【事件の表示】
　特許第２７７８６２１号「光学的情報記録媒体の製造方法」の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結論】
　訂正を認める。
　特許第２７７８６２１号の特許を維持する。
【理由】
Ｉ．手続の経緯
　本件特許第２７７８６２１号発明は、平成７年５月１１日に特許出願され、平成１０年５月８日にその特許の設定登録がなされ、その後、藤上絢子より特許異議の申立がなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１１年８月１６日に訂正請求がなされたものである。
ＩＩ．訂正の適否についての判断
１．訂正の内容
（１）訂正事項ａ
　請求項１中の「アルゴンガス圧０．８〜１．０Ｐａ以下の条件下」を、「アルゴンガス圧０．８〜１．０Ｐａ未満の条件下」と訂正する。
（２）訂正事項ｂ
　明細書【００１４】中（特許公報第４欄第９行）の、「アルゴンガス圧０．８〜１．０Ｐａ以下の条件下」を、「アルゴンガス圧０．８〜１．０Ｐａ未満の条件下」と訂正する。
２．訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
（１）訂正事項ａについて
　訂正事項ａは、アルゴンガス圧の条件を、「０．８〜１．０Ｐａ以下」とあるを、「０．８〜１．０Ｐａ未満」と訂正し、１．０Ｐａのものを特許請求の範囲から除くものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　また、この訂正は、本件出願前に頒布された刊行物に記載された発明であるとする取消理由通知に対し、該刊行物に記載された範囲のものを除くためのものであるから、新規事項の追加には当たらず、また、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
（２）訂正事項ｂについて
　訂正事項ｂは、特許請求の範囲の訂正に伴って生じた記載上の不整合部分を訂正するものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
　また、この訂正は、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものには当たらない。
３．独立特許要件の判断
［１］．本件請求項１に係る発明
　上記訂正請求により訂正された請求項１に係る発明（以下、「本件発明」という。）は、訂正後の明細書及び図面の記載からみて特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものである。
「【請求項１】基板上に、レーザ光の照射による昇温及び冷却の内の少なくとも一方の熱履歴の違いによって光学的性質が変化する記録膜を備えた光学情報記録媒体において、前記記録膜を高周波スパッタ法によりアルゴンガス圧０．８〜１．０Ｐａ未満の条件下で形成することを特徴とする光学情報記録媒体の製造方法。」
［２］．当審で通知した取消理由の趣旨
　当審で通知した取消理由の趣旨は、
　理由１：本件発明は、刊行物１（特開昭６４−１７２２９号公報）に記載された発明であり、特許法第２９条第１項第３号の規定に違反してなされたものであるから、あるいは、
　理由２：本件発明は、刊行物１、刊行物２（特開平２−２５３９８６号公報）及び刊行物３（特開平６−２６２８５５号公報）に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであるから、
　本件発明に係る特許は取り消されるべきものである、というものである。
［３］．刊行物に記載の発明
　刊行物１には、以下の事項が記載されている。
（１）「光の吸収あるいは光の吸収による温度上昇により状態の変化する記録層を有する光学記録媒体であって、その変化する状態のうち少なくとも一方が略一様な結晶配向を有することを特徴とする光学記録媒体。」（特許請求の範囲第１項）
