【事件の表示】
　特許第２６８７７８７号「ドライエッチング方法」の請求項１ないし６に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結論】
　訂正を認める。
　特許第２６８７７８７号の請求項１ないし５に係る特許を維持する。
【理由】
（１）手続の経緯
　本件特許第２６８７７８７号発明は、平成３年１０月２日に特許出願され、平成９年８月２２日にその特許の設定登録がなされ、その後山口雅行及び安藤純男より特許異議の申立てがなされ、平成１１年２月２４日付けで取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１１年５月１０日に訂正請求がなされたものである。
（２）訂正の適否についての判断
ア．訂正の内容
＊訂正事項ａ
　特許請求の範囲の請求項１における、「一般式Ｃｍ　Ｆｎ」の前に「被エッチング基板の温度を室温以下に制御し、」を挿入するとともに「Ｓｉ−Ｏ結合よりも原子間結合エネルギーの高い化学結合をＯ原子との間に生成し得る原子を分子内に有する添加化合物」を「一酸化炭素」と訂正する。
＊訂正事項ｂ
　特許請求の範囲の請求項２を削除する。
＊訂正事項ｃ
　特許請求の範囲の請求項３における、「シリコン化合物層」を「酸化シリコン系材料層」と訂正し、「Ｓｉ−Ｏ結合よりも原子間結合エネルギーの高い化学結合をＯ原子との間に生成し得る原子を分子内に有する添加化合物」を「一酸化炭素」と訂正する。
＊訂正事項ｄ
　特許請求の範囲の請求項４における、「Ｓｉ−Ｏ結合よりも原子間結合エネルギーの高い化学結合をＯ原子との間に生成し得る原子を分子内に有する添加化合物」を「一酸化炭素」と訂正し、
「前記添加化合物」を「前記一酸化炭素」と訂正する。
＊訂正事項ｅ
　特許請求の範囲の請求項５における、「請求項３または請求項４に記載の」を「請求項２または請求項３に記載の」と訂正する
＊訂正事項ｆ
　特許請求の範囲の請求項６を「一般式ＣｍＦｎ　（ただしｍ，ｎは原子数を示す自然数であり、ｍ≧２，ｎ≦２ｍ＋２の条件を満足する。）で表されるフルオロカーボン化合物と一酸化炭素とを含むエッチング・ガスを用い、ＰＳＧ，ＢＳＧ，ＢＰＳＧ，ＡｓＳＧ，ＡｓＰＳＧ，ＡｓＢＳＧのいずれか１からなる層をエッチングすることを特徴とするドライエッチング方法。」と訂正する。
＊訂正事項ｇ
　特許請求の範囲の請求項２の削除に伴い、請求項３以下順次繰り上げ新請求項２乃至５とする。
＊訂正事項ｈ
　明細書の段落【００１２】における「一般式ＣｍＦｎ」の前に「被エッチング基板の温度を室温以下に制御し、」を挿入するとともに「Ｓｉ−Ｏ結合よりも原子間結合エネルギーの高い化学結合をＯ原子との間に生成し得る原子を分子内に有する添加化合物」を「一酸化炭素」と訂正する。
＊訂正事項ｉ
　明細書の段落【００１３】及び【００１４】の「添加化合物」を「一酸化炭素」と訂正する。
＊訂正事項ｊ
　明細書の段落【００１６】における「また、本発明で用いる添加化合物は、Ｓｉ０２系材料層を構成するＳｉ−Ｏ結合を切断してＯ原子を引き抜くことによりエッチングを増速させるためのものであるから、このＳｉ−Ｏ結合の原子間結合エネルギー〔４６５ｋＪ／ｍｏｌ；ただし、Ｓｉ０２結晶の標準生成エンタルピーからの算出値〕よりも大きな原子間結合エネルギーを持つ化学結合を○原子との間に生成し得る原子を含んでいれば良い。この条件を満足する最も簡便な低分子化合物としては、一酸化炭素（ＣＯ）を挙げることができる。Ｃ−Ｏ結合の原子間結合エネルギーは１０７６ｋＪ／ｍｏｌであって、Ｓｉ−Ｏ結合のそれよりも遥かに大きく、ＳｉＯ２系材料層に対して強い還元性を発揮し、そのエッチングを増速させる。」を削除する。
イ．訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　上記訂正事項ａは、ドライエッチング方法における被エッチング基板の温度を、室温以下に制御する点を限定するとともに「Ｓｉ−Ｏ結合よりも原子間結合エネルギーの高い化学結合をＯ原子との間に生成し得る原子を分子内に有する添加化合物」をより下位概念の「一酸化炭素」に限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮に該当し、願書に添付した明細書に記載した事項の範囲内のものであり、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
　上記訂正事項ｂは、請求項２を削除するものであるから、特許請求の範囲の減縮に該当する。
　上記訂正事項ｃは、請求項３における、「シリコン化合物層」を不明りょうな記載の釈明を目的として「酸化シリコン系材料層」と訂正するものであり、「Ｓｉ−Ｏ結合よりも原子間結合エネルギーの高い化学結合をＯ原子との間に生成し得る原子を分子内に有する添加化合物」をその下位概念の「一酸化炭素」に限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮に該当し、願書に添付した明細書に記載した事項の範囲内のものであり、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
　上記訂正事項ｄは、請求項４における、「Ｓｉ−Ｏ結合よりも原子間結合エネルギーの高い化学結合をＯ原子との問に生成し得る原子を分子内に有する添加化合物」及び「添加化合物」をその下位概念の「一酸化炭素」に限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮に該当し、願書に添付した明細書に記載した事項の範囲内のものであり、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
　上記訂正事項ｆは、請求項６において引用する請求項１における、「酸化シリコン系材料層」をより下位概念の「ＰＳＧ，ＢＳＧ，ＢＰＳＧ，ＡｓＳＧ，ＡｓＰＳＧ，ＡｓＢＳＧのいずれか１からなる層」に限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮に該当し、願書に添付した明細書に記載した事項の範囲内のものであり、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
