【事件の表示】
　特許第６４７５９０１号発明「半導体加工用粘着テープおよび半導体装置の製造方法」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第６４７５９０１号の請求項１ないし４に係る特許を維持する。
【理　由】
第１　手続の経緯
　特許第６４７５９０１号（以下，その特許明細書を「本件明細書」という。）の請求項１ないし４に係る特許についての出願は，平成３１年２月８日にその特許権の設定登録がされ，平成３１年２月２７日に特許掲載公報が発行された。その後，その特許に対し，令和元年８月２７日に特許異議申立人　森川真帆（以下，「申立人」という。）は，特許異議の申立てを行った。
第２　本件発明
　特許第６４７５９０１号の請求項１ないし４の特許に係る発明（以下，「本件発明１」ないし「本件発明４」という。又，「本件発明１」ないし「本件発明４」をまとめて「本件特許発明」という。）は，それぞれ，その特許請求の範囲の請求項１ないし４に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
「【請求項１】
　２３℃におけるヤング率が１０００ＭＰａ以上の基材と、基材の少なくとも一方の面側に設けられた粘着剤層とを有する粘着テープであって、
　前記粘着剤層の厚みを（Ｎ）［μｍ］、クリープ量を（Ｃ）［μｍ］としたときの、（Ｎ）と（Ｃ）との積（Ｎ）×（Ｃ）が、３０℃において５００以上、かつ、６０℃において９０００以下である、半導体加工用粘着テープ。
【請求項２】
　前記粘着剤層の３０℃におけるせん断貯蔵弾性率が０．０３ＭＰａ以上であり、６０℃におけるせん断貯蔵弾性率が０．２０ＭＰａ以下である、請求項１に記載の半導体加工用粘着テープ。
【請求項３】
　前記粘着剤層の厚さが１００μｍ以下である、請求項１または２に記載の半導体加工用粘着テープ。
【請求項４】
　請求項１〜３のいずれかに記載の半導体加工用粘着テープを、半導体ウエハの表面に貼付する工程と、
　前記半導体ウエハの表面側から溝を形成し、又は前記半導体ウエハの表面若しくは裏面から半導体ウエハ内部に改質領域を形成する工程と、
　前記粘着テープが表面に貼付され、かつ前記溝又は前記改質領域が形成された半導体ウエハを、裏面側から研削して、前記溝又は前記改質領域を起点として複数のチップに個片化させる工程と、
　前記複数のチップから前記粘着テープを剥離する工程と、
　を備える半導体装置の製造方法。」
第３　申立理由の概要
　申立人は，主たる証拠として特開２０１４−７５５６０号公報（以下，「甲第１号証」という。）並びに技術常識を示す証拠として日本レオロジー学会編　講座・レオロジー，（株）高分子刊行会，１９９３年９月１日第１版第２刷発行，第４７頁ないし第４９頁（以下，「甲第２号証」という。）及び松下裕秀　他７名，高分子の構造と物性，株式会社講談社，２０１４年７月２０日第３刷発行，第４５２頁（以下，「甲第３号証」という。）を根拠として，請求項１ないし４に係る特許は特許法第２９条第１項第３号及び同条第２項の規定に違反してされたものであるから，請求項１ないし４に係る特許は取り消すべきものである旨主張するとともに，請求項１ないし４に係る特許は発明の詳細な説明に記載されたものでないとして，請求項１ないし４に係る特許は同法第３６条第６項第１号の規定に違反してされたものであるから，請求項１ないし４に係る特許は取り消すべきものである旨主張する。
第４　特許法第２９条第１項第３号及び同条第２項について
１　甲号証の記載
（１）甲第１号証の記載
　甲第１号証には，図面とともに以下の事項が記載されている。（下線は，当審で付与した。以下同じ。）
「【技術分野】
【０００１】
　本発明は、ワークの研削工程において好適な表面保護シートに関する。
【背景技術】
【０００２】
