(57)【要約】 本発明は、発光ダイオードチップに関する。本発光ダイオードチップは、ｎ導電型半導体層（３）と、ｐ導電型半導体層（４）と、これらｎ導電型半導体層（３）とｐ導電型半導体層（４）との間の活性領域（２）と、ｎ導電型半導体層（３）、ｐ導電型半導体層（４）、および活性領域（２）の、横方向における境界を形成している側面（１４）と、発光ダイオードチップの半導体材料内にドーパントが導入されているドープ領域（１）、もしくは、中和領域（１）、またはその両方と、を備えている。ドープ領域（１）もしくは中和領域（１）またはその両方が、側面（１４）において、少なくとも活性領域の領域に形成されており、本発光ダイオードチップは、動作時にインコヒーレントな電磁放射を放出することを目的としている。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光ダイオードチップであって、
−  ｎ導電型半導体層（３）と、
−  ｐ導電型半導体層（４）と、
−  前記ｎ導電型半導体層（３）と前記ｐ導電型半導体層（４）との間の活性領域（２）と、
−  前記ｎ導電型半導体層（３）、前記ｐ導電型半導体層（４）、および前記活性領域（２）の、横方向における境界を形成している側面（１４）と、
−  前記発光ダイオードチップの半導体材料内にドーパントが導入されているドーピング領域（１）、もしくは、
−  中和領域（１）、
またはその両方と、
を備えており、
−  前記ドーピング領域（１）もしくは前記中和領域（１）またはその両方が、前記側面（１４）において、少なくとも前記活性領域の領域に形成されており、
−  前記発光ダイオードチップが、動作時にインコヒーレントな電磁放射を放出する目的で提供される、
発光ダイオードチップ。
【請求項２】
前記ドーピング領域（１）もしくは前記中和領域（１）またはその両方が、前記側面（１４）において電気的パッシベーション部を形成している、もしくは、前記側面（１４）における導電率を低下させる、またはその両方である、
請求項１に記載の発光ダイオードチップ。
【請求項３】
前記ドーピング領域（１）もしくは前記中和領域（１）またはその両方が、前記側面（１４）全体に形成されている、
請求項１または請求項２のいずれかに記載の発光ダイオードチップ。
【請求項４】
前記ドーピング領域（１）もしくは前記中和領域（１）またはその両方が、前記側面（１４）からの厚さとして、少なくとも１０ｎｍ、最大で１００μｍの厚さを有する、
請求項１から請求項３のいずれかに記載の発光ダイオードチップ。
【請求項５】
前記活性領域（２）が窒化物化合物半導体材料をベースとしており、前記ドーパントが亜鉛またはマグネシウムである、
請求項１から請求項４のいずれかに記載の発光ダイオードチップ。
【請求項６】
前記側面（１４）に、少なくとも前記活性領域（２）の領域において、さらなるパッシベーション層（８）が存在しない、
請求項１から請求項５のいずれかに記載の発光ダイオードチップ。
【請求項７】
前記側面（１４）が、前記ｎ導電型半導体層（３）および前記ｐ導電型半導体層（４）の成長方向に対して９０゜未満の角度で延びている、
請求項１から請求項６のいずれかに記載の発光ダイオードチップ。
【請求項８】
発光ダイオードチップを製造する方法であって、
−  成長基板（１０）を形成するステップと、
−  前記成長基板（１０）の上に、ｎ導電型半導体層（３）と、活性領域（２）と、ｐ導電型半導体層（４）とを形成するステップと、
−  少なくとも前記活性領域（２）に、複数の拡散領域（１１）もしくは複数の中和領域（１１）またはその両方を形成するステップと、
−  前記発光ダイオードチップの側面（１４）を形成する目的で、複数の前記拡散領域（１１）もしくは複数の前記中和領域（１１）またはその両方を通るように個片化するステップであって、前記側面（１４）のそれぞれにおいて、少なくとも前記活性領域の領域に、ドーピング領域（１）もしくは中和領域（１）またはその両方が形成される、前記ステップと、
を含んでおり、
−  前記発光ダイオードチップが、動作時にインコヒーレントな電磁放射を放出する目的で提供される、
方法。
【請求項９】
前記成長基板とは反対の前記活性領域（２）の側から、ドーパントが前記活性領域内に導入される、
