【事件の表示】
　特許第２７６５２４４号「磁気抵抗効果素子及びその製造方法」の請求項１ないし５に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結論】
　訂正を認める。
　特許第２７６５２４４号の請求項１ないし３に係る特許を維持する。
【理由】
（１）手続の経緯
　本件特許第２７６５２４４号の請求項１〜３に係る発明についての出願は、平成３年２月６日に特許出願され、平成１０年４月３日にその特許の設定登録がなされ、その後、林浩子より特許異議の申立がなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１１年６月１５日に訂正請求がなされたものである。
（２）訂正の適否についての判断
　ア．訂正明細書の請求項１〜３に係る発明
　訂正明細書の請求項１〜３に係る発明（以下、「本件発明１〜３」という。）は、その特許請求の範囲の請求項１〜３に記載された次の事項により特定されるとおりのものである。
　請求項１「結晶化ガラスセラミックからなる下地基板と、この下地基板上に形成された強磁性体膜と、この強磁性体膜に接続されるように前記下地基板に形成された電極部と、前記強磁性体膜を覆うと共に前記強磁性体膜が形成された前記下地基板の面より深く前記下地基板の側面に形成された保護膜とを備えた磁気抵抗効果素子。」
　請求項２「結晶化ガラスセラミックは珪素とリチウムとアルミニウムの酸化物を主成分とし、かつＬｉ２Ｓｉ２Ｏ５とＳｉＯ２の混合物であることを特徴とする請求項１記載の磁気抵抗効果素子。」
　請求項３「特定波長の光照射によって感光部と非感光部の結晶性が異なるガラス体を出発材料とする結晶化ガラスセラミックからなる下地基板を加工して、所定の間隔にスルーホールと溝を形成する工程と、前記スルーホール内とランドに導電部を形成する工程と、前記溝で囲まれた最小面積上のそれぞれに強磁性体膜を形成する工程と、その上に無機質、有機質のうち一種類以上からなる保護膜をマスクを用いずに形成する工程と、前記下地基板を溝で分割して個片化された各素子を得る工程と、個片化された各素子の表面以外の導電部から電流供給端子、出力端子を取り出す工程とを有すことを特徴とする磁気抵抗効果素子の製造方法。」
　イ．訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　特許権者が求めている訂正の内容は、次のＡ〜Ｃのとおりである。
　Ａ、訂正前の請求項２を同請求項１に合体して請求項１とすると共に、保護膜を「強磁性体膜を覆うと共に強磁性体膜が形成された下地基板の面より深く下地基板の側面に形成する」ものに限定する訂正。
　Ｂ、訂正前の請求項３を請求項２に繰り上げると共に、結晶化セラミックの組成を「Ｌｉ２Ｓｉ２Ｏ５とＳｉＯ２の混合物である」ものに限定する訂正。
　Ｃ、訂正前の請求項５を請求項３に繰り上げると共に、保護膜の形成工程として「マスクを用いずに形成する」点を付加する訂正。
　上記Ａ〜Ｃの訂正は、特許明細書に記載された範囲内で、各請求項の構成に限定要件を付加したものであって、特許請求の範囲の減縮に該当し、新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
　なお、特許権者は、訂正前の請求項３を請求項２に、同請求項５を請求項３に繰り上げているから、訂正前の請求項２及び４は実質的に削除したものと認める。
　ウ．独立特許要件
（引用刊行物）
　本件発明１〜３に対して当審が通知した取消理由において引用した刊行物１（特開平２−１７６４８３号公報）には、強磁性体磁気抵抗素子基板の側面の一辺に凹部が設けられており、リードが該凹部に収められ、かつ素子ペレットより突出することなく接着されていることを特徴とする磁気抵抗素子に係る発明が、同刊行物２（特開平１−２７８４３３号公報）には、リチウムシリケート結晶を含む感光性ガラスからなる物品の製造方法に係る発明が、同刊行物３（特開昭６３−１８４３７７号公報）には、表面粗さが１００オングストローム以下の絶縁基板を用いた強磁性磁気抵抗素子に係る発明がそれぞれ記載されている。
　しかしながら、上記刊行物１〜３のいずれにも本件発明１、２の構成要件である、強磁性体膜を覆うと共に強磁性体膜が形成された下地基板の面より深く下地基板の側面に保護膜を形成する点、及び本件発明３の構成要件である、保護膜をマスクを用いずに形成する点について全く記載されていない。
　そして、本件発明１〜３は上記の構成を採用することにより明細書に記載の顕著な効果を奏するものである。
　したがって、本件発明１〜３は、上記刊行物１〜３に記載された発明ではなく、また、同刊行物に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものでもない。
