【事件の表示】
　特許第２７７２２７３号「窒化けい素回路基板」の請求項１ないし９に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結論】
　特許第２７７２２７３号の請求項１ないし９に係る特許を維持する。
【理由】
Ｉ．本件発明
　本件特許第２７７２２７３号の請求項１乃至８に係る発明〔平成７年１２月２８日出願、平成１０年４月１７日設定登録〕は、特許明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１乃至８に記載された次のとおりのものであると認める。
【請求項１】　希士類元素を酸化物に換算して２．０〜１７．５重量％、不純物陽イオン元素としてのＬｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｆｅ，Ｃａ，Ｍｇ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｍｎ，Ｂを合計で０．３重量％以下含有し、熱伝導率が６０Ｗ／ｍ・Ｋ以上である高熱伝導性窒化けい素基板に回路層を接合した回路基板であり、上記高熱伝導性窒化けい素基板上に回路層を介して複数の半導体素子を搭載したことを特徴とする窒化けい素回路基板。
【請求項２】　希士類元素を酸化物に換算して２．０〜１７．５重量％、不純物陽イオン元素としてのＬｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｆｅ，Ｃａ，Ｍｇ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｍｎ，Ｂを合計で０．３重量％以下含有し、窒化けい素結晶および粒界相から成るとともに粒界相中における結晶化合物相の粒界相全体に対する割合が２０％以上であり、熱伝導率が６０Ｗ／ｍ・Ｋ以上である高熱伝導性窒化けい素基板に回路層を接合した回路基板であり、上記高熱伝導性窒化けい素基板上に回路層を介して複数の半導付素子を搭載したことを特徴とする窒化けい素回路基板。
【請求項３】　高熱伝導性窒化けい素基板は、窒化けい素結晶および粒界相から成るとともに粒界相中における結晶化合物相の粒界相全体に対する割合が５０％以上である窒化けい素焼結体から成ることを特徴とする請求項２記載の窒化けい素界路基板。
【請求項４】　高熱伝導性窒化けい素基板の三点曲げ強度が６５０ＭＰａ以上であることを特徴とする請求項１記載の窒化けい素回路基板。
【請求項５】　高熱伝導性窒化けい素基板の厚さが回路層の厚さの２倍以下であることを特徴とする請求項１記載の窒化けい素回路基板。
【請求項６】　高熱伝導性窒化けい素基板の熱伝導率が９０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であることを特徴とする請求項１記載の窒化けい素回路基板。
【請求項７】　回路層が金属回路板であり、この金属回路板が表面に酸化層を有する高熱伝導性窒化けい素基板上に接合されていることを特徴とする請求項１記載の窒化けい素回路基板。
【請求項８】　回路層が金属回路板であり、Ｔｉ，Ｚｒ，ＨｆおよびＮｂから選択される少なくとも１種の活性金属を含有する活性金属ろう材層を介して上記金属回路板が高熱伝導性窒化けい素基板上に接合されていることを特徴とする請求項１記載の窒化けい素回路基板。
【請求項９】　回路層は高融点金属メタライズ層から成ることを特徴とする請求項１記載の窒化けい素回路基板。
ＩＩ．異議申立理由の概要
