【事件の表示】
　特許第２７７８７４６号［液晶表示装置及び電極基板の製造方法」の請求項１ないし４に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結論】
　訂正を認める。
　特許第２７７８７４６号の請求項１ないし４に係る特許を維持する。
【理由】
１．手続の経緯
　本件特許第２７７８７４６号の特許請求の範囲の請求項１に係る発明は、平成１年６月２９日に特許出願され、平成１０年５月８日に登録設定され、その後、特許異議の申立がなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間である平成１１年８月９日に訂正請求がなされ、訂正拒絶理由通知がなされ、その指定期間である平成１１年８月２４日に訂正請求の補正がなされたものである。
２．訂正の適否についての判断
　ア．訂正請求に対する補正の適否について
　特許権者は、訂正請求書の第２頁第１０行〜第１６行の訂正事項「特許請求の範囲の請求項１「この配線電極は前記透明電極より低抵抗の金属よりなり、かつ前記透明電極の線幅より細い線幅で前記透明電極の一部領域に電気的に接続して形成されている」を特許請求の範囲の減縮を目的として「この配線電極は前記透明電極より低抵抗の金属よりなり、前記透明電極の線幅より細い線幅で前記透明電極に電気的に接続し、かつ前記透明電極により完全に被覆されている」と訂正する」を、「特許請求の範囲の請求項１「この配線電極は前記透明電極より低抵抗の金属よりなり、かつ前記透明電極の線幅より細い線幅で前記透明電極の一部領域に電気的に接続して形成されている」を特許請求の範囲の減縮を目的として「この配線電極は前記透明電極より低抵抗の金属よりなり、前記透明電極の線幅より細い線幅で前記透明電極に電気的に接続し、かつ前記ストライプ状の透明電極により被覆されている」と訂正する」と補正するものであり、当該訂正請求に対する補正は、訂正請求書の要旨を変更するものでなく、特許法第１２０条の４第３項において準用する同法第１３１条第２項の規定に適合する。
　イ．訂正の内容
　特許請求の範囲の請求項１「複数の画素電極及びその各々に電気的に接続した第１の金属−絶縁体−第２の金属よりなる非線形抵抗素子を基板上に形成した第１の電極基板と、この第１の電極基板の前記画素電極に対向し、略平行な複数本の対向電極を備えた第２の電極基板と、前記第１の電極基板と前記第２の電極基板によって挟持される液晶組成物とを備えた液晶表示装置において、
前記対向電極は配線電極と透明電極を備え、この配線電極は前記透明電極より低抵抗の金属よりなり、かつ前記透明電極の線幅より細い線幅で前記透明電極の一部領域に電気的に接続して形成されている」を、特許請求の範囲の減縮を目的として「複数の画素電極及びその各々に電気的に接続した第１の金属−絶縁体−第２の金属よりなる非線形抵抗素子を基板上に形成した第１の電極基板と、この第１の電極基板の前記画素電極に対向し、略平行な複数本の対向電極を備えた第２の電極基板と、前記第１の電極基板と前記第２の電極基板によって狭持される液晶組成物とを備えた液晶表示装置において、
前記対向電極は配線電極と透明電極を備え、この配線電極は前記透明電極より低抵抗の金属よりなり、前記透明電極の線幅より細い線幅で前記透明電極に電気的に接続し、かつ前記ストライプ状の透明電極により被覆されている」と訂正する
　ウ．訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　上記訂正は、特許請求の範囲の減縮に該当し、新規事項の追加に該当せず、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
　エ．独立特許要件の判断
　（訂正発明）
　訂正明細書の請求項１〜４に係る発明（以下、訂正発明１〜４という。）は、その特許請求の範囲の請求項１〜４に記載された次のとおりのものである。
　【請求項１】
　複数の画素電極及びその各々に電気的に接続した第１の金属−絶縁体−第２の金属よりなる非線形抵抗素子を基板上に形成した第１の電極基板と、この第１の電極基板の前記画素電極に対向し、略平行な複数本の対向電極を備えた第２の電極基板と、前記第１の電極基板と前記第２の電極基板によって挟持される液晶組成物とを備えた液晶表示装置において、
前記対向電極は配線電極と透明電極を備え、この配線電極は前記透明電極より低抵抗の金属よりなり、前記透明電極の線幅より細い線幅で前記透明電極に電気的に接続し、かつ前記ストライプ状の透明電極により被覆されていることを特徴とする液晶表示装置。
　【請求項２】
　前記配線電極は前記画素電極間上部に設けられていることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
