【事件の表示】
　特許第２７９７２００号「多結晶シリコン電極およびその製造方法」の請求項１ないし２に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第２７９７２００号の請求項１ないし２に係る特許を取り消す。
【理　由】
１．手続きの経緯
　本件特許２７９７２００号に係る発明についての出願は、平成１年８月１０日に出願され、平成１０年７月３日に設定登録されたが、その後異議の申立があり、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１１年８月１３日に訂正請求がなされた後、この訂正請求に対して訂正拒絶理由が通知され、訂正拒絶理由通知に対して平成１１年１２月１０日付け手続補正書（訂正請求書）が提出されたものである。
　
２．訂正の適否についての判断
（２−１）訂正の内容及び目的
　特許明細書の特許請求の範囲の請求項１における「ドナまたはアクセプタ不純物」を「リンからなるドナ不純物」に訂正し、また、請求項２における「不純物」を「リンからなる不純物」に訂正することは、特許請求の範囲の減縮に該当し、願書に添付した明細書及び図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
　
（２−２）本件訂正発明
　訂正明細書の請求項１乃至２に係る発明（以下、「本件訂正発明１，２」という。）は、その特許請求の範囲の請求項１乃至２に記載された以下のとおりのものである。
「【請求項１】多結晶シリコンからなる電極であって、濃度が１×１０１９cm−３以上のリンからなるドナ不純物を含有する第一の多結晶シリコンからなり、該第一の多結晶シリコンを構成する結晶粒の〈１１１〉軸が基板面に対して垂直方向に優先して配向させたことを特徴とする多結晶シリコン電極。
【請求項２】多結晶シリコンからなる電極である多結晶シリコン電極の製造方法であって、半導体基板上に形成した絶縁体の表面に非結晶シリコンを600℃未満の温度で堆積し、600℃以上の温度で熱処理を行なって該非結晶シリコンを〈１１１〉軸が基板面に対して垂直方向に優先して配向させた第一の多結晶シリコンに変換した後、該第一の多結晶シリコンへのリンからなる不純物の添加および該不純物の活性化を行なう工程を含むことを特徴とした多結晶シリコン電極の製造方法。」
　
（２−３）引用刊行物記載の発明
　本件訂正発明に対して、訂正拒絶理由通知書において引用した刊行物１（「ａ−Ｓｉの結晶化による多結晶シリコン抵抗の温度係数改善」浜田他、１９８８年秋季第４９回応用物理学会学術講演会予稿集第２分冊６１７ページ）には、以下の点がFig.1,2と共に記載されている。
　「【実験】実験には次の3種類の多結晶シリコンを用いた。コンベンショナルタイプとしてLPCVDで原料ガスSiH4、成長温度650℃で形成したもの(Type.Ａ)。次に原料ガスSi2H6、成長温度500℃でアモルファスシリコンを堆積した後、結晶化の熱処理条件が1000℃，40minのもの(Type.B)、600℃，12hのもの(Type.C)である。膜厚は約2000Åで、不純物は結晶化後にイオン注入法によりボロンまたはヒ素をドープし活性化の熱処理を行った。」(第5行乃至第10行)
　「【結果】右図に不純物がボロンの場合の結果を示す。Fig.1は抵抗率と不純物濃度の関係を、Fig.2には抵抗の温度係数と層抵抗の関係を示す。結晶粒サイズはType.Cが最も大きく、次いでType.B，Type.Aの順になっている。Fig.1,2から結晶粒サイズを大きくすることにより、同一不純物濃度での抵抗率は低下し、抵抗の温度係数は正の方へシフトしていることがわかる。・・・これよりアモルファスシリコンを用いて結晶化時に最適な熱処理とドーピングを行うことにより温度特性に優れた多結晶シリコン抵抗形成が可能であることがわかった。」(第11行乃至第18行)
　さらに、Fig.1には、横軸をボロン濃度(1017cmー３−1020cmー３)、縦軸を抵抗率(10ー３Ωcm−10Ωcm)とし、上記Type.Ａ，B及びCに関するグラフが記載されている。
　「非ドープ、及びその場リンドープの、低圧化学気相成長されたポリシリコン膜を、各種の構造解析及び光学的手段により、堆積温度の関数として、検討した。高品質のポリシリコン膜は、アモルファス相での堆積と引き続く結晶化によってのみ、得ることができる。」(第249ページ第1行乃至第5行)
