【事件の表示】
　特許第２８１５００４号「表示装置およびその製造方法」の請求項１ないし８に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結論】
　訂正を認める。
　特許第２８１５００４号の請求項１ないし８に係る特許を維持する。
【理由】
（１）手続の経緯
　特許第２８１５００４号に係る発明についての出願は、平成８年１０月３０日に出願され、平成１０年８月１４日に設定登録され、その後、特許異議の申立がなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１１年９月１３日に訂正請求がなされたものである。
（２）訂正の適否についての判断
ア．訂正の内容
　特許権者が求めている訂正の内容は、以下のａ）乃至ｄ）のとおりである。
ａ）特許請求の範囲の請求項１の中の「隣り合う前記隔壁の間に互いに分離されたカソードが配置されている」を、「隣り合う前記隔壁の間に互いに分離されたカソードが前記隔壁を覆うように配置されている」と訂正する。
ｂ）特許請求の範囲の請求項５の中の「前記透明支持基板上に前記隔壁を介してシャドウマスクを設置し前記シャドウマスクのストライプ状遮蔽部を前記隔壁上面に密着させて全面に金属原子を等方的な方向から蒸着させる工程」を、「前記透明支持基板上に前記隔壁を介してシャドウマスクを設置し前記シャドウマスクのストライプ状遮蔽部を前記隔壁上面に密着させて、隔壁、有機ＥＬ層およびシャドウマスクのストライプ状遮蔽部を被覆するように全面に金属原子を等方的な方向から蒸着させる工程」と訂正する。
ｃ）明細書の段落【００２１】中の「隣り合う前記隔壁の間に互いに分離されたカソードが配置されている」を、「隣り合う前記隔壁の間に互いに分離されたカソードが前記隔壁を覆うように配置されている」と訂正する。
ｄ）明細書の段落【００２５】中の「前記透明支持基板上に前記隔壁を介してシャドウマスクを設置し前記シャドウマスクのストライプ状遮蔽部を前記隔壁上面に密着させて全面に金属原子を等方的な方向から蒸着させる工程」を、「前記透明支持基坂上に前記隔壁を介してシャドウマスクを設置し前記シャドウマスクのストライプ状遮蔽部を前記隔壁上面に密着させて、隔壁、有機ＥＬ層およびシャドウマスクのストライプ状遮蔽部を被覆するように全面に金属原子を等方的な方向から蒸着させる工程」と訂正する。
イ．訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　上記ａ）及びｂ）の訂正は、特許請求の範囲の減縮に該当し、新規事項の追加に該当しない。　また、上記ｃ）の訂正は上記ａ）の訂正に、上記ｄ）の訂正は上記ｂ）の訂正に、それぞれ伴ってなされたものであり、明りょうでない記載の釈明に相当する。
　そして、上記いずれの訂正も実質上特許請求の範囲を拡張又は変更するものでもない。
ウ．独立特許要件の判断
　訂正明細書の請求項１乃至８に係る発明は次のとおりである。（以下、請求項１乃至８に係る発明を「本件発明１乃至８」といい、これらをまとめて「本件発明」という。）
　【請求項１】透明支持基板の上に透明電極から成るパターニングされたアノードを有し、前記アノードおよび透明支持基板の上に有機エレクトロルミネセント材料から成る有機ＥＬ層が形成され、複数のカソードが前記有機ＥＬ層を前記アノードと挟んで形成されて成る表示装置において、パターニングされ絶縁性を有する矩形断面形状の隔壁が前記アノード上に複数個配列され、前記有機ＥＬ層が前記隔壁上面に形成され更に前記隔壁間に埋め込まれるように形成され、隣り合う前記隔壁の間に互いに分離されたカソードが前記隔壁を覆うように配置されていることを特徴とする表示装置。
　【請求項２】前記パターニングされたアノードと前記パターニングされた隔壁とが互いに交差するように形成されていることを特徴とする請求項１記載の表示装置。
　【請求項３】交差している行と列において配置された複数の発光画素からなる前記表示装置において、前記アノードはストライプ形状に行方向に配列され、前記隔壁はストライプ形状に列方向に配列されていることを特徴とする請求項１記載の表示装置。
　【請求項４】前記隔壁の厚さが前記有機ＥＬ層の厚さより大きくなっていることを特徴とする請求項１、請求項２または請求項３記載の表示装置。
　【請求項５】透明支持基板上に透明電極から成るアノードをパターニングする工程と、前記透明支持基板上およびパターニングされたアノードの上にパターニングされた矩形断面形状の隔壁を設ける工程と、前記隔壁を形成した後に、有機分子を全面に蒸着し有機ＥＬ層を形成する工程と、前記透明支持基板上に前記隔壁を介してシャドウマスクを設置し前記シャドウマスクのストライプ状遮蔽部を前記隔壁上面に密着させて、隔壁、有機ＥＬ層およびシャドウマスクのストライプ状遮蔽部を被覆するように全面に金属原子を等方的な方向から蒸着させる工程と、前記シャドウマスクを透明支持基板から引き離し前記隔壁上部のストライプ状遮蔽部を取り去ってパターニングしたカソードを形成する工程と、を含んでいることを特徴とする表示装置の製造方法。
　【請求項６】有機ＥＬ層を形成するための前記有機分子の全面蒸着が隔壁上面に垂直な方向からなされることを特徴とする請求項５記載の表示装置の製造方法。
　【請求項７】前記シャドウマスクには多数のスリットが形成され、前記スリット間が前記ストライプ状遮蔽部になっていることを特徴とする請求項５または請求項６記載の表示装置の製造方法。
　【請求項８】前記シャドウマスクの細長いスリットにブリッジ部が形成され前記ストライプ状遮蔽部が補強されていることを特徴とする請求項７記載の表示装置の製造方法。
