【事件の表示】
特許第２６９９９５４号「ボンディングツール」の請求項１に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結論】
訂正を認める。
　特許第２６９９９５４号の請求項１に係る特許を維持する。
【理由】
Ｉ．手続の経緯
　本件特許第２６９９９５４号の請求項１及び請求項２に係る発明は、平成７年１０月１６日に出願され、平成９年９月２６日にその特許権の設定の登録がなされ、その後、神鋼コベルコツール株式会社により請求項１に関して特許異議の申立てがなされ、平成１０年１２月１４日に取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１１年２月２２日に訂正請求がなされたものである。
ＩＩ．訂正の適否
１．訂正の内容
　訂正事項ａ
　特許請求の範囲請求項１中「棒状部材である」を「棒状部材であり、前記外表面が研磨されている」と訂正する。
　訂正事項ｂ
　【００１４】における全記載を「【課題を解決するための手段】本発明の特徴は、半導体チップが入り込む開口を有するテープ状部材の該開口縁より内側に延存する複数のリード部材に対応する前記半導体チップのバンフとを重ね押圧し接合するボンディングツールにおいて、該ボンディングツールの外表面が錫溶液との接触角が大きく錫とぬれ性が悪い材質で一体化されて形成される棒状部材であり、前記外表面が研磨されていることを特徴とするボンディングツール。」と訂正する。
　訂正事項ｃ
【００２９】におけるにおける全記載を「【発明の効果】以上説明したように本発明は、錫の付着しにくく硬度の高い材質でボンディングツールの先端部を形成し、その外表面を研磨することによって、隣接Ａ１パッド間やＡ１パッドと側部配線間でショートの原因になるような大きなＳｎ屑の発生がなくなり、その結果、半導体装置の信頼性や製造歩留りが低下しないでＴＡＢ型のＩＣを製造できるという効果が得られた。」と訂正する。
２．訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　訂正事項ａについて
　願書に添付した明細書の【００２０】には、「本発明の第１の実施の形態としてアルミナセラミック（Ａｌ２０３）とジルコニア（ＺｒＯ２）の材料で一体化されたボンディングツールの製作を試みた。これにはまず粉末状のアルミナをバインド材を含ませ固めてから焼成し前述の図５（ｂ）で示した棒状部材に成形した。次にこの棒状部材の先端面の表面粗さをＲａ０．０５μｍ以下になるように研磨しボンディングツールに成形した。」と記載され、上記記載（これに関する「図５（ｂ）」の記載を含む。）によれば、
訂正事項ａは、新規事項の追加に該当せず、特許請求の範囲の減縮に該当し、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでない。
　訂正事項ｂ及びｃについて
　訂正事項ｂ及びｃは、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内において、「特許請求の範囲」の訂正に対応したものであり、新規事項の追加に該当せず、明瞭でない記載の釈明に該当し、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでない。
３．独立特許要件
　訂正後における特許請求の範囲請求項１に記載された発明（以下、「本件請求項１に係る発明」という。）は、次の「ＩＩＩ．特許異議申立についての判断」において示すように特許出願の際独立して特許を受けることができない発明でもない。
４．以上のとおりであるから、上記訂正請求は、特許法第１２０条の４第２項の規定、及び同条第３項で準用される、この特許法第１２６条第２〜４項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
ＩＩＩ．特許異議の申立についての判断
１．本件請求項１に係る発明
　本件請求項１に係る発明は、訂正後の特許請求の範囲の請求項１に記載された次の事項により特定されるものである。
　【請求項１】半導体チップが入り込む開口を有するテープ状部材の該開口縁より内側に延存する複数のリード部材に対応する前記半事体チップのバンプとを重ね押圧し接合するボンディングツールにおいて、該ボンディングツールの外表面が錫溶液との接触角が大きく錫とぬれ性が悪い材質で一体化されて形成される棒状部材であり、前記外表面が研磨されていることを特徴とするボンディングツール。
