【事件の表示】
　特許第２７５０４８３号「ＩＴＯスパッタリングターゲット」の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結論】
　特許第２７５０４８３号の特許を維持する。
【理由】
Ｉ．　本件発明
　本件特許第２７５０４８３号の請求項１に係る発明（平成３年１１月２６日出願、平成１０年２月２７日設定登録、以下、「本件発明」という。）は、明細書及び図面の記載からみて特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものと認める。
「酸化インジウムと酸化錫を主成分とした原料から粉末冶金法にて製造されたＩＴＯスパッタリングターゲットであって、表面粗さＲａが０．５μｍ以下で、かつ密度Ｄ（ｇ／ｃｍ３）とバルク抵抗値ρ（ｍΩｃｍ）が下記２つの式を同時に満たして成るＩＴＯスパッタリングターゲット。
　ａ）６．２０≦Ｄ≦７．２３，
　ｂ）−０．０６７６Ｄ＋０．８８７≧ρ≧−０．０７６１Ｄ＋０．６６６。」
ＩＩ．　特許異議申立ての理由の概要
　特許異議申立人吉川喜一郎（以下、「申立人」という。）は、甲第１号証ないし甲第３号証を提示して、次の理由１ないし３により本件特許を取り消すべき旨主張する。
理由１
　本件発明は、甲第１号証に記載された発明であるから特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができないものである。
理由２
　本件発明は、甲第１号証ないし甲第３号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができないものである。
理由３
　本件発明の特許は、特許法第３６条第５項に規定する要件を満たしていない特許出願に対しされたものである。
（なお、特許異議申立書において記載の１特許法第３６条第４項および６項」は申立人の主張の趣旨からして、平成２年特許法の「特許法第３６条第５項」のことと認められるから、上記のように認定した。）
ＩＩＩ．甲各号証の記載事項
　申立人が提示した甲第１号証ないし甲第３号証にはそれぞれ以下の事項が記載されている。
〈甲第１号証（特開平３−２０７８５８号公報）〉
ア．　ＩＴＯスパッタリングターゲット製造上の課題を解決する手段として
「本発明は、上記知見事項等に基づいてなされたものであり、「酸化インジウムと酸化錫を主成分とする粉末混合体をプレス成形し焼結してＩＴＯターゲットを製造するに際し、前記焼結を１気圧以上の加圧酸素雰囲気中で行うことによって、理論密度に近い高密度のＩＴＯターゲットを生産性良く低コストで製造し得るようにした点」を特徴を有している。ここで、「１気圧以上の加圧酸素雰囲気」とは１気圧（ゲージ圧）以上に加圧された純酸素ガス雰囲気は勿論、Ｏ２分圧が１気圧以上である混合ガス雰囲気をも意味するものである。」（第２頁左下欄第１８行〜同頁右下欄第１０行）
イ．　ＩＴＯスパッタリングターゲットの製造方法の実施例として
「実施例３
　この実施例では、第３図に示した工程でＩＴＯ夕一ゲットの製造を試みた。
　即ち、まず平均粒径が２μｍの酸化インジウム粉と同じ粒度の酸化錫粉を重量比で９５：５となるように混合し、これに成形用のバインダーを加えてから、金型（１６５Ｗ×５２０Ｌ）へ均一に充填し、油圧プレスにて７５０ｋｇ／ｃｍ２の圧力で加圧し、成形した。なお、この時の成形体の密度は４０９ｇ／ｃｍ３であった。
　続いて、上記成形体を８０℃に加熱し、バインダー中の水分を蒸発させて乾燥した。
　次いで、加圧焼結炉を用い、上記乾燥成形体を１．０気圧（ゲージ圧：真圧力は２気圧）の純酸素ガス雰囲気中にて１６５０℃で９時間焼結した後、得られた焼結体の表面を平面研削盤で削り、更に側辺をダイヤモンドカッターで切断してターゲット製品とした。
　このようにして製造されたＩＴＯターゲット製品の密度を体積と重量から算出したところ、６．７５ｇ／ｃｍ３と極めて高い値となっていることを確認した。」（第４頁右上欄第１４行〜同頁左下欄第１４行）
〈甲第２号証（特開平３−２５７１５８号公報）〉
ウ．　発明が解決しようとする課題について
「しかしながら、このような高融点金属合金夕ーゲットを用いてスパッタリングにより高融点金属合金膜を形成した場合、ターゲットのスパッタ面から微細な粒子（パーティクル）が不可避的に発生し、これが堆積しつつある高融点金属合金膜の中に混入することが多々ある。このようなパーティクルの混入は電極配線の抵抗を増大させたり、ショート不良を発生させるなどの不具合を引き起こす要因となる。特に４Ｍ，１６Ｍと集積度が上がるに従って、電極配線幅は減少するため、上記のような堆積膜中に混入したパーティクルはショート不良を増加させるので、このため製品歩留りが大幅に低下するという問題がある。」（第２頁左上欄第１２行〜同右上欄第４行）
