【事件の表示】
　特許第６２７３６３３号発明「ケイ素化合物被覆金属微粒子、ケイ素化合物被覆金属微粒子を含む組成物、及びケイ素化合物被覆金属微粒子の製造方法」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第６２７３６３３号の特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１〜１４〕について訂正することを認める。
　特許第６２７３６３３号の請求項１〜４、６、１２〜１４に係る特許を維持する。
　特許第６２７３６３３号の請求項５、７〜１１に係る特許についての特許異議の申立てを却下する。
【理　由】
第１　手続の経緯  
　特許第６２７３６３３号（以下、「本件特許」という。）に係る出願は、２０１７年（平成２９年）　６月　１日（優先権主張　平成２８年　６月　２日　日本国（ＪＰ）　平成２８年　６月　３日　日本国（ＪＰ）　平成２８年１１月　７日　日本国（ＪＰ））を国際出願日とする出願であって、平成３０年　１月１９日に特許権の設定登録がされ、同年　２月　７日に特許掲載公報が発行され、その後、本件特許の全請求項に係る特許について、同年　８月　７日付けで特許異議申立人小松　一枝及び前田　知子（以下、「異議申立人」という。）により特許異議の申立てがされ、同年１０月２９日付けで当審より取消理由が通知され、同年１２月　３日に特許権者代理人　弁理士　坂本　智弘らとの面接が行われ、同年１２月２７日付けで特許権者より意見書（以下、「特許権者意見書１」という。）の提出及び訂正の請求（以下、「前回訂正請求」という。）がされ、平成３１年　２月２１日付けで異議申立人より意見書（以下、「申立人意見書１」という。）が提出され、同年　３月２６日付けで当審より取消理由（決定の予告）が通知され、令和　１年　５月２７日付けで特許権者より意見書（以下、「特許権者意見書２」という。）の提出及び訂正の請求（以下、「本件訂正請求」という。）がされ、同年　７月　８日付けで異議申立人より意見書（以下、「申立人意見書２」という。）が提出され、同年　８月　５日付けで当審より特許権者に対して審尋がされ、同年　８月２２日付けで特許権者より回答書（以下、「回答書」という。）が提出され、同年　９月２６日付けで異議申立人より上申書（以下、「上申書」という。）が提出されたものである。
第２　本件訂正請求による訂正の適否  
１　訂正の内容 
　本件訂正請求による訂正（以下、「本件訂正」という。）は、以下の訂正事項からなる（当審注：下線は訂正箇所であり、当審が付与した。）。
　なお、前回訂正請求は、本件訂正請求がなされたため、特許法第１２０条の５第７項の規定により取り下げられたものとみなす。
（１）訂正事項１  
　本件訂正前の特許請求の範囲の請求項１に
「少なくとも１種の金属元素又は半金属元素からなる金属微粒子の表面の少なくとも一部がケイ素化合物で被覆されたケイ素化合物被覆金属微粒子であり、
　上記金属元素又は半金属元素が、銀、銅、ニッケル及び鉄からなる群から選択され、」
と記載されているのを、
「少なくとも１種の金属元
素か
　上記金属元
素が
に訂正する（請求項１の記載を直接的又は間接的に引用する引用する請求項３、４、６、１２〜１４も同様に訂正する。）。
（２）訂正事項２
　本件訂正前の特許請求の範囲の請求項１に
「上記ケイ素化合物被覆金属微粒子に含まれるＳｉ−ＯＨ結合の比率が、０．１％以上７０％以下に制御されていることを特徴とするケイ素化合物被覆金属微粒子。」
と記載されているのを、
「上記ケイ素化合物被覆金属微粒子に含まれるＳｉ−ＯＨ結合の比率が、０．１％以上７０％以下に制御されて
おり、
　
上記Ｓｉ−ＯＨ結合が、全反射法（ＡＴＲ法）を用いて測定した上記ケイ素化合物被覆金属微粒子の赤外吸収スペクトルにおける波数７５０ｃｍ
−１
から１３００ｃｍ
−１
の領域におけるピークを波形分離することによって得られた、波数８５０ｃｍ
−１
から９８０ｃｍ
−１
の領域に波形分離されたＳｉ−ＯＨ結合に由来するピークの内、最も面積比率の大きなピークに帰属されたものであり、上記Ｓｉ−ＯＨ結合の比率が、上記波数７５０ｃｍ
−１
から１３００ｃｍ
−１
の領域におけるピークを波形分離することによって得られたピークの総面積に対する上記Ｓｉ−ＯＨ結合に帰属されたピークの面積の比率であり、
（Ａ）上記ケイ素化合物被覆金属微粒子は、１個の金属微粒子の表面の少なくとも一部をケイ素化合物で被覆したものであって、上記金属微粒子の一次粒子径が１μｍ以下であり、且つ、上記ケイ素化合物被覆金属微粒子の一次粒子径が、上記金属微粒子の一次粒子径の１００．５％以上、１９０％以下であるか、又は
（Ｂ）上記ケイ素化合物被覆金属微粒子は、複数個の金属微粒子が凝集した凝集体の表面の少なくとも一部をケイ素化合物で被覆したものであって、上記凝集体の径が１μｍ以下であり、且つ、上記ケイ素化合物被覆金属微粒子の粒子径が、上記凝集体の径の１００．５％以上、１９０％以下であ
に訂正する（請求項１の記載を直接的又は間接的に引用する請求項３、４、６、１２〜１４も同様に訂正する。）。
（３）訂正事項３
　本件訂正前の特許請求の範囲の請求項２に
「少なくとも１種の金属元素又は半金属元素からなる金属微粒子の表面の少なくとも一部がケイ素化合物で被覆されたケイ素化合物被覆金属微粒子であり、
　上記金属元素又は半金属元素が、銀、銅、ニッケル及び鉄からなる群から選択され、」
と記載されているのを、
「少なくとも１種の金属元
素か
　上記金属元
素が
に訂正する（請求項２の記載を直接的又は間接的に引用する請求項３、４、６、１２〜１４も同様に訂正する。）。
（４）訂正事項４
　本件訂正前の特許請求の範囲の請求項２に
「上記ケイ素化合物被覆金属微粒子に含まれるＳｉ−Ｏ結合の比率に対するＳｉ−ＯＨ結合の比率であるＳｉ−ＯＨ結合／Ｓｉ−Ｏ結合の比率が、０．００１以上７００以下に制御されていることを特徴とするケイ素化合物被覆金属微粒子。」
と記載されているのを、
「上記ケイ素化合物被覆金属微粒子に含まれるＳｉ−Ｏ結合の比率に対するＳｉ−ＯＨ結合の比率であるＳｉ−ＯＨ結合／Ｓｉ−Ｏ結合の比率が、０．００１以上７００以下に制御されて
おり、
　
上記Ｓｉ−Ｏ結合が、全反射法（ＡＴＲ法）を用いて測定した上記ケイ素化合物被覆金属微粒子の赤外吸収スペクトルにおける波数７５０ｃｍ
−１
から１３００ｃｍ
−１
の領域におけるピークを波形分離することによって得られた、波数１０００ｃｍ
−１
以上１３００ｃｍ
−１
以下の領域に波形分離されたＳｉ−Ｏ結合に由来するピークの内、最も面積比率の大きなピークに帰属されたものであり、上記Ｓｉ−ＯＨ結合が、全反射法（ＡＴＲ法）を用いて測定した上記ケイ素化合物被覆金属微粒子の赤外吸収スペクトルにおける波数７５０ｃｍ
−１
から１３００ｃｍ
−１
の領域におけるピークを波形分離することによって得られた、波数８５０ｃｍ
−１
から９８０ｃｍ
−１
の領域に波形分離されたＳｉ−ＯＨ結合に由来するピークの内、最も面積比率の大きなピークに帰属されたものであり、上記Ｓｉ−ＯＨ結合／Ｓｉ−Ｏ結合の比率が、上記Ｓｉ−Ｏ結合に帰属されたピークの面積に対する上記Ｓｉ−ＯＨ結合に帰属されたピークの面積の比率であり、
（Ａ）上記ケイ素化合物被覆金属微粒子は、１個の金属微粒子の表面の少なくとも一部をケイ素化合物で被覆したものであって、上記金属微粒子の一次粒子径が１μｍ以下であり、且つ、上記ケイ素化合物被覆金属微粒子の一次粒子径が、上記金属微粒子の一次粒子径の１００．５％以上、１９０％以下であるか、又は
（Ｂ）上記ケイ素化合物被覆金属微粒子は、複数個の金属微粒子が凝集した凝集体の表面の少なくとも一部をケイ素化合物で被覆したものであって、上記凝集体の径が１μｍ以下であり、且つ、上記ケイ素化合物被覆金属微粒子の粒子径が、上記凝集体の径の１００．５％以上、１９０％以下であ
に訂正する（請求項２の記載を直接的又は間接的に引用する請求項３、４、６、１２〜１４も同様に訂正する。）。
（５）訂正事項５
　本件訂正前の特許請求の範囲の請求項５及び７〜１１を削除する。
（６）訂正事項６
　本件訂正前の請求項６に「請求項５に記載のケイ素化合物被覆金属微粒子。」と記載されていたのを「請求項
１から４の何れか
（７）訂正事項７
　本件訂正前の請求項１２に「請求項１から１１の何れかに記載のケイ素化合物被覆金属微粒子。」と記載されていたのを「請求項１から
４及び６
（８）訂正事項８
　本件訂正前の請求項１３に「請求項１から１２の何れかに記載のケイ素化合物被覆金属微粒子を含む塗布用組成物、」と記載されていたのを「請求項１から
４、６及び
（９）訂正事項９
　本件訂正前の請求項１４に「請求項１から１２の何れかに記載のケイ素化合物被覆金属微粒子の製造方法。」と記載されていたのを「請求項１から
４、６及び
２　訂正の目的の適否、新規事項、一群の請求項の有無及び特許請求の範囲の拡張・変更の存否
（１）訂正事項１、３について 
（ア）訂正事項１及び３による訂正は、いずれも、「ケイ素化合物被覆金属微粒子」が、「少なくとも１種の金属元素又は半金属元素からなる金属微粒子の表面の少なくとも一部がケイ素化合物で被覆された」ものとされていたのを、明瞭でない「半金属元素」の場合を削除して、「少なくとも１種の金属元素からなる金属微粒子の表面の少なくとも一部がケイ素化合物で被覆された」もののみとするものであるから、特許請求の範囲の減縮及び明瞭でない記載の釈明を目的とするものである。 
  
（イ）そして、「ケイ素化合物被覆金属微粒子」において、「半金属元素」からなる「ケイ素化合物被覆金属微粒子」の場合を削除する訂正事項１及び３による訂正は、いずれも、新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではないことは明らかである。 
  
（２）訂正事項２、４について 
（ア）訂正事項２による訂正は、「ケイ素化合物被覆金属微粒子」に含まれる「Ｓｉ−ＯＨ結合の比率」の算出方法を限定して明確にするとともに、「金属微粒子」の一次粒子径または「金属微粒子が凝集した凝集体」の径を「１μｍ以下」に限定し、更に、「ケイ素化合物被覆金属微粒子」の一次粒子径が、「金属微粒子」の一次粒子径の１００．５％以上、１９０％以下であるか、または、「ケイ素化合物被覆金属微粒子」の粒子径が、「金属微粒子が凝集した凝集体」の径の１００．５％以上、１９０％以下であるものに限定するものである。 
　また、訂正事項４による訂正は、「ケイ素化合物被覆金属微粒子」に含まれる「Ｓｉ−ＯＨ結合／Ｓｉ−Ｏ結合の比率」の算出方法を限定して明確にするとともに、「金属微粒子」の一次粒子径または「金属微粒子が凝集した凝集体」の径を「１μｍ以下」に限定し、更に、「ケイ素化合物被覆金属微粒子」の一次粒子径が、「金属微粒子」の一次粒子径の１００．５％以上、１９０％以下であるか、または、「ケイ素化合物被覆金属微粒子」の粒子径が、「金属微粒子が凝集した凝集体」の径の１００．５％以上、１９０％以下であるものに限定するものである。 
　そして、そのような訂正事項２及び４による訂正は、いずれも、特許請求の範囲の減縮及び明瞭でない記載の釈明を目的とするものである。 
  
（イ）また、訂正事項２において、「上記Ｓｉ−ＯＨ結合が、全反射法（ＡＴＲ法）を用いて測定した上記ケイ素化合物被覆金属微粒子の赤外吸収スペクトルにおける波数７５０ｃｍ−１から１３００ｃｍ−１の領域におけるピークを波形分離することによって得られた、波数８５０ｃｍ−１から９８０ｃｍ−１の領域に波形分離されたＳｉ−ＯＨ結合に由来するピークの内、最も面積比率の大きなピークに帰属されたものであり、上記Ｓｉ−ＯＨ結合の比率が、上記波数７５０ｃｍ−１から１３００ｃｍ−１の領域におけるピークを波形分離することによって得られたピークの総面積に対する上記Ｓｉ−ＯＨ結合に帰属されたピークの面積の比率であ」ることは、願書に添付した特許請求の範囲の請求項９に記載されるものであり、訂正事項４において、「上記Ｓｉ−Ｏ結合が、全反射法（ＡＴＲ法）を用いて測定した上記ケイ素化合物被覆金属微粒子の赤外吸収スペクトルにおける波数７５０ｃｍ−１から１３００ｃｍ−１の領域におけるピークを波形分離することによって得られた、波数１０００ｃｍ−１以上１３００ｃｍ−１以下の領域に波形分離されたＳｉ−Ｏ結合に由来するピークの内、最も面積比率の大きなピークに帰属されたものであり、上記Ｓｉ−ＯＨ結合が、全反射法（ＡＴＲ法）を用いて測定した上記ケイ素化合物被覆金属微粒子の赤外吸収スペクトルにおける波数７５０ｃｍ−１から１３００ｃｍ−１の領域におけるピークを波形分離することによって得られた、波数８５０ｃｍ−１から９８０ｃｍ−１の領域に波形分離されたＳｉ−ＯＨ結合に由来するピークの内、最も面積比率の大きなピークに帰属されたものであり、上記Ｓｉ−ＯＨ結合／Ｓｉ−Ｏ結合の比率が、上記Ｓｉ−Ｏ結合に帰属されたピークの面積に対する上記Ｓｉ−ＯＨ結合に帰属されたピークの面積の比率であ」ることは、願書に添付した特許請求の範囲の請求項１０に記載されるものであり、訂正事項２及び４において、「（Ａ）上記ケイ素化合物被覆金属微粒子は、１個の金属微粒子の表面の少なくとも一部をケイ素化合物で被覆したものであって、上記金属微粒子の一次粒子径が１μｍ以下であり、且つ、上記ケイ素化合物被覆金属微粒子の一次粒子径が、上記金属微粒子の一次粒子径の１００．５％以上、１９０％以下である」ことは、願書に添付した特許請求の範囲の請求項５に記載されるものであり、訂正事項２及び４において、「（Ｂ）上記ケイ素化合物被覆金属微粒子は、複数個の金属微粒子が凝集した凝集体の表面の少なくとも一部をケイ素化合物で被覆したものであって、上記凝集体の径が１μｍ以下であり、且つ、上記ケイ素化合物被覆金属微粒子の粒子径が、上記凝集体の径の１００．５％以上、１９０％以下である」ことは、願書に添付した特許請求の範囲の請求項７に記載されるものであるから、訂正事項２及び４による訂正は、いずれも、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正である。  
  
（ウ）更に、訂正事項２、４による訂正は、いずれも、カテゴリーや対象、目的を変更するものではないから、特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当しない。 
  
（３）訂正事項５について 
　訂正事項５による訂正は、本件訂正前の特許請求の範囲の請求項５及び７〜１１を削除するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり、新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではないことは明らかである。 
  