　上記訂正事項ｅ、ｇは、請求項２が削除されたことに伴い請求項３乃至６を１項ずつ繰り上げた結果によるものであり、不明りょうな記載の釈明を目的としたものである。
　上記訂正事項ｈ、ｉ、ｊは、請求項１乃至６が訂正されたことに伴い特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載との整合を図るための訂正であり、願書に添付した明細書に記載した事項の範囲内のものであり、不明りょうな記載の釈明を目的としたものである。
ウ．独立特許要件の判断
＜特許法３６条第４、５項違反について＞
　旧請求項３における「シリコン化合物層」は「酸化シリコン系材料層」と訂正され、旧請求項１、３、４及び発明の詳細な説明における「Ｓｉ−Ｏ結合よりも原子間結合エネルギーの高い化学結合をＯ原子との間に生成し得る原子を分子内に有する添加化合物」は「一酸化炭素」と訂正されたことにより、記載不備はない。
（本件発明）
　訂正明細書の本件発明は、その特許請求の範囲の請求項１乃至５に記載された次のとおりのものである。
「【請求項１】被エッチング基板の温度を室温以下に制御し、一般式ＣｍＦｎ（ただしｍ，ｎは原子数を示す自然数であり、ｍ≧２，ｎ≦２ｍ＋２の条件を満足する。）で表されるフルオロカーボン化合物と一酸化炭素とを含むエッチング・ガスを用い、酸化シリコン系材料層をエッチングすることを特徴とするドライエッチング方法。
　【請求項２】一般式ＣｍＦｎ（ただしｍ，ｎは原子数を示す自然数であり、ｍ≧２，ｎ≦２ｍ＋２の条件を満足する。）で表されるフルオロカーボン化合物と一酸化炭素とを含むエッチング・ガスを用い、酸化シリコン系材料層を実質的にその層厚を越えない深さまでエッチングする第１の工程と、前記一酸化炭素の含量比を前記第１の工程よりも高めたエッチング・ガスを用い、前記酸化シリコン系化合物層の残余部のエッチングとオーバーエッチングとを行う第２の工程とを有することを特徴とするドライエッチング方法。
　【請求項３】一般式ＣｍＦｎ（ただしｍ，ｎは原子数を示す自然数であり、ｍ≧２，ｎ≦２ｍ＋２の条件を満足する。）で表されるフルオロカーボン化合物と一酸化炭素とを含むエッチング・ガスを用い、酸化シリコン系材料層を実質的にその層厚分だけエッチングする第１の工程と、Ｓ２Ｆ２，ＳＦ２，ＳＦ４，Ｓ２Ｆ１０から選ばれる少なくとも１種のフッ化イオウと前記一酸化炭素とを含むエッチング・ガスを用いてオーバーエッチングを行う第２の工程とを有することを特徴とするドライエッチング方法。
　【請求項４】前記エッチングおよびオーバーエッチングは、被エッチング基板の温度を室温以下に制御しながら行うことを特徴とする請求項２または請求項３に記載のドライエッチング方法。
　【請求項５】一般式ＣｍＦｎ（ただしｍ，ｎは原子数を示す自然数であり、ｍ≧２，ｎ≦２ｍ＋２の条件を満足する。）で表されるフルオロカーボン化合物と、一酸化炭素とを含むエッチング・ガスを用い、ＰＳＧ，ＢＳＧ，ＢＰＳＧ，ＡｓＳＧ，ＡｓＰＳＧ，ＡｓＢＳＧのいずれか１からなる層をエッチングすることを特徴とするドライエッチング方法。」
（本件発明の出願日について）
　旧請求項１、３及び４における「Ｓｉ−Ｏ結合よりも原子間結合エネルギーの高い化学結合をＯ原子との間に生成し得る原子を分子内に有する添加化合物」は、審請求項１、２及び３における「一酸化炭素」と訂正されたことにより願書に添付した明細書に記載された事項の範囲内のものとなっているから、本件発明の出願日は平成３年１０月２日であると認める。
＜特許法第２９条第１項第３号違反について＞
　当審が平成１１年２月２４日付けの取消理由で引用した特開平５−１３３７６号公報及び特開平５−９４９７４号公報は、本件発明の出願日以後に公知となったものであるから、特許法第２９条第１項第３号違反には当たらない。
　よって、本件発明は特許出願の際独立して特許を受けることができない発明であるとすることはできない。
エ．むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正請求は、特許法第１２０条の４第２項及び同条第３項で準用する特許法第１２６条第２から４項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
（３）特許異議の申立てについての判断
ア．申立ての理由の概要
　申立人山口雅行は、甲第１号証として特開平５−１３３７６号公報を提示して本件請求項１乃至６記載の発明は、特願平３−１５９０４４号の願書に添付した明細書又は図面に記載された発明と同一であり、特許法第２９条の２第１項の規定に違反してなされたものであり、また請求項３においてドライエッチング処理される対象は「酸化シリコン系材料層」に限定されるべきであり、請求項１、３、４及び発明の詳細な説明において「一酸化炭素」を「Ｓｉ−Ｏ結合よりも原子間結合エネルギーの高い化学結合をＯ原子との間に生成し得る原子を分子内に有する添加化合物」として添加することが必須であるから、発明の構成が不明りょうであり、特許法３６条第４、５項の要件を満たしてないから、特許を取り消すべきものと主張している。
　また申立人安藤純男は、甲第１号証（特開平５−１３３７６号公報）、甲第２号証（特開昭５７−４９２３６号公報：以下「文献１」という）、甲第３号証（特開昭５９−５４２２７号公報：以下「文献２」という）、甲第４号証（特開昭６３−１６１６２０号公報：以下「文献３」という）、甲第５号証（特開平５−９４９７４号公報）及び参考資料（特開平４−１７００２６号公報）を提示して、本件請求項１及び６記載の発明は、甲第１号証に記載された発明と同一であり、特許法第２９条の２第１項の規定に違反してなされたものであり、本件請求項１乃至６記載の発明は、甲第２号証乃至第４号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであって、また本件特許には要旨変更があり出願日が繰り下がるため本件特許に係る特許公開公報である甲第５号証に記載の発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであり、請求項３における「シリコン化合物層」は「酸化シリコン系材料層」の誤りであるから、発明の構成が不明瞭であり、特許法３６条第５項の要件を満たしてないから、特許を取り消すべきものと主張している。
