【事件の表示】
　特許第２７８１０５３号「セラミック配線基板」の特許について、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第２７８１０５３号の特許請求の範囲第１項、第２項に記載された発明についての特許を維持する。
【理　由】
［１］手続きの経緯
　本件特許第２７８１０５３号（平成２年４月１０日出願、平成１０年５月１５日設定登録）は、その特許について、異議申立人京セラ株式会社より特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１１年１０月２２日に訂正請求がなされたものである。
　
［２］訂正の適否
（１）訂正の内容
１）特許明細書の特許請求の範囲を以下のとおり訂正する。
　「１）集積回路素子を搭載するための窪みを形成したセラミック製の基台と、前記窪みを除く前記基台の主表面に被着されたガラス層と、該ガラス層に基部が固定された複数本の外部リードとを備え、後工程で前記外部リードを折り曲げた後に再加熱を必要とするセラミック配線基板において、前記外部リードの基部に接する前記ガラス層は結晶化ガラスおよび非晶質ガラスで構成され、前記結晶化ガラスは、少なくとも前記基部の前記ガラス層への接触面のうち、外側部以外の位置に配され、前記非晶質ガラスが占める部分を前記結晶化ガラスが占める部分より多くしたことを特徴とするセラミック配線基板。
２）集積回路素子を搭載するための窪みを形成したセラミック製の基台と、前記窪みを除く前記基台の主表面に被着されたガラス層と、該ガラス層に基部が固定された複数本の外部リードとを備え、後工程で前記外部リードを折り曲げた後に４２０℃〜５００℃にて再加熱をし、さらに前記窪み内に集積回路素子を搭載した後、非晶質ガラスを印刷、焼成された蓋とともに４２０℃〜４５０℃に加熱して封着されるセラミック配線基板において、前記外部リードの基部に接する前記ガラス層は結晶化ガラスおよび非晶質ガラスで構成され、前記結晶化ガラスは少なくとも前記基部の前記ガラス層への接触面のうち、外側部以外の位置に配されていることを特徴とするセラミック配線基板。」
２）特許明細書の第２頁第３〜１１行目の「（１）セラミック配線基板は〜多くした。」を、
　「（１）セラミック配線基板は、集積回路素子を搭載するための窪みを形成したセラミック製の基台と、前記窪みを除く前記基台の主表面に被着されたガラス層と、該ガラス層に基部が固定された複数本の外部リードとを備え、後工程で前記外部リードを折り曲げた後に再加熱を必要とするセラミック配線基板において、前記外部リードの基部に接する前記ガラス層は結晶化ガラスおよび非晶質ガラスで構成され、前記結晶化ガラスは、少なくとも前記基部の前記ガラス層への接触面のうち、外側部以外の位置に配され、前記非晶質ガラスが占める部分を前記結晶化ガラスが占める部分より多くした。
（２）また、セラミック配線基板は、集積回路素子を搭載するための窪みを形成したセラミック製の基台と、前記窪みを除く前記基台の主表面に被着されたガラス層と、該ガラス層に基部が固定された複数本の外部リードとを備え、後工程で前記外部リードを折り曲げた後に４２０℃〜５００℃にて再加熱をし、さらに前記窪み内に集積回路素子を搭載した後、非晶質ガラスを印刷、焼成された蓋とともに４２０℃〜４５０℃に加熱して封着されるセラミック配線基板において、前記外部リードの基部に接する前記ガラス層は結晶化ガラスおよび非晶質ガラスで構成され、前記結晶化ガラスは少なくとも前記基部の前記ガラス層への接触面のうち、外側部以外の位置に配されている。」
と訂正する。
３）特許明細書の第３頁第４〜７行目の「〔請求項２について〕〜有利である。」を、