　「厚さ0.5μmの膜を、モノシランの熱分解により、LPCVD装置で成長させた。…　この膜は、(100)シリコン基板上の、0.3μmの厚さの熱Si02の上に堆積された。Si02上に堆積された膜を有するウエハーは、熱による再結晶化の処理に先立って、4つの等しい部分に分割された。一つの部分は堆積されたままの状態にとどめられ、他のものは、900℃、950℃、1000℃で、体積比で0.5%の02を含むN2中でアニールされた。」(第249ページ左欄第19行乃至第30行)
　「平均粒径DはX線解析線幅から、そして表面状態(即ち、この膜の結晶粒の優先的な方向)はその線強度から演繹（推論）された。・・・(Table　lを参照)」(第249ページ左欄第33行乃至第39行)
「堆積温度Td・・・」(第249ページ右欄第8行乃至第9行)
　「低温での堆積(Td=560-580℃)及び引き続くアニールによって、非常に滑らかで、重要な応用分野にも非常に適する膜が得られることがわかった。一方高温での堆積は再現性を欠く結果(Td=600℃)または不適当に粗い膜(Td=620℃)を生じる。」(第251ページ左欄第2行乃至第7行)
　「熱処理後、低温膜（Td≦580℃）は、温度活性化エネルギー0.50-0.58eVの同一の導電率を示した。一方、高温膜(Td≧600℃)では導電率は数桁以上増加し１（Ωcm）ー１に達した。」(第251ページ左欄第12行乃至第16行)
　「結論として、非ドープでアニールされたポリシリコン膜の特性は、その膜が低温(Td≦580℃)で堆積されたか、高温領域(Td≧600℃)で堆積されたかによって決定されることがわかる。低温領域で堆積された膜のみが、IC技術における重要な応用分野、たとえば構造の完全性、表面粗さの少なさ、及び低い応力、等に求められる高い品質を示すことができる。」(第251ページ左欄第17行乃至右欄第2行)
　「その場リンドープされたLPCVD膜は、ガス流量比PH3／SiH4＝８×10−４で成長された。」(第251ページ右欄第3行乃至第4行)
　また、「TABLE　１」には、シリコン膜の各種の堆積温度Td(560、570、580、600、620℃)のそれぞれにつき、その膜を1000℃でアニールした後の配向、即ち結晶粒の優先的方向が記載されており、それによれば、堆積温度が580℃以下の場合は、アニール後の膜は(111)配向であり、堆積温度が600℃以上では、アニール後の膜はそれ以外の配向であることが、記載されている。
　以上の記載から、刊行物２には、「リンからなるドナ不純物を含有する多結晶シリコンからなり、該多結晶シリコンを構成する結晶粒の〈１１１〉軸が基板面に対して垂直方向に優先して配向させたことを特徴とする多結晶シリコン。」及び「半導体基板上に形成した絶縁体の表面にアモルファスシリコンを560-580℃の温度で堆積し、1000℃の温度で熱処理を行なって該アモルファスシリコンを〈１１１〉軸が基板面に対して垂直方向に優先して配向させた多結晶シリコンに変換すると共に、多結晶シリコンへリンからなる不純物を添加したことを特徴とした多結晶シリコンの製造方法。」が記載されている。
　
（２−４）本件訂正発明と刊行物に記載された発明との対比・判断
（２−４−１）本件訂正発明１について
　本件訂正発明１と刊行物２に記載された発明とを対比すると、両者は「リンからなるドナ不純物を含有する多結晶シリコンからなり、該多結晶シリコンを構成する結晶粒の〈１１１〉軸が基板面に対して垂直方向に優先して配向させたことを特徴とする多結晶シリコン。」
である点で一致し、以下の点で相違する。
　相違点１：本件訂正発明１が、電極であるのに対して、刊行物２記載の発明では、用途を限定していない点。
　相違点２：本件訂正発明１では、不純物濃度が１×１０１９cm−３以上と限定されているのに対して、刊行物２記載の発明では不純物濃度の限定がない点。
　そこで、上記相違点について検討する。
　相違点１：刊行物１には、従来の製法で形成したType.Ａに比べ刊行物２と同様の製法で形成したType.ＢやType.Ｃの方が同一不純物濃度での抵抗率が低下することが記載されており、また一般に多結晶シリコンを抵抗や電極に用いることは、単なる慣用手段に過ぎない。したがって、刊行物２の多結晶シリコンを電極に用いることに、何等困難性は認められない。
　相違点２：不純物濃度により抵抗率を制御することは慣用手段であり、どの程度の不純物濃度にするかは、その用途に応じて適宜決定されるものである。したがって、不純物濃度を１×１０１９cm−３以上とした点は、単なる設計事項に過ぎない。