（４）訂正事項６〜９について 
　訂正事項６〜９による訂正は、いずれも、選択的引用請求項の一部を削除するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり、新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではないことは明らかである。 
（５）一群の請求項について 
　本件訂正前の請求項３〜１４は、いずれも、直接的または間接的に訂正前の請求項１、２を引用するものであるから、本件訂正前の請求項１〜１４は、一群の請求項である。 
　そして、本件訂正請求による訂正は、この一群の請求項について訂正の請求をするものである。 
　また、本件訂正請求においては、全ての請求項に対して特許異議の申立てがされているので、特許法第１２０条の５第９項において読み替えて準用する同法第１２６条第７項の規定は適用されない。
３　小括 
　したがって、本件訂正は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号及び第３号に掲げる事項を目的とするものに該当し、同法同条第４項並びに第９項で準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合するので、訂正後の請求項〔１〜１４〕について訂正を認める。
第３　本件特許発明 
　本件訂正が認められることは上記第２に記載のとおりであるので、本件特許の請求項１〜４、６、１２〜１４に係る発明（以下、「本件発明１」〜「本件発明４」、「本件発明６」、「本件発明１２」〜「本件発明１４」といい、まとめて「本件発明」という。）は、本件特許の特許請求の範囲の請求項１〜４、６、１２〜１４に記載された事項により特定される以下のものと認める。  
「【請求項１】
　少なくとも１種の金属元素からなる金属微粒子の表面の少なくとも一部がケイ素化合物で被覆されたケイ素化合物被覆金属微粒子であり、　
　上記金属元素が、銀、銅、ニッケル及び鉄からなる群から選択され、
　上記ケイ素化合物被覆金属微粒子に含まれるＳｉ−ＯＨ結合の比率が、０．１％以上７０％以下に制御されており、
　上記Ｓｉ−ＯＨ結合が、全反射法（ＡＴＲ法）を用いて測定した上記ケイ素化合物被覆金属微粒子の赤外吸収スペクトルにおける波数７５０ｃｍ−１から１３００ｃｍ−１の領域におけるピークを波形分離することによって得られた、波数８５０ｃｍ−１から９８０ｃｍ−１の領域に波形分離されたＳｉ−ＯＨ結合に由来するピークの内、最も面積比率の大きなピークに帰属されたものであり、上記Ｓｉ−ＯＨ結合の比率が、上記波数７５０ｃｍ−１から１３００ｃｍ−１の領域におけるピークを波形分離することによって得られたピークの総面積に対する上記Ｓｉ−ＯＨ結合に帰属されたピークの面積の比率であり、
（Ａ）上記ケイ素化合物被覆金属微粒子は、１個の金属微粒子の表面の少なくとも一部をケイ素化合物で被覆したものであって、上記金属微粒子の一次粒子径が１μｍ以下であり、且つ、上記ケイ素化合物被覆金属微粒子の一次粒子径が、上記金属微粒子の一次粒子径の１００．５％以上、１９０％以下であるか、又は
（Ｂ）上記ケイ素化合物被覆金属微粒子は、複数個の金属微粒子が凝集した凝集体の表面の少なくとも一部をケイ素化合物で被覆したものであって、上記凝集体の径が１μｍ以下であり、且つ、上記ケイ素化合物被覆金属微粒子の粒子径が、上記凝集体の径の１００．５％以上、１９０％以下であることを特徴とするケイ素化合物被覆金属微粒子。
【請求項２】
　少なくとも１種の金属元素からなる金属微粒子の表面の少なくとも一部がケイ素化合物で被覆されたケイ素化合物被覆金属微粒子であり、　
　上記金属元素が、銀、銅、ニッケル及び鉄からなる群から選択され、
　上記ケイ素化合物被覆金属微粒子に含まれるＳｉ−Ｏ結合の比率に対するＳｉ−ＯＨ結合の比率であるＳｉ−ＯＨ結合／Ｓｉ−Ｏ結合の比率が、０．００１以上７００以下に制御されており、
　上記Ｓｉ−Ｏ結合が、全反射法（ＡＴＲ法）を用いて測定した上記ケイ素化合物被覆金属微粒子の赤外吸収スペクトルにおける波数７５０ｃｍ−１から１３００ｃｍ−１の領域におけるピークを波形分離することによって得られた、波数１０００ｃｍ−１以上１３００ｃｍ−１以下の領域に波形分離されたＳｉ−Ｏ結合に由来するピークの内、最も面積比率の大きなピークに帰属されたものであり、上記Ｓｉ−ＯＨ結合が、全反射法（ＡＴＲ法）を用いて測定した上記ケイ素化合物被覆金属微粒子の赤外吸収スペクトルにおける波数７５０ｃｍ−１から１３００ｃｍ−１の領域におけるピークを波形分離することによって得られた、波数８５０ｃｍ−１から９８０ｃｍ−１の領域に波形分離されたＳｉ−ＯＨ結合に由来するピークの内、最も面積比率の大きなピークに帰属されたものであり、上記Ｓｉ−ＯＨ結合／Ｓｉ−Ｏ結合の比率が、上記Ｓｉ−Ｏ結合に帰属されたピークの面積に対する上記Ｓｉ−ＯＨ結合に帰属されたピークの面積の比率であり、
（Ａ）上記ケイ素化合物被覆金属微粒子は、１個の金属微粒子の表面の少なくとも一部をケイ素化合物で被覆したものであって、上記金属微粒子の一次粒子径が１μｍ以下であり、且つ、上記ケイ素化合物被覆金属微粒子の一次粒子径が、上記金属微粒子の一次粒子径の１００．５％以上、１９０％以下であるか、又は
（Ｂ）上記ケイ素化合物被覆金属微粒子は、複数個の金属微粒子が凝集した凝集体の表面の少なくとも一部をケイ素化合物で被覆したものであって、上記凝集体の径が１μｍ以下であり、且つ、上記ケイ素化合物被覆金属微粒子の粒子径が、上記凝集体の径の１００．５％以上、１９０％以下であることを特徴とするケイ素化合物被覆金属微粒子。
【請求項３】
　上記ケイ素化合物被覆金属微粒子に含まれるＳｉ−ＯＨ結合の比率又はＳｉ−ＯＨ結合／Ｓｉ−Ｏ結合の比率が、官能基の変更処理によって制御されたものであることを特徴とする請求項１又は２に記載のケイ素化合物被覆金属微粒子。
【請求項４】
　上記官能基の変更処理が、置換反応、付加反応、脱離反応、脱水反応、縮合反応、還元反応、酸化反応より選ばれる少なくとも１種であることを特徴とする請求項３に記載のケイ素化合物被覆金属微粒子。
【請求項５】（削除）
【請求項６】
　上記ケイ素化合物被覆金属微粒子は、コアとなる１個の金属微粒子の表面全体を、シェルとなるケイ素化合物で被覆したコアシェル型ケイ素化合物被覆金属微粒子であることを特徴とする、請求項１から４の何れかに記載のケイ素化合物被覆金属微粒子。
【請求項７】（削除）
【請求項８】（削除）
【請求項９】（削除）
【請求項１０】（削除）
【請求項１１】（削除）
【請求項１２】
　上記Ｓｉ−ＯＨ結合の比率が、０．１％以上７０％以下、又は上記Ｓｉ−ＯＨ結合／Ｓｉ−Ｏ結合の比率が、０．００１以上７００以下に制御されていることによって、
　上記ケイ素化合物被覆金属微粒子の溶媒への分散性が制御されたものであることを特徴とする請求項１から４及び６の何れかに記載のケイ素化合物被覆金属微粒子。
【請求項１３】
　請求項１から４、６及び１２の何れかに記載のケイ素化合物被覆金属微粒子を含む塗布用組成物、透明材用組成物、磁性体組成物、導電性組成物、着色用組成物、反応用組成物又は触媒用組成物。
【請求項１４】
　接近・離反可能な相対的に回転する処理用面間において金属微粒子を析出させ、上記析出に引き続き連続的に上記金属微粒子の表面にケイ素化合物を被覆させることを特徴とする、請求項１から４、６及び１２の何れかに記載のケイ素化合物被覆金属微粒子の製造方法。」
　なお、以下、本件発明１の「上記ケイ素化合物被覆金属微粒子に含まれるＳｉ−ＯＨ結合の比率が、０．１％以上７０％以下に制御されており、」との発明特定事項、「上記Ｓｉ−ＯＨ結合が、・・・上記波数７５０ｃｍ−１から１３００ｃｍ−１の領域におけるピークを波形分離することによって得られたピークの総面積に対する上記Ｓｉ−ＯＨ結合に帰属されたピークの面積の比率であり、」との発明特定事項（当審注：「・・・」は記載の省略を表す。以下、同様である。）、「（Ａ）上記ケイ素化合物被覆金属微粒子は、・・・上記金属微粒子の一次粒子径の１００．５％以上、１９０％以下であるか、又は（Ｂ）上記ケイ素化合物被覆金属微粒子は、・・・上記凝集体の径の１００．５％以上、１９０％以下である」との発明特定事項を、それぞれ「発明特定事項１−１」、「発明特定事項１−２」、「発明特定事項１−３」といい、本件発明２の「上記ケイ素化合物被覆金属微粒子に含まれるＳｉ−Ｏ結合の比率に対するＳｉ−ＯＨ結合の比率であるＳｉ−ＯＨ結合／Ｓｉ−Ｏ結合の比率が、０．００１以上７００以下に制御されており、」との発明特定事項、「上記Ｓｉ−Ｏ結合が、・・・上記Ｓｉ−ＯＨ結合／Ｓｉ−Ｏ結合の比率が、上記Ｓｉ−Ｏ結合に帰属されたピークの面積に対する上記Ｓｉ−ＯＨ結合に帰属されたピークの面積の比率であり、」との発明特定事項、「（Ａ）上記ケイ素化合物被覆金属微粒子は、・・・上記金属微粒子の一次粒子径の１００．５％以上、１９０％以下であるか、又は（Ｂ）上記ケイ素化合物被覆金属微粒子は、・・・上記凝集体の径の１００．５％以上、１９０％以下である」との発明特定事項を、それぞれ「発明特定事項２−１」、「発明特定事項２−２」、「発明特定事項２−３」という。
  
第４　異議申立理由の概要
１　特許法第２９条第１項（新規性）及び第２項（進歩性）について
（１）各甲号証 
　甲第１号証：国際公開第２０１３／１５１１７２号
　甲第２号証：国際公開第２００９／００８３９３号
　甲第３号証：特許第４６４４３９０号公報
　甲第４号証：特開２０１２−１５３７９号公報 
　甲第５号証：平河　喜美男　編，ＪＩＳ　Ｋ　０１１７　赤外分光分析法通則，第１刷，財団法人　日本規格協会，平成１２年　３月３１日，ｐ．１−１１
　甲第６号証：戸高　宗一郎　編，ＩＲ分析　テクニック事例集，第１版第１刷，株式会社　技術情報協会，２０１３年　９月２１日，ｐ．１０−１５、１５８−１６７
　甲第７号証：特開２００２−２９４２２０号公報
　甲第８号証：特開平８−２５９８４７号公報
（２）甲第１号証を主引用例とする場合について（異議申立書２２頁２行〜３６頁１１行）
ア　本件訂正前の請求項１〜１３に係る発明について 
　本件訂正前の請求項１〜１３に係る発明は、甲第１号証に実質的に記載された発明であるから、本件訂正前の請求項１〜１３に係る特許は、特許法第２９条第１項の規定に違反してされたものである。
イ　本件訂正前の請求項１〜１４に係る発明について 
　本件訂正前の請求項１〜１４に係る発明は、甲第１号証に記載された発明及び甲第２号証〜甲第４号証の記載事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件訂正前の請求項１〜１４に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。 
  
（３）甲第３号証を主引用例とする場合について（異議申立書３６頁１２行〜４７頁４行）
ア　本件訂正前の請求項１〜１４に係る発明について 
　本件訂正前の請求項１〜１４に係る発明は、甲第３号証に記載された発明及び甲第１号証、甲第２号証、甲第４号証の記載事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件訂正前の請求項１〜１４に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。
２　特許法第３６条第６項第１号（サポート要件）について（異議申立書４７頁６行〜５８頁１５行）
（１）粒径について
（ア）本件訂正前の請求項１〜１４に係る発明は、少なくとも１μｍ程度の粒径を有する「ケイ素化合物被覆金属微粒子」を含むものであり、粒子の分散性が粒径によって影響されることは周知である。
（イ）すると、実施例によって説明されている数十ｎｍといった範囲に比べ、１μｍといった大きな粒径を有する「ケイ素化合物被覆金属微粒子」が、発明の課題を解決できることを、当業者は認識できない。
（ウ）また、実施例で示されているケイ素化合物被膜の膜厚は数ｎｍといった極薄膜であるのに対して、大粒径のμｍオーダー粒子では、ケイ素化合物の被覆層の膜厚は数ｎｍの極薄膜とはならず、更に大きな膜厚となることが想定される。
　そして、本件訂正前の請求項１〜１４に係る発明が、いかなる粒子径においても被覆層の厚さを無視できる、または、膜厚を無視してまで、効果が発揮できることを理解できない。
（２）金属元素について
（ア）本件訂正前の請求項１〜１４に係る発明は、「金属元素または半金属元素」が、「銀、銅、ニッケル及び鉄」からなる群から選択され」るものである。
（イ）ところが、実施例として分散性等の特性が確認されているのは、銀、銅、ニッケル、ケイ素アルミニウムドープ鉄であり、特許権者は、ケイ素アルミニウムドープ鉄の実施例は鉄の実施例には当たらないことを主張しており、そうすると、発明の詳細な説明には、鉄の実施例が記載されていないから、「金属元素または半金属元素」が鉄である場合に、発明の課題を解決できると当業者が認識できるとはいえない。
（３）ＡＴＲ法について
（ア）甲第５号証、甲第６号証によれば、ＡＴＲ法においては、光の入射角やＡＴＲ結晶の種類によって、得られるスペクトルが変わるから、定量的なＡＴＲ法によるＦＴ−ＩＲ測定のためには、測定を行うための光の入射角やＡＴＲ結晶の種類の特定が不可欠である。
　また、ＪＩＳ規格では、測定を行うための光の入射角やＡＴＲ結晶の種類を一律に定めていない。
（イ）そして、本件特許明細書には、ＡＴＲ法について、光の入射角やＡＴＲ結晶の種類について一切記載がないから、当業者は、どのような条件でＡＴＲ法によるＦＴ−ＩＲ測定をしているのかを理解できない。
（ウ）すなわち、ＡＴＲ法を用いて測定した「ケイ素化合物被覆金属微粒子」の赤外吸収スペクトルに基づいて定量的に特定されている本件訂正前の請求項１〜１４に係る発明が、発明の課題を解決できると当業者が認識できるとはいえない。
（４）被覆率について
　本件訂正前の請求項１〜１４においては、ケイ素化合物による被覆について、「少なくとも一部」と特定されているだけであり、被覆が金属微粒子のごく一部であり、かつ、Ｓｉ−ＯＨ結合の比率が小さい場合には、Ｓｉ−ＯＨ結合の比率が極端に小さくなるから、本件訂正前の請求項１〜１４に係る発明は、課題を解決できないものも含むものである。
３　特許法第３６条第６項第２号（明確性要件）について（異議申立書５８頁１６行〜６０頁２２行）
（１）ＡＴＲ法について
　本件訂正前の請求項８〜１０には、ＡＴＲ法を用いて測定した「ケイ素化合物被覆金属微粒子」の赤外吸収スペクトルに基づいて定量的な測定を行う上で不可欠な、光の入射角、ＡＴＲ結晶の種類が記載されていないから、本件訂正前の請求項８〜１０に係る発明が不明確である。
（２）Ｓｉ−ＯＨ結合、Ｓｉ−Ｏ結合の比率について
　本件訂正前の請求項１、２には、「Ｓｉ−ＯＨ結合の比率」、「Ｓｉ−Ｏ結合の比率」が、何に対する比率なのかが記載されていないから、本件訂正前の請求項１、２に係る発明は不明確である。
（３）半金属元素について
　本件訂正前の請求項１、２に記載される「銀、銅、ニッケル及び鉄」は金属元素であり、選択肢に半金属元素は存在しないから、本件訂正前の請求項１、２係る発明は不明確である。
（４）プロダクト・バイ・プロセスクレームについて
　本件訂正前の請求項１１に係る発明は、実質的に、熱処理を施すことによって製造された「ケイ素化合物被覆金属微粒子」であるから、いわゆるプロダクト・バイ・プロセスクレームに当たるので、本件訂正前の請求項１１に係る発明は不明確である。
（５）Ｓｉ−Ｏ結合について
（ア）本件訂正前の請求項１０は、「Ｓｉ−Ｏ結合」を、「波数１０００ｃｍ−１以上１３００ｃｍ−１以下の領域に波形分離されたＳｉ−Ｏ結合に由来するピークの内、最も面積比率の大きなピークに帰属されたもの」と特定するものであるが、甲第４号証の【図７（ａ）】によれば、「Ｓｉ−Ｏ結合」は８１０ｃｍ−１にピークを有するものである。
（イ）そうすると、本件訂正前の請求項１０に係る発明は、「Ｓｉ−Ｏ結合」を、「Ｓｉ−Ｏ結合」に帰属する複数のピークのうち１つのピークの面積によって定量化しようとするものであり、技術常識に反するから、本件訂正前の請求項１０に係る発明は明確でない。
４　特許法第３６条第４項第１号（実施可能要件）について（異議申立書６０頁２３行〜６２頁２行）
（１）粒径について
　本件特許明細書は、実施例によって説明されている数十ｎｍといった範囲に比べ、１μｍといった大きな粒径を有する「ケイ素化合物被覆金属微粒子」について、分散性に優れた「ケイ素化合物被覆金属微粒子」の発明を、当業者が実施できる程度に明確かつ十分に記載したものではない。
（２）金属元素について
　本件特許明細書は、「金属元素または半金属元素」が鉄である、分散性に優れた「ケイ素化合物被覆金属微粒子」の発明を、当業者が実施できる程度に明確かつ十分に記載したものではない。
（３）ＡＴＲ法について
　本件特許明細書は、ＡＴＲ法を用いて測定した「ケイ素化合物被覆金属微粒子」の赤外吸収スペクトルに基づいて定量的に測定されている発明を、当業者が実施できる程度に明確かつ十分に記載したものではない。
（４）被覆率について
　本件特許明細書は、ケイ素化合物による被覆が、金属微粒子の表面のごく一部であり、かつ、Ｓｉ−ＯＨ結合の比率が小さい場合にも、本件発明を、当業者が実施できる程度に明確かつ十分に記載したものではない。
第５　取消理由及び審尋の概要
１　平成３０年１０月２９日付け取消理由通知書の取消理由の概要
（１）特許法第３６条第６項第１号（サポート要件）について 
（１−１）「ケイ素化合物被覆金属微粒子」の一次粒子または凝集体の径について
（ア）本件訂正前の請求項１、２に係る発明は、「ケイ素化合物被覆金属微粒子」における金属微粒子の一次粒子径または金属微粒子が凝集した凝集体の径を、金属微粒子としての特性を最大限利用することが困難となる径である１μｍ以下としても、金属微粒子に期待される特性を最大限向上させ、またはそのような特性を補って、特性が制御された「ケイ素化合物被覆金属微粒子」を提供する、という課題を解決するものというべきである。
（イ）ところが、本件訂正前の請求項１及び２には、「ケイ素化合物被覆金属微粒子」における金属微粒子の一次粒子径または金属微粒子が凝集した凝集体の径が特定されていないので、本件訂正前の請求項１及び２に係る発明は、上記（ア）に記載される課題とは無関係な、金属微粒子の一次粒子径または金属微粒子が凝集した凝集体の径が１μｍを超える金属微粒子を含むものである。 
　一方、発明の詳細な説明は、【００４８】、【００４９】、実施例において、その提供により課題を解決できたことを記載していないから、本件訂正前の請求項１及び２に係る発明は、発明の詳細な説明に記載されたものでない。 
（ウ）このことは、本件訂正前の請求項３、４、８〜１４に係る発明についても同様である。
（１−２）「ケイ素化合物被覆金属微粒子」の被覆について
（ア）本件訂正前の請求項１に係る発明は、ケイ素化合物で被覆される金属微粒子の表面の割合が少ない「ケイ素化合物被覆金属微粒子」も含むものであるが、その場合、本件発明１は、上記（１）（ア）に記載される課題を解決できないものも含むから、本件発明１が、発明の詳細な説明に記載されているとはいえない。 
（イ）このことは、本件訂正前の請求項２〜１４に係る発明についても同様である。
（２）特許法第３６条第６項第２号（明確性要件）について 
（２−１）「Ｓｉ−ＯＨ結合の比率」及び「Ｓｉ−ＯＨ結合／Ｓｉ−Ｏ結合の比率」について
ア　本件訂正前の請求項１、２に係る発明について 
（ア）本件訂正前の請求項１においては、「ケイ素化合物被覆金属微粒子」に含まれる「Ｓｉ−ＯＨ結合の比率」の求め方が特定されておらず、本件訂正前の請求項２においては、「Ｓｉ−ＯＨ結合／Ｓｉ−Ｏ結合の比率」の求め方が特定されておらず、このことからみれば、本件訂正前の請求項１、２に係る発明においては、「ケイ素化合物被覆金属微粒子」に含まれる「Ｓｉ−ＯＨ結合の比率」及び「Ｓｉ−ＯＨ結合／Ｓｉ−Ｏ結合の比率」を、ＩＲ測定により測定してもよく、ＩＲ測定以外の方法により測定してもよいものである。
（イ）ところが、技術常識からみれば、同じ「ケイ素化合物被覆金属微粒子」について、ＩＲ測定により求めた「Ｓｉ−ＯＨ結合の比率」及び「Ｓｉ−ＯＨ結合／Ｓｉ−Ｏ結合の比率」と、ＩＲ測定以外の方法により求めた「Ｓｉ−ＯＨ結合の比率」及び「Ｓｉ−ＯＨ結合／Ｓｉ−Ｏ結合の比率」とが合致すると直ちにいえるものではない。 
（ウ）このため、「ケイ素化合物被覆金属微粒子」に含まれる「Ｓｉ−ＯＨ結合の比率」及び「Ｓｉ−ＯＨ結合／Ｓｉ−Ｏ結合の比率」を、ＩＲ測定により測定してもよく、ＩＲ測定以外の方法により測定してもよい本件訂正前の請求項１、２に係る発明において、上記「Ｓｉ−ＯＨ結合の比率」及び「Ｓｉ−ＯＨ結合／Ｓｉ−Ｏ結合の比率」が明確に特定されているとはいえない。 
  
