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特許第２７６３７１１号「有機ＥＬ素子およびその製造方法」の請求項１ないし３に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結論】
特許第２７６３７１１号の請求項１ないし３に係る特許を維持する。
【理由】
〔１〕本件発明
　特許第２７６３７１１号（平成４年６月５日出願、平成１０年３月２７日に特許権の設定登録。）の請求項１〜３に係る発明は、その特許請求の範囲の請求項１〜３に記載された次のとおりのものである。
「【請求項１】互いに対向する２つの電極間に有機化合物から成る発光層を必須の層として設け、所望により電荷注入輸送層を設けることにより構成され、かつ該２つの電極のうち少なくとも一方が透明または半透明の電極である有機ＥＬ素子において、前記透明または半透明の電極の、発光層もしくは電荷注入輸送層と接触する表面の微結晶粒の大きさが５０〜５００オングストロームであるとともに、該微結晶粒が球形または回転楕円形を呈することを特徴とする有機ＥＬ素子。
　【請求項２】透明または半透明の電極が、インジウム・スズ酸化物膜（ＩＴＯ膜）であることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ素子。
　【請求項３】基板上に透明または半透明の電極を形成し、該基板上に所定の層を順次形成することによって互いに対向する２つの電極間に有機化合物から成る発光層が必須の層として設けられている有機ＥＬ素子を製造する有機ＥＬ素子の製造方法において、前記透明もしくは半透明の電極の基となる電極または透明導電膜を前記の基板上に形成する工程と、前記基となる電極または透明導電膜にＵＶオゾン照射処理または酸素、窒素、アルゴンイオン照射処理を施す工程とを含み、前記透明または半透明の電極として微結晶粒の大きさが５０〜５００オングストロームで該微結晶粒が球形または回転楕円形を呈する電極を形成することを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法。」
〔２〕申立ての理由の概要
　申立人チッソ株式会社は、甲第１号証（特開平６−７６９５０号公報、本件特許の出願時の明細書）を提出し、請求項１に係る発明の下限値５０オングストロームは技術的根拠のない数値であるから未完成発明であり、特許法第２９条第１項の要件を満たしていないし、「下限値５０オングストローム」の補正は、要旨変更であり、特許法第５３条第１項により却下されるべきものであり、また、請求項１〜３に係る発明は、甲第２号証（電子情報通信学会技術研究報告、Ｖｏｌ．９１、Ｎｏ．４４４、［有機エレクトロニクス］、１９９１年１月２４日、論文番号ＯＭＥ９１−５１、以下、「引用例１」という。）、甲第３号証（Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　Ａｐｐｌｉｅｄ　Ｐｈｙｓｉｃｓ，Ｖｏｌ．６５，Ｎｏ．９，１Ｍａｙ，１９８９、以下「引用例２」という。）、及び甲第４号証（特開平２−６６８７３号公報、以下、「引用例３」という。）に記載された発明に基づいて容易に発明ができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであると主張している。
　また、申立人高松万里は、請求項１〜３に係る発明は、甲第１号証（上記引用例１と同じ。）に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号により特許を受けることができないものであり、又は請求項１〜３に係る発明は、上記引用例１に記載された発明に基づいて容易に発明ができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、また、表面の微結晶粒は、５０Å以下のものや５００Å以上のものが含まれるとすれば、どの程度の割合なのか数値を明確になっておらず、またその数値の根拠も明らかになっていないから、明細書が不明瞭であるから、特許法第３６条第４項、第５項の規定を満足していないから特許を受けることができないと主張している。
