【事件の表示】
　特許第２７０２４５５号「ピングリッドアレイ型半導体装置」の請求項１ないし５に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結論】
　特許第２７０２４５５号の請求項１ないし４に係る特許を取り消す。
　同請求項５に係る特許を維持する。
【理由】
１．本件発明
　本件特許第２７０２４５５号（平成７年９月１８日出願、平成９年１０月３日設定登録）の請求項１〜５に係る発明（以下、それぞれ、「本件発明１」〜「本件発明５」という。）は、特許明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜５に記載された下記のものと認める。
「【請求項１】　第１の主面と第２の主面とを有し、中央部に開口部を有するセラミック基板と、前記第１の主面に形成されたメタライズパターンと、前記メタライズパターンに固着して前記開口部の前記第１の主面側を閉塞する金属板と、前記開口部内で前記金属板上に搭載された半導体素子と、前記セラミック基板の前記第２の主面の周辺領域から該主面に対して垂直に延在して形成し、かったがいにグリッド状に配列せる多数の外部ピンとを有し、前記外部ピンが配列形成される前記第２の主面の周辺領域に対応する前記第１の主面の周辺領域と前記金属板の前記第１の主面上の端部とが離間しているピングリッドアレイ型半導体装置において、前記メタライズパターンは前記開口部の箇所から前記第１の主面の周辺領域内にまで延在していることを特徴とするピングリッドアレイ型半導体装置。
　【請求項２】前記金属板の近傍の第１の主面上に複数個の積層セラミックコンデンサが搭載されており、前記メタライズパターンは前記積層セラミックコンデンサのそれぞれの周辺を避けて前記第１の主面の前記周辺領域内にまで延在していることを特徴とする請求項１記載のビングリッドアレイ型半導体装置。
　【請求項３】前記メタライズパターンは前記セラミック基板の全側面に向って前記第１の主面の前記周辺領域内にまで延在していることを特徴とする請求項１記載のピングリッドアレイ型半導体装置。
　【請求項４】前記メタライズパターンは前記セラミック基板の全側面のうち角部およびその近傍部の側面のみに向って前記第１の主面の前記周
辺領域内にまで延在していることを特徴とする請求項１記載のピングリッドアレイ型半導体装置。
　【請求項５】前記金属板の端部から所定距離離間した箇所から前記メタライズパターンはコーティング材により被覆されていることを特徴とする請求項１記載のピングリッドアレイ型半導体装置。」
　（なお、【請求項１】の原文中に「前記第セラミック基板の」とある記載は、「前記セラミック基板の」の誤記と認め、上記のとおりに認定した。）
２．申立ての理由の概要
　特許異議申立人日本特殊陶業株式会社は、証拠として下記甲第１〜３号証を提示し、本件発明１及び３は、甲第１号証に記載された発明であるから特許法第２９条第１項第３号の規定により特許を受けることができず、また、本件発明１〜４は甲第１号証の記載された発明に基づいて、さらに、本件発明５は甲第１〜３号証の記載された発明に基づいて、いずれも当業者が容易に発明をすることができたものであるから特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるとの理由で、本件発明１〜５に係る特許はいずれも取り消されるべき旨主張する。
　甲第１号証：実開平３−６３９３９号公報
　甲第２号証：実開平３−１３７４２号公報
　甲第３号証：特開平６−１６９１４１号公報
３．甲各号証に記載された事項
〈甲第１号証〉
　イ．中央部に半導体素子３を収容する貫通孔２ａを有し、下面の略全面に金属層４が被着されている絶縁枠体２を金属基体１に、該金属基体１の上面外周部と絶縁枠体２に被着させた金属層４の貫通孔周縁部とをロウ付けすることによって取着して成る半導体素子収納用パッケージにおいて、前記金属層４は金属基体４のロウ付け部周囲に枠状の凸部４ａが形成されている半導体素子収納用パッケージ。（実用新案登録請求の範囲、第１〜２図）
　ロ．「絶縁枠体の下面に被着させた金属層は絶縁枠体の略全面にわたる広い面積としたことから金属層に半導体素子の発する熱の一部を吸収させるとともに該吸収した熱を大気中に放出させることが可能となり、その結果、半導体素子の発する熱はその量が大となったとしても金属基体と金属層とで半導体素子に熱破壊を起こさせたり、特性に熱劣化を生じさせたりすることが皆無となる。」（１１頁１０〜１８行）
〈甲第２号証〉
　ハ．電気絶縁性材料からなり、内部に半導体素子を収納するパッケージ本体１１の外表面に、標識用メタライズ層２１と、該メタライズ層の一部を覆う孔あきコーティング層２２と、前記標識用メタライズ層の露出面に被着されたメッキ層２３とからなる標識２０を備えた半導体素子収納用パンケージ。