　また、本件訂正発明１の効果である低い電気抵抗が得られる点は、刊行物１のFig.1及びその説明にあるように従来の製法で形成したType.Ａに比べ刊行物２と同様の製法で形成したType.ＢやType.Ｃの方が、「同一不純物濃度での抵抗率が低下する」との記載から、予想可能な効果に過ぎず、格別のものではない。
　　ゆえに、本件訂正発明１は、刊行物２，１から当業者が容易に発明をすることができたものである。
（２−４−２）本件訂正発明２について
　　本件訂正発明２と刊行物２に記載された発明とを対比すると、刊行物２のアモルファスシリコンは、本件訂正発明２の非結晶シリコンに相当するから、両者は「多結晶シリコンの製造方法であって、半導体基板上に形成した絶縁体の表面に非結晶シリコンを600℃未満の温度で堆積し、600℃以上の温度で熱処理を行なって該非結晶シリコンを〈１１１〉軸が基板面に対して垂直方向に優先して配向させた第一の多結晶シリコンに変換すると共に、該第一の多結晶シリコンへのリンからなる不純物の添加を行なう工程を含むことを特徴とした多結晶シリコンの製造方法。」である点で一致し、以下の点で相違する。
　相違点１：本件訂正発明２が、電極であるのに対して、刊行物２記載の発明では、用途を限定していない点。
　相違点２：本件訂正発明２が、多結晶シリコンに変換した後、該多結晶シリコンへのリンからなる不純物の添加および該不純物の活性化を行なっているのに対して、刊行物２では、LPCVD時にPH3／SiH4の混合ガスでリンを添加している点。
　そこで、上記相違点について検討する。
　相違点１：刊行物１には、従来の製法で形成したType.Ａに比べ刊行物２と同様の製法で形成したType.ＢやType.Ｃの方が同一不純物濃度での抵抗率が低下することが記載されており、また一般に多結晶シリコンを抵抗や電極に用いることは、単なる慣用手段に過ぎない。したがって、刊行物２の多結晶シリコンを電極に用いることに、何等困難性は認められない。
　相違点２：刊行物１では、「不純物は結晶化後にイオン注入法によりボロンまたはヒ素をドープし活性化の熱処理を行った。」と記載されており、この刊行物１の添加方法を刊行物２に用いた点に格別の困難性はない。
　また、本件訂正発明２の効果である低い電気抵抗が得られる点は、刊行物１のFig.1及びその説明にあるように従来の製法で形成したType.Ａに比べ刊行物２と同様の製法で形成したType.ＢやType.Ｃの方が、「同一不純物濃度での抵抗率が低下する」との記載から、予想可能な効果に過ぎず、格別のものではない。
　ゆえに、本件訂正発明２は、刊行物２，１から当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（２−５）むすび
　以上のとおりであるから、本件訂正発明１，２は、上記刊行物２，１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　したがって、本件訂正は、平成６年法律第１１６号附則第６条第１項により、なお従前の例とされる改正前の特許法第１２６条第３項の規定を適用し、これを認めることができない。
　
３．特許異議申立について
（３−１）本件発明
　本件特許２７９７２００号の請求項１乃至２に係る発明（以下、「本件発明１，２」という。）は、その特許請求の範囲の請求項１乃至２に記載された以下のとおりのものである。
「【請求項１】濃度が１×１０１９cm−３以上のドナまたはアクセプタ不純物を含有する多結晶シリコンからなり、該多結晶シリコンを構成する結晶粒の〈１１１〉軸が基板面に対して垂直方向に優先して配向させたことを特徴とする多結晶シリコン電極。
【請求項２】半導体基板上に形成した絶縁体の表面に非結晶シリコンを600℃未満の温度で堆積し、600℃以上の温度で熱処理を行なって該非結晶シリコンを〈１１１〉軸が基板面に対して垂直方向に優先して配向させた多結晶シリコンに変換した後、該多結晶シリコンへの不純物の添加および該不純物の活性化を行なう工程を含むことを特徴とした多結晶シリコン電極の製造方法。」
　
（３−２）引用刊行物記載の発明
　本件発明に対して、取消理由通知書において引用した刊行物１及び刊行物２には、前記（２−３）記載の発明が記載されている。
　
（３−３）本件発明と刊行物に記載された発明との対比・判断
（３−３−１）本件発明１について
　本件発明１と刊行物２に記載された発明とを対比すると、両者は「ドナまたはアクセプタ不純物を含有する多結晶シリコンからなり、該多結晶シリコンを構成する結晶粒の〈１１１〉軸が基板面に対して垂直方向に優先して配向させたことを特徴とする多結晶シリコン。」
