【事件の表示】
　特許第６２８８２２７号発明「フレキシブルデバイス基板形成用ポリイミド前駆体樹脂組成物及びそれを用いたフレキシブルデバイスの製造方法，フレキシブルデバイス」の特許異議申立事件について，次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第６２８８２２７号の特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり，訂正後の請求項〔１〜６〕について訂正することを認める。
　特許第６２８８２２７号の請求項１〜６に係る特許を維持する。
【理　由】
第１　手続の経緯
　特許第６２８８２２７号（請求項の数６。以下，「本件特許」という。）は，平成２１年３月２日を出願日とする特許出願（特願２００９−４７８７６号）の一部を，平成２７年５月２６日に新たな出願とした特許出願（特願２０１５−１０６３４５号）の一部を，さらに平成２８年１２月５日に新たな出願とした特許出願（特願２０１６−２３６０３４号）に係るものであって，平成３０年２月１６日に設定登録されたものである（特許掲載公報の発行日は，平成３０年３月７日である。）。
　その後，平成３０年８月３１日に，本件特許の請求項１〜６に係る特許に対して，特許異議申立人である特許業務法人朝日奈特許事務所（以下，「申立人Ａ」という。）により，特許異議の申立て（以下，「申立てＡ」という。）がされた。
　また，平成３０年９月７日に，本件特許の請求項１〜６に係る特許に対して，特許異議申立人である高橋美穂（以下，「申立人Ｂ」という。）及び野田澄子（以下，「申立人Ｃ」という。）により，それぞれ，特許異議の申立て（以下，それぞれ，「申立てＢ」，「申立てＣ」という。）がされた。
　本件特許異議の申立てにおける手続の経緯は，以下のとおりである。
　平成３０年　８月３１日　　　特許異議申立書（申立てＡ）
　　　　　　　９月　７日　　　特許異議申立書（申立てＢ）
　　　　　　　　　　　　　　　特許異議申立書（申立てＣ）
　　　　　　１１月２６日付け　取消理由通知書
　平成３１年　１月２８日　　　意見書，訂正請求書
　　　　　　　１月３０日付け　通知書（申立人Ａに対し）
　　　　　　　　　　　　　　　通知書（申立人Ｂに対し）
　　　　　　　　　　　　　　　通知書（申立人Ｃに対し）
　　　　　　　３月　１日　　　意見書（申立人Ｂ）
　　　　　　　３月　４日　　　意見書（申立人Ｃ）
　令和　１年　５月１４日付け　取消理由通知書（決定の予告）
　　　　　　　７月１２日　　　意見書，訂正請求書
　　　　　　　８月　９日付け　通知書（申立人Ａに対し）
　　　　　　　　　　　　　　　通知書（申立人Ｂに対し）
　　　　　　　　　　　　　　　通知書（申立人Ｃに対し）
　　　　　　　９月１０日　　　意見書（申立人Ａ）
　　　　　　　９月１１日　　　意見書（申立人Ｃ）
　　　　　　　９月１３日　　　意見書（申立人Ｂ）
第２　訂正の請求について
１　訂正の内容
　令和１年７月１２日付けの訂正請求書による訂正（以下，「本件訂正」という。）の請求は，本件特許の特許請求の範囲を上記訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり，訂正後の請求項１〜６について訂正することを求めるものであり，その内容は，以下のとおりである。下線は，訂正箇所を示す。
　なお，平成３１年１月２８日付けの訂正請求書による訂正の請求は，本件訂正の請求がされたことに伴い，特許法１２０条の５第７項の規定により，取り下げられたものとみなす。
（１）訂正事項１
　特許請求の範囲の請求項１に，「液状の樹脂組成物を硬質キャリア基板上に塗布成膜して」とあるのを，「液状の樹脂組成物を硬質キャリア基板上に塗布成膜し
，２００〜５００℃の加熱時間で１５分〜６時間加熱して，
（２）訂正事項２
　特許請求の範囲の請求項１に，「厚さが１〜２０μｍ」とあるのを，「厚さが
２〜１０
（３）訂正事項３
　特許請求の範囲の請求項１に「Ｒ２は
【化３】
から選択される四価の有機基であり，ｎは繰り返し数を表す正の整数である。但し，Ｒ１がｐ−フェニレンジアミンに基づく構造残基であるとき，Ｒ２はピロメリット酸無水物に基づく構造残基ではない。）」とあるのを，「Ｒ２は
【化３】
で表され，ｓ−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物に基づく構造残基である
。）
（４）訂正事項４
　特許請求の範囲の請求項１に「構造単位を有する」とあるのを，「構造単位を
全構造単位中６０％以上
（５）訂正事項５
　特許請求の範囲の請求項１に「重量平均分子量が１５，０００〜２００，０００である」とあるのを，「重量平均分子量が１５，０００〜
８０，０００
（６）訂正事項６
　特許請求の範囲の請求項１に「１，４−シクロヘキサンジアミンに基づく構造残基とｓ−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物に基づく構造残基とを有するポリイミド前駆体」とあるのを，「１，４−シクロヘキサンジアミンに基づく構造残基とｓ−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物に基づく構造残基と
のみからなる
（７）訂正事項７
　特許請求の範囲の請求項１における「有機溶媒」を，「
Ｎ−メチル−２−ピロリドン，Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド，Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド，γ−ブチロラクトン，ε−カプロラクトン，γ−カプロラクトン，γ−バレロラクトン，ジメチルスルホキシド，１，４−ジオキサン，及びシクロヘキサノンからなる群より選ばれる少なくとも１種の
（８）訂正事項８
　特許請求の範囲の請求項２に「フレキシブルデバイス基板が，液晶ディスプレイ用基板，有機ＥＬディスプレイ用基板又は電子ペーパー用基板である，請求項１に記載のフレキシブルデバイス基板形成用ポリイミド前駆体樹脂組成物。」とあるのを，「フレキシブルデバイス基板が，液晶ディスプレイ用基板，有機ＥＬディスプレイ用基板又は電子ペーパー用基板であ
り，前記ポリイミド前駆体樹脂組成物が，前記ポリイミド前駆体に対して０．１質量％以上３質量％以下のシランカップリング剤を更に含有する
（９）訂正事項９
　特許請求の範囲の請求項３に，「請求項１又は２に記載のフレキシブルデバイス基板形成用ポリイミド前駆体樹脂組成物を硬質キャリア基板上に塗布成膜して」とあるのを，「請求項１又は２に記載のフレキシブルデバイス基板形成用ポリイミド前駆体樹脂組成物を硬質キャリア基板上に塗布成膜し
，２００〜５００℃の加熱時間で１５分〜６時間加熱して，
（１０）訂正事項１０
　特許請求の範囲の請求項３に，「厚さが１〜２０μｍ」とあるのを，「厚さが
２〜１０
（１１）一群の請求項について
　訂正前の請求項１〜６について，請求項２〜６は，請求項１を直接又は間接的に引用するものであり，上記の訂正事項１によって記載が訂正される請求項１に連動して訂正されるものである。したがって，訂正前の請求項１〜６に対応する訂正後の請求項１〜６は，一群の請求項である。そして，本件訂正は，その一群の請求項ごとに請求がされたものである。
２　訂正の適否についての当審の判断
（１）訂正事項１及び９について
　訂正事項１及び９に係る訂正は，訂正前の請求項１及び３に対して，「２００〜５００℃の加熱時間で１５分〜６時間加熱して」との記載を追加するものである。
　これらの訂正は，訂正前の請求項１及び３における「ポリイミド樹脂膜を形成する」ための条件について，「２００〜５００℃の加熱時間で１５分〜６時間加熱」するものに限定するものであるから，特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。そして，本件特許の願書に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面（以下，「本件明細書等」という。）には，「塗布した本発明のポリイミド前駆体樹脂組成物は，一般に，加熱乾燥した後，脱水閉環してポリイミド樹脂膜を形成する。その加熱温度としては通常１００〜５００℃，好ましくは１５０〜４５０℃，さらに好ましくは２００〜４００℃の範囲を任意に選択することができる。また加熱時間は，通常１分〜６時間，好ましくは３分〜４時間，さらに好ましくは１５分〜２時間とされる。」（【００２１】）との記載があるから，これらの訂正は，本件明細書等に記載した事項の範囲内においてするものであり，また，実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更するものではない。
（２）訂正事項２及び１０について
　訂正事項２及び１０に係る訂正は，訂正前の請求項１及び３における「ポリイミド樹脂膜」の「厚さ」について，「１〜２０μｍ」を「２〜１０μｍ」とするものである。
　これらの訂正は，上記「厚さ」について，「１〜２０μｍ」を「２〜１０μｍ」に限定するものであるから，特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。そして，本件明細書等には，「本発明における液状ポリイミド前駆体樹脂組成物を塗布，乾燥，イミド閉環して得られるポリイミド樹脂膜の厚さは，１〜２０μｍであることが望ましい。これは，厚さが１μｍに満たない場合にポリイミドフィルムが十分な耐性を保持できず，フレキシブルデバイスとして使用したとき応力に耐え切れず破壊されるためである。また，２０μｍを超えて厚くなると，フレキシブルデバイスの薄型化が困難となってしまう。したがって，フレキシブルデバイスとして十分な耐性を保持しながらより薄膜化するには，２〜１０μｍの厚みであることが最も望ましい。」（【００２０】）との記載があるから，これらの訂正は，本件明細書等に記載した事項の範囲内においてするものであり，また，実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更するものではない。
（３）訂正事項３について
　訂正事項３に係る訂正は，訂正前の請求項１における一般式（１）における「Ｒ２」について，「【化３】
から選択される四価の有機基」を，「【化３】
で表され，ｓ−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物に基づく構造残基である四価の有機基」とし，「但し，Ｒ１がｐ−フェニレンジアミンに基づく構造残基であるとき，Ｒ２はピロメリット酸無水物に基づく構造残基ではない。」との記載を削除するものである。
　この訂正は，上記「Ｒ２」について，４つの選択肢のうち，３つの選択肢を削除して，「ｓ−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物に基づく構造残基である四価の有機基」に限定するとともに，当該限定に伴い，「Ｒ２」が「ピロメリット酸無水物に基づく構造残基」となることがなくなったため，「但し，Ｒ１がｐ−フェニレンジアミンに基づく構造残基であるとき，Ｒ２はピロメリット酸無水物に基づく構造残基ではない。」との記載を削除するものであるから，特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。そして，本件明細書等には，実施例１（【００２３】）において，「ｓ−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物」を用いて，液状ポリイミド前駆体樹脂組成物を得たことが記載されているから，この訂正は，本件明細書等に記載した事項の範囲内においてするものであり，また，実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更するものではない。
（４）訂正事項４について
　訂正事項４に係る訂正は，訂正前の請求項１に対して，「全構造単位中６０％以上」との記載を追加するものである。
　この訂正は，訂正前の請求項１における「一般式（１）・・・で表される構造単位」について，その割合を「全構造単位中６０％以上」に限定するものであるから，特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。そして，本件明細書等には，「ポリイミド前駆体は，一般に１つのテトラカルボン酸残基と１つのジアミン残基から形成される構造単位（括弧でくくられた構造単位）が繰り返し単位となって形成されるが，本発明においては一般式（１）で示される括弧でくくられた構造単位が，全構造単位中４０％以上であることが好ましく，６０％以上であることがより好ましく，８０〜１００％であることが特に好ましい。」（【００１４】）との記載があるから，この訂正は，本件明細書等に記載した事項の範囲内においてするものであり，また，実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更するものではない。
（５）訂正事項５について
　訂正事項５に係る訂正は，訂正前の請求項１における「重量平均分子量」について，「１５，０００〜２００，０００」を「１５，０００〜８０，０００」とするものである。
　この訂正は，上記「重量平均分子量」について，「１５，０００〜２００，０００」を「１５，０００〜８０，０００」に限定するものであるから，特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。そして，本件明細書等には，実施例２（【００２５】）において，ｐ−フェニレンジアミンとｓ−ビフェニルテトラカルボン酸無水物を用いて得られた液状ポリイミド前駆体樹脂組成物の重量平均分子量が「８００００」であることが記載されているから，この訂正は，本件明細書等に記載した事項の範囲内においてするものであり，また，実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更するものではない。
