(57)【要約】  ファセット要素と、ファセット要素を支持する支持要素とを含むファセットミラーデバイスを提供する。ファセット要素は、湾曲した第１の支持区画を含み、それに対して支持要素は、接触領域内で第１の支持区画に接触してファセット要素を支持する支持縁部を形成する第２の支持区画を含む。【選択図】図２
2013533632.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ファセットミラーデバイスであって、
ファセット要素と、
支持要素と、
を含み、
前記支持要素は、前記ファセット要素を支持し、
前記ファセット要素は、湾曲した第１の支持区画を含み、
前記支持要素は、第２の支持区画を含み、
前記第２の支持区画は、接触領域内で前記第１の支持区画に接触して前記ファセット要素を支持する支持縁部を形成する、
ことを特徴とするファセットミラーデバイス。
【請求項２】
前記接触領域は、第１の曲率を有し、前記第２の支持区画は、前記支持縁部と前記ファセット要素の間にほぼ線接触が存在するような方式で該第１の曲率に対応する第２の曲率を有すること、
前記支持縁部は、少なくとも１つの縁部セグメントによって形成されること、
前記支持縁部は、連続するリング形の縁部であること、
前記支持縁部は、前記支持要素内に凹部を閉じ込める壁の端部に形成されること、及び
前記第１の支持区画は、前記接触領域内に球面を有すること、
のうちの少なくとも１つを特徴とする請求項１に記載のファセットミラーデバイス。
【請求項３】
前記ファセット要素は、接着剤結合によって前記支持要素に接続されること、
前記ファセット要素は、前記支持縁部に隣接して位置した結合材料を通じて前記支持要素に接続されること、
前記ファセット要素は、前記支持縁部と前記第１の支持区画の間の接触領域内で前記支持要素に接着的に接続されること、及び
前記ファセット要素は、接着、半田付け、レーザ半田付け、溶接、レーザ溶接、拡散接合からなる結合技術の群から選択される少なくとも１つの結合技術によって前記支持要素に接続されること、
のうちの少なくとも１つを特徴とする請求項１に記載のファセットミラーデバイス。
【請求項４】
前記支持縁部は、前記支持要素内に凹部を閉じ込める壁の端部に形成され、前記結合材料の少なくとも大部分が、該支持縁部の、該凹部から離れる方向に向く側に位置付けられること、及び
前記結合材料は、前記ファセット要素と前記支持要素の間の間隙を密封すること、
のうちの少なくとも１つを特徴とする請求項３に記載のファセットミラーデバイス。
【請求項５】
前記支持縁部は、０．５ｍｍ未満から３ｍｍまでの最小縁部曲率半径を形成する鋭い縁部であること、及び
前記支持縁部及び前記ファセット要素は、該支持縁部のあらゆる縁部点において該支持縁部と該ファセット要素の間の製造公差関連間隙の幅が０．５μｍ未満から１０μｍまでであるように選択される製造精度で製造されること、
のうちの少なくとも１つを特徴とする請求項１に記載のファセットミラーデバイス。
【請求項６】
前記ファセット要素は、少なくとも部分的に反射性を有する前面及び後面を含み、前記第１の支持区画は、該後面の一部である、
ことを特徴とし、
前記後面は、突出部が実質的にないこと、
前記第１の支持区画は、前記ファセット要素の後面の一部であり、該第１の支持区画は、連続的に湾曲したシェル、特に、球面シェルを形成し、該後面には、該後面から該球面シェルを超えて突出する突出部が実質的にないこと、
前記ファセット要素の少なくとも前記後面は、レンズ製造工程において製造されること、
前記ファセット要素の前記前面は、前記支持要素への該ファセット要素の装着中に向き調節作業に使用されるようにされた反射面区域を含むこと、及び
前記ファセット要素の前記前面は、少なくとも区画毎に湾曲したもの及び少なくとも区画毎に多角形のものうちの少なくとも一方である外側輪郭を有すること、
のうちの少なくとも１つを特徴とする、
請求項１に記載のファセットミラーデバイス。
【請求項７】
前記ファセット要素は、シリコン（Ｓｉ）、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）、石英（ＳｉＯ2）、ニッケルメッキの銅、及び鋼鉄からなる第１の材料群から選択される第１の材料で作られること、及び
前記支持要素は、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）、シリコン浸潤シリコンカーバイド（ＳｉＳｉＣ）、及びタングステンカーバイド（ＷＣ）からなる第２の材料群から選択される第２の材料で作られること、
のうちの少なくとも１つを特徴とする請求項１に記載のファセットミラーデバイス。
【請求項８】
前記支持縁部は、前記支持要素内に凹部を閉じ込める壁の端部に形成され、該壁には、該凹部内に負圧を発生させる吸引手段を該凹部に接続するようにされたコネクタ区画が設けられ、該負圧は、該支持要素への前記ファセット要素の装着中に該ファセット要素を該支持要素に対して調節可能に固定すること、
前記支持要素は、ファセットミラーデバイスの作動中に冷却媒質を受け取るようにされた少なくとも１つの冷却ダクトを含むこと、及び
前記支持縁部は、前記支持要素内に凹部を閉じ込める壁の端部に形成され、該凹部には、冷却媒質及び熱伝達媒質の一方が充填され、該熱伝達媒質は、前記ファセット要素から該支持要素への熱伝達を改善すること、
のうちの少なくとも１つを特徴とする請求項１に記載のファセットミラーデバイス。
【請求項９】
前記支持要素は、更に別のファセット要素を各々が支持する複数の更に別の第２の支持区画を含むこと、及び
前記支持要素は、少なくとも１０００個のファセット要素を支持すること、
のうちの少なくとも１つを特徴とする請求項１に記載のファセットミラーデバイス。
【請求項１０】
光学結像装置であって、
パターンを収容するようにされたマスクユニットと、
基板を収容するようにされた基板ユニットと、
前記パターンを照明するようにされた照明ユニットと、
前記パターンの像を前記基板上に転写するようにされた光学投影ユニットと、
を含み、
前記照明ユニット及び前記光学投影ユニットのうちの少なくとも一方が、ファセットミラーデバイスを含み、
前記ファセットミラーデバイスは、ファセット要素及び支持要素を含み、
前記支持要素は、前記ファセット要素を支持し、
前記ファセット要素は、湾曲した第１の支持区画を含み、
前記支持要素は、第２の支持区画を含み、
前記第２の支持区画は、接触領域内で前記第１の支持区画に接触して前記ファセット要素を支持する支持縁部を形成する、
ことを特徴とする光学結像装置。
【請求項１１】
ファセットミラーデバイスのファセット要素を支持する方法であって、
ファセット要素及び支持要素を準備する段階と、
