【事件の表示】
　特許第２７４３４０９号「多層配線形成法」の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結論】
　訂正を認める。
　特許第２７４３４０９号の特許を維持する。
【理由】
　（１）手続の経緯
　特許第２７４３４０９号に係る主な手続きの経
緯は、以下のとおりである。
特許出願　　　　　昭和６３年１１月１４日
特許権設定登録　　平成１０年２月６日
特許公報発行日　　平成１０年４月２２日
特許異議の申立て　平成１０年１０月２２日
取消理由通知　　　平成１１年２月１５日
特許異議意見書　　平成１１年４月２７日
訂正請求書　　　　平成１１年４月２７日
訂正拒絶理由　　　平成１１年５月１１日
特許異議意見書　　平成１１年８月９日
手続補正書　　　　平成１１年８月９日
　（２）特許異議申立ての概要
　特許異議申立人日本電気株式会社は、甲第１号証として特開昭６３−１４０５５２号公報（以下、引用例１という）を、甲第２号証として特開昭５６−５６６３１号公報（以下、引用例２という）を、甲第３号証として特開昭５７−５９３５６号公報（以下、引用例３という）を、提示し、特許請求の範囲の請求項１に記載された発明（以下、本件発明という）は、引用例１−２または引用例１−３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることが出来たものであるから、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであり請求項１に係る発明の特許は取り消されるべきであると主張している。
　（３）当審において通知した取消理由の概要
　特許異議申立人日本電気株式会社が提示した引用例１および特開昭５９−１１４８４０号公報を引用し、本件特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであるから取り消されるべきものである。
　（４）訂正請求によって訂正された発明
　平成１１年８月９日付で補正がされた訂正請求によって訂正された明細書に係る発明（以下、訂正発明という）の要旨は、その特許請求の範囲の請求項１に記載されたとおりの以下のものであると認められる。「基板を覆う絶縁膜の上に形成された第１の配線層を覆って層間絶縁膜を形成する工程と、
　前記層間絶縁膜の上に所望のコンタクト孔パタ−ンに対応する開口部を有するレジスト層を形成する工程と、
　前記レジスト層をマスクとして前記層間絶縁膜を選択的にエッチングすることにより前記第１の配線層の一部を露呈するコンタクト孔を前記層間絶縁膜に形成する工程と、
　前記コンタクト孔を形成した後、灰化処理により前記レジスト層を除去する工程と、
　前記灰化処理の際に前記コンタクト孔内で前記第１の配線層の露呈部に生じた酸化アルミニウム膜をコリンを含むアルミナ除去液に接触させて除去する工程と、
　前記酸化アルミニウム膜を除去した後、前記コンタクト孔を介して前記第１の配線層にオ−ミック接触する第２の配線層を前記層間絶縁膜の上に形成する工程と
を含む多層配線形成法。」
　（５）訂正請求の内容
　上記訂正請求は、本件特許の願書に添付された明細書（以下、「特許明細書」という。）を以下のとおり訂正するものである。
　（５）−ａ．特許請求の範囲の請求項１について、「前記灰化処理の際に前記コンタクト孔内で前記第１の配線層の露呈部に生じた酸化アルミニウム膜を有機アルカリ現像液に接触させて除去する工程と、」を「前記灰化処理の際に前記コンタクト孔内で前記第１の配線層の露呈部に生じた酸化アルミニウム膜をコリンを含むアルミナ除去液に接触させて除去する工程と、」と訂正する。
　（５）−ｂ．発明の詳細な説明について、