（２）「本発明は、レーザビームなどの光の熱作用あるいはフォトン効果により情報を記録する光記録媒体とその製造方法に関するものであり、さらに詳言すると薄膜状の光記録媒体において非晶質化と結晶化とを可逆的に生起させることを利用しての情報の高速の記録・消去が可能であり、しかも、記録情報の長期保存性に優れ、かつ、記録・消去の繰り返し性にも優れ、また、これらの特性の再現性にも優れるようにしたものである。」（第２頁左上欄第８〜１７行）
（３）「達成目標とするところは大きく分けて２点ある。即ち、▲１▼記録状態の長期安定性と、その高速消去性の同時向上、および▲２▼記録・消去の繰返しに対する記録状態および消去状態の信号レベルの安定性である。」（第２頁左下欄下から第６行〜末行）
（４）「▲１▼　非晶質−結晶相変化を利用した書換型光記録媒体では、通常、非晶質を記録状態、結晶を消去状態として用いるが、記録状態が安定であるためには、非晶質相が室温で十分に安定でなければならない。即ち、結晶化温度が室温より十分高くなければならない。一方、非晶質相を結晶にもどして信号を消去する時、レーザ加熱して、結晶化温度以上に熱した時の結晶化速度、即ち消去速度が十分に速くなければならない。光記録は通常、高速で回転するディスク状の媒体に対してなされるため、記録のみならず消去も高速でおこなう必要があるからである。・・・・・・（中略）・・・・・・
▲２▼　書換型光記録媒体では、記録・消去の多数回の繰返しに対して安定に動作しなければならない。」（第２頁右下欄第４行〜第３頁左上欄第５行）
（５）「（実施例１）
　Ｓｂ−Ｔｅ複合ターゲット（１００ｍｍφのＴｅ板の上に５ｍｍ角のＳｂピースを数十個配置したもの）を用いてＲＦスパッタリングでガラス基板上にＳｂ−Ｔｅ合金膜を形成した。このスパッタリング条件はＡｒガス圧１×１００Ｐａ、ＲＦパワー１００Ｗでスパッタ時間１０分３０秒であり、これにより膜厚１００ｎｍの薄膜が得られた。
　一方、比較のためにＳｂ２Ｔｅ３合金ターゲット（１００ｍｍφ、Ｓｂ２Ｔｅ３化合物単相からなる）を用いて同条件でＲＦスパッタリングを行い、同じ厚さの薄膜を得た・・・・・・（中略）・・・・・・
　次いで、これらに、マグネトロン、ＲＦスパッタリングにより、ＳｉＯ２の保護膜をオーバーコート層として付加した。」（第４頁右下欄第８行〜第５頁右上欄第９行）
刊行物２には、以下の事項が記載されている。
（６）「本発明は、高速消去可能で、かつ、繰り返し回数の大きな、書き換え型光記録媒体に関するものである。」（第１頁左下欄下から第７〜５行）
（７）「第４図はスパッタガス圧を変えてＴｅ組成比を変えた記録材料の１００℃高湿放置試験での反射率変化を示した特性図であり、線４１ないし線４５はスパッタガス圧を０．６Ｐａ、１．０Ｐａ、１．５Ｐａ、２．０Ｐａ、４．０Ｐａ、（Ｔｅ６０％）に変えて形成された記録材料の特性である。」（第３頁左下欄第６〜１１行）
刊行物３には、以下の事項が記載されている。
（８）「基板上に少なくとも誘電体保護層、相転移型光記録層、誘電体保護層、反射層を順次積層してなる光学的情報記録用媒体において、相転移型光記録層中に含まれるＡｒ量が０．１ａｔ．％以上、１．５ａｔ．％未満であることを特徴とする光学的情報記録用媒体。」（特許請求の範囲の請求項１）
（９）「Ａｒガスを用いたスパッタリング法においては、低圧でスパッタをした場合は高圧でスパッタした場合よりも膜中のＡｒガス量が多くなる。」（公報第２頁第２欄第３７〜３９行）
（１０）「実施例２
　記録層を、Ａｒガス圧０．５Ｐａ、電流０．８ＡでＤＣマグネトロンスパッタリング法により作製した・・・・・（中略）・・・・・Ｒｈ管を用いた蛍光Ｘ線分析でＡｒの含有量を測定したところ０．４２ａｔ．％であった。・・・・・（中略）・・・・・
　実施例３
