【事件の表示】
　特許第２７８４１０５号「軟磁性薄膜」の請求項１、６に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結論】
　訂正を認める。
　特許第２７８４１０５号の請求項１、６に係る特許を維持する。
【理由】
Ｉ　手続の経緯
　本件特許第２７８４１０５号の請求項１〜６に係る発明についての出願は、平成３年７月１９日（優先権主張、平成２年７月２７日、平成２年１０月９日、平成３年５月１５日）に出願され、平成１０年５月２２日にその特許の設定登録がなされ、その後、異議申立人村山俊秋より特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１１年７月２７日に訂正請求がなされたものである。
ＩＩ　訂正の適否についての判断
１　訂正の内容
（１）　特許請求の範囲の請求項１の「の範囲（但し、ｂ≦７．５かつｃ≦５を除く）であ」と「ることを特徴とする軟磁性薄膜。」の間に「り、非晶質薄膜を３５０〜６５０℃で熱処理して得られ、結晶粒径３００オングストローム以下の微細結晶質から成り、単層構造であ」を挿入する。
（２）　特許請求の範囲の請求項６の「の範囲（但し、ｂ≦７．５かつｃ≦５を除く）であ」と「り、飽和磁歪は」の間に「り、非晶質薄膜を３５０〜６５０℃で熱処理して得られ、結晶粒径３００オングストローム以下の微細結晶質から成り、単層構造であ」を挿入する。
（３）　特許請求の範囲を上記（１）、（２）のように訂正するのに伴い、発明の詳細な説明中、【００１３】、【００１４】の各段の記載を上記（１）、（２）の訂正事項に対応して訂正する。
２　訂正の目的の適否、新規事項の有無および拡張・変更の存否
（１）　上記１（１）の訂正は、請求項１に記載された軟磁性薄膜に「非晶質薄膜を３５０〜６５０℃で熱処理して得られ、結晶粒径３００オングストローム以下の微細結晶質から成り、単層構造であ」る旨を付加して限定するものであり、特許請求の範囲の減縮を目的とする訂正である。
　そして、上記１（１）の訂正に関連する事項として、本件特許明細書には、
「結晶粒径は、好ましくは３００Å以下である。」【００２６】
「この非晶質薄膜を例えば、３５０〜６５０℃で熱処理し前記非晶質薄膜の一部ないし全部を結晶化させて製造することができる。」【００３５】「本発明の軟磁性膜は、製膜時には非晶質合金として形成し熱処理によって後から微結晶化させることができるので、膜形成にあたってステップカバレッジが良好でかつ鏡面が得られ易く多層化などの手段に依らなくても結晶粒の粗大化を防ぐことができるので、厚膜化することが可能である。」【００６４】
等の記載があり、上記１（１）の訂正で付加された「非晶質薄膜を３５０〜６５０℃で熱処理して得られ、結晶粒径３００オングストローム以下の微細結晶質から成り、単層構造であ」る旨は、本件特許明細書に記載されているものと認められ、上記１（１）の訂正は、新規事項の追加に該当しない。
（２）　同様に、上記１（２）の訂正は、特許請求の範囲の減縮を目的とする訂正であり、新規事項の追加に該当しない。
（３）　上記１（３）の訂正は、明瞭でない記載の釈明を目的とする訂正であり、新規事項の追加に該当しない。
（４）　そして、上記１（１）〜（３）のいずれの訂正も、実質上特許請求の範囲を拡張し、または変更するものではない。
３　独立特許要件
（１）　訂正明細書の請求項１〜６に係る発明
　訂正明細書の請求項１〜６に係る発明は、その特許請求の範囲の請求項１〜６に記載された次の事項により特定されるとおりのものである。
「【請求項１】
　Ｆｅａ−ｍＭｍＢｂＮｃ（但し、ａ、ｂ、ｃ、ｍは各々原子％を示し、ＭはＲｕ、Ｃｒの少なくとも１種以上を表わし、ＢはＺｒ、Ｈｆ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗの少なくとも１種以上を表わす。）成る組成式で示され、その組成範囲は
　０＜ｍ／ａ＜０．１
　０＜ｂ≦２０
　０＜ｃ≦２２
の範囲（但し、ｂ≦７．５かつｃ≦５を除く）であり、非晶質薄膜を３５０〜６５０℃で熱処理して得られ、結晶粒径３００オングストローム以下の微細結晶質から成り、単層構造であることを特徴とする軟磁性薄膜。
　【請求項２】
　Ｆｅａ−ｍＭｍＢｂＮｃ（但し、ａ、ｂ、ｃ、ｍは各々原子％を示し、ＭはＲｕ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｐｔの少なくとも１種以上、又は、Ｒｕ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｐｔの少なくとも１種以上とＣｒ、Ｖ、Ｎｉ、Ｍｎの少なくとも１種以上を表わし、ＢはＺｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗの少なくとも１種以上を表す。）なる組成式で示され、その組成範囲は
　０＜ｍ／ａ＜０．３
　０＜ｂ≦２０
　０＜ｃ≦２２
の範囲（但し、ｂ≦７．５かつｃ≦５を除く）であることを特徴とする軟磁性薄膜。
　【請求項３】
　Ｆｅａ−ｄ−ｅＸｂＮｃＲＵｄＺｅ（但し、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅは各々原子％を示し、ＸはＺｒ及びＨｆの少なくとも１種以上を表わし、ＺはＣｒ、Ｖ及びＭｎの少なくとも１種以上を表わす。）なる組成式で示され、その組成範囲は
　０＜ｂ≦２０
　０＜ｃ≦２２
　０＜ｄ≦１０
　０＜ｅ≦５
の範囲（但し、ｂ≦７．５かつｃ≦５を除く）であることを特徴とする軟磁性薄膜。
　【請求項４】
　前記ｂ、ｃ、ｄ及びｅのうち少なくとも一が
　２≦ｂ≦１５
　５≦ｃ≦２２
　０．１≦ｄ≦１０
　０．１≦ｅ≦５
の範囲に属することを特徴とする請求項３に記載の軟磁性薄膜。
　【請求項５】
　Ｆｅａ−ｍＣｏｍＢｂＮｃ（但し、ａ、ｂ、ｃ、ｍは各々原子％を示し、ＢはＺｒ、Ｈｆ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗの少なくとも１種以上を表わす。）なる組成式で示され、その組成範囲は
　０＜ｍ／ａ＜０．３
　０＜ｂ≦２０
　１０＜ｃ≦２２
の範囲（但し、ｂ≦７．５かつｃ≦５を除く）であることを特徴とする軟磁性薄膜。
　【請求項６】
