【事件の表示】
　特許第２８９８６４３号「量子井戸半導体レーザ素子」の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第２８９８６４３号の特許を維持する。
【理　由】
（本件請求項に係る発明）
　本件特許第２８９８６４３号の請求項１に係る発明（昭和６３年１１月１１日出願、平成１１年３月１２日設定登録）は、特許明細書及び図面の記載からみて、特許請求の範囲の請求項１に記載された、
「ＩｎＰ基板上に、量子井戸層とバリア層からなる活性層を含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を有する量子井戸半導体レーザ素子において、量子井戸層はその格子定数がＩｎＰの格子定数よりも大きい膜厚２．５ｎｍ〜３０ｎｍのＧａｘ１Ｉｎ１−ｘ１Ａｓｙ１Ｐ１−ｙ１（０＜ｘ１、ｙ１＜１）であり、バリア層はその格子定数がＩｎＰの格子定数よりも小さいＧａｘ２Ｉｎ１−ｘ２Ａｓｙ２Ｐ１−ｙ２（０＜ｘ２、ｙ２＜１）であることを特徴とする１．３〜１．５５μｍ用量子井戸半導体レーザ素子。」
と認める。
　
（特許異議申立ての理由の概要）
  これに対して、特許異議申立人藤本小百合は、甲第１号証として、J.Appl.Phys.59[7](1986)、甲第２号証として、Electorn.Lett. 22[5](1986)、甲第３号証として特公平７−１０５５５２号公報、甲第４号証として、「超格子へテロ構造デバイス」（１９８８年９月１０日発行工業調査会）、甲第５号証として、「半導体レーザと光集積回路」（昭和５９年発行）を提示して、本件の請求項１に係る発明は、甲第１号証乃至甲第３号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができないものである旨、主張している。
　
（甲各号証記載の発明）
  特許異議申立人の提示した甲第１号証には、
「これらのシステムがレ一ザや電界効果トランジスタ、光検出器等に利用しうる」（第２４４７頁左欄第１０行〜第１３行）、
「超格子構造の格子定数の平均値が基板の格子定数からずれてしまうと、つまり、超格子構造全体と基板との間の不整合があると、転位を発生させる。」（第２４４７頁左欄第１７行〜第２１行）、
「このレポートでは、我々は超格子構造の格子定数と基板の格子定数とを一致させたＧａＩｎＡｓ／ＧａＩｎＡｓ超格子構造について検討した。」（第２４４７頁左欄第３３行〜第３５行）、
「このシステムは１．６５から２．１μｍ帯における光電子デバイスに適している。」（第２４４７頁左欄第３５行〜第３６行）
「±の歪は連続する層において転位が生じるのを防止する手段として有効である。」（第２４４７頁左欄第４０行〜第４１行）、
「その組成と厚さは歪超格子全体の格子定数の平均値が基板およびバッファ層の格子定数に一致するように選択される。」（第２４４７頁右欄第１９行〜第２３行）と記載されており、第２４４８頁左欄ＴＡＢＬＥ　１には「量子井戸層の第１のＩｎＧａＡｓ中のｌｎ組成が０．４０６４、０．４０７２、０．４６１、０．４６８、膜厚が８６．６６Å、１７５．０４Å、１９１．８Å、５８１．７Å、第２のＩｎＧａＡｓ中のＩｎ組成が０．６３０３、０．６３０６、０．６０１、０．６０４、膜厚が８６．１１Å、１７３．７Å、１８３．７Å、５６６．１Å、」であることが示されている。
　同じく、甲第２号証には、
「量子井戸に圧縮歪が加わっている」（第２４９頁右欄第３７行〜第３８行）、「バンド間吸収（ＩＶＢＡ）は１．５５μｍの（ＧａＩｎ）（ＡｓＰ）／ＩｎＰレーザのＴ０問題の最も有力な原因であり、１．３μｍ素子においてもＴ０問題に一つの重要な貢献をしている」（第２５０頁左欄第２６行〜第２９行）と記載されている。
　同じく、甲第３号証（なお、特公平７−１０５５５２号公報は、本件出願前公知の文献ではないから、その公開公報である特開昭６２−２９１１９０号公報を甲第３号証とみなして認定する。）には、
「ＩｎＰより格子定数が大きい第一の組成のＩｎＧａＡｓＰ薄膜と、ＩｎＰより格子定数が小さい第二の組成のＩｎＧａＡｓＰ薄膜とを交互に積層した場合、各層の原子配列が格子定数が合わないことによる歪を緩和するように配列することにより歪緩和が行われる。」（公報第２頁右下欄第１１行〜第１６行）と記載されている。
　同じく、甲第４号証には、第４４９頁、図１２．７に、しきい値電流密度と量子井戸幅との関係が示されており、しきい値電流密度は、量子井戸幅を５００Åから５０Åと小さくすると低くなることが示されている。
　同じく、甲第５号証には、第７０頁の「３・４・２  ＧａｘＩｎ１−ｘＡｓｙＰ１−ｙ／ＩｎＰヘテロ構造」に、ＧａｘＩｎ１−ｘＡｓｙＰ１−ｙのｘとｙを独立に制御することによってＩｎＰ基板への格子整合と禁制帯幅を同時に得ることができるとして、格子整合がとれる条件における禁制帯幅とｙとの関係を、実験値と合うように求めた実験式が掲載されている。
　
（対比）
　本件の請求項１に係る発明（以下、本件発明という。）と特許異議申立人の提示した甲各号証に記載された発明とを対比すると、甲各号証には、本件発明の構成要件である
