【事件の表示】
　特許第２７９５８８５号「半導体発光ダイオード」の請求項１ないし２に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結論】
　訂正を認める。
　特許第２７９５８８５号の請求項１に係る特許を維持する。
【理由】
Ｉ．手続きの経緯
　本件特許第２７９５８８５号の請求項１、２に係る発明は、平成１年３月３０日に出願され、平成１０年６月２６日に設定登録され、その後、シャープ株式会社より特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１１年８月１２日に訂正請求がなされた後、訂正拒絶理由が通知され、訂正拒絶理由に対して平成１１年９月８日に手続補正書が提出されたものである。
ＩＩ．訂正の適否
ア．訂正請求に対する補正の適否について
　訂正請求の補正の内容は、特許請求の範囲の減縮を目的とし願書に添付された明細書（以下、「特許明細書」という。）の訂正の補正を行うものであり、当該補正は要旨を変更するものではないからこれを認める。
イ．訂正請求の内容
　平成１１年９月８日付け手続補正書により補正された平成１１年８月１２日付け訂正請求の内容は以下のとおりである。
　特許請求の範囲を下記のとおり訂正する。
「（１）ＧａＡｓ基板上にｎ型クラッド層、ｐ型活性層、ｐ型クラッド層からなるＩｎ１−ｙ（Ｇａ１−ｘＡｌｘ）ｙＰ系材（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）のダブルヘテロ接合部を積層し表面電極が設けられてなり、該表面電極が位置する面側から光を取り出す半導体発光ダイオードにおいて、前記活性層の導電型が基板の導電型と異なり、前記活性層のＺｎ不純物濃度が２×１０１７ｃｍ−３以下であることを特徴とする半導体発光ダイオード。」
ウ．訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　上記イ．の訂正は、特許請求の範囲の減縮及び誤記の訂正を目的とするものであり、実質的に特許請求の範囲を拡張・変更するものではなく、また、新規事項の追加にも該当しない。
エ．独立特許要件
（本件発明）
　平成１１年９月８日付け手続補正書により補正された平成１１年８月１２日付け訂正請求により訂正された特許請求の範囲の請求項１に係る発明は、訂正された特許明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載されたとおりのもの（以下「本件発明」という。）と認める。
（先願発明）
　これに対して、当審が取消理由通知で引用した、本件の出願の日前の出願であって、その出願後に出願公開された特願昭６３−１２５８２９号（特開平１−２９６６７７号公報参照）の出願の願書に最初に添附した明細書又は図面（以下「先願明細書」という。）には以下の記載がある。
▲１▼「［発明が解決しようとする課題］
　本発明の目的はピーク発光波長が５７０−６００ｎｍの範囲にあるＩｎ１−ｘＧａｘまたはＩｎ１−ｘ−ｙＧａｘＡｌｙＰを発光層とした高効率の黄色光発光ダイオードを提供することである。」（公報左上欄１５〜１９行）
▲２▼「［課題を解決するための手段］
　ピーク発光波長が５７０−６００ｎｍの範囲にあるＩｎ１−ｘＧａｘまたはＩｎ１−ｘ−ｙＧａｘＡｌｙＰからなる発光層の下側に十分な厚さのＩｎ１−ｘ−ｙＧａｘＡｌｙＰからなる中間クラッド層を設けるとともに、ダブルヘテロ構造の発光ダイオードとし効率を向上させる。」（公報２頁右上欄１９行〜左下欄５行）
▲３▼「第１図は本発明の実施例による発光ダイオードの断面構造を示す。基板結晶としてはｎ型ＧａＰ基板１１を用い、その上にＭＯＣＶＤ法でｎ型１ｎ１−ｘ−ｙＧａｘＡｌｙＰ（ｘ＝１−０．７、ｙ＝０−０．２）組成勾配層１０を形成する。その上に液相成長によって、ｎ型Ｉｎ０．１Ｇａ０．７Ａｌ０．２Ｐ中間クラッド層１２、ｐ型Ｉｎ０．３Ｇａ０．７Ｐ発光層（ないし活性層）１３およびｐ型Ｉｎ０．１Ｇａ０．７Ａ１０．２Ｐ表面クラッド層１４をエピタキシャルに積層し、上下面上にＡｕ−Ｚｎ電極１６、Ａｕ−Ｇｅ−Ｎｉ電極１５を形成している。組成勾配層１０はＧａＰ基板１１と発光層１３との間の格子定数の差を吸収するための緩衝層として形成されている。」（公報２頁左下欄１８行〜右下欄１３行）