　Ｆｅａ−ｍＭｍＢｂＮｃ（但し、ａ、ｂ、ｃ、ｍは各々原子％を示し、ＭはＣｒ、Ｖ、Ｎｉ、Ｍｎの少なくとも１種以上を表わし、ＢはＺｒ、Ｈｆ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗの少なくとも１種以上を表わす。）なる組成式で示され、その組成範囲は
　０＜ｍ／ａ＜０．３
　０＜ｂ≦２０
　０＜ｃ≦２２
の範囲（但し、ｂ≦７．５かつｃ≦５を除く）であり、非晶質薄膜を３５０〜６５０℃で熱処理して得られ、結晶粒径３００オングストローム以下の微細結晶質から成り、単層構造であり、飽和磁歪は１．５×１０−６以下であることを特徴とする軟磁性薄膜。」
（以下、請求項１、６に係る発明を、それぞれ、「本件第１発明」、「本件第６発明」といい、請求項１〜６に係る発明をまとめて「本件発明」という。）
（２）　取消理由の概要
　当審が平成１１年５月１３日付けで通知した取消理由は、
▲１▼　本件第１、６発明は、本件出願の出願前に出願され、本件出願後に出願公開された特願平２−１２９６１６号（特開平４−２３４１３号）の願書に最初に添付した明細書又は図面（以下、「先願明細書」という。）に記載された発明と同一である（特許法第２９条の２）。
▲２▼　本件第１、６発明は、本件出願の出願前に頒布された刊行物である、特開昭６３−２３６３０４号公報（以下、「刊行物１」という。）、または、特開昭６２−２１０６０７号公報（以下、「刊行物２」という。）に記載された発明である（特許法第２９条第１項第３号）。
▲３▼　本件第１、６発明は、刊行物１、２、および、本件出願の出願前に頒布された刊行物である、特開平２−１２３７０５号公報（以下、「刊行物３」という。）に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである（特許法第２９条第２項）。
▲４▼　本件第１、６発明は、下記ｉ〜ｉｉｉの点で、発明の構成に欠くことができない事項のみを記載したものではなく、また、当業者が容易に実施できる程度に記載されていない（特許法第３６条第４項、第５項）。
ｉ　本件発明は、特定量のＭ元素によって鉄の一部を置換しているので、飽和磁歪をＭ元素の含有量に対応して、正の方向へ変化させ、又は０に近い値（絶対値）に正確に調整できるとしているが、本件出願人の先願である特願平１−３０４８１１号（以下、「本件出願人の先願」という。）の記載を参酌すれば、前記Ｍ元素による飽和磁歪の絶対値の減少という作用効果は、本件第１、６発明に包含されている組成範囲のうち、ごく一部の組成範囲にしか適用できず、残りの部分については、Ｍ元素の添加によって、かえって飽和磁歪の絶対値が上昇する。
　したがって、本件第１、６発明は、飽和磁歪の絶対値が増大する範囲、すなわち、所期の作用効果を奏しない範囲を含んでいる。
ｉｉ　本件発明の主要な課題の一つは、熱処理又は加熱による保磁力の大幅な上昇を防止する事であるが、Ｃｏ以外の添加元素については耐熱性についての実施例がなく、Ｒｕ、Ｃｒ添加の場合の耐熱性については実証されていない。
ｉｉｉ　本件特許明細書には、Ｂ元素については、Ｚｒの実施例しか記載されていないところ、上記本件出願人の先願、および、本件出願後に頒布された刊行物である「電子情報通信学会技術研究報告」Ｖｏｌ．９１、Ｎｏ．２０８、ｐ．１７−２１（以下、「刊行物４」という。）の記載を参酌すると、Ｆｅ−Ｔａ−Ｎ系とＦｅ−Ｚｒ−Ｎ系では、飽和磁歪の組成依存性の挙動は明らかに異なるから、Ｂ元素をＨｆ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗまで拡張することはできない。
ということである。
（３）　先願発明、対比・判断
▲１▼　先願明細書には、次の発明（以下、「先願発明」という。）が記載されている。
　【構成】
　Ｆｅを主成分とし、Ｎを１〜２０原子％、Ｚｒを３〜２０原子％含むと共に、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ元素の少なくとも１種の元素を０．５〜１０原子％含む組成を有する鉄系単層窒化合金から成る軟磁性薄膜。
　【作用効果】
　飽和磁歪の減少、保持力の減少、熱的安定性の向上、耐摩耗性、耐食性の向上。
▲２▼　本件第１、６発明と先願発明を対比すると、両者の構成元素に重複が認められ、この点で両者は一致するが、先願発明の軟磁性膜は、熱処理によって特定結晶粒径の微細結晶化されたものではない。
　先願明細書には、スパッタ法等により薄膜を形成した後、２００〜５５０℃の範囲で１時間の熱処理を行う旨の記載はあるが、この熱処理は、加熱後の特性測定のためになされるものであり、薄膜の結晶構造を変化させて軟磁性薄膜を形成するためのものとは認められない。
▲３▼　してみると、先願発明は、本件第１、６発明を特定する事項である「非晶質薄膜を３５０〜６５０℃で熱処理して得られ、結晶粒径３００オングストローム以下の微細結晶質から成り、」を具備していないから、本件第１、６発明は、先願発明と同一の発明ではない。
（４）　引用刊行物、対比・判断
▲１▼刊行物１〜３には、それぞれ、下記の事項が記載されている。
　【刊行物１】
　Ｆｅに侵入型で固溶する元素、即ちＢ、Ｃ、Ｎ、Ｐのいずれかを含有した、Ｆｅを主成分とする強磁性膜に、Ｒｕ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉ等からなる群らり選ばれる少なくとも一種の元素を０．５〜５原子％添加した耐蝕強磁性膜であり、Ｎの含有量は好ましくは１〜１５原子％である。
　Ｒｕ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉ等の添加元素は、耐食性を向上させ、飽和磁歪を低くするためのものである。
　【刊行物２】
　磁気ヘッドコア材に適した軟磁性薄膜の組成を規定するものであり、具体的には、ＴｘＭｙＮｚの組成を有する軟磁性合金膜を規定している。
　Ｔは、Ｃｏ、Ｆｅ、ＮｉおよびＭｎからなる群より選択された１種以上の金属であり、Ｍは、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｃｒ、ＷおよびＭｏからなる群より選択された１種以上の金属である。ここで、７５≦ｘ＜９４、６≦ｙ≦２５、０．１≦ｚ≦２０であり、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００である。