　【請求項３】
　前記配線電極は前記画素電極上部に重畳して形成されており、前記重畳幅は１０ミクロン以下であることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
　【請求項４】
　前記配線電極は前記画素電極上部に１０ミクロン以下の線幅で設けられていることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。」
　（引用刊行物）
　取消理由通知で引用した引用例（甲第１〜５号証）には、例えば、次のとおりのことが記載され、開示されている。
　甲第１号証（特開昭６３−３１６８２９号公報）には、
　複数の画素電極及びその各々に電気的に接続したＭＩＭ（メタル−絶縁物−メタル）よりなる２端子素子を基板上に形成した第１の電極基板と、この第１の電極基板の前記画素電極に対向し、低抵抗の金属線と透明導電膜によりなる電極配線が形成された第２の電極基板とを備えた液晶表示装置が、例えは第２図などに開示されている。
　また、前記透明導電膜に接して金属線を形成することにより、前記電極配線の抵抗が高くならない様な構造となっていることが、例えば第２頁右上欄第１８行目乃至左下欄第２行目などに開示されている。
　更に、第２図において、前記金属線は画素電極上部に形成されていることが開示されている。
　甲第２号証（特開平０１−１１６５２５号公報）には、
　複数の画素電極及びその各々に電気的に接続したダイオードよりなるアクティブ素子を基板上に形成した第１の電極基板と、この第１の電極基板の前記画素電極に対向し、略平行な複数本の透明行電極と、該透明行電極につながる金属行電極とからなる対向電極が形成された第２の電極基板とを備えた液晶表示装置が、例えば第２頁左上欄第１５行目乃至右上欄第７行目、第３頁右上欄第８行目乃至第１３行目、第４図などに開示されている。　また、前記ダイオードとしてＰＩＮダイオードを用いることが、例えば第３頁左上欄第１２行目乃至第１４行目などに開示されている。
　更に、第４図において、前記金属行電極は画素電極間上部に形成されていることが開示されている。
　甲第３号証（特関昭６１−２９４４１４号公報）には、
　金属−絶縁体−金属（ＭＩＭ）素子を用いたアクティブ・マトリックス型ＬＣＤにおいて、上部ガラス基板に形成される画素ダリ電極を、通常の単純マルチフレックスと同じく形成することが、例えば第３頁左上欄第８行目乃至第１１行目、及び第３頁右上欄第１６行目乃至左下欄第１行目などに開示されている。
　甲第４号証（特開昭６３−２９６０２０号公報）には、
　複数本のストライフ状の透明電極とそれに沿って接して設けられている金属電極を有する液晶表示装置が、例えば第１頁右下欄第１３行目乃至第１７行目、第２頁左上欄第１７行目乃至右上欄第５行目などに開示されており、これらの構造が第１図乃至第４図に開示されている。
　また、前記金属電極が形成されない場合には、電極配線抵抗が大きくなり、信号の遅延、駆動波形のなまり等の駆動上の問題が発生してしまうことが、例えば第１頁右下欄第７行目乃至第１０行目などに開示されている。
　更に、前記金属電極の線幅が８ミクロンで形成されることが第２頁右下欄第１１行目乃至第１５行目などに開示されている。
　更に、このような構成により、大画面液晶表示装置を得ることが可能であることが、例えば第３頁左上欄第２行目乃至第５行目などに開示されている。
　甲第５号証（実閏昭６３−１６２３２４号公報）には、
　一対のガラス基板の対向面に細長い形状の信号電極及び共通電極が形成された液晶表示装置において、該信号電極の両側面に、低抵抗金属膜を肩部に亘って形成されていることが、例えば第４頁第１９行目乃至第５頁第１行目、第５頁第７行目乃至第１０行目などに開示されており、その構造が第２図に開示されている。
　また、前記信号電極の長手方向における両側面に低抵抗金属膜が形成されることが、例えば第８頁第９行目乃至第１１行目などに開示されており、その構造が第４図に開示されている。また、このように信号電極の側面のみに低抵抗の金属膜を形成することにより閏口率が低下しないことが、例えば第１０頁第７行目乃至第９行目などに開示されている。　更に、前記低抵抗金属膜は、信号電極の一方の側面のみに形成しただけでも良いことが、例えば第１０頁第１６行目乃至第１９行目などに開示されている。
　更に、前記低抵抗金属膜を信号電極に形成するのではなく、共通電極に形成しても良いことが、例えば第１０頁第２０行目乃至第１１頁第３行目などに開示されている。
