【事件の表示】
　　特許第２８１４８０５号「ポリシリコンＴＦＴ式ＬＣＤ用石英ガラス基板」の請求項１ないし３に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第２８１４８０５号の請求項１ないし２に係る特許を維持する。
【理　由】
 １．手続の経緯
  特許第２８１４８０５号は、平成３年１１月１５日に特許出願され、平成１０年８月１４日にその特許の設定登録がなされ、その後、村中祥世、須田　武より特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１１年１０月２６日に訂正請求がなされたものである（上記訂正請求は平成１２年４月１９日付け手続補正により補正された）。
　その後、両申立人に対して審尋がなされ、両申立人により回答書の提出がなされた。
２．訂正の適否についての判断
ア．訂正事項
（１）訂正事項ａ
　明細書の【請求項１】に係る記載の
「ハロゲン含有量がｌ０ｐｐｍ以下、ＯＨ含有量が１００ｐｐｍ以下、重金属およびアルカリ金属の含有量の総計がｌｐｐｍ以下であって、徐冷点が１１５０℃以上であることを特徴とするポリシリコンＴＦＴ式ＬＣＤ用石英ガラス基板。」を、
「ガラス形成原料を加熱加水分解して得られる石英ガラス微粒子を基材に堆積・成長させた多孔質石英ガラス体を透明ガラス化する温度以下の温度域で水蒸気分圧の低い雰囲気中に一定時間加熱保持した後、透明ガラス化温度に昇温加熱して透明ガラス化することにより得た石英ガラス体からなり、ハロゲン含有量がｌ０ｐｐｍ以下、ＯＨ含有量が１００ｐｐｍ以下、重金属およびアルカリ金属の含有量の総計がｌｐｐｍ以下であって、徐冷点が１１５０℃以上であることを特徴とするポリシリコンＴＦＴ式ＬＣＤ用石英ガラス基板。」
に訂正する。
（２）訂正事項ｂ
　明細書の【請求項２】に係る記載の
「請求項１記載のポリシリコンＴＦＴ用石英ガラス基板において、基板面内の屈折率の変動幅が５×ｌ０‐６以下であることを特徴とするポリシリコンＴＦＴ式ＬＣＤ用石英ガラス基板。」を、
「ハロゲン含有量がｌ０ｐｐｍ以下、ＯＨ含有量が１００ｐｐｍ以下、重金属およびアルカリ金属の含有量の総計がｌｐｐｍ以下であって、徐冷点が１１５０℃以上であるポリシリコンＴＦＴ式ＬＣＤ用石英ガラス基板において、基板面内の屈折率の変動幅が５×１０‐６以下であることを特徴とするポリシリコンＴＦＴ式ＬＣＤ用石英ガラス基板。」
に訂正する。
（３）訂正事項ｃ
　明細書の【請求項３】に係る記載の
「請求項１または２記載の・・・ガラス基板。」を削除する。
（４）訂正事項ｄ
　明細書の【０００８】に係る記載の
「【課題を解決するための手段】本発明は・・・提供するものである。」を、
「【課題を解決するための手段】本発明は前述の課題を解決するべくなされたものであり、ガラス形成原料を加熱加水分解して得られる石英ガラス微粒子を基材に堆積・成長させた多孔質石英ガラス体を透明ガラス化する温度以下の温度域で水蒸気分圧の低い雰囲気中に一定時間加熱保持した後、透明ガラス化温度に昇温加熱して透明ガラス化することにより得た石英ガラス体からなり、ハロゲン含有量がｌ０ｐｐｍ以下、ＯＨ含有量が１００ｐｐｍ以下、重金属およびアルカリ金属の含有量の総計がｌｐｐｍ以下であって、徐冷点が１１５０℃以上であることを特徴とするポリシリコンＴＦＴ式ＬＣＤ用石英ガラス基板を提供するものである。」に訂正する。
（５）訂正事項ｅ
　明細書の【０００９】に係る記載の「また本発明は、・・・提供するものである。」を、
「また本発明は、ハロゲン含有量がｌ０ｐｐｍ以下、ＯＨ含有量が１００ｐｐｍ以下、重金属およびアルカリ金属の含有量の総計がｌｐｐｍ以下であって、徐冷点が１１５０℃以上であるポリシリコンＴＦＴ式ＬＣＤ用石英ガラス基板において、基板面内の屈折率の変動幅が５×１０‐６以下であることを特徴とするポリシリコンＴＦＴ式ＬＣＤ用石英ガラス基板を提供するものである。」に訂正する。
（６）訂正事項ｆ
　明細書の【００１０】に係る記載の「また本発明は、・・・提供するものである。」を削除する。
（７）訂正事項ｇ
　明細書の【００１４】に係る記載の「また、・・・値である。」を、
「また、プラズマエッチング処理前後での波長２３０〜３００ｎｍの範囲の吸光係数の増加は、０．００５ｃｍ‐１以下であることが好ましい。ここに、吸光係数αは、透過光量をＩ、入射光量をＩ。、反射率をＲ、ガラス基板の厚みをｔ（ｃｍ）とした時に、
Ｉ／Ｉ。＝（１−Ｒ）２・ｅｘｐ（−α．ｔ）
で定義される値である。」に訂正する。
（８）訂正事項ｈ
　明細書の【００１６】に係る記載の「かかる石英ガラス基板の・・・可能である。」を、
「かかる石英ガラス基板の製造方法としては、予めガラス形成原料を加熱加水分解して得られる石英ガラス微粒子を基材に堆積・成長させた多孔質石英ガラス体を透明ガラス化する温度以下の温度域で水蒸気分圧の低い雰囲気中に一定時間加熱保持した後、透明ガラス化温度に昇温加熱して透明ガラス化して石英ガラス体とする方法により作成することが適当である。」に訂正する。
イ．訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　訂正事項ａは特許請求の範囲の減縮を目的とする訂正である。訂正事項ｂは、請求項１に係る訂正事項ａを受けて、訂正前の請求項２を引用表現項から独立表現項としたものであり、明りょうでない記載の釈明を目的とする訂正である。訂正事項ｃは請求項３の記載を削除するものであり、特許請求の範囲の減縮を目的とする訂正である。訂正事項ｄ〜ｈは、特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載との整合を図るため、明りょうでない記載の釈明を目的とする訂正である。そして、上記訂正ａ〜ｈは、新規事項の追加に該当せず、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
ウ．訂正明細書の請求項１、２に係る発明
  訂正明細書の請求項１、２に係る発明（以下、「本件発明１、２」という）は、その特許請求の範囲の請求項１、２に記載された次に記載のとおりのものである。
