【事件の表示】
　 特許第２７５００６２号「反射屈折型光学系及び該光学系を備える投影露光　装置の特許に対する特許異議申立てについて、次ぎのとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第２７５００６２号の請求項4、１１〜１５及び１７〜１９に係る特許を維持する。
【理　由】
　　　　　      理　由
１．手続きの経緯
　本件特許第２７５００６２号は、平成４年１２月１４日に特許出願され、平成１０年２月２０日にその特許の設定登録がなされ、その後、特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１１年８月２３日に訂正請求がなされ、その後、訂正拒絶理由通知がなされ、その指定期間内である平成１１年１２月７日に手続補正がなされたものである。
１．１　異議申立ての概要
　異議申立人菅原益夫は、甲第１号証（特願平３−２７６５９３号（特開平５−８８０８８号公報参照）及び甲第２号証（特願平３−２７６５９５号（特開平５−８８０９０号公報参照））を提出し、本件請求項１〜３、５〜１０、１６〜１９に係る発明は、甲第１号証又は甲第２号証に記載された発明であるから、特許法第２９条の２の規定により特許を受けることができないものであり、また、本件請求項６〜１０及び１６に記載された発明は、特許法第３６条に規定する要件を満たさないので、本件特許は特許法第３６条に規定する要件を満たさない出願に対してされたものであり、本件特許を取り消すべき旨主張している。
１．２　異議申立人菅原益男が提出した甲第１及び２号証の開示内容
１．２．１　甲第１号証の開示内容
　甲第１号証には、その明細書の【産業上の利用分野】に記載されている通り、半導体素子製造用の露光装置に用いられる反射屈折型縮小投影光学系が開示されている。
　甲第1号証に開示された反射屈折型縮小投影光学系は、その図1または図5に示される通り、レチクル1上のパターンをウエハ2上に縮小投影する光学系であって、レチクル1 からの露光光は、第1 レンズ群GI、3枚の平行平面板2〜4、ハーフミラー5および付加レンズ群G2を通過し、凹面反射鏡7にて反射された後に、再び付加レンズ群G2を通過し、ハーフミラー5にて反射され、第2レンズ群G3を通過してウエハ2上へ至るものである。
　甲第1号証の【0012】段落には、ハーフミラー5を透過する光束の全てが完全に平行光でないため、このハーフミラー5からコマ収差と非点収差とが発生することが開示されている。さらに、甲第1号証の【0013】段落には、ハーフミラー5を第1レンス群GIとの間に3枚の平行平面板2〜4を光軸に対して斜めに配置して、ハーフミラー5による非点収差およびコマ収差を完全に補正することが開示されている。
　また、甲第1号証には、このような反射屈折型光学系が、ビームスプリッターで生じたコマ収差を補正する手段(2〜4)を備えていることも開示されている。
１．２．２　甲第２号証の開示内容
　甲第2号証には、半導体素子製造用の露光装置に用いられる反射屈折型縮小投影光学系が開示されている。
　甲第2号に証記載された反射屈折型縮小投影光学系は、その図1に示されるように、レチクル1からの光束を平行光束に変換するためのレンズ群GIと、光軸に対し斜めに配置されたハーフミラー3と、ハーフミラー3を介した光を再びハーフミラー3へ向けて反射する凹面反射鏡5と、ハーフミラー3を介した凹面反5からの光を集光してウエハ8上へ導くレンズ群G2とを備えている。
　甲第2号証の反射屈折型縮小投影光学系は、ハーフミラー3よりもレチクル1側に配置されて光軸に対して傾けられた平行平面板2を備えている。
２．訂正の適否について
２．１ 訂正請求に対する補正について
　特許権者は、訂正請求書の請求項6〜10を削除し、請求項4の記載を補正し、請求項17が引用する請求項を請求項11に限定し、請求項18が引用する請求項を請求項4、11〜15、17に限定し、請求項11において、「物平面」を「物体面」と補正し、「凹面鏡」を「前記凹面鏡」とし、「ビームスプリッター」を「前記ビームスプリッター」とし、【特許請求の範囲】の欄の記載と【課題を解決するための手段】の欄の記載を整合させ、「um」を「μm」とし、【0019】段落を追加する各補正は、補正前の明細書の記載事項の範囲内において、特許請求の範囲を減縮し、不明瞭な記載を釈明する物であり、訂正請求書の要旨を変更するものででなく、特許法第１２０条の４第３項において準用する同法第１３１条第２項の規定に適合する。
