【事件の表示】
　特許第２５８５３００号「Ｘ線又は真空紫外線用多層膜反射鏡」の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結論】
　訂正を認める。
　特許第２５８５３００号の特許を維持する。
【理由】
１．手続きの経緯
　特許第２５８５３００号の特許請求の範囲第１，２項に記載された発明の手続きの経緯は、以下のとおりである。
　出願　　　　　　　　昭和６２年１０月６日
　設定登録　　　　　　平成８年１１月２１日
　特許異議の申立て　　平成９年８月２５日
　　（山田昌幸）
　取消理由通知　　　　平成９年１２月１９日
　意見書、訂正請求　　平成１０年３月２３日
　訂正拒絶理由通知　　平成１１年２月１５日
　意見書　　　　　　　平成１１年５月１０日
２．訂正の適否についての判断
２−１．訂正の内容
　訂正明細書における訂正の内容は以下のとおりである。
　願書に添付した明細書において、特許請求の範囲第１，２項に係る記載
「１．重積する複数の層膜を有するＸ線又は真空紫外線用の反射鏡において、層膜の中の一層以上の層膜を、結晶粒界を含む結晶化した物質によって構成させることを特徴とするＸ線又は真空紫外線用多層膜反射鏡。
　２．結晶化した物質の結晶粒界が、反射させるＸ線又は真空紫外線の波長以上の大きさである特許請求の範囲第１項に記載のＸ線又は真空紫外線用多層膜反射鏡。」を
「１．重積する複数の層膜を有するＸ線又は真空紫外線用の反射鏡において、層膜の中の一層以上の層膜を、反射させるＸ線又は真空紫外線の波長以上の大きさである結晶粒界を含む結晶化した物質によって構成させることを特徴とするＸ線又は真空紫外線用多層膜反射鏡。」と訂正する。
２−２．訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　訂正の内容において、第２項を削除し、第１項の「結晶粒界を含む」を「反射させるＸ線又は真空紫外線の波長以上の大きさである結晶粒界を含む」と限定している。そこで、第２項の削除は、特許請求の範囲の減縮であり、また、第１項の限定は、訂正前の第２項の、結晶化した物質の結晶粒界が、反射させるＸ線又は真空紫外線の波長以上の大きさであるという記載、及び発明の詳細な説明、本件公報第３頁左欄第３４行〜第４０行における、１１４．０Åのシンクロトロン軌道放射光に対して、反射鏡のＲｕ層、Ｓｉ層膜の各々が最大１５０Åの結晶粒界を含む層になっているという記載から、願書に添付した明細書の発明の詳細な説明の記載を根拠にした特許請求の範囲の減縮に該当する。
　そして、この訂正の内容は、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内であり、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
２−３．独立特許要件
　２−３−１．訂正明細書に記載の発明
　訂正明細書において、第１項の発明（以下「本件発明」という）は、前記２−１．訂正の内容に記載したとおりである。
　２−３−２．引用刊行物
　当審が通知した特許法第２９条第１項第３号又は同条第２項についての取消理由において、引用された刊行物には、次の発明が記載されている。
　刊行物：ＳＰＩＥ　Ｖｏｌ．６８８　Ｍｕｌｔｉｌａｙｅｒ　Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ　ａｎｄ　Ｌａｂｏｒａｔｏｒｙ　Ｘ−Ｒａｙ　Ｌａｓｅｒ　Ｒｅｓｅａｒｃｈ（１９８６）ｐ．９１−９８
…「シリコンとモリブデンとの交互層からなり、モリブデン層は多結晶質を含むＸ線用多層膜反射鏡。」
　２−３−３．対比・判断
　一般的に、多結晶とは、同一結晶がいろいろの方向をもって集合した結晶であり、多結晶を構成している各単結晶を結晶粒とよび、それぞれの境界を結晶粒界とよぶのであり、本件発明と刊行物に記載された発明とを対比すると、両者は「重積する複数の層膜を有するＸ線又は真空紫外線用の反射鏡において、層膜の中の一層以上の層膜を、結晶粒界を含む結晶化した物質によって構成させたＸ線又は真空紫外線用多層膜反射鏡。」という点で一致している。
　しかし、本件発明は、高い反射率と充分な耐久性を有することを目的とし、「結晶化した物質」が「反射させるＸ線又は真空紫外線の波長以上の大きさである結晶粒界を含む」という構成を採用しているのであり、このような目的、構成は、刊行物に記載がないのみならず、それらを示唆するところも見当たらない。
