Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【事件の表示】
　特許第２６９９８１５号「耐摩耗性のすぐれた表面被覆エンドミル」の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結論】
　特許第２６９９８１５号の特許を取り消す。
【理由】
Ｉ．手続の経緯
　本件特許第２６９９８１５号発明（以下「本件発明」という。）についての手続の概要は次のとおりである。
　特許出願　　　　平成５年７月１６日
　　（昭和６０年９月６日出願の特願昭６０−１９７４０２号の一部を特許法第４４条第１項の規定に基づき新たな特許出願として出願）
　特許権設定登録　平成９年９月２６日
　特許異議申立て
　　日立ツール株式会社
　　　　　　　　　平成１０年７月９日
　東芝タンガロイ株式会社
　　　　　　　　　平成１０年７月１５日
　取消理由通知　　平成１１年３月１５口付け
　特許異議意見書　平成１１年５月２４日付け
２．本件発明
本件発明の要旨は、本件特許に係る出願の願書に添付した明細書（以下「本件特許明細書」という。）及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲第１項に記載された次のとおりのものと認める。
「炭化タングステン基超硬合金で構成されたエンドミルの表面を、イオンプレーテイングにより形成されたＴｉとＡｌの複合炭化物固溶体、複合窒化物固溶体、および複合炭窒化物固溶体のうちの１種の単層または２種以上の複層からなる平均層厚：０．５〜４μｍの硬質被覆層で被覆してなる耐摩耗性のすぐれた表面被覆エンドミル。」
３．引用刊行物
　特許異議申立人が提出し、当審において取消理由通知で引用した特開昭６０−４８２１１号公報（以下「引用文献１」という。）及び「１１ＴＨ　ＩＮＴＥＲＮＡＴＩＯＮＡＬ　ＰＬＡＮＳＥＥ　ＳＥＭＩＮＡＲ　’８５　Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ　Ｖｏｌｕｍｅｌ，Ｍａｙ２０ｔｏ２４，１９８５，Ａｕｓｔｒｉａ　６７７〜６９１頁」
（以下「引用文献２」という。）には、次のとおりの事項が記載されている。
３−１．引用文献１
　▲１▼刃部母体が超硬合金で構成されたエンドミルの表面を、Ａｌ、Ｓｉ、周期律表４ａ、５ａ、６ａ族遷移金属の炭化物、窒化物、酸化物、硼化物および炭化硼素、硬質窒化硼素、硬質炭素さらにこれらの固溶体または混合体からなる群のうちから選ばれた１種または２種以上の硬質物質を１層または２層以上の多層で０．２〜２０μｍの厚みで被覆した表面被覆エンドミル。
　▲２▼実施例として、エンドミルにイオンプレーテイングにより、ＴｉＮを１．２μｍの厚みで被覆したこと。
　▲３▼他の実施例として、エンドミルにイオンプレーテイングにより、Ａｌ２Ｏ３を１μｍの厚みで被覆したこと。
　▲４▼小径のエンドミルにおいての被覆厚みは、０．３〜２μｍが望ましいこと。
　▲５▼耐摩耗性の性質を有する硬質物質を切刃に被覆し、性能向上を図ったものであること。
３−２．引用文献２
　▲１▼ＴｉＡｌｘＮ被覆は、高硬度と高靭性のため、ＴｉＮやＴｉ（Ｃ，Ｎ）より優れた耐摩耗性を示すこと。
　▲２▼マグネトロンスパッタ法により、炭化タングステン基超硬合金の切削工具に、ＴｉＡｌｘＮ、ＴｉＡｌｘＮまたはＴｉＡｌｘＣの被覆が形成されること。
　▲３▼スパッタ法により、均質なＴｉ−Ａｌ−Ｎ膜が形成されたこと。
４．対比・判断
４−１
　本件発明と引用文献１に記載された発明とを対比すると、超硬合金は通常炭化タングステン基であることから、両者は、
「炭化タングステン基超硬合金で構成されたエンドミルの表面を、イオンプレーテイングにより形成された硬質被覆層で被覆してなる耐摩耗性のすぐれた表面被覆エンドミル。」である点及び該硬質被覆層の厚みで一致し、次の点において相違する。
（相違点）
　硬質被覆層が、本件発明においては、ＴｉとＡｌの複合炭化物固溶体、複合窒化物固溶体、および複合炭窒化物固溶体であるのに対し、引用文献１に記載されたものにおいては、Ａｌ．Ｓｉ、周期律表４ａ、５ａ、６ａ族遷移金属の炭化物、窒化物、酸化物、硼化物、および炭化硼素、硬質窒化硼素、硬質炭素さらにこれらの固溶体または混合体からなる群のうちから選ばれた１種または２種以上の硬質物質である点
４−２
　以下に、相違点について検討する。
　引用文献１に記載されたものと、超硬合金を母体とする切削工具に耐摩耗性等による性能向上のために硬質被覆層を形成するという技術において共通するものである引用文献２において、ＴｉとＡｌの複合炭化物固溶体、複合窒化物固溶体に相当するＴｉＡｌｘＮ、ＴｉＡｌｘＮ、ＴｉＡｌｘＣまたはＴｉ−Ａｌ−Ｎの被覆を行うものが前記３−２のとおり、記載されている。
　この引用文献２に記載されたものはマグネトロンスパッタ法により被覆形成を行っているが、取消理由通知で同じく引用した「鍛造と熱処理、’８４．１１、２３〜２９頁」に、切削工具の被覆に応用される方法として、イオンプレーテイング及びマグネトロンスパッタ法について、述べると共に、イオンプレーテイング法は低温で密着性に優れる良質の膜や形成することができることについて記載されているように、被覆形成として、これら両法はともに周知のものであり、またイオンプレーテイング法は密着性に優れたものであることから、引用文献１に記載されたものにおいて、元来同文献に記載されている方法であるイオンプレーテイング法を採用し、引用文献２に記載されたＴｉとＡｌの複合炭化物固溶体、複合窒化物固溶体に相当する被覆を形成することは、当業者が容易に想到し得るものと言える。
　また、その際に膜の平均厚さを０．５〜４μｍとすることも、これが切削工具に形成される被覆の厚さとして通常の範囲のものであることから、引用文献２に記載された被覆を引用文献１に記載された被覆に適用するための、特に妨げとなるものでもない。
　また、本件特許明細書に記載された本件発明の効果である「表面にイオンプレーテイングにより蒸着された密着性の優れた硬質被覆層が従来表面被覆エンドミルを構成する硬質被覆層に比して一段と優れた耐摩耗性を有するので、長期に亘って優れた切削性能を発揮し、長い使用寿命を示す」ことについても、引用文献１に記載されたものにおいて使用されているイオンプレーテイングによる被覆形成法と引用文献２に記載されたものにおける被覆の構成そのものが備えている効果から予測される範囲内のものである。
４−３
　したがって、本件発明は、引用文献１及び引用文献２に記載された発明及び周知技術に基づき、容易に発明をすることができたものと言わざるを得ない。
５．むすび
　以上のとおりであるから、本件発明は、本件特許に係る出願の出願前に国内及び国外において頒布された刊行物である引用文献１、２に記載された発明及び周知技術に基づき当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本件発明についての特許は拒絶の査定をしなければならない特許出願についてなされたものと認める。