（６）訂正事項６について
　訂正事項６に係る訂正は，訂正前の請求項１における「ポリイミド前駆体」について，「１，４−シクロヘキサンジアミンに基づく構造残基」と「ｓ−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物に基づく構造残基」の２つの構造残基「を有する」としていたものを，これら２つの構造残基「のみからなる」とするものである。
　この訂正は，上記「ポリイミド前駆体」について，上記２つの構造残基「を有する」もの（すなわち，他の構造残基を有し得るもの）を，上記２つの構造残基「のみからなる」ものに限定するものであるから，特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。そして，本件明細書等には，実施例４（【００２７】）において，「１，４−ジアミノシクロヘキサン」と「ｓ−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物」のみを用いて，液状ポリイミド前駆体樹脂組成物を得たことが記載されているから，この訂正は，本件明細書等に記載した事項の範囲内においてするものであり，また，実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更するものではない。
（７）訂正事項７について
　訂正事項７に係る訂正は，訂正前の請求項１に対して，「Ｎ−メチル−２−ピロリドン，Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド，Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド，γ−ブチロラクトン，ε−カプロラクトン，γ−カプロラクトン，γ−バレロラクトン，ジメチルスルホキシド，１，４−ジオキサン，及びシクロヘキサノンからなる群より選ばれる少なくとも１種の」との記載を追加するものである。
　この訂正は，訂正前の請求項１における「有機溶媒」について，その種類を「Ｎ−メチル−２−ピロリドン，Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド，Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド，γ−ブチロラクトン，ε−カプロラクトン，γ−カプロラクトン，γ−バレロラクトン，ジメチルスルホキシド，１，４−ジオキサン，及びシクロヘキサノンからなる群より選ばれる少なくとも１種の」有機溶媒に限定するものであるから，特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。そして，本件明細書等には，「ポリイミド前駆体は，一般にテトラカルボン酸二無水物とジアミンとを重合することにより得られる。この重合は両者を有機溶媒中で混合することにより行うことができる。」（【００１４】），「重合に使用する有機溶媒は，例えば，Ｎ−メチル−２−ピロリドン，Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド，Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド，γ−ブチロラクトン，ε−カプロラクトン，γ−カプロラクトン，γ−バレロラクトン，ジメチルスルホキシド，１，４−ジオキサン，シクロヘキサノンなどが挙げられ，また，これらは２種以上を併用してもよい。」（【００１７】）との記載があるから，この訂正は，本件明細書等に記載した事項の範囲内においてするものであり，また，実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更するものではない。
（８）訂正事項８について
　訂正事項８に係る訂正は，訂正前の請求項２に対して，「前記ポリイミド前駆体樹脂組成物が，前記ポリイミド前駆体に対して０．１質量％以上３質量％以下のシランカップリング剤を更に含有する」との記載を追加するものである。
　この訂正は，訂正前の請求項２における「ポリイミド前駆体樹脂組成物」について，「ポリイミド前駆体に対して０．１質量％以上３質量％以下のシランカップリング剤を更に含有する」ものに限定するものであるから，特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。そして，本件明細書等には，「さらに，本発明のフレキシブルデバイス基板用ポリイミド前駆体樹脂組成物には，被塗布体との接着性向上のため，シランカップリング剤，チタンカップリング剤等のカップリング剤を添加することができる。」（【００１９】），「このときの使用量は，ポリイミド前駆体（樹脂分）に対して，０．１質量％以上，３質量％以下が好ましい。」（【００１９】）との記載があるから，この訂正は，本件明細書等に記載した事項の範囲内においてするものであり，また，実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更するものではない。
３　まとめ
　上記２のとおり，各訂正事項に係る訂正は，特許法１２０条の５第２項ただし書１号に掲げる事項を目的とするものに該当し，同条９項において準用する同法１２６条５項及び６項に適合するものであるから，結論のとおり，本件訂正を認める。
第３　本件発明
　前記第２で述べたとおり，本件訂正は認められるので，本件特許の請求項１〜６に係る発明は，本件訂正後の特許請求の範囲の請求項１〜６に記載された事項により特定される以下のとおりのものである（以下，それぞれ「本件発明１」等という。また，本件特許の願書に添付した明細書を「本件明細書」という。）。
【請求項１】
　液状の樹脂組成物を硬質キャリア基板上に塗布成膜し，２００〜５００℃の加熱時間で１５分〜６時間加熱して，厚さが２〜１０μｍのポリイミド樹脂膜を形成する工程と，前記樹脂膜上に回路を形成する工程と，前記回路が表面に形成された樹脂膜を前記キャリア基板から剥離する工程と，を含む，表示デバイスとしてのフレキシブルデバイス基板の製造法に用いられ，フレキシブルデバイス基板となる前記液状の樹脂組成物であって，一般式（１）
【化１】
（一般式（１）中，Ｒは各々独立に水素原子又は一価の有機基を示し，Ｒ１は
【化２】
から選択される２価の有機基であり（但しＲ’は各々独立にアルキル基であり，アルキル基の水素原子はハロゲン原子で置換されても良い），Ｒ２は
【化３】
で表され，ｓ−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物に基づく構造残基である四価の有機基であり，ｎは繰り返し数を表す正の整数である。）で表される構造単位を全構造単位中６０％以上有する重量平均分子量が１５，０００〜８０，０００であるポリイミド前駆体，又は，１，４−シクロヘキサンジアミンに基づく構造残基とｓ−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物に基づく構造残基とのみからなるポリイミド前駆体と，Ｎ−メチル−２−ピロリドン，Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド，Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド，γ−ブチロラクトン，ε−カプロラクトン，γ−カプロラクトン，γ−バレロラクトン，ジメチルスルホキシド，１，４−ジオキサン，及びシクロヘキサノンからなる群より選ばれる少なくとも１種の有機溶媒とを含有してなるフレキシブルデバイス基板形成用ポリイミド前駆体樹脂組成物。
【請求項２】
　フレキシブルデバイス基板が，液晶ディスプレイ用基板，有機ＥＬディスプレイ用基板又は電子ペーパー用基板であり，
　前記ポリイミド前駆体樹脂組成物が，前記ポリイミド前駆体に対して０．１質量％以上３質量％以下のシランカップリング剤を更に含有する，請求項１に記載のフレキシブルデバイス基板形成用ポリイミド前駆体樹脂組成物。
【請求項３】
　請求項１又は２に記載のフレキシブルデバイス基板形成用ポリイミド前駆体樹脂組成物を硬質キャリア基板上に塗布成膜し，２００〜５００℃の加熱時間で１５分〜６時間加熱して，厚さが２〜１０μｍのポリイミド樹脂膜を形成する工程，前記樹脂膜上に回路を形成する工程，前記回路が表面に形成された樹脂膜を前記キャリア基板から剥離する工程の各工程を含む，表示デバイスであるフレキシブルデバイスの製造方法。
【請求項４】
　ポリイミド樹脂膜のガラス転移温度が，３００℃以上である請求項３に記載のフレキシブルデバイスの製造方法。
【請求項５】
　ポリイミド樹脂膜の１００℃〜２００℃の範囲における熱膨張係数が，２０ｐｐｍ／Ｋ以下である請求項３又は４に記載のフレキシブルデバイスの製造方法。
【請求項６】
　請求項３〜５のいずれかに記載されたフレキシブルデバイスの製造方法により製造された表示デバイスであるフレキシブルデバイス。
第４　特許異議の申立ての理由及び取消理由の概要
１　特許異議申立書に記載した特許異議の申立ての理由
（１）申立てＡについて
　本件特許の請求項１〜６に係る特許は，下記ア〜ウのとおり，特許法１１３条２号に該当する。証拠方法として，下記エの甲第１号証〜甲第８号証（以下，申立ての記号を付して「甲第１号証」等を「甲１Ａ」等という。）を提出する。
　ア　申立理由１Ａ（進歩性）
　本件訂正前の請求項１〜６に係る発明は，甲１Ａに記載された発明に基いて，又は，甲１Ａに記載された発明及び甲４Ａ〜８Ａに記載された事項に基いて，当業者が容易に発明をすることができたものであり，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができないものであるから，本件特許の請求項１〜６に係る特許は，同法１１３条２号に該当する。
　イ　申立理由２Ａ（進歩性）
　本件訂正前の請求項１〜６に係る発明は，甲２Ａに記載された発明に基いて，又は，甲２Ａに記載された発明及び甲４Ａ〜８Ａに記載された事項に基いて，当業者が容易に発明をすることができたものであり，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができないものであるから，本件特許の請求項１〜６に係る特許は，同法１１３条２号に該当する。
　ウ　申立理由３Ａ（進歩性）
　本件訂正前の請求項１〜６に係る発明は，甲３Ａに記載された発明に基いて，又は，甲３Ａに記載された発明及び甲４Ａ〜８Ａに記載された事項に基いて，当業者が容易に発明をすることができたものであり，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができないものであるから，本件特許の請求項１〜６に係る特許は，同法１１３条２号に該当する。
　エ　証拠方法
・甲１Ａ　国際公開第２００８／０５０３００号
・甲２Ａ　特開２００８−３４７９０号公報
・甲３Ａ　特開２００７−２３１２２４号公報
・甲４Ａ　PI-2611, Material Safety Data Sheet, HD MicroSystems, 2006年6月14日, p.1-8
・甲５Ａ　Low Temperature Curing of Polyimide Precursors by Variable Frequency Microwave, Journal of Photopolymer Science and Technology, 2005, Vol.18, No.2, p.327-332
・甲６Ａ　ADVANCES in POLYIMIDE SCIENCE and TECHNOLOGY, Technomic Publishing Company, Inc., 1993, p.15-32
・甲７Ａ　特開平１１−１６１４号公報
・甲８Ａ　Synthesis and Properties of Fluorinated Polyimides from Novel 2,2'-Bis(fluoroalkoxy) benzidines, Macromolecules, 1993, Vol.26, No.11, p.2779-2784
　オ　意見書とともに提出した証拠方法
・甲９Ａ　Analysis of Dimensionally Stable Copolyimide with a Low-Level Residual Stress, Journal of Polymer Science: Part B: Polymer Physics, 2001, Vol.39, p.796-810
（２）申立てＢについて
　本件特許の請求項１〜６に係る特許は，下記ア〜カのとおり，特許法１１３条２号及び４号に該当する。証拠方法として，下記キの甲第１号証〜甲第７号証（以下，申立ての記号を付して「甲第１号証」等を「甲１Ｂ」等という。）を提出する。
　ア　申立理由１Ｂ（新規性）
　本件訂正前の請求項１〜６に係る発明は，甲１Ｂに記載された発明であり，特許法２９条１項３号に該当し，特許を受けることができないものであるから，本件特許の請求項１〜６に係る特許は，同法１１３条２号に該当する。
　イ　申立理由２Ｂ（進歩性）
　本件訂正前の請求項１〜６に係る発明は，甲１Ｂに記載された発明に基いて，又は，甲１Ｂに記載された発明及び甲３Ｂ〜５Ｂに記載された事項に基いて，当業者が容易に発明をすることができたものであり，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができないものであるから，本件特許の請求項１〜６に係る特許は，同法１１３条２号に該当する。
　ウ　申立理由３Ｂ（新規性）
