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　特許第２５４８６６８号「半導体デバイス製造装置」の請求項１ないし４に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結論】
　特許第２５４８６６８号の請求項１ないし４に係る特許を取り消す。
【理由】
１．本件特許第２５４８６６８号は、平成５年２月２６日に出願され、平成８年８月８日にその特許権の設定登録がなされ、その後、大畑静男、進藤敬司及び榎本光夫よりそれぞれ、特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成９年９月２４日に特許異議意見書の提出とともに訂正請求がなされ、この訂正請求に対して訂正拒絶理由通知がなされ、その指定期間である平成１０年２月３日に特許異議意見書及び上記訂正請求についての手続補正書が提出されたものである。
２．上記訂正請求の適否について判断する。
（１）上記手続補正書で補正がされた訂正請求は、特許請求の範囲の減縮を目的として、明細書の特許請求の範囲を、
「【請求項１】半導体デバイスが形成されつつある半導体基板に対して、メカノケミカルポリシングまたはメカノケミカルラッピングによる加工を施すことができ、該半導体基板の加工が行われる隔壁で隔てられた第一の空間は、装置周辺の圧力に比して異なった圧力雰囲気を保つことが可能な圧力制御機構を有し、前記被加工半導体基板が複数枚保持された第一のカセットを装具するための隔壁で隔てられた第二の空間と、メカノケミカルポリシングまたはメカノケミカルラッピングによる加工が施された半導体基板を収納する第二のカセットを装具するための隔壁で隔てられた第三の空間とを有し、さらに、該第二及び第三の空間の圧力を制御する機構を有することを特徴とする半導体デバイス製造装置。
【請求項２】前記圧力制御機構は、隔壁で周辺と隔てられた加工の為の空間に低塵性の雰囲気を送り込む手段と、該空間の圧力をモニターする手段と、該空間の圧力が装置周辺の圧力より所定の圧力差となるべく該空間の雰囲気を排気する手段、とを少なくとも備えたことを特徴とする請求項１記載の半導体デバイス製造装置。
【請求項３】第二の空間と第三の空間、さらに、第一のカセットと第二のカセットを兼ねることを特徴とする請求項１記載の半導体デバイス製造装置。」と訂正するものである。
（２）これに対して、前記訂正拒絶理由に引用された特開平３−６４４７７号公報（以下、「第１の引用例」という。）には、「本発明は半導体装置の製造工程で用いられる常圧処理装置に関する。（第１頁右下欄２−３行目）」、「第１図において常圧気相成長装置は、被処理物であるウェハーが収納されたウェハーカセット１２１を装着するためのカセットステージ１０７が設けられかつ前室部隔壁１２０により作業面が区切られた前室部２００と、前室部２００に隣接し反応室部ドア１０８を有する反応室部隔壁１１９により前室部２００と区切られた処理室部３００と、前室部２００と処理室部３００とにそれぞれ独立して設けられたクリーンフィルタ１０３，１１６と空調ファン１１８，１１５等からなる空調器１０２，１１７と、前室部２００と処理室部３００とにそれぞれ独立して設けられ排気管１０９，１１１と排気調節バルブ１１２，１１３と排気口１１４からなる排気ダクトと、空調ファン１１５，１１８の出力と排気ダクトの排気量とを調節して前室部２００と処理室部３００との圧力を制御するためのマイクロコンピュータ等からなる圧力制御部１２２とから主に構成されている。（第３頁右上欄８行目一左下欄６行目）」、「作業者１０４が前室部ドア１０６を開けてウエハーカセット１２１を前室部２００のカセットステージ１０７上に装着する（第３頁左下欄８−１０行目）」、「反応室部隔壁１１９に設けられた反応室部ドア１０８が開けられ、カセットステージ１０７からウェハーが搬送装置（図示せず）により反応室１１０に搬送されて、酸化シリコン系膜が堆積される。（第３頁右下欄１３−１７行目）」、「処理されたウエハーは、第１図の状態を経て作業者１０４によって取り出される。（第４頁左上欄８−１０行目）」、「本実施例では、酸化シリコン系膜を形成する反応室を有する気相成長装置の場合を用いて説明したが、酸化シリコン系以外の膜を形成する気相成長装置、熱処理装置、拡散装置、塗布装置、研削装置、常圧エッチング装置または洗浄装置等を含む常圧処理装置であってもよく、同様の効果が得られることは言うまでもない。