(57)【要約】  本開示により、有機エレクトロルミネセントデバイスなどの電子デバイスを効率的に封止するための方法および材料を提供する。また、本開示により、このような方法によって作製される電子デバイスを提供する。一実施形態において、例えば、基板に溝を形成する工程および／または封止体層に溝を形成する工程、前記溝内に捕水剤を堆積させる工程、ならびに前記基板を前記封止体層にボンディングする工程を含む、エレクトロルミネセントデバイスを作製するための方法を提供する。
2013506254.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
封止体層と基板を備える電子デバイス用封止体であって、
前記基板は、デバイス領域と前記デバイス領域を囲むボンディング領域とを有する表面を備えており、前記ボンディング領域は、液状または固形の捕水剤を受容するための溝を備えていてもよく、および
前記封止体層は、基板との接触に適したボンディング領域を備えており、さらに、液状または固形の捕水剤を受容するのに適した溝を備えていてもよく、
ただし、前記封止体層と前記基板の少なくとも一方は溝を備えている、
電子デバイス用封止体。
【請求項２】
前記基板の前記ボンディング領域が、前記基板の周辺部周囲に位置しており、および、隆起しているリム部上に配設されている、請求項１に記載の封止体。
【請求項３】
前記封止体層の前記ボンディング領域が、前記封止体層の周辺部周囲に位置しており、および、隆起しているリム部上に配設されている、請求項１に記載の封止体。
【請求項４】
前記溝が、前記基板のボンディング領域内に存在し、および、前記隆起しているリム部の表面上に配設されている、請求項２に記載の封止体。
【請求項５】
前記溝が、前記封止体層のボンディング領域内に存在し、および、前記隆起しているリム部の表面上に配設されている、請求項３に記載の封止体。
【請求項６】
部材スタック状に配列された複数のデバイス層であって、前記部材スタックは、上面と下面と周縁部とを備えている、前記複数のデバイス層、および
前記部材スタックを囲み、第１基板、第２基板、シーラント、捕水剤、および場合によりスペーサーを備えている封止体
を備える電子デバイスであって、
ここで、前記シーラントは前記第１基板と前記第２基板間の結合部を形成し、
前記捕水剤は、前記部材スタックの前記周縁部周囲における前記封止体内に配置される、
電子デバイス。
【請求項７】
前記第１基板が、デバイス領域と、前記デバイス領域を囲む第１ボンディング領域と、場合により前記第１ボンディング領域内に配設される第１の溝とを備えており、
前記第２基板が、第２ボンディング領域と、場合により第２ボンディング領域内に配設される第２の溝とを備えており、および
スペーサーが存在する場合、前記スペーサーは、溝を備えていてもよく、前記第１ボンディング領域の前記第１基板と、および前記第２ボンディング領域の前記第２基板とが接触するように構成され、
ただし、前記第１基板、前記第２基板、または場合により存在する前記スペーサーのいずれかに少なくとも１つの溝が存在している、
請求項６に記載の電子デバイス。
【請求項８】
前記捕水剤が、前記少なくとも１つの溝内に配設される、請求項７に記載の電子デバイス。
【請求項９】
前記第１基板と前記第２基板の一方または両方がリム部を備えている、請求項６に記載の電子デバイス。
【請求項１０】
前記第１基板がリム部を備えており、前記第１ボンディング領域が部分的もしくは完全に前記リム部の表面上に配設されているか、または前記第２基板がリム部を備えており、前記第２ボンディング領域が部分的もしくは完全に前記リム部の表面上に配設されている、請求項９に記載の電子デバイス。
【請求項１１】
前記第１基板がリム部を備えており、前記第２基板がリム部を備えており、前記第１ボンディング領域が部分的もしくは完全に前記第１基板の前記リム部上に配設されており、前記第２ボンディング領域が部分的もしくは完全に前記第２基板の前記リム部上に配設されている、請求項９に記載の電子デバイス。
【請求項１２】
前記第１の溝と前記第２の溝が存在しており、前記スペーサーが存在せず、前記第１の溝と前記第２の溝が、両方の中心が実質的に一直線になるように配置される、請求項７に記載の電子デバイス。
【請求項１３】
前記捕水剤が、前記第１の溝、前記第２の溝、前記スペーサー内の前記溝、またはそれらの任意の組合せに部分的もしくは完全に充填される、請求項７に記載の電子デバイス。
【請求項１４】
前記電子部材スタックが、前記第１基板と接触しているボトム電極、エレクトロルミネセント層、およびトップ電極を備えており、前記第１基板から、前記第２基板から、または前記第１基板と前記第２基板の両方から光子が放出されるように構成された、請求項６に記載の電子デバイス。
【請求項１５】
電子デバイスの封止方法であって、
第１基板、第２基板、および場合によりスペーサーを設ける工程、
前記第１基板、前記第２基板、前記スペーサー、またはそれらの任意の組合せに溝を形成する工程、
前記溝に捕水剤を堆積させる工程、ならびに
シーラントを用いて前記第１基板を第２基板にボンディングする工程
を含む、電子デバイスの封止方法。
【請求項１６】
前記溝が前記第１基板の周辺部、前記第２基板の周辺部、または前記第１基板と前記第２基板の両方の周辺部の周囲に形成される、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記第１基板を、その上面に電子デバイスの部材の層が配設されるように設ける、請求項１５に記載の方法。
【請求項１８】
前記第１基板に溝を形成する工程を含み、前記第１基板に前記溝を形成した後に、電子デバイスの部材の前記層を第１基板上に設ける、請求項１５に記載の方法。
【請求項１９】
前記第２基板に溝を形成する工程を含み、前記第１基板には形成しない、請求項１５に記載の方法。
【請求項２０】
前記第１基板が隆起しているリム部を有するか、または前記第２基板が隆起しているリム部を有するか、または前記第１基板と前記第２基板の両方が隆起しているリム部を有する、請求項１５に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
（関連出願の相互参照）
本出願は、２００９年９月２５日に出願された米国仮特許出願第６１／２４５，７８７号の３５Ｕ．Ｓ．Ｃ．§１１９に基づく優先権を主張し、その内容は引用によりその全体が本明細書に組み込まれる。
【０００２】
本発明は、酸素および湿気などの周囲環境要素に対するデバイスの感受性を低下させることにより、有機発光デバイスおよび他の有機電気デバイスの性能を向上させるための方法に関する。さらに、本発明は、このような方法によって作製されるデバイスに関する。本発明は、例えば、電子デバイスの分野に有用である。
【背景技術】
【０００３】
従来の有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）の特定の実施形態において、ＯＬＥＤは、複数の部材の層をサンドイッチ型構造で備えている（多くの場合、ＯＬＥＤ「スタック」と称される）。ＯＬＥＤスタックは、典型的にはガラスなどの基板上に支持されている。このような層としては、１種類以上の有機材料（有機放出材料など）、有機誘電材料などが挙げられる。ＯＬＥＤの構築に使用されるこれらおよび他の材料は、周囲環境条件下に存在している特定の要素（例えば、酸素、水など）に対して感受性であり得るため、このような要素に対して不透過性である材料を用いてＯＬＥＤスタックを封止することが一般的である。ＯＬＥＤの封止に一般的に採用されているアプローチでは、カバーガラス（または金属カバー）が使用され、ＯＬＥＤスタックを、周囲環境の酸素および湿気と接触することから保護する。カバーガラスとＯＬＥＤ基板ガラスにより「デバイスチャンバ」が作出され、その内部にはＯＬＥＤスタックが載置され、ＯＬＥＤスタックの境界部周囲に位置する有機シーラントを用いて互いに保持されている。有機シーラントは、典型的にはＵＶ硬化性エポキシ材料である。この立体構成では、デバイスの境界部に沿ったシーラントは、機械的および化学的ともに封止体の最も弱い領域である。
【０００４】
有機シーラントは、一般的には多孔質であり、酸素および水などの低分子がシーラント層を透過することが可能である。この理由のため、デバイスチャンバ内に透過する任意の湿気を除去するために、一般的には捕水剤が必要とされる。典型的には、捕水剤は、デバイスチャンバ内に、捕水剤材料の表面積が最大となるように位置している。例えば、捕水剤は、ＯＬＥＤスタックに面するカバーガラス内側表面上にコーティングされ得る。米国特許第６，８０３，１２７号には、このような実施形態が記載されている。このようなデバイスには、トップエミッション型デバイス（すなわち、トップ電極側から発光するデバイス）とするために、透明な捕水剤が必要とされる。非透明捕水剤が使用されるデバイスは、ボトムエミッション型の立体構成（すなわち、基板から発光する立体構成）に限定される。さらに、デバイスチャンバ内に進入した酸素および湿気は捕水剤またはＯＬＥＤスタックのいずれかと反応することができ、それにより捕水剤層の有効性を低減させる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】米国特許第６，８０３，１２７号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
当分野において、前述の欠点を克服する必要性、ならびに一般的に、周囲環境条件に対して長期間安定な効率的かつ低コストの有機電気デバイス（ＯＥＤ）を製造するための新たな方法および材料を開発する必要性が依然として存在している。理想的な方法は、容易に入手可能もしくは作製が容易である、デバイスの長期安定性の有意な向上がもたらされる、プロセス工程の数が最小限である、および／または高度に再現性のある結果が得られる材料が利用されたものであり得る。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、特に、電子デバイス（例えば、エレクトロルミネセントデバイス（ＥＬＤ））を有効に封止するため、および前記デバイスを環境要素による分解から保護するための方法および材料を提供することにおける上記の欠点の１つ以上に対する取り組みに関する。
【０００８】
本発明の一態様において、部材スタック状に配列された複数のデバイス層（ここで、前記部材スタックは、上面と下面と周縁部とを備える）、ならびに前記部材スタックを囲み、第１基板、第２基板、シーラントおよび捕水剤を備える封止体を備える電子デバイスを提供する。前記シーラントは前記第１基板と前記第２基板間の結合部を形成する。前記捕水剤は、封止体内に配置され、前記部材スタックの周縁部を囲む。
【０００９】
本発明の別の態様では、デバイス側と外部側を備える第１基板（ここで、前記デバイス側はデバイス領域を備え、さらに、前記デバイス領域を囲む第１密封領域を備える）、第２密封領域を備える第２基板、前記デバイス領域内の第１基板上に配設される電子デバイススタック、第１密封領域内の第１基板および第２密封領域内の第２基板と接触する構成された場合により設けることができるスペーサー、第１密封領域および第２密封領域と接触しているシーラント（ここで、前記シーラントにより第２基板は第１基板にボンディングされる）、前記第１基板、前記第２基板または前記場合により設けることができるスペーサー内の第１の溝、ならびに前記溝内に配設される捕水剤を備える電子デバイスを提供する。
