(57)【要約】  本発明に係る有機電界発光素子は、陽極基板層（１１０）と、陽極基板層（１１０）の上に位置する正孔注入層（１２０）と、正孔注入層（１２０）の上に位置する発光層（１３０）と、発光層（１３０）の上に位置する陰極電極層（１４０）とを備える。ここで、正孔注入層（１２０）の材料は、金属酸化物又はチオフェン系化合物である。正孔注入層（１２０）は、電子−正孔の再結合確率を向上させ、且つ酸化されにくい特徴を持っているため、有機電界発光素子の効率を向上させ、且つ使用寿命を延長させることができる。さらに、本発明は有機電界発光素子の製造方法に関する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
陽極基板層と、前記陽極基板層の上に位置する正孔注入層と、前記正孔注入層の上に位置する発光層と、前記発光層の上に位置する陰極電極層とを含む有機電界発光素子であって、
前記正孔注入層の材料は、金属酸化物又はチオフェン系化合物であることを特徴とする有機電界発光素子。
【請求項２】
前記金属酸化物は、酸化亜鉛、酸化マグネシウム及び五酸化二バナジウムから選ばれる少なくとも一種であり、前記チオフェン系化合物は、ポリ（３−ヘキシルチオフェン）、ポリ（３−メチルチオフェン）、ポリ（３−オクチルオキシチオフェン）及びポリ（３−ドデシルチオフェン）から選ばれる少なくとも１種であることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光素子。
【請求項３】
さらに、前記正孔注入層と前記発光層との間に位置する正孔輸送層、前記発光層と前記陰極電極層との間に位置する電子輸送層、及び前記電子輸送層と前記陰極電極層との間に位置する電子注入層から選ばれる少なくとも一層を有することを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光素子。
【請求項４】
工程Ｓ１：金属酸化物ゾル又はチオフェン系化合物ゾルを調製する工程と、
工程Ｓ２：陽極基板層を提供し、前記陽極基板層の表面に対し前処理を行う工程と、
工程Ｓ３：スピンコート技術を用いて前記金属酸化物ゾル、又は前記チオフェン系化合物ゾルを、表面が前処理された前記陽極基板層の上に塗布して、一層の正孔注入層を形成し、その後、前記正孔注入層の上に一層の発光層を塗布し、及び前記発光層の上に一層の陰極電極層を塗布し、乾燥を行って有機電界発光素子を得る工程と、
を含むことを特徴とする有機電界発光素子の製造方法。
【請求項５】
前記工程Ｓ１における前記金属酸化物ゾルの調製は、金属酸化物を溶媒に溶解して、濃度１０〜３５％の金属酸化物ゾルを調製する工程を含むことを特徴とする請求項４に記載の有機電界発光素子の製造方法。
【請求項６】
前記金属酸化物は、酸化亜鉛、若しくは酸化マグネシウムであり、前記溶媒は、体積比１：２の水と酢酸との混合溶液であり、又は、
前記金属酸化物は、五酸化二バナジウムであり、前記溶媒は、アンモニア水であることを特徴とする請求項５に記載の有機電界発光素子の製造方法。
【請求項７】
前記正孔注入層を形成する原料が前記金属酸化物ゾルである場合、スピンコート過程における回転速度は５００〜２０００ｒｐｍであり、スピンコート時間は３０ｓであり、乾燥過程における温度は５０〜２００℃であり、乾燥時間は１５〜６０ｍｉｎであることを特徴とする請求項４又は６に記載の有機電界発光素子の製造方法。
【請求項８】
前記工程Ｓ１におけるチオフェン系化合物ゾルの調製は、チオフェン系化合物を有機溶媒に溶解して、濃度１×１０−３〜１×１０−２ｇ／Ｌのチオフェン系化合物ゾルを調製する工程を含むことを特徴とする請求項４に記載の有機電界発光素子の製造方法。
【請求項９】
