【事件の表示】
　特許第２６０１４９１号「磁気ディスク構造及びその製造方法」の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結論】
　特許第２６０１４９１号の特許請求の範囲第１項ないし第４項に記載された発明についての特許を取り消す。
【理由】
Ｉ．手続きの経緯
　本件特許第２６０１４９１号の特許請求の範囲各項に係る各発明は、昭和６２年１１月１６日（パリ条約による優先権主張１９８７年２月２５日、米国）に出願されたものであって、平成９年１月２９日に設定登録され、その後、特許異議申立がなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１０年７月２７日に訂正請求がなされ、訂正拒絶理由通知がなされ、その訂正拒絶理由通知に対して手続補正書が提出されたものである。
ＩＩ．訂正の適否について
（ａ）訂正請求に対する補正の適否について
　上記補正は、訂正請求書の訂正事項ａにおいて訂正するところの訂正明細書の特許請求の範囲の記載に関し、（１）中に、「前記基層上に成層された第１の層と、」とあるのを「前記基層上に無電解メツキにより成層されたニッケルとリンを含む第１の層と、」、（４）中に、「前記基層上に第１の層を成層する過程と、」とあるのを、「前記基層上にニッケルとリンを含む第１の層を無電解メッキにより成層する過程と、」と補正し、その補正に関連して、訂正請求書の訂正原因イについて補正するものであるところ、上記特許請求の範囲に関する補正は、特許請求の範囲の減縮に該当、また、実質上特許請求の範囲の拡張し、変更するものでもない。さらに、上記補正内容は、訂正明細書に記載されており、新規事項の追加にも該当しない。
　よって、上記補正は、特許法第１２０条の４第３項において準用する同法第１３１条第２項の規定に適合するので、当該補正を認める。
（ｂ）訂正の内容
　特許権者は、特許登録時の特許請求の範囲の記載である、「（１）基層と、真空蒸着により前記基層上に成層された第１の層であってＢ，Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｃ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｐｂ，Ｐ，Ａｓ，Ｓｂ，Ｂｉ，Ｓ，Ｓｅ及びＴｅからなる群から選ばれた少なくとも１つの元素とニッケルとを含む該第１の層と、前記第１の層の上に成層された磁気記録媒体とを有することを特徴とする磁気ディスク構造。
（２）前記第１の層がスパッタリングにより形成されたニッケルーリン合金を含むことを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の磁気ディスク構造。
（３）前記磁気記録媒体の表面に保護膜が形成されていることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の磁気ディスク構造。
（４）前記少なくとも１つの元素がＢからなることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の磁気ディスク構造。
（５）基層と、前記基層上に真空蒸着により成層されたニッケルを含むアモルファス若しくは殆どアモルファスである層と、前記アモルファス若しくは殆どアモルファスである層上の磁気記録媒体の層とを有することを特徴とする磁気ディスク構造。
（６）前記アモルファス若しくは殆どアモルファスである層は、ニッケルと元素の周期律表におけるＩＩＩＡ，ＩＶ　Ａ，Ｖ　Ａ及びＶＩ　Ａ族に属する少なくとも１つの他の元素とよりなることを特徴とする特許請求の範囲第５項に記載の磁気ディスク構造。
（７）磁気ディスクを製造するための方法であって、基層を準備する過程と、Ｂ，Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｃ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｐｂ，Ｐ，Ａｓ，Ｓｂ，Ｂｉ，Ｓ，Ｓｅ及びＴｅからなる群から選ばれた少なくとも１つの元素とニッケルとを含む第１の層を真空蒸着により前記基層上に成層する過程と、前記第１の層上に磁気記録媒体からなる層を成層する過程とを有することを特徴とする製造方法。
（８）前記第１の層がニッケルーリン層を含むことを特徴とする特許請求の範囲第７項に記載の製造方法。
（９）前記ニッケルーリン層がスパッタリングにより形成されることを特徴とする特許請求の範囲第８項に記載の製造方法。
（１０）前記磁気記録媒体の層を形成する過程が、磁気記録媒体をスパッタリングする過程からなることを特徴とする特許請求の範囲第９項に記載の製造方法。
（１１）前記磁気記録媒体が、約６００　０ｅよりも大きな固有保持度を有する合金からなることを特徴とする特許請求の範囲第７項に記載の製造方法。
