【事件の表示】
　特許第２７７７５４３号「硬質炭素被膜基板及びその形成方法」の請求項１ないし２に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結論】
　特許第２７７７５４３号の請求項１ないし２に係る特許を維持する。
【理由】
Ｉ．手続の経緯
　本件特許第２７７７５４３号は、平成６年５月３１日に特許出願されたものであって、平成１０年５月１日に特許登録がなされ、その特許公報が平成１０年７月１６日に発行されたところ、平成１１年１月１８日付で、坂本陽から２件の特許異議の申立がなされたものである。
ＩＩ．本件発明
　本件特許に係る発明は、明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１乃至７に記載されたとおりのものであって、その請求項１及び２に係る発明は、以下のとおりのものである。
　【請求項１】ＮｉまたはＡｌを主成分とする金属もしくは合金、またはステンレス鋼からなる基板と、
　前記基板上に形成されるＳｉを主成分とする中間層と、
　前記中間層上に形成される硬質炭素被膜とを備え、
　前記中間層が、組成比率が膜厚方向に傾斜した構造を有するＳｉと炭素、窒素及び酸素のうちの少なくとも１種の元素との混合層であり、該混合層において、基板に近い部分ではＳｉの含有量が多く、硬質炭素被膜に近い部分では、炭素、窒素及び酸素のうちの少なくとも１種の元素の含有量が多くなっている硬質炭素被膜基板。
　【請求項２】ＮｉまたはＡｌを主成分とする金属もしくは合金、またはステンレス鋼からなる基板と、
　前記基板上に形成されるＧｅを主成分とする中間層と、
　前記中間層上に形成される硬質炭素被膜とを備え、
　前記中間層が、組成比率が膜厚方向に傾斜した構造を有するＧｅと炭素、窒素及び酸素のうちの少なくとも１種の元素との混合層であり、該混合層において、基板に近い部分ではＧｅの含有量が多く、硬質炭素被膜に近い部分では、炭素、窒素及び酸素のうちの少なくとも１種の元素の含有量が多くなっている硬質炭素被膜基板。
ＩＩＩ．申立の理由の概要
　特許異議申立人坂本陽（以下、「申立人」という。）は、２件の特許異議申立を行っているが、該２件のうち、１件は請求項１について、他件は請求項１及び請求項２について申立てている。そして、該２件はともに、同一の証拠、即ち下記の甲第１号証乃至甲第４号証を提出し、
（１）本件の請求項１に係る発明は、甲第１号証に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号の規定に該当し、特許を受けることができない、
（２）本件の請求項１（他件では請求項１、２）に係る発明は、甲第１号証に記載された発明に、甲第２号証乃至甲第４号証に記載された発明を組み合わせれば、当業者であれば容易に発明をすることができたものであって、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない、
（３）本件明細書の記載は不備であるから、特許法第３６条に規定する要件を満たしていない、
旨の主張をしている。
　　　　　　　　　　　記
甲第１号証：特開昭６１−２１９９６２号公報
甲第２号証：米国特許第４，４１４，３１９号明細書
甲第３号証：特開昭６０−９８４３７８号公報
甲第４号証：特開平５−６５６２５号公報
ＩＶ．甲号各証に記載された発明
　そこで、上記甲号各証に記載された発明について検討する。
　甲号各証には、以下の技術事項が記載されている。
甲第１号証：
　「導電性基体上に、アモルファスシリコン系の光導電層と、アモルファスシリコン系のバッファ層と、水素を１０〜４０原子％含有する水素化アモルファス炭素（ａ−Ｃ（Ｈ））からなる表面層との少なくとも３つの層を順次積層してなることを特徴とする電子写真感光体。」（特許請求の範囲第１項）に関し、
▲１▼バッファ層が水素化アモルファス炭化シリコンまたは水素化酸素化アモルファス炭化シリコンであって（同第３項参照）、該バッファ層の炭素濃度が光導電層側から表面層側に向かって高くなること（同第４項参照）、
▲２▼バッファ層が水素化アモルファス窒化シリコンまたは水素化酸素化アモルファス室化シリコンであって（同第６項参照）、該バッファ層の窒素濃度が光導電層側から表面層側に向かって高くなること（同第７項参照）、
▲３▼バッファ層が水素化アモルファス酸化シリコン
▲４▼バッファ層が水素化アモルファス酸化炭化シリコンであること（同第１０項参照）、
