【事件の表示】
　　特許第２８４６８９０号「表面処理方法および装置」の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第２８４６８９０号の請求項１ないし１０に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯　
　本件特許第２８４６８９０号の発明は、平成１年４月１１日に特許出願され、平成１０年１０月３０日にその特許の設定登録がなされ、平成１１年７月１３日に特許異議申立人安藤純男により特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１１年１２月２０日に訂正請求がされたものである。　　　　  
　　
２．訂正の適否についての判断　
（１）訂正の内容　
［訂正事項ａ］
　特許請求の範囲の請求項１及び４における
「前記静電吸着板と前記試料台との間に第２の冷媒を流す手段とを有することを特徴とする」を、
「前記静電吸着板と前記試料台との間に第２の冷媒を流す手段とを有し、
前記試料台に高周波を印加し、かつ前記試料台に前記被処理物を静電吸着するための直流電力を印加するようにしたことを特徴とする」
と訂正する。
［訂正事項ｂ］
　特許請求の範囲の請求項８における
「前記導電体膜の前記試料台側表面には」を、
「前記試料台は電極を兼ね、前記静電吸着板の導電体膜の前記試料台側表面には、」
と訂正する。
［訂正事項ｃ］
　特許請求の範囲の請求項９における
「前記被処理物を前記静電吸着板に静電吸着させ、」を、
「前記試料台に高周波を印加し、かつ前記試料台に前記被処理物を静電吸着するための直流電力を印加し、」
と訂正する。
［訂正事項ｄ］
　特許請求の範囲の請求項１０における
「し、かつ前記静電吸着板は、前記試料台に直流電力を印加することによって前記被処理物を静電吸着」
を削除する。
［訂正事項ｅ］
　特許明細書の［問題を解決するための手段］において、請求項１，４及び９に対応する記載個所を、上記［訂正事項ａ］及び［訂正事項ｃ］に係る訂正と同様に訂正する。
　　　
（２）訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　訂正事項ａ及びｃは、「試料台に高周波を印加し、かつ試料台に被処理物を静電吸着するための直流電力を印加する」という構成要件を直列的に付加するものであるから、特許請求の範囲の減縮に該当する。
　訂正事項ｂは、「試料台は電極を兼ねる」という構成要件を直列的に付加するものであるから、特許請求の範囲の減縮に該当する。
　訂正事項ｄは、請求項９を引用する請求項１０において、請求項９が訂正されたために重複することとなった構成を単に削除するものであるから、明りょうでない記載の釈明に該当する。
　訂正事項ｅは、訂正事項ａ及びｃの訂正に伴い、特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載とを整合させるものであるから、明りょうでない記載の釈明に該当する。
　そして、上記各訂正は、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内のものであり、かつ、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
　　
（３）独立特許要件の判断
　イ）訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１ないし１０に係る発明は、それぞれ、その特許請求の範囲の請求項１ないし１０に記載された次のとおりのものである。
　「【請求項１】　被処理物を表面処理するためのプラズマを発生させるプラズマ発生源と、
試料台と、
前記試料台上に設けられ、前記被処理物を静電吸着させるための静電吸着板と、
前記被処理物と前記静電吸着板との間に第１の冷媒を流す手段と、
前記静電吸着板と前記試料台との間に第２の冷媒を流す手段とを有し、
前記試料台に高周波を印加し、かつ前記試料台に前記被処理物を静電吸着するための直流電力を印加するようにしたことを特徴とする表面処理装置。
　【請求項２】　前記第１の冷媒は冷却用ガスであることを特徴とする請求項１記載の表面処理装置。
　【請求項３】　前記第２の冷媒は冷却用ガスであることを特徴とする請求項１記載の表面処理装置。
　【請求項４】　被処理物を表面処理するためのプラズマを発生させるプラズマ発生源と、
試料台と、
前記試料台上に設けられ、前記試料台と着脱可能に構成され、前記被処理物を静電吸着させるための静電吸着板と、
前記被処理物と前記静電吸着板との間に冷媒を流す手段と、
前記静電吸着板と前記試料台との間に冷媒を流す手段とを有し、
前記試料台に高周波を印加し、かつ前記試料台に前記被処理物を静電吸着するための直流電力を印加するようにしたことを特徴とする表面処理装置。
　【請求項５】　前記静電吸着板は、ビスまたはクランプ止めにより、前記試料台に固定されていることを特徴とする請求項４記載の表面処理装置。
　【請求項６】　試料台と、
被処理物を処理するプラズマを発生させるための、前記試料台に高周波を印加する高周波電源と、
前記試料台上に設けられた静電吸着板と、
前記試料台に直流電力を印加して、前記静電吸着板に前記被処理物を吸着させる直流電源と、
前記被処理物と前記静電吸着板との間に冷媒を流す手段と、
前記静電吸着板と前記試料台との間に冷媒を流す手段とを有することを特徴とする表面処理装置。
　【請求項７】　前記静電吸着板は、導電体膜と、前記導電体膜の前記被処理物側表面に設けられた絶縁膜とから形成されていることを特徴とする請求項６記載の表面処理装置。
　【請求項８】　前記試料台は電極を兼ね、前記静電吸着板の導電体膜の前記試料台側表面には、前記絶縁膜は形成されていないことを特徴とする請求項７記載の表面処理装置。
　【請求項９】　試料台上の静電吸着板上に、被処理物を設置する工程と、
前記試料台に高周波を印加し、かつ前記試料台に前記被処理物を静電吸着するための直流電力を印加し、前記試料台と前記静電吸着板との間および前記静電吸着板と前記被処理物との間に冷媒を流し、前記被処理物表面をプラズマ処理する工程とを有することを特徴とする表面処理方法。