　本件訂正前の請求項１及び２に係る発明は，甲６Ｂに記載された発明であり，特許法２９条１項３号に該当し，特許を受けることができないものであるから，本件特許の請求項１及び２に係る特許は，同法１１３条２号に該当する。
　エ　申立理由４Ｂ（新規性）
　本件訂正前の請求項１及び２に係る発明は，甲４Ｂに記載された発明であり，特許法２９条１項３号に該当し，特許を受けることができないものであるから，本件特許の請求項１及び２に係る特許は，同法１１３条２号に該当する。
　オ　申立理由５Ｂ（実施可能要件）
　本件訂正前の請求項１〜６に係る発明については，発明の詳細な説明の記載が特許法３６条４項１号に適合するものではないから，本件特許の請求項１〜６に係る特許は，同法１１３条４号に該当する。
　カ　申立理由６Ｂ（サポート要件）
　本件訂正前の請求項１〜６に係る発明については，特許請求の範囲の記載が特許法３６条６項１号に適合するものではないから，本件特許の請求項１〜６に係る特許は，同法１１３条４号に該当する。
　キ　証拠方法
・甲１Ｂ　国際公開第２００８／０５０３００号
・甲２Ｂ　特表２０１０−５０７８２９号公報
・甲３Ｂ　特開２００２−３６３２８３号公報
・甲４Ｂ　特開２００７−２３１２２４号公報
・甲５Ｂ　「ポリイミドの構造と物性」，エレクトロニクス実装学会誌，２００１，Ｖｏｌ．４，Ｎｏ．７，ｐ．６４０−６４６
・甲６Ｂ　特開平１１−２７７６９９号公報
・甲７Ｂ　特開平２−１３８３４０号公報
（３）申立てＣについて
　本件特許の請求項１〜６に係る特許は，下記ア〜エのとおり，特許法１１３条２号及び４号に該当する。証拠方法として，下記オの甲第１号証〜甲第１０号証（以下，申立ての記号を付して「甲第１号証」等を「甲１Ｃ」等という。）を提出する。
　ア　申立理由１Ｃ（新規性）
　本件訂正前の請求項１〜６に係る発明は，甲１Ｃに記載された発明であり，特許法２９条１項３号に該当し，特許を受けることができないものであるから，本件特許の請求項１〜６に係る特許は，同法１１３条２号に該当する。
　イ　申立理由２Ｃ（進歩性）
　本件訂正前の請求項１〜６に係る発明は，甲１Ｃに記載された発明及び甲２Ｃ〜８Ｃに記載された事項に基いて，当業者が容易に発明をすることができたものであり，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができないものであるから，本件特許の請求項１〜６に係る特許は，同法１１３条２号に該当する。
　ウ　申立理由３Ｃ（進歩性）
　本件訂正前の請求項１〜６に係る発明は，甲４Ｃに記載された発明及び甲２Ｃ，甲３Ｃ及び甲６Ｃ〜８Ｃに記載された事項に基いて，当業者が容易に発明をすることができたものであり，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができないものであるから，本件特許の請求項１〜６に係る特許は，同法１１３条２号に該当する。
　エ　申立理由４Ｃ（サポート要件）
　本件訂正前の請求項１〜６に係る発明については，特許請求の範囲の記載が特許法３６条６項１号に適合するものではないから，本件特許の請求項１〜６に係る特許は，同法１１３条４号に該当する。
　オ　証拠方法
・甲１Ｃ　特開２００８−３４７９０号公報
・甲２Ｃ　PI-2611, Material Safety Data Sheet, HD MicroSystems, 2006年6月14日, p.1-8
・甲３Ｃ　ADVANCES in POLYIMIDE SCIENCE and TECHNOLOGY, Technomic Publishing Company, Inc., 1993, p.15-32
・甲４Ｃ　国際公開第２００８／０５０３００号
・甲５Ｃ　特表２０１０−５０７８２９号公報
・甲６Ｃ　Thickness dependence of the anisotropy in thermal expansion of PMDA-ODA and BPDA-PDA thin films, Thin Solid Films, 1999, 339, p.68-73
・甲７Ｃ　Low Temperature Curing of Polyimide Precursors by Variable Frequency Microwave, Journal of Photopolymer Science and Technology, 2005, Vol.18, No.2, p.327-332
・甲８Ｃ　特開２００６−２５９７００号公報
・甲９Ｃ　特開２００１−３３１１２０号公報
・甲１０Ｃ　特開平５−１７６７２号公報
　カ　意見書とともに提出した証拠方法
・甲１１Ｃ　特開平６−２０４２２１号公報
・甲１２Ｃ　Variable Frequency Microwave Curing of 3,3',4,4' - Biphenyltetracarboxylic Acid Dianhydride / P-Phenylenediamine (BPDA/PPD), The International Journal of Microcircuits and Electronic Packaging, 2000, Vol.23, No.2, Second Quarter, p.162-171
・甲１３Ｃ　「ポリイミドフィルム『ユーピレックス』」，繊維と工業，１９９４，Ｖｏｌ．５０，Ｎｏ．３，ｐ．９６−１０１
・甲１４Ｃ　特開平４−２２４８２４号公報
・甲１５Ｃ　Polyimides Containing Trans-1,4-cyclohexane Unit(II).Low-K and Low-CTE Semi- and Wholly Cycloaliphatic Polyimides, High Performance Polymers OnlineFirst, 2007年2月12日, p.1-19
２　取消理由通知書に記載した取消理由
（１）平成３０年１１月２６日付けの取消理由通知書
　ア　取消理由１（新規性）
　上記１（２）の申立理由１Ｂ（新規性）と同旨。
　イ　取消理由２（進歩性）
　本件訂正前の請求項１〜６に係る発明は，甲１Ｂに記載された発明並びに甲３Ｂ，甲４Ｂ及び甲６Ａに記載された事項又は甲３Ｂ，甲４Ｂ及び甲４Ａ〜６Ａに記載された事項に基いて，当業者が容易に発明をすることができたものであり，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができないものであるから，本件特許の請求項１〜６に係る特許は，同法１１３条２号に該当する。
　ウ　取消理由３（サポート要件）
　上記１（３）の申立理由４Ｃ（サポート要件）と同旨。
（２）令和１年５月１４日付けの取消理由通知書（決定の予告）
　ア　取消理由１’（新規性）
　上記１（２）の申立理由１Ｂ（新規性）（ただし，平成３１年１月２８日付けの訂正請求書による訂正後の請求項１〜６に係る発明に対するもの。）と同旨。
　イ　取消理由２’（進歩性）
　平成３１年１月２８日付けの訂正請求書による訂正後の請求項１〜６に係る発明は，甲１Ｂに記載された発明並びに甲３Ｂ〜７Ｂ，甲１３Ｃ及び甲６Ａに記載された事項又は甲３Ｂ〜７Ｂ，甲１３Ｃ及び甲４Ａ〜６Ａに記載された事項に基いて，当業者が容易に発明をすることができたものであり，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができないものであるから，本件特許の請求項１〜６に係る特許は，同法１１３条２号に該当する。
　ウ　取消理由３’（サポート要件）
　上記１（３）の申立理由４Ｃ（サポート要件）（ただし，平成３１年１月２８日付けの訂正請求書による訂正後の請求項１〜６に係る発明に対するもの。）と同旨。
第５　当審の判断
　以下に述べるように，取消理由通知書に記載した取消理由及び特許異議申立書に記載した特許異議の申立ての理由によっては，本件特許の請求項１〜６に係る特許を取り消すことはできない。
１　取消理由通知書に記載した取消理由
（１）取消理由１（新規性），取消理由１’（新規性），取消理由２（進歩性），取消理由２’（進歩性）
　ア　甲１Ｂに記載された発明
　甲１Ｂの訳文として，甲２Ｂを用いる。甲２Ｂは，甲１Ｂに係る外国語でなされた国際特許出願について提出された日本語による翻訳文に記載した事項を掲載した公表公報である。以下，記載箇所の特定は，甲２Ｂに基づいて行う。
　甲１Ｂの記載（請求項１，７，８）によれば，甲１Ｂには，以下の発明が記載されていると認められる。
「湿式成形処理を用いて，剛性担持基板に，プラスチックコーティングを設置するステップであって，前記プラスチックコーティングは，プラスチック基板を形成し，基板面に対して垂直な第１の方向では，前記基板面に平行な第２の方向に比べて，少なくとも３倍大きな熱膨張係数を有する透明プラスチック材料を有するステップと，
　前記プラスチック基板上に，薄膜電子素子を形成するステップと，
　加熱処理により，前記プラスチック基板は，前記基板面に対して垂直な方向に優先的に延び，これにより，前記プラスチック基板から，前記剛性担持基板を取り外すステップと，
　を有する，薄膜電子装置を製造する方法
に用いられ，薄膜電子装置のプラスチック基板を形成するプラスチックコーティングであって，
　ポリ（ｐ−フェニレンビフェニルテトラカルボキシイミド）を有する透明プラスチック材料を有する，薄膜電子装置のプラスチック基板を形成するプラスチックコーティング。」（以下，「甲１Ｂ発明」という。）
　イ　本件発明１について
（ア）対比
　本件発明１と甲１Ｂ発明とを対比する。
　甲１Ｂ発明における「プラスチックコーティング」は，「ポリ（ｐ−フェニレンビフェニルテトラカルボキシイミド）を有する透明プラスチック材料を有する」ものであるから，本件発明１における「ポリイミド樹脂膜」に相当する。
　本件発明１における「フレキシブルデバイス基板となる前記液状の樹脂組成物」である，「フレキシブルデバイス基板形成用ポリイミド前駆体樹脂組成物」と，甲１Ｂ発明における「薄膜電子装置のプラスチック基板を形成するプラスチックコーティング」とは，いずれも，フレキシブルデバイス基板を形成するための「原材料」である限りで共通する。
　そうすると，本件発明１と甲１Ｂ発明とは，
「硬質キャリア基板上にポリイミド樹脂膜を形成する工程と，前記樹脂膜上に回路を形成する工程と，前記回路が表面に形成された樹脂膜を前記キャリア基板から剥離する工程と，を含む，フレキシブルデバイス基板の製造法に用いられ，フレキシブルデバイス基板となる原材料である，フレキシブルデバイス基板形成用原材料。」
の点で一致し，以下の点で相違する。
・相違点１
　本件発明１では，フレキシブルデバイス基板を形成するための原材料が，「一般式（１）」（注：式は省略。以下同様。）「で表される構造単位を全構造単位中６０％以上有する重量平均分子量が１５，０００〜８０，０００であるポリイミド前駆体，又は，１，４−シクロヘキサンジアミンに基づく構造残基とｓ−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物に基づく構造残基とのみからなるポリイミド前駆体と，Ｎ−メチル−２−ピロリドン，Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド，Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド，γ−ブチロラクトン，ε−カプロラクトン，γ−カプロラクトン，γ−バレロラクトン，ジメチルスルホキシド，１，４−ジオキサン，及びシクロヘキサノンからなる群より選ばれる少なくとも１種の有機溶媒とを含有してなる」，「液状の樹脂組成物」である「ポリイミド前駆体樹脂組成物」であり，その「液状の樹脂組成物を」硬質キャリア基板上に「塗布成膜し，２００〜５００℃の加熱時間で１５分〜６時間加熱して，」ポリイミド樹脂膜を形成するのに対して，甲１Ｂ発明では，フレキシブルデバイス基板を形成するための原材料が，「プラスチックコーティング」であって，「基板面に対して垂直な第１の方向では，前記基板面に平行な第２の方向に比べて，少なくとも３倍大きな熱膨張係数を有する」，「ポリ（ｐ−フェニレンビフェニルテトラカルボキシイミド）を有する透明プラスチック材料を有する」ものであり，「湿式成形処理を用いて」，剛性担持基板に，そのプラスチックコーティングを設置する点。
・相違点２
　本件発明１では，ポリイミド樹脂膜の「厚さが２〜１０μｍ」であるのに対して，甲１Ｂ発明では，プラスチックコーティングの厚さが不明である点。
・相違点３
　本件発明１では，フレキシブルデバイスが「表示デバイス」であるのに対して，甲１Ｂ発明では，「薄膜電子装置」である点。
（イ）相違点１の検討
　ａ　まず，相違点１が実質的な相違点であるか否かについて検討する。
（ａ）甲１Ｂ発明におけるプラスチックコーティングは，所定の熱膨張係数を有する，ポリ（ｐ−フェニレンビフェニルテトラカルボキシイミド）を有する透明プラスチック材料を有するものであり，湿式成形処理を用いて剛性担持基板に設置されるものである。
　ところで，上記のようなポリイミド樹脂は，一般に，有機溶媒への溶解性が悪いので，ポリイミド樹脂フィルムを得るには，その前駆体のポリアミド酸をＮ−メチル−２−ピロリドン等の極性有機溶媒に溶解し，この溶液を基材上にキャストした後，２００〜５００℃の高温に数時間以内加熱してポリアミド酸を閉環，イミド化させて，ポリイミド樹脂フィルムとすることは，技術常識である（甲３Ｂの【０００４】，【００７７】，【００８２】，甲４Ｂの請求項４，５，【００１５】，【００１６】，【００２２】，【００２５】，甲５Ｂの表１，甲６Ｂの【００１６】〜【００１９】，甲７Ｂの１頁右下欄１０行〜２頁左上欄１行，３頁左下欄１３〜１９行，甲１３Ｃの「３．製造法」，「４．特性」の表２及び「４）化学的性質」）。
