  Ｕｓｉｎｇ  ｔｈｅ  Ｄｒｏｐ  Ｓｈａｐｅ  Ｍｅｔｈｏｄ」を公開している、Ｆｉｒｓｔ  Ｔｅｎ  Ａｎｇｓｔｒｏｍから入手可能である。好ましくは、ペンダントドロップ法を使用して、表面張力を決定することができる。表面張力を決定する温度は、好ましくは、約３０℃〜２００℃、特に６０℃〜１５０℃、より好ましくは８０℃〜１２０℃の範囲にある。本発明の特別な態様によれば、溶媒の表面張力は、溶媒の融点より１０℃高い温度で決定することができる。流体溶媒のみが使用された場合、表面張力は、適用温度で好ましくは決定することができる。
【００３７】
好ましい有機溶媒は、１７．０〜２３．２ＭＰａ0.5の範囲のＨd、０．２〜１２．５ＭＰａ0.5の範囲のＨp、および０．９〜１４．２ＭＰａ0.5の範囲のＨhというハンセン溶解度パラメータを構成することができる。より好ましい有機溶媒は、１８．５〜２１．０ＭＰａ0.5の範囲のＨd、２．０〜６．０ＭＰａ0.5の範囲のＨp、および２．０〜６．０ＭＰａ0.5の範囲のＨhというハンセン溶解度パラメータを構成する。
【００３８】
ハンセン溶解度パラメータは、ＨａｎｓｏｎおよびＡｂｂｏｔらにより供給されている、Ｈａｎｓｅｎ  Ｓｏｌｕｂｉｌｉｔｙ  Ｐａｒａｍｅｔｅｒｓ  ｉｎ  Ｐｒａｃｔｉｃｅ（ＨＳＰｉＰ）プログラム（第２版）に従って、決定することができる。
【００３９】
本発明の組成物は、好ましくは、少なくとも７０重量％、より好ましくは少なくとも８０重量％、最も好ましくは少なくとも９０重量％の有機溶媒を含む。
【００４０】
溶媒およびいずれかの揮発性添加剤を除去するために使用する処理温度は、有機半導体材料を含む層が損傷を受けないように選択するべきである。好ましくは、堆積処理温度は、約３０℃〜２００℃、より好ましくは６０℃〜１５０℃、最も好ましくは８０℃〜１２０℃である。
【００４１】
ＯＳＣ化合物は、当業者に既知であり、文献に記載されている、標準の材料から選択することができる。ＯＳＣは、モノマー化合物（ポリマーまたは巨大分子と比較して「小分子」とも呼ばれる）、ポリマー化合物、または、モノマー化合物とポリマー化合物のいずれかもしくは両方から選択される１種以上の化合物を含有する、混合物、分散物、またはブレンドであってもよい。
【００４２】
本発明の好ましい一実施形態では、ＯＳＣは、モノマー化合物から選択され、そこでは、結晶化度の程度の著しい変動を実現することがより容易になる。
【００４３】
本発明の態様によれば、ＯＳＣは、好ましくは、共役芳香族分子であり、好ましくは少なくとも３つの芳香族環を含有し、それらの環は、縮合環または非縮合環であり得る。非縮合環は、例えば、連結基、単結合、またはスピロ連結を介して結合している。好ましいモノマーＯＳＣ化合物は、５、６または７員の芳香族環からなる群から選択される１つ以上の環を含有し、より好ましくは、５または６員の芳香族環のみを含有する。材料は、混合物、分散物、およびブレンドを含めた、モノマー、オリゴマー、またはポリマーであってもよい。
【００４４】
各芳香族環は、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｐ、Ｓｉ、Ｂ、Ａｓ、Ｎ、Ｏ、またはＳから、好ましくは、Ｎ、Ｏ、またはＳから選択される、１つ以上のヘテロ原子を任意に含有していてもよい。
【００４５】
芳香族環は、アルキル、アルコキシ、ポリアルコキシ、チオアルキル、アシル、アリールもしくは置換アリール基、ハロゲン、特に、フッ素、シアノ、ニトロ、または−Ｎ（Ｒx）（Ｒy）により表される、任意に置換されていてもよい第二級または第三級アルキルアミンまたはアリールアミン（ここで、ＲxおよびＲyは互いに独立に、Ｈ、任意に置換されていてもよいアルキル、任意に置換されていてもよいアリール、アルコキシまたはポリアルコキシ基を示す）で、任意に置換されていてもよい。Ｒxおよび／またはＲyが、アルキルまたはアリールを示す場合、これらは、任意にフッ素化されていてもよい。
【００４６】
好ましい環は、任意に縮合されていてもよいか、−Ｃ（Ｔ1）＝Ｃ（Ｔ2）−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｎ（Ｒz）−、−Ｎ＝Ｎ−、−（Ｒz）Ｃ＝Ｎ−、−Ｎ＝Ｃ（Ｒz）−（ここで、Ｔ1およびＴ2は互いに独立に、Ｈ、Ｃｌ、Ｆ、−Ｃ≡Ｎ−、または低級アルキル基、好ましくはＣ1〜4アルキル基を表し、Ｒzは、Ｈ、任意に置換されていてもよいアルキル、または任意に置換されていてもよいアリールを表す）などの共役連結基と任意に連結されていてもよい。Ｒzが、アルキルまたはアリールである場合、これらは、任意にフッ素化されていてもよい。
【００４７】
好ましいＯＳＣ化合物としては、テトラセン、クリセン、ペンタセン、ピレン、ペリレン、コロネン、または前述したものの可溶性の置換型誘導体などの縮合芳香族炭化水素；ｐ−クアテルフェニル（ｐ−４Ｐ）、ｐ−キンクエフェニル（ｐ−５Ｐ）、ｐ−セクシフェニル（ｐ−６ｐ）、または前述したものの可溶性の置換型誘導体などのパラ置換フェニレンオリゴマー；ポリアセン、ポリフェニレン、ポリ（フェニレンビニレン）、ポリフルオレン、ポリインデノフルオレンなどの、共役炭化水素ポリマー（これらの共役炭化水素ポリマーのオリゴマーを含む）；ポリ（３−置換チオフェン）、ポリ（３，４−二置換チオフェン）、ポリセレノフェン、ポリ（３−置換セレノフェン）、ポリ（３，４−二置換セレノフェン）、ポリベンゾチオフェン、ポリイソチアナプテン（polyisothianapthene）、ポリ（Ｎ−置換ピロール）、ポリ（３−置換ピロール）、ポリ（３，４−二置換ピロール）、ポリフラン、ポリピリジン、ポリ−１，３，４−オキサジアゾール、ポリイソチアナフテン、ポリ（Ｎ−置換アニリン）、ポリ（２−置換アニリン）、ポリ（３−置換アニリン）、ポリ（２，３−二置換アニリン）、ポリアズレン、ポリピレンポリベンゾフランなどの、共役複素環ポリマー；ポリインドール、ポリピリダジン、任意に置換されていてもよいポリトリフェニルアミンなどのポリトリアリールアミン；ピラゾリン化合物；ベンジジン化合物；スチルベン化合物；トリアジン；置換メタロまたは金属非含有ポルフィン、フタロシアニン、フルオロフタロシアニン、ナフタロシアニン、またはフルオロナフタロシアニン；Ｃ60およびＣ70フラーレン、またはそれらの誘導体；Ｎ，Ｎ’−ジアルキル、置換ジアルキル、ジアリールまたは置換ジアリール−１，４，５，８−ナフタレンテトラカルボン酸ジイミドおよびフルオロ誘導体；Ｎ，Ｎ’−ジアルキル、置換ジアルキル、ジアリールまたは置換ジアリール３，４，９，１０−ペリレンテトラカルボン酸ジイミド；バソフェナントロリン；ジフェノキノン；１，３，４−オキサジアゾール；１１，１１，１２，１２−テトラシアノナフト−２，６−キノジメタン；α，α’−ビス（ジチエノ［３，２−ｂ：２’，３’−ｄ］チオフェン）；２，８−ジアルキル、置換ジアルキル、ジアリールまたは置換ジアリールアントラジチオフェン；２，２’−ビベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジチオフェン；から選択される、小分子（すなわち、モノマー化合物）、ポリマー、オリゴマー、およびそれらの誘導体がある。好ましい化合物は、上のリストからのもの、およびそれらの可溶性の誘導体である。
【００４８】
特に好ましいＯＳＣ材料は、例えば、ＵＳ６，６９０，０２９、ＷＯ２００５／０５５２４８Ａ１、またはＷＯ２００８／１０７０８９Ａ１に記載されている通りの、６，１３−ビス（トリアルキルシリルエチニル）ペンタセンなどの置換ポリアセン、または５，１１−ビス（トリアルキルシリルエチニル）アントラジチオフェンなどのそれの誘導体である。さらに好ましいＯＳＣ材料は、例えば、ポリ（３−ヘキシルチオフェン）のように、アルキル基が、好ましくは直鎖状であり、かつ、１〜１２個、最も好ましくは４〜１０個のＣ原子を好ましくは有する、ポリ（３−置換チオフェン）、非常に好ましくはポリ（３−アルキルチオフェン）（Ｐ３ＡＴ）である。
【００４９】
特に好ましいポリマーＯＳＣ化合物は、チオフェン−２，５−ジイル、３−置換チオフェン−２，５−ジイル、任意に置換されていてもよいチエノ［２，３−ｂ］チオフェン−２，５−ジイル、任意に置換されていてもよいチエノ［３，２−ｂ］チオフェン−２，５−ジイル、セレノフェン−２，５−ジイル、３−置換セレノフェン−２，５−ジイル、任意に置換されていてもよいインデノフルオレン、任意に置換されていてもよいフェナントレン、および任意に置換されていてもよいトリアリールアミンからなる群から選択される１つ以上の繰り返し単位を含む、ポリマーまたはコポリマーである。
【００５０】
本発明による組成物は、０．０１重量％〜２０重量％、好ましくは０．１重量％〜１５重量％、より好ましくは０．２重量％〜１０重量％、最も好ましくは０．２５重量％〜５重量％のＯＳＣ材料または対応するブレンドを含むことができる。そのパーセントデータは、１００％の溶媒または溶媒混合物に関するものである。組成物は、１種以上、好ましくは、１、２、３種以上のＯＳＣ化合物を含むことができる。
【００５１】
ここで使用する有機半導体化合物は、純粋な構成成分、または２種以上の構成成分の混合物のいずれかであり、その２種以上の構成成分のうちの少なくとも１種は、半導体特性を有しなければならない。しかし、混合物を使用する場合、各構成成分が、半導体特性を有する必要はない。したがって、例えば、不活性の低分子量化合物は、半導体ポリマーと共に使用することができる。不活性マトリックスまたはバインダーとして役立つ非導電性ポリマーを、半導体特性を有する、１種以上の低分子量化合物またはさらなるポリマーと共に使用することが、同様に可能である。本出願においては、潜在的に混合される非導電性構成成分は、電気光学的に活性でない、化学作用を起こさない、不活性な化合物を意味するものとする。
【００５２】
さらなる混合物質を任意に含んでもよい、ポリマー有機半導体の溶液が好ましい。ポリマー有機半導体の分子量Ｍwは、好ましくは、１０，０００ｇ／ｍｏｌより大きく、より好ましくは５０，０００ｇ／ｍｏｌ〜２，０００，０００ｇ／ｍｏｌ、最も好ましくは１００，０００ｇ／ｍｏｌ〜１，０００，０００ｇ／ｍｏｌである。
【００５３】
