(57)【要約】  発明は、パワー機能デバイス（１６）および導体エレメント（１８）がマウントされる回路装置（１０）に関する。その装置（１０）は、基板（１２）と、基板（１２）の上に提供され、機能デバイス（１６）および導体エレメント（１８）に電気的に接続された配線層（１４）と、中間電気コンタクトデバイスとを具備する。それは、導体エレメント（１８）とコンタクトするためのコンタクト領域を配線層の反対側に提供するために、配線層（１４）にマウントされる。発明によれば、電気コンタクトデバイスは、配線層に固定され、導体エレメント（１８）は、エリアと反対側のコンタクト領域の中間電気コンタクトデバイスとコンタクトする。その発明は、さらに、回路装置の対応する製造方法に関する。【選択図】図１
2013506310.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板（１２）と、
前記基板（１２）の上に提供され、パワー機能デバイス（１６）および導体エレメント（１８）に電気的に接続された配線層（１４）と、
前記導体エレメント（１８）とコンタクトするためのコンタクト領域を前記配線層の反対側に提供するために、前記配線層（１４）上にマウントされる中間コンタクトデバイスと、 
を具備し、
前記中間コンタクトデバイス（２６）は、少なくとも第１の側面と第２の側面とを有し、
前記第２の側面は、少なくとも前記第１の側面とほぼ平行であり、
前記中間コンタクトデバイス（２６）は、前記第１の側面で前記配線層（１４）に固定され、
前記中間コンタクトデバイス（２６）は、前記配線層（１４）に電気導電的に固定され、前記導体エレメント（１８）は、前記第１の側面のエリアの反対側である前記コンタクト領域の前記第２の側面の前記中間コンタクトデバイス（２６）とコンタクトする、回路装置（１０）。
【請求項２】
前記中間コンタクトデバイス（２６）は、半田接合および／または低温ボンディングによって形成された接合によって、前記配線層に固定される、請求項１に記載の回路装置。
【請求項３】
前記中間コンタクトデバイス（２６）は、前記配線層の全体の外側の有限サブエリアの前記配線層（１４）の一致する部分に固定される、請求項１または２に記載の回路装置。
【請求項４】
前記導体エレメント（１８）は、前記中間コンタクトデバイスから前記パワー機能デバイス（１６）にリードするボンディングエレメントまたは外部リーディングコンダクタ（２２）である、請求項１〜３のうちの１つによる回路装置。
【請求項５】
前記パワー機能デバイス（１６）は、パワートランジスタ（２０）、特に絶縁ゲートバイポーラトランジスタまたはダイオードのような、パワー半導体デバイスである、請求項１〜４のうちの１つによる回路装置。
【請求項６】
前記中間コンタクトデバイスは、少なくとも部分的に電気的に伝導性であり、
前記中間コンタクトデバイス（２６）は、望ましくは、金属ホイル、金属シートまたは金属プレートである、請求項１〜５のうちの１つによる回路装置。
【請求項７】
少なくとも部分的に電気的に伝導性の前記中間コンタクトデバイス（２６）は、回路ボードである、請求項１〜５のうちの１つによる回路装置。
【請求項８】
前記中間コンタクトデバイスは、１００μｍより厚く、さらに望ましくは、２００μｍより厚い、請求項１〜７のうちの１つによる回路装置。
【請求項９】
前記パワー機能デバイス（１６）を前記配線層（１４）に電気的にコンタクトするためのボンディングエレメントおよび前記中間コンタクトデバイス（２６）は、一体化して形成される、請求項１〜８のうちの１つによる回路装置。
【請求項１０】
前記中間コンタクトデバイス（２６）は、前記配線層（１４）へ直接電気的および機械的に完全にコンタクトされる、請求項１〜９のうちの１つによる回路装置。
【請求項１１】
前記中間コンタクトデバイス（２６）は、内臓型である（self-contained）、請求項１〜１０のうちの１つによる回路装置。
【請求項１２】
少なくとも１つのパワー機能デバイス（１６）および少なくとも１つの導体エレメント（１８）がマウントされる、特に請求項１〜１１のうちの１つによる回路装置を製造する方法であって、
