【事件の表示】
　特許第２８４０１６４号「石英ガラスボートおよびその製造方法」の請求項１ないし３に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結論】
　特許第２８４０１６４号の請求項１ないし３に係る特許を維持する。
【理由】
１、本件発明
　本件特許第２８４０１６４号（平成４年８月２４日出願、平成１０年１０月１６日設定登録）に係る発明は、特許明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜３に記載された次のとおりのものと認められ、その内、請求項１に記載された発明（以下、「本件第１発明」という。）は次の通りである。
「【請求項１】結晶質石英粉を電気溶融して得た石英ガラス部材を成形してなる石英ガラスボートにおいて、ウェーハと接触する部位が少なくとも５μｍのＯＨ基含有層を有し、その層のＯＨ基含有量が８０ｐｐｍ以上であることを特徴とするライフタイム劣化の少ない石英ガラスボート。」
２、申立ての理由の概要
　本件特許に対し、平成１１年６月２３日に異議申立人高雄次郎より特許異議申立がなされ、特許異議申立書において異議申立人は、請求項１〜３記載の発明は、甲第１号証（特開昭６１−２３３１５号公報）、甲第２号証（特開昭５９−１６７０１５号公報）、甲第３号証（特開昭６２−２６８１２９号公報）、甲第４号証（特開昭５９−７８５２９号公報）及び甲第５号証（特開昭５２−４５２６０号公報）をもとに、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、本件特許は取り消されるべき旨主張している。
３、甲各号証に記載の発明
　甲第１号証には、「この発明は、Ｓｉ等の半導体物質の熱処理に使用される石英ガラス製炉芯管やその付属品、治具などの半導体熱処理用石英部材に関するものである。」（第１頁左欄下から第３行〜同右欄第１行）、「この石英ガラスにＡｌを含有させると、第２図のような状態になり、アルカリ金属（Ｒ）はＡｌ（Ａ）と結合する。これらのアルカリ金属を強制的に脱アルカリ処理すると、第３図に示すようにアルカリ金属イオン（Ｒ）と結合していたＡｌは、非常に活性な状態になる。」（第２頁右下欄第２〜８行）、「実施例（１）、天然水晶を粉砕し、１５０〜２５０＃に選別し、脱鉄した後、浮遊選鉱法により精鉱し、さらに６０℃以上で濃度５％のフッ化水素酸液に１０時間浸漬して精製粉にした。この精製粉とＡｌＣｌ３の加水分解により生成したＡｌ２Ｏ３を混合し、７時間溶融してインゴットをつくり、そのインゴットを１２００℃以上の加熱下で１０〜５０ＫＶＴの直流で５時間以上電解し、アルカリ金属および銅を移動させ、純化された部分を成形して外径１００ｍｍ、肉厚３ｍｍ、長さ１８２０ｍｍの炉芯管ならびにそれを使用するウェハーボートを得た。このウェハーボートの化学分析値およびＲ／Ａｌを表に示す。」（第３頁右上欄第１１行〜左下欄第７行）という記載がなされ、これらの記載と第３〜４図、表−１〜表−２によれば、同号証には、天然水晶を粉砕して、Ａｌを含有させて溶融を行い、その後脱アルカリ処理を行ってアルカリ金属の総量を制限したＡｌを含む半導体熱処理用石英部材が記載されている。
　甲第２号証には、「本発明は、…高温反応処理に際して変形することがなく、然も有害な不純物を発散することのない高純度結晶質石英焼結体からなる石英器具製造方法を提供するものである。」（第１頁右欄）、「本発明方法により、製造される石英器具は、例えば第１図に示すように１７００℃程度の高い軟化温度を有する結晶質石英焼結層１の表層部に、例えば１〜２ｍｍ程度の厚さの透明石英層２が形成された通常８〜１０ｍｍ程度の直径を有する結晶質石英層３により形成される。」