前記チオフェン系化合物は、ポリ（３−ヘキシルチオフェン）、ポリ（３−メチルチオフェン）、ポリ（３−オクチルオキシチオフェン）、又はポリ（３−ドデシルチオフェン）であり、
前記有機溶媒は、クロロベンゼン、キシレン、テトラヒドロフラン、トリクロロメタン、又はジクロロメタンから選ばれる少なくとも１種であることを特徴とする請求項８に記載の有機電界発光素子の製造方法。
【請求項１０】
前記正孔注入層を形成する原料がチオフェン系化合物ゾルである場合、スピンコート過程における回転速度は５００〜２５００ｒｐｍであり、スピンコート時間は３０ｓであり、乾燥過程における温度は５０〜２００℃であり、乾燥時間は１５〜１００ｍｉｎであることを特徴とする請求項４又は９に記載の有機電界発光素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機電界発光素子及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
１９８７年に、米国のＥａｓｔｍａｎ  Ｋｏｄａｋ社のＣ．Ｗ．Ｔａｎｇ及びＶａｎＳｌｙｋｅは、有機電界発光の研究において飛躍的な発展を遂げた。すなわち、真空メッキ技術を利用して高輝度、高効率の二層低分子有機電界発光素子を作製した。１９９０年に、イギリスのケンブリッジ大学のＲ．Ｈ．Ｆｒｉｅｎｄグループは、初めての高分子発光ダイオードを作製した。有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ：Organic Light-Emitting Diode）は、それ以来わずか２０年未満の間に既に応用段階に入っている。
【０００３】
しかしながら、従来の有機電界発光素子における正孔注入層は、通常、有機低分子を採用しており、酸化されやすくて安定でないため、有機電界発光素子の使用寿命及び効率に影響を与えている。
【発明の概要】
【０００４】
上記事情に鑑みて、使用寿命が長く、性能が優れた有機電界発光素子を提供する必要がある。
【０００５】
本発明の有機電界発光素子は、陽極基板層と、陽極基板層の上に位置する正孔注入層と、正孔注入層の上に位置する発光層と、発光層の上に位置する陰極電極層とを有する有機電界発光素子であって、正孔注入層の材料が、金属酸化物又はチオフェン系化合物であることを特徴とする。
【０００６】
好ましくは、前記金属酸化物は、酸化亜鉛、酸化マグネシウム及び五酸化二バナジウムから選ばれる少なくとも１種であり、前記チオフェン系化合物は、ポリ（３−ヘキシルチオフェン）、ポリ（３−メチルチオフェン）、ポリ（３−オクチルオキシチオフェン）及びポリ（３−ドデシルチオフェン）から選ばれる少なくとも１種である。
【０００７】
好ましくは、さらに、正孔注入層と発光層との間に位置する正孔輸送層、発光層と陰極電極層との間に位置する電子輸送層、及び電子輸送層と陰極電極層との間に位置する電子注入層から選ばれる少なくとも一層を有する。
【０００８】
金属酸化物又はチオフェン系化合物により形成された正孔注入層は、電子−正孔の再結合確率を向上させ、且つ酸化されにくい特徴を持っているため、有機電界発光素子の効率を向上させ、且つその使用寿命を延長させることができる。
【０００９】
さらに、金属酸化物として酸化亜鉛、酸化マグネシウム、五酸化二バナジウムなどを用い、チオフェン系化合物として、ポリ（３−ヘキシルチオフェン）、ポリ（３−メチルチオフェン）、ポリ（３−オクチルオキシチオフェン）、又はポリ（３−ドデシルチオフェン）などを用いることで、従来に用いる有機低分子に比べて、酸化されにくくなり、長期にわたって安定に存在することができ、且つ正孔注入能力が強くなる。
【００１０】