（１２）前記磁気記録媒体がコバルト及び白金を含む合金からなることを特徴とする特許請求の範囲第７項に記載の製造方法。
（１３）前記基層が、ガラス、セラミック、アルミニウム及びニツケルーリンがメッキされたアルミニウムからなる群から選ばれた材料を含むことを特徴とする特許請求の範囲第７項に記載の製造方法。
（１４）前記基層がテープからなることを特徴とする特許請求の範囲第７項に記載の製造方法。
（１５）前記磁気記録媒体の表面に保護膜を形成する過程を含むことを特徴とする特許請求の範囲第７項に記載の製造方法。
（１６）前記保護膜が、スパッタリングされた炭素、ＺｒＯ２，ＳｉＯ２，ＴｉＯ２及びＴａＯからなる群から選ばれた材料からなることを特徴とする特許請求の範囲第１５項に記載の製造方法。
（１７）前記少なくとも１つの元素がＢからなることを特徴とする特許請求の範囲第７項に記載の製造方法。
（１８）磁気ディスクを製造するための方法であって、基層を準備する過程と、前記基層上に真空蒸着により、ニッケルを含むアモルファス若しくは殆どアモルファスである層を成層する過程と、前記アモルファス若しくは殆どアモルファスである層上に磁気記録媒体の層を成層する過程とを有することを特徴とする製造方法。
（１９）前記アモルファス若しくは殆どアモルファスである層は、ニッケルと元素の周期律表におけるＩＩＩ　Ａ，ＩＶ　Ａ，Ｖ　Ａ及びＶＩ　Ａ族に属する少なくとも１つの他の元素とよりなることを特徴とする特許請求の範囲第１８項に記載の製造方法。」とあるのを、
「（１）基層と、前記基層上に無電解メッキにより成層されたニッケルとリンを含む第１の層と、スパッタリングにより前記第１の層上に成層された第２の層であってニッケルとリンを含むアモルファス若しくは殆どアモルファスである該第２の層と、前記第２の層の上に成層された磁気記録媒体とを有することを特徴とする磁気ディスク構造。
（２）前記磁気記録媒体の表面に保護膜が形成されていることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の磁気ディスク構造。
（３）ガラス基層と、前記基層上にスパッタリングにより成層されたニッケルとリンを含むアモルファス若しくは殆どアモルファスである層と、前記アモルファス若しくは殆どアモルファスである層上の磁気記録媒体の層とを有することを特徴とする磁気ディスク構造。
（４）磁気ディスクを製造するための方法であって、基層を準備する過程と、前記基層上にニッケルとリンを含む第１の層を無電解メッキにより成層する過程と、ニッケルとリンを含むアモルファス若しくは殆どアモルファスである第２の層をスパッタリングにより前記第１の層上に成層する過程と、前記第２の層上に磁気記録媒体からなる層を成層する過程とを有することを特徴とする製造方法。
（５）前記磁気記録媒体の層を形成する過程が、磁気記録媒体をスパッタリングする過程からなることを特徴とする特許請求の範囲第４項に記載の製造方法。
（６）前記磁気記録媒体が、約６００　０ｅよりも大きな固有保持度を有する合金からなることを特徴とする特許請求の範囲第４項に記載の製造方法。
（７）前記磁気記録媒体がコバルト及び白金を含む合金からなることを特徴とする特許請求の範囲第４項に記載の製造方法。
（８）前記磁気記録媒体の表面に保護膜を形成する過程を含むことを特徴とする特許請求の範囲第４項に記載の製造方法。
（９）前記保護膜が、スパッタリングされた炭素、ＺｒＯ２，ＳｉＯ２，ＴｉＯ２及びＴａＯからなる群から選ばれた材料からなることを特徴とする特許請求の範囲第８項に記載の製造方法。
（１０）磁気ディスクを製造するための方法であって、ガラス基層を準備する過程と、前記基層上にスパッタリングにより、ニッケルとリンを含むアモルファス若しくは殆どアモルファスである層を成層する過程と、前記アモルファス若しくは殆どアモルファスである層上に磁気記録媒体の層を成層する過程とを有することを特徴とする製造方法。」、と訂正するものである。
（ｃ）訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張、変更の存否
　検討するに、本件特許の特許請求の範囲第１項に係る発明（本件第１発明という。）は、基層−第１の層−磁気記録体という層構造であるのに対し、訂正明細書の特許請求の範囲第１項に係る発明（以下、訂正第１発明という。）は、基層−第１の層−第２の層−磁気記録媒体という層構造になっており、両者は、層構造が異なる。したがって、訂正第１発明は、実質的に特許請求の範囲を変更するものである。
