【事件の表示】
　特許第２７９８１４８号「静磁波素子」の請求項１ないし３に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第２７９８１４８号の請求項１ないし３に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続きの経緯
　本件特許２７９８１４８号の発明は、平成４年７月３日に特許出願され、平成１０年７月３日にその特許の設定登録がなされ、その後、株式会社村田製作所より特許異議申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１１年１１月１５日に訂正請求がなされたものである。
２．訂正の適否について
（１）訂正の内容
　特許権者が求めている訂正の内容は以下のア．イ．ウ．のとおりである。
　ア．請求項１に係る発明の記載「弾性波を吸収する層」を「弾性波を吸収し、主共振に対しスプリアス共振をなくす層」に訂正する。
　イ．特許明細書第４段落第３行の記載「前記非磁性基板の他の面に弾性波を吸収する層を形成した」を「前記非磁性基板の他の面に弾性波を吸収し、主共振に対しスプリアス共振をなくす層を形成した」に訂正する。
　ウ．特許明細書第１０段落第３行の記載「広帯域に不必要なスプリアスモードを有効に抑制し」を「主共振に対し広い帯域でスプリアス共振を吸収し」に訂正する。
（２）訂正の目的の適否及び拡張・変更の存否
　上記ア．の訂正に関連する記載として、特許明細書の発明の詳細な説明には、弾性波を吸収する層に関し、「前記共振子６のＹＩＧ膜３を形成したＧＧＧ単結晶基板２の一主面２ａとは反対側のもう一方の主面２ｂにエポキシ樹脂系接着剤８を１０μｍ塗布した場合の静磁波素子１７の通過特性を測定したところ、図８に示すように、共振周波数が約５．２〜５．３ＧＨｚの範囲で主共振に対し、この場合にも±２０ＭＨｚの範囲でスプリアス共振は存在しなかった。また、バイアス磁界を徐々に変化させて共振周波数を５．０〜５．５ＧＨｚまで変化させたところ、主共振に対し、±２０ＭＨｚの範囲でスプリアス共振は存在しなかった。
【０００９】（実施例３）本実施例では図１に示すように、実施例１と同様に作製した静磁波共振子６を準備し、前記静磁波共振子６のＹＩＧ膜３を形成したＧＧＧ単結晶基板２の一主面２ａとは反対側のもう一方の主面２ｂに導電性接着剤であるドータイトを１０μｍ塗布して、実施例１と同様に作製したマイクロストリップライン１５にエッチングにより形成した、静磁波共振子６の長さｌ1よりも大なるギャップｇの部分に設置し、パッド電極４ａと導体板１１を銅製の接続板１２ａで、またパッド電極４ｂとスタブ７を銅製の接続板１２ｂでハンダ接合し、静磁波素子１を作製した。バイアス磁界Ｈｏを印加することによりこの静磁波素子１の共振周波数を約５ＧＨｚとして、この静磁波素子１の通過特性をネットワークアナライザで測定したところ、図６に示すように５．２〜５．３ＧＨｚの範囲で主共振に対し、この場合にも±２０ＭＨｚの範囲でスプリアス共振は吸収されて存在しなかった。また、バイアス磁界を徐々に変化させて共振周波数を５．０〜５．５ＧＨｚまで変化させたところ、主共振に対し、±２０ＭＨｚの範囲でスプリアス共振は吸収されて存在しなかった。」（【０００８】段落〜【０００９】段落）と記載されていることから、「弾性波を吸収する層」を「弾性波を吸収し、主共振に対しスプリアス共振をなくす層」と訂正する発明は特許明細書に記載されているものと認められる。
　そうすると、上記ア．の訂正は、特許明細書に記載された事項の範囲内において、弾性波を吸収する層を限定したものといえるから、特許請求の範囲の限縮に該当し、新規事項の追加に該当せず、また、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
　また、上記イ．及びウ．の訂正は、特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載との整合を図るための訂正であり、明瞭でない記載の釈明を目的とする訂正であって、新規事項の追加に該当せず、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
（３）独立特許要件の判断
