(57)【要約】　　　（修正有）【課題】高性能の発光ダイオード（ＬＥＤ）を提供する。【解決手段】電荷不均衡共振トンネル効果を有し、第１および第２の連結した井戸を含む。第１および第２の連結した井戸のうちの一方は幅広井戸で、他方は活性量子井戸である。これらの井戸は、共振トンネル効果を有する障壁を介して連結されている。この障壁は電子を通過させ、かつ正孔を遮断する。量子井戸を用いた活性層内に捕獲された電子の数を増大させることができるため、高性能のLEDを得ることができる。【選択図】　　　　図１
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【実用新案登録請求の範囲】
【請求項１】
　電荷不均衡共振トンネル効果を用いた２の井戸部を構成する発光ダイオードであって、
　連結する第１および第２の井戸を含み、
　前記第１および第２の井戸のうち、一方は幅広井戸であり、他方は活性量子井戸であり、
　前記第１および第２の井戸は、共振トンネル障壁を介して連結し、
　前記共振トンネル障壁は、電子を通過させ、かつ正孔を遮断し、
　ＧａＮ系半導体材料から形成され、
　前記幅広井戸はＩｎＧａＮ層を含み、
　前記共振トンネル障壁はＧａＮ層を含み、
　前記活性量子井戸はＩｎＧａＮ層を含む、発光ダイオード。
【請求項２】
　請求項１において、
　前記活性量子井戸は多重量子井戸構造を有する、発光ダイオード。
【請求項３】
　請求項１において、
　さらに、バッファ層を含み、
　前記バッファ層は、歪みを有する超格子からなる、発光ダイオード。
【請求項４】
　請求項１において、
　Ｐ型コンタクト層を含み、
　前記Ｐ型コンタクト層は、ＧａＮ層、Ｐ型のＡｌｘＧａ１−ｘＮ層、およびＰ型の多結晶ＧａＮ層から選択される１の層からなる、発光ダイオード。
【請求項５】
　請求項１において、
　Ｐ型コンタクト層を含み、
　前記Ｐ型コンタクト層は、マグネシウムおよびアルミニウムのうち少なくとも一方をドープするか、あるいは両方を等電量ドープして形成される、発光ダイオード。
【請求項６】
　請求項５において、
　除去可能な基板を含むか、あるいは基板が除去されており、
　前記基板が除去されている場合、該基板はウエットエッチングまたはレーザ照射によって除去されている、発光ダイオード。
【請求項７】
　請求項１において、
　オーミックコンタクトを含み、
　前記オーミックコンタクトは両方とも上部に設置されるか、あるいは上部および下部にそれぞれ設置される、発光ダイオード。
【考案の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
　本考案は、発光ダイオード（ＬＥＤ）に関する。
【考案の開示】
【考案が解決しようとする課題】
【０００２】
　赤色光、緑色光、青色光、赤外線、および紫外線を放射する発光ダイオード半導体(Semiconductor LEDs)は、長年にわたり開発されてきた。発光ダイオードにおいては、活性層に存在する電子と空孔との放射再結合により発光が生じる。この活性層として、通常のｐ−ｎ接合、ヘテロ接合、単一量子井戸、あるいは多重量子井戸を用いることができる。また、１の単一量子井戸または１の多重量子井戸、あるいはこれらの両方を活性層として用いたＬＥＤも開発されている。高性能のデバイスを作製するためには、活性層内部で再結合する電子の数をできるだけ多くし、かつ、活性層外部で再結合する電子の数をできるだけ少なく必要がある。このためには、活性層へ入る電子および正孔の捕獲率(capture rate)を最適化する必要がある。半導体においては一般に、正孔の質量は電子の質量よりもずっと大きく、かつ、正孔の運動性(mobility)は電子の運動性よりずっと小さい。この場合において、活性層内で捕獲(capture)されなかった電子は活性層から逃げ、活性層の外部で再結合する。これが原因により、高性能のＬＥＤデバイスを作製することが困難である場合があった。
