【事件の表示】
　特許第２７５１５０１号「半導体装置及びその製造方法」の請求項１ないし８に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結論】
　訂正を認める。
　特許第２７５１５０１号の請求項１ないし６に係る特許を維持する。
【理由】
Ｉ．手続の経緯
　本件特許第２７５１５０１号の請求項１乃至８に係る発明は、平成１年１２月２５日に出願され、平成１０年２月２７日に、その特許の設定登録がされ、これに対して、池田英治より、特許異議の申立があったので、当審において、当該申立の理由を検討の上、特許取消理由を通知したところ、その通知書で指定した期間内の平成１１年４月１６日に訂正請求がなされたものである。
ＩＩ．訂正の適否
１．訂正の内容
▲１▼訂正事項ａ
　特許請求の範囲の請求項１及び７を削除する。
▲２▼訂正事項ｂ
　特許請求の範囲の請求項２を、その請求項番号を繰り上げて請求項１とするとともに、訂正前の請求項２における「該チップ搭載部表面上に表面粗さが該表面より大であり且つ熱膨張係数が該基板より小で該半導体チップより大である中間層を設け、」を、「該チップ搭載部表面上に直に表面粗さが該表面より大であり且つ熱膨張係数が該基板より小で該半導体チップより大である中間層を設け、」と訂正する。
▲３▼訂正事項ｃ
　特許請求の範囲の請求項８を、その請求項番号を繰り上げて請求項６とするとともに、訂正前の請求項８における「該チップ搭載部表面上に表面粗さが該表面より大であり且つ熱膨張係数が該基板より小で該半導体チップより大である中間層を形成する工程と、」を、「該チップ搭載部表面上に直に表面粗さが該表面より大であり且つ熱膨張係数が該基板より小で該半導体チップより大である中間層を形成する工程と、」と訂正する。
▲４▼訂正事項ｄ
　特許明細書の〔課題を解決するための手段〕の項を「その課題は、基板のチップ搭載部に半導体チップを搭載し、該半導体チップを封止してなる半導体装置において、該チップ搭載部表面上に直に表面粗さが該表面より大であり且つ熱膨張係数が該基板より小で該半導体チップより大である中間層を設け、該中間層上に溶着材若しくは接着剤により半導体チップを固着してなることを特徴とする半導体装置によって解決される。」と訂正する。
▲５▼訂正事項ｅ
　訂正前の請求項３乃至６が請求項１または２に従属していたものを、訂正後の請求項１のみに従属するようにし、また、請求項番号を繰り上げてそれぞれ請求項２乃至５と訂正する。
２．訂正の適否についての判断
（１）訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　前記訂正事項ａは、請求項を削除するものであり、前記訂正事項ｂ及びｃは、特許請求の範囲の記載をより限定するものであるから、いずれも特許請求の範囲の減縮に該当し、また、前記訂正事項ｄ及びｅは、前記訂正事項ａ乃至ｃによって生じる記載内容の齟齬を訂正により整合させようとするものであるから、それぞれ明瞭でない記載の釈明に該当する。
　そして、上記訂正事項ａ乃至ｅは、いずれも新規事項の追加に該当せず、また、特許請求の範囲を実質的に拡張したり、変更したりするものでもない。
（２）独立特許要件について
（訂正明細書の請求項１乃至６に係る発明）
　訂正明細書の請求項１乃至６に係る発明は、その特許請求の範囲の請求項１乃至６に記載された次のとおりのものと認める。なお、（）記載事項は、当審において便宜上付記したものである。
「【請求項１】基板のチップ搭載部に半導体チップを搭載し、該半導体チップを封止してなる半導体装置において、
　該チップ搭載部表面上に直に表面粗さが該表面より大であり且つ熱膨張係数が該基板より小で該半導体チップより大である中間層を設け、該中間層上に溶着材若しくは接着剤により半導体チップを固着してなることを特徴とする半導体装置。（以下、「本件第１発明」という。）
　【請求項２】前記中間層がセラミックペースト層であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。（以下、「本件第２発明」という。）
　【請求項３】前記基板がセラミック基板であり、前記中間層がセラミックペースト層であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。（以下、「本件第３発明」という。）
