【事件の表示】
　特許第２６９６０９５号「窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法」の請求項１ないし２に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結論】
　訂正を認める。
　特許第２６９６０９５号の請求項１ないし２に係る特許を維持する。
【理由】
１．手続の経緯
　本件特許第２，６９６，０９５号に係る主な手続の経緯は以下のとおりである。
　特許出願　　　　平成２年１０月２７日
　特許権設定登録　平成９年９月１９日
　公報発行日　　　平成１０年１月１４日
　異議の申立て　　平成１０年７月１４日
　訂正請求　　　　平成１１年４月２７日
２．訂正の適否についての判断
（１）訂正の目的の適否等について
　▲１▼訂正事項１について
　特許請求の範囲の請求頃１における「基板上に、ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体から成るｎ層とｐ型窒化ガリウム系化合物半導体からなるｐ層とを有する発光素子の製造方法において、」を「基板上に、ｎ型窒化ガリウム化合物半導体（ＧａＮ）から成るｎ層とｐ型窒化ガリウム化合物半導体（ＧａＮ）からなるｐ層とを有する発光素子の製造方法において、」とすることは、特許請求の範囲の減縮に該当し、願書に添付した明細書に記載した事項の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
　▲２▼訂正事項２について
　特許請求の範囲の請求項１における「最上層から下層の前記ｎ層までドライエッチングして前記ｎ層を露出させた後、アルゴン（Ａｒ）ガスでその露出面を」を「最上層の前記ｐ層から下層の前記ｎ層までドライエッチングして、最上層に対する電極と前記ｎ層に対する電極とを絶縁分離する溝と、前記ｎ層の電極取出しのための孔とを形成し、アルゴン（Ａｒ）ガスでその孔の露出面を」とすることは、特許請求の範囲の減縮に該当し、願書に添付した明細書に記載した事項の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
　▲３▼訂正事項３
　特許請求の範囲の請求項２における「塩素又はフッ素を含むガス」を「ＣＣｌ２Ｆ２ガス」とすることは、特許請求の範囲の減縮に該当し、願書に添付した明細書に記載した事項の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
　▲４▼訂正事項４
　特許公報第３欄第２６行から第２８行における「基板上に、ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体から成るｎ層とｐ型窒化ガリウム系化合物半導体からなるｐ層とを有する発光素子の製造方法において、」を「基板上に、ｎ型窒化ガリウム化合物半導体（ＧａＮ）から成るｎ層とｐ型窒化ガリウム化合物半導体（ＧａＮ）からなるｐ層とを有する発光素子の製造方法において、」とすることは、請求項１の訂正にともなう訂正であり、明瞭でない記載の釈明に該当し、願書に添付した明細書に記載した事項の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
　▲５▼訂正事項５
　特許公報の第３欄第２９行から第３０行における「最上層から下層の前記ｎ層までドライエッチングして前記ｎ層を露出させた後、アルゴン（Ａｒ）ガスでその露出面を」を「最上層のｐ層から下層のｎ層までドライエッチングして、最上層に対する電極とｎ層に対する電極とを絶縁分離する溝と、前記ｎ層の電極取出しのための孔とを形成し、アルゴン（Ａｒ）ガスでその孔の露出面を」とすることは、請求項１の訂正にともなう訂正であり、明瞭でない記載の釈明に該当し、願書に添付した明細書に記載した事項の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
　▲６▼訂正事項６
　特許公報の第３欄第３４行目における、「塩素又はフッ素を含むガス」を「ＣＣｌ２Ｆ２ガス」とすることは、請求項２の訂正にともなう、課題解決手段の訂正であり、明瞭でない記載の釈明に該当し、願書に添付した明細書に記載した事項の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