（第４頁左上欄１１−１７行目）」及び「被処理物を前室部の装着台に装着する時には、前室部の圧力を作業室の圧力より高くする事により作業者から発生する塵埃による被処理物汚染を防止し、被処理物を処理室内で処理する時には、処理室部の圧力を装置外部の圧力に比べて低くする事により、ガスの漏洩を防止する事ができる。（第４頁右上欄２−８行目）」と記載されており、これらの記載から、第１の引用例には、「ウェハーの研削装置を含む常圧処理装置が設けられる隔壁１１９で隔てられた処理室部３００と、これと隣接し、処理されるウエハー及び処理されたウェハーが収納されたウエハーカセット１２１を装着するためのカセットステージ１０７が設けられかつ前室部隔壁１２０により作業面が区切られた前室部２００とを有し、処理室部３００と前室部２００にそれぞれ独立して設けられたクリーンフィルタ１０３、１１６と空調ファン１１８、１１５等からなる空調器１０２、１１７と、処理室部３００と前室部２００にそれぞれ独立して設けられた排気管１０９、１１１と排気調節バルブ１１２、１１３と排気口１１４からなる排気ダクトと、空調ファン１１５、１１８の出力と、排気ダクトの排気量とを調節して前室部２００と処理室部３００との圧力をそれぞれ制御するためのマイクロコンピュータ等からなる圧力制御部１２２から構成され、処理室部の圧力を装置外部の圧力に比べて低くすることにより、ガスの漏洩を防止することができる、常圧処理装置」発明が、記載されていると認められる。
　また、上記訂正拒絶理由に引用された特開平５−１３３８９号公報（平成５年１月２２日公開。以下、「第２の引用例」という。）には、「このＣＶＤ＋エッチバックプロセスは、図４に示すように、例えばアルミニウム（Ａｌ）配線１１上にＳｉＯ２等の層間絶縁膜のＣＶＤ膜１２を厚くＡｌ配線１１状態にならって積層した後、その上面にレジストあるいはＳＯＧ（スピンオングラス）等の平坦化用塗布膜１３を塗布して平坦化し、塗布膜１３とＣＶＤ膜１２のエッチレートを１：１と同一条件でブランケットエッチパックを行い、平坦化用塗布膜１３の塗布後、平坦化形状を層間絶縁膜１２の形状に平坦に反映するものである。（第２頁左欄４３行目一右欄４０行目）」、「そこで上記１）と２）の欠点を克服するために研磨による平坦化技術が最近Ｓｉプロセスにも取り入れられてきた。（第２頁右欄５０行目一第３頁左欄２行目）」及び「この研究では、一般的に図５に示したように、Ａｌ配線１１上に破線１２で示すように層間絶縁膜としてのＣＶＤ膜１２を厚く積み、研磨装置で研磨（ポリッシュ）して研磨後のＣＶＤ膜１２ａのように平坦化するものである。（第３頁左欄９−１３行目）」と記載されており、これらの記載から、第２の引用例には、「Ａｌ配線１１上に積まれた層間絶縁膜としてのＣＶＤ膜１２を研磨装置で研磨（ポリッシュ）して平坦化するもの」の発明が、記載されていると認められる。
　また、上記訂正拒絶理由に引用された特開平４−２５４３４９号公報（以下、「第３の引用例」という。）には、「従来、この種のマルチチャンバプロセス装置としては、図４に示すように、ウエハ搬送用チャンバ（トランスファーチャンバ）１と、ウエハ搬送用チャンバ１に夫々ゲートバルブ２を介して接続された複数のプロセスチャンバ３〜３と、ウエハ搬送用チャンバ１にゲートバルブ４，４を介して接続されたウエハロード室５，５とから大略構成されたものが知られている。なお、上記ウエハ搬送用チャンバ１には、ウエハロード室５との中継位置にロードロック室（予備排気室）６が画成されており、ウエハ搬送用チャンバ１のプロセスチャンバ１のプロセスチャンバ３側と、ロードロック室６には、夫々ウエハ搬送アーム７，８が備えられている。これらウエハ搬送アーム７，８は、クランク機構等により伸縮自在であり、且つ回転自在に制御され得るようになっている。搬送アーム７は、処理目的に応じた各プロセスチャンバ３ヘウエハＡを搬入、搬出し、ウエハ搬送アーム８はウエハＡをウエハロード室５のウエハカセット９に出し入れを行なうと共に、ウエハ搬送アーム７へのウエハＡの授受を行なうようになっている。（第２頁左欄２１−３９行目）」と記載されており、図４を参照すると、第３の引用例には、「ウエハ搬送用チャンバ１とウエハ搬送用チャンバ１にそれぞれゲートバルブを介して接続された複数のプロセスチャンバ３と、ウエハ搬送用チャンバ１にゲートバルブを介して接続された２つのウエハロード室５、５とから構成され、ウエハ搬送アーム８がウエハａをウエハロード室５のウエハカセット９に出し入れするもの」の発明が、記載されていると認められる。