　この組成の軟磁性薄膜によれば、軟磁性薄膜として通常期待される特性である、飽和磁気、軟磁性、耐磨耗性といった特性が向上している。
　【刊行物３】
　鉄を主成分とする強磁性膜に、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗからなる群より選ばれた少なくとも１種の元素を０．１〜１０原子％含有させた強磁性膜。
　これによって、透磁率を減少させることなく、耐熱性を向上させ、更に、この鉄系磁性膜にＲｕを添加することによって、磁性膜の透磁率、耐熱性を変化させることなく、耐食性を向上させた。この添加量は０．１〜１０原子％が好ましい。
▲２▼　本件第１、６発明と刊行物１〜３に記載された発明を対比すると、刊行物１〜３のいずれにも、本件第１、６発明を特定する事項である「非晶質薄膜を３５０〜６５０℃で熱処理して得られ、結晶粒径３００オングストローム以下の微細結晶質から成り、」が記載されておらず、これを示唆する記載もない。
　そして、刊行物１〜３に記載された発明を如何に組み合わせたとしても、上記「非晶質薄膜を３５０〜６５０℃で熱処理して得られ、結晶粒径３００オングストローム以下の微細結晶質から成り、」を構成することはできない。
▲３▼　してみると、本件第１、６発明は、刊行物１、２に記載された発明と同一ではなく、また、刊行物１〜３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものでもない。
（５）　記載不備についての判断
▲１▼　飽和磁歪について
ｉ　本件特許明細書には、特定量のＭ元素によって鉄の一部を置換した効果として、「磁歪を元素Ｍの含有量に対応して、正の方向へ変化させ、又は０に近い値（絶対値）に正確に調整できる」と記載されているが、これは、「正の方向へ変化させ」、「又は」、「０に近い値（絶対値）に正確に調整できる」ということであるから、上記の記載は、Ｍ元素による飽和磁歪の絶対値の減少のみを意味するものではない。
　しかも、上記の記載は、本件出願人の先願の軟磁性薄膜に対する効果を記載したものであり、本件発明が解決しようとする課題として記載したものではない。
ｉｉ　したがって、本件発明の軟磁性薄膜の全てがＭ元素による飽和磁歪の絶対値の減少という作用効果を奏する必要はないと認められ、上記取消理由で指摘した飽和磁歪に関する記載不備はない。
▲２▼　耐熱性について
ｉ　熱処理または加熱によって保持力が大幅に上昇することを防止することは、Ｍ元素を含有しない本件出願人の先願の軟磁性薄膜によって既に達成されており、本件発明で特定するＭ元素によって耐熱性を向上させるのではない。
ｉｉ　本件特許明細書には、Ｍ元素を含有させた実施例において、製造時の熱処理を受けても、保持力の大幅な上昇がないことが記載されており、本件発明の軟磁性薄膜は、本件出願人の先願の軟磁性薄膜と同様の耐熱性を有するものと認められ、上記取消理由で指摘した耐熱性に関する記載不備はない。
▲３▼　Ｔａの実施例の不在について
ｉ　刊行物１〜３記載されるように、本件出願の出願当時、軟磁性薄膜の技術分野において、Ｈｆ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗは、Ｚｒと同様の作用を有することが一般に知られており、本件発明は、Ｚｒと同格のものとして認識されていたＨｆ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａ、ＭｏをＢ元素として採用するものであるから、本件特許明細書の記載に格別の不合理性はない。。
ｉｉ　本件出願人の先願には、ＦｅＺｒＮ膜について、また、刊行物４には、ＦｅＴａＮ膜について、飽和磁歪の組成依存性についての記載はあるが、これらは、Ｂ元素を含有しないＦｅＺｒＮ膜、および、ＦｅＴａＮ膜に関する記載であり、Ｂ元素を含有する本件発明の軟磁性薄膜の特性を否定するものではない。
ｉｉｉ　してみると、本件特許明細書には、上記取消理由で指摘したＴａの実施例の不在に関する記載不備はない。
（６）　したがって、本件第１、６発明は、特許出願の際、独立して特許を受けることができるものである。
４　むすび
　以上のとおりであるから、上記１（１）〜（３）の訂正は、特許法の一部を改正する法律（平成６年法律１１６号）附則第６条第１項の規定により、なお従前の例によるとされる、特許法第１２０条の４第２項、同条第３項で準用する第１２６条第１〜３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
ＩＩＩ　特許異議の申立てについての判断
１　特許異議の申立ての理由の概要
　異議申立人は、証拠方法として、甲第１号証（特開平４−２３４１３号公公報）、甲第２号証（特開昭６３−２３６３０４号公報）、甲第３号証（特開昭６２−２１０６０７号公報）、甲第４号証（特開平２−１２３７０５号公報）、甲第５号証（特公平７−４４１０８号公報）、甲第６号証（「磁気ヘッド用ＦｅＴａＮスパッタ膜」ＭＲ−９１−２８、第１７〜２１頁）を提出し、請求項１、６に係る発明は、
（１）　本件出願の出願前に出願され、本件出願後に出願公開された甲第１号証に記載された発明と同一の発明であり、
（２）　刊行物２、若しくは、刊行物３に記載された発明であり、
（３）　刊行物２〜４に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、
（４）　発明の構成に欠くことができない事項のみを記載したものではなく、また、当業者が容易に実施できない
から、請求項１、６に係る発明についての特許は、特許法第２９条の２、第２９条第１項第３号、第２項、および、第３６条第４項、第５項の規定に違反してなされたものであり、特許法第１１３条第１項第２号の規定により取り消されるべきものであると主張している。
２　判断
（１）　異議申立人が提出した甲第１号証は、取消理由で引用した先願発明であり、同様に、甲第２〜４号証は、それぞれ、刊行物１〜３、甲第５号証は、本件出願人の先願、甲第６号証は、刊行物４である。
（２）　本件第１、６発明は、上記ＩＩ３（３）で示したように、甲第１号証に記載された発明と同一の発明ではなく、本件第１、６発明についての特許は、特許法第２９条の２の規定に違反してなされたものではない。
