【事件の表示】
　特許第2836687号「窒化ガリウム系化合物半導体発光素子」の請求項１及び２　に係る発明の特許に対する特許異議の申立について、次のとおり決定する。　
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第2836687号の請求項１及び２に係る発明に対する特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　本件特許第2,836,687号に係る主な手続の経緯は以下のとおりである。
　特許出願　　　　   平成５年４月３日
　特許権設定登録　 　平成１０年１０月９日
　公報発行日         平成１０年１２月１４日
　異議の申立て　　　 平成１１年６月１１日
　訂正請求　　　　　 平成１１年１２月７日
　
２．訂正の適否についての判断
（１）訂正の目的の適否等について
　訂正事項a
　特許請求の範囲の請求項1において、「サファイア基板C面(0001)のオフ基板の上に発光素子となる窒化ガリウム系化合物半導体層が成長され、」を、「サファイア基板C面(0001)のオフ基板の上に、GaNバッファ層を介して、発光素子となるn型及びp型窒化ガリウム系化合物半導体層が成長され、」と訂正することは、特許請求の範囲の減縮に該当し、願書に添付した明細書に記載した事項の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
　訂正事項b
　特許請求の範囲の請求項1において、「その窒化ガリウム系化合物半導体層の最上層の表面が非鏡面とされている」を、「その窒化ガリウム系化合物半導体層の最上層がMgを添加したp型GaN層であって、その表面が非鏡面とされている」と訂正することは、特許請求の範囲の減縮に該当し、願書に添付した明細書に記載した事項の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
　訂正事項c
　発明の詳細な説明の段落【0005】第6行〜第10行において、「即ち、本発明の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子は、サファイア基板C面(0001)のオフ基板の上に発光素子となる窒化ガリウム系化合物半導体層が成長され、その窒化ガリウム系化合物半導体層の最上層の表面が非鏡面とされていることを特徴とする。」を、「即ち、本発明の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子は、サファイア基板C面(0001)のオフ基板の上に、GaNバッファ層を介して、発光素子となるp型及びn型窒化ガリウム系化合物半導体層が成長され、その窒化ガリウム系化合物半導体層の最上層がMgを添加したp型GaN層であって、その表面が非鏡面とされていることを特徴とする。」と訂正することは、上記訂正事項ａの訂正と整合させるためのものであり、明瞭でない記載の釈明に該当し、願書に添付した明細書に記載した事項の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
　訂正事項d
　発明の詳細な説明の段落【0006】第4行において、「p型あるいは高抵抗なi型GaN層3(以下p型GaN層という)」を、「p型GaN層3」と訂正することは、上記訂正事項ｂの訂正と整合させるためのものであり、明瞭でない記載の釈明に該当し、願書に添付した明細書に記載した事項の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
　訂正事項e
　発明の詳細な説明の段落【0008】第14行において、「p型あるいはi型に」を、「p型に」と訂正することは、上記訂正事項ｂの訂正と整合させるためのものであり、明瞭でない記載の釈明に該当し、願書に添付した明細書に記載した事項の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
　訂正事項f
　発明の詳細な説明において、段落【0015】及び段落【0016】を削除することは、明瞭でない記載の釈明に該当し、願書に添付した明細書に記載した事項の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
（２）独立特許要件の判断
　(2.1）本件発明