▲１▼特許明細書第２頁第１２行−第１５行について、「この発明は、コンタクト孔内で１層目配線の表面に灰化処理により生じたアルミナ膜を有機アルカリ現像液で除去した後２層目配線を形成することにより接触抵抗の低減を図ったものである。」を「この発明は、コンタクト孔内で１層目配線の表面に灰化処理により生じたアルミナ膜をコリンを含むアルミナ除去液で除去した後２層目配線を形成することにより接触抵抗の低減を図ったものである。」と訂正する。
▲２▼特許明細書第４頁第５行−第１３行について、「この発明に係る多層配線形成法は、
　基板を覆う絶縁膜の上に形成された第１の配線層を覆って層間絶縁膜を形成する工程と、
　前記層間絶縁膜の上に所望のコンタクト孔パターンに対応する開口部を有するレジスト層を形成する工程と、
　前記レジスト層をマスクとして前記層間絶縁膜を選択的にエッチングすることより前記第１の配線層の一部を露呈するコンタクト孔を前記層間絶縁膜に形成する工程と、
　前記コンタクト孔を形成した後、灰化処理により前記レジスト層を除去する工程と、
　前記灰化処理の際に前記コンタクト孔内で前記第１の配線層の露呈部に生じた酸化アルミニウム膜を有機アルカリ現像液に接触させて除去する工程と、
　前記酸化アルミニウム膜を除去した後、前記コンタクト孔を介して前記第１の配線層にオ−ミック接触する第２の配線層を前記層間絶縁膜の上に形成する工程と
を含むものである。
　有機アルカリ現像液としては、ＴＭＡＨ（テトラ・メチル・アンモニウム・ハイドロオキサイド）、コリン等が好適である。
［作　用］」を
「この発明に係る多層配線形成法は、
　基板を覆う絶縁膜の上に形成された第１の配線層を覆って層間絶縁膜を形成する工程と、
　前記層間絶縁膜の上に所望のコンタクト孔パタ−ンに対応する開口部を有するレジスト層を形成する工程と、
　前記レジスト層をマスクとして前記層間絶縁膜を選択的にエッチングすることにより前記第１の配線層の一部を露呈するコンタクト孔を前記層間絶縁膜に形成する工程と、
　前記コンタクト孔を形成した後、灰化処理により前記レジスト層を除去する工程と、
　前記灰化処理の際に前記コンタクト孔内で前記第１の配線層の露呈部に生じた酸化アルミニウム膜をコリンを含むアルミナ除去液に接触させて除去する工程と、
　前記酸化アルミニウム膜を除去した後、前記コンタクト孔を介して前記第１の配線層にオ−ミック接触する第２の配線層を前記層間絶縁膜の上に形成する工程と
を含むものである。
「作　用］」と訂正する。
▲３▼明細書第５頁第１７行〜第６頁第２行を次のように訂正する。
「（２）次に、第２配線形成用の金属を堆積するに先立って、半導体基板１０をＴＭＡＨ液に浸漬することによりアルミナ膜２０をＴＭＡＨ液に接触させる。この結果、アルミナ膜２０はきれいに除去される。この後、純水洗浄（リンス）、乾燥等の処理を行う。」を
「（２）次に、第２配線形成用の金属を堆積するに先立って、半導体基板１０をコリンを含むアルミナ除去液に浸漬することによりアルミナ膜２０を該アルミナ除去液に接触させる。この結果、アルミナ膜２０はきれいに除去される。この後、純水洗浄（リンス）、乾燥等の処理を行う。」と訂正する。
▲４▼明細書第６頁第１１行〜第１５行を次のように訂正する。
「以上のように、この発明によれば、レジスト層を除去するための灰化処理の際にコンタクト孔内で配線層の露呈部に生じたアルミナ膜を有機アルカリ現像液を用いて除去するようにしたので、簡単な処理でアルミナ膜を十分に除去可能となり、上下配線層間の接触抵抗の低減が可能となる効果が得られる。その上、有機アルカリ現像液は、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等のアルカリ溶液に比べて塩素や金属不純物の濃度が１桁小さいため、汚染のおそれが極めて少なく、集積回路装置等の信頼性を損なうことがない利点もある。」