金属酸化物材料は、紫外光帯域において比較的に大きい吸収を有し、紫外線を遮蔽する作用を奏する。紫外線の照射は素子の安定性に大きく影響を与えるため、このような金属酸化物材料を選択することにより、素子の安定性を効果的に向上させ、かつ素子の劣化程度を緩めることができる。
【００１１】
ポリアルキルチオフェン系重合体のチオフェンは、一定の長さの側鎖基を有しており、これらのアルキル側鎖は、鎖の間の距離を大きくすることができて、正孔の輸送を主鎖に限定させる。これにより、電子−正孔の再結合の確率を向上させ、素子の発光強度及び発光輝度を効果的に強めることができる。
【００１２】
さらに、使用寿命が長い有機電界発光素子の製造方法を提供する必要がある。
【００１３】
本発明の有機電界発光素子の製造方法は、
Ｓ１：金属酸化物ゾル又はチオフェン系化合物ゾルを調製する工程と、
Ｓ２：陽極基板層を提供し、陽極基板層の表面に対し前処理を行う工程と、
Ｓ３：スピンコート技術を用いて金属酸化物ゾル、又はチオフェン系化合物ゾルを、表面が前処理された陽極基板層上に塗布して、一層の正孔注入層を形成し、そして正孔注入層上に一層の発光層を塗布し、及び発光層上に一層の陰極電極層を塗布し、乾燥を行って、有機電界発光素子を得る工程と、
を備えることを特徴とする。
【００１４】
好ましくは、工程Ｓ１において、金属酸化物ゾルの調製は、金属酸化物を溶媒に溶解して、濃度１０〜３５％の金属酸化物ゾルを調製する工程を含む。
【００１５】
好ましくは、前記金属酸化物は、酸化亜鉛又は酸化マグネシウム、前記溶媒は体積比で１：２の水と酢酸との混合溶液であり；又は、金属酸化物は、五酸化二バナジウム、溶媒はアンモニア水である。
【００１６】
正孔注入層を形成する原料が金属酸化物ゾルである場合、好ましくは、スピンコート過程における回転速度は５００〜２０００ｒｐｍであり、スピンコート時間は３０ｓであり、乾燥過程における温度は５０〜２００℃であり、乾燥時間は１５〜６０ｍｉｎである。
【００１７】
好ましくは、工程Ｓ１において、チオフェン系化合物ゾルの調製は、チオフェン系化合物を有機溶媒に溶解して、濃度１×１０−３〜１×１０−２ｇ／Ｌのチオフェン系化合物ゾルを調製する工程を含む。
【００１８】
好ましくは、チオフェン系化合物は、ポリ（３−ヘキシルチオフェン）、ポリ（３−メチルチオフェン）、ポリ（３−オクチルオキシチオフェン）、又はポリ（３−ドデシルチオフェン）であり、有機溶媒は、クロロベンゼン、キシレン、テトラヒドロフラン、トリクロロメタン、又はジクロロメタンから選ばれる少なくとも一種である。
【００１９】
正孔注入層を形成する原料がチオフェン系化合物ゾルである場合、好ましくは、スピンコート過程における回転速度は５００〜２５００ｒｐｍであり、スピンコート時間は３０ｓであり、乾燥過程における温度は５０〜２００℃であり、乾燥時間は１５〜１００ｍｉｎである。
【００２０】
上記有機電界発光素子の製造方法によれば、金属酸化物材料又はチオフェン系化合物材料をスピンコートして正孔注入層を形成するため、その工程が簡単であり、設備条件に対する要求も低く、操作が簡易になり、素子の製造コストを大幅に低下させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】図１は、一実施形態に係る有機電界発光素子の構造を模式的に示す図である。
【図２】図２は、他の実施形態に係る有機電界発光素子の構造を模式的に示す図である。