　よって、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の一部の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第１項及び第２項の規定により結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１１年６月９日（１９９９．６．９）
【事件の表示】
　特許第２６４７０７０号「施肥装置付き苗植機」の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結論】
　特許第２６４７０７０号の特許を取り消す。
【理由】
１．手続の経緯
　本件特許第２６４７０７０号は、昭和６０年９月２日に出願された特願昭６０−１９４２５１号を特許法第４４条第１項の規定により分割した特願平６−１０４２５１号を更に分割した特願平８−４５６８３号に係り、平成９年５月９日に設定登録されたものである。
　これに対して、特許異議の申立てが、ヤンマー農機株式会社（以下、申立人という。）よりなされ、当審より取消理由通知がなされ、本件特許権者より特許異議意見書が提出されたものである。
２．本件発明
　本件特許に係る発明の要旨（以下、本件発明という。）は、特許明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲に記載された次のとおりである。
　　　　　　　　　　記
　機体の前部にエンジン１３を搭載し左右前輪１４と左右後輪１５とを有する乗用型走行車体１の後部にリンク機構１１を介して苗植装置２を上下動自在に装着すると共に、乗用型走行車体１の後部に設けた肥料タンク４から複数個の肥料繰出部５にて繰り出された各々の肥料をエアータンク２３から送られた圧風により各々の肥料移送部６にて移送して、苗植装置２に設けた複数個の作溝器７にて圃場に形成される各溝内に施肥する施肥装置８を装着した施肥装置付き苗植機において、
前記複数個の肥料繰出部５を機体左右方向に配列し、該各肥料繰出部５から繰り出された肥料が各々の肥料移送部６内に入る位置よりも機体前方側にエアータンク２３を配置すると共に各肥料移送部６の肥料繰出部５側を機体前後方向に向けて配置し、各肥料繰出部５から繰り出された肥料が各々の肥料移送部６内に入る位置では肥料が機体後方向に移送される構成としたことを特徴とする施肥装置付き苗植機。
３．引用刊行物記載の発明
　取消理由通知において引用した本件出願前に頒布された刊行物は次のとおりである。
　刊行物１：特開昭５９−２０３４２０号公報
　刊行物２：特開昭５９−１７５８０９号公報
　上記刊行物１には、乗用型走行車体の後部にリンク機構（平行リンク装置２５）を介して苗植装置（田植装置４０）を上下動自在に装着すると共に、乗用型走行車体の後部に設けた肥料タンク（１３）から複数個の肥料繰出部（繰出装置１４）にて繰り出された各々の肥料をエアータンク（エアタンク７０）から送られた圧風により各々
の肥料移送部（搬送パイプ７６）にて移送して、苗植装置に設けた複数個の作溝器（８０）にて圃場に形成される各構内に施肥する施肥装置（１２）を装着した施肥装置付き苗植機において、各肥料繰出部から繰り出された肥料が各々の肥料移送部内に入る位置では肥料貯留部を設けることなく肥料が移送される構成とした施肥装置付き苗植
機が記載されている。
　上記刊行物２において、第３図がどの面で破断した図であるかは明細書に明示されていないが、第１図における肥料タンク（１０）から後方に出ている施肥パイプ（１６）の位置を考慮すると、第３図は機体左右方向の垂直面で破断された一部破断図であると認められる。そうすると、上記刊行物２には、機体の前部にエンジン（原動機）
を搭載し左右前輪ｂ左右後輪とを有する乗用型走行車体の後部にリンク機構を介して苗植装置を上下動自在に装着すると共に、乗用型走行車体の後部に設けた肥料タンクから複数個の肥料繰出部（１１）にて繰り出された各々の肥料を送風パイプ１５から送られた圧風により各々の肥料移送部（施肥パイプ１６）にて移送し．て、苗植装置に設けた複数個の作溝器（施肥ノズル１７）にて圃場に形成される各溝内に施肥する施肥装置を装着した施肥装置付き苗植機において、前記複数個の肥料繰出部を機体左右方向に配列し、各肥料移送部の肥料繰出部側を機体前後方向に向けて配置し、各肥料繰出部から繰り出された肥料が各々の肥料移送部内に入る位置では肥料が肥料貯留部１４を介して機体後方向に移送される構成とした施肥装置付き苗植が記載されてている。
４．対比・判断
　本件発明と上記刊行物２記載の発明とを対比すると、両者は、「機体の前部にエンジンを搭載し左右前輪と左右後輪とを有する乗用型走行車体の後部にリンク機構を介して苗植装置を上下動自在に装着すると共に、乗用型走行車体の後部に設けた肥料タンクから複数個の肥料繰出部にて繰り出された各々の肥料を圧風により各々の肥料移送部にて移送して、苗植装置に設けた複数個の作溝器にて圃場に形成される各溝内に施肥する施肥装置を装着した施肥装置付き苗植機において、前記複数個の肥料繰出部を機体左右方向に配列すると共に各肥料移送部の肥料繰出部側を機体前後方向に向けて配置した施肥装置付き苗植機の構成を有する点で一致し、両者は次の点で相違する。
ａ）本件発明が該各肥料繰出部から繰り出された肥料が各々の肥料移送部内に入る位置よりも機体前方側にエアータンク２３を配置したのに対し、上記刊行物２記載の発明はエアータンクを有しない点、
（ｂ）本件発明が各肥料繰出部から繰り出された肥料が各々の肥料移送部内に入る位置では肥料が機体後方向に移送される構成としたのに対し、上記刊行物２記載の発明は各肥料繰出部から繰り出された肥料が各々の肥料移送部内に入る位置では肥料貯留部を介して肥料が機体後方向に移送される構成とした点。
　上記相違点（ａ）を検討すると、上記刊行物１には、各肥料繰出部から繰り出された肥料が各々の肥料移送部内に入る位置よりも機体前方側にエアータンクを配置したことが記載されており、上記刊行物２記載の発明において上記刊行物１記載の構成を採用して本件発明の構成にすることは当業者であれば容易になしうることである。
　上記相違点（ｂ）を検討すると、上記刊行物１には、各肥料繰出部から繰り出された肥料が各々の肥料移送部内に入る位置では肥料貯留部を介することなく肥料が機体後方向に移送されることが記載されており、上記刊行物２記載の発明において上記刊行物１記載の構成を採用して本件発明の構成とすることは当業者であれば容易になしうることである。
　そして、上記刊行物２及び刊行物１記載の発明を組み合わせたことによる格別の効果も認められない。
　よって、本件発明は、その出願前に頒布された上記刊行物２及び刊行物１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
５．むすび
　以上のとおり、本件発明は本件出願前に頒布された上記刊行物２及び刊行物１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件発明は特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本件発明についての特許は拒絶の査一定をしなければならない特許出願に対してされたものと認める。
