【事件の表示】
　特許第２６３６７００号「半導体装置の製造方法」の請求項１ないし３に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結論】
　特許第２６３６７００号の請求項１ないし３に係る特許を維持する。
【理由】
［１］本件発明
　本件特許第２６３６７００号（平成５年１０月４日出願、平成９年４月２５日設定登録。）の請求項１〜請求項３に係る発明は、特許明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜請求項３に記載されたとおりのものである。
［２］申立ての理由の概要
　申立人佐藤亜由美は、証拠として、甲第１号証（ＳＰＩＥ　Ｖｏｌ．１９２７　Ｏｐｔｉｃａｌ／Ｌａｓｅｒ　Ｍｉｃｒｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ　ＶＩ（１９９３）ＰＰ．１８２−１８９）、甲第２号証（Ｅｘｔｅｎｄｅｄ　Ａｂｓｔｒａｃｔｓ　ｏｆ　ｔｈｅ　１９９１　Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ　Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ　ｏｎ　Ｓｏｌｉｄ　Ｓｔａｔｅ　Ｄｅｖｉｃｅｓ　ａｎｄ　Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｙｏｋｏｈａｍａ，１９９１，ｐｐ．９２−９４）、甲第３号証（特開平１−２８３９２５号公報）及び甲第４号証（ＳＰＩＥ　Ｖｏｌ．１９２７　Ｏｐｔｉｃａｌ／Ｌａｓｅｒ　Ｍｉｃｒｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ　ＶＩ（１９９３）ＰＰ．４２−５２）を提示し、本件請求項１〜請求項３に係る発明は、甲第１〜４号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件請求項１〜請求項３に係る発明の特許は特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであり、また、明細書の特許請求の範囲には記載不備があり特許法第３６条第５項の要件を満たしていないから、本件請求項１〜請求項３に係る発明の特許は同法第１１３条の規定により取り消すべきである旨主張している。
［３］特許法第２９条第２項の規定違反について
（１）甲号各証に記載の発明
　甲第１号証には、位相シフトマスクを用いたゲートの製造方法が記載され、図２には、位相エッジ部分にクロムを設けた図が示され、その説明として、「Ｗｃｈｒｏｍｅはゼロでもよい。」と記載され、さらに、「クロムなしの位相エッジでは、細い線状の優れたリソグラフイック画像が得られることが知られている」（第１８４頁下から第１１行）と記載されている。
　第２号証には、図４の説明として、「（ａ）は遮光パターンを有するＰＥＬマスク、（ｂ）はマスク（ａ）を用いて形成したレジストパターン、（ｃ）は追加マスク、（ｄ）はマスク（ａ）と（ｃ）を用いて形成したレジストパターン」と記載されている。
　甲第３号証には、「縮小投影露光法を用いて極微細パタン領域を有する素子の形成方法において、上記極微細パタン領域の露光に対して隣接する照明光に位相差を与える位相シフトマスクを、その他のパタン領域に対して透過型マスクを各々用いることを特徴とする素子の形成方法」（特許請求の範囲第１項）が記載され、また、第１図（ａ）には、位相シフトレチクルを用いて露光を行ったパタンが、同図（ｂ）には、透過型レチクルに交換し露光を行ったパタンが、さらに、同図（ｃ）には、同図（ａ）及び（ｂ）に示したパタンの露光により得られたレジストパタンが、それぞれ図示されている（公報第３頁左下欄第８行〜右下欄第９行）。
　甲第４号証には、「高性能ＦＥＴの製造に用いられる、Ｔ形状の断面を有するサブミクロサイズのゲートをパターンニングする方法」（第４２頁第６〜７行）が記載され、図５には、１回目の露光では、ａ１に示されたマスクを用いてＣｒマスクによりパッド部を、位相シフトマスクによりゲート部を、それぞれ形成してｂ１のパタンとなし、二回目の露光では、ｂ１のパタンにおける不要部を消去して目的の形状を得るために、ａ２に示されたＣｒマスクを用いてｂ２のパタンを形成することが図示されている。
（２）対比、判断
　本件請求項１に係る発明と甲第１〜４号証に記載された発明とを対比すると、位相シフタのエッジを利用して微細パターンを形成することは甲第１〜４号証に記載され、さらに、この位相シフタにより形成された不必要なパターンを第２のマスクを重ねて露光して除去し、目的とするパターンを形成することは甲第２，４号証に記載されている。