本発明においては、ポリマー有機半導体は、特に、（ｉ）有機溶媒に可溶である、ＥＰ０４４３８６１、ＷＯ９４／２０５８９、ＷＯ９８／２７１３６、ＥＰ１０２５１８３、ＷＯ９９／２４５２６、ＤＥ１９９５３８０６、およびＥＰ０９６４０４５に開示されている通りの置換ポリ−ｐ−アリーレンビニレン（ＰＡＶ）、（ｉｉ）有機溶媒に可溶である、ＥＰ０８４２２０８、ＷＯ００／２２０２７、ＷＯ００／２２０２６、ＤＥ１９８４６７６７、ＷＯ００／４６３２１、ＷＯ９９／５４３８５、およびＷＯ００１５５９２７に開示されている通りの置換ポリフルオレン（ＰＦ）、（ｉｉｉ）有機溶媒に可溶である、ＥＰ０７０７０２０、ＷＯ９６／１７０３６、ＷＯ９７／２０８７７、ＷＯ９７／３１０４８、ＷＯ９７／３９０４５、およびＷＯ０３１０２０７９０に開示されている通りの置換ポリスピロビフルオレン（ＰＳＦ）、（ｉｖ）有機溶媒に可溶である、ＷＯ９２／１８５５２、ＷＯ９５／０７９５５、ＥＰ０６９００８６、ＥＰ０６９９６９９、およびＷＯ０３／０９９９０１に開示されている通りの置換ポリ−パラ−フェニレン（ＰＰＰ）または−ビフェニレン、（ｖ）有機溶媒に可溶である、ＷＯ０５／０１４６８９に開示されている通りの置換ポリジヒドロフェナントレン（ＰＤＨＰ）、（ｖｉ）有機溶媒に可溶である、ＷＯ０４／０４１９０１およびＷＯ０４／１１３４１２に開示されている通りの、置換ポリ−ｔｒａｎｓ−インデノフルオレンおよびポリ−ｃｉｓ−インデノフルオレン（ＰＩＦ）、（ｖｉｉ）有機溶媒に可溶である、ＤＥ１０２００４０２０２９８に開示されている通りの置換ポリフェナントレン、（ｖｉｉｉ）有機溶媒に可溶である、ＥＰ１０２８１３６およびＷＯ９５／０５９３７に開示されている通りの置換ポリチオフェン（ＰＴ）、（ｉｘ）有機溶媒に可溶である、Ｔ．Ｙａｍａｍｏｔｏら、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．１９９４、１１６、４８３２に開示されている通りのポリピリジン（ＰＰｙ）、（ｘ）有機溶媒に可溶である、Ｖ．Ｇｅｌｌｉｎｇら、Ｐｏｌｙｍ．Ｐｒｅｐｒ．２０００、４１、１７７０に開示されている通りのポリピロール、（ｘｉ）例えば、ＷＯ０２／０７７０６０に記載されている通りの、分類（ｉ）〜（ｘ）のうちの２つ以上からの構造単位を有する置換された可溶性コポリマー、（ｘｉｉ）有機溶媒に可溶である、Ｐｒｏｃ．ｏｆ  ＩＣＳＭ’９８、Ｐａｒｔ  Ｉ  ＆  ＩＩ（Ｓｙｎｔｈ．Ｍｅｔ  １９９９、１０１／１０２の中）に開示されている通りの共役ポリマー、（ｘｉｉｉ）例えば、Ｒ．Ｃ．Ｐｅｎｗｅｌｌら、Ｊ．Ｐｏｌｙｍ．Ｓｃｉ．、Ｍａｃｒｏｍｏｌ  Ｒｅｖ．１９７８、１３、６３〜１６０に開示されている通りの、置換および非置換ポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）、（ｘｉｖ）例えば、ＪＰ２０００／０７２７２２に開示されている通りの、置換および非置換トリアリールアミンポリマー、（ｘｖ）例えば、Ｍ．Ａ．ＡｂｋｏｗｉｔｚおよびＭ．Ｓｔｏｌｋａ、Ｓｙｎｔｈ．Ｍｅｔ．１９９６、７８、３３３に開示されている通りの、置換および非置換ポリシリレンおよびポリゲルミレン、および（ｘｖｉ）例えば、ＥＰ１２４５６５９、ＷＯ０３／００１６１６、ＷＯ０３／０１８６５３、ＷＯ０３／０２２９０８、ＷＯ０３／０８０６８７、ＥＰ１３１１１３８、ＷＯ０３１１０２１０９、ＷＯ０４／００３１０５、ＷＯ０４／０１５０２５、ＤＥ１０２００４０３２５２７、および上ですでに引用した明細書のいくつかに開示されている通りの、燐光単位を含有する可溶性ポリマー、を意味するものとする。
【００５４】
本発明のさらなる実施形態によれば、有機半導体化合物は、好ましくは、５０００ｇ／ｍｏｌ以下の分子量、より好ましくは２０００ｇ／ｍｏｌ以下の分子量を有する。
【００５５】
本発明の特別な実施形態によれば、ＯＳＣは、例えば、ＯＦＥＴの半導体チャネルにおける活性チャネル材料として、または有機整流ダイオードの層要素として使用することができる。
【００５６】
ＯＦＥＴデバイスの場合において、ＯＦＥＴ層が、活性チャネル材料としてのＯＳＣを含有する場合、それは、ｎ型またはｐ型ＯＳＣであってもよい。半導体チャネルも、同型、すなわち、ｎ型またはｐ型のいずれかの２種以上のＯＳＣ化合物の複合物であってもよい。さらに、ｐ型チャネルＯＳＣ化合物は、ＯＳＣ層をドープする効果のために、ｎ型ＯＳＣと例えば混合することができる。多層半導体も使用することができる。例えば、ＯＳＣは、絶縁体界面の近くで真性であってもよく、高ドープ領域は、真性層に隣接して、追加的にコーティングされ得る。
【００５７】
好ましいＯＳＣ化合物は、１×１０-5ｃｍ2Ｖ-1ｓ-1より高い、より好ましくは１×１０-2ｃｍ2Ｖ-1ｓ-1より高い、ＦＥＴ移動度を有する。
【００５８】
特に好ましいポリマーＯＳＣ化合物は、式Ｐ１〜Ｐ７から選択される繰り返し単位を含む：
【化１−１】
2013529375.tif 000003
【化１−２】
2013529375.tif 000004
【００５９】
式中、
ｎは、１より大きい整数であり、好ましくは１０〜１，０００であり、
Ｒは、出現する毎に、同一または異なり、Ｈ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮ、１〜４０個のＣ原子を有する直鎖状、分枝状もしくは環状アルキル基（ここで、１個以上のＣ原子は、Ｏ原子および／またはＳ原子が互いに直接連結されないように、Ｏ、Ｓ、Ｏ−ＣＯ、ＣＯ−Ｏ、Ｏ−ＣＯ−Ｏ、ＣＲ0＝ＣＲ0もしくはＣ≡Ｃで任意に置きかえられていてもよい）（また、ここで、１個以上のＨ原子は、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、ＩもしくはＣＮで任意に置きかえられていてもよい）を示すか、または無置換もしくは１つ以上の非芳香族基Ｒsで置換されている、４〜２０個の環原子を有するアリールもしくはヘテロアリール基を示し、ここで、１つ以上の基Ｒは、相互におよび／またはそれらが結合する環と共に、単環式または多環式の脂肪族または芳香族環系を形成していてもよく、
Ｒsは、出現する毎に、同一または異なり、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮ、Ｓｎ（Ｒ00）3、Ｓｉ（Ｒ00）3またはＢ（Ｒ00）2、１〜２５個のＣ原子を有する直鎖状、分枝状もしくは環状アルキル基（ここで、１個以上のＣ原子は、Ｏ原子および／またはＳ原子が互いに直接連結されないように、Ｏ、Ｓ、Ｏ−ＣＯ、ＣＯ−Ｏ、Ｏ−ＣＯ−Ｏ、ＣＲ0＝ＣＲ0、Ｃ≡Ｃで任意に置きかえられていてもよい）（また、ここで、１個以上のＨ原子は、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、ＩもしくはＣＮで任意に置きかえられていてもよい）を示すか、またはＲsは、無置換もしくは１つ以上の非芳香族基Ｒsで置換されている、４〜２０個の環原子を有するアリールもしくはヘテロアリール基を示し、ここで、１つ以上の基Ｒsは、相互におよび／またはＲと共に、環系を形成していてもよく、
Ｒ0は、出現する毎に、同一または異なり、Ｈ、Ｆ、Ｃｌ、ＣＮ、１〜１２個のＣ原子を有するアルキルまたは４〜１０個の環原子を有するアリールもしくはヘテロアリールを示し、
Ｒ00は、出現する毎に、同一または異なり、Ｈまたは１〜２０個のＣ原子を有する脂肪族もしくは芳香族炭化水素基を示し、ここで、２つの基Ｒ00は、それらが結合するヘテロ原子（Ｓｎ、ＳｉまたはＢ）と一緒になって環を形成していてもよく、
ｒは、０、１、２、３または４であり、
ｓは、０、１、２、３、４または５であり、
式中、式Ｐ１〜Ｐ５のＲは、好ましくは、Ｈとは異なる。
【００６０】
特に好ましいモノマーＯＳＣ化合物は、例えば、ＵＳ６，６９０，０２９、ＷＯ２００５／０５５２４８Ａ１またはＵＳ７，３８５，２２１に開示されている通りの、ビス（トリアルキルシリル−エチニル）オリゴアセンまたはビス（トリアルキルシリルエチニル）ヘテロアセンのような、ペンタセン、テトラセンまたはアントラセンなどの置換オリゴセン、またはそれの複素環式誘導体からなる群から選択される。
【００６１】
特に好ましいモノマーＯＳＣ化合物は、式Ｍ１（ポリアセン）から選択される：
【化２】
2013529375.tif 000005
【００６２】
式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9、Ｒ10、Ｒ11およびＲ12のそれぞれは、同じであっても異なっていてもよく、独立に、水素；任意に置換されていてもよいＣ1〜Ｃ40のカルビルもしくはヒドロカルビル基；任意に置換されていてもよいＣ1〜Ｃ40アルコキシ基；任意に置換されていてもよいＣ6〜Ｃ40アリールオキシ基；任意に置換されていてもよいＣ7〜Ｃ40アルキルアリールオキシ基；任意に置換されていてもよいＣ2〜Ｃ40アルコキシカルボニル基；任意に置換されていてもよいＣ7〜Ｃ40アリールオキシカルボニル基；シアノ基（−ＣＮ）；カルバモイル基（−Ｃ（＝Ｏ）ＮＨ2）；ハロホルミル基（−Ｃ（＝Ｏ）−Ｘ、式中のＸはハロゲン原子を表す）；ホルミル基（−Ｃ（＝Ｏ）−Ｈ）；イソシアノ基；イソシアナート基；チオシアナート基またはチオイソシアナート基；任意に置換されていてもよいアミノ基；ヒドロキシ基；ニトロ基；ＣＦ3基；ハロ基（Ｃｌ、Ｂｒ、Ｆ）；または任意に置換されていてもよいシリルまたはアルキニルシリル基を表し；
ここで、Ｒ1とＲ2、Ｒ2とＲ3、Ｒ3とＲ4、Ｒ7とＲ8、Ｒ8とＲ9、Ｒ9とＲ10の各対は独立に、任意に架橋されて、Ｃ4〜Ｃ40飽和または不飽和環を形成していてもよく、その飽和または不飽和環は、酸素原子、硫黄原子、または式−Ｎ（Ｒa）−の基（ここで、Ｒaは、水素原子または炭化水素基である）が任意に介在していてもよいか、あるいは任意に置換されていてもよく、
ここで、当該ポリアセン骨格の１個以上の炭素原子は、Ｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｏ、Ｓ、ＳｅおよびＴｅから選択されるヘテロ原子によって、任意に置換されていてもよく、
ここで、ポリアセンの隣接する環の位置にある置換基Ｒ1〜Ｒ12のいずれか２つ以上は、独立に、一緒になって、Ｏ、Ｓ、または−Ｎ（Ｒa）（ここで、Ｒaは、上に規定した通りである）が任意に介在していてもよいさらなるＣ4〜Ｃ40飽和もしくは不飽和環、またはポリアセンと縮合した芳香族環系を任意に構成していてもよく、
ここで、ｎは、０、１、２、３または４であり、好ましくは、ｎは、０、１または２であり、最も好ましくは、ｎは、０または２であり、これはポリアセン化合物が、ペンタセン化合物（ｎ＝２の場合）、または「擬似ペンタセン」化合物（ｎ＝０の場合）であることを意味する。
【００６３】
非常に好ましいのは、式Ｍ１ａ（置換ペンタセン）の化合物である：
【化３】
2013529375.tif 000006
【００６４】
式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9、Ｒ10、Ｒ15、Ｒ16、Ｒ17は、それぞれ独立に、同じまたは異なり、それぞれ独立に、Ｈ；任意に置換されていてもよいＣ1〜Ｃ40カルビルもしくはヒドロカルビル基；任意に置換されていてもよいＣ1〜Ｃ40アルコキシ基；任意に置換されていてもよいＣ6〜Ｃ40アリールオキシ基；任意に置換されていてもよいＣ7〜Ｃ40アルキルアリールオキシ基；任意に置換されていてもよいＣ2〜Ｃ40アルコキシカルボニル基；任意に置換されていてもよいＣ7〜Ｃ40アリールオキシカルボニル基；シアノ基（−ＣＮ）；カルバモイル基（−Ｃ（＝Ｏ）ＮＨ2）；ハロホルミル基（−Ｃ（＝Ｏ）−Ｘ、式中のＸはハロゲン原子を表す）；ホルミル基（−Ｃ（＝Ｏ）−Ｈ）；イソシアノ基；イソシアナート基；チオシアナート基もしくはチオイソシアナート基；任意に置換されていてもよいアミノ基；ヒドロキシ基；ニトロ基；ＣＦ3基；ハロ基（Ｃｌ、Ｂｒ、Ｆ）；または任意に置換されていてもよいシリル基を表し；Ａは、ケイ素またはゲルマニウムを表し；
ここで、Ｒ1とＲ2、Ｒ2とＲ3、Ｒ3とＲ4、Ｒ7とＲ8、Ｒ8とＲ9、Ｒ9とＲ10、Ｒ15とＲ16、およびＲ16とＲ17の各対は独立に、任意に相互に架橋されて、Ｃ4〜Ｃ40飽和または不飽和環を形成していてもよく、その飽和または不飽和環は、酸素原子、硫黄原子または式−Ｎ（Ｒa）−の基（ここで、Ｒaは、水素原子または炭化水素基である）が任意に介在しているか、あるいは任意に置換されていてもよく、
ここで、当該ポリアセン骨格の１個以上の炭素原子は、Ｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｏ、Ｓ、ＳｅおよびＴｅから選択されるヘテロ原子で任意に置換されていてもよい。