エ．　ターゲット表面粗さとパーティクル発生との関係について
「上記の表面加工法は、ラッピング、ポリシングメカノケミカルポリシングの順序で使用する砥粒が小さくなるので、仕上面粗さも微細化する。このような加工法を高融点金属合金のターゲットに適用することによりパーティクル発生量は著しく低減する。すなわち、本発明者らの知見によればパーティクル発生量と表面粗さとは相関関係を示し、電極配線の不良などにつながる粒径を有するパーティクルの発生を抑制するためには加工面の表面粗さＲａ（中心線粗さ）が０．０５μｍ以下であることが特に好ましい。」（第３頁右上欄第７〜１８行）
オ．　前記ターゲットの高融点金属合金としてＴｉ−Ｗ合金を用いた実施例。
〈甲第３号証（特開平２−２９７８１２号公報）〉
力．　発明の効果として
「以上説明したように本発明のＩＴＯ焼結体は、高密度で低抵抗であるため、透明電導膜を作成するスパッタリングターゲットとして極めて優れた性能を有している。従来のＩＴＯ焼結体は多孔質で低抵抗であるために抗析力がたかだか５ｋｇ／ｍｍ２であるのに対し、本発明の高密度焼結体では５ｋｇ／ｍｍ２以上、多くは１０ｋｇ／ｍｍ２以上であり、なおかつ熱伝導率も高いため、熱ショックによる割れが起こり難く、焼結体に空孔が少ないためアルゴンイオンのターゲット表面のエッチング率、すなわちスパッタ率が向上し、その結果スパッタリング速度が速くなる。さらに比抵抗においては従来の低密度ＩＴＯ焼結体では２×１０−３Ω・ｃｍ以上であるものが、本発明の高密度ＩＴＯ焼結体では２×１０−３Ω・ｃｍ以下、多くは１×１０−３Ω・ｃｍ以下であるため、投入可能な電力が従来に比べ著しく増大し、放電特性も向上する。加えて当該高密度焼結体では、酸素の選択的なスパッタリングが起こり難く、透明導電膜の品質低下を引き起こすターゲット表面の還元黒色化が抑制され、透明導電膜作成の連続運転において極めて有利となる。
　これらの諸性質から本発明における高密度、低抵抗ＩＴＯ焼結体は透明導電膜形成用のスパッタリングターゲットとして極めて優れた性能が期待できる。」（第５頁左上欄第４行〜同右上欄第４行）
ＩＶ．　対比・判断
１．理由１について
　本件発明と甲第１号証に記載のものとを対比すると、両者は、酸化インジウムと酸化錫を主成分とした原料から粉末冶金法にて製造された密度Ｄ（ｇ／ｃｍ３）が、式ａ）６．２０≦Ｄ≦７．２３を満たして成るＩＴＯスパッタリングターゲットの点で共通であり、本件発明のＩＴＯスパッタリングターゲットはその表面粗さＲａが０．５μｍ以下で、かつバルク抵抗値ρ（ｍΩｃｍ）が「式ｂ）−０．０６７６Ｄ＋０．８８７≧ρ≧−０．０７６１Ｄ＋０．６６６」であることを構成要件としているのに対して、甲第１号証には、ＩＴＯスパッタリングターゲットのこれらの２つの特性については言及がない点で相違する。
　そこで、前記の相違点について検討するに、先ず、申立人は、本件明細書に記載された本件発明の実施例（本発明品１）と甲第１号証に記載された実施例３とを比較すると、両者のＩＴＯスパッタリングターゲットの製造工程は同じで、その製造条件は主成分の混合割合、油圧プレスの加圧力及び焼結時間において僅かに異なるが、殆んど同一の製造条件と云えるから、甲第１号証のＩＴＯスパッタリングターゲットの密度、表面粗さ、バルク抵抗などの特性値は、本件発明のＩＴＯスパッタリングターゲットのそれら特性値の数値範囲に当然含まれ、従って、本件発明は甲第１号証に記載された発明と同一である旨主張するが、申立人が指摘するように、甲第１号証に記載された製造条件が、本件発明のそれと相違しているのであるから、その製造結果物であるＩＴＯスパッタリングターゲットの前記の特性値が本件発明のそれの特性値の数値範囲に含まれることが立証されていない以上、前記の主張はあくまでも推測の域を出るものではない。
　また、甲第１号証の記載を参照しても、「表面粗さＲａが０．５μｍ以下」で、かつバルク抵抗値ρ（ｍΩｃｍ）が「−０．０６７６Ｄ＋０．８８７≧ρ≧−０．０７６１Ｄ＋０．６６６」という本件発明の構成要件については何らの知見をも得ることはできない。
　従って、本件発明が甲第１号証に記載された発明であるとの申立人の主張は採用することができない。
２．理由２について
　本件発明は、酸化インジウムと酸化錫とを主成分とした原料から粉末冶金法にて製造されたＩＴＯスパッタリングターゲットの特に表面粗さＲａを０．５μｍ以下とすることにより、スパッタリング時における異常放電やノジュールの発生並びにガス吸着という課題を解決する点を特徴とするものである。
　そして、甲第１号証には、この表面粗さに関する構成要件については記載及び示唆がないことは上述したとおりである。
