【事件の表示】
　特許第２７５０４３０号「プラズマ制御方法」の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結論】
　訂正を認める。
　特許第２７５０４３０号の特許を維持する。
【理由】
［１］手続の経緯
　特許第２７５０４３０号の特許請求の範囲に記載の発明は、平成１０年２月２７日に設定登録がなされ、その後、安藤純男より特許異議の申立がなされ、取消理由がなされ、その指定期間内である平成１１年７月１４日に訂正請求がなされたものである。
［２］訂正の適否についての判断
（１）訂正の内容
１．特許請求の範囲を、
　「１．真空室内に原料ガス及びＡｒガスを導入し、電子サイクロトロン共鳴励起により発生させたプラズマを、前記真空室内に配置され、試料を静電吸着し、またバイアス電圧を印加するための電極を埋設した試料台上の試料上面に導き、前記試料に成膜を行わせる過程で、前記真空室内に原料ガス及びＡｒガスを導入し、前記電極にバイアス電圧を印加するための高周波電力を零、又は小さく設定して成膜を行う工程と、この工程の後であって、前記Ａｒガスの流量を変化させることなく、前記高周波電力を前記工程におけるそれよりも大きく設定して成膜を行う工程とを含むことを特徴とするプラズマ制御方法。」と訂正する。
２．特許明細書（特許掲載公報第２頁第３欄第２９〜３９行）の〔問題点を解決するための手段〕の欄を、
　「〔問題点を解決するための手段〕
　本発明に係るプラズマ制御方法にあっては、真空室内に原料ガス及びＡｒガスを導入し、電子サイクロトロン共鳴励起により発生させたプラズマを、前記真空室内に配置され、試料を静電吸着し、またバイアス電圧を印加するための電極を埋設した試料台上の試料上面に導き、前記試料に成膜を行わせる過程で、前記真空室内に原料ガス及びＡｒガスを導入し、前記電極にバイアス電圧を印加するための高周波電力を零、又は小さく設定して成膜を行う工程と、この工程の後であって、前記Ａｒガスの流量を変化させることなく、前記高周波電力を前記工程におけるそれよりも大きく設定して成膜を行う工程とを含むことを特徴とする。」と訂正する。
３．特許明細書（特許掲載公報第３頁第６欄第１１行）に、「次いで電極を付加する高周波電力を大きくし、」とあるのを、「次いでＡｒガスの流量を変化させることなく、電極に付加する高周波電力を大きくし、」と訂正する。
（２）訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
１．上記１の特許請求の範囲の訂正は、特許明細書（特許掲載公報第２頁第４欄第２５，２６行）の「反応室３の内部には前記プラズマ引出窓１ｄと対向させて試料台５が配設され、」の記載、及び同明細書（同公報同頁同欄第３６〜３９行）の「反応室３内を所要の真空度に設定した後、ガス供給系Ｉｇを通じてプラズマ生成室１，反応室３内に原料ガスである例えばＮ２，Ｏ２及びエッチングガスであるＡｒを供給し、」の記載、並びに同明細書（同公報同頁第３欄第２５〜２７行）の「エッチング用ガス量、種類を変化させることなく、成膜と並行的に行うべきエッチング能を自在に変更可能とする」の記載からみて、特許請求の範囲の減縮に該当し、また新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し、変更するものではない。
２．上記２，３の特許明細書の訂正は、特許請求の範囲の訂正に伴う整合性を保つための訂正であり、明りょうでない記載の釈明に該当し、また新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し、変更するものではない。
（３）独立特許要件
１．本件発明
　訂正明細書の特許請求の範囲に記載の発明（以下、「本件発明」という。）は、その特許請求の範囲に記載された次のとおりのものである。