「【請求項１】ガラス形成原料を加熱加水分解して得られる石英ガラス微粒子を基材に堆積・成長させた多孔質石英ガラス体を透明ガラス化する温度以下の温度域で水蒸気分圧の低い雰囲気中に一定時間加熱保持した後、透明ガラス化温度に昇温加熱して透明ガラス化することにより得た石英ガラス体からなり、ハロゲン含有量がｌ０ｐｐｍ以下、ＯＨ含有量が１００ｐｐｍ以下、重金属およびアルカリ金属の含有量の総計がｌｐｐｍ以下であって、徐冷点が１１５０℃以上であることを特徴とするポリシリコンＴＦＴ式ＬＣＤ用石英ガラス基板。
【請求項２】ハロゲン含有量がｌ０ｐｐｍ以下、ＯＨ含有量が１００ｐｐｍ以下、重金属およびアルカリ金属の含有量の総計がｌｐｐｍ以下であって、徐冷点が１１５０℃以上であるポリシリコンＴＦＴ式ＬＣＤ用石英ガラス基板において、基板面内の屈折率の変動幅が５×１０‐６以下であることを特徴とするポリシリコンＴＦＴ式ＬＣＤ用石英ガラス基板。」
エ．独立特許要件の判断
Ｉ．特許法第３６条第４，５，６項違反について
　本件特許明細書の請求項３について特許法第３６条第４，５，６項違反である旨取消理由で通知した点については、訂正請求により請求項３が削除されたので、取消理由は解消した。
II.特許法第２９条第１項第３号及び同条第２項違反について
（刊行物１，２に記載の発明）
　本件発明１に対して、当審が通知した取消理由で引用した刊行物１（加賀美敏郎ほか監修「高純度シリカの応用技術」株式会社シーエムシー、１９９１年３月１日発行、１７０〜１８０頁）には、
「第２章　シリカガラス」のうち「３．５液晶ディスプレイ（ＬＳＤ）用基板」について、次のことが記載されている。
（１）１７１頁６〜７行には、「このなかで液晶ディスプレイ用基板ガラスとして石英ガラスが使用されるのは、後述するようにｐ−ＳｉＴＦＴ型に限られている。」と記載される。
（２）１７９頁下３行〜末行には、「・・気泡などの点欠陥や脈理がなく、耐熱性に優れたＶＡＤ法合成石英ガラスはｐ−ＳｉＴＦＴ液晶ディスプレイ用に安定供給できる基板ガラスとして最も適していると言える。」と記載される。
（３）１７５頁の表２．３．１１中のＶＡＤ法の欄には、不純物として、金属イオンが＜ｌｐｐｍ、Ｃｌが＜ｌｐｐｍであること、が記載される。
（４）１７６頁下４行〜１７７頁１行には、「ＶＡＤ法合成石英ガラスのＯＨ基濃度は直接法合成石英ガラス（１０００ｐｐｍ程度）より低濃度となっている。ＶＡＤ法合成石英ガラスはＳｉＯ２ガラス微粒子合成過程で火炎内に多量に存在するＯＨがシラノール基（ＯＨ基）として母材中に混入するが、母材は水分を含まない雰囲気中で焼結される過程で脱水され、石英ガラス中のＯＨ基は低濃度となる。また、ＶＡＤ法では母材の焼結条件を変えることで、ＯＨ基濃度を０〜数１００ｐｐｍの範囲で制御できる利点がある。」と記載される。
（５）１７８頁には、「ガラスは温度上昇とともに粘性が低下するが、粘性係数（η）が１０14.5poiseとなる温度、すなわち歪点以下の温度では粘性流動による変形は実質的に起こらないことから，この歪点が耐熱性の指標となる。石英ガラスの歪点はその製造方法によって異なっており，一般に合成石英ガラスは溶融石英ガラスよりも歪点が低い（耐熱性が悪い）と言われてきた。これは，従来流通していた合成石英ガラスのほとんどが直接法合成石英ガラスであり，そのガラス中に１，０００ｐｐｍ前後の多量のＯＨ基が含まれていることに起因する。石英ガラス中のＯＨ基濃度と粘性の関係についてはHetherington10)らによって研究されており，図２．３．４５に示すようにＯＨ基濃度の低い石英ガラスほど高い耐熱性を示すことが報告されている。当社での調査7)においても図２．３．４６に示す通り，ＶＡＤ法合成石英ガラスは直接法合成石英ガラスよりも低ＯＨ基濃度であるために歪点が高く，溶融石英なみの耐熱性を有することが分かる。」と記載され、図２．３．４５には「ＯＨ基含有量と石英ガラスの粘性」の関係図、図２．３．４６には「石英ガラス耐熱温度のＯＨ基濃度依存性」の関係図が示されている。
　本件発明１に対して、当審が通知した取消理由で引用した刊行物２（特開平２−１４８４０号公報）には、合成石英ガラス基板に関して、次のことが記載されている。
（１）特許請求の範囲には、
「１．アルコキシシラン溶液を加水分解して得たゾル液をゲル化し、乾燥したのち、１，０００〜１，６００℃でクリストバライト化し、脱水させ、ついでガラス化温度以上の温度で溶融してなることを特徴とする合成石英ガラス基板。
２．合成石英ガラスがＯＨ基含有量が１００ｐｐｍ以下、Ｃｌ基含有量が１０ｐｐｍ以下で、かつ１，２００℃での粘特性が５×１０１２ポイズ以上のものである請求項１に記載の合成石英ガラス基板。」
と記載される。
（２）４頁の第１表及び第１図には、実施例として、ＯＨ基含有量が７ｐｐｍ、Ｃｌ基含有量が＜ｌｐｐｍ、粘度特性が１０×１０１２ポイズ（１２００℃）である合成石英ガラス基板が示されている。
（３）３頁右上欄〜同左下欄には、得られた合成石英ガラス基板は、例えば液晶ディスプレイ用の基板として特に有用とされる旨の記載がある。
（対比・判断）
　先ず、本件発明１と刊行物１に記載の発明とを比較検討する。
　本件発明１は、訂正された請求項１の構成を採ることにより、徐冷点が高く、耐熱性に優れ、プラズマエッチング処理前後での短波長側の吸光係数の増加が小さく、実質的に蛍光発光が無く、かつ光学的均質性に優れたポリシリコンＴＦＴ式ＬＣＤ用石英ガラス基板を提供するものである。
　これに対して、刊行物１の上記（１）〜（３）及び１７８頁の「石英ガラス耐熱温度のＯＨ基濃度依存性の関係図２．３．４６」の記載からして、本件発明１と同様な「ハロゲン含有量がｌ０ｐｐｍ以下、ＯＨ含有量が１００ｐｐｍ以下、金属イオンがｌｐｐｍ以下であるポリシリコンＴＦＴ式ＬＣＤ用石英ガラス基板」が記載されているといえる。しかしながら、刊行物１の記載、特に上記（４）の記載が、本件発明１の「ガラス形成原料を加熱加水分解して得られる石英ガラス微粒子を基材に堆積・成長させた多孔質石英ガラス体を透明ガラス化する温度以下の温度域で水蒸気分圧の低い雰囲気中に一定時間加熱保持した後、透明ガラス化温度に昇温加熱して透明ガラス化することにより得た石英ガラス体からなり、・・」の構成を明確に示す記載であるとはいえない。