【０００３】
　本考案の目的は、高性能のＬＥＤデバイスを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
　本考案の発光ダイオードは、
電荷不均衡共振トンネル効果を用いた２の井戸部を構成する発光ダイオードであって、
　連結する第１および第２の井戸を含み、
　前記第１および第２の井戸のうち、一方は幅広井戸であり、他方は活性量子井戸であり、
　前記第１および第２の井戸は、共振トンネル障壁を介して連結し、
　前記共振トンネル障壁は、電子を通過させ、かつ正孔を遮断する。
【０００５】
　本考案によれば、量子井戸を用いた活性層内に捕獲された電子の数を増大させることができるため、高性能のＬＥＤを得ることができる。
【０００６】
　本考案の発光ダイオードは、好ましくは以下の態様をとることができる。
【０００７】
　（１）ＧａＮ系半導体材料から形成されることができる。
【０００８】
　この場合、前記幅広井戸はＩｎＧａＮ層を含み、前記共振トンネル障壁はＧａＮ層を含み、前記活性量子井戸はＩｎＧａＮ層を含むことが望ましい。
【０００９】
　（２）前記活性量子井戸は多重量子井戸構造を有することができる。
【００１０】
　（３）さらに、バッファ層を含み、前記バッファ層は、歪みを有する超格子(strained superlattice)からなることが望ましい。
【００１１】
　（４）Ｐ型コンタクト層を含み、
　前記Ｐ型コンタクト層は、ＧａＮ層、Ｐ型のＡｌxＧａ1-xＮ層、およびＰ型の多結晶ＧａＮ層から選択される１の層からなることが望ましい。
【００１２】
　（５）Ｐ型コンタクト層を含み、
　前記Ｐ型コンタクト層は、マグネシウムおよびアルミニウムのうち少なくとも一方をドープするか、あるいは両方を等電量ドープして形成されることが望ましい。
【００１３】
　（６）除去可能な基板を含むか、あるいは基板が除去されており、
　前記基板が除去されている場合、該基板はウエットエッチングまたはレーザ照射によって除去されていることが望ましい。
【００１４】
　（７）オーミックコンタクトを含み、
　前記オーミックコンタクトは両方とも上部に設置されるか、あるいは上部および下部にそれぞれ設置されることが望ましい。
【００１５】
　（８）ＡｌＧａＩｎＰ系半導体材料から形成され、
　Ｎ型ＧａＡｓ層からなり、膜厚が１００〜３００μｍである基板と、
　前記基板に設置され、かつ金属からなるオーミックコンタクトと、
　Ｎ型ＧａＡｓ層からなるバッファ層と、
　Ｎ型クラッド層と、
　電子放出層と、
　電荷不均衡共振トンネル障壁と、
　活性井戸層と、
　正孔放出層と、
　窓状層と、
　金属からなるオーミックコンタクトと、を含み、
　前記バッファ層は、その不純物濃度が５×１０１７〜１０１９ｃｍ−３であり、かつ、その膜厚が０．１〜０．３μｍであり、
　前記Ｎ型クラッド層は、その膜厚が０．３〜２μｍのＮ型（ＡｌｘＧａ１−ｘ）０．５Ｉｎ０．５Ｐ層（ｘ；０．５≦ｘ≦１）からなり、かつ、その不純物濃度が５×１０１７〜１０２０ｃｍ−３であり、
　前記電子放出層は、ドープされていない単一の電子放出層、または多重量子井戸からなり、
　前記電子放出層を構成する前記単一の電子放出層は、その膜厚が０．０１〜０．２μｍの（ＡｌｘＧａ１−ｘ）０．５Ｉｎ０．５Ｐ層（ｘ；０．２≦ｘ≦０．５）からなり、
　前記電子放出層を構成する前記多重量子井戸は、その膜厚が１μｍ未満の（ＡｌｘＧａ１−ｘ）１−ｙＩｎｙＰ層／（Ａｌｘ１Ｇａ１−ｘ１）１−ｙ１Ｉｎｙ１Ｐ層（ｘ；０．５≦ｘ≦１、０．４≦ｘ≦０．６、０≦ｘ１≦０．４、０≦ｙ１≦０．４）からなり、
　前記共振トンネル障壁は、膜厚１〜１０ｎｍのドープされていない（ＡｌｘＧａ１−ｘ）０．５Ｉｎ０．５Ｐ層（ｘ；０．７≦ｘ≦１）からなり、
　前記活性井戸層は、単一量子井戸構造または多重量子井戸構造を含み、