　これに対して、当審が通知した取消理由で引用した刊行物１（特開平８−２０２２８７号公報）には、「透光性基板上に複数本形成されているストライプ状の透光性導体薄膜からなる透明電極層と、該透明電極上に該透明電極と直交するようストライプ状に複数本形成されている絶縁材からなるリブと、該リブとリブとの間に形成された有機エレクトロルミネセント媒体からなる有機層と、該有機層上の全面に、かつ、前記リブの厚みを越えないように形成された導電薄膜からなる上部電極層と、を備えることを特徴とする有機エレクトロルミネセント表示装置。」（特許請求の範囲の請求項１）、「本発明の有機エレクトロルミネセント表示装置の一実施例の構成を示す斜視図を図１に示す。この図において、１はガラス等の絶縁性の上部基板、２は上部基板１の内面に塗布されるゲッターの塗布されるゲッター材塗布エリア、３はガラス等の透光性を有する下部透明基板、４は下部透明基板３上に複数ストライプ状に形成されたＩＴＯ等からなる透光性の透明電極、５は一部しか図示されていないが下部透明基板３の外周部分の透明電極４上に枠状に形成されたシール材、６はリブ８間に透明電極４と直交するようストライプ状に形成された有機エレクトロルミネセント（ＥＬ）媒体からなる有機層、７は有機層６の上全面にのみ形成されているストライプ状の上部電極、８は透明電極４と直交するよう透明電極４上に複数本形成された絶縁性のリブである。」（段落【００１６】）、「透光性基板上に複数本形成されているストライプ状の透光性導体薄膜からなる透明電極上に、該透明電極と直交するようストライプ状に絶縁性のリブが複数本形成されており、該リブとリブとの間に有機エレクトロルミネセント媒体からなる有機層が形成され、前記リブ上にスリット状マスクを装着し、次いで該スリットを通して前記有機層上にのみ導体薄膜を蒸着することにより上部電極を形成するようにしたことを特徴とする有機エレクトロルミネセント表示装置の製造方法。」（特許請求の範囲の請求項４）、「次に、有機層６の成膜工程を説明するが、この工程には２つの方法がある。第１の方法は乾式の方法であり真空蒸着が用いられるが、まず、トリフェニルジアミン（ＴＰＤ）を真空蒸着してホール輸送層を成膜し、次いで、アルミキノリノール錯体（Ａｌｑ３）を真空蒸着することにより発光層をホール輸送層の上に成膜する。これにより、２層構造の有機層６が成膜される。この２層構造のそれぞれの層の厚さは、５００Å〜１０００Åの厚さとされる。なお、リブ８上に蒸着された有機層６はかき取りあるいは研磨等の機械的手段により除去される。」（段落【００２５】）、「第２の方法はマスクを使用するマスク蒸着方法であり、リブ８に対応してスリットの形成されたマスクを作製し、有機層６およびリブ８の形成された透明電極４上に作製されたマスク１３を装着（図７（ｂ）参照）する。そして、このマスク１３の上から上部電極材料を蒸着すると、スリット１４を介してリブ８間の有機層６上に上部電極７の薄膜が成膜されるようになる。そこで、マスク１３を取り除くと、図７（ｃ）に示すように有機層６上にだけ上部電極７が成膜され、リブ８上には上部電極材料の蒸着されない下部透明基板３を作製することができる。続いて、下部透明基板３に上部基板を被せて封止を行うことにより有機ＥＬ表示装置を作製することができる。」（段落【００２８】）とそれぞれ記載されている。また、第１図及び第２図には、断面形状が矩形でありストライプ状に形成されたリブ（隔壁）８、ストライプ状にパターニング形成されたアノード４、互いに直交したアノード４とリブ（隔壁）８、厚さが有機ＥＬ層の厚さよりも厚いリブ（隔壁）８が示され、図７（ｂ）には、リブ（隔壁）８の上にマスクを置いて蒸着を行うことが示されている。
　また、同刊行物２（特開昭６３−２７６０３５号公報）には、「同一基板表面上に、上部電極取出し部と、それと僅かに離隔した下部電極からなる電極パターンを前記取出し部を形成するための第１開口部と、前記下部電極を形成するための第２開口部を有する蒸着用マスクを用いて、マスク蒸着により製造する方法に於いて、前記マスクとして、第１開口部と第２開口部とを隔てる隔離線と第１開口部側マスク周辺部との間に、該隔離線を補強するための橋渡しを設けたマスクを使用することを特徴とする方法」（特許請求の範囲）、「本発明は、電極パターンをマスク蒸着により製造する際に、第７図に示すようにマスクの隔離線（３）と第１開口部（１）側の周辺部（７）との間に、隔離線（３）を補強するための橋渡し（８）を設けたマスクを使用する点に特徴がある。」（第２頁右下欄第３〜８行）とそれぞれ記載されている。また、第７図には、スリット１に橋渡し部８を設けて補強したマスクが示されている。
（対比・判断）
　本件発明と上記刊行物１及び２に記載の発明とを対比すると、上記各刊行物に記載の発明は、本件発明１乃至４を特定する事項である、「隣り合う隔壁の間に互いに分離されたカソードが前記隔壁を覆うように配置されている」という事項、あるいは本件発明５乃至８を特定する事項である、「隔壁、有機ＥＬ層およびシャドウマスクのストライプ状遮蔽部を被覆するように全面に金属原子を等方的な方向から蒸着させる工程」を備えておらず、当該事項により本件発明は、金属の蒸着で飛来する金属原子の方向が等方性を有していてもよいので、微細なカソードのパターニングを簡単且つ安価に歩留まり良く形成できるという顕著な効果を奏するものである。
　確かに、上記刊行物１記載の有機エレクトロルミネセント表示装置は、隣り合う隔壁の間に互いに分離されたカソードを有するものであるが、このものは該カソードを隔壁と隔壁の間の有機ＥＬ層上にのみ設けたものである。また、同刊行物に記載の製造方法は、隔壁の上面に載置したシャドウマスクのスリットを通して、隔壁間の有機ＥＬ層上にのみ金属原子を上方から蒸着させる工程を有するものではあるが、このものは金属原子の蒸着対象箇所及び蒸着方向が本件発明とは異なるものである。したがって、刊行物１記載の発明によっては、上記の効果を得ることができないものである。
