【事件の表示】
　特許第６２４４２５９号発明「高純度ビスフェノールＦの製造方法」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第６２４４２５９号の特許請求の範囲を訂正請求書に添付された特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１−３〕について訂正することを認める。
　特許第６２４４２５９号の請求項１ないし３に係る特許を維持する。
【理　由】
第１　手続の経緯
　特許第６２４４２５９号の請求項１ないし３に係る特許についての出願は、平成２６年５月７日の出願であって、平成２９年１１月１７日に特許権の設定登録がされ、同年１２月６日にその特許公報が発行され、その後、平成３０年６月５日に、特許異議申立人　赤松　智信（以下「特許異議申立人」という。）により特許異議の申立てがされ、同年７月６日に上記特許異議申立人より上申書が提出され、同年８月１６日付けで取消理由通知が通知され、同年９月１１日に特許権者より上申書が提出され、同年同月２０日付けで指定期間の延長の通知がされ、同年１１月２０日付け訂正請求書及び意見書が同年同月２１日に提出されたものの、上記訂正請求書については、同年１２月２５日付け却下理由通知がされ、その後、平成３１年２月４日に特許権者より上申書が提出され、同年同月２５日付けで手続却下の決定がされ、同年３月１４日付けで取消理由通知（決定の予告）が通知され、特許権者より令和１年６月１４日付けで訂正請求書及び意見書が提出され、その訂正の請求（以下「本件訂正請求」という。）に対して、特許法第１２０条の５第５項に基づく通知がなされたが、特許異議申立人から何ら意見書は提出されなかった。
第２　訂正の適否についての判断
１　訂正の内容
　本件訂正請求による訂正の内容は以下の訂正事項１〜３のとおりである。
（１）訂正事項１
　請求項１の訂正前の「することを特徴とする高純度ビスフェノールＦの製造方法」との記載を、「し、蒸留工程において、圧力３〜７ｍｍＨｇ、熱媒温度２６０〜３００℃に保たれた蒸発器に、該粗ビスフェノールＦまたは該粗フェノールノボラック樹脂を該蒸発器の伝熱面積１ｍ２あたり３８〜１４３ｋｇ／ｈｒの供給量となるように連続的に供給し、蒸発成分と缶出物を該蒸発器から連続的に取り出しながら、単蒸留にて高純度ビスフェノールＦを得る」に訂正する。
（２）訂正事項２
　訂正事項２は、請求項２の訂正前の請求項１の記載を引用する「請求項１に記載の高純度ビスフェノールＦを得る請求項１に記載の高純度ビスフェノールＦの製造方法」との記載を訂正後に引用しないものとする訂正をするとともに（以下「訂正事項２−１」という。）、訂正前の「該溝付きワイパー状の部品を支持する部分以外に蒸気通路用の空間を有し、」との記載を「該溝付きワイパー状の部品を支持する部分以外に蒸気通路用の空間を有し、内部回転体を円筒と見做したきの空隙率が７０容量％以上であり、」に訂正し（以下「訂正事項２−２」という。）、訂正前の「蒸留工程において、圧力１〜１０ｍｍＨｇ、熱媒温度２５０〜３２０℃に保たれた蒸発器に、該粗ビスフェノールＦまたは該粗フェノールノボラック樹脂を該蒸発器の伝熱面積１ｍ２あたり３０〜２００ｋｇ／ｈｒの供給量となるように連続的に供給し」を「蒸留工程において、圧力３〜７ｍｍＨｇ、熱媒温度２６０〜３００℃に保たれた蒸発器に、該粗ビスフェノールＦまたは該粗フェノールノボラック樹脂を該蒸発器の伝熱面積１ｍ２あたり３８〜１４３ｋｇ／ｈｒの供給量となるように連続的に供給し」に訂正し（以下「訂正事項２−３」という。）、訂正前の「蒸発成分と缶出物を該蒸発器から連続的に取り出しながら高純度ビスフェノールＦを得る」を「蒸発成分と缶出物を該蒸発器から連続的に取り出しながら、単蒸留にて高純度ビスフェノールＦを得る」に訂正する（以下「訂正事項２−４」という。）ものである。
（３）訂正事項３
　訂正事項３は、請求項３の訂正前の「請求項１または２に記載の」を「請求項１に記載の」とする。
２　目的の適否
（１）上記訂正事項１は、蒸留工程における、蒸発器中の圧力範囲、熱媒温度範囲、蒸発器の伝熱面積１ｍ２あたり粗ビスフェノールＦまたは粗フェノールノボラック樹脂の供給量範囲を限定し、単蒸留にて高純度ビスフェノールＦを得ることをさらに限定したものであるといえるから特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
（２）訂正事項２−１は、請求項１の記載を引用する訂正前の請求項２の「高純度ビスフェノールＦを得る請求項１に記載の高純度ビスフェノールＦの製造方法」との記載を訂正後に引用しないものとする訂正であるから、他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとすることを目的とするものである。
　また、訂正事項２−２は、内部回転体を円筒と見做したときの空隙率を限定したものであるといえるから特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　さらに、訂正事項２−３は、蒸留工程における、蒸発器中の圧力範囲、熱媒温度範囲、蒸発器の伝熱面積１ｍ２あたり粗ビスフェノールＦまたは粗フェノールノボラック樹脂の供給量範囲をさらに限定したものであるといえるから特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　そして、訂正事項２−４は、蒸留方式が単蒸留であることを限定したものであるといえるから特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
（３）訂正事項３は、請求項３が引用する請求項の対象を削除したものにすぎないから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
３　新規事項についての判断
（１）訂正事項１について
　上記訂正事項１の「圧力３〜７ｍｍＨｇ」に関しては、実施例２に下限が実施例３に上限の記載があり、「熱媒温度２６０〜３００℃」に関しては、実施例２に下限が実施例１に上限の記載があり、【００２４】にも記載があるので、願書に添付した明細書及び特許請求の範囲に記載されているものと認められる。
　また、「蒸発器の伝熱面積１ｍ２あたり３８〜１４３ｋｇ／ｈｒ」の供給量に関しては、実施例２と実施例３の蒸発器の加熱伝面と供給量から計算した単位面積当たりの数値が下限値、上限値となっており、願書に添付した明細書及び特許請求の範囲に記載されているものと認められる。
　さらに、「単蒸留にて高純度ビスフェノールＦを得ること」に関しては、【０００４】に「本発明は、安定した性状の高純度ビスフェノールＦを単蒸留において高収率で得ることができる製造方法」との記載があることから、願書に添付した明細書及び特許請求の範囲に記載されているものと認められる。
（２）訂正事項２について
　訂正事項２−１は、請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとするとを目的とするものであるから、願書に添付した明細書及び特許請求の範囲に記載されているものと認められる。
　また、訂正事項２−２の「該溝付きワイパー状の部品を支持する部分以外に蒸気通路用の空間を有し、内部回転体を円筒と見做したきの空隙率が７０容量％以上であ」ることに関しては、【００２１】に記載があり、願書に添付した明細書及び特許請求の範囲に記載されているものと認められる。
　そして、訂正事項２−３の「蒸留工程において、圧力３〜７ｍｍＨｇ、熱媒温度２６０〜３００℃に保たれた蒸発器に、該粗ビスフェノールＦまたは該粗フェノールノボラック樹脂を該蒸発器の伝熱面積１ｍ２あたり３８〜１４３ｋｇ／ｈｒの供給量となるように連続的に供給」することに関しては、上記（１）の訂正事項１に関して述べたのと同様に、願書に添付した明細書及び特許請求の範囲に記載されているものと認められる。
　さらに、訂正事項２−４の「単蒸留にて高純度ビスフェノールＦを得ること」に関しても、上記（１）の訂正事項１に関して述べたのと同様に、願書に添付した明細書及び特許請求の範囲に記載されているものと認められる。
（３）訂正事項３について
　訂正事項３は、前記２（３）で述べたとおり、請求項３が引用する請求項の対象を削除したものにすぎないから、願書に添付した明細書及び特許請求の範囲に記載されているものと認められる。
４　実質上特許請求の範囲の拡張又は変更の有無
　上記２，３で検討したとおり、訂正事項１は、願書に添付した明細書等に記載された事項の範囲内において、蒸留工程における、蒸発器中の圧力範囲、熱媒温度範囲、蒸発器の伝熱面積１ｍ２あたり粗ビスフェノールＦまたは粗フェノールノボラック樹脂の供給量範囲を限定し、単蒸留にて高純度ビスフェノールＦを得ることをさらに限定したものであり、訂正事項２は、引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとした上で、願書に添付した明細書等に記載された事項の範囲内において、蒸留工程における、蒸発器中の圧力範囲、熱媒温度範囲、蒸発器の伝熱面積１ｍ２あたり粗ビスフェノールＦまたは粗フェノールノボラック樹脂の供給量範囲をさらに限定し、単蒸留にて高純度ビスフェノールＦを得ることをさらに限定したものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　また、訂正事項３は請求項を削除するものであり、いずれも実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
５　一群の請求項について
　訂正事項１に係る訂正前の請求項１〜３について、請求項２〜３はそれぞれ請求項１を直接又は間接的に引用しているものであって、訂正事項１によって記載が訂正される請求項１に連動して訂正されるものである。したがって、訂正前の請求項１〜３に対応する訂正後の請求項１〜３に係る本件訂正請求は、特許法第１２０条の５第４項に規定する一群の請求項に対してされたものである。
６　小括 
　以上のとおりであるから、本件訂正請求による訂正は特許法第１２０条の５第２項第１号及び第４号に掲げる事項を目的とするものであり、同条第９項において準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合するので、訂正後の請求項［１〜３］について訂正を認める。
第３　特許請求の範囲の記載
　本件特許請求の範囲の記載は、以下のとおりであり、請求項１〜３に係る特許発明をそれぞれ、「本件特許発明１」〜「本件特許発明３」といい、まとめて「本件特許発明」ともいう。 
  
「【請求項１】
　酸触媒の存在下、フェノールとホルムアルデヒドとを反応させ、得られた反応生成物から酸触媒、水及び未反応のフェノールを除去して得られる粗ビスフェノールＦ及び/または粗フェノールノボラック樹脂を、蒸留工程によって分離して蒸留成分として高純度ビスフェノールＦを得る、高純度ビスフェノールＦの製造方法において、蒸留工程で用いる蒸発器が外面に加熱手段、上部に液供給口と蒸気抜出口、下部に残渣排出口を有している、主体部が円筒状の蒸発器本体と、その内部に設置されている蒸発器本体の内壁面に沿って周方向に移動する翼付き内部回転体を有する縦型回転式薄膜蒸発器であって、翼付き内部回転体は本体器胴の内周面の加熱蒸発面に直接接触する溝付きワイパー状の部品を有し、かつ該溝付きワイパー状の部品を支持する部分以外に蒸気通路用の空間を有し、コンデンサーが薄膜蒸発器の外部に設置されている縦型回転式薄膜蒸発器を使用し、蒸留工程において、圧力３〜７ｍｍＨｇ、熱媒温度２６０〜３００℃に保たれた蒸発器に、該粗ビスフェノールＦまたは該粗フェノールノボラック樹脂を該蒸発器の伝熱面積１ｍ２あたり３８〜１４３ｋｇ／ｈｒの供給量となるように連続的に供給し、蒸発成分と缶出物を該蒸発器から連続的に取り出しながら、単蒸留にて高純度ビスフェノールＦを得ることを特徴とする高純度ビスフェノールＦの製造方法。
【請求項２】
　酸触媒の存在下、フェノールとホルムアルデヒドとを反応させ、得られた反応生成物から酸触媒、水及び未反応のフェノールを除去して得られる粗ビスフェノールＦ及び/または粗フェノールノボラック樹脂を、蒸留工程によって分離して蒸留成分として高純度ビスフェノールＦを得る、高純度ビスフェノールＦの製造方法において、蒸留工程で用いる蒸発器が外面に加熱手段、上部に液供給口と蒸気抜出口、下部に残渣排出口を有している、主体部が円筒状の蒸発器本体と、その内部に設置されている蒸発器本体の内壁面に沿って周方向に移動する翼付き内部回転体を有する縦型回転式薄膜蒸発器であって、翼付き内部回転体は本体器胴の内周面の加熱蒸発面に直接接触する溝付きワイパー状の部品を有し、かつ該溝付きワイパー状の部品を支持する部分以外に蒸気通路用の空間を有し、内部回転体を円筒と見做したきの空隙率が７０容量％以上であり、コンデンサーが薄膜蒸発器の外部に設置されている縦型回転式薄膜蒸発器を使用し、蒸留工程において、圧力３〜７ｍｍＨｇ、熱媒温度２６０〜３００℃に保たれた蒸発器に、該粗ビスフェノールＦまたは該粗フェノールノボラック樹脂を該蒸発器の伝熱面積１ｍ２あたり３８〜１４３ｋｇ／ｈｒの供給量となるように連続的に供給し、蒸発成分と缶出物を該蒸発器から連続的に取り出しながら、単蒸留にて高純度ビスフェノールＦを得ることを特徴とする高純度ビスフェノールＦの製造方法。
【請求項３】
　蒸留工程で用いる蒸発器が外面に加熱手段、上部に液供給口と蒸気抜出口、下部に残渣排出口を有している、主体部が円筒状の蒸発器本体と、その内部に設置されている蒸発器本体の内壁面に沿って周方向に移動する翼付き内部回転体を有する縦型回転式薄膜蒸発器であって、翼付き内部回転体は本体器胴の内周面の加熱蒸発面に直接接触する溝付きワイパー状の部品を有し、かつ該溝付きワイパー状の部品を支持する部分以外に蒸気通路用の空間を有し、コンデンサーが薄膜蒸発器の外部に設置されている縦型回転式薄膜蒸発器である請求項１に記載の製造方法に用いられる、高純度ビスフェノールＦ製造用の縦型回転式薄膜蒸発器。」
