【事件の表示】
　特許第２８１７７３７号「液晶表示装置」の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結論】
　訂正を認める。
　特許第２８１７７３７号の特許を維持する。
【理由】
Ｉ．手続の経緯
　特許第２８１７７３７号の発明は、平成９年１０月６日に特許出願（遡及出願日、昭和６３年９月２２日）され、平成１０年８月２１日にその特許の設定の登録がなされ、その後、シャープ株式会社及び小野省一により特許異議の申立がなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１１年９月１日に訂正請求がなされ、さらに訂正拒絶理由通知がなされ、その指定期間内である平成１１年１１月１２日に訂正請求書の補正がなされたものである。
ＩＩ．訂正の適否に対する判断
（１）補正の適否
　上記補正は、訂正請求書の訂正事項の内の明りょうでない記載の釈明を行うものである。したがって、上記補正は、訂正請求書の要旨を変更するものではないので、当該補正を認める。
（２）訂正事項
▲１▼訂正事項ａ
　特許明細書の特許請求の範囲第１項第１２行〜第１３行の「交差して設けられていることを特徴とする」の記載を、「交差して設けられており、上記画素電極の一部が、上記絶縁層と、上記ゲート配線と同層の金属の表面に設けた陽極化成膜とを介して、上記ゲート配線と同層の金属と重なることを特徴とする」と訂正する。
▲２▼訂正事項ｂ
　発明の詳細な説明の欄の【００１４】の第１３行〜第１４行の「交差して設けられていることを特徴とする。」の記載を、「交差して設けられており、上記画素電極の一部が、上記絶縁層と、上記ゲート配線と同層の金属の表面に設けた陽極化成膜とを介して、上記ゲート配線と同層の金属と重なることを特徴とする。」と訂正する。
（３）訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　上記訂正事項ａは、特許請求の範囲の「画素電極」を特許明細書の【００４７】〜【００４９】及び図２，図３の記載に基づいて、さらに具体的に限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮に該当し、実質的に特許請求の範囲を拡張しまたは変更するものではなく、新規事項の追加に該当しない。
　また、上記訂正事項ｂは、前記特許請求の範囲の訂正に伴って、発明の詳細な説明の（課題を解決するための手段）を訂正するものであるから、明りょうでない記載の釈明に該当し、実質的に特許請求の範囲を拡張しまたは変更するものではなく、新規事項の追加に該当しない。
（４）独立特許要件の判断
［本件発明］
　訂正明細書の請求項１に係る発明（以下、本件発明という）は、その特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される次のとおりのものある。
「絶縁基板と、該絶縁基板上に形成されたゲート配線と、該ゲート配線に接続された薄膜トランジスタのゲート電極と、上記ゲート配線及びゲート電極を覆う絶縁層と、該絶縁層上に形成された非晶質シリコンよりなる薄膜トランジスタの半導体層、該半導体層上に形成され上記薄膜トランジスタのチャンネル部分を覆う第２の絶縁層、該第２の絶縁層が除去された部分で上記半導体層と電気的に接続されるソース電極及びドレイン電極、該ドレイン電極に接続し上記絶縁層を介して上記ゲート配線と交差する信号配線、上記ソース電極に接続された画素電極とを有し、
　上記ゲート配線とゲート電極は同一金属により一体に設けられ、端子部分を除く上記ゲート配線とゲート電極の表面に上記金属の陽極化成膜が設けられ、上記信号配線は上記金属の陽極化成膜と、上記絶縁層と、非晶質シリコン層及び上記第２の絶縁層と同一の材料よりなる絶縁膜とを介して上記ゲート配線と交差して設けられており、上記画素電極の一部が、上記絶縁層と、上記ゲート配線と同層の金属の表面に設けた陽極化成膜とを介して、上記ゲート配線と同層の金属と重なることを特徴とする液晶表示装置。」
［刊行物記載の発明］
　取消理由に引用した刊行物１及び２には、各々次の発明が記載されている。
　刊行物１：特開昭６２−１２６６７７号公報には、液晶のアクティブマトリクス表示においてゲート配線とソース配線間の交差部の絶縁性を向上させ、ゲート・ソース間のリークの発生を抑制するために、「基板上に並設された薄膜トランジスタのゲート電極とソース電極をそれぞれ共通に連結するゲート配線とソース配線が交差する重畳領域にＴＦＴの構成膜である半導体層を挟持する絶縁層を２層とも介在させたことを特徴とする薄膜トランジスタアレイ。」（特許請求の範囲第１項）と記載されている。
　刊行物２：特開昭６１−１３３６６２号公報には、「本発明は、・・・絶縁層のピンホールに起因するＴＦＴ基板の不良を著しく低減させ・・・ることを目的とする。」（２頁左上欄８〜１１行）、「本発明はゲート〜ドレイン聞及びゲート〜ソース間の線間絶縁層をＳｉＮ：Ｈ層とゲート線金属の酸化絶縁層の二層構成としたアクティブ・マトリクス型薄膜トランジスタ基板である。」（２頁左上欄１７行〜右上欄１行）、
