(57)【要約】  前記オプトエレクトロニクス半導体チップは、第１の端子（２１１）および第２の端子（２１２）を有する第１の半導体機能領域（２１）と、該オプトエレクトロニクス半導体チップのコンタクトを行うためのコンタクトパターン（４）とを有し、該コンタクトパターンは該第１の半導体機能領域（２１）に導電接続されている。前記コンタクトパターン部（４）は、断路可能な導体パターン部（４１，７１，４２）を有し、該導体パターン部が断路されていない場合、前記第１の半導体機能領域の第１の端子と前記第２の端子とを介して動作電流路が形成され、該導体パターン部が断路された場合には該動作電流路は遮断されるか、または、該導体パターン部（４１，７１，４２）が断路された場合、該第１の半導体機能領域（２１）の第１の端子（２１１）と該第２の端子（２１２）とを介して動作電流路が形成され、該導体パターン部（４１，７１，４２）が断路されていない場合に該導体パターン部（４１，７１，４２）が該第１の端子（２１１）と該第２の端子（２１２）とを接続して該第１の半導体機能領域（２１）を短絡させる。
2013506305.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の端子（２１１，４０１）および第２の端子（２１２，４０２）を有する第１の半導体機能領域（２１，２４）を有するオプトエレクトロニクス半導体チップであって、
前記オプトエレクトロニクス半導体チップは、該オプトエレクトロニクス半導体チップの電気的コンタクトを行うためのコンタクトパターン部（４）を有し、
前記コンタクトパターン部（４）は、前記第１の半導体機能領域（２１，２４）に導電接続されており、
前記コンタクトパターン部（４）は、断路可能な導体パターン部（４１，７１，４２；４１，８１，４４，８２，４２，４１，９１，９３，４０）を有し、
・前記導体パターン部（４０）が断路されていない場合、前記第１の半導体機能領域（２４）の第１の端子（４０１）と前記第２の端子（４０２）とを介して動作電流路が形成され、該導体パターン部（４０）が断路された場合、該動作電流路は遮断されるか、
または、
・前記導体パターン部（４１，７１，４２；４１，８１，４４，８２，４２；４１，９１，９３）が断路された場合、前記第１の半導体機能領域（２１）の第１の端子（２１１）と前記第２の端子（２１２）とを介して動作電流路が形成され、該導体パターン部（４１，７１，４２；４１，８１，４４，８２，４２；４１，９１，９３）が断路されていない場合、該導体パターン部（４１，７１，４２；４１，８１，４４，８２，４２；４１，９１，９３）は該第１の端子（２１１）と該第２の端子（２１２）とを接続して該第１の半導体機能領域（２１）を短絡させる
ように構成されていることを特徴とする、オプトエレクトロニクス半導体チップ。
【請求項２】
前記半導体機能領域（２１，２４）は、放射生成または放射受信のために設けられた活性ゾーンを含む、請求項１記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ。
【請求項３】
前記導体パターン（４１，７１，４２；４１，８１，４４，８２，４２；４１，９１，９３）は前記第１の半導体機能領域（２１）に並列接続されている、請求項１または２記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ。
【請求項４】
第３の端子（２２３）および第４の端子（２２４）を有する第２の半導体機能領域（２２）が設けられており、
前記コンタクトパターン部の接続領域（４２；９３）が、前記第２の端子（２１２）と前記第３の端子（２２３）とを接続し、
前記導体パターンは、
・前記第１の端子（２１１）と前記接続領域（４２；９３）との間に延在し、断路可能であるかまたは断路された状態に形成された第１の分岐（４１，７１；４１，８１，４４，８２；４１，９１）と、
・前記接続領域（４２）と前記第４の端子（２２４）との間に延在し、断路可能であるかまたは断路された状態に形成された第２の分岐（７２，４３；８２，４４，８３，４３；９２，４２）と
を有する、請求項１から３までのいずれか１項記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ。
【請求項５】
前記第１の分岐（４１，８１，４４，８２）と前記第２の分岐（８２，４４，８３，４３）とは、分離可能であるかまたは分離された状態に形成された同じ領域（８２）を共有する、請求項４記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ。
【請求項６】
第３の端子（２２３）および第４の端子（２２４）を有する第２の半導体機能領域（２２）が設けられており、
前記導体パターン部は、
・前記第１の端子（２２３）と前記第３の端子（２２３）との間に延在し、断路可能であるかまたは断路された状態で形成された第１の分岐（４１，９１，９３）と、
・前記第２の端子（２１２）と前記第４の分岐（２２４）との間に延在し、断路可能であるかまたは断路された状態で形成された第２の分岐（９３，９２，４２）と、
・前記第２の端子（２１２）と前記第３の端子（２２３）との間に延在し、断路可能であるかまたは断路された状態で形成された第３の分岐（９３）と
を有する、請求項１から３までのいずれか１項記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ。
【請求項７】
前記分岐（４１，９１，９３；９１，９３，４２；９３）はいずれも断路されていないか、
または、
前記第３の分岐（９３）のみが断路されているか、
または、
前記第１の分岐および／または前記第２の分岐（４１，９１，９３；９１，９３，４２）のみが断路されている、
請求項６記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ。
【請求項８】
動作可能な半導体機能領域（２０）が複数設けられており、相互に直列接続されている、請求項１から７までのいずれか１項記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ。
【請求項９】
オプトエレクトロニクス半導体チップの電気的コンタクトを行うためのコンタクトパターン部を適合するための方法であって、
前記オプトエレクトロニクス半導体チップは、
・第１の端子（２１１）および第２の端子（２１２）を有する第１の半導体機能領域（２１，２４）と、
・該オプトエレクトロニクス半導体チップの電気的コンタクトを行うためのコンタクトパターン部（４）と
を有し、
前記コンタクトパターン部（４）は前記第１の半導体機能領域（２１，２４）に導電接続されており、かつ、断路可能な導体パターン部（４１，７１，４２；４１，８１，４４，８２，４２；４１，９１，９３，４０）を有し、
前記方法は、
・前記第１の半導体機能領域（２４）の第１の端子（４０１）と前記第２の端子（４０２）とを介して規定された動作電流路を断路することにより、該動作電流路を遮断するか、
または、
