(57)【要約】  ワイヤおよび銅ワイヤ上のフィルムを備えた薄いマルチチップスタックパッケージ用のシステムおよび方法である。パッケージには、基板および基板の上に重なる第１のダイが含まれる。銅ワイヤは、第１のダイを基板に電気的に接続する。フィルムが、第１のダイ、および銅ワイヤの一部の上に重なる。さらに、フィルムは、第２のダイを第１のダイに接着する。フィルムはまた、銅ワイヤを第２のダイから電気的に絶縁する。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の上に重なる第１のダイと、
前記第１のダイを前記基板に電気的に接続する銅ワイヤと、
前記第１のダイおよび前記銅ワイヤの一部の上に重なるフィルムと、
前記フィルムの上に重なる第２のダイと、
を含むデバイスであって、
前記フィルムが、前記銅ワイヤを前記第２のダイから電気的に絶縁するデバイス。
【請求項２】
前記銅ワイヤが、２５μｍ以下の直径を有し、前記フィルムが、６０μm以下の厚さを有する、請求項１に記載のデバイス。
【請求項３】
前記銅ワイヤが、１３μｍ以下の直径を有し、前記フィルムが、２５μｍ以下の厚さを有する、請求項１に記載のデバイス。
【請求項４】
前記銅ワイヤが、折り返しループ形成である、請求項１に記載のデバイス。
【請求項５】
前記銅ワイヤが、逆ループ形成である、請求項１に記載のデバイス。
【請求項６】
前記基板、前記第１のダイ、前記銅ワイヤ、前記フィルム、および前記第２のダイをカプセル化するカプセル材料をさらに含む、請求項１に記載のデバイス。
【請求項７】
前記第２のダイを前記基板に電気的に接続する第２のダイ銅ワイヤと、
前記第２のダイおよび前記第２のダイ銅ワイヤの一部の上に重なる第２のダイフィルムと、
前記第２のダイフィルムの上に重なる第３のダイと、
をさらに含み、
前記第２のダイフィルムが、前記第２のダイ銅ワイヤを前記第３のダイから電気的に絶縁する、請求項１に記載のデバイス。
【請求項８】
基板と、
前記基板の上に重なる第１のダイと、
前記第１のダイを前記基板に装着する接着剤と、
前記第１のダイを前記基板に電気的に接続する銅ワイヤと、
前記第１のダイの上に重なる電気絶縁体と、
前記銅ワイヤの一部をコーティングする前記電気絶縁体と、
前記電気絶縁体の上に重なる第２のダイと、
前記第２のダイを前記基板に電気的に接続する第２のダイワイヤと、
を含むデバイスであって、
前記電気絶縁体が、前記銅ワイヤを前記第２のダイから電気的に分離するデバイス。
【請求項９】
前記第２のダイワイヤが銅を含む、請求項８に記載のデバイス。
【請求項１０】
前記電気絶縁体が、前記第２のダイを前記第１のダイに接着接続する、請求項８に記載のデバイス。
【請求項１１】
前記銅ワイヤが、２５μｍ以下、かつ１３μｍ以上の直径を有し、前記電気絶縁体が、６０μｍ以下、かつ２５μｍ以上の厚さを有する、請求項８に記載のデバイス。
【請求項１２】
前記銅ワイヤが、超低ループ形成である、請求項８に記載のデバイス。
【請求項１３】
前記基板、前記第１のダイ、前記接着剤、前記銅ワイヤ、前記電気絶縁体、前記第２のダイ、および前記第２のダイワイヤを包む成形材料をさらに含む、請求項８に記載のデバイス。
【請求項１４】
前記第２のダイおよび前記第２のダイワイヤの一部の上に重なる第２の電気絶縁体と、
前記第２の電気絶縁体の上に重なる第３のダイと、
をさらに含み、
前記第２の電気絶縁体が、前記第２のダイワイヤを前記第３のダイから電気的に絶縁する、請求項８に記載のデバイス。
【請求項１５】
第１のダイを基板に接着剤で装着するステップと、
前記第１のダイを前記基板に銅ワイヤで電気的に接続するステップと、
フィルムを第２のダイに装着するステップと、
前記フィルムを前記第１のダイおよび前記銅ワイヤに装着するステップであって、前記フィルムが、前記銅ワイヤを前記第２のダイから電気的に絶縁するステップと、
前記第２のダイを前記基板に電気的に接続するステップと、
を含む方法。
【請求項１６】