２．申立理由の概要。
　異議申立人の神鋼コベルコツール株式会社は、甲第１号証（特開平２−２２４３４９号公報）、甲第２号証（特開平３−１９８３６０号公報）、甲第３号証（特開平４−１１４４４０号公報）及び甲第４号証（特開昭５３−８７１６６号公報）を提出し、本件請求項１に係る発明は、上記甲各号証に記載されたものに基づいて当業者が容易に発明することができたものであるから、その特許は特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたもの（「理由１」）で、取り消されるべきである旨、
本件明細書の特許請求の範囲請求項１における「ボンディングツールの外表面が錫溶液との接触角が大きく錫とぬれ性が悪い材質で一体化されて形成される」は、「（ａ）外表面が本体と異なった材質で被覆してそれらを合わせて（一体化して）形成したボンディングツールを意味するのか、（ｂ）本体が全て単一の材質で一体化して形成される（即ち、表面が本体と異なる材質で被覆されていない）ボンディングツールを意味するのか不明である」（異議申立書３頁参照）から、本件請求項１に係る発明発明の特許は、特許法第３６条第６項の規定を満たしていない出願に対してなされたもの（「理由２」）で、取り消されるべきである旨、及び、
平成９年７月４日の手続補正は、特許請求の範囲請求項１における記載「該ボンディングツールの外表面の材質が錫溶液との接触角が大きく錫とぬれ性の悪い材質である」を「該ボンディングツールの外表面が錫溶液との接触角が大きく錫とぬれ性が悪い材質で一体化されて形成される棒状部材である」とする補正を含むものであるところ、「該ボンディングツールの外表面が錫溶液との接触角が大きく錫とぬれ性が悪い材質で一体化されて形成される棒状部材である」については、願書に最初に添付した明細書または図面に記載されていないから、本件請求項１に係る発明の特許は、特許法第１７条の２第３項の規定を満たしていない補正をした出願に対してなされたもの（「理由３」）で、取り消されるべきである旨主張する。
３．判断など
イ．「理由１」について
　（甲各号証に記載の事項）
　甲第１号証には、Ｓｉ、Ｓｉ３Ｎ４を主成分とする焼結体、ＳｉＣを主成分とする焼結体、ＡＩＮを主成分とする焼結体およびまたはこれらの複合体からなる基体に気相合成法で析出させた多結晶ダイヤモンドを被覆したものを工具先端部とすることを特徴とするダイヤモンドツールが記載されている。
　甲第２号証には、半導体素子上の電極とリード端子とを熱圧着するボンディングツールにおいて、ボンディングツール先端部にＳｉＣから成る導電性伝熱部を設け、前記導電性電熱部へ電極を固定すると共に圧着面にダイヤモンド皮膜を形成させたことを特徴とするボンディングツールが記載されている。
　甲第３号証には、ボンディング用ツール本体（３１）の先端に、厚さが数μｍであるＴｉＮ膜（３２）を設けた構成としたことを特徴とするボンディング用ツールが記載されている。
　甲第４号証には、電子部品接合工具であって、少なくとも接合面に、接合工具本体の材質とは異なる硬質物質、例えば窒化チタン、酸化アルミニウムを形成したものが記載されている。
　（対比・判断）
　本件請求項１に係る発明を甲第１乃至４号証に記載のものと対比し、検討する。
　まず甲第１号証に記載のものの工具先端部（３）を形成する「基体に気相合成法で析出させた多結晶ダイヤモンド」は、錫溶液との接触角が大きく錫とぬれ性が悪い材質であるか否かはさておき、甲第１号証には、工具先端部（３）の外表面が本件請求項１に係る発明における「棒状部材」の表面のように研磨されている旨の記載はない。
　また甲第２号証に記載のものの導電性伝熱部（ボンディングツールの先端部）の圧着面に形成させたダイヤモンドは、錫溶液との接触角が大きく錫とぬれ性が悪い材質であるか否かはさておき、甲第２号証には、ダイヤモンド皮膜の外表面が本件請求項１に係る発明における「棒状部材」の表面のように研磨されている旨の記載はない。
　また甲第３号証に記載のもののボンディング用ツール本体（３１）の先端に設けたＴｉＮは、本件特許期細書の記載によれば錫溶液との接触角が大きく錫とぬれ性が悪い材質であるが、甲第３号証には、ＴｉＮ膜（３２）の外表面が、本件請求項１に係る発明における「棒状部材」の表面のように研磨されている旨の記載はない。