・前記第１の端子（２１１）と前記第２の端子（２１２）とを接続して前記第１の半導体機能領域（２１）を短絡させる前記導体パターン部（４１，７１，４２；４１，８１，４４，８２，４２；４１，９１，９３）を断路することにより、該第１の半導体機能領域（２１）の第１の端子（２１１）と該第２の端子（２１２）とを介して動作電流路が形成されるようにする
ことを特徴とする方法。
【請求項１０】
第３の端子（２２３）および第４の端子（２２４）を有する第２の半導体機能領域（２２）が設けられており、
前記コンタクトパターン部（４）の接続領域（４２；９３）が、前記第２の端子（２１２）と前記第３の端子（２２３）とを接続し、
前記導体パターンは、
・前記第１の端子（２１１）と前記接続領域（４２；９３）とを電気的に接続する第１の分岐（４１，７１；４１，８１，４４，８２；４１，９１）と、
・前記接続領域（４２）と前記第４の端子（２２４）とを電気的に接続する第２の分岐（７２，４３；８２，４４，８３，４３；９２，４２）と
を有し、
前記第１の分岐（４１，７１；４１，８１，４４，８２；４１，９１）を断路するか、
または、
前記第２の分岐（７１，４３；８２，４４，８３，４３；９２，４２）を断路するか、
または、
前記第１の分岐および前記第２の分岐（４１，７１；４１，８１，４４，８２；４１，９１；７２，４３；８２，４４，８３，４３；９２，４２）を断路する、
請求項９記載の方法。
【請求項１１】
第３の端子（２２３）および第４の端子（２２４）を有する第２の半導体機能領域が設けられており、
前記導体パターン部は、
・前記第１の端子（２１１）と前記第３の端子（２２３）とを電気的に接続する第１の分岐（４１，９１，９３）と、
・前記第２の端子（２１２）と前記第４の端子（２２４）とを電気的に接続する第２の分岐（９１，９３，４２）と、
・前記第２の端子（２１２）と前記第３の端子（２２３）とを電気的に接続する第３の分岐（９３）と
を有し、
前記第３の分岐（９３）を断路するか、
または、
前記第１の分岐（４１，９１，９３）を断路するか、
または、
前記第２の分岐（９１，９３，４２）を断路するか、
または、
前記第１の分岐および前記第２の分岐（４１，９１，９３；９１，９３，４２）を断路する、
請求項９記載の方法。
【請求項１２】
前記半導体機能領域（２）の全順方向電圧を検出し、
前記全順方向電圧と所定の給電電圧との差が小さくなるように、前記導体パターン部（４１，４２，４３，７１，７２，８１，８２，９１，９２，９３）を断路する、
請求項９から１１までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１３】
前記導体パターン部（４１，４２，４３，７１，７２，８１，８２，９１，９２，９３）の一部（６１，６２，６３）をレーザによってアブレーションすることにより、前記断路を行う、請求項９から１２までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１４】
前記断路をリソグラフィ法によって行う、請求項９から１３までのいずれか１項記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本願は、ドイツ連邦共和国特許出願第１０２００９０４７８８９．２号の優先権を主張し、当該文献の開示内容は引用により本願に取り入れられる。
【０００２】
本発明は、半導体機能領域を有するオプトエレクトロニクス半導体チップと、オプトエレクトロニクス半導体チップの電気的コンタクトを行うためのコンタクトパターン部と、オプトエレクトロニクス半導体チップの電気的コンタクトを行うためのコンタクトパターン部を適合するための方法とに関する。
【０００３】
Ｓｉ技術分野からいわゆる「ヒューズ」が公知である。「ヒューズ」とは、電流が所期のように上昇することにより安全ヒューズのように焼き切られる導体パターン、すなわち絶縁状態になる導体パターンである。このように所期のように焼き切ることを「プログラミング」とも称する。このプログラミングにより、後で接続構成を個別に変更することができる。このようなヒューズはたとえば、たとえば発生した電流が所定値を上回った場合、回路や該回路の一部領域を非アクティブ状態にするのに使用される。ヒューズは通常、トランジスタに接続される導体路であり、プログラミング可能なヒューズによって、トランジスタの動作を適合することができる。
【０００４】
ＧＢ２３８１３８１およびＤＥ１０２００４０２５６８４から、複数の半導体機能領域を有するオプトエレクトロニクス半導体チップ用のコンタクトパターンを変化させることが公知である。不具合を有する半導体機能領域からコンタクトパターン部を分離することにより、この不具合を有する半導体機能領域を永続的に非アクティブ状態にすることができる。このことにより、個々の半導体機能領域に不具合が生じてもオプトエレクトロニクスチップが動作できるようになる。
【０００５】
オプトエレクトロニクス半導体チップに使用されるコンタクトパターンを所定の動作パラメータに、たとえば所定の給電電圧に適合できるようにすることが望まれている。
【０００６】
前記課題は、請求項１の構成を備えたオプトエレクトロニクス半導体チップならびに請求項９の特徴を備えた方法により解決される。
【０００７】
前記オプトエレクトロニクス半導体チップは、第１の端子および第２の端子を有する第１の半導体機能領域と、該オプトエレクトロニクス半導体チップの電気的コンタクトを行うためのコンタクトパターン部とを有し、該コンタクトパターン部は該第１の半導体機能領域に導電接続されている。前記コンタクトパターン部は、断路可能である導体パターン部を有し、該導体パターン部が断路されていない場合には、前記第１の半導体機能領域の第１の端子および第２の端子を通る動作電流路が形成され、該導体パターン部が断路された場合には該動作電流路が遮断されるように構成されている。上記構成の代わりに、前記導体パターン部が断路された場合には前記第１の半導体機能領域の第１の端子および第２の端子を通る動作電流路が形成され、該導体パターン部が断路されていない場合には該導体パターン部が該第１の端子と該第２の端子とを接続して該第１の半導体機能領域を短絡する構成も可能である。
【０００８】
前記導体パターン部が断路されておらず、前記第１の端子と前記第２の端子とを接続する場合、前記第１の半導体機能領域は短絡されるかまたは非アクティブ状態にされる。「短絡」とは、給電電圧が半導体チップに印加されても、半導体機能領域に電位差が発生しないこと、または半導体機能領域に電位差がほぼ発生しないことを指す。前記半導体機能領域は動作可能状態にならない。
【０００９】
前記導体パターン部を断路することにより、短絡された第１の半導体機能領域を動作可能状態に移行させることができる。前記短絡は解消される。有利には、前記半導体チップに給電電圧が印加されると、前記半導体機能領域において電圧が十分に降下して該半導体機能領域が動作できるようになり、たとえば電磁波が放出される。
【００１０】
