【事件の表示】
　特許第２７７９９６８号「真空チャック」の請求項１ないし３に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結論】
　訂正を認める。
　特許第２７７９９６８号の請求項１ないし３に係る特許を維持する。
【理由】
１．手続の経緯
　本件特許第２７７９９６８号発明は、平成１年１２月２９日の出願であって、平成１０年５月１５日に特許の設定登録がなされ、その後、小矢崎杏二、藤田耕三、岡田香、菅原益夫より特許異議の申立てがなされ、当審において取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１１年８月１７日に訂正請求がなされたものである。
２．訂正の適否についての判断
（１）訂正の概要
　前記訂正請求は、本件特許に係る願書に添付した明細書（以下「本件特許明細書」という。）を訂正請求書に添付した訂正明細書（以下「本件訂正明細書」という。）のとおり訂正することを求めるものであり、その訂正の概要は次のとおりである。
　ア．訂正事項１
　特許請求の範囲を、
「【請求項１】セラミック原料を成形して焼成したチャック本体の被加工物を載置する表面の中央部に真空源につながる一つの穴を穿設するとともに、この一つの穴につながる格子状或いは不規則な凹部である吸引溝を前記チャック本体の被加工物を載置する表面に形成し、さらにこの表面にスパッタリング、イオンプレーティングまたは化学気相析出法（ＣＶＤ）で形成される実質的にポアのないセラミック薄膜との２層構造をなすことを特徴とする真空チャック。
　【請求項２】セラミック原料を成形した後、焼成してチャック本体とし、このチャック本体の表面の中央部に真空源につながる一つの穴を穿設するとともに、この一つの穴につながる格子状或いは不規則な凹部である吸引溝を前記チャック本体の表面に形成し、さらにこの表面にスパッタリング、イオンプレーテイングまたは化学気相析出法（ＣＶＤ）で形成される実質的にポアのないセラミック薄膜を形成し、この後、前記セラミック薄膜の表面をマスクで覆うとともにマスクの窓に合わせて溝を穿設した後、マスクを除去することを特徴とする真空チャックの製造方法。
　【請求項３】セラミック原料を成形した後、焼成してチャック本体とし、このチャック本体の表面の中央部に真空源につながる一つの穴を穿設するとともに、このチャック本体の表面をマスクで覆うとともにマスクの窓に合わせて前記一つの穴につながる格子状或いは不規則な凹部である溝を穿設した後、前記チャック本体の表面にスパッタリング、イオンプレーテイングまたは化学気相析出法（ＣＶＤ）で実質的にポアのないセラミック薄膜を形成する真空チャックの製造方法。」に訂正する。
　イ．訂正事項２
　発明の名称を「真空チャック及びその製造方法」に訂正する。
　ウ．訂正事項３
　本件特許明細書の第２頁第１８行〜第３頁第４行（特許掲載公報第３欄第１９〜２４行）を、「上記解決すべく本発明は、チャック本体の被加工物を載置する表面の中央部に真空源につながる一つの穴を穿設するとともに、この一つの穴につながる格子状或いは不規則な凹部である吸引溝を前記チャック本体の被加工物を載置する表面に形成し、さらにこの表面にセラミック薄膜を形成して真空チャックを構成し、チャック本体については成形後に焼成して得られる通常のセラミック焼成体とし、セラミック薄膜についてはＣＶＤ等で形成する実質的にポアの無いものとした。」に訂正する。
　エ．訂正事項４
　本件特許明細書第４頁１，２行（特許掲載公報第３欄第４０行）の「格子状或いは同心円状のものに限らず不規則な凹部」を、「格子状或いは不規則な凹部」に訂正する。
　オ．訂正事項５
　本件特許明細書の第４頁第７，８行（特許掲載公報第第３欄第４６行）の「なている」を、「なっている」と訂正する。
　カ．訂正事項６
　本件特許明細書の第７頁第２〜９行（特許掲載公報第４欄第４５行〜第５欄第１行）を、
