【事件の表示】
　特許第２９０５３２１号「ほう酸リチウム単結晶およびその製造方法」の請求項１〜３に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第２９０５３２１号の請求項１〜３に係る特許を維持する。
【理　由】
　理由
１．手続の経緯
　特許第２９０５３２１号に係る発明についての出願は、平成３年９月１８日に特許出願され、平成１１年３月２６日に特許の設定登録がなされ、その後、平成１１年１２月１４日に特許異議申立人 武内良徳（以下、「申立人」という。）により特許異議の申立てがなされたものである。　　　　　　　２．特許異議申立てについて
（１）本件発明
　特許第２９０５３２１号の請求項１〜３に係る発明（以下、「本件発明１」〜「本件発明３」という。）は、その特許請求の範囲に記載された次の事項により特定されるとおりのものである。
「【請求項１】リチウム化合物とほう酸を混合し、予め仮焼して得た水分含　有量が０．２％以下であるほう酸リチウムガラスを原料とし、これを水分　含有量が１％以下の雰囲気中で溶融した融液から単結晶を育成することを　特徴とするほう酸リチウム単結晶の製造方法。
　【請求項２】ほう酸リチウム単結晶中の水分含有量が２００ｐｐｍ以下と　される請求項１に記載したほう酸リチウム単結晶の製造方法。
　【請求項３】水分含有量が２００ｐｐｍ以下であることを特徴とする請求　項１の方法で製造したほう酸リチウム単結晶。」
（２）申立て理由の概要
　申立人は証拠として甲第１号証（「電子通信学会技術研究報告Ｖｏｌ．８４　Ｎｏ．５８」１９８４年６月２１日発行，ＵＳ８４−１３　第５７〜６４頁），甲第２号証（特開昭６３−１１６００号公報）及び甲第３号証（特開昭５８−１３０１９９号公報）を提出し、本件発明１〜３はこれらの刊行物に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないことを理由として、その特許を取り消すべき旨を主張している。
（３）甲各号証に記載された事項
甲第１号証
ア．「Ｌｉ２Ｂ４Ｏ７単結晶作成上の主な問題点は、作成結晶に気泡が混入しやすいこと、および引上げ終了直後にクラックが発生しやすいことである。…（中略）…気泡はセル成長に対応した領域に混入し、その周辺の滑らかな成長領域には気泡混入が見られない。これらの気泡混入は、成長速度が早い場合（＞１ｍｍ／ｈ）、温度勾配がゆるく結晶回転数が不適切なため固液界面においてセル成長している場合、温度変動のため結晶径が大きく変動した場合および原料の不純物特に水分濃度が大きい（＞０．２％）場合、発生しやすい。」（第５８頁左欄第８〜２２行）
イ．「従って図２に示すような気泡フリーの結晶を作成するには、成長速度を遅く、結晶回転数を適切にしてセル成長をなくし、高純度原料を用いて行う必要がある。」（第５８頁左欄第２５〜２８行）
甲第２号証
ア．「リチウムボーレイト原料の融体に攪拌を与えて脱ガス処理したのち注型して得たガラス状成型品であって、見掛比重が２．０〜２．５、水分含有量が５００ｐｐｍ以下である単結晶製造用成型原料。」（第１頁特許請求の範囲）
イ．「最近では、基板特性が優れ（略）、融点が低い（略）等の利点をもったリチウムテトラボーレイト（Ｌｉ２Ｂ４Ｏ７）基板が注目されている。」（第１頁右欄第２〜８行）
ウ．「本発明者等は、従来の引上げ装置にこだわらずに、原料ＩＶのものを１ｋｇ使用して、Ｎ２ガス吹込みによって融体に攪拌を与えた場合と、従来の真空下装置の場合とを比較試験してみたところ、その結果は下表とおりであって、予期に反し、両者間には顕著な相違を生ずることがわかった。」（第２頁右下欄第１〜７行）
エ．真空下に静置した場合よりも、Ｎ２ガスを吹込んだ場合の方が、リチウムボーレイト融体の水分含有量が少なくなること。（第２頁右下欄の表）
オ．「本発明において、水分含有量を５００ｐｐｍ以下と特定する理由は、リチウムテトラボーレイト単結晶を得る引上げ時の温度は一般に約９５０℃であり、その温度付近での融体中平衡水分濃度は、上表からわかるように、約５００ｐｐｍ程度であるから、これ以下とすることによって、水分に基因した悪影響を払拭するためである。」（第３頁左上欄第１〜７行）
カ．「本発明の成型原料は水分含有量を５００ｐｐｍ以下としたから、育成炉内での脱気処理は全く必要としないし、結晶育成時、泡が発生して種付け不能としたり、単結晶内に気泡が混入すると言ったことがなくなる。」（第３頁左下欄第１６行〜右下欄第１行）
甲第３号証