（３）　本件第１、６発明は、上記ＩＩ３（４）で示したように、甲第２、３号証に記載された発明ではなく、また、甲第２〜４号証に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることもできないから、本件第１、６発明についての特許は、特許法第２９条第１項、第２項の規定に違反してなされたものではない。
（４）　本件特許明細書の記載には、上記ＩＩ３（５）で示したように、不備はないから、本件第１、６発明についての特許は、特許法第３６条第４項、第５項の規定に違反してなされたものではない。
３　むすび
　以上のとおりであるから、特許異議の申立ての理由および証拠によっては、本件発明の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１１年１０月１５日（１９９９．１０．１５）
【訂正の要旨】
訂正事項
（１）特許第２７８４１０５号の明細書の特許請求の範囲の請求項１の「の範囲（但し、ｂ≦７．５かつｃ≦５を除く）であ」と「ることを特徴とする軟磁性薄膜。」の間に、特許請求の範囲の減縮を目的として「り、非晶質薄膜を３５０〜６５０℃で熱処理して得られ、結晶粒径３００オングストローム以下の微細結晶質から成り、単層構造であ」を挿入する。
（２）前記明細書の特許請求の範囲の請求項６の「の範囲（但し、ｂ≦７．５かつｃ≦５を除く）であ」と「り、飽和磁歪は」の間に、特許請求の範囲の減縮を目的として「り、非晶質薄膜を３５０〜６５０℃で熱処理して得られ、結晶粒径３００オングストローム以下の微細結晶質から成り、単層構造であ」を挿入する。
（３）前記明細書の段落［００１３］における「の範囲（但し、ｂ≦７．５かつｃ≦５を除く）であ」と「る軟磁性薄膜。」の間に、特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載との整合をとるため、明瞭でない記載の釈明を目的として、「り、非晶質薄膜を３５０〜６５０℃で熱処理して得られ、結晶粒径３００オングストローム以下の微細結晶質から成り、単層構造であ」を挿入する。
（４）前記明細書の段落［００１４］における「の範囲（但し、ｂ≦７．５かつｃ≦５を除く）であ」と「り、飽和磁歪は１．５×１０−６以下である軟磁性薄膜。」の間に、特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載との整合をとるため、明瞭でない記載の釈明を目的として、「り、非晶質薄膜を３５０〜６５０℃で熱処理して得られ、結晶粒径３００オングストローム以下の微細結晶質から成り、単層構造であ」を挿入する。
（５４）【発明の名称】
軟磁性薄膜
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】
　Ｆｅａ−ｍＭｍＢｂＮｃ（但し、ａ、ｂ、ｃ、ｍは各々原子％を示し、ＭはＲｕ、Ｃｒの少なくとも１種以上を表わし、ＢはＺｒ、Ｈｆ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗの少なくとも１種以上を表わす。）成る組成式で示され、その組成範囲は
　０＜ｍ／ａ＜０．１
　０＜ｂ≦２０
　０＜ｃ≦２２
の範囲（但し、ｂ≦７．５かつｃ≦５を除く）であ
り、非晶質薄膜を３５０〜６５０℃で熱処理して得られ、結晶粒径３００オングストローム以下の微細結晶質から成り、単層構造であ
　【請求項２】
　Ｆｅａ−ｍＭｍＢｂＮｃ（但し、ａ、ｂ、ｃ、ｍは各々原子％を示し、ＭはＲｕ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｐｔの少なくとも１種以上、又は、Ｒｕ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｐｔの少なくとも１種以上とＣｒ、Ｖ、Ｎｉ、Ｍｎの少なくとも１種以上を表わし、ＢはＺｒ、Ｈｆ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗの少なくとも１種以上を表わす。）なる組成式で示され、その組成範囲は
　０＜ｍ／ａ＜０．３
　０＜ｂ≦２０
　０＜ｃ≦２２
の範囲（但し、ｂ≦７．５かつｃ≦５を除く）であることを特徴とする軟磁性薄膜。
　【請求項３】
　Ｆｅａ−ｄ−ｅＸｂＮｃＲＵｄＺｅ（但し、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅは各々原子％を示し、ＸはＺｒ及びＨｆの少なくとも１種以上を表わし、ＺはＣｒ、Ｖ及びＭｎの少なくとも１種以上を表わす。）なる組成式で示され、その組成範囲は
　０＜ｂ≦２０
　０＜ｃ≦２２
　０＜ｄ≦１０
　０＜ｅ≦５
の範囲（但し、ｂ≦７．５かつｃ≦５を除く）であることを特徴とする軟磁性薄膜。
　【請求項４】
　前記ｂ、ｃ、ｄ及びｅのうちの少なくとも一が
　２≦ｂ≦１５
　５≦ｃ≦２２
　０．１≦ｄ≦１０
　０．１≦ｅ≦５
の範囲に属することを特徴とする請求項３に記載の軟磁性薄膜。
　【請求項５】
　Ｆｅａ−ｍＣＯｍＢｂＮｃ（但し、ａ、ｂ、ｃ、ｍは各々原子％を示し、ＢはＺｒ、Ｈｆ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗの少なくとも１種以上を表わす。）なる組成式で示され、その組成範囲は
　０＜ｍ／ａ＜０．３
　０＜ｂ≦２０
　１０＜ｃ≦２２
の範囲（但し、ｂ≦７．５かつ。≦５を除く）であることを特徴とする軟磁性薄膜。
　【請求項６】
　Ｆｅａ−ｍＭｍＢｂＮｃ（但し、ａ、ｂ、ｃ、ｍは各々原子％を示し、ＭはＣｒ、Ｖ、Ｎｉ、Ｍｎの少なくとも１種以上を表わし、ＢはＺｒ、Ｈｆ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗの少なくとも１種以上を表わす。）なる組成式で示され、その組成範囲は
　０＜ｍ／ａ＜０．３
　０＜ｂ≦２０
　０＜ｃ≦２２
の範囲（但し、ｂ≦７．５かつｃ≦５を除く）であ
り、非晶質薄膜を３５０〜６５０℃で熱処理して得られ、結晶粒径３００オングストローム以下の微細結晶質から成り、単層構造であ
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　本発明は、高飽和磁束密度と高周波透磁率を持ち、高密度記録再生用磁気ヘッドのコア材料等に好適な軟磁性薄膜に関する。
　【０００２】