【００１０】
本発明の別の態様では、基板との接触に適したボンディング領域と、液状または固形の捕水剤を受容するのに適した溝を備える電子デバイス用封止体層を提供する。
【００１１】
本発明の別の態様では、電子デバイスの層を支持するのに適した面を備え、前記面がデバイス領域と、前記デバイス領域を囲む密封領域を備え、前記密封領域が液状または固形の捕水剤を受容するための溝を備える、電子デバイス用基板を提供する。
【００１２】
本発明の別の態様では、第１基板、第２基板、および場合により存在し得るスペーサーを設ける工程、前記第１基板、前記第２基板、前記スペーサーまたはそれらの任意の組合せに溝を形成する工程、前記溝に捕水剤を堆積させる工程、ならびにシーラントを用いて前記第１基板を前記第２基板にボンディングする工程を含む、電子デバイスの封止方法を提供する。
【００１３】
一部の実施形態において、本発明は、前記第１基板と前記第２基板の一方または両方がリム部を備える、上記の任意のデバイスまたは方法を含む。
【００１４】
一部の実施形態において、本発明は、前記第１基板がリム部を備え、前記第１密封領域が部分的もしくは完全に前記リム部の表面上に配設されるか、または前記第２基板がリム部を備え、前記第２密封領域が部分的もしくは完全に前記リム部の表面上に配設される、上記の任意のデバイスまたは方法を含む。
【００１５】
一部の実施形態において、本発明は、前記第１基板がリム部を備え、前記第２基板がリム部を備え、前記第１密封領域が部分的もしくは完全に前記第１基板の前記リム部上に配設され、前記第２密封領域が部分的もしくは完全に前記第２基板の前記リム部上に配設される、上記の任意のデバイスまたは方法を含む。
【００１６】
一部の実施形態において、本発明は、前記第１の溝が前記第１基板内に存在し、前記第２基板が場合により第２の溝を備えるか、または前記第１の溝が前記第２基板内に存在し、前記第１基板が場合により第２の溝を備える、上記の任意のデバイスまたは方法を含む。
【００１７】
一部の実施形態において、本発明は、前記スペーサーが場合により存在し、前記電子デバイスが前記第１基板、前記第２基板または前記スペーサーのいずれかに第２の溝を備える、上記の任意のデバイスまたは方法を含む。
【００１８】
一部の実施形態において、本発明は、前記第２の溝が存在し、前記第１の溝と前記第２の溝が、それらの中心が実質的に一直線になるように配置される、上記の任意のデバイスまたは方法を含む。
【００１９】
一部の実施形態において、本発明は、前記捕水剤が溝に部分的もしくは完全に充填される、上記の任意のデバイスまたは方法を含む。
【００２０】
一部の実施形態において、本発明は、前記電子デバイススタックが、前記第１基板と接触しているボトム電極、エレクトロルミネセント層、およびトップ電極を備え、前記電子デバイスが、光子を前記第１基板、前記第２基板または前記第１基板と前記第２基板の両方から放出するように構成される、上記の任意のデバイスまたは方法を含む。
【００２１】
一部の実施形態において、本発明は、前記封止体層の周辺部が隆起しているリム部を備え、前記ボンディング領域が前記隆起しているリム部の表面上に配設される、上記の任意のデバイスまたは方法を含む。
【００２２】
一部の実施形態において、本発明は、前記溝が前記隆起しているリム部の表面上に配設される、上記の任意のデバイスまたは方法を含む。
【００２３】
一部の実施形態において、本発明は、前記デバイス側の周辺部がさらに隆起しているリム部を備え、前記密封領域と溝が前記隆起しているリム部の表面上に配設される、上記の任意のデバイスまたは方法を含む。
【００２４】
一部の実施形態において、本発明は、前記溝が前記第１基板の前記周辺部、前記第２基板の前記周辺部、または前記第１基板と前記第２基板の両方の周辺部の周囲に形成される、上記の任意のデバイスまたは方法を含む。
【００２５】
一部の実施形態において、本発明は、前記第１基板を、その上面に電子デバイスの部材の層が配設されるように設ける、上記の任意のデバイスまたは方法を含む。
【００２６】
一部の実施形態において、本発明は、前記第１基板に溝を形成する工程を含み、電子デバイスの部材の層を第１基板上に、前記第１基板に溝を形成した後に設ける（ｄｅｐｏｓｉｔ）、上記の任意のデバイスまたは方法を含む。
【００２７】
一部の実施形態において、本発明は、前記第２基板に溝を形成する工程を含むが、前記第１基板には形成しない、上記の任意のデバイスまたは方法を含む。
【００２８】
一部の実施形態において、本発明は、前記第１基板が隆起しているリム部を有するか、または前記第２基板が隆起しているリム部を有するか、または前記第１基板と前記第２基板の両方が隆起しているリム部を有する、上記の任意のデバイスまたは方法を含む。
【００２９】
本発明の他の態様は、以下の記載内容（特許請求の範囲および実施例を含む）から自明である。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１ａ】図１ａ〜１ｄは、本発明による基板および電子デバイスの平面（上面）図を示す。
【図１ｂ】図１ａ〜１ｄは、本発明による基板および電子デバイスの平面（上面）図を示す。
【図１ｃ】図１ａ〜１ｄは、本発明による基板および電子デバイスの平面（上面）図を示す。
【図１ｄ】図１ａ〜１ｄは、本発明による基板および電子デバイスの平面（上面）図を示す。
【図２ａ】図２ａ〜２ｆは、本発明によるデバイスの側面図を示す。この図に示すデバイスでは、溝が、トップ基板もしくはボトム基板、またはトップ基板とボトム基板の両方に存在している。場合により設けることができるスペーサー要素は存在していない。
【図２ｂ】図２ａ〜２ｆは、本発明によるデバイスの側面図を示す。この図に示すデバイスでは、溝が、トップ基板もしくはボトム基板、またはトップ基板とボトム基板の両方に存在している。場合により設けることができるスペーサー要素は存在していない。
【図２ｃ】図２ａ〜２ｆは、本発明によるデバイスの側面図を示す。この図に示すデバイスでは、溝が、トップ基板もしくはボトム基板、またはトップ基板とボトム基板の両方に存在している。場合により設けることができるスペーサー要素は存在していない。
【図２ｄ】図２ａ〜２ｆは、本発明によるデバイスの側面図を示す。この図に示すデバイスでは、溝が、トップ基板もしくはボトム基板、またはトップ基板とボトム基板の両方に存在している。場合により設けることができるスペーサー要素は存在していない。
【図２ｅ】図２ａ〜２ｆは、本発明によるデバイスの側面図を示す。この図に示すデバイスでは、溝が、トップ基板もしくはボトム基板、またはトップ基板とボトム基板の両方に存在している。場合により設けることができるスペーサー要素は存在していない。
【図２ｆ】図２ａ〜２ｆは、本発明によるデバイスの側面図を示す。この図に示すデバイスでは、溝が、トップ基板もしくはボトム基板、またはトップ基板とボトム基板の両方に存在している。場合により設けることができるスペーサー要素は存在していない。
【図３ａ】図３ａおよび３ｂは、本発明によるデバイスの側面図を示す。この図に示すデバイスでは、場合により設けることができるスペーサー要素が存在している。溝は、スペーサー内またはトップ基板とボトム基板内に存在している。
【図３ｂ】図３ａおよび３ｂは、本発明によるデバイスの側面図を示す。この図に示すデバイスでは、場合により設けることができるスペーサー要素が存在している。溝は、スペーサー内またはトップ基板とボトム基板内に存在している。
【図４ａ】図４ａおよび４ｂは、本発明によるデバイスの側面図を示す。この図に示すデバイスでは、捕水剤が、基板のボンディング領域上（図４ａ）または封止体層上（図４ｂ）に直接配設されている。
【図４ｂ】図４ａおよび４ｂは、本発明によるデバイスの側面図を示す。この図に示すデバイスでは、捕水剤が、基板のボンディング領域上（図４ａ）または封止体層上（図４ｂ）に直接配設されている。
【図５】図５は、本発明によるデバイスの側面図を示す。図示したデバイスでは、シーラントがデバイスキャビティ内に存在している。
【発明を実施するための形態】
【００３１】
本明細書で用いる専門用語は、具体的な実施形態を説明する目的のためにすぎず、限定を意図しないことを理解されたい。本明細書において示す定義は、相互に排他的であることを意図しない。例えば、一部の化学部位は１つより多くの定義に包含され得ることが認識される。
【００３２】
用語「アルキル」は、本明細書で用いる場合、典型的には（必ずしもそうでなくてよいが）１〜約２４個の炭素原子を含有する分枝または非分枝の飽和炭化水素基、例えば、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｔ−ブチル、オクチル、デシルなど、ならびにシクロアルキル基、例えば、シクロペンチル、シクロヘキシルなどをさす。一般的には（この場合も必ずしもそうでなくてよいが）、本明細書におけるアルキル基は、１〜約１８個の炭素原子を含有するものであり得、このような基は、１〜約１２個の炭素原子を含むものであってもよい。用語「低級アルキル」は１〜６個の炭素原子のアルキル基を意図する。「置換アルキル」は１つ以上の置換基（ｓｕｂｓｔｉｔｕｅｎｔ  ｇｒｏｕｐ）で置換されたアルキルをさし、用語「ヘテロ原子含有アルキル」および「ヘテロアルキル」は、少なくとも１個の炭素原子がヘテロ原子で置き換えられたアルキル置換体（ｓｕｂｓｔｉｔｕｔｅｎｔ）をさす（以下にさらに詳細に記載する）。特に記載のない場合、用語「アルキル」および「低級アルキル」は、それぞれの線状、分枝状、環状、非置換型、置換型および／またはヘテロ原子含有アルキルまたは低級アルキルを含む。
【００３３】
用語「アルケニル」は、本明細書で用いる場合、少なくとも１つの二重結合を含有する２〜約２４個の炭素原子の線状、分枝状または環状の炭化水素基、例えば、エテニル、ｎ−プロペニル、イソプロペニル、ｎ−ブテニル、イソブテニル、オクテニル、デセニル、テトラデセニル、ヘキサデセニル、エイコセニル、テトラコセニルなどをさす。一般的には（この場合も必ずしもそうでなくてよいが）、本明細書におけるアルケニル基は２〜約１８個の炭素原子を含有するものであり得、例えば、２〜１２個の炭素原子を含有するものであり得る。用語「低級アルケニル」は２〜６個の炭素原子のアルケニル基を意図する。用語「置換アルケニル」は１つ以上の置換基で置換されたアルケニルをさし、用語「ヘテロ原子含有アルケニル」および「ヘテロアルケニル」は、少なくとも１個の炭素原子がヘテロ原子で置き換えられたアルケニルをさす。特に記載のない場合、用語「アルケニル」および「低級アルケニル」は、それぞれの線状、分枝状、環状、非置換型、置換型および／またはヘテロ原子含有アルケニルならびに低級アルケニルを含む。
【００３４】
