【事件の表示】
　特許第２５８３２１７号「光ファイバ用多孔質母材の製造方法」の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結論】
　訂正を認める。
　特許第２５８３２１７号の特許を維持する。
【理由】
Ｉ．手続の経緯
　特許出願　　　　　　昭和６１年３月１４日
　設定登録　　　　　　平成８年１１月２１日
　　　　　　　　　（特許第２５８３２１７号）
　特許公報発行　　　　平成９年２月１９日
　特許異議の申立て　　平成９年８月１９日
　　　　　　　　　　　（申立人　菅原　秀明）
　取消理由通知　　　　平成１０年３月４日
　意見書，訂正請求書　平成１０年５月１９日
　訂正拒絶理由通知▲１▼　平成１０年６月８日
　意見書　　　　　　　平成１０年８月２４日
　審尋書（申立人宛）　平成１１年１月２５日
　審尋書（特許権者宛）平成１１年１月２５日
　回答書（申立人）　　平成１１年４月１６日
　回答書（特許権者）　平成１１年４月２０日
　訂正拒絶理由通知▲２▼　平成１１年６月９日
　意見書　　　　　　　平成１１年８月３０日
ＩＩ．訂正の要旨
　平成１０年５月１９日付けの訂正請求における訂正の要旨は次のとおりである。
１．訂正事項Ａ
（Ａ−１）特許査定時の特許請求の範囲第１項に「最低温度部をＴ１」（本件特許公報第１欄第７〜８行）とあるのを「最低温度部の温度をＴ１」に訂正し、
（Ａ−２）同「最高温度部をＴ２」とあるのを「最高温度部の温度をＴ２」（同公報第１欄第８〜９行）に訂正し、
（Ａ−３）同「満足させることを特徴とする」（同公報第１欄第１２行）とあるのを「満足させ、かつ、クラッド用ガラス層のガラス堆積面において火炎が相互干渉する部分の温度を火炎が相互干渉しない部分の温度より高い状態とし、さらにクラッド用ガラス層のガラス堆積面における最高温度部を火炎が相互干渉する部分に形成することを特徴とする」に訂正する。
２．訂正事項Ｂ
（Ｂ−１）特許査定時の明細書に「ＶＡＤ法により、ガラス微粒子を堆積成長させて、コア用ガラス層とその外周のクラッド用ガラス層を同時に形成」（平成７年７月３日付手続補正書第２頁第６〜７行、同公報第４欄第２〜４行）とあるのを「ＶＡＤ法によりガラス微粒子を堆積成長させて、コア用ガラス層とその外周のクラッド用ガラス層とを同時に形成」に訂正し、
（Ｂ−２）同明細書に「最低温度部をＴ１」（同補正書第２頁第８〜９行、同公報第４欄第６行）とあるのを「最低温度部の温度をＴ１」に訂正し、
（Ｂ−３）同明細書に「最高温度部をＴ２」（同補正書第２頁第９行、同公報第４欄第７行）とあるのを「最高温度部の温度をＴ２」に訂正し、
（Ｂ−４）同明細書に「満足させることを特徴とする。」（同補正書第２頁第１２行、同公報第４欄第１１行）とあるのを「満足させ、かつ、クラッド用ガラス層のガラス堆積面において火炎が相互干渉する部分の温度を火炎が相互干渉しない部分の温度より高い状態とし、さらにクラッド用ガラス層のガラス堆積面における最高温度部を火炎が相互干渉する部分に形成することを特徴とする。」に訂正する。
３．訂正事項Ｃ
　特許査定時の明細書に「となるようにして、ガラス微粒子を堆積させるから、」（第６頁第４〜５行、同公報第４欄第１６〜１７行）とあるのを「となるようにし、かつ、クラッド用ガラス層のガラス堆積面において火炎が相互干渉する部分の温度を火炎が相互干渉しない部分の温度より高い状態とし、さらにクラッド用ガラス層のガラス堆積面における最高温度部を火炎が相互干渉する部分に形成して、ガラス微粒子を堆積させるから、」に訂正する。
４．訂正事項Ｄ
（Ｄ−１）特許査定時の明細書に「最低温度部をＴ１」（同補正書第２頁第１８行、同公報第６欄第５行）とあるのを「最低温度部の温度をＴ１」に訂正し、
（Ｄ−２）同明細書に「最高温度部をＴ２」（同補正書第２頁第１９行、同公報第６欄第６行）とあるのを「最高温度部の温度をＴ２」に訂正し、
（Ｄ−３）同明細書に「満足させる」（同補正書第２頁第２２行、同公報第６欄第９〜１０行）とあるのを「満足させ、かつ、クラッド用ガラス層のガラス堆積面において火炎が相互干渉する部分の温度を火炎が相互干渉しない部分の温度より高い状態とし、さらにクラッド用ガラス層のガラス堆積面における最高温度部を火炎が相互干渉する部分に形成する」に訂正する。