（エ）更に、本件訂正前の請求項１においては、「ケイ素化合物被覆金属微粒子」に含まれる「Ｓｉ−ＯＨ結合の比率」の求め方が特定されておらず、本件訂正前の請求項２においては、「Ｓｉ−ＯＨ結合／Ｓｉ−Ｏ結合の比率」の求め方が特定されていないことから、本件訂正前の請求項１、２に係る発明における「Ｓｉ−ＯＨ結合の比率」及び「Ｓｉ−Ｏ結合の比率」が、それぞれ何に対する比率をいうのかも不明確である。 
　したがって、本件訂正前の請求項１〜２に係る発明は明確でない。 
（オ）このことは、本件訂正前の請求項３〜７、１１〜１４に係る発明ついても同様である。
  
イ　本件訂正前の請求項８〜１０に係る発明について 
（ア）本件訂正前の請求項８〜１０に係る発明は、「ケイ素化合物被覆金属微粒子」に含まれる「Ｓｉ−ＯＨ結合の比率」及び「Ｓｉ−ＯＨ結合／Ｓｉ−Ｏ結合の比率」をＡＴＲ法により求めるものである。 
  
（イ）ここで、甲第５号証によれば、ＪＩＳ規格は、ＡＴＲ法における赤外線の入射角及びＡＴＲ結晶の種類を一律に定めるものではないから、ＡＴＲ法による定量的なＦＴ−ＩＲ測定に際しては、必要に応じて複数種類の赤外線の入射角及びＡＴＲ結晶を用い得るものであるが、甲第６号証によれば、ＡＴＲ法においては、赤外線の入射角やＡＴＲ結晶の種類が変わると得られるスペクトルが変わるから、ＡＴＲ法による定量的なＦＴ−ＩＲ測定のためには、赤外線の入射角及びＡＴＲ結晶の種類の特定が必要なものである。 
  
（ウ）ところが、本件訂正前の請求項８〜１０においては、ＡＴＲ法による測定のための赤外線の入射角及びＡＴＲ結晶の種類が特定されておらず、このことと、上記（イ）によれば、本件訂正前の請求項８〜１０に係る発明においては、用いられる赤外線の入射角及びＡＴＲ結晶の種類に応じて、複数の異なる「Ｓｉ−ＯＨ結合の比率」及び「Ｓｉ−ＯＨ結合／Ｓｉ−Ｏ結合の比率」が求められるから、本件訂正前の請求項８〜１０に係る発明において、「ケイ素化合物被覆金属微粒子」の「Ｓｉ−ＯＨ結合の比率」及び「Ｓｉ−ＯＨ結合／Ｓｉ−Ｏ結合の比率」が明確に特定されているとはいえない。
　したがって、本件訂正前の請求項８〜１０に係る発明は明確でない。 
（エ）このことは、本件訂正前の請求項８〜１０を引用する本件訂正前の請求項１１〜１４に係る発明についても同様である。 
  
（２−２）「半金属元素」について 
（ア）本件訂正前の請求項１の「上記金属元素又は半金属元素が、銀、銅、ニッケル及び鉄からなる群から選択され、」との記載は、「銀、銅、ニッケル及び鉄」が「半金属元素」でないことは明らかであるので、記載の意味が不明確であるから、本件訂正前の請求項１に係る発明は明確でない。 
（イ）このことは、同様の記載がある本件訂正前の請求項２に係る発明についても同様であり、請求項１または２を直接的または間接的に引用する本件訂正前の請求項３〜１４に係る発明についても同様である。 
  
（２−３）「熱処理」について 
（ア）本件訂正前の請求項１１に係る発明は、「熱処理」の前後において、「ケイ素化合物被覆金属微粒子」の内部と外周におけるケイ素の分布状態がどのように特定されるのかが不明確であるから、上記「熱処理」を施すことによって生成した「ケイ素化合物被覆金属微粒子」の構造を明確に特定することができないので、本件訂正前の請求項１１に係る発明は明確でない。 
（イ）このことは、本件訂正前の請求項１１を引用する本件訂正前の請求項１２〜１４に係る発明についても同様である。 
  
（２−４）「Ｓｉ−Ｏ結合」について 
（ア）本件訂正前の請求項１０は、Ｓｉ−Ｏ結合を、「全反射法（ＡＴＲ法）を用いて測定した上記ケイ素化合物被覆金属微粒子の赤外吸収スペクトルにおける波数７５０ｃｍ−１から１３００ｃｍ−１の領域におけるピークを波形分離することによって得られた、波数１０００ｃｍ−１以上１３００ｃｍ−１以下の領域に波形分離されたＳｉ−Ｏ結合に由来するピークの内、最も面積比率の大きなピークに帰属されたもの」と特定するものである。 
  
（イ）一方、甲第４号証の【図７（ａ）】には、Ｓｉ−Ｏ結合は、８１０ｃｍ−１及び１０６０ｃｍ−１にピークを有することが記載されており、このことからみれば、Ｓｉ−Ｏ結合は、波数７５０ｃｍ−１から１３００ｃｍ−１の領域において複数のピークを有するものであるが、本件訂正前の請求項１０に係る発明は、Ｓｉ−Ｏ結合を、Ｓｉ−Ｏ結合に帰属するピークが複数あるにも関わらず、複数あるピークのうちの１つである、「最も面積比率の大きなピーク」のピークの面積によって定量化しようとするものであるから、技術常識に反し、更に、本件訂正前の請求項１０において引用される請求項２〜９には、Ｓｉ−Ｏ結合を技術常識に基づかない独自の方法により定量化することが記載されていないから、本件訂正前の請求項１０における上記Ｓｉ−Ｏ結合の特定は、本件訂正前の請求項２〜９におけるＳｉ−Ｏ結合の特定に係る解釈とも矛盾するものである。 
　このため、本件訂正前の請求項１０に係る発明は明確でない。 
　そして、このことは、本件訂正前の請求項１０を引用する本件訂正前の請求項１１〜１４に係る発明についても同様である。  
（３）特許法第３６条第４項第１号（実施可能要件）について 
（３−１）ＡＴＲ法について 
（ア）本件訂正前の請求項１、２に係る発明においては、「ケイ素化合物被覆金属微粒子」に含まれる「Ｓｉ−ＯＨ結合の比率」及び「Ｓｉ−ＯＨ結合／Ｓｉ−Ｏ結合の比率」を、ＩＲ測定により測定してもよく、ＩＲ測定以外の方法により測定してもよいものであるが、発明の詳細な説明には、「ケイ素化合物被覆金属微粒子」に含まれる「Ｓｉ−ＯＨ結合の比率」及び「Ｓｉ−ＯＨ結合／Ｓｉ−Ｏ結合の比率」をＩＲ測定以外の方法により測定する場合の具体的な工程が記載されていないから、当業者は、「Ｓｉ−ＯＨ結合の比率」又は「Ｓｉ−ＯＨ結合／Ｓｉ−Ｏ結合の比率」をＩＲ測定以外の方法により測定する場合、具体的な測定方法を理解することができない。 
  
（イ）また、本件訂正前の請求項８〜１０に係る発明においては、「ケイ素化合物被覆金属微粒子」に含まれる「Ｓｉ−ＯＨ結合の比率」及び「Ｓｉ−ＯＨ結合／Ｓｉ−Ｏ結合の比率」を、ＩＲ測定の一つであるＡＴＲ法により求めるものであるが、ＪＩＳ規格は、ＡＴＲ法における赤外線の入射角及びＡＴＲ結晶の種類を一律に定めるものではなく、ＡＴＲ法による定量的なＦＴ−ＩＲ測定に際しては、必要に応じて複数種類の赤外線の入射角及びＡＴＲ結晶を用い得るものであるが、ＡＴＲ法においては、赤外線の入射角やＡＴＲ結晶の種類が変わると得られるスペクトルが変わるから、ＡＴＲ法による定量的なＦＴ−ＩＲ測定のためには、赤外線の入射角及びＡＴＲ結晶の種類の特定が必要なものである。  
（ウ）ところが、本件特許明細書には、ＡＴＲ法における光の入射角やＡＴＲ結晶（クリスタル）の種類について記載がないから、当業者は、「Ｓｉ−ＯＨ結合の比率」又は「Ｓｉ−ＯＨ結合／Ｓｉ−Ｏ結合の比率」をＡＴＲ法を用いて測定する場合、具体的な測定方法を理解することができない。 
  
（エ）すると、本件特許明細書の記載に接した当業者は、本件訂正前の請求項１、２、８〜１０に係る発明において、「ケイ素化合物被覆金属微粒子」に含まれる「Ｓｉ−ＯＨ結合の比率」及び「Ｓｉ−ＯＨ結合／Ｓｉ−Ｏ結合の比率」を測定する場合、具体的な測定方法を理解することができないので、発明の詳細な説明は、本件訂正前の請求項１、２、８〜１０に係る発明を当業者が実施できる程度に明確かつ十分に記載されたものでない。
（オ）このことは、本件訂正前の請求項１、２を引用する本件訂正前の請求項３〜７、１１〜１４に係る発明、及び、本件訂正前の請求項８〜１０を引用する本件訂正前の請求項１１〜１４に係る発明についても同様である。 
  
（４）むすび 
　以上のとおりであるので、本件訂正前の請求項１〜１４に係る発明に係る特許は、特許法第３６条第６項第１号、第６項第２号及び第４項第１号に規定する要件を満たしていない出願に対してされたものである。
２　平成３１年　３月２６日付け取消理由通知書の取消理由及び審尋の概要
（１）特許法第３６条第６項第２号（明確性要件）について
（ア）前回訂正請求により訂正された請求項１１に係る発明は、「ケイ素化合物被覆金属微粒子」が、少なくとも「熱処理」を施される前においては「金属微粒子」の内部にケイ素を含むものであり、「熱処理」を施されたことによって、「熱処理」を施される前に比べて、上記ケイ素が上記「金属微粒子」の内部から外周方向に「移行」したものであることを特定している。
（イ）ところが、上記（ア）の発明特定事項は、「熱処理」という製造工程及びその際の経時的変化を特定しているに過ぎず、製造後の「ケイ素化合物被覆金属微粒子」である発明において認定可能な発明特定事項とはいえないので、物の発明である前回訂正請求により訂正された請求項１１に係る発明は明確でない。
　このことは、前回訂正請求により訂正された請求項１１を引用する請求項１２〜１４に係る発明についても同様であるので、前回訂正請求により訂正された１１〜１４に係る特許は、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない出願に対してされたものであるから、取り消されるべきものである。 
  