用語「アルキニル」は、本明細書で用いる場合、少なくとも１つの三重結合を含有する２〜２４個の炭素原子の線状または分枝状の炭化水素基、例えば、エチニル、ｎ−プロピニルなどをさす。一般的には（この場合も必ずしもそうでなくてよいが）、本明細書におけるアルキニル基は２〜約１８個の炭素原子を含有するものであり得、さらに、このような基は２〜１２個の炭素原子を含有するものであってもよい。用語「低級アルキニル」は２〜６個の炭素原子のアルキニル基を意図する。用語「置換アルキニル」は１つ以上の置換基で置換されたアルキニルをさし、用語「ヘテロ原子含有アルキニル」および「ヘテロアルキニル」は、少なくとも１個の炭素原子がヘテロ原子で置き換えられたアルキニルをさす。特に記載のない場合、用語「アルキニル」および「低級アルキニル」は、それぞれの線状、分枝状、非置換型、置換型および／またはヘテロ原子含有アルキニルならびに低級アルキニルを含む。
【００３５】
特に記載のない場合、用語「不飽和アルキル」は、アルケニルおよびアルキニルならびにその組合せを含む。
【００３６】
用語「アルコキシ」は、本明細書で用いる場合、単一の末端エーテル連結基を介して結合されたアルキル基を意図する。すなわち、「アルコキシ」基は−Ｏ−アルキルで表され得、そのアルキルは上記に定義したとおりである。「低級アルコキシ」基は、１〜６個の炭素原子を含有するアルコキシ基を意図し、例えば、メトキシ、エトキシ、ｎ−プロポキシ、イソプロポキシ、ｔ−ブチルオキシなどが挙げられる。本明細書において「Ｃ１−Ｃ６アルコキシ」または「低級アルコキシ」と特定される置換体は、例えば、１〜３個の炭素原子を含有するものであり得、さらなる例として、このような置換体は１または２個の炭素原子を含有するもの（すなわち、メトキシおよびエトキシ）であり得る。
【００３７】
用語「アリール」は、本明細書で用いる場合および特に指定のない限り、一般的に（必ずしもそうでなくてよいが）５〜３０個の炭素原子を含有し、単一の芳香族環を含有するか、または一緒に縮合しているか、直接連結しているか、もしくは間接的に連結している（異なる芳香族環が共通の基（例えば、メチレン部分もしくはエチレン部分）に結合されるように）多数の芳香族環（例えば、１〜３個の環）を含有する芳香族置換体をさす。アリール基は、例えば、５〜２０個の炭素原子を含有するものであり得、さらなる例として、アリール基は５〜１２個の炭素原子を含有するものであり得る。例えば、アリール基は、１つの芳香族環または２つの縮合もしくは連結している芳香族環、例えば、フェニル、ナフチル、ビフェニル、ジフェニルエーテル、ジフェニルアミン、ベンゾフェノンを含有し得る。「置換アリール」は１つ以上の置換基で置換されたアリール部分をさし、用語「ヘテロ原子含有アリール」および「ヘテロアリール」は、少なくとも１個の炭素原子がヘテロ原子で置き換えられたアリール置換体をさす（以下にさらに詳細に記載する）。特に記載のない場合、用語「アリール」は、非置換型、置換型および／またはヘテロ原子含有アリール置換体を含む。
【００３８】
用語「アラルキル」は、アリール置換体を有するアルキル基をさし、用語「アルカリル」は、アルキル置換体を有するアリール基をさし、ここで、「アルキル」および「アリール」は上記に定義したとおりである。一般的に、本明細書におけるアラルキル基およびアルカリル基は６〜３０個の炭素原子を含有するものである。アラルキル基およびアルカリル基は、例えば、６〜２０個の炭素原子を含有するものであり得、さらなる例として、このような基は６〜１２個の炭素原子を含有するものであり得る。
【００３９】
用語「オレフィン性基」は、２〜１２個の炭素原子の単不飽和または二不飽和の炭化水素基を意図する。この類型の好ましいオレフィン性基は、場合によっては、本明細書において「低級オレフィン性基」と表記しており、これは、単一の末端二重結合を含有する２〜６個の炭素原子の炭化水素部分を意図する。また、後者の部分を「低級アルケニル」と称している場合もあり得る。
【００４０】
用語「アルキレン」は、本明細書で用いる場合、１〜２４個の炭素原子を含有する二官能性の分枝または非分枝の飽和炭化水素鎖をさす。「低級アルキレン」は、１〜６個の炭素原子を含有するアルキレン連結基をさし、例えば、メチレン（−−ＣＨ２−−）、エチレン（−−ＣＨ２ＣＨ２−−）、プロピレン（−−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２−−）、２−メチルプロピレン（−−ＣＨ２−−ＣＨ（ＣＨ３）−−ＣＨ２−−）、ヘキシレン（−−（ＣＨ２）６−−）などが挙げられる。
【００４１】
用語「アミノ」は、本明細書で用いる場合、基−ＮＺ１Ｚ２をさし、式中、Ｚ１およびＺ２は水素または非水素置換体であり、非水素置換体としては、例えば、アルキル、アリール、アルケニル、アラルキル、ならびにその置換型および／またはヘテロ原子含有変異体が挙げられる。
【００４２】
用語「ヘテロ原子含有」（「ヘテロ原子含有アルキル基」（「ヘテロアルキル」基とも称する）または「ヘテロ原子含有アリール基」（「ヘテロアリール」基とも称する）の場合など）は、１個以上個の炭素原子が炭素以外の原子（例えば、窒素、酸素、イオウ、リンまたはケイ素、典型的には窒素、酸素またはイオウ）で置き換えられた分子、連結基または置換体をさす。同様に、用語「ヘテロアルキル」はヘテロ原子含有体であるアルキル置換体をさし、用語「ヘテロ環状」は、ヘテロ原子含有である環状置換体をさし、用語「ヘテロアリール」およびヘテロ芳香族」は、それぞれ、ヘテロ原子含有体である「アリール」および「芳香族」置換体などをさす。ヘテロアルキル基の例としては、アルコキシアリール、アルキルスルファニル置換アルキル、Ｎ−アルキル化アミノアルキルなどが挙げられる。ヘテロアリール置換体の例としては、ピロリル、ピロリジニル、ピリジニル、キノリニル、インドリル、フリル、ピリミジニル、イミダゾリル、１，２，４−トリアゾリル、テトラゾリルなどが挙げられ、ヘテロ原子含有脂環式基の例は、ピロリジノ、モルホリノ、ピペラジノ、ピペリジノ、テトラヒドロフラニルなどである。
【００４３】
「ヒドロカルビル」は、１〜約３０個の炭素原子（例えば１〜約２４個の炭素原子、さらに、例えば１〜約１８個の炭素原子、さらに、例えば、約１〜１２個の炭素原子）を含有する一価のヒドロカルビルラジカルをさし、線状、分枝状、環状、飽和型および不飽和型の種（例えば、アルキル基、アルケニル基、アリール基など）を含む。「置換ヒドロカルビル」は１つ以上の置換基で置換されたヒドロカルビルをさし、用語「ヘテロ原子含有ヒドロカルビル」は、少なくとも１個の炭素原子がヘテロ原子で置き換えられたヒドロカルビルをさす。特に記載のない限り、用語「ヒドロカルビル」は、非置換型、置換型、ヘテロ原子含有および置換ヘテロ原子含有ヒドロカルビル部分を含むと解釈されたい。
【００４４】
「ハロ」または「ハロゲン」は、フルオロ、クロロ、ブロモまたはヨードをさし、通常、有機化合物における水素原子のハロ置換に関連している。ハロのうち、クロロおよびフルオロが一般的に好ましい。
【００４５】
「置換ヒドロカルビル」、「置換アルキル」、「置換アリール」などの場合のような「置換（されている）」により、前述の定義の一部において暗に示しているように、前記ヒドロカルビル、アルキル、アリールまたは他の部分において、炭素（または他の）原子に結合している少なくとも１つの水素原子が１つ以上の非水素置換体で置き換えられていることを意味する。このような置換体の例としては、限定されないが：ハロ、ヒドロキシル、スルフヒドリル、Ｃ１−Ｃ２４アルコキシ、Ｃ２−Ｃ２４アルケニルオキシ、Ｃ２−Ｃ２４アルキニルオキシ、Ｃ５−Ｃ２０アリールオキシ、アシル（例えば、Ｃ２−Ｃ２４アルキルカルボニル（−ＣＯ−アルキル）およびＣ６−Ｃ２０アリールカルボニル（−ＣＯ−アリール））、アシルオキシ（−Ｏ−アシル）、Ｃ２−Ｃ２４アルコキシカルボニル（−（ＣＯ）−Ｏ−アルキル）、Ｃ６−Ｃ２０アリールオキシカルボニル（−（ＣＯ）−Ｏ−アリール）、ハロカルボニル（−ＣＯ）−Ｘ（式中、Ｘはハロである）、Ｃ２−Ｃ２４アルキルカルボナト（−Ｏ−（ＣＯ）−Ｏ−アルキル）、Ｃ６−Ｃ２０アリールカルボナト（−Ｏ−（ＣＯ）−Ｏ−アリール）、カルボキシ（−ＣＯＯＨ）、カルボキシラト（−ＣＯＯ−）、カルバモイル（−（ＣＯ）−ＮＨ２）、一置換Ｃ１−Ｃ２４アルキルカルバモイル（−（ＣＯ）−ＮＨ（Ｃ１−Ｃ２４アルキル））、二置換アルキルカルバモイル（−（ＣＯ）−Ｎ（Ｃ１−Ｃ２４アルキル）２）、一置換アリールカルバモイル（−（ＣＯ）−ＮＨ−アリール）、チオカルバモイル（−（ＣＳ）−ＮＨ２）、カルバミド（−ＮＨ−（ＣＯ）−ＮＨ２）、シアノ（−Ｃ≡Ｎ）、イソシアノ（−Ｎ＋≡Ｃ−）、シアナト（−Ｏ−Ｃ≡Ｎ）、イソシアナト（−Ｏ−Ｎ＋≡Ｃ−）、イソチオシアナト（−Ｓ−Ｃ≡Ｎ）、アジド（−Ｎ＝Ｎ＋＝Ｎ−）、ホルミル（−（ＣＯ）−Ｈ）、チオホルミル（−（ＣＳ）−Ｈ）、アミノ（−ＮＨ２）、モノ−およびジ−（Ｃ１−Ｃ２４アルキル）置換アミノ、モノ−およびジ−（Ｃ５−Ｃ２０アリール）−置換アミノ、Ｃ２−Ｃ２４アルキルアミド（−ＮＨ−（ＣＯ）−アルキル）、Ｃ５−Ｃ２０アリールアミド（−ＮＨ−（ＣＯ）−アリール）、イミノ（−ＣＲ＝ＮＨ（式中、Ｒ＝水素、Ｃ１−Ｃ２４アルキル、Ｃ５−Ｃ２０アリール、Ｃ６−Ｃ２０アルカリル、Ｃ６−Ｃ２０アラルキルなど）、アルキルイミノ（−ＣＲ＝Ｎ（アルキル）（式中、Ｒ＝水素、アルキル、アリール、アルカリルなど））、アリールイミノ（−ＣＲ＝Ｎ（アリール）（式中、Ｒ＝水素、アルキル、アリール、アルカリルなど））、ニトロ（−ＮＯ２）、ニトロソ（−ＮＯ）、スルホ（−ＳＯ２−ＯＨ）、スルホナト（−ＳＯ２−Ｏ−）、Ｃ１−Ｃ２４アルキルスルファニル（−Ｓ−アルキル；「アルキルチオ」とも称する）、アリールスルファニル（−Ｓ−アリール；「アリールチオ」とも称する）、Ｃ１−Ｃ２４アルキルスルフィニル（−（ＳＯ）−アルキル）、Ｃ５−Ｃ２０アリールスルフィニル（−（ＳＯ）−アリール）、Ｃ１−Ｃ２４アルキルスルホニル（−ＳＯ２−アルキル）、Ｃ５−Ｃ２０アリールスルホニル（−ＳＯ２−アリール）、ホスホノ（−Ｐ（Ｏ）（ＯＨ）２）、ホスホナト（−Ｐ（Ｏ）（Ｏ−）２）、ホスフィナト（−Ｐ（Ｏ）（Ｏ−））、ホスホ（−ＰＯ２）、ならびにホスフィノ（−ＰＨ２）、モノ−およびジ−（Ｃ１−Ｃ２４アルキル）−置換ホスフィノ、モノ−およびジ−（Ｃ５−Ｃ２０アリール）−置換ホスフィノ；ならびにヒドロカルビル部分Ｃ１−Ｃ２４アルキル（例えば、Ｃ１−Ｃ１８アルキル、さらに例えば、Ｃ１−Ｃ１２アルキル、さらに例えば、Ｃ１−Ｃ６アルキル）、Ｃ２−Ｃ２４アルケニル（例えば、Ｃ２−Ｃ１８アルケニル、さらに例えば、Ｃ２−Ｃ１２アルケニル、さらに例えば、Ｃ２−Ｃ６アルケニル）、Ｃ２−Ｃ２４アルキニル（例えば、Ｃ２−Ｃ１８アルキニル、さらに例えば、Ｃ２−Ｃ１２アルキニル、さらに例えば、Ｃ２−Ｃ６アルキニル）、Ｃ５−Ｃ３０アリール（例えば、Ｃ５−Ｃ２０アリール、さらに例えば、Ｃ５−Ｃ１２アリール）、ならびにＣ６−Ｃ３０アラルキル（例えば、Ｃ６−Ｃ２０アラルキル、さらに例えば、Ｃ６−Ｃ１２アラルキル）などの官能基が挙げられる。また、前述の官能基は具体的な基において可能な場合、１つ以上のさらなる官能基または１つ以上のヒドロカルビル部分（上記において具体的に列挙したものなど）でさらに置換されていてもよい。同様に、上記のヒドロカルビル部分は、１つ以上の官能基またはさらなるヒドロカルビル部分（具体的に列挙したものなど）でさらに置換されていてもよい。
【００４６】
用語「置換（されている）」が、可能な置換型の基の羅列の前に示されている場合、該用語は、その群のどの構成員にも適用されることを意図する。例えば、語句「置換アルキルおよびアリール」は、「置換アルキルおよび置換アリール」と解釈されたい。
【００４７】