【図３】図３は、例２、例８の、正孔注入層を採用したＩＴＯ（インジウム−スズ酸化物）／正孔注入層／ＮＰＢ（Ｎ，Ｎ'−（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ'−ジフェニル−４，４'−ビフェニルジアミン）／Ａｌｑ３（トリス(8-キノリノラト)アルミニウム）／ＬｉＦ／Ａｌからなる膜層構造有する有機電界発光素子、及び例１０の、正孔注入層を採用していないＩＴＯ／ＮＰＢ／Ａｌｑ３／ＬｉＦ／ＡＬ構造を有する有機電界発光素子の発光輝度（Ｌｕｍｉｎａｎｃｅ、単位：ｃｄ／ｍ２）と電圧（Ｖｏｌｔａｇｅ、単位：Ｖ）との関係を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、主に添付した図面及び具体的な実施例に基づき、有機電界発光素子及びその製造方法をより詳細に説明する。
【００２３】
図１に示すように、一実施形態における有機電界発光素子は、陽極基板層１１０と、正孔注入層１２０と、発光層１３０と、陰極電極層１４０とを順に含んでなる。
【００２４】
陽極基板層１１０は、例えば、インジウム−スズ酸化物（ＩＴＯ）、酸化亜鉛又は酸化スズなどの無機導電材料、又は、例えば、ポリアニリンなどの有機導電性重合体を用いることができる。
【００２５】
正孔注入層１２０は、金属酸化物又はチオフェン系化合物を用いて製造する。その中で、金属酸化物としては、例えば、酸化亜鉛、酸化マグネシウム、又は五酸化二バナジウム等であり、チオフェン系化合物としては、例えば、ポリ（３−ヘキシルチオフェン）、ポリ（３−メチルチオフェン）、ポリ（３−オクチルオキシチオフェン）、又はポリ（３−ドデシルチオフェン）等である。
【００２６】
発光層１３０は、テトラ−ｔｅｒｔ−ブチルペリレン（ＴＢＰ）、４−（ジシアノメチル）−２−ブチル−６−（１，１，７，７−テトラメチルジュロリジン−９−エチレン）−４Ｈ−ピラン（ＤＣＪＴＢ）、９，１０−ビス−β−ナフチレンアントラセン（ＡＮＤ）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）−４−フェニルフェノラト−アルミニウム（ＢＡＬＱ）、４−ジシアノメチレン−２−イソプロピル−６−（１，１，７，７−テトラメチルジュロリジン−９−ビニル）−４Ｈ−ピラン（ＤＣＪＴＩ）、ジメチルキナクリドン（ＤＭＱＡ）、又は、トリス(8-キノリノラト)アルミニウム（Ａｌｑ３）を使用することができる。なお、発光層１３０は、重合体であるポリ（パラフェニレンビニレン）及びその誘導体（ＰＰＶ）を用いてもよい。
【００２７】
陰極層１４０は、アルミニウム、金、マグネシウム−銀合金、アルミニウム−マグネシウム合金、アルミニウム−カルシウム合金、又はアルミニウム−リチウム合金などを使用することができる。
【００２８】
金属酸化物又は有機重合体を用いて正孔注入層１２０を形成することで、酸化防止性が強くなり、有機電界発光素子の安定性及び使用寿命を効果的に向上させることができると共に、金属酸化物又は有機重合体は、正孔と電子との輸送速度のバランスを良好にさせ、正孔−電子の再結合確率を向上させて、素子の発光強度及び発光輝度を効果的に強めることができる。
【００２９】
なお、有機電界発光素子の正孔−電子の輸送速度をさらに向上させるために、有機電界発光素子は、陽極基板層／正孔注入層／発光層／電子注入層／陰極電極層、陽極基板層／正孔注入層／発光層／電子輸送層／陰極電極層、陽極基板層／正孔注入層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極電極層、陽極基板層／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子注入層／陰極電極層、陽極基板層／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極電極層、陽極基板層／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極電極層などのような構造を採用することができる。図２は、順次に陽極基板層２１０／正孔注入層２２０／正孔輸送層２３０／発光層２４０／電子輸送層２５０／電子注入層２６０／陰極電極層２７０からなる構造を有する有機電界発光素子の構造を模式的に示す図である。
