【事件の表示】
　特許第６６３００２５号発明「半導体製造用部品、複合体コーティング層を含む半導体製造用部品及びその製造方法」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第６６３００２５号の請求項１ないし１５に係る特許を維持する。
【理　由】
第１　手続の経緯
　特許第６６３００２５号の請求項１〜１５に係る特許についての出願は，２０１７年１２月１８日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２０１６年１２月２０日：韓国）を国際出願日とする出願であって，令和元年１２月１３日にその特許権の設定登録がされ，令和２年１月１５日に特許掲載公報が発行された。その後，その特許に対し，令和２年７月７日に特許異議申立人古川興輝（以下「申立人」という。）は，特許異議の申立てを行った。
第２　本件発明
　特許第６６３００２５号の請求項１〜１５の特許に係る発明（以下「本件発明１」〜「本件発明１５」という。）は，それぞれ，その特許請求の範囲の請求項１〜１５に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
「【請求項１】
　ＳｉＣ及びＣを含む複合体を含み，
前記複合体のうちＳｉ：Ｃの原子比は，１：１．１〜１：１．３である半導体製造用部品。
【請求項２】
　前記半導体製造用部品は，フォーカスリング，電極部，及びコンダクターからなる群より選択される少なくともいずれか１つを含むプラズマ処理装置部品である，請求項１に記載の半導体製造用部品。
【請求項３】
　前記複合体のうち前記Ｃは，前記ＳｉＣの間に存在する，請求項１に記載の半導体製造用部品。
【請求項４】
　前記複合体のうち前記Ｃは，熱分解炭素として存在する，請求項１に記載の半導体製造用部品。
【請求項５】
　半導体製造用部品と，
前記半導体製造用部品の少なくとも一面に形成されたＳｉＣ及びＣを含む複合体コーティング層と，
を含み，
　前記複合体のうちＳｉ：Ｃの原子比は，１：１．１〜１：１．３である，複合体コーティング層を含む半導体製造部品。
【請求項６】
　前記半導体製造用部品は，グラファイト，ＳｉＣ又はこの２つを含む，請求項５に記載の複合体コーティング層を含む半導体製造部品。
【請求項７】
　前記複合体コーティング層を含む半導体製造用部品は，フォーカスリング，電極部，及びコンダクターからなる群より選択される少なくともいずれか１つを含むプラズマ処理装置部品である，請求項５に記載の複合体コーティング層を含む半導体製造部品。
【請求項８】
　前記複合体コーティング層の平均的な厚さは，１ｍｍ〜３ｍｍである，請求項５に記載の複合体コーティング層を含む半導体製造部品。
【請求項９】
　グラファイト，ＳｉＣ又はこの２つを含む母材に，Ｓｉ前駆体及びＣ前駆体ソースを用いた化学的気相蒸着法によってＳｉＣ及びＣを含む複合体を形成するステップを含み，前記複合体のうちＳｉ：Ｃの原子比は，１：１．１〜１：１．３である，半導体製造用部品の製造方法。
【請求項１０】
　前記ＳｉＣ及びＣを含む複合体を形成するステップは，１０００℃〜１９００℃の温度で行われる，請求項９に記載の半導体製造用部品の製造方法。
【請求項１１】
　前記ＳｉＣ及びＣを含む複合体を形成するステップの前に，Ｓｉ前駆体及びＣ前駆体を混合するステップを含む，請求項９に記載の半導体製造用部品の製造方法。
【請求項１２】
　半導体製造用部品を備えるステップと，
前記半導体製造用部品の少なくとも一面にＳｉ前駆体及びＣ前駆体を用いて化学的気相蒸着法によってＳｉＣ及びＣを含む複合体コーティング層を形成するステップと，
を含み，前記複合体のうちＳｉ：Ｃの原子比は，１：１．１〜１：１．３である，複合体コーティング層を含む半導体製造用部品の製造方法。
【請求項１３】
　前記半導体製造用部品は，グラファイト，ＳｉＣ又はこの２つを含む，請求項１２に記載の複合体コーティング層を含む半導体製造用部品の製造方法。
【請求項１４】
　前記ＳｉＣ及びＣを含む複合体コーティング層を形成するステップは，１０００℃〜１９００℃の温度で行われる，請求項１２に記載の複合体コーティング層を含む半導体製造用部品の製造方法。
【請求項１５】
　前記ＳｉＣ及びＣを含む複合体コーティング層を形成するステップの前に，Ｓｉ前駆体及びＣ前駆体を混合するステップを含む，請求項１２に記載の複合体コーティング層を含む半導体製造用部品の製造方法。」
第３　申立理由の概要
　申立人は，主たる証拠として下記の甲第１号証及び甲第２号証を，従たる証拠として下記の甲第３号証ないし甲第８号証を提出し，以下の（１），（２）の旨主張する。
