(57)【要約】【課題】有機電子装置を調製するための配合物および方法を提供する。【解決手段】本発明は、有機半導体（ＯＳＣ：ｏｒｇａｎｉｃ  ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）と、１種類以上の有機溶媒とを含む新規な配合物に関する。該配合物は２５℃において１５ｍＰａ秒未満の粘度を含み、該溶媒の沸点は最高で４００℃である。更に、本発明は、有機電子（ＯＥ：ｏｒｇａｎｉｃ  ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ）装置、特に、有機光起電（ＯＰＶ：ｏｒｇａｎｉｃ  ｐｈｏｔｏｖｏｌｔａｉｃ）セルおよびＯＬＥＤ装置の調製のためのインクとしての、これらの配合物の使用と、該新規な配合物を使用してＯＥ装置を調製する方法と、そのような方法および配合物より調製されるＯＥ装置、ＯＬＥＤ装置およびＯＰＶセルとを記載する。【選択図】図１
2013533606.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１種類以上の有機半導体化合物（ＯＳＣ：ｏｒｇａｎｉｃ  ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ  ｃｏｍｐｏｕｎｄ）と、１種類以上の有機溶媒とを含む配合物であって、前記配合物は２５℃において１５ｍＰａ秒未満の粘度を含み、該溶媒の沸点は最高で４００℃であることを特徴とする配合物。
【請求項２】
前記配合物は、２５℃において０．５〜９．５ｍＰａ秒の範囲内の粘度を含むことを特徴とする請求項１に記載の配合物。
【請求項３】
前記配合物は、溶液であることを特徴とする請求項１または２に記載の配合物。
【請求項４】
前記配合物は、２２ｍＮ／ｍ〜５０ｍＮ／ｍの範囲内の表面張力を含むことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の配合物。
【請求項５】
前記有機溶媒は、１７．０〜２３．２ＭＰａ０．５の範囲内のＨｄ、０．２〜１２．５ＭＰａ０．５の範囲内のＨｐおよび０．０〜２０．０ＭＰａ０．５の範囲内のＨｈのハンセン溶解度パラメータを含むことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の配合物。
【請求項６】
前記有機溶媒は、１７．０〜２３．２ＭＰａ０．５の範囲内のＨｄ、０．２〜１０．５ＭＰａ０．５の範囲内のＨｐおよび０．０〜５．０ＭＰａ０．５の範囲内のＨｈのハンセン溶解度パラメータを含むことを特徴とする請求項５に記載の配合物。
【請求項７】
前記有機溶媒は、１種類以上の芳香族および／またはヘテロ芳香族化合物を含むことを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の配合物。
【請求項８】
前記有機溶媒は、１種類以上の芳香族炭化水素化合物を含むことを特徴とする請求項７に記載の配合物。
【請求項９】
前記芳香族炭化水素化合物は、シクロアルキル基を含むことを特徴とする請求項８に記載の配合物。
【請求項１０】
前記芳香族炭化水素化合物は、１〜８個の炭素原子を有するアルキル基を含むことを特徴とする請求項８に記載の配合物。
【請求項１１】
前記有機溶媒または溶媒ブレンドは、炭化水素芳香族化合物の混合物であることを特徴とする請求項１〜１０のいずれか１項に記載の配合物。
【請求項１２】
前記有機溶媒は、少なくとも１３０℃の沸点を含むことを特徴とする請求項１〜１１のいずれか１項に記載の配合物。
【請求項１３】
前記有機溶媒は異なる沸点を有する化合物の混合物であり、最低の沸点を有する化合物の沸点は、最高の沸点を有する化合物の沸点より少なくとも１０℃低いことを特徴とする請求項１〜１２のいずれか１項に記載の配合物。
【請求項１４】
前記有機溶媒は異なる沸点を有する化合物の混合物であり、最低の沸点を有する化合物の沸点は、最高の沸点を有する化合物の沸点より最大で１００℃低いことを特徴とする請求項１〜１３のいずれか１項に記載の配合物。
【請求項１５】
前記配合物は、少なくとも８０重量％の前記有機溶媒を含むことを特徴とする請求項１〜１４のいずれか１項に記載の配合物。
【請求項１６】
前記溶媒は、少なくとも１．５の分配率ｌｏｇＰを含むことを特徴とする請求項１〜１５のいずれか１項に記載の配合物。
【請求項１７】
前記配合物は、少なくとも１種類の不活性バインダーを含むことを特徴とする請求項１〜１６のいずれか１項に記載の配合物。
【請求項１８】
前記不活性バインダーは、スチレンモノマーおよび／またはオレフィンより誘導される繰返単位を含むポリマーであることを特徴とする請求項１７に記載の配合物。
【請求項１９】
前記不活性バインダーは、スチレンモノマーおよび／またはオレフィンより誘導される繰返単位を少なくとも８０重量％含むポリマーであることを特徴とする請求項１７または１８に記載の配合物。
【請求項２０】
前記不活性バインダーは、少なくとも２００，０００ｇ／ｍｏｌの重量平均分子量を有するポリマーであることを特徴とする請求項１７〜１９のいずれか１項に記載の配合物。
【請求項２１】
有機半導体化合物は、有機発光材料および／または電荷輸送材料であることを特徴とする請求項１〜２０のいずれか１項に記載の配合物。
【請求項２２】
有機半導体化合物は、５０００ｇ／ｍｏｌ以下の分子量を有することを特徴とする請求項１〜２１のいずれか１項に記載の配合物。
【請求項２３】
有機半導体化合物は、以下の式から選択される化合物であることを特徴とする請求項１〜２２のいずれか１項に記載の配合物。
【化１】
2013533606.tif 000045
（式中、
ｎは１より大きい整数、好ましくは、１０〜１，０００であり、
Ｒは、それぞれの出現において同一または異なって、Ｈ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮ、直鎖状、分岐状または環状で１〜４０個のＣ原子を有するアルキル基（ただし、１個以上のＣ原子は、Ｏ−および／またはＳ−原子がそれぞれ互いに直接連結しないようにして、Ｏ、Ｓ、Ｏ−ＣＯ、ＣＯ−Ｏ、Ｏ−ＣＯ−Ｏ、ＣＲ０＝ＣＲ０またはＣ≡Ｃで置き換えられていてもよく、ただし、１個以上のＨ原子は、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、ＩまたはＣＮで置き換えられていてもよい。）を表すか、または、４〜２０個の環原子を有するアリールまたはヘテロアリール基（該基は無置換であるか、１個以上の非芳香族基ＲＳで置換されている。）を表し、ただし、また、１個以上の基Ｒは、互いと共に、および／または、基Ｒが連結されている環と共に、単環状または多環状の脂肪族または芳香族環系を形成していてもよく、
ＲＳは、それぞれの出現において同一または異なって、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮ、Ｓｎ（Ｒ００）３、Ｓｉ（Ｒ００）３またはＢ（Ｒ００）２、直鎖状、分岐状または環状で１〜２５個のＣ原子を有するアルキル基（ただし、１個以上のＣ原子は、Ｏ−および／またはＳ−原子がそれぞれ互いに直接連結しないようにして、Ｏ、Ｓ、Ｏ−ＣＯ、ＣＯ−Ｏ、Ｏ−ＣＯ−Ｏ、ＣＲ０＝ＣＲ０、Ｃ≡Ｃで置き換えられていてもよく、ただし、１個以上のＨ原子は、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、ＩまたはＣＮで置き換えられていてもよい。）を表すか、または、ＲＳは、４〜２０個の環原子を有するアリールまたはヘテロアリール基（該基は無置換であるか、１個以上の非芳香族基ＲＳで置換されている。）を表し、ただし、また、１個以上の基ＲＳは、互いと共に、および／または、Ｒと共に、環系を形成していてもよく、
Ｒ０は、それぞれの出現において同一または異なって、Ｈ、Ｆ、Ｃｌ、ＣＮ、１〜１２個のＣ原子を有するアルキル、または、４〜１０個の環原子を有するアリールまたはヘテロアリールを表し、
Ｒ００は、それぞれの出現において同一または異なって、Ｈ、１〜２０個のＣ原子を有する脂肪族または芳香族炭化水素基を表し、ただし、また、２個の基Ｒ００は、それらが連結されているヘテロ原子（Ｓｎ、ＳｉまたはＢ）と共に環を形成していてもよく、
ｒは、０、１、２、３または４であり、
ｓは、０、１、２、３、４または５である。）
【請求項２４】
有機半導体化合物は、以下の式の化合物であることを特徴とする請求項１〜２２のいずれか１項に記載の配合物。
【化２】
2013533606.tif 000046
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１５、Ｒ１６、Ｒ１７は、それぞれ独立に、同一または異なって、それぞれ独立に、Ｈ；置換されていてもよいＣ１〜Ｃ４０のカルビルまたはヒドロカルビル基；置換されていてもよいＣ１〜Ｃ４０のアルコキシ基；置換されていてもよいＣ６〜Ｃ４０のアリールオキシ基；置換されていてもよいＣ７〜Ｃ４０のアルキルアリールオキシ基；置換されていてもよいＣ２〜Ｃ４０のアルコキシカルボニル基；置換されていてもよいＣ７〜Ｃ４０のアリールオキシカルボニル基；シアノ基（−ＣＮ）；カルバモイル基（−Ｃ（＝Ｏ）ＮＨ２）；ハロホルミル基（−Ｃ（＝Ｏ）−Ｘ、式中、Ｘはハロゲン原子を表す。）；ホルミル基（−Ｃ（＝Ｏ）−Ｈ）；イソシアノ基；イソシアネート基；チオシアネート基またはチオイソシアネート基；置換されていてもよいアミノ基；ヒドロキシ基；ニトロ基；ＣＦ３基；ハロ基（Ｃｌ、Ｂｒ、Ｆ）；置換されていてもよいシリル基を表し；および、Ａは、ケイ素またはゲルマニウムを表し、および、
式中、組Ｒ１およびＲ２、Ｒ２およびＲ３、Ｒ３およびＲ４、Ｒ７およびＲ８、Ｒ８およびＲ９、Ｒ９およびＲ１０、Ｒ１５およびＲ１６、および、Ｒ１６およびＲ１７は、それぞれ、独立に、互いに架橋されてＣ４〜Ｃ４０の飽和または不飽和環を形成していてもよく、その飽和または不飽和環には、酸素原子、硫黄原子、または、式−Ｎ（Ｒａ）−（式中、Ｒａは、水素原子または炭化水素基である。）の基が介在していてもよく、また置換されていてもよく、および
式中、ポリアセン骨格の１個以上の炭素原子は、Ｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｏ、Ｓ、ＳｅおよびＴｅより選択されるヘテロ原子によって置換されていてもよい。）
【請求項２５】
有機半導体化合物は、以下の式の化合物であることを特徴とする請求項１〜２２のいずれか１項に記載の配合物。
【化３】
2013533606.tif 000047
（式中、
Ｙ１およびＹ２の一方は−ＣＨ＝または＝ＣＨ−を表し、他方は−Ｘ−を表し、
Ｙ３およびＹ４の一方は−ＣＨ＝または＝ＣＨ−を表し、他方は−Ｘ−を表し、
Ｘは、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｓｅ−または−ＮＲ’’’−であり、
Ｒ’は、Ｈ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮ、直鎖状または分岐状のアルキルまたはアルコキシ（該基は、１〜２０個のＣ原子を有し、フッ素化またはペルフルオロ化されていてもよい。）、６〜３０個のＣ原子を有するフッ素化またはペルフルオロ化されていてもよいアリール、または、ＣＯ２Ｒ””（式中、Ｒ””は、Ｈ、１〜２０個のＣ原子を有するフッ素化されていてもよいアルキル、または、２〜３０個のＣ原子を有するフッ素化されていてもよいアリールである。）であり、
Ｒ”は、複数出現する場合は互いに独立に、１〜２０個、好ましくは１〜８個のＣ原子を有する環状、直鎖状または分岐状のアルキルまたはアルコキシ、または、２〜３０個のＣ原子を有するアリールであり、それらは全てフッ素化またはペルフルオロ化されていてもよく、
Ｒ’’’は、Ｈ、または、１〜１０個のＣ原子を有する環状、直鎖状または分岐状のアルキルであり、
ｍは、０または１であり、
ｏは、０または１である。）
【請求項２６】
有機半導体化合物は、光を発し、加えて、３８より大きい原子番号を有する少なくとも１個の原子を含有する有機リン光性化合物であることを特徴とする請求項１〜２２のいずれか１項に記載の配合物。
【請求項２７】
リン光性化合物は、式（１）〜（４）の化合物であることを特徴とする請求項２６に記載の配合物。
【化４】
2013533606.tif 000048
（式中、
ＤＣｙは、それぞれの出現において同一または異なって、少なくとも１個のドナー原子、好ましくは窒素、カルベンの形態の炭素またはリンを含有する環状基であり、これらを介して該環状基は金属に結合されており、これらは１個以上の置換基Ｒ１８を有していてもよく；基ＤＣｙおよびＣＣｙは、共有結合を介して互いに連結されており；
ＣＣｙは、それぞれの出現において同一または異なって、炭素原子を含有する環状基であり、該炭素原子を介して該環状基は金属に結合されており、該炭素原子は順次に１個以上の置換基Ｒ１８を有していてもよく；
Ａは、それぞれの出現において同一または異なって、モノアニオン性の二座キレート配位子、好ましくは、ジケトナート配位子であり；
Ｒ１８は、それぞれの出現において同一または異なって、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＮＯ２、ＣＮ、１〜２０個の炭素原子を有する直鎖状、分岐状または環状のアルキルまたはアルコキシ基（ただし、１個以上の隣接していないＣＨ２基は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＲ１９−、−ＣＯＮＲ１９−、−ＣＯ−Ｏ−、−Ｃ＝Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−または−Ｃ≡Ｃ−で置き換えられていてもよく、ただし、１個以上の水素原子は、Ｆで置き換えられていてもよい。）、または、４〜１４個の炭素原子を有し、１個以上の非芳香族Ｒ１８基で置換されていてもよいアリールまたはヘテロアリール基であり、複数の置換基Ｒ１８は、同一の環上または２個の異なる環上のいずれかにおいて、共に順次に単環または多環の脂肪族または芳香族の環系を形成していてもよく；および
Ｒ１９は、それぞれの出現において同一または異なって、１〜２０個の炭素原子を有する直鎖状、分岐状または環状のアルキルまたはアルコキシ基（ここで、１個以上の隣接していないＣＨ２基は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−Ｏ−、−Ｃ＝Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−または−Ｃ≡Ｃ−で置き換えられていてもよく、ただし、１個以上の水素原子は、Ｆで置き換えられていてもよい。）、または、４〜１４個の炭素原子を有し、１個以上の非芳香族Ｒ１８基で置換されていてもよいアリールまたはヘテロアリール基である。）
【請求項２８】
配合物は、ホスト材料を含むことを特徴とする請求項１〜２７のいずれか１項に記載の配合物。
【請求項２９】
配合物は、０．１〜５重量％の有機半導体化合物を含むことを特徴とする請求項１〜２８のいずれか１項に記載の配合物。
【請求項３０】
前記不活性バインダーに対する前記半導体化合物の重量比は、５：１〜１：１の範囲内であることを特徴とする請求項１７〜２９のいずれか１項に記載の配合物。
【請求項３１】
配合物は、少なくとも１種類の湿潤剤を含むことを特徴とする請求項１〜３０のいずれか１項に記載の配合物。
【請求項３２】
前記湿潤剤は揮発性であり、前記半導体化合物とは化学的に反応できないことを特徴とする請求項３１に記載の配合物。
【請求項３３】
ＯＥ装置を調製するためのコーティングまたは印刷インクとしての、請求項１〜３２のいずれか１項に記載の配合物の使用。
【請求項３４】
有機電子（ＯＥ：ｏｒｇａｎｉｃ  ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ）装置を調製する方法であって、
ａ）フィルムまたは層を形成するために、請求項１〜３２のいずれか１項に記載の配合物を基板上に堆積する工程と、
ｂ）溶媒（１種類または多種類）を除去する工程と
を含む方法。
【請求項３５】
グラビア印刷、ドクターブレードコーティング、ローラー印刷、リバースローラー印刷、フレキソ印刷、ウェブ印刷により、請求項１〜３２のいずれか１項に記載の配合物が塗工されることを特徴とする請求項３４に記載の方法。
【請求項３６】
印刷装置のセルエッチングは、４ｃｍ３／ｍ２〜１８ｃｍ３／ｍ２の範囲内であることを特徴とする請求項３４または３５に記載の方法。
【請求項３７】
印刷速度は、１００ｍ／分以下であることを特徴とする請求項３４〜３６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項３８】
請求項１〜３２のいずれか１項に記載の配合物が塗工される表面は、２５〜１３０ｍＮｍ−１の範囲内の表面エネルギーを含むことを特徴とする請求項３４または３５に記載の方法。
【請求項３９】
溶媒の蒸発は、溶媒の沸点未満で達成されることを特徴とする請求項３４〜３８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項４０】
請求項３４〜３９のいずれか１項に記載の方法によって、請求項１〜３２のいずれか１項に記載の配合物より調製されるＯＥ装置。
【請求項４１】
有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ：ｏｒｇａｎｉｃ  ｌｉｇｈｔ  ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｄｉｏｄｅ）、有機電界効果トランジスタ（ＯＦＥＴ：ｏｒｇａｎｉｃ  ｆｉｅｌｄ  ｅｆｆｅｃｔ  ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）または有機光起電（ＯＰＶ：ｏｒｇａｎｉｃ  ｐｈｏｔｏｖｏｌｔａｉｃ）装置であることを特徴とする請求項４０に記載のＯＥ装置。
【請求項４２】
トップゲート設計を含むことを特徴とする請求項４０に記載のＯＥ装置。
【請求項４３】
ボトムゲート設計を含むことを特徴とする請求項４０に記載のＯＥ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機半導体化合物（ＯＳＣ：ｏｒｇａｎｉｃ  ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ  ｃｏｍｐｏｕｎｄ）を含む新規な配合物と、有機電子（ＯＥ：ｏｒｇａｎｉｃ  ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ）装置、特に、有機光起電（ＯＰＶ：ｏｒｇａｎｉｃ  ｐｈｏｔｏｖｏｌｔａｉｃ）セル、有機電界効果トランジスタ（ＯＦＥＴ：ｏｒｇａｎｉｃ  ｆｉｅｌｄ  ｅｆｆｅｃｔ  ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）およびＯＬＥＤ装置を調製するための導電性インクとしての該配合物の使用と、該新規な配合物を使用するＯＥ装置の調製方法と、そのような方法および配合物より調製されるＯＥ装置およびＯＰＶセルとに関する。
【背景技術】
【０００２】
ＯＬＥＤ装置を調製する場合、活性層を塗工するために、通常、インクジェット印刷、ロール・ツー・ロール印刷、スロットダイコーティングまたはグラビア印刷などの印刷技術が使用される。発光材料および／または電荷輸送材料として有用な現行の有機化合物の殆どの低い溶解性に基づき、これらの技術においては多量の溶媒を使用する必要がある。
【０００３】
フィルムの形成能およびレオロジーを向上するために、バインディング剤を使用できる。分子量の小さい発光材料および／または電荷輸送材料または低分子量を有する重合体化合物に関して、これらの添加剤が特に必要である。
【０００４】
国際特許出願公開第２００９／１０９２７３号パンフレット（特許文献１）には、特定の粘度を達成するために、特別な溶媒を含む組成物が記載されている。インクジェット印刷、フレキソまたはグラビア印刷などの印刷用途のための従来の組成物は、インクの粘度を増加し、フィルムの形成を向上するために添加剤を必要とする。
【０００５】
先行技術は、低分子量の有機発光および電荷輸送材料を加工するために有用な組成物を提供する。しかしながら、効率、寿命および酸化または水に対する感度などのＯＬＥＤ層の性能を向上することは、常に望まれている。
【０００６】
これに加えて、配合物は、低コストで容易な印刷プロセスを可能とするものでなければならない。印刷プロセスは、高速において高品位に印刷できるものでなければならない。
【０００７】
