【事件の表示】
　特許第２７６２４２７号「積層型セラミックチップコンデンサ」の請求項１ないし７に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結論】
　訂正を認める。
　特許第２７６２４２７号の請求項２、４ないし７に係る特許を維持する。
【理由】
（１）手続きの経緯
　特許２７６２４２７号の請求項１ないし７に係る発明は、平成５年３月１９日に特許出願（優先権主張・平成４年７月１３日、日本国）され、平成１０年３月２７日にその特許の設定登録がなされ、その後、異議申立人・三浦次郎、異議申立人・京セラ株式会社、異議申立人・株式会社村田製作所により特許異議の申立がなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１１年７月２６日に訂正請求がなされたものである。
（２）訂正の適否
ア．訂正明細書の発明
　訂正明細書の請求項１ないし５に係る発明は、その特許請求の範囲に記載された次のとおりのものである。
「【請求項１】　誘電体層と内部電極層とが交互に積層された構成のコンデンサチップ体を有する積層型セラミックチップコンデンサであって、
　前記誘電体層が、主成分としてチタン酸バリウムを、副成分として酸化マグネシウムと、酸化マンガンと、酸化バリウムと、酸化カルシウムと、酸化ケイ素とを含有し、チタン酸バリウムをＢａＴｉＯ３に、酸化マグネシウムをＭｇＯに、酸化マンガンをＭｎＯにそれぞれ換算したとき、ＢａＴｉＯ３１００モルに対する比率が
　ＭｇＯ：０．１〜３モル、
　ＭｎＯ：０．０５〜１．０モル、
　であり、前記ＢａＴｉＯ３、ＭｇＯおよびＭｎＯの合計に対し、ＢａＯ、ＣａＯおよびＳｉＯ２が（ＢａｘＣａ１−ｘＯ）ｙ・ＳｉＯ２（ただし、０．３≦ｘ≦０．７、０．９５≦ｙ≦１．０５である。）として４〜６重量％含有される積層型セラミックコンデンサ。
　【請求項２】　誘電体層と内部電極層とが交互に積層された構成のコンデンサチップ体を有する積層型セラミックチップコンデンサであって、
　前記誘電体層が、主成分としてチタン酸バリウムを、副成分として酸化マグネシウムと、酸化マンガンと、酸化イットリウムと、酸化バリウムと、酸化カルシウムと、酸化ケイ素とを含有し、チタン酸バリウムをＢａＴｉＯ３に、酸化マグネシウムをＭｇＯに、酸化マンガンをＭｎＯに、酸化イットリウムをＹ２Ｏ３にそれぞれ換算したとき、ＢａＴｉＯ３１００モルに対する比率が
　ＭｇＯ：０．１〜３モル、
　ＭｎＯ：０．０５〜１．０モル、
　Ｙ２Ｏ３：１モル以下
　であり、前記ＢａＴｉＯ３、ＭｇＯ、ＭｎＯおよびＹ２Ｏ３の合計に対し、ＢａＯ、ＣａＯおよびＳｉＯ２が（ＢａｘＣａ１−ｘＯ）ｙ・ＳｉＯ２（ただし、０．３≦ｘ≦０．７、０．９５≦ｙ≦１．０５である。）として４〜６重量％含有される積層型セラミックコンデンサ。
　【請求項３】　前記内部電極層に含まれる導電材が、ＮｉまたはＮｉ合金である請求項１または２の積層型セラミックチップコンデンサ。
　【請求項４】　酸素分圧が１０−８〜１０−１２気圧である雰囲気中で、１２００〜１４００℃の温度範囲内にて焼成された請求項３の積層型セラミックチップコンデンサ。
　【請求項５】　焼成後に、酸素分圧が１０−６気圧以上の雰囲気中で１１００℃以下の温度範囲内にてアニールされた請求項３または４の積層型セラミックチップコンデンサ。」
イ．訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　特許権者が求めている訂正の内容は以下のａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、ｆのとおりである。
　ａ　請求項１及び３を削除して請求項２及び４をそれぞれ請求項１及び３とし、かつ「酸化バリウムおよび酸化カルシウムから選択された少なくとも１種」を「酸化バリウムと、酸化カルシウム」に訂正し、「１〜１０重量％」を「４〜６重量％」に訂正し、「ＢａＯ＋ＣａＯ：２〜１２モル、ＳｉＯ２：２〜１２モル」を削除して、上記ア．で示した訂正明細書の請求項１ないし２のように訂正する。
　ｂ　上記ａの訂正に伴い、請求項５以下の項番号を繰り上げ、上記ア．で示した訂正明細書の請求項３ないし５のように訂正する。
　ｃ　発明の詳細な説明の【００１１】（【課題を解決するための手段】）段の欄の記載を特許請求の範囲の記載と同じように訂正する。
　ｄ　【００１５】段の「酸化バリウムおよび酸化カルシウムから選択された少なくとも１種」を「酸化バリウムと、酸化カルシウム」に訂正し、「ＢａＯ＋ＣａＯ：２〜１２モル、ＳｉＯ２：２〜１２モル」を「そして前記ＢａＴｉＯ３、ＭｇＯ、ＭｎＯの合計に対しＢａＯ、ＣａＯおよびＳｉＯ２が（ＢａｘＣａ１−ｘＯ）ｙ・ＳｉＯ２（ただし、０．３≦ｘ≦０．７、０．９５≦ｙ≦１．０５である。）として４〜６重量％」と訂正する。
　ｅ　【００１６】段の「（ＢａＯ＋ＣａＯ）／ＳｉＯ２は特に限定されないが、通常、０．９〜１．１とすることが好ましい。」、「好ましくは１〜１０重量％、より好ましくは」を削除する。
　ｆ　【００２２】段の「ＢａＯ＋ＣａＯや、ＳｉＯ２、（ＢａｘＣａ１−ｘＯ）ｙ・ＳｉＯ２」を「（ＢａｘＣａ１−ｘＯ）ｙ・ＳｉＯ２の形で添加されるＢａＯ、ＣａＯおよびＳｉＯ２」と訂正する。
　上記訂正ａの請求項２ないし４の訂正は、特許明細書に記載された事項の範囲内において、（ＢａｘＣａ１−ｘＯ）ｙ・ＳｉＯ２の含有量を１〜１０重量％から４〜６重量％に限定したものといえるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであって、新規事項の追加にも該当せず、また実質上特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
　上記訂正ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、ｆは、特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載との整合を図るための訂正であり、明りょうでない記載の釈明を目的とするものであって、新規事項の追加に該当せず、また実質上特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
ウ．独立特許要件の判断
　（引用刊行物の発明）
