【事件の表示】
　特許第２７５７２８７号「タングステンターゲットの製造方法」の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結論】
　特許第２７５７２８７号の特許を維持する。
【理由】
［１］本件発明
　本件特許第２７５７２８７号（平成１年１１月２日出願、平成１０年３月１３日設定登録）の請求項１に係る発明（以下、「本件発明」という。）は、特許明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された下記のとおりのものである。
　「高純度のタングステンの粉末原料を用いて予備焼結体を製造し、ついで１２００℃以上で熱間塑性加工して相対密度９９％以上を得ることを特徴とするタングステンターゲットの製造方法。」
［２］特許異議申立の理由の概要
　異議申立人佐藤亜由美は、本件発明は甲第１〜３号証に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、同法第１１３条第１項第２号の規定により、また、特許請求の範囲には発明の構成に欠くことができない事項のみが記載されているものではないから、同法第３６条第４，５項の規定により特許を受けることができないものであり、同法第１１３条第１項第４号の規定により、それぞれ取り消すべきものである旨主張している。
［３］甲第１〜３号証に記載の発明
（１）甲第１号証（「Ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ　ａｎｄ　ｐｒｏｄｕｃｔｉｏｎ　ｏｆ　ｐｏｗｄｅｒ−ｍｅｔａｌｌｕｒｇｉｃａｌ　ＰＶＤ−ｓｏｕｒｃｅｓ」Ｅｒｚｍｅｔａｌｌ　３８（１９８５）Ｎｒ．３　第１２９〜１３３頁）には、「２モリブデン」の項の「２．１純モリブデン」の項において、高純度のモリブデン粉末を２０００℃にて焼結して、９５％以上の密度を達成し、次に、鍛造、圧延の熱処理により十分な密度と最適で均質な粒径を有するモリブデンターゲットを得ることが開示され（第１２９〜１３０頁参照）、また、「２．２モリブデン−シリコン」の項において、１％シリコンを加えたモリブデンターゲットについて、種々の不純物の量とともにモリブデンのミニマムな量が９９．９６％であることが開示され（第１３１頁表１参照）、さらに、「４　タングステン」の項において、高融点、高密度等を除くと、タングステンはモリブデンと同等であること、純タングステンスッパタターゲットは十分な密度の状態で製造されることが開示されている（第１３２頁参照）。
（２）甲第２号証（「ＶＬＳＩ用高純度高融点金属ターゲットの開発」Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ　Ｗｏｒｌｄ　１９８５．３第１１１〜１１５頁）の「高融点金属の高純度化の現状」の項において、「ＭＯＳ　ＬＳＩ用の高融点金属の精製には電子ビーム溶解法がもっとも適していること」（第１１２頁右欄第１０〜１１行）が記載され、また、９９．９％のモリブデン粉末を加工して高純度モリブデン粉末とし、焼結、溶解を経て、モリブデンインゴットとし、熱加工を施してモリブデンターゲットプレートを製造する工程が開示され（第１１３頁図１参照）、さらに、「図４はＭｏターゲット製造工程と同様の工程をへて得られた・・・タングステンインゴットである。」（第１１３頁下から第３行〜第１１４頁第１行）が記載されている。
（３）甲第３号証（特開昭６１−６１９７号公報）には、多結晶タングステンの結晶粒界脆性による破壊が生じることなく、任意の形状を有するタングステン単結晶を提供する発明が開示され、さらに、
　「タングステン酸化物の粉末に、・・・カルシウム及びマグネシウムを湿式法により添加し、粉末冶金法を用いて、金属粉末とした。この金属粉末を・・・焼結して焼結体とした。さらにこの焼結体を熱間加工（温度１６００〜１２００℃）及び温間加工（１０００〜５００℃）を施し、・・・標準板状試料１〜６を作製した。そしてこの標準板状試料１〜６を温度２５００℃の予め定められた雰囲気で３時間焼鈍を行った。」（第２頁右上欄第９〜末行）が記載され、また、表−１には、試料番号１〜６の板状試料について、Ｃａ、Ｍｇの含有量とともに結晶の状態が記載され、試料番号１の板状試料については、Ｃａ及びＭｇの含有量がゼロで、結晶の状態が細粒であることが記載されている。
［４］対比・判断