従って、ＯＥ装置、特に、薄膜トランジスタ、ダイオード、ＯＬＥＤディスプレイおよびＯＰＶセルの調製に適するＯＳＣを含む改良された配合物を有することが望ましく、それにより、高い性能、長い寿命および水または酸化に対する低い感受性を有する高効率なＯＥ装置を製造できる。本発明の１つの目的は、そのような改良された配合物を提供することである。もう一つの目的は、そのような配合物からＯＥ装置を調製する改良された方法を提供することである。もう一つの目的は、そのような配合物および方法から得られる改良されたＯＥ装置を提供することである。更なる目的は、以下の記載より、当業者には直ちに明らかである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】国際特許出願公開第２００９／１０９２７３号パンフレット
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
驚くべきことに、本発明において特許請求される通りの方法、材料および装置を提供することにより、特に、本発明の配合物を使用してＯＥ装置を調製するプロセスを提供することにより、これらの目的を達成でき、上述の問題を解決できることが見出された。
【００１０】
更に、国際特許出願公開第２００９／１０９２７３号パンフレット（特許文献１）には、特定の粘度を達成するために、特別な溶媒を含む組成物が記載されている。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は、１種類以上の有機半導体化合物（ＯＳＣ：ｏｒｇａｎｉｃ  ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ  ｃｏｍｐｏｕｎｄ）と、１種類以上の有機溶媒とを含む配合物であって、前記配合物は２５℃において１５ｍＰａ秒未満の粘度を含み、該溶媒の沸点は最高で４００℃であることを特徴とする配合物に関する。
【００１２】
本発明は、更に、好ましくは、剛直または柔軟なＯＥ装置、特には、薄膜トランジスタ、ダイオード、ＯＬＥＤ装置および剛直または柔軟な有機光起電（ＯＰＶ：ｏｒｇａｎｉｃ  ｐｈｏｔｏｖｏｌｔａｉｃ）セルおよび装置を、好ましくは、フレキソまたはグラビア印刷によって調製するためのコーティングまたは印刷インクとしての上および下で記載される通りの配合物の使用に関する。
【００１３】
本発明は、更に、有機電子（ＯＥ：ｏｒｇａｎｉｃ  ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ）装置を調製する方法であって、
ａ）好ましくは、コーティングまたは印刷によって、非常に好ましくは、フレキソまたはグラビア印刷によって、フィルムまたは層を形成するために、上および下で記載される通りの配合物を基板上に堆積する工程と、
ｂ）該溶媒を除去する工程と
を含む方法に関する。
【００１４】
本発明は、更に、上および下で記載される通りの配合物より、および／または、方法によって調製されるＯＥ装置に関する。
【００１５】
ＯＥ装置としては、限定することなく、有機電界効果トランジスタ（ＯＦＥＴ：ｏｒｇａｎｉｃ  ｆｉｅｌｄ  ｅｆｆｅｃｔ  ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）、集積回路（ＩＣ：ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  ｃｉｒｃｕｉｔ）、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：ｔｈｉｎ  ｆｉｌｍ  ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）、無線識別（ＲＦＩＤ：Ｒａｄｉｏ  Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ  Ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）タグ、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ：ｏｒｇａｎｉｃ  ｌｉｇｈｔ  ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｄｉｏｄｅ）、有機発光トランジスタ（ＯＬＥＴ：ｏｒｇａｎｉｃ  ｌｉｇｈｔ  ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）、電子発光ディスプレイ、有機光起電（ＯＰＶ：ｏｒｇａｎｉｃ  ｐｈｏｔｏｖｏｌｔａｉｃ）セル、有機ソーラーセル（Ｏ−ＳＣ：ｏｒｇａｎｉｃ  ｓｏｌａｒ  ｃｅｌｌ）、柔軟なＯＰＶおよびＯ−ＳＣ、有機レーザーダイオード（Ｏ−ｌａｓｅｒ：ｏｒｇａｎｉｃ  ｌａｓｅｒｄｉｏｄｅ）、有機集積回路（Ｏ−ＩＣ：ｏｒｇａｎｉｃ  ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  ｃｉｒｃｕｉｔ）、照明装置、センサー装置、電極材料、光導電体、光検出器、電子写真記録装置、キャパシタ、電荷注入層、ショットキーダイオード、平坦化層、帯電防止フィルム、導電性基板、導電性パターン、光導電体、電子写真装置、有機記憶装置、バイオセンサーおよびバイオチップが挙げられる。
【００１６】
好ましい実施形態によれば、本発明は、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ：ｏｒｇａｎｉｃ  ｌｉｇｈｔ  ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｄｉｏｄｅ）を提供する。ＯＬＥＤ装置は、例えば、照明のために、医療照明の目的のために、信号装置として、標識装置として、および、ディスプレイにおいて使用できる。ディスプレイは、パッシブマトリクス駆動、全マトリクスアドレスまたはアクティヴマトリクス駆動を使用してアドレスできる。光学的に透明な電極を使用して、透明ＯＬＥＤを製造できる。柔軟なＯＬＥＤは、柔軟な基板を使用して組み立てることができる。
【００１７】
本発明の配合物、方法および装置は、ＯＥ装置の効率およびそれの製造において、驚くべき改良を提供する。本発明の組成物を使用して、これらの装置を達成する場合、予想外に、ＯＥ装置の性能、寿命および効率を改良できる。更に、驚くべきことに、これらの配合物は、印刷技術、特に、フレキソおよびグラビア印刷に適切であることが見出された。更に、本発明の組成物は、驚くほど高いレベルのフィルム形成を提供する。特に、フィルムの均一性および品位を向上できる。これらに加えて、本発明によれば、多層装置の更に良好な印刷が可能となる。
【００１８】
これらに加えて、該配合物によれば、低コストで容易な印刷プロセスが可能となる。該印刷プロセスにより、高速において高品位の印刷を行える。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
本発明の実施形態を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
本発明の配合物は、２５℃において、１５未満、より好ましくは１３未満、特には１１未満、最も好ましくは１０ｍＰａ秒未満の粘度を有する。好ましくは、該配合物は、０．５〜９．５ｍＰａ秒、特には１〜９ｍＰａ秒、より好ましくは１．５〜８．５ｍＰａ秒の範囲内の粘度を有する。本発明の更なる態様によれば、粘度は、好ましくは、２〜６ｍＰａ秒の範囲内にある。粘度は、２５℃の温度において、ＴＡ  Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ社製ＡＲ−Ｇ２レオメータ上において測定することで決定される。これは、並行平板配置を使用して測定される。
【００２１】
配合物の粘度は、適切な溶媒および他の添加剤を適切な量で使用することによって達成できる。
【００２２】
結果として、本発明の配合物は、２５℃において１５ｍＰａ秒未満の粘度および最高で４００℃の沸点を有する少なくとも１種類の有機溶媒を含む。
【００２３】
該溶媒は、用いられる気圧において、非常に好ましくは大気圧（１０１３ｈＰａ）において、４００℃未満、特には３５０℃以下、より好ましくは３００℃以下、最も好ましくは２５０℃以下の沸点または昇華温度を有する。また、例えば、加熱および／または減圧によって蒸発を促進することもできる。
【００２４】
更に好ましくは、溶媒または溶媒ブレンドの沸点の最も低い溶媒の沸点は、大気圧（１０１３ｈＰａ）において、少なくとも１３０℃、最も好ましくは少なくとも１５０℃である。
【００２５】
本発明の特別な実施形態によれば、配合物は、異なる沸点を有する溶媒として有機化合物の混合物を含んでいてもよく、沸点が最も低い化合物の沸点は、沸点が最も高い化合物の沸点よりも少なくとも１０℃低い。
【００２６】
更に、配合物は、異なる沸点を有する溶媒として有機化合物の混合物を含んでいてもよく、沸点が最も低い化合物の沸点は、沸点が最も高い化合物の沸点よりも最大で１００℃低い。
【００２７】
化合物または溶媒の分配率ｌｏｇＰ（文献においては、「分配係数」とも呼ばれる）は、式（１）によって与えられる。
【００２８】
【数１】
2013533606.tif 000003
式中、［Ａ］ｏｃｔはオクタノール中の化合物または溶媒の濃度であり、［Ａ］ａｑは水中の化合物または溶媒の濃度である（ＩＵＰＡＣ  Ｃｏｍｐｅｎｄｉｕｍ  ｏｆ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｔｅｒｍｉｎｏｌｏｇｙ、電子版、ｈｔｔｐ：／／ｇｏｌｄｂｏｏｋ．ｉｕｐａｃ．ｏｒｇ／Ｐ０４４４０．ｈｔｍｌ、ＰＡＣ  １９９３年、６５巻、２３８５頁、および、Ｃ．Ｈａｎｓｃｈ、Ａｃｃ．Ｃｈｅｍ．Ｒｅｓ．２巻、２３２頁、（１９６９年）参照）。
【００２９】
２種類以上の溶媒を含む溶媒ブレンドの場合、ブレンドの分配率は、式（２）によって与えられる通り、ブレンドに含有される全ての溶媒の分配率の重量平均（ｌｏｇＰ）ｗとして定義される。
【００３０】
【数２】
2013533606.tif 000004
式中、ｎは溶媒の数であり、ｌｏｇＰｉは溶媒ブレンド中の単一の溶媒のｌｏｇＰ値であり、ｗｉは溶媒ブレンド中の当該溶媒の重量分率（重量％の濃度／１００）である。
【００３１】
ｌｏｇＰ値は、等しい容量の水およびオクタノールの希薄溶液を平衡化後、それぞれの相における濃度を測定して（例えば、ＧＣ、ＨＰＬＣ、ＵＶ／可視光などにより）測定する。他に明言しない限り、概算としては、ｌｏｇＰは、Ｃａｍｂｒｉｄｇｅ  Ｓｏｆｔ社が製造・販売している「Ｃｈｅｍ  Ｂｉｏ  Ｄｒａｗ  Ｕｌｔｒａ  ｖｅｒｓｉｏｎ  １１．０（２００７年）」ソフトウェアを使用して、分子計算より計算できる。
【００３２】
本発明の好ましい実施形態によれば、溶媒の分配率の対数ｌｏｇＰ、または、溶媒ブレンドの分配率の重量平均（ｌｏｇＰ）ｗは、１．５より大きく、より好ましくは２より大きく、最も好ましくは２．５より大きい。好ましくは、これらの値は、それぞれの溶媒に対して計算されるｌｏｇＰに関する。
【００３３】
溶媒は、一般に、上述の物理的基準を満たす任意の化学物質類より選択することができ、限定することなく、脂肪族または芳香族炭化水素、アミン、チオール、アミド、エステル、エーテル、ポリエーテル、アルコール、ジオールおよびポリオールが挙げられる。好ましくは、溶媒は、少なくとも１種類の芳香族および／またはヘテロ芳香族化合物を含む。
【００３４】
適切で好ましい溶媒としては、例えば、芳香族炭化水素（例えば、ハロゲン化芳香族）、および、１〜８個の炭素原子、より好ましくは１〜６個の炭素原子を有するアルキル基を有する芳香族炭化水素、特には、トルエン、ジメチルベンゼン（キシレン）、トリメチルベンゼン、および、メチルナフタレン；および、シクロアルキル基を有する芳香族炭化水素化合物、特に、シクロペンチルベンゼンおよびシクロヘキシルベンゼンが挙げられる。
【００３５】
本発明の更なる実施形態によれば、エステル、エーテル、ニトリルまたはアミドなどのヘテロ原子を含む芳香族化合物も使用できる。好ましくは、これらの化合物としては、３−メチルアニソール、２−イソプロピルアニソール、５−メトキシインダン、２−エトキシナフタレン、安息香酸ブチル、安息香酸エチルなどの芳香族エステルなどの芳香族アルコキシ化合物が挙げられる。更には、芳香族環中に少なくとも１個のＯ、ＮまたはＳ原子を有するヘテロ芳香族化合物が好ましい。これらの化合物としては、例えば、２−ブロモ−３−（ブロモメチル）チオフェン、２−メチルインドール、６−メチルキノリンおよびチオフェンが挙げられる。
【００３６】
溶媒は、２種類または３種類以上の混合物としても使用できる。
【００３７】
炭化水素芳香族化合物の混合物によって、驚くべき改良を達成できる。好ましくは、混合物は、１〜８個の炭素原子を有するアルキル基を有する少なくとも１種類の芳香族炭化水素と、シクロアルキル基を有する少なくとも１種類の芳香族炭化水素化合物とを含んでよい。
【００３８】
好ましい有機溶媒は、１７．０〜２３．２ＭＰａ０．５の範囲内のＨｄ、０．２〜１２．５ＭＰａ０．５の範囲内のＨｐ、および、０．０〜２０．０ＭＰａ０．５の範囲内のＨｈのハンセン溶解度パラメータを含んでよい。より好ましい有機溶媒は、１７．０〜２３．２ＭＰａ０．５の範囲内のＨｄ、０．２〜１０．５ＭＰａ０．５の範囲内のＨｐ、および、０．０〜５．０ＭＰａ０．５の範囲内のＨｈのハンセン溶解度パラメータを含む。
【００３９】
特に有用な有機溶媒は、２２〜５０ｍＮ／ｍの範囲内、特には２５〜４０ｍＮ／ｍの範囲内、より好ましくは２８〜３７ｍＮ／ｍの範囲内の表面張力を含む。
【００４０】
本発明の特別な態様によれば、異なる表面張力を有する溶媒の混合物を使用できる。好ましくは、混合物は、最大で３５ｍＮ／ｍ、特には最大で３０ｍＮ／ｍの表面張力を有する少なくとも１種類の溶媒と、少なくとも３０、特には少なくとも３２ｍＮ／ｍの表面張力を有する少なくとも１種類の溶媒とを含んでよく、表面張力の差異は、少なくとも１ｍＮ／ｍ、より好ましくは、少なくとも２ｍＮ／ｍである。
【００４１】
表面張力は、ＦＴＡ（Ｆｉｒｓｔ  Ｔｅｎ  Ａｎｇｓｔｒｏｍ社）１２５接触角ゴニオメーターを使用し、２５℃において測定できる。方法の詳細は、Ｒｏｇｅｒ  Ｐ．Ｗｏｏｄｗａｒｄ博士により刊行されている「Ｓｕｒｆａｃｅ  Ｔｅｎｓｉｏｎ  Ｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔｓ  Ｕｓｉｎｇ  ｔｈｅ  Ｄｒｏｐ  Ｓｈａｐｅ  Ｍｅｔｈｏｄ」の通り、Ｆｉｒｓｔ  Ｔｅｎ  Ａｎｇｓｔｒｏｍ社より入手可能である。好ましくは、表面張力を決定するために、ペンダントドロップ法を使用できる。
【００４２】
概算を行う目的であれば、表面張力は、ハンセン溶解度パラメータを使用し、Ｈａｎｓｅｎ  Ｓｏｌｕｂｉｌｉｔｙ  Ｐａｒａｍｅｔｅｒｓ：Ａ  Ｕｓｅｒ’ｓ  Ｈａｎｄｂｏｏｋ、第２版、Ｃ．Ｍ．Ｈａｎｓｅｎ（２００７年）、Ｔａｙｌｏｒ  ａｎｄ  Ｆｒａｎｃｉｓ  Ｇｒｏｕｐ社（ＨＳＰｉＰ  マニュアル）において解説されている式によって計算できる。
【００４３】
【数３】
2013533606.tif 000005
式中、
Ｈｄは、分散による寄与を指し、
Ｈｐは、極性による寄与を指し、
Ｈｈは、水素結合による寄与を指し、
ＭＶｏｌは、モル体積を指す。
【００４４】
ハンセン溶解度パラメータは、ＨａｎｓｏｎおよびＡｂｂｏｔらによって提供される通りの実用ハンセン溶解度パラメータ（ＨＳＰｉＰ：Ｈａｎｓｅｎ  Ｓｏｌｕｂｉｌｉｔｙ  Ｐａｒａｍｅｔｅｒｓ  ｉｎ  Ｐｒａｃｔｉｃｅ）プログラム（第２版）に従って決定できる。適切な溶媒、それらのハンセン溶解度パラメータ、それらの表面張力およびそれらの沸点は、表１に与えられている。
【００４５】
【表１】
2013533606.tif 000006
【００４６】
【表２】
2013533606.tif 000007
【００４７】
【表３】
2013533606.tif 000008
Ｈｄは、分散による寄与を指し、
Ｈｐは、極性による寄与を指し、
Ｈｈは、水素結合による寄与を指す。
【００４８】
本発明の配合物は、少なくとも１種類の有機半導体化合物（ＯＳＣ：ｏｒｇａｎｉｃ  ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ  ｃｏｍｐｏｕｎｄ）を含む。ＯＳＣ化合物は、当業者に知られており、文献に記載されている標準的な材料より選択できる。ＯＳＣは、モノマー化合物（ポリマーまたは巨大分子と比較して、「小型分子」とも言う。）、ポリマー化合物、または、モノマーおよびポリマー化合物の一方または両方から選択される１種類以上の化合物を含有する混合物、分散物またはブレンドでもよい。
【００４９】
本発明の１つの好ましい実施形態において、ＯＳＣはモノマー化合物より選択され、結晶化度の著しい可変性の達成が容易になる。
【００５０】
本発明の１つの態様によれば、ＯＳＣ化合物は、好ましくは、共役芳香族分子であり、好ましくは、少なくとも３個の芳香族環を含有し、該環は縮合されていても縮合されていなくてもよい。縮合されていない環は、例えば、連結基、単結合またはスピロ連結を介して接続されている。好ましいモノマーＯＳＣ化合物は、５員、６員または７員の芳香族環から成る群より選択される１個以上の環を含有し、より好ましくは、５員または６員の芳香族環のみを含有する。該材料は、モノマー、オリゴマーまたはポリマーでよく、混合物、分散物またはブレンドが挙げられる。
【００５１】
それぞれの芳香族環は、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｐ、Ｓｉ、Ｂ、Ａｓ、Ｎ、ＯまたはＳより、好ましくは、Ｎ、ＯまたはＳより選択される１個以上のヘテロ原子を含有していてもよい。
【００５２】
芳香族環は、アルキル、アルコキシ、ポリアルコキシ、チオアルキル、アシル、アリールまたは置換アリール基、ハロゲン、特にフッ素、シアノ、ニトロ、または、−Ｎ（Ｒｘ）（Ｒｙ）で表される置換されていてもよい２級または３級アルキルアミンまたはアリールアミンで置換されていてもよい（式中、ＲｘおよびＲｙは、それぞれ互いに独立に、Ｈ、置換されていてもよいアルキル、置換されていてもよいアリール、アルコキシまたはポリアルコキシ基を表す）。Ｒｘおよび／またはＲｙがアルキルまたはアリールを表す場合、これらはフッ素化されていてもよい。
【００５３】
好ましい環は縮合していてもよく、または、−Ｃ（Ｔ１）＝Ｃ（Ｔ２）−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｎ（Ｒｚ）−、−Ｎ＝Ｎ−、（Ｒｚ）Ｃ＝Ｎ−、−Ｎ＝Ｃ（Ｒｚ）−などの共役連結基で結合されていてもよい（式中、Ｔ１およびＴ２は、それぞれ互いに独立に、Ｈ、Ｃｌ、Ｆ、−Ｃ≡Ｎ−または低級アルキル基、好ましくはＣ１〜４アルキル基を表し、Ｒｚは、Ｈ、置換されていてもよいアルキルまたは置換されていてもよいアリールを表す）。Ｒｚがアルキルまたはアリールの場合、これらはフッ素化されていてもよい。
【００５４】
好ましいＯＳＣ化合物としては、テトラセン、クリセン、ペンタセン、ピレン、ペリレン、コロネン、または前述のものの可溶性の置換誘導体などの縮合芳香族炭化水素；ｐ−クォーターフェニル（ｐ−４Ｐ）、ｐ−クィンクフェニル（ｐ−５Ｐ）、ｐ−セクシフェニル（ｐ−６Ｐ）、または前述のものの可溶性の置換誘導体などのパラ置換フェニレンオリゴマー；ポリアセン、ポリフェニレン、ポリ（フェニレンビニレン）、ポリフルオレン、ポリインデノフルオレンなどの共役炭化水素ポリマー（これらの共役炭化水素ポリマーのオリゴマーも挙げられる）；ポリ（３−置換チオフェン）、ポリ（３，４−二置換チオフェン）、ポリセレノフェン、ポリ（３−置換セレノフェン）、ポリ（３，４−二置換セレノフェン）、ポリベンゾチオフェン、ポリイソチアナフテン、ポリ（Ｎ−置換ピロール）、ポリ（３−置換ピロール）、ポリ（３，４−二置換ピロール）、ポリフラン、ポリピリジン、ポリ−１，３，４−オキサジアゾール、ポリイソチアナフテン、ポリ（Ｎ−置換アニリン）、ポリ（２−置換アニリン）、ポリ（３−置換アニリン）、ポリ（２，３−二置換アニリン）、ポリアズレン、ポリピレンポリベンゾフランなどの共役ヘテロ環式ポリマー；ポリインドール、ポリピリダジン；置換されていてもよいポリトリフェニルアミンなどのポリトリアリールアミン；ピラゾリン化合物；ベンジジン化合物；スチルベン化合物；トリアジン；置換金属含有または金属を含まないポルフィン、フタロシアニン、フルオロフタロシアニン、ナフタロシアニンまたはフルオロナフタロシアニン；Ｃ６０およびＣ７０フラーレンまたはそれらの誘導体；Ｎ，Ｎ’−ジアルキル、置換ジアルキル、ジアリールまたは置換ジアリール−１，４，５，８−ナフタレンテトラカルボン酸ジイミドおよびフッ素化誘導体；Ｎ，Ｎ’−ジアルキル、置換ジアルキル、ジアリールまたは置換ジアリール、３，４，９，１０−ペリレンテトラカルボン酸ジイミド；バソフェナントロリン；ジフェノキノン；１，３，４−オキサジアゾール；１１，１１，１２，１２−テトラシアノナフト−２，６−キノジメタン；α，α’−ビス（ジチエノ［３，２−ｂ：２’，３’−ｄ］チオフェン）；２，８−ジアルキル、置換ジアルキル、ジアリールまたは置換ジアリールアントラジチオフェン；２，２’−ビベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジチオフェンより選択される小型分子（即ち、モノマー化合物）、ポリマー、オリゴマーおよびそれらの誘導体が挙げられる。好ましい化合物は、上のリストのもの、およびそれらの可溶性の誘導体である。
