【事件の表示】
　特許第２８３０５５７号「相変化型光ディスク」の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結論】
　訂正を認める。
　特許第２８３０５５７号の特許を維持する。
【理由】
（１）手続の経緯
　本件特許第２８３０５５７号の請求項１に係る発明は、平成３年１２月１０日に特許出願され、平成１０年９月２５日に特許の設定登録がなされ、その後、鈴木利之より特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、これに対して意見書及び訂正請求書が提出されたものである。
（２）訂正の適否についての判断
　ア．訂正明細書の請求項１に係る発明
　訂正明細書の請求項１に係る発明（以下、本件発明という）は、その特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
　「レーザ光照射により記録膜の温度を融点以上に上昇させ冷却時に非晶質状態とし、レーザ光照射により記録膜温度を結晶化温度以上融点以下の温度にし結晶状態とする、結晶と非晶質間の可逆的な相変化により記録再生消去を行う相変化型ディスクであって、透明基板と、前記透明基板上に形成された第一の保護膜と、前記第一保護膜上に形成された相変化型情報記録膜と、前記記録膜上に形成された第二の保護膜と、前記第二保護膜上に形成されて前記記録膜を透過した光を吸収する吸収層と、前記吸収層上に形成されて光吸収による昇温熱を放熱する放熱層を有し、前記放熱層の前記吸収層との接着面と反対側の面は外気にさらされており、前記吸収層は、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ｖ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｆｅからなる群から選ばれた金属であり、前記放熱層は、Ａｌ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｇからなる群から選ばれた金属であることを特徴とする相変化型ディスク。」
　イ．訂正の目的の適否、新規事項の有無、及び拡張・変更の存否
　特許権者が求めている訂正の内容は次のＡ、Ｂのとおりである。
　Ａ、特許請求の範囲の請求項１を、上記ア．で記載した請求項１とする訂正。
　Ｂ、発明の詳細な説明の記載について、請求項１の訂正に伴い明細書の記載を整合させるための訂正。
　上記Ａの訂正は、放熱層の片面が外気にさらされている点を限定すると共に、吸収層及び放熱層の金属の種類を特定するものであって、特許請求の範囲の減縮に該当し、上記Ｂの訂正は、Ａの訂正に伴い、明細書の記載を整合させたものであって、明瞭でない記載の釈明に該当する。そして、上記Ａ、Ｂのいずれの訂正も、新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
　ウ．独立特許要件
（引用刊行物）
　本件発明に対して、当審が平成１１年９月２０日付けで通知した取消理由において引用した刊行物には、「基板上に、保護層、情報記録用薄膜、中間層、第一金属層、第二金属層、樹脂層、保護板をこの順に設けた情報記録用部材」に係る発明（以下、引用発明という）が記載されている。（第１図など参照）
（対比・判断）
　本件発明と引用発明とを対比すると、引用発明における「基板、保護層、情報記録用薄膜、中間層、第一金属層、第二金属層」は、積層構造からみれば、それぞれ本件発明における「透明基板、第一の保護膜、相変化型情報記録膜、第二の保護膜、吸収層、放熱層」に相当し、かつ、各層に用いる材料も重複している。
　しかしながら、上記刊行物には、実施例として示された第１図において第二金属層上に熱伝導率が悪く放熱を妨げることが明らかな樹脂層を設け、さらに保護板を積層していることからも分かるように、相変化型ディスクのオーバーライト消去率を改善するために第二金属層（放熱層）を第一金属層（吸収層）上に放熱層として積層するという技術思想は記載も示唆もされていない。
　そして、本件発明は、吸収層と放熱層をこの順に積層し放熱層を外気にさらすという構成により当業者の予測できない明細書に記載の顕著な効果を奏するものである。
　したがって、本件発明は、上記刊行物に記載された発明ではなく、同刊行物に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものでもない。
（第３６条違反について）
　特許法第３６条第５項第２号違反についての取消理由は、上記請求項１の訂正により吸収層及び放熱層の材料が具体的に特定されたので解消した。
　エ．むすび
　以上のとおりであって、上記訂正は、特許法第１２０条の４第２項及び同条第３項で準用する第１２６条第２〜４項の規定に適合するものであるから、当該訂正を認める。