前記装置は、基板（１２）と、前記基板上に提供された配線層（１４）とを具備し、
前記方法は、
前記配線層（１４）の反対側である中間コンタクトデバイスの一側面上にコンタクト領域を提供するために、前記配線層上に前記中間コンタクトデバイス（２６）をマウントし、電気的にコンタクトする工程と、
前記コンタクト領域の前記中間コンタクトデバイスに前記導体エレメント（１８）を直接電気的に接続する工程と、
を具備する方法。
【請求項１３】
前記配線層の一部へ前記中間コンタクトエレメントをマウントすることは、前記配線層の全体の外側の有限サブエリアのみに部分的に前記中間コンタクトエレメントを固定することである、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記中間コンタクトデバイス（２６）は、半田付けおよび／または低温ボンディングによって、前記配線層に固定される、請求項１２または１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記導体エレメントは、外部リーディングコンダクタである、請求項１２〜１４のうちの１つによる方法。
【請求項１６】
前記パワー機能デバイスは、パワートランジスタ、特に絶縁ゲートバイポーラトランジスタまたはダイオードのような、パワー半導体である、請求項１２〜１５のうちの１つによる方法。
【請求項１７】
前記中間コンタクトデバイスは、少なくとも部分的に電気的に伝導性であり、
前記中間コンタクトデバイス（２６）は、望ましくは、金属ホイル、金属シートまたは金属プレートである、請求項１２〜１６のうちの１つによる方法。
【請求項１８】
前記中間コンタクトデバイスは、少なくとも部分的に電気的に伝導性であり、
前記中間コンタクトデバイス（２６）は、回路ボードである、請求項１２〜１７のうちの１つによる方法。
【請求項１９】
前記パワー機能デバイスを前記配線層に電気的にコンタクトするためのボンディングエレメントおよび前記中間コンタクトデバイスは、一体化して形成される、請求項１２〜１８のうちの１つによる方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
発明は、パワー機能デバイス、望ましくは、トランジスタまたはダイオードのようなパワー半導体および導体エレメントがマウントされる回路装置に関する。その装置は、基板と、基板上に提供され、パワー機能デバイスおよび導体エレメントに電気的に接続された配線層と、中間電気コンタクトデバイスとを具備する。それは、機能デバイスおよび／または導体エレメントとコンタクトするための対応するコンタクト領域を提供するために、配線層の一致する部分にマウントされる。
【背景技術】
【０００２】
文献EP 1 711 040 B1は、機能デバイスおよび外部リーディングコンダクタがマウントされる回路デバイスを描く。その回路デバイスは、基板と、基板上に提供され、機能デバイスおよび外部リーディングコンダクタに電気的に接続された配線層と、機能デバイスとコンタクトするための対応するコンタクト領域を提供するために配線層の一部上に形成された付加的なコーティング金属層とを具備する。配線層および付加的なコーティング金属層は、基板の金属化を構成する。不運にも、この文献の中で提案された低温ボンディングは、端子用の超音波接合の使用を妨害する銀メッキを必要とする。 
配線層の一部のコーティング金属層および配線層によって構成された金属化は、比較的高い抵抗率の寄与（約３０μΩ）が全体的な装置抵抗に寄与する。１つの解決法として、抵抗率を減少させるために、一般により厚い基板の金属化を使用している。金属化の厚さを増加させる場合の問題は、レイアウトの許容範囲が同時に増加するということである。従って、レイアウトは、さらに断面積のロスとともに変化しなければならないだろう。
【０００３】
一般により厚い基板の金属化の別の欠点は、特にセラミック基板中のクラック成長が起こり始める（ポリイミドはそれを防ぐかもしれない）場合、配線層の金属化エッジの機械的ストレスが増加するであろうということである。
