【事件の表示】
　特許第２９０７４３４号「真空成膜方法」の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第２９０７４３４号の請求項１ないし２に係る特許を維持する。
【理　由】
１、本件発明
　特許第２９０７４３４号（平成１年２月１５日特許出願、平成１１年４月２日設定登録）の請求項１、２に係る発明は、特許明細書及び図面の記載からみて、それぞれその特許請求の範囲の請求項１、２に記載された次のとおりのものである。
「【請求項１】スパッタリング法、ＣＶＤ 法、真空蒸着法等の真空薄膜形成法により、凹状部を有する基板上に金属薄膜を形成している際に、その金属薄膜を加熱して流動化させる工程と、金属薄膜の形成後、流動化した金属薄膜の金属を気体で加圧して、凹状部内に金属薄膜の金属を凹状部内で空洞の発生しないように埋め込む工程とを有することを特徴とする真空成膜方法。
【請求項２】凹状部を有する基板上に金属薄膜を形成しているときの途中から、その金属薄膜を加熱して流動化させることを特徴とする請求項１記載の真空成膜方法。」
２、申立ての理由の概要
　特許異議申立人トリコン　ホールディングス　リミティドは、証拠方法として甲第１〜４号証を提出し、請求項１、２に係る発明は、甲第１〜４号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１、２に係る発明の特許は特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであり、取り消されるべきものである旨主張している。
３、甲号各証の記載内容
　甲第１号証については、甲第１号証の１（特開昭６２−６９５３４号公報）といわゆるパテントファミリー文献である甲第１号証の２（米国特許第４８１６１２６号明細書）が提出されているが、甲第１号証の２の頒布日は１９８９年３月２８日であり、本件出願日の後であるから、甲第１号証の２は公知文献ではない。
　甲第１号証の１には、平坦性薄膜の形成方法が記載されており、特に次の事項が記載されている。
（ａ）「（１）凹凸のある基板上に薄膜を形成した後、前記薄膜に荷電粒子を照射し前記薄膜の上昇温度と前記荷電粒子の衝撃とにより前記薄膜を流動させることを特徴とする平坦性薄膜の形成方法。」（特許請求の範囲第１項）
（ｂ）「（７）凹凸のある基板上に薄膜を形成する際に、前記基板を外部から加熱しつつかつ形成されつつある薄膜に荷電粒子を照射し前記薄膜の上昇温度と前記荷電粒子の衝撃とにより薄膜を流動化させながら薄膜の形成を行うことを特徴とする平坦性薄膜の形成方法。」（特許請求の範囲第７項）
（ｃ）「本発明は、凹凸のある基板上に形成された薄膜又は凹凸のある基板上に形成されつつある薄膜に荷電粒子を照射し薄膜の温度を上昇させると共に荷電粒子の衝撃により薄膜に流動をおこさせ短時間で平坦性のある薄膜を形成する方法である。」　（第３頁右上欄第１８行〜左下欄第２行）
（ｄ）「ついで電源７から例えば１３．５６ＭＨＺ の高周波を印加して膜生成室１内にプラズマを発生させ、第２図（Ａ）の基板上のＡｌ膜１１にバイアス状態で荷電粒子（主としてイオン）例えばアルゴンイオンを照射し、Ａｌ膜１１に流動を起こさせ平坦性のあるＡｌ膜１１’とする（第２図（Ｂ））。」（第４頁左上欄第４〜９行）
（ｅ）「外部から強制的にヒータ又は赤外線ランプ等で基板を加熱しながら荷電粒子の照射を行ってもよいことはいうまでもない。」（第５頁右上欄第２行〜第４行）
　甲第２号証（特開昭６３−３０８３５０号公報）には絶縁層の形成方法が記載されており、特に次の事項が記載されている。
（ｆ）「微小な間隔で配列された複数の配線を有する半導体装置チップの表面に生成され珪燐酸系または硼珪燐酸系ガラス層を高圧のヘリウム雰囲気中で加熱してリフローさせることにより、該配線間間隔における該珪燐酸系または硼珪燐酸系ガラス層から成る絶縁層にボイドの発生を防止を形成することを特徴とする絶縁層の形成方法。」（請求項１）