　「さらに、非晶質ガラスが占める部分を、結晶化ガラスが占める部分より多くしたので、誘電率が下がる。これにより、外部リードどうしの静電容量の低下が量れ、搭載した集積回路素子の高速作動に有利である。
〔請求項２について〕外部リードの再加熱する温度、さらに集積回路素子を搭載した後、非晶質ガラスを印刷、焼成した蓋を所定温度で加熱して封着することから、安定した品質のセラミック配線基板を容易に製作することができる。」
と訂正する。
（２）訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
１）上記（１）１）の請求項１については、特許明細書の引用形式の請求項２を訂正明細書の独立形式の請求項１とするとともに、「再加熱」の前に「前記外部リードを折り曲げた後に」を追加したものであり、再加熱の構成をさらに限定したものであるから、特許請求の範囲の減縮に該当する。
　また、上記（１）１）の請求項２については、特許明細書の請求項１を訂正明細書の請求項２とするとともに、「再加熱」の前に「前記外部リードを折り曲げた後に４２０℃〜５００℃にて」を追加し、かつ、「さらに、前記窪み内に集積回路素子を搭載した後に、非晶質ガラスを印刷、焼成された蓋とともに４２０℃〜４５０℃に加熱して封着される」を追加したものであり、再加熱の構成と蓋を封着する構成をさらに限定したものであるから、特許請求の範囲の減縮に該当する。
２）上記（１）２）及び（１）３）は、それぞれ特許請求の範囲の訂正にともない、特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載との整合を図ったものであり、明りょうでない記載の釈明に該当する。
　そして、上記（１）１）〜（１）３）は、いずれも願書に添付した明細書及び図面に記載した事項の範囲内であって、さらに実質上特許請求の範囲を拡張し、変更するものではない。
（３）独立特許要件
１）本件発明
　訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１，２に記載の発明（以下、「本件発明１，２」という。）は、その特許請求の範囲の請求項１，２に記載された次のとおりものである。
　「１）集積回路素子を搭載するための窪みを形成したセラミック製の基台と、前記窪みを除く前記基台の主表面に被着されたガラス層と、該ガラス層に基部が固定された複数本の外部リードとを備え、後工程で前記外部リードを折り曲げた後に再加熱を必要とするセラミック配線基板において、前記外部リードの基部に接する前記ガラス層は結晶化ガラスおよび非晶質ガラスで構成され、前記結晶化ガラスは、少なくとも前記基部の前記ガラス層への接触面のうち、外側部以外の位置に配され、前記非晶質ガラスが占める部分を前記結晶化ガラスが占める部分より多くしたことを特徴とするセラミック配線基板。
２）集積回路素子を搭載するための窪みを形成したセラミック製の基台と、前記窪みを除く前記基台の主表面に被着されたガラス層と、該ガラス層に基部が固定された複数本の外部リードとを備え、後工程で前記外部リードを折り曲げた後に４２０℃〜５００℃にて再加熱をし、さらに前記窪み内に集積回路素子を搭載した後、非晶質ガラスを印刷、焼成された蓋とともに４２０℃〜４５０℃に加熱して封着されるセラミック配線基板において、前記外部リードの基部に接する前記ガラス層は結晶化ガラスおよび非晶質ガラスで構成され、前記結晶化ガラスは少なくとも前記基部の前記ガラス層への接触面のうち、外側部以外の位置に配されていることを特徴とするセラミック配線基板。」
２）取消理由の概要