【０００４】
EP 1 830 406 A1から、パワーモジュールが知られている。この既知のパワーモジュールでは、電力半導体は、ヒートスプレッダ（heat spreader）の上にマウントされる。EP 1 830 406 A1の図によれば、ヒートスプレッダは、それがマウントされるエレメントと位置合わせされる。
【０００５】
DE 43 00 516 A1から、別のパワーモジュールが知られている。この既知のパワーモジュールでは、コンタクトプレートは、マッシブ（massive）な銅のエレメントへの接続を容易にするために、ダイオードの上に配置される。
【０００６】
T. Tsunodaらによる「Low-inductance module construction for high speed, high-current IGBT module suitable for electric vehicle application」（Power Semiconductor devices and ICS, 1993, ISPSD ’93., Proceedings of the 5th International Symposium on Monterey, CA, USA 18-20 May 1993, New York, NY, USA IEEE, US, 18 May 1993）から、多層のＤＢＣ基板は知られている。提案された構造によって、コレクタおよびエミッタ端子は、個々の端子における電流フローによって生成された磁界を補償するために、互いに緊密に配置される。
【発明の概要】
【０００７】
発明は、前述の損失を回避する回路装置を提供することを目的とする。
【０００８】
この目的は、請求項１で定義されるような本発明によって達成される。中間電気コンタクトデバイスは、配線層の全体の外側（またはインターフェース）の有限サブエリアのみの配線層の一致する部分に固定される。請求項１によれば、中間コンタクトデバイスは、中間コンタクトデバイスが配線層に固定される第１の側面を有する。中間コンタクトデバイスが配線層に固定される配線層の一部の反対側に、中間コンタクトデバイスは、導体エレメントが中間コンタクトデバイスとコンタクトするコンタクト領域を有する。この装置によって、基板と同様に、配線層も、導体エレメントのアタッチング中のダメージから保護することができる。
【０００９】
さらなる利点は、中間コンタクトデバイスより薄い配線層のトラックの上に中間コンタクトデバイスを固定する場合、固定の固定エリアが金属化エリア下より小さいので、配線層の金属化エッジの応力は、全く増加しないことである。中間コンタクトデバイスと金属化エッジの間には、マージンがある。
【００１０】
発明の好ましい実施形態によれば、中間コンタクトデバイスは、半田付けおよび／または低温ボンディング（ＬＴＢ）によって、配線層に固定される。
【００１１】
発明の別の好ましい実施形態によれば、導体エレメントは、外部リーディングコンダクタである。
【００１２】
発明のさらに別の好ましい実施形態によれば、パワー機能デバイスは、パワートランジスタ、特に絶縁ゲートバイポーラトランジスタまたは（パワー）ダイオードである。絶縁ゲートバイポーラトランジスタまたはＩＧＢＴは、高性能と高速スイッチングで有名な３端子のパワー半導体デバイスである。ＩＧＢＴのアクティブ状態では、エミッタ・トラックに対応するのと同様のエミッタおよびＩＧＢＴのゲート・トラックに対応するのと同様のゲート間の電圧または電位差は、低電圧である。さらに、エミッタ・トラックは、コレクタ・トラックより高温であることが分からないので、エミッタ・トラックを選択的に厚くすることは、信頼度にそれほど重大ではない。
【００１３】
発明のある好ましい実施形態によれば、少なくとも部分的に電気的に伝導性のコンタクト装置は、金属ホイルまたは金属プレートである。金属プレートは、標準の絶縁金属技術（ＩＭＳ）になり得る。プレートのボンディングは、パワー機能デバイス（ダイボンディング）のボンディングとしてプロセス段階で行うことができる。金属ホイルまたは金属プレートは、望ましくは１００μｍより厚く、さらに望ましくは２００μｍより厚い。