▲４▼「Ｉｎ１−ｘ−ｙＧａｘＡｌｙＰ組成勾配層１０を形成した後、温度差液相成長法によりＩｎ１−ｘ−ｙＧａｘＡｌｙＰ中間クラッド層１２、Ｉｎ１−ｘＧａｘＰ発光層１３、Ｉｎ１−ｘ−ｙＧａｘＡｌｙＰ表面クラッド層１４をエピタキシャル成長する。」（公報３頁左上欄１〜５行）
▲５▼「このような条件を満たす成長層を得るには、実質的にはＭＯＣＶＤ法では不可能であり、温度差液相成長法によって達成され得る。この方法では条件を厳重に制御することによりＩｎ１−ｘＧａｘＰに限らずＡｌを含むＩｎ１−ｘ−ｙＧａｘＡｌｙＰの厚膜の成長も得られる。この結果として、十分な厚さのＩｎ１−ｘＧａｘＰまたはＩｎ１−ｘ−ｙＧａｘＡｌｙＰの発光層、Ｉｎ１−ｘ−ｙＧａｘＡｌｙＰのクラッド層を有する高効率黄色発光ＬＥＤが得られた。」（公報３頁右上欄５〜１４行）
　以上▲１▼〜▲５▼の記載事項からみて、先願明細書には次の発明が記載されていると認められる。「ｎ型ＧａＰ基板上にｎ型Ｉｎ１−ｘ−ｙＧａｘＡｌｙＰクラッド層、ｐ型Ｉｎ１−ｘＧａｘＰ活性層、ｐ型Ｉｎ１−ｘ−ｙＧａｘＡｌｙＰクラッド層からなるダブルヘテロ接合部を積層し表面電極が設けられてなり、該表面電極が位置する面側から光を取り出す半導体発光ダイオードにおいて、前記活性層の導電型が基板の導電型と異なることを特徴とする半導体発光ダイオード。」（以下「先願発明」という。）
（対比）
　本件発明と先願発明とを対比する。
　化合物半導体発光素子の呼称についての当該技術分野の技術常識をみるに、本件出願前に出版された刊行物にＡｌＧａＡｓ系のＤＨレーザとして、ＧａＡｓの活性層とＡｌｘＧａ１−ｘＡｓのダブルヘテロ構造を有するものが紹介されている（今井哲二　他３名著、「化合物半導体デバイス［ＩＩ］」、第２版、株式会社工業調査会、１９８６年５月２５日、ｐ．１８９「８．２．３ダブルヘテロ接合レーザ」、図８．４）ことから、当該技術分野においては、活性層がＡｌを含まなくてもクラッド層がＡｌを含めば、Ａｌをダブルヘテロ接合部を構成する組成の一部として捉え、〜Ａｌ〜系と呼ぶものもと認められる。
　そこで、当該分野の上記技術常識を参酌すると、先願発明は実質的に次の発明であると認められる。「ｎ型ＧａＰ基板上にｎ型Ｉｎ１−ｘ−ｙＧａｘＡｌｙＰクラッド層、ｐ型１ｎ１−ｘＧａｘＰ活性層、ｐ型Ｉｎ１−ｘ−ｙＧａｘＡｌｙＰクラッド層からなるＩｎ１−ｘ−ｙＧａｘＡｌｙＰ系材のダブルヘテロ接合部を積層し表面電極が設けられてなり、該表面電極が位置する面側から光を取り出す半導体発光ダイオードにおいて、前記活性層の導電型が基板の導電型と異なることを特徴とする半導体発光ダイオード。」
　本件発明と先願発明とを対比すると、以下の点で相違する。
相違点１：本件発明では基板が活性層と導電型の異なるＧａＡｓであるのに対して、先願発明では基板の導電型が活性層と異なるものの、ＧａＰである点。
相違点２：本件発明では活性層がｐ型であり、そのＺｎ不純物濃度が２×１０１７ｃｍ−３以下であるのに対して、先願発明では活性層はｐ型であるものの、その不純物濃度について規定されていない点。
（判断）
　まず、相違点１について検討する。
　ｎ型クラッド層、活性層、ｐ型クラッド層からなるＩｎ１−ｘ（Ｇａ１−ｘＡｌｘ）ｙＰ系材のダブルヘテロ接合部を積層し表面電極が設けられてなり、該表面電極が位置する側から光を取り出す半導体発光ダイオードにおいて、基板としてＧａＡｓ基板を用いることは本出願前周知である（例えば特開昭６２−１３０５７２号公報、特開昭６２−２１６３８６号公報等参照）。
　そして、化合物半導体発光素子の分野において、基板として基板上に積層する層の組成比と最も整合性に優れたものを選ぶことは、自明である。
　してみると、上記相違点１は、具体化手段における微差に過ぎない。