（３）特許異議申立について
　ア．申立ての理由の概要
　特許異議申立人鈴木利之は、甲第１号証を提示して、本件発明は特許法第２９条第１項第３号又は同条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから取り消されるべきである旨主張している。
　また、本件発明で用いている用語「吸収層」及び「吸熱層」は曖昧であるから、本件発明は特許法第３６条の規定により特許を受けることができないものであり取り消されるべきである旨主張している。
　イ．判断
　甲第１号証は、上記（２）ウ．における引用刊行物に相当する。
　したがって、本件発明は、上記（２）ウ．（対比・判断）に示したように、甲第１号証に記載された発明ではなく、甲第１号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものでもない。
　また、上記（２）ウ．（第３６条違反について）に示したように、明細書の記載不備は解消した。
　ウ．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件発明に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１１年１２月１７日（１９９９．１２．１７）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
Ａ、特許請求の範囲の減縮を目的として、請求項１を
　「レーザ光照射により記録膜の温度を融点以上に上昇させ冷却時に非晶質状態とし、レーザ光照射により記録膜温度を結晶化温度以上融点以下の温度にし結晶状態とする、結晶と非晶質間の可逆的な相変化により記録再生消去を行う相変化型ディスクであって、透明基板と、前記透明基板上に形成された第一の保護膜と、前記第一保護膜上に形成された相変化型情報記録膜と、前記記録膜上に形成された第二の保護膜と、前記第二保護膜上に形成されて前記記録膜を透過した光を吸収する吸収層と、前記吸収層上に形成されて光吸収による昇温熱を放熱する放熱層を有
し、前記放熱層の前記吸収層との接着面と反対側の面は外気にさらされており、前記吸収層は、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ｖ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｆｅからなる群から選ばれた金属であり、前記放熱層は、Ａｌ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｇからなる群から選ばれた金属である
Ｂ、Ａの訂正に伴い、発明の詳細な説明の記載を整合させるための訂正。
（５４）【発明の名称】
相変化型光ディスク
（５７）【特許請求の範囲】
　レーザ光照射により記録膜の温度を融点以上に上昇させ冷却時に非晶質状態とし、レーザ光照射により記録膜温度を結晶化温度以上融点以下の温度にし結晶状態とする、結晶と非晶質間の可逆的な相変化により記録再生消去を行う相変化型光ディスクであって、透明基板と、前記透明基板上に形成された第一の保護膜と、前記第一保護膜上に形成された相変化型情報記録膜と、前記記録膜上に形成された第二の保護膜と、前記第二保護膜上に形成されて前記記録膜を透過した光を吸収する吸収層と、前記吸収層上に形成されて光吸収による昇温熱を放熱する放熱層を有
し、前記放熱層の前記吸収層との接着面と反対側の面は外気にさらされており、前記吸収層は、Ｔｉ，Ｎｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ｖ、Ｎｂ、Ｃｒ，Ｆｅからなる群から選ばれた金属であり、前記放熱層は、Ａｌ，Ａｕ、Ｃｕ，Ａｇからなる群から選ばれた金属である
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　本発明は、レーザ光照射により可逆的な相変化を用いて情報を記録する光ディクに関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　レーザ光を用いた光ディスク記録方式は大容量記録が可能であり、非接触で高速アクセスできることから、大容量メモリとして実用化が始まっている。光ディスクはコンパクトディスクやレーザディスクとして知られている再生専用型、ユーザ自身で記録できる追記型、及びユーザ側で繰り返し記録消去ができる書き替え型に分類される。追記型・書き替え型の光ディスクはコンピュータの外部メモリ、あるいは文書・画像ファイルとして使用されようとしている。
　【０００３】