前記半導体機能領域は、素子内のモジュール構成部品とすることができる。また、前記半導体チップが前記半導体機能領域を集積回路の一部として含むことも有利であり、該集積回路をウェハ結合体で作製することができる。前記ウェハ結合体は、前記半導体機能領域の少なくとも一部を成すために設けられた半導体積層を含み、該半導体積層は支持層上に配置されている。その後、複数の半導体機能領域が得られるように前記半導体積層をパターニングする。前記半導体機能領域は、１つまたは複数の光生成部分領域または光生成ユニットを有することができる。これらの光生成部分領域または光生成ユニットは、たとえば直列接続することができる。また、並列接続や、直列接続と並列接続との併用も可能である。
【００１１】
前記コンタクトパターン部は前記半導体機能領域との導電接続部を形成し、このコンタクトパターン部により、該半導体機能領域が動作可能状態である場合には、該半導体機能領域の動作に必要な電圧を該半導体機能領域に印加することができる。前記半導体機能領域の端子に電位が印加可能であるように構成される。前記半導体機能領域の端子を介して動作電圧を印加することにより、該半導体機能領域は動作することができる。前記端子は、前記コンタクトパターン部と前記半導体機能領域との接続が行われる、該半導体機能領域の領域とすることができる。
【００１２】
前記第１の半導体機能領域は、並列接続された導体パターン部によって短絡することができる。すなわちバイパスすることができる。前記短絡は、前記導体パターン部の断路によって解消することができる。「断路」には、導体パターン部内において絶縁ギャップを形成することにより導電接続部分を絶縁状態にすることが含まれる。
【００１３】
前記導体パターン部は複数の断路可能な領域を含み、たとえば、これらの断路可能な領域の識別を容易にし、動作に必要なコンタクトパターン部を不必要に断路するのを避けるため、これらの断路可能な領域の形状と他のコンタクトパターン部の形状とが異なるようにする。前記導体パターン部の断路可能な領域を設けることは、ヒューズ技術の一種と見なすこともでき、前記導体パターン部の断路可能な領域の設置を適合して、セグメント方式のマルチピクセルＬＥＤに適用することができる。断路可能な導体パターン部は、断路された状態とするか、または断路されていない状態にすることができる。断路可能な導体パターン部は有利には、断路されていない状態から断路された状態に１回だけ移行可能であり不可逆的であるように設けられる。
【００１４】
たとえば、コンタクトパターン部を導体パターン部の断路によって変更することにより、上述のようなオプトエレクトロニクス半導体チップを所定の給電電圧に適合することができる。
【００１５】
有利には半導体機能領域は、放射生成または放射受信を行うように設けられた活性ゾーンを含む。とりわけ可視光、紫外光および／または赤外光である電磁波を放出する上述のような半導体機能領域は、ＬＥＤチップに設けられている。ＬＥＤチップでは、発光半導体機能領域はピクセルとも称される。１つのＬＥＤチップが複数のピクセルを含むことができる。
【００１６】
複数のピクセルを有する構成体に、接続可能なピクセルを後置接続することができる。このような構成体はたとえば、複数のＬＥＤ半導体機能領域をチップレベル上にピクセル化することによって作製することができる。この構成体のピクセルは、相互に直列接続することができ、このような構成体は高電圧ＬＥＤとも称される。
【００１７】
一実施例では、導体パターン部は第１の半導体機能領域に並列接続される。前記導体パターン部が断路されない場合、前記第１の半導体機能領域は短絡されており、該導体パターン部が断路された場合、この短絡状態は解消され、第１の半導体機能領域は動作可能状態になる。
【００１８】
一実施形態では、第３の端子と第４の端子とを有する第２の半導体機能領域が設けられる。コンタクトパターン部の接続領域は前記第２の端子と前記第３の端子とを接続する。前記導体パターン部は、前記第１の端子と前記接続領域との間に延在し断路可能であるかまたは断路された状態に形成された第１の分岐と、該接続領域と前記第４の端子との間に延在し断路可能であるかまたは断路された状態に形成された第２の分岐とを含む。前記第２の端子または前記第３の端子に繋がっている分岐は、前記接続領域まで繋がる分岐も含む。というのも、この接続領域はこれらの端子に接続されているからである。
【００１９】
断路されていない分岐はたとえば、端子および／またはコンタクトパターン部の領域間の導電接続部となる。この分岐は、前記コンタクトパターン部ないしは前記導体パターン部の複数の相互に接続された導電性領域を含むことができる。断路された分岐は、前記端子および／またはコンタクトパターン部の領域間の電気伝導性を絶縁パターン部が阻害する領域を含む。
【００２０】
上述の構成では、両分岐のうち１つの断路によって半導体機能領域が接続されるだけでなく、すなわち動作可能状態にされるだけでなく、両半導体機能領域ともにこの断路によって接続可能になるように、すなわち動作可能状態にできるように構成される。このことにより、チップを適合できる手段が増加する。上述の構成体は、２以上の半導体機能領域が接続可能な半導体機能領域となるように、カスケード接続可能に構成されている。
【００２１】
一実施形態では、前記第１の分岐と前記第２の分岐とが、分離可能であるかまたは分離された状態で形成された同じ領域を共有する。このような櫛形構造により、構成が簡略化される。
【００２２】
一実施形態では、第３の端子および第４の端子を有する第２の半導体機能領域が設けられ、前記導体パターン部は、前記第１の端子と前記第３の端子との間に延在し断路可能であるかまたは断路された状態で形成された第１の分岐と、前記第２の端子と前記第４の端子との間に延在し断路可能であるかまたは断路された状態で形成された第２の分岐と、前記第２の端子と前記第３の端子との間に延在し断路可能であるかまたは断路された状態で形成された第３の分岐とを有する。この構成では、それぞれ半導体機能領域を個々に接続するか、または両半導体機能領域を接続することができる。両半導体機能領域を接続する場合には、両半導体機能領域を直列接続または並列接続することができる。これらの分岐のうちいずれも断路されない場合、両半導体機能領域は非アクティブ状態にされており、第３の分岐が断路された場合、両半導体機能領域が並列接続される。ここで、第１の分岐および第２の分岐が断路されると、両半導体機能領域は直列接続される。前記第１の分岐または前記第２の分岐のうちいずれかのみが断路された場合、両半導体機能領域のうち一方のみが接続される。
【００２３】
一実施形態では、上述の接続可能な半導体機能領域の他にさらに、前記導体パターン部の断路前にすでに動作可能状態となっている複数の直列接続された半導体機能領域も設けられている。「動作可能状態」とは、半導体チップに給電電圧が印加されたときに動作電圧が降下することを指し、該動作電圧は有利には、前記半導体機能領域の動作に十分な電圧である。
【００２４】