請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記拡散領域もしくは前記中和領域（１）またはその両方が、前記ｎ導電型半導体層（３）、前記活性領域（２）、および前記ｐ導電型半導体層（４）を貫いている、
請求項８または請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
請求項１から請求項７のいずれかに記載の発光ダイオードチップが製造される、
請求項８から請求項１０のいずれかに記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
発光ダイオードチップを開示する。さらには、発光ダイオードチップの製造方法を開示する。
【背景技術】
【０００２】
発光ダイオードチップの個片化技術（例えばレーザ分離、ソーイング）には、個片化によって形成される、発光ダイオードチップの側面に損傷が生じる危険性を伴うことが判明している。特に、レーザ照射によって分離する場合、このようにして作製されるデバイスの欠点として低電流（low-current weakness）につながることがある。この低電流は、例えば、分離工程で生じる残渣（slag）が、個片化によって形成される、発光ダイオードチップの側面に堆積することによって、または、分離に使用されるレーザ光が反射して発光ダイオードチップの側面に入射することによって生じる。いずれのメカニズムも、発光ダイオードチップを個片化するとき、発光ダイオードチップの光学的活性領域に対して電気的並列経路（electrical parallel path）が形成されるという影響をもたらす。この電気的並列経路が低電流につながる。この場合、特に不利な点として、この欠陥パターンは、発光ダイオードチップの最終的な測定時（すなわち製造工程の最後）にならないと認識されない。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
本発明の１つの目的は、電気的に特に安定した、すなわち低電流の欠点が低減した、発光ダイオードチップを開示することである。本発明のさらなる目的は、このような発光ダイオードチップの製造方法を開示することである。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発光ダイオードチップの少なくとも一実施形態によると、本発光ダイオードチップは、動作時にインコヒーレントな電磁放射を放出する目的で提供される。すなわち、本発光ダイオードチップは、特に、動作時にコヒーレントな電磁放射を放出するレーザではなく、例えば大きな立体角範囲へのインコヒーレントな電磁放射を放出する発光ダイオードチップである。
【０００５】
本発光ダイオードチップの少なくとも一実施形態によると、本発光ダイオードチップは、ｎ導電型半導体層と、ｐ導電型半導体層と、これらｎ導電型半導体層とｐ導電型半導体層との間に配置されている活性領域と、を備えている。これらの導電型半導体層は、例えは、半導体材料から構成されている層であって、対応する導電型にドープされており、例えば互いに重なるようにエピタキシャル成長させた層である。ｎ導電型半導体層とｐ導電型半導体層の界面には、例えば少なくとも１層の放射放出層を備えた活性領域が形成されており、本発光ダイオードチップの動作時、この放射放出層において電磁放射が生成される。
【０００６】
本発光ダイオードチップの少なくとも一実施形態によると、本発光ダイオードチップは、ｎ導電型半導体層、ｐ導電型半導体層、および活性領域の、横方向における境界を形成している側面を備えている。したがって、この側面は、発光ダイオードチップの側腹部である。この場合、本発光ダイオードチップは、例えば、本発光ダイオードチップの底面と本発光ダイオードチップの上面とを互いに結合している４つの側面を備えていることができる。本発光ダイオードチップは、横方向（すなわち、例えば半導体層の成長方向に対して垂直、または成長方向を横切る方向）には、少なくとも１つの側面によって境界が形成されている。言い換えれば、本発光ダイオードチップの半導体材料は、側面において終了している。側面は、周囲の媒体（例えば、パッシベーション層、封止体、または空気）に隣接していることができる。