　前記活性井戸層を構成する前記単一量子井戸構造は、その膜厚が２０ｎｍ未満のドープされていない（ＡｌｘＧａ１−ｘ）０．５Ｉｎ０．５Ｐ層（ｘ；０≦ｘ≦０．４）からなり、
　前記活性井戸層を構成する前記多重量子井戸構造は、その膜厚が１μｍ未満の（ＡｌｘＧａ１−ｘ）１−ｙＩｎｙＰ層／（Ａｌｘ１Ｇａ１−ｘ１）１−ｙ１Ｉｎｙ１Ｐ層（ｘ；０．５≦ｘ≦１、０．４≦ｘ≦０．６、０≦ｘ１≦０．４、０≦ｙ１≦０．４）からなり、
　前記正孔放出層は、その膜厚が０．３〜１μｍのＰ型（ＡｌｘＧａ１−ｘ）０．５Ｉｎ０．５Ｐ層（ここで、０．５≦ｘ≦１）からなり、かつ、その不純物濃度が５×１０１６〜１０１８ｃｍ−３であり、
　前記窓状層は、その膜厚が１２μｍ未満のＰ型ＩｎxＧａ1-xＰ層（ｘ；ｘ≦０．１）からなり、かつ、その不純物濃度が５×１０17〜５×１０18ｃｍ-3であり、
　前記オーミックコンタクトは、前記正孔放出層上に積層されていることが望ましい。
【考案を実施するための最良の形態】
【００１６】
　本考案は、不均衡なトンネル効果(asymmetric tunneling)を用いた２の井戸部(well systems)に基づく発光ダイオード（ＬＥＤ）の設計を提供する。この２の井戸部は、連結した第１および第２量子井戸、すなわち幅広井戸（wide well;ＷＷ）および活性量子井戸（quantum well;ＱＷ）から構成される。幅広井戸（ＷＷ）および活性量子井戸（ＱＷ）は、共振トンネル障壁（resonance tunneling barrier;ＲＴＢ）を介して連結している。共振トンネル障壁（ＲＴＢ）は電子を通過させる一方、正孔の通過を遮断する。幅広井戸（ＷＷ）および活性量子井戸（ＱＷ）はいずれも、単一量子井戸（single quantum well;ＳＱＷ）構造または多重量子井戸（multiple quantum well;ＭＱＷ）構造から形成される。
【００１７】
　以下、本考案の好適な実施の形態について説明する。
【００１８】
　本考案のＬＥＤは、たとえば、ＧａＮ層、ＧａＡｓ層、ＡｌＧａＩｎＰ層、ＺｎＳｅ層から形成することができる。より一般的にいえば、本考案のＬＥＤは、３族−５族、および２族−６族の元素からなる半導体材料を用いて形成することができる。
【００１９】
　前記ＬＥＤがＧａＮ系半導体材料から形成される場合、前記幅広井戸（ＷＷ）、前記共振トンネル障壁（ＲＴＢ）、および前記量子井戸（ＱＷ）はそれぞれ、ＩｎＧａＰ層、ＧａＮ層、およびＩｎＧａＰ層から形成することができる。
【００２０】
　Ｐ型コンタクト層は、ＧａＮ層、Ｐ型ＡｌxＧａ1-xＮ層、およびＰ型の多結晶ＧａＮ層のうちいずれか１つからなる。
【００２１】
　Ｐ型コンタクト層は、マグネシウムおよびアルミニウムのうち一方あるいは両方をドープすることにより形成される。この場合、マグネシウムおよびアルミニウムの両方をドープする場合、これらの元素を等電量ドープする。
【００２２】
　ＬＥＤの基板は除去可能であるか、あるいはウエットエッチングまたはレーザ照射によって除去されている。
【００２３】
　オーミックコンタクトは、ＬＥＤの上部および下部に設けられる。あるいは、オーミックコンタクトを両方ともＬＥＤの上部に設けることもできる。
【００２４】
　前記２の井戸部間の共振トンネル効果(resonance tunneling)を得るためには、幅広井戸（ＷＷ）の下部のエネルギー準位(energy position)が活性量子井戸（ＱＷ）のサブバンド(sub-band)のエネルギー準位の最小値と等しくなければならないことを意味する。しかしながら、この問題は、幅広井戸（ＷＷ）および活性量子井戸（ＱＷ）中の不純物(alloy)の組成を調整すること、および活性量子井戸（ＱＷ）の幅を適切な値に調整することによって解決すると考えられる。
【００２５】
　本考案は、たとえば、ＧａＮ層において、電子と正孔との質量の不均衡さ(asymmetry)に着目して案出されたものである。
【００２６】