前記ファセット要素を該ファセット要素の湾曲した第１の支持区画で前記支持要素の第２の支持区画を通じて支持する段階と、
を含み、
前記第２の支持区画は、接触領域内で前記第１の支持区画に接触して前記ファセット要素を支持する支持縁部を形成する、
ことを特徴とする方法。
【請求項１２】
前記ファセット要素は、接着剤結合によって前記支持要素に接続されること、
前記ファセット要素は、前記支持縁部に隣接して位置した結合材料を通じて前記支持要素に接続されること、
前記ファセット要素は、前記支持縁部と前記第１の支持区画との間の接触領域内で前記支持要素に接着的に接続されること、及び
前記ファセット要素は、接着、半田付け、レーザ半田付け、溶接、レーザ溶接、拡散接合からなる結合技術の群から選択される少なくとも１つの結合技術によって前記支持要素に接続されること、
のうちの少なくとも１つを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記支持縁部は、前記支持要素内に凹部を閉じ込める壁の端部に形成され、前記結合材料の大部分が、該支持縁部の、該凹部から離れる方向に向く側に位置付けられること、
前記結合材料は、前記ファセット要素と前記支持要素の間の間隙を密封すること、及び
前記支持縁部は、前記支持要素内に凹部を閉じ込める壁の端部に形成され、該凹部には、冷却媒質及び熱伝達媒質の一方が充填され、該熱伝達媒質は、前記ファセット要素から該支持要素への熱伝達を改善すること、
のうちの少なくとも１つを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
ファセットミラーデバイスを製造する方法であって、
準備段階において、ファセットミラーデバイスの作動中に光学的に使用される前面と湾曲した第１の支持区画を含む後面とを有するファセット要素と、支持縁部を形成する第２の支持区画を有する支持要素とを準備する段階と、
支持する段階において、前記ファセット要素を前記湾曲した支持縁部が接触領域内で前記第１の支持区画に接触して該ファセット要素を支持するように前記支持要素上に置く段階と、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項１５】
前記支持する段階の接触させる段階において、前記ファセット要素の前記後面の一部上に前記第１の支持区画が前記支持縁部に対して加圧されるように作用する負圧が発生されること、
前記支持する段階のファセット調節段階において、前記支持要素に対する前記ファセット要素の位置及び向きのうちの少なくとも一方の調節が、前記ファセットミラーデバイスの作動中に光学的必要性に従って実行されること、及び
前記支持する段階のファセット固定段階において、前記支持要素に対する前記ファセット要素の固定が実行されること、
のうちの少なくとも１つを特徴とする請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記接触させる段階において、前記負圧は、前記支持縁部を形成する壁によって閉じ込められた前記支持要素内の凹部に発生されること、
前記ファセット調節段階において、前記調節が、前記支持縁部と前記ファセット要素の間の接触荷重から生じる抵抗に対して実行されなければならないように、少なくともわずかな前記負圧が維持されること、
前記ファセット調節段階において、前記負圧は、前記支持要素に対する相対運動に対して前記ファセット要素を固定するために前記調節の完了時に少なくとも一時的に増加させられること、
前記ファセット固定段階において、接着剤結合が、前記ファセット要素と前記支持要素の間に発生すること、
前記ファセット固定段階において、前記ファセット要素は、接着、半田付け、レーザ半田付け、溶接、レーザ溶接、拡散接合からなる結合技術の群から選択される少なくとも１つの結合技術によって前記支持要素に接続されること、及び
前記ファセット固定段階の後に、前記支持縁部を形成する壁によって閉じ込められた凹部には、冷却媒質及び熱伝達媒質の一方が充填され、該熱伝達媒質は、前記ファセット要素から前記支持要素への熱伝達を改善すること、
のうちの少なくとも１つを特徴とする請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記接触させる段階、前記ファセット調節段階、及び前記ファセット固定段階のうちの１つにおいて、結合材料が、前記支持縁部に隣接して位置付けられる、
ことを特徴とし、
前記結合材料は、前記ファセット要素と前記支持要素に接触すること、及び該ファセット要素と該支持要素のと間の間隙を密封することのうちの少なくとも一方を行うこと、及び
前記支持縁部は、前記支持要素内に凹部を閉じ込める壁の端部に形成され、前記結合材料の大部分が、該支持縁部の、該凹部から離れる方向に向く側に位置付けられること、
のうちの少なくとも１つを特徴とする
請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記調節段階において、
前記ファセット要素の前記前面及び外側面のうちの少なくとも一方と相互作用するマニピュレータが、前記調節をもたらすために使用されること、
触覚マニピュレータ、片持ちバネマニピュレータ、非接触音響マニピュレータ、及び非接触空気圧マニピュレータからなるマニピュレータ群から選択されるマニピュレータが、前記調節をもたらすために使用されること、及び
前記ファセット要素の面に接触する触覚測定ユニット、該ファセット要素と協働する非接触測定ユニット、及び該ファセット要素の反射面区画と協働する光学測定器からなる測定ユニット群から選択される測定ユニットが、該ファセット要素の実際の調節を表す信号を供給するのに使用されること、
のうちの少なくとも１つを特徴とする、
請求項１５に記載の方法。
【請求項１９】
前記準備段階において、
前記ファセット要素の少なくとも前記後面は、レンズ製造工程において製造されること、
前記ファセット要素は、シリコン（Ｓｉ）、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）、石英（ＳｉＯ2）、ニッケルメッキの銅、及び鋼鉄からなる第１の材料群から選択される第１の材料で作られること、
前記支持要素は、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）、シリコン浸潤シリコンカーバイド（ＳｉＳｉＣ）、及びタングステンカーバイド（ＷＣ）からなる第２の材料群から選択される第２の材料で作られること、
前記支持縁部は、前記支持要素内に凹部を閉じ込める壁の端部に形成されること、
前記支持縁部は、研磨、化学機械研磨（ＣＭＰ）、ピッチ研磨、磁気粘性流体研磨（ＭＲＦＰ）、及びロボット研磨からなる加工技術の群から選択される加工技術を用いて形成されること、