【００３０】
その中で、正孔輸送層は、Ｎ，Ｎ'−ジ（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ'−ジフェニル−４，４'−ビフェニルジアミン（ＴＰＤ）、ポリ（パラフェニレンビニレン）及びその誘導体（ＰＰＶ）、Ｎ，Ｎ'−（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ'−ジフェニル−４，４'−ビフェニルジアミン（ＮＰＢ）、１，３，５−トリフェニルベンゼン（ＴＤＡＰＢ）、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）、フタロシアニン銅（ＣｕＰｃ）、又はＰ型ドープ無機半導体（P-type doped inorganic semiconductor）などの材料を用いて製造することができる。
【００３１】
電子輸送層は、２−（４−ビフェニル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチル）フェニル−１，３，４−オキサジアゾール（ＰＢＤ）、トリス(8-キノリノラト)アルミニウム（Ａｌｑ３）、２，５−ビス（１−ナフチル）−１，３，４−ジアゾール（ＢＮＤ）、１，２，４−トリアゾール誘導体（例えば、ＴＡＺ）、Ｎ−アリールベンズイミダゾール（ＴＰＢＩ）、キノキサリン誘導体（ＴＰＱ）、又はＮ型ドープ無機半導体などの材料を用いて製造することができる。
【００３２】
電子注入層は、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、酸化リチウム（Ｌｉ２Ｏ）、酸化セシウム（Ｃｓ２Ｏ）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、フッ化ナトリウム（ＮａＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化カルシウム（ＣａＦ２）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ２）、塩化ナトリウム（ＮａＣｌ）、塩化カリウム（ＫＣｌ）、塩化ルビジウム（ＲｂＣｌ）、メタホウ酸リチウム（ＬｉＢＯ２）、又はケイ酸カリウム（Ｋ２ＳｉＯ３）などの材料を用いて形成することができる。
【００３３】
上記の陽極基板層１１０／正孔注入層１２０／発光層１３０／陰極電極層１４０からなる構造を備える有機電界発光素子の製造過程において、まず、金属酸化物ゾル又はチオフェン系化合物ゾルを調製し、次に、陽極基板層１１０を提供し、且つ該陽極基板層１１０の表面に対し前処理を行い、最後に、スピンコート技術を用いて金属酸化物ゾル又はチオフェン系化合物ゾルを、表面が前処理された陽極基板層１１０上に塗布して、一層の正孔注入層１２０を形成し、さらに正孔注入層１２０の上に一層の発光層１３０を塗布し、及び発光層１３０の上に一層の陰極電極層１４０を塗布し、乾燥を行って、有機電界発光素子を得る。
【００３４】
その中で、陽極基板層１１０の表面に対する前処理は、酸素プラズマ処理、紫外線−オゾン処理、過酸化水素浸漬・洗浄、又は酸浸漬・洗浄などを挙げることができる。
【００３５】
正孔注入層１２０の原料としては、具体的に、質量％で１０〜３５％の酸化亜鉛又は酸化マグネシウムの脱イオン水／酢酸ゾルであり（ここで、脱イオン水と酢酸との体積比は１：２である）；又は、質量％で１０〜３５％の五酸化二バナジウムのアンモニア水ゾルであり；又は、濃度１×１０−３〜１×１０−２ｇ／Ｌのポリ（３−ヘキシルチオフェン）、ポリ（３−メチルチオフェン）、ポリ（３−オクチルオキシチオフェン）若しくはポリ（３−ドデシルチオフェン）の有機溶媒ゾルである。