　【発明の背景】
　例えばオーディオテープレコーダやＶＴＲ（ビデオテープレコーダ）等の磁気記録再生装置においては、記録信号の高密度化や高品質化等が進められており、この高記録密度化に対応して、磁気記録媒体として磁性粉にＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉ等の金属あるいは合金からなる粉末を用いた、いわゆるメタルテープや、強磁性金属材料を真空薄膜形成技術によりベースフィルム上に直接被着した、いわゆる蒸着テープ等が開発され、各分野で実用化されている。
　【０００３】
　【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】
ところで、このような所定の保磁力を有する磁気記録媒体の特性を発揮せしめるためには、磁気ヘッドのコア材料の特性として、高い飽和磁束密度Ｂｓを有するとともに、同一の磁気ヘッドで再生を行なおうとする場合においては、高透磁率を併せて有することが要求される。
　【０００４】
　従来は、センダスト合金（Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ、Ｂｓは、およそ１０ＫＧ）や、Ｃｏ系アモルファス合金などが用いられていたが、センダスト合金は、膜の内部応力が大きく、また結晶粒が成長し易く厚膜化が難しい。また、飽和磁束密度Ｂｓが１０ＫＧ程度で、今以上の高密度記録には飽和磁束密度Ｂｓが不充分である。また、Ｃｏ系アモルファス合金は特性も良く高飽和磁束密度Ｂｓのものも作製できるが、４５０℃程度で結晶化してしまうため、ヘッド形成する際に高温でガラス接合できず、充分な接合強度が得られないという難点があった。
　【０００５】
　その他の軟磁性材料としては窒化鉄があり、一般に、窒素含有雰囲気中で鉄をターゲットとしてイオンビーム蒸着あるいはスパッタリング等により薄膜状に形成される。さらに、この薄膜は必要に応じて熱処理されることもあった。しかしながら、この軟磁性薄膜は、熱処理又は加熱によって保磁力が大幅に上昇してしまい特性の安定性が不充分であるという問題があった。
　【０００６】
　特開昭６３−２９９２１９号公報には、このような問題点を改良せんとした次の軟磁性薄膜が記載されている。
　【０００７】
　「ＦｅｘＮｙＡｚ（ただし、ｘ、ｙ、ｚは各々組成比を原子％として表し、ＡはＳｉ、Ａｌ、Ｔａ、Ｂ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｖ、Ｗ、Ｈｆ、Ｇａ、Ｇｅ、希土類元素の少なくとも１種を表す。）なる組成式で示され、その組成範囲が
　０．５≦ｙ≦５．０
　０．５≦ｚ≦７．５
　ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００
であることを特徴とする軟磁性薄膜。」
　【０００８】
　しかし、特開昭６３−２９９２１９号公報に記載の軟磁性薄膜もまた熱処理によって保磁力が上昇するのを避けられない。
　【０００９】
　さらに一軸異方性を有していないため高周波における透磁率を高くすることができないという欠点がある。
　【００１０】
　また、製膜条件にもよるが、一般的に結晶質材料は、膜を付着する過程でセルフシャドウイング効果によって柱状晶になり易く、粒界部にボイドが形成されるために磁気的に不連続になり軟磁気特性が劣化してしまう傾向がある。このセルフシャドウイング効果は、磁気ヘッドを作製する際の様に下地に段差がある場合や厚膜化する場合に特に顕著となり、充分な特性が得られないという難点があった。
　【００１１】
　本発明は、上記従来技術の問題点を改良した軟磁性薄膜の提供を目的とする。
　【００１２】
　【課題を解決するための手段及び作用】
　本発明によれば次の軟磁性薄膜により上記目的を達成することができる。
　【００１３】
▲１▼Ｆｅａ−ｍＭｍＢｂＮｃ（但し、ａ、ｂ、ｃ、ｍは各々原子％を示し、ＭはＲｕ、Ｃｒの少なくとも１種以上を表わし、ＢはＺｒ、Ｈｆ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗの少なくとも１種以上を表わす。）なる組成式で示され、その組成範囲は
　０＜ｍ／ａ＜０．１
　０＜ｂ≦２０
　０＜ｃ≦２２
の範囲（但し、ｂ≦７．５かつｃ≦５を除く）であ
り、非晶質薄膜を３５０〜６５０℃で熱処理して得られ、結晶粒径３００オングストローム以下の微細結晶質から成り、単層構造であ
　【００１４】
▲２▼Ｆｅａ−ｍＭｍＢｂＮｃ（但し、ａ、ｂ、ｃ、ｍは各々原子％を示し、ＭはＲｕ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｐｔの少なくとも１種以上、又は、Ｒｕ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｐｔの少なくとも１種以上とＣｒ、Ｖ、Ｎｉ、Ｍｎの少なくとも１種以上を表わし、ＢはＺｒ、Ｈｆ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗの少なくとも１種以上を表わす。）なる組成式で示され、その組成範囲は
　０＜ｍ／ａ＜０．３
　０＜ｂ≦２０
　０＜ｃ≦２２
の範囲（但し、ｂ≦７．５かつｃ≦５を除く）である軟磁性薄膜。
　また、Ｆｅａ−ｍＭｍＢｂＮｃ（但し、ａ、ｂ、ｃ、ｍは各々原子％を示し、ＭはＣｒ、Ｖ、Ｎｉ、Ｍｎの少なくとも１種以上を表わし、ＢはＺｒ、Ｈｆ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗの少なくとも１種以上を表わす。）なる組成式で示され、その組成範囲は
　０＜ｍ／ａ＜０．３
　０＜ｂ≦２０
　０＜ｃ≦２２
の範囲（但し、ｂ≦７．５かつｃ≦５を除く）であ
り、非晶質薄膜を３５０〜６５０℃で熱処理して得られ、結晶粒径３００オングストローム以下の微細結晶質から成り、単層構造であ
　さらに、Ｆｅａ−ｍＣｏｍＢｂＮｃ（但し、ａ、ｂ、ｃ、ｍは各々原子％を示し、ＢはＺｒ、Ｈｆ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗの少なくとも１種以上を表わす。）なる組成式で示され、その組成範囲は
　０＜ｍ／ａ＜０．３
　０＜ｂ≦２０
　１０＜ｃ≦２２
の範囲（但し、ｂ≦７．５かつｃ≦５を除く）である軟磁性薄膜。
