【事件の表示】
　特許第２７６３２２２号「化学気相成長方法ならびにそのための化学気相成長処理システムおよび化学気相成長装置」の請求項１に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結論】
　特許第２７６３２２２号の請求項１に係る特許を維持する。
【理由】
Ｉ．　手続の経緯・本件発明
本件特許第２７６３２２２号の請求項１に係る発明（以下、「本件発明」という）は、平成３年１２月１３日に特許出願され、平成１０年３月２７日に特許の設定の登録がなされたところ、その特許に対して竹野哲雄より特許異議の申立てがなされがなされたものである。
　そして、本件発明は、特許明細書及び図面の記載からみて、特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものである。
「被処理基板の主面上に所定の組成を有した膜を形成させる化学気相成長処理システムであって、
（ａ）前記基板を加熱しつつ支持する基板支持手段と、
（ｂ）前記基板と前記基板支持手段とを収容するとともに、前記主面上に反応空間を規定してなり、かつ前記反応空間に連通する排気通路が設けられた反応容器と、
（ｃ）前記反応空間をはさんで前記基板の反対側に設けられ、前記基板の前記主面に向けて開口した反応ガス導入孔を有する反応ガス導入手段と、
（ｄ）前記反応ガス導入手段の周辺に設けられ、前記排気通路に向いて開口した不活性ガス導入孔を有する不活性ガス導入手段と、
（ｅ）前記反応ガス導入孔に結合され、前記反応ガス導入孔より前記反応空間内に反応ガスを供給する反応ガス供給手段と、
（ｆ）前記不活性ガス導入孔に結合され、前記不活性ガス導入孔を介して前記排気通路に向って不活性ガスを噴出させる不活性ガス供給手段と、を備え、
　前記基板支持手段の側壁が、前記反応容器の壁面で囲まれており、
　前記排気通路は、前記基板支持手段から見た前記壁面のさらに外側において、前記不活性ガス導入孔へ向かうように前記反応空間へ開口しており、
　前記反応容器は、前記不活性ガス導入孔を第１不活性ガス導入孔として、前記基板から見て前記基板支持手段の後方において開口する第２不活性ガス導入孔を規定しており、
　前記化学気相成長処理システムは、
（ｇ）前記不活性ガスおよび前記不活性ガス供給手段を、それぞれ、第１不活性ガスおよび第１不活性ガス供給手段として、前記第２不活性ガス導入孔に結合され、当該第２不活性ガス導入孔を介して、第２不活性ガスを供給し、そのことによって、当該第２不活性ガスが前記基板支持手段の側壁に沿って、前記反応空間へと流れることを可能にする、第２不活性ガス供給手段と、
（ｈ）前記排気通路に結合し、前記反応ガスから生じる排ガスと前記第１および第２不活性ガスとを前記排気通路を通じて排気する排気手段と、をさらに備える化学気相成長処理システム。」
ＩＩ．　特許異議申立の理由の概要
　特許異議申立人竹野哲雄（以下、「申立人」という。）は、甲第１ないし３号証を提示して、本件発明は、甲第１ないし３号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条２項の規定により、特許を受けることができないものであり、その特許は特許法第１１３条第１項第２号の規定により取り消されるべき旨主張する。
ＩＩＩ．　甲各号証の記載事項
　申立人が提示した甲第１号証（特開昭６３−２４６８２９号公報）には、熱化学蒸着（熱ＣＶＤ）、プラズマ強化化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）等の実施設備であるリアクター設備について次の事項が記載され、