　活性量子井戸（ＱＷ）中における電子のサブバンドの準位(sub-band position)は、幅広井戸（ＷＷ）の下部に適合することができる。同時に、活性量子井戸（ＱＷ）中における正孔のサブバンドの最小値は、正孔に対して幅広井戸（ＷＷ）の下部より小さくなるように維持される。これにより、熱による活性化を行なわない限り、幅広井戸（ＷＷ）中を電子が貫通できなくなる。障壁の幅が規定されているうえ、正孔の質量が大きいため、熱的に活性化された正孔がごく微量存在していたとしても、当該正孔は幅広井戸（ＷＷ）中に入ることができない。
【００２７】
　（作用・効果）
　本考案のＬＥＤは、以下に示す作用および効果を有する。
【００２８】
　（１）幅広井戸（ＷＷ）から活性量子井戸（ＱＷ）へと電子が直接移動するため、活性量子井戸（ＱＷ）に入る電子の捕獲効率を高めることができる。
【００２９】
　（２）Ｐ型層への電子の漏れを抑えることができる。
【００３０】
　（３）活性層の外部にて生じる寄生的な光を除去することができる。
【００３１】
　（４）幅広井戸（ＷＷ）を適切な電流拡散層として用いることにより、不適合さを低減させることができる（〜４倍）。これにより、活性量子井戸（ＱＷ）の特性を向上させることができる。その理由として、大きな張力により歪みを有する薄いＧａＮ層からなる障壁上に、たとえばＩｎ０．２Ｇａ０．８Ｎ層からなる活性量子井戸（ＱＷ）を成長させることにより、たとえばＩｎ０．１５Ｇａ０．８５Ｎ層からなる幅広井戸（ＷＷ）の格子定数値に近い格子定数が得られる。
【００３２】
　（５）幅広井戸（ＷＷ）は転位(dis location)を防止するためのストッパ層として機能する。当該転位は、たとえばＮ型ＧａＮ層とＩｎ０．１５Ｇａ０．８５Ｎ層との界面に生じる大きな応力(stress)によって引き起こされる。
【００３３】
　（６）本考案においては、電子を遮断するための層を設ける必要がない。
【００３４】
　（７）たとえばＧａＮ系半導体材料から形成されるＬＥＤにおいては、活性量子井戸（ＱＷ）と同様の特性が、より薄いＮ型ＧａＮ層で達成できると考えられることから、形成する層は薄い層で足りることになるため、層の成長に必要な時間を短縮化することができる。
【００３５】
　（８）結果として、本考案によれば、一般的なＬＥＤと比較して、より低コストにてより高性能のＬＥＤを得ることができる。
【００３６】
　（実施例）
　次に、図面を参照して本考案の一実施例について説明する。
【００３７】
　図１、図３、図５、図７、および図９は、本考案の第１〜第５実施例にかかるＬＥＤの構造を示す図である。
【００３８】
　図２、図４、および図６は、それぞれ図１、図３、および図５に示す構造のエネルギーバンドを簡略化して示す図である。
【００３９】
　図１に、第１実施例にかかるＬＥＤ１００の構造を示す。図１においては、ＧａＮ系半導体材料から形成される青色ＬＥＤを示す。この青色ＬＥＤは、不均衡なトンネル効果を含む２の井戸部１０１を含む。２の井戸部１０１は、図２に示すように、２つの連結した井戸、すなわち幅広井戸（ＷＷ）１１および活性量子井戸（ＱＷ）１２からなる。これらの井戸は、共振トンネル障壁（ＲＴＢ）１３を介して連結している。共振トンネル障壁１３は、電子を通過させる一方、正孔の通過を遮断する。第１実施例にかかる青色ＬＥＤのパラメータを表１に示す。また、第１実施例にかかる緑色ＬＥＤのパラメータを表２に示す。
【００４０】
【表１】
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【００４１】
【表２】
0003099077.tif 000004
【００４２】
　図３に、第２実施例にかかるＬＥＤ２００を示す。第２実施例にかかるＬＥＤ２００は、第１実施例にかかるＬＥＤ１００と類似する構造を有する。すなわち、第２実施例にかかるＬＥＤ２００は、第１実施例にかかるＬＥＤ１００の構造に加えて、Ｐ型ＡｌＧａＮ層（たとえばＡｌ１Ｇａ１−ｘＮ層）が形成されている。このＰ型Ａｌ１Ｇａ１−ｘＮ層は電子遮断層として機能し、電子による電流のリーク(electron current leakage)をさらに低減することができる。