（ｇ）「微小な間隔で配列された複数の配線が形成された半導体装置チップ表面に層間絶縁層を形成する場合、前記層間絶縁層の表面を平坦化するための熱処理（リフロー処理）を高圧のヘリウム雰囲気中で行うことによって、配線間の微少間隙における絶縁層に閉じこめられた気泡によるボイドの発生を防止する。」（第１頁左下欄第１４行〜右下欄第２行）
（ｈ）「ＰＳＧあるいは ＢＰＳＧから成る層間絶縁層の平坦化熱処理を高圧のヘリウム雰囲気中で行うことにより、平坦化された層間絶縁層にはボイドが生じない。」（第２頁左下欄最終行〜右上欄第３行）
（ｉ）「半導体基板６の表面には、ＰＳＧ等から成る平坦化熱処理を受ける膜（図示省略）が形成されている。ホルダー７の周囲には、半導体基板６を９００〜１０００℃程度に加熱するためのヒータ８が設けられている。」（第２頁右下欄第１３行〜第１ ７行）
構成〔Ｃ〕）
（ｊ）「平坦化のためヘリウム雰囲気中で熱処理された層間絶縁層１２には、従来隣接した配線間に発生したボイドが存在していない。」（第３頁左上欄第１ ９行〜右上欄第１行）
  甲第３号証については、甲第３号証の１（特公昭６２−４３５５８号公報）といわゆるパテントファミリー文献の甲第３号証の２（ドイツ国特許出願公開第３０２７３３６号明細書）が提出されている。両者は明細書の様式を各国の法制に適合させるために若干の変更が行われているが開示内容は実質的に同一であるので、以下、甲第３号証の１の記載箇所を参照して説明する。
  甲第３号証の１にはメタルコア・プリント板の貫通孔絶縁方法が記載されており、特に次の事項が記載されている。
（ｋ）「貫通孔を有する金属板の両面をエポキシ樹脂の箔でおおって構成したメタルコア・プリント板の前記貫通孔から空気を排出した後、エポキ
シ樹脂を加熱し加圧して該貫通孔に押し込むことにより前記金属板と貫通孔に通される電気接続路との間を絶縁することを特徴とするメタルコア・プリント板の貫通孔絶縁方法。」（特許請求の範囲第１項）
（ｌ）「先づエポキシ樹脂箔（プリプレグ）でおおわれたアルミニウム板を真空チャンバの中に入れ、真空チャンバを排気し、エポキシ樹脂箔を加熱し、続いて真空チャンバを再び大気圧に接続する。この際大気圧への再接続時に流入する空気により、アルミニウム板の貫通孔は流動化した樹脂で埋められる。」（第２頁左欄第１９行〜２ ６行）
  甲第４号証に関しては、甲第４号証の１（特開昭５４−５６１７３号公報）といわゆるパテントファミリー文献の甲第４号証の２（ドイツ国特許出願公開第２７３９４９４号明細書）と甲第４号証の３（英国特許出願公開第２００７１５２号明細書）が提出されている。これらは明細書の様式を各国の法制に適合させるために若干の変更が行われているが、開示内容は実質的に同一であるので、以下、甲第４号証の１の記載箇所を参照して説明する。
　甲第４号証の１には、導電パネルおよび絶縁基材の製造方法が記載されており、特に次の事項が記載されている。
（ｍ）「たとえば、高い流れ率を有する１以上のプレプレグ層から成る絶縁層を構成することが好ましい。いわゆる“無流動”および”低流動”のプレプレグも適切である。しかし、この場合、圧力条件を、相応して適用しなければならない。具体的で述べれば樹脂含量６０％流れ率４０％のプレプレグを使用し、例えば最終の導電パネルでの直径より、０．２０ないしｌｍｍ、好ましくは、０．４ないし０．８ｍｍ大きく、金属キャリアの孔の直径を選ぶ場合、そして、例として、１５０〜２００℃、好ましくは１７２℃の温度で、１０．２〜２５．５ｋｇ／ｃｍ２（１０〜２５バール）、好ましくは１５．３〜１８．４ｋｇ／ｃｍ２（１５〜１８バール）の圧力で、１５ないし１４０分、好ましくは４０分間加圧を行う場合、絶縁層と金属キャリアの間に強固な結合を生じ、前述の貫通孔は、完全に、または殆んど完全に絶縁材で満たされ、従って、孔の壁は、絶縁材の被膜層で十分覆われることとなる。」（第４頁左下欄第７行〜右下欄第４行）