前記支持縁部は、０．５ｍｍ未満から３ｍｍまでの最小縁部曲率半径を形成する鋭い縁部として形成されること、及び
前記支持縁部及び前記ファセット要素は、該支持縁部のあらゆる縁部点において該支持縁部と該ファセット要素の間の製造公差関連間隙の幅が０．５μｍ未満から１０μｍまでであるように選択される製造精度で製造されること、
のうちの少なくとも１つを特徴とする、
請求項１４に記載の方法。
【請求項２０】
少なくとも１つの更に別の支持段階において、少なくとも１つの更に別のファセット要素が、前記支持要素の更に別の第２の支持区画上に支持されること、及び
前記支持段階の前の分解段階において、前記支持要素に装着された先行ファセット要素が、該先行ファセット要素と該支持要素の間の接着剤接続の分解をもたらすのに十分な該先行ファセット要素の熱膨張をもたらす該先行使用ファセット要素上に加えられる設定可能な熱負荷を用いて前記支持縁部との接触から解除されること、
のうちの少なくとも１つを特徴とする請求項１４に記載の方法。
【請求項２１】
ファセットミラーデバイスを製造する方法であって、
準備段階において、ファセットミラーデバイスの作動中に光学的に使用される前面と湾曲した第１の支持区画を含む後面とを有するファセット要素と、第２の支持区画を有する支持要素とを準備する段階と、
支持する段階において、前記ファセット要素を前記第２の支持区画が接触領域内で前記第１の支持区画に接触して該ファセット要素を支持するように前記支持要素上に置く段階と、
前記支持する段階の接触させる段階において、前記第１の支持区画が前記第２の支持区画に対して加圧されるように前記ファセット要素の前記後面の一部上に作用する負圧を発生させる段階と、
を含むことを特徴とする方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、露光工程、特に、マイクロリソグラフィ系に使用される光学デバイス内に使用することができるファセットミラーデバイスに関する。更に、本発明は、そのようなファセットミラーデバイスを含む光学結像装置に関する。更に、本発明は、ファセットミラーデバイスのファセット要素を支持する方法、及びファセットミラーデバイスを製造する方法に関する。本発明は、マイクロ電子デバイス、特に、半導体素子を製作するためのフォトリソグラフィ工程との関連、又はそのようなフォトリソグラフィ工程中に使用されるマスク又はレチクルのようなデバイスを製作する状況に対して使用することができる。
【０００２】
一般的に、半導体素子のようなマイクロ電子デバイスを製作する状況に使用される光学系は、光学系の光路内にレンズ、ミラー、回折格子のような光学要素を含む複数の光学要素モジュールを含む。これらの光学要素は、通常、露光工程においてマスク、レチクルなどの上に形成されたパターンを照明して、このパターンの像をウェーハのような基板上に転写するために協働する。通常、光学要素は、異なる光学要素ユニット内に保持することができる１つ又はそれよりも多くの機能的に異なる光学要素群内で組み合わされる。上述のようなファセットミラーデバイスは、取りわけ、露光光ビームを均一化し、すなわち、露光光ビーム内で可能な限り均一なパワー分散をもたらすように機能することができる。
【０００３】
現在進行中の半導体素子の小型化に起因して、高い分解能への永続的な要求だけではなく、これらの半導体素子を製作するのに使用される光学要素の高い精度への要求が存在する。言うまでもなくこの精度は、最初に存在すべきであるのみならず、光学系の作動を通して維持する必要がある。この関連における特定の問題は、これらの構成要素の不均等な熱膨張がこれらの構成要素の不均等な変形をもたらして最終的に望ましくない結像誤差を招くことを回避するための光学構成要素からの適正な熱除去である。
【０００４】
その結果、例えば、それぞれの開示内容全体が引用によって本明細書に組み込まれているＤＥ  １０２  ０５  ４２５  Ａ１（Ｈｏｌｄｅｒｅｒ他）及びＤＥ  １０３  ２４  ７９６  Ａ１（Ｒｏｓｓ−Ｍｅｓｓｅｍｅｒ）に開示されているような非常に高度なファセットミラーデバイスが開発されている。
【０００５】
両方の上記文献は、取りわけ、球面後面を有するファセット要素が、支持要素内の関連する凹部内に収まるファセットミラーデバイスを示している。球面後面は、これらの凹部を閉じ込める支持要素の対応する球面壁に接して置かれる。そのような球面対球面結合部は、理論的にはファセット要素から支持要素への良好な熱伝達を有する大きい接触面積を与えることができるが、この大きい面積の接触は、主にファセット要素と支持要素の両方の製造精度に依存する。特に、球面凹部は、多くの場合に３つ全ての空間方向において望ましいので、数ミクロン又はそれ未満の精度で製造するのは比較的高価である。
【０００６】
この問題を解消するために、ＤＥ  １０３  ２４  ７９６  Ａ１（Ｒｏｓｓ−Ｍｅｓｓｅｍｅｒ）は、上述の球面の一方の上に比較的軟質のコーティング（例えば、金コーティング）を配置し、変形によって製造公差を補償することを提案している。しかし、このコーティングの低い硬質性にも関わらず、大きい接触面積に起因して、そのような変形は、ファセット要素内に望ましくない変形を招く傾向がある比較的大きい加力を必要とする。
【０００７】
ＤＥ  １０２  ０５  ４２５  Ａ１（Ｈｏｌｄｅｒｅｒ他）には別の手法が開示されており、ここではファセット要素の球面後面が、ファセット要素を受ける凹部を閉じ込める円錐壁に接してほぼ線接触して置かれる。この方式は、線接触に起因して低い熱伝達しか与えず、同時に依然として円錐壁が望ましい精度を有するのに必要な製造努力を大きく軽減することはない。
【０００８】
ＤＥ  １０２  ０５  ４２５  Ａ１（Ｈｏｌｄｅｒｅｒ他）にはファセット要素を支持する第３の手法が開示されており、ここではファセット要素の球面後面が、支持ピン要素の自由端に各々が設けられた３つの小さい球面に接してほぼ３点接触して置かれる。この場合、熱伝達は、更に悪く、同時に３つの小さい球面が望ましい精度を有するのに必要な製造努力を大きく軽減することもない。
【０００９】
上記に略述した３つ全ての場合に、ファセット要素の後面には操作レバーが接続され、対応するマニピュレータがこの操作レバーに対して作用して、支持要素に対するファセット要素の位置、主に向きを調節する。更に、一部の場合には、ファセット要素を調節し終えると、操作レバーは、ファセット要素を支持要素に対して固定するのに使用される。
【００１０】