　【請求項４】前記中間層がソルダーレジスト層であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。（以下、「本件第４発明」という。）
　【請求項５】前記基板がプリント基板であり、前記中間層がソルダーレジスト層であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。（以下、「本件第５発明」という。）
　【請求項６】基板のチップ搭載部に半導体チップを搭載し、該半導体チップを封止してなる半導体装置の製造方法において、
　該チップ搭載部表面上に直に表面粗さが該表面より大であり且つ熱膨張係数が該基板より小で該半導体チップより大である中間層を形成する工程と、該中間層上に溶着材若しくは接着剤により半導体チップを固着する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。（以下、「本件第６発明」という。）」
（当審の取消理由）
・理由１について
　訂正前の特許請求の範囲の請求項１及び３乃至７に係る発明に対し、本件特許に係る出願の日の前の他の出願である実願平１−１２５４５５号（実開平３−６３９４５号）の願書に最初に添付した明細書及び図面を引用した特許法第２９条の２に係る取消理由は、訂正により独立請求項である請求項１及び７が削除され、また、訂正前の請求項３乃至６は、訂正前の請求項２のみに従属するよう訂正されることにより、解消された。
・理由２について
　訂正前の本件第２及び８発明に係る特許に対して、特許法第２９条第１項の規定に違反しているとして、当審が通知した取消理由で引用した刊行物（実願昭６０−１４１２３４号（実開昭６２−４９２３８号）のマイクロフィルム）には、以下の事項が記載されている。
　電力用半導体装置などに利用されるロウ付け構体に関し、
（ア）「熱膨張係数の大きい金属基板上に、熱膨張係数が金属基板とペレットの中間の中間金属板をロウ付けし、この中間金属板上に熱膨張係数の小さいペレットをロウ付けしたものにおいて、
　前記中間金属板は全表面の荒さが４μｍ以上であることを特徴とするロウ付け構体」（実用新案登録請求の範囲）、
（イ）「中間金属板の表面荒さを４μｍ以上と、従来技術思想とは逆に荒くすることにより、中間金属板の上面周辺部に流れるロウ材の量は従来比で数１０％以上も減少して、中間金属板の上面中央部のペレットマウント有効面積が大幅に増大する」（第７頁第５〜１０行）こと、
（ウ）「第１図及び第２図において、（１３）は本考案の特徴とする中間金属板で、上記の銅製金属基板（６）上にロウ材、例えば銀ロウ材（１２）で固着され、この中間金属板（１３）の上面中央部上に半導体ペレット（８）が半田付けされる」（第７頁第１６〜２０行）こと及び
（エ）「モリブデン板（１３ａ）の全表面をタンブリング法などの手段で、表面荒さβが４μｍ以上になるよう積極的に荒くしてから、モリブデン板（１３ａ）を電気ニッケルメッキ処理して、中間金属板（１３）が製作される」（第８頁第８〜１３行）ことが記載されている。
（対比・判断）
・本件第１乃至５発明について
　本件第１発明と、上記刊行物に記載された発明とを対比すると、刊行物に記載の「金属基板」、「半導体ペレット」及び「中間金属板」は、それぞれ本件第１発明の「基板」、「半導体チップ」及び「中間層」に相当し、また、刊行物に記載された「中間金属板」は、その表面をタンブリング法などの手段により従来のものより積極的に粗くするものであるから、当然、刊行物に記載された「中間金属板」の表面粗さは、金属基板のペレット搭載面の表面粗さより大であるとみるべきであるから、両者は、基板のチップ搭載部に半導体チップを搭載し、該半導体チップを封止してなる半導体装置において、該チップ搭載部表面上に表面粗さが該表面より大であり且つ熱膨張係数が該基板より小で該半導体チップより大である中間層を設け、該中間層上に溶着材若しくは接着剤により半導体チップを固着してなる点で一致し、以下の点において相違する。
　中間層を、本件第１発明では、基板のチップ搭載部表面上に直に設けているのに対し、刊行物に記載されたものでは、基板のチップ搭載部表面上にロウ材を介して設けている点。
