【事件の表示】
　特許第６５４４２６４号発明「半導体装置」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第６５４４２６４号の請求項１ないし７に係る特許を維持する。
【理　由】
１　手続の経緯
　特許第６５４４２６４号の請求項１〜７に係る特許についての出願は、平成２８年２月２３日に出願され、令和１年６月２８日にその特許権の設定登録がされ、令和１年７月１７日に特許掲載公報が発行された。その後、その特許に対し、令和２年１月１５日に特許異議申立人田中貞嗣、小山卓志は、特許異議の申立てを行った。
２　本件発明
　特許第６５４４２６４号の請求項１〜７の特許に係る発明は、それぞれ、その特許請求の範囲の請求項１〜７に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
「【請求項１】
　半導体層の一方の主面となる表面側において設けられた第１主電極と第２主電極との間に流れる電流のオン・オフが前記第１主電極と前記第２主電極との間に設けられた制御電極の電位によって制御され、前記第１主電極と前記第２主電極との間の前記表面上において層間絶縁層を介して前記表面と対向するように設けられた電極であるフィールドプレートを具備する半導体装置であって、
　前記フィールドプレートは、前記フィールドプレートの前記表面と対向する部分の前記表面に沿った方向における一方の端部側において、
　前記フィールドプレートの前記表面と対向する部分における前記端部よりも他方の側の領域よりも薄く形成され、かつ前記表面に近い側において前記表面に沿って前記一方の側に突出するように設けられたテール部を具備することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
　前記テール部は、前記表面に沿って前記第１主電極と前記第２主電極とが並ぶ方向において突出することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
　前記フィールドプレートの前記表面と対向する部分において、前記フィールドプレートにおける前記テール部以外において前記表面と対向する面と、前記テール部において前記表面と対向する面とは同一平面を構成し、
　前記フィールドプレートにおける前記一方の端部側の面として、
　前記表面から遠い側に設けられ前記表面との間でなす角度が第１テーパ角とされた面である第１端面と、
　前記テール部における前記表面と対向する側と反対側の面であり前記表面との間でなす角度である第２テーパ角が前記第１テーパ角よりも小さく設定され、前記第１端面よりも前記表面に近い側に設けられた第２端面と、
　を具備することを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
　前記フィールドプレートの前記表面と対向する部分は前記制御電極と前記第２主電極との間に設けられ、前記第１主電極がソース電極、前記第２主電極がドレイン電極、前記制御電極がゲート電極とされた電界効果トランジスタであることを特徴とする請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
　前記半導体層は前記制御電極の直下においてＩＩＩ属窒化物半導体のヘテロ接合を具備し、前記電流は前記へテロ接合界面を流れることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置。
【請求項６】
　前記フィールドプレートの前記表面と対向する部分において、
　前記フィールドプレートの最大厚さをＴとし、前記テール部の最大厚さをＴ１として、０＜Ｔ１／Ｔ≦０．５であることを特徴とする請求項３から請求項５までのいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項７】
　前記表面と垂直、かつ前記表面に沿って前記第１主電極と前記第２主電極とが並ぶ方向に沿った断面視において
　前記フィールドプレートの前記表面と対向する部分における前記テール部以外の領域の前記表面に沿った長さをａ、前記テール部の前記表面に沿った長さをｂとして、０．０５≦ｂ／ａ≦０．２の範囲であることを特徴とする請求項３から請求項６までのいずれか１項に記載の半導体装置。」
３　申立理由の概要