　訂正明細書の請求項１ないし５に係る発明に対して、当審が通知した取消理由（第２９条第２項）で引用した刊行物１（特開昭６１−１９００５号公報）には、「１　その主成分がＢａＯ、ＣａＯ、ＭｇＯ、ＴｉＯ２およびＺｒＯ２からなり、これを次の一般式で表したとき、｛（Ｂａ１−ｘ−ｙＣａｘＭｇｙ）Ｏ｝ｍ・（Ｔｉ１−ｚＺｒｚ）Ｏ２となり、この一般式の各ｘ、ｙ、ｚ、ｍが次の関係を満足し、０．００５≦ｘ≦０．２２　　０．０００５≦ｙ≦０．０５　　０〈ｚ≦０．２０　　１．００２≦ｍ≦１．０３　かつ、上記主成分１００モル％に対して、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｃｏの各酸化物ＭｎＯ２、Ｆｅ２Ｏ３、Ｃｒ２Ｏ３、ＣｏＯと表したとき、各酸化物の少なくとも１種以上が０．０２〜２．０モル％添加含有されている、非還元性誘電体磁器組成物。」（１頁左下欄５行〜右下欄１行）、「２　さらに、０．１〜２．０モル％のＳｉＯ２またはＺｎＯおよび０．０２〜１．０モル％のＡｌ２Ｏ３を少なくとも１種類含む、特許請求の範囲第１項記載の非還元性誘電体磁器組成物。」（１頁右下欄２〜５行）、「ジルコニウム量（ｚ）が０では誘電率εが１０００以下になり、誘電正接ｔａｎδも４．０％と大きくなる。また、ジルコニウム量（ｚ）が０．２０をこえると焼結度が低下する。」（３頁右下欄５〜８行）が記載されている。
　当審が通知した取消理由（第２９条第１項）で引用した刊行物２（特開平３−２７８４１３号公報）には、「前記誘電体磁器組成物が１００重量部の基本成分と、０．２〜５重量部の添加成分とからなり、前記基本成分が（Ｂａｋ−ｘＭｘ）Ｏｋ（Ｔｉ１−ｚＲｚ）Ｏｚ−ｘ／ｚ（但し、ＭはＭｇ及び／又はＺｎ、ＲはＳｃ、Ｙ、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ及びＹｂから選択された１種または２種以上の金属元素、ｋ、ｘ、ｚは１．００≦ｋ≦１．０５　　０．０１≦ｘ≦０．１０　　　０．００２≦ｚ≦０．０６を満足する数値）で表される物質からなり、前記添加成分がＬｉ２ＯとＳｉＯ２とＭＯ（但し、ＭＯはＢａＯ、ＳｒＯ、ＣａＯ、ＭｇＯ及びＺｎＯから選択された１種または２種以上の金属酸化物）とからなり、前記Ｌｉ２Ｏと前記ＳｉＯ２と前記ＭＯとの組成範囲が、これらの組成をモル％で示す三角図における、前記Ｌｉ２Ｏが１モル％、前記ＳｉＯ２が８０モル％、前記ＭＯが１９モル％の組成を示す第１の点Ａと、前記Ｌｉ２Ｏが１モル％、前記ＳｉＯ２が３９モル％、前記ＭＯが６０モル％の組成を示す第２の点Ｂと、前記Ｌｉ２Ｏが３０モル％、前記ＳｉＯ２が３０モル％、前記ＭＯが４０モル％の組成を示す第３の点Ｃと、前記Ｌｉ２Ｏが５０モル％、前記ＳｉＯ２が５０モル％、前記ＭＯが０モル％の組成を示す第４の点Ｄと、前記Ｌｉ２Ｏが２０モル％、前記ＳｉＯ２が８０モル％、前記ＭＯが０モル％の組成を示す第５の点Ｅとをこの順に結ぶ５本の直線で囲まれた領域内のものである」（４頁左上欄３行〜右上欄１８行）、「また、基本成分の中に、本発明の目的を阻害しない範囲で微量のＭｎＯ２（好ましくは０．０５〜０．１重量％）等の鉱化剤を添加し、焼結性を向上させてもよい。」（５頁左上欄１６〜１９行）、「添加成分の組成は、Ｌｉ２Ｏ−ＳｉＯ２−ＭＯの組成比をモル％で示す三角図の第１〜５の点Ａ〜Ｅを順に結ぶ５本の直線で囲まれた領域内が好ましい。添加成分の組成をこの領域外とすれば、緻密な焼結体を得ることができないが、この領域内の組成とすれば、所望の電気的特性の焼結体を得ることができるからである」（５頁右上欄１６行〜左下欄３行）、「雰囲気を大気雰囲気（酸化性雰囲気）におきかえて、６００℃を３０分間保持して酸化処理を行い」（７頁左上欄１８〜２０行が記載されている。
　当審が通知した取消理由（第２９条第２項）で引用した刊行物３（特開平４−２３７９０２号公報）には、「ＢａＴｉＯ３を１００モル％に対してＭｎＯ　　０．１０モル％〜２．００モル％
　Ｙ２Ｏ３　　０．０１モル％〜１．００モル％
　｛Ｂａα、Ｃａ（１−α）｝ＳｉＯ２（ただし０．４３≦α≦０．６２）　　０．５〜１０．００モル％の範囲であることを特徴とする誘電体磁器組成物」（特許請求の範囲）が記載されている。
　当審が通知した取消理由（第２９条第２項）で引用した刊行物４（特開平４−２６４３０５号公報）には、「組成式が、（１−ｘ−ｙ−ｚ）ＢａＴｉＯ３＋ｘＣａＴｉＯ３＋ｙＭｇｏ＋ｚＭｎＯ＋ｔＲｅ２Ｏ３　　ｘ≦０．０５　　０．００５≦ｙ≦０．０８　　０．００５≦ｚ≦０．０２　　０．００５≦ｔ≦０．０２（式中、ＲｅはＹ、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｈｏ、ＥｒまたはＹｂの少なくとも１種を示す）で示される主成分１００重量部に対して、ＳｉＯ２、Ｌｉ２ＯまたはＢ２Ｏ３の少なくとも１種類からなる添加剤を０．１〜５．０重量部含むことを特徴とする誘電体磁器組成物。」（特許請求の範囲）、「本発明では、特にＣａＴｉＯ３を添加することで誘電率の経時変化が少なく、かつ上記特定の添加剤を配合することで１２５０℃以下の温度で焼成することが可能とされており、」（２欄４７行〜３欄１行）が記載されている。
　当審が通知した取消理由（第２９条第２項）で引用した刊行物５（特開平３−１３３１１６号公報）には、「焼成は酸素分圧１０−７ａｔｍ以下、より好ましくは１０−７〜１０−１２ａｔｍにて行うことが好ましい。・・・そのほかの焼成条件は下記の条件が好ましい。昇温速度：５０〜５００℃／時間　特に２００〜３００℃／時間　保持温度：１２５０〜１４００℃　特に１３００〜１３８００℃・・・熱処理は、保持温度ないし最高温度を９００〜１２００℃、より好ましくは、９００〜１１００℃、特に好ましくは１０００〜１１００℃として行うことが好ましい。」（９頁左下欄８行〜右下欄１０行）が記載されている。
　当審が通知した取消理由（第２９条第２項）で引用した刊行物６（特開昭６３−１０３８６１号公報）には、「（１）組成式が、（１００−ｘ−ｙ）ＢａＴｉＯ３＋ｘＭｎＯ＋ｙＭｇＯで示される主成分に対して、添加剤としてＹ２Ｏ３，Ｌａ２Ｏ３、Ｎｄ２Ｏ３，Ｓｍ２Ｏ３、Ｄｙ２Ｏ３から選ばれる１種を前記主成分に対してｚモル％含有せしめた組成物であって、前記ｘ、ｙ、ｚが下記式　　０≦ｘ≦７　　１≦ｙ≦８　　０．２５≦ｚ≦２．５　　１≦ｘ＋ｙ≦１０　　１．０≦ｙ／ｚ≦１０を満足することを特徴とする非還元性誘電体磁器組成物。」（１頁左下欄５〜１７行）、「この試料をを酸素分圧３×１０−１０ａｔｍ乃至３×１０−８ａｔｍに制御し、キャリアガスをＮ２ガスとして１２５０乃至１３５０℃にて２時間焼成した。」（３頁右上欄１１〜１３行）が記載されている。
　当審が通知した取消理由（第２９条第２項）で引用した刊行物７（特開平２−８３２５６号公報）には、「　（１）チタン酸バリウムを主成分とする非還元性誘電体磁器組成物において、チタン酸バリウム１００部に対して、組成式がＢａαＣａ１−αＳｉＯ３（ただし０．４３≦α≦０．６２）で示される添加物をモル比に対して０．１〜６部添加することを特徴とする誘電体磁器組成物。」（１頁左下欄６〜１１行）、「Ｎ２中、またはＮ２＋Ｈ２中で１１８０〜１３００℃で２時間焼成して、誘電体磁器組成物を得る。」（３頁左上欄９〜１１行）が記載されている。
