【事件の表示】
　特許第２７９７６６７号「プラズマエッチング装置」の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結論】
　特許第２７９７６６７号の特許を維持する。
【理由】
［１］本件発明
　本件特許第２７９７６６７号（平成２年７月１３日出願、平成１０年７月３日設定登録）の請求項１に係る発明（以下、「本件発明」という。）は、特許明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された下記のとおりのものである。
　「反応室内に配設されて高周波が印加される電極と、該電極に対向して被処理材が載置される電極とを有する平行平板型プラズマエッチング装置において、前記高周波が印加される電極全体が、ホウ素またはリンがドーピングされた多結晶シリコンで形成されていることを特徴とするプラズマエッチング装置。」
［２］特許異議申立ての理由の概要
　異議申立人土方邦雄（以下、「申立人１」という。）は、本件発明は、甲第１，２号証に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、同法第１１３条第１項第２号の規定により取り消すベき旨主張している。　また、異議申立人河野尚孝（以下、「申立人２」という。）は、本件発明は、甲第１号証に記載の発明と同一であるから、特許法第２９条第１項第３号の規定に該当し、同法第１１３条第１項第２号の規定に違反しているので、同法第１１４条第２項の規定により取り消されるべき旨主張している。
［３］申立人１の甲第１，２号証に記載の発明及び申立人２の甲第１号証に記載の発明
（１）申立人１の甲第１，２号証に記載の発明
▲１▼甲第１号証の特開昭６２−８５４３０号公報には、プラズマ・エッチングにおいて、シリコン電極を使用することにより発生する微粒子を極めて少なくする発明が第１図とともに開示され、さらに、
　「本発明は、プラズマ・エッチングにおいて、シリコン電極を使用する。シリコン電極はそのエッチング副産物が揮発性であるという利点を有しており、したがって、エッチング処理によって電極から微粒子が生ずることはない。この電極はまた全体が単結晶であって、したがって、粒子境界が優先的にエッチングされて微粒子が生ずるという効果がないという利点を有している。」（第３頁左上欄第８〜１５行）
が、記載されている。
▲２▼甲第２号証の特開昭５５−１５４５８２号公報には、多層構造からなる被加工物を平行平板形プラズマ食刻装置で食刻する方法及び装置に関する発明が、第１〜７図とともに記載され、さらに、
　「酸化シリコン被膜等の材料をガスプラズマで食刻する場合、・・・その電極材料にはステンレススチール、石英、アルミニウムまたは酸化アルミニウム等が採用されている。」（第１頁右下欄第１６行〜第２頁左上欄第１行）、
　「第１図にその一例を示した平行平板形ガスプラズマ食刻装置の反応槽（１）内に設置した平板状の上、下電極（２）、（３）の表面材料（４）、（５）を多結晶シリコンとし、」（第２頁左下欄第１３〜１６行）、
　「平行状電極の表面材料（４）、（５）に多結晶シリコンを用いるとＳｉの食刻速度が抑えられ、結果としてＳｉＯ２とＳｉとの食刻速度比Ｒ（ＳｉＯ２／Ｓｉ）の値が非常に大きくなり、かつ、一枚の被加工物中の食刻速度分布も改良され、より均一となることがわかる。」（第３頁左上欄第３〜８行）
が、それぞれ記載されている。
（２）申立人２の甲第１号証に記載の発明
　甲第１号証の特開平２−２００１８号公報には、「被処理ウエハーにドーピングするドーパントと同じ種類のドーパントをドーピングしたシリコン単結晶にて電極を構成し」（特許請求の範囲）た発明が第１図とともに開示され、さらに、
　「その目的とする処は電極に被処理ウェハーにドーピングするドーパントと同種のドーパントを高濃度でドープしたシリコン単結晶を使用する事により、電極成分によって被処理ウエハーが汚染されるというような事のない画期的なプラズマ処理装置の電極構造を提供するにある。」（第１頁右欄第８〜１３行）、
　「チャンバ（５）内の上部には高周波電源（３）又は直流電源（３）に接続された上部電源（２ａ）が配設されており、この上部電源（２ａ）の直下にてチャンバ（５）内に回転自在に配設された下部電源（２ｂ）が配設されている。・・・前記上部電極（２ａ）並びに下部電極（２ｂ）は例えばリンを被処理ウエハー（１）にドープしようとするとリンを高濃度でドープしたリンドープシリコン単結晶を切り出して電極（２）に形成したものを使用する。又、ドーパントがボロンであればボロンをドープしたシリコン単結晶を、ドーパントがヒ素であればヒ素をドープしたシリコン単結晶を使用して形成した電極（２）を使用する事になる。」（第２頁右上欄第３行〜左下欄第１行）、
　「被処理ウエハーの表面にドーパントをドープするに際し、同時にプラズマに直接晒された電極からも電極成分がスパッタされて飛び出し、同時に被処理ウエハーにドープされる事になるが、電極成分が被処理ウエハー並びにドーパントと同一物であるためにドーピングによって被処理ウエハーの不純物レベルがドーパント以外は高くならず、電極が汚染源になる事がないと言う利点がある。」（第３頁左欄下から第３行〜右欄第６行）が、それぞれ記載されている。
［４］対比・判断
（１）本件発明と申立人１の甲第１，２号証に記載の発明とを対比すると、甲第１，２号証のいずれにも、本件発明の構成である、「高周波が印加される電極全体が、ホウ素またはリンがドーピングされた多結晶シリコンで形成されている」点は記載されていないし、示唆もされていない。
　上記の点については、申立人１は、エネルギ効率の観点から電極の抵抗を低くすることは、当業者が当然なし得る事項に過ぎず、多結晶シリコンにホウ素またはリンをドーピングして抵抗を下げることは周知の技術に過ぎない旨主張している。
　しかしながら、一般的に、多結晶シリコンにホウ素またはリンをドーピングして多結晶シリコンの抵抗を下げることが周知の技術であるとしても、エネルギ効率の観点から、甲第２号証に記載の下部電極に形成した表面材料として用いた多結晶シリコンに、ホウ素またはシリコンをドーピングして抵抗を下げることまでは容易に想到することができるものではない。
　そして、本件発明は、高周波が印加される電極全体が多結晶シリコンで形成されているので、プラズマによるスパッタリングによってスパッタされにくく、ウエハ上に落下するような微細なパーテイクルを発生することがなく、さらに、シリコンにはアルカリ金属及び重金属をほとんど含んでおらず、ウエハを汚染するおそれがなくエッチング加工されたウエハの不純物量を少ないものとすることができ、また、電極にホウ素またはリンがドーピングされているので、抵抗率を小さいものとすることができ、エネルギー効率を高めることができるという、特許明細書に記載の顕著な効果を奏するものである。
（２）本件発明と申立人２の甲第１号証に記載の発明とを対比すると、甲第１号証には、プラズマ処理装置において、高周波電源に接続された上部電極として、ドーパントを高濃度でドープしたシリコン単結晶を使用したものが記載されているが、本件発明のように、高周波が印加される電極全体がシリコン多結晶で形成されたものではないし、また、甲第１号証の上記シリコン単結晶を使用した上部電極の記載からみて、シリコン多結晶で形成した電極は記載されているに等しい、ともいえないから、本件発明は、甲第１号証に記載の発明であるとすることはできない。
　したがって、本件発明は、申立人１の甲第１，２号証に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたとすることはできないし、また、申立人２の甲第１号証に記載の発明であるとすることもできない。
［５］むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立書１，２の理由及び証拠によっては、本件発明の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１１年９月２１日（１９９９．９．２１）