第４　取消理由及び異議申し立て理由
１　特許異議申立人が申し立てた理由
　特許異議申立人が申し立てた取消理由の概要は以下のとおりである。
（１ア）請求項１〜３に係る特許は、当該請求項に係る発明が、本件出願日前に日本国内又は外国において頒布された下記甲第１号証に記載された発明及び甲第３〜６号証に記載された技術的事項に基いて当業者が容易に発明することができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。
（１イ）請求項１〜３に係る特許は、当該請求項に係る発明が、本件出願日前に日本国内又は外国において頒布された下記甲第２号証に記載された発明及び甲第３〜６号証に記載された技術的事項に基いて当業者が容易に発明することができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。
（２）請求項１〜３に係る特許は、発明の詳細な説明には、本件特許発明の課題を解決し、高純度ビスフェノールＦを単蒸留において高収率で得るための条件設定など具体的手段が実証して示されていないから、請求項に係る発明と発明の詳細な説明に記載された発明とが実質的に対応しておらず、その特許請求の範囲の記載が特許法第３６条第６項第１号に適合するものではないから、特許法第３６条第６項に規定する要件を満たしていない特許出願に対してなされたものである。
（３）請求項１〜３に係る特許は、ビスフェノールＦは２５０℃を越える温度で分解することが知られており熱分解物が純度を下げると考えられ、その対策も特許明細書において開示がないので、その発明の詳細な説明の記載が特許法第３６条第４項第１号に適合するものではないから、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してなされたものである。
　　　　　　　　　　　　　　　　記
甲第１号証：特開平６−１２８１８３号公報
甲第２号証：特開２０１１−６８７６０号公報
甲第３号証：三木洋二，神鋼パンテック技報，１９９０年８月１日，Ｖｏｌ．３４，Ｎｏ．２，神鋼パンテック株式会社，ｐ．１７−２１
甲第４号証：池田幸雄，神鋼ファウドラー技報，１９８６年６月１５日，Ｖｏｌ．３０，Ｎｏ．１，神鋼ファウドラー株式会社，ｐ．２１−２３ 
甲第５号証：井藤信義編，神鋼ファウドラー・ニュース，昭和４０年２月１０日，神鋼ファウドラー株式会社，ｐ．１−４ 
甲第６号証：化学大辞典編集委員会編　化学大辞典３、１９９７年９月２０日発行、共立出版株式会社、ｐ．７５９「コンデンサー」の項
　なお、特許異議申立人は、参照すべき証拠として、甲第７号証の「沿革　株式会社神鋼環境ソリューション」、甲第８号証〜甲第１２号証の６−１型ＷＩＰＲＥＮＥテスト報告書、甲第１３号証〜甲第１８号証の群馬県立産業技術センター試験等結果通知書を提出している。
２　当審が通知した取消理由の概要
理由１：請求項１〜３に係る特許は、具体例以外の部分に裏付けがないとともに、収率、環境負荷の程度、コスト面の課題が解決できると認識できないため、その特許請求の範囲の記載が特許法第３６条第６項第１号に適合するものではないから、特許法第３６条第６項に規定する要件を満たしていない特許出願に対してなされたものであり、同法第１１３条第４号に該当し、取り消されるべきものである。 
  
理由２：請求項１〜３に係る特許は、刊行物１の【００２２】の記載からみて、蒸留温度が２５０℃を越える場合には、ビスフェノールＦの分解のおそれがあると考えられるところ、その分解抑制手段が本件明細書で述べられておらず、その発明の詳細な説明の記載が特許法第３６条第４項第１号に適合するものではないから、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してなされたものであり、同法第１１３条第４号に該当し、取り消されるべきものである。
理由３：請求項１，３に係る特許は、本件出願前に日本国内又は外国において頒布された下記刊行物１に記載された発明及び刊行物３〜５に記載の技術的事項に基いて、もしくは、刊行物２に記載された発明及び刊行物３〜５に記載の技術的事項に基いて、当業者が容易に発明することができたものであるから、特許法第２９条の規定に違反してされたものであり、同法第１１３条第２号に該当し、取り消されるべきものである。
刊行物１：特開平６−１２８１８３号（甲第１号証） 
刊行物２：特開２０１１−６８７６０号公報（甲第２号証） 
刊行物３：三木洋二，神鋼パンテック技報，１９９０年８月１日，Ｖｏｌ．３４，Ｎｏ．２，神鋼パンテック株式会社，ｐ．１７−２１（甲第３号証）刊行物４：池田幸雄，神鋼ファウドラー技報，１９８６年６月１５日，Ｖｏｌ．３０，Ｎｏ．１，神鋼ファウドラー株式会社，ｐ．２１−２３（甲第４号証） 
刊行物５：井藤信義編，神鋼ファウドラー・ニュース，昭和４０年２月１０日，神鋼ファウドラー株式会社，ｐ．１−４（甲第５号証）
　なお、刊行物３〜５は、本件特許発明の出願日時点での技術常識を示すものである。
第５　当審の判断
　当審は、請求項１〜３に係る特許は、当審の通知した取消理由及び特許異議申立人が申し立てた理由によっては、取り消すことはできないと判断する。
　理由は以下のとおりである。
　
当審が通知した取消理由の判断
１　理由１（特許法第３６条第６項第１号）について
　請求項１〜３について
（１）特許法第３６条第６項第１号の判断の前提
　特許請求の範囲の範囲の記載が明細書のサポート要件に適合するか否かは、特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載とを対比し、特許請求の範囲に記載された発明が、発明の詳細な説明に記載された発明で、発明の詳細な説明の記載又はその示唆により当業者が当該発明の課題を解決できると認識できる範囲のものであるか否か、また、その記載や示唆がなくとも当業者が出願時の技術常識に照らし当該発明の課題を解決できると認識できる範囲のものであるか否かを検討して判断すべきものである。
（２）特許請求の範囲の記載
　請求項１には、「酸触媒の存在下、フェノールとホルムアルデヒドとを反応させ、得られた反応生成物から酸触媒、水及び未反応のフェノールを除去して得られる粗ビスフェノールＦ及び/または粗フェノールノボラック樹脂を、蒸留工程によって分離して蒸留成分として高純度ビスフェノールＦを得る、高純度ビスフェノールＦの製造方法」として、「蒸留工程で用いる蒸発器が外面に加熱手段、上部に液供給口と蒸気抜出口、下部に残渣排出口を有している、主体部が円筒状の蒸発器本体と、その内部に設置されている蒸発器本体の内壁面に沿って周方向に移動する翼付き内部回転体を有する縦型回転式薄膜蒸発器であ」ること、「翼付き内部回転体は本体器胴の内周面の加熱蒸発面に直接接触する溝付きワイパー状の部品を有し、かつ該溝付きワイパー状の部品を支持する部分以外に蒸気通路用の空間を有」すること、「使用する」「縦型回転式薄膜蒸発器」の「コンデンサーが薄膜蒸発器の外部に設置されている」こと、蒸留工程が「圧力３〜７ｍｍＨｇ、熱媒温度２６０〜３００℃に保たれた蒸発器に、該粗ビスフェノールＦまたは該粗フェノールノボラック樹脂を該蒸発器の伝熱面積１ｍ２あたり３８〜１４３ｋｇ／ｈｒの供給量となるように連続的に供給」すること、「蒸発成分と缶出物を該蒸発器から連続的に取り出しながら、単蒸留にて高純度ビスフェノールＦを得る」ことを特定した方法の発明が記載されている。
　また、請求項２には、「酸触媒の存在下、フェノールとホルムアルデヒドとを反応させ、得られた反応生成物から酸触媒、水及び未反応のフェノールを除去して得られる粗ビスフェノールＦ及び/または粗フェノールノボラック樹脂を、蒸留工程によって分離して蒸留成分として高純度ビスフェノールＦを得る、高純度ビスフェノールＦの製造方法」として、「蒸留工程で用いる蒸発器が外面に加熱手段、上部に液供給口と蒸気抜出口、下部に残渣排出口を有している、主体部が円筒状の蒸発器本体と、その内部に設置されている蒸発器本体の内壁面に沿って周方向に移動する翼付き内部回転体を有する縦型回転式薄膜蒸発器であ」ること、「翼付き内部回転体は本体器胴の内周面の加熱蒸発面に直接接触する溝付きワイパー状の部品を有し、かつ該溝付きワイパー状の部品を支持する部分以外に蒸気通路用の空間を有」すること、「内部回転体を円筒と見做した」と「きの空隙率が７０容量％以上であ」ること、「使用する」「縦型回転式薄膜蒸発器」の「コンデンサーが薄膜蒸発器の外部に設置されている」こと、蒸留工程が「圧力３〜７ｍｍＨｇ、熱媒温度２６０〜３００℃に保たれた蒸発器に、該粗ビスフェノールＦまたは該粗フェノールノボラック樹脂を該蒸発器の伝熱面積１ｍ２あたり３８〜１４３ｋｇ／ｈｒの供給量となるように連続的に供給」すること、「蒸発成分と缶出物を該蒸発器から連続的に取り出しながら、単蒸留にて高純度ビスフェノールＦを得る」ことを特定した方法の発明が記載されている。
　さらに、請求項３には、請求項１に記載の製造方法に用いられる、「高純度ビスフェノールＦ製造用の縦型回転式薄膜蒸発器」として、「蒸留工程で用いる蒸発器が外面に加熱手段、上部に液供給口と蒸気抜出口、下部に残渣排出口を有している、主体部が円筒状の蒸発器本体と、その内部に設置されている蒸発器本体の内壁面に沿って周方向に移動する翼付き内部回転体を有する縦型回転式薄膜蒸発器であ」ること、「翼付き内部回転体は本体器胴の内周面の加熱蒸発面に直接接触する溝付きワイパー状の部品を有し、かつ該溝付きワイパー状の部品を支持する部分以外に蒸気通路用の空間を有」すること、「コンデンサーが薄膜蒸発器の外部に設置されている」ことを特定した装置の発明が記載されている。
（３）発明の詳細な説明の記載
　発明の詳細な説明には、酸触媒の存在下、フェノールとホルムアルデヒドとを反応させ、得られた反応生成物から酸触媒、水及び未反応のフェノールを除去して得られる粗ビスフェノールＦ及び/または粗フェノールノボラック樹脂を、蒸留工程によって分離して蒸留成分として高純度ビスフェノールＦを得る、高純度ビスフェノールＦの製造方法として、蒸留工程で縦型回転式薄膜蒸発器を用いた方法に関して、特許請求の範囲の記載の実質的繰り返し記載を除くと、【００１６】〜【００２０】には、「【００１６】
従って、蒸留による高純度化ビスフェノールＦを得ることは、汎用ビスフェノールＦから一般式（２）の三核体成分の分離にする行為に他ならない。一般式（１）と一般式（２）の蒸気圧は大きく差があり、共沸しないので、いわゆる単蒸留でも充分分離が可能である。しかしながら従来の蒸留器で必要以上に分離能を持たせている。また、低温での蒸留を求めていて必要以上の低真空条件を必要にしている。
【００１７】
また、縦型回転式薄膜蒸発器にも、コンデンサーを内部に持つものや外部に設置するもの、撹拌翼にワイパーの有るものや無いもの、内部回転部の空隙率が多いものや、撹拌翼が斜めに取り付けてあるもの等、様々なタイプがある。
【００１８】
本願発明で、単蒸留で必要十分な分離により高純度ビスフェノールＦが得られる縦型回転式薄膜蒸発器は、コンデンサーを外部に設置するタイプであり、撹拌翼にワイパーが付いているタイプであり、内部回転体の空隙率が高いものである。
【００１９】
本願発明で、外部コンデンサーは必須条件である。内部コンデンサータイプでは、ミストセパレータがついていても、蒸留工程に供給される汎用ビスフェノールＦ、粗ビスフェノールＦ、または粗フェノールノボラック樹脂（以下、供給液とする）が、蒸留成分中に飛沫同伴する量が多く、結果的に蒸留成分が高純度ビスフェノールＦにならない。蒸留条件を工夫して飛沫同伴する量を減らすこともできるが、その場合は蒸発器への供給液の供給速度を極端に減らすことになり、生産性が悪化し総合的なコストアップの要因になる。
また、外部コンデンサータイプで、分縮比を設定し、より精度よく蒸留するタイプもあるが、ビスフェノールＦの蒸留ではその必要がなく、一般に過剰品質であり、コストアップの要因になっている。
【００２０】
また内部回転体にはワイパーが必須であり、溝付きワイパーが好ましい。ワイパーの取り付け方式は任意であるが、円筒の内壁面にワイパーを密着させる必要があるので、固定式のワイパーより、バネ付の可動タイプや遠心力による可動タイプがより好ましい。固定式のワイパーの場合は円筒の内壁面とワイパーの間隔は１ｍｍ以下にする必要があるが、円筒の内壁面にワイパーが接地するとワイパーが削れるため好ましくない。また溝付きワイパーは供給液が素早く薄膜化し加熱部分で均一化するため好ましい。
また、ワイパーの材質としては、薄膜蒸発器の内壁面を傷つけないような材質のものが好ましく、カーボンに樹脂や金属を真空加圧含浸させ機械的強度を向上させた高温下においても使用可能なハイブリットカーボンや腐食に強いフッ素樹脂等がより好ましく、長期形状安定性に優れ高温下においても使用可能なハイブリットカーボンがさらに好ましい。」と記載され、【００１６】には、蒸留による高純度ビスフェノールＦの製造の原理と従来の条件について、【００１７】には、縦型回転式薄膜蒸発器のタイプについて、【００１８】には、本件特許発明の縦型回転式薄膜蒸発器のタイプについて、【００１９】には、外部コンデンサーと内部コンデンサーの対比に関して、【００２０】には、溝付きワイパーについての記載がなされている。 
 　また、【００２１】〜【００２３】には、縦型回転式薄膜蒸発器の内部回転体の空隙率や図１〜図４の装置駆動の説明、外部コンデンサーの設置箇所について、「【００２１】　また、内部回転体は回転軸に回転翼を付けたタイプでも、円筒形の骨組タイプでもよいが、内部回転体を円筒と見做したきの空隙率が７０容量％以上が好ましく、８５容量％以上がより好ましい。内部回転体の空隙率は大きいほど、蒸留成分を流出が容易になるので好ましいが、反面、内部回転体の強度低下が起こりやすく、両者のバランスから空隙率は８５容量％程度が好ましい。