　本件発明と甲第１号証に記載の発明とを対比すると、甲第１号証には、高純度のモリブデン粉末を２０００℃で焼結して、鍛造、圧延の熱処理により十分な密度と均質な粒径を有するモリブデンターゲットを得ること、タングステンはモリブデンと同等であり、十分な密度の純タングステンスパッタターゲットを製造することが開示されているものの、本件発明において、１２００℃以上で熱間塑性加工して相対密度９９％以上のタングステンターゲットを得ることに対応する、甲第１号証に記載の鍛造、圧延における熱処理温度、得られたタングステンターゲットの具体的な相対密度については何ら記載されていないし、示唆もされていない。
　なお、甲第１号証の第１３１頁表１には、種々の不純物の量とともにモリブデンのミニマムな量を９９．９６％とする記載があるが、このモリブデンは１％シリコンを加えることを前提としたものであるから、本件発明のように、高純度のタングステンを用いるものとは明らかに相違する。
　また、上記甲第２号証に記載の発明は、高純度モリブデン粉末を焼結、溶解を経て、モリブデンインゴットとし、その後、熱加工してモリブデンターゲットプレートを製造したものであり、タングステンターゲットを同様の工程を経て得ることが開示されているものの、熱加工する前に溶解してモリブデンインゴットとするものであるから、本件発明のように、高純度のタングステンの粉末原料を用いて予備焼結体を製造し、ついで熱間塑性加工するものとは製造方法が相違する。
　さらに、上記甲第３号証には、焼結体を１６００〜１２００℃で熱間加工を施すことが記載されているが、この焼結体は、タングステン酸化物の粉末にカルシウムとマグネシウムを添加して金属粉末とし、この金属粉末を焼結したものであって、本件発明のように、高純度のタングステンの粉末原料を用いて予備焼結したものではない。
　なお、同号証の表−１には、試料番号１の板状試料について、カルシウム及びマグネシウムの含有量がゼロである結晶の状態が細粒であることが記載されているものの、この試料番号１の板状試料は、上記熱間加工及び温間加工を施した後、温度２５００℃で焼鈍を行っているものであるから、その製造方法は、本件発明のように、熱間塑性加工してタングステンターゲットを製造する方法とは相違する。
　したがって、甲第１号証に記載のモリブデンをタングステンに置き換えてタングステンターゲットの製造方法としても、さらに、甲第２号証に記載の熱加工、甲第３号証に記載の熱間加工の温度範囲を参照しても、本件発明の構成とすることは当業者が容易になし得るものであるとすることはできない。
　しかも、本件発明は、ターゲットを機械加工する場合に割れを生じることもなく、スパッタリングにおいても焼結粒の異方性がないため、均一な膜を形成し、かつ膜中のパーティクル数を著しく低減し、ウエハー歩留りが向上するとの、特許明細書に記載の顕著な効果を奏するものである。
　したがって、本件発明は、上記甲第１〜３号証に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
［５］明りょうでない記載について
　本件特許明細書第２欄第１１〜１３行には、「溶解法で作製したインゴットは、タングステンが高融点（Ｗ：３４２２℃）でかつ高純度であるため、結晶粒は粗大化する。」と記載されている。
　確かに、金属については、高純度であればあるほど熔製品（たとえば、溶解法で作製したインゴット）は、その結晶粒が粗大化するものである（特開昭６１−１１６８３５号公報参照）が、本件発明は、溶解法とは異なり、粉末−焼結法によりタングステンターゲットを製造するものであり、この粉末−焼結法によれば、高純度のタングステンを用いて作製したタングステンターゲットの結晶粒は微細であるから、上記記載における「高純度」の意味するもの（すなわち、結晶粒が粗大化していること）と、本件発明における「高純度」の意味するもの（すなわち、結晶粒が微細であること）とは、何ら矛盾するものではない。
　したがって、本件特許明細書の請求項１における「高純度」の記載は明確であり、不明りょうであるとは認められない。
［６］むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立の理由及び証拠によっては、本件発明の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１１年８月１３日（１９９９．８．１３）