「以上に説明したように本発明によれば、チャック本体の被加工物を載置する表面の中央部に真空源につながる一つの穴を穿設するとともに、この一つの穴につながる格子状或いは不規則な凹部である吸引溝をチャック本体の被加工物を載置する表面に形成し、さらにこの表面にポアのないセラミック薄膜を形成して真空チャックを構成したので被加工物の載置面に汚れが付着することがなく、また、チャック全体がセラミックからなるため、被加工物を載置する面の平坦度を高精度に出すことができ且つ熱による変形を抑えられる。」に訂正する。
（２）訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　ア．訂正事項１については、請求項１、２、３において、チャック本体を、表面の中央部に真空源につながる一つの穴を穿設するとともにこの一つの穴につながる格子状或いは不規則な凹部である吸引溝を表面に形成したものに限定するものであり、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当し、またこれらの事項は本件特許明細書の第３頁第１６行〜第４頁第２行（特許掲載公報第３欄第３６〜４１行）の記載に基づくもので新規事項の追加に該当せず、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものでもない。
　イ．訂正事項２については、不明りょうな記載を訂正するものであり、明りょうでない記載の釈明を目的とするものに該当し、新規事項の追加に該当せず、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものでない。
　ウ．訂正事項３，４，６については、前記の訂正事項１に伴い不明瞭となる記載を明確にするために訂正するものであり、明りょうでない記載の釈明を目的とするものに該当し、新規事項の追加に該当せず、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものでない。
　エ．訂正事項５については、誤記の訂正を目的とするものに該当し、新規事項の追加に該当せず、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものでない。
（３）独立特許要件の判断
　ア．本件訂正後の発明
　上記訂正請求に基づく本件請求項１〜３に係る発明（以下、それぞれ「本件訂正後の発明１」〜「本件訂正後の発明３」という。）は、本件訂正明細書及び願書に添付した図面の記載からみて、本件訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１〜３に記載された前記（１）アのとおりのものと認める。
　イ．取消理由の概要
　一方、当審において通知した取消理由の概要は、本件の請求項１に係る発明は、特開昭５５−１６０４４０号公報（以下「引用文献１」という。）に記載された発明であるか又はその発明に基づき容易に発明をすることができたものであり、請求項２，３に係る発明は、引用文献１及び「セラミック加工ハンドブック、昭和６２年８月３１日、日刊工業新聞社、第１９８〜２０４頁」（以下「引用文献２」という。）に記載された発明に基づき容易に発明をすることができたものであって、本件請求項１〜３に係る特許は特許法第２９条第１項又は第２項の規定に違反してなされたものであるというにある。
　ウ．取消理由についての判断
　そこで、以下に、本件訂正明細書において、特許請求の範囲の減縮を目的として訂正請求されている本件訂正後の発明１〜３に対して、上記取消理由について検討する。
　引用文献１には、真空チャックにおいて、表面に開口する多数の細孔を有しアルミナ焼結体からなる固定板（チャック本体に相当する。）の表面を、吸着時の被加工物の滑り性をよくするために、摩擦係数の小さな薄層で被覆すること、さらにその薄層として六方窒化ボロンとすることが記載されている。
　そして、アルミナ焼結体はセラミック原料を成型して焼成したものであり、六方窒化ボロン薄層は、セラミック薄膜であって通常スパッタリング、イオンプレーティング、化学気相析出法で形成される実質的にポアのないものであることから、結局、引用文献１には、本件訂正後の発明１〜３と共通する「セラミック原料を成形して焼成したチャック本体の表面にスパッタリング、イオンプレーティングまたは化学気相析出法（ＣＶＤ）で形成される実質的にポアのないセラミック薄膜との２層構造をなす真空チャック又はその製造方法」が記載されているものである。