　特許異議申立人田中卓嗣、小山卓志は、主たる証拠として、Ｓｔｅｐｈｅｎ　Ｐｅａｒｔｏｎ，“ＧａＮ　ａｎｄ　ＺｎＯ−ｂａｓｅｄ　Ｍａｔｅｒｉａｌｓ　ａｎｄ　Ｄｅｖｉｃｅｓ”，　Ｓｐｒｉｎｇｅｒ　Ｓｅｒｉｅｓ　ｉｎ　Ｍａｔｅｒｉａｌｓ　Ｓｃｉｅｎｃｅ，　２０１２年，　ｐ．２２５第３９〜４１行，ｐ．２２６Ｆｉｇ．７．６，その説明文（以下「文献１」という。）及びＮｉｔｒｏｎｅｘ　Ｃｏｒｒｏｒａｔｉｏｎ，　ＧａＮ　ｅｓｓｅｎｔｉａｌｓ：　Ｓｕｂｓｔｒａｔｅｓ　ｆｏｒ　ＧａＮ　ＲＦ　Ｄｅｖｉｃｅｓ，　Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ　ｎｏｔｅｓ　０１１，　２００８年６月ｐ．１〜１０（以下「文献２」という。）を提出し、請求項１〜７に係る特許は、特許法第２９条第１項第３号、及び同法同条第２項の規定に違反してされたものであり、また、請求項１〜７に係る特許は、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであるから、請求項１〜７に係る特許を取り消すべきものである旨主張する。
４　文献の記載
（１）  文献１の記載と引用発明１
ア　文献１の記載
　文献１には、以下の事項が記載されている（訳文は合議体による。以下同じ。）。
（ア）「Abstract A review of nitride -based HEMT technoligy, beginning with substrate consederation and moving to crystal growth, device processing,packing, and finallu to products.・・・」（ｐ．２０９第１〜３行）
（「概要　窒化物系ＨＥＭＴ技術のレビューが、はじめに基板の考察、次に結晶成長、デバイスプロセス、パッケージ、最後に製品についてされる。・・・」
（イ）「This field plate is typically tied to the grounded source electrode (source fieldplate, or SFP) and is located above the high field region at the drain edge of the gateas shown in Fig. 7.6」（ｐ．２２５第３９〜４１行））
（訳文）
（「図７．６に示されるように、このフィールドプレートは、通常、接地されたソース電極（ソースフィールドプレート、またはＳＦＰ）に接続されており、そしてゲートのドレイン側の端における高電界領域の上方にある。」）
（ウ）「Fig. 7.6Cross-sectional STEM of GaN-on-Si HEMT shown epilayers and device construction」（「図７．６　エピ層と素子構造を示すＧａＮ−ｏｎ−Ｓｉ　ＨＥＭＴの断面ＳＴＥＭ」）
（エ）Ｆｉｇ．７．６は、以下のとおりである。
　Ｆｉｇ．７．６から、以下の構成が見て取れる。
「ＧａＮ層の表面に設けられたソースオーミック及びドレインオーミックと、ソースオーミックとドレインオーミックとの間に設けられたゲートと、ソースオーミックとドレインオーミックとの間の前記表面においてＳｉＮｘと表記された層、下側の黒色層、灰色層、上側の黒色層を介して前記表面と対向するように設けられたＳＦＰと表記された層とを具備するＨＥＭＴであって、
　ＳＦＰの前記表面と対向する部分は、ゲートとドレインオーミックとの間に設けられるＨＥＭＴ。」
（オ）そうすると、文献１には以下の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されていると認められる。
「窒化物系ＨＥＭＴであって、
　ＧａＮ層の表面に設けられたソースオーミック及びドレインオーミックと、ソースオーミックとドレインオーミックとの間に設けられたゲートと、ソースオーミックとドレインオーミックとの間の前記表面においてＳｉＮｘ層を介して前記表面と対向するように設けられフィールドプレートとを具備し、
　フィールドプレートは、接地されたソース電極（ソースフィールドプレート、またはＳＦＰ）に接続されており、そしてゲートのドレイン側の端における高電界領域の上方にあり、
　ＳＦＰの前記表面と対向する部分は、ゲートとドレインオーミックとの間に設けられるＨＥＭＴ。」
イ　文献２の記載と引用発明２
　次に、文献２には、以下の事項が記載されている。
（ア）「2. Abstract
  The commercialization of III-nitridetechnology and fabrication of high quality GaN based devices has been madepossible due to the advances in the deposition of III-V thin-films on Sisubstrates.」）（ｐ．３第１〜２行）