　そこで、上記相違点について検討すると、上記刊行物に記載されたものは、金属基板上にロウ付けされる中間金属板の上面周辺部へのロウ材の流れ量を小さくして、中間金属板上面中央のペレットマウント有効面積を大きくすることを目的とするものであるから、刊行物に記載されたものにおいて、中間金属板を、金属基板のペレット搭載部表面上にロウ材を介して設けることは、必須の構成であり、また、上記相違点における本件第１発明の構成である、中間層を、基板のチップ搭載部表面上に直に設けることについて示唆するものもない。
　そして、本件第１発明は、上記相違点における構成を具備することにより、訂正明細書記載のとおりの、接着強度が増加して、しかも、残留応力や環境温度からのストレスが緩和され、破壊や特性変動が減少するという上記刊行物に記載のものから予測し得ない顕著な作用効果を奏するものである。
　したがって、本件第１発明は、上記刊行物に記載された発明と同一の発明であるとすることはできない。
　また、本件第２乃至５発明は、本件第１発明を引用して更にその構成を限定するものであるから、本件第１発明と同様の理由により、上記刊行物に記載された発明と同一の発明であるとすることはできない。
・本件第６発明について
　本件第６発明と、上記刊行物に記載された発明とを対比すると、中間層を、本件第６発明では、基板のチップ搭載部表面上に直に形成しているのに対し、上記刊行物に記載されたものでは、基板のチップ搭載部表面上にロウ材を介して設けている点で、本件第１乃至５発明と同様に両者は相違し、その他の点では一致している。
　そこで、上記相違点について検討すると、上記本件第１発明との対比で述べた理由と同様な理由により、本件第６発明は、上記刊行物に記載の発明と同一の発明であるとすることはできない。
　また、後述する特許異議の申立の理由をはじめ、本件第１乃至６発明が特許出願の際独立して特許を受けることができないとする理由を発見しない。
　よって、本件第１乃至６発明は、特許出願の際独立して特許を受けることができるものである。
（３）むすび
　以上のとおりであるから、前記訂正請求は、特許法第１２０条の４第２項第１号及び第３号に掲げる事項を目的とし、同条第３項で準用する同法第１２６条第２項乃至第４項の規定について、平成６年法律第１１６号附則第６条第１項の規定により、なお従前の例によるとされることから適用される同法律第１１６号による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書き及び同条第２及び３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
ＩＩＩ．特許異議の申立についての判断
１．本件発明
　本件特許に係る発明は、訂正された特許明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１乃至６に記載された上記のとおりのものと認める（以下、上記「ＩＩ．訂正の適否」の項と同様に、それぞれ本件第１乃至６発明という。）。
２．特許異議申立の理由の概要
　特許異議申立人の池田英治は、甲第１乃至５号証を提出して、訂正前の特許請求の範囲の請求項１及び３乃至７に係る発明は、その出願日より前に提出された実用新案登録出願である、甲第１号証に係る実願平１−１２５４５５号の出願当初の明細書又は図面（以下、「先願明細書等」という。）に記載された考案と同一であるから、同請求項１及び３乃至７に係る特許は、特許法第２９条の２の規定に違反（「申立理由１」）してなされたものであり、また、訂正前の特許請求の範囲の請求項２及び８に係る発明は、甲第２及び３号証に記載の発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、同請求項２及び８に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反（「申立理由２」）してなされたものであり、それらの特許を取り消すべき旨主張する。
３．申立理由１について