ア．訂正明細書の請求項１に係る発明は、その特許請求の範囲請求項１に記載された次のとおりのものである。
「【請求項１】非磁性基板の一主面上に静磁波が伝搬する媒体が形成されてなる静磁波素子において、前記非磁性基板の他の面に弾性波を吸収し、主共振に対しスプリアス共振をなくす層を形成したことを特徴とする静磁波素子。」
イ．引用発明
　訂正明細書の特許請求の範囲請求項１に係る発明（以下、本件請求項１に係る発明という。）に対して、当審が通知した取消理由において引用した刊行物１（特開平２−２９８１０１号公報）には、「本発明はGGGなどの非磁性基板上にYIGなどの磁性薄膜を形成し、前記磁性薄膜上に一本または複数本の電極指とパッド電極を形成して、上記磁性薄膜の内部にマイクロ波にて静磁波を励起、伝搬させ共鳴を起こさせる構造とした磁性薄膜静磁波共振子を有する静磁波素子」（公報第３頁右上欄）、「ギャップｇの部分に静磁波共振子６をエポキシ樹脂で固定し、〜第１図（ａ）で示す静磁波素子１を作製した。」（公報第４頁左下欄）ことが記載されている。
ウ．対比・判断
　本件請求項１に係る発明と、上記刊行物１に記載された発明とを対比すると、刊行物１に記載された発明は、本件請求項１に係る発明の必須の構成要件である「非磁性基板の他の面に弾性波を吸収し、主共振に対しスプリアス共振をなくす層」を備えておらず、その要件について開示も示唆もしていない。そして、本件請求項１に係る発明は、上記要件を備えることにより「主共振に対し広い帯域でスプリアス共振を吸収し、共振特性の劣化を改善することができる」という特許明細書記載の格別の効果を奏するものであるから、本件請求項１に係る発明は、刊行物１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたといえない。したがって、本件請求項１に係る発明は、特許出願の際独立して特許を受けることができない発明とすることはできない。
（４）むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正請求は、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、特許法第１２０条の４第２項及び同条第３項で準用する第１２６条第２項乃至第４項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
３．特許異議申立てについて
（１）本件特許発明
　平成１１年１１月１５日付けで提出された訂正明細書の請求項１ないし３に係る発明は、その特許請求の範囲の請求項１ないし３に記載された次のとおりのものである。
　「【請求項１】 非磁性基板の一主面上に静磁波が伝搬する媒体が形成されてなる静磁波素子において、前記非磁性基板の他の面に弾性波を吸収し、主共振に対しスプリアス共振をなくす層を形成したことを特徴とする静磁波素子。
【請求項２】 非磁性基板上にフェリ磁性薄膜を形成し、前記フェリ磁性薄膜上に電極指を形成し、該電極指により前記フェリ磁性薄膜に静磁波を励起し伝搬させる構造としたことを特徴とする請求項１に記載の静磁波素子。
【請求項３】 第１の非磁性基板上にフェリ磁性薄膜を形成し、マイクロストリップラインを有する第２の非磁性基板に形成した電極指により前記フェリ磁性薄膜に静磁波を励起し伝搬させる構造としたことを特徴とする請求項１に記載の静磁波素子。」
　（以下、訂正明細書の特許請求の範囲請求項２、３に係る発明を、それぞれ本件請求項２に係る発明、本件請求項３に係る発明という。）
（２）申立ての理由の概要
　申立人株式会社村田製作所は、証拠として甲第１号証（特開平２−２９８１０１号公報）及び甲第２号証（特開平１−２３３８２２号公報）を提出し、請求項１ないし３に係る発明は、甲第１号証に記載された発明、甲第２号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１ないし３に係る発明の特許は特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであり、取り消されるべきものである旨主張している。
（３）申立人が提出した甲各号証記載の発明
　甲第１号証（特開平２−２９８１０１号公報）には、上記２．（３）イ．に記載のとおりの発明が記載されている。