　「真空室内に原料ガス及びＡｒガスを導入し、電子サイクロトロン共鳴励起により発生させたプラズマを、前記真空室内に配置され、試料を静電吸着し、またバイアス電圧を印加するための電極を埋設した試料台上の試料上面に導き、前記試料に成膜を行わせる過程で、前記真空室内に原料ガス及びＡｒガスを導入し、前記電極にバイアス電圧を印加するための高周波電力を零、又は小さく設定して成膜を行う工程と、この工程の後であって、前記Ａｒガスの流量を変化させることなく、前記高周波電力を前記工程におけるそれよりも大きく設定して成膜を行う工程とを含むことを特徴とするプラズマ制御方法。」
２．引用例
▲１▼　本件発明に対し、当審が通知した取消理由で引用した特願昭６２−９０７６０号（特開昭６３−２５７２４６号公報参照）の願書に最初に添付した明細書及び図面（以下、「先願明細書」という。）には、スパッタ等の方向性エッチイングを重畳した多層配線及び溝埋込み、段差部緩和のためのプラズマＣＶＤ平坦化成膜方法に関する発明が、第１〜６図とともに開示され、さらに、
　「第１図はプラズマＣＶＤにスパッタ及び反応性イオンエッチングを重畳させて平坦化成膜を行なうために用いた装置の主要部の模式図である。・・・磁場発生コイル４によりプラズマ生成室には８７５〔Ｇａｕｓｓ〕以上の磁場を発生させることが出来、２．４５〔ＧＨｚ〕のマイクロ波によりプラズマ生成内では電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）条件が満たされ、電離度の高いプラズマが効率良く発生する。処理室２は直径２４０〔ｍｍ〕φのステンレス鋼製で、中に設置された基板支持台９にはＲＦ電場印加機１０及び静電場印加機１１によりバイアス電位がかけられる。処理室壁はアースされている。」（第２頁右下欄第４行〜第３頁左上欄第４行）、
　「この基板パターン上に第１番目として、第１及び第２のガス導入管７，８から、それぞれＯ２を１５０〔ｍｌ／ｍｉｎ〕，ＳｉＨ４を３０〔ｍｌ／ｍｉｎ〕導入し、圧力は排気系により１〔ｍＴｏｒｒ〕で静磁場発生コイルによりプラズマ生成室１内に最大１〔ＫＧａｕｓｓ〕の磁場を発生させ、マイクロ波３を導入してＳｉＯ２膜を０〜２００〔ｎｍ〕形成した。続いて第２番目として、基板に１３．５６〔ＭＨｚ〕の高周波を４Ｗ／ｃｍ２印加し、酸素スパッタによる平坦化成膜、また、これとは別に第１のガス導入管がＡｒを３０〔ｍｌ／ｍｉｎ〕を混入させ、高周波を３Ｗ／ｃｍ２印加してＡｒスパッタによる平坦化成膜を行った。」（第３頁左上欄第１１行〜第３頁右上欄第３行）が記載されている。
▲２▼　同じく引用した特開昭６１−２１８１３４号公報（以下、「刊行物」という。）には、凹凸面を持つ半導体基板上にその表面が平坦となるように薄膜を形成するための装置及びその方法が、第１〜３図とともに開示され、さらに、
　「第１図は本発明の一実施例を示す構成図である。試料室１４内の下方中央部にはＲＦ等のバイアス電源１１に接続された基板電極１２が設けられている。この基板電極１２の上には薄膜を形成すべき試料基板１６が設置される。試料室１４の側壁にはガス導入機構１７が臨んでおり、このガス導入機構１７からは薄膜の原料となるシランガス（ＳｉＨ２）等が供給される。試料室１４の上にはプラズマ発生室１３が設けられており、プラズマ発生室１３と試料室１４との間には試料基板１６と対向するように窓１９が穿たれている。プラズマ発生室１３の上方周辺部にはガス導入機構１５が臨んでおり、このガス導入機構１５からはＡｒガスやＯ２ガス等が供給される。プラズマ発生室１３の外周には、プラズマ発生室１３で生成されたイオンを磁界によって効率よく試料室１４に輸送するためのマグネットコイル１８が設けられている。なお、プラズマ発生室１３におけるイオンの発生方法としては平行平板型、円筒型、イオンビーム型等があるが本実施例ではマイクロ波電子サイクロトロン法を用いている。」（第２頁左下欄第１行〜右下欄第１行）
　「この試料基板を第１図に示す薄膜形成装置の基板電極１２上に載置し、ガス導入機構１７からＳｉＨ４を導入しガス導入機構１５からＯ２を導入してプラズマを生成し、試料基板上にＳｉＯ２を５０００Å堆積する。このとき同時に基板電極１２にＲＦバイアスを印加するため、試料基板１６上においてＯ２イオンのスパッタリング効果が生じる。すなわち、第２図（Ｂ）に示すように傾斜した面に堆積するＳｉＯ２の量がＯ２イオンのエッチングにより平坦部より少なくなる。