「ゲート配線取出し部分を除いて電解液中に浸し、・・・陽極酸化を行う。」（２頁左下欄１４〜１６行）と記載されている。
［対比・判断］
　そこで、本件発明と上記各刊行物記載の発明とを対比する。
　上記刊行物１及び２記載の発明には、本件発明の構成要件である「画素電極の一部が、上記絶縁層と、上記ゲート配線と同層の金属の表面に設けた陽極化成膜とを介して、上記ゲート配線と同層の金属と重なること」は、何も記載されておらず示唆もされていない。そして、この点が当該技術分野において、周知の技術であると認めるべき証拠もない。
　したがって、本件発明は、刊行物１及び２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたということはできない。
　よって、本件発明は、特許出願の際独立して特許を受けることができるものである。
（５）訂正の適否に対するむすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、改正前の同法第１２６条第１ないし３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
ＩＩＩ．特許異議の申立てについて
（１）特許異議申立人シャープ株式会社は、本件特許発明は、甲第１号証（特開昭６２−１２６６７７号公報）及び甲第２号証（特開昭６１−１３３６６２号公報）に記載された発明に基づいて、当業者が容易になし得たものであるから、特許法第２９条第２項の規定に該当し、特許を取り消すべき旨主張している。
　しかしながら、上記甲第１号証及び甲第２号証は上記刊行物１及び刊行物２と同じであるから、本件発明は、上記２．（３）独立特許要件の判断で述べたと同様の理由により、甲第１号証及び甲第２号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることはできない。
（２）特許異議申立人小野省一は、本件特許発明は、甲第１号証ないし甲第３号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易になし得たものであるから、特許法第２９条第２項の規定に該当し、特許を取り消すべき旨主張している。
［甲第１〜３号証に記載された発明］
　甲第１号証；特開昭６３−２２７０５２号公報（以下、「刊行物３」という。）には、液晶等の駆動に用いる薄膜トランジスタマトリクスにおいて、クロスオーバー部でのピンホール等による短絡による欠陥を防止するために、ゲートバス、ドレインバスの交差部の絶縁膜を、薄膜トランジスタの構成層およびその上に連続的に形成する絶縁膜によって構成する製造方法が記載されている。
　甲第２号証；特開昭６３−１５２８２号公報（以下、「刊行物４」という。）には、液晶ディスプレイなどに応用される薄膜トランジスタを用いたアクティブマトリクス基板に関し、少なくともゲート電極、ゲート絶縁膜、半導体膜、ソース電極及びドレイン電極を有する薄膜トランジスタをマトリクス状に形成し、この薄膜トランジスタのドレイン電極と一部重畳するように画素電極を形成することが記載されている。
　甲第３号証；特開昭６２−１７１１６０号公報（以下、「刊行物５」という。）には、ガラス基板上にゲート電極（２２）をＴａによって形成し、陽極酸化によってＴａ２Ｏ２膜（２３）を形成し、次にゲート絶縁膜（２４）、ａーＳｉ半導体膜（２５）、保護絶縁膜（２６）を連続堆積し、次いでソース電極（３１）及びドレイン電極（３２）を形成し、その後透明導電膜膜よりなる絵素電極（３３）を形成してＴＦＴを形成することが記載されている。
［対比・判断］
　訂正された本件発明と上記刊行物３ないし刊行物５記載の発明とを対比する。
　刊行物３ないし刊行物５記載の発明には、本件発明の構成要件である「画素電極の一部が、上記絶縁層と、上記ゲート配線と同層の金属の表面に設けた陽極化成膜とを介して、上記ゲート配線と同層の金属と重なること」は、何も記載されておらず示唆もされていない。そして、この点が当該技術分野において、周知の技術であると認めるべき証拠もない。
　したがって、本件発明は、刊行物３ないし刊行物５記載に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたということはできない。
ＩＶ．以上のとおり、特許異議の申立の理由及び証拠によっては、本件発明の特許を取り消すことはできない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１１年１２月２日（１９９９．１２．２）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
（１）特許請求の範囲の第１項第１２行〜第１３行の「交差して設けられていることを特徴とする」の記載を、特許請求の範囲の減縮を目的として、「交差して設けられて
おり、上記画素電極の一部が、上記絶縁層と、上記ゲート配線と同層の金属の表面に設けた陽極化成膜とを介して、上記ゲート配線と同層の金属と重なる
（２）発明の詳細な説明の欄の段落番号【００１４】の第１３行〜第１４行の「交差して設けられていることを特徴とする。」の記載を、特許請求の範囲の記載と合わせることを目的として、「交差して設けられて