（２）審尋
（ア）特許権者は、特許権者意見書１において、前回訂正請求により訂正された請求項に係る発明においては、ＡＴＲ法の測定装置として「ＦＴ／ＩＲ−６６００」とその付属品である「ＡＴＲ　ＰＲＯ　ＯＮＥ」を用いたこと、「ＦＴ／ＩＲ−６６００」の付属品の中では、ケイ素酸化物のヌープ硬度よりもヌープ硬度が高いＡＴＲ結晶として、入射角が４５°のダイヤモンド結晶を当然用いるものである旨を主張している（７頁下から５行〜１０頁２３行）。
（イ）ところが、「ＦＴ／ＩＲ−６６００」の付属品の中で、ＡＴＲ結晶として入射角が４５°のダイヤモンドが当然に選択されるとしても、特許権者意見書１の８頁の表によれば、入射角が４５°のダイヤモンド結晶である「ＦＴ／ＩＲ−６６００」のＡＴＲ付属品は、特許権者が使用したと主張する「ＡＴＲ　ＰＲＯ　ＯＮＥ」の他に、高耐圧型１回反射ＡＴＲの「ＡＴＲ　ＰＲＯ４７０−Ｈ」も選択肢となり、ＡＴＲ結晶の試料接触圧が不明な本件特許明細書に接した当業者であれば、むしろ、耐圧範囲の広い「ＡＴＲ　ＰＲＯ４７０−Ｈ」が採用され得るものである。 
　そして、その場合、本件特許明細書の記載からはＡＴＲ結晶の試料接触圧が不明なのであるから、「Ｓｉ−ＯＨ結合の比率」の値が一意に定まらないとも考えられる。 
（ウ）そこで、ＡＴＲ法による測定において、ＡＴＲ結晶の試料接触圧が不明であっても「Ｓｉ−ＯＨ結合の比率」の値が一意に定まることを示す技術常識等を開示されたい。
３　令和　１年　８月　５日付け審尋の概要
（ア）特許権者は、特許権者意見書２において、乙第９号証として、社団法人日本化学会編，「第４版実験化学講座６分光Ｉ」，丸善株式会社，平成　３年　７月　５日，目次ｘ〜ｘｉ，ｐ．２１５〜２３０を添付して、本件発明におけるＡＴＲ法による測定に関して、ＡＴＲ法における測定感度を保つためには、試料とＡＴＲ結晶は、ＡＴＲ結晶と試料面に空気層がないように、数μｍ以下の間隔で密着している必要がある旨、本件発明に係る「ケイ素化合物被覆金属微粒子」は、一次粒子径及び粒子径が１．９μｍ以下である細かな微細粒子であるから、試料を数μｍ以下の間隔でＡＴＲ結晶に密着させることが可能であり、測定にあたって空気層が問題になることはない旨、このため、本件発明に係る「ケイ素化合物被覆金属微粒子」のＡＴＲ法測定では、試料をＡＴＲ結晶に密着させるために高圧を必要としないから、あえて耐高圧型１回反射ＡＴＲの「ＡＴＲ　ＰＲＯ４７０−Ｈ」を用いる必要はなく、「ケイ素化合物被覆金属微粒子」を「ＡＴＲ　ＰＲＯ　ＯＮＥ」のＡＴＲ結晶に押し当てさえすれば、試料とＡＴＲ結晶の接触圧が不明であっても測定が可能であり、「Ｓｉ−ＯＨ結合の比率」の値は一意に定まる旨、本件発明に係る「ケイ素化合物被覆金属微粒子」とＡＴＲ結晶の間に数μｍ以上の空気層は存在しないから、仮に、耐高圧型１回反射ＡＴＲの「ＡＴＲ　ＰＲＯ４７０−Ｈ」を用いて測定したとしても、「ＡＴＲ　ＰＲＯ　ＯＮＥ」を用いて測定した場合と同一のＡＴＲ法測定結果が得られる旨を主張している。 
  
（イ）これに対して、異議申立人は、申立人意見書２において、甲第１１証として、FRANK FRIEDRICH et al.,「Contact Pressure Effects on Vibrational Bands of Kaokinite During Infrared Spectroscopic Measurements in a Diamond Attenuated Total Reflection Cell」,APPLIED SPECTROSCOPY,Vol.64,No.5,2010,p.500-506を添付して、甲第１１号証のＦｉｇ．６（５０４頁）によれば、平均粒径約１．５μｍのカオリナイトをＡＴＲ法により分析する場合、ＡＴＲ結晶への試料の接触圧が異なれば、Ｓｉ−Ｏ結合について観測されるスペクトルのピーク位置はシフトし、観察されるピーク強度も異なることが確認され、また、乙第９号証の図３・４８（２２４頁）においても、接触圧力の違いによるスペクトルの違いが示されており、ＡＴＲ結晶の試料の接触圧が異なれば、同一のスペクトルは得られず、測定対象の試料の材料種別によっては、接触圧力の違いに起因し、ＡＴＲ法により得られるスペクトルは変わり得るから、被測定物の材料種別とその密着性まで考慮しなければ、測定対象の粒径がμｍ単位で小さいという理由だけでは、試料接触圧が不明であっても「同一のＡＴＲ法測定結果が得られる」とまではいえないし、「ＡＴＲ　ＰＲＯ４７０−Ｈ」を用いた場合と、「ＡＴＲ　ＰＲＯ　ＯＮＥ」を用いた場合とで同一のＡＴＲ法測定結果が得られると結論付けることはできず、その真偽は不明である旨、本件特許明細書において試料接触圧が不明である以上、「Ｓｉ−ＯＨ結合の比率」の値が一意に定まるとはいえない旨を主張している。
（ウ）ここで、甲第１１号証、乙第９号証の記載について検討すると、甲第１１号証（５００頁左欄１行〜２２行）によれば、カオリナイトのＡＴＲスペクトルは、サファイア・アンビルに印加した接触圧力によって影響を受けるものであるが、これは、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合角Θの変化によるものであると示唆され、アンビルに加えられる一軸圧力に垂直なせん断力に起因し、四面体シート内でのＳｉＯ４単位の歪み及び回転によって引き起こされるものであるから、甲第１１号証の記載は、カオリナイトにおいて、ＡＴＲ結晶への試料の接触圧を試料の結晶格子が歪む程度にまで高くすると、測定されるＡＴＲスペクトルが変化することをいうものと認められる。 
　また、乙第９号証（２２３頁１行〜１４行）によれば、ＡＴＲの測定のとき結晶と試料面に空気層があると測定感度が著しく低下するから、ＡＴＲ用結晶と試料とはμｍオーダー以下で十分に密着している必要があるのであって、図３・４８は、ＡＴＲ結晶と試料面に空気層があると、ＡＴＲスペクトルの測定感度が著しく低下することを開示するものに過ぎないと認められる。 
　そして、本件発明に係る「ケイ素化合物被覆金属微粒子」のＡＴＲ法測定は、ＡＴＲ結晶への試料の接触圧を試料の結晶格子が歪む程度の圧力まで高くするものではなく、ＡＴＲ結晶と試料面に空気層がない程度に、ＡＴＲ結晶と試料を試料数μｍ以下の間隔で密着することで、測定される「Ｓｉ−ＯＨ結合の比率」の値は一意に定まり、このときの接触圧力は、技術常識を踏まえて当業者がその都度決定し得るものと一応推認される。 
  
（エ）あるいは、本件発明においては、「ケイ素化合物被覆金属微粒子に含まれるＳｉ−ＯＨ結合の比率」又は「ケイ素化合物被覆金属微粒子に含まれるＳｉ−Ｏ結合の比率に対するＳｉ−ＯＨ結合の比率であるＳｉ−ＯＨ結合／Ｓｉ−Ｏ結合の比率」が特定されているのであって、ＡＴＲ結晶への試料の接触圧が異なり、観測されるスペクトルのピーク位置やピーク強度が変化したとしても、上記「比率」は変化しないとも一応推認される。 
  
（オ）そこで、上記（ウ）、（エ）の判断に対して意見があれば主張されたい。上記（エ）の判断に同意する場合には、ＡＴＲ結晶への試料の接触圧が異なれば、観測されるスペクトルのピーク位置やピーク強度が異なるものであるとしても、本件発明に係る「ケイ素化合物被覆金属微粒子」のＡＴＲ法測定において観測されるスペクトルが一意に定まることを示す理由、技術常識等を開示されたい。 
  
（カ）また、本件特許明細書の【００７１】には、本件発明の実施例において、ＡＴＲ法による測定をＦＴ／ＩＲ−６６００（日本分光株式会社製）を用いて行った旨が記載されているが、この場合、どの程度の接触圧力でＡＴＲ結晶へ試料を密着したのかも開示されたい。 
　あるいは、上記ＦＴ／ＩＲ−６６００（日本分光株式会社製）においては接触圧力が測定できないのであれば、ＡＴＲ結晶への試料の密着が、どのような手段を用いていかにして行われたのかを開示されたい。 
第６　取消理由及び審尋についての判断
１　平成３０年１０月２９日付け取消理由通知書の取消理由について
（１）特許法第３６条第６項第１号（サポート要件）について 
（１−１）「ケイ素化合物被覆金属微粒子」の一次粒子または凝集体の径について
（ア）本件特許明細書の【０００２】〜【０００８】によれば、本件発明は、「金属微粒子」の一次粒子径またはその「凝集体」の径を、「金属微粒子」としての特性を最大限利用することが困難となり始める径である１μｍ以下とした場合、厳密に特性を制御された「ケイ素化合物被覆金属微粒子」が得られていなかった、という課題（以下、「本件課題」という。）を解決するものである。
（イ）ここで、上記第３の「発明特定事項１−３」、「発明特定事項２−３」によれば、本件発明１、２は、「金属微粒子の一次粒子径が１μｍ以下であ」るか、または「複数個の金属微粒子が凝集した凝集体」「の径が１μｍ以下であ」ると特定するものであるから、本件課題とは無関係な、「金属微粒子」の一次粒子径または「金属微粒子」の「凝集体」の径が１μｍを超えるものを含むものではない。
（ウ）してみれば、本件発明１、２は本件課題を解決できるものといえるから、発明の詳細な説明に記載された発明というべきである。
　また、このことは、本件発明１、２を直接的又は間接的に引用する本件発明３、４、６、１２〜１４についても同様であるので、上記第５の１（１）（１−１）の取消理由は理由がない。
（１−２）「ケイ素化合物被覆金属微粒子」の被覆について
（ア）上記第３の「発明特定事項１−３」、「発明特定事項２−３」によれば、本件発明１、２は、「ケイ素化合物被覆金属微粒子の一次粒子径が、上記金属微粒子の一次粒子径の１００．５％以上、１９０％以下であるか、又は」、「ケイ素化合物被覆金属微粒子の粒子径が」、「複数個の金属微粒子が凝集した凝集体」の「径の１００．５％以上、１９０％以下である」、と特定するものである。
（イ）そして、上記（ア）の特定は、「金属微粒子」または「複数個の金属微粒子が凝集した凝集体」の表面が、「ケイ素化合物」で所定の範囲の厚さだけ被覆されることをいうものといえ、「ケイ素化合物」の被覆が所定の範囲の厚さとなるのであれば、「金属微粒子」または「金属微粒子が凝集した凝集体」の表面のうち相応の面積が「ケイ素化合物」で被覆される蓋然性が高いから、本件発明１、２は、「ケイ素化合物」で被覆される「金属微粒子」または「複数の金属微粒子が凝集した凝集体」の表面面積の割合が少ない「ケイ素化合物被覆金属微粒子」を含むものではない。
（ウ）したがって、本件発明１、２は、本件課題を解決できるものといえるから、発明の詳細な説明に記載された発明というべきである。
　また、このことは、本件発明１、２を直接的又は間接的に引用する本件発明３、４、６、１２〜１４についても同様であるので、上記第５の１（１）（１−２）の取消理由は理由がない。
（１−３）小括
　以上のとおりであるので、上記第５の１（１）の特許法第３６条第６項第１号（サポート要件）についての取消理由は理由がない。
（２）特許法第３６条第６項第２号（明確性要件）について 
（２−１）「Ｓｉ−ＯＨ結合の比率」及び「Ｓｉ−ＯＨ結合／Ｓｉ−Ｏ結合の比率」について
（ア）本件発明１においては、「ケイ素化合物被覆金属微粒子」に含まれる「Ｓｉ−ＯＨ結合の比率」の求め方について、「発明特定事項１−２」として特定され、本件発明２においては、「ケイ素化合物被覆金属微粒子」に含まれる「Ｓｉ−ＯＨ結合／Ｓｉ−Ｏ結合の比率」の求め方について、「発明特定事項２−２」として特定されるものである。
　そして、上記「発明特定事項１−２」、「発明特定事項２−２」によれば、「Ｓｉ−ＯＨ結合の比率」は、全反射法（ＡＴＲ法）を用いて測定した「波数７５０ｃｍ−１から１３００ｃｍ−１の領域におけるピークを波形分離することによって得られたピークの総面積」に対する「Ｓｉ−ＯＨ結合に帰属されたピークの面積」の比率をいうものであり、「Ｓｉ−ＯＨ結合／Ｓｉ−Ｏ結合の比率」は、全反射法（ＡＴＲ法）を用いて測定した「Ｓｉ−Ｏ結合に帰属されたピークの面積」に対する「Ｓｉ−ＯＨ結合に帰属されたピークの面積」の比率をいうものであることが明らかである。
 
（イ）更に、本件特許明細書の【００７１】には、本件発明における ＦＴ−ＩＲ測定に、フーリエ変換赤外分光光度計「ＦＴ／ＩＲ−６６００（日本分光株式会社製）」を用いたことが記載されており、特許権者意見書１に乙第１号証として添付された「ＦＴ／ＩＲ−６６００（日本分光株式会社製）」のカタログ及び特許権者意見書１の８頁の表によれば、ケイ素酸化物のヌープ硬度（７５０〜９００程度）よりも高いヌープ硬度を有するＡＴＲ結晶は、入射角４５°のダイヤモンドだけであるから、本件発明のＡＴＲ法によるＦＴ−ＩＲ測定において、ＡＴＲ結晶として、入射角４５°のダイヤモンドが用いられることは明らかである。
（ウ）してみれば、本件特許明細書の記載に接した当業者は、本件発明におけるＡＴＲ法によるＦＴ−ＩＲ測定において、ＡＴＲ結晶として、入射角４５°のダイヤモンドが用いられることを理解できるから、本件発明におけるＡＴＲ法は明確である。
（エ）上記（ア）〜（ウ）によれば、本件発明１、２において、「Ｓｉ−ＯＨ結合の比率」及び「Ｓｉ−ＯＨ結合／Ｓｉ−Ｏ結合の比率」の求め方は明確に特定されているといえるから、本件発明１、２は明確であるというべきである。
　そして、このことは、本件発明１、２を直接的又は間接的に引用する本件発明３、４、６、１２〜１４についても同様であるので、上記第５の１（２）（２−１）ア、イの取消理由はいずれも理由がない。
（２−２）「半金属元素」について 
　本件訂正により、本件発明１、２における「半金属元素」は削除され、本件発明１、２においては、「金属元素」に関して「上記金属元素が、銀、銅、ニッケル及び鉄からなる群から選択され、」と特定されており、記載の意味は明確であるから、本件発明１、２は明確であるというべきである。 
　このことは、本件発明１、２を直接的又は間接的に引用する本件発明３、４、６、１２〜１４についても同様であるので、上記第５の１（２）（２−２）の取消理由は理由がない。
  
（２−３）「熱処理」について 
　本件訂正により請求項１１は削除されたので、上記第５の１（２）（２−３）の取消理由は理由がない。
  
（２−４）「Ｓｉ−Ｏ結合」について 
（ア）本件発明２は、「Ｓｉ−Ｏ結合」を、「全反射法（ＡＴＲ法）を用いて測定した上記ケイ素化合物被覆金属微粒子の赤外吸収スペクトルにおける波数７５０ｃｍ−１から１３００ｃｍ−１の領域におけるピークを波形分離することによって得られた、波数１０００ｃｍ−１以上１３００ｃｍ−１以下の領域に波形分離されたＳｉ−Ｏ結合に由来するピークの内、最も面積比率の大きなピークに帰属されたもの」と特定するものである。
　そして、上記特定は、本件発明２における「Ｓｉ−Ｏ結合」の定量化をいうものであって、技術常識としての「Ｓｉ−Ｏ結合」の定量化をいうものではないから、Ｓｉ−Ｏ結合が、波数７５０ｃｍ−１から１３００ｃｍ−１の領域において複数のピークを有するものであるとしても、本件発明２における「Ｓｉ−Ｏ結合」の発明特定事項は明確である。
（イ）更に、本件発明２において引用される、「Ｓｉ−Ｏ結合」を技術常識に基づいて定量化することが特定される請求項が存在するものでもないから、本件発明２は明確であるというべきである。
　このことは、本件発明２を直接的又は間接的に引用する本件発明３、４、６、１２〜１４についても同様であるので、上記第５の１（２）（２−４）の取消理由は理由がない。
（２−５）小括
　以上のとおりであるので、上記第５の２（２）の特許法第３６条第６項第２号（明確性要件）についての取消理由はいずれも理由がない。
（３）特許法第３６条第４項第１号（実施可能要件）について 
（３−１）ＡＴＲ法について
（ア）本件発明における「Ｓｉ−ＯＨ結合の比率」は、全反射法（ＡＴＲ法）を用いて測定した「波数７５０ｃｍ−１から１３００ｃｍ−１の領域におけるピークを波形分離することによって得られたピークの総面積」に対する「Ｓｉ−ＯＨ結合に帰属されたピークの面積」の比率をいうものであり、「Ｓｉ−ＯＨ結合／Ｓｉ−Ｏ結合の比率」は、全反射法（ＡＴＲ法）を用いて測定した「Ｓｉ−Ｏ結合に帰属されたピークの面積」に対する「Ｓｉ−ＯＨ結合に帰属されたピークの面積」の比率をいうものであることが明らかであることは、上記（２）（２−１）（ア）に記載のとおりであって、本件発明は、「ケイ素化合物被覆金属微粒子」に含まれる「Ｓｉ−ＯＨ結合の比率」及び「Ｓｉ−ＯＨ結合／Ｓｉ−Ｏ結合の比率」を、ＡＴＲ法以外の方法により測定するものではない。 
  