　また、申立人五島香里は、請求項１、２に係る発明は、甲第１号証（１９９１年（平成３年）秋季　第５２回応用物理学会学術講演会講演予講集Ｎｏ．３１０ｐ−Ｓ−９、以下、「引用例４」という。）に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号の規定により特許を受けることができないものであり、また請求項１〜３に係る発明は、甲第１号証（上記引用例４）及び甲第２号証（特開平４−１１７４８５号公報、以下、「引用例５」という。）に記載された発明に基づいて容易に発明ができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであると主張している。
〔３〕各引用例に記載された発明
　引用例１には、有機発光素子の高性能化におけるＩＴＯ−ＴＰＤ界面制御の効果に関し、１本研究では、陽極であるＩＴＯ電極基板に依存した発光特性の変化とＩＴＯ電極に対する二次的処理としてプラズマ表面処理を行った際の発光素子の発光特性に及ぼす影響について調べた。」（第４３頁右欄第６〜１０行）こと、「試料は図１に示すような二層型素子であり、陽極であるＩＴＯ透明電極基板上に正孔輸送層材料として芳香属ジアミン誘導体（以下ＴＰＤと略す）、発光層材料としてアルミニウムキノリノール錯体（Ａｌｑ３）を各々５０ｎｍずつ真空蒸着法（１０−６Ｔｏｒｒ以下）によって作成した。有機層の蒸着速度は約０．３ｎｍ／ｓｅｃとした。最後に陰極としてＭｇを真空蒸着法により形成した。」（第４３頁右欄第１２〜１９行）こと、「ＩＴＯ電極に、電子ビーム蒸着法により作成されたもの（ＥＢ膜）、およびスパッタリング法により作成されたもの（ＳＰ膜）の２種類（松崎真空（株）製）を使用した。」（第４４頁左欄第３〜６行）こと、「次にプラズマ処理については、Ａｒプラズマ処理とＯ２プラズマ処理の２種類について行った。
（１）これらの処理は以下のようになっている。
（２）洗浄した基板をガラス管内に設置
（３）管内をロータリーポンプで真空引き（１０−３Ｔｏｒｒ以下）
（４）管内にＡｒもしくは０２ガスを導入
（５）高周波電圧を印加して放電を開始
（６）一定時間放電後、放電を終了
（７）ガスの導入を終了して３０分程度放置
（８）基板を取り出し有機層を真空蒸着」（第４４頁左欄第１７〜２８行）こと、「ＳＰ膜を用いた素子と比較すると、ＥＢ膜を用いた素子は発光しきい電圧が低下しており低電圧で駆動することがわかる。ここで両者の発光一電流効率（図４）にはほとんど違いがなかった。次に両者の劣化特性の比較を行うために素子に、定電流を印加して発光強度の時間変化の測定をした。図５のようにＳＰ膜を用いた素子は、ＥＢ膜を用いた素子と比較すると発光強度の低下が速いのがわかる。」（第４５頁左欄第１〜１１行）こと、「以上よりＥＢ膜を使用した素子の方がＳＰ膜を使用した素子よりも劣化が遅く、また低電圧駆動をすることが明らかとなった。図６に示すようにＴＰＤ単層膜においてもＥＢ膜を使用した方が電流が良く流れる。これよりＥＢ膜とＳＰ膜を使用した素子の発光特性の違いは、ＩＴＯ−ＴＰＤの界面状態に起因していることがわかる。」（第４５頁第３〜１０行）こと、「３−２ＩＴＯ電極に対するプラズマ表面処理が有機発光素子の発光特性に与える影響　一般にプラズマ処理を行うことにより期待される効果としては、高エネルギー粒子の衝突による表面の化学的結合や組成の変化および表面の洗浄効果などが考えられる。図８にＡｒプラズマ表面処理とＯ２プラズマ表面処理を試料についての発光一電界特性の比較を示す。このように両者には、発光特性はほとんど違いがない。しかし、これらの試料表面を未処理の試料の特性と比較すると、プラズマ処理を行った試料は発光のしきい電界が大きく低下しており、低電圧で駆動することが明らかになった。なお、ここでも両者の発光効率はほとんど違いがない。ＥＢ膜とＳＰ膜とでは全く同様な結果が得られている。次に発光の劣化特性を調べるために素子に定電流を印加して発光強度の時間変化を検討した。図９のようにＥＢ膜とＳＰ膜を用いた素子の両者とともにプラズマ表面処理を行うことにより発光強度の低下や駆動電圧の上昇は抑制され、素子の劣化が抑制されていることがわかる。これについても同様に、ＳＥＭによる表面観察を行ったところ、図７のようになった。両者には明白な差は認められないがプラズマ表面処理を行った方が、表面が滑らかになっている。このプラズマ表面処理の効果の原因は前述したＥＢ膜とＳＰ膜を用いた素子との違いとは、異なる原因である。それはＩＴＯ電極の仕事関数の測定およびＥＳＣＡによるＩＴＯの表面組成の解析から明かとなった。表３よりプラズマ処理を行うことにより仕事関数は変わらないか、やや大きくなっている。