【事件の表示】
　特許第２７６３００８号「多段光増幅器」の特許に対する特許異議の申立について、　次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第２７６３００８号の特許請求の範囲第１項ないし第４項に記載された発明についての特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　本件特許第2,763,008号に係る主な手続の経緯は以下のとおりである。
　特許出願　　　　　　昭和63年11月28日
　特許権設定登録　　　平成10年3月27日
　特許公報発行　　　　平成10年6月11日
　異議の申立て　　　　平成10年12月10日
　訂正請求　　　　　　平成11年4月20日
２．訂正の適否について
（１）訂正の目的の適否等について
　旧請求項1、旧請求項2及び旧請求項4を合併して下記の新しい請求項1とするとともに、旧請求項2及び旧請求項4を削減することは、特許請求の範囲の減縮に該当し、願書に添付した明細書及び図面に記載された範囲内のものであり、実質上特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
　「【請求項１】単結晶基板、間接遷移型バンド構造を有するIII−V族化合物混晶からなるｎクラッド層及びｐクラッド層ならびに上記両クラッド層で挟まれた直接遷移型バンド構造を有するIII−V族化合物混晶からなる活性層を有するダブルヘテロ型エピタキシャル・ウエハにおいて、該単結晶基板は導電型がｐ型のひ化ガリウムであり、該III−V族化合物混晶がひ化ガリウム・アルミニウムであり、単結晶基板側のクラッド層の導電型がｐ型、他のクラッド層の導電型がｎ型であり、ｐクラッド層、活性層およびｎクラッド層の層厚、混晶率およびキャリア濃度が下記の通りであり、
　pクラッド層：層厚5〜40μｍ、混晶率0.7〜0.9でかつpクラッド層の混晶率よりも少なくとも0.02大、キャリア濃度1×1017cm-3〜1×1018cm-3　活性層：層厚0.5μｍ〜７μｍ、混晶率０〜0.45、キャリア濃度1×1017cm-3〜1×1018cm-3でかつpクラッド層のキャリア濃度より大
　nクラッド層：層厚5〜40μｍ、混晶率0.5〜0.88、キャリア濃度1×1017cm-3〜1×1018cm-3　　かつ単結晶基板側のクラッド層の屈折率が他のクラッド層の屈折率よりも小さいことを特徴とするダブルヘテロ型エピタキシャル・ウエハ。」
  上記訂正事項１にともない、旧請求項3を下記の新しい請求項2とすることは、明瞭でない記載の釈明に該当し、願書に添付した明細書及び図面に記載された範囲内のものであり、実質上特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
　「【請求項2】主面方位が(100)面であることを特徴とする請求項第1項記載のダブルへテロ型エピタキシャル・ウェハ。」
　上記訂正事項1及び2の訂正にともない、旧請求項5を下記の新しい請求項3とすることは、明瞭でない記載の釈明に該当し、願書に添付した明細書及び図面に記載された範囲内のものであり、実質上特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
「【請求項3】単結晶基板上に液相エピタキシャル成長法によりIII−V族化合物混晶を成長してなる請求項第1項または第2項記載のダブルヘテロ型エピタキシャル・ウェハ。」
　上記訂正事項1、2及び3の訂正にともない、旧請求項6を下記の新しい請求項4とすることは、明瞭でない記載の釈明に該当し、願書に添付した明細書及び図面に記載された範囲内のものであり、実質上特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
　「【請求項4】請求項第1項乃至第3項記載のエピタキシャル・ウェハから作製される単結晶基板付発光ダイオード。」