　▲７▼訂正事項７
　特許公報の第３欄第４４行から第４７行における「最上層から下層のｎ層までドライエッチングしてｎ層を露出さたので、下層の電極を上層に対して電気的に絶縁分離することができた。」を「最上層のｐ層から下層のｎ層までドライエッチングして、最上層に対する電極とｎ層に対する電極とを絶縁分離する溝と、ｎ層の電極取出しのための孔とを形成したので、下層の電極を上層に対して電気的に絶縁分離することができた。」とすることは、請求頃１の訂正にともなう発明の効果の欄の訂正であり、明瞭でない記載の釈明に該当し、願書に添付した明細書に記載した事項の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
　▲８▼訂正事項８
　特許公報の第４欄第１行から第２行における「又、電極形成表面をドライエッチング後にＡｒでエッチングしたので、オーミック性が向上した。」を削除することは、明瞭でない記載の釈明に該当し、願書に添付した明細書に記載した事項の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
（２）独立特許要件の判断
　（２．１）本件発明
　訂正された特許請求の範囲の請求項１及び２に記載されている事項により特定される発明（以下「本件第１発明」及び「本件第２発明」という。）は、以下のとおりのものである。
「【請求項１】基板上に、ｎ型窒化ガリウム化合物半導体（ＧａＮ）から成るｎ層とｐ型窒化ガリウム化合物半導体（ＧａＮ）からなるｐ層とを有する発光素子の製造方法において、
　最上層の前記ｐ層から下層の前記ｎ層までドライエッチングして、最上層に対する電極と前記ｎ層に対する電極とを絶縁分離する溝と、前記ｎ層の電極取出しのための孔とを形成し、アルゴン（Ａｒ）ガスでその孔の露出面をドライエッチングし、そのエッチング面に電極を形成することを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法。
　【請求項２】前記最初のドライエッチングは、高周波電力の印加されたＣＣｌ２Ｆ２ガスで行うことを特徴とする請求項１の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法。」
　（２．２）証拠に記載された発明
　異議申立人の提示する甲第１号証（特願平１−２４７３７３号の願書に最初に添付した明細書又は図面（特開平３−１０８７７９号公報参照））には、以下の事項が記載されている。
　（ａ）基板上に、ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体からなるｎ層と
　（ｂ）ｉ型の窒化ガリウム系化合物半導体層とを有する発光素子の製造方法において、
　（ｃ）最上層から下層の前記ｎ層までドライエッチングして前記ｎ層を露出させた後、
　（ｄ）アルゴン（Ａｒ）ガスでその露出面をドライエッチングし、
　（ｅ）そのエッチング面に電極を形成することを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法。
　及び、
　（ｆ）前記最初のドライエッチングは、高周波電力の印加されたＣＣｌ２Ｆ２ガスで行うこと。
　（２．３）対比及び判断
　▲１▼本件第１発明について
　本件第１発明は、ｐｎ接合窒化ガリウム系化合物半導体において、同一面側から２つの電極を取り出すための分離溝及びｎ層電極用の孔を設ける点に一つの特徴を有するが、上記甲第１号証の先願明細書及び図面に記載された発明は、いわゆるＭＩＳ型の窒化ガリウム系化合物半導体に関するものであり、上記特徴を有していない。
　したがって、本件第１発明は、上記甲第１号証の先願明細書及び図面に記載された発明と同一であるとすることはできない。
　よって、本件第１発明は、特許出願の際独立して特許を受けることができない発明であるとすることはできない。
　▲２▼本件第２発明について
　本件第２発明は、上記第１発明を引用する発明であるから、上記▲１▼と同様に上記甲第１号証の先願明細書及び図面に記載された発明と同一であるとすることはできない。
　よって、本件第２発明は、特許出願の際独立して特許を受けることができない発明であるとすることはできない。
