【事件の表示】
　特許第２７６７０７４号「シリコン単結晶の引上方法」の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結論】
　特許第２７６７０７４号の特許を取り消す。
【理由】
Ｉ．本件発明
　特許第２７６７０７４号（平成２年７月１３日出願、平成１０年４月１０日設定登録）の請求項１に係る発明（以下、「本件発明」という。）は、特許明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された次の事項により特定されるものである。
「容器中に収容されたシリコン融体よりシリコン単結晶を引上げる磁場印加引上法において、前記容器をシリコン単結晶の回転と逆方向に、かつ回転速度０．２〜５ｒｐｍの範囲内で回転するとともに、前記融体に強度２０００〜５０００ガウスの範囲内の水平磁場を印加することを特徴とするシリコン単結晶の引上方法。」
ＩＩ．当審が通知した取消理由の概要
　当審が通知した取消理由の概要は、本件発明は、その出願前に頒布された刊行物である、引用例１（特開昭５８−７４５９４号公報）又は引用例２（「第１２９・１３０回　西山記念技術講座　半導体の結晶成長における電磁気力の利用（第１８１〜１９６頁）」小林純夫（社団法人日本鉄鋼協会）平成元年５月）に記載された発明であり、特許法第２９条第１項第３号の発明に該当し、また本件発明は引用例１，２に記載された発明に基づき当業者が容易に発明をすることができたものであり、同法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、その特許を取り消すべきである、というものである。
ＩＩＩ．引用例の記載事項
　先の取消理由通知において引用した引用例１，２には、次の事項が記載されている。
１．引用例１
▲１▼「電気伝導性を有する結晶成長用液体が収容された容器と、上記液体から結晶を引き上げる手段と、上記液体に磁場を印加する手段と、上記容器を回転させる手段とを設け、上記容器の回転数を変化させて結晶中の容器構成成分の含有濃度を制御することを特徴とする結晶成長方法。」（第１頁特許請求の範囲）
▲２▼「本発明においては、このような各種の効果を得るために広範囲に亘る酸素濃度の選定を行うことのできる結晶、例えばシリコン単結晶を得ることができるようにした結晶成長法を提供するものである。」（第２頁左下欄第１０〜１４行）
▲３▼「以下本発明を詳細に説明する。第１図を参照して本発明方法を実施する結晶成長装置について説明するに、図中（１）はその装置を全体として示す。（２）は或る程度の電気伝導性を有する結晶成長用の融液又は溶液による液体例えばＳｉ融液（３）が収容された容器、例えば石英るつぼで、この容器（２）はその中心軸に関して回転するようになされ、さらにその回転数が選定されるようになされている。この容器（２）の外周には、加熱手段（４）が配置される。…（中略）…この加熱手段（４）の外側には…（中略）…が配置され、その外側に永久磁石、或いは電磁石より成る例えば直流磁場発生手段（７）が配置される。（８）は単結晶シード、例えばＳｉ単結晶シードで，（９）はその引上げチャックである。そして、この引上げチャックによって単結晶シードが容器（２）中の回転中心軸上で、これに沿って回転しつつ引上げられるようになされている。」（第２頁左下欄第１５行〜同頁右下欄第１５行）
▲４▼「本発明においては、このように容器（２）を回転させ、且つその回転速度を制御することによって引上げられた結晶（１０）中の、上述した容器（２）の構成成分の酸素の濃度が変化することを見出したことに基いてなされた結晶成長法である。そして、このように、磁場中の結晶引上げにおいては容器（２）の回転によって結晶（１０）中の例えば酸素の濃度が変化するのは、容器（２）の回転によって容器（２）と、これの中に収容され、磁場の印加によって実効的粘性が高められた結晶成長用液体（３）とが相対的に回転移行してこの液体（３）と容器（２）の内壁面との間に所要の擦れ合いを生じさせ、これによって容器（２）の構成成分例えば石英の構成成分の酸素が液体（３）中に溶け込み、その擦れ合いが大となるほどすなわち容器（２）の液体（３）に対する相対的回転数が増大するほど液体（３）への溶け込み量が大となってこれより引き上げられた結晶（１０）中の酸素濃度が増す。そしてこの結晶中の酸素濃度は、磁場を与えない場合よりも磁場を与えた状態においてその容器の回転数を十分大にすればより高濃度になし得ることが確認された。」（第３頁左上欄第９行〜右上欄第９行）
▲５▼「第６図は、容器（２）の回転数を変えたときの結晶（１０）中の酸素濃度を測定したもので、第６図中○印は、結晶（１０）の回転数を５０ｒｐｍとした場合、△印は３０ｒｐｍとした場合の各測定値を示す。この場合、磁場の強さは３５００ガウスとしたが、この第６図より明らかなように、磁場が印加された場合においても、容器（２）の回転数を大とすれば、むしろ従前の磁場の印加がなされないＣＺ法におけるよりも高い濃度が得られることがわかる。そして、この容器（２）の回転数の選定により、結晶（１０）中の酸素濃度は２．５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３にも及ぼすことができ、容器（２）の回転数０．１〜２０ｒｐｍの範囲で、結晶（１０）中の酸素濃度を約１桁も変化させることができることがわかる。」（第４頁左上欄第３〜１６行）
