(57)【要約】  ここに記載されているのは、上側面（１２）と、この上側面（１２）とは反対側にある下側面（１１）とを備えた支持体（１）を有するオプトエレクトロニクス半導体デバイスであり、支持体（１）は、導電性の取付領域（１Ａ）と、導電性の接続領域（１Ｃ）と、電気的に絶縁性の酸化領域（１Ｂ）とによって構成されており、上記のオプトエレクトロニクス半導体デバイスは、上記の支持体（１）の上側面において、取付領域（１Ａ）の区域に配置された少なくとも１つのオプトエレクトロニクス素子（２）を有しており、上記の酸化領域（１Ｂ）は、接続領域（１Ｃ）と取付領域（１Ａ）とを電気的に絶縁し、上記の酸化領域（１Ｂ）は、支持体（１）の上側面（１２）からこの支持体（１）の下側面（１１）まで中断されることなく連続して延在しており、上記の取付領域（１Ａ）および接続領域（１Ｂ）はアルミニウム（１０）によって構成されており、上記の酸化領域（１Ｂ）は、上記のアルミニウム（１０）の酸化物（１５）によって構成されており、上記の取付領域（１Ａ）、酸化領域（１Ｂ）および接続領域（１Ｃ）はつながって構成されて１つのユニットを構成する。
2013538450.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
オプトエレクトロニクス半導体デバイス（１００）において、
該オプトエレクトロニクス半導体デバイスは、
−  上側面（１２）と、該上側面（１２）とは反対側にある下側面（１１）とを備えた支持体（１）を有しており、ただし当該支持体（１）は、導電性の取付領域（１Ａ）と、導電性の接続領域（１Ｃ）と、電気的に絶縁性の酸化領域（１Ｂ）とによって構成されており、
前記オプトエレクトロニクス半導体デバイス（１００）はさらに、
−  前記支持体（１）の前記上側面において前記取付領域（１Ａ）の区域に配置された少なくとも１つのオプトエレクトロニクス素子（２）を有しており、
−  前記酸化領域（１Ｂ）は、前記接続領域（１Ｃ）と前記取付領域（１Ａ）とを電気的に絶縁し、
−  前記酸化領域（１Ｂ）は、前記支持体（１）の前記上側面（１２）から当該支持体（１）の前記下側面（１１）まで中断されることなく連続しており、
−  前記取付領域（１Ａ）および前記接続領域（１Ｃ）はアルミニウム（１０）によって構成されており、
−  前記酸化領域（１Ｂ）は、前記アルミニウム（１０）の酸化物（１５）によって構成されており、
−前記取付領域（１Ａ）、前記酸化領域（１Ｂ）および前記接続領域（１Ｃ）はつながって構成されておりかつ１つのユニットを構成している、
ことを特徴とするオプトエレクトロニクス半導体デバイス（１００）。
【請求項２】
請求項１に記載のオプトエレクトロニクス半導体デバイス（１００）において、
前記支持体（１）の前記下側面（１１）において前記取付領域（１Ａ）および／または前記接続領域（１Ｃ）の区域に構成される少なくとも１つの別の酸化領域（４０）を有しており、
当該別の酸化領域（４０）は、どの箇所においても垂直方向（Ｖ）に前記支持体（１）を完全には形成しない、
ことを特徴とするオプトエレクトロニクス半導体デバイス（１００）。
【請求項３】
請求項１または２に記載のオプトエレクトロニクス半導体デバイス（１００）において、
前記酸化領域（１Ｂ）は、前記取付領域（１Ａ）と前記接続領域（１Ｃ）との間において横方向（Ｌ）に少なくとも部分的に配置されている、
ことを特徴とするオプトエレクトロニクス半導体デバイス（１００）。
【請求項４】
請求項１から３までのいずれか１項に記載のオプトエレクトロニクス半導体デバイス（１００）において、
前記酸化領域（１Ｂ）は、前記取付領域（１Ａ）および／または前記接続領域（１Ｃ）を少なくとも部分的に取り囲む、
ことを特徴とするオプトエレクトロニクス半導体デバイス（１００）。
【請求項５】
請求項１から４までのいずれか１項に記載のオプトエレクトロニクス半導体デバイス（１００）において、
前記取付領域（１Ａ）および／または前記接続領域（１Ｃ）は、前記酸化領域（１Ｂ）を少なくとも部分的に取り囲む、
ことを特徴とするオプトエレクトロニクス半導体デバイス（１００）。
【請求項６】
請求項１から５までのいずれか１項に記載のオプトエレクトロニクス半導体デバイス（１００）において、
前記支持体（１）の厚さは、少なくとも０.１mmであり、かつ最大で０.４mmである、
ことを特徴とするオプトエレクトロニクス半導体デバイス（１００）。
【請求項７】
請求項１から６までのいずれか１項に記載のオプトエレクトロニクス半導体デバイス（１００）において、
前記支持体（２）の前記下側面（１１）において、前記取付領域（１Ａ）および前記接続領域（１Ｃ）に配置される接続箇所（Ａ１，Ａ２）を有しており、当該接続箇所（Ａ１，Ａ２）は前記支持体（１）を横方向（Ｌ）に突き出ていない、
ことを特徴とするオプトエレクトロニクス半導体デバイス（１００）。
【請求項８】
