【事件の表示】
　特許第２６６１４２０号「窒化ガリウム糸化合物半導体発光素子の製造方法」の請求項１ないし３に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結論】
　特許第２６６１４２０号の請求項１ないし３に係る特許を取り消す。
【理由】
１．手続の経緯
　本件特許第２，６６１，４２０号に係る主な手続の経緯は以下のとおりである。
　特許出願　　　　　　平成３年７月１６日
　手続補正　　　　　　平成９年１月１７日
　特許権設定登録　　　平成９年６月１３日
　特許公報発行　　　　平成９年１０月８日
　特許異議の申立て　　平成１０年４月８日
　取消理由通知　　　　平成１０年６月３０日
　異議意見書　　　　　平成１０年９月１６日
　訂正請求　　　　　　平成１０年９月１６日
　訂正拒絶理由通知　　平成１０年１１月１３日
　異議意見書　　　　　平成１１年１月２５日
２．訂正の適否について
（２．１）訂正の目的等について
　（２．１．１）訂正事項１について
　特許請求の範囲の請求項１において、「露出した前記第１層及び前記第２層の表面に電極層を形成し、」とあるを「凹部形成により露出した前記第１層の表面に第１層の電極及び前記第２層の表面に第２層の電極を形成し、」とする訂正は、特許請求の範囲の減縮に該当するとともに、明瞭でない記載の釈明に該当し、願書に添付した明細書及び図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
　（２．１．２）訂正事項２について
　明細書の段落【０００５】の第１行〜第２行において、「その目的とするところは、」を「その第１の目的は、」とする訂正は、明瞭でない記載の釈明に該当し、願書に添付した明細書及び図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
　（２．１．３）訂正事項３について
　明細書の段落【０００５】の第３行において、「又、同時に」を「また、第２の目的は」とする訂正は、明瞭でない記載の釈明に該当し、願書に添付した明細書及び図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
　（２．１．４）訂正事項４について
　明細書の段落【０００６】の第７行〜第８行において、「露出した前記第１層及び前記第２層の表面に電極層を形成し、」を「凹部形成により露出した前記第１の表面に第１層の電極及び前記第２層の表面に第２層の電極を形成し、」とする訂正は、明瞭でない記載の釈明に該当し、願書に添付した明細書及び図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
　（２．１．５）訂正事項５について
　明細書の段落【０００７】の第４行において、「露出した前記第１層及び前記第２層の表面に電極層を形成し、」を「凹部形成により露出した前記第１層の表面に第１層の電極及び前記第２層の表面に第２層の電極を形成し、」とする訂正は、明瞭でない記載の釈明に該当し、願書に添付した明細書及び図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
（２．２）独立特許要件について
　（２．２．１）明細書の要旨変更
　（２．２．１．１）技術的背景
　「窒化ガリウム系化合物半導体発光素子」とは、５族元素である窒素（Ｎ）と３族元素であるガリウム（Ｇａ）を必須構成元素とする化合物半導体の性質を利用して構成される発光素子をいう。窒化ガリウム系化合物半導体発光素子においては、素子構造およびその発光機構により、ＭＩＳ構造とｐｎ接合とに大別される。前者のＭＩＳ構造は、金属（Ｍｅｔａｌ）と半導体（Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）との間に絶縁層（Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）を挟み、金属と半導体との間に電圧を印加して絶縁層を発光させる方式である。これに対し、後者のｐｎ接合は、ｐ型半導体とｎ型半導体とを接合させ、ｐ型半導体をプラス、ｎ型半導体をマイナスになるように順方向電圧を印加して、ｐ型半導体とｎ型半導体の界面付近を発光させる方式である。
　窒化ガリウム系化合物半導体においては、開発当初からｎ型の導電性を示す半導体は得られていたが、ｐ型の導電性を示す半導体は得られていなかった。このため、ｎ型の窒化ガリウム系化合物半導体に、ｐ型不純物として亜鉛を添加した絶縁性の半導体をｎ型半導体の上に形成し、金属電極とｎ型半導体とで絶縁層を挟み、上記ＭＩＳ構造の発光素子として使用していたが、駆動電圧が高く、発光輝度が小さいものであった。その後、ｐ型不純物としてＭｇをドープした窒化ガリウム系化合物半導体を低速電子線照射またはアニール処理によりｐ型化し、初めてｐｎ接合型発光素子の作製が可能となり、駆動電圧を下げ、発光輝度を向上させてきた経緯がある。