　更に、このような液晶表示装置は他の液晶表示装置に適用可能であることが、例えば第１１頁第４行目乃至第６行目などに開示されている。更に、このような構成によって電極の電気抵抗値を低減させ、画像等の情報を良好に表示することができる旨が、例えば第１１頁第１３行目乃至第１７行目などに開示されている。
　（対比・判断）
　訂正発明１〜４の「配線電極は前記透明電極より低抵抗の金属よりなり、前記透明電極の線幅より細い線幅で前記透明電極に電気的に接続し、かつ前記ストライプ状の透明電極により被覆されている」ことは、引用例（甲第１〜５号証）のいずれにも記載も示唆もされておらず、当業者に周知又は自明の事項でもない。
　そして、訂正発明１〜４は、「配線電極は前記透明電極より低抵抗の金属よりなり、前記透明電極の線幅より細い線幅で前記透明電極に電気的に接続し、かつ前記ストライプ状の透明電極により被覆されている」ことにより、液晶表示装置の光透過率を低下させることなく配線抵抗を抑えることにより、良好な表示画像を得ることができるという特許明細書記載の作用効果を呈するものである。
　したがって、訂正発明１〜４は、引用例（甲第１〜５号証）に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明することができたものとすることができないから、特許出願の際独立して特許を受けることができるものである。
　オ．むすび
　以上のとおり、上記訂正請求は、特許法第１２０条の４第２項及び同条第３項でさらに準用する第１２６条第２〜４項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
３．特許異議申立についての判断
　ア．異議申立の理由の概要
　異議申立人シャープ株式会社は、証拠として甲第１〜５号証（上記「２．エ．（引用刊行物）」を参照。））を提出し、訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１〜４に係る発明（上記「２．エ．独立特許要件の判断（訂正発明）」の記載を参照。）は、甲各号証に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明することができるものであり、特許法第２９条第１項第３号もしくは第２項に違反して特許されたものであるから、それらの特許は取り消されるべき旨主張している。
　イ．異議申立人が提出した甲各号証に記載の発明
　上記「２．エ．（引用刊行物）」の記載を参照。
　ウ．訂正発明と異議申立人が提出した甲各号証に記載の発明との対比・判断
　上記「２．エ．（対比・判断）」の記載を参照。
　したがって、訂正発明１〜４は、甲各号証に記載されたに等しい発明であるとすることができないし、甲各号証に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明することができたものともすることができないから、特許法第２９条第１項第３号もしくは第２項に違反して特許されたものとすることができない。
　エ．むすび
　以上のとおりであるから、異議申立の理由及び証拠によっては、訂正発明１〜４についての特許を取り消すことができない。
　また、他に訂正発明１〜４についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１１年８月３０日
【訂正の要旨】
　訂正事項
　ａ．
特許請求の範囲の請求項１の「前記対向電極は配線電極と透明電極を備え、この配線電極は前記透明電極より低抵抗の金属よりなり、前記透明電極の線幅より細い線幅で前記透明電極に電気的に接続し、かつ前記透明電極により完全に被覆されている」を特許請求の範囲の減縮を目的として「前記対向電極は配線電極とストライプ状の透明電極を備え、この配線電極は前記透明電極より低抵抗の金属よりなり、前記透明電極の線幅より細い線幅で前記透明電極に電気的に接続し、かつ前記ストライプ状の透明電極により被覆されている」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
　液晶表示装置及び電極基板の製造方法
（５７）【特許請求の範囲】
　（１）複数の画素電極及びその各々に電気的に接続した第１の金属−絶縁体−第２の金属よりなる非線形抵抗素子を基板上に形成した第１の電極基板と、この第１の電極基板の前記画素電極に対向し、略平行な複数本の対向電極を備えた第２の電極基板と、前記第１の電極基板と前記第２の電極基板によって狭持される液晶組成物とを備えた液晶表示装置において、
前記対向電極は配線電極とストライプ状の透明電極を備え、この配線電極は前記透明電極より低抵抗の金属よりなり、前記透明電極の線幅より細い線幅で前記透明電極に電気的に接続し、かつ前記ストライプ状の透明電極により被覆されている
