【事件の表示】
　特許第２６３４８０９号「溶銑予備処理法」の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結論】
　特許第２６３４８０９号の特許を維持する。
【理由】
１．手続きの経緯
　本件第２６３４８０９号の発明は、昭和６２年３月２７日に特許出願され、その後、日本鋼管株式会社より特許異議の申立てがなされ、取消理由通知に対して平成１０年８月１２日付けの特許異議意見書が提出されたものである。
２．取消理由の概要
　本件明細書が、下記の点で当業者が容易にその実施をすることができる程度にその構成が記載されておらず、不備であるから、本件特許は、特許第３６条第４項の規定に違反してなされたものであるというものである。
▲１▼脱Ｐ条件に一般性が無い
　特許請求の範囲には脱Ｓｉ剤を溶銑中に吹込むとしか記載されていないが、「脱Ｓｉ剤を加えることにより、処理後のスラグ塩基度を０．５以上とし、処理後の［Ｓｉ］を０．１％以下とすることにより、０．０２５％以上の大きな脱Ｐ量を得る」とは、全ての脱Ｓｉ剤について成り立つことではない。従って、本件明細書の記載に基づいては、当業者が任意に選択した脱Ｓｉ剤について、０．０２５％以上の大きな脱Ｐ量を得るため、どのような塩基度と［Ｓｉ］にすればよいのかを当業者が知ることができず、本件発明の目的を達成することができない。よって、本件明細書には、当業者が容易に本件発明の実施をすることができる程度に発明の構成が記載されていない。
▲２▼１個のランスノズル当たりの脱Ｓｉ剤の吹込み量に一般性が無い
　本件発明の骨子の一つは、「ランスノズル１個当たりの脱Ｓｉ剤原単位を５〜２５ｋｇ／ｔとすることにより、脱Ｓｉ反応効率を低下させず、これにより処理後の［Ｓｉ］を低くする（本件特許公報第４欄第３〜９行）」ことにある。そして、特に、ランスノズル１個当たりの脱Ｓｉ剤原単位を５ｋｇ／ｔとする理由は、「ランスノズル当たりのフラックス原単位が小さすぎると、フラックスの溶銑への侵入深さが減少し、脱Ｓｉ反応効率が低下する。（本件特許公報第４欄第７〜９行）とされている。しかしながら、フラックスの溶銑への侵入深さは、種々の要因により決定され、フラックス原単位のみで定まるものでない（フラックスの原単位とは直接の関係を有しない）ので、ランスノズル１個当たりの脱Ｓｉ剤原単位を５〜２５ｋｇ／ｔとすることは、ある特殊の条件でしか成り立たない一般性の無いものである。そして、ランスノズル１個当たりの脱Ｓｉ剤原単位を５ｋｇ／ｔ以上とすると脱Ｓｉ反応効率が低下しないということには、一般性が無いのであるから、当業者は、本件明細書の記載を見ても、そのときに使用されるランスの条件（ノズルと溶融金属表面間の距離Ｌ０、ノズル角度θ０、粒子の質量速度、線速度、溶銑流量等）においては、脱Ｓｉ反応効率を低下させないためにランスノズル１個当たりの脱Ｓｉ剤吹込み量をどの程度にしたらよいのかを知ることができず、脱Ｓｉ反応効率を低下させないという本件発明の目的を達成することができない。よって、本件明細書には、当業者が容易に本件発明の実施をすることができる程度に発明の構成が記載されていない。
３．判断
Ａ．上記の「▲１▼脱Ｐ条件に一般性が無い」について
　本件発明は「全ての脱Ｓｉ剤」を加えた場合について成立するのではなく、特許請求の範囲に規定する処理条件を満足するように配合した脱Ｓｉ剤において成立する。まず、必要な脱Ｓｉ量に基づいて脱Ｓｉ剤として添加する酸化鉄の量を定めることができる。そして、脱Ｓｉ量が定まれば、脱Ｓｉの結果生成するＳｉＯ２量が定まる。処理後スラグ中の塩基度（ＣａＯ／ＳｉＯ２）を０．５以上１．０以下とするための生石灰源の添加量も当然に定めることができる。このようにして定めた脱Ｓｉ剤中の酸化鉄と生石灰源の添加量に基づいて脱Ｓｉ剤を配合し、脱Ｓｉ処理を行えば、結果として処理後の［Ｓｉ］を０．１％以下とし、処理後のスラグ塩基度を０．５以上１．０以下とすることは、本件明細書の記載に基づいて当業者が容易に実施することができる。