を「以上のように、この発明によれば、レジスト層を除去するための灰化処理の際にコンタクト孔内で配線層の露呈部に生じたアルミナ膜をコリンを含むアルミナ除去液を用いて除去するようにしたので、簡単な処理でアルミナ膜を十分に除去可能となり、上下配線層間の接触抵抗の低減が可能となる効果が得られる。その上、コリンを含むアルミナ除去液は、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等のアルカリ溶液に比べて塩素や金属不純物の濃度が１桁小さいため、汚染の恐れが極めて少なく、集積回路装置等の信頼性を損なうことがない利点もある。」と訂正する。
　（６）訂正の適否の判断
▲１▼上記訂正事項（５）−ａの訂正は、特許明細書の請求項１の記載について、「酸化アルミニウム膜を除去する工程で使用する処理液」である「有機アルカリ現像液」をより下位の概念に限定したものであるから、特許請求の範囲の減縮に相当する。また、（５）−ｂの各訂正は、発明の詳細な説明の記載内容を上記（５）−ａの訂正と一致させたものであるから明りょうでない記載の釈明に相当する。
　そして、訂正された「灰化処理の際に前記コンタクト孔内で前記第１の配線層の露呈部に生じた酸化アルミニウム膜をコリンを含むアルミナ除去液に接触させて除去する」構成は、特許明細書第４頁第５−１２行に直接記載されている事項であるからこの訂正は、特許明細書に記載した事項の範囲においてなされたものであり、かつ、実質上特許請求の範囲を拡張し、変更するものでもない。
　（７）独立特許要件についての判断
　訂正発明は、訂正された明細書および図面の記載からみて（４）で認定したとおりである。
　特許異議申立人の提示した各引用例には、以下のとおりの事項が記載されている。
　引用例１：（第２頁右下欄第１７行−第３頁左下欄第６行目）に
「実施例
　以下に本発明方法を実施する場合の一例を示す工程説明会（図の誤記であると認められる。）である第３図を参照して実施例を説明する。
（ａ）ガラス．シリコンウェ−ハ−等の基板１０にＡｌの下層金属配線パタ−ン１１を形成する。
（ｂ）有機ポリイミドまたは感光性ポリイミドの層間絶縁膜１２をスピンコ−トまたはロ−ルコ−タ−等の手段で形成する。
（ｃ）層間絶縁膜１２が有機ポリイミドである場合はエッチングにより、また感光性ポリイミドである場合は現像により、コンタクトホ−ル１３を形成する。
（ｄ）コンタクトホ−ル１３の壁面および下層金属配線パタ−ン１１上にはポリイミド前駆体の残留物の膜やポリイミドの縮重合反応によるＨ２Ｏや自然酸化膜がＡｌ表面に化成している。
（ｅ）これを、第２図に示すようにして治具１にデバイスを固定して８０℃±１℃に熱した有機アルカリ溶液中に浸漬する。この時の液温降下は８０℃±１℃→７５℃までとし浸漬時間は６０秒とする。なお、有機アルカリ溶液としては、モノエタノ−ルアミン、ジメチルホルムアミド、ジエタノ−ルアミン、テトラメチルアンモニウム等の塩基性有機溶媒を、グリコ−ル系もしくはエ−テル系の有機溶剤で希釈したものとした。
　なお、ここで、上記の如き有機アルカリ溶液を用いて６０×６０μｍディバイス１７２８個について浸漬時間１分とした場合の処理温度とコンタクト抵抗の分布を第４図に示す。第４図より液温が６０℃ではコンタクト抵抗のバラツキが大きくなり、またその抵抗も増大することがわかる。それと同時に本発明方法によった場合は未処理のものに比べてコンタクト抵抗が著しく低下することがわかる。かくして、コンタクトホ−ル１３表面の残留物および両性金属の酸化物は溶出剥離される。この場合、当然のことながら、ポリイミドの表面およびＡｌ（下層金属配線パタ−ン１１）の表面も若干ではあるがエッチングされることになる。
