【事件の表示】
　特許第２８９５７７９号「不揮発性半導体メモリ装置の自動プログラム回路」の請求項１ないし７に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第２８９５７７９号の請求項１ないし７に係る特許を維持する。
【理　由】
 １.手続きの経緯
　特許第２８９５７７９号に係る発明は、１９９４年（平成６年）９月９日および１９９５年（平成７年）１月２４日に夫々韓国にした特許出願に基づいて、パリ条約第４条の規定による優先権主張をした平成７年９月７日の出願であって、平成１１年３月５日にその特許の設定登録がなされ、その後、高橋豊治より本件請求項１〜７に対して特許異議の申立てがなされたものである。
２．特許異議申立てについて
（ア）本件発明
　本件請求項１〜７に係る発明は、それぞれ特許請求の範囲の請求項１〜７に記載された次の事項により特定されるものである。
【請求項１】　
「（Ａ）多数のフローティングゲート形メモリセルからなるメモリセルアレイを有し、メモリセルを選択してプログラムするためのプログラム回路と、メモリセルのプログラム成功を判断するためのプログラム検証回路と、を備えた電気的プログラム可能な不揮発性半導体メモリ装置において、
（Ｂ）プログラム電圧を発生するためのプログラム電圧用高電圧発生回路と、
（Ｃ）前記プログラム電圧を分圧して出力するプログラム電圧用トリミング回路と、
（Ｄ）このトリミング回路の出力と基準電圧とを比較してその比較結果を出力するプログラム電圧用比較回路と、
（Ｅ）この比較回路の出力に従って前記プログラム電圧用高電圧発生回路を動作制御するプログラム電圧用高電圧発生制御回路と、を有してなり、
（Ｆ）プログラム回数に応じて前記プログラム電圧用トリミング回路の分圧値が変わることで、発生されるプログラム電圧のレベルが変化するようになっているプログラム電圧発生回路を備えるとともに、
（Ｇ）パス電圧を発生するためのパス電圧用高電圧発生回路と、
（Ｈ）前記パス電圧を分圧して出力するパス電圧用トリミング回路と、
（Ｉ）このトリミング回路の出力と基準電圧とを比較してその比較結果を出力するパス電圧用比較回路と、
（Ｊ）この比較回路の出力に従って前記パス電圧用高電圧発生回路を動作制御するパス電圧用高電圧発生制御回路と、を有してなり、
（Ｋ）前記プログラム電圧用トリミング回路の分圧値変化に追従して前記バス電圧用トリミング回路の分圧値が変わることで、プログラム電圧の変化に追従して変化するパス電圧を発生するパス電圧発生回路を備えることを特徴とする不揮発性半導体メモリ装置」
　なお、（Ａ）〜（Ｋ）の各記号は先願に係る発明との対比のために付したものである。
【請求項２】
「トリミング回路は、高電圧発生回路の出力端から直接接続した複数の抵抗と、これら抵抗のいずれかのバイパスとなるバイパス手段と、を備えてなる請求項１記載の不揮発性半導体メモリ装置」
【請求項３】
「トリミング回路のバイパス手段を、抵抗に並列接続したトランジスタで構成した請求項２記載の不揮発性半導体メモリ装置」
【請求項４】
「トリミング回路のバイパス手段は、トリミング信号発生回路の制御により、プログラム回数に従って順次に１ずつ導通するようになっている請求項２又は請求項３記載の不揮発性半導体メモリ装置」
【請求項５】
「トリミング信号発生回路は、トリミング回路の最終のバイパス手段を導通させるとその導通状態を維持するラッチ手段を有する請求項４記載の不揮発性半導体メモリ装置。
【請求項６】
「トリミング信号発生回路を、２進カウンタの出力を演算する論理回路とした請求項４又は請求項５記載の不揮発性半導体メモリ装置」
【請求項７】
「２進カウンタの出力に基づいてプログラムのループ回数を検出し、所定の回数に達するとプログラム電圧の発生を中止させるループ計数回路を備えた請求項６記載の不揮発性半導体メモリ装置」
（イ）申立ての理由の概要
　申立人 高橋豊治は、本件請求項１〜４および６〜７に係る発明は、甲第１号証（本件発明の出願日前の平成５年６月３０日に特願平５−１８８８５９号として出願され、本件発明の出願後に公開された特開平７−２２６０９３号公報（以下、「先願に係る発明（１）」という。））と同一であり、また、本件請求項１〜７に係る発明は、甲第２号証（本件発明の出願日前の平成６年６月２９日に特願平６−１４７９１８号として出願され、本件発明の出願後に公開された特開平７−７３６８８号公報（以下、「先願に係る発明（２）」という。））と同一であるから、本件請求項１〜７に係る発明は、特許法第２９条の２の規定に該当し、本件請求項１〜７に係る発明の特許を取り消すべきと主張している。
