【事件の表示】
　特許第２８７５９４５号「ＣＶＤにより大面積のガラス基板上に高堆積速度でシリコン窒化薄膜を堆積する方法」の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第２８７５９４５号の請求項１ないし５に係る発明の特許を維持する。
【理　由】
Ａ．本件発明
　本件特許第２８７５９４５号（平成６年１月２８日出願、平成１１年１月１４日設定登録。）の請求項１〜５に係る発明は、特許明細書および図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜５に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
『【請求項１】ガス流入マニホールドを介して反応ガスがその内部に導入される真空チャンバ内でプラズマ化学気相成長を行う方法であって、前記真空チャンバ内で、シラン１００〜５００ｓｃｃｍ、アンモニア５００〜２０００ｓｃｃｍ、窒素１００〜２００００ｓｃｃｍを含む前駆体ガスより、ガラス基板温度３００〜３５０℃、圧力０．８〜２．０Ｔｏｒｒの下で、誘電窒化珪素膜を１０００〜３０００オングストローム／分で前記ガラス基板上に堆積し、前記ガス流入マニホールドと基板との間の間隙を所定の距離に調節する方法。
【請求項２】前記誘電窒化珪素膜が、パターン化されたゲート層の上に、ゲート絶縁層として堆積される請求項１に記載の堆積方法。
【請求項３】前記誘電窒化珪素膜が、トランジスタのアモルファスシリコン層の上のエッチング停止層として堆積される請求項１に記載の堆積方法。
【請求項４】前記誘電窒化珪素膜が、パターン化された金属膜の上に堆積されたシリコン酸化ゲート誘電層の上に堆積される請求項１に記載の堆積方法。
【請求項５】前記誘電窒化珪素膜が、１００〜５００オングストローム／分のウェットエッチング速度を有し、Ｓｉ−Ｈ含有量が８ｘ１０２１ｃｍ−３以下であり、二乗平均表面粗さが膜厚４０００オングストロームに対して１．６ｎｍ以下である請求項１に記載の堆積方法。』（以下、請求項１〜５に係る発明を、それぞれ、本件発明１〜５という。）。
Ｂ．申立の理由の概要
　特許異議申立人　池中　実（以下、申立人という。）は、証拠として、甲第１号証［特開昭６２−２３１０６号公報］、甲第２号証［「１９８６年（昭和６１年）春季　第３３回応用物理学関係連合講演会予稿集」（１９８６年４月１日）ｐｐ．５００‐５０１］、甲第３号証［「プラズマと成膜の基礎」（１９８６年８月２９日）日刊工業新聞社、ｐｐ．１５９‐１８７］、甲第４号証［特開昭６３−１３２４３３号公報］、甲第５号証［「月刊Semiconductor World 増刊号　’９３最新液晶プロセス技術」（平成１０年１０月１日）株式会社プレスジャーナル、ｐｐ．５２‐５５及びｐｐ．７２‐７４］を提出し、（１）本件発明１〜５は、甲第１〜５号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができた発明であるから、本件発明１〜５に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであり取り消されるべきものである、（２）本件発明１〜５に係る特許は、数値限定に関して特許法第３６条第４項に規定する要件を満足しない出願に対してなされたものであり取り消されるべきものである、旨を主張している。
Ｃ．甲第１〜５号証の記載内容
　甲第１号証には、「ウエハに、窒化珪素などからなる保護膜を形成する場合、・・・減圧下で反応ガスに高周波電力を印加し、グロー放電を生じさせて励起させ、比較的低い温度のもとで膜形成反応を進行させることを可能にした、いわゆるプラズマ化学気相成長装置（以下プラズマＣＶＤ装置と記す）が用いられる場合がある。」（第１頁右下欄６〜１４行参照）および「第1図は本発明の一実施例であるプラズマＣＶＤ装置の略断面図である。・・・反応容器３内には一対の平板電極４（電極）および平板電極５（電極）が水平状態に平行に対向して位置され、・・・所定の高周波電力が平板電極４および５の間に印加される構造とされている。・・・平板電極５の内部には、平板電極５の平面に沿う状態にマニホールド１１が形成され、・・・反応ガス通路１３に連通されるように構成されている。・・・前記反応ガス通路１３を通じてマニホールド１１の内部に導入された所定の組成の反応ガスが平板電極４の上に載置されたウエハ９の全面にわたってシャワー状に供給される構造とされている。」（第２頁左下欄３行〜同右欄１２行参照）と記載され、第１図（第４頁右下欄）の記載を合わせ考えると、甲第１号証には、ガス流入マニホールドを介して反応ガスがその内部に導入される真空チャンバ内でプラズマ化学気相成長を行って、窒化珪素膜を成膜する方法の発明が記載されていると解される。