（ｆ）次に、Ａｌからなる上部金属配線１４を真空蒸着する。これにより、コンタクトホ−ル１３において下層金属配線１１と上部金属配線１４とがエ−ミック（オ−ミックの誤記と認められる）接触する。それとともに層間絶縁膜１２表面も清浄化されているので上部金属配線１４の密着性が向上する。」点が記載されている。
　刊行物２：（第１頁右下欄第４−１０行）に
「ところが上記ドライエッチング工程のマスクとして用いられるホトレジスト膜は、四弗化炭素（ＣＦ４）など弗化物を反応ガスとするドライエッチング工程を経ると弗素（Ｆ）を取り込んで変質し、通常用いられる酸素（Ｏ２）プラズマ・アッシャ法による灰火（化の誤記であると認められる）速度が著しく遅くなり、ホトレジスト膜の除去に長い時間を要するという問題がある。」が、
（第２頁左上欄第６−１２行）に
「第１図はシリコン基板１表面に形成されたアルミニウム（Ａｌ）電極配線層２上を被覆する燐シリケ−トガラス（ＰＳＧ）膜３を所定のパタ−ンを有する厚さ２［μｍ］のホトレジスト膜４をマスクとして四弗化炭素（ＣＦ４）と酸素（Ｏ２）の混合気体を反応ガスとするプラズマ・エッチングによりコンタクト窓５を開口した状態を示す。」がそれぞれ記載されている。
　刊行物３：（第１頁右下欄第１１行−第２頁第９行）に
「例えば、第１図に示すように、シリコン基板（１）の表面酸化膜２上に１層目のＡｌ配線（３）を形成し、気相成長ＳｉＯ２からなる層間絶縁膜（４）を介して２層目のＡｌ配線（５）を積層し、ＳｉＯ２膜（４）に設けたスル−ホ−ル（６）を通じて両Ａｌ配線（３）（５）を接続する構造が知られている。しかしこの場合、Ａｌ配線（３）をエッチングでパタ−ニングし、ＳｉＯ２膜（４）を成長させてからスル−ホール（６）を含む全面にＡｌを蒸着し、これをフオトレジスト（７）をマスクとしてエツチングしてＡｌ配線（５）を形成するに際し、上述したマスク合せずれによりフオトレジスト（７）の位置が図示のようにずれると、２層目のＡｌだけでなく１層目のＡｌもエツチングされてしまい、スル−ホ−ル（６）内にてＡｌ配線（３）にいわゆる目あき部分（８）が生じる。この目あき部分（８）によってＡｌ配線（３）が完全に分断されて上層のＡｌ配線（５）との電気的導通がとれなくなったり、或いは電気的接続状態が不良となってしまう。」が記載されている。
　訂正発明と、前記引用例１−３に記載された事項とを比較すると、前記引用例１−３には訂正発明の必須の構成である「コンタクト孔内で１層目配線の表面に灰化処理により生じたアルミナ膜をコリンを含むアルミナ除去液で除去する」点が記載されておらず、かつ該構成を示唆する記載もない。
　そして、訂正発明は上記構成によって、訂正後の明細書に記載された「簡単な処理でアルミナ膜を十分に除去可能となり、上下配線間の接触抵抗の低減が可能となる効果が得られる。その上、コリンを含むアルミナ除去液は、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等のアルカリ溶液に比べて塩素や金属不純物の濃度が１桁小さいため、汚染の恐れが極めて少なく、集積回路装置等の信頼性を損なうことがない利点もある。」という引用例１−３には記載されていない格別の効果を奏するものである。
　さらに、上記（５）−ａ及び（５）−ｂの訂正により、当審において通知した取消理由も解消した。
　そうすると、訂正発明は、引用例１−２または引用例１−３に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることもできない。
　（８）以上のとおりであるから、上記訂正請求は特許法第１２０条の４第２項および同条第３項で準用する同法第１２６条第２−第４項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　（９）特許異議の申立て及び当審で通知した取り消し理由についての判断
　本件特許発明の要旨は、訂正された明細書の特許請求の範囲請求項１に記載されたとおりのものであって、上記（４）で認定したとおりのものである。