　訂正前の特許請求の範囲の請求項１及び３乃至７の係る発明に対し、上記先願明細書等を引用した上記申立理由１についての申立は、前記訂正により独立請求項である請求項１及び７が削除され、また、訂正前の特許請求の範囲第３乃至６項に係る発明は、訂正前の特許請求の範囲第２項のみを引用するように訂正されたことから、その申立の根拠が存在しないものとなっており、申立理由１についての申立に対する判断は必要としないものとなった。
４．申立理由２について
４−１．甲各号証の記載事項
　上記甲第２号証乃至甲第５号証には、下記の事項がそれぞれ記載されている。
［甲第２号証：実願昭６０−１４１２３４号（実開昭６２−４９２３８号）のマイクロフイルム］
　上記「ＩＩ．訂正の適否」の独立特許要件についての検討における刊行物と同一のものであり、そこで指摘した事項が記載されている。
［甲第３号証：実願昭５４−１８３９１３号（実関昭５６−１０１６５２号）のマイクロフイルム］
　半導体素子のマウント構造に関し、
（オ）「従来の平坦状のステムを用いた半導体素子とは異なり第２図に示す様にペレットをマウントするステムの表面をサンドブラスト等の処理により荒くし、その面にソルダをのせ、更にその上に半導体ペレットをのせマウントするものである」（第３頁第３〜８行）こと及び
（カ）「ステム表面が荒いためにステム面へのソルダの接続は強くなり、更にマウント状態は良好となる」（第３頁第１８〜２０行）ことが記載されている。
［甲第４号証：特開昭５７−９５６４０号公報］
　ハンダバンプを有する半導体素子を回路基板に直接ボンディングした実装構造に関し、
（キ）「第１図は、従来例を示すＩＣ実装部の平面図であって、パターン５上にボンディング部分５ａを除いて液状ソルダーレジスト６をスクリーン印刷等で塗布して形成した構造」（第１頁右下欄第１９行〜第２頁左上欄第２行）が記載されている。
［甲第５号証：特開昭５６−８０１９６号公報］
　プリント配線板の電極形成方法に関し、
（ク）「プリント配線板の電極はペディスタルと呼ばれ、導体パターン上に半田レジストをオーバコー卜することで電極領域が設定され、この部分に浸漬法等で半田を施すことによって形成される」（第１頁右欄第７〜１１行）ことが記載されている。
４−２．対比・判断
・本件第１乃至５発明について
　本件第１発明と上記甲第２号証に記載されたものとを対比すると、両者は、上記「ＩＩ．訂正の適否」の独立特許要件についての検討において指摘した点で相違し、その他の点では一致している。
　そこで、上記相違点について検討すると、
上記甲第３乃至５号証のいずれにも、上記相違点における本件第１発明の構成について、記載がなく、示唆するものもない。
　そして、本件第１発明は、上記相違点における構成を具備することにより、特許明細書記載のとおりの甲第２乃至５号証に記載のものから予測し得ない顕著な作用効果を奏するものである。
　したがって、本件第１発明は、上記甲第２乃至５号証に記載されたものから、当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
　また、本件第２乃至５発明は、本件第１発明を引用して更に構成を限定するものであるから、本件第１発明と同様の理由により、上記甲第２乃至５号証に記載されたものから、当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
・本件第６発明について
　本件第６発明と上記甲第２号証に記載されたものとを対比すると、両者は、上記「ＩＩ．訂正の適否」の独立特許要件についての検討において指摘した点で相違し、その他の点では一致している。
　そこで、上記相違点について検討すると、上記本件第１発明との対比で述べた理由と同様な理由により、本件第６発明は、上記甲第２乃至５号証に記載されたものから、当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
５．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立の理由及び証拠方法によっては、本件第１乃至６発明に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件第１乃至６発明に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１１年６月３日（１９９９．６．３）
【訂正の要旨】
　上記訂正請求における訂正の要旨は、次のとおりである。