　当審が通知した取消理由（第２９条第２項）で引用した刊行物８（特開平３−１３３１１５号公報）には、「熱処理は、保持温度ないし最高温度を９００〜１２００℃、好ましくは９００〜１１００℃、特に好ましくは１０００〜１１００℃として行う。前記範囲未満では誘電体材料の酸化が不十分なために寿命が短くなる傾向にあり、前記範囲をこえると内部電極のＮｉが酸化し容量が低下するだけでなく、誘電体素地と反応してしまい、寿命も短くなる傾向にある。また、酸素分圧は、１０−８ａｔｍ以上、好ましくは１０−４〜１０−７ａｔｍ、特に好ましくは１０−５〜１０−６ａｔｍとする。前記範囲未満では、誘電体層３や酸化物層４の再酸化が困難であり、前記範囲をこえると内部１電極２１、２５が酸化する傾向にある。」（８頁右上欄１５行〜右下欄９行）が記載されている。
　（対比・判断）
　ａ）　訂正明細書の請求項１に対して
　訂正明細書の請求項１に係る発明と上記刊行物１に記載された発明とを対比すると、上記刊行物１に記載された発明には、訂正明細書の請求項１に係る発明の必須の構成要件である「前記ＢａＴｉＯ３、ＭｇＯおよびＭｎＯの合計に対し、ＢａＯ、ＣａＯおよびＳｉＯ２が（ＢａｘＣａ１−ｘＯ）ｙ・ＳｉＯ２（ただし、０．３≦ｘ≦０．７、０．９５≦ｙ≦１．０５である。）として４〜６重量％含有される」を備えておらず、その構成要件により、訂正明細書の請求項１に係る発明は、Ｂａの含有モル値がＴｉの含有モル値より必ず多くなり、上記刊行物１に記載された発明（ＢａとＴｉの含有モル値が常に等しい）と異なり、さらに、訂正明細書の請求項１に係る発明は、「容量の温度特性に関するＸ７Ｒ特性およびＢ特性を満足することができ、かつ、直流電界下での容量の経時変化が小さく、また、絶縁抵抗ＩＲの加速寿命が長い積層型セラミックコンデンサを実現することができる。」という顕著な効果を奏するものであり、訂正明細書の請求項１に係る発明が、上記刊行物１に記載された発明であるとも、また上記刊行物１に記載された発明から当業者が容易に発明をすることができたものともいえない。
　したがって、訂正明細書の請求項１に係る発明は、特許出願の際独立して特許を受けることができない発明とすることはできない。
　ｂ）　訂正明細書の請求項２に対して
　・２９条第１、２項
　訂正明細書の請求項２に係る発明と上記刊行物２に記載された発明とを対比すると、上記刊行物２に記載された発明には、訂正明細書の請求項２に係る発明が含有していない副成分・Ｌｉ２Ｏを含有しており、かつ訂正明細書の請求項１に係る発明の必須の構成要件である「前記ＢａＴｉＯ３、ＭｇＯ、ＭｎＯおよびＹ２Ｏ３の合計に対し、ＢａＯ、ＣａＯおよびＳｉＯ２が（ＢａｘＣａ１−ｘＯ）ｙ・ＳｉＯ２（ただし、０．３≦ｘ≦０．７、０．９５≦ｙ≦１．０５である。）として４〜６重量％含有される」を備えておらず、その構成要件により、訂正明細書の請求項２に係る発明は、「容量の温度特性に関するＸ７Ｒ特性およびＢ特性を満足することができ、かつ、直流電界下での容量の経時変化が小さく、また、絶縁抵抗ＩＲの加速寿命が長い積層型セラミックコンデンサを実現することができる。」という顕著な効果を奏するものであり、訂正明細書の請求項２に係る発明が上記刊行物２に記載された発明であるとも、また上記刊行物２に記載された発明から当業者が容易に発明をすることができたものともいえない。
　訂正明細書の請求項２に係る発明と上記刊行物５ないし８に記載された発明とを対比すると、上記刊行物５ないし８に記載された発明には、酸素分圧、焼成温度、アニール雰囲気、アニール温度等が訂正明細書の請求項２に係る発明と部分的に一致しているが、訂正明細書の請求項２に係る発明の誘電体層組成と異なる誘電体層組成が記載されているのみであり、訂正明細書の請求項２に係る発明が上記刊行物５ないし８に記載された発明であるとも、また上記刊行物５ないし８に記載された発明から当業者が容易に発明をすることができたものともいえない。
　・２９条の２
　訂正明細書の請求項２に係る発明は、訂正請求の結果、優先権主張の基礎とされた先の出願の出願当初の明細書又は図面に記載された発明となったので、特許法第２９条の適用について先の出願の時に出願されたものとみなす。
　また、上記刊行物３に記載された発明は、同一人の出願となり、２９条の２は適用されない。
　訂正明細書の請求項２に係る発明と先願明細書（上記刊行物４）に記載された発明とを対比すると、上記先願明細書に記載された発明には、訂正明細書の請求項２に係る発明の必須の構成要件である「前記ＢａＴｉＯ３、ＭｇＯ、ＭｎＯおよびＹ２Ｏ３の合計に対し、ＢａＯ、ＣａＯおよびＳｉＯ２が（ＢａｘＣａ１−ｘＯ）ｙ・ＳｉＯ２（ただし、０．３≦ｘ≦０．７、０．９５≦ｙ≦１．０５である。）として４〜６重量％含有される」を備えておらず、その構成要件により請求項２に係る発明はＢａの含有モル値がＴｉの含有モル値より必ず多くなり、上記先願明細書に記載された発明（組成式が、（１−ｘ−ｙ−ｚ）ＢａＴｉＯ３＋ｘＣａＴｉＯ３＋ｙＭｇＯ＋ｚＭｎＯ＋ｔＲｅ２Ｏであり、主成分ＢａＴｉＯ３にＴｉＯ２がＣａＴｉＯ３の形で含まれ、たとえｘ＝０の場合でもＢａとＴｉの含有量は等しい。）と異なるので、訂正明細書の請求項２に係る発明が、先願明細書に記載された発明であるとは言えない。
　したがって、訂正明細書の請求項２に係る発明は、特許出願の際独立して特許を受けることができない発明とすることはできない。
　ｃ）　訂正明細書の請求項３ないし５に対して
　訂正明細書の請求項３ないし５に係る発明は、訂正明細書の請求項１または２に係る発明を更に限定したものであるから、上記訂正明細書の請求項１または２に係る発明についての判断と同様の理由により、上記刊行物１ないし８に記載された発明から当業者が容易に発明することができたものといえない。
　したがって、訂正明細書の請求項３ないし５に係る発明は、特許出願の際独立して特許を受けることができない発明とすることはできない。
エ．むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正請求は、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、特許法第１２０条の４第２項及び同条第３項で準用する第１２６条第２〜４項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
（３）特許異議の申立てについて
　異議申立人・三浦次郎
ア．申立て理由の概要
　異議申立人・三浦次郎は、証拠として甲第１号証（刊行物１）、甲第２号証（刊行物６）、甲第３号証（特公昭６１−１４６０７号公報）を提出し、本件請求項１ないし７に係る発明は、甲第１号証、又は甲第１、２号証、又は甲第１、２、３号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであるから、特許を取り消すべき旨主張している。
イ．甲第３号証の発明
　甲第３号証（特公昭６１−１４６０７号公報）には、「炉の雰囲気を大気からＨ２２体積％＋Ｎ２９８体積％の雰囲気に変えた。そして、炉を上述の如き還元性雰囲気とした状態を保って、積層体加熱温度を６００℃から焼結温度の１１１０℃まで１００℃／ｈの速度で昇温して３時間保持した後、１００℃／ｈの速度で６００℃まで降温し、雰囲気を大気雰囲気におきかえて、６００℃を３０分間保持して酸化処理を行い、その後、室温まで冷却して積層焼結体チップを作成した」（４欄３２〜４０行）が記載されている。