前記第２のダイを前記基板に電気的に接続するステップが、前記第２のダイを前記基板に銅ワイヤで電気的に接続するステップを含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記第１のダイを前記基板に銅ワイヤで電気的に接続するステップが、２５μｍ以下、かつ１３μｍ以上の直径を有する銅ワイヤで、前記第１のダイを前記基板に電気的に接続するステップを含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１８】
前記第１のダイおよび前記銅ワイヤにフィルムを装着するステップが、６０μｍ以下、かつ２５μｍ以上の厚さを有するフィルムを、前記第１のダイおよび前記銅ワイヤに装着するステップを含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１９】
前記基板、前記第１のダイ、前記接着剤、前記銅ワイヤ、前記フィルム、および前記第２のダイをカプセル材料で包むステップをさらに含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項２０】
前記第２のダイを前記基板に電気的に接続するステップが、前記第２のダイを前記基板に第２のダイ銅ワイヤで電気的に接続するステップを含み、かつ
第２のフィルムを第３のダイに装着するステップと、
前記第２のフィルムを前記第２のダイおよび前記第２のダイ銅ワイヤに装着するステップであって、前記第２のフィルムが、前記第２のダイ銅ワイヤを前記第３のダイから電気的に絶縁するステップと、
をさらに含む、請求項１５に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
分野
本発明は、一般に集積回路に関し、特に集積回路用のパッケージ構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
背景
半導体産業は、より高い性能、より低いコスト、コンポーネントのさらなる小型化、および集積回路（「ＩＣ」）のより高い実装密度に向けて絶えず努力している。新世代のＩＣ製品がリリースされるのと共に、それらの機能が向上する一方で、それらを製造するために必要とされるコンポーネント数が減少する。
【０００３】
半導体デバイスは、堆積、マスキング、拡散、エッチング、および注入ステップを含む多くのプロセスを通して、例えばシリコンまたはガリウムヒ素ウエハから構成される。通常、多くの個々のデバイスが、同じウエハ上に構成される。デバイスが、個別の矩形ユニットに分離された場合に、それぞれは、ＩＣダイの形態を取る。ダイを他の回路とインターフェースするために、ダイを基板上に実装することが一般的である。各ダイは、ボンディングパッドを有し、ボンディングパッドは、次に、極めて微細な金またはアルミニウムワイヤを用いて、ワイヤボンディング作業で基板に個々に接続される。次に、アセンブリは、例えば成形プラスチックまたはセラミック体において、個々にカプセル化によってパッケージングされる。
【０００４】
ＩＣパッケージング技術は、回路用に必要とされるコンポーネント数の低減と並行して半導体チップ密度（単一の回路基板または基板上に実装されたチップ数）の増加を示してきた。これは、よりコンパクトなフォームファクタ（デバイスの物理的サイズおよび形状）における、よりコンパクトなパッケージング設計、および全体的なＩＣ密度の著しい増加を結果としてもたらす。しかしながら、ＩＣ密度は、基板に個々のダイを実装するために利用可能なスペース（または「基板占有面積」）によって引き続き制限されている。
【０００５】
個々のデバイスのパッケージングをさらに凝縮するために、１を超えるデバイス（ＩＣダイなど）を同じパッケージに含むことができるマルチチップパッケージが開発された。かかる複雑なパッケージング設計にとって重要なのは、入力／出力リード数、熱放散、マザーボードとその装着されたコンポーネントとの間の熱膨張および収縮の一致、製造コスト、自動製造設備への統合の容易さ、パッケージの信頼性、およびプリント回路基板（「ＰＣＢ」）のような追加パッケージングインターフェースに対するパッケージの容易適合性、を検討することである。