　また、刊行物１の１７８頁の「ＯＨ基含有量と石英ガラスの粘性の関係図２．３．４５」には、「ＯＨ含有量が３ｐｐｍである場合に徐冷点が１１５０℃以上である石英ガラス」の開示がある。しかしながら、上記図２．３．４５と同様な図が示される、特許権者が提出した意見書に添付した乙第１号証（G.Hetherington　et　al.　Phys.Chem.Glasses,Vol.5,No.5　October　1964,１３０〜１３６頁）の記載からして、上記「ＯＨ含有量が３ｐｐｍである場合に徐冷点が１１５０℃以上である石英ガラス」は、「Ａｌを５０ｐｐｍ、Ｎａを４ｐｐｍ含む電気溶融法によるI.R.Vitreosil石英ガラス」であることが判る。よって、同図の「ＯＨ含有量が３ｐｐｍである場合に徐冷点が１１５０℃以上である石英ガラス」が、本件発明１の「ハロゲン含有量がｌ０ｐｐｍ以下、ＯＨ含有量が１００ｐｐｍ以下、重金属およびアルカリ金属の含有量の総計がｌｐｐｍ以下であって、なおかつその場合の徐冷点が１１５０℃以上である石英ガラス」を示すとはいえない。また、上記図２．３．４５からでは、ＯＨ含有量が１００ｐｐｍ以下のＶＡＤ法による合成石英ガラスがいかなる曲線を描くのか不明であり、結果としてそのものの徐冷点の値は不明である。刊行物１の他の箇所には本件発明１の上記構成の石英ガラスについての記載、或いは示唆する記載はない。
　したがって、本件発明１は、刊行物１に記載された発明であるとはいえないし、また、刊行物１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるともいえない。
　次に、本件発明１と刊行物２に記載の発明とを比較検討する。
　刊行物２に記載の発明においては、合成石英ガラスはゾルゲル法によって製造されており、本件発明１の「ガラス形成原料を加熱加水分解して得られる石英ガラス微粒子を基材に堆積・成長させた多孔質石英ガラス体を透明ガラス化する温度以下の温度域で水蒸気分圧の低い雰囲気中に一定時間加熱保持した後、透明ガラス化温度に昇温加熱して透明ガラス化することにより得た石英ガラス」とは相違する。
　したがって、本件発明１は、刊行物２に記載された発明であるとはいえない。
III.特許法第２９条の２違反について
（先願明細書）
　本件発明１に対して、当審が通知した取消理由で引用した先願である特願平２−４１６５９６号出願の願書に最初に添付した明細書（以下、「先願明細書」という）（特開平４−２３８８２４号公報参照）には、特許請求の範囲の請求項１に、
「メチルシリケートをアンモニア水中で加水分解して得たコロイダルシリカ粉を脱炭したのち粒度１５０〜２００メッシュに篩別し、これを１）カーボン型に詰め、ｌｋｇ／ｃｍ２以上の圧力を上下方向から加え、２）１２００〜１４００℃、Ｈｅ雰囲気に保持し、３）減圧度１０−１トール以上において、１５００〜１８００℃に昇温し、４）焼結体が理論密度になったときに圧力および減圧を解除して焼結体とし、５）常圧において１８００℃以上に加熱することを特徴とする光学用高粘度合成石英ガラスの製造方法。」の発明が記載される。
（対比・判断）
　本件発明１と上記先願明細書に記載の発明とを比較検討するに、先願明細書に記載される製造方法により製造される石英ガラス体は、本件発明１の「ガラス形成原料を加熱加水分解して得られる石英ガラス微粒子を基材に堆積・成長させた多孔質石英ガラス体を透明ガラス化する温度以下の温度域で水蒸気分圧の低い雰囲気中に一定時間加熱保持した後、透明ガラス化温度に昇温加熱して透明ガラス化することにより得た石英ガラス体」とは明らかに相違する。
　よって、本件発明１は、先願明細書に記載の発明と同一であるとはいえない。
　また、他に本件発明１が特許出願の際独立して特許を受けることができないとする理由を発見しない。
　また、下記の「３．特許異議の申立てについての判断」の項で述べるように、本件発明２は特許出願の際独立して特許を受けることができないものではない。
　したがって、本件発明１、２は特許出願の際独立して特許を受けることができないものとはいえない。
オ．むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は、平成６年改正法附則第６条第１項の規定によりなお従前の例とされる、平成１１年改正前の特許法第１２０条の４第第３項において準用する平成６年改正法による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書、第２項ないし第４項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
３．特許異議の申立てについての判断
ア．申立ての理由の概要
　申立人・村中祥世は、証拠として甲第１号証（上記刊行物１)、甲第２号証（特開平３−１０９２３３号公報、以下「刊行物３」という）、甲第３号証（特開平１−１８９６５４号公報）及び甲第４号証（西澤潤一編、半導体研究１９「超ＬＳＩ技術６−半導体プロセスその２」株式会社工業調査会、１９８２年８月２０日発行、２２５〜２４６頁）を提示して、次の理由により本件請求項１〜３に係る発明の特許を取り消すべきと主張している。
（１）本件請求項３に係る発明の特許は、甲第２ないし甲第４号証の記載を参照して、その明細書中に記載不備があるので、特許法第３６条第４項、第５項の規定に違反している。
（２）本件請求項１に係る発明の特許は、刊行物１の記載を基に特許法第２９条第１項第３号の規定に違反している。
（３）本件請求項２に係る発明の特許は刊行物１，３の記載を基に、また、本件請求項３に係る発明の特許は刊行物１，３及び甲第３号証の記載を基に、特許法第２９条第２項の規定に違反している。
　申立人・須田　武は、証拠として甲第１号証（「住友金属Ｖｏｌ．４２，Ｎｏ．３，１９９０」２７〜３８頁、以下「刊行物４」という)、甲第２号証（上記刊行物１）、甲第３号証（上記刊行物２）、甲第４号証（特開平４−２３８８２４号公報、上記「先願明細書」に対応）、甲第５号証（特開平３−８８７４２号公報、以下「刊行物５」という）、甲第６号証（特開平２−８０３４３号公報、以下「刊行物６」という）及び甲第７号証（特開平１−２０１６６４号公報）を提示して、次の理由により本件請求項１〜３に係る発明の特許を取り消すべきと主張している。
（４）本件請求項１、２に係る発明の特許は、刊行物２或いは４の記載を基に特許法第２９条第１項第３号の規定に違反している。
（５）本件請求項１に係る発明の特許は、刊行物１，２，４，５の記載を基に特許法第２９条第２項の規定に違反している。