　明細書第2頁右欄第7〜8行において、「単結晶基板の導電型がp型であり、」とあるのを、「単結晶基は導電型がp型のひ化ガリウムであり、該III−V族化合物混晶がひ化ガリウムアルミニウムであり、単結晶基板側のクラッド層の導電型がp型、他のクラッド層の導電型がn型であり、」と訂正することは、明瞭でない記載の釈明に該当し、願書に添付した明細書及び図面に記載された範囲内のものであり、実質上特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
　明細書第2頁右欄第14行において、「混晶率0.7〜0.9」とあるのを、「混晶率0.7〜0.9でかつnクラッド層の混晶率よりも少なくとも0.02大」と訂正することは、請求項１の訂正にともなうものであり、明瞭でない記載の釈明に該当し、願書に添付した明細書及び図面に記載された範囲内のものであり、実質上特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
　明細書第2頁右欄第21〜23行において、「III−V族化合物混晶として、ひ化ガリウム・アルミニウム、りん化ガリウム・インジウム、りん化ひ化ガリウム・インジウム等の混晶が用いられる。これらの混晶」とあるのを、「III−V族化合物混晶として用いるひ化ガリウム・アルミ二ウム混晶」と訂正することは、明瞭でない記載の釈明に該当し、願書に添付した明細書及び図面に記載された範囲内のものであり、実質上特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
　明細書第2頁右欄第32〜35行において、「特に、ひ化ガリウム・アルミニウムの場合ひ化ガリウム・アルミニウムを、(GaAs)1-X(AlAS)Xと表示した場合の「X」の値をいう(1≦X≦1)。」とあるのを、明瞭でない記載の釈明及び誤記の訂正を目的として、「ひ化ガリウム・アルミニウムの場合には、ひ化ガリウム・アルミニウムを、(GaAs)1-X(AlAS)Xと表示したときの「X」の値をいう(1≦X≦1)。」と訂正することは、明瞭でない記載の釈明に該当し、願書に添付した明細書及び図面に記載された範囲内のものであり、実質上特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
　明細書第2頁右欄第47〜48行において、「基板としては、ひ化ガリウム、リン化インジウム等が好ましいが、けい素、ゲルマニウム等でもよい。」とあるのを、「基板としては、ひ化ガリウムを用いる。」と訂正することは、明瞭でない記載の釈明に該当し、願書に添付した明細書及び図面に記載された範囲内のものであり、実質上特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
　明細書第2頁右欄第50行において、「成長させ」とあるのを、「製造す」とすることは、誤記の訂正に該当すし、願書に添付した明細書及び図面に記載された範囲内のものであり、実質上特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
（２）独立特許要件について
　訂正後における特許請求の範囲の請求項１乃至４に記載されている事項により特定される発明（以下「本件第１発明」乃至「本件第４発明」という。）は、以下のとおりのものである。
　「【請求項１】単結晶基板、間接遷移型バンド構造を有するIII−V族化合物混晶からなるnクラッド層及びpクラッド層ならびに上記両クラッド層で挟まれた直接遷移型バンド構造を有するIII−V族化合物混晶からなる活性層を有するダブルヘテロ型エピタキシャル・ウエハにおいて、該単結晶基板は導電型がｐ型のひ化ガリウムであり、該III−V族化合物混晶がひ化ガリウム・アルミニウムであり、単結晶基板側のクラッド層の導電型がｐ型、他のクラッド層の導電型がn型であり、pクラッド層、活性層およびnクラッド層の層厚、混晶率およびキャリア濃度が下記の通りであり、