　しかしながら、本件請求項１に係る発明における、「微細線幅の微細パターンと幅広の端縁パターンとの組合せからなる平面パターン」を形成する製造方法であって、且つ「微細パターン選択工程は、微細パターン形成工程を経た基板のレジスト上の使用すべき特定の微細パターンのみを第２のフォトマスクの第１の遮光部で選択的に被覆し、かつ該基板のレジスト上に確保された未露光領域の一部を第２のフォトマスクの第２の遮光部で被覆して露光を行い、第２のフォトマスクで遮光された領域を前記平面パターンとして残し、その他の領域のレジストパターンを消失させる工程である」との構成は、甲号各証のいずれにも開示されていないし示唆もされていない。
　すなわち、本件請求項１に係る発明においては、「未露光領域の一部を第２のフオトマスクの第２の遮光部で被覆して露光を行い」、且つ「幅広の端縁パターン」を形成するものであるが、甲第１号証には、端縁パターンの形成については全く記載がなく、甲第２，４号証に記載された各発明は、それぞれ、甲第２号証の図４及び甲第４号証の図５の記載からみて、未露光領域の「全部」を第２のフオトマスクの第２の遮光部で被覆して露光を行い、幅広の端縁パターンを形成するものである。
　また、甲第３号証に記載された発明は、第１図の記載からみて、未露光領域の一部を第２のフォトマスクの遮光部で被覆して露光を行い、幅広の端縁パターンを形成するものであるが、微細パターンの「全部」を同じ遮光部で被覆しており、「使用すべき特定の微細パターンのみを第２のフォトマスクの第１の遮光部で選択的に被覆」するものではない。
　そして、本件請求項１に係る発明は、上記構成を採用することにより、位相シフタ部を含む第１のフオトマスクの共通化を図ることができ、パターン配置設計を容易にし、マスクの作成期間を短縮できるという格別の効果を奏するものである。
　したがって、本件請求項１に係る発明は、上記甲号各証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
　さらに、本件請求項２及び３に係る発明は、本件請求項１に係る発明にさらに他の構成を付加したものであるから、本件請求項１に係る発明と同様な理由により、上記甲号各証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明することができたものとはいえない。
［４］特許法第３６条第５項違反について
（１）申立人は、本件請求項１に記載された「微細パターン形成工程を経た基板のレジスト上の使用すべき特定の微細パターンのみを第２のフォトマスクの第１の遮光部で選択的に被覆し」の意味するところが、（Ａ）複数の微細パターンのうち一部の微細パターンのみを選択的に被覆するのか、（Ｂ）１つの位相シフタ部で形成した微細パターンのうちの一部だけを選択的に被覆するのか明確でなく、仮に（Ｂ）を意味するとすれば甲第２号証や甲第４号証と差異がない、と主張している。
　しかしながら、本件請求項１に係る発明は、「微細パターン選択工程は、微細パターン形成工程を経た基板のレジスト上の使用すべき特定の微細パターンのみを第２のフォトマスクの第１の遮光部で選択的に被覆し、かつ該基板のレジスト上に確保された未露光領域の一部を第２のフォトマスクの第２の遮光部で被覆して露光を行い、第２のフォトマスクで遮光された領域を前記平面パターンとして残し、その他の領域のレジストパターンを消失させる」ことを必須の構成とするものであり、上記の構成が意味するところは、申立人の主張する（Ａ）、（Ｂ）のいずれでもよいものと認められるから、本件請求項１の記載に不備はない。
　しかも、仮に（Ｂ）を意味するとしても、甲第２号証及び甲第４号証には、前記のとおり、本件請求項１に係る発明の「基板のレジスト上に確保された未露光領域の一部を第２のフオトマスクの第２の遮光部で被覆して露光を行い、第２のフォトマスクで遮光された領域を平面パターンとして残」す構成は、開示されていないし示唆もされていないから、申立人の上記主張は採用できない。
［５］むすび
　以上のとおりであるから、特許異議の申立ての理由及び証拠によっては本件請求項１〜請求項３に係る発明の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件請求項１〜請求項３に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１１年１１月３０日（１９９９．１１．３０）