　【請求項１０】　前記プラズマは、前記試料台に高周波を印加することによって発生することを特徴とする請求項９記載の表面処理方法。」
（以下請求項１ないし１０に係る各発明を、それぞれ、「訂正発明１」、「訂正発明２」・・・・「訂正発明１０」という。）
　　
　ロ）当審が通知した取消理由の概要は以下のとおりである。
［取消理由１］
　本件特許の訂正前の請求項１ないし７及び請求項９ないし１０に係る発明は、本出願前に頒布された特開昭６３−１５６３２１号公報（以下「刊行物１」という。）に記載された発明であるか、ないしは、刊行物１記載の発明に基づいて当業者が容易に発明できたものであるから、本件の上記各請求項に係る特許は、特許法第２９条第１項第３号に該当し、または、同条第２項の規定により、特許を受けることができない発明に対してされたものであって、取り消されるべきものである。
［取消理由２］
　本件特許の訂正前の請求項１ないし３、請求項６ないし７及び請求項９ないし１０に係る発明は、実願平１−２９６３７号の願書に最初に添付した明細書又は図面（実開平２−１２０８３１号のマイクロフィルム参照。以下「先願明細書１」という。）及び特願昭６３−２８９５９２号の願書に最初に添付した明細書又は図面（特開平２−１３５７５３号公報参照。以下「先願明細書２」という。）に記載された発明ないしは考案と同一であり、しかも、本件発明の発明者がかかる先願明細書に記載された発明ないしは考案をした者と同一であるとも、また、本件の出願時に、その出願人が上記他の出願の出願人と同一であるとも認められないので、本件の上記各請求項に係る特許は、特許法第２９条の２第１項の規定により特許を受けることができない発明に対してされたものであって、取り消されるべきものである。
　　
　ハ）取消理由で引用された刊行物１並びに先願明細書１及び２の記載内容は以下のとおりである。
［刊行物１］
　「プラズマ発生電極のアノード側に基板を吸着させるための静電吸着装置と、該基板と静電吸着装置との間にガスを供給するための装置を設けたプラズマ処理装置。」（特許請求の範囲１）が記載されており、発明の詳細な説明における図面の説明（第２頁左上欄第５行〜右下欄第１６行）を参照しながら第１〜３図、特に第１図をみると、
　「基板（ウェハ）８を表面処理するためのプラズマを発生させるアノードとして作用する温調電極１と、温調電極１上に絶縁膜２１，２２を介して設けられた基板８と、絶縁膜２１と２２との間に設けられた基板吸着用の静電吸着電極７と、基板８と絶縁膜２２との間及び絶縁膜２１と温調電極１との間にＨｅ等の冷却ガスを流すための孔２５ａ，２５ｂ及び分配溝２６ａ，２６ｂを有し、温調電極１に交流電源を接続し、静電吸着電極７に基板８を静電吸着するための直流電源を接続したプラズマエッチング装置」
が、実質的に記載されているものと認められる。
［先願明細書１］
　考案の詳細な説明（主に、第６頁第１２行〜第９頁第１９行）を参照しながら第１図をみると、
　「電界均一用電極１３と、電界均一用電極１３上に設けられた、板状絶縁物１１に埋設されたウェーハ吸着用の静電吸着用電極３と、板状絶縁物１１の上面に刻設された、ウェーハ４と板状絶縁物１１との間にヘリウムガスを供給するための溝１８と、電界均一用電極１３上の板状絶縁物１１との接合面に刻設された、板状絶縁物１１と電界均一用電極１３との間にヘリウムガスを供給するための溝１６とを有し、高周波電源７からの高周波を電界均一用電極１３及び静電吸着用電極３に印加し、また、直流電源８からの直流電力を静電吸着用電極３に印加するとともに、電界均一用電極１３には直流成分が印加されないように直流阻止コンデンサ１４を回路に介挿したドライエッチング及びＣＶＤ等の処理装置」
が、実質的に記載されているものと認められる。
［先願明細書２］
　発明の詳細な説明（主に、公開公報第５頁右上欄第４〜１８行）を参照しながら第６図をみると、
　「試料台３９と、試料台３９上に設けられた電極３４と、試料１７と電極３４との間にヘリウムガスを導入するガス導入部３５と、電極３４と試料台３９との間にヘリウムガスを導入するガス導入部４０とを有する、プラズマを用いるＣＶＤないしはエッチング装置」
が、実質的に記載されているものと認められる。
　また、「静電吸着板として作用する電極（第１図では１５，第６図では３４）は、セラミックなどから構成される絶縁体内部に電極層が埋設された格好で形成される」（公開公報第２頁左上欄第１７〜２０行）ことも記載されている。
　　
　ニ）まず、上記［取消理由１］について検討する。
　この取消理由の対象となった請求項１ないし７及び請求項９ないし１０に係る発明を訂正した各訂正発明（即ち、訂正発明１〜７，９〜１０）は、いずれも、「試料台に高周波を印加し、かつ試料台に被処理物を静電吸着するための直流電力を印加する」構成、つまり「高周波及び直流電力をともに試料台に印加する」構成を有するものである。
　一方、刊行物１記載の装置においては、高周波は試料台（温調電極１）に印加されているが、直流電力は、試料台に印加されておらず静電吸着板（静電吸着電極７）に印加されている。
　そして、試料台と静電吸着板の間には、高周波と直流とを絶縁するための絶縁膜２１が必要である。
　したがって、取消理由１の対象となった上記各訂正発明は、刊行物１に記載された発明であるとすることはできない。
　また、刊行物１には、上記各訂正発明が有する「試料台に直流電力を印加する」構成を示唆する記載もみあたらない。
　したがって、取消理由１の対象となった上記各訂正発明は、刊行物１記載の発明から当業者が容易に想起できたものとも認められない。
　　
　ホ）次に、上記［取消理由２］について検討する。
　この取消理由の対象となった請求項１ないし３、請求項６ないし７及び請求項９ないし１０に係る発明を訂正した各訂正発明（即ち、訂正発明１〜３，６〜７，９〜１０）を先願明細書１に記載された発明と対比すると、先願明細書１に記載された発明では、直流電力を試料台（電界均一用電極１３）に印加していない点で、直流電力を試料台に印加する各訂正発明とは構成上の差異が認められる。
　また、先願明細書２には、直流電力の印加個所について明記されていないが、「静電吸着板として作用する電極は、セラミックなどから構成される絶縁体内部に電極層が埋設された格好で形成される」ことからみれば、静電吸着用の電力は、試料台とは絶縁された上記電極層に印加されており、試料台には印加されていないことが明らかである。