１．特許請求の範囲の減縮を目的として、
▲１▼訂正事項ａ
　特許請求の範囲の請求項１及び７を削除する。
▲２▼訂正事項ｂ
　特許請求の範囲の請求項２を、その請求項番号を繰り上げて請求項１とするとともに、訂正前の請求項２における「該チップ搭載部表面上に表面粗さが該表面より大であり且つ熱膨張係数が該基板より小で該半導体チップより大である中間層を設け、」を、「該チップ搭載部表面上に直に表面粗さが該表面より大であり且つ熱膨張係数が該基板より小で該半導体チップより大である中間層を設け、」と訂正する。
▲３▼訂正事項ｃ
　特許請求の範囲の請求項８を、その請求項番号を繰り上げて請求項６とするとともに、訂正前の請求項８における「該チップ搭載部表面上に表面粗さが該表面より大であり且つ熱膨張係数が該基板より小で該半導体チップより大である中間層を形成する工程と、」を、「該チップ搭載部表面上に直に表面粗さが該表面より大であり且つ熱膨張係数が該基板より小で該半導体チップより大である中間層を形成する工程と、」と訂正する。
２．明細書中の明瞭でない記載の釈明を目的として、
▲４▼訂正事項ｄ
　特許明細書の〔課題を解決するための手段〕の項を「その課題は、基板のチップ搭載部に半導体チップを搭載し、該半導体チップを封止してなる半導体装置において、該チップ搭載部表面上に直に表面粗さが該表面より大であり且つ熱膨張係数が該基板より小で該半導体チップより大である中間層を設け、該中間層上に溶着材若しくは接着剤により半導体チップを固着してなることを特徴とする半導体装置によって解決される。」と訂正する。
▲５▼訂正事項ｅ
　訂正前の請求項３乃至６が請求項１または２に従属していたものを、訂正後の請求項１のみに従属するようにし、また、請求項番号を繰り上げてそれぞれ請求項２乃至５と訂正する。
（５４）【発明の名称】
半導体装置及びその製造方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】基板のチップ搭載部に半導体チップを搭載し、該半導体チップを封止してなる半導体装置において、
　該チップ搭載部表面上に直に表面粗さが該表面より大であり且つ熱膨張係数が該基板より小で該半導体チップより大である中間層を設け、該中間層上に溶着材若しくは接着剤により半導体チップを固着してなることを特徴とする半導体装置。
　【請求項２】前記中間層がセラミックペースト層であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
　【請求項３】前記基板がセラミック基板であり、前記中間層がセラミックペースト層であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
　【請求項４】前記中間層がソルダーレジスト層であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
　【請求項５】前記基板がプリント基板であり、前記中間層がソルダーレジスト層であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
　【請求項６】基板のチップ搭載部に半導体チップを搭載し、該半導体チップを封止してなる半導体装置の製造方法において、
　該チップ搭載部表面上に直に表面粗さが該表面より大であり且つ熱膨張係数が該基板より小で該半導体チップより大である中間層を形成する工程と、該中間層上に溶着材若しくは接着剤により半導体チップを固着する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
　〔概　要〕
　半導体チップの取付構造及び取付方法に関し、
　接着強度の向上等を目的とし、
　基板のチップ搭載部表面にセラミックペースト層またはソルダーレジスト層を設け、その上に溶着材または接着剤により半導体チップを固着する。
〔産業上の利用分野〕
　本発明は半導体装置のうち、特に半導体チップの取付構造及び取付方法に関する。
　半導体装置は高機能化，高集積化されて、パッケージに搭載する半導体チップも大形化されており、従って、半導体チップの搭載について一層高度な技術的検討が必要とされている。
〔従来の技術〕