　（２）前記配線電極は前記画素電極間上部に設けられていることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
　（３）前記配線電極は前記画素電極上部に重畳して形成されており、前記重畳幅は１０ミクロン以下であることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
　（４）前記配線電極は前記画素電極上部に１０ミクロン以下の線幅で設けられていることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
　（５）基板上の第１の領域に複数の画素電極及びその各々に電気的に接続した第１の金属−絶縁体−第２の金属よりなる非線形抵抗素子と、前記基板の前記第１の領域とは異なる第２の領域に配線電極と透明電極よりなる対向電極とを形成する第１の工程と、
　前記基板を前記第１の領域と前記第２の領域とに分割し、前記画素電極を備えた第１の電極基板と、対向電極を備えた第２の電極基板とを形成する第２の工程とを備えた電極基板の製造方法であって、
　前記第１の工程が、前記第１の金属もしくは前記第２の金属を形成すると同時に前記基板上に前記配線電極を形成する工程と、前記画素電極を形成すると同時に前記透明電極を形成する工程から選ばれる少なくとも一方の工程を行なった後に他方の工程を行なうことを特徴とする電極基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
　この発明は、スイッチング素子としてＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ−Ｍｅｔａｌ）素子を用いた液晶表示装置と電極基板の製造方法に関する。
（従来の技術）
　近年、時計・電卓・計測機器等の比較的簡単なものから、パーソナル・コンピュータ、ワード・プロセッサー、更にはＯＡ用の端末機器、ＴＶ画像表示等の大容量情報表示の用途に液晶表示装置は使用されている。こうした大容量の液晶表示装置においては、マトリックス表示のマルチプレックス駆動方式が一般に採用されている。ところがこの方式は、液晶自身の本質的な特性によって、表示部分（オン画素）と非表示部分（オフ画素）のコントラスト比の点では、２００本程度の走査線を有する場合でも不充分であり、更に走査線が５００本以上の大規模なマトリックス駆動を行なう場合には、コントラストの劣化が致命的であった。
　そして、この液晶表示装置のもつ欠点を解決するための開発が、各所で盛んに行われている。その一つの方向が、個々の画素を直接にスイッチ駆動するものである。その場合のスイッチング素子として薄膜トランジスタが採用されている。薄膜トランジスタを構成する半導体として、これまで単結晶シリコン、多結晶シリコン、セレン化カドミウム及びテルル等の種々の材料が提案されてきたが、現在は非晶質シリコンが最も多く研究されている。しかしながら、この種の液晶表示装置の製造においては、微細加工工程が数回必要となり、工程が複雑で歩留りが悪くなることがあった。この結果、製品コストが高くなり、また、大規模な液晶表示装置の製造が著しく困難となっていた。
　スイッチング素子列（アレイ）を用いた別の方向として、非線形抵抗素子を用いたものがある。非線形抵抗素子は、薄膜トランジスタの三端子に比べて、基本的に二端子で構造が簡単であり、製造が容易である。このため、製品歩留りの向上が期待でき、コスト低下の利点がある。
　非線形抵抗素子は、薄膜トランジスタと同様の材料を用いて、接合形成したダイオード型、酸化亜鉛を用いたバリスタの型、電極間に絶縁物を挟んだ金属−絶縁層−金属（ＭＩＭ）型、更には金属電極間に半導電性の層（ＭＳＩ）を用いた型等が開発されている。
　このうちＭＩＭ型は、構造が最も簡単なものの一つで、現在のところ実用化が最も近いということができる。
　一般にＭＩＭ素子を有する電極基板の製造は、ガラス基板上にタンタル（Ｔａ）膜をスパッタリング法や真空蒸着法等の薄膜形成法により形成し、フォトリソグラフィ技術等を用いて所望の信号電極とＭＩＭの第１の金属とを形成する。次に、第１の金属をクエン酸水溶液等を用いた陽極酸化法により化成し、絶縁体を形成する。更に、ＭＩＭのもう片方の電極としてクロム（Ｃｒ）膜を、薄膜形成法により形成し第２の金属とすることにより、ＭＩＭ素子が完成する。更にこの後には、画像表示用の画素電極を第２の金属と接続形成すればよい。こうした基本的な製造技術は特開昭５５−６１２７３号公報に開示され、その改良技術が特開昭５８−１７８３２０号公報等に示されている。
　このようにして形成された第１の電極基板と、透明導電体によってストライプ状に形成された対向電極を有する第２の電極基板によって液晶組成物を狭持させて液晶表示装置としていた。
（発明が解決しようとする課題）