　してみると、本件発明は、刊行物に記載された発明と同一ではなく、また、その発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものでなく、特許出願の際独立して特許を受けることができないものとはいえない。
２−４．むすび
　したがって、上記訂正請求は、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号、以下「平成６年改正法」という。）附則第６条第１項によりなお従前の例によるとされる、特許法第１２０条の４第３項で準用する平成６年改正法による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書、第２項及び第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
３．特許異議の申立てについて
３−１．同一性について
　特許異議申立人は、明細書の特許請求の範囲第１項に記載された発明は、甲第１号証（前記刊行物と同じ）に記載された発明と同一であり、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができないものであるから、前記発明に係る特許は取り消されるべき旨主張している。
　ところが、本件発明については、前記２−３．で述べたとおり刊行物に記載された発明と同一ではなく、また、その発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものでもない。
３−２．明細書の記載不備について
　３−２−１．申立人の主張
　特許異議申立人は、明細書には、第２項について、当業者が発明の実施をすることができる程度に、明確かつ十分に記載されておらず、本件特許は、特許法第３６条第４項の規定に違反してなされたものであり、取り消されるべき旨主張しているが、訂正により第２項が削除されその内容が本件発明の請求項である第１項に移行しており、また、明細書の記載要件については現行法ではなく本件特許の出願時の法律を適用すべきなので、この主張の趣旨を次のように言い替える。
　すなわち、明細書には、当業者がその実施をすることができる程度に、発明の目的、構成及び効果が記載されておらず、本件発明の特許は、特許法第３６条第３項の規定に違反してなされたものであり、取り消されるべきである。
　明細書の記載不備の具体的な点は次の（１），（２）である。
（１）本件公報第３頁左欄第３４行〜第４０行には「この反射鏡の鏡面の垂直断面を透過電子顕微鏡で視察したところ、各層の境界面が１０Å以下の平滑度を有し、Ｒｕ層、Ｓｉ層膜の各々が最大１５０Åの結晶粒界を含む層になっていることが確認された。この反射鏡に、１１４．０Åのシンクロトロン軌道放射光を、鏡面に１０度の方向を以て照射して反射率を測定したところ反射率は４８．０％であった。」が記載されている。
　しかし、「最大１５０Åの結晶粒界を含む層」という記載から「０〜１５０Åの結晶粒界を含む層」と読みとることができ、必ずしも、結晶化した物質の結晶粒界が、照射光であるシンクロトロン軌道放射光の波長１１４．０Åより大きいとは限らない。つまり、第１項記載のように「結晶化した物質の結晶粒界が、反射させるＸ線又は真空紫外線の波長以上の大きさである」とは言い切れない。
（２）また、仮に結晶粒界の大きさがシンクロトロン軌道放射光の波長１１４．０Åより大きく、最大１５０Åである（即ち、結晶化した物質の結晶粒界が、反射させるＸ線又は真空紫外線の波長以上の大きさである）としても、このような場合に反射率が高くなるという根拠（理由）が記載されていない点、さらに結晶化した物質の結晶粒界が、反射させるＸ線又は真空紫外線の波長以上の大きさである場合は、結晶化した物質の結晶粒界が、反射させるＸ線又は真空紫外線の波長より小さい場合に比べて優位な差がある（例えば、両者を比較した例）ことについて全く記載されていない点、即ち、結晶化した物質の結晶粒界を限定（規定）することについて、なんら技術的意義を見いだせない点で、当業者が容易に実施できる程度に、発明の目的、構成及び効果が記載されていない。
　３−２−２．判断
　そこで、前記（１），（２）の点について検討する。
