【事件の表示】
　特許第２６５７０６５号「半導体レーザ素子」の請求項１ないし５に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結論】
　特許第２６５７０６５号の請求項１ないし５に係る特許を取り消す。
【理由】
１．手続の経緯
　本件特許第２，６５７，０６５号に係る主な手続の経緯は以下のとおりである。
　特許出願　　　　　　昭和６３年４月２８日
　特許権設定登録　　　平成９年５月３０日
　特許公報発行　　　　平成９年９月２４日
　特許異議の申立て　　平成１０年３月２４日
　訂正請求　　　　　　平成１０年９月１８日
２．訂正の適否
　２．１訂正の目的等について
　▲１▼訂正事項ａ
　請求項１及び３において、「ＧａＡｌＡｓ系の半導体レーザ素子」を「複数波長発振型のＧａＡｌＡｓ系の半導体レーザ素子」と訂正することは、レーザの型を特定するものであり、特許請求の範囲の減縮に該当し、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内のものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張または変更するものでもない。
　▲２▼訂正事項ｂについて
　特許明細書の第５頁第１４行目と第１５行目との間（特許公報第２頁右欄第２行目と第３行目との間）に、
「すなわち、請求項１に係る発明は、ファブリペロ共振器を有する複数波長発振型のＧａＡｌＡｓ系の半導体レーザ素子において、活性層の上下に設けられたクラッド層のＡｌの混晶比ｘ（Ｇａ（１−ｘ）ＡｌｘＡｓ）を０．３以上０．６以下とし、共振器の長さを１００μｍ以上２００μｍ以下とした事を特徴とする半導体レーザ素子した。
　請求項２に係る発明は、請求項１に係る発明において、前記クラッド層のうちＰ型クラッド層は厚みが０．１μｍ乃至０．５μｍである半導体レーザ素子
　請求項３に係る発明は、１００μｍ以上２００μｍ以下のファブリペロ共振器と、０．１μｍ以下の厚みの活性層と、電流狭窄幅を３μｍ以上７μｍ以下とする電流狭窄層とを具備した事を特徴とする複数波長発振型のＧａＡｌＡｓ系の半導体レーザ素子とした。
　請求項４に係る発明は、請求項１又は３に係る発明において、前記共振器の長さを１００μｍ以上１５０μｍ以下とした事を特徴とする半導体レーザ素子とした。
　請求項５に係る発明は、請求項３に係る発明において、共振器方向の素子の長さが１５０μｍ以下で、素子の表面の面積が２８０００μｍ２以上で、その素子の表面にワイヤボンド領域を具備した事を特徴とする半導体レーザ素子とした。」と追加する訂正は、上記特許請求の範囲の訂正に伴う訂正であり、明瞭でない記載の釈明に該当し、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内のものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張または変更するものでもない。
　２．２　独立特許要件について
　（２．２．１）訂正された発明
　訂正された発明の要旨は、訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１乃至５に記載されている事項により特定される以下のとおりのものである。
「【請求項１】ファブリペロ共振器を有する複数波長発振型のＧａＡｌＡｓ系の半導体レーザ素子において、活性層の上下に設けられたクラッド層のＡｌの混晶比ｘ（Ｇａ（１−ｘ）ＡｌｘＡｓ）を０．３以上０．６以下とし、共振器の長さを１００μｍ以上２００μｍ以下とした事を特徴とする半導体レーザ素子。
　【請求項２】前記クラッド層のうちＰ型クラッド層は厚みが０．１μｍ乃至０．５μｍである事を特徴とする請求項１記載の半導体レーザ素子。
　【請求項３】１００μｍ以上２００μｍ以下のファブリペロ共振器と、０．１μｍ以下の厚みの活性層と、電流狭窄幅を３μｍ以上７μｍ以下とする電流狭窄層とを具備した事を特徴とする複数波長発振型のＧａＡｌＡｓ系の半導体レーザ素子。
　【請求項４】前記共振器の長さを１００μｍ以上１５０μｍ以下とした事を特徴とする請求項１項又は３項記載の半導体レーザ素子。