　なお、特許権者は、平成１１年４月５日提出の意見書において、原１３項の記載からみると、基層は第１の層をも包括しているものであって、基層は特別な限定がない場合には第１の層を包括するものであるとの趣旨の意見を述べているが、本件特許明細書の発明の詳細な説明の欄及び図面の記載をみても、基層は特別な限定がない場合には第１の層を包括するとの趣旨の記載はみあたらない。むしろ、本件特許明細書の発明の詳細な説明の欄の記載及び図面の記載からみれば、基層と第１層とは別々の構成要件であって、原１３項の記載は、本件特許明細書の発明の詳細な説明の欄の記載及び図面の記載に基づかないものといわざるをえない。そして、本件第１発明の技術的参酌は、発明の詳細な説明の欄及び図面の記載によってなされるべきであり、発明の詳細な説明の欄及び図面からみると、基層と第１層とは別々の構成要件であるから、特許権者の上記意見には無理がある。
　また、本件第１発明においては、真空蒸着により第１の層を成層するとしているのに対し、訂正第１発明においては、スパッタリングにより第２の層を成層するとしているが、スパッタリングは真空蒸着の下位概念ではないので、訂正第１発明は、実質的に特許請求の範囲を変更するものである。
　なお、特許権者は、平成１１年４月５日提出の意見書において、スパッタリングは真空蒸着の下位概念であると述べているが、本件の特許明細書第３５頁第１５〜１７行には、「スパッタリングに代えて、蒸着等の他の手段によりアンダーコート膜を形成することもできる。」と記載されており、スパッタリングと蒸着とは別の手段とみるベきである。また、特許権者が意見書に添付して提出した乙第１号証の第６頁下から４〜５行目には、「ｔｈｅｒｍａｌ　ｖａｐｏｒｉｚａｔｉｏｎ（ｖａｃｕｕｍ　ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）ｏｒ　ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ（ｓｐｕｔｔｅｒ　ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）ｉｎ　ａ　ｖａｃｕｕｍ」と記載されており、真空蒸着とスパッタリングとは別々の手段としている。さらにまた、同号証のＦｉｇｕｒｅ１．１によれば、Ｖａｃｕｕｍ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎの下位にＳｐｕｔｔｅｒｉｎｇとＥｖａｐｏｒａｔｉｏｎを分類しているところ、ｃｏａｔｉｎｇにおいては、Ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎも蒸着であるから、本件特許明細書の上記記載でいうところの蒸着は、このＥｖａｐｏｒａｔｉｏｎに相当するとみるのが自然である。そして、このような見方は、例えば、共立出版株式会社昭和４６年５月１０日発行の「結晶工学ハンドブック」の第４６０頁に記載されるところの分類に一致する。ただ、分類法が如何にあったとしても、本件特許との関係で、スパッタリングと真空蒸着とがいかなる関係にあるかは、本件特許明細書の記載によるべきであり、前述したとおり、この点に関しては、「スパッタリングに代えて、蒸着等の他の手段によりアンダーコート膜を形成することもできる。」と記載されているのであるから、スパッタリングが真空蒸着の下位概念であるとすることはできない。また、特許権者は、原２項は本件第１発明を引用しており、スパッタリングは真空蒸着の下位概念であるというべきであるとの趣旨の意見を述べているが、特許明細書の発明の詳細な説明の欄の記載には、前記したとおりであって、スパッタリングが真空蒸着の下位概念である旨の記載はない。したがって、原２項の記載は、本件特許明細書の発明の詳細な説明の欄の記載及び図面の記載に基づかないものといわざるをえない。そして、本件第１発明の技術的参酌は、発明の詳細な説明の欄及び図面の記載によってなされるべきであり、発明の詳細な説明の欄及び図面からみると、スパッタリングは真空蒸着の下位概念ではないから、特許権者の意見には無理がある。
　また、本件特許の特許請求の範囲第５項に係る発明、すなわち、「基層と、前記基層上に真空蒸着により成層されたニッケルを含むアモルファス若しくは殆どアモルファスである層と、前記アモルファス若しくは殆どアモルファスである層上の磁気記録媒体の層とを有することを特徴とする磁気ディスク構造。」（以下、本件第２発明という。）を、「ガラス基層と、前記基層上にスパッタリングにより成層されたニッケルとリンとを含むアモルファス若しくは殆どアモルファスである層と、前記アモルファス若しくは殆どアモルファスである層上の磁気記録媒体の層とを有することを特徴とする磁気ディスク構造。」（以下、訂正第２発明という。）と訂正しているが、スパッタリングは真空蒸着の下位概念ではないので、訂正第２発明は、実質的に特許請求の範囲を変更するものである。