　（１）の点について
　本件発明の構成において、「反射させるＸ線又は真空紫外線の波長以上の大きさである結晶粒界を含む」としている。そして、発明の詳細な説明、公報第３頁左欄第３４行〜第４０行に実施例の記載において、「最大１５０Åの結晶粒界を含む層」とある。この記載から「０〜１５０Åの結晶粒界を含む層」と読みとることができるが、この実施例の記載と本件発明の構成とは何ら矛盾しないのであって、特許異議申立人の主張は妥当ではない。
　（２）の点について
　明細書の記載からみて、本件発明の構成により高い反射率と充分な耐久性を有するという効果を有するものと認められる。そして、発明の目的、構成及び効果が明瞭であれば発明は実施できるのであって、明細書の記載に不備があるとすることはできない。なお、発明の構成と効果の関係については、訂正拒絶理由通知に対する意見書において、一応説明されている。すなわち、結晶粒界の大きさが波長以上となるように結晶を形成すると、一層の膜厚は１／４波長程度なので、上下面が層面と一致した平板状結晶が形成され、層界面に空隙が少なく波長よりも大きな平坦面が層面となり、より高い反射率が望めるという効果を有する。よって、特許異議申立人の主張は妥当ではない。
　このように、前記（１），（２）のいずれの点についても、明細書に記載不備な点はなく、特許異議申立人の主張は採用できない。
　したがって、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件発明の特許を取り消すことができない。
　そして、他に本件発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１１年７月２２日（１９９９．７．２２）
【訂正の要旨】
　特許２５８５３００号発明の明細書を、本件訂正明細書に添付され訂正明細書のとおりに、すなわち特許請求の減縮を目的として下記のとおりに訂正する。
　願書に添付した明細書において、特許請求の範囲第１，２項に係る記載
「１．重積する複数の層膜を有するＸ線又は真空紫外線用の反射鏡において、層膜の中の一層以上の層膜を、結晶粒界を含む結晶化した物質によって構成させることを特徴とするＸ線又は真空紫外線用多層膜反射鏡。
　２．結晶化した物質の結晶粒界が，反射させるＸ線又は真空紫外線の波長以上の大きさである特許請求の範囲第１項に記載のＸ線または真空紫外線用多層膜反射鏡。」を
「１．重積する複数の層膜を有するＸ線又は真空紫外線用の反射鏡において、層膜の中の一層以上の層膜を、反射させるＸ線又は真空紫外線の波長以上の大きさである結晶粒界を含む結晶化した物質によって構成させることを特徴とするＸ線又は真空紫外線用多層膜反射鏡。」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
Ｘ線又は真空紫外線用多層膜反射鏡
（５７）【特許請求の範囲】
　１．重積する複数の層膜を有するＸ線又は真空紫外線用の反射鏡において、層膜の中の一層以上の層膜を、反射させるＸ線又は真空紫外線の波長以上の大きさである結晶粒界を含む結晶化した物質によって構成させることを特徴とするＸ線又は真空紫外線用多層膜反射鏡。
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
　この発明はＸ線又は真空紫外線など波長２００ｎｍ以下の輻射線を、対象とする反射鏡であって入射角が鏡面に対して直角に近い正入射を受ける反射鏡に関する。
［従来の技術］
　従来、波長２００ｎｍ以下の真空紫外域よりも短波長の光線に対しては、鏡面に直角、またはそれに近い角度を以て入射するときに高い反射率を持つ反射鏡は存在せず鏡面に対して垂直に近い入射角では１％以下の反射率が得られるのみであった。
　一方、比較的に高い反射率の斜入反射鏡では、入射角を鏡面から１度以下か、１〜３度の範囲に調整する必要があった。
　また、鏡面に光線が微小角度で入射されるため細い入射光線に対しても鏡面は広大であることが必要とされ、その使用に際しては困難があり応用範囲は限定されるものであった。
　斜入射反射鏡では光学系構成の自由度が小さく反射鏡自体の製作に関しても、鏡面の広い面積に亙って高精度の平面度が与えられるよう研磨することが不可欠であり正確精密に保持されることも必要であるのであり、実際の使用に当り不便困難が少なくなかった。