【００３６】
正孔注入層１２０の原料が酸化亜鉛、酸化マグネシウム又は五酸化二バナジウムを含有するゾルである場合、スピンコート過程における回転速度は５００〜２０００ｒｐｍであり、スピンコート時間は３０ｓであり、乾燥過程における温度は５０〜２００℃であり、乾燥時間は１５〜６０ｍｉｎである。
【００３７】
正孔注入層１２０の原料が、ポリ（３−ヘキシルチオフェン）、ポリ（３−メチルチオフェン）、ポリ（３−オクチルオキシチオフェン）若しくはポリ（３−ドデシルチオフェン）の有機溶媒ゾルである場合、スピンコート過程における回転速度が５００〜２５００ｒｐｍ、スピンコート時間が３０ｓであり、乾燥過程における温度が５０〜２００℃、乾燥時間が１５〜１００ｍｉｎである。その中で、有機溶媒は、クロロベンゼン、キシレン、テトラヒドロフラン、トリクロロメタン又はジクロロメタンから選ばれる少なくとも１種である。
【００３８】
なお、有機電界発光素子の正孔−電子の輸送速度をさらに向上させるために、上記製造過程は、また、スピンコート法、蒸着法、スパッタリング法、ジェット・めっき法、若しくは化学気相蒸着法により、正孔注入層と発光層との間に正孔輸送層を形成する工程を有し、又は、スピンコート法、蒸着法、スパッタリング法、ジェット・めっき法、若しくは化学気相蒸着法を用いて発光層の上に電子輸送層を形成し、及び電子輸送層と陰極電極層との間に電子注入層を形成る工程などを有する。
【００３９】
金属酸化物材料、又は有機重合体材料をスピンコートすることにより正孔注入層を形成することで、工程が簡単になり、設備条件に対する要求が低く、その操作も簡易になるため、素子の製造コストを大幅に低下させることができる。
【実施例】
【００４０】
以下、具体的な実施例について説明する。
（例１）インジウム−スズ酸化物ガラスをフォトリソグラフィ処理し、所望の発光面積に切断した後、順次に洗剤、脱イオン水、アセトン、エタノール、イソプロパノールを用いてそれぞれ１５ｍｉｎの超音波処理を行い、よく洗浄した後、酸素プラズマにより、処理時間５〜１５ｍｉｎ、電力１０〜５０Ｗで表面処理を行った。その主な作用は、陽極基板層の表面粗さ及び接触角を減少することで、陽極基板層の表面の濡れ性及び吸着性を改善し、且つ、表面処理を行うことで、さらに陽極基板層の表面の有機汚染物を除去することができ、陽極基板層と有機層との結合を強めて、陽極基板層表面の仕事関数を増加させ、これにより正孔注入能力を向上させることにある。酸化亜鉛（ＺｎＯ）と、脱イオン水／酢酸の比が１：２である混合溶液とで、１０質量％の溶液を調製し、調製した溶液を、スピンコーターの上に滴下し、回転速度５００〜２０００ｒｐｍ、スピンコート時間３０ｓで、陽極基板層の上にスピンコートし、その後１５０℃の焙炉中で３０ｍｉｎの乾燥を行って、正孔注入層を得た。その後、熱蒸着により正孔輸送層、発光層及び電子輸送層を形成し、続いて電子注入層及び陰極電極層を蒸着した。
【００４１】
（例２）インジウム−スズ酸化物ガラスをフォトリソグラフィ処理し、所望の発光面積に切断した後、洗剤、脱イオン水、アセトン、エタノール、イソプロパノールを順次に用いてそれぞれ１５ｍｉｎの超音波処理を行い、よく洗浄した後、酸素プラズマにより、処理時間５〜１５ｍｉｎ、電力１０〜５０Ｗで表面処理を行った。酸化亜鉛（ＺｎＯ）と、脱イオン水／酢酸の比が１：２である混合溶液とで、２５質量％の溶液を調製した。調製した溶液を、スピンコーターの上に滴下し、回転速度５００〜２０００ｒｐｍ、スピンコート時間３０ｓで、陽極基板層の上にスピンコートし、その後１５０℃の焙炉中で３０ｍｉｎの乾燥を行って正孔注入層を得た。その後、熱蒸着により正孔輸送層及び発光層を形成し、続いて電子注入層及び陰極電極層を蒸着した。得られた有機電界発光素子の発光輝度と電圧との関係を示すグラフは、図３に示す通りであった。