請求項１から７までのいずれか１項に記載のオプトエレクトロニクス半導体デバイス（１００）において、
前記支持体（１）は少なくとも部分的にケーシング体（３）によって覆われている、
ことを特徴とするオプトエレクトロニクス半導体デバイス（１００）。
【請求項９】
請求項８に記載のオプトエレクトロニクス半導体デバイス（１００）において、
前記支持体（１）は、少なくとも部分的に前記ケーシング体（３）に埋め込まれている、
ことを特徴とするオプトエレクトロニクス半導体デバイス（１００）。
【請求項１０】
請求項１から９までのいずれか１項に記載のオプトエレクトロニクス半導体デバイス（１００）において、
前記半導体デバイス（１００）の少なくとも１つの側面（１０１）は、切り離しによって形成されており、
前記側面（１０１）は、少なくとも部分的に前記酸化領域（１Ｂ）の外側面（１０Ｂ）によって構成される、
ことを特徴とするオプトエレクトロニクス半導体デバイス（１００）。
【請求項１１】
請求項１から１０までのいずれか１項に記載のオプトエレクトロニクス半導体デバイス（１００）において、
前記半導体デバイス（１００）の少なくとも１つの側面（１０１）は、切り離しによって形成されており、
当該側面（１０１）は、前記取付領域（１Ａ）の外側面（１０Ａ）および／または前記接続領域（１Ｃ）の外側面（１０Ｃ）だけによって構成される、
ことを特徴とするオプトエレクトロニクス半導体デバイス（１００）。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
ここに記載されているのは、オプトエレクトロニクス半導体デバイスである。
【０００２】
本発明において解決すべき課題は、スペースが節約できかつ構造がコンパクトなオプトエレクトロニクス半導体デバイスを提供することである。
【０００３】
このオプトエレクトロニクス半導体デバイスの少なくとも１つの実施形態によれば、このオプトエレクトロニクス半導体デバイスには、上側面と、この上側面とは反対側を向いた下側面とを備えた支持体が含まれている。上記の上側面および下側面には、上記の支持体の外側面の一部によって構成される１つずつの面が形成されている。上記の下側面における表面は、上記の支持体が取り付けられた状態で（例えばプリント基板の）コンタクト支持体側を向いている上記の支持体の外側面の部分である。例えば、上記の支持体の下側面におけるこの表面は、後に上記の半導体デバイスをコンタクト支持体に取り付けるために使用可能な取付面である。上記の半導体デバイスの下側面における表面は、少なくとも部分的に上記の支持体の下側面における上記の表面によって構成することができる。
【０００４】
上記の支持体は、導電性取付領域と、導電性接続領域と、電気絶縁性の酸化領域とによって構成される。すなわち、上記の支持体は、上記の３つの領域を含んでいるのであり、上記の酸化領域は、取付領域および接続領域とは、少なくとも材料が異なっているのである。つまり、上記の酸化領域の材料は、取付領域および／または接続領域の材料とは同じではないのである。この関連において「領域」とは、上記の支持体を少なくとも部分的に形成および構成する任意の３次元構造のことである。例えば、上記の接続領域、取付領域および酸化領域により、上記の支持体が完全に形成されるのである。
【０００５】
少なくとも１つの実施形態によれば、上記のオプトエレクトロニクス半導体デバイスは、上記の取付領域の区域において上記の支持体の上側面に配置される少なくとも１つのオプトエレクトロニクス素子を有する。このオプトエレクトロニクス素子としては、例えば、ビームを受光するかまたはビームを放射する半導体チップとすることが可能である。例えば、この半導体チップは、ルミネセンスダイオードチップであり、すなわち発光ダイオードチップまたはレーザダイオードチップである。例えば、上記のオプトエレクトロニクス素子は１つの外側面が、上記の取付領域における支持体のコンタクト箇所にボンディングされるか、半田付けされるか、導電的に接着される。
【０００６】
少なくとも１つの実施形態によれば、上記の酸化領域により、取付領域と接続領域とが電気的に絶縁される。すなわち、例えば、上記の半導体デバイスを適切に使用している際には、上記の取付領域から出発し、酸化領域を通過して接続領域に至る導電的な接続およびこの逆の接続は存在しないのである。
【０００７】
少なくとも１つの実施形態によれば、上記の酸化領域は、中断されることなく連続して上記の支持体の上側面からこの支持体の下側面に延在する。すなわち、上記の上側面と下側面とを互いに接続する少なくとも１つの仮想的な線または線分が、上記の支持体を通って延在し、またこれが完全に上記の酸化領域内に配置されるのである。
【０００８】