【００１４】
発明の別の好ましい実施形態によれば、少なくとも部分的に電気的に伝導性のコンタクト装置は、回路装置のデバイスおよび／または他のエレメントと選択的にコンタクトするための回路ボードである。
【００１５】
まだ発明の別の好ましい実施形態によれば、パワー機能デバイスを配線層に電気的にコンタクトするための少なくとも１つのボンディングエレメントおよび中間コンタクトデバイスは、一体化して形成される。ボンディングエレメントと一体化して形成される中間コンタクトデバイスは、コストを減じて、装置のマウントを単純化する。
【００１６】
本発明は、さらに、少なくとも１つのパワー機能デバイスおよび少なくとも１つの導体エレメントがマウントされる回路装置を製造する方法に関する。装置は、基板と、基板上に提供された配線層とを具備する。方法は、
配線層（１４）の反対側である中間コンタクトデバイスの一側面上にコンタクト領域を提供するために、配線層上に中間コンタクトデバイスをマウントし、電気的にコンタクトする工程と、
コンタクト領域の中間コンタクトデバイスに導体エレメントを直接電気的に接続する工程と、
を具備する。
【００１７】
発明の好ましい実施形態によれば、中間コンタクトデバイスは、半田付けおよび／または低温ボンディング（ＬＴＢ）によって、配線層に固定される。
【００１８】
発明の別の好ましい実施形態によれば、配線デバイスは、外部リーディングコンダクタまたは装置の端子である。
【００１９】
発明のさらに別の好ましい実施形態によれば、パワー機能デバイスは、パワートランジスタ、特に絶縁ゲートバイポーラトランジスタまたはダイオードである。
【００２０】
発明のある好ましい実施形態によれば、少なくとも部分的に電気的に伝導性のコンタクト装置は、金属ホイルまたは金属プレートである。金属プレートは、標準ＩＭＳ技術になり得る。プレートのボンディングは、パワー機能デバイス（ダイボンディング）のボンディングとしてプロセス段階で行うことができる。金属ホイルまたは金属プレートは、望ましくは１００μｍより厚く、さらに望ましくは２００μｍより厚い。
【００２１】
発明の別の好ましい実施形態によれば、少なくとも部分的に電気的に伝導性のコンタクト装置は、回路ボードである。
【００２２】
発明のさらに別の好ましい実施形態によれば、パワー機能デバイスを配線層に電気的にコンタクトするための少なくとも１つのボンディングエレメントおよび中間コンタクトデバイスは、一体化して形成される。ボンディングエレメントと一体化して形成された中間コンタクトデバイスは、コストを減じて、装置のマウントを単純化する。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
これらおよび発明の他の態様は、以下に記述された実施形態から明白になり、参照して説明される。
【図１】図１は、発明の第１の実施形態による回路装置を描く。
【図２】図２は、図１の回路装置の断面図を示す。
【図３】図３は、発明の第２の実施形態による回路装置の断面図を示す。
【図４】図４は、発明の第３の実施形態による回路装置の断面図を示す。
【図５】図５は、発明の第４の実施形態による回路装置を描く。
【実施形態の説明】
【００２４】
図１および図２は、セラミック基板ある基板１２と、基板１２上に提供される構造化配線層１４とを具備するパワー回路装置１０を示す。配線層１４は、少なくとも、第１のトラックと、第１のトラックから絶縁された第２のトラックとを有する。現在の実施形態では、第１のトラックは、コレクタ・トラック３６によって形成される。また、第２のトラックは、エミッタ・トラック３０によって形成される。他の実施形態では、配線層は、２つを超えるトラックを有することも可能である。現在の実施形態では、配線層１４は、ゲート・トラックである第３のトラックを有する。特に、構造化配線層１４は、望ましくは銅で形成されている。望ましくは、配線層１４の厚さは、２００μｍから４００μｍである。