イ．特許法３６条第４、５項違反について
　旧請求項３における「シリコン化合物層」は「酸化シリコン系材料層」と訂正され、旧請求項１、３、４及び発明の詳細な説明における「Ｓｉ−Ｏ結合よりも原子間結合エネルギーの高い化学結合をＯ原子との間に生成し得る原子を分子内に有する添加化合物」は「一酸化炭素」と訂正されたことにより記載不備の点は解消している。
ウ．特許法第２９条の２第１項違反について
（先願明細書）
　申立人山口雅行及び安藤純男が甲第１号証として提出した特開平５−１３３７６号公報に係る特願平３−１５９０４４号の願書に最初に添付した明細書又は図面（以下先願明細書という）には、次のような技術事項が記載されている。
「ＬＳＩの製造工程におけるドライエッチングを行なう際に、式：ＣｎＦ２ｎ＋２又はＣｎＦ２ｎ（ｎ＝２〜６）のフッ化炭素ガスとπ結合を有するＣＯもしくはＮＯガスを使用することを特徴とする半導体装置の製造方法。」（特許請求の範囲）
「【実施例】
実施例１
この発明の実施例を図面を用いて説明する。図１（ａ）に示すように、シリコン基板１の上に膜厚０．５〜１．５μｍの酸化シリコン膜２を形成し、この上にレジストパターン３を形成する。次に、図１（ｂ）に示すように、この基板を、磁気強化反応生イオンエッチング（ＭＥＲＩＥ）装置に配置し、反応性ガスとしてＣＯガスとＣ２Ｆ６ガスを１／４の容量比で混合したガスを用いてレジストパターン３をマスクにして酸化シリコン膜２をエッチングする。酸化シリコン膜２のエッチングによってシリコン基板１も若干エッチングされるが、このシリコン基板内へ拡散したＣ及びＦは、その濃度と深さの関係を図１（ｃ）に示すように、少ない。」（段落【００１２】及び【００１３】）
（対比・判断）
　訂正明細書の請求項１乃至（旧請求項６に対応する）請求項５に係る発明と先願明細書記載の発明とを対比すると、先願明細書記載の発明はドライエッチング方法において、次の点について記載されていない。
　請求項１に係る発明の必須の構成要件である「被エッチング基板の温度を室温以下に制御」する点。
　請求項２に係る発明の必須の構成要件である「フルオロカーボン化合物と一酸化炭素とを含むエッチング・ガスを用い、酸化シリコン系材料層を実質的にその層厚を越えない深さまでエッチングする第１の工程と、前記一酸化炭素の含量比を前記第１の工程よりも高めたエッチング・ガスを用い、前記酸化シリコン系化合物層の残余部のエッチングとオーバーエッチングとを行う第２の工程とを有する」点。
　請求項３に係る発明の必須の構成要件である「フルオロカーボン化合物と一酸化炭素とを含むエッチング・ガスを用い、酸化シリコン系材料層を実質的にその層厚分だけエッチングする第１の工程と、Ｓ２Ｆ２，ＳＦ２，ＳＦ４，Ｓ２Ｆ１０から選ばれる少なくとも１種のフッ化イオウと前記一酸化炭素とを含むエッチング・ガスを用いてオーバーエッチングを行う第２の工程とを有する」する点。
　請求項４に係る発明の必須の構成要件である請求項２又は３の構成要件に加えて「エッチングおよびオーバーエッチングは、被エッチング基板の温度を室温以下に制御しながら行う」点。
　請求項５に係る発明の必須の構成要件である「ＰＳＧ，ＢＳＧ，ＢＰＳＧ，ＡｓＳＧ，ＡｓＰＳＧ，ＡｓＢＳＧのいずれか１からなる層をエッチングする」する点。
　したがって、請求項１乃至請求項５に係る発明が先願明細書記載の発明と同一であるとすることはできない。
エ．特許法第２９条第２項違反について
（引用文献）
　文献１には、次のような技術事項が記載されている。
「１．基板上に存在し、有機ラッカー層で局部的に覆われる層を、ハロゲン化合物および酸素化合物を含有しているガス混合物中にて形成されるプラズマ成分に接触させて前記層をエッチングして半導体装置を製造するに当り、前記ガス混合物に１〜１５容量％のＣＯを添加することを特徴とする半導体装置の製造方法。
２．特許請求の範囲１記載の方法において、プラズマが形成されるガス混合物にハロゲン化合物としてＣＦ４を、酸素化合物としてＯ２，ＣＯ２およびＮＯから成る群がら選定した一種の成分を含有させることを特徴とする半導体装置の製造方法。
３．特許請求の範囲１記載の方法において、プラズマが形成されるガス混合物にハロゲン化合物としてＳＦ６を、酸素化合物としてＯ２，ＣＯ２およびＮＯから成る群がら選定した一種の成分を含有させることを特徴とする半導体装置の製造方法。」
（特許請求の範囲）
「本発明によれば上記ガス混合物に１〜１５容量％のＣＯを添加する。このＣＯの添加は導電層４または１１を除去する場合におけるそのエツチング速度および均一性には殆ど影響を及ぼさないが、有機ラッカー層５または１２を除去する速度を約１／１０に短縮する。この結果、ラッカー層５または１２を相当薄くすることができるため、相当微細な導電トラックパターンを実現することができる。後述する例の場合には、・・・Ｍｏまたはポリ−Ｓｉの層を被覆したＳｉ円板をプラズマエッチング反応器内でエッチングした。エッチングしない部分は・・・有機ラッカー層によってマスクした。」（第３頁左上欄第１４行〜右上欄第８行）
　文献２には、「乾式パターンの形成方法」に関し次のような技術事項が記載されている。
「１．被エッチング物表面に放射線感応レジストパターンを形成し、該レジストパターンをマスクとして被エッチング物をプラズマによりエツチング処理してパターンを形成するに際し、あらかじめ冷却したガスを用いてプラズマを発生させることを特徴とする乾式パターン形成方法。」（特許請求の範囲第１項）
　本発明方法において用いるプラズマを発生するためのガスとしては、例えば四フツ化炭素、三フツ化メタン、六フツ化エタン、八フツ化プロパン・・・などを挙げることができる。」（第２頁左下欄第１０〜１８行）