（「III族窒化物技術の商業化及び高品質のＧａＮベースのデバイスの製造は、Ｓｉ基板上へのＩＩＩ−Ｎ薄膜の堆積の進歩により可能になった。」）
（イ）「GaN HEMT shave been demonstrated on Si, SiC, sapphire and on native GaN substrates.However, Si and SiC are the preferred choices for RF devices. The maturity ofthe AlGaN/GaN heterostructures in terms of reliability, cost andmanufaturability has been demonstrated through the use of commerciallyavailable high resistivity 100-mm Si substrates.」（ｐ．３下から３行目〜ｐ．４の１行目
（「ＧａＮ　ＨＥＭＴは、Ｓｉ、ＳｉＣ、サファイア及びネイティブＧａＮ基板上で実証されている。ただし、ＲＦデバイスにはＳｉとＳｉＣが推奨される。信頼性、コスト、製造性の観点において、市販の高抵抗１００ｍｍＳｉ基板の使用したＡｌＧａＮ／ＧａＮヘテロ構造の成熟度は実証されている。」）
（ウ）「Figure 1. Cross section SEM image of 0.5μm NRF1 fieldplated AlGaN/GaN HEMT technology. 」
（「図１、０．５ミクロン　ＮＲＦ１　フィールドプレート付きＡｌＧａＮ／ＧａＮ　ＨＥＭＴのＳＥＭ断面画像」）
（エ）Figure 1は、以下のとおりである。
　Figure 1から、以下の構成が見て取れる。
「表面に設けられたソース電極及びドレイン電極と、ソース電極とドレイン電極との間に設けられたゲートと、ソース電極とドレイン電極との間の前記表面において不動態化層（パッシべーション層、下側の黒色層、灰色層、上側の黒色層）を介して前記表面と対向するように設けられたフィールドプレートとを具備するＡｌＧａＮ／ＧａＮ　ＨＥＭＴであって、
　フィールドプレートの前記表面と対向する部分は、ゲートとドレイン電極との間に設けられるＨＥＭＴ。」
（オ）そうすると、文献２には以下の発明（以下「引用発明２」という。）が記載されていると認められる。
「表面に設けられたソース電極及びドレイン電極と、ソース電極とドレイン電極との間に設けられたゲートと、ソース電極とドレイン電極との間の前記表面において不動態化層（パッシべーション層）を介して前記表面と対向するように設けられたフィールドプレートとを具備するＡｌＧａＮ／ＧａＮ　ＨＥＭＴであって、
　フィールドプレートの前記表面と対向する部分は、ゲートとドレイン電極との間に設けられるＨＥＭＴ。」
５　当審の判断
（１）特許法第２９条第１項第３号、第２項について
ア　請求項１に係る発明について
（ア）引用発明１との対比
　請求項１に係る発明（以下「本件発明１」という。また、請求項２〜７に係る発明を、順にそれぞれ「本件発明２」〜「本件発明７」という。）と引用発明１とを対比する。
ａ　引用発明１の「ＨＥＭＴ」、「ＧａＮ層」、「ソースオーミック」と「ドレインオーミック」、「ゲート」、「ＳｉＮｘ層」、「フィールドプレート」は、それぞれ本件発明１の「半導体装置」、「半導体層」、「第１主電極」と「第２主電極」、「制御電極」、「層間絶縁層」、「フィールドプレート」に相当する。
ｂ　引用発明１は、「ＧａＮ層の表面に設けられたソースオーミック及びドレインオーミックと、ソースオーミックとドレインオーミックとの間に設けられたゲートと、ソースオーミックとドレインオーミックとの間の前記表面においてＳｉＮｘ層を介して前記表面と対向するように設けられたフィールドプレートとを具備し」、「フィールドプレートは、接地されたソース電極（ソースフィールドプレート、またはＳＦＰ）に接続されて」いる「ＨＥＭＴ」であるから、「ソースオーミック及びドレインオーミック」は、「半導体層の一方の主面となる表面側」において設けられた電極であり、「ソースオーミックとドレインオーミックとの間に流れる電流のオン・オフが前記ソースオーミックと前記ドレインオーミックとの間に設けれたゲートの電位によって制御され」る半導体装置であることが明らかである。
　したがって、本件発明１と引用発明１とは、「半導体層の一方の主面となる表面側において設けられた第１主電極と第２主電極との間に流れる電流のオン・オフが前記第１主電極と前記第２主電極との間に設けられた制御電極の電位によって制御され、前記第１主電極と前記第２主電極との間の前記表面上において層間絶縁層を介して前記表面と対向するように設けられた電極であるフィールドプレートを具備する半導体装置」である点で一致する。