Ａｒプラズマ表面処理試料とＯ２プラズマ表面処理試料とで特性にあまり変化がないことから、これらは発光特性の改善の原因とは考え難い。しかし、ＥＳＣＡによる表面組成の比較ではＩＴＯ表面における炭素の残留量がプラズマ表面処理を行ったことによって、大幅に減少しているので、上記の発光特性の向上の原因の一つとして、プラズマ表面処理による表面のクリーニング効果が考えられる。　４．まとめ　本研究により以下のことが明らかになった。　１．電子ビーム蒸着ＩＴＯ膜の利用は有機発光素子の発光しきい電圧を低下させることが出来る。　２．有機発光素子の発光しきい電圧はＩＴＯ基板をプラズマ表面処理することにより低下させることができる。」（第４７頁第１２〜第４８頁左欄第３１行）ことが、図面とともに記載されている。
　引用例２には、「有機ＥＬセルの製造が簡単に記述される。セルは、多層構造である。図１は、この研究に使用される二つの構造を示す。これらの間で共通なのは、ジアミン正孔輸送層である。構造Ａでは、ドープあるいは非ドープのＡｌｑ層が全発光体を構成する。構造Ｂでは、発光体層は、純Ａｌｑ層内に位置するドープ層を構成する。このドープ層は、正孔輸送層に隣接することができる。ＥＬセルの面積は、代表的には０．１ｃｍ２である。」（第３６１０頁右欄第１５行〜第３６１１頁左欄第４行の訳文参照）こと、「ごく普通の清浄化手順は、洗浄剤中での超音波処理、脱イオン水およびイソプロピルアルコール中での洗浄、トルエン中での気相脱脂、そして最後にＵＶオゾン室内での照射を含んでいる。清浄化処理されていない基板は、ＥＬセルにおいてより高い電圧駆動を必要とし、不規則な安定性挙動をもたらす。」（第３６１１頁左欄第９〜１４行の訳文参照）ことが図面とともに記載されている。
　引用例３には、電界発光デバイスに関し「第１図は、本発明のマトリックスアドレス方式有機電界発光（またはＥＬ）デバイスの一部分を略示したものである。このデバイスにおいて、アノードは、多数個の、横方向に間隔をおいて配置された、平行な、導電性の、透明な金属ストリップ１０２，１０４及び１０６を有しており、また、これらのストリップは透明なガラス基板１０８上に支承されている。アノードストリップの上には、アノードストリップをカソ一ドから分離するところの有機電界媒体１１０が同一平面上に存在する。カソ一ドは、多数個の横方向に間隔をおいて配置された、平行な、導電性の金属ストリップ１１２，１１４及び１１６の形をしている。」（第３頁左下欄１１行〜右下欄第３行）こと、「ａ）ガラス上にインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）層を有してなるアノード材料の透明シートをその寸法が１０ｃｍ×１０ｃｍである正方形に切断した。この金属コーティングを０．０５ｃｍのアルミナ研磨材で２、３分間にわたって研磨し、引き続いてイソプロピルアルコール及び蒸留水の１：１（容積）混合物中で超音波洗浄し、そして次にイソプロピルアルコールで洗浄し、そして窒素を吹き付けて乾燥した。その後、金属層の変形加工を行い、幅が２７５μｍで中心間の間隔が４００μｍ未満である薄膜平行アノードストリップの層を形成した。　ｂ）次いで、芳香族第３アミン、１，１−ビス（４−ジーｐ−トリルアミノフェニル）シクロヘキサンの正札注入及び輸送層（膜厚７５０Å）をアノードストリップの上に被着させた。この被着は、タングステンフィラメントによって加熱された石英ボードからのソース材料を蒸着することによって実施した。　ｃ）発光帯域を構成する電子注入及び輸送層を正孔注入及び輸送槽の上に被着させた。アルミニウムトリスオキシン（ＣＯ−１）をホスト物質として使用し、タングステンフィラメントによって加熱された石英ボードから蒸着させた。　ｄ）原子比が１０：１であるＭｇ及びＩｎのカソード層をその膜厚が０．２２μｍとなるまで発光帯域の最上層の上に被着させた。　ｅ）次いで、カソ一ド層をアノードストリップの方向とは垂直の方向にホトリソグラフィーでパターニングして、幅２７５μｍの平行ストリップを得た。ホトレジスト組成物は光重合及び架橋が可能な単量体、トリス（２−アクリロイルエチル）−１，３，５−ベンゼントリカルボキシレートであった。この単量体をフリーラジカルメカニズムによって重合させ、その際、増感剤と活：肚剤の反応を通じてフリーラジカルを発生させた。パターニング工程は次のとおりである。　１）単量体をその溶媒である２−エトキシエタノールからパターニングした。　２）単量体層を所望のパターンを与えるプロキシミテイマスクを介してＵＶ光に露出した。　３）アレイを２−エトキシエタノール中に数秒間にわたって浸漬することによって、未露光域内の非架橋の単量体を除去した。　４）次いで、アレイを１００：１水：硫酸溶液からなる酸エッチング浴中に浸漬することによって、得られた露出金属を除去した。　５）エッチング後、アレイを水中ですすぎ、そして余分の水を除くために回転させた。第１図に示したような最終パターン化アレイが得られた。」（第３１頁右下欄３��〜第３２頁右上欄第１１行）ことが図面とともに記載されている。