特に指定のない限り、原子に対する言及は、その原子の同位体を含むことを意図する。例えば、Ｈに対する言及は１Ｈ、２Ｈ（すなわち、Ｄ）および３Ｈ（すなわち、Ｔ）を含むことを意図し、Ｃに対する言及は１２Ｃおよび炭素のあらゆる同位体（１３Ｃなど）を含むことを意図する。
【００４８】
本明細書で用いる場合、用語「透明な」は、材料が電磁放射線に対して透過性であることをさす。ＬＥＤにおいて使用される透明材料の特定の状況では、該用語は、材料が、ＬＥＤによって放出される電磁放射線の波長に対して透過性であることをさす。特に記載のない限り、該用語は、材料が完全に透過性であること、ならびに材料が半透過性であることも含む。
【００４９】
本発明のデバイスは、一般的には複数の層を備える電子デバイスであり、本明細書において、「部材スタック」、「デバイススタック」、または単に「スタック」とも称する。部材スタックは基板上に支持される。基板を部材スタックの層の１つとみなしてもよく、みなさなくてもよい。しかしながら、本開示の解釈上、基板を本発明のデバイスの「ボトム」層と称する。したがって、第１の層が第２の層よりも基板から遠くにある場合−すなわち、第２の層が基板と第１の層の間にある場合、第１の層は、第２の層の「上」にある。同様に、第１の層が第２の層よりも基板の近くにある場合−すなわち、第１の層が基板と第２の層の間にある場合、第１の層は第２の層の「下」にある。用語「上」および「下」は、本明細書で用いる場合、基板に垂直な軸上において決定される。この命名規則は、必ずしも、層全体の任意の特定の成膜順の示唆を意図するものでない。したがって、基板を「ボトム」層と称し、他のすべての層は基板の「上」にあるが、このような言及は、必ずしも、基板を最初に設けなければならないこと、およびすべての層を基板上に成膜することの示唆を意図するものではない。基板から始めてデバイスの層を次々に成膜する実施形態は、本発明の範囲に含まれる。また、デバイスの層を次々に成膜して基板で終わる実施形態も、本発明の範囲に含まれる。
【００５０】
本開示全体を通して、層の「上部」表面および「底」表面に言及する。一般的に、層の「上部」表面は基板から最も離れている表面をさし、層の「底」表面は基板に最も近い表面をさす。上部表面および底表面は基板に垂直な軸上において決定されることは認識されよう。
【００５１】
そこで、一部の実施形態において、本発明は、電子デバイスを封止するための材料および方法を提供する。電子デバイスは、典型的には、部材の層が基板上に支持された層状デバイスである。
【００５２】
封止体は、少なくとも以下の部材：基板（本明細書において「第１基板」ともいう）、封止層（本明細書において「第２基板」ともいう）、捕水剤、および基板を封止層にボンディングする結合材（本明細書において「シーラント」ともいう）を備えている。また、封止体は、基板を封止層から隔離させるスペーサー部材（例えば、基板、封止層もしくは両方と一体となっている部分であるリム部、または独立したスペーサー要素のいずれか）も備えている。封止体は、電子デバイスを「デバイスキャビティ」内に完全に封入し、前記デバイスを環境要素から保護する障壁を形成している。例えば、封止体は、前記デバイスを湿気（すなわち、水分）、空気（特に、空気の酸素成分）、大気汚染物質、および前記デバイス部材に対して有害であり得る他の物質から保護する。
【００５３】
封止体は、上面にデバイス部材が配設された基板（本明細書において「第１基板」ともいう）を備えている。基板は、平滑で平坦であってもよく、パターン形成されていてもよい。基板の上部表面（すなわち、デバイススタックを支持する表面）は、デバイス領域と、前記デバイス領域を囲むボンディング領域（本明細書において「第１ボンディング領域」ともいう）とを備えている。基板は、デバイススタックを部分的もしくは完全に基板の上面より下方に埋め込むことが可能な陥凹領域を備えたものであってもよい。陥凹領域は、寸法がデバイス領域に対応していてもよく、デバイス領域よりも大きくてもよい。基板は、リム部および／または溝（これらはともに、以下に、より詳細に記載する）を備えたものであってもよい。部材の層は、一般的には基板よりも面積が小さく、そのため、基板は部材の層の域を越えて延在している。図１（以下に論考する）は、このような概念を示す基板とデバイススタックの上面図の一例を示す。基板は任意の適当な材料で作製されたものであり得、その例も以下に示す。一部の実施形態において、基板は、約１００μｍ〜約１０ｍｍ以上、または約２００μｍ〜約８ｍｍ、または約３００μｍ〜約６ｍｍ、または約４００μｍ〜約５ｍｍ、または約５００μｍ〜約５ｍｍ、または約５００μｍ〜約４ｍｍ、または約５００μｍ〜約３ｍｍ、または約５００μｍ〜約２ｍｍ、または約５００μｍ〜約１ｍｍの範囲の厚みを有する。一部の実施形態において、基板は、約１０ｍｍ未満、または約８ｍｍ未満、または約６ｍｍ未満、または約５ｍｍ未満、または約４ｍｍ未満、または約３ｍｍ未満、または約２ｍｍ未満、または約１ｍｍ未満、または約０．５ｍｍ未満である厚みを有する。一部の実施形態において、基板は、約０．５ｍｍより大きい、または約１ｍｍより大きい、または約２ｍｍより大きい、または約３ｍｍより大きい、または約４ｍｍより大きい、または約５ｍｍより大きい、または約６ｍｍより大きい、または約８ｍｍより大きい、または約１０ｍｍより大きい厚みを有する。
【００５４】
封止体は、基板にボンディングされた封止体層（本明細書において「第２基板」ともいう）を備えている。封止体層は、平滑で平坦であってもよく、パターン形成されていてもよい。封止体層は、リム部および／または溝（これらはともに、以下に、より詳細に記載する）を備えたものであってもよい。封止体層は、封止体のボンディング領域（本明細書において「第２ボンディング領域」ともいう）を備えており、これは、基板との接触が行われる（シーラントによって本明細書に記載のようにして）封止体層内の領域である。典型的には、封止体層は、デバイススタックのいずれの部材とも接触していないが、一部の実施形態において、封止体層がデバイススタックの最上層と接触していてもよい。封止体層は任意の適当な材料で作製されたものであり得、その例も以下に示す。一部の実施形態において、封止体層は、約１００μｍ〜約５ｍｍ以上、または約２００μｍ〜約４ｍｍ、または約３００μｍ〜約３ｍｍ、または約４００μｍ〜約２ｍｍ、または約５００μｍ〜約１ｍｍの範囲の厚みを有する。一部の実施形態において、封止体層は、約５ｍｍ未満、または約４ｍｍ未満、または約３ｍｍ未満、または約２ｍｍ未満、または約１ｍｍ未満、または約０．５ｍｍ未満である厚みを有する。一部の実施形態において、封止体層は、約０．５ｍｍより大きい、または約１ｍｍより大きい、または約２ｍｍより大きい、または約３ｍｍより大きい、または約４ｍｍより大きい、または約５ｍｍより大きい厚みを有する。一部の実施形態において、基板と封止体層は同じ厚みであり、他の実施形態では、これらは異なる厚みである。
【００５５】
一部の実施形態において、基板はリム部（本明細書において「基板リム部」という）を備えている。リム部は、封止体層を基板のデバイス領域から隔離させる機能を果たす。一部の実施形態では、封止体層がリム部（本明細書において「封止体層リム部」という）を備えている。一部の実施形態において、基板と封止体層が各々、リム部を備えている。本明細書で用いる場合、用語「リム部」は、層の隆起している部分であって、前記層の一体となっている部分をさし、前記層の周辺部周囲に位置している。リム部の深さ（あるいは、封止体層リム部と基板リム部がともに存在している場合は、２つのリム部の合計深さ）は、封止体層と基板のデバイス領域の間の空間量を決定する要素の１つである。リム部は、具体的なデバイスに適した任意の深さを有するものであり得るが、封止されるデバイスの厚みを考慮して（基板内へのデバイスの任意の陥入などを考慮）、リム部の深さは充分なものであるとする。また、リム部は、具体的なデバイスに適した任意の幅のものであり得るが、リム部の幅は、捕水剤を含有する溝が収容されるのに充分なものであるとする。
【００５６】
一部の実施形態において、封止体は、スペーサー（本明細書において「スペーサー要素」ともいう）を備えている。スペーサーは、第１基板と第２基板の両方の接合部となっており、ボンディング材によって両基板と密封部を形成している。好ましい実施形態では、スペーサーは、第１基板と第２基板のボンディング領域と接触している。したがって、スペーサーは、２つのスペーサーボンディング領域を備えており、各スペーサーボンディング領域は、第１基板または第２基板いずれかのボンディング領域と接触している。スペーサー要素は、基板および／または封止体層のリム部と同様の機能を果たすが、別個の部材である（すなわち、基板または封止体層のいずれかと一体になっていない）。すなわち、スペーサーは、第１基板のデバイス領域と第２基板との間に空間（デバイススタックが配設され得る空間）をもたらす。スペーサーユニットは、リム部を有する封止体部材（すなわち、第１基板および第２基板）とともに使用され得、同様に、リム部を有しない部材とも使用され得る。
【００５７】
スペーサーが使用される本発明の封止体では、スペーサーは、単独のユニットであってもよく、複数の個別の（ｄｉｓｃｒｅｅｔ）サブユニットを備えていてもよい。積層型スペーサーサブユニット（すなわち、互いの水平方向の接合部を形成しており、積層されて、より厚いスペーサーを形成する「薄い」スペーサーサブユニット）と、スロット型（ｓｌｏｔｔｉｎｇ）スペーサーサブユニット（すなわち、サブユニット間に垂直方向の接合部を有する「厚い」スペーサーサブユニット）の任意の組合せが、適宜使用され得る。
【００５８】
一般的に、スペーサーユニットの厚みは、封止体が全体として、封止されるデバイススタックを収容可能であることが確保されるのに充分なものである。例えば、第１基板と第２基板にリム部が存在していない場合、スペーサーユニットは、少なくともデバイススタックと同程度の大きさの厚みを有し、デバイススタックの厚みよりも有意に大きくてもよい。第１基板、第２基板または両基板にリム部が存在している場合は、スペーサーの厚みはデバイススタックの厚みよりも小さくてもよく、このような厚みと同じであるか、またはそれより大きくてもよい。スペーサーが、互いに積層された多数のサブユニットを備えている場合、スペーサーの総厚は、各スペーサーサブユニットの厚みとサブユニットの数によって決定される。例えば、スペーサーが厚み「ｘ」を有することが必要とされる封止体では、スペーサーは、各々が「ｘ／ｙ」の厚みを有する（または平均厚みが「ｘ／ｙ」である）「ｙ」個のサブユニットを備えるものであり得る。
【００５９】
封止体は、さらに１つ以上の溝を備えている。ある実施形態では、溝は、捕水剤（これについてのさらなる詳細は以下に示す）を受容および内包するのに適したものである。一部の実施形態において、溝は第１基板のボンディング領域上に配設されている。一部の実施形態において、溝は第２基板のボンディング領域上に配設されている。一部の実施形態において、溝は第１基板と第２基板のボンディング領域上に配設されている。第１基板と第２基板の両方のボンディング領域上に溝を有する実施形態では、溝は、第１基板と第２基板をボンディングすると所定の位置で整合（ａｌｉｇｎ）して封止体を形成するものであってもよく、溝は、前記基板同士をボンディングして一体にするとオフセット（ｏｆｆｓｅｔ）されるものであってもよい。