ｃ　そうすると、本件発明１と引用発明１との間には、次の一致点と相違点がある。
＜一致点＞
「半導体層の一方の主面となる表面側において設けられた第１主電極と第２主電極との間に流れる電流のオン・オフが前記第１主電極と前記第２主電極との間に設けられた制御電極の電位によって制御され、前記第１主電極と前記第２主電極との間の前記表面上において層間絶縁層を介して前記表面と対向するように設けられた電極であるフィールドプレートを具備する半導体装置。」
＜相違点＞
＜相違点１＞
　本件発明１は、「前記フィールドプレートは、前記フィールドプレートの前記表面と対向する部分の前記表面に沿った方向における一方の端部側において、
　前記フィールドプレートの前記表面と対向する部分における前記端部よりも他方の側の領域よりも薄く形成され、かつ前記表面に近い側において前記表面に沿って前記一方の側に突出するように設けられたテール部を具備する」のに対し、引用発明１では、そのような特定はなされていない点。
（イ）本件発明１と引用発明１との相違点についての判断
ａ　相違点１について
　引用発明１では、「ソースオーミックとドレインオーミックとの間の前記表面においてＳｉＮｘ層を介して前記表面と対向するように設けられフィールドプレートとを具備し、　フィールドプレートは、接地されたソース電極（ソースフィールドプレート、またはＳＦＰ）に接続されており、そしてゲートのドレイン側の端における高電界領域の上方にあり、　ＳＦＰの前記表面と対向する部分は、ゲートとドレインオーミックとの間に設けられる」ものの、文献１の上記箇所以外を精査しても、文献１には、フィールドプレートのＧａＮ層の表面と対向する部分の前記表面に沿った方向における一方の端部側において、「当該部分における前記端部よりも他方の側の領域よりも薄く形成され、かつ前記表面に近い側において前記表面に沿って前記一方の側に突出するように設けられたテール部」について、記載も示唆もされていない。
　したがって、相違点１は、実質的な相違点であり、また、引用発明１において、相違点１に係る本件発明１の構成を採用することは当業者が容易に想到することができたものではない。
ｂ　したがって、本件発明１は、引用発明１であるということはできず、また、本件発明１は、引用発明１に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。
ｃ　特許異議申立人田中貞嗣、小山卓志は、「３　申立ての理由」の「（４）ウ（ア）ウ）」において、以下のように主張する。
「ウ）構成要件Ｃ，Ｄについて
　甲第１号証における図７．６の記載及び第２２５頁３９行目から第１行の記載によれば、「ＳＦＰ」における「ゲート」と「ドレイン」の間に位置する部分の端部から、当該端部よりも厚さの薄い「薄厚部」が延びていると言える。
　また、甲第１号証における図７．６の記載によれば、甲１発明における「薄厚部」は、「ＳＦＰ」の端部から「ＧａＮ層」の表面に沿って「ドレイン」側へ延びて突出していることが認められる。
　したがって、甲１発明における「ＳＦＰにおけるゲートとドレインとの間に位置する部分の端部に設けられ、厚さが薄く、かつドレイン側へ延びた薄厚部」は、本件特許発明１における「フィールドプレートの半導体層の表面と対向する部分の前記表面に沿った方向における一方の端部側において、前記フィールドプレートの前記表面と対向する部分における前記端部よりも他方の側の領域よりも薄く形成され、かつ前記表面に近い側において前記表面に沿って前記一方の側に突出するように設けられたテール部」に相当する。」（異議申立書１８ページ１〜１６行）
　しかしながら、文献１（甲第１号証）の図７．６において、ＳＦＰ（白色層）のドレインオーミック側の端部から延びている薄厚部を見て取ることはできない。
　異議申立人は、異議申立書の１２ページ１４〜２０行において、図７．６における下側の黒色層、灰色層、上側の黒色層及び白色層が電気的に接続されており、その積層構造全体がＳＰＦである旨を主張するが、文献１及び文献２には、そのような記載はなく、また、文献１及び文献２の記載と技術常識から、上記構成が自明であると認めることもできない。
　また、文献１の第２２５頁３９行目から第１行には、「図７．６に示されるように、このフィールドプレートは、通常、接地されたソース電極（ソースフィールドプレート、またはＳＦＰ）に接続されており、そしてゲートのドレイン側の端における高電界領域の上方にあります。」と記載されており、当該記載を参照しても、「ＳＦＰ」における「ゲート」と「ドレイン」の間に位置する部分の端部から延びている「薄厚部」が示されているとはいえない。