　【請求項５】共振器方向の素子の長さが１５０μｍ以下で、素子の表面の面積が２８０００μｍ２以上で、その素子の表面にワイヤボンド領域を具備した事を特徴とする請求項３記載の半導体レーザ素子。」（以下「訂正第１発明」及び「訂正第５発明」という。）
　（２．２．２）刊行物記載の発明
　異議申立人の提示する「シャープ技報」第２６号、昭和５８年６月２３日発行、第１２１頁〜第１２５頁（以下「刊行物１」という。）には、その図１から明らかなように、ＡｌＡｓ系の半導体レーザ素子において、活性層の上下に設けられたクラッド層のＡｌの混晶比ｘ（Ｇａ（１−ｘ）ＡｌｘＡｓ）を０．４４、ｐ型クラッド層の厚みを０．１μｍ、活性層の厚みを０．１μｍ、共振器の長さを２５０μｍとしたＶＳＩＳ半導体レーザ素子が記載されている。
　同じく同上書第６９頁〜第７４頁（以下「刊行物２」という。）には、ＶＳＩＳ半導体レーザにおいて、通常２４０μｍである共振器長を１１０μｍ及び３７０μｍと変化させたときの反射雑音に関して、「共振器長１１０μｍのレーザに対するＳＮＲの平均値は７７ｄＢであり、２４０μｍ長のレーザに比べて１２ｄＢの改善が見られる。」（第７３頁左欄下から第７行〜第５行）と記載されており、また、「１１０μｍレーザは１ｍＷでマルチモード発振を呈し、スペクトル幅は分解能以下のものから〜１Åのものまで得られた。図中にはスペクトル幅が０．５６Å（３ｍＷ）の素子の発振スペクトル特性を示す。短共振器化に伴うマルチモード発振は、自然放出光係数の増大、光子寿命の短寿命化によるものと考えられる。」（第７０頁左欄第１３行〜第１８行）と記載されている。
　同じくＡｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．４０（５），１　Ｍａｒ．１９８２，ｐｐ．３７２−３７４（以下「刊行物３」という。）には、上下のクラッド層のＡｌ混晶比ｘが０．４９であり、ｐ型クラッド層の厚みが０．１５μｍであり、活性層の厚みが０．４８μｍであり、電流狭窄層の電流狭窄幅が４μｍであり、壁開面を形成しているＧａＡｌＡｓ系のＶＳＩＳ半導体レーザが示されている。
　（２．２．３）対比及び判断
　＜１＞訂正第１発明について
　訂正第１発明と上記刊行物１に記載された発明とを比較すると、両者は、ＧａＡｌＡｓ系の半導体レーザ素子において、活性層の上下に設けられたクラッド層のＡｌの混晶比ｘ（Ｇａ（１−ｘ）ＡｌｘＡｓ）を０．３以上０．６以下とした半導体レーザ素子である点において一致し、以下の点において相違している。
　▲１▼前者がファブリペロ共振器を備えているのに対し、後者においては、共振器について記載されていない点。
　▲２▼前者においては複数波長発振型であるのに対し、後者においては、単一波長発振型である点。
　▲３▼前者においては、共振器長が１００μｍ以上２００μｍ以下であるのに対し、後者においては、２５０μｍである点。
　上記相違点について検討する。
　相違点▲１▼について
　上記刊行物３にも示されているように、ＶＳＩＳレーザは壁開面を形成しており、劈開面をファブリペロ共振器としたレーザは周知であるので、このＶＳＩＳレーザをファブリペロ共振器を有するレーザとすることは当業者が容易になし得たことと認められる。
　相違点▲２▼及び▲３▼について
　上記刊行物２には、ＶＳＩＳ半導体レーザにおいて、通常２４０μｍである共振器長を１１０μｍ及び３７０μｍと変化させたときの反射雑音を比較して、１１０μｍの共振器長の時が反射雑音が少ないと記載されているので、共振器長を１００μｍ〜２００μｍの短共振器長とすることは、当業者が容易になし得たことと認められる。また、共振器長が１１０μｍの時は、３ｍＷにおいて複数波長発振型であるので、この点には相違はない。
　したがって、訂正第１発明は、上記刊行物１乃至３に記載された発明に基づいて当業者が容易になし得たことと認められる。
　＜２＞訂正第２発明について
　訂正第２発明は、クラッド層のうちｐ型クラッド層の厚みが０．１μｍ乃至０．５μｍである事を特徴とする請求項１記載の半導体レーザ素子であるが、上記刊行物１記載の発明においても、ｐ型クラッド層の厚みは０．１μｍであり、上記刊行物３記載の発明においても、ｐ型クラッド層の厚みは０．１５μｍであるから、ｐ型クラッド層の厚みを０．１μｍ乃至０．５μｍとすることは当業者が容易になし得たことと認められる。