【００６０】
一部の実施形態において、溝は、断面が基板において（あるいはまたさらに、スペーサーにおいて）矩形的に凸凹の形状である。あるいは、溝は、他の形状、例えば、三角形、Ｕ形状（すなわち、まっすぐな側壁と局面状の底）であってもよく、不規則であってもよい。
【００６１】
溝の深さは、基板の厚みおよび封止体の他の寸法などのいくつかの要素に応じて異なる。一部の実施形態において、溝の深さは約０．０１ｍｍ〜１０ｍｍ、または約０．１ｍｍ〜５ｍｍ、または約０．１ｍｍ〜１ｍｍである。一部の実施形態では、溝の深さは０．０１ｍｍより大きい、または０．１ｍｍより大きい、または１ｍｍより大きい、または５ｍｍより大きい。一部の実施形態では、溝の深さは５ｍｍ未満、または１ｍｍ未満、または０．１ｍｍ未満、または０．０１ｍｍ未満である。一部の実施形態では、溝の深さは、その溝が配設される基板の厚みの０．１％、または１％、または５％、または１０％、または２５％である。
【００６２】
本発明による基板には、多数の溝が存在していてもよい。例えば、一部の実施形態において、封止体は、複数の溝を有するボトム基板を備えている。前記複数の溝は、同心性（図１ｃ（後述）に示すものなど）であり得る。一部の実施形態では、溝は、不連続および／または互い違い（図１ｄ（後述）に示すものなど）であり得る。
【００６３】
スペーサーが使用された実施形態では、スペーサーが１つ以上の溝を備えていてもよい。スペーサー（単独の１つのユニットで構成されている、または互いの上部または互いに隣接して積層された多数のサブユニットで構成されている）は、一般的には、上記のような２つのスペーサーボンディング領域を有する。溝は、スペーサーボンディング領域のいずれかに配設されていても、両方に配設されていてもよい。例えば、図３ａ（以下により詳細に説明する）は、スペーサー（３７０）が２つのスペーサーボンディング領域を有し、各スペーサーボンディング領域が溝（３４０）を備えている実施形態の一例である。図３ａに示す実施形態の溝は、スペーサー要素に組み込まれている。代替として（図には示していない）、スペーサー要素の溝は、複数のスペーサーサブユニットの立体構成により存在していてもよい（すなわち、積層型およびスロット型のサブユニットを、溝が形成されるように配列する）。
【００６４】
封止体は、さらに捕水剤（ｄｅｓｉｃｃａｎｔ）を備えている。一部の実施形態において、捕水剤は、封止体に存在している１つ以上の溝内に配設される。一部の実施形態において、捕水剤は、溝内に完全に充填されている。一部の実施形態では、捕水剤は、溝内に部分的に充填されている。一部の実施形態では、デバイスの製造のある時点では捕水剤が溝内に配設されていない。例えば、捕水剤は、基板を封止体層と接合する前に、基板または封止体層の（溝なしの）ボンディング領域上に配設され得る。このような実施形態では、捕水剤は、このような接合時に溝内に広がり得る。
【００６５】
封止体は、前述の環境要素の１つ以上に対して、わずかに透過性であり得ることが一般的であるため、捕水剤が本発明の封止体において使用される。典型的には、例えば、ボンディング材により半透過性の密封部を形成し、少量割合の湿気および酸素がデバイスキャビティ内を通過することを可能にする。透過性の度合は、もちろんボンディング材に依存し、好適なボンディング材の例は本明細書において以下に示している。デバイス部材を保護するため、捕水剤は本発明の封止体内に、環境中からボンディング材を通過した任意の湿気および／または酸素がデバイス部材に達する前に最初に捕水剤に曝露されるように存在させ、配置する。さらに、捕水剤は、封止されるデバイスによって放出または受容された任意の光を実質的に妨げないように配置する（例えば、デバイスが発光ダイオードまたは光起電力デバイスである場合）。したがって、封止されるデバイスがＯＬＥＤスタックまたは光起電力スタックを備えている場合、捕水剤は、前記スタック上ではなく（すなわち、基板に垂直であり、かつ前記スタックの１つ以上の部材を貫通する軸上ではなく）、前記スタックの周辺部周囲および／または周辺部から離れた位置にある。
【００６６】
本発明の封止体は、さらに、封止体の部材間に結合部を形成するシーラントを備えている。例えば、シーラントにより、封止体層と基板間に結合部が形成される。典型的には、封止体のボンディング領域と基板のボンディング領域が出合う移行領域が存在しており、このような移行領域内にシーラントが配設される。したがって、ある実施形態では、シーラントにより、封止体のボンディング領域と基板のボンディング領域間に結合部が形成される。
【００６７】
封止体は、封止されるデバイスを完全に囲むデバイスキャビティを形成している。一部の実施形態において、デバイスキャビティは、封止されるデバイスよりも大きく（例えば、厚みが大きい、および／または幅が広い）、そのため、デバイスの層と封止体の１つ以上の部材との間に空間が存在している。好ましいこのような実施形態において、封止体層は、封止されるデバイスいずれの部材の層（基板以外、一部の実施形態の場合のように、基板はデバイス部材の層の１つとみなされることがあり得る）とも接触しておらず、そのため、これらの間に空間がある。前記空間は、封止体での密封前に、空にされ得るか（すなわち、真空）、または不活性要素（不活性ガスなど）が充填され得る。一部の実施形態において、デバイスキャビティには、シーラントが部分的もしくは完全に充填され得る。このような実施形態において、シーラントは、封止されるデバイスがエレクトロルミネセント型または光起電力型である場合、好ましくは透明材料であり、前記デバイスに進入する、または前記デバイスから逸出する光子が取る経路がシーラントによって被覆される。また、このような実施形態において、シーラントは第１基板および第２基板と、ボンディング領域ならびにデバイス領域において接触していることは認識されよう。
【００６８】
デバイスキャビティの余分な空間内に充填される物質（例えば、不活性ガスまたはシーラント）を有するデバイスでは、デバイスは、前記物質がデバイスキャビティ内に導入されるのに適した任意の適切な様式で製造され得る。例えば、不活性ガスがデバイスキャビティ内に充填される場合、デバイスは不活性ガス環境中で製造され得る。また、例えば、シーラントがデバイスキャビティの余分な空間内に充填される場合、シーラントは、封止体層と基板と接合する前に、デバイススタック全体または封止体層上に適用され得る。例えば、一実施形態において、デバイススタックは基板上に作製され、シーラントの一部がデバイススタック上および／または基板のボンディング領域上に配置される。次いで、封止体層が基板とデバイススタック上に配置され、これによりシーラントが押圧されて、デバイスキャビティ内に部分的もしくは完全に充填される。続いて、シーラントを硬化させることにより（例えば、ＵＶ放射線を用いて）、基板と封止体層間に永続的な結合がもたらされる。
【００６９】
デバイスおよび材料
本発明の封止体の材料および方法は、さまざまな電子デバイスを封止するのに適している。例えば、前記デバイスは有機電子デバイスであり得る。特に好適な例としては、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）、有機コンデンサ、有機発電デバイス（例えば、光起電力セル）、有機トランジスタなどが挙げられる。このようなデバイスは、典型的には複数の層を備えている。例えば、ＯＬＥＤは、２つの電極層とエレクトロルミネセント層を備えている。さらなる層および部材、例えば、誘電体層、導電層および光学層（レンズ層など）が存在していることもあり得る。同様の層の組合せが他の電子デバイスにも存在している。本明細書のほとんどはＯＬＥＤデバイスについて言及しているが、このような言及は限定を意図するものでないことは認識されよう。特に記載のない限り、または本文から自明でない限り、ＯＬＥＤに関する開示は他の電子デバイスに等しく適用され得る。
【００７０】
本発明に適したデバイスの例としては、例えば、米国特許番号第６，５９３，６８７号および同時係属中のＰＣＴ出願番号第ＰＣＴ／ＵＳ２００８／００１０２５号（これらの内容（デバイスおよびデバイスの構造に関するもの）は引用により本明細書に組み込まれる）に開示されたものが挙げられる。
【００７１】
さまざまな材料が本発明による封止体の作製に適しており、その例を以下に示す。また、以下に、本発明の封止体によって封止するのに適したデバイスの作製に好適な材料も記載する。ＯＬＥＤを例示的なデバイスとして使用しているが、このような開示は限定とみなされるべきでなく、本発明に従って封止される他の電子デバイス（例えば、トランジスタなど）を作製するための材料は、関連文献を参照することにより認識することができよう。
【００７２】
一部の実施形態において、本発明のデバイスはエレクトロルミネセントデバイスである。例示的なエレクトロルミネセントデバイスは、基板、２つの電極層、および前記電極層間にエレクトロルミネセント層が使用された有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）である。本明細書に記載のようなさらなる層および特色が組み込まれていてもよい。一方の電極層は電子注入層としての機能を果たし、他方の電極層は正孔注入層（電子正孔注入層とも称する）としての機能を果たす。光子はエレクトロルミネセント層内で、電子と電子正孔の再結合によって生成する。光子は、デバイスによって環境中に基板および／または一方の電極から放出される。
【００７３】
光子の放出が基板からである場合、基板は透明材料である。さらに、基板に達するためには、エレクトロルミネセント層内で生成した光子はボトム電極を通過しなければならない。このようなデバイスでは、パターン形成されたボトム電極または透明なボトム電極が使用される。
【００７４】
一般的に、ＯＬＥＤは第１電極を備えており、本明細書では、これを択一的に「底」電極と称していることがあり得る。一部の実施形態では、第１電極は陰極および／または電子注入電極としての機能を果たすものである。他の実施形態では、第１電極は陽極および／または正孔注入電極としての機能を果たすものである。第１電極に適した材料の例を以下に示す。
【００７５】
ボトム電極の上部（で接触している）には、一般的にエレクトロルミネセント層が存在している。エレクトロルミネセント層は、任意の適当なエレクトロルミネセント材料で作製されたものであり得、一部のこのような材料を以下に示す。好ましい実施形態では、エレクトロルミネセント層をボトム電極上に等角的に成膜する。
【００７６】
エレクトロルミネセント層の上部（で接触している）には、一般的に電極層が存在している。エレクトロルミネセント層の上部の電極層を、本明細書において「第２」電極層または「トップ」電極と称する。第２電極層は、一部の実施形態において、エレクトロルミネセント層上に等角的に成膜された均一な層である。一部の実施形態では、第２電極は陰極および／または電子注入電極としての機能を果たすものである。他の実施形態では、第２電極は陽極および／または正孔注入電極としての機能を果たすものである。第２電極に適した材料の例を以下に示す。光子の放出がトップ電極からである場合、トップ電極は透明材料から作製されたものであってもよく、またはパターン形成されていてもよい（すなわち、トップ電極は均一でない）。
【００７７】
