【事件の表示】
　特許第２６８７６６７号「マトリクス電極基板およびその製造方法」の請求項１ないし３、８ないし１０に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結論】
　　特許第２６８７６６７号の請求項１ないし３、８ないし１０に係る特許を取り消す。
【理由】
１．手続きの経緯
特許出願　　　　　平成２年４月１７日
特許権設定登録　　平成９年８月２２日
特許異議の申立て（申立人・小山　輝晃）
　　　　　　　　　平成１０年６月８日
取消理由通知　　　平成１０年８月１１日
訂正請求　　　　　平成１０年１０月２６日
訂正拒絶理由通知　平成１１年１月２１日
訂正請求の補正　　平成１１年４月２０日
２．訂正の適否
ア．訂正請求に対する補正の適否について
　訂正請求の補正の内容は、特許請求の範囲の減縮若しくは明りょうでない記載の釈明を目的とし願書に添付された明細書（以下、「特許明細書」という。）の補正を行うものであり、当該補正は要旨を変更するものではないからこれを認める。
イ．訂正請求の内容
　平成１１年４月２０日付け手続補正書により補正された平成１０年１０月２６日付け訂正請求の内容は以下のとおりである。
（１）特許請求の範囲の請求項１、２、３、８、９、１０を、特許請求の範囲の減縮を目的として下記のとおり訂正する。
「【請求項１】絶縁基板と、この絶縁基板上に配設された第１の層配線と、前記第１の層配線とマトリックス交差する第２の層配線を有し、前記交差する部分にアクティブスイッチング素子と前記両層配線間に介装された絶縁膜を有し、前記第１及び第２の層配線に共通に接続されて前記絶縁膜の静電破壊を防止する共通電極とを有するマトリックス電極基板において、前記第１及び第２の層配線の各外部接続端子部と前記共通電極との間に、マトリックス内の前記アクティブスイッチング素子より高いしきい値特性を有し、しきい値以下における抵抗値がマトリックス配線抵抗値より大きい値である、各外部接続端子部と前記共通電極の双方がノンドープ半導体層とショットキー接触した、ノンドープ半導体層とショットキー金属膜との接触によるショットキーダイオードからなる非線形素子回路をそれぞれ接続したことを特徴とするマトリックス電極基板。
　【請求項２】絶縁基板と、この絶縁基板上に配設された第１の層配線と、前記第１の層配線とマトリックス交差する第２の層配線を有し、前記交差する部分にアクティブスイッチング素子と前記両層配線間に介装された絶縁膜を有し、前記第１及び第２の層配線に共通に接続されて前記絶縁膜の静電破壊を防止する共通電極とを有するマトリックス電極基板において、前記第１及び第２の層配線の各々はその一端に外部接続端子をその他端に測定端子を有し、前記第１及び第２の層配線の各外部接続端子部と前記共通電極との間に、並びに前記第１及び第２の層配線の各測定端子と前記共通電極との間に、マトリックス内の前記アクティブスイッチング素子より高いしきい値特性を有し、しきい値以下における抵抗値がマトリックス配線抵抗値より大きい値である、ノンドープ半導体層とショットキー金属膜との接触によるソース・ドレインショットキーコンタクトの薄膜トランジスタからなる非線形素子回路をそれぞれ接続したことを特徴とするマトリックス電極基板。
　【請求項３】絶縁基板と、この絶縁基板上に配設された第１の層配線と、前記絶縁基板上に配設され前記第１の層配線と交差する第２の層配線と、少なくとも前記第１及び第２の層配線が交差する部分の両層配線間に介装された絶縁膜と、前記第１及び第２の層配線に共通に接続されて前記絶縁膜の静電破壊を防止する共通電極とを有するマトリックス電極基板において、前記絶縁基板の切断マークで囲まれた領域外に設けられた前記共通電極と、前記第１及び第２の層配線の外部接続端子との間で、かつ、前記絶縁基板の切断マークで囲まれた領域外に前記共通電極と非線形素子回路とが設けられ、さらに前記絶縁基板の切断マークで囲まれた領域内において前記第１及び第２の層配線の間に他の非線形素子回路が設けられていることを特徴とするマトリックス電極基板。
　【請求項８】絶縁基板と、この絶縁基板上に配設された第１の層配線と、前記絶縁基板上に配設され前記第１の層配線と交差する第２の層配線と、少なくとも前記第１及び第２の層配線が交差する部分の両層配線間に介装された絶縁膜と、前記第１及び第２の層配線に共通に接続されて前記絶縁膜の静電破壊を防止する共通電極とを有するマトリックス電極基板において、前記絶縁基板の切断マークで囲まれた領域外に設けられた前記共通電極と、前記第１及び第２の層配線の各外部接続端子との間にそれぞれ非線形素子回路が設けられ、かつ、前記絶縁基板の切断マークで囲まれた領域外に前記共通電極と非線形素子回路とが設けられ、前記非線形素子回路が一対のダイオードを逆向きに直列接続したものであり、さらに前記第１及び第２の層配線間に前記切断マークで囲まれた領域内において非線形素子が設けられていることを特徴とするマトリックス電極基板。
　【請求項９】絶縁基板と、この絶縁基板上に配設された第１の層配線と、前記絶縁基板上に配設され前記第１の層配線と交差する第２の層配線と、少なくとも前記第１及び第２の層配線が交差する部分の両層配線間に介装された絶縁膜とを有し、前記第１及び第２の層配線に共通に接続されていた前記絶縁膜の静電破壊を防止する共通電極を切断除去してマトリックス電極基板を得る製造方法において、前記切断除去前に前記共通電極と、前記第１及び第２の層配線の各外部接続端子との間にそれぞれ第１の非線形素子回路を設けるとともに、前記第１及び第２の層配線間に第２の非線形素子回路を設け、前記切断時に前記第１の非線形素子回路を前記共通電極とともに切断除去する一方、前記代第２の非線形素子回路は前記第１及び第２の層配線間に残されたままとすることを特徴とするマトリックス電極基板の製造方法。