【００４３】
　図５に、第３実施例にかかるＬＥＤ３００を示す。第３実施例にかかるＬＥＤ３００は、第２実施例にかかるＬＥＤ２００と類似する構造を有するが、第３実施例にかかるＬＥＤ３００にはＰ型Ａｌ０．２Ｇａ０．８Ｎ層が形成されていない点で、第２実施例にかかるＬＥＤ２００と異なる。
【００４４】
　電子遮断層であるＰ型ＡｌＧａＮ層３４はコンタクトとして機能する。この井戸は、Ｐ型層を薄くすることができるだけでなく、活性層への正孔の注入を改善し、幅広のバンドギャップ窓(wide-band gap windows)を通過する光の抽出を改善することができる。
【００４５】
　図７に、第４実施例にかかるＬＥＤ４００を示す。第４実施例にかかるＬＥＤ４００は、第１、第２、および第３実施例にかかるＬＥＤとほぼ同様の構造を有するが、超多結晶(extra polycrystalline)のＧａＮ層が積層されている点で、第１、第２、および第３実施例と異なる。超多結晶ＧａＮ層は、効果的なＰ型オーミックコンタクト４６を形成するために積層されている。
【００４６】
　図７に示す構造は、図１に示す第１実施例にかかるＬＥＤ１００に、超多結晶ＧａＮ層を加えたものである。
【００４７】
　図８に、電荷不均衡共振トンネル効果を用いて、２の井戸部を採用したＬＥＤ６００を示す。このＬＥＤ６００は、ＡｌＧａＩｎＰ系層を含み、１００〜３００μｍの膜厚を有するＮ型ＧａＡｓ基板６９を含み、金属からなるコンタクト６６，６７が設置されている。前記２の井戸部は、後述する幅広井戸６１および活性層６２を含む。
【００４８】
　Ｎ型ＧａＡｓ基板６９上には、Ｎ型ＧａＡｓからなるバッファ層６８が積層されている。バッファ層６８の上にはＮ型コンタクト層６７ａが形成されている。このＮ型コンタクト層６７ａは、膜厚０．３〜１μｍのＮ型（ＡｌｘＧａ１−ｘ）０．５Ｉｎ０．５Ｐ層（ｘ；０．５≦ｘ≦１）からなり、不純物濃度が５×１０１７−１０２０ｃｍ−３である。
【００４９】
　Ｎ型コンタクト層６７ａ上には、電子を放出する幅広井戸（ＷＷ）６１がエピタキシャル成長により形成されている。この幅広井戸（ＷＷ）はドープされていない単一の層、あるいは多重量子井戸構造のいずれかより形成される。ドープされていない電子放出層(electron emitting layer)は、膜厚０．０２〜０．２μｍの（ＡｌｘＧａ１−ｘ）０．５Ｉｎ０．５Ｐ層（ｘ；０．２≦ｘ≦０．５）から形成することができる。多重量子井戸は１μｍ未満の膜厚を有し、（ＡｌｘＧａ１−ｘ）１−ｙＩｎｙＰ層／（Ａｌｘ１Ｇａ１−ｘ１）１−ｙ１Ｉｎｙ１Ｐ層（ｘ；０．５≦ｘ≦１、０．４≦ｘ≦０．６、０≦ｘ１≦０．４、０≦ｙ１≦０．４）から形成することができる。図８では、幅広井戸（ＷＷ）がドープされていない単一の層からなる場合を示す。
【００５０】
　さらに、電荷不均衡共振トンネル障壁（charge asymmetric resonance tunneling barrier;ＲＴＢ）６３が、エピタキシャル成長により積層されている。この障壁は、膜厚１〜１０ｎｍのドープされていない（ＡｌｘＧａ１−ｘ）０．５Ｉｎ０．５Ｐ層（ｘ；０．７≦ｘ≦１）からなる。また、この障壁の幅および高さは、電子の共振トンネル効果を最大限に利用して決定される。このトンネル効果により、幅広井戸層から活性層６２に電子を注入することができると同時に、活性層６２からこの電子注入層(electron injecting layer)（幅広井戸層）へと正孔が通過するのを遮断することができる。
【００５１】