「実施例２厚さ１μｍの酸化ケイ素（ＳｉＯ２）膜のエッチングにおいて、ネガ型ホトレジストによりマスクし、実施例１と同じプラズマ装置を用い、そのプラズマ処理室に、メタノールードライアイスによってドライアイス温度に冷却した六フツ化エタンを導入し、電力８００Ｗ、真空度０．６Ｔｏｒｒの条件でエツチング処理を行った。また、比較のため、常温の六フツ化エタンガスを導入する以外は、前記とまったく同様にしてエツチング処理を行つた。その結果、常温の六フツ化エタンガスを導入した場合、レジストが変質して所期の目的達成が不可能であり、またウエハーの表面温度は１７０℃であったがドライアイス温度に冷却した六フツ化エタンガスを導入した場合、レジストの変質は防止することができ、またウエハーの表面温度は１４０℃であった。」（第３頁左上欄第１７行〜右上欄第１５行）
文献３には、次のような技術事項が記載されている。
「本実施例のエッチング条件のもとで平坦化エッチングを行なうには、−８５±２０℃に試料温度を制御すればよいことがわかった。・・・。ＳｉＯ２膜とホトレジスト膜とを平坦化エッチングする雰囲気ガスとしては、上記のＣＦ４とＯ２の混合ガスの他、ＳｉＯ２膜のエッチングに使用可能なガスであるＣＨＦ３、Ｃ２Ｆ６、Ｃ３Ｆ８等のフロロカーボン系ガス、・・・が適用できる。」（第３頁右上欄第１７行〜左下欄第１８行）
　なお申立人の提出した甲第５号証は、本件発明の出願日以後に公知となったものであるから、特許法第２９条第２項違反の引用例とはならない。
（対比・判断）
訂正明細書の請求項１乃至旧請求項６に対応する請求項５に係る発明と文献１乃至３に記載の発明を対比すると、文献１には、ハロゲン化合物および酸素化合物および一酸化炭素を含むエッチング・ガスを用い、Ｍｏまたはポリ−Ｓｉのような導電層をドライエッチングする方法が開示され、文献２、３には、一般式ＣｍＦｎただしｍ，ｎは原子数を示す自然数であり、ｍ≧２，ｎ≦２ｍ＋２の条件を満足する。）で表されるフルオロカーボン化合物を含むエッチング・ガスを用い、２酸化シリコン層をドライエッチングする方法について記載されているが、請求項１乃至請求項５に係る発明の必須の構成要件である、ドライエッチング方法において、「一般式ＣｍＦｎただしｍ，ｎは原子数を示す自然数であり、ｍ≧２，ｎ≦２ｍ＋２の条件を満足する。）で表されるフルオロカーボン化合物と一酸化炭素とを含むエッチング・ガスを用い、酸化シリコン系材料層或いはＰＳＧ，ＢＳＧ，ＢＰＳＧ，ＡｓＳＧ，ＡｓＰＳＧ，ＡｓＢＳＧのいずれか１からなる層をエッチングする」を選定する点についての記載はないし、この点を示唆する記載もない。（文献１における被エッチング層はＭｏまたはポリ−Ｓｉのような導電層であり、文献２、３における被エッチング層の材料である２酸化シリコンとは対象となる材料が異なっているから、文献１に文献２、３の発明を組み合わせることは当業者であっても容易に想到し得たものではない）
　そして、請求項１乃至請求項５に係る発明は、上記の構成をとることにより、明細書記載の（段落００３６参照）作用効果を奏するものである。
　よって、請求項１乃至請求項５に係る発明は、文献１乃至３に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであると認めることはできない。
　また、他に本件特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１１年１０月２８日（１９９９．１０．２８）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
＊訂正事項ａ
　特許請求の範囲の減縮を目的として、特許請求の範囲の請求項１における、「一般式Ｃｍ　Ｆｎ」の前に「被エッチング基板の温度を室温以下に制御し、」を挿入するとともに「Ｓｉ−Ｏ結合よりも原子間結合エネルギーの高い化学結合をＯ原子との間に生成し得る原子を分子内に有する添加化合物」を「一酸化炭素」と訂正する。
＊訂正事項ｂ
　特許請求の範囲の減縮を目的として、特許請求の範囲の請求項２を削除する。
＊訂正事項ｃ
　不明りょうな記載の釈明及び特許請求の範囲の減縮を目的として、特許請求の範囲の請求項３における、「シリコン化合物層」を「酸化シリコン系材料層」と訂正し、「Ｓｉ−Ｏ結合よりも原子間結合エネルギーの高い化学結合をＯ原子との間に生成し得る原子を分子内に有する添加化合物」を「一酸化炭素」と訂正する。
＊訂正事項ｄ
　特許請求の範囲の減縮を目的として、特許請求の範囲の請求項４における、「Ｓｉ−Ｏ結合よりも原子間結合エネルギーの高い化学結合をＯ原子との間に生成し得る原子を分子内に有する添加化合物」を「一酸化炭素」と訂正し、「前記添加化合物」を「前記一酸化炭素」と訂正する。
＊訂正事項ｅ
　特許請求の範囲の請求項５における、「請求項３または請求項４に記載の」を「請求項２または請求項３に記載の」と訂正する
＊訂正事項ｆ
　特許請求の範囲の減縮を目的として、特許請求の範囲の請求項６を「一般式ＣｍＦｎ（ただしｍ，ｎは原子数を示す自然数であり、ｍ≧２，ｎ≦２ｍ＋２の条件を満足する。）で表されるフルオロカーボン化合物と一酸化炭素とを含むエッチング・ガスを用い、ＰＳＧ，ＢＳＧ，ＢＰＳＧ，ＡｓＳＧ，ＡｓＰＳＧ，ＡｓＢＳＧのいずれか１からなる層をエッチングすることを特徴とするドライエッチング方法。」と訂正する。
＊訂正事項ｇ
　不明りょうな記載の釈明を目的として、特許請求の範囲の請求項２の削除に伴い、請求項３以下順次繰り上げ新請求項２乃至５とする。
＊訂正事項ｈ
　不明りょうな記載の釈明を目的として、明細書の段落【００１２】における「一般式ＣｍＦｎ」の前に「被エッチング基板の温度を室温以下に制御し、」を挿入するとともに「Ｓｉ−Ｏ結合よりも原子間結合エネルギーの高い化学結合をＯ原子との間に生成し得る原子を分子内に有する添加化合物」を「一酸化炭素」と訂正する。
＊訂正事項ｉ
　不明りょうな記載の釈明を目的として、明細書の段落【００１３】及び【００１４】の「添加化合物」を「一酸化炭素」と訂正する。
＊訂正事項ｊ