５．訂正事項Ｅ
　特許査定時の明細書に「第３図は従来法おける」（第１０頁第９〜１０行、同公報第６欄第２５行）とあるのを「第３図は従来法における」に訂正する。
ＩＩＩ．訂正の適否に対する判断
１．訂正の目的、新規事項、拡張・変更
１．１　訂正事項Ａについて
　上記訂正事項Ａのうち（Ａ−１）及び（Ａ−２）は、特許査定時の特許請求の範囲第１項には「Ｔ１」及び「Ｔ２」が如何なるパラメーターであるかが示されていなかったものを「温度」であることを明示するものであるから、明りょうでない記載の釈明に相当する。
　また、「Ｔ１」及び「Ｔ２」が「温度」を表すものであることは、特許査定時の特許請求の範囲第１項に「Ｔ１≧５５０℃、（Ｔ２−Ｔ１）≦２００℃」（本件特許公報第１欄第１０〜１１行）と記載されていたことからして当業者に自明の事項であるので、上記訂正事項（Ａ−１）及び（Ａ−２）は、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内のものであり、かつ実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
　また、上記訂正事項Ａのうち（Ａ−３）は、特許査定時の特許請求の範囲第１項にはクラッド用ガラス層の堆積面における温度分布については何も限定されていなかったものを特定の温度分布のものに限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮に相当する。
　そして、特許査定時の【図１】には本件特許発明の方法の一実施例を多孔質母材の温度分布とともに示した概略図が示されており、この温度分布とクラッド合成用バーナ２２〜２４との配置関係から、「クラッド用ガラス層のガラス堆積面において火炎が相互干渉する部分の温度を火炎が相互干渉しない部分の温度より高い状態とし、さらにクラッド用ガラス層のガラス堆積面における最高温度部を火炎が相互干渉する部分に形成」されていることは明らかであるので、上記訂正事項（Ａ−３）は、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内のものであり、かつ実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
１．２　訂正事項Ｂについて
　上記訂正事項Ｂのうち（Ｂ−１）は、読点を省いてガラス微粒子を堆積成長させる方法がＶＡＤ法によるものであることを明確にすると共に、「を」を「とを」に訂正することによりコア用ガラス層とその外周のクラッド用ガラス層とを同時に形成するものであることが明確になるように訂正するものであり、また、上記訂正事項Ｂのうち（Ｂ−２）〜（Ｂ−４）は、上記訂正事項Ａにより特許査定時の特許請求の範囲第１項が訂正されたことにより、発明の詳細な説明をこれに適合するように訂正するものであるから、明りょうでない記載の釈明に相当し、また、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内のものであり、かつ実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
１．３　訂正事項Ｃ及びＤについて
　上記訂正事項Ｃ及びＤは、上記訂正事項Ａにより特許査定時の特許請求の範囲第１項が訂正されたことにより、発明の詳細な説明をこれに適合するように訂正するものであるから、明りょうでない記載の釈明に相当し、また、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内のものであり、かつ実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
１．４　訂正事項Ｅについて
　上記訂正事項Ｅは、訂正前の記載では文意上「に」が抜けていることは明らかであるので、誤記の訂正に相当し、また、願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内のものであり、かつ実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
