【事件の表示】
　　特許第２７８３１２３号「半導体基板およびその製造方法」の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第２７８３１２３号の請求項１ないし８に係る特許を維持する。
【理　由】
(1)手続の経緯　特許第２７８３１２３号の請求項1ないし８に係る発明についての出願は、平成５年５月２８日に特許出願され、平成１０年５月２２日にその発明について特許の設定登録がなされ、その後、その特許について、異議申立人増子哲より特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１１年８月３日に訂正請求がなされた後、訂正拒絶理由通知がなされ、その指定期間内である平成１２年２月１８日に訂正請求の補正がなされたものである。
(2)訂正の適否についての判断　
　ア.訂正の内容
　　特許権者が求めている訂正の内容は、以下のaないしｅのとおりである。
訂正事項a
　特許請求の範囲の請求項1中の「周囲及び裏面から所望の距離を置いて配置され」を特許請求の範囲の滅縮を目的として「外周及び裏面から所望の距離を置いて配置されると共に前記外周から連続する所望の距離の部分を除いて連続的に形成配置され」と訂正する。
訂正事項b
　特許請求の範囲の請求項4中の「外周から所望の幅の」を特許請求の範囲の減縮を目的として「外周から連続する所望の幅の」と訂正する。
訂正事項c
  特許請求の範囲の請求項5中の「外周から所望の幅の」を特許請求の範囲の滅縮を目的として「外周から連続する所望の幅の」と訂正する。
訂正事項d
　段落番号0006(特許掲載公報第2頁右欄第31行乃至42行)の記載「【課題を解決するための手段】本発明は、第1導電型半導体基板と前記第1導電型半導体基板上に成長されたエピタキシャル層からなる半導体基板に於いて、第1導電型高濃度半導体領域が前記第1導電型半導体基板表面に前記第1導電型半導体基板の周囲及び裏面から所望の距離を置いて配置され、かつ前記エピタキシャル層が第1導電型高濃度半導体領域上に接するように設けられていることを特徴とする半導体基板である。また、前記第1導電型高濃度半導体領域の不純物濃度が５×１０18個/cm3以上であるものであり、また、前記第1導電型高濃度半導体領域が、非活性領域として構成されている半導体基板を用いた半導体装置である。」を、明瞭でない記載の釈明を目的として、「【課題を解決するための手段】本発明は、第1導電型半導体基板と前記第1導電型半導体基板上に成長されたエピタキシャル層からなる半導体基板に於いて、第1導電型高濃度半導体領域が前記第1導電型半導体基板表面に前記第1導電型半導体基板の周囲及び裏面がら所望の距離を置いて配置されると共に前記第1導電型半導体基板の外周から所望の距離の部分を除いて連続的に形成配置され、かつ前記エピタキシャル層が第1導電型高濃度半導体領域上に接するように設けられていることを特徴とする半導体基板である。また、前記第1導電型高濃度半導体領域の不純物濃度が５×１０18個/cm3以上であるものであり、また、前記第1導電型高濃度半導体領域が、非活性領域として構成されている半導体基板を用いた半導体装置である。」と訂正する。
訂正事頃e
段落番号0007(特許掲載公報第2頁右欄第43行乃至第3頁左欄15行)の記載
「　また、本発明は、第1導電型半導体基板の外周から所望の幅の表面領域に
マスク材を形成する工程と、前記マスク材をマスクとしてイオン注入法にて第1導電型高濃度半導体領域を形成する工程と、前記マスク材を除去後、前記第1導電型半導体基板表面にエピタキシャル層を形成する工程とを有し、前記エピタキシャル層が第1導電型高濃度半導体領域上に接するように設けられていることを特徴とする半導体基板の製造方法である。また、本発明は、第1導電型半導体基板の外周から所望の幅の表面領域にマスク材を形成する工程と、前記マスク材をマスクとして不純物の熱拡散法にて第1導電型高濃度半導体領域を形成する工程と、前記マスク材を除去後、前記第1導電型半導体基板表面にエピタキシャル層を形成する工程とを有し、前記エピタキシャル層が第1導電型高濃度半導体領域上に接するように設けられていることを特徴とする半導体基板の製造方法である。」を、明瞭でない記載の釈明を目的として、
「　また、本発明は、第1導電型半導体基板の外周から連続する所望の幅の表面領域にマスク材を形成する工程と、前記マスク材をマスクとしてイオン注入法にて第1導電型高濃度半導体領域を形成する工程と、前記マスク材を除去後、前記第1導電型半導体基板表面にエピタキシャル層を形成する工程とを有し、前記エピタキシャル層が第1導電型高濃度半導体領域上に接するように設けられていることを特徴とする半導体基板の製造方法である。また、本発明は、第1導電型半導体基板の外周から所望の幅の表面領域にマスク材を形成する工程と、前記マスク材をマスクとして不純物の熱拡散法にて第1導電型高濃度半導体領域を形成する工程と、前記マスク材を除去後、前記第1導電型半導体基板表面にエピタキシャル層を形成する工程とを有し、前記エピタキシャル層が第1導電型高濃度半導体領域上に接するように設けられていることを特徴とする半導体基板の製造方法である。」と訂正する。
　イ.訂正の目的の適否、新規事業の有無及び拡張・変更の存否