　つぎに、ＳｉＨ４ガスとＯ２ガスの他にＡｒガスを加え、同じく基板電極１２にＲＦバイアスを印加しつつＳｉＯ２の堆積を行う。このときのＡｒガスの供給はガス導入機構１５により行う。Ａｒガスの導入によりエッチング速度を増加させることができ、膜堆積速度とエッチング速度とを略等しくさせている。これによって、第２図（Ｂ）におけるＳｉＯ２絶縁膜２４の凸部分２４ａがエッチング除去されると共に平坦部の膜厚が均一化されて平坦構造が実現される。第２図（Ｃ）はこの工程を経た結果得られた構造を示している。」（第２頁右下欄下から第２行〜第３頁左上欄下から第２行）、
　「ここで、ＳｉＨ４とＯ２の流量を変化させた時のＳｉＯ２の堆積速度を第３図に示す。・・・この図から、基板電極１２に対するＲＦパワーの印加とＡｒガスの添加により、ＳｉＯ２の堆積速度が減少していることが判る。減少した量はＡｒによるエッチング量と考えられる。また、□印でプロットしたグラフから、ＲＦパワーを一定とした時にＳｉＨ４とＯ２とＡｒのトータル流量が少ないほど堆積速度に対してエッチング速度の割合が増していることが判る。すなわち、ＲＦパワーを変えること以外に、ＳｉＨ４とＯ２とＡｒの流量をコントロールすることによっても堆積速度とエッチング速度の割合を大きく変化させることができる。従来のバイアススパッタ法では、エッチングとデポジションを同程度に起こし、しかも速いエッチング速度を得るにはＲＦパワーを大きくする必要があり素子ダメージが大きくなっていたが、本装置によればこのような問題は生じない。」（第３頁右上欄第１０行〜同頁左下欄第１４行）、が、それぞれ記載されている。
３．対比・判断
▲１▼　特許法第２９条の２違反について
　本件発明と上記先願明細書に記載の発明とを対比すると、先願明細書には、第１番目の工程では、磁場を発生させ、マイクロ波を導入してＳｉＯ２膜を形成し、第２番目の工程では、酸素スパッタによる平坦化成膜と、これとは別にＡｒを混入させ、高周波を印加してＡｒスパッタによる平坦化成膜を行うことは開示されているものの、本件発明のように、原料ガス及びＡｒガスを導入し、高周波電力を零、又は小さく設定して成膜を行う工程と、Ａｒガスの流量を変化させることなく、高周波電力を前記工程におけるよりも大きく設定して成膜を行う工程とを含む構成は、記載されていないし示唆もされていない。
　したがって、本件発明は、先願明細書に記載の発明と同一であるとすることはできない。
▲２▼　同法第２９条第２項違反について
　本件発明と上記刊行物に記載の発明とを対比すると、刊行物には、半導体基板上に形成した薄膜の表面が平坦になるように、ＳｉＨ４とＯ２を導入するとともに、同時にＲＦバイアスを印加してＳｉＯ２を堆積し、つぎに、ＳｉＨ４ガスとＯ２ガスの他にＡｒガスを加え、同じくＲＦバイアスを印加しつつＳｉＯ２の堆積を行うとともに，Ａｒガスによりエッチング速度を増加させることが開示されているものの、本件発明のように、原料ガス及びＡｒガスを導入し、高周波電力を零、又は小さく設定して成膜を行う工程と、Ａｒガスの流量を変化させることなく、高周波電力を前記工程におけるよりも大きく設定して成膜を行う工程とを含む構成は、記載されていないし示唆もされていない。
　また、上記刊行物には，ＲＦパワーの印加とＡｒガスの添加により、ＳｉＯ２の堆積速度が減少すること、及びＲＦパワーを変えること以外にＳｉＨ４とＯ２とＡｒガスの流量をコントロールすることにより堆積速度とエッチング速度の割合を変えることが開示されている。このことから、ＲＦパワーを印加すること、またはＡｒガスの流量を増加することにより、ＳｉＯ２の堆積速度を減少させること、すなわちエッチング速度を増加させることが推測できる。しかしながら、Ａｒガスを導入したままその流量を変化させることなく、ＲＦパワーを印加してエッチング速度を増加することまでを示唆するものではないから、本件発明は刊行物に記載の発明から容易に想到し得るとすることはできない。
　そして、本件発明は、下地膜に対する電気的、物理的ダメージを与えることなく、しかも表面が平坦な膜を効率的に得られるという、特許明細書に記載の顕著な効果を奏するものである。
