(57)【要約】  装置および方法は、静電クランプを形成するための材質を選択するために提供される。静電クランプは、第１の熱膨張係数を有するバッキングプレートを備え、バッキングプレートは、静電クランプに構造的支持および剛性を与える。静電クランプは、ワークピースに接触するクランピング面を有するクランピングプレートを備え、クランピングプレートは、第２の熱膨張係数を有する。クランピングプレートは、バッキングプレートに接着、はり付け、または、成長され、クランピングプレートの最小偏向は、所定の温度範囲において顕性である。例えば、第１の熱膨張係数および第２の熱膨張係数は、本質的に類似しており、３つの要因だけによって変化する。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ワークピースの位置を選択的に維持する静電クランプであって、
第１の熱膨張係数を有し、前記静電クランプに構造的支持および剛性を与えるバッキングプレートと、
第２の熱膨張係数を有し、前記ワークピースに接触するように構成されたクランピング面を有するクランピングプレートと、を備え、
前記第１の熱膨張係数および前記第２の熱膨張係数は、最小化されており、極大差は、前記静電クランプの形状によって決定されることを特徴とする、静電クランプ。
【請求項２】
前記バッキングプレートは、金属を含み、金属製バッキングプレートとして定め、
前記クランピングプレートは、セラミック材料を含み、セラミックのクランピングプレートとして定めることを特徴とする、請求項１に記載の静電クランプ。
【請求項３】
前記金属製バッキングプレートは、チタンで構成され、
前記セラミックのクランピングプレートは、窒化アルミニウムで構成されることを特徴とする、請求項２に記載の静電クランプ。
【請求項４】
前記金属製バッキングプレートは、チタンから構成され、
前記セラミックのクランピングプレートは、酸化アルミニウムから構成されることを特徴とする、請求項２に記載の静電クランプ。
【請求項５】
前記バッキングプレートは、炭化ケイ素から構成され、
前記セラミックのクランピングプレートは、窒化ケイ素から構成されていることを特徴とする、請求項１に記載の静電クランプ。
【請求項６】
前記バッキングプレートは、冷却液を循環させるように構成された１以上の冷却チャネルを含み、前記静電クランプの温度を制御することを特徴とする、請求項１に記載の静電クランプ。
【請求項７】
静電クランプを製造する方法であって、
第１の熱膨張係数を有する金属製のバッキングプレートの材質を選択するステップと、
第２の熱膨張係数を有するセラミックのクランピングプレートの材質を選択するステップと、を含み、
前記第１の熱膨張係数および前記第２の熱膨張係数は、最小化され、極大差が前記静電クランプの形状によって決定され、
前記バッキングプレート上に、前記セラミックのクランピングプレートを接着、はり付け、または、成長されるステップを含むことを特徴とする、方法。
【請求項８】
前記金属製のバッキングプレートの材質および前記セラミックのクランピングプレートの材質は、前記静電クランプが動作するように構成される所定の温度範囲に基づいて決定されることを特徴とする、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記第１の熱膨張係数および前記第２の熱膨張係数は、３つの要因だけによって変化することを特徴とする、請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
ワークピースの位置を選択的に維持するための静電クランプであって、
第１の熱膨張係数を有し、前記静電クランプに構造的支持および剛性を与えるバッキングプレートと、
前記ワークピースに選択的に接触するために、クランピング面を提供するためのクランピングプレートと、を備え、
前記クランピングプレートは、第２の熱膨張係数を有し、前記バッキングプレートに接着、はり付け、または、成長され、
前記第１の熱膨張係数と前記第２の熱膨張係数との差が、最小化されており、極大差は、前記静電クランプの形状によって決定されることを特徴とする、静電クランプ。
【請求項１１】
ワークピースの位置を選択的に維持するための静電クランプであって、
前記静電クランプに構造的支持および剛性を与え、第１の熱膨張係数を有する金属製のバッキングプレートと、
前記ワークピースに接触するように構成されたクランピング面を有するセラミックのクランピングプレートと、を備え、