２．　独立特許要件
２．１　訂正明細書に記載された発明
　訂正明細書に記載された特許請求の範囲第１項の記載は次のとおりである。
　【請求項１】コア合成用バーナと複数本のクラッド合成用バーナとを用いたＶＡＤ法によりガラス微粒子を堆積成長させて、コア用ガラス層とその外周のクラッド用ガラス層とを同時に形成する光ファイバ用多孔質母材の製造方法において、クラッド用ガラス層のガラス堆積面における最低温度部の温度をＴ１、クラッド用ガラス層のガラス堆積面における最高温度部の温度をＴ２とした場合に、上記ＶＡＤ法における各クラッド合成用バーナの火炎相互を干渉させ、かつ、Ｔ１≧５５０℃、（Ｔ２−Ｔ１）≦２００℃をクラッド用ガラス層の堆積面の全ての部分において満足させ、かつ、クラッド用ガラス層のガラス堆積面において火炎が相互干渉する部分の温度を火炎が相互干渉しない部分の温度より高い状態とし、さらにクラッド用ガラス層のガラス堆積面における最高温度部を火炎が相互干渉する部分に形成することを特徴とする光ファイバ用多孔質母材の製造方法。」（以下、「本件訂正発明」という。）
２．２　取消理由の概要
　平成１０年３月４日付けの取消理由の概要は、次のとおりである。
　特許査定時の特許請求の範囲第１項に記載された発明は、下記引用例１及び２に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、該発明の特許は特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである。
　　　　　　　　　　　記
　引用例１　特開昭５６−１０９８３４号公報
　　　　　　　　　　　　（甲第１号証に該当）
　引用例２　特開昭６０−４６９４２号公報
　　　　　　　　　　　　（甲第２号証に該当）
２．３　各引用例の記載内容
２．３．１　引用例１
　上記引用例１には、「光ファイバ用母材の製造方法」の発明に関し、
（１−１）「棒状出発材の先端にガラス微粒子合成トーチによりコア用多孔質母材を軸方向に成長させ、その側面からクラッド用多孔質母材を堆積させるに際し、互いの火炎が干渉する位置に並列させた複数本のクラッド用微粒子合成トーチでクラッド用多孔質母材を堆積させることを特徴とする光ファイバ用母材の製造方法。」（特許請求の範囲）、
（１−２）「本発明は気相軸付法（ＶＡＤ法）による光ファイバ用母材の製造方法に関し、特にクラッド部の形成工程に関する。」（第１頁左下欄第１２〜１４行）、
（１−３）「前記実施例において、複数本のクラッド用合成トーチの上下間隔を離し、互いの火炎の干渉をなくしてしまうと、第５図に例示したように、多孔質母材クラッド部にひび割れが生じ、望ましくなかった。これはクラッド用合成トーチの火炎が当たらないクラッド部表面の温度が２００℃程度低下し、焼結度の低い微粒子が堆積してしまうためであり、複数本のクラッド用合成トーチの間隔は互いの火炎が干渉し、ガラス微粒子を堆積しているクラッド部表面に低温領域が生じないように保つことが必要である。」（第２頁右上欄第３〜１３行）、
との記載があるほか、
（１−４）第３図には２本のクラッド用合成トーチ３６を用いた場合の火炎の干渉の様子が示されている。
２．３．２　引用例２
　上記引用例２には、「光ファイバ用母材の製造方法」の発明に関し、
（２−１）「本発明は光ファイバー用スート母材の製造方法に関し、特にＶＡＤ法による単一モード型及びクラッドとコアを有するマルチモード型光ファイバー用スート母材の製造方法に関する。」（第１頁左下欄第２０行〜同頁右下欄第３行）、
（２−２）「ＶＡＤ法ではスート母材のコア径を小さくするには技術的に限度があること、また母材のコア径を小さくすると同一長さの母材から得られるファイバ長が短かくなり生産性が落ちること等の理由より、あまりスート母材のコア径を小さくすることはできない。このためスート母材を作製する際には十分クラッド径を大きくすることが必要となってくる。このため第１図に示したように２本のクラッド用トーチを用いてクラッド層の太径化を行っている。」（第２頁左下欄第１１行〜同頁右下欄第１行）、