ウ．対比・判断
　訂正明細書の請求項１ないし２に係る発明と上記甲第３号証に記載された発明とを対比すると、上記甲第３号証に記載された発明には、酸素分圧、焼成温度、アニール雰囲気、アニール温度等が訂正明細書の請求項１ないし２に係る発明と部分的に一致しているが、訂正明細書の請求項１ないし２に係る発明の誘電体層組成と異なる誘電体層組成が記載されているのみである。
　したがって、訂正明細書の請求項１ないし５に係る発明は、上記（２）ウで述べたように、取消理由通知で示した刊行物１、６、すなわち甲第１、２号証および甲第３号証に記載された発明であるとも、またそれらから当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
　異議申立人・京セラ株式会社
ア．申立て理由の概要
　異議申立人・京セラ株式会社は、証拠として甲第１号証（刊行物２）、甲第２号証（刊行物６）、甲第３号証（刊行物３）、甲第４号証（刊行物７）、甲第５号証（刊行物８）を提出し、本件請求項３ないし５、７に係る発明は、甲第１号証に記載された発明であり、特許法第２９条第１項第３号に規定する発明に該当するから、また本件請求項３ないし６に係る発明は、甲第２号証に記載された発明と、甲第３号証または甲第４号証に記載された発明との組合せ、あるいは、これらと甲第１号証に記載された発明との組合せて当業者が容易に発明をすることができたものであり、本件請求項７に係る発明は、甲第２号証に記載された発明と、甲第３号証または甲第４号証に記載された発明との組合せ、あるいは、これらと甲第１号証に記載された発明との組合せに対して、甲第５号証に記載された発明を組合せて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであるから、特許を取り消すべき旨主張している。
ウ．対比・判断
　訂正明細書の請求項２ないし５に係る発明は、上記（２）ウで述べたように、取消理由通知で示した刊行物２、３、６、７、８、すなわち甲第１、３、２、４、５号証に記載された発明であるとも、またそれらから当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
　異議申立人・株式会社村田製作所
ア．申立て理由の概要
　異議申立人・株式会社村田製作所は、証拠として甲第１号証（刊行物３）、甲第２号証（刊行物４）、甲第３号証（刊行物５）を提出し、本件請求項３ないし６に係る発明は、甲第１号証および甲第２号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、本件請求項７に係る発明は、甲第１号証および甲第２号証、または甲第１号証、甲第２号証および甲第３号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであるから、特許を取り消すべき旨主張している。
ウ．対比・判断
　訂正明細書の請求項２ないし５に係る発明は、上記（２）ウで述べたように、取消理由通知で示した刊行物３、４、５、すなわち甲第１、２、３号証に記載された発明であるとも、またそれらから当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
エ．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、訂正明細書の請求項１ないし５に係る発明の特許を取り消すことはできない。
　また、他に訂正明細書の請求項１ないし５に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１１年９月２８日（１９９９．９．２８）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
　訂正事項ａ）　請求項１及び３を削除して請求項２及び４をそれぞれ請求項１及び３とし、かつ「酸化バリウムおよび酸化カルシウムから選択された少なくとも１種」を「酸化バリウムと、酸化カルシウム」に訂正し、「１〜１０重量％」を「４〜６重量％」に訂正し、「ＢａＯ＋ＣａＯ：２〜１２モル、ＳｉＯ２：２〜１２モル」を削除して、訂正明細書の請求項１ないし２のように訂正する。
　訂正事項ｂ）　上記訂正事項ａ）の訂正に伴い、請求項５以下の項番号を繰り上げ、訂正明細書の請求項３ないし５のように訂正する。
　訂正事項ｃ）　発明の詳細な説明の【００１１】（【課題を解決するための手段】）段の欄の記載を特許請求の範囲の記載と同じように訂正する。
　訂正事項ｄ）　【００１５】段の「酸化バリウムおよび酸化カルシウムから選択された少なくとも１種」を「酸化バリウムと、酸化カルシウム」に訂正し、「ＢａＯ＋ＣａＯ：２〜１２モル、ＳｉＯ２：２〜１２モル」を「そして前記ＢａＴｉＯ３、ＭｇＯ、ＭｎＯの合計に対しＢａＯ、ＣａＯおよびＳｉＯ２が（ＢａｘＣａ１−ｘＯ）ｙ・ＳｉＯ２（ただし、０．３≦ｘ≦０．７、０．９５≦ｙ≦１．０５である。）として４〜６重量％」と訂正する。
　訂正事項ｅ）【００１６】段の「（ＢａＯ＋ＣａＯ）／ＳｉＯ２は特に限定されないが、通常、０．９〜１．１とすることが好ましい。」、「好ましくは１〜１０重量％、より好ましくは」を削除する。
　訂正事項ｆ）　【００２２】段の「ＢａＯ＋ＣａＯや、ＳｉＯ２、（ＢａｘＣａ１−ｘＯ）ｙ・ＳｉＯ２」を「（ＢａｘＣａ１−ｘＯ）ｙ・ＳｉＯ２の形で添加されるＢａＯ、ＣａＯおよびＳｉＯ２」と訂正する。
　上記訂正事項ａ）の請求項２ないし４の訂正は、特許明細書に記載された事項の範囲内において、（ＢａｘＣａ１−ｘＯ）ｙ・ＳｉＯ２の含有量を１〜１０重量％から４〜６重量％に限定したものといえるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであって、新規事項の追加にも該当せず、また実質上特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
　上記訂正事項ｂ）、ｃ）、ｄ）、ｅ）、ｆ）は、特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載との整合を図るための訂正であり、明りょうでない記載の釈明を目的とするものであって、新規事項の追加に該当せず、また実質上特許
請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
（５４）【発明の名称】
積層型セラミックチップコンデンサ
（５７）【特許請求の範囲】
　　【請求項
１
　誘電体層と内部電極層とが交互に積層された構成のコンデンサチップ体を有する積層型セラミックチップコンデンサであって、
　前記誘電体層が、主成分としてチタン酸バリムを副成分として酸化マグネシウムと、酸化マンガンと、酸化バリウムと、酸化カルシウムと、酸化ケイ素とを含有し、チタン酸バリウムをＢａＴｉＯ３に、酸化マグネシウムをＭｇＯに、酸化マンガンをＭｎＯにそれぞれ換したとＢａＴｉＯ３１００モルに対する比率が