　また、上記刊行物２には、単にシャドウマスクの補強構造が示されているにすぎない。
　そうすると、上記各刊行物に記載の発明を組み合わせたとしても本件発明に至らないことは自明であり、本件発明が上記各刊行物に記載のものから容易に発明をすることができたものとはいえない。
　したがって、本件発明は特許出願の際独立して特許を受けることができるものである。
エ．むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法第１２０条の４第２項及び同条第３項で準用する同法第１２６条第２−４項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
（３）特許異議の申立てについての判断
ア．申立ての概要
　申立人五島香里は、証拠として甲第１号証（特開平８−２０２２８７号公報（取消理由で示した刊行物１））及び甲第２号証（特開昭６３−２７６０３５号公報（同刊行物２））を提出し、本件発明についての特許は特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであり、本件発明についての特許を取り消すべき旨主張している。
イ．判断
　本件発明は、上記（２）ウ．の項で述べたように、取消理由通知で示した刊行物に記載された発明であるとも、これらから容易に推考しうるものでもない。
　また、他に本件発明についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１１年１１月１６日（１９９９．１１．１６）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
▲１▼訂正事項ａ
　特許請求の範囲の請求項１の記載「透明支持基板の上に透明電極から成るパターニングされたアノードを有し、前記アノードおよび透明支持基板の上に有機エレクトロルミネセント材料から成る有機ＥＬ層が形成され、複数のカソードが前記有機ＥＬ層を前記アノードと挟んで形成されて成る表示装置において、複数にパターニングされ絶縁性を有する矩形断面形状の隔壁が前記アノード上に複数個配列され、前記有機ＥＬ層が前記隔壁上面に形成され更に前記隔壁間に埋め込まれるように形成され、隣り合う前記隔壁の間に互いに分離されたカソードが配置されていることを特徴とする表示装置。」を、特許請求の範囲の減縮を目的として、「透明支持基板の上に透明電極から成るパターニングされたアノードを有し、前記アノードおよび透明支持基板の上に有機エレクトロルミネセント材料から成る有機ＥＬ層が形成され、複数のカソードが前記有機ＥＬ層を前記アノードと挟んで形成されて成る表示装置において、複数にパタ−ニングされ絶縁性を有する矩形断面形状の隔壁が前記アノード上に複数個配列され、前記有機ＥＬ層が前記隔壁上面に形成され更に前記隔壁間に埋め込まれるように形成され、隣り合う前記隔壁の間に互いに分離されたカソードが
前記隔壁を覆うように
▲２▼訂正事項ｂ
　特許請求の範囲の請求項５の記載「透明支持基板上に透明電極から成るアノードをパターニングする工程と、前記透明支持基板上およびパターニングされたアノードの上にパターニングされた矩形断面形状の隔壁を設ける工程と、前記隔壁を形成した後に、有機分子を全面に蒸着し有機ＥＬ層を形成する工程と、前記透明支持基板上に前記隔壁を介してシャドウマスクを設置し前記シャドウマスクのストライプ状遮蔽部を前記隔壁上面に密着させて全面に金属原子を等方的な方向から蒸着させる工程と、前記シャドウマスクを透明支持基板から引き離し前記隔壁上部のストライプ状遮蔽部を取り去ってパターニングしたカソードを形成する工程と、を含んでいることを特徴とする表示装置の製造方法。」を、特許請求の範囲の減縮を目的として、「透明支持基板上に透明電極から成るアノードをパターニングする工程と、前記透明支持基板上およびパターニングされたアノードの上にパターニングされた矩形断面形状の隔壁を設ける工程と、前記隔壁を形成した後に、有機分子を全面に蒸着し有機ＥＬ層を形成する工程と、前記透明支持基板上に前記隔壁を介してシャドウマスクを設置し前記シャドウマスクのストライプ状遮蔽部を前記隔壁上面に密着させて
、隔壁、有機ＥＬ層およびシャドウマスクのストライプ状遮蔽部を被覆するように
▲３▼訂正事項ｃ
明細書【００２１】段落第３頁第６欄第３８行目乃至第３９行目の「隣り合う前記隔壁の間に互いに分離されたカソードが配置されている」を、「隣り合う前記隔壁の間に互いに分離されたカソードが
前記隔壁を覆うように
▲４▼訂正事項ｄ
明細書【００２５】段落第４頁第７欄第５行目乃至第９行目の「前記透明支持基板上に前記隔壁を介してシャドウマスクを設置し前記シャドウマスクのストライプ状遮蔽部を前記隔壁上面に密着させて全面に金属原子を等方的な方向から蒸着させる工程」を、「前記透明支持基板上に前記隔壁を介してシャドウマスクを設置し前記シャドウマスクのストライプ状遮蔽部を前記隔壁上面に密着させて
、隔壁、有機ＥＬ層およびシャドウマスクのストライプ状遮蔽部を被覆にするように
（５４）【発明の名称】
表示装置およびその製造方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　透明支持基板の上に透明電極から成るパターニングされたアノードを有し、前記アノードおよび透明支持基板の上に有機エレクトロルミネセント材料から成る有機ＥＬ層が形成され、複数のカソードが前記有機ＥＬ層を前記アノードと挟んで形成されて成る表示装置において、パターニングされ絶縁性を有する矩形断面形状の隔壁が前記アノード上に複数個配列され、前記有機ＥＬ層が前記隔壁上面に形成され更に前記隔壁間に埋め込まれるように形成され、隣り合う前記隔壁の間に互いに分離されたカソードが
