【事件の表示】
　特許第２８２３９９５号「Ｘ線用の分光素子」の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結論】
　特許第２８２３９９５号の特許を維持する。
【理由】
１．手続きの経緯・本件発明
　本件特許第２８２３９９５号の請求項１に係る発明（平成４年１０月３０日出願、平成１０年９月４日設定登録）は、特許明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものである。
　【請求項１】　結晶質からなる基板の表面に人工累積膜を設けたＸ線用の分光素子において、分析元素のスペクトルに対して妨害スペクトルとなる元素の回折Ｘ線がＸ線検出器に入射しないように、上記回折Ｘ線を反射させる結晶の格子面を上記基板の表面に対して傾斜させ、上記人工累積膜の格子面が上記基板の表面と平行になるよう上記人工累積膜を設けたことを特徴とするＸ線用の分光素子。（以下、本件発明という。）
２．異議申立人の主張
　異議申立人は、証拠として、
甲第１号証：　米国特許３３９７３１２号明細書
甲第２号証：　米国特許４５２５８５３号明細書
甲第３号証：　米国特許４６７５８８９号明細書
甲第４号証：　米国特許４６９３９３３号明細書
甲第５号証：　米国特許４６９８８３３号明細書
甲第６号証：　米国特許４７２７０００号明細書
甲第７号証：　米国特許４７８５４７０号明細書
甲第８号証：　米国特許４９５８３６３号明細書
甲第９号証：　米国特許５０２７３７７号明細書
甲第１０号証：米国特許５０８２６２１号明細書
甲第１１号証：米国特許５１６３０７８号明細書
甲第１２号証：特開平４−１６９８９８号公報
甲第１３号証：特開昭６３−７０５８５号公報
甲第１４号証：特開昭６３−２６６３９６号公報
甲第１５号証：特開昭６３−２７３０９９号公報
甲第１６号証：特開平５−３４６４９６号公報
甲第１７号証：特開平１−９４２９９号公報
甲第１８号証：Ｎｅｇｅｌ　ｅｔ　ａｌ．，Ｇｒａｄｅｄ−Ｌａｙｅｒ−Ｔｈｉｃｋｎｅｓｓ　Ｂｒａｇｇ　Ｘ−ｒａｙ　Ｒｅｆｌｅｃｔｏｒｓ，Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ　ｏｆ　ＳＰＩＥ　Ｖｏｌ．３１５　Ｒｅｆｌｅｃｔｉｎｇ　ｏｐｔｉｃｓ　ｆｏｒ　Ｓｙｎｃｈｒｏｔｒｏｎ　Ｒａｄｉａｔｉｏｎ，１１０−１１７（１９８１）
甲第１９号証：Ｕｎｄｅｒｗｏｏｄ　ｅｔ　ａｌ．，Ｌａｙｅｒｅｄ　Ｓｙｎｔｈｅｔｉｃ　Ｍｉｃｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ　ａｓ　Ｂｒａｇｇ　Ｄｉｆｆｒａｃｔｏｒｓ　ｆｏｒ　Ｘ　Ｒａｙｓ　ａｎｄ　Ｅｘｔｒｅｍｅ　Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ：Ｔｈｅｏｒｙ　ａｎｄ　Ｐｒｅｄｉｃｔｅｄ　Ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ，Ａｐｐｌｉｅｄ　ｏｐｔｉｃｓ　Ｖｏｌ．２０　ＮＯ．１７．，３０２７−　３０３４（１９８１）
甲第２０号証：Ｕｎｄｅｒｗｏｏｄ　ｅｔ　ａｌ．，Ｔｈｅ　Ｒｅｎａｉｓｓａｎｃｅ　ｏｆ　Ｘ−Ｒａｙ　ｏｐｔｉｃｓ，Ｐｈｙｓｉｃｓ　Ｔｏｄａｙ　４４−５２（１９８４）