　甲第２号証（特開平１−２３３８２２号公報）には、「この発明は、フェリ磁性体の薄膜を用いた静磁波共振器に関するものである。[従来の技術]第６図は〜従来の静磁波共振器を示す斜視図であり、図において、（１）は矩形のフェリ磁性体薄膜、（２）はフェリ磁性体薄膜（１）を支持する誘電体基板、（３）はフェリ磁性体薄膜（１）面上に配置されたストリップ導体、（４）は複数のストリップ導体より成るトランスデューサ、（５）は誘電体基板（２）面に密着させた地導体である。」（公報第１頁左下欄〜同頁右下欄）、「第５図に示すように他の誘電体（１１）を用いて形成したマイクロストリップ線路（１２）の幅広ストリップ線路（９）上にフェリ磁性体薄膜を配置しても同様の効果を奏する。」（公報第３頁右上欄）と記載されている。
（４）対比・判断
［本件請求項１に係る発明について］
　本件請求項１に係る発明と申立人が提出した甲各号証に記載された発明とを対比・判断すると、甲各号証のいずれにも、本件請求項１に係る発明の必須の構成要件である「非磁性基板の他の面に弾性波を吸収し、主共振に対しスプリアス共振をなくす層」を具備せず、その要件について開示も示唆もしていないから、本件請求項１に係る発明は、上記甲号各証に記載された発明から当業者が容易に発明をすることができたということはできない。
［本件請求項２，３に係る発明について］
　本件請求項２，３に係る発明は、本件請求項１に係る発明を更に限定したものであるから、本件請求項１に係る発明についての判断と同様の理由により、上記甲号各証に記載された発明から当業者が容易に発明をすることができたということはできない。
　以上のとおり、本件請求項１ないし３に係る発明は、特許異議申立人が提出した甲号各証に記載された発明から当業者が容易に発明をすることができたものではない。
（５）申立人の主張
　申立人は、特許異議申立書において「なお、甲第１号証には「エポキシ樹脂」が弾性波を吸収するという効果についての示唆はありませんが、甲第１号証における静磁波共振子の構成を有するものであれば弾性波を吸収するという機能を有していたはずであり、このことは本件特許発明の特許性に何等寄与するものでありません」（第６頁第１行〜同頁第４行）と主張しているが、３．（４）対比・判断で記載した如く、刊行物１には、本件請求項１ないし３に係る発明の必須の構成要件である「非磁性基板の他の面に弾性波を吸収し、主共振に対しスプリアス共振をなくす層」を備えておらず、その要件について開示も示唆もしていないので、申立人の主張は認められない。
（６）むすび
　したがって、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件請求項１ないし３に係る発明の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件請求項１ないし３に係る発明を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年２月１４日（２０００．２．１４）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
　訂正事項ａ）請求項１に係る発明の記載「弾性波を吸収する層」を「弾性波を吸収し、主共振に対しスプリアス共振をなくす層」に訂正する。
　訂正事項ｂ）特許明細書第３頁第１１行目の記載「前記非磁性基板の他の面に弾性波を吸収する層を形成した」を「前記非磁性基板の他の面に弾性波を吸収し、主共振に対しスプリアス共振をなくす層を形成した」に訂正する。
　訂正事項ｃ）特許明細書第７頁第２３行目の記載「広帯域に不必要なスプリアスモードを有効に抑制し」を「主共振に対し広い帯域でスプリアス共振を吸収し」に訂正する。
　上記訂正事項ａ）の請求項１の訂正は、特許明細書に記載された事項の範囲内において、弾性波を吸収する層を限定したものといえるから、特許請求の範囲の限縮に該当し、新規事項の追加に該当せず、また、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
　上記訂正事項ｂ）及びｃ）の訂正は、特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載との整合を図るための訂正であり、明瞭でない記載の釈明を目的とする訂正であって、新規事項の追加に該当せず、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
