【事件の表示】
　特許第２７１２９３０号「多層ガラスセラミック基板とその製造方法」の請求項１ないし４に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結論】
　特許第２７１２９３０号の請求項１ないし４に係る特許を取り消す。
【理由】
１．手続の経緯
　本件特許第２７１２９３０号は、平成３年８月２９日に出願され、平成９年１０月３１日にその特許の設定登録がなされ、その後、特許異議の申立（３件）が、それぞれ、日本特殊陶業株式会社、勝木英雄及び株式会社住友金属エレクトロデバイスよりなされ、当審より取消理由が通知され、その通知書で指定した期間内の平成１１年６月１６日付で訂正請求がなされたが、当審より平成１１年７月７日付で訂正拒絶理由が通知されたものである。
２．訂正の適否
　上記訂正請求は、特許請求の範囲の減縮、誤記の訂正及び明りょうでない記載の釈明を目的として、願書に添付した明細書を、訂正請求書に添付した訂正明細書のとおりに訂正しようとするものである。
　これに対して、上記のとおり、当審より訂正拒絶理由が通知されたが、その通知書で指定された期間内に特許権者から何らの応答もなかった。
　そして、上記訂正拒絶理由は妥当なものと認められるから、上記訂正は認められない。
３．特許異議申立についての判断
　〔１〕本件発明
　上記のとおり、訂正請求は認められないので、本件請求項１〜４に係る発明（以下、それぞれ、「本件発明１」〜「本件発明４」という。）は、願書に添付した明細書の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜４に記載された次のとおりのものと認める。
「【請求項１】ガラスセラミック層がアルミナ、ホウケイ酸系ガラスおよびアノーサイト結晶からなる無機組成物であって、アルミナ１２〜５９．６重量％、ホウケイ酸系ガラス１８〜６９．６重量％、アノーサイト結晶１〜５０重量％の組成範囲で総量１００％になるように構成され、複数の導体層を前記ガラスセラミック層を介して積層したことを特徴とする多層ガラスセラミック基板。
　【請求項２】請求項１に記載の多層ガラスセラミック基板の製造方法であって、アルミナ粉末３０〜６０重量％およびホウケイ酸カルシウム系ガラス粉末４０〜７０重量％で総量１００％になるように混合した原料粉末を用いることを特徴とする多層ガラスセラミック基板の製造方法。
　【請求項３】ホウケイ酸カルシウム系ガラス粉末中に含まれるカルシウム組成は、酸化物換算表記に従ったとき、ガラス組成に対して酸化カルシウムが５重量％以上である請求項２記載の多層ガラスセラミック基板の製造方法。
　【請求項４】請求項１に記載の多層ガラスセラミック基板の製造方法であって、原料粉末としてアルミナ粉末、ホウケイ酸系ガラス粉末およびアノーサイト粉末を用い、それぞれの平均粒径がアルミナ粉末０．５〜３μｍ，ホウケイ酸系ガラス粉末１〜５μｍ，アノーサイト粉末１〜１０μｍの範囲にある粉末を混合する工程と、該混合粉末をスラリー状態にした後、グリーンシート化する工程と、グリーンシートにバイアホールを形成し、該グリーンシートに導体を印刷および穴埋めする工程と、印刷されたシートを積層・熱圧着し１０００℃以下の温度で焼成する工程とを含むことを特徴とする多層ガラスセラミック基板の製造方法。」
　〔２〕取消理由の概要
　取消理由Ｉ（特許法第２９条第１項第３号違反）：
　本件発明１〜３は、ＡＤＶＡＮＣＥＳ　ＩＮ　ＣＥＲＡＭＩＣＳ・ＶＯＬＵＭＥ　２６　ＣＥＲＡＭＩＣ　ＳＵＢＳＴＲＡＴＥＳ　ＡＮＤ　ＰＡＣＫＡＧＥＳ　ＦＯＲ　ＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣ　ＡＰＰＬＩＣＡＴＩＯＮＳ，ｐ．１９９〜２１５，１９８９（以下、「引用例１」という。）に記載された発明と同一であるから、本件発明１〜３に係る特許は、特許法第２９条第１項の規定に違反してなされたものである。
　取消理由ＩＩ（特許法第２９条第２項違反）：
　本件発明４は、前記引用例１及び特開平２−１４１４５８号公報（以下、（引用例番号を先の取消理由での表記と一致させて）「引用例３」という。）に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件発明４に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである。