　書き替え型光ディスクには、記録膜の相変化を利用した相変化型光ディスクと垂直磁化膜の磁化方向の変化を利用した光磁気ディスクがある。このうち、相変化光ディスクは、外部磁場が不要で、かつ、オーバライトが容易にできることから、今後、書き替え型光ディスクの主流になることが期待されている。
　【０００４】
　従来よりレーザ光照射により結晶−非晶質間の相変化を起こす記録膜を用いた書き替え可能な、いわゆる相変化型光ディスクが知られている。相変化型光ディスクでは記録膜に記録すべき情報に応じた高パワのレーザ光スポットを照射し、記録膜温度を局部的に上昇させることにより、結晶−非晶質間の相変化を起こさせて記録し、これに伴う光学定数の変化を低パワのレーザ光によって反射光強度差として読み取ることにより再生を行っている。例えば、結晶化時間が比較的遅い記録膜を用いた相変化光ディスクでは、ディスクを回転させ、このディスクに形成された記録膜にレーザ光を照射し、この記録膜の温度を融点以上に上昇させ、レーザ光が通過した後、急冷することによりその部分を非晶質状態とし、記録する。消去時には、記録膜温度を結晶化温度以上、融点以下の結晶化可能温度範囲で結晶化を進行させるために十分な時間保持し、記録膜を結晶化させる。このための方法としては、レーザ光進行方向に長い長円レーザ光を照射する方法が知られている。既に記録したデータを消去しながら新しい情報を記録する２ビームによる疑似的なオーバライトを行う場合には、消去用の長円レーザ光を記録用円形レーザ光に先行させて照射するように配置する。
　【０００５】
　一方、高速結晶化が可能な情報記録膜を用いたディスクでは、円形に集光した１本のレーザ光を使う。従来より知られている方法は、レーザ光のパワを２つのレベル間で変化させることにより、結晶化あるいは非晶質化を行う。すなわち、記録膜の温度を融点以上に上昇させることが可能なパワのレーザ光を記録膜に照射することにより、そのほとんどの部分は冷却時に非晶質状態となり、一方、記録膜温度が結晶化温度以上、融点以下の温度に達するようなパワのレーザ光が照射された部分は結晶状態になる。相変化型光ディスクの記録膜には、カルコゲナイド系材料であるＧｅＳｂＴｅ系、ＩｎＳｂＴｅ系、ＩｎＳｅ系、ＩｎＴｅ系、ＡｓＴｅＧｅ系、ＴｅＯｘ−ＧｅＳｎ系、ＴｅＳｅＳｎ系、ＳｂＳｅＢｉ系、ＢｉＳｅＧｅ系などが用いられるが、いずれも抵抗加熱真空蒸着法、電子ビーム真空蒸着法、スパッタリング法などの成膜法で成膜される。成膜直後の記録膜の状態は一種の非晶質状態であり、この記録膜に記録を行って非晶質の記録部を形成するために、記録膜全体を結晶質にしておく初期化処理が行われる。記録はこの結晶化された状態の中に非晶質部分を形成することにより達成される。
　【０００６】
　【発明が解決しようとする課題】
　従来、相変化型光ディスクの構成は、図２に示すように基板１上に第一保護膜２，記録膜３，第二保護膜４，反射膜７を順次積層した、いわゆる４層反射膜構成であった。この構成では、記録膜の相変化に伴う光学定数の変化を反射率変化に効率良く変換でき、良好な再生信号が確保できるという長所を持つ反面、反射膜７においてほとんどの光が反射されてしまうため、記録膜の光学定数変化に伴う反射率差を大きく確保しようとすると、記録膜での吸収率にも大きな差が生じるという欠点があった。記録膜の吸収率の差があると、オーバライト時に記録膜が結晶か、非晶質かによって記録膜昇温状態に差が生じることになり、オーバライト信号がオーバライト前の信号成分によって変調され、これがオーバライト消去率を制限する一因になっていた。
　【０００７】
　本発明の目的は上記の欠点を解決し、相変化型光ディスクのオーバライト消去率を改善し、高密度記録を可能にする新規な相変化型光ディスクを提供することにある。
　【０００８】
　【課題を解決するための手段】
　本発明は、レーザ光照射により記録膜の温度を融点以上に上昇させ冷却時に非晶質状態とし、レーザ光照射により記録膜温度を結晶化温度以上融点以下の温度にし結晶状態とする、結晶と非晶質間の可逆的な相変化により記録再生消去を行う相変化型光ディスクであって、透明基板と、前記透明基板上に形成された第一の保護膜と、前記第一保護膜上に形成された相変化型情報記録膜と、前記記録膜上に形成された第二の保護膜と、前記第二保護膜上に形成されて前記記録膜を透過した光を吸収する吸収層と、前記吸収層上に形成されて光吸収による昇温熱を放熱する放熱層を
有し、前記放熱層の前記吸収層との接着面と反対側の面は外気にさらされている
　【０００９】
　【実施例】