【０００７】
本発光ダイオードチップの少なくとも一実施形態によると、本発光ダイオードチップはドーピング領域を備えている。このドーピング領域においては、発光ダイオードチップの半導体材料にドーパントが導入されている。この場合、このドーパントは、例えば、ｎ導電型半導体層およびｐ導電型半導体層をそれぞれｎ型およびｎ型にドープするドーパントとは異なるドーパントである。この場合、ドーピング領域は、側面において、少なくとも活性領域の領域に形成されている。すなわち、本発光ダイオードチップの側面には、活性領域の領域にドーピング領域が形成されている。この場合、ドーピング領域は、側面に沿って発光ダイオードチップの他の層（例えばｎ導電型半導体層およびｐ導電型半導体層）の上に延在していることも可能である。側面にドーピング領域が形成されているとは、側面から離れている発光ダイオードチップの中央領域には、ドーピング領域のドーパントがまったく、または実質的に存在しないことをさらに意味する。言い換えれば、ドーピング領域は、側面において局所的に（この場合には少なくとも活性領域の領域に）形成されている。ドーパントは、例えば、側面の領域、例えば活性領域またはその周囲の領域におけるｎ導電型領域を、ｐ導電型領域に変換する。すなわち、ドーパントは、存在しているｎ型ドーピングを過補償（overcompensates）する。逆に、このような再ドーピングによって、ｐ導電型領域のドーピングを反転させてｎ導電型領域を形成することも可能である。これにより、実際の放射生成領域が発光ダイオードチップの側面から内側に移行する。したがって、この拡散領域は、ｐｎ接合を、より大きなバンドギャップを有する材料に置き換える効果を持つ。
【０００８】
本発光ダイオードチップの少なくとも一実施形態によると、側面の領域、例えば活性領域もしくはその周囲またはその両方の領域において、ｎ導電型領域もしくはｐ導電型領域またはその両方が中和されている（neutralized）。この目的のため、それぞれのドーパントが、例えば水素によって中和され、したがって、このように処理されるｎ導電型領域もしくはｐ導電型領域またはその両方が、本質的に導電性の半導体領域になる。言い換えれば、この場合、本発光ダイオードチップは、側面において、少なくとも活性領域の領域に形成された中和領域を備えている。
【０００９】
本発光ダイオードチップの少なくとも一実施形態によると、本発光ダイオードチップは、ｎ導電型半導体層と、ｐ導電型半導体層と、これらｎ導電型半導体層とｐ導電型半導体層との間に配置されている活性領域と、を備えている。さらには、本発光ダイオードチップは、ｎ導電型半導体層、ｐ導電型半導体層、および活性領域の、横方向における境界を形成している側面と、発光ダイオードチップの半導体材料内にドーパントが導入されているドーピング領域、もしくは、中和領域、またはその両方と、を備えている。この場合、ドーピング領域もしくは中和領域またはその両方は、側面において、少なくとも活性領域の領域に形成されている。本発光ダイオードチップは、動作時にインコヒーレントな電磁放射を放出する目的で提供されており、すなわち、本発光ダイオードチップは、動作時にインコヒーレントな電磁放射を放出する。ドーピング領域もしくは中和領域またはその両方は、発光ダイオードチップのすべての側面に形成することができる。
【００１０】
この場合、本明細書に記載されている発光ダイオードチップは、特に、以下の原理に基づいている。すなわち、側面の領域において、活性領域が、例えば適切なドーパントの内部拡散によって、同じ導電型の半導体に変換される。すなわち、元のｎ型ドーピングまたはｐ型ドーピングが、追加のドーパントによって過補償される。例えば、もともとｎ型にドープされていた領域が、弱くｐ型にドープされた領域になる。放射を生成するために設けられる実際の活性領域は、ドーピング領域によって、発光ダイオードチップの側面から内側に移行する。
【００１１】
これに代えて、またはこれに加えて、上述した中和を側面において行うことができる。
【００１２】
これらの結果として、側面には、電圧降下がほとんど、またはまったく存在せず、したがって、例えば上述した残渣などのさらなる短絡経路が、本発光ダイオードチップの電気的挙動および光学的挙動に影響しない。したがって、発光ダイオードチップの側面に、電気的絶縁のための追加の層を形成する必要がない。