　したがって、申立人の上記主張を採用することはできない。
（ウ）引用発明２との対比
　本件発明１と引用発明２とを対比する。
ａ　引用発明２の「ＨＥＭＴ」、「ソース電極」と「ドレイン電極」、「ゲート」、「不動態化層（パッシべーション層）」、「フィールドプレート」は、それぞれ本件発明１の「半導体装置」、「第１主電極」と「第２主電極」、「制御電極」、「層間絶縁層」、「フィールドプレート」に相当する。
　
ｂ　引用発明２は、「表面に設けられたソース電極及びドレイン電極と、ソース電極とドレイン電極との間に設けられたゲートと、ソース電極とドレイン電極との間の前記表面において不動態化層（パッシべーション層）を介して前記表面と対向するように設けられたフィールドプレートとを具備するＡｌＧａＮ／ＧａＮ　ＨＥＭＴ」であるところ、「ＡｌＧａＮ／ＧａＮ　ＨＥＭＴ」に係る発明であるから、「ソース電極及びドレイン電極」は、「半導体層の一方の主面となる表面側」において設けられた電極であり、「ソース電極とドレイン電極との間に流れる電流のオン・オフが前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に設けれたゲートの電位によって制御され」る半導体装置であることが明らかである。
　したがって、本件発明１と引用発明２とは、「半導体層の一方の主面となる表面側において設けられた第１主電極と第２主電極との間に流れる電流のオン・オフが前記第１主電極と前記第２主電極との間に設けられた制御電極の電位によって制御され、前記第１主電極と前記第２主電極との間の前記表面上において層間絶縁層を介して前記表面と対向するように設けられた電極であるフィールドプレートを具備する半導体装置」である点で一致する。
ｃ　そうすると、本件発明１と引用発明２との間には、次の一致点と相違点がある。
＜一致点＞
「半導体層の一方の主面となる表面側において設けられた第１主電極と第２主電極との間に流れる電流のオン・オフが前記第１主電極と前記第２主電極との間に設けられた制御電極の電位によって制御され、前記第１主電極と前記第２主電極との間の前記表面上において層間絶縁層を介して前記表面と対向するように設けられた電極であるフィールドプレートを具備する半導体装置。」
＜相違点＞
＜相違点２＞
　本件発明１は、「前記フィールドプレートは、前記フィールドプレートの前記表面と対向する部分の前記表面に沿った方向における一方の端部側において、
　前記フィールドプレートの前記表面と対向する部分における前記端部よりも他方の側の領域よりも薄く形成され、かつ前記表面に近い側において前記表面に沿って前記一方の側に突出するように設けられたテール部を具備する」のに対し、引用発明２では、そのような特定はなされていない点。
（エ）本件発明１と引用発明２との相違点についての判断
ａ　相違点２について
　引用発明２は、「ソース電極とドレイン電極との間に設けられたゲートと、ソース電極とドレイン電極との間の前記表面において不動態化層（パッシべーション層）を介して前記表面と対向するように設けられたフィールドプレートとを具備するＡｌＧａＮ／ＧａＮ　ＨＥＭＴであって、　フィールドプレートの前記表面と対向する部分は、ゲートとドレイン電極との間に設けられる」ものの、文献２の上記箇所以外を精査しても、文献２には、フィールドプレートのＧａＮ層の表面と対向する部分の前記表面に沿った方向における一方の端部側において、「当該部分における前記端部よりも他方の側の領域よりも薄く形成され、かつ前記表面に近い側において前記表面に沿って前記一方の側に突出するように設けられたテール部」について、記載も示唆もされていない。
　したがって、相違点２は、実質的な相違点であり、また、引用発明２において、相違点２に係る本件発明１の構成を採用することは当業者が容易に想到することができたものではない。
ｂ　したがって、本件発明１は、引用発明２であるということはできず、また、本件発明１は、引用発明２に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。
ｃ　特許異議申立人田中貞嗣、小山卓志は、「３　申立ての理由」の「（４）ウ（タ）」において、以下のように主張する。
「（イ）甲第２号証
　甲第２号証（・・・）の図１は、甲第１号証における図７．６と同様のＳＥＭ画像である。したがって、甲第２号証には、「甲１発明」、・・・と同様の発明が記載されていると認められる。」（異議申立書１６ページ１０〜１７行）
「（タ）本件特許発明１〜７と甲２発明〜甲２第７発明との対比（特許法第２９条第２項）