【００６５】
さらに好ましいのは、式Ｍ１ｂ（置換ヘテロアセン）の化合物である：
【化４】
2013529375.tif 000007
【００６６】
式中、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ8、Ｒ9、Ｒ15、Ｒ16、Ｒ17は、それぞれ独立に、同じまたは異なり、それぞれ独立に、Ｈ；任意に置換されていてもよいＣ1〜Ｃ40のカルビルまたはヒドロカルビル基；任意に置換されていてもよいＣ1〜Ｃ40アルコキシ基；任意に置換されていてもよいＣ6〜Ｃ40アリールオキシ基；任意に置換されていてもよいＣ7〜Ｃ40アルキルアリールオキシ基；任意に置換されていてもよいＣ2〜Ｃ40アルコキシカルボニル基；任意に置換されていてもよいＣ7〜Ｃ40アリールオキシカルボニル基；シアノ基（−ＣＮ）；カルバモイル基（−Ｃ（＝Ｏ）ＮＨ2）；ハロホルミル基（−Ｃ（＝Ｏ）−Ｘ、式中のＸはハロゲン原子を表す）；ホルミル基（−Ｃ（＝Ｏ）−Ｈ）；イソシアノ基；イソシアナート基；チオシアナート基もしくはチオイソシアナート基；任意に置換されていてもよいアミノ基；ヒドロキシ基；ニトロ基；ＣＦ3基；ハロ基（Ｃｌ、Ｂｒ、Ｆ）；または任意に置換されていてもよいシリル基を表し、Ａは、ケイ素またはゲルマニウムを表し；
ここで、Ｒ2とＲ3、Ｒ8とＲ9、Ｒ15とＲ16、およびＲ16とＲ17の各対は、独立に、任意に相互に架橋されて、Ｃ4〜Ｃ40飽和または不飽和環を形成していてもよく、その飽和または不飽和環は、酸素原子、硫黄原子、または式−Ｎ（Ｒa）−の基（ここで、Ｒaは、水素原子または炭化水素基である）が任意に介在し、また、任意に置換されていてもよく、
ここで、ポリアセン骨格の１個以上の炭素原子は、Ｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｏ、Ｓ、ＳｅおよびＴｅから選択されるヘテロ原子によって、任意に置換されていてもよい。
【００６７】
特に好ましいのは、Ｒ2とＲ3、およびＲ8とＲ9の少なくとも１つの対が、相互に架橋されて、Ｃ4〜Ｃ40飽和または不飽和環を形成し、その飽和または不飽和環は、酸素原子、硫黄原子、または式−Ｎ（Ｒa）−の基（ここで、Ｒaは、水素原子または炭化水素基である）が介在し、また、任意に置換されていてもよい、従属式Ｍ１ｂの化合物である。
【００６８】
特に好ましいのは、従属式Ｍ１ｂ１（シリルエチニル化ヘテロアセン）の化合物である:
【化５】
2013529375.tif 000008
【００６９】
式中、
Ｙ1およびＹ2の一方が、−ＣＨ＝または＝ＣＨ−を示し、他方が、−Ｘ−を示し、
Ｙ3およびＹ4の一方が、−ＣＨ＝または＝ＣＨ−を示し、他方が、−Ｘ−を示し、
Ｘは、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｓｅ−または−ＮＲ’’’−であり、
Ｒ’は、Ｈ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮ、１〜２０個、好ましくは１〜８個のＣ原子を有し、任意にフッ素化またはペルフルオロ化されていてもよい直鎖状もしくは分枝状のアルキルもしくはアルコキシ、６〜３０個のＣ原子を有し、任意にフッ素化またはペルフルオロ化されていてもよいアリール、好ましくはＣ6Ｆ5、またはＣＯ2Ｒ’’’’（Ｒ’’’’は、Ｈ、１〜２０個のＣ原子を有する、任意にフッ素化されていてもよいアルキル、または２〜３０個、好ましくは５〜２０個のＣ原子を有する、任意にフッ素化されていてもよいアリールである）であり、
Ｒ’’は、複数存在する場合、相互に独立に、１〜２０個、好ましくは１〜８個のＣ原子を有する環状、直鎖状、もしくは分枝状のアルキルもしくはアルコキシ、または２〜３０個のＣ原子を有するアリールであり、それらはすべて、任意にフッ素化またはペルフルオロ化されていてもよく、ＳｉＲ’’3は、好ましくは、トリアルキルシリルであり、
Ｒ’’’は、Ｈ、または１〜１０個のＣ原子を有する環状、直鎖状、もしくは分枝状のアルキル、好ましくはＨであり、
ｍは、０または１であり、
ｏは、０または１である。
【００７０】
特に好ましいのは、ｍおよびｏが０、および／またはＸがＳ、および／またはＲ’がＦである、式Ｍ１ｂ１の化合物である。
【００７１】
好ましい実施形態では、従属式Ｍ１ｂ１の化合物は、下式のａｎｔｉおよびｓｙｎ異性体の混合物として用意され、使用される：
【化６】
2013529375.tif 000009
【００７２】
式中、Ｘ、Ｒ、Ｒ’、Ｒ’’、ｍ、およびｏは、式Ｍ１ｂ１に示した意味の１つ、または上および以下に示した好ましい意味の１つを、互いに独立に有し、Ｘは、好ましくはＳであり、ｍおよびｏは、好ましくは０である。
【００７３】
上および以下で使用する「カルビル基」という用語は、（例えば、−Ｃ≡Ｃ−のように）いかなる非炭素原子も有さない、または（例えば、カルボニルなど）Ｎ、Ｏ、Ｓ、Ｐ、Ｓｉ、Ｓｅ、Ａｓ、ＴｅもしくはＧｅなどの少なくとも１個の非炭素原子と任意に組み合わされてもよい、少なくとも１個の炭素原子を含むいずれかの一価または多価の有機ラジカル部分を表す。「ヒドロカルビル基」という用語は、１個以上のＨ原子を追加的に含有し、例えば、Ｎ、Ｏ、Ｓ、Ｐ、Ｓｉ、Ｓｅ、Ａｓ、ＴｅまたはＧｅのような、１個以上のヘテロ原子を任意に含有していてもよいカルビル基を表す。
【００７４】
３個以上のＣ原子の鎖を含むカルビルまたはヒドロカルビル基はまた、直鎖状、分枝状、および／または、スピロ環および／または縮合環を含む環状であってもよい。
【００７５】
好ましいカルビルおよびヒドロカルビル基としては、アルキル、アルコキシ、アルキルカルボニル、アルコキシカルボニル、アルキルカルボニルオキシ、およびアルコキシカルボニルオキシ（それらはそれぞれ、任意に置換されていてもよく、また、１〜４０個、好ましくは１〜２５個、より好ましくは１〜１８個のＣ原子を有する）、さらには、６〜４０個、好ましくは６〜２５個のＣ原子を有する、任意に置換されていてもよいアリールまたはアルコキシ、さらに、アルキルアリールオキシ、アリールカルボニル、アリールオキシカルボニル、アリールカルボニルオキシ、およびアリールオキシカルボニルオキシ（それらはそれぞれ、任意に置換されていてもよく、また、６〜４０個、好ましくは７〜４０個のＣ原子を有する）があり、ここで、これらの基すべては、Ｎ、Ｏ、Ｓ、Ｐ、Ｓｉ、Ｓｅ、Ａｓ、ＴｅおよびＧｅから特に選択される、１個以上のヘテロ原子を任意に含有していてもよい。カルビルまたはヒドロカルビル基は、飽和もしくは不飽和非環式基、または飽和もしくは不飽和環式基であってもよい。不飽和非環式または環式基、特に、アリール、アルケニルおよびアルキニル基（特にエチニル）が好ましい。Ｃ1〜Ｃ40のカルビルまたはヒドロカルビル基が非環式である場合、その基は、直鎖状または分枝状であってもよい。Ｃ1〜Ｃ40のカルビルまたはヒドロカルビル基としては、例えば、Ｃ1〜Ｃ40アルキル基、Ｃ2〜Ｃ40アルケニル基、Ｃ2〜Ｃ40アルキニル基、Ｃ3〜Ｃ40アリール基、Ｃ4〜Ｃ40アルキルジエニル基、Ｃ4〜Ｃ40ポリエニル基、Ｃ6〜Ｃ18アリール基、Ｃ6〜Ｃ40アルキルアリール基、Ｃ6〜Ｃ40アリールアルキル基、Ｃ4〜Ｃ40シクロアルキル基、Ｃ4〜Ｃ40シクロアルケニル基などがある。前述の基の中で好ましいのは、それぞれ、Ｃ1〜Ｃ20アルキル基、Ｃ2〜Ｃ20アルケニル基、Ｃ2〜Ｃ20アルキニル基、Ｃ3〜Ｃ20アリール基、Ｃ4〜Ｃ20アルキルジエニル基、Ｃ6〜Ｃ12アリール基、およびＣ4〜Ｃ20ポリエニル基である。また、例えば、シリル基、好ましくはトリアルキルシリル基で置換されている、アルキニル基、好ましくはエチニルのような、炭素原子を有する基とヘテロ原子を有する基との組み合わせもある。
【００７６】
アリールおよびヘテロアリールは、縮合環を含むこともできる、また、１つ以上のＬ（ここで、Ｌは、ハロゲン、または、１個以上のＨ原子がＦもしくはＣｌで置き換えられていてもよい、１〜１２個のＣ原子を有するアルキル、アルコキシ、アルキルカルボニルもしくはアルコキシカルボニル基である）で任意に置換されていてもよい、２５個以下のＣ原子を有する単環式、二環式、または三環式の芳香族またはヘテロ芳香族基を好ましくは表す。
【００７７】
特に好ましいアリールおよびヘテロアリール基は、１つ以上のＣＨ基がさらにＮで置きかえられていてもよいフェニル、ナフタレン、チオフェン、セレノフェン、チエノチオフェン、ジチエノチオフェン、フルオレンおよびオキサゾールであり、それらはすべて、上に規定したＬで、置換されていない可能性もあり、一置換または多置換されている可能性もある。
【００７８】
上の式および従属式において特に好ましい置換基Ｒ、ＲsおよびＲ1〜17は、１〜２０個のＣ原子を有する直鎖状、分枝状、または環状アルキル、（無置換またはＦ、Ｃｌ、ＢｒもしくはＩで一置換または多置換され、ここでの１つ以上の非隣接ＣＨ2基は、Ｏ原子および／またはＳ原子が相互に直接連結されないように、がそれぞれの場合において相互に独立に、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＲb−、−ＳｉＲbＲc−、−ＣＸ1＝ＣＸ2−または−Ｃ≡Ｃ−で任意に置きかえられていてもよい）から選択されるか、あるいは、１〜３０個のＣ原子を好ましくは有する、任意に置換されていてもよいアリールまたはヘテロアリールを表し、ここで、ＲbおよびＲcは相互に独立に、Ｈ、または１〜１２個のＣ原子を有するアルキルであり、Ｘ1およびＸ2は、相互に独立に、Ｈ、Ｆ、ＣｌまたはＣＮである。
【００７９】
Ｒ15〜17およびＲ’’は、Ｃ1〜Ｃ40アルキル基、好ましくはＣ1〜Ｃ4アルキル、最も好ましくはメチル、エチル、ｎ−プロピルもしくはイソプロピル、Ｃ6〜Ｃ40アリール基、好ましくはフェニル、Ｃ6〜Ｃ40アリールアルキル基、Ｃ1〜Ｃ40アルコキシ基、またはＣ6〜Ｃ40アリールアルキルオキシ基から選択される、好ましくは同一または異なる基であり、ここで、これらの基すべては、例えば、１個以上のハロゲン原子で、任意に置換されていてもよい。好ましくは、Ｒ15〜17およびＲ’’はそれぞれ独立に、任意に置換されていてもよいＣ1〜12アルキル、より好ましくはＣ1〜4アルキル、最も好ましくはＣ1〜3アルキル、例えばイソプロピル、および、任意に置換されていてもよいＣ6〜10アリール、好ましくはフェニルから選択される。さらに好ましいのは、Ｒ15が、上に規定した通りであり、Ｒ16が、Ｓｉ原子と一緒になって、１〜８個のＣ原子を好ましくは有する環状シリルアルキル基を形成する、式−ＳｉＲ15Ｒ16のシリル基である。
【００８０】
好ましい一実施形態では、Ｒ15〜17のすべて、またはＲ’’のすべては、同一の基、例えば、トリイソプロピルシリルにおけるように、同一の、任意に置換されていてもよいアルキル基である。非常に好ましくは、Ｒ15〜17のすべて、またはＲ’’のすべては、同一の、任意に置換されていてもよいＣ1〜10、より好ましくはＣ1〜4、最も好ましくはＣ1〜3のアルキル基である。この場合において好ましいアルキル基は、イソプロピルである。
【００８１】