【００１３】
本発光ダイオードチップの少なくとも一実施形態によると、ドーピング領域もしくは中和領域またはその両方は、発光ダイオードチップの側面全体に形成されている。すなわち、ドーピング領域もしくは中和領域またはその両方は、発光ダイオードチップの側面、好ましくは発光ダイオードチップのすべての側面において、発光ダイオードチップの半導体材料全体にわたり延在している。
【００１４】
本発光ダイオードチップの少なくとも一実施形態によると、ドーピング領域もしくは中和領域またはその両方は、側面から発光ダイオードチップの内部方向に測定したときの厚さとして、少なくとも１０ｎｍ、最大で１００μｍの厚さを有する。この最小厚さでは、側面の十分な保護が確保される。光学的活性領域を形成するための十分な空間が半導体チップの内側に残されているように、ドーピング領域もしくは中和領域またはその両方の浸透深さは限定されていることが好ましい。発光ダイオードチップの半導体材料内に配置されているドーピング領域の境界は、例えば、ドーピング領域を形成しているドーパントの濃度が、発光ダイオードチップの半導体材料内におけるその最大濃度の１／ｅまで低下する位置にあるものと想定する。例えば、中和領域における水素の導入についても、これと同様の想定がなされる。
【００１５】
本発光ダイオードチップの少なくとも一実施形態によると、活性領域と、さらに好ましくはｎ導電型半導体層およびｐ導電型半導体層は、窒化物化合物半導体材料をベースとしている。「窒化物化合物半導体材料をベースとしている」とは、本明細書においては、活性領域と、適切な場合には上記の半導体層またはその少なくとも一部分とが、窒化物化合物半導体材料、好ましくはＡｌｎＧａｍＩｎ１−ｎ−ｍＮ（０≦ｎ≦１、０≦ｍ≦１、ｎ＋ｍ≦１）を含んでいる、またはこのような材料からなることを意味する。この場合、この材料は、上記の化学式に従った数学的に正確な組成を有する必要はない。むしろ、この材料は、例えば上記の層のｎ型導電性およびｐ型導電性を付与する１種類または複数種類のドーパントを含んでいる。
【００１６】
本発光ダイオードチップの少なくとも一実施形態によると、活性領域と、さらに好ましくはｎ導電型層およびｐ導電型層は、リン化物化合物半導体材料をベースとしている。「リン化物化合物半導体材料をベースとしている」とは、本明細書においては、活性領域と、適切な場合には上記の半導体層またはその少なくとも一部分とが、ＡｌｎＧａｍＩｎ１−ｎ−ｍＰまたはＡｓｎＧａｍＩｎ１−ｎ−ｍＰ（０≦ｎ≦１、０≦ｍ≦１、ｎ＋ｍ≦１）を含んでいることを意味する。この場合、この材料は、上記の化学式に従った数学的に正確な組成を有する必要はない。むしろ、この材料は、例えば上記の層のｎ型導電性およびｐ型導電性を付与する１種類または複数種類のドーパント、および追加の構成成分を含んでいることができる。
【００１７】
本発光ダイオードチップの少なくとも一実施形態によると、活性領域と、さらに好ましくはｎ導電型層およびｐ導電型層は、ヒ化物化合物半導体材料をベースとしている。「ヒ化物化合物半導体材料をベースとしている」とは、本明細書においては、活性領域と、適切な場合には上記の半導体層またはその少なくとも一部分とが、ヒ化物化合物半導体材料、好ましくはＡｌｎＧａｍＩｎ１−ｎ−ｍＡｓ（０≦ｎ≦１、０≦ｍ≦１、ｎ＋ｍ≦１）を含んでいる、またはこのような材料からなることを意味する。この場合、この材料は、上記の化学式に従った数学的に正確な組成を有する必要はない。むしろ、この材料は、例えば上記の層のｎ型導電性およびｐ型導電性を付与する１種類または複数種類のドーパントを含んでいる。
【００１８】
この場合、ドーピング領域を形成するためのドーパントは、亜鉛またはマグネシウムであることが好ましい。
【００１９】
本発光ダイオードチップの少なくとも一実施形態によると、側面には、少なくとも活性領域の領域において、さらなるパッシベーション（不動態化）層が存在しない。すなわち、ドーピング領域もしくは中和領域またはその両方によって側面の電気的不動態化が行われることにより、少なくとも活性領域の領域においては、側面にさらなる絶縁材料（例えば、二酸化ケイ素、または窒化ケイ素）を堆積させるステップを省くことができる。