　次に、相違点２について検討する。
　Ｉｎ１−ｙ（Ｇａ１−ｘＡｌｘ）ｙＰ系材（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）のダブルヘテロ接合部を積層した半導体発光ダイオードにおいて、ｐ型活性層のＺｎ不純物濃度を２×１０１７ｃｍ−３以下とすることは、周知・自明な事項ではない。
　そして、本件発明は上記相違点２に係る構成を備えることにより特許明細書記載の作用効果を奏すると認められる。
（むすび）
　したがって、本件発明は、その出願の日前の出願であって、その出願後に出願公開された特願昭６３−１２５８２９号（特開平１−２９６６７７号公報参照）の出願の願書に最初に添附した明細書又は図面に記載された発明と同一であるとは認められず、特許出願の際独立して特許を受けることができないものとすることはできない。
オ．むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正請求は、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、特許法第１２０条の４第２項、同条第３項で準用する第１２６条第２項乃至第４項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
ＩＩＩ．特許異議申立てについて
ア．特許異議申立ての理由の概要
特許異議申立人・シャープ株式会社は、甲第１号証（特願昭６３−１２５８２９号（特開平１−２９６６７７号公報参照）の出願の願書に最初に添附した明細書又は図面）及び参考資料１（特開昭６２−１３０５７２号公報）、参考資料２（特開昭６２−２１６３８６号公報）を提示し、訂正前の特許明細書の特許請求の範囲の請求項１、２に係る発明は、甲第１号証に記載された発明と実質的に同一であり、特許法第２９条の２の規定より特許を受けることができないので、訂正前の請求項１、２に係る発明の特許は取り消されるべきである旨主張している。
イ．対比・判断
　特許異議申立人が提示した甲第１号証は、取消理由通知に引用した先願明細書であり、参考資料１、２はそれぞれ取消理由通知に引用した周知例であるから、各々ＩＩ．訂正の適否エ．独立特許要件（先願発明）に示した発明、ＩＩ．訂正の適否エ．独立特許要件（判断）に示した周知事項が記載されている。
　そして、上記ＩＩ訂正の適否エ．独立特許要件（対比）（判断）において判断したとおり、訂正後の特許請求の範囲の請求項１係る発明である本件発明は、甲第１号証記載の発明と実質的に同一であるとすることはできない。
ウ．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議の申立ての理由及び証拠によっては本発明の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１１年９月２８日（１９９９．９．２８）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
１特許請求の範囲の訂正
　特許請求の範囲を、特許請求の範囲の減縮及び誤記の訂正を目的として、下記のとおり訂正する。
「（１）ＧａＡｓ基板上にｎ型クラット層、ｐ型活性層、ｐ型クラッド層からなるＩｎ１−ｙ，（Ｇａ１−ｘＡｌｙ）、Ｐ系材（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）のダブルヘテロ接合部を積層し表面電極が設けられてなり、該表面電極が位置する面側から光を取り出す半導体発光ダイオードにおいて、前記活性層の導電型が基板の導電型と異なり、前記活性層のＺｎ不純物濃度が２×１０１７ｃｍ−３以下であることを特徴とする半導体発光ダイオード。」
（５４）【発明の名称】
半導体発光ダイオード
（５７）【特許請求の範囲】
（１）ＧａＡｓ基板上にｎ型クラッド層、ｐ型活性層、
ｐ型
り、前記活性層のＺｎ不純物濃度が２×１０１７ｃｍ−３以下である