好ましい基−ＳｉＲ15Ｒ16Ｒ17およびＳｉＲ’’3としては、限定されないが、トリメチルシリル、トリエチルシリル、トリプロピルシリル、ジメチルエチルシリル、ジエチルメチルシリル、ジメチルプロピルシリル、ジメチルイソプロピルシリル、ジプロピルメチルシリル、ジイソプロピルメチルシリル、ジプロピルエチルシリル、ジイソプロピルエチルシリル、ジエチルイソプロピルシリル、トリイソプロピルシリル、トリメトキシシリル、トリエトキシシリル、トリフェニルシリル、ジフェニルイソプロピルシリル、ジイソプロピルフェニルシリル、ジフェニルエチルシリル、ジエチルフェニルシリル、ジフェニルメチルシリル、トリフェノキシシリル、ジメチルメトキシシリル、ジメチルフェノキシシリル、メチルメトキシフェニルシリルなどがあり、そこでは、アルキル、アリールまたはアルコキシ基は、任意に置換されていてもよい。
【００８２】
本発明の好ましい実施形態では、ＯＳＣ材料は、有機発光材料および／または電荷輸送材料である。有機発光材料および電荷輸送材料は、当業者に既知であり、文献に記載されている、標準の材料から選択することができる。本出願による有機発光材料は、４００〜７００ｎｍの範囲のλmaxを有する光を放射する材料を意味する。
【００８３】
特に、適切な燐光性化合物は、適切な励起時に、好ましくは可視領域において、光を放射する、加えて、２０より大きく、好ましくは３８より大きく、８４より小さい、より好ましくは５６より大きく、８０より小さい原子番号を有する少なくとも１つの原子を含有する化合物である。使用する燐光発光体は、好ましくは、銅、モリブデン、タングステン、レニウム、ルテニウム、オスミウム、ロジウム、イリジウム、パラジウム、白金、銀、金またはユーロピウムを含有する化合物、特に、イリジウムまたは白金を含有する化合物である。
【００８４】
特に好ましい有機燐光性化合物は、式（１）〜（４）の化合物である：
【化７】
2013529375.tif 000010
【００８５】
式中、
ＤＣｙは、出現する毎に、同一または異なり、少なくとも１つのドナー原子、好ましくは、窒素、カルベンの形態の炭素またはリンを含有する環状基であり、該環状基は前記ドナー原子を介して当該金属に結合し、さらに、１つ以上の置換基Ｒ18を有していてもよく；基ＤＣｙおよびＣＣｙは、共有結合を介して相互に接続され；
ＣＣｙは、出現する毎に、同一または異なり、炭素原子を含有する環状基であり、該環状基は前記炭素原子を介して当該金属に結合し、さらに、１つ以上の置換基Ｒ18を有していてもよく；
Ａは、出現する毎に、同一または異なり、モノアニオン性二座キレート配位子、好ましくはジケトナート配位子であり；
Ｒ18は、各場合において同一または異なり、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＮＯ2、ＣＮ、１〜２０個の炭素原子を有する直鎖状、分枝状もしくは環状のアルキルもしくはアルコキシ基（ここで、１つ以上の非隣接ＣＨ2基は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＲ19−、−ＣＯＮＲ19−、−ＣＯ−Ｏ−、−Ｃ＝Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−または−Ｃ≡Ｃ−で置きかえられていてもよい）（また、ここで、１個以上の水素原子は、Ｆで置きかえられていてもよい）、または４〜１４個の炭素原子を有し、１つ以上の非芳香族Ｒ18ラジカルで置換されていてもよいアリールもしくはヘテロアリール基であり、同じ環上または２つの異なる環上の複数の置換基Ｒ18は、一緒になって、さらに、単環式または多環式の脂肪族または芳香族環系を形成していてもよく；
Ｒ19は、各場合において同一または異なり、１〜２０個の炭素原子を有する直鎖状、分枝状もしくは環状のアルキルもしくはアルコキシ基（ここで、１つ以上の非隣接ＣＨ2基は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−Ｏ−、−Ｃ＝Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−または−Ｃ≡Ｃ−で置きかえられていてもよい）（また、ここで、１個以上の水素原子は、Ｆで置き換えられていてもよい）、または４〜１４個の炭素原子を有し、１つ以上の非芳香族Ｒ18ラジカルで置換されていてもよいアリールもしくはヘテロアリール基である。
【００８６】
複数のラジカルＲ18間の環系の形成は、ＤＣｙとＣＣｙとの間に、架橋が存在することもあることを意味する。
【００８７】
さらに、複数のラジカルＲ18間の環系の形成は、２つまたは３つの配位子ＣＣｙ−ＤＣｙ間、または１つまたは２つの配位子ＣＣｙ−ＤＣｙとリガンドＡとの間に、架橋が存在し、多座または多脚（polypodal）配位子系をもたらすこともあることを意味する。
【００８８】
上記した発光体の例は、各出願ＷＯ００／７０６５５、ＷＯ０１／４１５１２、ＷＯ０２／０２７１４、ＷＯ０２／１５６４５、ＥＰ１１９１６１３、ＥＰ１１９１６１２、ＥＰ１１９１６１４、ＷＯ０４／０８１０１７、ＷＯ０５／０３３２４４、ＷＯ０５／０４２５５０、ＷＯ０５／１１３５６３、ＷＯ０６／００８０６９、ＷＯ０６／０６１１８２、ＷＯ０６／０８１９７３、およびＤＥ１０２００８０２７００５によって明らかにされている。一般に、燐光性ＯＬＥＤについての先行技術に従って使用される通りの、および有機エレクトロルミネセンスの分野の当業者に知られている通りの、すべての燐光性錯体が適切であり、当業者は、進歩性なしに、さらなる燐光性化合物を使用することができるであろう。特に、どの燐光性錯体がどの発光色で発光するかは、当業者に既知である。
【００８９】
好ましい燐光性化合物の例を、下表に示す。
【化８−１】
2013529375.tif 000011
【化８−２】
2013529375.tif 000012
【化８−３】
2013529375.tif 000013
【化８−４】
2013529375.tif 000014
【化８−５】
2013529375.tif 000015
【化８−６】
2013529375.tif 000016
【化８−７】
2013529375.tif 000017
【化８−８】
2013529375.tif 000018
【化８−９】
2013529375.tif 000019
【化８−１０】
2013529375.tif 000020
【化８−１１】
2013529375.tif 000021
【化８−１２】
2013529375.tif 000022
【化８−１３】
2013529375.tif 000023
【化８−１４】
2013529375.tif 000024
【化８−１５】
2013529375.tif 000025
【化８−１６】
2013529375.tif 000026
【化８−１７】
2013529375.tif 000027
【化８−１８】
2013529375.tif 000028
【化８−１９】
2013529375.tif 000029
【化８−２０】
2013529375.tif 000030
【化８−２１】
2013529375.tif 000031
【化８−２２】
2013529375.tif 000032
【００９０】
好ましいドーパントは、モノスチリルアミン、ジスチリルアミン、トリスチリルアミン、テトラスチリルアミン、スチリルホスフィン、スチリルエーテル、およびアリールアミンの部類から選択される。モノスチリルアミンは、１つの置換または非置換スチリル基と、少なくとも１つのアミン、好ましくは芳香族アミンとを含有する化合物を意味するものとする。ジスチリルアミンは、２つの置換または非置換スチリル基と、少なくとも１つのアミン、好ましくは芳香族アミンとを含有する化合物を意味するものとする。トリスチリルアミンは、３つの置換または非置換スチリル基と、少なくとも１つのアミン、好ましくは芳香族アミンとを含有する化合物を意味するものとする。テトラスチリルアミンは、４つの置換または非置換スチリル基と、少なくとも１つのアミン、好ましくは芳香族アミンとを含有する化合物を意味するものとする。スチリル基は、特に好ましくはスチルベンであり、それもまた、さらに置換されてもよい。対応するホスフィンおよびエーテルは、アミンと同様に定義する。本発明においては、アリールアミンまたは芳香族アミンは、窒素と直接結合した、３つの置換または非置換芳香族またはヘテロ芳香族環系を含有する化合物を意味するものとする。これらの芳香族またはヘテロ芳香族環系の少なくとも１つは、特に好ましくは少なくとも１４個の芳香族環原子を有する、好ましくは縮合環系である。それらの好ましい例は、芳香族アントラセンアミン、芳香族アントラセンジアミン、芳香族ピレンアミン、芳香族ピレンジアミン、芳香族クリセンアミン、または芳香族クリセンジアミンである。芳香族アントラセンアミンは、１つのジアリールアミノ基が、好ましくは９位において、アントラセン基と直接結合する化合物を意味するものとする。芳香族アントラセジアミンは、２つのジアリールアミノ基が、好ましくは９，１０位において、アントラセン基と直接結合する化合物を意味するものとする。芳香族ピレンアミン、ピレンジアミン、クリセンアミン、およびクリセンジアミンは、それらと同様に定義し、ここで、ジアリールアミノ基は、好ましくは、１位または１，６位においてピレンと結合する。さらに好ましいドーパントは、例えば、ＷＯ０６／１２２６３０による、インデノフルオレンアミンまたはインデノフルオレンジアミン、例えば、ＷＯ０８／００６４４９による、ベンゾインデノフルオレンアミンまたはベンゾインデノフルオレンジアミン、および例えば、ＷＯ０７／１４０８４７による、ジベンゾインデノフルオレンアミンまたはジベンゾインデノフルオレンジアミンから選択される。スチリルアミンの部類からのドーパントの例は、置換または非置換トリスチルベンアミン、あるいはＷＯ０６／０００３８８、ＷＯ０６／０５８７３７、ＷＯ０６／０００３８９、ＷＯ０７／０６５５４９およびＷＯ０７／１１５６１０に記載されているドーパントである。さらに、ＤＥ１０２００８０３５４１３に開示されている縮合炭化水素が好ましい。
【００９１】
さらに、適切なドーパントは、下表に示す構造のもの、ならびにＪＰ０６／００１９７３、ＷＯ０４／０４７４９９、ＷＯ０６／０９８０８０、ＷＯ０７／０６５６７８、ＵＳ２００５／０２６０４４２およびＷＯ０４／０９２１１１に開示されている、これらの構造のものの誘導体である。
【化９】
2013529375.tif 000033
【００９２】
発光層の混合物におけるドーパントの割合は、０．１重量％〜５０．０重量%、好ましくは０．５重量％〜２０．０重量％、より好ましくは１．０重量％〜１０．０重量％である。対応して、ホスト材料の割合は、５０．０重量％〜９９．９重量％、好ましくは８０．０重量％〜９９．５重量％、より好ましくは９０．０重量％〜９９．０重量％である。
【００９３】