　【請求項１０】前記非線形素子回路が一対のダイオードを逆向きに直列接続したものであることを特徴とする請求項３乃至６のいずれかに記載のマトリックス電極基板。」
　なお、請求項８の「さらに前記第及び第２の層配線間に」は明らかに「さらに前記第１及び第２の層配線間に」の誤記であるので、「さらに前記第１及び第２の層配線間に」として認定した。
ウ．独立特許要件の判断
（引用刊行物）
　訂正明細書の請求項１、２、３、８、９、１０に係る発明に対し当審が訂正拒絶理由通知において示した刊行物１〜３にはそれぞれ以下の発明が記載されている。
刊行物１：特開平２−６８５２２号公報
　刊行物１には、以下の記載がある。
▲１▼「第６図は従来のアクティブマトリックス基板の構成を示す等価回路図である。第６図において、５１は薄膜トランジスタ、５２は信号線をショート状態にするための金属膜パターン、Ｘ１〜Ｘｍは走査信号線、Ｙ１〜Ｙｎは映像信号線である。ところが、アクティブマトリックス基板では、基板の製造工程中に基板に帯電する静電気によってスイッチング素子や走査信号線と映像信号線の交差部分の絶縁膜が破壊され、ショート状態になってしまうという問題点があった。この静電気による絶縁膜の破壊防止対策として、従来では第６図に示すようにアクティブマトリックス基板のすべての端子を金属膜パターン５２でショートしておき、液晶パネルへの組立後この金属膜パターン５２を切断するという方法が用いられていた。」（公報２頁左上欄１５行〜右上欄９行）
▲２▼「本発明はかかる点に鑑みてなされたもので、静電気による絶縁膜の破壊を防止し、かつ、欠陥検査が行えるアクティブマトリックス基板を提供することを目的としている。」（公報２頁右上欄１９行〜左下欄２行）
▲３▼「第１図は本発明の第１の実施例におけるアクティブマトリックス基板の構成図である。第１図において１は薄膜トランジスタ、２は走査信号線および映像信号線の入力端子、３は走査信号線及び映像信号線をショートするための金属膜パターン、４は信号線の入力端子の外側に共通電極として金属膜で形成した共通電極パターン、５は信号線をショートさせた金属膜パターン３と共通電極パターン４のあいだに形成した絶縁膜、Ｘ１〜Ｘｍは走査信号線、Ｙ１〜Ｙｎは映像信号線である。本実施例では第１図に示すように走査信号線と映像信号線は１本おきに金属膜パターン３に接続し、絶縁膜５を介して共通電極パターン４に接続されている。」（公報２頁右下欄１〜１４行）
▲４▼「第４図に本発明の第２の実施例をしめす。第４図は前記第１図のＡ部と同じ部分の構造図であり、第５図は第４図のｃ−ｃ’部における略断面図である。第４図、第５図で第２の実施例の構造を説明する。信号線の入力端子２をガラス基板１０上に形成するときに同時に信号線をショートさせる金属膜パターン３も形成しておく。次にスイッチング素子を形成するときに同時に金属膜パターン３上に半導体膜６を形成する。そして、最後に共通電極パターン４を信号線の補強膜とする金属膜１１を形成するときに同時に形成する。半導体膜６は、数Ｖの電圧を印加して行う欠陥検査の時などに高い抵抗値を持っているが、静電気によって数１００〜数ｋＶの高電圧が信号線に加わった場合では十分低抵抗となって静電気による電流を共通電極パターン４に流すことができる。
　このように構成することでフォトマスクの枚数を増すことなく静電気による絶縁膜破壊の防止対策を行うことができる。また、第４図のｄ部で示す信号線と金属膜パターン３の接続部分は検査終了後レーザ光線などで切断しやすいように補強金属膜１１を形成していない。」（公報３頁左上欄１１行〜右上欄１２行）
▲５▼「次に第１の実施例、第２の実施例による欠陥検査方法について説明する。信号線の断線検査は、走査信号線、映像信号線とも片側の端子は接続されていないので、金属膜パターン３と入力端子２（「に」の脱落）プローブ針を接続し、抵抗値を測定することで検査することができる。隣合う信号線どうしのショート欠陥検査は信号線が１本おきに金属膜パターン３に接続されているため金属パターン３にプローブ針を接続し、抵抗値を測定することで２つのブロックについてショート欠陥検査を行うことができる。また、走査信号線と映像信号線間のショート欠陥検査は、各々金属膜パターン３は絶縁膜５または半導体膜６を介して接続しているので電気的に絶縁されており走査信号線側の金属膜パターンと映像信号線側の金属膜パターンにプローブ針を接続し、抵抗値を測定することで当該ブロックについてショート欠陥検査を行うことができる。」（公報３頁右上欄１３行〜左下欄１０行）
以上▲１▼〜▲５▼の記載からみて刊行物１には次の発明が記載されていると認められる。
「ガラス基板と、このガラス基板上に配設された走査信号線と、前記走査信号線とマトリックス交差する映像信号線を有し、前記交差する部分にスイッチング素子と前記両信号線間に介装された絶縁膜を有し、前記走査信号線及び映像信号線の入力端子２が１個おきに接続された金属パターン３を介して前記走査信号線及び映像信号線に共通に接続されて前記絶縁膜の静電破壊を防止する共通電極パターン４とを有するアクティブマトリックス電極基板において、前記走査信号線及び映像信号線の入力端子２と前記共通電極パターン４との間に、数Ｖの電圧を印加して行う欠陥検査の時などに高い抵抗値を持っているが、静電気によって数１００〜数ｋＶの高電圧が前記信号線に加わった場合では十分低抵抗となって静電気による電流を前記共通電極パターン４に流すことができ、前記金属膜パターン３と前記共通電極パターンの双方が半導体膜６と接触し、前記信号線と前記金属膜パターン３の接続部分は検査終了後レーザ光線で切断するアクティブマトリックス電極基板。」（以下「発明１」という。）及び