　また、内部回転体の上部は蒸発成分が蒸発成分抜出口への通り道になるため、その流出が容易になるように、必要十分な強度を保ちながら、通路用の穴を有したり、格子状になっていることが好ましい。
図１及び３は、回転軸（５）に撹拌翼（６）が４枚付いている回転体（３）の例であり、その撹拌翼の端の全部または一部にワイパー（１１）が取り付けられ、加熱用ジャケット（１）の内壁にバネによってよりワイパーを密着させる構造の１例である。撹拌翼の枚数は４枚である必要はなく、大きさにもよるが３〜１２枚のいずれでも良い。また、ワイパーの設置も撹拌翼の端全面である必要はない。図２及び４は、上下の円盤を４つの柱で繋いだ円筒形の回転体の例であり、柱の枚数は４本である必要はなく、大きさにもよるが３〜２４本のいずれでも良い。柱は上下を繋ぐためだけではなくワイパーを設置するためでもある。この例では、溝付きの柱の内部にワイパーを設置し、遠心力によって加熱用ジャケットの内壁にワイパーを密着させる構造の１例である。密着力が不足する場合等はバネを使用して強制的に密着させることも可能である。また、上部は蒸発成分の通路のために、下部は供給液の溜まりをなくすために、図４のように穴をあける必要がある。なお、強度があれば、穴付き円盤でも、格子状に加工したものでも良い。
【００２２】
図１〜２に本発明に係る縦型回転式薄膜蒸発器の１例の縦断面概略図を示すが、本発明はその要旨を越えない限り、この例に限定されるものではない。本装置は外面に加熱用ジャケット（１）を有する円筒形の主体部（２）を持つ薄膜蒸発器であり、内部回転体（３）と、それを回転させるモーター（４）を有している。内部回転体は回転軸（５）に撹拌翼（６）が取り付けられているタイプでもよい。内部回転体に取り付けられたワイパー（１１）は、主体部の壁面に接して回転する。薄膜蒸発器上部の液供給口（７）より供給された被処理液は、回転するワイパーによって主体部の内壁に沿って、膜状に押し広げられつつ、重力により流下する。この流下する過程で、加熱用ジャケットからの熱によって供給液中の上記一般式（１）成分が蒸発する。蒸発した一般式（１）成分は薄膜蒸発器の上部にある蒸発成分抜出口（８）より系外へ導かれ、蒸発成分の大部分が除去されて流動性が悪くなった蒸発残渣は缶底部（９）に導かれ、薄膜蒸発器の下部にある残渣排出口（１０）より抜き出される。一般式（１）成分は流下する過程で蒸発するため、内部回転体の空隙率が重要であり、蒸発を妨げない構造にすることが重要である。
【００２３】
　また、外部コンデンサーの設置個所は、蒸気出口より少し離れた場所が好ましい。蒸気出口に近いと内部コンデンサーを同様に供給液の飛沫同伴の影響が受け易く好ましくない。設計上、外部コンデンサーを蒸気出口の近くにする場合は両者の間にミストセパレータを必ず設置する必要がある。飛沫同伴を防ぐため、外部コンデンサーの設置場所は蒸発器の長さの２倍程度が好ましく、外部コンデンサーに接続する配管径は蒸発器の内径の１／２〜３／５が好ましい。」との記載がある。
　また、【００２４】には、「【００２４】
  本願発明の、高純度ビスフェノールＦを得る蒸留条件は、圧力１〜１０ｍｍＨｇ、熱媒温度２５０〜３２０℃に保たれた蒸発器に、供給液を蒸発器の伝熱面積１ｍ２あたり３０〜２００ｋｇ／ｈｒの供給量となるように連続的に供給することが好ましい。
蒸留条件の圧力は、３〜８ｍｍＨｇがより好ましく、４〜７ｍｍＨｇがさらに好ましく、５〜６ｍｍＨｇが最も好ましい。圧力が低い場合、熱媒温度が高いと、蒸発量が多くなり、それに伴う供給液の飛沫同伴が多くなり好ましくない。蒸発量に合わせ熱媒温度下げると、熱媒温度が高く圧力が高い場合に比較して、目的物である上記一般式（１）の蒸発量が減り好ましくない。
熱媒温度は、２６０〜３００℃がより好ましく、２７０〜２９０℃がさらに好ましい。低温の場合、特に２５０℃未満では、圧力を大幅に低下させないと蒸発量が維持できないし、その場合は飛沫同伴を量も増えるため、結果的に高純度ビスフェノールＦが得られない恐れがある。また、高温になると、供給液の分解や着色が起こり、目的物である高純度ビスフェノールＦの物性が悪化する恐れがある。
蒸発器への供給液量は、蒸発器の伝熱面積１ｍ２あたり３０〜１５０ｋｇ／ｈｒがより好ましく、５０〜１２０ｋｇ／ｈｒがさらに好ましく、７０〜１００ｋｇ／ｈｒが最も好ましい。供給量が多いと目的物である上記一般式（１）と供給液の分離が不十分となり高純度ビスフェノールＦにならない恐れがある。」との記載があり、高純度ビスフェノールＦを得る圧力、熱媒温度、供給液供給量の蒸留条件の技術的意義について示されている。
 　そして、実施例の記載としては、外部コンデンサーを用い、真空度を５〜６ｍｍＨｇ、熱媒温度を２８０℃、加熱伝面１ｍ２あたり（２１／０．２１）ｋｇ／ｈｒ（実施例１）、真空度を３〜４ｍｍＨｇ、２６０℃、加熱伝面１ｍ２あたり（８／０．２１）ｋｇ／ｈｒ（実施例２）、真空度を６〜７ｍｍＨｇ、３００℃、加熱伝面１ｍ２あたり（３０／０．２１）ｋｇ／ｈｒ（実施例３）としたもの、及び内部コンデンサーを用い、真空度を５〜６ｍｍＨｇ、熱媒体温度２８０℃としたもの、加熱伝面１ｍ２あたり（４０／０．４０）ｋｇ／ｈｒ（比較例１）、外部コンデンサーを用い、真空度を５〜６ｍｍＨｇ、熱媒体温度２８０℃、加熱伝面１ｍ２あたり（３０／０．３０）ｋｇ／ｈｒとしているがワイパー無しのもの（比較例２）のものが実施され、表１には、実施例１〜３（それぞれ、９７．９，９８．９，９７．３）、比較例１〜２（９２．５，９４．２）の２核体純度の結果が示されている。
（４）対比判断
ア　本件特許発明の課題
　発明の詳細な説明の【技術分野】【０００１】の「本発明は蒸留によって高純度ビスフェノールＦを得る
効率的な高純度ビスフェノールＦの製造方法
２官能エポキシ樹脂と２価フェノール化合物から高分子量２官能エポキシ樹脂を製造する方法では、２価フェノール化合物の２核体純度が９５重量％以上あることが必須
フェノールとホルムアルデヒドとの反応によって２核体の含量が９８重量％以上である高純度ビスフェノールＦを得ることは、たとえ反応モル比Ｐ／Ｆを１００以上にしたとしても達成できず、工業的には不可能
２段以上の多段蒸留によって高純度ビスフェノールＦを得る方法や２核体を主とする混合物を再結晶を行い高純度ビスフェノールＦを得る方法
蒸留によって高純度ビスフェノールＦを得る高純度ビスフェノールＦの製造方法での蒸留装置として特に規定した例はない
【０００４】
　本発明は、
安定した性状の高純度ビスフェノールＦを単蒸留において高収率で得ることができる製造方法
高純度ビスフェノールＦ製造用の縦型回転式薄膜蒸発器を提供
【課題を解決するための手段】
【０００５】
　本発明者らは、
高純度ビスフェノールＦを
高収率で得るために、最も効率的な蒸留装置を規定するとともに、その蒸留条件を見出し、環境負荷が少なく、コスト的にも有利な高純度ビスフェノールＦの製造方法を見出し、本発明に完成
イ　対比判断
（ア）特許請求の範囲、請求項１には、訂正によって、前記（２）で記載したように、特定構造の縦型回転式薄膜蒸発器を用いて、酸触媒の存在下、フェノールとホルムアルデヒドとを反応させ、得られた反応生成物から酸触媒、水及び未反応のフェノールを除去して得られる粗ビスフェノールＦ及び/または粗フェノールノボラック樹脂を、蒸留工程によって分離して蒸留成分として高純度ビスフェノールＦを得るものであり、蒸留工程が「圧力３〜７ｍｍＨｇ、熱媒温度２６０〜３００℃に保たれた蒸発器に、該粗ビスフェノールＦまたは該粗フェノールノボラック樹脂を該蒸発器の伝熱面積１ｍ２あたり３８〜１４３ｋｇ／ｈｒの供給量となるように連続的に供給」すること、「蒸発成分と缶出物を該蒸発器から連続的に取り出しながら、単蒸留にて高純度ビスフェノールＦを得る」ことを特定した発明が記載されている。
（イ）一方、発明の詳細な説明においては、前記（３）で記載したように、【００１６】には、蒸留による高純度ビスフェノールＦの製造の原理と従来の条件について「
蒸留による高純度化ビスフェノールＦを得ることは、汎用ビスフェノールＦから一般式（２）の三核体成分の分離にする行為に他ならない
一般式（１）と一般式（２）の蒸気圧は大きく差があり、共沸しないので、いわゆる単蒸留でも充分分離が可能
従来の蒸留器で必要以上に分離能を持たせている。また、低温での蒸留を求めていて必要以上の低真空条件を必要
　また、【００１８】〜【００２０】の本件で用いる縦型回転式薄膜蒸発器について、「【００１８】
本願発明で、
単蒸留で必要十分な分離により高純度ビスフェノールＦが得られる縦型回転式薄膜蒸発器は、コンデンサーを外部に設置するタイプであり、撹拌翼にワイパーが付いているタイプであり、内部回転体の空隙率が高いものである
【００１９】
本願発明で、
外部コンデンサーは必須条件
内部コンデンサータイプでは
蒸留成分中に飛沫同伴する量が多く、結果的に蒸留成分が高純度ビスフェノールＦにならない
蒸発器への供給液の供給速度を極端に減らすことになり、生産性が悪化し総合的なコストアップの要因
また、
外部コンデンサータイプで、分縮比を設定し、より精度よく蒸留するタイプもあるが、ビスフェノールＦの蒸留ではその必要がなく、一般に過剰品質であり、コストアップの要因
【００２０】
また
内部回転体にはワイパーが必須
また、ワイパーの材質としては、薄膜蒸発器の内壁面を傷つけないような材質のものが好ましく、カーボンに樹脂や金属を真空加圧含浸させ機械的強度を向上させた高温下においても使用可能なハイブリットカーボンや腐食に強いフッ素樹脂等がより好ましく、長期形状安定性に優れ高温下においても使用可能なハイブリットカーボンがさらに好ましい。」と記載して、単蒸留で高純度ビスフェノールＦが得られる縦型回転式薄膜蒸発器のコンデンサー位置を外部とする技術的意義や内部回転体のワイパーに関する詳細な情報を記載している。
　さらに、【００２１】〜【００２３】には、縦型回転式薄膜蒸発器の内部回転体の空隙率や図１〜図４の装置駆動の説明、外部コンデンサーの設置箇所について、「また、・・・
内部回転体の空隙率は大きいほど、蒸留成分を流出が容易になるので好ましいが、反面、内部回転体の強度低下が起こりやすく、両者のバランスから空隙率は８５容量％程度が好ましい
内部回転体の空隙率が重要であり、蒸発を妨げない構造にすることが重要である
外部コンデンサーの設置個所は、蒸気出口より少し離れた場所が好ましい。蒸気出口に近いと内部コンデンサーを同様に供給液の飛沫同伴の影響が受け易く好ましくない
　そして、【００２４】では、「【００２４】
  本願発明の、高純度ビスフェノールＦを得る蒸留条件は、圧力１〜１０ｍｍＨｇ、熱媒温度２５０〜３２０℃に保たれた蒸発器に、供給液を蒸発器の伝熱面積１ｍ２あたり３０〜２００ｋｇ／ｈｒの供給量となるように連続的に供給することが好ましい。
蒸留条件の圧力は、３〜８ｍｍＨｇがより好ましく、４〜７ｍｍＨｇがさらに好ましく、５〜６ｍｍＨｇが最も好ましい。圧力が低い場合、熱媒温度が高いと、蒸発量が多くなり、それに伴う供給液の飛沫同伴が多くなり好ましくない。蒸発量に合わせ熱媒温度下げると、熱媒温度が高く圧力が高い場合に比較して、目的物である上記一般式（１）の蒸発量が減り好ましくない
熱媒温度は、２６０〜３００℃がより好ましく
低温の場合、特に２５０℃未満では、圧力を大幅に低下させないと蒸発量が維持できないし、その場合は飛沫同伴を量も増えるため、結果的に高純度ビスフェノールＦが得られない恐れがある。また、高温になると、供給液の分解や着色が起こり、目的物である高純度ビスフェノールＦの物性が悪化する恐れがある
蒸発器への供給液量
５０〜１２０ｋｇ／ｈｒがさらに好ましく、７０〜１００ｋｇ／ｈｒが最も好ましい
供給量が多いと目的物である上記一般式（１）と供給液の分離が不十分となり高純度ビスフェノールＦにならない恐れがある
　以上のとおり、上記各記載に基づく、従来技術に対する知見や、用いる
高純度ビスフェノールＦ製造用の縦型回転式薄膜蒸発器の構成の技術的意義、用いる
　よって、請求項１記載の発明は、発明の詳細な説明に裏付けをもって記載されているとはいえる。 
　また、令和１年６月１４日付け意見書４〜５頁において、実施例１〜３の再実験によって収率（収量）を明らかにして純度だけでなく収率に関しても実施例と比較例において差異のあることを示しており、平成３１年２月４日付け上申書４頁においても、単蒸留によって高純度ビスフェノールＦが得られることは、従来技術の多段蒸留によってビスフェノールＦを製造する場合に比して、環境負荷の程度やコスト面において有利であることは明白で、単蒸留によっても、本件特許発明１の構成を欠くものは、高純度ビスフェノールＦは得られないことや、実施例を収量の結果も追加した再実験した結果を示している。
　これらの結果は、請求項１記載の発明は、発明の詳細な説明に裏付けをもって記載されているとはいえることと符合している。
（ウ）特許異議申立人の主張について
　平成３０年７月６日付け上申書において、実験報告書（甲第８〜１８号証）を提出してコンデンサーが外部にあるか内部にあるかの違いに基づく比較で、データから内部コンデンサーの方が収率（留出率）と純度の両立ができている旨主張しているが、訂正された本件特許発明に該当するデータで比較可能であるのは、Ａ２とＢ２のみであり、純度において外部コンデンサーであるＡ２が優れた結果となっている上に、そもそも供給流量、真空度等の条件も両者で異なっているのであるから、上記データが得られたからといって、本件明細書において、技術的意義の記載とともに具体的に示されている効果についての結果が不合理なものとはいえず、上記特許異議申立人の主張は採用できない。
（エ）請求項２の本件特許発明２に関しても、本件特許発明１において、さらに、内部回転体を円筒と見做したときの空隙率が７０容量％以上であることをさらに特定したものであるから、本件特許発明１に関して検討したのと同様に、課題が解決できることが裏付けをもって記載されているといえ、発明の詳細な説明に記載されたものであるといえる。
  