　よって、平成６年法律第１１６号附則第１４条の規定に基づく、平成７年政令第２０５号第４条第１項及び第２項の規定により、上記のとおり決定する
【異議決定日】
平成１１年４月３０日（１９９９．４．３０）
【事件の表示】
　特許第２６７７４１５号「薄膜磁気ヘッド」の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結論】
　特許第２６７７４１５号の特許を取り消す。
【理由】
（１）手続きの経緯
　本件特許第２６７７４１５号発明は、平成１年５月１７日に出願され、平成９年７月２５日にその特許の設定登録がなされ、その後、清水光子より特許異議の申立てがなされ、取消理由通知に対し訂正請求（平成１０年１１月１７日付）がなされ、訂正拒絶理由に対し訂正請求の手続き補正書（平成１１年４月２日付）が提出されたものである。
（２）訂正の適否の判断
１．訂正請求に対する補正の適否
　訂正請求に対する補正は、訂正請求書の要旨を変更するものではなく、特許法第１２０条の４第３項において準用する同法第１３１条第２項の規定に適合する。
２．独立特許要件の判断
（補正された訂正明細書の請求項１に係る発明）
　補正された訂正明細書の請求項１に係る発明は、その特許請求の範囲に記載された次の事項により特定されるとおりのものである。
　「基体上に磁性膜及び導体コイル膜を含む薄膜磁気回路を有する薄膜磁気ヘッドであって、前記導体コイル膜は、絶縁膜の一面上に形成され、その大部分がメッキ成長膜でなり、上面側が凸曲面となる断面形状を有し、前記凸曲面は、前記絶縁膜の前記一面上で見た隣接する導体コイル膜間の間隔の最小限度を２μｍとし、前記絶縁膜の前記一面からの高さ２．５μｍよりも上に形成されていることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。」
（引用刊行物記載の発明）
　補正された訂正明細書の請求項１に係る発明（以下、「訂正発明」という。）に対し、当審が訂正拒絶理由通知において示した刊行物（特開昭６０−２４６０１３号公報、以下「引用刊行物」という。）には、基板上に下部磁性層２及びコイル導体総４を含む薄膜磁気ヘッドであって、コイル導体層２３はメッキ成膜であり、厚さが分厚く
形成されてなる（上面側が凸曲面なる断面形状を有してなる）薄膜磁気ヘッドが記載されている。（上記引用刊行物、公報第３頁下段左欄第１６行〜同右欄第６行目、第１２図）
（対比・判断）
　訂正発明と上記引用刊行物に記載の発明とを対比すると、両者は、「基体上に磁性膜及び導体コイル膜を含む薄膜磁気回路を有する薄膜磁気ヘッドであって、前記導体コイル膜は、絶縁膜の一面上に形成され、その大部分がメッキ成長膜でなり上面側が凸曲面となる断面形状を有」する薄膜磁気ヘッドである点で一致し、訂正発明のものが「凸曲面は、前記絶縁膜の前記一面上で見た隣接する導体コイル膜間の間隔の最小限度を２μｍとし、前記絶縁膜の前記一面からの高さ２．５μｍよりも上に形成されている」のに対し、引用刊行物に記載の発明のものはこのような構成を備えていない（引用刊行物には上記点の記載はない）点で相違している。
　ここで、上記の「隣接する導体コイル膜間の間隔の最小限度を２μｍ」とする点の意味について検討すると、上記引用刊行物のものも各コイル導大層関１接続短絡することについての問題を認識していたものと認められる（引用刊行物、公報第２頁下段左欄第１３〜１６行）。そして、短絡防止は配線密度を向上させることにより生じた課題であることは明らかであり（引用刊行物、公報第１頁右欄第１１〜１３行目に、（ｂ）技術の背景として、磁気ヘッドについて高密度化、高能率化を図るため小型化、かつ高精度化が要求されている旨の記載がある）、配線密度と短絡防止の観点からそのぎりぎりの導体コイル膜間の間隔を見出すことは当業者にとって格別困難なこととはいえない。
　してみると、」隣接する導体コイル膜間の間隔の最小限度を２μｍ」とする点は、配線密度を向上させても短絡しない導体コイル膜の間隔（２μｍ）を見出しただけのことであり、しかも、その間隔が見出されれば導体コイル膜の高さを２．５μｍ以上とすることも、配線密度と短絡防止の観点から必然的に見出される程度のことというべきであるので、訂正発明のように構成することに当業者が格別な発明力を要したものとすることはできない。
　なお、「隣接する導体コイル膜間の間隔の最小限度を２μｍ」とする点及び「導体コイル膜の高さを２．５μｍ以上」とする点は、各々、「２μｍ以上」「２．５μｍ以上」と最小限度を定めているものであるので、上記引用刊行物のように短絡防止を考慮したものは上記最小限度以上のものになるはずである。
　したがって、訂正発明は、上記引用刊行物のものに基づいて当業者が容易に発明することができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　よって、この訂正は、特許法第１２０条の４第３項で準用する同法第１２６条第４項の規定に適合しないので、当該訂正は認められない。
（３）特許異議申立てについての判断
１．本件発明
　請求項１に係る発明は、特許請求の範囲に記載された次の事項によって特定されるとおりのものである。
「基体上に磁性膜及び導体コイル膜を含む薄膜磁気回路を有する薄膜磁気ヘッドであって、前記導体コイル膜は、上面側が凸曲面となる断面形状を有することを特徴とする薄膜磁気ヘッド。」
２．引用刊行物記載の発明
　先の取消理由通知において引用した刊行物に記載の発明については、（２）２．（引用刊行物記載の発明）参照。
３．対比・判断
　本件発明と引用刊行物記載の発明は、「基体上に磁性膜及び導体コイル膜を含む薄膜磁気回路を有する薄膜磁気ヘッドであって、前記導体コイル膜は、上面側が凸曲面となる断面形状を有することを特徴とする薄膜磁気ヘッド」である点で一致しており、相違点は見当たらない。
　よって、本件発明は、上記引用刊行物に記載された発明である。
４．むすび
　以上のとおりであるから、本件発明の特許は、特許法第２９条第１項第３号の規定に違反してされたものである。
　よって、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第１項及び第２項の規定により、上記のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１１年５月２０日（１９９９．５．２０）
【事件の表示】
　特許第２５８４４１７号「光ディスクプレーヤの振動減衰装置」の請求項１ないし７に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結論】
　特許第２５８４４１７号の請求項１ないし７に係る特許を取り消す。
【理由】
（１）手続の経緯
　本件特許第２５８４４１７号発明は、平成６年７月５日に特許出願（優先権主張、韓国、優先日１９９３年８月２４日）され、平成８年１１月２１日にその特許の設定登録がなされ、その後、吉田恵子、東海ゴム工業株式会社、パイオニア株式会社より特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１０年９月２４日に訂正請求がされた後、平成１０年１０月１６日に訂正拒絶理由が通知されたものである。
（２）訂正の適否についての判断