上記訂正事項aは、請求項1の「第1導電型高濃度半導体領域」をさらに限定して、「第1導電型高濃度半導体領域が前記第1導電型半導体基板表面に前記第1導電型半導体基板の外周及び裏面から所望の距離を置いて配置されると共に前記外周から連続する所望の距離の部分を除いて連続的に形成配置され」とするものである。
特許明細書第７段落「第1導電型半導体基板の外周から所望の幅の表面領域にマスク材を形成する工程」の記載及び第１図（ｂ）において、マスクが「外周から連続する」点、さらに、該マスクを用いて半導体基板の外周及び裏面から所望の距離を置いて配置されると共に前記外周から連続する所望の距離の部分を除いて連続的に形成配置された第1導電型高濃度半導体領域が記載されていると認められる。
　したがって、当該補正は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでなく、新規事項の追加に該当しない。当該補正は、特許法第120条の4第2項但し書き第1号に規定する特許請求の範囲の滅縮に相当するものである。
　上記訂正事項b、ｃについても、特許明細書第７段落「第1導電型半導体基板の外周から所望の幅の表面領域にマスク材を形成する工程」の記載及び第１図（ｂ）において、マスクが「外周から連続する」点が記載されていると認められ、同様の理由により、特許請求の範囲の減縮に該当するものであって、新規事項の追加に該当しない。
　上記訂正事項d，ｅは、課題を解決するための手段の記載と訂正後の請求項1、４の記載との整合性を採るためのものであり、明瞭でない記載の釈明である。
　ウ.独立特許要件
　　訂正明細書の請求項1、２，３，７に係る発明は、第１導電型高濃度半導体領域が
、外周及び裏面から所望の距離を置いて配置されると共に前記外周から連続する所望の距離の部分を除いて連続的に形成配置される点を付加するものである。
訂正明細書の請求項４，５，６，８に係る発明は、マスクが「外周から連続する」点を付加するものであり、請求項1ないし８に係る発明は、その特許請求の範囲の請求項1ないし８に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
　　「【請求項1】　第1導電型半導体基板と前記第1導電型半導体基板上に成長されたエピタキシャル層からなる半導体基板に於いて、第1導電型高濃度半導体領域が前記第1導電型半導体基板表面に前記第1導電型半導体基板の外周及び裏面から所望の距離を置いて配置されると共に前記外周から連続する所望の距離の部分を除いて連続的に形成配置され、かつ前記エピタキシャル層が第1導電型高濃度半導体領域上に接するように設けられていることを特徴とする半導体基板。
【請求項2】　第1導電型高濃度半導体領域の不純物濃度が５×１０18個/cm3以上であることを特徴とする請求項1記載の半導体基板。
【請求項3】　第1導電型高濃度半導体領域が、非活性領域として構成されていることを特徴とする請求項1、又は2記載の半導体基板を用いた半導体装置。
【請求項4】　第1導電型半導体基板の外周から連続する所望の幅の表面領域にマスク材を形成する工程と、前記マスク材をマスクとしてイオン注入法にて第1導電型高濃度半導体領域を形成する工程と、前記マスク材を除去後、前記第1導電型半導体基板表面にエピタキシャル層を形成する工程とを有し、前記エピタキシャル層が第1導電型高濃度半導体領域上に接するように設けられていることを、特徴とする半導体基板の製造方法。
【請求項5】　第1導電型半導体基板の外周から連続する所望の幅の表面領域にマスク材を形成する工程と、前記マスク材をマスクとして不純物の熱拡散法にて第1導電型高濃度半導体領域を形成する工程と、前記マスク材を除去後、前記第1導電型半導体基板表面にエピタキシャル層を形成する工程とを有し、前記エピタキシャル層が第1導電型高濃度半導体領域上に接するように設けられていることを特徴とする半導体基板の製造方法。
【請求項6】　マスク材がシリコン酸化膜、シリコン窒化膜、多結晶シリコン、もしくはシリコン酸化膜/シリコン窒化膜、シリコン酸化膜/多結晶シリコンの積層材であることを特徴とする請求項4、又は5記載の半導体基板の製造方法。
【請求項7】　前記エピタキシャル層は第1導電型のエピタキシャル層であることを特徴とする請求項1,2又は3のいずれかに記載の半導体基板。
【請求項8】　前記エピタキシャル層は第1導電型のエピタキシャル層であることを特徴とする請求項4,5又は6のいずれかに記載の半導体基板の製造方法。」
　取り消し理由において引用した刊行物１ないし８は以下の通りである。
　　(1)甲第1号証(特開平2-56925号公報)　　　
　　(2)甲第2号証(特開平1-160054号公報)　
　　(3)甲第3号証(特開昭62-208638号公報)　
　　(4)甲第4号証(特開昭63-92030号公報)　
　　(5)甲第5号証(半導体製造装置　実用便覧)　ｐｐ３０７−３１３　
　　(6)甲第6号証(特開昭62-24617号公報)　　
　　(7)甲第7号証(超高速バイボーラデバイス)　ｐ１０７
　　(8)甲第8号証(電子デバイス入門)　ｐｐ１０８−１０９
　証拠と各請求項記載の発明との対比
[1]請求項1記載の発明について
　甲第1号証には、「まず第２図（ａ）に示すように、P型シリコン基板1の所望位置にホトレジスト等のマスクを用い、ドーズ量５×１０14/cm2程度のホウ素をイオン注入してＰ+型埋込層４を形成する。