　特許異議申立人の電気化学工業株式会社は、甲第１号証（特開平７−１４９５８８号公報）、甲第２号証（特開平６−２１６４８１号公報）、甲第３号証（特開平６−１３５７７１号公報）、甲第４号証（特開平７−４８１７４号公報）、甲第５号証（特開平５−２９９８０８号公報）、甲第６号証（特開平６−３１４８６３号公報）、甲第７号証（特開平６−２９４５８号公報）、甲第８号証（社団法人　日本ファインセラミックス協会編集委員会編「最新技術　機能性セラミックス−機能性セラミックスの基礎から応用まで−」１９８９年３月２０日社団法人　日本ファインセラミックス協会　第５４〜５９頁）、甲第９号証（電子材料１９８９年５月第６５〜６９頁）、甲第１０号証（「電子技術１９９０−１０特別増大号」平成２年１０月１日ボルケン電機株式会社第６５頁）、甲第１１号証（特開昭６３−１０００６６号公報）、甲第１２号証（特開平３−５０４９５９号公報）、甲第１３号証〔「日本セラミックス協会学術論文誌」９７巻１号（１９８９）第５６−６２頁」〕、甲第１４号証〔「日本セラミックス協会学術論文誌」　９７巻２号（１９８９）第１７４−１８１頁］〕を提出し、本件請求項１乃至９に係る発明は、「甲第１号証及び周知技術（甲第５〜１０号証）或いは甲第２〜４号証のいずれか又は甲第２〜４号証のいずれかと甲第１号証及び周知技術（甲第１５〜１０号証）」に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、それら発明の特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたもので取り消されるべきである旨主張する。
ＩＩＩ．甲各号証の記載
　甲第１号証には、次の事項が記載されている。「希土類元素を酸化物に換算して２．０〜７．５重量％、アルミニウムをアルミナに換算して０．５〜２．０重量％、その他Ｆｅ，Ｃａ，Ｍｇなど　の不純物陽イオン元素の含有量が０．３重量％以下であり、窒化けい素結晶および粒界相からな成り、熱伝導率が６０Ｗ／ｍ・Ｋ以上、三点曲げ強度が室温で８０ｋｇ／ｍｍ２以上である高熱伝導性窒化けい素焼結体の表面に、ＷおよびＭｏの少なくとも一方の元素と、ＩＩＩｂ族元素、ＩＶａ族元素および希土類元素から選択される少なくとも１種の元素とを含むメタライズ層を形成したことを特徴とする高熱伝導性窒化けい素メタライズ基板。」（特許請求の範囲の請求項１）、
「希土類元素を酸化物に換算して２．０〜７．５重量％、アルミニウムをアルミナに換算して０．５〜２．０重量％、その他Ｆｅ，Ｃａ，Ｍｇなどの不純物陽イオン元素の含有量が０．３重量％以下であり、窒化けい素結晶および粒界相からなり熱伝導率が６０Ｗ／ｍ・Ｋ以上、三点曲げ強度が室温で８０ｋｇ／ｍｍ２以上である高熱伝導性窒化けい素焼結体の両面にそれぞれ金属板を接合し、一方の金属板の表面に半導体素子を接合し、・・・高熱伝導性窒化けい素モジュール」（特許請求の範囲の請求項３）、
「金属板は、窒化けい素焼結体の表面に形成した酸化膜（ＳｉＯ２膜）を介して焼結体表面に一体に接合されてなる請求項３記載の高熱伝導性窒化けい素モジュール」（特許請求の範囲の請求項４）、
「金属板は、窒化けい素暁結体の表面に形成した活性金属層を介して焼結体表面に一体に接合されてなる請求項３記載の高熱伝導性窒化けい素モジュール」（特許請求の範囲の請求項６）、
「活性金属層は、重量％でＣｕが１５〜３５％，Ｔｉ，　Ｚｒ，　ＨｆおよびＮｂから選択される少なくとも１種の活性金属を１〜１０％、・・・・・・から成る組成物で構成されることを特徴とする請求項６記載の高熱伝導性窒化けい素モジュール」（特許請求の範囲の請求項７）、