（２−３）「クラッド径を大きくすることのよって現われる最も大きな障害はスート母材が割れ易くなるということである。この割れの原因としてはスート母材中の嵩密度分布の不均一性が挙げられ、特に第２クラッド層の嵩密度が低い場合が割れが多い。ここで本発明者らは、スート母材の嵩密度とスート母材のガラス微粒子堆積表面の温度との関係を調べてみるために、いろいろな条件で作成したスス体の表面温度分布と嵩密度分布を測定した。この実験の結果スス体の作製条件に関係なくスス体表面温度と嵩密度には第３図に示すような非常に高い相関関係があることを見出した。」
（第２頁右下欄第６〜１９行）、
との記載があるほか、
（２−４）第５頁左下欄の図１には、コア用トーチ１、２本のクラッド用トーチ２及び３を使用したＶＡＤ法による単一モード光ファイバスート母材製造の模式図が示されており、
（２−５）第５頁右下欄の第３図には、スート堆積表面温度と嵩密度の関係が示され、スート堆積表面温度が５５０℃以上では嵩密度が約０．１５（ｇ／ｃｍ３）以上となっていることが読みとれ、さらに、
（２−６）第６頁右上欄の第８図（ａ）及び（ｂ）には、実施例及び比較例で得た単一モードファイバスート母材の嵩密度分布が記載されており、実施例相当の第８図（ａ）では、第１クラッド部分の嵩密度は約０．２８〜０．２６程度であってピークはないこと、第２クラッド層の嵩密度は表面近傍を除き大部分が０．１５以上であってピークはないこと、第１クラッド層及び第２クラッド層の境界部分にも嵩密度のピークはないことが読みとれ、また、比較例相当の第８図（ｂ）では、第１クラッド層の嵩密度は約０．２７〜０．２４程度であってピークはないこと、第２クラッド層の嵩密度は表面に向うに従いピーク値に達した後急激に低下して大部分が０．０５以下となっていること、第１クラッド層と第２クラッド層との境界部分には嵩密度のピークはないことが読みとれる。
２．４　対比・検討
　そこで、本件訂正発明と上記引用例１に記載の発明とを対比すると、上記引用例１の（１−３）に摘記した事項は、ＶＡＤ法における各クラッド合成用バーナの火炎相互を干渉させる必要があること、及び、クラッド用ガラス層のガラス堆積面における最低温度部の温度をＴ１、クラッド用ガラス層のガラス堆積面における最高温度部の温度をＴ２とした場合に、少なくとも（Ｔ２−Ｔ１）≦２００℃となるようにして低温領域が生じないようにする必要があることを示唆するものであるから、両者は、共に、「コア合成用バーナと複数本のクラッド合成用バーナとを用いたＶＡＤ法によりガラス微粒子を堆積成長させて、コア用ガラス層とその外周のクラッド用ガラス層とを同時に形成する光ファイバ用多孔質母材の製造方法において、クラッド用ガラス層のガラス堆積面における最低温度部の温度をＴ１、クラッド用ガラス層のガラス堆積面における最高温度部の温度をＴ２とした場合に、上記ＶＡＤ法における各クラッド合成用バーナの火炎相互を干渉させ、かつ、（Ｔ２−Ｔ１）≦２００℃をクラッド用ガラス層の堆積面の全ての部分において満足させることを特徴とする光ファイバ用多孔質母材の製造方法。」である点では共通するが、
（１）本件訂正発明ではクラッド用ガラス層の堆積面における最低温度部の温度Ｔ１につき「Ｔ１≧５５０℃」と限定しているのに対し、引用例１にはクラッド用ガラス層の堆積面における最低温度部の温度に関する記載はないこと、
（２）本件訂正発明では「クラッド用ガラス層のガラス堆積面において火炎が相互干渉する部分の温度を火炎が相互干渉しない部分の温度より高い状態とし、さらにクラッド用ガラス層のガラス堆積面における最高温度部を火炎が相互干渉する部分に形成する」と限定しているのに対し、引用例１にはこのようなことに関する記載がないので、両者はかかる点で相違している。
　一方、上記引用例２には、上記（２−６）にＶＡＤ法により作製されたクラッド用ガラス層の嵩密度は約０．１５以上であることが示されており、この嵩密度が得られるクラッド用ガラス層の堆積面の温度は、上記（２−５）に示されている事項を参照すれば、約５５０℃以上であることが認められるが、本件訂正発明が構成要件とする「クラッド用ガラス層のガラス堆積面において火炎が相互干渉する部分の温度を火炎が相互干渉しない部分の温度より高い状態とし、さらにクラッド用ガラス層のガラス堆積面における最高温度部を火炎が相互干渉する部分に形成する」ことを示唆する記載はないし、しかも、引用例２に記載のものではたとえ第１クラッド用ガラス層形成用の火炎と第２クラッド用ガラス層形成用の火炎とが相互干渉しているとしても、第１クラッド層と第２クラッド層のとの境界部に嵩密度のピークが存在しないことから、「クラッド用ガラス層のガラス堆積面において火炎が相互干渉する部分の温度を火炎が相互干渉しない部分の温度より高い状態」が示されているとすることはできない。