　不明りょうな記載の釈明を目的として、明細書の段落【００１６】における「また、本発明で用いる添加化合物は、Ｓｉ０２系材料層を構成するＳｉ−Ｏ結合を切断してＯ原子を引き抜くことによりエッチングを増速させるためのものであるから、このＳｉ−Ｏ結合の原子間結合エネルギー〔４６５ｋＪ／ｍｏｌ；ただし、Ｓｉ０２結晶の標準生成エンタルピーからの算出値〕よりも大きな原子間結合エネルギーを持つ化学結合をＯ原子との間に生成し得る原子を含んでいれば良い。この条件を満足する最も簡便な低分子化合物としては、一酸化炭素（ＣＯ）を挙げることができる。Ｃ−Ｏ結合の原子間結合エネルギーは１０７６ｋＪ／ｍｏｌであって、Ｓｉ−Ｏ結合のそれよりも遥かに大きく、Ｓｉ０２系材料層に対して強い還元性を発揮し、そのエッチングを増速させる。」を削除する。
（５４）【発明の名称】
ドライエッチング方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　
被エッチング基板の温度を室温以下に制御し、
と一酸化炭素
　【請求項２】　一般式ＣｍＦｎ（ただしｍ，ｎは原子数を示す自然数であり、ｍ≧２，ｎ≦２ｍ＋２の条件を満足する。）で表されるフルオロカーボン化合物と一酸化炭素とを含むエッチング・ガスを用い、
酸化シリコン系材料層
　前記
一酸化炭素
　【請求項３】　一般式ＣｍＦｎ（ただしｍ，ｎは原子数を示す自然数であり、ｍ≧２，ｎ≦２ｍ＋２の条件を満足する。）で表されるフルオロカーボン化合物
と一酸化炭素
　Ｓ２　Ｆ２，ＳＦ２，ＳＦ４，Ｓ２　Ｆ１０から選ばれる少なくとも１種のフッ化イオウと前記
一酸化炭素
　【請求項４】　前記エッチングおよびオーバーエッチングは、被エッチング基板の温度を室温以下に制御しながら行うことを持徴とする請求頂２または請求頂３に記載のドライエッチング方法。
　【請求項５】　
一般式ＣｍＦｎ（ただしｍ，ｎは原子数を示す自然数であり、ｍ≧２ｎ≦２ｍ＋２の条件を満足する。）で表されるフルオロカーボンヒ合物と一酸化炭素とを含むエッチング・ガスを用い、ＰＳＧ，ＢＳＧ，ＢＰＳＧ，ＡｓＳＧ，ＡｓＰＳＧ，ＡｓＢＳＧのいずれか１からなる層をエッチングすることを特徴とするドライエッチング方法。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　本発明は半導体装置の製造分野等において適用されるドライエッチング方法に関し、特に対レジスト選択性、対シリコン下地選択性、高速性、低ダメージ性、低汚染性のいずれにも優れる酸化シリコン系材料層のドライエッチング方法に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　近年のＶＬＳＩ，ＵＬＳＩ等にみられるように半導体装置の高集積化および高性能化が進展するに伴い、酸化シリコン（Ｓｉ０２）系材料層のドライエッチング方法についても技術的要求がますます厳しくなってきている。
　まず、高集積化によりデバイス・チップの面積が拡大しウエハが大口径化していること、形成すべきパターンが高度に微細化されウエハ面内の均一処理が要求されていること、またＡＳＩＣに代表されるように多品種少量生産が要求されていること等の背景から、ドライエッチング装置の主流は従来のバッチ式から枚葉式に移行しつつある。この際、従来と同等の生産性を維持するためには、ウェハ１枚当たりのエッチング速度を大幅に向上させなければならない。
　【０００３】
　また、デバイスの高速化や微細化を図るために不純物拡散領域の接合深さが浅くなり、また各種の材料層も薄くなっている状況下では、従来以上に対下地選択性に優れダメージの少ないエッチング技術が要求される。たとえば、半導体基板内に形成された不純物拡散領域や、ＳＲＡＭの抵抗負荷素子として用いられるＰＭＯＳトランジスタのソース・ドレイン領域等にコンタクトを形成しようとする場合等に、シリコン基板や多結晶シリコン層を下地として行われるＳｉ０２層間絶縁膜のエッチングがその例である。
　【０００４】
　さらに、対レジスト選択比の向上も重要な課題である。これは、サブミクロン・デバイスでは、レジストの後退によるわずかな寸法変換差の発生も許容されなくなってきているからである。
　従来から酸化シリコン系材料層のエッチングは、強固なＳｉ−Ｏ結合を切断するために、イオン性を高めたモードで行われている。典型的なエッチング・ガスは、ＣＨＦ３，ＣＦ４等であり、これらから生成するＣＦｘ＋を主エッチング種としている。しかし、高速エッチングを行うためには高イオン・エネルギーが必要であり、エッチング反応が物理的なスパッタ反応に近くなるため、高速性と選択性とが常に背反する問題であった。
　【０００５】
　そこで通常は、エッチング・ガスにＨ２や堆積性の炭化水素系ガスを等を添加してエッチング反応系の見掛け上のＣ／Ｆ比（炭素原子数とフッ素原子数の比）を増大させ、エッチング反応と競合して起こる炭素系ポリマーの堆積を促進することにより高選択性を達成している。
　これら従来のエッチング・ガスに代わり、本願出願人は先に特開平３−２７６６２６号公報において、炭素数２以上の飽和ないし不飽和の高次鎖状フルオロカーボン系ガスを使用するシリコン化合物層のドライエッチング方法を提案している。これは、Ｃ２Ｆ６，Ｃ３Ｆ８，Ｃ４Ｆｌ０，Ｃ４Ｆ８等のフルオロカーボン系ガスを使用することによりＣＦｘ＋を効率良く生成させ、エッチングの高速化を図ったものである。ただし、高次鎖状フルオロカーボン系ガスを単独で使用するのみではＦ＊の生成量も多くなり、対レジスト選択比および対シリコン下地選択比を十分に大きくとることができない。たとえばＣ３Ｆ８をエッチング・ガスとしてシリコン基板上のＳｉＯ２層をエッチングした場合、高速性は達成されるものの、対レジスト選択比が１．３程度と低く、エッチング耐性が不足する他、パターン・エッジの後退により寸法変換差が発生してしまう。また、対シリコン選択比も４．１程度であるので、オーバーエッチング耐性にも問題が残る。
　【０００６】