（オ）請求項３の本件特許発明３に関しても、本件特許発明１を、縦型回転式薄膜蒸発器という装置の発明として特定したものであるから本件特許発明１に関して検討したのと同様に、課題が解決できることが裏付けをもって記載されているといえ、発明の詳細な説明に記載されたものであるといえる。
　よって、請求項１〜３に係る特許は、特許法第３６条第６項に規定する要件を満たした特許出願に対してされたものであるといえ、取消理由１は解消されている。
２　理由２（特許法第３６条第４項第１号）について
　請求項１〜３について
　発明の詳細な説明には、理由１の前記（３）で述べたとおりの記載があり、【００２４】には、高純度ビスフェノールＦを得る圧力、熱媒温度、供給液供給量の蒸留条件の技術的意義の記載があり、実施例に、外部コンデンサーを用い、真空度を５〜６ｍｍＨｇ、熱媒温度を２８０℃、加熱伝面１ｍ２あたり（２１／０．２１）ｋｇ／ｈｒ（実施例１）、真空度を３〜４ｍｍＨｇ、２６０℃、加熱伝面１ｍ２あたり（８／０．２１）ｋｇ／ｈｒ（実施例２）、真空度を６〜７ｍｍＨｇ、３００℃、加熱伝面１ｍ２あたり（３０／０．２１）ｋｇ／ｈｒ（実施例３）としたもの、及び内部コンデンサーを用い、真空度を５〜６ｍｍＨｇ、熱媒体温度２８０℃としたもの、加熱伝面１ｍ２あたり（４０／０．４０）ｋｇ／ｈｒ（比較例１）、外部コンデンサーを用い、真空度を５〜６ｍｍＨｇ、熱媒体温度２８０℃、加熱伝面１ｍ２あたり（３０／０．３０）ｋｇ／ｈｒとしているがワイパー無しのもの（比較例２）のものが実施され、表１には、実施例１〜３（それぞれ、９７．９，９８．９，９７．３）、比較例１〜２（９２．５，９４．２）の２核体純度の結果が示されている。 
　刊行物１の【００２２】の「【００２２】次に粗ビスフェノールＦ２を蒸留工程４に送る。本発明の蒸留工程において用いる蒸発器は、好ましくは該蒸発器からの蒸発ガスの一部を凝縮させた凝縮液を該蒸発器に戻すことができる分縮器を備えたものであり、蒸発器の形式としては、流下薄膜式または遠心薄膜式等のものが好ましく用いられる。また、複数基の蒸発器を用いる場合には各蒸発器は、分縮器を備えたものであっても良いし、分縮器を備えないものであっても良いが、少なくとも最終段に用いる蒸発器は分縮器を備えたものであることが好ましい。この場合も好ましく用いられる蒸発器の形式は上記と同様である。本発明において蒸留温度が２５０℃を越える場合には、ビスフェノールＦの分解、着色が起こることがある。また、２００℃未満では、１ｍｍＨｇ未満の圧力とすることが要求される。」との記載からみて、蒸留温度が２５０℃を越える場合には、ビスフェノールＦの分解のおそれがあると考えられる。
　しかしながら、刊行物３の１７頁「２．用途」において「一般に熱影響を促進する要因は温度，濃度，加熱時間であり，特に温度とその加熱時間である。」との記載があるように、熱の影響は、２５０℃を越える場合に直ちに受けるわけではなく、どの程度高い温度であるのか、どの程度の高い濃度で分解する物質が含まれているのか、どの程度長い時間分解するおそれのある温度範囲にさらされるかによって大きく変化することが技術常識であると考えられる。
　訂正後の本件特許発明は、実施例において、純度の高いビスフェノールＦが得られたことが確認できる範囲の蒸留条件に対応しており、比較的短時間の蒸留を行うことが可能な単蒸留に特定されているのであるから、発明の詳細な説明の記載及び上記技術常識から熱の影響を受けない範囲で蒸留条件を設定し、本件特許発明を実施することは、当業者であれば過度な試行錯誤なしになしうることである。
　
　よって、請求項１〜３記載の発明は、その発明の詳細な説明の記載が特許法第３６条第４項第１号に適合するものであり、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してなされたものとはいえないから、取消理由２は解消されているといえる。
３　理由３（特許法第２９条第２項）について
　請求項１，３について
（１）引用刊行物（再掲）
刊行物１：特開平６−１２８１８３号（甲第１号証）
刊行物２：特開２０１１−６８７６０号公報（甲第２号証）
刊行物３：三木洋二，神鋼パンテック技報，１９９０年８月１日，Ｖｏｌ．３４，Ｎｏ．２，神鋼パンテック株式会社，ｐ．１７−２１（甲第３号証）
刊行物４：池田幸雄，神鋼ファウドラー技報，１９８６年６月１５日，Ｖｏｌ．３０，Ｎｏ．１，神鋼ファウドラー株式会社，ｐ．２１−２３（甲第４号証）
刊行物５：井藤信義編，神鋼ファウドラー・ニュース，昭和４０年２月１０日，神鋼ファウドラー株式会社，ｐ．１−４（甲第５号証）
　なお、刊行物３〜５は、本件特許発明の出願日時点での技術常識を示すものである。 
（２）刊行物の記載
（２−１）刊行物１ 
　本件出願日前に頒布された刊行物であると認められる刊行物１には以下の記載がある。 
（１ａ）「【請求項１】 （１）酸触媒の存在下、フェノールとホルムアルデヒドとを反応させ、得られた反応生成物から酸触媒、水及び未反応のフェノールを除去して粗ビスフェノールＦを得る調製工程、
（２）該粗ビスフェノールＦを蒸留することによって、留出物として２核体含量が９５重量％以上である高純度ビスフェノールＦを得、缶出物として２核体含量が１５面積％以下であるノボラック型フェノール樹脂を得る蒸留工程を含むことを特徴とする高純度ビスフェノールＦ及びノボラック型フェノール樹脂の併産方法。」
  
（１ｂ）「【請求項８】 蒸留工程において、圧力１〜５ｍｍＨｇ、温度２００〜２５０℃に保たれた複数基の蒸発器の第１段の蒸発器に該粗ビスフェノールＦを連続的に供給し、各蒸発器の缶出物を連続的に次段の蒸発器へ供給し、少なくとも圧力１〜５ｍｍＨｇ、温度２２０〜２５０℃に保たれた最終段の蒸発器からの蒸発ガスの一部を分縮器で分縮させて該蒸発器に戻し、且つ、該蒸発器から連続的に缶出物を抜き出しながら該粗ビスフェノールＦを連続的に蒸留することを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の併産方法。」
（１ｃ）「【０００２】 
【従来の技術】ビスフェノールＦ及びノボラック型フェノール樹脂は、いずれも酸触媒の存在下に、化学量論的に過剰のフェノールとホルムアルデヒドとから製造される。両者の異なる点は、フェノールとホルムアルデヒドとの反応モル比（以下、Ｐ／Ｆと称する）である。通常、ビスフェノールＦは、Ｐ／Ｆ＝２０〜５０の範囲で製造され、反応生成物には４，４’−ジヒドロキシジフェニルメタン（以下、４，４’−体と称する）、２，４’−ジヒドロキシジフェニルメタン（以下、２，４’−体と称する）及び２，２’−ジヒドロキシジフェニルメタン（以下、２，２’−体と称する）の３種の２核体の他に、フェノールとホルムアルデヒドが重縮合した３〜５核体（以下、多核体と称する）が７〜１２重量％含まれている。この多核体は、ビスフェノールＦをエポキシ化して得られるエポキシ樹脂の物性に大きな影響を与えることが知られている。すなわち、多核体が少ないとエポキシ樹脂が結晶化しやすくなり、逆に多核体が多いと粘度が高くなり、作業性が悪くなる。」
（１ｄ）「【００２２】次に粗ビスフェノールＦ２を蒸留工程４に送る。本発明の蒸留工程において用いる蒸発器は、好ましくは該蒸発器からの蒸発ガスの一部を凝縮させた凝縮液を該蒸発器に戻すことができる分縮器を備えたものであり、蒸発器の形式としては、流下薄膜式または遠心薄膜式等のものが好ましく用いられる。また、複数基の蒸発器を用いる場合には各蒸発器は、分縮器を備えたものであっても良いし、分縮器を備えないものであっても良いが、少なくとも最終段に用いる蒸発器は分縮器を備えたものであることが好ましい。この場合も好ましく用いられる蒸発器の形式は上記と同様である。本発明において蒸留温度が２５０℃を越える場合には、ビスフェノールＦの分解、着色が起こることがある。また、２００℃未満では、１ｍｍＨｇ未満の圧力とすることが要求される。 
 【００２３】例えば、本発明における蒸留工程においては、蒸発器、分縮器及び全縮器を備えた蒸留装置に、粗ビスフェノールＦを連続的に蒸発器に供給し、圧力１〜５ｍｍＨｇ、温度２２０〜２５０℃において、該蒸発器から発生する蒸発ガスの一部を分縮器を用いて凝縮させ、その凝縮液を該蒸発器に戻しながら蒸留し、該蒸発ガスの他の部分を全縮器を用いて凝縮させ、留出物として高純度ビスフェノールＦを連続的に製造し、また缶出物を連続的に抜き出す。あるいは、蒸留工程として、例えば、３基の蒸発器を用いる下記方法が例示される。即ち、第１段の蒸発器に粗ビスフェノールＦを連続的に供給し、圧力１〜５ｍｍＨｇ、温度２００〜２５０℃において、該蒸発器から発生する蒸発ガスの全量を全縮器に導くか、または、蒸発ガスの一部を分縮器を用いて凝縮させ、その凝縮液を該蒸発器に戻しながら蒸留し、該蒸発ガスの他の部分を全縮器に導き、同時に、該蒸発器の缶出物を第２段の蒸発器へ連続的に供給する。第２段の蒸発器においても第１段と同様にして蒸留し、該蒸発器の缶出物を連続的に第３段の蒸発器へ供給する。第３段の蒸発器も第１段と同様の圧力とし、好ましくは温度を２２０〜２５０℃とし、該蒸発器から発生する蒸発ガスの一部を分縮器を用いて凝縮させ、その凝縮液を該蒸発器に戻しながら蒸留し、該蒸発ガスの他の部分を全縮器に導く。同時に、該蒸発器から缶出物を連続的に抜き出す。各段の未凝縮ガスを集めて全縮器で凝縮し、留出物として高純度ビスフェノールＦを連続的に製造することができる。上記の分縮器の分縮比、即ち、該分縮器における未凝縮ガスに対する凝縮液の重量比は通常０．０５〜０．５の範囲である。分縮比が０．０５未満である場合は、缶出物に含有される２核体含量を１５面積％以下に抑えようとすると、留出物に含有される２核体含量が９８重量％未満となり、また、０．５を越える場合は余分なエネルギーが必要になる。」
（１ｅ）「【００２５】本発明で好ましく用いられる全縮器として、多管式円筒形熱交換器、コイル式熱交換器等が挙げられる。分縮器としては、多管式円筒形熱交換器、コイル式熱交換器等が挙げられる。また、蒸発器から全縮器に至る蒸発ラインを外部から冷却するようなタイプのものでもよい。」
（１ｆ）「【００３７】実施例１
　撹拌機、温度調節装置、還流冷却器、全縮器、減圧装置等を備えたステンレス製の撹拌槽型反応機に、フェノールに対して０．０４６重量％のシュウ酸２水和物を溶解したフェノール溶液と４７％ホルマリンとを、フェノール／ホルムアルデヒドのモル比（Ｐ／Ｆ）が２０、両溶液の合計供給量が３６０Ｋｇ／ｈｒとなるように調節して連続的に供給した。反応温度７０℃、滞留時間４時間で反応させ、得られた反応混合物を連続的に抜き出し、充填物蒸留塔に連続的にフィードした。２０ｍｍＨｇの減圧下、１７０℃に加熱して、水及び未反応物を取り除き、粗ビスフェノールＦを得た。得られた粗ビスフェノールＦの組成は、４，４’−体：２８．９重量％、２，４’−体：３８．２重量％、２，２’−体：１０．９重量％であり、２核体の合計量が７８．０重量％であった。この粗ビスフェノールＦを、圧力３ｍｍＨｇで運転される遠心薄膜蒸発器に３０ｋｇ／ｈｒで連続的に供給し、留出物及び缶出物を連続的に抜き出した。遠心薄膜蒸発器はジャケット付のものを用い、ジャケットには熱媒を流した。また、遠心薄膜蒸発器にはコイル式熱交換器を分縮器として設置し、蒸発ガスの一部が分縮器で分縮され、蒸発器に戻るように分縮器のコイルに冷却水を流すことによって、分縮比（重量比）を調節した。缶出物の温度が２４５℃になるように熱媒量を調節し、分縮比（重量比）が０．２になるように冷却水量を調節したところ、缶出物の２核体量は６重量％、留出物の２核体量は９８重量％となり、２核体を９８重量％含有する高純度ビスフェノールＦを得た。得られた高純度ビスフェノールＦには着色が認められなかった。」
（２−２）刊行物２
　本件出願日前に頒布された刊行物であると認められる刊行物２には以下の記載がある。
（２ａ）「【請求項１】
　酸触媒の存在下、フェノールとホルムアルデヒドとを反応させ、フェノールとビスフェノールＦとノボラック型フェノール樹脂との混合物（１）を得る第一工程、
　混合物（１）に対して薄膜蒸留を行った後、更にスチーム蒸留を行い、該混合物から未反応のフェノールを除去しビスフノェールＦとノボラック型フェノール樹脂との混合物（２）を得る第二工程、および
　薄膜伝面熱媒温度が２００〜２５０℃、蒸留機出口圧力が０．１〜３ｍｍＨｇに保たれた薄膜蒸留器へ混合物（２）を該薄膜の伝面１ｃｍ２あたり８〜２０ｇ／ｈｒの供給量となるように供給し蒸留することにより、混合物（２）から留出物としてビスフェノールＦを得、缶出物としてノボラック型フェノール樹脂とを得る第三工程
　を含有することを特徴とする、ビスフェノールＦ及びノボラック型フェノール樹脂の併産方法。」 
  
（２ｂ）「【００２９】
　本発明の第三工程において、混合物（２）を薄膜蒸留装置へ供給し、蒸留することにより、混合物（２）から留出物としてビスフェノールＦを得、缶出物としてノボラック型フェノール樹脂とを得る。この薄膜蒸留装置による薄膜蒸留を行う際の条件としては、薄膜伝面熱媒温度が２００〜２５０℃、蒸留機出口圧力が０．１〜３ｍｍＨｇに保たれた薄膜蒸留器を用い、該薄膜蒸留器に混合物（２）を該薄膜の伝面１ｃｍ２あたり８〜２０ｇ／ｈｒとなるように供給する。このような条件により混合物（２）を薄膜蒸留装置へ供給し、混合物（２）からビスフェノールＦとノボラック型フェノール樹脂とを分離することにより純度の高いビスフェノールＦと低粘度でハンドリングが良好で硬化物の耐熱性に優れるノボラック型フェノール樹脂が得られる。」
（２ｃ）「【００３４】
　第三工程は、具体的には、例えば、薄膜蒸留装置に混合物（２）を連続的に供給し、該蒸留器から発生する蒸発ガスの一部を分縮器を用いて凝縮させ、その凝縮液を該蒸留器に戻しながら蒸留し、該蒸発ガスの他の部分を全縮器を用いて凝縮させ、留出物としてビスフェノールＦを製造し、缶出物としてノボラック型フェノール樹脂を抜き出す。