　訂正前の本件請求項１，２（本件発明２，１に対応する。）に係る発明は、平成１１年８月６日付けで当審が通知した取消理由で引用した刊行物（実公昭６２−２８７８１号公報）に記載の発明であるから、同請求項１，２に係る発明の特許は、特許法第２９条第１項第３号の規定に違反してなされたものであり、また、訂正前の本件請求項１に係る発明（本件発明２に対応する。）は、同じく引用した実願昭６３−１５１６５０号（実開平２−７２５５２号）のマイクロフィルム（以下、「先願明細書」という。）に記載の考案と同一であるから、同請求項１に係る発明の特許は、同法第２９条の２第１項の規定に違反してなされたものである。
３）引用例
（ａ）刊行物
　上記刊行物（異議申立人が提出した甲第１号証）には、自動ボンデイング用リードフレームを固着してなるガラス封止型ケースに関する発明が、第１〜４図とともに開示され、さらに、
　「インナーリード先端部と、該インナーリード先端近傍にて囲まれる打抜き小片とを、打抜き前の状態に戻し組み合わせたリードフレームを固着してなるガラス封止型ケースにおいて、該リードフレームのインナーリード先端部のみが結晶質ガラスにて固着され、他の部分は非結晶質ガラスにて固着されていることを特徴とするガラス封止型ケース。」（実用新案登録請求の範囲）、
　「ブッシュバック式リードフレームを用いた従来構造のガラス封止型ケ−スを第２図に示す。従来構造は、セラミック基体８にあらかじめ低融点ガラス６を塗布しておき、一定の温度に上げることにより、低融点ガラス６を介してリ−ドフレーム１を溶着する。従来、低融点ガラス６には、最終のキャップシール時の温度をできるだけ低くする為、非晶質ガラスが多く用いられている。リードフレーム固着後、小片４は小穴５を利用して引張れば取り除く事ができる。この後、アイランド部７にペレットをマウントするのであるが、通常Ａｕ−Ｓｉ系ロウ材を用いる場合、ケースを４３０〜４５０℃程度に加熱する必要がある。」（第２欄第１〜１３行）、
　「本考案に基づく一実施例を第４図ａ、ｂに従って説明する。ブッシュバック式リードフレーム１をセラミック基体８に固着するにあたり、インナーリード先端部３のみ結晶質低融点ガラス９を用い、他のリード部分は非晶質低融点ガラス６を用いる。これは、あらかじめセラミック基体８にガラスを塗布する際、インナーリード、先端部分に相当する部分のみに結晶質低融点ガラスを塗布し、残りの部分には非晶質低融点ガラスを塗布しておけばよい。一実際例としては、９の部分に結晶質ガラスのコ−ニング７５８３・・・を塗布し、６の部分に非晶質ガラスのＬＳ−１１３ガラス・・・を塗布した場合、プッシュバック式リードフレーム１を所定位置にセットし、４８０〜５００℃５分程度の熱処理を行えばよい。その結果、７５８３ガラス部はガラスが結晶化する。よって、ペレットマウント時の熱処理によって、結晶化ガラス９が軟化することがなく、インナーリード先端部３が位置ずれを起こすことがないという利点を有する。」（第２欄末行〜第３欄第１９行）、
が、それぞれ記載されている。
（ｂ）先願明細書
　上記先願明細書（異議申立人が提出した甲第２号証）には、リード端子のガラス封止に好適な、半導体素子を搭載するガラス封止型の半導体パッケージに関する考案が、第１〜３図とともに開示され、さらに、
　「セラミック基板の中央部に半導体素子搭載部を設け、該半導体素子搭載部を除く面上に封着用のガラス層を備え、該ガラス層にリード端子が固着されてなる半導体パッケージにおいて、前記ガラス層の一部を上下二層構造とし、該下層部に前記セラミック基板の外周縁部を除いて結晶質ガラス層を配設し、前記外周部および前記下層部上に非晶質ガラス層を配設したことを特徴とする半導体パッケージ。」（実用新案登録請求の範囲）、
　「第１図は本案半導体パッケージの側断面図、第２図はその平面図、第３図は封着用ガラス層の構造を示した断面図である。図において１はアルミナなどの材質からなるセラミック基板、２はそのセラミック基板１の中央凹部に設けられた半導体集積回路などの半導体素子（図示せず）を搭載する半導体素子搭載部である。３はセラミック基板１の外周縁部である。４は結晶質ガラス層で半導体素子搭載部２および外周縁部３を除いたセラミック基板１の面上にスクリーン印刷などの手法で形成される。５は非晶質ガラス層で外周縁部３および結晶質ガラス層４の上面に同じくスクリーン印刷などの手法で形成される。６は４２合金などの材質からなるリード端子である。」（第４頁第１〜１６行）、