前記クランピングプレートは、第２の熱膨張係数を有し、前記バッキングプレートに接着され、
前記第１の熱膨張係数および前記第２の熱膨張係数は、３つの要因だけによって変化することを特徴とする、静電クランプ。
【請求項１２】
前記金属製のバッキングプレートは、チタンで構成され、
前記セラミックのクランピングプレートは、窒化アルミニウムで構成されることを特徴とする、請求項１１に記載の静電クランプ。
【請求項１３】
前記金属製のバッキングプレートは、炭化ケイ素から構成され、
前記セラミックのクランピングプレートは、窒化アルミニウムで構成されることを特徴とする、請求項１１に記載の静電クランプ。
【請求項１４】
前記金属製のバッキングプレートは、チタンで構成され、
前記セラミックのクランピングプレートは、酸化アルミニウムで構成されることを特徴とする、請求項１１に記載の静電クランプ。
【請求項１５】
静電クランプを製造する方法であって、
第１の熱膨張係数を有するバッキングプレートの金属製の材質を選択するステップと、
第２の熱膨張係数を有するクランピングプレートのセラミックの材質を選択するステップと、を含み、
前記第１の熱膨張係数および前記第２の熱膨張係数は、３つの要因だけによって変化し、
前記バッキングプレート上に、前記セラミックのクランピングプレートを接着、はり付け、または、成長させるステップを含むことを特徴とする、方法。
【請求項１６】
前記バッキングプレートの金属製材質および前記クランピングプレートのセラミックの材質の選択は、所定の温度範囲に基づいていることを特徴とする、請求項１５に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【発明の詳細な説明】
【０００１】
〔関連出願について〕
この出願は、２０１０年５月２８日に出願された、名称「静電チャックに好適な熱膨張係数」の米国特許出願番号６１／３４９，５５２について優先権および利益を主張し、その全体が以下に組み込まれる。
【０００２】
〔発明の技術分野〕
本発明は、一般的にイオン注入システムに関し、特に静電チャックの部材の熱膨張係数を整合することに関する。
【０００３】
〔背景〕
静電保護または静電チャック（ＥＳＣ）は、イオン注入やエッチング、化学蒸着などのプラズマまたは真空の半導体プロセスの間において、ワークピースや基板を固定する半導体産業において利用される。ワークピースの温度制御と同様に、ＥＳＣの可能性をとどめることは、シリコンウエハのような半導体基板またはウエハを加工するときに有益であることがわかっている。例えば、典型的なＥＳＣは、導電性電極またはバッキングプレート上に配置される誘電層を含み、半導体ウエハは、ＥＳＣの表面に配置される。
【０００４】
誘電層とバッキングプレートとの間の熱膨張係数（ＣＴＥ）の不整合がＥＳＣの表面において著しい変形を引き起こす。他の問題において、この変形は、裏面ガスの漏れを引き起こし、ウエハの扱いについて信頼性を低減させてしまう。
【０００５】
したがって、クランプの変形が所定の温度範囲において最小化されるように、改良された静電クランプの技術が必要である。
【０００６】
〔発明の概要〕
本発明は、半導体プロセスシステムにおいて、ワークピースをクランピングするためのシステム、装置および方法を提供することによって、先行技術の限界を克服する。したがって、次の発明は、発明のいくつかの態様の基本的理解を提示するために、発明の簡単な要約を提示する。この要約は、発明の広範囲な概要ではない。発明の必須要素または臨界要素を特定すること、発明の範囲を示すことを意図していない。後に提示される、より詳細な説明の前置きとして、簡単な形で発明のいくつかの概念を提示することが目的である。
【０００７】
本発明は、静電クランプを形成するために材質を選択するための装置および方法である。静電クランプは、第１の熱膨張係数を有するバッキングプレートを備え、バッキングプレートは、静電クランプに構造的支持および剛性を与える。さらに、静電クランプは、ワークピースに接触するクランピング面を有するクランピングプレートを備え、クランピングプレートは、第２の熱膨張係数を有する。本発明において、クランピングプレートは、バッキングプレートに接着され、クランピングプレートの最小偏向は、所定の温度範囲において顕性である。例えば、第１の熱膨張係数および第２の熱膨張係数は、本質的に類似しており、２つまたは３つの要因だけによって変化する。