「このような液体カプセル剤に覆われた原料融液よりＧａＡｓ単結晶を回転しながら引き上げて育成するわけであるが、この育成雰囲気は、本発明において基本的に限定されない。たとえば、真空〜３気圧程度の乾燥窒素ガス雰囲気あるいは分圧比で１０％以下（好ましくは５〜１０％）の水素を含む乾燥窒素ガス雰囲気であることができる。」（第２頁左下欄第８〜１４行）
（４）対比・判断
ア．本件発明１
　上記「２．（３）甲第１号証ア，イ」に摘記した事項よりみて、甲第１号証には、「高純度原料（水分含有量０．２％以下）を用いて原料融液から気泡フリーのほう酸リチウム単結晶を製造する方法。」が記載されているといえる。
　そこで、本件発明１と甲第１号証の発明とを対比すると両者は「水分含有量が０．２％以下である原料融液からほう酸リチウム単結晶を製造する方法。」の点で一致し、次の点で相違する。
相違点１：ほう酸リチウム単結晶原料を溶融する際の雰囲気中の水分含有量　　　　を、本件発明１では１％以下とするのに対して、甲第１号証はその　　　　点に言及しない点。
相違点２：本件発明１は原料としてリチウム化合物とほう酸を混合し、予め　　　　仮焼して得たほう酸リチウムガラスを使用するのに対して、甲第１　　　　号証はどのようにして得られたほう酸リチウムガラスを使用するか　　　　について言及しないものである点。
　そこで、まず、上記相違点１について、甲第２，３号証の記載事項を検討する。
  「２．（３）甲第２号証イ」に摘記した事項よりみて、リチウムボーレイトとは、ほう酸リチウムのことであることは明らかであるから、甲第２号証には、水分含有量が５００ｐｐｍ以下であるほう酸リチウム単結晶製造用成型原料を使用して気泡混入のないほう酸リチウム単結晶を製造することが記載されているといえるが、ほう酸リチウム単結晶原料を溶融する際の雰囲気中の水分含有量を１％以下とすることは記載されていない。
　付言すると、申立人は特許異議申立書において、甲第２号証にはほう酸リチウム単結晶引上げ時に水分が単結晶の品質に悪影響を及ぼすことが記載されており、その記載に基づいて雰囲気中の水分も影響要因の一つであることは容易に推察できることである旨を主張している。しかしながら、甲第２号証においてほう酸リチウム単結晶の品質に悪影響を及ぼす要因として開示されているのは、単結晶原料中の水分含有量のみであって（「２．（３）甲第２号証ア，カ」参照）、ほう酸リチウム単結晶原料溶融時の雰囲気については単に、従来の真空下よりもＮ２ガスの吹込みを行った場合の方が良好であることが開示されているに過ぎず（「２．（３）甲第２号証ウ，エ」参照）、雰囲気中の水分含有量について何ら示唆を行うものではないから、ほう酸リチウム単結晶原料融解時の雰囲気中の水分含有量に着目して、その値を１％以下とすることは、甲第２号証の記載事項に基づいて、当業者が容易になし得たこととはいえない。
　また、甲第３号証には、真空〜３気圧程度の乾燥窒素ガス雰囲気あるいは分圧比で１０％以下（好ましくは５〜１０％）の水素を含む乾燥窒素ガス雰囲気中で液体封止引上げ法によりＧａＡｓ単結晶を製造することは記載されているが、ほう酸リチウム単結晶原料融解時の雰囲気中の水分含有量を１％以下とすることは、やはり記載されていない。
　してみれば、甲第２，３号証のいずれにも、ほう酸リチウム単結晶原料融解時の雰囲気中の水分含有量を１％以下とすることについての記載及び示唆はないから、上記相違点１に係る本件発明１の構成の点は、甲第２，３号証と甲第１号証とを併せて勘案しても当業者が容易になし得たことではない。
　したがって、本件発明１は少なくとも上記相違点１に係る構成の点により、甲第１〜３号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
イ．本件発明２，３
　本件発明２は、本件発明１に更に「ほう酸リチウム単結晶中の水分含有量が２００ｐｐｍ以下」という技術的限定を付すものであり、本件発明３は、本件発明１の製造方法によって製造されたほう酸リチウム単結晶に係るものであるから、いずれも本件発明１について上記したのと同様の理由により、甲第１〜３号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
３．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立の理由及び証拠方法によっては、本件発明１〜３に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明１〜３に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。　
【異議決定日】
平成１２年３月７日（２０００．３．７）