(57)【要約】  本発明は、特に、溶解性が改善されている金属錯体、金属錯体の調製方法、これらの金属錯体を含むデバイス、および金属錯体の使用に関する。【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（１）の化合物
Ｍ（Ｌ）n（Ｌ’）m      式（１）
ここで、前記化合物は式（２）の部分Ｍ（Ｌ）nを含む。
【化１】
2013543487.tif 000068
式中、Ｍは、任意の所望の二座配位子Ｌに、窒素原子Ｎを介しておよび炭素原子Ｃを介して結合しており、
Ａは、任意の所望のヘテロ芳香族縮合環系であってよく、
Ｂは、縮合型および／または非縮合型である、任意の所望の芳香族環もしくはヘテロ芳香族環、または任意の所望の芳香族環系もしくはヘテロ芳香族環系であってよく、
使用された記号および添え字には以下が適用される：
Ｍは、イリジウム、ロジウム、白金、パラジウム、オスミウムおよびルテニウムからなる群から選択される金属であり、
Ｌ’は、出現する毎に同一であるかまたは異なり、任意の所望の共配位子であり、
Ｗは、出現する毎に同一であるかまたは異なり、式（３）および（４）のラジカルであり、
【化２】
2013543487.tif 000069
［式中、Ｖは、ＳまたはＯに等しく、
Ｒ4は、出現する毎に同一であるかまたは異なり、Ｈ、Ｄ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、Ｎ（Ｒ2）2、１〜４０個のＣ原子を有する直鎖のアルキル、アルコキシもしくはチオアルコキシ基、または２〜４０個のＣ原子を有する直鎖のアルケニルもしくはアルキニル基、または３〜４０個のＣ原子を有する分枝もしくは環状のアルキル、アルケニル、アルキニル、アルコキシ、アルキルアルコキシもしくはチオアルコキシ基（これらはそれぞれ、１つ以上のラジカルＲ2で置換されていてもよい）（ここで、１つ以上の隣接していないＣＨ2基は、Ｒ2Ｃ＝ＣＲ2、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ2）2、Ｇｅ（Ｒ2）2、Ｓｎ（Ｒ2）2、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ2、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ2）、ＳＯ、ＳＯ2、ＮＲ2、Ｏ、Ｓ、またはＣＯＮＲ2で置きかえられていてもよく、１個以上のＨ原子は、Ｄ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮ、またはＮＯ2で置きかえられていてもよい）、または５〜６０個の芳香族環原子を有する芳香族環系もしくはヘテロ芳香族環系（これらは、各場合において、１つ以上のラジカルＲ2で置換されていてもよい）、または５〜６０個の芳香族環原子を有するアリールオキシ、アリールアルコキシ、アルキルアリールオキシもしくはヘテロアリールオキシ基（これらは、１つ以上のラジカルＲ2で置換されていてもよい）、または１０〜４０個の芳香族環原子を有するジアリールアミノ基、ジヘテロアリールアミノ基もしくはアリールヘテロアリールアミノ基（これらは、１つ以上のラジカルＲ2で置換されていてもよい）、またはこれらの基の２つ以上の組合せであり；ここで２つ以上のラジカルＲ4は、互いに、単環または多環式の、脂肪族、芳香族および／またはベンゾ縮合型の環系を形成していてもよく；
Ｒ2は、出現する毎に同一であるかまたは異なり、Ｈ、Ｄ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、Ｎ（Ｒ3）2、ＣＮ、ＮＯ2、Ｓｉ（Ｒ3）3、Ｂ（ＯＲ3）2、Ｃ（＝Ｏ）Ｒ3、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ3）2、Ｓ（＝Ｏ）Ｒ3、Ｓ（＝Ｏ）2Ｒ3、ＯＳＯ2Ｒ3、１〜４０個のＣ原子を有する直鎖のアルキル、アルコキシもしくはチオアルコキシ基、または２〜４０個のＣ原子を有する直鎖のアルケニルもしくはアルキニル基、または３〜４０個のＣ原子を有する分枝もしくは環状のアルキル、アルケニル、アルキニル、アルコキシ、アルキルアルコキシもしくはチオアルコキシ基（これらはそれぞれ、１つ以上のラジカルＲ3で置換されていてもよい）（ここで、１つ以上の隣接していないＣＨ2基は、Ｒ3Ｃ＝ＣＲ3、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ3）2、Ｇｅ（Ｒ3）2、Ｓｎ（Ｒ3）2、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ3、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ3）、ＳＯ、ＳＯ2、ＮＲ3、Ｏ、Ｓ、またはＣＯＮＲ3で置きかえられていてもよく、１個以上のＨ原子は、Ｄ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮまたはＮＯ2で置きかえられていてもよい）、または５〜６０個の芳香族環原子を有する芳香族環系もしくはヘテロ芳香族環系（これらは、各場合において、１つ以上のラジカルＲ3で置換されていてもよい）、または５〜６０個の芳香族環原子を有するアリールオキシ、アリールアルコキシ、アルキルアリールオキシもしくはヘテロアリールオキシ基（これらは、１つ以上のラジカルＲ3で置換されていてもよい）、または１０〜４０個の芳香族環原子を有するジアリールアミノ基、ジヘテロアリールアミノ基もしくはアリールヘテロアリールアミノ基（これらは、１つ以上のラジカルＲ3で置換されていてもよい）、またはこれらの基の２つ以上の組合せであり；ここで２つ以上の隣接しているラジカルＲ2は、互いに、単環または多環式の、脂肪族または芳香族の環系を形成していてもよく、
Ｒ3は、出現する毎に同一であるかまたは異なり、Ｈ、Ｄ、Ｆ、または１〜２０個のＣ原子を有する脂肪族、芳香族および／またはヘテロ芳香族の炭化水素ラジカルであり、これらはさらに１個以上のＨ原子がＦで置きかえられていてもよく；ここで２つ以上の置換基Ｒ3は、互いに、単環または多環式の、脂肪族または芳香族の環系を形成していてもよい］、
ｑは、０以上の整数であり、
ｐは、０以上の整数であり、ただし、ｐ＋ｑは１以上の整数であり、
ｎは、イリジウムまたはロジウムに等しいＭについては１、２または３であり、白金またはパラジウムに等しいＭについては１または２であり、
ｍは、０、１、２、３または４であり、
ここで添え字ｎおよびｍは、当該金属についての配位数が、イリジウムまたはロジウムに等しいＭについては６に相当し、白金またはパラジウムに等しいＭについては４に相当するように選択され、
ここで複数の配位子Ｌは互いに連結していてもよく、またはＬは任意の所望の架橋Ｚを介してＬ’に連結して、三座、四座、五座、または六座の配位子系を形成していてもよい。
【請求項２】
前記式（１）の化合物は、式（９）を有する部分Ｍ（Ｌ）nを含むことを特徴とする、請求項１に記載の化合物
【化３】
2013543487.tif 000070
［式中、使用された記号および添え字には請求項１の定義が適用され、
Ｘは、出現する毎に同一であるかまたは異なり、ＣＲ1またはＮであり、
Ｑは、出現する毎に同一であるかまたは異なり、Ｒ1Ｃ＝ＣＲ1、Ｒ1Ｃ＝Ｎ、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、またはＮＲ1であり、
Ｒ1は、出現する毎に同一であるかまたは異なり、Ｈ、Ｄ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、Ｎ（Ｒ2）2、ＣＮ、ＮＯ2、Ｓｉ（Ｒ2）3、Ｂ（ＯＲ2）2、Ｃ（＝Ｏ）Ｒ2、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ2）2、Ｓ（＝Ｏ）Ｒ2、Ｓ（＝Ｏ）2Ｒ2、ＯＳＯ2Ｒ2、１〜４０個のＣ原子を有する直鎖のアルキル、アルコキシもしくはチオアルコキシ基、または２〜４０個のＣ原子を有する直鎖のアルケニルもしくはアルキニル基、または３〜４０個のＣ原子を有する分枝もしくは環状のアルキル、アルケニル、アルキニル、アルコキシ、アルキルアルコキシもしくはチオアルコキシ基（これらはそれぞれ、１つ以上のラジカルＲ2で置換されていてもよい）（ここで、１つ以上の隣接していないＣＨ2基は、Ｒ2Ｃ＝ＣＲ2、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ2）2、Ｇｅ（Ｒ2）2、Ｓｎ（Ｒ2）2、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ2、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ2）、ＳＯ、ＳＯ2、ＮＲ2、Ｏ、Ｓ、またはＣＯＮＲ2で置きかえられていてもよく、１個以上のＨ原子は、Ｄ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮ、またはＮＯ2で置きかえられていてもよい）、または５〜６０個の芳香族環原子を有する芳香族環系もしくはヘテロ芳香族環系（これらは、各場合において、１つ以上のラジカルＲ2で置換されていてもよい）、または５〜６０個の芳香族環原子を有するアリールオキシ、アリールアルコキシ、アルキルアリールオキシもしくはヘテロアリールオキシ基（これらは、１つ以上のラジカルＲ2で置換されていてもよい）、または１０〜４０個の芳香族環原子を有するジアリールアミノ基、ジヘテロアリールアミノ基もしくはアリールヘテロアリールアミノ基（これらは、１つ以上のラジカルＲ2で置換されていてもよい）、またはこれらの基の２つ以上の組合せであり；ここで２つ以上のラジカルＲ1は、互いに、単環または多環式の、脂肪族、芳香族、および／またはベンゾ縮合型の環系を形成していてもよい］。
【請求項３】
前記式（１）の化合物は、式（１０）を有する部分Ｍ（Ｌ）nを含むことを特徴とする、請求項１または２に記載の化合物
【化４】
2013543487.tif 000071
［式中、等式ｐ＝ｒ＋ｓが添え字ｒおよびｓに適用され、ｐ＋ｑ≧１であるために、ｒ＋ｓ＋ｑ≧１も適用され、芳香族またはヘテロ芳香族の環Ｄは、所望で可能な様態でＣに縮合されており、ここで、Ｄは、芳香族もしくはヘテロ芳香族の環または芳香族もしくはヘテロ芳香族の縮合環系および／または非縮合環系であってよい］。
【請求項４】
前記部分Ｍ（Ｌ）nが、式（１２）〜（１７）から選択されることを特徴とする、請求項１〜３の何れか一項に記載の化合物
【化５】
2013543487.tif 000072
［式中、表記された添え字および記号は、上記請求項において表記されたものと同じ意味を有する］。
【請求項５】
前記部分Ｍ（Ｌ）nが、式（１８）〜（２３）から選択されることを特徴とする、請求項１〜４の何れか一項に記載の化合物
【化６】
2013543487.tif 000073
【請求項６】
ＱがＲ1Ｃ＝ＣＲ1またはＳに等しいことを特徴とする、請求項１〜５の何れか一項に記載の化合物。
【請求項７】
ｐ＋ｑ＝１であることを特徴とする、請求項１〜６の何れか一項に記載の化合物。
【請求項８】
前記部分Ｍ（Ｌ）nが、式（３６）〜（５９）から選択されることを特徴とする、請求項１〜７の何れか一項に記載の化合物
【化７】
2013543487.tif 000074
【化８】
2013543487.tif 000075
【化９】
2013543487.tif 000076
【化１０】
2013543487.tif 000077
【請求項９】
前記部分Ｍ（Ｌ）nが、式（３６）、（４０）、（４４）、（４８）、（５２）および（５６）から選択されることを特徴とする、請求項１〜８の何れか一項に記載の化合物。
【請求項１０】
前記ラジカルＷが、式（１１０）〜（１１５）によって与えられることを特徴とする、請求項１〜９の何れか一項に記載の化合物
【化１１】
2013543487.tif 000078
［式中、