【０００８】
したがって、先行の目的および関連の目的を成し遂げるために、本発明は、後にクレームにおいて完全に記載および示される特徴を含む。次の記載および添付の図面は、本発明のある例示的な実施形態で詳細に説明される。しかしながら、これらの実施形態は、本発明の原理が採用される、少数の様々な方法を示すものである。本発明の他の対象、利点および新しい特徴が、図ととともに考慮に入れられるときに、本発明の次の詳細な記載から明白になる。
【０００９】
〔図面の説明〕
図１は、本発明のある態様における典型的なイオン注入システムのブロック図である。
【００１０】
図２は、本発明の他の態様における典型的な静電チャックを示す図である。
【００１１】
図３Ａ−３Ｂは、本発明の他の典型的な態様における静電チャックの変形を示す図である。
【００１２】
図４Ａ−４Ｂは、本発明の他の典型的な態様において、異なる熱膨張係数を有するチャックの角偏向および線形偏向を示すグラフである。
【００１３】
図５は、類似の熱膨張係数を有する静電チャックについての材質を選択する典型的な方法を示すフローチャートである。
【００１４】
〔発明の詳細な説明〕
本発明は、セラミックおよび金属のバッキングプレートの熱膨張係数を整合させ、チャックの反りを軽減することによって改良されたクランプおよび熱均一性を提供する静電クランプまたは静電チャック（ＥＳＣ）に関する。また、チャックは、広い温度範囲において、作動可能である。したがって、本発明は、図を用いて記述され、参照番号が部材を示すために使用される。これら態様についての記載は、単なる例示であると理解されるべきであり、限定的な意味に解釈すべきではない。次の記載において、説明の目的で、番号の詳細は、本発明の完全な理解を提供するために後述されている。しかしながら、当業者にとって、本発明は、これら特別な詳細がなくても実用できることが明白である。
【００１５】
図を参照して、本発明の典型的な態様において、図１は、典型的なイオン注入システム１００を示す。イオン注入システムは、イオンビーム１０４でワークピース１０２（例えば、半導体基板、ウエハ）をスキャンするよう動作し、ワークピースにイオンを注入する。上述したように、本発明の様々な態様が、任意のイオン注入システムに関連して実装されてもよく、限定するものではないが、図１の典型的なシステム１００を含む。典型的なイオン注入システム１００は、ターミナル１０６と、ビームラインアセンブリ１０８と、一般的にプロセスチャンバー（処理室）１１２を形成するエンドステーション１１０とを含む。イオンビーム１０４は、ワークピース位置１１４に配置されたワークピース１０２に向けられる。ターミナル１０６におけるイオン源１１６は、電力供給１１８によって供給され、注入イオンビーム１２０（例えば、未分化イオンビーム）をビームラインアセンブリ１０８に与える。イオン源は、ソースチャンバーからイオンを抽出し、ビームラインアセンブリ１０８に向けて注入イオンビームを発するために、１以上の引出電極１２２を含む。
【００１６】
例えば、ビームラインアセンブリ１０８は、ソース１１６に隣接した入口１２６を有するビームガイド１２４と、エンドステーション１１０に隣接した出口１２８とを含む。例えば、ビームガイド１２４は、注入イオンビームを受け取り、適切なエネルギー質量比またはエネルギー質量範囲のイオンを分析スリット１３２を経てワークピース１０２に通過させるために双極子磁場を形成する質量分析器１３０（例えば、質量分析マグネット）を含む。質量分析器１３０を通過し、分析スリット１３２を出たイオンは、好ましいエネルギー質量比またはエネルギー質量範囲のイオンを有する質量分析された、または、好適なイオンビームを定める。イオンビームが好ましいビーム路１３６に沿ってワークピース１０２に伝わるとき、ビームラインアセンブリ１０８と共同する様々なビーム形成構造およびビーム整形構造（図示せず）が、イオンビーム１０４を維持および拘束するために設けられてもよい。
【００１７】