「ガラス基板と、このガラス基板上に配設された走査信号線と、前記走査信号線とマトリックス交差する映像信号線を有し、前記交差する部分にスイッチング素子と前記両信号線間に介装された絶縁膜を有し、前記走査信号線及び映像信号線の入力端子２が１個おきに接続された金属パターン３を介して前記走査信号線及び映像信号線に共通に接続されて前記絶縁膜の静電破壊を防止する共通電極パターン４の前記金属膜パターン３と信号線の接続部分を切断してアクティブマトリックス電極基板を得る製造方法において、前記切断前に前記走査信号線及び映像信号線の入力端子２と前記共通電極パターン４との間に、数Ｖの電圧を印加して行う欠陥検査の時などに高い抵抗値を持っているが、静電気によって数１００〜数ｋＶの高電圧が前記信号線に加わった場合では十分低抵抗となって静電気による電流を前記共通電極パターン４に流すことができるように、前記金属膜パターン３と前記共通電極パターン４の双方を半導体膜６と接触させ、前記切断時に前記金属膜パターン３と前記共通電極パターン４の双方を半導体膜６と接触させたものを前記共通電極パターン４とともに信号線から切断して電気的に切り離すアクティブマトリックス電極基板の製造方法。」（以下「発明２」という。）
刊行物２（特開昭６３−９２９２９号公報）
　刊行物２には、薄膜トランジスタ付き液晶表示パネルの製造方法に関して、以下の記載がある。
▲１▼「上記ＴＦＴマトリックスアレーのＴＦＴ特性は次のように特性評価出来ることが分った。本発明を実施して基板２１上に形成したＴＦＴアレーは第２図に示すように、ゲート・ドレインシャント端子２６によって表示面２８から延長するゲートバス２２とドレインバス２４とはゲートシャントバス２３とドレインシャントバス２５とを介して全て短絡されている。」（公報３頁左下欄６〜１３行）
▲２▼「上述した配向処理のラビング工程の後、対向基板と積層される。しかる後前述したシャントバス及びシャント端子を切断マーカより切落して除去される。」（公報３頁右下欄１３〜１６行）
刊行物３：特開昭６３−１０６７８８号公報
　刊行物３には、以下の記載がある。
▲１▼「本発明は上記の点に鑑み、静電気対策を行いつつも容易に断線検査や短絡検査を可能とし、更に基板切断後においても静電気対策の残存を可能とし、基板の切断とは独立して静電気対策の解除を行える構成とし、生産性（歩留まり、スループット等）の向上とコストの低減をはかることを目的とするものであ。」（公報３頁左下欄２行〜８行）
▲２▼「上記問題点を解決するための本発明の技術的手段は、アクティブマトリックスアレイ基板の外周部（以下、第５図で破線ＥＦＧＨの外側且つ破線ＡＢＣＤの内側の領域をこのように称する）において第１の配線の末端を第３の配線により選択的に接続し電気的には連続的に蛇行した１本の長い配線となるようにし、さらに隣接する２本の第１の配線の末端部のうち第３の配線による接続を行っていない側の末端部にダイオードやトランジスタのような非線型素子を介した第４の配線による接続を行い、同様に第２の配線に関しても第１の配線と同じ構成とし、これらに加えて基板の切断とは独立して第３の配線と第４の配線を任意の時点でエッチングにより切断分離できる構成のアクティブマトリックスアレイ基板を作成し、これを用いて液晶表示装置を製造することである。
　作用
　本発明の上記技術的手段を施したアクティブマトリックスアレイ基板を用いて生産を行う場合、第４の配線には、これにつながる非線型素子にしきい値以上の電圧がかからないと電流が流れない。そこで第１の配線による配線群が第３の配線により連続的に蛇行した１本の長い配線となっているので、この両端に一度だけ検査装置の検査針を接触させ、しきい値以下の電圧で導通検査を行えば一括して数百本分の断線検査が完了する。もちろん第２の配線に関しても同様に一括した断線検査が可能となる。また静電気のように高電圧での電荷の流入に対しては、第４の配線に接続された非線型素子にしきい値以上の電圧がかかり非線型素子を介して第４の配線にも電流が流れるため、流入した電荷が基板全体にすみやかに分散され画像表示用のＴＦＴの破壊や特性変動がおこりにくくなる。」（公報３頁左下欄１０行〜４頁左上欄３行）
▲３▼「第２図は第１図におけるリングダイオードを介した第４の配線１０４の構成を説明するものである。第２図（ａ）で１０１は第１の配線、１０７はダイオードであり１０６は基板切断後の任意の時点でエッチングにより配線を切断するための部分を示している。第２図（ｂ）は第２図（ａ）に相当する部分の実際の平面図である。第２図（ｃ）と第２図（ｄ）は、それぞれ第２図（ｂ）のＡＢ線とＣＤ線での断面図である。１００は絶縁性基板でありこの場合ガラス基板を用いている。第１の配線１０１と第４の配線の主要部（ダイオード以外の部分）はＣｒ薄膜を用いて同時に形成されたものである。２０１はＳｉＮｘ薄膜でありＴＦＴのゲート絶縁膜及び第１の配線と第２の配線間の絶縁に用いられている。２０２はアモルファスシリコン薄膜でありＴＦＴの半導体層として用いられている。２０３は第４の配線の材質Ｃｒとは異なった材質（例えばＡｌ）により形成されたＴＦＴのソース・ドレイン電極であり、これらはＣｒ薄膜によるゲート電極とともにアモルファスシリコン薄膜２０２部にＴＦＴを形成している（なお第２図（ｄ）はＴＦＴの断面図となっており、画像表示部のＴＦＴと全く同時に形成されている）。そしてＴＦＴのゲート電極とソース電極を接続することによりダイオード１０７が実現されている。」（公報４頁左下欄８行〜右下欄１３行）
▲４▼「次に本発明の第２の実施例について説明する。