（実用新案登録請求の範囲、第１〜４図）
〈甲第３号証〉
　ニ．「配線パターン１５の製造方法について説明する。・・・（中略）・・・次に、図５に示すように、抵抗材料ペースト１８ａの長手方向の中央部に、コーテ
ィンク層２０を形成するための絶縁材料ペースト２０ａを配置する。絶縁材料ペースト２０ａは、スクリーン印刷等により配置され得る。次に、抵抗材料ペースト１８ａと絶縁材料ペースト１９ａとをセラミックグリーンシ一ト１１ａとともに焼成する。これにより配線層１８とコーティング層２０とを備えた基板１１がえられる。この基板１１にニッケルメッキ処理と金メッキ処理とをこの順に施すと、配線層１８の露出部分にのみメッキ層１９が配置される。」（３頁４欄３〜１３行、図１〜５）
４．対比・判断等
（１）本件発明１〜４について
　これらの発明については、当審より平成１１年１月２２日付けで、本件発明１及び３は特許法第２９条第１項第３号の規定に違反して特許され、また、本件発明２及び４は第２９条第２項の規定に違反して特許されたとの取消理由を通知し、期間を指定して意見書を提出する機会を与えたが、特許権者から何らの応答もない。
　そして、上記の取消理由は妥当なものと認められる。
（２）本件発明５について
　本件発明５は、前記１における認定から明らかなように、本件発明１のピングリッドアレイ型半導体装置において、そのメタライズパターンが、金属板の端部から所定距離離間した箇所からコーティング材により被覆されたものである。
　そこで、本件発明５と甲第１〜３号証に記載のものを対比すると、甲第１、２号証には、それぞれ、前記イ、ハにみる如き半導体素子収納用パッケージが、また、甲第３号証には、前記ニにみる如き工程で製造されてなる配線パターンが記載されているが、いずれの甲号証にも、本件発明５の、上記の如きピングリッドアレイ型半導体装置におけるメタライズパターンが金属板の端部から所定距離離間した箇所からコーティング材により被覆されるという構成については記載されておらず、また、示唆されてもいない。
　この点に関し、特許異議申立人は、甲第１号証に記載のものにおける凸部４ａは、ロウ付け領域を限定するという効果を奏していればよいわけであるから、ロウ付け部分の周囲のみでなく、ロウ付け部分の外側全域を被覆するように形成することも可能であり、他方、メッキ不要部分を絶縁材でコーティングすることは、甲第２，３号証にみるように当業界で周知の手法であるから、本件発明５は、甲第１号証に記載のものにおいて、その凸部４ａの設置に代えて、ロウ付け部の外側全域をコーティング材で被覆することにより当業者にとって容易に発明し得たものである旨主張している（特許異議申立書８頁▲９▼）。しかし、甲第１号証に記載のものにおいて、表面上に枠状に凸部４ａが設けられる金属層４は、そもそも、半導体素子の発する熱の一部を吸収してそれを大気中に放出させるために設けられているのである（前記ロ参照）から、もし、該枠状の凸部４ａに代えて、金属層４のロウ付け部分の外側全域をコーティング材で被覆することとすれば、金属層４の上記大気中への熱放出機能が阻害され、金属層４を設けた技術的意義が損なわれることが明らかである。したがって、甲第２，３号証にメッキレジストに関する記載があり、更にはまた、メッキ不要部分をメッキレジストでコーティングすることが周知であるとしても、特許異議申立人の上記主張は、甲第１号証に記載の金属層４の技術的意義を看過して展開された主張というべきであって、首肯することはできない。
　そして、本件発明５は、メタライズパターンを上記の如くコーティング材により被覆するという構成を有することにより、金属板とその外周縁の接着部との表面に高価なＡｕメッキ処理を施す場合でも、Ａｕメッキ膜が必要な箇所のみに形成され、Ａｕメッキに要するコストが低減されるという明細書記載の効果を奏し、更に、該コーティング材の存在により、セラミック基板のクラック発生を防止するためのメタライズパターンが補強され、且つ、その耐腐食性が向上するという効果も期待できる。
　したがって、本件発明５は、甲第１〜３号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものということはできない。
５．むすび
　以上のとおりであるから、先の取消理由で説示したように、本件発明１及び３は特許法第２９条第１項第３号の規定に違反して特許され、また、本件発明２及び４は、特許法第２９条第２項に違反して特許されたものであるから、本件発明１〜４に係る特許は取り消されるべきものである。
　また、本件発明５については、上述したとおり、特許異議の申立ての理由及び証拠によっては、その特許を取り消すことはできない。また、他に本件発明５に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１１年５月１９日（１９９９．５．１９）