　近年、電子機器の高集積化に伴い、半導体チップの薄型化及び極小化の要求は激化している。極めて薄い半導体チップを得てデバイスに実装しようとする際、チップに分割する前の半導体ウエハ等のワーク（加工対象物）を研削することで薄型化する方法が採用されている。ただし、この場合、（１）薄型化したワークの取扱時の破損のリスクや、（２）ワークをチップに分割した後におけるチップの破損のリスクが存在する。
【０００３】
　上記（１）のリスクを回避する、ワークをチップへ分割する方法として、「先ダイシング法」と呼ばれるワークの分割方法が知られている。「先ダイシング法」とは、分割予定ラインに沿ってワークの表側に溝を形成し、ワークの裏面側から少なくとも溝に到達するまで、ワークを研削等の薄化処理を行ってチップに分割する方法である。
　例えば、特許文献１には、シリコン基板の表面側にペレットの分割予定境界線に沿って溝を形成し、形成した溝の内壁面に樹脂膜を設け、シリコン基板の裏面側から溝に到達するまで、シリコン基板を切削して、シリコン基板を複数のペレットに分割させる方法が開示されている。
【０００４】
　このような方法は、ワークの薄化処理を行った後にチップへの分割を行う通常のプロセスに比べ、薄化処理したワークを取り扱う必要がないため、ワークの破損等のリスクを無くすことができる点で優れている。
【０００５】
　また、上記（２）のリスクに関しては、チップの抗折強度が劣ることが破損の要因となる。
　チップの抗折強度を向上させるワークの分割方法として、特許文献２に開示されるような「ステルスダイシング（登録商標）」という方法が知られている。
　ステルスダイシングとは、レーザ光によりワーク内部に改質領域を形成し、ワークに力を加えることで、当該改質領域が切断起点となってワークが切断してチップを作成する方法である。
　より具体的には、ワークの一方の面に伸張性のフィルムを装着し、ワークの該フィルムが形成された面とは反対の面をレーザ光入射面として、ワークの内部に集光点を合わせてレーザ光を照射することにより多光子吸収による改質領域を形成する。そして、この改質領域によって、ワークの切断予定ラインに沿って前記レーザ光入射面から所定距離内側に切断起点領域を形成し、前記フィルムを伸張させることにより、前記切断起点領域を起点としてワークを複数の部分に、互いに間隔が空くようにワークを切断し、チップを得ることができる。
【０００６】
　このような方法は、回転ブレードによってワークを切削する処理を伴わないため、チップ端部に微小な欠けが発生する現象、いわゆるチッピングの発生を抑制でき、チップの抗折強度を向上させることができる。」
「【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
　ところで、ワークの裏面研削工程は、研削時に発生する研削屑を洗い流すためにワークを超純水に曝しながら行われる。
　特許文献３に開示の方法では、ワークの研削により改質領域が割断される（劈開させられる）と、割断された部分の間隙がごく狭いために、毛細管現象により割断された間隙に水（スラッジ）が比較的強い勢いで浸入することがある。ワークの研削面と逆側の面には、回路等が形成される場合があり、通常表面を保護するために、粘着剤層を有する粘着シートが貼付される。
　しかしながら、研削時の振動により間隙に浸入した水（スラッジ）が、粘着剤層とワークの被保護表面との界面にまで浸入し、粘着剤が溶解した水により、被保護表面が汚染されてしまう場合がある。特許文献３には、このような被保護表面の汚染を抑制する方法については何ら検討されていない。
【００１０】
　本発明は、改質領域が形成されたワークの裏側研削工程の際に用いられる表面保護シートとして好適であって、
ワークの裏面研削工程の際に、ワークが割断され形成される間隙からワークの被保護表面に、水の浸入（スラッジ浸入）を抑制して、ワークの被保護表面の汚染を防止し得る表面保護シート
「【００７６】
　図２は、本発明の表面保護シートの用途の一例を示す模式図である。
　本発明の表面保護シートは、図２（ａ）のように、回路等により凹凸部分５１が形成された半導体ウエハ等のワーク５０の表面保護シートとして好適である。