　そして、本件訂正発明は、上記相違点（２）の構成を備えることにより、その余の構成と相まって、「多孔質母材の製作段階における不良（クラック）、爾後の透明ガラス化における不良（気泡残留）を発生させることのない良質の光ファイバ用多孔質母材が得られることとなり、光ファイバを製作するサイン歩留りが向上する。」（本件特許公報第６欄第１７〜２１行）という効果を奏することは、実施例及び比較例を対比することにより確認できることである。
　してみれば、本件訂正発明は引用例１及び２に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
２．５　独立特許要件に対する結論
　したがって、上記「２．４」で述べたように、本件訂正発明は独立特許要件を備えているものと認める。
３．　訂正の認否
　したがって、上記「１．」及び「２．５」に述べたように、上記訂正請求は、特許法第１２０条の４第２項第１号から第３号に掲げる事項を目的とするものであり、また同条第３項で準用する同法第１２６条第２項から第４項までの規定にそれぞれ適合するものであるから、上記訂正請求は認める。
ＩＶ．特許異議の申立についての判断
１．申立理由の概要
　申立人は、証拠として甲第１号証（特開昭５６−１０９８３４号公報、上記引用例１に該当）及び甲第２号証（特開昭６０−４６９４２号公報、上記引用例２に該当）を提示し、特許査定時の特許請求の範囲第１項に記載された発明は甲第１及び２号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、該発明の特許は特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであるので、特許を取り消すべきものである旨を主張している。
２当審の判断
２．１　本件発明
　上記「ＩＩＩ．３．」で述べたように、上記訂正請求は認めるので、本件特許請求の範囲第１項に記載された発明の要旨は、上記「ＩＩＩ．２．１」に摘記した訂正後の特許請求の範囲第１項に記載されたとおりのもの（以下、「本件発明」という。）である。
２．２　申立理由についての判断
　申立人の申立理由及びその申立理由で引用された甲第１及び２号証は、当審における取消理由通知で通知した理由及び証拠として引用した引用例１，２と同じであるから、上記「ＩＩＩ．２．４」で述べたのと同様の理由により、本件発明は、甲第１及び２号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
Ｖ．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件発明の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１１年９月３０日（１９９９．９．３０）
【訂正の要旨】
１．訂正事項Ａ
　明りょうでない記載の釈明及び特許請求の範囲の減縮を目的としてを目的として、
（Ａ−１）特許査定時の特許請求の範囲第１項に「最低温度部をＴ１」（本件特許公報第１欄第７〜８行）とあるのを「最低温度部の温度をＴ１」に訂正し、
（Ａ−２）同「最高温度部をＴ２」とあるのを「最高温度部の温度をＴ２」（同公報第１欄第８〜９行）に訂正し、
（Ａ−３）同「満足させることを特徴とする」（同公報第１欄第１２行）とあるのを「満足させ、かつ、クラッド用ガラス層のガラス堆積面において火炎が相互干渉する部分の温度を火炎が相互干渉しない部分の温度より高い状態とし、さらにクラッド用ガラス層のガラス堆積面における最高温度部を火炎が相互干渉する部分に形成することを特徴とする」に訂正する。
２．訂正事項Ｂ