　したがって、訂正第２発明は、上記刊行物１乃至３に記載された発明に基づいて当業者が容易になし得たことと認められる。
　＜３＞訂正第３発明について
　訂正第３発明と上記刊行物１に記載された発明とを比較すると、両者は、ＧａＡｌＡｓ系の半導体レーザ素子において、０．１μｍの活性層及び電流狭窄層を有している点において一致し、以下の点において相違している。
　▲１▼前者が１００μｍ以上２００μｍ以下のファブリペロ共振器を備えているのに対し、後者においては、２５０μｍの共振器である点。
　▲２▼前者においては、電流狭窄幅が３μｍ以上７μｍ以下である電流狭窄層を備えているのに対し、後者においては、図面において電流狭窄層が示されているが、その大きさについては記載されていない点。
　▲３▼前者においては、複数波長発振型であるのに対し、後者においては、単一波長発振型である点。
　上記相違点について検討する。
　相違点▲１▼について
　上記刊行物２には、ＶＳＩＳ半導体レーザにおいて、通常２４０μｍである共振器長を１１０μｍ及び３７０μｍと変化させたときの反射雑音を比較して、「共振器長１１０μｍレーザに対するＳＮＲの平均値は７７ｄＢであり、２４０μｍ長のレーザに比べて１２ｄＢの改善がみられる。」と記載されているので、共振器長を１００μｍ〜２００μｍの短共振器長とすることは、当業者が容易になし得たことと認められる。
　また、上記刊行物３にも示されているように、ＶＳＩＳレーザは劈開面を形成しており、劈開面をファブリペロ共振器としたレーザは周知であるので、このＶＳＩＳレーザをファブリペロ共振器を有するレーザとすることは当業者が容易になし得たことと認められる。
　相違点▲２▼について
　上記刊行物３には、上下のクラッド層のＡｌ混晶比ｘが０．４９、ｐ型クラッド層の厚みが０．１５μｍ、活性層の厚みが０．４８μｍ、電流狭窄層の電流狭窄幅が４μｍであり、劈開面を形成しているＧａＡｌＡｓ系のＶＳＩＳ半導体レーザが示されているのであるから、電流狭窄層の電流狭窄幅を３μｍ以上７μｍ以下とすることは当業者が容易になし得たことと認められる。
　相違点▲３▼について
　上記刊行物２には、共振器長が１１０μｍの時は、３ｍＷにおいて複数波長発振型であると記載されているので、この点には相違はない。
　したがって、訂正第３発明は、上記刊行物１乃至３に記載された発明に基づいて当業者が容易になし得たことと認められる。
　＜４＞訂正第４発明について
　訂正第４発明は、共振器の長さを１００μｍ以上１５０μｍ以下とした事を特徴とする請求項１項又は３項記載の半導体レーザ素子であるが、刊行物２において、共振器の長さを１１０μｍとすることが示されているので、訂正第４発明は、上記刊行物１乃至３に記載された発明に基づいて当業者が容易になし得たことと認められる。
　＜５＞訂正第５発明について
　訂正第５発明は、共振器方向の素子の長さが１５０μｍ以下で、素子の表面の面積が２８０００μｍ２以上で、その素子の表面にワイヤボンド領域を具備した事を特徴とする請求項３記載の半導体レーザ素子であるが、上記刊行物２には、通常２４０μｍの共振器長を有するＶＳＩＳレーザに対し、共振器長を１１０μｍ及び３７０μｍと変化させて、共振器長１１０μｍのものは共振器長２４０μｍのものに比べて雑音特性が１２ｄＢ改善されたと記載されているので、共振器方向の素子の長さを１５０μｍ以下とすることは当業者が容易になし得たことと認められる。また、通常のＶＳＩＳレーザと認められる刊行物１記載のＶＳＩＳレーザの素子の表面積は、共振器長２５０μｍ×横幅３００μｍ＝７５０００μｍ２であり、たとえ共振器長を２５０μｍから１１０μｍに変更したとしても３３０００μｍ２であるので、レーザの素子の表面積を８０００μｍ２以上とすることも当業者が容易になし得たことと認められ、さらに、この種の半導体レーザはワイヤボンドにより外部と連結することも周知であるので、上記刊行物１記載のＶＳＩＳレーザにおいても、その素子の表面にワイヤボンド領域を設けることは当業者が容易になし得たことと認められる。
　（２．２．４）この項のむすび