ここでは、オプトエレクトロニクス半導体チップの電気的コンタクトを行うためのコンタクトパターン部の適合方法を開示する。前記オプトエレクトロニクス半導体チップは、第１の端子および第２の端子を有する第１の半導体機能領域と、該オプトエレクトロニクス半導体チップの電気的コンタクトを行うためのコンタクトパターン部とを有し、該コンタクトパターン部は該第１の半導体機能領域に導電接続されており、該コンタクトパターン部は、断路可能な導体パターン部を有する。前記方法は、前記半導体機能領域の第１の端子と前記第２の端子とを介して規定される動作電流路を断路することにより、該動作電流路を遮断する。この実施形態の代わりに、前記方法は、前記第１の端子と前記第２の端子とを接続して前記半導体機能領域を短絡させている導体パターン部を断路することにより、導体パターン部が断路された場合に前記半導体機能領域の第１の端子と前記第２の端子とを介して動作電流路を規定することを含む。
【００２５】
前記方法は、第３の端子および第４の端子を有する第２の半導体機能領域も設けられた半導体チップに使用することができる。前記コンタクトパターン部の接続領域は、前記第２の端子と前記第３の端子とを接続する。前記導体パターン部は、前記第１の端子と前記接続領域とを電気的に接続する第１の分岐と、該接続領域と前記第４の端子とを電気的に接続する第２の分岐とを含む。前記第１の分岐を断路することにより、第１の半導体機能領域が接続されるように構成することができる。この実施形態の代わりに、第２の分岐を断路することにより前記第２の半導体機能領域が接続されるように構成するか、または、前記第１の分岐および前記第２の分岐を断路することにより、両半導体機能領域が直列接続されるように構成することができる。
【００２６】
前記適合方法は、第３の分岐および第４の分岐を有する第２の半導体機能領域も設けられた半導体チップ用の次のようなコンタクトパターン部、すなわち、前記第１の端子と前記第３の端子とを電気的に接続する第１の分岐と、前記第２の端子と前記第４の端子とを接続する第２の分岐と、前記第２の端子と前記第３の端子とを接続する第３の分岐とを前記導体パターン部が有するコンタクトパターン部でも使用することができる。第３の分岐が断路されると、両半導体機能領域が並列接続され、前記第１の分岐のみが断路されると、前記第１の半導体機能領域が動作可能状態にされ、前記第２の分岐のみが断路されると、前記第２の半導体機能領域が動作可能状態にされる。第１の分岐および第２の分岐のみが断路されると、両半導体機能領域が直列接続される。
【００２７】
上述の方法では、前記両半導体機能領域の全順方向電圧を検出し、該全順方向電圧と所定の給電電圧との差を低減させるように前記導体パターン部を断路することができる。半導体機能領域を所期のように接続することにより、半導体チップの順方向電圧を調整して所定の給電電圧に適合することができる。
【００２８】
前記半導体機能領域の順方向電圧には、製造時に生じるプロセスのばらつきが生じることがあるため、全順方向電圧を所定の全順方向電圧に調整するのは困難である。半導体機能領域を所期のように接続することにより、目標電圧に直接調整することができる。従来の回路構成から公知である抵抗の前置接続を行う場合、電力が熱に変換され、目標電圧の制御を行う部品の効率が低下するが、このような抵抗の前置接続は不要になり、このことによって、よりコンパクトな構成を実現することができる。
【００２９】
接続可能であるかまたは遮断可能である、接続可能なピクセルを設けることにより、高電圧ＬＥＤの順方向電圧を直接調整することができる。
【００３０】
上述の断路は、導体パターン部の一部をレーザによってアブレーションすることにより実施することができ、また、この断路をリソグラフィ法によって行うことができ、たとえば、導体パターン部を局所的にエッチング除去する直接書き込みリソグラフィ（Direktschreiblithografie）によって行うことができる。所定の最小電流強度の電流による断路は、電流量を大きく上昇させることに繋がり、ピクセルの損傷に繋がる可能性がある。その際には、通常動作時と比較して電流量を高くすることにより、断路可能な導体パターン部領域を所期のように完全に焼き切らなければならない。
【００３１】
前記断路は、ウェハ結合体の状態でウェハに直接行うことができる。別のパターニング手法を使用することもできる。
【００３２】
以下、図面を参照して実施例を説明する。この実施例の説明から、本発明の他の特徴、構成および利点を導き出すことができる。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】複数の半導体機能領域を有するオプトエレクトロニクス半導体チップ用のコンタクトパターン構成の実施例を概略的に示す。
【図２】複数の半導体機能領域を有するオプトエレクトロニクス半導体チップ用のコンタクトパターン構成の別の実施例を概略的に示す。
【図３】複数の半導体機能領域を有するオプトエレクトロニクス半導体チップ用のコンタクトパターン構成の別の実施例を概略的に示す。
【図４】複数の半導体機能領域を有するオプトエレクトロニクス半導体チップ用のコンタクトパターン構成の別の実施例を概略的に示す。
【図５】図４のコンタクトパターン部の仕上げを概略的に示す。
【００３４】
図１は、複数の半導体機能領域を有するオプトエレクトロニクス半導体チップ用のコンタクトパターン構成の実施例を概略的に示す。
【００３５】
一実施例では前記オプトエレクトロニクス半導体チップは、複数の半導体機能領域２を有する集積回路であり、該複数の半導体機能領域２は１つの支持体３上に配置されている。前記複数の半導体機能領域２は、格子状のラスタに配列されるように前記支持体３上に配置される。
【００３６】
このような半導体チップの作製時には、前記複数の半導体機能領域２を１つの支持体上において、ウェハ結合体で作製することができる。半導体積層、とりわけ活性ゾーンは、有利には III-Ｖ半導体材料をベースとし、たとえばＩｎｘＧａｙＡｌ１−ｘ−ｙＰをベースとし、ＬＥＤチップ用に作製される。
【００３７】
この実施形態の代わりに、半導体チップは、複数の半導体機能領域が支持体上に配置されて構成されたモジュール部品を含む。これら複数の半導体機能領域はオプションとして、筐体によって少なくとも部分的に包囲することができる。
【００３８】
前記複数の半導体機能領域２は、電磁波を放出する活性層を有する。この活性層は有利には、紫外光領域および／または可視光領域および／または赤外光領域にある光を放出する活性層である。前記複数の半導体機能領域２は、ＬＥＤないしはピクセルとして機能する。
【００３９】
前記オプトエレクトロニクス半導体チップ１の電気的コンタクトを行うためにコンタクトパターン部４が設けられている。前記コンタクトパターン部は、半導体チップのための給電電圧が印加される第１のコンタクト５１と第２のコンタクト５２とを有し、この給電電圧は、半導体チップの動作時に前記複数の半導体機能領域２に供給される。
【００４０】