▲５▼このような構成にすることにより、アモルファスシリコン系光導電層によって良好な帯電性能、光感度を発揮し、アモルファスシリコン系バッファ層によって光導電層と表面層との電気的、機械的整合をはかり、水素化アモルファス炭素からなる表面層によって耐刷性、耐湿性、耐保存性、感光体特性の安定性が確保できること（第３頁右上欄第６〜１２行）、
▲６▼本発明の感光体の一例は・・・導電性基体１１０上にブロッキング層１２１、光導電層１２２、バッファ層１２３および表面層１３０が積層された構造であること（第３頁右上欄第１６〜１９行）、
▲７▼導電性基体は円筒状、シート状いずれでも良く、材質的にはアルミニウム、ステンレスなどの金属、あるいはガラス、樹脂上に導電処理をほどこしたものでも　良いこと（第３頁右上欄末行〜左下欄第３行）、
▲８▼ブロッキング層の目的は、導電性基体からの電荷の注入を阻止することであること（第３頁左下欄第４〜５行）、
が記載され、実施例１０及び第４図には、バッファ層の膜厚方向の炭素濃度が光導電層側から表面層側に向かって高くなるような勾配を持たせたことが、また実施例１３及び第６図には、バッファ層の膜厚方向の窒素濃度が光導電層側から表面層側に向かって高くなるような勾配を持たせたことがそれぞれ記載されている。
甲第２号証：
　「光導電部材用の支持体と、水素原子又はハロゲン原子の少なくとも一方を含有し、シリコン原子を母体とするアモルファス材料で構成され、光導電性を示すアモルファス層とを有する光導電部材において、少なくともその一部が酸素原子を含有する層領域を有し、該層領域における酸素原子の含有量が該層の厚さ方向において不均一に分布している光導電部材。」（第１頁アブストラクト及び特許請求の範囲第１項参照）に関し、
▲９▼第１図は、本発明の光導電部材の典型的な構成例を模式的に示すものであって、第１図に示す光導電部材は、光導電部材用の支持体１０１の上に、必要に応じて設けられる障壁層としてのバリヤー層１０２を介してアモルファス層１０３が設けられていること（第３欄第３９〜４７行及び第１図参照）、
▲１０▼支持体１０１は、導電性でも電気絶縁性であってもよく、導電性支持体としては、ＮｉＣｒ、ステンレス、Ａｌ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｄ等の金属あるいはこれらの合金が挙げられること（第３欄６４〜６７行）、
▲１１▼バリヤー層１０２は、０，Ｎ，０のうち少なくともいずれか１種の元素を有してもよいアモルファスシリコンからなること（第４欄第６１行〜第５欄第６行参照）、
▲１２▼光導電部材１００が、第１図に示されるように自由表面１０４を持つアモルファス層１０３を有する場合、上部表面位置ｔｓの近傍における酸素含有量は、他の領域よりもはるかに大きくなるまで増加させて、自由表面１０４に付与される電荷の担持能力向上させることができ、この場合、このような層領域はいわゆるバリヤー層の一種として機能すること（第１２欄第３２〜３９行参照）、が記載されている。
甲第３号証：
　「光導電部材用の支持体と、該支持体上にゲルマニウム原子と必要に応じてシリコン原子を含む非晶質材料で構成された、層領域（Ｇ）とシリコン原子を含む非晶質材料で構成され、光導電性を示す層領域（Ｓ）とが前記支持体側より順に設けられた層構成の第一の層とシリコン原子と炭素原子とを含む非晶質材料で構成された第二の層とを有し、前記第一の層は、酸素原子を含有する層領域（Ｏ）を有し、該層領域（Ｏ）に於ける酸素原子の層厚方向の分布濃度線が、第一の層の上部端面側方向に滑らかに連続して増大している領域を有する事を特徴とする光導電部材。」（特許請求の範囲第１項）に関し、
　支持体としては、導電性でも電気絶縁性であってもよく、導電性支持体としては、例えば、ＮｉＣｒ、ステンレス、Ａｌ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｄ等の金属あるいはこれらの合金が挙げられること（第１７頁右上欄第１６〜２０行）
が記載されている。
甲第４号証：
　「基材上に硬質炭素膜とバッファ層とを交互に積層し、最外層が硬質炭素膜となることを特徴とする硬質炭素積層膜。」（特許請求の範囲の請求項１）に関し、
▲１４▼バッファ層の材料として、シリコン、ゲルマニウム、炭化けい素、窒化けい素、二酸化けい素、ガラス、アルミナから選ばれた１種類以上を用いること（同請求項２）、