おり、上記画素電極の一部が、上記絶縁層と、上記ゲート配線と同層の金属の表面に設けた陽極化成膜とを介して、上記ゲート配線と同層の金属と重なる
（５４）【発明の名称】
液晶表示装置
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　絶縁基板と、該絶縁基板上に形成されたゲート配線と、該ゲート配線に接続された薄膜トランジスタのゲート電極と、上記ゲート配線及びゲート電極を覆う絶縁層と、該絶縁層上に形成された非晶質シリコンよりなる薄膜トランジスタの半導体層、該半導体層上に形成され上記薄膜トランジスタのチャネル部分を覆う第２の絶縁層、該第２の絶縁層が除去された部分で上記半導体層と電気的に接続されるソース電極及びドレイン電極、該ドレイン電極に接続し上記絶縁層を介して上記ゲート配線と交差する信号配線、上記ソース電極に接続された画素電極とを有し、
　上記ゲート配線とゲート電極は同一金属により一体に設けられ、端子部分を除く上記ゲート配線とゲート電極の表面に上記金属の陽極化成膜が設けられ、上記信号配線は上記金属の陽極化成膜と、上記絶縁層と、非晶質シリコン層及び上記第２の絶縁層と同一の材料よりなる絶縁膜とを介して上記ゲート配線と交差して設けられて
おり、上記画素電極の一部が、上記絶縁層と、上記ゲート配線と同層の金属の表面に設けた陽極化成膜とを介して、上記ゲート配線と同層の金属と重なる
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】
　本発明は液晶表示装置等に利用できる表示パネルに係り、特にその特性向上、歩留向上を可能にする構造および製造方法に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　従来の表示パネル（例えば液晶パネル）では図４に示すような構造が用いられていた。同図において、２１は基板、２２はＣｒ、２３はＡｌ、２４はＳｉＮ、２５はａ−Ｓｉ、２６はソース電極、２９はドレイン電極を兼ねる信号配線、２７は透明電極からなる画素電極を示す。
　【０００３】
　同図に示すように従来はゲート電極にＣｒを用い、ゲート絶縁物にはＳｉＮが用いられている。一方、ゲート配線にはＣｒとＡｌとの２層の金属が使用されている。このようにゲート電極とゲート配線とが異なった材料で形成されている理由を以下に説明する。先ず、ゲート金属２２は基板との接着性が良いこと、表面に凹凸がないことと、ゲート絶縁膜であるＳｉＮを形成する過程で変質しないことが条件になる。この条件としてはＣｒが適している。一方、ゲート配線は抵抗の低いことが要求される。ＣｒはＡｌに比較して固有
抵抗
　【０００４】
　以上、説明したように従来は
▲１▼ゲート電極とゲート配線に異なる材料が用いられていた。これは工程の増加をもたらしていた。
　【０００５】
▲２▼ゲート電極・配線とその他の電極・配線との間が短絡しやすかった。これは歩留低下の原因となる。
　【０００６】
　一方、周知の技術として、ＴａやＡｌの陽極化成技術がある（例えば電気科学便覧（丸善）昭和３９年１２月発行、第８７４頁〜第８９２頁参照）。これは金属の表面を電気化学的に酸化する技術であり、従来、キャパシタや表面コートに使われているものである。
　【０００７】
　この技術による酸化膜（絶縁膜）の利点はゴミによる欠陥が生じにくい点にある。このため、この技術をＴＦＴに利用した従来技術がある（特開昭５８−１４７０６９号参照）。
　【０００８】
　尚、本発明に関する従来技術としては、陽極酸化に関するものとして特開昭６３−１６４号、蓄積容量の電極あるいは誘電体に関するものとして特開昭５８−９０７７０号、特開昭５８−９３０９２号をあげることができる。なお、特開昭６１−１３３６６２号公報には酒石酸をプロピレングリコールで希釈した化成液を用いてＡｌを陽極酸化する記載はあるが、酒石酸をエチレングリコールで希釈した化成液を用いる記載はない。
　【０００９】
　特開昭５７−１５３４２７号公報には、アルミニウムを陽極酸化法によって酸化し、更に酸素雰囲気中で加熱する記載はあるが、Ａｌの陽極酸化膜を２００〜４００℃の温度で加熱処理することにより、Ａｌの陽極酸化膜のリーク電流が一桁以上減少することは記載がない。
　【００１０】
　特開昭５８−９３０９２号公報には、蓄積コンデンサー電極の構成材料にＡｌを用い、この表面を陽極酸化して蓄積コンデンサーの誘電体とすることが記載されているが、薄膜トランジスタのゲート絶縁膜はゲート電極の表面酸化膜と窒化シリコン膜あるいは酸化シリコン膜の複合膜で形成する点は記載がない。
　【００１１】
　特開昭６２−２９７８９２号公報には、アドレス配線とデータ配線の交差部に陽極酸化膜とＣＶＤ・ＳｉＯ２膜の蓄積層膜に更に半導体薄膜を重ねて層間絶縁膜とする記載はあるが、薄膜トランジスタのチャンネル部分を覆う第２の絶縁層と同一材料よりなる絶縁層を介してゲート配線と信号配線とが交差して設けられる記載はない。
　【００１２】
　【発明が解決しようとする課題】