前記半導体機能領域２は、動作可能状態の半導体機能領域２０のグループと、第１の接続可能な半導体機能領域２１と、第２の接続可能な半導体機能領域２２とを有する。両コンタクト５１，５２に給電電圧が印加されると、前記動作可能状態の半導体機能領域２０において電圧が降下し、有利には、該動作可能状態の半導体機能領域２０の動作に十分な電圧が降下し、この電圧降下によって、該動作可能状態の半導体機能領域２０から光が放出される。コンタクトパターン部４に何らかの変化が施される前の初期状態では、両コンタクト５１，５２に電圧が印加されたときに前記接続可能な半導体機能領域２１，２２において電圧降下が生じることがない。この初期状態では、接続可能な半導体機能領域２１，２２は短絡されているため、電磁波を放出しない。
【００４１】
前記コンタクトパターン部４は、動作可能状態の半導体機能領域２０と、接続可能な半導体機能領域２１，２２，２３と、前記第１のコンタクト５１および前記第２のコンタクト５２とに導電接続されている。このコンタクトパターン部４は半導体チップの電気的コンタクトを行うために使用され、この電気的コンタクトによって前記半導体機能領域に電圧が供給される。一実施例では、前記コンタクトパターン部４は金属導体路を含む。一実施例では、前記コンタクトパターン部は導電層を有し、該導電層は、１つの集積回路の複数の異なる平面に設けることができる。
【００４２】
前記複数の動作可能状態の半導体機能領域２０は、前記コンタクトパターン部の接続領域４０によって相互に直列接続されている。この実施例では前記接続領域４０は、前記動作可能状態の半導体機能領域２０間のギャップにメアンダ状に延在する。前記動作可能状態の半導体機能領域２０には、前記第１の接続可能な半導体機能領域２１および前記第２の接続可能な半導体領域２２が直列接続されている。前記第１の接続可能な半導体機能領域２１は、第１の端子２１１と第２の端子２１２とを有する。第２の接続可能な半導体機能領域２２には、第３の端子２２３および第４の端子２２４が設けられている。この実施例では、前記コンタクトパターン部の第１の領域４１が、相互に直列接続された前記複数の動作可能状態の半導体機能領域２０と、前記第１の接続可能な半導体機能領域２１の第１の端子２１１とを接続する。前記コンタクトパターン部の第２の領域４２が、前記第１の接続可能な半導体機能領域２１の第２の端子２１２と、前記第２の接続可能な半導体機能領域２２の第３の端子２２３とを接続する。前記コンタクトパターン部の第３の領域４３は、前記第２の接続可能な半導体機能領域２２の第４の端子２２４と前記第２のコンタクト５２とを接続する。
【００４３】
前記コンタクトパターン部４はさらに、初期状態では前記第１の接続可能な半導体機能領域２１および前記第２の接続可能な半導体機能領域２２を短絡させる導体パターン部も含む。第１のアーム部７１が前記コンタクトパターン部の第１の領域４１と第２の領域４２とを接続し、この接続により、前記第１の接続可能な半導体機能領域の第１の端子２２１と第２の端子２１２とが第１の分岐を介して、すなわち該第１の領域４１と該第１のアーム部７１と該第２の領域４２とを介して導電接続される。第２のアーム部７２が前記コンタクトパターン部の第２の領域４２と第３の領域４３とを接続し、この接続により、前記第２の接続可能な半導体機能領域２２の第３の端子２２３と第４の端子２２４とが第２の分岐を介して、すなわち、該第２の領域４２と該第２のアーム部７１と該第３の領域４３とを介して導電接続される。
【００４４】
前記第１の分岐と第２の分岐とによって、前記第１の接続可能な半導体機能領域２１および前記第２の接続可能な半導体機能領域２２が短絡される。すなわち、両接続可能な半導体機能領域２１，２２は等しい電位にあるか、またはほぼ等しい電位にある。前記コンタクト５１，５２に給電電圧が印加されたとき、前記接続可能な半導体機能領域２１，２２において電圧降下が生じることはないか、または電圧降下はほとんど生じず、これらの接続可能な半導体機能領域２１，２２は電磁波を放出しない。
【００４５】
前記アーム部７１，７２は断路可能である。こうするためには通常、これらのアーム部に容易にアクセスできるように構成されており、たとえば、これらのアーム部は上方の層に配置されている。一実施例では、前記アーム部７１，７２は導体路である。一実施例では前記アーム部は、パターニングされた半導体層領域である。「断路可能」とはたとえば、導体パターン部の一部を除去することにより絶縁パターン部が形成されることを意味する。この絶縁パターン部は、導体パターン部中の絶縁ギャップとすることができる。前記第１のアーム部７１の遮断により、第１の接続可能な半導体機能領域２１の短絡状態が解消される。前記第２のアーム部７１の遮断により、第２の接続可能な半導体機能領域２１の短絡状態が解消され、相応の半導体機能領域２１，２２が動作可能状態に移行し、給電電圧が印加されると該接続可能な半導体機能領域は光を放出する。符号６１，６２は、分岐の断路可能な場所を示す。
【００４６】
半導体機能領域２０，２１，２２を動作させるためには、順方向電圧が必要である。半導体機能領域２０の直列接続体を動作させるための全順方向電圧は、個々の順方向電圧の和として求められるか、ないしは、すべての半導体機能領域の順方向電圧が等しいと仮定して、該半導体動作領域２０の数と順方向電圧との積として求められる。この全順方向電圧は、それぞれＬＥＤまたはピクセルとして機能する半導体機能領域の数に応じて、たとえば１２Ｖ，２４Ｖまたは２３０Ｖになる。したがって、このようなＬＥＤを高電圧ＬＥＤとも称する。
【００４７】
半導体チップに印加される給電電圧は有利には前記全順方向電圧に一致するか、または該全順方向電圧に整合される。製造時の製造ばらつきに起因して、前記半導体機能領域の順方向電圧にばらつきが生じることがあり、この順方向電圧のばらつきにより、全順方向電圧が、前記半導体チップを動作させるための所定の電圧から偏差する。製造ばらつきに起因して、半導体機能領域の順方向電圧を正確に調整することが困難になる。最後の仕上げ工程において後で適合を行うことにより、この全順方向電圧を変化させることができ、このことにより、接続可能または遮断可能である付加的なピクセルを追加し、高電圧ＬＥＤに流れる順方向電圧を直接かつ正確に調整できるようになる。
【００４８】
前記第１のアーム部７１および前記第２のアーム部７２の断路により、たとえば最後の仕上げ工程において、前記全順方向電圧を所定の給電電圧に適合することができる。前記第１のアーム部７１および前記第２のアーム部７２の断路により、前記全順方向電圧を、前記第１の半導体機能領域２１および前記第２の半導体機能領域２２の順方向電圧の分だけ上昇させることができる。一実施例では、前記第１の半導体機能領域２１の順方向電圧と前記第２の半導体機能領域２２の順方向電圧とは異なる。一実施例では、前記第１の半導体機能領域２１の順方向電圧と前記第２の半導体機能領域２２の順方向電圧との差はないか、または実質的に存在しない。
【００４９】
初期状態では、全順方向電圧は動作可能状態の半導体機能領域２０にのみ依存するが、第１の分岐の断路時には該全順方向電圧は、第１の接続可能な半導体機能領域２１の順方向電圧の分だけ上昇する。第２の分岐の断路時には、前記全順方向電圧は前記第２の接続可能な半導体機能領域２２の順方向電圧の分だけ上昇する。前記第１の分岐と前記第２の分岐とが断路された場合、前記全順方向電圧は、前記第１の接続可能な半導体機能領域２１の順方向電圧と前記第２の接続可能な半導体機能領域２２の順方向電圧との分だけ上昇する。