（１）本件特許の請求項１〜１５に係る発明は，特許法２９条１項３号に該当し，同法同条１項の規定に違反して特許されたものであるから，本件の請求項１〜１５に係る特許は取り消すべきものである。
（２）本件特許の請求項１〜１５に係る発明は，特許法２９条２項の規定に違反して特許されたものであるから，本件の請求項１〜１５に係る特許は取り消すべきものである。
　また，申立人は以下の（３），（４）の旨主張する。
（３）本件の請求項１〜１５に係る特許は，特許法３６条４項１号の要件に適合しない特許出願に対してされたものであるから，取り消すべきものである。
（４）本件の請求項１〜１５に係る特許は，特許法３６条６項２号の要件に適合しない特許出願に対してされたものであるから，取り消すべきものである。
 　　　　　　　　　　　　　記
甲第１号証：平井敏雄，外２名，「化学気相析出法による炭化ケイ素の合成」，窯業協会誌，１９８３年１１月，第９１巻，第５０２〜５０９頁
甲第２号証：特開２０１０−５３３８０号公報
甲第３号証：特開２００１−１０７２３９号公報
甲第４号証：特開２００５−１９７２４号公報
甲第５号証：特開２００９−１６１８５８号公報
甲第６号証：特開平１１−２２８２３３号公報
甲第７号証：韓国公開特許第１０−２０１１−００２６９６９号公報
甲第８号証：韓国公開特許第１０−２０１４−００７４５３１号公報
第４　甲号証の記載
１．甲第１号証の記載及び甲１発明
（１）甲第１号証の記載
　甲第１号証には次の記載がある。（下線は当審による。以下同じ。）
ア「炭化ケイ素 (SiC) は, 高温でも耐酸化性, 耐クリープ, 耐熱衝撃に優れ, 更に高硬度, 高強度であるため, 高温での構造用材料として有望であると考えられている。 またSiCは, 低原子番号 (low Z) 材料であるため, プラズマ汚染が少なく, 放射線による照射損傷を受け難いなどの理由で, 核融合炉第1壁材料として検討が進められている1)。SiCの諸性質を調べるにはできるだけ高純度, 高密度で, また厚い試料が必要である。 SiC成形体を得るには種々の方法, 例えば反応焼結法, 再結晶法, ホットプレス法, CVD法等がある。 これらの方法の中で, 高純度, 高密度のSiCを合成するにはCVD法が適当である。」（第５０３頁左欄第２行〜第１３行）
イ「
そこで本研究では, SiCl4＋C3H8＋H2を原料ガスとし, 厚さ数mmの板状のSiCが生成するCVD条件を明らかにすることを目的とした
ウ「図4及び図5に, Tdep=1300°〜1800℃での炭素濃度とFR(C3H8) の関係を示す。
いずれのTdep, Ptotでも, FR(C3H8)=10〜40 cm3/minでは, 炭素濃度は約30wt%であった。この値はSiC中のCの化学量論組成 (30.01wt%) によく一致する。FR(C3H8)=55cm3/min以上では, 炭素濃度は30〜50wt%の範囲で変化した。
　図6及び図7に,　Tdep=1300°〜1800℃での密度とFR(C3H8) の関係を示す。 いずれのTdep, Ptotでも, FR(C3H8)=10〜40cm3/minでは密度は約3.2g/cm3であった。 この値はSiCの理論密度8)にほぼ一致する。 FR(C8H8)=55cm3/min以上では, 密度は3.2〜2.4g/cm3の範囲で変化した。
　X線回折による構造解析から, 炭素濃度が約30wt%, 密度が約3.2g/cm3の試料はいずれもβ-SiCであり, 遊離Siあるいは遊離Cの存在は認められなかった。 一方,
 炭素濃度が30wt%よりも多く密度が3.2g/cm3よりも小さい試料は, いずれもβ-SiCとCの混合物であることが確認された
エ「
SiCl4＋C3H8＋H2ガスを原料とし, CVD法を用いて, Tdep=1300°〜1800℃, Ptot=30〜760Torr, FR(C3H8)=10〜90cm3/minの条件でSiCの合成を試み, 以下の結果を得た
(1) 
上記の条件で得られる析出物
(2) いずれのTdep及びPtotでも, 
FR(C3H8)=10〜40cm3/minでβ-SiCが得られ，FR(C3H8)=70cm3/min以上ではβ-SiCとCの混合物が得られた。 また, FR(C3H8)=55cm3/minが遊離Cの生成し始める境界条件であることが分った。
(3) β-SiCの密度は約3.2g/cm3であり, 炭素濃度は約30wt%であった。 これらの値はβ-SiCのそれぞれの理論値とよく一致する。
 β-SiCとCの混合物の密度は3.2〜2.4g/cm3, 炭素濃度は30〜50wt%の範囲で変化した