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
（産業上の利用分野）
　本発明はＩｎ、１−ｙ（Ｇａ１−ｙＡｌｘ）ｙＰ系半導体材料（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）を使用した可視光半導体発光ダイオードに関する。
（従来の技術）
　Ｉｎ１−ｙ（Ｇａ１−ｘＡｌｘ）ｙＰ混晶（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）ＧａＡｓに格子整合するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の中で直接遷移バンドギャップが最も大きいことから可視光領域の発光素子用材料として注目されている。そして最近、有機金属を用いた化学気相成長法（以下、ＭＯＣＶＤ法と略記する）によりＧａＡｓ基板上にＩｎＧａＡｌＰ結晶層を形成することが可能となっており、この技術を利用した可視半導体レーザが報告されている。
　可視光領域の発光ダイオードは赤色領域ではＧａＡｌＡｓ系材料を利用することにより高輝度の素子が実現されているが、それより短波長領域ではＧａＰやＧａＡｓＰのような間接遷移型の材料を用いているため赤色領域のものに匹敵するような高輝度のものが実現されていない。
　ところで、前述したようにＩｎＧａＡｌＰ系材料は緑色領域まで直接遷移型のバンド構造を有するため、広い可視光領域にわたって高輝度の発光ダイオードを実現できる可能性をもっている。しかし、これを実現する上で素子の直列抵抗を小さくするため抵抗率の小さいＩｎＧａＡｌＰを成長させる必要があるが、抵抗率の小さいＩｎＧａＡｌＰを得ることは容易でなく、特にＰ型層にあっては極めて難しい。ｐ型層の抵抗率を小さくするためには高濃度の不純物を添加する必要があるが、ＩｎＧａＡｌＰ系材料にあっては高濃度にｐ型不純物を添加していくと、添加不純物の一部しか電気的に活性化しない、すなわち活性化率の低下が起こり、キャリア濃度の飽和が生じる。また、活性化率の低下に伴って発光に悪影響を及ぼす欠陥が生成され、発光効率が低下してしまい高輝度の発光素子を実現する上で大きな障害となる。更に、Ａｌ組成が大きくなると、添加不純物の取り込まれ率が低下するため、添加できる不純物濃度にも限界がある。また、ＩｎＧａＡｌＰのキャリアの移動度は比較的小さく、特に正孔の移動度は１０〜２０ｃｍ２／Ｖ・ｓと極めて小さいため、１０１８ｃｍ−３程度のドーピングでも抵抗率はあまり低くすることはできない。このためｎ型ＧａＡｓ基板上にｎ型ＩｎＧａＡｌＰクラッド層、ＩｎＧａＡｌＰ活性層、ｐ型ＩｎＧａＡｌＰクラッド層の順に積層した構造では、電極から注入された正孔が横方向に広がりにくく、活性層での発光再結合の大部分はｐ層側電極の下で起こるため、発光はｐ層側電極の周辺部でしか観測されず発光の取り出し効率が極めて悪くなる。一方、ｎ型のドーパントは高濃度ドーピングが比較的容易であるので、Ｐ型ＧａＡｓ基板上にＰ型ＩｎＧａＡｌＰクラッド層、ＩｎＧａＡｌＰ活性層、ｎ型ＩｎＧａＡｌＰクラッド層の順に積層した構造が考えられる。ＩｎＧａＡｌＰの電子の移動度はクラッド層に用いられるＡｌ組成の大きい組成範囲では１００ｃｍ２／Ｖ・ｓ前後とあまり高くなく、注入電流の横方向への広がりを図るにはｎクラッド層の厚さを数十μｍ以上と厚くする必要がある。しかし、ＩｎＧａＡｌＰ材料の結晶成長法として適しているＭＯＣＶＤ法でこの程度の厚い膜を成長させることは原理的に不可能ではないが、成長時間が極めて長くなったり、Ｖ族原料ガスを極めて大量に流すことが必要になるなど現実的ではない。
（発明が解決しようとする課題）
　以上述べたようにＩｎ１−ｙ（Ｇａ１−ｘＡｌｘ）ｙＰ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）の半導体材料を用いた発光ダイオードにおいては、発光の取り出し効率が低いことや、低抵抗化のための高濃度ドーピングが難しいなど、高輝度の素子を実現することは容易でない。