現在の実施形態の回路装置１０では、６つのパワー機能デバイス１６（詳細に示されない）および複数の導体エレメント１８が、パワー回路装置１０にマウントされる。パワー機能デバイス１６は、パワートランジスタ２０、特にパワーＩＧＢＴ（ＩＧＢＴ：絶縁ゲートバイポーラトランジスタ）およびダイオードのようなパワー半導体デバイスである。導体エレメント１８は、回路装置１０の外側にパワー機能デバイス１６を外部に接続するための外部リーディングコンダクタ２２および／またはボンディングエレメント（特に、ボンディングワイヤ２５）である。外部リーディングコンダクタ２２は、望ましくは、回路装置のＬ−形の電源端子である。これらの電源端子は、例えば、「モリブデンプレート（moly plate）」と呼ばれた、つまり、望ましくはシンセティックノンメタルキャリアを備えたグラファイトおよび二硫化モリブデンからなる金属なしの化合物で作られる。
【００２５】
図１に示されるように、パワー回路装置１０は、４つの外部リーディングコンダクタ２２を有する。外部リーディングコンダクタ２２の個々と外部リーディングコンダクタ２２の真下の配線層１４のそれぞれのエリアとの間に、中間コンタクトデバイス２６が配置される。中間コンタクトデバイス２６は、第１の側面と、少なくとも第１の側面とほぼ平行な第２の側面とを有する。中間コンタクトデバイス２６の第１の側面は、配線層１４に電気導電的に固定されている。第２の側面で、中間コンタクトデバイス２６は、少なくとも１つの導体エレメント１８（例えば、外部リーディングコンダクタ２２）とコンタクトするためのコンタクト領域を提供する。導体エレメント１８は、中間コンタクトデバイス２６上に電気導電的に固定されている。さらに、コンタクト領域は、中間コンタクトデバイスが配線層１４に電気導電的に固定された第１の側面のエリアの反対側である。
【００２６】
導体エレメント１８（例えば、外部リーディングコンダクタ（端子）２２）と配線層１４との間の中間コンタクトデバイス２６は、超音波溶接（また、レーザおよび抵抗溶接）によって外部リーディングコンダクタ２２を接合する場合、セラミック基板１２を保護する。その目的のために、中間コンタクトデバイス２６も、外部リーディングコンダクタ２２（端子の足）の足の真下のコレクタ・トラック３６、エミッタ・トラック３０および／またはゲート・トラック２８’である構造化配線層１４の一部の上に接合されるに違いない。導体エレメント１８を配線層１４に直接接続すると、セラミック基板１２および／または配線層１４がダメージを受けるかもしれない場合、中間コンタクトデバイス２６が必要とされるだけであることは、理解されるはずである。従って、図示されない他の望ましい実施形態では、導体エレメント１８のうちの１つまたはいくつかのもの、特に外部リーディングコンダクタ２２の１つまたはいくつかのものだけは、中間コンタクトデバイス２６によって配線層のそれぞれのトラックに接続される。
【００２７】
望ましくは、中間コンタクトデバイスは、金属ホイルまたは金属プレートである。従って、中間コンタクトデバイス２６は、内蔵型（self-contained）である。金属ホイルまたは金属プレートのボンディングは、パワー機能デバイス（ダイボンディング）のボンディングとしてプロセス段階で行うことができる。金属ホイルまたは金属プレートは、望ましくは１００μｍより厚く、さらに望ましくは２００μｍより厚い。
【００２８】
一般に、パワー機能デバイス１６は、それらのコネクタ部（示されない）、配線層１４によって設置されたトラック３６および中間コンタクトデバイス２６と同様に、ボンディングワイヤ２５および中間コンタクトデバイス２６がボンディングされたボンディングエレメントを介して、外部リーディングコンダクタ２２に電気的に接続される。
【００２９】