この方式は、操作レバーが複雑さを増し、最終的にファセット要素のコストだけでなく、支持要素のような他の構成要素のコストも増すという欠点を有する。更に、相応の時間量内で正確な調節を可能にするためには、互いに打ち消し合う操作力を発生させる複数のマニピュレータが必要である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】ＤＥ  １０２  ０５  ４２５  Ａ１
【特許文献２】ＤＥ  １０３  ２４  ７９６  Ａ１
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
従って、本発明の目的は、上述の欠点を少なくともある程度解消し、ファセットミラーデバイスのファセット要素を高い精度で、特に、数ミクロン又はそれ未満の精度で支持する簡単な手法を提供することである。
【００１３】
本発明の更に別の目的は、支持要素に対する望ましい位置及び向きへのファセット要素の容易な調節を可能にすることである。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記及び他の目的は、一方では、ファセット要素が、支持要素上に形成された支持縁部（好ましくは、湾曲した）上に支持縁部とファセット要素の間に一般的な線接触が存在するように支持される場合に、簡単で信頼性が高く、容易に調節可能な支持をファセット要素に対して与えることができるという教示に基づく本発明によって達成される。そのような湾曲支持縁部は、容易に望ましい精度で製造することができる。
【００１５】
更に、そのような高精度縁部は、ファセット要素を支持する１つの可能な代替として、本発明の更に別の態様の容易な実施、すなわち、ファセット要素上に作用して、支持要素とファセット要素との間に接触荷重を発生させる負圧の使用を可能にする。この負圧の使用は、接触荷重（最終的に対応する負圧の調節によって調節可能な）が操作力に抗する抵抗力を発生させ、製造努力、特に、ファセット要素を調節するのに必要なマニピュレータの個数及び／又は複雑さを軽減するという利点を有する。
【００１６】
従って、本発明の第１の態様により、ファセット要素と、ファセット要素を支持する支持要素とを含むファセットミラーデバイスを提供する。ファセット要素は、湾曲した第１の支持区画を含み、それに対して支持要素は、接触領域内で第１の支持区画に接触してファセット要素を支持する支持縁部を形成する第２の支持区画を含む。
【００１７】
本発明の第２の態様により、パターンを収容するようにされたマスクユニットと、基板を収容するようにされた基板ユニットと、パターンを照明するようにされた照明ユニットと、パターンの像を基板上に転写するようにされた光学投影ユニットとを含む光学結像装置を提供する。照明ユニット及び光学投影ユニットのうちの少なくとも一方は、ファセット要素と、ファセット要素を支持する支持要素とを含むファセットミラーデバイスを含む。ファセット要素は、湾曲した第１の支持区画を含み、それに対して支持要素は、接触領域内で第１の支持区画に接触してファセット要素を支持する支持縁部を形成する第２の支持区画を含む。
【００１８】
本発明の第３の態様により、ファセット要素及び支持要素を準備する段階と、ファセット要素の湾曲した第１の支持区画において支持要素の第２の支持区画によってファセット要素を支持する段階とを含むファセットミラーデバイスのファセット要素を支持する方法を提供し、第２の支持区画は、接触領域内で第１の支持区画に接触してファセット要素を支持する支持縁部を形成する。
【００１９】
本発明の第４の態様により、ファセットミラーデバイスの作動中に光学的に使用される前面と湾曲した第１の支持区画を含む後面とを有するファセット要素と、支持縁部を形成する第２の支持区画を有する支持要素とを準備する段階を準備する段階に含むファセットミラーデバイスを製造する方法を提供する。支持する段階において、ファセット要素は、湾曲した支持縁部が、接触領域内で第１の支持区画に接触してファセット要素を支持するように支持要素上に配置される。
【００２０】
本発明の第５の態様により、ファセットミラーデバイスの作動中に光学的に使用される前面と湾曲した第１の支持区画を含む後面とを有するファセット要素と、第２の支持区画を有する支持要素とを準備する段階を準備する段階に含むファセットミラーデバイスを製造する方法を提供する。支持する段階において、ファセット要素は、第２の支持区画が、接触領域内で第１の支持区画に接触してファセット要素を支持するように支持要素上に配置される。支持する段階の接触させる段階において、第１の支持区画が第２の支持区画に対して加圧されるように、ファセット要素の後面の一部の上に作用する負圧が発生する。
【００２１】
本発明の更に別の態様及び実施形態は、従属請求項及び添付の図を参照する以下に続く好ましい実施形態の説明から明らかになるであろう。開示する特徴の全ての組合せは、特許請求の範囲に明示的に記載されているか否かに関わらず、本発明の範囲にある。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明による方法の好ましい実施形態を実施することができる本発明によるファセットミラーデバイスの好ましい実施形態を含む本発明による光学結像装置の好ましい実施形態の概略図である。
【図２】図１の光学結像装置の一部である本発明によるファセットミラーデバイスの一部の概略断面図である（図８の線ＶＩＩ−ＶＩＩに沿った断面内の）。
【図３】図２の詳細部分ＩＩＩの概略断面図である。
【図４】第１の製造工程における図２のファセットミラーデバイスの一部の概略断面図である。
【図５】第２の製造工程における図２のファセットミラーデバイスの一部の概略断面図である。
【図６】図１の光学結像装置の作動中の図２のファセットミラーデバイスの一部の概略断面図である。
【図７】図２から図６のファセットミラーデバイスの概略断面図である（図８の線ＶＩＩ−ＶＩＩに沿った断面内の）。
【図８】図２から図７のファセットミラーデバイスの略上面図である。
【図９】図２から図８のファセットミラーデバイスの支持要素の一部の略上面図である。
【図１０】図１の光学結像装置に対して使用することができる本発明によるファセット要素を支持する方法の好ましい実施形態を含むファセットミラーデバイスを製造する方法の好ましい実施形態のブロック図である。
【図１１】第１の製造工程における本発明によるファセットミラーデバイスの更に別の好ましい実施形態の詳細部分の概略断面図である。
【図１２】第２の製造工程における図１１の詳細部分の概略断面図である。
【図１３】図１１及び図１２のファセットミラーデバイスの支持要素の一部の略上面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
第１の実施形態
