【事件の表示】
　特許第２６９９７０１号「タングステン又はタングステン合金へのめっき方法」の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　本件特許異議の申立てを却下する。
【理　由】
１．手続の経緯
　特許第２６９９７０１号の請求項１及び２に係る発明についての出願は、平成３年７月３０日に特許出願され、平成９年９月２６日にその特許の設定登録がなされ、その後、京セラ株式会社より特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１１年４月２１日に訂正請求がなされたものである。
２．訂正の適否についての判断
ア．訂正の内容
訂正事項ａ．特許請求の範囲の請求項１を削除し、これに伴い請求項２を請求項１とする。
訂正事項ｂ．明細書の段落【０００６】〜【０００７】の「この発明に係るタングステン又はタングステン合金へのめっき方法においては、２×１０−４ミリないし、２×１０−３ミリのニッケルの薄膜を施した後、２×１０−４ミリ、５×１０−４ミリの金の薄膜をコーティングするものである。また」を削除し、【０００７】以下の段落の段落番号を１ずつ繰り上げる。
イ．訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　訂正事項ａは、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり、訂正事項ｂは訂正事項ａによる訂正に応じて発明の詳細な説明の対応する記載を訂正して明細書全体の記載の統一を図るものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
　そして、いずれの訂正事項も新規事項の追加に該当せず、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものでもなく、訂正後の特許請求の範囲に記載された発明は出願の際独立して特許を受けることができるものである。
ウ．むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法第１２０条の４第２項及び同条第３項で準用する第１２６条第２−４項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
３．特許異議の申立てについての判断
　特許明細書の請求項１に係る発明は、訂正の結果削除され、特許異議の申立ての対象が存在しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年２月２２日（２０００．２．２２）
【訂正の要旨】
　特許第２６９９７０１号「タングステン又はタングステン合金へのめっき方法」の明細書を、以下のとおり訂正する。
ａ．特許請求の範囲の減縮を目的として、特許請求の範囲の請求項１を削除し、これに伴い請求項２を請求項１とする。
ｂ．明りょうでない記載の釈明を目的として、明細書の段落【０００６】〜【０００７】の「この発明に係るタングステン又はタングステン合金へのめっき方法においては、２×１０−４ミリないし、２×１０−３ミリのニッケルの薄膜を施した後、２×１０−４ミリ、５×１０−４ミリの金の薄膜をコーティングするものである。また」を削除し、【０００７】以下の段落の段落番号を１ずつ繰り上げる。
（５４）【発明の名称】
タングステン又はタングステン合金へのめっき方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　
タングステン又はタングステン合金を０．４８モルないし３．９７モルの濃度範囲内の硝酸水溶液と２．４５モルないし２４．５モルの濃度範囲内の塩酸とを加えた水溶液中に入れて上記タングステン又はタングステン合金の表面の酸化膜を除去する活性化処理工程と、上記活性化処理工程後、０．１３モルないし１．１６モルの濃度範囲内の塩化ニッケル・６水塩水溶液に０．４１モルないし４．１モルの濃度範囲内の塩酸を加えた水溶液中で陰極電解を行うニッケル膜処理工程と、上記ニッケル膜処理工程後、３．５４×１０−３モルの濃度範囲内の青化第一金カリウム水溶液に０．３モルないし０．５４モルの濃度囲内の青化カリウムを加えた水溶液中で陰極電角を行う金膜処理工程とを有することを特徴とするタングステン又はタングステン合金へのめっき方法。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　この発明は、タングステン又はタングステン合金上に所要の金属の膜をめっきする場合のめっき方法に関するものである。
　【０００２】
　【従来の技術】
　従来の技術は例えば「最新表面処理技術総覧」（（株）産業技術サービスセンター発行）に示されているようにタングステン及びタングステンのための下地調整は、３０ないし５０％の塩酸又は沸点によっておこなわれていた。
　所要のめっきのための薄膜の下地処理は図２の断面で示す膜構成である。図２において、１はタングステン及びタングステン合金、２は所要のめっきをおこなうための薄膜で銅又はニッケルである。