「量子井戸層はその格子定数がＩｎＰの格子定数よりも大きい膜厚２．５ｎｍ〜３０ｎｍのＧａｘ１Ｉｎ１−ｘ１Ａｓｙ１Ｐ１−ｙ１（０＜ｘ１、ｙ１＜１）であり、バリア層はその格子定数がＩｎＰの格子定数よりも小さいＧａｘ２Ｉｎ１−ｘ２Ａｓｙ２Ｐ１−ｙ２（０＜ｘ２、ｙ２＜１）であることを特徴とする１．３〜１．５５μｍ用量子井戸半導体レーザ素子」について記載されていないし、示唆されてもいない。
　そして、本件発明は、上記構成要件を具備することにより、明細書に記載の、
「即ち、量子井戸層として、格子定数がＩｎＰの格子定数よりも大きいＧａｘ１Ｉｎ１−ｘ１Ａｓｙ１Ｐ１−ｙ１（０＜ｘ１、ｙ１＜１）を選択するとともにその膜厚を２．５ｎｍから３０ｎｍに設定し、バリア層として、格子定数がＩｎＰの格子定数よりも小さく、そのバンドギャップが量子井戸層を構成するＧａｘ１Ｉｎ１−ｘ１Ａｓｙ１Ｐ１−ｙ１（０＜ｘ１、ｙ１＜１）よりも大きいＧａｘ２Ｉｎ１−ｘ２Ａｓｙ２Ｐ１−ｙ２（０＜ｘ２、ｙ２＜１）を選択することにより、光通信において重要な波長帯である１．３〜１．５５μｍにおいて、量子井戸層の膜厚を低閾値電流、低チャーピングなどの効果が得られ、かつ、実用上使用可能な程度の低注入電流にて反転分布が生じるように量子井戸層中に圧縮歪が印加されており、さらに、歪による転位の発生が緩和された高性能レーザを実現することが可能となる」という作用効果を奏する。
　よって、本件発明は、甲各号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
　これについて、特許異議申立人は、甲第１号証の「ＩｎＰ基板上に形成したＩｎＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓ歪超格子構造について検討した」との記載は、本件発明の「ＩｎＰ基板上に、量子井戸層とバリア層からなる活性層を含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を有する量子井戸半導体レーザ素子において」に相当し、同様に、甲第１号証のＴＡＢＬＥ　１の「第１及び第２のＩｎＧａＡｓ中のＩｎ組成、量子井戸の膜厚」の記載は、第１及び第２の層の組成を格子定数に変換すると、ＩｎＰの格子定数より大きい層と小さい層になるので、甲第１号証では、ＩｎＧａＡｓの３元系であるのに対し、本件発明ではＧａＩｎＡｓＰの４元系であることを除き、本件発明の「量子井戸層はその格子定数がＩｎＰの格子定数よりも大きい膜厚２．５ｎｍ〜３０ｎｍのＧａｘ１Ｉｎ１−ｘ１Ａｓｙ１Ｐ１−ｙ１（０＜ｘ１、ｙ１＜１）であり、バリア層はその格子定数がＩｎＰの格子定数よりも小さいＧａｘ２Ｉｎ１−ｘ２Ａｓｙ２Ｐ１−ｙ２（０＜ｘ２、ｙ２＜１）である」に相当し、甲第２号証には、１．３または１．５５μｍ帯のＩｎＧａＡｓＰレーザの量子井戸層に圧縮歪を加えることでレーザ特性を改善することが記載されており、甲第３号証には、ＩｎＰ基板上にその基板より格子定数が大きなＩｎＧａＡｓＰ（４元）系半導体と、その基板より格子定数が小さなＩｎＧａＡｓＰ（４元）系半導体を交互に積層してなる歪超格子のバッファ層を有する発明が開示されており、甲第４号証には、しきい値電流密度を低くする場合、量子井戸幅を５０Åから３００Åまでに設定することが行われていることが開示されているから、本件発明は、甲第１号証から甲第３号証までに記載された事項を寄せ集めたものにすぎない旨、主張している。
　しかしながら、本件発明において、量子井戸の組成は、格子定数、レーザの発振波長、歪による転位の発生を防止する量子井戸層の膜厚の各々に関連するために、本件発明を形式的に次の構成要件、
ａ．量子井戸層は格子定数がＩｎＰの格子定数よりも大きいＧａｘ１Ｉｎ１−ｘ１Ａｓｙ１Ｐ１−ｙ１（０＜ｘ１、ｙ１＜１）であり、バリア層は格子定数がＩｎＰの格子定数よりも小さいＧａｘ２Ｉｎ１−ｘ２Ａｓｙ２Ｐ１−ｙ２（０＜ｘ２、ｙ２＜１）であること、
ｂ．量子井戸層は膜厚が２．５ｎｍ〜３０ｎｍであること、
ｃ．１．３〜１．５５μｍ用量子井戸半導体レーザ素子であること、
に分割した場合には、各構成要件は各々独立した構成要件ではなく、相互に関連した構成要件となる。
　よって、甲各号証に、上記本件発明を形式的に分割して得られた構成要件が、別々に開示されていたとしても、本件発明はこれらの構成要件を相互に関連づけて組み合わせたものであるから、甲各号証に記載された事項を、単に寄せ集めただけでは本件発明とはならず、また、甲各号証には、これらの構成要件を組み合わせることを示唆する記載もないので、特許異議申立人の主張は採用できない。
　
（むすび）
  以上のとおりであるから、本件請求項１に係る発明の特許は、特許異議申立ての理由及び証拠によっては取り消すことができない。
  また、他に本件請求項１に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年２月２４日（２０００．２．２４）