　そうすると，甲１Ｂ発明におけるプラスチックコーティングは，湿式成形処理を用いて剛性担持基板に設置されるものであるから，上記の技術常識に照らして，ポリ（ｐ−フェニレンビフェニルテトラカルボキシイミド）の前駆体であるポリアミド酸をＮ−メチル−２−ピロリドン等の極性有機溶媒に溶解し，その溶液を各種の湿式成形処理（【００１８】，【００２０】，【００８０】）により剛性担持基板に設置した後，２００〜５００℃の高温に数時間以内加熱してポリアミド酸を閉環，イミド化させて，所定の熱膨張係数を有する，ポリ（ｐ−フェニレンビフェニルテトラカルボキシイミド）を有する透明プラスチック材料を有するプラスチックコーティングとしているものと解される。
（ｂ）一方，本件発明１は，所定のポリイミド前駆体と所定の有機溶媒とを含有してなる，液状の樹脂組成物であるポリイミド前駆体樹脂組成物に関するものであり，上記液状の樹脂組成物を，硬質キャリア基板上に塗布成膜し，所定の条件で加熱して，ポリイミド樹脂膜を形成することを含む，フレキシブルデバイス基板の製造法に用いられるものである。
　この点について，本件明細書には，以下の記載がある。
「本発明の液状のフレキシブルデバイス基板用ポリイミド前駆体樹脂組成物は，キャリア基板上に塗布，乾燥，成膜し，次いで，好ましくは加熱等の手段により，脱水閉環させて，固体状のポリイミド樹脂膜を形成する工程，その上に回路を形成する工程，前記回路が表面に形成された固体状の樹脂膜を前記キャリア基板から剥離する工程，の各工程を含む，フレキシブルデバイスの製造方法に用いられるものである。」（【００１１】）
　以上の記載によれば，本件発明１におけるポリイミド樹脂膜は，実質的に，所定のポリイミド前駆体と所定の有機溶媒とを含有してなる，液状の樹脂組成物であるポリイミド前駆体樹脂組成物を，硬質キャリア基板上に塗布，乾燥，成膜し，次いで，所定の条件で加熱して脱水閉環させて，固体状のポリイミド樹脂膜を形成するものと解される（このような理解は，上記（ａ）で指摘した技術常識とも符号するものである。）。
（ｃ）以上によれば，上記（ａ）の技術常識に照らして，甲１Ｂ発明におけるプラスチックコーティングを得るために用いられると解される，「ポリ（ｐ−フェニレンビフェニルテトラカルボキシイミド）の前駆体であるポリアミド酸」と「Ｎ−メチル−２−ピロリドン等の極性有機溶媒」とを含有する「溶液」は，本件発明１における，所定の「ポリイミド前駆体」と所定の「有機溶媒」とを含有してなる，「液状の樹脂組成物」である「ポリイミド前駆体樹脂組成物」に対応するものといえる。
　そして，甲１Ｂ発明における，「湿式成形処理を用いて」，剛性担持基板に，プラスチックコーティングを設置することは，上記（ａ）の技術常識に照らして，本件発明１における，「液状の樹脂組成物を」硬質キャリア基板上に「塗布成膜し」，所定の条件で加熱して，ポリイミド樹脂膜を形成することに相当するということができる。
（ｄ）甲１Ｂ発明におけるプラスチックコーティングを得るために用いられると解される，「溶液」に含まれる「ポリ（ｐ−フェニレンビフェニルテトラカルボキシイミド）の前駆体であるポリアミド酸」は，本件発明１における「ポリイミド前駆体」のうち，一般式（１）（Ｒ１が
で表される２価の有機基）で表される構造単位を全構造単位中１００％有するものに相当する。
　甲１Ｂ発明におけるプラスチックコーティングを得るために用いられると解される，「溶液」に含まれる「Ｎ−メチル−２−ピロリドン等の極性有機溶媒」は，本件発明１における「Ｎ−メチル−２−ピロリドン，Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド，Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド，γ−ブチロラクトン，ε−カプロラクトン，γ−カプロラクトン，γ−バレロラクトン，ジメチルスルホキシド，１，４−ジオキサン，及びシクロヘキサノンからなる群より選ばれる少なくとも１種の有機溶媒」に相当する。
　甲１Ｂ発明において，プラスチックコーティングを得るために行われると解される，「２００〜５００℃の高温に数時間以内加熱」することは，本件発明１において，「２００〜５００℃の加熱時間で１５分〜６時間加熱」することに相当する。
（ｅ）上記「ポリ（ｐ−フェニレンビフェニルテトラカルボキシイミド）の前駆体であるポリアミド酸」の重量平均分子量について，以下，検討する。
　甲１Ｂには，「ポリ（ｐ−フェニレンビフェニルテトラカルボキシイミド）の前駆体であるポリアミド酸」の重量平均分子量については，記載されていない。
　ポリアミド酸溶液の市販品である「ＰＩ−２６１１」は，ポリアミド酸として，「ＢＰＤＡ／ＰＰＤ」，すなわち，３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物とｐ−フェニレンジアミンとからなるポリアミド酸（上記「ポリ（ｐ−フェニレンビフェニルテトラカルボキシイミド）の前駆体であるポリアミド酸」に相当する。）を含むものであるが，その重量平均分子量は，「１５７０００」である（甲６Ａ（甲３Ｃ）の表１の「ＰＡＡ（ＰＩ−２６１１）」を参照。）。そうすると，上記「ポリ（ｐ−フェニレンビフェニルテトラカルボキシイミド）の前駆体であるポリアミド酸」についても，市販品である「ＰＩ−２６１１」に含まれるポリアミド酸と同等の重量平均分子量であると解し得る余地はあるものの，それでも，本件発明１における「１５，０００〜８０，０００」とは，明らかに異なる。
（ｆ）以上によれば，相違点１は実質的な相違点である。
　したがって，相違点２及び３について検討するまでもなく，本件発明１は，甲１Ｂに記載された発明であるとはいえない。
　ｂ　次に，相違点１の容易想到性について検討する。
（ａ）ポリイミド前駆体（ポリアミド酸）の重量平均分子量について
　上記ａで述べたとおり，甲１Ｂ発明におけるプラスチックコーティングを得るためには，技術常識に照らして，「ポリ（ｐ−フェニレンビフェニルテトラカルボキシイミド）の前駆体であるポリアミド酸」と「Ｎ−メチル−２−ピロリドン等の極性有機溶媒」とを含有する「溶液」が用いられると解される。
　これに対して，甲３Ｂ〜７Ｂ，甲１３Ｃ及び甲４Ａ〜６Ａには，各種のポリイミド及びその前駆体であるポリアミド酸について記載されているものの，これらのいずれの証拠にも，甲１Ｂ発明のような，「湿式成形処理を用いて，剛性担持基板に，プラスチックコーティングを設置」し，「前記プラスチックコーティングは，プラスチック基板を形成し」，「前記プラスチック基板上に，薄膜電子素子を形成」し，「前記プラスチック基板から，前記剛性担持基板を取り外す」，「薄膜電子装置を製造する方法」に用いられる，「ポリ（ｐ−フェニレンビフェニルテトラカルボキシイミド）の前駆体であるポリアミド酸」について，その重量平均分子量を「１５，０００〜８０，０００」とすることは記載されていない。
　甲４Ｂ〜７Ｂ，甲１３Ｃ，甲４Ａ及び甲５Ａには，そもそも，ポリアミド酸の重量平均分子量については，記載されていない。
　甲６Ａ（甲３Ｃ）には，上記ａで述べたとおり，甲１Ｂ発明の「ポリ（ｐ−フェニレンビフェニルテトラカルボキシイミド）の前駆体であるポリアミド酸」に相当するポリアミド酸の重量平均分子量が「１５７０００」であることが記載されているが，本件発明１における「１５，０００〜８０，０００」とは，明らかに異なる。また，甲６Ａ（甲３Ｃ）のポリアミド酸は，甲１Ｂ発明のような「薄膜電子装置を製造する方法」に用いられるものではない。
　甲３Ｂには，ポリアミド酸の重量平均分子量が「２００００〜１０００００」であることが記載されているが（【００８１】），上記ポリアミド酸は，一般式（Ｉ）中のＹにおけるＲが「フッ素原子又はメトキシ基を示す」ものであり（請求項１），この点で，甲１Ｂ発明の「ポリ（ｐ−フェニレンビフェニルテトラカルボキシイミド）の前駆体であるポリアミド酸」とは，その化学構造が異なるものである。また，甲３Ｂのポリアミド酸は，甲１Ｂ発明のような「薄膜電子装置を製造する方法」に用いられるものではない。
　以上によれば，甲３Ｂ〜７Ｂ，甲１３Ｃ及び甲４Ａ〜６Ａの記載から，甲１Ｂ発明の「ポリ（ｐ−フェニレンビフェニルテトラカルボキシイミド）の前駆体であるポリアミド酸」の重量平均分子量を，「１５，０００〜８０，０００」とすることが動機付けられるとはいえない。
　この点，申立人Ｃは，甲１４Ｃには，甲１Ｂ発明の「ポリ（ｐ−フェニレンビフェニルテトラカルボキシイミド）の前駆体であるポリアミド酸」に相当するポリアミド酸について，その重量平均分子量が「２５，０００〜３６，０００」，「３４，０００〜４９，０００」，「５４，０００〜８０，０００」（表２）であることが記載されており，また，甲８Ｃにも，同じく，重量平均分子量が「３４，０００」（【０１０４】），「４７，８００」（【０１１６】）であることが記載されていると主張する（令和１年９月１１日付けの意見書８〜１０頁）。
　しかしながら，甲１４Ｃ及び甲８Ｃのポリアミド酸は，いずれも，甲１Ｂ発明のような「薄膜電子装置を製造する方法」に用いられるものではないから，甲１４Ｃ及び甲８Ｃの記載から，甲１Ｂ発明の「ポリ（ｐ−フェニレンビフェニルテトラカルボキシイミド）の前駆体であるポリアミド酸」の重量平均分子量を，「１５，０００〜８０，０００」とすることが動機付けられるとはいえない。
　そして，本件明細書の記載（【０００２】〜【０００４】，【０００９】，【００１１】〜【００１７】，【００２０】〜【００３３】，実施例１〜５，比較例１〜３，表１）によれば，本件発明１は，「液状の樹脂組成物を硬質キャリア基板上に塗布成膜し，２００〜５００℃の加熱時間で１５分〜６時間加熱して，厚さが２〜１０μｍのポリイミド樹脂膜を形成する工程と，前記樹脂膜上に回路を形成する工程と，前記回路が表面に形成された樹脂膜を前記キャリア基板から剥離する工程と，を含む，表示デバイスとしてのフレキシブルデバイス基板の製造法に用いられ，フレキシブルデバイス基板となる前記液状の樹脂組成物」である「フレキシブルデバイス基板形成用ポリイミド前駆体樹脂組成物」において，「一般式（１）」「で表される構造単位を全構造単位中６０％以上有する重量平均分子量が１５，０００〜８０，０００であるポリイミド前駆体，又は，１，４−シクロヘキサンジアミンに基づく構造残基とｓ−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物に基づく構造残基とのみからなるポリイミド前駆体」と，「Ｎ−メチル−２−ピロリドン」等の有機溶媒とを含有させることにより，ガラス基板等のキャリア基板上に薄く塗布することで簡単にかつ所望の膜厚の薄膜として成膜でき，その上に回路やディスプレイ層等を形成できるとともに，耐熱性に優れ，熱膨張係数の低いポリイミド膜となって，回路等の形成過程でキャリア基板層からのはがれやキャリア基板層のそりを生じさせず，回路等のはがれなどの欠陥も生じない上，その後キャリア基板から剥がす際には，ポリイミド膜自体にも，その上に形成された回路等にも欠陥を生じることがなく，きれいに剥がすことができるという，当業者が予測することができない格別顕著な効果を奏するものである。
　そうすると，甲１Ｂ発明におけるプラスチックコーティングを得るために用いられると解される「溶液」に含まれる「ポリ（ｐ−フェニレンビフェニルテトラカルボキシイミド）の前駆体であるポリアミド酸」について，その重量平均分子量を「１５，０００〜８０，０００」とすることが，当業者が容易に想到することができたということはできない。
（ｂ）「１，４−シクロヘキサンジアミンに基づく構造残基とｓ−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物に基づく構造残基とのみからなるポリイミド前駆体」の使用について
　甲１Ｂには，甲１Ｂ発明における「透明プラスチック材料」として，「１，４−シクロヘキサンジアミンに基づく構造残基とｓ−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物に基づく構造残基とのみからなるポリイミド前駆体」から得られるポリイミドを有するものを用いることについては，記載されていない。
　甲１Ｂ発明において用いられる，「ポリ（ｐ−フェニレンビフェニルテトラカルボキシイミド）を有する透明プラスチック材料」は，「基板面に対して垂直な第１の方向では，前記基板面に平行な第２の方向に比べて，少なくとも３倍大きな熱膨張係数を有する」ものであり，このような熱膨張係数の異方性により，熱リフトオフ処理の間，垂直な方向に基板を膨張させることができるため，リフトオフ処理が助長されるとともに，プラスチック基板の上部表面に取り付けられた部材を保護できるというものであるが（甲２Ｂ【００１５】），「１，４−シクロヘキサンジアミンに基づく構造残基とｓ−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物に基づく構造残基とのみからなるポリイミド前駆体」から得られるポリイミドが，上記のような熱膨張係数の異方性を有するものであるかどうかは不明であるから，当該ポリイミドを，甲１Ｂ発明における「透明プラスチック材料」として用いることができるかどうか，明らかではない。
　また，甲３Ｂ〜７Ｂ，甲１３Ｃ及び甲４Ａ〜６Ａには，各種のポリイミド及びその前駆体であるポリアミド酸について記載されており，特に甲４Ｂには，「１，４−シクロヘキサンジアミンに基づく構造残基とｓ−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物に基づく構造残基とのみからなるポリイミド前駆体」について記載されているものの（請求項１〜７，【００３２】，実施例１），これらのポリイミド及びその前駆体であるポリアミド酸は，甲１Ｂ発明のような，「湿式成形処理を用いて，剛性担持基板に，プラスチックコーティングを設置」し，「前記プラスチックコーティングは，プラスチック基板を形成し」，「前記プラスチック基板上に，薄膜電子素子を形成」し，「前記プラスチック基板から，前記剛性担持基板を取り外す」，「薄膜電子装置を製造する方法」に用いられるものではない。
