【事件の表示】
　特許第６３４９７５０号発明「ＥＦＥＭ」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第６３４９７５０号の明細書及び特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正明細書、特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１−８〕について訂正することを認める。
　特許第６３４９７５０号の請求項１ないし８に係る特許を維持する。
【理　由】
１　手続の経緯
　特許第６３４９７５０号の請求項１ないし８に係る特許についての出願は、平成２６年１月３１日に出願され、平成３０年６月１５日にその特許権の設定登録がされ、平成３０年７月４日に特許掲載公報が発行された。
　その後の主な手続の経緯は以下のとおりである。
平成３０年１１月２８日　　　特許異議申立人星正美により特許異議の申立て（以下「本件特許異議の申立て」という。）
平成３１年　３月２０日付け　取消理由通知
令和　１年　５月２４日　　　特許権者から意見書及び訂正請求書の提出
令和　１年　７月　２日　　　特許異議申立人星正美から意見書の提出
令和　１年　９月　５日付け　取消理由通知（決定の予告）
令和　１年１１月１１日　　　特許権者から意見書及び訂正請求書（以下「本件訂正請求書」という。）の提出
令和　１年１２月２０日　　　特許異議申立人星正美から意見書の提出
２　訂正の適否についての判断
（１）訂正の趣旨及び訂正の内容
　令和１年１１月１１日に提出された本件訂正請求書による訂正は、「特許第６３４９７５０号の明細書、特許請求の範囲を本訂正請求書に添付した訂正明細書、特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項１〜８について訂正することを求める。」というものであり、その訂正（以下「本件訂正」という。）の内容は、以下のとおりである（下線部は訂正箇所を示す。）。
ア　訂正事項１
　特許請求の範囲の請求項１に「前記ガス送出口に設けられ、送出する不活性ガスに含まれるパーティクルを除去するフィルタ」と記載されているのを、「前記ガス送出口に設けられ、
前記ウェーハ搬送室に下降気流を生じさせるファンとともにファンフィルタユニットを構成し、
イ　訂正事項２
　明細書の段落【００１４】に「前記ガス送出口に設けられ、送出する不活性ガスに含まれるパーティクルを除去するフィルタ」と記載されているのを、「前記ガス送出口に設けられ、
前記ウェーハ搬送室に下降気流を生じさせるファンとともにファンフィルタユニットを構成し、
ウ　訂正事項３
　特許請求の範囲の請求項１に「前記ガス帰還路に上方に向かって気流を形成する送風手段」と記載されているのを、「
前記処理装置が接続される開口の高さよりも下方に設けられて
エ　訂正事項４
　明細書の段落【００１６】に「前記ガス帰還路に上方に向かって気流を形成する送風手段」と記載されているのを、「
前記処理装置が接続される開口の高さよりも下方に設けられて
（２）訂正の理由
ア　一群の請求項についての説明
　訂正前の請求項１〜８において、請求項２〜８はそれぞれ請求項１を直接的または間接的に引用しているものであって、訂正事項１、３によって記載が訂正される請求項１に連動して訂正されるものである。したがって、訂正前の請求項１〜８に対応する訂正後の請求項１〜８は、特許法第１２０条の５第４項に規定する一群の請求項である。
イ　訂正の目的の適否、新規事項の有無、及び特許請求の範囲の拡張・変更の存否
（ア）訂正事項１について
ａ　訂正の目的の適否
　訂正前の請求項１に係る特許発明では、「フィルタ」は、「ガス送出口に設けられ、送出する不活性ガスに含まれるパーティクルを除去する」ものとして特定されている。
　これに対して、訂正後の請求項１に係る特許発明では、「フィルタ」が、「ガス送出口に設けられ、ウェーハ搬送室に下降気流を生じさせるファンとともにファンフィルタユニットを構成し、送出する不活性ガスに含まれるパーティクルを除去するフィルタ」とされている。このような訂正は、「フィルタ」が、ウェーハ搬送室に下降気流を生じさせるファンとともにファンフィルタユニットを構成するものであることを明示することで、「フィルタ」をより具体的に特定し、更に限定するものである。すなわち、訂正事項１は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
ｂ　特許請求の範囲の拡張・変更の存否
　訂正事項１は、訂正後の請求項１に係る発明及び訂正後の請求項１を引用する訂正後の請求項２〜８に係る発明の技術的範囲を狭めるものであるにとどまり、それらのカテゴリーや対象、目的を変更するものではないから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当しない。
ｃ　新規事項の有無
　訂正事項１は、特許掲載公報の明細書中の発明を実施するための形態の記載に基づいて導き出される構成である。
　この「フィルタ」に係る説明として、段落【００３６】には、「また、ガス送出口１１には第１の送風手段としてのファン１３ａとフィルタ１３ｂとから構成されるファンフィルタユニット１３（ＦＦＵ１３）が設けられており、略閉止空間ＣＳ内を循環するガス内に含まれるパーティクルを除去するとともに、ウェーハ搬送室９内へ下方に向けて送風することによってウェーハ搬送室９内に下降気流を生じさせている。」との記載がなされていることから、当該訂正事項１は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正である。
（イ）訂正事項２について
ａ　訂正の目的の適否
　訂正事項２は、上記訂正事項１に係る訂正に伴い特許請求の範囲の記載と明細書の記載との整合を図るための訂正である。よって、訂正事項２は特許法第１２０条の５第２項ただし書第３号に規定する明瞭でない記載の釈明を目的とするものである。
ｂ　特許請求の範囲の拡張・変更の存否
　訂正事項２は、訂正後の請求項１に係る発明及び訂正後の請求項１を引用する訂正後の請求項２〜８に係る発明の技術的範囲を狭めるものであるにとどまり、それらのカテゴリーや対象、目的を変更するものではないから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当しない。
ｃ　新規事項の有無
　訂正事項２は、特許掲載公報の明細書中の発明を実施するための形態の記載に基づいて導き出される構成である。
　この「フィルタ」に係る説明として、段落【００３６】には、「また、ガス送出口１１には第１の送風手段としてのファン１３ａとフィルタ１３ｂとから構成されるファンフィルタユニット１３（ＦＦＵ１３）が設けられており、略閉止空間ＣＳ内を循環するガス内に含まれるパーティクルを除去するとともに、ウェーハ搬送室９内へ下方に向けて送風することによってウェーハ搬送室９内に下降気流を生じさせている。」との記載がなされていることから、当該訂正事項２は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正である。
（ウ）訂正事項３について
ａ　訂正の目的の適否
　訂正前の請求項１に係る特許発明では、「送風手段」は、「ガス帰還路に上方に向かって気流を形成する」ものとして特定されている。
　これに対して、訂正後の請求項１に係る特許発明では、「送風手段」が、「処理装置が接続される開口の高さよりも下方に設けられてガス帰還路に上方に向かって気流を形成する」ものとされている。このような訂正は、「送風手段」が、処理装置が接続される開口の高さよりも下方にあることを明示することで、「送風手段」をより具体的に特定し、更に限定するものである。すなわち、訂正事項３は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
ｂ　特許請求の範囲の拡張・変更の存否
　訂正事項３は、訂正後の請求項１に係る発明及び訂正後の請求項１を引用する訂正後の請求項２〜８に係る発明の技術的範囲を狭めるものであるにとどまり、それらのカテゴリーや対象、目的を変更するものではないから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当しない。
ｃ　新規事項の有無
　訂正事項３は、特許掲載公報の明細書中の発明を実施するための形態の記載に基づいて導き出される構成である。
　この「送風手段」に係る説明として、段落【００３７】には、「さらに、ガス帰還路１０内のケミカルフィルタ１４よりも背面側には、第２の送風手段としてのファン１５が幅方向に亘って設けられており（図５参照）、当該ファン１５がガス帰還路１０の下流側、すなわち図４の上方へ向けて送風を行うことによって、ガス吸引口１２におけるガスの吸引力を生じさせるとともに、ケミカルフィルタ１４を通過したガスを上方へ送出し、ガス帰還路１０内に上昇気流を生じさせている。」との記載がなされている。一方、段落【００３０】には、「筐体３は、ウェーハ搬送装置２の四方を囲む前面壁３１、背面壁３２、側面壁３３、３４と、天井壁３５、底壁３６、さらに上記の筐体壁３１〜３５を支える支柱３７ａ〜３７ｄとを含んで構成され、前面壁３１に設けられた開口３１ａにロードポート４〜４が、背面壁３２に設けられた矩形状の開口３２ａにロードロック室６１が接続されることで、内部で略閉止空間ＣＳが形成されている。」との記載がなされている。そして、図２、図５、図３、図６には、「ファン１５」が「開口３２ａ」よりも下方に設けられていることが記載されている。したがって、当該訂正事項３は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正である。
（工）訂正事項４について
ａ　訂正の目的の適否
　訂正事項４は、上記訂正事項３に係る訂正に伴い特許請求の範囲の記載と明細書の記載との整合を図るための訂正である。よって、訂正事項４は特許法第１２０条の５第２項ただし書第３号に規定する明瞭でない記載の釈明を目的とするものである。
ｂ　特許請求の範囲の拡張・変更の存否
　訂正事項４は、訂正後の請求項１に係る発明及び訂正後の請求項１を引用する訂正後の請求項２〜８に係る発明の技術的範囲を狭めるものであるにとどまり、それらのカテゴリーや対象、目的を変更するものではないから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当しない。
ｃ　新規事項の有無
　訂正事項４は、特許掲載公報の明細書中の発明を実施するための形態の記載に基づいて導き出される構成である。
　この「送風手段」に係る説明として、段落【００３７】には、「さらに、ガス帰還路１０内のケミカルフィルタ１４よりも背面側には、第２の送風手段としてのファン１５が輻方向に亘って設けられており（図５参照）、当該ファン１５がガス帰還路１０の下流側、すなわち図４の上方へ向けて送風を行うことによって、ガス吸引口１２におけるガスの吸引力を生じさせるとともに、ケミカルフィルタ１４を通過したガスを上方へ送出し、ガス帰還路１０内に上昇気流を生じさせている。」との記載がなされている。一方、段落【００３０】には、「筐体３は、ウェーハ搬送装置２の四方を囲む前面壁３１、背面壁３２、側面壁３３、３４と、天井壁３５、底壁３６、さらに上記の筐体壁３１〜３５を支える支柱３７ａ〜３７ｄとを含んで構成され、前面壁３１に設けられた開口３１ａにロードポート４〜４が、背面壁３２に設けられた矩形状の開口３２ａにロードロック室６１が接続されることで、内部で略閉止空間ＣＳが形成されている。」との記載がなされている。そして、図２、図５、図３、図６には、「ファン１５」が「開口３２ａ」よりも下方に設けられていることが記載されている。したがって、当該訂正事項４は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正である。
ウ　明細書の訂正と関係する請求項についての説明
（ア）願書に添付した明細書の段落【００１４】に記載された「前記ガス送出口に設けられ、送出する不活性ガスに含まれるパーティクルを除去するフィルタ」は、訂正事項２によって「前記ガス送出口に設けられ、前記ウェーハ搬送室に下降気流を生じさせるファンとともにファンフィルタユニットを構成し、送出する不活性ガスに含まれるパーティクルを除去するフィルタ」に訂正された。
　段落【００１４】には請求項１に対応する実施例が記載されている。
　ここで、請求項１〜８は一群の請求項であるため、請求項１〜８が訂正事項２による明細書の訂正に係る請求項である。
　したがって、訂正事項２は、明細書の訂正に係る請求項を含む一群の請求項の全てについて行うものであるから特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第４項に適合するものである。
（イ）また、願書に添付した明細書の段落【００１６】に記載された「前記ガス帰還路に上方に向かって気流を形成する送風手段」は、訂正事項４によって「前記処理装置が接続される開口の高さよりも下方に設けられて前記ガス帰還路に上方に向かって気流を形成する送風手段jに訂正された。段落【００１６】には請求項１に対応する実施例が記載されている。
　ここで、請求項１〜８は一群の請求項であるため、請求項１〜８が訂正事項４による明細書の訂正に係る請求項である。
　したがって、訂正事項４は、明細書の訂正に係る請求項を含む一群の請求項の全てについて行うものであるから特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第４項に適合するものである。
エ　小括
　以上のとおりであるから、本件訂正請求による訂正は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号及び第３号に掲げる事項を目的とするものであり、かつ、同条第９項において準用する同法第１２６条第４項、第５項及び第６項の規定に適合する。
　したがって、明細書及び特許請求の範囲を、訂正請求書に添付された訂正明細書及び特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１〜８〕について訂正することを認める。
３　訂正後の本件発明
　本件訂正請求により訂正された請求項１ないし８に係る発明（（以下、順に「本件発明１」ないし「本件発明８」という。）は、訂正特許請求の範囲の請求項１ないし８に記載された次の事項により特定されるとおりのものである。
　　　
「【請求項１】
　壁面に設けられた開口にロードポート及び処理装置が接続されることで略閉止されたウェーハ搬送室を内部に構成する筐体と、
　前記ウェーハ搬送室内に配設され、前記ロードポートに載置されたＦＯＵＰと前記処理装置との間でウェーハの搬送を行うウェーハ搬送装置と、
　前記ウェーハ搬送室の上部に設けられ、当該ウェーハ搬送室内に不活性ガスを送出するガス送出口と、
　前記ウェーハ搬送室の下部に設けられ、当該ウェーハ搬送室内の不活性ガスを吸引するガス吸引口と、
　前記ガス吸引口から吸引されたガスを前記ガス送出口へ帰還させるガス帰還路と、
　前記ガス送出口に設けられ、前記ウェーハ搬送室に下降気流を生じさせるファンとともにファンフィルタユニットを構成し、送出する不活性ガスに含まれるパーティクルを除去するフィルタとを具備し、
　前記ウェーハ搬送室に下降気流を生じさせるとともに前記ガス帰還路を介して不活性ガスを帰還させることによって、前記ウェーハ搬送室内の不活性ガスを循環させるように構成し、
　前記筐体内に設けた仕切り部材により前記ウェーハ搬送室と前記ガス帰還路とが分離され、
　前記処理装置が接続される開口の高さよりも下方に設けられて前記ガス帰還路に上方に向かって気流を形成する送風手段を更に有し、前記ウェーハ搬送室の内部に不活性ガスが充填されていることを特徴とするＥＦＥＭ。
【請求項２】
　前記ガス帰還路に更にフィルタを備えたものであり、このフィルタは前記送風手段の上流側に設けられる請求項１記載のＥＦＥＭ。
【請求項３】
　前記ロードポートを接続する開口と前記処理装置を接続する開口とが前記筐体の対向する位置に設けられており、
　前記ガス帰還路が前記ガス吸引口から前記処理装置を接続する開口の両側を経由して前記ガス送出口に連続するように構成されていることを特徴とする請求項１又は２記載のＥＦＥＭ。
【請求項４】
　前記ウェーハ搬送室内にガスを供給するガス供給手段と、前記ウェーハ搬送室内よりガスを排出するためのガス排出手段とをさらに備え、前記ガス供給手段は前記ガス排出手段の下流側に設けられている請求項１〜３の何れかに記載のＥＦＥＭ。
【請求項５】
前記ガス供給手段により、前記ウェーハ搬送室のガスの一部が外部に流出した際に、流出分のガスを供給することで、ウェーハ搬送室の状態を一定に保つようにしている請求項４記載のＥＦＥＭ。
【請求項６】
　前記ガス吸引口にケミカルフィルタが設けられ、前記ウェーハ搬送室内のガスは前記ケミカルフィルタを介してガス帰還路に流入することを特徴とする請求項１〜５の何れかに記載のＥＦＥＭ。
【請求項７】
　前記ウェーハ搬送装置が前記筐体の壁面に支持されていることを特徴とする請求項１〜６の何れかに記載のＥＦＥＭ。
【請求項８】
前記ウェーハ搬送装置は前記筐体内のガイドレールに沿って移動できるようになっている請求項１〜７の何れかに記載のＥＦＥＭ。」
４　取消理由通知書（決定の予告）に記載した取消理由について
（１）取消理由の概要
　訂正前の請求項１ないし８に係る特許に対して、当審が令和１年９月５日付けで特許権者に通知した取消理由の要旨は、次のとおりである。
「結論 
　特許第６３４９７５０号の明細書及び特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正明細書及び特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１〜８〕について訂正することを認める。
　特許第６３４９７５０号の請求項１ないし８に係る特許を取り消す。」
「理由
・・・（略）・・・
第７　むすび 
　以上のとおり、請求項１ないし８に係る発明は、甲第１号証（特開平１０−３４０８７４号公報）に記載された発明及び周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　したがって、請求項１ないし８に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであり、同法第１１３条第２号に該当するから、取り消されるべきものである。 
　よって、結論のとおり決定する。」
（２）引用文献の記載、引用発明等
ア　甲第１号証の記載と引用発明Ａ
（ア）取消理由で通知した、甲第１号証（特開平１０−３４０８７４号公報）には、図面とともに、以下の事項が記載されている。
「【特許請求の範囲】 
【請求項１】 
電子部品製造装置と電子部品搬送装置との間で電子部品を移送するためのインターフェース部を気密に閉鎖するチャンバと、前記チャンバにおける電子部品製造装置側の側壁に形成された、インターフェース部と電子部品製造装置との間で電子部品を移送するための第１の移送口と、前記チャンバにおける電子部品搬送装置側の側壁に形成された、電子部品搬送装置とインターフェース部との間で電子部品を移送するための第２の移送口と、前記第１、第２の各移送口を開閉自在な開閉装置と、前記電子部品移送の際に電子部品が通過する移送空間と、前記移送空間に清浄な空気を供給するためのフィルタ装置と、フィルタ装置からの吹き出し風速を一様にするためのプレナムチャンバと、移送空間とプレナムチャンバを結ぶレタンダクトと、前記チャンバ内においてプレナムチャンバ、移送空間、レタンダクト、プレナムチャンバと順に巡る循環気流を形成するための送風機と、前記所定の気流の温度調整を行う温度調整手段と、前記チャンバ内に外部からガスを導入するガス導入手段と、前記チャンバ内の雰囲気を排気する排気手段と、を備えてなる、局所密閉型清浄装置。
・・・ 
【請求項５】 
ガス導入手段によってチャンバ内に導入されるガスは、不活性ガスである
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は清浄装置に係り、電子部品製造装置と電子部品搬送装置との間で電子部品を移送する移送装置を備えたインターフェース部の清浄に効果のある局所密閉型清浄装置に関するものである。」
「【００１０】 
【発明が解決しようとする課題】・・・ 
【００１２】本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、基本的にはインターフェース部を気密に閉鎖して低露点空気や不活性ガスを供給するようにしているが、インターフェース部内で発生した化学汚染物質を効率よく除去したり外部に排出できると共に、塵埃やパーティクルを捕集でき、さらに電子部品製造装置からの熱負荷に対しても対処できる新しい局所密閉型清浄装置を提供して、前記問題の解決を図ることを目的としている。」
「【００１３】 
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため、請求項１の局所密閉型清浄装置は、電子部品製造装置と電子部品搬送装置との間で電子部品を移送するためのインターフェース部を気密に閉鎖するチャンバと、前記チャンバにおける電子部品製造装置側の側壁に形成された、インターフェース部と電子部品製造装置との間で電子部品を移送するための第１の移送口と、前記チャンバにおける電子部品搬送装置側の側壁に形成された、電子部品搬送装置とインターフェース部との間で電子部品を移送するための第２の移送口と、前記第１、第２の各移送口を開閉自在な開閉装置と、
前記電子部品移送の際に電子部品が通過する移送空間とこの移送空間に対して所定の清浄気流、例えばダウンフローや水平層流を形成して吹き出し風速を一様にするためのフィルタ装置
【００１４】ここで、インターフェース部を気密に閉鎖するチャンバとは、名称にかかわらずインターフェース部自体を構成する外装パネルやフレームを一部又は全部利用して実質的にインターフェース部を気密に閉鎖するものであれば足りる。また電子部品には、ウエハやＬＣＤ基板、ハードディスク基板、その他薄板状の電子部品などが含まれる。・・・ 
【００１５】この請求項１の局所密閉型清浄装置によれば、まずインターフェース部を気密に閉鎖するチャンバ内で、移送空間に対してフィルタ装置を通過した清浄なガスが送風機によって移送空間→レタンダクト→プレナムチャンバと順に巡っている。したがって、導入するガスの有効利用が図れ、しかも塵埃やパーティクルはフィルタ装置によって捕集される。またプレナムチャンバからのダウンフローや水平層流の温度は温度調整手段によって調整できるから、インターフェース部の内部に設置される送風機や、必要に応じて設置される移送装置などからの発熱を熱的に補償するほか、電子部品製造装置側からの熱負荷があっても循環気流の温度を所定温度に維持することができ、電子部品を熱から保護することができる。またインターフェース部自体から汚染物質が発生した場合であっても、ガス導入手段と排気手段とを備えているから、必要に応じて当該汚染物質を外部にパージすることも可能である。」
「【００２１】
【発明の実施の形態】以下、図面に基づいて本発明の好ましい実施の形態を説明する。図１は、本実施の形態にかかる局所密閉型清浄装置１が適用された電子部品製造装置２、及びそのインターフェース部３周りの断面を示し、図２はインターフェース部３内をその正面側、すなわち搬送ロボットなどの基板搬送装置４側からみた様子を示している。これら局所密閉型清浄装置１をはじめとする各種の装置は、クリーンルームＣＲ内に設置され、クリーンルームＣＲの天井部に設置された複数のファン・フィルタ・ユニット５によって、局所密閉型清浄装置１や半導体製造装置２など、クリーンルームＣＲ内に設置されている各装置に対しては、図示のようにダウンフローが形成されている。もちろんダウンフローに限らず、水平層流であってもよいが、クリーンルームＣＲ内の空気流は、乱流であっても構わない。
【００２２】
局所密閉型清浄装置１は、インターフェース部３を気密に閉鎖するためのチャンバを構成する側板１１、１２、１３、１４及び天板１５を有しており、基板搬送装置４側の側板１１には基板搬送装置４が所定位置に載置した密閉型のカセットＣｘとの間でウエハを移送するための移送口１６が形成され、半導体製造装置２側の側板１２には、半導体製造装置２との間でウエハを移送するための移送口１７が形成されている。
【００２３】
インターフェース部３には、移送口１６を通じて前記カセットＣｘからウエハを取り出し、これを移送口１７を通じて半導体製造装置２へと移送したり、逆に半導体製造装置２での処理が終わったウエハをカセットＣｘへと格納するための移送装置２１が設けられている
さらにインターフェース部３には、これら移送口１６、１７を各々独立して開閉自在な開閉装置２２、２３が設けられており、移送装置２１の移送アーム２１ａがこれら移送口１６、１７を通過する時以外は、常時閉鎖されており、インターフェース部３は気密に閉鎖された空間内におかれている
【００２４】
インターフェース部３における移送装置２１の上方、すなわち局所密閉型清浄装置１内の上方には、ＵＬＰＡフィルタなどの高性能フィルタによって構成されるフィルタ装置２４が設置されており、このフィルタ装置２４と天板１５との間の空間がプレナムチャンバ２５を形成している
局所密閉型清浄装置１内の下方には、パンチングメタルなどからなる整流板２６が設置され、プレナムチャンバ２５と相俟って、インターフェース部３に均一な空気流を形成している
そしてフィルタ装置２４と整流板２６との間の空間が移送空間Ｔを構成している。
【００２５】
局所密閉型清浄装置１内の側方には、側板１３を利用して構成されたレタンダクト３１が設けられており、前記整流板２６の下方空間を通じてプレナムチャンバ２５と移送空間Ｔとを結んでいる。このレタンダクト３１の下方には、送風機３２が設置され、この送風機３２の吹出口近傍には、ガス導入管３３の導入口３４が配置されている。これらガス導入管３３、導入口３４がガス導入手段を構成している。本実施形態においては、このガス導入管３３から窒素ガス（Ｎ2）が局所密閉型清浄装置１内が導入されるようになっている（図２参照）
【００２６】
他方、送風機３２の近傍及び送風機３２のモータ３２ａの近傍には、各々排気管３５に通ずる排気口３６、３７が配置されている。これら排気管３５、排気口３６、３７は排気手段を構成している
送風機３２
などから発生するガス状不純物
【００２７】前記ガス導入管３３には、流量調節バルブ３３ａが介装されており、また排気管３５には、流量調節バルブ３５ａが介装されている。これら流量調節バルブ３３ａ、３５ａは、制御装置Ｘによって制御される。
【００２８】
レタンダクト３１には
加熱コイル４２が設けられている
加熱コイル４２の下流側には、ケミカルフィルタ４３が設けられており
【００２９】移
送空間Ｔには、フィルタ装置２４を通過したダウンフローの温度を検出する温度センサ４４、移送空間Ｔ内の圧力を検出する圧力センサ４５
が設けられており、これら各センサからの信号は、制御装置Ｘに入力される
【００３０】そして
制御装置Ｘは
圧力センサ４５からの信号に基づいて、移送空間Ｔ内の圧力を所定値に保つようにガス導入管３３
及び排気管３５
を制御する
【００３１】本実施形態にかかる局所密閉型清浄装置１は以上のように構成されており、次にその作用効果について説明する。まず装置の起動時においては、移送口１６、１７の開閉装置２２、２３はいずれも閉鎖されると共に、ガス導入管３３の流量調節バルブ３３ａが開放して、局所密閉型清浄装置１内を窒素ガス雰囲気とすると共に、局所密閉型清浄装置１内が正圧になるように制御される。そして所定の圧力に達した時点でガス導入管３３の流量調節バルブ３３ａは閉鎖される。このとき、排気管３５の流量調節バルブ３５ａは閉鎖されている。また送風機３２は送風運転を行い、レタンダクト３１、プレナムチャンバ２５、移送空間Ｔと巡る窒素ガスの循環気流を形成している。かかる場合、局所密閉型清浄装置１内に化学汚染物質があれば、ケミカルフィルタ４３によって除去される。
【００３２】そして基板搬送装置４が半導体製造装置２で処理すべきウエハを収納した密閉型のカセットＣｘを局所密閉型清浄装置１の側板１１に設定された所定の位置に載置すると、開閉装置２２が開放し、インターフェース部３の移送装置２１の移送アーム２１ａがカセットＣｘ内のウエハを受け取りにいく。このとき開閉装置２２が開放した際に、移送空間Ｔ内の圧力が低下した場合には、圧力センサ４５によってそのことが検出され、所定の正圧になるまでガス導入管３３の流量調節バルブ３３ａが開放する。
【００３３】次いで移送装置２１の移送アーム２１ａがウエハを半導体製造装置２に移送する際、今度は移送口１７の開閉を担う開閉装置２３が開放して当該ウエハが半導体製造装置２内に移送される。このとき、移送空間Ｔ内の圧力が低下した場合には、圧力センサ４５によってそのことが検出され、所定の正圧になるまでガス導入管３３の流量調節バルブ３３ａが開放する。そして移送装置２１の移送アーム２１ａが移送口１７から退避すると、開閉装置２３が閉鎖し、局所密閉型清浄装置１内は再び密閉空間となり、インターフェース部３は、窒素ガス雰囲気に封入された状態になる。
【００３４】そして半導体製造装置２での所定の処理が終了したウエハを半導体製造装置２に受け取りにいく場合には、移送口１７の開閉を担う開閉装置２３が開放して移送装置２１の移送アーム２１ａがこの処理済みウエハを受け取り、次いでこの処理済みウエハをカセットＣｘの所定のスロット内に収納する。また移送装置２１の移送アーム２１ａが移送口１７から退避した時点で開閉装置２３は移送口１７を閉鎖する。
【００３５】以上の一連のプロセスにおいて、ウエハを移送している移送装置２１に対しては、ケミカルフィルタ４３によって化学汚染物質が除去された後の清浄なダウンフローが常に形成されているので、ウエハは化学汚染物質に汚染されることはない。もちろん
塵埃やその他のパーティクルはフィルタ装置２４によって除去される
【００３６】そしてもし何らかの事情でインターフェース部３がおかれている雰囲気に、例えば多量の化学汚染物質が発生した場合には、濃度センサ４６がそのことを検出し、直ちにガス導入管３３の流量調節バルブ３３ａが開放すると共に、排気管３５の流量調節バルブ３５ａが開放し、インターフェース部３がおかれている雰囲気中の化学汚染物質が所定の濃度以下になるまでパージ運転がなされる。かかる場合も局所密閉型清浄装置１内が所定の正圧になるように、制御装置Ｘによって適正な制御がなされている。したがって、化学汚染物質の発生源がインターフェース部３がおかれている雰囲気中に存在しても、常に所定の濃度（許容濃度）以下に保たれる。
【００３７】このように本実施形態にかかる局所密閉型清浄装置１によれば、インターフェース部３がおかれている雰囲気を常に清浄な窒素ガス雰囲気に保つことができるので、ウエハが汚染されることはない。またウエハ上に形成されるデバイスの電気特性が変化することも防止でき、しかもウエハ上に不必要な自然酸化膜が形成されることはない。また、局所密閉型清浄装置１に配置された機器自体や半導体製造装置２からの熱負荷によるウエハの温度上昇も抑えることができる。
【００３８】そのうえ局所密閉型清浄装置１内は常に正圧に保たれているから、装置外からの塵埃やパーティクルの侵入を防止することが可能である。また局所密閉型清浄装置１内に導入する窒素ガスの導入量は、これを必要最小限に抑えることができるので、窒素ガスの量や導入に要するエネルギーも最小限に抑えられている。そして局所密閉型清浄装置１内は密閉された空間であり、その中を窒素ガスが循環しているので、ケミカルフィルタ４３やフィルタ装置２４の寿命も長く、これらのメンテナンスサイクルも長くなっている。
【００３９】ところで送風機３２のモータ３２ａからは、ベアリングオイルなどから汚染物質が発生することがあるが、モータ３２ａの近傍にも排気口３７が設定されているので、そのようなモータ３２ａからの汚染物質は、循環気流に混入させることなく、直ちに排気管３５から装置外に排気することも可能である。」
「【００４３】
【発明の効果】請求項１〜６の発明によれば、インターフェース部を気密に閉鎖するチャンバ内に導入するガスの有効利用を図りつつ、インターフェース部を当該ガス雰囲気に保つことができる。しかも塵埃やパーティクルを除去することが可能である。さらに電子部品製造装置側からの熱負荷から電子部品を保護することもできる。そしてインターフェース部自体から汚染物質が発生した場合であっても、必要に応じて当該汚染物質を外部にパージすることが可能である。」
　【図１】によれば、移送口１６と移送口１７は、移送装置２１が設けられたチャンバの対向する位置に設けられていることが看取できる。また、【図１】及び【図２】によれば、レタンダクト３１は移送口１７の片側に設けられていることが看取できる。 
  