２．２　訂正請求の内容
　本件訂正請求は、本件特許第２７５００６２号の明細書（以下、「特許明細書」という。）を、平成１１年１２月７日付手続補正書に添付した訂正明細書のとおりに、訂正しようとするものである。
２．２．１　訂正事項
訂正事項ａ
　請求項1〜3、5〜10及び16を削除し、請求項4、11、17及び18を以下の如く訂正する。
【請求項4】
「物体面側から順に、光軸に対して傾いた平板状ビームスプリッターと凹面鏡とを備えており、前記物体面からの光を前記ビームスプリッターを介して前記凹面鏡で反射した後、前記ビームスプリッターを介して像面に入射させる反射屈折型光学系において、前記ビームスプリッターで生じた歪曲収差を減少させる手段を有し、前記ビームスプリッターで生じた歪曲収差を減少させる手段は、前記凹面鏡及び複数のレンズの内の少なくとも一つの、偏心させた光学素子を備えることを特徴とする反射屈折型光学系。」
【請求項11】
「物体面側から順に、光軸に対して傾いた平板状ビームスプリッターと凹面鏡とを備えており、前記物体面からの光を前記ビームスプリッターを介して前記凹面鏡で反射した後、前記ビームスプリッを介して像面に入射させる反射屈折型光学系において、前記凹面鏡及び複数のレンズの内の少なくとも一つの光学素子を偏心させることを特徴とする反射屈折型光学系。」
【請求項17】
 「前記物体面と前記ビームスプリッターの間と前記ビームスプリッターと前記像面の間の夫々にレンズ群を備えることを特徴とする請求項11の反射屈折型光学系。」
【請求項18】
「請求項4、11〜15、17のいずれかの反射屈折型光学系を用いて、マスクのパターンを被露光基板上に投影することを特徴とする投影露光装置。」
訂正事項b
　特許明細書の【0007】段落を、「【課題を解決するための手段】本発明の反射屈折型光宇系は、物体面側から順に、光軸に対して傾いた平板状ビームスプリッターと凹面鏡とを備えており、前記物体面からの光を前記ビームスプリッターを介して前記凹面鏡で反射した後、前記ビームスプリッターを介して像面に入射させる反射屈折型光学系において、前記ビームスプリッターで生じた歪曲収差を減少させる手段を有し、前記ビームスプリッターで生じた歪曲収差を減少させる手段は、前記凹面鏡及び複数のレンズの内の少なくとも一つの、偏心させた光学素子を備えることにより、前記問題を解決しようとするものである。本発明の他の反射屈折型光学系は、物体面側から順に、光軸に対して傾いた平板状ビームスプリッターと凹面鏡とを備えており、前記物体面からの光を前記ビームスプリッターを介して前記凹面鏡で反射した後、前記ビームスプリッターを介して像面に入射させる反射屈折型光学系において、前記凹面鏡及び複数のレンズの内の少なくとも一つの光学素子を偏心させることにより、上記問題を解決しようとするものである。」と訂正する。
訂正事項c
　特許明細書【0009】段落を、「【0009】本発明の反射屈折型光学系及び投影露光装置は、ICやLSI等の半導体デバイスやCCD等撮像デバイスや液晶パネル等の表示デバイスを製造する為に、効果的に使用される。特に、投影光学系となる反射屈折光学系の倍率を縮小にすることにより、遠紫外光を用いて、0.5μm以下の微細なデバイスパターンを結像できる。」と訂正する。
２．３　訂正後の特許請求の範囲
【請求項4】
「物体面側から順に、光軸に対して傾いた平板状ビームスプリッターと凹面鏡とを備えており、前記物体面からの光を前記ビームスプリッターを介して前記凹面鏡で反射した後、前記ビームスプリッターを介して像面に入射させる反射屈折型光学系において、前記ビームスプリッターで生じた歪曲収差を減少させる手段を有し、前記ビームスプリッターで生じた歪曲収差を減少させる手段は、前記凹面鏡及び複数のレンズの内の少なくとも一つの、偏心させた光学素子を備えることを特徴とする反射屈折型光学系。」