　（２．２．１．２）補正の内容
　平成９年１月１７日付け手続補正により、出願当初の特許請求の範囲においては、
「【請求項１】ｎ型の窒化ガリウム系化合物半導体（ＡｌＸＧａ１−ＸＮ；Ｘ＝０を含む）から成るｎ層と、ｐ型不純物を添加したｉ型の窒化ガリウム系化合物半導体（ＡｌＸＧａ１−ＸＮ；Ｘ＝０を含む）から成るｉ層とを有する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法であって、
　前記ｎ層と前記ｉ層との層構造を有するウェーハを形成し、該ウェーハに前記ｉ層側から前記第ｎ層が露出するように切り込みを入れた後、前記ｉ層及び切り込まれた側面に電極となる金属を蒸着して金属層を形成し、該金属層をエッチングして前記ｉ層上に前記ｉ層及び前記ｎ層の電極を形成した後、前記ｉ層及び前記ｎ層の一対の電極をそれぞれ有するように完全に切り離し個片とすることを特徴とする半導体発光素子の製造方法」
とされていたものを、
「【請求項１】サファイア基板上に形成された窒化ガリウム系化合物半導体から成る第１層と、窒化ガリウム系化合物半導体から成る第２層とを少なくとも有する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法であって、
　前記第１層と前記第２層との層構造を有するウェーハを形成し、該ウェーハに前記第２層から前記第１層が露出するように格子状の凹部を形成した後、露出した前記第１層及び前記第２層の表面に電極層を形成し、その後、前記凹部の部分で分離して個片とすることを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
　【請求項２】前記凹部は太い刃物を用いたダイシングによる切り込みにより形成され、前記凹部の部分は前記太い刃物よりも細い刃物で切断されることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子の製造方法。
　【請求項３】前記第２層は絶縁性の窒化ガリウム系化合物半導体から成り、前記第１層に対する電極を前記第１層の側壁周囲に形成したことを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子の製造方法。」
と補正するとともに、発明の詳細な説明においても、上記特許請求の範囲の補正と整合させる補正がなされた。
　（２．２．１．３）請求項に係る発明の変更
　▲１▼請求項１に係る発明は、出願当初においては、「ｎ型の窒化ガリウム系化合物半導体（ＡｌＸＧａ１−ＸＮ；Ｘ＝０を含む）から成るｎ層と、ｐ型不純物を添加したｉ型の窒化ガリウム系化合物半導体（ＡｌＸＧａ１−ＸＮ；Ｘ＝０を含む）から成るｉ層とを有する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子」、すなわちＭＩＳ構造素子の製造方法とされていたが、補正により「ｎ層」を「第１層」とし、「ｉ層」を「第２層」とすることにより導電型が削除され、本件発明の対象は、ＭＩＳ構造であるのか、ｐｎ接合であるのか、不明となり、構造の特定されない「窒化ガリウム系化合物半導体からなる第１層と、窒化ガリウム系化合物半導体からなる第２層とを少なくとも有する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子」となった。
　しかしながら、「ｉ層」という用語は絶縁性の層を示すために用いられており、ｐ型導電型を示すｐ層及びｎ型導電性を示すｎ層とは区別され、しかもＭＩＳ構造とｐｎ接合とは区別されるものである。
　したがって、上記補正は、出願当初の明細書においては、ＭＩＳ構造の発光素子しか記載されていなかったものを、ｐｎ接合型の発光素子をも包含するように変更するものである。
　▲２▼また、出願当初、「前記ｉ層および切り込まれた側面に電極となる金属を蒸着して金属層を形成し」であったものを「露出した前記第１層及び前記第２層の表面に電極層を形成し」と補正した。
　文理解釈上、導電型が特定されていない第１層および第２層で形成される発光素子には、ｎ層とｉ層が接合されるＭＩＳ構造である場合と、ｎ層とｐ層とが接合されるｐｎ接合である場合を含む。ＭＩＳ構造においては、ｉ層が絶縁層であるため、本件特許公報の図１および図８に示されるように、ｎ層に接続する電極を形成する金属層８は、ｉ層５に接触した状態でｎ層３および４に接続させることができる。したがって、その電極構造は、出願当初の特許請求の範囲に記載されているとおり、「ウェーハにｉ層側からｎ層が露出するように切り込みを入れた後、ｉ層および切り込まれた側面に電極となる金属を蒸着して（全面を覆う）金属層を形成し、該金属層をエッチングして（分離し）ｉ層上にｉ層およびｎ層の電極」を形成することができ、ｎ層の電極はｉ層とｎ層の両者に接触する構造をなしていたのである。