（イ）また、本件特許明細書の記載に接した当業者は、本件発明におけるＡＴＲ法によるＦＴ−ＩＲ測定において、ＡＴＲ結晶として、入射角４５°のダイヤモンドが用いられることを理解できることは、上記（２）（２−１）（ウ）に記載のとおりであるから、本件特許明細書の記載に接した当業者は、「Ｓｉ−ＯＨ結合の比率」又は「Ｓｉ−ＯＨ結合／Ｓｉ−Ｏ結合の比率」をＡＴＲ法を用いて測定する場合の具体的な測定方法を理解でき、「Ｓｉ−ＯＨ結合の比率」又は「Ｓｉ−ＯＨ結合／Ｓｉ−Ｏ結合の比率」を定量的に測定できるものである。
（ウ）したがって、本件特許明細書の発明の詳細な説明は、本件発明１、２に係る発明を当業者が実施できる程度に明確かつ十分に記載されたものというべきである。 
　このことは、本件発明１、２を直接的又は間接的に引用する本件発明３、４、６、１２〜１４についても同様であるので、上記第５の１（３）（３−１）の特許法第３６条第４項第１号（実施可能要件）についての取消理由は理由がない。
（４）申立人意見書１について
（４−１）申立人意見書１の主張の概要
ア　各甲号証 
　甲第９号証：Yongchao Li et al.,「One-step synthesis and characterization of core-shell Fe@SiO2 nanocomposite for Cr(VI) reduction」,Science of the Total Environment,421-422,２０１２年,p.260-266
　甲第１０号証：T.Lopez et al.,「Preparation of sol-gel sulfated ZrO2-SiO2 and characterization  of its surface acidity」,Applied Catalysis A,General 125,１９９５年,p.217-232
イ　特許法第３６条第６項第１号（サポート要件）について
（ア）甲第９号証のＦｉｇ．３ｂ、３ｄに例示されるように、一次粒子径が１μｍの金属微粒子に対しては、ケイ素化合物は必ずしも均一に付着するとは限らず、局所的にケイ素化合物が付着する場合（参考図１）もあれば、一部で薄く付着し、他の一部で過剰に付着する場合（参考図２）もある。
（イ）そうすると、前回訂正請求により訂正された請求項１に係る発明の「（Ａ）」または「（Ｂ）」により特定される粒径比を備えるだけでは、ケイ素化合物で被覆される金属微粒子の割合が少ない「ケイ素化合物被覆金属微粒子」が排除されたと理解することはできない。
（ウ）また、本件特許明細書には、上記「（Ａ）」または「（Ｂ）」により特定される、「ケイ素化合物被覆金属微粒子」の一次粒子径と「金属微粒子」の一次粒子径の比や、「ケイ素化合物被覆金属微粒子」の粒子径と「金属微粒子」の凝集体の粒子径の比が具体的にどうであったかが記載されていない。
（エ）以上のとおりであるから、前回訂正請求により訂正された請求項１に係る発明は、ケイ素化合物で被覆される「金属微粒子」の割合が少ない「ケイ素化合物被覆金属微粒子」を依然として含む。そして、実施例の「ケイ素化合物被覆金属微粒子」が、上記「（Ａ）」または「（Ｂ）」により特定される、「ケイ素化合物被覆金属微粒子」の一次粒子径と「金属微粒子」の一次粒子径の比や、「ケイ素化合物被覆金属微粒子」の粒子径と「金属微粒子」の凝集体の粒子径の比を満足しているか否かを理解できないから、前回訂正請求により訂正された請求項１に係る発明によって、本件課題を解決できるとは認められない。
　なお、実施例の表５、表１０の分散状態を参酌しても、「分散性」が制御できていることを理解できない。
（オ）また、「粒径」に関する付言として、「金属微粒子」の付着の挙動が粒径によって影響されることは技術常識であり、粒径が小さい方が局所的な付着が発生しやすくなるから、実施例によって説明されている数十ｎｍといった範囲に比べ、１μｍといった大きな粒径を有する「ケイ素化合物被覆金属微粒子」が、本件課題を解決できることを、当業者は理解できない。
（カ）更に、「ケイ素化合物」に関する付言として、前回訂正請求により訂正された請求項１に係る発明は、「ケイ素化合物」として、例えば甲第１０号証に記載されるＺｒ−Ｓｉ混合酸化物のようなあらゆる「ケイ素化合物」を含むが、実施例には「ケイ素酸化物」以外のケイ素化合物は開示されていないから、あらゆる「ケイ素化合物」の場合まで本件課題を解決できることを、当業者は理解できない。
（キ）これらのことは、前回訂正請求により訂正された請求項２〜４、６、１１〜１４に係る発明についても同様である。
ウ　特許法第３６条第６項第２号（明確性要件）について
（ア）ＡＴＲ法によるＦＴ−ＩＲ測定において、プリズムとして入射角が４５℃のダイヤモンドが必然的に選択されるとしても、ＦＴ／ＩＲ−６６００のＡＴＲ付属品は、特許権者が使用したと主張する「ＡＴＲ　ＰＲＯ　ＯＮＥ」の他に、高耐圧型１回反射ＡＴＲの「ＡＴＲ　ＰＲＯ４７０−Ｈ」も選択肢となり、その場合、試料接触圧が不明であるから、「Ｓｉ−ＯＨ結合の比率」の値が一意に定まらない。
（イ）そうすると、当業者は「Ｓｉ−ＯＨ結合の比率」及び「Ｓｉ−ＯＨ結合／Ｓｉ−Ｏ結合の比率」が前回訂正請求により訂正された請求項１に係る発明の範囲の内外であるかを確定できないから、前回訂正請求により訂正された請求項１に係る発明は明確でない。
（ウ）このことは、前回訂正請求により訂正された請求項２〜４、６、１１〜１４に係る発明についても同様である。
エ　特許法第３６条第４項第１号（実施可能要件）について
　当業者は、「Ｓｉ−ＯＨ結合の比率」及び「Ｓｉ−ＯＨ結合／Ｓｉ−Ｏ結合の比率」の値を一意に求めるためのＡＴＲ法による具体的な測定手法を理解できないから、発明の詳細な説明は、前回訂正請求により訂正された請求項に係る発明を当業者が実施できる程度に明確かつ十分に記載されたものでない。
オ　付言
（ア）甲第１号証の実施例１及び比較例１の金属ニッケル粉末の表面には、少なくともケイ素に由来する「ケイ素化合物」の薄膜が形成されており、特に、比較例１の金属ニッケル粉末には、上記「ケイ素化合物」の薄膜が形成されている蓋然性が極めて高く、金ケイ素化合物の薄膜は、前回訂正請求により訂正された請求項に係る発明の発明特定事項を満たすと合理的に考えることができる。
（イ）よって、前回訂正請求により訂正された請求項に係る発明は、甲第１号証に対して新規性及び進歩性を有しない。
（４−２）判断
　上記（４−１）ウ、エの主張は、ＡＴＲ法におけるＡＴＲ結晶の試料接触圧が不明なので、「Ｓｉ−ＯＨ結合の比率」が一意に定まらないことをいう点で、上記第５の２（２）と実質的に同旨であり、これについては、下記２で述べる。また、上記（４−１）オの主張は、本件発明が甲第１号証に記載される発明に対して新規性及び進歩性を有しないことをいう点で、上記第４の１（２）と実質的に同旨であって、この取消理由通知に係る取消理由が解消していないことを主張するものではないので、これについては、下記第７の１（１）（１−２）で述べる。
　ここでは、以下、上記（４−１）イ（特許法第３６条第６項第１号（サポート要件））について判断する。
ア　特許法第３６条第６項第１号（サポート要件）について
（ア）本件発明１、２は、「ケイ素化合物」で被覆される「金属微粒子」または「複数個の金属微粒子が凝集した凝集体」の表面面積の割合が少ない「ケイ素化合物被覆金属微粒子」を含むものではないことは、上記（１）（１−２）（イ）に記載のとおりである。
（イ）また、甲第９号証のＦｉｇ．３ｂ、３ｄをみても、上記（４−１）イ（ア）の参考図１、２のように、「金属微粒子」に「ケイ素化合物」が均一に付着していないということはできないし、本件特許明細書の【００８６】及び図面の【図２】をみれば、実施例１−１は、「金属微粒子」であるＡｇ粒子の一次粒子径が概略１８．４ｎｍであり、「ケイ素化合物被覆金属微粒子」の一次粒子径が概略２０ｎｍであり、「ケイ素化合物被覆金属微粒子」の一次粒子径が「金属微粒子」の一次粒子径の２０÷１８．４＝１０８．７％となることが看取されるのであって、本件特許明細書には、「ケイ素化合物被覆金属微粒子」の一次粒子径が「金属微粒子」の一次粒子径の１００．５％以上１９０％以下の範囲に含まれることが記載されているといえる。
（ウ）更に、【００９０】の【表５】をみれば、実施例１−１〜１−１７は、分散媒が純水の場合、分散粒子径／平均一次粒子径が２．８〜１７．０の範囲に制御され、分散媒がトルエンの場合、分散粒子径／平均一次粒子径が２．０〜５．１の範囲に制御されるものであり、本件特許明細書の【表１０】（【０１０１】）をみれば、実施例２−１〜２−１５は、分散媒が純水の場合、分散粒子径／平均一次粒子径が２．５〜１０．４の範囲に制御され、分散媒がトルエンの場合、分散粒子径／平均一次粒子径が１．９〜４．４の範囲に制御されるものである。
（エ）上記（ア）〜（ウ）によれば、本件特許明細書の記載に接した当業者は、本件発明は、「ケイ素化合物」で被覆される「金属微粒子」または「複数個の金属微粒子が凝集した凝集体」の表面面積の割合が少ない「ケイ素化合物被覆金属微粒子」を含むものではなく、本件発明により、「ケイ素化合物被覆金属微粒子」の分散性が制御されて、本件課題を解決できることを理解できるものである。
（オ）また、本件特許明細書の【０００２】によれば、「金属微粒子」としての特性は１μｍで分散体等として好適なのであって、むしろ径が１μｍより小さくなるほど特性を最大限利用することが困難となるのであり、例えば、「金属微粒子」の平均一次粒子径が小さいほど粒子の凝集が起こりやすいことは技術常識であるが、【０１０９】、【０１１０】には、実施例４−１４として、平均一次粒子径が１μｍより小さい６８．９ｎｍの銀微粒子において分散性が制御され、本件課題を解決できることが開示されている。
　してみれば、本件特許明細書の記載に接した当業者は、「金属微粒子」の平均一次粒子径が６８．９ｎｍ〜１μｍの範囲の粒径であっても、「金属微粒子」の分散性が制御され、本件課題を解決できることを理解できるものである。
（カ）更に、本件特許明細書の【００３０】によれば、本件発明は、「ケイ素化合物被覆金属微粒子」の表面の「Ｓｉ−ＯＨ結合の比率」または「Ｓｉ−ＯＨ結合／Ｓｉ−Ｏ結合の比率」を制御することによって本件課題を解決するものであるから、「Ｓｉ−ＯＨ結合」、または、「Ｓｉ−ＯＨ結合」及び「Ｓｉ−Ｏ結合」を形成する「ケイ素化合物」であれば、「ケイ素酸化物」以外の「ケイ素化合物」でも本件課題を解決できることは明らかである。
　そして、上記第３の「発明特定事項１−１」及び「発明特定事項２−１」によれば、本件発明１、２でいう「ケイ素化合物」が、「Ｓｉ−ＯＨ結合」、または、「Ｓｉ−ＯＨ結合」及び「Ｓｉ−Ｏ結合」を形成する「ケイ素化合物」であることは明らかであるから、本件発明１、２は、本件課題を解決できない「ケイ素化合物」を含むものとはいえない。
（キ）以上のとおりであるので、上記（４−１）イの主張はいずれも採用できない。
２　平成３１年　３月２６日付けの取消理由通知書における取消理由、審尋及び令和　１年　８月　５日付け審尋について
　上記第５の２（１）の取消理由は、請求項１１における「熱処理」を施すことによって生成した「ケイ素化合物被覆金属微粒子」の構造を明確に特定できないことをいう点で上記第５の１（２）（２−３）と実質的に同旨であって、これについては、上記第６の１（２）（２−３）で検討したとおりであるので、以下、上記第５の２（２）の審尋及び上記第５の３の審尋（以下、まとめて「審尋」という。）について検討する。
（１）審尋について
（ア）乙第９号証には、以下の記載がある（当審注：下線は当審が付与した。以下、同様である。）。
「（ｉｉ）測定上の留意点
　（１）試料のＡＴＲ結晶への装着　
侵入深さは大きくて波長程度であるのでＡＴＲの測定のとき結晶と試料面に空気層があると測定感度が著しく低下する．ＡＴＲ用結晶と試料とはμｍオーダー以下で十分に密着している必要がある．図３・４８はＫＲＳ−５結晶で入射角４５℃でポリプロピレンのフィルムを加圧の指標としてトルクレンチを用いてＣＨ伸縮振動領域のスペクトル測定を行ったものであるが圧力によって強度が著しく異なることが示されている
１１）
．
試料を結晶に締め付ける圧力が弱いと試料と結晶の間に空気層ができて感度低下の原因となる．
（イ）そして、上記（ア）の記載からみれば、ＡＴＲ法においては、測定時に、ＡＴＲ用結晶と試料とをμｍオーダー以下で十分に密着させて、測定のとき結晶と試料面に空気層が存在しない程度の圧力を加えることで正確な測定がなされるのであって、その際の圧力は、試料の形状や材質等に応じて当業者がその都度最適な値を選択し得るものといえる。
　また、乙第９号証の図３・４８（２２４頁）の記載は、ＡＴＲ結晶と試料面に空気層があると、ＡＴＲスペクトルの測定感度が著しく低下することを開示するものに過ぎないと認められ、上記図３・４８の記載から、本件発明１において「Ｓｉ−ＯＨ結合の比率」の値が一意に定まらないと直ちにいうことはできない。
（ウ）また、特許権者が回答書に添付した乙第１８号証である特開２００９−２２２８０５号公報（【００３５】）には、ＡＴＲ法においては、試料を押さえる圧力によってピークの面積（強度）が変化してしまうため、スペクトルの面積（強度）を直接追うことは好ましくなく、感光体に由来するピークと保護剤に由来するピークの比を用い、安定した指標を得ることが好ましいのであって、ピークａとピークｂの面積の比（Ｓａ／Ｓｂ）を用いることで安定した指標を求めることが記載されているから、ＡＴＲ法において、試料を押さえる圧力によってピークの面積（強度）が変化するとしても、求めるピークａとピークｂの面積の比（Ｓａ／Ｓｂ）を用いることで、安定した指標を求めることができることは、当業者にとって明らかである。
（エ）一方、甲第１１号証（５００頁左欄１行〜２２行）によれば、甲第１１号証における試料であるカオリナイトを押さえる圧力の差に基づくＡＴＲスペクトルの測定値の差は、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合角Θの変化によるものであると示唆され、アンビルに加えられる一軸圧力に垂直なせん断力に起因し、四面体シート内でのＳｉＯ４単位の歪み及び回転によって引き起こされるものである。
　これに対して、本件発明は、ＡＴＲ法の試料としてカオリナイトを用いるものではなく、更に、前記（ア）及び回答書の２頁１９行〜４頁６行の記載、更に、回答書に添付した乙第１４号証である、日本分光株式会社，「ＡＴＲ　ＰＲＯ　ＯＮＥ　１回反射ＡＴＲベースキット　ＰＫＳ−Ｚ１　ＰＫＳ−Ｇ１　ＰＫＳ−Ｄ１　ＰＫＳ−Ｄ１Ｆ　ＡＴＲ　ＰＲＯ　ＯＮＥ用プリズムキット　取扱説明書　ハードウェア／機能編」，２０１３年１１月、乙第１５号証である、日本分光株式会社，「ＡＴＲ　ＰＲＯ　ＯＮＥ　１回反射ＡＴＲベースキット　ＰＫＳ−Ｚ１　ＰＫＳ−Ｇ１　ＰＫＳ−Ｄ１　ＰＫＳ−Ｄ１Ｆ　ＡＴＲ　ＰＲＯ　ＯＮＥ用プリズムキット　取扱説明書　測定編」，２０１４年　５月の記載からみれば、本件発明は、ＡＴＲ法による測定の際に、結晶と試料面に空気層が存在しない程度の圧力を加えるものであって、四面体シート内でのＳｉＯ４単位の歪み及び回転によって、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合角Θの変化が引き起こされるのと同等の、試料の結晶格子が歪んだり回転するほどの圧力が加えられるものとは認められない。
　してみれば、試料としてカオリナイトを用いる甲第１１号証において、四面体シート内でのＳｉＯ４単位の歪み及び回転によって、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合角Θの変化が引き起こされるような接触圧が加えられた場合に、ＡＴＲスペクトルの測定値に差が生じるとしても、このことから直ちに、そのような接触圧が加えられるものではなく、試料としてカオリナイトを用いるものでもない本件発明において、「Ｓｉ−ＯＨ結合の比率」の値が一意に定まらないということはできない。