【請求項11】
「物体面側から順に、光軸に対して傾いた平板状ビームスプリッターと凹面鏡とを備えており、前記物体面からの光を前記ビームスプリッターを介して前記凹面鏡で反射した後、前記ビームスプリッを介して像面に入射させる反射屈折型光学系において、前記凹面鏡及び複数のレンズの内の少なくとも一つの光学素子を偏心させることを特徴とする反射屈折型光学系。」
【請求項12】
「前記少なくとも一つの光学素子を偏心させることにより前記ビームスプリッターで生じたコマ収差を減少させることを特徴とする請求項11の反射屈折型光学系。」
【請求項13】
「前記少なくとも一つの光学素子を偏心させることにより前記ビームスプリッターで生じた歪曲収差を減少させることを特徴とする請求項11又は12の反射屈折型光学系。」
【請求項14】
「前記物体面の近くのレンズを偏心させることを特徴とする請求項13の反射屈折型光学系。」
【請求項15】
「レンズを偏心させることにより前記ビームスプリッターで生じるコマ収差と歪曲収差とを補正することを特徴とする請求項13の反射屈折型光学系。」
【請求項17】
 「前記物体面と前記ビームスプリッターの間と前記ビームスプリッターと前記像面の間の夫々にレンズ群を備えることを特徴とする請求項11の反射屈折型光学系。」
【請求項18】
「請求項4、11〜15、17のいずれかの反射屈折型光学系を用いて、マスクのパターンを被露光基板上に投影することを特徴とする投影露光装置。」
【請求項19】
「請求項18の投影露光装置を用いてデバイスパターンを基板上に転写する段階を有するデバイス製造方法。」
３．　訂正の適否
３．１　目的該当性等について
３．１．１　訂正事項ａ
　上記訂正事項ａの、請求項1〜3、5〜10及び16を削除するものであるから、特許請求の範囲の減縮にあたる。
　上記訂正事項ａの、請求項4の訂正は、請求項1〜3の削除に伴い、請求項4を独立形式にしたものであるから、明りようでない記載の釈明に相当するものである。
　上記訂正事項ａの、請求項11の訂正は、「物平面」を、「物体面」と訂正するものであるから、明りようでない記載の釈明に相当するものである。
　上記訂正事項ａの、請求項17及び18の訂正は、引用する請求項を削除するものであるから、特許請求の範囲の減縮にあたる。
　そして、上記訂正事項ａは、特許明細書又は図面に直接的に記載されたものであるし、また、訂正前の各発明の目的の範囲内のものであるから、実質上特許請求の範囲を変更するものでもない。
３．１．２　訂正事項ｂ
　上記訂正事項ｂについては、本件請求項に係る発明の削除に伴い、特許請求の範囲の記載と詳細な説明の記載を整合させるものであるから、明りようでない記載の釈明に相当するものである。また、この訂正事項ｂは、特許明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
３．１．３　訂正事項ｃ
　訂正事項ｃは、明らかに誤記の訂正に相当するものである。また、この訂正事項ｃは、特許明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
３．２．独立特許要件について
　異議申立人菅原益男が提出した甲第１及び２号証いずれにも、本件請求項4、11に係る発明の特徴である、「ビームスプリッターで生じた歪曲収差を減少させる手段は、前記凹面鏡及び複数のレンズの内の少なくとも一つの、偏心させた光学素子」を有する構成（以下、「本件請求項4に係る発明の特徴的構成」という。）及び「ビームスプリッを介して像面に入射させる反射屈折型光学系において、前記凹面鏡及び複数のレンズの内の少なくとも一つの光学素子を偏心させる」構成（以下、「本件請求項11に係る発明の特徴的構成」という。）を有しておらずまた上記特徴的構成の示唆もなく、そして、訂正後の本件請求項4、11に係る発明は、上記特徴的構成により、特許明細書詳細な説明に記載された効果を有しているので、本件請求項4、11に係る発明が、上記甲第１又は２号証に記載された発明のいずれかと同一であるとすることができない。