　このような欠点を除去するために、多層薄膜の相互干渉を利用する多層膜鏡面使用の反射鏡が、可視域波長から２０００人の波長までを対象とするものとして提案されている。
　波長２０００Å以上の可視域では、ＭｇＦ２からなる薄層とＺｎＳからなる薄層など二種類の誘電体物質の薄層を交互に積層した多層の鏡面体であれば、第１図に示されるように、略々８０〜１００％の反射率が正入射においても得られている。
　しかし、この誘電体交互層からなる鏡面使用の反射鏡においては、１０００Å以下の波長域の輻射線に対して吸収が急激に増加し，反射鏡として利用可能である誘電体交互層用の構成材料は殆ど存在しなくなる。
　一方、第１図に示されるＡｌ、Ａｕ、Ｐｔなどの金属単層膜も７００Å以下の短波長域の輻射線に対しては波長λ−４に比例して反射率は急激に低下し、２００Å以下の短波長域の輻射線に対しては正反射において１％以下となる。
　このような欠点を除くため、異なる複素屈折率を有する二種の金属材料を交互に積層した金属多層膜を鏡面体とする反射鏡が試用されている。
　Ｘ線又は真空紫外線の領域では、殆どの物質の反射率は、吸収を表わす虚部ｋを持つ複素屈折率（ｎ＋ｉｋ、以下、単に屈折率と略称。）により表わされ、実部ｎは略々１．０（ｎ＝１−δ　δ＝１０−１〜１０−３）となるために、真空と物質薄膜の境界におけるフレネルの反射率は、非常に小さく０．１％以下の大きさである。
　また、異種材料の積層薄膜の境界においても、反射率は一つの境界面について数％を超えることがない。
　しかるに、異種材料を交互に多層積層構造として各々の層境界からの反射光が干渉により強勢し合い多層膜鏡面体の全体として反射率が最大となるような膜厚み構造とすることにより高反射率化が可能となる。
　更に、隣接する層間の屈折率の差が大きくなるように、異種材料の選択を行って、膜厚の構造と併せて、高反射率を与える反射鏡の実現が可能であることが知られている。
　現在までに既知の材料の組合せには、低屈折率の材料として遷移金属があり、高屈折率の材料としてその多くは炭素、珪素など半導体元素使用のものである。
　代表的なものとして、タングステンと炭素、モリブデンと珪素の組合せなどがある。
［発明が解決しようとする問題点］
　しかしながら、実際に、二種の材料の組合せを選択し、理論的に可能な高反射率を実現しようとするとき、蒸着などの手段により、二種の材料を交互に積層させても、期待の高反射率を得ることは従来極めて困難であった。
　試作した多層膜体の切断面を電子顕微鏡により視察すれば、ボイド（ｖｏｉｄ）と通称される特徴的空隙が膜内に存在し、充填率は０．７〜０．９程度であり、稠密なバルク材とは異なる多孔質の層膜が形成され易いことが明らかとなった。
　層膜の充填率が１よりも小さいことは、層膜の密度がバルク材より小さいことを意味しており、使用するバルク材の光学定数によって、理論的に求められる反射率より低い反射率のみが得られることとなる。
　更に、電子線回折とＸ線回折により、これらの層膜を観測すれば、所謂ハローな回折パターンのみが得られるアモルファスの層膜が形成されていることも判明してきた。
　層膜の組織がアモルファスに近くなれば、微細な数Å程度の空隙が無数に存在し、これらの層膜の集合体としての多層膜反射鏡に実際にシンクロトロン軌道放射光、またはレーザープラズマＸ線放射光のような高強度の光が照射される場合に反射鏡の鏡面は局所的に加熱され多層膜構造が容易に破壊される欠点を持つこととなる。
　従って、局所的加熱に対しても耐久性を有すること、鏡面体全体の温度上昇に対しても化学的に安定であり膜構成物質の拡散などがないことが要求される。
［問題点を解決するための手段］
　この発明は上記の問題点を除去、乃至回避することを意図して、完成されたものであり、目的とするところはバルク材の光学特性に等しく、従って、高い理論値に略々等しい反射率が得られ、通常の保管状態においては、勿論、シンクロトロン放射光を照射した際の熱的耐久性に優れ、互いに隣接する１以上の結晶化した層膜の存在により、他の層膜の金属イオンの拡散がアモルファス層膜に比較して、顕著に防止される耐熱性と化学的安定性に優れたＸ線又は真空紫外線用の多層膜の反射鏡を提供することである。
　この発明の反射鏡はシンクロトン軌道放射光のような高強度の光が照射されて、局所的に加熱されても反射鏡の性能が保持されるように結晶粒界を含む結晶化層膜を使用して構成されるのである。