　（２．４）この項のむすび
　以上のとおりであるので、上記訂正請求は、平成６年法律第１１６号附則第６条第１項において、なお従前の例によるとされる改正前の特許法第１２６条第１項ないし３項の規定に適合するので、これを認める。
３．異議申立ての理由の概要
　特許異議申立人は、証拠として上記甲第１号証（特願平１−２４７３７３号の願書に最初に添付した明細書又は図面（特開平３−１０８７７９号公報参照））を提示し、本件発明は、本件特許出願の日前の他の特許出願であって、本件特許出願後に出願公開された上記特許出願の願書に最初に添付された明細書又は図面に記載された発明と同一であり、特許法第２９条の２の規定に違反してなされたものであるから、特許を取り消すべきである旨主張している。
４．証拠に記載された発明
　上記甲第１号証先願明細書及び図面には、上記（２．２）記載の発明が記載されている。
５．当審の判断
　本件第１発明及び第２発明については、上記（２．３）▲１▼及び▲２▼記載の理由により、上記甲第１号証の先願明細書及び図面に記載された発明と同一であるとすることはできない。
６．むすび
　以上のとおりであるので、本件第１発明及び第２発明に係る特許は、異議申立人の提示する証拠及び理由によっては取り消すことはできない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１１年１２月２４日（１９９９．１２．２４）
【訂正の要旨】
（１）訂正事項１
　特許第２，６９６，０９５号の明細書における特許請求の範囲請求項１において、「基板上に、ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体から成るｎ層とｐ型窒化ガリウム系化合物半導体からなるｐ層とを有する発光素子の製造方法において、」とあるところを、特許請求の範囲の減縮を目的にして、「基板上に、ｎ型窒化ガリウム化合物半導体（ＧａＮ）から成るｎ層とｐ型窒化ガリウム化合物半導体（ＧａＮ）からなるｐ層とを有する発光素子の製造方法において、」と訂正する。
（２）訂正事項２
　同じく特許請求の範囲の請求項１において、「最上層から下層の前記ｎ層までドライエッチングして前記ｎ層を露出させた後、アルゴン（Ａｒ）ガスでその露出面を」とあるところを、特許請求の範囲の減縮を目的にして、「最上層の前記ｐ層から下層の前記ｎ層までドライエッチングして、最上層に対する電極と前記ｎ層に対する電極とを絶縁分離する溝と、前記ｎ層の電極取出しのための孔とを形成し、アルゴン（Ａｒ）ガスでその孔の露出面を」と訂正する。
（３）訂正事項３
　同じく特許請求の範囲の請求項２において、「塩素又はフッ素を含むガス」とあるところを、特許請求の範囲の減縮を目的にして、「ＣＣ１２Ｆ２ガス」と訂正する。
（４）訂正事項４
　同じく特許公報第３欄第２６行から第２８行において、「基板上に、ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体から成るｎ層とｐ型窒化ガリウム系化合物半導体からなるｐ層とを有する発光素子の製造方法において、」とあるところを、明瞭でない記載の釈明を目的として、「基板上に、ｎ型窒化ガリウム化合物半導体（ＧａＮ）から成るｎ層とｐ型窒化ガリウム化合物半導体（ＧａＮ）からなるｐ層とを有する発光素子の製造方法において、」と訂正する。
（５）訂正事項５
　同じく特許公報第３欄第２９行から第３０行において、「最上層から下層の前記ｎ層までドライエッチングして前記ｎ層を露出させた後、アルゴン（Ａｒ）ガスでその露出面を」とあるところを、明瞭でない記載の釈明を目的として、「最上層のｐ層から下層のｎ層までドライエッチングして、最上層に対する電極とｎ層に対する電極とを絶縁分離する溝と、前記ｎ層の電極取出しのための孔とを形成し、アルゴン（Ａｒ）ガスでその孔の露出面を」と訂正する。
（６）訂正事項６
　同じく特許公報第３欄第４４行から第４７行において、「最上層から下層のｎ層までドライエッチングしてｎ層を露出さたので、下層の電極を上層に対して電気的に絶縁分離することができた。」とあるところを、明瞭でない記載の釈明を目的として、「最上層のｐ層から下層のｎ層までドライエッチングして、最上層に対する電極とｎ層に対する電極とを絶縁分離する溝と、ｎ層の電極取出しのための孔とを形成したので、下層の電極を上層に対して電気的に絶縁分離することができた。」と訂正する。