第２電極はパターン形成されたもの（すなわち、不均一）であっても、パターン形成されていないもの（すなわち、均一）であってもよい。例えば、第２電極は、シャドウマスクまたはパターン形成層の作出のための他の手段を用いて所望のとおりにパターン形成され得る。同様に、エレクトロルミネセント層も、パターン形成されたものであってもパターン形成されていないものであってもよい。
【００７８】
本発明のデバイスは基板を備えており、一部の実施形態において、前記デバイスは透明基板または半透明基板を備えたものであり得る。本発明の方法における基板に適した透明または半透明の材料は、上面に配設される電子デバイスと適合性のあるものである。ポリマーおよび非晶質または半結晶性のセラミックが好ましい材料である。無機材料の例としては、二酸化ケイ素（すなわち、シリカガラス）、種々のケイ素系ガラス（例えば、ソーダ石灰ガラスおよびホウケイ酸ガラスなど）、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、塩化ナトリウム、ダイヤモンドなどが挙げられる。透明または半透明のポリマー材料の例としては、ポリエチレンナフタレート、ポリカーボネート、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエステル、ポリイミド、ポリアミド、ポリアクリレート、ポリメタクリレート、ならびにそのコポリマーおよび混合物が挙げられる。基板は、剛性であっても可撓性であってもよく、任意の適当な形状および立体構成のものであり得る。好ましい基板材料はガラス（すなわち、二酸化ケイ素）である。
【００７９】
一部の実施形態において、本発明のデバイスは非透明材料を備える。このような材料は、典型的には金属および／または非透明金属酸化物である。好適な材料としては、例えば、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ａｕ、Ａｇ、Ｓｎ、Ｍｏ、Ｚｒ、Ｐｔなど、ならびにその酸化物が挙げられる。
【００８０】
典型的には、封止体層は、非導電性の透明または半透明の材料で作製されたものである。前記材料は有機系であっても無機であってもよい。封止体層に好適な材料としては、基板に好適であると上記に記載した透明、半透明および非透明なあらゆる材料が挙げられる。一部の実施形態において、封止体層はシリカガラス（すなわち、二酸化ケイ素）である。
【００８１】
封止されるデバイスが放射線を放出または吸収することが意図される場合（例えば、ＯＬＥＤまたは光起電力セルにおいて）、基板と封止体層の少なくとも一方は透明または半透明であることは認識されよう。一部の実施形態において、両基板および封止体層は透明または半透明である。
【００８２】
本発明のデバイスに好適な捕水剤としては、アルミナ（すなわち、酸化アルミニウム）、クレイ（例えば、ベントナイトクレイ、モンモリロナイトクレイなど）、アルカリ金属およびアルカリ土類金属（例えば、カリウム、マグネシウム、ナトリウムなど）、アルカリ金属酸化物およびアルカリ土類金属酸化物、アルカリ金属塩およびアルカリ土類金属塩（例えば、炭酸塩、塩化物塩、塩素酸塩、過塩素酸塩、硫酸塩など）、カルシウム塩（例えば、塩化カルシウム、硫酸カルシウム（ＤＲＩＥＲＩＴＥ（登録商標））など）、水素化カルシウム、塩化コバルト、硫酸銅、塩化リチウム、水素化リチウム、臭化リチウム、マグネシウム塩（例えば、硫酸マグネシウム、過塩素酸マグネシウムなど）、モレキュラーシーブ、五酸化リン、炭酸カリウム、シリカ、ナトリウム塩（例えば、塩素酸ナトリウム、硫酸ナトリウムなど）、水酸化ナトリウム、ナトリウム−ベンゾフェノン、硫酸などが挙げられる。
【００８３】
電極は、任意の適切な材料で構成され得、具体的なデバイスおよび適用に応じて適宜、透明または非透明のいずれかであり得る。一部の実施形態において、本発明のデバイスは、トップ電極層（すなわち、第２電極）およびボトム電極（すなわち、第１電極）を備えている。
【００８４】
金属、導電性金属酸化物および共役有機化合物などの材料が電極として好適である。また、ドーピング型半導体および透明材料も好適な電極材料である。電極材料の例としては、アルミニウム、チタン、銅、タングステン、銀、ケイ素、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、ペンタセン、オリゴチオフェンおよびポリチオフェン、例えば、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）（ＰＥＤＯＴ）、カーボンナノチューブなどが挙げられる。本発明の方法におけるこのような電極層に適した材料のさらなる例は、例えば、Ａｕ、Ｐｔ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎなどの金属である。また、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｌａ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、ＣｕまたはＺｎの酸化物などの導電性金属酸化物も使用され得る。また、任意の他の好適な導電性材料（例えば、導電性ポリマー、カーボンナノチューブ、グラフェン、そのハイブリッドなど）も使用され得る。一部の実施形態において、デバイスはエレクトロルミネセントデバイスであり、第２電極は透明材料（例えば、ＩＴＯなど）で作製されている。このような実施形態は、両側から光子を放出することができるデバイスを含む。
【００８５】
本明細書に記載の任意の実施形態において、電極を単一の層または層の組合せのいずれで成膜してもよいことは認識されよう。例えば、電極は、陽極と正孔注入材料を備える１対の層として成膜してもよく、単一の層として成膜してもよい。同様に、電極は、陰極と電子注入材料を備える１対の層として成膜してもよく、または単一の層として成膜してもよい。さらに、封止体層などのさらなる層を第２電極上に成膜してもよい。
【００８６】
一部の実施形態において、本発明に従って封止されるデバイスは、さらに誘電体層を備えている。例えば、誘電体層は、特定のＯＬＥＤ立体構成ならびにコンデンサなどに存在する。慣用的な方法に従って作製する場合、誘電体層は、非導電性障壁としての機能を果たし得る（例えば、電極間に電気的障壁をもたらし、電極層間の電気ショートを妨げる）任意の適当な材料であり得る。前記材料としては、例えば、無機材料（酸化物、窒化物、炭化物、ホウ化物、ケイ化物など）、または有機材料（ポリイミド、ポリフッ化ビニリデン、パリレンなど）、ならびに種々のゾル−ゲル材料およびプレセラミックポリマーが挙げられる。特定の実施形態において、誘電体層は、実質的にピンホールがなく、約１０８オーム−ｃｍより大きく、好ましくは約１０１２オーム−ｃｍより大きい電気抵抗を有する高抵抗材料で構成されている。好適な高抵抗材料のさらなる具体例としては、限定されないが、窒化ケイ素、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、酸化ケイ素、酸化チタン、酸化アルミニウムが挙げられる。
【００８７】
一部の実施形態において、本発明に従って封止されるデバイスは、さらに導電層を備えている。例えば、導電層は、エレクトロルミネセント層を通った後の電荷分布がより均一になることが望ましいデバイスに使用され得る。
【００８８】
導電材料は有機系であっても無機系（例えば、金属および金属酸化物）であってもよい。好ましい実施形態では、導電材料は有機系である。導電材料に好ましい材料は、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）（ＰＥＤＯＴ）などの透明な導電性ポリマーである。ＰＥＤＯＴの誘導体およびコポリマー（ＰＥＤＯＴ／ポリスチレンスルホン酸など）は、好適な材料のさらなる例である。好適であるさらなる材料としては、ポリアニリン（ＰＡＮＩ）、グラフェン、カーボンナノチューブ、およびグラフェン−カーボンナノチューブハイブリッドが挙げられる。また、導電性で透明な非ポリマー系有機材料も使用され得る。
【００８９】
あるいは、導電材料は、透明な導電性酸化物（ＴＣＯ）などの透明な無機材料であってもよい。例としては、導電性または半導電性の金属および／または金属酸化物層、例えば：酸化スズ、酸化亜鉛、Ａｇ、ＳｎＯ２：Ｘ（ここで、Ｘ＝Ｓｂ、ＣｌまたはＦ）、Ｉｎ２Ｏ３：Ｘ（ここで、Ｘ＝Ｓｂ、Ｓｎ、Ｚｎ（すなわち、酸化インジウムスズ、酸化インジウム亜鉛など）、ＣｄＳｎＯ４、ＴｉＮ、ＺｎＯ：Ｘ（ここで、Ｘ＝Ｉｎ、Ａｌ、Ｂ、Ｇａ、Ｆ）、Ｚｎ２ＳｎＯ４、ＺｎＳｎＣ３、ならびにＣｄ２ＳｎＯ４が挙げられる。さらに、導電材料は、極薄金属（例えば、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｏ、Ｎｉなど）であってもよい。導電材料は、本明細書に記載の金属、金属酸化物および有機導電材料のいずれかの組合せであってもよい。
【００９０】
本発明のデバイスは、さらにエレクトロルミネセント層を備えていてもよい。本発明の方法におけるエレクトロルミネセント層に適した材料は、正孔注入層から正孔および電子注入層から電子を受け、注入された正孔と電子が結合すると電磁放射線（例えば、光）を放出することができる材料である。したがって、特定の実施形態では、エレクトロルミネセント材料は、いくつかの任意の有機もしくは無機化合物またはその混合物（例えば、有機材料または低分子の多層構造など）を含むものであり得る。例えば、エレクトロルミネセント層は、ポリマー材料を含むものであってもよく、または１種類以上の低分子材料で構成されたものであってもよい。しかしながら、前記材料は、少なくとも１種類のエレクトロルミネセント化合物（例えば、有機系、無機系または低分子のエレクトロルミネセント化合物）を含有していなければならない。特定の実施形態において、エレクトロルミネセント化合物としては、単純な有機分子または複雑なポリマーもしくはコポリマーが挙げられ得る。例えば、単純な有機発光分子としては、トリス（８−ヒドロキシキノリナト）−アルミニウムまたはペリレンが挙げられ得る。
【００９１】
特定の実施形態において、エレクトロルミネセント材料としては、ポリマーまたはコポリマーが挙げられる。好適なポリマーまたはコポリマーの分子構造は、炭素系またはケイ素系の主鎖を含むものであり得る。前記ポリマーおよびコポリマーは、線状、分枝状、架橋型またはそれらの任意の組合せであり得、５０００程度の低いものから１，０００，０００を越えるものまで広範な分子量を有し得る。コポリマーの場合、コポリマーは、交互、ブロック、ランダム、グラフトコポリマー、またはその組合せであり得る。本発明と併用される有用な好適なエレクトロルミネセントポリマーの例としては、限定されないが、共役ポリマー、例えば、ポリパラフェニレン、ポリチオフェン、ポリフェニレンビニレン、ポリチエニルビニレン、ポリフルオレン、１，３，４−オキサジアゾール含有ポリマー、ならびにその種々の誘導体およびコポリマーが挙げられる。
【００９２】
例示的なエレクトロルミネセントポリマーは、以下の式（ＩＩ）の一般構造を有するアリールアミン置換ポリ（アリーレン−ビニレン）ポリマーである：
【化１】
2013506254.tif 000003
【００９３】