（６）本件請求項１に係る発明の特許は、甲第４号証の記載を基に特許法第２９条の２の規定に違反している。
（７）本件請求項２に係る発明の特許は、刊行物１，２，４〜６の記載を基に特許法第２９条第２項の規定に違反している。
（８）本件請求項３に係る発明の特許は、刊行物１，２，４〜６および甲第７号証の記載を基に特許法第２９条第２項の規定に違反している。
イ．本件発明１、２
　本件発明１、２は、前記２項ウ．に記載のとおりのものである。
ウ．刊行物１〜６に記載の発明
　刊行物１〜６には、次の発明が記載される。
　刊行物１，２；
　前記２項エ．に記載のとおりのものである。
  刊行物３；
　紫外線レーザ用合成シリカガラス光学体及びその製造方法に関するもので、次の発明が記載される。
（１）特許請求の範囲の請求項８には、合成シリカガラス光学体が、アルカリ金属元素Ｌｉ、Ｎａ、Ｋの各含有量が５０ｐｐｂ以下、アルカリ土類金属Ｍｇ、Ｃａの各含有量がｌ０ｐｐｂ以下、遷移金属元素Ｔｉ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｕの各含有量がｌ０ｐｐｂ以下のものが記載される。
（２）特許請求の範囲の請求項１１には、合成シリカガラス光学体が、屈折率変動分布幅△ｎが２×１０‐６以下のものが記載される。
（３）６頁左下欄３〜１２行には、「この結果、ＯＨ基を略１００ｐｐｍ以上含有しかつ水素分子濃度・・・・を有する試料では、非常に高い耐エキシマレーザ性が得られたが・・・・・・ＯＨ基を実質的に含有しない試料（試料番号３）では、好ましい耐エキシマレーザ性は得られなかった。」と記載される。
　刊行物４；
　「ＶＡＤ法合成石英ガラスの開発」についての文献であって、３４〜３６頁には、ＶＡＤ法合成石英ガラスの特性について次の記載がある。
（１）３４〜３５頁には、
「４．１　純度
　合成石英ガラスの多くは，ガラス原料として高純度に蒸留精製したＳｉＣ１４を用いており，製造過程における汚染も皆無であることから不純物金属元素の含有量は，第３表に示すとおりすべてｌｐｐｍ以下となっている。
　一方，ＶＡＤ法も直接法もともに火炎中の化学反応によりＳｉＯ２ガラスを合成するため，火炎内に多量に存在するＯＨがシラノール基（ＯＨ基）としてガラス中に混入することとなる。このＯＨ基濃度については直接法合成石英ガラスよりもＶＡＤ法合成石英ガラスの方が低濃度となっているが，これは前者が火炎中でち密化されているのに対し，後者は水分を含まない雰囲気で透明化処理していることに起因する。また，ＶＡＤ法では透明化処理条件を変えることで，ＯＨ基濃度を数ｐｐｍ−数１００ｐｐｍの範囲で制御できる利点がある。このほか，合成石英ガラス中にはガラス原料であるＳｉＣ１４の分子のもつＣｌが残留し，直接法合成ガラスでは１００ｐｐｍ以上の濃度で存在するという報告がある。これに対して当社のＶＡＤ法合成石英ガラス中のＣｌ濃度は放射化分析により測定した結果，ｌｐｐｍ以下であることがわかった。
　以上のことから合成石英ガラスの中でもＶＡＤ法合成石英ガラスは特に高純度であるといえる。」旨記載されていると共に、第３表には、重金属及びアルカリ金属の含有量の総計がｌｐｐｍ以下であることが示されている。
（２）３６頁には、
「４．４耐熱性
　ガラスの温度上昇とともに粘性は低下するが，粘性係数（η）が１０13.5ｐａ・ｓ（１０14.5poise）となる温度すなわちひずみ点では粘性流動による永久ひずみの残留は実質的に起らないことから，このひずみ点がガラスの耐熱性の指標となる。石英ガラスのひずみ点もその製造法によって異なっており，一般に合成石英ガラスは溶融石英ガラスよりもひずみ点が低い（耐熱性が低い）といわれてきた。その理由は，従来流通していた合成石英ガラスのほとんどが直接法石英ガラスであって，そのガラス中に７００ｐｐｍ−１３００ｐｐｍという多量のＯＨ基が含まれていることに起因する。石英ガラス中のＯＨ基濃度と粘性の関係についてはHetherington12)らによって研究されており，ＯＨ基濃度の低い石英ガラスほど高い耐熱性を示すことが報告されている。当社での調査においても第１１図に示すとおりＶＡＤ法合成石英ガラスは直接法合成石英ガラスよりも低ＯＨ基濃度であるためにひずみ点が高く，溶融石英ガラスに近い値となっている。」旨記載される。
　また、３７頁には、この合成石英ガラスがＴＦＴを用いたアクティブマトリックス式の液晶ディスプレイに好適な材料である旨記載されている。
　刊行物５；
　特許請求の範囲には、
「１）波長略３６０ｎｍ以下の紫外光に使用される合成シリカガラス光学体において、該光学体を少なくとも一方向脈理フリーで、かつＯＨ基を略５０ｐｐｍ以上含有する高純度合成シリカガラス材で形成すると共に、該光学体に前記紫外光照射により光透過率低下を抑制するに充分な量の水素分子を含有させたことを特徴とする合成シリカガラス光学体。」
及び
「６）光学体の入射光に直交する平面内における△ｎ（屈折率の変動幅）の値が２×１０‐６以下であることを特徴とする請求項１）記載の合成シリカガラス光学体。
７）シリカガラス光学体が、アルカリ金属（Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ）含有量１５０ｐｐｂ以下、アルカリ土類金属（Ｍｇ，Ｃａ）含有量１００ｐｐｂ以下、遷移金属（Ｔｉ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃｕ）含有量５０ｐｐｂ以下のものであることを特徴とする請求項１）記載の合成シリカガラス光学体。
８）シリカガラス光学体が、アルカリ金属元素Ｌｉ，Ｎａ，Ｋの各含有量が５０ｐｐｂ以下、アルカリ土類金属元素Ｍｇ，Ｃａの各含有量がｌ０ｐｐｂ以下、遷移金属元素Ｔｉ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃｕの各含有量が１０ｐｐｂ以下のものであることを特徴とする請求項１）記載の合成シリカガラス光学体。」と記載される。
　刊行物６；
　請求項１には「ＶＡＤ法において、アルコキシシランの低温火炎加水分解及び低温焼結により製造された合成石英ガラスにおいて、ＯＨ基含有量が１〜５００ｐｐｍの範囲であり、ハロゲン、Ｓ又はＮがｌ０ｐｐｍ以下であることを特徴とする耐紫外線用合成石英ガラス。」と記載され、
　３頁左上欄下から２行〜右上欄には、