甲第２１号証：Ｇｅｒａｌｄ　Ｆ．Ｍａｒｓｈａｌｌ，Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ　ｏｆ　Ｔｈｉｎ−Ｆｉｌｍ　Ｍｕｌｔｉｌａｙｅｒｅｄ　Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ　ｔｏ　Ｆｉｇｕｒｅｄ　Ｘ−　Ｒａｙ　ｏｐｔｉｃｓ，Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ　ｏｆ　ＳＰＩＥ　Ｖｏｌ．５６３，１１４−１３４（１９８５）
甲第２２号証：Ｇｅｒａｌｄ　Ｆ．Ｍａｒｓｈａｌｌ，Ｍｏｎｏｃｈｒｏｍａｔｉｚａｔｉｏｎ　Ｂｙ　Ｍｕｌｔｉｌａｙｅｒｅｄ　ｏｐｔｉｃｓ　ｏｎ　ａ　Ｃｙｌｉｎｄｒｉｃａｌ　Ｒｅｆｌｅｃｔｏｒ　ａｎｄ　ｏｎ　ａｎ　ＥＩｌｉｐｓｏｉｄａｌ　Ｆｏｃｕｓｉｎｇ　Ｒｉｎｇ，ｏｐｔｉｃａｌ　Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ　Ｖｏｌ．２５，９９２−９３２（１９８６）
甲第２３号証：Ｉｓｈｉｉ　ｅｔ　ａｌ．，Ｍｕｌｔｉｌａｙｅｒ　Ｍｉｒｒｏｒ　ｆｏｒ　Ｓｏｆｔ　Ｘ−ｒａｙ　ｓｙｎｃｈｒｏｔｒｏｎ　Ｒａｄｉａｔｉｏｎ，ＮＴＴ　Ｒｅｖｉｅｗ　Ｖｏｌ．２，ＮＯ．７７−８５（Ｊｕｌｙ　１９９０）
甲第２４号証：Ｃｈａｋｒａｂｏｒｔｙ，Ｐｕｒｕｓｈｏｔｔａｍ，Ｌａｙｅｒｄ　Ｓｙｎｔｈｅｔｉｃ　Ｍｉｃｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ　ａｓ　ｏｐｔｉｃａｌ　Ｅｌｅｍｅｎｔｓ　ｆｏｒ　ｔｈｅ　Ｅｘｔｒｅｍｅ　Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ　ａｎｄ　Ｓｏｆｔ　Ｘ−ｒａｙｓ，ＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａＩ　Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　Ｍｏｄｅｒｎ　Ｐｈｙｓｉｃｓ　Ｂ，Ｖｏｌ．５，ＮＯ．１３　２１３３−２２２８（１９９１）
甲第２５号証：Ｐｌａｔｏｎｏｖ　ｅｔ　ａｌ．，Ｓｍａｌｌ　ｄ−ｓｐａｃｎｇ　Ｍｕｌｔｉｌａｙｅｒ　Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓｆｏｒ　ｔｈｅ　Ｐｈｏｔｏｎ　Ｅｎｅｒｇｙ　Ｒａｎｇｅ　Ｅ＞０．３　ｋｅｖ，Ａｂｓｔｒａｃｔｓ　ｏｆ　ＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａＩ　Ｃｏｎｇｒｅｓｓ　ｏｎ　Ｘ−ｒａｙ　ｏｐｔｉｃｓ　ａｎｄ　Ｍｉｃｒｏａｎａｌｙｓｉｓ，５８３−５８６（１９９２）．Ｍａｎｃｈｅｓｔｅｒ　Ｅｎｇｌａｎｄ．−Ｔｈｉｓ　ａｒｔｉｃｌｅ　ｒｅｆｅｒｓ　ｔｏ　ｇｌａｓｓ　ａｓ　ａ　ｓｕｂｓｔｒａｔｅ．
甲第２６号証：Ｈｏｏｖｅｒ　ｅｔ　ａｌ．，Ａ　Ｎｅｗ　Ｍｅｔｈｏｄ　ｆｏｒ　Ａｃｈｉｅｖｉｎｇ　Ａｃｃｕｒａｔｅ　Ｔｈｉｃｋｎｅｓｓ　Ｃｏｎｔｒｏｌ　ｆｏｒ　Ｕｎｉｆｏｒｍ　ａｎｄ　Ｇｒａｄｅｄ　Ｍｕｌｔｉｌａｙｅｒ　Ｃｏａｔｉｎｇｓ　ｏｎ　Ｌａｒｇｅ　Ｆｌａｔ　Ｓｕｂｓｔｒａｔｅｓ，Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ　ｏｆ　ＳＰＩＥ　Ｖｏｌ．１７４２，Ｍｕｌｔｉｌａｙｅｒ　ａｎｄ　Ｇｒａｚｉｎｇ　Ｉｎｃｉｄｅｎｃｅ　Ｘ−Ｒａｙ／ＥＵＶ　Ｏｐｔｉｃｓ　ｆｏｒ　Ａｓｔｒｏｎｏｍｙ　ａｎｄ　Ｐｒｏｊｅｃｔｉｏｎ　Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ，３７３（１９９１）
甲第２７号証：トクハラ・ヤスコ氏へのレター（１９９０年２月１９日付）