　訂正された明細書の特許請求の範囲請求項１乃び２に記載されている事項により特定される発明（以下「本件第１発明」乃至「本件第２発明」という。）は、以下のとおりのものである。
　「【請求項１】サファイア基板Ｃ面（０００１）のオフ基板の上に、GaNバッファ層を介して、発光素子となるｎ型及びp型窒化ガリウム系化合物半導体層が成長され、
　その窒化ガリウム系化合物半導体層の最上面がＭｇを添加したp型GaN層であって、その表面が非鏡面とされていることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
　【請求項２】前記オフ基板の角度はサファイアＣ面に対し０．２°以上、１５°以下であることを特徴とする請求項１に記載の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。」
  (2.2)引用刊行物に記載された発明
　異議申立人奥田誠の提示する甲第1号証(特開昭56-160084号公報、以下「刊行物１」という。）には、サファイアＣ面（０００１）の０．５〜４度傾いたオフ基板上にｎ型の窒化ガリウムを成長させ、次に亜鉛を多量にドープした高抵抗の窒化ガリウムを成長させた、いわゆるｉ−ｎ接合型窒化ガリウム系発光素子が記載されており、これにより、素子特性、特にリーク電流を減少させたと記載されている。
　同じく甲第2号証(特開平3-163883号公報、以下「刊行物２」という。)には、その特許請求の範囲において、「光取出面から放射するための光を発生させる活性層と、該活性層の該光取出面と反対側に形成されて該活性層からの光を該活性層に向かって反射させる光反射層とを備え、該光反射層により反射された光も前記光取出面から放射されるようにした形式の光反射層を備えた発光ダイオードにおいて、前記光取出面に、該光取出面から前記光反射層へ向かって反射される反射光を抑制する反射光制御手段を設けたことを特徴とする光反射層を備えた発光ダイオード。」と記載され、上記反射光抑制手段については、「そして、本実施例では、コンタクト層２４の表面である光取出面３０には、第3図に拡大して示すように、光取出面30から内部へ向かって反射される反射光を抑制するための手段であるすりガラス状の不規則な凹凸32が形成されている。このすりガラス上の凹凸３２は、例えば、Ｈ２Ｐ４：Ｈ２Ｏ２：Ｈ２Ｏが３：１：２１であるエッチング液内に室温で５分浸漬させることにより得られる。」と記載されている。
　同じく甲第３号証（Journal　of　Crystal　Growth　107（1991）509-512、以下「刊行物３」という。）には、「サファイア基板表面における(0001)面からのわずかな結晶方位の傾きが、MOVPEにより形成されたGaN膜の表面モフオロジー及びルミネッセンスに及ぼす効果について検討した。周期的なテラス(特異面)及びライザー(クラスターステップ)が、［1010］sapphire及び［1210］sapphire方向に3゜一10゜傾けたサファイア基板上にエピタキシヤル成長させたGaN膜について初めて観察された。」（要約の欄）と記載され、サファイアC面(0001)のオフ基板の上に窒化ガリウム系化合物半導体層をAlNバッファ層を介して成長させ、Znドープi型窒化ガリウム層の表面が非鏡面であるm-i-n型窒化ガリウム系青色発光素子について記載されている。
　(2.3) 本件第１発明について
　本件第１発明は、サファイア基板Ｃ面（０００１）のオフ基板の上に、GaNバッファ層を介して、発光素子となるｎ型及びp型窒化ガリウム系化合物半導体層を成長させ、その窒化ガリウム系化合物半導体層の最上面がMgを添加したp型GaN層とし、上記オフ基板の上に上記半導体層を積層したことによりp型GaN層の表面を非鏡面とし、この非鏡面を利用して上記半導体層内の多重反射による光の干渉を抑えた点に特徴を有するものであるが、上記刊行物１乃至３には、上記本件の特徴点についての記載がなく、また、示唆もない。
　したがって、本件第１発明は、上記刊行物１記載の発明ではなく、また、上記刊行物１乃至３に基いて当業者が容易になし得たこととすることはできない。
  (2.4) 本件第２発明について
　本件第２発明は、第１発明を引用し、第１発明をさらに限定するものであるから、上記(2.3)と同じ理由により、上記刊行物１記載の発明ではなく、また、上記刊行物１乃至３に記載された発明に基いて当業者が容易になし得たこととすることはできない。