　本件特許の特許請求の範囲第７項に係る発明（本件第３発明という。）は、基層−第１の層−磁気記録体という層構造の製造方法であるのに対し、訂正明細書の特許請求の範囲第４項に係る発明（以下、訂正第３発明という。）は、基層−第１の層−第２の層−磁気記録媒体という層構造の製造方法になっており、両者は、層構造が異なる。したがって、訂正第３発明は、実質的に特許請求の範囲を変更するものである。また、本件第３発明においては、真空蒸着により第１の層を成層するとしているのに対し、訂正第３発明においては、スパッタリングにより第２の層を成層するとしているが、スパッタリングは真空蒸着の下位概念ではないので、訂正第３発明は、実質的に特許請求の範囲を変更するものである。
　また、本件特許の特許請求の範囲第１８項に係る発明（以下、本件第４発明という。）は、真空蒸着により、ニッケルを含むアモルファス若しくは殆どアモルファスである層を成層するとしているのに対し、訂正明細書の特許請求の範囲第１０項に係る発明（以下、訂正第４発明という。）においては、スパッタリングにより第２の層を成層するとしており、スパッタリングは真空蒸着の下位概念ではないので、訂正第４発明は、実質的に特許請求の範囲を変更するものである。
（ｄ）まとめ
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法第１２０条の４第３項で準用する第１２６条第３項の規定に適合しないので、当該訂正は認められない。
ＩＩＩ．特許異議申立について
（本件発明）
　特許第２６０１４９１号の各発明は、特許請求の範囲に記載された次の事項により特定されるとおりのものである。
「（１）基層と、真空蒸着により前記基層上に成層された第１の層であってＢ，Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｃ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｐｂ，Ｐ，Ａｓ，Ｓｂ，Ｂｉ，Ｓ，Ｓｅ及びＴｅからなる群から選ばれた少なくとも１つの元素とニッケルとを含む該第１の層と、前記第１の層の上に成層された磁気記録媒体とを有することを特徴とする磁気ディスク構造。
（５）基層と、前記基層上に真空蒸着により成層されたニッケルを含むアモルファス若しくは殆どアモルファスである層と、前記アモルファス若しくは殆どアモルファスである層上の磁気記録媒体の層とを有することを特徴とする磁気ディスク構造。
（７）磁気ディスクを製造するための方法であって、基層を準備する過程と、Ｂ，Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｃ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｐｂ，Ｐ，Ａｓ，Ｓｂ，Ｂｉ，Ｓ，Ｓｅ及びＴｅからなる群から選ばれた少なくとも１つの元素とニッケルとを含む第１の層を真空蒸着により前記基層上に成層する過程と、前記第１の層上に磁気記録媒体からなる層を成層する過程とを有することを特徴とする製造方法。
（１８）磁気ディスクを製造するための方法であって、基層を準備する過程と、前記基層上に真空蒸着により、ニッケルを含むアモルファス若しくは殆どアモルファスである層を成層する過程と、前記アモルファス若しくは殆どアモルファスである層上に磁気記録媒体の層を成層する過程とを有することを特徴とする製造方法。」
（引用刊行物）
　当審が通知した取消理由で引用した特願昭６０−２９７６３０号（特開昭６２−１５７３２３号公報）には、第２頁左上欄第５〜８行、第２頁右下欄第１７行〜第３頁左上欄第１６行の記載、第３頁左上欄の第１表の記載からみて、「アルミ合金等からなる非磁性基板と、スパッタリングにより形成したニッケル・リン合金、酸化アルミニウム等の硬化層、クロム、チタン等からなる下地層、その上に形成されたクロムーニッケル合金磁性層とからなる磁気ディスク。」（以下、先願第１発明という。）、「アルミ合金等からなる非磁性基板上に、スパッタリングによりニッケル・リン合金、酸化アルミニウム等の硬化層、クロム、チタン等からなる下地層、その上に形成されたクロムーニッケル合金磁性層とを形成する磁気ディスクの製造方法」（以下、先願第２発明という。）が記載されている。