　ところが液晶表示装置の大表示化が進むにつれて、信号電極あるいは対向電極の配線長の増加、配線ピッチの極細化の傾向にある。
　このような中、信号電極側を低抵抗化した液晶表示装置は種々開発されているが、対向電極については何等解決されていなかった。
　この対向電極の配線抵抗の増加に伴い、駆動波形の歪あるいは次定数の増加が起り、液晶表示装置の表示画像に悪影響を及ぼすようになってきた。
　この発明は上記した事情に鑑みてなされたものであり、光透過率を低減させることなく配線抵抗を低減し、良好な表示画像が得られる液晶表示装置を提供することを目的とする。また、例えば上記の液晶表示装置の電極基板等を簡略に製造し得る電極基板の製造方法を提供することを目的としたものである。
［発明の構成］
（課題を解決するための手段）
　本発明の液晶表示装置は、複数の画素電極及びその各々に電気的に接続した第１の金属−絶縁体−第２の金属よりなる非線形抵抗素子を基板上に形成した第１の電極基板と、この第１の電極基板の画素電極に対向する対向電極を備えた第２の電極基板と、第１の電極基板と第２の電極基板によって挟持される液晶組成物とを備えた液晶表示装置であって、対向電極は配線電極と透明電極によって構成されており、この配線電極は低抵抗金属より成り、画素電極間上部に設けられるか、あるいは画素電極上に１０ミクロン以下の線幅で設けられていることを特徴としたものである。
　また本発明の電極基板の製造方法は、基板上の第１の領域に複数の画素電極及びその各々に電気的に接続した第１の金属−絶縁体−第２の金属よりなる非線形抵抗素子と、基板の第１の領域とは異なる第２の領域に配線電極と透明電極より成る対向電極とを形成する第１の工程と、基板を第１の領域と第２の領域とに分割し、画素電極を備えた第１の電極基板と、対向電極を備えた第２の電極基板とを形成する第２の工程とを備えたものであって、第１の工程が、第１の金属もしくは第２の金属を形成すると同時に基板上に配線電極を形成する工程と、画素電極を形成すると同時に透明電極を形成する工程から選ばれる少なくとも一方の工程を行なった後に他方の工程を行なうことを特徴としたものである。
（作用）
　本発明者等は種々の実験により、対向電極に要求される抵抗値は１０Ω／□であり、これを実現することにより初めて良好な表示特性が得られる液晶表示装置とすることができることを見い出した。
　対向電極の抵抗値を下げるべく種々検討した結果、対向電極の膜厚を厚くすることにより低抵抗化することには限界がある。即ち、対向電極はＩ．Ｔ．Ｏ．（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ）等の透明導電体によって形成されており、膜の緻密性にもよるが上記した抵抗値を実現するためには膜厚を大きくする必要がある。液晶表示装置の対向電極にこのような厚膜のＩ．Ｔ．Ｏ．等を設置することは、光透過率の低下を招き、コントラスト特性の良好な表示が得られなくなってしまう。
　このようなことから、対向電極を２種類の材料により形成することに着眼した。即ち、対向電極を低抗値の低い金属と、従来と同様なＩ．Ｔ．Ｏ．等の透明電極によって形成することにより、抵抗値を十分に低下させることができる。この低抵抗金属とは、例えば銅（Ｃｕ）、タンタル（Ｔａ）、アルミ（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）あるいはこれら金属から選ばれる合金等が挙げられる。
　しかし、低抵抗金属によって形成される配線電極は光不透過であるため、液晶表示装置の光透過率を低下させないようにする必要がある。このため、本発明者は種々の実験により画素電極間上部の表示領域外部に設けるか、あるいは表示領域内部に設ける場合は光透過率を１０ミクロン以下の線幅にすることを見い出した。配線電極の線幅が１０ミクロン以上であると、液晶表示装置として十分な光透過率が得られなくなってしまう。また少なくとも対向電極の抵抗値を１０Ω／□とするためには３ミクロン以上の線幅であることが好ましい。
　ところで、液晶表示装置の対向電極を上記したように配線電極と透明電極の２層で形成することは、製造上から好ましくない。
　従来の非線形抵抗素子を備えた電極基板の製造方法は、一方の基板上に複数の非線形抵抗素子及び画素電極を備えた第１の電極基板を形成し、また他方の基板に画素電極に対向する対向電極を備えた第２の電極基板を形成するもので、例えばこれら一対の基板に液晶組成物を狭持させて液晶表示装置としていた。
　このため、上記した複雑な構成の液晶表示装置を製造するには、配線電極を形成するため少なくとも１回のフォトリソグラフィ工程が増加してしまう。