本発明の表面保護シート１を、凹凸が形成された面（凹凸部分５１側）に貼付することで、ワークの裏側切削工程において回路等を保護することができる。
【００７７】
　本発明の表面保護シートをワーク５０の凹凸部分５１側に貼付する際、ワークは加熱されていることが好ましい。ワークの加熱温度としては、好ましくは４０〜８０℃、より好ましくは４５〜６０℃である。
【００７８】
　なお、本発明の表面保護シートは、上記要件（ｃ）及び（ｄ）を満たすため、ワーク５０の凹凸部分５１に粘着剤層１２が追従し、ワーク５０の凹凸部分５１と粘着剤層１２との非接触領域を少なくすることができる。その結果、当該非接触領域の存在をきっかけとした粘着剤層１２がワーク５０から剥離して、剥離した領域にスラッジ浸入が生じる現象を抑制することができる。
【００７９】
　また、ワーク５０には、例えば、特許文献２に記載のステルスダイシング（登録商標）の方法を利用して、改質領域５２が形成される。改質領域５２の形成は、表面保護シート１をワーク５０に貼付する前に行ってもよく、貼付後に行ってもよい。
【００８０】
　そして、ワーク５０の凹凸部分５１側に本発明の表面保護シート１を貼付後、ワークの裏側表面５０ａから切削し、ワークを所望の厚みとする切削工程を経る。
　当該切削工程は、発生する切削屑を洗い流すため、ワーク５０は超純水に浸しながら行われる。
【００８１】
　図２（ｂ）のように、ワークの切削が進むにつれ、ワーク５０内部の改質領域５２が割断され、間隙５３が形成される。
　従来の表面保護シートを用いた場合、毛細管現象により、この間隙５３に水（スラッジ）が浸入し、凹凸部分５１側の回路面と粘着剤層１２との界面にまで浸入し、ワークの回路面が汚染されるという弊害がある。
　しかしながら、本発明の表面保護シートは、上記要件（ａ）及び（ｂ）を満たすことで、ワークの研削時の振動によって、ワークに貼付した表面保護シートの変形を抑え、ワークの被保護表面のスラッジ浸入を抑制することができる。
【００８２】
　切削工程終了後、ワークの裏側表面５０ａにピックアップシート、ダイアタッチメントフィルム等の他のシートを貼着する。ここで、粘着剤層１２がエネルギー線硬化性粘着剤組成物からなる場合には、粘着剤層１２にエネルギー線を照射して硬化させることで、表面保護シートの粘着力を低減することができ、表面保護シートを容易に除去することができる。
　そして、表面保護シートを除去後、ピックアップシート、ダイアタッチメントフィルム等の他のシートに外力を与えることにより、ワークをチップに分割することできる。」
「【００８５】
製造例１
〔アクリル系共重合体（１）及び粘着剤組成物（１）の溶液の調製〕
　ブチルアクリレート５２質量部、メチルメタクリレート２０質量部、及び２−ヒドロキシエチルアクリレート２８質量部を、酢酸エチル溶媒中で溶液重合し、非エネルギー線硬化性のアクリル系共重合体を得た。得られた当該アクリル系共重合体の全水酸基数に対して、イソシアネート基数が０．９当量となる量のメタクリロイルオキシエチルイソシアネートを、当該アクリル系共重合体を含む溶液に加えて反応させ、側鎖にエネルギー線重合性基を有する、エネルギー線硬化性のアクリル系共重合体（１）（Ｍｗ：１００万）を生成した。
　そして、このアクリル系共重合体（１）の固形分１００質量部に対して、架橋剤として、イソシアネート系架橋剤（日本ポリウレタン社製、商品名「コロネートＬ」）０．５質量部（固形分比）及び光重合開始剤として、１−ヒドロキシ−シクロヘキシル−フェニル−ケトン（ＢＡＳＦ社製、商品名「イルガキュア１８４」）０．５７質量部（固形分比）を配合して、エネルギー線硬化性粘着剤組成物（１）の溶液を調製した。」
「【００８９】
実施例１〜９、比較例１〜６
　
表１に示す、製造例１〜４のいずれかで調製した粘着剤組成物を、乾燥後の厚みが表１に示す値となるように、シリコーン剥離処理を行ったＰＥＴフィルム（リンテック社製、商品名「ＳＰ−ＰＥＴ３８１０３１」）の剥離処理面に塗布し、１００℃で１分間乾燥し、粘着剤層を形成した。そして、当該粘着剤層と表１に示す基材を貼り合わせた後、ＰＥＴフィルムを除去して、表面保護シートを作製した。