  次に第２図（ｂ）に示すように、マスクを除去した後、全面にＮ型不純物濃度が１×１０15/cm3程度のＮ型エピタキシャル層２を厚さ５μｍ程度に成長する。エピタキシャル成長はシリコン基板を９５０〜１１００℃に加熱し、モノシランにホスフィンを添加した反応ガスを熱分解して行う。」（第１頁右下欄第１行ないし第１２行）とともに第２図が示されている。第２図には、工程断面図（ａ）、（ｂ）が記載されている。
　よって、甲第１号証には、「P型シリコン基板1の所望位置にマスクを用い、ホウ素をイオン注入してＰ+型埋込層４を形成する。  次に、マスクを除去した後、全面にエピタキシャル層２を成長する。」点が記載されている。
甲第1号証に記載の「P型シリコン基板1」、「P+型埋込層4」が、本願発明の「第1導電型半導体基板」、「第1導電型高濃度半導体領域」に相当する。
両者を比較すると、「　第1導電型半導体基板と前記第1導電型半導体基板上に成長されたエピタキシャル層からなる半導体基板に於いて、第1導電型高濃度半導体領域が前記第1導電型半導体基板表面に前記第1導電型半導体基板の裏面から所望の距離を置いて配置される　前記エピタキシャル層が第1導電型高濃度半導体領域上に接するように設けられていることを特徴とする半導体基板。」の点で一致し、
本願発明が、第1導電型半導体基板表面に形成された第1導電型高濃度半導体領域が「前記第1導電型半導体基板の外周から所望の距離を置いて配置されると共に前記外周から連続する所望の距離の部分を除いて連続的に形成配置され」ているのに対し、甲第１号証では「所望位置」に形成されている点で相違する。
 相違点について検討する。
  第1導電型高濃度半導体領域を外周から連続する所望の距離の部分を除いて連続的に形成配置する事は、甲第１号証に何も示唆するものが無く、甲第１号証に記載された埋め込み層とは技術思想として異なるものであり、甲第１号証に記載の発明から容易に想到しうるとは認められない。
　よって、請求項1記載の発明は甲第1号証に記載の発明と同一とも、甲第1号証記載の発明から容易に想到できたとも認めることはできない。また、他の刊行物２ないし８についても第1導電型高濃度半導体領域を外周から連続する所望の距離の部分を除いて連続的に形成配置する点の記載が無いので、刊行物２ないし８に記載の発明から容易になし得るとも認められない。
[2]請求項2、３および７記載の発明について
　請求項１に記載の発明が、請求項1記載の発明は甲第1号証の第1図の半導体基板と同一とも、甲第1号証記載の発明から容易に想到できたとも認めることはできない以上、該請求項１を引用する請求項２，３，７に記載の発明も甲第1号証に記載の発明と同一とも、甲第1号証記載の発明から容易に想到できたとも認めることはできない。
[3]請求項4、5記載の発明について
  甲号各証には、エピタキシャル層及びP+型埋込層の記載は認められるが、高濃度領域形成のためのマスクが「外周から連続する」点の記載が無く、技術思想として異なるものである。
　よって、請求項1記載の発明は甲第1号証に記載の発明と同一とも、甲第1号証記載の発明から容易に想到できたとも認めることはできない。同様に他の刊行物から容易になし得るとも認められない。
[4]請求項6、8記載の発明について
  　請求項４，５に記載の発明が、請求項1記載の発明は甲第1号証の第1図の半導体基板と同一とも、甲第1号証記載の発明から容易に想到できたとも認めることはできない以上、該請求項を引用する請求項６，８に記載の発明も甲第1号証に記載の発明と同一とも、甲第1号証記載の発明から容易に想到できたとも認めることはできない。
　　よって、請求項7および8記載の発明は、甲第1号証記載の発明と第2号証記載の発明の組み合わせによって容易に想到できたものと認められない。
　エ.むすび
　　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号。以下「平成６年改正法」という。）附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、平成１１年改正前の特許法第120条の４第３項において準用する平成６年改正法による改正前の第126条第１項ただし書き、第2項及び第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
(3)特許異議申立てについて
　ア.本件発明
　　　平成１２年２月１８日付けで提出された訂正明細書の請求項1ないし８に係る発明(以下、「本件請求項1ないし８に係る発明」という。)は、その特許請求の範囲の請求項1ないし８に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
　　「【請求項1】　第1導電型半導体基板と前記第1導電型半導体基板上に成長されたエピタキシャル層からなる半導体基板に於いて、第1導電型高濃度半導体領域が前記第1導電型半導体基板表面に前記第1導電型半導体基板の外周及び裏面から所望の距離を置いて配置されると共に前記外周から連続する所望の距離の部分を除いて連続的に形成配置され、かつ前記エピタキシャル層が第1導電型高濃度半導体領域上に接するように設けられていることを特徴とする半導体基板。
【請求項2】　第1導電型高濃度半導体領域の不純物濃度が５×１０18個/cm3以上であることを特徴とする請求項1記載の半導体基板。