「このようにして得られた石英ガラスはＯＨ基が５００ｐｐｍ以下でＣｌ，ＦなどのハロゲンやＳ，Ｎもほとんど含有していないし、これはまた構造欠陥が少ないので各部分での屈折率のバラツキ（△ｎ）も１０‐６以下と小さいことが判った。なお、このものの紫外線透過性をみると１５７ｎｍ以上で８５％以上の値を示しており、これをマスク基板としてエキシマレーザーのリソグラフィに用いたがこれにはソーラリゼーションの起きないことが確認された。」と記載されていると共に、その実施例には、「・・・・・つぎにこの石英ガラスにアルゴンガス下でレーザーを照射し、その２６０ｎｍにおける吸収係数の増加を測定したところ、これは従来法で作られた石英ガラスの１／１０にすぎず、またこれをエキシマレーザーのリングラフィ用マスク基板として使用したところ、このものにはソーラリゼーションは全く起らなかった。・・・・」ことが記載される。
エ．対比・判断
[本件請求項３に係る発明について]
　訂正請求により請求項３が削除されたので、申立人・村中祥世の異議申立理由（１）は解消した。
[本件発明１について]
　先ず、本件発明１が刊行物１、刊行物２或いは刊行物４に記載の発明であるか否か比較検討する。
　前記２項エ．にて述べたように、本件発明１は刊行物１或いは刊行物２に記載の発明ではない。
　刊行物４に記載の発明は、本件発明１と同様「ハロゲン含有量がｌ０ｐｐｍ以下、ＯＨ含有量が１００ｐｐｍ以下、不純物金属元素の含有量の総計がｌｐｐｍ以下であるポリシリコンＴＦＴ式ＬＣＤ用石英ガラス基板」に関するものではあるが、本件発明１のように、徐冷点が１１５０℃以上である旨の記載はない。なお、刊行物４の３６頁の第１１図から、ＯＨ含有量が１００ｐｐｍ以下のＶＡＤ法による石英ガラスが、徐冷点が１１５０℃以上であることを読みとれるものではない。
　よって、本件発明１は刊行物４に記載の発明ではない。
　次に、本件発明１が刊行物１，２，４，５に記載の発明に基づいて当業者が容易になし得たものであるか否か比較検討する。
　刊行物１は、前記２項エ．において述べたように、本件発明１の「ハロゲン含有量がｌ０ｐｐｍ以下、ＯＨ含有量が１００ｐｐｍ以下、重金属およびアルカリ金属の含有量の総計がｌｐｐｍ以下であって、なおかつその場合の徐冷点が１１５０℃以上である石英ガラス」を開示するものではない。
　刊行物４も、「ハロゲン含有量がｌ０ｐｐｍ以下、ＯＨ含有量が１００ｐｐｍ以下、重金属およびアルカリ金属の含有量の総計がｌｐｐｍ以下である石英ガラス」を開示するものではあるが、本件発明１のように「ガラス形成原料を加熱加水分解して得られる石英ガラス微粒子を基材に堆積・成長させた多孔質石英ガラス体を透明ガラス化する温度以下の温度域で水蒸気分圧の低い雰囲気中に一定時間加熱保持した後、透明ガラス化温度に昇温加熱して透明ガラス化することにより得た石英ガラス体において、徐冷点が１１５０℃以上である」ことを開示するものではない。
　刊行物５も、徐冷点が１１５０℃以上であることを開示するものではなく、更にはハロゲン含有量についても言及しているものではない。
　刊行物２に記載の発明においては、前記２項エ．において述べたように、合成石英ガラスはゾルゲル法によって製造されており、本件発明１の「ガラス形成原料を加熱加水分解して得られる石英ガラス微粒子を基材に堆積・成長させた多孔質石英ガラス体を透明ガラス化する温度以下の温度域で水蒸気分圧の低い雰囲気中に一定時間加熱保持した後、透明ガラス化温度に昇温加熱して透明ガラス化することにより得た石英ガラス」とは相違するものであるから、上記刊行物１，４，５の発明と組み合わせ得るものではない。
　したがって、本件発明１は刊行物１，２，４，５に記載の発明に基づいて当業者が容易になし得たものであるとはいえない。
　また、前記２項エ．において述べたように、本件発明１は、申立人・須田　武が提示した甲第４号証（上記「先願明細書」に対応）と同一であるともいえない。
[本件発明２について]
　先ず、本件発明２が刊行物２或いは刊行物４に記載の発明であるか否か比較検討する。
　刊行物２には、本件発明２にいう「ハロゲン含有量がｌ０ｐｐｍ以下、ＯＨ含有量が１００ｐｐｍ以下、重金属およびアルカリ金属の含有量の総計がｌｐｐｍ以下であって、徐冷点が１１５０℃以上であるＬＣＤ用石英ガラス基板」の記載はあるが、基板面内の屈折率の変動幅の値について言及するものではない。
　よって、本件発明２が刊行物２に記載の発明であるとはいえない。
　刊行物４は、本願発明２のような徐冷点が１１５０℃以上である旨の記載はなく、また、基板面内の屈折率の変動幅の値について言及するものではない。
　よって、本件発明２が刊行物４に記載の発明であるとはいえない。
　次に、本件発明２が刊行物１ないし刊行物６に記載の発明に基づいて当業者が容易になし得たものであるか否か比較検討する。
　本件発明２と刊行物２に記載の発明とを対比すると、両者は、「ハロゲン含有量がｌ０ｐｐｍ以下、ＯＨ含有量が１００ｐｐｍ以下、重金属およびアルカリ金属の含有量の総計がｌｐｐｍ以下であって、徐冷点が１１５０℃以上であるＬＣＤ用石英ガラス基板」である点で一致し、基板面内の屈折率の変動幅が、前者は５×１０‐６以下であるのに対して、後者はその値について言及していない点で相違する。
　上記相違点について刊行物１，刊行物３ないし６について検討する。
　刊行物１，刊行物３ないし６に記載される石英ガラス基板は、いずれも本件発明２のような「ハロゲン含有量がｌ０ｐｐｍ以下、ＯＨ含有量が１００ｐｐｍ以下、重金属およびアルカリ金属の含有量の総計がｌｐｐｍ以下であって、なおかつその場合の徐冷点が１１５０℃以上である石英ガラス基板」の構成を有するものではない。そして、刊行物１，刊行物３ないし６に記載される石英ガラス基板は、いずれもＶＡＤ法により製造されるものであって、刊行物２のゾルゲル法によって製造されるものとは明らかに相違する。よって、刊行物１，刊行物３ないし６の記載の中には、本件発明２のように基板面内の屈折率の変動幅が５×１０‐６以下である記載があっても、ゾルゲル法による刊行物２の発明とＶＡＤ法による刊行物１，刊行物３ないし６に記載の発明とを組み合わせ得るものではない。
　したがって、本件発明２は刊行物１ないし刊行物６に記載の発明に基づいて当業者が容易になし得たものであるとはいえない。
オ．むすび