　この場合、結晶化層膜は多層膜を構成する層膜中の少なくとも一層であればよい。
　この発明のよりよい理解のために実施例によりこの発明を説明する。
［実施例１］
　第２図に示されるように、研磨された溶融石英基板にイオン蒸着により低屈折率膜層として、Ｒｕを高屈折率膜層としてＳｉを交互に重積させて４１層からなる波長１１４．０Åの軟Ｘ線に対する多層反射面体を、各層膜の厚さを、それぞれ３６．４Å、２３．５Åとして製作した。
　第２図の装置には、電子ビーム蒸発源が２基、基板への垂直線について対称に、配置されているもののみが示されているが、更に１基以上が基板に適宜に対向して配置されてもよい。
　この実施例では第１電子銃ハースに３Ｎ（９９．９％）のＲｕが、第２電子銃ハースに９Ｎ（９９．９９９９９９９％）のＳｉが、第３電子銃ハースに３Ｎ（９９．９％）のグラファィトがセットされた。
　蒸着に先立ち三種のハースに電子ビームに当て約１時間、予備加熱を行った後、ＲｕとＳｉのハース上のシャッターを交互に開き蒸着速度をＲｕにつき１０Å／ｍｉｎ、Ｓｉについては２０Å／ｍｉｎとして層膜の形成を行った。
　蒸着中の真空度は１×１０−９Ｔｏｒｒを保持し、基板温度は３００℃に保った。
　４１層を蒸着後、グラファィトを蒸着する際にはイオンビーム蒸着になるようにグラファィト蒸発源の電流、加速電圧を１５０ｍＡ、４．５ＫＶに調整し、蒸着速度を１０Å／ｍｉｎに保ち、層膜の厚さが２５０Åになるまで蒸着させた。
　この蒸着により形成された反射鏡により、電子線回折、Ｘ線回折を観測したところ、スポットライクのグラファィト膜の電子線回折で、１次および２次のＸ線回折ピークも観測することができた。また、この反射鏡に１１４．０Åのシンクロトロン軌道放射光を１０度の入射角で照射して、４２．８％の反射率が得られた。また、照射を１０時間連続しても層膜の劣化は全く認られなかった。
［実施例２］
　研磨したＳｉＣ基板を使用し、これを予め１４００℃においてフラッシュ加熱し、その後、基板温度を８００℃に保持した。
　ＲｕとＳｉの蒸着をイオンビーム蒸着となるようにそれぞれ加速電流、電圧値をＲｕに８０ｍＡ、４．０ＫｖＳｉに２５ｍＡ、２．５Ｋｖに設定し、グラファィトは実施例１と同様に設定した。
　波長１１４．０Åにて最大反射率が正入射において得られるように、Ｒｕ、Ｓｉの層膜厚さは実施例１と同様とし、Ｒｕから始めて交互に蒸着して４１層とした後、グラファィトを２５０Å蒸着させた。
　この反射鏡の鏡面の垂直断面を透過電子顕微鏡で視察したところ、各層の境界面が１０Å以下の平滑度を有し、Ｒｕ層、Ｓｉ層膜の各々が最大１５０Åの結晶粒界を含む層になっていることが確認された。この反射鏡に、１１４．０Åのシンクロトロン軌道放射光を、鏡面に１０度の方向を以て照射して反射率を測定したところ反射率は４８．０％であった。
　耐久性も優れており２４時間の連続照射において鏡面に全く変化が生じないことが判明した。
［発明の効果］
　この発明のＸ線又は真空紫外線用の多層膜反射鏡は、軟Ｘ線又は真空紫外線領域の波長の輻射線に対して、従来品のアモルファス層よりも高い反射率を有するのみでなく、従来はシンクロトロン軌道放射光の照射などにより鏡面体に著しい損傷が生じていたが、この発明の反射鏡は長時間連続照射にも充分に対抗する耐久性も有する。
　就中、この発明による平面、あるいは曲面からなる複数枚の反射鏡を組合せてＸ線領域における拡大・縮小光学系用の反射鏡として、また軟Ｘ線又は真空紫外線領域用のレーザー用共振器用の反射鏡として、更には、反射鏡が格子構造を有する反射型分散素子用などとして、従来存在しなかったＸ線光学の領域の光学装置用の有用部品として、この発明の反射鏡は広く利用され得る。
【図面の簡単な説明】
　第１図は、従来の反射鏡における波長と反射率の関係を示すグラフであり、第２図は、この発明の反射鏡の反射面体の製作のために使用されるイオンビーム蒸着装置の説明用模式図である。
［図中の記号リスト］
　第１図分
　　１．金属単層の反射率曲線
　　２．誘電体多層の反射率曲線
　第２図分
　　１．基板ホルダー・ヒーター
　　２．基板
　　３．蒸発源（例　Ｓｉ）
　　４．蒸発源（例　Ｒｕ）
　　５．イオン化ユニット
　　６．イオン化ユニット
　　７．加速板
　　８．加速板
　　９．Ｓｉイオンビーム
　　１０．Ｒｕイオンビーム
　　１１．加速電源
　　１２．加速電源
　　１３．ベルジャー