【００２０】
本発光ダイオードチップの少なくとも一実施形態によると、ドーピング領域に加えて、さらなるパッシベーション層が形成されている。したがって、本発光ダイオードチップは、特に良好な電気的挙動を特徴とし、なぜなら、個片化工程において残渣（さらなるパッシベーション層によって覆われる）が生じても、ドーピング領域が存在することによって、発光ダイオードチップの低電流という弱点につながらないためである。さらには、このようなさらなるパッシベーション層は、発光ダイオードチップの機械的保護および化学的保護としても有利である。
【００２１】
本発光ダイオードチップの少なくとも一実施形態によると、側面は、ｎ導電型半導体層およびｐ導電型半導体層の成長方向に対して９０゜未満の角度で延びている。一例として、側面は、上記の半導体層が上に配置されているキャリアに対して９０゜未満の角度、好ましくは５０゜未満の角度で延びている。
【００２２】
さらには、発光ダイオードチップの製造方法を開示する。本方法によって、特に、本明細書に記載されている発光ダイオードチップを製造することができる。すなわち、本発光ダイオードチップに関して開示されている特徴は、本方法にもあてはまり、逆も同様である。
【００２３】
本方法の少なくとも一実施形態によると、本方法は、最初に成長基板を形成するステップを含んでいる。この成長基板の上に、ｎ導電型半導体層と、活性領域と、ｐ導電型半導体層とを、好ましくは連続的に堆積させる。この場合、上記の層と成長基板との間に、１層または複数のさらなる層（例えばバッファ層）を配置することができる。
【００２４】
次の方法ステップにおいては、活性領域に、複数の拡散領域もしくは中和領域またはその両方を形成する。拡散領域は、ドーパントの選択的な内部拡散により、ドーパントを局所的に導入することによって形成されることが好ましい。この場合、ドーパントは、成長基板とは反対の活性領域の側から（例えば、成長基板とは反対側のｐ導電型半導体層の面から）、活性領域内に導入することができる。選択的な内部拡散は、例えば、マスクを画成することによって、または構造化された拡散源を使用することによって、行うことができる。中和領域は、例えば、水素イオンのイオン打ち込みによって形成することができる。
【００２５】
次の方法ステップにおいては、複数の、好ましくはすべての拡散領域もしくは中和領域またはその両方を通るように個片化し、この場合、製造される発光ダイオードチップの側面が形成され、側面の１つには、少なくとも活性領域の領域に、ドーピング領域もしくは中和領域またはその両方が形成される。言い換えれば、本発光ダイオードチップのドーピング領域もしくは中和領域またはその両方は、拡散領域もしくは中和領域またはその両方を通るように個片化することによって形成される。
【００２６】
本発明の方法においては、活性領域に拡散領域もしくは中和領域またはその両方を形成する工程は、温度の影響を受ける材料（例えば金属）を堆積させる前に行われる。すなわち、特に、発光ダイオードチップの金属コンタクトもしくは金属ミラーまたはその両方を形成する前に、拡散を行う。結果として、半導体材料内へのドーピング領域の拡散を、比較的高い温度（例えば２８０℃を超える温度）まで上昇させることによって支援することができる。
【００２７】
本方法の少なくとも一実施形態によると、拡散領域（したがって拡散領域によって形成されるドーピング領域）、もしくは中和領域、またはその両方は、ｎ導電型半導体層と、活性領域と、ｐ導電型半導体層とを貫いている。すなわち、本発光ダイオードチップの完成後に本発光ダイオードチップの半導体材料の横方向における境界を形成しているすべての側面において、ドーピング領域が領域全体に形成されており、側面全体にわたり延在している。
【００２８】
上述した製造方法の代替形態として、発光ダイオードチップの側面を介して、すなわち発光ダイオードチップを個片化した後、ドーパントを局所的に導入することも可能である。この場合、拡散領域を通るように個片化を行う必要がない。
【００２９】
以下では、本発明の発光ダイオードチップおよび本発明の方法について、例示的な実施形態に基づき、関連する図面を参照しながらさらに詳しく説明する。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】本発明の発光ダイオードチップの例示的な実施形態を概略断面図として示している。