前記隔壁を覆うように
　【請求項２】　前記パターニングされたアノードと前記パターニングされた隔壁とが互いに交差するように形成されていることを特徴とする請求項１記載の表示装置。
　【請求項３】　交差している行と列において配置された複数の発光画素からなる前記表示装置において、前記アノードはストライプ形状に行方向に配列され、前記隔壁はストライプ形状に列方向に配列されていることを特徴とする請求項１記載の表示装置。
　【請求項４】　前記隔壁の厚さが前記有機ＥＬ層の厚さより大きくなっていることを特徴とする請求項１、請求項２または請求項３記載の表示装置。
　【請求項５】　透明支持基板上に透明電極から成るアノードをパターニングする工程と、前記透明支持基板上およびパターニングされたアノードの上にパターニングされた矩形断面形状の隔壁を設ける工程と、前記隔壁を形成した後に、有機分子を全面に蒸着し有機ＥＬ層を形成する工程と、前記透明支持基板上に前記隔壁を介してシャドウマスクを設置し前記シャドウマスクのストライプ状遮蔽部を前記隔壁上面に密着させて
、隔壁、有機ＥＬ層およびシャドウマスクのストライプ状遮蔽部を被覆するように
　【請求項６】　有機ＥＬ層を形成するための前記有機分子の全面蒸着が隔壁上面に垂直な方向からなされることを特徴とする請求項５記載の表示装置の製造方法。
　【請求項７】　前記シャドウマスクには多数のスリットが形成され、前記スリット間が前記ストライプ状遮蔽部になっていることを特徴とする請求項５または請求項６記載の表示装置の製造方法。
　【請求項８】　前記シャドウマスクの細長いスリットにブリッジ部が形成され前記ストライプ状遮蔽部が補強されていることを特徴とする請求項７記載の表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】本発明は表示装置およびその製造方法に関し、特に平面ディスプレイに用いるのに好適な有機エレクトロルミネセント画像表示装置およびその製造方法に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】図７に従来の有機エレクトロルミネセント表示装置（以下、有機ＥＬ表示装置という）の一例の断面図を示す。透明支持基板３１に最初にパターニングする電極には透明電極、通常酸化インジウム（ＩＴＯ）が用いられる。ＩＴＯのパターニングは従来よく知られているフォトリソグラフィ技術を使い、塩化第二鉄を含む化学薬液中でのウエットエッチング法で行える。このパターニングされたＩＴＯはアノード３２であり、これを有する透明支持基板の上に真空蒸着法で有機ＥＬ層３５を成膜し、この有機ＥＬ層３５の上に更にカソード３７をパタ−ニングして形成しなければならない。
　【０００３】これをフォトレジスト技術を用いたウエットエッチング法で行った場合、レジストを剥離する時およびこのフォトレジストによりカソードを選択的にエッチングする時に、水分が有機ＥＬ層および有機ＥＬ層とカソードとの界面に浸潤していく。このために、表示装置の発光性能および寿命特性を著しく劣化させてしまうという問題があった。
　【０００４】このような不具合を回避する最近よく知られた有機ＥＬ表示装置とその製造方法として、シャドウマスクを用いて複数の有機エレクトロルミネセント材料（以下、有機ＥＬ材料という）とカソードを蒸着して得られる構造のものとその方法とがある。
　【０００５】このシャドウマスク法では、図７に示すように、ガラスのような透明支持基板３１上にＩＴＯなどの透明電極をスパッタリング法等で成膜し、ストライプ状にパターニングしたアノード３２を形成する。そして、全面を被覆するように第１有機ＥＬ層３３と第２有機ＥＬ層３４とを積層して形成する。この第１および第２有機ＥＬ層が有機ＥＬ層３５を構成する。
　【０００６】そして、金属などを材料としたシャドウマスクで、ストライプ状に複数のスリットが入りストライプ状遮蔽部３６を有するシャドウマスクを、これらのスリットが上記アノード３２のパターンに交差するように配置し、有機ＥＬ層３５が形成された透明支持基板３１に密着させる。しかる後、この有機ＥＬ層３５表面にシャドウマスクを介してカソード材料を真空蒸着し、パターニングされたカソード３７を得る。
　【０００７】その他、特開平５−２７５１７２号公報において、チン　ワン　タンが有機ＥＬ表示装置とその製造方法の技術について開示している。チン　ワン　タンは透明支持基板上で横方向に間隔をあけて配置する一連の平行なＩＴＯのアノードライン形成の技術について記載している。このアノードラインに交差する方向に縦方向に間隔をあけて壁を配置し、ＩＴＯのアノードラインおよび壁を有する透明支持基板表面の上部に有機ＥＬ層を付着させる。このとき、壁の高さは有機ＥＬ層の厚さを上回る高さに設定しておく。しかる後、カソードを形成する金属の気相堆積用のソース源を、透明支持基板表面に対して、上記ソース源と有機ＥＬ層表面の隣接部分との間に各壁を差し挟む角度に設定する。このようにして、カソード用の金属膜を付着させカソードを形成している。
　【０００８】ここで、上記の壁を形成するための材料として、ネガ型フォトレジストをスピンコーティングした膜あるいはドライフィルムを用いている。そして、これらのフォトレジストあるいはドライフィルムに所定の光学パターンの光を露光し、露光領域のフォトレジストを架橋して不溶形とする一方で、未露光領域を現像及び洗浄技法によって除去してフォトレジストによる壁を作る。