　「次いでリード端子６をこの焼付した非晶質ガラス層５の所定位置に載置した後、約５１０℃の温度で加熱溶融させると、第１図に示すようにリード端子６は非晶質ガラス層５の中に沈み込み、さらに該端子６の大部分が結晶質ガラス層４中に埋め込まれて固着される。その時結晶質ガラス層４はガラスが結晶化状態となり、また両者のガラス層は相互になじむ性質があるので一体化される。次いで、この封着されたリード端子６を機械的にＪ字形に折り曲げる。その場合折り曲げ圧によりセラミック基板１の外周縁部３付近の非晶質ガラス層に微小クラックがしばしば発生する。したがって次にこのクラックを修復するため、全体を約４８０℃の温度で再加熱を行うとクラック発生部分の非晶質ガラス層が溶融するためクラックは元通りに修復される。この時リード端子６の大部分を固着した結晶質ガラス層４はすでに結晶化していて、容易に軟化、溶融しないためリード端子６の所定位置を変動しない。」（第５頁第６行〜第６頁第４行）、
が、それぞれ記載されている。
４）対比・判断
（ａ）刊行物
　本件発明１と刊行物に記載の発明とを対比すると、刊行物には、本件発明１の構成である、「後工程で外部リードを折り曲げた後に再加熱を必要とするセラミック配線基板」については、何らの記載もなく示唆もされていない。
　また、本件発明２と刊行物に記載の発明とを対比すると、刊行物には、本件発明２の構成である、「後工程で外部リードを折り曲げた後に４２０℃〜５００℃にて再加熱をし、さらに窪み内に集積回路素子を搭載した後、非晶質ガラスを印刷、焼成された蓋とともに４２０℃〜４５０℃に加熱して封着されるセラミック配線基板」については、何らの記載もなく示唆もされていない。
　したがって、本件発明１，２は、いずれも刊行物に記載の発明であるとすることはできない。
（ｂ）先願明細書
　本件発明２と先願明細書に記載の考案とを対比すると、先願明細書には、本件発明２の構成である、「後工程で外部リードを折り曲げた後に４２０℃〜５００℃にて再加熱をし、さらに窪み内に集積回路素子を搭載した後、非晶質ガラスを印刷、焼成された蓋とともに４２０℃〜４５０℃に加熱して封着されるセラミック配線基板」については、何らの記載もなく示唆もされていない。
　したがって、本件発明２は、先願明細書に記載の考案と同一であるとすることはできない。
５）むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正請求は、特許法第１２０条の４第２項、及び同条第３項で準用する同法第１２６条第２〜４項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
［３］特許異議の申立て
（１）申立ての理由の概要
　異議申立人京セラ株式会社は、訂正前の本件請求項１，２に係る発明は、甲第１号証に記載の発明であるから、特許法第２９条第１項第３号の規定に該当するものであり、また、同請求項１，２に係る発明は、甲第１号証に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、同法第２９条第２項の規定に該当するものであり、さらに、同請求項１に係る発明は、甲第２号証に記載の考案と同一であるから、同法第２９条の２の規定に該当するものであり、本件請求項１，２に係る発明の特許は、いずれも同法第１１３条第１項第２号の規定により取り消されるべき旨主張している。
（２）甲第１，２号証