（オ）してみれば、本件特許明細書の記載からは、ＦＴ／ＩＲ−６６００のＡＴＲ付属品として、特許権者が使用したと主張する「ＡＴＲ　ＰＲＯ　ＯＮＥ」の他に、高耐圧型１回反射ＡＴＲの「ＡＴＲ　ＰＲＯ４７０−Ｈ」も選択肢となり、ＡＴＲ結晶の試料接触圧が不明であるとしても、本件特許明細書の記載に接した当業者は、ＡＴＲ結晶の試料接触圧は、結晶と試料面に空気層が存在しない程度の圧力として、試料の形状や材質等に応じてその都度最適な値を選択し得るのであって、更に求めるピークａとピークｂの面積の比（Ｓａ／Ｓｂ）を用いることで安定した指標を求めることで、「Ｓｉ−ＯＨ結合の比率」の値が一意に定まることを理解できるものである。
　したがって、上記審尋における疑義はいずれも解消した。
（２）申立人意見書２及び上申書について
　申立人意見書２の主張の概要は、上記第５の３（イ）のとおりであって、これについては、上記（１）（イ）〜（オ）で検討したとおりであるので、以下、上申書の主張について検討する。
（２−１）上申書の主張の概要
（ア）特許権者は、回答書において、乙第１９号証として「甲第１１号証の図６のスペクトル解析資料」を提示しつつ、「ＡＴＲ結晶への試料の接触圧が異なり、観測されるスペクトルのピーク位置やピーク強度が変化するような場合があったとしても、比率は一意に定まる」旨を主張しているが、この回答は不合理である。
（イ）すなわち、本件発明において特定される「比率」はピーク強度ではなく、ピークに帰属する面積比によって定まるものである。
　そこで、異議申立人は、乙第１９号証の２頁の図を用いて、接触圧が異なる場合の面積比率を求めた。
（ウ）その結果、上申書４頁の「表１」より、ピーク強度比率が同じであったとしても、ピークに帰属する面積比は有意に変動するから、特許権者の前記（ア）の主張は失当であり、本件発明は、平成３０年１０月２９日付け取消理由通知書における明確性要件及び実施可能要件の取消理由を解消していない。
（２−２）判断
（ア）試料としてカオリナイトを用いる甲第１１号証において、四面体シート内でのＳｉＯ４単位の歪み及び回転によって、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合角Θの変化が引き起こされるような接触圧が加えられた場合に、ＡＴＲスペクトルの測定値に差が生じるとしても、このことから直ちに、そのような接触圧が加えられるものではなく、試料としてカオリナイトを用いるものでもない本件発明において、「Ｓｉ−ＯＨ結合の比率」の値が一意に定まらないということはできないことは、上記（１）（エ）に記載のとおりである。
（イ）そして、上記（２−１）の上申書の主張は、甲第１１号証のＦＩＧ．６（５０４頁）に基づいて、接触圧が異なる場合の面積比率が有意に変動することをいうものであって、仮にそうであるとしても、上記（１）（エ）に記載したのと同様の理由により、このことから直ちに、本件発明において、「Ｓｉ−ＯＨ結合の比率」の値が一意に定まらないということはできない。
（ウ）したがって、上記（２−１）の主張は採用できない。
第７　異議申立理由についての判断
１　特許法第２９条第１項第３号（新規性）及び第２項（進歩性）について
（１）甲第１号証を主引用例とする場合について
（１−１）甲第１号証の記載事項
　甲第１号証には、以下の記載がある。
（１ａ）「［請求項１］
平均粒径が１０ｎｍから１０００ｎｍであって、ＭＣＴ検出器を具備するフーリエ変換赤外分光光度計における１２００ｃｍ
−１
から９００ｃｍ
−１
の吸収スペクトル信号のＳ／Ｎ比（Ｘ）と３７００ｃｍ
−１
から３６００ｃｍ
−１
の吸収スペクトル信号のＳ／Ｎ比（Ｙ）が、
　Ｙ≦−１．０Ｘ＋２３．０
であることを特徴とする金属ニッケル粉末。
（１ｂ）「［０００１］本発明は、金属ニッケル粉末及び金属ニッケル粉末の製造方法に係り、特に、粒子同士が凝集して形成された粗大粒子の含有量が少ない金属ニッケル粉末及びその製造方法に関する。
・・・
［００１１］本発明者等は、金属ニッケル粉末の粗大粒子について鋭意研究を重ねた結果、
金属ニッケル粉末表面の水酸化物の他に、微量に含まれるケイ酸の存在により、ニッケル粉が凝集し粗大粒子が発生することを突き止め、本発明を完成するに至った。
（１ｃ）「［００１８］本発明の金属ニッケル粉末の
フーリエ変換赤外分光光度計による赤外吸収スペクトル分析における１２００ｃｍ
−１
〜９００ｃｍ
−１
の吸収スペクトルは、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ（鎖状）、（Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ）
３
（環状）、（Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ）
４
（環状）、（Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ）
ｎ
（環状）、ＳｉＯ
３
２−
（珪酸塩）のＳｉ−Ｏ−Ｓｉの骨格振動に帰属されるピークである。
３７００ｃｍ
−１
から３６００ｃｍ
−１
の吸収スペクトルは、Ｎｉ（ＯＨ）
２
に帰属されるピークである。
（１ｄ）「［００３９］本実施例における平均粒径、ＦＴ−ＩＲ測定、ケイ素濃度、凝集は以下の方法により評価を行った。 
［００４０］ａ．平均粒径の評価
　走査電子顕微鏡によりニッケル粉末の写真を撮影し、その写真から粒子２００個の粒径を測定してその平均値を算出した。なお、粒径は粒子を包み込む最小円の直径とした。 
［００４１］ｂ．ＦＴ−ＩＲ測定
　以下の条件にて、ＦＴ−ＩＲ測定を行った。
・・・
　測定サンプルは以下のように調製した。金属ニッケル粉末を、口径７ｍｍφの底付円柱サンプル治具に詰めた後、金属ニッケル粉末を円柱サンプル治具上端部で水平に擦り切った。この円柱サンプル治具を、サンプルを溢さないようにＦＴ−ＩＲ装置にセットした。
　
Ｓ／Ｎ比は、１２００ｃｍ
−１
から９００ｃｍ
−１
の吸収スペクトルの吸光度または３７００ｃｍ
−１
から３６００ｃｍ
−１
の吸収スペクトルの吸光度の、吸収スペクトルが無くベースラインが歪んでいない領域の吸光度（２２００ｃｍ
−１
から１９５０ｃｍ
−１
）に対する比とした。
［００４２］ｃ．ケイ素濃度測定
　イオンクロマトグラフィーにより、純水、炭酸水溶液中のケイ素含有量を測定した。
・・・
［００４４］＜実施例１＞　（Ｓｉ最小、Ｎｉ（ＯＨ）最小）
　特許第４２８６２２０号公報の実施例１に記載する方法と同様な方法で金属ニッケル粉末を作製した。なお、金属ニッケル粉末の製造に先立ち、下記のケイ素濃度が異なる純水を用意した。
　純水Ａ：ケイ素濃度　６５ｗｔｐｐｍ
　純水Ｂ：純水Ａを表面のゼータ電位が（＋）に帯電したフィルターを有するろ過装置（多用途型タンク付ホルダー ろ過板タイプ（アドバンテック東洋株式会社製））で処理した。ケイ素濃度は３ｗｔｐｐｍである。
・・・
［００４６］これと同時に、
ノズル２３から還元炉２内に水素ガスを供給して塩化ニッケルガスを還元し、ニッケル粉末Ｐを得た。
金属ニッケル粉末Ｐの平均粒径は０．３μｍであった。
［００４７］次いで、窒素ガス−塩酸蒸気−金属ニッケル粉末Ｐからなる混合ガスを、純水Ｂを充填した洗浄槽に導き、
金属ニッケル粉末を分離回収し、純水Ｂで洗浄した（純水洗浄）。
［００４８］
次いで、金属ニッケル粉末スラリー中に炭酸ガスを吹き込んでｐＨ４．０とし、炭酸水溶液として２５℃で６０分処理を行った（炭酸水溶液処理）
［００４９］
炭酸水溶液で処理した金属ニッケル粉末を乾燥した後、大気中において２００℃で３０分処理を行い（加熱処理）、金属ニッケル粉末を得た。
［００５０］表１に、金属ニッケル粉末の１２００ｃｍ−１から９００ｃｍ−１の吸収スペクトル信号のＳ／Ｎ比（Ｘ）、３７００ｃｍ−１から３６００ｃｍ−１の吸収スペクトル信号のＳ／Ｎ比（Ｙ）、凝集の評価結果を示す。また、ＦＴ−ＩＲの結果を図１に示す。」
（１ｅ）「［００６７］＜比較例１＞
　
ケイ素濃度３ｗｔｐｐｍとした純水Ｂに代えて、ケイ素濃度４５ｗｔｐｐｍとした純水Ａを用い、更に乾燥後の加熱処理を２００℃で３０分処理に代えて、１５０℃で３０分処理とした以外は、実施例１と同様にして金属ニッケル粉末を得た。
［００６８］　表１に、金属ニッケル粉末の１２００ｃｍ−１から９００ｃｍ−１の吸収スペクトル信号のＳ／Ｎ比（Ｘ）、３７００ｃｍ−１から３６００ｃｍ−１の吸収スペクトル信号のＳ／Ｎ比（Ｙ）、凝集の評価結果を示す。」
（１ｆ）「［００７７］［表１］
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
（１ｇ）「
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
（ア）上記（１ａ）、（１ｂ）によれば、甲第１号証には「金属ニッケル粉末」に係る発明が記載されており、当該「金属ニッケル粉末」は、ＭＣＴ検出器を具備するフーリエ変換赤外分光光度計における１２００ｃｍ−１から９００ｃｍ−１の吸収スペクトル信号のＳ／Ｎ比（Ｘ）と３７００ｃｍ−１から３６００ｃｍ−１の吸収スペクトル信号のＳ／Ｎ比（Ｙ）が、Ｙ≦−１．０Ｘ＋２３．０であるものである。
（イ）具体的には、上記（１ｃ）〜（１ｇ）によれば、上記「金属ニッケル粉末」のフーリエ変換赤外分光光度計による赤外吸収スペクトル分析における１２００ｃｍ−１〜９００ｃｍ−１の吸収スペクトルは、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ（鎖状）、（Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ）３（環状）、（Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ）４（環状）、（Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ）ｎ（環状）、ＳｉＯ３２−（珪酸塩）のＳｉ−Ｏ−Ｓｉの骨格振動に帰属されるピークであり、３７００ｃｍ−１から３６００ｃｍ−１の吸収スペクトルは、Ｎｉ（ＯＨ）２に帰属されるピークであり、Ｓ／Ｎ比は、１２００ｃｍ−１から９００ｃｍ−１の吸収スペクトルの吸光度または３７００ｃｍ−１から３６００ｃｍ−１の吸収スペクトルの吸光度の、吸収スペクトルが無くベースラインが歪んでいない領域の吸光度（２２００ｃｍ−１から１９５０ｃｍ−１）に対する比であり、実施例１に注目すれば、上記「金属ニッケル粉末」は、塩化ニッケルガスを還元して粉末を得て、これをケイ素濃度が３ｗｔｐｐｍの純水で洗浄し、更に炭酸水溶液処理及び加熱処理を行うことにより製造され、ニッケルガスを還元して得られた粉末の平均粒径が０．３μｍであり、金属ニッケル粉末の１２００ｃｍ−１から９００ｃｍ−１の吸収スペクトル信号のＳ／Ｎ比（Ｘ）が６．１であり、３７００ｃｍ−１から３６００ｃｍ−１の吸収スペクトル信号のＳ／Ｎ比（Ｙ）が９．２であるものである。
（ウ）そうすると、甲第１号証には、
「ＭＣＴ検出器を具備するフーリエ変換赤外分光光度計における１２００ｃｍ−１から９００ｃｍ−１の吸収スペクトル信号のＳ／Ｎ比（Ｘ）と３７００ｃｍ−１から３６００ｃｍ−１の吸収スペクトル信号のＳ／Ｎ比（Ｙ）が、Ｙ≦−１．０Ｘ＋２３．０である、金属ニッケル粉末であって、
　フーリエ変換赤外分光光度計による赤外吸収スペクトル分析における１２００ｃｍ−１〜９００ｃｍ−１の吸収スペクトルは、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ（鎖状）、（Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ）３（環状）、（Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ）４（環状）、（Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ）ｎ（環状）、ＳｉＯ３２−（珪酸塩）のＳｉ−Ｏ−Ｓｉの骨格振動に帰属されるピークであり、３７００ｃｍ−１から３６００ｃｍ−１の吸収スペクトルは、Ｎｉ（ＯＨ）２に帰属されるピークであり、Ｓ／Ｎ比は、１２００ｃｍ−１から９００ｃｍ−１の吸収スペクトルの吸光度または３７００ｃｍ−１から３６００ｃｍ−１の吸収スペクトルの吸光度の、吸収スペクトルが無くベースラインが歪んでいない領域の吸光度（２２００ｃｍ−１から１９５０ｃｍ−１）に対する比であり、
　金属ニッケル粉末は、塩化ニッケルガスを還元して粉末を得て、これをケイ素濃度が３ｗｔｐｐｍの純水で洗浄し、更に炭酸水溶液処理及び加熱処理を行うことにより製造され、ニッケルガスを還元して得られた粉末の平均粒径が０．３μｍであり、１２００ｃｍ−１から９００ｃｍ−１の吸収スペクトル信号のＳ／Ｎ比（Ｘ）は６．１であり、３７００ｃｍ−１から３６００ｃｍ−１の吸収スペクトル信号のＳ／Ｎ比（Ｙ）は９．２である、金属ニッケル粉末。」の発明が記載されているといえる（以下、「甲１発明」という。）。
（エ）また、比較例１に注目すれば、上記「金属ニッケル粉末」は、塩化ニッケルガスを還元して粉末を得て、これをケイ素濃度が４５ｗｔｐｐｍの純水で洗浄し、更に炭酸水溶液処理及び加熱処理を行うことにより製造され、ニッケルガスを還元して得られた粉末の平均粒径が０．３μｍであって、金属ニッケル粉末の１２００ｃｍ−１から９００ｃｍ−１の吸収スペクトル信号のＳ／Ｎ比（Ｘ）が７．６であり、３７００ｃｍ−１から３６００ｃｍ−１の吸収スペクトル信号のＳ／Ｎ比（Ｙ）が１６．９であるから、甲第１号証には、
「金属ニッケル粉末であって、
　フーリエ変換赤外分光光度計による赤外吸収スペクトル分析における１２００ｃｍ−１〜９００ｃｍ−１の吸収スペクトルは、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ（鎖状）、（Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ）３（環状）、（Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ）４（環状）、（Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ）ｎ（環状）、ＳｉＯ３２−（珪酸塩）のＳｉ−Ｏ−Ｓｉの骨格振動に帰属されるピークであり、３７００ｃｍ−１から３６００ｃｍ−１の吸収スペクトルは、Ｎｉ（ＯＨ）２に帰属されるピークであり、Ｓ／Ｎ比は、１２００ｃｍ−１から９００ｃｍ−１の吸収スペクトルの吸光度または３７００ｃｍ−１から３６００ｃｍ−１の吸収スペクトルの吸光度の、吸収スペクトルが無くベースラインが歪んでいない領域の吸光度（２２００ｃｍ−１から１９５０ｃｍ−１）に対する比であり、
　金属ニッケル粉末は、塩化ニッケルガスを還元して粉末を得て、これをケイ素濃度が４５ｗｔｐｐｍの純水で洗浄し、更に炭酸水溶液処理及び加熱処理を行うことにより製造され、ニッケルガスを還元して得られた粉末の平均粒径が０．３μｍであり、１２００ｃｍ−１から９００ｃｍ−１の吸収スペクトル信号のＳ／Ｎ比（Ｘ）は７．６であり、３７００ｃｍ−１から３６００ｃｍ−１の吸収スペクトル信号のＳ／Ｎ比（Ｙ）は１６．９である、金属ニッケル粉末。」の発明が記載されているといえる（以下、「甲１’発明」という。）。
（１−２）対比・判断 
ア　本件発明１について
ア−１　対比
（ア）本件発明１と甲１発明とを対比すると、甲１発明における「塩化ニッケルガスを還元して得られた粉末」は、本件発明１における「少なくとも１種の金属元素からなる金属微粒子」であって、「上記金属元素が、銀、銅、ニッケル及び鉄からなる群から選択される」ものに相当する。