Ｒ5は、出現する毎に同一であるかまたは異なり、Ｈ、Ｄ、１〜４０個のＣ原子を有する直鎖のアルキルもしくはチオアルコキシ基、または２〜４０個のＣ原子を有する直鎖のアルケニルもしくはアルキニル基、または３〜４０個のＣ原子を有する分枝もしくは環状のアルキル、アルケニル、アルキニルもしくはチオアルコキシ基（これらはそれぞれ、１つ以上のラジカルＲ2で置換されていてもよい）（ここで、１つ以上の隣接していないＣＨ2基は、Ｒ2Ｃ＝ＣＲ2、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ2）2、Ｇｅ（Ｒ2）2、Ｓｎ（Ｒ2）2、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ2、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ2）、ＳＯ、ＳＯ2、ＮＲ2、Ｏ、Ｓ、またはＣＯＮＲ2で置きかえられていてもよく、１個以上のＨ原子は、Ｄ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮ、またはＮＯ2で置きかえられていてもよい）、または５〜６０個の芳香族環原子を有する芳香族環系もしくはヘテロ芳香族環系（これらは、各場合において、１つ以上のラジカルＲ2で置換されていてもよい）、または５〜６０個の芳香族環原子を有するアリールオキシもしくはヘテロアリールオキシ基（これらは、１つ以上のラジカルＲ2で置換されていてもよい）、または１０〜４０個の芳香族環原子を有するジアリールアミノ基、ジヘテロアリールアミノ基もしくはアリールヘテロアリールアミノ基（これらは、１つ以上のラジカルＲ2で置換されていてもよい）、またはこれらの基の２つ以上の組合せであり、ここで２つ以上のラジカルＲ1は、互いに、単環または多環式の、脂肪族、芳香族、および／またはベンゾ縮合型の環系を形成していてもよい］。
【請求項１１】
Ｍがイリジウムに等しいことを特徴とする、請求項１〜１０の何れか一項に記載の化合物。
【請求項１２】
ｍ＝０であることを特徴とする、請求項１〜１１の何れか一項に記載の化合物。
【請求項１３】
対応する遊離の配位子を、式（３４４）の金属アルコキシドと、式（３４５）の金属ケトケトナートと、または式（３４６）の金属ハロゲン化物と反応させることによる、請求項１〜１２の何れか一項に記載の化合物の調製方法
【化１２】
2013543487.tif 000079
［式中、記号Ｍ、ｎおよびＲ1は、上記請求項で示した意味を有し、Ｈａｌ＝Ｆ、Ｃｌ、ＢｒまたはＩである］。
【請求項１４】
請求項１〜１２の何れか一以上に記載の少なくとも１種の化合物と、少なくとも１種の溶媒とを含む調合物。
【請求項１５】
有機エレクトロルミネッセンスデバイス（ＯＬＥＤ、ＰＬＥＤ）、有機集積回路（Ｏ−ＩＣ）、有機電界効果トランジスタ（Ｏ−ＦＥＴ）、有機薄膜トランジスタ（Ｏ−ＴＦＴ）、有機発光トランジスタ（Ｏ−ＬＥＴ）、有機太陽電池（Ｏ−ＳＣ）、有機光学検出器、有機受光素子、有機電場消光デバイス（Ｏ−ＦＱＤ）、発光電子化学セル（ＬＥＣ）、または有機レーザーダイオード（Ｏ−レーザー）からなる群から好ましくは選択される電子デバイスにおける、請求項１〜１２の何れか一項に記載の化合物の使用。
【請求項１６】
有機エレクトロルミネッセンスデバイス（ＯＬＥＤ、ＰＬＥＤ）、有機集積回路（Ｏ−ＩＣ）、有機電界効果トランジスタ（Ｏ−ＦＥＴ）、有機薄膜トランジスタ（Ｏ−ＴＦＴ）、有機発光トランジスタ（Ｏ−ＬＥＴ）、有機太陽電池（Ｏ−ＳＣ）、有機光学検出器、有機受光素子、有機電場消光デバイス（Ｏ−ＦＱＤ）、発光電子化学セル（ＬＥＣ）、または有機レーザーダイオード（Ｏ−レーザー）からなる群から好ましくは選択される、請求項１〜１２の何れか一項に記載の少なくとも１種の化合物を含む電子デバイス。
【請求項１７】
請求項１〜１２の何れか一項に記載の化合物が、１層以上の発光層中に発光性化合物として、好ましくはマトリックス材料と組み合わせて用いられていることを特徴とし、前記マトリックス材料は、ケトン、ホスフィンオキシド、スルホキシド、スルホン、トリアリールアミン、カルバゾール誘導体、インドロカルバゾール誘導体、インデノカルバゾール誘導体、アザカルバゾール誘導体、双極性マトリックス材料、シラン、アザボロール、ボロン酸エステル、トリアジン誘導体、亜鉛錯体、ジアザまたはテトラアザシロール誘導体、もしくはジアザホスホール誘導体、またはこれらマトリックス材料の混合物からなる群から好ましくは選択される、請求項１６に記載の有機エレクトロルミネッセンスデバイス。
【請求項１８】
疾患および／または美容状態を治療、予防および／または診断するための、請求項１〜１２の何れか一項に記載の化合物または請求項１６もしくは１７に記載のデバイス。
【発明の詳細な説明】
【発明の概要】
【０００１】
有機半導体が機能材料として用いられている有機エレクトロルミネッセンスデバイス（ＯＬＥＤ）の構造は、たとえば、ＵＳ４５３９５０７、ＵＳ５１５１６２９、ＥＰ０６７６４６１、およびＷＯ９８／２７１３６に記載されている。ここで用いられる発光材料は、蛍光でなく燐光を示す有機金属錯体であることが多くなっている（Ｍ．Ａ．Ｂａｌｄｏら、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．１９９９、７５、４〜６）。量子力学的な理由により、有機金属化合物を燐光エミッタとして使用すると、４倍ものエネルギーおよび出力効率が実現可能となる。しかし、一般に、三重項発光を示すＯＬＥＤには、特に、効率、作動電圧、および寿命に関して、依然として改良が必要である。これは特に、比較的短い波長域、すなわち緑および青で発光するＯＬＥＤに当てはまる。さらに、多くの燐光エミッタは、溶液からの処理に適した溶解性をもたず、ここでも改良がさらに必要ということになる。
【０００２】
先行技術によれば、燐光ＯＬＥＤに用いられる三重項エミッタは、特に、イリジウムおよび白金錯体であり、通常は環状金属化錯体（cyclometallated complex）として用いられる。ここで配位子は、フェニルピリジンの誘導体であることが多い。しかし、このような錯体の溶解性は低いことが多く、そのため溶液からの処理がより難しくなり、または完全に妨げられる。
【０００３】
先行技術は、フェニルピリジン配位子のフェニル環上において、任意に置換されていてもよいアリールまたはヘテロアリール基によって、金属に対する配位に対してパラ位で置換されている、イリジウム錯体を開示している（ＷＯ２００４／０２６８８６Ａ２）。錯体の溶解性は、これにより改善された。しかし、それでもなお、錯体の溶解性、効率、および寿命に関して、ここで改良がさらに必要である。
【０００４】
意外にも、以下でより詳細に述べるある種の金属キレート錯体が、溶解性の向上を示し、さらに、特に効率および寿命に関して、有機エレクトロルミネッセンスデバイスの改良につながることが判明した。したがって、本発明は、こうした金属錯体、およびこうした錯体を含む有機エレクトロルミネッセンスデバイスに関する。
【０００５】
本発明は、式（１）の化合物に関する。
【０００６】
Ｍ（Ｌ）n（Ｌ’）m      式（１）
ここで、一般式（１）の化合物は、式（２）の部分Ｍ（Ｌ）nを含む。
【化１】
2013543487.tif 000002
【０００７】
式中、Ｍは、任意の所望の二座配位子Ｌに、窒素原子Ｎを介しておよび炭素原子Ｃを介して結合しており、
Ａは、任意の所望のヘテロ芳香族縮合環系であってよく、
Ｂは、任意の所望の芳香族環もしくはヘテロ芳香族環でも、または縮合型および／または非縮合型である任意の所望の芳香族環系もしくはヘテロ芳香族環系であってよく、
使用された記号および添え字には以下が適用される：
Ｍは、イリジウム、ロジウム、白金、パラジウム、オスミウム、およびルテニウム、好ましくは、イリジウム、ロジウム、白金、およびパラジウムからなる群から選択される金属であり、
Ｌ’は、出現する毎に同一であるかまたは異なり、任意の所望の共配位子であり、
Ｗは、出現する毎に同一であるかまたは異なり、式（３）および（４）のラジカルであり、
【化２】
2013543487.tif 000003
【０００８】
式中、Ｖは、ＳまたはＯに等しく、
Ｒ4は、出現する毎に同一であるかまたは異なり、Ｈ、Ｄ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、Ｎ（Ｒ2）2、１〜４０個のＣ原子を有する直鎖のアルキル、アルコキシもしくはチオアルコキシ基、または２〜４０個のＣ原子を有する直鎖のアルケニルもしくはアルキニル基、または３〜４０個のＣ原子を有する分枝もしくは環状のアルキル、アルケニル、アルキニル、アルコキシ、アルキルアルコキシもしくはチオアルコキシ基（これらはそれぞれ、１つ以上のラジカルＲ2で置換されていてもよい）（ここで、１つ以上の隣接していないＣＨ2基は、Ｒ2Ｃ＝ＣＲ2、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ2）2、Ｇｅ（Ｒ2）2、Ｓｎ（Ｒ2）2、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ2、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ2）、ＳＯ、ＳＯ2、ＮＲ2、Ｏ、Ｓ、またはＣＯＮＲ2で置きかえられていてもよく、１個以上のＨ原子は、Ｄ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮ、またはＮＯ2で置きかえられていてもよい）、または５〜６０個の芳香族環原子を有する芳香族環系もしくはヘテロ芳香族環系（これらは、各場合において、１つ以上のラジカルＲ2で置換されていてもよい）、または５〜６０個の芳香族環原子を有するアリールオキシ、アリールアルコキシ、アルキルアリールオキシもしくはヘテロアリールオキシ基（これらは、１つ以上のラジカルＲ2で置換されていてもよい）、または１０〜４０個の芳香族環原子を有するジアリールアミノ基、ジヘテロアリールアミノ基もしくはアリールヘテロアリールアミノ基（これらは、１つ以上のラジカルＲ2で置換されていてもよい）、またはこれらの基の２つ以上の組合せであり；ここで２つ以上のラジカルＲ4は、互いに、単環または多環式の、脂肪族、芳香族、および／またはベンゾ縮合型の環系を形成していてもよく；
Ｒ2は、出現する毎に同一であるかまたは異なり、Ｈ、Ｄ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、Ｎ（Ｒ3）2、ＣＮ、ＮＯ2、Ｓｉ（Ｒ3）3、Ｂ（ＯＲ3）2、Ｃ（＝Ｏ）Ｒ3、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ3）2、Ｓ（＝Ｏ）Ｒ3、Ｓ（＝Ｏ）2Ｒ3、ＯＳＯ2Ｒ3、１〜４０個のＣ原子を有する直鎖のアルキル、アルコキシもしくはチオアルコキシ基、または２〜４０個のＣ原子を有する直鎖のアルケニルもしくはアルキニル基、または３〜４０個のＣ原子を有する分枝もしくは環状のアルキル、アルケニル、アルキニル、アルコキシ、アルキルアルコキシもしくはチオアルコキシ基（これらはそれぞれ、１つ以上のラジカルＲ3で置換されていてもよい）（ここで、１つ以上の隣接していないＣＨ2基は、Ｒ3Ｃ＝ＣＲ3、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ3）2、Ｇｅ（Ｒ3）2、Ｓｎ（Ｒ3）2、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ3、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ3）、ＳＯ、ＳＯ2、ＮＲ3、Ｏ、Ｓ、またはＣＯＮＲ3で置きかえられていてもよく、１個以上のＨ原子は、Ｄ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮまたはＮＯ2で置きかえられていてもよい）、または５〜６０個の芳香族環原子を有する芳香族環系もしくはヘテロ芳香族環系（これらは、各場合において、１つ以上のラジカルＲ3で置換されていてもよい）、または５〜６０個の芳香族環原子を有するアリールオキシ、アリールアルコキシ、アルキルアリールオキシもしくはヘテロアリールオキシ基（これらは、１つ以上のラジカルＲ3で置換されていてもよい）、または１０〜４０個の芳香族環原子を有するジアリールアミノ基、ジヘテロアリールアミノ基もしくはアリールヘテロアリールアミノ基（これらは、１つ以上のラジカルＲ3で置換されていてもよい）、またはこれらの基の２つ以上の組合せであり；ここで２つ以上の隣接しているラジカルＲ2は、互いに、単環または多環式の、脂肪族または芳香族の環系を形成していてもよく、
Ｒ3は、出現する毎に同一であるかまたは異なり、Ｈ、Ｄ、Ｆ、または１〜２０個のＣ原子を有する脂肪族、芳香族、および／またはヘテロ芳香族の炭化水素ラジカルであり、これらはさらに、１個以上のＨ原子がＦで置きかえられていてもよく；ここで２つ以上の置換基Ｒ3は、互いに、単環または多環式の、脂肪族または芳香族の環系を形成していてもよい；
ｑは、０以上の整数であり、
ｐは、０以上の整数であり、ただし、ｐ＋ｑは１以上の整数であり、
ｎは、イリジウムまたはロジウムに等しいＭについては１、２または３であり、白金またはパラジウムに等しいＭについては１または２であり、
ｍは、０、１、２、３または４であり、
ここで添え字ｎおよびｍは、当該金属についての配位数が、イリジウムまたはロジウムに等しいＭについては６に相当し、白金またはパラジウムに等しいＭについては４に相当するように選択され、