　（３） この項のむすび
　以上のとおりであるので、上記訂正請求は、平成６年法律第１１６号附則第６条第１項において、なお従前の例によるとされる改正前の特許法第１２６条第１項ないし３項の規定に適合するので、これを認める。
３．特許異議の申立てについての判断
　特許異議申立人奥田誠は、(1)上記刊行物１乃至刊行物３を提示し、本件第１発明及び第２発明は、上記刊行物１記載の発明と同一であり、また、本件第１発明及び第２発明は、上記刊行物１乃至刊行物３に記載された発明に基づいて当業者が容易になし得たものであるので、特許法第２９条第１項第３号の規定により、或いは、第２項の規定により特許を受けることができないものである。(2)明細書記載の「非鏡面」という言葉はその意味が不明瞭である、及び請求項２記載の「０．２゜以上、１５゜以下である」ことの臨界的意義が不明であるので、同法第３６条の規定により特許を受けることができないものであると主張する。
　しかしながら、上記(1)については、上記(2.3)及び(2.4)に記載の理由により、本件第１発明及び第２発明は、上記刊行物１記載の発明ではなく、また、上記刊行物１乃至刊行物３に記載された発明に基づいて当業者が容易になし得たこととすることはできない。上記(2)について、「非鏡面」は、窒化ガリウム系化合物半導体層内の多重反射による光の干渉を抑えることができる程度の非鏡面であることは、明細書全体の記載から明らかであり、また、オフ角度については、明細書の【0008】の末尾において、「０．２゜より小さいと非鏡面となりにくく、また１５゜よりも大きいと窒化ガリウム系化合物半導体の結晶が悪くなり発光素子の出力が低下する傾向にある。」と記載されているのであるから、その臨界的意義が不明であるとはいえない。したがって、本件明細書は、特許法第３６条に規定する要件を満たしていないとは言えない。
　　
４．むすび
　以上のとおりであるので、本件特許は、特許異議申立人の提示した証拠及び理由によっては、取り消すことができない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年１月２８日（２０００．１．２８）
【訂正の要旨】
　　　　　　　　訂正の要旨
（１）訂正事項ａ
　特許請求の範囲の請求項１において、「サファイア基板Ｃ面（０００１）のオフ基板の上に発光素子となる窒化ガリウム系化合物半導体層が成長され、」を、特許請求の範囲の減縮を目的として、「サファイア基板Ｃ面（０００１）のオフ基板の上に、ＧａＮバッファ層を介して、発光素子となるｎ型及びｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層が成長され、」と訂正する。
（２）訂正事項ｂ
　特許請求の範囲の請求項１において、「その窒化ガリウム系化合物半導体層の最上層の表面が非鏡面とされている」を、特許請求の範囲の減縮を目的として、「その窒化ガリウム系化合物半導体層の最上層がＭｇを添加したｐ型ＧａＮ層であって、その表面が非鏡面とされている」と訂正する。
（３）訂正事項ｃ
　発明の詳細な説明段落【０００５】の第６行〜第１０行において、
「即ち、本発明の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子は、サファイア基板Ｃ面（０００１）のオフ基板の上に発光素子となる窒化ガリウム系化合物半導体層が成長され、その窒化ガリウム系化合物半導体層の最上層の表面が非鏡面とされていることを特徴とする。」を、明瞭でない記載の釈明を日的として、「即ち、本発明の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子は、サファイア基板Ｃ面（０００１）のオフ基板の上に、ＧａＮバッファ層を介して、発光素子となるｐ型及びｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層が成長され、その窒化ガリウム系化合物半導体層の最上層がＭｇを添加したｐ型ＧａＮ層であって、その表面が非鏡面とされていることを特徴とする。」と訂正する。
（４）訂正事項ｄ
　発明の詳細な説明段落【０００６】の第４行において、
「ｐ型あるいは高抵抗なｉ型ＧａＮ層３（以下ｐ型ＧａＮ層という）」を、明瞭でない記載の釈明を目的として「ｐ型ＧａＮ層３」と訂正する。
（５）訂正事項ｅ
　発明の詳細な説明段落【０００８】の第１４行において、