【００４２】
（例３）インジウム−スズ酸化物ガラスをフォトリソグラフィ処理し、所望の発光面積に切断した後、洗剤、脱イオン水、アセトン、エタノール、イソプロパノールを順次に用いてそれぞれ１５ｍｉｎの超音波処理を行い、よく洗浄した後、処理時間１５〜３０ｍｉｎ、電力１０〜３０Ｗで、紫外線−オゾン処理を行った。酸化亜鉛（ＺｎＯ）と、脱イオン水／酢酸の比が１：２である混合溶液とで、３５質量％の溶液を調製し、調製した溶液を、スピンコーターの上に滴下し、回転速度５００〜２０００ｒｐｍ、スピンコート時間３０ｓで、陽極基板層の上にスピンコートし、その後１５０℃の焙炉中で３０ｍｉｎの乾燥を行って正孔注入層を得た。その後、熱蒸着により正孔輸送層、発光層及び電子輸送層を形成し、続いて電子注入層及び陰極電極層を蒸着した。
【００４３】
（例４）インジウム−スズ酸化物ガラスをフォトリソグラフィ処理し、所望の発光面積に切断した後、洗剤、脱イオン水、アセトン、エタノール、イソプロパノールを順次に用いてそれぞれ１５ｍｉｎの超音波処理を行い、よく洗浄した後、それを、処理時間１５〜３０ｍｉｎ、電力１０〜３０Ｗで、紫外線−オゾン処理を行った。例１の酸化亜鉛（ＺｎＯ）の代わりに酸化マグネシウム（ＭｇＯ）を用い、脱イオン水／酢酸の比が１：２である混合溶液とで、１０質量％の溶液に調製した。調製した溶液を、スピンコーターの上に滴下し、回転速度５００〜５０００ｒｐｍ、スピンコート時間３０ｓで、陽極基板層の上にスピンコートし、その後４５０℃のマッフル炉中で３０ｍｉｎの焼成を行って正孔注入層を得た。その後、熱蒸着により正孔輸送層、発光層及び電子輸送層を形成し、続いて電子注入層及び陰極電極層を蒸着した。
【００４４】
（例５）インジウム−スズ酸化物ガラスをフォトリソグラフィ処理し、所望の発光面積に切断した後、洗剤、脱イオン水、アセトン、エタノール、イソプロパノールを順次に用いてそれぞれ１５ｍｉｎの超音波処理を行い、よく洗浄した後、それを、処理時間５〜１５ｍｉｎ、電力１０〜５０Ｗで、酸素プラズマ処理を行った。例１の酸化亜鉛（ＺｎＯ）の代わりに酸化マグネシウム（ＭｇＯ）を用い、脱イオン水／酢酸の比が１：２である混合溶液とで、３０質量％の溶液を調製し、調製した溶液を、スピンコーターの上に滴下し、回転速度５００〜５０００ｒｐｍ、スピンコート時間３０ｓで、陽極基板層の上にスピンコートし、その後４５０℃のマッフル炉中で３０ｍｉｎの焼成を行って正孔注入層を得た。その後、熱蒸着により正孔輸送層、発光層及び電子輸送層を形成し、続いて電子注入層及び陰極電極層を蒸着した。
【００４５】
（例６）インジウム−スズ酸化物ガラスをフォトリソグラフィ処理し、所望の発光面積に切断した後、洗剤、脱イオン水、アセトン、エタノール、イソプロパノールを順次に用いてそれぞれ１５ｍｉｎの超音波処理を行い、よく洗浄した後、それを、処理時間５〜１５ｍｉｎ、電力１０〜５０Ｗで、酸素プラズマ処理を行った。例１の酸化亜鉛（ＺｎＯ）の代わりに酸化マグネシウム（ＭｇＯ）を用い、脱イオン水／酢酸の比が１：２である混合溶液とで、２０質量％の溶液を調製した。調製した溶液を、スピンコーターの上に滴下し、回転速度５００〜５０００ｒｐｍ、スピンコート時間３０ｓで、陽極基板層の上にスピンコートし、その後４５０℃のマッフル炉中で３０ｍｉｎの焼成を行って正孔注入層を得た。その後、熱蒸着により正孔輸送層、発光層及び電子輸送層を形成し、続いて電子注入層及び陰極電極層を蒸着した。
【００４６】