　第３図は第２の実施例に用いるアクティブマトリックスアレイ基板である。破線ＥＦＧＨ部で囲まれた画像表示部の構成は第１の実施例のものと全く同じであるが、アクティブマトリックスアレイ基板の外周部においてリングダイオードを介した第４の配線１０４による接続が、隣どうしの配線間のみだけでなく基板全体にめぐらされた配線３００にも接続された形になっており、静電気の電荷がよりすみやかに分散される構成となっている（なお配線３００として共通電極配線１０５を使用することも可能である）。」（公報５頁右上欄８〜１９行）
▲５▼第３図には以下の事項が記載されていると認められる。
（ｉ）第１の配線１０１及び第２の配線１０２はそれぞれ一端に外部接続端子を備えていること。
（ｉｉ）第１の配線１０１と第２の配線１０２の各々は、配列の両端のものを除き、その配線の両端の近傍の部分と配線３００との間にリングダイオードをそれぞれ接続していること。
以上▲１▼〜▲５▼の記載事項からみて、刊行物３には次の発明が記載されていると認められる。
「絶縁性基板１００と、この絶縁基板１００上に配設された第１の配線１０１と、前記第１の配線１０１とマトリックス交差する第２の配線１０２を有し、前記交差する部分にＴＦＴと前記両配線間に介装されたＳｉＮｘ膜２０１を有し、前記第１及び第２の配線に共通に接続された配線３００とを有するアクティブマトリックスアレイ基板において、前記第１及び第２の配線は、外部接続端子を有し、配列の両端のものを除き、各々の配線の両端近傍の部分と配線３００との間に、一括した断線の検査が可能でありながら外部から流入した電荷が速やかに基板全体に分散され静電気によるアクティブ素子の破壊や特性の変動が起こりにくくなる、ＴＦＴのアモルファスシリコン薄膜２０２とソースドレイン電極２０３とを接触させ、さらにゲート電極とソース電極を接続して形成したリングダイオードをそれぞれ接続したアクティブマトリックスアレイ基板。」（以下、「発明３」という。）
（対比・判断）
　【請求項１に係る発明について】
（対比）
　発明１の金属膜パターン３と共通電極パターン４の双方が半導体膜６と接触したものは、発明１の電圧と抵抗値の特性からみて非線形素子回路を形成していることは明らかである。
　そこで、本件の請求項１に係る発明と発明１を対比すると、発明１の「ガラス基板」、「走査信号線」、「映像信号線」、「スイッチング素子」、「共通電極パターン４」、「入力端子２」、「金属膜パターン３と共通電極パターン４の双方が半導体膜６と接触した」もの、「アクティブマトリックス電極基板」がそれぞれ請求項１に係る発明の「絶縁基板」、「第１の層配線」、「第２の層配線」、「アクティブスイッチング素子」、「共通電極」、「外部接続端子部」、「非線形素子回路」、「マトリックス電極基板」に相当するので請求項１に係る発明と発明１の両者は、
「絶縁基板と、この絶縁基板上に配設された第１の層配線と、前記第１の層配線とマトリックス交差する第２の層配線を有し、前記交差する部分にアクティブスイッチング素子と前記両層配線間に介装された絶縁膜を有し、前記第１及び第２の層配線に共通に接続されて前記絶縁膜の静電破壊を防止する共通電極とを有するマトリックス電極基板において、前記第１及び第２の層配線の外部接続端子部と前記共通電極との間に、非線形素子回路を接続したことを特徴とするマトリックス電極基板。」
である点で一致し、以下の点で相違する。
相違点１：「非線形素子回路」の配置に関して、請求項１に係る発明では「第１及び第２の層配線の各外部接続端子部と前記共通電極との間に、・・・各外部接続端子部と前記共通電極の双方が・・・半導体層と接触した、・・・非線形素子回路をそれぞれ接続した」のに対して、発明１では「走査信号線及び映像信号線の入力端子２と前記共通電極パターン４との間に、各入力端子が１個おきに接続された金属パターン３と前記共通電極パターン４の双方が・・・半導体膜６と接触した」ものを「接続した」点。
相違点２：「非線形素子回路」が、請求項１に係る発明では「マトリックス内の前記アクティブスイッチング素子より高いしきい値特性を有し、しきい値以下における抵抗値がマトリックス配線抵抗値より大きい値である、各外部接続端子部と前記共通電極の双方がノンドープ半導体層とショットキー接触した、ノンドープ半導体層とショットキー金属膜との接触によるショットキーダイオードからなる」のに対して、発明１では「数Ｖの電圧を印加して行う欠陥検査の時などに高い抵抗値を持っているが、静電気によって数１００〜数ｋＶの高電圧が信号線に加わった場合では十分低抵抗となって静電気による電流を共通電極パターン４に流すことができる、各入力端子２が１個おきに接続された金属膜パターン３と前記共通電極パターン４の双方が半導体膜６と接触した」ものからなる点。
（判断）
　まず、相違点１について検討する。
　刊行物１の記載事項▲１▼に示されているように、刊行物１記載の発明１は、静電気による絶縁破壊の防止対策として信号線の各端子を金属膜パターン５２にそれぞれ接続してショートさせることを従来技術として認識している。
　また、信号線の入力端子２が１本おきに金属膜パターン３に接続されているのは、刊行物１の記載事項▲５▼からみて欠陥検査をブロックごとに行えるようにするためのものであると認められる。
　してみると、発明１も欠陥検査をブロックごとに行えるという利便性を考慮しなければ、金属膜パターン３を介さず、すなわち金属膜パターン３を省略して、従来技術のように各入力端子２をそれぞれ共通電極に接続するものであろうことは当業者ならば容易に推察され、その際に静電気による絶縁膜の破壊を防止し、かつ、欠陥検査を行うという発明１の目的からみて、非線形素子回路を「走査信号線及び映像信号線の各入力端子２と前記共通電極パターン４との間に、・・・各入力端子と前記共通電極パターン４の双方が半導体膜６と・・・接触した、・・・非線形素子回路をそれぞれ接続した」ように配置することは明らかである。