　また、甲第２号証には、スパッタリングターゲットからのパーティクル発生量とその表面粗さとは相関関係があり、電極不良などにつながる粒径を有するパーティクルの発生を抑制するためにはターゲット加工面の表面粗さＲａが０．０５μｍ以下であることが好ましいことが記載されているが（記載事項エ参照）、同号証に記載のスパッタリングターゲットはＩＴＯターゲットではなく、Ｔｉ−Ｗ等の高融点金属合金であり、しかも、前記の表面粗さを規定する理由は電極不良などにつながるパーティクルの発生の抑制のためであって、解決すべき課題が本件発明のそれとは異なるものである。
　従って、甲第２号証は、ＩＴＯスパッタリングターゲットに関して、その表面粗さＲａを０．５μｍ以下とすること及びこれによりスパッタリング時における異常放電やノジュールの発生並びにガス吸着を防ぐことができるという効果が得られることを示唆するものではない。
　また、甲第３号証には、ＩＴＯスパッタリングターゲットとして高密度焼結体で比抵抗値が本件発明のバルク抵抗値程度のものが記載されているが、その表面粗さについては何らの記載及び示唆もない。
　上記のとおり、少なくとも本件発明の前記の特徴点については甲各号証のいずれにも示すところがないから、甲第１号証に記載のＩＴＯスパッタリングターゲットにおいて前記相違点における本件発明の構成である表面粗さＲａを０．５μｍ以下とすることは、これら甲各号証に記載のものに基づいて当業者が容易に想到し得たとすることはできない。
　そして、本件発明は前記相違点の構成特に表面粗さＲａが０．５μｍ以下であることによりスパッタリング時における異常放電やノジュールの発生することがない上にガス吸着量も少ないというという甲各号証に記載のものから予測し得ない明細書記載の顕著な作用効果を奏するものである。
　したがって、本件発明は、甲第１号証ないし甲第３号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
３．理由３について
　申立人が主張する理由は概略次のものである。
　「本件発明は、特許請求の範囲に規定された所定の特性を有するＩＴＯスパッタリングターゲットに係るものであるところ、この特性は「焼結を１気圧（絶対圧）以上に加圧された純酸素ガス雰囲気、あるいはＯ２が１気圧以上に加圧された純酸素ガス雰囲気の加圧酸素雰囲気中で行う（明細書【００１５】）」という「特定のプロセス」を採用することによってもたらされるものである。従って、この「特定のプロセス」は、本件発明の構成に欠くことのできない事項として特許請求の範囲に記載されるべきであるが、本件明細書の特許請求の範囲には、「プロセス」については、「酸化インジウムと酸化錫を主成分とした原料から粉末冶金法にて製造された」と規定されているのみであって特許を受けようとする発明の構成に欠くことができない事項のみが記載されているものではない。」
　そこで検討するに、特許請求の範囲には「特許を受けようとする発明の構成に欠くことができない事項のみ」を記載することとされている（特許法第３６条第５項第２号参照）。
　そして、本件発明は「ＩＴＯスパッタリングターゲット」という「物」の発明であるところ、特許権者は、自身が特許を受けようとする「物」の発明を「表面粗さ」、「密度」及び「バルク抵抗値」によって特定したものであり、これらの特定によって、「物」の発明の構成自体は明確であるとすることができる。
　そして、発明の詳細な説明中には、上記「物」を製造するための方法が記載されているが、「物」の発明の構成を記述するのに、その製造方法を発明の構成要件としなければならないとする理由はない。
　付言するに、「製造方法」を発明の構成要件としなければならない場合としては、例えば、「表面粗さ」、「密度」及び「バルク抵抗値」を特定するのみでは、「物」の発明を特定するには不十分である場合又は「表面粗さ」、「密度」及び「バルク抵抗値」を特定するのみでは、従来技術と比較して本件発明は新規性及び進歩性を有し得ない場合等が考えられるが、前者の場合に関していうと、申立人は、本件について、「表面粗さ」、「密度」及び「バルク抵抗値」を特定するのみでは、「物」の発明を特定するには不十分であることを立証しているものではないし、また、後者の場合に関していうと、それは新規性及び進歩性に係るものであって、特許法第３６条の記載要件の問題ではない。
　上記のとおりであるから、本件の「ＩＴＯスパッタリングターゲット」なる「物」の発明を規定する特許請求の範囲に該特定の製造方法が記載されていないことを以て特許請求の範囲の記載が不備であり、本件出願が特許法第３６条の要件を満たさないとすることはできない。
　したがって、理由３に基づく特許異議申立人の主張は採用できない。
Ｖ．　むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立の理由及び証拠によっては、本件特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１１年８月１７日（１９９９．８．１７）