　【図２】によれば、ガス導入管３３及び導入口３４から構成されるガス導入手段は、排気管３５及び排気口３６、３７から構成される排気手段よりも、循環気流の経路の下流側に設けられていることが看取できる。 
（イ）したがって、甲第１号証には、以下の発明（以下「引用発明Ａ」という。）が記載されていると認められる。
「半導体製造装置２と基板搬送装置４との間でウエハを移送するためのインターフェース部３を気密に閉鎖するチャンバと、チャンバにおける半導体製造装置２側の側壁に形成された、インターフェース部３と半導体製造装置２との間でウエハを移送するための移送口１７と、チャンバにおける基板搬送装置４側の側壁（側板１１）に形成された、基板搬送装置４とインターフェース部３との間でウエハを移送するための移送口１６と、移送口１７及び移送口１６を開閉自在な開閉装置２３及び開閉装置２２と、ウエハ移送の際にウエハが通過する移送空間Ｔと、移送空間Ｔに清浄なガスを供給するためのフィルタ装置２４と、フィルタ装置２４からの吹き出し風速を一様にするためのプレナムチャンバ２５と、移送空間Ｔとプレナムチャンバ２５を結ぶレタンダクト３１と、チャンバ内においてプレナムチャンバ２５、移送空間Ｔ、レタンダクト３１、プレナムチャンバ２５と順に巡る循環気流を形成するための送風機３２と、チャンバ内に外部からガスを導入するガス導入手段と、チャンバ内の雰囲気を排気する排気手段と、を備えてなる、局所密閉型清浄装置であって、 
　ガス導入手段によってチャンバ内に導入されるガスは、不活性ガスであり、 
　インターフェース部３を気密に閉鎖するためのチャンバを構成する側板１１、１２、１３、１４及び天板１５を有しており、 
　移送口１６は、基板搬送装置４が所定位置に載置した密閉型のカセットＣｘとの間でウエハを移送するためのものであり、移送口１７は、半導体製造装置２側の側板１２に形成されたものであり、 
　インターフェース部３には、移送口１６を通じて前記カセットＣｘからウエハを取り出し、これを移送口１７を通じて半導体製造装置２へと移送したり、逆に半導体製造装置２での処理が終わったウエハをカセットＣｘへと格納するための移送装置２１が設けられており、 
　さらにインターフェース部３の開閉装置２２及び開閉装置２３は、移送装置２１の移送アーム２１ａがこれら移送口１６及び移送口１７を通過する時以外は常時閉鎖されているため、インターフェース部３は気密に閉鎖された空間内におかれており、 
　フィルタ装置２４は、塵埃やパーティクルを捕集するものであって、インターフェース部３における移送装置２１の上方、すなわち局所密閉型清浄装置内の上方に設置されており、このフィルタ装置２４と天板１５との間の空間がプレナムチャンバ２５を形成するとともに、局所密閉型清浄装置内の下方には、整流板２６が設置され、プレナムチャンバ２５と相俟って、インターフェース部３に均一な空気流を形成しており、 
　移送空間Ｔは、フィルタ装置２４と整流板２６との間の空間から構成され、移送空間Ｔには、フィルタ装置２４を通過したダウンフローの温度を検出する温度センサ４４、移送空間Ｔ内の圧力を検出する圧力センサ４５が設けられており、これら各センサからの信号は、制御装置Ｘに入力され、 
　制御装置Ｘは、圧力センサ４５からの信号に基づいて、移送空間Ｔ内の圧力を所定値に保つようにガス導入手段及び排気手段を制御し、 
　局所密閉型清浄装置１内の側方には、側板１３を利用して構成されたレタンダクト３１が設けられ、整流板２６の下方空間を通じてプレナムチャンバ２５と移送空間Ｔとを結んでおり、レタンダクト３１の下方には、送風機３２が設置され、この送風機３２の近傍に、ガス導入手段及び排気手段が配置され、さらに、このレタンダクト３１には、ケミカルフィルタ４３が設けられている、 
　局所密閉型清浄装置。」
イ　甲第３号証の記載 
　取消理由で通知した甲第３号証（特開２００６−２８６６８２号公報）には、図面とともに、以下の事項が記載されている。 
「【００２８】 
　
上記搬送ユニット１２０の搬送室２００は、例えばＮ２ガス等の不活性ガスや清浄空気が循環される断面略矩形状の箱体により構成されている。
  
「【００７４】 
　一方、排気部２５０は、筐体２１０の底部（下部）２４０に形成された排気口２４２から空気を排気する排気ファン２５２と、排気ファン２５２により排気口２４２から排気する空気をフィルタリングする排気フィルタ手段２５４とを備える。」 
  
「【００８０】 
　また、
図５に示す排気部２５０では、排気ファン２５２を排気フィルタ手段２５４の下方に設けるようにしたので、排気フィルタ手段２５４によってＣｌ、Ｂｒを含むガスなどのガス成分（例えばＣｌ２、Ｂｒ２、ＨＣｌ、ＨＢｒなど）が除去された空気が排気ファン２５２を通ることになる。
  
「【００８７】 
　
このような排気フィルタ２５６としては、例えば排気に含まれる有害成分（例えばＨＣｌ、ＨＢｒなど）を炭酸塩による中和反応によって化学的に吸着除去するケミカルフィルタなどが適用される。
  
　【図４】及び【図５】によれば、ケミカルフィルタである排気フィルタ２５６は、排気ファン２５２の上流側に設けられていることが看取できる。 
  
ウ　甲第４号証の記載 
　取消理由で通知した甲第４号証（特許第４２８７２７１号公報）には、図面とともに、以下の事項が記載されている。 
「【０００２】 
発明の分野 
　本発明は、一般にウェーハ移送システムに関する。特に、本発明は、装置フロントエンドモジュール（equipmentfront end module：ＥＦＥＭ）コンポーネントが取り付けられる統一型の拡大縮小可能なフレーム又は構造体及びウェーハを移送するウェーハエンジンに関する。」 
  
「【００４３】 
　図８は、スパイン構造体１００に取り付けられたウェーハエンジン３００を示している。この図から明らかに分かることとして、ウェーハエンジン３００は、直線移動してＥＦＥＭのＩ／Ｏポート全てに接近することができる。
ウェーハエンジン３００は、下支持部材１０６の後取付け面１１６に取り付けられているレール組立体３０２に沿って移動する。
  
エ　甲第５号証の記載 
　取消理由で通知した甲第５号証（特開２０００−１８２９４９号公報）には、図面とともに、以下の事項が記載されている。 
「【特許請求の範囲】 
・・・ 
【請求項３】 被処理体に所定の処理を行う処理部と、 
前記処理部に対応して、該処理部の上方に設けられ、清浄エアを直下に向けて吹き出し可能であると共に、前記処理部の外方においても清浄エアを直下に向けて吹き出すことができる突出した吹き出し部を有するエア吹き出し部と、 
前記突出した吹き出し部の外側縁に沿って設けられるカーテン部材と、 
前記処理部に対応して、該処理部の下方に、前記エア吹き出し部のうち、処理部外へ突出した吹き出し部を除いたエア吹き出し部に対向して設けられ、エア吸引機構の吸引力により、リターンダクトを通じて前記エア吹き出し部にエアを再供給するため、処理部を通過したエアを回収するエア回収部と、 
を具備することを特徴とする処理装置。」 
「【０００１】 
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば液晶ディスプレイ（Liquid Crystal Display：ＬＣＤ）に使われるガラス基板上にレジスト液を塗布し現像する
塗布・現像処理システム等の処理装置
【０００２】 
【従来の技術】ＬＣＤの製造工程においては、ＬＣＤ用のガラス基板上にＩＴＯ（Indium TinOxide）の薄膜や電極パターンを形成するために、
半導体デバイスの製造に用いられるものと同様のフォトリソグラフィ技術が利用される
【０００３】このような塗布・現像処理システムにおいては、
パーティクルが被処理体である基板に付着しないよう、上方に清浄エアの吹き出し部を設け、常時、清浄エアを供給し、ダウンフローの気流を形成している。そして、塗布・現像処理システムの下方の床面の開口部グリーチングより床下へ吸引されたエアーはリターンゾーンを通って再利用される
  
「【００４５】エア吹き出し部４０は、レジスト塗布装置２３においてはスピンチャック３１の上方、加熱装置２２においてはホットプレート３２の上方、搬送路１１においては搬送装置２６の上方に設けられている。
このエア吹き出し部４０は、送風ファン４１と該送風ファン４１よりも吹き出し側に配設されるフィルタ４２とを有して構成される
・・・ 
【００４８】
エア吸引機構４５は、ブロワ４５ａと、該ブロワ４５ａの保持用ケース４５ｂとを有し、保持用ケース４５ｂは、処理ユニットを構成するいずれかの処理装置のエア回収部４３に排気ダクト４５ｃを介して接続されている
・・・ 
【００５１】本実施の形態によれば、レジスト塗布装置２３、加熱装置２２、および搬送路１１の各処理装置において、スピンチャック３１、ホットプレート３２又は搬送装置２６の
各上方に配置されたエア吹き出し部４０から清浄エアが直下に向けて供給される
ブロワ４５ａの作動により吸引され
  
「【００６０】請求項３記載の本発明の処理装置によれば、エア吹き出し部から直下に向けて吹き出された清浄エアは、当該装置内に設置された処理部を通過した後、エア吸引機構による吸引力により、該エア吹き出し部に対向するエア回収部を通じて回収され、リターンダクトを介してエア吹き出し部に再度供給される。その一方、突出した吹き出し部を通じてカーテン部材と処理部との間にダウンブローの気流を形成することができる。このため、処理部に対してメンテナンス処理を行う際に、作業者がカーテン部材内に入ったときの、外部パーティクルの処理部内への侵入を防止できる。」 
  
オ　甲第６号証の記載 
　取消理由で通知した甲第６号証（特開２００４−３１１９４０号公報）には、図面とともに、以下の事項が記載されている。 
「【技術分野】 
【０００１】 
　本発明は
基板処理装置
容器（ｃｏｎｔａｉｎｅｒ）内に収容されている基板を、さまざまな工程を実施する基板処理部に移送するための基板移送モジュール（ｓｕｂｓｔｒａｔｅ ｔｒａｎｓｆｅｒ ｍｏｄｕｌｅ）内部の汚染を制御することができる基板処理装置
  