（５４）【発明の名称】
静磁波素子
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　非磁性基板の一主面上に静磁波が伝搬する媒体が形成されてなる静磁波素子において、前記非磁性基板の他の面に弾性波を吸収
し、主共振に対しスプリアス共振をなくす
　【請求項２】　非磁性基板上にフェリ磁性薄膜を形成し、前記フエリ磁性薄膜上に電極指を形成し、該電極指により前記フェリ磁性薄膜に静磁波を励起し伝搬させる構造としたことを特徴とする請求項１に記載の静磁波素子。
　【請求項３】　第１の非磁性基板上にフエリ磁性薄膜を形成し、マイクロストリップラインを有する第２の非磁性基板に形成した電極指により前記フェリ磁性薄膜に静磁波を励起し伝搬させる構造としたことを特徴とする請求項１に記載の静磁波素子。
【発明の詳細な説明】
　　　【０００１】
　　【産業上の利用分野】
　本発明は、ＧＧＧ（ガドリウム・ガリウム・ガーネット）等の非磁性基板上に形成したＹＩＧ（イットリウム・鉄・ガーネット）等の磁性薄膜の磁気スピン共鳴を利用した静磁波素子に関わり、不必要なスプリアスモードを抑制し広帯域に使用可能ならしめるための素子構造に関するものである。
　　　【０００２】
　　【従来の技術】
　マイクロ波発振回路等に使用される素子としてＧＧＧ（ガドリニウム・ガリウム・ガーネット）非磁性基板上に、液相エピタキシャル成長させたＹＩＧ（イットリウム・鉄・ガーネット）薄膜を所要の形状に加工したフェリ磁性薄膜共鳴素子が提案されている。（特開平２−１３１０１号公報など参照）
このフェリ磁性薄膜共鳴素子は、マイクロ波帯で共振特性のＱが高いこと、マイクロ波伝送線路（エッチング法で形成した電極指など）に磁気的に結合されたフェリ磁性薄膜に垂直に直流バイアス磁界を与えてその磁界強度によって共鳴周波数を可変できることなどの特徴を有する。フェリ磁性薄膜共鳴を利用した共振子として、前記フェリ磁性薄膜と前記伝送線路との結合の調整を容易にし、かつ前記伝送線路との結合度を高めた素子として、前記伝送線路を前記フェリ磁性薄膜上に写真蝕刻（エッチング）技術により形成した静磁波素子が提案されている。（特開昭６２−２４５７０４号公報など参照）
図２は前記静磁波素子の一例を示す概略構成図である。図２（ｂ）において静磁波共振子６は、ＧＧＧ基板２の上にＹＩＧ薄膜３を液相エビタキシャル法により形成し、さらにこの薄膜上にＡｕあるいはＡｌ膜からなる一本または複数本の電極指５、及び前記電極指５の両側にパッド電極４ａ、４ｂを写真蝕刻技術により形成したものである。図２（ａ）に示すように導体面の一部を除去し、一方に導体板１１、もう一方に整合用スタブ７を形成する。そして直流的に断線したマイクロストリップライン１５の該断線部ｇに前記静磁波共振子６を設置し、前記導体板１１と前記パッド電極４ａを接続板１２ａを用いて接続し、前記整合用スタブ７と前記パッド電極４ｂを接続板１２ｂを用いて接続して静磁波素子１６を構成するものである。
　　　【０００３】
　　【発明が解決しようとする課題】
　図２（ａ）に示した静磁波素子１６の通過特性を測定した場合、しばしば図４に示すように共振モ―ドの最低次モ―ドの近傍にスプリアスモ―ドが存在する特性を示すことがあった。これらのモ―ドが全て静磁波によるものであれば、外部からの印加磁界の変化に対して図４に示した波形が同じ形状のままシフトするはずである。しかし、スプリアスモ―ドは、外部からの印加磁界の変化に対する共振周波数の感受性が最低次モ―ドとはわずかに異なることが多く、スプリアスモ―ドの最低次モ―ドに対する相対的な位置関係は共振周波数により変化することがあった。そのため、このスプリアスモ―ドは純粋な静磁波による共振ではないものと思われる。より具体的には、外部磁界を徐々に変化させることに上り最低次モードの共振周波数を変化させながらその共振スペクトラムを観察すると、図５に示すよりに最低次モ―ドによるピークの片側に観測されたスプリアスモ―ドが徐々にピークに近づき、さらには通り越してピークの反対側に移動する様子が観察できた。これらのスプリアスモ―ドが最低次モ―ドに重なった状態の時には、最低次モ―ドのピ―クが鈍くなるため、共振の尖鋭度Ｑが大きく低下するなどの問題があった。本発明の目的は、前記スプリアスモ―ドを広帯域に抑制し、静磁波素子の共振特性の劣化を改善することができる構造を有する静磁波素子を提供することである。