　甲第１，２号証には、上記［２］（３）３）において指摘したように、取消理由通知で示した刊行物及び先願明細書（甲第１号証は刊行物に対応し、甲第２号証は先願明細書に対応する。）に記載の発明及び考案が記載されている。
（３）判断
　上記［２］（３）４）において指摘したように、本件発明１，２（訂正前の本件請求項２，１に係る発明に対応する。）は、刊行物に記載の発明であるとすることはできないし、また、本件発明２は、先願明細書に記載の考案と同一であるとすることもできない。
　また、異議申立人が主張するように、刊行物に記載のガラス封止型ケースは、本件発明１と同様に、非結晶質ガラスが占める部分を結晶化ガラスが占める部分より多くしているものの、本件発明１は、「後工程で外部リードを折り曲げた後に再加熱を必要とするセラミック配線基板」の点を新たな構成としており、この点は刊行物に何らの記載もないし示唆もされていないから、刊行物に記載の発明から容易に想到し得るものではない。
　さらに、異議申立人が主張するように、刊行物に記載のガラス封止型ケースが、本件発明１と同様にペレットマウント時の熱処理によって結晶化ガラスが軟化することがなく、インナーリード先端部が位置ずれを起こすことがないという利点を有するとしても、「後工程で外部リードを折り曲げた後に４２０℃〜５００℃にて再加熱をし、さらに窪み内に集積回路素子を搭載した後、非晶質ガラスを印刷、焼成された蓋とともに４２０℃〜４５０℃にて再加熱して封着されるセラミック基板」の点を新たな構成としており、この点は刊行物に何らの記載もないし示唆もされていないから、刊行物に記載の発明から容易に想到し得るものではない。
（４）むすび
　以上のとおりであるから、特許異議の申立ての理由及び証拠によっては本件発明１，２の特許を取り消すことができない。
　また、他に本件発明１，２の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年３月３０日（２０００．３．３０）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
（１）特許請求の範囲の減縮を目的として、特許請求の範囲を以下のとおり訂正する。
　「１）集積回路素子を搭載するための窪みを形成したセラミック製の基台と、前記窪みを除く前記基台の主表面に被着されたガラス層と、該ガラス層に基部が固定された複数本の外部リードとを備え、後工程で前記外部リードを折り曲げた後に再加熱を必要とするセラミック配線基板において、前記外部リードの基部に接する前記ガラス層は結晶化ガラスおよび非晶質ガラスで構成され、前記結晶化ガラスは、少なくとも前記基部の前記ガラス層への接触面のうち、外側部以外の位置に配され、前記非晶質ガラスが占める部分を前記結晶化ガラスが占める部分より多くしたことを特徴とするセラミック配線基板。
２）集積回路素子を搭載するための窪みを形成したセラミック製の基台と、前記窪みを除く前記基台の主表面に被着されたガラス層と、該ガラス層に基部が固定された複数本の外部リードとを備え、後工程で前記外部リードを折り曲げた後に４２０℃〜５００℃にて再加熱をし、さらに前記窪み内に集積回路素子を搭載した後、非晶質ガラスを印刷、焼成された蓋とともに４２０℃〜４５０℃に加熱して封着されるセラミック配線基板において、前記外部リードの基部に接する前記ガラス層は結晶化ガラスおよび非晶質ガラスで構成され、前記結晶化ガラスは少なくとも前記基部の前記ガラス層への接触面のうち、外側部以外の位置に配されていることを特徴とするセラミック配線基板。」
（２）明りょうでない記載の釈明を目的として、明細書の第２頁第３〜１１行目の「（１）セラミック配線基板は〜多くした。」を以下のとおり訂正する。