少なくとも１つの実施形態によれば、上記の取付領域および接続領域はアルミニウムによって構成される。例えば、上記の取付領域および接続領域は、完全にアルミニウムによって構成されるのである。例えば、上記の支持体はアルミニウムプレートであり、このアルミニウムプレートが、上記の酸化領域を形成するために部分的に酸化されるのである。この場合に酸化されない領域は、上記の取付領域および／または接続領域を構成することができる。判明したのは、上記のオプトエレクトロニクス素子を接触接続するためにアルミニウムが殊に適しており、さらに上記のオプトエレクトロニクス素子によって形成される熱をこのオプトエレクトロニクス素子から排出できることである。すなわち、アルミニウムを用いれば、上記のオプトエレクトロニクス素子を効率的に冷却できるのである。
【０００９】
少なくとも１つの実施形態によれば、上記の酸化領域は、アルミニウムの酸化物によって構成される。例えば、この酸化物は、ＡｌxＯyである。例えばｘ＝２かつｙ＝３である。有利にもこのような酸化物は、電気的に絶縁性を有しており、これに加えて高い熱伝導率を有する。有利には上記のオプトエレクトロニクス素子によって形成される熱は、上記の酸化領域を通ってこのオプトエレクトロニクス素子から排出され、例えば支持体全体に均一に分散されるのである。
【００１０】
少なくとも１つの実施形態によれば、上記の取付領域、酸化領域および接続領域は、つながって形成されて１つのユニットを構成する。有利には上記の個々の領域は直接に互いに移り変わるため、これらの領域間にはギャップも中断も形成されない。
【００１１】
上記のオプトエレクトロニクス半導体デバイスの少なくとも１つの実施形態によれば、このオプトエレクトロニクス半導体デバイスは、上側面と、この上側面とは反対側を向いた下側面とを有する支持体を有しており、この支持体は、導電性の取付領域と、導電性の接続領域と、電気絶縁性の酸化領域によって構成される。さらに上記の取付領域の区域において支持体の上側面に少なくとも１つのオプトエレクトロニクス素子が配置されている。上記の酸化領域は、上記の取付領域と接続領域とを電気的に絶縁し、この酸化領域は、支持体の上側面からこの支持体の下側面に向かって中断されることなく連続して延在している。上記の取付領域および接続領域は、アルミニウムによって構成されており、上記の酸化領域は、アルミニウムの酸化物によって構成されている。さらに上記の取付領域、酸化領域および接続領域はつながって形成され、１つのユニットを構成している。
【００１２】
少なくとも１つの実施形態によれば、上記のオプトエレクトロニクス半導体デバイスには少なくとも１つの別の酸化領域が含まれており、この別の酸化領域は、上記の支持体の下側面において、上記の取付領域および／または接続領域の区域に形成されている。この別の酸化領域は、どの箇所においても上記の支持体を垂直方向に完全に形成することはない。すなわち、上記の別の酸化領域は、例えば、上記の支持体の下側面を介し、この支持体の中に外部から入れることができ、支持体の下側面においてこの支持体の縁部側の領域だけを形成するのである。
【００１３】
例えば、上記の支持体の下側面における表面は部分的に上記の別の酸化領域によって構成される。
【００１４】
殊に上記の別の酸化領域は、支持体の他の酸化領域とユニットを構成することはない。この場合にこの別の酸化領域は、例えば、支持体の酸化されていない複数の領域により、この支持体の複数の他の酸化領域から分離されるのである。
【００１５】
上記の別の酸化領域は、例えば、上記の支持体の下側面において、ビーム放射形半導体チップの区域に延在する。すなわち、上記の別の酸化領域は、ビーム放射形半導体チップとは反対側を向いた上記の支持体の下側面に配置することができ、またこの支持体の下側面上への、上記の支持体側を向いた半導体チップの少なくとも１つの投影像を含むのである。
【００１６】
少なくとも１つの実施形態によれば、上記の別の酸化領域は、最大で上記の支持体の厚さの２５％に等しい最大厚さを有する。厚さとは、支持体の垂直方向における長さのことである。言い換えると上記の別の酸化領域は、支持体に比べて薄く形成されるのである。
【００１７】
少なくとも１つの実施形態によれば、上記の酸化領域は、上記の取付領域と接続領域との間において横方向に少なくとも部分的に配置される。例えば、上記の酸化領域は、取付領域を接続領域から横方向に離しているのである。「横方向」とは、上記の支持体の主延在方向に平行な方向のことである。この酸化領域は、取付領域と接続領域との間のスペーサとみなすことができる。
【００１８】
少なくとも１つの実施形態によれば、上記の酸化領域は、取付領域および／または接続領域を少なくとも部分的に取り囲む。上記の酸化領域が、取付領域および／または接続領域を完全に取り囲む、例えばフレーム状に取り込み、横方向にこれらを閉じ込めることが可能である。例えば、上記の酸化領域は、部分的または完全に上記の支持体の縁部領域を構成するのである。
【００１９】