　以上によれば，甲３Ｂ〜７Ｂ，甲１３Ｃ及び甲４Ａ〜６Ａの記載から，甲１Ｂ発明の「ポリ（ｐ−フェニレンビフェニルテトラカルボキシイミド）の前駆体であるポリアミド酸」に代えて，「１，４−シクロヘキサンジアミンに基づく構造残基とｓ−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物に基づく構造残基とのみからなるポリイミド前駆体」を用いることが動機付けられるとはいえない。
　そして，本件発明１は，上記（ａ）で述べたとおりの，当業者が予測することができない格別顕著な効果を奏するものである。
　そうすると，甲１Ｂ発明におけるプラスチックコーティングを得るために用いられると解される「溶液」に含まれる「ポリ（ｐ−フェニレンビフェニルテトラカルボキシイミド）の前駆体であるポリアミド酸」に代えて，「１，４−シクロヘキサンジアミンに基づく構造残基とｓ−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物に基づく構造残基とのみからなるポリイミド前駆体」を用いることが，当業者が容易に想到することができたということはできない。
（ｃ）小括
　したがって，相違点２及び３について検討するまでもなく，本件発明１は，甲１Ｂに記載された発明並びに甲３Ｂ〜７Ｂ，甲１３Ｃ及び甲６Ａに記載された事項又は甲３Ｂ〜７Ｂ，甲１３Ｃ及び甲４Ａ〜６Ａに記載された事項に基いて，当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
（ウ）小括
　以上のとおり，本件発明１は，甲１Ｂに記載された発明であるとはいえず，また，甲１Ｂに記載された発明並びに甲３Ｂ〜７Ｂ，甲１３Ｃ及び甲６Ａに記載された事項又は甲３Ｂ〜７Ｂ，甲１３Ｃ及び甲４Ａ〜６Ａに記載された事項に基いて，当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
　ウ　本件発明２〜６について
　本件発明２〜６は，本件発明１を直接又は間接的に引用するものであるが，上記イで述べたとおり，本件発明１が甲１Ｂに記載された発明であるとはいえず，また，甲１Ｂに記載された発明並びに甲３Ｂ〜７Ｂ，甲１３Ｃ及び甲６Ａに記載された事項又は甲３Ｂ〜７Ｂ，甲１３Ｃ及び甲４Ａ〜６Ａに記載された事項に基いて，当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない以上，本件発明２〜６についても同様に，甲１Ｂに記載された発明であるとはいえず，また，甲１Ｂに記載された発明並びに甲３Ｂ〜７Ｂ，甲１３Ｃ及び甲６Ａに記載された事項又は甲３Ｂ〜７Ｂ，甲１３Ｃ及び甲４Ａ〜６Ａに記載された事項に基いて，当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
　エ　まとめ
　以上のとおり，本件発明１〜６は，いずれも，甲１Ｂに記載された発明であるとはいえず，また，甲１Ｂに記載された発明並びに甲３Ｂ〜７Ｂ，甲１３Ｃ及び甲６Ａに記載された事項又は甲３Ｂ〜７Ｂ，甲１３Ｃ及び甲４Ａ〜６Ａに記載された事項に基いて，当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
　したがって，取消理由１（新規性），取消理由１’（新規性），取消理由２（進歩性），取消理由２’（進歩性）によっては，本件特許の請求項１〜６に係る特許を取り消すことはできない。
（２）取消理由３（サポート要件），取消理由３’（サポート要件）
　本件発明１は，ポリイミド前駆体と有機溶媒とを含有してなる，フレキシブルデバイス基板形成用ポリイミド前駆体樹脂組成物に関するものである。
　本件明細書の記載（【０００２】，【０００４】）によれば，本件発明１の課題は，液晶ディスプレイ，有機ＥＬディスプレイ，電子ペーパー等の表示デバイスであるフレキシブルデバイスにおいて，ガラス基板等のキャリア基板上に塗布することで簡単にかつ所望の膜厚の薄膜を形成し，その樹脂薄膜上に回路やディスプレイ層等を形成できるとともに，耐熱性に優れ，熱膨張係数の低いポリイミド膜となって，回路等の形成過程でキャリア基板層からのはがれやキャリア基板層のそりを生じさせず，回路等のはがれなどの欠陥も生じず，そしてその後，キャリア基板から欠陥を生じずに剥離ができる，液状のフレキシブルデバイス基板形成用ポリイミド前駆体樹脂組成物を提供することであると認められる。
　本件明細書の記載（【０００５】〜【０００９】，【００１１】〜【００１７】，【００２０】〜【００２２】）によれば，本件発明１の課題は，ポリイミド前駆体樹脂組成物において，ポリイミド前駆体を，「一般式（１）」「で表される構造単位を全構造単位中６０％以上有する重量平均分子量が１５，０００〜８０，０００であるポリイミド前駆体，又は，１，４−シクロヘキサンジアミンに基づく構造残基とｓ−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物に基づく構造残基とのみからなるポリイミド前駆体」とすることによって解決できるとされている。
　そして，本件明細書には，実施例及び比較例（【００２３】〜【００３３】，実施例１〜５，比較例１〜３，ディスプレイデバイスの製造例，表１）が記載されているところ，実施例１〜３は，「一般式（１）」「で表される構造単位を全構造単位中６０％以上有する重量平均分子量が１５，０００〜８０，０００であるポリイミド前駆体」に対応するものであり（実施例１及び２では，一般式（１）中，Ｒ１が
で表される２価の有機基であり，実施例３では，一般式（１）中，Ｒ１が
で表される２価の有機基である。），また，実施例４は，「１，４−シクロヘキサンジアミンに基づく構造残基とｓ−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物に基づく構造残基とのみからなるポリイミド前駆体」に対応するものである。
　これらの実施例及び比較例によれば，実施例１〜４及びディスプレイデバイスの製造例において，ガラス基板等のキャリア基板上に塗布することで簡単にかつ所望の膜厚の薄膜を形成し，その樹脂薄膜上に回路やディスプレイ層等を形成できるとともに，耐熱性に優れ，熱膨張係数の低いポリイミド膜となって，回路等の形成過程でキャリア基板層からのはがれやキャリア基板層のそりを生じさせず，回路等のはがれなどの欠陥も生じず，そしてその後，キャリア基板から欠陥を生じずに剥離ができることが示されているといえる。
　そうすると，当業者であれば，上記実施例以外の場合であっても，「一般式（１）」「で表される構造単位を全構造単位中６０％以上有する重量平均分子量が１５，０００〜８０，０００であるポリイミド前駆体，又は，１，４−シクロヘキサンジアミンに基づく構造残基とｓ−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物に基づく構造残基とのみからなるポリイミド前駆体」と所定の有機溶媒とを含有してなる，本件発明１の構成を備えるフレキシブルデバイス基板形成用ポリイミド前駆体樹脂組成物であれば，上記実施例と同様に，ガラス基板等のキャリア基板上に塗布することで簡単にかつ所望の膜厚の薄膜を形成し，その樹脂薄膜上に回路やディスプレイ層等を形成できるとともに，耐熱性に優れ，熱膨張係数の低いポリイミド膜となって，回路等の形成過程でキャリア基板層からのはがれやキャリア基板層のそりを生じさせず，回路等のはがれなどの欠陥も生じず，そしてその後，キャリア基板から欠陥を生じずに剥離ができることが理解できるといえる。
　以上のとおり，本件明細書の記載を総合すれば，本件発明１は，本件明細書の発明の詳細な説明に記載されたものであって，当業者が出願時の技術常識に照らして発明の詳細な説明の記載により本件発明１の課題を解決できると認識できる範囲のものということができる。
　したがって，本件発明１については，特許請求の範囲の記載がサポート要件に適合するものである。
　また，本件発明１を直接又は間接的に引用する本件発明２〜６についても同様であり，特許請求の範囲の記載がサポート要件に適合するものである。
　したがって，取消理由３（サポート要件），取消理由３’（サポート要件）によっては，本件特許の請求項１〜６に係る特許を取り消すことはできない。
２　取消理由通知において採用しなかった特許異議の申立ての理由
（１）申立理由１Ａ（進歩性）
　ア　甲１Ａに記載された発明
　甲１Ａは，甲１Ｂと同一の文献である。甲１Ａには，上記１（１）アで認定したとおりの甲１Ｂ発明が記載されていると認められる。
　イ　本件発明１について
（ア）対比
　本件発明１と甲１Ｂ発明との一致点及び相違点は，上記１（１）イ（ア）で認定したとおりである。
（イ）相違点１の検討
　甲４Ａ〜８Ａには，各種のポリイミド及びその前駆体であるポリアミド酸について記載されているものの，これらのいずれの証拠にも，甲１Ｂ発明のような，「湿式成形処理を用いて，剛性担持基板に，プラスチックコーティングを設置」し，「前記プラスチックコーティングは，プラスチック基板を形成し」，「前記プラスチック基板上に，薄膜電子素子を形成」し，「前記プラスチック基板から，前記剛性担持基板を取り外す」，「薄膜電子装置を製造する方法」に用いられる，「ポリ（ｐ−フェニレンビフェニルテトラカルボキシイミド）の前駆体であるポリアミド酸」について，その重量平均分子量を「１５，０００〜８０，０００」とすることは記載されていない。
　甲４Ａ〜６Ａについては，上記１（１）イ（イ）ｂで検討したとおりである。甲７Ａには，そもそも，ポリアミド酸の重量平均分子量については，記載されていない。甲８Ａには，ポリアミド酸の重量平均分子量について記載されているものの（Table I），いずれも，「８０，０００」を超えるものである。
　以上によれば，甲４Ａ〜８Ａの記載から，甲１Ｂ発明の「ポリ（ｐ−フェニレンビフェニルテトラカルボキシイミド）の前駆体であるポリアミド酸」の重量平均分子量を，「１５，０００〜８０，０００」とすることが動機付けられるとはいえない。
　そして，本件発明１は，上記１（１）イ（イ）ｂで述べたとおりの，当業者が予測することができない格別顕著な効果を奏するものである。
　そうすると，甲１Ｂ発明におけるプラスチックコーティングを得るために用いられると解される「溶液」に含まれる「ポリ（ｐ−フェニレンビフェニルテトラカルボキシイミド）の前駆体であるポリアミド酸」について，その重量平均分子量を「１５，０００〜８０，０００」とすることが，当業者が容易に想到することができたということはできない。
（なお，申立人Ａは，甲１Ｂ発明において，「１，４−シクロヘキサンジアミンに基づく構造残基とｓ−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物に基づく構造残基とのみからなるポリイミド前駆体」を用いることの容易想到性については，何ら主張していない。）
（ウ）小括
　したがって，相違点２及び３について検討するまでもなく，本件発明１は，甲１Ａに記載された発明に基いて，又は，甲１Ａに記載された発明及び甲４Ａ〜８Ａに記載された事項に基いて，当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
　ウ　本件発明２〜６について
　本件発明２〜６は，本件発明１を直接又は間接的に引用するものであるが，上記イで述べたとおり，本件発明１が，甲１Ａに記載された発明に基いて，又は，甲１Ａに記載された発明及び甲４Ａ〜８Ａに記載された事項に基いて，当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない以上，本件発明２〜６についても同様に，甲１Ａに記載された発明に基いて，又は，甲１Ａに記載された発明及び甲４Ａ〜８Ａに記載された事項に基いて，当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
　エ　まとめ
　以上のとおり，本件発明１〜６は，いずれも，甲１Ａに記載された発明に基いて，又は，甲１Ａに記載された発明及び甲４Ａ〜８Ａに記載された事項に基いて，当業者が容易に発明をすることができたものとはいえないから，申立理由１Ａ（進歩性）は，理由がない。
　したがって，申立理由１Ａ（進歩性）によっては，本件特許の請求項１〜６に係る特許を取り消すことはできない。
（２）申立理由３Ｃ（進歩性）
　ア　甲４Ｃに記載された発明
　甲４Ｃは，甲１Ｂと同一の文献である。甲４Ｃには，上記１（１）アで認定したとおりの甲１Ｂ発明が記載されていると認められる。
　イ　本件発明１について
（ア）対比
　本件発明１と甲１Ｂ発明との一致点及び相違点は，上記１（１）イ（ア）で認定したとおりである。
（イ）相違点１の検討
　甲２Ｃ，甲３Ｃ及び甲６Ｃ〜８Ｃには，各種のポリイミド及びその前駆体であるポリアミド酸について記載されているものの，これらのいずれの証拠にも，甲１Ｂ発明のような，「湿式成形処理を用いて，剛性担持基板に，プラスチックコーティングを設置」し，「前記プラスチックコーティングは，プラスチック基板を形成し」，「前記プラスチック基板上に，薄膜電子素子を形成」し，「前記プラスチック基板から，前記剛性担持基板を取り外す」，「薄膜電子装置を製造する方法」に用いられる，「ポリ（ｐ−フェニレンビフェニルテトラカルボキシイミド）の前駆体であるポリアミド酸」について，その重量平均分子量を「１５，０００〜８０，０００」とすることは記載されていない。
　甲２Ｃ，甲３Ｃ及び甲７Ｃは，それぞれ，甲４Ａ，甲６Ａ及び甲５Ａと同一の文献であるところ，これら甲４Ａ〜６Ａのほか，甲８Ｃについては，上記１（１）イ（イ）ｂで検討したとおりである。甲６Ｃは，そもそも，ポリアミド酸の重量平均分子量については，記載されていない。