　これに対し、ｐｎ接合の場合、ｎ層に接続する電極は、短絡を避けるために、ｐ層と接触しないように絶縁されてｎ層に接続される。すなわち、発光素子がＭＩＳ構造であるか、ｐｎ接合であるかによって電極の構造は変わり、電極構造と発光素子の種類とは密接な関係を有している。
　ところが、補正された「露出した前記第１層及び前記第２層の表面に電極層を形成」する構造は、電極層が第１層と第２層とに接続するのか接続しないのか不明確であり、上記第１層および第２層の導電型の削除と相侯って、第１層に接続する電極が第２層に接続しないｐｎ接合の電極構造を含むものとなった。
　（２．２．１．４）作用および効果の変更
　ＭＩＳ構造では、従来、本件特許公報の図８に示すように、ｉ層の下層にあるｎ層に対し、ｎ層を露出させる穴を形成し、ｉ層から電極材を充填して電極を形成していたが、本願発明においては、ｉ層及び切り込まれた側面に金属層を蒸着し、このｉ層および切り込まれた側面を覆う金属層をエッチングして切り離し、ｉ層の電極層とｎ層の電極層を同時に形成することにより製造方法の簡略化を図るものであった。
　かかる電極の形成方法は、ｎ層の電極がｉ層と接触していても支障がないというＭＩＳ構造の特性に由来し、ＭＩＳ構造に独特のものである。
　しかしながら、上記補正により、電極の形成方法は、「露出した前記第１層および前記第２層の表面に電極層を形成」するものに補正され、その作用効果は「電極形成と分離のための両凹部形成工程を同時にできる結果、製造工程が簡素化される」と変更された。したがって、結果として、「露出した第１層」とは第１層の側面をいうのか定かでなくなった。すなわち、出願当初においては、第１層の露出形態は、「切り込み」により形成されるので、「第１層の側面」でしかあり得なかった。しかし、補正後は「切り込み」をウェーハヘの「格子状凹部の形成」としたことにより、第１層の側面以外の表面をも含む場合があることとなった。そして、電極を形成する方法である「蒸着」が削除されたため、露出部分への「全面蒸着」から露出部分の「１部分に選択的に形成」する場合をも含み得ることとなった。
　（２．２．１．５）請求項１と請求項２および３との関係
　請求項２においては、請求項１における上記格子状凹部の形成をダイシングによる切り込みと特定し、請求項３においては、請求項１における第２層を絶縁性の窒化ガリウム系化合物半導体と特定し、発光素子をＭＩＳ構造であると特定している。しかしながら、請求項２および３は、請求項１の技術的要素を具体的に特定するものであるから、請求項１における「格子状凹部の形成」は請求項２の「ダイシング」以外の形成方法を含み、「発光素子」は請求項３のＭＩＳ構造以外の発光素子を包含するものである。
　（２．２．１．６）この項のむすび
　従って、出願当初の明細書においては、「ＭＩＳ構造」とその構造に特有の「電極構造」の製造方法に関する開示であったものを、請求項１において、半導体層の導電性を削除し「ＭＩＳ構造」に限定されない「発光素子」に拡大し、しかも「ＭＩＳ構造」特有の電極構造の特定を削除することは、出願当初の明細書に記載した事項の範囲外に変更するものであって、明細書の要旨を変更するものである。
　よって、本件特許の出願日は、特許法第４０条の規定により、手続補正書を提出した平成９年１月１７日とみなされる。
　（２．２．２）訂正された発明
　訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１乃至３に係る発明（以下「訂正第１発明」乃至「訂正第３発明」という。）は、その明細書及び図面の記載からして訂正された特許請求の範囲の請求項１乃至３に記載されている次のとおりのものである。
「【請求項１】サファイア基板上に形成された窒化ガリウム系化合物半導体から成る第１層と、窒化ガリウム系化合物半導体から成る第２層とを少なくとも有する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法であって、
　前記第１層と前記第２層との層構造を有するウェーハを形成し、該ウェーハに前記第２層側から前記第１層が露出するように格子状の凹部を形成した後、凹部形成により露出した前記第１層の表面に第１層の電極及び前記第２層の表面に第２層の電極を形成し、その後、前記凹部の部分で分離して個片とすることを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
