【事件の表示】
　特許第２５８７１８４号「半導体集積回路の製造方法」の請求額１ないし３に係る特許について、次のとおり決定する。
【結論】
　特許第２５８７１８４号の請求項１ないし３に係る特許を取り消す。
【理由】
Ｉ　手続の経緯
　　特許出願　　　　　　　　平成５年２月２３日
　　特許権設定登録　　　　　平成８年１２月５日
　　特許異議の申立て　　　　平成９年９月５日
　　（申立人：渡辺尚吾）
　　取消理由通知　　　　　　平成９年１１月５日
　　訂正請求　　　　　　　　平成１０年５月１４日
　　訂正拒絶理由通知　　　　平成１０年６月１日
ＩＩ　訂正の適否についての判断
１　訂正明細書の請求項１ないし３に係る発明「【請求項１】　（Ａ）ハンドルウエハー（２）の各主表面の上に酸化物層（３、４）を形成するステップと、
　（Ｂ）作業用ウエハー（１）と中間酸化物層（３）と前記ハンドルウエハー（２）と露出酸化物層（４）とを有する接合ウエハー（５）を形成するために、前記酸化物層（３，４）内の一方の酸化物層（３）をその間に介在させて、前記ハンドルウエハー（２）に作業用ウエハー（１）を接合するステップと、
　（Ｃ）前記接合されたウエハー（５）を構成する作業用ウエハー（１）が所定の厚さになるまで前記露出酸化物層（４）の研磨量より前記作業用ウエハー（１）の研磨量のほうが多くなるよう、前記露出酸化物層（４）と前記作業用ウエハー（１）の露出主表面の両方を同時に研磨するステップと、
　を有することを特徴とする半導体集積回路の製造方法。」（以下「訂正された第１発明」という。）
　「【請求項２】　前記研磨ステップ（Ｃ）は、前記ハンドルウエハー（２）の表面の前記酸化物層（３、４）に対し、前記作業用ウエハー（１）を選択的に除去するエッチング材料を用いる
　ことを特徴とする請求項１の方法。」（以下「訂正された第２発明」という。）
　「【請求項３】　前記ハンドルウエハー（２）の上の前記露出酸化物層（４）を除去するステップ
　をさらに有することを特徴とする請求項２の方法。」（以下「訂正された第３発明」という。）
２　引用刊行物記載の発明
　当審が訂正拒絶理由通知で引用した刊行物２（特開平３−２５０６１５号公報）には、「２枚の鏡面ウエーハの何れか一方の両面に酸化膜を形成し、これら両鏡面ウエーハを互いに鏡面表面が対峙するよう重ね合わせ、両鏡面ウエーハを所定温度に加熱して両者を接着した後、酸化膜を形成しなかった方の鏡面ウエーハを接合部の背面から薄膜化することによって接合ウエーハを得るようにしたことを特徴とする接合ウエーハの製造方法」〔特許請求の範囲（２）〕が記載されており、上記「薄膜化」の具体的手段としては「研磨によって行う」ことが開示されている。
　同じく当審が訂正拒絶理由通知で引用した刊行物１（特開平３−１８８６３０号公報）には、貼り合せウエーハの研磨法が記載されており、従来技術として、「ウェーハの裏面を加圧プレートに固定して、一主面の研磨を行う片面研磨法（以下「裏面固定の片面研磨法」という。）」　（第８頁第１０図，第２頁左上欄第９行〜１６行）が示されているとともに、かかる従来技術の欠点について、「・・・・膜厚に精度（所定膜厚に対する精度や上面の平坦精度）がでないという不都合がある。これは、ウェーハ（４１）の裏面自体が研磨基準面となること、及び該研磨基準面が加圧プレート（４２）に固定されていることから起因するものであり・・・・」（第２頁左下欄第１０行〜１４行）と記載されており、一方、かかる従来技術の課題を解決するための当該発明について、「本発明の製法によれば、貼り合せウェーハ（６）を２つの研磨定盤（１２）及び（１４）に配し、その研磨基準面を自然状態に保持しながら一方のウェーハ（１）のみを研磨するようにした」（第２頁右下欄第１６行〜第３頁左上欄第１行）、「研磨液は、シリコンと化学反応し、ＳｉＯ２と化学反応しないアルカリ系溶液・・・・が用いられる」（第３頁右下欄第９行〜１２行）、「この両面研磨機（１５）による研磨の場合、ウェーハ（６）に対し両面から研磨を行なうため、ウェーハ（６）の研磨定盤（１２）及び（１４）への固定がなく、ウェーハ（６）の表面ま