　そして、先願明細書１及び２に記載された発明では、試料台と静電吸着用電極との間に絶縁膜を設けることにより、直流成分と高周波成分とを積極的に分離する構成としているのであるから、先願明細書１及び２に記載されたかかる構成を、各訂正発明における「高周波及び直流電力をともに試料台に印加する」構成とすることが、当業者が適宜なし得る単なる設計変更であるということもできない。
　してみれば、取消理由２の対象となった上記各訂正発明が、先願明細書１または２に記載された発明と同一であるとすることはできない。
　　
　へ）以上のとおりであるから、当審が通知した取消理由によっては、訂正発明１〜７及び９〜１０を、特許出願の際独立して特許を受けることができないものとすることはできない。
　　
（４）まとめ
　したがって、上記訂正事項ａ〜ｅに係る訂正は、特許法第１２０条の４第２項ただし書き第１〜第３号に該当するものであり、また、同条第３項で準用する同法第１２６条第２〜第４項の規定に適合するので、当該訂正を認める。　
　　
３．特許異議の申立てについての判断
（１）申立ての理由の概要
　申立人安藤純男は、証拠として甲第１号証（上記「刊行物１」に相当する。以下「刊行物１」という。）を提出し、
　「本件特許の訂正前の請求項１ないし１０に係る発明は、刊行物１に記載された発明であるか、ないしは、かかる発明に基づいて当業者が容易に発明できたものであるから、本件の上記各請求項に係る特許は、特許法第２９条第１項第３号に該当し、または、同条第２項の規定により、特許を受けることができない発明に対してされたものであって、取り消されるべきものである」
旨を主張している。
　　　
（２）検討
　訂正請求が認められた結果、本件特許の請求項１ないし１０に係る発明は、上記のとおりの訂正発明１ないし１０に訂正された。
　このうち、訂正発明１〜７及び９〜１０については、これらの各訂正発明が、刊行物１に記載された発明であるとも、また、刊行物１記載の発明から当業者が容易に想到できた発明であるとも認められないことは上記「２の（３）のニ）」の項で述べたとおりである。
　また、訂正発明８は、訂正発明７を引用するものであって、訂正発明７と同様に「高周波及び直流電力をともに試料台に印加する」構成を有している点で刊行物１記載のものとは異なるから、訂正発明７に係る理由と同じ理由で、刊行物１に記載された発明であるとも、刊行物１記載の発明から当業者が容易に想起できた発明であるとも認められない。
　　
（３）まとめ
　したがって、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件の訂正発明１ないし１０の特許が、特許法第２９条第１項第３号または同条第２項の規定に違反してされたものとは認められない。
　　
４．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件の訂正発明１ないし１０の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件の訂正発明１ないし１０の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年４月２７日（２０００．４．２７）
【訂正の要旨】
　訂正の要旨
　特許第２８４６８９０号の明細書を以下のとおり訂正する。
［訂正事項ａ］
　特許請求の範囲の減縮を目的として、特許請求の範囲の請求項１及び４における
　「前記静電吸着板と前記試料台との間に第２の冷媒を流す手段とを有することを特徴とする」を、
　「前記静電吸着板と前記試料台との間に第２の冷媒を流す手段とを有し、
前記試料台に高周波を印加し、かつ前記試料台に前記被処理物を静電吸着するための直流電力を印加するようにしたことを特徴とする」
と訂正する。
［訂正事項ｂ］
　特許請求の範囲の減縮を目的として、特許請求の範囲の請求項８における
　「前記導電体膜の前記試料台側表面には」を、
　「前記試料台は電極を兼ね、前記静電吸着板の導電体膜の前記試料台側表面には、」
と訂正する。
［訂正事項ｃ］
　特許請求の範囲の減縮を目的として、特許請求の範囲の請求項９における
　「前記被処理物を前記静電吸着板に静電吸着させ、」を、
　「前記試料台に高周波を印加し、かつ前記試料台に前記被処理物を静電吸着するための直流電力を印加し、」
と訂正する。
［訂正事項ｄ］
　明りょうでない記載の釈明を目的として、特許請求の範囲の請求項１０における
　「し、かつ前記静電吸着板は、前記試料台に直流電力を印加することによって前記被処理物を静電吸着」
を削除する。
［訂正事項ｅ］
　明りょうでない記載の釈明を目的として、特許明細書の［問題を解決するための手段］において、請求項１，４及び９に対応する記載個所を、上記［訂正事項ａ］及び［訂正事項ｃ］に係る訂正と同様に訂正する。
（５４）【発明の名称】
表面処理方法および装置
（５７）【特許請求の範囲】
　１．被処理物を表面処理するためのプラズマを発生させるプラズマ発生源と、試料台と、
　前記試料台上に設けられ、前記被処理物を静電吸着させるための静電吸着板と、
　前記被処理物と前記静電吸着板との間に第１の冷媒を流す手段と、
　前記静電吸着板と前記試料台との間に第２の冷媒を流す手段とを有
し、
　
前記試料台に高周波を印加し、かつ前記試料台に前記被処理物を静電吸着するための直流電力を印加するようにした
　２．前記第１の冷媒は冷却用ガスであることを特徴とする請求項１記載の表面処理装置。
　３．前記第２の冷媒は冷却用ガスであることを特徴とする請求項１記載の表面処理装置。
　４．被処理物を表面処理するためのプラズマを発生させるプラズマ発生源と、試料台と、
　前記試料台上に設けられ、前記試料台と着脱可能に構成され、前記被処理物を静電吸着させるための静電吸着板と、
　前記被処理物と前記静電吸着板との間に冷媒を流す手段と、
　前記静電吸着板と前記試料台との間に冷媒を流す手段とを有
し、
　
前記試料台に高周波を印加し、かつ前記試料台に前記被処理物を静電吸着するための直流電力を印加するようにした