「【産業上の利用分野】本発明は、高熱伝導性窒化けい素メタライズ基板，その製造方法および窒化けい素モジュールに係り、特に窒化けい素本来の高強度特性に加えて、熱伝導率が高く放熱性に優れており、半導体用基板や各種放熱板として好適な高熱伝導性窒化けい素メタライズ基板，その製造方法および窒化けい素モジュールに関する。」（第２頁右欄第２３〜２９行）、
「本発明に係る暁結体においては粒界層の２０％以上が結晶相で占めるように設定される。」（第４頁右欄第４９行〜第５頁左欄第１行）、
「冷却速度・・・、粒界相の大部分が結晶相になり、機械的強度を損なうことなく熱伝導率が優れた焼結体が得られる。」（第５頁左欄第３４〜３５行）、
「実施例５として、図１１に示すような、Ｓｉ３Ｎ４モジュール（回路基板）１３ｄを調製した。このＳｉ３Ｎ４焼結体モジュール１３ｄは、３点曲け強度値が６０〜１００ｋｇｆ／　ｍｍ２のＳｉ３Ｎ４焼結体１ａの厚さを０．１５〜３．０ｍｍの範囲で変化させ、各Ｓｉ３Ｎ４焼結体１ａの両面に厚さ１〜３μｍの酸化膜の（ＳｉＯ２）１４をそれぞれ形成した後に、さらにその上面に厚さ０．３ｍｍの金属板（銅回路板）９を、銅直接接合法を利用して一体に接合して形成されたものである。」（第８頁右欄第１６行〜第２　４行）。
　甲第２号証には、次の事項が記載されている。「熱伝導率が６０〜１８０Ｗ／ｍ・Ｋである窒化けい素基板表面に、活性金属を含有する接合材を介して、銅回路板を一体に接合したことを特徴とするセラミックス銅回路基板」（特許請求の範囲の請求項１）、
「接合材は、重量でＣｕを１５〜３５％、Ｔｉ，Ｚｒ，ＨｆおよびＮｂから選択される少なくとも１種の活性金属を１〜１０％、残部が実質的にＡｇから成る有機溶媒に分散して成ることを特徴とする請求項１に記載のセラミックス銅回路基板」（特許請求の範囲の請求項２）、
「【産業上の利用分野】本発明は、セラミックス基板に銅回路板等を一体に接合したセラミックス銅回路基板に係り、特に高い信頼性、放熱性および接合強度を要する半導体パワーモジュール用に好適なセラミックス銅回路基板に関する。」（第２頁左欄第１３〜１７行）、
「本発明は・・・、半導体パワーモジュール用部品として好適なセラミックス銅回路基板を提供することを目的とする。」（第２頁右欄２２〜２６行）、
「本発明に係る窒化けい素メタライズ基板に使用される熱伝導率６０〜１８０Ｗ／ｍ・Ｋの窒化けい素基板は下記のように組成及びプロセス条件を最適化して製造される。すなわち酸素を１．７重量％以下、Ｆｅ，Ｃａ，Ｍｇなどの不純物陽イオン元素を０．３重量％以下、α相型窒化けい素を９０重量％以上含有し、平均粒径０．８μｍ以下の窒化けい素粉末に、希土類元素を酸化物に換算して２〜７．５重量％と、アルミニウムをアルミナ換算で０．５〜２重量％添加した原料混合体を成形して成形体を調整し、・・・加圧焼結し、・・・冷却速度を毎時１００℃以下に設定して製造される。」（第３頁左欄第１０行〜第２３行）、
「上記製造方法によれば、窒化けい素基板の結晶組織中に希士類元素等を含む粒界相が形成され、気孔率が１．５％以下、熱伝導率が６０Ｗ／ｍ・Ｋ以上、三点曲げ強度が室温で８０ｋｇ／ｍｍ２以上の機械的特性および熱伝導特性が共に優れた窒化けい素基板が得られる。」（第３頁左欄第２４〜２９行）、
「本発明で使用する窒化けい素基板においては粒界相の２０％以上が結晶相で占めるように設定される。」（第３頁右欄第３６〜３８行）、
「冷却速度・・・、粒界相の大部分が結晶相になり、熱伝導率および機械的強度が共に優れた焼結体基板が得られる。」（第４頁左欄第１３〜２２行）。
　甲第３号証には、「希土類元素を酸化物に換算して２．０〜７．５重量％、不純物陽イオン元素としてのＬｉ，ＮａＫ，Ｆｅ，Ｃａ，Ｍｇ，Ｓｒ．Ｂａ，Ｍｎ，Ｂを０．３重量％以下含有し、熱伝導率が６０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であることを特徴とする高熱伝導性窒化けい素焼結体」（特許請求の範囲の請求項１）