　更に甲第４号証に記載のものの「接合工具本体の材質とは異なる硬質物質」、例えば窒化チタン、酸化アルミニウムは、本件特許明細書の記載によれば錫溶液との接触角が大きく錫とぬれ性が悪い材質であるが、形成された接合面（１８）の外表面が、本件請求項１に係る発明における「棒状部材」の表面のように研磨されている旨の記載はない。
　そして、他の点はさておき、本件請求項１に係る発明における「前記外表面が研磨されている」つまり「棒状部材」外表面が研磨されている構成は、甲第１乃至４号証に記載のものにより示唆されるものでもない。
　そして、本件請求項１に係る発明は、前記構成により隣接Ａ１パッド間や側部配線間でショートの原因になるような大きなＳｎ屑の発生がなく、その結果、半導体装置の信頼性や製造歩留りが低下しないでＴＡＢ型のＩＣを製造できるボンディングツールを提供し得るという効果を奏するものと認める。
　したがって、本件請求項１に係る発明は甲第１乃至４号証に記載されたものに基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることはできない。
ロ．「理由２」について
願書に添付した明細書の【００２０】には、「本発明の第１の形態としてアルミナセラミック（Ａ１２０３）とジルコニア（ＺｒＯ２）の材料で一体化されたボンディングツールの製作を試みた。これにはまず粉末状のアルミナをバインド材を含ませ固めてから焼成し前述の図５（ｂ）で示した棒状部材を製作した。次にこの棒状部材の先端面の表面粗さをＲａ０．０５μｍ以下になるように研磨しボンディングツールに成形した。」と記載され、上記記載（これに関する「図５（ｂ）」の記載を含む。）によれば、前記「ボンディングツールの外表面が錫溶液との接触角が大きく錫とぬれ性が悪い材質で一体化されて形成される」は、「本体が全て単一の材質で一体化して形成された（即ち、表面が本体と異なる材質で被覆されていない）ボンディングツール」を意味することは明らかである。
　従って、本件請求項１に係る発明の特許は、特許法第３６条第４項の規定を満たしていない出願に対してなされたものでない。
ハ．「理由３」について
　願書に最初に添付した明細書の「特許請求の範囲」の欄には、
「【請求項１】・・・、該ボンディングツールの外表面の材質が錫溶液との接触角が大きく錫とぬれ性が悪い材質である・・・ボンディグツール。【請求項２】錫とぬれ性が悪い材質で一体化される棒状部材に形成されることを特徴とする請求項１記載のボンディグツール。」と記載され、
願書に最初に添付した明細書の「特許請求の範囲」の欄における上記記載によれば、願書に最初に添付した明細書の「特許請求の範囲」の欄に「該ボンディングツールの外表面が錫溶液との接触角が大きく錫とぬれ性が悪い材質で一体化されて形成される棒状部材である」ことは記載されていたことは明らかであり、本件請求項１に係る発明の特許は、特許法第１７条の２第３項の規定を満たしていない補正をした出願に対してなされたものでない。
ＩＶ．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理及び証拠によっては本件請求項１に係る発明の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件請求項１に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１１年８月２４日（１９９９．８．２４）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
　本件特許第２６９９９５４号号発明の明細書を訂正請求書のとおり訂正する。
（１）特許請求の範囲請求項１中「棒状部材である」を１棒状部材であり、前記外表面が研磨されている」と訂正する。
（２）【００１４】における全記載を「【課題を解決するための手段】本発明の特徴は、半導体チップが入り込む開口を有するテープ状部材の該開口縁より内側に延存する複数のリード部材に対応する前記半導体チップのバンフとを重ね押圧し接合するボンディングツールにおいて、該ボンディングツールの外表面が錫溶液との接触角が大きく錫とぬれ性が悪い材質で一体化されて形成される棒状部材であり、前記外表面が研磨されていることを特徴とするボンディングツール。」と訂正する。