　以上のとおりであるので、訂正第１発明乃至第５発明は、上記刊行物１乃至３に記載された発明に基づいて当業者が容易になし得たことと認められるので、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから、本件訂正は、平成６年法律第１１６号第６条第１項において、なお従前の例によるとされる改正前の特許法第１２６条第３項の規定により認めることができない。
３．本件発明
　本件発明は、特許された明細書の特許請求の範囲請求項１乃至５に記載された事項により特定された以下のとおりのものである（以下「本件第１発明」乃至「本件第５発明」という。）。
「【請求項１】ファブリペロ共振器を有するＧａＡｌＡｓ系の半導体レーザ素子において、活性層の上下に設けられたクラッド層のＡｌの混晶比ｘ（Ｇａ（１−ｘ）ＡｌｘＡｓ）を０．３以上０．６以下とし、共振器の長さを１００μｍ以上２００μｍ以下とした事を特徴とする半導体レーザ素子。
　【請求項２】前記クラッド層のうちＰ型クラッド層は厚みが０．１μｍ乃至０．５μｍである事を特徴とする請求項１記載の半導体レーザ素子。
　【請求項３】１００μｍ以上２００μｍ以下のファブリペロ共振器と、０．１μｍ以下の厚みの活性層と、電流狭窄幅を３μｍ以上７μｍ以下とする電流狭窄層とを具備した事を特徴とするＧａＡｌＡｓ系の半導体レーザ素子。
　【請求項４】前記共振器の長さを１００μｍ以上１５０μｍ以下とした事を特徴とする請求項１項又は３項記載の半導体レーザ素子。
　【請求項５】共振器方向の素子の長さが１５０μｍ以下で、素子の表面の面積が２８０００μｍ２以上で、その素子の表面にワイヤボンド領域を具備した事を特徴とする請求項３記載の半導体レーザ素子。」
４．刊行物記載の発明
　上記刊行物１乃至３には、上記（２．２．２）記載の発明が記載されている。
５．対比及び判断
　＜１＞本件第１発明について
　本件第１発明と上記刊行物１に記載された発明とを比較すると、両者は、ＧａＡｌＡｓ系の半導体レーザ素子において、活性層の上下に設けられたクラッド層のＡｌの混晶比ｘ（Ｇａ（１−ｘ）ＡｌｘＡｓ）を０．３以上０．６以下とした半導体レーザ素子である点において一致し、以下の点において相違している。
　▲１▼前者がファブリベロ共振器を備えているのに対し、後者においては、共振器について露わに記載されていない点。
　▲２▼前者においては、共振器長が１００μｍ以上２００μｍ以下であるのに対し、後者においては、２５０μｍである点。
　上記相違点について検討する。
　相違点▲１▼について
　上記刊行物３にも示されているように、ＶＳＩＳレーザは劈開面を形成しており、壁開面をファブリペロ共振器としたレーザは周知であるので、このＶＳＩＳレーザをファブリベロ共振器を有するレーザとすることは当業者が容易になし得たことと認められる。
　相違点▲２▼について
　上記刊行物２には、ＶＳＩＳ半導体レーザにおいて、通常２４０μｍである共振器長を１１０μｍ及び３７０μｍと変化させたときの反射雑音に関して、「共振器長１１０μｍレーザに対するＳＮＲの平均値は７７ｄＢであり、２４０μｍ長のレーザに比べて１２ｄＢの改善がみられる。」と記載されているので、共振器長を１００μｍ〜２００μｍの短共振器長とすることは、当業者が容易になし得たことと認められる。
　したがって、本件第１発明は、上記刊行物１乃至３に記載された発明に基づいて当業者が容易になし得たことと認められる。
　＜２＞本件第２発明について
　本件第２発明は、クラッド層のうちｐ型クラッド層の厚みが０．１μｍ乃至０．５μｍである事を特徴とする請求項１記載の半導体レーザ素子であるが、上記刊行物１記載の発明においても、ｐ型クラッド層の厚みは０．１μｍであり、上記刊行物３記載の発明においても、ｐ型クラッド層の厚みは０．１５μｍであるから、ｐ型クラッド層の厚みを０．１μｍ乃至０．５μｍとすることは当業者が容易になし得たことと認められる。
　したがって、本件第２発明は、上記刊行物１乃至３に記載された発明に基づいて当業者が容易になし得たことと認められる。
　＜３＞本件第３発明について
　本件第３発明と上記刊行物１に記載された発明とを比較すると、両者は、ＧａＡｌＡｓ系の半導体レーザ素子において、０．１μｍの活性層及び電流狭窄層を有している点において一致し、以下の点において相違している。