本目的に適したホスト材料は、様々な部類の物質からの材料である。好ましいホスト材料は、オリゴアリーレン（例えば、ＥＰ６７６４６１による２，２’，７，７’−テトラフェニルスピロビフルオレン、または、ジナフチルアントラセン）、特に、縮合芳香族基を含有するオリゴアリーレン、オリゴアリーレンビニレン（例えば、ＤＰＶＢｉまたはＥＰ６７６４６１によるスピロ−ＤＰＶＢｉ）、多脚金属錯体（例えば、ＷＯ０４／０８１０１７による）、正孔伝導性化合物（例えば、ＷＯ０４／０５８９１１による）、電子伝導性化合物、特に、ケトン、ホスフィンオキシド、スルホキシドなど（例えば、ＷＯ０５／０８４０８１およびＷＯ０５／０８４０８２による）、アトロプ異性体（例えば、ＷＯ０６／０４８２６８による）、ボロン酸誘導体（例えば、ＷＯ０６／１１７０５２による）、またはベンズアントラセン（ＷＯ０８／１４５２３９による）の部類から選択される。さらに、適切なホスト材料はまた、上記した、本発明のベンゾ［ｃ］フェナントレン化合物である。本発明の化合物の他に、特に好ましいホスト材料は、ナフタレン、アントラセン、ベンズアントラセンおよび／またはピレンを含有するオリゴアリーレン、またはこれらの化合物のアトロプ異性体、オリゴアリーレンビニレン、ケトン、ホスフィンオキシドおよびスルホキシドの部類から選択される。本発明によるベンゾ［ｃ］フェナントレンの他に、特に非常に好ましいホスト材料は、アントラセン、ベンズアントラセンおよび／またはピレンを含有するオリゴアリーレン、またはこれらの化合物のアトロプ異性体の部類から選択される。本発明においては、オリゴアリーレンは、少なくとも３つのアリールまたはアリーレン基が相互に結合する化合物を意味するものとする。
【００９４】
さらに、適切なホスト材料は、例えば、下表に示す材料、ならびにＷＯ０４／０１８５８７、ＷＯ０８／００６４４９、ＵＳ５９３５７２１、ＵＳ２００５／０１８１２３２、ＪＰ２０００／２７３０５６、ＥＰ６８１０１９、ＵＳ２００４／０２４７９３７およびＵＳ２００５／０２１１９５８に開示されている通りの、これらの材料の誘導体である。
【化１０】
2013529375.tif 000034
【００９５】
本発明においては、正孔注入層は、アノードに直接隣接する層である。本発明においては、正孔輸送層は、正孔注入層と発光層の間にある層である。それらが、電子受容体化合物、例えば、Ｆ4−ＴＣＮＱ、またはＥＰ１４７６８８１またはＥＰ１５９６４４５に記載されている通りの化合物でドープされることが好ましい可能性がある。
【００９６】
本発明による材料の他に、本発明による有機エレクトロルミネセントデバイスの正孔注入層もしくは正孔輸送層、または電子注入層もしくは電子輸送層において使用できるような、適切な電荷輸送材料は、例えば、Ｙ．Ｓｈｉｒｏｔａら、Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．２００７、１０７（４）、９５３〜１０１０に開示されている化合物、または先行技術に従ってこれらの層に用いられる他の材料である。
【００９７】
本発明によるエレクトロルミネセントデバイスの正孔輸送層または正孔注入層において使用できる、好ましい正孔輸送材料の例は、インデノフルオレンアミンおよび誘導体（例えば、ＷＯ０６／１２２６３０またはＷＯ０６／１００８９６による）、ＥＰ１６６１８８８に開示されている通りのアミン誘導体、ヘキサアザトリフェニレン誘導体（例えば、ＷＯ０１／０４９８０６による）、縮合芳香族を有するアミン誘導体（例えば、ＵＳ５，０６１，５６９による）、ＷＯ９５／０９１４７に開示されている通りのアミン誘導体、モノベンゾインデノフルオレンアミン（例えば、ＷＯ０８／００６４４９による）、またはジベンゾインデノフルオレンアミン（例えば、ＷＯ０７／１４０８４７による）である。さらに、適切な正孔輸送材料および正孔注入材料は、ＪＰ２００１／２２６３３１、ＥＰ６７６４６１、ＥＰ６５０９５５、ＷＯ０１／０４９８０６、ＵＳ４７８０５３６、ＷＯ９８／３００７１、ＥＰ８９１１２１、ＥＰ１６６１８８８、ＪＰ２００６／２５３４４５、ＥＰ６５０９５５、ＷＯ０６／０７３０５４およびＵＳ５０６１５６９に開示されている通りの、上に示した化合物の誘導体である。
【００９８】
さらに、適切な正孔輸送材料および正孔注入材料は、例えば、下表に示す材料である。
【化１１】
2013529375.tif 000035
【００９９】
本発明によるエレクトロルミネセントデバイスにおいて使用できる、適切な電子輸送材料または電子注入材料は、例えば、下表に示す材料である。さらに、適切な電子輸送材料および電子注入材料は、ＪＰ２０００／０５３９５７、ＷＯ０３／０６０９５６、ＷＯ０４／０２８２１７およびＷＯ０４／０８０９７５に開示されている通りの、上に示した化合物の誘導体である。
【化１２】
2013529375.tif 000036
【０１００】
本発明による化合物に適したマトリックス材料は、例えば、ＷＯ０４／０１３０８０、ＷＯ０４／０９３２０７、ＷＯ０６／００５６２７またはＤＥ１０２００８０３３９４３による、ケトン、ホスフィンオキシド、スルホキシドおよびスルホン；トリアリールアミン；カルバゾール誘導体、例えば、ＣＢＰ（Ｎ，Ｎ−ビスカルバゾリル−ビフェニル）、あるいはＷＯ０５／０３９２４６、ＵＳ２００５／００６９７２９、ＪＰ２００４／２８８３８１、ＥＰ１２０５５２７またはＷＯ０８／０８６８５１に開示されているカルバゾール誘導体；例えば、ＷＯ０７／０６３７５４またはＷＯ０８／０５６７４６による、インドロカルバゾール誘導体；例えば、ＥＰ１６１７７１０、ＥＰ１６１７７１１、ＥＰ１７３１５８４またはＪＰ２００５／３４７１６０による、アザカルバゾール；例えば、ＷＯ０７／１３７７２５による、双極性マトリックス材料；例えば、ＷＯ０５／１１１１７２による、シラン；例えば、ＷＯ０６／１１７０５２による、アザボロールまたはボロン酸エステル；例えば、ＤＥ１０２００８０３６９８２、ＷＯ０７／０６３７５４またはＷＯ０８／０５６７４６による、トリアジン誘導体；あるいは、例えば、ＤＥ１０２００７０５３７７１による、亜鉛錯体である。
【０１０１】
さらに、非導電性の電子的に不活性なポリマー（マトリックスポリマー；不活性ポリマーバインダー）の溶液も好ましく、その溶液は、混合された、低分子量の、オリゴマーの、樹状、直鎖または分枝状の、および／またはポリマー有機、および／または有機金属の半導体を含む。好ましくは、その組成物は、０．５〜１０重量％の不活性ポリマーバインダーを含むことができる。
【０１０２】
場合によっては、ＯＳＣ組成物は、１種以上の有機バインダー、好ましくは、例えば、ＷＯ２００５／０５５２４８Ａ１に記載されている通りの、レオロジー特性を調整するためのポリマーバインダー、特に、１，０００Ｈｚで、低い誘電率（ε）３．３以下を有する有機バインダーを、非常に好ましくは、バインダーとＯＳＣ化合物との割合が、重量で、２０：１〜１：２０、好ましくは１０：１〜１：１０、より好ましくは５：１〜１：５、最も好ましくは１：２〜１：５で含む。
【０１０３】
バインダーは、例えば、ポリ（α−メチルスチレン）、ポリビニルシンナメート、ポリ（４−ビニルビフェニル）、もしくはポリ（４−メチルスチレン）、またはそれらのブレンドから選択される。バインダーはまた、例えば、ポリアリールアミン、ポリフルオレン、ポリチオフェン、ポリスピロビフルオレン、置換ポリビニレンフェニレン、ポリカルバゾール、もしくはポリスチルベン、またはそれらのコポリマーから選択される、半導体バインダーであってもよい。
【０１０４】
本発明の好ましい実施形態によれば、不活性バインダーは、−７０〜１６０℃、好ましくは０〜１５０℃、より好ましくは５０〜１４０℃、最も好ましくは７０〜１３０℃の範囲のガラス転移温度を有するポリマーである。ガラス転移温度は、ポリマーのＤＳＣを測定する（ＤＩＮ  ＥＮ  ＩＳＯ１１３５７、加熱速度１０℃／分）ことによって決定することができる。
【０１０５】
本発明による組成物は、追加的に、例えば、界面活性化合物、潤滑剤、導電性添加剤、分散剤、疎水化剤（hydrophobing agents）、接着剤、流動性向上剤、消泡剤、脱気剤、希釈剤（反応性であっても非反応性であってもよい）、補助剤、着色剤、染料または顔料、増感剤、安定剤、ナノ粒子、または阻害剤のような、１種以上のさらなる構成成分を含むことができる。しかし、これらのさらなる構成成分は、ＯＳＣを酸化するべきではなく、そうでなくても、それと化学的に反応可能であるべきではなく、またはＯＳＣに電気的ドーピング効果を与えるべきではない。
【０１０６】
目覚ましい改良は、揮発性湿潤剤で実現することができる。上および以下で使用する「揮発性」という用語は、有機半導体材料がＯＥデバイスの基板上に堆積された後に、これらの材料またはＯＥデバイスに著しく損傷を与えない（温度および／または減圧のような）条件下で、薬剤を、蒸発により有機半導体材料から除去できることを意味する。好ましくは、これは、湿潤剤が、用いられる圧力、非常に好ましくは大気圧（１０１３ｈＰａ）で、＜３５０℃、より好ましくは≦３００℃、最も好ましくは≦２５０℃の沸点または昇華温度を有することを意味する。蒸発は、例えば、熱および／または減圧を加えることによって、早めることもできる。好ましくは、湿潤剤は、ＯＳＣ化合物と化学的に反応可能ではない。特に、それらは、（例えば、ＯＳＣ材料を酸化する、そうでなくても、それと化学的に反応することにより）ＯＳＣ材料に永続的なドーピング効果を与えない化合物から選択される。したがって、好ましくは、配合物は、イオン性生成物を形成することによりＯＳＣ材料と反応する、例えば、酸化剤、またはプロトン酸もしくはルイス酸のような、添加剤を含有するべきではない。
【０１０７】
目覚ましい効果は、類似の沸点を有する揮発性化合物を含む組成物によって実現することができる。好ましくは、湿潤剤と有機溶媒の沸点の差は、−５０℃〜５０℃の範囲、より好ましくは−３０℃〜３０℃の範囲、最も好ましくは−２０℃〜２０℃の範囲にある。
【０１０８】
好ましい湿潤剤は、非芳香族化合物である。さらに好ましくは、湿潤剤は、非イオン性化合物である。特に有用な湿潤剤は、大きくても３５ｍＮ／ｍ、好ましくは、大きくても３０ｍＮ／ｍ、より好ましくは、大きくても２５ｍＮ／ｍの表面張力を含む。表面張力は、２５℃で、ＦＴＡ（Ｆｉｒｓｔ  Ｔｅｎ  Ａｎｇｓｔｒｏｍ）１２５接触角ゴニオメーターを使用して測定することができる。その方法の詳細は、Ｒｏｇｅｒ  Ｐ．Ｗｏｏｄｗａｒｄ，Ｐｈ．Ｄ．による「Ｓｕｒｆａｃｅ  Ｔｅｎｓｉｏｎ  Ｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔｓ  Ｕｓｉｎｇ  ｔｈｅ  Ｄｒｏｐ  Ｓｈａｐｅ  Ｍｅｔｈｏｄ」を公開している、Ｆｉｒｓｔ  Ｔｅｎ  Ａｎｇｓｔｒｏｍから入手可能である。好ましくは、ペンダントドロップ法を使用して、表面張力を決定することができる。
【０１０９】
本発明の特別な態様によれば、好ましくは、有機溶媒と湿潤剤の表面張力の差は、少なくとも１ｍＮ／ｍ、好ましくは、少なくとも５ｍＮ／ｍ、より好ましくは、少なくとも１０ｍＮ／ｍである。
【０１１０】
予期せぬ改良は、少なくとも１００ｇ／ｍｏｌ、好ましくは、少なくとも１５０ｇ／ｍｏｌ、より好ましくは、少なくとも１８０ｇ／ｍｏｌ、最も好ましくは、少なくとも２００ｇ／ｍｏｌの分子量を含む湿潤剤によって実現することができる。
【０１１１】
ＯＳＣを酸化しない、そうでなくても、ＯＳＣと化学的に反応しない、適切かつ好ましい湿潤剤は、シロキサン、アルカン、アミン、アルケン、アルキン、アルコール、および／またはこれらの化合物のハロゲン化誘導体からなる群から選択される。さらに、フルオロエーテル、フルオロエステル、および／またはフルオロケトンを使用することができる。より好ましくは、これらの化合物は、６〜２０個の炭素原子、特に、８〜１６個の炭素原子を有するメチルシロキサン、Ｃ7〜Ｃ14アルカン、Ｃ7〜Ｃ14アルケン、Ｃ7〜Ｃ14アルキン、７〜１４個の炭素原子を有するアルコール、７〜１４個の炭素原子を有するフルオロエーテル、７〜１４個の炭素原子を有するフルオロエステル、および７〜１４個の炭素原子を有するフルオロケトンから選択される。最も好ましい湿潤剤は、８〜１４個の炭素原子を有するメチルシロキサンである。