▲６▼ルツボ内の融液に水平磁場を印加する磁石を設けた本発明による結晶成長法を実施する装置。（第５頁第１図）
▲７▼磁場の強さを３５００ガウスとして、ルツボの回転数を０．１〜２０ｒｐｍで変化させた場合に得られる結晶の酸素濃度のデータ。（第６頁第６図）
２．引用例２
▲１▼「ＳｉのＣＺプロセスを模式的にＦｉｇ．１に示す。石英るつぼ内のＳｉ融液から種結晶を核にして単結晶を回転させながら引き上げるプロセスであり、回転引き上げ法とも呼ばれる。」（第１８１頁第１３行〜１４行）
▲２▼「ＭＣＺ法は融液対流を防止し温度を取り除くことによって良質の単結晶を育成することを目的に開発された。…横磁場…縦磁場…いずれの方法によっても融液対流は抑制され、成長縞の軽減に成功している。一方、融液対流が抑制された結果、酸素分布やドーパント分布にも影響がでている。」（第１８２頁下から第８〜１行）
▲３▼「ＣＺ法における融液対流の要素としては、結晶やるつぼの回転による強制対流…があるが、乱流化の主要因についてはまだ明確でない。」（第１８６頁第８〜１４行）
▲４▼「ＴＭＣＺ法の場合、るつぼ回転数を調節することによって通常のＣＺ法よりも広い範囲の酸素制御が可能である。とくに、るつぼ回転数を低下させた場合に低酸素Ｓｉを成長出来る点がＴＭＣＺ法のひとつの特長と言える。」（第１９２頁下から第６〜４行）
▲５▼ＴＭＣＺ法で０．１〜０．６Ｔの磁場を印加し、種結晶を５〜２５ｒｐｍ、ルツボを−２５〜２０ｒｐｍ（負の値の場合は種結晶と反対方向に回転させることを意味する。）の回転速度で回転させてＳｉ結晶を製造した場合のＳｉ結晶中の酸素濃度のデータ、また、具体的には２０００〜４０００ガウスの間の水平磁場を印加し、ルツボ回転速度を０．１、２、１０ｒｐｍとして引き上げを行って低酸素濃度の単結晶を得たこと。（第１９３頁Ｆｉｇ．１９）
ＩＶ．対比・判断
１．特許法第２９条第１項第３号について
　本件発明と引用例１記載の発明（以下、「引用発明１」という。）とを対比すると、引用発明１は容器内にシリコン融液を収容してシリコン単結晶を引き上げるものであり、またその際、容器に磁場を印加しているから、引用発明１は容器中に収容されたシリコン融体よりシリコン単結晶を引き上げる磁場印加引き上げ法に係るものである。
　そして、引用例１の第６図に開示されたデータのうち、ルツボ回転数が０．１と１の中間付近のデータ、１付近のデータ、１と１０の中間付近のデータは、ルツボの回転速度を０．１〜５ｒｐｍの範囲内で回転させながら結晶成長を行ったことを示しているから、引用発明１におけるルツボの回転速度と本件発明におけるルツボの回転速度とに相違はなく、また、引用例１の第１図は引用発明１を実施する結晶成長装置であるところ、結晶１０の回転方向と容器２の回転方向とは逆であることが示されているから、引用発明１は容器を単結晶の回転方向とは逆方向に回転させるものである。
　また、引用例１の第６図のデータは、印加磁場を３５００ガウスとした場合のものであり、この数値は本件発明における磁場の強度２０００〜５０００ガウスの範囲内のものであるから、引用発明１と本件発明とは磁場強度において相違がない。
　また、引用例１の第１図は、引用発明１を実施するための装置を示したものであるが、その磁石の配置からして、ルツボには水平磁場が印加されているものと認められる。
　以上のことを勘案すると、引用発明１は、本件発明の構成である、「容器中に収容されたシリコン融体よりシリコン単結晶を引上げる磁場印加引上法において、前記容器をシリコン単結晶の回転と逆方向に、かつ回転速度０．２〜５ｒｐｍの範囲内で回転するとともに、前記融体に強度２０００〜５０００ガウスの範囲内の水平磁場を印加することを特徴とするシリコン単結晶等の単結晶の引上方法。」を全て備えており、かつ、相違点がない。
　なお、特許権者は特許異議意見書において、引用例１の第６図は単に酸素濃度とルツボ回転数の関係を調査してみた結果に過ぎないこと、及び成長縞が極限まで減少することを認識しておらず、どのような条件にすれば成長縞が本件発明のように減少するのか全く不明のものであること、を主張している。
　しかしながら、引用例１は「ＩＩＩ．１．▲１▼」で摘記したように、結晶成長用液体が収容された容器の回転数を制御して結晶を引き上げる結晶成長方法に係るものであり、当然、実際に結晶の成長を行うことを前提とするものであるから、引用例１の第６図は実際に結晶を製造するための条件で結晶成長を行った場合の結果を示すものと解するのが相当であり、これを単なる酸素濃度とルツボ回転数の関係の調査結果を示すに止まるものとすることはできない。