　また、本件請求項4、11に係る発明の構成を引用する本件請求項17、18に係る発明も、本件請求項4、11に係る発明と同様に上記甲第１又は２号証に記載された発明のいずれかと同一であるとすることができない。
　そうすると、訂正後の本件請求項4、11、17、18に係る発明は、特許出願の際独立して特許を受けることができないものとすることができない。
３．３　訂正の適否の判断
　上記訂正事項ａ、ｂ、ｃは、上記３．２のとおりであるから、平成６年法律第１１６号附則第６条第１項の規定により、訂正についてなお従前の例によるとされる、改正前の特許法第１２６条第１項ただし書、同条第２項及び同条第３項の規定に適合する。
　従って、当該請求を認める。
４．特許異議申立てについての判断
４．１　訂正後の特許異議申立ての対象となる発明は、上記２．３に記載の本件特許請求項17、18、19に係る発明である。
４．２．１　本件特許請求項17、18、19に係る発明と甲各号証との対比、判断
　本件特許請求項17、18、19に係る発明は、本件請求項4、11に係る発明の構成を引用する発明であるから、独立特許要件を判断した上記３．２と同様に、本件特許請求項17、18、19に係る発明は、甲第１号証又は甲第２号証に記載された各発明と同一であるとすることができない。
４．２．２　３６条違反について
　本件請求項６〜１０及び１６に係る発明を削除する訂正がなされたので、本件特許は、特許法第３６条に規定する要件を満たさない出願に対してされたものであるとする理由がない。
５．むすび
 したがって、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件特許請求項17、18、19に係る発明の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件特許請求項17、18、19に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
  よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年１月３１日（２０００．１．３１）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
　訂正事項ａは、特許請求の範囲の減縮及び明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
　訂正事項ｂは、訂正事項ａに伴い、特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明を整合させるものであり、明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
　訂正事項ｃは、誤記の訂正を目的とするものである。
　訂正事項ｄは、明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
訂正事項ａ
　請求項１〜３、５、６〜１０及び１６を削除し、請求項４、１１、１７及び１８を以下の如く訂正する。
　【請求項４】
「物体面側から順に、光軸に対して傾いた平板状ビームスプリッターと凹面鏡とを備えており、前記物体面からの光を前記ビームスプリッターを介して前記凹面鏡で反射した後、前記ビームスプリッターを介して像面に入射させる反射屈折型光学系において、前記ビームスプリッターで生じた歪曲収差を減少させる手段を有し、前記ビームスプリッターで生じた歪曲収差を減少させる手段は、前記凹面鏡及び複数のレンズの内の少なくとも一つの、偏心させた光学素子を備えることを特徴とする反射屈折型光学系。」
　【請求項１１】
「物体面側から順に、光軸に対して傾いた平板状ビームスプリッターと凹面鏡とを備えており、前記物体面からの光を前記ビームスプリッターを介して前記凹面鏡で反射した後、前記ビームスプリッを介して像面に入射させる反射屈折型光学系において、前記凹面鏡及び複数のレンズの内の少なくとも一つの光学素子を偏心させることを特徴とする反射屈折型光学系。」
　【請求項１７】
「前記物体面と前記ビームスプリッターの間と前記ビームスプリッターと前記像面の間の夫々にレンズ群を備えることを特徴とする請求項１１の反射屈折型光学系。」