ここで複数の配位子Ｌは、互いに連結していてもよく、またはＬは、任意の所望の架橋Ｚを介してＬ’に連結して、三座、四座、五座、または六座の配位子系を形成していてもよい。
【０００９】
本発明の好ましい一態様では、配位子Ｌは、互いに架橋されておらず、また配位子Ｌ’とも架橋されていない。
【００１０】
本発明のさらに好ましい一態様では、式（１）からのＭ（Ｌ）nは、式（５）または（６）に等しい。
【化３】
2013543487.tif 000004
【００１１】
本発明の非常に好ましい一態様では、式（１）からのＭ（Ｌ）nは、式（７）および（８）に等しい。
【化４】
2013543487.tif 000005
【００１２】
本発明のさらに好ましい一態様では、式（１）からのＭ（Ｌ）nは、式（９）に等しい。
【化５】
2013543487.tif 000006
【００１３】
式中、使用された記号および添え字には以下が適用される：
Ｘは、出現する毎に同一であるかまたは異なり、ＣＲ1またはＮであり、
Ｑは、出現する毎に同一であるかまたは異なり、Ｒ1Ｃ＝ＣＲ1、Ｒ1Ｃ＝Ｎ、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、またはＮＲ1であり、
Ｒ1は、出現する毎に同一であるかまたは異なり、Ｈ、Ｄ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、Ｎ（Ｒ2）2、ＣＮ、ＮＯ2、Ｓｉ（Ｒ2）3、Ｂ（ＯＲ2）2、Ｃ（＝Ｏ）Ｒ2、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ2）2、Ｓ（＝Ｏ）Ｒ2、Ｓ（＝Ｏ）2Ｒ2、ＯＳＯ2Ｒ2、１〜４０個のＣ原子を有する直鎖のアルキル、アルコキシ、もしくはチオアルコキシ基、または２〜４０個のＣ原子を有する直鎖のアルケニルもしくはアルキニル基、または３〜４０個のＣ原子を有する分枝もしくは環状のアルキル、アルケニル、アルキニル、アルコキシ、アルキルアルコキシ、もしくはチオアルコキシ基（これらはそれぞれ、１つ以上のラジカルＲ2で置換されていてもよい）（ここで、１つ以上の隣接していないＣＨ2基は、Ｒ2Ｃ＝ＣＲ2、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ2）2、Ｇｅ（Ｒ2）2、Ｓｎ（Ｒ2）2、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ2、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ2）、ＳＯ、ＳＯ2、ＮＲ2、Ｏ、Ｓ、またはＣＯＮＲ2で置きかえられていてもよく、１個以上のＨ原子は、Ｄ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮ、またはＮＯ2で置きかえられていてもよい）、または５〜６０個の芳香族環原子を有する芳香族環系もしくはヘテロ芳香族環系（これらは、各場合において、１つ以上のラジカルＲ2で置換されていてもよい）、または５〜６０個の芳香族環原子を有するアリールオキシ、アリールアルコキシもしくはヘテロアリールオキシ基（これらは、１つ以上のラジカルＲ2で置換されていてもよい）、または１０〜４０個の芳香族環原子を有するジアリールアミノ基、ジヘテロアリールアミノ基もしくはアリールヘテロアリールアミノ基（これらは、１つ以上のラジカルＲ2で置換されていてもよい）、またはこれらの基の２つ以上の組合せであり；ここで２つ以上のラジカルＲ1は、互いに、単環または多環式の、脂肪族、芳香族、および／またはベンゾ縮合型の環系を形成していてもよい。他の記号および添え字については、上記の定義が適用される。
【００１４】
本発明の目的のために、式（１０）を有する部分Ｍ（Ｌ）nが好ましく、
【化６】
2013543487.tif 000007
【００１５】
式中、等式ｐ＝ｒ＋ｓが添え字ｒおよびｓに適用され、ｐ＋ｑ≧１であるために、ｒ＋ｓ＋ｑ≧１も適用され、芳香族またはヘテロ芳香族の環Ｄは、任意の所望で可能な様態でＣに縮合されており、ここで、Ｄは、芳香族もしくはヘテロ芳香族の環または芳香族もしくはヘテロ芳香族の縮合環系および／または非縮合環系であってよい。
【００１６】
本発明のさらに好ましい一態様では、環Ｄは、５〜６０個の芳香族環原子を有する芳香族もしくはヘテロ芳香族の環系（これらは、各場合において１つ以上のラジカルＲ2で置換されていてもよい）、または５〜６０個の芳香族環原子を有するアリールオキシもしくはヘテロアリールオキシ基（これらは、１つ以上のラジカルＲ2で置換されていてもよい）、または１０〜４０個の芳香族環原子を有するジアリールアミノ基、ジヘテロアリールアミノ基もしくはアリールヘテロアリールアミノ基（これらは、１つ以上のラジカルＲ2で置換されていてもよい）、またはこれらの基の２つ以上の組合せであり、ここで２つ以上のラジカルＲ1は、互いに、単環または多環式の、脂肪族、芳香族、および／またはベンゾ縮合型の環系を形成していてもよい。
【００１７】
本発明の特に好ましい一態様では、環Ｄは、式（１１）に等しい。
【化７】
2013543487.tif 000008
【００１８】
本発明の格別に好ましい一態様では、式（１）の部分Ｍ（Ｌ）nは、以下の式（１２）〜（１７）から選択される。
【化８】
2013543487.tif 000009
【００１９】
本発明の目的でさらに好ましい態様は、式（１８）〜（２３）を有する、式（１）の部分Ｍ（Ｌ）nである。
【化９】
2013543487.tif 000010
【００２０】
ラジカルＱは、ＳまたはＲ1Ｃ＝ＣＲ1の何れかであることが、本発明の目的ではさらに特に好ましい。
【００２１】
本発明の非常に好ましい態様は、以下の式（２４）〜（２９）の部分Ｍ（Ｌ）nを含む式（１）の化合物である。
【化１０】
2013543487.tif 000011
【００２２】
本発明の格別に好ましい態様は、以下の式（３０）〜（３５）の部分Ｍ（Ｌ）nを含む式（１）の化合物である。
【化１１】
2013543487.tif 000012
【００２３】
本発明の特に好ましい一態様では、ｑ＋ｒ＋ｓ＝１である。
【００２４】
本発明の目的では、さらに、ｒ＝０、したがってｑ＋ｓ≧１であることを特徴とする部分Ｍ（Ｌ）nを含む式（１）の化合物が好ましい。本発明の非常に好ましい態様では、ｑ＋ｓ＝１であり、ラジカルＷは、環の任意の所望で可能である位置にあってよく、そこで置換基Ｒ1と置きかわる。ラジカルＷがＸから配位子に結合している場合、Ｘは、ＣＲ1に等しく、ラジカルＷは、この場合もラジカルＲ1と置きかわる。
【００２５】
本発明の目的では、式（３６）〜（５９）の部分Ｍ（Ｌ）nを含む式（１）の化合物が特に好ましい。
【化１２】
2013543487.tif 000013
【化１３】
2013543487.tif 000014
【化１４】
2013543487.tif 000015
【化１５】
2013543487.tif 000016
【００２６】
本発明の格別に好ましい態様は、さらに、式（３６）、（３７）、（４０）、（４１）、（４４）、（４５）、（４８）、（４９）、（５２）、（５３）、（５６）および（５７）の部分Ｍ（Ｌ）nを含む式（１）の化合物である。
【００２７】
本発明の格別に好ましい態様はまた、式（３６）、（３７）、（４０）および（４１）の部分Ｍ（Ｌ）nを含む式（１）の化合物である。
【００２８】
本発明の特に好ましい態様は、式（３６）および（４０）の部分Ｍ（Ｌ）nを含む式（１）の化合物である。
【００２９】
置換基Ｒ1は、配位子Ｌ内で架橋となることができ、その結果配位子がさらに補強される。本発明の意味において好ましい態様は、式（６０）〜（９７）である。
【化１６】
2013543487.tif 000017
【化１７】
2013543487.tif 000018
【化１８】
2013543487.tif 000019
【化１９】
2013543487.tif 000020
【化２０】
2013543487.tif 000021
【化２１】
2013543487.tif 000022
【００３０】
本発明の特に好ましい一態様では、Ｘは、ＣＲ1に等しい。
【００３１】
本発明のさらに好ましい一態様では、Ｒ1は、出現する毎に同一であるかまたは異なり、Ｈ、Ｄ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、Ｎ（Ｒ2）2、ＣＮ、ＮＯ2、１〜４０個のＣ原子を有する直鎖アルキル、アルコキシもしくはチオアルコキシ基、または２〜４０個のＣ原子を有する直鎖アルケニルもしくはアルキニル基、または３〜４０個のＣ原子を有する分枝もしくは環状アルキル、アルケニル、アルキニル、アルコキシもしくはチオアルコキシ基（これらはそれぞれ、１つ以上のラジカルＲ2で置換されていてもよい）（ここで、１つ以上の隣接していないＣＨ2基は、Ｒ2Ｃ＝ＣＲ2、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ2）2、Ｇｅ（Ｒ2）2、Ｓｎ（Ｒ2）2、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ2、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ2）、ＳＯ、ＳＯ2、ＮＲ2、Ｏ、Ｓ、またはＣＯＮＲ2で置きかえられていてもよく、１個以上のＨ原子は、Ｄ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮ、またはＮＯ2で置きかえられていてもよい）、または５〜６０個の芳香族環原子を有する芳香族環系もしくはヘテロ芳香族環系（これらは、各場合において１つ以上のラジカルＲ2で置換されていてもよい）、または５〜６０個の芳香族環原子を有するアリールオキシもしくはヘテロアリールオキシ基（これらは、１つ以上のラジカルＲ2で置換されていてもよい）、または１０〜４０個の芳香族環原子を有するジアリールアミノ基、ジヘテロアリールアミノ基もしくはアリールヘテロアリールアミノ基（これらは、１つ以上のラジカルＲ2で置換されていてもよい）、またはこれらの基の２つ以上の組合せであり、ここで２つ以上のラジカルＲ1は、互いに、単環または多環式の、脂肪族、芳香族、および／またはベンゾ縮合型の環系を形成していてもよい。
【００３２】
本発明の非常に好ましい別の一態様では、式（１）の化合物の部分Ｍ（Ｌ）nは、式（９８）〜（１０９）から選択される。
【化２２】
2013543487.tif 000023
【化２３】
2013543487.tif 000024
【化２４】
2013543487.tif 000025
【００３３】
ここで、式（９８）、（９９）、（１００）、（１０１）、（１０１ａ）、（１０１ｂ）、（１０２）、（１０３）、（１０４）、（１０５）、（１０５ａ）、（１０５ｂ）、（１０６）、（１０７）、（１０８）、（１０９）、（１０９ａ）および（１０９ｂ）が格別に好ましい。さらに、式（９８）、（９９）、（１００）、（１０１）、（１０２）、（１０３）、（１０４）、（１０５）、（１０６）、（１０７）、（１０８）および（１０９）は、格別に好ましい。式（９８）および（９９）が、ここでは特に好ましい。
【００３４】
本発明の好ましい一態様では、ラジカルＷは、式（１１０）〜（１１５）のラジカルから選択される。
【化２５】
2013543487.tif 000026
【００３５】
式中、
Ｒ5は、出現する毎に同一であるかまたは異なり、Ｈ、Ｄ、１〜４０個のＣ原子を有する直鎖のアルキルもしくはチオアルコキシ基、または２〜４０個のＣ原子を有する直鎖のアルケニルもしくはアルキニル基、または３〜４０個のＣ原子を有する分枝もしくは環状のアルキル、アルケニル、アルキニルもしくはチオアルコキシ基（これらはそれぞれ、１つ以上のラジカルＲ2で置換されていてもよい）（ここで、１つ以上の隣接していないＣＨ2基は、Ｒ2Ｃ＝ＣＲ2、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ2）2、Ｇｅ（Ｒ2）2、Ｓｎ（Ｒ2）2、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ2、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ2）、ＳＯ、ＳＯ2、ＮＲ2、Ｏ、Ｓ、またはＣＯＮＲ2で置きかえられていてもよく、１個以上のＨ原子は、Ｄ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮ、またはＮＯ2で置きかえられていてもよい）、または５〜６０個の芳香族環原子を有する芳香族環系もしくはヘテロ芳香族環系（これらは、各場合において１つ以上のラジカルＲ2で置換されていてもよい）、または５〜６０個の芳香族環原子を有するアリールオキシもしくはヘテロアリールオキシ基（これらは、１つ以上のラジカルＲ2で置換されていてもよい）、または１０〜４０個の芳香族環原子を有するジアリールアミノ基、ジヘテロアリールアミノ基もしくはアリールヘテロアリールアミノ基（これらは、１つ以上のラジカルＲ2で置換されていてもよい）、またはこれらの基の２つ以上の組合せであり、ここで２つ以上のラジカルＲ1は、互いに、単環または多環式の、脂肪族、芳香族、および／またはベンゾ縮合型の環系を形成していてもよく、