「【００４２】 
（第１実施形態） 
　図５は本発明の第１実施形態による基板処理装置の平面図である。 
【００４３】 
　図５に示すように、本発明の３００ｍｍドライエッチング設備は基板移送モジュール１０８、低真空ロードロックチャンバ１２２ａ、１２２ｂ、及び基板処理部１０２により構成される。
・・・ 
【００４５】 
　基板移送モジュール１０８の側面図が図６に図示されている。
【００４６】 
　図５及び図６に示すように、基板移送モジュール１０８はその内部に基板移送手段１１４が配置される基板移送チャンバ１１０、基板移送チャンバ１１０の外部に配置され、ウェーハ１０４が収容されている容器１０６を支持するためのロードポート１１２ａ、１１２ｂ、及び基板移送チャンバ１１０内に外部空気を流入させるためのフィルターユニット１２０を含む。なお、図においては、ロードポートを２つ示したが、これは少なくとも一つあればよい。 
【００４７】 
　望ましくは、容器１０６はＦＯＵＰである。また、基板移送手段１１４はウェーハ１０４を支持するロボットアーム１１６、及びロボットアーム１１６を駆動させてウェーハ１０４を移動させるためのアーム駆動部１１８からなるロボットである。そして、ロボットアーム１１６によって基板が１枚ずつ容器１０６から取り出されて、基板処理部１０２へ移送される。 
【００４８】 
　
フィルターユニット１２０は、外部空気を流入させるためのファンと、流入させた外部空気を浄化するフィルターが一体化されたファン・フィルターユニット（ＦＦＵ）として、清浄化空気を基板移送チャンバ１１０の内部にダウンフローさせる役割をする
【００４９】 
　本発明の基板処理装置は、基板移送モジュール１０８の外部に汚染制御部１３０を備える。
汚染制御部１３０は基板移送チャンバ１１０内に浄化ガス１４６ａを供給して基板移送チャンバ１１０の内部を浄化するガス供給部１３２、及び内部の浄化ガスを再循環させて基板移送チャンバ１１０内に供給するためのガス循環管１３８を含む
【００５０】 
　
浄化ガスは不活性ガスまたは湿気が除去されたドライ空気うちのいずれか一つを使用し、望ましくは窒素（Ｎ２）ガスを使用する
・・・ 
【００５２】 
　
ガス循環管１３８を通じて再循環されて基板移送チャンバ１１０内に供給される浄化ガス１４６ｂが基板移送チャンバ１１０の内部で層流（ｌａｍｉｎａｒ ｆｌｏｗ）を形成するように、ガス循環管１３８は基板移送チャンバ１１０の一側面下部で最上部面に延びて設けられている。ガス循環管１３８を通じて再循環される浄化ガス１４６ｂはフィルターユニット１２０を通じて濾過されて基板移送チャンバ１１０内に供給される
【００５３】 
　基板移送チャンバ１１０内部の大気（ａｍｂｉｅｎｔ）を浄化ガスにより全て浄化する場合、浄化ガスの多量消耗による原価上昇問題と浄化ガスの排気問題が台頭される。従って、基板移送チャンバ１１０の全体体積の一定量のみを浄化ガスにより浄化し、内部の浄化ガスをガス循環管１３８を通じて再循環させて基板移送チャンバ１１０に供給し、加圧（ｐｒｅｓｓｕｒｉｚｉｎｇ）により浄化ガスの自然漏洩を誘発することが望ましい。ここで、参照符号１４６ａはガス供給部１３２を通じて基板移送チャンバ１１０に供給される浄化ガスを示す。参照符号１４６ｂはガス循環管１３８を通じて再循環されて基板移送チャンバ１１０に供給される浄化ガスを示す。参照符号１４６ｃは加圧により漏洩される浄化ガスを示す。 
【００５４】 
　以下、上述した構造の基板処理装置の動作を説明する。 
【００５５】 
　ロードポート１１２ａ、１１２ｂ及び基板移送チャンバ１１０を含む基板移送モジュール１０８は、フィルターユニット１２０を通じて清浄化空気が基板移送チャンバ１１０の内部に流入されるために、設定された工程、例えば、ドライエッチング工程を実施する以前に基板移送チャンバ１１０の内部は清浄化空気の温度及び湿度と同一の条件、例えば、約２３℃の温度及び約４５％の湿度の常温及び常圧に維持される。 
【００５６】 
　基板移送モジュール１０８に連結された汚染制御部１３０のガス供給部１３２を通じて基板移送チャンバ１１０に不活性ガスまたはドライエッチング工程にも用いられる浄化ガス１４６ａ、望ましくは窒素（Ｎ２）ガスを供給することにより、基板移送チャンバ１１０内部の湿気または汚染物質を浄化する。これと同時に、基板移送チャンバ１１０内部の浄化ガスをガス循環管１３８を通じて再循環させて基板移送チャンバ１１０に供給する。」 
  
カ　甲第７号証の記載 
　取消理由で通知した甲第７号証（特開平１１−６３６０４号公報）には、図面とともに、以下の事項が記載されている。 
「【０００１】 
【発明の属する技術分野】本発明は、
処理装置及び処理装置内の気体の制御方法
  
「【００１３】 
【発明の実施の形態】以下、図１、図２に示す実施形態に基づいて本発明を説明する。本実施形態の処理装置１０は、図１に示すように、ウエハを収納したポッドＰを載置するトレイ１１と、このトレイ１１が後退してその上に載置されたポッドＰを収納するキャリア収納室１２と、このキャリア収納室１２内のポッドＰに対してウエハを纏めて搬出入するウエハ搬送装置１３Ａが配設されたロードロック室１３とを備えている。そして、
キャリア収納室１２とロードロック室１３の間には清浄室１４が介在している
・・・ 
【００１７】また、上記
清浄室１４の上部には例えば送風ファン２０、高性能フィルタ２１及びケミカルフィルタ２２が上方から下方へ順次配設されている
清浄室１４の下部には例えば多数の孔が分散して形成された床面２３が水平に配設され、送風ファン２０によって送風された下降流が床面２３を通過し、この気流が循環ダクト２４を経由して清浄室１４の送風ファン２０上方の上部空間１４Ｂへ還流し、気流が清浄室１４内で矢印で示すように循環するようにしてある
【００１８】つまり、上記導入配管２４には圧力調節バルブ２６が取り付けられ、また、上記清浄室１４には室内の気体の圧力と大気圧との差を検出する差圧計２７が取り付けられている。この差圧計２７は清浄室１４内の不活性ガスの圧力を常に検出して大気圧との差を検出し、清浄室１４内の不活性ガスの圧力を常に大気圧より高い正圧を保持するようにしてある。従って、仮に清浄室１４内の不活性ガスの圧力が大気圧に近づくか、それより低くなるようなことがあったらその検出値に基づいて圧力調節バルブ２５の開度を大きくして不活性ガスの流入量を増加して清浄室１４内の圧力を正圧に保つようにしてある。清浄室１４内の不活性ガスの圧力を正圧にすることで、施設領域Ｒ２の空気が清浄室１４内へ流れ込まないようにしてある。」
キ　甲第８号証の記載 
　取消理由で通知した甲第８号証（特開２００６−２００８３９号公報）には、図面とともに、以下の事項が記載されている。 
「【技術分野】 
【０００１】 
　本願発明は、例えば、
半導体基板の洗浄処理のように、その処理工程において有害物質が発生する処理装置の構造に関するものである
  
「【発明の効果】 
【００２０】 
　本願発明に係る処理装置によれば、該処理装置のうち、有害物質を含んだ汚染空気の循環系に存在して該有害物質による腐食が懸念される部位及び部材にそれぞれ所要の腐食対策を施すことで、処理装置全体としての耐食性能が向上し、装置運転上の信頼性が確保されるものである。そして、係る効果は、一部循環式の処理装置でも、完全循環式の処理装置においても同様に得られるものである。」 
  
「【００２２】 
　Ｉ：第１の実施形態 
　図１には、本願発明に係る処理装置の第１の実施形態として、半導体の基板Ｗを洗浄処理する処理装置Ｚ１を示している。
・・・ 
【００２４】
  「処理ユニットＵ１の構成」
  上記処理ユニットＵ１は、閉鎖空間をもつ筐体１を備える。この筐体１は、その内部空間を、上部側に位置し且つ開口３７を備えた隔壁３５と下部側に位置し且つ多数の通孔３８を備えた隔壁３６とによって上下方向に三つに区画して、上下方向中央に位置する処理室２と、該処理室２の上側に位置する給気室３と、上記処理室２の下側に位置する排気室４を形成している。そして、上記処理室２側には次述の処理部１５が、上記給気室３側には次述のダウンフロー発生部１６が、それぞれ設けられている。
・・・
【００２６】 
　
上記ダウンフロー発生部１６は、上記処理部１５側に向けてダウンフロー気流Ａ２を吹出すもので、上記隔壁３５の上記開口３７に取り付けた微粒子フィルター８と、該微粒子フィルター８に対向するようにして上記給気室３内に配置したファン９を備えて構成される
・・・ 
【００２８】 
　「空気浄化ユニットＵ２の構成」 
　
上記有害物質除去ユニットＵ２は、縦長の閉鎖空間をもつ筐体２１内に、次述の有害物質除去部２２と循環ファン２５を、該有害物質除去部２２の上側に上記循環ファン２５が位置するように配置して構成される
【００２９】 
　上述の如く構造された上記処理ユニットＵ１と上記有害物質除去ユニットＵ２は、上記処理ユニットＵ１の上記空気出口３１と上記有害物質除去ユニットＵ２の上記空気入口３２を、また、上記処理ユニットＵ１の上記還流口１０と上記有害物質除去ユニットＵ２の上記空気出口３４を、それぞれ接続し、
これら処理ユニットＵ１と空気浄化ユニットＵ２の間に空気の循環系を構成する
・・・ 
【００３５】 
　
上記処理ユニットＵ１において上記基板Ｗの洗浄処理を行なう場合、上記ダウンフロー発生部１６の上記ファン９を運転し、上記給気室３側の空気を上記処理室２内の上記薬液槽６側に向けてダウンフロー気流Ａ２として吹出させる
・・・ 
【００３８】 
　そして、上記汚染空気Ａ３の一部は、上記外部排出路１４からそのまま外部へ排出されるが、他の一部は、上記排気室４から上記有害物質除去ユニットＵ２側に導入され、該空気浄化ユニットＵ２の上記有害物質除去部２２において、これに含まれた有害物質Ｇが除去され、有害物質濃度の低い清浄空気とされ、再び上記循環ファン２５によって上記処理ユニットＵ１の混合チャンバー１３側に還流空気Ａ４として還流される。 
・・・ 
【００４５】 
　一方、
有害物質を含んだ汚染空気の循環系に存在する部材として、上記処理ユニットＵ１側の上記ファン９及び微粒子フィルター８、上記有害物質除去ユニットＵ２側の上記有害物質除去部２２及び循環ファン２５が考えられる
  
「【００７６】 
　ＶＩＩ：第７の実施形態 
　図７には、本願発明に係る処理装置の第７の実施形態として、半導体の基板Ｗを洗浄処理する処理装置Ｚ７を示している。 
【００７７】 
　この実施形態の処理装置Ｚ７は、上記第１の実施形態に係る処理装置Ｚ１と同様に、処理ユニットＵ１と空気浄化ユニットＵ２を備えて構成されるものであって、これと異なる点は、
上記空気浄化ユニットＵ２の上記有害物質除去部２２を、多孔膜式除去機構とケミカルフィルター式除去機構を空気流れ方向前後に並置して構成した点である
【００７８】 
　そして、この処理装置に於ける各部位及び各部材の腐食対策は上記第１の実施形態の処理装置の場合と同様である。ただ、この実施形態では、上述のように上記有害物質除去部２２を多孔膜式除去機構とケミカルフィルター式除去機構を組み合わせて構成したことから、その腐食対策として、先ず、多孔膜式除去機構においては多孔膜エレメント２３の多孔膜をＰＴＦＥ（ポリテトラフロロエチレン）製としてその耐食性を確保している。また、この有害物質除去部２２の多孔膜エレメント２３の枠体とか上記水循環部２４はこれを樹脂製としてその耐食性を確保している。 
【００７９】 
　また、ケミカルフィルター式除去機構においては、ケミカル成分を捕集しこれを蓄積するものであって、捕集能力が低下したときには交換するものであることから、格別な腐食対策は必要ない。」 
  
ク　甲第９号証の記載 
　取消理由で通知した甲第９号証（特開２００４−２０１２０号公報）には、図面とともに、以下の事項が記載されている。 
「【０００１】 
【発明が属する技術分野】 
本発明は、例えば過酸化水素、アンモニア、無機酸（フッ酸、塩酸、硫酸、燐酸など）、有機物などの薬品を用いて各種電子部品の洗浄処理などを行うための処理装置に関する。」 
  
「【００１７】 
洗浄処理装置１は、室内空気を排気する排気口３４を下方の側部に備え且つ清浄空気を室内に供給する空気供給口３５を上方に備えた処理室３６と、下方に貯水槽３７を配置し上方にこの貯水槽３７から供給される水を噴霧する噴射ノズル１２を配置して排気口３４から排気された空気を洗浄する湿式処理部３８と、熱交換部３９に配置され噴射ノズル１２から噴霧される水の温度を制御する冷却用熱交換器９と、熱交換部４０に配置され湿式処理部３８で洗浄された空気を加温して相対湿度を低下させる再熱用ヒータ１３と、
乾式処理部４１に配置され熱交換部４０で相対湿度を低下させた空気からケミカル物質を除去するケミカルフィルタ１４
ケミカル物質を除去された空気を処理室３６にダウンフローする処理室３６の空気供給口３５の上方に配置されたＦＦＵ（ファンフィルタユニット）３
処理室３６を巡って配置され経路内に湿式処理部３８、再熱用ヒータ１３、乾式処理部４１を含む空気循環路４２
空気循環路４２内に配置され、ＦＦＵ３と協働して処理室３６内の空気を排気口３４から空気供給口３５へ向けて送気する送風機（シロッコファン）２
・・・ 
【００２６】 
湿式処理部３８を通過した空気は、相対湿度を低減させるための再熱用ヒータ１３へ送気される。ここで、気化蒸発成分中の薬液成分を主成分とする汚れ成分の除去率が、例えば９８％より悪い場合、汚れ成分の種類により、活性炭系、カチオン系（アンモニア等）、アニオン系などのケミカルフィルタを選定することが好ましい。
ケミカルフィルタ１４の配置される乾式処理部３９からの戻り空気は、送風機２で吸引循環される
  