【０１１２】
７〜１４個の炭素原子を有する、有用かつ好ましいアルカンとしては、ヘプタン、オクタン、ノナン、デカン、ウンデカン、ドデカン、トリデカン、テトラデカン、３−メチルヘプタン、４−エチルヘプタン、５−プロピルデカン、トリメチルシクロヘキサン、およびデカリンがある。
【０１１３】
７〜１４個の炭素原子を有するハロゲン化アルカンとしては、１−クロロヘプタン、１，２ジクロロオクタン、テトラフルオロオクタン、デカフルオロドデカン、ペルフルオロノナン、１，１，１−トリフルオロメチルデカン、およびペルフルオロメチルデカリンがある。
【０１１４】
７〜１４個の炭素原子を有する、有用かつ好ましいアルケンとしては、ヘプテン、オクテン、ノネン、１−デセン、４−デセン、ウンデセン、ドデセン、トリデセン、テトラデセン、３−メチルヘプテン、４−エチルヘプテン、５−プロピルデセン、およびトリメチルシクロヘキセンがある。
【０１１５】
７〜１４個の炭素原子を有するハロゲン化アルケンとしては、１，２−ジクロロオクテン、テトラフルオロオクテン、デカフルオロドデセン、ペルフルオロノネン、および１，１，１−トリフルオロメチルデセンがある。
【０１１６】
７〜１４個の炭素原子を有する、有用かつ好ましいアルキンとしては、オクチン、ノニン、１−デシン、４−デシン、ドデシン、テトラデシン、３−メチルへプチン、４−エチルへプチン、５−プロピルデシン、およびトリメチルシクロヘキシンがある。
【０１１７】
７〜１４個の炭素原子を有するハロゲン化アルキンとしては、１，２−ジクロロ−オクチン、テトラフルオロオクチン、デカフルオロドデシン、ペルフルオロノニン、および１，１，１−トリフルオロメチルデシンがある。
【０１１８】
７〜１４個の炭素原子を有する、有用かつ好ましいアルカノールとしては、ヘプタノール、オクタノール、ノナノール、デカノール、ウンデカノール、ドデカノール、トリデカノール、テトラデカノール、３−メチルヘプタノール、３，５−ジメチル−１−ヘキシン−３−オール、４−エチルヘプタノール、５−プロピルデカノール、トリメチルシクロヘキサノール、およびヒドロキシルデカリンがある。
【０１１９】
７〜１４個の炭素原子を有するハロゲン化アルカノールとしては、１−クロロ−ヘプタノール、１，２−ジクロロオクタノール、テトラフルオロオクタノール、デカフルオロドデカノール、ペルフルオロノナノール、１，１，１−トリフルオロメチルデカノール、および２−トリフルオロメチル−１−ヒドロキシデカリンがある。
【０１２０】
７〜１４個の炭素原子を有する、有用かつ好ましいフルオロエーテルとしては、３−エトキシ−１，１，１，２，３，４，４，５，５，６，６，６ドデカフルオロ−２−トリフルオロメチルヘキサン、３−プロポキシ−１，１，１，２，３，４，４，５，５，６，６，６ドデカフルオロ−２−トリフルオロメチルヘキサン、および３−プロポキシ−１，１，１，２，３，４，４，５，５，５デカフルオロ−２−トリフルオロメチルペンタンがある。
【０１２１】
７〜１４個の炭素原子を有する、有用かつ好ましいフルオロエステルとしては、３−（１，１，１，２，３，４，４，５，５，６，６，６ドデカフルオロ−２−トリフルオロメチルヘキシル）エタノエート、および３−（１，１，１，２，３，４，４，５，５，５デカフルオロ−２−トリフルオロメチルペンチル）プロパノエートがある。
【０１２２】
７〜１４個の炭素原子を有する、有用かつ好ましいフルオロケトンとしては、３−（１，１，１，２，３，４，４，５，５，６，６，６ドデカフルオロ−２−トリフルオロメチルヘキシル）エチルケトン、および３−（１，１，１，２，３，４，４，５，５，５デカフルオロ−２−トリフルオロメチルペンチル）プロピルケトンがある。
【０１２３】
有用かつ好ましいシロキサンとしては、ヘキサメチルジシロキサン、オクタメチルトリシロキサン、デカメチルテトラシロキサン、ドデカメチルペンタシロキサン、およびテトラデカメチルヘキサシロキサンがある。
【０１２４】
好ましくは、組成物は、５重量％以下の湿潤添加剤を含むことができる。より好ましくは、組成物は、０．０１〜３重量％、最も好ましくは０．１〜１重量％の湿潤剤を含む。
【０１２５】
本発明による組成物は、有機電子（ＯＥ）デバイス、例えば、ＯＦＥＴのようなトランジスタ、またはダイオードもしくは太陽電池のような有機光電変換（ＯＰＶ）デバイスを作製するために使用することができる。
【０１２６】
特に好ましいＯＥデバイスは、ＯＦＥＴである。本発明による好ましいＯＦＥＴは、以下の構成要素、すなわち、
−  任意に、基板（１）と、
−  ゲート電極（２）と、
−  誘電材料を含む絶縁層（３）と、
−  ＯＳＣ層（４）と
−  ソースおよびドレイン電極（５）と、
−  任意に、１つ以上の保護またはパッシベーション層（６）と
を含む。
【０１２７】
図１Ａは、基板（１）と、ゲート電極（２）と、誘電材料層（３）（ゲート絶縁層としても知られる）と、ＯＳＣ層（４）と、ソースおよびドレイン（Ｓ／Ｄ）電極（５）と、任意にパッシベーションまたは保護層（６）とを含んでいてもよい、本発明による典型的なボトムゲート（ＢＧ）トップコンタクト（ＴＣ）型ＯＦＥＴデバイスを、例示的かつ概略的に示している。
【０１２８】
図１Ａのデバイスは、基板（１）上にゲート電極（２）を堆積するステップと、ゲート電極（２）および基板（１）の上に誘電層（３）を堆積するステップと、誘電層（３）の上にＯＳＣ層（４）を堆積するステップと、ＯＳＣ層（４）の上にＳ／Ｄ電極（５）を堆積するステップと、Ｓ／Ｄ電極（５）およびＯＳＣ層（４）の上にパッシベーションまたは保護層（６）を任意に堆積するステップとを含む方法によって作製することができる。
【０１２９】
図１Ｂは、基板（１）と、ゲート電極（２）と、誘電層（３）と、Ｓ／Ｄ電極（５）と、ＯＳＣ層（４）と、任意にパッシベーションまたは保護層（６）とを含む、本発明によるボトムゲート（ＢＧ）ボトムコンタクト（ＢＣ）型ＯＦＥＴデバイスを、例示的かつ概略的に示している。
【０１３０】
図１Ｂのデバイスは、基板（１）上にゲート電極（２）を堆積するステップと、ゲート電極（２）および基板（１）の上に誘電層（３）を堆積するステップと、誘電層（３）の上にＳ／Ｄ電極（５）を堆積するステップと、Ｓ／Ｄ電極（４）および誘電層（３）の上にＯＳＣ層（４）を堆積するステップと、ＯＳＣ層（４）の上にパッシベーションまたは保護層（６）を任意に堆積するステップとを含む方法によって作製することができる。
【０１３１】
図２は、基板（１）と、ソースおよびドレイン電極（５）と、ＯＳＣ層（４）と、誘電層（３）と、ゲート電極（２）と、任意にパッシベーションまたは保護層（６）とを含む、本発明によるトップゲート（ＴＧ）型ＯＦＥＴデバイスを、例示的かつ概略的に示している。
【０１３２】
図２のデバイスは、基板（１）上にＳ／Ｄ電極（５）を堆積するステップと、Ｓ／Ｄ電極（４）および基板（１）の上にＯＳＣ層（４）を堆積するステップと、ＯＳＣ層（４）の上に誘電層（３）を堆積するステップと、誘電層（３）の上にゲート電極（２）を堆積するステップと、ゲート電極（２）および誘電層（３）の上にパッシベーションまたは保護層（６）を任意に堆積するステップとを含む方法によって作製することができる。
【０１３３】
図１Ａ、１Ｂおよび２に示したデバイスにおけるパッシベーションまたは保護層（６）は、ＯＳＣ層およびＳ／Ｄまたはゲート電極を、それらの上に後で与えられるさらなる層またはデバイスから、および／または周囲条件の影響から保護する目的を有する。
【０１３４】
図１Ａ、１Ｂおよび２に両矢印により示した、ソースおよびドレイン電極（５）間の間隔は、チャネル領域である。
【０１３５】
ＯＰＶセルにおいて使用する配合物の場合には、配合物は、好ましくは、ｐ型半導体およびｎ型半導体、またはアクセプターおよびドナー材料を含むまたは含有する、より好ましくは、本質的にそれらからなる、最も好ましくは、それらのみからなる。このタイプの好ましい材料は、例えば、ＷＯ９４／０５０４５Ａ１に開示されている通り、ポリ（３−置換チオフェン）またはＰ３ＡＴと、Ｃ60もしくはＣ70フラーレン、またはＰＣＢＭ［（６，６）−フェニルＣ６１−酪酸メチルエステル］のような修飾されたＣ60分子とのブレンドまたは混合物であり、ここで、好ましくは、Ｐ３ＡＴとフラーレンとの比率が、重量で、２：１〜１：２、より好ましくは１．２：１〜１：１．２である。
【０１３６】
図３および図４は、本発明による典型的かつ好ましいＯＰＶデバイスを例示的かつ概略的に示している［Ｗａｌｄａｕｆら、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．８９、２３３５１７（２００６）も参照されたい］。
【０１３７】
図３に示したＯＰＶデバイスは、
−  それらのうちの１つが透明である、低仕事関数電極（３１）（例えば、アルミニウムなどの金属）および高仕事関数電極（３２）（例えば、ＩＴＯ）と、
−  電極（３１、３２）の間に配置される、好ましくはＯＳＣ材料から選択される正孔輸送材料および電子輸送材料を含む層（３３）（「アクティブ層」とも言う）であって、例えば、ｐ型およびｎ型半導体の二重層もしくは２つの別個の層、またはブレンドもしくは混合物として存在し得る、層（３３）と、
−  高仕事関数電極の仕事関数を変更して、正孔のためのオーミック接触を与えるために、アクティブ層（３３）と高仕事関数電極（３２）の間に配置される、例えば、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ（ポリ（３，４−エチルレンジオキシチオフェン）：ポリ（スチレンスルホネート））のブレンドを含む、任意に導電性ポリマー層（３４）と、
−  電子のためのオーミック接触を与えるための、低仕事関数電極（３１）のアクティブ層（３３）に面している面での、（例えば、ＬｉＦの）任意にコーティング（３５）と
を好ましくは含む。
【０１３８】
図４に示した、逆にしたＯＰＶデバイスは、
−  それらのうちの１つが透明である、低仕事関数電極（４１）（例えば、金などの金属）および高仕事関数電極（４２）（例えば、ＩＴＯ）と、
−  電極（４１、４２）の間に配置される、好ましくはＯＳＣ材料から選択される正孔輸送材料および電子輸送材料を含む層（４３）（「アクティブ層」とも言う）であって、例えば、ｐ型およびｎ型半導体の二重層もしくは２つの別個の層、またはブレンドまたは混合物として存在し得る、層（４３）と、
−  電子のためのオーミック接触を与えるために、アクティブ層（４３）と低仕事関数電極（４１）の間に配置される、例えば、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳのブレンドを含む、任意に導電性ポリマー層（４４）と、
−  正孔のためのオーミック接触を与えるための、高仕事関数電極（４２）のアクティブ層（４３）に面している面での、（例えば、ＴｉＯxの）任意にコーティング（４５）と
を好ましくは含む。
【０１３９】
正孔輸送ポリマーは、例えば、ポリチオフェンである。電子輸送材料は、例えば、酸化亜鉛またはセレン化カドミウムなどの無機材料、または（例えば、ＰＣＢＭのような）フラーレン誘導体もしくはポリマー（例えば、Ｃｏａｋｌｅｙ，Ｋ．Ｍ．およびＭｃＧｅｈｅｅ，Ｍ．Ｄ．、Ｃｈｅｍ．Ｍａｔｅｒ．２００４、１６、４５３３を参照されたい）などの有機材料である。二重層がブレンドである場合、デバイスの性能を最適化するために、任意にアニーリングステップが必要になることがある。