　５．前記静電吸着板は、ビスまたはクランプ止めにより、前記試料台に固定されていることを特徴とする請求項４記載の表面処理装置。
　６．試料台と、
　被処理物を処理するプラズマを発生させるための、前記試料台に高周波を印加する高周波電源と、
　前記試料台上に設けられた静電吸着板と、
　前記試料台に直流電力を印加して、前記静電吸着板に前記被処理物を吸着させる直流電源と、
　前記被処理物と前記静電吸着板との間に冷媒を流す手段と、
　前記静電吸着板と前記試料台との間に冷媒を流す手段とを有することを特徴とする表面処理装置。
　７．前記静電吸着板は、導電体膜と、前記導電体膜の前記被処理物側表面に設けられた絶縁膜とから形成されていることを特徴とする請求項６記載の表面処理装置。
　８．前記
試料台は電極を兼ね、前記静電吸着板の
　９．試料台上の静電吸着板上に、被処理物を設置する工程と、
　
前記試料台に高周波を印加し、かつ前記試料台に前記被処理物を静電吸着するための直流電力を印加し、
　１０．前記プラズマは、前記試料台に高周波を印加することによって
発生する
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
　本発明は表面処理技術に関し、特に、半導体装置の製造工程におけるウェハ処理工程に用いられるプラズマエッチング処理技術などに適用して有効な技術に関する。
［従来の技術］
　たとえば、半導体ウェハの製造工程におけるプラズマエッチング処理技術などにおいては、イオン入射やプラズマ反応熱によって半導体ウェハが温度上昇してホトレジスト膜の変質や融解などが起こりエッチング処理に支障を来す。
　このような弊害は、たとえば、半導体ウェハを試料台によって所定の温度に冷却しつつエッチング処理することにより防止することができるが、この場合に、半導体ウェハが試料台上に単にその自重によって載置されるだけでは不十分で、試料台の温度が半導体ウェハに効率的に伝導されるように試料台と半導体ウェハとの熱的接触が強化されることが望まれる。
　そこで、たとえば、特開昭５６−４８１３２号、特開昭６３−５６９２０号および特開昭６３−２３２４号公報記載のように、半導体ウェハを試料台上に機械的にクランプして該半導体ウェハと試料台との間に熱伝導率の高いガスを導入する技術、あるいは特公昭５７−４４７４７号公報記載のように、試料台に形成された静電吸着板によって半導体ウェハを該試料台に静電的に吸着する技術などが提案されている。
　一方、このようなエッチング技術によって所定の温度に冷却されてエッチング処理された半導体ウェハは、ホトレジスト膜などが後処理室において除去される。
　この場合に、従来技術においては、たとえばエッチング処理後の半導体ウェハを処理室外の大気圧中に開放してその冷却温度を高めた後に、後処理室において所定の後処理を行っている。
　なお、特開昭６３−５６９２０号には、トレー上にウェハを載せて容器に搬入し、トレーとウェハを静電チャックしてウェハをエッチング処理し、その後トレーとれー上にウェハを載せて容器から搬出することが記載されているが、エッチング処理の前に当該トレーを試料台上に固定する概念はない。
［発明が解決しようとする課題］
　しかしながら、前記したプラズマエッチング技術などにおいて静電吸着手段を備えた技術は、その静電吸着手段を構成している絶縁体が異物やプラズマなどによって劣化し易く、この絶縁体の劣化により安定した静電吸着力を長期間にわたって得ることができない。
　また、特開昭６２−２２９９４７号および特開昭６３−２３２４号公報に開示された装置では、劣化した絶縁体などの交換に際しては、静電吸着板が試料台に一体的に形成されているため、試料台全体を交換しなければならず、この結果、交換作業が煩雑化し時間的損失が大きく、また交換部品費用による経済的損失が大きい。
　このため、前記したエッチング技術においては、静電吸着手段の採用による半導体ウェハのエッチング処理技術の向上や量産化などが実質上妨げらる。
　一方、このようなエッチング技術により冷却されてエッチング処理された半導体ウェハは、処理室外の大気圧中に開放されてその冷却温度が処理室外の室温近くに高められた後に、後処理室において所定の後処理が行われている。
　このため、エッチング処理と後処理との間に、半導体ウェハの冷却温度を室温近くまで戻すための時間が必要とされ、この結果、時間的損失が大きく、スループットの向上が妨げられる。
　本発明の目的は、たとえば半導体ウェハのエッチング処理技術などの表面処理技術の向上を図ることができる表面処理技術を提供することにある。
　本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
［課題を解決するための手段］
　本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
　すなわち、本発明の１つの表面処理装置は、被処理物を表面処理するためのプラズマを発生させるプラズマ発生源と、試料台と、前記試料台上に設けられ、前記被処理物を静電吸着させるための静電吸着板と、前記被処理物と前記静電吸着板との間に第１の冷媒を流す手段と、前記静電吸着板と前記試料台との間に第２の冷媒を流す手段とを有し、前記試料台に高周波を印加し、かつ前記試料台に前記被処理物を静電吸着するための直流電力を印加するようにしたものである。
　また、本発明の１つの表面処理装置は、被処理物を表面処理するためのプラズマを発生させるプラズマ発生源と、試料台と、前記試料台上に設けられ、前記試料台と着脱可能に構成され、前記被処理物を静電吸着させるための静電吸着板と、前記被処理物と前記静電吸着板との間に冷媒を流す手段と、前記静電吸着板と前記試料台との間に冷媒を流す手段とを有し、前記試料台に高周波を印加し、かつ前記試料台に前記被処理物を静電吸着するための直流電力を印加するようにしたものである。
　さらに、本発明の他の表面処理装置は、試料台と、被処理物を処理するプラズマを発生させるための、前記試料台に高周波を印加する高周波電源と、前記試料台上に設けられた静電吸着板と、前記試料台に直流電力を印加して、前記静電吸着板に前記被処理物を吸着させる直流電源と、前記被処理物と前記静電吸着板との間に冷媒を流す手段と、前記静電吸着板と前記試料台との間に冷媒を流す手段とを有するものである。