（３）【００２９】におけるにおける全記載を「【発明の効果】以上説明したように本発明は、錫の付着しにくく硬度の高い材質でボンディングツールの先端部を形成し、その外表面を研磨することによって、隣接Ａ１パッド間やＡ１パッドと側部配線間でショートの原因になるような大きなＳｎ屑の発生がなくなり、その結果、半導体装置の信頼性や製造歩留りが低下しないでＴＡＢ型のＩＣを製造できるという効果が得られた。」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
ボンディングツール
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　半導体チップが入り込む開口を有するテープ状部材の該開口縁より内側に延在する複数のリード部材に対応する前記半導体チップのバンプとを重ね押圧し接合するボンディングツールにおいて、該ボンディングツールの外表面が錫溶液との接触角が大きく錫とぬれ性が悪い材質で一体化されて形成される棒状部材で
あり、前記外表面が研磨されている
　【請求項２】　前記棒状部材の材質がジルコニアであることを特徴とする請求項１記載のボンディングツール。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】本発明は、半導体チップが入り込む開口を有するテープ状部材の該開口縁より内側に延在するリード部材と該リード部材と対応する前記半導体チップのバンプとを重ね押圧し接合するボンディングツールに関する。
　【０００２】
　【従来の技術】従来、この種のＩＣは、ＴＡＢ（Ｔａｐｅ　Ａｕｔｏｍａｔｅｄ　Ｂｏｎｄ−ｉｎｇ）と総称されるＩＣである。このＩＣは、樹脂テープ上に被着されたり一ド部材を半導体チップの周辺にあるバンプと接続される構造を有している。このリード部材をバンプに接続する場合、リード部材を１本ずつ接合していくシングルポイントボンディングとＩＣのリード部材の全てをを一括して同時に接合するギャングボンデイングとあるが、ここではシングルポイントボンディングについて説明する。
　【０００３】図４（ａ）および（ｂ）はＴＡＢ型のＩＣのリードのボンデイング方法を説明するだめの図である。ＴＡＢ型のＩＣは、図４（ａ）に示すように、半導体チップ７のＡ１パッド２上にポールボンディング法やメッキ法で形成されるＡｕやＣｕなどのバンプ３が形成されている。一方、ＴＡＢテープ４は、テープに被着されたＣｕ箔がエッチングされて形成されインナーリード５を有している。さらに、このインナーリード５はアウターリード（図示せず）を含め表面にＡｕやＳｎがメッキされている。
　【０００４】このＴＡＢテープのインナーリード５と半導体チツプ７のバンプ３との接続は、図４（ｂ）に示すように、まず、インナーリードボンダのボンディングステージ６に載置された半導体チップ７をＴＡＢテープ４の開口４ａに入れ、バンプ３の上にそれに対応したインナーリード５が来るように半導体チップ７とＴＡＢテープ４は位置合せする。このとき、半導体チップ７はボンディングステージ６により所定の温度に加熱されている。次に、インナーリード５の上からボンディングツ−ル７で加圧されインナ−リード５とバンプ３は接合される。
　【０００５】このボンディングツール１でインナーリード５とバンプ３を加圧する際に、超音波ホーンで加圧と同時に超音波を印加して接合する場合がある。いずれにしても、それ以降は、ＴＡＢテープ４の開口４ａの周囲にある複数のインナーリード５とそれに対応するバンプ３が順次接合され、ＴＡＢ型のＩＣのリードボンディングが完了する。また、特開平６−２８３５７７号公報に開示されているように、バンプを形成せず、半導体チップのＡ１のパッドとインナーリードを直接接合するといった方法もある。
　【０００６】図５（ａ）および（ｂ）はボンディングツールの例を示す図である。上記のようなリードボンディングに用いられるボンディングツールは、一例として、特願平６−１７４４２３号公報に開示されている。このボンディングツールは、図５（ａ），（ｂ）で示すような形状をしている。これは、リードの多ピン化および狭ピッチ化が進むにつれて、隣接するインナーリードに干渉しないようにボンディングツールの先端を細くしたボトルネック形状をしている。