【請求項3】　第1導電型高濃度半導体領域が、非活性領域として構成されていることを特徴とする請求項1、又は2記載の半導体基板を用いた半導体装置。
【請求項4】　第1導電型半導体基板の外周から連続する所望の幅の表面領域にマスク材を形成する工程と、前記マスク材をマスクとしてイオン注入法にて第1導電型高濃度半導体領域を形成する工程と、前記マスク材を除去後、前記第1導電型半導体基板表面にエピタキシャル層を形成する工程とを有し、前記エピタキシャル層が第1導電型高濃度半導体領域上に接するように設けられていることを、特徴とする半導体基板の製造方法。
【請求項5】　第1導電型半導体基板の外周から連続する所望の幅の表面領域にマスク材を形成する工程と、前記マスク材をマスクとして不純物の熱拡散法にて第1導電型高濃度半導体領域を形成する工程と、前記マスク材を除去後、前記第1導電型半導体基板表面にエピタキシャル層を形成する工程とを有し、前記エピタキシャル層が第1導電型高濃度半導体領域上に接するように設けられていることを特徴とする半導体基板の製造方法。
【請求項6】　マスク材がシリコン酸化膜、シリコン窒化膜、多結晶シリコン、もしくはシリコン酸化膜/シリコン窒化膜、シリコン酸化膜/多結晶シリコンの積層材であることを特徴とする請求項4、又は5記載の半導体基板の製造方法。
【請求項7】　前記エピタキシャル層は第1導電型のエピタキシャル層であることを特徴とする請求項1,2又は3のいずれかに記載の半導体基板。
【請求項8】　前記エピタキシャル層は第1導電型のエピタキシャル層であることを特徴とする請求項4,5又は6のいずれかに記載の半導体基板の製造方法。
　イ.申立ての理由の概要
　　特許異議申立人増子哲は、本件発明１ないし８は、本件特許出願の出願日である平成４年２月１８日前に頒布された、
　　(1)甲第1号証(特開平2-56925号公報)　　　
　　(2)甲第2号証(特開平1-160054号公報)　
　　(3)甲第3号証(特開昭62-208638号公報)　
　　(4)甲第4号証(特開昭63-92030号公報)　
　　(5)甲第5号証(半導体製造装置　実用便覧)　ｐｐ３０７−３１３　
　　(6)甲第6号証(特開昭62-24617号公報)　　
　　(7)甲第7号証(超高速バイボーラデバイス)　ｐ１０７
　　(8)甲第8号証(電子デバイス入門)　ｐｐ１０８−１０９
を提示し、特許請求の範囲１ないし８に係る発明は上記甲第１号証と同一であるから特許法第２９条第１項第３号の規定により特許を受けることができない。もしくは、上記甲第１，２号証から容易に発明できたものであるから特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない旨主張する。
[1]請求項1記載の発明について
　甲第1号証には、「まず第２図（ａ）に示すように、P型シリコン基板1の所望位置にホトレジスト等のマスクを用い、ドーズ量５×１０14/cm2程度のホウ素をイオン注入してＰ+型埋込層４を形成する。
  次に第２図（ｂ）に示すように、マスクを除去した後、全面にＮ型不純物濃度が１×１０15/cm3程度のＮ型エピタキシャル層２を厚さ５μｍ程度に成長する。エピタキシャル成長はシリコン基板を９５０〜１１００℃に加熱し、モノシランにホスフィンを添加した反応ガスを熱分解して行う。」（第１頁右下欄第１行ないし第１２行）とともに第２図が示されている。第２図には、工程断面図（ａ）、（ｂ）が記載されている。また、第１図には、異なる工程を用いた埋め込み層の形成方法が記載されているが、基板外周との関係は記載されていない。
　よって、甲第１号証には、「P型シリコン基板1の所望位置にマスクを用い、ホウ素をイオン注入してＰ+型埋込層４を形成する。  次に、マスクを除去した後、全面にエピタキシャル層２を成長する。」点が記載されている。
甲第1号証に記載の「P型シリコン基板1」、「P+型埋込層4」が、本願発明の「第1導電型半導体基板」、「第1導電型高濃度半導体領域」に相当する。
両者を比較すると、「　第1導電型半導体基板と前記第1導電型半導体基板上に成長されたエピタキシャル層からなる半導体基板に於いて、第1導電型高濃度半導体領域が前記第1導電型半導体基板表面に前記第1導電型半導体基板の裏面から所望の距離を置いて配置される　前記エピタキシャル層が第1導電型高濃度半導体領域上に接するように設けられていることを特徴とする半導体基板。」の点で一致し、
本願発明が、第1導電型半導体基板表面に形成された第1導電型高濃度半導体領域が「前記第1導電型半導体基板の外周から所望の距離を置いて配置されると共に前記外周から連続する所望の距離の部分を除いて連続的に形成配置され」ているのに対し、甲第１号証では「所望位置」に形成されている点で相違する。
 相違点について検討する。
  第1導電型高濃度半導体領域を外周から連続する所望の距離の部分を除いて連続的に形成配置する事は、甲第１号証に何も示唆するものが無く、甲第１号証に記載された埋め込み層とは技術思想として異なるものであり、甲第１号証に記載の発明から容易に想到しうるとは認められない。
　よって、請求項1記載の発明は甲第1号証に記載の発明と同一とも、甲第1号証記載の発明から容易に想到できたとも認めることはできない。また、他の刊行物２ないし８についても第1導電型高濃度半導体領域を外周から連続する所望の距離の部分を除いて連続的に形成配置する点の記載が無いので、刊行物２ないし８に記載の発明から容易になし得るとも認められない。