【図２Ａ】本発明の方法の例示的な実施形態を、概略断面図として示している。
【図２Ｂ】本発明の方法の例示的な実施形態を、概略断面図として示している。
【図２Ｃ】本発明の方法の例示的な実施形態を、概略断面図として示している。
【図２Ｄ】本発明の方法の例示的な実施形態を、概略断面図として示している。
【図２Ｅ】本発明の方法の例示的な実施形態を、概略断面図として示している。
【図２Ｆ】本発明の方法の例示的な実施形態を、概略断面図として示している。
【発明を実施するための形態】
【００３１】
図面において、同じ要素、同じタイプの要素、または同じ機能の要素には、同じ参照数字を付してある。図面と、図面に示した要素間の互いに対するサイズの関係は、正しい縮尺ではないものとみなされたい。むしろ、図を見やすくする、または深く理解できるようにする目的で、個々の要素を誇張した大きさで示してある。
【００３２】
図１の概略断面図は、本発明の発光ダイオードチップの例示的な実施形態を示している。図１の例示的な実施形態においては、本発光ダイオードチップは、キャリア５を備えている。キャリア５は、例えば導電性材料によって形成されている。この場合、キャリア５は、例えば、ゲルマニウムを含んでいる、またはゲルマニウムからなる、あるいは、シリコンを含んでいる、またはシリコンからなることができ、あるいは、金属によって形成することができ、例えば電気めっき法によって形成することができる。
【００３３】
キャリア５の上面には、はんだ層６（例えば金を含んでいることができる）が配置されている。キャリア５とは反対側のはんだ層６の面には、ミラー層（例えば銀もしくはアルミニウムまたはその両方を含んでいる）が配置されている。はんだ層６とは反対側のミラー層７の面には、本発光ダイオードチップの半導体層が続いている。この場合、本発光ダイオードチップは、ｐ導電型半導体層４と、ｎ導電型半導体層３と、これら２層の半導体層の間に配置されている活性領域２とを備えている。活性領域は、本発光ダイオードチップの放射生成領域である。本発光ダイオードチップの動作時、活性領域において、一例として、紫外線領域、可視スペクトル領域、または赤外線領域の電磁放射が生成される。
【００３４】
横方向、すなわち例えば、キャリア５の上面（本発光ダイオードチップの半導体層が配置されている）に平行な方向においては、半導体層２，３，４は、その境界が側面１４によって形成されている。この実施形態の場合、側面１４は、キャリアの上面に対して９０゜未満の角度で延びている。
【００３５】
側面１４にはドーピング領域１が形成されており、このドーピング領域においては、発光ダイオードチップの半導体材料内にドーパントが導入されている。ドーパントは、例えば亜鉛である。発光ダイオードチップの半導体層２，３，４は、例えば、窒化物化合物半導体材料をベースとしている。
【００３６】
ドーピング領域は、側面において、活性領域２の領域に形成されており、この実施形態の場合、側面１４全体にわたり（すなわちｎ導電型半導体層３およびｐ導電型半導体層４の上にも）延在している。本発光ダイオードチップの半導体層の半導体材料のバンドギャップは、ドーピング領域１の外側の活性領域よりもドーピング領域１において大きい。ドーピング領域を形成しているドーパントの浸透深さ（すなわち側面１４から測定したときのドーピング領域１の厚さ）は、この場合、例えば最大で１００μｍである。
【００３７】
ドーピング領域１は、側面１４において電気的パッシベーション部を形成しており、これにより、側面１４にドーピング領域１が存在しない発光ダイオードチップと比較して、発光ダイオードチップの低電流挙動が改善される。
【００３８】
ドーピング領域１の代わりとして、例えば、上述した中和領域１を使用することができる。
【００３９】
ドーピング領域１による電気的パッシベーション部に加えて、ｎ型電極９によって覆われている領域以外の、発光ダイオードチップの露出した外側領域は、パッシベーション層８（例えば窒化ケイ素からなる）によって被覆されている。パッシベーション層８は、ミラー層７を覆っており、この場合、ミラー層７を側面において封止している。