(4) β-SiCの表面組織は低Ptotでファセットの発達したピラミッド状, 高Ptotでコーン状であった。
(5) β-SiCの生成速度はいずれのTdep及びPtotでも, FR(C3H8) の増加とともに増大し, Tdep=1600℃, Ptot=30Torr, FR(C3H8)=25cm3/minで最高1.4mm/hに達した。 β-SiCの生成の活性化エネルギーは, Ptot=30Torrで12〜26 kcal/mol, Ptot=760Torrで10〜12kcal/molであった。」（第５０８頁左欄第２５行〜右欄第１７行）
（２）甲１発明
　上記イ，エの記載から，甲第１号証には，ＣＶＤ法によりβ−ＳｉＣとＣの混合物を含む析出物を得たことが記載されていると理解できる。
　また，上記ウ，エの記載から，甲第１号証には，得られたβ−ＳｉＣとＣの混合物の炭素濃度が３０〜５０ｗｔ％であることが記載されていると理解できる。
　ここで，Ｓｉの原子量２８，Ｃの原子量を１２として上記のｗｔ％を原子比に換算すると，炭素濃度が３０ｗｔ％のとき，Ｃ原子量は０．３／１２＝０．０２５，Ｓｉ原子量は０．７／２８＝０．０２５から，Ｓｉ：Ｃの原子比は１：１となる。同様に，炭素濃度が５０ｗｔ％のとき，Ｃ原子量は０．５／１２＝０．０４２，Ｓｉ原子量は０．５／２８＝０．０１８から，Ｓｉ：Ｃの原子比は１：２．３となる。
　そうすると，甲第１号証には次の発明（以下「甲１発明」という。）が記載されているものと認められる。
「β−ＳｉＣとＣを含む混合物を含み，前記混合物のうちＳｉ：Ｃの原子比は１：１〜１：２．３である析出物。」
２．甲第２号証の記載及び甲２発明
（１）甲第２号証の記載
　甲第２号証には次の記載がある。
「【０００１】
　本発明は，
切削工具，金型，耐摩耗部品，光ディスクや磁気ディスクのような記憶媒体の保護膜等に用いられる，硬質薄膜材料の一つであるアモルファス炭化ケイ素（ａ−ＳｉＣｘ：Ｈ）膜
「【０００５】
　本発明は，このような現状に鑑み，
切削工具等のコーティング材料として必要な硬度を有するアモルファス炭化ケイ素（ａ−ＳｉＣｘ：Ｈ）膜
「【００１２】
　本発明によれば，アモルファス炭化ケイ素膜の硬度が３０−７０ＧＰａと，従来の結晶性或いはアモルファス炭化ケイ素により構成された硬質膜では実現することができなかった，硬質のアモルファス炭化ケイ素膜を得ることができる。
本発明により得られるアモルファス炭化ケイ素膜のケイ素に対する炭素の原子比［Ｃ］／［Ｓｉ］は１．１−１．８程度
「【００１８】
　この計測の際には，装置に付属したＡｒエッチング装置を作動させることにより，薄膜の表面がＡｒ＋イオンによりエッチングされて薄膜の組成が変化する。したがって，表１にはＡｒ＋イオンによるエッチングを行う前と後の測定値を記載した。なお，−ＶＲＦ＝０Ｖは，基板に負の高周波バイアス電圧を印加していない対照例である。 元素分析の結果，
アモルファス炭化ケイ素（ａ−ＳｉＣｘ：Ｈ）膜のｘの値は１．０６−１．７３の範囲にあった
膜表面近傍にC原子の割合が高い層が形成されることが示唆された
【００１９】
　−ＶＲＦ=０Ｖ，５０Ｖ及び１００Ｖで形成した薄膜について，超微小押し込み硬さ測定器（Ｆｉｓｈｅｒ Ｈ−１００）を用いて膜の硬度を測定した結果を図３に示す。この測定では，Ｂｅｒｋｏｖｉｔｃｈ圧子を用い，最大で７ｍＮの荷重をかけて，最大の押し込み深さから膜硬度を決定した。 図３中，（ａ），（ｂ），（ｃ）はそれぞれ−ＶＲＦ= ０，５０，１００Ｖに対応する。□が荷重を増加させたとき（荷重曲線），◇が荷重を減少させたとき（除荷曲線）に対応する。最大押し込み深さは（ａ）４０９ｎｍ，（ｂ）１１２ｎｍ，（ｃ）６２ｎｍ，であった。これらの値を膜硬度に換算すると（ａ）１．６ＧＰａ，（ｂ）２１ＧＰａ，（ｃ）６９ＧＰａであった。単結晶のＳｉＣの硬度は２０−２５ＧＰａとされているので，本発明の（ｃ）で得られた硬度はこれを遥かに上回っている。この原因については検討中であるが，元素分析の結果等を考慮すると，
高周波バイアスを印加した条件下で作成されたａ−ＳｉＣｘ：Ｈ薄膜は，表面近傍に結晶性は示さないもののＣ原子を多く含む層が形成されて，本来のＳｉＣよりも高い硬度を示したと推定される
（２）甲２発明
　以上の記載から，甲第２号証には次の発明（以下「甲２発明」という。）が記載されているものと認められる。
「表面近傍にＣ原子を多く含む層が形成され，
ケイ素に対する炭素の原子比［Ｃ］／［Ｓｉ］が１．１〜１．８であるアモルファス炭化ケイ素膜」
３．甲第３〜８号証の記載
（１）甲第３号証の記載
　甲第３号証には次の記載がある。