（３）訂正された明細書の請求項３に係る発明（以下、「訂正後の発明」という。）と、前記第１の引用例に記載されたものとを対比する。
　前記第１の引用例に記載された「ウェハー」及び「常圧処理装置」は、訂正後の発明の「半導体基板」及び「半導体デバイス製造装置」に相当し、前記第１の引用例に記載されたものの「処理室部３００」は、ウェハーの研削を含む常圧処理が行われかつ隔壁で隔てられているから、訂正後の発明の第一の空間に相当し、「前室部２００」は、隔壁で隔てられ、被処理物であるウェハーと、処理されたウェハーが収納されるウェハーカセット１２１を装着するためのカセットステージ１０７が設けられていることから、訂正後の発明の第二及び第三の空間、及び第一のカセットと第二カセットをを兼ねたものに相当し、また、処理室部の圧力と、前室部の圧力は、それぞれマイクロコンピュータで制御されているから、処理室部は、装置周辺の圧力に比して異なった圧力雰囲気を保つことが可能な圧力制御機構を有し、前室部の圧力を制御する機構を有する。そして、メカノケミカルポリシング又はメカノケミカルラッピングは、研削加工の一種である。そうすると、訂正後の発明と前記第１の引用例に記載された発明とは、「半導体基板に対して、研削加工を施すことができ、該半導体基板の加工が行われる隔壁で隔てられた第一の空間は、装置周辺の圧力に比して異なった圧力雰囲気を保つことが可能な圧力制御機構を有し、被加工半導体基板が複数枚保持された第一のカセットを装具するための隔壁で隔てられた第二の空間と、加工が施された半導体基板を収納する第二のカセットを装具するための隔壁で隔てられた空間とを有し、第二の空間と第三の空間、さらに、第一のカセットと第二のカセットを兼ね、さらに、該空間の圧力を制御する機構を有する半導体デバイス製造装置」である点で一致し、訂正後の発明が、半導体デバイスが形成されつつある半導体基板に対して、メカノケミカルポリシング又はメカノケミカルラッピングによる加工を施すことができるものであるのに対し、前記第１の引用例に記載された発明は、どのような製造段階にあるウェハーに対して、どのような種類の研削加工を施すことができるものであるかが特定されていない点で相違する。
（４）そこで両者の相違点について検討すると、
前記第２の引用例に記載されたものにおけるＡｌ配線１１上に層間絶縁膜としてＣＶＤ膜を積んだものは、訂正後の発明の「半導体デバイスが形成されつつある半導体基板」に相当することから、前記第２の引用例には、半導体デバイスが形成されつつある半導体基板に対して、ポリシング加工を施すものが記載されており、また、半導体基板のポリシングにメカノケミカルポリシングが採用されることは周知の技術であることから、前記第１の引用例に記載された発明の処理室部において、半導体デバイスが形成されつつある半導体基板にメカノケミカルポリシング加工を施すことに格別の困難性はない。また、前記第１の引用例に記載されたものにおいて、研削加工としてメカノケミカルポリシング加工を用いることができないという理由も見いだせない。
　そして、前記第１の引用例に記載されたものが、処理室部からのガスの漏洩を防止する効果を奏するものであることからすれば、訂正後の発明の効果も、前記第１及び第２の引用例に記載されたものから、当業者が予測できる程度のものであって、格別のものということもできない。
　したがって、訂正後の発明は、前記第１及び第２の引用例に記載された発明並びに前記周知の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
（５）よって、上記訂正請求は、特許法第１２０条の４第３項で準用する同法第１２６条第４項の要件を満たさないので、当該訂正は認められない。
３．次に、特許異議の申立てについて判断する。
（１）本件特許の請求項１ないし４に係る各発明は、本件特許明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲に記載された次のとおりのものと認める。
「【請求項１】半導体デバイスが形成されつつある半導体基板に対して、（メカノケミカル）ポリシングまたは（メカノケミカル）ラッピングによる加工を施すことができ、該半導体基板の加工が行われる隔壁で隔てられた第一の空間は、装置周辺の圧力に比して異なった圧力雰囲気を保つことが可能な圧力制御機構を有することを特徴とする半導体デバイス製造装置。