　上記従来技術はプロセスの簡略化、ゲート電極・配線とその他の電極との短絡等の点について配慮がなされておらず、表示パネルの特性、歩留、コストの面で問題があった。
　【００１３】
　本発明はこれらの問題を解決する技術を提供することを目的とする。すなわち、簡単なプロセスで、上記短絡を防止し、しかも薄膜トランジスタの特性および表示パネルの特性を向上することを実現し得る技術を提供するものである。
　【００１４】
　【課題を解決するための手段】
　上記目的を達成するために、本発明は、液晶表示装置において絶縁基板と、該絶縁基板上に形成されたゲート配線と、該ゲート配線に接続された薄膜トランジスタのゲート電極と、上記ゲート配線及びゲート電極を覆う絶縁層と、該絶縁層上に形成され非品質シリコンよりなる薄膜トランジスタの半導体層、該半導体層上に形成され上記薄膜トランジスタのチャネル部分を覆う第２の絶縁層、該第２の絶縁層が除去された部分で上記半導体層と電気的に接続されるソース電極及びドレイン電極、該ドレイン電極に接続し上記絶縁層を介して上記ゲート配線と交差する信号配線、上記ソース電極に接続された画素電極とを有し、
　上記ゲート配線とゲート電極は同一金属により一体に設けられ、端子部分を除く上記ゲート配線とゲート電極の表面に上記金属の陽極化成膜が設けられ、上記信号配線は上記金属陽極化成膜と、上記絶縁層と、非晶質シリコン層及び上記第２の絶縁層と同一材料よりなる絶縁膜とを介して上記ゲート配線と交差して設けられて
おり、上記画素電極の一部が、上記絶縁層と、上記ゲート配線と同層の金属の表面に設けた陽極化成膜とを介して、上記ゲート配線と同層の金属と重なる
　【００１５】
　本発明によれば、ゲート電極・配線部の金属膜を陽極化成することによって、その表面は陽極化成膜で被覆される。これにより、平坦で欠陥のない酸化膜（絶縁膜）でゲート電極・配線および付加容量部を被覆することができる。
　【００１６】
　したがって、ゲート電極・配線における他の電極および配線間の短絡を防止できる。
　【００１７】
　さらに、これらの絶縁膜の上にプラズマＣＶＤ法によるＳｉＮもしくはＳｉＯ２を堆積して２層構造とすることにより、短絡を防止すると同時にＴＦＴのしきい値を安定にすることができる。
　【００１８】
　また、ゲート電極・ゲート配線にＡｌもしくはＡｌを主体とする金属を用いることによりゲート配線抵抗を低くできる。
　【００１９】
　特にＡｌ−Ｓｉ、Ａｌ−Ｐｄを用いればさらにヒロックのない平坦なゲート電極・配線が得られ、より歩留の良いパネルが製作できる。
　【００２０】
　【発明の実施の形態】
　図５にＴＦＴ基板の２画素分に対応する部分回路図を示す。（ａ）は付加容量がない場合、（ｂ）は隣接したゲート配線との間に付加容量を形成した場合、（ｃ）は自段のゲート配線との間で付加容量を形成した場合を示す。（ｄ）は隣接したゲート配線との間に付加容量を形成する場合の別の例を示す。同図において、３０はゲート配線、３１は隣接したゲート配線、３２は薄膜トランジスタ、３３は液晶表示部、Ｇ，Ｓ，Ｄは各々薄膜トランジスタのゲート、ソース、ドレインである。３４は対向電極、３５は配線交差部、３６は付加容量、３７、３８は信号配線である。例としてこの図５（ｂ）の回路に対応するゲート電極、ゲート配線、付加容量電極のレイアウト図の一例を図６に示す。ここでは隣接の画素が同ピッチの例を示しているが、半ピッチずらしたレイアウトでも本技術は全く同様に使用できる。
　【００２１】
　また、ここではゲート部（Ａ）、配線交差部（Ｂ）が分離している例を示したが、分離してなくても良い。絶縁性基板上にＡｌもしくはＡｌを主体とする金属を形成し、ホトエッチング工程により、例えば、図６のようにパターン化する。この一回のホトエッチング工程によりゲート配線３０、ゲート電極（領域Ａ）、付加容量電極（領域Ｃ）が形成できる。続いて、陽極酸化を行ない上記パターン化された金属の表面に酸化アルミ（Ａｌ２Ｏ３）を成長させる。ＴＦＴ基板において特にＡｌ２Ｏ３膜が必要な部分は図６に示したように薄膜トランジスタ部（Ａ）配線交差部（Ｂ）、付加容量部（Ｃ）の３ヶ所である。
　【００２２】
　１回の陽極酸化でこれらの必要な部分にＡｌ２Ｏ３を形成するのも本技術の特徴である。これらの部分においては上記金属３０と信号配線あるいは画素電極とが重なった構造となり、層間絶縁膜あるいは誘電体膜が必要となるためである。
　【００２３】
　従って、ここで必要とされるＡｌ２Ｏ３膜としては欠陥のない、リークの小さなことが要求される。
　【００２４】
　陽極酸化はウエットプロセスであるため、ゴミなどの異物付着に対して影響を受けにくく、欠陥のない酸化膜を得やすい特徴があるが、酸化膜の構造やリーク特性に対しては化成液に大きく左右される。このため、化成液の選択が重要である。
　【００２５】