　本件特許第２５８４４１７号の発明に対して、平成１０年９月２４日付けで訂正請求がなされた後、これに対して期間を指定して平成１０年１０月１６日付けで訂正拒絶理由を通知し、意見書を提出する機会を与えたが、特許権者からは、何らの応答はなかった。
　そして、上記訂正拒絶理由は、依然として妥当なものと認められるので、この訂正は、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第６条第１項の規定により、特許法第１２０条の４第３項で準用する特許法第１２６条第４項の規定に適合しないので認めることはできない。
（３）特許異議申立てについて
　本件請求項１〜７に係る発明（以下、本件発明という。）は、特許査定時の明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜７に記載された事項により特定されるとおりのものと認める。
　平成１０年２月１６日付けの取消理由に対する平成１０年９月２４日付けの特許異議意見書の内容は、訂正請求した明細書及び図面に基づいて述べられており、これを検討しても上記取消理由を覆すに足りる理由は見あたらない。
　そして、平成１０年２月１６日付けで通知した取消理由は、依然として妥当なものと認められるので、本件発明は、特許法第２９条第１項第３号又は同条第２項の規定に違反して特許されたものである。
（４）むすび
　したがって、本件発明についての特許は、拒絶の査定をしなければならないものに対してなされたものであるので、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の一部の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第１項及び第２項の規定により、上記のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１１年３月９日（１９９９．３．９）
【事件の表示】
　特許第２６９３８７３号「電気掃除機の吸込口体」の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結論】
　特許第２６９３８７３号の特許を取り消す。
【理由】
１．本件特許第２６９３８７３号は、平成３年特許願第５１７０５号として、平成３年３月１５日に出願され、平成９年９月５日にその特許権の設定登録がされ、その後、特許異議申立人三洋電機株式会社及び同松下電器産業株式会社より特許異議の申立てがされ、取消理由通知がされ、その指定期間内である平成１０年１２月２５日に、特許異議意見書の提出とともに訂正請求がされ、この訂正請求に対して訂正拒絶理由通知がされたものである。
２．上記訂正請求の適否について判断する。
　上記訂正請求は、願書に添付された明細書を、訂正請求書に添付された明細書のとおり訂正することを求めるものと認める。
　これに対して、平成１１年２月２６日付けで訂正拒絶理由を通知し期間を指定して意見書を提出する機会を与えたが、請求人からは何らの応答もない。
　そして、上記訂正拒絶理由は妥当なものと認められるので、上記訂正請求は、この訂正拒絶の理由によって認められない。
３．本件特許発明の要旨は、本件特許の願書に添付された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲に記載されたとおりのものと認める。
４．上記取消理由通知に対する上記訂正請求は、上記２．のとおり認められず、また、上記訂正請求と同日付けで提出された特許異議意見書を検討しても、上記取消理由は妥当なものと認められるので、本件特許は、この取消理由によって取り消すべきものである。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１１年６月２日（１９９９．６．２）
【事件の表示】
　特許第２８０３０８０号「放電灯点灯装置」の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結論】
　特許第２８０３０８０号の特許を維持する。
【理由】
（１）本件発明
　特許第２８０３０８０号（昭和６２年９月２５日出願、平成１０年７月１７日設定登録。）の請求項１に係る発明（以下、「本件発明」という。）は、その特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定されるとおりのものである。「直流電圧をスイッチングするスイッチング装置およびこのスイッチング装置のスイッチング出力を供給される共振回路を有し、スイッチング装置のスイッチング周波数を制御されることによって出力を変化するインバータと；
　このインバータの出力により付勢され、インバータの出力の変化に応じて調光点灯される放電灯と；
　オンデューティ可変のＰＷＭ信号を送出する信号送出手段と；
　インバータのスイッチング装置のスイッチング信号を送出するとともに、信号送出手段からのＰＷＭ信号のオンデューティに応じてオンデューティが小さくなるにしたがってインバータ出力が増大する関係にスイッチング信号の周波数を変化する駆動装置と；
　ＰＷＭ信号が連続的な信号のとき駆動装置のスイッチング信号出力を停止させてインバータの出力を放電灯が消灯するように低下させる出力停止装置と；
を具備していることを特徴とする放電灯点灯装置。」
（２）申立の理由の概要
　申立人松下電工株式会社は、甲第１号証（特開昭６４−４５０９４号公報）を提示し、本件発明は、その出願の日前の他の特許出願であって、本件発明の出願後に出願公開された甲第１号証に係る出願（特願昭６２−１９９８７９号）の願書に最初に添付した明細書又は図面（以下、「先願明細書」という。）に記載された発明と同一であるから、特許法第２９条の２の規定により特許を受けることができないものであり、本件特許を取り消すべきと主張している。
（３）先願明細書に記載の発明
　甲第１号証に係る先願明細書には、調光装置に関するものであって、公報第４頁右上欄第８〜１０行には、「第１図の回路でＣ点の信号がＬで点灯、Ｈで消灯であれば、ほぼ５０％の調光となる」、公報第４頁右下欄第２〜３行には、「パルス幅が小さい高調光時においてもちらつきのない安定した調光を行うことができる」、公報第４頁右下欄第１９行〜第５頁左上欄第１行には、「インバータ回路６への出力信号（ＤＩＭ）をＬにして全点灯（全発光）を行うものである」、公報第５頁左上欄第８〜１０行には、「インバータ回路６への出力信号はＨとなり、ＣＦＬは消灯し、過電圧の影響から保護することができる」とそれぞれ記載されている。また、第１図には調光装置の基本構成を示す回路図、第２図にはその動作を示すタイムチャート、第５図にはリセット回路等を接続した調光装置がそれぞれ示されている。
　なお、申立人が周知例として提示した甲第２号証（特開昭６１−２９６７００号公報）には、放電灯の調光装置に関するものであって、公報第１頁特許請求の範囲第１項には、インダクタンスとコンデンサとの共振回路と、他動式インバータの周波数を可変制御する発振器と、デューティ比を制御することで放電灯の点灯及び調光がされる旨の放電灯点灯装置が、公報第５頁右下欄第１〜５行には、「トランジスタＴｒ６のオンデューティが増加するにつれて・・・放電灯の調光が行われる」ことがそれぞれ記載されている。