　明りょうでない記載の釈明を目的として、
（Ｂ−１）特許査定時の明細書に「ＶＡＤ法により、ガラス微粒子を堆積成長させて、コア用ガラス層とその外周のクラッド用ガラス層を同時に形成」（平成７年７月３日付手続補正書第２頁第６〜７行、同公報第４欄第２〜３行）とあるのを「ＶＡＤ法によりガラス微粒子を堆積成長させて、コア用ガラス層とその外周のクラッド用ガラス層とを同時に形成」に訂正し、
（Ｂ−２）同明細書に「最低温度部をＴ１」（同補正書第２頁第８〜９行、同公報第４欄第６行）とあるのを「最低温度部の温度をＴ１」に訂正し、
（Ｂ−３）同明細書に「最高温度部をＴ２」（同補正書第２頁第９行、同公報第４欄第７行）とあるのを「最高温度部の温度をＴ２」に訂正し、
（Ｂ−４）同明細書に「満足させることを特徴とする。」（同補正書第２頁第１２行、同公報第４欄第１１行）とあるのを「満足させ、かつ、クラッド用ガラス層のガラス堆積面において火炎が相互干渉する部分の温度を火炎が相互干渉しない部分の温度より高い状態とし、さらにクラッド用ガラス層のガラス堆積面における最高温度部を火炎が相互干渉する部分に形成することを特徴とする。」に訂正する。
３．訂正事項Ｃ
　明りょうでない記載の釈明を目的として、特許査定時の明細書に「となるようにして、ガラス微粒子を堆積させるから、」（第６頁第４〜５行、同公報第４欄第１６〜１７行）とあるのを「となるようにし、かつ、クラッド用ガラス層のガラス堆積面において火炎が相互干渉する部分の温度を火炎が相互干渉しない部分の温度より高い状態とし、さらにクラッド用ガラス層のガラス堆積面における最高温度部を火炎が相互干渉する部分に形成して、ガラス微粒子を堆積させるから、」に訂正する。
４．訂正事項Ｄ
　明りょうでない記載の釈明を目的として、
（Ｄ−１）特許査定時の明細書に「最低温度部をＴ１」（同補正書第２頁第１８行、同公報第６欄第５行）とあるのを「最低温度部の温度をＴ１」に訂正し、
（Ｄ−２）同明細書に「最高温度部をＴ２」（同補正書第２頁第１９行、同公報第６欄第６行）とあるのを「最高温度部の温度をＴ２」に訂正し、
（Ｄ３）同明細書に「満足させる」（同補正書第２頁第２２行、同公報第６欄第９〜１０行）とあるのを「満足させ、かつ、クラッド用ガラス層のガラス堆積面において火炎が相互干渉する部分の温度を火炎が相互干渉しない部分の温度より高い状態とし、さらにクラッド用ガラス層のガラス堆積面における最高温度部を火炎が相互干渉する部分に形成する」に訂正する。
５．訂正事項Ｅ
　誤記の訂正を目的として、特許査定時の明細書に「第３図は従来法おける」（第１０頁第９〜１０行、同公報第６欄第２５行）とあるのを「第３図は従来法における」に訂正する。
（５４）　【発明の名称】
光フアイバ用多孔質母材の製造方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】コア合成用バーナと複数本のクラッド合成用バーナとを用いたＶＡＤ法によりガラス微粒子を堆積成長させて、コア用ガラス層とその外周のクラッド用ガラス層とを同時に形成する光ファイバ用多孔質母材の製造方法において、クラッド用ガラス層のガラス堆積面における最低温度部
の温度
の温度
かつ、Ｔ１≧５５０℃、（Ｔ２−Ｔ１）≦２００℃をクラッド用ガラス層の堆積面の全ての部分において満足させ
、
かつ、クラッド用ガラス層のガラス堆積面において火炎が相互干渉する部分の温度を火炎が相互干渉しない部分の温度より高い状態とし、さらにクラッド用ガラス層のガラス堆積面における最高温度部を火炎が相互干渉する部分に形成
【発明の詳細な説明】
『産業上の利用分野』
　本発明はコア合成用バーナと複数本のクラッド合成用バーナとを用いたＶＡＤ法により、光ファイバ用の多孔質母材を製造する方法に関する。
『従来の技術』
　光ファイバ用の多孔質母材を製造する手段の一つにＶＡＤ法があり、かかるＶＡＤ法によりシングルモード型光ファイバの多孔質母材を製造する場合、一本のコア合成用バーナと複数本のクラッド合成用バーナとを用いるのが一般である。
　その理由は、シングルモード型光ファイバにおけるコア径／クラッド径が約１／１３にもなるため、多孔質母材の作製段階においてクラッド用ガラス層の外径を大きくし、所定の外径比を確保しようとするからである。