　　ＭｇＯ：０．１〜３モル
　　ＭｎＯ：０．０５〜１．０モル
　であり、
　　【請求項
２
誘電体層と内部電極層とが交互に積層された構成のコンデンサチップ体を有する積層型セラミックチップコンデンサであって、
　前記誘電体層が、主成分としてチタン酸バリウムを副成分として酸化マグネシウムと酸化マンガンと、酸化イットリウムと、酸化バリウムと、酸化カルシウムと、酸化ケイ素とを含有し、チタン酸バリウムをＢａＴｉＯ３に、酸化マグネシウムをＭｇＯに、酸化マンガンをＭｎＯに、酸化イットリウムをＹ２Ｏ３にそれぞれ換算したとき、ＢａＴｉＯ３１００モルに対する比率が
　　ＭｇＯ：０．１〜３モル、
　　ＭｎＯ：０．０５〜１．０モル、
　　Ｙ２Ｏ３：１モル以下、
　であり、前記
　　【請求項
３
請求項１または２
　　【請求項
４
３
　　【請求項
５
３
４
【発明の詳細な説明】
　　　【０００１】
　　【産業上の利用分野】
　本発明は、積層型セラミックチップコンデンサに関する。
　　　【０００２】
　　【従来の技術】
　積層型セラミックチップコンデンサは、小型、大容量、高信頼性の電子部品として広く利用されており、１台の電子機器の中で使用される個数も多数にのぼる。近年、機器の小型・高性能化にともない、積層型セラミックチップコンデンサに対する更なる小型、大容量、低価格、高信頼性化への要求はますます厳しくなっている。
　　　【０００３】
　積層型セラミックチップコンデンサは通常、内部電極層用のペーストと誘電体層用のペーストとをシート法や印刷法等により積層し、一体同時焼成して製造される。
　　　【０００４】
　内部電極層の導電材には、一般にＰｄやＰｄ合金が用いられているが、Ｐｄは高価であるため、比較的安価なＮｉやＮｉ合金等の卑金属が使用されつつある。内部電極層の導電材として卑金属を用いる場合、大気中で焼成を行なうと内部電極層が酸化してしまうため、誘電体層と内部電極層との同時焼成を、還元性雰囲気中で行なう必要がある。しかし、還元性雰囲気中で焼成すると、誘電体層が還元され、比抵抗か低くなってしまうため、非還元性の誘電体材料が提案されている。
　　　【０００５】
　しかし、非還元性の誘電体材料を用いた積層型セラミックチップコンデンサは、絶縁抵抗ＩＲの寿命が短くなり、信頼性が低いという問題がある。
　　　【０００６】
　また、誘電体を直流電界にさらすと、比誘電率εｓが経時的に低下するという問題が生じる。チップコンデンサを小型、大容量化するために誘電体層の厚みを薄くすると、直流電圧を印加したときの誘電体層にかかる電界が強くなるため、比誘電率εｓの経時変化、すなわち容量の経時変化が著しく大きくなってしまう。
　　　【０００７】
　ところで、ＥＩＡ規格に定められたＸ７Ｒ特性と呼はれる規格では、容量の変化率が、−５５℃から１２５℃の間で±１５％以内（基準温度２５℃）と定められている。
　　　【０００８】
　Ｘ７Ｒ特性を満足する誘電体材料としては、例えば特開昭６１−３６１７０号公報に示されるＢａＴｉＯ３＋ＳｒＴｉＯ３＋ＭｎＯ系の組成か知られている。しかし、このものは、直流電界下における容量の経時変化が大きく、例えば４０℃で５０Ｖの直流電界を１０００時間印加すると、容量の変化率が−１０〜−３０％程度となってしまい、Ｘ７Ｒ符性を満足することができなくなる。
　　　【０００９】
　また、この他、非還元性の誘電体磁器組成物としては、特開昭５７−７１８６６号公報に開示されているＢａＴｉＯ３＋ＭｎＯ＋ＭｇＯ、特開昭６１−２５０９０５号公報に開示されている（Ｂａ１−ｘＳｒｘＯ）ａＴｉ１−ｙＺｒｙＯ２＋α（（１−ｚ）ＭｎＯ＋ｚＣｏＯ）＋β（（１−ｔ）Ａ２Ｏ５＋ｔＬ２Ｏ３）＋ｗＳｉＯ２（ただし、Ａ＝Ｎｂ，Ｔａ，Ｖ、Ｌ＝Ｙまたは希土類元素）、特開平２−８３２５６号公報に開示されているチタン酸バリウムにガラス状態のＢａαＣａ１−αＳｉＯ３を添加したものなどが挙げられる。しかし、これらのいずれの誘電体磁器組成物も、容量の温度特性が良好で、直流電界下での容量の経時変化が少なく、絶縁抵抗の加速寿命が長いという特性の全てを満足することはできなかった。例えば、特開昭６１−２５０９０５号公報および時開平２−８３２５６号公報にそれぞれ開示されているものでは、絶縁抵抗の加速寿命が短い。
　　　【００１０】
　　【発明が解決しようとする課題】
　本発明はこのような事情からなされたものであり、容量の温度特性であるＸ７Ｒ特性（ＥＩＡ規格）およびＢ特性（ＥＩＡＪ規格）をいずれも満足することができ、かつ、直流電界下での容量の経時変化が小さく、また、絶縁抵抗ＩＲの加速寿命が長い積層型セラミックチップコンデンサを提供することを目的とする。
　　　【００１１】
　　【課題を解決するための手段】
　このような目的は、下記（１）〜（７）の本発明により達成される。
　（１）誘電体層と内部電極層とが交互に積層された構成のコンデンサチップ体を有する積層型セラミックチップコンデンサであって、
　前記誘電体層が、主成分としてチタン酸バリウムを、副成分として酸化マグネシウムと、酸化マンガンと、酸化バリウムおよび酸化カルシウムから選択される少なくとも１種と、酸化ケイ素とを含有し、チタン酸バリウムをＢａＴｉＯ３に、酸化マグネシウムをＭｇＯに、酸化マンガンをＭｎＯに、酸化バリウムをＢａＯに、酸化カルシウムをＣａＯに、酸化ケイ素をＳｉＯ２にそれぞれ換算したとき、ＢａＴｉＯ３１００モルに対する比率が
　　ＭｇＯ：０．１〜３モル、
　　ＭｎＯ：０．０５〜１．０モル、
であり、前記ＢａＴｉＯ３、ＭｇＯおよびＭｎＯの合計に対し、ＢａＯ、ＣａＯおよびＳｉＯ２が（ＢａｘＣａ１−ｘＯ）ｙ・ＳｉＯ２（ただし０．３≦ｘ≦０．７、０．９５≦ｙ≦１．０５である。）として４〜６重量％含有される
　　（２）
　誘電体層と内部電極層とが交互に積層された構成のコンデンサチップ体を有する積層型セラミックチップコンデンサであって、
　
前記誘電層が、主成分としてチタン酸バリウムを、副成分として酸化マグネシウムと、酸化マンガンと、酸化イットリウムと、酸化バリウムと、酸化カルシウムと、酸化ケイ素とを含有し、チタン酸バリウムをＢａＴｉＯ３に、酸化マグネシウムをＭｇＯに、酸化マンガンをＭｎＯに、酸化イットリウムをＹ２Ｏ３をにそれぞれ換算したとき、ＢａＴｉＯ３１００モルに対する比率が
　　ＭｇＯ：０．１〜３モル
　　ＭｎＯ：０．０５〜１．０モル
　　Ｙ２Ｏ３：１モル以下
であり、ＢａＴｉＯ３、ＭｎＯおよびＹ２Ｏ３の合計に対し、ＢａＯ、ＣａＯおよびＳｉＯ２が（ＢａｘＣａ１−ｘＯ）ｙ・ＳｉＯ２（ただし、０．３≦ｘ≦０．７、０．９５≦ｙ≦１．０５である。）
　　（３）　
前記内部電極層に含まれる導伝材が、ＮｉまたはＮｉ合金である上記（１）または（２）
　　（４）　
酸化分圧が１０−８〜１０−１２気圧である雰囲気中で、１２００〜１４００℃温度範囲にて焼成された上記（３）
　　（５）　