たは裏面の凹凸状態によって、研磨基準面がウェーハ（６）の表面または裏面に変化する。このように、研磨基準面が自然状態に保持されながらウェーハ（６）の両面がフリーな状態で研磨されるため・・・・」（第３頁右下欄第１２〜１９行）、「上記両面研磨機（１５）による選択研磨においては、ウェーハ（６）の両面に研磨が行なわれる。・・・・このようにすれば、一方のウェーハ（１）に対する研磨が終了した時点において、他方のウェーハ（５）に対する研磨はわずかで済む。」（第４頁左上欄第１８行〜右上欄第７行）、「両面研磨機（１５）で一方のウェーハ（１）のみを研磨する方法としては、第６図に示すように、他方のウェーハ（５）の端面に予め耐研磨用保護膜（２７）を形成しておく。この保護膜（２７）としては、選択研磨時に供給されるアルカリ系の研磨液では化学反応しない例えばＳｉＯ２膜が用いられる。」（第４頁右上欄第８〜１３行）、及び、「本発明に係る半導体基板の製法は・・・・膜厚の精度（所定膜厚に対する精度や平坦精度）を良好にさせることができる」（第５頁右上欄第１４行〜左下欄第４行）と記載されている。
　上記各記載をまとめると、刊行物１には、「両面研磨機を用いて、ウェーハを両面フリーな状態で研磨し、結果的に、ウェーハ表面のみが選択的に研磨されるようにすること」（以下「両面研磨機を用いる片面選択研磨」という。）、「かかる両面研磨機を用いる片面選択研磨のために、ウェーハ裏面にＳｉＯ２保護膜を形成しておき、ＳｉＯ２と化学反応しないアルカリ系シリコン選択研磨液で研磨する手段があること」、及び、「かかる両面研磨機を用いる片面選択研磨法によれば、従来技術である裏面固定の片面研磨法に比べて、膜厚精度及び平坦精度の優れた研磨を行うことができること」が開示されているものと認められる。
３　当審の判断
１）訂正された第１発明について
　訂正された第１発明（以下［前者］という。）と上記刊行物２記載の発明（以下「後者」という。）とを対比する。
　ａ．後者の「両面に酸化膜を形成した一方の鏡面ウエーハ」は、前者の「ハンドルウエハー」に相当する。
　ｂ．後者の「酸化膜を形成しなかった方の鏡面ウエーハ」は、前者の「作業用ウエハー」に相当する。
　ｃ．後者の場合も、一方の鏡面ウエーハには両面に酸化膜が形成されているのであるから、このウエーハと酸化膜を形成しなかったウエーハとを接合させるときは、「酸化膜をその間に介在させて両ウエーハを接合する」ことになる。
　ｄ．後者においても、研磨された接合ウエーハは、その後素子を形成して半導体集積回路用として供することは明らかであり、一方、前者は、実質的に「素子が形成される前の接合ウエハーの研磨」に係るものと認められるから、後者における「接合ウェーハの製造方法」は、実質的に、前者における「半導体集積回路の製造方法」に相当する。
　してみると、両者は、「ハンドルウエハーの各主表面の上に酸化物層を形成するステップと、作業用ウエハーと中間酸化物層と前記ハンドルウエハーと露出酸化物層とを有する接合ウエハーを形成するために、前記酸化物層内の一方の酸化物層をその間に介在させて、前記ハンドルウエハーに作業用ウエハーを接合するステップと、前記接合されたウエハーを構成する作業用ウエハーが所定の厚さになるまで研磨するステップとを有する半導体集積回路の製造方法」である点で一致し、以下の点で相違する。
　『前者が、「露出酸化物層の研磨量より作業用ウエハーの研磨量のほうが多くなるよう、露出酸化物層と作業用ウエハーの露出主表面の両方を同時に研磨する」即ち「表面の方が裏面より多く研磨されるように、ウエハー両面を同時に研磨する」のに対し、後者は、「酸化膜を形成しなかった方の鏡面ウエーハを接合部の背面から研磨する」即ち「ウエハー表面のみを研磨する」点（以下「相違点」という。）」。
　そこで、上記相違点について検討する。
　前者の「表面の方が裏面より多く研磨されるように、ウエハー両面を同時に研磨する」構成に対応する具体的手段については、本件明細書中に、「このウエハーを、ＰＲ　Ｈｏｆｆｍａｎ二重サイド研磨装置（ＰＲ−１−６６Ｔモデル）により・・・・コロイダルシリカと潤滑剤である脱イオン水とのスラリを用いて研磨した。この場合、コロイダルシリカは、二酸化シリコンに対してシリコンを選択的にエッチングする選択性エッチング材料として機能する。」（【００１０】段）と記載されており、前者における上記構成をより具体的に表現すると、「二重サイド研磨装置を用い、二酸化シリコンに対してシリコンを選択的にエッチングする選択性エッチング材料からなる研磨液を用いて、ウエハー両面を研磨する」構成に帰結するものと認められる。