　本発明は上記事情を考慮してなされたもので、ダブルヘテロ構造の積層及びｐ型添加不純物の添加の方法に工夫を加えることにより、高輝度の可視光発光ダイオードを提供することを目的とする。
〔発明の構成〕
（課題を解決するための手段）
　この発明にかかる半導体発光ダイオードは、ＧａＡｓ基板上にｎ型クラッド層、活性層、ｐ型クラッド層からなるＩｎ１−ｙ（Ｇａ１−ｘＡｌｘ）ｙＰ系材（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）のダブルヘテロ接合部を積層し表面電極が設けられてなり、該表面電極が位置する面側から光を取り出す半導体発光ダイオードにおいて、前記活性層の導電型が基板の導電型と異なることを特徴とする。また上記において、ＧａＡｓ基板の導電型がｎ、活性層の導電型がＰであることを特徴とする。また、前記半導体発光ダイオードの活性層がｐ型である場合には活性層のアクセプタ不純物としてＺｎを用い、Ｐ型クラッド層のアクセプタ不純物としてＭｇを用いることを特徴とする。さらに、前記活性層中のＺｎの濃度は、Ｚｎの電気的活性化率がほぼ１００％である範囲に設定されていることを特徴とするものである。
（作用）
　以上説明してきたように、Ｉｎ１−ｙ（Ｇａ１−ｘＡｌｘ）ｙＰ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）の発光ダイオードにおいては発光が表面電極の周辺部に限られるという問題点があった。しかし、本発明者らの研究の結果、活性層の導電型をＧａＡｓ基板の導電型と異なるようにすることにより、前記の問題点を回避できることがわかった。すなわち、この構造では活性層への少数キャリアの注入がＧａＡｓ基板に接しているクラッド層側から行われるため、発光は活性層とＧａＡｓ基板に接しているクラッド層との界面近傍で生じる。従ってＧａＡｓ基板の裏面の全画に電極を付けておけば前記界面のほぼ全面で発光が生ずることになる。また、ｐ型の活性層を用いる場合には用いる添加不純物の種類の選択に注意を要する。Ｉｎ１−ｙ（Ｇａ１−ｘＡｌｘ）ｙＰ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）においては、Ｐ型不純物としてＭｇとＺｎが挙げられる。Ｍｇドーピングにより１０１８ｃｍ−３を越えるキャリア濃度がＡｌ組成によらず比較的容易に得られるが、Ｍｇの電気的活性率は２０％程度と極めて小さく、活性層にＭｇを添加すると発光効率が低下してしまう。一方Ｚｎドーピングでは、第２図に示すようにＺｎ濃度が低い領域では電気的活性率は１００％であるが、高Ｚｎ濃度領域では電気活性率は低下していく。Ａ１組成が大きくなるにつれて活性化率が低下しはじめるＺｎ濃度は低くなる。このため、Ｚｎドーピングによって高キャリア濃度を得ることは難しい。
　さらに、第３図に示すように、電気的活性化率が低下しはじめるＺｎ濃度を越えると発光効率が急激に低下することがフォトルミネッセンス評価から明らかになった。以上のようなＭｇとＺｎの特徴を考慮して、発光特性が重視される活性層における添加不純物にはＺｎを用いかつその濃度は電気的活性率が低下しはじめる濃度以下に設定し、低抵抗化が重視されるｐ型クラッド層には添加不純物としてＭｇを用いると良いことがわかった。
（実施例）
　以下、本発明の詳細を図示の実施例によって説明する。
　第１図に本発明の一実施例にかかるｐ型の活性層を用いる発光ダイオードの概略構造を断面図で示す。図中、１はｎ−ＧａＡｓ基板（Ｓｉドープ；３×１０１８ｃｍ−３）であり、この基板１上には層厚０．５μｍのｎ−ＧａＡｓバッファ層２（Ｓｉドープ：２×１０１８ｃｍ−３）、層厚２μｍのｎ−Ｉｎ０．５Ａｌ０．５Ｐクラッド層３（Ｓｉドープ：２×１０１８ｃｍ−３）、層厚０．５μｍのＰ−Ｉｎ０．５（Ｇａ０．５Ａｌ０．４５）０．５Ｐ活性層４（Ｚｎドープ：５×１０１６ｃｍ−３）、層厚２μｍのｐ−Ｉｎ０．５Ａｌ０．５Ｐクラッド層５（Ｍｇドープ：１×１０１８ｃｍ−３）、層厚０．０５μｍのＰ−Ｉｎ０．５Ｇａ０．５Ｐキャップ層６（Ｍｇドープ：１×１０１８ｃｍ−３）、層厚０．０５μｍのｐ−ＧａＡｓキャップ層７（Ｍｇドープ：５×１０１８ｃｍ−３）が順次積層形成されている。そしてｎ−ＧａＡｓ基板の裏面には全面にわたってＡｕ−Ｇｅ電極８が付けてあり、Ｐ−ＧａＡｓキャップ層上にはＡｕ−Ｚｎ電極９が付けてある。