【００４０】
しかしながら、本発明のドーピング領域の存在により、少なくとも活性領域の領域においてはパッシベーション層８を省くことが可能である（この点において図２Ｆも参照。図２Ｆは、本発明の発光ダイオードチップのさらなる例示的な実施形態を示しており、この発光ダイオードチップにはさらなるパッシベーション層８が存在しない）。
【００４１】
以下では、本発明の発光ダイオードチップを製造するための、本発明の方法の例示的な実施形態について、図２Ａ〜図２Ｆの概略断面図を参照しながらさらに詳しく説明する。最初の方法ステップ（図２Ａ）においては、成長基板１０を形成し、この成長基板は、例えばサファイアによって形成されている、またはサファイアからなる。これに代えて、成長基板１０は、例えばＳｉＣまたはＧａＡｓによって形成することもできる。
【００４２】
その後、成長基板１０の成長面の上に、ｎ導電型半導体層３と、活性領域２と、ｐ導電型半導体層４とを、エピタキシャルに堆積させる（この点において図２Ｂを参照）。
【００４３】
次いで、図２Ｃに示したように、成長基板１０とは反対側のｐ導電型半導体層４の面に、マスク１２をパターニングする。拡散領域１１を形成するためのドーパントを、マスクによって覆われていない領域の中に内部拡散させる。この段階では、上述した半導体層が形成された半導体ウェハは、温度の影響を受ける材料（例えばコンタクトの金属またはミラーの金属）をまだ備えていない。したがって、ドーパントの内部拡散を支援する目的で、半導体を高温に加熱することができる。この場合、ドーパントを半導体層２，３，４の中に内部拡散させるのみならず、成長基板１０まで到達させることが可能である。
【００４４】
次の方法ステップにおいては、半導体層２，３，４を、成長基板１０とは反対側の面において、キャリア５の上に固定し、例えば、はんだ層６によってはんだ付けする（オプションとしてミラー層７が存在することができる）。次いで、成長基板１０を、湿式化学的に、またはレーザ分離法によって除去する（図２Ｄ）。
【００４５】
図２Ｅを参照すると、例えばレーザ分離法によって、分離線１３に沿って拡散領域１１を通るように個片化を行う状況を示している。この場合、側面１４に堆積しうる残渣は、発光ダイオードチップの低電流挙動による品質低下にはつながらず、なぜなら、このような残渣は、個片化によって形成されるドーピング領域１の上に堆積し、これらのドーピング領域が電気的絶縁効果を有するためである。
【００４６】
さらなる方法ステップにおいては（図２Ｆを参照）、例えば、キャリア５とは反対側のｎ導電型半導体層３の面に、ｎ型電極を形成することができる。このステップは、個片化の前に行うこともできる。
【００４７】
ドーピング領域１の代わりとして、例えば、上述した中和領域１を使用することができ、中和領域１１は、例えば水素イオンの打ち込みによって形成される。
【００４８】
ここまで、本発明について例示的な実施形態に基づいて説明してきたが、本発明はこれらの実施形態に限定されない。本発明は、任意の新規の特徴および特徴の任意の組合せを包含しており、特に、請求項における特徴の任意の組合せを含んでいる。これらの特徴または特徴の組合せは、それ自体が請求項あるいは例示的な実施形態に明示的に記載されていない場合であっても、本発明に含まれる。
【関連出願】
【００４９】
本特許出願は、独国特許出願第１０２０１００２６５１８．７号の優先権を主張し、この文書の開示内容は参照によって本出願に組み込まれている。
【図１】
2013530543.tif 000003
【図２Ａ】
2013530543.tif 000004
【図２Ｂ】
2013530543.tif 000005
【図２Ｃ】
2013530543.tif 000006
【図２Ｄ】
2013530543.tif 000007
【図２Ｅ】
2013530543.tif 000008
【図２Ｆ】
2013530543.tif 000009
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月6日(2013.3.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光ダイオードチップであって、