甲第２８号証：トクハラ・ヤスコ氏からのファックス（１９９０年２月２２日付）
甲第２９号証：トクハラ・ヤスコ氏へのレター（１９９０年２月２２日付）
甲第３０号証：トクハラ・ヤスコ氏からのファックス（１９９０年２月２６日付）
甲第３１号証：トクハラ・ヤスコ氏へのレター（１９９０年２月２８日付）
甲第３２号証：レター（１９９０年３月１５日付）
甲第３３号証：トクハラ・ヤスコ氏へのレター（１９９０年３月２１日付）
甲第３４号証：トクハラ・ヤスコ氏へのレター（１９９０年３月２１日付）
甲第３５号証：トクハラ・ヤスコ氏からのファックス（１９９０年３月７日付）
甲第３６号証：トクハラ・ヤスコ氏へのレター（１９９０年２月２８日付）
甲第３７号証：トクハラ・ヤスコ氏からのファックス（１９９０年２月２７日付）
甲第３８号証：トクハラ・ヤスコ氏へのレター（１９９０年２月２２日付）
甲第３９号証：トクハラ・ヤスコ氏からのファックス（１９９０年２月２２日付）
甲第４０号証：トクハラ・ヤスコ氏からのファックス（１９９０年２月　１３日付）
甲第４１号証：トクハラ・ヤスコ氏からのファックス（１９８６年９月２６日付）
甲第４２号証：トクハラ・ヤスコ氏へのレター（１９８６年１０月１０日付）
甲第４３号証：トクハラ・ヤスコ氏からのファックス（１９８６年１０月１３日付）
甲第４４号証：トクハラ・ヤスコ氏からのファックス（１９９０年２月　１３日付）
甲第４５号証：購入関係資料（１９９２年８月２４日他の日付）
を提出し、下記の理由を主張している。
［理由１］
　本特許の請求項１に係る発明はその出願前公知の甲第１号証乃至甲第２６号証、特に、甲第８号証及び甲第１５号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明しうる程度のものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
［理由２］
　本特許の請求項１に係る発明は、甲第２７号証乃至甲第４５号証、特に甲第３０号証、甲第３４号証、甲第３５号証、甲第３９号証、及び甲第４３号証により、本出願の出願日（１９９２年１０月３０日）以前の遅くとも１９９０年２月２６日に日本国内において公然と知られていたので、特許法第２９条第１項第１号の規定により特許を受けることができない。
３．　［理由１］について
３−１．甲第１号証乃至甲第２６号証の記載事項・甲第１号証乃至甲第２６号証には、多層構造のＸ線反射装置が記載されている。その内、甲第８号証、甲第１５号証、及び甲第１８号証には、さらに、以下の事項が記載されている。
・甲第８号証（米国特許４９５８３６３号明細書）「図２に関連して、弱いＸ線吸収を示す炭素またはホウ素などのスペーサ材を、−ｊ−層対の底部多層構造の上面に直接堆積する。このスペーサ材は、スペーサ材の上面と底部多層構造の上面との間に傾斜角φを形成する傾斜した層の厚さを有する。次に−ｉ−層対の上部多層構造をスペーサ材の上に堆積する。入射角０の場合、エネルギＥ１およびＥ２における一次反射率の最大値は、それぞ角度が大体θおよびθ−φのときに生じる。図２は、最も細い端部が放射源に最も近いスペーサを示す。最も厚い端部が発生源に最も近くなるようにスペーサを変化すると、Ｅ１はθで発生し、Ｅ２はθ＋φで発生する。反射率最大値Ｅ１、Ｅ２は空間的に離すことができ、したがって２つの別個の検出器によって記録することができる。図２に示す種類の二重多層ｘ線ミラーを放射源と共に使用すると、透過データはＥｌおよびＥ２に対し異なる投射角になる。スペーサ付きのこの二重多層ミラーは、図１に示す種類の二重ミラーによって生成された透過ビームに存在するｘ線エネルギＥ１およびＥ２を分離するために使用することができる。」（８欄２０行乃至同欄４３行）