　引用例４には、有機発光素子の発光特性に及ぼすＩＴＯ基板の影響に関して、「我々は電子ビーム蒸着法（ＥＢ）とスパッタ法（ＳＰ）により作成させたＩＴＯ基板を用いてそれぞれ発光素子を形成した」（１０Ｐ−Ｓ−９第１〜２行）こと、「２．実験結果　発光層としてアルミキノリノール錯体（Ａｌｑ３）、正孔輸送層としてトリフェニルジアミン誘導体（ＴＰＤ）を用いた二層型素子を真空蒸着法により作成した。ＩＴＯ基板の影響の原因としては、ＳＥＭ観察より図のようにＥＢ膜は表面の凹凸が大きく、ＳＰ膜は比較的表面が滑らかであることに起因していることがわかった。」（同第５〜８行）ことが図面とともに記載されている。
　引用例５には、正極、正孔輸送性発光層、電子注入層及び負極がこの順序で積層されるエレクトロルミネッセンス素子に関するものが記載されており、「実施例１　２５ｍｍ×７５ｍｍ×１．１ｍｍのガラス基板上にＩＴＯを蒸着法にて１００ｎｍの厚さで製膜したものを透明支持板とした。この透明支持板をイソプロピルアルコール中、純水中、イソプロピルアルコール中の順で超音波洗浄を行い、その後、乾燥窒素を吹きつけ基板表面から溶媒を除去した。前記工程で洗浄後の基板をＵＶ／Ｏ３ドライストリッパー（サムコインターナショナル製）で３分間処理し、基板表面の有機物を取り去った。それを市販の蒸着装置（日本真空技術（株）製）の基板ホルダーに固定しモリブデン製の抵抗加熱ボードに１，４−ビス（２，２−ジ−ｐ−トリルビニル）キシレン（ＤＴＶＸ）を２００ｍｇ入れ、また別のモリブデン製ボートに２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（ＰＢＤ）を２００ｍｇ入れて真空槽を１×１０−４Ｐａまで減圧した。その後、ＤＴＶＸ入りの前記ボードを２２２°Ｃまで加熱し、ＤＴＶＸを蒸着速度０．２〜０．４ｎｍ／ｓｅｃで透明支持基板上に蒸着して、膜厚５０ｎｍの正札輸送製発光層を製膜させた。この時の基板温度は室温であった。これを真空槽より取り出すことなく、正札輸送性発光層の上に、ＰＢＤを電子輸送層として５０ｎｍ積層蒸着した。蒸着条件はボート温度が１６５°Ｃで蒸着速度は０．２〜０．４ｎｍ／ｓｅｃ、基板温度は室温であった。これを真空槽より取り出し、上記電子輸送層の上にステンレススチール製のマスクを設置し、再び基板ホルダーに固定した。次にモリブデン製の抵抗加熱ボードにマグネシウムリボン１ｇを入れ、またタングステン製バスケットにインジウム５００ｍｇを装着した。その後、真空槽を１．０×１０−４Ｐａまで減圧してから、インジウムを０．１ｎｍ／ｓｅｃの蒸着速度で、同時にもう一方のモリブデンボートからマグネシウムを１．７〜２．８ｎｍ／ｓｅｃの蒸着速度で蒸着し始めた。蒸着源温度はインジウム、マグネシウム各々、８００°Ｃ，５００°Ｃ適度であった。上記条件でマグネシウムとインジウムの混合金属電極を発光層の上に１００ｎｍ積層蒸着し対向電極とした。」ことが記載されている。
〔４〕対比・判断
（１）チッソ株式会社の申立てについて
「下限値５０オングストローム」の補正は、出願時の明細書（特開平６−７６９５０号公報参照）の段落【０００８】に「特に好ましい微結晶粒の大きさは５０〜４００Åである。」と記載されており、下限値５０Åは、新規事項の追加とは認められないから、特許法第１１３条第１項第１号に規定する補正とは認められない。（なお、申立人は、特許法第５３条第１項により却下すべきものとしているが、本件は、既に特許されたもので、同法同項の適用はなく、同法第１１３条第１項第１号の規定によるものとして、認定した。）