である点で一致し、以下の点で相違する。
　相違点１：本件発明１が、電極であるのに対して、刊行物２記載の発明では、用途を限定していない点。
　相違点２：本件発明１では、不純物濃度が１×１０１９cm−３以上と限定されているのに対して、刊行物２記載の発明では不純物濃度の限定がない点。
　そこで、上記相違点について検討する。
　相違点１：刊行物１には、従来の製法で形成したType.Ａに比べ刊行物２と同様の製法で形成したType.ＢやType.Ｃの方が同一不純物濃度での抵抗率が低下することが記載されており、また一般に多結晶シリコンを抵抗や電極に用いることは、単なる慣用手段に過ぎない。したがって、刊行物２の多結晶シリコンを電極に用いることに、何等困難性は認められない。
　相違点２：不純物濃度により抵抗率を制御することは慣用手段であり、どの程度の不純物濃度にするかは、その用途に応じて適宜決定されるものである。したがって、不純物濃度を１×１０１９cm−３以上とした点は、単なる設計事項に過ぎない。
　また、本件発明１の効果である低い電気抵抗が得られる点は、刊行物１のFig.1及びその説明にあるように従来の製法で形成したType.Ａに比べ刊行物２と同様の製法で形成したType.ＢやType.Ｃの方が、「同一不純物濃度での抵抗率が低下する」との記載から、予想可能な効果に過ぎず、格別のものではない。
　　ゆえに、本件発明１は、刊行物２，１から当業者が容易に発明をすることができたものである。
（３−３−２）本件発明２について
　　本件発明２と刊行物２に記載された発明とを対比すると、刊行物２のアモルファスシリコンは、本件発明２の非結晶シリコンに相当するから、両者は「半導体基板上に形成した絶縁体の表面に非結晶シリコンを600℃未満の温度で堆積し、600℃以上の温度で熱処理を行なって該非結晶シリコンを〈１１１〉軸が基板面に対して垂直方向に優先して配向させた多結晶シリコンに変換すると共に、該多結晶シリコンへの不純物の添加を行なう工程を含むことを特徴とした多結晶シリコンの製造方法。」である点で一致し、以下の点で相違する。
　相違点１：本件発明２が、電極であるのに対して、刊行物２記載の発明では、用途を限定していない点。
　相違点２：本件発明２が、多結晶シリコンに変換した後、該多結晶シリコンへの不純物の添加および該不純物の活性化を行なっているのに対して、刊行物２では、LPCVD時にPH3／SiH4の混合ガスでリンを添加している点。
　そこで、上記相違点について検討する。
　相違点１：刊行物１には、従来の製法で形成したType.Ａに比べ刊行物２と同様の製法で形成したType.ＢやType.Ｃの方が同一不純物濃度での抵抗率が低下することが記載されており、また一般に多結晶シリコンを抵抗や電極に用いることは、単なる慣用手段に過ぎない。したがって、刊行物２の多結晶シリコンを電極に用いることに、何等困難性は認められない。
　相違点２：刊行物１では、「不純物は結晶化後にイオン注入法によりボロンまたはヒ素をドープし活性化の熱処理を行った。」と記載されており、この刊行物１の添加方法を刊行物２に用いた点に格別の困難性はない。
　また、本件発明２の効果である低い電気抵抗が得られる点は、刊行物１のFig.1及びその説明にあるように従来の製法で形成したType.Ａに比べ刊行物２と同様の製法で形成したType.ＢやType.Ｃの方が、「同一不純物濃度での抵抗率が低下する」との記載から、予想可能な効果に過ぎず、格別のものではない。
　ゆえに、本件発明２は、刊行物２，１から当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（３−４）むすび
　以上のとおりであるから、本件発明１，２についての特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。
　したがって、本件特許は、拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してなされたものであり、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第１項及び第２項の規定により取り消すべきものである。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年３月６日（２０００．３．６）