【事件の表示】
　特許第２７５１８４９号「現像原液の希釈装置」の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結論】
　特許第２７５１８４９号の特許を維持する。
【理由】
１．手続きの経緯
　本件特許２７５１８４９号は、平成７年１月３０日に特願昭６２−３００３７号（昭和６２年２月１０日出願）の分割出願として出願され、平成１０年２月２７日にその特許の設定登録がなされたものである。
　これに対し、その後久保田良子より特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内に特許異議意見書が提出されたものである。
２．本件発明
　本件特許の発明（以下、「本件発明」という）の要旨は、特許明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲に記載された事項により特定される次のとおりのものにあると認める。
「１．ホトレジストを用いて微細加工を行う加工用設備に管路を介して所望濃度の現像液を送給するための現像原液の希釈装置であって、ホトレジスト用アルカリ系現像原液と純水とを受け入れて所定時間強制攪拌する攪拌槽と、前記攪拌槽内の混合液の一部を抜き出しその導電率を測定したのち攪拌槽内に戻す導電率測定手段と、前記導電率測定手段からの出力信号にもとづき前記攪拌槽に供給されるホトレジスト用アルカリ系現像原液または純水のいずれか一方の流量を制御する制御手段と、前記攪拌槽からの混合液を前記加工用設備に前記管路を介して送給する前に受け入れ貯留する貯留槽と、前記攪拌槽と前記貯留槽を窒素ガスでシールする窒素ガスシール手段と、を備えたことを特徴とする現像原液の希釈装置」
３．特許異議申立ての概要
（１）特許異議申立ての理由
　特許異議申立人は、証拠方法として、甲第１号証（特開昭６２−１１５２０号公報）、甲第２号証（特開昭６０−９８６２４号公報）、甲第３号証（実公昭６１−７７８６号公報）及び甲第４号証（特開昭６０−２１２２１２号公報）を提出すると共に、資料１（「サブミクロン・リソグラフィ総合技術資料集」（株）サイエンスフォーラム、昭和６０年３月２０日、第２４９頁、第２８５頁及び第２８６頁）、資料２（「工場排水試験方法　ＪＩＳ　Ｋ０１０２−１９８５」日本規格協会発行、昭和６０年１月１９日、第２３頁及び第２４頁）及び資料３（特開昭５９−２１０２２号公報）を提出して、本件特許は、次の（イ）乃至（ハ）の理由により取り消されるべきものである旨主張している。
（イ）本件発明は、上記甲第１号証に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し特許を受けることができない。
（ロ）本件発明は、上記甲第１号証乃至甲第４号証に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
（ハ）本件特許明細書には、本件発明の連続式による希釈装置しか記載されておらず、バッチ式による希釈装置が記載されていないから、当業者が容易に実施することができる程度に本件発明が記載されていない。
　したがって、本件特許明細書はその記載が不備であり、特許法第３６条第３項又は第４項に規定する要件を満たしていない。
　（２）証拠の記載内容
甲第１号証
甲第１号証には、半導体素子製造の湿式処理工程で用いる処理液を調合するのに好適な「薬液調合方法」に関し、次の事項が記載されている。
▲１▼「設定値の濃度を有しかつ高清浄化された薬液を得るために１種または複数種の薬品原液と純水とを用いて調合を行う薬液調合方法であって、薬品原液と純水とを導入して調合を行う調合槽と、該調合槽の中の薬液を循環ろ過する薬液循環ろ過手段と、該薬液循環ろ過手段のろ過部を通過した薬液中の微粒子数を計測する液中微粒子モニタ手段と、薬液またはその各成分の濃度をモニタする薬液濃度モニタ手段とを設け、該薬液濃度モニタ手段による測定結果に基づき、薬液濃度が設定値になるように薬品原液または純水を補充するとともに、上記液中微粒子モニタ手段による測定結果に基づき、必要に応じ薬液中の微粒子数が設定値以下になるように薬液の循環ろ過を行うことを特徴とする薬液調合方法。」（第１頁左欄）