　【００１５】
　これらの組成範囲を点Ｅ、Ｆ、Ｇ、Ｈ、Ｉ、Ｊにより図１に示す。
　【００１６】
　上記▲２▼の組成範囲において、好ましくは、０＜ｍ／ａ＜０．２である。
　【００１７】
　なお、上記組成式において、ａ＋ｂ＋ｃ＝１００（ａｔ％）である。
　【００１８】
▲３▼Ｆｅａ−ｄ−ｅＸｂＮｃＲＵｄＺｅ（但し、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅは各々原子％を示し、ＸはＺｒ及びＨｆの少なくとも１種以上を表わし、ＺはＣｒ、Ｖ及びＭｎの少なくとも１種以上を表わす。）なる組成式で示され、その組成範囲は
　０＜ｂ≦２０
　０＜ｃ≦２２
　０＜ｄ≦１０
　０＜ｅ≦５
の範囲（但し、ｂ≦７．５かつｃ≦５を除く）である軟磁性薄膜。
　【００１９】
　上記組成範囲において、ａ＋ｂ＋ｃ＝１００（ａｔ％）であり、好ましくは、前記ｂ、ｃ、ｄ及びｅのうちの少なくとも一が下記範囲内に属することである。より好ましくは、これらの全てが下記範囲内に属することである。
　２≦ｂ≦１５
　５≦ｃ≦２２
　０．１≦ｄ≦１０
　０．１≦ｅ≦５
　【００２０】
　本出願人は、前記従来技術の問題点を改良するものとして次の軟磁性薄膜について特許出願を行った（平成１年特許願第３０４８１１号）。
　【００２１】
　「ＦｅａＢｂＮｃ（但し、ａ、ｂ、ｃは各々原子％を示し、ＢはＺｒ、Ｈｆ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｍｏ、Ｗの少なくとも１種以上を表わす。）なる組成式で示され、その組成範囲は
　０＜ｂ≦２０
　０＜ｃ≦２２
の範囲（但し、ｂ≦７．５かつｃ≦５を除く）であることを特徴とする軟磁性薄膜。」
　【００２２】
　これに対して、本発明の軟磁性薄膜は、Ｆｅの一部を前記特定量の元素Ｍで置き換えているので、次のような効果を奏する。磁歪を元素Ｍの含有量に対応して正の方向へ変化させ又は０に近い値（絶対値）に正確に調整できる。飽和磁束密度Ｂｓをより一層増加させることができる（特にＭがＣｏの場合）。磁歪が小さい場合にも異方性磁界を数Ｏｅ（少なくとも２Ｏｅ程度まで）つけることができ高周波で使用する場合にも高い透磁率が得られる（特にＭがＣｏの場合）。耐食性をより一層向上させることができる（特にＭがＣｒ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｐｔ及びＲｕの少なくとも一種以上の場合）。電気比抵抗を高めることができるので、渦電流損失を低減でき、高周波で使用する場合にも高い透磁率が得られる（特にＭが、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎの少なくとも一種以上の場合）。
　【００２３】
　Ｆｅの一部をＲｕで置き換えた場合は、上記のように耐食性をより一層向上させることができる。そして、薄膜全体のうちの１０原子％までのＲｕでＦｅの一部を置き換える場合には、好ましくは、薄膜全体のうちの５原子％までの前記Ｚ元素（即ち、Ｃｒ、Ｖ及びＭｎの少なくとも１種以上の元素）で残りのＦｅの一部を置き換える。これにより、軟磁性薄膜製造時及び製造後に長時間（例えば４時間程度）の熱処理を行っても、薄膜中の窒素が著しく減少せず、軟磁気特性が悪くならない。Ｃｒ、Ｖ及びＭｎの各元素は、Ｎとの親和性が比較的大きいことによると考えられる。なお、熱処理時間が１時間程度であれば、薄膜中の窒素の著しい減少や軟磁気特性の悪化は生じない。
　【００２４】
　好ましくは、前記組成範囲は
　６９≦ａ≦９３
　２≦ｂ≦１５
　５≦ｃ≦２２
の範囲である。この組成範囲を点Ｑ、Ｋ、Ｌ、Ｕ、Ｍにより図１に示す。
　【００２５】
　また好ましくは、その組成範囲は、前記四者の擬三成分組成座標系（Ｆｅ＋Ｍ、Ｂ、Ｎ）において
　Ｐ（９１、２、７）
　Ｑ（９３、２、５）
　Ｒ（８８、７、５）
　Ｓ（７３、１２、１５）
　Ｔ（６９、１２、１９）
　Ｕ（６９、９、２２）
　Ｖ（７６、５、１９）
の７点を結ぶ線分で囲まれた範囲である。この組成範囲を点Ｐ、Ｑ、Ｒ、Ｓ、Ｔ、Ｕ、Ｖにより図１に示す。
　【００２６】
　結晶粒径は、好ましくは３００Å以下である。
　【００２７】
　【好適な実施態様及び作用】
　本発明の軟磁性薄膜は、Ｆｅ、Ｎと、特定の元素Ｍ、即ち、Ｃｏ、Ｒｕ、Ｃｒ、Ｖ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｐｔの少なくとも１種以上の元素と、特定の添加元素Ｂ、即ち、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗの少なくとも１種以上の元素とから成り、これらＦｅとＮと特定の元素ＭとＢ（夫々２種以上も含む）の四者は、前記特定の組成範囲内にある。
　【００２８】
　前記組成範囲が、０＜ｂ≦２０かつ、０＜ｃ≦２２の範囲（但し、ｂ≦７．５かつｃ≦５を除く）である場合、好ましくは、ｂ≧０．５かつｃ≧０．５とする。ｂ＜０．５又はｃ＜０．５の場合にはその存在による効果が発揮されないことが多いからである。
　【００２９】
　前記添加元素Ｂが２０原子％を越えるか、又は、Ｎが２２原子％を越える場合には、良好な軟磁性が得られない。
　【００３０】
　前記組成範囲が、６９≦ａ≦９３かつ２≦ｂ≦１５かつ５＜ｃ≦２２（より好ましくは５．５≦ｃ≦２２）の場合は、より良好な軟磁性を示す。
　【００３１】
　また、好ましくは、前記組成は、前記四者の擬三成分組成座標系（Ｆｅ＋Ｍ、Ｂ、Ｎ）において、前記特定の点Ｐ、Ｑ、Ｒ、Ｓ、Ｔ、Ｕ、Ｖの７点を結ぶ線分で囲まれた範囲である。この組成範囲では保磁力が小さいので、特に磁気ヘッドのコア材料等に好適である。最も好ましくは、保磁力が１．５Ｏｅ以下（さらには１Ｏｅ以下）を示す組成範囲である。
　【００３２】
　前記添加元素ＢがＺｒである場合、軟磁性薄膜の好ましい組成範囲は、
　Ｆｅｄ（ＺｒｅＮ１−ｅ）１００−ｄ
　７７≦ｄ≦８８
　０．３≦ｅ≦０．３８
で示される範囲である（但し、このＦｅの一部は前記特定量の元素Ｍで置き換えられている）。この組成範囲を点Ｗ、Ｘ、Ｙ、Ｚにより図１に示す。これらの点Ｗ、Ｘ、Ｙ、Ｚの座標はほぼ次の通りである。
　【００３３】
　Ｗ（８８、３．６、８．４）
　Ｘ（８８、４．５６、７．４４）
　Ｙ（７７、８．７４、１４．２６）