　Ａｌを陽極酸化した場合、大別して２種類のＡｌ２Ｏ３膜が得られる。ひとつは多孔質のＡｌ２Ｏ３であり、他のひとつは無孔質のものである。前者は化成液としてリン酸、蓚酸のような強酸系の液で、後者は硼酸、酒石酸のような弱酸系で得られることは周知（上述の電気化学便覧等）の通りである。本発明の目的のためには後者の無孔質のものが適している。しかし弱酸系の液を用いた場合に得られる無孔質のＡｌ２Ｏ３にもその表面の粗れ方に差異のあることがわかった。例えば化成液として、主として濃度数％の酒石酸水溶液を用いた場合、得られるＡｌ２Ｏ３の表面には数百Å程度の凹凸が生じる。この凹凸は図７に１１で示すようにＡｌ２Ｏ３の耐圧およびリーク特性を著しく損なうものであり望ましくない。この酒石酸を例えばエチレングリコールもしくはプロピレングリコールで希釈したＰＨ７．０±０．５の化成液を用いることによって、この凹凸をなくせることがわかった。凹凸のないＡｌ２Ｏ３は図７に１２で示すように極めて良好な耐圧特性、リーク特性を有することがわかった。エチレングリコールとプロピレングリコールとの比較では、前者の方が通常の半導体プロセスで汎用されており入手しやすいこと、液の安定性が良いことなどの観点から見てより望ましい。Ａｌ２Ｏ３膜をゲート絶縁膜として単独で使用することもできるが、しきい値電圧のドリフトを小さくするためには窒化シリコン膜（ＳｉＮ膜）や酸化シリコン膜（ＳｉＯ２膜）との複合膜にすることが有効である。ＳｉＮ膜やＳｉＯ２膜は活性層であるａ−Ｓｉと連続形成ができるので清浄な界面がえやすいからである。一方ＳｉＮ膜やＳｉＯ２膜の形成には通常、２００℃以上の温度を必要とするが、Ａｌ電極の場合この温度でヒロックが発生し表面が粗れる。しかしながら、Ａｌ表面をＡｌ２Ｏ３膜で被覆した場合には、このヒロック発生が抑止される。
　【００２６】
　さらにＡｌ２Ｏ３の絶縁特性を良くするにはＡｌ２Ｏ３形成後熱処理することが有効である。図８にＡｌ２Ｏ３のリーク電流と熱処理温度との関係を示す。熱処理温度としては２００℃〜４００℃が望ましい。これ以上高温になるとＡｌ膜に剥離が生じる。
　【００２７】
　ここで重要なことはＡｌ２Ｏ３の膜厚である。薄膜トランジスタの相互コンダクタンスｇｍから言えばゲート絶縁膜は薄い程良い。一方、薄くなれば絶縁耐圧が下がる。図９にＡｌ２Ｏ３膜厚と耐圧（ＶＬ）の関係を示す。通常の液晶パネルではゲートとドレイン（信号配線）間には最大２５Ｖ程度の電圧が引加される。したがってＡｌ２Ｏ３膜厚としては５００Å以上が必要である。これはゲート絶縁膜をＡｌ２Ｏ３とＳｉＮやＳｉＯ２との２層の構造にした場合でも同じである。ＳｉＮ膜やＳｉＯ２膜にピンホールが生じた場合、電圧はＡｌ２Ｏ３のみに印加されるからである。
　【００２８】
　以上、ゲート電極・配線に純Ａｌを用いる場合について説明したが、純Ａｌは極めて活性な金属であり、真空蒸着で形成する場合に再現性が得にくいこと、また、通常のホトエッチングプロセスに必要な百数十度の温度でもヒロックが発生しやすく突起状の面になりやすい等の欠点を有する。これらの欠点はＳｉあるいはＰｄを数％以下の微量混入したＡｌを用いることにより解消できる。このＡｌ−ＳｉあるいはＡｌ−Ｐｄ材料も前述した方法により全く同様に陽極化成でき、同じ特性のＡｌ２Ｏ３膜が得られることがわかった。したがってＡｌ−Ｓｉ材料あるいはＳｉ−Ｐｄも純Ａｌと全く同様にパネルに適用できる。
　【００２９】
　さらに、ゲート電極・配線として２層構造の金属を用いた場合の例を図１０に示す。この例は２層の金属に同種の金属を用いた場合であり、ここではＡｌを示している。ゲート電極・配線４１として第１のＡｌをパターン化し、その上にすべてＡｌ２Ｏ３に変えてしまうための第２のＡｌ４２を全面に堆積する。その後、陽極酸化によりこの第２のＡｌをすべてＡｌ２Ｏ３４３にする。Ａｌ２Ｏ３膜は透過率８０％以上の透明体であり、しかも基板側からの不純物を阻止するための層として使用でき、基板の保護膜としても利用できるものである。したがって、この方法により、ゲート絶縁膜用のＡｌ２Ｏ３、配線被覆用のＡｌ２Ｏ３、不純物阻止層、基板保護層を同時に一回の陽極酸化で得ることができる。さらにゲート電極・配線の段差をＡｌ２Ｏ３の膜厚分だけ小さくできる利点もある。この手法はＡｌ−Ｓｉ、Ａｌ−Ｐｄでも同様に利用できることは勿論である。
　【００３０】
　以上の説明ではゲート電極・配線、付加容量部の表面を全て陽極酸化する場合について述べたがゲート電極・付加容量部およびゲート配線部と信号線との交差部のみを局部的に陽極酸化し
て
　【００３１】
　このように局所的に陽極化成することによって配線抵抗をさらに低くすることが可能になる。
　【００３２】
　〈実施例１〉
　図１を用いて説明する。図１（ａ）は本実施例による薄膜トランジスタアレイ基板の断面を示し、図１（ｂ）は平面図を示す。同図において、１は絶縁性基板、２はＡｌ、３はＡｌの陽極化成膜（Ａｌ２Ｏ３）、４は窒化シリコン（１）、５は水素化非晶質シリコン膜、６は窒化シリコン膜（２）、７はリンドープ水素化非晶質シリコン膜、８はＣｒ膜、９はＡｌ膜、１０は透明電極、１１は保護膜、１２はゲート配線バスライン、１３、１４はゲート配線、１５、１５’は信号線（薄膜トランジスタのドレイン電極をも兼ねる）。ＡはＴＦＴ部の陽極化成領域、Ｂは配線交差部の陽極化成領域を示す。
　【００３３】