・甲第１５号証（特開昭６３−２７３０９９号公報）の第１図及び２頁左上欄９行乃至１８行には、概ね、シリコンなどの基板上に人工多層膜を積層しているＸ線分光素子が記載されている。
・甲第１８号証（Ｇｒａｄｅｄ−ｌａｙｅｒ−ｔｈｉｃｋｎｅｓｓ　Ｂｒａｇｇ　Ｘ−ｒａｙ　ｒｅｆｌｅｘｔｏｒｓ）
「
厚さに勾配を付けた多層構造体
不連続な厚さ勾配のあるハイブリッド多層構造体（マイカ上のＷ−Ｃ）を、２．７５＋２．５１ＡのＴｉＫα＋β蛍光放射により試験した。結果を図４に示す。いくつかの次数の多層構造体およびマイカ基板の両方からの反射が明瞭である。
多層構造体からの３次ピークの存在は、界面が比較的シャープであることを示す傾向がある。これは、クリーブドマイカの開始表面の原子レベルの平滑さのためかもしれない。マイカからの１次反射は、多層構造体の２つの低角透過中の吸収のために、３次および５次より弱い。
４．２ｄ＝５７Ａでのマイカ上のＷ−Ｃ多層構造体（「層化合成マイクロ構造」を表すＬＳＭと表記される）からのＴｉＫ放射（λ−２．５１−２．７５Ａ）の反射率を測定した。回折次数はローマ数字で示す。相対的波高の比較のために、カウントレートを提供する。
図４の結果は、多層構造体材料、層の厚さ、および層数の適切な選択によって、単一回折要素から異なる分解能および強度により、同じスペクトル線を分散できることを示す。代替的に、長い波長を表面多層構造体で、短い波長を基板で回折して、大きい角度で（すなわち適正な分散を用いて）混合スペクトルを反射することもできる。多層構造体の厚さを適切に選択することによって、スペクトルが膜に沿って相互に隣り合うように、あるいは重なるようにすることができる（波長を決定するため、または既知の波長で多層構造体の厚さを測定するため）。同一スタックにおける２つの多層構造体スペーシングを同様に使用することができる。図１に関して、結晶上の多層構造体、または多層構造体の積重ね対は、１つは多層構造体および１つは結晶、または各積み多層構造体に１つづつ、複数のＢｒａｇｇの法則の正弦波曲線によって表される。連続的な厚さ勾配のある多層構造体について、ＣｕＫα（１．５４Ａ）およびＡＩＫα（８．３４Ａ）の両波長で研究した。これらの波長による走査を図５に示す。Ｓｏｌｌｅｒコリメー夕のためにＡＩＫの走査がわずかに低い分解能であるが、これらは驚くほど類似している。この類似性は、どちらの場合もほぼ同数の二層構造体対が回折に作用していることを示す。単純吸収の点からみると、ＣｕＫ放射はより多く透過するが、ＡＩＫラインに比べてより小さい角度で回折する（同数の二層構造体の場合、直線距離がより大きくなる）。しかし、深さ透過および分解能を設定するのは、波長に依存する二層構造体の散乱効率によって決定される吸光度である。」（１１３頁３行乃至同頁末行）
３−２．　対比・判断
　本件発明と甲第１号証乃至甲第２６号証記載の発明とを比較すると、甲第１号証乃至甲第２６号証には、本件発明の構成要件である「分析元素のスペクトルに対して妨害スペクトルとなる元素の回折Ｘ線がＸ線検出器に入射しないように、上記回折Ｘ線を反射させる結晶の格子面を上記基板の表面に対して傾斜させる」構成が存在しない。
　すなわち、甲第８号証には、−ｉ−層対の格子面を−ｊ−層対の格子面に対して傾斜させ、同じ方向から入射したＥ１、Ｅ２のスペクトルの出射角を分離し、該分離したスペクトルを個別の検出器によって記録する構成が記載されている。