図１および図２で示される実施形態では、パワー機能デバイス１６の個々の上部またはエミッタコンタクトは、配線層１４のエミッタ・トラック３０上に配置された金属ホイル３４にリードするボンディングワイヤ２５によって電気的にコンタクトされる。金属ホイル３４は、本発明による中間コンタクトデバイス２６の可能な実施形態である。パワー機能デバイス１６の個々の下部またはコレクタコンタクトは、配線層１４のコレクタ・トラック３６の１つに電気的にコンタクトする。さらに、各コレクタ・トラック３６上に、金属プレート３８が配置される。それは、中間コンタクトデバイス２６のさらなる実施形態である。上述されるように、コレクタ・トラック３６上の金属プレート３８は、セラミック基板１２の保護のためにある。エミッタ・トラック３０上の金属ホイル３４は、セラミック基板１２の保護のためだけでなく、下に議論されるような抵抗率を低下させるためにもある。
【００３０】
中間コンタクトデバイス２６は、望ましくは、導体エレメント１８（特に、外部リーディングコンダクタ２２）および／または配線層へ直接電気的にコンタクトして配置される。それは、望ましくは、少なくとも第１および第２のトラック（特に、ＩＧＢＴトランジスタ２０用のコレクタ・トラック３６およびエミッタ・トラック３０）によって形成される。付加的な電気抵抗膜３２は、付加的な配線ストリップによって形成されたゲート・トラック２８と、金属ホイル３４である中間コンタクトデバイス２６および構造化配線層１４のそれぞれの部分によって形成されたエミッタ・トラック３０との間に位置する。金属ホイル３４は、構造化配線層１４のそれぞれの部分上に電気導電的に固定されている。望ましくは、ゲート・トラック２８およびゲート・トラック２８が上に提供された中間コンタクトデバイスは、絶縁金属技術（ＩＭＳ）によって部分的に電気的に伝導性の金属ホイルまたは金属プレートによって形成される。
【００３１】
図１〜５で示される２つのコレクタ・トラックの各々は、それらのコレクタ・コネクタエリアによって、３つのＩＧＢＴおよび／またはダイオードと直接コンタクトする。 
発明によれば、中間電気コンタクトデバイス２６は、パワー機能デバイス１６とコンタクトするための対応するコンタクト領域を提供するために、配線層１４のそれぞれの部分にマウントされる。さらに、中間電気コンタクトデバイス２６は、エミッタ・トラック３０を形成する配線層１４の一部にマウントされる。
【００３２】
図２にさらに詳細に示されるように、回路装置１０では、望ましくは、金属プレートまたは厚い金属ホイル３４は、エミッタ・トラック３０を構築する配線層１４の一部に接合される。プレートまたはホイル３４は、ＩＧＢＴのためのゲート・トラック２８である配線ストリップまたは付加的な金属化の上に提供する。プレートまたはホイルは、標準ＩＭＳ技術（「DENKA HITT PLATE」）になり得る。プレートまたはホイル３４のボンディングは、パワー機能デバイス１６（ダイボンディングである）のボンディングとしてプロセス段階で行うことができる。ボンディング方法は、望ましくは、半田付けまたは低温ボンディング（ＬＴＢ）である。従って、配線層１４と中間コンタクトデバイス２６との間の接合は、低温ボンディングによってなされた接合または半田接合である。配線層１４の一部の上のプレートは、全体的なエミッタ・パスの抵抗を低下させる。標準ＩＧＢＴモジュール（例えば、「HiPak2」）については、低下は１０μΩ以上もありうる。１７００Ｖ／３６００Ａの装置またはモジュールについては、これは、電圧降下を３６ｍＶ以上（オンスタット電圧（on-stat voltage）の約１．５％）縮小する。
【００３３】
エミッタ・トラック３０の得られる厚さは、エミッタ・トラック３０をより狭くすることを可能にする。より狭いエミッタ・トラック３０は、基板１２の全体的なエリアを縮小することを可能にする、または、コレクタ・トラック３６の大面積を形成する。対応する装置は、図３に示される。
【００３４】
図３は、図２に本質的に従う。そこでは、エミッタ・トラック３０の幅は、図２に示される回路装置１０の実施形態よりも狭い。コレクタ・トラック３６の大面積は、熱拡散を増加させる。温度差ΔＴが少なく、従って基板半田の表面における応力少ないので、基板１２の表面と熱パワー機能デバイス１６との間に大きな距離を有することは、さらにケース温度サイクリング能力を改善するだろう。
【００３５】