（第２頁左上欄第１１行〜１６行）、「上記本発明の構造を有する石英器具を形成するには、まず所望の内径を有する円筒状の加熱装置に例えば１５０メッシュ程度の大きさを有する高純度の結晶質石英粒を充填し、該加熱装置を減圧しながら約２０００〜２５００℃程度に昇温し、該加熱装置内に充填されている結晶質粒を所望の密度に焼結させ結晶質石英棒を形成する。…次いで第３図に示すように前記基板支持溝９の切断面に表出している祖面状の結晶質石英焼結層１の表面を、細い酸水素（Ｏ２＋Ｈ２）焔で溶融し、基板支持棒９表面に０．５ｍｍ程度の薄い透明石英層１０を形成する。」（第２頁右上欄第１６行〜右下欄第１６行）、「又該石英器具は表層部に透明石英層が形成されているので表面が稠密かつ平滑で、汚染物質や該器具を洗浄する際の酸類等の吸着がなく、従って高温反応処理に際して被処理半導体基板や反応ガスを汚染させることがない。」（第３頁左欄第１１行〜１５行）というような記載がなされ、これらの記載と石英ガラスウェハボートが示されている第２図並びに第１図、第３図とを見ると、同号証には、電気炉と推測される円筒状の加熱装置により高純度の結晶質石英粒を溶融させて結晶質石英を焼結させた石英棒を形成し、その表面を酸水素焔で溶融して０．５ｍｍ程度の薄い透明石英層となし、その透明石英層によって、表面が稠密かつ平滑で、汚染物質や酸類等の吸着がなく、半導体基板や反応ガスを汚染させることがない石英ガラスウェハボートを得る方法が記載されている。
　甲第３号証には、「本発明は、半導体を熱処理する際に使用される炉芯管、ベルジャー等の石英ガラス製治具に関し、特に耐熱性（寸法安定性）、均熱性に優れ、しかも汚染防止効果を高めた治具の提供を目的とする。」（第１頁左欄下から３行〜右欄第２行）、「透明な内外両面層は少なくとも５０μｍ以上ある方が好ましい。」（第２頁右下欄第１５行〜１６行）、「実施例１、四塩化珪素を原料として酸水素溶融法により、外径２００ｍｍ、肉厚５０ｍｍ、長さ１００ｍｍのインゴットを作製し、これをクラス１００のクリーンルーム内に設置したクリーン成形炉で、２３００℃に加熱しながら一方から延伸させ、外径２３０ｍｍ、肉厚１０ｍｍの合成石英ガラス管を作製した。ついで、この石英ガラス管を縦型回転装置に装着し、１００ｒｐｍの速度で回転しながら浮遊選鉱および仮焼処理を行った粒度１００〜３００μｍのを粒状水晶粉を、自動吹きつけ装置を使用して、石英ガラス管内側に５０ｍｍの厚さに堆積させた。つぎに天然水晶をベルヌーイ法にて溶融させてつくった外径１３０ｍｍ、肉厚１０ｍｍの天然石英ガラス管を、粒状水晶粉層の内側に挿入した。そして上記三層一体となった石英ガラス管を上記成形炉にて加熱し、外径２００ｍｍ、肉厚１０ｍｍ、長さ２０００ｍｍの石英ガラス管炉芯管を得た。この場合、炉芯管の中心層には１ｍｍ３あたり１００個の気泡が包含され、ＯＨ基含有量は外表面透明層で８００ｐｐｍ、内表面層で２００ｐｐｍであった。」（第３頁左上欄末行〜右上欄下から第２行）という記載がなされ、これらの記載と第１〜２図からすると、同号証には、四塩化珪素を原料として酸水素溶融法により合成石英ガラス管を作製した後に、粒状水晶粉を５０ｍｍの厚さに堆積させ、その後に天然水晶をベルヌーイ法（注：酸水素炎溶融法）にて溶融させて作った天然石英ガラス管をその内側に挿入し、内外両面透明層は少なくとも５０μｍ以上となるようにした、炉芯管、ベルジャー等の石英ガラス製治具の製法が記載されている。