　また、本発明の表面処理方法は、試料台上の静電吸着板上に、被処理物を設置する工程と、前記試料台に高周波を印加し、かつ前記試料台に前記被処理物を静電吸着するための直流電力を印加し、前記試料台と前記静電吸着板との間および前記静電吸着板と前記被処理物との間に冷媒を流し、前記被処理物表面をプラズマ処理する工程とを有するものである。
〔作用〕
　本発明の表面処理方法および装置においては、被処理物を静電吸着板に静電吸着し、かつ被処理物と静電吸着板との間、および静電吸着板と試料台との間に冷媒を流すことにより、被処理物が静電吸着により確実に密着保持されて被処理物と試料台との熱接触が強化される上に、この被処理物と試料台との熱接触は、被処理物と静電吸着板との間、および静電吸着板と試料台との間に冷媒を流すことによってさらに強化され、被処理物の温度上昇を効率的かつ確実に抑制でき、処理精度を向上させることができる。
［実施例１］
　第１図は本発明の一実施例である表面処理装置のエッチング機構を示す断面図、第２図はその表面処理装置の後処理機構を示す断面図、第３図はその表面処理装置全体を説明するための説明図、第４図（ａ），（ｂ）はその表面処理装置のエッチング機構によるエッチング工程を示す被処理物の部分的断面図、第５図は本発明の表面処理装置のエッチング機構と、従来の表面処理装置のエッチング機構とによりエッチング処理される被処理物の温度上昇を比較するための線図である。
　本実施例の表面処理装置は半導体ウェハのエッチング処理装置とされ、第３図に示すようにローダ機構１と、エッチング機構２と、搬送機構３と、後処理機構４と、アンローダ機構５とを備え、ローダ機構１から送り出された半導体ウェハがエッチング機構２によって低温エッチング処理された後に、搬送機構３によって後処理機構４に連続して搬送されてアッシング処理され、そして、アンローダ機構５に収納されて一貫処理される構造とされている。
　第１図に示すように、前記エッチング機構２は、マイクロ波プラズマエッチング方式のエッチング機構とされ、そのエッチング処理室７は石英などによって形成されて上部が半球形状を呈している。
　エッチング処理室７内には、絶縁体８ｃを介して、上面が水平な試料台８が配設され、この試料台８の中央上部側に、エッチング処理すべき半導体ウェハ６（被処理物）、すなわち、たとえば多結晶Ｓｉ膜などの表面にホトレジスト膜パターンが被着された半導体ウェハ６が載置されるようになっている。
　エッチング処理室７の側面側には、図示しない排気機構などに接続されている排気管９が接続されていて、該エッチング処理室７内を所定の真空度に排気するようになっている。
　また、エッチング処理室７は、その側面側に図示しないガス源に接続されているガス導入管１０が接続されていて、たとえばＳＦ６、あるいはＮＦ３などのエッチングガスが該エッチング処理室７内に導入される構造とされている。
　この場合に、たとえば、エッチング処理室７内のエッチング圧力は、０．２〜３．０Ｐａとされる。
　前記試料台８は、ブロッキングコンデンサ１１およびマッチングボックス１２を介して高周波電源１３および直流電源１４に接続されている。
　エッチング処理室７内における試料台８の外周囲には、接地電極１５が配置され、該試料台８と接地電極１５との間に高周波電源１３から高周波電力が印加される構造とされている。たとえば、その高周波電力は３０〜２００Ｗとされる。
　前記試料台８内には、複数の遊挿孔８ａが形成され、この遊挿孔８ａにウェハ押上ピン１６がＯリングなどのシール部材１７を介して夫々遊挿されている。
　ウェハ押上ピン１６はウェハ押上機構１８によって昇降され、このウェハ押上ピン１６の昇によって半導体ウェハ６が試料台８の上方で上下動される構造とされている。
　試料台８の遊挿孔８ａには、ガス導入孔８ｂが接続され、Ｈｅ，Ｎｅ，Ａｒなどの不活性ガス、あるいはＮ２，Ｏ２，フレオンガス（商品名）などがガス導入孔８ｂ，遊挿孔８ａなどを経て半導体ウェハ６の裏面側に導入され、また試料台８が温調器１９によって、たとえば−１７０度Ｃ〜−１２０度Ｃの温度に冷却されるようになっている。
　なお、試料台８は温調器１９により−２００度Ｃ〜＋４００度Ｃの範囲での精密な温度制御が可能とされている。
　このような構造の試料台８上には、静電吸着板２０（静電吸着手段）が、たとえば絶縁性のビスなどの締結手段２１などによって交換自在ないし着脱自在に設置されている。
　静電吸着板２０は、熱伝導性の大きい導電体２０ａと、この導電体２０ａの表面側を被覆している絶縁体２０ｂとから形成され、たとえば、導電体２０ａはＡｌやＡｌ合金などからなる肉厚１ｍｍ〜２０ｍｍの薄板によって形成され、また絶縁体２０ｂはＡｌ２Ｏ３，ＡｌＮ，ＳｉＣ，ＳｉＯ２，Ｓｉ３Ｎ４などからなる膜厚１０μｍ〜５００μｍの薄膜によって形成されている。
　そして、エッチング処理されるべき半導体ウェハ６が静電吸着板２０の絶縁体２０ｂ上に載置されその静電吸着力によって試料台８側に静電吸着されることにより、半導体ウェハ６と試料台８との熱的接触が強化される構造とされている。
　なお、本実施例において、そのような熱的接触は、ガス導入孔８ｂからの冷却用のガスが静電吸着板２０と試料台８との間および静電吸着板２０と半導体ウェハ６との間に流し込まれることによっても強化される構造とされている。
　前記静電吸着板２０には、前記押上ピン１６が昇降される遊挿孔２０ｃ（搬送手段昇降用の孔）が試料台８の遊挿孔８ａに対向して複数開設されている。
　前記エッチング処理室７の半球状の上部は、導波管２２の一端内部に収容され、該導波管２２の他端部に接続されているマイクロ波発振器２３（たとえば、印加マイクロ波電力１．０〜２．０ＫＷ）によって放射されるマイクロ波が該エッチング処理室７内に導入されるようになっている。
　前記エッチング処理室７の外周囲には、発散磁場形成用コイル２４ａと電子をサイクロン運動させるＥＣＲ（ＥＬｅｃｔｒｏｎ　Ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ　Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ）用コイル２４ｂが夫々配設され、このコイル２４ａ，２４ｂによって試料台８の上方に所定の磁束密度からなる磁場が形成される構造とされている。