【０１４０】
ＯＥデバイスを作製するプロセスの間に、ＯＳＣ層は、基板上に堆積され、その後、いずれかの揮発性添加剤と共に溶媒が除去され、膜または層が形成される。
【０１４１】
ＯＥデバイスを製作するために、様々な基板、例えば、ガラス、ＩＴＯ被覆ガラス、ＰＥＤＯＴ、ＰＡＮＩなどを含むプレコート層を有するＩＴＯガラス、またはプラスチックを使用することができ、プラスチック材料が好ましく、例としては、アルキド樹脂、アリルエステル、ベンゾシクロブテン、ブタジエンスチレン、セルロース、酢酸セルロース、エポキシド、エポキシポリマー、エチレン−クロロトリフルオロエチレン、エチレン−テトラ−フルオロエチレン、ガラス繊維強化プラスチック、フルオロカーボンポリマー、ヘキサフルオロプロピレンビニリデン−フルオリドコポリマー、高密度ポリエチレン、パリレン、ポリアミド、ポリイミド、ポリアラミド、ポリジメチルシロキサン、ポリエーテルスルホン、ポリエチレン、ポリエチレンナフタレート、ポリエチレンテレフタレート、ポリケトン、ポリメチルメタクリレート、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリスルホン、ポリテトラフルオロエチレン、ポリウレタン、ポリ塩化ビニル、シリコーンゴム、シリコーン、ならびに、ＩＴＯまたは他の導電層および障壁層を有するフレキシブルフィルム、例えば、Ｖｉｔｅｘフィルムがある。
【０１４２】
好ましい基板材料は、ポリエチレンテレフタレート、ポリイミド、およびポリエチレンナフタレートである。基板は、上述の材料でコーティングされたいずれかのプラスチック材料、金属またはガラスであってもよい。基板は、好ましくは、良好なパターン鮮明度を確実にするために、均質であるべきである。基板はまた、キャリアの移動度を高めるように有機半導体の配向を誘導するために、押出、延伸、ラビング、または光化学的技術によって、均一に事前調整されてもよい。
【０１４３】
電極は、スプレー、ディップ、ウェブまたはスピンコーティングなどの液体コーティング、または真空蒸着または蒸着法で堆積することができる。適切な電極材料および堆積方法は、当業者に既知である。適切な電極材料としては、限定されないが、無機または有機材料、またはその２種の材料の複合物がある。適切な導体材料または電極材料の例としては、ポリアニリン、ポリピロール、ＰＥＤＯＴまたはドープされた共役ポリマー、さらにグラファイトまたはＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｎｉもしくはそれらの混合物などの金属の粒子の分散物またはペースト、ならびに、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｐｔ／Ｐｄなどのスパッタコーティングまたは蒸着された金属、または酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）などの金属酸化物がある。有機金属前駆体も、液相から堆積させて使用することができる。
【０１４４】
ＯＳＣ層の堆積は、当業者に既知であり、文献に記載されている、標準の方法によって実現することができる。適切かつ好ましい堆積方法としては、液体コーティングおよび印刷技術がある。非常に好ましい堆積方法としては、限定されないが、ディップコーティング、スピンコーティング、スプレーコーティング、エアロゾル噴射、インクジェット印刷、ノズル印刷、レタープレス印刷、スクリーン印刷、グラビア印刷、ドクターブレードコーティング、ローラー印刷、逆ローラー印刷、オフセットリソグラフィー印刷、フレキソ印刷、ウェブ印刷、スプレーコーティング、ディップコーティング、カーテンコーティング、刷毛塗りコーティング、スロットダイコーティング、またはパッド印刷がある。グラビア、フレキソおよびインクジェット印刷がより好ましい。インクジェット印刷が最も好ましい。
【０１４５】
特別な態様によれば、本発明による特別なタイプのＯＥを実現するために、絶縁層を基板上に堆積することができる。好ましくは、絶縁層は、液体処理によって、非常に好ましくは、１種以上の有機溶媒中の、任意に架橋性である誘電材料の溶液を使用して堆積される。好ましくは、誘電材料を堆積させるために使用する溶媒は、ＯＳＣ材料を堆積させるために使用する溶媒に対して直交し、逆の場合も同じである。
【０１４６】
堆積方法として、スピンコーティングが使用される場合、ＯＳＣまたは誘電材料は、例えば、１０００ｒｐｍと２０００ｒｐｍの間で、例えば、３０秒間回転させて、０．５μｍと１．５μｍの間の典型的な層厚を有する層を与える。スピンコーティングの後に、その膜を高温下で加熱して、すべての残留揮発性溶媒を除去することができる。
【０１４７】
架橋性の誘電体が使用される場合、それは、例えば、Ｘ線、ＵＶまたは可視光線のような、電子ビームまたは電磁（化学）線への暴露による堆積後に、好ましくは架橋される。例えば、５０ｎｍ〜７００ｎｍ、好ましくは２００〜４５０ｎｍ、より好ましくは３００〜４００ｎｍの波長を有する化学線を使用することができる。適切な線量は、一般に、２５〜３，０００ｍＪ／ｃｍ2の範囲にある。適切な線源としては、水銀、水銀／キセノン、水銀／ハロゲンおよびキセノンのランプ、アラゴンまたはキセノンレーザー源、ｘ線、またはｅ−ビームがある。化学線への暴露は、暴露領域において、誘電材料の架橋性基の架橋反応を誘発することとなる。例えば、架橋性基の吸収バンド外の波長を有する光源を使用すること、および光線に感応しやすい光増感剤を架橋性材料に加えることも可能である。
【０１４８】
場合によっては、誘電材料層は、光線への暴露後に、例えば、７０℃〜１３０℃の温度で、例えば、１〜３０分間、好ましくは１〜１０分間アニーリングされる。高温下でのアニーリングステップは、誘電材料の架橋基を光線に暴露することにより誘発された、架橋反応を完了させるために使用することができる。
【０１４９】
本発明の組成物を基板上に塗布した後に、平滑化ステップを、好ましくは実施することができる。目覚ましい改良は、溶媒を含む得られた層を加熱および／またはアニーリングすることによって実現することができる。好ましくは、加熱および／またはアニーリングは、１〜３００秒の範囲、より好ましくは２〜１００秒の範囲の時間の間行うことができる。平滑化ステップの温度は、溶媒の融点に依存する。好ましくは、平滑化ステップの温度は、溶媒の融点を１℃〜２０℃、より好ましくは２℃〜５℃上回る範囲にある。
【０１５０】
溶媒およびいずれかの揮発性添加剤の除去は、好ましくは−５０℃〜２００℃で、より好ましくは２０℃〜１３５℃で、蒸発によって、例えば、堆積層を高温および／または減圧にさらすことによって好ましくは行われる。本発明の特別な態様によれば、溶媒およびいずれかの揮発性添加剤は、減圧下で蒸発させることができる。好ましくは、溶媒蒸発のための圧力は、１０-3ｍｂａｒ〜１ｂａｒ、より好ましくは１０-2ｍｂａｒ〜１００ｍｂａｒ、最も好ましくは０．１ｍｂａｒ〜１０ｍｂａｒの範囲である。さらに、溶媒の蒸発は、溶媒の融点未満で好ましくは実現することができる。驚くほどの改良は、溶媒の融点より０．１℃〜４０℃、より好ましくは１℃〜３０℃下回る範囲の蒸発温度によって得ることができる。
【０１５１】
本組成物は、多層ＯＥデバイスを実現するための、改良された方法をもたらす。驚くほどの改良は、有機半導体化合物を含む少なくとも２つの層が適用され、２つめの層が、本発明の組成物を使用することにより実現される方法によって達成することができる。
【０１５２】
ＯＳＣ層の厚さは、好ましくは１ｎｍ〜５０μｍ、より好ましくは２〜１０００ｎｍ、最も好ましくは３〜５００ｎｍである。有機発光材料および／または電荷輸送材料を含む好ましい層は、２〜１５０ｎｍの範囲の厚さを有することができる。
【０１５３】
上記および下記の材料および方法に付け加えて、ＯＥデバイスおよびその構成要素は、当業者に既知であり、文献に記載されている、標準の材料および標準の方法から作製することができる。
【０１５４】
本発明の範囲内にありながら、前述の本発明の実施形態に対して変形がなされ得ることが分かるであろう。本明細書に開示する各特徴は、特に明記しない限り、同一、同等、または類似の目的に役立つ代替の特徴に置き換えられ得る。したがって、特に明記しない限り、開示する各特徴は、一般的な一連の同等または類似の特徴の一例にすぎない。
【０１５５】
本明細書に開示する特徴のすべては、そうした特徴および／またはステップの少なくともいくつかが、互いに排他的であるような組み合わせを除いて、いずれかの組み合わせで組み合わせることができる。特に、本発明の好ましい特徴は、本発明のすべての態様に適用可能であり、いずれかの組み合わせにおいて使用することができる。同様に、本質的でない組み合わせで記述した特徴は、（組み合わせてではなく）別々に使用することができる。
【０１５６】
上記した特徴、特に好ましい実施形態の多くは、それ自体で発明性があり、本発明の実施形態の一部としてだけではないことが分かるであろう。特許請求しているいかなる発明に加えて、またはその代わりに、これらの特徴について、独立の保護を求めることができる。
【０１５７】
文脈が明示しない限り、本明細書で使用する、本明細書中の用語の複数形は、単数形を含むと解釈されるべきであり、逆もまた同様である。
【０１５８】
本明細書の説明および特許請求の範囲の全体を通して、「含む」および「含有する」という単語ならびにその語の変化形、例えば、「含む」、「含んでいる」は、「これらに限定しないが、含まれる」を意味し、他の構成要素を除外する意図はない（および、除外しない）。
【０１５９】
「ポリマー」という用語は、ホモポリマーおよびコポリマー、例えば、統計的、交互またはブロックコポリマーを含む。加えて、以下に使用する「ポリマー」という用語は、オリゴマーおよびデンドリマーも含む。デンドリマーは、例えば、Ｍ．ＦｉｓｃｈｅｒおよびＦ．Ｖｏｇｔｌｅ、Ａｎｇｅｗ．Ｃｈｅｍ．,Ｉｎｔ．Ｅｄ．１９９９、３８、８８５。に記載されている通り、一般に、多官能性のコア基からなる、分枝状の高分子化合物であり、コア基にさらに分枝状モノマーが規則的に付加され、樹状構造が与えられる。
【０１６０】
「共役ポリマー」という用語は、それの骨格（または主鎖）中に、ｓｐ2混成、または任意にｓｐ混成をもつＣ原子を主に含有するポリマーであって、Ｃ原子はまたヘテロ原子で置き換えられていてもよく、介在するσ結合を越えて、一方のπ軌道ともう一方のπ軌道との相互作用が可能となるポリマーを意味する。最も単純な場合、これは、例えば、炭素−炭素（または炭素−ヘテロ原子）単結合と多重（例えば、二重または三重）結合とが交互にある骨格であるが、１，３−フェニレンのような単位を有するポリマーも含む。これに関連して、「主に」は、共役の中断につながり得る、自然に（自発的に）発生した欠陥を有するポリマーでも、そのまま共役ポリマーとしてみなすことを意味する。また、この意味において、骨格が例えば、アリールアミン、アリールホスフィン、および／またはある種の複素環（すなわち、Ｎ、Ｏ、Ｐ、またはＳ原子を介する共役）、および／または金属有機錯体（すなわち、金属原子を介する共役）のような単位を含むポリマーも含まれる。「共役連結基」という用語は、ｓｐ2混成またはｓｐ混成をもつＣ原子またはヘテロ原子からなる２つの環（通常、芳香環）をつなぐ基を意味する。「ＩＵＰＡＣ  Ｃｏｍｐｅｎｄｉｕｍ  ｏｆ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｔｅｒｍｉｎｏｌｏｇｙ，Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ  ｖｅｒｓｉｏｎ」も参照されたい。