　そして、本件特許発明は（７）で示したように、引用例１−３に記載されたものに基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
　（１０）むすび
　したがって、特許異議の申立ての理由及び証拠によっては、本件特許発明の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件特許発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１１年９月１６日（１９９９．９．１６）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
　特許請求の範囲の請求項１を特許請求の範囲の減縮を目的として、「前記灰化処理の際に前記コンタクト孔内で前記第１の配線層の露呈部に生じた酸化アルミニウム膜を有機アルカリ現像液に接触させて除去する工程と、」とあるを「前記灰化処理の際に前記コンタクト孔内で前記第１の配線層の露呈部に生じた酸化アルミニウム膜をコリンを含むアルミナ除去液に接触させて除去する工程と、」と訂正する。
また、上記訂正と詳細な説明の欄を整合させるために
▲１▼特許明細書第２頁第１２行−第１５行に
　「この発明は、コンタクト孔内で１層目配線の表面に灰化処理により生じたアルミナ膜を有機アルカリ現像液で除去した後２層目配線を形成することにより接触抵抗の低減を図ったものである。」とあるを「この発明は、コンタクト孔内で１層目配線の表面に灰化処理により生じたアルミナ膜をコリンを含むアルミナ除去液で除去した後２層目配線を形成することにより接触抵抗の低減を図ったものである。」と訂正する。
▲２▼特許明細書第４頁第５行−第１３行について、
　「この発明に係る多層配線形成法は、
　基板を覆う絶縁膜の上に形成された第１の配線層を覆って層間絶縁膜を形成する工程と、
　前記層間絶縁膜の上に所望のコンタクト孔パタ−ンに対応する開口部を有するレジスト層を形成する工程と、
　前記レジスト層をマスクとして前記層間絶縁膜を選択的にエッチングすることより前記第１の配線層の一部を露呈するコンタクト孔を前記層間絶縁膜に形成る工程と、
　前記コンタクト孔を形成した後、灰化処理により前記レジスト層を除去する工程と、
　前記灰化処理の際に前記コンタクト孔内で前記第１の配線層の露呈部に生じた酸化アルミニム膜を有機アルカリ現像液に接触させて除去する工程と、
　前記酸化アルミニウム膜を除去した後、前記コンタクト孔を介して前記第１の配線層にオ−ミック接触する第２の配線層を前記層間絶縁膜の上に形成する工程と
を含むものである。
　有機アルカリ現像液としては、ＴＭＡＨ（テトラ・メチル・アンモニウム・ハイドロオキサイド）、コリン等が好適である。
［作　用］」とあるを
　「この発明に係る多層配線形成法は、
　基板を覆う絶縁膜の上に形成された第１の配線層を覆って層間絶縁膜を形成する工程と、
　前記層間絶縁膜の上に所望のコンタクト孔パタ−ンに対応する開口部を有するレジスト層を形成する工程と、
　前記レジスト層をマスクとして前記層間絶縁膜を選択的にエッチングすることにより前記第１の配線層の一部を露呈するコンタクト孔を前記層間絶縁膜に形成する工程と、
　前記コンタクト孔を形成した後、灰化処理により前記レジスト層を除去する工程と、
　前記灰化処理の際に前記コンタクト孔内で前記第１の配線層の露呈部に生じた酸化アルミニウム膜をコリンを含むアルミナ除去液に接触させて除去する工程と、
　前記酸化アルミニウム膜を除去した後、前記コンタクト孔を介して前記第１の配線層にオーミック接触する第２の配線層を前記層間絶縁膜の上に形成する工程と
を含むものである。
［作　用］」と訂正する。