【００５５】
特に好ましいＯＳＣ材料は、例えば、米国特許第６，６９０，０２９号明細書、国際特許出願公開第２００５／０５５２４８号パンフレットまたは国際特許出願公開第２００８／１０７０８９号パンフレットに記載される通りで、５，１１−ビス（トリアルキルシリルエチニル）アントラジチオフェンなどの６，１３−ビス（トリアルキルシリルエチニル）ペンタセンまたはそれの誘導体などの置換ポリアセンである。更に好ましいＯＳＣ材料は、例えば、ポリ（３−ヘキシルチオフェン）などポリ（３−置換チオフェン）、非常に好ましくは、ポリ（３−アルキルチオフェン）（Ｐ３ＡＴ）である（ただし、アルキル基は、好ましくは、直鎖状であり、好ましくは、１〜１２個、最も好ましくは、４〜１０個のＣ原子を有する）。
【００５６】
特に好ましいポリマーＯＳＣ化合物は、チオフェン−２，５−ジイル、３−置換チオフェン−２，５−ジイル、置換されていてもよいチエノ［２，３−ｂ］チオフェン−２，５−ジイル、置換されていてもよいチエノ［３，２−ｂ］チオフェン−２，５−ジイル、セレノフェン−２，５−ジイル、３−置換セレノフェン−２，５−ジイル、置換されていてもよいインデノフルオレン、置換されていてもよいフェナントレンおよび置換されていてもよいトリアリールアミンから成る群より選択される１個以上の繰返単位を含むポリマーまたはコポリマーである。
【００５７】
本発明による組成物は、０．０１および２０重量％の間、好ましくは、０．１および１５重量％の間、より好ましくは、０．２および１０重量％の間、最も好ましくは、０．２５および５重量％の間のＯＳＣ材料または対応するブレンドを含んでよい。パーセントデータは、溶媒または溶媒混合物の１００％に関する。組成物は、１種類または１種類より多く、好ましくは、１種類、２種類または３種類以上のこれらのＯＳＣ化合物を含んでよい。
【００５８】
ここで使用される有機半導体化合物は、純粋な成分または２種類以上の成分の混合物のいずれかであり、それらの少なくとも１つは半導体特性を有していなければならない。しかしながら、混合物を使用する場合、それぞれの成分が半導体特性を有している必要はない。つまり、例えば、不活性な低分子量化合物を、半導体ポリマーと共に使用できる。同様に、不活性なマトリクスまたはバインダーとして機能する非導電性ポリマーを、半導体特性を有する１種類以上の低分子量化合物または更なるポリマーと共に使用することも可能である。この用途の目的において、混合され得る非導電性成分とは、電気光学的に非活性で、不活性なパッシブ化合物を意味するものとする。
【００５９】
更に混合される物質を含んでもよいポリマー有機半導体の溶液が好ましい。ポリマー有機半導体の分子量Ｍｗは、好ましくは、１０，０００ｇ／ｍｏｌより大きく、より好ましくは、５０，０００および２，０００，０００ｇ／ｍｏｌの間であり、最も好ましくは、１００，０００および１，０００，０００ｇ／ｍｏｌの間である。
【００６０】
本発明の目的のためには、ポリマー有機半導体は、特に、（ｉ）欧州特許第０４４３８６１号明細書、国際特許出願公開第９４／２０５８９号パンフレット、国際特許出願公開第９８／２７１３６号パンフレット、欧州特許第１０２５１８３号明細書、国際特許出願公開第９９／２４５２６号パンフレット、ドイツ国特許第１９９５３８０６号明細書および欧州特許第０９６４０４５号明細書に開示される通りの置換ポリ−ｐ−アリーレンビニレン（ＰＡＶ：ｐｏｌｙ−ｐ−ａｒｙｌｅｎｅｖｉｎｙｌｅｎｅ）（それらは有機溶媒に可溶である。）、（ｉｉ）欧州特許第０８４２２０８号明細書、国際特許出願公開第００／２２０２７号パンフレット、国際特許出願公開第００／２２０２６号パンフレット、ドイツ国特許第１９８４６７６７号明細書、国際特許出願公開第００／４６３２１号パンフレット、国際特許出願公開第９９／５４３８５号パンフレットおよび国際特許出願公開第００１５５９２７号パンフレットに開示される通りの置換ポリフルオレン（ＰＦ：ｐｏｌｙｆｌｕｏｒｅｎｅ）（それらは有機溶媒に可溶である。）、（ｉｉｉ）欧州特許第０７０７０２０号明細書、国際特許出願公開第９６／１７０３６号パンフレット、国際特許出願公開第９７／２０８７７号パンフレット、国際特許出願公開第９７／３１０４８号パンフレット、国際特許出願公開第９７／３９０４５号パンフレットおよび国際特許出願公開第０３１０２０７９０号パンフレットに開示される通りの置換ポリスピロビフルオレン（ＰＳＦ：ｐｏｌｙｓｐｉｒｏｂｉｆｌｕｏｒｅｎｅ）（それらは有機溶媒に可溶である。）、（ｉｖ）国際特許出願公開第９２／１８５５２号パンフレット、国際特許出願公開第９５／０７９５５号パンフレット、欧州特許第０６９００８６号明細書、欧州特許第０６９９６９９号明細書および国際特許出願公開第０３／０９９９０１号パンフレットに開示される通りの置換ポリ−パラ−フェニレン（ＰＰＰ：ｐｏｌｙ−ｐａｒａ−ｐｈｅｎｙｌｅｎｅ）または−ビフェニレン（それらは有機溶媒に可溶である。）、（ｖ）国際特許出願公開第０５／０１４６８９号パンフレットに開示される通りの置換ポリジヒドロフェナントレン（ＰＤＨＰ：ｐｏｌｙｄｉｈｙｄｒｏｐｈｅｎａｎｔｈｒｅｎｅ）（それらは有機溶媒に可溶である。）、（ｖｉ）国際特許出願公開第０４／０４１９０１号パンフレットおよび国際特許出願公開第０４／１１３４１２号パンフレットに開示される通りの置換ポリ−トランス−インデノフルオレンおよびポリ−シス−インデノフルオレン（ＰＩＦ：ｐｏｌｙｉｎｄｅｎｏｆｌｕｏｒｅｎｅ）（それらは有機溶媒に可溶である。）、（ｖｉｉ）ドイツ国特許第１０２００４０２０２９８号明細書に開示される通りの置換ポリフェナントレン（それらは有機溶媒に可溶である。）、（ｖｉｉｉ）欧州特許第１０２８１３６号明細書および国際特許出願公開第９５／０５９３７号パンフレットに開示される通りの置換ポリチオフェン（ＰＴ：ｐｏｌｙｔｈｉｏｐｈｅｎｅ）（それらは有機溶媒に可溶である。）、（ｉｘ）Ｔ．Ｙａｍａｍｏｔｏら、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．１９９４年、１１６巻、４８３２頁に開示される通りのポリピリジン（ＰＰｙ：ｐｏｌｙｐｙｒｉｄｉｎｅ）（それらは有機溶媒に可溶である。）、（ｘ）Ｖ．Ｇｅｌｌｉｎｇら、Ｐｏｌｙｍ．Ｐｒｅｐｒ．２０００年、４１巻、１７７０頁に開示される通りのポリピロール（それらは有機溶媒に可溶である。）、（ｘｉ）例えば、国際特許出願公開第０２／０７７０６０パンフレットに記載される通り、クラス（ｉ）〜（ｘ）の２つ以上からの構造単位を有する置換された可溶性コポリマー、（ｘｉｉ）Ｐｒｏｃ．ｏｆ  ＩＣＳＭ’９８、Ｐａｒｔ  Ｉ  ＆  ＩＩ（Ｓｙｎｔｈ．Ｍｅｔ  １９９９、１０１／１０２中）に開示される通りの共役ポリマー（それらは有機溶媒に可溶である。）、（ｘｉｉｉ）例えば、Ｒ．Ｃ．Ｐｅｎｗｅｌｌら、Ｊ．Ｐｏｌｙｍ．Ｓｃｉ．、Ｍａｃｒｏｍｏｌ  Ｒｅｖ．１９７８年、１３巻、６３〜１６０頁に開示される通りの置換および無置換のポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ：ｐｏｌｙｖｉｎｙｌｃａｒｂａｚｏｌｅ）、（ｘｉｖ）例えば、特開２０００−０７２７２２号公報に開示される通りの置換および無置換のトリアリールアミンポリマー、（ｘｖ）例えば、Ｍ．Ａ．ＡｂｋｏｗｉｔｚおよびＭ．Ｓｔｏｌｋａ、Ｓｙｎｔｈ．Ｍｅｔ．１９９６年、７８巻、３３３頁に開示される通りの置換および無置換のポリシリレンおよびポリゲルミレン、および、（ｘｖｉ）例えば、欧州特許第１２４５６５９号明細書、国際特許出願公開第０３／００１６１６号パンフレット、国際特許出願公開第０３／０１８６５３号パンフレット、国際特許出願公開第０３／０２２９０８号パンフレット、国際特許出願公開第０３／０８０６８７号パンフレット、欧州特許第１３１１１３８号明細書、国際特許出願公開第０３１１０２１０９号パンフレット、国際特許出願公開第０４／００３１０５号パンフレット、国際特許出願公開第０４／０１５０２５号パンフレット、ドイツ国特許第１０２００４０３２５２７号明細書および既に上で引用した明細書のいくつかに開示される通りのリン光単位を含有する可溶性ポリマーを意味するものとする。
【００６１】
本発明の更なる実施形態によれば、有機半導体化合物は、好ましくは、５０００ｇ／ｍｏｌ以下の分子量、特には、２０００ｇ／ｍｏｌ以下の分子量を有する。
【００６２】
本発明の特別な実施形態によれば、ＯＳＣは、例えば、ＯＦＥＴの半導体チャネルにおける活性チャネル材料として、または、有機整流ダイオードの層要素として使用できる。
【００６３】
ＯＦＥＴ層が活性チャネル材料としてＯＳＣを含有するＯＦＥＴ装置の場合、それは、ｎ−またはｐ−型ＯＳＣのいずれでもよい。また、半導体チャネルは、同じ型、即ち、ｎ−またはｐ−型のいずれかの２種類以上のＯＳＣ化合物の複合材でもよい。更に、ｐ−型チャネルＯＳＣ化合物は、例えば、ＯＳＣ層をドーピングする効果のために、ｎ−型ＯＳＣ化合物と混合されていてもよい。また、多層半導体も使用できる。例えば、ＯＳＣは、絶縁体界面の近傍においては真性でよく、真性層に隣接して高ドープ領域を追加的にコートしてもよい。
【００６４】
好ましいＯＳＣ化合物は、１×１０−５ｃｍ２Ｖ−１ｓ−１より大きく、非常に好ましくは、１×１０−２ｃｍ２Ｖ−１ｓ−１より大きいＦＥＴ移動度を有する。
【００６５】
特に好ましいポリマーＯＳＣ化合物は、式Ｐ１〜Ｐ７より選択される。
【００６６】
【化１】
2013533606.tif 000009
式中、
ｎは１より大きい整数、好ましくは、１０〜１，０００であり、
Ｒは、それぞれの出現において同一または異なって、Ｈ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮ、直鎖状、分岐状または環状で１〜４０個のＣ原子を有するアルキル基（ただし、１個以上のＣ原子は、Ｏ−および／またはＳ−原子がそれぞれ互いに直接連結しないようにして、Ｏ、Ｓ、Ｏ−ＣＯ、ＣＯ−Ｏ、Ｏ−ＣＯ−Ｏ、ＣＲ０＝ＣＲ０またはＣ≡Ｃで置き換えられていてもよく、ただし、１個以上のＨ原子は、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、ＩまたはＣＮで置き換えられていてもよい。）を表すか、または、４〜２０個の環原子を有するアリールまたはヘテロアリール基（該基は無置換であるか、１個以上の非芳香族基ＲＳで置換されている。）を表し、ただし、また、１個以上の基Ｒは、互いと共に、および／または、基Ｒが連結されている環と共に、単環状または多環状の脂肪族または芳香族環系を形成していてもよく、
ＲＳは、それぞれの出現において同一または異なって、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮ、Ｓｎ（Ｒ００）３、Ｓｉ（Ｒ００）３またはＢ（Ｒ００）２、直鎖状、分岐状または環状で１〜２５個のＣ原子を有するアルキル基（ただし、１個以上のＣ原子は、Ｏ−および／またはＳ−原子がそれぞれ互いに直接連結しないようにして、Ｏ、Ｓ、Ｏ−ＣＯ、ＣＯ−Ｏ、Ｏ−ＣＯ−Ｏ、ＣＲ０＝ＣＲ０、Ｃ≡Ｃで置き換えられていてもよく、ただし、１個以上のＨ原子は、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、ＩまたはＣＮで置き換えられていてもよい。）を表すか、または、ＲＳは、４〜２０個の環原子を有するアリールまたはヘテロアリール基（該基は無置換であるか、１個以上の非芳香族基ＲＳで置換されている。）を表し、ただし、また、１個以上の基ＲＳは、互いと共に、および／または、Ｒと共に、環系を形成していてもよく、
Ｒ０は、それぞれの出現において同一または異なって、Ｈ、Ｆ、Ｃｌ、ＣＮ、１〜１２個のＣ原子を有するアルキル、または、４〜１０個の環原子を有するアリールまたはヘテロアリールを表し、
Ｒ００は、それぞれの出現において同一または異なって、Ｈ、１〜２０個のＣ原子を有する脂肪族または芳香族炭化水素基を表し、ただし、また、２個の基Ｒ００は、それらが連結されているヘテロ原子（Ｓｎ、ＳｉまたはＢ）と共に環を形成していてもよく、
ｒは、０、１、２、３または４であり、
ｓは、０、１、２、３、４または５であり、
ただし、式Ｐ１〜Ｐ５において、Ｒは、好ましくは、Ｈと異なる。
【００６７】
特に好ましいモノマーＯＳＣ化合物は、例えば、米国特許６，６９０，０２９号明細書、国際特許出願公開第２００５／０５５２４８号パンフレットまたは米国特許７，３８５，２２１号明細書に開示される通りの、ペンタセン、テトラセンまたはアントラセンなどの置換オリゴアセン、または、ビス（トリアルキルシリルエチニル）オリゴアセンまたはビス（トリアルキルシリルエチニル）ヘテロアセンなどの置換オリゴアセンのヘテロ環誘導体から成る群より選択される。
【００６８】
特に好ましいモノマーＯＳＣ化合物は、式Ｍ１（ポリアセン）より選択される。
【００６９】
【化２】
2013533606.tif 000010
式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１１およびＲ１２は、それぞれ、同一でも異なっていてもよく、独立に、水素；置換されていてもよいＣ１〜Ｃ４０のカルビルまたはヒドロカルビル基；置換されていてもよいＣ１〜Ｃ４０のアルコキシ基；置換されていてもよいＣ６〜Ｃ４０のアリールオキシ基；置換されていてもよいＣ７〜Ｃ４０のアルキルアリールオキシ基；置換されていてもよいＣ２〜Ｃ４０のアルコキシカルボニル基；置換されていてもよいＣ７〜Ｃ４０のアリールオキシカルボニル基；シアノ基（−ＣＮ）；カルバモイル基（−Ｃ（＝Ｏ）ＮＨ２）；ハロホルミル基（−Ｃ（＝Ｏ）−Ｘ、式中、Ｘはハロゲン原子を表す。）；ホルミル基（−Ｃ（＝Ｏ）−Ｈ）；イソシアノ基；イソシアネート基；チオシアネート基またはチオイソシアネート基；置換されていてもよいアミノ基；ヒドロキシ基；ニトロ基；ＣＦ３基；ハロ基（Ｃｌ、Ｂｒ、Ｆ）；置換されていてもよいシリルまたはアルキニルシリル基を表し、および、
式中、組Ｒ１およびＲ２、Ｒ２およびＲ３、Ｒ３およびＲ４、Ｒ７およびＲ８、Ｒ８およびＲ９、および、Ｒ９およびＲ１０は、それぞれ独立に、架橋されて、Ｃ４〜Ｃ４０の飽和または不飽和環を形成していてもよく、その飽和または不飽和環には、酸素原子、硫黄原子、または、式−Ｎ（Ｒａ）−（式中、Ｒａは、水素原子または置換されていてもよい炭化水素基である。）の基が介在していてもよく、または、置換されていてもよく、および
式中、ポリアセン骨格の１個以上の炭素原子は、Ｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｏ、Ｓ、ＳｅおよびＴｅより選択されるヘテロ原子によって置換されていてもよく、
式中、ポリアセンの環の隣接する位置に位置する任意の２個以上の置換基Ｒ１〜Ｒ１２は、独立に、一緒になって、ポリアセンに融合し、Ｏ、Ｓまたは−Ｎ（Ｒａ）（式中、Ｒａは、上で定義される通りである。）が介在してもよい更なるＣ４〜Ｃ４０の飽和または不飽和環、または、芳香族環系を形成していてもよく、
式中、ｎは、０、１、２、３または４であり、好ましくは、ｎは、０、１または２であり、最も好ましくは、ｎは、０または２であり、これは、ポリアセン化合物がペンタセン化合物（ｎ＝２の場合）または「擬似ペンタセン」化合物（ｎ＝０の場合）であることを意味している。
【００７０】
式Ｍ１ａの化合物が非常に好ましい（置換ペンタセン）。
【００７１】
【化３】
2013533606.tif 000011
式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１５、Ｒ１６、Ｒ１７は、それぞれ独立に、同一または異なって、それぞれ独立に、Ｈ；置換されていてもよいＣ１〜Ｃ４０のカルビルまたはヒドロカルビル基；置換されていてもよいＣ１〜Ｃ４０のアルコキシ基；置換されていてもよいＣ６〜Ｃ４０のアリールオキシ基；置換されていてもよいＣ７〜Ｃ４０のアルキルアリールオキシ基；置換されていてもよいＣ２〜Ｃ４０のアルコキシカルボニル基；置換されていてもよいＣ７〜Ｃ４０のアリールオキシカルボニル基；シアノ基（−ＣＮ）；カルバモイル基（−Ｃ（＝Ｏ）ＮＨ２）；ハロホルミル基（−Ｃ（＝Ｏ）−Ｘ、式中、Ｘはハロゲン原子を表す。）；ホルミル基（−Ｃ（＝Ｏ）−Ｈ）；イソシアノ基；イソシアネート基；チオシアネート基またはチオイソシアネート基；置換されていてもよいアミノ基；ヒドロキシ基；ニトロ基；ＣＦ３基；ハロ基（Ｃｌ、Ｂｒ、Ｆ）；置換されていてもよいシリル基を表し；および、Ａは、ケイ素またはゲルマニウムを表し、および、
式中、組Ｒ１およびＲ２、Ｒ２およびＲ３、Ｒ３およびＲ４、Ｒ７およびＲ８、Ｒ８およびＲ９、Ｒ９およびＲ１０、Ｒ１５およびＲ１６、および、Ｒ１６およびＲ１７は、それぞれ、独立に、互いに架橋されてＣ４〜Ｃ４０の飽和または不飽和環を形成していてもよく、その飽和または不飽和環には、酸素原子、硫黄原子、または、式−Ｎ（Ｒａ）−（式中、Ｒａは、水素原子または炭化水素基である。）の基が介在していてもよく、また置換されていてもよく、および
式中、ポリアセン骨格の１個以上の炭素原子は、Ｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｏ、Ｓ、ＳｅおよびＴｅより選択されるヘテロ原子によって置換されていてもよい。
【００７２】
式Ｍ１ｂの化合物が更に好ましい（置換ヘテロアセン）。
【００７３】
【化４】
2013533606.tif 000012
式中、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１５、Ｒ１６、Ｒ１７は、それぞれ独立に、同一または異なって、それぞれ独立に、Ｈ；置換されていてもよいＣ１〜Ｃ４０のカルビルまたはヒドロカルビル基；置換されていてもよいＣ１〜Ｃ４０のアルコキシ基；置換されていてもよいＣ６〜Ｃ４０のアリールオキシ基；置換されていてもよいＣ７〜Ｃ４０のアルキルアリールオキシ基；置換されていてもよいＣ２〜Ｃ４０のアルコキシカルボニル基；置換されていてもよいＣ７〜Ｃ４０のアリールオキシカルボニル基；シアノ基（−ＣＮ）；カルバモイル基（−Ｃ（＝Ｏ）ＮＨ２）；ハロホルミル基（−Ｃ（＝Ｏ）−Ｘ、式中、Ｘはハロゲン原子を表す。）；ホルミル基（−Ｃ（＝Ｏ）−Ｈ）；イソシアノ基；イソシアネート基；チオシアネート基またはチオイソシアネート基；置換されていてもよいアミノ基；ヒドロキシ基；ニトロ基；ＣＦ３基；ハロ基（Ｃｌ、Ｂｒ、Ｆ）；または、置換されていてもよいシリル基を表し；および、Ａは、ケイ素またはゲルマニウムを表し、および
式中、組Ｒ２およびＲ３、Ｒ８およびＲ９、Ｒ１５およびＲ１６、および、Ｒ１６およびＲ１７は、それぞれ独立に、互いに架橋されて、Ｃ４〜Ｃ４０の飽和または不飽和環を形成していてもよく、その飽和または不飽和環には、酸素原子、硫黄原子、または、式−Ｎ（Ｒａ）−（式中、Ｒａは、水素原子または炭化水素基である。）の基が介在していてもよく、および、置換されていてもよく、および
式中、ポリアセン骨格の１個以上の炭素原子は、Ｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｏ、Ｓ、ＳｅおよびＴｅより選択されるヘテロ原子で置換されていてもよい。
【００７４】
Ｒ２およびＲ３、および、Ｒ８およびＲ９の少なくとも一組は、互いに架橋されて、酸素原子、硫黄原子、または、式−Ｎ（Ｒａ）−（式中、Ｒａは、水素原子または炭化水素基であり、該基は置換されていてもよい。）の基が介在しているＣ４〜Ｃ４０の飽和または不飽和環を形成しているサブ式Ｍ１ｂの化合物が特に好ましい。
【００７５】
サブ式Ｍ１ｂ１の化合物が特に好ましい（シリルエチニル化ヘテロアセン）。
【００７６】
【化５】
2013533606.tif 000013
式中、
Ｙ１およびＹ２の一方は−ＣＨ＝または＝ＣＨ−を表し、他方は−Ｘ−を表し、
Ｙ３およびＹ４の一方は−ＣＨ＝または＝ＣＨ−を表し、他方は−Ｘ−を表し、
Ｘは、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｓｅ−または−ＮＲ’’’−であり、
Ｒ’は、Ｈ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮ、直鎖状または分岐状のアルキルまたはアルコキシ（該基は、１〜２０個、好ましくは１〜８個のＣ原子を有し、フッ素化またはペルフルオロ化されていてもよい。）、６〜３０個のＣ原子を有するフッ素化またはペルフルオロ化されていてもよいアリール、好ましくは、Ｃ６Ｆ５、または、ＣＯ２Ｒ””（式中、Ｒ””は、Ｈ、１〜２０個のＣ原子を有するフッ素化されていてもよいアルキル、または、２〜３０個、好ましくは５〜２０個のＣ原子を有するフッ素化されていてもよいアリールである。）であり、