（４）対比・判断
　そこで、本件発明と上記先願、明細書に記載の発明とを対比すると、後者は、少なくとも「インバータのスイッチング装置のスイッチング信号を送出するとともに、信号送出手段からのＰＷＭ信号のオンデューティに応じてオンデューティが小さくなるにしたがってインバータ出力が増大する関係にスイッチング信号の周波数を変化する駆動装置」を備えていない。
　確かに、上記先願明細書に記載のものは、ＰＷＭ信号のオンデューティ制御だけで放電灯を点滅および調光制御することができるものではあるが、このものはパルスのＬレベルの期間で点灯、Ｈレベルの期間で消灯となるように、即ちパルス波形と点灯・消灯のタイミングを直接的に対応させて調光制御するものであり、ＰＷＭ信号のオンデューティに応じてオンデューティが小さくなるにしたがってインバータ出力が増大する関係にスイッチング信号の周波数を変化することにより調光制御を行う本件発明とは基本的な制御方式が異なるものである。
　また、甲第２号証には、ＰＷＭ信号のオンデューティが大きくなるにしたがって共振回路を有するインバータの放電灯への出力を調光する関係にスイッチング周波数が制御される旨の記載があり、このようなインバータが本件発明の出願時に周知であったことは認められるものの、上記先願明細書に記載されたインバータが甲第２号証に記載のインバータと同様の制御がなされるものであるということにはならない。
　したがって、本件発明は、上記先願明細書に記載された発明と同一であるとはいえない。
（５）むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立の理由及び証拠によっては本件発明についての特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１１年６月４日（１９９９．６．４）
【事件の表示】
　特許第２７７６５８３号「半導体基板の処理液及び処理方法」の請求項１ないし２に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結論】
　特許第２７７６５８３号の請求項１ないし２に係る特許を維持する。
【理由】
Ｉ．本件の経緯
　本件特許第２７７６５８３号は、平成１年１０月３日に出願され、平成１０年５月１日に設定登録がなされ、平成１０年７月１６日に特許公報に掲載され、平成１１年１月１４日に渡辺尚吾から特許異議の申立がなされたものである。
ＩＩ．本件発明
　本件の請求項１および２に係る発明は、特許明細書の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１および２に記載された次のとおりのものである。
　【請求項１】シリコン基板処理を行うために、過酸化水素を含む処理液において、薬液として弗酸及び過酸化水素を含み燐酸を含まない薬液を純水に加え、前記過酸化水素の濃度を０．５乃至１５重量％、且つ前記弗酸濃度を０．１乃至１０重量％とすることを特徴とするシリコン基板の処理液。
　【請求項２】請求項１記載の処理液を用いてシリコン基板を処理する工程を有することを特徴とする半導体基板の処理方法。
ＩＩＩ．異議申立人の主張
　異議申立人は、イ）本件の出願日よりのちの平成３年６月６日に頒布された刊行物である甲第１号証を提出し、本件の請求項１および２に係る発明の「薬液として弗酸及び過酸化水素を含み燐酸を含まない薬液を純水に加え」という構成は本件の願書に最初に添付した明細書または図面（以下、「当初明細書」という）に記載されていないものであるから、本件の請求項１および２に係る発明の出願日は上記構成に係る補正がなされた平成８年１１月１日であるとみなされるとの前提のもとに、甲第１号証には本件の請求項１および２に係る発明を当業者が容易に想到することができる発明が記載されているから、本件請求項１および２に係る発明の特許は特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである、ロ）本件特許明細書の発明の詳細な説明の欄には「薬液として弗酸及び過酸化水素を含み燐酸を含まない薬液を純水に加え」ることについて記載がなく、本件の請求項１および２に係る発明は上記欄に記載されていない発明であり、それら発明に係る特許は特許法第３６条第４項第１項に規定する要件を満足しない出願に対してなされたものであるとして、本件の請求項１および２に係る発明の特許はそのいずれも取り消されるべきである旨を主張する。
　なお、ここで、甲第１号証は、ＵＣＳ半導体基盤技術研究会編集及び発行「第１１回超ＬＳＩウルトラクリーンテクノロジーワークショップ　Ａｄｖａｎｎｃｅｄ　Ｗｅｔ　Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｐｒｏｃｅｓｓｉｇ　ＩＩ」（１９９１−６−６）ｐ．７７の図３０である。
ＩＶ．主張の検討
ＩＶ−１．イ）に基づく主張について
　当初明細書には、「弗酸と純水とを混合する・・処理液において０．５乃至１５重量％の過酸化水素を含み、且つ弗酸濃度を０．１乃至１０重量％とすることを特徴とする半導体基板の処理液」（特許請求の範囲の第１項参照）が記載され、処理液の調整方法について特に限定的な記載はない。
　すなわち、当初明細書の特許請求の範囲には「弗酸と純水とを混合する」との記載はあるが、過酸化水素を添加しなければ目的の処理液は形成できないのに過酸化水素の混合について記載がないことからみて、前記記載は処理液の調整方法を正確に限定的に規定するものではない。
　また、当初明細書中には、「本発明の処理液は０．１乃至１０重量％の弗酸を含むＤＨＦ中に０．５乃至１５重量％の過酸化水素を添加する」なる表現、及び、「ＤＨＦ／Ｈ２Ｏ２」なる表現がある（第６頁１〜３行）が、前者は、記載どおりに「０．１乃至１０重量％の弗酸を含むＤＨＦ中に０．５乃至１５重量％の過酸化水素を添加」しても本発明の「過酸化水素の濃度を０．５乃至１５重量％、且つ前記弗酸濃度を０．１乃至１０重量％」である処理液をすべて調整することは不可能であること、その表現の前後に「上述した従来の半導体基板の処理液に対して」および「という相違点を有する」との表現があること（第５頁末行〜第６頁３行参照）、また、後者は、「ＤＨＦ／Ｈ２Ｏ２においては、従来ＤＨＦで問題となっていた微粒子の付着を抑えることができる。」（第１１頁１９行〜第１２頁１行）との表現があることからみて、ともに、本発明の処理液が従来より用いられているＤＨＦ処理液にさらに過酸化水素を加えた組成であることを明示したにすぎないものと解されるから、それら表現が処理液の調整方法を「弗酸を含むＤＨＦに過酸化水素を添加する」方法に限定的に規定したものであるとすることはできない。
　したがって、当初明細書には「弗酸と過酸化水素と純水とを混合する」任意の処理液の調整方法が許容される方法として記載されていると解され、希釈溶媒に溶質を添加して溶液を調製することが通常行われている方法であることを併せ考えると、当初明細書には、「弗酸と過酸化水素を含む薬液とを純水に加える」という構成が自明なものとして記載されていたとすることができる。