　そこで、これらの問題を解決するために上記の先行技術では高次鎖状フルオロカーボン系ガス単独によるエッチングは下地が露出する直前で停止し、シリコン化合物層の残余部をエッチングする際には炭素系ポリマーの堆積を促進するために上記化合物にさらにエチレン（Ｃ２Ｈ４）等の炭化水素系ガスを添加するという、２段階エッチングが行われている。これは、エッチング反応系内にＣ原子を補給すると共に、プラズマ中に生成するＨ＊で過剰のＦ＊を消費してＨＦに変化させ、見掛け上のＣ／Ｆ比を高めることを目的としているのである。
　【０００７】
　しかしながら、半導体装置のデザイン・ルールが高度に微細化されている現状では、既にエッチング・マスクとの寸法変換差がほとんど許容できなくなっており、上述のような２段階エッチングを行うにしても、１段目のエッチングにおける選択比をさらに向上させることが必要となる。また、今後より一層微細化が進行するに伴い、炭素系ポリマーによるパーティクル汚染の影響が深刻化することも考えられるので、２段目のエッチングにおける炭化水素系ガス等の堆積性ガスの使用量もできるだけ低減させたいところである。
　【０００８】
　かかる観点から、本発明者は先に特開平４−１７００２６号公報において、被処理基板の温度を５０℃以下に制御した状態で、分子内に少なくとも１個の不飽和結合を有する鎖状不飽和フルオロカーボン系ガスを用いてシリコン化合物層をエッチングする技術を提案している。上記鎖状不飽和フルオロカーボン系ガスとは、たとえばオクタフルオロブテン（Ｃ４Ｆ８）やヘキサフルオロプロペン（Ｃ３Ｆ６）等である。これらのガスは、放電解離により理論上は１分子から２個以上のＣＦｘ＋を生成するので、ＳｉＯ２を高速にエッチングすることができる。また、分子内に不飽和結合を有することから解離により高活性なラジカルを生成させ易く、炭素系ポリマーの重合が促進される。しかも、被処理基板の温度が５０℃以下に制御されていることにより、上記炭素系ポリマーの堆積が促進される
　【０００９】
　この技術により、堆積性ガスを用いることなく対レジスト選択性および対シリコン下地選択性を大幅に向上させることができ、パーティクル汚染も低減することができた。
　【００１０】
　【発明が解決しようとする課題】
　上述のように、本願出願人が先に提案した鎖状不飽和フルオロカーボン系ガスを使用するドライエッチング方法は、従来の技術に比べれば極めて大きなメリットを与えるものであった。しかし、このメリットは主に選択性の改善にもとづくものであり、パーティクル汚染に関しては未だ改善の余地を残している。つまりこの技術は、選択比確保のメカニズムがエッチング反応と競合的に進行する炭素系ポリマーの堆積によって達成される点では従来と何ら変わらないため、処理回数を重ねればやはりエッチング・チャンバ内に炭素系ポリマーが蓄積され、パーティクル・レベルが悪化してしまうのである。したがって、パーティクル汚染が低減できたとしても、エッチング・チャンバをクリーニングするためのメンテナンス頻度が減少するといった程度の改善にとどまっているのが現状である。
　【００１１】
　そこで本発明は、高速性，高選択性，低ダメージ性に優れることはもちろん、特に低汚染性を徹底させたＳｉＯ２系材料層のドライエッチング方法を提供することを目的とする。
　【００１２】
　　【課題を解決するための手段】
　本発明のドライエッチング方法は、上述の目的を達成するために提案されるものであり、
被エッチング基板の温度を室温以下に制御し、
と一酸化炭素
　【００１３】
　ここで、上記フルオロカーボン化合物ＣｍＦｎは、Ｃ原子数ｍが２以上であることから、いわゆる高次フルオロカーボン化合物である。Ｆ原子数ｎは（２ｍ＋２）以下であることから、飽和，不飽和を問わず、また炭素骨格構造も直鎖状，分枝状，環状の別を問うものではない。
　あるいは、エッチングを２段階化し、まず第１の工程で上述のようにしてＳｉＯ２系材料層を実質的にその層厚を越えない深さまでエッチングした後、第２の工程で前記フルオロカーボン化合物に対する前記
一酸化炭素
　【００１４】
　さらにあるいは、第１の工程で前記フルオロカーボン化合物と前記
一酸化炭素
一酸化炭素
　【００１５】
　これらのフッ化イオウは本願出願人が以前にＳｉＯ２系材料層のエッチング用ガスとして提した化合物である。この場合の主エッチング種は、ＳＦｘ＊である。また上記フッ化イオウは、従来からエッチング・ガスとして実用化されている六フッ化イオウ（ＳＦ６）に比べてＳ／Ｆ比（１分子中のＳ原子数とＦ原子数の比）が人きく、放電解離条件下でプラズマ中に遊離のＳを放出することができる。このＳは、ＳｉＯ２系材料層の表面では酸素原子の供給を受けてＳＯｘの形で除去されるが、レジスト材料やＳｉ系材料の表面、あるいはパターン側壁部にはある温度範囲内においてそのまま堆積することができ、高選択性，高異方性の達成に寄与する。
　【００１６】
　ところで、上記のエッチングおよびオーバーエッチングは、いずれも被エッチング基板の温度を室温以下に制御して行うことが特に好適である。これは、エッチング反応の層生成物である炭素系ポリマー、あるいは特にフッ化イオウを用いた場合のイオウ（Ｓ）の堆積に有利となるからである。
　【００１７】
　　【作用】
　従来のＳｉＯ２系材料層のエッチングにおいて、低汚染性が満足なレベルで達成されていなかったのは、高選択性を得るメカニズムがもっぱら炭素系ポリマーの堆積に依存しており、レジスト材料や下地のＳｉ系材料のエッチング速度の相対的な低下を期待していたからである。これに対して本発明は、ＳｉＯ２系材料層のエッチング速度を増大させることにより高選択性を達成するという、逆のアプローチをとる。つまり、従来の物理的なイオン・スパッタ作用に加えて化学的な作用を利用しながら、Ｓｉ−Ｏ結合を切断できるようになる。
　【００１８】
　本発明で用いられる高次フルオロカーボン化合物の１分子からは、理論上は２個以上のＣＦｘ＋が生成し得る。したがって、同じガス圧下ではＣＦ３Ｈ，ＣＦ２Ｈ２といった従来公知のガスを使用した場合と比べてプラズマ中におけるＣＦｘ＋の絶対量が多くなり、高速エッチングが可能となる。このように、元来高速性に優れる高次フルオロカーボン化合物に
一酸化炭素（ＣＯ）
　【００１９】