　周知の通り、上記ＶＡＤ法ではコア合成用バーナを介して生成されたガラス微粒子をターゲットの下端に堆積させてコア用ガラス層を形成すると同時に、複数本のクラソト合成用バーナをして生成されたガラス微粒子をコア用ガラス層の外周に堆積させてクラッド用ガラス層を形成する。
　この際、クラッド合成用の各バーナは、これらの火炎が相互に干渉してガラス堆積面における温度分布を形成する。
　第１図は上記ＶＡＤ法における多孔質母材の作製状況をその多孔質母材の温度分布とともに示したものであり、第２図は多孔質母材の嵩密度を示したものである。
　第１図、第２図において、１０は多孔質母材、１１はコア用ガラス層、１２、１３、１４はクラッド用ガラス層であり、２１はコア合成用バーナ、２２、２３、２４はクラッド合成用バーナである。
　第１図の温度分布は多孔質母材１０の軸心線ａ−ａ上における望ましい状態であり、この温度分布の場合、各部の温度差か小さいが、従来のＶＡＤ法では、多孔質母材１０におけるガラス堆積面の温度分布につき、技術的配慮がなされていないため、そのガラス堆積面での温度差が大きものとなっている。
　自明の通り、ガラス層の焼結度が温度に比例するため、ガラス堆積面の温度が高いときはガラス層が硬くなり、逆にその温度が低いときはガラス層が軟らかくなり、したがって、多孔質母材のガラス堆積面に温度差がある場合、第２図のごとく、各ガラス層に粗密が生じる。
『発明が解決しようとする問題点』
　上述した従来法の場合、多孔質母材のガラス堆積面に温度差があり、各ガラス層に粗密が生じるため、これに起因した下記の問題が生じる。
　その一つは多孔質母材に割れ（クラック）が発生しやすくなる。
　これは、多孔質母材の合成後に温度が、下がり、母材自身が収縮する際、各ガラス層の粗密により応力が均一に加わらなくなるため、割れが生じると考えられる。
　他の一つは多孔質母材を透明ガラス化した際に気泡が、発生する。
　これは、透明ガラス化速度が各ガラス層の粗密により異なり、密なる部分の透明ガラス化が進行するのに対し、粗なる部分の透明ガラス化がとり残されるため、気泡が発生すると考えられる。
　一方、クラッド合成用バーナとして、一本の大型バーナを用いる場合、広い範囲で均一な温度分布を得ることはむずかしく、かかる手段も、結果的に上記と同様の問題が生じる。
　本発明は上記の問題点に鑑み、ガラス微粒子堆積時における各クラッド用ガラス層の温度分布を適切にして、クラックの発生が阻止できる、しかも透明ガラス化時の気泡の少ない多孔質母材が製造できる方法を提供しようとするものである。
『問題点を解決するための手段』
　本発明は初期の目的を達成するために、コア合成用バーナと複数本のクラッド合成用バーナとを用いたＶＡＤ法により、ガラス微粒子を堆積成長させて、コア用ガラス層とその外周のクラッド用ガラス層を同時に形成する光ファイバ用多孔質母材の製造方法において、クラッド用ガラス層のガラス堆積面における最低温度部
の温度
の温度
、かつ、クラッド用ガラス層のガラス堆積面において火炎が相互干渉する部分の温度を火炎が相互干渉しない部分の温度より高い状態とし、さらにクラッド用ガラス層のガラス堆積面における最高温度部を火炎が相互干渉する部分に形成す
『作用』
　本発明のＶＡＤ法により多孔質母材を製造するとき、クラッド用ガラス層のガラス堆積面での最低温度部を５５０℃以上に保持し、その堆積面における最低温度部、最高温度部の温度差が２００℃以内となるようにし
、かつ、クラッド用ガラス層のガラス堆積面において火炎が相互干渉する部分の温度を火炎が相互干渉しない部分の温度より高い状態とし、さらにクラッド用ガラス層のガラス堆積面における最高温度部を火炎が相互干渉する部分に形成し
　すなわち、上記最低温度部が５５０℃未満の場合は、焼結不足によるクラッド用ガラス層のクラックが発生し、上記最低温度部、最高温度部の温度差が２００℃を越える場合は、各クラッド用ガラス層相互の粗密によりクラックばかりか、透明ガラス化後の母材に気泡をも多発するが、これら最低温度部、最高温度部につき、所定の条件を満足させた場合、このような問題が発生しがたい。
『実施例』
　以下、本発明方法の実施例につき、図面を参照して説明する。