（ウ）先願に係る発明（１）および（２）の記載内容
　先願に係る発明（１）には、
（Ａ）多数のフローティングゲート形メモリセル（１１）からなるメモリセルアレイ（１０）を有し、メモリセル（１１）を選択してプログラムするためのプログラム回路と、メモリセル（１１）のプログラム成功を判断するためのプログラム検証回路と、を備えた電気的プログラム可能な不揮発性半導体メモリ装置において、
（Ｂ）プログラム電圧（ＶＰＰ）を発生するためのプログラム電圧用高電圧発生回路（２０）と、
（Ｃ’）前記プログラム電圧（ＶＰＰ）から電圧制限回路（２１）の電圧降下分を差し引いた電圧（ＶＡ）を分圧して出力するプログラム電圧用トリミング回路（２４）と、
（Ｄ）このトリミング回路（２４）の出力（ＶＢ）と基準電圧（ＶＲ）とを比較してその比較結果を出力するプログラム電圧用比較回路（２５）と、
（Ｅ’）この比較回路（２５）の出力に従って前記電圧制限回路（２１）と接地との間に設けられた電圧降下用のＮチャンネルのＭＯＳＦＥＴ（２７）を動作制御してなり、
（Ｆ’）レジスタ（５１）の第６ビット目〜第８ビット目の値をデコードした値に応じて前記プログラム電圧用トリミング回路（２４）の分圧値が変わることで、発生されるプログラム電圧（ＶＰＰ）のレベルが変化するようになっているプログラム電圧発生回路（１７）を備えるとともに、
（Ｇ）パス電圧（ＶＭ）を発生するためのパス電圧用高電圧発生回路（２０）と、
（Ｈ’）前記パス電圧（ＶＭ）から電圧制限回路（２１）の電圧降下分を差し引いた電圧（ＶＡ）を分圧して出力するプログラム電圧用トリミング回路（２４）と、
（Ｉ）このトリミング回路（２４）の出力（ＶＢ）と基準電圧（ＶＲ）とを比較してその比較結果を出力するパス電圧用比較回路（２５）と、
（Ｊ’）この比較回路（２５）の出力に従って前記電圧制限回路（２１）と接地との間に設けられた電圧降下用のＮチャンネルのＭＯＳＦＥＴ（２７）を動作制御してなり、
（Ｋ）前記プログラム電圧用トリミング回路（２４）の分圧値変化に追従して前記バス電圧用トリミング回路（２４）の分圧値が変わることで、プログラム電圧（ＶＰＰ）の変化に追従して変化するパス電圧（ＶＭ）を発生するパス電圧発生回路（１８）を備えることを特徴とする不揮発性半導体メモリ装置、に関する発明が記載されている。
　また、先願に係る発明（２）には、
（Ａ）多数のフローティングゲート形メモリセルからなるメモリセルアレイを有し、メモリセルを選択してプログラムするためのプログラム回路と、メモリセルのプログラム成功を判断するためのプログラム検証回路と、を備えた電気的プログラム可能な不揮発性半導体メモリ装置において、
（Ｂ”）プログラム電圧を所定の低い電圧値から所定のステップで段階的に高い電圧値に変更し、所定の高電圧値になったらその高電圧値を維持するプログラム電圧用高電圧発生回路を備えることを特徴とする不揮発性半導体メモリ装置、に関する発明が記載されている。
（エ）対比・判断
　本件請求項１に係る発明と、上記先願に係る発明（１）および（２）とを対比すると、上記先願に係る発明（１）および（２）のいずれにも、本件請求項１に係る発明の構成要件である（Ｅ）および（Ｆ）の点、即ち、「比較回路の出力にしたがってプログラム電圧用高電圧発生回路を動作制御するプログラム電圧用高電圧発生制御回路を有する」点および「比較回路の出力にしたがってパス電圧用高電圧発生回路を動作制御するパス電圧用高電圧発生制御回路を有する」点の記載がなされていない。また、この点が従来周知慣用されている技術事項であるとも認められないから、本件請求項１に係る発明は、先願に係る発明（１）あるいは（２）の発明と同一の発明であるとは認められない。　　
　そして、本件請求項２〜７に係る発明は、本件請求項１に係る発明を更に限定したものであるから、上記請求項１に係る発明と同じ理由によって、本件請求項２〜７に係る発明が、先願に係る発明（１）あるいは（２）の発明と同一の発明であるとは認められない。　　
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件請求項１〜７に係る発明を取り消すことはできない。
　また、他に本件請求項１〜７に係る発明についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年４月２８日（２０００．４．２８）