　また、引用例１には、成長縞が極限まで減少すること、及び成長縞が本件発明のように減少するための条件について記載はないが、引用例１には、従来１〜２×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３という狭い範囲でしか酸素濃度を調節できなかったものを、磁場を印加すると共に回転速度を変化させることにより１×１０１７〜２．５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３にまで変化させることができるようにしたものであり、引用例１は、具体的には第６図に示されているように３５００ガウスの水平磁場を印加してルツボ回転速度を０．１〜５ｒｐｍの間で制御して所望の酸素濃度を有する結晶を得る場合をも制御方法として開示しているのであるから、結局、引用例には、容器を回転速度０．２〜５ｒｐｍの範囲内で回転させると共に、融体に強度２０００〜５０００ガウスの範囲内の水平磁場を印加するという構成を有する発明が開示されているとせざるを得ず、特許権者主張のように回転速度０．２〜５ｒｐｍ及び磁場２０００〜５０００ガウスという特定の範囲においてのみ成長縞が減少するという効果が奏せられるとしても、それは公知の発明においても奏される効果を確認したものであって、そのような効果を確認したことを以て、公知の発明が新規性を有するに至ったとすることはできない。
　従って、本件発明は引用例１に記載された発明と同一の発明であると認められる。
２．特許法第２９条第２項について
（１）本件発明と引用例２に記載の発明との対比
　引用例２について先に摘記した事項からすると、引用例２には、横磁場（これは本件発明における「水平磁場」に相当する。）を印加した石英るつぼ内のＳｉ融液から種結晶を核にして単結晶を回転させながらシリコン単結晶を引き上げること、ルツボ回転速度を調節することによって通常のＣＺ法（磁場を印加しない引き上げ法）よりも広い範囲の酸素制御が可能であり、特にルツボ回転速度を低下させた場合に低酸素Ｓｉを成長できる点がＴＭＣＺ法（水平磁場印加による引き上げ法）の特徴であることが記載されており、そして、ＦＩＧ．１９には、結晶の回転と逆方向にルツボを回転させて、２０００〜４０００ガウスの間の磁場で結晶を引き上げたデータが示されており、この低い回転速度としては０．１ｒｐｍ及び２ｒｐｍが示されている。
　そこで、本件発明と引用例に２記載の発明（以下、「引用発明２」という。）とを対比すると、両者は、容器中に収容されたシリコン融体よりシリコン単結晶を引き上げる磁場印加引き上げ法であって、容器をシリコン単結晶の回転とは逆方向に回転し、また融体に水平磁場を印加するシリコン単結晶の引上方法」の構成の点において一致し、次の点で相違する。
　相違点
　本件発明は磁場を２０００〜５０００ガウスとし、かつ、ルツボ回転速度を０．２〜５ｒｐｍとすることによって、単結晶の成長縞を低減するというものであるのに対し、引用例２には、磁場とルツボ回転速度とをこのような数値範囲にすることにより単結晶の成長縞が低減されることについては記載がない点。
（２）相違点についての検討
　引用例２には、磁場については２０００〜４０００ガウスを印加することが、また、ルツボ回転速度については０．１ｒｐｍ及び２ｒｐｍがそれぞれ具体的に示されている。
　また、引用例１には、引用発明２と同様に、水平磁場を印加して結晶を引き上げる方法において、結晶中の酸素濃度を低減するために、３５００ガウスの磁場で、ルツボ回転速度を０．１〜５ｒｐｍの間の数値範囲内で制御することが示されている。
　更に、引用例２には、水平磁場を融液に印加することにより融液対流が抑制されて成長縞が低減することが記載されている。
　してみれば、成長縞が低減することをも目的とし、かつ、結晶中の酸素濃度を低減するという目的として、本件発明におけるように、ルツボの回転速度を０．２〜５ｒｐｍの範囲内とし、しかも磁場の強さを２０００〜５０００ガウスの範囲内とすることは当業者が容易に想到し得たことに過ぎない。
　そして、特許権者が主張するように、回転速度０．２〜５ｒｐｍ及び磁場２０００〜５０００ガウスという特定の範囲においてのみ成長縞が極限まで低減するという効果が奏せられるとしても、発明の構成についてみると、ルツボの回転速度を０．２〜５ｒｐｍの範囲内とし、かつ磁場の強さを２０００〜５０００ガウスの範囲内とすること自体は当業者が容易に想到し得たことに過ぎないことは前述の通りである。
　従って、特許権者主張のような効果があることを勘案してもなお、本件発明は引用例１及び２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものの域を出るものではない。
Ｖ．むすび
　以上のとおりであるから、本件発明は引用例１に記載された発明であって、特許法第２９条第１項第３号に規定する発明に該当し、また引用例１，２に記載された発明に基づき当業者が容易に発明をすることができたものであって、同法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、本件特許は、同法第１１３条第２号に該当し、取り消されるべきものである。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１１年８月３０日（１９９９．８．３０）