【００５０】
上述の実施例では、前記半導体チップの全順方向電圧を適合するために２つの接続可能な半導体機能領域２１，２２が設けられる。これらの接続可能な半導体機能領域がアクティブ状態にされない場合、非アクティブ状態のこれらの接続可能な半導体機能領域は使用されないまま損失となる。
【００５１】
この実施例の代わりに、前記半導体チップの輝度を適合するために、前記接続可能な半導体機能領域を使用することができる。前記接続可能な半導体機能領域をアクティブ状態にすることにより、放射を放出する半導体機能領域の数が増加し、この増加によって輝度制御を行うことができる。
【００５２】
前記コンタクトパターン部の適合は、半導体チップの製造時に最後の仕上げ工程として行うことができる。また、ウェハ結合体に含まれるチップを分離する前に、オンウェハ手法として前記適合を行うこともできる。
【００５３】
図２に、複数の半導体機能領域を有するオプトエレクトロニクス半導体チップ用のコンタクトパターン構成の別の実施例を概略的に示す。符号が同じである場合には、同一の特徴を表すか、または、同じ機能ないしは同様の機能を有する特徴を表す。
【００５４】
前記オプトエレクトロニクス半導体チップは、複数の半導体機能領域２を有する集積回路を含み、該複数の半導体機能領域２は１つの支持体３上に配置されている。前記半導体機能領域２は格子状のラスタに配列されて前記支持体３上に配置されている。前記半導体機能領域２は、相互に直列接続された複数の動作可能状態の半導体機能領域２０を含む。
【００５５】
さらに、接続可能な半導体機能領域２１，２２，２３も設けられている。前記第１の接続可能な半導体機能領域２１は、第１の端子２１１と第２の端子２１２とを有する。前記第２の接続可能な半導体機能領域２２は第３の端子２２３および第４の端子２２４を有する。前記第３の接続可能な半導体機能領域２３は第５の端子２３５および第６の端子２３６を有する。
【００５６】
前記コンタクトパターン部の第１の領域４１が、相互に直列接続された前記複数の動作可能状態の半導体機能領域２０と、前記第１の接続可能な半導体機能領域２１の第１の端子２１１とを接続する。前記コンタクトパターン部の第２の領域４２は前記第１の半導体機能領域２１の第２の端子２１２と前記第２の半導体機能領域２２の第３の端子２２３とに導電接続されている。前記コンタクトパターン部の第３の領域４３は前記第２の半導体機能領域２２の第４の端子２２４と前記第３の半導体機能領域２３の第５の端子２３５とに導電接続されている。前記コンタクトパターン部の第４の領域４４は前記第３の半導体機能領域２３の第６の端子２３６に導電接続されている。前記コンタクトパターン部の第４の領域４４は前記接続可能な半導体機能領域２１，２２，２３の隣に延在し、前記第２のコンタクト５２に導電接続されている。
【００５７】
導体パターン部は、前記コンタクトパターン部の第４の領域４４と該コンタクトパターン部の第１の領域４１とを接続する第１のアーム部８１を含む。第２のアーム８２は、前記コンタクトパターン部の第４の領域４４と第２の領域４２とを接続する。第３のアーム８３は前記コンタクトパターン部の第４の領域４４と該コンタクトパターン部の第３の領域４３とを接続する。前記接続可能な半導体機能領域２１，２２，２３の隣に延在する、前記コンタクトパターン部の第４の領域、および前記アーム部８１，８２，８３は、櫛状パターンを有する。
【００５８】
前記第１の接続可能な半導体機能領域２１は、前記第１の端子２１１から前記第１の領域４１と前記第１のアーム部８１と前記第４の領域４４と前記第２のアーム部８２と前記第２の領域４２とを通って前記第２の端子２１２まで延在する分岐によって短絡されている。前記第２の接続可能な半導体機能領域２２は、前記第３の端子２２３から前記第２の領域４２と前記第２のアーム部８２と前記第４の領域４４と前記第３のアーム部と前記第３の領域４３とを通って前記第４の端子２２４まで延在する分岐によって短絡されている。前記第３の接続可能な半導体機能領域２３は、前記第５の端子２３５から前記第３の領域４３と前記第３のアーム部８３と前記第４の領域４４とを通って前記第６の端子２３６まで延在する分岐によって短絡されている。
【００５９】
前記コンタクト５１，５２に給電電圧が印加されると、前記動作可能な半導体機能領域２０において電圧が降下する。前記接続可能な半導体機能領域２１，２２，２３は短絡され、該接続可能な半導体機能領域２１，２２，２３において電圧降下は生じないか、または電圧降下はほとんど生じない。
【００６０】
導体パターン部の断路前には、全順方向電圧は、相互に直列接続された前記複数の動作可能状態の半導体機能領域２０にのみ依存する。前記アーム部８１，８２，８３の断路により、たとえば最後の仕上げ工程において、前記全順方向電圧を所定の給電電圧に適合することができる。
【００６１】
前記第１のアーム８１が断路されて短絡状態が解消されると、前記第１の接続可能な半導体機能領域２１はアクティブ状態になる。このことにより、前記コンタクトパターン部の第４の領域４４と前記第１の領域４１とが電気的に分離される。図１に、前記第１のアーム部８１を断路することができる箇所である断路箇所６１を示している。適切な断路箇所が、前記第１の端子２１１と前記第２の端子２１２および前記コンタクトパターン部の第４の領域４４とを電気的に分離し、前記給電電圧が印加されると、前記第１の半導体機能領域２１において電圧が降下する。
【００６２】
上述の断路は、前記コンタクトパターン部の一部をレーザによってアブレーションすることにより実施することができる。その代わりに、前記断路をリソグラフィ法によって行うこともできる。遮断すべき領域をくり抜いたマスクを設けた後、導体パターン部の切欠領域を除去することにより、前記アーム部８１を断路することもできる。
【００６３】
前記第２のアーム部８２も断路され、前記第２の半導体機能領域２２の短絡状態が解消された場合、前記第１の半導体機能領域２１の他にもさらに第２の半導体機能領域２２をアクティブ状態にすることができる。こうするためには、前記コンタクトパターン部の第２の領域４２と第４の領域４４とを電気的に分離する。図２には、断路箇所６２の一例が示されている。適切な断路箇所が、前記第３の端子２２３と前記第４の端子２２４および前記コンタクトパターン部の第４の領域４４とを電気的に分離し、前記給電電圧が印加されると、前記第２の半導体機能領域２２においても電圧が降下する。
【００６４】
前記第３のアーム部８３も断路され、前記第３の半導体機能領域２３の短絡状態が解消された場合、前記第１の半導体機能領域２１および前記第２の半導体機能領域２２の他にもさらに、第３の半導体機能領域２３をアクティブ状態にすることができる。こうするためには、前記コンタクトパターン部の第４の領域４４と第３の領域４３とを電気的に分離する。図１には、断路箇所６３の一例が示されている。
【００６５】