　pクラッド層：層厚5〜40μｍ、混晶率0.7〜0.9でかつｎクラッド層の混晶率よりも少なくとも0.02大、キャリア濃度1×1017cm-3〜1×1018cm-3　活性層：層厚0.5μｍ〜７μｍ、混晶率０〜0.45、キャリア濃度1×1017cm-3〜1×1018cm-3でかつpクラッド層のキャリア濃度より大
　nクラッド層：層厚5〜40μｍ、混晶率0.5〜0.88、キャリア濃度1×1017cm-3〜1×1018cm-3　　かつ単結晶基板側のクラッド層の屈折率が他のクラッド層の屈折率よりも小さいことを特徴とするダブルヘテロ型エピタキシャル・ウエハ。
　【請求項２】主面方位が(100)面であることを特徴とする請求項第1項記載のダブルへテロ型エピタキシャル・ウェハ。
　【請求項３】単結晶基板上に液相エピタキシャル成長法によりIII−V族化合物混晶を成長してなる請求項第1項または第2項記載のダブルヘテロ型エピタキシャル・ウェハ。
　【請求項４】請求項第1項乃至第3項記載のエピタキシャル・ウェハから作製される単結晶基板付発光ダイオード。」
　異議申立人中山雄俊の提示する甲第1号証(特開昭63-241971号公報、以下「刊行物１」という。）には、p型GaAs基板上に少なくとも１層のp型Ga1-XAlXAs層、第１のn型Ga1-XAlXAs層、第２のn型Ga1-XAlXAs層をこの順に備えた発光素子において、第１のn型Ga1-XAlXAs層に接した部分のp型Ga1-XAlXAs層の混晶比をａとしたとき、この第１のn型Ga1-XAlXAs層の混晶比ｘがp型Ga1-XAlXAs層に接する部分においてａ＜ｘ＜0.6であり、かつ、第２のn型GaAlAs層の混晶比が上記第１のn型Ga1-XAlXAs層に接する部分において、この第２のn型Ga1-XAlXAs層に接した第１のn型Ga1-XAlXAs層の混晶比より大で、表面でａ＜ｘを満たす発明が記載されている。また、第２図において、発光素子の断面と混晶比の関係が示されている。
　同じく甲第2号証(特表昭61-502086号公報、以下「刊行物２」という。)には、本件発明とp、nの導電型が逆でありまた端面からの光取出しではあるが、GaAlAs系発光ダイオードにおいて各層の屈折率を考慮して外部量子効率を向上させる思想が開示されている。
  同じく甲第3号証（特開昭61-110478号公報）には、GaAsを基板とするGaAlAs系発光ダイオードが開示されており、特に第8図の示される発光素子に関し、第6頁左上欄第9〜19行及び第2表に示されるように、基板側クラッド層のAl混晶率xが0.3〜0.6であるのに対し、光取出し側クラッド層のAl混晶率yは0.1〜0.35と記載されている。両者の混晶比は重複する部分も存在するが、重複しない混晶比を用いる場合には、基板側クラッド層の混晶率の方が大きい。すなわち、基板側クラッド層の方の屈折率が光取出し側クラッド層のそれより小さくなっている。しかしながら、何故にそのような混晶比を採用したかについての記載はない。
　同じく甲第4号証（特開昭55-166977号公報）には、ダブルヘテロ型ではないが、GaAs基板上にGaAlAs層を有する発光ダイオードが開示され、第6図には、GaAlAsのAl混晶率と屈折率の変化が示されており、この発光ダイオードも、端面からの光取出しではあるが、GaAlAs層の屈折率の制御により、外部量子効率を向上させる思想を開示している
　同じく甲第5号証（特開昭55-91890号公報）には、GaAlAs系ダブルヘテロ型発光ダイオードにおいて、基板側のクラッド層の屈折率が他のクラッド層の屈折率よりも大きい、すなわち、本件発明と逆の屈折率を有する発光素子が記載されている。