少なくとも１つの実施形態によれば、上記の取付領域および／または接続領域は、上記の酸化領域を少なくとも部分的に取り囲む。この関連において考えられるのは、上記の酸化領域が、例えば接続領域を完全に取り囲み、この酸化領域それ自体は上記の接続領域によって完全に取り囲まれ得ることである。この場合には、例えば上記の取付領域が支持体の縁部領域を構成するのである。
【００２０】
少なくとも１つの実施形態によれば、上記の支持体の厚さは、少なくとも０.１mmであり、かつ、最大で０.４mmである。この関連において「厚さ」とは、垂直方向における支持体の長さのことである。「垂直方向」とは、支持体の主延在方向に対して垂直な方向のことである。支持体のこのような厚さにより、殊に垂直方向の長さが短いオプトエレクトロニクス半導体デバイスが得られる。言い換えると、このオプトエレクトロニクス半導体デバイスは、極めて平坦なのである。
【００２１】
少なくとも１つの実施形態によれば、上記のオプトエレクトロニクス半導体デバイスは、支持体の下側面において上記の取付領域および接続領域に配置される複数の接続箇所を有しており、これらの接続箇所は、支持体を横方向に突出しない。すなわち、上記の接続箇所は、横方向に支持体から出て延びることはなく、上記の半導体デバイスから側方に引き出されることはないのである。例えば、上記の複数の接続箇所の接続面は少なくともところどころにおいて上記の半導体デバイスの下側面における表面を形成し、これらの表面を介して上記の接続箇所は、半導体デバイス以外の外部から電気的に接触接続可能である。これらの接続箇所は、オプトエレクトロニクス素子の電気的な接触接続に使用される。
【００２２】
少なくとも１つの実施形態によれば、上記の支持体は少なくとも部分的にケーシング体によって覆われている。ここでの関連において「覆われている」とは、ケーシング体が部分的に支持体に直接に接触接続し、この支持体とケーシング体との間のこれらの箇所においてギャップも中断も形成されないことである。有利にも上記のケーシング体により、この半導体デバイスの適切な使用時に発生し得る外部の機械的な負荷に対し、この半導体デバイスの安定性が高まる。殊に上記のケーシング体によって支持体が安定化されるため、この支持体および／または半導体デバイスの作製中またはこの半導体デバイスの動作時にこの支持体の歪みおよび／または損傷を回避することができる。したがって上記のケーシング体により、支持体の歪みを回避することができるのである。例えば、このケーシング体はビーム非透過性である。ここで「ビーム非透過性」であるとは、ケーシング体が、これに当たる電磁ビームに対し、少なくとも８０％、有利には９０％以上非透過であることを意味する。ケーシング体は、デュロプラスチックまたは熱可塑性の材料、例えばエポキシドまたはセラミック材料によって構成することができるか、またはこのような材料製とすることができる。この材料には付加的にビーム吸収材料、例えばすすの粒子または別の充填材料を入れることができる。この場合にこのケーシング体は、外部の観察者には黒または着色して見える。
【００２３】
少なくとも１つの実施形態によれば、上記の支持体は少なくとも部分的に上記のケーシング体に埋め込まれる。このことが意味し得るのは、上記の接続箇所が支持体に配置される箇所と、この支持体の上側面の取付領域の区域におけるオプトエレクトロニクス素子用の接続領域とを除き、この支持体が、ケーシング体によって取り囲まれることである。例えば、上記のケーシング体は、上記の半導体素子の接続箇所を少なくとも部分的に形状結合的に囲む。この場合に支持体の下側面における表面を部分的に上記のケーシング体によって覆うことができる。例えば、上記の接続箇所の垂直方向の終端部はケーシング体と面一になる。すなわち、上記の接続箇所は、支持体の下側面にありかつケーシング体を越えて突出はしないのである。支持体の下側面におけるこの表面にケーシング体がまったくないことも考えられる。少なくともこれらの接続面において上記の接続箇所はケーシング体によって囲われない。
【００２４】
少なくとも１つの実施形態によれば、上記の半導体デバイスの少なくとも１つの側面は、切り離しによって形成され、この側面は、少なくとも部分的に上記の酸化領域の外側面によって構成される。半導体デバイスのこの少なくとも１つの側面は、この半導体デバイスを横方向に、すなわち側方に区切っている。例えば、上記の側面は、支持体の下側面および／または上側面における表面に対して垂直に延在している。したがって殊に上記の側面の輪郭形状は、注形または押圧過程によって形成されるのではなく、少なくとも上記の支持体の切り離し過程によって形成されるのである。この切り離しは、例えば、ノコ引き、切断、切削または破断エッジの作製およびこれに続く破断によって行うことができる。したがって半導体デバイスの上記の側面は、材料の削り取りによって形成されるのである。この場合にこの側面は、有利には材料の削り取りの跡を有するのである。半導体デバイスを製造する際、ケーシング体を通しかつ支持体の酸化領域を通して切り離すか、切断するかまたは破断する場合、上記の酸化領域の外側面の横方向の終端部は、ケーシング体の外側面と面一になる。この場合に上記の側面は、部分的にケーシング体の外側面によって構成されると共に部分的に支持体の外側面によって構成されるのである。