　そこで本発明者は非線形抵抗素子を備えた電極基板の製造方法について種々検討した結果、同一基板で第１の電極基板と第２の電極基板を同時に形成することを見い出した。そして、更に１の電極基板の画素電極と第２の電極基板の透明電極を同一部材で同時に形成し、また第１の電極基板の配線電極と第２の電極基板の非線形抵抗素子を構成する金属と同一部材で同時に形成することにより、構成の複雑化に伴うフォトリソグラフィ工程の増加を防ぐことができる。即ち、第２の電極基板の製造工程内で十分に第１の電極基板を形成することができるためである。
（実施例）
　以下、この発明の詳細を図面を参照して説明する。第１図は本発明の一実施例に係る液晶表示装置の一表示部分の概略断面図を示すものであり、また第２図は第１図においてＡ〜Ａ’線に沿って切断した断面図を示すものである。
　本実施例の液晶表示装置（１）は、第１の電極基板（１１）と第２の電極基板（３１）に液晶組成物（５１）が挟持されて成っている。
　第１の電極基板（１１）は、透明なガラス基板（１３）上に形成されたストライプ状の信号電極（３５）と、この信号電極（３５）に接続された複数のＭＩＭ素子（４０）と、このＭＩＭ素子（４０）に接続設置された画素電極（４１）と、これら電極上に設置された配向膜（２７）によって形成されている。
　このＭＩＭ素子（４０）は、第２図に示すようにガラス基板（１３）側から信号電極（３５）と一体のタンタル（Ｔａ）より成る第１の金属（３７）、絶縁体（３８）、チタン（Ｔｉ）より成る第２の金属（３９）といった積層構造となっている。
　次に、第２の電極基板（３１）は透明なガラス基板（１３）上にＭＩＭ素子（４０）を構成する第１の金属（３７）と同様に、低抵抗金属であるタンタル（Ｔａ）によって１０ミクロンの微細な線幅で形成された配線電極（２０ａ）と、配線電極（２０ａ）を被覆したストライプ状の透明電極（２０ｂ）によって構成さる対向電極（２１）が設置されている。そして第１図に示すように、配線電極（２０ａ）は対向する画素電極（４１）間上部にストライプ状に形成されものであって、液晶表示装置（１）の表示領域は避けて設置されているため、液晶表示装置の光透過率を低下させることはない。
　ここでは配線電極（２０ａ）を画素電極（４１）間上部に設置されるようにしたが、線幅が１０ミクロン以下であれば画素電極上に設置されるようにしても良い。
　更に、この対向電極（２１）上に配向膜（２７）が設置されて、第２の電極基板（３１）は構成されている。
　このような第１の電極基板（１１）と第２の電極基板（３１）によって液晶組成物（５１）が挟持され液晶表示装置（１）は構成されている。
　そして第３図に示すように、第１の電極基板（１１）の信号電極（３５）を信号電極駆動手段（６１）に、第２の電極基板（３１）の対向電極を対向電極駆動手段（７１）に接続し、制御手段（８１）によって制御することによって液晶表示装置（１）を動作させることができる。
　この信号電極駆動手段（６１）、対向電極駆動手段（７１）はシフトレジスタ回路と、ドライブ回路によって構成されており、制御手段からのタイミング信号に同期して情報信号を順次印加するものである。
　本実施例の液晶表示装置（１）では上記したように、対向電極（２１）の一部を構成する低抵抗金属より成る配線電極（２０ａ）を対向する画素電極（４１）間上部に形成することにより、透明電極（２０ｂ）は従来と同様の膜厚のＩ．Ｔ．Ｏ．膜等によって形成しても、光透過率を低下させることなく対向電極（２１）の配線抵抗を１０Ω／□とすることができた。このため従来の液晶表示装置に比べて次定数が低下することなく、はるかに良好な表示画像が得られた。
　次に、このような液晶表示装置の製造方法を第４図を参照して詳述する。
　まず、第４図（ａ）に示すように、透明なガラス基板（１３）上にスパッタリングによりタンタル（Ｔａ）膜（１４）を３０００オングストロームの膜厚で形成する。このスパッタリングの初期の状態でアルゴンガスに１０％の酸素を添加することにより、タンタル（Ｔａ）膜（１４）のガラス基板（１３）との接触面は３００オングストローム程度酸化物層となり、これにより良好な密着性を確保することができる。また、この酸化物層（図示せず）は、タンタル（Ｔａ）膜（１４）表面で外光が反射することを防ぐ効果も奏する。
　次に、タンタル（Ｔａ）膜（１４）上にレジストを塗布した後に、マスクを用いて露光・現像し、信号電極（３５）とＭＩＭ素子（４０）を構成する第１の金属（３７）を形成するための複数のレジストパターン（１５ａ）をガラス基板（１３）の第１の領域上に形成すると同時に、対向電極（２１）を構成する配線電極（２０ａ）を形成するためのレジストパターン（１５ｂ）を同一ガラス基板（１３）の第２の領域に形成する。ここで、第１の領域とはガラス基板（１３）の中心部で１／２に区切られる領域とし、第２の領域とはガラス基板（１３）の残り１／２の領域とした。