　以上によれば，甲２Ｃ，甲３Ｃ及び甲６Ｃ〜８Ｃの記載から，甲１Ｂ発明の「ポリ（ｐ−フェニレンビフェニルテトラカルボキシイミド）の前駆体であるポリアミド酸」の重量平均分子量を，「１５，０００〜８０，０００」とすることが動機付けられるとはいえない。
　そして，本件発明１は，上記１（１）イ（イ）ｂで述べたとおりの，当業者が予測することができない格別顕著な効果を奏するものである。
　そうすると，甲１Ｂ発明におけるプラスチックコーティングを得るために用いられると解される「溶液」に含まれる「ポリ（ｐ−フェニレンビフェニルテトラカルボキシイミド）の前駆体であるポリアミド酸」について，その重量平均分子量を「１５，０００〜８０，０００」とすることが，当業者が容易に想到することができたということはできない。
（なお，申立人Ｃは，甲１Ｂ発明において，「１，４−シクロヘキサンジアミンに基づく構造残基とｓ−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物に基づく構造残基とのみからなるポリイミド前駆体」を用いることの容易想到性については，何ら主張していない。）
（ウ）小括
　したがって，相違点２及び３について検討するまでもなく，本件発明１は，甲４Ｃに記載された発明及び甲２Ｃ，甲３Ｃ及び甲６Ｃ〜８Ｃに記載された事項に基いて，当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
　ウ　本件発明２〜６について
　本件発明２〜６は，本件発明１を直接又は間接的に引用するものであるが，上記イで述べたとおり，本件発明１が，甲４Ｃに記載された発明及び甲２Ｃ，甲３Ｃ及び甲６Ｃ〜８Ｃに記載された事項に基いて，当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない以上，本件発明２〜６についても同様に，甲４Ｃに記載された発明及び甲２Ｃ，甲３Ｃ及び甲６Ｃ〜８Ｃに記載された事項に基いて，当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
　エ　まとめ
　以上のとおり，本件発明１〜６は，いずれも，甲４Ｃに記載された発明及び甲２Ｃ，甲３Ｃ及び甲６Ｃ〜８Ｃに記載された事項に基いて，当業者が容易に発明をすることができたものとはいえないから，申立理由３Ｃ（進歩性）は，理由がない。
　したがって，申立理由３Ｃ（進歩性）によっては，本件特許の請求項１〜６に係る特許を取り消すことはできない。
（３）申立理由１Ｃ（新規性），申立理由２Ａ（進歩性），申立理由２Ｃ（進歩性）
　ア　甲２Ａ（甲１Ｃ）に記載された発明
　甲２Ａ及び甲１Ｃは，同一の文献であるので，以下，甲２Ａに基づいて検討する。
　甲２Ａの記載（請求項８，１１，１５，【００３４】〜【００４１】）によれば，甲２Ａには，以下の発明が記載されていると認められる。
「電子デバイスの製造方法であって，
　シリコンウエハであるキャリアを提供するステップと，
　前記キャリアに貼り付けられる，厚みが８μｍである低誘電率（＜４）のポリイミド（ＰＩ）（デュポン社製，ＰＩ−２６１１）からなる第１誘電体層を備えたＩＣ整合基板を，前記キャリア上に形成するステップとを含み，
　前記ＩＣ整合基板は多層配線構造を備えており，
　前記ＩＣ整合基板を形成するステップは，
　前記第１誘電体層を含む少なくとも一の誘電体層を形成するステップと，
　少なくとも一の金属層を形成することにより，前記少なくとも一の誘電体層と少なくとも一の金属層を前記キャリア上に順に交互に積層して形成するステップとを含み，
　前記キャリアと前記第１誘電体層との間の付着力により，前記ＩＣ整合基板が製造過程において前記キャリアから剥離することがない一方，カット処理の際にＩＣ整合基板が前記キャリアから自然分離されるように，前記キャリアと前記第１誘電体層の材料が選択され，
　前記ＩＣ整合基板をカットすることにより，カットされたＩＣ整合基板を前記キャリアから自然分離させて，電子デバイスを形成するステップとを含む，電子デバイスの製造方法
に用いられ，電子デバイスを構成するＩＣ整合基板を形成する第１誘電体層であって，
　低誘電率（＜４）のポリイミド（ＰＩ）（デュポン社製，ＰＩ−２６１１）からなる，電子デバイスを構成するＩＣ整合基板を形成する第１誘電体層。」（以下，「甲２Ａ発明」という。）
　イ　本件発明１について
（ア）対比
　本件発明１と甲２Ａ発明とを対比する。
　甲２Ａ発明における「シリコンウエハであるキャリア」，「低誘電率（＜４）のポリイミド（ＰＩ）（デュポン社製，ＰＩ−２６１１）からなる第１誘電体層」は，それぞれ，本件発明１における「硬質キャリア基板」，「ポリイミド樹脂膜」に相当する。
　甲２Ａ発明においては，「前記第１誘電体層を含む少なくとも一の誘電体層を形成するステップ」と，「少なくとも一の金属層を形成することにより，前記少なくとも一の誘電体層と少なくとも一の金属層を前記キャリア上に順に交互に積層して形成するステップ」とにより，「多層配線構造」を備えた「ＩＣ整合基板」を形成するが，当該「多層配線構造」は，回路といえるから，本件発明１において，「前記樹脂膜上に回路を形成する」ことに相当する。
　甲２Ａ発明において，「前記ＩＣ整合基板をカットすることにより，カットされたＩＣ整合基板を前記キャリアから自然分離させて，電子デバイスを形成する」ことは，本件発明１において，「前記回路が表面に形成された樹脂膜を前記キャリア基板から剥離」し，「デバイス基板」を「製造」することに相当する。
　本件発明１における「デバイス基板となる前記液状の樹脂組成物」である，「デバイス基板形成用ポリイミド前駆体樹脂組成物」と，甲２Ａ発明における「電子デバイスを構成するＩＣ整合基板を形成する第１誘電体層」とは，いずれも，デバイス基板を形成するための「原材料」である限りで共通する。
　そうすると，本件発明１と甲２Ａ発明とは，
「硬質キャリア基板上に厚さが２〜１０μｍのポリイミド樹脂膜を形成する工程と，前記樹脂膜上に回路を形成する工程と，前記回路が表面に形成された樹脂膜を前記キャリア基板から剥離する工程と，を含む，デバイス基板の製造法に用いられ，デバイス基板となる原材料である，デバイス基板形成用原材料。」
の点で一致し，以下の点で相違する。
・相違点４
　本件発明１では，デバイス基板を形成するための原材料が，「一般式（１）」「で表される構造単位を全構造単位中６０％以上有する重量平均分子量が１５，０００〜８０，０００であるポリイミド前駆体，又は，１，４−シクロヘキサンジアミンに基づく構造残基とｓ−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物に基づく構造残基とのみからなるポリイミド前駆体と，Ｎ−メチル−２−ピロリドン，Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド，Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド，γ−ブチロラクトン，ε−カプロラクトン，γ−カプロラクトン，γ−バレロラクトン，ジメチルスルホキシド，１，４−ジオキサン，及びシクロヘキサノンからなる群より選ばれる少なくとも１種の有機溶媒とを含有してなる」，「液状の樹脂組成物」である「ポリイミド前駆体樹脂組成物」であり，その「液状の樹脂組成物を」硬質キャリア基板上に「塗布成膜し，２００〜５００℃の加熱時間で１５分〜６時間加熱して，」ポリイミド樹脂膜を形成するのに対して，甲２Ａ発明では，デバイス基板を形成するための原材料が，「低誘電率（＜４）のポリイミド（ＰＩ）（デュポン社製，ＰＩ−２６１１）からなる第１誘電体層」であり，その第１誘電体層を備えたＩＣ整合基板をキャリア上に形成する点。
・相違点５
　本件発明１では，デバイス基板が，「表示デバイスとしての」「フレキシブル」デバイス基板であるのに対して，甲２Ａ発明では，「電子デバイスを構成するＩＣ整合基板」である点。
（イ）相違点４の検討
　ａ　まず，相違点４が実質的な相違点であるか否かについて検討する。
　上記１（１）イ（イ）ａで甲１Ｂ発明について述べたのと同様の理由により，甲２Ａ発明における第１誘電体層を得るためには，技術常識に照らして，「低誘電率（＜４）のポリイミド（ＰＩ）（デュポン社製，ＰＩ−２６１１）の前駆体であるポリアミド酸」（「ＰＩ−２６１１」に含まれるポリアミド酸）と「Ｎ−メチル−２−ピロリドン等の極性有機溶媒」（「ＰＩ−２６１１」に含まれる有機溶媒）とを含有する「溶液」（「ＰＩ−２６１１」）が用いられると解される。
　上記「低誘電率（＜４）のポリイミド（ＰＩ）（デュポン社製，ＰＩ−２６１１）の前駆体であるポリアミド酸」の重量平均分子量について，以下，検討する。
　甲２Ａには，「低誘電率（＜４）のポリイミド（ＰＩ）（デュポン社製，ＰＩ−２６１１）の前駆体であるポリアミド酸」の重量平均分子量については記載されていないが，上記１（１）イ（イ）ａで検討したとおり，「ＰＩ−２６１１」に含まれるポリアミド酸の重量平均分子量は，「１５７０００」であるから，本件発明１における「１５，０００〜８０，０００」とは，明らかに異なる。
　以上によれば，相違点４は実質的な相違点である。
　したがって，相違点５について検討するまでもなく，本件発明１は，甲２Ａ（甲１Ｃ）に記載された発明であるとはいえない。
ｂ　次に，相違点４の容易想到性について検討する。
　甲４Ａ〜８Ａ及び甲２Ｃ〜８Ｃには，各種のポリイミド及びその前駆体であるポリアミド酸について記載されているものの，これらのいずれの証拠にも，甲２Ａ発明のような，「ポリイミド」「からなる第１誘電体層を備えたＩＣ整合基板を，前記キャリア上に形成」し，「多層配線構造」を備えた「ＩＣ整合基板」を形成し，「前記ＩＣ整合基板をカットすることにより，カットされたＩＣ整合基板を前記キャリアから自然分離させて，電子デバイスを形成する」，「電子デバイスの製造方法」に用いられる，「低誘電率（＜４）のポリイミド（ＰＩ）（デュポン社製，ＰＩ−２６１１）の前駆体であるポリアミド酸」について，その重量平均分子量を「１５，０００〜８０，０００」とすることは記載されていない。
　甲４Ａ〜８Ａについては，上記（１）イ（イ）で検討したとおりである。甲２Ｃ，甲３Ｃ及び甲６Ｃ〜８Ｃについては，上記（２）イ（イ）で検討したとおりである。甲４Ｃ（訳文：甲５Ｃ）は，甲１Ｂ（訳文：甲２Ｂ）と同一の文献であるが，上記１（１）イ（イ）ａで述べたとおり，甲１Ｂには，そもそも，ポリアミド酸の重量平均分子量については，記載されていない。
　以上によれば，甲４Ａ〜８Ａ及び甲２Ｃ〜８Ｃの記載から，甲２Ａ発明の「低誘電率（＜４）のポリイミド（ＰＩ）（デュポン社製，ＰＩ−２６１１）の前駆体であるポリアミド酸」の重量平均分子量を，「１５，０００〜８０，０００」とすることが動機付けられるとはいえない。
　そして，本件発明１は，上記１（１）イ（イ）ｂで述べたとおりの，当業者が予測することができない格別顕著な効果を奏するものである。
　そうすると，甲２Ａ発明における第１誘電体層を得るために用いられると解される「溶液」に含まれる「低誘電率（＜４）のポリイミド（ＰＩ）（デュポン社製，ＰＩ−２６１１）の前駆体であるポリアミド酸」について，その重量平均分子量を「１５，０００〜８０，０００」とすることが，当業者が容易に想到することができたということはできない。
（なお，申立人Ａ及びＣは，甲２Ａ発明において，「１，４−シクロヘキサンジアミンに基づく構造残基とｓ−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物に基づく構造残基とのみからなるポリイミド前駆体」を用いることの容易想到性については，何ら主張していない。）
　したがって，相違点５について検討するまでもなく，本件発明１は，甲２Ａに記載された発明に基いて，又は，甲２Ａに記載された発明及び甲４Ａ〜８Ａに記載された事項に基いて，当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
　また，相違点５について検討するまでもなく，本件発明１は，甲２Ａ（甲１Ｃ）に記載された発明及び甲２Ｃ〜８Ｃに記載された事項に基いて，当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
（ウ）小括
　以上のとおり，本件発明１は，甲１Ｃに記載された発明であるとはいえず，また，甲２Ａに記載された発明に基いて，又は，甲２Ａに記載された発明及び甲４Ａ〜８Ａに記載された事項に基いて，当業者が容易に発明をすることができたものとはいえず，さらに，甲１Ｃに記載された発明及び甲２Ｃ〜８Ｃに記載された事項に基いて，当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
　ウ　本件発明２〜６について
　本件発明２〜６は，本件発明１を直接又は間接的に引用するものであるが，上記イで述べたとおり，本件発明１が甲１Ｃに記載された発明であるとはいえず，また，甲２Ａに記載された発明に基いて，又は，甲２Ａに記載された発明及び甲４Ａ〜８Ａに記載された事項に基いて，当業者が容易に発明をすることができたものとはいえず，さらに，甲１Ｃに記載された発明及び甲２Ｃ〜８Ｃに記載された事項に基いて，当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない以上，本件発明２〜６についても同様に，甲１Ｃに記載された発明であるとはいえず，また，甲２Ａに記載された発明に基いて，又は，甲２Ａに記載された発明及び甲４Ａ〜８Ａに記載された事項に基いて，当業者が容易に発明をすることができたものとはいえず，さらに，甲１Ｃに記載された発明及び甲２Ｃ〜８Ｃに記載された事項に基いて，当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
　エ　まとめ