▲２▼「薬液調合タンク１２に設定量送った後、電磁弁３を閉じ電磁弁５を開いて、液を循環ろ過する。・・・導電率濃度計からなる薬液濃度測定装置１９により薬液濃度を計測し、薬液濃度が設定値より低い場合には、電磁弁５を閉じ電磁弁３を開いて薬液原液を追加補充し、薬液濃度が設定値より高い場合には、電磁弁７を開いて純水を補充する。」（第３頁上段左欄）
▲３▼「第３図において、・・・それぞれ塩酸、硝酸、硫酸、アンモニア水、フッ化水素酸の導電率を示す曲線である。」（第２頁下段左欄）
▲４▼「本発明の方法により、半導体素子製造において極めて広く使われているエッチングやウエハ表面洗浄などの湿式処理工程での処理液の安定調合が可能となった。」（第４頁上段右欄）
甲第２号証
甲第２号証には、「半導体製造装置」に関し、次の事項が記載されている。
▲１▼「ポジレジスト現像機の現像液供給タンクにパージされる不活性ガスが水分を含んでいることを特徴とする半導体装置」（第１頁左欄）
▲２▼「現像液濃度はレジスト寸法に大きく影響を及ぼすことが明らかであり、現像液の濃度制御が寸法制御にとって欠かせないことは言うまでもないであろう。」（第１頁右欄）
▲３▼「本発明は、かかる欠点を除去したもので、その目的は、現像液の水分の蒸発を防ぐ、つまり現像液の濃度を一定にし、レジスト寸法の経時変化をなくすことにある。・・・同図において窒素は、・・・加湿機４０３を通るため窒素は水分を含み、この結果現像液４０５中の水分の蒸発が押えられ、現像液４０５の濃度は一定に保たれる。」　（第２頁左欄）
甲第３号証
甲第３号証には、「アンモニア自動希釈装置」に関し、「ポンプと恒温装置、電気伝導率測定装置からなるアンモニア水循環系を、アンモニア希釈タンクの外部に設けたことを特徴とするアンモニア水自動希釈装置」（第１頁左欄）が記載されている。
甲第４号証
甲第４号証には、「インクの攪拌装置」に関し、次の事項が記載されている。
▲１▼「攪拌手段を有する攪拌槽に連結されて、攪拌槽内の不反応ガス雰囲気への置換と、不反応ガスのガス圧による攪拌槽内のインクの次工程への送り出しとが可能なガス源を有することを特徴とするインクの攪拌装置」（第１頁左欄）
▲２▼「不反応ガスとは、例えば窒素、アルゴン、ヘリウム等のようにインクと反応を生じないガスをいう。」（第２頁上段右欄）
資料１
資料１には、「レジスト」と題して、次の事項が記載されている。
▲１▼「ポジ型レジストは、放射線によって変質して、現像液と呼ばれる溶剤に溶けるようになる。一方、ネガ型レジストは、放射線照射によって、現像液に対し不溶化する。レジストパタンを形成するために、現像液を必要とするレジストをウェット現像レジストと呼ぶ。」（第２４９頁）
▲２▼「レジスト材料の現像工程には、有機溶剤やアルカリ水溶液を使用するウェット処理が行われている。」（第２８５頁）
資料２
電気伝導率の器具及び装置の「操作」について記載されている。
資料３
資料３には、「半導体用レジスト現像液又はリンス液を容器に充填する方法」に関し、次の事項が記載されている。
▲１▼「使用に際しては、液の収納された容器を第３図に示すように、カートにのせて半導体製造装置まで運搬し、カプラー（１１）を前記装置の液ラインの雌カプラーに接続し、同様にカプラー（１２）を前記装置の窒素ラインの雌カプラーに接続し、窒素を容器内に流入させて液をカプラーを介して半導体装置に送り込むだけでよい。」（第２頁下段右欄）
▲２▼「このように本発明の充填方法によれば、液原料を　過、秤量して容器に充填するまで外気等にさらすことなく、いわゆる完全にクローズド化された系で行うことができるので安定した品質管理が可能となる。」（第３頁下段左欄）
（３）当審の判断
上記（イ）の主張について
　上記甲第１号証には、半導体素子製造の湿式処理工程で用いる処理液を調合するための「薬液調合方法」が記載され、その調合方法は、調合槽、薬液循環ろ過手段、薬液濃度モニタ手段、導電率濃度計からなる薬液濃度測定手段等を利用して、薬液濃度が設定値になるように１種または複数種の薬品原液と純水とを調合するものである。