【００９０】
　実施例及び比較例で用いた基材は、以下のとおりである。
・複層基材Ａ：ＬＤＰＥ（低密度ポリエチレン）／ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）／ＬＤＰＥ＝２７．５μｍ／２５．０μｍ／２７．５μｍからなる、合計厚み８０μｍの複層樹脂フィルムのみからなる基材。
・複層基材Ｂ：ＬＤＰＥ／ＰＥＴ／ＬＤＰＥ＝２７．５μｍ／５０．０μｍ／２７．５μｍからなる、合計厚み１０５μｍの複層樹脂フィルム。
・単層基材Ｃ：２５μｍのＰＥＴフィルム（三菱樹脂社製、商品名「ダイアホイルＴ１００−２５」）からなる単層樹脂フィルム。
・単層基材Ｄ：７５μｍのＰＥＴフィルム（東レ社製、商品名「ルミラー＃７５Ｔ６０」）からなる単層樹脂フィルム。
・単層基材Ｅ：８０μｍのＰＢＴ（ポリブチレンテレフタレート）フィルムからなる単層樹脂フィルム。
・粘着剤層付き基材Ｆ：ＰＥＴ／ＰＳＡ（非エネルギー線硬化性のアクリル系粘着剤（第２の粘着剤層））＝２５μｍ／５μｍからなる、合計厚み３０μｍの易接着層付き樹脂フィルム。
・易接着層付き基材Ｇ：ＰＥＴ／易接着層（アクリレート変性ポリエステルを主成分とするポリエステル系樹脂溶液にアジリジン系架橋剤を添加したアンカーコート層形成用組成物から形成された層）＝２５μｍ／２μｍからなる、合計厚み２７μｍの易接着層付き樹脂フィルム。
・単層基材Ｈ：１０５μｍのウレタンアクリレート硬化フィルムからなる単層樹脂フィルム」
「【００９２】
＜基材のヤング率の測定＞
　
試験速度として、２００ｍｍ／分を選択し、ＪＩＳ　Ｋ−７１２７（１９９９）に準拠して、上記基材Ａ〜Ｇのヤング率を測定した。
【００９３】
＜粘着剤層の貯蔵弾性率の測定＞
　粘弾性測定装置（Ｒｈｅｏｍｅｔｒｉｃｓ社製、装置名「ＤＹＮＡＭＩＣ　ＡＮＡＬＹＺＥＲ　ＲＤＡII」）を用いて、実施例及び比較例で用いた粘着剤組成物の溶液から形成された単層の粘着剤層を積層させて得た直径８ｍｍ×厚さ３ｍｍサイズのサンプルを１Ｈｚで２３℃、５０℃の環境下で貯蔵弾性率Ｇ'をねじりせん断法により測定した。」
「【００９８】
【表１】
」
【図２】
　上記【表１】から，実施例１ないし７及び９の基材ＡないしＦ及びＧのヤング率は１６００ＭＰａ以上であることがわかる。また，このヤング率は，段落【００９２】の記載からＪＩＳ　Ｋ−７１２７（１９９９）に準拠して測定されたことがわかる。
　また，上記【表１】から，実施例１ないし７及び９の粘着剤層の貯蔵弾性率は２５℃おいて，０．１５もしくは０．２０ＭＰａであり，５０℃において，０．０５もしくは０．０９ＭＰａであり，又，厚みは４０もしくは６０μｍであることがわかる。
　そうすると，甲第１号証には，以下の発明（以下，「甲第１号証発明」という。）が記載されている。
「ワークの裏側切削工程において回路等を保護することができる表面保護シートであって，
　ワークの裏面研削工程の際に，ワークが割断され形成される間隙からワークの被保護表面に，水の浸入（スラッジ浸入）を抑制して，ワークの被保護表面の汚染を防止し得る表面保護シートであり，
　表面保護シートは，粘着剤層と基材を貼り合わせており，
　基材のヤング率は，ＪＩＳ　Ｋ−７１２７（１９９９）に準拠した測定で，１６００ＭＰａ以上であり，
　粘拓剤層の厚みは，４０もしくは６０μｍであり，
　粘着層の貯蔵弾性率は，２５℃おいて，０．１５もしくは０．２０ＭＰａであり，５０℃において，０．０５もしくは０．０９ＭＰａである，
　表面保護シート。」
（２）甲第２号証
　甲第２号証には，図面とともに以下の事項が記載されている。
「　２．３　高分子液体の線形粘弾性測定とデータの見方
　２．３．１　測定法の概要