　Ｚ（７７、６．９、１６．１）
　即ち、この範囲では、Ｆｅ及びＭを７７〜８８原子％含み、かつ、Ｚｒの含有率ｂ（原子％）とＮの含有率ｃ（原子％）の比ｃ／ｂがおよそ１．６３〜２．３３となっている。この組成範囲の軟磁性薄膜は、良好な軟磁性（例えば、保磁力Ｈｃ＜５Ｏｅ）を示す。
　【００３４】
　前記添加元素Ｂは、一種又は二種以上にすることができる。例えばＺｒのみ添加することができるが、その他の添加元素でＺｒの一部（例えば添加されるＺｒのうちの３０原子％）を置き換えることができる。
　【００３５】
　本発明の軟磁性薄膜は、例えばＲＦスパッタ法等の気相析着法により前記特定組成の非晶質薄膜を得て、この非晶質薄膜を例えば、３５０〜６５０℃で熱処理し前記非晶質薄膜の一部ないし全部を結晶化させて製造することができる。好ましくは、前記熱処理時に磁界を印加して一軸磁気異方性を誘導し前記非晶質薄膜の一部ないし全部を結晶化させて製造することができる。
　【００３６】
　本発明の軟磁性薄膜を前記の方法により製造する場合、形成される基板の種類により製造後の軟磁性薄膜の諸特性に差が生じる場合があるので、適宜基板を選択して製造することが好ましい。
　【００３７】
　【実施例】
　以下の実施例により本発明の効果を示す。
　【００３８】
［実施例１］
　Ｆｅ９０−ｍＣＯｍＺｒ１０（ｍ＝１．５、３．０又は４．５（ａｔ％））の組成のターゲットを用い、０．０、２．５、５．０、７．５、１０．０、１２．５モル％の窒素を含む窒素含有アルゴンガス雰囲気中で高周波スパッタリングを行ない、種々の組成のＦｅ−Ｃｏ−Ｚｒ−Ｎ非晶質薄膜を得た。これらの非晶質薄膜を磁界中において３５０℃×１時間又は５５０℃×１時間で熱処理し種々のＦｅ−Ｃｏ−Ｚｒ−Ｎ軟磁性薄膜を得た。これらの結果を表１に示す。また表１には、５５０℃×１時間の熱処理によって得られた軟磁性薄膜中における全メタル原子（Ｆｅ、Ｃｏ及びＺｒ）中のＺｒの存在率（％）、及び窒素／Ｚｒ比も示す。さらに軟磁性薄膜の磁気特性として保磁力Ｈｃ、異方性磁界Ｈｋ及び飽和磁歪λｓもあわせて示す。なお、表１におけるＮｏ．１、７、１３、１５及び１６は、本発明に含まれない参考例である。
　【００３９】
【表１】
　【００４０】
［実施例２］
　実施例１と同様にして種々の組成の非晶質薄膜を得た。これらの非晶質薄膜を磁界中において５５０℃で１、２、３、４時間熱処理して種々の軟磁性薄膜を得た。これらの結果を得られた軟磁性薄膜の種々の特性と共に表２に示す。
　【００４１】
　［参考例］
　Ｆｅ９０．０Ｚｒ１０．０の組成のターゲットを用い、６．０モル％の窒素を含有する窒素含有アルゴンガス雰囲気中で高周波スパッタリングを行ないＦｅ−Ｚｒ−Ｎ非晶質薄膜を形成し、これを磁界中において５５０℃で１、２、３、４時間熱処理しＦｅ−Ｚｒ−Ｎ軟磁性薄膜を得た。これらの結果を表２に示す。
　【００４２】
【表２】
　【００４３】
［実施例３］
　Ｆｅ９０−ｘＲＵｘＺｒ１０（ｘ＝１．５、３．０又は４．５（ａｔ％））の組成のターゲットを用いて高周波スパッタリングを行ないＦｅ−Ｒｕ−Ｚｒ−Ｎ非晶質薄膜を形成し、これらを５５０℃×１時間で熱処理してＦｅ−Ｒｕ−Ｚｒ−Ｎ軟磁性薄膜を得た。前記非晶質薄膜形成時のスパッタガス雰囲気中のＮ２含有率と、得られた軟磁性薄膜の飽和磁歪λｓとの関係を図２に示す。
　【００４４】
［実施例４］
　Ｆｅ９２．６−ｘＸｘＺｒ７．４（Ｘ＝Ｃｏ、Ｃｒ又はＲｕ）のターゲットを用いて高周波スパッタリングを行ないＦｅ−Ｘ−Ｚｒ−Ｎ非晶質薄膜を形成し、これらを熱処理してＦｅ−Ｘ−Ｚｒ−Ｎ軟磁性薄膜を得た。得られた前記軟磁性薄膜に含まれる前記Ｘ元素の含有率ｘと、軟磁性薄膜の飽和磁歪λｓとの関係を図３に示す。
　【００４５】
　図３によれば、次のことがわかる。Ｃｏ、Ｃｒ又はＲｕを含まない軟磁性薄膜は飽和磁歪λｓが負でありその値は−４×１０−７である。ところがＦｅの一部をＣｏ、Ｃｒ又はＲｕの一部でしだいに置き換えてゆくと飽和磁歪λｓが正に変化しその値もしだいに大きくなる。従って、好ましい飽和磁歪、その絶対値が９×１０−７以下、より好ましくは６×１０−７、さらに好ましくは２×１０−７以下から０までの軟磁性薄膜を、それに対応する特定量のＣｏ、Ｃｒ又はＲｕでＦｅの一部を置き換えることによって得ることができる。
　【００４６】
［実施例５］
　Ｆｅ９０−ｘＣｏｘＺｒ１０（ｘ＝１．５、３．０又は４．５（ａｔ％））のターゲットを用いて高周波スパッタリングを行ないＦｅ−Ｃｏ−Ｚｒ−Ｎ非晶質薄膜を形成し、これらを５５０℃で１時間又は４時間熱処理してＦｅ−Ｃｏ−Ｚｒ−Ｎ軟磁性薄膜を得た。前記非晶質薄膜形成時のスパッタガス雰囲気中のＮ２含有率と、得られた軟磁性薄膜の飽和磁歪λｓとの関係を図４に示す。
　【００４７】
［実施例６］
　Ｆｅ９０−ｘＣｒｘＺｒ１０（ｘ＝１．５、３．０又は４．５（ａｔ％））のターゲットを用いて１０％Ｎ２−Ａｒ雰囲気中で高周波スパッタリングを行ないＦｅ−Ｘ−Ｚｒ−Ｎ非晶質薄膜を形成し、これを５５０℃で４時間熱処理してＦｅ−Ｘ−Ｚｒ−Ｎ軟磁性薄膜を得た。前記軟磁性薄膜に含まれる前記Ｘ元素（Ｃｒ）の含有率ｘと、得られた軟磁性薄膜の飽和磁歪λｓとの関係を図５に示す。また、これらの膜の分析組成と飽和磁歪、異方性磁界Ｈｋ、電気比抵抗ρの値を表３に示す。
　【００４８】
　図５および表３から次のことが判る。ｘ＝４までＣｒが含有されても飽和磁歪は１０の−６乗以下であり良好な軟磁性を示す。（特にｘ＝０．７５の時に飽和磁歪は零となり、良好な軟磁性を示す。）また、Ｃｒ添加によって電気比抵抗が約１００μΩｃｍとなり、即ちセンダスト合金と同等以上に高くなり、高周波での渦電流損失を低減することができる。これは、Ｎの含有量がＣｒを添加していない合金よりも高いためと考えられる。
　【００４９】
【表３】
　【００５０】
　以上本発明の実施例によれば、１０ａｔ％（さらには１５ａｔ％）を越えてＮを含有する軟磁性薄膜が得られた。
　【００５１】
［実施例７］
　Ｆｅ−Ｍ−Ｚｒ１０（Ｍ＝Ｃｒ又はＣｏ）のターゲット、又はＶ、Ｍｎ若しくはＮｉの小片をのせたＦｅ９０Ｚｒ１０のターゲットを用いて、１０％Ｎ２−Ａｒ雰囲気中で高周波スパッタリングを行ないＦｅ−Ｍ−Ｚｒ−Ｎ非晶質薄膜（Ｍ＝Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｃｏ又はＮｉ）を形成し、これらを５５０℃４時間、磁界中で熱処理し、Ｆｅ−Ｍ−Ｚｒ−Ｎ軟磁性薄膜（Ｍ＝Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｃｏ又はＮｉ）を得た。