ハイフンは、本発明内のほかのあらゆる箇所と同じ意味を有する。ハイフンは、ラジカルから配位子への結合を意味する。
【００３６】
本発明の非常に好ましい一態様では、ラジカルＷは、式（１１０）に等しい。
【００３７】
本発明の好ましい一態様では、ラジカルＲ5は、出現する毎に同一であるかまたは異なり、Ｈ、Ｄ、１〜４０個のＣ原子を有する直鎖のアルキル基、または２〜４０個のＣ原子を有する直鎖のアルケニルもしくはアルキニル基、または３〜４０個のＣ原子を有する分枝もしくは環状のアルキル、アルケニル、アルキニル基（これらはそれぞれ、１つ以上のラジカルＲ2で置換されていてもよい）（ここで、１つ以上の隣接していないＣＨ2基は、Ｒ2Ｃ＝ＣＲ2、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ2）2、Ｇｅ（Ｒ2）2、Ｓｎ（Ｒ2）2、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ2、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ2）、ＳＯ、ＳＯ2、ＮＲ2、Ｏ、Ｓ、またはＣＯＮＲ2で置きかえられていてもよく、１個以上のＨ原子は、Ｄ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮ、またはＮＯ2で置きかえられていてもよい）、または５〜６０個の芳香族環原子を有する芳香族環系もしくはヘテロ芳香族環系（これらは、各場合において１つ以上のラジカルＲ2で置換されていてもよい）、または５〜６０個の芳香族環原子を有するアリールオキシもしくはヘテロアリールオキシ基（これらは、１つ以上のラジカルＲ2で置換されていてもよい）、または１０〜４０個の芳香族環原子を有するジアリールアミノ基、ジヘテロアリールアミノ基もしくはアリールヘテロアリールアミノ基（これらは、１つ以上のラジカルＲ2で置換されていてもよい）、またはこれらの基の２つ以上の組合せであり、ここで２つ以上のラジカルＲ1は、互いに、単環または多環式の、脂肪族、芳香族、および／またはベンゾ縮合型の環系を形成していてもよく、
本発明の非常に好ましい一態様では、ラジカルＲ5は、式（１１６）〜（２８６）から選択され、示される式はそれ自体が１つ以上のラジカルＲ3で置換されていてもよく、ラジカルＲ3は出現する毎に同一でも異なりもよい。
【化２６】
2013543487.tif 000027
【化２７】
2013543487.tif 000028
【化２８】
2013543487.tif 000029
【化２９】
2013543487.tif 000030
【化３０】
2013543487.tif 000031
【化３１】
2013543487.tif 000032
【化３２】
2013543487.tif 000033
【化３３】
2013543487.tif 000034
【化３４】
2013543487.tif 000035
【化３５】
2013543487.tif 000036
【化３６】
2013543487.tif 000037
【００３８】
本発明の意味でのアリール基は６〜４０個のＣ原子を含み、本発明の意味でのヘテロアリール基は２〜４０個のＣ原子と少なくとも１個のヘテロ原子とを含み、ただし、Ｃ原子とヘテロ原子の合計は少なくとも５個である。ヘテロ原子は、好ましくは、Ｎ、Ｏおよび／またはＳから選択される。ここでアリール基またはヘテロアリール基とは、単純な芳香族環、すなわちベンゼン、または単純なヘテロ芳香族環、たとえば、ピリジン、ピリミジン、チオフェンなど、または縮合アリールもしくはヘテロアリール基、たとえば、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン、キノリン、イソキノリンなどの何れかを意味するとみなされる。
【００３９】
本発明の意味での芳香族環系は、環系中に６〜６０個のＣ原子を含む。本発明の意味でのヘテロ芳香族環系は、Ｃ原子とヘテロ原子の合計が少なくとも５個になるという前提で、環系中に２〜６０個のＣ原子と、少なくとも１個のヘテロ原子とを含む。ヘテロ原子は、好ましくは、Ｎ、Ｏおよび／またはＳから選択される。本発明の目的では、芳香族またはヘテロ芳香族環系とは、必ずしもアリールまたはヘテロアリール基だけを含むとは限らず、そうでなく、その上複数のアリールまたはヘテロアリール基が、非芳香族単位（好ましくは、Ｈ以外の原子１０％未満）、たとえばｓｐ3混成Ｃ、ＮまたはＯ原子やカルボニル基などによって中断されていてもよい系も意味するとみなされるものとする。したがって、たとえば、９，９‘−スピロビフルオレン、９，９−ジアリールフルオレン、トリアリールアミン、ジアリールエーテル、スチルベンなどの系も、本発明の目的では芳香族環系を意味するとみなされるものとし、２つ以上のアリール基が、たとえば、線状もしくは環状アルキル基、またはシリル基によって中断されている系も同様である。
【００４０】
本発明の意味での環状アルキル、アルコキシ、またはチオアルコキシ基とは、単環式、二環式、または多環式の基を意味するとみなされる。
【００４１】
本発明の目的では、加えて個々のＨ原子またはＣＨ2基が上述の基で置換されていてもよいＣ1−〜Ｃ40−アルキル基とは、たとえば、メチル、エチル、ｎ−プロピル、ｉ−プロピル、ｎ−ブチル、ｉ−ブチル、ｓ−ブチル、ｔ−ブチル、２−メチルブチル、ｎ−ペンチル、ｓ−ペンチル、ｔｅｒｔ−ペンチル、２−ペンチル、シクロペンチル、ｎ−ヘキシル、ｓ−ヘキシル、ｔｅｒｔ−ヘキシル、２−ヘキシル、３−ヘキシル、シクロヘキシル、２−メチルペンチル、ｎ−ヘプチル、２−ヘプチル、３−ヘプチル、４−ヘプチル、シクロヘプチル、１−メチルシクロヘキシル、ｎ−オクチル、２−エチルヘキシル、シクロオクチル、１−ビシクロ［２．２．２］オクチル、２−ビシクロ［２．２．２］オクチル、２−（２，６−ジメチル）オクチル、３−（３，７−ジメチル）オクチル、トリフルオロメチル、ペンタフルオロエチル、または２，２，２−トリフルオロエチルラジカルを意味するとみなされる。アルケニル基とは、たとえば、エテニル、プロペニル、ブテニル、ペンテニル、シクロペンテニル、ヘキセニル、シクロヘキセニル、ヘプテニル、シクロヘプテニル、オクテニル、シクロオクテニル、またはシクロオクタジエニルを意味するとみなされる。アルキニル基とは、たとえば、エチニル、プロピニル、ブチニル、ペンチニル、ヘキシニル、ヘプチニル、またはオクチニルを意味するとみなされる。Ｃ1−〜Ｃ40−アルコキシ基とは、たとえば、メトキシ、トリフルオロメトキシ、エトキシ、ｎ−プロポキシ、ｉ−プロポキシ、ｎ−ブトキシ、ｉ−ブトキシ、ｓ−ブトキシ、ｔ−ブトキシ、または２−メチルブトキシを意味するとみなされる。各場合において、ラジカルＲ（上述しており、芳香族またはヘテロ芳香族環系に何れかの所望の位置で連結していてよい）で置換されていてもよい、５〜６０個の芳香族環原子を有する芳香族またはヘテロ芳香族環系とは、たとえば、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、ベンゾアントラセン、フェナントレン、ベンゾフェナントレン、ピレン、クリセン、ペリレン、フルオランテン、ベンゾフルオランテン、ナフタセン、ペンタセン、ベンゾピレン、ビフェニル、ビフェニレン、テルフェニル、テルフェニレン、フルオレン、スピロビフルオレン、ジヒドロフェナントレン、ジヒドロピレン、テトラヒドロピレン、シス−またはトランス−インデノフルオレン、シス−またはトランス−モノベンゾインデノフルオレン、シス−またはトランス−ジベンゾインデノフルオレン、トルキセン、イソトルキセン、スピロトルキセン、スピロイソトルキセン、フラン、ベンゾフラン、イソベンゾフラン、ジベンゾフラン、チオフェン、ベンゾチオフェン、イソベンゾチオフェン、ジベンゾチオフェン、ピロール、インドール、イソインドール、カルバゾール、ピリジン、キノリン、イソキノリン、アクリジン、フェナントリジン、ベンゾ−５，６−キノリン、ベンゾ−６，７−キノリン、ベンゾ−７，８−キノリン、フェノチアジン、フェノキサジン、ピラゾール、インダゾール、イミダゾール、ベンゾイミダゾール、ナフトイミダゾール、フェナントロイミダゾール（phenanthrimidazole）、ピリドイミダゾール、ピラジンイミダゾール、キノキサリンイミダゾール、オキサゾール、ベ��ゾオキサゾール、ナフトオキサゾール、アントロオキサゾール（anthroxazole）、フェナントロオキサゾール（phenanthroxazole）、イソオキサゾール、１，２−チアゾール、１，３−チアゾール、ベンゾチアゾール、ピリダジン、ベンゾピリダジン、ピリミジン、ベンゾピリミジン、キノキサリン、１，５−ジアザアントラセン、２，７−ジアザピレン、２，３−ジアザピレン、１，６−ジアザピレン、１，８−ジアザピレン、４，５−ジアザピレン、４，５，９，１０−テトラアザペリレン、ピラジン、フェナジン、フェノキサジン、フェノチアジン、フルオルビン、ナフチリジン、アザカルバゾール、ベンゾカルボリン、フェナントロリン、１，２，３−トリアゾール、１，２，４−トリアゾール、ベンゾトリアゾール、１，２，３−オキサジアゾール、１，２，４−オキサジアゾール、１，２，５−オキサジアゾール、１，３，４−オキサジアゾール、１，２，３−チアジアゾール、１，２，４−チアジアゾール、１，２，５−チアジアゾール、１，３，４−チアジアゾール、１，３，５−トリアジン、１，２，４−トリアジン、１，２，３−トリアジン、テトラゾール、１，２，４，５−テトラジン、１，２，３，４−テトラジン、１，２，３，５−テトラジン、プリン、プテリジン、インドリジン、およびベンゾチアジアゾールから導かれる基を意味するとみなされる。
【００４２】
式（１）の化合物は、電荷を帯びていても、帯びていなくてもよい。好ましい一態様では、式（１）の化合物は、電気的に中性である。これは、配位子ＬおよびＬ’の電荷を、錯化金属原子Ｍの電荷がこれらの電荷により相殺されるように選択することにある、単純な方法で実現される。
【００４３】
さらに、金属原子の周囲の価電子の合計が、白金およびパラジウムについては１６、イリジウムおよびロジウムについては１８であることを特徴とする式（１）の化合物が好ましい。このように好ましいのは、こうした金属錯体が特に安定しているためである。
【００４４】
本発明の好ましい一態様では、Ｍは、イリジウムまたは白金を表す。Ｍは、イリジウムを表すことが特に好ましい。
【００４５】
Ｍが白金またはパラジウムを表す場合、添え字ｎは、１または２を表す。添え字ｎ＝１である場合、１つの二座または２つの単座配位子Ｌ’、好ましくは１つの二座配位子Ｌ’も、金属Ｍに配位する。それに応じて、１つの二座配位子Ｌ’については添え字ｍ＝１、２つの単座配位子Ｌ’については添え字ｍ＝２となる。添え字ｎ＝２である場合、添え字ｍ＝０である。
【００４６】
Ｍがイリジウムまたはロジウムを表す場合、添え字ｎは、１、２または３、好ましくは２または３、特に好ましくは３を表す。添え字ｎ＝１である場合、４つの単座、または２つの二座、または１つの二座と２つの単座、または１つの三座と１つの単座、または１つの四座配位子Ｌ’、好ましくは２つの二座配位子Ｌ’も、金属に配位する。それに応じて、添え字ｍは、配位子Ｌ’次第で、１、２、３または４に等しい。添え字ｎ＝２である場合、１つの二座または２つの単座配位子Ｌ’、好ましくは１つの二座配位子Ｌ’も、金属に配位する。それに応じて、添え字ｍは、配位子Ｌ’次第で、１または２に等しい。添え字ｎ＝３である場合、添え字ｍ＝０である。
【００４７】
本発明のさらに好ましい一態様では、すべての記号Ｘは、出現する毎に同一であるかまたは異なり、ＣＲ1を表すか、またはすべての記号ＸがＮを表すかの何れかである。
【００４８】
本発明のさらに好ましい一態様では、記号Ｑは、出現する毎に同一であるかまたは異なり、Ｒ1Ｃ＝ＣＲ1、Ｒ1Ｃ＝Ｎ、Ｏ、またはＮＲ1、特に好ましくはＲ1Ｃ＝ＣＲ1およびＲ1Ｃ＝Ｎ、特に好ましくはＲ1Ｃ＝ＣＲ1を表す。
【００４９】
上述の好ましい要素を同時に適用することが、特に好ましい。
【００５０】
本発明の特に好ましい一態様において、使用された記号には以下が適用される：
Ｍは、イリジウムまたは白金、特に好ましくはイリジウムであり、
Ｘは、Ｍに直接結合していないすべての位置について、出現する毎に、ＣＲ1であり、