　次に、本件発明１及び３に対して当審が通知した取消理由において引用した、本件特許に係る出願の先願である実願平２−９４３８７号（実開平４−５２７６８号公報参照）の出願当初の明細書又は図面には、保護膜を有する磁気センサーに係る発明が記載されているが、本件発明１の構成要件である、強磁性体膜を覆うと共に強磁性体膜が形成された下地基板の面より深く下地基板の側面に保護膜を形成する点、及び本件発明３の構成要件である、保護膜をマスクを用いずに形成する点については記載がない。
　したがって、本件発明１及び３は、上記先願の明細書又は図面に記載された発明と同一ではない。
　エ．むすび
　　以上のとおりであって、上記訂正は、特許法第１２０条の４第２項及び同条第３項で準用する第１２６条第２〜４項の規定に適合するものであるから、当該訂正を認める。
（３）特許異議申立について
　ア．本件発明
　訂正明細書の請求項１〜３に係る発明（本件発明１〜３）は、上記（２）ア．で示したとおりのものである。
　イ．申立の理由の概要
　特許異議申立人林浩子は、甲第１〜４号証（上記（２）ウ．で示した引用刊行物１〜３及び先願明細書又は図面に相当）を提示して、本件発明１〜３は、特許法第２９条第２項又は同法第２９条の２の規定により特許を受けることができないものであるから取り消されるべきである旨主張している。
　ウ．判断
　上記（２）ウ．で示したように、本件発明１〜３について、上記証拠により特許を受けることができないものであるとすることはできない。
　エ．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件発明１〜３に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明１〜３に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１１年７月１日（１９９９．７．１）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
　特許請求の範囲の減縮を目的として、請求項１〜３を次のように訂正する。
　請求項１「結晶化ガラスセラミックからなる下地基板と、この下地基板上に形成された強磁性体膜と、この強磁性体膜に接続されるように前記下地基板に形成された電極部と、前記強磁性体膜を覆うと共に前記強磁性体膜が形成された前記下地基板の面より深く前記下地基板の側面に形成された保護膜とを備えた磁気抵抗効果素子。」
　請求項２「結晶化ガラスセラミックは珪素とリチウムとアルミニウムの酸化物を主成分とし、かつＬｉ
２
　請求項３「特定波長の光照射によって感光部と非感光部の結晶性が異なるガラス体を出発材料とする結晶化ガラスセラミックからなる下地基板を加工して、所定の間隔にスルーホールと溝を形成する工程と、前記スルーホール内とランドに導電部を形成する工程と、前記溝で囲まれた最小面積上のそれぞれに強磁性体膜を形成する工程と、その上に無機質、有機質のうち一種類以上からなる保護膜をマスクを用いずに形成する工程と、前記下地基板を溝で分割して個片化された各素子を得る工程と、個片化された各素子の表面以外の導電部から電流供給端子、出力端子を取り出す工程とを有すことを特徴とする磁気抵抗効果素子の製造方法。」
（５４）【発明の名称】
磁気抵抗効果素子及びその製造方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　結晶化ガラスセラミックからなる下地基板と、この下地基板上に形成された強磁性体膜と、この強磁性体膜に接続されるように前記下地基板に形成された電極部と、
前記強磁性体膜を覆うと共に前記強磁性体膜が形成された前記地下基板の面より深く前記地下基板の側面に形成された保護膜とを備えた
　
【請求項２】
かつＬｉ２Ｓｉ２Ｏ５とＳｉＯ２の混合物であることを特徴とする
　
【請求項３】
マスクを用いずに
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　本発明は位置検出装置等として使用可能な磁気センサ、特に強磁性金属の磁気抵抗効果を用いて磁場の大きさに感応するようにした磁気抵抗効果素子及びその製造方法に関するものである。
　【０００２】
　　【従来の技術】
　近年、磁気抵抗効果素子は検出感度、精度の向上のため、素子面を被検出物に対して平行、かつ最近接して設置できるような構造（素子面の平滑なもの）が求められている。この要求を満たすためにアルミナスルーホールの片面にガラスグレーズを印刷した基板を用い、その上に強磁性体からなる検出パターンを形成し、かつ基板の裏面から電流供給端子、出力端子を取り出した構造のものが作られている。
　【０００３】
　【発明が解決しようとする課題】