【００２５】
少なくとも１つの実施形態によれば、上記の半導体デバイスの少なくとも１つの側面は、切り離しによって形成され、この側面は、上記の取付領域および／または接続領域の外側面の外側表面だけによって構成される。この関連において「だけ」とは、上記の側面が酸化領域の外側面によって構成されないことを意味する。殊にこのことが意味し得るのは、上記の側面が、上記の取付領域の外側面および／または接続領域の外側面によって構成できると共に上記のケーシング体の外側面によって構成できることである。
【００２６】
以下では、実施例およびこれに対応する図面に基づき、ここで説明するオプトエレクトロニクス半導体デバイスおよびその製造方法を詳しく説明する。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１Ａ】オプトエレクトロニクス半導体デバイスの１つの実施例の概略側面図である。
【図１Ｂ】本発明による支持体の実施例の概略平面図である。
【図１Ｃ】本発明による支持体の別の実施例の概略平面図である。
【図１Ｄ】本発明による支持体のさらに別の実施例の概略平面図である。
【図１Ｅ】本発明による支持体のさらに別の実施例の概略平面図である。
【図２Ａ】本発明にしたがってオプトエレクトロニクス半導体デバイスを製造するための１つの製造ステップを示す図である。
【図２Ｂ】本発明にしたがってオプトエレクトロニクス半導体デバイスを製造するための別の１つの製造ステップを示す図である。
【図２Ｃ】本発明にしたがってオプトエレクトロニクス半導体デバイスを製造するためのさらに別の１つの製造ステップを示す図である。
【図２Ｄ】本発明にしたがってオプトエレクトロニクス半導体デバイスを製造するためのさらに別の１つの製造ステップを示す図である。
【図２Ｅ】本発明にしたがってオプトエレクトロニクス半導体デバイスを製造するためのさらに別の１つの製造ステップを示す図である。
【図２Ｆ】本発明にしたがってオプトエレクトロニクス半導体デバイスを製造するためのさらに別の１つの製造ステップを示す図である。
【００２８】
上記の実施例および図面において、同じ構成部分または機能が同じ構成部分にはそれぞれ同じ参照符号が付されている。図示した素子は、縮尺通りとみなすべきではなく、むしろ個々の素子は、理解しやすくするため誇張して大きく図示されていることがある。
【００２９】
図１Ａには概略断面図で、ここで説明しているオプトエレクトロニクス半導体デバイス１００が示されており、このオプトエレクトロニクス半導体デバイスは、上側面１２と、この上側面とは反対側の下側面１１とを備えた支持体１を有する。支持体１は、導電性の取付領域１Ａと、導電性の接続領域１Ｃと、電気絶縁性の酸化領域１Ｂとによって構成されている。支持体１の上側面１２における表面１２Ｆ上にはオプトエレクトロニクス素子２が被着されており、オプトエレクトロニクス素子２の接触接続のため、支持体１とオプトエレクトロニクス素子２との間に導電性のコンタクト層２２が配置されている。さらに支持体１の下側面１１における表面１１Ｆでは、取付領域１Ａおよび接続領域１Ｃにそれぞれ接続箇所Ａ１およびＡ２が配置されておりかつ表面１１Ｆに被着されている。さらに支持体１とは反対側を向いたオプトエレクトロニクス素子２の外側面にはコンタクト面２３が被着されている。ボンディングワイヤ接触接続部２５により、コンタクト面２３は、支持体１の上側面１２における表面１２Ｆの接続領域１Ｂに被着された別のコンタクト面２４に導電的に接続されている。取付領域１Ａも接続領域１Ｃも共に完全にアルミニウム１０によって構成されており、酸化領域１Ｂは、アルミニウム１０の酸化物１５によって構成されている。酸化領域１Ｂは、支持体１の上側面１２から支持体１の下側面１１まで中断することなく連続して延在している。言い換えると、酸化領域１Ｂは、垂直方向Ｖにつながっておりかつ貫通するように構成されているのである。取付領域１Ａ、酸化領域１Ｂおよび接続領域１Ｃは、１つのユニットを構成し、やはりつながって形成されているのである。上記の支持体の厚さＤは、少なくとも０.１mmであり、最大で０.４mmであり、例えば０.２mmである。
【００３０】