　絶縁性基板１上にＡｌを１７００Å抵抗加熱蒸着もしくはスパッタ蒸着により形成し、パターン化して、ゲート配線バスライン、ゲート電極およびゲート配線２を形成する。この時、各ゲート配線１３、１４はゲート配線バスライン１２に接続しておく。ゲート配線バスラインは同じＡｌで形成するものであり、陽極化成時の電圧供給ラインとして使用する。その後、ホトレジストを３．０μｍ塗布し、ホトエッチングプロセスにより、図１（ｂ）に破線で囲んだ領域Ａ、Ｂの部分のレジストを除去する。領域ＡはＴＦＴの部分、Ｂは配線交差部である。図１（ａ）の断面図は図６のａ−ａ’およびｂ−ｂ’の部分に対応する。
　【００３４】
　この状態で、基板を化成液に浸し、ゲート配線バスラインに＋７２Ｖの電圧を供給する。約３０分後領域Ａ、ＢにあるＡｌの表面に約１０００ÅのＡｌ２Ｏ３膜３が得られる。この時Ａｌ１７００Åの内７００Åが酸化される。化成液としては３％酒石酸溶液をエチレングリコールもしくはプロピレングリコールで希釈し、アンモニア水を添加してＰＨ７．０±０．５に調整した溶液を用いる。このように局所的に陽極化成することにより、ゲート配線１３、１４の大部分のＡｌが陽極化成されずに済むため、配線抵抗を低くおさえることができる。また、ＡｌとＡｌ２Ｏ３の選択エッチング技術も不要となる。レジストを除去した後、大気中あるいは真空中で２００〜４００℃で６０分加熱する。この加熱によってＡｌ２Ｏ３のリーク電流が一桁以上減少する。この上にプラズマＣＶＤ法により、第１の窒化シリコン４を１０００〜３０００Å、水素化非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）５を２００〜１０００Å、第２の窒化シリコン６を１０００〜２０００Å堆積する。この時、基板温度は１５０〜３２０℃を多用する。その後、第２の窒化シリコン６をパターン化し、ＴＦＴのチャネル上と配線交差部のみに残す（図１（ａ））。
　【００３５】
　リンを０．６〜２．５％ドーピングした非晶質シリコン（ｎ＋層）７を２００〜５００Å堆積し、パターン化してＴＦＴのソース・ドレイン部のみに残す。この時ａ−Ｓｉ５も同時に除去する。Ｃｒ８を５００〜１０００Å、Ａ１９を３０００〜８０００Å抵抗加熱蒸着あるいはスパッタ蒸着にて堆積し、パターン化して、信号線１５、ＴＦＴのドレイン・ソース電極等を形成する。このＡｌ（９）加工時に先に形成したゲート線バスラインを除去し、各々のゲート配線を分離する。次に酸化インジウムよりなる透明電極１０を約１０００Åスパッタ蒸着により堆積しパターン化して、画素電極、端子等を形成する。
　【００３６】
　最後にプラズマＣＶＤ法により窒化シリコン１１を約１μｍ堆積し、ホトエッチングプロセスにより端子部上の窒化シリコンを除去して、薄膜トランジスタアレイ基板が完成する（図１）。
　【００３７】
　この基板と対向基板とを合わせ、間に液晶を封止することにより、表示パネルが完成する。
　【００３８】
　こうして得られた表示パネルはゲート配線抵抗が低く、ＴＦＴ部、および配線交差部での電極間短絡がなく、また、Ａｌ２Ｏ３の比誘電率は８．７と窒化シリコンの６．９より２５％高く、この分、ＴＦＴのｇｍが向上し、付加容量部の面積が小さくでき透過率が向上した。このように、高歩留、高性能の表示パネルを得た。
　【００３９】
　ここではゲート電極配線としてＡｌを用いた場合の例で示したが、Ａｌの変わりにＳｉを１〜３％含んだＡｌ−ＳｉさらにはＰｄを微量含んだＡｌ−Ｐｄでも全く同様に使用できる。また、信号線にＡｌ／Ｃｒを用いたがＡｌの代わりに先のＡｌ−Ｓｉ、Ａｌ−Ｐｄを使用できる。さらに、Ｃｒは必ずしも必要ではない。
　【００４０】
　本実施例では局部的に陽極酸化したが、端子部を除いて全面陽極酸化しても良いことは勿論である。また、本実施例ではＴＦＴ領域Ａと配線交差領域Ｂとを分離して示しているが領域Ａと領域Ｂとは連続した領域であっても良い。
　【００４１】
　さらに本実施例では、第２の窒化シリコン６をパターン化し、ＴＦＴのチャネル上に残しているので、不純物ドープ非晶質半導体７をＴＦＴのソース・ドレイン部に形成することが出来る。その理由は、もし第２の窒化シリコン６をＴＦＴのチャネル上に残さないと、本実施例ではａ−Ｓｉ５を２００〜１０００Åの薄膜で形成するので、不純物ドープ非晶質半導体７をパターン化する時にａ−Ｓｉのチャネル部も同時に除去されてしまうからである。
　【００４２】
　また本実施例では、第２の窒化シリコン６をパターン化し、図１（ａ）に示すように、ゲート配線２と信号線１５（Ｃｒ膜８，Ａｌ膜９より成る。）の配線交差部に残しているので、ＴＦＴのソース・ドレイン電極とゲート電極間を絶縁する絶縁膜の層数に比べ、配線交差部の信号線１５とゲート配線２を絶縁する絶縁膜の層数を、第２の窒化シリコン６の分だけ常に多くすることが出来る。
　【００４３】
　すなわち、各電極の層間の絶縁耐圧を最大にする為には、ＴＦＴ基板の構成上可能な限り多くの絶縁膜を用いる必要があるので、本実施例ではＴＦＴのソース・ドレイン電極とゲート電極間には陽極化成膜３及び第１の窒化シリコン４を設け、配線交差部の信号線１５とゲート配線２間には陽極化成膜３，第１の窒化シリコン４に加え第２の窒化シリコン６も設けている。さらに水素化非晶質シリコン５も層間の絶縁に寄与するので本実施例では、図１（ａ）に示すように、ＴＦＴのソース・ドレイン電極とゲート電極間ならびに配線交差部の信号線１５とゲート配線２間に設けている。