　取消理由ＩＩＩ（特許法第３６条第４項違反）：
　本件明細書には、データの内容に矛盾がある等の記載不備があるので、本件特許は特許法第３６条第４項に規定する要件を満たさない出願に対してなされたものである。
　〔３〕引用例に記載された事項
　引用例１には、純Ａｇ導体が多層形成され、同時焼成可能な低温焼成セラミックス基板（ＬＦＣ基板）に関し、次のイ、ロの記載がある。
　イ．６０重量％のガラス（ＣａＯ−Ａｌ２Ｏ３−ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３）と４０重量％のアルミナから８８０℃−２０分の焼成で製造され、該焼成により、ガラス、アルミナ及び新たに結晶化したアノーサイト（ＣａＯ−Ａｌ２Ｏ３−２ＳｉＯ２）の３相を生じること。（１９９頁（下から）２行〜２００頁３行，２０１頁（下から）３行〜２０２頁（下から）４行）
　ロ．ＬＦＣ基板及びその原料成分の特性
　（２０２頁Ｔａｂｌｅ１，２０４頁Ｆｉｇ．５）
　引用例３には、低温焼成セラミック多層基板及びその製造方法に関し、（通し記号を先の取消理由での表記と一致させて示せば）次のへ〜チの記載がある。
　へ．「酸化物換算表記で
　　　　ＳｉＯ２　　５０〜７０ｗｔ％
　　　　Ａｌ２Ｏ３　　５〜２０ｗｔ％
　　　　ＣａＯ　　　　５〜２０ｗｔ％
　　　　ＭｇＯ　　　　０〜　５ｗｔ％
　　　　Ｂ２Ｏ３　　　８〜１３ｗｔ％
の組成範囲で、総量が９５ｗｔ％以上となるガラス組成物粉末４０〜６０ｗｔ％と、アルミナ、…（中略）…、アノーサイト、…（中略）…から選ばれる少なくとも１種の無機フィラー粉末６０〜４０ｗｔ％との原料混合物の焼成体から成るセラミック層状体の積層体を構成し、該セラミック層状体間および／またはセラミック積層体表層上に導体回路を配設したことを特徴とする低温焼成セラミック多層基板。」
　（特許請求の範囲１）
　ト．セラミック原料の無機フィラーとして、アルミナとアノーサイトを併用する場合もあること。
　（第１表実施例１３，１４，２８）
　チ．平均粒子径２．０μｍのガラス組成物粉末を使用して得たスラリーからグリーンシートを形成し、その所定位置にスルーホールを設け、導体回路を印刷形成し、重ね合わせて熱圧着シート積層法で５層に積層化し、焼結させて多層セラミック基板を製造したこと。（６頁左上欄１行〜右上欄１１行）
　〔４〕取消の是非
　以下、上記取消理由の順に、本件特許の取消の是非を検討する。
　取消理由Ｉ（特許法第２９条第１項第３号違反）について：
　本件発明１と引用例１に記載のものを対比すると、上記ロに摘示した比重及び熱膨張率の数値からみて、引用例１に記載のＬＦＣ基板の組成が、ガラス約３２．７重量％、アルミナ約２４．７重量％、及びアノーサイト結晶約４２．７重量％であると算出されること（特許異議申立人勝木英雄が提出した特許異議申立書５〜６頁参照）を考慮すると、結局、両者は、ガラスセラミック層の組成を含め、その構成を同じくし、同一の発明であると認められる。
　また、本件発明２は、多層ガラスセラミック基板の原料組成を限定したものであるが、引用例１に記載のものの原料組成が上記イにみるとおりであることからみて、本件発明２も引用例１に記載のものと同一の発明であると認められる。
　また、本件発明３は、ホウケイ酸カルシウムガラス粉末のカルシウム組成を限定したものであるが、ホウケイ酸ガラスは一般にＣａＯを５〜８％程度含むものである（「化学大辞典８」共立出版（昭和３７−２−２８）ｐ．５９６参照）から、本件発明３も引用例１に記載のものと同一の発明であると認められる。
　したがって、本件発明１〜３は、特許法第２９条第１項第３号に掲げる発明に該当するから、本件発明１〜３に係る特許は、特許法第２９条第１項第３号の規定に違反してなされたものである。
　取消理由ＩＩ（特許法第２９条第２項違反）について：
　本件発明４と引用例１に記載のものを対比すると、両者は、
　ｉ）ガラスセラミックの原料成分として、本件発明４では、アルミナ及びホウケイ酸系ガラスの各粉末のほかにアノーサイト粉末も用いられるのに対し、引用例１に記載のものでは、原料としてアノーサイト粉末は用いられず、焼成によりアノーサイト結晶を生じさせている点、
　ｉｉ）ガラスセラミックの各原料成分の平均粒径につき、本件発明４では、
　　　　アルミナ粉末　　　　　　０．５〜３μｍ