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，耐食性に優れたＣＶＤ−ＳｉＣおよびそれを用いた耐食性部材，ならびに処理装置に関する。
本発明のＣＶＤ−ＳｉＣが適用される耐食性が要求される部材としては，ＣＶＤ装置等に用いられるサセプタ，シールドリング，シャワーヘッド，クランプリング，デポシールドリング等を挙げることができる。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスの製造においては，半導体ウエハ上に例えばｐｏｌｙ−Ｓｉ層や，Ａｌ，Ｗ，Ｃｕ等のメタル層を形成する工程があり，これらの形成方法の一つとしてＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）が用いられている。
【０００３】半導体ウエハに枚葉式ＣＶＤにより所定の膜を形成する際には，半導体ウエハはチャンバー内に配置されたサセプタ上に載置される。また，サセプタに載置された半導体ウエハの外側にはシールドリングが設けられる。
これらサセプタやシールドリングとしては，従来，アモルファスカーボン，焼結ＳｉＣ，基材をＣＶＤ−ＳｉＣで被覆したものが多用されている
「【００３６】そこで，ＣｌＦ３等のハロゲン含有ガスに対する耐食性が高いＣＶＤ−ＳｉＣを得るために研究を重ねた結果，β−ＳｉＣの表面の（２２０）面および（３１１）面の存在比率が高くなると，ＣｌＦ３等のハロゲン含有ガスに対する耐食性が良好になるということが判明した。
【００３７】つまり，従来のβ−ＳｉＣは，（１１１）面および（２２２）面が主要な面であるが，本発明では（２２０）面および（３１１）面の存在比率が０．１５以上となるようにβ−ＳｉＣを配向させることにより，ＣｌＦ３等のハロゲン含有ガスに対する耐食性が高くなるのである。なお，本発明のＣＶＤ−ＳｉＣは，全てがこのようなβ−ＳｉＣ結晶で構成されていなくてもよい。」
「【００５４】
このＣＶＤ成膜装置１において，サセプタ３，シールドリング５，シャワーヘッド９が基材上に本発明のＣＶＤ−ＳｉＣが被覆されて構成されている
【００５５】また，図２は，チャンバー２’内に抵抗加熱タイプのサセプタ２１を支持部材２２で支持した状態で設け，このサセプタ２１上にクランプリング２４によりウエハＷを固定して，図１の場合と同様に成膜処理およびクリーニングを行うＣＶＤ成膜装置１’を示す。サセプタ２１内にはＰＧ（Pyrolytic graphite）ヒーター２３が埋設されている。このＣＶＤ成膜装置１’のサセプタ２１およびクランプリング２４も基材上に本発明のＣＶＤ−ＳｉＣを被覆されて構成されている。このため，これら部材はＣｌＦ３ガス等のハロゲン含有ガスに対する耐食性が高い。したがって，同様にクリーニング処理を行う際に，これらの部材はエッチングされ難い。」
「【００６５】このプラズマエッチング装置５０において，チャンバー５２内に配置された部材である，サセプタ５３，フォーカスリング５７，上部電極６０の電極板６１，シールドリング７０，デポシールド７２が基材上に本発明のＣＶＤ−ＳｉＣが被覆されて構成されている。」
（２）甲第４号証の記載
　甲第４号証には次の記載がある。
「【０００１】 【発明の属する技術分野】 
本発明は半導体熱処理用部材に係わり，特にＳｉＣ被覆カーボンを用いた半導体熱処理用部材に関する
【０００２】 
【従来の技術】 
一般にＳｉＣ被覆カーボンを用いたエピタキシャル成長用サセプタは，任意の形状に加工したカーボン基材にＳｉＣ膜を被覆して製造される
（３）甲第５号証の記載
　甲第５号証には次の記載がある。
「【０００１】
本発明は，半導体製造工程におけるエピタキシャル成長装置や，インラインクリーニングがなされる化学気相蒸着（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ，以下，ＣＶＤという）装置の治具として用いられる，金属やクリーニングガスに対して耐食性に優れた耐食性ＣＶＤ−ＳｉＣによって基材表面が被覆された耐食性ＣＶＤ−ＳｉＣ被覆材及びこれを用いたＣＶＤ装置用治具に関する
【背景技術】
【０００２】
従来より，半導体製造工程における各種装置の構成部品や，治具等には，ＳｉＣ単独のものや，黒鉛等の炭素質材料やセラミックス等からなる基材表面をＳｉＣで被覆したＳｉＣ被覆材が広く利用されている
「【００１１】