　しかしながら、甲第８号証のものは多層膜同士を互いに傾斜させる構成であるから、本件発明の、「結晶質からなる基板の格子面を基板の表面及び多層膜格子面に対して傾斜させる」構成とは明らかに相違している。
　また、甲第１８号証には、「基板上に人工の多層構造を配置した装置において、多層構造と基板との双方でＸ線が反射される。」という知見が示されているが、本件発明の技術的課題は「妨害スペクトルを排除する。」ことであり、上記各号証に該技術的課題が存在してない以上、上記甲第８号証及び甲第１８号証記載の技術内容から当業者といえども、本件発明の「結晶質からなる基板の格子面を基板の表面及び多層膜格子面に対して傾斜させる」構成を導き出すことはできない。
４．［理由２］について
４−１．証拠の記載事項
　異議申立人が申し立ての根拠として特に挙げている甲第３５号証のＮｉｃｋ　Ｇｒｕｐｉｄｏからトクハラヤスコ宛のレター（１９９０年３月７日付ファックス）には、「９０年２月２８日付貴ファックスに関連して、我々はＪＥＯＬ（日本電子）に３種類の基板で試験を行うように頼みました。しかし、貴方の意図が我々からＪＥＯＬに適切に伝わっていなかったとしたら、申し訳ありません。多層がＳｉ基板のシリコン結晶の面と平行にコーティングされる限り、基板の厚さに関係なく、Ｓｉ基板からは多層構造自体と同じ回折が発生するので、なぜ軸上でカットした基板を試験する必要がある
のか、ＪＥＯＬにはその理由が分かつていません。
　つまり、Ｓｉ（１００）の場合、軸から１゜ずらしてカットしなければ、前に示した現象が必ず発生します。　ＪＥＯＬの上記意見は、Ｓｉ（１００）のＳｉ基板を使用するという理解に基づいています。１０１や１１１などの異なるユニットセルを採用する場合には、当方にお知らせください。　また、カッティングに関して我々の知識をより明確にするために、「軸上」の場合と「１゜の軸ずれ」の場合とでＳｉ基板はどのようにカットされるかを、きわめて大まかな手書きのスケッチで示してください。また、「軸上」または「１゜の軸ずれ」カッティングというのは、何に対してなのかを示してください。Ｓｉ結晶の面に対してですか、何に対してでしようか？　貴方の追加情報の要求にお応えします。ＪＥＯＬは、ＦからＣの範囲に対して印加される０Ｖ−０６０ＡでＳｉピークの問題を経験したことがあります。この範囲では、１次銅回折が全て発生しました。カワベさんが言うには、２ｄ＝２．７１４Ａであり、シリコン４００平面の回折およびＢｒａｇｇの法則にしたがって、ＡｕからＣｒＬにアルファが反射する等々ということであり、これらから貴方が
返答を構築できるかと期待します。私は、始めにＳｉ基板から多少のピークを観察した理学（大阪）に接触しました。しかし、彼らのシステムは望ましくないピークを除去する機能を備えているので、彼らは実のところＳｉ基板のユニットセルまたはカッティング方法にあまり重きをおいていません。彼らは現在の方法に満足しているだけです。貴方のご意見と略スケッチをよろしくお願いします。（我々は、軸上カッティングとは何かに対して垂直に切断するということだと理解しています。間違いありませんか？）」と記載されている。
　同じく異議申立人が申し立ての根拠として特に挙げている甲第４３号証のトクハラヤスコからのファックス（１９８６年１０月１３日付）には、「……Ｓｉウェハの方向：　ＪＥＯＬ（日本電子）ではウェハの傾斜は１゜未満と予想していますが、計算値を後程報告します。」と記載されている。