以下では、本発明による光学結像装置１０１の第１の好ましい実施形態を図１から図１０を参照して説明する。以下に提供する説明を容易にするために、図内にｘ，ｙ，ｚ座標系を挿入しており、以下の説明を通してこの座標系を使用する。以下では、ｚ方向は、垂直方向を表している。しかし、本発明の他の実施形態において、このｘ，ｙ，ｚ座標系及び光学結像装置の構成要素それぞれの空間内のあらゆる他の向きを選択する場合があることが分かるであろう。
【００２４】
図１は、半導体素子の製造中にマイクロリソグラフィ処理に使用される光学露光装置１０１の形態にある光学結像装置の正確な縮尺のものではない概略図である。光学露光装置１０１は、照明ユニット１０２と、露光工程において、マスクユニット１０４のマスク１０４．１上に形成されたパターンの像を基板ユニット１０５の基板１０５．１上に転写するようにされた光学投影ユニット１０３とを含む。この目的のために、照明ユニット１０２はマスク１０４．１を照明する。光学投影ユニット１０３は、マスク１０４．１から到着する光を受光し、マスク１０４．１上に形成されたパターンの像を基板１０５．１、例えば、ウェーハなど上に投影する。
【００２５】
照明ユニット１０２は、光学要素ユニット１０６．１のような複数の光学要素ユニットを含む光学要素系１０６（図１には非常に簡略化した方式でしか示していない）を含む。以下により詳細に説明するように、光学要素ユニット１０６．１は、本発明によるファセットミラーデバイスの好ましい実施形態として形成される。光学投影ユニット１０３は、複数の光学要素ユニット１０７．１を含む更に別の光学要素系１０７を含む。光学要素系１０６及び１０７の光学要素ユニットは、光学露光装置１０１の折り返し光軸１０１．１に沿って整列する。
【００２６】
図示の実施形態において、光学露光装置１０１は、５ｎｍから２０ｎｍの間の波長、より具体的には１３ｎｍの波長にあるＥＵＶ範囲の光を用いて作動する。従って、照明ユニット１０２及び光学投影ユニット１０３内に使用される光学要素は、専ら反射光学要素である。しかし、異なる波長で作動する本発明の他の実施形態において、あらゆる種類の光学要素（屈折性、反射性、又は回折性の）を単独で、又は任意の組合せに使用することができることが分かるであろう。光学要素系１０７は、本発明による更に別のファセットミラーデバイスを含むことができる。
【００２７】
図２から図９、特に、図７及び図８から分るように、ファセットミラーデバイス１０６．１は、複数のファセット要素１０９を支持する支持要素１０８を含む。図示の実施形態において、９００個のファセット要素１０９が支持要素１０８上で支持される。しかし、本発明の他の実施形態において、あらゆる他の個数のファセット要素１０９を支持要素１０８によって保持することができることが分かるであろう。例えば、本発明のある一定の好ましい実施形態において、最大２０００個又は、更にそれ以上のファセット要素１０９が支持要素１０８上に支持される。
【００２８】
図示の実施形態において、ファセット要素１０９は、互いの間に０．０５ｍｍよりも小さい小間隙が残されるように配置される。従って、特に、図８から分るように、支持要素１０８上にファセット要素１０９の規則的な矩形行列が形成され、最小の放射パワー損失量がもたらされる。しかし、本発明の他の実施形態において、ファセットミラーデバイスが使用される結像デバイスの光学的必要性に従ってあらゆる他のファセット要素配列を選択することができることが分かるであろう。
【００２９】
図２から図９、特に、図８から分るように、各ファセット要素１０９は、上面図（ｚ方向に沿った）では、実質的に矩形のより厳密には実質的に正方形の外側輪郭を有する。しかし、本発明の他の実施形態において、例えば、任意曲線の外側輪郭、円形外側輪郭、楕円形外側輪郭、多角形外側輪郭、又はこれらの任意の組合せのようなこの外側輪郭のあらゆる他の幾何学形状を選択することができる。
【００３０】
図示の実施形態において、各ファセット要素は、凹前面１０９．１と、凸後面１０９．２と、側面１０９．３とを有する。前面１０９．１は、照明ユニット１０２によって供給される露光光の均一化を与えるために、光学結像装置１０１の作動中に光学的に使用される反射面である。反射面１０９．１は、使用される露光光の波長に適合された反射コーティングを前面１０９．１に付加することによって設けることができる（一般的に、それぞれの波長において最大の反射率を与えるために）。
【００３１】
図示の実施形態において、前面１０９．１は球面である。しかし、本発明の他の実施形態において、ファセットミラーデバイスによって実施される光学的役割に基づいて、あらゆる他の前面形状を選択することができることが分かるであろう。従って、そのような球面以外に、非球面及び平面、並びにこれらの任意の組合せを使用することができる。更に、凸前面を使用することができる。
【００３２】
更に図示の実施形態において、後面１０９．２も球面であり、この球面は、後面１０９．２の第１の支持区画１０９．４によって定義されるこの球面を超えて半径方向に突出する突出部が何らない。その一方、これは、後面１０９．２のうちで支持要素１０８に接触する部分（すなわち、第１の支持区画１０９．４）及び後面１０９．２のうちで凹部１０８．３内に達する部分を、確立された一般的なレンズ製造工程において容易に製造することができ、後面１０９．２の優れた精度が与えられるという利点を有する。
【００３３】
そのような確立された製造工程を使用すると、前面１０９．１及び後面１０９．２の曲率半径、側面１０９．３の外側輪郭、ファセット要素１０９の芯出し、中心厚、並びに側厚（ｚ方向の寸法）をそのような従来のレンズ製造技術を用いて非常に高い精度で製造することができる。
【００３４】
一方、半径方向に突出する操作レバーなどが、後面１０９．２に装着されない（最初に示した公知の設計によるもの以外に）ので、そのような装着工程が、後面１０９．２の幾何学的精度に悪影響を及ぼす変形を招く危険性が存在しない。
【００３５】
図示の実施形態において、ファセット要素１０９の後面１０９．２の一部は、支持要素１０８の支持縁部１０８．１によって形成された第２の支持区画に接触する球面の第１の支持区画１０９．４を形成する。支持縁部１０８．１は、支持要素１０８内で円筒形の凹部１０８．３を閉じ込める円筒壁１０８．２の端部に形成される。
【００３６】
図９から分るように、凹部１０８．３は円形断面のものであり、従って、ｘｙ平面内の支持縁部１０８．１の曲率は、第１の支持区画１０９．４と第２の支持区画、すなわち、支持縁部１０８．１との間の接触領域内の後面１０９．２の曲率に対応する。
【００３７】
更に支持縁部１０８．１は、０．５ｍｍ未満から３ｍｍまでの縁部半径、すなわち、最小曲率半径を有する鋭い縁部として形成される。好ましくは、縁部半径は、１．０ｍｍから２．０ｍｍの範囲にわたる。この最小曲率半径は、図示の実施形態では、凹部１０８．３の軸１０８．４を含む半径方向の平面内で測定される。