ある例において、所望のイオンビーム１３４がワークピース１０２に向けて発射され、ワークピースは、エンドステーション１１０と共同するワークピーススキャンシステム１３８によって配置される。例えば、図１に示されるエンドステーション１１０は、真空プロセスチャンバー１１２内で、ワークピースの機械的にスキャンする「シリアル」型のエンドステーションを含み、ワークピース１０２（例えば半導体ウエハ、表示パネルまたは他のワークピース）は、ワークピーススキャンシステム１３８を介してビーム路１３６を通って、１以上の方向に機械的に移動される。本発明のある典型的な態様において、イオン注入システム１００は、所望のイオンビーム１３４（例えば、「スポットビーム」または「ペンシルビーム」と呼ばれる）を安定状態で提供する。ワークピーススキャンシステム１３８は、静止イオンビームに関して、２つの直行軸にワークピース１０２を移動させる。しかしながら、バッチタイプまたは他のタイプのエンドステーションが採用されてもよく、多数のワークピース１０２が同時にスキャンされてもよく、そのようなエンドステーションが本発明の範囲内で考えられる。
【００１８】
他の例において、システム１００は、１以上の走査面に沿ってワークピース１０２に対してイオンビーム１０４をスキャン動作可能な静電ビームスキャンシステム（図示せず）を含む。例えば、ワークピース１０２は、静止状態であるか、または、ワークピーススキャンシステム１３８によって移動される。したがって、本発明は、スキャンされた、またはスキャンされていないイオンビーム１０４を想定している。本発明のある実施形態において、図１のワークピーススキャンシステム１３８は、スキャンアーム１４０を含む。スキャンアームは、イオンビーム１０４でワークピース１０２を相補的にスキャンするよう構成される。例えば、イオン注入システム１００は、コントローラ１５０によって制御される。イオン注入システムおよびワークピーススキャンシステム１３８の機能は、コントローラを介して制御される。
【００１９】
ある典型的な態様において、静電クランプ（静電チャックまたはＥＳＣ）１５２は、イオン注入の間、静電気的に保つために使用されるか、または、ワークピース１０２をクランプするために使用される。ＥＳＣ１５２の表面１５６上の絶縁層１５４（誘電体層）は、ワークピース１０２とＥＳＣの電極１５８との間で確立するための蓄電（キャパシタンス）を可能にする。電極１５８は、セラミック層１６０に囲まれ、セラミック層は、バッキングプレート１６２上に載置、接着、貼付または成長され、バッキングプレートは、ＥＳＣ１５２に構造的剛性を与える。同様に、バッキングプレート上のチャネル１６３に冷却液を流すことによって、ＥＳＣを冷却する。
【００２０】
ある特別な例において、ＥＳＣ１５２は、金属層（例えば、アルミニウムディスク）にセラミック層（窒化アルミニウム）を載置することによって形成される。セラミック層が接着プロセスまたは他のプロセスによって金属層に載置されるときの室温のような、ＥＳＣ１５２が形成または製造される温度で、動作されるとき、ＥＳＣの表面１５６は、平坦または扁平である。しかしながら、ＥＳＣの温度は、それが形成される温度から増加または減少されるとき、ＥＳＣを含む各種物質（例えば、絶縁層１５４、セラミック層１６０およびバッキングプレート１６２）の熱膨張係数（ＣＴＥ）が重要となることを発明者は認識している。一般的に、セラミックは、金属より低いＣＴＥを有する。例えば、窒化アルミニウムが「〜４．２」のＣＴＥを有するのに対して、アルミニウムは、「〜２３」のＣＴＥを有する。例えば、ＥＳＣ１５２が冷却または熱せられるとき、２つの物質は、異なる割合で縮まり、図３Ａ−３Ｂの例で示されるようにＥＳＣを変形させる。
【００２１】
例えば、ＥＳＣ１５２を−６０℃のプロセス温度で冷却し、およそ８０℃近辺までの温度（ΔＴ）変化を与えると、セラミック層１６０を含む物質のＣＴＥとバッキングプレート１６２を含む物質のＣＴＥとにおける異なりが、図３Ａに示されるように、ＥＳＣを凸状に変形させる。図３Ａに示されるようなモデルにおいて、ＥＳＣ１５２のエッジ１６４は、チャックの中央１６６の面外からおよそ１ｍｍ反っている。ＥＳＣ１５２を７０℃のプロセス温度に熱し、Δ５０℃変化させると、セラミック層１６０の材質のＣＴＥとバッキングプレート１６２の材質のＣＴＥとの間の異なりが、図３Ｂに示されるように凹状に変形させる。図３Ｂのモデルによれば、チャック１５２の中央１６６を有する平面からおよそ０．７ｍｍ反っている。
【００２２】
上述の例において、バッキングプレート１６２の静電チャック１５２は、アルミニウム合金で構成され、窒化アルミニウムが含まれるセラミック層１６０は、バッキングプレートに結合される。図３Ａ，３Ｂの例で示されるように、アルミニウム合金と窒化アルミニウムとの間の熱膨張係数の不整合は、大きな温度変化で、静電クランプ１５２に著しい反りを与える。
【００２３】