　【０００３】
　従来のタングステン及びタングステン合金上へのめっき方法は上記のように構成され、３０ないし５０％の塩酸又は弗酸によってタングステン又はタングステン合金の表面を活性化した後に、所要のめっきの密着性を確保するために銅又はニッケルの薄膜のめっきがおこなわれている。
　【０００４】
　【発明が解決しようとする課題】
　上記のようなタングステン及びタングステン合金上のめっき方法は、所要の金属の膜との密着性において、はんだ付けにおける熱にさえ耐えられないという問題点があった。
　【０００５】
　この発明は、かかる問題点を解決するためになされたもので、タングステン及びタングステン合金の密着性を改善し、タングステンの硬さの特性を失うことなく、はんだ付け特性などの所要の機能を満足するめっき方法及びその処理液を提供することを目的としている。
　【０００６】
　【課題を解決するための手段】
　
この発明に係るタングステン又はタングステン合金へのめっき方法は、タングステン又はタングステン合金を０．４８モルないし３．９７モルの濃度範囲内の硝酸水溶液と２．４５モルないし２４．５モルの濃度範囲内の塩酸とを加えた水溶液中に入れて上記タングステン又はタングステン合金の表面の酸化膜を除去する活性化処理工程と、上記活性化処理工程後、０．１３モルないし１．１６モルの濃度範囲内の塩化ニッケル・６水塩水溶液に０．４１モルないし４．１モルの濃度範囲内の塩酸を加えた水溶液中で陰極電角を行うニッケル膜処理工程と、上記ニッケル膜処理工程後、３．５４×１０−３モルの濃度範囲内の青化第一金カリウム水溶液に０．３モルないし０．５４モルの濃度範囲内の青化カリウムを加えた水溶液中で陰極電解を行う金膜処理工程とを有する。
　【０００７】
　【作用】
　この発明の
タングステン又はタングステン合金へのめっき方法
　【０００８】
　【実施例】
　実施例１．
　以下において実施例を掲げ、この発明を更に詳しく説明する。
　図１に示すめっき被膜の断面図を利用して説明すると１はタングステン及びタングステン合金、２はニッケルの薄膜、３は金の薄膜である。
　この発明のタングステン又はタングステン合金へのめっき方法では、２×１０−４ミリないし、２×１０−３ミリのニッケルの薄膜を施した後、２×１０−４ミリ、５×１０−４ミリの金の薄膜をコーティングするものである。
　【０００９】
　先ずタングステン及びタングステン合金からなる物品を常法により溶剤による蒸気脱脂、アルカリ脱脂を経て水洗後、０．４８モルないし３．９７モルの硝酸水溶液と２．４５モルないし２４．５モルの濃度範囲内の水溶液中に所要時間の間、投入しタングステン及びタングステン合金の表面の酸化膜を除去する。
　この場合、上記濃度の範囲を外れた条件でタングステン及びタングステン合金を活性化すると、タングステン又はタングステン合金の母材とニッケル薄膜との間で層間密着不良を起こすことがある。
　【００１０】
　次いで水洗後、０．１３モルないし１．２６モルの塩化ニッケル・６水塩水溶液中に０．４１モルないし４．１モルの濃度範囲内の塩酸を加えた水溶液中でカーボンを陽極、被処理物を陰極とし、０．５Ａ／ｄｍ２ないし３Ａ／ｄｍ２で１分ないし６分の間、陰極電解をおこなう。
　この場合、上記濃度及び電気分解の範囲を外れた条件でニッケルの薄膜のコーティングをおこなうと、タングステン及びタングステン合金と所要の電気めっき又は無電解めっきとの間の層間密着不良を起こすことがある。
　【００１１】
　次いで水洗後、３．５４×１０−３モルないし６．５×１０−３モルの濃度範囲内の青化第一金カリウム水溶液に０．３モルないし０．５４モルの濃度範囲内の青化カリウムを加えた水溶液中でチタンラムに白金をコーティングした電極を陽極、被処理物を陰極とし、３ボルトないし６ボルトで陰極電気分解をおこなう。
　水洗後は、所要の金属の膜が電気めっき又は無電解めっきによってコーティング可能である。
　この場合、上記濃度及び電気分解の範囲を外れるとニッケル薄膜と金の薄膜の間で層間密着不良を起こすことがある。
　【００１２】
　以上述べてきたようにタングステン及びタングステン合金上から成る被処理物に本発明による活性化処理、ニッケル薄膜処理、金の薄膜処理を実施するとハンダ付けで生じる熱への耐性は、もちろん折り曲げ破断にも耐える所要の電気めっき又は無電解めっきを賦与することができる。
　【００１３】
　【発明の効果】
　以上、説明したように、この発明によれば、硬くて化学的に安定しているタングステン又はタングステン合金上に密着性のよい金属の腹が電気めっき又は無電解めっきによって得ることができる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】　この発明の実施例を示す断面図である。
　【図２】　この発明に係わる以前のめっき方法を示す断面図である。
　【符号の説明】
　１　タングステン及びタングステン合金、２　ニッケルめっきの薄膜、３　金めっきの薄膜。