　また、下限値５０オングストロームは技術的根拠のない数値であるから未完成発明であるという主張において、２００〜５００オングストロームの範囲では、良品であって技術的根拠があり、５００オングストロームを超えるものについては不良品であることが技術的に分かつているから、５０〜２００オングストロームについては、技術的根拠がなく、未だ実証されていないし、かつ下限値５０オングストロームの意味合いが不明瞭であったとしても、これによって、請求項１〜３に係る発明が、未完成発明であると言うことはできず、特許法第２９条第１項柱書きに規定する要件を満たしていないとすることはできない。
　次に、請求項１に係る発明と引用例１〜３に記載された発明を対比すると、引用例１〜３に記載された発明は、「互いに対向する２つの電極間に有機化合物から成る発光層を必須の層として設け、所望により電荷注入輸送層を設けることにより構成され、かつ該２つの電極のうち少なくとも一方が透明または半透明の電極である有機ＥＬ素子」の構成を備えているものの、請求項１に係る発明の必須構成である「透明または半透明の電極の、発光層もしくは電荷注入輸送層と接触する表面の微結晶粒の大きさが５０〜５００オングストロームであるとともに、該微結晶粒が球形または回転楕円形を呈する」構成を備えておらずまた示唆するところもない。
　してみると、上記構成を記載も示唆もするところもない引用例１〜３に記載された発明を組み合わせたところで本件請求項１に係る発明に到達し得ない。
　そして、請求項１に係る発明は、上記構成を備えることにより「本発明の有機ＥＬ素子は、従来のものに比べて光変換効率に優れ、また輝度むらがなく発光安定性が良好である。」という明細書に記載の作用効果を奏するものと認められる。
　したがって、請求項１に係る発明は引用例１〜３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
　請求項２に係る発明は、請求項１に係る発明を引用した発明であるから、請求項１に係る発明が引用例１〜３に記載された発明に基づき拒絶されない以上、拒絶されない。
　請求項３に係る発明と引用例１〜３に記載された発明を対比すると、引用例１、３に記載された発明は「基板上に透明または半透明の電極を形成し、該基板上に所定の層を順次形成することによって互いに対向する２つの電極間に有機化合物から成る発光層が必須の層として設けられている有機ＥＬ素子を製造する有機ＥＬ素子の製造方法において、前記透明もしくは半透明の電極の基となる電極または透明導電膜を前記の基板上に形成する工程」を備えており、引用例２に記載された発明は「基板上に透明または半透明の電極を形成し、該基板上に所定の層を順次形成することによって互いに対向する２つの電極間に有機化合物から成る発光層が必須の層として設けられている有機ＥＬ素子を製造する有機ＥＬ素子の製造方法において、前記透明もしくは半透明の電極の基となる電極または透明導電膜を前記の基板上に形成する工程と、前記基となる電極または透明導電膜にＵＶオゾン照射処理または酸素、窒素、アルゴンイオン照射処理を施す工程」を備えているものの、請求項３に係る発明の必須構成である「透明または半透明の電極として微結晶粒の大きさが５０〜５００オングストロームで該微結晶粒が球形または回転楕円形を呈する電極を形成する」構成を備えておらずまた示唆するところもない。
　してみると、上記構成を記載も示唆もするところのない引用例１〜３に記載された発明を組み合わせたところで本件請求項３に係る発明に到達し得ない。
　そして、請求項３に係る発明は、上記構成を備えることにより「本発明の有機ＥＬ素子は、従来のものに比べて光変換効率に優れ、また輝度むらがなく発光安定性が良好である。」という明細書に記載の作用効果を奏するものと認められる。
　したがって、請求項３に係る発明は、引用例１〜３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることはできない。
（２）申立人高松万里の申立について
　請求項１〜３に係る発明と引用例１をそれぞれ対比すると、引用例１は、上記（１）について検討したとおり、請求項１〜３に係る発明の必須構成である「透明または半透明の電極の、発光層もしくは電荷注入輸送層と接触する表面の微結晶粒の大きさが５０〜５００オングストロームであるとともに、該微結晶粒が球形または回転楕円形を呈する」構成を備えておらず、引用例１に記載された発明とすることはできず、また、引用例１に基づいて容易に発明をすることができたものとすることはできない。