したがって、本発明において、多数の物質の静電クランプ１５２（例えば、セラミック層１６０およびバッキングプレート１６２）において使用される物質のＣＴＥの整合は、ＥＳＣの熱変形を軽減する。例えば、窒化アルミニウム（ＡＩＮ）は、４．２μｍ／ｍＫのＣＴＥを有し、元素変形におけるアルミニウム金属は、約２３．１μｍ／ｍＫのＣＴＥを有する。したがって、窒化アルミニウムを含むセラミック層とアルミニウムを含むバッキングプレート１６２との結合は、大きなＣＴＥの異なりを生じさせ、図３Ａ−３Ｂに示されるような変形を生じさせる。ＣＴＥに関し、ＡＩＮで構成されたセラミック層１６０に整合するバッキングプレート１６２の材質は、炭化ケイ素ＳｉＣである。しかしながら、静電チャック１５２のために、ＳｉＣ由来のバッキングプレートを製造するのは、高価である。例えば、バッキングプレート１６２のために、所定の温度範囲（例えばΔＴ＝５０−８０℃）において、最小限の反りを与えるＡＩＮが含まれるセラミック層にチタンが整合させやすく、およそ８．６μｍ／ｍＫのＣＴＥを有する。
【００２４】
例えば、図４Ａは、図２のＥＳＣ１５２の中央１６６について、エッジ１６４の表面角度の偏向を示すグラフ１６８を例示する。所定の温度範囲におけるアルミニウム、チタン、炭化ケイ素と対応するそれぞれの曲線１７０，１７２，１７４が示されている。図４Ｂは、図２のＥＳＣ１５２の中央１６６について、エッジ１６４の線形な垂直偏向を示すグラフ１７６を例示し、それぞれの曲線１７８，１８０，１８２は、所定の温度範囲におけるアルミニウム、チタンおよび炭化ケイ素に対応する偏向が例示されている。
【００２５】
図４Ａに示されるように、アルミニウムに対応する曲線１７０は、アルミニウムが比較的大きな角偏向を示すことを示す。図４Ｂの曲線１７８において示されるエッジの線形偏向も同様である。そのような大きい偏向を有するので、例えば図２のワークピースは、ＥＳＣ１５２の表面１５６に適切に保持されない。さらに、イオン注入プロセスにおいて、ワークピース１０２について、図１のイオンビーム１３４の角度方向が重要であり、アルミニウムの曲線１７０に対応する図４Ａにおいて示されるワークピースの注入の角度範囲は、有害であることがわかっている。不十分なクランプ力が与えられる場合、ワークピース１０２の内部ストレスがワークピースを、図２のＥＳＣ１５２のエッジ１６４に持ち上げる。したがって、エッジでの保持力を減少させ、図１のプロセスチャンバー内で、裏面ガスの漏れを減少させる。
【００２６】
例えば、バッキングプレート１６２およびセラミック層１６０のための材質を選択するときに、他の考慮がなされてもよい。例えば、物質のコスト、機械加工、それぞれの物質の重さなどである。例えば、モリブデンは、セラミック層１６０の窒化アルミニウムに対して、ＣＴＥが同程度であるが、モリブデンは、比較的重く、機械加工が難しい。さらに、発明者は、ニッケルが図１のエンドステーション１１０における汚染の問題を引き起こすような、ニッケルに基づく物質がイオン注入システムに有害であると理解している。インバールやコバールのような他の物質は、窒化アルミニウムに整合したＣＴＥであるが、ニッケル汚染には好ましくない。したがって、重さ、密度、強さ、熱伝導性のような第２の設計基準が採用される。例えば、チタンは、冷却注入に相対断熱特性を与えるので、冷却イオン注入システム（例えば、−５０℃）において利点がある。したがって、アルミニウムと比較すると、チタンは、スキャンアーム１４０からワークピース１０２まで伝達する熱量に限界がある。
【００２７】
特に、セラミック層１６０用のアルミナ（酸化アルミニウムＡｌ２Ｏ３）の選択と、バッキングプレート１６２用のチタン（Ｔｉ）および／またはチタン合金の選択との組合せは、本発明において利点がある。例えば、アルミナのＣＴＥは、７．０μｍ／ｍ℃から８．８μｍ／ｍ℃の範囲である。したがって、ＣＴＥ＝８．６を有するチタンにＣＴＥを整合させる。さらに、窒化アルミニウム（ＡＩＮ）、チタンおよび／またはチタン合金は、これら物質のＣＴＥが互いに一致しているので、利点がある。ＳｉＣのＣＴＥは、窒化アルミニウムに比較的一致している。他の物質およびそれぞれのＣＴＥは、次の通りである。
【００２８】
アルミニウムおよびアルミニウム合金：２１−２５（μｍ／ｍＫ）
チタンおよびチタン合金：９−１３（μｍ／ｍＫ）
マルテンサイト・ステンレス鋼：１０−１２（μｍ／ｍＫ）
窒化鋼：１２（μｍ／ｍＫ）