「リアクター設備１０は、典型的にはアルミニウムで作られ、プラズマ処理領域１４（第６図）を有する内部真空室１３を規定するハウジング（また「室」と称される）を含む。リアクター設備１０はまたウェーハ保持サセプター１６並びに、垂直可動ウエーハ支持フィンガ２０およびサセプター支持フィンガ２２を含む特有ウェーハ輸送設備１８（第１図）を含む。これらのフィンガはウェーハ１５を処理領域または室１４へ導入し、ウェーハ１５を処理のためにサセプター１６上に置き、次いでウェーハ１５をサセプター１６および室１２から取出す外部ロボットブレード２４（第１図）と協働する。リアクター設備１０はさらに、プロセスガスおよびパージガスを室１３に適用するプロセス／パージガスマニホールドまたは「ボックス」２６、入口ガスからプロセスガスプラズマを生成および維持するＲＦ出力供給および整合回路網２８、並びにウエーハ上の蒸着を行なうためサセプター１６およびサセプター上に配置したウェーハ１５を加熱するランプ加熱装置３０を含む。」（第１１頁右下欄第１７行〜第１２頁左上欄第１７行）
また、前記のリアクター設備におけるパージガス流（上部パージガス流、下部パージガス流）とその作用について次の事項が記載されている。
「前記のように（第１０図参照）、上部パージガス流は入口９８（矢９３）溝１００、１０２および１０６（矢９５）を通り、次いでパージ環孔１０８−１０８を処理装置ウェーハ１５の外側上端にでる。同様に（第２図参照）、下部ガス流は入口１１０および環状環１１２を通り石英窓７０を横切って窓を清浄に洗い流し（矢１０３）、次いで上方へ、ウエーハ１５の下部周辺底縁へ向う（矢１０５）。第１０図を参照すると、上部および下部ガスパージ流９７および１０５はウエーハの端部で合流し、矢１０７により示されるように外方へプレート１１４を横切り、孔１１６を通り、環状排出溝１１８中へ入り流路１０９に沿って室から出る（第２図）。この上部および下部の合流パターンは石英窓７０を清浄に保つだけでなく、また使用済ガス、連行微粒子などを室１３の外へ洗い流す。内部石英窓室面および周辺ウエーハ縁と共形の上部及び下部ガス流の合流並びに高い室圧力（ＰＥＣＶＤに対し異常に高い）が非常に有効なパージを与え、ウェーハ外の蒸着を防止する。」（第１７頁右上欄第１行〜左下欄第１行）
　同じく甲第２号証（特開昭５７−４１３６７号公報）には、化学蒸着が良好に行われる温度に保つためのヒータが組み込まれた載置台上に支持された基板の表面に所定の薄膜を形成させる化学蒸着装置が記載され（第１頁右欄第１２行〜第１８行、第１図参照）、
また、同じく甲第３号証（特開平２−２８３６９６号公報）には、化学気相成長装置の従来技術として次の事項が記載され、
「従来、この種の化学気相成長装置は第４図に示すように構成されている。図において、（２）は反応生成膜（図示せず）が形成される半導体ウェハ（１）を保持する加熱用のステージ、（３）はこのステージ（２）を加熱するためのヒーター、（４）は反応室、（５）はステージ（２）と間隔をもって設けられ、反応ガスＢを供給するための多数のガス吹出口（６ａ），（６ｂ）を有するガスヘッド、（７）は反応室（４）を囲む反応室側壁、（１０）は反応室側壁（７）に設けられ排気Ａを導出するための排気口、（１４）はステージ（２）の熱が伝導により外部に逃げるのを防ぐためと、ステージを回転させるためのステージすきまである。」（第２頁左上欄第７行〜第１９行）
また、「図中、第４図と同一の部材については同一の符号を付し、説明は省略する。」（第３頁左上欄第１８行〜第１９行）とあって、前記の部材が記載された第１〜３図について、実施例として次の事項が記載されている。
「第１図、第２図、第３図において、（８）は内部に排気室（９）を有し、ステージ（２）の全外周を囲むように設けられた排気リング、（１０）は排気リング（８）下面の内側端部に全周ステージより外側斜め上方向に設けられ、排気室（９）に通じる排気口、（１１）は排気室より排気Ａを排気フランジ（１２）を通して排出する排気排出口、・・・（中略）・・・Ｃはステージすきま（１４）からステージより外側ななめ下方向に吹き出し、反応ガスＢが排気リング（８）に当たらずに排気口（１０）へ流れ、排気Ａの方向と一致させるためのＮ２ガス、（１６）はＮ２ガスＣを均一に吹き出すために、内側に複数のＮ２ガス吹出口（１５）を有する中空のＮ２ガス吹出リングである。