　液体の粘弾性は，２．２．７，　２．２．８に示した関数形で表わされ，高分子液体の粘弾性の特徴は，２．３．５で示すとおりである．このような粘弾性挙動を完全に測定するには，広範囲な時間あるいは振動数にわたる測定が必要である．また，緩和時間は物質および温度によって大きく異なるので，目的に応じた時間（振動数）域の装置が要求される．例えば振動数の低過ぎる装置では，粘度あるいは２．３．５で述べるパラメーターくらいの情報しか得られない．粘弾性測定装置の研究は，１９７０年頃までにだいたい完成し，その後は汎用的なものが精密化されかつ取り扱いが便利になる以外には，特殊なタイプの装置が目的に応じて散発的に制作されている状況である．
　線形粘弾性関数を求めるには，試料に微小なずりひずみγ（ｔ）を加えて，発生する応力σ（ｔ）を測定すれば良い．緩和時間が比較的長く，応力が比較的大きい場合，すなわち高分子の溶融体や濃厚溶液では，試料を保持する装置壁を適当に動かして二つの壁の間隙の試料を変形し，壁に作用する力を測定することによって応力を求めることができるので（ギャップ負荷法；ｇａｐ　ｌｏａｄｉｎｇ　ｍｅｔｈｏｄ）実際にひずみと応力を測定することが可能である．この型の装置は，定常流での測定や非線形粘弾性の測定にも用いられ，一般的にレオメーター（ｒｈｅｏｍｅｔｅｒ）と呼ばれる．
　変形様式としては，図２−６に示すものが用いられる．回転型レオメーターでは，試料を共軸の２個の円筒の間（ａ），円錐と円板の間（ｂ），あるいは２枚の平行な円板の間（ｃ）に満たし，片方のメンバーを回転させることにより変形を与え，いずれかに作用するトルクを測定して応力を求める．並進型（サンドイッチ型）では，共軸の２個の円筒〔外筒に底のないＩ型（ｄ）あるいは底のあるＩＩ型（ｅ）〕あるいは２枚の平板の間（ｆ）に試料を満たし，片方のメンバーを平行移動させることによりひずみを与え，作用する力から応力を求める．
　回転型装置で回転角ΩとトルクＭから，ひずみγと応力σを求めるには次式を用いる．
並進型装置では変移ｘと力Ｆから次式によって求める．
装置定数Ｋ１，Ｋ２は表２−１にまとめてある．これらの式で，装置（ａ），（ｄ），（ｅ）では内筒壁上におけるひずみと応カ，（ｂ），（ｆ）では試料の任意の部分における値，（ｃ）では円板の外縁における値が得られる．
　市販されている装置は，ほとんど回転型のものである．回転型の装置では，試料を適切に取り付けさえすれば精密な測定が可能である．試料取り付けについては，試料の種類に応じて，装置メーカーごとにノウハウがあるので，装置の選定の際に充分調査することが望ましい．一般的に言って，共軸円筒形の装置は低粘度の液体での測定に向いている．円錐円板形装置は大変形での解析が容易であるが，試料の装着が難しい．平行円板形装置は高粘度の試料の測定に便利である．」
（３）甲第３号証
　甲第３号証には，以下の事項が記載されている。
２　当審の判断
（１）本件発明１について
ア　対比
（ア）甲第１号証発明の「表面保護シート」は，「ワークの裏側切削工程において回路等を保護する」ものであるから，甲第１号証発明の「表面保護シート」は，本件発明１の「半導体加工用粘着テープ」に相当する。また，甲第１号証発明の「基材」及び「粘着剤層」は，それぞれ本件発明１の「基材」及び「粘着剤層」に相当する。
（イ）甲第１号証発明の「表面保護シート」は，「粘着剤層と基材を貼り合わせて」いるから，このことは，本件発明１の「粘着テープ」が「基材の少なくとも一方の面側に設けられた粘着剤層とを有する」ことに相当する。
（ウ）甲第１号証発明の「基材のヤング率は，ＪＩＳ　Ｋ−７１２７（１９９９）に準拠した測定で，１６００ＭＰａ以上」であることと，本件発明１の「基材」の「２３℃におけるヤング率が１０００ＭＰａ以上」であることは，「基材」の「ヤング率が１０００ＭＰａ以上」である点で共通する。
（エ）そうすると，本件発明１と甲第１号証発明は以下の点で一致し，また，相違する。
［一致点］
「ヤング率が１０００ＭＰａ以上の基材と，基材の少なくとも一方の面側に設けられた粘着剤層とを有する粘着テープ。」
［相違点１］
　基材のヤング率が１０００ＭＰａ以上である点について，本件発明１の「基材」が「２３℃におけるヤング率が１０００ＭＰａ以上」であるのに対して，甲第１号証発明の「基材」のヤング率（１６００ＭＰａ以上）が如何なる温度でのヤング率であるのか不明である点。