　次に相違点２について検討する。
　静電気による絶縁膜の破壊を防止し、かつ、欠陥検査が行えるアクティブマトリックス基板を提供するという発明１の目的及び技術常識からみて、非線形素子回路の特性として、「数Ｖの電圧を印加して行う欠陥検査の時などに高い抵抗値を持っているが、静電気によって数１００〜数ｋＶの高電圧が信号線に加わった場合では十分低抵抗となって静電気による電流を共通電極パターン４に流す」ことは、実質的に「マトリックス内の前記アクティブスイッチング素子より高いしきい値特性を有し、しきい値以下における抵抗値がマトリックス配線抵抗値より大きい値である」ことを意味していると解される。
　してみると、相違点１のうち、請求項１に係る発明の非線形素子回路が「各外部接続端子部と前記共通電極の双方がノンドープ半導体層とショットキー接触した、ノンドープ半導体層とショットキー金属膜との接触による」ものであるのに対して、発明１の非線形素子回路は「各入力端子２が１個おきに接続された金属膜パターン３と前記共通電極パターン４の双方が半導体膜６と接触した」ものである点だけが実質的な相違点となる。
　ちなみに、ショットキーダイオードは、ショットキー障壁を形成するように好適な組み合わせの金属と半導体を接触させたものであることは従来からよく知られている。
　そして、発明１の金属膜パターン３と共通電極パターン４の双方が半導体膜６と接触して形成している非線形素子回路は、その特性からみてショットキーダイオードを形成していることも明らかである。
　さらに、静電気を共通電極に流して静電破壊を防止するために、一対のダイオードを逆向きに直列接続した非線形素子回路で共通電極とアクティブマトリックスを結ぶことは本出願前周知である（例えば特開昭６３−８５５８６号公報参照。）、
　してみると、発明１のショットキーダイオードを形成している非線形素子回路に上記周知技術を適用し、一対のショットキーダイオードを逆向きに直列接続したもの、すなわち半導体膜６を金属膜パターン３及び共通電極パターン４の双方とショットキー接触させたものにすることに格別の困難性は見い出せない。
　しかも半導体膜６をノンドープとするか否かは、接触させる金属及び必要とするダイオード特性によって適宜選択される事項であり、ショットキー接触を具体化する際における設計上の微差である。
　また、刊行物１の記載事項▲４▼からみて、入力端子２と金属膜パターン３は同じ金属で形成されていることが明らかなので、相違点１で検討したように、金属膜パターン３を介さずに各入力端子２が半導体膜６と接触した場合も半導体膜６との間でショットキーダイオードを形成することは明らかである。
　してみると、発明１の非線形素子回路を訂正明細書の請求項１に係るもののように構成することに格別の困難性は認められない。
　したがって、訂正明細書の請求項１に係る発明は刊行物１記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであると認められる。
　【請求項２に係る発明について】
（対比）
　発明３の第１及び第２の配線１０１、１０２は、両端の近傍の部分で配線３００と接続されているが、電気的にみて両端で接続したのと実質的な相違はない。
　してみると、発明３のリングダイオードは、各配線の外部接続端子と配線３００との間及び各配線の外部接続端子が設けられていない側の端部と配線３００との間に実質的に設けられているのに等しい。
　また、発明３の第１の配線及び第２の配線１０１、１０２は、配線３００と接続されているので、前記第１の配線１０１と第２の配線１０２が交差する部分にＴＦＴと前記両配線間に介装されたＳｉＮｘ膜２０１の静電破壊を防止することは明らかである。
　そこで、本件の請求項２に係る発明と発明３を対比すると、発明３の「絶縁性基板１００」、「第１の配線１０１」、「第２の配線１０２」、「ＴＦＴ」、「ＳｉＮｘ膜２０１」、「配線３００」、「外部接続端子」、「ＴＦＴのアモルファスシリコン薄膜２０２とソースドレイン電極２０３とを接触させ、さらにゲート電極とソース電極を接続して形成したリングダイオード」、「アクティブマトリックスアレイ基板」がそれぞれ請求項２に係る発明の「絶縁基板」、「第１の層配線」、「第２の層配線」、「アクティブスイッチング素子」、「絶縁膜」、「共通電極」、「外部接続端子部」、「非線形素子回路」、「マトリックス電極基板」に相当するので、請求項２に係る発明と発明３の両者は、
「絶縁基板と、この絶縁基板上に配設された第１の層配線と、前記第１の層配線とマトリックス交差する第２の層配線を有し、前記交差する部分にアクティブスイッチング素子と前記両層配線間に介装されて前記絶縁膜の静電破壊を防止する共通電極とを有するマトリックス電極基板において、前記第１及び第２の層配線の各々はその一端に外部接続端子部を有し、第１及び第２の層配線の両端と共通電極との間に、非線形素子回路を接続したことを特徴とするマトリックス電極基板。」である点で一致し、以下の点で相違する。
相違点１：非線形素子回路の配置に関して、請求項２に係る発明では、「前記第１及び第２の層配線の各外部接続端子部と前記共通電極との間に、並びに前記第１及び第２の層配線の各測定端子と前記共通電極との間に」それぞれ接続したのに対して、発明３では「第１の配線及び第２の配線の配列の両端のものを除き、各々の層配線の両端と配線３００との間に」それぞれ接続した点。