　しかしながら上記のような構成では、基板表面の平滑性を得る目的でアルミナ基板上に印刷していたガラスグレーズが、スルーホール近傍では十分平滑に印刷できず、そのため、この平滑に印刷されていない非平滑部にパターン及び引き回し電極が形成されると、それらの断線不良や抵抗値ズレ・中点電位ズレ不良が多くなるという問題点を有していた。
　【０００４】
　本発明は上記課題に鑑み、このような問題の解決のために、ガラスグレーズを必要とせず表面平滑性に優れる基板を使用した磁気抵抗効果素子を提供することを目的とするものである。
　【０００５】
　【課題を解決するための手段】
　上記目的を達成するために本発明の磁気抵抗効果素子は、結晶化ガラスセラミックからなる下地基板と、この下地基板上に形成された強磁性体膜と、この強磁性体膜に接続されるように前記下地基板に形成された電極部とを備えたものである。
　【０００６】
　【作用】
　上記構成によれば、表面の平滑な結晶化カセラスセラミックからなる下地基板を用いているため、従来の課題であったガラスグレーズの存在による基板凹凸に起因していた露光ばらつきによる不均一パターン印刷や抵抗値のばらつきを少なくすることができ、またガラスグレーズを用いていないため、スルーホール近傍の非平滑の問題もなくなり、これにより、パターン及び引き回し電極の断線不良や抵抗値ズレ・中点電位ズレの不良を極めて少なくすることができるものである。
　【０００７】
　【実施例】
　以下、本発明の一実施例の磁気抵抗効果素子及びその製造方法について、図面を参照しながら説明する。図１は本発明の一実施例における磁気抵抗効果素子の断面図、図２は下地基板を構成する結晶化ガラスセラミックのＣｕＫα線を用いたＸ線回折の特性図である。図１において、１は結晶化ガラスセラミックからなる下地基板、２は強磁性体膜、３は電極、４は保護膜である。図２からわかるように、結晶化ガラスセラミックからなる下地基板１はＬｉ２Ｓｉ２Ｏ５，ＳｉＯ２混合物であり、珪素とリチウムとアルミニウムを主成分としたものである。
　【０００８】
　次に本発明の一実施例の製造方法について、図３の下地基板の正面図及び図４の工程図を用いて説明する。まず、特定波長の光照射によって感光部と非感光部の結晶性が異なるガラス体を出発材料とする結晶化ガラスを加工して図３に示すようにスルーホール５と溝６を形成した大版の結晶化ガラスセラミックからなる下地基板１を用意した。次にこの結晶化ガラスセラミックからなる下地基板１のスルーホール５とランド部に銀パラジウムからなる電極３を形成した。そしてこの下地基板１を真空蒸着機に設置して所定の真空度まで排気し、かつ下地基板１を３００度に加熱してその上にパーマロイを１０００オングストロームの厚さで蒸着した。そして目的のパターンとなるように露光、現像、エッチングを経て強磁性体膜２を形成した。次にこれを真空蒸着機に設置して所定の真空度まで排気し、かつ下地基板１を２８０度に加熱して酸化珪素２０ミクロンを蒸着し、保護膜４とした。その後、下地基板１を取り出し、そしてこの下地基板１の溝６に金属板を落下させることにより個片化された素子に分割した。その後、チップの裏側から電極３にリード線を半田付けすることにより、素子を完成した。
　【０００９】
　本発明の一実施例による磁気抵抗効果素子と従来の磁気抵抗効果素子の特性を評価するために図５のように構成して抵抗値及び中点電位値を測定した。図５において７，８は電流供給端子、９，１０は出力端子である。特性の評価基準は、抵抗値は設定値±１０％、中点電位値は電流供給端子７，８間に５Ｖを印加した時、出力電位が２．５Ｖ±２５ｍＶのものを良品とし、それ以外を不良品とした。本発明の一実施例による磁気抵抗効果素子は、良品率が９９％であり、従来の５６％と比較すると大幅に良品率が高いことがわかる。
　【００１０】
　以上のように本発明の一実施例によれば、表面が平滑な結晶化ガラスセラミックからなる下地基板１を基板として用いているもので、この結晶化ガラスセラミックは、特定波長の光照射によって感光部と非感光部の結晶性が異なるガラス体を出発材料としているため、感光部と非感光部の結晶性が異なることにより感光部と非感光部でのエッチングレートが異なるという特性を活用することができるもので、そしてこの結晶化ガラスセラミックは、素子面を被検出物に対して平行、かつ最近接して設置できるように素子表面を平滑として素子表面以外から電流供給端子および出力端子を取り出すためのスルーホールおよび基板から各素子を分割して取り出すための分割用の溝と、これら以外の部分とを、感光部と非感光部とになるように区別して感光処理した後エッチングすることにより、スルーホールと溝を形成し、かつその後に結晶化を図るようにしているため、内部欠陥が非常に少なく、その結果ガラスグレーズを必要とせずとも表面平滑性に優れた結晶化ガラスセラミックを得ることができ、そしてこの結晶化ガラスセラミックを下地基板に用いているため、従来の課題であったガラスグレーズの存在による基板凹凸に起因していた露光ばらつきによる不均一パターン印刷や抵抗値のばらつきを少なくすることができ、またガラスグレーズを用いていないため、スルーホール近傍の非平滑の問題もなくなり、これにより、パターン及び引き回し電極の断線不良や抵抗値ズレ・中点電位ズレの不良を極めて少なくすることができるものである。