支持体１は、ケーシング体３に部分的に埋め込まれている。すなわち、支持体１は、上側面１２におけるその表面１２Ｆを介し、ケーシング体３に部分的に直接、接触接続しているのである。ケーシング体３は、支持体１の上側面１２における表面１２Ｆの接続領域を除き、表面１２Ｆを完全に覆っている。ケーシング体３と、支持体１の上側面１２の表面１２Ｆとによって空所３２が定められ、この空所にオプトエレクトロニクス素子２が配置される。ケーシング体３は、オプトエレクトロニクス素子２を横方向Ｌに完全に取り囲んでいる。ここでは空所３２に注形コンパウンド４が入れられており、この注形コンパウンドは、オプトエレクトロニクス素子２のむき出しになった箇所をすべて覆っている。注形コンパウンド４は有利には、ビーム透過性の注形コンパウンド材料によって、例えば、シリコーン、エポキシドまたはシリコーンまたはエポキシドからなる混合物などによって構成される。この関連において「ビーム透過性」とは、注形コンパウンド４の注形コンパウンド材料が、オプトエレクトロニクス素子２から放射される電磁ビームに対して少なくとも８０％、有利には９０％以上まで透過であることである。例えば注形コンパウンド４は、注ぎ込み、モールディングまたはジェット噴射で空所３２内に入れられる。上記のビーム透過性注形コンパウンド材料に、例えば、ルミネセンス変換材料および／またはフィルタ材料などの充填剤を入れることも考えられる。
【００３１】
例えば、上記の注形コンパウンド材料には、支持体１の表面１２Ｆからオプトエレクトロニクス素子２のビーム透過面の高さまでビーム反射性粒子が入れられる。この場合に注形コンパウンド４は、この充填高さまでビーム反射特性で形成される。ビーム透過面の高さまでだけ、ビーム反射性注形コンパウンド４で空所３２を充填することも同様に可能である。例えば、上記のビーム反射性粒子は、材料ＴｉＯ2，ＢａＳＯ4，ＺｎＯ，ＡｌxＯyのうちの少なくとも１つによって構成されるか、これらの材料のうちの少なくとも１つを含んでいる。この場合に注形コンパウンド４は、外部の観察者には白に見える。
【００３２】
支持体１の下側面１１における表面１１Ｆ上に被着される接続箇所Ａ１およびＡ２は、横方向Ｌに支持体１を突き出ていない。例えば、図１Ａに示したオプトエレクトロニクス半導体デバイス１００は表面実装可能である。さらにオプトエレクトロニクスデバイス１００は、支持体１の下側面１１において取付領域１Ａに構成される別の酸化領域４０を有する。この別の酸化領域４０は、どの箇所においても、垂直方向Ｖに完全に支持体１を形成することはない。この実施例では、別の酸化領域４０は、下側面１１の外部から支持体１に入れられ、下側面１１における支持体１の縁部領域を形成する。言い換えると、下側面１１における表面１１Ｆは、部分的に酸化領域４０の外側面によって構成されるのである。酸化領域４０の区域における表面１１Ｆ上にはコンタクト素子Ａ３が、例えば半田パッドが被着され、この半田パッドは、酸化領域４０によって支持体１の残りの部分から電気的に絶縁される。例えば、コンタクト素子Ａ３は、半導体デバイス１００をコンタクト支持体上に固定するために使用される。例えば、半導体デバイス１００は、コンタクト素子Ａ３を介し、半田付けによってこのようなコンタクト支持体に機械的に固定されるのである。
【００３３】
半導体デバイス１００の側面１０１は、切り離しによって形成される。図１Ａには、側面１０１が、ケーシング基体３の外側面３３と、接続領域１Ｃの外側面１０Ｃによって構成されることが示されている。
【００３４】
図１Ｂから１Ｄには、ここで説明している支持体１が概略平面図で示されている。
【００３５】
図１Ｂには図１Ａの支持体１が示されている。図１Ｂからわかるのは、酸化領域１Ｂが接続領域１Ｃの部分領域１ＣＴを完全に取り囲み、横方向Ｌにこれを閉じ込めていることである。接続領域１Ｃ全体に関していえば、酸化領域１Ｂは、この接続領域を部分的にしか取り囲んでいない。酸化領域１Ｂは、部分領域１ＣＴを取付領域１Ａから横方向Ｌに離している。
【００３６】
図１Ｃの支持体１において、接続領域１Ｃは、酸化領域１Ｂも取付領域１Ａも共に完全に取り囲んでおり、すなわちフレーム状に取り囲んでおり、また付加的には取付領域１Ａは、酸化領域１Ｂによって完全に取り囲まれている。
【００３７】
図１Ｄには酸化領域１Ｂが、取付領域１Ａも接続領域１Ｃも共に横方向Ｌに完全に取り囲むことが示されている。図１Ｄには、例えばケーシング体３の外側面３３と共に、半導体デバイス１００の側面１０１を構成することの可能な外側面１０Ｂが示されている。
【００３８】
図１Ｅでは取付領域１Ａ、酸化領域１Ｂおよび接続領域１Ｃが、ストライプ状に構成され、かつ、横方向Ｌに並んで配置されている。すなわち、酸化領域１Ｂは、取付領域１Ａと接続領域１Ｃとを横方向Ｌに離し、これらの個々の領域は横方向Ｌに互いに続いているのである。図１Ｅには、例えばケーシング体３の外側面３３と共に半導体デバイス１００の側面１０１を構成し得る外側面１０Ａが示されている。
【００３９】
図２Ａから２Ｆには、ここで説明しているオプトエレクトロニクス半導体デバイス１００を製造するための個々の製造ステップが概略図で示されている。すなわち、ここで説明している半導体デバイス１００に関連して開示したすべての特徴的構成は、上記の方法についても開示されているのであり、またこの逆も成り立つのである。