【０００６】
場合によっては、マルチチップデバイスは、同じ特徴および機能を組み込む対応の単一ＩＣダイより速く、かつ安価に製造することができる。多くのかかるマルチチップモジュールは、大幅に、回路密度および小型化を向上させ、信号伝播速度を改善し、全体的なデバイスサイズおよび重量を低減し、性能を改善し、コストを低下させた（すなわち、半導体産業の全ての目標）。
【０００７】
しかしながら、かかるマルチチップモジュールは、かさばる場合がある。ＩＣパッケージ密度は、ダイまたはモジュールを回路基板に実装するために必要な面積によって決定される。マルチチップモジュールの基板サイズを低減する一方法は、モジュールまたはパッケージ内でダイまたはチップを垂直に積み重ねることである。これは、マルチチップモジュールの有効密度を増加させる。
【０００８】
一般的なダイスタッキング方法のうちの２つは、（ａ）より小さな上部ダイと組み合わされた、より大きな下部ダイ、および（ｂ）いわゆる同じサイズのダイスタッキングである。前者に関して、ダイは、垂直に非常に接近することができる。なぜなら、下部ダイの周囲における電気ボンドパッドが、上端のより小さなダイのエッジを越えて延びるからである。同じサイズのダイスタッキングに関して、上部および下部ダイは、下部ダイのワイヤボンド用に十分な隙間を提供するために、垂直により離間して配置される。次に、ひとたびダイが実装されると、上部ダイおよび下部ダイ上のワイヤボンディングパッドを、それらの関連するリードフレームのリード延長部と接続するために、金またはアルミニウムボンドワイヤが装着される。
【０００９】
多重半導体ＩＣチップを単一マルチチップパッケージに実装するための他の設計には、リードフレームパドルの両側に実装されたＩＣダイのペアと、２つのリードフレームパドル上に実装された２つのチップと、パドルの上側に実装された一チップおよび下側で基板上に実装された一チップと、下側でパドルに装着された別の長円チップの上端で回転および装着される長円チップと、下側でパドルに装着された別のチップの上端にオフセットされて装着された一チップと、一チップとパドルとの間の別個のスペーサによって、別のチップの上側に装着された一チップと、それらの様々な組み合わせと、を含んでいる。かかる構成はまた、単一パッケージにおいて垂直に一緒に実装された３つ以上のチップを含むように拡張された。
【００１０】
残念なことに、ダイを重ねて、ダイが積み重ねられるためのかかる実装は、ワイヤボンディングに関する著しい制約を引き起こす。これらのスタッキング配列は、典型的には、下部ダイの活性面上に、またはそのすぐ上方に上部ダイを装着することを必然的に伴う。かかるスタッキング構成は、下部ダイ上のボンディングパッドにおける横エッジのいくつかまたは全てを覆うかまたはブロックする。したがって、実装された上部ダイは、下部ダイ用のワイヤボンド経路を遮る。その結果、かかる上部および下部半導体ダイは、ワイヤで接合することができない。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【００１１】
概要
本発明の実施形態は、ワイヤおよび銅ワイヤ上のフィルムを備えた薄いマルチチップスタックパッケージ用の方法およびシステムに関する。一実施形態において、スタックダイパッケージには、接着剤で基板に装着された第１のダイが含まれる。ワイヤ上のフィルムが、第１のダイ、および第１のダイ銅ワイヤの少なくとも一部の上に重なる。第２のダイが、ワイヤ上のフィルムの上に重なる。第１のダイ銅ワイヤは、第１のダイを基板に電気的に接続する。第２のダイ銅ワイヤが、第２のダイを基板に電気的に接続する。カプセル材料が、第１のダイ、基板、接着剤、第１のダイ銅ワイヤ、ワイヤ上のフィルム、第２のダイ、および第２のダイワイヤをカプセル化する。