【００３５】
　本発明で得られるビスフェノールＦの純度は９７重量％以上であり、好ましくは９８％以上となる。また、ノボラック型フェノール樹脂は、ＧＰＣ分析チャートの２核体面積％が４〜２０面積％、好ましくは５〜２０面積％となる。ノボラック型フェノール樹脂は、ＧＰＣ分析チャートの４核体面積％が９〜２５面積％、好ましくは１０〜２０面積％となる。そして、ノボラック型フェノール樹脂の４核体と２核体の面積比〔（４）／（２）〕は０．４〜２．５、好ましくは０．５〜２．０となる。 
　【００３６】
　本発明において全縮器を用いる場合、好ましく用いられる全縮器としては、多管式円筒形熱交換器、コイル式熱交換器等が挙げられる。また、分縮器を用いる場合、好ましく用いられる分縮器としては、多管式円筒形熱交換器、コイル式熱交換器等が挙げられる。また、蒸発器から全縮器に至る蒸発ラインを外部から冷却するようなタイプのものでもよい。」
（２ｄ）「【００５２】
　実施例２
　攪拌機、熱電対、環流冷却機、窒素導入管を有したステンレス製フラスコ１を窒素雰囲気に置換後、フラスコ１にフェノール１８８０ｇ（２０モル）、４１．５％ホルマリン４８ｇ（０．６７モル）及び蒸留水にて２０％に希釈した蓚酸４．２ｇを仕込み、攪拌しながら液温を１００℃まで１時間かけて昇温した。液温が１００℃に到達した後、更に１００℃にて２時間反応を行い、フェノールとホルムアルデヒドとを反応させ、フェノールと水とビスフェノールＦとノボラック型フェノール樹脂との混合物（１）を得た。混合物（１）の液温をその後１７０℃に昇温し、１５０ｍｍＨｇの減圧下３０分保持し、留分（反応水とフェノール）を槽１に受けた。その後混合物（１）は窒素導入管、ジャケット付きの槽２へ移送した。
　【００５３】
　槽２へ混合物（１）を移送後、空となったステンレス製フラスコ１を用いて、前記と同様にフェノールとホルムアルデヒドとの反応を計５回行い、留分はすべて槽１へ、混合物（１）はすべて槽２へ移送した。槽２では窒素雰囲気下、混合物（１）の液温を１７０℃に維持した。
　【００５４】
　次に、５バッチ分の混合物（１）を槽２から薄膜蒸留器へ連続的に供給し、フェノール留分を分離した。薄膜蒸留器による蒸留の条件は薄膜伝面の温度：１９０℃、薄膜伝面の圧力：２５ｍｍＨｇ、薄膜蒸留器への供給量：薄膜の伝面１ｃｍ２あたり２７ｇ／ｈｒである。留分は全て槽１へ、残分は全て窒素導入管、ジャケット付きの槽３へ移送した。
　【００５５】
　次に槽３中の液を、攪拌機、熱電対、環流冷却機、スチーム吹き込み装置、減圧装置を有したステンレス製フラスコ２へ移送しスチーム蒸留を行い、未反応のフェノールを除去したビスフェノールＦとノボラック型フェノール樹脂との混合物（２）を得た。スチーム蒸留の条件は、液温：１７０℃、フラスコ内の圧力：５０ｍｍＨｇ、スチーム供給量：１時間あたり１０Ｋｇのスチームを３時間である。スチーム供給停止後１７０℃、５０ｍｍＨｇの条件で２時間保持した後、混合物（２）を窒素導入管、ジャケット付きの槽４へ移送した。
　【００５６】
　混合物（２）を槽４から薄膜蒸留器へ連続的に供給し、蒸留により留出物としてビスフェノールＦを５８６ｇ、缶出物としてノボラック型フェノール樹脂７３ｇをそれぞれ得た。薄膜蒸留器による蒸留の条件は薄膜伝面熱媒温度：２２５℃、蒸留器出口の圧力：０．３ｍｍＨｇ、薄膜蒸留器への供給量：薄膜の伝面１ｃｍ２あたり１５ｇ／ｈｒである。
　【００５７】
　ＧＰＣによる分析の結果、得られたビスフェノールＦの純度は９９面積％であった。ノボラック型フェノール樹脂中の２核体の割合は６面積％、３核体の割合は８３面積％、４核体の割合は１１面積％であり、（４核体）／（２核体）面積比＝１．８であった。ノボラック型フェノール樹脂の粘度は０．１ｄＰａ・ｓ、軟化点は５６℃であった。このノボラック型フェノール樹脂を（ＰＮ２）とする。」
（２ｅ）「【００６９】
　比較例２
　第三工程の薄膜蒸留工程において、薄膜蒸留器へ混合物（２）の供給量を薄膜の伝面１ｃｍ２あたり２５ｇ／ｈｒに変更する以外は、実施例２と同様に処理し、留出物としてビ スフェノールＦを４９４ｇ、缶出物としてノボラック型フェノール樹脂１６０ｇをそれぞれ得た。
　【００７０】
　ＧＰＣによる分析の結果、得られたビスフェノールＦの純度は９９面積％であったものの、ノボラック型フェノール樹脂中の２核体の割合は３１面積％も含まれ、３核体の割合は５８面積％、４核体の割合は１０面積％であり、（４核体）／（２核体）面積比＝０．３であった。ノボラック型フェノール樹脂の粘度は０．１ｄＰａ・ｓ以下であり、また、タックが著しく軟化点は測定不能であった。このノボラック型フェノール樹脂を（ｐｎ２）とする。」
（２ｆ）「
　【０００７】
　しかしながら、前記特許文献１で開示された方法では、９９．６等の高純度のビスフェノールＦが得られるものの、得られるビスフェノール型ノボラック樹脂は粘度が高く、流動性、含浸性が十分でない。加えて、耐熱性も十分でない。
・・・
　【０００９】
　本発明の課題は、高純度のビスフェノールＦと、流動性、含侵性等ハンドリングに優れ、耐熱性にも優れるビスフェノール型ノボラック樹脂とを併産できる製造方法を提供することである。」
（２−３）刊行物３
　本件出願日前に頒布された刊行物であると認められる刊行物３には以下の記載がある。
（３ａ）「１．構造および特長
　ＷＦＥ薄膜蒸留装置の構造を第１図に示す。低真空用（内部コンデンサー型，外部コンデンサー型）と高真空用があり，操作真空度１．０ｍｍＨｇを境として両者を使い分ける。装置には外套を有する伝熱面と駆動装置によって回転する液分配盤およびロータがある。ロータにはワイパーが保持されており，ワイパーの保持方法には第２図および第３図に示すようにＡ型とＢ型の２種類がある。Ａ型とＢ型の使い分けは処理液性状により決定される。
　ワイパーは，このロータの回転による遠心力またはスプリング圧で押しつけられ，蒸発面をしゅう（審決注：原文は、てへんに習）動する。したがってワイパーは，液分配盤から出た処理液を蒸発面に押しひろげると共に，均一な液膜を形成し，さらに液表面を常に更新する作用を行う。
　通常はＡ型ワイパーを使用するが，高粘度液（１００００ｃｐ以上）やＡ型ワイパーの作動が阻害される付着性処理液の場合にはＢ型ワイパーを採用する。また，スラリーを含む処理液の場合にも本体胴やワイパーの摩耗を防止するため，Ｂ型ワイパーを採用しワイパーの面圧を下げて使用する。またワイパーに加工した溝は，ワイパー全面での液の飛散を防ぐと共に処理液を押し下げる作用も行う。」（１７頁左欄８行〜右欄２行）
（３ｂ）「
」（１７頁第１図、１８頁第２図及び第３図）
（２−４）刊行物４
　本件出願日前に頒布された刊行物であると認められる刊行物４には以下の記載がある。
（４ａ）「
 」（２頁第３−１図）
（２−５）刊行物５
　本件出願日前に頒布された刊行物であると認められる刊行物５には以下の記載がある。
（５ａ）「３　スミス式薄膜蒸留装置の特長の説明
１）ワイパー装備の意味
　図１に示したように，ワイパーを保持するロータが回転することにより，円周上４ヶ所に装備されたワイパーは半径方向に絶えず遠心力で押さえつけられ，処理液蒸発面に押しひろげるとともに，極度に薄く，かつ均一な被膜を形成する。薄膜にすることに加えて，ワイパーにより機械的な攪拌効果を与えるので，被膜中に激しい乱流を生ぜしめるから非常に高い熱効率を示す。また，ワイパーには溝が切り込まれており，ワイパー前面での液のまき込みや，つまりを防ぎ，高粘度物質に対しても蒸発面よりかき取り押し下げるようになっているから，蒸発面に固まりが発生したり，コゲ付きが起きることはない。
２）コンデンサー内蔵の意味
　低真空用薄膜蒸留装置では蒸発部の近くにＵチューブコンデンサーを内蔵している。このことは，蒸発面と凝縮面の静圧の差を最小にすることになり，さらにここでも前記ワイパーの働きによって処理液は薄膜化されているから，液中圧力を最小にすることに役立つ。すなわち，蒸発膜表面と液膜内部との真空度がほとんど同様であり，非常に高い真空度での蒸発操作が可能となる。もし，操作物質の蒸発量が多量の場合または高い真空度を要求しない場合には外部にコンデンサーを設けることも簡単にできる。」（１頁右欄２１行〜２頁左欄２２行）
（５ｂ）「
 」（１頁右欄　図２）
（３）刊行物１又は２に記載された発明
（３−１）刊行物１に記載された発明
ア　上記摘記事項（１ａ）には、高純度ビスフェノールＦ及びノボラック型フェノール樹脂の併産方法として、酸触媒の存在下、フェノールとホルムアルデヒドとを反応させ、得られた反応生成物から酸触媒、水及び未反応のフェノールを除去して粗ビスフェノールＦを得る調製工程と該粗ビスフェノールＦを蒸留することによって、留出物として２核体含量が９５重量％以上である高純度ビスフェノールＦを得、缶出物として２核体含量が１５面積％以下であるノボラック型フェノール樹脂を得る蒸留工程を含むものが記載され、上記摘記事項（１ｆ）には、上記摘記事項（１ａ）に対応した具体的実施例として、撹拌機、温度調節装置、還流冷却器、全縮器、減圧装置等を備えたステンレス製の撹拌槽型反応機に、フェノールに対して０．０４６重量％のシュウ酸２水和物を溶解したフェノール溶液と４７％ホルマリンとを、フェノール／ホルムアルデヒドのモル比（Ｐ／Ｆ）が２０、両溶液の合計供給量が３６０Ｋｇ／ｈｒとなるように調節して連続的に供給し、反応温度７０℃、滞留時間４時間で反応させ、得られた反応混合物を連続的に抜き出し、充填物蒸留塔に連続的にフィードし、２０ｍｍＨｇの減圧下、１７０℃に加熱して、水及び未反応物を取り除き、粗ビスフェノールＦを得た後、該粗ビスフェノールＦを、圧力３ｍｍＨｇで運転される遠心薄膜蒸発器に３０ｋｇ／ｈｒで連続的に供給し、留出物及び缶出物を連続的に抜き出し、該遠心薄膜蒸発器はジャケット付のものを用い、ジャケットには熱媒を流し、遠心薄膜蒸発器にはコイル式熱交換器を分縮器として設置し、蒸発ガスの一部が分縮器で分縮されることが記載されている。 
  
 イ　したがって、刊行物１には、「高純度ビスフェノールＦ及びノボラック型フェノール樹脂の併産方法として、酸触媒の存在下、フェノールとホルムアルデヒドとを反応させ、得られた反応生成物から酸触媒、水及び未反応のフェノールを除去して粗ビスフェノールＦを得る調製工程と該粗ビスフェノールＦを蒸留することによって、留出物として２核体含量が９５重量％以上である高純度ビスフェノールＦを得、缶出物として２核体含量が１５面積％以下であるノボラック型フェノール樹脂を得る蒸留工程を含むものにおいて、撹拌機、温度調節装置、還流冷却器、全縮器、減圧装置等を備えたステンレス製の撹拌槽型反応機に、フェノールに対して０．０４６重量％のシュウ酸２水和物を溶解したフェノール溶液と４７％ホルマリンとを、フェノール／ホルムアルデヒドのモル比（Ｐ／Ｆ）が２０、両溶液の合計供給量が３６０Ｋｇ／ｈｒとなるように調節して連続的に供給し、反応温度７０℃、滞留時間４時間で反応させ、得られた反応混合物を連続的に抜き出し、充填物蒸留塔に連続的にフィードし、２０ｍｍＨｇの減圧下、１７０℃に加熱して、水及び未反応物を取り除き、粗ビスフェノールＦを得た後、該粗ビスフェノールＦを、圧力３ｍｍＨｇで運転される遠心薄膜蒸発器に３０ｋｇ／ｈｒで連続的に供給し、留出物及び缶出物を連続的に抜き出し、該遠心薄膜蒸発器はジャケット付のものを用い、ジャケットには熱媒を流し、遠心薄膜蒸発器にはコイル式熱交換器を分縮器として設置し、蒸発ガスの一部が分縮器で分縮される方法」の発明（以下、
「刊行物１方法発明」
「刊行物１装置発明」
（３−２）刊行物２に記載された発明
ア　上記摘記事項（２ａ）には、酸触媒の存在下、フェノールとホルムアルデヒドとを反応させ、フェノールとビスフェノールＦとノボラック型フェノール樹脂との混合物（１）を得る第一工程、 混合物（１）に対して薄膜蒸留を行った後、更にスチーム蒸留を行い、該混合物から未反応のフェノールを除去しビスフノェールＦとノボラック型フェノール樹脂との混合物（２）を得る第二工程、および薄膜伝面熱媒温度が２００〜２５０℃、蒸留機出口圧力が０．１〜３ｍｍＨｇに保たれた薄膜蒸留器へ混合物（２）を該薄膜の伝面１ｃｍ２あたり８〜２０ｇ／ｈｒの供給量となるように供給し蒸留することにより、混合物（２）から留出物としてビスフェノールＦを得、缶出物としてノボラック型フェノール樹脂とを得る第三工程を含有するビスフェノールＦ及びノボラック型フェノール樹脂の併産方法が記載されており、上記摘記事項（２ｂ）には、第三工程において、混合物（２）を薄膜蒸留装置へ供給し、蒸留することにより、混合物（２）から留出物としてビスフェノールＦを得、缶出物としてノボラック型フェノール樹脂とを得る条件により混合物（２）を薄膜蒸留装置へ供給し、混合物（２）からビスフェノールＦとノボラック型フェノール樹脂とを分離することにより純度の高いビスフェノールＦと低粘度でハンドリングが良好で硬化物の耐熱性に優れるノボラック型フェノール樹脂が得られることが記載され、上記摘記事項（２ｃ）には、第三工程は、具体的には、例えば、薄膜蒸留装置に混合物（２）を連続的に供給し、該蒸留器から発生する蒸発ガスの一部を分縮器を用いて凝縮させ、その凝縮液を該蒸留器に戻しながら蒸留し、該蒸発ガスの他の部分を全縮器を用いて凝縮させ、留出物としてビスフェノールＦを製造し、缶出物としてノボラック型フェノール樹脂を抜き出すことが記載されている。 
　そして、上記摘記事項（２ｄ）には、上記摘記事項（２ａ）〜（２ｃ）に対応した具体的実施例として、混合物（２）を薄膜蒸留器へ連続的に供給し、蒸留により留出物としてビスフェノールＦを、缶出物としてノボラック型フェノール樹脂それぞれ得たことが記載されている。 