[2]請求項2、３および７記載の発明について
　請求項１に記載の発明が、請求項1記載の発明は甲第1号証の第1図の半導体基板と同一とも、甲第1号証記載の発明から容易に想到できたとも認めることはできない以上、該請求項１を引用する請求項２，３，７に記載の発明も甲第1号証に記載の発明と同一とも、甲第1号証記載の発明から容易に想到できたとも認めることはできない。
[3]請求項4、5記載の発明について
  甲号各証には、エピタキシャル層及びP+型埋込層の記載は認められるが、高濃度領域形成のためのマスクが「外周から連続する」点の記載が無く、技術思想として異なるものである。
　よって、請求項1記載の発明は甲第1号証に記載の発明と同一とも、甲第1号証記載の発明から容易に想到できたとも認めることはできない。同様に他の刊行物から容易になし得るとも認められない。
[4]請求項6、8記載の発明について
  　請求項４，５に記載の発明が、請求項1記載の発明は甲第1号証の第1図の半導体基板と同一とも、甲第1号証記載の発明から容易に想到できたとも認めることはできない以上、該請求項を引用する請求項６，８に記載の発明も甲第1号証に記載の発明と同一とも、甲第1号証記載の発明から容易に想到できたとも認めることはできない。
　　よって、請求項7および8記載の発明は、甲第1号証記載の発明と第2号証記載の発明の組み合わせによって容易に想到できたものと認められない。
　ウ.判断
  半導体基板の外周から連続する所望の距離を置いて高濃度半導体領域を配置する点は甲第１号証ないし甲第８号証に記載が無く、また、甲第１号証ないし甲第８号証から容易に想到し得るとも認められない。
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては本件発明についての特許を取り消すことはできない。また、他に本件発明についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　エ.むすび
　したがって、本件発明についての特許は拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものと認めない。
　よって、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第２項の規定により、上記のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年３月２９日（２０００．３．２９）
【訂正の要旨】
　　　訂正の要旨
　訂正事項ａ
　　特許請求の範囲の請求項１中の「周囲及び裏面から所望の距離を置いて配置され」を特許請求の範囲の減縮を目的として「外周及び裏面から所望の距離を置いて配置されると共に前記外周から連続する所望の距離の部分を除いて連続的に形成配置され」と訂正する。
　訂正事項ｂ
　　特許請求の範囲の請求項４中の「外周から所望の幅の」を特許請求の範囲の減縮を目的として「外周から連続する所望の幅の」と訂正する。
　訂正事項ｃ
　　段落番号０００６（特許掲載公報第２頁右欄第３１行乃至４２行）の記載「【課題を解決するための手段】本発明は、第１導電型半導体基板と前記第１導電型半導体基板上に成長されたエピタキシャル層からなる半導体基板に於いて、第１導電型高濃度半導体領域が前記第１導電型半導体基板表面に前記第１導電型半導体基板の周囲及び裏面から所望の距離を置いて配置され、かつ前記エピタキシャル層が第１導電型高濃度半導体領域上に接するように設けられていることを特徴とする半導体基板である。また、前記第１導電型高濃度半導体領域の不純物濃度が５×１０１８個／ｃｍ３以上であるものであり、また、前記第１導電型高濃度半導体領域が、非活性領域として構成されている半導体基板を用いた半導体装置である。」を、明瞭でない記載の釈明を目的として、
「【課題を解決するための手段】本発明は、第１導電型半導体基板と前記第１導電型半導体基板上に成長されたエピタキシャル層からなる半導体基板に於いて、第１導電型高濃度半導体領域が前記第１導電型半導体基板表面に前記第１導電型半導体基板の周囲及び裏面から所望の距離を置いて配置されると共に前記第１導電型半導体基板の外周から所望の距離の部分を除いて連続的に形成配置され、かつ前記エピタキシャル層が第１導電型高濃度半導体領域上に接するように設けられていることを特徴とする半導体基板である。また、前記第１導電型高濃度半導体領域の不純物濃度が５×１０１８個／ｃｍ３以上であるものであり、また、前記第１導電型高濃度半導体領域が、非活性領域として構成されている半導体基板を用いた半導体装置である。」と訂正する。
　訂正事項ｄ