　【図１】によれば、ケミカルフィルタ１４は、送風機（シロッコファン）２の上流側に設けられているということができる。
ケ　甲第１０号証の記載
　本件特許の出願前に頒布された特開２００８−２６３０４８号公報（以下、「甲第１０号証」という。）には、図面とともに、以下の事項が記載されている。 
「【技術分野】
【０００１】
　本発明は、半導体製造装置および半導体装置の製造技術に関し、特に、ミニエンバイロメント（MiniEnvironment）方式を用いた半導体装置の製造に適用して有効な技術に関する。」
「【００１９】
　（実施の形態１）
　図１は、種々の半導体製造装置ＤＤ１〜ＤＤ４が設置されたクリーンルームＣＬを模式的に示す説明図である。このクリーンルームＣＬではミニエンバイロメント方式が採用されて、半導体装置のいわゆる前工程が行われる。
・・・
【００２３】
　図２は、本実施の形態１におけるミニエンバイロメント方式を採用した半導体製造装置（以下、ミニエン対応装置という）ＭＤ０を模式的に示す側壁図である。このミニエン対応装置ＭＤ０は、台ＴＥ上に半導体ウエーハＳＷが配置され、半導体ウエーハＳＷを囲む複数の面を有する筐体ＢＥと、複数の面のうちの少なくとも１つの面の近傍に対向して設置され、気体が通過する隙間ＳＴを有する板ＢＤと、板ＢＤと１つの面との間で形成された排気室ＶＲ内の気体を排気する排気系ＶＳと、を有している。
・・・
【００２５】
　また、ミニエン対応装置ＭＤ０は、筐体ＢＥの上部にＨＥＰＡフィルタＨＦを備えたファンＦＮを有しており、筐体ＢＥ内に外気（クリーンルームＣＬ内の空気）を取り込む。このファンＦＮは、筐体ＢＥを構成する複数の面のうち、板ＢＤと対向する面（側壁面）とは異なる他の面（上部面）に設置されている。なお、図２には、ファンＦＮによって筐体ＢＥ内で生じる気流の進行方向を示している。
【００２６】
　これに対し、気体が通過する隙間ＳＴを有する板ＢＤなどを設置しない場合のミニエン対応装置ＭＤ１０を図３に示す。クリーンルームＣＬ内にミニエン対応装置ＭＤ１０を設置した場合、クリーンルームＣＬ内の塵埃がミニエン対応装置ＭＤ１０の筐体ＢＥ内に入らないように、ＨＥＰＡフィルタＨＦを介してファンＦＮによって清浄な空気を取り入れることによって、筐体ＢＥ内部の圧力Ｐ１を筐体ＢＥ外部の圧力（クリーンルームＣＬの圧力）Ｐ２より例えば１〜２Ｐａ陽圧としている。」
コ　甲第１１号証の記載
　本件特許の出願前に頒布された国際公開２０１０／１３７５５６号（以下、「甲第１１号証」という。）には、図面とともに、以下の事項が記載されている。 
「[0029]以下に、本発明を図面に示した特定の実施例について詳しく説明する。図１は処理装置１の斜視図であり、図２はその断面図である。処理装置１はクリーンルームと呼ばれる、０．５μｍダストでクラス１００程度の比較的清浄な雰囲気に管理された工場内に設置されている。処理装置１は主として、ロードポート２、ミニエンバイロメント空間ユニット３、搬送ロボット４、ファンフィルタユニット５、真空チャンバ６、プロセスチャンバ７で構成されている。ミニエンバイロメント空間ユニット３はフレームと、そのフレームに固定され外部雰囲気と分離するための壁面と、外部からの空気を高清浄な空気に清浄化したうえでダウンフローとしてミニエンバイロメント空間ユニット３に導入する高清浄空気導入手段であるファンフィルタユニット５が設けられている。ファンフィルタユニット５にはミニエンバイロメント空間ユニット３の天井に設置され、ミニエンバイロメント空間ユニット３内部に向かって下向きに空気を送るファン８と、送られてきた空気の中に存在する塵埃や有機物などの汚染物質を除去するフィルタ９が具えられている。
[0030]また、ミニエンバイロメント空間ユニット３の床面１０（図２）はパンチングプレート等所定の開効率を有する空気流通可能な部材が用いられている。これらの構成により、ファンフィルタユニット５により内部に供給された清浄空気は常にミニエンバイロメント空間ユニット３内を下向きに流れ、床面１０から装置外部へと排出されることとなり、ミニエンバイロメント空間ユニット３内は高清浄雰囲気に保たれている。搬送ロボット４は薄板状物の１種であるウエハ１５(図３(a))をＦＯＵＰと呼ばれる容器１３内とプロセスチャンバ７との間を搬送するもので、ロボット４のアーム可動部分は磁性流体シールなどの発塵防止のシール構造とすることで、発塵によるウエハ１５への悪影響を極力抑える工夫がなされている。この構成により、ウエハ１５は高清浄な雰囲気内で搬送ロボット４により搬送される。また、ミニエンバイロメント空間ユニット３内部気圧は外部よりも高い圧力「陽圧」となっており、典型的には１．５Ｐａ程度の差圧をもつように維持されている。このようにして、外部からの汚染物質や塵埃の侵入を防止することで、ミニエンバイロメント空間ユニット３内部の清浄度は０．５μｍダストでクラス１以上の高清浄度を維持することが可能となっている。」
「[0112]次に、試験用ミニエンバイロメント空間ユニット３内部の差圧を２．５Ｐａの陽圧に維持した環境にパージポート４０を適用し、パージングガスとしての窒素ガスについて、流量と供給時間の条件を変えた場合において、パージング操作に対するＦＯＵＰ１３内の酸素濃度の時間推移をみる試験を行った。この試験では、窒素ガスの流量を毎分１２０リットルと毎分１５０リットルに設定し、それぞれの流量に対し、供給時間を８０秒とした場合と、１１０秒とした場合の酸素濃度の推移から、流量と供給時間の関係を見ることとした。図１８がその結果のグラフである。」
サ　甲第１２号証の記載
　本件特許の出願前に頒布された特開２０１０−２２５６４１号公報（以下、「甲第１２号証」という。）には、図面とともに、以下の事項が記載されている。 
「【００４５】
　図２において、基板搬送装置としてのローダーモジュール１３は、装置本体の上部に設けられた大気導入部４１及び下部に設けられた大気排出部４９と、大気導入部４１と大気排出部４９との間の基板搬送部に設けられた搬送アーム機構１９と、大気導入部４１に隣接して設けられた下向流形成部としてのＦＦＵ（Fan FilterUnit）３４とを有する。ＦＦＵ３４と基板搬送部の搬送アーム機構１９との間には、下向流の流通方向に沿って順次ガスイオン化装置としての軟Ｘ線レーザ光照射装置５２及びパーティクル捕集部５１が配置されている。
【００４６】
　ＦＦＵ３４は、上側から順に配置されるファンユニット３７及び除塵ユニット４０とから主としてなる。ファンユニット３７は下側に向けて大気を送出するファンを内蔵し、除塵ユニット４０はファンユニット３７を通過した大気中の塵埃を集塵するフィルタ（図示しない）を内蔵する。ＦＦＵ３４は、大気導入部４１を介してローダーモジュール１３の内部に流入し、搬送アーム機構１９が設けられた基板搬送部を経て大気排出部４９から流出する大気の下向流を形成すると共に、大気中に含まれる塵埃を捕集、除去する。これにより、ローダーモジュール１３の内部は清浄化された大気に置換される。」
「【００５０】
　ダクトファン３６は、ローダーモジュール１３の底面に穿孔された複数の貫通穴である大気排出部４９に対向して配置され、ローダーモジュール１３の内部の大気を大気排出部４９を介してローダーモジュール１３の外部へ排出する。
【００５１】
　図３は、図２におけるパーティクル捕集部５１を示す模式図である。図３（Ｂ）において、パーティクル捕集部５１は、軟Ｘ線を透過させない導電性材料、例えばステンレス（ＳＵＳ）製の２枚の整流板５１ａ及び５１ｂを組み合わせたものであり、整流板５１ａ及び５１ｂには、図３（Ａ）に示したように、大気の下向流が通過する開口部５３が設けられている。上部整流板５１ａの開口部と下部整流板５１ｂの開口部は、互いに重ならないように配置することが好ましい。これによって下向流の整流作用が発現できると共に、パーティクル捕集部５１の上部に配置された軟Ｘ線レーザ光照射装置５２から照射された軟Ｘ線レーザ光がパーティクル捕集部５１の下方、すなわち基板搬送部に漏れることを防止して安全性を確保することができる。なお、開口部５３を設ける際は、下向流として流通する大気の圧力損失が増大しないよう配慮する必要がある。
【００５２】
　２枚の整流板５１ａ及び５１ｂ（以下、まとめて、「整流板５１」ともいう。）には、それぞれ異なるバイアス電圧が印加されて静電吸着によるパーティクル捕集機能が付与される。」
シ　甲第１３号証の記載
　本件特許の出願前に頒布された特開２００５−３７０３９号公報（以下、「甲第１３号証」という。）には、図面とともに、以下の事項が記載されている。 
「【００１４】
　図１は、本発明の一実施例としての嫌塵性製品クリーンブースを具える嫌塵性製品製造システムを示す一部切り欠き斜視図であり、図中符号１はその嫌塵性製品製造装置、一実施形態としての嫌塵性製品クリーンブース２をそれぞれ示す。この実施例の
嫌塵性製品クリーンブース２は、その天井にシロッコファン４からなる送風機とＵＬＰＡフィルタ５（ダイキンニューロファイン（ボロンフリータイプ）ＬＭＨ６０５１０５０型）５とからなるファンフィルタユニット３と清浄空気吹き出し口６を具えている
クリーンブース２内部には、ウエハ１５を搬送するシングルアームのスカラ型ロボットである搬送ロボット１０と、この搬送ロボット１０のアーム１７の下に第1の床１１
第1の床１１
は共に磨きステンレススチール製のパンチングメタル板を使用
ス　甲第１４号証の記載
　本件特許の出願前に頒布された特開２００４−４４９８９号公報（以下、「甲第１４号証」という。）には、図面とともに、以下の事項が記載されている。 
「【００２２】
【発明の実施の形態】
図１は、本発明の一実施例としての薄板状電子部品搬送装置を具える薄板状電子部品製造設備を示す一部切り欠き斜視図であり、図中符号１はその薄板状電子部品製造装置、２は一実施形態としての薄板状電子部品搬送装置をそれぞれ示す。この実施例の
薄板状電子部品搬送装置２は、筐体の天井にシロッコファンからなる送風機４とＵＬＰＡフィルタ（例えばダイキンニューロファイン（ボロンフリータイプ）ＬＭＨ６０５１０５０型）５と清浄空気吹き出し口６とからなるファンフィルタユニット３を具え、半導体ウエハを収納したカセット７を載置できるロードポート２０を一部の壁とし、反対側の壁にはロードロック室ドア３３を具え、他の壁は全て外気に対して気密にしている
筺体の下部にあって筐体の底部フレームに位置する床１３
床１
（３）当審の判断
ア　本件発明１について 
（ア）引用発明Ａとの対比 
ａ　本件発明１と引用発明Ａとを対比する。 
（ａ）引用発明Ａの「半導体製造装置２」、「移送空間Ｔ」、「密閉型のカセットＣｘ」、「移送装置２１」、「フィルタ装置２４」及び「送風機３２」は、それぞれ、本件発明１の「処理装置」、「ウェーハ搬送室」、「ＦＯＵＰ」、「ウェーハ搬送装置」、「フィルタ」及び「送風手段」に相当する。 
（ｂ）引用発明Ａの局所密閉型清浄装置は、「半導体製造装置２と基板搬送装置４との間でウエハを移送するためのインターフェース部３を気密に閉鎖するチャンバと、チャンバにおける半導体製造装置２側の側壁に形成された、インターフェース部３と半導体製造装置２との間でウエハを移送するための移送口１７と、チャンバにおける基板搬送装置４側の側壁（側板１１）に形成された、基板搬送装置４とインターフェース部３との間でウエハを移送するための移送口１６と、移送口１７及び移送口１６を開閉自在な開閉装置２３及び開閉装置２２と、ウエハ移送の際にウエハが通過する移送空間Ｔ」と、を備え、「移送口１６は、基板搬送装置４が所定位置に載置した密閉型のカセットＣｘとの間でウエハを移送するためのもの」であるところ、カセットＣｘを載置するためにはロードポートが必要であるから、「移送口１６」には、「密閉型のカセットＣｘ」を載置する「ロードポート」が接続されているといえる。
　また、引用発明Ａの「移送口１６と移送口１７」は、本件発明１の「開口」に相当する。
　そうすると、本件発明１と引用発明Ａとは、「壁面に設けられた開口にロードポート及び処理装置が接続されることで略閉止されたウェーハ搬送室を内部に構成する筐体」を具備する点で一致する。 
（ｃ）引用発明Ａでは、移送装置２１は、インターフェース部３に設けられており、移送空間Ｔは、「インターフェース部３における移送装置２１の上方」に設置されているフィルタ装置２３と整流板２６との間の空間から構成されるから、移送装置２１は、移送空間Ｔ内に配置され、ロードポートに載置された密閉型のカセットＣｘと半導体製造装置２との間でウェーハの搬送を行うものであるといえる。
　したがって、本件発明１と引用発明Ａとは、「前記ウェーハ搬送室内に配設され、前記ロードポートに載置されたＦＯＵＰと前記処理装置との間でウェーハの搬送を行うウェーハ搬送装置」を具備する点で一致する。
（ｄ）引用発明Ａは、「移送空間Ｔに清浄なガスを供給するためのフィルタ装置２４」と、「チャンバ内に外部からガスを導入するガス導入手段」と、を備えてなる、局所密閉型清浄装置であって、「ガス導入手段によってチャンバ内に導入されるガスは、不活性ガスであり」、「フィルタ装置２４」は、「インターフェース部３における移送装置２１の上方、すなわち局所密閉型清浄装置内の上方に設置されて」いるものである。
　したがって、本件発明１と引用発明Ａとは、「前記ウェーハ搬送室の上部に設けられ、当該ウェーハ搬送室内に不活性ガスを送出するガス送出口」を具備する点で一致する。 
（ｅ）引用発明Ａでは、「チャンバ内においてプレナムチャンバ２５、移送空間Ｔ、レタンダクト３１、プレナムチャンバ２５と順に巡る循環気流を形成」しており、「チャンバ内に導入されるガスは、不活性ガスであり」、「局所密閉型清浄装置内の下方には、整流板２６が設置され、プレナムチャンバ２５と相俟って、インターフェース部３に均一な空気流を形成して」いる。
　したがって、本件発明１と引用発明Ａとは、「前記ウェーハ搬送室の下部に設けられ、当該ウェーハ搬送室内の不活性ガスを吸引するガス吸引口」を具備する点で一致する。 
（ｆ）また、上記（ｄ）及び（ｆ）より、本件発明１と引用発明Ａとは、「前記ガス吸引口から吸引されたガスを前記ガス送出口へ帰還させるガス帰還路」を具備する点で一致する。 
（ｇ）引用発明Ａは、「移送空間Ｔに清浄なガスを供給するためのフィルタ装置２４」、を備えてなる、局所密閉型清浄装置であって、「フィルタ装置２４は、塵埃やパーティクルを捕集するものであって、インターフェース部３における移送装置２１の上方、すなわち局所密閉型清浄装置内の上方に設置されて」いるものである。
　したがって、前記（ｄ）を勘案すると、本件発明１と引用発明Ａとは、「前記ガス送出口に設けられ、送出する不活性ガスに含まれるパーティクルを除去するフィルタ」を具備する点で一致する。
（ｈ）引用発明Ａは、「移送空間Ｔに清浄なガスを供給するためのフィルタ装置２４」と、「フィルタ装置２４からの吹き出し風速を一様にするためのプレナムチャンバ２５」を備えてなる局所密閉型清浄装置であって、「このフィルタ装置２４と天板１５との間の空間がプレナムチャンバ２５を形成するとともに、局所密閉型清浄装置内の下方には、整流板２６が設置され、プレナムチャンバ２５と相俟って、インターフェース部３に均一な空気流を形成して」いるから、上記（ｄ）〜（ｆ）を勘案すると、本件発明１と引用発明Ａとは、「前記ウェーハ搬送室に下降気流を生じさせるとともに前記ガス帰還路を介して不活性ガスを帰還させることによって、前記ウェーハ搬送室内の不活性ガスを循環させるように構成」する点で一致する。
（ｉ）引用発明Ａでは、「チャンバ内においてプレナムチャンバ２５、移送空間Ｔ、レタンダクト３１、プレナムチャンバ２５と順に巡る循環気流を形成」しており、「局所密閉型清浄装置１内の側方には、側板１３を利用して構成されたレタンダクト３１が設けられて」いるところ、「レタンダクト３１」を構成する「側板１３」以外の部材によって、「移送空間Ｔ」と仕切られていることは明らかである。
　したがって、本件発明１と引用発明Ａは、「前記筐体内に設けた仕切り部材により前記ウェーハ搬送室と前記ガス帰還路とが分離され」る点で一致する。
（ｊ）引用発明Ａは、「半導体製造装置２と基板搬送装置４との間でウエハを移送するためのインターフェース部３を気密に閉鎖するチャンバと、チャンバにおける半導体製造装置２側の側壁に形成された、インターフェース部３と半導体製造装置２との間でウエハを移送するための移送口１７と、チャンバにおける基板搬送装置４側の側壁（側板１１）に形成された、基板搬送装置４とインターフェース部３との間でウエハを移送するための移送口１６と、移送口１７及び移送口１６を開閉自在な開閉装置２３及び開閉装置２２と、ウエハ移送の際にウエハが通過する移送空間Ｔ」と、「プレナムチャンバ２５」と、「移送空間Ｔとプレナムチャンバ２５を結ぶレタンダクト３１」と、「チャンバ内においてプレナムチャンバ２５、移送空間Ｔ、レタンダクト３１、プレナムチャンバ２５と順に巡る循環気流を形成するための送風機３２」を備えてなる、局所密閉型清浄装置であって、送風機３２は、「レタンダクト３１の下方」に設置されたものである。
　そうすると、引用発明Ａにおいて、移送口１７は半導体製造装置２が接続される開口であることが明らかであるから、レタンダクト３１の下方に設置された送風機３２は、上方に向かって循環気流を形成するものであり、かつ、移送口１７の高さよりも下方に設けられたものであるといえる。
　したがって、本件発明１と引用発明Ａとは、「前記処理装置が接続される開口の高さよりも下方に設けられて前記ガス帰還路に上方に向かって気流を形成する送風手段」を有する点で一致する。
　また、引用発明Ａでは、「移送空間Ｔ内の圧力を所定値に保つようにガス導入手段及び排気手段を制御し」ているから、「移送空間Ｔの内部に不活性ガスが充填されている」ということができる。 
　以上から、本件発明１と引用発明Ａとは、「前記処理装置が接続される開口の高さよりも下方に設けられて前記ガス帰還路に上方に向かって気流を形成する送風手段を更に有し、前記ウェーハ搬送室の内部に不活性ガスが充填されている」点で一致する。
（ｋ）本件発明１の「ＥＦＥＭ」（Equipment Front End Module）（本件特許明細書【０００１】）は、例えば、「所定の受け渡し位置間でウェーハＷの搬送を行うウェーハ搬送装置２と、このウェーハ搬送装置２を囲むように設けられた箱型の筐体３と、筐体３の前面側の壁（前面壁３１）の外側に接続される複数（図中では３つ）のロードポート４〜４と、制御手段５とから構成されている」（本件特許明細書【００２６】）ものであるところ、引用発明Ａの「局所密閉型清浄装置」は、「移送装置２１」と、「チャンバ」と、「ロードポート」と、「制御装置Ｘ」とを備えてなるものであるから、本件発明１の「ＥＦＥＭ」に対応する。 
  
ｂ　したがって、本件発明１と引用発明Ａとは、以下の一致点及び相違点を有する。 
  ＜一致点＞ 
「壁面に設けられた開口にロードポート及び処理装置が接続されることで略閉止されたウェーハ搬送室を内部に構成する筐体と、
　前記ウェーハ搬送室内に配設され、前記ロードポートに載置されたＦＯＵＰと前記処理装置との間でウェーハの搬送を行うウェーハ搬送装置と、
　前記ウェーハ搬送室の上部に設けられ、当該ウェーハ搬送室内に不活性ガスを送出するガス送出口と、
　前記ウェーハ搬送室の下部に設けられ、当該ウェーハ搬送室内の不活性ガスを吸引するガス吸引口と、
　前記ガス吸引口から吸引されたガスを前記ガス送出口へ帰還させるガス帰還路と、
　前記ガス送出口に設けられ、送出する不活性ガスに含まれるパーティクルを除去するフィルタとを具備し、
　前記ウェーハ搬送室に下降気流を生じさせるとともに前記ガス帰還路を介して不活性ガスを帰還させることによって、前記ウェーハ搬送室内の不活性ガスを循環させるように構成し、
　前記筐体内に設けた仕切り部材により前記ウェーハ搬送室と前記ガス帰還路とが分離され、
　前記処理装置が接続される開口の高さよりも下方に設けられて前記ガス帰還路に上方に向かって気流を形成する送風手段を更に有し、前記ウェーハ搬送室の内部に不活性ガスが充填されているＥＦＥＭ。」
  