　【００４４】
　従って本実施例の構成を有するＴＦＴ基板は、ＴＦＴのソース・ドレイン電極とゲート電極間ならびに配線交差部の信号線１５とゲート配線２間に、可能な限り多くの絶縁膜からなる多層絶縁膜を設けて絶縁しているので、異物などによりピンホールが生じて各電極間が短絡することがなく、信号線とゲート配線間の絶縁耐圧も最も高くなる。
　【００４５】
　また、本実施例ではＴＦＴのソース・ドレイン電極とゲート電極間の層間絶縁膜の数よりも、配線交差部の信号線１５とゲート配線２間の層間絶縁膜の数の方が、第２の窒化シリコン６の分多いので、信号線１５とゲート配線２の間にＴＦＴのソース・ドレイン電極とゲート電極間の耐圧限界までの電圧を加えても、配線交差部でリーク電流が流れることがない。従ってリーク電流により、対応する信号線、またはゲート線に接続される画素がすべて表示出来なくなることがない。
　【００４６】
　さらに本実施例では、配線交差部に設ける第２の窒化シリコンは、ＴＦＴのチャネル上に形成する第２の窒化シリコン６と同時に形成するので、ＴＦＴ基板を構成する層数が少なくて済み、製造工程も増えることがない。
　【００４７】
〈実施例２〉
　本実施例は陽極化成膜を薄膜トランジスタのゲート絶縁膜、配線交差部及び付加容量部での絶縁膜の少なくとも一部に使用するものである。
　【００４８】
　図２、図３を用いて説明する。図２（ａ）は本実施例によるＴＦＴ基板の断面を示し、図２（ｂ）は平面を示す。図３は各工程における断面図を示す。各部の記号は実施例１と同様である。
　【００４９】
　本実施例は図２（ｂ）中に破線で示した領域Ｃが存在している点のみが実施例１と異なる。領域Ｃは図５で説明したように画素電極１０と隣接するゲート配線とで容量を形成する部分である。
　【００５０】
　製法は実施例１の場合と全く同様である。図３（ａ）は陽極化成後の断面を、（ｂ）は第２の窒化シリコン６をパターン化した時の断面を、（ｃ）はｎ＋層をパターン化した時の断面を、（ｄ）はＣｒ８およびＡｌ９をパターン化した時の断面を、（ｅ）は画素電極１０をパターン化した時の断面を各々示す。
　【００５１】
　図２（ａ）に示すように付加容量の誘電体としてはＡｌ２Ｏ３と窒化シリコン膜との２層構造としているが、Ａｌ２Ｏ３と窒化シリコン膜は選択エッチがしやすいため、Ａｌ２Ｏ３のみを誘電体として使用できることは勿論である。
　【００５２】
　本実施例でも、図３（ｂ）に示すように、第２の窒化シリコン６をパターン化して、ＴＦＴのチャネル上に残しているので、図３（ｃ）に示すように、不純物ドープ非晶質半導体７をＴＦＴのソース・ドレイン部に形成することができる。
　【００５３】
　また実施例でも、図３（ｂ）に示すように、第２の窒化シリコン６をパターン化し、ゲート配線２と信号線の配線交差部に残しているので、ＴＦＴのソース・ドレイン電極とゲート電極間を絶縁する絶縁膜の層数に比べ、配線交差部の信号線とゲート配線２間を絶縁する絶縁膜の層数を、第２の窒化シリコン６の分だけ常に多くすることが出来る。
　【００５４】
　さらに本実施例でも、配線交差部に設ける第２の窒化シリコンは、ＴＦＴのチャネル上に形成する第２の窒化シリコン６と同時に形成するので、ＴＦＴ基板を構成する層数が少なくて済み、製造工程も増えることがない。
　【００５５】
　従って、本実施例でも信号線とゲート配線２の間にＴＦＴのソース・ドレイン電極とゲート電極間の耐圧限界までの電圧を加えても、配線交差部でリーク電流が流れることがない。
　【００５６】
〈実施例３〉
　実施例１、２ではＡｌ２Ｏ３の上に窒化シリコン膜を形成する場合について述べたが、実施例１、２で窒化シリコンの代わりにＳｉＯ２を使うことができる。
　【００５７】
　ＳｉＯ２は次の方法で形成する。ＳｉＨ４とＮ２Ｏとを主成分とする混合ガスを用いたプラズマＣＶＤ法にて１０００〜３０００ÅのＳｉＯ２膜を形成する基板温度は２００〜３００℃とする。このＳｉＯ２膜を用いた場合の構造は図１および図２の窒化シリコン膜４がＳｉＯ２膜になるところのみが違う。その他は実施例１、２と全く同様である。
　【００５８】
〈実施例４〉
　実施例１、２ではプラズマＣＶＤ法によりＡｌ２Ｏ３膜の上に第１の窒化シリコン、非晶質シリコン、第２の窒化シリコンの順に堆積したが、本実施例では第２の窒化シリコンを使用しない。図１１を用いて説明する。図１１は図６で示した薄膜トランジスタ部（領域Ａ）、配線交差部（領域Ｂ）、付加容量部（領域Ｃ）に対応する部分の断面図を各々（ａ），（ｂ），（ｃ）に示したものである。図の記号は図２と同様である。平面レイアウトは図２と同様である。
　【００５９】
　絶縁基板１上にＡｌもしくはＡｌ（Ｓｉ３％）、Ａｌ（０．３％Ｐｄ）を２３００Å形成する。パターン化して、ゲート電極・配線（付加容量電極も含む）２を形成する。陽極化成にて、Ａｌ２Ｏ３３を形成する。化成電圧１４４Ｖとする。