本発明者らは，表面に形成されているβ−ＳｉＣの（１１１）面が，形成される主な結晶面中に占める比率が０．５以下であるときに，インラインクリーニングに使用されるＣｌＦ，ＣｌＦ３ ，ＣｌＦ５ ，ＮＦ３ ，ＨＣｌ，Ｃｌ２ ，ＨＦ等のガスに対する耐エッチング性が優れていること，また，Ａｌ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ等の金属のうち１若しくはこれら２以上からなる合金に対して耐食性を有することを見いだし，本発明を完成させた。」
「【００２３】
　図６にＬＰＣＶＤ装置の反応室の断面概略図を示す。ＬＰＣＶＤ装置とは，Ｌｏｗ Ｐｒｅｓｓｕｒｅ ＣＶＤ装置の略であり，図に示すように，
ウェハー１４を載置するＳｉＣ製のボート１３と，ＳｉＣ製の均熱管１２
【００２４】
　図７にはＲＴＰＣＶＤ装置の反応室の断面概略図を示す。ＲＴＰＣＶＤ装置とは，Ｒａｐｉｄ Ｔｈｅｒｍａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ ＣＶＤ装置の略であり，図に示すように，
ウェハー２３を載置するＳｉＣ製のサセプター２２と，サセプター２２を載置するＳｉＣ製の治具２４
（４）甲第６号証の記載
　甲第６号証には次の記載がある。
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，高純度で耐熱性や強度特性に優れ，特に光不透過性に優れ，例えば
半導体製造用装置の熱処理装置用遮蔽体，均熱リング等の各種耐熱部材
半導体製造用装置の拡散炉装置，エッチング装置，ＣＶＤ装置などに用いられるダミーウエハ
ＳｉＣ成形体及びその製造方法
【０００２】
【従来の技術】ＳｉＣは耐熱性，耐蝕性，強度特性等の材質特性が優れており，各種工業用の部材として有用されている。特に，ＣＶＤ法（化学的気相蒸着法）を利用して作製したＳｉＣ成形体（ＣＶＤ−ＳｉＣ成形体）は，緻密で高純度であるため半導体製造用の各種部材をはじめ高純度が要求される用途分野において好適に用いられている。
【０００３】このＣＶＤ−ＳｉＣ成形体は，原料ガスを気相反応させて基材面上にＳｉＣの結晶粒を析出させ，結晶粒の成長により被膜を形成したのち基材を除去することにより得られるもので，材質的に緻密，高純度で組織の均質性が高いという特徴がある。」
「【００１０】
【発明が解決しようとする課題】そこで，本発明者らはＣＶＤ−ＳｉＣ成形体の性状と光特性との関係について研究した結果，ＳｉＣ成形体の材質組織として光を散乱・反射させる層が存在すると光透過性を低くできることを見出した。本発明はこの知見に基づいて開発されたものであり，その目的は高純度で耐熱性や強度特性に優れ，特に光不透過性に優れ，
例えば遮蔽体やダミーウエハ等の半導体製造用の各種部材，あるいは熱処理装置用の各種耐熱部材等として好適に用いることのできる高純度なβ型結晶からなるＣＶＤ−ＳｉＣ成形体及びその製造方法
「【００１６】例えば，平均粒子径が大きいＳｉＣ層から平均粒子径が小さいＳｉＣ層へ光が通過する場合，界面において複雑な光の散乱，屈折，反射等が起こって光透過性が低下する。また，平均粒子径が小さいＳｉＣ層から平均粒子径が大きいＳｉＣ層へ光が通過する場合も同様に光透過性が低下する。本発明のＳｉＣ成形体は，この粒子性状の異なるＳｉＣ層を成形体の内部あるいは表面部に少なくとも１層設けることにより光の散乱，屈折，反射等の光特性を変化させて低透過率としたものである。すなわち，異なる粒子性状のＳｉＣ層を設けることにより結晶組織に乱れが生じ，光透過率が低下する。」
（５）甲第７号証の記載
甲第７号証には次の記載がある。（和訳は当審による。）
（和訳：［００３１］すなわち，半導体基板やフラットパネルディスプレイ基板を移送する
移送軸の軸受に本発明のシリコンカーバイド複合体を使用
［００３２］また，透過度が低い熱分解炭素が粒間に充填されてシリコンカーバイドの透過度を減少させることにより，
半導体の拡散工程等に使用されるＳｉＣダミーウェハー
（６）甲第８号証の記載
　甲第８号証には次の記載がある。（和訳は当審による。）
（和訳：［０００１］本発明は，プラズマ処理装置のシリコンカーバイド構造物に関し，より詳細には，シリコンカーバイド構造物の性能を向上させ寿命を延長させることができるプラズマ処理装置のシリコンカーバイド構造物に関する。）
（和訳：［００１６］図１を参照すると，本発明の好ましい実施形態に係る
プラズマエッチング装置のＳｉＣ構造物であるエッチングガスを供給する電極（１０）
（和訳：［００３９］図８を参照して
ＳｉＣ構造物であるフォーカスリング（２０）
第５　当審の判断
１．特許法２９条１項３号について
１．１．本件発明１について
（１）本件発明１と甲１発明との対比
　本件発明１と甲１発明とを対比する。
ア　甲１発明における「β−ＳｉＣとＣを含む混合物」は，本件発明１における「ＳｉＣおよびＣを含む複合体」に相当する。