　同じく、当審が通知した取消理由で引用した特開昭６１−２６０４２０号公報（以下、刊行物２という。）には、磁気ディスク媒体及び磁気ディスク媒体の製造方法に関する発明が記載されており、「磁性体の下に設けた非磁性層を少なくともニッケル、タングステン、リンを含む合金としたことを特徴とする磁気記録体。」（特許請求の範囲の欄）、「またニッケルータングステンーリン合金下地層の形成方法は、上記の組成及び厚さに形成できれば化学めっき、電気めっき等のめっき法であっても、スパッタリング法、蒸着法、イオンプレーティング法等の気相成長法であっても特に制限はない。」（第２頁右下欄第４〜９行）、「まずアルミニウム合金板をドーナッツ状に打抜いた後、両面を平坦かつ平滑に仕上げてアルミ基体１とした。つぎに脱脂、亜鉛置換を行なった後、本発明によるニッケルータングステンーリン合金下地膜６を無電解めっき法で形成した。めっき液主成分およびめっき条件は第１表（ａ）に示すものである。この下地膜６の表面を機械的研摩により、表面あらさ０．０１μｍ程度までに平坦かつ平滑に仕上げた。その後、硫酸コバルト、次亜リン酸ナトリウムを主成分とするめっき液を用いて、無電解めっき液によりコバルトーリン磁性体７を０．０７μｍの厚さに形成した。ついで磁性体７の上にケイ素のアルコレート等の有機錯体溶液を回転塗布した後、３１０℃で１時間焼成して酸化ケイ素からなる保護膜４を約０．０８μｍの厚さに形成して磁気ディスクを作成した。上記の無電解めっき法により形成したニッケルータングステンーリン合金下地膜は非晶質、非磁性であり、第２表に示すようにタングステン含有率は０．１ａｔ％、リン含有率は１６．２ａｔ％であった。この下地膜は３２０℃、１時間の加熱を行なった後も非晶質、非磁性を保っており、上記の焼成後も当然非晶質、非磁性であった。」（第３頁左上欄第１６行〜右上欄第１９行）と説明されている。
　同じく、当審が通知した取消理由で引用した特開昭６２−９５２６号公報（以下、刊行物３という。）には、「工程、（ａ）約２５０Ａより小さい表面荒さを有する支持体を準備し、（ｂ）実質的に非磁性のニッケルーバナジウム層をほぼ１０ミクロン以下の厚さにスパッターし、そして（ｃ）少なくとも１つの磁性層を析出してディスクに固有の記録媒体を形成する、ことを特徴とする薄いフィルムのディスクを製作する方法。」（特許請求の範囲第１項）、及び、「支持体（基層）上にニッケルーバナジウムスパッタ層を形成し、この上に磁性層を形成した磁気ディスク」が記載されている。
　同じく、当審が通知した取消理由で引用した特開昭５９−１７７７２６号公報（以下、刊行物４という。）には、「本発明はＡｌ合金からなるディスク基板の表面をアルマイト処理することに代えて、上記ディスク基板表面にメッキ法によりＮｉ−Ｐ層を形成し、このＮｉ−Ｐ層の平滑化処理された表面にＣｏ−Ｃｒ系薄膜等の強磁性Ｃｏ系垂直磁化記録層を形成した構造の垂直磁気ディスク記録媒体にある。」（第２頁右上欄第１３〜１９行）、「図中１はＡｌ合金からなるディスク基板であり、適当な表面精度に研摩処理されている。このＡｌ合金からなるディスク基板１の表面に、メッキ法によってＮｉ−Ｐ層２，３が５０μｍ程度の膜厚に形成される。このＮｉ−Ｐ層２，３はディスク基板１の両面に設けられ、内部的な応力の発生を相殺するものとなっている。しかしてＮｉ−Ｐ層２，３の硬さは、そのメッキ法やＰ濃度にもよるが、一般にヴィッカース硬度で約４００程度に設定される。尚、Ｐ濃度（ｗｔ％）は５％〜２５％の範囲であることが望ましい。即ち、Ｐが２５％以上となるメッキ法ではこれをＮｉに入れることは困難であり、また５％以下ではＮｉ−Ｐはアモルファス状態でも強磁性でかつ硬度も低いからである。尚、このＮｉ−Ｐ層２，３を熱処理して、さらに高硬度化することも可能である。このようにして形成されたＮｉ−Ｐ層２，３の表面を研摩、研削加工等を施してその面精度を十分に高くする。しかるのち、上記Ｎｉ−Ｐ層２の平滑化された表面に磁化記録層としてのＣｏ−Ｃｒ系薄膜４をスパッタリングによって１μｍ以下の厚さに形成して垂直磁気ディスク記録媒体が完成される。尚、上記Ｃｏ−Ｃｒ系薄膜４のスパッタリング形成は、例えば圧力５ｍＴｏｒｒのＡｒガス雰囲気中で、前記ディスク基板１の温度を１２０〜２２０℃に加熱して行われる。」（第２頁左下欄第１２行〜右下欄第１８行）と説明されている。
　同じく、当審が通知した取消理由で引用した特開昭５７−７１５１８号公報（以下、刊行物５という。）には、磁気記録媒体及びその製造方法に関する発明が記載されており、「本発明は、複数の磁性金属層と特定の中間非磁性体層を有する改善された磁気特性を有する金属薄膜型磁気記録媒体に関する。」（第１頁左下欄第１４〜１６行）、「磁気記録媒体は、基板上に、下地金属層２，第一磁性金属層３ａ，中間非磁性体層４，第二磁性金属層３ｂおよび保護膜５を順次に形成してなる。」（第２頁右上欄第１６〜１８行）、「下地金属層２は、基板１と磁性金属層３ａとの密着性改善、基板１に存在する粗面、結晶欠陥等の磁性金属層３ａに対する可能な悪影響を除くために必要に応じて設けられたものであり、無電解メッキ法、電解（気）メッキ法、蒸着法、スパッタリング法等任意の方法で、たとえば厚み０．０１〜１００μ、好ましくは０．１〜８０μに形成される。下地金属層２の構成材料は、非磁性の金属材料である限りいかなるものでも良いが、好ましくは後述する中間非磁性体層４と同様に２価のニッケルイオンと次亜リン酸イオンを含むメッキ浴を用いて電気メッキ法により形成したＰ１〜１５％を含有する非磁性Ｎｉ基合金が特に好ましく用いられる。」（第２頁右下欄第３〜１５行）、「磁性金属層３ａおよび３ｂは、本質的に同じものであり、それぞれ電気メッキ法又は無電解メッキ法等の常法に従い、たとえばＮｉ−Ｃｏ−Ｐ合金、Ｃｏ−Ｐ合金等の薄膜を形成する。」（第２頁第１８行〜第３頁左上欄第１行）と説明されている。