　一方、刊行物１には、ウエハー表面のみを研磨する技術として、前者における上記構成に相当する「両面研磨機（二重サイド研磨装置）を用い、ＳｉＯ２と化学反応しないアルカリ系シリコン選択研磨液（二酸化シリコンに対してシリコンを選択的にエッチングする選択性エッチング材料からなる研磨液）を用いて、ウェーハ両面を研磨する技術」即ち「両面研磨機を用いる片面選択研磨法」が記載されており、かかる研磨法によれば、「裏面固定の片面研磨法に比べて、膜厚精度及び平坦精度の優れた研磨を行うことができること」も記載されている。
　（なお、上記の点に関して、特許権者は意見書において、『刊行物１記載のものは実質的に「片面研磨」であり、前者の「両面研磨」とは異なる』旨主張するが、両者とも、具体的には「両面研磨機を用いて、ウェーハを両面フリーな状態で研磨し、結果的に、表面のみが選択的に研磨されるようにしている」点で差異はない。そして、上記「選択的に研磨」の意味が、「表面のみが研磨される研磨（片面研磨）」であっても、「表面の方が裏面よりも多く研磨される研磨（両面研磨）」であっても、効果上の差異が生じるとも認められないし、また、刊行物１には「一方のウェーハに比べて、他方のウェーハに対する研磨はわずか済む」とも記載されていて、刊行物１記載の「選択的に研磨」の範疇には、「表面の方が裏面よりも多く研磨される研磨」が包含されるものと解されるから、上記特許権者の主張は採用できない。）
　したがって、後者において、ウエハー表面のみを研磨する際に、膜厚精度及び平坦精度のより優れた研磨を行うために、刊行物１記載の「両面研磨機を用いる片面選択研磨法」を採用することは、当業者が容易に想起しうるものと認められる。
　以上のとおりであるから、訂正された第１発明は、上記刊行物２及び１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
２）　訂正された第２発明について
　刊行物１の「ＳｉＯ２と化学反応しないアルカリ系シリコン選択研磨液」は、前者の「ハンドルウエハーの表面の酸化物層に対し、作業用ウエハーを選択的に除去するエッチング材料」に相当するから、上記ＩＩの３の１）項で述べた理由と同じ理由で、訂正された第２発明は当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
３）　訂正された第３発明について
　研磨時に必要であった酸化物層を、用済みとなった研磨後に除去することは、必要に応じて適宜行われているから、「ハンドルウエハーの上の露出酸化物層を除去するステップ」をさらに設けた点には格別の創意があるとは認められず、したがって、上記ＩＩの３の１）項で述べた理由と同じ理由で、訂正された第３発明は当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
４　まとめ
　したがって、本件訂正請求は、特許法の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、平成５年改正特許法第１２６条第３項の規定に違反するので、当該訂正は認められない。
ＩＩＩ　特許異議申立てについての判断
１　本件発明
　「【請求項１】　ハンドルウエハー（２）の各主表面の上に酸化物層（３、４）を形成するステップと、
作業用ウエハー（１）、ハンドルウエハー（２）、露出した酸化物層（４）を有する接合ウエハー（５）を形成するために、前記ハンドルウエハー（２）に作業用ウエハー（１）を絶縁状態で接合するステップと、
前記露出した酸化物層（４）を前記接合ウエハー（５）の両方の主表面を研磨するための基準平面として用いて、前記作業用ウエハー（１）を所定の厚さまで薄くするようにして、前記接合ウエハー（５）の両方の主表面を同時に研磨するステップとを有することを特徴とする半導体集積回路の製造方法。」（以下「第１発明」という。）