イ　本件発明１は「Ｓｉ：Ｃの原子比は，１：１．１〜１：１．３」であり，甲１発明は「Ｓｉ：Ｃの原子比は１：１〜１：２．３」であるから，両者はともに，「所定の範囲のＳｉ：Ｃの原子比」である点で共通する。
ウ　本件発明１の「半導体製造用部品」と甲１発明の「析出物」は，「物」である点で共通する。
　以上ア〜ウから，本件発明１と甲１発明との一致点，相違点は次のとおりとなる。
＜一致点＞
「ＳｉＣ及びＣを含む複合体を含み，
前記複合体のうちＳｉ：Ｃの原子比は，所定の範囲の原子比である物。」
＜相違点１−１＞
　本件発明１では，「Ｓｉ：Ｃの原子比は，１：１．１〜１：１．３」の範囲であるのに対し，甲１発明では，「Ｓｉ：Ｃの原子比は１：１〜１：２．３」の範囲である点。
＜相違点１−２＞
　本件発明１は「半導体製造用部品」であるのに対し，甲１発明は「析出物」である点。
（２）本件発明１と甲２発明との対比
　本件発明１と甲２発明とを対比する。
ア　本件特許明細書の段落［００３５］には，次の記載がある。
「【００３５】
　本発明の一例によれば，
前記複合体のうち前記Ｃは，前記ＳｉＣの間に存在するものであってもよい。ここで，Ｃ原子は，優れる耐プラズマ特性を有するＳｉＣ粒子の間に充填されてＳｉＣ及びＣを含む複合体を形成するための物理的な結合を行う役割を果たす
　また，本件特許明細書の段落［００４８］には，次の記載がある。
「【００４８】
　本発明の一例によれば，
前記ＳｉＣ及びＣを含む複合体を形成するステップは，１０００℃〜１９００℃の温度で行われる
１０００℃未満の温度で行われる場合
結晶成長の過程で非晶質化又は結晶性が低下する問題が生じ
　これらの記載によれば，本件発明１の「ＳｉＣ及びＣを含む複合体」とは，例えばＳｉＣ粒子の間にＣ原子が充填されたものであり，非晶質ＳｉＣは好ましくないことが理解できる。
　一方，上記第４の２．（１）で摘記した甲第２号証の記載，例えば「高周波バイアスを印加した条件下で作成されたａ−ＳｉＣｘ：Ｈ薄膜は，
表面近傍に結晶性は示さないもののＣ原子を多く含む層
　そうすると，本件発明１における「ＳｉＣ及びＣを含む複合体」と甲２発明の「表面近傍にＣ原子を多く含む層」は，「ＳｉＣ及びＣを含む層」である点で共通する。
イ　本件発明１は「前記複合体のうちＳｉ：Ｃの原子比は，１：１．１〜１：１．３である」のに対し，甲２発明は「ケイ素に対する炭素の原子比［Ｃ］／［Ｓｉ］が１．１〜１．８である」から，両者はともに，「所定の範囲のＳｉ：Ｃの原子比」である点で共通する。
ウ　本件発明１の「半導体製造用部品」と甲２発明の「アモルファス炭化ケイ素膜」は，ともに「物」である点で共通する。
　以上ア〜ウから，本件発明１と甲２発明の一致点，相違点は次のとおりとなる。
＜一致点＞
「ＳｉＣ及びＣを含む層を含み，
前記層のうちＳｉ：Ｃの原子比は，所定の範囲の原子比である物。」
＜相違点２−１＞
　本件発明１では「ＳｉＣ及びＣを含む複合体」であるのに対し，甲２発明では「表面近傍にＣ原子を多く含む層」が「複合体」であると特定されていない点。
＜相違点２−２＞
　本件発明１では「Ｓｉ：Ｃの原子比は，１：１．１〜１：１．３」の範囲であるのに対し，甲２発明では，「Ｓｉ：Ｃの原子比は１：１．１〜１：１．８」の範囲である点。
＜相違点２−３＞
　本件発明１は「半導体製造用部品」であるのに対し，甲２発明は「アモルファス炭化ケイ素膜」である点。
（３）小括
　上記１．１．（１）のとおり，本件発明１と甲１発明は相違点を有するから，本件発明１は甲第１号証に記載された発明ではない。また，上記１．１．（２）のとおり，本件発明１と甲２発明は相違点を有するから，本件発明１は甲２号証に記載された発明ではない。
１．２．本件発明２〜１５について
　本件発明２〜１５は，「Ｓｉ：Ｃの原子比は，１：１．１〜１：１．３」との特定事項を含むから，本件発明１について上記で検討したのと同様に，甲第１号証又は甲第２号証に記載された発明ではない。
１．３．特許法２９条１項３号についてのまとめ
　以上のとおり，本件発明１〜本件発明１５は，甲第１号証又は甲第２号証に記載された発明ではないから，特許法２９条１項３号に該当せず同法同条１項の規定に違反して特許された発明とはいえない。
２．特許法２９条２項について
２．１．本件発明１について
（１）本件発明１と甲１発明との相違点に対する判断
　本件発明１と甲１発明の一致点及び相違点は，上記１．１．（１）に記載した以下のとおりである。
＜一致点＞
「ＳｉＣ及びＣを含む複合体を含み，
前記複合体のうちＳｉ：Ｃの原子比は，所定の範囲の原子比である物。」
＜相違点１−１＞