　このように構成された化学気相成長装置においては、反応ガスＢは、ガスヘッド（５）のガス吹出口（６）から、ステージ（２）の保持、加熱された半導体ウェハ（１）に供給され、半導体ウェハ（１）上に反応生成膜を形成する。反応生成膜形成後の反応ガスＢは加熱されたことにより比重が軽くなっているのでステージ（２）外縁部より外側ななめ上方向へ移動しようとするが、排気口（１０）をステージ（２）外周部全周に外側ななめ上方向に開口して設けたので、反応ガスＢの自然な流れを乱すことなく排気することが出来る。その結果、反応ガスＢに含まれている気相反応による反応生成物Ｄを反応室内壁（４）に付着させることもない。…（中略）…また、第１図に示す様にステージ（２）と排気リング（８）との間のステージすきま（１４）の上方に、内側に複数のＮ２ガス吹出口（１５）を有する中空のＮ２ガス吹出リング（１６）を設け、ステージすきま（１４）にＮ２ガスＣを吹き出す構造としたので、第３図に示すように、ステージすきま（１４）より外側のななめ下向きにＮ２ガスＣが均一に吹き出し、反応ガスＢの流れの方向を、排気口（１０）の位置での排気Ａとの方向と一致させるようにしたので、反応ガスＢの排気はより良好となり反応ガスＢ中に含まれる反応生成物Ｄを反応室内壁（７）、排気リング（８）に付着させることなく排気することができる。」（第３頁左上欄第１９行〜右下欄第６行）
ＩＶ．　対比・判断
　本件発明と甲第３号証に記載のものとを対比すると、甲第３号証に記載の「半導体ウェハ（１）」、「ステージ（２）」、「反応室（４）」、「排気口（１０）・排気排出口（１１）」、「ガス吹出口（６ａ）、（６ｂ）」、「ガスヘッド（５）」、「Ｎ２ガスＣ」、「Ｎ２ガス吹出口（１５）」及び「化学気相成長装置」は、それぞれ本件発明の「被処理基板」、「基板支持手段」、「反応空間」、「排気通路」、「反応ガス導入孔」、「反応ガス導入手段」、「第２不活性ガス」、「第２不活性ガス導入孔」及び「化学気相成長処理システム」に相当する。
　従って、両者は次の構成の点で一致する。
「被処理基板の主面上に所定の組成を有した膜を形成させる化学気相成長処理システムであって、前記基板を加熱しつつ支持する基板支持手段と（本件発明の構成（ａ）に相当する）、前記基板と前記基板支持手段とを収容するとともに、前記主面上に反応空間を規定してなり、かつ前記反応空間に連通する排気通路が設けられた反応容器と（同（ｂ）に相当する）、前記反応空間をはさんで前記基板の反対側に設けられ、前記基板の前記主面に向けて開口した反応ガス導入孔を有する反応ガス導入手段と（同（ｃ）に相当する）、前記反応ガス導入孔に結合され、前記反応ガス導入孔より前記反応空間内に反応ガスを供給する反応ガス供給手段と（同（ｅ）に相当する）、前記基板支持手段の側壁が、前記反応容器の壁面で囲まれており、前記排気通路は、前記基板支持手段から見た前記壁面のさらに外側において、前記反応空間へ開口しており、前記反応容器は、前記基板から見て前記基板支持手段の後方において開口する第２不活性ガス導入孔を規定しており、前記第２不活性ガス導入孔に結合され、当該第２不活性ガス導入孔を介して、第２不活性ガスを供給し、そのことによって、当該第２不活性ガスが前記基板支持手段の側壁に沿って、前記反応空間へと流れることを可能にする第２不活性ガス供給手段と、前記排気通路に結合し、前記反応ガスから生じる排ガスと第２不活性ガスとを前記排気通路を通じて排気する排気手段とを備える化学気相成長処理システム」
　そして、本件発明が次の▲１▼〜▲３▼の構成を有するのに対して、甲第３号証にはこの構成の点については記載がない点で両者は相違する。
＜相違点＞
　▲１▼反応ガス導入手段の周辺に設けられ、排気通路に向いて開口した第１不活性ガス導入孔を有する第１不活性ガス導入手段を備える点（本件発明の構成（ｄ）に相当する。）
　▲２▼第１不活性ガス導入孔に結合され、前記第１不活性ガス導入孔を介して前記排気通路に向って不活性ガスを噴出させる第１不活性ガス供給手段を備え、前記排気通路は第１不活性ガス導入孔へ向かうように前記反応空間へ開口している点（同（ｆ）、（ｇ）に相当する。）