　しかしながら、この薄膜が形成される箇所であるチャック本体表面は、本件訂正後の発明１〜３においては、一つの穴につながる格子状或いは不規則な凹部である吸引溝が形成されているのに対し、引用文献１に記載されたものにおいては、多数の細孔が形成されたものであり、また、薄膜は、本件訂正後の発明においては被加工物の載置面の表面に微少なポアが露出して汚れが付着する度に洗浄しなければならない事態を防止するために形成されているのに対し、引用文献１に記載されたものにおいては、吸着時の被加工物の滑り性をよくするために形成されているものである。
　したがって、本件訂正後の発明１は、引用文献１に記載された発明とも、引用文献１に記載された発明に基づき容易に発明をすることができたものとも言うことはできない。
　また、本件訂正後の発明２及び３と共通する事項であるセラミック表面に溝を加工する際に、マスクで覆いショットピーニング加工することが引用文献２に記載されているにしても、チャック本体の表面及び薄膜について前記本件訂正後の発明１と同様の構成を有する本件訂正後の発明２，３についても、引用文献１及び引用文献２に記載された発明に基づき容易に発明をすることができたものと言うことはできない。
　エ．その他の理由に対して
　さらに、各特許異議申立人が証拠として提出した刊行物には、本件訂正後の発明１〜３が関する技術である被加工物を固定するチャックについて記載したものは、特開平１−３１９９６４号公報（以下「文献３」という。）、特開昭６２−２８６２４７号公報（以下「文献４」という。）のみであるが、本件訂正後の発明１〜３と共通する事項としては、文献３には、表面に環状の溝を形成されたセラミック製の真空チャックが記載されるのみであり、文献４には、セラミック基板の表面にセラミックの薄膜をＣＶＤ又はＰＶＤにより形成することが記載されているが、この装置は静電チャックであって、その薄膜はそのための電極又は誘電層をなすためのものであり、本件訂正後の発明１〜３のようにチャック本体の被加工物の載置面の表面に微少なポアが露出することを防ぐことを想定するものでない。
　したがって、これら文献３及び４さらに各特許異議申立人提出の他の刊行物を組み合わせたとしても、本件訂正後の発明１〜３における「セラミック原料を成形して焼成した前述の溝を形成されるチャック本体の表面にスパッタリング、イオンプレーティング又は化学気相析出法で形成される実質的にポアのないセラミック薄膜を形成する」構成事項を備え、被加工物の載置面の表面に微少なポアが露出して汚れが付着する度に洗浄しなければならない事態を防止することは、容易に想到することができないものである。
　オ．以上から、本件訂正後の発明１〜３は、特許出願の際に独立して特許を受けることができるものである。
（４）むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正請求は、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第６条第１項の規定によりなお従前の例とされる、特許法第１２０条の４第２項及び同条第３項で準用する同法第１２６条第２〜４項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
３．特許異議の申立てについての判断
（１）申立ての理由の概要
　特許異議申立人・小矢崎杏二は、特開昭５５−１６０４４０号公報を提出し、本件請求項１に係る発明は、これに記載された発明であるから本件請求項１に係る特許は特許法第２９条第１項の規定に違反してなされたものであると主張している。