　以上のとおり，本件発明１〜６は，いずれも，甲１Ｃに記載された発明であるとはいえないから，申立理由１Ｃ（新規性）は，理由がない。
　また，本件発明１〜６は，いずれも，甲２Ａに記載された発明に基いて，又は，甲２Ａに記載された発明及び甲４Ａ〜８Ａに記載された事項に基いて，当業者が容易に発明をすることができたものとはいえないから，申立理由２Ａ（進歩性）は，理由がない。
　さらに，本件発明１〜６は，いずれも，甲１Ｃに記載された発明及び甲２Ｃ〜８Ｃに記載された事項に基いて，当業者が容易に発明をすることができたものとはいえないから，申立理由２Ｃ（進歩性）は，理由がない。
　したがって，申立理由１Ｃ（新規性），申立理由２Ａ（進歩性），申立理由２Ｃ（進歩性）によっては，本件特許の請求項１〜６に係る特許を取り消すことはできない。
（４）申立理由４Ｂ（新規性），申立理由３Ａ（進歩性）
　ア　甲３Ａ（甲４Ｂ）に記載された発明
　甲３Ａ及び甲４Ｂは，同一の文献であるので，以下，甲３Ａに基づいて検討する。
　甲３Ａの記載（請求項１〜７，【００１０】〜【００１６】，【００１９】〜【００３０】，【００３２】，実施例１，表１）によれば，特に実施例１に着目すると，甲３Ａには，以下の発明が記載されていると認められる。
「トランス１，４−ジアミノシクロヘキサン４．９ｇ（４２．９ミリモル）を，Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド９９．２ｇに溶液温度３０℃で溶解させ，得られた溶液に，３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物１２．６（４２．９ミリモル）を添加して，７０℃に昇温し，６時間反応させ，反応終了後，反応系を室温に戻し，得られたポリアミド酸溶液をガラス基板に塗布した後，窒素雰囲気下，３５０℃で１時間加熱して，イミド化を行った後，ガラス板より剥離し，透明ポリイミドフィルムを得る，透明ポリイミドフィルムの製造方法
に用いられ，透明ポリイミドフィルムとなるポリアミド酸溶液であって，
　トランス１，４−ジアミノシクロヘキサンと３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物とを反応させて得られたポリアミド酸と，Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドとを含有する，透明ポリイミドフィルムとなるポリアミド酸溶液。」（以下，「甲３Ａ発明」という。）
　イ　本件発明１について
（ア）対比
　本件発明１と甲３Ａ発明とを対比する。
　甲３Ａ発明における「トランス１，４−ジアミノシクロヘキサン」，「３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物」は，それぞれ，「１，４−シクロヘキサンジアミン」，「ｓ−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物」に相当する。
　甲３Ａ発明における，「トランス１，４−ジアミノシクロヘキサン４．９ｇ（４２．９ミリモル）を，Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド９９．２ｇに溶液温度３０℃で溶解させ，得られた溶液に，３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物１２．６（４２．９ミリモル）を添加して，７０℃に昇温し，６時間反応させ，反応終了後，反応系を室温に戻し，得られたポリアミド酸溶液」に含まれる「ポリアミド酸」は，「トランス１，４−ジアミノシクロヘキサンと３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物とを反応させて得られたポリアミド酸」であるから，本件発明１における「１，４−シクロヘキサンジアミンに基づく構造残基とｓ−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物に基づく構造残基とのみからなるポリイミド前駆体」に相当する。
　甲３Ａ発明における上記「ポリアミド酸溶液」に含まれる「Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド」は，甲３Ａの記載（請求項４〜７，【００１６】）によれば，有機溶媒であるから，本件発明１における「Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド」である「有機溶媒」に相当する。
　甲３Ａ発明における「ポリアミド酸溶液」は，本件発明１における「液状の樹脂組成物」である「ポリイミド前駆体樹脂組成物」に相当する。
　甲３Ａ発明において，ポリアミド酸溶液を「ガラス基板に塗布した後，窒素雰囲気下，３５０℃で１時間加熱して，イミド化を行」うことは，本件発明１において，液状の樹脂組成物を「硬質キャリア基板上に塗布成膜し，２００〜５００℃の加熱時間で１５分〜６時間加熱して」，「ポリイミド樹脂膜を形成」することに相当する。
　そして，甲３Ａ発明において，イミド化を行った後，「ガラス板より剥離し，透明ポリイミドフィルムを得る」ことは，本件発明１において，ポリイミド樹脂膜を「前記キャリア基板から剥離する」ことに相当する。
　本件発明１における「表示デバイスとしてのフレキシブルデバイス基板」と，甲３Ａ発明における「透明ポリイミドフィルム」とは，いずれも，「フィルム」である限りで共通する。
　そうすると，本件発明１と甲３Ａ発明とは，
「液状の樹脂組成物を硬質キャリア基板上に塗布成膜し，２００〜５００℃の加熱時間で１５分〜６時間加熱して，ポリイミド樹脂膜を形成する工程と，前記樹脂膜を前記キャリア基板から剥離する工程と，を含む，フィルムの製造法に用いられ，フィルムとなる前記液状の樹脂組成物であって，１，４−シクロヘキサンジアミンに基づく構造残基とｓ−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物に基づく構造残基とのみからなるポリイミド前駆体と，Ｎ−メチル−２−ピロリドン，Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド，Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド，γ−ブチロラクトン，ε−カプロラクトン，γ−カプロラクトン，γ−バレロラクトン，ジメチルスルホキシド，１，４−ジオキサン，及びシクロヘキサノンからなる群より選ばれる少なくとも１種の有機溶媒とを含有してなるフィルム形成用ポリイミド前駆体樹脂組成物。」
の点で一致し，以下の点で相違する。
・相違点６
　本件発明１では，ポリイミド樹脂膜上に「回路を形成」し，「前記回路が表面に形成された」樹脂膜をキャリア基板から剥離するのに対して，甲３Ａ発明では，イミド化を行った後，「回路を形成」せずに，ガラス板より剥離し，透明ポリイミドフィルムを得る点。
・相違点７
　本件発明１では，ポリイミド樹脂膜の「厚さが２〜１０μｍ」であるのに対して，甲３Ａ発明では，イミド化を行った後ガラス板より剥離する前の透明ポリイミドフィルムの厚さが不明である点。
・相違点８
　本件発明１では，フィルムが，「表示デバイスとしてのフレキシブルデバイス基板」であるのに対して，甲３Ａ発明では，「透明ポリイミドフィルム」である点。
（イ）相違点６の検討
　ａ　まず，相違点６が実質的な相違点であるか否かについて検討する。
　甲３Ａ発明は，透明ポリイミドフィルムの製造方法に関するものであり，ポリアミド酸溶液をガラス基板に塗布した後，窒素雰囲気下，３５０℃で１時間加熱して，イミド化を行った後，ガラス板より剥離し，透明ポリイミドフィルムを得るというものである。 
　しかしながら，甲３Ａには，上記のイミド化を行った後，ガラス板より剥離する前の透明ポリイミドフィルムに予め「回路を形成」しておいてから，ガラス板より剥離して，「回路が表面に形成された」透明ポリイミドフィルムを得ることについては，何ら記載されていない。
　甲３Ａには，加熱によるイミド化によって形成されたポリイミドフィルムは，支持体（ガラス板（【００２１】））と分離して使用されること（【００２２】，【００２５】，【００２６】），上記ポリイミドフィルムは，ディスプレー用，特に表示装置用パネルのガラス基板代替用のプラスチック基板として好適に用いられるが（【００２８】），上記プラスチック基板は，上記ポリイミドフィルムをベースフィルムとして用い，必要に応じて，この上にさらに平滑層，ハードコート層，ガスバリアー層，透明導電性層等を形成させて得られること（【００２９】）が記載されているにすぎず，また，実施例においても，厚さ５０μ，１０ｃｍの透明フィルムを超純水層に浸漬し，超音波洗浄を行い，この透明フィルムを超純水槽から引き上げ，乾燥した後，ＲＦスパッタ装置を用いて，酸窒化ケイ素層を成層し，次いで，この酸窒化ケイ素層を形成した透明フィルム上に，マスクスパッタリングによって，ＩＴＯ層を形成することが記載されているにすぎない（【００４０】）。
　以上によれば，相違点６は実質的な相違点である。
　したがって，相違点７及び８について検討するまでもなく，本件発明１は，甲３Ａ（甲４Ｂ）に記載された発明であるとはいえない。
　ｂ　次に，相違点６の容易想到性について検討する。
　上記ａのとおり，甲３Ａには，上記のイミド化を行った後，ガラス板より剥離する前の透明ポリイミドフィルムに予め「回路を形成」しておいてから，ガラス板より剥離して，「回路が表面に形成された」透明ポリイミドフィルムを得ることについては，何ら記載されていない。
　また，甲４Ａ〜８Ａには，甲３Ａ発明のような「ポリアミド酸溶液」，すなわち，「トランス１，４−ジアミノシクロヘキサンと３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物とを反応させて得られたポリアミド酸」と，「Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド」等の有機溶媒とを含有する，「ポリアミド酸溶液」を用いて，本件発明１のように，ポリイミド樹脂膜を形成し，その樹脂膜上に「回路を形成」し，その「回路が表面に形成された」樹脂膜をキャリア基板から剥離して，表示デバイスとしてのフレキシブルデバイス基板を製造することについては，記載されていない。
　以上によれば，甲４Ａ〜８Ａの記載から，甲３Ａ発明において，イミド化を行った後，ガラス板より剥離する前の透明ポリイミドフィルムに予め「回路を形成」しておいてから，ガラス板より剥離して，「回路が表面に形成された」透明ポリイミドフィルムを得ることが動機付けられるとはいえない。
　この点，申立人Ａは，甲３Ａには，回路を形成する工程と剥離する工程との順序に関する記載はないとして，工程の順序自体は設計事項であるか，周知技術である（甲１Ａ及び甲２Ａ）と主張する（申立書４９頁）。
　しかしながら，上記ａで指摘した甲３Ａの記載によれば，甲３Ａには，プラスチック基板は，支持体から分離したポリイミドフィルムをベースフィルムとして用い，このポリイミドフィルムの上にさらに透明導電性層等を形成させて得られることが記載されているといえるから，甲３Ａには回路を形成する工程と剥離する工程との順序に関する記載がないことを前提とする申立人Ａの主張は，その前提において失当である。また，申立人Ａが示す甲１Ａ及び甲２Ａには，甲３Ａ発明のような「ポリアミド酸溶液」を用いることは記載されていないから，甲１Ａ及び甲２Ａの記載から，甲３Ａ発明において，イミド化を行った後，ガラス板より剥離する前の透明ポリイミドフィルムに予め「回路を形成」しておいてから，ガラス板より剥離して，「回路が表面に形成された」透明ポリイミドフィルムを得ることが動機付けられるとはいえない。
　そして，本件発明１は，上記１（１）イ（イ）ｂで述べたとおりの，当業者が予測することができない格別顕著な効果を奏するものである。
　そうすると，甲３Ａ発明において，イミド化を行った後，ガラス板より剥離する前の透明ポリイミドフィルムに予め「回路を形成」しておいてから，ガラス板より剥離して，「回路が表面に形成された」透明ポリイミドフィルムを得ることが，当業者が容易に想到することができたということはできない。
　したがって，相違点７及び８について検討するまでもなく，本件発明１は，甲３Ａに記載された発明に基いて，又は，甲３Ａに記載された発明及び甲４Ａ〜８Ａに記載された事項に基いて，当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
（ウ）小括
　以上のとおり，本件発明１は，甲４Ｂに記載された発明であるとはいえず，また，甲３Ａに記載された発明に基いて，又は，甲３Ａに記載された発明及び甲４Ａ〜８Ａに記載された事項に基いて，当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
　ウ　本件発明２〜６について
　本件発明２〜６は，本件発明１を直接又は間接的に引用するものであるが，上記イで述べたとおり，本件発明１が甲４Ｂに記載された発明であるとはいえず，また，甲３Ａに記載された発明に基いて，又は，甲３Ａに記載された発明及び甲４Ａ〜８Ａに記載された事項に基いて，当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない以上，本件発明２〜６についても同様に，甲４Ｂに記載された発明であるとはいえず，また，甲３Ａに記載された発明に基いて，又は，甲３Ａに記載された発明及び甲４Ａ〜８Ａに記載された事項に基いて，当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
　エ　まとめ
　以上のとおり，本件発明１及び２は，いずれも，甲４Ｂに記載された発明であるとはいえないから，申立理由４Ｂ（新規性）は，理由がない。