　記録層を、Ａｒガス圧１．０Ｐａ、電流０．８ＡでＤＣマグネトロンスパッタリング法により作製した・・・・・（中略）・・・・・Ｒｈ管を用いた蛍光Ｘ線分析でＡｒの含有量を測定したところ０．１５ａｔ．％であった。」（第５欄第４８行〜第６欄第２３行）
［４］．当審の判断
（１）理由１について
　本件発明と、刊行物１に記載の発明とを対比すると、刊行物１の「本発明は、レーザビームなどの光・・・・・・光記録媒体」（上記（１）、（２）参照）等の記載からみて、刊行物１の「光の吸収による温度上昇により状態の変化する記録層」及び「光学記録媒体」は、本件発明の「レーザ光の照射による昇温及び冷却の内の少なくとも一方の熱履歴の違いによって光学的性質が変化する記録膜」及び「光学的情報記録媒体」に相当し、また、刊行物１の実施例１には、「ＲＦスパッタリングでガラス基板上にＳｂ−Ｔｅ合金膜を形成した。このスパッタリング条件はＡｒガス圧１×１００Ｐａ、ＲＦパワー１００Ｗでスパッタ時間１０分３０秒であり」と記載（上記（５）参照）され、刊行物１の「ＲＦスパッタリング」及び「ガラス基板」は、本件発明の「高周波スパッタリング」及び「基板」にそれぞれ該当するから、両者は、「基板（ガラス基板）上に、レーザ光の照射により光学的性質が変化する記録膜を備えた光学情報記録媒体において、前記記録膜を高周波（ＲＦ）スパッタ法によりアルゴンガス下で形成する」点で一致し、スパッタリング法として、刊行物１が「Ａｒガス圧１×１００Ｐａ」の実施例が記載され、他にＡｒガス圧について言及されていないのに対し、本件発明が、上記訂正の結果、「アルゴンガス圧０．８〜１．０Ｐａ未満」である点で相違する。
　したがって、本件発明が刊行物１に記載された発明であるとすることはできない。
（２）理由２について
　本件発明と、刊行物１に記載の発明とを比較すると、スパッタリング法として、刊行物１が「Ａｒガス圧１×１００Ｐａ」の実施例が記載され、他にＡｒガス圧について言及されていないのに対し、本件発明が、「アルゴンガス圧０．８〜１．０Ｐａ未満」である点で相違し、その余の点で一致する（上記理由１についての項参照）。
　以下、相違点について検討する。
　刊行物２及び３には、Ｔｅ組成比を変化させ、ｈｅｘ変態温度を低下させること、あるいは、繰り返し特性を改善すること、を目的として、スパッタリング時のガス圧を変えて好ましい範囲を決定すること、またスパッタリング時のガス圧０．６Ｐａ、１．０Ｐａ、１．５Ｐａ、２．０Ｐａ、４．０Ｐａ（刊行物２）、０．５Ｐａ、１．０Ｐａ（刊行物３）の例が記載されている（上記（６）〜（１０）参照）。
　しかしながら、刊行物２及び３には、「アルゴンガス圧０．８〜１．０Ｐａ未満」を選択することについて、また、スパッタガス圧を変化させることで、高速消去性に優れる、すなわち高速消去した場合にもＤＣレーザ光照射によるＤＣ消去の消し残りが小さく、好ましい範囲を決定できることができることについて、記載も示唆もされていない。
　してみると、刊行物１〜３のいずれにも、スパッタリング時の「アルゴンガス圧０．８〜１．０Ｐａ未満」を選択することについては記載されていないことになり、刊行物１〜３を組み合わせたところで、「アルゴンガス圧０．８〜１．０Ｐａ未満」を選択することを含む本件発明に、当業者が容易に想到し得たとすることはできない。
　そして、本件発明は、高速消去性に優れる、すなわち、高速消去した場合にもＤＣ消去の消し残りが小さくする（特に図２参照）という本件明細書に記載の効果を奏するものであり、該効果については、刊行物１〜３の記載から当業者が容易に予期し得るものではない。
　したがって、本件発明は、上記刊行物１〜３記載の発明の基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることはできない。
　よって、本件発明は、特許出願の際独立して特許を受けることができないものではない。