　同じく甲第6号証（特開昭63-18680号公報）には、GaP基板上に形成されるGaAlAs系ダブルヘテロ構造の発光ダイオードにおいて、P1クラッド層、P2クラッド層、活性層及びNクラッド層からなる発光素子において、P1クラッド層、P2クラッド層及び活性層のAl混晶率を段階的に変化させることにより、これらの層の屈折率もまた段階的に変化させる構成が記載されている。
　同じく甲第7号証（特開昭60-77473号公報）には、GaAs基板による発光光線の吸収を防止することを目的とし、基板とその上の層の界面における反射率向上のためにこれらの層間に反射層を介在させる手段を開示している。
　同じく甲第8号証（特開昭60-98689号公報）には、GaAs基板による発光光線の吸収を防止することを目的とし、基板とその上の層の界面における反射率向上のためにこれらの層間に反射層を介在させる手段を開示している。
　同じく甲第9号証（特開昭61-183977号公報）には、p型GaAs基板上にp型GaAlAsクラッド層（混晶率0.8、層厚10μｍ、キャリア濃度3〜5ｘ１０１７ｃｍ−３）、p型GaAlAs活性層（混晶率0.35、層厚1〜2μｍ、キャリア濃度1ｘ１０１７〜1ｘ１０１８ｃｍ−３）、n型GaAlAsクラッド層（混晶率0.8、層厚40μｍ、1ｘ１０１７ｃｍ−３）の構成を有する発光素子が記載されている。
　同じく甲第10号証（特開昭59−2381号公報）には、「（100）面を有するＺｎ添加のｐ型ＧａＡｓ基板上に」形成されるＧａＡｌＡｓ系のシングルヘテロ型及びダブルヘテロ型の発光ダイオードが記載されている。
　同じく甲第11号証（特開平1-295469号公報）には、
p型GaAs基板上にp型GaAlAsクラッド層（混晶率0.75、層厚20μｍ、キャリア濃度1ｘ１０１８ｃｍ−３）、p型GaAlAs活性層（混晶率0.35、層厚1μｍ、キャリア濃度1ｘ１０１８ｃｍ−３）、n型GaAlAsクラッド層（混晶率0.65、層厚50μｍ、1.2ｘ１０１８ｃｍ−３）の構成を有するダブルヘテロ構造の発光ダイオードが記載されている。
　本件第１発明は、単結晶基板側のクラッド層の屈折率を他のクラッド層の屈折率よりも小さくすることにより、基板と反対側より光を従来より多く取り出せるようにした点に特徴を有するが、上記甲第1号証〜甲第10号証刊行物には、上記本件発明の特徴点を示す記載がなく示唆もない。なお、甲第1号証刊行物には、第２図において、発光素子の断面と混晶比の関係が示されているが、その図について説明する明細書中には、基板側のクラッド層の混晶比と反対側のクラッド層の混晶比との大小関係について何ら記載されていないので、この図のみからそれらの大小関係について結論を導き出すことはできない。
　したがって、本件第１発明は、上記甲第1号証〜甲第10号証刊行物に記載された発明に基づいて当業者が容易になし得たこととすることはできないので、特許法第29条第2項の規定により取り消すことはできない。
　また、本件第１発明と甲第11号証刊行物記載の発明とを比較すると、ｐ型及びｎ型クラッド層のキャリア濃度並びにｎ型クラッド層の層厚が両者において異なっている。
　したがって、本件第１発明は、本件出願前の出願であり、本件出願後に公開されたものの願書に最初に添付した明細書又は図面に記載された発明（上記甲第11号証）と同一であるとはいえないので、特許法第29条の2の規定により本件特許を取り消すことはできない。
　
　本件第２発明乃至第４発明は、ともに第１発明を引用し、第１発明をさらに限定するものであるから、上記(2.3)と同じ理由により、上記甲第1号証〜甲第10号証刊行物に記載された発明に基づいて当業者が容易になし得たこととすることはできないし、上記甲第11号証刊行物記載の発明と同一であるともいえない。
　したがって、本件第１発明乃至第４発明は、特許法第29条第2項又は第29条の2の規定により取り消すことはできない。
　特許請求の範囲には、出願人が特許を受けようとする発明の構成が記載されているのであるから、他人が本件特許請求の範囲には発明の必須の構成要件が記載されていないと主張することはできない。