＜相違点＞ 
＜相違点１＞ 
　「フィルタ」について、本件発明１では、「前記ウェーハ搬送室に下降気流を生じさせるファンとともにファンフィルタユニットを構成」するものであるのに対し、引用発明Ａのフィルタ装置２４は、そのように構成されていない点。
（イ）判断 
　以下、上記相違点１について検討する。
ａ　本件発明１は、「壁面に設けられた開口にロードポート及び処理装置が接続される」「ウェーハ搬送室を内部に構成する筐体」を具備する「ＥＦＥＭ」、いわゆるインターフェースモジュールに係る発明である。
　また、本件発明１は、「壁面に設けられた開口にロードポート及び処理装置が接続されることで略閉止されたウェーハ搬送室を内部に構成する筐体」と、「前記ウェーハ搬送室の上部に設けられ、当該ウェーハ搬送室内に不活性ガスを送出するガス送出口と、前記ウェーハ搬送室の下部に設けられ、当該ウェーハ搬送室内の不活性ガスを吸引するガス吸引口と、前記ガス吸引口から吸引されたガスを前記ガス送出口へ帰還させるガス帰還路」とを具備し、「前記ウェーハ搬送室に下降気流を生じさせるとともに前記ガス帰還路を介して不活性ガスを帰還させることによって、前記ウェーハ搬送室内の不活性ガスを循環させるように構成し」、「前記ウェーハ搬送室の内部に不活性ガスが充填されている」「ＥＦＥＭ」であって、「前記ガス送出口に設けられ、前記ウェーハ搬送室に下降気流を生じさせるファンとともにファンフィルタユニットを構成し、送出する不活性ガスに含まれるパーティクルを除去するフィルタ」を具備し、「前記ガス帰還路に上方に向かって気流を形成する送風手段を更に有」するものであるから、「ウェーハ搬送室」に生じさせた「下降気流」を、「ガス帰還路」を介して帰還させることによって構成された、循環気流の経路の途中に２つの送風要素（ファンフィルタユニットの「ファン」と「送風手段」）が設けられ、さらに、一方の送風要素であるファンが、「ウェーハ搬送室の上部」に設けられた「ガス送出口」に設けられるのに対して、他方の送風要素である「送風手段」が「処理装置が接続される開口の高さよりも下方」に設けられるものである。
ｂ　引用発明Ａもいわゆるインターフェースモジュールに係る発明であり、また、引用発明Ａは、「このフィルタ装置２４と天板１５との間の空間がプレナムチャンバ２５を形成するとともに、局所密閉型清浄装置内の下方には、整流板２６が設置され、プレナムチャンバ２５と相俟って、インターフェース部３に均一な空気流を形成しており」、「移送空間Ｔは、フィルタ装置２４と整流板２６との間の空間から構成され」、「『フィルタ装置２４を通過した』移送空間Ｔ内は、『ダウンフロー』」となっているところ、引用発明Ａにおいて、インターフェース部３のフィルタ装置２４を通過した移送空間Ｔ内には、「ダウンフロー」となっている「均一な空気流」が形成されているといえる。
　また、甲第１号証の段落【００２６】には、送風機３２などから発生するガス状不純物について記載されている。
　
ｃ　一方、甲第３号証、甲第４号証に記載の技術的事項は、ガス帰還路を具備せず、「前記ウェーハ搬送室内の不活性ガスを循環させるように構成」したものではなく、また、２つの送風要素を筐体内に具備するものではない。
　甲第５号証に記載の技術的事項は、ＥＦＥＭではなく、処理装置に関するものであり、「略閉止されたウェーハ搬送室を内部に構成する筐体」と、「当該ウェーハ搬送室内に不活性ガスを送出するガス送出口」と、「当該ウェーハ搬送室内の不活性ガスを吸引するガス吸引口」と、「前記ガス吸引口から吸引されたガスを前記ガス送出口へ帰還させるガス帰還路」とを具備するＥＦＥＭに関するものではない。
　甲第６号証、甲第７号証に記載の技術的事項は、ガス帰還路を具備するものの、それぞれ、ガス帰還路として、「ガス循環管１３８」、「循環ダクト２４」を用いており、いずれも、「前記筐体内に設けた仕切り部材により前記ウェーハ搬送室と前記ガス帰還路とが分離され」たものではない。
　しかも、甲第６号証、甲第７号証に記載の技術的事項は、ファンフィルタユニットを具備するものの、甲第６号証の段落【００４８】、甲第７号証の段落【００１７】の記載から、ダウンフローを形成するためにファンフィルタユニットを設けたものと認められ、２つの送風要素を具備するものでもない。
　甲第８号証、甲第９号証に記載の技術的事項は、ガス帰還路を具備するものの、ＥＦＥＭではなく、処理装置に関するものであり、また、甲第８号証に記載の技術は、ガス帰還路として、接続ダクト２７と接続ダクト２８で筐体１に接続された「筐体２１」を用いており、「「」前記筐体内に設けた仕切り部材により前記ウェーハ搬送室と前記ガス帰還路とが分離され」たものではない。
　そして、甲第８号証、甲第９号証に記載の技術的事項は、２つの送風要素を具備するものの、循環気流の経路の途中に２つの送風要素が設けられたものではなく、「前記処理装置が接続される開口の高さよりも下方に設けられて前記ガス帰還路に上方に向かって気流を形成する送風手段」を有するものではない。
ｄ　以上のとおり、甲第３号証ないし甲第９号証に記載の技術的事項は、いずれも、「略閉止されたウェーハ搬送室を内部に構成する筐体と、ガス帰還路とを具備し、前記ウェーハ搬送室に下降気流を生じさせるとともに前記ガス帰還路を介して不活性ガスを帰還させることによって、前記ウェーハ搬送室内の不活性ガスを循環させるように構成し、前記ウェーハ搬送室の内部に不活性ガスが充填されているＥＦＥＭ」において、「ウェーハ搬送室の上部」に設けられ、「前記ウェーハ搬送室に下降気流を生じさせるファン」を具備し、かつ、「前記処理装置が接続される開口の高さよりも下方に設けられて前記ガス帰還路に上方に向かって気流を形成する送風手段」を更に有する構成ではない。
　しかも、上記ｂで検討したとおり、引用発明Ａにおいて、インターフェース部３のフィルタ装置２４を通過した移送空間Ｔ内には、「ダウンフロー」となっている「均一な空気流」が形成されているといえるから、引用発明Ａにおいて、甲第３号証ないし甲第９号証に記載の技術的事項に基づき、フィルタ装置２４を、移送空間Ｔに下降気流を生じさせるファンとともにファンフィルタユニットを構成するフィルタとする、動機付けを見出せない。
　したがって、引用発明Ａにおいて、甲第３号証ないし甲第９号証に記載の技術的事項に基づき、相違点１に係る本件発明１の構成を採用することは当業者が容易になし得るものではない。
（ウ）本件発明１についてのまとめ
　よって、本件発明１は、引用発明Ａ及び甲第３号証ないし甲第９号証に記載の技術的事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。
イ　本件発明２〜８について
　本件発明２〜８は、本件発明１に対して、更に、技術的事項を追加して限定したものである。
　よって、上記アに示した理由と同様の理由により、本件発明２〜８は、引用発明Ａ及び甲第３号証ないし甲第９号証に記載の技術的事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。
ウ　特許異議申立人の意見について
（ア）ａ　特許異議申立人星正美は、令和１年１２月２０日に提出した意見書の３ページの「３」「３−２（ア）」において、「新訂正発明１」（令和１年１１月１１日付けの訂正請求書（本件訂正請求書）により訂正された請求項１に係る発明。上記の「本件発明１」）における引用発明との相違点は、令和１年５月２５日付けの訂正請求書により訂正された請求項１に係る発明における引用発明との相違点と同じであるから、令和１年９月５日付け取消理由書（決定の予告）で通知された取消理由は、何ら解消されていない旨を主張する。
　
ｂ　しかしながら、本件発明１（「新訂正発明１」）は、「略閉止されたウェーハ搬送室を内部に構成する筐体と、ガス帰還路とを具備し、前記ウェーハ搬送室に下降気流を生じさせるとともに前記ガス帰還路を介して不活性ガスを帰還させることによって、前記ウェーハ搬送室内の不活性ガスを循環させるように構成し、前記ウェーハ搬送室の内部に不活性ガスが充填されているＥＦＥＭ」において、「ウェーハ搬送室の上部」に設けられ、「前記ウェーハ搬送室に下降気流を生じさせるファン」を具備し、かつ、「前記処理装置が接続される開口の高さよりも下方に設けられて前記ガス帰還路に上方に向かって気流を形成する送風手段」を更に有する構成のものとなっており、上記ア（イ）ｄで判断したとおり、引用発明Ａにおいて、甲第３号証ないし甲第９号証に記載の技術的事項に基づき、フィルタ装置２４を、移送空間Ｔに下降気流を生じさせるファンとともにファンフィルタユニットを構成するフィルタとする、動機付けを見出せない。
　よって、引用発明Ａにおいて、甲第３号証ないし甲第９号証に記載の技術的事項に基づき、相違点１に係る本件発明１の構成を採用することは当業者が容易になし得るものではない。
（イ）ａ　特許異議申立人星正美は、令和１年１２月２０日に提出した意見書の３〜４ページの「３」「３−２（イ）」において、特許権者による令和１年１１月１１日付けの意見書の３Ｐ３２行目〜４Ｐ３行目、４Ｐ２１行目〜５Ｐ２行目における主張に対して、「新訂正発明１」（本件発明１）の２つのファンの配置のうち、「送風手段」を「前記処理装置が接続される開口の高さよりも下方に設け」ることは、甲第１号証に係る引用発明との共通点であり、「ファンフィルタユニット」を送風口に設けることは、先に述べたように周知技術である。そうすると、「新訂正発明１」で特定される２つの送風要素の配置は、従来技術を寄せ集めて実現できる程度のものであり、その効果が顕著なものであるとは考えられない旨を主張する（以下「申立人主張イ−Ａ」という。）。
　更に、特許権者による同意見書における、ウエーハ搬送室内が微陽圧に維持されることにより効果を奏するとの主張に対して、ＥＦＥＭの分野におけるウェーハ搬送室の陽圧の程度についての周知例として、甲第１０号証（特開２００８−２６３０４８号公報）及び甲第１１号証（国際公開第２０１０／１３７５５６号）を掲げ、特許権者が主張する「微陽圧」が、従来技術を上回る効果を奏するものであるとは考えられない旨を主張する（以下「申立人主張イ−Ｂ」という。）。
ｂ　しかしながら、上記「申立人主張イ−Ａ」について、「送風手段」を「前記処理装置が接続される開口の高さよりも下方に設け」ることが、甲第１号証に係る引用発明との共通点であり、「ファンフィルタユニット」を送風口に設けることが、周知技術であったといっても、特許異議申立人が、令和１年７月２日付け意見書３ページで、当該周知技術を示す文献として提示した甲第５号証〜甲第７号証について、「循環型のＥＦＥＭにおいて送風ファン４１とフィルタ４２を用いることが記載されて」いる証拠として提示した甲第５号証に記載の技術的事項は、循環型のＥＦＥＭを示すものではなく、処理装置（すなわち、本件発明１の「壁面に設けられた開口にロードポート及び処理装置に接続される略閉止されたウェーハ搬送室を内部に構成する筐体」を具備するものではない。）について記載されており、甲第６号証及び甲第７号証に記載の技術的事項は、循環型のＥＦＥＭに関する証拠であるものの、２つの送風要素を具備するものではない。
　そして、本件訂正により、本件発明１は、「略閉止されたウェーハ搬送室を内部に構成する筐体と、ガス帰還路とを具備し、前記ウェーハ搬送室に下降気流を生じさせるとともに前記ガス帰還路を介して不活性ガスを帰還させることによって、前記ウェーハ搬送室内の不活性ガスを循環させるように構成し、前記ウェーハ搬送室の内部に不活性ガスが充填されているＥＦＥＭ」において、「ウェーハ搬送室の上部」に設けられ、「前記ウェーハ搬送室に下降気流を生じさせるファン」を具備し、かつ、「前記処理装置が接続される開口の高さよりも下方に設けられて前記ガス帰還路に上方に向かって気流を形成する送風手段」を更に有する構成となったのであるから、当該構成の不活性ガスの循環気流における圧力の勾配は、処理装置に接続される開口を有するものではない、処理装置に係る甲第５号証に記載の技術的事項、並びに循環気流の経路の途中に２つの送風要素を具備しない、甲第６号証及び甲第７号証に記載の技術的事項の単なる寄せ集めにより得られるものとは認められない。
ｃ　次に、上記「申立人主張イ−Ｂ」について、甲第１０号証に記載の技術的事項は、ミニエンバイロメント方式を用いた半導体装置の製造に適用して有効な技術に関しするものであり、また、甲第１１号証の段落「0029」には、処理装置１において、ミニエンバイロメント空間ユニット３（本件発明１の「ＥＦＥＭ」に相当。）にファンフィルタユニット５が設けられているとの構成が記載されているものの、甲第１１号証に記載の技術的事項は、循環型のＥＦＥＭに関するものではなく、また、２つの送風要素を具備するものでもない。
　そうすると、上記ア（イ）ｄで、引用発明Ａにおいて、甲第３号証ないし甲第９号証に記載の技術的事項に基づき、相違点１に係る本件発明１の構成を採用することは当業者が容易になし得るものではないと判断した理由と同様の理由で、引用発明Ａにおいて、甲第１０号証及び甲第１１号証に記載の技術的事項に基づき、相違点１に係る本件発明１の構成を採用することは当業者が容易になし得るものではない。
（ウ）ａ　特許異議申立人星正美は、令和１年１２月２０日に提出した意見書の５ページの「３」「３−２（ウ）（１）」において、特許権者による意見書の７Ｐ２０行目から２３行目における、「引用発明では、プレナムチヤンバ２５と整流板２６を採用することによって、「均一な下降気流を形成する」という課題を既に解決しています。したがって、このような解決済み課題を解決するために、別の構成（すなわち、周知技術として挙げられている甲第６、７、９に記載されているようなファンフィルタユニット）を適用することの動機付けが存在していません。」との主張に対して、「しかしながら、同じまたは近似する作用を有する２つの技術要素を組み合わせることは、技術分野を問わずよくあることであり、ある技術を採用することが、これと同じまたは類似する作用を有する技術の採用の動機付けを失わせるかどうかは、個別具体的に判断する必要がある。ここで、ファンフィルタユニットとパンチングメタルなどの整流板およびプレナムチヤンバとを併用構造は、均一な下降気流を形成するという課題解決のために効果的であると考えられ、そのようなＥＦＥＭは、本件に係る特許出願の出願前から複数の文献で開示がある（甲第１２号証、図２、甲第１３号証、図１および甲１４号証、図２）。したがって、プレナムチヤンバと整流板を採用する引用発明に、ファンフィルタユニットを適用することの動機付けが存在しないとの特許権者の主張は失当である。」と主張する。
ｂ　しかしながら、上記ア（イ）ｃで検討したとおり、甲第６号証、甲第７号証に記載の技術的事項は、ガス帰還路を具備するものの、それぞれ、ガス帰還路として、「ガス循環管１３８」、「循環ダクト２４」を用いており、いずれも、「前記筐体内に設けた仕切り部材により前記ウェーハ搬送室と前記ガス帰還路とが分離され」たものではなく、しかも、甲第６号証及び甲第７号証に記載の技術的事項は、２つの送風要素を具備するものではない。甲第９号証に記載の技術的事項は、ＥＦＥＭではなく、処理装置に関するものである。
　また、甲第１２号証に記載の技術的事項は、ファンフィルタユニット３４とパーティクル捕集部（整流板）５１を具備するローダモジュール１３（本件発明１の「ＥＦＥＭ」に相当。）を示すものものの、循環型気流を示すものではない。甲第１３号証及び甲第１４号証に記載の技術的事項は、ＥＦＥＭを示すものの、循環型気流を示すものではなく、循環気流の経路の途中に２つの送風要素を具備するものではない。
　したがって、甲第１２号証ないし甲第１４号証に、「ファンフィルタユニットと整流板およびプレナムチャンバとを併用構造」のＥＦＥＭが開示されているとしても、上記ア（イ）ｄにおける判断と同様の理由で、引用発明Ａにおいて、甲第３号証ないし甲第９号証及び甲第１２号証ないし甲第１４号証に記載の技術的事項に基づき、フィルタ装置２４を、移送空間Ｔに下降気流を生じさせるファンとともにファンフィルタユニットを構成するフィルタとする、動機付けを見出せない。
　よって、引用発明Ａにおいて、甲第３号証ないし甲第９号証及び甲第１２号証ないし甲第１４号証に記載の技術的事項に基づき、相違点１に係る本件発明１の構成を採用することは当業者が容易になし得るものではない。
（エ）ａ　特許異議申立人星正美は、令和１年１２月２０日に提出した意見書の５〜６ページの「３」「３−２（ウ）（２）」において、特許権者による意見書の９Ｐ３行目から２６行目における、「送風機３２が、ガス状不純物や汚染物質の発生源（汚染源）として認識されており、送風機３２の近傍に、ガス状不純物や汚染物質を廃棄するために排気手段が設けられているのです（中略）排気手段の下流側に、新たなファン（汚染源たる送風機構）が配置されることになってしまいます。こうなると、送風機３２の近傍に排気手段を設けた意味が没却されてしまいます。」「つまり、引用発明では、ファンフィルタユニットの適用が排斥されており、採用されることはあり得ません」との主張に対して、「確かに、甲第１号証の発明の詳細な説明には、排気口を、モータ３２ａの近傍に配置する構成を採用する効果が記載されている。しかしながら、甲第１号証の特許請求の範囲では、排出口とモータ３２ａまたは送風機との配置関係は特定されていないので、このような配置関係は、単に好ましい実施形態の一例を示しているだけであり、引用発明の必須要件とは認められない。また、甲第１号証における段落「００１２」において「インターフェース部内で発生した化学汚染物質を効率よく除去したり外部に排出できると共に」との記載があり、引用発明では、送風機のみを汚染物質の発生源と考えている訳ではないと考えられる。また、ＥＦＥＭを含む半導体製造工場において、清浄度の高い気体をウェーハ搬送室に供給可能なファンフィルタユニットが一般的に採用されていることから考えても、「引用発明では、ファンフィルタユニットの適用が排斥されており、採用されることはあり得ません」との特許権者の主張は失当である。」と主張する。
ｂ　しかしながら、仮に、「引用発明では、ファンフィルタユニットの適用が排斥されて」いるとまではいえないとしても、上記ア（イ）ｄで判断したとおり、引用発明Ａにおいて、甲第３号証ないし甲第９号証に記載の技術的事項に基づき、フィルタ装置２４を、移送空間Ｔに下降気流を生じさせるファンとともにファンフィルタユニットを構成するフィルタとする、動機付けを見出せない。
　よって、引用発明Ａにおいて、甲第３号証ないし甲第９号証に記載の技術的事項に基づき、相違点１に係る本件発明１の構成を採用することは当業者が容易になし得るものではない。
（オ）ａ　特許異議申立人星正美は、令和１年１２月２０日に提出した意見書の６ページの「３」「３−２（ウ）（３）」において、特許権者による意見書の１２Ｐ１７行目〜２１行目における、「本件においても、仮に、処理装置の技術分野において、二つの送風要素が設けられることが周知と認められるとしても、引用発明が対象とするインターフェースモジュールの技術分野において、二つの送風要素が設けられることが当業者に周知な技術であると、認めるに足る証拠がありません。」との主張に対して、「ここで、主引用発明の課題解決のために、主引用発明に対し、主引用発明に関連する技術分野の技術手段の適用を試みることは、当業者の通常の創作能力の発揮であると考えられる。そうすると、
「新訂正発明１」のＥＦＥＭは
処理室とは技術分野が共通する
処理室の分野においても周知技術
処理室
ｂ　上記の特許異議申立人による主張の「処理室」の定義が明確でないものの、上記ア（イ）ｃで検討したとおり、甲第５号証に記載の技術的事項は、ＥＦＥＭではなく、処理装置に関するものであり、略閉止されたウェーハ搬送室を内部に構成する筐体と、当該ウェーハ搬送室内に不活性ガスを送出するガス送出口と、当該ウェーハ搬送室内の不活性ガスを吸引するガス吸引口と、前記ガス吸引口から吸引されたガスを前記ガス送出口へ帰還させるガス帰還路とを具備するＥＦＥＭに関するものではない。
　甲第８号証、甲第９号証に記載の技術的事項は、ガス帰還路を具備するものの、ＥＦＥＭではなく、処理装置に関するものであり、また、甲第８号証に記載の技術は、ガス帰還路として、接続ダクト２７と接続ダクト２８で筐体１に接続された「筐体２１」を用いており、前記筐体内に設けた仕切り部材により前記ウェーハ搬送室と前記ガス帰還路とが分離されたものではない。
　そして、甲第８号証、甲第９号証に記載の技術的事項は、２つの送風要素を具備するものの、処理装置が接続される開口の高さよりも下方に設けられてガス帰還路に上方に向かって気流を形成する送風手段を有するものではない。
　したがって、上記ア（イ）ｄで判断したとおり、引用発明Ａにおいて、甲第３号証ないし甲第９号証に記載の技術的事項に基づき、フィルタ装置２４を、移送空間Ｔに下降気流を生じさせるファンとともにファンフィルタユニットを構成するフィルタとする、動機付けを見出せない。
　よって、引用発明Ａにおいて、甲第３号証ないし甲第９号証に記載の技術的事項に基づき、相違点１に係る本件発明１の構成を採用することは当業者が容易になし得るものではない。
エ　小括
　以上のとおりであるから、本件発明１〜８は、甲第１号証に記載された発明及び甲第３号証ないし甲第１４号証に記載の技術的事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。
５　取消理由通知において採用しなかった特許異議申立理由について
（１）特許法第２９条第１項について（その１）
ア　本件発明１について
（ア）特許異議申立人星正美は、特許異議申立書１９ページの（４）ウ（ア）において、「よって、本件特許発明１と甲１発明とは、上述（４）アで説明した発明特定事項Ａ〜Ｊのすべてが共通しており、本件特許発明１は甲第１号証に記載された発明である。」旨を主張している。
（イ）そこで、上記主張について検討する。
　甲第１号証に記載された発明（引用発明Ａ）は、前記４（２）ア（イ）に記載したとおりである。
　本件発明１と甲第１号証に記載された発明（引用発明Ａ）とを対比すると、前記４（３）ア（ア）で検討したとおり、本件発明１と引用発明Ａとは、＜相違点１＞を有する。
　したがって、本件発明１は甲第１号証に記載された発明であるとはいえない。
イ　本件発明４、５について
　特許異議申立人星正美は、特許異議申立書１９〜２０ページの（４）ウ（イ）、（ウ）において、本件特許発明４及び５は甲第１号証に記載された発明である旨を主張している。
　本件発明４及び５は、いずれも、本件発明１に対して、更に、技術的事項を追加して限定したものである。
　よって、上述のアに示した理由と同様の理由により、本件発明４及び５は甲第１号証に記載された発明であるとはいえない。
ウ　小括
　以上のとおり、本件発明１、４、５は、甲第１号証に記載された発明であるとはいえない。
　したがって、特許異議申立人星正美のかかる主張は、採用することができない。
（２）特許法第２９条第１項について（その２）
ア　特許異議申立人星正美は、特許異議申立書２０ページの（４）ウ（エ）において、「よって、本件特許発明１と甲２発明とは、上述（４）アで説明した発明特定事項Ａ〜Ｊのすべてが共通しており、本件特許発明１は甲第２号証に記載された発明である。」旨を主張している。