　同じく、当審が通知した取消理由で引用した特開昭６１−５１６１９号公報（以下、刊行物６という。）には、磁気ディスク記録媒体及びその製造方法に関する発明が記載されており、「磁気ディスクにおける下地層及び磁性層の内部ひずみを緩和し、これを起因するクラック発生を防止するために種々の研究を重ねた」（第２頁右上欄第８〜１１行）、「すなわち、本発明は、円板状の非磁性硬質基板上に薄膜下地層及び薄膜磁性層を有する磁気記録媒体」（第２頁右上欄第１７〜１９行）、「次に、この基板上に施す下地層の材料としては、ニッケル、ニッケルーリン、クロム、パーマロイ、チタンなどが用いられる。また、この上に設けられる磁性層の材料としては、鉄、コバルト、クロム、ニッケルそれらの合金及びそれらにケイ素、ホウ素、リン、バナジウム、ロジウム、亜鉛、銅、銀、タングステン、マンガン希土類などを添加してものなどが用いられる。この下地層及び磁性層を基板上に施す方法としては、メッキ、スパッタリング、イオンプレーテイング、真空蒸着など従来磁気ディスクの製造に常用されている方法の中から任意に選らずことができるが、条件制御の容易な点で磁性層の形成にはスパッタリングが有利である。」（第２頁右下欄第３〜１６行）と説明されている。
　同じく、当審が通知した取消理由で引用した特開昭５８−７７０２８号公報（以下、刊行物７という。）には、「可撓性基板上に下地層を有し、当該下地層上に、薄膜磁性層を有する磁気記録媒体において、上記下地層がチタン合金から形成されてなることを特徴とする磁気記録媒体。」の発明が記載されている。
　同じく、当審が通知した取消理由で引用した特開昭５８−１８５０２６号公報（以下、刊行物８という。）には、磁気記録媒体に関する発明が記載されており、「可とう性の基板上に、Ｃｏ−Ｐ系またはＣｏ−Ｎｉ−Ｐ系の磁性層と、チタン又はチタン合金からなる非磁性層とを交互に積層してなることを特徴とする磁気記録媒体」（特許請求の範囲の欄）、「チタンの他、本発明において用いられるチタン合金としては、チタンを主成分とする各種合金を用いることができる。これらのうち、特に好適なものとしては、Ａｌ、Ｍｎ、Ｖ、ＣｒおよびＦｅのうちの少なくとも１種を、好ましくは４０ｗｔ％位か、より好ましくは０．１〜４０ｗｔ％、さらに好ましくはＩ〜３０ｗｔ％含むものを挙げることができる。」（第３頁左下欄第１２〜１９行）と説明されている。
　同じく、当審が通知した取消理由で引用した特開昭５８−１３３６２４号公報（以下、刊行物９という。）には、磁気記録媒体に関する発明が記載されており、「コバルトクロミウム合金薄膜を用いた垂直磁化記録媒体において、チタニウムもしくはチタニウム合金を基板としてその表面にコバルトクロミウム合金薄膜を形成したことを特徴とする磁気記録媒体。」（特許請求の範囲の欄）、「チタニウム合金はＡｌ、Ｆｅ、Ｖ、Ｃｒ、Ｗ、Ｂｉなどを一種もしくは複数種添加して得られる。」（第２頁左下欄第１１〜１３行）と説明されている。
　同じく、当審が通知した取消理由で引用した特開昭５８−１８２１２９号公報（以下、刊行物１０という。）には、磁気記録媒体及びその製造方法に関する発明が記載されており、「本発明は、気体上に、複数のＣｏ−Ｐ系またはＣｏ−Ｎｉ−Ｐ系磁性層を、３０〜２００Åの厚さの非磁性の中間層を介して積層してなることを特徴とする磁気記録媒体である。」（第２頁右上欄第１９行〜左下欄第４行）、「このような基体上には、好ましくは非磁性の下地層が設けられ、非着性や膜の均一性の向上等が図られる。下地層の材質としては、特に制限はなく、Ａｌ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｓｎ、Ｍｏ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｃｕ−Ｂｅ等の各種単一金属ないし合金や、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３等の酸化物などの各種化合物等いずれを用いてもよい。ただ、通常は、製造の容易さから、後述の非磁性の中間層と同一の材質とする。このような下地層の厚さについて特に制限がないが、通常は、５０〜５０００Å程度とされる。また、下地層の形成は、スパッタリング、蒸着、イオンプレーテイング、いずれの気相被着法によってもよいが、磁性層の形成は、後述のように、スパッタリングを用いるのが好ましいので、製造の容易さからすると、スパッタリングに従うのがよい。」（第２頁左下欄第１７〜１６行）と説明されている。