　　　【０００４】
　　【課題を解決するための手段１
　本発明は、非磁性基板の一主面上に静磁波が伝搬する媒体が形成されてなる静磁波素子において、前記非磁性基板の他の面に弾性波を吸収
し、主共振に対しスプリアス共振をなくす
　　　【０００５】
　　【作用】
　本発明による静磁波素子によれば、不必要なスプリアスモ―ドを有効に抑制し、共振特性の劣化を改善することができた。これは静磁波共振子の非磁性基板のフェリ磁性薄膜が存在する側とは反対側の面に内部摩擦によって弾性波のエネルギーを消耗して弾性波を吸収する層を形成したことによって、静磁波と結合した弾性波が非磁性基板のフェリ磁性薄膜が存在する側とは反対の面で吸収され反射が抑えられたことによると考えられる。
　　　【０００６】
　　【実施例】
　以下本発明を実施例に基づいて詳しく説明する。
（実施例１）
　図１は本発明の一実施例を示す。先ず、図２（ｂ）に示すようにＧＧＧ単結晶基板２の一主面２ａ上に液相エピタキシャル成長法により約４０μｍ厚のＹＩＧ膜３を形成した。次にＹＩＧ膜３上に厚さ１．５μｍのＡｕ膜を真空蒸着法で作製し、写真蝕刻法により部分的にＡｕ膜を除去することによって図２（ｂ）に示すような、幅３０μｍ、長さ３ｍｍ、の電極指５を５本及びその両側にパッド電極４ａ、４ｂを作製した。その後、ダイヤモンドブレードを有するダイサーにより長さ５ｍｍ、幅２ｍｍ、厚さ０．５ｍｍの静磁波共振子６をウェハから切り出した。両側の導体板で誘電体１４を挟む構造のマイクロストリップライン１５にエッチングにより静磁波共振子６の長さ１１よりも大なるギャップｇを形成し、負性抵抗回路への接続端とたる銅製の導体板１１と、長さ（１２）、幅（ｗ）のインピーダンス整合用スタブ７を作製した。前記静磁波共振子６のＹＩＧ膜３を形成したＧＧＧ単結晶基板２の一主面２ａとは反対側のもう一方の主面２ｂにエポキシ樹脂系接着剤を１０μｍ塗布して、共振子６をこのギャップｇの部分に固定し、パッド電極４ａと導体板１１を銅製の接続板１２ａで、またパッド電極４ｂとスタブ７を銅製の接続板１２ｂでハンダ接合し、静磁波素子１を作製した。ここで、１４はポリテトラフルオロエチレン樹脂の誘電体、１３はマイクロストリップライン１５の銅製の接地用導体板、ｇ１・ｇ２はそれぞれ間隔０．５ｍｍで作製されたギャップである。バイアス磁界Ｈｏを印加することによりこの静磁波素子１の共振周波数を約５ＧＨｚとして、この静磁波素子１の通過特性をネットワ―クアナライザで測定したところ、図６に示すように５．２〜５．３ＧＨｚの範囲で主共振に対し、±２０ＭＨｚの範囲でスプリアス共振は吸収されて存在しなかった。また、バイアス磁界を徐々に変化させて共振周波数を５．０〜５．５ＧＨｚまで変化させたところ、主共振に対し、±２０ＭＨｚの範囲でスプリアス共振は吸収されて存在しなかった。このことは、弾性波が接着剤の層に吸収された為と考えられる。
　　　【０００７】
（比較例）
　比較例では実施例１に示した静磁波共振子６と同様に作製した静磁波共振子を準備し、実施例１と同様に作製したマイクロストリップライン１５にエッチングにより静磁波共振子６の長さ１１よりも大なるギャップｇの部分に設置し、パッド電極４ａと導体板１１を銅製の接続板１２ａで、またパッド電極４ｂとスタブ７を銅製の接続板１２ｂでハンダ接合し、静磁波素子１６を作製した。バイアス磁界Ｈｏを印加することによりこの静磁波素子１６の共振周波数を約５ＧＨｚとして、この静磁波素子１６の通過特性をネットワークアナライザで測定したところ、図４に示したように５．２〜５．３ＧＨｚの範囲で主共振以外に主共振の近傍に小さたスプリアス共振が観測された。また、バイアス磁界を徐々に変化させて共振周波数を５．０〜５．５ＧＨｚ主で変化させたところ、図５のように主共振より低周波側にあったスプリアス共振が主共振の高周波側に移っていくのが観察された。
　　　【０００８】
（実施例２）