【００１２】
いくつかの実施形態において、銅ワイヤは、２５μｍ〜１３μｍの直径を有する。いくつかの実施形態において、銅ワイヤは、超低ループ形成である。いくつかの実施形態において、ワイヤ上のフィルムは、６０μｍ〜２５μｍの厚さを有する。
【００１３】
いくつかの実施形態において、第２のフィルムが、第２のダイ、および第２のダイ銅ワイヤの一部の上に重なる。第３のダイが、第２のダイフィルムの上に重なり、第２のダイフィルムは、第２のダイ銅ワイヤを第３のダイから電気的に絶縁する。
【００１４】
本発明の様々な実施形態のこれらや他の目的は、様々な図に示された実施形態の以下の詳細な説明を読んだ後で、当業者によって理解されよう。
【００１５】
本発明は、添付の図面の図において、限定ではなく例として示され、これらの図において、同様の参照数字は、同様の要素を指す。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の実施形態によるスタックダイパッケージの断面図である。
【図２】製造の初期段階におけるスタックダイパッケージの断面図である。
【図３】第２のダイの装着を経ているスタックダイパッケージの断面図である。
【図４】第２のダイの配置後のスタックダイパッケージの断面図である。
【図５】第２のダイを電気的に接続するワイヤの追加後のスタックダイパッケージの断面図である。
【図６】カプセル材料によるカプセル化後のスタックダイパッケージの断面図である。
【図７】本発明の代替実施形態による３層スタックダイパッケージの断面図である。
【図８】本発明の実施形態によるスタックダイパッケージングシステムの例示的な流れ図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
詳細な説明
ここで、本発明による実施形態を詳細に参照するが、これらの実施形態の例が、添付の図面に示されている。これらの実施形態に関連して本発明を説明するが、これらの実施形態は、それらに本発明を限定するようには意図されていないことが理解されよう。それどころか、本発明は、代替、修正、および均等物をカバーするように意図されており、それらは、添付の特許請求の範囲によって定義されるような本発明の趣旨および範囲内に含まれ得る。さらに、本発明の実施形態における以下の詳細な説明において、本発明の完全な理解を提供するために、多数の特定の詳細が述べられている。しかしながら、本発明が、これらの特定の詳細なしに実施可能であることが、当業者によって理解されよう。他の例において、周知の方法、手順、コンポーネント、および回路は、本発明の実施形態の態様を不必要に曖昧にしないように、詳細には説明しなかった。
【００１８】
システムの実施形態を示す図面は、半図表であり、正確な縮尺ではなく、特に、寸法のいくつかは、表現を明確にするためであり、図面の図において誇張されて示されている。また、いくつかの特徴を共通に有する複数の実施形態が開示および説明される場合に、それらの図解、説明および理解の明瞭さおよび容易さのために、互いに同様の特徴は、通常、同様の参照数字で示される。
【００１９】
本明細書で用いられるような用語「水平」は、その向きにかかわらず、基板の平面または表面と平行な平面として定義される。用語「垂直」は、ちょうど定義したような水平に直角な方向を指す。「上」、「上方」、「下側」「底部」、「上端」、「側部」（「側壁」におけるような）、「より高い」、「下部」、「上部」、「上側」、「真下」などの用語は、水平面に対して定義される。
【００２０】
本明細書で用いられるような用語「処理」は、材料またはフォトレジストの堆積と、説明する構造を形成する際に必要とされるその材料またはフォトレジストのパターニング、露光、現像、エッチング、洗浄、および／または除去と、が含まれる。
【００２１】