　段落番号０００７（特許掲載公報第２頁右欄第４３行乃至第３頁左欄１５行）の記載「また、本発明は、第１導電型半導体基板の外周から所望の幅の表面領域にマスク材を形成する工程と、前記マスク材をマスクとしてイオン注入法にて第１導電型高濃度半導体領域を形成する工程と、前記マスク材を除去後、前記第１導電型半導体基板表面にエピタキシャル層を形成する工程とを有し、前記エピタキシャル層が第１導電型高濃度半導体領域上に接するように設けられていることを特徴とする半導体基板の製造方法である。また、本発明は、第１導電型半導体基板の外周から所望の幅の表面領域にマスク材を形成する工程と、前記マスク材をマスクとして不純物の熱拡散法にて第１導電型高濃度半導体領域を形成する工程と、前記マスク材を除去後、前記第１導電型半導体基板表面にエピタキシャル層を形成する工程とを有し、前記エピタキシャル層が第１導電型高濃度半導体領域上に接するように設けられていることを特徴とする半導体基板の製造方法である。また、前記マスク材がシリコン酸化膜、シリコン窒化膜、多結晶シリコン、もしくはシリコン酸化膜／シリコン窒化膜、シリコン酸化膜／多結晶シリコンの積層材であることを特徴とするものである。さらに、前記エピタキシャル層は第１導電型のエピタキシャル層であることを特徴とする半導体基板、又は半導体基板の製造方法である。」を、明瞭でない記載の釈明を目的として、
「また、本発明は、第１導電型半導体基板の外周から連続する所望の幅の表面領域にマスク材を形成する工程と、前記マスク材をマスクとしてイオン注入法にて第１導電型高濃度半導体領域を形成する工程と、前記マスク材を除去後、前記第１導電型半導体基板表面にエピタキシャル層を形成する工程とを有し、前記エピタキシャル層が第１導電型高濃度半導体領域上に接するように設けられていることを特徴とする半導体基板の製造方法である。また、本発明は、第１導電型半導体基板の外周から所望の幅の表面領域にマスク材を形成する工程と、前記マスク材をマスクとして不純物の熱拡散法にて第１導電型高濃度半導体領域を形成する工程と、前記マスク材を除去後、前記第１導電型半導体基板表面にエピタキシャル層を形成する工程とを有し、前記エピタキシャル層が第１導電型高濃度半導体領域上に接するように設けられていることを特徴とする半導体基板の製造方法である。また、前記マスク材がシリコン酸化膜、シリコン窒化膜、多結晶シリコン、もしくはシリコン酸化膜／シリコン窒化膜、シリコン酸化膜／多結晶シリコンの積層材であることを特徴とするものである。さらに、前記エピタキシャル層は第１導電型のエピタキシャル層であることを特徴とする半導体基板、又は半導体基板の製造方法である。」と訂正する。
　
訂正事項ｅ
　特許請求の範囲の請求項５中の「外周から所望の幅の」特許請求の範囲の減縮を目的として「外周から連続する所望の幅の」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
半導体基板及びその製造方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　第１導電型半導体基板と前記第１導電型半導体基板上に成長されたエピタキシャル層からなる半導体基板に於いて、第１導電型高濃度半導体領域が前記第１導電型半導体基板表面に前記第１導電型半導体基板の外周及び裏面から所望の距離を置いて配置されると共に前記外周から連続する所望の距離の部分を除いて連続的に形成配置され、かつ前記エピタキシャル層が第１導電型高濃度半導体領域上に接するように設けられていることを特徴とする半導体基板。
　【請求項２】　第１導電型高濃度半導体領域の不純物濃度が５×１０１８個／ｃｍ３以上であることを特徴とする請求項１記載の半導体基板。
　【請求項３】　第１導電型高濃度半導体領域が、非活性領域として構成されていることを特徴とする請求項１、又は２記載の半導体基板を用いた半導体装置。
　【請求項４】　第１導電型半導体基板の外周から連続する所望の幅の表面領域にマスク材を形成する工程と、前記マスク材をマスクとしてイオン注入法にて第１導電型高濃度半導体領域を形成する工程と、前記マスク材を除去後、前記第１導電型半導体基板表面にエピタキシャル層を形成する工程とを有し、前記エピタキシャル層が第１導電型高濃度半導体領域上に接するように設けられていることを特徴とする半導体基板の製造方法。
　【請求項５】　第１導電型半導体基板の
外周から連続する所望の幅の
　【請求項６】　マスク材がシリコン酸化膜、シリコン窒化膜、多結晶シリコン、もしくはシリコン酸化膜／シリコン窒化膜、シリコン酸化膜／多結晶シリコンの積層材であることを特徴とする請求項４、又は５記載の半導体基板の製造方法。
　【請求項７】　前記エピタキシャル層は第１導電型のエピタキシャル層であることを特徴とする請求項１，２又は３のいずれかに記載の半導体基板。
　【請求項８】　前記エピタキシャル層は第１導電型のエピタキシャル層であることを特徴とする請求項４，５又は６のいずれかに記載の半導体基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】本発明は、半導体基板に関し、特に固体撮像装置や半導体メモリに用いられる半導体基板およびその製造方法に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】近年、半導体装置の高密度化、高集積化、微細化が進むに伴い、従来余り問題視されていなかった半導体基板の微小な結晶欠陥が、半導体装置の特性や歩留まりに大きな影響を与えるようになってきている。この様な状況に伴い、特に固体撮像装置では取り扱い電荷量も微量となり、半導体基板の微小な結晶欠陥による微小なリーク電流により信号電荷量が変調を受けてしまい、画像上に白い点欠陥（一般に白点欠陥、白キズとも呼ばれる。）が発生し、製造歩留まりの低下という重大な影響を及ぼしている。