　【請求項１８】
「請求項４、１１〜１５、１７のいずれかの反射屈折型光学系を用いて、マスクのパターンを被露光基板上に投影することを特徴とする投影露光装置。」
訂正事項ｂ
　特許明細書の【０００７】段落を、「【課題を解決するための手段】本発明の反射屈折型光宇系は、物体面側から順に、光軸に対して傾いた平板状ビームスプリッターと凹面鏡とを備えており、前記物体面からの光を前記ビームスプリッターを介して前記凹面鏡で反射した後、前記ビームスプリッターを介して像面に入射させる反射屈折型光学系において、前記ビームスプリッターで生じた歪曲収差を減少させる手段を有し、前記ビームスプリッターで生じた歪曲収差を減少させる手段は、前記凹面鏡及び複数のレンズの内の少なくとも一つの、偏心させた光学素子を備えることにより、前記問題を解決しようとするものである。本発明の他の反射屈折型光学系は、物体面側から順に、光軸に対して傾いた平板状ビームスプリッターと凹面鏡とを備えており、前記物体面からの光を前記ビームスプリッターを介して前記凹面鏡で反射した後、前記ビームスプリッターを介して像面に入射させる反射屈折型光学系において、前記凹面鏡及び複数のレンズの内の少なくとも一つの光学素子を偏心させることにより、上記問題を解決しようとするものである。」と訂正する。
訂正事項ｃ
　特許明細書【０００９】段落を、「【０００９】本発明の反射屈折型光学系及び投影露光装置は、ＩＣやＬＳＩ等の半導体デバイスやＣＣＤ等撮像デバイスや液晶パネル等の表示デバイスを製造する為に、効果的に使用される。特に、投影光学系となる反射屈折光学系の倍率を縮小にすることにより、遠紫外光を用いて、０．５μｍ以下の微細なデバイスパターンを結像できる。」と訂正する。
訂正事項ｄ
　特許明細書【００１９】段落を削除する。
（５４）【発明の名称】
反射屈折型光学系及び該光学系を備える投影露光装置
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項４】
物体面側から順に、光軸に対して傾いた平板状ビームスプリッターと凹面鏡とを備えており、前記物体面からの光を前記ビームスプリッターを介して前記凹面鏡で反射した後、前記ビームスプリッターを介して像面に入射させる反射屈折型光学系において、前記ビームスプリッターで生じた歪曲収差を減少させる手段を有し、
特徴とする反射屈折型光学系
　【請求項１１】
物体面
前記物体面
前記ビームスプリッター
前記凹面鏡
前記ビームスプリッター
　【請求項１２】前記少なくとも一つの光学素子を偏心させることにより前記ビームスプリッターで生じたコマ収差を減少させることを特徴とする請求項１１の反射屈折型光学系。
　【請求項１３】前記少なくとも一つの光学素子を偏心させることにより前記ビームスプリッターで生じた歪曲収差を減少させることを特徴とする請求項１１又は１２の反射屈折型光学系。
　【請求項１４】前記物体面の近くのレンズを偏心させることを特徴とする請求項１３の反射屈折型光学系。
　【請求項１５】レンズを偏心させることにより前記ビームスプリッターで生じるコマ収差と歪曲収差とを補正することを特徴とする請求項１３の反射屈折型光学系。
　【請求項１７】前記物体面と前記ビームスプリッターの間と前記ビームスプリッターと前記像面の間の夫々にレンズ群を備えることを特徴とする請求項
１１
　【請求項１８】請求項
４，１１〜１５、１７
　【請求項１９】請求項１８の投影露光装置を用いてデバイスパターンを基板上に転写する段階を有するデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
　　【０００１】
　【技術分野】
　本発明は反射屈折型光学系、特にＩＣやＬＳＩ等の半導体デバイスやＣＣＤ等撮像デバイスや液晶パネル等の表示デバイスを製造する為に使用される微細パターン結像用の反射屈折型光学系と該反射屈折光学系を備える投影露光装置に関する。
　　【０００２】
　【従来の技術】
　ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体装置の高集積化が益々加速度を増しており、これに伴なう半導体ウエハーの微細加工技術の進展も著しい。この微細加工技術の中心をなす投影露光技術は、現在、０．５ミクロン以下の寸法の像を形成するべく、解像度の向上が図られている。
　　【０００３】
　解像度を向上させるべく露光光の波長を短くする方法があるが、波長が短くなると投影レンズ系に使用可能な硝材の種類が制限される為、色収差の補正が難しくなる。
　　【０００４】
　この色収差の補正に関する負荷を軽減させた投影光学系として、主として凹面鏡のパワーで結像を行う、この凹面鏡とレンズ群とにより構成された反射屈折型光学系がある。
　　【０００５】
　【発明が解決しようとする課題】
　この反射屈折型光学系は、物平面側から順にビームスプリッターと凹面鏡を備えており、物平面からの光をビームスプリッターを介して凹面鏡で反射した後、再度ビームスプリッターを介して像平面に結像するものである。
　　【０００６】
　上記ビームスプリッターは、出来るだけ光の損失を少なくする為に、平板状の部材を使用するのが良い。しかしながら、平板状の部材を使用すると、該部材でコマ収差、歪曲収差などが生じるので、結像性能が劣化するといった問題がある。
　　【０００７】
　【課題を解決するための手段】
　
本発明の反射屈折型光学系は、物体面側から順に、光軸に対して傾いた平板状ビームスプリッターと凹面鏡とを備えており、前記からの光を前記ビームスプリッターを介して前記凹面鏡で反射した後、前記ビームスプリッターを介して像面に入射させる反射屈折型光学系において、前記ビームスプリッターで生じた歪曲収差を減少させる手段を有し、前記ビームスプリッターで生じた歪曲収差を減少させる手段は、前記凹面鏡及び複数のレンズの内の少なくとも一つの、偏心させた光学素子を備えることにより、上記問題を解決しようとするものである。本発明の他の反射屈折型光学系は、物体面側から順に、光軸に対して傾いた平板状ビームスプリッターと凹面鏡とを備えており、前記物体面からの光を前記ビームスプリッターを介して前記凹面鏡で反射した後、前記ビームスプリッターを介して像面に入射させる反射屈折型光学系において、前記凹面鏡及び複数のレンズの内の少なくとも一つの光学素子を偏心させることにより、上記問題を解決しようとするものである。
　　【０００８】
　本発明の投影露光装置は、上記反射屈折型光学系のいずれかを用いてマスクのパターンを被露光基板上に投影することにより、上記問題を解決しようとするものである。本発明のデバイス製造方法は、この投影露光装置を用いてデバイスパターンを基板上に転写する段階を有することにより、上記問題を解決しようとするものである。
　　【０００９】
　本発明の反射屈折型光学系及び投影露光装置は、ＩＣやＬＳＩ等の半導体デバイスやＣＣＤ等撮像デバイスや液晶パネル等の表示デバイスを製造する為に、効果的に使用される。特に、投影光学系となる反射屈折光学系の倍率を縮小にすることにより、遠紫外光を用いて、０．５
μｍ
　　【００１０】
　【実施例】
　図１は本発明の一実施例であるところの半導体素子製造用縮小投影露光装置を示す。
　　【００１１】
　図１において、１はウエハ９上に転写されるべき半導体素子の回路パターンが形成されたレチクルで、反射屈折型光学系１００の物平面に不図示のレチクルステージにより保持され、不図示の照明系からの波長λ（＜３００ｎｍ）の遠紫外光によりレチクル１の回路パターンが均一な照度で照明される。レチクル１の回路パターンからの０次や１次の回折光を含む発散光は正の屈折力を備える第１レンズ群２に入射する。第１レンズ群２は、この発散光を収斂し、光軸ＡＸに対し斜設された平行平面板より成るビームスプリッター３に入射させる。ビームスプリッター３に入射した光はビームスプリッター３を透過し、負の屈折力を備える第２レンズ群５に入射する。
　　【００１２】
　第２レンズ群４は、ビームスプリッター３を通過した光を発散せしめて凹面鏡５に入射させる。凹面鏡５は光軸ＡＸに関して回転対称な球面反射面を備えており、凹面鏡５は、入射発散光を反射、集光して再びレンズ群４に入射させ、第２レンズ群４を介してビームスプリッター３に向ける。凹面鏡５で反射、集光されてビームスプリッター３に再入射する光は、ビームスプリッター３によって、図の下方に反射される。