Ｑは、出現する毎に同一であるかまたは異なり、Ｒ1Ｃ＝ＣＲ1またはＲ1Ｃ＝Ｎ、特に好ましくはＲ1Ｃ＝ＣＲ1であり、
使用した記号および添え字は、上述の意味、特に、上述の好ましい意味を有する。
【００５１】
本発明による式（１）の化合物は、ヘテロレプチックまたはホモレプチック錯体となり得る。本発明の好ましい態様は、ｍ＝０であるホモレプチック錯体である。
【００５２】
式（１）のヘテロレプチック錯体の場合では、配位子Ｌを１つ以上の別の配位子ＬまたはＬ’に連結する架橋単位Ｚが、ラジカルＲ1の１つに属して存在してもよい。本発明の好ましい一態様では、架橋単位Ｚは、ラジカルＲ1の１つに代わって存在し、配位子は、三座または多座または多足（polypodal）の特徴を有するということになる。この種類の２つの架橋単位Ｚが存在してもよい。これにより、大環状配位子が生成し、またはクリプテートが形成される。
【００５３】
多座配位子を有する好ましい構造は、以下の式（２８７）〜（２９８）の金属錯体である。
【化３７】
2013543487.tif 000038
【化３８】
2013543487.tif 000039
【化３９】
2013543487.tif 000040
【００５４】
式中、使用した記号は、上述の意味を有し、Ｚは、好ましくは、第３、第４、第５、および／または第６主族元素（ＩＵＰＡＣの１３、１４、１５または１６族）からの１〜８０個の原子を含む架橋単位、または部分配位子Ｌを互いに、もしくはＬをＬ’に、共有結合により結合させる３〜６員の同素環もしくは複素環を表す。ここで架橋単位Ｚは、非対称の構造を伴うものでもよく、すなわち、ＺのＬまたはＬ’への連結は、同一である必要はない。
【００５５】
架橋単位Ｚは、中性でも、マイナス１、２もしくは３の電荷を帯びていても、またはプラス１、２もしくは３の電荷を帯びていてもよい。Ｚは、好ましくは、中性であり、またはマイナス１もしくはプラス１の電荷を帯びている。ここでＺの電荷は、全体として中性の錯体が生じるように選択することが好ましい。
【００５６】
Ｚが３価の基である、すなわち、３つの配位子Ｌを互いに、または２つの配位子ＬをＬ’に、または１つの配位子Ｌを２つの配位子Ｌ’に架橋する場合、Ｚは、好ましくは、出現する毎に同一であるかまたは異なり、Ｂ、Ｂ（Ｒ2）-、Ｂ（Ｃ（Ｒ2）2）3、（Ｒ2）Ｂ（Ｃ（Ｒ2）2）3-、Ｂ（Ｏ）3、（Ｒ2）Ｂ（Ｏ）3-、Ｂ（Ｃ（Ｒ2）2Ｃ（Ｒ2）2）3、（Ｒ2）Ｂ（Ｃ（Ｒ2）2Ｃ（Ｒ2）2）3-、Ｂ（Ｃ（Ｒ2）2Ｏ）3、（Ｒ2）Ｂ（Ｃ（Ｒ2）2Ｏ）3-、Ｂ（ＯＣ（Ｒ2）2）3、（Ｒ2）Ｂ（ＯＣ（Ｒ2）2）3-、Ｃ（Ｒ2）、ＣＯ-、ＣＮ（Ｒ2）2、（Ｒ2）Ｃ（Ｃ（Ｒ2）2）3、（Ｒ2）Ｃ（Ｏ）3、（Ｒ2）Ｃ（Ｃ（Ｒ2）2Ｃ（Ｒ2）2）3、（Ｒ2）Ｃ（Ｃ（Ｒ2）2Ｏ）3、（Ｒ2）Ｃ（ＯＣ（Ｒ2）2）3、（Ｒ2）Ｃ（Ｓｉ（Ｒ2）2）3、（Ｒ2）Ｃ（Ｓｉ（Ｒ2）2Ｃ（Ｒ2）2）3、（Ｒ2）Ｃ（Ｃ（Ｒ2）2Ｓｉ（Ｒ2）2）3、（Ｒ2）Ｃ（Ｓｉ（Ｒ2）2Ｓｉ（Ｒ2）2）3、Ｓｉ（Ｒ2）、（Ｒ2）Ｓｉ（Ｃ（Ｒ2）2）3、（Ｒ2）Ｓｉ（Ｏ）3、（Ｒ2）Ｓｉ（Ｃ（Ｒ2）2Ｃ（Ｒ2）2）3、（Ｒ2）Ｓｉ（ＯＣ（Ｒ2）2）3、（Ｒ2）Ｓｉ（Ｃ（Ｒ2）2Ｏ）3、（Ｒ2）Ｓｉ（Ｓｉ（Ｒ2）2）3、（Ｒ2）Ｓｉ（Ｓｉ（Ｒ2）2Ｃ（Ｒ2）2）3、（Ｒ2）Ｓｉ（Ｃ（Ｒ2）2Ｓｉ（Ｒ2）2）3、（Ｒ2）Ｓｉ（Ｓｉ（Ｒ2）2Ｓｉ（Ｒ2）2）3、Ｎ、ＮＯ、Ｎ（Ｒ2）+、Ｎ（Ｃ（Ｒ2）2）3、（Ｒ2）Ｎ（Ｃ（Ｒ2）2）3+、Ｎ（Ｃ＝Ｏ）3、Ｎ（Ｃ（Ｒ2）2Ｃ（Ｒ2）2）3、（Ｒ2）Ｎ（Ｃ（Ｒ2）2Ｃ（Ｒ2）2）+、Ｐ、Ｐ（Ｒ2）+、ＰＯ、ＰＳ、ＰＳｅ、ＰＴｅ、Ｐ（Ｏ）3、ＰＯ（Ｏ）3、Ｐ（ＯＣ（Ｒ2）2）3、ＰＯ（ＯＣ（Ｒ2）2）3、Ｐ（Ｃ（Ｒ2）2）3、Ｐ（Ｒ2）（Ｃ（Ｒ2）2）3+、ＰＯ（Ｃ（Ｒ2）2）3、Ｐ（Ｃ（Ｒ2）2Ｃ（Ｒ2）2）3、Ｐ（Ｒ2）（Ｃ（Ｒ2）2Ｃ（Ｒ2）2）3+、ＰＯ（Ｃ（Ｒ2）2Ｃ（Ｒ2）2）3、Ｓ+、Ｓ（Ｃ（Ｒ2）2）3+、Ｓ（Ｃ（Ｒ2）2Ｃ（Ｒ2）2）3+、または式（２９９）、（３００）、（３０１）もしくは（３０２）の単位からなる群から選択され、
【化４０】
2013543487.tif 000041
【００５７】
式中、破線で示される結合は、各場合において、部分配位子ＬまたはＬ’への結合を示し、Ａは、出現する毎に同一であるかまたは異なり、単結合、Ｏ、Ｓ、Ｓ（＝Ｏ）、Ｓ（＝Ｏ）2、ＮＲ2、ＰＲ2、Ｐ（＝Ｏ）Ｒ2、Ｐ（＝ＮＲ2）、Ｃ（Ｒ2）2、Ｃ（＝Ｏ）、Ｃ（＝ＮＲ2）、Ｃ（＝Ｃ（Ｒ2）2）、Ｓｉ（Ｒ2）2、またはＢＲ2からなる群から選択される。使用された他の記号は、上述の意味を有する。
【００５８】
Ｚが２価の基である、すなわち、２つの配位子Ｌを互いに、または１つの配位子ＬをＬ’に架橋する場合、Ｚは、好ましくは、出現する毎に同一であるかまたは異なり、ＢＲ2、Ｂ（Ｒ2）2-、Ｃ（Ｒ2）2、Ｃ（＝Ｏ）、Ｓｉ（Ｒ2）2、ＮＲ2、ＰＲ2、Ｐ（Ｒ2）2+、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ2）、Ｐ（＝Ｓ）（Ｒ2）、ＡｓＲ2、Ａｓ（＝Ｏ）（Ｒ2）、Ａｓ（＝Ｓ）（Ｒ2）、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、または式（３０３）〜（３１１）の単位からなる群から選択され、
【化４１】
2013543487.tif 000042
【００５９】
式中、破線で示される結合は、各場合において、部分配位子ＬまたはＬ’への結合を示し、使用されたそれ以外の記号は、各場合において、上述の意味を有する。
【００６０】
式（１）に出現する好ましい配位子Ｌ’について以下で述べる。架橋単位Ｚを介してＬに結合している場合も、配位子基Ｌ’は、それ相応に選択することができる。
【００６１】
配位子Ｌ’は、好ましくは中性、一アニオン性、二アニオン性、または三アニオン性配位子、特に好ましくは中性または一アニオン性配位子である。配位子Ｌ’は、単座、二座、三座、または四座になる場合があり、好ましくは二座であり、すなわち、好ましくは２箇所の配位部位を有する。上で述べたように、配位子Ｌ’は、架橋基Ｚを介してＬに結合していてもよい。
【００６２】
好ましい中性単座配位子Ｌ’は、一酸化炭素、一酸化窒素、シアン化アルキル、たとえばアセトニトリル、シアン化アリール、たとえばベンゾニトリル、イソシアン化アルキル、たとえばメチルイソニトリル、イソシアン化アリール、たとえばベンゾイソニトリル、アミン、たとえばトリメチルアミン、トリエチルアミン、モルホリン、ホスフィン、特にハロホスフィン、トリアルキルホスフィン、トリアリールホスフィン、またはアルキルアリールホスフィン、たとえばトリフルオロホスフィン、トリメチルホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、トリｔｅｒｔ−ブチルホスフィン、トリフェニルホスフィン、トリス（ペンタフルオロフェニル）ホスフィン、亜リン酸エステル、たとえば亜リン酸トリメチル、亜リン酸トリエチル、アルシン、たとえばトリフルオロアルシン、トリメチルアルシン、トリシクロヘキシルアルシン、トリｔｅｒｔ−ブチルアルシン、トリフェニルアルシン、トリス（ペンタフルオロフェニル）アルシン、スチビン、たとえばトリフルオロスチビン、トリメチルスチビン、トリシクロヘキシルスチビン、トリｔｅｒｔ−ブチルスチビン、トリフェニルスチビン、トリス（ペンタフルオロフェニル）スチビン、含窒素複素環、たとえばピリジン、ピリダジン、ピラジン、ピリミジン、トリアジン、およびカルベン、特にＡｒｄｕｅｎｇｏカルベンから選択される。
【００６３】
好ましい一アニオン性単座配位子Ｌ’は、水素化物、重水素化物、ハロゲン化物Ｆ-、Ｃｌ-、Ｂｒ-およびＩ-、アルキルアセチリド、たとえばメチル−Ｃ≡Ｃ-、ｔｅｒｔ−ブチル−Ｃ≡Ｃ-、アリールアセチリド、たとえばフェニル−Ｃ≡Ｃ-、シアン化物、シアネート、イソシアネート、チオシアネート、イソチオシアネート、脂肪族または芳香族アルコレート、たとえばメタノレート、エタノレート、プロパノレート、イソプロパノレート、ｔｅｒｔ−ブチレート、フェノレート、脂肪族または芳香族チオアルコレート、たとえばメタンチオレート、エタンチオレート、プロパンチオレート、イソプロパンチオレート、ｔｅｒｔ−ブタンチオレート、チオフェノレート、アミド、たとえばジメチルアミド、ジエチルアミド、ジイソプロピルアミド、モルホリド、カルボキシレート、たとえばアセテート、トリフルオロアセテート、プロピオネート、ベンゾエート、アリール基、たとえばフェニル、ナフチル、ならびにアニオン性含窒素複素環、たとえばピロリド、イミダゾリド、ピラゾリドから選択される。これらの基の中のアルキル基は、好ましくはＣ1〜Ｃ20アルキル基、特に好ましくはＣ1〜Ｃ10アルキル基、格別に好ましくはＣ1〜Ｃ4アルキル基である。アリール基は、ヘテロアリール基も意味するとみなされる。こうした基は、上で定義したとおりである。
【００６４】
好ましい二または三アニオン性配位子は、Ｏ2-、Ｓ2-、炭化物（Ｒ−Ｃ≡Ｍの形の配位をもたらす）およびナイトレン（Ｒ−Ｎ＝Ｍの形の配位をもたらす）（ここで、Ｒは一般に置換基を表す）、またはＮ3-である。
【００６５】
好ましい中性または一もしくは二アニオン性の二座または多座配位子Ｌ’は、ジアミン、たとえば、エチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルエチレンジアミン、プロピレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルプロピレンジアミン、シス−またはトランス−ジアミノシクロヘキサン、シス−またはトランス−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルジアミノシクロヘキサン、イミン、たとえば２−［１−（フェニルイミノ）エチル］ピリジン、２−［１−（２−メチルフェニルイミノ）エチル］ピリジン、２−［１−（２，６−ジイソプロピルフェニルイミノ）エチル］ピリジン、２−［１−（メチルイミノ）エチル］ピリジン、２−［１−（エチルイミノ）エチル］ピリジン、２−［１−（イソプロピルイミノ）エチル］ピリジン、２−［１−（ｔｅｒｔ−ブチルイミノ）エチル］ピリジン、ジイミン、たとえば１，２−ビス（メチルイミノ）エタン、１，２−ビス（エチルイミノ）エタン、１，２−ビス（イソプロピルイミノ）エタン、１，２−ビス（ｔｅｒｔ−ブチルイミノ）エタン、２，３−ビス（メチルイミノ）ブタン、２，３−ビス（エチルイミノ）ブタン、２，３−ビス（イソプロピルイミノ）ブタン、２，３−ビス（ｔｅｒｔ−ブチルイミノ）ブタン、１，２−ビス（フェニルイミノ）エタン、１，２−ビス（２−メチルフェニルイミノ）エタン、１，２−ビス（２，６−ジイソプロピルフェニルイミノ）エタン、１，２−ビス（２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルイミノ）エタン、２，３−ビス（フェニルイミノ）ブタン、２，３−ビス（２−メチルフェニルイミノ）ブタン、２，３−ビス（２，６−ジイソプロピルフェニルイミノ）ブタン、２，３−ビス（２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルイミノ）ブタン、２個の窒素原子を含む複素環、たとえば２，２’−ビピリジン、ｏ−フェナントロリン、ジホスフィン、たとえばビスジフェニルホスフィノメタン、ビスジフェニルホスフィノエタン、ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン、ビス（ジフェニルホスフィノ）ブタン、ビス（ジメチルホスフィノ）メタン、ビス（ジメチルホスフィノ）エタン、ビス（ジメチルホスフィノ）プロパン、ビス（ジエチルホスフィノ）メタン、ビス（ジエチルホスフィノ）エタン、ビス（ジエチルホスフィノ）プロパン、ビス（ジ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィノ）メタン、ビス（ジ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィノ）エタン、ビス（ｔｅｒｔ−ブチルホスフィノ）プロパン、１，３−ジケトン、たとえばアセチルアセトン、ベンゾイルアセトン、１，５−ジフェニルアチルアセトン、ジベンゾイルメタン、ビス（１，１，１−トリフルオロアセチル）メタンから導かれる１，３−ジケトネート、３−ケトエステル、たとえばアセト酢酸エチルから導かれる３−ケトネート、アミノカルボン酸、たとえばピリジン−２−カルボン酸、キノリン−２−カルボン酸、グリシン、Ｎ，Ｎ−ジメチルグリシン、アラニン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノアラニンから導かれるカルボキレート、サリチルイミン、たとえばメチルサリチルイミン、エチルサリチルイミン、フェニルサリチルイミンから導かれるサリチルイミネート、ジアルコール、たとえばエチレングリコール、１，３−プロピレングリコールから導かれるジアルコレート、およびジチオール、たとえば１，２−エチレンジチオール、１，３−プロピレンジチオールから導かれるジチオレートから選択される。