焼成後に、酸素分圧が１０−８気圧以上の雰囲気中で１１００℃以下の温度範囲内にてアニールされた上記（３）または（４）
　　　【００１２】
　　【具体的構成】
　以下、本発明の具体的構成について詳細に説明する。
　　　【００１３】
［積層型セラミックチップコンデンサ］
　本発明の積層型セラミックチップコンデンサの構成例の断面図を、図１に示す。
　　　【００１４】
　図１に示されるように、本発明の積層型セラミックチップコンデンサ１は、誘電体層２と内部電極層３とが交互に積層された構成のコンデンサチップ体１０を有し、このコンデンサチップ体１０表面に、内部電極層３と導通する外部電極４を有する。コンデンサチップ体１０の形状に特に制限はないが、通常、直方体状とされる。また、その寸法にも特に制限はなく、用途に応じて適当な寸法とすればよいが、通常、（１．０〜５．６ｍｍ）×（０．５〜５．０ｍｍ）×（０．５〜１．９ｍｍ）程度である。内部電極層３は、その端面がコンデンサチップ体１０の対向する２表面に交互に露出するように積層され、外部電極４は、コンデンサチップ体１０の前記対向する２表面に形成され、所定のコンデンサ回路を構成する。
　　　【００１５】
　　＜誘電体層２＞
　誘電体層２は、主成分としてチタン酸バリウム、副成分として酸化マグネシウムと、酸化マンガンと、酸化バリウム
と、
と、
　　ＭｇＯ：０．１〜３モル、好ましくは０．５〜１５モル、
　　ＭｎＯ：０．０５〜１．０モル、好ましくは０．２〜０．４モル、
　　
そして前記ＢａＴｉＯ３、ＭｇＯ、ＭｎＯの合計に対しＢａＯ、ＣａＯおよびＳｉＯ２が（ＢａｘＣａ１−ｘＯ）ｙ・ＳｉＯ２（ただし、０．３≦ｘ≦０．７、０．９５≦ｙ≦１．０５）として４〜６重量％
　　　【００１６】
　
　
　　　【００１７】
　誘電体層２には、ＢａＴｉＯ３に換算したチタン酸バリウム１００モルに対し、Ｙ２Ｏ３に換算して１モル以下の酸化イットリウムが副成分として含まれることが好ましい。Ｙ２Ｏ３含有量の下限は特にないが、十分な効果を実現するためには０．１モル以上含まれることが好ましい。酸化イットリウムを含む場合、（ＢａｘＣａ１−ｘＯ）ｙ・ＳｉＯ２の含有量は、ＢａＴｉＯ３、ＭｇＯ、ＭｎＯおよびＹ２Ｏ３の合計に対し好ましくは１〜１０重量％、より好ましくは４〜６重量％である。
　　　【００１８】
　なお、誘電体層２には他の化合物が含まれていてもよいが、酸化コバルトは容量変化率を増大させるので実質的に含まれないことが好ましい。
　　　【００１９】
　上記各副成分の含有量の限定理由は下記のとおりである。
　　　【００２０】
　酸化マグネシウムの含有量が前記範囲未満であると、容量の温度特性を所望の範囲とすることができない。酸化マグネシウムの含有量が前記範囲を超えると、焼結性が急激に悪化し、緻密化が不十分となってＩＲ加速寿命が低下し、また、高い比誘電率が得られない。
　　　【００２１】
　酸化マンガンの含有量が前記範囲未満であると、良好な耐還元性が得られずＩＲ加速寿命が不十分となり、また、損失ｔａｎδを低くすることが困難となる。酸化マンガンの含有量が前記範囲を超えている場合、直流電界印加時の容量の経時変化を小さくすることが困難となる。
　　　【００２２】
　
（ＢａｘＣａ１−ｘＯ）ｙ・ＳｉＯ２の形で添加されるＢａＯ、ＣａＯおよびＳｉＯ２
　　　【００２３】
緻密化が不十分となることがある。
　　　【００２４】
　また、誘電体層中には、酸化アルミニウムが含有されていてもよい。酸化アルミニウムは比較的低温での焼結を可能にする作用をもつ。Ａｌ２Ｏ３に換算したときの酸化アルミニウムの含有量は、誘電体材料全体の１重量％以下とすることが好ましい。酸化アルミニウムの含有量が多すぎると、逆に焼結を阻害するという問題を生じる。
　　　【００２５】
　本発明において誘電体層は、いわゆるコアーシェル構造となっている。すなわち、高誘電率相の結晶粒（コア）の周囲を低誘電率相の結晶粒界（シェル）が取り囲む構造となっている。コアには、通常、ＢａＯ、ＴｉＯ２、ＭｎＯ、ＣａＯなどが含まれ、シェルには、通常、ＣａＯ、ＴｉＯ２、ＢａＯ、ＳｉＯ２、ＭｎＯ、ＭｇＯ、Ｙ２Ｏ３などが含まれる。
　　　【００２６】
　誘電体層の平均結晶粒径は特に限定されないが、上記組成とすることにより微細な結晶粒が得られ、通常、平均結晶粒径は０．２〜０．７μｍ程度となる。また、シェルの平均幅は、０．０２〜０．２μｍ程度である。
　　　【００２７】
　誘電体層のキュリー温度は、適用される規格に応して組成を選択することにより適宜設定することかできるが、一般に８５℃以上、通常、１２０〜１３５℃程度とする。
　　　【００２８】
　誘電体層の一層あたりの厚さは、１００μｍ以下、特に５０μｍ以下、さらには２〜２０μｍ程度とする。本発明は、このような薄層化した誘電体層を有する積層型セラミックチップコンデンサの容量の経時変化防止に有効である。なお、誘電体層の積層数は、通常２〜２００程度とする。
　　　【００２９】
　　＜内部電極層３＞
　内部電極層３に含有される導電材は特に限定されないが、誘電体層２構成材料が耐還元性を有するため、卑金属を用いることができる。導電材として用いる卑金属としては、ＮｉまたはＮｉ合金が好ましい。Ｎｉ合金としては、Ｍｎ、Ｃｒ、ＣｏおよびＡｌからら選択される１種以上の元素とＮｉとの合金が好ましく、合金中のＮｉ含有量は９５重量％以上であることが好ましい。
　　　【００３０】
　なお、ＮｉまたはＮｉ合金中には、Ｐ等の各種微量成分が０．１重量％程度以下含まれていてもよい。
　　　【００３１】
　内部電極層の厚さは用途等に応じて適宜決定されればよいが、通常、１〜５μｍ、特に２〜３μｍ程度であることが好ましい。
　　　【００３２】
　　＜外部電極４＞
　外部電極４に含有される導電材は特に限定されないが、本発明では安価なＮｉ、Ｃｕや、これらの合金を用いることができる。
　　　【００３３】
　外部電極の厚さは用途等に応じて適宜決定されればよいが、通常、１０〜５０μｍ程度であることが好ましい。
　　　【００３４】
［積層型セラミックチップコンデンサの製造方法］
　本発明の積層型セラミックチップコンデンサは、ペーストを用いた通常の印刷法やシート法によりグリーンチップを作製し、これを焼成した後、外部電極を印刷ないし転写して焼成することにより製造される。
　　　【００３５】
　　＜誘電体層用ペースト＞
　誘電体層用ペーストは、誘電体原料と有機ビヒクルとを混練して製造される。
　　　【００３６】
　誘電体原料には、上記した複合酸化物や酸化物の混合物を用いることができるが、その他、焼成により上記した複合酸化物や酸化物となる各種化合物、例えば、炭酸塩、シュウ酸塩、硝酸塩、水酸化物、有機金属化合物等から適宜選択し、混合して用いることができる。誘電体原料中の各化合物の含有量は、焼成後に上記した誘電体層の組成となるように決定すればよい。
　　　【００３７】
　誘電体原料は、通常、平均粒子径０．１〜１μｍ程度の粉末として用いられる。
　　　【００３８】