▲１４▼本発明は、耐摩耗性部品や摺動部品、赤外線光学部品等に用いられる硬質炭素積層膜に関するものであること（第２頁左欄第１８〜２０行）、
▲１５▼硬質炭素膜は金属や誘電体など多くの基材に対する付着力が低く、基材と硬質炭素膜との間にＳｉ等の中間層を用いることで前記付着力の向上を図ってきたこと（第２頁左欄第３４〜３７行）
▲１６▼硬質炭素膜は製膜後の残留応力が大きく、１μｍを越える膜厚になると非常に剥離が生じ易く、たとえＳｉなどの中間層を用いても同様であり、通常０．５μｍ以下の比較的薄い膜厚のものが用いられていたこと（第２頁左欄第３７〜４１行）
▲１７▼硬質炭素膜とバッファ層とを交互に積層することで、これらの積算値で従来形成が困難であった厚い膜を形成することができ、また、硬質炭素膜は１０９〜１０１０ｄｙｎ／ｃｍ２程度の圧縮応力を有しており、これと引っ張り応力を有するバッファ層を交互に積層すれば、炭素質膜全体として内部応力のバランスが保たれるものと考えられ、剥離の発生し難い膜を形成することができること（第２頁右欄第２４〜３２行参照）が記載されている。
Ｖ．当審の判断
１．理由３について
　まず、明細書の記載が不備であるとする理由３について検討する。
　申立人は、「本件発明は基板と硬質炭素被膜の密着性に優れた硬質炭素被膜基板を提供するという目的を達成するために必須不可欠の要件以外のきわめて広い範囲を含んでいる。すなわち、本件発明は、基板と硬質炭素被膜との密着性に優れた硬質炭素被膜基板を提供するために必須の中間層は、Ｓｉを主成分とし、酸素または窒素を含有するものであり、その中でＳｉの濃度が基板側で多いものをすべて包含する。」と主張している。
　しかしながら、本件明細書の段落番号【００２９】には、中間層としてＳｉとＣが混合した中間層の形成において、時間経過とともに、Ｓｉの量を少なくし、炭素被膜形成量を多くしたことが記載され、また、同段落番号【００４３】及び【００４４】には、それぞれ、同様にして、Ｓｉと窒素が混合した中間層及びＳｉと酸素が混合した中間層を形成したことが記載されている。
　これらの記載からみて、Ｓｉを主成分とし、酸素または窒素を含有するものであり、その中でＳｉの濃度が基板側で多いものが、基板と硬質炭素被膜の密着性に優れた硬質炭素被膜基板を提供しうるものであることは明らである。
　よって、明細書の記載に不備があるとする申立人の上記主張は採用できない。
２．理由１について
　請求項１に係る発明と甲第１号証に記載された発明を対比すると、後者の「水素化されたアモルファス炭素からなる表面層」は、前者における「硬質炭素被膜」に相当するものである。
　また、後者における「バッファ層」は、水素化アモルファス炭化シリコンあるいは水素化アモルファス窒化シリコンであり、該層の炭素濃度あるいは窒素濃度が、表面層に向かって高くなることが記載されているから、後者の「バッファ層」と前者の「中間層」とは、「組成比率が膜厚方向に傾斜した構造を有するＳｉと炭素、窒素及び酸素のうちの少なくとも１種の元素との混合層であり、該混合層において、該層の下側に接する層に近い部部ではＳｉの含有量が多く、硬質炭素被膜に近い部分では、炭素、窒素及び酸素のうちの少なくとも１種の元素の含有量が多くなっている」という点では共通する。
　しかしながら、前者における「中間層」は、「ＮｉまたはＡｌを主成分とする金属もしくは合金、またはステンレス鋼からなる基板」と「硬質炭素被膜」との間に設けられ、後者における「バッファ層」は「アモルファスシリコン系光導電層」と「アモルファス炭素からなる表面層」との間に設けられるものであって、基板上に設けられるものではない。
　すなわち、甲第１号証には、「ＮｉまたはＡｌを主成分とする金属もしくは合金、またはステンレス鋼からなる基板と、前記基板上に形成されるＳｉを主成分とする中間層と、前記中間層上に形成される硬質炭素被膜とを備えた硬質炭素被膜基板」については全く記載されていない。
　よって、請求項１に係る発明が、甲第１号証に記載された発明であるとすることはできない。
３．理由２について
（１）請求項１に係る発明について
　請求項１に係る発明における「中間層」の作用は、基板と硬質炭素被膜との密着性を向上させ、硬質炭素被膜の剥離発生を低減させるものであるのに対し、甲第１号証に記載された「バッファ層」は、光導電層と表面層との電気的、機械的整合をはかるものである（上記▲５▼参照）から、その作用効果の点において、前者の「中間層」とは全く異なるものである。
