【事件の表示】
　特許第２９１１６５９号「光起電力素子」の請求項１及び２に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第２９１１６５９号の請求項１及び２に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　本件特許第２９１１６５９号の請求項１及び２に係る発明についての出願は、平成３年９月２４日に特許出願され、平成１１年４月９日にその特許の設定登録がなされ、その後、日本板硝子株式会社から特許異議の申立てがなされたものである。
　
２．本件発明
　本件請求項１及び２に係る発明は、その特許請求の範囲の請求項１及び２に記載された次の事項により特定されるとおりのものである。
「【請求項１】　導電性表面を有する基板上に、シリコン原子を含有する非単結晶半導体材料からなる光電変換層と、透明電極と、を積層して構成される光起電力素子において、前記透明電極が遷移金属原子を含有する酸化物からなり、該遷移金属原子が鉄原子、クロム原子、ニッケル原子、マンガン原子より選択される少なくとも一種の原子であり、該遷移金属原子が最大分布濃度1000ppm以下で層厚方向に不均一に分布していることを特徴とする光起電力素子。
　【請求項２】　前記酸化物は、スズ酸化物、インジウム酸化物またはインジウム-スズ酸化物である請求項１に記載の光起電力素子。」
　
３．申立ての理由の概要
　特許異議申立人日本板硝子株式会社は、証拠として甲第１号証（特開平１−２５３１２０号公報）、甲第２号証（特開昭６０−２３９０６９号公報）、甲第３号証（特開昭５７−１６０１２３号公報）及び甲第４号証（「講座・現代の金属学　製錬編第２巻　非鉄金属製錬」昭和５５年１０月１日、社団法人日本金属学会発行）を提示し、本件請求項１及び２に係る発明は、甲第１号証ないし甲第３号証の刊行物に記載された発明及び例えば甲第４号証に見られる周知の事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるとし、本件請求項１及び２に係る発明の特許は取り消されるべき旨主張している。
　
４．特許異議申立てについての判断
4.1　証拠における記載
　甲第１号証（特開平１−２５３１２０号公報）には、
「ＳｎＯ２を主成分とし、且つＳｂを１〜１５重量％含んで成ると共に、蒸着によって形成される透明導電膜の製造方法において、ＳｎＯ２が主成分でＳｂを１〜１５重量％含む蒸発源物質に、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｕのうち少なくとも一種類を０．００１〜０．５重量％添加した塊状蒸発源物質を真空容器内で溶融、蒸発させて基板に成膜させることを特徴とする透明導電膜の製造方法。」（特許請求の範囲の請求項１）
「薄膜製光電変換セル、例えば水素化アモルファスシリコンを用いたセルは、順次ガラス基板、透明導電膜、薄膜半導体、金属電極が形成された構造であり」（第１頁右欄第１０〜１３行）及び
「Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｕなどの添加量が０．００１〜０．００５ｗｔ％で透明導電膜の平均の粒度が０．７〜２．０μｍ，０．００５〜０．０２ｗｔ％で０．２〜０．７μｍ，０．０２〜０．５ｗｔ％で０．０５〜０．２μｍが得られ大略第１図に示すような関係になる。」（第２頁右下欄第１５〜２０行）
と記載されている。
「塩化第２錫（ＳｎＯ２）を主成分とする透明導電膜の製造方法において、混合蒸発前のＳｎＯ２に必要とする大きさの凹凸に応じて鉄（Ｆｅ），ニッケル（Ｎｉ），銅（Ｃｕ）のうち少なくとも一種類を添加するものであり、この表面の凹凸は、ＳｎＯ２の結晶粒径に依存するため、この結晶粒径を制御することにより前記した凹凸の制御が可能である。ＳｎＯ２結晶粒径が制御される機構については明らかではないが、添付された該物質（Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃｕなど）は、ＳｎＯ２の中に分散して析出し、蒸着膜のＳｎＯ２結晶を小ブロックに寸断して粒子の成長を迎えるものと考えられる。」（第２頁右上欄第１１行〜左下欄第２行）
　即ち、甲第１号証には、