　次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する。図１は本発明にかかる光ディスクの構成を示した図である。基板１上に第一保護膜２、記録膜３、第二保護膜４、吸収層５、放熱層６が順次形成されたものである。基板１には、円盤状のガラスもしくはプラスチックが用いられる。第一保護膜２と、第二保護膜４には、ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、ＡｌＮ、ＴｉＯ２、ＺｎＳなどの誘電体材料が用いられる。記録膜３としては、カルゴゲナイド系材料であるＧｅＳｂＴｅ系、ＩｎＳｂＴｅ系、ＩｎＳｅ系、ＩｎＴｅ系、ＡｓＴｅＧｅ系、ＴｅＯｘ−ＧｅＳｎ系、ＴｅＳｅＳｎ系、ＳｂＳｅＢｉ系、ＢｉＳｅＧｅ系などが用いられる。吸収層５には、使用されるレーザ波長において、吸収特性を持つ材料、特には、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ｖ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｆｅなどの金属が使用される。放熱層６には、熱伝導率が大きい材料、特には、Ａｌ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｇなどの金属が用いられる。
　【００１０】
　本発明の特徴はこのディスクの構成にあり、特に第二保護膜４上に形成した吸収層５と放熱層６に特徴がある。前述した従来の４層反射膜構成では、反射膜７でほとんどの光が反射されてしまうため、ディスクの反射率差がそのまま記録膜の吸収率差となってしまい、十分な再生信号を確保しようとすると吸収率差が大きくなりオーバライト消去率不十分となる欠点があったが、本発明に係るディスクにおいては、記録膜３を透過した光が、吸収層５において、かなり吸収されるので、ディスクとしてある程度の反射率差がある場合でも、記録膜３での吸収率差を小さく抑えることができる。この場合、吸収層５での光吸収に伴う昇温があり、吸収層５への熱的な負担が大きくなる恐れがあるが、それに対しては吸収層５に隣接して形成した放熱層６が有効に作用する。すなわち、放熱層６は吸収層５で発生した熱を効率良く逃がす役割をするので、吸収層５への熱的負担は大幅に軽減される。
　【００１１】
　次に、使用するレーザ波長を８３０ｎｍに設定し、結晶と非晶質間の吸収率差ができるだけ小さく、かつ、両相間での反射率差が大きくなるようにディスク構成を決定し、ディスクを作成した。基板１には直径１３０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍのプリグルーブ付きポリカーボネート基板を用いた。第一保護膜２及び第二保護膜４にはＺｎＳ＋ＳｉＯ２混合膜を、記録膜３にはＧｅＳｂＴｅを、吸収層５にはＴｉを、放熱層６にはＡｌを用い、マグネトロンスパッタ法により連続成膜した。各層の膜厚は、第一保護膜１４０ｎｍ、記録膜２０ｎｍ、第二保護膜２２０ｎｍ、吸収層５０ｎｍ、放熱層５０ｎｍとした。このディスクでは、波長８３０ｎｍにおける吸収率は結晶に対して６３％、非晶質に対しても６３％であり、反射率は結晶に対して２４％、非晶質に対して１％であった。
　【００１２】
　次に、前記ディスクにオーバライトを行い、特性を評価した。記録消去再生には、波長８３０ｎｍの半導体レーザを搭載した光ヘッドを用いた。初期化処理後のディスクを回転数３６００ｒｐｍにて回転させ、半径３０ｍｍのトランクに８．４ＭＨｚ（Ｄｕｔｙ５０％）信号と２．２ＭＨｚ（Ｄｕｔｙ５０％）信号を交互にオーバライトした。再生信号の二次高調波歪が最小となるように、記録パワと消去パワをそれぞれ１３ｍＷ、７ｍＷに設定した。この時の両周波数に対する消去率はそれぞれ３０ｄＢ、２９ｄＢであった。次に、同一回転数で半径６０ｍｍのトラックに両周波数を交互にオーバライトし、特性を測定した。記録パワは１８ｍＷ、消去パワは１０ｍＷに設定した。この時のオーバライト消去率は８．４ＭＨｚに対して３２ｄＢ、２．２ＭＨｚに対しては３０ｄＢであった。従来の４層反射膜構成では、ここで示した記録周波数のオーバライトにおいては、十分な消去率が確保できなかったが、本発明に係るディスク構成を採用することによって、消去率を大幅に改善できた。また、半径３０ｍｍ及び６０ｍｍにおいて
測定した繰り返しオーバライト特性は良好であり、吸収層５に隣接して形成した放熱層６の有効性が確認できた。
　【００１３】
　【発明の効果】
　以上説明したように、本発明では、使用するレーザ波長に対して記録膜の吸収率を一定にできるため、オーバライト時の消去率として十分な値が確保でき、さらにオーバライト時のビット形状歪を抑える効果もある。これにより、オーバライト時の再生信号のジッタ増加を小さく抑えることができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本発明にかかる相変化型光ディスクの構成を示す図である。
　【図２】
　従来の相変化型光ディスクの構成を示す図である。
　【符号の説明】
　１　基板
　２　第一保護膜
　３　記録膜
　４　第二保護膜
　５　吸収層
　６　放熱層
　７　反射膜