　【０００９】また、これらの方法に代わる壁形成方法としてチン　ワン　タンはフォトレジストを、形成しようとする壁を包囲する領域にパターニングさせて付着し、シリカ、窒化珪素、アルミナ、などの壁形成材料を壁形成領域に付着させ、しかる後、溶剤リフトオフなどの方法によりフォトレジストを除去し、壁を形成する方法も開示している。
　【００１０】カソードを形成する金属を真空蒸着すると、有機ＥＬ層との間に壁が差し挟まれている部分では壁に沿って金属は隔離され、従って所望のパターンにカソードを形成できた有機ＥＬ表示装置が得られる。
　【００１１】このようにして製作された有機ＥＬ表示装置は、所望の画素を構成するアノードとカソードの間に通常５〜２０Ｖの電圧を印加して有機ＥＬ層に電流を流し、任意のパターンを発光させて表示装置として使われる。
　【００１２】
　【発明が解決しようとする課題】既に述べたように有機ＥＬ表示装置は、有機ＥＬ層をアノードとカソードが挟んだ構造をしている。アノードとカソード間に電圧を印加して有機ＥＬ層を発光させることにより任意の模様の表示をするには、アノードとカソードの電極を任意の模様にパタ−ニングする必要がある。そして、ドットマトリクスディスプレイではアノードとカソードを格子状に交差する様に配置して各電極をパターニングすればよい。
　【００１３】従来の技術で述べたように、透明支持基板上のアノードのパターニングは容易である。問題は有機ＥＬ層３５の上に更にカソード３７をパターニングして形成しなければならない点である。これをフォトレジスト技術を用いたウエットエッチング法で行った場合、レジストを剥離する時およびこのレジストによりカソードを選択的にエッチングする時に水分が有機ＥＬ層および有機ＥＬ層とカソードとの界面に浸潤していくためにその発光性能および寿命特性を著しく劣化させてしまう問題があった。
　【００１４】このような不具合を回避する手段として、有機ＥＬ層３５の上にカソードを形成する際に上述したようなシャドウマスクを使用する方法と、フォトレジスト技術を使って壁を作製し壁をカソードのパターニングに利用する方法とがある。
　【００１５】しかし、前者のシャドウマスクを使う方法において、大きな基板サイズではシャドウマスクの自重により透明支持基板の中央部では有機ＥＬ層３５に密着できず、カソードが所望の所で分離出来ずにショートしてしまう。そして、精密なカソードのパターンが形成できない。また、大きな基板サイズでなくても微細なパターンではシャドウマスクの製作上、シャドウマスクの厚みを薄くする必要があるが、薄いシャドウマスクは剛性が小さく、従って基板の有機ＥＬ層３５に密着させることが極めて困難となる。
　【００１６】そこで、磁性材料で薄いシャドウマスクを製作し、透明支持基板３１で有機ＥＬ層３５を付着させた面の反対側に磁石を配置し、シャドウマスクのストライプ状遮蔽部３６を磁力で有機ＥＬ層３５に密着させる技法が使われる。しかし、シャドウマスクが、有機ＥＬ層３５に密着するまでに有機ＥＬ層３５に当たり擦り傷３８をつけてしまう。駆動電圧を２０Ｖ以下に抑えるために、有機ＥＬ層３５は通常その厚みが通常１μｍより薄いので、この擦り傷３８は容易に有機ＥＬ層３５の下部のアノード３２に達してしまう。図７で示すように、このような擦り傷３８がカソード３７のパターンされるべき部位に存在すると、カソード形成の工程でカソード材料の金属がこの擦り傷３８を通してアノード３２と接触し、カソードとアノードが電気的に短絡してしまう。カソードとアノードが短絡するとそれらの電極に挟まれた有機ＥＬ層３５に、発光に必要な電圧が印加されなくなり、従ってその該当する表示画素が発光しないという問題が生ずる。そして、表示装置の製造歩留まりを低下させる。
　【００１７】また、フォトレジストを利用した壁を使う後者の方法では、有機ＥＬ層とカソード用の金属の蒸着ソース源との間に壁を配置する必要があるため、大きな面積の透明支持基板のカソードのパターニングには大きな真空成膜装置が必要になり設備投資が多額になるという欠点がある。そして、多額の設備投資に伴い製造原価も高くなるという問題もある。
　【００１８】また、カソード用の金属の蒸着ソース源と有機ＥＬ層に挟まれた壁がその壁に沿って有機ＥＬ層表面に投影する領域の幅とその壁自身の幅との合計の距離が、隣り合うカソードとの分離幅になる。このため、大面積の表示基板ではカソード用の金属蒸着ソース源に近い部分と遠い部分では壁が投影する画素の分離幅が異なってくるという不都合もある。
　【００１９】さらに、カソード金属の蒸着ソース源と透明支持基板とを結ぶ直線とほぼ平行なパターンでは、壁が有機ＥＬ層に投影する部分が存在しなくなるためパタ−ニングできないという欠点もある。
　【００２０】本発明の目的は、大面積の表示装置でも微細なカソードのパターニングを簡単に且つ安価に形成でき、しかも、任意の形状のカソードのパターニングが可能な有機ＥＬ表示を提供することにある。
　【００２１】
　【課題を解決するための手段】このために、本発明による表示装置では、透明支持基板の上に透明電極から成るパターニングされたアノードを有し、前記アノードおよび透明支持基板の上に有機エレクトロルミネセント材料から成る有機ＥＬ層が形成され、複数のカソードが前記有機ＥＬ層を前記アノードと挟んで形成されて成る表示装置において、パターニングされ絶縁性を有する矩形断面形状の隔壁が前記アノード上に複数個配列され、前記有機ＥＬ層が前記隔壁上面に形成され更に前記隔壁間に埋め込まれるように形成され、隣り合う前記隔壁の間に互いに分離されたカソードが
前記隔壁を覆うように
　【００２２】ここで、前記パターニングされたアノードと前記パタ−ニングされた隔壁とが互いに交差するように形成されている。