【００４０】
図２Ａには、本発明で説明されかつマトリクス状に配置される複数の支持体１によって構成される支持体結合体１０２が示されている。
【００４１】
図２Ｂではつぎのステップにおいて、ケーシング体３が、支持体１の上側面１２における表面１２Ｆ上にそれぞれどのように被着されるかが示されている。
【００４２】
図２Ｃではつぎのステップにおいて、各支持体１の上側面１２における表面１２Ｆ上の取付領域１Ａの区域に、オプトエレクトロニクス素子２をどのように被着するかが示されている。さらに図２からわかるのは、電子素子９が、支持体１の上側面１２における表面１２Ｆ上で、同じ領域に同様に配置されることである。例えば電子素子９は、静電荷による損傷に対する保護回路（ＥＳＤ保護回路とも称される）を含むかまたはこのような保護回路である。
【００４３】
図２Ｄには、オプトエレクトロニクス素子２と電子素子９とが共にボンディングワイヤコンタクト部２５によってどのように接続領域１Ｃに電気的に接触接続するかが示されている。
【００４４】
図２Ｅには空所３２に１つずつのビーム透過性注形コンパウンド４を入れる別のステップが示されており、ここではオプトエレクトロニクス素子２とは反対側を向いた、ビーム透過性注形コンパウンド４の外側面は、オプトエレクトロニクス素子２に対して部分的に凸に構成されており、例えばレンズ状に構成されている。ビーム透過性注形コンパウンド４は、オプトエレクトロニクス素子２の露出したすべての箇所を完全に覆っており、空所３２を完全に充填している。
【００４５】
図２Ｆにはつぎのステップが示されており、ここでは、支持体結合体１０２は、切り離し線Ｓ１およびＳ２に沿って切り離され、これによって個々のオプトエレクトロニクス半導体デバイス１００が形成される。
【００４６】
本発明は、実施例に基づく上記の説明によって制限されることはない。むしろ本発明にはあらゆる新規の特徴的構成および複数の特徴的構成のあらゆる組み合わせが含まれているのであり、この組み合わせには、殊に特許請求項の範囲に含まれている特徴的構成のあらゆる組み合わせが含まれているのであり、このことは、上記の特徴的構成または上記の組み合わせそのものが特許請求の範囲または実施例に明に記載されていない場合であっても当てはまるものである。
【００４７】
この特許明細書は、ドイツ国特許明細書第102010034924.0号に優先権を主張するものであり、その開示内容は参照によってここに取り込まれるものとする。
【図１Ａ】
2013538450.tif 000003
【図１Ｂ】
2013538450.tif 000004
【図１Ｃ】
2013538450.tif 000005
【図１Ｄ】
2013538450.tif 000006
【図１Ｅ】
2013538450.tif 000007
【図２Ａ】
2013538450.tif 000008
【図２Ｂ】
2013538450.tif 000009
【図２Ｃ】
2013538450.tif 000010
【図２Ｄ】
2013538450.tif 000011
【図２Ｅ】
2013538450.tif 000012
【図２Ｆ】
2013538450.tif 000013
【手続補正書】
【提出日】平成25年4月19日(2013.4.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
オプトエレクトロニクス半導体デバイス（１００）において、
該オプトエレクトロニクス半導体デバイスは、
−  上側面（１２）と、該上側面（１２）とは反対側にある下側面（１１）とを備えた支持体（１）を有しており、ただし当該支持体（１）は、導電性の取付領域（１Ａ）と、導電性の接続領域（１Ｃ）と、電気的に絶縁性の酸化領域（１Ｂ）とによって構成されており、
前記オプトエレクトロニクス半導体デバイス（１００）はさらに、
−  前記支持体（１）の前記上側面において前記取付領域（１Ａ）の区域に配置された少なくとも１つのオプトエレクトロニクス素子（２）を有しており、
−  前記酸化領域（１Ｂ）は、前記接続領域（１Ｃ）と前記取付領域（１Ａ）とを電気的に絶縁し、
−  前記酸化領域（１Ｂ）は、前記支持体（１）の前記上側面（１２）から当該支持体（１）の前記下側面（１１）まで中断されることなく連続しており、
−  前記取付領域（１Ａ）および前記接続領域（１Ｃ）はアルミニウム（１０）によって構成されており、
−  前記酸化領域（１Ｂ）は、前記アルミニウム（１０）の酸化物（１５）によって構成されており、
−前記取付領域（１Ａ）、前記酸化領域（１Ｂ）および前記接続領域（１Ｃ）はつながって構成されておりかつ１つのユニットを構成しており、
前記オプトエレクトロニクス半導体デバイス（１００）はさらに、
− 前記支持体（１）の前記下側面（１１）において前記取付領域（１Ａ）および／または前記接続領域（１Ｃ）の区域に構成される少なくとも１つの別の酸化領域（４０）を有しており、