　「ｐ型あるいはｉ型に」を、明瞭でない記載の釈明を目的として、「ｐ型に」と訂正する。
（６）訂正事項ｆ
　発明の詳細な説明において、明瞭でない記載の釈明を目的として、段落【００１５】及び段落【００１６】を削除する。
（５４）【発明の名称】
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
（５７）【特許請求の範囲】
　　【請求項１】　サファイア基板Ｃ面（０００１）のオフ基板の上に、ＧａＮバッファ層を介して、発光素子となるｎ型及びｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層が成長され、
　その窒化ガリウム系化合物半導体層の最上層がＭｇを添加したｐ型ＧａＮ層であって、その表面が非鏡面とされていることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
　　【請求項２】　前記オフ基板の角度はサファイアＣ面に対し、０．２°以上、１５°以下であることを特徴とする請求項１に記載の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
【発明の詳細な説明】
　　　【０００１】
　　【産業上の利用分野】
　本発明はサファイア基板上に一般式ＩｎＸＡｌＹＧａ１−Ｘ−ＹＮ（０≦Ｘ＜１、０≦Ｙ＜１）で表される窒化ガリウム系化合物半導体が積層されてなる窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法に関する。
　　　【０００２】
　　【従来の技術】
　ＧａＮ、ＧａＡｌＮ、ＩｎＧａＮ、ＩｎＡｌＧａＮ等の窒化ガリウム系化合物半導体は直接遷移を有し、バンドギャップが１．９５ｅＶ〜６ｅＶまで変化し、その発光色は紫外から赤色にまで及ぶため、発光ダイオード、レーザダイオード等、発光素子の材料として有望視されている。その窒化ガリウム系化合物半導体よりなる発光素子は、一般にＭＯＣＶＤ、ＭＢＥ法等の気相成長法を用いてサファイア基板上にｎ型及びｐ型、あるいはｎ型及びｉ型に成長して積層し、それぞれの層から電極を取り出した後、チップ状としてリードフレームに固定し、最後にエポキシ等の樹脂で封止することによって得られる。
　　　【０００３】
　しかしながら、その窒化ガリウム系化合物半導体発光素子は、前記のようにサファイア基板の上に、窒化ガリウム系化合物半導体という全く異なる材料を積層するいわゆるヘテロエピタキシャル構造であるため、他のＧａＡｓ、ＧａＰ等、同一材料の上に積層される発光素子に比して、基板とエピタキシャル膜との屈折率の違いにより外部量子効率が悪くなるいう欠点を有している。具体的にはサファイア基板と窒化ガリウム系化合物半導体との屈折率の違い、および窒化ガリウム系化合物半導体素子とそれを封止する樹脂との屈折率の違いにより、窒化ガリウム系化合物半導体の発光がそれらの界面で多重反射されて干渉し、反射光は窒化ガリウム系化合物半導体内部で吸収されてしまい、発光を効率よく外部に取り出せないという問題がある。
　　　【０００４】
　　【発明が解決しようとする課題】
　窒化ガリウム系化合物半導体と基板、および封止樹脂との多重反射を抑制し、干渉を少なくすることができれば、外部量子効率を向上させて、発光効率を向上させることができる。従って、本発明はこのような事情を鑑み成されたものであり、その目的とするところは、窒化ガリウム系化合物半導体内部の光の多重反射により起こる干渉を抑えることにより、窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の外部量子効率を向上させることにある。
　　　【０００５】
　　【課題を解決するための手段】
　我々は窒化ガリウム系化合物半導体内部の多重反射を抑制し、外部量子効率を上げるため数々の実験を行ったところ、内部で反射する光を最上層の窒化ガリウム系化合物半導体の界面で乱反射させることにより、上記問題が解決できることを新たに見いだした。即ち、本発明の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子は、サファイア基板Ｃ面（０００１）のオフ基板の上に、ＧａＮバッファ層を介して、発光素子となるｎ型及びｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層が成長され、その窒化ガリウム系化合物半導体層の最上層がＭｇを添加したｐ型ＧａＮ層であって、その表面が非鏡面とされていることを特徴とする。前記オフ基板の角度はサファイアＣ面に対し、０．２°以上、１５°以下であることが望ましい。