４．むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正請求は、特許法第１２０条の４第２項及び同条第３項で準用する同条第１２６条第２項から第４項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
ＩＩＩ．特許異議の申立てについての判断
　特許異議申立人　藤上絢子は、証拠として甲第１号証（特開昭６４−１７２２９号公報、刊行物１）、甲第２号証（特開平２−２５３９８６号公報、刊行物２）、甲第３号証（特開平６−２６２８５５号公報、刊行物３）及び甲第４号証（特開平１−３０７０３８号公報、以下、「刊行物４」という。）を提示し、
理由Ｉ：本件発明は、甲第１号証に記載された発明であり（理由Ｉ−１）、また、甲第２号証に記載された発明であり（理由Ｉ−２）、特許法第２９条第１項第３号の規定に違反してなされたものであるから、あるいは、
理由ＩＩ：本件発明は、甲第１〜４号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであるから、本件特許は、取り消されるべき旨主張している。
　以下に検討する。
（理由Ｉ−１について）
　甲第１号証及び本件発明が取り消されるべき理由は、上記ＩＩ．３．の項において検討した証拠（刊行物１）及び理由Ｉと同一であり、上記ＩＩ．３．の項において述べたのと同じ理由により、本件発明が刊行物１に記載された発明であるとすることはできない。
（理由Ｉ−２について）
　上記ＩＩ．３．［４］．（２）．理由２についての項において検討したように、刊行物２には、スパッタリング時のガス圧として、０．６Ｐａ、１．０Ｐａ、１．５Ｐａ、２．０Ｐａ、４．０Ｐａの実例が記載されている。しかし、使用したガスは不明であるし、「アルゴンガス圧０．８〜１．０Ｐａ未満の条件下」を選択すること、また、選択したことによる、高速消去性に優れる等の作用効果について、記載も示唆もされていないから、本件発明が、刊行物２に記載された発明であるとすることはできない。
（理由ＩＩについて）
　甲第１〜３号証は、上記ＩＩ．３．の項において検討した証拠（刊行物１〜３）と同一のものであり、甲第１〜３号証には、上記ＩＩ．３．［３］．の項に記載の事項が記載されている。
　一方、刊行物４には、「カルコゲン系材料から成る記録膜を形成する方法として、スパッタ法、特にＲＦスパッタ法（高周波スパッタ法）も従来から使用されてきた。このＲＦスパッタ法は、半導体特性を示すカルコゲン系材料を安定に成膜するのに、スパッタ法の中でも有利な方法である。」（第２頁右上欄第４〜８行）、「高周波スパッタ法ではスパッタ圧が１〜３０ｍＴｏｒｒ、スパッタパワーが２００〜７００ｗの広い範囲にわたって、異常放電もなく、安定なプラズマ状態を保つのに対し、直流スパッタ法では、成膜条件が限定されていることを示している。」（第４頁左下欄第４〜８行）、「真空蒸着法、直流スパッタ法及び高周波スパッタ法のそれぞれの製造方法により、直径１３０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍのポリカーボネート基板上に、Ｔｅ４７Ｇｅ３４Ｓｂ１９では、直流スパッタ法及び高周波スパッタ法のＴｅ合金の記録膜を形成し、製造方法の違いによる特性の差異を求めた。・・・・・・直流スパッタ法及び高周波スパッタ法は・・・・・・実施例１で示す範囲内の条件で成膜を行った。」（第４頁左下欄第１５〜右下欄第７行）と記載されている。
　しかしながら、刊行物４には、「アルゴンガス圧０．８〜１．０Ｐａ未満の条件下」を選択すること、また、選択したことによる、高速消去性に優れる等の作用効果について、記載も示唆もされていないから、刊行物１〜３の記載に更に刊行物４に記載された事項を加えたとしても、上記ＩＩ．３．の項において述べたのと同様の理由により、本件発明が、刊行物１〜４の記載に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