　　【００１３】
　ビームスプリッター３の下方には、正の屈折力を備える第３レンズ群６が設けられてあり、第３レンズ群６の更に下方には反射屈折型光学系１００の像平面に被露光面が一致するように、半導体デバイス製造用のシリコンウエハ７が不図示の可動ＸＹステージにより保持されている。第３レンズ群６は、ビームスプリッターからの光を集光し、レチクル１の回路パターンの縮小像をウエハ９上に形成する。
　　【００１４】
　反射屈折光学系１００では、ビームスプリッター３を通過する光が光軸ＡＸに完全に平行な光線の束では無い為にビームスプリッター３から無視出来ないコマ収差が発生すると共に、レチクル１の各物点からの光のビームスプリッター３への入射角度が各物点の光軸ＡＸからの方向と像高に依存して相違する為にウエハ７の被露光面上の紙面左右方向の像高と紙面垂直方向の像高において無視出来ない歪曲収差が発生する。
　　【００１５】
　そこで、本投影露光装置では、反射屈折光学系１００の第１レンズ群２が第１正レンズ２ａ，第２正レンズ２ｂを備えており、第１正レンズ２ａ（の光軸）を、ビームスプリッター３で生じるコマ収差と歪曲収差を打ち消すコマ収差と歪曲収差を発生するよう、光軸ＡＸに対し矢印の方向に所定量平行偏心させている。
　　【００１６】
　本投影露光装置では、第１正レンズ２ａの作用によりビームスプリッター３で生じる好ましく無いコマ収差と歪曲収差が補正されるから、鮮明な像をウエハ７上に形成できる。
　　【００１７】
　本投影露光装置において、第１レンズ群２を図２に示すように構成することができる。図２は、図１の投影露光装置の一変形例を示す概略図であり、図１中の部材と同じ部材には図１と同じ符号を付し、説明はしない。図２において、８ａ，８ｂは光軸ＡＸに対して傾けた平行平面板を示し、２ｃは正レンズ（凸レンズ）、２ｄは負レンズ（凹レンズ）を示す。平行平面板８ａはビームスプリッター３で生じるコマ収差を打ち消すコマ収差を発生するよう設けてあり、平行平面板８ｂはビームスプリッター３で生じる歪曲収差を打ち消す歪曲収差を発生するよう設けてある。このように２個の平行平面板８ａ，８ｂによる偏心収差（コマ、歪曲）が互いに独立になるよう構成せず、２個の平行平面板の組合せにより、コマ収差と歪曲収差を発生せしめる構成とすることも可能である。
　　【００１８】
　本投影露光装置において、ビームスプリッター３で生じるコマ収差と歪曲収差を補正する為に、第２レンズ群４、第３レンズ群６の各々を構成するレンズや平行平面板の少なくとも一つを利用する（偏心、斜設）ことも可能である。又、凹面鏡５を光軸ＡＸから偏心させる構成も、ビームスプリッター３で生じるコマ収差や歪曲収差を補正するのに効果がある。
　　【００１９】
　本投影露光装置において、第１レンズ群２をレチクル１からの発散光（軸上結像光）をビームスプリッター３でコマ収差が生じない程度に光軸ＡＸに平行な光線の束に変換し、光軸ＡＸから偏心したレンズ又は光軸ＡＸに対して傾けた平行平面板により実質的にビームスプリッター３で生じる歪曲収差のみ補正するように構成することも可能である。
　　【００２０】
　本投影露光装置において、レンズ２ａの偏心量や平行平面板８ａ，８ｂの傾き角が調整可能になるよう、レンズ２ａ、平行平面板８ａ，８ｂの保持部材を動かす調整機構を設けると、ビームスプリッター３は勿論その他の部材や組み立て誤差で生じるコマ収差と歪曲収差も補正できるので、好ましい。
　　【００２１】
　本投影露光装置において、ビームスプリッター３を偏光ビームスプリッターとし、ビームスプリッター３と凹面鏡５の間に１／４波長（λ／４）板を設けることにより、光利用効率が高い光学系にすることができる。
　　【００２２】
　本投影露光装置において、レチクル１を保持するレチクルステージを水平に置き、このレチクルステージとレンズ群２の間に光軸ＡＸを４５度折り曲げる反射鏡を置くことにより、全体が小型になる。
　　【００２３】
　本投影露光装置は、回路パターンをウエハ９のほぼ全面に形成する為に、ウエハ９を保持するＸＹステージをステップ移動させてステップ＆リピート方式の露光を行なう形態や、ウエハ９を保持するＸＹステージをステップ移動一スキャン移動させてステップ＆スキャン方式の露光を行なう形態等を採るよう構成できる。