（判断）
　そこで、本件第１発明と上記刊行物２記載の磁気ディスク媒体の発明とを対比すると、
（ｉ）上記刊行物２には、アルミ合金基体、下地膜、磁性体、保護膜からなる磁気ディスク媒体の発明が記載されており、本件第１発明における基層、基層上に成層された第１の層、第１の層の上に成層された磁気記録媒体とを有する磁気ディスク構造であるとする点に相当する、
（ｉｉ）上記刊行物２記載の磁気ディスク媒体の発明においては、アルミ合金基体の上に、ニッケルータングステンーリン合金下地膜を設けるようにしており、本件第１発明において、Ｂ，Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｃ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｐｂ，Ｐ，Ａｓ，Ｓｂ，Ｂｉ，Ｓ，Ｓｅ及びＴｅからなる群から選ばれた少なくとも１つの元素とニッケルとを含む第１の層を設けるとする点に相当する、
（ｉｉｉ）上記刊行物２記載の磁気ディスク媒体の発明においては、下地層上に磁性体を設けており、本件第１発明において、磁気記録媒体が第１の層の上に成層されて設けられている点に相当する。
　したがって、本件第１発明と上記刊行物２記載の磁気ディスク媒体の発明とは、次の点で相違し、その余では一致する。
　本件第１発明においては、第１の層を真空蒸着により成層したとしているのに対し、上記刊行物２記載の磁気ディスク媒体の発明においては、下地層を無電解めっき法で形成している点
　そこで、上記相違点について検討するに、上記刊行物２には、「ニッケルータングステンーリン合金下地層への形成方法は、上記の組成及び厚さに形成できれば化学めっき、電気めっき等のめっき法であっても、スパッタリング法、蒸着法、イオンプレーティング法等の気相成長法であっても特に制限はない。」（第２頁右下欄第４〜９行）と示唆されているから、上記刊行物２の磁気ディスク媒体の下地層を真空蒸着により成層することは、当業者が適宜なし得ることにすぎない。
　したがって、その他刊行物等を検討するまでもなく、本件第１発明は、上記刊行物２記載の発明に基づいて当業者が容易に発明することができたものである。
　次に、本件第２発明と上記刊行物２記載の磁気ディスクの発明とを対比すると、
（ｉｖ）上記刊行物２には、アルミ合金基体、下地膜、磁性体、保護膜からなる磁気ディスク媒体の発明が記載されており、本件第２発明における基層、基層上に成層された層およびその層の上に磁気記録媒体の層とを有する磁気ディスク構造であるとする点に相当する、
（ｖ）上記刊行物２記載の磁気ディスク媒体の発明においては、アルミ合金基体の上に、非晶質のニッケルータングステンーリン合金下地膜を設けるようにしており、本件第２発明において、基層上に成層されたニッケルを含むアモルファス若しくは殆どアモルファスである層を設けるとする点に相当する、
（ｖｉ）上記刊行物２記載の磁気ディスク媒体の発明においては、下地層上に磁性体を設けており、本件第２発明において、磁気記録媒体がアモルファス若しくは殆どアモルファスである層上に成層されているとする点に相当する。
　したがって、本件第２発明と上記刊行物２記載の磁気ディスク媒体の発明とは、次の点で相違し、その余では一致する。
　ニッケルを含むアモルファス若しくは殆どアモルファスである層（刊行物２記載の磁気ディスク媒体の発明においては、非晶質のニッケルータングステンーリン合金下地膜）を設けるに際し、本件件第２発明においては、真空蒸着により成層したとしているのに対し、上記刊行物２記載の磁気ディスク媒体の発明においては、無電解めっき法で形成している点
　そこで、上記相違点について検討するに、上記刊行物２には、「ニッケルータングステンーリン合金下地層の形成方法は、上記の組成及び厚さに形成できれば化学めっき、電気めっき等のめっき法であっても、スパッタリング法、蒸着法、イオンプレーティング法等の気相成長法であっても特に制限はない。」（第２頁右下欄第４〜９行）と示唆されているから、上記刊行物２の磁気ディスク媒体の下地層を真空蒸着により成層することは、当業者が適宜なし得ることにすぎない。
　したがって、その他刊行物等を検討するまでもなく、本件第２発明は、上記刊行物２記載の発明に基づいて当業者が容易に発明することができたものである。
　次に本件第３発明と上記刊行物２記載の磁気ディスク媒体の製造方法の発明とを対比すると、
（ｖｉｉ）上記刊行物２には、アルミ合金基体を準備し、そのアルミ合金基体上に下地膜を設け、その下地膜上に磁性体を設けるようにした磁気ディスク媒体の製造方法に関する発明が記載されており、本件第３発明における、基層を準備する過程と、第１の層を基層上に成層する過程と、第１の層上に磁気記録媒体からなる層を成層する過程とを有する製造方法であるとする点に相当する、