　次に、本実施例のエッチング処理装置は、前記エッチング機構２によって低温エッチング処理された半導体ウェハ６が図示しない搬送手段によりエッチング処理室７から搬送機構３内の図示しない真空室を経て後処理機構４に搬送される構造とされている。
　後処理機構４は、マイクロ波ダウンストリームアッシング方式の後処理機構とされ、第２図に示すようにその後処理室２６内には、前記エッチング処理室７においてエッチング処理された半導体ウェハ６が載置される水平な試料台２５が配置されている。
　試料台２５は、たとえば−６０度Ｃ〜２５度Ｃの温度に制御可能とされている。
　そして、前記エッチング処理室７内において−１７０度Ｃ〜−１２０度Ｃの温度に冷却されてエッチング処理された半導体ウェハ６がその処理後に大気圧中などに開放されることなく、直ちに、搬送機構３によって後処理室２６に搬送され、該後処理室２６内の試料台２５によって後処理室２６外の室温近くの温度に戻されつつアッシング処理される構造とされている。
　また、このようなアッシング処理に際し、導波管２７に接続されているマイクロ波発振器２８（たとえば、印加マイクロ波電力１．０〜２．０ＫＷ）によって放射されるマイクロ波が後処理室２６内に導入され、またＣＦ４＋Ｏ２、あるいはＣＨＦ３＋Ｏ２などのアッシングガスがガス導入管２９から後処理室２６内に導入されて試料台２５上の半導体ウェハ６がアッシング処理される構造とされている。
　また、このアッシグ処理中における後処理室２６内のアッシング圧力は、図示しない排気管を介して、たとえば１００〜３００Ｐａの真空度とされるようになっている。
　次に、本実施例のエッチング処理装置によるエッチング処理方法について説明する。
　たとえば、第４図（ａ）に示すように、Ｓｉ基板６ａ上にゲート酸化膜６ｂ，多結晶Ｓｉ膜６ｃ，ホトレジスト膜６ｄが形成された半導体ウェハ６は、ローダ機構１のローダ室から図示しない搬送手段によってエッチング機構２のエッチング処理室７に搬送されて試料台８の上方の所定位置で停止される。
　試料台８の上方の所定位置で停止された半導体ウェハ６は、押上ピン１６の上昇によって押し上げられ、その後に前記搬送手段がエッチング処理室７外に退避して押上ピン１６が下降することにより該半導体ウェハ６が静電吸着板２０の絶縁体２０ｂ上に載置される。
　次いで、エッチング処理室７内を排気管９を介して排気して所定の真空度とするとともに、ガス導入管１０を介して、たとえばＳＦ６などのエッチングガスをエッチング処理室７内に導入する。エッチング処理室７内のエッチング圧力は、たとえば０．２〜３．０Ｐａとする。
　次いで、コイル２４ａ，２４ｂに通電して試料台８の上方に所定の磁束密度からなる磁場を形成し、また、マイクロ波発振器２３を起動させてマイクロ波をエッチング処理室７内に導入する。
　更に、高周波電源１３をＯＮして試料台８と接地電極１５との間に、たとえば３０Ｗ〜２００Ｗのバイアス用高周波電力を印加する。
　また、直流電源１４をＯＮして、たとえば５０〜２０００Ｖの直流電力を試料台８に印加して半導体ウェハ６を絶縁体２０ｂを介して試料台８に静電吸着させるとともに、温調器１９を作動させ、ガス導入孔８ｂ，遊挿孔８ａ，２０ｃを通じてＨｅなどの冷却用ガスを半導体ウェハ６の裏面側に導入して、たとえば−１７０度Ｃ〜１２０度Ｃの温度に半導体ウェハ６を冷却する。
　この場合に、本実施例においては、半導体ウェハ６が静電吸着板２０の静電吸着力によって試料台８に確実に密着され、またガス導入孔８ｂからのＨｅなどの冷却用ガスが静電吸着板２０と試料台８との間および静電吸着板２０と半導体ウェハ６との間に流し込まれて、該試料台８と半導体ウェハ６との熱接触が強化されるので、半導体ウェハ６が効率良く確実に冷却される。
　このようにして所定の操作がなされると、前記マイクロ波の電場とコイル２４ａ，２４ｂによる磁場との相互作用により、エッチングガスが励起され、荷電粒子がサイクロトロン運動され、そのエネルギによりエッチングガスがプラズマ化して、プラズマ中の励起されたエッチング種と、半導体ウェハ６表面との間のエッチング反応や、プラズマから半導体ウェハ６表面へ入射するイオンの衝撃などによって、半導体ウェハ６表面側の多結晶Ｓｉ膜６ｃのエッチングが行われる。
　このエッチング処理中において、半導体ウェハ６はイオン照射や反応熱などによって温度上昇される。
　このような温度上昇は、たとえば、第５図に示すように、本実施例のようにガス導入孔８ｂからの冷却用ガスによる冷却手段および静電吸着板２０による静電吸着手段を有しないエッチング機構（冷却手段を有せず、半導体ウェハがその自重のみによって試料台に載置されるエッチング機構）によってエッチング処理される半導体ウェハ３０ａ、あるいは、冷却手段は有するが静電吸着手段を有しないエッチング機構によってエッチング処理される半導体ウェハ３０ｂにおいては、大きく温度上昇される。
　しかしながら、本実施例のエッチング機構２によってエッチング処理される半導体ウェハ６は、冷却手段および静電吸着手段を有しているため、すなわち、前記したように半導体ウェハ６が静電吸着板２０の静電吸着力によって試料台８に確実に密着され、またガス導入孔からの冷却用ガスが静電吸着板２０と試料台８との間および静電吸着板２０と半導体ウェハ６との間に流し込まれて該試料台８と半導体ウェハ６との熱接触が強化されているため、第５図に示すように半導体ウェハ６の温度上昇は僅かである。
　このため、本実施例においては、ホトレジスト膜６ｄの変質や融解などを確実に防止することができ、エッチング処理精度の向上を図ることができる。
　また、前記した冷却手段や静電吸着手段を有しないエッチング機構によってエッチング処理される半導体ウェハ３０ａ，３０ｂのようにその温度が高い場合には、ＳｉＦ４などのエッチング反応生成物の蒸気圧が大きくなるため、エッチング初期時よりＳＦ６などのエッチングガスをエッチング処理室７内に多量に導入し、そのＳｉＦ４などのエッチング反応生成物を該半導体ウェハ６の結晶Ｓｉ膜６ｃの側面に生成させて該多結晶Ｓｉ膜６ｃのアンダカットを防止しなければならない。