　「（１）セラミック配線基板は、集積回路素子を搭載するための窪みを形成したセラミック製の基台と、前記窪みを除く前記基台の主表面に被着されたガラス層と、該ガラス層に基部が固定された複数本の外部リードとを備え、後工程で前記外部リードを折り曲げた後に再加熱を必要とするセラミック配線基板において、前記外部リードの基部に接する前記ガラス層は結晶化ガラスおよび非晶質ガラスで構成され、前記結晶化ガラスは、少なくとも前記基部の前記ガラス層への接触面のうち、外側部以外の位置に配され、前記非晶質ガラスが占める部分を前記結晶化ガラスが占める部分より多くした。
（２）また、セラミック配線基板は、集積回路素子を搭載するための窪みを形成したセラミック製の基台と、前記窪みを除く前記基台の主表面に被着されたガラス層と、該ガラス層に基部が固定された複数本の外部リードとを備え、後工程で前記外部リードを折り曲げた後に４２０℃〜５００℃にて再加熱をし、さらに前記窪み内に集積回路素子を搭載した後、非晶質ガラスを印刷、焼成された蓋とともに４２０℃〜４５０℃に加熱して封着されるセラミック配線基板において、前記外部リードの基部に接する前記ガラス層は結晶化ガラスおよび非晶質ガラスで構成され、前記結晶化ガラスは少なくとも前記基部の前記ガラス層への接触面のうち、外側部以外の位置に配されている。」
（３）明りょうでない記載の釈明を目的として、明細書の第３頁第４〜７行目の「〔請求項２について〕〜有利である。」を以下のとおり訂正する。
　「さらに、非晶質ガラスが占める部分を、結晶化ガラスが占める部分より多くしたので、誘電率が下がる。これにより、外部リードどうしの静電容量の低下が量れ、搭載した集積回路素子の高速作動に有利である。
〔請求項２について〕外部リードの再加熱する温度、さらに集積回路素子を搭載した後、非晶質ガラスを印刷、焼成した蓋を所定温度で加熱して封着することから、安定した品質のセラミック配線基板を容易に製作することができる。」
（５４）【発明の名称】
セラミック配線基板
（５７）【特許請求の範囲】
　１）集積回路素子を搭載するための窪みを形成したセラミック製の基台と、
　前記窪みを除く前記基台の主表面に被着されたガラス層と、
　該ガラス層に基部が固定された複数本の外部リードとを備え、後工程で
前記外部リードを折り曲げた後に
　前記外部リードの基部に接する前記ガラス層は結晶化ガラスおよび非晶質ガラスで構成され、
　前記結晶化ガラスは、少なくとも前記基部の前記ガラス層への接触面のうち、外側部以外の位置に配され
、前記非晶質ガラスが占める部分を前記結晶化ガラスが占める部分より多くした
　２）
集積回路素子を搭載するための窪みを形成したセラミック製の基台と、
　
前記窪みを除く前記基台の主表面に被着されたガラス層と、
　
該ガラス層に基部が固定された複数本の外部リードとを備え、後工程で前記外部リードを折り曲げた後に４２０℃〜５００℃にて再加熱をし、さらに前記窪み内に集積回路素子を搭載した後、非晶質ガラスを印刷、焼成された蓋とともに４２０℃〜４５０℃に加熱して封着されるセラミック配線基板において、
　
前記外部リードの基部に接する前記ガラス層は結晶化ガラスおよび非晶質ガラスで構成され、
　
前記結晶化ガラスは少なくとも前記基部の前記ガラス層への接触面のうち、外側部以外の位置に配されていることを特徴とするセラミック配線基板。
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
　本発明は、集積回路素子を搭載するためのセラミック配線基板に関する。
［従来の技術］
　“Ｊ”文字状に成形された外部リードをセラミック製基台にガラス層で固定し、集積回路素子の密封等で再加熱が必要なセラミック配線基板では、密封の際の熱でガラス層が溶けて外部リードがずれてしまわないようにガラス層に結晶化ガラスを採用している。
［発明が解決しようとする課題］