図１は、本発明の実施形態によるスタックダイパッケージ１００の断面図である。スタックダイパッケージ１００は、接着剤１０６で基板１０４に装着された第１のダイ１０２を含むデバイスである。ワイヤ上のフィルム１１０が、第１のダイ１０２、および第１のダイ銅ワイヤ１０８の少なくとも一部の上に重なる。第２のダイ１１２が、ワイヤ上のフィルム１１０の上に重なる。第１のダイ銅ワイヤ１０８は、第１のダイ１０２を基板１０４に電気的に接続する。さらに、第２のダイワイヤ１１４が、第２のダイ１１２を基板１０４に電気的に接続する。カプセル材料１１６が、第１のダイ１０２、基板１０４、接着剤１０６、第１のダイ銅ワイヤ１０８、ワイヤ上のフィルム１１０、第２のダイ１１２、および第２のダイワイヤ１１４をカプセル化する。
【００２２】
図２は、製造の初期段階におけるスタックダイパッケージ１００の断面図である。第１のダイ１０２は、基板１０４の上に重なり、接着剤１０６で基板１０４に装着された。接着剤１０６は、例えばウエハ裏面積層フィルム状の接着性または分配エポキシであってもよい。第１のダイ銅ワイヤ１０８は、第１のダイ１０２を基板１０４に電気的に接続する。
【００２３】
この実施形態において、第１のダイ銅ワイヤ１０８は、超低ループ形成、例えば折り返しループ形成または逆ループ形成である。しかしながら、代替実施形態において、第１のダイ銅ワイヤ１０８は、他の低プロファイル形成で構成してもよい。さらに、この実施形態において、第１のダイ銅ワイヤ１０８は、１３μｍ〜２５μｍの直径を有する。しかしながら、代替実施形態において、第１のダイ銅ワイヤ１０８は、１３μｍ未満の直径を有してもよい。
【００２４】
図３は、さらなる処理後のスタックダイパッケージ１００の断面図である。第２のダイ１１２は、第１のダイ１０２に装着されるところである。第２のダイ１１２の装着中に、ワイヤ上のフィルム１１０は、第２のダイ１１２を第１のダイ１０２および第１のダイ銅ワイヤ１０８に接着接続する。さらに、ワイヤ上のフィルム１１０は、第１のダイ銅ワイヤ１０８を第２のダイ１１２から電気的に分離する。
【００２５】
この実施形態において、ワイヤ上のフィルム１１０は、第２のダイ１１２のウエハ裏面積層フィルム状の接着剤である。しかしながら、代替実施形態において、ワイヤ上のフィルム１１０は、所定の幅、長さおよび厚さに予め切断され、次に第１のダイ１０２および第１のダイ銅ワイヤ１０８上へと処理された。別の実施形態において、ワイヤ上のフィルム１１０は、液状接着剤として塗布される。
【００２６】
図４は、さらなる処理後のスタックダイパッケージ１００の断面図である。ワイヤ上のフィルム１１０は、第１のダイ１０２の上に重なる。ワイヤ上のフィルム１１０は、第１のダイ１０２の上端、および第１のダイ銅ワイヤ１０８の少なくとも一部に接着しコーティングする。ワイヤ上のフィルム１１０は、第１のダイ銅ワイヤ１０８を第２のダイ１１２から電気的に絶縁することによって、第１のダイ銅ワイヤ１０８を第２のダイ１１２から分離する電気絶縁体である。
【００２７】
ワイヤ上のフィルム１１０の厚さは、ワイヤ上のフィルム１１０の高さが、第１のダイ銅ワイヤ１０８よりわずかに高いように決定される。例えば、この実施形態において、ワイヤ上のフィルム１１０は、２５μｍ〜６０μｍの厚さを有する。しかしながら、代替実施形態において、ワイヤ上のフィルム１１０は、２５μｍ未満の厚さを有してもよい。
【００２８】
図５は、さらなる処理後のスタックダイパッケージ１００の断面図である。第２のダイワイヤ１１４は、第２のダイ１１２を基板１０４に電気的に接続する。この実施形態において、第２のダイワイヤ１１４は、銅である。しかしながら、代替実施形態において、第２のダイワイヤ１１４は、金またはアルミニウムなど、任意の導電性材料であってもよい。
【００２９】
図６は、さらなる処理後のスタックダイパッケージ１００の断面図である。カプセル材料１１６は、第１のダイ１０２、基板１０４、接着剤１０６、第１のダイ銅ワイヤ１０８、ワイヤ上のフィルム１１０、第２のダイ１１２、および第２のダイワイヤ１１４を包む。
【００３０】