ＩＶ．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立の理由及び証拠によっては、本件特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１１年１２月２２日（１９９９．１２．２２）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
特許第２７７８６２１号発明の明細書を、下記の通り訂正する。
　訂正事項ａ
　特許請求の範囲の【請求項１】の記載中、「アルゴンガス圧０．８〜１．０Ｐａ以下の条件下」とあるを、特許請求の範囲の減縮を目的として、「アルゴンガス圧０．８〜１．０Ｐａ未満の条件下」と訂正する。
　訂正事項ｂ
　明細書【００１４】中（特許公報第４欄第９行）の、「アルゴンガス圧０．８〜１．０Ｐａ以下の条件下」とあるを、明瞭でない記載の釈明を目的として、「アルゴンガス圧０．８〜１．０Ｐａ未満の条件下」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
光学的情報記録媒体の製造方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　基板上に，レーザ光の照射による昇温及び冷却の内の少なくとも一方の熱履歴の違いによって光学的性質が変化する記録膜を備えた光学的情報記録媒体において，前記記録膜を高周波スパッタ法によりアルゴンガス圧０．８〜１．０Ｐａ
未満
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】本発明は，光学的情報記録媒体に関し，詳しくは，レーザ光の照射による昇温，冷却等の熱履歴の違いにより誘起される可逆相変化に伴う光学的性質の変化を利用して情報の記録を行う光学的情報記録媒体，すなわち相変化光ディスクに関するものである。
　【０００２】
　【従来の技術】レーザ光を利用して情報の記録・再生を行う光ディスクは，大容量，可搬型のファイルメモリとして注目されており，すでに，再生専用型，追記型，書換型光磁気ディスクが実用化されている。オーバライトが可能な光ディスクとしては，相変化光ディスク，交換結合光磁気ディスク，磁界変調光磁気ディスクなどが公知であり，その中でも相変化光ディスクは，記録・消去に際して磁場を用いる必要がなく，光ヘッドの構造が簡単，両面ディスクが可能，動作温度依存が小さいなど，多くの長所を有している。
　【０００３】この相変化光ディスクは，アモルファス−結晶間の可逆相変化を情報の記録に用いており，高パワーの光を照射して記録膜を溶融，急冷しアモルファス化する動作を記録動作に，低パワーの光を照射して記録膜を結晶化温度以上に保持して結晶化する動作を消去動作としている。そのため消去可能な最高線速は記録膜の結晶化時間によって制限されている。
　【０００４】こうした相変化光ディスクの記録膜を形成する方法として，真空蒸着法，イオンプレーティング法，スパッタ法などが公知であり，特にスパッタ法は組成，膜厚の制御性がよく，量産化に適するという長所を有している。
　【０００５】例えば，特開平１−３０７０３８号公報（以下，従来例１と呼ぶ）に記載の発明においては，相変化光ディスクの記録膜を形成する方法として，直流スパッタ法を用い，かつ放電を安定化するためにアルゴンガス圧を０．６７〜１．３Ｐａに，印加電力を０．１〜０．２ｋＷの条件下で行うことが望ましいとされてている。
　【０００６】また，特開平４−２３８１２５号公報（以下，従来例２と呼ぶ）には，高周波スパッタ法を用い，アルゴンガス圧を０．２Ｐａと低く設定する方法が開示されている。
　【０００７】