▲３▼明細書第５頁第１７行〜第６頁第２行に
「（２）次に、第２配線形成用の金属を堆積するに先立って、半導体基板１０をＴＭＡＨ液に浸漬することによりアルミナ膜２０をＴＭＡＨ液に接触させる。この結果、アルミナ膜２０はきれいに除去される。この後、純水洗浄（リンス）、乾燥等の処理を行う。」とあるを
　「（２）次に、第２配線形成用の金属を堆積するに先立って、半導体基板１０をコリンを含むアルミナ除去液に浸漬することによりアルミナ膜２０を該アルミナ除去液に接触させる。この結果、アルミナ膜２０はきれいに除去される。この後、純水洗浄（リンス）、乾燥等の処理を行う。」と訂正する。
▲４▼明細書第６頁第１１行〜第１５行に
　「以上のように、この発明によれば、レジスト層を除去するための灰化処理の際にコンタクト孔内で配線層の露呈部に生じたアルミナ膜を有機アルカリ現像液を用いて除去するようにしたので、簡単な処理でアルミナ膜を十分に除去可能となり、上下配線層間の接触抵抗の低減が可能となる効果が得られる。その上、有機アルカリ現像液は、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等のアルカリ溶液に比べて塩素や金属不純物の濃度が１桁小さいため、汚染のおそれが極めて少なく、集積回路装置等の信頼性を損なうことがない利点もある。」とあるを
　「以上のように、この発明によれば、レジスト層を除去するための灰化処理の際にコンタクト孔内で配線層の露呈部に生じたアルミナ膜をコリンを含むアルミナ除去液を用いて除去するようにしたので、簡単な処理でアルミナ膜を十分に除去可能となり、上下配線層間の接触抵抗の低減が可能となる効果が得られる。その上、コリンを含むアルミナ除去液は、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等のアルカリ溶液に比べて塩素や金属不純物の濃度が１桁小さいため、汚染の恐れが極めて少なく、集積回路装置等の信頼性を損なうことがない利点もある。」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
多層配線形成法
（５７）【特許請求の範囲】
　基板を覆う絶縁膜の上に形成された第１の配線層を覆って層間絶縁膜を形成する工程と、
　前記層間絶縁膜の上に所望のコンタクト孔パターンに対応する開口部を有するレジスト層を形成する工程と、
　前記レジスト層をマスクとして前記層間絶縁膜を選択的にエッチングすることにより前記第１の配線層の一部を露呈するコンタクト孔を前記層間絶縁膜に形成する工程と、
　前記コンタクト孔を形成した後、灰化処理により前記レジスト層を除去する工程と、
　前記灰化処理の際に前記コンタクト孔内で前記第１の配線層の露呈部に生じた酸化アルミニウム膜を
コリンを含むアルミナ除去液
　前記酸化アルミニウム膜を除去した後、前記コンタクト孔を介して前記第１の配線層にオーミック接触する第２の配線層を前記層間絶縁膜の上に形成する工程と
を含む多層配線形成法。
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
　この発明は、集積回路装置等の製造に用いられる多層配線形成法に関し、特にコンタクト孔内の酸化アルミニウム膜（以下、アルミナ膜と称する）を除去する技術に関するものである。
［発明の概要］
　この発明は、コンタクト孔内で１層目配線の表面に灰化処理により生じたアルミナ膜を
コリンを含むアルミナ除去液
［従来の技術］
　従来、多層配線形成法としては、１層目配線をおおう層間絶縁膜にレジスト層をマスクとする選択エッチング処理によりコンタクト孔を設けた後、レジスト層を酸素プラズマにより灰化して除去してからコンタクト孔を介して１層目配線にオーミック接触する２層目配線を形成する方法が知られている。