（ｖｉｉｉ）上記刊行物２記載の磁気ディスク媒体の製造方法の発明においては、アルミ合金基体の上に、ニッケルータングステンーリン合金下地膜を設けるようにしており、本件第３発明において、Ｂ，Ａｌ・Ｇａ，Ｉｎ，Ｃ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｐｂ，Ｐ，Ａｓ，Ｓｂ，Ｂｉ，Ｓ，Ｓｅ及びＴｅからなる群から選ばれた少なくとも１つの元素とニッケルとを含む第１の層を基体上に成層する過程を有するとする点に相当する、
（ｉｘ）上記刊行物２記載の磁気ディスク媒体の製造方法の発明においては、下地層上に磁性体を設けるようにしており、本件第３発明において、磁気記録媒体が第１の層の上に成層されて設けられる過程を有するとする点に相当する。
　したがって、本件第３発明と上記刊行物２記載の磁気ディスク媒体の製造方法の発明とは、次の点で相違し、その余では一致する。
　本件第３発明においては、第１の層を真空蒸着により成層したとしているのに対し、上記刊行物２記載の磁気ディスク媒体の製造方法の発明においては、下地層を無電解めっき法で形成している点
　そこで、上記相違点について検討するに、上記刊行物２には、「ニッケルータングステンーリン合金下地層の形成方法は、上記の組成及び厚さに形成できれば化学めっき、電気めっき等のめっき法であっても、スパッタリング法、蒸着法、イオンプレーティング法等の気相成長法であっても特に制限はない。」（第２頁右下欄第４〜９行）と示唆されているから、上記刊行物２の磁気ディスク媒体の製造方法において、下地層を真空蒸着により成層するとすることは、当業者が適宜なし得ることにすぎない。
　したがって、その他刊行物等を検討するまでもなく、本件第３発明は、上記刊行物２記載の発明に基づいて当業者が容易に発明することができたものである。
　次に本件第４発明と上記刊行物２記載の磁気ディスク媒体の製造方法の発明とを対比するに、
（ｘ）上記刊行物２には、アルミ合金基体を準備し、そのアルミ合金基体上に下地膜を設け、その下地膜上に磁性体を設けるようにした磁気ディスク媒体の製造方法に関する発明が記載されており、本件第４発明における、基層を準備する過程と、その基層上に層を成層する過程およびその層の上に磁気記録媒体からなる層を成層する過程とを有する製造方法であるとする点に相当する、
（ｘｉ）上記刊行物２記載の磁気ディスク媒体の製造方法の発明においては、アルミ合金基体の上に、非晶質のニッケルータングステンーリン合金下地膜を設けるようにしており、本件第４発明における、ニッケルを含むアモルファス若しくは殆どアモルファスである層を成層するとする点に相当する、
（ｘｉｉ）上記刊行物２記載の磁気ディスク媒体の製建方法の発明においては、非晶質の下地層上に磁性体を設けるようにしており、本件第４発明における、アモルファス若しくは殆どアモルファスである層上に磁気記録媒体の層を成層するとする点に相当する。
　したがって、本件第４発明と上記刊行物２記載の磁気ディスク媒体の製造方法の発明とは、次の点で相違し、その余では一致する。
　ニッケルを含むアモルファス若しくは殆どアモルファスである層（刊行物２記載の磁気ディスク媒体の発明においては、非晶質のニッケルータングステンーリン合金下地膜）を設けるに際し、本件件第４発明においては、真空蒸着により成層したとしているのに対し、上記刊行物２記載の磁気ディスク媒体の製造方法の発明においては、無電解めっき法で形成している点
　そこで、上記相違点について検討するに、上記刊行物２には、「ニッケルータングステンーリン合金下地層の形成方法は、上記の組成及び厚さに形成できれば化学めっき、電気めっき等のめっき法であっても、スパッタリング法、蒸着法、イオンプレーティング法等の気相成長法であっても特に制限はない。」（第２頁右下欄第４〜９行）と示唆されているから、上記刊行物２の磁気ディスク媒体の製造方法において、下地層を真空蒸着により成層するとすることは、当業者が適宜なし得ることにすぎない。
　したがって、その他刊行物等を検討するまでもなく、本件第４発明は、上記刊行物２記載の発明に基づいて当業者が容易に発明することができたものである。
エ、むすび
　以上のとおり、本件第１発明、本件第２発明、本件第３発明及び本件第４発明は、上記刊行物２記載の発明に基づき当業者が容易に発明できたものであるから、本件第１発明、本件第２発明、本件第３発明及び本件第４発明の特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであり、同法第１１３条第２項に該当し、取り消されるべきものである。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１１年５月１０日（１９９９．５．１０）