イ　したがって、刊行物２には、「酸触媒の存在下、フェノールとホルムアルデヒドとを反応させ、フェノールとビスフェノールＦとノボラック型フェノール樹脂との混合物（１）を得る第一工程、 混合物（１）に対して薄膜蒸留を行った後、更にスチーム蒸留を行い、該混合物から未反応のフェノールを除去しビスフノェールＦとノボラック型フェノール樹脂との混合物（２）を得る第二工程、および薄膜伝面熱媒温度が２００〜２５０℃、蒸留機出口圧力が０．１〜３ｍｍＨｇに保たれた薄膜蒸留器へ混合物（２）を該薄膜の伝面１ｃｍ２あたり８〜２０ｇ／ｈｒの供給量となるように供給し蒸留することにより、混合物（２）から留出物としてビスフェノールＦを得、缶出物としてノボラック型フェノール樹脂とを得る第三工程を含有するビスフェノールＦ及びノボラック型フェノール樹脂の併産方法として、第三工程で、純度の高いビスフェノールＦと低粘度でハンドリングが良好で硬化物の耐熱性に優れるノボラック型フェノール樹脂が得られ、薄膜蒸留装置に混合物（２）を連続的に供給し、該蒸留器から発生する蒸発ガスの一部を分縮器を用いて凝縮させ、その凝縮液を該蒸留器に戻しながら蒸留する方法」の発明（以下、
「刊行物２方法発明」
「刊行物２装置発明」
（４）　対比・判断
（４−１）本件特許発明１について
ア−１　対比
（ア−１）刊行物１方法発明との対比
　本件特許発明１と刊行物１方法発明とを対比すると、刊行物１方法発明の「酸触媒の存在下、フェノールとホルムアルデヒドとを反応させ、得られた反応生成物から酸触媒、水及び未反応のフェノールを除去して粗ビスフェノールＦを得る調製工程と該粗ビスフェノールＦを蒸留することによって、留出物として２核体含量が９５重量％以上である高純度ビスフェノールＦを得、缶出物として２核体含量が１５面積％以下であるノボラック型フェノール樹脂を得る蒸留工程を含む」「高純度ビスフェノールＦ及びノボラック型フェノール樹脂の併産方法」は、本件特許発明１の、「酸触媒の存在下、フェノールとホルムアルデヒドとを反応させ、得られた反応生成物から酸触媒、水及び未反応のフェノールを除去して得られる粗ビスフェノールＦ及び/または粗フェノールノボラック樹脂を、蒸留工程によって分離して蒸留成分として高純度ビスフェノールＦを得る、高純度ビスフェノールＦの製造方法」に該当する。
　また、刊行物１方法発明の「遠心薄膜蒸発器」は本件特許発明１の「縦型回転式薄膜蒸発器」に相当し、刊行物１方法発明の「遠心薄膜蒸発器」が「ジャケット付のもの」であることは、本件特許発明１の「蒸発器が外面に加熱手段」「を有している」ことに該当し、刊行物１方法発明の「分縮器」は、本件特許発明１の「コンデンサー」であるから、刊行物１方法発明の「粗ビスフェノールＦを得た後、該粗ビスフェノールＦを、圧力３ｍｍＨｇで運転される遠心薄膜蒸発器に３０ｋｇ／ｈｒで連続的に供給し、留出物及び缶出物を連続的に抜き出し、該遠心薄膜蒸発器はジャケット付のものを用い、ジャケットには熱媒を流し、遠心薄膜蒸発器にはコイル式熱交換器を分縮器として設置し、蒸発ガスの一部が分縮器で分縮される」ことは、本件特許発明１の「蒸留工程で用いる蒸発器が外面に加熱手段」を有し、「コンデンサーが薄膜蒸発器」「に設置されている」「縦型回転式薄膜蒸発器を使用すること」に該当する。
（イ−１）一致点・相違点の認定
　本件特許発明１と刊行物１方法発明とは、「酸触媒の存在下、フェノールとホルムアルデヒドとを反応させ、得られた反応生成物から酸触媒、水及び未反応のフェノールを除去して得られる粗ビスフェノールＦ及び/または粗フェノールノボラック樹脂を、蒸留工程によって分離して蒸留成分として高純度ビスフェノールＦを得る、高純度ビスフェノールＦの製造方法において、蒸留工程で用いる蒸発器が外面に加熱手段を有している蒸発器本体を有する縦型回転式薄膜蒸発器であって、コンデンサーが薄膜蒸発器に設置されている縦型回転式薄膜蒸発器を使用する高純度ビスフェノールＦの製造方法。」である点で一致し、以下の点で相違する。
　相違点１−１：蒸発器に関し、本件特許発明１は、上部に液供給口と蒸気抜出口、下部に残渣排出口を有していること、主体部が円筒状の蒸発器本体であること、その内部に設置されている蒸発器本体の内壁面に沿って周方向に移動する翼付き内部回転体を有すること、翼付き内部回転体は本体器胴の内周面の加熱蒸発面に直接接触する溝付きワイパー状の部品を有すること、かつ該溝付きワイパー状の部品を支持する部分以外に蒸気通路用の空間を有することが特定されているのに対して、刊行物１方法発明は、使用した遠心薄膜蒸発器の本体構造や構成部材について明らかでない点  
　相違点２−１：コンデンサーに関し、本件特許発明１は、薄膜蒸発器の外部に設置されているのに対し、刊行物１方法発明は、設置位置が明らかでない点
　相違点３−１：粗ビスフェノールＦの蒸留工程の条件に関して、本件特許発明１は、「圧力３〜７ｍｍＨｇ、熱媒温度２６０〜３００℃に保たれた蒸発器に、該粗ビスフェノールＦまたは該粗フェノールノボラック樹脂を該蒸発器の伝熱面積１ｍ２あたり３８〜１４３ｋｇ／ｈｒの供給量となるように連続的に供給し、蒸発成分と缶出物を該蒸発器から連続的に取り出しながら、単蒸留にて高純度ビスフェノールＦを得ること」が特定されているのに対して、刊行物１方法発明は、粗ビスフェノールＦを得た後、該粗ビスフェノールＦを、圧力３ｍｍＨｇで運転される遠心薄膜蒸発器に３０ｋｇ／ｈｒで連続的に供給し、留出物及び缶出物を連続的に抜き出すことが特定されている点
イ−１　相違点の判断 
　事案に鑑み相違点３−１について検討する。
（ア−１）相違点３−１の判断について
　刊行物１方法発明では、粗ビスフェノールＦの蒸留工程の条件に関して、圧力３ｍｍＨｇで運転される遠心薄膜蒸発器に３０ｋｇ／ｈｒで連続的に供給される以外の蒸留条件の特定の記載はない。
　そして、刊行物１には、請求項１や【００１４】に粗ビスフェノールの蒸留条件として、圧力１〜５ｍｍＨｇ、温度２２０〜２５０℃とすることの記載はあるものの、本件特許発明１の「圧力３〜７ｍｍＨｇ、熱媒温度２６０〜３００℃に保たれた蒸発器に、該粗ビスフェノールＦまたは該粗フェノールノボラック樹脂を該蒸発器の伝熱面積１ｍ２あたり３８〜１４３ｋｇ／ｈｒの供給量となるように連続的に供給し」する蒸留条件や、「蒸発成分と缶出物を該蒸発器から連続的に取り出しながら、単蒸留にて高純度ビスフェノールＦを得ること」という蒸留形式に関しても記載も示唆もなく、むしろ【００４５】の比較例５においては、２６０℃を越えるる温度でビスフェノールＦの分解によるフェノールの生成で安定な運転ができなかった旨記載されている。
　したがって、刊行物１方法発明において、上記蒸留条件や蒸留形式に着目してそれらを相違点３−１に関する本件特許発明１の構成のとおり変更する動機付けはない。
　また、刊行物３〜５には、ＷＦＥ薄膜蒸留装置が記載されており、上部に液供給口と蒸気抜出口、下部に残渣排出口を有し、蒸発器本体が円筒状であり、、その内部に設置されている蒸発器本体の内壁面に沿って周方向に移動する翼付き内部回転体を有し、翼付き内部回転体は本体器胴の内周面の加熱蒸発面に直接接触する溝付きワイパー状の部品を有し、該溝付きワイパー状の部品を支持する部分以外に蒸気通路用の空間を有するものに関して記載はあるものの、これらの刊行物の記載を参酌しても、刊行物１方法発明において、上記蒸留条件や蒸留形式に着目してそれらを相違点３−１に関する本件特許発明１の構成のとおり変更する動機付けはないことには変わりがなく、粗ビスフェノールＦの蒸留工程の条件を、圧力３〜７ｍｍＨｇ、熱媒温度２６０〜３００℃に保たれた蒸発器に、該粗ビスフェノールＦまたは該粗フェノールノボラック樹脂を該蒸発器の伝熱面積１ｍ２あたり３８〜１４３ｋｇ／ｈｒの供給量となるように連続的に供給し、蒸発成分と缶出物を該蒸発器から連続的に取り出しながら、単蒸留にて高純度ビスフェノールＦを得る構成とすることは当業者といえども容易になし得たものとはいえない。
　したがって、相違点１−１，相違点２−１について検討するまでもなく、本件特許発明１は、刊行物１に記載された発明及び刊行物３〜５に記載された技術的事項から容易に発明することができたものとはいえない。
ア−２　対比  
（ア−２）刊行物２方法発明との対比
　本件特許発明１と刊行物２方法発明とを対比すると、刊行物２方法発明の「酸触媒の存在下、フェノールとホルムアルデヒドとを反応させ、フェノールとビスフェノールＦとノボラック型フェノール樹脂との混合物（１）を得る第一工程、混合物（１）に対して薄膜蒸留を行った後、更にスチーム蒸留を行い、該混合物から未反応のフェノールを除去しビスフノェールＦとノボラック型フェノール樹脂との混合物（２）を得る第二工程、および薄膜伝面熱媒温度が２００〜２５０℃、蒸留機出口圧力が０．１〜３ｍｍＨｇに保たれた薄膜蒸留器へ混合物（２）を該薄膜の伝面１ｃｍ２あたり８〜２０ｇ／ｈｒの供給量となるように供給し蒸留することにより、混合物（２）から留出物としてビスフェノールＦを得、缶出物としてノボラック型フェノール樹脂とを得る第三工程を含有するビスフェノールＦ及びノボラック型フェノール樹脂の併産方法」および「第三工程で、純度の高いビスフェノールＦと低粘度でハンドリングが良好で硬化物の耐熱性に優れるノボラック型フェノール樹脂が得られ」ることは、本件特許発明１の、「酸触媒の存在下、フェノールとホルムアルデヒドとを反応させ、得られた反応生成物から酸触媒、水及び未反応のフェノールを除去して得られる粗ビスフェノールＦ及び/または粗フェノールノボラック樹脂を、蒸留工程によって分離して蒸留成分として高純度ビスフェノールＦを得る、高純度ビスフェノールＦの製造方法」に該当する。
　また、刊行物２方法発明の「分縮器」は、本件特許発明１の「コンデンサー」であり、「薄膜伝面熱媒温度が２００〜２５０℃・・・に保たれた薄膜蒸留器」であることは、蒸発器が加熱手段を有していることに他ならないから、刊行物２方法発明の「薄膜伝面熱媒温度が２００〜２５０℃」「に保たれた薄膜蒸留器へ」「供給し蒸留することにより」「第三工程で、純度の高いビスフェノールＦと低粘度でハンドリングが良好で硬化物の耐熱性に優れるノボラック型フェノール樹脂が得られ、薄膜蒸留装置に混合物（２）を連続的に供給し、該蒸留器から発生する蒸発ガスの一部を分縮器を用いて凝縮させ、その凝縮液を該蒸留器に戻しながら蒸留する」ことは、本件特許発明１の「蒸留工程で用いる蒸発器が」「加熱手段」を有し、「コンデンサーが薄膜蒸発器」「に設置されている」「薄膜蒸発器を使用すること」に該当する。
（イ−２）一致点・相違点の認定
　本件特許発明１と刊行物２方法発明とは、「酸触媒の存在下、フェノールとホルムアルデヒドとを反応させ、得られた反応生成物から酸触媒、水及び未反応のフェノールを除去して得られる粗ビスフェノールＦ及び/または粗フェノールノボラック樹脂を、蒸留工程によって分離して蒸留成分として高純度ビスフェノールＦを得る、高純度ビスフェノールＦの製造方法において、蒸留工程で用いる蒸発器が加熱手段を有している蒸発器本体を有する薄膜蒸発器であって、コンデンサーが薄膜蒸発器に設置されている薄膜蒸発器を使用する高純度ビスフェノールＦの製造方法。」である点で一致し、以下の点で相違する。
　相違点１−２：蒸発器に関し、本件特許発明１は、上部に液供給口と蒸気抜出口、下部に残渣排出口を有していること、加熱手段の位置が蒸発器外面であること、主体部が円筒状の蒸発器本体であること、その内部に設置されている蒸発器本体の内壁面に沿って周方向に移動する翼付き内部回転体を有すること、翼付き内部回転体は本体器胴の内周面の加熱蒸発面に直接接触する溝付きワイパー状の部品を有すること、かつ該溝付きワイパー状の部品を支持する部分以外に蒸気通路用の空間を有することが特定される縦型回転式であるのに対して、刊行物２方法発明は、使用した薄膜蒸発器の本体構造、形式や構成部材について明らかでない点
　相違点２−２：コンデンサーに関し、本件特許発明１は、薄膜蒸発器の外部に設置されているのに対し、刊行物２方法発明は、設置位置が明らかでない点
　相違点３−２：粗ビスフェノールＦの蒸留工程の条件に関して、本件特許発明１は、「圧力３〜７ｍｍＨｇ、熱媒温度２６０〜３００℃に保たれた蒸発器に、該粗ビスフェノールＦまたは該粗フェノールノボラック樹脂を該蒸発器の伝熱面積１ｍ２あたり３８〜１４３ｋｇ／ｈｒの供給量となるように連続的に供給し、蒸発成分と缶出物を該蒸発器から連続的に取り出しながら、単蒸留にて高純度ビスフェノールＦを得ること」が特定されているのに対して、刊行物２方法発明は、反応混合物を薄膜蒸留を行った後、さらにスチーム蒸留を行い、未反応フェノール除去後、薄膜伝面熱媒温度がが２００〜２５０℃、蒸留機出口圧力が０．１〜３ｍｍＨｇに保たれた薄膜蒸留器へ混合物（２）を該薄膜の伝面１ｃｍ２あたり８〜２０ｇ／ｈｒの供給量となるように供給し蒸留することが特定されている点
イ−２　相違点の判断
　事案に鑑み相違点３−２について検討する。
（ア−２）相違点３−２の判断について
　刊行物２方法発明では、混合物（１）に対して薄膜蒸留、スチーム蒸留を順に行った上でさらに薄膜蒸留することを前提としているものであり、粗ビスフェノールＦの蒸留工程の条件に関して、薄膜伝面熱媒温度がが２００〜２５０℃、蒸留機出口圧力が０．１〜３ｍｍＨｇに保たれた薄膜蒸留器へ混合物（２）を該薄膜の伝面１ｃｍ２あたり８〜２０ｇ／ｈｒの供給量となるように供給し蒸留することが特定されている。
　そして、刊行物２には、本件特許発明１の「圧力３〜７ｍｍＨｇ、熱媒温度２６０〜３００℃に保たれた蒸発器に、該粗ビスフェノールＦまたは該粗フェノールノボラック樹脂を該蒸発器の伝熱面積１ｍ２あたり３８〜１４３ｋｇ／ｈｒの供給量となるように連続的に供給し」する蒸留条件や、「蒸発成分と缶出物を該蒸発器から連続的に取り出しながら、単蒸留にて高純度ビスフェノールＦを得ること」という蒸留形式に関しても記載も示唆もない。
　そして、多段蒸留を前提とする刊行物２方法発明において、上記蒸留条件や蒸留形式に着目してそれらを相違点３−２に関する本件特許発明１の構成のとおり変更する動機付けはない。