　　　【０００６】
　本発明の一実施例に係る窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の模式断面図を図１に示す。この発光素子はサファイア基板１の上に、ｎ型ＧａＮ層２と、ｐ型ＧａＮ層３とを順に積層してなり、ｐ型ＧａＮ層の一部をエッチングしてｎ型ＧａＮ層を露出させ、ｎ型ＧａＮ層およびｐ型ＧａＮ層に電極を形成している。さらに電極を形成する最上層のｐ型ＧａＮ層表面を非鏡面としている。この構造の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において発光観測面はサファイア基板１側である。
　　　【０００７】
　また図２に本発明の他の実施例に係る窒化ガリウム系化合物半導体素子の模式断面図を示す。これも構造的には図１と同様であって、同じく電極を形成する最上層のｐ型ＧａＮ層３を非鏡面としているが、この発光素子は発光観測面がｐ型ＧａＮ層３側となっている。
　　　【０００８】
　これらの図に示すように窒化ガリウム系化合物半導体の最上層を非鏡面、即ち微細な凹凸が形成された状態とするには、第一に成長中より最上層を非鏡面とする方法と、第二に成長後最上層を化学的または物理的方法によって非鏡面とする方法とがある。第一の方法は、窒化ガリウム系化合物半導体をサファイア基板のＣ面（０００１）からのオフ基板上に積層する方法である。窒化ガリウム系化合物半導体は通常サファイア基板のＣ面に成長されて積層されることが多く、Ｃ面上に成長することにより最上層を鏡面とする窒化ガリウム系化合物半導体を得ている。しかし本発明の方法では、Ｃ面からのオフ基板、つまりＣ面から角度を数度ずらしたサファイア基板上に、窒化ガリウム系化合物半導体をｎ型、およびｐ型にステップ成長させて積層することにより、最上層の窒化ガリウム系化合物半導体を非鏡面とすることができる。オフ基板の角度（ずらした角度）はサファイアのＣ面に対し、０．２°以上、１５°以下が好ましい。０．２°より小さいと非鏡面となりにくく、また１５°よりも大きいと窒化ガリウム系化合物半導体の結晶性が悪くなり発光素子の出力が低下する傾向にある。
　　　【０００９】
　一方、第二の方法は、鏡面を有する最上層の窒化ガリウム系化合物半導体表面をエッチングするか、または研磨することにより、微細な凹凸を設けて非鏡面とする方法である。エッチングには例えばリン酸＋硫酸の混酸を用いるウエットエッチングと、ＲＩＥ（反応性イオンエッチング）等の装置を用いるドライエッチングとの二種類の方法があるがいずれの方法でもよい。研磨は適当な研磨剤を選択することにより、モース硬度がほぼ９と非常に硬い窒化ガリウム系化合物半導体でも研磨してその表面を非鏡面とすることができる。以上、第一の方法と第二の方法とでは、好ましくは第一の方法で非鏡面とする方がよい。なぜなら、第二の方法は物理的または化学的に強制的に結晶に傷をつける方法であるのに対し、第一の方法は成長中より自然に最上層を非鏡面とできるため、結晶を傷めることがない。従って発光素子とした場合においても、第二の方法では発光強度が低下する恐れがあるが、第一の方法では全くその心配がない。また第一の方法では窒化ガリウム系化合物半導体を最初からオフ基板の上に成長しているため、第二の方法のように余分な工程を省略でき、生産性に優れている。
　　　【００１０】
　　【作用】
　図３および図４は、発光状態における従来の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子と、本発明の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子との光路を比較して示す模式断面図である。これらの図に付された符号は図１および図２の符号と同一物質を指している。なおこの構造の発光素子において、発光層はｐ型ＧａＮ層３にあたる。ここで、サファイアの屈折率がおよそ１．６、窒化ガリウム系化合物半導体の屈折率がおよそ２である場合、図３に示すように従来の発光素子は、サファイア基板１、窒化ガリウム系化合物半導体２、３それぞれの材料において屈折率が異なるため、ｐ型ＧａＮ層３の発光の一部がｐ型ＧａＮ層４と外界（発光ダイオードの場合、エポキシ樹脂が用いられることが多い。）