「順次ガラス基板、透明導電膜、水素化アモルファスシリコンを用いた薄膜半導体、金属電極が形成された構造の薄膜製光電変換セルであって、透明導電膜が、ＳｎＯ２が主成分でＳｂを１〜１５重量％含む蒸発源物質に、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｕのうち少なくとも一種類を０．００１〜０．５重量％添加した塊状蒸発源物質を真空容器内で溶融、蒸発させて基板に成膜させたものである薄膜製光電変換セル。」の発明が記載されている。
　甲第２号証（特開昭６０−２３９０６９号公報）には、
「酸素とより大きい結合力で結合する元素を透明電極膜中に含ませ、またＯとの結合力の大きい元素の１又は２以上からなる膜、またはこれら１又は複数の元素と透明電極膜構成元素を含む膜を透明電極膜と非晶質半導体層との界面に形成することによって酸素等の非晶質半導体層への拡散を効果的に抑制し」（第２頁左上欄第７〜１３行）
　「本発明品にあってはＩＴＯ、ＳｎＯ２等を素材として透明電極膜２を形成するに際し、これに添加物として例えばＴｉを１０ｐｐｍ〜１０％均一に（又はａ−Ｓｉ層側に接近するに従って添加量を漸増し、ａ−Ｓｉ層との界面で最大の添加量を呈するようにしてもよい）加えて作製してある。」（第２頁右上欄最下行〜左下欄第５行）
と記載されている。
　甲第３号証（特開昭５７−１６０１２３号公報）には、
「多結晶薄膜半導体材料の作成時にハロゲンＸ（ＸはＦ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉの中の少なくとも１種）を添加し、続いて陽イオンＭ＋（Ｍ：Ｈ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｃｓ、等の水素又は１価の金属のうち少なくとも１種）を含むプラズマ中で処理することによりその両者の元素群を導入することによって多結晶の粒界が化学的および電気的に不活性化されたより優れた多結晶薄膜半導体材料を作成することが可能となる。」（第３頁左下欄第１３〜右下欄第１行）、
「実施例２　第４図は太陽電池の例を示す要部断面図である。・・・・・不純物として、初期に・・・・・フォスフィン（ＰＨ３）ガスを導入し、終期に・・・・・ジボラン（Ｂ２Ｈ６）ガスを導入して、ｎ−ｉ−ｐ構造を形成する。・・・・・ｐ形多結晶シリコン膜の上に酸化錫インジウム膜１２を３００ｎｍの厚みに形成して透明電極とする。」（第５頁右上欄第８行〜左下欄第４行）
と記載されている。
　甲第４号証（「講座・現代の金属学　製錬編第２巻　非鉄金属製錬」昭和５５年１０月１日、社団法人日本金属学会発行）には、電解精製された純度９９．９９％のＳｎにＦｅが２０ｐｐｍ含有されていることが記載されている。（第２２５頁表５・４参照）
　
4.2　対比、判断
（１）本件請求項１に係る発明について
　本件請求項１に係る発明（以下「本件発明１」という。）と甲第１号証に記載された発明（以下「引用発明」という。）とを対比すると、引用発明における「透明導電膜」、「水素化アモルファスシリコンを用いた薄膜半導体」、「薄膜製光電変換セル」、「Ｆｅ」及び「Ｎｉ」は、本件発明１における「透明電極」、「シリコン原子を含有する非単結晶半導体材料からなる光電変換層」、「光起電力素子」、「鉄原子」及び「ニッケル原子」に各々相当し、Ｆｅ、Ｎｉ及びＣｕは遷移金属であり、ＳｎＯ２は酸化物であり、引用発明におけるＦｅ、Ｎｉ及びＣｕの添加量０．００１〜０．５重量％は、０．１％以下、即ち、１０００ｐｐｍ以下の範囲で本件発明１における遷移金属原子の最大分布濃度と重複するから、両発明は、
「基板と、シリコン原子を含有する非単結晶半導体材料からなる光電変換層と、透明電極とを有する光起電力素子において、透明電極が遷移金属原子を含有する酸化物からなり、該遷移金属原子が鉄原子、ニッケル原子より選択される少なくとも一種の原子であり、該遷移金属原子の濃度が１０００ｐｐｍ以下である光起電力素子。」
である点で一致し、次の（ａ）及び（ｂ）の点で相違している。
（ａ）透明電極に含有される遷移金属原子が、本件発明１においては「層厚方向に不均一に分布している」のに対し、引用発明においては、透明導電膜内の遷移金属原子の分布については特に限定されていない点。
（ｂ）本件発明１においては、基板が導電性表面を有するものであり、当該基板の上に光電変換層及び透明電極が積層されているのに対し、引用発明においては、基板はガラスであり、当該ガラス基板の上に透明導電膜及び薄膜半導体が順次積層され、さらにその上に金属電極が積層されている点。