式中、Ａｒは、１〜３個の芳香族環を含有するアリーレン、ヘテロアリーレン、置換アリーレンまたは置換ヘテロアリーレンである；
【００９４】
Ｒ１は、アリールアミン置換体であり、式−−Ａｒ１−−Ｎ（Ｒ４Ｒ５）（式中、Ａｒ１はＡｒについて定義したとおりであり、Ｒ４およびＲ５は、独立して、ヒドロカルビル、置換ヒドロカルビル、ヘテロ原子含有ヒドロカルビル、または置換ヘテロ原子含有ヒドロカルビル）のものである；ならびに
【００９５】
Ｒ２およびＲ３は、独立して、ヒドリド、ハロ、シアノ、ヒドロカルビル、置換ヒドロカルビル、ヘテロ原子含有ヒドロカルビルおよび置換ヘテロ原子含有ヒドロカルビルからなる群より選択されるか、あるいはＲ２とＲ３が一緒になって三重結合を形成していてもよい。
【００９６】
他の部分は以下のとおりであり得る：
【００９７】
Ａｒは、５員もしくは６員のアリーレン、ヘテロアリーレン、置換アリーレンまたは置換ヘテロアリーレン基であり得るか、あるいは縮合しているか連結しているかのいずれかである１〜３個のこのような基を含有するものであり得る。好ましくは、Ａｒは、１個または２個の芳香族環で構成されたものであり、最も好ましくは、５員もしくは６員のアリーレン、ヘテロアリーレン、置換アリーレンまたは置換ヘテロアリーレンである単一の芳香族環で構成されたものである。Ａｒ１は、アリールアミン置換体内のアリーレン連結部分であり、同様の定義である。
【００９８】
置換体Ｒ２およびＲ３は、一般的にはヒドリドであるが、ハロ（特に、クロロもしくはフルオロ）またはシアノ、または置換もしくは非置換のアルキル、アルコキシ、アルケニル、アルキニル、アリールおよびヘテロアリールであってもよい。
【００９９】
Ｒ４およびＲ５は同じであっても異なっていてもよく、記載のように、ヒドロカルビル、置換ヒドロカルビル、ヘテロ原子含有ヒドロカルビル、または置換ヘテロ原子含有ヒドロカルビルである。例えば、Ｒ４およびＲ５は、アルキル、アルコキシ置換アルキル、ポリエーテル置換アルキル、ニトロ置換アルキル、ハロ置換アルキル、アリール、アルコキシ置換アリール、ポリエーテル置換アリール、ニトロ置換アリール、ハロ置換アリール、ヘテロアリール、アルコキシ置換ヘテロアリール、ポリエーテル置換ヘテロアリール、ニトロ置換ヘテロアリール、ハロ置換ヘテロアリールなどであり得る。特定の実施形態では、前記置換体は、アリール、例えば、フェニル、アルコキシ置換フェニル（特に、低級アルコキシ置換フェニル（メトキシフェニルなど））、ポリエーテル置換フェニル（特に、−−ＣＨ２（ＯＣＨ２ＣＨ２）ｎＯＣＨ３または−−（ＯＣＨ２ＣＨ２）２ＯＣＨ３基（式中、ｎは、一般的には、１〜１２、好ましくは１〜６、最も好ましくは１〜３である）で置換されたフェニル）、およびハロ置換フェニル（特に、フッ素化または塩素化フェニル）である。
【０１００】
米国特許第６，４１４，１０４号に記載された別の例示的なエレクトロルミネセントポリマー材料は、以下の式（ＩＩＩ）の一般構造を有するモノマー単位を含有するアリールアミン置換ポリ（アリーレン−ビニレン）ポリマーである：
【化２】
2013506254.tif 000004
【０１０１】
式中、Ｘ、ＹおよびＺは、独立して、Ｎ、ＣＨおよびＣＲ６（式中、Ｒ６は、ハロ、シアノ、アルキル、置換アルキル、ヘテロ原子含有アルキル、アリール、ヘテロアリール、置換アリール、もしくは置換ヘテロアリールであるか、または隣接している炭素原子上の２つのＲ６部分が連結されていてさらなる環状基を形成していてもよい）からなる群より選択される；
【０１０２】
Ａｒ１は上記に定義したとおりである；
【０１０３】
Ａｒ２およびＡｒ３は、独立して、１つまたは２つの芳香族環を含有するアリール、ヘテロアリール、置換アリールおよび置換ヘテロアリールからなる群より選択される；ならびに
【０１０４】
Ｒ２およびＲ３は上記に定義したとおりである。
【０１０５】
上記の式（Ｉ）において、ポリマーは、Ｘ、ＹおよびＺがすべてＣＨである場合、ポリ（フェニレンビニレン）誘導体である。Ｘ、ＹおよびＺのうち少なくとも１つがＮである場合、芳香族環は、例えば、置換もしくは非置換のピリジニル、ピリダジニル、ピリミジニル、ピラジニル、１，２，４−トリアジニル、または１，２，３−トリアジニルである。例えば、Ｘ、ＹおよびＺのうち１つはＣＨであり得、他の２つはＣＨまたはＣＲ６（式中、Ｒ６は、ヘテロ原子含有アルキル（例えば、アルコキシ）あるいはポリエーテル置換体−ＣＨ２（ＯＣＨ２ＣＨ２）ｎＯＣＨ３もしくは−（ＯＣＨ２ＣＨ２）ｎＯＣＨ３基（式中、ｎは１〜１２、例えば１〜６（１〜３など）であり得る）であり得る）のいずれかであり得る。
【０１０６】
ポリマーは、ホモポリマーであっても、少なくとも１種類のさらなる型のモノマー単位を有するコポリマーであってもよい。好ましくは、ポリマーがコポリマーである場合、前記さらなるモノマー単位もまた、例えば、式（ＩＶ）：
【化３】
2013506254.tif 000005
（式中、Ｒ２、Ｒ３およびＲ６は先に定義したとおりであり、ｑは０〜４（両端を含む）の範囲の整数である）
の構造を有するアリーレン−ビニレンモノマー単位である。
【０１０７】
式（Ｉ）の構造を有する具体的なポリマーの例は、ポリ（２−（４−ジフェニルアミノ−フェニル）−１，４−フェニレンビニレンおよびポリ（２−（３−ジフェニルアミノフェニル）−１，４−フェニレンビニレンである。
【０１０８】
米国特許第６，４１４，１０４号に開示された具体的なポリマーの例は、ポリ（２−（４−ジフェニルアミノ−フェニル）−１，４−フェニレンビニレンおよびポリ（２−（３−ジフェニルアミノフェニル）−１，４−フェニレンビニレンである。
【０１０９】
本発明における使用に適切なエレクトロルミネセントポリマーは、米国特許第６，７２３，８２８号、同第６，８００，７２２号および同第７，０９８，２９７号（これらはいずれも引用により本明細書に組み込まれる）にも記載されている。該特許参考文献には、式（Ｖ）の構造を有するモノマー単位を含有する共役ポリマーが開示されている：
【化４】
2013506254.tif 000006
【０１１０】
式中、Ａｒ１およびＡｒ２は、独立して、単環式、二環式および多環式のアリーレン、ヘテロアリーレン、置換アリーレンおよび置換ヘテロアリーレン基からなる群より選択される；
【０１１１】
Ｌは、アルキレン、アルケニレン、置換アルキレン、置換アルケニレン、ヘテロアルキレン、ヘテロアルケニレン、置換ヘテロアルキレン、置換ヘテロアルケニレン、アリーレン、ヘテロアリーレン、置換アリーレンまたは置換ヘテロアリーレンである；
【０１１２】
ｍはゼロまたは１である；
【０１１３】
ｎはゼロまたは１である；
【０１１４】
Ｑ１およびＱ２は、独立して、Ｈ、アリール、ヘテロアリール、置換アリール、置換ヘテロアリール、アルキル、および置換アルキルからなる群より選択され、Ｑ３はアルキルおよび置換アルキルからなる群より選択され、ただし、ｍが１のとき、Ｑ１およびＱ２はＨ以外であるものとする；ならびに
【０１１５】
Ａ−は、負電荷を有する対イオンである。
【０１１６】
また、エレクトロルミネセント材料としては、式（ＩＶ）内のポリマーと他のポリマーとのブレンド、ならびにさまざまなコポリマーも挙げられ得る。
【０１１７】
シーラントは、封止体に使用されている材料間に結合部を形成することができる任意の材料を備え得る。例えば、封止体層と基板がともにガラスである場合、シーラントは、ガラスをガラスにボンディングすることができる任意の材料であり得る。シーラントは、硬化性の合成もしくは天然の樹脂（例えば、エポキシもしくは硬化のための化学反応を必要とする他の材料）あるいは溶媒の蒸発によって硬化する接着剤であり得る。一部の実施形態において、シーラントはＵＶ硬化性エポキシである。
【０１１８】
本明細書に開示した本発明は、例えば、ＯＬＥＤなどのエレクトロルミネセントデバイスの作製に適している。さらに、エネルギーマネージメント能を有する他のオプトエレクトロニクス（例えば、光起電力型およびエレクトロクロミック型）デバイスも、本明細書に開示した封止体の使用の恩恵を被り得る。本明細書に記載された封止体が使用されたデバイスは、従来のデバイスと比べてさまざまな利点の恩恵を受ける。例えば、一部の実施形態において、本発明の封止体に捕水剤が配置されていることにより、封止されるデバイスに、有害な環境要素（水蒸気など）からのより有効な保護がもたらされる。さらに、一部の実施形態において、捕水剤が配置されていることにより、デバイスをトップエミッション型またはボトムエミッション型のいずれにすることも可能になる。
【０１１９】
本明細書に記載のデバイスおよび封止体は、標準的な手法および方法を用いて製造される。例えば、本明細書に記載のように、溝は任意の適当な手法（フォトリソグラフィおよび他のエッチング手法など）を用いて作製され得る。
【０１２０】
封止体の立体構成の例を添付の図に示し、以下の段落においてより詳細に説明する。
【０１２１】
封止体の立体構成Ａは、リム部を有する封止体層と、リム部を有していない基板を備えている。ある実施形態では、封止体層のリム部が溝を備えているか、または基板が溝を備えているか、または基板と封止体層のリム部の両方が溝を備えている。
【０１２２】
封止体の立体構成Ｂは、リム部を有する基板と、リム部を有していない封止体層を備えている。ある実施形態では、基板のリム部が溝を備えているか、または封止体層が溝を備えているか、または基板のリム部と封止体層の両方が溝を備えている。
【０１２３】
封止体の立体構成Ｃは、リム部を有する基板と、同じくリム部を有する封止体層を備えている。ある実施形態では、基板のリム部が溝を備えているか、または封止体層のリム部は、溝を備えているか、または基板のリム部と封止体層のリム部の両方が溝を備えている。
【０１２４】
封止体の立体構成Ｄは、どちらもリム部を有していない基板と封止体層を備えている。基板と封止体層の周辺部周囲に配置されたスペーサーが存在する。ある実施形態では、スペーサーが上溝と底溝を備えているか、または封止体層と基板が溝を備えているか、またはスペーサーと封止体層および／または基板の両方が溝を備えている。
【０１２５】
基板と封止体のいずれか、または両方がリム部を有していない立体構成（限定されないが、立体構成Ａ、ＢおよびＤなど）では、捕水剤がボンディング領域内に、捕水剤が溝内に存在しないように配置され得る。例えば、図４ａおよび４ｂならびに以下に記載の説明を参照のこと。さらに、本明細書に記載の任意の立体構成において、基板を封止体層にボンディングさせるために使用される密封材料は、封止体層のボンディング領域と基板のボンディング領域の間の領域のみに配設してもよく、または密封材料をデバイスキャビティ内にも完全に、または部分的に充填してもよい。例えば、図５および以下に記載の説明を参照のこと。
【０１２６】
以下の段落に図の一部の態様の説明を示す。図において、いくつかの部分は２回以上登場している（例えば、図示したデバイスの対称性のため）が、便宜上／図の明瞭性のため、このような登場は１回しか符号表示していないことは認識されよう。図は、同じ縮尺で示したものであることを意図しないことは認識されよう。
【０１２７】