相違点２：非線形素子回路が、請求項２に係る発明では「マトリックス内の前記アクティブスイッチング素子より高いしきい値特性を有し、しきい値以下における抵抗値がマトリックス配線抵抗値より大きい値である、ノンドープ半導体層とショットキー金属膜との接触によるソースドレイン・ドレインショットキーコンタクトの薄膜トランジスタからなる」のに対して、発明３では「ＴＦＴのアモルファスシリコン薄膜２０２とソースドレイン電極２０３とを接触させ、さらにゲート電極とソース電極を接続して形成したリングダイオードからなる」点
（判断）
　まず、相違点１について検討する。
　発明３のリングダイオードは、請求項２に係る発明と同様に、第１の配線及び第２の配線の静電気を請求項２に係る発明の共通電極に相当する配線３００に逃すものである。
　そして、第１の配線及び第２の配線の両端のものもその隣の配線に電気的に接続され、その隣のリングダイオードを介して配線３００に接続されている。
　また、静電破壊の防止のためには、配列の両端の配線も他の配線と同様にその両端をリングダイオードを介して配線３００に接続した方が望ましいことは明らかである。
　してみると、発明３のものは表面的にはその各配線の両端のものは除かれた形になっているが、実質的には「第１の配線及び第２の配線の各々の配線の両端と配線３００との間にリングダイオードをそれぞれ接続すること」が記載されていると認められる。
　したがって、相違点１は、「非線形素子回路」の配置に関して請求項２に係る発明では、「前記第１及び第２の層配線の各測定端子と前記共通電極との間に」それぞれ接続したのに対して、発明３では「前記第１及び第２の配線の外部接続端子が設けられていない側の各端部と前記配線３００との間に」それぞれ接続した点だけが実質的な相違点になる。
　しかしながら、発明３は検査を目的とするものであり、しかも配線の端部に測定端子を設けるか否かは当業者が必要に応じて成し得る程度の事項であるので、相違点１は格別のものとは認められない。
　次に、相違点２について検討する。
　請求項２に係る発明のソースドレイン・ドレインショットキーコンタクトの薄膜トランジスタは、明細書には「そのソースとドレインとが接続されたＴＦＴ６１ａ、６１ｂを、ソース電極とドレインとを結合することによって接続してなるものである。」と記載されている（特許掲載公報１１欄１４〜１６行）ので、発明３の「ＴＦＴのアモルファスシリコン薄膜２０２とソースドレイン電極２０３とが接触され、さらにゲート電極とソース電極を接続して形成したリングダイオード」は、請求項２に係る発明の「ソース・ドレインコンタクトの薄膜トランジスタ」に相当すると認められる。
　してみると、相違点２は、「非線形素子回路」が、請求項２に係る発明では「マトリックス内の前記アクティブスイッチング素子より高いしきい値特性を有し、しきい値以下における抵抗値がマトリックス配線抵抗値より大きい値である、ノンドープ半導体層とショットキー金属膜との接触によるソース・ドレインショットキーコンタクトの薄膜トランジスタからなる」のに対して、発明３では「一括した断線の検査が可能でありながら外部から流入した電荷が速やかに基板全体に分散され静電気によるアクティブ素子の破壊や特性の変動が起こりにくくなる、半導体層と金属膜との接触によるソース・ドレインコンタクトの薄膜トランジスタからなる」点だけが実質的な相違点になる。
　発明３は、発明１と同様、液晶パネルに用いられるアクティブマトリックス基板の欠陥検査時の静電破壊を防止するためのものであり、また、液晶パネルに用いられるアクティブマトリックス基板の欠陥検査時の静電破壊を防止するために、共通電極との間に設ける非線形素子回路として「マトリックス内の前記アクティブスイッチング素子より高いしきい値特性を有し、しきい値以下における抵抗値がマトリックス配線抵抗値より大きい値であるように、半導体層とショットキー金属膜とを接触させること」は、発明１に示されているので、発明１の上記事項を発明３の薄膜トランジスタの半導体層と金属膜とを接触させる際に採用することに格別の困難性はみい出せない。
　また、この際に、請求項１に係る発明の相違点２について検討したのと同様の理由で、半導体層をノンドープとするか否かは、接触させる金属及び必要とするダイオード特性によって適宜選択される事項であり、ショットキー接触を具体化する際における設計上の微差である。
　したがって、訂正明細書の請求項２に係る発明は刊行物１、３記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであると認められる。
　【請求項３に係る発明について】
（対比）
　本件の請求項１に係る発明と発明１を対比すると、発明１の「ガラス基板」、「走査信号線」、「映像信号線」、「スイッチング素子」、「共通電極パターン４」、「入力端子２」、「金属膜パターン３と共通電極パターン４の双方が半導体膜６と接触した」もの、「アクティブマトリックス電極基板」が、それぞれ請求項３に係る発明の「絶縁基板」、「第１の層配線」、「第２の層配線」、「アクティブスイッチング素子」、「共通電極」、「外部接続端子部」、「非線形素子回路」、「マトリックス電極基板」に相当するので、請求項３に係る発明と発明１の両者は、
「絶縁基板と、この絶縁基板上に配設された第１の層配線と、前記絶縁基板上に配設され前記第１の層配線と交差する第２の層配線と、少なくとも前記第１及び第２の層配線が交差する部分の両層配線間に介装された絶縁膜と、前記第１及び第２の層配線に共通に接続されて前記絶縁膜の静電破壊を防止する共通電極とを有するマトリックス電極基板。」である点で一致し、次の点で相違する。