　【発明が解決しようとする課題】光ディスクの転送速度を向上させる方法として，線速度をあげる方法が有効である。しかしながら相変化光ディスクにおいて線速度をあげようとすると，先に述べたように消去動作が結晶化に対応しているために，結晶化速度が不足して消去が不十分になるという問題があった。
　【０００８】また，相変化光ディスクの記録膜のような半導体的性質を持つ材料を形成する方法として，上記従来例１に示されているようなＤＣスパッタ法を用いた場合，帯電して異常放電を生じやすく安定な成膜が困難であるため，成膜条件が限定されるという問題があった。
　【０００９】一方，上記従来例２に示されたような高周波スパッタ法を用いた場合には，導電体から絶縁体まで幅広い材料に対して安定な成膜が行えるが，その成膜条件に関しては詳細には検討されていなかった。特に，成膜条件と記録膜の結晶化速度との関係という観点からの検討は行われていなかった。
　【００１０】そこで，本発明の一つの技術的課題は，レーザ光の照射による昇温，冷却等の熱履歴の違いにより誘起される光学的性質の変化を利用して情報の記録を行う光学的情報記録媒体，すなわち相変化光ディスクにおいて，結晶化速度を速くして高線速でも使用できる光学的情報記録媒体の製造方法を提供することにある。
　【００１１】
　【００１２】また，本発明のもう一つの技術的課題は，安定な成膜を行える光学的情報記録媒体の製造方法を提供することにある。
　【００１３】
　【課題を解決するための手段】本発明者は，記録膜の成膜条件と結晶化速度の関係という観点から鋭意研究を重ねた結果，記録膜を高周波スパッタ法を用いて形成し，かつその際にアルゴンガス圧を制御することにより特定のアルゴンガス圧において記録膜の結晶化速度が速くなることを見いだし，この知見に基づいて本発明を完成するに至ったものである。
　【００１４】即ち，本発明は，基板上に，レーザ光の照射による昇温及び冷却の内の少なくとも一方の熱履歴の違いによって光学的性質が変化する記録膜を備えた光学的情報記録媒体において，前記記録膜を高周波スパッタ法によりアルゴンガス圧０，８〜１，０Ｐａ
未満
　【００１５】
　【００１６】ここで，本発明において，基板上に形成される記録膜には，レーザ光の照射による昇温，冷却の熱履歴の違いにより光学的性質が変化する物質，例えば，Ｓｅ，Ｔｅなどのカルコゲン系材料が用いられる。このようなカルコゲン系材料として，例えば，Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系合金，Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系合金，Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系合金等を用いることができる。
　【００１７】
　【作用】本発明における記録膜を高周波スパッタ法を用いて形成する際の，アルゴンガス圧の制御により記録膜の結晶化速度を速くすることについての詳細なメカニズムについては解明されていない。しかし，この結晶化速度が変化することは，成膜時のアルゴンガス圧に依存して，膜の緻密性，組織，膜中に含まれるアルゴン量，内部応力などが変化するためであると推定される。
　【００１８】本発明においては，このアルゴンガス圧により結晶化速度が速くなる現象を用いることにより，相変化光ディスクにおいて従来よりも高線速条件下でも十分な消去率を得ることができ，高転送速度化を達成することができる。
　【００１９】
　【実施例】以下，本発明の実施例について図面を参照して説明する。
　【００２０】図１は本発明の光学情報媒体を作製するための装置の１例を示す図である。図１を参照して，装置は，真空チャンバ１を備えている。この真空チャンバ１内の基板ホルダ２に基板３が取り付けられている。真空チャンバ１内の基板３に対向してターゲット４が設けられ，このターゲット４には，電力を印加する高周波電源６とともにマッチング回路５が接続されている。また，真空チャンバ１の両側には，スパッタガス導入口７及び排気口８が設けられ，真空チャンバ１内は，排気口８より油拡散ポンプ，クライオポンプなどにより十分高真空となるまで排気された後，スパッタガス導入口７より不活性ガス，例えば，アルゴンガスが導入される。