　したがって、本件発明は、上記刊行物に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
（４）むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法第１２０条の４第２項及び第３項において準用する同法第１２６条第２〜４項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
［３］特許異議の申立について
（１）申立の理由の概要
　特許異議申立人安藤純男は、本件特許についての発明は、本件特許出願前に特許出願され本件出願後に出願公開された甲第１号証に記載された発明であって、特許法第２９条の２の規定に違反してなされたものであり、また、本件出願前に頒布された甲第２，３号証に基づいて当業者が容易に成し得た発明であって、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであるから、上記発明についての特許は同法第１１３条第１項第２号の規定により取り消されるべきものである旨主張している。
（２）甲各号証に記載の発明
　甲第１号証（先願明細書）及び甲第２号証（刊行物）には、先の取消理由において引用した先願明細書及び刊行物に記載のとおりの発明が記載されている。
　甲第３号証（特開昭６０−８０２２６号公報）には、半導体基板上に被着された配線膜を覆って絶縁膜を被着する方法に関する発明が第１図とともに開示され、さらに、
　「スパッタ法により絶縁膜を少なくとも配線膜（「配線記」は誤記。）上に被着するに際し、最初は該配線膜が以下のエッチングにより実質的に損傷されない厚さ迄堆積のみを行って被着し、その後堆積とエッチングを同時にまたは交互に繰返して被着することを特徴とするものである。
　本発明は絶縁膜被着の際、エッチングにより下地の配線膜に実質的に影響を与えないような被着厚さ迄エッチングを行わないで堆積のみにして配線膜を保護し、この厚さを過ぎると任意に堆積とエッチングを同時または交互に行い所望の段差被膜が得られるようにするものである。」（第２頁左下欄第７〜下から３行）、
　「（ａ）バイアス・スパッタ法によりＳｉＯ２を被着するときはまづ膜厚が５００〜１０００Å迄は基板バイアスを印加しないで、この厚さを越えてから印加する。」（第２頁右下欄第４〜７行）が、それぞれ記載されている。
（３）特許法第２９条の２違反について
　本件発明は、上記［２］（３）で示したように、上記取消理由通知で引用した先願明細書に記載した発明と同一であるとすることはできない。
（４）同法第２９条第２項違反について
　上記甲第３号証には、バイアス・スパッタ法により絶縁膜を被着するに際し、エッチングにより下地の配線膜に実質的に影響を与えないような被着厚さ迄、基板にバイアスを印加せずエッチングを行わないで堆積のみにして配線膜を保護し、この厚さを過ぎてから基板にバイアスを印加して堆積とエッチングを同時に行うことが開示されている。
　しかしながら、甲第２号証には、従来のバイアススパッタ法では、「速いエッチング速度を得るにはＲＦパワーを大きくする必要があり素子ダメージが大きくなっていたが、本装置によればこのような問題は生じない」ことが記載され、さらに、上記［２］（３）３の▲２▼で示したように、甲第２号証の記載から、ＲＦパワーを印加すること、またはＡｒガスの流量を増加することにより、ＳｉＯ２の堆積速度を減少させること、すなわちエッチング速度を増加させることは推測できるものの、Ａｒガスを導入したままその流量を変化させることなく、ＲＦパワーを印加してエッチング速度を増加することまでを示唆するものではない。
　そうしてみると、甲第２号証に記載の、Ａｒガスの流量を増加することによりエッチング速度を増加させる手段に替えて、甲第３号証に記載の、バイアス・スパッタ法によるバイアスを印加して堆積とエッチングを同時に行う手段を適用しても、本件発明のように，Ａｒガスの流量を変化させることなく、高周波電力を前工程よりも大きく設定して成膜を行う工程とすることは、容易に想到できるものものではない。