　このため、冷却手段や静電吸着手段を有しないエッチング機構によってエッチング処理された半導体ウェハ３０ａ，３０ｂは、第４図（ｂ）の二点鎖線で示すようにそのエッチング終了時において側面にＳｉＦ４などのエッチング反応生成物３０ｃが多量に生じる。また、エッチング処理室の内壁面などにもエッチング反応生成物３０ｃが多量に生じる。
　これに対して、本実施例においては、冷却手段および静電吸着手段によりエッチング処理中の半導体ウェハ６の温度上昇が小さくされエッチング反応生成物の蒸気圧が小さくされているため、ＳＦ６などのエッチングガスを少量エッチング処理室７内に導入するだけで、多結晶Ｓｉ膜６ｃなどの被エッチング膜のアンダカットを防止することができ、第４図（ｂ）の実線で示すように、エッチング終了時において半導体ウェハ６の結晶Ｓｉ膜６ｃなどの側面に生じるＳｉＦ４などのエッチング反応生成物６ｅやエッチング処理室７の内壁面に生じるエッチング反応生成物６ｅを少なくさせることができる。
　このため、後処理機構４によるエッチング反応生成物６ｅの除去処理やエッチング処理室７のクリーニングの容易化を図ることができる。
　ところで、このようにしてエッチング処理が多数回繰り返されると、エッチング機構２はその静電吸着板２０の絶縁体２０ｂが異物やプラズマなどによって劣化し易いため、この絶縁体２０ｂの劣化により静電吸着板２０による安定した静電吸着力が得られなくなり、半導体ウェハ６と試料台８との熱的接触の強化が得られなくなる。
　そこで、静電吸着板２０による安定した静電吸着力を得て半導体ウェハ６と試料台８との熱接触の強化を図るために、絶縁体２０ｂなどの消耗部品の交換作業が必要とされる。
　この場合に、本実施例においては、試料台８上に静電吸着板２０が締結手段２１などによって交換自在ないし着脱自在に設置されている構造とされているので、試料台８全体の交換が不要とされ、静電吸着板２０のみの交換により、安定した静電吸着力を得て熱的接触の強化を図ることができるため、交換作業の容易化を図ることができ、交換作業の時間的損失や試料台８全体の交換による経済的損失を防止することができる。
　次に、エッチング機構２によってエッチング処理された半導体ウェハ６は、所定の真空度とされている搬送機構３の真空室内を図示しない搬送手段により外部大気圧中に開放されることなく、後処理機構４の後処理室２６に搬送され、後処理室２６外の室温近くに設定されている後処理室２６内の試料台２５上に載置される。
　すなわち、たとえば、半導体ウェハ６は、−６０度Ｃ〜２５度Ｃとされている後処理室２６内の試料台２５上に載置される。この後処理室２６内は、たとえばアッシング圧力１００Ｐａ〜３００Ｐａとされている。
　次いで、マイクロ波発振器２８（たとえば、印加マイクロ波電力１．０〜２．０ＫＷ）によって放射されるマイクロ波およびガス導入管２９からＣＦ４＋Ｏ２、あるいはＣＨＦ３＋Ｏ２などのアッシングガスが後処理室２６内に導入されてマイクロ波ダウンストリームアッシング方式によるアッシング処理がなされ、半導体ウェハ６のホトレジスト膜６ｄやエッチング反応生成物６ｅが除去される。
　この場合に、半導体ウェハ６の多結晶Ｓｉ膜６ｃなどに生じていたＳｉＦ４のエッチング反応生成物６ｅの蒸気圧は、−１６０度Ｃで１Ｐａ前後であり、急峻に変化する。
　このため、半導体ウェハ６のＳｉＦ４のエッチング反応生成物６ｅは、後処理室２６内において確実に、かつ迅速に昇華されて除去される。
　そして、このようにして、所定の後処理がなされた半導体ウェハ６は、後処理室２６から図示しない搬送手段によってアンローダ機構５のアンローダ室に搬送されるが、該半導体ウェハ６の温度は、後処理室２６内において室温により近い温度となっているため、後処理の終了後に直ちにアンローダ機構５のアンローダ室に大気開放して搬送させることができる。
　このように、本実施例によれば、時間的損失なく、ローダ機構１のローダ室からアンローダ機構５のアンローダ室までの半導体ウェハ６の所定の処理が可能となる。
　ここで、前記した実施例においては、被エッチング膜が多結晶Ｓｉ膜６ｃである場合について説明したが、たとえば被エッチング膜がＡｌ合金膜などの場合には、次のような条件下で処理することにより、前記したと略同様な効果を得ることができる。
　すなわち、エッチング機構２においては、エッチングガスとしてＣｌ２＋ＢＣｌ３、あるいはＣｌ２＋ＢＣｌ３＋Ｃ４、（ＣＨＦ３）、エッチング処理室７内のエッチング圧力を０．５〜３．０Ｐａ、試料台８の温度を４０〜６０度Ｃとし、また後処理機構４においては、試料台２５の温度を１５０〜２００度Ｃとして、その他の条件は前記した多結晶Ｓｉ膜６ｃである場合と同じとする。この場合のエッチング反応生成物６ｅであるＡｌＣｌ３の蒸気圧は、６０度Ｃで１Ｐａ前後であり、急峻に変化するので、そのＡｌＣｌ３のエッチング反応生成物６ｅは、前記したと同様に後処理室２６内において確実に、かつ迅速に昇華されて除去される。
［実施例２］
　第６図は本発明の他の実施例である表面処理装置のエッチング機構２を示す断面図である。
　この実施例２の表面処理装置としてのエッチング処理装置においてそのエッチング機構２は、平行平板電極方式のプラズマエッチング機構とされている。
　第６図に示すように、エッチング機構２のエッチング処理室７の下部中央側には下部電極を兼ねている試料台８が絶縁体８ｃを介して配設されている。
　エッチング処理室７の上部中央側には、絶縁体３１ａを介して上部電極３１が試料台８に対向し平行して配設され、電位的にはＧＮＤとなっている。
　上部電極３１には、ガス導入孔３１ｂが形成され、このガス導入孔３１ｂを通じて所定のエッチングガスがエッチング処理室７内の試料台８および上部電極３１間にシャワー状に導入されるようになっている。
　この実施例２のエッチング処理装置は、その他の構成において前記した実施例１と略同様とされている。
　したがって、この実施例２のエッチング処理装置においても前記した実施例１と略同様な効果を得ることができる。
〔実施例３〕
　第７図は本発明の他の実施例である表面処理装置のエッチング機構を示す断面図である。
　この実施例３の表面処理装置としてのエッチング処理装置においてエッチング機構２の静電吸着手段２０は、半導体ウェハ６の試料台載置面側に形成された絶縁体６ｆと、試料台８に形成された熱伝導性の大きい導電体２０ａとから構成され、この絶縁体２０ｂが形成された半導体ウェハ６を導電体２０ａ上に載置し直流電源１４をＯＮして直流電力を試料台８に印加することにより、該半導体ウェハ６が試料台８側に静電吸着される構造とされている。