　本件発明１では，「Ｓｉ：Ｃの原子比は，１：１．１〜１：１．３」の範囲であるのに対し，甲１発明では，「Ｓｉ：Ｃの原子比は１：１〜１：２．３」の範囲である点。
＜相違点１−２＞
　本件発明１は「半導体製造用部品」であるのに対し，甲１発明は「析出物」である点。
　上記相違点について検討する。事案に鑑み，上記相違点１−１及び上記相違点１−２についてまとめて検討する。
　上記第４の３．に摘記した甲第３号証ないし甲第８号証の記載から，ＳｉＣを半導体製造用部品に適用することは周知技術であるといえる。
　しかしながら，たとえ上記周知技術を甲１発明に適用したとしても，当該適用の際にＳｉ：Ｃの原子比を「１：１．１〜１：１．３」の範囲に特定する特段の理由は，甲第１号証及び甲第３号証ないし甲第８号証には記載も示唆もされていない。
　この点について，例えば，上記第４の３．に摘記した甲第３号証の段落［００３６］には，「β−ＳｉＣの表面の（２２０）面および（３１１）面の存在比率が高くなると，ＣｌＦ３等のハロゲン含有ガスに対する耐食性が良好になる」と記載されているが，Ｓｉ：Ｃの原子比を「１：１．１〜１：１．３」の範囲に特定することと「ハロゲン含有ガスに対する耐食性」との関係については記載されていない。甲第５号証の段落［００１１］にも「表面に形成されているβ−ＳｉＣの（１１１）面が，形成される主な結晶面中に占める比率が０．５以下であるときに，インラインクリーニングに使用されるＣｌＦ，ＣｌＦ３ ，ＣｌＦ５ ，ＮＦ３ ，ＨＣｌ，Ｃｌ２ ，ＨＦ等のガスに対する耐エッチング性が優れていること」と記載されているが，Ｓｉ：Ｃの原子比を「１：１．１〜１：１．３」の範囲に特定することと，インラインクリーニングに使用されるガスに対する耐エッチング性との関係については記載がない。甲第４号証の段落［０００２］には，サセプタの耐食性能はＳｉＣの結晶性に影響されることが記載され，甲第６号証の段落［０００２］にはＳｉＣが耐蝕性に優れていることが記載されているものの，Ｓｉ：Ｃの原子比を「１：１．１〜１：１．３」の範囲に特定すること関する記載や示唆は見当たらない。
　そして，本件発明１はＳｉ：Ｃの原子比を「１：１．１〜１：１．３」の範囲に特定することにより，Ｓｉ対比のプラズマエッチング比率が大きく向上する（本件特許の明細書段落［００５５］〜［００５８］及び図３を参照。）という顕著な効果が得られるものである。
　したがって，本件発明１は，甲１発明及び甲第３号証ないし甲第８号証から当業者が容易に想到し得たものとはいえない。
（２）本件発明１と甲２発明との相違点に対する判断
　本件発明１と甲２発明の一致点及び相違点は，上記１．１．（２）に記載した以下のとおりである。
＜一致点＞
「ＳｉＣ及びＣを含む層を含み，
前記層のうちＳｉ：Ｃの原子比は，所定の範囲の原子比である物。」
＜相違点２−１＞
　本件発明１では「ＳｉＣ及びＣを含む複合体」であるのに対し，甲２発明では「表面近傍にＣ原子を多く含む層」が「複合体」であると特定されていない点。
＜相違点２−２＞
　本件発明１では「Ｓｉ：Ｃの原子比は，１：１．１〜１：１．３」の範囲であるのに対し，甲２発明では，「Ｓｉ：Ｃの原子比は１：１．１〜１：１．８」の範囲である点。
＜相違点２−３＞
　本件発明１は「半導体製造用部品」であるのに対し，甲２発明は「アモルファス炭化ケイ素膜」である点。
　上記相違点について検討する。事案に鑑み，はじめに上記相違点２−２及び上記相違点２−３についてまとめて検討する。
　上記第４の３．に摘記した甲第３号証ないし甲第８号証の記載から，ＳｉＣを半導体製造用部品に適用することは周知技術であるといえる。
　しかしながら，たとえ上記周知技術を甲２発明に適用したとしても，当該適用の際にＳｉ：Ｃの原子比を「１：１．１〜１：１．３」の範囲に特定する特段の理由は，甲第２号証及び甲第３号証ないし甲第８号証には記載も示唆もされていない。
　そして，本件発明１はＳｉ：Ｃの原子比を「１：１．１〜１：１．３」の範囲に特定することにより，Ｓｉ対比のプラズマエッチング比率が大きく向上する（本件特許の明細書段落［００５５］〜［００５８］及び図３を参照。）という顕著な効果が得られるものである。
　したがって，上記相違点２−１について検討するまでもなく，本件発明１は，甲２発明及び甲第３号証ないし甲第８号証から当業者が容易に想到し得たものとはいえない。
（３）小括
　上記２．１．（１）のとおり，本件発明１は，甲１発明及び甲第３号証ないし甲第８号証に記載された技術的事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。また，上記２．１．（２）のとおり，本件発明１は，甲２発明及び甲第３号証ないし甲第８号証に記載された技術的事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