　【００１１】
　なお、所定の間隔に精度良くスルーホール５と溝６を形成した結晶化ガラスセラミックからなる下地基板を用い、マスクを用いずに下地基板１の全面に保護膜４を形成し、そして溝６上に力を加えてその底面から素子サイズに分割するという方法で製造することにより、分割時に保護膜４が破壊されることはなく、かつ結晶化ガラスセラミックからなる下地基板１と保護膜４との隙間に水分が浸入することはない。従ってこれらが原因するパターン及び引き回し電極の腐食による断線不良も発生しないものである。
　【００１２】
　本発明の一実施例の効果を説明するために、従来の方法を図７の工程図、図８（ａ），（ｂ）の素子の断面図、図９の基板正面図を用いて説明する。まず、図９に示すようにスルーホール１１を備えたアルミナ基板１２上にガラスグレニズ１３を形成し、かつスルーホール１１とランドに銀パラジウムからなる電極１４を形成した。次に前記アルミナ基板１２を真空蒸着機に設置して所定の真空度まで排気し、かつアルミナ基板１２を３００度に加熱してその上にパーマロイを１０００オングストロームの厚さに蒸着した。そして目的のパターンとなるように露光、現像、エッチングを経て強磁性体膜１５を形成した。この後、これにパターン上が開いたマスクを付けた後真空蒸着機に設置して所定の真空度まで排気し、かつアルミナ基板１２を２８０度に加熱して酸化珪素２０ミクロンを蒸着して保護膜１６を形成した。この場合、後でアルミナ基板１２が切断される部分には保護膜１６が形成されないようにマスクを用いているものである。その後、アルミナ基板１２を取り出し、素子サイズに切断した。最後にこのチップの裏側から電極１４にリード線を半田付けし、素子を得た。なお、素子の上面には樹脂膜１７を形成してもよい。ところがこの従来の方法においては、アルミナ基板１２のスルーホール１１間距離交差（１５０ミクロン）とマスク設置による交差が大きいため、保護膜１６が規定位置をズレて成膜されることが多かった。そのため、図８（ｂ）のようにアルミナ基板１２を所定の素子サイズに切断すると、保護膜１６にかかり、その一部を破壊するので、アルミナ基板１２との間にできた隙間から浸入する水分のためにパターン及び引き回し電極の腐食による断線不良が多数発生するという問題点を有していたのである。
　【００１３】
　本発明の一実施例によれば、こうした従来の課題を一挙に解決することができたものである。
　【００１４】
　また本発明の一実施例においては、結晶化ガラスセラミックからなる下地基板１の表面粗さと磁気抵抗変化率の関係について検討した。表面粗さが０．０１〜０．２３ミクロンロームの範囲の下地基板を用いて第１の実施例と同じ素子を作製し、磁気抵抗変化率を測定した。その結果を図６に示す。この図６から明らかなように、表面粗度が０．２ミクロンより大きいと磁気抵抗変化率が極端に小さくなるので、磁気抵抗効果素子用としては向いていないものである。
　【００１５】
　【発明の効果】
　以上のように本発明の磁気抵抗効果素子は、表面の平滑な結晶化ガラスセラミック基板を用いているため、従来の課題であったガラスグレーズの存在による基板凹凸に起因していた露光ばらつきによる不均一パターン印刷や抵抗値のばらつきを少なくすることができ、またガラスグレーズを用いていないため、スルーホール近傍の非平滑の問題もなくなり、これにより、パターン及び引き回し電極の断線不良や抵抗値ズレ・中点電位ズレ不良を極めて少なくすることができるものである。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本発明の一実施例を示す磁気抵抗効果素子の断面図
　【図２】
　同実施例における磁気抵抗効果素子の下地基板を構成する結晶化ガラスセラミックのＸ線回折の特性図
　【図３】
　同実施例における結晶化ガラスセラミックからなる下地基板の正面図
　【図４】
　同実施例の製造方法を説明するための工程図
　【図５】
　同実施例の電流供給端子、出力端子を説明した平面図
　　【図６】
　結晶化ガラスセラミックからなる下地基板の表面粗度と磁気抵抗変化率の関係図
　　【図７】
　従来の磁気抵抗効果素子の製造方法を説明するための工程図
　　【図８】
　（ａ），（ｂ）はそれぞれ同素子の断面図
　　【図９】
　従来の同素子に使用するアルミナ基板の正面図
　　【符号の説明】
　　１　結晶化ガラスセラミックからなる下地基板
　　２　強磁性体膜
　　３　電極
　　４　保護膜
　　５　スルーホール
　　６　溝