　また、処理後スラグ中塩基度（ＣａＯ／ＳｉＯ２）を０．５以上とするために添加するのは石灰源に他ならず、生石灰を有するスラグが脱Ｐ能を有するのであるから、「処理後のスラグ塩基度を０．５以上とし、処理後の［Ｓｉ］を０．１％以下としたときに初めて０．０２５％以上の脱Ｐ量が得られるということに一般性がないのは明らかである。」旨の特許異議申立人の主張に理由はない。
　本件特許公報第３欄第４８行〜第４欄第２行の「脱Ｓｉ処理時において同時におこる脱Ｐ量がスラグの塩基度、処理後［Ｓｉ］、酸化鉄原単位に影響され、０．０２５％以上の大きな脱Ｐ量を得るためには、処理後のスラグ塩基度が０．５以上、処理後［Ｓｉ］が０．１０％以下であることが必要なことを確認した。」との記載は、「脱Ｐ量がスラグの塩基度、処理後［Ｓｉ］に影響され、処理後［Ｓｉ］は酸化鉄原単位に影響され、」との意味であり、酸化鉄原単位は処理後［Ｓｉ］を通して脱Ｐ量に影響するのである。上記記載において「０．０２５％以上の大きな脱Ｐ量を得るため」の必要条件としては「処理後のスラグ塩基度が０．５以上、処理後［Ｓｉ］が０．１０％以下であること」とし、酸化鉄原単位について記載されていないのはそのためであり、記載が不備であるとは認められない。
Ｂ．上記の「▲２▼１個のランスノズル当たりの脱Ｓｉ剤の吹込み量に一般性が無い」について
　本件発明において、脱Ｓｉ剤を溶銑に添加する方法において第１に重要なのは、脱Ｓｉ剤を上方より自然落下させるのではなく、溶銑上に設置したランスノズルからの粉体吹付又は溶銑中に設置したランスノズルからの粉体吹込を行う点である。
　脱Ｓｉ剤添加方法の第２の条件である「１個のランスノズル当り５〜２５ｋｇ／Ｔｏｎで溶銑中に吹込み」との条件は、高炉鋳床の溶銑樋においてランスノズルを通じてキャリアガスにて脱Ｓｉ剤を溶銑中に吹込む場合において、当業者が通常選択する範囲のランスノズルを用いた場合に本件発明の目的を達成するための条件を定めたものである。従って、この条件を満足すれば、その他のランスノズル条件については、当業者が通常選択する範囲内であればノズルと溶融金属表面間の距離、ノズル角度、粒子の質量速度、線速度、溶銑流量を特別の範囲に限定しなくても本件発明の目的を達成することができるものであるから、記載が不備であるとは認められない。
　以上のとおりであるから、本件明細書には、当業者が容易に本件発明の実施をすることができる程度にその構成が記載されているものと認められる。
４．特許異議申立てについての判断
４−１．異議申立人の主張
Ａ．上記取消理由と同じ理由により、本件明細書には、当業者が容易にその実施をすることができる程度にその構成が記載されていないから、本件特許は、特許法第３６条第４項の規定に違反してなされたものである、
Ｂ．本件請求項１に係る発明は、本願出願前に頒布された刊行物である、▲１▼「鉄と鋼」第７１年第１４号、第４７〜５４頁、「高炉鋳床における投射法を用いた連続溶銑処理」（以下、「刊行物１」という。）、▲２▼「鉄と鋼」第６８年第１１号、第２８４頁、「溶銑の脱硅方法の開発」（以下、「刊行物２」という。）、▲３▼特開昭５８−１３０２０８号公報（以下、「刊行物３」という。）、及び、▲４▼特開昭５７−９２１１９号公報（以下、「刊行物４という」）に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものでるから、本件請求項１に係る発明の特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであって、取り消されるべきものである、
Ｃ．本件請求項２に係る発明は、本願出願前に頒布された刊行物である、上記刊行物１〜４及び特開昭６０−１４５３０８号公報（以下、「刊行物５」という。）に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件請求項２に係る発明の特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであって、取り消されるべきものである、
というものである。
４−２．判断
▲１▼．上記異議申立て理由Ａ（特許法第３６条第４項違反）について
