【事件の表示】
　特許第２５７２０７０号「単結晶の製造方法」の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結論】
　特許第２５７２０７０号の特許を維持する。
【理由】
Ｉ．　本件発明
　本件特許第２５７２０７０号の発明（以下、「本件発明」という。昭和６２年７月２０日出願、平成８年１０月２４日設定登録）の要旨は、明細書及び図面の記載からみて特許請求の範囲第１項に記載された次のとおりのものと認める。
　「円筒状るつぼ内の結晶成分融液を前記るつぼの周壁を介して加熱する段階と、前記加熱された融液に生起される対流を抑制すべく、１対の磁界発生手段によって前記るつぼの周壁にほぼ沿った形状の磁束線群を一部に含む回転対称の磁束線群を発生させる段階と、前記磁束線群の回転対称軸が水平となりかつ前記融液の液面に対して相対的
に上方又は下方に位置するように前記融液に印加する段階とからなることを特徴とする単結晶の製造方法。」
ＩＩ．　特許異議申立の理由の概要
　特許異議申立人　北垣　敏は、甲第１号証ないし甲第７号証を提示して、次の理由により本件特許を取り消すべき旨主張する。
理由１
　本件発明は、甲第１号証ないし甲第７号証に記載された発明と同一であるか、少なくともこれら甲各号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第１項第３号に規定する発明に該当し、ないしは、同法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができないものである。
理由２
　本件発明は、具体的裏付けに欠けており、未完成発明であると認められるので、特許法第２９条第１項柱書きの規定を満していないから、特許を受けることができないものである。
理由３
　本件明細書には当業者が実施をすることができる程度に発明を開示しておらず、結局発明の内容が不明であるから、本件特許は特許法第３６条の要件を満たしていない。
　なお、特許請求の範囲第２項及び第３項は、本件発明の実施態様項であるから、本件発明に含めて検討する。
ＩＩＩ．　甲各号証の記載事項
　特許異議申立人が提示した甲第１号証（特開昭６０−５１６９１号公報）には、
　実施例の説明として、
　「チャンバー１１を構成する磁性体ステンレススチール１３の内面側にはルツボ１６側面の互いに対向する位置に極性の異なる極が発生するように巻線溝に１対のコイル２２、２３が巻回されている。これらコイル２２、２３には２０Ａ以上の直流電流を通電することができるようになっている。
　上記装置を用いた単結晶半導体の育成は以下のようにして行なわれる。まず、ルツボ１６内に例えばシリコン原料を入れ、例えばアルゴンガス雰囲気中でヒータ１７により溶融する。この溶融シリコン２４に第４図に示すようにコイル２２、２３による水平方向の磁場（図中破線で示す）を印加し、非磁性体ステンレススチール１２内に冷却水を流す。こうした状態で、溶融シリコン２４に種結晶２０を浸し、ルツボ１６と種結晶２０とを逆方向に回転しながら種結晶２０を引上げることにより単結晶シリコン２５を育成する。」（第３頁左上欄下から第４行〜右上欄第１５行）
と記載され、
　また、第３図にはコイル２２、２３の中心が融液面に対して下方に位置していることが示されている。
　同じく甲第２号証（特開昭６１−２８６２９４号公報）には、
　「ルツボ内に収容した半導体単結晶融液に電磁石により水平磁界を与えて制動を行ないつつ前記ルツボから単結晶の引上げを行なう装置において、　前記ルツボの内壁位置および中心位置における磁束密度をそれぞれＢａ，Ｂｃとしたときｋ＝（Ｂａ／Ｂｃ）２として表されるｋが１．５〜３．５となるような水平磁界の磁束分布を形成することを特徴とする単結晶引上装置。」（特許請求の範囲第１項）が記載され、
　また、実施例の説明として、「第２図は第１図の制動力のグラフを詳細計算したものである。具体例として６インチ（１５２ｍｍ）〜８インチ（２０３ｍｍ）の単結晶引上装置の場合、ルツボ径は４００ｍｍ程度となり引上装置のチャンバー外径は９００ｍｍ弱となる。従ってコイル間距離としては１０４０ｍｍ（ｂ＝５４０ｍｍ）とし、コイル有効半径ａを変えた時の距離に対する制動力比（中心点Ｃ点を１とし基準化している、