　【０００７】そして、これらツールの材質は、チタニウムカーバイド（ＴｉＣ）やタングステンカーバイド（ＷＣ）のような耐摩耗性の超硬質合金を使用し、グラインディング加工や放電加工を用いて所望の形状に製作し長寿命のボンディングツールを得ていた。
　【０００８】
　【発明が解決しようとする課題】しかしながら、液晶表示用のドライバＩＣのように、ボンディング性能を改善するために錫メッキを施したリードに図５の超硬質合金のボンディングツールでボンディングする場合、ボンディング毎にツール先端にＳｎが付着・堆積し、やがてツールから剥れ、剥れたＳｎ屑が種々の品質の問題を発生していた。
　【０００９】このＳｎ屑の発生による問題をさらに詳細に説明すると、まず、Ｓｎメッキが施されたＴＡＢテープのインナーリードと半導体チップのバンプとをボンディングする際に、ボンディングツールでインナーリードを加圧している間に加熱された半導体チップの熱の影響でインナーリード表面のＳｎメッキが溶融軟化する。また、従来のボンディングツールは、Ｓｎと濡れやすい超硬質合金などで作られている上にツール先端面が放電加工されているためツール表面が粗くＳｎが付着しやすいものであった。
　【００１０】それ故、ツール先端にＳｎが付着堆積し大きく成長するものは５０μｍ程度の長さになる。その結果、ボンディングツールの移動経路、つまりインナーリードとＡＩパッドの接合部近傍に落下し、隣接するＡ１パッドや、Ａ１パッド周辺の配線間で短絡させ半導体装置としての信頼性や製造歩留りを低下させるという問題があった。
　【００１１】これを回避する手段として、ＴＡＢテープのインナーリードにＳｎメッキを使用せず、ボンディングステージで加熱された半導体チップの温度より高い融点のＡｕをメッキしたＴＡＢテープを使用することが考えられが、ＴＡＢテープのコストを高くし得策な方法ではない。
　【００１２】また、別の方法として、特開平２−２２２５５４号公報に開示されているように、インナーリードの接合面のみＳｎメッキを施し、それ以外の面にはＮｉメッキを施したＴＡＢテープを使用する方法がある。この方法ではツールの加圧面にＳｎメッキはないので、ツールへのＳｎの付着を防止できるものの、インナーリードの片面にのみＳｎメッキをつけ、その後Ｓｎメッキ面以外にＮｉメッキを施すといった２度のメッキ工程を行うため、やはりＴＡＢテープコストが高くなるとともに工期が長くなるという問題がある。
　【００１３】従って、本発明の目的は、寿命が長いとともに錫メッキ屑が付着しないボンディングツールを提供することにある。
　【００１４】
　【課題を解決するための手段】本発明の特徴は、半導体チップが入り込む開口を有するテープ状部材の該開口縁より内側に延在する複数のリード部材に対応する前記半導体チップのバンプとを重ね押圧し接合するボンディングツールにおいて、該ボンディングツールの外表面が錫溶液との接触角が大きく錫とぬれ性が悪い材質で一体化されて形成される棒状部材で
あり、前記外表面が研磨されている
　【００１５】また、前記棒状部材の材質がジルコニアであることが望ましい。
　【００１６】
　【発明の実施の形態】次に本発明について図面を参照して説明する。
　【００１７】本発明は、錫溶液とのぬれ性の大小すなわち、錫溶液の付着力の大小に着目しボンディングツールの種々の材質による接触角を調査することでボンデイングツールの適切な材料を選んでなされたものである。
　【００１８】まず、超硬質合金の他にセラミックスなどの種々の材質の板状サンプルを準備し、板状サンプルの一面を鏡面に仕上げた。そして、容器に蓄くわえられた錫溶液に板状サンプルを垂直に立て浸し、鏡面から裾を引くように錫溶液が垂れ下る接触角を横型拡大投影機で測定した。
　【００１９】その結果、ＴｉＣのような超硬質合金は接触角が約４０゜と錫が濡れやすい材質であった。また、アルミナセラミック（Ａ１２０３）やジルコニア（ＺｒＯ２）は溶融したＳｎとの接触角が約１７０゜と非常にＳｎが濡れにくい材質であるという知見が得られた。
　【００２０】そこで、本発明の第１の実施の形態としてアルミナセラミック（Ａｌ２０３）とジルコニア（Ｚｒ０２）の材料で一体化されたボンディングツールの製作を試みた。これには、まず、粉末状のアルミナをバインド材を含ませ固めてから焼成し前述の図５（ｂ）で示した棒状部材に成形した。次に、この棒状部材の先端面の表面粗さを、Ｒａ０．０５μｍ以下になるように研摩しボンディングツールを製作した。