［相違点２］
　本件発明１は「前記粘着剤層の厚みを（Ｎ）［μｍ］、クリープ量を（Ｃ）［μｍ］としたときの、（Ｎ）と（Ｃ）との積（Ｎ）×（Ｃ）が、３０℃において５００以上、かつ、６０℃において９０００以下である」のに対して，甲第１号証発明は，「粘拓剤層の厚みは，４０もしくは６０μｍ」であることがわかるものの，３０℃及び６０℃のクリープ量が示されておらず，厚み（Ｎ）とクリープ量（Ｃ）との積（Ｎ）×（Ｃ）の値が如何なる値を示すのか不明である点。
イ　相違点についての判断
（ア）［相違点２］について
　甲第１号証発明は，クリープ量について示されていないために，３０℃及び６０℃の粘着剤層の厚み（Ｎ）とクリープ量（Ｃ）の積が，[相違点２]に係る値であると認定することはできず，又，半導体加工用粘着テープにおいて，粘着剤層の厚みとクリープ量の積が，［相違点２］に係る値であることが自明の事項であるともいえない。
　また，甲第２号証及び甲第３号証には，粘着剤層の厚み（Ｎ）とクリープ量（Ｃ）の積を，３０℃において５００以上とすることで，凹凸があるウエハ表面に粘着テープを貼付する際，ウエハ表面の凹凸と粘着剤層とを十分に接触させ，かつ粘着剤層の接着性を適切に発揮させることが可能になり，粘着テープの半導体ウエハへの固定を確実に行い，かつ裏面研削時にウエハ表面を適切に保護することが可能になること，及び６０℃において９０００以下とすることで，裏面研削時に半導体ウエハの温度がグラインダ等との摩擦により６０℃程度にまで上昇した場合でも，ダイシフトを抑制できること（本件明細書【０１４７】），即ち，特定温度における粘着層の厚さとクリープ量の関係により，裏面研削時のウエハ保護を適切に行うという技術思想は記載されていないから，甲第１号証の「粘着剤層」の厚さとクリープ量の積を［相違点２］に係る値とすることが容易であるとはいえない。
　そして，本件発明１は，「粘着剤層」の厚さとクリープ量の積を，［相違点２］に係る値とすることで，「本発明に係る半導体加工用粘着テープは、裏面研削時の応力により変形しにくく、かつ、該応力を適度に緩和する。そのため、裏面研削時のチップの振動または移動を抑制し、チップ同士の衝突を防止できる。その結果、半導体チップにおけるクラックの発生を低減できる。また、凹凸があるウエハ表面に粘着テープを貼付する際、ウエハ表面の凹凸と粘着剤層とを十分に接触させ、かつ粘着剤層の接着性を適切に発揮させることが可能になる。」（本件明細書【００１４】）という格別の効果を有するものである。
（イ）申立人の主張について
　申立人は，令和元年８月２７日に提出された特許異議申立書（以下，「特許異議申立書」という。）において，［相違点２］について，「（２）甲１発明の粘着層の「クリープ量（Ｃ）［μｍ］」の推定」において，「粘着剤層の「貯蔵弾性率」が同程度であれば，粘着剤層の「クリープ量（Ｃ）［μｍ］」も同程度と言える。」（特許異議申立書第２８頁１０行ないし１２行）とした上で，「したがって，甲第１発明の粘着剤層の「クリープ量（Ｃ）［μｍ］」は，本件明細書の段落【０１５０】に記載された粘着剤層のクリープ量（Ｃ）の好ましい範囲，および，実施例７〜９，１３〜１４および１６〜１７の粘着剤層のクリープ量の範囲（３０℃：６５〜７５μｍ，６０℃：８３〜１０７μｍ）をみたしているといえる。」（特許異議申立書第２８頁１３行ないし１７行）旨主張している。
　しかしながら，貯蔵弾性率Ｇ'は，粘弾性Ｇ*（フックの法則に基づく弾性率と，粘性体の性質に基づく散逸されるエネルギーの二つの要素に起因する。）の弾性の値を表す値であり，一方，クリープ量は，物体に一定の持続応力を与えることによって生じる時間の経過とともに変化するひずみ（変形）の量であるから，クリープ量は，物体の「貯蔵弾性率」だけで決まる量でないことは明らかである。したがって，申立人の上記主張は技術常識に反する主張であるといわざるを得ない。
　そうすると，甲第１号証に記載された「粘着剤層」が［相違点２］に係る値を有しているとはいえない。