　また，本件発明１〜６は，いずれも，甲３Ａに記載された発明に基いて，又は，甲３Ａに記載された発明及び甲４Ａ〜８Ａに記載された事項に基いて，当業者が容易に発明をすることができたものとはいえないから，申立理由３Ａ（進歩性）は，理由がない。
　したがって，申立理由４Ｂ（新規性），申立理由３Ａ（進歩性）によっては，本件特許の請求項１〜６に係る特許を取り消すことはできない。
（５）申立理由２Ｂ（進歩性）
　上記１（１）で述べたとおり，本件発明１〜６は，いずれも，甲１Ｂに記載された発明並びに甲３Ｂ〜７Ｂ，甲１３Ｃ及び甲６Ａに記載された事項又は甲３Ｂ〜７Ｂ，甲１３Ｃ及び甲４Ａ〜６Ａに記載された事項に基いて，当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
　そうすると，本件発明１〜６は，いずれも，甲１Ｂに記載された発明に基いて，又は，甲１Ｂに記載された発明及び甲３Ｂ〜５Ｂに記載された事項に基いて，当業者が容易に発明をすることができたものとはいえないから，申立理由２Ｂ（進歩性）は，理由がない。
　したがって，申立理由２Ｂ（進歩性）によっては，本件特許の請求項１〜６に係る特許を取り消すことはできない。
（６）申立理由３Ｂ（新規性）
　ア　甲６Ｂに記載された発明
　甲６Ｂの記載（請求項１，【００３７】）によれば，甲６Ｂには，以下の発明が記載されていると認められる。
「内容積１００リットルの重合槽に，Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド５４．６ｋｇを加え，次いで３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物８．８２６ｋｇとパラフェニレンジアミン３．２４３ｋｇとを加え，３０℃で１０時間重合反応させて得られた，ポリマ−の対数粘度（測定温度：３０℃，濃度：０．５ｇ／１００ｍｌ溶媒，溶媒：Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド）が１．６０，ポリマ−濃度が１８重量％である，ポリアミック酸（イミド化率：５％以下）溶液。」（以下，「甲６Ｂ発明」という。）
　イ　本件発明１について
（ア）対比
　本件発明１と甲６Ｂ発明とを対比する。
　甲６Ｂ発明における「ポリアミック酸（イミド化率：５％以下）溶液」に含まれる「ポリアミック酸」は，「パラフェニレンジアミン」と「３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物」とを反応させて得られたものであるから，本件発明１における「ポリイミド前駆体」のうち，一般式（１）（Ｒ１が
で表される２価の有機基）で表される構造単位を全構造単位中１００％有するものに相当する。
　甲６Ｂ発明における「ポリアミック酸（イミド化率：５％以下）溶液」に含まれる「Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド」は，甲６Ｂの記載（【００１６】）によれば，有機極性溶媒であるから，本件発明１における「Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド」である「有機溶媒」に相当する。
　甲６Ｂ発明における「ポリアミック酸（イミド化率：５％以下）溶液」は，本件発明１における「液状の樹脂組成物」である「ポリイミド前駆体樹脂組成物」に相当する。
　そうすると，本件発明１と甲６Ｂ発明とは，
「液状の樹脂組成物であって，一般式（１）」「で表される構造単位を全構造単位中６０％以上有するポリイミド前駆体と，Ｎ−メチル−２−ピロリドン，Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド，Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド，γ−ブチロラクトン，ε−カプロラクトン，γ−カプロラクトン，γ−バレロラクトン，ジメチルスルホキシド，１，４−ジオキサン，及びシクロヘキサノンからなる群より選ばれる少なくとも１種の有機溶媒とを含有してなるポリイミド前駆体樹脂組成物。」
の点で一致し，以下の点で相違する。
・相違点９
　本件発明１では，ポリイミド前駆体の「重量平均分子量が１５，０００〜８０，０００である」のに対して，甲６Ｂ発明では，ポリアミック酸の重量平均分子量が不明である点。
・相違点１０
　本件発明１では，「液状の樹脂組成物を硬質キャリア基板上に塗布成膜し，２００〜５００℃の加熱時間で１５分〜６時間加熱して，厚さが２〜１０μｍのポリイミド樹脂膜を形成する工程と，前記樹脂膜上に回路を形成する工程と，前記回路が表面に形成された樹脂膜を前記キャリア基板から剥離する工程と，を含む，表示デバイスとしてのフレキシブルデバイス基板の製造法に用いられ，フレキシブルデバイス基板となる前記液状の樹脂組成物であって」，「フレキシブルデバイス基板形成用ポリイミド前駆体樹脂組成物」であるのに対して，甲６Ｂ発明では，そのようなものであるかどうか不明である点。
（イ）相違点９の検討
　甲６Ｂには，甲６Ｂ発明における「ポリアミック酸（イミド化率：５％以下）溶液」に含まれるポリアミック酸の重量平均分子量については，記載されておらず，また，その重量平均分子量が「１５，０００〜８０，０００」であることが技術常識であるともいえない。
　以上によれば，相違点９は実質的な相違点である。
（ウ）小括
　したがって，相違点１０について検討するまでもなく，本件発明１は，甲６Ｂに記載された発明であるとはいえない。
　ウ　本件発明２について
　本件発明２は，本件発明１を引用するものであるが，上記イで述べたとおり，本件発明１が甲６Ｂに記載された発明であるとはいえない以上，本件発明２についても同様に，甲６Ｂに記載された発明であるとはいえない。
　エ　まとめ
　以上のとおり，本件発明１及び２は，いずれも，甲６Ｂに記載された発明であるとはいえないから，申立理由３Ｂ（新規性）は，理由がない。
　したがって，申立理由３Ｂ（新規性）によっては，本件特許の請求項１及び２に係る特許を取り消すことはできない。
（７）申立理由６Ｂ（サポート要件）
　本件発明１〜６については，特許請求の範囲の記載がサポート要件に適合するものであることは，上記１（２）で述べたとおりである。
　申立人Ｂは，請求項１に「前記回路が表面に形成された樹脂膜を前記キャリア基板から剥離する」と記載されているところ，回路が形成されたポリイミド膜をキャリア基板から剥離するには，キャリア側からのレーザーの照射や物理的手段等が知られているが，それぞれの方法においてポリイミドに求められる物性は全く異なり，ポリイミドの種類によって適用可能な剥離方法は異なるはずであるとして，本件明細書の実施例（【００３３】）には，「実施例のポリイミド前駆体は・・・キャリア基板からの剥離性に優れる」と記載されているものの，当業者は，本件発明１の課題とされた「基板からの剥離性」がどのような機序で実現されたのか，理解することができず，また，本件明細書のディスプレイデバイスの製造例（【００３２】）においては，ポリイミド膜をガラス基板からどのように剥離したのか，記載されていないから，請求項１におけるポリイミド前駆体が，「キャリア基板から欠陥を生じずに剥離ができる」という本件発明１の課題を解決できることを当業者は認識できないと主張する（申立書２１〜２２頁）。
　しかしながら，上記１（２）で述べたとおり，本件明細書における実施例及び比較例によれば，実施例１〜４及びディスプレイデバイスの製造例において，回路が表面に形成された樹脂膜をキャリア基板から欠陥を生じずに剥離ができることが示されているといえる。そして，上記の剥離については，当業者であれば，本件明細書の【００２２】に記載されるとおり，「剥離方法に特に制限はなく」，例えば，「キャリア基板側からレーザー等を照射することで剥離」することや，「単に物理的に剥離」することが可能であると理解できる。
　これに対して，申立人Ｂは，本件発明１〜６がその課題を解決できると認識できる範囲を超えるものであることの具体的な根拠を何ら示していない。
　以上によれば，申立人Ｂが主張するように，本件明細書に，「基板からの剥離性」がどのような機序で実現されたのか記載されておらず，また，ディスプレイデバイスの製造例において，ポリイミド膜をガラス基板からどのように剥離したのか記載されていないとしても，そうであるからといって，本件発明１〜６について，特許請求の範囲の記載がサポート要件に適合しないなどということはできない。
　したがって，申立理由６Ｂ（サポート要件）によっては，本件特許の請求項１〜６に係る特許を取り消すことはできない。
（８）申立理由５Ｂ（実施可能要件）
　申立人Ｂは，請求項１に「前記回路が表面に形成された樹脂膜を前記キャリア基板から剥離する」と記載されているところ，回路が形成されたポリイミド膜をキャリア基板から剥離するには，キャリア側からのレーザーの照射や物理的手段等が知られているが，それぞれの方法においてポリイミドに求められる物性は全く異なり，ポリイミドの種類によって適用可能な剥離方法は異なるはずであるとして，「キャリア基板から欠陥を生じずに剥離ができる」という本件発明１の課題を解決するためには，ポリイミドのレーザーに対する感受性等の化学的特性を利用するのか，ポリイミドの靱性といった物理的な剥がれ易さを利用するか，不明であり，また，本件明細書の実施例においては，ポリイミド膜をガラス基板からどのように剥離したのか，方法及び条件について何ら記載されていないから，本件明細書の発明の詳細な説明には，請求項１における「前記回路が表面に形成された樹脂膜を前記キャリア基板から剥離する」という工程を実施するための具体的な方法及び条件が記載されておらず，また，出願時の技術常識に基づいても，当業者は前記工程の具体的実施態様を理解できないと主張する（申立書２０〜２１頁）。
　しかしながら，上記１（２）で述べたとおり，本件明細書における実施例及び比較例によれば，実施例１〜４及びディスプレイデバイスの製造例において，回路が表面に形成された樹脂膜をキャリア基板から欠陥を生じずに剥離ができることが示されているといえる。そして，上記の剥離については，当業者であれば，本件明細書の【００２２】に記載されるとおり，「剥離方法に特に制限はなく」，例えば，「キャリア基板側からレーザー等を照射することで剥離」することや，「単に物理的に剥離」することが可能であると理解でき，また，その条件についても理解できる。
　これに対して，申立人Ｂは，本件明細書の発明の詳細な説明が，当業者が本件発明１〜６を実施することができる程度に明確かつ十分に記載されていないことの具体的な根拠を何ら示していない。
　以上によれば，申立人Ｂが主張するように，本件明細書に，「キャリア基板から欠陥を生じずに剥離ができる」という本件発明１の課題を解決するために，ポリイミドのどのような特性を利用するのか記載されておらず，また，実施例において，ポリイミド膜をガラス基板からどのように剥離したのか，方法及び条件について記載されていないとしても，そうであるからといって， 本件発明１〜６について，発明の詳細な説明の記載が実施可能要件に適合しないなどということはできない。
　したがって，申立理由５Ｂ（実施可能要件）によっては，本件特許の請求項１〜６に係る特許を取り消すことはできない。
第６　むすび
　以上のとおり，取消理由通知書に記載した取消理由及び特許異議申立書に記載した特許異議の申立ての理由によっては，本件特許の請求項１〜６に係る特許を取り消すことはできない。
　また，他に本件特許の請求項１〜６に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって，結論のとおり決定する。
【異議決定日】
令和１年１０月１１日（２０１９．１０．１１）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】
　液状の樹脂組成物を硬質キャリア基板上に塗布成膜し
、２００〜５００℃の加熱温度で１５分〜６時間加熱して、
２〜１０
　【化１】
（一般式（１）中、Ｒは各々独立に水素原子又は一価の有機基を示し、Ｒ１は
　【化２】
から選択される２価の有機基であり（但しＲ’は各々独立にアルキル基であり、アルキル基の水素原子はハロゲン原子で置換されても良い）、Ｒ２は
　【化３】
で表され、ｓ−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物に基づく構造残基である
。）
全構造単位中６０％以上
８０，０００
のみからなる
Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、γ−ブチロラクトン、ε−カプロラクトン、γ−カプロラクトン、γ−バレロラクトン、ジメチルスルホキシド、１，４−ジオキサン、及びシクロヘキサノンからなる群より選ばれる少なくとも１種の
　【請求項２】
　フレキシブルデバイス基板が、液晶ディスプレイ用基板、有機ＥＬディスプレイ用基板又は電子ペーパー用基板であ
り、
　
前記ポリイミド前駆体樹脂組成物が、前記ポリイミド前駆体に対して０．１質量％以上３質量％以下のシランカップリング剤を更に含有する
　【請求項３】
　請求項１又は２に記載のフレキシブルデバイス基板形成用ポリイミド前駆体樹脂組成物を硬質キャリア基板上に塗布成膜し
、２００〜５００℃の加熱温度で１５分〜６時間加熱して、
２〜１０
　【請求項４】
　ポリイミド樹脂膜のガラス転移温度が、３００℃以上である請求項３に記載のフレキシブルデバイスの製造方法。
　【請求項５】
　ポリイミド樹脂膜の１００℃〜２００℃の範囲における熱膨張係数が、２０ｐｐｍ／Ｋ以下である請求項３又は４に記載のフレキシブルデバイスの製造方法。
　【請求項６】
　請求項３〜５のいずれかに記載されたフレキシブルデバイスの製造方法により製造された表示デバイスであるフレキシブルデバイス。