ｋ＝（Ｂａ／Ｂｃ）２）を示す。第２図によるとａ＝０．３ｂの時ルツボ壁位置Ａ点での制動力比ｋ＝３．５５となり、ａ＝０．８ｂの場合はｋ＝１．５８となる。」（第３頁右下欄第５行〜第１７行）
と記載され、
　さらに、第２図にはコイル有効径ａが０．３ｂ〜０．９ｂの場合が示されており、また、第１図にはコイル中心線が融液面に対して下方に位置することが示されている。
　同じく甲第３号証（特開昭６０−３６３９２号公報）には、
　実施例の説明として、
　「第３図（ａ）（ｂ）（ｃ）は、本発明による単結晶引上装置の第１の実施例を示すもので、第３図（ａ）は構成図、第３図（ｂ）は磁場強度と位置との特性図、第３図（ｃ）はグラスホフ数と位置との特性図であり、第２図（ａ）（ｂ）（ｃ）と同一部分には同一符号を付して、その説明は省略する。
　超伝導コイル１５ａ、１５ｂ夫々のコイル中心軸Ｘ１〜Ｘ１’及びＸ２〜Ｘ２’を、固体−液界面境界層６の延長線上に一致させ、チャンバー１２を挟んで超電導コイル１５ａ、１５ｂを単結晶引上軸１６に対して平行に配置する。このコイル配置により、融液１には、単結晶引上軸１６に対して直角方向の磁場１１が印加される。」（第４頁右上欄第１行〜第１４行）、及び、
　「第５図（ａ）（ｂ）（ｃ）は、本発明による単結晶引上装置の第３の実施例を示すもので、第５図（ａ）は構成図、第５図（ｂ）は磁場強度と位置との特性図、第５図（ｃ）はグラスホフ数と位置との特性図であり、第１図、第２図、第３図（ａ）（ｂ）（ｃ）及び第４図（ａ）（ｂ）（ｃ）と同一部分には同一符号を付して、その説明は省略する。
　即ち、超伝導コイル２５（第３図（ａ）あるいは第４図（ａ）で示した実施例のいずれの構成のものでも良い）を固体−液界面境界層６よりｈだけ上部に配置する。」（第５頁右上欄第９行〜第１９行）と記載されている。
　同じく甲第４号証（特公昭６２−１３５７号公報）には、
　従来技術の説明として、
　「そこで、溶融体３が半導体工業において重要な結晶材料であるシリコンのような導電性を有する物質である場合には、溶融体３に対して１０００エルステッド以上の強い直流磁界を印加することにより、上述のような熱対流を抑制する技術が開発された。すなわち、第４図に示すように、加熱体２を挟むように巨大な２個の磁石３８を配置し、これらの磁石３８から発生する横方向の直流磁界５８を溶融体に印加している。」（第３欄第１行〜第９行）と記載され、
　また、第４図には記載された磁束線群の中心軸が融液面に対して下方に位置していることが示されている。
　同じく甲第５号証（特開昭６０−３３２９２号公報）には、実施例の説明として、
　「以下、本発明の実施例を第２図及び第３図を参照して説明する。なお、既述した第１図と同一の部材には同一番号を付して説明を省略する。
　チャンバー１の外周のルツボ４の両側方の位置には２個の電磁石１１、１２がＮ極とＳ極が対向するように配設されており、ルツボ４内の溶融シリコン９に水平方向の磁場を印加するようになっている。」（第２頁右上欄第１７行〜左下欄第４行）と記載されている。
　同じく甲第６号証（特開昭６１−１８６２８２号公報）には、
　実施例の説明として、
　「以下、本発明の一実施例方法について説明する。　第２図は本発明の一実施例方法に使用した単結晶製造装置の概略構成を示す模式図である。基本的な構成は第４図と同様であり、図中２１、〜、２５は前記４１、〜、４５に相当する。この装置が第４図の装置と異なる点は、ルツボ２１の横方向（水平方向）に磁界を印加する磁石２８、２９
を設けたことにある。即ち、ルツボ２１及びヒータ２２の外周には、これらを挟む形で水平方向磁界印加用の超電導マグネット２８、２９が対向配置されている。」（第３頁右下欄下から第４行〜第４頁左上欄第７行）と記載され、
　第２図には記載された磁束線群の中心軸が融液面に対して下方に位置することが示されている。
　同じく甲第７号証（特開昭６２−７０２８６号公報）には、