相違点１：請求項３に係る発明では、「前記絶縁基板の切断マークで囲まれた領域外に設けられた前記共通電極と、前記第１及び第２の層配線の外部接続端子との間で、かつ、前記絶縁基板の切断マークで囲まれた領域外に前記共通電極と非線形素子回路とが設けられ、・・・さらに前記絶縁基板の切断マークで囲まれた領域内において前記第１及び第２の層配線の間に他の非線形素子回路が設けられている」のに対して発明１では「前記信号線と前記金属膜パターン３の接続部分は検査終了後レーザ光線で切断する」点。
（判断）
　そこで、相違点１について検討する。
　切断する領域を示すために基板に切断マークを設けることは本出願前周知である（例えば特開昭６３−９２９２９号公報参照）。
　また、絶縁基板の切断後の静電破壊を防止するという技術課題、及びそのために絶縁基板の切断される領域内において２つの層配線の間に非線形素子回路を設けることは本出願前周知である（例えば特開昭６３−１０６７８８号公報、特開昭６３−８５５８６号公報）。
　してみると、発明１において信号線と金属膜パターン３の接続部分を検査終了後レーザ光線で切断するにあたり、上記周知技術を採用して切断マークを設け、さらに静電破壊防止という上記周知の技術課題を解決するために上記周知の構成を採用し、請求項３に係る発明のような構成とすることに格別の困難性はみい出せない。
　したがって、訂正明細書の請求項３係る発明は刊行物１記載の発明及び上記各周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであると認められる。
　【請求項８に係る発明について】
　本件の請求項８に係る発明と発明１を対比すると、発明１の「ガラス基板」、「走査信号線」、「映像信号線」、「スイッチング素子」、「共通電極パターン４」、「入力端子２」、「金属膜パターン３と共通電極パターン４の双方が半導体膜６と接触した」もの、「アクティブマトリックス電極基板」が、それぞれ請求項８に係る発明の「絶縁基板」、「第１の層配線」、「第２の層配線」、「アクティブスイッチング素子」、「共通電極」、「外部接続端子部」、「非線形素子回路及び非線形素子」、「マトリックス電極基板」に相当するので、請求項８に係る発明と発明１の両者は、
「絶縁基板と、この絶縁基板上に配設された第１の層配線と、前記絶縁基板上に配設され前記第１の層配線と交差する第２の層配線と、少なくとも前記第１及び第２の層配線が交差する部分の両層配線間に介装された絶縁膜と、前記第１及び第２の層配線に共通に接続されて前記絶縁膜の静電破壊を防止する共通電極とを有するマトリックス電極基板。」である点で一致し、次の点で相違する。
相違点１：請求項８に係る発明では、「前記絶縁基板の切断マークで囲まれた領域外に設けられた前記共通電極と、前記第１及び第２の層配線の外部接続端子との間で、かつ、前記絶縁基板の切断マークで囲まれた領域外に前記共通電極と非線形素子回路とが設けられ、さらに前記絶縁基板の切断マークで囲まれた領域内において前記第１及び第２の層配線の間に他の非線形素子が設けられている」のに対して発明１では「前記信号線と前記金属膜パターン３の接続部分は検査終了後レーザ光線で切断する」点。
相違点２：「非線形素子回路」が請求項８に係る発明では「一対のダイオードを逆向きに直列接続したものであ」るのに対して、発明１では「金属膜パターン３と前記共通電極パターン４の双方が半導体膜６と接触した」ものである点。
（判断）
　まず相違点１について検討する。
　請求項３に係る発明について検討したのと同様の理由で、発明１及び前記各周知技術に基づいて当業者が相違点３に係る構成のようにすることに格別の困難性をみい出すことはできない。
　次に相違点２ついて検討する。
　静電気を共通電極に流して静電破壊を防止するために、一対のダイオードを逆向きに直列接続した非線形素子回路で共通電極とアクティブマトリックスを結ぶことは本出願前周知である（例えば特開昭６３−８５５８６号公報参照。）ので、この周知技術を発明１に採用して相違点２に係る構成のようにすることに格別の困難性をみい出すことはできない。
　したがって、訂正明細書の請求項８に係る発明は刊行物１記載の発明及び前記各周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであると認められる。
　【請求項９に係る発明について】
　発明２の金属膜パターン３と共通電極パターン４の双方が半導体膜６と接触したものは、発明２の電圧と抵抗値の特性からみて非線形素子回路を形成していることは明らかである。
　そこで、本件の請求項９に係る発明と発明２を対比すると、発明２の「ガラス基板」、「走査信号線」、「映像信号線」、「スイッチング素子」、「共通電極パターン４」、「入力端子２」、「金属膜パターン３と共通電極パターン４の双方が半導体膜６と接触した」もの、「アクティブマトリックス電極基板」が、それぞれ請求項９に係る発明の「絶縁基板」、「第１の層配線」、「第２の層配線」、「アクティブスイッチング素子」、「共通電極」、「外部接続端子部」、「非線形素子回路」、「マトリックス電極基板」に相当するので、請求項９に係る発明と発明２の両者は、
「絶縁基板と、この絶縁基板上に配設された第１の層配線と、前記絶縁基板上に配設され前記第１の層配線と交差する第２の層配線と、少なくとも前記第１及び第２の層配線が交差する部分の両層配線間に介装された絶縁膜と、前記第１及び第２の層配線に共通に接続されて前記絶縁膜の静電破壊を防止する共通電極を切断除去してマトリックス電極基板を得る製造方法において、前記切断除去前に前記共通電極と、前記第１及び第２の層配線の各外部接続端子との間にそれぞれ第１の非線形素子回路を設けるマトリックス電極基板の製造方法。」である点で一致し、次の点で相違する。