【００６６】
好ましい三座配位子は、含窒素複素環のボレート、たとえば、テトラキス（１−イミダゾリル）ボレートおよびテトラキス（１−ピラゾリル）ボレートである。
【００６７】
さらに、金属と一緒になって、少なくとも１つの金属−炭素結合を有する環状金属化５員または６員環、特に環状金属化５員環を形成している、二座一アニオン性配位子Ｌ’が、特に好ましい。こうした配位子は、特に、有機エレクトロルミネッセンスデバイス用の燐光性金属錯体の分野で一般に使用される配位子、すなわち、フェニルピリジン、ナフチルピリジン、フェニルキノリン、フェニルイソキノリンなどのタイプ（それぞれが、１つ以上のラジカルＲ1〜Ｒ7で置換されていてもよい）の配位子である。このタイプの配位子の多様性は、燐光エレクトロルミネッセンスデバイスの分野の当業者に知られており、当業者なら、創意に富んだステップを踏まずとも、これ以外のこのタイプの配位子を、式（１）の化合物のための配位子Ｌ’として選択することができる。一般に、以下の式（３１２）〜（３３９）によって表される、２つの基の組合せが、この目的に特に適しており、ここで、一方の基は、中性窒素原子またはカルベン原子によって結合し、もう一方の基は、負の電荷を帯びた炭素原子または負の電荷を帯びた窒素原子によって結合している。そうして、配位子Ｌ’は、式（３１２）〜（３３９）の基から、各場合において＃で表示される位置で互いに結合しているこれらの基によって生成され得る。基が金属に配位する位置は、＊で表示する。こうした基は、１つまたは２つの架橋単位Ｚを介して、配位子Ｌに結合していてもよい。
【化４２】
2013543487.tif 000043
【化４３】
2013543487.tif 000044
【００６８】
ここで使用された記号は、上述したのと同じ意味を有し、好ましくは、各基において最大３つまでの記号ＸがＮを表し、特に好ましくは、各基において最大２つまでの記号ＸがＮを表し、格別に好ましくは、各基において最大１つまでの記号ＸがＮを表す。特に好ましくは、すべての記号Ｘが、出現する毎に同一であるかまたは異なり、ＣＲ1を表す。
【００６９】
本発明の特に好ましい一態様では、式（３１２）〜（３３９）の配位子Ｌ’の２断片は、断片の少なくとも一方が、位置＊においてヘテロ原子を含むように、位置＃で互いに結合している。
【００７０】
本発明の格別に好ましい一態様では、配位子Ｌ’は、式（３１２）〜（３３９）の一覧からの、ヘテロ原子をもたない、厳密に１つの断片と、式（３１２）〜（３３９）を有する断片の一覧からの、ヘテロ原子、好ましくは窒素原子を有する、厳密に１つの断片とから構成される。
【００７１】
同様に好ましい配位子Ｌ’は、η5−シクロペンタジエニル、η5−ペンタメチルシクロペンタジエニル、η6−ベンゼン、およびη7−シクロヘプタトリエニルであり、これらはそれぞれ、１つ以上のラジカルＲ1で置換されていてもよい。
【００７２】
同様に好ましい配位子Ｌ’は、特に式（３４０）の１，３，５−シス−シクロヘキサン誘導体、特に式（３４１）の１，１，１−トリ（メチレン）メタン誘導体、ならびに特に式（３４２）および（３４３）の１，１，１−三置換メタンであり、
【化４４】
2013543487.tif 000045
【００７３】
ここで、式のそれぞれにおいて、金属Ｍへの配位が図示され、Ｒ1は、上述の意味を有し、Ａは、出現する毎に同一であるかまたは異なり、Ｏ-、Ｓ-、ＣＯＯ-、Ｐ（Ｒ1）2、またはＮ（Ｒ1）2を表す。
【００７４】
上で挙げた構造における好ましいラジカルＲ1は、出現する毎に同一であるかまたは異なり、Ｈ、Ｄ、Ｆ、Ｂｒ、Ｎ（Ｒ2）2、ＣＮ、Ｂ（ＯＲ2）2、Ｃ（＝Ｏ）Ｒ2、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ2）2、１〜１０個のＣ原子を有する直鎖アルキル基、または２〜１０個のＣ原子を有する直鎖アルケニルもしくはアルキニル基、または３〜１０個のＣ原子を有する分枝もしくは環状アルキル、アルケニル、アルキニル基（これらはそれぞれ、１つ以上のラジカルＲ2で置換されていてもよく、１個以上のＨ原子が、Ｆで置きかえられていてもよい）、または５〜１４個の芳香族環原子を有する芳香族もしくはヘテロ芳香族環系（各場合において１つ以上のラジカルＲ2で置換されていてもよい）からなる群から選択され、ここで複数のラジカルＲ1は、互いに単環もしくは多環式、脂肪族、芳香族、および／またはベンゾ縮合環系を形成していてもよい。特に好ましいラジカルＲ1は、出現する毎に同一であるかまたは異なり、Ｈ、Ｆ、Ｂｒ、ＣＮ、Ｂ（ＯＲ2）2、１〜６個のＣ原子を有する直鎖アルキル基、特にメチル、または３〜１０個のＣ原子を有する分枝もしくは環状アルキル基、特にイソプロピルもしくはｔｅｒｔ−ブチル（ここで、１個以上のＨ原子が、Ｆで置きかえられていてもよい）、または５〜１２個の芳香族環原子を有する芳香族もしくはヘテロ芳香族環系（各場合において１つ以上のラジカルＲ2で置換されていてもよい）からなる群から選択され、ここで複数のラジカルＲ1は、互いに単環もしくは多環式、脂肪族、芳香族、および／またはベンゾ縮合環系を形成していてもよい。
【００７５】
本発明による金属錯体は、原則として様々な方法により調製することができる。しかし、以下に記載する方法が特に適切であることがわかっている。
【００７６】
したがって、本発明はさらに、対応する遊離配位子を、式（３４４）の金属アルコキシド、式（３４５）の金属ケトケトナート、または式（３４６）の金属ハロゲン化物と反応させることによる、式（１）の金属錯体化合物の調製方法に関するものであり、
【化４５】
2013543487.tif 000046
【００７７】
式中、記号Ｍ、ｎおよびＲ1は、上で示した意味を有し、Ｈａｌ＝Ｆ、Ｃｌ、ＢｒまたはＩである。
【００７８】
アルコレートおよび／またはハロゲン化物および／またはヒドロキシルラジカルと、ケトケトナートラジカルの両方を有する金属化合物、特にイリジウム化合物を使用することも、同様に可能である。こうした化合物は、電荷を帯びていてもよい。出発材料として特に適切である、対応するイリジウム化合物は、ＷＯ２００４／０８５４４９で開示されている。［ＩｒＣｌ2（ａｃａｃ）2］-、たとえばＮａ［ＩｒＣｌ2（ａｃａｃ）2］が、特に適切である。
【００７９】
錯体は、ＷＯ２００２／０６０９１０およびＷＯ２００４／０８５４４９に記載されているとおりに合成することが好ましい。たとえばＷＯ２００５／０４２５４８に従って、ヘテロレプチック錯体を合成することもできる。合成は、たとえば、熱的に、光化学的に、かつ／またはマイクロ波放射線によって、活性化することもできる。
【００８０】
こうした方法では、本発明による式（１）の化合物を高純度、好ましくは９９％より高い純度（1Ｈ−ＮＭＲおよび／またはＨＰＬＣによって測定される）で得ることが可能である。
【００８１】
ここで説明する合成法では、特に、以下に示す、本発明による式（３４７）〜（４９６）の化合物の調製が可能である。
【化４６】
2013543487.tif 000047
【化４７】
2013543487.tif 000048
【化４８】
2013543487.tif 000049
【化４９】
2013543487.tif 000050
【化５０】
2013543487.tif 000051
【化５１】
2013543487.tif 000052
【化５２】
2013543487.tif 000053
【化５３】
2013543487.tif 000054
【化５４】
2013543487.tif 000055
【化５５】
2013543487.tif 000056
【化５６】
2013543487.tif 000057
【化５７】
2013543487.tif 000058
【化５８】
2013543487.tif 000059
【００８２】
上述の式（１）の錯体および上で言及した好ましい態様は、電子デバイスにおいて活性成分として使用することができる。電子デバイスとは、アノードと、カソードと、少なくとも１層の層とを含むデバイスを意味するとみなされ、この層が、少なくとも１種の有機または有機金属化合物を含む。したがって、本発明による電子デバイスは、アノードと、カソードと、少なくとも１種の上で示した式（１）の化合物を含む少なくとも１層の層とを含む。ここで好ましい電子デバイスは、少なくとも１つの層の中に、少なくとも１種の上で示した式（１）の化合物を含む、有機エレクトロルミネッセンスデバイス（ＯＬＥＤ、ＰＬＥＤ）、有機集積回路（Ｏ−ＩＣ）、有機電界効果トランジスタ（Ｏ−ＦＥＴ）、有機薄膜トランジスタ（Ｏ−ＴＦＴ）、有機発光トランジスタ（Ｏ−ＬＥＴ）、有機太陽電池（Ｏ−ＳＣ）、有機光学検出器、有機受光素子、有機電場消光デバイス（Ｏ−ＦＱＤ）、発光電子化学セル（ＬＥＣ）、または有機レーザーダイオード（Ｏ−レーザー）からなる群から選択される。有機エレクトロルミネッセンスデバイスが特に好ましい。活性成分は、一般には、アノードとカソードの間に導入される有機または無機材料、たとえば、電荷注入、電荷輸送、または電荷ブロッキング材料であるが、特に、発光材料およびマトリックス材料である。本発明による化合物は、有機エレクトロルミネッセンスデバイスにおける発光材料として特に良好な特性を示す。したがって、有機エレクトロルミネッセンスデバイスは、本発明の好ましい一態様である。
【００８３】
有機エレクトロルミネッセンスデバイスは、カソードと、アノードと、少なくとも１層の発光層とを含む。また、こうした層に加えて、さらなる層、たとえば、各場合において、１層以上の正孔注入層、正孔輸送層、正孔ブロッキング層、電子輸送層、電子注入層、励起子ブロッキング層、電荷発生層、および／または有機もしくは無機ｐ／ｎ接合層を含んでもよい。同様に、たとえば、励起子ブロッキング機能を有し、かつ／またはエレクトロルミネッセンスデバイスにおける電荷均衡を制御する中間層を、２つの発光層の間に導入することも可能である。しかし、これらの層はそれぞれ、必ずしも存在する必要がないことを指摘しなければならない。有機エレクトロルミネッセンスデバイスは、１層の発光層を含んでも、または複数の発光層を含んでもよい。複数の発光層が存在する場合、それら発光層は、好ましくは、全体で、３８０ｎｍ〜７５０ｎｍの複数の発光極大を有する結果、全体として白色の発光を生じ、すなわち、蛍光または燐光を発し得る様々な発光性化合物が発光層中に使用される。３つの層が青、緑、および橙もしくは赤の発光を示す三層系（基礎構造については、たとえばＷＯ０５／０１１０１３を参照されたい）、または３層を超える発光層を含む系が特に好ましい。
【００８４】
本発明の好ましい一態様では、有機エレクトロルミネッセンスデバイスは、１層以上の発光層中に、式（１）の化合物または上で言及した好ましい態様を発光化合物として含む。
【００８５】
式（１）の化合物を発光層中に発光性化合物として用いる場合、１種以上のマトリックス材料と組み合わせて用いることが好ましい。式（１）の化合物とマトリックス材料の混合物は、エミッタとマトリックス材料とを含む全混合物に対し、０．１〜９９重量％、好ましくは０．５〜４０％重量％、特に好ましくは１〜３０重量％、特に２〜２５重量％の式（１）の化合物を含む。それに応じて、混合物は、エミッタとマトリックス材料とを含む全混合物に対し、９９〜１重量％、好ましくは９８〜６０重量％、特に好ましくは９７〜７０重量％、特に９５〜７５重量％のマトリックス材料を含む。
【００８６】
本発明による化合物に適するマトリックス材料は、ケトン、ホスフィンオキシド、スルホキシド、およびスルホン、たとえば、ＷＯ２００４／０１３０８０、ＷＯ２００４／０９３２０７、ＷＯ２００６／００５６２７またはＤＥ１０２００８０３３９４３．１によるもの、トリアリールアミン、カルバゾール誘導体、たとえば、ＣＢＰ（Ｎ，Ｎ−ビスカルバゾリルビフェニル）またはＷＯ０５／０３９２４６、ＵＳ２００５／００６９７２９、ＪＰ２００４／２８８３８１、ＥＰ１２０５５２７もしくはＷＯ２００８／０８６８５１で開示されているカルバゾール誘導体、インドロカルバゾール誘導体、たとえば、ＷＯ２００７／０６３７５４またはＷＯ２００８／０５６７４６によるもの、インデノカルバゾール誘導体、たとえば、出願ＤＥ１０２００９０２３１５５．２およびＤＥ１０２００９０３１０２１．５によるもの、アザカルバゾール、たとえば、ＥＰ１６１７７１０、ＥＰ１６１７７１１、ＥＰ１７３１５８４、ＪＰ２００５／３４７１６０によるもの、双極性マトリックス材料、たとえば、ＷＯ２００７／１３７７２５によるもの、シラン、たとえば、ＷＯ２００５／１１１１７２によるもの、アザボロールまたはボロン酸エステル、たとえば、ＷＯ０６／１１７０５２によるもの、トリアジン誘導体、たとえば、出願ＤＥ１０２００８０３６９８２．９、ＷＯ２００７／０６３７５４またはＷＯ２００８／０５６７４６によるもの、亜鉛錯体、たとえば、ＥＰ６５２２７３またはＷＯ２００９／０６２５７８によるもの、ジアザまたはテトラアザシロール誘導体、たとえば、ＤＥ１０２００８０５６６８８．８によるもの、またはジアザホスホール誘導体、たとえば、ＤＥ１０２００９０２２８５８．６によるものである。