　そして第４図（ｂ）に示すように、ガラス基板（１３）をＣＦ４とＯ２を１：２の割合で混合したプラズマ中でドライエッチングし、所望の電極パターンを得る。
　次に、信号電極（３５）と第１の金属（３７）表面を０．０１重量％クエン酸水溶液中で陽極酸化し、信号電極（３５）と第１の金属（３７）表面に７００オングストロームの膜厚で絶縁体（３８）を形成する。
　次に第４図（ｃ）に示すように、絶縁体（３８）上にスパッタリングにより、１５００オングストロームの膜厚でチタン（Ｔｉ）膜（図示せず）を形成する。このチタン（Ｔｉ）膜上にレジストを塗布しマスクを用いて露光・現像し、アンモニア水と過酸化水素とＥＤＴＡと水の混合物によってエッチングし、第１の金属（３７）表面に設置された絶縁体（３８）上にのみチタン（Ｔｉ）膜を形成して第２の金属（３９）とし、このようにして信号電極（３５）とＭＩＭ素子（４０）は構成される。
　次に、第４図（ｄ）に示すようにＩ．Ｔ．０．膜（１７）をスパッタリングによって全面に形成する。そして第２の金属（３９）に接続される画素電極（４０）及び配線電極（２０ａ）に接続される透明電極（２０ｂ）を形成するために所定の形状の複数のレジストパターン（１６ａ）、（１６ｂ）をガラス基板（１３）の第１の領域、第２の領域に設置する。
　続いてエッチング処理をして、第４図（ｅ）に示すように、ＭＩＭ素子（４０）部の第２の金属（３９）に接続される画素電極（４１）と、配線電極（２０ａ）上に設置されるストライプ状の透明電極（２０ｂ）を形成する。
　第５図は、このような状態のガラス基板（１３）の概略斜視図を示すもので、同一ガラス基板（１３）上に複数の画素電極（４１）あるいは対向電極（２１）が形成される。
　このようなガラス基板（１３）を第１の領域と第２の領域で切断し、第４図（ｆ）に示すように画素電極（４１）を備えた第１の電極基板（１１）と、対向電極（２１）を備えた第２の電極基板（３１）を形成する。
　尚、このようにして得られた第１の電極基板（１１）と第２の電極基板（３１）から液晶表示装置（１）を形成するには、例えば次のようにすればよい。得られた第１の電極基板（１１）のＭＩＭ素子（４０）形成面及び第２の電極基板（３１）の対向電極（２１）形成面に、ポリイミド樹脂からなる配向膜を塗布・焼成しラビングすることにより、液晶組成物（５１）の配向方向を規制する。そして第１の電極基板（１１）の対向電極（２１）と第２の電極基板（３１）の信号電極（３５）が直交する方向で液晶組成物（５１）を介し、対向電極（２１）と画素電極（４１）と重なるように形成する。このようにして液晶組成物（５１）の分子長軸方向が両基板（１１）、（３１）間で約９０゜ねじれるように５〜２０μｍの間隔を保って保持させ、液晶組成物（５１）の注入する。そして、第１の電極基板（１１）及び第２の電極基板（３１）の外側に偏光軸を約９０゜ねじった形でガラス基板（１３）、（３３）に偏光板（３９）、（４９）を配置すればよい。
　このように同一基板で第１の電極基板（１１）と第２の電極基板（３１）を、上記したように形成することにより、対向電極（２１）の構成の複雑化に伴う製造工程の増加を防ぐことができた。また従来に比べて、製造に使用されるマスクの数を大幅に減少させることができた。
　更に、対向電極（２１）の配線電極（２０ａ）をＭＩＭ素子（４０）を構成する低抵抗金属によって形成するため、対向電極（２１）の配線抵抗を低下させ伝送途中における信号の波形歪を解消し良好な表示画像が得られる液晶表示装置（１）とすることができた。　本実施例ではＭＩＭ素子（４０）の第１の金属（３７）を形成すると同時に配線電極（２０ａ）を形成したが、本発明はこれに限ることなく、第２の金属（３９）形成と同時に配線電極（２０ａ）を形成するものであっても良い。また画素電極（４１）を形成した後に第２の金属（３９）を形成しＭＩＭ素子（４０）を形成しても良い。
（他の実施例）
　上述した実施例では、液晶表示装置（１）を構成するＭＩＭ素子（４０）の第１の金属（３７）と対向電極（２１）を形成する配線電極（２０ａ）とを同一の工程で同一金属で形成したが、例えば対向電極（２１）は透明電極（２０ｂ）上に配線電極（２０ａ）を設置し構成したものであっても良い。このような構成は、例えば次のようにして製造することにより容易に得ることができる。
　第６図はこの実施例に係る液晶表示装置の製造方法を示す概略プロセス図であり、これを参照し、第１の実施例と同一箇所は省略し説明する。