（例７）インジウム−スズ酸化物ガラスをフォトリソグラフィ処理し、所望の発光面積に切断した後、洗剤、脱イオン水、アセトン、エタノール、イソプロパノールを順次に用いてそれぞれ１５ｍｉｎの超音波処理を行い、よく洗浄した後、それを、処理時間５〜１５ｍｉｎ、電力１０〜５０Ｗで、酸素プラズマ処理を行った。例１の酸化亜鉛（ＺｎＯ）の代わりにポリ（３−ヘキシルチオフェン）を用い、クロロベンゼンとで、濃度１×１０−３ｇ／Ｌの溶液を調製した。調製した溶液を、スピンコーターの上に滴下し、回転速度５００〜２５００ｒｐｍ、スピンコート時間３０ｓで、陽極基板層上にスピンコートし、その後２００℃の焙炉中で３０ｍｉｎの乾燥を行って正孔注入層を得た。その後、熱蒸着により正孔輸送層、発光層及び電子輸送層を形成し、続いて電子注入層及び陰極電極層を蒸着した。
【００４７】
（例８）インジウム−スズ酸化物ガラスをフォトリソグラフィ処理し、所望の発光面積に切断した後、洗剤、脱イオン水、アセトン、エタノール、イソプロパノールを順次に用いてそれぞれ１５ｍｉｎの超音波処理を行い、よく洗浄した後、それを、処理時間５〜１５ｍｉｎ、電力１０〜５０Ｗで、酸素プラズマ処理を行った。例１の酸化亜鉛（ＺｎＯ）の代わりにポリ（３−ヘキシルチオフェン）を用い、クロロベンゼンとで、濃度５×１０−３ｇ／Ｌの溶液を調製した。調製した溶液を、スピンコーターの上に滴下し、回転速度５００〜２５００ｒｐｍ、スピンコート時間３０ｓで、陽極基板層上にスピンコートし、その後２００℃の焙炉中で３０ｍｉｎの乾燥を行って正孔注入層を得た。その後、熱蒸着により正孔輸送層及び発光層を形成し、続いて電子注入層及び陰極電極層を蒸着した。製造した有機電界発光素子の発光輝度と電圧との関係を示すグラフは、図３に示す通りであった。
【００４８】
（例９）インジウム−スズ酸化物ガラスをフォトリソグラフィ処理し、所望の発光面積に切断した後、洗剤、脱イオン水、アセトン、エタノール、イソプロパノールを順次に用いてそれぞれ１５ｍｉｎの超音波処理を行い、よく洗浄した後、それを、処理時間１５〜３０ｍｉｎ、電力１０〜３０Ｗで、紫外線−オゾン処理を行った。例１の酸化亜鉛（ＺｎＯ）の代わりにポリ（３−ヘキシルチオフェン）を用い、クロロベンゼンとで、濃度１×１０−２ｇ／Ｌの溶液を調製した。調製した溶液を、スピンコーターの上に滴下し、回転速度５００〜２５００ｒｐｍ、スピンコート時間３０ｓで、陽極基板層上にスピンコートし、その後２００℃の焙炉中で３０ｍｉｎの乾燥を行って正孔注入層を得た。その後、熱蒸着により正孔輸送層、発光層及び電子輸送層を形成し、続いて電子注入層及び陰極電極層を蒸着した。
【００４９】
（例１０）正孔注入層を採用しない比較用の素子である。インジウム−スズ酸化物ガラスをフォトリソグラフィ処理し、所望の発光面積に切断した後、洗剤、脱イオン水、アセトン、エタノール、イソプロパノールを順次に用いてそれぞれ１５ｍｉｎの超音波処理を行い、よく洗浄した後、それを、処理時間５〜１５ｍｉｎ、電力１０〜５０Ｗで、酸素プラズマ処理を行った。正孔注入層を形成しなく、熱蒸着により直接正孔輸送層及び発光層を形成せずに、続いて電子注入層及び陰極電極層を蒸着した。
【００５０】
以上、実施例により本発明のいくつかの実施形態について詳しく説明したが、本発明の特許請求の範囲は、これらの実施形態により限定されるものではない。当業者にとって、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において行ったさまざまな変更及び改善は、すべて本発明の保護範囲に属することは、自明なことである。従って、本発明の特許請求の範囲は、添付する請求項を基準としなければならない。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【国際調査報告】
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