との界面で反射され、さらに反射光はサファイア基板１とｎ型ＧａＮ層２との界面で反射されることにより多重反射となり、次第に窒化ガリウム系化合物半導体層２、３中に吸収されて減衰する。ｎ型ＧａＮ層２、ｐ型ＧａＮ層３に関しては同一材料であり、それらの屈折率はほとんど同一と見なしてもよいため、互いの半導体層界面での多重反射は零（０）と見なしてよい。一方、図４の本発明のように、最上層であるｐ型ＧａＮ層３を非鏡面とした場合、サファイア基板１とｎ型ＧａＮ層２との界面で反射した光は、非鏡面なｐ型ＧａＮ層で散乱するため、窒化ガリウム系化合物半導体内部での多重反射を抑制し、光の干渉を少なくすることができる。
　　　【００１１】
　　【実施例】
［実施例１］
　Ｃ面から１°ずらしたサファイアのオフ基板を用意し、その上にＭＯＣＶＤ法を用いて、ＧａＮバッファ層と、Ｓｉドープｎ型ＧａＮ層と、Ｍｇドープｐ型ＧａＮ層とを順に成長させる。このようにして成長したｐ型ＧａＮ層の表面には微細な凹凸が無数に形成されていた。次にこのｐ型ＧａＮ層にフォトリソグラフィー技術により所定のパターンを形成して、ｐ型ＧａＮ層を一部エッチングし、電極を形成させるだけのｎ型ＧａＮ層を露出させた後、ｐ型ＧａＮ層、およびｎ型ＧａＮ層にオーミック電極を付ける。両電極に通電して、この窒化ガリウム系化合物半導体の発光スペクトルを測定したところ、図５（ａ）に示すようなスペクトルであり、４００ｎｍにピークを有していた。
　　　【００１２】
　一方、比較のためサファイア基板のＣ面上に同様にして成長した従来の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子を同様にして作製し、そのスペクトルを測定したところ、同じく４００ｎｍにピークを有していたが、図５（ｂ）の破線に示すようなスペクトルであった。
　　　【００１３】
　図５（ａ）と（ｂ）を比較すると、（ｂ）の方は４００ｎｍのピーク以外にも４１０ｎｍ付近と、４３０ｎｍ付近と、４６０ｎｍ付近に多重反射による弱いピークが見られる。一方、本発明の発光素子のスペクトルである（ａ）の方では、それらのピークが見られず、ブロードな曲線となっており、多重反射が緩和されていることがわかる。しかも発光強度は（ａ）の方が１０％以上向上している。
　　　【００１４】
［実施例２］
　Ｃ面から１０°ずらしたサファイアのオフ基板を使用する他は、実施例１と同様にして、発光素子としたところ実施例１と同一スペクトル、ほぼ同一強度の発光が観測された。
　　　【００１５】
　　【発明の効果】
　以上説明したように、本発明の窒化ガリウム系化合物半導体素子はその最上層の窒化ガリウム系化合物半導体表面を非鏡面としていることにより、窒化ガリウム系化合物半導体層内の多重反射による光の干渉を抑えることができる。従って、窒化ガリウム系化合物半導体の発光を有効に外部に取り出すことができ、発光素子の外部量子効率が向上する。また、発光スペクトルに、目的とする発光ピーク以外の干渉によるピークが出現してこないため、窒化ガリウム系化合物半導体を用いて青色発光ダイオードを作製した場合にその色純度を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
　　【図１】　本発明の一実施例に係る窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の構造を示す模式断面図。
　　【図２】　本発明の他の実施例に係る窒化ガリウム系化合物半導体素子の構造を示す模式断面図。
　　【図３】　従来の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の光路を示す模式断面図。
　　【図４】　本発明の一実施例に係る窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の光路を示す模式断面図。
　　【図５】　本発明の一実施例に係る窒化ガリウム系化合物半導体発光素子と従来の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の発光スペクトルを比較して示す図。
　　【符号の説明】
　１・・・・・サファイア基板、
　２・・・・・ｎ型ＧａＮ層、
　３・・・・・ｐ型ＧａＮ層。