【００３８】
一般的に、縁部半径は、ファセット要素１０９の主延伸平面（この場合ｘｙ平面）内のファセット要素１０９の最大寸法の約５％から２０％、好ましくは、１０％から１５％であることが分かるであろう。図示の実施形態において、最大寸法は約５ｍｍから１０ｍｍであるが、ファセットミラーデバイスに対する光学要件に基づいて、より小さい又はより大きい寸法を選択することができる。
【００３９】
そのような鋭角の支持縁部１０８．１の使用は、支持縁部１０８．１を非常に高い精度で容易に製造することができるという利点を有する。取るべき比較的簡単な製造段階は、円筒形の凹部１０８．３及び支持要素１０８の平面上面１０８．５を設ける段階のみである。両方の作業を非常に高い精度で比較的容易に実施することができる。例えば、支持縁部１０８．１を製造する時に、化学機械研磨（ＣＭＰ）、ピッチ研磨、磁気粘性流体研磨（ＭＲＦＰ）、及びロボット研磨のような高精度製造技術を使用することができる。
【００４０】
従って、図示の実施形態において、隣接する凹部１０８．３の軸１０８．４の間の数ミクロン、一般的に、約５μｍの距離公差を得ることができる。更に、上面１０８．５上の表面法線からの軸１０８．４の角度逸脱は０．００５°よりも小さい。
【００４１】
その結果、一般的に、後面１０９．２の球面の第１の支持区画１０９．４と連続するリング形の支持縁部１０８．１の間に連続する環状線接触が存在する。言うまでもなく、製造公差（図３に破線の輪郭１１０及び１１１に示す）は、依然としてこの線接触（理想的な）からの逸脱をもたらす場合がある。しかし、図示の実施形態において、支持縁部及びファセット要素は、支持縁部１０８．１のあらゆる縁部点において、支持縁部１０８．１とファセット要素１０９の後面１０９．２との間の製造公差関連の局所間隙の幅ＧＷが、０．５μｍ未満から１０μｍまでであり、好ましくは、１μｍから５μｍよりも小さいように選択される製造精度で製造される。図３に示すように、この間隙幅ＧＷは、それぞれの縁部点を通って延びる、後面１０９．２の表面法線の方向の寸法である。
【００４２】
図２から図１０を参照してここで詳細に説明するように、ファセットミラーデバイス１０６．１は、本発明によるファセット要素を支持する方法の好ましい実施形態を使用する、本発明による方法の好ましい実施形態に従って製造される。
【００４３】
図１０により、準備段階１１２．１において、支持要素１０８及びファセット要素１０９が、上記に略述したように製造される。図示の実施形態において、ファセット要素はシリコン（Ｓｉ）で作られ、支持要素は、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）で作られる。そのような材料の対を使用することにより、ファセット要素１０９（結像装置１０１の作動中に、一般的に、１００℃から１５０℃の温度に達する）からの有利な熱伝達を得ることができる。
【００４４】
しかし、本発明の他の実施形態において、ファセット要素をシリコンカーバイド（ＳｉＣ）、石英（ＳｉＯ2）ニッケルメッキの銅又は鋼鉄で作成することができ、それに対して支持要素をシリコン浸潤シリコンカーバイド（ＳｉＳｉＣ）又はタングステンカーバイド（ＷＣ）で作成することができることが分かるであろう。
【００４５】
次に、支持する段階１１２．２の接触させる段階１１２．３において、接着剤結合材料１１３のリングが、支持要素１０８の上面１０８．５上に支持縁部１０８．１に隣接して配置された後に（図４を参照されたい）、ファセット要素１０９が、上方からｚ方向に沿って支持縁部１０８．１上に配置される（示していない適切な取り扱いデバイスを用いて）。
【００４６】
ファセット要素１０９が支持縁部１０８．１上に配置される直前又は配置された直後に、制御デバイス１１５によって制御される吸引デバイス１１４を用いて凹部１０８．３内に負圧が発生する。この目的のために、吸引デバイス１１４は、コネクタ１１６に接続され、コネクタ１１６は、更に壁１０８．２のコネクタ区画１０８．６に接続される。
【００４７】
凹部１０８．３内のこの負圧は、ファセット要素１０９の後面１０９．２を支持縁部１０８．１に対して加圧し、補助的なマニピュレータ、圧着デバイス等へのいずれの必要性もなくファセット要素を固定するという効果を有する。支持縁部１０８．１及び後面１０９．２自体の高い精度（最悪の場合にごく僅かな間隙しか存在しないことに起因する）は、凹部１０８．３内のいくらかの負圧であっても、支持縁部１０８．１とファセット要素１０９の間に明確に定義された線荷重を確実に発生させてファセット要素１０９を確実に固定するのに十分であることを事前に保証する。
【００４８】
更に、製造公差に起因する間隙（間隙幅ＧＷを有する）が存在した場合であっても、接着剤材料１１３がこの間隙内に吸引されることになり、この間隙を密封する。従って、いずれの場合にも、吸引デバイス１１４によって発生する負圧は、ファセット要素１０９を固定する適正な保持力を与える。
【００４９】
図示の実施形態において、吸引デバイス１１４は、凹部１０８．３内に約５・１０-3ｍｂａｒの圧力を発生させる。しかし、本発明の他の実施形態において、凹部内にあらゆる他の圧力レベルを与えることができ、この圧力レベルは、ファセット要素を固定するために発生させるべき力の関数として選択されることが分かるであろう。
【００５０】
接着剤材料１１３の粘性は、そのような最終的な間隙を通じた凹部１０８．３内への接着剤材料１１３の過吸入を回避するのに十分高いように選択することができることが分かるであろう。従って、いずれの場合にも、接着剤材料は、凹部１０８．３の外側（すなわち、支持縁部１０８．１の凹部１０８．３に対向する側）に位置した（少なくとも大部分が）、ファセット要素１０９と支持要素１０８の間の接触領域を取り囲む密封リングを形成する（例えば、図２及び図４から図７を参照されたい）。
【００５１】
次に、支持する段階１１２．２の調節段階１１２．４において、結像装置１０１内でのその後の作動中のファセットミラーデバイス１０６．１の光学要件に従って支持要素１０８に対するファセット要素１０９の向きが調節される。
【００５２】
この目的のために、図５に示すように、ファセット要素１０９の前面１０９．１上に対応する調節力を発生させる上で、制御デバイス１１５によって制御される非接触マニピュレータ１１７が使用される。このマニピュレータは、前面１０９．１に向けて排出され、それによってファセット要素１０９上に調節力を作用する空気噴流１１７．１を発生させる空気圧マニピュレータである。制御デバイス１１５の制御下で、空気噴流１１７．１によって発生する操作力Ｆが、ファセット要素１０９の適正な調節をもたらすのに適切な場所においてファセット要素１０９上に作用することができるように、マニピュレータ１１７とファセットミラーデバイス１０６．１の間に相対運動を発生させることができる。