図１ａに関して、デバイス１００ａの上面図を示す。図１ａには封止体層を示しておらず、したがって、デバイス１００ａは、例示の目的で示した封止されるデバイスの一部分のみである。デバイススタック１１０は基板１２０上に配設されている。デバイススタック１１０は面積が基板１２０よりも小さく、そのため、基板１２０はデバイススタック１１０の域を越えて延在している。基板１２０は、２つの領域：デバイス領域とボンディング領域を備えている。基板のこの２つの領域の境界は、デバイススタック１１０の縁部１１１と基板１２０の縁部１２１のすぐ内側（ｊｕｓｔ  ｉｎｓｉｄｅ）（「すぐ内側」により、基板を封止体層にボンディングするのに充分な空間が残っていることを意図する）の間のどこであってもよい。点線１２２は、デバイス領域１２０ｂとボンディング領域１２０ａの間の境界の一実施形態を表す。このような実施形態では、デバイス領域１２０ｂは面積がデバイススタック１１０よりも大きい。別の実施形態では、境界がデバイススタック１１０の縁部１１１と一致している。このような実施形態では、ボンディング領域は１２０ａと１２０ｂの組合せにより表され、デバイス領域は、デバイススタック１１０のすぐ下に存在している基板１２０の一部である。
【０１２８】
図１ｂに関して、デバイス１００ｂの上面図を示す。この場合も図１ｂに封止体層を示しておらず、したがって、デバイス１００ｂは、例示の目的で示した封止されるデバイスの一部分のみである。デバイススタック１１０は基板１２０上に配設されている。基板１２０は、２つの領域：デバイス領域（符号表示せず）とボンディング領域１２６を備えている。デバイス１００ｂにおいて、デバイス領域とデバイススタック１１０は同じサイズであり、そのため、デバイススタック１１０は、デバイス領域を完全に覆っており、ボンディング領域１２６まで延在している。他の実施形態（図示せず）では、デバイススタックはデバイス領域よりも小さい。溝１４０がボンディング領域１２６内に配設されている。図１ｂの一実施形態では、ボンディング領域１２６はデバイス領域と同一平面上である。図１ｂの別の実施形態では、ボンディング領域１２６はリム部を備えており、デバイス領域よりも隆起している（すなわち、同一平面上でない）。
【０１２９】
図１ｃおよび図１ｄに、それぞれデバイス１００ｃおよび１００ｄを示す。デバイス１００ｃはデバイス１００ｂと類似しているが、２つの同心性の溝１４０を備えている。デバイス１００ｄは１００ｃと類似しているが、不連続で互い違いの溝１４０を備えている。
【０１３０】
図２ａに関して、デバイス２００ａの断面を示す。デバイス２００ａは封止体の立体構成Ａの実例である。したがって、基板２２０は平坦で平滑であり、デバイス領域２２０ｂとボンディング領域２２０ａを備えている（便宜上、ボンディング領域は一方しか符号表示していない）。デバイススタック２１０は、デバイス領域２２０ｂ内の基板２２０上に配設されており、デバイス領域２２０ｂよりも小さい。封止体層２３０はデバイススタック２１０上に嵌合されているが、接触はしていない。封止体層２３０の周辺部周囲にリム部２３６がある。リム部２３６には溝２４０がエッチングされている。溝２４０内には捕水剤２５０が配設されている。封止体層２３０とボンディング領域２２０ａの間は移行領域２６０であり、封止体層２３０と基板２２０をボンディングするシーラント（図示せず）を備えている。
【０１３１】
図２ｂに関して、デバイス２００ｂの断面を示す。デバイス２００ｂは封止体の立体構成Ｂの実例である。したがって、封止体層２３０はリム部を有していない。基板２２０の周辺部周囲にリム部２２６があり、リム部２２６は溝２４０を備えている。デバイススタック２１０は基板２２０上に配設されており、この図では、デバイス領域２２０ｂとサイズが同じであるものとして示している。さらに、リム部２２６は、ボンディング領域２２０ａとサイズが同じである。
【０１３２】
図２ｃに関して、デバイス２００ｃの断面を示す。デバイス２００ｃは封止体の立体構成Ｂの実例である。したがって、封止体層２３０にリム部が含有されていないが、封止体層２３０が溝２４０を備えている。基板２２０の周辺部周囲にリム部２２６がある。
【０１３３】
図２ｄに関して、デバイス２００ｄの断面を示す。デバイス２００ｄは封止体の立体構成Ａの実例である。したがって、基板２２０にリム部が含有されていないが、基板２２０が溝２４０を備えている。封止体層２３０の周辺部周囲にリム部２２６がある。
【０１３４】
図２ｅに関して、デバイス２００ｅの断面を示す。デバイス２００ｅはデバイス立体構成Ｃの実例である。したがって、基板２２０はリム部２２６を備えており、封止体層２３０はリム部２３６を備えている。溝２４０と捕水剤２５０が封止体層２３０内に存在しているが、基板２２０内には存在していない。代替実施形態（図示せず）では、溝２４０と捕水剤２５０が基板２２０内に存在しているが、封止体層２３０内には存在していない。
【０１３５】
図２ｆに関して、デバイス２００ｆの断面を示す。デバイス２００ｆは封止体の立体構成Ｃの実例である。したがって、基板２２０はリム部２２６を備えており、封止体層２３０はリム部２３６を備えている。溝２４０と捕水剤２５０が封止体層２３０内と基板２２０内に存在している。
【０１３６】
図３ａに関して、デバイス３００ａの断面を示す。デバイス３００ａは封止体の立体構成Ｄの実例である。したがって、基板３２０および封止体層３３０はリム部を有しない。スペーサー３７０が存在しており、溝３４０および捕水剤３５０を備えている。スペーサー３７０は、デバイススタック３１０を囲んでおり、したがって基板３２０および封止体層３３０の周辺部に位置している。
【０１３７】
図３ｂに関して、デバイス３００ｂの断面を示す。デバイス３００ｂは封止体の立体構成Ｄの実例である。したがって、基板３２０および封止体層３３０はリム部を有していないが、溝３４０および捕水剤３５０を備えている。スペーサー３７０が存在しており、図３ｂでは、基板３２０および封止体層３３０との接合部となる平坦な表面を有するものとして示している。スペーサー３７０は、デバイススタック３１０を囲んでおり、したがって基板３２０および封止体層３３０の周辺部に位置している。
【０１３８】
図４ａに関して、デバイス４００ａの断面を示す。デバイス４００ａは封止体の立体構成Ｂの実例である。したがって、封止体層４３０にリム部が含有されていないが、封止体層４３０は溝４４０を備えている。基板４２０の周辺部周囲にリム部４２６がある。捕水剤は、基板４２０のボンディング領域４２０ａ上に配設されているが、（最初は）溝４４０内には配設されていない。基板４２０と封止体層４３０を合体させて密封すると、図４ａに示した捕水剤４５０が溝４４０内に広がることは認識されよう。
【０１３９】
図４ｂに関して、デバイス４００ｂの断面を示す。デバイス４００ｂは封止体の立体構成Ａの実例である。したがって、封止体層４３０にはリム部４２６が含有されている。基板４２０は溝４４０を備えている。捕水剤は、封止体層４３０のボンディング領域（符号表示せず）上に配設されているが、（最初は）溝４４０内には配設されていない。基板４２０と封止体層４３０を合体させて密封すると、図４ａに示した捕水剤４５０が溝４４０内に広がることは認識されよう。
【０１４０】
図５に関して、デバイス５００の断面を示す。封止体層５３０と基板５２０により、デバイスキャビティ５７０と移行領域５６０が形成されている。ボンディング材５８０がデバイスキャビティ５７０と移行領域５６０内に完全に充填されている。場合により、さらなるボンディング材（図示せず）を溝５４０に充填してもよい。
【０１４１】
図に示した封止デバイスは代表例にすぎず、限定を意図しないことは認識されよう。
【０１４２】
本明細書に挙げた特許、特許出願および刊行物はすべて、引用によりその全体が本明細書に組み込まれる。しかしながら、明示された定義を含む特許、特許出願または刊行物が引用により組み込まれる場合、該明示された定義は、当該定義が示された組み込まれる該特許、特許出願または刊行物に適用されるものであり、本出願の本文中のその他の部分、特に本出願の特許請求の範囲には適用されないと理解されたい。
【０１４３】
本発明を、その好ましい具体的な実施形態に関して記載したが、前述の記載ならびに以下の実施例は本発明の範囲の例示を意図し、限定を意図しないことを理解されたい。当業者には、本発明の範囲を逸脱することなく種々の変更が行われ得、等価物で置き換えられ得ること、さらに、他の態様、利点および修正は本発明が関連する当業者に自明であることが理解されよう。
【実施例】
【０１４４】
［実施例１］
カバーガラス（第２基板）の作製プロセスの一例は、以下の段落に記載のものである。
【０１４５】
１）捕水剤チャンバを作出する。溝を、デバイスチャンバ領域の外側（かつその周囲）にカバーガラスの縁部上に作出する（例えば、図１ｂ参照）。これは、標準的なフォトリソグラフィおよびエッチングプロセス（ウェットケミカルエッチングまたはドライエッチングのいずれか）を使用することにより行われる。あるいは、溝を高温でエンボス加工してもよい。これは、デバイスチャンバの作出のときと同時に行ってもよく、別途に行ってもよい。
【０１４６】
２）適正な量の液状捕水剤（典型的には（必ずしもそうでなくてよいが）市販の材料）を溝内に分注し、硬化させる。あるいは、物理蒸着プロセスを使用し、シャドウマスクによって固形の捕水剤（金属カルシウムなど）を溝内に成膜してもよい。
【０１４７】
３）シーラント（ＵＶエポキシなど）をカバーガラスの密封表面に適用する。このカバーをＯＬＥＤデバイスに取り付ける。
【図１ａ】
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【図１ｂ】
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【図１ｃ】
2013506254.tif 000009
【図１ｄ】
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【図２ａ】
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【図２ｂ】
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【図２ｃ】
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【図２ｄ】
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【図２ｅ】
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【図２ｆ】
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【図３ａ】
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【図３ｂ】
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【図４ａ】
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【図４ｂ】
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【図５】
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【国際調査報告】
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