（５）むすび
　以上のとおりであるから、特許異議の申立の理由及び証拠によっては本件発明の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１１年９月２１日（１９９９．９．２１）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
▲１▼　特許請求の範囲を、特許請求の範囲の減縮を目的として、
　「真空室内に原料ガス及びＡｒガスを導入し、電子サイクロトロン共鳴励起により発生させたプラズマを、前記真空室内に配置され、試料を静電吸着し、またバイアス電圧を印加するための電極を埋設した試料台上の試料上面に導き、前記試料に成膜を行わせる過程で、前記真空室内に原料ガス及びＡｒガスを導入し、前記電極にバイアス電圧を印加するための高周波電力を零、又は小さく設定して成膜を行う工程と、この工程の後であって、前記Ａｒガスの流量を変化させることなく、前記高周波電力を前記工程におけるそれよりも大きく設定して成膜を行う工程とを含むことを特徴とするプラズマ制御方法。」と訂正する。
▲２▼　特許明細書（特許掲載公報第２頁第３欄第２９〜３９行）の〔問題点を解決するための手段〕の欄を、明りょうでない記載の釈明を目的として、
　「〔問題点を解決するための手段〕
　本発明に係るプラズマ制御方法にあっては、真空室内に原料ガス及びＡｒガスを導入し、電子サイクロトロン共鳴励起により発生させたプラズマを、前記真空室内に配置され、試料を静電吸着し、またバイアス電圧を印加するための電極を埋設した試料台上の試料上面に導き、前記試料に成膜を行わせる過程で、前記真空室内に原料ガス及びＡｒガスを導入し、前記電極にバイアス電圧を印加するための高周波電力を零、又は小さく設定して成膜を行う工程と、この工程の後であって、前記Ａｒガスの流量を変化させることなく、前記高周波電力を前記工程におけるそれよりも大きく設定して成膜を行う工程とを含むことを特徴とする。」と訂正する。
▲３▼　特許明細書（特許掲載公報第３頁第６欄第１１行）に、「次いで電極を付加する高周波電力を大きくし、」とあるのを、明りょうでない記載の釈明を目的として、「次いでＡｒガスの流量を変化させることなく、電極に付加する高周波電力を大きくし、」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
プラズマ制御方法
（５７）【特許請求の範囲】
　１．真空室内に原料ガス及びＡｒガスを導入し、電子サイクロトロン共鳴励起により発生させたプラズマを、前記真空室内に配置され、試料を静電吸着し、またバイアス電圧を印加するための電極を埋設した試料台上の試料上面に導き、前記試料に成膜を行わせる過程で、前記真空室内に原料ガス及びＡｒガスを導入し、前記電極にバイアス電圧を印加するだめの高周波電力を零、又は小さく設定して成膜を行う工程と、この工程の後であって、前記Ａｒガスの流量を変化させることなく、前記高周波電力を前記工程におけるそれよりも大きく設定して成膜を行う工程とを含むことを特徴とするプラズマ制御方法。
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
　本発明はマイクロ波を用いた電子サイクロトロン共鳴（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ　Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ，ＥＣＲ）励起により発生させたプラズマを利用するＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）過程におけるプラズマ制御方法に関する。
〔従来の技術〕
　マイクロ波を用いた電子サイクロトロン共鳴励起によりプラズマを発生させる方法は低ガス圧で活性度の高いプラズマを生成でき、イオンエネルギの広範囲な選択が可能であり、また大きなイオン電流がとれ、イオン流の指向性、均一性に優れるなどの利点があり、高集積半導体素子等の製造に欠かせないものとしてその研究，開発が進められている。