　該申立て理由は上記取消理由と同じものであり、上記取消理由については上記の「３」の欄で述べたとおりであるから、異議申立人の上記異議申立て理由Ａについての主張は採用することができない。
　なお、特許異議申立人は、「鉄と鋼」第６７年第６号、第２４〜４７頁、「インジェクション冶金の動力学」を甲第１号証として提出しているが、該刊行物は上記異議申立て理由Ａを立証するために提出されたものであり、該刊行物には、フラックスの浸入深さがノズルと溶融金属表面間の距離、ノズル角度、粒子の質量速度、線速度に関係することが示されているが、フラックスの浸入深さがランスノズル当たりのフラックス原単位と関係しないことを示唆するものではなく、逆に、このような周知の関係を前提に本件発明においてはランスノズル条件を定めることができるものと認められるから、該刊行物は本件特許が特許法第３６条第４項の規定に違反してなされたものであることを立証するための証拠にはならない。
▲２▼．上記異議申立て理由Ｂ（本件請求項１に係る発明の特許に対する特許法第２９条第２項違反）について
▲２▼−１．本件請求項１に係る発明
　本件請求項１に係る発明は、特許明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項に記載されている次のとおりのものである。
　「高炉鋳床の溶銑樋において、溶銑上に設置された又は溶銑中に浸漬して設置された１個又は複数個のランスノズルを通じてキャリアガスにて脱Ｓｉ剤を、処理後のスラグ塩基度が０．５以上１．０以下となるよう配合し、１個のランスノズル当り５〜２５ｋｇ／Ｔｏｎで溶銑中に吹込み、処理後の［Ｓｉ］が０．１％以下となるように脱Ｓｉ処理し、生成スラグを鋳床樋にて自然排滓する第一工程と、トピードカー又は溶銑鍋に受銑後脱Ｐ剤を、浸漬されたランスノズルからキャリアガスにて吹込み、脱Ｐする第二工程からなる溶銑予備処理法。」
▲２▼−２．引用刊行物の記載事項
　上記刊行物１には、高炉鋳床における投射法を用いた連続溶銑処理に関して、
・摘示１−１：『第４７頁右欄第１〜１６行に「２・１パッチ処理法と連続処理法の理論的比較　パッチ式溶銑処理法と連続溶銑処理法のプロセスフローをＦｉｇ．１ａおよびｂに示す。前者は従来のパッチ式溶銑脱りん処理を主プロセスとする方法（以下　Ｈｏｔ　Ｍｅｔａｌ　Ｐｒｅｔｒｅａｔｍｅｎｎｔを略して，ＨＭＰと表す）であり，後者は高炉鋳床において連続的に溶銑脱硅および溶銑脱りん処理を行う方法（以下　ＢＦ−ＨＭＰと略す）である。ＢＦ−ＨＭＰは従来の高炉一転炉法以上の物流抵抗やそれに伴う熱損失がない点でＨＭＰより有利である。ＨＭＰにおいては処理前溶銑の成分・温度・量を正確に把握できるので処理が安定しており，反応効率は十分であるが，処理ステーションや除滓場への溶銑鍋やトーピードの移動時間および処理自体の時間が従来の高炉一転炉法に加えて必要になる。その結果製銑−製鋼工場間での溶銑の輸送容器内滞在時間の増加が不可避となり，溶銑温度降下量が増大することとなる。」と記載されており、また、第４８頁第１図に前記ＨＭＰとＢＦ−ＨＭＰの比較が示されており、同図（ｂ）に示されたＢＦ−ＨＭＰの説明図には、スラグの排出前にフラックスを添加することが示されている。』、
・摘示１−２：『第４８頁右欄第９〜２３行に「実規模での予備試験結果により，溶銑樋での反応を効果的なものとするためには，フラックスと溶銑の混合攪拌を強め，反応を促進することが必要であることがわかった。このときすでにフラックスインジェクション法が反応速度の増大と反応効率の向上に効果的であることが知られていたので，筆者らはこれを連続溶銑処理に適用することを考えた。溶銑樋での浴深さが浅く，ランスの損耗を極力押さえるためランスを溶銑浴面上に設置してフラックスインジェクションを行うこととし，この方法をＴｏｐ　Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ　Ｍｅｔｈｏｄ（以下　ＴＩＭと略す）と呼ぶこととした．ＳＦＭとＴＩＭの概念図をＦｉｇ．２に示すが，ＴＩＭの特徴は微粉のフラックスが溶銑流中へ侵入していくところにあり，反応界面積の増大とフラックスの持つ運動エネルギーにより浴の攪拌が強化されることにより反応が促進されることが期待された。」と記載されており、また、第４８頁第２図にＴＩＭの概要が記載されており、第２図に溶銑樋中の溶銑にフラックスが高スピードで吹込まれていることが示されている。』、