【００８７】
また、混合物としての、複数の異なるマトリックス材料、特に、少なくとも１種の電子導電性マトリックス材料と少なくとも１種の正孔導電性マトリックス材料とを用いることが好ましい場合もある。好ましい組合せは、たとえば、芳香族ケトンまたはトリアジンと、トリアリールアミン誘導体またはカルバゾール誘導体とを、混合マトリックスとして本発明の金属錯体に使用するものである。同様に、たとえば、ＤＥ１０２００９０１４５１３．３で開示されているような、正孔または電子輸送材料と、正孔輸送にも電子輸送にも関与しない材料の混合物も好ましい。
【００８８】
本発明のさらに好ましい一態様では、本発明による化合物は、別の１種以上のエミッタとの混合物にして用いることができる。ここで、本発明による化合物と１種以上の蛍光エミッタの混合物が格別に好ましい。さらに、１種以上の燐光エミッタとの混合物も好ましい。蛍光エミッタは、主として、励起された一重項状態から発光するのに対し、燐光エミッタは、主として、より高いスピン状態（たとえば、三重項および四重項）から光を発する。本発明の目的では、有機遷移金属の錯体は、燐光エミッタであるとみなす。別のエミッタは、好ましくは、有機化合物である。
【００８９】
本発明の特に好ましい一態様では、本発明による化合物を、別の３種のエミッタ、特に好ましい一態様では別の２種のエミッタ、格別に好ましい一態様では別の１種のエミッタと混合する。
【００９０】
本発明のさらに好ましい一態様では、エミッタ混合物は、本発明による化合物を３種、特に好ましくは２種、格別に好ましくは１種含む。
【００９１】
本発明の特に好ましい一態様では、エミッタ混合物は、本発明による化合物のうちの厳密に１種と、厳密に１種の別のエミッタとを含む。
【００９２】
本発明の目的では、さらに、混合物の少なくとも１種のエミッタの吸収スペクトルと、他の少なくとも１種のエミッタの発光スペクトルとが部分的に重複し、エミッタ間のエネルギー移動（二重ドーピング）が単純化されることが好ましい。ここでエネルギー移動は、様々な機構によって起こり得る。エネルギー移動の非限定的な例は、フェルスターまたはデクスターエネルギー移動である。
【００９３】
記載したエミッタ混合物は、好ましくは、両方が赤色光を発する少なくとも２種のエミッタを含む。さらに、赤色光を発する少なくとも１種のエミッタと、緑色光を発する少なくとも１種のエミッタとを含むエミッタ混合物も好ましい。
【００９４】
カソードは、好ましくは、仕事関数が小さい金属、種々の金属（たとえば、アルカリ土類金属、アルカリ金属、主族金属、またはランタノイド（たとえば、Ｃａ、Ｂａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｍｇ、Ｙｂ、Ｓｍなど））を含む金属合金または多層構造を含む。同じく適切なのは、アルカリまたはアルカリ土類金属と銀の合金、たとえば、マグネシウムと銀の合金である。多層構造の場合では、仕事関数が比較的大きい別の金属、たとえばＡｇなどを、前記金属に加えて使用してもよく、この場合、金属の組合せ、たとえばＣａ／ＡｇやＢａ／Ａｇなどが一般に使用される。金属カソードと有機半導体の間に、誘電率の高い材料からなる薄い中間層を導入することが好ましい場合もある。この目的に適するのは、たとえば、アルカリ金属またはアルカリ土類金属フッ化物に加え、対応する酸化物または炭酸塩（たとえば、ＬｉＦ、Ｌｉ2Ｏ、ＢａＦ2、ＭｇＯ、ＮａＦ、ＣｓＦ、Ｃｓ2ＣＯ3など）である。この層の層厚さは、好ましくは、０．５〜５ｎｍである。
【００９５】
アノードは、好ましくは、仕事関数が大きい材料を含む。アノードは、仕事関数が４．５ｅＶより大きい（対真空準位）ことが好ましい。この目的に適するのは、他方では、レドックス電位が高い金属、たとえばＡｇ、Ｐｔ、Ａｕなどである。他方では、金属／金属酸化物電極（たとえば、Ａｌ／Ｎｉ／ＮｉＯx、Ａｌ／ＰｔＯx）が好ましい場合もある。一部の適用例では、有機材料への照射（Ｏ−ＳＣ）または光のカップリングアウト（ＯＬＥＤ／ＰＬＥＤ、Ｏ−レーザー）の何れかを可能にするために、電極の少なくとも一方が透明でなければならない。好ましい構造は、透明アノードを使用するものである。ここで好ましいアノード材料は、導電性の混合金属酸化物である。酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）または酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）が特に好ましい。さらに、導電性のドープ処理有機材料、特に導電性ドープポリマーも好ましい。
【００９６】
一般に、先行技術に従って層に使用されるすべての材料を、さらなる層において使用することができ、当業者なら、創意に富んだステップを踏まずとも、電子デバイスにおいて、これら材料それぞれを、本発明による材料と組み合わせることができる。
【００９７】
デバイスは、それ相応に（適用例に応じて）構築され、接点が設けられ、最後に、このタイプのデバイスの寿命は、水および／または空気の存在下で大幅に短縮するので、密閉される。
【００９８】
さらに、１層以上の層が昇華法によって適用されており、真空昇華ユニットにおいて、通常は１０-5ｍｂａｒ未満、好ましくは１０-6ｍｂａｒ未満の初期圧力で材料の蒸着がなされることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンスデバイスが好ましい。初期圧力を一層低くする、たとえば１０-7ｍｂａｒ未満にすることも可能である。
【００９９】
同様に、１層以上の層が、ＯＶＰＤ（有機気相成長）法によって、またはキャリアガス昇華を活用して適用されており、１０-5ｍｂａｒ〜１ｂａｒの圧力で材料が適用されていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンスデバイスも好ましい。この方法の特別な事例が、ＯＶＪＰ（有機蒸気ジェット印刷）法であり、材料はノズルで直接適用され、したがって構築される（たとえば、Ｍ．Ｓ．Ａｒｎｏｌｄら、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．２００８、９２、０５３３０１）。
【０１００】
さらに、１層以上の層が、溶液から、たとえばスピンコーティングによって、または何れかの所望の印刷法、たとえばスクリーン印刷、フレキソ印刷、もしくはオフセット印刷によって、しかし特に好ましくはＬＩＴＩ（光誘発熱画像化、熱転写印刷）もしくはインクジェット印刷によって生成されていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンスデバイスも好ましい。本発明による式（１）の化合物は、有機溶媒への溶解性が非常に良好であるので、溶液からの処理に特に適する。
【０１０１】
有機エレクトロルミネッセンスデバイスは、１層以上の層を溶液から適用し、他の１層以上の層を蒸着によって適用することによる混成系として製造することもできる。したがって、たとえば、式（１）の化合物とマトリックス材料とを含む発光層を溶液から適用し、正孔ブロッキング層および／または電子輸送層を真空蒸着によって上面に適用することが可能である。
【０１０２】
これらの方法は、当業者に一般に知られており、式（１）の化合物または上で挙げた好ましい態様を含む有機エレクトロルミネッセンスデバイスに、当業者の手で問題なく適用することができる。
【０１０３】
溶液からの処理には、式（１）の化合物の溶液または調合物が必要である。また、２種以上の溶媒の混合物を使用することが好ましい場合もある。適切で好ましい溶媒は、たとえば、トルエン、アニソール、ｏ−、ｍ−もしくはｐ−キシレン、安息香酸メチル、ジメチルアニソール、メシチレン、テトラリン、ベラトロール、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、メチル−ＴＨＦ、ＴＨＰ、クロロベンゼン、ジオキサン、またはこれら溶媒の混合物である。
【０１０４】
したがって、本発明はさらに、少なくとも１種の式（１）化合物と１種以上の溶媒、特に有機溶媒とを含む溶液または調合物に関する。このタイプの溶液を調製することのできる方法は、当業者に知られており、たとえば、ＷＯ０２／０７２７１４、ＷＯ２００３／０１９６９４、およびそこに引用されている文献に記載されている。
【０１０５】
本発明による電子デバイス、特に有機エレクトロルミネッセンスデバイスは、先行技術に優る以下の意外な利点によって特徴付けられる。
【０１０６】
１．式（１）の化合物は、非常に多種類の一般的な有機溶媒への溶解性が非常に良好であり、したがって、溶液からの処理に非常に適している。特に、本発明による化合物は、先行技術に記載されている類似化合物より高い溶解性を有する。
【０１０７】
２．式（１）の化合物を発光材料として含む有機エレクトロルミネッセンスデバイスは、卓越した寿命を有する。特に、その寿命は、先行技術による類似化合物の場合より良好である。
【０１０８】
３．式（１）の化合物を発光材料として含む有機エレクトロルミネッセンスデバイスは、効率が優れている。特に、その効率は、先行技術による類似化合物の場合より良好である。
【０１０９】
上で言及したこれらの利点は、他の電子的特性の低下を伴うものではない。
【０１１０】
本発明による化合物は、特定の必要条件下で光を発することができる。したがって、こうした化合物は、非常に用途が広い。ここで主な応用分野の一部は、ディスプレイまたはイルミネーション技術である。さらに、化合物およびそうした化合物を含むデバイスを、光線療法の分野で用いることも特に有利である。
【０１１１】
したがって、本発明はさらに、本発明による化合物および化合物を含むデバイスを、疾患の治療、予防、および診断に使用することに関する。本発明はまたさらに、本発明による化合物および化合物を含むデバイスを、美容状態の治療および予防に使用することに関する。
【０１１２】
本発明はさらに、治療疾患の治療、予防、および／または診断用のデバイスを製造するための、本発明による化合物の使用に関する。
【０１１３】
光線療法（phototherapyまたはlight therapy）は、多くの医療および／または美容分野で使用される。したがって、本発明による化合物およびそうした化合物を含むデバイスは、すべての疾患の治療および／または予防および／または診断のために、および／または当業者が光線療法の使用を考える美容用途において、用いることができる。光線療法という用語は、照射に加えて、一般に光線力学的治療（ＰＤＴ）ならびに消毒および殺菌も包含する。光線療法は、ヒトまたは動物だけでなく、他の何れかの種類の生体または非生体材料の処理にも使用することができる。それらには、たとえば、菌類、バクテリア、微生物、ウイルス、真核生物、原核生物、食品、飲料、水、および飲料水が含まれる。
【０１１４】
光線療法という用語は、光線療法と、他の種類の療法、たとえば活性化合物による治療などとの、何れかのタイプの組合せも包含する。多くの光線療法は、目的物の外側の部分、たとえば、ヒトおよび動物の皮膚、創傷、粘膜、眼、毛髪、爪、爪床、歯肉、および舌の照射または治療を目的としている。加えて、本発明に従う治療または照射は、たとえば、内臓（心臓、肺など）、血管、または乳房を治療するために、対象の内部でも実施することができる。
【０１１５】
本発明による応用例の治療および／または美容分野は、好ましくは、皮膚疾患、および皮膚に関連した疾患、変化、または状態、たとえば、乾癬、皮膚老化、皮膚のしわ、皮膚の若返り、皮膚の毛穴の広がり、セルライト、油性／脂性肌、毛嚢炎、日光性角化症、前がん性日光性角化症、皮膚病変、日焼けにより損傷およびストレスを受けた皮膚、目尻の小じわ、皮膚潰瘍、ざ瘡、酒さ性ざ瘡、ざ瘡による瘢痕、ざ瘡菌、脂性／油性皮脂腺およびその周囲組織のフォトモジュレーション、黄疸、新生児黄疸、白斑、皮膚がん、皮膚腫瘍、クリグラー−ナジャー、皮膚炎、アトピー性皮膚炎、糖尿病性皮膚潰瘍、皮膚の脱感作などの群から選択される。
【０１１６】
本発明の目的では、乾癬、ざ瘡、セルライト、皮膚のしわ、皮膚老化、黄疸、および白斑の治療および／または予防が特に好ましい。
【０１１７】