　　【００２４】
　又、本投影露光装置では、レチクル１として例えば位相シフトマスクを用い、より微細なパターンを結像することができる。又、不図示の照明系を光軸ＡＸに関して傾いた方向からレチクル１を照明する斜め照明が可能な系としても、より微細パターンを結像することができる。
　　【００２５】
　又、本投影露光装置では、ＫｒＦエキマシレーザー（λ≒２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザー（λ≒１９３ｎｍ）、超高圧水銀灯（輝線スペクトル：λ≒２５０ｎｍ）等の光源を用いる。
　　【００２６】
　次に図１の投影露光装置とレチクル１とを利用した半導体素子の製造方法の実施例を説明する。図２は半導体装置（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネルやＣＣＤ）の製造フローを示す。ステップ１（回路設計）では半導体装置の回路設計を行なう。ステップ２（マスク製作）では設計した回路パターンを形成したマスク（レチクル３０４）を製作する。一方、ステップ３（ウエハー製造）ではシリコン等の材料を用いてウエハー（ウエハー３０６）を製造する。ステップ４（ウエハープロセス）は前工程と呼ばれ、上記用意したマスクとウエハーとを用いて、リソグラフィー技術によってウエハー上に実際の回路を形成する。次のステップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ４よって作成されたウエハーを用いてチップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の工程を含む。ステップ６（検査）ではステップ５で作成された半導体装置の動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行なう。こうした工程を経て半導体装置が完成し、これが出荷（ステップ７）される。
　　【００２７】
　図３は上記ウエハープロセスの詳細なフローを示す。ステップ１１（酸化）ではウエハー（ウエハー３０６）の表面を酸化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハーの表面に絶縁膜を形成する。ステップ１３（電極形成）ではウエハー上に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン打ち込み）ではウエハーにイオンを打ち込む。ステップ１５（レジスト処理）ではウエハーにレジスト（感材）を塗布する。ステップ１６（露光）では上記投影露光装置によってマスク（レチクル３０４）の回路パターンの像でウエハーを露光する。ステップ１７（現像）では露光したウエハーを現像する。ステップ１８（エッチング）では現像したレジスト以外の部分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）ではエッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらステップを繰り返し行なうことによりウエハー上に回路パターンが形成される。
　　【００２８】
　本実施例の製造方法を用いれば、従来は難しかった高集積度の半導体素子を製造することが可能になる。
　　【００２９】
【図面の簡単な説明】
　　【図１】
　本発明の一実施例を示す半導体素子製造用縮小投影露光装置の概略図である。
　　【図２】
　図１の投影露光装置の一変形例を示す概略図である。
　　【図３】
　半導体素子の製造工程を示すフローチャート図である。
　　【図４】
　図３の工程中のウエハープロセスの詳細を示すフローチャート図である。
　　【符号の説明】
１　レチクル
２、４、６　レンズ群
２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄ　偏心レンズ
３　偏光ビームスプリッター
５　凹面鏡
７　ウエハ
８ａ，８ｂ　平行平面板