　ところで、各種の素子を基板面上に３次元的に積層形成する場合、素子間を結ぶＡｌ線等の導線は相互の間に絶縁膜を隔てて積層形成されることとなるが、導線は基板面から導線の厚さ分だけ高くなっており、従ってこの上に絶縁膜を一様な厚さに被覆形成すると絶縁膜表面にも同様な段差が形成されることとなる。
　このため絶縁膜上に形成すべき他の導線は前記段差を越えて形成しなければならないこととなり、段差部分で断線することが多く、成品歩留り上大きな問題となっている。
　この対策として絶縁膜をその表面が平坦となるよう積層形成することが行われている。この平坦化の方法として絶縁膜を成膜する過程で同時平行的にＡｒ等を用いたエッチングを行う方法が提案されている（Ｊｐｎ．Ｖａｃ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈａｄ　Ｂ４（４）８１８（１９８６））。ただこの方法においては、エッチングによる下層膜のダメージを避けるために最初はエッチングガスであるＡｒガス量を零に設定して絶縁膜であるＳｉＯを成膜し、絶縁膜が或る程度の厚さに積層形成された後、原料ガスにＡｒガスを加えてエッチング能を増大し、段差部分に対するスパツタ効率の相異を利用して絶縁膜表面を平坦化する技術が提案され、実施されている。
〔発明が解決しようとする問題点〕
　ところがこのように原料ガスにエッチング能力増大のためのＡｒを加えてガスの成分組成を変化させるとガス量に応じて励起用マイクロ波の整合性も変化するため、その都度整合性につき再調整を必要とすることとなり、作業が極めて煩わしいという問題があった。
　本発明はかかる事情に鑑みなされたものであって、その目的とするところは、エッチング用ガス量、種類を変化させることなく、成膜と平行的に行うべきエッチング能を自在に変更可能とするプラズマ制御方法を提供するにある。
〔問題点を解決するための手段〕
　本発明方法に係るプラズマ制御方法にあっては、真空室内に原料ガス及びＡｒガスを導入し、電子サイクロトロン共鳴励起により発生させたプラズマを、前記真空室内に配置され、試料を静電吸着し、またバイアス電圧を印加するための電極を埋設した試料台上の試料上面に導き、前記試料に成膜を行わせる過程で、前記真空室内に原料ガス及びＡｒガスを導入し、前記電極にバイアス電圧を印加するための高周波電力を零、又は小さく設定して成膜を行う工程と、この工程の後であって、前記Ａｒガスの流量を変化させることなく、前記高周波電力を前記工程におけるそれよりも大きく設定して成膜を行う工程とを含むことを特徴とする。
〔作用〕
　本発明方法はこれによって、電極自体はエッチングによる損傷を受けることがなく、またエッチング能を高周波電力の調節によって変更することで、下地膜を損傷することなく平坦な成膜を効率的に行える。
〔実施例〕
　以下本発明を図面に基づき具体的に説明する。第１図は本発明方法の実施状態を示す模式図であり、図中１はプラズマ生成室、２は導波管、３は試料Ｓに対する成膜を行う試料室たる反応室、４は励磁コイルを示している。
　プラズマ生成室１は中空円筒形をなし、マイクロ波に対して空洞共振器を構成するよう形成されており、軸長方向の一側壁中央には石英板１ｂで閉鎖されたマイクロ波導入口１ｃを備え、また軸長方向の他側壁中央には前記マイクロ波導入口１ｃと対向する位置にプラズマの引出窓１ｄを備えている。前記マイクロ波導入口１ｃには導波管２の一端部が接続され、またプラズマ引出窓１ｄにはこれに臨ませて反応室３が配設され、更に周囲にはプラズマ生成室１及びこれに連結された導波管２の一端部にわたってこれらと同心状に励磁コイル４が周設せしめられている。
　導波管２はその他端部は図示しない高周波発振器に接続され、高周波発振器で発せられたマイクロ波をマイクロ波導入口１ｃを経てプラズマ生成室１内に導入するようにしてある。
　励磁コイル４は図示しない直流電源に接続されており、直流電流の通流によって、プラズマ生成室１内にマイクロ波の導入によりプラズマを生成し得るよう磁界を形成すると共に、反応室３側に向けて磁束密度が低くなる発散磁界を形成し、プラズマ生成室１内に生成されたプラズマを反応室３内に導入せしめるようになっている。