　また、特許請求の範囲に記載された事項により特定される発明は、発明の詳細な説明に記載されているので、この点についても明細書の記載不備はない。
（３） この項のむすび
　以上のとおりであるので、上記訂正請求は、平成６年法律第１１６号附則第６条第１項において、なお従前の例によるとされる改正前の特許法第１２６条第１項ないし３項の規定に適合するので、これを認める。
３．特許異議の申立てについての判断
　特許異議申立人中山雄俊は、(1)上記甲第1号証〜甲第10号証刊行物を提示し、本件発明は、上記刊行物に記載された発明に基づいて当業者が容易になし得たものであるので、特許法第２９条第２項の規定により、(2)本件特許明細書には、その特許請求の範囲に特許を受けようとする発明が発明の詳細な説明に記載したものでなく、又は、特許を受けようとする発明の構成要件が記載されていないので、特許法第３６条の規定により、及び、(3)本件特許出願の日前の他の特許出願であって本件特許出願後に出願公開されたものである特願昭63-192048号の願書に最初に添付した明細書又は図面に記載された発明（特開平1-295469号公報参照）と同一であるので、特許法第２９条の２の規定により特許を受けることができないと主張する。
４．むすび
　以上のとおりであるので、本件特許は、特許異議申立人の提示した証拠及び理由によっては、取り消すことができない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年１月２８日（２０００．１．２８）
【訂正の要旨】
　　　　　　　　　　　訂正の要旨
（１）訂正事項１
　特許第２，７６３，００８号の明細書において、特許請求の範囲の減縮を目的として、旧請求項１、旧請求項２及び旧請求項４を合併して下記の新しい請求項１とするとともに、旧請求項２及び旧請求項４を削減する。
　「【請求項１】単結晶基板、間接遷移型バンド構造を有するＩＩＩ−Ｖ族化合物混晶からなるｎクラッド層及びｐクラッド層ならびに上記両クラッド層で挟まれた直接遷移型バンド構造を有するＩＩＩ−Ｖ族化合物混晶からなる活性層を有するダブルヘテロ型エピタキシャル・ウェハにおいて、該単結晶基板は導電型がｐ型のひ化ガリウムであり、該皿−Ｖ族化合物混晶がひ化ガリウム・アルミニウムであり、単結晶基板側のクラッド層の導電型がｐ型、他のクラッド層の導電型がｎ型であり、ｐクラッド層、活性層およびｎクラッド層の層厚、混晶率およびキャリア濃度が下記の通りであり、
　ｐクラッド層：層厚５〜４０μｍ、混晶率０．７〜０．９でかつｐクラッド層の混晶率よりも少なくとも０．０２大、キャリア濃度１×１０１７ｃｍ−３〜１×１０１８ｃｍ−３
　活性層：層厚０．５μｍ〜７μｍ、混晶率０〜０．４５、キャリア濃度１×１０１７ｃｍ−３〜１×１０１８ｃｍ−３でかつｐクラッド層のキャリア濃度より大
　ｎクラッド層：層厚５〜４０μｍ、混晶率０．５〜０．８８、キャリア濃度１×１０１７ｃｍ−３〜１×１０１８ｃｍ−３
　かつ単結晶基板側のクラッド層の屈折率が他のクラッド層の屈折率よりも小さいことを特徴とするダブルヘテロ型エピタキシャル・ウェハ。」
（２）訂正事項２
　明瞭でない記載の釈明を目的として、上記訂正事項１の訂正に伴い、旧請求項３を下記の新しい請求項２とする。
　「【請求項２】主面方位が（１００）面であることを特徴とする請求項第１項記載のダブルヘテロ型エピタキシャル・ウェハ。」
（３）訂正事項３
　明瞭でない記載の釈明を目的として、上記訂正事項１及び２の訂正に伴い、旧請求項５を下記の新しい請求項３とする。
　「【請求項３】単結晶基板上に液相エピタキシャル成長法によりＩＩＩ−Ｖ族化合物混晶を成長してなる請求項第１項または第２項記載のダブルヘテロ型エピタキシャル・ウェハ。」
（４）訂正事項４