　しかるに、結晶化ガラスは誘電率が大きいので、従来のセラミック配線基板は電気的特性に劣るという欠点がある。
　本発明の目的は、電気的特性に優れ、かつ再加熱時の外部リードのずれが防止できるセラミック配線基板の提供にある。
［課題を解決するための手段］
　上記課題を解決するため、本発明は、下記の構成を採用した。
（１）セラミック配線基板は、集積回路素子を搭載するための窪みを形成したセラミック製の基台と、前記窪みを除く前記基台の主表面に被着されたガラス層と、該ガラス層に基部が固定された複数本の外部リードとを備え、後工程で
前記外部リードを折り曲げた後に
　前記外部リードの基部に接する前記ガラス層は結晶化ガラスおよび非晶質ガラスで構成され、前記結晶化ガラスは、少なくとも前記基部の前記ガラス層への接触面のうち、外側部以外の位置に配され
、前記非晶質ガラスが占める部分を前記結晶化ガラスが占める部分より多くした
（２）
また、セラミック配線基板は、集積回路素子を搭載するための窪みを形成したセラミック製の基台と、前記窪みを除く前記基台の主表面に被着されたガラス層と、該ガラス層に基部が固定された複数本の外部リードとを備え、後工程で前記外部リードを折り曲げた後に４２０℃〜５００℃にて再加熱をし、さらに前記窪み内に集積回路素子を搭載した後、非晶質ガラスを印刷、焼成された蓋とともに４２０℃〜４５０℃に加熱して封着されるセラミック配線基板において、
　
前記外部リードの基部に接する前記ガラス層は結晶化ガラスおよび非晶質ガラスで構成され、前記結晶化ガラスは少なくとも前記基部の前記ガラス層への接触面のうち、外側部以外の位置に配されている。
［作用および発明の効果］
〔請求項１について〕
（作用）
　溶融後に結晶化ガラスおよび非晶質ガラスとなるガラス原料を基台の主表面に配する。結晶化ガラスとなるガラス原料を、すくなくとも基部のガラス層への接触面の内、外側部以外の位置に配する。
　熱を加えて各ガラス原料を溶かし、複数本の外部リードを基台の主表面に固定する。
　固化すると物性が変化し、結晶化ガラスは軟化温度、溶融温度がガラス原料時より高くなる。
　リード曲げによるガラスクラックの補修、集積回路素子の密封、セラミックフレームの取付けなどを行うために再加熱しても結晶化ガラスは軟化したり溶融したりしない。
　なお、結晶化ガラスを基台主表面の外側部に介在させると、ガラスクラックの補修が完全には行えない。また、結晶化ガラスを外部リードに接するようにしないとずれ防止の効果がでない。
（効果）
　誘電率が高い結晶化ガラスが、誘電率が低い非晶質ガラスに一部分置き換わるので、セラミック配線基板は電気的特性が良くなる。
　結晶化ガラスは、再加熱時に、軟化したり溶融したりせず外部リードを拘持する。このため、外部リードのずれが防止できる。
　
さらに、非晶質ガラスが占める部分を、結晶化ガラスが占める部分より多くしたので、誘電率が下がる。これにより、外部リードどうしの静電容量の低下が量れ、搭載した集積回路素子の高速作動に有利である。
〔請求項２について〕
　
外部リードの再加熱する温度、さらに集積回路素子を搭載した後、非晶質ガラスを印刷、焼成した蓋を所定温度で加熱して封着することから、安定した品質のセラミック配線基板を容易に製作することができる。
［実施例］
　つぎに、本発明の第１実施例を第１図および第２図に基づき説明する。
　セラミッククワッドパッケージ（以下略してパッケージと呼ぶ）Ａは、基台１に外部リード２をガラス層３を介して固定している。
　基台１は、断面正方形の薄板状を呈し、アルミナを主体とするセラミック焼結体で形成されている。なお、上端面１１の中央部には集積回路素子を搭載するための、窪みであるキャビティ１２が形成されている。
　外部リード２（４２アロイ製）は、基部２１が前記ガラス層３に固定され、先部２２は略Ｊ字形状に内方に曲げられている。