　【００２３】あるいは、交差している行と列において配置された複数の発光画素からなる前記表示装置において、前記アノードはストライプ形状に行方向に配列され、前記隔壁はストライプ形状に列方向に配列されている。
　【００２４】また、前記隔壁の厚さが前記有機ＥＬ層の厚さより大きくなっている。
　【００２５】本発明の表示装置の製造方法は、透明支持基板上に透明電極から成るアノードをパターニングする工程と、前記透明支持基板上およびパターニングされたアノードの上にパターニングされた矩形断面形状の隔壁を設ける工程と、前記隔壁を形成した後に、有機分子を全面に蒸着し有機ＥＬ層を形成する工程と、前記透明支持基板上に前記隔壁を介してシャドウマスクを設置し前記シャドウマスクのストライプ状遮蔽部を前記隔壁上面に密着させて
、隔壁、有機ＥＬ層およびシャドウマスクのストライプ状遮蔽部を被覆するように
　【００２６】ここで、有機ＥＬ層を形成するための前記有機分子の全面蒸着は隔壁上面に垂直な方向からなされる。そして、前記シャドウマスクには多数のスリットが形成され、前記スリット間が前記ストライプ状遮蔽部になっている。また、前記シャドウマスクの細長いスリットにはブリッジ部が形成され前記ストライプ状遮蔽部が補強される構造になっている。
　【００２７】このように本発明では、隔壁が有機ＥＬ層より出っ張るように形成されているため、この有機ＥＬ層はシャドウマスクの接触による損傷等から完全に保護される。また、カソード形成の工程において、シャドウマスクのストライプ状遮蔽部が隔壁上部に密着するため、カソード材料である金属の蒸着で飛来する金属原子の方向は等方性を有していても、パターニングされたカソードが形成できるようになる。
　【００２８】
　【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。図１は本発明の第１の実施の形態を示す一部切り欠き平面図である。
　【００２９】図１に示すように、厚みが１．１ｍｍのガラス基板を透明支持基板１とした。透明支持基板１の上にＩＴＯ膜をスパッタ法で１００ｎｍの厚みに成膜した。ガラス基板は水分の吸着が少ない無アルカリガラス板が望ましいが、基板乾燥を充分行うなど工程に気をつければ安価な低アルカリガラス板あるいはソーダライムガラス板でもよい。
　【００３０】このガラス基板に成膜したＩＴＯ膜をフォトリソグラフィ技術とエッチング技術とで、間隔をあけて横方向にストライプ状にパターニングしたものをアノード２とした。ＩＴＯ膜はアノードとして機能させると共に有機ＥＬ層で発生させた発光をこのＩＴＯ膜を通過して外部へ取り出して表示装置とするものであるから、より低抵抗且つより光透過率が高いことが望ましい。ＩＴＯのパターンはラインピッチ１．０ｍｍ、ライン幅は０．６ｍｍ、長さ４５ｍｍで１２８本の列を構成する。このアノード２のラインは表示素子の行を構成するものである。
　【００３１】そして、アノード２に交差するように隔壁３を形成した。隔壁３のパターンは、ピッチ１．０ｍｍ、幅０．４ｍｍであり、高さは４０μｍないし５０μｍである。この隔壁３は表示素子の列ラインを構成する。
　【００３２】そして、真空蒸着装置で有機ＥＬ層４を四角形に形成し、しかる後隔壁３と隔壁３の間がスリット状となるシャドウマスクを用いて金属を真空蒸着し列ラインを構成するカソード５を形成した。
　【００３３】次に、この第１の実施の形態の表示装置の製造方法を図２乃至図５に基づいて説明する。ここで、図２および図３は、透明支持基板１にアノード２をパターニングした後有機ＥＬ層４を形成しカソード５を形成するまでの工程順の断面図である。また、図４および図５は、表示素子の製造工程で用いるシャドウマスクの平面図である。
　【００３４】図２（ａ）に示すように、透明支持基板１にストライプ状のアノード２を形成する。ここで、このアノード２はＩＴＯで構成される。次に、ネガ型のドライフィルムレジスト６をラミネータで透明支持基板１上に張り付ける。そして、フォトマスク７を使って露光機により近紫外光８を照射し、ストライプ状の光学パターンをドライフィルムレジスト６に転写する。ここで、ネガ型のドライフィルムレジスト６は東京応化工業（株）製の商品名α−４５０を使用した。また、透明支持基板１へのラミネートは温度８５〜１１５℃、圧力２〜４ｋｇ／ｃｍ２の条件で毎分１〜３ｍの速さで行った。なお、フォトマスク７の遮光パターン９はＩＴＯのストライプ列に対して交差するように配列され、幅０．４ｍｍで間隔ピッチ１．０ｍｍのストライプの行３１本となる。そして、両端の行２本の外側にそれぞれ間隔０．６ｍｍを隔てて充分幅の広い遮光パターンが配置してある。
　【００３５】この近紫外光８の照射で、露光領域は架橋して不溶性となり、未露光部分は現像及び剥離洗浄により除去できるようになる。次に、Ｎａ２ＣＯ３の０．８〜１．２％水溶液で現像する。そして、剥離洗浄をＫＯＨの２〜４％水溶液で行う。このような現像及び剥離洗浄は、透明支持基板上のドライフィルムレジスト６を下面として４００ｒｐｍで回転させ、現像液または剥離液をレジストにスプレーして行った。そして、剥離後３０００ｒｐｍで６０秒間回転させ、１３０度のクリーンオーブン内で６０分の乾燥させた。
　【００３６】このようにして図２（ｂ）に示すように、透明支持基板１上にドライフィルムレジストによる隔壁３の列ラインを形成する。隔壁３の高さは、後述する有機ＥＬ層にシャドウマスクが触れない程度の距離を保てるものであれば特に制限されない。通常のレジストの強さを勘案すれば１０μｍから２００μｍの厚みのドライフィルムレジストを用いるのが望ましい。