　　　　ホウケイ酸系ガラス粉末　１〜５μｍ
　　　　アノーサイト粉末　　　　１〜１０μｍ
と規定されるのに対し、引用例１には、かかる点について記載がない点、
　ｉｉｉ）多層ガラスセラミック基板の製造方法につき、本件発明４では、原料粉末混合→スラリー作成→グリーンシート作成→バイアホール形成→導体回路印刷→積層・熱圧着→１０００℃以下で焼成、の各工程を含むのに対し、引用例１には、かかる工程について記載がない点、
で相違し、その他の点では一致する。
　そこで、これらの相違点について検討してみると、上記へ〜チにみるように、引用例３に、ガラスセラミック基板を製造するものにつき、アノーサイト粉末を原料成分として用いることや、原料粉末混合から焼成に至るまでの各製造工程が記載されている。更に、同引用例には、原料粉末の平均粒径についても、原料粉末の一たるガラス粉末につき、２．０μｍという、本件発明４の要件を満たす値が具体的に示されており、このことは又、均一な原料混合等への配慮を通じて、自ずと、他の原料粉末の平均粒径の範囲にも示唆を与えるものである。しかも、本件発明４における平均粒径の範囲限定により、焼結性の悪化回避という、セラミック基板製造上、原料粒径に当然に配慮される程度の効果以外に格別顕著な効果が奏されるとも認められない。これらのことと、引用例３の技術も引用例１に記載のものと同様に低温焼成可能なガラスセラミック基板の製造技術であるという共通性に着目すれば、引用例１に記載のものに引用例３に記載の技術を取り入れつつ、本件発明４の如き構成の発明を構築することに格別の困難性は認められない。
　よって、本件発明４に係る発明は、引用例１及び３に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件発明４に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである。
　取消理由ＩＩＩ（特許法第３６条第４項違反）について：
　本件明細書の【００１４】【表２】には、本件発明の実施例１で実際に生成されたアノーサイト結晶の量として、下記の表の▲４▼欄に示す数値が記載されているが、それらの数値は、以下に詳述するように、（試料番号１３の数値を除いて）いずれも理論的に可能な最大値を超えており、この点で矛盾している。
　すなわち、ａ）本件明細書【００１１】７〜９行には、実施例１に関して、「ここで用いるホウケイ酸カルシウム系ガラス粉末は、酸化物換算表記で酸化カルシウムが５重量％含まれている。」と記載されており、また、ｂ）【００１３】【表１】に、原料番号１〜１５におけるホウケイ酸カルシウム系ガラスの原料比（重量％）として、上記表の▲１▼欄に示す値が記載されているので、実施例１における原料中の酸化カルシウム量（換算）は、各原料番号につき、上の表の▲２▼欄の値になる。
　従って、各試料番号（注．各原料番号と同一の番号で表示された、各原料番号に対応する生成物（試料）の番号）の試料にっき、生成されるアノーサイト結晶の量の理論最大値は、ｃ）アノーサイトの化学式内での重量比が
　ＣａＯ・Ａｌ２Ｏ３・２ＳｉＯ２＝２０．２：３６．６：４３．２
であることと、ｄ）実施例１の原料構成からみて、ホウケイ酸カルシウム系ガラス以外には見るべき酸化カルシウム源が存しないこととから、
　〔▲２▼欄の値〕×１００／２０．２
の計算式により、上の表の▲３▼欄に示すとおりのものになる。
　しかるに、本件明細書の【００１４】【表２】中に、実際に生成されたアノーサイト結晶の量として記載された上記▲４▼欄の数値は、（僅かに、試料番号１３の場合を除いて）いずれも上記▲３▼欄の理論最大値を超えるもので、技術的に不可解な記載というほかない。
　よって、本件明細書の記載は、技術的に矛盾する内容を含むものであって、当業者が容易に実施し得るように発明の構成が記載されているとはいえないから、本件特許は、特許法第３６条第４項に規定する要件を満たさない出願に対してなされたものと認められる。
４．むすび
　以上のとおりであるから、本件発明１〜４に対する先の取消理由は妥当なものと認められるので、本件発明１〜４に係る特許は当該取消理由によって取消すべきものである。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１１年１２月９日（１９９９．１２．９）