３−２、対比・判断
  本件請求項１に係る発明（以下、本件発明という。）と甲第１〜４号証に記載されたものとを対比する。
　本件発明は、真空成膜方法に関する発明であり、分説すると、以下の点を構成要件としている。
（１）スパッタリング法、ＣＶＤ 法、真空蒸着法等の真空薄膜形成法により、凹状部を有する基板上に金属薄膜を形成している際に、
（２）その金属薄膜を加熱して流動化させる工程と、
（３）金属薄膜の形成後、流動化した金属薄膜の金属を気体で加圧して、凹状部内に金属薄膜の金属を凹状部内で空洞の発生しないように埋め込む工程とを有することを特徴とする真空成膜方法。
　換言すれば、本件発明は「凹状部を有する基板上に金属薄膜を形成している際に」（上記構成要件（１）に相当）、「金属薄膜を加熱して流動化させ」（上記構成要件（２）に相当）、「金属薄膜の形成後、流動化した金属薄膜の金属を気体で加圧する」（上記構成要件（３）に相当）真空成膜方法に関する発明であり、上記の点を具備することにより本件発明は「凹状部を有する基板上に形成された金属薄膜は、凹状部内において、空洞が発生しなくなる」という明細書記載の効果を奏する。
　これに対して、甲第１号証には、凹凸のある基板上に平坦な金属薄膜を形成するために、該薄膜に外部からの加熱と併せて荷電粒子を照射し、薄膜温度の上昇と荷電粒子の衝撃により薄膜を流動化させることは記載されているが、凹状部内の金属薄膜中の空洞についての技術課題は記載も示唆もされていないし、加えて「金属薄膜の形成後、流動化した金属薄膜の金属を気体で加圧する」という点については何も記載されていないし示唆もされていない。
　甲第２号証には、半導体基板に、珪燐酸ガラス層あるいは硼珪燐酸ガラス層からなる層間絶縁層を高圧のヘリウム雰囲気中で平坦化熱処理することにより層間絶縁層中にボイドを生じさせないことが記載されているが、層間絶縁層はガラス層であり金属薄膜ではなく、甲第２号証には、「金属薄膜の形成後、流動化した金属薄膜の金属を気体で加圧する」という点については何も記載されていないし示唆もされていない。
　甲第３号証には、メタルコア・プリント板の貫通孔に、エポキシ樹脂を加熱加圧し押し込むことが記載されているが、押し込まれているのはエポキシ樹脂であり金属ではなく、甲第３号証には「金属薄膜の形成後、流動化した金属薄膜の金属を気体で加圧する」という点が何も記載されていないし、示唆もされていない。
　甲第４号証には金属キャリアの貫通孔に樹脂から成る絶縁材を加熱加圧して貫通孔の壁に被覆することは記載されているが、絶縁材は樹脂が主成分であり金属ではなく、甲第４号証には「金属薄膜の形成後、流動化した金属薄膜の金属を気体で加圧する」という点が何も記載されていないし、示唆もされていない。
　以上のとおり、甲第１〜４号証には、凹状部内の金属薄膜中の空洞についての技術課題は示唆されていないし、加えて「金属薄膜の形成後、流動化した金属薄膜の金属を気体で加圧する」という点が示唆されていない以上、本件発明は甲第１〜４号証に記載されたものを組み合わせても当業者が容易に想到し得るものであるとすることはできない。
  さらに、請求項２に係る発明は、本件発明を引用し、さらに限定した発明であるから、上記と同様な理由で、甲第１〜４号証に記載されたものに基づいて当業者が容易に想到し得るものであるとすることはできない。
４、むすび
　以上のとおり、特許異議申立ての理由及び証拠方法によっては、本件請求項１、２に係る発明の特許を取り消すことはできない。
 また、他に本件請求項１、２に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
【異議決定日】
平成１２年３月２４日（２０００．３．２４）