− 当該別の酸化領域（４０）は、どの箇所においても垂直方向（Ｖ）に前記支持体（１）を完全には形成せず、
− 前記別の酸化領域（４０）は、前記支持体（１）の他の酸化領域（１Ｂ）とはユニットを構成しない、
ことを特徴とするオプトエレクトロニクス半導体デバイス（１００）。
【請求項２】
請求項１に記載のオプトエレクトロニクス半導体デバイス（１００）において、
前記下側面（１１）における表面（１１Ｆ）上の、前記別の酸化領域（４０）の区域にコンタクト素子（Ａ３）が被着されており、
該コンタクト素子（Ａ３）は、前記別の酸化領域（４０）によって前記支持体（１）の残りの部分から電気的に絶縁される、
ことを特徴とするオプトエレクトロニクス半導体デバイス（１００）。
【請求項３】
請求項１または２に記載のオプトエレクトロニクス半導体デバイス（１００）において、
前記酸化領域（１Ｂ）は、前記取付領域（１Ａ）と前記接続領域（１Ｃ）との間において横方向（Ｌ）に少なくとも部分的に配置されている、
ことを特徴とするオプトエレクトロニクス半導体デバイス（１００）。
【請求項４】
請求項１から３までのいずれか１項に記載のオプトエレクトロニクス半導体デバイス（１００）において、
前記酸化領域（１Ｂ）は、前記取付領域（１Ａ）および／または前記接続領域（１Ｃ）を少なくとも部分的に取り囲む、
ことを特徴とするオプトエレクトロニクス半導体デバイス（１００）。
【請求項５】
請求項１から４までのいずれか１項に記載のオプトエレクトロニクス半導体デバイス（１００）において、
前記取付領域（１Ａ）および／または前記接続領域（１Ｃ）は、前記酸化領域（１Ｂ）を少なくとも部分的に取り囲む、
ことを特徴とするオプトエレクトロニクス半導体デバイス（１００）。
【請求項６】
請求項１から５までのいずれか１項に記載のオプトエレクトロニクス半導体デバイス（１００）において、
前記支持体（１）の厚さは、少なくとも０.１mmであり、かつ最大で０.４mmである、
ことを特徴とするオプトエレクトロニクス半導体デバイス（１００）。
【請求項７】
請求項１から６までのいずれか１項に記載のオプトエレクトロニクス半導体デバイス（１００）において、
前記支持体（２）の前記下側面（１１）において、前記取付領域（１Ａ）および前記接続領域（１Ｃ）に配置される接続箇所（Ａ１，Ａ２）を有しており、当該接続箇所（Ａ１，Ａ２）は前記支持体（１）を横方向（Ｌ）に突き出ていない、
ことを特徴とするオプトエレクトロニクス半導体デバイス（１００）。
【請求項８】
請求項１から７までのいずれか１項に記載のオプトエレクトロニクス半導体デバイス（１００）において、
前記支持体（１）は少なくとも部分的にケーシング体（３）によって覆われている、
ことを特徴とするオプトエレクトロニクス半導体デバイス（１００）。
【請求項９】
請求項８に記載のオプトエレクトロニクス半導体デバイス（１００）において、
前記支持体（１）は、少なくとも部分的に前記ケーシング体（３）に埋め込まれている、
ことを特徴とするオプトエレクトロニクス半導体デバイス（１００）。
【請求項１０】
請求項１から９までのいずれか１項に記載のオプトエレクトロニクス半導体デバイス（１００）において、
前記半導体デバイス（１００）の少なくとも１つの側面（１０１）は、切り離しによって形成されており、
前記側面（１０１）は、少なくとも部分的に前記酸化領域（１Ｂ）の外側面（１０Ｂ）によって構成される、
ことを特徴とするオプトエレクトロニクス半導体デバイス（１００）。
【請求項１１】
請求項１から１０までのいずれか１項に記載のオプトエレクトロニクス半導体デバイス（１００）において、
前記半導体デバイス（１００）の少なくとも１つの側面（１０１）は、切り離しによって形成されており、
当該側面（１０１）は、前記取付領域（１Ａ）の外側面（１０Ａ）および／または前記接続領域（１Ｃ）の外側面（１０Ｃ）だけによって構成される、
ことを特徴とするオプトエレクトロニクス半導体デバイス（１００）。
【請求項１２】
請求項１から１１までのいずれか１項に記載のオプトエレクトロニクス半導体デバイス（１００）において、
前記コンタクト素子（Ａ３）は、半田パッドである、
ことを特徴とするオプトエレクトロニクス半導体デバイス。
【請求項１３】
請求項１から１２までのいずれか１項に記載のオプトエレクトロニクス半導体デバイス（１００）において、
前記別の酸化領域（４０）は、最大で前記支持体（１）の厚さの２５％に等しい最大厚さを有する、
ことを特徴とするオプトエレクトロニクス半導体デバイス（１００）。
【国際調査報告】
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2013538450.tif 000015
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