図２には一例として、すでに動作可能状態にある半導体機能領域２０に最大３つの半導体機能領域が接続可能である構成を示している。この回路構成には、さらに他の接続可能な半導体機能領域をカスケード接続することができる。
【００６６】
前記アーム部８１，８２，８３の断路により、前記半導体チップを所定の給電電圧に適合することができる。前記半導体機能領域の全順方向電圧を検出し、該全順方向電圧と所定の給電電圧との差が小さくなるように前記コンタクトパターン部を断路する。前記全順方向電圧が前記給電電圧より低く、該全順方向電圧と該給電電圧との差がほぼ、１つの半導体機能領域の順方向電圧分である場合、コンタクトパターン部を断路することにより、１つの接続可能な半導体機能領域をアクティブ状態にする。前記全順方向電圧が前記給電電圧より低く、該全順方向電圧と該給電電圧との差がほぼ、１つの半導体機能領域の順方向電圧の倍数である場合、コンタクトパターン部を断路することにより、この倍数に相当する数の接続可能な半導体機能領域をアクティブ状態にする。
【００６７】
図３に、複数の半導体機能領域を有するオプトエレクトロニクス半導体チップ用のコンタクトパターン構成の別の実施例を概略的に示す。
【００６８】
前記半導体機能領域２は格子状のラスタに配列されて前記支持体３上に配置されている。前記半導体機能領域は、相互に直列接続された複数の動作可能状態の半導体機能領域２０を含む。これに、第１の接続可能な半導体機能領域２１および第２の接続可能な半導体機能領域２２を含む構成体が後置接続されている。前記第１の接続可能な半導体機能領域２１は、第１の端子２１１と第２の端子２１２とを有する。前記第２の接続可能な半導体機能領域２２は第３の端子２２３および第４の端子２２４を有する。
【００６９】
前記コンタクトパターン部の第１の領域４１は、前記動作可能状態の半導体機能領域２０と前記第１の接続可能な半導体機能領域２１の第１の端子２１１とを接続する。前記コンタクトパターン部の第２の領域４２は、前記第２のコンタクト５２と、前記第２の接続可能な半導体機能領域２２の第４の端子２２４とを接続する。上述の断路可能な導体パターン部は、第１のアーム部９１と第２のアーム部９２と第３のアーム部９３とを含む。第１の半導体機能領域２１の第２の端子２１２は第３のアーム部９３を介して第２の半導体機能領域２２の第３の端子２２３に接続されている。第１のアーム部９１は前記コンタクトパターン部の第１の領域４１と第３のアーム部９３とを接続する。この接続により、前記第１の端子２１１から前記第１の領域４１と前記第１のアーム部９１と前記第３のアーム部９３とを通って前記第２の端子２１２まで、第１の短絡分岐が延在する。第２のアーム部９２は、前記第３のアーム部９３と前記第２の領域４２とを接続する。この接続により、前記第３の端子２２３から前記第３のアーム部９３と前記第２のアーム部９２と前記第２の領域４２とを通って前記第４の端子２２４まで、第２の分岐が延在する。前記第１の分岐は前記第１の半導体機能領域２１を短絡し、前記第２の分岐は前記第２の半導体機能領域２２を短絡する。
【００７０】
上述の構成では、前記分岐の断路により、前記第１の接続可能な半導体機能領域２１または前記第２の接続可能な半導体機能領域２２がアクティブ状態にされる。この構成の代わりに、両接続可能な半導体機能領域２１，２２をともにアクティブ状態にすることができ、このアクティブ状態化により、両接続可能な半導体機能領域２１，２２が相互に直列接続されるかまたは並列接続されるように構成することもできる。
【００７１】
第１のアーム部９１のみを断路した場合、前記第１の接続可能な半導体機能領域２１は短絡状態でなくなり、第２の半導体機能領域２２は短絡状態のままである。第２のアーム部９２のみを断路した場合、前記第２の接続可能な半導体機能領域２２は短絡状態でなくなり、第１の半導体機能領域２１は短絡状態のままである。
【００７２】
前記第２のアーム部９２および前記第３のアーム部９３の断路により、両接続可能な半導体機能領域２１，２２がアクティブ状態になり、相互に直列接続される。というのも、電流は前記第３のアーム部９３を通って、前記第１の半導体機能領域２１から前記第２の半導体機能領域２２へ流れるからである。
【００７３】
前記第２の端子９２と前記第３の端子９３との間の第３のアーム部９３の断路により、第１の半導体機能領域２１と第２の半導体機能領域２２とが並列接続される。前記第１の分岐によって、前記第１の半導体機能領域の第１の端子２１１と前記第２の半導体機能領域２２の第３の端子２２３とは同電位にされる。前記第２の分岐によって、前記第１の半導体機能領域の第２の端子２１２と前記第２の半導体機能領域２２の第４の端子２２４とは同電位にされる。給電電圧が印加されると、両半導体機能領域２１，２２に電圧が印加され、電磁波を放出する。断路箇所の例を符号６１，６２，６３によって表す。
【００７４】
初期状態では、チップ１のアーム部９１，９２，９３のいずれも断路されておらず、全順方向電圧は前記複数の動作可能状態の半導体機能領域２０の順方向電圧にのみ依存する。というのも、前記接続可能な半導体機能領域２１，２２は短絡されているからである。
【００７５】
前記第１の接続可能な半導体機能領域２１をアクティブ状態にするためには、第１のアーム部９１をたとえば場所６１において断路する。このことにより、前記第１の接続可能な半導体機能領域２２は短絡状態でなくなり、動作可能状態になる。全順方向電圧は、前記第１の接続可能な半導体機能領域２１の順方向電圧の分だけ上昇する。その代わりに、前記第２のアーム部９２をたとえば場所６２において断路することにより、前記第２の接続可能な半導体機能領域２２のみを動作可能状態にすることも可能である。全順方向電圧は、前記第２の接続可能な半導体機能領域２２の順方向電圧の分だけ上昇する。
【００７６】
両接続可能な半導体機能領域２１，２２をともに動作可能状態にするためには、第１のアーム部９１と第２のアーム部９２とを断路する。前記全順方向電圧は、接続された前記接続可能な半導体機能領域の順方向電圧の分だけ上昇する。
【００７７】
その代わりに、前記第３のアーム部９３のみを断路することにより、両半導体機能領域をアクティブ状態にし、かつ相互に並列接続することもできる。前記第１の半導体機能領域２１と前記第２の半導体機能領域２２との並列接続体において降下した順方向電圧は、両半導体機能領域を直列接続した場合の順方向電圧より低く、全順方向電圧は、この並列接続体において降下した順方向電圧の分のみ上昇する。
【００７８】
前記２つの接続可能な半導体機能領域２１，２２を直列接続するか並列接続するかの選択により、半導体機能領域２１，２２のうちいずれかの電磁波放出を犠牲にすることなく、順方向電圧は可変になる。このことにより、活性面の損失が出ることなく、部品全体の順方向電圧を調整することができる。このようにして、ピクセル効率を改善することにより、より低い電流密度で、相互に並列接続された両半導体機能領域２１，２２からの光が、前出の実施例の他のピクセルの光より明るくなる。
【００７９】