【０１６１】
特に明記しない限り、分子量は、数平均分子量Ｍnまたは重量平均分子量Ｍwとして示し、それらは、特に明記しない限り、ポリスチレン標準に対するゲル浸透クロマトグラフィー（ＧＰＣ）によって決定する。
【０１６２】
重合度（ｎ）は、特に明記しない限り、ＭUが、単一の繰り返し単位の分子量であるｎ＝Ｍn／ＭUとして示される、数平均重合度を意味する。
【０１６３】
「小分子」という用語は、モノマー、すなわち、非ポリマーの化合物を意味する。
【０１６４】
特に明記しない限り、固体のパーセンテージは、重量パーセント（「ｗｔ．％」）であり、液体のパーセンテージまたは比率（例えば、溶媒混合物中のような）は、体積パーセント（「ｖｏｌ．％」）であり、すべての温度は、摂氏度（℃）で示す。
【０１６５】
特に明記しない限り、パーセンテージまたはｐｐｍで示す混合物構成成分の濃度または割合は、溶媒を含む配合物全体に関するものである。
【０１６６】
これから、以下の実施例を参照して、本発明を詳細に説明するが、それは、例示に過ぎず、本発明の範囲を限定しない。
【０１６７】
上記および下記のすべての方法ステップは、先行技術に記載され、当業者に周知の、既知の技術および標準の設備を使用して実施することができる。
【０１６８】
〔実施例〕
例１
基板（ＰＥＤＯＴでコーティングした２ｃｍ2ガラスプレート）を、１８０℃で１０分間加熱することにより活性化させて、直接使用した。
【０１６９】
下式の構造単位を、９％対１１％対４１％対２４％対５％対８％対２％の重量比で含む、０．５重量％ＯＬＥＤポリマーを、ペンタメチルベンゼンに溶解することにより、ＯＬＥＤポリマーインクを配合し、６０℃で３．８ｃｐの粘度が得られた。
【化１３】
2013529375.tif 000037
【０１７０】
インクを、Ｄｉｍａｔｉｘ  ＤＭＰ  ２８００  プリンター（ヒートグローブ（heated glove）に加えて６０℃に加熱した印字ヘッド）で、基板上に印刷した。６ｍｍ平方を、５、１０、１５、２０、２５、３０、３５および４０μｍの液滴間隔で印刷した。インクジェットプロセスにおける液滴形成は、空中の液滴を効果的に静止像にする（freeze）ストロボに照らされた、顕微鏡を使用する可視化により決定した通り、良好であった。
【０１７１】
基板上にインクを印刷した後、膜を加熱して、冷却することにより、さらなる平滑性を得てから、溶媒を除去した（５３℃、約２０秒間）。
【０１７２】
その後、溶媒を、１００℃で、または真空中で５５℃で、ホットプレート上で除去した。
【０１７３】
蛍光法を介して観察した通り（Ｎｉｋｏｎ  Ｅｃｌｉｐｓｅ  Ｅ４００顕微鏡を使用）、優れたＯＬＥＤ膜を形成した。
【０１７４】
例２〜４
例１を繰り返した。しかし、例１で述べた１％ＯＬＥＤポリマーを、溶媒を８０℃に加熱することにより、２−メチルナフタレン、ペンタメチルベンゼン、および１，５−ジメチルナフタレンそれぞれに溶解した。
【０１７５】
各組成物を、例１に記述した通りに処理した。しかし、平滑化ステップの温度は、およそ２０秒間、溶媒の融点を約２〜５℃上回り、溶媒の除去は、１００℃で行った。
【０１７６】
蛍光法を介して観察した通り（Ｎｉｋｏｎ  Ｅｃｌｉｐｓｅ  Ｅ４００顕微鏡を使用）、優れたＯＬＥＤ膜を形成した。
【０１７７】
例５
例１を繰り返した。しかし、例１で述べた１％ＯＬＥＤポリマーを、溶媒を８５℃に加熱することにより、１，２，４，５−テトラメチルベンゼンに溶解した。
【０１７８】
組成物を、例１に記述した通りに処理した。しかし、平滑化ステップの温度は、約８８℃であり、溶媒の除去は、１００℃で行った。
【０１７９】
蛍光法を介して観察した通り（Ｎｉｋｏｎ  Ｅｃｌｉｐｓｅ  Ｅ４００顕微鏡を使用）、優れたＯＬＥＤ膜を形成した。
【０１８０】
例６
基板（ＰＥＤＯＴでコーティングした２ｃｍ2ガラスプレート）を、１８０℃で１０分間加熱することにより活性化させて、直接使用した。
【０１８１】
式１０７による燐光性化合物と、
【化１４】
2013529375.tif 000038
【０１８２】
式１４７を有するホスト材料とを、
【化１５】
2013529375.tif 000039
【０１８３】
１：４の重量比（燐光性化合物１０７：ホスト材料１４７）で混合し、得られた混合物を、６０℃で、ペンタメチルベンゼンに溶解することによって、印刷用インクを調製した。溶媒中の両化合物の濃度は、約１重量％、すなわち、燐光性化合物１０７が０．２％で、ホスト材料１４７が０．８％であった。
【０１８４】
インクを、Ｄｉｍａｔｉｘ  ＤＭＰ  ２８００  プリンター（ヒートグローブに加えて６０℃に加熱した印字ヘッド）で、基板上に印刷した。６ｍｍ平方を、５、１０、１５、２０、２５、３０、３５および４０μｍの液滴間隔で印刷した。インクジェットプロセスにおける液滴形成は、空中の液滴を効果的に静止像にするストロボに照らされた、顕微鏡を使用する可視化により決定した通り、良好であった。
【０１８５】
基板上にインクを印刷した後、膜を加熱して、冷却することにより、さらなる平滑性を得てから、溶媒を除去した（５３℃、約２０秒間）。その後、溶媒を、１００℃で、または真空中で５５℃で、ホットプレート上で除去した。
【０１８６】
蛍光法を介して観察した通り（Ｎｉｋｏｎ  Ｅｃｌｉｐｓｅ  Ｅ４００顕微鏡を使用）、優れたＯＬＥＤ膜を形成した。
【０１８７】
例７
例６を繰り返した。しかし、ガラス基板は、下式の構造単位を含むポリマーのさらなる層と共に、上記したＰＥＤＯＴ層を用いて作製した
【化１６】
2013529375.tif 000040
【０１８８】
ポリマーを、トルエンからスピンコーティングし、１００℃で、５分間乾燥させて、正孔輸送層を得た。
【０１８９】
例６に記述した通りのインクを、上述の通りに印刷し、乾燥させると、平滑な膜がもたらされた。これは、ＳＭ  ＯＬＥＤも、正孔輸送層を得るためのポリマーも両溶媒系に可溶である、ガラスと、（水からコーティングした）ＰＥＤＯＴと、（有機溶媒からコーティングした）正孔輸送層と、（有機溶媒から印刷した）ＳＭ  ＯＬＥＤとのＯＬＥＤ積層体を実証した。
【０１９０】
蛍光法を介して観察した通り（Ｎｉｋｏｎ  Ｅｃｌｉｐｓｅ  Ｅ４００顕微鏡を使用）、優れたＯＬＥＤ膜を形成した。  例８〜１７
例６で述べた通りの、式１０７による燐光性化合物と、式１４７を有するホスト材料とを、１：４の重量比で含む混合物を、高温下（一般に、溶媒の融点を１０℃上回る）で、２−メチルナフタレン、１，５−ジメチルナフタレン（１，５−ＤＭＮ）、５−インダノール、１，２，３，４−テトラヒドロ−１−ナフトール、５，６，７，８−テトラヒドロ−２−ナフトール、２−エトキシナフタレン、２−インダノール、スルホラン、ビフェニル、および１，２，４，５−テトラメチルベンゼンに溶解した。溶媒中の化合物１０７と１４７の両方の濃度は、約１重量％であった。
【０１９１】
これらのインクを使用して、例６に記述した通りの印刷膜を得た。それらの膜の質は、良好であった。
【０１９２】
例１８〜２１
例６で述べた通りの、式１０７による燐光性化合物と、式１４７を有するホスト材料とを、１：４の重量比で含む混合物を、高温下（一般に、溶媒の融点を１０℃上回る）で、１：１のビフェニル：１，５−ＤＭＮ、１：１のビフェニル：１，２，４，５−テトラメチルベンゼン、２−メチルナフタレン、および２−エトキシナフタレンに溶解した。溶媒中の化合物１０７と１４７の両方の濃度は、約１重量％であった。
【０１９３】
これらのインクを、例６におけるように、ＰＥＤＯＴ被覆ガラス上に印刷し、乾燥させた。しかし、平滑化ステップの温度は、溶媒の融点を約２〜５℃上回り、溶媒の除去は、１００℃で行った。
【０１９４】
蛍光法を介して観察した通り（Ｎｉｋｏｎ  Ｅｃｌｉｐｓｅ  Ｅ４００顕微鏡を使用）、優れたＯＬＥＤ膜を形成した。
【０１９５】
例２２
Ｃｏｒｎｉｎｇ  Ｅａｇｌｅ  ＸＧガラスを、超音波メタノール浴中で、２分間洗浄し、次いで、メタノールですすいだ。約４０ｎｍ厚の銀ゲート電極を蒸発させた。誘電材料であるＬｉｓｉｃｏｎ（商標）Ｄ２０７（Ｍｅｒｃｋ  ＫＧａＡから入手可能）のＵＶ硬化性誘電層を、デバイス上のＯＳＣ層の上で回転させ、１２０℃で、１分間アニーリングすると、約１ミクロン厚の乾燥誘電膜が得られた。次いで、誘電層を、３６５ｎｍ波長で、全ＵＶ量２．６Ｊｃｍ-2下でのＵＶ硬化によって架橋した。
【０１９６】
約４０ｎｍ厚の銀ソースドレイン電極を、幅１０００μおよび長さ５０μの櫛型形状で蒸発させた。
【０１９７】
電極を、イソプロピルアルコールですすぎ落される、イソプロピルアルコールからのスピンコーティングによる、反応性洗浄液Ｌｉｓｉｃｏｎ（商標）Ｍ００１（Ｍｅｒｃｋ  ＫＧａＡから入手可能）ＳＡＭ処理で処理し、次いで、スピンコーター上で乾燥させた。
【０１９８】
１．３３部の式Ｍ２の化合物、および０．６７部のα−メチルスチレンの化合物を、ペンタメチルベンゼンに溶解し、溶液を０．４５μｍＰＴＦＥカートリッジフィルターに通して濾過することによって、ＯＳＣ配合物を調製した。
【０１９９】
式Ｍ２中、Ｙ1およびＹ2の一方は、−ＣＨ＝または＝ＣＨ−を表し、他方は、−Ｓ−を表し、Ｙ3およびＹ4の一方は、−ＣＨ＝または＝ＣＨ−を表し、他方は、−Ｓ−を表す。
【化１７】
2013529375.tif 000041
【０２００】
次いで、ＯＳＣ配合物を、Ｄｉｍａｔｉｘ  ＤＭＰ２８３１インクジェットプリンターを使用して印刷した。カートリッジおよびヘッドを、溶媒（ペンタメチルベンゼン）の融点超に加熱した。各デバイスを個々に、ソース／ドレイン電極の上にわたって印刷した。得られた印刷物を、５２℃に温めて、インクを再流させておき、次いで、これを、加熱してないベルジャー内に入れて、圧力を５ｍｂａｒに減少させて、２０分間放置し、溶媒を除去した。
【０２０１】
次いで、デバイスの性能分析を、Ａｇｉｌｅｎｔ  ４１５５Ｃ半導体パラメータ分析器を使用して、ソースおよびドレイン電流、およびゲート電流を、ゲート電圧の関数として測定することによって行う（トランジスタ特性）。電荷キャリア移動度を、ＵＳ２００７／０１０２６９６Ａ１に開示されているような、既知の方法によって算定する。
【０２０２】
デバイスのトランジスタ特性、ならびに線形および飽和移動度を、図５に表す。デバイスは、移動度（線形０．０１ｃｍ2／Ｖｓ、飽和０．０２ｃｍ2／Ｖｓ）、および良好なオン／オフ比（１０4）を有している。トランジスタ特性は、非常に良好である。
【０２０３】
データは、本発明によるインクが、インクジェット印刷技術を使用して印刷でき、許容される移動度および良好なオン／オフ比を明示する、実用的なトランジスタデバイスをもたらすこともできることを示している。
【図１ａ】
2013529375.tif 000046
【図１ｂ】
2013529375.tif 000047
【図２】
2013529375.tif 000048
【図３】
2013529375.tif 000049
【図４】
2013529375.tif 000050
【図５】
2013529375.tif 000051
【国際調査報告】
2013529375.tif 000052
2013529375.tif 000053
2013529375.tif 000054