　明瞭でない記載の釈明を目的として、上記訂正事項１、２及び３の訂正に伴い、旧請求項６を下記の新しい請求項４とする。
　「【請求項４】請求項第１項乃至第３項記載のエピタキシャル・ウェハから作製される単結晶基板付発光ダイオード。」
（５）訂正事項５
　明細書第２頁右欄第７〜８行において、「単結晶基板の導電型がｐ型であり、」とあるのを、明瞭でない記載の釈明を目的として、「単結晶基は導電型がｐ型のひ化ガリウムであり、該ＩＩＩ−Ｖ族化合物混晶がひ化ガリウムアルミニウムであり、単結晶基板側のクラッド層の導電型がｐ型、他のクラッド層の導電型がｎ型であり、」と訂正する。
（６）訂正事項６
　明細書第２頁右欄第１４行において、「混晶率０．７〜０．９」とあるのを、明瞭でない記載の釈明を目的として、「混晶率０．７〜０．９でかつｎクラッド層の混晶率よりも少なくとも０．０２大」と訂正する。
（７）訂正事項７
　明細書第２頁右欄第２１〜２３行において、「ＩＩＩ−Ｖ族化合物混晶として、ひ化ガリウム・アルミニウム、りん化ガリウム・インジウム、りん化ひ化ガリウム・インジウム等の混晶が用いられる。これらの混晶」とあるのを、明瞭でない記載の釈明を目的として、「ＩＩＩ−Ｖ族化合物混晶として用いるひ化ガリウム・アルミ二ウム混晶」と訂正する。
（８）訂正事項８
　明細書第２頁右欄第３２〜３５行において、「特に、ひ化ガリウム・アルミニウムの場合ひ化ガリウム・アルミニウムを、（ＧａＡｓ）１−Ｘ（Ａ１ＡＳ）Ｘと表示した場合の「Ｘ」の値をいう（１≦Ｘ≦１）。」とあるのを、明瞭でない記載の釈明を目的として、「ひ化ガリウム・アルミニウムの場合には、ひ化ガリウム・アルミニウムを、（ＧａＡｓ）１−Ｘ（ＡｌＡＳ）Ｘと表示したときの「Ｘ」の値をいう（１≦Ｘ≦１）。」と訂正する。
（９）訂正事項９
　明細書第２頁右欄第４７〜４８行において、「基板としては、ひ化ガリウム、リン化インジウム等が好ましいが、けい素、ゲルマニウム等でもよい。」とあるのを・明瞭でない記載の釈明を目的として、「基板としては、ひ化ガリウムを用いる。」と訂正する。
（１０）訂正事項１０
　明細書第２頁右欄第５０行において、「成長させ」とあるのを、誤記の訂正を目的として、「製造す」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
多段光増幅器
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　単結晶基板、間接遷移型バンド構造を有するＩＩＩ−Ｖ族化合物混晶からなるｎクラッド層及びｐクラッド層ならびに上記両クラッド層で挟まれた直接遷移型バンド構造を有するＩＩＩ−Ｖ族化合物混晶からなる活性層を有するダブルヘテロ型エピタキシャル・ウエハにおいて、該単結晶基板は導電型がｐ型のひ化ガリウムであり、該ＩＩＩ−Ｖ族化合物混晶がひ化ガリウム・アルミニウムであり、単結晶基板側のクラッド層の導電型がｐ型、他のクラッド層の導電型がｎ型であり、
ｐクラッド層、活性層およびｎクラッド層の層厚、混晶率およびキャリア濃度が下記の通りであり、
　
ｐクラッド層：層厚５〜４０μｍ、混晶率０．７〜０．９でかつｎクラッド層の混晶率よりも少なくとも０．０２大、キャリア濃度１×１０１７ｃｍ−３〜１×１０１８ｃｍ−３　
　
活性層：層厚０．５μｍ〜７μｍ、混晶率０〜０．４５、キャリア濃度１×１０１７ｃｍ−３〜１×１０１８ｃｍ−３でかつｐクラッド層のキャリア濃度より大
　
ｎクラッド層：層厚５〜４０μｍ、混晶率０．５〜０．８８、キャリア濃度１×１０１７ｃｍ−３〜１×１０１８ｃｍ−３　
　かつ単結晶基板側のクラッド層の屈折率が他のクラッド層の屈折率よりも小さいことを特徴とするダブルヘテロ型エピタキシャル・ウェハ。
　【請求項
２
項記
　【請求項
３
または第２項
　【請求項
４
３
単結晶基板付
【発明の詳細な説明】
　【産業上の利用分野】