【請求項２】前記圧力制御機構は、隔壁で周辺と隔てられた加工の為の空間に低塵性の雰囲気を送り込む手段と、該空間の圧力をモニターする手段と、該空間の圧力が装置周辺の雰囲気圧力より所定の圧力差となるべく該空間の雰囲気を排気する手段、とを少なくとも備えたことを特徴とする請求項１記載の半導体デバイス製造装置。
【請求項３】前記被加工半導体基板が複数枚保持された第一のカセットを装具するための隔壁で隔てられた第二の空間と、（メカノケミカル）ポリシングまたは（メカノケミカル）ラッピングによる加工が施された半導体基板を収納する第二のカセットを装具するための隔壁で隔てられた第三の空間とを有し、さらに、該第二及び第三の空間の圧力を制御する機構を有することを特徴とする請求項１又は２記載の半導体デバイス製造装置。
【請求項４】第二の空間と第三の空間、さらに、第一のカセットと第二カセットを兼ねることを特徴とする請求項３記載の半導体デバイス製造装置。」
（２）本件特許に対し、異議申立人大畑静男は、
甲第１〜６号証を提示し、請求項１ないし４に係る各発明は、特許法第２９条第１項又は第２項の規定に違反して特許されたものであるから、取り消されるべきものである旨主張し、異議申立人進藤敬司は、甲第１〜４号証を提示し、請求項１ないし４に係る各発明は、特許法第２９条第２項の規定に違反して特許されたものであるから、取り消されるべきものである旨主張し、異議申立人榎本光夫は、甲第１〜５号証を提示し、請求項１ないし４に係る各発明は、特許法第２９条第２項の規定に違反して特許されたものであり、また、特許法第３６条に規定する要件を満たしていない特許出願に対して特許されたものであるから、取り消されるべきものである旨主張する。
（３）当審で通知した取消理由は、特開平３−６４４７７号公報（前記「第１の引用例」と同じ）、特開平５−１３３８９号公報（前記「第２の引用例」と同じ）、特開平４−２５４３４９号公報（前記「第３の引用例」と同じ）を引用し、請求項１、２に係る発明は、前記第１及び第２の引用例に記載された発明並びに周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、請求項３、４に係る発明は、前記第１、第２及び第３の引用例に記載された発明並びに周知の技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定に違反して特許されたものであるというものである。
（４）前記第１〜３の引用例には、それぞれ、前記２（２）で認定したとおりの発明が記載されている。
（５）請求項１に係る発明と前記第１の引用例に記載された発明とを対比すると、両者は、「半導体基板に対して、研削加工を施すことができ、該半導体基板の加工が行われる隔壁で隔てられた第一の空間は、装置周辺の圧力に比して異なった圧力雰囲気を保つことが可能な圧力制御機構を有する半導体デバイス製造装置」である点で一致し、請求項１に係る発明が「半導体デバイスが形成されつつある半導体基板に対して、（メカノケミカル）ポリシングまたは（メカノケミカル）ラッピングによる研削加工」を施すことができるものであるのに対し、前記第１の引用例に記載された発明は、どのような製造段階にあるウェハーに対して、どのような種類の研削加工を施すことができるものであるかが特定されていない点で相違する。
　そこで両者の相違点について検討すると、前記２（４）のとおり、第２の引用例及び前記の技術を考慮すれば、第１の引用例に記載された発明の処理室部において、半導体デバイスが形成されつつある半導体基板にメカノケミカルポリシング加工を施すことに格別の困難性はないから、請求項１に係る発明は、前記第１及び第２の引用例に記載された発明並びに前記周知の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
（６）請求項２に係る発明と前記第１の引用例に