　有機ビヒクルとは、バインダを有機溶剤中に溶解したものである。有機ビヒクルに用いるバインダは特に限定されず、エチルセルロース等の通常の各種バインダから適宜選択すればよい。また、用いる有機溶剤も特に限定されず、印刷法やシート法など、利用する方法に応じて、テルピネオール、ブチルカルビトール、アセトン、トルエン等の各種有機溶剤から適宜選択すればよい。
　　　【００３９】
　　＜内部電極層用ペースト＞
　内部電極層用ペーストは、上記した各種導電性金属や合金からなる導電材、あるいは焼成後に上記した導電材となる各種酸化物、有機金属化合物、レジネート等と、上記した有機ビヒクルとを混線して調製する。
　　　【００４０】
　　＜外部電極用ペースト＞
　外部電極用ペーストは、上記した内部電極層用ペーストと同様にして調製すればよい。
　　　【００４１】
　　＜有機ビヒクル含有量＞
　上記した各ペースト中の有機ビヒクルの含有量に特に制限はなく、通常の含有量、例えば、バインダは１〜５重量％程度、溶剤は１０〜５０重量％程度とすればよい。また、各ペースト中には、必要に応じて各種分散剤、可塑剤、誘電体、絶縁体等から選択される添加物が含有されていてもよい。これらの総含有量は、１０重量％以下とすることが好ましい。
　　　【００４２】
　　＜グリーンチップ作製＞
　印刷法を用いる場合、誘電体層用ペーストおよび内部電極層用ペーストを、ＰＥＴ等の基板上に積層印刷し、所定形状に切断した後、基板から剥離してグリーンチップとする。
　　　【００４３】
　また、シート法を用いる場合、誘電体層用ペーストを用いてグリーンシートを形成し、この上に内部電極層用ペーストを印刷した後、これらを積層してグリーンチップとする。
　　　【００４４】
　　＜脱バインダ処理＞
　焼成前に行なわれる脱バインダ処理は、通常の条件で行えばよいが、内部電極層の導電材にＮｉやＮｉ合金等の卑金属を用いる場合、特に下記の条件で行うことが好ましい。
　昇温速度：５〜３００℃／時間、特に１０〜１００℃／時間
　保持温度：２００〜４００℃、特に２５０〜３００℃
　温度保持時間：０．５〜２４時間、特に５〜２０時間
　雰囲気：空気中
　　　【００４５】
　　＜焼成＞
　グリーンチップ焼成時の雰囲気は、内部電極層用ペースト中の導電材の種類に応じて適宜決定されればよいが、導電材としてＮｉやＮｉ合金等の卑金属を用いる場合、焼成雰囲気中の酸素分圧は、１０−８〜１０−１２気圧とすることが好ましい。酸素分圧が前記範囲未満であると、内部電極層の導電材が異常焼結を起こし、途切れてしまうことがある。また、酸素分圧が前記範囲を超えると、内部電極層が酸化する傾向にある。
　　　【００４６】
　また、焼成時の保持温度は、１２００〜１４００℃、特に１２５０〜１３００℃とすることが好ましい。保持温度が前記範囲未満であると緻密化が不十分であり、前記範囲を超えると直流電界印加時の容量の経時変化が大きくなる。
　　　【００４７】
　上記条件以外の各種条件は、下記のようにすることが好ましい。
　昇温速度：５０〜５００℃／時間、特に２００〜３００℃／時間
　温度保持時間：０．５〜８時間、特に１〜３時間
　冷却速度：５０〜５００℃／時間、特に２００〜３００℃／時間
　焼成雰囲気は還元性雰囲気とすることが好ましく、雰囲気ガスとしては、例えば、Ｎ２とＨ２との混合ガスを加湿して用いることが好ましい。
　　　【００４８】
　　＜アニール＞
　還元性雰囲気中で焼成した場合、コンデンサチップ体にはアニールが施されることか好ましい。アニールは、誘電体層を再酸化するための処理であり、これによりＩＲ加速寿命を著しく長くすることができる。
　　　【００４９】
　アニール雰囲気中の酸素分圧は、１０−６気圧以上、特に１０−５〜１０−４気圧とすることが好ましい。酸素分圧が前記範囲未満であると誘電体層の再酸化が困難であり、前記範囲を超えると内部電極層が酸化する傾向にある。
　　　【００５０】
　アニールの際の保持温度は、１１００℃以下、特に５００〜１０００℃とすることが好ましい。保持温度が前記範囲未満であると誘電体層の酸化が不十分となって寿命が短くなる傾向にあり、前記範囲を超えると内部電極層が酸化し、容量が低下するたけでなく、誘電体素地と反応してしまい、寿命も短くなる傾向にある。なお、アニールは昇温および降湿だけから構成してもよい。この場合、温度保持時間は零であり、保持温度は最高湿度と同義である。
　　　【００５１】
　上記条件以外の各種条件は下記のようにすることが好ましい。
　温度保持時間：０〜２０時間、特に６〜１０時間
　冷却速度：５０〜５００℃／時間、特に１００〜３００℃／時間
　雰囲気用ガスには、加湿したＮ２ガス等を用いることが好ましい。
　　　【００５２】
　なお、上記した脱バインダ処理、焼成およびアニールにおいて、Ｎ２ガスや混合ガス等を加湿するには、例えばウェッター等を便用すればよい。この場合、水温は５〜７５℃程度が好ましい。
　　　【００５３】
　脱バインダ処理、焼成およびアニールは、連続して行なっても、独立に行なってもよい。
　　　【００５４】
　これらを連続して行なう場合、脱バインダ処理後、冷却せずに雰囲気を変更し、続いて焼成の際の保持温度まで昇温して焼成を行ない、次いで冷却し、アニールの保持温度に達したときに雰囲気を変更してアニールを行なうことが好ましい。
　　　【００５５】
　また、これらを独立して行なう場合、焼成に際しては、脱バインダ処理時の保持温度までＮ２ガスあるいは加湿したＮ２ガス雰囲気下で昇温した後、雰囲気を変更してさらに昇温を続けることが好ましく、アニール時の保持温度まで冷却した後は、再びＮ２ガスあるいは加湿したＮ２ガス雰囲気に変更して冷却を続けることが好ましい。また、アニールに際しては、Ｎ２ガス雰囲気下で保持温度まで昇温した後、雰囲気を変更してもよく、アニールの全工程を加湿したＮ２ガス雰囲気としてもよい。
　　　【００５６】
　　＜外部電極形成＞
　上記のようにして得られたコンデンサチップ体に、例えばバレル研磨やサンドブラストなどにより端面研磨を施し、外部電極用ペーストを印刷ないし転写して焼成し、外部電極４を形成する。外部電極用ペーストの焼成条件は、例えば、６００〜８００℃にて１０分間〜１時間程度とすることが好ましい。
　　　【００５７】
　そして、必要に応じ、外部電極４表面に、めっき等により被覆層を形成する。
　　　【００５８】
　このようにして製造された本発明の積層型セラミックチップコンデンサは、ハンダ付等によりプリント基板上などに実装され、各種電子機器等に使用される。
　　　【００５９】
　そして、本発明の積層型セラミックチップコンデンサの誘電体層には、使用時に、０．０２Ｖ／μｍ以上、特に０．２Ｖ／μｍ以上、さらには０．５Ｖ／μｍ以上、一般に５Ｖ／μｍ程度以下の直流電界と、通常、これに重畳する交流成分とが印加されるが、このような直流電界を負荷しても、容量の経時変化は極めて少ないものである。
　　　【００６０】
　　【実施例】
　以下、本発明の具体的実施例を挙げ、本発明をさらに詳細に説明する。
　　　【００６１】
　下記の各ペーストを調製した。