　また、甲１発明においては、「１２００ｃｍ−１〜９００ｃｍ−１の吸収スペクトル」は、「Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ（鎖状）、（Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ）３（環状）、（Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ）４（環状）、（Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ）ｎ（環状）、ＳｉＯ３２−（珪酸塩）のＳｉ−Ｏ−Ｓｉの骨格振動に帰属されるピークであ」るから、甲１発明の、「１２００ｃｍ−１から９００ｃｍ−１の吸収スペクトル信号のＳ／Ｎ比（Ｘ）」が「７．６であ」る「金属ニッケル粉末」は、「金属ニッケル粉末」表面に「ケイ素化合物」が存在することが明らかであるので、本件発明１における「金属微粒子の表面の少なくとも一部がケイ素化合物で被覆されたケイ素化合物被覆金属微粒子」に相当する。
（イ）すると、本件発明１と甲１発明とは、
「少なくとも１種の金属元素からなる金属微粒子の表面の少なくとも一部がケイ素化合物で被覆されたケイ素化合物被覆金属微粒子であり、
　上記金属元素が、銀、銅、ニッケル及び鉄からなる群から選択される、ケイ素化合物被覆金属微粒子。」
である点で一致し、以下の点で相違している。
相違点１−１：本件発明１は、「ケイ素化合物被覆金属微粒子」が上記第３の「発明特定事項１−１」及び「発明特定事項１−２」を有するのに対して、甲１発明が上記第３の「発明特定事項１−１」及び「発明特定事項１−２」を有するか否か不明である点。
相違点１−２：本件発明１は、「ケイ素化合物被覆金属微粒子」が上記第３の「発明特定事項１−３」を有するのに対して、甲１発明が上記第３の「発明特定事項１−３」を有するか否か不明である点。
ア−２　判断
（ア）まず、上記相違点１−１から検討すると、甲１発明における「１２００ｃｍ−１〜９００ｃｍ−１の吸収スペクトル」は、「Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ（鎖状）、（Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ）３（環状）、（Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ）４（環状）、（Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ）ｎ（環状）、ＳｉＯ３２−（珪酸塩）のＳｉ−Ｏ−Ｓｉの骨格振動に帰属されるピークであ」り、「３７００ｃｍ−１から３６００ｃｍ−１の吸収スペクトル」は、「Ｎｉ（ＯＨ）２に帰属されるピークであ」り、いずれも「Ｓｉ−ＯＨ結合」に由来するピークではないから、甲１発明において、「ケイ素化合物被覆金属微粒子に含まれるＳｉ−ＯＨ結合の比率が、０．１以上７０％以下に制御されて」いるということはできない。
　また、上記（１−１）（１ｇ）（［図１］）をみても、上記「発明特定事項１−１」、「発明特定事項１−２」に基づいて求められる「Ｓｉ−ＯＨ結合の比率」が明らかになるものでもない。
（イ）そうすると、甲１発明は、前記第３の「発明特定事項１−１」及び「発明特定事項１−２」を有するものとはいえないから、上記相違点１−１は実質的な相違点であるので、そのほかの相違点について検討するまでもなく、本件発明１が甲１発明であるとはいえない。
（ウ）また、上記（１−１）（１ｂ）によれば、甲１発明は、「ケイ素化合物」の「金属微粒子」への付着を抑制して、粗大粒の発生を抑制したものといえる。
　そして、甲１発明において、前記第３の「発明特定事項１−１」及び「発明特定事項１−２」を有するものとすることは、「ケイ素化合物」を「金属微粒子」に意図的に付着させることにほかならず、「ケイ素化合物」の「金属微粒子」への付着を抑制して、粗大粒の発生を抑制する、という甲１発明の特性を損なうものであるから、阻害要因が存在するというべきであり、このことは、甲第２号証〜甲第４号証の記載事項に左右されるものでもない。
（エ）してみれば、甲１発明を、前記第３の「発明特定事項１−１」及び「発明特定事項１−２」を有するものとして、上記相違点１−１に係る発明特定事項を有するものとすることを、甲第２号証〜甲第４号証の記載事項に基づいて当業者が容易になし得るものではないから、そのほかの相違点について検討するまでもなく、本件発明１を、甲１発明及び甲第２号証〜甲第４号証の記載事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
イ　本件発明２について
イ−１　対比
（ア）本件発明１と同様にして、本件発明２と甲１発明とを対比すると、本件発明２と甲１発明とは、
「少なくとも１種の金属元素からなる金属微粒子の表面の少なくとも一部がケイ素化合物で被覆されたケイ素化合物被覆金属微粒子であり、
　上記金属元素が、銀、銅、ニッケル及び鉄からなる群から選択される、ケイ素化合物被覆金属微粒子。」
である点で一致し、以下の点で相違している。
相違点１−１’：本件発明２は、「ケイ素化合物被覆金属微粒子」が上記第３の「発明特定事項２−１」及び「発明特定事項２−２」を有するのに対して、甲１発明が上記第３の「発明特定事項２−１」及び「発明特定事項２−２」を有するか否か不明である点。
相違点１−２’：本件発明２は、「ケイ素化合物被覆金属微粒子」が上記第３の「発明特定事項２−３」を有するのに対して、甲１発明が上記第３の「発明特定事項２−３」を有するか否か不明である点。
イ−２　判断
（ア）まず、上記相違点１−１’から検討すると、上記アア−２（ア）に記載したのと同様の理由により、甲１発明において、「ケイ素化合物被覆金属微粒子に含まれるＳｉ−Ｏ結合の比率に対するＳｉ−ＯＨ結合の比率であるＳｉ−ＯＨ結合／Ｓｉ−Ｏ結合の比率が、０．００１以上７００以下に制御されて」いるということはできないし、上記（１−１）（１ｇ）（［図２］）をみても、「Ｓｉ−ＯＨ結合／Ｓｉ−Ｏ結合の比率」が明らかになるものでもないので、上記相違点１−１’は実質的な相違点であるから、そのほかの相違点について検討するまでもなく、本件発明２が甲１発明であるとはいえない。
（イ）また、上記アア−２（ウ）に記載したのと同様の理由により、甲１発明を、前記第３の「発明特定事項２−１」及び「発明特定事項２−２」を有するものとして、上記相違点１−１’に係る発明特定事項を有するものとすることを、甲第２号証〜甲第４号証の記載事項に基づいて当業者が容易になし得るものではないから、そのほかの相違点について検討するまでもなく、本件発明２を、甲１発明及び甲第２号証〜甲第４号証の記載事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
ウ　本件発明３、４、６、１２〜１４について
（ア）本件発明３は本件発明１または２を引用するものであり、甲１発明と比較した場合、少なくとも上記相違点１−１または相違点１−１’の点で相違するものであるから、本件発明３が甲１発明であるとはいえない。
（イ）そして、甲１発明を、上記相違点１−１または相違点１−１’に係る発明特定事項を有するものとすることを、甲第２号証〜甲第４号証の記載事項に基づいて当業者が容易になし得るものではないことは、上記アア−２（エ）、イイ−２（イ）に記載のとおりである。
　従って、本件発明３も、上記アア−２（エ）及びイイ−２（イ）に記載したのと同様の理由により、甲１発明及び甲第２号証〜甲第４号証の記載事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
（ウ）更に、上記（ア）の事項は、本件発明３と同様に本件発明１または２を直接的又は間接的に引用する本件発明４、６、１２〜１３についても同様であり、上記（イ）の事項は、本件発明３と同様に本件発明１または２を直接的又は間接的に引用する本件発明４、６、１２〜１４についても同様である。
エ　甲１’発明について
（ア）甲１発明の場合と同様にして本件発明１と甲１’発明とを対比すると、本件発明１と甲１’発明とは、少なくとも上記相違点１−１、相違点１−２と同様の点で相違するものである。
　そして、上記相違点１−１は実質的な相違点であることは、上記アア−２（イ）に記載のとおりであるので、同様の理由により、本件発明１が甲１’発明であるとはいえない。
（イ）また、甲１発明は、「ケイ素化合物」の「金属微粒子」への付着を抑制して、粗大粒の発生を抑制したものといえることは、上記アア−２（ウ）に記載のとおりであって、甲１’発明は、「金属微粒子」を洗浄する純水として、ケイ素濃度３ｗｔｐｐｍとした純水に代えてケイ素濃度４５ｗｔｐｐｍとした純水を用いて、甲１発明よりも「ケイ素化合物」の付着を多くした、甲１発明の比較例として記載されるものである。
（ウ）してみれば、甲１’発明は、「ケイ素化合物」の「金属微粒子」への付着をより抑制すべき比較例として記載されているのであるから、甲１’発明において、「ケイ素化合物」を「金属微粒子」に更に意図的に付着させて、前記第３の「発明特定事項１−１」及び「発明特定事項１−２」を有するものとする動機付けは存在しないのであって、このことは、甲第２号証〜甲第４号証の記載事項に左右されるものでもない。
（エ）したがって、甲１’発明を、前記第３の「発明特定事項１−１」及び「発明特定事項１−２」を有するものとして、上記相違点１−１に係る発明特定事項を有するものとすることを、甲第２号証〜甲第４号証の記載事項に基づいて当業者が容易になし得るものではないから、そのほかの相違点について検討するまでもなく、本件発明１を、甲１’発明及び甲第２号証〜甲第４号証の記載事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
（オ）次に、本件発明１の場合と同様にして本件発明２と甲１’発明とを対比すると、本件発明２と甲１’発明とは、上記イイ−１（ア）に記載したのと同様の理由により、少なくとも上記相違点１−１’、相違点１−２’と同様の点で相違するものである。
　そして、上記相違点１−１’は実質的な相違点であるから、本件発明２が甲１発明であるとはいえないことは、上記イイ−２（ア）に記載のとおりであるので、同様の理由により、本件発明２が甲１’発明であるとはいえない。
（カ）また、上記（ウ）に記載したのと同様の理由により、甲１’発明を、前記第３の「発明特定事項２−１」及び「発明特定事項２−２」を有するものとして、上記相違点１−１’に係る発明特定事項を有するものとすることを、甲第２号証〜甲第４号証の記載事項に基づいて当業者が容易になし得るものではないから、そのほかの相違点について検討するまでもなく、本件発明２を、甲１’発明及び甲第２号証〜甲第４号証の記載事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
（キ）更に、上記ウに記載したのと同様の理由により、上記（ア）、（オ）の事項は、本件発明１または２を直接的又は間接的に引用する本件発明３、４、６、１２〜１３についても同様であり、上記（エ）、（カ）の事項は、本件発明１または２を直接的又は間接的に引用する本件発明３、４、６、１２〜１４についても同様である。
オ　小括
　以上のとおりであるから、第４の１（２）の異議申立理由はいずれも理由がない。
（２）甲第３号証を主引用例とする場合について
（２−１）甲第３号証の記載事項
　甲第３号証には、以下の記載がある。
（３ａ）「【特許請求の範囲】
【請求項１】
　表面にシラノール基を有するコロイダルシリカと平均粒径０．５〜５００μｍであって、金属、合金、金属間化合物および金属化合物の中から選ばれる少なくとも１種の粉体からなる金属系粉体とを含むスラリーを、凍結乾燥処理し、次いで得られた乾燥粉体をコロイダルシリカが分散可能な溶媒中で再分散して、被覆に寄与していない過剰なコロイダルシリカを分級・除去することを特徴とするシリカ被覆金属系複合粉体の製造方法。」
（３ｂ）「【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、シリカ被覆金属系複合粉体の製造方法およびその方法により得られたシリカ被覆金属系複合粉体に関する。さらに詳しくは、
本発明は、凝集粒子やシリカ粒子を実質上含まず、かつ表面に均質で緻密なシリカ被膜をむらなく有し、機能性粉体として各種の用途に有用な金属系複合粉体を効率よく製造する方法、およびこの方法で得られた前記シリカ被覆金属系複合粉体に関するものである。
（３ｃ）「【００３０】
実施例１
＜合成＞
１０００ｍｌのナスフラスコに、テトラエトキシシランを加水分解・重縮合反応することで得られた平均粒径９２ｎｍのコロイダルシリカ粒子［宇部日東化成（株）製「ハイプレシカＵＦ」、合成後生シリカ］を含む水分散シリカスラリー（シリカ濃度９．８５重量％）を４５７ｇ仕込み、これに
平均粒径１０μｍのニッケル粉体を２５５ｇ添加した。
【００３１】
次に、メタノール中にドライアイスを添加した溶液中に、ナスフラスコを静置してスラリーを凍結させた後、凍結乾燥器によって乾燥処理することにより、粉体を得た。次いで、この一部をガラス製容器に添加し、イオン交換水中で撹拌及び超音波照射によって再分散させた後、放置し、目的のシリカ被覆ニッケル粉末が沈降後、白濁したコロイダルシリカ単独物が浮遊する上澄みを除去した。そして再度、イオン交換水を添加し、再分散させるという沈降速度差を利用した分級操作によるシリカ単独粒子の除去を行うことで、目的のシリカ被覆ニッケル粉末を得た。
【００３２】
＜評価＞
図１にニッケル粉末の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真を示した。このシリカ被覆ニッケル粉末を、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察したところ、図２に示すように、粒子表面にシリカ被膜がむらなく形成され、かつ凝集粒子が、実質上ないことが確認された。
ＢＥＴ比表面積を測定（フローソーブII2300、島津製作所社製）した結果、Ｎｉ粉末が、０．４２５ｍ２／ｇであったのに対して、シリカ被覆ニッケル粉末は、４．２６５ｍ２／ｇであった。
さらに蛍光Ｘ線測定（PW2400型  全自動蛍光Ｘ線分析装置  PHILIPS社製）を行った結果、Ｎｉが９１ｗｔ％、Ｓｉが３．１ｗｔ％であった。
（ア）上記（３ａ）〜（３ｃ）によれば、甲第３号証には、「シリカ被覆金属系複合粉体の製造方法」に係る発明が記載されており、上記「シリカ被覆金属系複合粉体の製造方法」により得られた「シリカ被覆金属系複合粉体」は、凝集粒子やシリカ粒子を実質上含まず、かつ表面に均質で緻密なシリカ被膜をむらなく有するものであって、平均粒径１０μｍのニッケル粉体に、シリカ被膜を設けたものであり、蛍光Ｘ線測定を行った結果、Ｎｉが９１ｗｔ％、Ｓｉが３．１ｗｔ％であるものである。
（イ）すると、甲第３号証には、
「凝集粒子やシリカ粒子を実質上含まず、かつ表面に均質で緻密なシリカ被膜がむらなく形成された、シリカ被覆金属系複合粉体であって、平均粒径１０μｍのニッケル粉体にシリカ被膜を設けたものであり、蛍光Ｘ線測定を行った結果、Ｎｉが９１ｗｔ％、Ｓｉが３．１ｗｔ％である、シリカ被覆金属系複合粉体。」の発明（以下、「甲３発明」という。）が記載されているといえる。
（２−２）対比・判断 
ア　本件発明１について
ア−１　対比
（ア）本件発明１と甲３発明とを対比すると、甲３発明の「ニッケル粉体」は、本件発明１の「少なくとも１種の金属元素からなる金属微粒子」であって、「上記金属元素が、銀、銅、ニッケル及び鉄からなる群から選択される」ものに相当し、甲３発明の「シリカ被覆金属系複合粉体」は、本件発明１の「少なくとも１種の金属元素からなる金属微粒子の表面の少なくとも一部がケイ素化合物で被覆されたケイ素化合物被覆金属微粒子」に相当する。
（イ）すると、本件発明１と甲３発明とは、
「少なくとも１種の金属元素からなる金属微粒子の表面の少なくとも一部がケイ素化合物で被覆されたケイ素化合物被覆金属微粒子であり、
　上記金属元素が、銀、銅、ニッケル及び鉄からなる群から選択される、ケイ素化合物被覆金属微粒子。」
である点で一致し、以下の点で相違している。