　特に、上記添加化合物としてＣＯを用いると、大量のＣＦｘ＋によるイオン・スパッタ作用とＣＯ＊による酸素引き抜き作用との相乗効果により、従来ほどに入射イオン・エネルギーを高めなくともＳｉＯ２系材料層を極めて高速にエッチングすることが可能となる。しかも、ＣＯはレジスト材料や下地のＳｉ系材料には何ら作用を及ぼさず、これらの材料のエッチング速度は低速に維持される。
　【００２０】
　さらに、ＣＯに由来して炭素系ポリマーにカルボニル基（＞Ｃ＝Ｏ）が導入されると、該炭素系ポリマーのイオン・スパッタ耐性が向上するため、レジスト材料やＳｉ系材料に対して高選択性を達成するために必要な炭素系ポリマーの堆積量はごく僅かで済む。このため、従来技術に比べてより徹底した低汚染化を図ることもできる。
　【００２１】
　以上が、本願発明の根幹をなす思想である。この上さらにエッチングを２段階化すれば、より大きなメリットを得ることができる。
　すなわち、ＳｉＯ２系材料層のエッチングを下地材料層が露出する直前までの段階とそれ以降の段階の２段階に分け、後半の段階でエッチング・ガスの組成におけるＣＯの含量比を高めれば、ＳｉＯ２系材料層のうち下地との界面付近のエッチングは、酸素引き抜き反応を主体とした機構により進行する。これにより、一層の低ダメージ化を図ることができる。
　【００２２】
　あるいは、ＳｉＯ２系材料層のエッチングをジャスト・エッチングまでの段階とオーバーエッチングの２段階に分け、高速性の要求されないオーバーエッチング時にはフルオロカーボン化合物を使用せず、代わりにフッ化イオウとＣＯとの混合系に切り換えて炭素系ポリマーの堆積を一切排除すると、一層の低汚染化を図ることができる。この場合には、ウェハ上で部分的に残存するＳｉＯ２系材料層のエッチングは、ＳＦｘ＋によるイオン・スパッタ作用とＣＯ＊による酸素引き抜きにより進行する。あるいは、条件によってはＳＦｘ＋の寄与が低下し、酸素引き抜きが主体となる。下地のＳｉ系材料層が露出すると、その表面にはＳが堆積し、Ｆ＊（フッ素ラジカル）による該Ｓｉ系材料層の侵食を防止することができる。しかも、堆積したＳはエッチング終了後にウエハを１００℃付近まで加熱すれば容易に分解または昇華するため、ウェハ上に何らパーティクル汚染を残さない。したがって、高速性，高選択性，低汚染性，低ダメージ性のすべてに優れるエッチングが実現する。
　【００２３】
　　【実施例】
　以下、本発明の具体的な実施例について説明する。
　
実施例１
　本実施例は、本発明をコンタクト・ホール加工に適用し、オクタフルオロシクロブタン（ｃ−Ｃ４Ｆ８）とＣＯとの混合ガスを用いてＳｉ０２層間絶縁膜をエッチングした例である。本実施例のプロセスを、図１を参照しながら説明する。
　【００２４】
　本実施例においてサンプルとして使用した被エッチング基板（ウェハ）は、図１（ａ）に示されるように、予め不純物拡散領域２が形成された単結晶シリコン基板１上にＳｉＯ２層間絶縁膜３が形成され、さらに該ＳｉＯ２層間絶縁膜３のエッチング・マスクとしてレジスト・パターン４が形成されてなるものである。上記レジスト・パターン４には、開口部４ａが設けられている。
　【００２５】
上記ウェハを、マグネトロンＲｌＥ（反応性イオン・エッチング）装置のウェハ載置電極上にセットした。ここで、上記ウェハ載置電極は冷却配管を内蔵しており、装置外部に接続されるチラー等の冷却設備から該冷却配管に冷媒を供給して循環させることにより、エッチング中のウェハ温度を室温以下に制御することが可能となされているものである。ここでは、冷媒としてエタノールを使用し、エッチング中のウェハ温度が−３０℃に維持されるようにした。一例として、下記の条件でＳｉＯ２層間絶縁膜３のエッチングを行った。
　【００２６】
　　ｃ−Ｃ４Ｆ８流量　　３５ＳＣＣＭ
　　ＣＯ流量　　　　　　１５ＳＣＣＭ
　　ガス圧　　　　　　　２．ＯＰａ
　　ＲＦパワー密度　　　２．ＯＷ／ｃｍ２（１３．５６ＭＨｚ）
　　磁場強度　　　　　　１５０Ｇａｕｓｓ
　このエッチング過程では、開口部４ａ内に露出するＳｉＯ２層間絶縁膜３の表面において、ＣＯ＊による酸素引き抜き反応がＣＦｘ＋によるＳｉＯ２のエッチングを促進するため、過大な入射イオン・エネルギーを与える条件ではないにもかかわらず、９５０ｎｍ／分もの高速でエッチングが進行した。この結果、図１（ｂ）に示されるように、異方性形状に優れるコンタクト・ホール５が速やかに形成された。
　【００２７】
　本実施例では、レジスト・パターン４や不純物拡散領域２の表面に炭素系ポリマー（図示せず。）が堆積したが、エッチング・ガスヘのＣＯの添加によりｃ−Ｃ４Ｆ８の相対的な含量が低下しているため、その堆積量は従来プロセスに比べて遥かに少なかった。しかし、これにもかかわらず高選択性が達成され、レジスト・パターン４の膜厚の減少やパターン・エッジの後退、オーバーエッチングによる浅い接合の破壊等は、いずれも認められなかった。対レジスト選択比は約５、対シリコン選択比は約３０であった。この高選択性は、入射イオン・エネルギーが低減されていること、ウェハの低温冷却によりＦ＊によるラジカル反応が抑制されたこと、炭素系ポリマーがカルボニル基の導入により強化され少量でも高いエッチング耐性を発揮したこと、等の効果が総合的に現れた結果である。
　【００２８】
　また、炭素系ポリマーの堆積量が減少したことにより、エッチング・チャンバのクリーニングに必要なメンテナンスの頻度を低減することができ、スループットも改善された。
　
実施例２
　本実施例では、ｃ−Ｃ４Ｆ８／ＣＯ混合ガスを用いたＳｉＯ２層間絶縁膜のエッチングを下地が露出する直前までの段階とそれ以降の段階の２段階に分け、後半の段階でＣＯの含量比を相対的に高めて選択性をより一層向上させた。本実施例のプロセスを、図２および前出の図１を参照しながら説明する。
　【００２９】
　本実施例で使用したウェハは、図１（ａ）に示したものと同じである。このウェハをマグネトロンＲＩＥ装置にセットし、一例として下記の条件でＳｉＯ２層間絶縁膜３のエッチングを、実質的に不純物拡散領域２が露出する直前まで行った。
　　ｃ−Ｃ４Ｆ８流量　　３５ＳＣＣＭ
　　ＣＯ流量　　　　　　１５ＳＣＣＭ（エッチング・ガス中の含量比３０％）
　　ガス圧　　　　　　　２．０Ｐａ
　　ＲＦパワー密度　　　２．０Ｗ／ｃｍ２（１３．５６ＭＨｚ）