　前記相違点（ａ）について検討する。
　甲第２号証には、積層形成された透明電極膜と非晶質半導体層とを有する太陽電池において、透明電極膜中にＴｉ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｚｒ、Ｙ、Ｌａの１又は複数の元素を添加せしめることが記載され、さらに、透明電極膜を形成するに際し、Ｔｉを１０ｐｐｍ〜１０％均一に、又はａ−Ｓｉ層側に接近するに従って添加量を漸増し、アモルファスシリコン層との界面で最大の添加量を呈するようにして添加させてもよいことが記載されている。しかしながら、甲第２号証には、鉄原子、クロム原子、ニッケル原子又はマンガン原子を透明電極膜中に含有させることについては記載されておらず示唆もない。さらに、引用発明において、Ｆｅ、Ｎｉ又はＣｕを添加するのは、ＳｎＯ２の結晶粒径を制御し、透明導電膜／薄膜半導体界面の凹凸を制御するためである。一方、甲第２号証に記載された太陽電池において、透明電極膜中にＴｉ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｚｒ、Ｙ、Ｌａの１又は複数の元素を添加するのは、アモルファスシリコン層側へのＯ，Ｓｎ，Ｉｎの拡散を抑制するためである。即ち、引用発明と甲第２号証の太陽電池とでは、添加する金属元素が異なるだけでなく、金属元素を添加する目的が相違し、金属元素添加による作用効果も共通のものとはいえない。したがって、、透明電極膜中に特定の金属元素を添加せしめるに際し、アモルファスシリコン層側に接近するに従って添加量を漸増し、アモルファスシリコン層との界面で最大の添加量を呈するようにして添加させるという甲第２号証に記載された事項を、金属元素及び金属元素添加の目的が相違する引用発明に適用して本件発明１の構成を導出することは、当業者といえども容易になし得ることではない。
　また、甲第３号証には、透明電極に含有される遷移金属原子が層厚方向に不均一に分布している点について何ら記載されていないから、電解製錬によって得られたＳｎが２０ｐｐｍのＦｅを含有していることが例えば甲第４号証に記載されているように周知の事項であるとしても、甲第１号証ないし甲第３号証に記載された事項から本件発明１の構成を想到することはできない。
　そして、本件発明１は、本件特許明細書における実施例及び比較例の記載から明らかなように、短絡電流、直列抵抗等が改善され変換効率が向上し、又高温と低温の長時間のヒートサイクルの耐久性も向上するという、明細書記載のとおりの特有の効果を奏するものである。
　したがって、本件発明１は、甲第１号証ないし甲第３号証に記載された発明及び甲第４号証に記載された事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるということはできない。
　
（２）本件請求項２に係る発明について
　本件請求項２に係る発明は、本件請求項１に係る発明の構成をさらに技術的に限定したものである。したがって、本件請求項２に係る発明は、前記（１）で述べたと同様の理由により、甲第１号証ないし甲第３号証に記載された発明及び甲第４号証に記載された事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることはできない。
　
５．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議の申立ての理由によっては本件発明についての特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　したがって、本件発明についての特許は拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものと認めない。
　よって、特許法等の一部を改正する法律（平成六年法律第百十六号）附則第十四条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の施行に伴う経過措置を定める政令（平成七年政令第二百五号）第四条第二項の規定により、上記のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年３月２３日（２０００．３．２３）