　【００２１】本発明においては，導入するアルゴンガス圧を０．４〜１．８Ｐａに，さらに好ましくは０．６〜１．２Ｐａに制御することが重要である。
　【００２２】次に，本発明の光学的情報記録媒体の製造の具体例について説明する。
　【００２３】（実施例１）直径１３０ｍｍφ，厚さ１．２ｍｍ厚のポリカーボネイト基板３上にＺｎＳ−２０ａｔ％ＳｉＯ２を１８０ｎｍ，記録膜のＧｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５を２０ｎｍ，保護膜のＺｎＳ−２０ａｔ％ＳｉＯ２を２０ｎｍ，反射層のＡｌを６０ｎｍ順次，高周波スパッタ法で形成し，光ディスク試料とした。一方，同一構成で，記録膜以外の成膜条件を一定とし，記録膜の成膜時のアルゴンガス圧だけを０．１Ｐａから２．０Ｐａと変えた試料を作製した。アルゴンガス流量は１００ｓｃｃｍ，スパッタパワーは１，８×１０−２Ｗ／ｍ２とした。記録膜の成膜用ターゲットの組成はＧｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５である。
　【００２４】以上の工程によって形成された光ディスク試料において，記録膜の組成をＩＣＰ発光分光分析法で測定したところ，ガス圧によらずほぼターゲット組成と同一組成の膜が形成されていることが確認された。
　【００２５】次に，作製した光ディスク試料を，線速が１５．０ｍ／ｓおよび１８．８ｍ／ｓとなるように回転させ，記録消去特性を評価した。この記録消去再生に用いた光学ヘッドは，半導体レーザの波長が８２０ｎｍ，対物レンズのＮＡは０．５５である。再生パワーは１，０ｍＷとした。各試料とも記録前にあらかじめＤＣレーザ光を照射して記録層を成膜直後の非晶質状態から結晶状態に変化させてある。
　【００２６】各光ディスク試料に，あらかじめ，２次高調波歪みが最小となる記録パワーで３．７ＭＨｚの信号を記録した後，ＤＣ消去を行い，最も高いＤＣ消去率が得られた消去パワーでＤＣ消去を繰り返した。このときの初回と２回目のＤＣ消去率の差を，ＤＣ消去の消し残りと定義し，結晶化速度を評価した。ＤＣ消去の消し残りが小さいほど，初回から飽和消去率が得られていることになるので，結晶化速度が速いということになる。
　【００２７】図２はこの光ディスク試料の結晶化速度測定結果を示す図である。図２に示すように，線速１５．０ｍ／ｓにおけるＤＣ消去の消し残りが３ｄＢ以下であることを基準にすると，記録膜の成膜時のアルゴンガス圧が０，４Ｐａから１．８Ｐａにおいて結晶化速度が速くなっていることがわかる。また，さらに好ましい範囲を限定するならば，線速１８．８ｍ／ｓにおけるＤＣ消去の消し残りを参考にすると，０．６Ｐａから１．２Ｐａにおいて特に結晶化速度が速くなっていることがわかる。
　【００２８】（実施例２）実施例１と同様に，ただし，アルゴンガス圧は１．０Ｐａに，アルゴンガス流量は１００ｓｃｃｍとして，スパッタパワーを１．２×１０−２〜４．６×１０−２Ｗ／ｍ２と変えられた光ディスク試料を作製した。さらに低パワーになると成膜速度が速くなって実用的な成膜速度が得られなくなる可能性があるが，設定したスパッタパワーの下限である１．２×１０−２Ｗ／ｍ２においても成膜速度が毎分２．５ｎｍと充分実用的な値が得られた。また，あまり高パワーになると，異常放電が発生して安定な成膜が行えなくなる可能性があるが，設定したスパッタパワーの上限である４．６×１０−２Ｗ／ｍ２においても放電は安定していた。