　【００３７】次に、隔壁３を下面にしてこの透明支持基板１を真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、真空蒸着装置内の抵抗加熱ボートにＮ，Ｎ’−ジフェニルーＮ，Ｎ’−ビス（α−ナフチル）−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（以下、α−ＮＰＤという）を入れる。そして、別の抵抗加熱ボートにトリス（８−キノリノラト）アルミニウム錯体（以下、Ａｌｑ３という）を入れ、真空ポンプで真空蒸着装置内を１ｘ１０−６Ｔｏｒｒ以下に排気する。
　【００３８】しかる後、有機ＥＬ層を蒸着する範囲を四角形にくり抜いた金属製のマスクを、上述したようにして形成した隔壁３を有する透明支持基板１の表面に固定するように設置する。そして、透明支持基板１と上記マスクとの下部に配置されているα−ＮＰＤの抵抗加熱ボートに電流を流して加熱する。そして、α−ＮＰＤ層４ａが膜厚５０ｎｍ程度になるように蒸着する。その後、Ａｌｑ３を入れた抵抗加熱ボートに電流を流し、α−ＮＰＤ層４ａの表面にＡｌｑ３層４ｂを膜厚５０ｎｍまで蒸着する。このようにして、図３（ａ）に示すように、α−ＮＰＤ層４ａとＡｌｑ３層４ｂとで構成するようになる有機ＥＬ層４を形成する。なお、α−ＮＰＤ層４ａは正孔を輸送する層として機能し、Ａｌｑ３層４ｂは電子を輸送する層および発光層として機能する。
　【００３９】ここで、α−ＮＰＤおよびＡｌｑ３の蒸着有機分子１０は、図３（ａ）に示すように、隔壁３の真下方向からであるが隔壁３に遮蔽される部分がないように、また蒸着膜の厚さがより均一になるように、蒸着中に透明支持基板１を蒸着ソース源に対して水平面内で回転させる方が望ましい。
　【００４０】次に、図４に示すようなＳＵＳ４３０製のシャドウマスク１１を、予め真空蒸着装置内に配置しておき、シャドウマスク１１の上に有機ＥＬ層４を形成した透明支持基板１を設置する。
　【００４１】このシャドウマスク１１には、図４に示すように、ストライプ状遮蔽部１２が形成されスリット部１３が設けられている。そして、透明支持基板１上の隔壁３の列ラインにストライプ状遮蔽部１２が位置するように形成されている。この寸法は、厚み０．４ｍｍ、幅０．４ｍｍ、長さ１３０ｍｍである。なお、ストライプ状遮蔽部１２は中心ピッチ１．０ｍｍで３２本平行に配置されている。
　【００４２】図３（ｂ）に示すように、シャドウマスク１１のストライプ状遮蔽部１２が隔壁３上にしっかり固定するように磁石１４で引きつける。従ってシャドウマスク１１の材質は磁力で引きつけられる磁性材料であることが望ましい。
　【００４３】次に、真空蒸着装置内の抵抗加熱ボートにマグネシウムを入れ、また別の抵抗加熱ボートに銀を入れて、マグネシウム：銀の比率を１０：１となる蒸着速度で一緒に蒸着した。この時、蒸着ソース源からくる蒸着金属１５は、シャドウマスク１１に対して真下方向からほぼ等方性をもって飛来する。ここで、蒸着中に透明支持基板１を蒸着ソース源に対して水平面内で回転させる方が望ましい。
　【００４４】このようにして、図３（ｂ）に示すように、隔壁３、有機ＥＬ層４およびシャドウマスクのストライプ状遮蔽部１２を被覆するように膜厚が２００ｎｍ程度の合金層１６を形成する。
　【００４５】次に、透明支持基板１をシャドウマスク１１から引き離す。このようにして、図３（ｃ）に示すように、透明支持基板１を真空槽から取り出すことなく、マグネシウムと銀の混合金属からなるカソード５を３２本、有機ＥＬ層４の上に形成する。
　【００４６】以上のようにして、透明支持基板１上に行ラインのアノード２、一定間隔で形成された列ラインの隔壁３、有機ＥＬ層４およびカソード５を有する表示素子が形成される。
　【００４７】このような方法では、隔壁３を介して透明支持基板１にシャドウマスクを密着させることができるため、アノード上の有機ＥＬ層４にはシャドウマスクが接触しない。このため、発光に寄与する部分の有機ＥＬ層４はシャドウマスクにより全く損傷されない。
　【００４８】このようにして形成した表示素子にＩＴＯ電極をアノード、マグネシウム：銀電極をカソードとし、カソードをデュティファクター１／３２且つフレーム周波数１５０Ｈｚで時分割走査する様に８Ｖのパルス電圧を印加した。この時、非選択のカソードには＋８Ｖが印加され、選択されているカソードは０Ｖとなる。１２８本のアノードにはカソードの走査タイミングに合わせて、所望の点灯させたい画素につながるアノードに定電流回路から３００ｍＡ／ｃｍ２、最大８Ｖのパルス電流を流し、点灯させたくない画素につながるアノードは０Ｖとなるよう制御した。この結果、画素の輝度６００ｃｄ／ｍ２で所望の表示パターンを通常の室内で観察できた。
　【００４９】このように表示装置のカソードを形成するために用いるシャドウマスクとしては、この他種々のものが考えられる。このようなシャドウマスクについて図５を参照して説明する。
　【００５０】このシャドウマスクの場合には、図４で説明したものと異なり、細長いストライプ状遮蔽部１２は形成されない。図５（ａ）に示すように、シャドウマスク１１ａには短冊状のスリット部１３ａが多数設けられ、図４で説明したシャドウマスク１１のスリット部１３に多数のブリッジが形成されている構造になる。すなわち、図５（ａ）のスリット部１３ａ間にブリッジ部１７が設けられる。
　【００５１】図３（ｂ）の工程で合金層１６を形成するときにこのようなシャドウマスク１１ａを使用しても問題は生じない。ここで、隔壁３の高さが４０μｍから５０μｍあるため、シャドウマスク１１ａにブリッジ部１７があっても、そのブリッジ部１７の両側からそれぞれ斜め方向にも金属が蒸着される。図３（ｂ）において、有機ＥＬ層４の厚さは１μｍに満たないので、有機ＥＬ層４の表面からシャドウマスク１１ａの上面まではほぼ４０μｍから５０μｍとなる。真空蒸着装置内で透明支持基板１を水平面で回転させる時は、有機ＥＬ層４の表面に対して金属蒸着ソース源から飛来する蒸着金属の方向は、射出角１５度以上を確保できるように設計してある。このため、幅２０μｍのブリッジ部１７の真下に対応する位置の蒸着面にも合金層１６が形成できることになる。