　また、該号証には、導電性基体はアルミニウム、ステンレスなどの金属で良いこと（上記▲７▼参照）が記載されており、請求項１に係る発明とは、「Ａｌを主成分とする金属、またはステンレス鋼からなる基板」を用いる点では、請求項１に係る発明と一致しているが、該号証における発明では、該基板上に、好ましくは「ブロッキング層」を介して、「光導電性層」、「バッファ層」及び「表面層」をこの順に設けることが必須要件であり、該「アルミニウム、ステンレス等の金属基板」とその上に設けられる層の密着性を向上させる点については何等示唆する記載もない。
　また、甲第２号証には、導電性基体として、ステンレス、Ａｌ等の金属を用いること（上記▲１０▼参照）が記載されており、この点では一致しているが、該基体上には、必要に応じて設けられる「バリヤー層」及び「光導電性を示すアモルファスシリコン層」がこの順に設けられており、これらの層のいずれも「硬質炭素被膜」ではないから、甲第１号証に記載された発明と組み合わせる理由が存在しない。
　さらに、甲第３号証には、支持体として、ステンレス、Ａｌ等の金属を用いることが記載されており、この点では一致しているが、該支持体上には、「ゲルマニウム原子と必要に応じてシリコン原子を含む非晶質材料で構成された層領域（Ｇ）とシリコン原子を含む非晶質材料で構成され光導電性を示す層領域（Ｓ）とからなる第一の層」と、「シリコン原子と炭素原子とを含む非晶質材料で構成された第二の層」とをこの順で有するものであって、これらの層のいずれも「硬質炭素被膜」ではないから、甲第１号証に記載された発明と組み合わせる理由が存在しない。
　さらにまた、甲第４号証には、金属基板と硬質炭素被膜の密着性の向上をはかり、基板から硬質炭素被膜が剥離するのを防止することを目的とする点では、請求項１に係る発明と一致しているが、その解決手段は、「硬質炭素膜」と「シリコン、ゲルマニウム、炭化けい素、窒化けい素、二酸化けい素、ガラス、アルミナから選ばれた１種類以上からなるバッファ層」とを交互に積層し、最外層が「硬質炭素膜」となるようにしたものであり、請求項１に係る発明の解決手段とは全く異なるものである。
　したがって、請求項１に係る発明が、甲第１号証に記載された発明に、甲第２号証乃至甲第４号証に記載された発明を組み合わせることにより、容易に発明をすることができたものであるとすることはできない。
（２）請求項２に係る発明について
　本件の請求項２に係る発明は、中間層がＧｅを主成分とするものである点でのみ、請求項１に係る発明と異なるものであるが、甲第１号証及び甲第２号証には、「Ｇｅを主成分とする層」については何の記載もない。
　また、甲第３号証には、「ステンレス、Ａｌ等の金属の支持体」上に、「ゲルマニウム原子と必要に応じてシリコン原子を含む非晶質材料で構成された層領域（Ｇ）とシリコン原子を含む非晶質材料で構成され光導電性を示す層領域（Ｓ）とからなる第一の層」と、「シリコン原子と炭素原子とを含む非晶質材料で構成された第二の層」とをこの順に設けることが記載されており、該「支持体」及び該「層領域（Ｇ）」は、請求項２に係る発明における「基板」及び「中間層」に対応するものではあるが、該「層領域（Ｇ）」の上に形成される層あるいは層領域はいずれも「硬質炭素被膜」ではない。
　さらに、甲第４号証には、金属基板と硬質炭素被膜の密着性の向上をはかり、基板から硬質炭素被膜が剥離するのを防止することを目的とする点では、請求項２に係る発明と一致しているが、その解決手段は、「硬質炭素膜」と「シリコン、ゲルマニウム、炭化けい素、窒化けい素、二酸化けい素、ガラス、アルミナから選ばれた１種類以上からなるバッファ層」とを交互に積層し、最外層が「硬質炭素膜」となるようにしたものであり、請求項２に係る発明の解決手段とは全く異なるものである。
　よって、請求項２に係る発明が、甲第１号証乃至甲第４号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたとすることはできない。
ＶＩ．むすび
　以上のとおりであるから、本件の請求項１及び請求項２に係る特許は、特許異議申立の主張および提出された証拠方法によっては、取消すことはできない。
　また、他に本件の請求項１及び請求項２に係る特許を取消すべき理由を発見しない。
よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１１年８月４日（１９９９．８．４）