　この場合の絶縁体６ｆは、前記した実施例１と同様な絶縁膜、すなわち、膜厚１μｍ〜１００μｍのＡｌ２Ｏ３などの絶縁膜が半導体ウェハ６の裏面に張り合わされて形成されている。
　また、導電体２０ａは、前記した実施例１と同様な薄板、すなわちＡｌやＡｌ合金などからなる肉厚１ｍｍ〜２０ｍｍの薄板によって形成され、該導電体２０ａは所定の締結手段３２によって試料台８上に交換自在ないし着脱自在に設置されている。
　この実施例３のエッチング機構２による半導体ウェハ６のエッチング処理方法は、絶縁体６ｆが形成された半導体ウェハ６を試料台８の導電体２０ａ上にその絶縁体６ｆと導電体２０ａとが接触するように載置した後に、直流電源１４をＯＮして直流電力を試料台８に印加して該半導体ウェハ６を試料台８に静電吸着させる。
　そして、前記した実施例１，２と同様に、半導体ウェハ６をエッチング処理する。
　このような静電吸着手段２０による半導体ウェハ６のエッチング処理方法によれば、半導体ウェハ６の絶縁体６ｆは、そのエッチング処理時のみエッチング処理室７内に位置されるので、前記した実施例１，２のような絶縁体２０ｂの劣化による静電吸着作用の低減を考慮する必要性がなく、このため、静電吸着手段の交換作業を不要とすることができる。
　以上、本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例１，２，３に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
　たとえば、前記実施例１，２，３において、本発明の表面処理装置および処理方法はエッチング処理装置および処理方法に適用されているが、本発明においてはそのようなエッチング処理装置および処理方法に限定されるものではなく、たとえばプラズマＣＶＤ装置，スパッタ装置，イオン注入用のランプアニール装置やこれらの各装置による所定の処理方法に適用することが可能である。
　また、前記実施例１，２，３における被エッチング膜は、単結晶Ｓｉ膜６ｃやＡｌ合金膜とされているが、たとえばその被エッチング膜として、Ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜，シリサイド膜，Ｓｉ酸化膜，Ｓｉ窒化膜，Ａｌ・Ｃｕ・Ｓｉ膜などに適用することが可能である。
　更に、前記実施例１，２においては、静電吸着板２０が絶縁性のビスなどの締結手段２１などによって交換自在ないし着脱自在に試料台８上に設置されている構造とされているが、たとえば静電吸着板２０がクランプ止めなどによって交換自在ないし着脱自在に試料台８上に設置される構造とすることも可能である。
　また、前記実施例１，２，３においては、複数のウェハ押上ピン１６の昇降によって半導体ウェハ６が試料台８の上方で上下動される構造とされているが、たとえば上部にウェハ用仮載置台が形成された単数のウェハ押上ピン１６の昇降によって半導体ウェハ６が試料台８の上方で上下動される構造とすることも可能である。このような構造とした場合には、その静電吸着板２０には、たとえばウェハ用仮載置台および押上ピン１６に対応して形成された段部付きの遊挿孔２０ｃが開設される。
［発明の効果］
　本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、次のとおりである。
　すなわち、本発明の表面処理方法および装置においては、被処理物を静電吸着板に静電吸着し、かつ被処理物と静電吸着板との間、および静電吸着板と試料台との間に冷媒を流すことにより、被処理物が静電吸着により確実に密着保持されて被処理物と試料台との熱接触が強化される上に、この被処理物と試料台との熱接触は、被処理物と静電吸着板との間、および静電吸着板と試料台との間に冷媒を流すことによってさらに強化され、被処理物の温度上昇を効率的かっ確実に抑制でき、処理精度を向上させることができる。
　その結果、本発明をたとえば半導体ウェハのエッチング等に適用すれば、半導体ウェハの温度上昇を抑制し、エッチング精度の向上を図ることができ、またエッチング反応生成物を減少させ、エッチング反応生成物の除去やクリーニングの容易化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
　第１図は本発明の一実施例である表面処理装置のエッチング機構を示す断面図、
　第２図はその表面処理装置の後処理機構を示す断面図、
　第３図はその表面処理装置全体を説明するための説明図、
　第４図（ａ），（ｂ）はその表面処理装置のエッチング機構によるエッチング工程を示す被処理物の部分的断面図、
　第５図は本発明の表面処理装置のエッチング機構と、従来の表面処理装置のエッチング機構とによりエッチング処理される被処理物の温度上昇を比較するための線図、
　第６図は本発明の他の実施例である表面処理装置のエッチング機構を示す断面図、
　第７図は本発明の他の実施例である表面処理装置のエッチング機構を示す断面図である。
　１・・・ローダ機構、２・・・エッチング機構、３・・・搬送機構、４・・・後処理機構、５・・・アンローダ機構、６，３０ａ，３０ｂ・・・半導体ウェハ（被処理物）、６ａ・・・Ｓｉ基板、６ｂ・・・ゲート酸化膜、６ｃ・・・多結晶Ｓｉ膜、６ｅ，３０ｃ・・・エッチング反応生成物、７・・・エッチング処理室、８，２５・・・試料台、８ａ・・・遊挿孔、８ｂ，３１ｂ・・・ガス導入孔、８ｃ・・・絶縁体、９・・・排気管、１０・・・ガス導入管、１１・・・ブロッキングコンデンサ、１２・・・マッチングボックス、１３・・・高周波電源、１４・・・直流電源、１５・・・接地電極、１６・・・ウェハ押上ピン、１７・・・シール部材、１８・・・ウェハ押上機構、１９・・・温調器、２０・・・静電吸着板（静電吸着手段）、２０ａ・・・導電体、６ｆ，２０ｂ・・・絶縁体、２０ｃ・・・遊挿孔（搬送手段昇降用の孔）、２１，３２・・・締結手段、２２，２７・・・導波管、２３，２８・・・マイクロ波発振器、２４ａ，２４ｂ・・・コイル、２６・・・後処理室、２９・・・ガス導入管、３１・・・上部電極、３１ａ・・・絶縁体。