　実施例の説明として、
　「ところで、第１図に示す本発明の実施例は、磁束密度を略均一にするような磁束分布になるように形成されているが、第４図に示す別な実施例は、加熱ヒータ２と磁気シールド８の配置を上下逆に構成した場合の例である。この例の場合、ルツボ１の回転中心部では縦磁場効果が、またルツボ１の周辺部では横磁場効果が得られるという特
長がある。」（第３頁右上欄第１２行〜第１９行）と記載されている。
ＩＶ．　対比・判断
［理由１について］
　本件発明と甲第１号証ないし甲第７号証に記載された発明とを対比すると、本件発明の構成要件である「ルツボの周壁にほぼ沿った形状の磁束線群を一部に含む回転対称の磁束線群を発生させる段階」については、これら甲各号証のいずれにも記載がなく、また示唆するものもない。
　なお、特許異議申立人は、本件明細書第１０頁第１６行〜第１１頁第１０行（特許公報第４欄第４７行〜第５欄第７行）の記載「半径ｒｃ、半径ｒ、曲率半径ｒｂ、及び間隔Ｌを適宜に選択することによって、コイル８の磁束線１２は、るつぼ２の周壁に沿って通過すると共にるつぼ２の底部に沿って通過する。・・・このような条件を満たすためには、半径ｒｃが、ｒｃ＝１．５ｒ〜５ｒの範囲にあればよい。」を根拠として、前記相違点の本件発明の構成要件は、コイル半径ｒｃと、るつぼ半径ｒの関係が、ｒｃ＝１．５ｒ〜５ｒの条件を満足するように磁場を印加することを意味すると認定して、甲第１号証の第３図、第４図にはｒｃ＝２．１ｒの寸法関係が、甲第２号証の第１図にはｒｃ＝１３３ｒの寸法関係が、それぞれ実測定上示されており、また、甲第２号証の第２図には前記したとおりコイル有効径ａが０．３ｂ〜０．９ｂの場合が示されており、かつ実施例の記載において、ｂ＝５４０ｍｍ、ルツボ径は４００ｍｍであるから、計
算結果からｒｃ＝０．　８１ｒ〜２．４３ｒとなり、さらに、甲第４〜６号証のそれぞれの図面にも実測定上ｒｃ≧１であって、これらの寸法関係は本件明細書に記載された前記の条件ｒｃ＝１．　５ｒ〜５ｒと重複するから、前記相違点の本件発明の構成
要件はこれらの甲各号証に記載されている旨主張する。
　しかしながら、特許異議申立人の前記の主張は次の理由（１）、（２）により採用できない。
（１）　本件明細書に記載の前記の条件ｒｃ＝１．５ｒ〜５ｒは、前記相違点の本件発明の構成要件を満足するための必要条件の一つではあっても、十分条件ではない。
　このことは、前記した本件明細書第１０頁第１６行〜第１１頁第１０行（特許公報第４欄第４７行〜第５欄第７行）の記載から明らかであり、また、例えばｒｃ＝２ｒであってもコイル間距離が極めて大きい場合にはるつぼ周壁を通る磁束線がほぼ平行なものとなることからも明らかである。
（２）　明細書に記載された図面は、あくまでも発明の理解を助けるための概略図であって、例えば製作図のように寸法関係を正確に記載することを特許法上義務付けられているものではないから、明細書中に装置の寸法関係が記載されていない状態において、単に図面実側上たまたま寸法関係が一致したことをもって、明細書中に記載されているとすることはできない。
　したがって、特許異議申立人の前記の主張は失当である。
　そして、本件発明は前記の構成要件と、更に構成要件「前記磁束線群の回転対称軸が水平となりかつ前記融液の液面に対して相対的に上方又は下方に位置するように前記融液に印加する段階」を具備すること、すなわち、この両構成要件の組合せにより、融液の表層部における磁気粘性力を発生させて、融液の表層部における垂直方向の温度勾配をゆるやかとさせることにより、単結晶の引き上げ速度を高く維持し得る一方、るつぼの底部付近における径方向の流れと磁束線とはほぼ同一方向となるため、この流れに対しては磁気粘性力はほとんど生じなく、融液とるつぼの相対的な移動が促進されて融液中の酸素濃度が増すと共に、るつぼを介した融液への熱伝達量が増加して融液の温度が上昇するから、単結晶の引き上げ速度を低下させることなく、単結晶中の酸素濃度を増加させ得るという、甲各号証に記載のものから予測し得ない明細書記載の格別な作用効果を奏するものである。