さらに、相互に直列接続されたマルチピクセルＬＥＤの場合、大面積でありひいては高出力のＬＥＤの光取り出し効率を改善するために、上述の適合を使用することもできる。ＬＥＤチップ上に多数のピクセルが設けられており、これらのピクセルのうち１つに不具合が存在する場合、たとえば短絡が生じた場合、このピクセルは発光せず、また全順方向電圧に寄与することもない。上述の適合により、予備のピクセルを接続し、欠落したピクセルの光束および電圧配分を該予備のピクセルが受け持つことができる。このことによって初めて、２ｍｍ２を上回る大面積のＬＥＤチップを最大限の製造歩留まりで、かつ厳しい仕様で作製することができる。
【００８０】
上述の構成は、以下で説明する並列接続された半導体機能領域と組み合わせることが可能であることに留意されたい。
【００８１】
図４に、格子で配列されて配置された複数の半導体機能領域２０を有する構成体を示す。前記構成体の半導体機能領域２０はそれぞれ、第１の端子２０１と第２の端子２０２とを有する。この実施例では、前記半導体機能領域２４のうち１つが所定の特性量を遵守していないか、または機能不全になったために、該１つの半導体機能領域２４に不具合が生じていることが示されている。
【００８２】
コンタクトパターン部４はコンタクト５１，５２を有し、前記半導体機能領域２０間に延在するライン状の細長い領域４０を有する。半導体機能領域２０の各ラインの上方にはそれぞれ、コンタクト５１，５２のうち１つに接続された、たとえば導体路等である細長い領域４０が延在しており、各ラインの下方にはそれぞれ、他方のコンタクト５１，５２に接続された細長い領域４０が延在している。前記半導体機能領域２０の第１の端子２０１は前記第１のアーム部４０１を介して、前記第２のコンタクト５２に接続された前記ライン状の領域４０に接続されている。前記第２の端子２０２は第２のアーム部４０２を介して、前記第１のコンタクト５１に接続された前記ライン状の領域４０に接続されており、この接続によって、前記半導体機能領域２０は相互に並列接続されている。
【００８３】
しかし、幾つかの端子と、隣接するライン状の領域４０との間に導電接続部が存在しないことにより、たとえば、不具合であると識別された半導体機能領域２４は所期のように導体路から分離され、永続的に非アクティブ状態になるように構成されている。この不具合が生じた半導体機能領域２４では、該半導体機能領域２４の第１の端子２４１および第２の端子２４２と、前記コンタクトパターン部のそれぞれ隣接するライン状の領域４０との間に、導電接続部が存在しない。よって、個別のピクセル２４が所期のように非アクティブ状態になったにもかかわらず、該ピクセル２４の端子２４１，２４２と前記コンタクトパターン部４の他の領域との間に絶縁パターン部が存在することにより、チップは動作可能である。
【００８４】
不具合が生じていると識別されたピクセル２４を所期のように遮断することにより、多数の半導体機能領域を有する大面積のチップを製造することができる。不具合が生じていると識別された半導体機能領域２４は、最後の幾つかの製造工程のうちの一工程において非アクティブ状態にすることができる。この遮断は、作製プロセスの後に、すなわち、設けられたコンタクトブリッジの断路によって行うことができ、また、仕上げプロセス中に、たとえばコンタクト点を所期のように絶縁することによって前記遮断を行うこともできる。
【００８５】
たとえば、前記チップを自己補正型にすることができる。あるピクセルにおいて短絡が生じた場合、この短絡によって生じた高電流により、該ピクセルとの電気的接続が遮断される。この作用は安全ヒューズと同様である。
【００８６】
図５Ａ〜５Ｃは、仕上げ時に所期のように行われる半導体機能領域の遮断を示す。まず、半導体機能領域の作製後、該半導体機能領域に不具合があるか否かを検出する。この検出はたとえば、光学検査によって行うか、または、探触子によって電圧を印加することにより行うことができる。未だコンタクトパターン部が設けられていない場合、上述の検出ステップはウェハ結合体で行うことができる。その代わりに、前記コンタクトパターン部の一部のみが設けられたときに、前記検出ステップを行うこともできる。
【００８７】
図５Ａに、上述の検出ステップを行う中間製品を示す。前記中間製品は、半導体機能領域２０，２４と、前記コンタクトパターン部の一部とを含む。前記半導体機能領域２０の端子２０１，２０２をコンタクトさせるアーム部４０１，４０２と、前記第１のコンタクト５１と前記第２の端子２０２における前記アーム部４０２とに接続されるライン状の領域４０が、すでに設けられている。
【００８８】
次に、絶縁材料６５を、不具合が生じていると識別された半導体機能領域２４の第１のアーム部４０１上に設ける。図５Ｂにこのステップを示す。また、複数の半導体機能領域を、不具合が生じていると識別することもできる。
【００８９】
その後、前記第１のアーム部４０１を接続し前記第２のコンタクト５２に接続される前記ライン状の領域４０を設ける。前記絶縁材料６５が設けられたアーム部では、半導体機能領域２４の第１の端子２４１と前記コンタクトパターン部のライン状の領域４０とは導電接続されず、該半導体機能領域２４は動作可能状態ではない。前記ピクセル２４を所期のように遮断することにより、他のピクセルの動作に及ぼされる影響が大幅になくなり、このことによって製造歩留まりを高くすることができる。また、不具合が生じた前記半導体機能領域２４の第２のアーム部と前記ライン状の領域４０との間に絶縁材料６５を設けることもできる。
【００９０】
不具合が生じていると識別された半導体機能領域を上述のように所期のように遮断することは、１つの回路構成において、接続可能な半導体機能領域の設置と組み合わせて実施することができる。
【００９１】
１つの回路構成に、接続されたかまたは接続可能である半導体機能領域と、遮断可能であるかまたは遮断された半導体機能領域とを設けることができる。
【００９２】
前記実施例の特徴を組み合わせることができることに留意されたい。
【００９３】
なお、本発明は実施例に基づいたこれまでの説明によって限定されるものではない。むしろ、本発明はあらゆる新規の特徴ならびにそれらの特徴のあらゆる組み合わせを含むものであり、これには殊に特許請求の範囲に記載した特徴のあらゆる組み合わせが含まれる。このことはこのような特徴またはこのような組み合わせ自体が特許請求の範囲あるいは実施例に明示的には記載されていない場合であっても当てはまる。
【図１】
2013506305.tif 000003
【図２】
2013506305.tif 000004
【図３】
2013506305.tif 000005
【図４】
2013506305.tif 000006
【図５Ａ】
2013506305.tif 000007
【図５Ｂ】
2013506305.tif 000008
【図５Ｃ】
2013506305.tif 000009
【国際調査報告】
2013506305.tif 000010
2013506305.tif 000011
2013506305.tif 000012
2013506305.tif 000013
2013506305.tif 000014
2013506305.tif 000015