【００５３】
しかし、本発明の他の実施形態において、ファセット要素上に調節力を作用させるために、あらゆる他の非接触型又は接触型のマニピュレータ（触覚マニピュレータ、片持ちバネマニピュレータのような）又はこれらの組合せを選択することができることが分かるであろう。特に、更に別の非接触マニピュレータとして、定在音響波を発生させる音響マニピュレータを使用することができ、その音響圧は、ファセット要素上に作用する操作力Ｆを発生させる。
【００５４】
測定デバイス１１８の測定結果を用いて、光学的に使用される前面１０９．１の調節の評価が実施される。この実施形態において、測定デバイス１１８は、測定光ビーム１１８．２を前面１０９．１に向けて放出するエミッタ１１８．１を含む光学デバイスである。測定光ビーム１１８．２は、前面１０９．１において反射され、測定デバイス１１８のセンサ１１８．３に達する。
【００５５】
図示の実施形態において、エミッタは、６３３ｎｍの波長の測定光を使用する従来のエミッタである。従って、前面１０９．１にこの測定光波長に適合された反射コーティングを有する測定区画１１９を設けることが必要な場合がある（露光光に適合された前面１０９．１の反射コーティングが、測定光波長において十分な反射を与えない場合に）。しかし、本発明の他の実施形態において、最終的にいずれのそのような付加的な測定区画も必要ではないとすることができるように、測定光に他の波長を使用することができることが分かるであろう。
【００５６】
センサ１１８．３の信号は、制御デバイス１１５に送られ、次に、制御デバイス１１５は、これらの信号を用いて前面１０９．１の調節の評価を実施する。制御デバイス１１５は、センサ１１８．３の信号の関数として、吸引デバイス１１４及びマニピュレータ１１７を制御して、前面１０９．１の適正な調節をもたらすことが分かるであろう。
【００５７】
図示の実施形態において、前面１０９．１が、１００μｒａｄよりも小さい角度精度で調節されることが分かるであろう。しかし、本発明の他の実施形態において、結像装置１０１のその後の作動中の光学要件に基づいて、あらゆる他の角度精度を選択することができることが分かるであろう。
【００５８】
例えば、制御デバイス１１５の制御下で、ファセット要素１０９上に作用される保持力を低下させるために、凹部１０８．３内の負圧を低下させることができる。次に、この負圧低下は、前面１０９．１の調節移動を実現するために、マニピュレータ１１７によって及ぼされる操作力の量を低下させる。一方、前面１０９．１の適切な位置合わせが達成されたことが検出されたら、制御デバイス１１５は、吸引デバイス１１４に、ファセット要素を堅固に固定するために負圧が増大するようにさせることができる。
【００５９】
その結果、非常に有利な手法により、この吸引デバイス１１４は、非常に簡単な非接触方式でファセット要素１０９と支持要素１０８との間を安定化させる接触力を発生させる負圧を凹部１０８．３内に発生させる保持デバイスを形成する。次に、この接触力は、保持デバイスの機能不良に起因してファセット要素１０９を変位させるいずれの危険性もなしに、ファセット要素１０９の変位に対する調節可能な抵抗力をもたらす。
【００６０】
この安定化効果は、上記に略述したような支持縁部１０８．１を有する支持要素１０８の特定の設計を用いて非常に簡単な方式で得ることができることが分かるであろう。しかし、ファセット要素に対して作用する負圧を発生させてファセット要素を固定する本発明の概念は、負圧が、支持要素とファセット要素との間を安定化させる接触力を発生させることができるように、支持区画の間で十分に気密性の高い接続が存在する限り、支持要素及びファセット要素の協働する支持区画の設計には依存しない。
【００６１】
ファセット要素１０９の調節が完了した状態で、支持する段階１１２．２のファセット固定段階１１２．５において、ファセット要素１０９と支持要素１０８の間に固定接着剤接続が確立されるように、接着剤結合材料１１３を硬化させることにより、ファセット要素１０９が固定される。しかし、本発明の他の実施形態において、上記に略述した接着技術とは別に、ファセット要素と支持要素との間の適正な接続及び相対的な固定を与えるために、あらゆる他の適切な結合技術を単独で又は任意の組合せで使用することができることが分かるであろう。そのような適切な結合技術は、例えば、半田付け、レーザ半田付け、溶接、レーザ溶接、拡散接合などを含む。拡散接合が使用される場合には、結合工程において必要な接触圧を少なくとも助けるために、凹部１０８．３内の負圧を増大させることができることが分かるであろう。
【００６２】
本発明の他の実施形態において、結合材料１１３をファセット要素の調節中、又はその後のいずれかの時点で、上記に略述したように付加することができることが分かるであろう。
【００６３】
接着剤材料１１３は、ファセット要素１０９から支持要素１０８への良好な熱伝達が提供されるように、高い熱伝導度を有するように選択することができることは更に理解されるであろう。更に、ファセット要素と支持要素との間の結合の高い熱伝導度が極めて重要である場合には、より優れた熱伝達を与える他の結合技術（例えば、半田付け、溶接、拡散接合）を使用することができる。
【００６４】
次に、段階１１２．６において、更に別のファセット要素１０９を支持要素１０８に装着されるか否かが調べられる。装着される場合には、装着される次のファセット要素１０９に対して支持する段階を実行するために、方法は、段階１１２．３にジャンプして戻る。そうでなければ、方法は段階１１２．７において終了する。
【００６５】
本発明のある一定の実施形態において、固定段階１１２．５の終了時に又は後のいずれかの時点において（特に、ファセット要素１０９の全てを装着した後に）、ファセット要素１０９から支持要素１０８への熱伝達を改善するために、凹部１０８．３を高い熱伝導度を有する液体熱伝達媒質で充填することができる。この目的のために、図２に示すように、凹部１０８．３は、キャップ１２０を用いて密封することができる。
【００６６】
キャップ１２０には、図２に輪郭１２０．１及び１２０．２に示すように、弾性変形によって熱伝達媒質の熱膨張を補償する弾性部分を設けることができる。この手段により、そうでなければファセット要素１０９、特に、作動中に光学的に使用される反射前面１０９．１の望ましくない変形をもたらす場合がある、ファセット要素１０９上の過度の荷重（熱伝達媒質のそのような熱膨張によってもたらされる）を回避することができる。
【００６７】