Ｒ”は、複数出現する場合は互いに独立に、１〜２０個、好ましくは１〜８個のＣ原子を有する環状、直鎖状または分岐状のアルキルまたはアルコキシ、または、２〜３０個のＣ原子を有するアリールであり、それらは全てフッ素化またはペルフルオロ化されていてもよく、ＳｉＲ”３は、好ましくは、トリアルキルシリルであり、
Ｒ’’’は、Ｈ、または、１〜１０個のＣ原子を有する環状、直鎖状または分岐状のアルキル、好ましくは、Ｈであり、
ｍは、０または１であり、
ｏは、０または１である。
【００７７】
ｍおよびｏは０であるか、および／または、ＸはＳであるか、および／または、Ｒ’はＦである式Ｍ１ｂ１の化合物が特に好ましい。
【００７８】
好ましい実施形態において、式Ｍ１ｂ１の化合物は、以下の式のアンチ−異性体およびシン−異性体の混合物として提供され使用される。
【００７９】
【化６】
2013533606.tif 000014
式中、Ｘ、Ｒ、Ｒ’、Ｒ”、ｍおよびｏは、それぞれ互いに独立に、式Ｍ１ｂ１で与えられる意味の１つ、または、上および下で与えられる好ましい意味の１つを有し、Ｘは、好ましくは、Ｓであり、ｍおよびｏは、好ましくは、０である。
【００８０】
上および下で使用される場合、用語「カルビル基」は、非炭素原子を全く含有しない（例えば、−Ｃ≡Ｃ−など）か、または、Ｎ、Ｏ、Ｓ、Ｐ、Ｓｉ、Ｓｅ、Ａｓ、ＴｅまたはＧｅなどの少なくとも１個の非炭素原子と組み合わされていてもよい（例えば、カルボニルなど）、少なくとも１個の炭素原子を含む一価または多価の有機基部分を表す。用語「ヒドロカルビル基」は、１個以上のＨ原子を追加的に含有し、例えば、Ｎ、Ｏ、Ｓ、Ｐ、Ｓｉ、Ｓｅ、Ａｓ、ＴｅまたはＧｅなどのヘテロ原子を１個以上含有してもよいカルビル基を表す。
【００８１】
また、３個以上のＣ原子の鎖を含むカルビルまたはヒドロカルビル基は、直鎖状、分岐状、および／または、スピロおよび／または縮合環を含む環状であってもよい。
【００８２】
好ましいカルビルおよびヒドロカルビル基としては、アルキル、アルコキシ、アルキルカルボニル、アルコキシカルボニル、アルキルカルボニルオキシおよびアルコキシカルボニルオキシ（これらは、それぞれ、置換されていてもよく、１〜４０個、好ましくは１〜２５個、非常に好ましくは１〜１８個のＣ原子を有する。）、更に、６〜４０個、好ましくは６〜２５個のＣ原子を有する置換されていてもよいアリールまたはアリールオキシ、更に、アルキルアリールオキシ、アリールカルボニル、アリールオキシカルボニル、アリールカルボニルオキシおよびアリールオキシカルボニルオキシ（これらは、それぞれ、置換されていてもよく、６〜４０個、好ましくは７〜４０個のＣ原子を有する。）が挙げられ、ただし、これらの基の全ては、特には、Ｎ、Ｏ、Ｓ、Ｐ、Ｓｉ、Ｓｅ、Ａｓ、ＴｅおよびＧｅより選択される１個以上のヘテロ原子を含有していてもよい。
【００８３】
カルビルまたはヒドロカルビル基は、飽和または不飽和の非環式基、または飽和または不飽和の環式基でよい。不飽和の非環式または環式基が好ましく、特に、アリール、アルケニルおよびアルキニル基（特に、エチニル）が好ましい。Ｃ１〜Ｃ４０カルビルまたはヒドロカルビル基が非環式の場合、該基は直鎖状でも、分岐状でもよい。Ｃ１〜Ｃ４０カルビルまたはヒドロカルビル基としては、例えば、Ｃ１〜Ｃ４０アルキル基、Ｃ２〜Ｃ４０アルケニル基、Ｃ２〜Ｃ４０アルキニル基、Ｃ３〜Ｃ４０アリル基、Ｃ４〜Ｃ４０アルキルジエニル基、Ｃ４〜Ｃ４０ポリエニル基、Ｃ６〜Ｃ１８アリール基、Ｃ６〜Ｃ４０アルキルアリール基、Ｃ６〜Ｃ４０アリールアルキル基、Ｃ４〜Ｃ４０シクロアルキル基、Ｃ４〜Ｃ４０シクロアルケニル基などが挙げられる。上述の基の中で、Ｃ１〜Ｃ２０アルキル基、Ｃ２〜Ｃ２０アルケニル基、Ｃ２〜Ｃ２０アルキニル基、Ｃ３〜Ｃ２０アリル基、Ｃ４〜Ｃ２０アルキルジエニル基、Ｃ６〜Ｃ１２アリール基およびＣ４〜Ｃ２０ポリエニル基のそれぞれが好ましい。また、例えば、シリル基、好ましくはトリアルキルシリル基で置換されているアルキニル基、好ましくはエチニル基などの、炭素原子を有する基とヘテロ原子を有する基との組み合わせも挙げられる。
【００８４】
アリールおよびヘテロアリールは、好ましくは、２５個までのＣ原子を有する単環式、二環式または三環式の芳香族またはヘテロ芳香族基を表し、該基は、また、縮合環を含んでいてもよく、１個以上の基Ｌで置換されていてもよく、ただし、Ｌは、ハロゲン、または、１個以上のＨ原子がＦまたはＣｌで置き換えられていてもよい、１〜１２個のＣ原子を有するアルキル、アルコキシ、アルキルカルボニルまたはアルコキシカルボニル基である。
【００８５】
特に好ましいアリールおよびヘテロアリール基は、フェニル（ただし、１個以上のＣＨ基が追加的にＮで置き換えられていてもよい。）、ナフタレン、チオフェン、セレノフェン、チエノチオフェン、ジチエノチオフェン、フルオレンおよびオキサゾールであり、それらは全て、無置換であっても、上で定義される通りのＬで１置換または多置換されていてもよい。
【００８６】
上の式およびサブ式において特に好ましい置換基Ｒ、ＲＳおよびＲ１〜１７は、１〜２０個のＣ原子を有する直鎖状、分岐状または環状のアルキルより選択され、該基は無置換であるか、または、Ｆ、Ｃｌ、ＢｒまたはＩで一置換または多置換されており、ただし、１個以上の隣接していないＣＨ２基は、それぞれの場合で互いに独立に、Ｏ原子および／またはＳ原子が互いに直接連結しないようにして、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＲｂ−、−ＳｉＲｂＲｃ−、−ＣＸ１＝ＣＸ２−または−Ｃ≡Ｃ−で置き換えられていてもよく、または、該基は、好ましくは、１〜３０個のＣ原子を有する、置換されていてもよいアリールまたはヘテロアリールを表し、ただし、ＲｂおよびＲｃは、それぞれ互いに独立に、Ｈまたは１〜１２個のＣ原子を有するアルキルであり、Ｘ１およびＸ２は、それぞれ互いに独立に、Ｈ、Ｆ、ＣｌまたはＣＮである。
【００８７】
Ｒ１５〜１７およびＲ”は、好ましくは、Ｃ１〜Ｃ４０アルキル基、好ましくはＣ１〜Ｃ４アルキル、最も好ましくはメチル、エチル、ｎ−プロピルまたはイソプロピル、Ｃ６〜Ｃ４０アリール基、好ましくはフェニル、Ｃ６〜Ｃ４０アリールアルキル基、Ｃ１〜Ｃ４０アルコキシ基、または、Ｃ６〜Ｃ４０アリールアルキルオキシ基より選択される同一または異なる基であり、ただし、全てのこれらの基は、例えば、１個以上のハロゲン原子で置換されていてもよい。好ましくは、Ｒ１５〜１７およびＲ”は、それぞれ独立に、置換されていてもよいＣ１〜１２アルキル、より好ましくはＣ１〜４アルキル、最も好ましくはＣ１〜３アルキル、例えば、イソプロピル、および置換されていてもよいＣ６〜１０アリール、好ましくはフェニルより選択される。式−ＳｉＲ１５Ｒ１６のシリル基が更に好ましく、ただし、Ｒ１５は上で定義される通りであり、Ｒ１６は、好ましくは、Ｓｉ原子と共に環状の１〜８個のＣ原子を有するシリルアルキルを形成している。
【００８８】
１つの好ましい実施形態において、Ｒ１５〜１７の全て、または、Ｒ”の全ては同一の基であり、例えば、トリイソプロピルシリルにおける通り、同一で置換されていてもよいアルキル基である。非常に好ましくは、Ｒ１５〜１７の全て、または、Ｒ”の全ては同一で、置換されていてもよいＣ１〜１０、より好ましくはＣ１〜４、最も好ましくはＣ１〜３アルキル基である。この場合の好ましいアルキル基は、イソプロピルである。
【００８９】
好ましい基−ＳｉＲ１５Ｒ１６Ｒ１７およびＳｉＲ”３としては、限定することなく、トリメチルシリル、トリエチルシリル、トリプロピルシリル、ジメチルエチルシリル、ジエチルメチルシリル、ジメチルプロピルシリル、ジメチルイソプロピルシリル、ジプロピルメチルシリル、ジイソプロピルメチルシリル、ジプロピルエチルシリル、ジイソプロピルエチルシリル、ジエチルイソプロピルシリル、トリイソプロピルシリル、トリメトキシシリル、トリエトキシシリル、トリフェニルシリル、ジフェニルイソプロピルシリル、ジイソプロピルフェニルシリル、ジフェニルエチルシリル、ジエチルフェニルシリル、ジフェニルメチルシリル、トリフェノキシシリル、ジメチルメトキシシリル、ジメチルフェノキシシリル、メチルメトキシフェニルシリルなどが挙げられ、ただし、アルキル、アリールまたはアルコキシ基は置換されていてもよい。
【００９０】
本発明の好ましい実施形態によれば、ＯＳＣ材料は、有機発光材料および／または電荷輸送材料である。有機発光材料および電荷輸送材料は、当業者に既知で文献に記載される標準的な材料より選択できる。本出願による有機発光材料は、４００〜７００ｎｍの範囲内のλｍａｘを有する光を発する材料を意味する。
【００９１】
適切なリン光性化合物は、特に、適切な励起状態において、好ましくは可視領域において光を発し、加えて、２０より大きい、好ましくは３８より大きく、８４未満、より好ましくは５６より大きく８０未満の原子番号を有する少なくとも１個の原子を含有する化合物である。使用されるリン光性発光体は、好ましくは、銅、モリブデン、タングステン、レニウム、ルテニウム、オスミウム、ロジウム、イリジウム、パラジウム、白金、銀、金またはユーロピウムを含む化合物であり、特に、イリジウムまたは白金を含む化合物である。
【００９２】
特に好ましい有機リン光性化合物は、以下の式（１）〜（４）の化合物である。
【００９３】
【化７】
2013533606.tif 000015
式中、
ＤＣｙは、それぞれの出現において同一または異なって、少なくとも１個のドナー原子、好ましくは窒素、カルベンの形態の炭素またはリンを含有する環状基であり、これらを介して該環状基は金属に結合されており、これらは順次に１個以上の置換基Ｒ１８を有していてもよく；基ＤＣｙおよびＣＣｙは、共有結合を介して互いに連結されており；
ＣＣｙは、それぞれの出現において同一または異なって、炭素原子を含有する環状基であり、該炭素原子を介して該環状基は金属に結合されており、該炭素原子は順次に１個以上の置換基Ｒ１８を有していてもよく；
Ａは、それぞれの出現において同一または異なって、モノアニオン性の二座キレート配位子、好ましくは、ジケトナート配位子であり；
Ｒ１８は、それぞれの出現において同一または異なって、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＮＯ２、ＣＮ、１〜２０個の炭素原子を有する直鎖状、分岐状または環状のアルキルまたはアルコキシ基（ただし、１個以上の隣接していないＣＨ２基は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＲ１９−、−ＣＯＮＲ１９−、−ＣＯ−Ｏ−、−Ｃ＝Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−または−Ｃ≡Ｃ−で置き換えられていてもよく、ただし、１個以上の水素原子は、Ｆで置き換えられていてもよい。）、または、４〜１４個の炭素原子を有し、１個以上の非芳香族Ｒ１８基で置換されていてもよいアリールまたはヘテロアリール基であり、複数の置換基Ｒ１８は、同一の環上または２個の異なる環上のいずれかにおいて、共に順次に単環または多環の脂肪族または芳香族の環系を形成していてもよく；および
Ｒ１９は、それぞれの出現において同一または異なって、１〜２０個の炭素原子を有する直鎖状、分岐状または環状のアルキルまたはアルコキシ基（ここで、１個以上の隣接していないＣＨ２基は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−Ｏ−、−Ｃ＝Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−または−Ｃ≡Ｃ−で置き換えられていてもよく、ただし、１個以上の水素原子は、Ｆで置き換えられていてもよい。）、または、４〜１４個の炭素原子を有し、１個以上の非芳香族Ｒ１８基で置換されていてもよいアリールまたはヘテロアリール基である。
【００９４】
また、複数の基Ｒ１８の間での環系の形成は、基ＤＣｙおよびＣＣｙの間にも架橋が存在し得ることを意味する。
【００９５】
更に、また、複数の基Ｒ１８の間での環系の形成は、２個または３個の配位子ＣＣｙ−ＤＣｙの間、または、１個または２個の配位子ＣＣｙ−ＤＣｙと配位子Ａとの間にも架橋が存在し、多座配位の（ｐｏｌｙｄｅｎｔａｔｅまたはｐｏｌｙｐｏｄａｌ）配位子系を与え得ることも意味する。
【００９６】
上記の発光体の例は、国際特許出願公開第００／７０６５５号パンフレット、国際特許出願公開第０１／４１５１２号パンフレット、国際特許出願公開第０２／０２７１４号パンフレット、国際特許出願公開第０２／１５６４５号パンフレット、欧州特許第１１９１６１３号明細書、欧州特許第１１９１６１２号明細書、欧州特許第１１９１６１４号明細書、国際特許出願公開第０４／０８１０１７号パンフレット、国際特許出願公開第０５／０３３２４４号パンフレット、国際特許出願公開第０５／０４２５５０号パンフレット、国際特許出願公開第０５／１１３５６３号パンフレット、国際特許出願公開第０６／００８０６９号パンフレット、国際特許出願公開第０６／０６１１８２号パンフレット、国際特許出願公開第０６／０８１９７３号パンフレットおよびドイツ国特許第１０２００８０２７００５号明細書によって、出願公開されている。
【００９７】
好ましいリン光性化合物の例を、以下の表に示す。
【００９８】
【表４】
2013533606.tif 000016
【００９９】
【表５】
2013533606.tif 000017
【０１００】
【表６】
2013533606.tif 000018
【０１０１】
【表７】
2013533606.tif 000019
【０１０２】
【表８】
2013533606.tif 000020
【０１０３】
【表９】
2013533606.tif 000021
【０１０４】
【表１０】
2013533606.tif 000022
【０１０５】
【表１１】
2013533606.tif 000023
【０１０６】
【表１２】
2013533606.tif 000024
【０１０７】
【表１３】
2013533606.tif 000025
【０１０８】
【表１４】
2013533606.tif 000026
【０１０９】
【表１５】
2013533606.tif 000027
【０１１０】
【表１６】
2013533606.tif 000028
【０１１１】
【表１７】
2013533606.tif 000029
【０１１２】
【表１８】
2013533606.tif 000030
【０１１３】
【表１９】
2013533606.tif 000031
【０１１４】
【表２０】
2013533606.tif 000032
【０１１５】
【表２１】
2013533606.tif 000033
【０１１６】
【表２２】
2013533606.tif 000034
【０１１７】
【表２３】
2013533606.tif 000035
好ましいドーパントは、モノスチリルアミン、ジスチリルアミン、トリスチリルアミン、テトラスチリルアミン、スチリルホスフィン、スチリルエーテルおよびアリールアミンの分類から選択される。モノスチリルアミンは、１個の置換または無置換のスチリル基と、少なくとも１個の（好ましくは芳香族の）アミンとを含有する化合物を意味するものとする。ジスチリルアミンは、２個の置換または無置換のスチリル基と、少なくとも１個の（好ましくは芳香族の）アミンとを含有する化合物を意味するものとする。トリスチリルアミンは、３個の置換または無置換のスチリル基と、少なくとも１個の（好ましくは芳香族の）アミンとを含有する化合物を意味するものとする。テトラスチリルアミンは、４個の置換または無置換のスチリル基と、少なくとも１個の（好ましくは芳香族の）アミンとを含有する化合物を意味するものとする。スチリル基は、特に好ましくはスチルベンであり、それは、また、更に置換されてもよい。対応するホスフィンおよびエーテルは、アミンに類似して定義される。本発明の目的のために、アリールアミンまたは芳香族アミンは、置換または無置換で、窒素に直接結合する３個の芳香族またはヘテロ芳香族環系を含有する化合物を意味するものとする。これらの芳香族またはヘテロ芳香族環系の少なくとも１個は、好ましくは、縮合環系であり、特に好ましくは、少なくとも１４個の芳香環原子を有する。これらの好ましい例は、芳香族アントラセンアミン、芳香族アントラセンジアミン、芳香族ピレンアミン、芳香族ピレンジアミン、芳香族クリセンアミンまたは芳香族クリセンジアミンである。芳香族アントラセンアミンは、１個のジアリールアミノ基がアントラセン基（好ましくは９位）に直接結合した化合物を意味するものとする。芳香族アントラセンジアミンは、２個のジアリールアミノ基がアントラセン基（好ましくは９，１０位）に直接結合した化合物を意味するものとする。芳香族ピレンアミン、ピレンジアミン、クリセンアミンおよびクリセンジアミンは、それらに類似して定義され、ただし、ジアリールアミノ基は、好ましくはピレンの１位または１，６位に結合されている。更に好ましいドーパントは、インデノフルオレンアミンまたはインデノフルオレンジアミン（例えば、国際特許出願公開第０６／１２２６３０号パンフレットによる。）、ベンゾインデノフルオレンアミンまたはベンゾインデノフルオレンジアミン（例えば、国際特許出願公開第０８／００６４４９号パンフレットによる。）、および、ジベンゾインデノフルオレンアミンまたはジベンゾインデノフルオレンジアミン（例えば、国際特許出願公開第０７／１４０８４７号パンフレットによる。）から選択される。スチリルアミンの分類からのドーパントの例は置換または無置換のトリスチルベンアミン、または、国際特許出願公開第０６／０００３８８号パンフレット、国際特許出願公開第０６／０５８７３７号パンフレット、国際特許出願公開第０６／０００３８９号パンフレット、国際特許出願公開第０７／０６５５４９号パンフレットおよび国際特許出願公開第０７／１１５６１０号パンフレットに記載されるドーパントである。更に、ドイツ国特許第１０２００８０３５４１３号明細書に開示される縮合炭化水素が好ましい。
【０１１８】
適切なドーパントは、更に、以下の表に示される構造、および、特開０６／００１９７３号公報、国際特許出願公開第０４／０４７４９９号パンフレット、国際特許出願公開第０６／０９８０８０号パンフレット、国際特許出願公開第０７／０６５６７８号パンフレット、米国特許出願公開第２００５／０２６０４４２号公報および国際特許出願公開第０４／０９２１１１号パンフレットに開示される、これらの構造の誘導体である。
【０１１９】
【化８】
2013533606.tif 000036
発光層の混合物中におけるドーパントの割合は、０．１および５０．０容量％の間、好ましくは０．５および２０．０容量％の間、特に好ましくは１．０および１０．０容量％の間である。従って、ホスト材料の割合は、５０．０および９９．９容量％の間、好ましくは８０．０および９９．５容量％の間、特に好ましくは９０．０および９９．０容量％の間である。
【０１２０】
この目的のために適切なホスト材料は、種々の分類の物質に由来する材料である。好ましいホスト材料は、オリゴアリーレン（例えば、欧州特許第６７６４６１号明細書による２，２’，７，７’−テトラフェニルスピロビフルオレンまたはジナフチルアントラセン）、特に縮合芳香族基を含有するオリゴアリーレン、オリゴアリーレンビニレン（例えば、欧州特許第６７６４６１号明細書によるＤＰＶＢｉまたはスピロ−ＤＰＶＢｉ）、多座金属錯体（例えば、国際特許出願公開第０４／０８１０１７号パンフレットによる）、ホール導電性化合物（例えば、国際特許出願公開第０４／０５８９１１号パンフレットによる）、電子導電性化合物、特に、ケトン、ホスフィンオキシド、スルホキシドなど（例えば、国際特許出願公開第０５／０８４０８１号パンフレットおよび国際特許出願公開第０５／０８４０８２号パンフレットによる）、アトロプ異性体（例えば、国際特許出願公開第０６／０４８２６８号パンフレットによる）、ボロン酸誘導体（例えば、国際特許出願公開第０６／１１７０５２号パンフレットによる）またはベンズアントラセン（例えば、国際特許出願公開第０８／１４５２３９号パンフレットによる）の分類から選択される。また、適切なホスト材料は、更に、上で記載される本発明によるベンゾ［ｃ］フェナントレン化合物である。本発明による化合物の他に、特に好ましいホスト材料は、ナフタレン、アントラセン、ベンズアントラセンおよび／またはピレンを含有するオリゴアリーレンまたはこれらの化合物のアトロプ異性体、オリゴアリーレンビニレン、ケトン、ホスフィンオキシドおよびスルホキシドの分類から選択される。本発明によるベンゾ［ｃ］フェナントレン化合物の他に、非常に特に好ましいホスト材料は、アントラセン、ベンズアントラセンおよび／またはピレンを含有するオリゴアリーレンまたはこれらの化合物のアトロプ異性体の分類から選択される。本発明の目的のために、オリゴアリーレンは、少なくとも３個のアリールまたはアリーレン基が互いに結合された化合物を意味するものとする。
【０１２１】