（７）訂正事項７
　同じく特許公報第３欄第４４行から第４７行において、「最上層から下層のｎ層までドライエッチングしてｎ層を露出さたので、下層の電極を上層に対して電気的に絶縁分離することができた。」とあるところを、明瞭でない記載の釈明を目的として、「最上層のｐ層から下層のｎ層までドライエッチングして、最上層に対する電極とｎ層に対する電極とを絶縁分離する溝と、ｎ層の電極取出しのための孔とを形成したので、下層の電極を上層に対して電気的に絶縁分離することができた。」と訂正する。
（８）訂正事項８
　同じく特許公報第４欄第１行から第２行における、「又、電極形成表面をドライエッチング後にＡｒでエッチングしたので、オーミック性が向上した。」を、明瞭でない記載の釈明を目的として、削除する。
（５４）【発明の名称】
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法
（５７）【特許請求の範囲】
　１．基板上に、ｎ型窒化ガリウ
ム化
（ＧａＮ）
ム化
（ＧａＮ）
　最上層
の前記ｐ層
、最上層に対する電極と前記ｎ層に対する電極とを絶縁分離する溝と、前記ｎ層の電極取出しのための孔とを形成し、
孔の
　２．前記最初のドライエッチングは、高周波電力の印加された
ＣＣｌ２Ｆ２ガス
【発明の詳細な説明】
　【産業上の利用分野】
　本発明は青色から紫外領域発光の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法に関する。
　【従来技術】
　従来、青色の発光ダイオードとして（ＧａＮ系の化合物半導体を用いたものが知られている。そのＧａＮ系の化合物半導体は直接遷移であることから発光効率が高いこと、光の３原色の１つである青色を発光色とすること等から注目されている。
　このような（ＧａＮ系の化合物半導体を用いた発光ダイオードは、サファイア基板上に直接又は窒化アルミニウムから成るバッファ層を介在させて、ｎ導電型の（ＧａＮ系の化合物半導体から成るｎ層を成長させ、そのｎ層の上にｐ型不純物を添加したＧａＮ系の化合物半導体から成る層を成長させた構造をとっている（特開昭６２−１１９１９６号公報、特開昭６３−１８８９７７号公報）。
　さらに、特開昭５９−２２８７７６号公報に記載されているように、ＡｌＧａＮ半導体を用いたシングルヘテロ接合又はダブルヘテロのＮ＋ＮＰ、Ｎ＋ＰＰ＋、ＰＮＮ＋、Ｐ＋ＰＮ＋構造を有する発光素子が知られている。
　【発明が解決しようとする課題】
　しかし、上記構造の発光ダイオードの発光強度は未だ十分ではなく、改良が望まれている。
　又、窒化ガリウム系化合物半導体は、ｐ型の不純物をドーピングしても、低抵抗率のｐ型導電性が得られなかった。
　本発明者らは、研究を重ねた結果、窒化ガリウム系化合物半導体において、ｐ導電型の半導体を得ることに成功した。
　この結果、発光効率の高いｐｎ接合を実現することが可能となった。
　しかしながら、同一面側から、ｐ層及びｎ層の電極を取り出す構造とする場合には、ｐ層が導電性の半導体であるため、一方の層の電極を他方の層に対して電気的に絶縁することが必要となった。
　本発明は、この問題を解決するものであり、窒化ガリウム系化合物半導体の新規なｐｎ接合と電極の取り出し構造を有した発光素子を実現することにより、動作電圧の低下と青色の発光強度を向上させることを目的としている。
　【課題を解決するための手段】
　本発明は、基板上に、ｎ型窒化ガリウ
ム化
（ＧａＮ）
ム化
（ＧａＮ）
、最上層に対する電極とｎ層に対する電極とを絶縁分離する溝と、ｎ層の電極取出しのための孔とを形成し、
孔の
　又、他の特徴は、最初のドライエッチングは、高周波電力の印加された
ＣＣｌ２Ｆ２
　尚、ｐ層のドーピング元素は、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）である。Ｍｇをドーピングした層に電子線を照射することで、低抵抗のｐ型に変化させることができる。電子線の照射条件としては、一例であるが、加速電圧１ＫＶ〜５０ＫＶ、試料電流０．１μＡ〜１ｍＡである。
　【作用及び発明の効果】