誘電体層用ペースト
　粒径０．１〜１μｍのＢａＴｉＯ３、（ＭｇＣＯ３）４・Ｍｇ（ＯＨ）２・５Ｈ２Ｏ、ＭｎＣＯ３、（Ｂａ０．５Ｃａ０．５）ＳｉＯ３、Ｙ２Ｏ３から選択した材料粉末をボールミルにより１６時間湿式混合し、次いでスプレードライヤーで乾燥させて、誘電体原料とした。各粉末の混合比率を変えて、複数の誘電体原料を作製した。
　　　【００６２】
　各誘電体原料１００重量部と、アクリル樹脂４．８重量部、塩化メチレン４０重量部、トリクロロエタン２０重量部、ミネラルスピリット６重量部およびアセトン４重量部とをボールミルで混合してペースト化した。
　　　【００６３】
内部電極層用ペースト
　平均粒径０．８μｍのＮｉ粒子１００重量部と、有機ビヒクル（エチルセルロース樹脂８重量部をブチルカルビトール９２重量部に溶解したもの）４０重量部およびブチルカルビトール１０重量部とを３本ロールにより混練し、ペースト化した。
　　　【００６４】
外部電極用ペースト
　平均粒径０．５μｍのＣｕ粒子１００重量部と、有機ビヒクル（エチルセルロース樹脂８重量部をブチルカルビトール９２重量部に溶解したもの）３５重量部およびブチルカルビトール７重量部とを混練し、ペースト化した。
　　　【００６５】
　上記各誘電体層用ペーストおよび上記内部電極層用ペーストを用い、図１に示される構成の積層型セラミックコンデンサを作製した。
　　　【００６６】
　まず、誘電体層用ペーストを用いてＰＥＴフィルム上にグリーンシートを作製し、この上に内部電極層用ペーストを印刷した。次いで、ＰＥＴフィルムからシートを剥離して積層し、加圧接着してグリーンチップを得た。積層数は４層とした。
　　　【００６７】
　次いでグリーンチップを所定サイズに切断し、脱バインダ処理、焼成およびアニールを下記の条件にて連続的に行ない、コンデンサチップ体を作製した。
　　　【００６８】
脱バインダ処理
　昇温速度：１５℃／時間
　保持温度：２８０℃
　温度保持時間：８時間
　雰囲気ガス：空気中
　　　【００６９】
焼成
　昇温速度：２００℃／時間
　保持温度：１３００℃
　温度保持時間：２時間
　冷却速度：３００℃／時間
　雰囲気ガス：加湿したＮ２とＨ２との混合ガス
　酸素分圧：１０−９気圧
　　　【００７０】
アニール
　保持温度：９００℃
　温度保持時間：９時間
　冷却速度：３００℃／時間
　雰囲気ガス：加湿したＮ２ガス
　酸素分圧：１０−５気圧
　　　【００７１】
　なお、それぞれの雰囲気ガスの加湿にはウェッターを用い、水温は３５℃とした。
　　　【００７２】
　得られたコンデンサチップ体の端面をサンドブラストにて研磨した後、上記外部電極用ペーストを前記端面に転写し、Ｎ２＋Ｈ２雰囲気中で８００℃にて１０分間焼成して外部電極を形成し、積層型セラミックチップコンデンササンプルを得た。
　　　【００７３】
　このようにして製造した各サンプルのサイズは、３．２ｍｍ×１．６ｍｍ×１．２ｍｍであり、誘電体層の厚さは１５μｍ、内部電極層の厚さは２．５μｍであった。
　　　【００７４】
　各サンプルの誘電体層の組成を、下記表１に示す。これらの組成は、前述した基準に従って算出した。なお、表１中の（Ｂａ，Ｃａ）ＳｉＯ３とは、（Ｂａ０．５Ｃａ０．５）ＳｉＯ３である。
　　　【００７５】
　各サンプルについて、下記の測定を行なった。結果を表１に示す。
　　　【００７６】
容量の温度特性
　Ｘ７Ｒ特性：ＬＣＲメータにより、−５５〜１２５℃について測定電圧１Ｖで容量を測定し、容量変化率が±１５％以内（基準温度２５℃）を満足するかどうかを調べた。満足する場合を○、満足しない場合を×とした。
　　　【００７７】
直流電界下での容量の経時変化
　誘電体層の厚さ１μｍあたり１．０６Ｖの直流電界（サンプルヘの印加電圧１６Ｖ）を４０℃にて６６時間印加し、次いで、無負荷状態で室温にて２４時間放置した後、容量を測定し、直流電界印加前の容量Ｃｂ（初期容量）からの変化量ΔＣを求めて、変化率ΔＣ／Ｃ０を算出した。なお、容量は上記条件にて測定した。
　　　【００７８】
絶縁抵抗ＩＲの加速寿命
　１８０℃にて１０Ｖ／μｍの電界下で加速試験を行ない、抵抗（ＩＲ）が２×１０５Ω以下になるまでの時間を寿命時間とした。
　　　【００７９】
比誘電率εｓ　
　２５℃における比誘電率を測定した。
　　　【００８０】
【表１】
　　　【００８１】
　表１に示される結果から、本発明の効果が明らかである。すなわち、誘電体層の組成が本発明の範囲内であるサンプルでは、Ｘ７Ｒ特性を満足し、かつ、直流電界下での容量の経時変化率が１０％以下と極めて低く、また、加速試験における絶縁抵抗ＩＲの寿命が長い。そして、Ｙ２Ｏ３の添加により、ＩＲ加速寿命が著しく向上することがわかる。また、表１の本発明サンプルは、静電容量の温度特性がＢ特性［−２５〜８５℃で容量変化率±１０％以内（基準温度２０℃）］も満足していた。
　　　【００８２】
　本発明のサンプルＮｏ．１および比較例のサンプルＮｏ．１６の誘電体層断面の走査型電子顕微鏡写真を、それぞれ図２および図３に示す。これらの写真は、断面を鏡面研磨し、フッ酸−硝酸の混合水溶液によりエッチングした後に撮影した。比較例であるサンプルＮＯ．１６（図３）では平均結晶粒径が約１μｍ、結晶粒界の平均幅が約０．２μｍであるが、本発明のサンプルＮｏ．１（図２）では平均結晶粒径が約０．５μｍ、結晶粒界の平均幅か約０．２μｍと細かい。なお、表１に示される他の比較サンプルおよび本発明サンプルについても、同様な関係がみられた。
　　　【００８３】
　また、比較例のサンプルＮｏ．１６の誘電体層の透過型電子顕微鏡写真を、上記直流電界印加前および印加後に撮影した。印加前の写真を図４に、印加後の写真を図５にそれぞれ示す。図４および図５から、直流電界の印加によりドメインが減少していることがわかる。
　　　【００８４】
　　【発明の効果】
　本発明では、誘電体層を所定の組成とすることにより、容量の温度特性に関するＸ７Ｒ特性およびＢ特性を満足することができ、かつ、直流電界下での容量の経時変化が小さく、また、絶縁抵抗ＩＲの加速寿命が長い積層型セラミックチップコンデンサを実現することができる。
【図面の簡単な説明】
　　【図１】
　本発明の積層型セラミックチップコンデンサの構成例を示す断面図である。
　　【図２】
　粒子構造を示す図面代用写真であって、本発明の積層型セラミックチップコンデンサの誘電体層断面の走査型電子顕微鏡写真である。
　　【図３】
　粒子構造を示す図面代用写真であって、従来の積層型セラミックチップコンデンサの誘電体層断面の走査型電子顕微鏡写真である。
　　【図４】
　粒子構造を示す図面代用写真であって、積層型セラミックチップコンデンサの誘電体層の透過型電子顕微鏡写真である。
　　【図５】
　粒子構造を示す図面代用写真であって、直流電界印加後の積層型セラミックチップコンデンサの誘電体層の透過型電子顕微鏡写真である。
【符号の説明】
１　積層型セラミックチップコンデンサ
１０　コンデンサチップ体
２　誘電体層
３　内部電極層
４　外部電極