　活性層６２は、単一量子井戸（ＳＱＷ）または多重量子井戸（ＭＱＷ）構造のいずれかを用いることができる。活性層６２に単一量子井戸（ＳＱＷ）を用いる場合、単一量子井戸（ＳＱＷ）は、膜厚が２０ｎｍ未満のドープされていない（ＡｌｘＧａ１−ｘ）０．５Ｉｎ０．５Ｐ層（ｘ；０≦ｘ≦０．４）から形成することができる。一方、活性層６２に多重量子井戸（ＭＱＷ）を用いる場合、多重量子井戸（ＭＱＷ）は、膜厚が３μｍ未満の（ＡｌｘＧａ１−ｘ）１−ｙＩｎｙＰ層／（Ａｌｘ１Ｇａ１−ｘ１）１−ｙ１Ｉｎｙ１Ｐ層（ｘ；０．５≦ｘ≦１、０．４≦ｘ≦０．６、０≦ｘ１≦０．４、０≦ｙ１≦０．４）から形成することができる。
【００５２】
　正孔放出層(hole emitting layer)６１１は、Ｐ型の（ＡｌｘＧａ１−ｘ）０．５Ｉｎ０．５Ｐ層（ここで、０．５≦ｘ≦１）からなる。
【００５３】
　窓状層(window layer)６１０は、Ｐ型のＩｎｘＧａ１−ｘＰ層（ｘ；ｘ≦０．１）からなる。正孔放出層６１１上には、金属製のオーミックコンタクトが積層されている。電荷不均衡共振トンネル効果に基づくＡｌＩｎＧａＰ層を含むＬＥＤ６００のパラメータを表３に示す。
【００５４】
【表３】
0003099077.tif 000005
【００５５】
　図９に、第５実施例にかかるＬＥＤ５００を示す。第５実施例にかかるＬＥＤ５００は、第１、第２、第３、および第４実施例にかかるＬＥＤとほぼ同様の構造を有するが、基板およびオーミックコンタクトが上部および下部に形成されていない点で、第１、第２、第３、および第４実施例にかかるＬＥＤと異なる。第５実施例にかかるＬＥＤ５００においては、膜厚が非常に大きいＧａＮ層５５が、ＧａＮ層からなるバッファ層の上面に積層されており、かつ、第５実施例にかかるＬＥＤ５００は１９３ｎｍまたは２４８ｎｍの紫外線範囲のエキシマレーザによってサファイアからなる基板を除去することにより形成されたものであるため、支えなしで立っている構造(free standing)を有する。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】本考案の第１実施例にかかるＬＥＤの構造を示す図である。
【図２】図１に示す構造のエネルギーバンドを簡略化して示す図である。
【図３】本考案の第２実施例にかかるＬＥＤを示す図である。
【図４】図３に示す構造のエネルギーバンドを簡略化して示す図である。
【図５】本考案の第３実施例にかかるＬＥＤを示す図である。
【図６】図５に示す構造のエネルギーバンドを簡略化して示す図である。
【図７】本考案の第４実施例にかかるＬＥＤを示す図である。
【図８】電荷不均衡共振トンネル効果を用いて、２の井戸部を採用したＬＥＤを示す図である。
【図９】本考案の第５実施例にかかるＬＥＤを示す図である。
【符号の説明】
【００５７】
　１１，６１　幅広井戸（ＷＷ）
　１２，２２，３２　活性量子井戸（ＱＷ）
　１３, ２３，３３，６３　共振トンネル障壁（ＲＴＢ）
　１５，２５　ＧａＮ層
　１６，２６，３６，４６，５６，６６　Ｐ型コンタクト
　１７，２７，３７，４７，５７，６７　Ｎ型コンタクト
　１８，２８，３８，４８，５８，６８　バッファ層
　１９，２９，３９，４９　サファイア
　２１，３１　幅広井戸（ＷＷ）および蓄電層（electron accumulating layer;ＥＡＬ）
　２４，３４　ＡｌＧａＮ層
　５５　ＧａＮ層
　６２　活性層
　６７ａ　Ｎ型コンタクト層
　６９　ＧａＡｓ基板
　６１０　窓状層
　６１１　正孔放出層
　１００，２００，３００，４００，５００，６００　発光ダイオード（ＬＥＤ）
　１０１，２０１，３０１　井戸部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
0003099077.tif 000012
【図８】
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【図９】
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