　そこで、本件発明と上記甲第１号証に記載の発明（以下、「引用例発明」という）とを対比すると、引用例発明は、半導体製造工程の処理液を希釈するものであるから、「半導体製造工程の処理液の希釈装置」といえるが、本件発明は、その処理液が「ホトレジスト用アルカリ系現像原液」であるのに対して、引用例発明は、甲第１号証の上記記載に照らせば、「エッチング液やウエハ表面洗浄液」であるから、両者は、（ｉ）その具体的な処理液の点で大きく相違するものである。
　また、本件発明は、「ホトレジストを用いて微細加工を行う加工用設備に管路を介して所望濃度の現像液を送給するための現像原液の希釈装置」に係るものであるが、上記引用例発明は、「エッチングやウエハ表面の洗浄のための希釈装置」に関するものであり、「加工用設備に管路を介して現像液を送給するための希釈装置」とも云えないから、両者は、（ｉｉ）その希釈装置の用途の点でも相違し、さらには、これに伴う（ｉｉｉ）「前記攪拌槽からの混合液を前記加工用設備に前記管路を介して送給する前に受け入れ貯留する貯留槽」の点や（ｉｖ）「前記攪拌槽と前記貯留槽を窒素ガスでシールする窒素ガスシール手段」の点でも相違するものである。
　してみると、本件発明は、上記引用例発明と上記（ｉ）乃至（ｉｖ）の点で相違するから、上記甲第１号証に記載された発明であるとすることはできない。
　したがって、特許異議申立人の上記（イ）の主張は採用することができない。
上記（ロ）の主張について
　本件発明と上記甲第１号証に記載の発明とを対比すると、両者は、上記（イ）の主張のところで言及したとおりの上記（ｉ）乃至（ｉｖ）の点で相違している。
　そこで、これら相違点について検討すると、上記甲第２号証には、ポジレジストの現像液供給タンクが記載されているだけで、その現像液濃度の一定化を図る手段も窒素等の不活性ガスに水分を含有させるというものであるから、この証拠は、上記相違点について何ら示唆するものではない。
　また、上記甲第３号証や甲第４号証も、半導体製造工程の処理液に関するものではないから、これら証拠も、上記相違点について何ら示唆するものではない。
　次に、上記資料１乃至３について検討すると、上記資料１には、「レジスト材料の現像工程には、有機溶剤やアルカリ水溶液を使用するウェット処理が行われている。」と記載されているだけであり、希釈装置に関する何らの記載もない。また資料２は、「電気導電率の測定操作」に関する証拠であり、資料３は、「半導体用レジスト現像液」に関する証拠ではあるが、そこに記載の内容は、収納容器へ現像液をカプラーを介して充填するというものであるから、これら資料も、上記相違点について何ら示唆するものではない。
　してみると、本件発明は、上記甲第１号証乃至甲第４号証に記載の発明や資料１乃至資料３に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることができない。
　したがって、特許異議申立人の上記（ロ）の主張は採用することができない。
上記（ハ）の主張について
　本件発明は、特許明細書や図面の記載から明らかな如く、ホトレジスト用アルカリ系現像原液を純水で希釈して所望濃度の現像液を製造するために「ホトレジストを用いて微細加工を行う加工用設備に管路を介して所望濃度の現像液を送給するための現像原液の希釈装置」にその特徴の一つがあるのであり、その「希釈装置」の操業が連続式やバッチ式の場合でも所望の効果が得られることは明らかである。そして、バッチ式の実施例の開示がなくとも当業者であれば容易に本件発明を実施することができると云えるから、バッチ式の実施例の開示がないという理由だけで本件特許明細書が記載不備であるとすることはできない。
　したがって、特許異議申立人の上記（ハ）の主張も採用することができない。
４．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠方法によっては、本件発明の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１１年６月１４日（１９９９．６．１４）