　同じく異議申立人が申し立ての根拠として特に挙げている甲第３９号証（トクハラヤスコからの１９９０年２月２２日付ファックス）には「２．Ｓｉ基板のオリエンテーション　貴社の理解が正しく、私の理解は間違っていました。本日、カワベ氏によって確認されましたので、ウェハは軸から１°ずらしてカッティングを続けてください。その後この点についてＪＥＯＬ（日本電子）はチェックしていませんが、彼らが苦情を耳にしたことはありません。」と記載されている。
　同じく異議申立人が申し立ての根拠として特に挙げている甲第３０号証（トクハラヤスコからの１９９０年２月２６日付ファックス）には「３．Ｓｉ基板のオリエンテーション：　Ｓｉ基板によるＳｉピーク干渉の問題を経験したことがあるかどうか、島津に聞きました。上田氏は、確信はないが、貴社が軸から１°ずらしたカッティングを始めた時期と一致する最初の時以来、そのような干渉に関する苦情や意見を受けたことはないということです。島津は、３´´のウェハからの基板のカッティングの方向を知りたいと願っています。大小各々のサイズの基板の図面を用いてそれを説明してくださるようお願いします。」と記載されている。
　同じく異議申立人が申し立ての根拠とし特に挙げている甲第３４号証（トクハラヤスコ宛の１９９０年３月２１日付ファックス）には「昨日のファックスが首尾よく届いているとよいのですが。私自身は送信するのを忘れていましたが、−−−が送信してくれたようです。本日は遅れを取り戻して続きを書き終えようと思います。先週は会議や電話が多かったため、この重要な返事を書き終える時間がありませんでした。
Ｓｉのオリエンテーション
　我々は、当社の欧州のマイクロプローブのＯＥＭの一社における基板の回折の問題に確証を持っています。フラットクリスタルＸＲＦの人々は皆、理学とほとんど同じ応答をしており、私は、軸ずれウェハ対軸上ウェハに関するＪＥＯＬ（日本電子）の意見に同意します。この議論を続ける前に、できる限り分かりやすく、軸ずれについて説明してみましょう。結晶Ｓｉはインゴットとして成長します。インゴットを切断し、研磨して平滑な円筒形にします。円筒形の長さに沿って「オリエンテーション」フラットをカットすべき場所を決定するために、回折パターンを取ります。フラットをカットした後、インゴットのフラットの平面に垂直にスライスすることによって、１−０−０ウェハを得ることができます。軸ずれウェハはこの平面に対して垂直にカットされず、垂直方向から斜めにカットされます。これを図に示すと、次のようになります。考え方としては、Ｓｉ基板の平面を傾斜させることによって、Ｓｉ回折ピークが検出器に入るように状態が補正されなくなるというものです。全ての干渉を解消するために１゜の軸ずれが適切かどうか確証はなく、また軸ずれ傾斜が別の問題を生じないという確信もありません。最善の方法は、これを試験して、結晶として回折しないアモルファス基板と比較することだと思います。結晶Ｓｉ基板の代わりにガラスまたは溶融シリカなどのアモルファス基板材を使用することができます。ＪＥＯＬはこの方法に興味がありますか？　我々は、ＪＥＯＬの曲率半径まで曲げることができる、かなり高品質のガラスカバースリップを入手することができます。我々は、実際に半径およそ１３０ｍｍまで曲げたことがあります。しかし、これらの部品に対する当社製品の性能については確信がありません。我々は、表面仕上げが非常に滑らかであるが、カバースリップの表面の粗さが高い、厚めのガラス基板で非常によい結果を出したことがあります（正確な数値は思い出せませんが、後でお送りします）。別の方法として、ＢＫ−７ガラスに類似した予め湾曲した光学系構成体にコーティングを施す方法があります。さらに別の方法として、異なるオリエンテーションを持つ基板を入手します。ＪＥＯＬ（日本電子）としては、Ｓｉ（１０１）またはＳｉ（１１０）の干渉線がＳｉ（１００）より少ないと思うかどうか、ＪＥＯＬに聞いてください。