　上記のように、ｐｎ接合が実現できたので、動作電圧を低下させることができ発光効率及び発光輝度を向上させることができた。又、上記のように、最上層
のｐ層
最上層に対する電極とｎ層に対する電極とを絶縁分離する溝と、ｎ層の電極取出しのための孔とを形成し
　このような、構造をとることで、ｐｎ接合を有し、上層に両電極の形成されたバンプ接合（フェースダウン）の発光素子が実現できた。
　【実施例】
　以下、本発明を具体的な実施例に基づいて説明する。
　第１図において、発光ダイオード１０は、サファイア基板１を有しており、そのサファイア基板１に５００　ÅのＡｌＮのバッファ層２が形成されている。そのバッファ層２の上には、順に、膜厚約２．２μｍのＧａＮから成る高キャリア濃度ｎ＋層３と膜厚約１．５μｍのＧａＮから成る低キャリア濃度ｎ層４が形成されており、更に、低キャリア濃度ｎ層４の上に膜厚約０．２μｍのＧａＮから成るｐ層５が形成されている。そして、ｐ層５に接続するアルミニウムで形成された電極７と高キャリア濃度ｎ＋層３に接続するアルミニウムで形成された電極８とが形成されている。電極８と電極７とは、溝９により電気的に絶縁分離されている。
　次に、この構造の発光ダイオード１０の製造方法について説明する。
　上記発光ダイオード１０は、有機金属化合物気相成長法（以下「ＭＯＶＰＥ」と記す）による気相成長により製造された。
　用いられたガスは、ＮＨ３とキャリアガスＨ２とトリメチルガリウム（Ｇａ（ＣＨ３）３）（以下「ＴＭＧ」と記す）とトリメチルアルミニウム（Ａｌ（ＣＨ３）３）（以下「ＴＭＡ」と記す）とシラン（ＳｉＨ４）とシクロペンタジェニルマグネシウム（Ｍｇ（Ｃ５Ｈ５）２）（以下「ＣＰ２Ｍｇ」と記す）である。
　まず、有機洗浄及び熱処理により洗浄したａ面を主面とする単結晶のサファイア基板１をＭＯＶＰＥ装置の反応室に載置されたサセプタに装着する。
　次に、常圧でＨ２を流速２ｌ／分で反応室に流しながら温度１１００℃でサファイア基板１を気相エッチングした。
　次に、温度を４００℃まで低下させて、Ｈ２を２０ｌ／分、ＮＨ３を１０ｌ分、ＴＭＡを１．８×１０−５モル／分で供給してＡｌＮのバッファ層２が約５００Åの厚さに形成された。
　次に、サファイア基板１の温度を１１５０℃に保持し、Ｈ２を２０ｌ／分、ＮＨ３を１０ｌ／分、ＴＭＧを１．７×１０−４モル／分、Ｈ２で０．８６ｐｐｍまで希釈したシラン（ＳｉＨ４）を２００ｍｌ／分の割合で３０分間供給し、膜厚約２．２μｍ、キャリア濃度１．５×１０１８／ｃｍ３のＧａＮから成る高キャリア濃度ｎ＋層３を形成した。
　続いて、サファイア基板１の温度を１１５０℃に保持し、Ｈ２を２０ｌ／分、ＮＨ３を１０ｌ／分、ＴＭＧを１．７×１０−４モル／分）の割合で２０分間供給し、膜厚約１．５μｍ、キャリア濃度１×１０１５／ｃｍ３のＧａＮから成る低キャリア濃度ｎ層４を形成した。
　次に、サファイア基板１を９００℃にして、Ｈ２を２０ｌ／分、ＮＨ３を１０ｌ／分、ＴＭＧを１．７×１０−４モル／分、ＣＰ２Ｍｇを３×１０−６モル／分の割合で３分間供給して、膜厚０．２μｍのＧａＮから成る層５を形成した。この状態では、層５は絶縁体である。
　次に、反射電子線回析装置を用いて、この層５に一様に電子線を照射した。電子線の照射条件は、加速電圧１０ＫＶ、試料電流１μＡ、ビームの移動速度０．２ｍｍ／ｓｅｃ、ビーム径６０μｍφ、真空度２．１×１０−５Ｔｏｒｒである。この電子線の照射により、層５は抵抗率は１０８Ωｃｍ以上の絶縁体から抵抗率４０Ωｃｍの低抵抗のｐ導電型半導体となった。このようにして、ｐ導電型を示すｐ層５が得られる。
　このようにして、第２図に示すような多層構造のウエハが得られた。
　以下に述べられる第３図から第７図は、ウエハ上の１っの素子のみを示す断面図であり、実際は、この素子が連続的に繰り返されたウエハについて、処理が行われ、その後、各素子毎に切断される。
　第３図に示すように、ｐ層５の上に、スパッタリングによりＳｉ０２層１１を２０００Åの厚さに形成した。次に、そのＳｉ０２層１１上にフォトレジスト１２を塗布した。そして、フォトリソグラフにより、ｐ層５において、高キャリア濃度ｎ＋層３に至るように形成される孔１５に対応する電極形成部位Ａとその電極形成部をｐ層５の電極と絶縁分離する溝９を形成する部位Ｂのフォトレジストを除去した。