　本実施例では実施例１に示した静磁波共振子６と同様に作製した静磁波共振子を準備した。また両側の導体板で誘電体１４を挟む構造のマイクロストリップライン１５にエッチングにより幅３０μｍ、長さ３ｍｍ、の電極指１０を５本を形成し、負性抵抗回路への接続端となる銅製の導体板１１と、幅（ｗ）のインピ―ダンス整合用スタブ７を形成した別の基板（第２の基板）９を作製した。この電極指１０を形成した部分に前記静磁波共振子６を固定し、静磁波素子を作製した。バイアス磁界Ｈｏを印加することにより前記静磁波素子の共振周波数を約５ＧＨｚとして、前記静磁波素子の通過特性をネットワ―クアナライザで測定したところ、図７に示したように５．２〜５．３ＧＨｚの範囲で主共振以外に主共振の近傍に小さなスプリアス共振が観測された。また共振のピークが比較例の静磁波素子１６の約半分である特性を示した。前記共振子６のＹＩＧ膜３を形成したＧＧＧ単結晶基板２の一主面２ａとは反対側のもう一方の主面２ｂにエポキシ樹脂系接着剤８を１０μｍ塗布した場合の静磁波素子１７の通過特性を測定したところ、図８に示すように、共振周波数が約５．２〜５．３ＧＨｚの範囲で主共振に対し、この場合にも±２０ＭＨｚの範囲でスプリアス共振は存在しなかった。また、バイアス磁界を徐々に変化させて共振周波数を５．０〜５．５ＧＨｚまで変化させたところ、主共振に対し、±２０ＭＨｚの範囲でスプリアス共振は存在しなかった。
　　　【０００９】
（実施例３）
　本実施例では図１に示すように、実施例１と同様に作製した静磁波共振子６を準備し、前記静磁波共振子６のＹＩＧ膜３を形成したＧＧＧ単結晶基板２の一主面２ａとは反対側のもう一方の主面２ｂに導電性接着剤であるド―タイトを１０μｍ塗布して、実施例１と同様に作製したマイクロストリップライン１５にエッチングにより形成した、静磁波共振子６の長さ１１よりも大なるギャップｇの部分に設置し、パッド電極４ａと導体板１１を銅製の接続板１２ａで、またパッド電極４ｂとスタブ７を銅製の接続板１２ｂでハンダ接合し、静磁波素子１を作製した。バイアス磁界Ｈｏを印加することによりこの静磁波素子１の共振周波数を約５ＧＨｚとして、この静磁波素子１の通過特性をネットワ―クアナライザで測定したところ、図６に示すように５．２〜５．３ＧＨｚの範囲で主共振に対し、この場合にも±２０ＭＨｚの範囲でスプリアス共振は吸収されて存在しなかった。また、バイアス磁界を徐々に変化させて共振周波数を５．０〜５．５ＧＨｚまで変化させたところ、主共振に対し、±２０ＭＨｚの範囲でスプリアス共振は吸収されて存在しなかった。また、実施例ではエポキシ樹脂系接着剤及びド―夕イトの例で説明したが、本発明の効果は他の有機系接着剤、はんだペ―ストあるいは導電性接着剤等においても不要なスプリアス共振の抑制に効果があった。また、本発明においてはフェリ磁性薄膜が存在する主面に対抗する面とともに他の側面にも弾性波を吸収する層を形成してもよい。
　　　【００１０】
　　【発明の効果】
　本発明によれば、非磁性基板の一主面上に静磁波が伝搬する媒体が形成されてなる静磁波素子において、前記非磁性基板の他の主面に弾性波を吸収する層を形成することにより、
主共振に対し広い帯域でスプリアス共振を吸収し
【図面の簡単な説明】
　【図１】本発明の一実施例を示す説明図である。
　【図２】（ａ）は静磁波素子の一例を示した図、（ｂ）は静磁波共振子の説明図である。
　【図３】本発明の他の実施例を示す説明図である。
　【図４】静磁波素子の一例の通過特性の実測値を示した図である。
　【図５】バイアス印加磁界を変化させたときの静磁波素子の一例の通過特性の実測値を示した図である。
　【図６】本発明の一実施例の通過特性の実測値を示した図である。
　【図７】別の基板（第２の基板）に電極指を形成した場合の静磁波素子の一例の通過特性の実測値を示した図である。
　【図８】別の基板（第２の基板）に電極指を形成した場合の本発明の一実施例の通過特性の実測値を示した図である。
　【符号の説明】
１　本発明の静磁波素子
２　ＧＧＧ基板
３　ＹＩＧ基板
４ａ　パッド電極
４ｂ　パッド電極
５　電極指
６　静磁波共振子
７　整合用スタブ
８　弾性波吸収層
９　別の基板（第２の基板）
１０　別の基板（第２の基板）に形成した電極指
１１　導体板
１２ａ、１２ｂ　接続板
１３　接地用導体板
１４　誘電体
１５　マイクロストリップライン
１６　従来の静磁波素子
１７　別の基板（第２の基板）に電極指を形成した静磁波素