　【０００３】この半導体基板の半導体装置形成領域に結晶欠陥の発生を減少もしくは抑制する対策として、半導体基板の裏面を歪を導入したり、高濃度の燐を導入したりするエクストリンシックゲッタリング方式や、半導体基板表面に残存する酸素を外方拡散させた後、半導体基板内部に残存する酸素を熱処理により析出させ、析出物を作ることにより積層欠陥や転位などの微小欠陥を誘起するイントリンシックゲッタリング方式があり、固体撮像装置の白点欠陥の発生率を抑制することが可能であったが、固体撮像装置の微細化が進み取扱い信号電荷量が微量となるにしたがい、エクストリンシックゲッタリング方式では、微小結晶欠陥の発生を抑えて白点欠陥を改善する効果は殆どなく、またイントリンシックゲッタリング方式では、イントリンシックゲッタリング処理後の熱処理プロセスによりゲッタリング効果が左右され、ばらつきが大きく、再現性に乏しかった。
　【０００４】この対策として、図３に示したように１×１０１９個／ｃｍ３程度の高不純物濃度を有する高濃度Ｐ＋＋型半導体基板４（図３（ａ））上に、エピタキシャル成長法により約３０μｍ程度の低濃度不純物濃度（例えば１×１０１５個／ｃｍ３）を有するエピタキシャル層６を形成し（図３（ｂ））、エピタキシャル層６内に固体撮像装置のような半導体装置を形成する手法が新たに開発された（参考文献：　Ｈ．Ｋｉｋｕｃｈｉ　ｅｔ　ａｌ：Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．５４（５），３０　Ｊａｎｕａｒｙ　１９８９　ｐｐ４６３，Ｒ．Ｒ．Ｔｒｏｕｔｍａｎ：　ＩＥＥＥ　ＥＬＥＣＴＲＯＮ　ＤＥＶＩＣＥ　ＬＥＴＴＥＲＳ，ＶＯＬ．ＥＤＬ−４，Ｎｏ．１２，ＤＥＣＥＭＢＥＲ　１９８３，　宿岩：特開昭５９−１０１８６３号，　田中他：特開平１−１６００５４号）。この様な半導体基板は、製造プロセル中にて、高不純物濃度を有する高濃度Ｐ＋＋型半導体基板４内に一様に無数の微小欠陥が発上し、鉄などの有害な不純物を捕獲するゲッタリング効果があり、また、高濃度Ｐ＋＋型半導体基板４とエピタキシャル層６の界面に局在する格子不整合による転位は、半導体装置の活性領域に伝搬することなく、安定で、銅なとの有害な不純物を捕獲するゲッタリング効果があり、固体撮像装置のような半導体装置の特性改善、歩留まり向上に効果があるものとして提案されている。
　【０００５】
　【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述したような半導体基板を用いて固体撮像装置のような半導体装置を製造した場合、製造プロセス中に存在する高音熱処理工程に於図４に示したように、高濃度Ｐ型半導体基板４からの不純物Ｂ（ボロン）の外方拡散により、半導体基板表面の低濃度エピタキシャル層６へ異常拡散層を形成したり、ボート８を入れる炉心管７への拡散による汚染のため、素子特性への悪影響を及ぼすという欠点があった。特に、他の半導体装置より１桁薄い不純物濃度にて拡散層、もしくは半導体領域を形成する固体撮像装置では、その悪影響が助長されるという欠点があった。
　【０００６】
　【課題を解決するための手段】本発明は、第１導電型半導体基板と前期第１導電型半導体基板上に成長されたエピタキシャル層からなる半導体基板に於いて、第１導電型高濃度半導体領域が前記第１導電型半導体基板表面に前記第１導電型半導体基板の外周及び裏面から所望の距離を置いて配置されると共に前記外周から連続する所望の距離の部分を除いて連続的に形成配置され、かつ前記エピタキシャル層が第１導電型高濃度半導体領域上に接するように設けられていることを特徴とする半導体基板である。また、前記第１導電型高濃度半導体領域の不純物濃度が５×１０１８個／ｃｍ３以上であるものであり、また、前記第１導電型高濃度半導体領域が、非活性領域として構成されている半導体基板を用いた半導体装置である。
　【０００７】また、本発明は、第１導電型半導体基板の外周から連続する所望の幅の表面領域にマスク材を形成する工程と、前記マスク材をマスクとしてイオン注入法にて第１導電型高濃度半導体領域を形成する工程と、前記マスク材を除去後、前記第１導電型半導体基板表面にエピタキシャル層を形成する工程とを有し、前記エピタキシャル層が第１導電型高濃度半導体領域上に接するように設けられていることを特徴とする半導体基板の製造方法である。また、本発明は、第１導電型半導体基板の外周から所望の幅の表面領域にマスク材を形成する工程と、前記マスク材をマスクとして不純物の熱拡散法にて第１導電型高濃度半導体領域を形成する肯定と、前記マスク材を除去後、前記第１導電型半導体基板表面にエピタキシャル層を形成する肯定とを有し、前記エピタキシャル層が第１導電型高濃度半導体領域上に接するように設けられていることを特徴とする半導体基板の製造方法である。また、前記マスク材がシリコン酸化膜、シリコン窒化膜、多結晶シリコン、もしくはシリコン酸化膜／シリコン窒化膜、シリコン酸化膜／多結晶シリコンの積層材であることを特徴とするものである。さらに、前記エピタキシャル層は第１導電型のエピタキシャル層であることを特徴とする半導体基板、又は半導体基板の製造方法である。
　【０００８】
　【作用】本発明によれば、低不純物濃度の半導体基板の周囲および裏面から所望の距離を於いて高濃度半導体領域を配置し、かつエピタキシャル層が高濃度半導体領域上に接するように設けられているので、また高濃度半導体基板裏面にマスク材を配置しているので、製造プロセス中の高温度慮履行低にて生ずる高濃度Ｐ＋＋型半導体領域からの不純物の外方拡散を防止することができるという作用をするものである。