　特許異議申立人・藤田耕三は、「機能性セラミック、１９８９年３月２０日、第３５０〜３５２頁」、特開昭６２−２８６２４７号公報、特開平１−３１９９６４号公報、「セラミック加工ハンドブック、昭和６２年８月３１日、第１９８〜２０４頁」、特開昭６１−１９９０６７号公報、「三井造船株式会社製ＭＵＨＳＩＣ−ＣＯＡＴカタログ、１９８８年２月」を提出し、本件請求項１〜３に係る発明は、これらに記載された発明に基づいて容易に発明をすることができたものであり、本件請求項１〜３に係る特許は特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであると主張している。
　特許異議申立人・岡田香は、特開昭５６−８１１９５１号公報を提出し、本件請求項１に係発明は、これに記載された発明であるか又はこれに記載された発明に基づいて容易に発明をすることができたものであり、本件請求項２，３に係る発明は、これに記載された発明に基づいて容易に発明をすることができたものであって、本件請求項１〜３に係る特許は、特許法第２９条第１項又は２項の規定に違反してなされたものであると主張している。
　特許異議申立人・菅原益夫は、特開平１−３１９９６４号公報、特開昭６２−２８６２４７号公報、「機能性セラミック、１９８９年３月２０日、第３５０〜３５２頁」、「ＦＣ　ｒｅｐｏｒｔ　ｖｏｌ．５Ｎｏ８、昭和６２年８月１５日、第３４０〜３４１頁」を提出し、本件請求項１〜３に係る発明は、これらに記載された発明に基づいて容易に発明をすることができたものであり、本件請求項１〜３に係る特許は特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであると主張している。
（２）本件訂正後の発明
　一方、本件特許明細書は、本件訂正明細書のとおり訂正されることとなり、その請求項１〜３に係る本件訂正後の発明１〜３は、前記２（３）アのとおりである。
（３）判断
　本件訂正後の発明１〜３については、前記２（３）ウ、エのとおり、特許異議申立人が提出した各刊行物に記載された発明であるともそれらから容易に発明をすることができたものとも認めることができない。
４．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件訂正後の請求項１〜３に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件訂正後の請求項１〜３に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１１年９月２９日（１９９９．９．２９）
【訂正の要旨】
　ア．訂正事項１
　特許請求の範囲を、特許請求の範囲の減縮を目的として、
「【請求項１】セラミック原料を成形して焼成したチャック本体の被加工物を載置する表面の中央部に真空源につながる一つの穴を穿設するとともに、この一つの穴につながる格子状或いは不規則な凹部である吸引溝を前記チャック本体の被加工物を載置する表面に形成し、さらにこの表面にスパッタリング、イオンプレーティングまたは化学気相析出法（ＣＶＤ）で形成される実質的にポアのないセラミック薄膜との２層構造をなすことを特徴とする真空チャック。
　【請求項２】セラミック原料を成形した後、焼成してチャック本体とし、このチャック本体の表面の中央部に真空源につながる一つの穴を穿設するとともに、この一つの穴につながる格子状或いは不規則な凹部である吸引溝を前記チャック本体の表面に形成し、さらにこの表面にスパッタリング、イオンプレーテイングまたは化学気相析出法（ＣＶＤ）で形成される実質的にポアのないセラミック薄膜を形成し、この後、前記セラミック薄膜の表面をマスクで覆うとともにマスクの窓に合わせて溝を穿設した後、マスクを除去することを特徴とする真空チャックの製造方法。
　【請求項３】セラミック原料を成形した後、焼成してチャック本体とし、このチャック本体の表面の中央部に真空源につながる一つの穴を穿設するとともに、このチャック本体の表面をマスクで覆うとともにマスクの窓に合わせて前記一つの穴につながる格子状或いは不規則な凹部である溝を穿設した後、前記チャック本体の表面にスパッタリング、イオンプレーテイングまたは化学気相析出法（ＣＶＤ）で実質的にポアのないセラミック薄膜を形成する真空チャックの製造方法。」に訂正する。