２．２．本件発明２〜１５について
　本件発明２〜１５は，「Ｓｉ：Ｃの原子比は，１：１．１〜１：１．３」との特定事項を含むから，本件発明１について上記で検討したのと同様にして，甲１発明及び甲第３号証ないし甲第８号証から，あるいは，甲２発明及び甲第３号証ないし甲第８号証から，当業者が容易に発明をすることができたものではない。
２．３．特許法２９条２項についてのまとめ
　以上のとおり，本件発明１〜１５は，甲第１号証又は甲第２号証に記載された発明，及び，甲第３号証ないし甲第８号証に記載された技術的事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではないから，特許法２９条２項の規定に違反して特許された発明とはいえない。
３．特許法３６条４項１号について
　特許異議申立書４．１）において申立人は，本件発明１，５，９，１２においてＳｉ：Ｃの原子比（Ｃ／Ｓｉ比）を規定しているが，本件特許明細書の発明の詳細な説明には，Ｃ／Ｓｉ比を規定するために必要なＣ量やＳｉ量について具体的な根拠が記載されていないこと，また，本件発明９，１２において化学的気相蒸着法（ＣＶＤ法）を要件としているが，本件特許明細書の発明の詳細な説明を参照しても具体的な製造条件が記載されていないことを根拠に，本件特許明細書の発明の詳細な説明は，本件発明１〜１５を当業者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載したものではなく，特許法３６条４項１号の規定に適合しない旨を主張している。
　しかしながら，物の発明においてＳｉ：Ｃの原子比が規定されていれば，必要なＣ量やＳｉ量は直ちに計算可能である。また，本件発明１〜１５におけるＳｉ：Ｃの原子比の作用効果については本件特許明細書の発明の詳細な説明の表１や本件特許の図３に示されている。さらに，方法の発明についても，本件特許明細書の発明の詳細な説明には，段落［００４７］にＣＶＤで使用する前駆体ソースが開示され，段落［００４８］には温度条件が記載されている。確かに，本件特許明細書の発明の詳細な説明には，圧力や原料ガスの流量について記載されていないが，ＳｉＣのＣＶＤにおいてＳｉ原料ガス流量とＣ原料ガスの流量の比率を制御することでＳｉ：Ｃの原子比を制御できること自体は，当業者の技術常識であるから（必要ならば甲第１号証を参照。），本件特許明細書の発明の詳細な説明にこれらの記載がないことで，本件発明の実施に当たり当業者に過度の試行錯誤を強いることになるとはいえない。
　したがって，本件特許明細書の発明の詳細な説明は，特許法３６条４項１号の規定に適合するものである。上記申立人の主張は採用できない。
４．特許法３６条６項２号について
　特許異議申立書４．２）において申立人は次のような主張をしている。
「本件請求項１〜４は，「半導体製造用部品」と規定しているのに対して，本件請求項５〜８は，「半導体製造部品」と規定している。一方，本件請求項９〜１５は，いずれも「半導体製造用部品の製造方法」を規定しており，「半導体製造部品の製造方法」は規定していない。
　そのため，用語「半導体製造用部品」と用語「半導体製造部品」の定義及び使い分けが不明確であり，また本件請求項５〜８で規定された「半導体製造部品」 をどのように製造するのかも不明である。
　したがって，本件請求項１〜１５で規定された発明特定事項の記載が不明確であり， 特許を受けようとする発明が明確でない。」
　しかしながら，独立請求項はそれぞれの請求項につき個別に解釈されるべきものであるから，たとえ複数の独立請求項において同一の用語が異なる意味で用いられていたとしても，各請求項の記載全体から発明の外延が一義的に特定できていれば，各請求項に係る発明は明確であるといえる。
　上記を踏まえ本件特許について検討すると，本件特許請求の範囲の請求項１，５，９及び１２はいずれも独立請求項であり，各請求項の記載はそれぞれ明確であるから，本件特許請求の範囲の記載は，特許法３６条６項２号の規定に適合するものである。上記申立人の主張は採用できない。
第６　結言
　したがって，特許異議の申立ての理由及び証拠によっては，請求項１〜１５に係る特許を取り消すことはできない。　
　また，他に請求項１〜１５に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって，結論のとおり決定する。
【異議決定日】
令和２年１０月５日（２０２０．１０．５）