　【００２９】（比較例１）実施例１と同様に，ただし，アルゴンガス圧は１．０Ｐａに，スパッタパワーは１．８×１０−２Ｗ／ｍ２として，アルゴンガス流量を１０〜１５０ｓｃｃｍと変えた試料を作製した。実施例１と同様に，ＤＣ消去の消し残りを測定した。図３は，この測定結果を示している。図３に示すように，ＤＣ消去の消し残りはアルゴンガス流量にはほとんど依存せず，アルゴンガス流量に関して幅広い成膜マージンがあることが確認された。
　【００３０】（実施例３）実施例１と同様に，ただし，記録膜の成膜用ターゲットをＧｅ１Ｓｂ４Ｔｅ７として，記録膜の成膜時のアルゴンガス圧だけを０．１Ｐａから２．０Ｐａと変えた光ディスク試料を作製した。アルゴンガス流量は１００ｓｃｃｍ，スパッタパワーは１．８×１０−２Ｗ／ｍ２である。実施例１と同様に，ただし，線速は２０．０ｍ／ｓとしてＤＣ消去の消し残りを測定した。図４はその測定結果を示している。図４に示すように，記録膜がＧｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５の場合とほぼ同様に，アルゴンガス圧が０，４〜１．４ＰａにおいてＤＣ消去の消し残りが少なく，結晶化速度が速くなっていることがわかる。
　【００３１】（参考例１）シリコン基板上に記録膜のＧｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５だけを１００ｎｍ形成した試料を作製し，記録膜中に含まれるアルゴンの組成をラザフォード後方散乱分析法により分析した。ここで記録膜の成膜には，実施例１と同様にＧｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５ターゲットを用いた。分析条件は，入射ビームＨｅ２＋，加速ネルギーは２．７ＭｅＶ，ビーム径は１ｍｍφ，入射角３０°，検出角１６５°である。図５はその分析結果を示している。図５の結果を図２とあわせて検討すると，記録膜のアルゴン含有量が０．０９〜０．２０ａｔ％の時に結晶化速度が速くなっていることがわかった。
　【００３２】（参考例２）参考例１と同様に，シリコン基板上にＧｅ１Ｓｂ４Ｔｅ７だけを１００ｎｍ形成した試料を作製し，記録膜中に含まれるアルゴンの組成をラザフォード後方散乱分析法により分析したところ，実施例４とほぼ同様に，記録膜のアルゴン含有量が０．０９〜０．２０ａｔ％の時に結晶化速度が速くなっていることがわかった。
　【００３３】
　【発明の効果】以上，説明したように，本発明では，基板上に，レーザ光の照射による昇温，冷却等の熱履歴の違いによって光学的性質が変化する記録膜を備えた光学的情報記録媒体において，前記記録膜がアルゴンを含有すること，及び前記記録膜を高周波スパッタ法によりアルゴンガス圧０．４〜１．８Ｐａの条件下で形成することによって，記録膜の結晶化速度が速く高線速においてもオーバライトが可能な光学的情報記録媒体を得ることができるため，相変化光ディスクの転送速度を大幅に向上することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】本発明の装置の１例を示す図である。
　【図２】本発明の実施例１に係る光学的情報記録媒体の記録膜成膜時のアルゴンガス圧と，結晶化速度に対応しているＤＣ消去の消し残りとの関係を示す図である。
　【図３】比較例として，記録膜成膜時のアルゴンガス流量と，結晶化速度に対応しているＤＣ消去の消し残りとの関係を示す図である。
　【図４】本発明の実施例３に係る光学的情報記録媒体の記録膜成膜時のアルゴンガス圧と，結晶化速度に対応しているＤＣ消去の消し残りとの関係を示す図である。
　【図５】本発明の実施例４に係る光学的情報記録媒体の記録膜成膜時のアルゴンガス圧と，記録膜のアルゴン含有量の関係を示す図である。
　【符号の説明】
１　真空チャンバ
２　基板ホルダ
３　基板
４　ターゲット
５　マッチング回路
６　高周波電源
７　スパッタガス導入口
８　排気口