　イ．訂正事項２
　発明の名称を、明りょうでない記載の釈明を目的として、「真空チャック及びその製造方法」に訂正する。
　ウ．訂正事項３
　本件特許明細書の第２頁第１８行〜第３頁第４行（特許掲載公報第３欄第１９〜２４行）を、明りょうでない記載の釈明を目的として、
「上記解決すべく本発明は、チャック本体の被加工物を載置する表面の中央部に真空源につながる一つの穴を穿設するとともに、この一つの穴につながる格子状或いは不規則な凹部である吸引溝を前記チャック本体の被加工物を載置する表面に形成し、さらにこの表面にセラミック薄膜を形成して真空チャックを構成し、チャック本体については成形後に焼成して得られる通常のセラミック焼成体とし、セラミック薄膜についてはＣＶＤ等で形成する実質的にポアの無いものとした。」に訂正する。
　エ．訂正事項４
　本件特許明細書第４頁１，２行（特許掲載公報第３欄第４０行）の「格子状或いは同心円状のものに限らず不規則な凹部」を、明りょうでない記載の釈明を目的として、
「格子状或いは不規則な凹部」に訂正する。
　オ．訂正事項５
　本件特許明細書の第４頁第７，８行（特許掲載公報第第３欄第４６行）の「なている」を、誤記の訂正を目的として、「なっている」と訂正する。
　カ．訂正事項６
　本件特許明細書の第７頁第２〜９行（特許掲載公報第４欄第４５行〜第５欄第１行）を、明りょうでない記載の釈明を目的として、「以上に説明したように本発明によれば、チャック本体の被加工物を載置する表面の中央部に真空源につながる一つの穴を穿設するとともに、この一つの穴につながる格子状或いは不規則な凹部である吸引溝をチャック本体の被加工物を載置する表面に形成し、さらにこの表面にポアのないセラミック薄膜を形成して真空チャックを構成したので被加工物の載置面に汚れが付着することがなく、また、チャック全体がセラミックからなるため、被加工物を載置する面の平坦度を高精度に出すことができ且つ熱による変形を抑えられる。」に訂正する。
（５４）【発明の名称】
真空チャック及びその製造方法
（５７）【特許請求の範囲】
　　【請求項１】セラミック原料を成形して焼成したチャック本体の被加工物を載置する表面
の中央部に真空源につながる一つの穴を穿設するとともに、この一つの穴につながる格子状或いは不規則な凹部である吸引溝を前記チャック本体の被加工物を載置する表面に形成し、さらにこの表面
　　【請求項２】セラミック原料を成形した後、焼成してチャック本体とし、このチャック本体の表面
の中央部に真空源につながる一つの穴を穿設するとともに、この一つの穴につながる格子状或いは不規則な凹部である吸引溝を前記チャック本体の表面に形成し、さらにこの表面に
　　【請求項３】セラミック原料を成形した後、焼成してチャック本体とし、このチャック本体の表面
の中央部に真空源につながる一つの穴を穿設するとともに、このチャック本体の表面を
前記一つの穴につながる格子状或いは不規則な凹部である
前記チャック本体の
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
　本発明は、シリコンウエハーなどの被加工物を吸引固定する真空チャックに関する。
（従来の技術）
　シリコンウエハー表面にレジストを塗布したり、シリコンウエハー表面に形成した感光性樹脂膜にＩＣパターンを焼き付ける場合に、従来からシリコンウエハーの下面を真空チャックによって吸引保持している。
　斯かる真空チャックは被加工物を載置する面に真空源につながる溝を形成し、この溝を介して被加工物を吸引固定するようにしており、真空チャックの材料としてはステンレス、アルミ合金等の金属或いはセラミックを用いている。
（発明が解決しようとする課題）
　シリコンウエハーは、極めて薄く曲がりやすい。したがってこのようなシリコンウエハーを吸引固定する真空チャックの吸着面は平坦度が高いことが要求される。しかしながら、金属製の真空チャックは平坦度を高精度に出すことが困難で、且つ熱によって変形しやすい。