　「【請求項２】　前記研磨ステップは、前記ハンドルウエハー（２）の表面の前記酸化物層（３、４）に対し、前記作業用ウエハー（１）を選択的に除去するエッチング材料を用いることを特徴とする請求項１の方法。」（以下「第２発明」という。）
　「【請求項３】　前記ハンドルウエハー（２）の上の前記露出した酸化物層（４）を除去するステップをさらに有することを特徴とする請求項２の方法。」（以下「第３発明」という。）
２　特許法第３６条違反について
　本件特許明細書の請求項１における「絶縁状態で接合する」及び「酸化物層を接合ウエハーの両方の主表面を研磨するための基準平面として用いて」の技術的意味が不明であるため、これらの部分の発明の構成を把握することができず、したがって、本件特許は明細書の記載が不備のため特許法第３６条第４項及び第５項に規定する要件を具備していない。
３　特許法第２９条違反について
１）引用刊行物記載の発明
　当審が取消理由通知で引用した刊行物１（特開平３−１８８６３０号公報）及び刊行物２（特開平３−２５０６
１５号公報）は、それぞれ、訂正拒絶理由通知で引用した刊行物１及び刊行物２に対応する。そしてこれらの記載内容は、上記ＩＩの２項で述べたとおりである。
　また、当審が取消理由通知で引用した刊行物３（特開平４−６５１２６号公報）及び刊行物４（特開平１−１２５８３０号公報）には、「研磨工程終了後に用済みとなった酸化物層を除去すること」が、それぞれ、開示されている。
２）対比・判断
　本件第１発明は、上記ＩＩＩの２項で述べたように、明細書及び図面の記載が不備であって、発明の構成を明りょうには把握できないが、把握可能な範囲で本件第１発明を認定した上で各刊行物記載の発明と対比・判断する。
　本件第１発明と刊行物２記載の発明とを対比すると、両者は、「ハンドルウエハーの各主表面の上に酸化物層を形成するステップと、作業用ウエハー、ハンドルウエハー、露出した酸化物層を有する接合ウエハーを形成するために、前記ハンドルウエハーに作業用ウエハーを絶縁状態で接合する（この構成については「酸化物層を介在させて接合する」ことと認定した。）ステップと、前記作業用ウエハーを所定の厚さまで薄くするようにして、前記接合ウエハーの両方の主表面を同時に研磨するステップとを有する半導体集積回路の製造方法」である点で一致し、第１発明が「露出した酸化物層を接合ウエハーの両方の主表面を研磨するための基準平面として用いて研磨する」（この構成については、「表面の方が酸化物層の形成された裏面より多く研磨されるように、ウエハー両面を同時に研磨する」ことと認定した。）のに対し、後者は「ウエハー表面のみを研磨する」点で相違する。
　しかしながら、上記相違点は、訂正された第１発明に係る相違点と実質的に同一であるから、結局、上記ＩＩの３項で述べた理由と同じ理由で、本件第１発明は、当業者が容易に想起しうるものと認められる。
　本件第２発明及び第３発明も、同様な理由で、当業者が容易に想起しうるものと認められる。
３）まとめ
　以上のとおり、本件特許明細書はその記載が不備であるとともに、本件第１ないし第３発明は上記刊行物２及び１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件特許は、特許法第３６条第４項及び第５項ならびに同法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。
ＩＶ　むすび
　したがって、本件請求項１ないし３の発明に係る特許は拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものと認める。
　よって、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の一部の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第１項及び第２項の規定により、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１１年１月１４日（１９９９．１．１４）