　本発明は、発光出力の大きい発光ダイオード（以下、「ＬＥＤ」という。）の製造に適したダブル・ヘテロ型エピタキシャル・ウェハに関する。
　　【従来の技術】
　ダブル・ヘテロ構造を有するＩＩＩ−Ｖ族化合物（本明細書では、周期律表第ＩＩＩｂ族及び第Ｖｂ族元素からなる化合物を、「ＩＩＩ−Ｖ族化合物」という。）混晶エピタキシャル・ウェハは、キャリアを活性層に閉込めることができ、非発光再結合によるキャリアの消滅が少ないので大出力のＬＥＤの製造に適する。特に、ひ化ガリウム・アルミニウム混晶を用いたエピタキシャル・ウェハは、大出力の赤色ＬＥＤを製造できるので、表示装置、カメラの自動焦点測定装置等に広く用いられている。
　これらのエピタキシャル・ウェハは、ひ化ガリウム（ＧａＡｓ）等の単結晶基板（以下、「基板」という。）上の液相エピタキシャル成長法、気相エピタキシャル成長法等によって、所望のＩＩＩ−Ｖ族化合物混晶をエピタキシャル成長させることにより製造される。
　しかしながら、基板として用いられるひ化ガリウム等は、光の透過性が低いのでｐｎ接合で発生した光が、外部に放射される前に、基板で吸収されるという問題があった。従来、基板による光の吸収を避けるためには、エピタキシャル成長後に、基板を研磨又はエッチングを行って除去することが行われていた。
　一般に、エピタキシャル・ウェハは、ＬＥＤの製造工程での破損を避ける必要から、少なくとも０．２ｍｍの厚みを有することが望まれる。
　そのため、従来は、エピタキシャル層を、０．２ｍｍ以上の厚みに成長させていた。
　　【発明が解決しようとする課題】
　しかしながら、エピタキシャル層の厚みを厚くすると、偏析係数の相違から、エピタキシャル層、特に、各クラッド層中で混晶組成の不均一が生じるという問題があった。そして、期待される程の大出力を与えるダブルヘテロ型エピタキシャル・ウェハおよびそれから作製されるＬＥＤを工業的有利に提供することができないという問題があった。
　　【課題を解決する手段】
　本発明者等は、基板を除去しなくても内部の光吸収の少なく、高出力ＬＥＤの製造に適したＩＩＩ−Ｖ族化合物エピタキシャル・ウェハおよびそれから作製される発光ダイオードを開発することを目的として鋭意研究を重ねた結果、本発明に到達したものである。
　本発明の上記の目的は、単結晶基板、間接遷移型バンド構造を有するＩＩＩ−Ｖ族化合物混晶からなるｎクラッド層及びｐクラッド層ならびに上記両クラッド層で挟まれた直接遷移型バンド構造を有するＩＩＩ−Ｖ族化合物混晶からなる活性層を有するダブルヘテロ型エピタキシャル・ウェハにおいて、
単結晶基板は導電型がｐ型のひ化ガリウムであり、該ＩＩＩ−Ｖ族化合物混晶がひ化ガリウムアルミニウムであり、単結晶基板側のクラッド層の導電型がｐ型、他のクラッド層の導電型がｎ型であり、
　ｐクラッド層：層厚５〜４０μｍ、混晶率０．７〜０．９
でかつｎクラッド層の混晶率よりも少なくとも０．０２大
　活性層：層厚０．５〜７μｍ、混晶率０〜０．４５、キャリア濃度１×１０１７ｃｍ−３〜１×１０１８ｃｍ−３でかつｐクラッド層のキャリア濃度より大
　ｎクラッド層：層厚５〜４０μｍ、混晶率０．５〜０．８８、キャリア濃度１×１０１７ｃｍ−３〜１×１０１８ｃｍ−３
　ＩＩＩ−Ｖ族化合物混晶として
用いる
混晶
　例えば、ひ化ガリウム・アルミニウムでは、混晶率が約０．４５以下で直接遷移型、それ以上で間接遷移型のバンド構造を有する。
　なお、本明細書では、「混晶率」とは、混晶を構成するＩＩＩ−Ｖ族化合物の比率をいう
。ひ
には
とき
０
　本発明のエピタキシャル・ウェハは、基板上に気相あるいは液相エピタキシャル成長法又は分子線エピタキシャル成長法等の方法によって、所望のＩＩＩ−Ｖ族化合物混晶をエピタキシャル成長させることによって製造される。気相エピタキシャル成長法、例えば、有機金属気相エピタキシャル成長法（ＭＯＣＶＤ法）、ハロゲン化物輸送法等又は分子線エピタキシャル成長法は、成長させる単結晶層の組成、厚み等の制御が容易であり、一方、液相エピタキシャル成長法では、膜厚の大な単結晶層が容易に得られるので、エピタキシャル成長の目的に応じて、成長法を適宜選択する。