　したがって、本件発明は、甲第１号証ないし甲第７号証に記載された発明と同一であるとも、また、これら甲各号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたとすることもできないから、特許異議申立人の理由１に基づく主張は採用できない。
［理由２について］
　特許異議申立人が理由２の根拠として挙げているのは次の点（１）である。
（１）　本件発明がその目的である「単結晶の引き上げ速度を低下させることなく、単結晶中の酸素濃度を増加させ得る単結晶の製造方法を提供すること」を達成し得るか否かを判断する本件明細書中唯一の具体的記載としては実施例における表であるが、この表における本具体例の方法の酸素濃度の値は従来の方法のそれと比較すると減少しているから、本件発明は、その目的を達成できないものであって、裏付けを欠くものであり、明らかに未完成発明であり、産業上利用できる発明とは認められない。
　そこで、前記の点（１）を検討するに、先ず前記の実施例における表には、るつぼ回転数（ｒｐｍ）、単結晶の引き上げ速度（ｍｍ／ｍｉｎ）、酸素濃度（原子／ｃｍ３）のそれぞれが、従来の方法は１０、０．６〜１．２、１６〜１８×１０１７であるのに対して、本具体例の方法はそれぞれ３、１．　０〜１．６、１５〜１７×１０１７と記載されているから、本具体例の方法の酸素濃度は従来の方法のそれと比較すれば減少というよりほぼ同程度といえるものであるが、本具体例の方法のるつぼ回転数（３ｒｐｍ）が従来の方法のそれ（１０ｒｐｍ）の１／３弱であるにも係わらず、本具体例の方法が従来の方法と同程度の酸素濃度を達成し得たことは、両方法のるつぼ回転数を等しくした場合、本具体例の方法が従来の方法における酸素濃度の値よりもはるかに増加させ得ることを示しているから、本件発明は十分裏付けられ、その目的が達成されることは実施例の表から明らかであり、特許異議申立人の挙げる酸素濃度についての前記の比較自体は理由２の根拠となるものではない。
　したがって、理由２に基づく特許異議申立人の主張は採用できない。
［理由３について］
　特許異議申立人が理由３の根拠として挙げているのは次の点（１）である。
（１）　本件発明の構成要件「前記加熱された融液に生起される対流を抑制すべく、１対の磁界発生手段によって前記るつぼの周壁にほぼ沿った形状の磁束線群を一部に含む回転対称の磁束線群を発生させる段階」を満足するためには、本件明細書において、コイル半径とるつぼ半径の関係が、ｒｃ＝１．５ｒ〜５ｒの条件を満足すればよいとする（特許公報第４欄第４７行〜第５欄第７行）が、本件図面に記載されたコイル半径とるつぼ半径を実際に測ってみるとかかる条件に該当するものがないから、明細書において当業者が実施し得る程度に発明が開示されているとはいえず、請求項の発明と発明の詳細な説明に記載された発明とが一致しないばかりか、当業者に理解できないものである。
　そこで、前記の点（１）について検討する。
　先ず、コイル半径とるつぼ半径の寸法関係である前記の式は、前記の構成要件を満足するための十分条件ではなく、必要条件の一つにすぎないことは、前記［理由１について］の欄のなお書中の理由（１）で述べたとおりである。
　また、明細書に記載された図面は、あくまでも発明の理解を助けるための概略図であって、明細書に記載されたとおりに装置の寸法関係を例えば製作図のように図面に記載することを特許法上義務づけられているものではないし、かつ、本件明細書に記載された装置の寸法関係どおりに図面が記載されていない故をもって、本件発明が理解できず、実施し得る程度に発明が開示されていないとする何等の理由も見当たらないから、理由３に基づく特許異議申立人の主張も採用できない。
Ｖ．　むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立の理由及び証拠によっては、本件特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件特許を取り消すべき理由を発見しない。
【異議決定日】
平成１１年６月１４日（１９９９．６．１４）