フェライト・ステンレス鋼：１０−１１（μｍ／ｍＫ）
低膨張ニッケル鋼：３−１０（μｍ／ｍＫ）
アルミナサーミット：８−９（μｍ／ｍＫ）
プラチナ：９（μｍ／ｍＫ）
バナジウム：９（μｍ／ｍＫ）
炭化チタン：７（μｍ／ｍＫ）
炭化アルミニウム：７（μｍ／ｍＫ）
アルミナセラミック：６−７（μｍ／ｍＫ）
タングステン：４（μｍ／ｍＫ）。
【００２９】
したがって、発明者は、セラミック層１６０のＣＴＥに一致または比較的近いＣＴＥを有する、バッキングプレート１６２用の材質を選択することによって、ワークピース１０２のクラッキング、ワークピースに対する好ましくないクランピング力の不足および結果として生じるイオン注入許容できない角度変動のような問題が、軽減される。
【００３０】
図５は、図１，２，３Ａ−３Ｂの静電クランプ１５２のような静電クランプを作成するための典型的な方法２００を示す。典型的な方法は、一連の処理またはイベントとして例示および記載されているが、本発明がそのような処理またはイベントの例示された順に限定されないと理解されるべきである。本発明において、いくつかのステップは、異なる順に生じてもよいし、ここにおける示唆および記載から離れた他のステップが生じてもよい。さらに、方法は、ここに示唆および記載されたシステムと共同して実装されてもよく、同様に、示されていない他のシステムと共同して実装されてもよい。
【００３１】
図５の方法２００は、処理２０２において開始し、金属のバッキングプレートの材質が選択され、金属のバッキングプレートの材質は、第１の熱膨張係数を有する。処理２０４において、セラミッククランピングプレートの材質が選択され、セラミッククランピングプレートの材質は、第２の熱膨張係数を有し、静電クランプの形状によって決定される最大の異なりに応じて、第１の熱膨張係数と第２の熱膨張係数は、最小限にされる。例えば、第１の熱膨張係数および第２の熱膨張係数は、３つの要因だけによって変化する。ある例において、金属のバッキングプレートの材質およびセラミックのクラッキングプレートの材質の選択は、静電クランプが動作するように構成された所定の温度範囲に基づいている。処理２０６において、セラミックのクランピングプレートは、バッキングプレートに、接着、接触または成長され、静電クランプを特徴つける。
【００３２】
したがって、本発明は、改良された熱均一性を与える静電チャックを提供する。本発明は、より好ましい実施形態について示唆または記載されているが、当業者にとって明細書の解釈および理解、添付の図に基づいて、等価な変更および修正が可能であることは明白である。特に、上述の構成要素（アセンブリ、装置、回路など）によって行われる様々な機能について、そのような構成要素を記載するために用いられた用語（手段を含む）は、示唆されていないとしても、本発明の典型的な実施形態における機能を実行する開示の構造に構造的に等価でないとしても、記載の構成要素（機能的に等価）の特別な機能を実行する任意の構成要素に対応させることを意図している。さらに、本発明の特定の特徴が、いくつかの実施形態のうちの１つに開示されているが、そのような特徴は、特定の出願に好ましく、または、利点があるように、他の実施形態の１以上の他の特徴と組み合わせられてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】本発明のある態様における典型的なイオン注入システムのブロック図である。
【図２】本発明の他の態様における典型的な静電チャックを示す図である。
【図３Ａ】本発明の他の典型的な態様における静電チャックの変形を示す図である。
【図３Ｂ】本発明の他の典型的な態様における静電チャックの変形を示す図である。
【図４Ａ】本発明の他の典型的な態様において、異なる熱膨張係数を有するチャックの角偏向および線形偏向を示すグラフである。
【図４Ｂ】本発明の他の典型的な態様において、異なる熱膨張係数を有するチャックの角偏向および線形偏向を示すグラフである。
【図５】類似の熱膨張係数を有する静電チャックについての材料を選択する典型的な方法を示すフローチャートである。
【図１】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５】
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【国際調査報告】
2013529390.tif 000010
2013529390.tif 000011