より狭いエミッタ・トラック３０のために、より大きなコレクタ・トラック３６は、同じサイズの基板１２で使用することができる。図４は、より大きなコレクタ・トラックを備えた一致する回路装置を示す。コレクタ・トラックのアクティブエリアは、１０％以上増加される場合がある。
【００３６】
図５は、図１〜４に本質的に従う。そこでは、エミッタ・トラック３０をパワー機能デバイス１６の対応するエミッタ・コネクタエリアに電気的に接続する複数のボンディング金属シート３８、および、外部リーディングコンダクタ２２である対応する（エミッタ）導体エレメント１８を備えたエミッタ・トラック３０を接続する中間コンタクトデバイス２６は、パワー機能デバイス１６のエミッタ・コネクタエリアおよび対応する（エミッタ）導体エレメント１８に固定された中間コンタクトデバイス２６として形成される。図５に示されたこの中間コンタクトデバイス２６は、パワー機能デバイス１６のエミッタおよび／または対応する導体エレメント１８と直接コンタクトする。
【００３７】
ダイ接着プロセスにおいて、中間コンタクトデバイス２６、特に金属プレート３８は、次のいくつかの機能を提供するボンディングができる：
電気抵抗を低下させること、
電源端子（例えば、強いモリブデンプレート（strong moly plate））を溶接する時にセラミックスの保護すること、
ゲート回路を上部に運ぶこと。
【００３８】
対応する製造方法は、次の工程を具備する：
導体エレメント１８のための対応するコンタクト領域を提供するために、配線層の全体の外側の有限サブエリアのみの配線層１４の一致する部分上に、中間コンタクトデバイス、例えば金属ホイル３４またはプレート３８を固定すること；
機能デバイスおよびコンダクタ２２を金属ホイル３４またはプレート３８に直接的または非直接的に電気的に接続すること。
【００３９】
コレクタの対応する抵抗は、８．２μΩから６．８μΩまで低下をたどり、エミッタ・トラックの抵抗は、２４．２μΩから６．８μΩまで低下をたどり、減少の合計は、約１８．８μΩである。
【００４０】
図示されないさらなる実施形態では、図１〜５に示された中間コンタクトデバイスの１つまたはいくつかのみは、配線層１４上に配置される。さらに、少なくとも１つの導体エレメント１８が配線層１４に直接接続されることはあり得る。
【００４１】
実例および記述は、実例または典型的であり、限定的でないように、発明は、図面および先の記述に詳細に例証され、記述される。その発明は、開示された実施形態に限定されない。
【００４２】
開示された実施形態の他の変更は、図面、開示および添付された請求項に関する検討から、請求された発明を実行する際に当業者によって理解され、達成され得る。請求項において、用語「具備する（comprising）」は、他のエレメントまたはステップを除外せず、不定冠詞「１つ（a）」または「１つ（an）」は、複数を除外しないことが、留意されるべきである。ある手段が相互に異なる従属請求項で詳述されるという単なる事実は、これらの手段の組合せが便宜的に使うことができないことを示さない。請求項のどんな引用符号も、範囲の制限として解釈されるべきでない。
【引用符号リスト】
【００４３】
１０  回路装置（circuit arrangement）、
１２  基板、
１４  配線層、
１６  機能デバイス、
１８  導体エレメント、
２０  パワートランジスタ、
２２  外部リーディングコンダクタ、
２４  ボンディングワイヤ、
２５  ボンディング金属シート、
２６  中間コンタクトデバイス、
２８  ゲート・トラック、
３０  エミッタ・トラック、
３２  抵抗膜、
３４  金属ホイル、
３６  コレクタ・トラック、
３８  金属プレート。
【図１】
2013506310.tif 000003
【図２】
2013506310.tif 000004
【図３】
2013506310.tif 000005
【図４】
2013506310.tif 000006
【図５】
2013506310.tif 000007
【国際調査報告】
2013506310.tif 000008
2013506310.tif 000009