適切なホスト材料は、更に、例えば、国際特許出願公開第０４／０１８５８７号パンフレット、国際特許出願公開第０８／００６４４９号パンフレット、米国特許第５９３５７２１号明細書、米国特許出願公開第２００５／０１８１２３２号公報、特開２０００／２７３０５６号公報、欧州特許第６８１０１９号明細書、米国特許出願公開第２００４／０２４７９３７号公報および米国特許出願公開第２００５／０２１１９５８号公報に開示される通り、以下の表に示す材料、および、これらの材料の誘導体である。
【０１２２】
【化９】
2013533606.tif 000037
本発明の目的のために、ホール注入層は、アノードに直接隣接する層である。本発明の目的のために、ホール輸送層は、ホール注入層および発光層の間に位置する層である。それらは、電子供与性の化合物、例えば、Ｆ４−ＴＣＮＱまたは欧州特許第１４７６８８１号明細書または欧州特許第１５９６４４５号明細書に記載される通りの化合物でドープされることが好ましいことがある。
【０１２３】
本発明による化合物の他に、本発明による有機エレクトロルミネッセント装置のホール注入またはホール輸送層または電子注入または電子輸送層において使用できるため、適切な電荷輸送材料は、例えば、Ｙ．Ｓｈｉｒｏｔａら、Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．２００７年、１０７巻（４号）、９５３〜１０１０頁に開示されている化合物、または、先行技術によるこれらの層において用いられる他の材料である。
【０１２４】
本発明によるエレクトロルミネッセント装置のホール輸送層またはホール注入層において使用できる好ましいホール輸送材料の例は、インデノフルオレンアミンおよび誘導体（例えば、国際特許出願公開第０６／１２２６３０号パンフレットまたは国際特許出願公開第０６／１００８９６号パンフレットによる）、欧州特許第１６６１８８８号明細書に開示される通りのアミン誘導体、ヘキサアザトリフェニレン誘導体（例えば、国際特許出願公開第０１／０４９８０６号パンフレットによる）、縮合芳香環を有するアミン誘導体（例えば、米国特許第５，０６１，５６９号明細書による）、国際特許出願公開第９５／０９１４７号パンフレットに開示される通りのアミン誘導体、モノベンゾインデノフルオレンアミン（例えば、国際特許出願公開第０８／００６４４９号パンフレットによる）またはジベンゾインデノフルオレンアミン（例えば、国際特許出願公開第０７／１４０８４７号パンフレットによる）である。適切なホール輸送材料およびホール注入材料は、更に、特開２００１／２２６３３１号公報、欧州特許第６７６４６１号明細書、欧州特許第６５０９５５号明細書、国際特許出願公開第０１／０４９８０６号パンフレット、米国特許第４７８０５３６号明細書、国際特許出願公開第９８／３００７１号パンフレット、欧州特許第８９１１２１号明細書、欧州特許第１６６１８８８号明細書、特開２００６／２５３４４５号公報、欧州特許第６５０９５５号明細書、国際特許出願公開第０６／０７３０５４号パンフレットおよび米国特許第５０６１５６９号明細書に開示される通りの、上で示す化合物の誘導体である。
【０１２５】
適切なホール輸送またはホール注入材料は、更に、例えば、以下の表に示す材料である。
【０１２６】
【化１０】
2013533606.tif 000038
本発明によるエレクトロルミネッセント装置において使用できる適切な電子輸送材料または電子注入材料は、例えば、以下の表に示す材料である。適切な電子輸送および電子注入材料は、更に、特開２０００／０５３９５７号公報、国際特許出願公開第０３／０６０９５６号パンフレット、国際特許出願公開第０４／０２８２１７号パンフレットおよび国際特許出願公開第０４／０８０９７５号パンフレットに開示される通りで、上に示した化合物の誘導体である。
【０１２７】
【化１１】
2013533606.tif 000039
本発明による化合物に適切なマトリックス材料は、ケトン、ホスフィンオキシド、スルホキシドおよびスルホン（例えば、国際特許出願公開第０４／０１３０８０号パンフレット、国際特許出願公開第０４／０９３２０７号パンフレット、国際特許出願公開第０６／００５６２７号パンフレットまたはドイツ国特許第１０２００８０３３９４３号明細書による。）、トリアリールアミン、カルバゾール誘導体、例えば、ＣＢＰ（Ｎ，Ｎ−ビスカルバゾリルビフェニル）またはカルバゾール誘導体（国際特許出願公開第０５／０３９２４６号パンフレット、米国特許出願公開２００５／００６９７２９号公報、特開２００４／２８８３８１号公報、欧州特許第１２０５５２７号明細書または国際特許出願公開第０８／０８６８５１号パンフレットに開示されている）、インドロカルバゾール誘導体（例えば、国際特許出願公開第０７／０６３７５４号パンフレットまたは国際特許出願公開第０８／０５６７４６号パンフレットによる）、アザカルバゾール（例えば、欧州特許第１６１７７１０号明細書、欧州特許第１６１７７１１号明細書、欧州特許第１７３１５８４号明細書、特開２００５／３４７１６０号公報による）、バイポーラ性マトリックス材料（例えば、国際特許出願公開第０７／１３７７２５号パンフレットによる）、シラン（例えば、国際特許出願公開第０５／１１１１７２号パンフレットによる）、アザボロールまたはボロン酸エステル（例えば、国際特許出願公開第０６／１１７０５２号パンフレットによる）、トリアジン誘導体（例えば、ドイツ国特許第１０２００８０３６９８２号明細書、国際特許出願公開第０７／０６３７５４号パンフレットまたは国際特許出願公開第０８／０５６７４６号パンフレットによる）または亜鉛錯体（例えば、ドイツ国特許第１０２００７０５３７７１号明細書による）である。
【０１２８】
好ましい実施形態によれば、有機半導体化合物（ＯＳＣ：ｏｒｇａｎｉｃ  ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ  ｃｏｍｐｏｕｎｄ）は、好ましくは、最大で５０００ｇ／ｍｏｌ、特には最大で２０００ｇ／ｍｏｌ、特に最大で１５００ｇ／ｍｏｌ、より好ましくは最大で１０００ｇ／ｍｏｌの分子量を有する。
【０１２９】
本発明の特別な実施形態によれば、配合物は、０．１〜１０重量％、好ましくは０．２５〜５重量％、より好ましくは０．５〜４重量％の発光材料および／または電荷輸送材料を含んでよい。
【０１３０】
また更に、混合された低分子量、オリゴマー、樹枝状、直鎖状または分岐状および／またはポリマー有機および／または有機金属半導体を含み、非導電性で電子的に不活性なポリマー（マトリクスポリマー；不活性ポリマーバインダー）の溶液も好ましい。好ましくは、配合物は、０．１〜１０％、より好ましくは、０．２５％〜５％、最も好ましくは、０．３％〜３重量％の不活性ポリマーバインダーを含んでよい。
【０１３１】
任意成分として、ＯＳＣ配合物は、レオロジー的性質を調節するために、例えば、国際特許出願公開第２００５／０５５２４８号パンフレットに記載される通りの１種類以上の有機バインダー、好ましくは、ポリマーバインダー、特には、１，０００Ｈｚにおいて３．３以下の低い誘電率（ε）を有する有機バインダーを、非常に好ましくは、重量で、２０：１〜１：２０、好ましくは１０：１〜１：１０、特には５：１〜１：５、より好ましくは１：１〜１：５のＯＳＣ化合物に対するバインダーの割合で含む。
【０１３２】
好ましくは、ポリマーバインダーは、１０００〜１５，０００，０００ｇ／ｍｏｌ、特には１５００〜１２，０００，０００ｇ／ｍｏｌ、最も特には１５００〜１０，０００，０００ｇ／ｍｏｌの範囲内の重量平均分子量を含む。少なくとも１０，０００ｇ／ｍｏｌ、好ましくは少なくとも２００，０００ｇ／ｍｏｌ、特には少なくとも３００，０００ｇ／ｍｏｌ、より好ましくは少なくとも５００，０００ｇ／ｍｏｌの重量平均分子量を有するポリマーによって、驚くべき効果を達成できる。本発明の非常に好ましい態様によれば、ポリマーは、好ましくは、少なくとも１，０００，０００ｇ／ｍｏｌ、より好ましくは少なくとも２，０００，０００ｇ／ｍｏｌの重量平均分子量を有してよい。
【０１３３】
不活性バインダーとして有用なポリマーは、好ましくは、最大で２０，０００，０００ｇ／ｍｏｌ、より好ましくは最大で１２，０００，０００ｇ／ｍｏｌ、最も好ましくは最大で７，０００，０００ｇ／ｍｏｌの重量平均分子量を有してよい。
【０１３４】
特には、ポリマーは、１．０〜１０．０の範囲内、より好ましくは１．０１〜５．０の範囲内、最も好ましくは１．０２〜３の範囲内の多分散度Ｍｗ／Ｍｎを有してよい。１．０３〜２．０、特には１．０４〜１．５、より好ましくは１．０５〜１．２の範囲内の多分散度Ｍｗ／Ｍｎを有する好ましいポリマーによって、驚くべき改良を達成できる。
【０１３５】
本発明の特別な態様によれば、ポリマーバインダーは多モード分子量分布を有してよい。好ましくは、ポリマーは、ＧＰＣを使用して決定できる通りの分子量分布において、２個、３個または４個以上の最大を有してよい。
【０１３６】
バインダーは、例えば、ポリスチレン、ポリ（α−メチルスチレン）、ポリビニルシンナメート、ポリ（４−ビニルビフェニル）またはポリ（４−メチルスチレン）より選択される。ポリマーバインダーは、好ましくは、スチレンおよび／またはオレフィンより誘導される繰返単位を含む。好ましいポリマーバインダーは、スチレンモノマーおよび／またはオレフィンより誘導される繰返単位を少なくとも８０重量％、特には９０重量％、より好ましくは９９重量％含んでよい。
【０１３７】
また、バインダーは、例えば、ポリアリールアミン、ポリフルオレン、ポリチオフェン、ポリスピロビフルオレン、置換ポリビニレンフェニレン、ポリカルバゾールまたはポリスチルベン、または、それらのコポリマーより選択される半導体バインダーでもよい。
【０１３８】
本発明の好ましい実施形態によれば、不活性バインダーは、−７０〜１６０℃、より好ましくは０〜１５０℃、特には５０〜１４０℃、最も好ましくは７０〜１３０℃の範囲内のガラス転移温度を有するポリマーである。ガラス転移温度は、ポリマーのＤＳＣ（ＤＩＮ  ＥＮ  ＩＳＯ  １１３５７、加熱速度  毎分１０℃）を測定することによって、決定できる。
【０１３９】
通常、ポリマーバインダーは、上および下に記載される通りの本発明の配合物の溶媒中に分散可能であるか、可溶である。好ましくは、ポリマーバインダーは有機溶媒中で可溶であり、溶媒中のポリマーバインダーの溶解度は、少なくとも１ｇ／ｌ、特に少なくとも５ｇ／ｌ、より好ましくは少なくとも１０ｇ／ｌである。
【０１４０】
本発明の特別な実施形態によれば、配合物は、０．０５〜１０重量％、好ましくは０．１〜５重量％、より好ましくは０．１５〜３重量％のポリマーバインダーを含んでよい。好ましくは０．２〜１重量％、より好ましくは０．２５〜０．６重量％、最も好ましくは０．３〜０．５重量％のポリマーバインダーを含む配合物を使用することによって、驚くべき改良を達成できる。
【０１４１】
配合物中において、低い含有量で、高分子量バインダーを使用することによって、驚くべき改良を達成できる。そのような方策を使用することで、優れた印刷品位を有する驚くべき効率的な装置を得ることができる。
【０１４２】
不活性バインダーに対する半導体化合物の重量比は、好ましくは３０：１〜１：３０の範囲内、特には２０：１〜１：５の範囲内、より好ましくは５：１〜１：１の範囲内である。
【０１４３】
特別な実施形態によれば、ポリマーバインダーは、好ましくは、スチレンおよび／またはオレフィンより誘導される繰返単位を含む。好ましいポリマーバインダーは、スチレンモノマーおよび／またはオレフィンより誘導される繰返単位を少なくとも８０重量％、特には９０重量％、より好ましくは９９重量％含んでよい。
【０１４４】
スチレンモノマーは、当該技術分野においては、よく知られている。これらのモノマーとしては、スチレン、α−メチルスチレンおよびα−エチルスチレンなどの側鎖にアルキル置換基を有する置換スチレン、ビニルトルエンおよびｐ−メチルスチレンなどの環上にアルキル置換基を有する置換スチレン、モノクロロスチレン、ジクロロスチレン、トリブロモスチレンおよびテトラブロモスチレンなどのハロゲン化スチレンが挙げられる。
【０１４５】
オレフィンは、水素および炭素原子から成るモノマーである。これらのモノマーとしては、エチレン、プロピレン、ブチレン、イソプレンおよび１，３−ブタジエンが挙げられる。
【０１４６】
本発明の特別な態様によれば、ポリマーバインダーは、好ましくは少なくとも１００，０００ｇ／ｍｏｌ、特には少なくとも２００，０００ｇ／ｍｏｌ、特には少なくとも３００，０００ｇ／ｍｏｌ、より好ましくは少なくとも５００，０００ｇ／ｍｏｌの重量平均分子量を有するポリスチレンである。本発明の非常に好ましい態様によれば、ポリスチレンは、好ましくは少なくとも１，０００，０００ｇ／ｍｏｌ、より好ましくは少なくとも２，０００，０００ｇ／ｍｏｌの重量平均分子量を有してよい。
【０１４７】
不活性バインダーとして有用なポリスチレンは、好ましくは最大で２０，０００，０００ｇ／ｍｏｌ、より好ましくは最大で１２，０００，０００ｇ／ｍｏｌ、最も好ましくは最大で７，０００，０００ｇ／ｍｏｌの重量平均分子量を有してよい。
【０１４８】
本発明による配合物は、追加的に、例えば、表面活性化合物、滑沢剤、導電剤、分散剤、疎水化剤、接着剤、流動性改善剤、消泡剤、脱気剤、反応性または非反応性であってよい希釈剤、助剤、着色剤、色素または顔料、増感剤、安定剤、ナノ粒子または禁止剤などの１種類以上の更なる成分を含んでよい。しかしながら、これらの更なる成分はＯＳＣを酸化してはいけなく、他の化学的な反応を起こし得るものではいけなく、ＯＳＣに対して電気的なドーピングの効果を有してはならない。
【０１４９】
揮発性の湿潤剤によって、驚くべき改良を達成できる。上および下で使用する場合、用語「揮発性」とは、ＯＥ装置の基板上に有機半導体材料を堆積後に、これらの材料またはＯＥ装置に著しい損傷を与えない条件下（温度および／または減圧など）において、蒸発により、これらの材料より添加剤を除去できることを意味する。好ましくは、これは、用いられる圧力、非常に好ましくは、大気圧（１０１３ｈＰａ）において、湿潤剤が、３５０℃未満、より好ましくは３００℃以下、最も好ましくは２５０℃以下の沸点または昇華温度を有することを意味する。また、蒸発は、例えば、熱および／または減圧を適用することで促進できる。好ましくは、湿潤剤は、ＯＳＣ化合物と化学的な反応を起こし得ないものである。特に、湿潤剤は、ＯＳＣ材料に対して持続性のドーピング効果（例えば、酸化、または、ＯＳＣ材料との他の化学的反応による。）を有していない化合物より選択される。従って、配合物は、好ましくは、例えば、酸化剤またはプロトン酸またはルイス酸などの、イオン性生成物を形成してＯＳＣ材料と反応する添加剤を含有してはならない。
【０１５０】
同様の沸点を有する揮発性の成分を含む配合物によって、驚くべき効果を達成できる。好ましくは、湿潤剤と有機溶媒との沸点の相違は、−５０℃〜５０℃の範囲内、より好ましくは−３０℃〜３０℃の範囲内、最も好ましくは−２０℃〜２０℃の範囲内である。
【０１５１】
好ましい湿潤剤は、非芳香族化合物である。更に好ましくは、湿潤剤は非イオン性化合物である。特に有用な湿潤剤は、最大で３５ｍＮ／ｍ、特には最大で３０ｍＮ／ｍ、より好ましくは最大で２５ｍＮ／ｍの表面張力を含む。表面張力は、ＦＴＡ（Ｆｉｒｓｔ  Ｔｅｎ  Ａｎｇｓｔｒｏｍ社）１２５接触角ゴニオメーターを使用し、２５℃において測定できる。方法の詳細は、Ｒｏｇｅｒ  Ｐ．Ｗｏｏｄｗａｒｄ博士により刊行されている「Ｓｕｒｆａｃｅ  Ｔｅｎｓｉｏｎ  Ｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔｓ  Ｕｓｉｎｇ  ｔｈｅ  Ｄｒｏｐ  Ｓｈａｐｅ  Ｍｅｔｈｏｄ」の通り、Ｆｉｒｓｔ  Ｔｅｎ  Ａｎｇｓｔｒｏｍ社より入手可能である。好ましくは、表面張力を決定するために、ペンダントドロップ法を使用できる。
【０１５２】
本発明の特別な態様によれば、有機溶媒と湿潤剤との表面張力の相違は、好ましくは少なくとも１ｍＮ／ｍ、特には少なくとも５ｍＮ／ｍ、より好ましくは少なくとも１０ｍＮ／ｍである。
【０１５３】
少なくとも１００ｇ／ｍｏｌ、特には少なくとも１５０ｇ／ｍｏｌ、好ましくは少なくとも１８０ｇ／ｍｏｌ、より好ましくは少なくとも２００ｇ／ｍｏｌの分子量を含む湿潤剤によって、予期せぬ改良を達成できる。
【０１５４】
ＯＳＣ材料を酸化せず他の化学的な反応を起こさない適切で好ましい湿潤剤は、シロキサン、アルカン、アミン、アルケン、アルキン、アルコールおよび／またはこれらの化合物のハロゲン化誘導体から成る群より選択される。更に、フルオロエーテル、フルオロエステルおよび／またはフルオロケトンを使用できる。より好ましくは、これらの化合物は、６〜２０個の炭素原子、特には８〜１６個の炭素原子を有するメチルシロキサン；Ｃ７〜Ｃ１４アルカン、Ｃ７〜Ｃ１４アルケン、Ｃ７〜Ｃ１４アルキン、７〜１４個の炭素原子を有するアルコール、７〜１４個の炭素原子を有するフルオロエーテル、７〜１４個の炭素原子を有するフルオロエステルおよび７〜１４個の炭素原子を有するフルオロケトンより選択される。
【０１５５】
７〜１４個の炭素原子を有する有用で好ましいアルカンとしては、ヘプタン、オクタン、ノナン、デカン、ウンデカン、ドデカン、トリデカン、テトラデカン、３−メチルヘプタン、４−エチルヘプタン、５−プロピルデカン、トリメチルシクロヘキサンおよびデカリンが挙げられる。
【０１５６】
７〜１４個の炭素原子を有するハロゲン化アルカンとしては、１−クロロヘプタン、１，２−ジクロロオクタン、テトラフルオロオクタン、デカフルオロドデカン、ペルフルオロノナン、１，１，１−トリフルオロメチルデカンおよびペルフルオロメチルデカリンが挙げられる。
【０１５７】
７〜１４個の炭素原子を有する有用で好ましいアルケンとしては、ヘプテン、オクテン、ノネン、１−デセン、４−デセン、ウンデセン、ドデセン、トリデセン、テトラデセン、３−メチルヘプテン、４−エチルヘプテン、５−プロピルデセンおよびトリメチルシクロヘキセンが挙げられる。
【０１５８】
７〜１４個の炭素原子を有するハロゲン化アルケンとしては、１，２−ジクロロオクテン、テトラフルオロオクテン、デカフルオロドデセン、ペルフルオロノネンおよび１，１，１−トリフルオロメチルデセンが挙げられる。
【０１５９】
７〜１４個の炭素原子を有する有用で好ましいアルキンとしては、オクチン、ノニン、１−デシン、４−デシン、ドデシン、テトラデシン、３−メチルヘプチン、４−エチルヘプチン、５−プロピルデシンおよびトリメチルシクロヘキシンが挙げられる。
【０１６０】
７〜１４個の炭素原子を有するハロゲン化アルキンとしては、１，２−ジクロロオクチン、テトラフルオロオクチン、デカフルオロドデシン、ペルフルオロノニンおよび１，１，１−トリフルオロメチルデシンが挙げられる。
【０１６１】
７〜１４個の炭素原子を有する有用で好ましいアルカノールとしては、ヘプタノール、オクタノール、ノナノール、デカノール、ウンデカノール、ドデカノール、トリデカノール、テトラデカノール、３−メチルヘプタノール、３，５−ジメチル−１−ヘキシン−３−オール、４−エチルヘプタノール、５−プロピルデカノール、トリメチルシクロヘキサノールおよびヒドロキシルデカリンが挙げられる。
【０１６２】
７〜１４個の炭素原子を有するハロゲン化アルカノールとしては、１−クロロヘプタノール、１，２−ジクロロオクタノール、テトラフルオロオクタノール、デカフルオロドデカノール、ペルフルオロノナノール、１，１，１−トリフルオロメチルデカノールおよび２−トリフルオロメチル−１−ヒドロキシデカリンが挙げられる。
【０１６３】
７〜１４個の炭素原子を有する有用で好ましいフルオロエーテルとしては、３−エトキシ−１、１，１，２，３，４，４，５，５，６，６，６ドデカフルオロ−２−トリフルオロメチル−キサン、３−プロポキシ−１，１，１，２，３，４，４，５，５，６，６，６ドデカフルオロ−２−トリフルオロメチル−キサンおよび３−プロポキシ−１、１，１，２，３，４，４，５，５，５デカフルオロ−２−トリフルオロメチル−ペンタンが挙げられる。
【０１６４】
７〜１４個の炭素原子を有する有用で好ましいフルオロエステルとしては、３−（１，１，１，２，３，４，４，５，５，６，６，６ドデカフルオロ−２−トリフルオロメチル−ヘキシル）エタノエートおよび３−（１，１，１，２，３，４，４，５，５，５デカフルオロ−２−トリフルオロメチル−ペンチル）プロパノエートが挙げられる。
【０１６５】
７〜１４個の炭素原子を有する有用で好ましいフルオロケトンとしては、３−（１，１，１，２，３，４，４，５，５，６，６，６ドデカフルオロ−２−トリフルオロメチル−ヘキシル）エチルケトンおよび３−（１，１，１，２，３，４，４，５，５，５デカフルオロ−２−トリフルオロメチル−ペンチル）プロピルケトンが挙げられる。
【０１６６】
有用で好ましいシロキサンとしては、ヘキサメチルジシロキサン、オクタメチルトリシロキサン、デカメチルテトラシロキサン、ドデカメチルペンタシロキサンおよびテトラデカメチルヘキサシロキサンが挙げられる。
【０１６７】
好ましくは、配合物は、最大で５重量％、特には最大で３重量％の湿潤剤を含んでよい。より好ましくは、配合物は、０．０１〜４重量％、特に好ましくは０．１〜１重量％の湿潤剤を含む。
【０１６８】