　また、刊行物３〜５には、ＷＦＥ薄膜蒸留装置が記載されており、上部に液供給口と蒸気抜出口、下部に残渣排出口を有し、蒸発器本体が円筒状であり、、その内部に設置されている蒸発器本体の内壁面に沿って周方向に移動する翼付き内部回転体を有し、翼付き内部回転体は本体器胴の内周面の加熱蒸発面に直接接触する溝付きワイパー状の部品を有し、該溝付きワイパー状の部品を支持する部分以外に蒸気通路用の空間を有するものに関して記載はあるものの、これらの刊行物の記載を参酌しても、刊行物２方法発明において、上記蒸留条件や蒸留形式に着目してそれらを相違点３−２に関する本件特許発明１の構成のとおり変更する動機付けはないことには変わりがなく、粗ビスフェノールＦの蒸留工程の条件を、圧力３〜７ｍｍＨｇ、熱媒温度２６０〜３００℃に保たれた蒸発器に、該粗ビスフェノールＦまたは該粗フェノールノボラック樹脂を該蒸発器の伝熱面積１ｍ２あたり３８〜１４３ｋｇ／ｈｒの供給量となるように連続的に供給し、蒸発成分と缶出物を該蒸発器から連続的に取り出しながら、単蒸留にて高純度ビスフェノールＦを得る構成とすることは当業者といえども容易になし得たものとはいえない。
　したがって、相違点１−２，相違点２−２について検討するまでもなく、本件特許発明１は、刊行物２に記載された発明及び刊行物３〜５に記載された技術的事項から容易に発明することができたものとはいえない。
（４−３）本件特許発明３について
ア−１　対比
（ア−１）刊行物１装置発明との対比
　本件特許発明３と刊行物１装置発明とを対比すると、刊行物１装置発明の「酸触媒の存在下、フェノールとホルムアルデヒドとを反応させ、得られた反応生成物から酸触媒、水及び未反応のフェノールを除去して粗ビスフェノールＦを得る調製工程と該粗ビスフェノールＦを蒸留することによって、留出物として２核体含量が９５重量％以上である高純度ビスフェノールＦを得、缶出物として２核体含量が１５面積％以下であるノボラック型フェノール樹脂を得る蒸留工程を含む高純度ビスフェノールＦ及びノボラック型フェノール樹脂の併産方法」は、本件特許発明３の、「請求項１に記載の製造方法」の特定に含まれる「酸触媒の存在下、フェノールとホルムアルデヒドとを反応させ、得られた反応生成物から酸触媒、水及び未反応のフェノールを除去して得られる粗ビスフェノールＦ及び/または粗フェノールノボラック樹脂を、蒸留工程によって分離して蒸留成分として高純度ビスフェノールＦを得る、高純度ビスフェノールＦの製造方法」である限りにおいて共通する。
　そして、刊行物１装置発明の「酸触媒の存在下、フェノールとホルムアルデヒドとを反応させ、得られた反応生成物から酸触媒、水及び未反応のフェノールを除去して粗ビスフェノールＦを得る調製工程と該粗ビスフェノールＦを蒸留することによって、留出物として２核体含量が９５重量％以上である高純度ビスフェノールＦを得、缶出物として２核体含量が１５面積％以下であるノボラック型フェノール樹脂を得る蒸留工程を含む高純度ビスフェノールＦ及びノボラック型フェノール樹脂の併産方法に用いられる装置」は、本件特許発明３の、「請求項１に記載の製造方法に用いられる、高純度ビスフェノールＦ製造用の」「蒸発器」と、「酸触媒の存在下、フェノールとホルムアルデヒドとを反応させ、得られた反応生成物から酸触媒、水及び未反応のフェノールを除去して得られる粗ビスフェノールＦ及び/または粗フェノールノボラック樹脂を、蒸留工程によって分離して蒸留成分として高純度ビスフェノールＦを得る、高純度ビスフェノールＦの製造方法」である限りにおいて共通する。
　また、刊行物１装置発明の「遠心薄膜蒸発器」は本件特許発明３の「縦型回転式薄膜蒸発器」に相当し、刊行物１装置発明の「遠心薄膜蒸発器」が「ジャケット付のもの」であることは、本件特許発明１の「蒸発器が外面に加熱手段」「を有している」ことに該当し、刊行物１装置発明の「分縮器」は、本件特許発明３の「コンデンサー」であるから、刊行物１装置発明の「粗ビスフェノールＦを得た後、該粗ビスフェノールＦを、圧力３ｍｍＨｇで運転される遠心薄膜蒸発器に３０ｋｇ／ｈｒで連続的に供給し、留出物及び缶出物を連続的に抜き出し、該遠心薄膜蒸発器はジャケット付のものを用い、ジャケットには熱媒を流し、遠心薄膜蒸発器にはコイル式熱交換器を分縮器として設置し、蒸発ガスの一部が分縮器で分縮される」ことは、本件特許発明３の「蒸留工程で用いる蒸発器が外面に加熱手段」を有し、「コンデンサーが薄膜蒸発器」「に設置されている」「縦型回転式薄膜蒸発器である」ことに該当する。
（イ−１）一致点・相違点の認定
　本件特許発明３と刊行物１装置発明とは、「酸触媒の存在下、フェノールとホルムアルデヒドとを反応させ、得られた反応生成物から酸触媒、水及び未反応のフェノールを除去して得られる粗ビスフェノールＦ及び/または粗フェノールノボラック樹脂を、蒸留工程によって分離して蒸留成分として高純度ビスフェノールＦを得る、高純度ビスフェノールＦの製造方法において用いられる、蒸留工程で用いる蒸発器が外面に加熱手段を有している蒸発器本体を有する縦型回転式薄膜蒸発器であって、コンデンサーが薄膜蒸発器に設置されている高純度ビスフェノールＦ製造用の縦型回転式薄膜蒸発器。」である点で一致し、以下の点で相違する。
　相違点１−１’’：蒸発器に関し、本件特許発明３は、上部に液供給口と蒸気抜出口、下部に残渣排出口を有していること、主体部が円筒状の蒸発器本体であること、その内部に設置されている蒸発器本体の内壁面に沿って周方向に移動する翼付き内部回転体を有すること、翼付き内部回転体は本体器胴の内周面の加熱蒸発面に直接接触する溝付きワイパー状の部品を有すること、かつ該溝付きワイパー状の部品を支持する部分以外に蒸気通路用の空間を有することが特定されているのに対して、刊行物１装置発明は、使用した遠心薄膜蒸発器の本体構造や構成部材について明らかでない点
　相違点２−１’’：コンデンサーに関し、本件特許発明３は、薄膜蒸発器の外部に設置されているのに対し、刊行物１装置発明は、設置位置が明らかでない点
　相違点３−１’’：蒸発器を用いる製造方法の粗ビスフェノールＦの蒸留工程の条件に関して、本件特許発明３は、「圧力３〜７ｍｍＨｇ、熱媒温度２６０〜３００℃に保たれた蒸発器に、該粗ビスフェノールＦまたは該粗フェノールノボラック樹脂を該蒸発器の伝熱面積１ｍ２あたり３８〜１４３ｋｇ／ｈｒの供給量となるように連続的に供給し、蒸発成分と缶出物を該蒸発器から連続的に取り出しながら、単蒸留にて高純度ビスフェノールＦを得る」製造方法に装置を用いることが特定されているのに対して、刊行物１装置発明は、粗ビスフェノールＦを得た後、該粗ビスフェノールＦを、圧力３ｍｍＨｇで運転される遠心薄膜蒸発器に３０ｋｇ／ｈｒで連続的に供給し、留出物及び缶出物を連続的に抜き出すことが製造方法に関して特定されているだけで、その他の蒸留条件の明らかでない装置である点
イ−１　相違点の判断
　事案に鑑み相違点３−１’’について検討する。
（ア−１）相違点３−１’’の判断について
　本件特許発明３は、「縦型回転式薄膜蒸発器である請求項１に記載の製造方法に用いられる、高純度ビスフェノールＦ製造用の縦型回転式薄膜蒸発器」と特定した上で、請求項１の高純度ビスフェノールＦの製造方法を装置として特定した発明である。
　従って、上記（４−１）イ−１（ア−１）で検討したのと同様に、刊行物１装置発明において、粗ビスフェノールＦの蒸留工程の条件を、圧力３〜７ｍｍＨｇ、熱媒温度２６０〜３００℃に保たれた蒸発器に、該粗ビスフェノールＦまたは該粗フェノールノボラック樹脂を該蒸発器の伝熱面積１ｍ２あたり３８〜１４３ｋｇ／ｈｒの供給量となるように連続的に供給し、蒸発成分と缶出物を該蒸発器から連続的に取り出しながら、単蒸留にて高純度ビスフェノールＦを得る製造方法に用いるという相違点３−１’’の構成は、刊行物１に記載された発明及び刊行物３〜５に記載された技術的事項から当業者が容易になし得るものとはいえず、相違点１−１’’，相違点２−１’’について検討するまでもなく、本件特許発明３は、刊行物１に記載された発明及び刊行物３〜５に記載された技術的事項から容易に発明することができたものとはいえない。
ア−２　対比
（ア−２）刊行物２装置発明との対比
　本件特許発明３と刊行物２装置発明とを対比すると、刊行物２装置発明の「酸触媒の存在下、フェノールとホルムアルデヒドとを反応させ、フェノールとビスフェノールＦとノボラック型フェノール樹脂との混合物（１）を得る第一工程、 混合物（１）に対して薄膜蒸留を行った後、更にスチーム蒸留を行い、該混合物から未反応のフェノールを除去しビスフノェールＦとノボラック型フェノール樹脂との混合物（２）を得る第二工程、および薄膜伝面熱媒温度が２００〜２５０℃、蒸留機出口圧力が０．１〜３ｍｍＨｇに保たれた薄膜蒸留器へ混合物（２）を該薄膜の伝面１ｃｍ２あたり８〜２０ｇ／ｈｒの供給量となるように供給し蒸留することにより、混合物（２）から留出物としてビスフェノールＦを得、缶出物としてノボラック型フェノール樹脂とを得る第三工程を含有するビスフェノールＦ及びノボラック型フェノール樹脂の併産方法」および「第三工程で、純度の高いビスフェノールＦと低粘度でハンドリングが良好で硬化物の耐熱性に優れるノボラック型フェノール樹脂が得られ」ることは、本件特許発明３の、「請求項１に記載の製造方法」の特定に含まれる「酸触媒の存在下、フェノールとホルムアルデヒドとを反応させ、得られた反応生成物から酸触媒、水及び未反応のフェノールを除去して得られる粗ビスフェノールＦ及び/または粗フェノールノボラック樹脂を、蒸留工程によって分離して蒸留成分として高純度ビスフェノールＦを得る、高純度ビスフェノールＦの製造方法」である限りにおいて共通する。
　そして、刊行物２装置発明の「酸触媒の存在下、フェノールとホルムアルデヒドとを反応させ、フェノールとビスフェノールＦとノボラック型フェノール樹脂との混合物（１）を得る第一工程、 混合物（１）に対して薄膜蒸留を行った後、更にスチーム蒸留を行い、該混合物から未反応のフェノールを除去しビスフノェールＦとノボラック型フェノール樹脂との混合物（２）を得る第二工程、および薄膜伝面熱媒温度が２００〜２５０℃、蒸留機出口圧力が０．１〜３ｍｍＨｇに保たれた薄膜蒸留器へ混合物（２）を該薄膜の伝面１ｃｍ２あたり８〜２０ｇ／ｈｒの供給量となるように供給し蒸留することにより、混合物（２）から留出物としてビスフェノールＦを得、缶出物としてノボラック型フェノール樹脂とを得る第三工程を含有するビスフェノールＦ及びノボラック型フェノール樹脂の併産方法に用いられる装置として、第三工程で、純度の高いビスフェノールＦと低粘度でハンドリングが良好で硬化物の耐熱性に優れるノボラック型フェノール樹脂が得られ、薄膜蒸留装置に混合物（２）を連続的に供給し、該蒸留器から発生する蒸発ガスの一部を分縮器を用いて凝縮させ、その凝縮液を該蒸留器に戻しながら蒸留する方法に用いる薄膜蒸留器」は、本件特許発明３の、「請求項１に記載の製造方法に用いられる、高純度ビスフェノールＦ製造用の」「蒸発器」と、「酸触媒の存在下、フェノールとホルムアルデヒドとを反応させ、得られた反応生成物から酸触媒、水及び未反応のフェノールを除去して得られる粗ビスフェノールＦ及び/または粗フェノールノボラック樹脂を、蒸留工程によって分離して蒸留成分として高純度ビスフェノールＦを得る、高純度ビスフェノールＦの製造方法において用いられる、高純度ビスフェノールＦ製造用の薄膜蒸発器」である限りにおいて共通している。
　また、刊行物２装置発明の「分縮器」は、本件特許発明１の「コンデンサー」であり、「薄膜伝面熱媒温度が２００〜２５０℃・・・に保たれた薄膜蒸留器」であることは、蒸発器が加熱手段を有していることに他ならないから、刊行物２装置発明の「薄膜伝面熱媒温度が２００〜２５０℃」「に保たれた薄膜蒸留器へ」「供給し蒸留することにより」「第三工程で、純度の高いビスフェノールＦと低粘度でハンドリングが良好で硬化物の耐熱性に優れるノボラック型フェノール樹脂が得られ、薄膜蒸留装置に混合物（２）を連続的に供給し、該蒸留器から発生する蒸発ガスの一部を分縮器を用いて凝縮させ、その凝縮液を該蒸留器に戻しながら蒸留する方法に用いる薄膜蒸留器」は、本件特許発明１の「蒸留工程で用いる蒸発器が」「加熱手段」を有し、「コンデンサーが薄膜蒸発器」「に設置されている」「高純度ビスフェノールＦ製造用の」「薄膜蒸発器」に該当する。
（イ−２）一致点・相違点の認定
　本件特許発明３と刊行物２装置発明とは、「酸触媒の存在下、フェノールとホルムアルデヒドとを反応させ、得られた反応生成物から酸触媒、水及び未反応のフェノールを除去して得られる粗ビスフェノールＦ及び/または粗フェノールノボラック樹脂を、蒸留工程によって分離して蒸留成分として高純度ビスフェノールＦを得る、高純度ビスフェノールＦの製造方法において用いられる、蒸留工程で用いる蒸発器が加熱手段を有している蒸発器本体を有する薄膜蒸発器であって、コンデンサーが薄膜蒸発器に設置されている高純度ビスフェノールＦ製造用の薄膜蒸発器。」である点で一致し、以下の点で相違する。 
　相違点１−２’’：蒸発器に関し、本件特許発明３は、上部に液供給口と蒸気抜出口、下部に残渣排出口を有していること、加熱手段の位置が蒸発器外面であること、主体部が円筒状の蒸発器本体であること、その内部に設置されている蒸発器本体の内壁面に沿って周方向に移動する翼付き内部回転体を有すること、翼付き内部回転体は本体器胴の内周面の加熱蒸発面に直接接触する溝付きワイパー状の部品を有すること、かつ該溝付きワイパー状の部品を支持する部分以外に蒸気通路用の空間を有することが特定される縦型回転式であるのに対して、刊行物２装置発明は、薄膜蒸発器の本体構造、形式や構成部材について明らかでない点
　相違点２−２’’：コンデンサーに関し、本件特許発明３は、薄膜蒸発器の外部に設置されているのに対し、刊行物２装置発明は、設置位置が明らかでない点