「粒界相中における結晶化合物相の粒界相全体に対する面積比が２０％以上であることを特徴とする請求項２，３または４記載の高い熱伝導性窒化けい素焼結体（特許請求の範囲の請求項５）、
「気孔率が容量比で１．５％以下、熱伝導率が６０Ｗ／ｍ・Ｋ以上、三点曲げ強度が室温で８０ｋｇ／ｍｍ２以上である請求項２，３または４記載の高熱伝導性窒化けい素焼結体」（特許請求の範囲の請求項６）、
「【産業上の利用分野】本発明は・・・半導体用基板や各種放熱板として好適な高熱伝導窒化けい素焼結体およびその製造方法に関する。」（２頁右欄１〜５行）と記載され、そして窒化けい素焼結体として、気孔率が０．２％粒界相において結晶相が占める割合（面積比）が５０％、熱伝導率が９２Ｗ／ｍ・Ｋ、および三点曲げ強度が１０１ｋｇ／ｍｍ２のもの等例示されている（５頁「表１１参照）。
　甲第４号証には、「希土類元素を酸化物に換算して２．０〜７．５重量％、・・・その他不純物陽イオン元素としてのＬｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｆｅ，Ｃａ，Ｍｇ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｍｎ，Ｂを０．３重量％以下含有し、窒化けい素結晶及び粒界相から成ることを特徴とする高熱伝導性窒化けい素焼結体」（特許請求の範囲の請求項１）、
「粒界相中における結晶化合物相の粒界相全体に対する面積比が２０％以上であることを特徴とするる請求項１または２記載の高熱伝導性窒化けい素焼結体」（特許請求の範囲の請求項３）、
「気孔率が容量比で１．５％以下、熱伝導率が６０Ｗ／ｍ・Ｋ以上、三点曲げ強度が室温で８０ｋｇ／ｍｍ２以上である請求項１または２記載の高熱伝導性窒化けい素焼結体」（特許請求の範囲の請求項４）、
「【産業上の利用分野】本発明は・・・、半導体用基板や各種放熱板として好適な高熱伝導性窒化けい素焼結体およびその製造方法に関する。」（２頁右欄１１〜１５行）と記載され、そして、窒化けい素焼結体として、気孔率が０．４％、粒界相において結晶相が占める割合（面積比）が７０％、熱伝導率が９８Ｗ／ｍ・Ｋ、および三点曲げ強度が１００ｋｇ／ｍｍ２のもの等例示されている（５頁「表１」参照）。
ＩＩＩ．対比・判断
１．本件請求項１乃至９に係る発明を甲第１号証に記載のものと対比し検討する。
　本件請求項１、４乃至９に係る発明の「高熱伝導性窒化けい素基板」も甲第１号証に記載のものにおける「高熱伝導性窒化けい素モジュール」もともにセラミックスの基板つまり希士類元素を酸化物に換算して２．０〜１７．５重量％、不純物陽イオン元素としてのＦｅ，Ｃａ，Ｍｇなどを合計で０．３重量％以下含有し、熱伝導率が６０Ｗ／ｍ・Ｋ以上である高熱伝導性窒化けい素焼結体の基板を使用してなるものである。
　また、本件請求項２及び３に係る発明の「高熱伝導性窒化けい素基板」も甲第１号証に記載のものにおける「高熱伝導性窒化けい素モジュール」も、ともにセラミックスの基板つまり希士類元素を酸化物に換算して２．０〜１７．５重量％、不純物陽イオン元素としてのＦｅ，Ｃａ，Ｍｇなどを合計で０．３重量％以下含有し、窒化けい素結晶および粒界相から成るとともに粒界相中における結晶化合物相の粒界相全体に占める割合が２０％以上であり、熱伝導率が６０Ｗ／ｍ・Ｋ以上である高熱伝導性窒化けい素焼結体を使用してなるものである。