図７は、本発明の代替実施形態による３層スタックダイパッケージ７００の断面図である。この実施形態において、３つのダイが、３層スタックダイパッケージ７００において積み重ねられる。しかしながら、代替実施形態において、３つを超えるダイをパッケージに積み重ねてもよい。
【００３１】
３層スタックダイパッケージ７００は、接着剤７０６で基板７０４に装着された第１のダイ７０２を含むデバイスである。ワイヤ上の第１のフィルム７１０が、第１のダイ７０２、および第１のダイ銅ワイヤ７０８の少なくとも一部の上に重なる。第２のダイ７１２が、ワイヤ上の第１のフィルム７１０の上に重なる。第１のダイ銅ワイヤ７０８は、第１のダイ７０２を基板７０４に電気的に接続する。さらに、第２のダイ銅ワイヤ７１４が、第２のダイ７１２を基板７０４に電気的に接続する。
【００３２】
３層スタックダイパッケージ７００にはまた、第２のダイ７１２および第２のダイ銅ワイヤ７１４の少なくとも一部の上に重なる、ワイヤ上の第２のフィルム７１６が含まれる。第３のダイ７１８が、ワイヤ上の第２のフィルム７１６の上に重なる。さらに、第３のダイワイヤ７２０が、第３のダイ７１８を基板７０４に電気的に接続する。カプセル材料７２２が、第１のダイ７０２、基板７０４、接着剤７０６、第１のダイ銅ワイヤ７０８、ワイヤ上の第１のフィルム７１０、第２のダイ７１２、第２のダイ銅ワイヤ７１４、ワイヤ上の第２のフィルム７１６、第３のダイ７１８、および第３のダイワイヤ７２０をカプセル化する。
【００３３】
この実施形態において、第１のダイ銅ワイヤ７０８および第２のダイ銅ワイヤ７１４は、超低ループ形成、例えば折り返しループ形成または逆ループ形成である。しかしながら、代替実施形態において、第１のダイ銅ワイヤ７０８および第２のダイ銅ワイヤ７１４は、他の低プロファイル形成で構成してもよい。さらに、この実施形態において、第１のダイ銅ワイヤ７０８および第２のダイ銅ワイヤ７１４は、１３μｍ〜２５μｍの直径を有する。しかしながら、代替実施形態において、第１のダイ銅ワイヤ７０８および第２のダイ銅ワイヤ７１４は、１３μｍ未満の直径を有してもよい。この実施形態において、第３のダイワイヤ７２０は、銅である。しかしながら、代替実施形態において、第３のダイワイヤ７２０は、金またはアルミニウムなど、任意の導電性材料であってもよい。
【００３４】
ワイヤ上の第１のフィルム７１０は、第１のダイ７０２の上端、および第１のダイ銅ワイヤ７０８の少なくとも一部に接着しコーティングする。さらに、ワイヤ上の第２のフィルム７１６は、第２のダイ７１２の上端、および第２のダイ銅ワイヤ７１４の少なくとも一部に接着しコーティングする。さらに、ワイヤ上の第１のフィルム７１０は、第２のダイ７１２を第１のダイ７０２に接着接続し、ワイヤ上の第２のダイ７１６は、第３のダイ７１８を第２のダイ７１２に接着接続する。
【００３５】
ワイヤ上の第１のフィルム７１０およびワイヤ上の第２のフィルム７１６は、第１のダイ銅ワイヤ７０８を第２のダイ７１２から電気的に絶縁し、かつ第２のダイ銅ワイヤ７１４を第３のダイ７１８から電気的に絶縁することによって、第１のダイ銅ワイヤ７０８を第２のダイ７１２から、かつ第２のダイ銅ワイヤ７１４を第３のダイ７１８からそれぞれ分離する電気絶縁体である。したがって、ワイヤ上の第１のフィルム７１０は、第１のダイ銅ワイヤ７０８を第２のダイ７１２から電気的に分離する。さらに、ワイヤ上の第２のフィルム７１６は、第２のダイ銅ワイヤ７１４を第３のダイ７１８から電気的に分離する。
【００３６】
ワイヤ上の第１のフィルム７１０の厚さは、ワイヤ上の第１のフィルム７１０の高さが、第１のダイ銅ワイヤ７０８よりわずかに高いように決定される。さらに、ワイヤ上の第２のフィルム７１６の厚さは、ワイヤ上の第２のフィルム７１６の高さが、第２のダイ銅ワイヤ７１４よりわずかに高いように決定される。例えば、この実施形態において、ワイヤ上の第１のフィルム７１０およびワイヤ上の第２のフィルム７１６は、それぞれ２５μｍ〜６０μｍの厚さを有する。しかしながら、代替実施形態において、ワイヤ上の第１のフィルム７１０およびワイヤ上の第２のフィルム７１６は、それぞれ２５μｍ未満の厚さを有してもよい。