　次に、申立人は、表面の微結晶粒が、５０Å以下のものや５００Å以上のものも含まれるという仮説をしているが、請求項１〜３に係る発明には、５０〜５００オングストロームと限定している以上、上記の仮説のものは含まれない。そして、この点については、明細書が不明瞭であるということはできない。
　したがって、本件特許が、特許法第３６条第４、５項に違反しているものとすることはできない。
（３）申立人五島香里の申立について
　請求項１に係る発明と引用例４、５に記載された発明を対比すると、引用例４、５に記載された発明は「有機化合物から成る発光層を必須の層として設け、所望により電荷注入輸送層を設けることにより構成され、かつ該２つの電極のうち少なくとも一方が透明または半透明の電極である有機ＥＬ素子」の構成を備えているものの、請求項１に係る発明の必須構成である「透明または半透明の電極の、発光層もしくは電荷注入輸送層と接触する表面の微結晶粒の大きさが５０〜５００オングストロームであるとともに、該微結晶粒が球形または回転楕円形を呈する」構成を備えていない。
　なお、申立人は、引用例４の写真中の「０．５Ｕ］のスケールは、０．５μｍを意味するから５０００オングストロームであるから、有機ＥＬ素子の透明電極を構成するＩＴＯの表面の微結晶粒の形状が球形又は回転楕円形であり、その大きさが５０〜５００オングストロームであると主張しているが、引用例４の写真中からだけで上記の事実を認定できない。
　してみると、請求項１に係る発明は、請求項１に係る発明の必須構成である「透明または半透明の電極として微結晶粒の大きさが５０〜５００オングストロームで該微結晶粒が球形または回転楕円形を呈する電極を形成する」構成を備えていない引用例４、５に記載された発明を組み合わせたところで本件請求項１に係る発明に到達し得ない。
　したがって本件請求項１に係る発明は引用例１〜３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることはできない。
　そして、請求項１に係る発明は、上記構成により「本発明の有機ＥＬ素子は、従来のものに比べて光変換効率に優れ、また輝度むらがなく発光安定性が良好である。」という明細書に記載の作用効果を奏するものと認められる。
　請求項２に係る発明は、請求項１に係る発明を引用した発明であるから、請求項１に係る発明が引用例４、５に記載された発明に基づき拒絶されない以上、拒絶されない。
　請求項３に係る発明と引用例４、５に記載された発明を対比すると、引用例４に記載された発明は「基板上に透明または半透明の電極を形成し、該基板上に所定の層を順次形成することによって互いに対向する２つの電極間に有機化合物から成る発光層が必須の層として設けられている有機ＥＬ素子を製造する有機ＥＬ素子の製造方法において、前記透明もしくは半透明の電極の基となる電極または透明導電膜を前記の基板上に形成する工程」を備え、引用例５に記載されて発明は「基板上に透明または半透明の電極を形成し、該基板上に所定の層を順次形成することによって互いに対向する２つの電極間に有機化合物から成る発光層が必須の層として設けられている有機ＥＬ素子を製造する有機ＥＬ素子の製造方法において、前記透明もしくは半透明の電極の基となる電極または透明導電膜を前記の基板上に形成する工程と、前記基となる電極または透明導電膜にＵＶオゾン照射処理または酸素、窒素、アルゴンイオン照射処理を施す王程」を備えているものの、請求項３に係る発明の必須構成である「透明または半透明の電極として微結晶粒の大きさが５０〜５００オングストロームで該微結晶粒が球形または回転楕円形を呈する電極を形成する」点を備えていない。
　してみると、上記構成を記載も示唆もするところのない引用例４、５に記載された発明を組み合わせたところで本件請求項３に係る発明には到達し得ない。
　そして、請求項３に係る発明は、上記構成を備えることにより「本発明の有機ＥＬ素子は、従来のものに比べて光変換効率に優れ、また輝度むらがなく発光安定性が良好である。」という明細書に記載の作用効果を奏するものと認められる。
　したがって、本件請求項３に係る発明は引用例４および引用例５に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることはできない。
〔５〕むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては本件特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１１年５月１２日（１９９９．５．１２）