イ　そこで、上記主張について検討する。
（ア）甲第２号証の記載と甲２発明
ａ　甲第２号証（特開２０１０−１０９２５０号公報）には、図面とともに、以下の事項が記載されている。
「【特許請求の範囲】
【請求項１】
　電子部品を製造する電子部品製造装置と該電子部品を搬送する電子部品搬送装置との間で電子部品を移送するためのインターフェース部を気密に閉鎖するチャンバと、
　前記チャンバから排出される清浄空気を循環清浄空気として再度該チャンバへ導く清浄空気循環通路と、
　前記清浄空気循環通路を流れる循環清浄空気を循環させる送風部と、
　前記清浄空気循環通路上に設けられ、前記循環清浄空気を冷却する冷却部と、
　前記清浄空気循環通路上の、前記循環清浄空気の流れにおける、前記冷却部の上流側に設けられる蓄熱部と、を備え、
　前記蓄熱部は、ケミカルフィルタからなり、かつ、前記循環清浄空気を該ケミカルフィルタの内部を通過させて整流する整流構造を有し、前記循環清浄空気の熱を蓄熱して前記冷却部の負荷の低減を図ると共に、前記循環清浄空気に含まれる分子状の汚染物質を捕集する、
　局所密閉型清浄化装置。」
「【技術分野】
【０００１】
　本発明は、局所密閉型清浄化装置の技術に関する。」
「【発明の効果】
【００１９】
　本発明によれば、電子部品製造装置と電子部品搬送装置との間で電子部品を移送するためのインターフェース部を備える局所密閉型清浄化装置において、局所密閉型清浄化装置冷却部の性能を向上することなく、局所密閉型清浄化装置の冷却部に起こりうる急な負荷変動を低減できる技術を提供することができる。」
「【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
　次に、本発明に係る局所密閉型清浄化装置の実施形態について図面に基づいて説明する。
【００２１】
　＜構成＞
　図３Ａは、実施形態に係る局所密閉型清浄化装置１００を半導体製造装置１０１に適用した場合の概略構成を示す。また、図４は、局所密閉型清浄化装置１００を電子部品搬送装置側からみた概略構成を示す。これらの各種装置は、クリーンルーム（ＣＲ）内に設置して使用することができる。
本実施形態では、クリーンルームの天井部に複数のファン・フィルタ・ユニット１０３が設けられており、これら複数のファン・フィルタ・ユニット１０３により、局所密閉型清浄化装置１００や半導体製造装置１０１など、クリーンルーム内に設置されている各装置に対して、ダウンフローが形成されている
ファン・フィルタ・ユニット１０３がクリーンルームの天井に設けられることで、クリーンルーム内の空気の流れがダウンフローである
【００２２】
　
局所密閉型清浄化装置１００は、主要な構成として、インターフェース部１、レタンダクト１２、送風機２、蓄熱材５０、冷却コイル４、加熱コイル５、熱量制御装置１７、プレナムチャンバ１５、高性能フィルタ６を備えている
【００２３】
　
インターフェース部１は、電子部品（本実施形態では、半導体ウエハ。以下、単にウエハという。）を製造する半導体製造装置１０１とウエハを搬送する半導体搬送装置１０２との間でウエハの授受を行う
インターフェース部１には、ウエハを移送する移送装置７が設けられており、移送装置７は、アーム１０を有し、半導体製造装置１０１と半導体搬送装置１０２との間でウエハの移送が可能である
ウエハを収納するカセット１９が設けられ
局所密閉型清浄化装置１００は、密閉型であり、局所密閉型清浄化装置１００を構成するインターフェース部１も気密性が確保されている。具体的には、インターフェース部１の気密性を確保すべく、チャンバ１６を構成する側板２１ａ、２１ｂ及び天板２２が設けられ、半導体搬送装置１０２側の側板２１ｂには、半導体搬送装置１０２が所定位置に載置したポッド若しくは搬送ポッドとの間でウエハを移送するための移送口８ｂが設けられている
また、半導体製造装置１０１側の側板２１ａには、半導体製造装置１０１との間で電子部品を移送する移送口８ａが設けられている。更に、インターフェース部１には、上記移送口８ａ、８ｂを夫々独立して開閉自在な開閉装置２３ａ、２３ｂが設けられている。移送装置７を構成する移送アームがこれら移送口８ａ、８ｂを通過するとき以外は、移送口８ａ、８ｂは閉鎖される。これにより、インターフェース部１の気密性が確保される
【００２４】
　
インターフェース部１の下方には、インターフェース部１に均一な空気流を形成するための整流板２４が設けられている。整流板２４は、例えばパンチングメタルによって構成することができる。整流板２４と後述するインターフェース部１の上部に設けられるプレナムチャンバ１５とによって、インターフェース部１内の空気の均一化が実現されている
プレナムチャンバ１５とインターフェース部１の上部との間には、後述する高性能フィルタ６が設けられており、この高性能フィルタ６と整流板２４との間の空間が、本発明の移送空間に相当する
【００２５】
　
レタンダクト１２は、本発明の清浄空気循環通路に相当し、インターフェース部１から排出される清浄空気を循環清浄空気としてチャンバ１６へ導く
レタンダクト１２は、一端がインターフェース部１の下方に設けられた下方空間９と接続され、他端がインターフェース部１の上部に設けられたプレナムチャンバ１５と接続されている
このレタンダクト１２には、循環清浄空気の流れにおける上流側から下流側に向けて、順に、蓄熱材５０、冷却コイル４、加熱コイル５が設けられている
【００２６】
　
送風機２は、レタンダクト１２を流れる循環清浄空気を循環させる。送風機２の吹き出し口（図４における送風機２の上部）の近傍には、ガス導入口２５及びガス導入管２６が設けられている。ガス導入口２５及びガス導入管２６によって、局所密閉型清浄化装置１００内へ−５０度以下の低露点空気が供給される。なお、低露点空気に代えて、窒素ガス（Ｎ２）、アルゴンガスやヘリウムガスなどの希ガスといった不活性ガスを用いてもよい。なお、送風機２の下部近傍には、局所密閉型清浄化装置１００の外部の外部排気管と連通する排気管２７及び排気口２８が設けられている
【００２７】
　蓄熱材５０は、レタンダクト１２を流れる循環清浄空気の熱を蓄熱する。これにより、蓄熱材５０よりも下流側に設けられている冷却コイル４の負荷の低減を図ることができる。また、蓄熱材５０は、循環清浄空気に含まれる分子状の汚染物質を捕集する。蓄熱材５０には、活性炭やゼオライト等の無機系材料を基材とした熱容量の大きなケミカルフィルタを用いることが好ましい。このような
ケミカルフィルタを蓄熱材５０として用い
循環清浄空気の汚染物質濃度の低減を実現する
【００３０】
　プレナムチャンバ１５は、高性能フィルタ６と天板２７との間の空間によって構成されている。高性能フィルタ６は、インターフェース部１に供給される循環清浄空気を清浄する。本態様では、高性能フィルタ６は、局所密閉型清浄化装置１００の上方かつ、プレナムチャンバ１５との間に介在している。なお、高性能フィルタ６は、局所密閉型清浄化装置１００の側面に設けるようにしてもよい。
【００３１】
　＜動作＞
　次に、本実施形態に係る局所密閉型清浄化装置１００の動作について作用効果と共に説明する。局所密閉型清浄化装置１００が起動されると、移送口８ａ、８ｂの開閉装置２１ａ、２１ｂはいずれも閉鎖される。そして、ガス導入管２６の流量調節バルブ１３が開放し、局所密閉型清浄化装置１００内に低露点空気が供給され、局所密閉型清浄化装置１００内が低露点空気で満たされる。このとき、局所密閉型清浄化装置１００内が所定の正圧となるように、排気管２７の流量調節バルブ１４が調整される。送風機２は、運転を開始し、レタンダクト１２内に窒素ガスからなる循環清浄空気を循環させる。
【００３２】
　半導体搬送装置１０２が半導体製造装置１０１でこれから製造されるウエハを構成する基板を収納したポッド１１ａ若しくは搬送ポッドを局所密閉型清浄化装置１００の側板２１ｂに設定された所定の位置に載置する。開閉装置２３ｂが開放し、移送口８ｂを通じて、インターフェース部１の移送装置７の移送アーム１０がポッド１１ａ若しくは搬送ポッド内のウエハを受け取る。次に、移送装置７の移送アーム１０がウエハを半導体製造装置１０１に移送する際、移送口８ａの開閉を担う開閉装置２３ａが開放してウエハが半導体製造装置１０１内に移送される。
【００３３】
　移送装置７の移送アーム１０が半導体製造装置１０１での処理が行われたウエハを半導体製造装置１０１に受け取りにいく場合、移送口８ａの開閉を担う開閉装置２３ａが開放して移送装置７の移送アーム１０がこの処理済みウエハを受け取る。次に、この処理済みウエハをポッド１１ａ若しくは搬送ポッドの所定のスロット内に収納する。また移送装置７の移送アーム１０が移送口８ａから退避した時点で開閉装置２１ａは移送口８ａを閉鎖する。
・・・
【００３９】
　なお、ウエハを移送している移送装置７に対しては、汚染物質が除去された後の清浄なダウンフローが常に形成されているので、ウエハが汚染物質に汚染されることはない。また、塵埃やその他のパーティクルは高性能フィルタ６によって除去される。局所密閉型清浄化装置１００内は常に清浄されている清浄循環清浄空気が充満している。従って、ウエハ表面に例えば自然酸化膜が形成されることはない。
・・・
【００４１】
　なお、圧力センサを設け、移送空間２５内の圧力が低下した場合、圧力センサによってそのことが検出し、所定の正圧になるまでガス導入管２６の流量調節バルブ１４を開放してもよい。・・・」
ｂ　したがって、甲第２号証には、以下の発明（以下「甲２発明」という。）が記載されていると認められる。
「インターフェース部１、レタンダクト１２、送風機２、蓄熱材５０、冷却コイル４、加熱コイル５、熱量制御装置１７、プレナムチャンバ１５、高性能フィルタ６を備えている、局所密閉型清浄化装置であって、
　インターフェース部１は半導体ウエハを製造する半導体製造装置１０１とウエハを搬送する半導体搬送装置１０２との間でウエハの授受を行い、
　インターフェース部１には、ウエハを移送する移送装置７が設けられており、
　移送装置７は、アーム１０を有し、半導体製造装置１０１と半導体搬送装置１０２との間でウエハの移送が可能であり、
　ウエハを収納するカセット１９が設けられ、
　局所密閉型清浄化装置１００は、密閉型であり、局所密閉型清浄化装置１００を構成するインターフェース部１も気密性を確保すべく、チャンバ１６を構成する側板２１ａ、２１ｂ及び天板２２が設けられ、
　半導体搬送装置１０２側の側板２１ｂには、半導体搬送装置１０２が所定位置に載置したポッド若しくは搬送ポッドとの間でウエハを移送するための移送口８ｂが設けられ、
　また、半導体製造装置１０１側の側板２１ａには、半導体製造装置１０１との間でウエハを移送する移送口８ａが設けられ、
　更に、インターフェース部１には、上記移送口８ａ、８ｂを夫々独立して開閉自在な開閉装置２３ａ、２３ｂが設けられ、移送装置７を構成する移送アームがこれら移送口８ａ、８ｂを通過するとき以外は、移送口８ａ、８ｂは閉鎖され、これにより、インターフェース部１の気密性が確保され、
　インターフェース部１の下方には、インターフェース部１に均一な空気流を形成するための整流板２４が設けられ、整流板２４とインターフェース部１の上部に設けられるプレナムチャンバ１５とによって、インターフェース部１内の空気の均一化が実現されており、
　プレナムチャンバ１５とインターフェース部１の上部との間には、後述する高性能フィルタ６が設けられており、この高性能フィルタ６と整流板２４との間の空間が、本発明の移送空間に相当し、
　レタンダクト１２は、一端がインターフェース部１の下方に設けられた下方空間９と接続され、他端がインターフェース部１の上部に設けられたプレナムチャンバ１５と接続されており、清浄空気循環通路に相当し、インターフェース部１から排出される清浄空気を循環清浄空気としてチャンバ１６へ導き、このレタンダクト１２には、循環清浄空気の流れにおける上流側から下流側に向けて、順に、蓄熱材５０、冷却コイル４、加熱コイル５が設けられ、
　送風機２は、レタンダクト１２を流れる循環清浄空気を循環させ、送風機２の吹き出し口の近傍には、ガス導入口２５及びガス導入管２６が設けられ、ガス導入口２５及びガス導入管２６によって、局所密閉型清浄化装置１００内へ−５０度以下の不活性ガスが供給され、送風機２の下部近傍には、局所密閉型清浄化装置１００の外部の外部排気管と連通する排気管２７及び排気口２８が設けられ、
　ケミカルフィルタを蓄熱材５０として用い、循環清浄空気の汚染物質の低減を実現し、
　プレナムチャンバ１５は、レタンダクト１２の下流側の端部と連通し、インターフェース部１に供給する循環清浄空気を整流し、
　高性能フィルタ６は、インターフェース部１に供給される循環清浄空気を清浄する、局所密閉型清浄化装置。」
（イ）本件発明１について
ａ　本件発明１と甲２発明とを対比する。
（ａ）甲第２号証の段落【０００９】には、「電子部品製造装置と電子部品搬送装置との間で電子部品を移送するためのインターフェース部を備える局所密閉型清浄装置」と記載されており、本件特許明細書の段落【０００３】には、「ＥＦＥＭ」は、「ウェーハに処理を行う装置と、ＦＯＵＰとの間でウェーハを受け渡しを行う」と説明されているから、甲２発明の「局所密閉型清浄装置」は、本件発明１の「ＥＦＥＭ」に相当する。
（ｂ）甲２発明の「チャンバ」、「インターフェース部１」、「移送装置７」、「レタンダクト１２」、「高性能フィルタ６」は、それぞれ、本件発明１の「筐体」、「ウェーハ搬送室」、「ウェーハ搬送装置」、「ガス帰還路」、「フィルタ」に相当する。
（ｃ）また、甲第２号証の図４から、甲２発明の局所密閉型清浄装置において、「フィルタ６」と「整流板２４」が配置されている位置が、それぞれ、本件発明１の「ガス送出口」と「ガス吸引口」に相当する。
（ｄ）また、不活性ガスを循環させることや、筐体内に設けた仕切り部材によってウェーハ搬送装置とガス帰還路が分離される点も、本件発明１と甲２発明とは共通する。
ｂ　そうすると、本件発明１と甲２発明とは、以下の一致点及び相違点を有する。
＜一致点＞ 
「壁面に設けられた開口にロードポート及び処理装置が接続されることで略閉止されたウェーハ搬送室を内部に構成する筐体と、
　前記ウェーハ搬送室内に配設され、前記ロードポートに載置されたＦＯＵＰと前記処理装置との間でウェーハの搬送を行うウェーハ搬送装置と、
　前記ウェーハ搬送室の上部に設けられ、当該ウェーハ搬送室内に不活性ガスを送出するガス送出口と、
　前記ウェーハ搬送室の下部に設けられ、当該ウェーハ搬送室内の不活性ガスを吸引するガス吸引口と、
　前記ガス吸引口から吸引されたガスを前記ガス送出口へ帰還させるガス帰還路と、
　前記ガス送出口に設けられ、送出する不活性ガスに含まれるパーティクルを除去するフィルタとを具備し、
　前記ウェーハ搬送室に下降気流を生じさせるとともに前記ガス帰還路を介して不活性ガスを帰還させることによって、前記ウェーハ搬送室内の不活性ガスを循環させるように構成し、
　前記筐体内に設けた仕切り部材により前記ウェーハ搬送室と前記ガス帰還路とが分離され、
　前記ガス帰還路に上方に向かって気流を形成する送風手段を更に有し、前記ウェーハ搬送室の内部に不活性ガスが充填されているＥＦＥＭ。」
＜相違点＞
＜相違点２＞ 
　「フィルタ」について、本件発明１では、「前記ウェーハ搬送室に下降気流を生じさせるファンとともにファンフィルタユニットを構成」するものであるのに対し、甲２発明の高性能フィルタ６は、そのように構成されていない点。
ｃ　したがって、本件発明１と引用発明Ａとは、＜相違点２＞を有するから、本件発明１は甲第２号証に記載された発明であるとはいえない。
（ウ）本件発明４、５について
　特許異議申立人星正美は、特許異議申立書２０〜２１ページの（４）ウ（オ）、（カ）において、本件特許発明４及び５は甲第２号証に記載された発明である旨を主張している。
　本件発明４及び５は、いずれも、本件発明１に対して、更に、技術的事項を追加して限定したものである。
　よって、上記（イ）に示した理由と同様の理由により、本件発明４及び５は甲第２号証に記載された発明であるとはいえない。
ウ　小括
　以上のとおり、本件発明１、４、５は、甲第２号証に記載された発明であるとはいえない。
　したがって、特許異議申立人星正美のかかる主張は、採用することができない。
（３）特許法第２９条第２項について（甲２発明との対比・判断について）
ア　本件発明１、４、５について
（ア）特許異議申立人星正美は、特許異議申立書２１〜２２ページの（４）ウ（キ）において、本件特許発明１、４、５は、甲２発明に基づき、容易に想到できた発明である旨を主張している。
（イ）そこで、上記主張について検討する。
ａ　甲第２号証に記載された発明（甲２発明）は、前記（２）イ（ア）ｂに記載したとおりである。
ｂ　本件発明１と甲２発明とを対比すると、前記（２）ア（ア）で検討したとおり、本件発明１と甲２発明とは、＜相違点２＞を有する。
ｃ　以下、上記相違点２について検討する。
（ａ）本件発明１は、「壁面に設けられた開口にロードポート及び処理装置が接続されることで略閉止されたウェーハ搬送室を内部に構成する筐体」と、「前記ウェーハ搬送室の上部に設けられ、当該ウェーハ搬送室内に不活性ガスを送出するガス送出口と、前記ウェーハ搬送室の下部に設けられ、当該ウェーハ搬送室内の不活性ガスを吸引するガス吸引口と、前記ガス吸引口から吸引されたガスを前記ガス送出口へ帰還させるガス帰還路」とを具備し、「前記ウェーハ搬送室に下降気流を生じさせるとともに前記ガス帰還路を介して不活性ガスを帰還させることによって、前記ウェーハ搬送室内の不活性ガスを循環させるように構成し」、「前記ウェーハ搬送室の内部に不活性ガスが充填されている」「ＥＦＥＭ」であって、「前記ガス送出口に設けられ、前記ウェーハ搬送室に下降気流を生じさせるファンとともにファンフィルタユニットを構成し、送出する不活性ガスに含まれるパーティクルを除去するフィルタ」を具備し、「前記ガス帰還路に上方に向かって気流を形成する送風手段を更に有」するものであるから、「ウェーハ搬送室」に生じさせた「下降気流」と、「ガス帰還路」を介して帰還させることによる、循環気流の経路の途中に２つの送風要素（ファンフィルタユニットの「ファン」と「送風手段」）が設けられ、さらに、一方の送風要素であるファンが、「ウェーハ搬送室の上部」に設けられた「ガス送出口」に設けられるのに対して、他方の送風要素である「送風手段」が「処理装置が接続される開口の高さよりも下方」に設けられるものである。
（ｂ）一方、甲２発明は、「インターフェース部１の下方には、インターフェース部１に均一な空気流を形成するための整流板２４が設けられ、整流板２４とインターフェース部１の上部に設けられるプレナムチャンバ１５とによって、インターフェース部１内の空気の均一化が実現されて」いるものであり、また、甲第２号証の段落【００２１】には、「本実施形態では、クリーンルームの天井部に複数のファン・フィルタ・ユニット１０３が設けられており、これら複数のファン・フィルタ・ユニット１０３により、局所密閉型清浄化装置１００や半導体製造装置１０１など、クリーンルーム内に設置されている各装置に対して、ダウンフローが形成されている。なお、本実施形態では、ファン・フィルタ・ユニット１０３がクリーンルームの天井に設けられることで、クリーンルーム内の空気の流れがダウンフローである・・・」と記載されており、段落【００３９】には、「なお、ウエハを移送している移送装置７に対しては、汚染物質が除去された後の清浄なダウンフローが常に形成されている・・・」と記載されているように、甲２発明において、「インターフェース部１」内は、ダウンフローである空気の均一化が実現されているといえる。
（ｃ）他方、甲第３号証、甲第４号証に記載の技術的事項は、ガス帰還路を具備せず、「前記ウェーハ搬送室内の不活性ガスを循環させるように構成」したものではなく、また、２つの送風要素を筐体内に具備するものではない。
　甲第５号証に記載の技術的事項は、ＥＦＥＭではなく、処理装置に関するものであり、「略閉止されたウェーハ搬送室を内部に構成する筐体」と、「当該ウェーハ搬送室内に不活性ガスを送出するガス送出口」と、「当該ウェーハ搬送室内の不活性ガスを吸引するガス吸引口」と、「前記ガス吸引口から吸引されたガスを前記ガス送出口へ帰還させるガス帰還路」とを具備するＥＦＥＭに関するものではない。
　甲第６号証、甲第７号証に記載の技術的事項は、ガス帰還路を具備するものの、それぞれ、ガス帰還路として、「ガス循環管１３８」、「循環ダクト２４」を用いており、いずれも、「前記筐体内に設けた仕切り部材により前記ウェーハ搬送室と前記ガス帰還路とが分離され」たものではない。
　しかも、甲第６号証、甲第７号証に記載の技術的事項は、ファンフィルタユニットを具備するものの、甲第６号証の段落【００４８】、甲第７号証の段落【００１７】の記載から、ダウンフローを形成するためにファンフィルタユニットを設けたものと認められ、２つの送風要素を具備するものでもない。
　甲第８号証、甲第９号証に記載の技術的事項は、ガス帰還路を具備するものの、ＥＦＥＭではなく、処理装置に関するものであり、また、甲第８号証に記載の技術は、ガス帰還路として、接続ダクト２７と接続ダクト２８で筐体１に接続された「筐体２１」を用いており、「前記筐体内に設けた仕切り部材により前記ウェーハ搬送室と前記ガス帰還路とが分離され」たものではない。
　そして、甲第８号証、甲第９号証に記載の技術的事項は、２つの送風要素を具備するものの、循環気流の経路の途中に２つの送風要素が設けられたものではなく、「前記処理装置が接続される開口の高さよりも下方に設けられて前記ガス帰還路に上方に向かって気流を形成する送風手段」を有するものではない。
（ｄ）以上のとおり、甲第３号証ないし甲第９号証に記載の技術的事項は、いずれも、「略閉止されたウェーハ搬送室を内部に構成する筐体と、ガス帰還路とを具備し、前記ウェーハ搬送室に下降気流を生じさせるとともに前記ガス帰還路を介して不活性ガスを帰還させることによって、前記ウェーハ搬送室内の不活性ガスを循環させるように構成し、前記ウェーハ搬送室の内部に不活性ガスが充填されているＥＦＥＭ」において、「ウェーハ搬送室の上部」に設けられ、「前記ウェーハ搬送室に下降気流を生じさせるファン」を具備し、かつ、「前記処理装置が接続される開口の高さよりも下方に設けられて前記ガス帰還路に上方に向かって気流を形成する送風手段」を更に有する構成ではない。
　しかも、上記（ｂ）で検討したとおり、甲２発明において、「インターフェース部１」内は、ダウンフローである空気の均一化が実現されているといえるから、甲２発明において、甲第３号証ないし甲第９号証に記載の技術的事項に基づき、高性能フィルタ６を、インターフェース部１に下降気流を生じさせるファンとともにファンフィルタユニットを構成するフィルタとする、動機付けを見出せない。
　したがって、甲２発明において、甲第３号証ないし甲第９号証に記載の技術的事項に基づき、相違点２に係る本件発明１の構成を採用することは当業者が容易になし得るものではない。
（ウ）本件発明１、４、５についてのまとめ
　本件発明４、５は、本件発明１に対して、更に、技術的事項を追加して限定したものである。