・摘示１−３：『第５０頁第５図及び同頁左欄第５〜１１行に、実試験の方法が記載されており、また、「（ａ）点（排滓目の前）または（ｂ）点での単一吹込みにおいて、脱硅の場合ほとんどミルスールを用い、脱りんの場合、ミルスケールと焼石灰と蛍石の混合物を用いた。脱珪処理を（ａ）点又は溶銑樋の上流側（ｂ）点で行い、溶銑Ｓｉが０．１０〜０．１５％となるようにし、下流側（ｃ）点で脱りんする二段吹き込みも行った」と記載されている。』、
・摘示１−４：『第５１頁左欄第５〜１６行に「ＴＩＭを用いればフラックス添加位置近傍で反がほとんど完了してしまうので，溶銑樋よりも浴が深くスラグスキンマーを備えている主樋で脱珪処理を行う方が，連続して脱りん処理を行う場合の脱りん反応効率と排滓性を改善できると考えられる。問題は，溶銑樋に比べてスラグ厚みが大きいことと高炉スラグの酸化による復硫がどの程度となるかであった。主樋でミルスケールを吹き込んだ結果，脱珪反応の進行は溶銑樋における場合と変わらないことが確認できた。またスキンマーによって除滓が完全に行えるので，脱珪スラグの溶銑鍋への混入も無視できるほど少なく，受銑量を脱珪処理しない場合と同一レベルとすることができた。」と記載されている。』
・摘示１−５：『第５１頁第１１図に、脱Ｐ処理時において、脱珪後の［Ｓｉ］％と塩基度が、溶銑中に残留するＰに及ぼす影響が記載されており、第５１頁右欄下から第２行〜第５２頁左欄第４行に「脱りん処理において溶銑中のＳｉはＰの酸化を抑制するとともにＳｉＯ２となってスラグの塩基度を低下させる。Ｆｉｇ．１１に示すようにスラグ塩基度により層別すると処理後Ｐ濃度は処理後Ｓｉ濃度の関数となっている。このことから処理後Ｐ濃度が溶銑Ｓｉの強い影響を受けることが明らかである。」と記載されている。』
　上記刊行物２には、溶銑の脱珪方法の開発に関して、
・摘示２：『第３図にスラグの流動性に関する塩基度とスラグ温度の関係式を示したグラフが示されており、このグラフはスラグ塩基度が高くなると流動性が悪くなることを示している。』
　上記刊行物３には、溶銑予備処理法に関して、
・摘示３：『第３６頁左上欄第９〜１９行に「第３図に示されるように、この発明の方法は溶銑流２上方に垂直に設けられたランス４の先端からタンク５内の精錬剤３を溶銑中に所定の流速で吹込むものである。精錬剤３の吹込みに際しては、精錬剤３単体あるいは搬送用の不活性ガスとともに行なう。精錬剤３の吹込み流速は、溶銑流２の速度および流量に応じて増減させるが、余り流速が大きすぎると溶銑が飛散しロスが大きくなるとともに危険である。一方、流速が小さすぎると精錬剤３が溶銑中に入り込まず反応が十分に進行しない。」と記載されている。』
　上記刊行物４には、溶銑の精錬方法に関して、
・摘示４：『特許請求の範囲に「高炉から出銑された溶銑が取鍋に収容されるまでの間に、前記溶銑中に酸化物を添加することにより溶銑の脱珪処理を行ない、ついで、取鍋中の前記脱珪処理後の溶銑に対し、その先端が前記溶銑中に浸漬されたノズルから、ソーダ灰と酸化鉄とを、キヤリヤーガスにより吹込むことにより溶銑の脱燐、脱硫処理を行なう」ことが記載されている。』
▲２▼−３．判断
　そこで、本件請求項１に係る発明と上記刊行物１〜４に記載された発明とを対比する。
　本件請求項１に係る発明は、通常使用されているランスノズルに対して、本件特許公報第４欄第３〜９行に「処理後の［Ｓｉ］を低くするためにはランスノズル１個当たりの脱Ｓｉ剤原単位を５〜２５ｋｇ／ｔとすることが必要である。すなわちランスノズル当たりのフラックス原単位が大きすぎると脱Ｃ等の反応を促進するための脱Ｓｉ反応効率は低下し、又逆にランスノズル当りのフラックス原単位が小さすぎるとフラックスの溶銑への浸入深さが減少し、脱Ｓｉ反応効率が低下する。」と記載されているように、フラックスの溶銑への浸入深さと脱Ｓｉの両面から、溶銑に対すランスノズルからの脱Ｓｉ剤の吹込み量を、「１個のランスノズル当り　５〜２５ｋｇ／Ｔｏｎ」と具体的に限定したものである。