　【請求項２】前記凹部は太い刃物を用いたダイシングによる切り込みにより形成され、前記凹部の部分は前記太い刃物よりも細い刃物で切断されることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子の製造方法。
　【請求項３】前記第２層は絶縁性の窒化ガリウム系化合物半導体から成り、前記第１層に対する電極を前記第１層の側壁周囲に形成したことを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子の製造方法。」
　（２．２．３）刊行物記載の発明
　平成５年１月２９日に公開された特開平５−２１８４５号公報（本件特許の公開公報、以下「刊行物」という。）には、その特許請求の範囲において、
「ｎ型の窒化ガリウム系化合物半導体（ＡｌＸＧａ１−ＸＮ；Ｘ＝０を含む）から成るｎ層と、ｐ型不純物を添加したｉ型の窒化ガリウム系化合物半導体（ＡｌＸＧａ１−ＸＮ；Ｘ＝０を含む）から成るｉ層とを有する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法であって、
　前記ｎ層と前記ｉ層との層構造を有するウェーハを形成し、該ウェーハに前記ｉ層側から前記第ｎ層が露出するように切り込みを入れた後、前記ｉ層及び切り込まれた側面に電極となる金属を蒸着して金属層を形成し、該金属層をエッチングして前記ｉ層上に前記ｉ層及び前記ｎ層の電極を形成した後、前記ｉ層及び前記ｎ層の一対の電極をそれぞれ有するように完全に切り離し個片とすることを特徴とする半導体発光素子の製造方法」と記載されている。
　また、第３頁右欄第１行〜第６行において、「次に、図２（ｂ）に示すように、図２（ａ）の多層構造のウェーハに対して太い刃物（例えば、２５０μｍ厚）を用いたダイシングにより・・・サファイア基板１の上面一部まで格子状に所謂ハーフカットにて切り込みを入れる。」
　さらに、同頁同欄第１９行〜第２２行において、「次に、図３（ｅ）に示すように、細い刃物（例えば、１５０μｍ厚）を用いたダイシングによりＡｌ層１１が蒸着されたサファイア基板１を切り離して個片とし、」と記載されている。
　（２．２．４）訂正第１発明について
　訂正第１発明（以下、この項において「前者」という。）と上記刊行物に記載された発明（以下、この項において「後者」という。）とを比較すると、後者における「ｎ層」、「ｉ層」、及び「切り込み」は、前者における「第１層」、「第２層」および「凹部」に相当するので、両者は、
「サファイア基板上に形成された窒化ガリウム系化合物半導体からなる第１層と、窒化ガリウム系化合物半導体からなる第２層とを有する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法であって、
　前記第１層と前記第２層との層構造を有するウェーハを形成し、該ウェーハに前記第２層側から前記第１層が露出するように格子状の凹部を形成した後、凹部形成により露出した前記第１層の表面を利用して第１の電極及び前記第２層の表面に第２層の電極を形成し、その後、前記凹部の部分で分離して個片とする半導体発光素子の製造方法である点において一致し、
　第１層の電極形成に関し、前者が凹部形成により露出した前記第１層の表面に第１層の電極を形成するのに対し、後者においては、第２層及び切り込まれた側面に電極となる金属を蒸着して金属層を形成し、該金属をエッチングして第２層上に第１層及び第２層の電極を形成する点において形式上相違する。
　しかしながら、前者における「凹部形成により露出した前記第１層の表面に第１層の電極を形成する」という概念の中には、本件発明の実施例として示されるところの「第２層及び切り込まれた側面に電極となる金属を蒸着して金属層を形成し、該金属をエッチングして第２層上に第１層の電極を形成する」ということが当然包含されているのであるから、両者は、「第２層及び切り込まれた側面に電極となる金属を蒸着して金属層を形成し、該金属をエッチングして第２層上に第１層の電極を形成する」という点において重複しており、この点において同一の発明である。
　したがって、訂正第１発明は、特許法第２９条第１項３号に規定する発明に該当するので、特許を受けることができないものである。
　（２．２．６）この項のむすび
　以上のとおりであるので、訂正第１発明は、特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから、本件訂正は、平成６年法律第１１６号附則第６条第１項により、なお従前の例とされる改正前の特許法第１２６条第３項の規定を適用し、これを認めることができない。
３．本件発明
　本件発明は、特許明細書の特許請求の範囲請求項１乃至３に記載された事項により特定された以下のとおりのものである（以下「本件第１発明」乃至「本件第３発明」という。）。