相違点１：請求項９に係る発明では、「前記切断除去前に・・・前記第１及び第２の層配線間に第２の非線形素子回路を設け、前記切断時に・・・一方、前記第２の非線形素子回路は前記第１及び第２の層配線間に残されたままとする」のに対して、発明２では第１及び第２の層配線間に第２の非線形素子回路を設けるものではない点。
（判断）
　そこで、上記相違点１について検討すると。
　発明２では、信号線と金属膜パターン３の接続部分は切断されて「共通電極パターン４」と非線形素子回路である「金属膜パターン３と共通電極パターン４の双方が半導体膜６と接触した」ものは、スイッチング素子及び信号線よりなるマトリックス回路から電気的に切り離されてしまうが、これらはマトリックス回路にとって不要なものであり、しかもそのままアクティブマトリックス電極基板に残しておくと、液晶表示パネルの駆動の際に浮遊容量の原因になるなど回路駆動に悪影響を与えることは技術常識からみて明らかである。
　してみると、信号線と金属膜パターン３の接続部分を切断する際に、不要となる「金属膜パターン３と共通電極パターン４の双方が半導体膜６と接触した」ものをアクティブマトリックス電極基板から切断除去することは当業者ならば容易に想到すると認められる。
　そして、この切断除去の際に、請求項３において検討した各周知技術を採用して請求項９に係る発明のような構成とすることに格別の困難性はみいだせない。
　したがって、訂正明細書の請求項９に係る発明は刊行物１記載の発明及び前記各周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであると認められる。
　【請求項１０に係る発明について】
　請求項１０係る発明は、請求項３乃至６係る発明のいずれかを引用しているが、特許異議申立ては請求項３に係る発明についてのみなされているので、請求項３係る発明を引用したものについて検討する。
　請求項１０係る発明は請求項３係る発明を、非線形素子回路が一対のダイオードを逆向きに直列接続したものである点で限定しているが、この点は本出願前周知であり（例えば特開昭６３−８５５８６号公報参照。）、この周知技術を発明１に採用することに格別の困難性はみい出せない。
　したがって、請求項１０係る発明は、請求項３に係る発明について検討したのと同様の理由で、刊行物１記載の発明及び前記各周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであると認められる。
エ．むすび
　平成１１年４月２０日付け手続補正書により補正された平成１０年１０月２６日付け訂正請求により訂正された訂正明細書の請求項１、２、３、８、９、１０に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定に違反しており、特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから、本件訂正請求は、特許法の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、特許法第１２０条の４第２項及び同上第３項で準用する特許法第１２６条第３項の規定に適合しないので、当該訂正は認められない。
３．特許異議申立についての判断
ア．取消理由の概要
　本件特許の請求項１、２、３、８、９、１０に係る発明は、刊行物１（特開平−２−６８５２２号公報）、刊行物２（特開昭６３−９２９２９号公報）、刊行物３（特開昭６３−１０６７８８号公報）に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるので、特許法第２９条第２項の規定に違反しており、特許を受けることができないものである。
イ．本件特許発明
　本件特許の請求項１、２、３、８、９、１０に係る発明は、訂正前の特許明細書の請求項１、２、３、８、９、１０に記載されたとおりのもである。
ウ．引用刊行物
　取消理由に引用した刊行物１〜３と、訂正拒絶理由に引用した刊行物１〜３はそれぞれ同一の刊行物であり、その刊行物には、２．訂正の適否（引用刊行物）で示したとおりの発明が記載されている。
エ．対比・判断
　２．訂正の適否において判断したように、平成１０年１０月２６日付け訂正請求は認められないので、訂正前の請求項１、２、３、８、９、１０に係る発明は、訂正による各技術的限定が省かれたものである。
　してみると、上記省かれた各技術的限定以外の相違点については、前記２．訂正の適否（対比・判断）で示したのと同様の理由により、刊行物１〜３及び前記各周知技術に基づいて当業者が容易になし得た程度の事項であると認められる。
　したがって、本件特許の請求項１、２、３、８、９、１０に係る発明は、刊行物１〜３及び前記各周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
オ．むすび
　以上のとおりであるから、本件特許の請求項１、２、３、８、９、１０に係る発明の特許は拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してなされたものと認める。
　よって、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の一部の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令２０５号）第４条第１項及び第２項の規定により、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１１年７月１日（１９９９．７．１）