　次に、第４図に示すように、フォトレジスト１２によって覆われていないＳｉ０２層１１をフッ化水素酸系エッチング液で除去した。
　次に、第５図に示すように、フォトレジスト１２及びＳｉ０２層１１によって覆われていない部位のｐ層５とその下の低キャリア濃度ｎ層４と高キャリア濃度ｎ＋層３の上面一部を、真空度０．０４Ｔｏｒｒ、高周波電力０．４４Ｗ／ｃｍ２、ＣＣｌ２Ｆ２ガスを１０ｍｌ／分の割合で供給しドライエッチングした後、Ａｒでドライエッチングした。この工程で、高キャリア濃度ｎ＋層３に対する電極取出しのための孔１５と絶縁分離のための溝９が形成された。
　次に、第６図に示すように、Ｐ層５上に残っているＳｉ０２層１１をフッ化水素酸で除去した。
　次に、第７図に示すように、試料の上全面に、Ａｌ層１３を蒸着により形成した。これにより、孔１５には、高キャリア濃度ｎ＋層３に電気的に接続されたＡｌ層１３が形成される。
　そして、そのＡｌ層１３の上にフォトレジスト１４を塗布して、フォトリソグラフにより、そのフォトレジスト１４が高キャリア濃度ｎ＋層３及びｐ層５に対する電極部が残るように、所定形状にパターン形成した。
　次に、第７図に示すようにそのフォトレジスト１４をマスクとして下層のＡｌ層１３の露出部を硝酸系エッチング液でエッチングした。この時、絶縁分離のための溝９に蒸着されたＡ１層１３は、完全に除去される。次に、フォトレジスト１４をアセトンで除去し、高キャリア濃度ｎ＋層３の電極８、ｐ層５の電極７が残された。
　その後、上記の如く処理されたウエハは、各素子毎に切断され、第１図に示すｐｎ構造の窒化ガリウム系発光素子を得た。
　このようにして製造された発光ダイオード１０の発光強度を測定したところ１０ｍｃｄであった。これは、単純に低抵抗率ｐ型化の処理をしない層とキャリア濃度５×１０１７／ｃｍ３、厚さ４μｍのｎ層とを接続した従来の発光ダイオードに比べて、発光強度が１０倍に向上した。
　更に、低抵抗率ｐ型化の処理をしない層を使用したときの駆動電圧（１０ｍＡ）が１０〜１５Ｖとばらついたのが低抵抗率化されたｐ層導入により７Ｖ程度と低くなり、ばらつきも少なくなった。
　又、発光面を観察した所、発光点の数が増加していることも観察された。
　尚、比較のために、低キャリア濃度ｎ層４のキャリア濃度を各種変化させた上記試料を製造して、発光強度及び発光スペクトラムを測定した。その結果を、第８図に示す。
　尚、上記実施例で用いたマグネシウムＭｇのドーピングガスは、上述のガスの他、メチルシクロペンタジエニルマグネシウムＭｇ（Ｃ５Ｈ５）ＣＨ３を用いても良い。
　又、上記実施例では、ｎ層を高キャリア濃度ｎ＋層３と低キャリア濃度ｎ層４の二重層構造としたが、単層のｎ層で構成しても良い。
　二重層構造にすると、単層ｎ層の場合に比べて発光輝度が向上した。
　又、二重層構造の場合には、上記低キャリア濃度ｎ層４のキャリア濃度は１×１０１４〜１×１０１７／ｃｍ３で膜厚は０．５〜２μｍが望ましい。キャリア濃度が１×１０１７／ｃｍ３以上となると発光強度が低下するので望ましくなく、１×１０１４／ｃｍ３以下となると発光素子の直列抵抗が高くなりすぎ電流を流すと発熱するので望ましくない。又、膜厚が２μｍ以上となると発光素子の直列抵抗が高くなりすぎ電流を流すと発熱するので望ましくなく、膜厚が０．５μｍ以下となると発光強度が低下するので望ましくない。
　更に、高キャリア濃度ｎ＋層３のキャリア濃度は１×１０１７〜１×１０１９／ｃｍ３で膜厚は２〜１０μｍが望ましい。キャリア濃度が１×１０１９／ｃｍ３以上となると結晶性が悪化するので望ましくなく、１×１０１７／ｃｍ３以下となると発光素子の直列抵抗が高くなりすぎ電流を流すと発熱するので望ましくない。又、膜厚が１０μｍ以上となると基板が湾曲するので望ましくなく、膜厚が２μｍ以下となると発光素子の直列抵抗が高くなりすぎ電流を流すと発熱するので望ましくない。
【図面の簡単な説明】
　第１図は本発明の具体的な一実施例に係る発光ダイオードの構成を示した構成図、第２図乃至第７図は同実施例の発光ダイオードの製造工程を示した断面図、第８図は低キャリア濃度ｎ層のキャリア濃度と発光強度及び発光波長との関係を示した測定図である。
　１０…発光ダイオード
　１…サファイア基板
　２…バッファ層
　３…高キャリア濃度ｎ＋層
　４…低キャリア濃度ｎ層
　５…ｐ層
　７，８…電極
　９…溝　１５…孔