　また、当初明細書には「過酸化水素を含み燐酸を含まない薬液」を用いる点について明示されていないが、そこに記載された処理液が半導体基板に取り込まれる不純物を回避するために用いられるものであることは、その明細書の「本発明は半導体基板の処理液に関し、特に金属不純物の取り込みが少なく、且つ金属不純物の除去能力に優れている上に、微粒子の付着が極めて少ない処理液に関する」（第１頁末行〜第２頁３行）との記載、実施例に関する「本発明・・・では、・・いずれの金属不純物に対しても取り込み量は検出限界以下であった。」（第８頁６〜８行）、「ライフタイムは清浄な基板のものと同程度であり、・・半導体基板表面が極めて清浄であることを示している」（第８頁１７〜２０行参照）等の第１図及び第２図を用いた記載からみて明らかであり、処理に必須でなく用いるとの積極的な記載もない燐酸が含まれないと解するのは自然であるから、「過酸化水素を含み燐酸を含まない薬液」を用いるとの構成は当初明細書に自明なものとして記載されていたということができる。
　してみれば、本件当初明細書には、「薬液として弗酸及び過酸化水素を含み燐酸を含まない薬液を純水に加え」るという構成が自明な構成として記載されていたとすることができ、イ）の主張はその前提において誤っているから、その余の点について検討するまでもなく採用することができない。
ＩＶ−２．ロ）に基づく主張について
　本件特許明細書には、発明の詳細な記載の欄に特許請求の範囲に記載されたと同一の内容の記載があり、請求項１および２に記載された発明が発明の詳細な説明の欄に記載されていないものであるとすることはできず、ロ）に基づく主張は採用できない。
Ｖ．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由および証拠によっては、本件の請求項１および２に係る発明の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件の請求項１および２に係る発明の特許を取消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１１年５月２４日（１９９９．５．２４）
【事件の表示】
　特許第２７６４９４２号「固体撮像装置」の請求項１ないし２に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結論】
　特許第２７６４９４２号の請求項１ないし２に係る特許を維持する。
【理由】
［１］本件発明
　本件特許第２７６４９４２号（昭和６３年９月２２日出願、平成１０年４月３日設定登録）の請求項１及び２に係る発明（以下、「本件発明１及び２」という。）は、特許明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１及び２に記載された次のとおりのものである。
　「【請求項１】各相の転送電極毎に金属電極でシャントするようにした固体撮像装置において、第１層目の転送電極層及び上記第１層目の転送電極層と同様の材料からなる第２層目の転送電極層に、上記第１及び第２の転送電極層の仕事関数の変動を防止する層を介して上記金属電極をシャン卜する固体撮像装置。
　【請求項２】上記仕事関数の変動を防止する層が、上記第１及び第２の転送電極と同様の材料からなることを特徴とする請求項１記載の固体撮像装置。」
［２］特許異議の申立の理由の概要
　特許異議申立人松下電器産業株式会社は、証拠として甲第１号証（特開昭６３−１４１３６７号公報）を提示して、本件発明１及び２は、甲第１号証に記載された発明と同一であり、特許法第２９条第１項の規定により特許を受けることができないものであり、同法第１１３条第１項第２号の規定により特許を取り消すべき旨主張している。
［３］甲第１号証の記載事項
　甲第１号証には、電荷転送素子に関し、その走査線の断線による固体撮像素子の動作不良を防止するための走査線の改良に関する発明が、第１，２図とともに開示され、さらに、
　「第２図は、従来のＣＳＤ・・・方式の固体撮像素子における１画素の平面構造の一例を示す。
　　・・・
　このものは、与えられた光信号を信号電荷に変換するフォトダイオード（８）と、フォトダイオード（８）からの信号を選択的に読み出す為の表面チャネルを有するトランスファゲート（９）と、トランスファゲート（９）から信号電荷を転送する為の通路となる埋め込みチャネルで形成される転送チャネル（１０）とを含む。トランスファゲート（９）及び転送チャネル（１０）の電荷転送は、コンタクトホール（７）を介して走査線（６）からゲート電極（３）へ与えられる電圧レベルを制御する事により行われる。すなわち、この固体撮像素子の１画素は１個のフォトダイオードと１個のゲート電極とゲート電極（３）に電圧を与える走査線（６）から構成されている。」（第１頁右欄第１０行〜第２頁左上欄第８行）、
　「シリコン基板（１）上にシリコン酸化膜（２）を形成し、その上からポリシリコンのゲート電極（３）及び第１層配線（４）を同時に形成する。さらに層間絶縁膜（５）をはさみ、上からアルミニウムの第２層配線（６）を形成しコンタクトホール（７）を介してゲート電極（３）とコンタクトをとる。第１図（ａ）及び（ｂ）に見られる様にこの発明の一実施例の特徴は走査線を２層の配線により形成していることである。
　上記実施例に示した構造から分かる様に走査線の一方、例えば第２層配線（６）がコンタクトホール間で断線した場合、断線部分では下のポリシリコンの第１層配線（４）により導通している。この場合、ポリシリコンは、Ａ１に比べて高抵抗であるがポリシリコンを通るのは、わずかに断線箇所の１画素分であり、実際上繁雑に断線が生じる事はなく、第１層配線が高抵抗である事は、問題にはならない。」（第２頁左下欄第１３行〜右下欄第１０行）、
　「走査線がアルミニウム、ポリシリコン、高融点金属、高融点金属のシリサイド、又はそれらの混合物による配線材料によって形成されている」（特許請求の範囲第２項）
が、それぞれ記載されている。
　［４］対比・判断
　甲第１号証に記載のゲート電極（３）について、第１図（ａ）及び第２図を参照すると、ゲート電極（３）の垂直方向（すなわち、紙面の上下方向）の両端部に、第ｌ層目または第２層目のゲート電極（３）に重なるように、隣接する第２層目または第１層目のゲート電極（３）の端部に相当するものが記載されているから、一つの相（すなわち、第１層目のゲート電極または第２層目のゲート電極のいずれかのゲート電極の相）のゲート電極は水平方向にそれぞれ設けられ、異なる相（すなわち、第１層目のゲート電極の相及び第２層目のゲート電極の相）のゲート電極は垂直方向、すなわち転送方向に設けられているものと認められ、また、固体撮像装置において、第１層目及び第２層目のゲート電極を同様の材料から形成することは周知の事項にすぎない（たとえば、特開昭６２−１５２１６７号公報、特開昭６０−９１６７２号公報参照）。
　そこで、本件発明１と甲第１号証に記載の発明とを対比すると、甲第１号証の第１図（ａ）、（ｂ）に記載の「ゲート電極（３）」は、本件発明１における第１層目の転送電極層と第２層目の転送電極層が同様の材料からなる「転送電極層」に相当するものの、本件発明１が、「第１層目の転送電極層及び第２層目の転送電極層に、上記第１及び第２の転送電極層の仕事関数の変動を防止する層を介して上記金属電極をシャントし、さらに、この仕事関数の変動を防止する層が、上記第１及び第２の転送電極と同様の材料からなる」構成を有するのに対し、甲第１号証に記載の発明はこのような構成を有していない点で少なくとも相違する。