　基板としては、ひ化ガリウム
を用いる。
　ひ化ガリウム・アルミニウムを成長させたエピタキシャル・ウェハを
製造す
　本発明では、基板側のクラッド層の屈折率は、表面側のクラッド層よりも小とする。すなわち、基板側のクラッド層の混晶率を、表面側の混晶率よりも大とする。この結果、基板とクラッド層の界面で反射した光が、乱反射することなく該クラッド層と活性層の界面を通過する。
　その結果、ＬＥＤの外部量子効率が高くなり、ＬＥＤの発光出力が増加する。
　ひ化ガリウム・アルミニウム混晶エピタキシャル・ウェハの場合、基板側のｐクラッド層の混晶率は、表面側のｎクラッド層の混晶率よりも、少なくとも０．０２大とする。
　なお、ＩＩＩ−Ｖ化合物混晶では、バンド幅（充満帯と伝導帯の間のエネルギー間隔をいう。）が大となる程、屈折率が小となる。例えば、ひ化ガリウム・アルミニウムでは、混晶率が大となる程、バンド幅が大となり、屈折率は小となる。
　ひ化ガリウム・アルミニウム混晶エピタキシャル・ウェハの場合、各層の▲１▼層厚及び▲２▼混晶率は、次のようにするのがよい。
（１）ｐクラッド層；
▲１▼約
５〜４０
０．７〜０．９
（２）活性層：
▲１▼約
０．５〜７
０〜０．４５
なお、活性層の伝導型は、ｐ型とするのがよい。
（３）ｎクラッド層；
▲１▼約
５〜４０
０．５〜０．８８
　また、キャリア濃度は、通常の範囲、例えば、約１×１０１７〜約１×１０１８ｃｍ−３でよいが、活性層のキャリア濃度をｐクラッド層のキャリア濃度より大とするのが好ましい。
　【実施例】
実施例
　液相エピタキシャル成長法により、次のようなひ化ガリウム・アルミニウム混晶エピタキシャル・ウェハを成長させた。
（１）基板；表面の面方位、（１００）、厚さは、０．３ｍｍの亜鉛ドープｐ型ひ化ガリウム単結晶基板。
　以下、本実施例及び比較例で、▲１▼層厚、▲２▼キャリア濃度、▲３▼混晶率の順に示す。
（２）ｐクラッド層；▲１▼２０μｍ、▲２▼３．０×１０１７ｃｍ−３、▲８▼０．８１
（３）活性層；▲１▼２．０μｍ、▲２▼５．２×１０１７ｃｍ−３、▲３▼０．３４
（４）ｎクラッド層；▲１▼４０μｍ、▲２▼２．０×１０１７ｃｍ−３、▲８▼０．７２
　なお、キャリア濃度は、ｐｎ接合を用いたＣ−Ｖ法及びｖａｎ　ｄｅｒ　Ｐａｕｗ法により測定した。また、混晶率は、Ｘ線マイクロアナライザーにより測定し、測定結果をＺＡＦ補正法により補正して混晶率を求めた。
　得られたエピタキシャル・ウェハから、一辺０．３ｍｍ、厚さ０．２５ｍｍのＬＥＤチップを作製した。得られたチップをエポキシ樹脂でコートした後、電流密度８Ａ／ｃｍ２の条件で測定して、光出力は１．８ｃｄ（１００個平均値）、発光波長６６１ｎｍ、また、順方向電圧は、１．８５Ｖ（１００個平均値）であった。
比較例
　実施例で用いたものと同様のひ化ガリウム単結晶基板上に次のようなひ化ガリウム・アルミニウム混晶を液相エピタキシャル成長法によって成長させた。
（１）ｐクラッド層；▲１▼１８μｍ、▲２▼３．５×１０１７ｃｍ−３、▲３▼０．６５
（２）活性層；▲１▼１．８μｍ、▲２▼５．２×１０１７ｃｍ−３、▲３▼０．３４
（３）ｎクラッド層；▲１▼４５μｍ、▲２▼２．０×１０１７ｃｍ−３、▲３▼０．７２
　得られたエピタキシャル・ウェハから実施例と同様にしてＬＥＤチップを作製した。実施例と同様にして測定した光出力は、１．１ｃｄ（１００個平均値）、また、ピーク発光波長は、６６３ｎｍであった。
　【発明の効果】
　本発明は、下記のような顕著な効果があるので、産業上の利用価値が大である。
（１）基板を除去しなくても、大きな光出力が得られる。
（２）従って、基板除去にそなえて層厚の大なエピタキシャル層を成長させる必要がないので、エピタキシャル層の組成の不均一が発生しない。