　第４図は従来の半導体チップを搭載したセラミックパッケージの断面図を例示しており、図中の記号１はセラミック基板，１１は外部リード，１２はインナーパターン，基板のチップ搭載部表面（以下、ステージ面と記す），２は半導体チップ，３は金シリコン（Ａｕ−Ｓｉ），４はボンディングワイヤーで、本例はＰＧＡ（Ｐｉｎ　ＧｒｉｄＡｒｒａｙ）タイプのセラミックパッケージの例である。図のように、半導体チップをパッケージに搭載するにはＡｕ−Ｓｉ３を用いて溶着しており、Ａｕ−Ｓｉの共晶温度は３７０℃で、セラミック基板１をその共晶温度以上に加熱してＡｕ−Ｓｉを溶融させて、半導体チップ２をセラミック基板１のステージ面（金メッキ面）に溶着している。
　しかし、半導体チップが高集積化されて大形化されてくると、ステージの寸法も大きくなり、半導体チップの反りも大きくなって、半導体チップとステージとの間のＡｕ−Ｓｉの付着性（濡れ）が悪くなる。そうすれば、ボイド（空虚な箇所；ｖｏｉｄ）が発生し易くなって、発生したボイドの周縁に応力が集中して、チップの残留応力や熱ストレスが増加するようになる。且つ、最悪の場合にはチップ割れやパンケージクラックが起こる。
　このため、最近では半導体チップとステージの間に金（Ａｕ）や金シリコン（Ａｕ−Ｓｉ）からなるペレット（薄片）を介在させ、実質的にチップ付け蝋材量を増やす等によって濡れ性を改善したり、また、ヤング率（引張り応力と歪みとの比）の小さい銀（Ａｇ）エポキシ樹脂，銀ポリイミド樹脂，銀ガラス，アルミニウム（Ａ１）ガラスなどを溶着材として用いて、ストレスの緩和を図っている。
〔発明が解決しようとする課題〕
　ところが、前者のＡｕやＡｕ−Ｓｉのようなペレットを介在させることは、それだけ高価なペレット材を消費してコストアップになる欠点があり、また、後者の樹脂やガラスを溶着材とすることは、溶着時に流れ性が悪くなって良好なメニスカス（ｍｅｎｉｓｃｕｓ；チップ付け周囲のテーパー状の角度）が形成されず、接着強度が弱い問題がある。
　本発明はこれらの問題を低減させて、接着強度が強くて、且つ、半導体チップとパッケージ間のストレスを緩和させることを目的とした半導体装置を提案するものである。
〔課題を解決するための手段〕
　その課題は、基板のチップ搭載部に半導体チップを搭載し、該半導体チップを封止してなる半導体装置において、該チップ搭載部表面上に直に表面粗さが該表面より大であり且つ熱膨張係数が該基板より小で該半導体チップより大である中間層を設け、該中間層上に溶着材若しくは接着剤により半導体チップを固着してなることを特徴とする半導体装置によって解決される。
〔作　用〕
　即ち、本発明は、ステージ面にセラミックペースト層またはソルダーレジスト層を介在させる構造にするが、このような材料は半導体チップとパッケージとの濡れ性を良くして、また、半導体チップとパッケージの中間の熱膨張係数をもっている材料のために、半導体チップとパッケージとの溶着時にそのストレスの緩和に役立つ。且つ、そのようなセラミックペースト層またはソルダーレジスト層はその表面に凹凸ができてアンカー効果（固着する効果）が大きくなり、毛細管減少によって濡れ性が良くなって、接着強度が増加する。
　なお、セラミックペースト層は耐熱性があって５００℃程度の温度まで充分に耐えるために、高温に耐えるセラミックパッケージに適用でき、他方、ソルダーレジストは２００℃前後の温度までしか耐えない耐熱性の弱い材料のために、エポキシ樹脂製のパッケージ（プリント板パッケージ）やモールドパッケージに適している。
〔実　施　例〕
　以下に図面を参照して実施例によって詳細に説明する。
　第１図は本発明にかかる半導体装置（Ｉ）の断面図を示しており、本例はＰＧＡタイプのセラミックパッケージの例である。図中の記号１はセラミック基板，１１は外部リード，１２はインナーパターン，１３はステージ面，２は半導体チップ，４はボンディングワイヤー，５は銀ガラス（溶着材），６はセラミックペースト層，７はキャップ（セラミック製；ガラス材で封止する）である。チップ溶着材としては銀ガラスの他、第４図に示す従来例のように、Ａｕ−Ｓｉ３を使用してもよいし、また、銀エポキシ樹脂，銀ポリイミド樹脂，アルミニウムガラスを使用してもよい。なお、ステージ面１３はＡｕ−Ｓｉ半田を使用する場合は金メッキされるが、他の銀ガラスや銀エポキシ樹脂などでは無メッキのステージ面に溶着される。