本発明による配合物は、エマルション、分散物または溶液として設計できる。好ましくは、本発明の配合物は、相当量の第２の相を含まない溶液（均一混合物）である。
【０１６９】
本発明による配合物は、有機電子（ＯＥ：ｏｒｇａｎｉｃ  ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ）装置、例えば、ＯＦＥＴなどのトランジスタまたはダイオードまたはソーラーセルなどの有機光起電（ＯＰＶ：ｏｒｇａｎｉｃ  ｐｈｏｔｏｖｏｌｔａｉｃ）装置、または、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ：ｏｒｇａｎｉｃ  ｌｉｇｈｔ  ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｄｉｏｄｅ）を調製するために使用できる。
【０１７０】
特に好ましいＯＥ装置はＯＦＥＴである。本発明による好ましいＯＦＥＴは、以下の構成要素を含む：
−任意の構成要素として、基板（１）、
−ゲート電極（２）、
−誘電体材料を含む絶縁体層（３）、
−ＯＳＣ層（４）、
−ソースおよびドレイン電極（５）、
−任意の構成要素として、１層以上の保護またはパッシベーション層（６）。
【０１７１】
図１Ａには、本発明による典型的なボトムゲート（ＢＧ：ｂｏｔｔｏｍ  ｇａｔｅ）トップコンタクト（ＴＣ：ｔｏｐ  ｃｏｎｔａｃｔ）ＯＦＥＴ装置（基板（１）、ゲート電極（２）、誘電体材料層（３）（ゲート絶縁体層としても既知である。）、ＯＳＣ層（４）およびソースおよびドレイン（Ｓ／Ｄ：ｓｏｕｒｃｅ  ａｎｄ  ｄｒａｉｎ）電極（５）、および、任意の構成要素としてのパッシベーションまたは保護層（６）を含む。）が例示的および概略的に図解されている。
【０１７２】
図１Ａの装置は、基板（１）上にゲート電極（２）を堆積する工程と、ゲート電極（２）および基板（１）の最表面上に誘電体層（３）を堆積する工程と、誘電体層（３）の最表面上にＯＳＣ層（４）を堆積する工程と、ＯＳＣ層（４）の最表面上にＳ／Ｄ電極（５）を堆積する工程と、任意工程として、Ｓ／Ｄ電極（５）およびＯＳＣ層（４）の最表面上にパッシベーションまたは保護層（６）を堆積する工程とを含む方法によって調製できる。
【０１７３】
図１Ｂには、本発明による典型的なボトムゲート（ＢＧ：ｂｏｔｔｏｍ  ｇａｔｅ）ボトムコンタクト（ＢＣ：ｂｏｔｔｏｍ  ｃｏｎｔａｃｔ）ＯＦＥＴ装置（基板（１）、ゲート電極（２）、誘電体材料層（３）、Ｓ／Ｄ電極（５）、ＯＳＣ層（４）、および、任意の構成要素としてのパッシベーションまたは保護層（６）を含む。）が例示的および概略的に図解されている。
【０１７４】
図１Ｂの装置は、基板（１）上にゲート電極（２）を堆積する工程と、ゲート電極（２）および基板（１）の最表面上に誘電体層（３）を堆積する工程と、誘電体層（３）の最表面上にＳ／Ｄ電極（５）を堆積する工程と、Ｓ／Ｄ電極（４）および誘電体層（３）の最表面上にＯＳＣ層（４）を堆積する工程と、任意工程として、ＯＳＣ層（４）の最表面上にパッシベーションまたは保護層（６）を堆積する工程とを含む方法によって調製できる。
【０１７５】
図２には、本発明によるトップゲート（ＴＧ：ｔｏｐ  ｇａｔｅ）ＯＦＥＴ装置（基板（１）、ソースおよびドレイン電極（５）、ＯＳＣ層（４）、誘電体層（３）およびゲート電極（２）、および、任意の構成要素としてのパッシベーションまたは保護層（６）を含む。）が例示的および概略的に図解されている。
【０１７６】
図２の装置は、基板（１）上にＳ／Ｄ電極（５）を堆積する工程と、Ｓ／Ｄ電極（４）および基板（１）の最表面上にＯＳＣ層（４）を堆積する工程と、ＯＳＣ層（４）の最表面上に誘電体層（３）を堆積する工程と、誘電体層（３）の最表面上にゲート電極（２）を堆積する工程と、任意工程として、ゲート電極（２）および誘電体層（３）の最表面上にパッシベーションまたは保護層（６）を堆積する工程とを含む方法によって調製できる。
【０１７７】
図１Ａ、１Ｂおよび２に記載される装置においてパッシベーションまたは保護層（６）は、それの上の後に提供され得る更なる層および装置より、および／または、環境的影響よりＯＳＣ層およびＳ／Ｄまたはゲート電極を保護する目的を有する。
【０１７８】
図１Ａ、１Ｂおよび２において両矢印で示される通りのソースおよびドレイン電極（５）の間の距離は、チャネル領域である。
【０１７９】
ＯＰＶセルにおいて使用するための配合物の場合、配合物は、好ましくは、ｐ型半導体およびｎ型半導体、または、アクセプターおよびドナー材料を含むか含有し、より好ましくはこれらから本質的に成り、非常に好ましくはこれらから排他的に成る。このタイプの好ましい材料は、例えば、国際公開第９４／０５０４５号パンフレットに開示される通りのポリ（３−置換チオフェン）またはＰ３ＡＴと、Ｃ６０またはＣ７０フラーレン、または、ＰＣＢＭ［（６，６）−フェニルＣ６１−酪酸メチルエステル］などの修飾Ｃ６０分子とのブレンドまたは混合物であり、ただし、好ましくは、フラーレンに対するＰ３ＡＴの比は、重量で２：１〜１：２、より好ましくは、重量で１．２：１〜１：１．２である。
【０１８０】
図３および図４には、本発明による典型的で好ましいＯＰＶデバイスを例示的および概略的に図解する［Ｗａｌｄａｕｆら、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．８９巻、２３３５１７頁（２００６年）も参照］。
【０１８１】
図３に示す通りのＯＰＶ装置は、好ましくは、
−低仕事関数電極（３１）（例えば、アルミニウムなどの金属）および高仕事関数電極（３２）（例えば、ＩＴＯ）（これらの一方は透明である。）と、
−好ましくはＯＳＣ材料より選択されるホール輸送材料および電子輸送材料を含み、電極（３１、３２）間に配置されている層（３３）（「活性層」とも呼ばれる。）と；活性層は、例えば、二重層または２つの別個の層またはｐ型およびｎ型半導体のブレンドまたは混合物として存在できる、
−ホールにオーム接触を提供するために高仕事関数電極の仕事関数を修正するために、例えば、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ（ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）：ポリ（スチレンスルホネート））のブレンドを含み、活性層（３３）および高仕事関数電極（３２）間に配置されている任意要素の導電性ポリマー層（３４）と、
−電子にオーム接触を提供するために、低仕事関数電極（３１）の活性層（３３）に面している面上の任意要素の（例えば、ＬｉＦの）コーティング（３５）と
を含む。
【０１８２】
図４に示す通りの反転ＯＰＶ装置は、好ましくは、
−低仕事関数電極（４１）（例えば、金などの金属）および高仕事関数電極（４２）（例えば、ＩＴＯ）（これらの一方は透明である。）と、
−好ましくはＯＳＣ材料より選択されるホール輸送材料および電子輸送材料を含み、電極（４１、４２）間に配置されている層（４３）（「活性層」とも呼ばれる）と；活性層は、例えば、二重層または２つの別個の層またはｐ型およびｎ型半導体のブレンドまたは混合物として存在できる、
−電子にオーム接触を提供するために、例えば、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳのブレンドを含み、活性層（４３）および低仕事関数電極（４１）間に配置されている任意要素の導電性ポリマー層（４４）と、
−ホールにオーム接触を提供するために、高仕事関数電極（４２）の活性層（４３）に面している面上の任意要素の（例えば、ＴｉＯｘの）コーティング（４５）と
を含む。
【０１８３】
本発明のＯＰＶ装置は、典型的には、ｐ型（電子ドナー）半導体およびｎ型（電子アクセプター）半導体を含む。ｐ型半導体は、例えば、ポリ（３−アルキル−チオフェン）（Ｐ３ＡＴ：ｐｏｌｙ（３−ａｌｋｙｌ−ｔｈｉｏｐｈｅｎｅ））、好ましくは、ポリ（３−ヘキシルチオフェン）（Ｐ３ＨＴ：ｐｏｌｙ（３−ｈｅｘｙｌｔｈｉｏｐｈｅｎｅ））などのポリマー、あるいは、上に列記した通りの好ましいポリマーおよびモノマーＯＳＣ材料から成る群より選択される他のものである。ｎ型半導体は、酸化亜鉛またはセレン化カドミウムなどの無機材料、または、フラーレン誘導体、例えば、Ｇ．Ｙｕ、Ｊ．Ｇａｏ、Ｊ．Ｃ．Ｈｕｍｍｅｌｅｎ、Ｆ．Ｗｕｄｌ、Ａ．Ｊ．Ｈｅｅｇｅｒ、Ｓｃｉｅｎｃｅ  １９９５年、２７０巻、１７８９ｆｆ頁において例えば開示される通りで、下に示す構造を有し、「ＰＣＢＭ」または「Ｃ６０ＰＣＢＭ」としても既知の（６，６）−フェニル−酪酸メチルエステル誘導メタノＣ６０フラーレン、または、例えば、Ｃ７０フラーレン基を有する構造類似化合物（Ｃ７０ＰＣＢＭ）またはポリマー（例えば、Ｃｏａｋｌｅｙ、Ｋ．Ｍ．およびＭｃＧｅｈｅｅ、Ｍ．Ｄ．Ｃｈｅｍ．Ｍａｔｅｒ．２００４年、１６巻、４５３３頁参照）などの有機材料でよい。
【０１８４】
【化１２】
2013533606.tif 000040
このタイプの好ましい材料は、Ｃ６０またはＣ７０フラーレンまたはＰＣＢＭなどの修飾フラーレンと、Ｐ３ＨＴなどのポリマーまたは上に列記される群より選択される他のポリマーのブレンドまたは混合物である。好ましくは、ポリマー：フラーレンの比は、重量で２：１〜１：２、より好ましくは、重量で１．２：１〜１：１．２、最も好ましくは、重量で１：１である。ブレンドされた混合物については、ブレンドのモルフォロジー、および結果として、ＯＰＶ装置の性能を最適化するために、任意のアニール工程が必要なこともある。
【０１８５】
ＯＥ装置を調製するプロセスの際には、基板上にＯＳＣ層を堆積し、追って、存在している任意の揮発性添加剤（１種類または多種類）と共に溶媒を除去し、フィルムまたは層を形成する。
【０１８６】
種々の基板、例えば、ガラス、ＩＴＯコートガラス、プレコート層を有するＩＴＯガラス（ＰＥＤＯＴ、ＰＡＮＩなどが挙げられる。）、または、プラスチック（プラスチック材料が好ましく、例としては、アルキド樹脂、アリルエステル、ベンゾシクロブテン、ブタジエン−スチレン、セルロース、セルロースアセテート、エポキシド、エポキシポリマー、エチレン−クロロトリフルオロエチレン、エチレン−テトラ−フルオロエチレン、ガラス繊維強化プラスチック、フルオロカーボンポリマー、ヘキサフルオロプロピレンビニリデンフルオリドコポリマー、高密度ポリエチレン、パリレン、ポリアミド、ポリイミド、ポリアラミド、ポリジメチルシロキサン、ポリエーテルスルホン、ポリエチレン、ポリエチレンナフタレート、ポリエチレンテレフタレート、ポリケトン、ポリメチルメタクリレート、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリスルホン、ポリテトラフルオロエチレン、ポリウレタン、ポリ塩化ビニル、シリコーンゴム、シリコーンが挙げられる。）、ＩＴＯまたは他の導電層およびバリア層を有する柔軟性フィルム、例えば、Ｖｉｔｅｘフィルムを、ＯＥ装置を製造するために使用できる。
【０１８７】
好ましい基板材料は、ポリエチレンテレフタレート、ポリイミドおよびポリエチレンナフタレートである。基板は、上の材料で被覆された任意のプラスチック材料、金属またはガラスでもよい。基板は、好ましくは、良好なパターン鮮明度を保証するために均質でなければならない。また、キャリアの移動度を高めるために、押出、延伸、ラビングまたは有機半導体の配向を誘発する光化学的技術によって基板を均一に事前に配向してもよい。
【０１８８】
電極は、スプレー、浸漬、ウェブまたはスピンコーティングなどの液体コーティング、または、真空蒸着または蒸着法によって堆積できる。適切な電極材料および堆積方法は当業者に既知である。適切な電極材料としては、限定することなく、無機または有機材料、またはその２種類の複合体が挙げられる。適切な電極材料の例としては、ポリアニリン、ポリピロール、ＰＥＤＯＴまたはドープされた共役ポリマー、更に、グラファイト、または、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｎｉまたはそれらの混合物などの金属ならびに、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｐｔ／Ｐｄなどのスパッタコートまたは蒸着金属、または、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ：ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ）などの金属酸化物の粒子の分散物またはペーストが挙げられる。また、有機金属前駆体も液相より沈積して使用できる。
【０１８９】
好ましくは、本発明による配合物が塗工される表面上の基板は、１３０〜２５ｍＮｍ−１の範囲内、より好ましくは１１５〜３０ｍＮｍ−１の範囲内の表面エネルギー（少なくとも２種類の溶媒、例えば、水およびヨウ化メチレン（しかしながら、他の溶媒も使用できる。）の接触角を測定して決定される。）を含む。これらは、典型的には、ＦＴＡ１０００などの接触角ゴニオメーターを使用し、２０〜２５℃の温度（室温）および常大気圧において測定される。次いで、多岐にわたる数学的モデル、典型的には、Ｏｗｅｎｓ−Ｗｅｎｄｔ幾何平均またはＷｕ調和平均を使用して、２種類の溶媒の接触角を組み合わせる。好ましくは、Ｏｗｅｎｓ−Ｗｅｎｄｔ法を使用する。
【０１９０】
【数４】
2013533606.tif 000041
【０１９１】
【数５】
2013533606.tif 000042
ＯＳＣ層の堆積は、当業者に既知で、文献に記載される標準的な方法で達成できる。適切で好ましい堆積方法としては、液体コーティングおよび印刷技術が挙げられる。非常に好ましい堆積方法としては、限定することなく、浸漬コーティング、スピンコーティング、スプレーコーティング、エアロゾルジェット、インクジェット印刷、ノズル印刷、グラビア印刷、ドクターブレードコーティング、ローラー印刷、リバースローラー印刷、フレキソ印刷、ウェブ印刷、スプレーコーティング、浸漬コーティング、カーテンコーティング、キスコーティング、メイヤーバーコーティング、２本ロールニップ供給コーティング、アニロックスコーティング装置、ナイフコーティングまたはスロットダイコーティングが挙げられる。好ましくは、ＯＳＣ層は、グラビア印刷、ドクターブレードコーティング、ローラー印刷、リバースローラー印刷、フレキソ印刷、ウェブ印刷、アニロックスコーティング装置で塗工される。グラビアおよびフレキソ印刷およびこれらの印刷法の変法が好ましい。これらとしては、制限することなく、マイクログラビア、リバースグラビア、オフセットグラビア、リバースロールなどが挙げられる。平台およびより従来の「ラウンド上」の配置のいずれにおいても、ウェブ供給（ロール・ツー・ロール）およびシート供給のいずれも使用できる。
【０１９２】
フレキソ印刷では、アニロックスはクロムめっき鋼またはセラミックのいずれでもよく、好ましくは、セラミックである。セルのエッチングは２ｃｍ３／ｍ２〜１２０ｃｍ３／ｍ２の間で変化できるが、最も好ましくは３ｃｍ３／ｍ２〜２０ｃｍ３／ｍ２の間、最も好ましくは４ｃｍ３／ｍ２〜１８ｃｍ３／ｍ２の間であり、しかしながら、乾燥フィルム厚は、活性材料の濃度および前記配合物の輸送特性に応じて変化させる。
【０１９３】
最適な印刷結果を達成するために、当業者は、セル配置、即ち、形状、深度、セル壁の連結を適応できる。
【０１９４】
グラビア印刷では、好ましくは、クロムめっき鋼が使用されるが、これは、他の材料を疎外するものではない。より少ない輸送プロセスの関与がないため、彫刻の要件は、フレキソ印刷に対する要件の、およそ５０％である。
【０１９５】
プレスの型および配置に著しく依存して速度を変化でき、平台印刷では、典型的には、印刷速度は非常に低く、典型的には１００ｍｍ／分以下である。ロール・ツー・ロールプロセスにおいては、速度は５００ｍ／分を超えてもよい。
【０１９６】
特別な態様によれば、本発明によるＯＥの特別なタイプを達成するために、基板上に絶縁体層を堆積できる。好ましくは、溶液プロセスによって、非常に好ましくは、１種類以上の有機溶媒中における誘電体材料（これは、架橋性でもよい。）の溶液を使用して、絶縁体層を堆積する。好ましくは、誘電体材料を堆積するために使用される溶媒は、ＯＳＣ材料を堆積するために使用される溶媒と直交し、逆も同様である。
【０１９７】
堆積方法としてスピンコーティングを使用する場合、ＯＳＣまたは誘電体材料を、例えば、１０００および２０００ｒｐｍの間で、例えば、３０秒の間スピンして、０．５および１．５μｍの間の典型的な層厚を有する層を与える。スピンコーティング後、昇温してフィルムを加熱でき、残留する揮発性溶媒を全て除去する。
【０１９８】
架橋性の誘電体を使用する場合、好ましくは、堆積後、例えば、Ｘ線、ＵＶまたは可視光の放射などの電子ビームまたは電磁気（化学線）放射に曝露して誘電体を架橋する。例えば、５０ｎｍ〜７００ｎｍ、好ましくは２００〜４５０ｎｍ、最も好ましくは３００〜４００ｎｍの波長を有する化学線放射を使用できる。適切な放射線量は、典型的には、２５〜３，０００ｍＪ／ｃｍ２の範囲内である。適切な放射線源としては、水銀、水銀／キセノン、水銀／ハロゲンおよびキセノンランプ、アルゴンまたはキセノンレーザー源、Ｘ線、または、電子ビームが挙げられる。化学線放射への曝露は、曝露された領域における誘電体材料の架橋性基に架橋反応を誘発する。また、例えば、架橋性基の吸収バンド外の波長を有する光源を使用し、架橋性材料に放射線感受性の光増感剤を加えることも可能である。
【０１９９】
任意工程として、放射線曝露後に、例えば、７０℃〜１３０℃の温度、例えば、１〜３０分、好ましくは１〜１０分の間、誘電体材料層をアニールする。誘電体材料の架橋性基を光放射に曝露することで誘発された架橋反応を完結するために、昇温におけるアニール工程を使用できる。
【０２００】
好ましくは、溶媒および任意の揮発性添剤（１種類または多種類）の除去は、例えば、堆積された層を、好ましくは−５０℃〜３００℃、より好ましくは２０℃〜２５０℃において、高温および／または減圧に曝露し、蒸発によって達成する。本発明の特別な態様によれば、溶媒（１種類または多種類）および任意の揮発性添剤を、減圧下で蒸発できる。好ましくは、大気圧または減圧のいずれかであり、溶媒を蒸発するための圧力は、１０−３ｍｂａｒ〜１ｂａｒ、特には１０−２ｍｂａｒ〜１００ｍｂａｒ、より好ましくは０．１ｍｂａｒ〜１０ｍｂａｒの範囲である。更に、溶媒の蒸発は、好ましくは、溶媒の沸点未満で達成できる。
【０２０１】
乾燥ＯＳＣ層の厚みは、好ましくは１ｎｍ〜５０μｍ、特には２〜１０００ｎｍ、より好ましくは３〜５００ｎｍである。有機発光材料および／または電荷輸送材料を含む好ましい層は、２〜１５０ｎｍの範囲内の厚みを有してよい。
【０２０２】
上および下で記載される通りの材料および方法に加えて、ＯＥ装置およびそれの構成要素は、当業者に既知で文献に記載される標準的な材料および標準的な方法より調製できる。
【０２０３】
本発明の前述の実施形態は、本発明の範囲内に依然として在りながら変更できると理解されるであろう。他に明言しない限り、本明細書において開示されるそれぞれの態様を、同一、同等または同様の目的に働く代替の態様で置き換えても構わない。よって、他に明言しない限り、開示されるそれぞれの態様は、包括的で一連の同等または同様な態様の一例に過ぎない。
【０２０４】
本明細書において開示される態様の全ては、その様な態様および／または工程の少なくとも幾つかが互いに排他的である組み合せを除いて、任意の組み合わせで組み合わせて構わない。特に、本発明の好ましい態様は本発明の全ての態様に適用可能であり、任意の組み合わせにおいて使用できる。同様に、本質的でない組み合わせで記載される態様は、個別に（組み合わせずに）使用できる。
【０２０５】
上記の態様、特に好ましい実施形態の多くは、それ自体で発明性があり、本発明の実施形態の単なる一部分ではないことが分かるであろう。本願において特許請求される任意の発明に追加するか代わりに、これらの態様に対して独立した特許保護を求める場合がある。
【０２０６】
文脈が明らかに他を示さない限り、本明細書で用いられる場合、本明細書における用語の複数形は単数形を含むものと解釈されることとし、逆もまた同様である。
【０２０７】
本明細書の記載および請求項を通して、「含む（ｃｏｍｐｒｉｓｅ）」および「含有する（ｃｏｎｔａｉｎ）」という言葉および該言葉の活用形、例えば、「含む（ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ）」および「含む（ｃｏｍｐｒｉｓｅｓ）」は、「限定せず挙げられる」を意味し、他の成分を排除することを意図としない（排除しない）。
【０２０８】