　この時Ａｌ２Ｏ３３の膜厚は約２０００Åとなり、化成されないＡｌ２の膜厚は約１０００Åである。この上にプラズマＣＶＤ法により窒化シリコンもしくは酸化シリコンを１０００〜３０００Å形成する。続いて、非晶質シリコンを２００〜２０００Å形成する。さらにリンを０．５〜２．５％含んだ非晶質シリコンを堆積する。その後ホトエッチングプロセスにて、薄膜トランジスタ部、配線交差部以外の部分の非晶質シリコン膜を除去する。その後、Ｃｒを４００〜１０００Å、Ａｌを３０００〜５０００Å形成し、パターン化して、信号配線、薄膜トランジスタのソース・ドレイン電極８、９を形成する。次でこれをマスクにリンドープ非晶質シリコン７を加工する。
　【００６０】
　本実施例でもリンドープ非晶質シリコン７を加工する時に、非晶質シリコン５も同時に一部除去されるが、非晶質シリコン５をあらかじめ厚く形成し、リンドープ非晶質シリコン７を加工する時に、非晶質シリコン５が完全に除去されないように工夫することにより、図１１（ａ）のように非晶質シリコン５を残すことが出来る。
　【００６１】
　その後、酸化インジウム透明電極（ＩＴＯ電極）を５００〜２０００Åスパッタ法により形成し画素電極１０を形成する。このＩＴＯ電極はＡｌの上全域に残しても良い。これで図１１に示した断面構造を持つＴＦＴ基板が完成する。この上に保護膜（窒化シリコン約１μｍ）を形成し、後は実施例１と同様の方法でパネルが完成する。
　【００６２】
　配線交差部と付加容量部はこの構造のみでなく、例えば図１１（ｂ’），（ｃ’）のような構造をとることができる。（ｂ’）は配線交差部の層間絶縁膜をＡｌ２Ｏ３のみ
にし
　【００６３】
　本実施例では非晶質シリコンとリンドープ非晶質シリコン膜とが連続で形成でき、薄膜トランジスタの特性が安定できるところが特徴となる。
　【００６４】
　ここでは信号配線にＣｒとＡｌとの２層膜を使用したがＡ１のみでも良い。
　【００６５】
〈実施例５〉
　さらなる実施例を図１２に示す。絶縁性基板６０上に第１のＡｌ６１を１５００Å堆積し、パターン化する。その上に第２のＡｌ６２を７００Å全面に堆積する。この状態で実施例１、２と同様、化成電圧７２Ｖで陽極酸化する。これで第２のＡｌすべてがＡｌ２Ｏ３６３になり、透明のＡｌ２Ｏ３になる。以下、実施例１、２と全く同様にパネルを製作する。
　【００６６】
　本発明の利点は、ゲート段差が小さくできること、Ａｌ２Ｏ３膜で基板全面が保護されることである。
　【００６７】
　以上の実施例では図４（ｂ）に示した例の場合を示したが、他の場合でも全く同様の技術でパネルが製作できることは勿論である。
　【００６８】
　【発明の効果】
　本発明は以上に説明したようにゲート電極・配線の金属膜を陽極化成することによって得られる陽極化成膜でコートすると同時にこれをゲート絶縁膜・配線交差部の層間絶縁膜として利用するため、簡単なプロセスで短絡による不良のない、高性能のパネルが得られた。歩留は従来のＳｉＮのみを用いる場合の倍以上向上した。また、ゲート配線を局所的に陽極化成することにより、さらに配線抵抗を下げることもできた。
　【００６９】
　また本発明では、第２の窒化シリコンをパターン化して、ＴＦＴのチャネル上に残しているので、不純物ドープ非晶質半導体をＴＦＴのソース・ドレイン部に形成することが出来る。
　【００７０】
　また本発明では、第２の窒化シリコンをパターン化し、ゲート配線と信号線の配線交差部に残しているので、ＴＦＴのソース・ドレイン電極とゲート電極間を絶縁する絶縁膜の層数に比べ、配線交差部の信号線とゲート配線間を絶縁する絶縁膜の層数を多くすることが出来る。従って、信号線とゲート配線２の間にＴＦＴのソース・ドレイン電極とゲート電極間の耐圧限界までの電圧を加えても、配線交差部でリーク電流が流れることがなく、液晶表示装置の画素欠陥を生じることがない。
　【００７１】
　さらに本発明では、配線交差部に設ける第２の窒化シリコンは、ＴＦＴのチャネル上に形成する第２の窒化シリコンと同時形成するので、ＴＦＴ基板を構成する層数が少なくて済み、製造工程も増えることがない。
　【００７２】
　ここではＴＦＴの活性層として非晶質シリコンの例について述べたが、この材料はこれに限るものではなく、ＴｅやポリＳｉ等の材料であってもよいことは無論である
。
【図面の簡単な説明】
　【図１】本発明の第１の実施例を示す図である。
　【図２】本発明の第２の実施例を示す図である。
　【図３】本発明の第２の実施例の工程を示す図である。
　【図４】従来技術を示す図である。
　【図５】ＴＦＴ基板の部分回路図である。
　【図６】本発明の説明図である。
　【図７】化成液とリーク特性との関係を示す図である。
　【図８】熱処理の効果を示す図である。
　【図９】Ａｌ２Ｏ３膜厚と耐圧との関係を示す図である。
　【図１０】第１のＡｌと第２のＡｌとの２層金属を用いた場合の説明図である。
　【図１１】本発明の第４の実施例を示す図である。
　【図１２】本発明の第５の実施例を示す図である。
　【符号の説明】
　１…基板、２…Ａｌ（Ａｌ−Ｓｉ）、３…Ａｌ２Ｏ３、４…窒化シリコン（１）、５…ａ−Ｓｉ、６…窒化シリコン（２）、７…不純物ａ−Ｓｉ、８…Ｃｒ、９…Ａｌ、１０…透明電極、１２…ゲート配線バスライン、Ａ…ＴＦＴ部、１３、１４…ゲート配線、１５…信号線、Ｂ…配線交差部、Ｃ…付加容量部。