　【００５２】
　得られたＦｅ−Ｍ−Ｚｒ−Ｎ軟磁性薄膜の飽和磁束密度Ｂｓ、飽和磁歪λｓ、異方性磁界Ｈｋ、電気比抵抗ρ及び原子％によるＮ／Ｚｒ比をそれぞれ図６〜図１０に示す。これらの図の横軸は、得られた軟磁性薄膜中のＦｅとＭとＺｒに対するＭ元素、即ち、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｃｏ又はＮｉ元素の存在率ｍ（原子％）を示す。また、これらの膜の分析組成と飽和磁歪、Ｂｓ、Ｈｋ、Ｈｃ、ρの値を表４に示す。
　【００５３】
【表４】
　【００５４】
　図６によれば、得られた軟磁性薄膜は、高い飽和磁束密度を有することがわかる。なお、Ｃｏを含有する場合は、Ｃｏ以外の元素とは異なり、Ｃｏ元素の存在率の増加にともない飽和磁束密度も増加するということがわかる。
　【００５５】
　図７によれば、Ｆｅ−Ｚｒ−Ｎ軟磁性薄膜の飽和磁歪は負（−２．５×１０−７）であるが、前記Ｍ元素を存在させることにより飽和磁歪を０ないし正にすることができる、ということがわかる。特に、すべてのＭ元素についてｍが０．５〜１．５原子％の範囲で飽和磁歪が０になる。また、Ｍ元素を多量に添加しても、飽和磁歪は、１０−６オーダー以下である。
　【００５６】
　図８は、Ｍ元素の添加による誘導異方性磁界の変化を示す。Ｆｅ−Ｚｒ−Ｎ軟磁性薄膜の一軸異方性磁界は、１．３（Ｏｅ）であるが、Ｍ元素を３原子％まで添加する場合は、いずれのＭ元素でも異方性磁界を増加させることができる。しかし、Ｃｒ、Ｍｎ、及びＮｉの場合は、３原子％を越えて添加すると、異方性磁界が減少する。このように、本発明の軟磁性薄膜は、誘導磁気異方性を付与できるので高周波透磁率を出しやすい。
　【００５７】
　図９は、Ｍ元素添加による電気比抵抗の変化を示す。Ｖ、Ｃｒ、又はＭｎのいずれかを５％程度添加することにより、１００μΩ・ｃｍを越える著しい電気比抵抗の増加が観られた。これにより、高周波での渦電流損失を低減することができる。一方、Ｃｏ及びＮｉを５％程度添加しても、電気比抵抗はあまり増加しなかった。
　【００５８】
　図１０は、Ｍ元素の存在率ｍとＮ／Ｚｒ比との関係を示す。図１０によれば、Ｖ、Ｃｒ及びＭｎは、ＣｏやＮｉに比較して、Ｎとの親和性が良好であると考えられる。即ち、得られた軟磁性薄膜にＶ、Ｃｒ又はＭｎが存在する場合には、Ｃｏ又はＮｉが存在する場合よりも、より多くのＮが存在できると考えられる。
　【００５９】
［実施例８］
　Ｆｅ８５．５Ｚｒ１０Ｒｕ４．５の組成のターゲットを用い、このターゲット上に５ｍｍ角のＣｒ小片を配して、５モル％の窒素を含む窒素含有アルゴンガス雰囲気中でＲＦスパッタリングを行ない（電力４００Ｗ）、種々の組成のＦｅ−Ｚｒ−Ｎ−Ｒｕ−Ｃｒ非晶質薄膜（膜厚約１μｍ）を得た。これらの非晶質薄膜を磁界中において５５０℃で４時間熱処理して、種々のＦｅ−Ｚｒ−Ｎ−Ｒｕ−Ｃｒ軟磁性薄膜を得た。得られた軟磁性薄膜の組成（原子％）及び磁化容易軸方向の保磁力Ｈｃ［Ｏｅ］を表５に示す。
　【００６０】
　表５によれば、ＲｕでＦｅの一部を置き換える場合には、１．５８原子％のＣｒで残りのＦｅの一部を置き換えることにより、長時間熱処理による保磁力の増大を防止できる、ということがわかる。
　【００６１】
【表５】
　【００６２】
　【発明の効果】
　本発明の軟磁性薄膜は、上述の説明からも明らかな様に、センダスト合金やアモルファス軟磁性合金よりもはるかに高い飽和磁束密度を有し、かつ、磁歪を零とすることができ、低保磁力、高透磁率の優れた軟磁気特性を得ることができる。
　【００６３】
　また、電気抵抗率もセンダスト並に高く磁界中熱処理によって一軸異方性を持たせることができ、その大きさも組成や熱処理時間によって制御することができるので、目的に応じた高周波透磁率を得ることができる。さらに６５０℃までの熱処理によっても特性が劣化しないことから、ガラスボンディングなどに対する耐熱性にも優れており、あわせて高い硬度と耐食性を持つことから、耐摩耗性も高く、信頼性の高い材料となっている。
　【００６４】
　本発明の軟磁性薄膜は、製膜時には非晶質合金として形成し熱処理によって後から微結晶化させることができるので、膜形成にあたってステップカバレッジが良好でかつ鏡面が得られ易く多層膜化などの手段に依らなくても結晶粒の粗大化を防ぐことができるので、厚膜化することが可能である。
　【００６５】
　前記特定量のＲｕと前記特定量のＣｒ、Ｖ及びＭｎのうちの少なくとも１種でＦｅの一部を置き換えた軟磁性薄膜は、顕著な耐食性を有すると共に、長時間熱処理によっても薄膜中の窒素が著しく減少せず、軟磁気特性が悪くならない。
　【００６６】
　従って、本発明の軟磁性薄膜を例えば磁気ヘッドのコア材料として用いることによって、高保磁力の磁気記録媒体に対応することができ、高品質化、高帯域化、高記録密度化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本発明の軟磁性薄膜の組成範囲を示す図である。
　【図２】
　非晶質薄膜形成時のスパッタガス雰囲気中のＮ２含有率と、得られた軟磁性薄膜の飽和磁歪λＳとの関係を示す図である。
　【図３】
　得られた軟磁性薄膜に含まれる前記Ｘ元素の含有率ｘと、軟磁性薄膜の飽和磁歪λＳとの関係を示す図である。
　【図４】
　非晶質薄膜形成時のスパッタガス雰囲気中のＮ２含有率と、得られた軟磁性薄膜の飽和磁歪λＳとの関係を示す図である。
　【図５】
　得られた軟磁性薄膜に含まれるＣｒの含有率ｘと、軟磁性薄膜の飽和磁歪λｓとの関係を示す図である。
　【図６】
　本発明の軟磁性薄膜のＭ元素の存在率ｍ（原子％）（但し、ＦｅとＭとＺｒ中におけるＭの存在率）（以下同じ）と飽和磁束密度との関係を示す図である。
　【図７】
　本発明の軟磁性薄膜のＭ元素の存在率ｍと飽和磁歪λｓとの関係を示す図である。
　【図８】
　本発明の軟磁性薄膜のＭ元素の存在率ｍと異方性磁界Ｈｋとの関係を示す図である。
　【図９】
　本発明の軟磁性薄膜のＭ元素の存在率ｍと電気比抵抗ρとの関係を示す図である。
　【図１０】
　本発明の軟磁性薄膜のＭ元素の存在率ｍとＮ／Ｚｒ比との関係を示す図である。