（ウ）相違点についての判断のまとめ
　そうすると，他の相違点について検討するまでもなく，本件発明１は，甲第１号証発明ではなく，また，甲第１号証発明及び甲第１号証ないし甲第３号証の記載に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　よって，本件特許の請求項１に係る特許は，特許法第２９条第１項３号及び同条第２項の規定に違反してされたものではない。
（２）本件発明２ないし４について
　本件発明２及び３は，本件発明１に対して，それぞれ「前記粘着剤層の３０℃におけるせん断貯蔵弾性率が０．０３ＭＰａ以上であり、６０℃におけるせん断貯蔵弾性率が０．２０ＭＰａ以下である」及び「前記粘着剤層の厚さが１００μｍ以下である」との技術的事項を追加したものであり，又，本件発明４は，本件発明１ないし３を用いた「半導体装置の製造方法」である。
　そうすると，上記（１）に示した理由と同様の理由により，本件発明２ないし４は，甲第１号証発明でなく，又，本件発明２ないし４は，甲第１号証発明及び甲第１号証ないし甲第３号証の記載に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　よって，本件特許の請求項２ないし４に係る特許は，特許法第２９条第１項３号及び同条第２項の規定に違反してされたものではない。
第５　特許法第３６条第６項第１号について
１　本件特許発明の課題及び課題を解決するための手段
　本件特許発明の課題は「ＤＢＧ、特にＬＤＢＧに用いても、チップのクラックを抑制でき、また、凹凸があるウエハ表面に粘着テープを貼付する際、ウエハ表面の凹凸と粘着剤層とを十分に接触させ、かつ粘着剤層の接着性を適切に発揮させることが可能な半導体加工用粘着テープを提供すること」（本件明細書【０００９】）であり，課題を解決する手段として，「２３℃におけるヤング率が１０００ＭＰａ以上の基材と、粘着剤層とを有する粘着テープであって、前記粘着剤層の厚みを（Ｎ）［μｍ］、クリープ量を（Ｃ）［μｍ］としたときの、（Ｎ）と（Ｃ）との積（Ｎ）×（Ｃ）が、３０℃において５００以上、かつ、６０℃において９０００以下である、半導体加工用粘着テープ。」（本件明細書【００１０】），及び，より具体的な記載として「第２実施形態において、粘着剤層の厚みを（Ｎ）μｍ、クリープ量を（Ｃ）μｍとしたときの、（Ｎ）と（Ｃ）との積（Ｎ）×（Ｃ）は、３０℃において５００以上、かつ、６０℃において９０００以下である。半導体ウエハの表面には、回路等が形成され通常凹凸がある。
３０℃における積（Ｎ）×（Ｃ）を５００以上とすることで、凹凸があるウエハ表面に粘着テープを貼付する際、ウエハ表面の凹凸と粘着剤層とを十分に接触させ、かつ粘着剤層の接着性を適切に発揮させることが可能になる。そのため、粘着テープの半導体ウエハへの固定を確実に行い、かつ裏面研削時にウエハ表面を適切に保護することが可能になる。
粘着剤層の６０℃における積（Ｎ）×（Ｃ）を９０００以下とすることで、裏面研削時に半導体ウエハの温度がグラインダ等との摩擦により６０℃程度にまで上昇した場合でも、ダイシフトを抑制できる。
　ここで，より具体的な記載として，「３０℃における積（Ｎ）×（Ｃ）を５００以上とすることで、凹凸があるウエハ表面に粘着テープを貼付する際、ウエハ表面の凹凸と粘着剤層とを十分に接触させ、かつ粘着剤層の接着性を適切に発揮させることが可能になる。そのため、粘着テープの半導体ウエハへの固定を確実に行い、かつ裏面研削時にウエハ表面を適切に保護することが可能になる。」及び「粘着剤層の６０℃における積（Ｎ）×（Ｃ）を９０００以下とすることで、裏面研削時に半導体ウエハの温度がグラインダ等との摩擦により６０℃程度にまで上昇した場合でも、ダイシフトを抑制できる。」と記載されているのであるから，「前記粘着剤層の厚みを（Ｎ）［μｍ］、クリープ量を（Ｃ）［μｍ］としたときの、（Ｎ）と（Ｃ）との積（Ｎ）×（Ｃ）が、３０℃において５００以上、かつ、６０℃において９０００以下である」「半導体加工用粘着テープ」が，粘着テープの半導体ウエハへの固定を確実に行い，かつ裏面研削時にウエハ表面を適切に保護し，又，ダイシフトを抑制することによりチップのクラックを抑制することが可能であることは，当業者にとって明らかであり，また，上記（Ｎ）と（Ｃ）との積の範囲において，本件特許発明の課題を解決できないことが明らかとは認められないから，本件発明１の上記（Ｎ）と（Ｃ）との積の範囲は，当業者が本件特許発明の課題を解決しうると認識できる範囲であるといえる。