　【００２１】また、同様の方法で、ジルコニア（ＺｒＯ２）によるボンディングツールを製作した。ただ、Ｚｒ０２はＡ１２０３より粒径が細く研摩仕上りが良くＲａ０．０１μｍ以下まで研磨できた。また、ＺｒＯ２はＡ１２０３より靭性が高く、ボンディングツールをボトルネック形状に加工するときの破損も少く、ツール製造歩留りもＡ１２０３より良いという結果が得られた。このことを考慮すると、ツール先端サイズは、Ａ１２０３よリツール先端径を細くでき狭いピッチのバンプの接続により適しているという利点がある。
　【００２２】図１はアルミナおよびジルコニアならびに超硬材料で一体化してなるボンディングツールを使用してボンデイングしたときの錫屑の発生結果を示す表である。ちなみに、アルミナおよびジルコニアならびに従来の超硬で製作したボンディングツールを用いてボンディング実験を行なってみたところ、その結果、図１の表に示すように、表面をＲａ０．０１μｍ以下に研磨されたジルコニアのボンディングツールが屑の発生率は０パーセントという最も優れた結果が得られた。
　【００２３】一方、アルミナのボンディングツールの屑発生率は、従来の超硬のボンディングツールの屑発生率０．８４パーセントより低いものの、０．４パーセントで半減しただけどいう予想外の結果であった。そこで、表面粗さに着目しさらに鏡面に仕上げたものについて試みたところ、０．３１パーセントであった。このことにより、ジルコニアとアルミとの屑の発生率の差は表面粗さに起因するものであると確認できた。
　【００２４】図２は本発明に関連する技術におけるボンディングツールの部分破断正面図である。このボンディングツールは、半導体装置の製造における窒化膜が緻密で硬い膜であるという知見からなされたものである。すなわち、図２に示すように、シャンク側から伸びる金属棒体１ｂの先端部に窒化膜１ａを被着させることである。そして、この窒化膜１ａを錫とぬれ性のない材質にすることである。
　【００２５】そこで、この窒化膜の材質を選ぶために、板状サンプルに種々の窒化膜を形成し、前述の接触角を求めてみた。その結果、錫溶液との接触角が約１４０゜を示したチタニウムナイトライド（ＴｉＮ）と約１５０゜のボロンナイトライド（ＢＮ）とが選出された。
　【００２６】そして、靭性の高い工具鋼で金属棒体１ｂを製作し先端部をＲａ０．０５μｍに研摩し、気相成長装置によりチタニウムナイトライド（ＴｉＮ）およびボロンナイトライド（ＢＮ）の窒化膜１ａを約１μｍ程度の厚さで形成した。このボンディングツールは、後述するが錫の屑の発生率が低くなることは勿論、本体を剛性の高い工具鋼であるため超音波振動を印加するのに発振効率が良いという利点がある。
　【００２７】図３はＴｉＮ膜およびＢＮ膜を施したボンディングツールを使用してボンデイングしたときの錫屑の発生結果を示す表である。ちなみに、ＴｉＮ膜およびＢＮ膜を施したボンディングツールを使用してボンディング実験を行なったところ、図３に示す結果が得られた。すなわち、図３に示すように、ＴｉＮ膜のボンディングツールは屑発生率が０．２パーセントで、ＢＮ膜のボンディングツールは０．２４パーセントとともに低い発生率があった。
　【００２８】この実施の形態のボンディングツールは、前述の実施形態のボンディングツールに比べシャンクは超音波振動を効率良く伝える材料に選ぶことができるので、超音波振動を印加する場合には有利である。
　【００２９】
　【発明の効果】以上説明したように本発明は、錫の付着しにくく硬度の高い材質でボンディングツールの先端部を形成
し、その外表面を研磨
【図面の簡単な説明】
　【図１】アルミナおよびジルコニアならびに超硬材料で一体化してなるボンディングツールを使用してボンデイングしたときの錫屑の発生結果を示す表である。
　【図２】本発明に関連する技術におけるボンディングツールの部分破断正面図である。
　【図３】ＴｉＮ膜およびＢＮ膜を施したボンディングツールを使用してボンデイングしたときの錫屑の発生結果を示す表である。
　【図４】ＴＡＢ型のＩＣのリードのボンディング方法を説明するだめの図である。
　【図５】ボンディングツールの例を示す図である。
　【符号の説明】
１　　ボンディングツール
１ａ　　窒化膜
１ｂ　　金属棒体
２　　Ａ１パッド
３　　バンプ
４　　ＴＡＢテープ
５　　インナーリード
６　　ボンディングステージ
７　　半導体チップ