【００３７】
図８は、本発明の実施形態によるスタックダイパッケージを形成する例の流れ図８００を示す。流れ図には特定ステップが開示されているが、かかるステップは、例示である。すなわち、本発明の実施形態は、様々な他のステップまたは流れ図に列挙されたステップの変形を実行することに適している。
【００３８】
ステップ８０２において、第１のダイが、接着剤で基板に装着される。ステップ８０４において、第１のダイは、第１のダイ銅ワイヤで基板に電気的に接続される。第１のダイ銅ワイヤは、２５μｍ以下、かつ１３μｍ以上の直径を有する。ステップ８０６において、ワイヤ上の第１のフィルムが、第２のダイに装着される。ワイヤ上の第１のフィルムは、６０μｍ以下、かつ２５μｍ以上の厚さを有する。
【００３９】
ステップ８０８において、第２のダイが、ワイヤ上の第１のフィルムで、第１のダイおよび第１のダイ銅ワイヤに装着される。ワイヤ上の第１のフィルムは、銅ワイヤを第２のダイから電気的に絶縁する。ステップ８１０において、第２のダイは、第２のダイ銅ワイヤで基板に電気的に接続される。
【００４０】
ステップ８１２において、ワイヤ上の第２のフィルムが、第３のダイに装着される。ステップ８１４において、第３のダイは、ワイヤ上の第２のフィルムで、第２のダイおよび第２のダイ銅ワイヤに装着される。ワイヤ上の第２のフィルムは、第２のダイ銅ワイヤを第３のダイから電気的に絶縁する。ステップ８１６において、基板、第１のダイ、接着剤、第１のダイ銅ワイヤ、ワイヤ上の第１のフィルム、第２のダイ、第２のダイ銅ワイヤ、ワイヤ上の第２のフィルム、第３のダイ、および第３のダイワイヤが、カプセル材料で包まれる。
【００４１】
前述の記載は、説明のために、特定の実施形態を参照して記載された。しかしながら、上記の例示的な説明は、包括的であるようにも、開示された形態に本発明を正確に限定するようにも意図されていない。上記の教示を考慮すると、多くの修正および変形が可能になる。実施形態は、本発明の原理および本発明の実際的な適用を最も良く説明し、それによって、当業者が、熟考された特定の使用に適し得る様々な修正と共に、本発明および様々な実施形態を最も良く利用できるように、選択され説明された。
【図１】
2013530548.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【手続補正書】
【提出日】平成25年2月26日(2013.2.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の上に重なる第１のダイと、
前記第１のダイを前記基板に電気的に接続する銅ワイヤと、
前記第１のダイおよび前記銅ワイヤの一部に隣接し、かつそれらの上に完全に重なるフィルムと、
前記フィルム上に重なる第２のダイと、
を含むデバイスであって、
前記フィルムが、前記銅ワイヤおよび前記第１のダイを前記第２のダイから電気的に絶縁するデバイス。
【請求項２】
前記銅ワイヤが、２５μｍ以下の直径を有し、前記フィルムが、６０μm以下の厚さを有する、請求項１に記載のデバイス。
【請求項３】
前記銅ワイヤが、１３μｍ以下の直径を有し、前記フィルムが、２５μｍ以下の厚さを有する、請求項１に記載のデバイス。
【請求項４】
前記銅ワイヤが、折り返しループ形成である、請求項１に記載のデバイス。
【請求項５】
前記銅ワイヤが、逆ループ形成である、請求項１に記載のデバイス。
【請求項６】
前記基板、前記第１のダイ、前記銅ワイヤ、前記フィルム、および前記第２のダイをカプセル化するカプセル材料をさらに含む、請求項１に記載のデバイス。
【請求項７】
前記第２のダイを前記基板に電気的に接続する第２のダイ銅ワイヤと、
前記第２のダイおよび前記第２のダイ銅ワイヤの一部の上に重なる第２のダイフィルムと、
前記第２のダイフィルムの上に重なる第３のダイと、
をさらに含み、