　一方、セラミックの場合には高平坦度で変形しにくいものとすることができるが、被加工物の載置面に微小なポアが露出し、このポアに汚れが付着するためたびたび洗浄しなければならない。
（課題を解決するための手段）
上記解決すべく本発明は、
チャック本体の被加工物を載置する表面の中央部に真空源につながる一つの穴を穿設するとともに、この一つの穴につながる格子状或いは不規則な凹部である吸引溝を前記
形成し、さらにこの表面にセラミック薄膜を形成して真空チャックを
体
（作用）
　セラミック原料を成形した後焼成してチャック本体とし、このチャック本体の表面に研削加工又は研
磨
（実施例）
　以下に本発明の実施例を
添
　真空チャック１は略円盤状をなし、中央部には真空ポンプなどにつながる穴２を穿設し、また、シリコンウエハーなどの被加工物Ｗを載置する表面には前記穴２につながる溝３…を形成している。この溝３…としては
格子状或いは不規則な凹部
　また、真空チャック１は、チャック本体４と前記被加工物Ｗを載置する表面に形成されたセラミック薄膜５とからなり、チャック本体４内には微小なポア６…が粒界などに存在しているが、セラミック薄膜５はポアが実質的に存在しない緻密な組織とな
っ
　以上の如き構成の真空チャックの製造方法を第３図に基づいて説明する。
　先ず、セラミック原料を有機バインダ等とともに混練して成形体とし、この成形体を焼成してチャック本体４を得るが、このチャック本体４にはその製造方法に起因して第３図（Ａ））に示すような内部（粒界）にポア６…が存在する。尚、分かりやすくするため図面ではポア６を大きくしているが、実際には微小なものである。
　次いでこのチャック本体４の表面を研削してラップ加工と同程度まで平滑にする。そしてこの研削加工により内部に存在していたポアの部が表面に露出する。
　この後、研削した表面にポアのないセラミック薄膜５を形成する。形成の方法としては、スパッタリング、イオンプレーテイング、熱ＣＶＤ或いはプラズマＣＶＤなどによる。
　以上の如くして、チャック本体４の少なくても一面側（ウエハーを載置する側）にセラミック薄膜５を形成した後、ラップ加工によってセラミック薄膜５の表面を平滑化する。
　次いで、セラミック薄膜５の表面を所定の部分に窓７ａを形成したマスク７にて覆い、サンドブラスト或いはショットピーニング等により窓７ａに相当する部分に溝３を形成する。この溝３…は前記した如くランダムな形状の凹部でもよい。
　第４図は他の製造方法を示すものであり、この製造方法にあっては、第４図（Ａ）に示すようにチャック本体４の研削した表面に第４図（Ｂ）に示すようにマスク７を被せてサンドブラスト或いはショットピーニングを行ない、第４図（Ｃ）に示すように溝３を形成する。そして溝３を形成した上から第４図（Ｄ）に示すように前記と同様の方法によりセラミック薄膜５を形成する。即ち、この実施例にあっては、溝３の内部までセラミック薄膜５が一体的に形成される。
　尚、実施例においては各種セラミック材料と各種製法によってチャック本体４及びセラミック薄膜として、ＴｉＣ、ＴｉＮ、ＳｉＣのように導電性或いは半導電性の材料を使用すれぱ、静電気を容易に逃すことができる。
　また、材料及び製法の組合せで最も良い結果となったのは、チャック本体４をＡｌ２Ｏ３とし、セラミック薄膜５をプラズマＣＶＤ法によるＴｉＣとした場合であった。これはＡｌ２Ｏ３とＴｉＣとの密着性が高く、比較的低温（５００℃〜９５０℃）で膜形成できるので熱による変形が殆どなく、更に膜の形成速度が速く厚くコーティングできることによる。
（効果）
　以上に説明したように本発明によれば、
チャック本体の被加工物を載置する表面の中央部に真空源につながる一つの穴を穿設するとともに、この一つの穴につながる格子状或いは不規則な凹部である吸引溝を
形成し、さらにこの表面に
を形成して
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明に係る真空チャックの断面図、第２図は同真空チャックの平面図、第３図（Ａ）乃至（Ｄ）は同真空チャックの製造工程を示す拡大断面図である。
尚、図面中１は真空チャック、３は溝、４はチャック本体、５はセラミック薄膜、６はポアである。