用語「ポリマー」は、ホモポリマーおよびコポリマー、例えば、統計的、交互またはブロックコポリマーを含む。加えて、また、以下本明細書で用いる用語「ポリマー」はオリゴマーおよびデンドリマーも含む。デンドリマーは、例えば、Ｍ．ＦｉｓｃｈｅｒおよびＦ．Ｖｏｇｔｌｅ、Ａｎｇｅｗ．Ｃｈｅｍ．、Ｉｎｔ．Ｅｄ．１９９９年、３８巻、８８５頁に記載される通り、典型的には、多官能性のコア基（このコア基に更に分岐状のモノマーが規則的な方式で付加され、樹状構造が与えられている。）から成る分岐状の高分子化合物である。用語「共役ポリマー」は、その骨格（または主鎖）中に主としてｓｐ２−混成、または、ｓｐ−混成でもよいＣ原子を含有するポリマーを意味し、また、該Ｃ原子はヘテロ原子で置き換えられていてもよく、介在するσ−結合を挟んで一つのπ−軌道がもう一つと相互作用するのが可能となっている。最も単純な場合、これは、例えば、交互する炭素−炭素（または、炭素−へテロ原子）一重または多重（二重または三重）結合を有する骨格であるが、また、１，３−フェニレンなどの単位を有するポリマーも含まれる。これに関連して、「主として」は、共役の遮断に至ることのある自然発生的な（自発的な）欠陥を有するポリマーであっても、共役ポリマーと見なすことを意味する。また、この意味には、骨格が、例えば、アリールアミン、アリールホスフィン、および／または、ある種のヘテロ環（即ち、Ｎ−、Ｏ−、Ｐ−またはＳ−原子を介した共役）、および／または、金属有機複合体（即ち、金属原子を介した共役）などの単位を含むポリマーも含まれる。用語「共役連結基」は、２個の環（通常は、芳香族環）（ｓｐ２−混成またはｓｐ−混成を有し、Ｃ原子およびヘテロ原子から成る。）を接続する基を意味する。また、「ＩＵＰＡＣ  Ｃｏｍｐｅｎｄｉｕｍ  ｏｆ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｔｅｒｍｉｎｏｌｏｇｙ、電子版」も参照。
【０２０９】
他に明言しない限り、分子量は数平均分子量Ｍｎまたは重量平均分子量Ｍｗとして与えられ、これらは、他に明言しない限り、ポリスチレン標準に対し、ゲル透過クロマトグラフィー（ＧＰＣ：ｇｅｌ  ｐｅｒｍｅａｔｉｏｎ  ｃｈｒｏｍａｔｏｇｒａｐｈｙ）によって決定されるる。
【０２１０】
重合度（ｎ）は、他に明言しない限り、ｎ＝Ｍｎ／Ｍｕとして与えられる数平均重合度を意味し、式中、Ｍｕは単一の繰返単位の分子量である。
【０２１１】
用語「小型分子」は、モノマー、即ち、非重合化合物を意味する。
【０２１２】
他に明言しない限り、固体のパーセンテージは重量パーセント（「ｗｔ％」）であり、液体のパーセンテージまたは比（例えば、溶媒混合物中など）は体積パーセント（「ｖｏｌ％」）であり、全ての温度は摂氏度（℃）で与えられる。
【０２１３】
他に明言しない限り、混合物成分の濃度または割合はパーセンテージまたはｐｐｍで与えられ、溶媒を含む配合物全体に関する。
【０２１４】
ここで、以下の例を参照して、本発明を更に詳細に記載するが、それは単なる例示であって、本発明の範囲を限定するものではない。
【０２１５】
上および下に記載される全てのプロセス工程は、先行技術において記載され当業者によく知られている既知の技術および標準的な機器を使用して行うことができる。
【実施例】
【０２１６】
＜例１（小型分子、フレキソ印刷、トップゲート）＞
化合物Ａは、以下の異性体の混合物である。
【０２１７】
【化１３】
2013533606.tif 000043
化合物Ａおよびそれの調製は、Ｓ．Ｓｕｂｒａｍａｎｉａｎ、Ｊ．Ａｎｔｈｏｎｙら、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．２００８年、１３０巻、２７０６か〜２７０７頁に開示されている（補足情報を含む）。
【０２１８】
ＯＦＥＴ装置を以下の通り調製した。
【０２１９】
テオネックスＱ６５ＦＡフィルム（帝人デュポンフィルム社より入手可能）を超音波メタノール浴中で２分間洗浄し、次いで、メタノールでリンスした。２０ミクロン幅および１０００ミクロン長の並行平板配置で、およそ６０ｎｍ厚の金ソースドレイン電極を蒸着した。プラズマオゾンで、基板を１分間浄化した。Ｌｉｓｉｃｏｎ（商標）Ｍ００１（メルク化学社より入手可能）ＳＡＭ処理により、イソプロピルアルコールからのスピンコーティングおよび１００℃で１分間ホットプレート上において過剰分を蒸発させて、電極を処理した。
【０２２０】
７８．４部のシクロヘキシルベンゼンおよび１９．６部のメシチレン中に、１．６の化合物Ａおよび０．４部の３５００００Ｍｗポリスチレンを溶解し、０．２μｍＰＴＦＥカートリッジフィルターに溶液を通して濾過し、ＯＳＣ配合物を調製した。
【０２２１】
ＴＡ  Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ社製ＡＲ  Ｇ−２レオメータを使用して、２．２ｃＰの粘度が測定された。１０秒−１〜１０００秒−１の範囲の剪断速度にわたって粘度を測定し、ニュートン適合方程式を使用して粘度を外挿し、全ての測定は２５℃で行った。
【０２２２】
次いで、８ｃｍ３／ｍ２載荷アニロックスを有するＲＫ  Ｆｌｅｘｉｐｒｏｏｆ  １００  フレキソ印刷と、８０ｍ／分の速度で走行するＣｙｒｅｌ  ＨｉＱＳフレキソマットとを使用し、上記の通りのＰＥＮフィルム上のソースドレイン電極のアレイ上に、５×５ｃｍ幅の領域ブロックとして、ＯＳＣ配合物を印刷した。次いで、印刷されたＯＳＣ層を７０℃で３分間アニールした。
【０２２３】
フルオロポリマーＬｉｓｉｃｏｎ（商標）Ｄ１３９（９％固体、メルク化学社より入手可能）の誘電体層を装置上のＯＳＣ層の最表面上にスピンし、１００℃において２分間アニールし、およそ１ミクロン厚の乾燥誘電体フィルムを与えた。
【０２２４】
最後に、４０ｎｍ厚の金ゲート電極アレイを、それが存在するソースドレイン電極構造を覆うように、誘電体層の最表面上に蒸着した。
【０２２５】
Ｋｅｉｔｈｌｅｙ４２００を使用して、ＯＦＥＴ装置の伝達応力測定を行った。トランジスタの変換特性と、線形および飽和移動度を図５に図示する。
【０２２６】
＜例２（小型分子、フレキソ印刷、トップゲート）＞
ＯＦＥＴ装置を以下の通り調製した。
【０２２７】
テオネックスＱ６５ＦＡフィルム（帝人デュポンフィルム社より入手可能）を超音波メタノール浴中で２分間洗浄し、次いで、メタノールでリンスした。２０ミクロン幅および１０００ミクロン長の並行平板配置で、およそ６０ｎｍ厚の金ソースドレイン電極を蒸着した。プラズマオゾンで、基板を１分間浄化した。Ｌｉｓｉｃｏｎ（商標）Ｍ００１（メルク化学社より入手可能）ＳＡＭ処理により、イソプロピルアルコールからのスピンコーティングおよび１００℃で１分間ホットプレート上において過剰分を蒸発させて、電極を処理した。
【０２２８】
７８．４部のシクロヘキシルベンゼンおよび１９．６部のメシチレン中に、１．３部の化合物Ａ（例１において述べた通り）および０．７部の３５００００Ｍｗポリスチレンを溶解し、０．２μｍＰＴＦＥカートリッジフィルターに溶液を通して濾過し、ＯＳＣ配合物を調製した。
【０２２９】
ＴＡ  Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ社製ＡＲ  Ｇ−２レオメータを使用して、２．３ｃＰの粘度が測定された。１０秒−１〜１０００秒−１の範囲の剪断速度にわたって粘度を測定し、ニュートン適合方程式を使用して粘度を外挿し、全ての測定は２５℃で行った。
【０２３０】
次いで、８ｃｍ３／ｍ２載荷アニロックスを有するＲＫ  Ｆｌｅｘｉｐｒｏｏｆ  １００  フレキソ印刷と、８０ｍ／分の速度で走行するＣｙｒｅｌ  ＨｉＱＳフレキソマットとを使用し、上記の通りのＰＥＮフィルム上のソースドレイン電極のアレイ上に、５×５ｃｍ幅の領域ブロックとして、ＯＳＣ配合物を印刷した。次いで、印刷されたＯＳＣ層を７０℃で３分間アニールした。
【０２３１】
フルオロポリマーＬｉｓｉｃｏｎ（商標）Ｄ１３９（９％固体、メルク化学社より入手可能）の誘電体層を装置上のＯＳＣ層の最表面上にスピンし、１００℃において２分間アニールし、およそ１ミクロン厚の乾燥誘電体フィルムを与えた。
【０２３２】
最後に、４０ｎｍ厚の金ゲート電極アレイを、それが存在するソースドレイン電極構造を覆うように、誘電体層の最表面上に蒸着した。
【０２３３】
Ｋｅｉｔｈｌｅｙ４２００を使用して、ＯＦＥＴ装置の伝達応力測定を行った。トランジスタの変換特性と、線形および飽和移動度を図６に図示する。
【０２３４】
＜例３（小型分子、フレキソ印刷、トップゲート）＞
ＯＦＥＴ装置を以下の通り調製した。
【０２３５】
テオネックスＱ６５ＦＡフィルム（帝人デュポンフィルム社より入手可能）を超音波メタノール浴中で２分間洗浄し、次いで、メタノールでリンスした。２０ミクロン幅および１０００ミクロン長の並行平板配置で、およそ６０ｎｍ厚の金ソースドレイン電極を蒸着した。プラズマオゾンで、基板を１分間浄化した。Ｌｉｓｉｃｏｎ（商標）Ｍ００１（メルク化学社より入手可能）ＳＡＭ処理により、イソプロピルアルコールからのスピンコーティングおよび１００℃で１分間ホットプレート上において過剰分を蒸発させて、電極を処理した。
【０２３６】
５８．８部のシクロヘキシルベンゼンおよび３９．２部のメシチレン中に、１．３部の化合物Ａ（例１において述べた通り）および０．７部の３５００００Ｍｗポリスチレンを溶解し、０．２μｍＰＴＦＥカートリッジフィルターに溶液を通して濾過し、ＯＳＣ配合物を調製した。
【０２３７】
ＴＡ  Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ社製ＡＲ  Ｇ−２レオメータを使用して、１．６ｃＰの粘度が測定された。１０秒−１〜１０００秒−１の範囲の剪断速度にわたって粘度を測定し、ニュートン適合方程式を使用して粘度を外挿し、全ての測定は２５℃で行った。
【０２３８】
次いで、８ｃｍ３／ｍ２載荷アニロックスを有するＲＫ  Ｆｌｅｘｉｐｒｏｏｆ  １００  フレキソ印刷と、８０ｍ／分の速度で走行するＣｙｒｅｌ  ＨｉＱＳフレキソマットとを使用し、上記の通りのＰＥＮフィルム上のソースドレイン電極のアレイ上に、５×５ｃｍ幅の領域ブロックとして、ＯＳＣ配合物を印刷した。次いで、印刷されたＯＳＣ層を７０℃で３分間アニールした。
【０２３９】
フルオロポリマーＬｉｓｉｃｏｎ（商標）Ｄ１３９（９％固体、メルク化学社より入手可能）の誘電体層を装置上のＯＳＣ層の最表面上にスピンし、１００℃において２分間アニールし、およそ１ミクロン厚の乾燥誘電体フィルムを与えた。
【０２４０】
最後に、４０ｎｍ厚の金ゲート電極アレイを、それが存在するソースドレイン電極構造を覆うように、誘電体層の最表面上に蒸着した。
【０２４１】
Ｋｅｉｔｈｌｅｙ４２００を使用して、ＯＦＥＴ装置の伝達応力測定を行った。トランジスタの変換特性と、線形および飽和移動度を図７に図示する。
【０２４２】
＜例４（小型分子、グラビア印刷、トップゲート）＞
ＯＦＥＴ装置を以下の通り調製した。
【０２４３】
テオネックスＱ６５ＦＡフィルム（帝人デュポンフィルム社より入手可能）を超音波メタノール浴中で２分間洗浄し、次いで、メタノールでリンスした。２０ミクロン幅および１０００ミクロン長の並行平板配置で、およそ６０ｎｍ厚の金ソースドレイン電極を蒸着した。５００Ｗアルゴンプラズマで、基板を１分間浄化した。Ｌｉｓｉｃｏｎ（商標）Ｍ００１（メルク化学社より入手可能）ＳＡＭ処理により、イソプロピルアルコールからのスピンコーティングおよび１００℃で１分間ホットプレート上において過剰分を蒸発させて、電極を処理した。
【０２４４】
７８．４部のシクロヘキシルベンゼンおよび１９．６部のｏ−キシレン中に、１．６部の化合物Ａ（例１において述べた通り）および０．４部の３５００００Ｍｗポリスチレンを溶解し、０．２μｍＰＴＦＥカートリッジフィルターに溶液を通して濾過し、ＯＳＣ配合物を調製した。
【０２４５】
ＴＡ  Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ社製ＡＲ  Ｇ−２レオメータを使用して、２．２３ｃＰの粘度が測定された。１０秒−１〜１０００秒−１の範囲の剪断速度にわたって粘度を測定し、ニュートン適合方程式を使用して粘度を外挿し、全ての測定は２５℃で行った。
【０２４６】
次いで、ＲＫ  Ｆｌｅｘｉｐｒｏｏｆ  １００印刷機を使用し、９０ｍ／分の速度で走行する８ｃｍ３／ｍ２載荷アニロックスをＰＥＮ基板に直接接触させて、上記の通りのＰＥＮフィルム上のソースドレイン電極のアレイ上に、広領域ブロックとして、ＯＳＣ配合物をグラビア印刷した。次いで、印刷されたＯＳＣ層を７０℃で３分間アニールした。
【０２４７】
フルオロポリマーＬｉｓｉｃｏｎ（商標）Ｄ１３９（９％固体、メルク化学社より入手可能）の誘電体層を装置上のＯＳＣ層の最表面上にスピンし、１００℃において２分間アニールし、およそ１ミクロン厚の乾燥誘電体フィルムを与えた。
【０２４８】
最後に、４０ｎｍ厚の金ゲート電極アレイを、それが存在するソースドレイン電極構造を覆うように、誘電体層の最表面上に蒸着した。
【０２４９】
Ｋｅｉｔｈｌｅｙ４２００を使用して、ＯＦＥＴ装置の伝達応力測定を行った。トランジスタの変換特性と、線形および飽和移動度を図８に図示する。
【０２５０】
＜例５（小型分子、フレキソ印刷、ボトムゲート）＞
ＯＦＥＴ装置を以下の通り調製した。
【０２５１】
テオネックスＱ６５ＦＡ（ＰＥＮ）フィルム（帝人デュポンフィルム社より入手可能）を超音波メタノール浴中で３分間洗浄し、次いで、メタノールでリンスした。ＰＥＮ基板の最表面上に、およそ４０ｎｍ厚の金ゲート電極を蒸着した。金ゲート電極の最表面上に、１５００ｒｐｍのスピン速度において３０秒間、入手可能なＤ２０６（メルク化学社製）の誘電体層をスピンし、１２０℃において１分間アニールし、次いで、ＵＶ光（３０２ｎｍ）下において５分間、ＵＶ硬化した。およそ４０ｎｍ厚の金ソースドレイン電極を蒸着した。Ｌｉｓｉｃｏｎ（商標）Ｍ００１（メルク化学社より入手可能）ＳＡＭ処理でイソプロピルアルコールからのスピンコーティングによって電極を処理し、次いで、ＩＰＡでリンスして、１００℃で１分間ホットプレート上において過剰分を蒸発させ、スピン乾燥した。
【０２５２】
メシチレン中に、１．６部の化合物Ａ（例１において述べた通り）および０．４部の６００００００Ｍｗポリスチレンを溶解し、０．２μｍＰＴＦＥカートリッジフィルターに溶液を通して濾過し、ＯＳＣ配合物を調製した。
【０２５３】
ＴＡ  Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ社製ＡＲ  Ｇ−２レオメータを使用して、３．６ｃＰの粘度が測定された。１０秒−１〜１０００秒−１の範囲の剪断速度にわたって粘度を測定し、ニュートン適合方程式を使用して粘度を外挿し、全ての測定は２５℃で行った。
【０２５４】
次いで、８ｃｍ３／ｍ２載荷アニロックスを有するＲＫ  Ｆｌｅｘｉｐｒｏｏｆ  １００  フレキソ印刷と、８０ｍ／分の速度で走行するＣｙｒｅｌ  ＨｉＱＳフレキソマットとを使用し、上記の通りのＰＥＮフィルム上のソースドレイン電極のアレイ上に、５×５ｃｍ幅の領域ブロックとして、ＯＳＣ配合物を印刷した。次いで、印刷されたＯＳＣ層を７０℃で３分間アニールした。
【０２５５】
Ｋｅｉｔｈｌｅｙ４２００を使用して、ＯＦＥＴ装置の伝達応力測定を行った。トランジスタの変換特性と、線形および飽和移動度を図９に図示する。
【０２５６】
＜例６（小型分子、フレキソ印刷、ボトムゲート）＞
ＯＦＥＴ装置を以下の通り調製した。
【０２５７】
テオネックスＱ６５ＦＡ（ＰＥＮ）フィルム（帝人デュポンフィルム社より入手可能）を超音波メタノール浴中で３分間洗浄し、次いで、メタノールでリンスした。ＰＥＮ基板の最表面上に、およそ４０ｎｍ厚の金ゲート電極を蒸着した。金ゲート電極の最表面上に、１５００ｒｐｍのスピン速度において３０秒間、入手可能なＤ２０６（メルク化学社製）の誘電体層をスピンし、１２０℃において１分間アニールし、次いで、ＵＶ光（３０２ｎｍ）下において５分間、ＵＶ硬化した。およそ４０ｎｍ厚の金ソースドレイン電極を蒸着した。Ｌｉｓｉｃｏｎ（商標）Ｍ００１（メルク化学社より入手可能）ＳＡＭ処理でイソプロピルアルコールからのスピンコーティングによって電極を処理し、次いで、ＩＰＡでリンスして、１００℃で１分間ホットプレート上において過剰分を蒸発させ、スピン乾燥した。
【０２５８】
シクロヘキシルベンゼン／メシチレンの１：１ブレンド中に、１．６部の化合物Ａ（例１において述べた通り）および０．４部の６００００００Ｍｗポリスチレンを溶解し、０．２μｍＰＴＦＥカートリッジフィルターに溶液を通して濾過し、ＯＳＣ配合物を調製した。
【０２５９】
ＴＡ  Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ社製ＡＲ  Ｇ−２レオメータを使用して、５．６ｃＰの粘度が測定された。１０秒−１〜１０００秒−１の範囲の剪断速度にわたって粘度を測定し、ニュートン適合方程式を使用して粘度を外挿し、全ての測定は２５℃で行った。
【０２６０】
次いで、８ｃｍ３／ｍ２載荷アニロックスを有するＲＫ  Ｆｌｅｘｉｐｒｏｏｆ  １００  フレキソ印刷と、８０ｍ／分の速度で走行するＣｙｒｅｌ  ＨｉＱＳフレキソマットとを使用し、上記の通りのＰＥＮフィルム上のソースドレイン電極のアレイ上に、５×５ｃｍ幅の領域ブロックとして、ＯＳＣ配合物を印刷した。次いで、印刷されたＯＳＣ層を７０℃で３分間アニールした。
【０２６１】
Ｋｅｉｔｈｌｅｙ４２００を使用して、ＯＦＥＴ装置の伝達応力測定を行った。トランジスタの変換特性と、線形および飽和移動度を図１０に図示する。
【０２６２】
＜例７（ポリマー、フレキソ印刷、トップゲート）＞
ＯＦＥＴ装置を以下の通り調製した。
【０２６３】
テオネックスＱ６５ＦＡフィルム（帝人デュポンフィルム社より入手可能）を超音波メタノール浴中で２分間洗浄し、次いで、メタノールでリンスした。２０ミクロン幅および１０００ミクロン長の並行平板配置で、およそ６０ｎｍ厚の金ソースドレイン電極を蒸着した。プラズマオゾンで、基板を１分間浄化した。Ｌｉｓｉｃｏｎ（商標）Ｍ００１（メルク化学社より入手可能）ＳＡＭ処理により、イソプロピルアルコールからのスピンコーティングおよび１００℃で１分間ホットプレート上において過剰分を蒸発させて、電極を処理した。
【０２６４】
以下の構造および７８，０００の重量平均分子量を有するフェナントレン単位を含む１％ポリマーを、メシチレン中に溶解し、０．２μｍＰＴＦＥカートリッジフィルターに溶液を通して濾過し、ＯＳＣ配合物を調製した。
【０２６５】
【化１４】
2013533606.tif 000044
ＴＡ  Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ社製ＡＲ  Ｇ−２レオメータを使用して、６．１ｃＰの粘度が測定された。１０秒−１〜１０００秒−１の範囲の剪断速度にわたって粘度を測定し、ニュートン適合方程式を使用して粘度を外挿し、全ての測定は２５℃で行った。
【０２６６】
次いで、８ｃｍ３／ｍ２載荷アニロックスを有するＲＫ  Ｆｌｅｘｉｐｒｏｏｆ  １００  フレキソ印刷と、８０ｍ／分の速度で走行するＣｙｒｅｌ  ＨｉＱＳフレキソマットとを使用し、上記の通りのＰＥＮフィルム上のソースドレイン電極のアレイ上に、５×５ｃｍ幅の領域ブロックとして、ＯＳＣ配合物を印刷した。次いで、印刷されたＯＳＣ層を７０℃で３分間アニールした。
【０２６７】
フルオロポリマーＬｉｓｉｃｏｎ（商標）Ｄ１３９（９％固体、メルク化学社より入手可能）の誘電体層を装置上のＯＳＣ層の最表面上にスピンし、１００℃において２分間アニールし、およそ１ミクロン厚の乾燥誘電体フィルムを与えた。
【０２６８】
最後に、４０ｎｍ厚の金ゲート電極アレイを、それが存在するソースドレイン電極構造を覆うように、誘電体層の最表面上に蒸着した。
【０２６９】
Ｋｅｉｔｈｌｅｙ４２００を使用して、ＯＦＥＴ装置の伝達応力測定を行った。トランジスタの変換特性と、線形および飽和移動度を図１１に図示する。
【０２７０】
＜例８（小型分子、フレキソ印刷、ボトムゲート）＞
ＯＦＥＴ装置を以下の通り調製した。
【０２７１】
テオネックスＱ６５ＦＡ（ＰＥＮ）フィルム（帝人デュポンフィルム社より入手可能）を超音波メタノール浴中で３分間洗浄し、次いで、メタノールでリンスした。ＰＥＮ基板の最表面上に、およそ４０ｎｍ厚の金ゲート電極を蒸着した。金ゲート電極の最表面上に、１５００ｒｐｍのスピン速度において３０秒間、入手可能なＤ２０６（メルク化学社製）の誘電体層をスピンし、１２０℃において１分間アニールし、次いで、ＵＶ光（３０２ｎｍ）下において５分間、ＵＶ硬化した。およそ４０ｎｍ厚の金ソースドレイン電極を蒸着した。Ｌｉｓｉｃｏｎ（商標）Ｍ００１（メルク化学社より入手可能）ＳＡＭ処理でイソプロピルアルコールからのスピンコーティングによって電極を処理し、次いで、ＩＰＡでリンスして、１００℃で１分間ホットプレート上において過剰分を蒸発させ、スピン乾燥した。
【０２７２】
シクロヘキシルベンゼン中に、１．６部の化合物Ａ（例１において述べた通り）および０．４部の６００００００Ｍｗポリスチレンを溶解し、０．２μｍＰＴＦＥカートリッジフィルターに溶液を通して濾過し、ＯＳＣ配合物を調製した。
【０２７３】
ＴＡ  Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ社製ＡＲ  Ｇ−２レオメータを使用して、６．５ｃＰの粘度が測定された。１０秒−１〜１０００秒−１の範囲の剪断速度にわたって粘度を測定し、ニュートン適合方程式を使用して粘度を外挿し、全ての測定は２５℃で行った。