前記第２のダイフィルムが、前記第２のダイ銅ワイヤを前記第３のダイから電気的に絶縁する、請求項１に記載のデバイス。
【請求項８】
基板と、
前記基板の上に重なる第１のダイと、
前記第１のダイを前記基板に装着する接着剤と、
前記第１のダイを前記基板に電気的に接続する銅ワイヤと、
前記第１のダイに隣接し、かつその上に完全に重なる電気絶縁体であって、前記銅ワイヤの一部をコーティングする電気絶縁体と、
前記電気絶縁体の上に重なる第２のダイと、
前記第２のダイを前記基板に電気的に接続する第２のダイワイヤと、
を含むデバイスであって、
前記電気絶縁体が、前記銅ワイヤおよび前記第１のダイを前記第２のダイから電気的に分離するデバイス。
【請求項９】
前記第２のダイワイヤが銅を含む、請求項８に記載のデバイス。
【請求項１０】
前記電気絶縁体が、前記第２のダイを前記第１のダイに接着接続する、請求項８に記載のデバイス。
【請求項１１】
前記銅ワイヤが、２５μｍ以下、かつ１３μｍ以上の直径を有し、前記電気絶縁体が、６０μｍ以下、かつ２５μｍ以上の厚さを有する、請求項８に記載のデバイス。
【請求項１２】
前記銅ワイヤが、超低ループ形成である、請求項８に記載のデバイス。
【請求項１３】
前記基板、前記第１のダイ、前記接着剤、前記銅ワイヤ、前記電気絶縁体、前記第２のダイ、および前記第２のダイワイヤを包む成形材料をさらに含む、請求項８に記載のデバイス。
【請求項１４】
前記第２のダイおよび前記第２のダイワイヤの一部の上に重なる第２の電気絶縁体と、
前記第２の電気絶縁体の上に重なる第３のダイと、
をさらに含み、
前記第２の電気絶縁体が、前記第２のダイワイヤを前記第３のダイから電気的に絶縁する、請求項８に記載のデバイス。
【請求項１５】
第１のダイを基板に接着剤で装着するステップと、
前記第１のダイを前記基板に銅ワイヤで電気的に接続するステップと、
フィルムを第２のダイに装着するステップと、
前記フィルムを前記第１のダイおよび前記銅ワイヤに装着するステップであって、前記が、前記第１のダイに隣接し、その上に完全に重なり、かつ前記銅ワイヤおよび前記第１のダイを前記第２のダイから電気的に絶縁するステップと、
前記第２のダイを前記基板に電気的に接続するステップと、
を含む方法。
【請求項１６】
前記第２のダイを前記基板に電気的に接続するステップが、前記第２のダイを前記基板に銅ワイヤで電気的に接続するステップを含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記第１のダイを前記基板に銅ワイヤで電気的に接続するステップが、２５μｍ以下、かつ１３μｍ以上の直径を有する銅ワイヤで、前記第１のダイを前記基板に電気的に接続するステップを含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１８】
前記第１のダイおよび前記銅ワイヤにフィルムを装着するステップが、６０μｍ以下、かつ２５μｍ以上の厚さを有するフィルムを、前記第１のダイおよび前記銅ワイヤに装着するステップを含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１９】
前記基板、前記第１のダイ、前記接着剤、前記銅ワイヤ、前記フィルム、および前記第２のダイをカプセル材料で包むステップをさらに含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項２０】
前記第２のダイを前記基板に電気的に接続するステップが、前記第２のダイを前記基板に第２のダイ銅ワイヤで電気的に接続するステップを含み、かつ
第２のフィルムを第３のダイに装着するステップと、
前記第２のフィルムを前記第２のダイおよび前記第２のダイ銅ワイヤに装着するステップであって、前記第２のフィルムが、前記第２のダイ銅ワイヤを前記第３のダイから電気的に絶縁するステップと、
をさらに含む、請求項１５に記載の方法。
【国際調査報告】
2013530548.tif 000011
2013530548.tif 000012