　甲第２号証には、Ｐ−ＣＶＤ法による窒化シリコン膜の高速製膜について記載され、実験方法として、電極径が約３０（ｃｍ）の平行平板形の装置を用い、基板ホルダー温度を３００℃、圧力を０．８０（Ｔｏｒｒ）とし、反応ガス流量をＳｉＨ４、ＮＨ３、Ｎ２がそれぞれ、１００，８０，１５００（ＳＣＣＭ）であるようにした場合に、２８００±１００（Å／ｍｉｎ．）の成膜速度が得られること、および、ＳｉＨ４とＮＨ３の流量比を一定（１．２５）として合計流量を１００〜２３０（ＳＣＣＭ）と変えた場合の成膜速度等の変化について記載されている。
　甲第３号証には、プラズマＣＶＤの応用として、アモルファスシリコンについて高周波放電を用いた平行平板のプラズマＣＶＤ装置の電極間距離に応じて薄膜の堆積速度が変化することが図７・１０を用いて記載されている（第１５９〜１６０頁参照）。
　甲第４号証には、窒化シリコンゲート絶縁膜が、パターン化されたゲート電極の上に、ゲート絶縁層として堆積されることが記載されている（第１頁石下欄１４行〜第２頁左上欄第４行及び第３図参照）。
　甲第５号証には、ａ−ＳｉＴＦＴのｉ−ａ−Ｓｉ層の上にエッチングストッパとしてＳｉＮｘが堆積されること（第５２頁の図１参照）、及び、パターン化されたゲートライン（Ｃ ｒ）の上に堆積された絶縁層（Ｓｉ０２）の上にＳｉＮｘ が堆積されること（第７２頁の図１参照）が記載されている。
Ｄ．本件発明と甲各号証発明との比較・検討
　本件発明１〜５は、ともに、「シラン１００〜５００ｓｃｃｍ、アンモニア５００〜２０００ｓｃｃｍ、窒素１００〜２００００ｓｃｃｍを含む前駆体ガス」より、窒化珪素膜をガラス基板上に堆積することを構成とするものであるところ、甲第１〜５号証には該構成について記載も示唆もない。
　すなわち、シラン、アンモニア、窒素を含む前駆体ガスより窒化珪素膜を形成することについて記載されているのは、甲第２号証のみであり、該甲第２号証にあっても、シラン、アンモニア、窒素の流量をそれぞれ、１００，８０，１５００（ＳＣＣＭ）とする例、および、シランとアンモニアを流量比１．２５で合計流量１００〜２３０（ＳＣＣＭ）とし窒素を流量１．５ＳＬＭとした例が記載されているのみで、本件発明１〜５のように「シラン１００〜５００ｓｃｃｍ、アンモニア５００〜２０００ｓｃｃｍ、窒素１００〜２００００ｓｃｃｍ」とし、シランとアンモニアを多量に用いることについては示唆するところがない。
　そして、本件発明１〜５は、上記構成を他の構成とともに採用することにより、特許明細書に実施例を用いて説明されているとおり、１０００〜３０００オングストローム／分の高堆積速度で高品質のシリコン窒化薄膜を製造することができるという甲各号証からは予期し得ない効果を奏したものである。
　したがって、本件発明１〜５が甲第１〜５号証に記載された発明に基づいて当業者に容易に発明することができたものであるとすることはできない。
　また、本件発明１〜５の数値限定について、特許明細書中にその臨界的意義について特に明示はないが、それが本件発明１〜５の上記した効果を達成するのに有効な範囲として規定されたものであることは自明であり、その範囲に目的とする効果を達成できないと予想される範囲が含まれているわけでもないから、本件発明１〜５の構成と目的及び効果との関係は明確であり、本件特許が数値限定に関して特許法第３６条第４項に規定する要件を満足しない出願に対してなされたものであるとすることはできない。
　なお、申立人は、「アンモニアのガス流量値だけは異なっているが、ガス流量が基板面やチャンバ容量などに左右されることを考慮すれば、この点について格別の技術的意義があるとは認められない。」と主張し、アンモニアのガス流量値を本件発明１〜５のように増加することが容易である旨を主張するが、本件発明１〜５の窒化珪素膜の形成には、アンモニアの流量以外にシランの流量、アンモニアとシランの流量比、さらにはそれらガスの反応性をも考慮することが必要であり、アンモニアのガス流量を単に増加すれば高品質のシリコン窒化薄膜を高堆積速度で製造できると一般に解されているわけでもないから、上記主張は採用できない。
Ｅ．むすび
　以上のとおりであるから、本件発明１〜５に係る発明の特許は、申立人の特許異議申立の理由および証拠によっては取り消すことができない。
　また、他に本件発明１〜５に係る発明の特許を取消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年３月２３日（２０００．３．２３）