　まず、第６図（ａ）に示すように、透明なガラス基板（１３）上にスパッタリングによりタンタル（Ｔａ）膜（１４）を３０００オングストロームの膜厚で形成し、更に、タンタル（Ｔａ）膜（１４）上にレジストを塗布した後に、マスクを用いて露光・現像し、信号電極（３５）とＭＩＭ素子（４０）を構成する第１の金属（３７）を形成するための複数のレジストパターン（１５ａ）をガラス基板（１３）の第１の領域上に形成する。ここでも、第１の領域とはガラス基板（１３）の中心部で１／２に区切られる領域とし、第２の領域とはガラス基板（１３）の残り１／２の領域とした。
　そして第６図（ｂ）に示すように、ガラス基板（１３）をＣＦ４とＯ２を１：２の割合で混合したプラズマ中でドライエッチングし、所望の電極パターンの信号電極（３５）と第１の金属（３７）を得る。そして、信号電極（３５）と第１の金属（３７）表面を０．０１重量％クエン酸水溶液中で陽極酸化し、信号電極（３５）と第１の金属（３７）表面に７００オングストロームの膜厚で絶縁体（３８）を形成する。
　次に第６図（ｃ）に示すように、第１の領域の絶縁体（３８）を除く部分には複数の画素電極（４１）を、また第２の領域にはストライプ状の透明電極（２０ｂ）を形成する。これはＩ．Ｔ．Ｏ．膜をスパッタリングによって全面に形成した後にエッチングすることにより形成することができる。
　そして第６図（ｄ）に示すように、第１の領域の画素電極（４０）及び絶縁体（３８）を接続すると共にＭＩＭ素子（４０）を構成する第２の金属（３９）を形成すると同時に、第２の領域の透明電極（２０ｂ）上にストライプ状の配線電極（２０ａ）を第２の金属（３９）と同一部材で形成する。これも第２の金属（３９）を形成するチタン（Ｔｉ）を第１の領域及び第２の領域全面に形成した後に、エッチング処理をして形成することができる。
　このようなガラス基板（１３）を第１の実施例と同様にして第１の領域と第２の領域で切断することによって、画素電極（４１）を備えた第１の電極基板（１１）と、対向電極（２１）を備えた第２の電極基板（３１）を形成する。
　このようにして得られた第１の電極基板（１１）と第２の電極基板（３１）に、第１の実施例と同様に液晶組成物（５１）を挟持させて液晶表示装置（１）とした。
　以上説明したように、対向電極の構成が複雑化しても、同一基板上に第１の電極基板（１１）と第２の電極基板を形成することにより、第１の実施例と同様に第２の電極基板（３１）を製造すると同様の工程数で製造することができる。そして、従来では第１の電極基板（１１）用のマスクと第２の電極基板（３１）用のマスクが夫々複数必要であったのに対し、本実施例の液晶表示装置の製造方法では同一基板上に第１の電極基板（１１）と第２の電極基板を同時に形成することによりマスク数を大幅に減少できる。
　また、このようにして製造される液晶表示装置（１）では、対向電極（２１）の配線抵抗を従来に比べて大幅に減少でき、良好な表示画像を得ることができた。
　ここでは、本発明の電極基板の製造方法を液晶表示装置に適用した場合を示したが、この他にも種々のものに利用することもできる。
［発明の効果］
　以上詳述したように、本発明の液晶表示装置は、対向電極を透明電極と低抵抗金属により形成される配線電極とを備えた構成とし、この配線電極を画素電極間上部あるいは画素電極上に１０ミクロン以下の線幅で設置することにより、液晶表示装置の光透過率を低下させることなく配線抵抗を抑えることにより、良好な表示画像を得ることができる液晶表示装置とすることができた。このため、本発明の液晶表示装置は、特に大表示画面の液晶表示装置に適し、その効果を十分に発揮できる。
　また本発明の電極基板の製造方法では、同一基板上で非線形抵抗素子を構成する金属形成と同時に対向電極を構成する配線電極を形成し、画素電極形成と同時に対向電極を構成する透明電極を形成することにより、対向電極の構成が複雑であっても製造工程が増加することなく、容易に製造することができる。また同一基板で第１の電極基板と第２の電極基板とを同時に形成することにより、製造に使用されるマスク数を従来に比べて大幅に減少させることもできる。
　このように本発明の液晶表示装置に用いる電極基板の製造方法は、構成が複雑な液晶表示装置であっても、生産性を損うことなく、容易に製造することができる。
【図面の簡単な説明】
　第１図は本発明の一実施例に係る液晶表示装置の概略正面図、第２図は第１図の液晶表示装置のＡ〜Ａ’線に沿って切断した断面図、第３図は本実施例の液晶表示装置を使用した液晶表示器の概略構成図、第４図は本実施例の液晶表示装置の概略プロセス図、第５図は第４図（ｅ）におけるガラス基板の概略斜視図、第６図は他の実施例の液晶表示装置の概略プロセス図示すものである。
（１）……液晶表示装置
（１１）……第１の電極基板
（２０ａ）……配線電極
（２０ｂ）……透明電極
（２１）……対向電極
（３１）……第２の電極基板
（４０）……ＭＩＭ素子
（５１）……液晶組成物