　相違点３−２’’：蒸発器を用いる製造方法の粗ビスフェノールＦの蒸留工程の条件に関して、本件特許発明３は、「圧力３〜７ｍｍＨｇ、熱媒温度２６０〜３００℃に保たれた蒸発器に、該粗ビスフェノールＦまたは該粗フェノールノボラック樹脂を該蒸発器の伝熱面積１ｍ２あたり３８〜１４３ｋｇ／ｈｒの供給量となるように連続的に供給し、蒸発成分と缶出物を該蒸発器から連続的に取り出しながら、単蒸留にて高純度ビスフェノールＦを得る」製造方法に装置を用いることが特定されているのに対して、刊行物２装置発明は、反応混合物を薄膜蒸留を行った後、さらにスチーム蒸留を行い、未反応フェノール除去後、薄膜伝面熱媒温度がが２００〜２５０℃、蒸留機出口圧力が０．１〜３ｍｍＨｇに保たれた薄膜蒸留器へ混合物（２）を該薄膜の伝面１ｃｍ２あたり８〜２０ｇ／ｈｒの供給量となるように供給し蒸留することが特定されている点装置である点
イ−２　相違点の判断
　事案に鑑み相違点３−２’’について検討する。
（ア−１）相違点３−２’’の判断について
　本件特許発明３は、「縦型回転式薄膜蒸発器である請求項１に記載の製造方法に用いられる、高純度ビスフェノールＦ製造用の縦型回転式薄膜蒸発器」と特定した上で、請求項１の高純度ビスフェノールＦの製造方法を装置として特定した発明である。
　従って、上記（４−１）イ−２（ア−２）で検討したのと同様に、刊行物２装置発明において、粗ビスフェノールＦの蒸留工程の条件を、圧力３〜７ｍｍＨｇ、熱媒温度２６０〜３００℃に保たれた蒸発器に、該粗ビスフェノールＦまたは該粗フェノールノボラック樹脂を該蒸発器の伝熱面積１ｍ２あたり３８〜１４３ｋｇ／ｈｒの供給量となるように連続的に供給し、蒸発成分と缶出物を該蒸発器から連続的に取り出しながら、単蒸留にて高純度ビスフェノールＦを得る製造方法に用いるという相違点３−２’’の構成は、刊行物２に記載された発明及び刊行物３〜５に記載された技術的事項から当業者が容易になし得るものとはいえず、相違点１−２’’，相違点２−２’’について検討するまでもなく、本件特許発明３は、刊行物２に記載された発明及び刊行物３〜５に記載された技術的事項から容易に発明することができたものとはいえない。
（５）　小括
　本件特許発明１，３は、刊行物１に記載された発明及び刊行物３〜５に記載された技術的事項、もしくは、刊行物２に記載された発明及び刊行物３〜５に記載された技術的事項から当業者が容易に発明することができたものとはいえず、取消理由３は解消している。
　
取消理由に採用しなかった特許異議申立人が申し立てた理由について
　特許異議申立人は、前記第３　１（１ア）（１イ）に記載のとおり、訂正前の請求項２に係る特許について、該請求項に係る発明が、本件出願日前に日本国内又は外国において頒布された甲第１号証に記載された発明（又は甲第２号証に記載された発明）及び甲第３〜６号証に記載された技術的事項に基いて当業者が容易に発明することができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである旨主張しているので以下検討する。
　甲第１号証〜甲第５号証に相当する刊行物１〜５の記載は、前記３（２）（２−１）〜（２−５）のとおりであり、甲第６号証の記載については、以下のとおりである。
（２−６）甲第６号証
　本件出願日前に頒布された刊行物であると認められる甲第６号証には以下の記載がある。
（６ａ）「［３］蒸気を凝縮させて液体にする装置、実験室で用いられるものは通常冷却器，化学工業で用いられるものは凝縮器とよばれる．」（７５９頁「コンデンサー」の項）
ア−１　対比
（ア−１）刊行物１方法発明との対比
　本件特許発明２と刊行物１方法発明とを対比すると、本件特許発明２は、本件特許発明１の構成をすべて含み、さらに「内部回転体を円筒と見做したきの空隙率が７０容量％以上であ」ることを技術的に限定した発明であるから、上記（１）ア−１（ア−１）で検討したのと同様に、「酸触媒の存在下、フェノールとホルムアルデヒドとを反応させ、得られた反応生成物から酸触媒、水及び未反応のフェノールを除去して得られる粗ビスフェノールＦ及び/または粗フェノールノボラック樹脂を、蒸留工程によって分離して蒸留成分として高純度ビスフェノールＦを得る、高純度ビスフェノールＦの製造方法において、蒸留工程で用いる蒸発器が外面に加熱手段を有している蒸発器本体を有する縦型回転式薄膜蒸発器であって、コンデンサーが薄膜蒸発器に設置されている縦型回転式薄膜蒸発器を使用する高純度ビスフェノールＦの製造方法。」である点で一致し、以下の点で相違する。
　相違点１’−１：蒸発器に関し、本件特許発明１は、上部に液供給口と蒸気抜出口、下部に残渣排出口を有していること、主体部が円筒状の蒸発器本体であること、その内部に設置されている蒸発器本体の内壁面に沿って周方向に移動する翼付き内部回転体を有すること、翼付き内部回転体は本体器胴の内周面の加熱蒸発面に直接接触する溝付きワイパー状の部品を有すること、かつ該溝付きワイパー状の部品を支持する部分以外に蒸気通路用の空間を有し、内部回転体を円筒と見做したときの空隙率が７０容量％以上であることが特定されているのに対して、刊行物１方法発明は、使用した遠心薄膜蒸発器の本体構造や構成部材や空隙率について明らかでない点  
　相違点２−１：コンデンサーに関し、本件特許発明１は、薄膜蒸発器の外部に設置されているのに対し、刊行物１方法発明は、設置位置が明らかでない点
　相違点３−１：粗ビスフェノールＦの蒸留工程の条件に関して、本件特許発明１は、「圧力３〜７ｍｍＨｇ、熱媒温度２６０〜３００℃に保たれた蒸発器に、該粗ビスフェノールＦまたは該粗フェノールノボラック樹脂を該蒸発器の伝熱面積１ｍ２あたり３８〜１４３ｋｇ／ｈｒの供給量となるように連続的に供給し、蒸発成分と缶出物を該蒸発器から連続的に取り出しながら、単蒸留にて高純度ビスフェノールＦを得ること」が特定されているのに対して、刊行物１方法発明は、粗ビスフェノールＦを得た後、該粗ビスフェノールＦを、圧力３ｍｍＨｇで運転される遠心薄膜蒸発器に３０ｋｇ／ｈｒで連続的に供給し、留出物及び缶出物を連続的に抜き出すことが特定されている点
イ−１　相違点の判断
　事案に鑑み相違点３−１について検討する。
（ア−１）相違点３−１の判断について
　上記（４−１）イ−１（ア−１）で検討したのと同様に、相違点３−１は、刊行物１に記載された発明及び、刊行物３〜５に記載された技術的事項、コンデンサーが凝縮器を意味することを示す、用語の辞典である甲第６号証から当業者が容易になし得るものとはいえず、相違点１’−１，相違点２−１について検討するまでもなく、本件特許発明２は、刊行物１に記載された発明及び、刊行物３〜５、甲第６号証に記載された技術的事項から容易に発明することができたものとはいえない。
ア−２　対比
（ア−２）刊行物２方法発明との対比
　本件特許発明２と刊行物２方法発明とを対比すると、本件特許発明２は、本件特許発明１の構成をすべて含み、さらに「内部回転体を円筒と見做したきの空隙率が７０容量％以上であ」ることを技術的に限定した発明であるから、上記（４−１）ア−２（ア−２）で検討のと同様に、「酸触媒の存在下、フェノールとホルムアルデヒドとを反応させ、得られた反応生成物から酸触媒、水及び未反応のフェノールを除去して得られる粗ビスフェノールＦ及び/または粗フェノールノボラック樹脂を、蒸留工程によって分離して蒸留成分として高純度ビスフェノールＦを得る、高純度ビスフェノールＦの製造方法において、蒸留工程で用いる蒸発器が加熱手段を有している蒸発器本体を有する薄膜蒸発器であって、コンデンサーが薄膜蒸発器に設置されている薄膜蒸発器を使用する高純度ビスフェノールＦの製造方法。」である点で一致し、以下の点で相違する。
　相違点１’−２：蒸発器に関し、本件特許発明１は、上部に液供給口と蒸気抜出口、下部に残渣排出口を有していること、加熱手段の位置が蒸発器外面であること、主体部が円筒状の蒸発器本体であること、その内部に設置されている蒸発器本体の内壁面に沿って周方向に移動する翼付き内部回転体を有すること、翼付き内部回転体は本体器胴の内周面の加熱蒸発面に直接接触する溝付きワイパー状の部品を有すること、かつ該溝付きワイパー状の部品を支持する部分以外に蒸気通路用の空間を有し、内部回転体を円筒と見做したときの空隙率が７０容量％以上であることが特定される縦型回転式であるのに対して、刊行物２方法発明は、使用した薄膜蒸発器の本体構造、形式や構成部材、空隙率について明らかでない点
　相違点２−２：コンデンサーに関し、本件特許発明１は、薄膜蒸発器の外部に設置されているのに対し、刊行物２方法発明は、設置位置が明らかでない点
　相違点３−２：粗ビスフェノールＦの蒸留工程の条件に関して、本件特許発明１は、「圧力３〜７ｍｍＨｇ、熱媒温度２６０〜３００℃に保たれた蒸発器に、該粗ビスフェノールＦまたは該粗フェノールノボラック樹脂を該蒸発器の伝熱面積１ｍ２あたり３８〜１４３ｋｇ／ｈｒの供給量となるように連続的に供給し、蒸発成分と缶出物を該蒸発器から連続的に取り出しながら、単蒸留にて高純度ビスフェノールＦを得ること」が特定されているのに対して、刊行物２方法発明は、反応混合物を薄膜蒸留を行った後、さらにスチーム蒸留を行い、未反応フェノール除去後、薄膜伝面熱媒温度がが２００〜２５０℃、蒸留機出口圧力が０．１〜３ｍｍＨｇに保たれた薄膜蒸留器へ混合物（２）を該薄膜の伝面１ｃｍ２あたり８〜２０ｇ／ｈｒの供給量となるように供給し蒸留することが特定されている点
イ−２　相違点の判断
　事案に鑑み相違点３−２について検討する。
（ア−１）相違点３−２の判断について
　前記（４−１）イ−２（ア−２）で検討したのと同様に、相違点３−２は、刊行物２に記載された発明及び、刊行物３〜５、コンデンサーが凝縮器を意味することを示す、用語の辞典である甲第６号証に記載された技術的事項から当業者が容易になし得るものとはいえず、相違点１’−２，相違点２−２について検討するまでもなく、本件特許発明２は、刊行物２に記載された発明及び、刊行物３〜５、甲第６号証に記載された技術的事項に記載された技術的事項から容易に発明することができたものとはいえない。
ウ　小括 
　本件特許発明２は、甲第１号証に記載された発明及び甲第３〜６号証に記載された技術的事項、もしくは、甲第２号証に記載された発明及び甲第３〜６に記載された技術的事項から当業者が容易に発明することができたものとはいえない。
　したがって、上述のとおり、特許異議申立人の特許法第２９条第２項に関する主張は採用できない。
第６　むすび
　以上のとおり、本件請求項１〜３に係る特許は、取消理由通知に記載した取消理由並びに特許異議申立人が申し立てた理由及び証拠によっては、取り消されるべきものとはいえない。
　また、他に本件請求項１〜３に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
令和１年１０月１５日（２０１９．１０．１５）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】
　酸触媒の存在下、フェノールとホルムアルデヒドとを反応させ、得られた反応生成物から酸触媒、水及び未反応のフェノールを除去して得られる粗ビスフェノールＦ及び／または粗フェノールノボラック樹脂を、蒸留工程によって分離して蒸留成分として高純度ビスフェノールＦを得る、高純度ビスフェノールＦの製造方法において、蒸留工程で用いる蒸発器が外面に加熱手段、上部に液供給口と蒸気抜出口、下部に残潰排出口を有している、主体部が円筒状の蒸発器本体と、その内部に設置されている蒸発器本体の内壁面に沿って周方向に移動する翼付き内部回転体を有する縦型回転式薄膜蒸発器であって、翼付き内部回転体は本体器胴の内周面の加熱蒸発面に直接接触する溝付きワイパー状の部品を有し、かつ該溝付きワイパー状の部品を支持する部分以外に蒸気通路用の空間を有し、コンデンサーが薄膜蒸発器の外部に設置されている縦型回転式薄膜蒸発器を使用
し、蒸留工程において、圧力３〜７ｍｍＨｇ、熱媒温度２６０〜３００℃に保たれた蒸発器に、該粗ビスフェノールＦまたは該粗フェノールノボラック樹脂を該蒸発器の伝熱面積ｌｍ２あたり３８〜１４３ｋｇ／ｈｒの供給量となるように連続的に供給し、蒸発成分と缶出物を該蒸発器から連続的に取り出しながら、単蒸留にて高純度ビスフェノールＦを得る
　【請求項２】
　
酸触媒の存在下、フェノールとホルムアルデヒドとを反応させ、得られた反応生成物から酸触媒、水及び未反応のフェノールを除去して得られる粗ビスフェノールＦ及び／または粗フェノールノボラック樹脂を、蒸留工程によって分離して蒸留成分として高純度ビスフェノールＦを得る、高純度ビスフェノールＦの製造方法において、蒸留工程で用いる蒸発器が外面に加熱手段、上部に液供給口と蒸気抜出口、下部に残潰排出口を有している、主体部が円筒状の蒸発器本体と、その内部に設置されている蒸発器本体の内壁面に沿って周方向に移動する翼付き内部回転体を有する縦型回転式薄膜蒸発器であって、翼付き内部回転体は本体器胴の内周面の加熱蒸発面に直接接触する溝付きワイパー状の部品を有し、かつ該溝付きワイパー状の部品を支持する部分以外に蒸気通路用の空間を有し、内部回転体を円筒と看做したきの空隙率が７０容量％以上であり、コンデンサーが薄膜蒸発器の外部に設置されている縦型回転式薄膜蒸発器を使用し、
圧力３〜７ｍｍＨｇ、熱媒温度２６０〜３００℃
３８〜１４３ｋｇ／ｈｒ
、単蒸留にて
ことを特徴とする
　【請求項３】
　蒸留工程で用いる蒸発器が外面に加熱手段、上部に液供給口と蒸気抜出口、下部に残澄排出口を有している、主体部が円筒状の蒸発器本体と、その内部に設置されている蒸発器本体の内壁面に沿って周方向に移動する翼付き内部回転体を有する縦型回転式薄膜蒸発器であって、翼付き内部回転体は本体器胴の内周面の加熱蒸発面に直接接触する溝付きワイパー状の部品を有し、かつ該溝付きワイパー状の部品を支持する部分以外に蒸気通路用の空間を有し、コンデンサーが薄膜蒸発器の外部に設置されている縦型回転式薄膜蒸発器である請求項
１に