　【００５２】同様に、シャドウマスクとして図５（ｂ）に示すような扇型のものも使用される。この場合もシャドウマスク１１ｂにスリット部１３ｂが多数に形成される。そして、全体で扇状のスリットが設けられる。このような形状は、表示装置の表示模様にあわせて形成されることになる。
　【００５３】図５に示すようなシャドウマスクは、スリット部がブリッジ部でメッシュ状に支持されているので、５０μｍという薄い金属板でもシャドウマスクとして使用できる。ここで、適用できるブリッジ部の幅、隔壁の高さ及びシャドウマスクの厚みは、用いる成膜装置でどれ程の射出角が確保出来るかで定まるが、強度上、シャドウマスクは厚み５０μｍ以上が望ましく、この場合ブリッジ部の幅は２０μｍ程度が望ましい。さらに、前述したように隔壁の高さは４０μｍ以上が望ましい。
　【００５４】次に、本発明の第２の実施の形態について図６を参照して説明する。図６は本発明の第２の実施の形態を示すための製造工程順の断面図である。
　【００５５】図６（ａ）によれば、ガラス製の透明支持基板１にＩＴＯでアノード１８を形成する。このアノード１８は行ラインを構成し、ラインピッチ０．３５ｍｍ、ライン幅は０．２５ｍｍ、長さ２９ｍｍで２５６本とした。
　【００５６】この透明支持基板１にネガ型ドライフィルムレジストをラミネータで張り付け、フォトマスクを使って露光機により、第１の実施の形態で説明したのと同様にして光学パターンを転写した。そして、現像および剥離洗浄工程を通し隔壁３を形成する。このストライプ状の隔壁３は、行ラインに対して交差するように配列され、幅０．１ｍｍで間隔ピッチ０．３５ｍｍの６３本となっている。また、隔壁３の高さは４０μｍ〜５０μｍとなっている。なお、両端の列ライン２本の外側にそれぞれ間隔０．２５ｍｍを隔て充分幅の広いパターンを配置してある。
　【００５７】そして、第１の実施の形態と同様にα−ＮＰＤ層４ａ、Ａｑ３層４ｂからなる有機ＥＬ層４を真空蒸着法で成膜する。しかる後、磁石１４を用いＳＵＳ４３０製で厚さ５０μｍのシャドウマスクを透明支持基板１上にセットする。このようにして、図６（ａ）に示すように隔壁３上にシャドウマスクのストライプ状遮蔽部１９が設置される。ここで、ストライプ状遮蔽部１９の幅は隔壁３の幅と同程度あるいはそれ以上になるように設定されている。このストライプ状遮蔽部１９は、透明支持基板１上の隔壁３に対応する部分が幅０．１ｍｍのストライプ状になっている。
　【００５８】次に、スパッタ法等でマグネシウムと銀との混合金属を成膜する。この場合には、直進性のある蒸着金属２０が透明支持基板１に対しほぼ垂直から飛来するようになる。そして、有機ＥＬ層４上あるいはストライプ状遮蔽部１９上にカソード２１を形成する。
　【００５９】次に、透明支持基板１からシャドウマスクを引き離し、ストライプ状遮蔽部１９を剥がす。この時に隔壁３上のカソード２１は除去される。このようにして、図６（ｂ）に示すように透明支持基板１上に行ラインのアノード１８、一定間隔で形成された列ラインの隔壁３、有機ＥＬ層４上であって隔壁２１間に埋設されるように形成されたカソード２１、を有する表示素子が形成される。
　【００６０】この第２の実施の形態では０．３５ｍｍのように比較的狭いピッチで電極を分離して形成しなければならないときに極めて有効になる。
　【００６１】
　【発明の効果】以上に説明したように、本発明では、パターニングされたＩＴＯ電極をアノードとして有する透明支持基板上にパターニングした隔壁を設けて、有機ＥＬ層を形成した後、その上にシャドウマスクを設置してカソードとなる金属層を形成する構造にしている。
　【００６２】このため、シャドウマスクは有機ＥＬ層を傷つけることがなくなり、大きな面積の表示装置でもアノードとカソードをショートさせることなくカソードを容易にパターニングすることができる。このため、表示装置の製造歩留まりが大幅に向上する。
　【００６３】また、隔壁の高さを適宜に選択することにより、斜め方向からの蒸着ではパターニングできないような任意のカソードのパターンを形成できるようになる。
　【００６４】さらに、透明支持基板を回転できるため蒸着ソースを有効に利用でき、また均一に金属層の成膜ができる。そして、金属層の成膜装置をより小形にできるようになる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】本発明の第１の実施の形態を説明するための表示装置の平面図である。
　【図２】上記表示装置の製造方法を説明するための工程順の断面図である。
　【図３】上記表示装置の製造方法を説明するための工程順の断面図である。
　【図４】上記表示装置の製造工程で使用するシャドウマスクの平面図である。
　【図５】上記表示装置の製造工程で使用する別のシャドウマスクの平面図である。
　【図６】本発明の第２の実施の形態を説明するための製造工程順の断面図である。
　【図７】従来の技術を説明するための表示素子の断面図である。
　【符号の説明】
１，３１　　透明支持基板
２，１８，３２　　アノード
３　　隔壁
４，３５　　有機ＥＬ層
４ａ　　α−ＮＰＤ層
４ｂ　　Ａｌｑ３層
５，２１，３７　　カソード
６　　ドライフィルムレジスト
７　　フォトマスク
８　　近紫外光
９　　遮光パターン
１０　　蒸着有機分子
１１，１１ａ，１１ｂ　　シャドウマスク
１２、１９，３６　　ストライプ状遮蔽部
１３，１３ａ，１３ｂ　　スリット部
１４　　磁石
１５，２０　　蒸着金属
１６　　合金層
１７　　ブリッジ部
３３　　第１有機ＥＬ層
３４　　擦り傷