　上記（イ）欄で検討したものと同様の理由により、本件特許発明１〜７は、甲２発明〜甲２第７発明から容易に想到できたものである。」（異議申立書２６ページ１７〜２０行）
　しかしながら、文献２（甲第２号証）には、そのFigure.1が文献１における図７．６と同じＳＥＭ画像であることも、同様な画像であるとの記載も示唆もない。
　また、仮に、文献２のFigure.1が文献１（甲第１号証）における図７．６と同様のＳＥＭ画像であるとしても、上記（イ）ｃのとおりであるから、申立人の上記（タ）の主張も採用することはできない。
イ　本件発明２〜７について
　本件発明２〜７は、それぞれ、本件発明１に対して、さらに技術的事項を追加したものを含む発明である。
　よって、上記ア（イ）、（エ）に示した理由と同様の理由により、本件発明２〜７は、引用発明１又は引用発明２であるということはできず、また、本件発明２〜７は、引用発明１又は引用発明２に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。
ウ　特許法第２９条第１項第３号、第２項についてのまとめ
　以上のとおり、本件発明１〜７は、文献１に記載された発明又は文献２に記載された発明であるということはできず、また、本件発明１〜７は、文献１に記載された発明又は文献２に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。
（２）特許法第３６条第４項第１号について
　本件の請求項１には、「前記フィールドプレートは」、「前記フィールドプレートの前記表面と対向する部分における前記端部よりも他方の側の領域よりも薄く形成され、かつ前記表面に近い側において前記表面に沿って前記一方の側に突出するように設けられたテール部を具備する」と記載されている。
　フィールドプレートにテール部を形成することに関連して、本件特許明細書には、以下のように記載されている。
「【００２５】
　その後、図４（ｃ）に示されるように、後にフィールドプレート２４となる金属層３０を全面に成膜する。・・・、金属層３０は、配線として使用可能な低抵抗の金属材料（例えばＡｌ）で構成される。
【００２６】
　その後、図４（ｄ）に示されるように、金属層３０を加工してフィールドプレート２４とするためのマスクとなるフォトレジスト層３００を形成する。その後、図４（ｅ）に示されるように、フォトレジスト層３００をマスクとして金属層３０のドライエッチングを行う。
【００２７】
　ここで、周知のように、ドライエッチングの際には、マスク（フォトレジスト層３００）の極近傍においては、マスクから充分離れた領域と比べてエッチング速度が低下する。このため、図４（ｆ）に示されるように、フォトレジスト層３００から充分離れた領域で金属層３０がエッチングされた状態では、フォトレジスト層３００の周囲にテール部２４Ｃが形成される。
【００２８】
　このため、この状態でフォトレジスト層３００を除去した図４（ｇ）の状態で、図１におけるフィールドプレート２４が、第１層間絶縁層１２Ａ上に形成される。・・・」
　段落【００２７】に記載の、ドライエッチングの際には、マスク（フォトレジスト層３００）の極近傍においては、マスクから充分離れた領域と比べてエッチング速度が低下するため、フォトレジスト層３００から充分離れた領域で金属層３０がエッチングされた状態では、フォトレジスト層３００の周囲にテール部２４Ｃが形成されるとの技術的事項は、ドライエッチングの際に、特定の装置、特定のガス種、特定のエッチング条件とすることによってのみ、テール部を形成することができるということではなく、ドライエッチングにおける一般的な技術的事項であるものとは認められる。
　したがって、本件特許明細書の発明の詳細な説明には、フォトレジスト層３００をマスクとして、例えばＡｌからなる金属層３０のドライエッチングを行うこと、及び、フォトレジスト層３００から充分離れた領域で金属層３０がエッチングされた状態では、フォトレジスト層３００の周囲にテール部２４Ｃが形成されるため、この状態でフォトレジスト層３００を除去すると、テール部２４Ｃを具備するフィールドプレート２４が、第１層間絶縁層１２Ａ上に形成されることが開示されている。
　よって、本件特許明細書の発明の詳細な説明の記載は、当業者が本件発明１を実施することができる程度に明確かつ十分に記載したものである。
６　むすび
　したがって、特許異議の申立ての理由及び証拠によっては、請求項１〜７に係る特許を取り消すことはできない。　
また、他に請求項１〜７に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
令和２年５月２１日（２０２０．５．２１）