　【０００９】
　【実施例】次に、本発明の実施例を図面を参照して説明する。
〔実施例１〕図１は、本発明の第１の実施例である半導体基板の各製造工程を示す断面図である。まず、第１導電型半導体基板として、不純物濃度約１×１０１５個／ｃｍ３程度の低濃度Ｐ型半導体基板１を周知の技術により作成する（図１（ａ））。次に、前記低濃度Ｐ型半導体基板１の周囲から約１ｍｍ程度の距離を於いて表面にシリコン酸化膜２からなるマスク材を形成する。続いて、イオン注入法を用いて不純物（ボロン）を導入し、第１導電型高濃度半導体領域として、不純物濃度約１×１０１９個／ｃｍ３程度の高濃度Ｐ＋＋型半導体領域３を形成する（図１（ｂ））。ここで、前記低濃度Ｐ型半導体基板１の裏面、および周囲から約１ｍｍ程度の距離を於いて表面にシリコン酸化膜２からなるマスク材を形成し、続いて、不純物の熱拡散法を用いて不純物（ボロン）を導入し、不純物濃度約１×１０１９個／ｃｍ３程度の高濃度Ｐ＋＋型半導体領域３を形成してもよい。
　【００１０】最後に、前記シリコン酸化膜２を除去した後、周知の技術を用いて第１導電型半導体基板上に成長された第１導電型エピタキシャル層として、不純物濃度約１×１０１５個／ｃｍ３程度の低濃度エピタキシャル層６を約３０μｍの厚さで成長する（図１（ｃ））ことにより、本発明第１の実施例の半導体基板が得られる。なお、上述したマスク材は、シリコン酸化膜に限らず、シリコン窒化膜、多結晶シリコン、もしくはシリコン酸化膜／シリコン窒化膜、シリコン酸化膜／多結晶シリコンのいずれかの積層材でもよい。上述した本発明の第１の実施例は、低濃度Ｐ型半導体基板１の周囲および裏面から所望の距離を於いて高濃度Ｐ＋＋型半導体領域３を配置し、前記低濃度Ｐ型半導体基板１の表面に低濃度エピタキシャル層６を配置した構造となる。この高濃度Ｐ＋＋型半導体傾城とエピタキシャル層の界面に局在する格子不整合による転位は、エピタキシャル層内に形成される半導体装置の活性領域に伝搬することなく安定で銅などの有害な不純物を捕獲するゲッタリング作用を行い、また、高濃度Ｐ＋＋型半導体領域は、製造プロセス中にて一様に無数の微小欠陥を発生し、鉄などの有害な不純物を捕獲するゲッタリング作用を行う。
　【００１１】〔実施例２〕図２は、本発明の第２の実施例である半導体基板の各製造工程を示す断面図である。まず、第１導電型半導体基板として、不純物濃度約１×１０１９個／ｃｍ３程度の高濃度Ｐ＋＋型半導体基板４を周知の技術により作成する（図２（ａ））。次に、前記高濃度Ｐ＋＋型半導体基板４の裏面にシリコン酸化膜５からなるマスク材を形成する（図２（ｂ））。最後に、周知の技術を用いて不純物濃度約１×１０１５個／ｃｍ３程度の低濃度エピタキシャル層６を約３０μｍの厚さで成長する（図２（ｃ））ことにより、本発明第２の実施例の半導体基板が得られる。なお、上述したマスク材は、シリコン酸化膜に限らず、シリコン窒化膜、多結晶シリコン、もしくはシリコン酸化膜／シリコン窒化膜、シリコン酸化膜／多結晶シリコンのいずれかの積載層でもよい。上述した本発明第２の実施例は、高濃度Ｐ＋＋型半導体基板４の裏面に不純物の外方拡散抑制用のマスク材を配置し、前記高濃度Ｐ＋＋型半導体基板４の表面に低濃度エピタキシャル層６を配置した構造となる。この高濃度Ｐ＋＋型半導体基板とエピタキシャル層の界面に局在する格子不整合による転位は、エピタキシャル層内に形成される半導体装置の活性領域に伝搬することなく安定で銅などの有害な不純物を捕獲するゲッタリング作用を行い、また、高濃度Ｐ＋＋半導体領域は、製造プロセス中にて一様に無数の微小欠陥を発生し、鉄などの有害な不純物を捕獲するゲッタリング作用を行う。
　【００１２】
　【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、高濃度Ｐ＋＋型半導体領域もしくは高濃度Ｐ＋＋型半導体基板からの不純物の外方拡散により、半導体基板表面のエピタキシャル層へ異常拡散層を形成を抑制することができ、製造プロセス中の高温度処理工程に生ずる炉心管への拡散による汚染のため、素子特性へ悪影響を及ぼすこともない。特に、他の半導体装置より１桁薄い不純物濃度にて拡散層、もしくは半導体領域を形成する固体撮像装置においても、それによって悪い影響が生ずることもない。詳しくは、第１の実施例に示したように低不純物濃度の半導体基板の周囲および裏面から所望の距離を於いて高濃度半導体領域を配置しているため、製造プロセス中の高温熱処理工程での高濃度半導体領域からの不純物の外方拡散を防止することが出来るという効果がある。また、第２の実施例に示したように、高濃度半導体基板裏面にマスク材を配置しているため、製造プロセス中の高温熱処理工程での高濃度半導体基板からの不純物の外方拡散を従来の１０−４〜１０−５に抑制することができるという効果が奏されるものである。
【図面の簡単な説明】
　【図１】本発明第１の実施例を示す断面図。
　【図２】本発明第２の実施例を示す断面図。
　【図３】従来技術の一例を示す断面図。
　【図４】従来技術の問題点を説明するための図。
　【符号の説明】
１　低濃度Ｐ型半導体基板
２　シリコン酸化膜
３　高濃度Ｐ＋＋型半導体領域
４　高濃度Ｐ＋＋型半導体基板
５　シリコン酸化膜
６　エピタキシャル層
７　炉心管
８　ボート