　▲１▼前者が１００μｍ以上２００μｍ以下のファブリペロ共振器を備えているのに対し、後者においては、２５０μｍの共振器である点。
　▲２▼前者においては、電流狭窄幅が３μｍ以上７μｍ以下である電流狭窄層を備えているのに対し、後者においては、図面において電流狭窄層が示されているが、その大き、さについては記載されていない点。
　上記相違点について検討する。
　相違点▲１▼について
　上記刊行物２には、ＶＳＩＳ半導体レーザにおいて、通常２４０μｍである共振器長を１１０μｍ及び３７０μｍと変化させたときの反射雑音に関して、「共振器長１１０μｍレーザに対するＳＮＲの平均値は７７ｄＢであり、２４０μｍ長のレーザに比べて１２ｄＢの改善がみられる。」と記載されているので、共振器長を１００μｍ〜２００μｍの短共振器長とすることは、当業者が容易になし得たことと認められる。
　また、上記刊行物３にも示されているように、ＶＳＩＳレーザは壁開面を形成しており、壁開面をファブリペロ共振器としたレーザは周知であるので、このＶＳＩＳレーザをファブリペロ共振器を有するレーザとすることは当業者が容易になし得たことと認められる。
　相違点▲２▼について
　上記刊行物３には、上下のクラッド層のＡｌ混晶比ｘが０４９、ｐ型クラッド層の厚みが０．１５μｍ、活性層の厚みが０．４８μｍ、電流狭窄層の電流狭窄幅が４μｍであり、壁開面を形成しているＧａＡｌＡｓ系のＶＳＩＳ半導体レーザが示されているのであるから、電流狭窄層の電流狭窄幅を３μｍ以上７μｍ以下とすることは当業者が容易になし得たことと認められる。
　したがって、本件第３発明は、上記刊行物１乃至３に記載された発明に基づいて当業者が容易になし得たことと認められる。
　＜４＞本件第４発明について
　本件第４発明は、共振器の長さを１００μｍ以上１５０μｍ以下とした事を特徴とする請求項１項又は３項記載の半導体レーザ素子であるが、刊行物２において、共振器の長さを１１０μｍとすることが示されているので、本件第４発明は、上記刊行物１乃至３に記載された発明に基づいて当業者が容易になし得たことと認められる。
　＜５＞本件第５発明について
　本件第５発明は、共振器方向の素子の長さが１５０μｍ以下で、素子の表面の面積が２８０００μｍ２以上で、その素子の表面にワイヤボンド領域を具備した事を特徴とする請求項３記載の半導体レーザ素子であるが、上記刊行物２には、通常２４０μｍの共振器長を有するＶＳＩＳレーザに対し、共振器長を１１０μｍ及び３７０μｍと変化させて、共振器長１１０μｍのものは共振器長２４０μｍのものに比べて雑音特性が１２ｄＢ改善されたと記載されているので、共振器方向の素子の長さを１５０μｍ以下とすることは当業者が容易になし得たことと認められる。また、通常のＶＳＩＳレーザと認められる刊行物１記載のＶＳＩＳレーザの素子の表面積は、共振器長２５０μｍ×横幅３００μｍ＝７５０００μｍ２であり、たとえ共振器長を２５０μｍから１１０μｍに変更したとしても３３０００μｍ２であるので、レーザの素子の表面積を８０００μｍ２以上とすることも当業者が容易になし得たことと認められ、さらに、この種の半導体レーザはワイヤボンドにより外部と連結することも周知であるので、上記刊行物１記載のＶＳＩＳレーザにおいても、その素子の表面にワイヤボンド領域を設けることは当業者が容易になし得たことと認められる。
　したがって、本件第１発明乃至第５発明は、特許法第２９条第２項に規定する発明に該当するので特許を受けることができないものである。
６．むすび
　以上のとおり、本件第１発明乃至第５発明に係る特許は、拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してなされたものであるので、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の一部の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第１項及び第２項の規定により取り消すべきものである。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１１年１１月２６日（１９９９．１１．２６）