相違点３−１：本件発明１は、「ケイ素化合物被覆金属微粒子」が前記第３の「発明特定事項１−１」及び「発明特定事項１−２」を有するのに対して、甲３発明は、「ケイ素化合物被覆金属微粒子」が前記第３の「発明特定事項１−１」及び「発明特定事項１−２」を有するか否か不明である点。
相違点３−２：本件発明１は、「ケイ素化合物被覆金属微粒子」が前記第３の「発明特定事項１−３」を有するのに対して、甲３発明は、「金属微粒子」の平均粒径が１０μｍであることから、前記第３の「発明特定事項１−３」を有しないことが明らかである点。
ア−２　判断
（ア）まず、上記相違点３−１について検討すると、甲３発明における蛍光Ｘ線測定の結果からは、全反射法（ＡＴＲ法）を用いて測定した「ケイ素化合物被覆金属微粒子」の赤外吸収スペクトルにおける「Ｓｉ−ＯＨ結合の比率」を特定できないから、甲３発明において、「ケイ素化合物被覆金属微粒子に含まれるＳｉ−ＯＨ結合の比率が、０．１％以上７０％以下に制御されて」いるということはできない。
（イ）そして、甲第１号証、甲第２号証、甲第４号証には、「ケイ素化合物被覆金属微粒子に含まれるＳｉ−ＯＨ結合の比率」を「０．１％以上７０％以下に制御」することにより、粒子の分散性を制御できることが記載も示唆もされないから、甲３発明において、「ケイ素化合物被覆金属微粒子」を、前記第３の「発明特定事項１−１」及び「発明特定事項１−２」を有するものとして、上記相違点３−１に係る発明特定事項を有するものとすることを、甲第１号証、甲第２号証、甲第４号証の記載事項に基づいて当業者が容易になし得るものではないので、そのほかの相違点について検討するまでもなく、本件発明１を、甲３発明及び甲第１号証、甲第２号証、甲第４号証の記載事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
イ　本件発明２について
イ−１　対比
（ア）本件発明１と同様にして、本件発明２と甲３発明とを対比すると、本件発明２と甲３発明とは、
「少なくとも１種の金属元素からなる金属微粒子の表面の少なくとも一部がケイ素化合物で被覆されたケイ素化合物被覆金属微粒子であり、
　上記金属元素が、銀、銅、ニッケル及び鉄からなる群から選択される、ケイ素化合物被覆金属微粒子。」
である点で一致し、以下の点で相違している。
相違点３−１’：本件発明２は、「ケイ素化合物被覆金属微粒子」が前記第３の「発明特定事項２−１」及び「発明特定事項２−２」を有するのに対して、甲３発明は、「ケイ素化合物被覆金属微粒子」が前記第３の「発明特定事項２−１」及び「発明特定事項２−２」を有するか否か不明である点。
相違点３−２’：本件発明２は、「ケイ素化合物被覆金属微粒子」が前記第３の「発明特定事項３−３」を有するのに対して、甲３発明は、「ケイ素化合物被覆金属微粒子」が前記第３の「発明特定事項３−３」を有しないことが明らかである点。
イ−２　判断
（ア）まず、上記相違点３−１’から検討すると、上記アア−２（ア）と同様の理由により、甲３発明において、「ケイ素化合物被覆金属微粒子に含まれるＳｉ−Ｏ結合の比率に対するＳｉ−ＯＨ結合の比率であるＳｉ−ＯＨ結合／Ｓｉ−Ｏ結合の比率が、０．００１以上７００以下に制御されて」いるということはできない。
（イ）そして、甲第１号証、甲第２号証、甲第４号証には、「ケイ素化合物被覆金属微粒子に含まれるＳｉ−Ｏ結合の比率に対するＳｉ−ＯＨ結合の比率であるＳｉ−ＯＨ結合／Ｓｉ−Ｏ結合の比率」を「０．００１以上７００以下に制御」することにより、粒子の分散性を制御できることが記載も示唆もされていないから、甲３発明において、「ケイ素化合物被覆金属微粒子」を、前記第３の「発明特定事項２−１」及び「発明特定事項２−２」を有するものとして、上記相違点３−１’に係る発明特定事項を有するものとすることを、甲第１号証、甲第２号証、甲第４号証の記載事項に基づいて当業者が容易になし得るものではないので、そのほかの相違点について検討するまでもなく、本件発明２を、甲３発明及び甲第１号証、甲第２号証、甲第４号証の記載事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
ウ　本件発明３、４、６、１２〜１４について
（ア）本件発明３は請求項１または２を引用するものであり、甲３発明と比較した場合、少なくとも上記相違点３−１または相違点３−１’の点で相違するものである。
　そして、甲３発明において、上記相違点３−１又は相違点３−１’に係る発明特定事項を有するものとすることを、甲第１号証、甲第２号証、甲第４号証の記載事項に基づいて当業者が容易になし得るものではないことは、上記アア−２（イ）、イイ−２（イ）に記載のとおりである。
（イ）従って、本件発明３も、上記アア−２（イ）及びイイ−２（イ）に記載したのと同じ理由により、甲３発明及び甲第１号証、甲第２号証、甲第４号証の記載事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
（ウ）更に、上記（イ）の事項は、本件発明３と同様に請求項１または２を直接的又は間接的に引用する本件発明４、６、１２〜１４についても同様である。
エ　小括
　以上のとおりであるから、第４の１（３）の異議申立理由は理由がない。
２　特許法第３６条第６項第１号（サポート要件）について
　上記第４の２（３）の異議申立理由は、ＡＴＲ法の赤外線の入射角やＡＴＲ結晶の種類が不明であることをいう点で、上記第５の１（２）（２−１）イと実質的に同旨であって、これについては、上記第６の１（２）（２−１）（イ）、（ウ）で検討したとおりであり、同（４）の異議申立理由は、本件発明がケイ素化合物の被覆割合が小さい「ケイ素化合物被覆金属微粒子」を含むことをいう点で、上記第５の１（１）（１−２）と実質的に同旨であって、これについては、上記第６の１（１）（１−２）で検討したとおりであり、いずれも理由がないので、以下、同（１）、（２）の異議申立理由について検討する。
（１）粒径について
（ア）本件特許明細書の記載に接した当業者は、平均一次粒子径が１μｍ以下の微粒子において本件課題を解決できることを理解できることは、上記第６の１（１）（１−１）（ウ）及び（４）（４−２）（オ）に記載のとおりである。
（イ）また、本件発明１、２は、上記第３の「発明特定事項１−３」、「発明特定事項２−３」を有するものであって、その場合、ケイ素化合物の被覆層の膜厚が大きな膜厚となることは想定されないので、本件特許明細書の記載に接した当業者は、本件発明１、２に係る「ケイ素化合物被覆金属微粒子」が本件課題を解決できることを理解できるというべきである。
　そして、このことは、本件発明３〜４、６、１２〜１４についても同様であるので、上記第４の２（１）の異議申立理由は理由がない。
（２）金属元素について
（ア）本件特許明細書には、本件課題を解決できる金属元素として、実施例３−１〜実施例３−１５としてニッケルが記載されている。
（イ）そして、ニッケルは鉄と同じ鉄族元素であり、鉄と性質が類似するものであるから、本件特許明細書の記載に接した当業者は、金属元素が鉄である場合でも、本件課題を解決できることを理解できるので、本件発明１、２に係る「ケイ素化合物被覆金属微粒子」が本件課題を解決できることを認識できるというべきである。
　このことは、本件発明３〜４、６、１２〜１４についても同様であるので、上記第４の２（２）の異議申立理由は理由がない。
（３）小括
　以上のとおりであるので、本件特許の特許請求の範囲の記載は、特許法第３６条第６項第１号の規定に適合するから、上記第４の２（１）、（２）の異議申立理由はいずれも理由がない。
３　特許法第３６条第６項第２号（明確性要件）について
（ア）上記第４の３（１）の異議申立理由は、ＡＴＲ法の赤外線の入射角やＡＴＲ結晶の種類が不明であることをいう点で、上記第５の１（２）（２−１）イと実質的に同旨であり、同（２）の異議申立理由は、「Ｓｉ−ＯＨ結合の比率」、「Ｓｉ−Ｏ結合の比率」が何に対する比率をいうのかが不明確であることをいう点で、上記第５の１（２）（２−１）ア（エ）と実質的に同旨であって、これらについては、上記第６の１（２）（２−１）で検討したとおりであり、同（３）の異議申立理由は、「銀、銅、ニッケル及び鉄」が半金属元素でないことをいう点で、上記第５の１（２）（２−２）と実質的に同旨であって、これについては、上記第６の１（２）（２−２）で検討したとおりであり、同（４）の異議申立理由に係る請求項１１は本件訂正により削除されるものとなり、同（５）の異議申立理由は、「Ｓｉ−Ｏ結合」の定量化が技術常識に反することをいう点で、上記第５の１（２）（２−４）と実質的に同旨であって、これについては、上記第６の１（２）（２−４）で検討したとおりである。
（イ）してみれば、本件特許の特許請求の範囲の記載は、特許法第３６条第６項第２号の規定に適合するから、上記第４の３（１）〜（５）の異議申立理由はいずれも理由がない。
４　特許法第３６条第４項第１号（実施可能要件）について
（ア）上記第４の４（１）の異議申立理由は、１μｍといった大きな粒径の「ケイ素化合物被覆金属微粒子」が本件課題を解決しないことをいう点で、上記第５の１（１）（１−１）と実質的に同旨であって、これについては、上記第６の１（１）（１−１）（ウ）で検討したとおりであり、同（２）の異議申立理由は、本件特許明細書に鉄の実施例が記載されていないことをいう点で、上記第４の２（２）と実質的に同旨であって、これについては、上記２（２）で検討したとおりであり、上記第４の４（３）の異議申立理由は、本件特許明細書の記載からは、ＡＴＲ法の具体的な測定方法が理解できないことをいう点で、上記第５の１（３）（３−１）（イ）、（ウ）と実質的に同旨であって、これについては、上記第６の１（３）（３−１）（イ）で検討したとおりであり、同（４）の異議申立理由は、本件発明がケイ素化合物の被覆割合が小さい「ケイ素化合物被覆金属微粒子」を含むことをいう点で、上記第５の１（１）（１−２）と実質的に同旨であって、これについては、上記第６の１（１）（１−２）で検討したとおりである。
（イ）してみれば、本件特許明細書の発明の詳細な説明の記載は特許法第３６条第４項第１号の規定に適合するから、上記第４の４（１）〜（４）の異議申立理由はいずれも理由がない。
第８　むすび 
　以上のとおり、異議申立書に記載された申立理由及び取消理由通知書で通知された取消理由によっては、本件発明１〜４、６、１２〜１４に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明１〜４、６、１２〜１４に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　そして、本件発明５、７〜１１に係る特許に対して異議申立人がした特許異議申立てについては、対象となる請求項が存在しない。 
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
令和１年１０月１５日（２０１９．１０．１５）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】
　少なくとも１種の金属元素
か
　上記金属元素
が
　上記ケイ素化合物被覆金属微粒子に含まれるＳｉ−ＯＨ結合の比率が、０．１％以上７０％以下に制御されて
おり、
　
上記Ｓｉ−ＯＨ結合が、全反射法（ＡＴＲ法）を用いて測定した上記ケイ素化合物被覆金属微粒子の赤外吸収スペクトルにおける波数７５０ｃｍ−１から１３００ｃｍ−１の領域におけるピークを波形分離することによって得られた、波数８５０ｃｍ−１から９８０ｃｍ−１の領域に波形分離されたＳｉ−ＯＨ結合に由来するピークの内、最も面積比率の大きなピークに帰属されたものであり、上記Ｓｉ−ＯＨ結合の比率が、上記波数７５０ｃｍ−１から１３００ｃｍ−１の領域におけるピークを波形分離することによって得られたピークの総面積に対する上記Ｓｉ−ＯＨ結合に帰属されたピークの面積の比率であり、
　（Ａ）上記ケイ素化合物被覆金属微粒子は、１個の金属微粒子の表面の少なくとも一部をケイ素化合物で被覆したものであって、上記金属微粒子の一次粒子径が１μｍ以下であり、且つ、上記ケイ素化合物被覆金属微粒子の一次粒子径が、上記金属微粒子の一次粒子径の１００．５％以上、１９０％以下であるか、又は
　（Ｂ）上記ケイ素化合物被覆金属微粒子は、複数個の金属微粒子が凝集した凝集体の表面の少なくとも一部をケイ素化合物で被覆したものであって、上記凝集体の径が１μｍ以下であり、且つ、上記ケイ素化合物被覆金属微粒子の粒子径が、上記凝集体の径の１００．５％以上、１９０％以下であ
　【請求項２】
　少なくとも１種の金属元素
か
　上記金属元素
が
　上記ケイ素化合物被覆金属微粒子に含まれるＳｉ−Ｏ結合の比率に対するＳｉ−ＯＨ結合の比率であるＳｉ−ＯＨ結合／Ｓｉ−Ｏ結合の比率が、０．００１以上７００以下に制御されて
おり、
　
上記Ｓｉ−Ｏ結合が、全反射法（ＡＴＲ法）を用いて測定した上記ケイ素化合物被覆金属微粒子の赤外吸収スペクトルにおける波数７５０ｃｍ−１から１３００ｃｍ−１の領域におけるピークを波形分離することによって得られた、波数１０００ｃｍ−１以上１３００ｃｍ−１以下の領域に波形分離されたＳｉ−Ｏ結合に由来するピークの内、最も面積比率の大きなピークに帰属されたものであり、上記Ｓｉ−ＯＨ結合が、全反射法（ＡＴＲ法）を用いて測定した上記ケイ素化合物被覆金属微粒子の赤外吸収スペクトルにおける波数７５０ｃｍ−１から１３００ｃｍ−１の領域におけるピークを波形分離することによって得られた、波数８５０ｃｍ−１から９８０ｃｍ−１の領域に波形分離されたＳｉ−ＯＨ結合に由来するピークの内、最も面積比率の大きなピークに帰属されたものであり、上記Ｓｉ−ＯＨ結合／Ｓｉ−Ｏ結合の比率が、上記Ｓｉ−Ｏ結合に帰属されたピークの面積に対する上記Ｓｉ−ＯＨ結合に帰属されたピークの面積の比率であり、
　（Ａ）上記ケイ素化合物被覆金属微粒子は、１個の金属微粒子の表面の少なくとも一部をケイ素化合物で被覆したものであって、上記金属微粒子の一次粒子径が１μｍ以下であり、且つ、上記ケイ素化合物被覆金属微粒子の一次粒子径が、上記金属微粒子の一次粒子径の１００．５％以上、１９０％以下であるか、又は
　（Ｂ）上記ケイ素化合物被覆金属微粒子は、複数個の金属微粒子が凝集した凝集体の表面の少なくとも一部をケイ素化合物で被覆したものであって、上記凝集体の径が１μｍ以下であり、且つ、上記ケイ素化合物被覆金属微粒子の粒子径が、上記凝集体の径の１００．５％以上、１９０％以下であ
　【請求項３】
　上記ケイ素化合物被覆金属微粒子に含まれるＳｉ−ＯＨ結合の比率又はＳｉ−ＯＨ結合／Ｓｉ−Ｏ結合の比率が、官能基の変更処理によって制御されたものであることを特徴とする請求項１又は２に記載のケイ素化合物被覆金属微粒子。
　【請求項４】
　上記官能基の変更処理が、置換反応、付加反応、脱離反応、脱水反応、縮合反応、還元反応、酸化反応より選ばれる少なくとも１種であることを特徴とする請求項３に記載のケイ素化合物被覆金属微粒子。
　【請求項５】　
（削除）
　【請求項６】
　上記ケイ素化合物被覆金属微粒子は、コアとなる１個の金属微粒子の表面全体を、シェルとなるケイ素化合物で被覆したコアシェル型ケイ素化合物被覆金属微粒子であることを特徴とする、請求項
１から４の何れか
　【請求項７】　
（削除）
　【請求項８】　
（削除）
　【請求項９】　
（削除）
　【請求項１０】　
（削除）
　【請求項１１】　
（削除）
　【請求項１２】
　上記Ｓｉ−ＯＨ結合の比率が、０．１％以上７０％以下、又は上記Ｓｉ−ＯＨ結合／Ｓｉ−Ｏ結合の比率が、０．００１以上７００以下に制御されていることによって、
　上記ケイ素化合物被覆金属微粒子の溶媒への分散性が制御されたものであることを特徴とする請求項１から
４及び６
　【請求項１３】
　請求項１から
４、６及び
　【請求項１４】
　接近・離反可能な相対的に回転する処理用面間において金属微粒子を析出させ、上記析出に引き続き連続的に上記金属微粒子の表面にケイ素化合物を被覆させることを特徴とする、請求項１から
４、６及び