　このような方法にあっては、１層目配線の材料としてＡｌ又はＡｌ合金を用いた場合、酸素プラズマによるレジスト灰化の過程でコンタクト孔内の配線表面に電気絶縁性のアルミナ膜（Ａｌ酸化膜）が形成される。また、このようなアルミナ膜は、コンタクト孔内の配線表面が空気に接触することによっても生ずる。そこで、従来は、２層目配線形成のためにスパッタ法等で金属を堆積する前に逆スパッタ処理によりコンタクト孔内のアルミナ膜を除去していた。
［発明が解決しようとする課題］
　上記した従来技術によると、開口サイズが約１．５μｍ以下の微細なコンタクト孔においては、逆スパッタ処理だけではアルミナ膜を十分に除去できず、２層目配線の１層目配線に対する接触抵抗が高くなるという問題点があった。
　この発明の目的は、簡単な方法でアルミナ膜を除去することにより接触抵抗の低減を図ることにある。
［課題を解決するための手段］
　この発明に係る多層配線形成法は、
　基板を覆う絶縁膜の上に形成された第１の配線層を覆って層間絶縁膜を形成する工程と、
　前記層間絶縁膜の上に所望のコンタクト孔パターンに対応する開口部を有するレジスト層を形成する工程と、
　前記レジスト層をマスクとして前記層間絶縁膜を選択的にエッチングすることにより前記第１の配線層の一部を露呈するコンタクト孔を前記層間絶縁膜に形成する工程と、
　前記コンタクト孔を形成した後、灰化処理により前記レジスト層を除去する工程と、
　前記灰化処理の際に前記コンタクト孔内で前記第１の配線層の露呈部に生じた酸化アルミニウム膜を
コリンを含むアルミナ除去液
　前記酸化アルミニウム膜を除去した後、前記コンタクト孔を介して前記第１の配線層にオーミック接触する第２の配線層を前記層間絶縁膜の上に形成する工程と
を含むものであ
る。
［作　　用］
　この発明の方法によれば、コンタクト孔内のアルミナ膜を十分に除去することができ、接触抵抗の低減が可能となる。
［実施例］
　第１図乃至第３図は、この発明の一実施例による多層配線形成法を示すもので、各々の図の対応する工程（１）〜（３）を順次に説明する。
（１）シリコン等の半導体基板１０の表面をおおうシリコンオキサイド等の絶縁膜１２の上にＡｌ又はＡｌ合金（例えばＡｌ−Ｓｉ合金）からなる第１配線層１４を公知の方法で形成した後、絶縁膜１２上に第１配線層１４をおおってＰＳＧ（リンケイ酸ガラス）等からなる層間絶縁膜１６をＣＶＤ（ケミカル・ペーパー・デポジション）法等により形成する。そして、層間絶縁膜１６上に所望のコンタクト孔パターンに対応する開口部を有するレジスト層１８を形成した後、このレジスト層１８をマスクとして層間絶縁膜１６を選択的にエッチングして第１配線層１４の一部を露呈するコンタクト孔１６Ａを形成する。この後、酸素プラズマによりレジスト層１８を灰化して除去する。この時、コンタクト孔１６Ａ内で第１配線層１４の露呈部には、アルミナ膜２０が形成される。
（２）次に、第２配線形成用の金属を堆積するに先立って、半導体基板１０を
コリンを含むアルミナ除去液
該アルミナ除去液
（３）次に、基板上面に例えばスパッタ法により第２配線形成用の金属を堆積し、適宜パターニングすることにより第２配線層２２を形成する。この第２配線層２２は、第２図の工程でコンタクト孔１６Ａ内のアルミナ膜２０をすべて除去したので、第１配線層１４と良好にオーミック接触するようになる。
［発明の効果］
　以上のように、この発明によれば、レジスト層を除去するための灰化処理の際にコンタクト孔内で配線層の露呈部に生じたアルミナ膜を
コリンを含むアルミナ除去液
コリンを含むアルミナ除去液
【図面の簡単な説明】
　第１図乃至第３図は、この発明の一実施例による多層配線形成法を示す基板断面図である。
　１０…半導体基板、１２…絶縁膜、
　１４…第１配線層、１６…層間絶縁膜、
　１８…レジスト層、２０…アルミナ膜、
　２２…第２配線層。