　ＪＥＯＬは最終的にこの問題を解決するために一部の研究をサポートすることに興味があるでしょうか？島津Ｖ／Ｃ　改訂ＰＯに感謝します。遅くても４月６日までに発送します。カッティングに関しては、Ｖ／Ｃから２枚以上カットすることはお勧めしません。ｄスペーシングの分配は、ウェハの両方向で同じではありません。つまり、１つの方向が別の方向より均一性が高くなります。この理由から、１つのウェハにつき１枚しかカットできません。我々としては、島津にＸＲＦおよびＥＰＭＡ両方のシステムで測定を行うことを奨励しますが、島津が評価片から２枚カットすることはお勧めしません。最善の成果を確実にするために、中心部から１枚だけをカットするように要求してください。さもなければ、ピークの形状に影響が出るかもしれません（昨日のファックスで述べた理学の２１０ＡのＮｉ／Ｃの場合と同じ理由）。我々は調査機でＶ／Ｃを作成せず、数枚を同時に作ることができます。財政の問題　　この問題については遅くなってすみません。貴方の提案は興味深く、こちら側で考察する必要があります。Ｊｉｍ　Ｆｌａｓｃｋと協議したいと思います。できるだけ早くご返事します。」と記載されている。
４−２．上記記載事項から認定される事実
以上の記載事項から、概ね以下の点が推認できる。
　１）日本電子には、１９８６年１０月時点から（Ｘ線分光素子において）シリコン基板上に多層構造を配置する際に、シリコン基板のシリコン結晶面と多層構造の層とを平行にしないように、シリコン結晶面を１度傾斜させて切り出すべきことの知見があり、そのようなシリコン基板の製造をＯＳＭＩＣに指示していた点。
　２）ＯＳＭＩＣは、日本電子からの指示により、シリコン結晶面を１度傾斜させて切り出したシリコン結晶を、１９８６年１０月から１９９０年２月までの間に日本電子へ出荷していた点。
　３）島津は、１９９０年２月以前に、シリコン結晶面を１度傾斜させて切り出したシリコン結晶をＯＳＭＩＣから入手し、使用していた。
　４）島津には、遅くとも１９９０年２月２６日にＯＳＭＩＣの結晶がシリコン結晶面を１度傾斜させて切り出されていることの知見があった。
４−３．当審の判断
　上記事実によれば、以下のことがいえる。
ａ）上記各証拠は全てファクシミリによるレターであり、送信日は各レターの上部にそれぞれ記載されているように明確なものであるが、該各レターがいつ頃公然として知られまたは知られうる状態にあったことを証明すべき証拠が示されていない。
ｂ）上記証拠により日本電子、ＯＳＭＩＣ、島津は「（Ｘ線分光素子において）シリコン基板上に多層構造を配置する際に、シリコン基板のシリコン結晶面と多層構造の層とを平行にしないように、シリコン結晶面を１度傾斜させて切り出すべきこと」を知っていたことは証明されているが、このことを知り得た上記三者が不特定人である証明がなされておらず、やはり上記事項が公然として知られまたは知られ得る状態にあったことの証明がなされていない。
　よって、上記４−２で認定した事実に対する上記ａ）〜ｂ）の判断により、本件発明は、上記各号証によって、その出願の出願前公然知られた発明であるとすることができない。
６．むすび
　したがって、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件発明に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
【異議決定日】
平成１１年９月２０日（１９９９．９．２０）