「【請求項１】サファイア基板上に形成された窒化ガリウム系化合物半導体から成る第１層と、窒化ガリウム系化合物半導体から成る第２層とを少なくとも有する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法であって、
　前記第１層と前記第２層との層構造を有するウェーハを形成し、該ウェーハに前記第２層側から前記第１層が露出するように格子状の凹部を形成した後、露出した前記第１層及び前記第２層の表面に電極層を形成し、その後、前記凹部の部分で分離して個片とすることを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
　【請求項２】前記凹部は太い刃物を用いたダイシングによる切り込みにより形成され、前記凹部の部分は前記太い刃物よりも細い刃物で切断されることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子の製造方法。
　【請求項３】前記第２層は絶縁性の窒化ガリウム系化合物半導体から成り、前記第１層に対する電極を前記第１層の側壁周囲に形成したことを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子の製造方法。」
４．刊行物記載の発明
　本件特許出願は、上記（２．２．１）において述べた理由により、平成９年１月１７日付け手続補正書を提出した時に出願されたものとみなされる。上記手続補正書を提出した日の前である平成５年１月２９日に頒布された刊行物（特開平５−２１８４５号公報、本件特許の公開公報）には、上記（２．２．３）記載の発明が記載されている。
５．対比及び判断
　（５．１）本件第１発明について
　本件第１発明（以下、この項において「前者」という。）と上記刊行物に記載された発明（以下、この項において「後者」という。）とを比較すると、後者における「ｎ層」、「ｉ層」、及び「切り込み」は、前者における「第１層」、「第２層」および「凹部」に相当するので、両者は、
「サファイア基板上に形成された窒化ガリウム系化合物半導体からなる第１層と、窒化ガリウム系化合物半導体からなる第２層とを有する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法であって、
　前記第１層と前記第２層との層構造を有するウェーハを形成し、該ウェーハに前記第２層側から前記第１層が露出するように格子状の凹部を形成した後、凹部形成により露出した前記第１層の表面を利用して第１の電極及び前記第２層の表面に第２層の電極を形成し、その後、前記凹部の部分で分離して個片とする半導体発光素子の製造方法である点において一致し、
　第１層の電極形成に関し、前者が凹部形成により露出した前記第１層の表面に第１層の電極を形成するのに対し、後者においては、第２層及び切り込まれた側面に電極となる金属を蒸着して金属層を形成し、該金属をエッチングして第２層上に第１層及び第２層の電極を形成する点において形式上相違する。
　しかしながら、前者における「凹部形成により露出した前記第１層の表面に第１層の電極を形成する」という概念の中には、本件発明の実施例として示されるところの「第２層及び切り込まれた側面に電極となる金属を蒸着して金属層を形成し、該金属をエッチングして第２層上に第１層の電極を形成する」ということが当然包含されているのであるから、両者は、「第２層及び切り込まれた側面に電極となる金属を蒸着して金属層を形成し、該金属をエッチングして第２層上に第１層の電極を形成する」という点において重複しており、この点において同一の発明である。
　したがって、本件第１発明は、特許法第２９条第１項３号に規定する発明に該当するので、特許を受けることができないものである。
（５．２）本件第２発明乃び第３発明について
　本件第２発明乃び第３発明は、本件第１発明を引用するものであり、それらの特徴部分は、上記刊行物に記載された発明である。
　したがって、本件第２発明乃び第３発明は、本件第１発明と同様に、上記刊行物に記載された発明であり、特許法第２９条第１項第３号に規定する発明に該当するので、特許を受けることができないものである。
６．むすび
　以上のとおりであるから、本件特許は、拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してなされたものであり、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の一部の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第１項及び第２項の規定により取り消すべきものである。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１１年９月１７日（１９９９．９．１７）