本発明による組成物および／または組成物を含むデバイスの、本発明による別の応用分野は、炎症性疾患、リウマチ様関節炎、疼痛治療、創傷治療、神経疾患および状態、水腫、ページェット病、原発性および転移性腫瘍、結合組織の疾患または変化、哺乳動物の組織におけるコラーゲン、線維芽細胞、および線維芽細胞起源の細胞レベルの変化、網膜への照射、血管新生および肥厚性疾患、アレルギー反応、呼吸路への照射、発汗、眼の血管新生疾患、ウイルス感染、特に、疣贅および性器疣贅治療について単純ヘルペスまたはＨＰＶ（ヒトパピローマウイルス）によって引き起こされる感染の群から選択される。
【０１１８】
本発明の目的では、リウマチ様関節炎、ウイルス感染、および疼痛の治療および／または予防が特に好ましい。
【０１１９】
本発明による化合物および／または化合物を含むデバイスの、本発明による別の応用分野は、冬季うつ病、睡眠病、気分を改善するための照射、疼痛、特に、たとえば緊張によって引き起こされる筋肉痛または関節痛の軽減、関節のこわばりの解消、および歯のホワイトニング（漂白）から選択される。
【０１２０】
本発明による化合物および／または化合物を含むデバイスの、本発明による別の応用分野は、消毒の群から選択される。本発明による化合物および／または本発明によるデバイスは、何れかの種類の目的物（非生体材料）または対象（生体材料、たとえばヒトおよび動物）の治療に、消毒の目的で使用することができる。これには、たとえば、創傷の消毒、バクテリアの低減、手術器具または他の物品の消毒、食品、液体、特に、水、飲料水および他の飲料の消毒、粘膜、歯肉および歯の消毒が含まれる。ここで消毒とは、望ましくない影響の微生物学的生体原因因子、たとえば、バクテリアまたは病原菌の減少を意味するとみなされる。
【０１２１】
上で言及した光線療法の目的では、本発明による化合物を含むデバイスは、好ましくは、２５０〜１２５０ｎｍ、特に好ましくは３００〜１０００ｎｍ、特に好ましくは４００〜８５０ｎｍの波長を有する光を発する。
【０１２２】
本発明の特に好ましい一態様では、本発明による化合物は、光線療法の目的で、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）または有機発光電子化学セル（ＯＬＥＣ）中に用いる。ＯＬＥＤもＯＬＥＣも、何れかの所望の横断面（たとえば、円形、楕円形、多角形、正方形）を有する、単層または多層構造の、平面または繊維様構造をとることができる。こうしたＯＬＥＣおよび／またはＯＬＥＤは、別の機械的、接着性、および／または電子的要素（たとえば、バッテリー、および／または照射時間、強度および波長を調節するための制御装置）を含む他のデバイスに取り付けることができる。本発明によるＯＬＥＣおよび／またはＯＬＥＤを含むこうしたデバイスは、好ましくは、プラスター、パッド、テープ、帯具、カフ、ブランケット、縁なし帽、寝袋、編織布、およびステントからなる群から選択される。
【０１２３】
前記治療および／または美容目的での前記デバイスの使用は、ＯＬＥＤおよび／またはＯＬＥＣを使用する本発明によるデバイスを活用して、事実上いかなる場所でも、また日中のいつでも、弱い照射強度の均質な照射が可能であるので、先行技術と比べて特に有利である。照射は、入院患者として、外来患者として、および／または患者自身によって、すなわち、医療または美容専門家による手ほどきなしで実施することができる。すなわち、たとえば、プラスターは、衣服の下に着用することができるので、就業時間中、余暇時、または睡眠中でも照射が可能になる。多くの場合において、複雑な入院患者／外来患者治療を回避し、またはその頻度を減少させることができる。本発明によるデバイスは、再使用を企図してもよいし、または１回、２回もしくは３回使用した後に処分することのできる、使い捨ての物品にしてもよい。
【０１２４】
先行技術に優る別の利点は、たとえば、熱の放散がより少ないこと、および情緒的側面である。すなわち、黄疸のせいで治療を受けている新生児は、通常、親との身体的接触なしに、保育器の中で目隠しされて照射を受けなければならず、これが、親および新生児にとって情緒的なストレス状況となる。本発明によるＯＬＥＤおよび／またはＯＬＥＣを含む本発明によるブランケットを活用することで、情緒的ストレスを有意に軽減することができる。加えて、本発明によるデバイスの熱産生は、従来の照射設備と比べて低減されているので、新生児のより良好な温度管理が可能である。
【０１２５】
本発明において記載する態様の変形形態は、本発明の範囲内に含まれることを指摘しなければならない。本発明で開示する各特色は、明確に除外しない限り、同一、等価、または同類の目的にかなうそれに代わる特色で置きかえることができる。すなわち、本発明で開示する各特色は、別段記載しない限り、包括的な系列の一例か、または等価もしくは同類の特色とみなすべきである。
【０１２６】
本発明のすべての特色は、特定の特色および／またはステップが相互排除的でない限り、いかなる形でも互いに組み合わせることができる。これは特に、本発明の好ましい特色に当てはまる。同様に、本質的でない組合せの特色は、個別に（かつ組み合わせずに）使用することができる。
【０１２７】
さらに、特色、特に本発明の好ましい態様の特色の多くは、単に本発明の態様の一端としてだけでなく、それ自体が創意に富むとみなすべきであることも指摘しなければならない。現在特許請求がなされている各発明に加えて、またはその代わりとして、こうした特色について、独立した保護が認められることもあり得る。
【０１２８】
本発明と共に開示される技術的行為に関する教示は、抜粋し、他の例と組み合わせることができる。
【０１２９】
以下の実施例によって本発明をより詳細に説明するが、実施例は本発明を限定するものではない。
【０１３０】
［実施例］
以下の合成は、別段指摘しない限り、保護気体雰囲気中にて、無水溶媒中で実施する。出発材料ＩＩおよびＩＶは、（たとえば、ＶＷＲ  Ｃｈｅｍｉｋａｌｉｅｎから）市販品として入手可能である。化合物ＩおよびＶＩＩＩは、ＷＯ０２／０６８４３５にある化合物と似たようにして調製することができる。化合物ＶＩは、Ｏｒｇａｎｉｃ  ｌｅｔｔｅｒｓ、２００５、７、１９、４２７７〜４２８０に従って調製することができる。
【０１３１】
例１
化合物Ｔ１の調製
化合物Ｔ１調製のための合成手順：
【化５９】
2013543487.tif 000060
【０１３２】
５．０ｇ（４．８ｍｍｏｌ）の化合物Ｉおよび１．１ｇ（５．３ｍｍｏｌ）の酢酸カリウムを、１００ｍｌの脱気したジメチルアセトアミドに懸濁させる。この懸濁液に１１ｍｇ（０．０５ｍｍｏｌ）のＰｄ（ＯＡｃ）2を加える。２．７ｇ（１４．４ｍｍｏｌ）の化合物ＩＩを加える。反応混合物を還流させながら４日間加熱する。冷却した後、反応溶液を１７５ｍｌの水中に注ぐ。次いで２００ｍｌのジクロロメタンを加える。有機相を分離し、７５ｍｌの水で３回洗浄し、引き続いて蒸発乾固する。残渣をエタノールで洗浄し、トルエンから再結晶させ、最後に減圧下で乾燥させる。収率は、理論の８０．７％に相当して５．３ｇ（３．９ｍｍｏｌ）である。
【０１３３】
例２
化合物Ｔ２の調製
化合物Ｔ２調製のための合成手順：
【化６０】
2013543487.tif 000061
【０１３４】
合成は、５．０ｇ（４．８ｍｍｏｌ）の化合物Ｉを使用して、例１の化合物Ｔ１の合成と似たようにして行い、化合物ＩＩは、３．１ｇ（１４．４ｍｍｏｌ）の化合物ＩＶで置きかえる。収率は、理論の８５．２％に相当して５．９ｇ（４．１ｍｍｏｌ）である。
【０１３５】
例３
化合物Ｔ３の調製
化合物Ｔ３調製のための合成手順：
【化６１】
2013543487.tif 000062
【０１３６】
合成は、５．０ｇ（４．８ｍｍｏｌ）の化合物１を使用して、例１の化合物Ｔ１の合成と似たようにして行い、化合物ＩＩは、３．９ｇ（１４．４ｍｍｏｌ）の化合物ＶＩで置きかえる。収率は、理論の６８．８％に相当して５．３ｇ（３．３ｍｍｏｌ）である。
【０１３７】
例４
化合物Ｔ４の調製
化合物Ｔ４調製のための合成手順：
【化６２】
2013543487.tif 000063
【０１３８】
合成は、２．７ｇ（１４．４ｍｍｏｌ）の化合物ＩＩを使用して、例１の化合物Ｔ１の合成と似たようにして行い、化合物Ｉは、５．０ｇ（４．８ｍｍｏｌ）の化合物ＶＩＩＩで置きかえる。収率は、理論の７７．９％に相当して５．１ｇ（３．７ｍｍｏｌ）である。
【０１３９】
例５
化合物Ｔ５の調製
化合物Ｔ５調製のための合成手順：
【化６３】
2013543487.tif 000064
【０１４０】
６．０ｇ（４．４ｍｍｏｌ）の化合物Ｔ１を１００ｍｌのジクロロメタンに溶かした溶液に、３．８ｇ（１４．６ｍｍｏｌ）のＮ−（フェニルスルホニル）−３−フェニルオキサジリジンを加える。反応混合物を室温で２０時間撹拌する。蒸発にかけた残渣をシリカゲルカラムで精製する。固体をトルエンから再結晶させ、減圧下で乾燥させる。収率は、理論の２５．４％に相当して１．６ｇ（１．１ｍｍｏｌ）である。
【０１４１】
例６
化合物Ｔ６の調製
化合物Ｔ６調製のための合成手順：
【化６４】
2013543487.tif 000065
【０１４２】
７．５ｇ（５．３ｍｍｏｌ）の化合物Ｔ５および３．２ｇ（８．０ｍｍｏｌ）の２，４−ビス−（４−メトキシフェニル）−１，３，２，４−ジチアジホスフェタン２，４−ジスルフィド（Ｌａｗｅｓｓｏｎ試薬）を、１００ｍｌの脱気したトルエンに懸濁させる。懸濁液を還流させながら２０時間加熱する。冷却した後、反応混合物を濾過する。固体をトルエンから再結晶させる。収率は、理論の６５．２％に相当して５．１ｇ（３．５ｍｍｏｌ）である。
【０１４３】
例７〜１２
本発明による化合物を含む有機エレクトロルミネッセンスデバイスの製造および特性決定
以下で使用するマトリックス材料ＴＭＭ−１（ＤＥ１０２００８０３６９８２に従って合成される）およびＴＭＭ−２（ＤＥ１０２００８０１７５９１に従って合成される）の構造を以下に図示する。
【化６５】
2013543487.tif 000066
【０１４４】
本発明による材料は、溶液から使用することができ、その場合、材料から、製造が簡単な、良好な特性を有するデバイスが得られる。このような素子の製造は、すでに多数回文献（たとえばＷＯ２００４／０３７８８７）に記載されている高分子発光ダイオード（ＰＬＥＤ）の製造に準拠する。当事例では、本発明による化合物Ｔ１〜Ｔ６をトルエンに溶解させる。このような溶液の典型的な固体含有量は、ここでのようにデバイスの典型的な層厚さである８０ｎｍをスピンコーティングによって実現しようとする場合、１６〜２５ｇ／ｌである。使用するエレクトロルミネッセンスデバイスは、次の構造：ＩＴＯ／ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ／中間層／ＥＭＬ／カソード（ＥＭＬは発光層を表す）を示す。構築されたＩＴＯ基板、およびいわゆるバッファ層（ＰＥＤＯＴ、より正確にはＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ）用の材料は、市販品として入手可能である（ＩＴＯはＴｅｃｈｎｏｐｒｉｎｔ他から、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳは、Ｈ．Ｃ．ＳｔａｒｃｋからＣｌｅｖｉｏｓ  Ｂａｙｔｒｏｎ  Ｐ水性分散液として）。使用する中間層は、正孔注入に適し、この事例ではＭｅｒｃｋ  ＫＧａＡ（ドイツ国）のＨＩＬ−０１２を使用した。発光層は、不活性気体雰囲気中、当事例ではアルゴン中でのスピンコーティングによって適用し、１２０℃で１０分間乾燥させる。最後に、バリウムおよびアルミニウムカソードを真空蒸着によって適用する。正孔ブロッキング層および／または電子輸送層を、発光層（ＥＭＬ）とカソードの間に蒸着によって適用することもできる。さらに、中間層は、１層以上の層で置きかえてもよく、１層以上の層は、溶液から発光層を成膜させる後続の処理ステップによって再び離れないという条件を満たしさえすればよい。
【０１４５】
デバイスは、当分野で当業者によく知られている方法によって、標準的に特定決定される。しかし、ここで言及するＯＬＥＤは、まだ最適化していない。表１に、取得したデータを要約する。処理したデバイスの場合、本発明による材料が、効率および／または寿命において、以前から入手可能な材料より優れていることは明白である。
【表１】
2013543487.tif 000067
【国際調査報告】
2013543487.tif 000080
2013543487.tif 000081
2013543487.tif 000082
2013543487.tif 000083
2013543487.tif 000084
2013543487.tif 000085
2013543487.tif 000086
2013543487.tif 000087