　しかし、本件請求項１乃至９に係る発明の「高熱伝導性窒化けい素基板」では、基板上に「回路層」を介して複数の半導体素子が搭載されているのに対して、甲第１号証にはかかる旨の記載はない。
　異議申立人は、「例えば、甲第５〜１０号証に示されるように、回路基板上に複数の半導体素子を搭載することは、周知の事項であり、この点に何ら特許性は見い出せない」という。
　しかし、甲第５乃至１０号証に記載の技術は、例えば、印刷配線用基板の製造方法に関し、成形金型のキャビッティ内に、片面に電子部品を電気的に接続した金属箔を電子部品搭載面がキャビティ内側に向くように配置し、次いで熱硬化性樹脂を用いた成型材料を注入、硬化するもの（甲第５号証）、また、マトリックス（樹脂状絶縁物）回路基板に関し、金属導体線を予め絶縁された状態で少なくとも交互網目状に立体配線して所望の絶縁部分を除去して金属導体線を露出させてなるマトリックス回路基板の一方の面に電気部品を搭載して前記金属導体線と接続し、さらに他方の面に電気部品駆動用素子及び駆動回路を有する基板を貼着して前記金属導体線と接続してなるもの（甲第６号証）、また、絶縁性の回路基板上に複数種類の電気部品（例えば、パワートランジスタ、発信器等）を保持するものであって、上記回路基板を、複数の基板構成片によって構成するとともにこれらの基板構成片をそれぞれが保持する電気部品に適した材料（例えば、パワートランジスタを搭載する構成片は窒化アルミニウム基板、発信器を搭載するそれは窒化珪素基板）等で形成するもの（甲第７号証）等であり、
甲第５乃至１０号証のいずれにも、窒化けい素基板、窒化アルミニウム基板又はアルミナ基板などの一つのセラミックス基板上に「回路層」を介して複数の半導体素子が搭載されているものは見あたらず、してみれば、本件請求項１乃至９に係る発明の「高熱伝導性窒化けい素基板」における基板上に「回路層」を介して複数の半導体素子が搭載されている構成は、甲第５〜１０号証に示される事項により示唆されるものでない。
２．本件請求項１乃至９に係る発明を甲第２乃至４号証に記載のものと対比し検討する。
　本件請求項１乃至９に係る発明の「高熱伝導性窒化けい素基板」では、基板上に「回路層」を介して複数の半導体素子が搭載されているのに対して、甲第２乃至４号証にはかかる旨の記載はない。
　そして、本件請求項１乃至９に係る発明の「高熱伝導性窒化けい素基板」における基板上に「回路層」を介して複数の半導体素子が搭載されている構成は、甲第２乃至４号証における前記記載のものにより示唆されるものでなく、また甲第１号証に記載のもの及び甲第５〜１０号証に示される事項により示唆されるものでもない。
３．本件請求項１乃至９に係る発明は、高い製造歩留まりで量産することが可能な基板を窒化けい素基板とした複数の半導体素子を搭載したセラミックス回路基板を提供し得るという効果を奏するものである（特許明細書１３頁２５欄２５〜３５行参照）。
４．したがって、本件請求項１乃至９に係る発明は、「甲第１号証及び周知技術（甲第５〜１０号証）或いは甲第２〜４号証のいずれか又は甲第２〜４号証のいずれかと甲第１号証及び周知技術（甲第５〜１０号証）」に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであると云えない。
ＩＶ．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては本件請求項１乃至９に係る発明の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件請求項１乃至９に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１１年８月１６日（１９９９．８．１６）