　甲第４号証には、「本発明は、半導体装置の製造に用いられるプロセスチューブ、ウェハボート等の半導体装置製造用炭化珪素材料に関する。」（第１頁右欄第１０〜１２行）、「すなわち、本発明の半導体製造用炭化珪素質材料はＦｅ，Ｎｉ及びＣｒの重金属元素総含有量が１００ｐｐｍ以下、アルカリ金属元素の総含有量が１０ｐｐｍ以下であることを特徴とするものである。…以下、本発明の実施例を第１図及び第２図を参照して説明する。まず、ＳｉＣ粉及びＣ粉の混合粉をセラミックスの製造における常法に従い、プロセスチューブ、ウェハボート及び引き出し棒の形状に成型し、加工を行った。次に該成形体をＨＣＬガス雰囲気中、種々の条件下で加熱し、純化処理を行った。つづいて、これら純化された成形体に、高純度化処理された炉内において高純度のシリコンを含有してプロセスチューブ、ウェハボート及び引き出し棒を製造した。」（第２頁左上欄第３行〜右上欄第１０行）というような記載がなされており、これらの記載によれば、同号証には、原料であるＳｉＣ粉及びＣ粉の成形、純化加熱処理によって、Ｆｅ，Ｎｉ及びＣｒの重金属元素総含有量が１００ｐｐｍ以下となるようにした、ウェハボート等の炭化珪素材料について記載されている。
　甲第５号証には、「本発明は、上記欠点を解消するもので、その目的は石英管、石英治具等の石英工具の失透、亀裂及び変形を防止して長寿命化を図ること及び処理される半導体ウェハヘの影響を防止することである。」（第１頁右欄第７ないし１１行）、「この石英管１はその表面が通常使用している時の使用処理温度（１１００℃〜１２００℃）以上の高温（１５００℃）で高温処理されている。この石英管１の高温処理は、例えば酸水素バーナーを用いて行われ…」（第２頁左欄第２行〜６行）というような記載がなされており、これらの記載と第１ないし２図によれば、同号証には、石英製治工具の表面を酸水素炎などで加熱して失透、亀裂及び変形を防止して石英製治工具の長寿命化を図るようにした方法が記載されている。
４、対比・判断
（本件第１発明と甲各号証記載の発明との対比）
　本件第１発明と上記甲第２号証刊行物（以下「引用例」という。）とを対比すると、両者は「結晶質石英粉を電気溶融して得た石英ガラス部材を成形してなる石英ガラスボート。」という点で一致する。しかしながら、本件第１発明における「ウェーハと接触する部位が少なくとも５μｍのＯＨ基含有層を有し、その層のＯＨ基含有量が８０ｐｐｍ以上であることによってライフタイム劣化の少ないこと」という点が、引用例に示されていないという点で両者は相違する。この相違点の意義について見た場合、本件特許明細書には「ＯＨ基の含有量が８０ｐｐｍ以下では重金属不純物の汚染を抑制する作用が少なく、従来の石英ガラスボートとほとんど変わらない。また、ＯＨ基含有層が５μｍ以下では、重金属不純物によるウェーハ汚染の抑制効果が果たせず」（本件特許公報第４欄第１８〜２２行）と記載されている。これに対して、甲第３号証には、Ｎａ等のアルカリ金属汚染を防止するために外面相のＯＨ基含有量を３００ｐｐｍ以上とし、ウェハの接着を防止するために内表面層のそれを２５０ｐｐｍ以下とし、内外両層の厚さを５０μｍ以上とする記載はあるものの、本件第１発明におけるところの、重金属汚染を低減しそれによってキャリアのライフタイムを増大させるための「ウェーハと接触する部位が少なくとも５μｍのＯＨ基含有層を有し、その層のＯＨ基含有量が８０ｐｐｍ以上である」という点と一致する部分はなく、さらに、甲第１号証、甲第４〜５号証には、そのような点についての記載は全くない。
　したがって、甲第３号証刊行物記載の発明を、甲第１〜２号証刊行物記載の発明に適用することにより、本件発明が当業者により容易に発明することができたという旨の申立人の主張は認めることができない。
５、むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立の理由及び証拠によっては本件第１発明の特許を取り消すことはできない。
　また、本件特許請求項２〜３記載の発明は、本件第１発明を構成要件とする発明であるから、当然に取り消すことはできない。
　また、他に本件請求項１〜３に記載の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１１年１１月１６日（１９９９．１１．１６）