【０２７４】
次いで、８ｃｍ３／ｍ２載荷アニロックスを有するＲＫ  Ｆｌｅｘｉｐｒｏｏｆ  １００  フレキソ印刷と、８０ｍ／分の速度で走行するＣｙｒｅｌ  ＨｉＱＳフレキソマットとを使用し、上記の通りのＰＥＮフィルム上のソースドレイン電極のアレイ上に、５×５ｃｍ幅の領域ブロックとして、ＯＳＣ配合物を印刷した。次いで、印刷されたＯＳＣ層を７０℃で３分間アニールした。
【０２７５】
Ｋｅｉｔｈｌｅｙ４２００を使用して、ＯＦＥＴ装置の伝達応力測定を行った。トランジスタの変換特性と、線形および飽和移動度を図１２に図示する。
【０２７６】
＜例９（小型分子、グラビア印刷、ボトムゲート、メシチレン／ＣＨＢ）＞
テオネックスＱ６５ＦＡ（ＰＥＮ）フィルム（帝人デュポンフィルム社より入手可能）を超音波メタノール浴中で２分間洗浄し、次いで、メタノールでリンスした。ＰＥＮ基板の最表面上に、およそ５０ｎｍ厚の金ゲート電極を蒸着した。金ゲート電極の最表面上に、１５００ｒｐｍのスピン速度において３０秒間、入手可能なＤ２０６（メルク化学社製）の誘電体層をスピンし、１００℃において１０分間アニールし、次いで、ＵＶ光（３０６ｎｍ）下において５分間、ＵＶ硬化した。およそ６０ｎｍ厚の金ソースドレイン電極を蒸着した。Ｍ００１（メルク化学社より入手可能）ＳＡＭ処理で、１分間被覆し、次いで、過剰のＭ００１を除去するためにスピンコーティングによって電極を処理し、次いで、ＩＰＡでリンスして、１００℃で１分間ホットプレート上において過剰分を蒸発させ、スピン乾燥した。
【０２７７】
シクロヘキシルベンゼン／メシチレン（１：１）中に、１．６部の化合物Ａおよび０．４部の６００００００Ｍｗポリスチレンを溶解し、０．２μｍＰＴＦＥカートリッジフィルターに溶液を通して濾過し、ＯＳＣ配合物を調製した。ＴＡ  Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ社製ＡＲ  Ｇ−２レオメータを使用して、５．６ｃＰの粘度が測定された。１０秒−１〜１０００秒−１の範囲の剪断速度にわたって粘度を測定し、ニュートン適合方程式を使用して粘度を外挿し、全ての測定は２５℃で行った。
【０２７８】
次いで、ＣＰ  ９０−１００−１３  Ｓａｕｅｒｅｓｓｉｇ社実験室校正印刷機を使用して、ＯＳＣ配合物を印刷した。異なる体積を達成するために、グラビアシリンダーは多くのセル深度を有していた。アニロックスは、６．８ｍｌ／ｍ２であった。ドクターブレードをグラビアシリンダーに接触させ、ドクターブレードとグラビアシリンダーとの間のニップ内に配合物を配置し、次いで、手動で回転した。次いで、基板上に印刷ヘッドを、ゆっくりと引き出した。次いで、印刷されたＯＳＣ層を７０℃で４分間アニール（強制気流）した。
【０２７９】
Ｋｅｉｔｈｌｅｙ４２００を使用して、ＯＦＥＴ装置の伝達応力測定を行った。トランジスタの変換特性と、線形および飽和移動度を図１３に図示する。
【０２８０】
＜例１０（小型分子、グラビア印刷、トップゲート）＞
テオネックスＱ６５ＦＡフィルム（帝人デュポンフィルム社より入手可能）を超音波メタノール浴中で２分間洗浄し、次いで、メタノールでリンスした。２０ミクロン幅および１０００ミクロン長の並行平板配置で、およそ６０ｎｍ厚の金ソースドレイン電極を蒸着した。１０００Ｗ酸素プラズマで、１分間、基板を浄化した。Ｍ００１（メルク化学社より入手可能）ＳＡＭ処理で、フィルムを堆積し、１分間放置し、次いで、過剰分をスピンで取り除き、１００℃で１分間ホットプレート上において過剰分を蒸発させて、電極を処理した。
【０２８１】
シクロヘキシルベンゼン／メシチレン（１：１）中に、１．６部の化合物Ａおよび０．４部の６００００００Ｍｗポリスチレンを溶解し、０．２μｍＰＴＦＥカートリッジフィルターに溶液を通して濾過し、ＯＳＣ配合物を調製した。ＴＡ  Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ社製ＡＲ  Ｇ−２レオメータを使用して、５．６ｃＰの粘度が測定された。１０秒−１〜１０００秒−１の範囲の剪断速度にわたって粘度を測定し、ニュートン適合方程式を使用して粘度を外挿し、全ての測定は２５℃で行った。
【０２８２】
次いで、ＣＰ  ９０−１００−１３  Ｓａｕｅｒｅｓｓｉｇ社実験室校正印刷機を使用して、ＯＳＣ配合物を印刷した。異なる体積を達成するために、グラビアシリンダーは多くのセル深度を有していた。ドクターブレードをグラビアシリンダーに接触させ、ドクターブレードとグラビアシリンダーとの間のニップ内に配合物を配置し、次いで、手動で回転した。次いで、基板上に印刷ヘッドを、ゆっくりと引き出した。次いで、印刷されたＯＳＣ層を７０℃で４分間アニールした。
【０２８３】
フルオロポリマーＤ１３９（９％固体、メルク化学社より入手可能）の誘電体層を装置上のＯＳＣ層の最表面上にスピンし、７０℃において３分間、次いで、１００℃において１分間アニールし、およそ１ミクロン厚の乾燥誘電体フィルムを与えた。
【０２８４】
最後に、５０ｎｍ厚の金ゲート電極アレイを、それが存在するソースドレイン電極構造を覆うように、誘電体層の最表面上に蒸着した。
【０２８５】
Ｋｅｉｔｈｌｅｙ４２００を使用して、ＯＦＥＴ装置の伝達応力測定を行った。トランジスタの変換特性と、線形および飽和移動度を図１４に図示する。
【０２８６】
＜例１１（小型分子、フレキソ印刷、トップゲート、ジメトキシトルエン中）＞
ＯＦＥＴ装置を以下の通り調製した。
【０２８７】
テオネックスＱ６５ＦＡフィルム（帝人デュポンフィルム社より入手可能）を超音波メタノール浴中で２分間洗浄し、次いで、メタノールでリンスした。２０ミクロン幅および１０００ミクロン長の並行平板配置で、およそ６０ｎｍ厚の金ソースドレイン電極を蒸着した。プラズマオゾンで、基板を１分間浄化した。Ｌｉｓｉｃｏｎ（商標）Ｍ００１（メルク化学社より入手可能）ＳＡＭ処理により、イソプロピルアルコールからのスピンコーティングおよび１００℃で１分間ホットプレート上において過剰分を蒸発させて、電極を処理した。
【０２８８】
ジメトキシトルエン中に、１．０部の化合物Ａ（例１において述べた通り）および１．０部のＰＴＡＡを溶解し、０．２μｍＰＴＦＥカートリッジフィルターに溶液を通して濾過し、ＯＳＣ配合物を調製した。
【０２８９】
ＴＡ  Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ社製ＡＲ  Ｇ−２レオメータを使用して、５．０ｃＰの粘度が測定された。１０秒−１〜１０００秒−１の範囲の剪断速度にわたって粘度を測定し、ニュートン適合方程式を使用して粘度を外挿し、全ての測定は２５℃で行った。
【０２９０】
次いで、８ｃｍ３／ｍ２載荷アニロックスを有するＲＫ  Ｆｌｅｘｉｐｒｏｏｆ  １００  フレキソ印刷と、８０ｍ／分の速度で走行するＣｙｒｅｌ  ＨｉＱＳフレキソマットとを使用し、上記の通りのＰＥＮフィルム上のソースドレイン電極のアレイ上に、５×５ｃｍ幅の領域ブロックとして、ＯＳＣ配合物を印刷した。次いで、印刷されたＯＳＣ層を７０℃で３分間アニールした。
【０２９１】
フルオロポリマーＬｉｓｉｃｏｎ（商標）Ｄ１３９（９％固体、メルク化学社より入手可能）の誘電体層を装置上のＯＳＣ層の最表面上にスピンし、１００℃において２分間アニールし、およそ１ミクロン厚の乾燥誘電体フィルムを与えた。
【０２９２】
最後に、４０ｎｍ厚の金ゲート電極アレイを、それが存在するソースドレイン電極構造を覆うように、誘電体層の最表面上に蒸着した。
【０２９３】
Ｋｅｉｔｈｌｅｙ４２００を使用して、ＯＦＥＴ装置の伝達応力測定を行った。トランジスタの変換特性を図１５ａに図示し、線形および飽和移動度を図１５ｂに図示する。
【０２９４】
＜例１２（小型分子、フレキソ印刷、トップゲート、イソクロマン中）＞
ＯＦＥＴ装置を以下の通り調製した。
【０２９５】
テオネックスＱ６５ＦＡフィルム（帝人デュポンフィルム社より入手可能）を超音波メタノール浴中で２分間洗浄し、次いで、メタノールでリンスした。２０ミクロン幅および１０００ミクロン長の並行平板配置で、およそ６０ｎｍ厚の金ソースドレイン電極を蒸着した。プラズマオゾンで、基板を１分間浄化した。Ｌｉｓｉｃｏｎ（商標）Ｍ００１（メルク化学社より入手可能）ＳＡＭ処理により、イソプロピルアルコールからのスピンコーティングおよび１００℃で１分間ホットプレート上において過剰分を蒸発させて、電極を処理した。
【０２９６】
イソクロマン９５部および１−メチルナフタレン３部中に、１．０部の化合物Ａ（例１において述べた通り）および１．０部のポリトリアリールアミン（ＰＴＡＡ：ｐｏｌｙｔｒｉａｒｙｌａｍｉｎｅ）を溶解し、０．２μｍＰＴＦＥカートリッジフィルターに溶液を通して濾過し、ＯＳＣ配合物を調製した。
【０２９７】
ＴＡ  Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ社製ＡＲ  Ｇ−２レオメータを使用して、５．３ｃＰの粘度が測定された。１０秒−１〜１０００秒−１の範囲の剪断速度にわたって粘度を測定し、ニュートン適合方程式を使用して粘度を外挿し、全ての測定は２５℃で行った。
【０２９８】
次いで、８ｃｍ３／ｍ２載荷アニロックスを有するＲＫ  Ｆｌｅｘｉｐｒｏｏｆ  １００  フレキソ印刷と、８０ｍ／分の速度で走行するＣｙｒｅｌ  ＨｉＱＳフレキソマットとを使用し、上記の通りのＰＥＮフィルム上のソースドレイン電極のアレイ上に、５×５ｃｍ幅の領域ブロックとして、ＯＳＣ配合物を印刷した。次いで、印刷されたＯＳＣ層を７０℃で３分間アニールした。
【０２９９】
フルオロポリマーＬｉｓｉｃｏｎ（商標）Ｄ１３９（９％固体、メルク化学社より入手可能）の誘電体層を装置上のＯＳＣ層の最表面上にスピンし、１００℃において２分間アニールし、およそ１ミクロン厚の乾燥誘電体フィルムを与えた。
【０３００】
最後に、４０ｎｍ厚の金ゲート電極アレイを、それが存在するソースドレイン電極構造を覆うように、誘電体層の最表面上に蒸着した。
【０３０１】
Ｋｅｉｔｈｌｅｙ４２００を使用して、ＯＦＥＴ装置の伝達応力測定を行った。トランジスタの変換特性と、線形および飽和移動度を図１６に図示する。
【０３０２】
＜例１３（小型分子、フレキソ印刷、トップゲート、テトラリン中）＞
ＯＦＥＴ装置を以下の通り調製した。
【０３０３】
テオネックスＱ６５ＦＡフィルム（帝人デュポンフィルム社より入手可能）を超音波メタノール浴中で２分間洗浄し、次いで、メタノールでリンスした。２０ミクロン幅および１０００ミクロン長の並行平板配置で、およそ６０ｎｍ厚の金ソースドレイン電極を蒸着した。プラズマオゾンで、基板を１分間浄化した。Ｌｉｓｉｃｏｎ（商標）Ｍ００１（メルク化学社より入手可能）ＳＡＭ処理により、イソプロピルアルコールからのスピンコーティングおよび１００℃で１分間ホットプレート上において過剰分を蒸発させて、電極を処理した。
【０３０４】
テトラリン中に、１．０部の化合物Ａ（例１において述べた通り）および１．０部のＰＴＡＡを溶解し、０．２μｍＰＴＦＥカートリッジフィルターに溶液を通して濾過し、ＯＳＣ配合物を調製した。
【０３０５】
ＴＡ  Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ社製ＡＲ  Ｇ−２レオメータを使用して、２．９ｃＰの粘度が測定された。１０秒−１〜１０００秒−１の範囲の剪断速度にわたって粘度を測定し、ニュートン適合方程式を使用して粘度を外挿し、全ての測定は２５℃で行った。
【０３０６】
次いで、８ｃｍ３／ｍ２載荷アニロックスを有するＲＫ  Ｆｌｅｘｉｐｒｏｏｆ  １００  フレキソ印刷と、８０ｍ／分の速度で走行するＣｙｒｅｌ  ＨｉＱＳフレキソマットとを使用し、上記の通りのＰＥＮフィルム上のソースドレイン電極のアレイ上に、５×５ｃｍ幅の領域ブロックとして、ＯＳＣ配合物を印刷した。次いで、印刷されたＯＳＣ層を７０℃で３分間アニールした。
【０３０７】
フルオロポリマーＬｉｓｉｃｏｎ（商標）Ｄ１３９（９％固体、メルク化学社より入手可能）の誘電体層を装置上のＯＳＣ層の最表面上にスピンし、１００℃において２分間アニールし、およそ１ミクロン厚の乾燥誘電体フィルムを与えた。
【０３０８】
最後に、４０ｎｍ厚の金ゲート電極アレイを、それが存在するソースドレイン電極構造を覆うように、誘電体層の最表面上に蒸着した。
【０３０９】
Ｋｅｉｔｈｌｅｙ４２００を使用して、ＯＦＥＴ装置の伝達応力測定を行った。トランジスタの変換特性を図１７ａに図示し、線形および飽和移動度を図１７ｂに図示する。
【０３１０】
＜例１４（小型分子、フレキソ印刷、トップゲート、ブチルフェニルエーテル中）＞
ＯＦＥＴ装置を以下の通り調製した。
【０３１１】
テオネックスＱ６５ＦＡフィルム（帝人デュポンフィルム社より入手可能）を超音波メタノール浴中で２分間洗浄し、次いで、メタノールでリンスした。２０ミクロン幅および１０００ミクロン長の並行平板配置で、およそ６０ｎｍ厚の金ソースドレイン電極を蒸着した。プラズマオゾンで、基板を１分間浄化した。Ｌｉｓｉｃｏｎ（商標）Ｍ００１（メルク化学社より入手可能）ＳＡＭ処理により、イソプロピルアルコールからのスピンコーティングおよび１００℃で１分間ホットプレート上において過剰分を蒸発させて、電極を処理した。
【０３１２】
１．６部の化合物Ａ（例１において述べた通り）および０．４部のポリ（アルファ）メチルスチレン（１０，０００ｇ／ｍｏｌ未満の重量平均分子量を有する。）を、ブチルフェニルエーテル中に溶解し、０．２μｍＰＴＦＥカートリッジフィルターに溶液を通して濾過し、ＯＳＣ配合物を調製した。
【０３１３】
ＴＡ  Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ社製ＡＲ  Ｇ−２レオメータを使用して、１．６ｃＰの粘度が測定された。１０秒−１〜１０００秒−１の範囲の剪断速度にわたって粘度を測定し、ニュートン適合方程式を使用して粘度を外挿し、全ての測定は２５℃で行った。
【０３１４】
次いで、８ｃｍ３／ｍ２載荷アニロックスを有するＲＫ  Ｆｌｅｘｉｐｒｏｏｆ  １００  フレキソ印刷と、８０ｍ／分の速度で走行するＣｙｒｅｌ  ＨｉＱＳフレキソマットとを使用し、上記の通りのＰＥＮフィルム上のソースドレイン電極のアレイ上に、５×５ｃｍ幅の領域ブロックとして、ＯＳＣ配合物を印刷した。次いで、印刷されたＯＳＣ層を７０℃で３分間アニールした。
【０３１５】
フルオロポリマーＬｉｓｉｃｏｎ（商標）Ｄ１３９（９％固体、メルク化学社より入手可能）の誘電体層を装置上のＯＳＣ層の最表面上にスピンし、１００℃において２分間アニールし、およそ１ミクロン厚の乾燥誘電体フィルムを与えた。
【０３１６】
最後に、４０ｎｍ厚の金ゲート電極アレイを、それが存在するソースドレイン電極構造を覆うように、誘電体層の最表面上に蒸着した。
【０３１７】
Ｋｅｉｔｈｌｅｙ４２００を使用して、ＯＦＥＴ装置の伝達応力測定を行った。トランジスタの変換特性と、線形および飽和移動度を図１８に図示する。
【０３１８】
＜例１５（小型分子、フレキソ印刷、ボトムゲート）＞
ＯＦＥＴ装置を以下の通り調製した。
【０３１９】
テオネックスＱ６５ＦＡ（ＰＥＮ）フィルム（帝人デュポンフィルム社より入手可能）を超音波メタノール浴中で３分間洗浄し、次いで、メタノールでリンスした。ＰＥＮ基板の最表面上に、およそ４０ｎｍ厚の金ゲート電極を蒸着した。金ゲート電極の最表面上に、１５００ｒｐｍのスピン速度において３０秒間、入手可能なＤ２０６（メルク化学社製）の誘電体層をスピンし、１２０℃において１分間アニールし、次いで、ＵＶ光（３０２ｎｍ）下において５分間、ＵＶ硬化した。およそ４０ｎｍ厚の金ソースドレイン電極を蒸着した。Ｌｉｓｉｃｏｎ（商標）Ｍ００１（メルク化学社より入手可能）ＳＡＭ処理でイソプロピルアルコールからのスピンコーティングによって電極を処理し、次いで、ＩＰＡでリンスして、１００℃で１分間ホットプレート上において過剰分を蒸発させ、スピン乾燥した。
【０３２０】
シクロヘキシルベンゼン／メシチレンの６０／４０ブレンド中に、１．６部の化合物Ａ（例１において述べた通り）および０．４部の６００００００Ｍｗポリスチレンを溶解し、０．２μｍＰＴＦＥカートリッジフィルターに溶液を通して濾過し、ＯＳＣ配合物を調製した。
【０３２１】
ＴＡ  Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ社製ＡＲ  Ｇ−２レオメータを使用して、８ｃＰの粘度が測定された。１０秒−１〜１０００秒−１の範囲の剪断速度にわたって粘度を測定し、ニュートン適合方程式を使用して粘度を外挿し、全ての測定は２５℃で行った。
【０３２２】
次いで、８ｃｍ３／ｍ２載荷アニロックスを有するＲＫ  Ｆｌｅｘｉｐｒｏｏｆ  １００  フレキソ印刷と、８０ｍ／分の速度で走行するＣｙｒｅｌ  ＨｉＱＳフレキソマットとを使用し、上記の通りのＰＥＮフィルム上のソースドレイン電極のアレイ上に、５×５ｃｍ幅の領域ブロックとして、ＯＳＣ配合物を印刷した。次いで、印刷されたＯＳＣ層を７０℃で３分間アニールした。
【０３２３】
Ｋｅｉｔｈｌｅｙ４２００を使用して、ＯＦＥＴ装置の伝達応力測定を行った。トランジスタの変換特性と、線形および飽和移動度を図１９に図示する。
【０３２４】
＜例１６（小型分子、フレキソ印刷、ボトムゲート）＞
ＯＦＥＴ装置を以下の通り調製した。
【０３２５】
テオネックスＱ６５ＦＡ（ＰＥＮ）フィルム（帝人デュポンフィルム社より入手可能）を超音波メタノール浴中で３分間洗浄し、次いで、メタノールでリンスした。ＰＥＮ基板の最表面上に、およそ４０ｎｍ厚の金ゲート電極を蒸着した。金ゲート電極の最表面上に、１５００ｒｐｍのスピン速度において３０秒間、入手可能なＤ２０６（メルク化学社製）の誘電体層をスピンし、１２０℃において１分間アニールし、次いで、ＵＶ光（３０２ｎｍ）下において５分間、ＵＶ硬化した。およそ４０ｎｍ厚の金ソースドレイン電極を蒸着した。Ｌｉｓｉｃｏｎ（商標）Ｍ００１（メルク化学社より入手可能）ＳＡＭ処理でイソプロピルアルコールからのスピンコーティングによって電極を処理し、次いで、ＩＰＡでリンスして、１００℃で１分間ホットプレート上において過剰分を蒸発させ、スピン乾燥した。
【０３２６】
シクロヘキシルベンゼン／メシチレンの６０：４０ブレンド中に、１．６部の化合物Ａ（例１において述べた通り）および０．５部の６００００００Ｍｗポリスチレンを溶解し、０．２μｍＰＴＦＥカートリッジフィルターに溶液を通して濾過し、ＯＳＣ配合物を調製した。
【０３２７】
ＴＡ  Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ社製ＡＲ  Ｇ−２レオメータを使用して、１０ｃＰの粘度が測定された。１０秒−１〜１０００秒−１の範囲の剪断速度にわたって粘度を測定し、ニュートン適合方程式を使用して粘度を外挿し、全ての測定は２５℃で行った。
【０３２８】
次いで、８ｃｍ３／ｍ２載荷アニロックスを有するＲＫ  Ｆｌｅｘｉｐｒｏｏｆ  １００  フレキソ印刷と、８０ｍ／分の速度で走行するＣｙｒｅｌ  ＨｉＱＳフレキソマットとを使用し、上記の通りのＰＥＮフィルム上のソースドレイン電極のアレイ上に、５×５ｃｍ幅の領域ブロックとして、ＯＳＣ配合物を印刷した。次いで、印刷されたＯＳＣ層を７０℃で３分間アニールした。
【０３２９】
Ｋｅｉｔｈｌｅｙ４２００を使用して、ＯＦＥＴ装置の伝達応力測定を行った。トランジスタの変換特性と、線形および飽和移動度を図２０に図示する。
【図１ａ】
2013533606.tif 000049
【図１ｂ】
2013533606.tif 000050
【図２】
2013533606.tif 000051
【図３】
2013533606.tif 000052
【図４】
2013533606.tif 000053
【図５】
2013533606.tif 000054
【図６】
2013533606.tif 000055
【図７】
2013533606.tif 000056
【図８】
2013533606.tif 000057
【図９】
2013533606.tif 000058
【図１０】
2013533606.tif 000059
【図１１】
2013533606.tif 000060
【図１２】
2013533606.tif 000061
【図１３】
2013533606.tif 000062
【図１４】
2013533606.tif 000063
【図１５ａ】
2013533606.tif 000064
【図１５ｂ】
2013533606.tif 000065
【図１６】
2013533606.tif 000066
【図１７ａ】
2013533606.tif 000067
【図１７ｂ】
2013533606.tif 000068
【図１８】
2013533606.tif 000069
【図１９】
2013533606.tif 000070
【図２０】
2013533606.tif 000071
【国際調査報告】
2013533606.tif 000072
2013533606.tif 000073