　反応室３は中空の直方体形に形成され、プラズマ引出窓１ｄと対向する側壁には図示しない排気装置に連なる排気口３ａを開口してあり、また反応室３の内部には前記プラズマ引出窓１ｄと対向させて試料台５が配設され、この試料台５の上面に前記プラズマ引出窓１ｄと対向させて試料Ｓが静電吸着等の手段にて着脱可能に装着されている。試料台５内には試料Ｓを静電吸着し、またバイアス印加するための電極５ａが埋設されており、この電極５ａには整合器６を介在させて高周波電源であるＲＦ（ラジオ高周波）電源７か接続されている。
　その他１ｇ，３ｇはガス供給系、１ｈ，１ｉは夫々冷却水の供給系，排水系を示している。
　而してこのような本発明方法にあってはプラズマ生成室１，反応室３内を所要の真空度に設定した後、ガス供給系１ｇを通じてプラズマ生成室１，反応室３内に原料ガスである例えばＮ２，Ｏ２及びエッチングガスであるＡｒを供給し、またガス供給系３ｇを通じて原料ガスである例えばＳｉＨを供給し、励磁コイル４に直流電流を通流すると共に、導波管２，マイクロ波導入口１ｃを通じてマイクロ波をプラズマ生成室１内に導入する。導入されたマイクロ波はプラズマ空洞共振器として機能するプラズマ生成室１内で共振状態となり、原料ガスを分解し共鳴励起して、プラズマを生成せしめる。生成されたプラズマは励磁コイル４にて形成される発散磁界によって反応室３内に導入され、ガス供給系３ｇから供給されるＳｉＨガス等を分解し、ＲＦ電源７にてセルフバイアス電圧を誘起された試料Ｓ表面へ誘導され、ここに成膜が行われることとなる。
　この成膜過程は初期においては試料台５，試料Ｓに誘起するセルフバイアス電圧印加のためのＲＦ電力（Ｗ）を零又は３Ｗ／ｃｍ２以下に設定する一の工程と、この工程に続いてＲＦ電力（Ｗ）を前記工程におけるＲＦ電力よりも高く設定する他の工程とに分ける。前記一の工程ではセルフバイアスが零又は小さいからＡｒ＋状態となっているエッチングガスを試料Ｓ表面に誘導する力は弱くエッチング能は零又は極めて弱く設定され、下地の膜に対するエッチングガスによるダメージを与えることなく成膜を行える。所定厚さに成膜がなされるとＲＦ電力を３Ｗ／ｃｍ２耐を越える値に設定する他の工程によりＡｒ＋に対する誘導力を強め、エッチング能を増大させつつ成膜を行う。一般にスパッタリング効率は、物質とこれに入射するスパッタ粒子とのなす角によって異なり、スパッタ粒子の入射方向に対して、垂直な面のスパッタ効率は少なく、ある角度を持つと、スパッタ効率は増大する。したがって、スパッタ粒子入射に対し垂直な面換言すれば平坦面のスパッタ効率は少なく、側壁面部等の如くある角度を持つ面へのスパッタ効率は大きくなり、側壁面等は平坦面に比較して成膜速度が相対的に低下することとなりその結果として表面の平坦化が図れることとなる。
　第２図は印加電力と膜の剥離との関係を示すグラフであり、横軸に印加電力（Ｗ）を、また縦軸に剥離確率（％）をとって示してある。このグラフから明らかな如く両者は略比例関係にあり、印加電力の調整によってエッチング（スパッタリング効率）を広い範囲で調整することが可能である。ちなみに印加電力を３Ｗ／ｃｍ２、換言すれば１００以下とすることによってスパッタリング効果である剥離確率（％）を３０％以下となるようにすることが可能である。
〔効果〕
　以上の如く本発明方法にあっては、電極は試料台中にあってエッチングされることがなく、また電極に付加する高周波電力を最初は零、又は小さくして成膜を行い、次いでＡｒガスの流量を変化させることなく、電極に付加する高周波電力を大きくし、バイアス電圧を調節することによって、エッチング能を調整し、下地膜に対する電気的、物理的ダメージを与えることなく、しかも表面が平坦な膜を効率的に得られる優れた効果を奏するものである。
【図面の簡単な説明】
　第１図は本発明方法の実施状態を示す模式的断面図、第２図は試料Ｓに付加する印加電力と剥離確率（％）との関係を示すグラフである。
　１…プラズマ生成室　２…導波管　３…反応室　４…励磁コイル　５…試料台６…整合器　７…ＲＦ電源　Ｓ…試料