　これに対して、上記刊行物１〜４のうち、上記刊行物３に溶銑に対するランスノズルからの精錬剤の吹込み流速に上限と下限が存在することが示唆されているものの、上記刊行物１〜４のいずれにも、フラックスの溶銑への浸入深さと脱Ｓｉの両面から、溶銑に対するランスノズルからの脱Ｓｉ剤の吹込み量を具体的に限定したものが全く記載されていない。
　それ故、上記刊行物１〜４の刊行物に記載された発明を組合わせても、本件請求項１に係る発明における『溶銑に対するランスノズルからの脱Ｓｉ剤の吹込み量を、１個のランスノズル当り　５〜２５ｋｇ／Ｔｏｎとする』点を構成することはできない。
　そして、本件請求項１に係る発明は、上記の構成を具備することにより、「転炉装入溶銑温度の高い、且つ脱Ｓｉ剤及び脱Ｐ剤原単位の少ない経済的な溶銑予備処理が可能となる」という明細書記載の顕著な効果を奏するものである。
　したがって、本件請求項１に係る発明は、上記刊行物１〜４に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることができない。
▲３▼上記異議申立て理由Ｃ（本件請求項２に係る発明の特許に対する特許法第２９条第２項違反）について
▲３▼−１．本件請求項２に係る発明
　本件請求項２に係る発明は、特許明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項２に記載されている次のとおりのものである。
「上記第一工程、第二工程の間に、溶銑樋の傾注樋前にて脱Ｓ剤を上方から添加し、溶銑樋から傾注樋、さらにトピードカー又は溶銑鍋へ落下する時の攪拌を利用して脱Ｓする工程を有する特許請求の範囲第１項記載の溶銑予備処理法。」
▲３▼−２．引用刊行物の記載事項
　上記刊行物１〜４には、上記▲２▼−２で指摘された事項が、それぞれ、記載されている。
　また、上記刊行物５には、溶銑予備処理法に関して、
・摘示５：『第４２頁左下欄第１７行〜同頁右下欄第１行に「第３図に示した脱硫工程において、溶銑１１を運搬容器４から溶銑鍋８に移しかえる際にソーダ灰を脱硫剤用ホッパ−９から、またＡｌ合金添加ホッパー１２からそれぞれ少量づつ切出しなから溶銑の７０％程度を移しかえる間に連続添加した。」と記載されており、その具体的な方法が第３図に記載されている。』
▲３▼−３．判断
　上記刊行物５に請求項２に記載された工程と同様な脱硫工程が示されているものの、上記刊行物１〜５のいずれにも、フラックスの溶銑への侵入深さと脱Ｓｉの両面から、溶銑に対するランスノズルからの脱Ｓｉ剤の吹込み量を具体的に限定したものが全く記載されていない。
　それ故、上記刊行物１〜５の刊行物に記載された発明を組合わせて、本件請求項２に係る発明が引用する本件請求項１に係る発明における『溶銑に対するランスノズルからの脱Ｓｉ剤の吹込み量を、１個のランスノズル当り　５〜２５ｋｇ／Ｔｏｎとする』点を構成することはできない。
　そして、本件請求項２に係る発明は、上記の構成を具備することにより、「転炉装入溶銑温度の高い、且つ脱Ｓｉ剤及び脱Ｐ剤原単位の少ない経済的な溶銑予備処理が可能となる」という明細書記載の顕著な効果を奏するものである。
　したがって、本件請求項２に係る発明は、上記刊行物１〜５に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることができない。
５．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立人が提出した理由及び証拠によっては本件請求項１に係る発明の特許及び請求項２に係る発明の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件請求項１に係る発明の特許及び請求項２に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１１年６月１４日（１９９９．６．１４）