リング形の接着剤材料１１３及びキャップ１２０は、凹部１０８．３の長期間の密封を与えるので、それぞれの凹部１０８．３内への熱伝達媒質のこの導入は、１回の作業とすることができることが分かるであろう。しかし、必要に応じて熱伝達媒質の定期的な交換再充填を提供することができる（例えば、キャップ１２０を通じて）。
【００６８】
結像装置１０１の作動中のファセットミラーデバイス１０６．１からの熱除去は、破線の輪郭１２１に示すように、冷却チャンネルを通じた冷却媒質の循環を用いて達成することができる（例えば、図２から図６を参照されたい）。
【００６９】
本発明の更に別の実施形態において、それぞれの凹部１０８．３自体が、冷却チャンネル系の一部を形成し、結像装置１０１の作動中に、図６に示すように、コネクタ１１６を通じて凹部１０８．３に接続した冷却デバイス１２２（制御デバイス１１５によって制御される）によって冷却媒質が循環される。
【００７０】
本発明のある一定の実施形態において、例えば、ファセットミラーデバイス１０６．１の最初の製造の後のその後の工程において、上記に略述した方法の修復変形を用いて１つ又はそれよりも多くのファセット要素１０９の修復及び交換を実施することができる。
【００７１】
この目的のために、準備段階１１２．１の取り外し段階において、修復又は交換されるそれぞれのファセット要素１０９に熱負荷を加えることができる。この熱負荷は、ファセット要素１０９と支持要素１０８の間に十分に高い及び／又は急激な熱膨張差をもたらし、結合材料１１３の破壊（例えば、破砕又は分解）をもたらすように選択される。この工程において、次に、ファセット要素１０９を支持要素１０８から取り外すことができる。この段階は、取り外されるあらゆるファセット要素１０９に対して繰り返すことができる。
【００７２】
更に、準備段階１１２．１の更に別の処理段階において、交換ファセット要素１０９の装着を可能にするために、支持要素を処理する（例えば、破壊又は分解した結合材料１１３のあらゆる残留物を除去する）ことができる。この処理が完了すると、方法は段階１１２．２に進むことができ、先に取り外されたあらゆるファセット要素１０９に対する交換ファセット要素１０９を上記に略述したように装着する段階を実施することができる。
【００７３】
第２の実施形態
以下では、本発明によるファセットミラーデバイスの第２の実施形態２０６．１を図１１から図１３を参照して説明する。ファセットミラーデバイス２０６．１は、その基本的な設計及び機能においてファセットミラーデバイス１０６．１に殆ど対応し、図１の光学結像デバイス１０１内のファセットミラーデバイス１０６．１と置き換えることができる。特に、第１の実施形態に関して上述したファセット要素を支持する方法及びファセットミラーデバイスを製造する方法（図１０）をこのファセットミラーデバイス２０６．１の関連においても実施することができる。従って、ここでは主に上記に提供した説明を参照し、ファセットミラーデバイス１０６．１に対する相違点のみをより詳細に以下に説明する。特に、類似の部分には、同じ参照番号に数量１００を増加させたものを与えており、これらの部分に関しては（以下で明示的に説明しない限り）、第１の実施形態との関連で上記に提供した説明を参照する。
【００７４】
ファセットミラーデバイス１０６．１に対する唯一の相違点は、支持縁部２０８．１に、８つの小さい半径方向スロット２０８．７（支持縁部２０８．１の外周に均等に分散された）が設けられる点にある。従って、支持縁部２０８．１は、半径方向スロット２０８．７のうちの１つによって互いに分離された８つの支持縁部セグメント２０８．８を含むセグメント分割縁部である。しかし、本発明の他の実施形態において、あらゆる他の半径方向スロット数及び／又は半径方向スロット配置を選択することができることが分かるであろう。
【００７５】
図１１及び図１２から半径方向スロット２０８．７を見ることができ、凹部２０８．３内の負圧が、接着剤材料１１３と、ファセット要素１０９の後面１０９．２と支持縁部２０８．１の間の接触領域の間における空気２２３のあらゆる包含物（図１１を参照されたい）を排出することが分る。
【００７６】
図示の実施形態において、それぞれの半径方向スロット２０８．７の寸法と、接着剤材料１１３の粘性と、負圧とは、一方で接着剤材料がそれぞれのスロット２０８．７内に部分的に引き込まれ、それに関して他方で凹部２０８．３内への接着剤材料１１３のいずれの実質的な吸入も発生しないように互いに適応される。
【００７７】
そのような構成は、２０８の支持要素とファセット要素１０９の後面１０９．２との両方の比較的大きい面が、接着剤材料によって確実かつ完全に湿潤され、それによって接着剤材料１１３とファセット要素１０９及び支持要素２０８との間で良好な接着剤接触がもたらされるという利点を有する。
【００７８】
上述において、本発明をファセット要素の後面上の第１の支持区画が球面であり、それに対して支持縁部が平面の円形縁部である複数の実施形態との関連で説明した。しかし、本発明の他の実施形態において、第１の支持区画と支持縁部との間で合わせられる（任意の）曲率を有するあらゆる他の設計を選択することができることが分かるであろう。例えば、ファセット要素の後面上の第１の支持区画が、湾曲支持縁部に接触する円筒面である（湾曲支持縁部は円筒面の外周に実質的に沿って延びる）構成を選択することができる。追加的又は代替的に、第１の支持区画の円筒面は、少なくとも１つの真っ直ぐな支持縁部（円筒面の縦軸に対して実質的に平行に延びる）に接触することができる。
【００７９】
上述では、本発明を本発明による光学モジュールが照明ユニット内に使用される実施形態との関連で説明した。しかし、本発明による光学モジュールは、光学投影ユニット内でもその有利な効果をもたらすことができることが分かるであろう。
【００８０】
上述では、本発明をＥＵＶ範囲で作動する実施形態との関連で説明した。しかし、本発明は、あらゆる他の露光光波長において、例えば、１９３ｎｍ等で作動するための系に対して使用することができることが分かるであろう。
【００８１】
最後に、上述では、本発明を専らマイクロリソグラフィ系との関連で説明した。しかし、本発明は、ファセットミラーデバイスを使用するあらゆる他の光学デバイスとの関連で使用することができることが分かるであろう。
【図１】
2013533632.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
2013533632.tif 000014
【図１３】
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【国際調査報告】
2013533632.tif 000016
2013533632.tif 000017