　よって、本件発明１、４、５は、甲２発明及び甲第３号証ないし甲第９号証に記載の技術的事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。
イ　本件発明２、６について
　特許異議申立人星正美は、特許異議申立書２２ページの（４）ウ（ク）において、本件特許発明２、６は、甲２発明と、甲３発明とに基づき、容易に想到できた発明である旨を主張している。
　本件発明２及び６は、いずれも、本件発明１に対して、更に、技術的事項を追加して限定したものである。
　よって、上記アに示した理由と同様の理由により、本件発明２及び６は、甲２発明及び甲第３号証ないし甲第９号証に記載の技術的事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。
ウ　本件発明３について
　特許異議申立人星正美は、特許異議申立書２２〜２３ページの（４）ウ（ケ）において、本件特許発明３は、甲２発明に基づき、容易に想到できた発明である旨を主張している。
　本件発明３は、本件発明１に対して、更に、技術的事項を追加して限定したものである。
　よって、上記アに示した理由と同様の理由により、本件発明３は、甲２発明及び甲第３号証ないし甲第９号証に記載の技術的事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。
エ　本件発明７、８について
　特許異議申立人星正美は、特許異議申立書２３〜２４ページの（４）ウ（コ）において、本件特許発明７、８は、甲２発明と、甲４発明とに基づき、容易に想到できた発明である旨を主張している。
　本件発明７及び８は、いずれも、本件発明１に対して、更に、技術的事項を追加して限定したものである。
　よって、上記アに示した理由と同様の理由により、本件発明７及び８は、甲２発明及び甲第３号証ないし甲第９号証に記載の技術的事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。
オ　小括
　以上のとおり、本件特許発明１〜８は、甲第２号証に記載された発明及び甲第３号証ないし甲第９号証に記載の技術的事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　よって、特許異議申立人星正美のかかる主張は、採用することができない。
（４）特許法第３６条第６項第２号について
ア　特許異議申立人星正美は、特許異議申立書において、以下のように主張している。
「本件特許発明４を規定する請求項４には、「前記ウェーハ搬送室内にガスを供給するガス供給手段と、前記ウェーハ搬送室内よりガスを排出するためのガス排出手段とをさらに備え、前記ガス供給手段は前記ガス排出手段の下流側に設けられている」との記載がある。
　ここで、特許発明４においては、・・・、「ガス供給手段」と「ガス排出手段」とが、筐体またはＥＦＥＭにおけるどの部分に配置されるのかについては、何ら限定がない。・・・
　そうすると、特許発明４において、「ガス供給手段」と「ガス排出手段」とは、ガスが循環する筐体内の任意の位置に配置可能であることになり、その状態では、「下流側」を判断するための基準となる流れの始点または流れの終点を特定することができないので、「ガス供給手段」と「ガス排出手段」のうち、いずれが「下流側」であるか判断することができない。よって、特許発明４における「前記ガス供給手段は前記ガス排出手段の下流側に設けられている」との発明特定事項Ｎは、「ガス供給手段」と「ガス排出手段」との如何なる配置関係を特定しているのか不明確である。
　したがって、請求項４に係る本件特許発明４および請求項４を引用する請求項５〜請求項８に係る特許発明５〜８は不明確である。」
イ　請求項４が引用する本件発明１は、「ウェーハ搬送室を内部に構成する筐」と、「前記ウェーハ搬送室の上部に設けられ、当該ウェーハ搬送室内に不活性ガスを送出するガス送出口と、前記ウェーハ搬送室の下部に設けられ、当該ウェーハ搬送室内の不活性ガスを吸引するガス吸引口と、前記ガス吸引口から吸引されたガスを前記ガス送出口へ帰還させるガス帰還路」とを具備し、「前記ウェーハ搬送室に下降気流を生じさせるとともに前記ガス帰還路を介して不活性ガスを帰還させることによって、前記ウェーハ搬送室内の不活性ガスを循環させるように構成し、前記筐体内に設けた仕切り部材により前記ウェーハ搬送室と前記ガス帰還路とが分離され」るものであるから、請求項１、４において、「ガス供給手段」と「ガス排出手段」とが、筐体またはＥＦＥＭにおけるどの部分に配置されるのかについて限定されていないものの、不活性ガスは、ウェーハ搬送室を下降し、ガス帰還路を介してウェーハ搬送室に帰還することで循環することが明らかであるから、請求項４に記載の「ガス排出手段の下流側」との位置は明確である。
　したがって、請求項４における「前記ガス供給手段は前記ガス排出手段の下流側に設けられている」との記載は明確である。
　よって、特許異議申立人星正美のかかる主張は、採用することができない。
６　むすび
　以上のとおりであるから、取消理由通知に記載した取消理由及び特許異議申立書に記載した特許異議申立理由によっては、本件請求項１ないし８に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件請求項１ないし８に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
令和２年３月１８日（２０２０．３．１８）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
ＥＦＥＭ
　【技術分野】
　【０００１】
　本発明は、搬送中のウェーハを外気に晒すことのないよう、ウェーハ搬送室内のガスを循環させることのできるＥＦＥＭ（Ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ　Ｆｒｏｎｔ　Ｅｎｄ　Ｍｏｄｕｌｅ）に関するものである。
　【背景技術】
　【０００２】
　従来より、基板としてのウェーハに対し種々の処理工程が施されることにより半導体の製造がなされてきている。近年では素子の高集積化や回路の微細化がますます進められており、ウェーハ表面へのパーティクルや水分の付着が生じないように、ウェーハ周辺を高いクリーン度に維持することが求められている。さらに、ウェーハ表面が酸化するなど表面の性状が変化することがないよう、ウェーハ周辺を不活性ガスである窒素雰囲気としたり、真空状態としたりすることも行われている。
　【０００３】
　こうしたウェーハ周辺の雰囲気を適切に維持するために、ウェーハは、ＦＯＵＰ（Ｆｒｏｎｔ−Ｏｐｅｎｉｎｇ　Ｕｎｉｆｉｅｄ　Ｐｏｄ）と呼ばれる密閉式の格納ポッドの内部に入れて管理され、この内部には窒素が充填される。さらに、ウェーハに処理を行う処理装置と、ＦＯＵＰとの間でウェーハの受け渡しを行うために、下記特許文献１に開示されるようなＥＦＥＭが利用されている。ＥＦＥＭは、筐体の内部で略閉止されたウェーハ搬送室を構成するとともに、その対向壁面の一方にＦＯＵＰとの間でのインターフェース部として機能するロードポート（Ｌｏａｄ　Ｐｏｒｔ）を備えるとともに、他方に処理装置の一部であるロードロック室が接続される。ウェーハ搬送室内には、ウェーハを搬送するためのウェーハ搬送装置が設けられており、このウェーハ搬送装置を用いて、ロードポートに接続されるＦＯＵＰとロードロック室との間でウェーハの出し入れが行われる。
　【０００４】
　すなわち、ウェーハは一方の受け渡し位置となるＦＯＵＰ（ロードポート）より、ウェーハ搬送装置を用いて取り出され、もう一方の受け渡し位置となるロードロック室に搬送される。そして、処理装置では、ロードロック室を通じて搬送されるウェーハに対してプロセスチャンバーと称される処理ユニット内で処理を施し、処理の完了後に、再びロードロック室を介してウェーハが取り出されてＦＯＵＰ内に戻される。
　【０００５】
　処理装置内は、ウェーハに対する処理を速やかに行うことができるように、処理に応じた真空等の特殊な雰囲気とされる。また、ＥＦＥＭにおけるウェーハ搬送室の内部は、化学フィルタ等を通じて清浄化されたエアを導入することで、高いクリーン度のクリーンエア雰囲気とされており、搬送中のウェーハの表面にパーティクル等の付着による汚染が無いようにされている。
　【先行技術文献】
　【特許文献】
　【０００６】
　【特許文献１】特開２０１２−４９３８２号公報
　【発明の概要】
　【発明が解決しようとする課題】
　【０００７】
　しかしながら、近年、ますますのクリーン化が進められる中で、ＥＦＥＭのウェーハ搬送室内はクリーン度が比較的高いものの、ＦＯＵＰ内や処理装置内とは異なる空気雰囲気であることによる影響が懸念されるようになってきている。
　【０００８】
　すなわち、空気雰囲気に晒されることにより基板表面に水分や酸素が付着しやすく、腐食や酸化が生じる可能性がある。また、処理装置において用いられた腐食性ガス等がウェーハの表面に残留している場合には、ウェーハ表面の配線材料を腐食して歩留りの悪化が生じる可能性もある。さらに、腐食元素は水分の存在により腐食反応を加速させるため、腐食性ガスと水分の双方が存在することで、より速く腐食が進行する可能性もある。
　【０００９】
　また、ウェーハの受け渡しを行う際に、ロードポートに設けられたパージ部よりＦＯＵＰに不活性ガスである窒素等を注入することでＦＯＵＰ内を加圧し、ＦＯＵＰ内にウェーハ搬送室内の空気雰囲気が侵入することを防止するよう構成した場合には、ウェーハの受け渡しが完了するまでの間ＦＯＵＰ内に窒素を注入し続けなくてはならず、注入した窒素はウェーハ搬送室へと流出してしまうため、窒素の使用量が膨大なものとなり、コストが増大するという問題が生じる。
　【００１０】
　これを避けるためには、ウェーハ搬送室の内部をＦＯＵＰと同様窒素雰囲気にすることが考えられるが、単にウェーハ搬送の開始時に窒素雰囲気にするだけでは、時間の経過とともにウェーハ搬送室内のクリーン度が低下し、この内部での搬送中にウェーハ表面にパーティクルが付着する可能性が生じるとともに、処理装置において用いられた腐食性ガス等の影響も増加する。また、ウェーハ搬送室内に常に窒素を供給し続けた場合は、さらに窒素の使用量が膨大なものとなり、コスト増大に対する解決策とはならない。
　【００１１】
　加えて、ウェーハ搬送室内における上記の問題は、処理や保管場所とは異なる雰囲気のもとで搬送を行う限り、ウェーハ以外の基板を搬送する場合においても同様に生じるものといえる。
　【００１２】
　本発明は、このような課題を有効に解決することを目的としており、具体的には、コストの増大を避けながら、搬送中のウェーハを、表面性状の変化やパーティクルの付着を生じさせる雰囲気に晒すことなく、ウェーハへのパーティクルの付着の抑制や、ウェーハ表面の性状の管理を適切に行うことのできるＥＦＥＭを提供することを目的としている。
　【課題を解決するための手段】
　【００１３】
　本発明は、かかる目的を達成するために、次のような手段を講じたものである。
　【００１４】
　すなわち、本発明のＥＦＥＭは、壁面に設けられた開口にロードポート及び処理装置が接続されることで略閉止されたウェーハ搬送室を内部に構成する筐体と、前記ウェーハ搬送室内に配設され、前記ロードポートに載置されたＦＯＵＰと前記処理装置との間でウェーハの搬送を行うウェーハ搬送装置と、前記ウェーハ搬送室の上部に設けられ、当該ウェーハ搬送室内に不活性ガスを送出するガス送出口と、前記ウェーハ搬送室の下部に設けられ、当該ウェーハ搬送室内の不活性ガスを吸引するガス吸引口と、前記ガス吸引口から吸引されたガスを前記ガス送出口へ帰還させるガス帰還路と、前記ガス送出口に設けられ、
前記ウェーハ搬送室に下降気流を生じさせるファンとともにファンフィルタユニットを構成し、
　【００１５】
　このように構成すると、ウェーハ搬送室に下降気流を生じさせるとともにガス帰還路を通じてガスを循環させることで、ウェーハ搬送室が略閉止された空間となっていることと相まって、ウェーハ搬送室内を適切なガス雰囲気下に維持することが可能となる。そのため、ウェーハの搬送を外気にさらすことなく行うことができ、パーティクルの付着を抑制することが可能となる。また、ガス送出口にフィルタが設けられていることで、ガスを循環させる間にパーティクルを除去することが可能となる。さらに、ウェーハ搬送室に下降気流が生じていることで、ウェーハ上部に付着したパーティクルを除去するとともに、ウェーハ搬送室内にパーティクルが浮遊することを防止することが可能となる。また、ガスを循環させることによって当該ガスの消費を抑制し、コストを削減することが可能となる。
　【００１６】
　外観を変更することなく大きな流路面積を確保し、ロードロック室などＥＦＥＭ外部の装置と干渉することを防止するとともに、部品点数の増加を抑えて製造コストの上昇を抑えるために本発明は、前記筐体内に設けた仕切り部材により前記ウェーハ搬送室と前記ガス帰還路とが分離され、
前記処理装置が接続される開口の高さよりも下方に設けられて
　【００１７】
　また、前記ガス帰還路に更にフィルタを備えたものであり、このフィルタは前記送風手段の上流側に設けられることが望ましい。更に、ウェーハ搬送装置の駆動領域外のデッドスペースを有効に利用し、ウェーハの搬送を妨げることを防止しつつガスの流量を確保するためには、前記ロードポートを接続する開口と前記処理装置を接続する開口とが前記筐体の対向する位置に設けられており、前記ガス帰還路が前記ガス吸引口から前記処理装置を接続する開口の両側を経由して前記ガス送出口に連続するように構成することが好適である。
　【００１８】
　さらに、ウェーハ搬送室とガス帰還路とを流れるガスの循環を円滑に行うためには、前記ガス送出口に第１の送風手段が接続されるとともに、前記ガス吸引口に第２の送風手段が接続されており、前記第１の送風手段により前記ガス送出口から前記ウェーハ搬送室内にガスを送出させ、前記第２の送風手段により前記ガス吸引口から前記ウェーハ搬送室内のガスを吸引するように構成することが望ましい。
　【００１９】
　加えて、ウェーハ搬送室内を適切なガス雰囲気に置換し、酸素ガスや水分等がウェーハ表面に付着してウェーハの処理を阻害し、歩留りが低下することを防止するとともに、ウェーハ搬送室内の窒素の一部が外部に流出した場合には、流出分のガスを供給することで、ウェーハ搬送室内の状態を一定に保つためには、前記ウェーハ搬送室内にガスを供給するガス供給手段と、前記ウェーハ搬送室内よりガスを排出するためのガス排出手段とをさらに備え、前記ガス供給手段は前記ガス排出手段の下流側に設けられているように構成することが有効である。また、前記ガス供給手段により、前記ウェーハ搬送室のガスの一部が外部に流出した際に、流出分のガスを供給することで、ウェーハ搬送室の状態を一定に保つようにしていることが望ましい。
　【００２０】
　また、処理装置における処理等で生じウェーハ搬送室内に流入した分子状汚染物質を除去するためには、前記ガス吸引口にケミカルフィルタが設けられ、前記ウェーハ搬送室内のガスは前記ケミカルフィルタを介してガス帰還路に流入することが望ましい。
　【００２１】
　加えて、ウェーハ搬送装置とガス吸引口とを互いに干渉することなく配置するとともに、ウェーハ搬送室内の下降気流を妨げず、気流の乱れによってパーティクルが浮遊することを防止するためには、前記ウェーハ搬送装置が前記筐体の壁面に支持されるように構成することが好ましい。
　【００２２】
　そして、酸素や湿気等によるウェーハ表面の性状の変化を抑制し、歩留りが低下することを防止するためには、前記ガスとして不活性ガスを用いるように構成することが好ましい。また、前記ウェーハ搬送装置は前記筐体内のガイドレールに沿って移動できるようになっていることが望ましい。
　【発明の効果】
　【００２３】
　以上説明した本発明によれば、コストの増大を避けながら、搬送中のウェーハを、表面性状の変化やパーティクルの付着を生じさせる雰囲気に晒すことなく、ウェーハへのパーティクルの付着の抑制や、ウェーハの表面の性状の管理を適切に行うことのできるＥＦＥＭを提供することが可能となる。
　【図面の簡単な説明】
　【００２４】
　【図１】本発明の実施形態に係るＥＦＥＭと処理装置との関係を模式的に示す平面図。
　【図２】同ＥＦＥＭの側面壁を取り外した状態を示す側面図。
　【図３】同ＥＦＥＭの一部を破断して示す斜視図。
　【図４】同ＥＦＥＭの循環路におけるガスの流れを示す模式図。
　【図５】同ＥＦＥＭを処理装置側より見た状態を示す背面図。
　【図６】同ＥＦＥＭのガス帰還路の構成部材を示す要部拡大斜視図。
　【図７】図６のＡ−Ａ位置及びＢ−Ｂ位置におけるガス帰還路の断面を示す斜視図。
　【発明を実施するための形態】
　【００２５】
　以下、本発明の実施形態を、図面を参照して説明する。
　【００２６】
　図１は、本発明の実施形態に係るＥＦＥＭ１と、これと接続する処理装置６の天板等を取り除くことで内部が見えるようにし、これらＥＦＥＭ１と処理装置６との関係を模式的に示した平面図である。また、図２は、ＥＦＥＭ１の側面の壁を取り除くことで内部が見えるようにした側面図である。これら図１及び２に示すように、ＥＦＥＭ１は、所定の受け渡し位置間でウェーハＷの搬送を行うウェーハ搬送装置２と、このウェーハ搬送装置２を囲むように設けられた箱型の筐体３と、筐体３の前面側の壁（前面壁３１）の外側に接続される複数（図中では３つ）のロードポート４〜４と、制御手段５とから構成されている。
　【００２７】
　ここで、本願においては筐体３より見てロードポート４〜４が接続される側の向きを前方、前面壁３１と対向する背面壁３２側の向きを後方と定義し、さらに、前後方向及び垂直方向に直交する方向を側方と定義する。すなわち、３つのロードポート４〜４は側方に並んで配置されている。
　【００２８】
　また、ＥＦＥＭ１は、図１に示すように、背面壁３２の外側に隣接して、処理装置６の一部を構成するロードロック室６１が接続できるようになっており、ＥＦＥＭ１とロードロック室６１との間に設けられた扉１ａを開放することで、ＥＦＥＭ１内とロードロック室６１とを連通した状態とすることが可能となっている。処理装置６としては種々様々なものを使用できるが、一般には、ロードロック室６１と隣接して搬送室６２が設けられ、さらに搬送室６２と隣接して、ウェーハＷに処理を行う複数（図中では３つ）の処理ユニット６３〜６３が設けられる構成となっている。搬送室６２と、ロードロック室６１や処理ユニット６３〜６３との間には、それぞれ扉６２ａ，６３ａ〜６３ａが設けられており、これを開放することで各々の間を連通させることができ、搬送室６２内に設けられた搬送ロボット６４を用いてロードロック室６１及び処理ユニット６３〜６３の間でウェーハＷを移動させることが可能となっている。
　【００２９】
　ウェーハ搬送装置２は、図１及び図２に示すように、ウェーハＷを載置して搬送するピックを備えたアーム部２ａとこのアーム部２ａを下方より支持し、アーム部を動作させるための駆動機構及び昇降機構を有するベース部２ｂとから構成されており、ベース部２ｂは、筐体３の前面壁３１に支持部２１及びガイドレール２２を介して支持されている。そして、ウェーハ搬送装置２は筐体３内の幅方向に延在するガイドレール２２に沿って移動できるようになっており、制御手段５がウェーハ搬送装置２の動作を制御することによって側方に並んだ各ロードポート４〜４に載置されたＦＯＵＰ７に収容されているウェーハＷをロードロック室６１へ搬送すること及び、各処理ユニット６３〜６３にて処理が行われた後のウェーハＷをＦＯＵＰ７内へ再び搬送することが可能となっている。
　【００３０】
　筐体３は、ウェーハ搬送装置２の四方を囲む前面壁３１、背面壁３２、側面壁３３，３４と、天井壁３５、底壁３６、さらに上記の筐体壁３１〜３５を支える支柱３７ａ〜３７ｄとを含んで構成され、前面壁３１に設けられた開口３１ａにロードポート４〜４が、背面壁３２に設けられた矩形状の開口３２ａにロードロック室６１が接続されることで、内部で略閉止空間ＣＳが形成されている。なお、上述した各部材は、部材間に内部のガスが流出する隙間を生じないよう精密に取り付けられているが、部材間にシール部材を設け、さらに筐体３内の気密性を高めるように構成してもよい。また、背面壁３２に設けられた開口３２ａは、駆動機構１ｂを有し、上下に駆動する一般にゲートバルブと称される扉１ａ（図３参照）によって閉止することが可能となっている。なお、図示及び説明を省略するが、側面壁３３，３４にも開口が設けられており、一方はウェーハＷの位置調整に利用されるアライナが接続されるものとなっており、他方は通常時は閉じられたメンテナンス用の開口となっている。
　【００３１】
　ロードポート４は扉４ａを備えており、この扉４ａがＦＯＵＰ７に設けられた蓋部７ａと連結してともに移動することで、ＦＯＵＰ７が略閉止空間ＣＳに対して開放されるようになっている。ＦＯＵＰ７内には載置部が上下方向に多数設けられており、これによって多数のウェーハＷを格納することができる。また、ＦＯＵＰ７内には通常窒素が充填されるとともに、制御手段５の制御によってロードポート４を介してＦＯＵＰ７内の雰囲気を窒素置換することも可能となっている。
　【００３２】
　制御手段５は、筐体３の天井壁３５より上方の、天板３８との間に位置する上部空間ＵＳに設けられたコントローラユニットとして構成され、ウェーハ搬送装置２の駆動制御、ロードポート４〜４によるＦＯＵＰ７の窒素置換制御、扉１ａ，４ａ〜４ａの開閉制御及び、筐体３内における窒素循環制御等を行っている。制御手段５は、ＣＰＵ、メモリ及びインターフェースを備えた通常のマイクロプロセッサ等により構成されるもので、メモリには予め処理に必要なプログラムが格納してあり、ＣＰＵは逐次必要なプログラムを取り出して実行し、周辺ハードリソースと協働して所期の機能を実現するものとなっている。なお、窒素循環制御については後述する。
　【００３３】
　略閉止空間ＣＳは、図４に示すように仕切り部材８によってウェーハ搬送装置２が駆動する空間であるウェーハ搬送室９と、ガス帰還路１０とに仕切られている。そして、ウェーハ搬送室９とガス帰還路１０とは、ウェーハ搬送室９の上部に幅方向に延在して設けられたガス送出口１１とウェーハ搬送室９の下部に幅方向に延在して設けられたガス吸引口１２とにおいてのみ連通しており、ガス送出口１１とガス吸引口１２とがウェーハ搬送室９内に下降気流を生じさせ、ガス帰還路１０内に上昇気流を生じさせることで、略閉止空間ＣＳ内に図４に矢印で示す循環路Ｃｉを形成し、ガスが循環するようになっている。この時、ウェーハ搬送室９は、前面壁３１、背面壁３２（扉１ａを含む、図３参照）、ロードポート４（扉４ａを含む）、側面壁３３，３４、底壁３６及び仕切り部材８によって閉止された空間となる。なお、本実施形態においては、この略閉止空間ＣＳに不活性ガスである窒素を循環させることとするが、循環させるガスはこれに限られるものではなく、他のガスを用いることもできる。
　【００３４】