２　申立人の主張について
（１）申立人は，特許異議申立書において「「（Ｎ）」および「（Ｃ）」がどのような値であっても（例えば，粘着テープの粘着剤層の厚み（Ｎ）が１μｍと極端に薄く，クリープ量（Ｃ）が３０℃において６３００μｍ，かつ，６０℃において９０００μｍと極端に大きい場合），「（Ｎ）×（Ｃ）」が，「３０℃のいて５００以上，かつ６０℃において９０００以下」との条件を満たしてさえいれば，「ダイシフト」および「クラック発生率」が低減できることは，技術常識からみて首肯できるものではない。」（特許異議申立書第３４頁２行ないし８行）とし「したがって，技術常識を考慮しても，粘着剤層が「（Ｎ）×（Ｃ）」の規定を満たすことにより，本件発明１が発明の課題を解決できるとは当業者は認識できない。」（特許異議申立書第３４頁９行ないし１１行）旨主張する。
　しかしながら，申立人の主張する上記値は極端な値であって，このような通常採用されないような極端な値をもって，本件発明１の（Ｎ）と（Ｃ）との積の範囲が，当業者が本件特許発明の課題を解決しうると認識できる範囲でないとはいえない。
　そうすると，上記異議申立人の上記主張は採用できない。
（２）申立人は，特許異議申立書において「発明の課題を解決できることが実施例７〜１７において具体的に確認できる「粘着剤層の厚み（Ｎ）」および「クリープ量（Ｃ）」のそれぞれの範囲は，
○粘着剤層の厚み（Ｎ）：２０〜６０［μｍ］
○クリープ量（Ｃ）：３０℃において６５〜１３５［μｍ］，かつ，６０℃において８３〜２０２［μｍ］
であるが，本件発明１には，このような「粘着剤層の厚み（Ｎ）」および「クリープ量（Ｃ）」の範囲が規定されていない。」（特許異議申立書第３４頁１７行ないし２４行）とし，「したがって，技術常識を考慮しても，本件発明１が発明の課題を解決できると当業者は認識できない。」（特許異議申立書第３４頁２５行ないし２６行）旨主張する。
　しかしながら，上記１で検討したように，本件明細書には，「３０℃における積（Ｎ）×（Ｃ）を５００以上とすることで、凹凸があるウエハ表面に粘着テープを貼付する際、ウエハ表面の凹凸と粘着剤層とを十分に接触させ、かつ粘着剤層の接着性を適切に発揮させることが可能になる。そのため、粘着テープの半導体ウエハへの固定を確実に行い、かつ裏面研削時にウエハ表面を適切に保護することが可能になる。」及び「粘着剤層の６０℃における積（Ｎ）×（Ｃ）を９０００以下とすることで、裏面研削時に半導体ウエハの温度がグラインダ等との摩擦により６０℃程度にまで上昇した場合でも、ダイシフトを抑制できる。」（本件明細書【０１４７】）と記載されているのであるから，本件発明１の上記（Ｎ）と（Ｃ）との積の範囲が，実施例７〜１７で示された値の範囲を超えるとしても，そのことをもって，本件特許発明の課題を解決できないことが明らかとは認められない。
　そうすると，上記異議申立人の上記主張は採用できない。
３　特許法第３６条第６項第１号についてのまとめ
　以上のとおりであるから，本件特許の請求項１ないし４に係る特許は，特許法第３６条第６項第１号の規定に違反してされたものではない。
第６　むすび
　したがって，特許異議の申立ての理由及び証拠によっては，請求項１ないし４に係る特許を取り消すことはできない。
　また，他に請求項１ないし４に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって結論のとおり決定する。
【異議決定日】
令和１年１２月２５日（２０１９．１２．２５）