　▲３▼排気通路に結合し、反応ガスから生じる排ガスと第１および第２不活性ガスとを排気通路を通じて排気する排気手段を備える点（同（ｈ）に相当する。）
　前記の相違点について検討するに、甲第２号証には、反応空間内に不活性ガスを導入し排出する構成の点については記載がない。
　次に、甲第１号証には、プロセスガス導入手段であるガスマニホールド２６の周辺に設けられ、プラズマ処理領域１４の周縁に向いて開口したパージ環孔１０８−１０８を介して上部パージガスを処理配置ウェハ１５の外側上端に噴出させ、一方、下部パージガス流は前記プラズマ処理領域１４の下方に設けられたランプ加熱装置の石英窓７０を横切って窓を清浄に洗い流し（矢１０３）、次いで上方へ、前記ウェハ１５の下部周辺底縁に向かい（矢１０５）、これら上部と下部の両パージガス流は前記ウエハ端部で合流し、プラズマ処理領域１４外方へ整流プレート１１４を横切り、さらに孔１１６から（図２、図１０に示されているものでは略直角に方向を変えて）環状排出溝１１８に入り、次いで室外に排出されること、および、この上部及び下部パージガスの合流パターンは石英窓７０を清浄に保つだけでなく、使用済みガス、連行微粒子などを室１３の外へ洗い流すとともに、ガス流の合流と高い室圧力が有効なパージとウエハ外の蒸着を防止することが記載されている。
　そして、甲第１号証に記載された「プロセスガス」、「プラズマ領域１４」、「ガスマニホルド２６」、「環状排出溝１１８」、「上部パージガス」、「下部パージガス」及び「パージ環孔１０８−１０８」は、それぞれ本件発明の「反応ガス」、「反応空間」、「反応ガス導入手段」、「排気通路」、「第１不活性ガス」、「第２不活性ガス」及び「第１不活性ガス導入孔」に対応するから、甲第１号証には、第１と第２の不活性ガスを用いてパージする点、および、前記反応ガス導入手段の周辺に設けられた第１不活性ガス導入孔を有する第１不活性ガス導入手段と、前記第１不活性ガス導入孔に結合され、前記第１不活性ガス導入孔を介して第１不活性ガスを噴出させる第１不活性ガス供給手段とを備える点及び前記排気通路に結合し、前記反応ガスから生じる排ガスと前記第１および第２不活性ガスとを前記排気通路を通じて排気する排気手段を備える点については示されているといえるが、前記相違点▲２▼における、第１不活性ガス供給手段が「第１不活性ガス導入孔を介して排気通路に向って不活性ガスを噴出させる」ものであり、「排気通路は第１不活性ガス導入孔へ向かうように反応空間に開口している」という構成の点については、甲第１号証を含めて甲各号証のいずれにも示すところがない。
　また、甲第１号証のパージ環孔１０８−１０８（第１不活性ガス導入孔）から噴出した上部パージガス（第１不活性ガス）流は対面する整流プレート１１４により流動方向を略直角に転じて外方へ該プレート１１４を横切り、さらに略直角に方向転換して環状排出溝１１８（排気通路）に流入（第１不活性ガス導入孔）と環状排出溝１１８（排気通路）とが互いに向き合うという位置関係にはないから、前記の作用効果を奏し得るものではないとせざるを得ない。
　そして、本件発明は、かかる構成を具備することにより反応空間４からの反応副生成物を含む排ガス流は第１不活性ガスの流れにより加速されて速やかに排気通路１３へ導かれて排出され、この結果、反応副生成物２２が反応ガス導入孔の周辺２３に堆積することが抑制されるという甲各号証に記載のものから予測し得ない明細書記載の格別な作用効果（本件明細書【００４８】【００８４】参照）を奏するものである。
　したがって、本件発明は甲第１ないし３号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたとすることはできない。
Ｖ．　むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立の理由及び証拠によっては、本件発明に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１１年９月３日（１９９９．９．３）