記載された発明とを対比すると、第１の引用例に記載された発明の「クリーンフィルタ１１６と空調ファン１１５等からなる空調器１１７」及び「排気管１１１と排気調節バルブ１１３と排気口１１４からなる排気ダクト」は、それぞれ、請求項２で限定された「低塵性の雰囲気を送り込む手段」及び「雰囲気を排気する手段」に相当し、また、圧力制御部によって室内の圧力を制御するに際し、室内の圧力をモニターすることは、当然に行われるものであるから、両者は、「半導体基板に対して、研削加工を施すことができ、該半導体基板の加工が行われる隔壁で隔てられた第一の空間は、装置周辺の圧力に比して異なった圧力雰囲気を保つことが可能な圧力制御機構を有し、該圧力制御機構は、隔壁で周辺と隔てられた加工のための空間に低塵性の雰囲気を送り込む手段と、該空間の圧力をモニターする手段と、該空間の圧力が装置周辺の雰囲気圧力より所定の圧力差となるべく該空間の雰囲気を排気する手段、とを備えた半導体デバイス製造装置」である点で一致し、請求項２に係る発明が「半導体デバイスが形成されつつある半導体基板に対して、（メカノケミカル）ポリシングまたは（メカノケミカル）ラッピングによる研削加工」を施すことができるものであるのに対し、前記第１の引用例に記載された発明は、どのような製造段階にあるウェハーに対して、どのような種類の研削加工を施すことができるものであるかが特定されていない点で相違する。
　したがって、前記（５）と同様の理由で、請求項２に係る発明は、前記第１及び第２の引用例に記載された発明並びに前記周知の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
（７）請求項３に係る発明と前記第１の引用例に記載された発明とを対比すると、両者は、「半導体基板に対して、研削加工を施すことができ、該半導体の加工が行われる隔壁で隔てられた空間は、装置周辺の圧力に比して異なった圧力雰囲気を保つことが可能な圧力制御機構を有し、被加工半導体基板が複数枚保持され、加工が施された半導体基板を収納するカセットを装具するための隔壁で隔てられた第二の空間を有し、さらに、該第二の空間の圧力を制御する機構を有する半導体デバイス製造装置」である点で一致し、請求項３に係る発明が「半導体デバイスが形成されつつある半導体基板に対して、（メカノケミカル）ポリシングまたは（メカノケミカル）ラッピングによる研削加工」を施すことができるものであるのに対し、前記第１の引用例に記載された発明は、どのような製造段階にあるウェハーに対して、どのような種類の研削加工を施すことができるものであるかが特定されていない点（以下、「相違点１」という。）、及び、請求項３に係る発明が「被加工半導体基板が複数枚保持された第一のカセットと加工が施された半導体基板を収納する第二のカセットをそれぞれ装具するための第二及び第三の空間を有するもの」であるのに対し、第１の引用例に記載されたものは、「第二の空間と第三の空間、さらに、第一のカットと第二のカセットを兼ねるもの１である点で相違する。
　そこで両者の相違点について検討すると、前記２（４）のとおり、第２の引用例に記載された発明及び前記周知の技術を考慮すれば、第１の引用例に記載された発明の処理室部において、半導体デバイスが形成されつつある半導体基板にメカノケミカルポリシング加工を施すことに格別の困難性はなく、また、処理装置に対してそれぞれウエハカセットを有する２つのウエハロード室を備えたものは第３の引用例に記載されており、第１の引用例に記載された発明の前室部２００と、第３の引用例に記載された発明のウエハロード室５とは、いずれも、処理装置に搬出・搬入されるウェハを保持するカセットを装具するための空間であるから、第１の引用例に記載された発明の前室部２００に第３の引用例に記載された技術思想を適用し、２つの空間に分割してそれぞれの空間にカセットステージを設けることに格別の困難性はない。したがって、請求項３に係る発明は、前記第１、第２及び第３の引用例に記載された発明並びに前記周知の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
（８）請求項４に係る発明は、前記訂正後の発明と同一であるから、前記２（３）のとおり、第１及び第２の引用例に記載された発明並びに前記周知の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
４．以上のとおりであるから、本件特許の請求項１ないし４に係る発明は、いずれも、前記第１〜３の引用例に記載された発明並びに前記周知の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであって、当該発明に係る特許は、いずれも、特許法第２９条第２項の規定に違反して特許されたものであるから、取り消すべきである。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１１年５月１０日（１９９９．５．１０）