　そこで、上記相違点について検討すると、甲第１号証には、走査線の材料として、ポリシリコン、高融点金属が挙げられており、参考資料２（「超ＬＳＩ総合事典」（株）サイエンスフォーラム（昭６３−３−３１）ｐ３２８）に記載されているように、高融点金属はバリアメタルに該当するから、異議申立人が主張するように、ポリシリコンからなる転送電極にコンタクトする高融点金属の走査線が、仮に、「転送電極の仕事関数の変動を防止する層」を兼ねた構成であるとしても、甲第１号証には、「転送電極に、転送電極の仕事関数の変動を防止する層を介して金属電極をシャントする」構成については、何ら記載されていないから、本件発明１は甲第１号証に記載された発明と同一であるとすることはできない。
　また、本件発明２は、本件発明１をさらに限定したものであるから、上記本件発明１についての判断と同様の理由により、甲第１号証に記載された発明と同一であるとすることはできない。
［５］むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立の理由及び証拠によっては、本件請求項１及び２に係る発明の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件請求項１及び２に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１１年６月７日（１９９９．６．７）
【事件の表示】
　特許第２６７８５６２号「アーク溶接機用の溶接工程をコントロールする装置及び方法」の請求項４４に係る特許について、次のとおり決定する。
【結論】
　特許第２６７８５６２号の請求項４４に係る特許を取り消す。
【理由】
１．本件発明
　本件特許第２６７８５６２号の請求項４４に係る発明（平成５年１２月２０日出願、平成９年８月１日設定登録）は、特許明細書及び図面からみて、その請求項４４に記載されたとおりものであると認める。
　これに対して、平成１０年９月１４日付けで取消理由を通知し、その指定期間内の平成１０年１２月２５日付けで特許権者から意見書が提出された。
　しかし、上記意見書の内容を検討したが、取消理由を覆すに足りる根拠が見いだせず、上記取消理由は、妥当なものと認められるので、本件請求項４４に係る発明の特許は、上記取消理由の基づき、拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものと認められ、平成６年１２月法律第１１６号附則第１４条の規定に基づき適用される、平成７年５月政令２０５号第４条第１項及び第２項の規定により、取り消されるべきものである。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１１年１月１８日（１９９９．１．１８）
【事件の表示】
　特許第２８１４０３５号「半導体単結晶の直径制御方法およびその装置」の請求項１、３、６に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結論】
　特許第２８１４０３５号の請求項１、３、６に係る特許を維持する。
【理由】
（１）本件発明
　特許第２８１４０３５号（平成４年５月１９日出願、平成１０年８月１４日設定登録。）の請求項１、３、６に係る発明（以下「本件発明１、３、６」という。）は、その特許請求の範囲の請求項１、３、６に記載されたとおりのものである。
（２）特許異議申立ての理由の概要
　特許異議申立人東芝セラミックス株式会社は、本件発明１、３、６は、下記の甲第１乃至２号証刊行物に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、本件発明の特許を取り消すべき旨主張している。
　甲第１号証：特開昭６３−２５６５９４号公報
　甲第２号証：特開昭６３−２７４６８７号公報
（３）甲第１乃至２号証記載の発明
　甲第１乃至２号証には以下の事項が記載されている。
（甲第１号証）
▲１▼従来、ＣＺ炉内で成長中の結晶直径の計測は、一次元ＣＣＤカメラを、その走査線Ｒが結晶の中心を含む弦（以下「直径ライン」と称する。）と一致するようにセットし、このときに得られる、直径の両端に相当する高輝度な２点（第４図に示すＡ及びＢ）を把握して、両者間の長さを直径として扱う計測方法が採られている。（公報第１頁右下欄第１３〜１９行参照）
▲２▼前記一次元ＣＣＤカメラを水平で且つカメラ走査線に対し直交する方向に所定長移動させると共に移動前後の直径値を求め、前記移動の長さと求められた直径値から真の直径値を算出するように構成したＣＺ炉内の結晶直径計測方法である。（公報第２頁右上欄第６〜１０行参照）
▲３▼上記技術手段に依れば、一次元ＣＣＤカメラの移動前後の直径値を求めるのみでルツボの位置、換言すれば液面高さに関係なく真の直径値が求められ、ルツボの上昇速度制御の誤差は全く関係が無くなる。（公報第２頁左下欄第１〜５行参照）
▲４▼そこで本発明では、第２図に示すように、Ａ位置から所定間隔ｈだけ離れたＢ位置での直径値ＤＢを求め、両直径値ＤＡ，Ｄ８からａの値を決定する。（公報第２頁右下欄第９〜１２行参照）
（甲第２号証）
　るつぼ７内の融液９の液面９ａから育成中の単結晶８の最大直径ｄと最大直径ｄのサンプリングライン位置１を計測用テレビカメラ２により計測し、得られた最大直径ｄと最大直径ｄのサンプリングライン位置１を処理装置３に入力して引き上げによる最大直径ｄの変化と、直径制御開始時のサンプリングライン位置Ｌと最大直径のサンプリングライン位置１との変位量１−Ｌを算出し、この引き上げによる最大直径ｄの変化によって単結晶引き上げ機構６を、また変位量１−Ｌによってるつぼ押上げ機構５をインターフェイス４を介して制御するように構成した単結晶の直径制御方法。（公報第１頁左下欄第５〜１７行参照）
（４）対比・判断
　甲第１号証には、上記▲１▼〜▲４▼の記載からみて、単結晶の直径計測方法において、予め定めた距離を隔てた２本の割線と交わる位置の２つのブライトリングの円弧幅を計測し、これらの計測値と予め定めた距離とから真の直径を計測する方法が開示され、さらに、甲第２号証には、単結晶の直径制御方法において、テレビカメラによりブライトリングの最大直径等を計測し、この計測値等の変化によって単結晶の直径を制御する方法が開示されている。
　しかしながら、本件発明１において必須の構成要件である「ブライトリングの端部から、予め定めた距離を隔てた位置における割線と交わる位置の前記ブライトリングの円弧幅を計測し、この計測値を予め定めた基準値と一致させること」及び、本件発明３、６において必須の構成要件である「撮影部が撮像したブライトリングの予め定めた端部を検出するリング検出部と、このリング検出部が検出した前記端部から、予め定めた距離を隔てた位置を通り、前記ブライトリングを横切る割線を求める計測位置検出部と、この計測位置検出部が求めた前記割線と交わった位置における前記ブライトリングの円弧幅を計測するリング幅計測部と