−  ｎ導電型半導体層（３）と、
−  ｐ導電型半導体層（４）と、
−  前記ｎ導電型半導体層（３）と前記ｐ導電型半導体層（４）との間の活性領域（２）と、
−  前記ｎ導電型半導体層（３）、前記ｐ導電型半導体層（４）、および前記活性領域（２）の、横方向における境界を形成している側面（１４）と、
−  前記発光ダイオードチップの半導体材料内にドーパントが導入されているドーピング領域（１）、もしくは、
−  中和領域（１）、
またはその両方と、
を備えており、
−  前記ドーピング領域（１）もしくは前記中和領域（１）またはその両方が、前記側面（１４）において、少なくとも前記活性領域の領域に形成されており、
−  前記発光ダイオードチップが、動作時にインコヒーレントな電磁放射を放出する目的で提供され、
−  前記ドーピング領域（１）もしくは前記中和領域（１）またはその両方が、前記側面（１４）において電気的パッシベーション部を形成している、
発光ダイオードチップ。
【請求項２】
前記ドーピング領域（１）もしくは前記中和領域（１）またはその両方が、前記側面（１４）における導電率を低下させる、またはその両方である、
請求項１に記載の発光ダイオードチップ。
【請求項３】
前記ドーピング領域（１）もしくは前記中和領域（１）またはその両方が、前記側面（１４）全体に形成されている、
請求項１または請求項２のいずれかに記載の発光ダイオードチップ。
【請求項４】
前記ドーピング領域（１）もしくは前記中和領域（１）またはその両方が、前記側面（１４）からの厚さとして、少なくとも１０ｎｍ、最大で１００μｍの厚さを有する、
請求項１から請求項３のいずれかに記載の発光ダイオードチップ。
【請求項５】
前記活性領域（２）が窒化物化合物半導体材料をベースとしており、前記ドーパントが亜鉛またはマグネシウムである、
請求項１から請求項４のいずれかに記載の発光ダイオードチップ。
【請求項６】
前記側面（１４）に、少なくとも前記活性領域（２）の領域において、さらなるパッシベーション層（８）が存在しない、
請求項１から請求項５のいずれかに記載の発光ダイオードチップ。
【請求項７】
前記側面（１４）が、前記ｎ導電型半導体層（３）および前記ｐ導電型半導体層（４）の成長方向に対して９０゜未満の角度で延びている、
請求項１から請求項６のいずれかに記載の発光ダイオードチップ。
【請求項８】
発光ダイオードチップを製造する方法であって、
−  成長基板（１０）を形成するステップと、
−  前記成長基板（１０）の上に、ｎ導電型半導体層（３）と、活性領域（２）と、ｐ導電型半導体層（４）とを形成するステップと、
−  少なくとも前記活性領域（２）に、複数の拡散領域（１１）もしくは複数の中和領域（１１）またはその両方を形成するステップと、
−  前記発光ダイオードチップの側面（１４）を形成する目的で、複数の前記拡散領域（１１）もしくは複数の前記中和領域（１１）またはその両方を通るように個片化するステップであって、前記側面（１４）のそれぞれにおいて、少なくとも前記活性領域の領域に、ドーピング領域（１）もしくは中和領域（１）またはその両方が形成される、前記ステップと、
を含んでおり、
−  前記発光ダイオードチップが、動作時にインコヒーレントな電磁放射を放出する目的で提供され、
−  前記ドーピング領域（１）もしくは前記中和領域（１）またはその両方が、前記側面（１４）において電気的パッシベーション部を形成している、
方法。
【請求項９】
前記成長基板とは反対の前記活性領域（２）の側から、ドーパントが前記活性領域内に導入される、
請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記拡散領域もしくは前記中和領域（１）またはその両方が、前記ｎ導電型半導体層（３）、前記活性領域（２）、および前記ｐ導電型半導体層（４）を貫いている、
請求項８または請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
請求項１から請求項７のいずれかに記載の発光ダイオードチップが製造される、
請求項８から請求項１０のいずれかに記載の方法。
【国際調査報告】
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