　本発明方法は第１図に述べたＶＡＤ法ものと基本的に同じである。
　すなわち第１図のごとく、コア合成用バーナ２１を介して生成されたガラス微粒子を、回転しながら引き上げられるターゲット（図示せず）の下端に堆積させてコア用ガラス層１１を形成すると同時に、複数本のクラッド合成用バーナ２２、２３、２４をして生成されたガラス微粒子をコア用ガラス層１１の外周に堆積させてクラッド用ガラス層１２、１３、１４を形成し、かくて多孔質母材１０を製造する。
　この際、使用されるバーナ２１、２２、２３、２４はそれぞれ多重管構造を有し、これらバーナ２１〜２４の各流路には、気相のガラス原料（ＳｉＣｌ４）、気相のドープ原料（Ｇｅ系、Ｐ系、Ｂ系など）、燃料ガス（Ｈ２）、助燃ガス（Ｏ２）、シールガス（Ａｒなどの不活性ガス）が供給され、これら各ガスの火炎加水分解反応によりスート状のガラス微粒子が生成される。本発明では、かかるＶＡＤ法により多孔質母材を製造するとき、クラッド用ガラス層１２、１３、１４のガラス堆積面での最低温度部を５５０℃以上に保持し、その堆積面における最低温度部、最高温度部の温度差が２００℃以内となるようにするが、その具体的方法として、下記に例示する手段が単一または複合して用いられる。
ガラス堆積面に対する各クラッド合成用バーナの間隔を調整する。
各クラッド合成用バーナヘの燃料ガス量、助燃ガス量、シールガス量をコントロールする。
各クラッド合成用バーナヘの気相原料のチャージ量をコントロールする。
各クラッド合成用バーナにおけるバーナフードの深さを変えて火炎の広がりをコントロールする。
　上記いずれの手段を採用してもガラス堆積面の温度分布は変化する。
　所定の条件が満足できるならば、いずれのパラメータを動かしてもよい。
　第３図はガス堆積面に対するクラッド合成用バーナの間隔（ガラス堆積面とバーナ先端との間隔）を５０ｍｍに設定した場合のガラス堆積面の温度分布である。
　第３図の場合、火炎相互の干渉がなく、そのため同図Ｐ１，Ｐ２の箇所には、火炎相互の間隙による低温部があらわれている。
　このような現象があらわれたＶＡＤ法では、その低温部の嵩密度が低いため、多孔質母材の割れが多発した。
　前記第１図はガラス堆積面に対するクラッド合成用バーナの間隔を３０ｍｍに設定した場合のガラス堆積面の温度分布である。
　この場合は、火炎相互が干渉し、ガラス堆積面における最低温度も上昇したため、多孔質母材の割れは発生しなかった。
　その後、当該多孔質母材を透明ガラス化したところ、気泡の発生が前者に比べて格段に少なく、良好な透明ガラス母材が得られた。
『発明の効果』
　以上説明したとおり、本発明はコア合成用バーナと複数本のクラッド合成用バーナとを用いたＶＡＤ法により、ガラス微粒子を堆積成長させて、コア用ガラス層とその外周のクラッド用ガラス層を同時に形成する光ファイバ用多孔質母材の製造方法において、クラッド用ガラス層のガラス堆積面における最低温度部
の温度
の温度
、かつ、クラッド用ガラス層のガラス堆積面において火炎が相互干渉する部分の温度を火炎が相互干渉しない部分の温度より高い状態とし、さらにクラック用ガラス層のガラス堆積面における最高温度部を火炎が相互干渉する部分に形成す
から、大きな外径のクラッドガラス層を含む各カラス層は全ての部分において、適切な嵩密度で得られるから、ここからガラス層のクラッドも生じがたい。特に、クラッドの外周部分における嵩密度を上記範囲としたことにより、従来ガラス層に生じていたクラックの主要因を取り除くことかできる。
　したがって、本発明の製造方法によるときは、多孔質母材の製作段階における不良（クラック）、爾後の透明ガラス化における不良（気泡残留）を発生させることのない良質の光ファイバ用多孔質母材が得られることとなり、光ファイバを製作する際の歩留りが向上する。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明方法の一実施例を多孔質母材の温度分布とともに略示した説明図、第２図は多孔質母材の嵩密度を示した説明図、第３図は従来法
に
１０……多孔質母材
１１……コア用ガラス層
１２〜１４……クラッド用ガラス層
２１……コア合成用バーナ
２２〜２４……合成用バーナ