を有すること」については、甲第１乃至２号証に記載も、示唆もされていない。
　特許異議申立人は、甲第１号証に示される「ブライトリング上における固定された点」（すなわち、２本の割線とブライトリングと交わるＡ位置、Ｂ位置）は、液面の変動によってもその位置が変動しないから、これを、本件各発明における「ブライトリングの端部」に代用することが容易である旨主張している。
　しかしながら、本件各発明では、単に「ブライトリングの端部」を基準点とし、１つのブライトリングの円弧幅を計測することだけで、単結晶の直径制御が可能な技術であって、２つのブライトリングの円弧幅を計測し、さらに円弧幅間の距離から真の直径を計測するという甲第１号証記載の技術とは、その技術的な前提を異にするものであるから、特許異議申立人の上記主張は採用できない。
　そして、本件発明１、３、６は、上記各必須構成要件を採用することにより、明細書記載の作用効果を奏するものであるから、本件各発明が甲第１乃至２号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたとは認められない。
（５）むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては本件発明１、３、６の特許を取り消すことができない。
　また、他に本件発明１、３、６の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１１年６月３０日（１９９９．６．３０）
【事件の表示】
　特許第２７９８５７９号「ゴム補強用熱可塑性合成繊維」の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結論】
　特許第２７９８５７９号の特許を維持する。
【理由】
（１）本件発明
　本件特許第２７９８５７９号（平成５年４月８日出願、平成１０年７月３日設定登録。）の請求項１に係る発明は、特許明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものと認める。
　「【請求項１】下記式で表わされるトリメチロールアルカントリ脂肪酸エステル（Ａ）を主体成分とし、分子内に１個以上の水酸基を有するグリセライドのアルキレンオキサイド付加物と二塩基酸との反応生成物（Ｂ）を５〜３０重量％含有する油剤組成物が、繊維重量に対して０．　３〜３．０重量％付着していることを特徴とするゴム補強用熱可塑性合成繊維。
【化１】
ＣＨ３　（−ＣＨ２）ｎ−Ｃ（−ＣＨ２−ＯＯＣＲ）３
［式中、ＲＣＯＯ−は炭素数２０以上で不飽和結合が１個以下の脂肪酸（Ａ１）残基又は炭素数８
〜１８で不飽和結合が１個以下の脂肪酸（Ａ２）残基を、ｎは０又は１を表わし、且つＡ１とＡ２の重量割合は１／９〜７／３である。］」
（２）申立ての理由の概要
　特許異議申立人三洋化成工業株式会社は、証拠として甲第１号証（特開昭６３−５０５７２号公報）、甲第２号証（特開昭５６−１６９８６３号公報）および甲第３号証（特公昭４４−２９５５６号公報）を提出し、本件請求項１に係る発明は甲第１号証ないし甲第３号証の刊行物に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであり、この特許は特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであるから特許を取り消すべきである旨主張している。
（３）特許異議申立人が提出した甲各号証の刊行物に記載の発明
　甲各号証の刊行物には、以下の通りの発明が記載されている。
甲第１号証（特開昭６３−５０５７２号公報）
　ジカルボン酸（ａ１）およびモノカルボン酸（ａ２）からなるカルボン酸成分（Ａ）と多価アルコールとヒドロキシモノカルボン酸とからのエステルのアルキレンオキシド付加物（ｂ）からなるアルコール成分（Ｂ）とのエステル（Ｃ）を含有する繊維処理剤の発明が記載され、タイヤコード用の繊維の処理に使用されること、繊維一繊維間、繊維一金属間の摩擦を低下させること、他の公知の処理剤、例えば、脂肪酸エステル（具体例−オレイルオレエート）の併用もできること、繊維に対する付着量は、０．１〜３．０重量％であることも、記載されている。
甲第２号証（特開昭５６−１６９８６３号公報）
　三価以上の多価アルコールと炭素数が２０〜３０の脂肪族モノカルボン酸から得られるトリエステル化合物を平滑剤成分として含有するポリエステル繊維用仕上剤の発明が記載され、ゴム補強用の繊維の仕上に使用されること、併用可能な平滑剤としては、鉱物油、ヤシ油、炭素数８〜１８の脂肪族アルコールもしくは多価アルコールと炭素数８〜１８の脂肪酸とのエステルが挙げられることも、記載されている。
甲第３号証（特公昭４４−２９５５６号公報）
　トリメチロールアルカンの脂肪酸ジエステルまたはトリエステルまたは、それらの混合物を主要成分とする繊維処理用油剤の発明が記載され、脂肪酸としては、天然の植物性油脂および動物性油脂から得られる炭素数８ないし２２の直鎖状飽和ないし不飽和脂肪酸または、合成脂肪酸である炭素数１０前後の側鎖状脂肪酸、またはそれらの混合脂肪酸も使用可能であるも記載されている。
（４）本件発明と特許異議申立人が提出した甲各号証の刊行物に記載の発明との対比
　本件請求項１に係る発明と甲各号証の刊行物に記載された発明とを対比すると、甲各号証の刊行物に記載された発明は、油剤組成物が付着している繊維である点で、本件請求項１に係る発明と軌を一にするものであるが、これらの刊行物中には、トリメチロールアルカントリ脂肪酸エステルであって、炭素数２０以上で不飽和結合が１個以下の脂肪酸残基を有するエステルと、炭素数８〜１８で不飽和結合が１個以下の脂肪酸残基を有するエステルとの混合物であり、しかも、前者と後者の重量割合が１／９〜７／３であるエステルを主体成分とする油剤組成物が付着した繊維については記載も示唆もされていない。
　一方、本件請求項１に係る発明は、かかる構成を含む上記で認定したとおりの構成を採用することにより、明細書に記載されたとおりの、高温高接触圧下での摩擦係数は小さく潤滑性に優れ、製糸時の延伸操業性および撚糸・製織時の工程通過性が良好になり、加熱ローラー上でタール化したり、夏場長期保存しても着色することがなく、低温雰囲気下でレゾルシン・ホルマリン・ラテックス液処理してもその濡れ浸透性を阻害することがなく、良好なゴム接着強力が得られるという、甲各号証の刊行物に記載された発明からは予測できない優れた効果を奏すると認めることができる。
　それゆえ、本件請求項１に係る発明は、甲第１号証ないし甲第３号証の刊行物に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものとは認められない。
（５）むすび
　したがって、特許異議申立ての理由および証拠によっては、本件請求項１に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件請求項１に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１１年６月３０日（１９９９．６．３０）