　ガラス層３は、１ＭＨｚにおける誘電率がそれぞれ１８．９、１２．７の結晶化ガラス３１（コーニング社の＃７５８３）、および非晶質ガラス３２（岩城硝子社のＴ−１８７）で構成されている。
　本実施例では、結晶化ガラス３１をキャビティ１２側（上端面１１の約１／３を占める）に位置させ、この結晶化ガラス３１により外部リード２のずれ防止を図っている。
　つぎに、パッケージＡの製造方法を説明する。
（１）結晶化ガラス３１および非晶質ガラス３２の各ガラス原料（微粉末）に、それぞれ有機溶剤を加えてペースト状にし、各ペーストを前記セラミック製基台１のキャビティ１２側および残り部分の上端面１１に印刷、および焼成を行う。
（２）外部リード２を乗せ、４２０℃〜５００℃で各ガラス原料を溶融させる。
（３）各ガラス原料は固化後、結晶化ガラス３１および非晶質ガラス３２になる。
（４）外部リード２の先端を略Ｊ字状に内側に曲げる。この時、外側部１３に位置する非晶質ガラス３２には折曲げによるガラスクラックが発生する。
（５）ガラスクラックを補修するために、４２０℃〜５００℃にして非晶質ガラス３２のみ溶融させる。
　以下、パッケージＡに集積回路素子を密封する工程について述べる。
（６）キャビティ１２に集積回路素子を載置し、素子の足を外部リード２にボンディングする。
（７）非晶質ガラス３２と同様のペーストを印刷、焼成された蓋とともに４２０℃〜４５０℃に加熱して封着する。
　つぎにパッケージＡの効果（集積回路素子の密封後の効果も含む）を述べる。
ア．上記（５）や（７）の工程において、非晶質ガラス３２が再溶融しても結晶化ガラス３１は軟化したり溶融したりしない。このため、蓋封着後の外部リード２の段差の増加は０．０１ｍｍ以内に収まる。なお、全て非晶質ガラス３２にしたもの（比較品）は、外部リード２の段差の増加が０．１ｍｍ〜０．５ｍｍである。
イ．ガラスクラックが非晶質ガラス３２に発生しても、非晶質ガラス３２を再溶融させることにより修復することができ、気密性に優れる。
ウ．非晶質ガラス３２部分の方が多いので、誘電率が下がり、外部リード２どうしの静電容量の低減が量れ集積回路素子の高速作動に有利である。
　第３図は、本発明の第２実施例である。
　パッケージＢは、キャビティ１２側の上層部のみ結晶化ガラス３１を用いている。
　本実施例のものは、蓋封着後の外部リード２の段差の増加が０．０２ｍｍ以内となり、ややパッケージＡに比べて劣るが、上記（１）の工程が容易にできるという利点がある。
　第４図は、本発明の第３実施例である。
　パッケージＣは、上記工程（５）まで行った後、セラミックフレーム５に非晶質ガラス３２と同様のペーストを印刷、焼成して非晶質ガラス４とし、４２０℃〜４５０℃に加熱してセラミックフレーム５を取り付けている。
　本発明は、上記実施例以外につぎの実施態様を含む。
ａ．外部リード２の形状はフラットやガルウィングでも良い。
ｂ．蓋の封着は，Ａｕ−Ｓｉシール、フリットシールを問わない。
ｃ．セラミック製基台１は、上述のアルミナに限定されず、ＳｉＣ−ＢｅＯ系、ＡｌＮ系、Ａｌ２Ｏ３−ＳｉＯ２系、（ＺｒＳｎ）ＴｉＯ４系、ペロブスカイト型酸化物系などのセラミックでも良い。
【図面の簡単な説明】
　第１図および第２図は本発明の第１実施例を示す。
　第２図はパッケージの上面図、第１図はそのＤ−Ｄ線断面図である。
　第３図は本発明の第２実施例におけるパッケージの断面図である。
　第４図は本発明の第３実施例における三層構造を備えたパッケージの断面図である。
　図中　１…基台　２…外部リード　３…ガラス層　１１…上端面（主表面）　１２…キャビティ（窪み）　１３…外側部　２１…基部　３１…結晶化ガラス　３２…非晶質ガラス　Ａ、Ｂ、Ｃ…セラミッククワッドパッケージ（セラミック配線基板）