　セラミックペースト層６は例えば、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）セラミックとガラス成分とを混合したペースト（ｐａｓｔｅ；糊）状の材料、いわゆるセラミックペースト層をスクリーン印刷して塗布し、それを１５００〜１６００℃で焼成して厚み１０〜３０μｍのセラミックペースト層を形成しており、従って、温度５００℃まで充分に耐える耐熱性があって、且つ、凹凸表面をもっている。凹凸状態は、従来のステージ面上のＲａ（中心線平均粗さ）が０．３〜０．５であるのに対して、セラミックペースト層６面上のＲａは０．５〜０．７程度に向上する。且つ、その熱膨張係数をシリコン（半導体チップ；３．５〜４×１０−６）とＡ１２Ｏ３（セラミック：７×１０−６）との中間の熱膨張係数を有するように調整したセラミックペースト層６を半導体チップとセラミックパッケージとの間に介在させて、その上に半導体チップを搭載するとストレスは従来よりも著しく緩和される。
　また、上記のように高温焼成が必要であるから、セラミックペースト層６はパッケージ作製時に同時に焼き付けて作製する。第２図は本発明にかかる半導体装置に使用するセラミックパッケージの斜視図を示しており、図中の記号は第１図と同一部位に同一記号が付けてあるが、セラミック基板１は例えば３５ｍｍ角，厚み２ｍｍの大きさであり、本図はセラミックペースト層６を明示している図である。このセラミックペースト層６はチップボンディング工程の位置決めのマークとしても役立つ。
　このようなセラミックパッケージに半導体チップを搭載して第１図に示す半導体装置に完成すると、アンカー効果が大きいから半導体チップの濡れ性が良く、パッケージとの接着強度も強くて、しかも、ストレスが緩和されるために、半導体装置は高信頼化される。
　次に、第３図は本発明にかかる半導体装置（ＩＩ）を示す図で、本例はＰＧＡタイプの樹脂パッケージ（プリント板パッケージ）の例である。図中の記号２は半導体チップ，４はボンディングワイヤー，５は銀エポキシ樹脂（溶着材），８はプリント基板，８１は外部リード，８２はインナーパターン，８３はステージ面，９はソルダーレジスト層，１０は封止モールドである。
　ソルダーレジスト層９は例えばエポキシ系ソルダーレジストをスクリーン印刷して塗布し、１５０℃でキュアーして形成しており、２００℃程度の温度までしか耐熱性がなく、従って、耐熱性の低い樹脂パッケージやモールドパッケージに使用するものである。ソルダーレジスト層９もセラミックペースト層と同様の凹凸表面をもっており、Ｒａは１．０〜４．０程度に向上する。また、熱膨張係数もシリコンとプリント基板との中間程度となるように調整することによりソルダーレジスト層９もセラミックペースト層と同じ効果があり、半導体装置の信頼性向上に寄与する。
　なお、上記実施例はＰＧＡタイプのパッケージ例で説明しているが、セラミック型や樹脂型のＤＩＰ（ＤｕａｌＩｎ−ｌｉｎｅ　Ｐａｃｋａｇｅ），ＦＰ（Ｆｌａｔ　Ｐａｃｋａｇｅ）タイプ，ＬＣＣ（Ｌｅａｄｌｅｓｓ　Ｃｈｉｐ　Ｃａｒｒｉｅｒ）タイプなど他のタイプのパッケージを有する半導体装置やモールドタイプの半導体装置にも適用できることはいうまでもないことである。
〔発明の効果〕
　以上の説明から明らかなように、本発明にかかる半導体装置は接着強度が増加して、しかも、残留応力や環境温度からのストレスが緩和され、破壊や特性変動が減少して、ＬＳＩなどの半導体装置の高品質化に顕著な効果があるものである。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明にかかる半導体装置（Ｉ）の断面図、
第２図は本発明にかかる半導体装置に使用するセラミックパッケージの斜視図、
第３図は本発明にかかる半導体装置（ＩＩ）の断面図、
第４図は従来の半導体チップを搭載したセラミックパッケージの断面図である。
図において、
１はセラミック基板、
２は半導体チップ、
３はＡｕ−Ｓｉ、
４はボンディングワイヤー、
５は銀エポキシ樹脂、
６はセラミックペースト層、
７はキャップ、
８はプリント板基板、
９はソルダーレジスト層、
１０は封止モールド、
１１，８１は外部リード、
１２，８２はインナーパターン、
１３，８３はステージ面
を示している。