　上述の第１図に示すような構造は、電極を除いて減圧型ＭＯＣＶＤ法により成長したものである。成長条件としては、基板温度７３０℃、反応管内圧力２５Ｔｏｒｒ、成長速度３μｍ／ｈである。この方法で１〜７までの各層を成長したのち、ｎ−ＧａＡｓ基板の裏面全面にＡｕ−Ｇｅ電極を、Ｐ−ＧａＡｓキャップ層上にはＡｕ−Ｚｎ電極を付け、Ｐ−ＧａＡｓキャップ層およびＰ−Ｉｎ０．５Ｇａ０．５Ｐキャップ層のＡｕ−Ｚｎ電極部以外の部分はエッチングにより除去している。
　上述の積層構造を有する０．３ｍｍ×０．３ｍｍ角の素子に順方向に電圧を印加し電流したところ、５５０ｎｍｎｉピーク波長を有する緑色発光がＡｕ−Ｚｎ電極部を除いた素子全域から観測された。次に、この素子をエポキシ樹脂でモールドした素子を作製し、輝度を測定したところ５００ｍｃｄをこえる高輝度の緑色発光ダイオードを得ることができた。次に、素子構造は上述と同様にし、活性層のＺｎのドーピング濃度を変化させた素子を作製し輝度を測定したところ、Ｚｎの濃度が電気的活性率が低下しはじめる２×１０１７ｃｍ−３をこえると急激に輝度が低下することがわかった。また、活性層の添加不純物としてＺｎの代りにＭｇを用いて同様の実験を行ったところ、輝度はＺｎを用いた場合の１／５程度しか得られなかった。
　本発明にかかる発光ダイオードの発光強度は第４図に示すように、通常電流と発光強度との相関を従来品（タイプＩ）と比較し、本発明（タイプＩＩ）は顕著にすぐれた発光強度が得られるものである。
　なお、本発明は上述した実施例に限定されるものでは＞ない。実施例では、Ｐ−Ｉｎ０．５Ｇａ０．５Ｐキャップ層及びＰ−ＧａＡｓキャップ層の添加不純物としてＭｇを用いたがＺｎを用いても良い。またｐ型の活性層を用いたが、ｎ型の活性層を用いる場合にはｐ型のＧａＡｓ基板を用い、この上にＰ型クラッド層ｎ型活性層、ｎ型クラッド層の順に積層すれば良い。実施例では活性層の組成としてはＩｎ０．５（Ｇａ０．５５Ａｌ０．４５）Ｐを用いたが、Ａｌ組成を変化させることによって赤色から緑色域にわたる可視光領域の発光を得ることができる。さらに、クラッド層の組成は実施例ではＩｎ０．５Ａｌ０．５Ｐを用いたが、キャリアの閉じ込めに十分な活性層とのバンドギャップ差があれば良く、この組成に限るものではない。その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。
〔発明の効果〕
　以上説明したように本発明によればＩｎ１−ｙ（Ｇａ１−ｘＡｌｘ）ｙＰ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）材料を用いた発光ダイオードにおいて、活性層の導電型及びｐ型添加不純物の種類を規定することにより、第４図に従来の発光ダイオードの発光強度と比較して顕著に高輝度の可視光発光ダイオードを実現することが可能となり、本発明の有用性は大きい。
【図面の簡単な説明】
　第１図は本発明の一実施例に係る半導体発光素子の概略を示す断面図、第２図はＩｎ０．５（Ｇａ１−ｘＡｌｘ）０．５ＰにおけるＺｎ濃度と正孔濃度との関係を示す特性図、第３図はＩｎ０．５（Ｇａ０．６Ａｌ０．４）０．５ＰにおけるＺｎ濃度に対するＺｎの電気的活性化率およびフォトルミネッセンス強度の関係を示す特性図、第４図は発光強度を比例して示す図である。１……ｎ−ＧａＡｓ基板
２……ｎ−ＧａＡｓバッファ層
３……ｎ−Ｉｎ０．５Ａｌ０．５Ｐクラッド層
４……Ｐ−Ｉｎ０．５（Ｇａ０．５５Ａｌ０．４５）０．５Ｐ活性層
５……ｐ−Ｉｎ０．５Ａｌ０．５Ｐクラッド層
６……Ｐ−Ｉｎ０．５Ａｌ０．５Ｐキャップ層
７……Ｐ−ＧａＡｓキャップ層
８……Ａｕ−Ｇｅ電極
９……Ａｕ−Ｚｎ電極