　以上のとおり、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件発明１、２の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明１、２の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年４月２７日（２０００．４．２７）
【訂正の要旨】
（１）訂正事項ａ
　明細書の【請求項１】に係る記載の
「ハロゲン含有量が１０ｐｐｍ以下、ＯＨ含有量が１００ｐｐｍ以下、重金属およびアルカリ金属の含有量の総計がｌｐｐｍ以下であって、徐冷点が１１５０℃以上であることを特徴とするポリシリコンＴＦＴ式ＬＣＤ用石英ガラス基板。」を、特許請求の範囲の減縮を目的として、
「ガラス形成原料を加熱加水分解して得られる石英ガラス微粒子を基材に堆積・成長させた多孔質石英ガラス体を透明ガラス化する温度以下の温度域で水蒸気分圧の低い雰囲気中に一定時間加熱保持した後、透明ガラス化温度に昇温加熱して透明ガラス化することにより得た石英ガラス体からなり、ハロゲン含有量が１０ｐｐｍ以下、ＯＨ含有量が１００ｐｐｍ以下、重金属およびアルカリ金属の含有量の総計が１ｐｐｍ以下であって、徐冷点が１１５０℃以上であることを特徴とするポリシリコンＴＦＴ式ＬＣＤ用石英ガラス基板。」
に訂正する。
（２）訂正事項ｂ
　明細書の【請求項２】に係る記載の
「請求項１記載のポリシリコンＴＦＴ用石英ガラス基板において、基板面内の屈折率の変動幅が５×１０−６以下であることを特徴とするポリシリコンＴＦＴ式ＬＣＤ用石英ガラス基板。」を、明りょうでない記載の釈明を目的として、
「ハロゲン含有量が１０ｐｐｍ以下、ＯＨ含有量が１００ｐｐｍ以下、重金属およびアルカリ金属の含有量の総計が１ｐｐｍ以下であって、徐冷点が１１５０℃以上であるポリシリコンＴＦＴ式ＬＣＤ用石英ガラス基板において、基板面内の屈折率の変動幅が５×１０−６以下であることを特徴とするポリシリコンＴＦＴ式ＬＣＤ用石英ガラス基板。」
に訂正する。
（３）訂正事項。
　明細書の【請求項３】に係る記載の
「請求項１または２記載の・・・ガラス基板。」を削除する。
（４）訂正事項ｄ
　明細書の【０００８】に係る記載の
「【課題を解決するための手段】本発明は・・・提供するものである。」
を、
「【課題を解決するための手段】本発明は前述の課題を解決するべくなされたものであり、ガラス形成原料を加熱加水分解して得られる石英ガラス微粒子を基材に堆積・成長させた多孔質石英ガラス体を透明ガラス化する温度以下の温度域で水蒸気分圧の低い雰囲気中に一定時間加熱保持した後、透明ガラス化温度に昇温加熱して透明ガラス化することにより得た石英ガラス体からなり、ハロゲン含有量が１０ｐｐｍ以下、ＯＨ含有量が１００ｐｐｍ以下、重金属およびアルカリ金属の含有量の総計が１ｐｐｍ以下であって、徐冷点が１１５０℃以上であることを特徴とするポリシリコンＴＦＴ式ＬＣＤ用石英ガラス基板を提供するものである。」に訂正する。
（５）訂正事項ｅ
　明細書の【０００９】に係る記載の「また本発明は、・・・提供するものである。」を、
「また本発明は、ハロゲン含有量が１０ｐｐｍ以下、ＯＨ含有量が１００ｐｐｍ以下、重金属およびアルカリ金属の含有量の総計がｌｐｐｍ以下であって、徐冷点が１１５０℃以上であるポリシリコンＴＦＴ式ＬＣＤ用石英ガラス基板において、基板面内の屈折率の変動幅が５×１０−６以下であることを特徴とするポリシリコンＴＦＴ式ＬＣＤ用石英ガラス基板を提供するものである。」に訂正する。
（６）訂正事項ｆ
　明細書の【００１０】に係る記載の「また本発明は、・・・提供するものである。」を削除する。
（７）訂正事項ｇ
　明細書の【００１４】に係る記載の「また、・・・値である。」を、「また、プラズマエッチング処理前後での波長２３０〜３００ｎｍの範囲の吸光係数の増加は、０．００５ｃｍ−１以下であることが好ましい。ここに、吸光係数αは、透過光量をＩ、入射光量をＩＯ、反射率をＲ、ガラス基板の厚みをｔ（ｃｍ）とした時に、
Ｉ／ＩＯ＝（１−Ｒ）２・ｅｘｐ（−α．ｔ）
で定義される値である。」に訂正する。
（８）訂正事項ｈ
　明細書の【００１６】に係る記載の「かかる石英ガラス基板の・・・可能である。」を、
「かかる石英ガラス基板の製造方法としては、予めガラス形成原料を加熱加水分解して得られる石英ガラス微粒子を基材に堆積・成長させた多孔質石英ガラス体を透明ガラス化する温度以下の温度域で水蒸気分圧の低い雰囲気中に一定時間加熱保持した後、透明ガラス化温度に昇温加熱して透明ガラス化して石英ガラス体とする方法により作成することが適当である。」に訂正する。
　訂正事項ｃは請求項３の記載を削除するものであり、特許請求の範囲の減縮を目的とする訂正である。訂正事項ｄ〜ｈは、特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載との整合を図るため、明りょうでない記載の釈明を目的とする訂正である。
（５４）【発明の名称】
ポリシリコンＴＦＴ式ＬＣＤ用石英ガラス基板
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】
　
ガラス形成原料を加熱加水分解して得られる石英ガラス微粒子を基材に堆積・成長させた多孔質石英ガラス体を透明ガラス化する温度以下の温度域で水蒸気分圧の低い雰囲気中に一定時間加熱保持した後、透明ガラス化温度に昇温加熱して透明ガラス化することにより得た石英ガラス体からなり、
　【請求項２】
　
ハロゲン含有量が１０ｐｐｍ以下、ＯＨ含有量が１００ｐｐｍ以下、重金属およびアルカリ金属の含有量の総計が１ｐｐｍ以下であって、徐冷点が１１５０℃以上である
式ＬＣＤ
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　本発明は、ポリシリコンＴＦＴ式ＬＣＤ用石英ガラス基板に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　石英ガラスは、透明なガラス材料の中では最も耐熱性が高く、また熱膨張率が極めて小さく寸法安定性に優れていること、更に化学的な耐久性に優れていることのために、近年、ポリシリコンＴＦＴ式ＬＣＤ用の基板材料として、特にビデオカメラのビューファインダー等に用いられる小型のポリシリコンＴＦＴ用として用いられている。ポリシリコンＴＦＴの製造方法は一般的には、製造温度レベルにより、（１）高温プロセス法（最高プロセス温度約１０００℃程度）、（２）中温プロセス法（最高プロセス温度約７００℃程度）、（３）低温プロセス法（最高プロセス温度約５００℃程度）の３種類に大別される。