　次に、ガス帰還路１０の構成を詳細に説明する。図４に示すように、ガス帰還路１０は底壁３６、背面壁３２、天井壁３５及び仕切り部材８によって閉止された空間であり、ウェーハ搬送室９の下部においてガス吸引口１２から吸引されたガスを、ウェーハ搬送室９上部のガス送出口１１へ帰還させるために設けられる。
　【００３５】
　帰還路１０の背面側上部には略閉止空間ＣＳ内に窒素を導入するガス供給手段１６が接続されており、制御手段５（図２参照）からの命令に基づいて窒素の供給と供給の停止を制御することが可能となっている。そのため、窒素の一部が略閉止空間ＣＳの外部に流出した場合には、ガス供給手段１６が流出分の窒素を供給することによって、略閉止空間ＣＳ中の窒素雰囲気を一定に保つことができる。また、背面側下部には略閉止空間ＣＳ中のガスを排出するガス排出手段１７が接続されており、制御手段５からの命令に基づいて動作して、図示しないシャッタを開放することによって略閉止空間ＣＳの内部と外部に設けられたガス排出先とを連通させることが可能となっている。そして、上述したガス供給手段１６による窒素の供給と併用することにより、略閉止空間ＣＳを窒素雰囲気に置換することが可能となっている。なお、本実施形態においては、循環路Ｃｉを循環させるガスを窒素とするため、ガス供給手段１６は窒素を供給するが、他のガスを循環させる場合は、ガス供給手段１６はその循環させるガスを供給する。
　【００３６】
　また、ガス送出口１１には第１の送風手段としてのファン１３ａとフィルタ１３ｂとから構成されるファンフィルタユニット１３（ＦＦＵ１３）が設けられており、略閉止空間ＣＳ内を循環するガス内に含まれるパーティクルを除去するとともに、ウェーハ搬送室９内へ下方に向けて送風することによってウェーハ搬送室９内に下降気流を生じさせている。なお、ＦＦＵ１３は、仕切り部材８に連結され水平方向に延びる支持部材１８によって支持されている。
　【００３７】
　一方、ガス吸引口１２にはケミカルフィルタ１４が接続されており、ウェーハ搬送室９内のガスはケミカルフィルタ１４を介してガス帰還路１０に流入するようになっている。上述したように、ウェーハ搬送装置２（図２参照）を筐体３の前面壁３１に支持部２１及びガイドレール２２を介して支持されるようにしているため、ガス吸引口１２は、ウェーハ搬送装置２と干渉することなく、大きく上方に向かって開口したものすることが可能となっている。また、上述したように、ガス吸引口１２は幅方向に延在して設けられているため、同様に幅方向に延在して設けられたガイドレール２２よりウェーハ搬送装置２の駆動時にパーティクルが生じたとしても、このパーティクルを効果的に吸引させることが可能となっている。そして、ガス吸引口１２にケミカルフィルタ１４を設けることによって、処理装置６（図１参照）における処理等で生じウェーハ搬送室９内に流入した分子状汚染物質を除去することを可能としている。さらに、ガス帰還路１０内のケミカルフィルタ１４よりも背面側には、第２の送風手段としてのファン１５が幅方向に亘って設けられており（図５参照）、当該ファン１５がガス帰還路１０の下流側、すなわち図４の上方へ向けて送風を行うことによって、ガス吸引口１２におけるガスの吸引力を生じさせるとともに、ケミカルフィルタ１４を通過したガスを上方へ送出し、ガス帰還路１０内に上昇気流を生じさせている。
　【００３８】
　そして、上述したＦＦＵ１３のファン１３ａ及びファン１５とによって、略閉止空間ＣＳ内のガスはウェーハ搬送室９内を下降し、ガス帰還路１０内を上昇することで循環するようになっている。ガス送出口１１は下方に向かって開口されていることから、ＦＦＵ１３によってガスが下方に向かって送り出されるとともに、ガス吸引口１２は上方に向かって開口されていることから、ＦＦＵ１３によって生じさせた下降気流を乱すことなくそのまま下方に向かってガスを吸引させることができ、これらによって円滑なガスの流れを作り出すことができる。なお、ウェーハ搬送室９内に下降気流が生じていることで、ウェーハＷ上部に付着したパーティクルを除去するとともに、ウェーハ搬送室９内にパーティクルが浮遊することを防止している。
　【００３９】
　ここで、ガス帰還路１０のガスの流路を、図６及び図７を用いて詳細に説明する。図６は、ガス帰還路１０を拡大した斜視図であり、図７は図６に示すＡ−Ａ位置及びＢ−Ｂ位置における断面を示す斜視図である。
　【００４０】
　図６に示すように、仕切り部材８は上側仕切り部材８１、下側仕切り部材８２、中間部材８３の３つの部材から構成されている。具体的には、上側仕切り部材８１は背面壁３２に沿うようにその内側に取り付けられる、中央に背面壁３２の開口３２ａより大きな矩形の開口８１ａを有する平板状の部材であり、その側方端は支柱３７ｃ及び３７ｄに接しており、上端は上述した支持部材１８と連結している（図４参照）。
　【００４１】
　下側仕切り部材８２は、後方へ向かって下段８２ａ、中段８２ｂ、上段８２ｃの３段を有する階段状の部材であり、底壁３６上で支柱３７ｃ及び３７ｄに前方より当接するよう幅方向に亘って形成されるとともに、幅方向両端に側板８２ｄを備えることによって内部に閉止空間を形成している。そして、下段８２ａの上方にはケミカルフィルタ１４が接続されるとともにガス吸引口１２が形成され、上段８２ｃは上側仕切り部材８１の下端と接している（図４参照）。
　【００４２】
　中間部材８３は、支柱３７ｃ及び３７ｄと前後方向に同じ厚みを持つ形状とされており、背面壁３２の開口３２ａの下方に配され正面視において上方へ向かうほど幅が増加する区間を有する分流部８３ａと、背面壁３２の開口３２ａを避けるよう開口３２ａの左右と上方に配されることでＨ字型に構成されたＨ字部８３ｂとが接続されることで、上側仕切り部材８１の開口８１ａとほぼ同じ大きさの開口８３ｃを形成している。分流部８３ａの内部は空洞となっており、この内部には、扉１ａ（図３参照）を上面に設けられた開口８３ａ１を通じて上下させることで開口３２ａを開閉する駆動機構１ｂが設けられている。また、分流部８３ａの上面と下側仕切り部材８２の上段８２ｃとは同じ高さとなっており、Ｈ字部８３ｂの上端は天井壁３５と当接している。
　【００４３】
　このように構成された仕切り部材８によって、下側仕切り部材８２の内部に設けられたファン１５（図４参照）によって上方へ向かうガスは、下側仕切り部材８２の上段８２ｃより下側では、図７の断面Ｓ１が示すように、下側仕切り部材８２、背面壁３２、中間部材８３の分流部８３ａ及び支柱３７ｃ，３７ｄとによって囲まれた流路を流れる。そして、下側仕切り部材８２の上段８２ｃ（図６参照）より上側では、図７の断面Ｓ２が示すように、上側仕切り部材８１、背面壁３２、中間部材８３のＨ字部８３ｂ及び支柱３７ｃによって囲まれる流路（図７の左側の流路）と、上側仕切り部材８１、背面壁３２、中間部材８３のＨ字部８３ｂ及び支柱３７ｃによって囲まれる流路（図７の右側の流路）に分岐して流れるように構成されている。すなわち、図５に示すように、区間Ｈ１において、ガスは幅方向に亘って流れることが可能となっている一方、区間Ｈ２においては、ガスは中間部材８３の両側のみで流れることが可能になっている。
　【００４４】
　このような構成をしていることによって、ガス帰還路１０を大きな流路面積を確保しつつ筐体３の内側のウェーハ搬送装置２の駆動領域外のデッドスペースに設けることが可能となるため、外観を変更する必要がなく、ガス帰還路１０を構成する各部材がロードポート４やロードロック室６１などＥＦＥＭ１外部の装置と干渉することを防止することが可能となる。具体的には、図２に示すように、下側仕切り部材８２の上段８２ａより下方、すなわち図４及び図５の区間Ｈ１はウェーハ搬送装置２のアーム部２ａの移動する領域よりも下側に位置しているため、ウェーハ搬送装置２が筐体３の前面壁３１に支持部２１及びガイドレール２２を介して支持されていることと相まって、下側仕切り部材８２がベース部２ｂの形状に沿って階段状に前方に張り出すことを許容し、ガス吸引口１２を大きく上方に向かって開口したものするとともに、ガス帰還路１０の流路面積を確保することが可能となっている。一方、図４及び図５の区間Ｈ２は、ウェーハ搬送装置２のアーム部２ａが移動する高さ領域を含んではいるものの、アーム部２ａがウェーハＷの搬送に要する開口３２ａ周辺の空間を避けて、具体的には開口３２ａの左右の空間を利用してガス帰還路１０の流路が設定されていることで、アーム部２ａの移動空間を確保するとともに、ウェーハＷの搬送経路に干渉しないようになっている。さらに、この開口３２ａの左右に設けた流路は、開口３２ａを閉止するための扉１ａ（図３参照）及びこの扉１ａを開閉する駆動機構１ｂをも避けつつ、支柱３７ｃ，３７ｄを利用してこの支柱３７ｃ，３７ｄの前後方向の厚みの範囲に設けるように構成している（図７参照）。そして、筐体３の一部である背面壁３２及び支柱３７ｃ，３７ｄを用いてガス帰還路１０を形成していることから、ガス帰還路１０を構成する構造体に強度を持たせるとともに、部品点数を多くすることなく、製造コストの上昇を抑えることが可能となっている。
　【００４５】
　次に、上記のように構成したＥＦＥＭ１内において、窒素を循環させる窒素循環制御の動作を、図４を用いて説明する。
　【００４６】
　まず、初期段階として、制御手段５がガス排出手段１７にガスを排出させつつ、ガス供給手段１６に略閉止空間ＣＳ内に窒素を供給させることによって、大気雰囲気にあるＥＦＥＭ１の略閉止空間ＣＳを窒素雰囲気にパージする。この段階以降、制御手段５は循環路Ｃｉ内の窒素が外部へ漏れた場合、その漏れ量に応じてガス供給手段１６に窒素の供給を行わせる。
　【００４７】
　そして、このようにして窒素雰囲気になった略閉止空間ＣＳにおいて、制御手段５がＦＦＵ１３のファン１３ａ及びファン１５を駆動させることによって、循環路Ｃｉ内にガスの循環を生じさせる。この時、ＦＦＵ１３のフィルタ１３ｂ及びケミカルフィルタ１４が循環するガス中のパーティクル及び分子状汚染物質を除去するため、ウェーハ搬送室９内は常に清浄な窒素の下降気流が生じている状態となる。
　【００４８】
　このような状態となったＥＦＥＭ１においては、ロードポート４に載置され窒素雰囲気にパージされたＦＯＵＰ７とウェーハ搬送室９とを連通させ、ウェーハＷの出し入れを行う際には、ウェーハ搬送室９とＦＯＵＰ７はともに同じ窒素雰囲気であり、ウェーハ搬送室９内の窒素も清浄に維持されているため、ＦＯＵＰ７内にパーティクルや分子状汚染物質が入らないようＦＯＵＰ７内をウェーハ搬送室９内に対して陽圧にする必要がなく、ＦＯＵＰ７内にパージする窒素の消費量を抑えることができる。
　【００４９】
　また、ウェーハ搬送室９とロードロック室６１（図１参照）との間に設けられた扉１ａを開放することでこれらウェーハ搬送室９とロードロック室６１とを連通させ、ロードロック室６１との間でウェーハＷの出し入れを行う際には、処理装置６における処理によってウェーハＷに付着した、あるいはロードロック室６１内に存在するパーティクル及び分子状汚染物質がウェーハ搬送室９内に流入する可能性があるものの、これらのパーティクル及び分子状汚染物質はウェーハ搬送室９内の下降気流によって下方へ流れ、ケミカルフィルタ１４及びＦＦＵ１３のフィルタ１３ｂによってガス帰還路１０を通過する間に浄化されて、再びウェーハ搬送室９内にパーティクル及び分子状汚染物質が流れることがないため、搬送中のウェーハＷへの悪影響を有効に軽減することが可能となっている。
　【００５０】
　以上のように、本実施形態におけるＥＦＥＭ１は、壁面である前面壁３１に設けられた開口３１ａにロードポート４〜４が接続されるとともに、壁面である背面壁３２に設けられた開口３２ａに処理装置６が接続されることで略閉止されたウェーハ搬送室９を内部に構成する筐体３と、ウェーハ搬送室９内に配設され、ロードポート４〜４に載置されたＦＯＵＰ７〜７と処理装置６との間でウェーハＷの搬送を行うウェーハ搬送装置２と、ウェーハ搬送室９の上部に設けられ、ウェーハ搬送室９内にガスを送出するガス送出口１１と、ウェーハ搬送室９の下部に設けられ、ウェーハ搬送室９内のガスを吸引するガス吸引口１２と、ガス吸引口１２から吸引されたガスをガス送出口１１へ帰還させるガス帰還路１０と、ガス送出口１１に設けられ、送出するガスに含まれるパーティクルを除去するフィルタ１３ｂを備えたＦＦＵ１３とを具備し、ウェーハ搬送室９に下降気流を生じさせるとともにガス帰還路１０を介してガスを帰還させることによって、ウェーハ搬送室９内の窒素を循環させるように構成したものである。
　【００５１】
　このように構成しているため、ウェーハ搬送室９に下降気流を生じさせるとともにガス帰還路１０を通じてガスを循環させることで、ウェーハ搬送室９が略閉止された空間となっていることと相まって、ウェーハ搬送室９内を窒素雰囲気下に維持することができる。そのため、ウェーハＷの搬送を外気にさらすことなく行うことができ、パーティクルの付着を抑制することが可能となっている。また、ガス送出口１１にフィルタ１３ｂを備えたＦＦＵ１３が設けられていることで、窒素を循環させる間にパーティクルを除去することが可能となる。さらに、ウェーハ搬送室９に下降気流が生じていることで、ウェーハＷ上部に付着したパーティクルを除去するとともに、ウェーハ搬送室９内にパーティクルが浮遊することを防止することが可能である。また、窒素を循環させることによって窒素の消費を抑制し、コストを削減することが可能となっている。
　【００５２】
　また、筐体３の背面壁３２と背面壁３２の内側に設けた仕切り部材８との間の空間をガス帰還路９の一部とするとともに、ウェーハ搬送室９とガス帰還路１０とが仕切り部材８によって分離されるように構成しているため、外観を変更することなく大きな流路面積を確保し、ロードロック室６１などＥＦＥＭ１外部の装置と干渉することを防止するとともに、部品点数の増加を抑えて製造コストの上昇を抑えることが可能となっている。
　【００５３】
　さらに、ロードポート４〜４を接続する開口３１ａと処理装置６を接続する開口３２ａとが筐体３の対向する位置に設けられており、ガス帰還路１０がガス吸引口１２から処理装置６を接続する開口３２ａの両側を経由してガス送出口１１に連続するように構成されているため、ウェーハ搬送装置２の駆動領域外のデッドスペースを有効に利用し、ウェーハＷの搬送を妨げることを防止しつつガスの流量を確保することが可能となっている。
　【００５４】
　また、ガス送出口１１に第１の送風手段であるファン１３ｂを備えたＦＦＵ１３が接続されるとともに、ガス吸引口１２に第２の送風手段であるファン１５が接続されており、ＦＦＵ１３によりガス送出口１１からウェーハ搬送室９内にガスを送出させ、ファン１５よりガス吸引口１２からウェーハ搬送室９内のガスを吸引するよう構成しているため、ウェーハ搬送室９とガス帰還路とを流れるガスの循環を円滑に行うことが可能である。
　【００５５】
　加えて、ウェーハ搬送室９内に窒素を供給するガス供給手段１６と、ウェーハ搬送室９内よりガスを排出するためのガス排出手段１７とをさらに備えるよう構成していることから、ウェーハ搬送室９内を適切なガス雰囲気に置換でき、酸素ガスや水分等がウェーハＷ表面に付着してウェーハＷの処理を阻害し、歩留りが低下することを防止するとともに、ウェーハ搬送室９内の窒素の一部が外部に流出した場合には、流出分の窒素を供給することで、ウェーハ搬送室９内の状態を一定に保つことができる。
　【００５６】
　また、ガス吸引口１２にケミカルフィルタ１４が設けられ、ウェーハ搬送室９内のガスはケミカルフィルタ１４を介してガス帰還路１０に流入するよう構成しているため、処理装置６における処理等で生じウェーハ搬送室９内に流入した分子状汚染物質を除去することが可能となっている。
　【００５７】
　加えて、ウェーハ搬送装置２が筐体３の前面壁３１に支持されるよう構成されているため、ウェーハ搬送装置２とケミカルフィルタ１４が設けられたガス吸引口１２とを互いに干渉することなく配置するとともに、ウェーハ搬送室９内の下降気流を妨げず、気流の乱れによってパーティクルが浮遊することを防止することが可能となっている。
　【００５８】
　そして、ウェーハ搬送室９内を循環するガスが不活性ガスである窒素であるため、酸素や湿気等によるウェーハＷ表面の性状の変化を抑制し、歩留まりの低下を防止することが可能となっている。
　【００５９】
　なお、各部の具体的な構成は、上述した実施形態のみに限定されるものではない。
　【００６０】
　例えば、上述の実施形態では、ロードポート４〜４上に設けたＦＯＵＰ７〜７とロードロック室６１との間で、ウェーハＷの搬送を行うものとしていたが、ＦＯＵＰ７〜７間での受け渡しを行わせる場合などにも用いることができる。
　【００６１】
　また、ウェーハ搬送装置２の搬送対象としてはウェーハＷを用いるものを前提としていたが、本発明はガラス基板等様々な精密加工品を対象とするＥＦＥＭ１に用いることができる。
　【００６２】
　また、上述の実施形態では、所定の軌道を構成するガイドレール２２は筐体３の前面壁３１に支持されていたが、ガス吸引口１２と干渉しないのであれば、筐体３のいずれに支持されていてもよく、例えば、ガイドレール２２を底壁３６に設け、ウェーハ搬送装置２が底壁３６に支持されるよう構成することも可能である。また、ウェーハ搬送装置２の移動方向の規制が可能であれば、ガイドレール２２に限らず、ガイドローラやワイヤ等の他の手段によって軌道を構成することもできる。
　【００６３】
　さらに、ウェーハ搬送装置２としては、リンク式アームロボットや、ＳＣＡＲＡ型多関節ロボットに限ることなく多様なものを使用することもできる。
　【００６４】
　また、上述の実施形態においては、ガス供給手段１６がガス帰還路１０の背面側上部に設けられ、ガス排出手段１７がガス帰還路１０の背面側下部に設けられていたが、これらガス供給手段１６とガス排出手段１７の設置位置は限定されるものではなく、循環路Ｃｉ中の任意の場所に設置することができる。
　【００６５】
　さらには、上述の実施形態ではガス排出手段１７によるガスの排出とガス供給手段１６による窒素の供給を同時に行ったが、まず吸引機構を備えたガス排出手段１７がガスを排出させることで略閉止空間ＣＳ内を負圧とし、その後ガス供給手段１６に略閉止空間ＣＳ内に窒素を供給させることによって、大気雰囲気にある略閉止空間ＣＳを窒素雰囲気とするようにしてもよい。こうすることによって、より効率よく窒素のパージを行うことができる。
　【００６６】
　また、上述の実施形態ではＥＦＥＭ１は１つのロードロック室６１と接続されていたが、２つ以上のロードロック室６１と接続するような構成も考えられる。この場合、背面壁３２には接続するロードロック室６１の数に応じて開口３２ａを２つ以上設けることとなるため、ガス帰還路１０はそれらの開口３２ａを避けるように３つ以上に分岐して形成すればよい。
　【００６７】
　さらに、上述の実施形態においては、ガス帰還路１０はＥＦＥＭ１の筐体３の内部に設けられていたが、筐体３の外部にダクトを設けることによってガス帰還路１０を構成してもよい。この場合においても、ダクトがロードロック室６１と干渉することを防ぎつつ広い流路を確保するため、ダクトはロードロック室６１と接続する開口３２ａの左右に分岐して設けるのが好ましい。なお、ガス帰還路１０の形状については、これ以外にも周囲の装置形状に応じて様々な形状をとることができる。
　【００６８】
　また、上述した実施形態では、ウェーハＷ周辺の雰囲気を置換するためのガスとして窒素を使用していたが、処理に応じて乾燥空気やアルゴン等種々様々なガスを用いることができる。
　【００６９】
　なお、上述した実施形態におけるＥＦＥＭ１に、略閉止空間ＣＳ内の湿度を低下させるドライヤ、温度を低下させるクーラ、ウェーハＷの除電を行うイオナイザなどを設け、ウェーハ搬送室９内の環境をさらに向上させることも可能である。
　【００７０】
　その他の構成も、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々変形が可能である。
　【符号の説明】
　【００７１】
　１…ＥＦＥＭ
　２…ウェーハ搬送装置
　３…筐体
　４〜４…ロードポート
　６…処理装置
　７…ＦＯＵＰ
　８…仕切り部材
　９…ウェーハ搬送室
　１０…ガス帰還路
　１１…ガス送出口
　１２…ガス吸引口
　１３…ＦＦＵ
　１３ａ…ファン（第１の送風手段）
　１３ｂ…フィルタ
　１４…ケミカルフィルタ
　１５…ファン（第２の送風手段）
　１６…ガス供給手段
　１７…ガス排出手段
　３１…前面壁
　３２…背面壁
　３１ａ，３２ａ…開口
　Ｗ…ウェーハ
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】
　壁面に設けられた開口にロードポート及び処理装置が接続されることで略閉止されたウェーハ搬送室を内部に構成する筐体と、
　前記ウェーハ搬送室内に配設され、前記ロードポートに載置されたＦＯＵＰと前記処理装置との間でウェーハの搬送を行うウェーハ搬送装置と、
　前記ウェーハ搬送室の上部に設けられ、当該ウェーハ搬送室内に不活性ガスを送出するガス送出口と、
　前記ウェーハ搬送室の下部に設けられ、当該ウェーハ搬送室内の不活性ガスを吸引するガス吸引口と、
　前記ガス吸引口から吸引されたガスを前記ガス送出口へ帰還させるガス帰還路と、
　前記ガス送出口に設けられ、
前記ウェーハ搬送室に下降気流を生じさせるファンとともにファンフィルタユニットを構成し、
　前記ウェーハ搬送室に下降気流を生じさせるとともに前記ガス帰還路を介して不活性ガスを帰還させることによって、前記ウェーハ搬送室内の不活性ガスを循環させるように構成し、
　前記筐体内に設けた仕切り部材により前記ウェーハ搬送室と前記ガス帰還路とが分離され、
　
前記処理装置が接続される開口の高さよりも下方に設けられて
　【請求項２】
　前記ガス帰還路に更にフィルタを備えたものであり、このフィルタは前記送風手段の上流側に設けられる請求項１記載のＥＦＥＭ。
　【請求項３】
　前記ロードポートを接続する開口と前記処理装置を接続する開口とが前記筐体の対向する位置に設けられており、
　前記ガス帰還路が前記ガス吸引口から前記処理装置を接続する開口の両側を経由して前記ガス送出口に連続するように構成されていることを特徴とする請求項１又は２記載のＥＦＥＭ。
　【請求項４】
　前記ウェーハ搬送室内にガスを供給するガス供給手段と、前記ウェーハ搬送室内よりガスを排出するためのガス排出手段とをさらに備え、前記ガス供給手段は前記ガス排出手段の下流側に設けられている請求項１〜３の何れかに記載のＥＦＥＭ。
　【請求項５】
前記ガス供給手段により、前記ウェーハ搬送室のガスの一部が外部に流出した際に、流出分のガスを供給することで、ウェーハ搬送室の状態を一定に保つようにしている請求項４記載のＥＦＥＭ。
　【請求項６】
　前記ガス吸引口にケミカルフィルタが設けられ、前記ウェーハ搬送室内のガスは前記ケミカルフィルタを介してガス帰還路に流入することを特徴とする請求項１〜５の何れかに記載のＥＦＥＭ。
　【請求項７】
　前記ウェーハ搬送装置が前記筐体の壁面に支持されていることを特徴とする請求項１〜６の何れかに記載のＥＦＥＭ。
　【請求項８】
前記ウェーハ搬送装置は前記筐体内のガイドレールに沿って移動できるようになっている請求項１〜７の何れかに記載のＥＦＥＭ。