　　磁場強度　　　　　　１５０Ｇａｕｓｓ
　　ウェハ温度　　　　　０℃
　この１段階目のエッチングでは、ｃ−Ｃ４Ｆ８による物理的なスパッタ反応を主体とする高速エッチングを行い、４８３．５ｎｍにおけるＣＯ＊の発光スペクトル強度、あるいは７７７ｎｍにおけるＳｉＦ＊の発光スペクトル強度が増大し始めた点をもって終点判定を行った。この結果、ウエハの状態は図２に示されるように、コンタクト・ホール５が中途部まで形成され、その底部にＳｉＯ２層間絶縁膜３の残余部３ａが残された状態となった。
　【００３０】
　次に、エッチング条件を一例として下記の条件に切り換え、残余部３ａのエッチングおよびオーバーエッチングを行った。
　　ｃ−Ｃ４Ｆ８流量　　２０ＳＣＣＭ
　　ＣＯ流量　　　　　　３０ＳＣＣＭ（エッチング・ガス中の含量比６０％）
　　ガス圧　　　　　　　２．０ａ
　　ＲＦパワー密度　　　１．２Ｗ／ｃｍ２（１３．５６ＭＨｚ）
　　磁場強度　　　　　　１５０Ｇａｕｓｓ
　　ウェハ温度　　　　　０℃
　この２段階目のエッチングでは、ＲＦパワー密度を低下させて入射イオン・エネルギーを低減させ、ＣＯによる化学的な酸素引き抜き反応を主体とするエッチングを行った。また、不純物拡散領域２との界面付近においてｃ−Ｃ４Ｆ８の含量比が低下していることから、該不純物拡散領域２の表面への炭素系ポリマーの堆積量も低減させることができた。
　【００３１】
　この結果、実施例１に比べてウェハ温度が高いにもかかわらず、優れた高選択性、低ダメージ性、低汚染性が達成された。
　
実施例３
　木実施例では、ジャスト・エッチングまではｃ−Ｃ４Ｆ８／ＣＯ混合ガス、オーバーエッチングではＳ２Ｆ２／ＣＯ混合ガスを使用し、徹底した低汚染化を図った。
　【００３２】
　まず、図１（ａ）に示される状態のウェハをマグネトロンＲＩＥ（反応性イオン・エッチング）装置にセットし、一例として下記の条件でＳｉＯ２層間絶縁膜３のエッチングを、ジャスト・エッチング状態まで行った。
　　ｃ−Ｃ４Ｆ８流量　　３５ＳＣＣＭ
　　ＣＯ流量　　　　　　１５ＳＣＣＭ
　　ガス圧　　　　　　　２．０Ｐａ
　　ＲＦパワー密度　　　２．０Ｗ／ｃｍ２（１３．５６ＭＨｚ）
　　磁場強度　　　　　　１５０Ｇａｕｓｓ
　　ウェハ温度　　　　　０℃
　この１段階目のエッチングにより、図１（ａ）に示されるようにコンタクト・ホール５がほぼ完成された。ただし、ウェハの温度分布やプラズマ密度の分布等に起因して、ウェハ上には図２に示されるようにコンタクト・ホール５の底部にＳｉＯ２層間絶縁膜３の残余部３ａが残された部分も存在している。
　【００３３】
　そこで、上記残余部３ａを除去するためのオーバーエッチングを、一例として下記の条件に切り換えて行った。
　　Ｓ２Ｆ２　　　　　　　１５ＳＣＣＭ
　　ＣＯ流量　　　　　　　３５ＳＣＣＭ
　　ガス圧　　　　　　　　２．０Ｐａ
　　ＲＦパワー密度　　　　１．０Ｗ／ｃｍ２（１３．５６ＭＨｚ）
　　磁場強度　　　　　　　１５０Ｇａｕｓｓ
　　ウエハ温度　　　　　　０℃
　このオーバーエッチングでは、入射イオン・エネルギーを低減し、ＣＯによる酸素引き抜き反応にもとづいてエッチング反応を進行させると共に、Ｓ２Ｆ２から解離生成するＳをレジスト・パターン４や不純物拡散領域２の表面に堆積させた。これにより、不純物拡散領域２との界面付近においては炭素系ポリマーを一切使用することなく、高選択性を達成することができた。
　【００３４】
　なお、堆積したＳは、エッチング終了後にウエハを約９０℃に加熱するか、あるいはレジスト・パターン４をアッシングする際に昇華もしくは分解により容易に除去することができる。エッチング・チャンバ内に堆積したＳも、同様に除去することができる。したがって、本実施例では低汚染化がさらに徹底された。これにより、デバイスの歩留りが向上し、スループットも改善された。
　【００３５】
　以上、本発明を３つの実施例にもとづいて説明したが、本発明はこれらの実施例に何ら限定されるものではなく、たとえばエッチング速度の制御を目的としてエッチング・ガスにＯ２等を添加したり、あるいはスパッタリング効果，希釈効果，冷却効果等を期待する意味でＨｅ，Ａｒ等の希ガスを適宜添加しても良い。
　さらに、被エッチング材料層は上述のＳｉＯ２に限られるものではなく、ＰＳＧ，ＢＳＧ，ＢＰＳＧ，ＡｓＳＧ，ＡｓＰＳＧ，ＡｓＢＳＧ等であっても良い。
　【００３６】
　【発明の効果】
　以上の説明からも明らかなように、本発明では高次フルオロカーボン化合物に添加化合物、特にＣＯを添加したエッチング・ガスを使用することにより、ＳｉＯ２系材料層のエッチングにおける炭素系ポリマーの堆積量を減少させても高選択性を達成することが可能となる。これにより、デバイスの歩留りを向上させ、エッチング装置のメンテナンス頻度を減少させてスループットを改善することができる。もちろん、高次フルオロカーボン化合物の特長である高速性は従来どおり活かされ、これにＣＯによる酸素引き抜き反応を組み合わせているので、入射イオン・エネルギーが低減でき、低ダメージ化も図ることができる。したがって、高速性、高選択性、低ダメージ性、低汚染性のすべてに優れるＳｉＯ２系材料層のドライエッチングが可能となる。
　【００３７】
　本発明は、微細なデザイン・ルールにもとづいて設計され、高集積度と高性能を有する半導体装置の製造に極めて好適である。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本発明をコンタクト・ホール加工に適用したプロセス例をその工程層にしたがって示す概略断面画であり、（ａ）はＳｉＯ２層間絶縁膜上にレジスト・パターンが形成された状態、（ｂ）はコンタクト・ホールが開口された状態をそれぞれ表す。
　【図２】
　本発明をコンタクト・ホール加工に適用した他のプロセス例において、コンタクト・ホールが途中まで形成された状態を示す概略断面図である。
　【符号の説明】
　１　単結晶シリコン基板
　２　不純物拡散領域
　３　ＳｉＯ２層間絶縁膜
　３ａ　（ＳｉＯ２層間絶縁膜の）残余部
　４　レジスト・パターン
　４ａ　開口部
５　コンタクト・ホール