　【０００３】
　一般的に、テレビやディスプレー等の大面積ＴＦＴの場合、製造コスト面からプロセスの低温化の方向での開発が、現在盛んに進められている。ところが一方、ビデオカメラのビューファインダー用等の小型のポリシリコンＴＦＴについては、高温プロセスを採用した場合、従来のＬＳＩ製造ラインを大幅に変更すること無く製造することができるため、ＬＳＩ製造で培われた信頼性の高いプロセス技術を有効活用でき、高歩留まりで高品質のＴＦＴを製造できるメリットが有るため、高温プロセスでの製造が主流となっている。
　【０００４】
　この場合の問題点は、基板材料であるガラスの耐熱性にあり、かかる観点から石英ガラスが用いられるのが通常である。しかしながら、石英ガラスの耐熱性も、その種類・製造方法によりかなり差異を有しており、一般的にはいわゆる溶融石英ガラスが耐熱性という観点からは最も優れており、徐冷点（ガラスの粘度が１０１３ポアズを示す温度）で１１７０〜１２２０℃程度である。
　【０００５】
　これに対し、合成石英ガラスからなる基板は、ガラス中に含まれる泡・異物等の品質面からははるかに優れているが、一方、一般に合成石英ガラスの徐冷点は１０５０〜１１２０℃程度であって溶融石英ガラスに比較し１００〜１５０℃程度低く、耐熱性がより低いので、ポリシリコンＴＦＴ製造上合成石英ガラスからなる基板には問題があった。
　【０００６】
　また、一般に石英ガラスは、ＴＦＴ製造工程等で用いられるプラズマエッチング等の真空紫外光の照射によって、２３０〜３００ｎｍの波長範囲に吸収を伴う構造欠陥を生成することが知られている。これらの構造欠陥の中には蛍光発光を伴うものがあり、これらの蛍光発光のためにカラー液晶表示素子を作成した場合には色調を損ねるといった実用上の問題を有していた。
　【０００７】
　【発明が解決しようとする課題】
　本発明の目的は、前述の問題点を解消し、ビューファインダー等に用いられるポリシリコンＴＦＴ式ＬＣＤ製造用に適した、耐熱性に優れ、蛍光発光の実質的に無いポリシリコンＴＦＴ式ＬＣＤ用石英ガラス基板を提供するにある。
　【０００８】
　【課題を解決するための手段】
　本発明は前述の課題を解決するべくなされたものであり、
ガラス形成原料を加熱加水分解して得られる石英ガラス微粒子を基材に堆積・成長させた多孔質石英ガラス体を透明ガラス化する温度以下の温度域で水蒸気分圧の低い雰囲気中に一定時間加熱保持した後、透明ガラス化温度に昇温加熱して透明ガラス化することにより得た石英ガラス体からなり、
　【０００９】
　また本発明は、
ハロゲン含有量が１０ｐｐｍ以下、ＯＨ含有量が１００ｐｐｍ以下、重金属およびアルカリ金属の含有量の総計が１ｐｐｍ以下であって、徐冷点が１１５０℃以上である
　【００１０
】
　【００１１】
　本発明において、石英ガラス基板に含有されるハロゲン量は、１０ｐｐｍ以下であり、１０ｐｐｍを超えるハロゲンが含有される場合には、耐熱性が低下する。また、ＯＨ含有量は、１００ｐｐｍ以下であり、特には５０ｐｐｍ以下であることが好ましい。１００ｐｐｍを超えるＯＨ量を含有する場合には、ハロゲンと同じく耐熱性が低下する。
　【００１２】
　重金属およびアルカリ金属の含有量については、その総和が１ｐｐｍ以下であり、１ｐｐｍを超えて含有する場合には、短波長領域での分光透過率の低下をもたらす。また、徐冷点とはガラスの粘度が１０１３ポアズを示す温度であるが、これは１１５０℃以上であり、かかる温度以上の徐冷点を有すれば、ポリシリコンＴＦＴ作成上のプロセス温度としておよそ１０００℃を採用することが可能となる。
　【００１３】
　また、光学的な均質性を得るためには、面内の屈折率の変動幅が５×１０−６以下であることが好ましい。かかる変動幅を超える場合には、光学的な均質性を確保することが困難となるため好ましくない。
　【００１４】
　また
、プ
　Ｉ／ＩＯ＝（１−Ｒ）２・ｅｘｐ（−α・ｔ）
で定義される値である。
　【００１５】
　ここに、吸光係数の増加が、０．００５ｃｍ−１以下であれば、これに伴う蛍光発光も、入射光量の１０万分の１から１００万分の１程度となり、実用上の問題を生じない。かかる範囲を逸脱する場合には、色調の変化や着色等を引き起こし好ましくない。
　【００１６】
　かかる石英ガラス基板の製造方法としては
、予
適当
　　【００１７】
　用いられるガラス形成原料としては、ガス化可能な原料であれば特に制限されるものではないが、ＳｉＣｌ４、ＳｉＨＣｌ３、ＳｉＨ２Ｃｌ２、Ｓｉ（ＣＨ３）Ｃｌ３等の塩化物、ＳｉＦ４、ＳｉＨＦ３、ＳｉＨ２Ｆ２等のフッ化物、ＳｉＢｒ４、ＳｉＨＢｒ３等の臭化物ＳｉＩ４の沃化物等のハロゲン化珪素化合物が作業性やコストの面から好ましい。多孔質石英ガラス体は、これらのガラス形成原料を通常の酸水素火炎中で加水分解し、基材上に堆積させて形成される。このようにして得られた多孔質石英ガラス体は、ついで低水蒸気分圧雰囲気下で一定時間加熱保持された後、透明ガラス化温度まで昇温されて透明ガラス化して石英ガラスとなる。
　【００１８】
　すなわち、例えば、多孔質石英ガラス体は雰囲気制御可能な電気炉内に予め装着された後、一定の昇温速度で加熱される。ついで所定の温度に到達の後、乾燥ガスを雰囲気中に導入し、多孔質石英ガラス体が接する雰囲気を置換することにより雰囲気中の水蒸気分圧を所定値以下に低減させる。その水蒸気分圧としては、０．００２ｍｍＨｇ以下であることが好ましく、これを超える場合には最終的に得られる石英ガラス中のＯＨ量を低減させることが困難なため好ましくない。
　【００１９】
　また加熱保持する温度域としては、８００〜１２５０℃の範囲内が好ましく、この温度域未満の温度では実質的な効果が得られず、またこの温度域を超える温度では多孔質石英ガラス体の表面の透明ガラス化が進行するため、多孔質石英ガラス体内部を所望の低水蒸気分圧雰囲気に置換することができず好ましくない。
　【００２０】
　また、この温度域であれば、加熱処理の方法としては、一定温度に保持してもよく、またこの温度域内を所定の時間の範囲内で昇温させながら処理してもよい。またこの温度域での保持時間は、保持温度に依存するため一概に規定することはできないが１〜３０時間程度が好ましく、これ未満の場合には、実質的な効果がなく、またこれより長時間かけた場合にもその効果は変わらないために生産効率等を考慮に入れると好ましくない。
　【００２１】
　また、乾燥ガスとしては、窒素、ヘリウム、アルゴン等を通常用いることができるが、乾燥ガスとして使用できれば必ずしもこれらのガスに限定されるものではない。ついでこのような加熱処理の後、多孔質石英ガラス体は透明ガラス化温度まで昇温されて透明ガラス化される。透明ガラス化温度としては、１３５０〜１５００℃の範囲から採用することが好ましい。更に、加熱処理と透明ガラス化処理は、それぞれ別の加熱装置で行われてもよいが、その場合には、移送時に水分が吸着したりすることを防止する等の処置を講じることが好ましい。したがって、さらに好ましい実施態様としては、加熱処理とガラス化を同一の設備で行うことが好ましい。
　【００２２】
　こうして得られた石英ガラス体を軟化点以上の温度に加熱し、所望の形状に成形加工を行い石英ガラスインゴットを製造する。成形加工の温度域は、１６５０〜１８００℃の範囲から選択することが好ましい。１６５０℃未満の温度では石英ガラスの粘度が高いため、実質的に自重変形が行われず、またＳｉＯ２の結晶相であるクリストバライトの成長がおこりいわゆる失透が生じるため好ましくなく、１８００℃を超える温度では、ＳｉＯ２の昇華が無視できなくなり好ましくない。また、石英ガラス体の自重変形を行わせる方向は、特に規定されないが多孔質石英ガラス体の成長方向と同一であることが好ましい。
　【００２３】
　こうして得られる石英ガラスインゴットは、さらに研削加工、スライス加工、研磨加工を経て、基板とされる。なお、透過率の改善のために、必要に応じてスライスした基板を水素を含む雰囲気中で熱処理してもよい。
　【００２４】
　以上のような工程を経て得られる石英ガラスは、石英ガラス中に含有されるＯＨ量が１００ｐｐｍ以下であり、該ガラス中のＯＨ量の変動幅がほとんどの領域において±５ｐｐｍ以内であって均質性に優れる石英ガラスである。
　【００２５】
　また、本発明の石英ガラスは、ガラス形成原料として高純度な合成原料が使用可能なこと、溶融工程を経ないためルツボ等からの不純物の混入がないこと等から、鉄、ニッケル等の重金属元素やナトリウム、カリウム等のアルカリ金属元素の不純物総量が１ｐｐｍ以下と極めて高純度であり、これをポリシリコンＴＦＴ製造用に供した場合、高温処理を経ても不純物がシリコン膜その他の部位に拡散してその部位を劣化させることがない。
　【００２６】
　以下、本発明の詳細についてさらに実施例により説明するが、当然のことながら本発明の内容はこれら実施例に限定されるものではない。
　【００２７】
　【実施例】
［実施例１］
　公知の方法により、ＳｉＣｌ４を酸水素火炎中で加熱加水分解させて形成した直径３５ｃｍ、長さ１００ｃｍの多孔質石英ガラス体を室温で雰囲気制御可能な電気炉内に設置した。ついで露点温度−７０℃の窒素ガスで電気炉内雰囲気を置換した後、露点温度−７０℃の窒素ガスを流しながら５００℃／ｈｒの昇温速度で１０００℃まで昇温した。
　【００２８】
　引き続き昇温速度を５０℃／ｈｒとし、１２５０℃まで昇温して、その温度で１０ｈｒ保持した。こうして得られた熱処理済みの多孔質石英ガラス体を透明ガラス化のための炉内最高温度が１４５０℃に制御された電気炉内上部に設置し、炉内を露点温度が−７０℃のヘリウムガスで置換した後、８０ｃｍ／ｈｒの速度で下降させながら最高温度域を通過させて透明ガラス化を行った。
　【００２９】
　こうして得られた透明石英ガラスを、カーボン製発熱体を有する電気炉内で、軟化点以上の１７５０℃に加熱して自重変形を行わせ、１７０ｍｍφ×４００ｍｍの円柱インゴット形状に成形した。こうして得られた石英ガラスインゴットの長手方向の中心部より、１７０ｍｍφ×５７ｍｍの石英ガラスインゴットを切り出し、形状を揃えるために円筒研削を行い、１６０ｍｍφとした後、精密干渉計（ＺｙｇｏＩＶ）により屈折率分布を評価した。
　【００３０】
　またＯＨ量およびその分布は、１７０ｍｍφ×４００ｍｍ石英ガラスインゴットより屈折率分布を評価した部分のすぐ隣の場所より、２ｍｍ厚みのガラス板を切り出し日本分光社製簡易ＦＴＩＲ装置により３７００ｃｍ−１の吸収により定量した。Ｃｌ含有量は得られた石英ガラスをアルカリ溶融したのち、イオンクロマトグラフィー法により定量した。また、徐冷点は、サンプルサイズ２．４ｍｍ×５ｍｍ×６０ｍｍのサンプルを切り出し、スパン５２ｍｍで、ビームベンディング法により測定した。結果を表１に示す。
　【００３１】
　また、上記の石英ガラスインゴットからサンプルを切り出し、１００％水素雰囲気中で１０００℃、１４時間の熱処理をした後、研磨して３０ｍｍの厚さに整えた後透過率を測定した。ついで、東京応化製ドライエッチャー（Ｓ−６００）を用い、酸素／四塩化炭素プラズマ（０．３５ｔｏｒｒ、２００Ｗ）中で５分間のプラズマエッチング処理を行い、透過率を測定した。プラズマエッチング処理前後での２３０〜３００ｎｍの範囲での透過率の減少は０．５％であり、この値から換算して吸光係数の増加は、０．００２ｃｍ−１であった。
　【００３２】
［実施例２］
　実施例１と同一の方法で作成した石英ガラスインゴットからサンプルを切りだし、水素雰囲気の水素濃度が３０％であること以外は実施例１と同様の後処理を行い、プラズマエッチング前後での透過率の変化を測定したところ、透過率の減少は１％であり、この値から換算して吸光係数の増加は０．００４ｃｍ−１であった。
　【００３３】
［比較例］
　１２５０℃での熱処理を行わないほかは、実施例１と同一の方法で作製した石英ガラスインゴットの屈折率分布、ＯＨ量およびその分布幅、Ｃｌ含有量、および徐冷点を表１に示す。
　【００３４】
　【表１】
　【００３５】
　【発明の効果】
　上述したように、本発明のポリシリコンＴＦＴ式ＬＣＤ用石英ガラス基板は、徐冷点が高く、耐熱性に優れ、かつプラズマエッチング処理前後での短波長側の吸光係数の増加が小さく、実質的に蛍光発光が無い優れた特徴を有する。また、本発明のポリシリコンＴＦＴ式ＬＣＤ用石英ガラス基板は光学的均質性にも優れた特徴を有する。