【事件の表示】
　特許第６３０６７６７号発明「リチウム二次電池陰極材用シリコン複合酸化物及びその製造方法」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第６３０６７６７号の特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり訂正後の請求項〔１〜１９〕について訂正することを認める。
　本件特許異議の申立てを却下する。
【理　由】
第１　手続の経緯
　特許第６３０６７６７号（以下、「本件特許」という。）の請求項１〜１９に係る特許についての出願は、平成２９年３月２８日（パリ条約による優先権主張２０１７年３月２０日、韓国（ＫＲ））を出願日とする出願であって、平成３０年３月１６日に特許権の設定登録がされ、同年４月４日に特許掲載公報が発行され、同年１０月４日付けで請求項１〜６、９、１８、１９に係る本件特許に対し、特許異議申立人である河村真人（以下、「申立人」という。）によって特許異議の申立てがされたものである。
　その後、平成３１年１月２２日付けで当審から取消理由が通知され、同年４月２５日付けで特許権者から意見書の提出及び訂正請求がされ、令和１年５月１０日付けで当審から申立人に対し訂正請求があった旨の通知（特許法第１２０条の５第５項）をするとともに相当の期間を指定して意見書を提出する機会を与えたところ、同年６月１４日付けで申立人から意見書が提出され、令和１年７月１６日付けで当審から取消理由（決定の予告）が通知され、同年１０月１６日付けで特許権者から意見書の提出及び訂正請求（以下、「本件訂正請求」という。）がされたものである。
　なお、上記のとおり、令和１年１０月１６日付けで本件訂正請求がされたため、平成３１年４月２５日付けの訂正請求は、特許法第１２０条の５第７項の規定により取り下げられたものとみなす。
　また、以下の第２、第３のとおり、本件訂正請求に係る訂正（以下、「本件訂正」という。）により特許異議の申立てがされた請求項１〜６、９、１８、１９は全て削除されたため、特許法第１２０条の５第５項ただし書の規定に基いて、当審から申立人に対し訂正請求があった旨の通知をするとともに相当の期間を指定して意見書を提出する機会を与えることはしなかった。
第２　本件訂正の適否について
　１　本件訂正請求の趣旨
　本件訂正請求の趣旨は「特許第６３０６７６７号の特許請求の範囲を本件訂正請求書に添付した訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項１〜１９について訂正することを求める。」というものである。
　２　訂正事項
　本件訂正の内容は、以下の訂正事項１〜１３のとおりである。なお、下線は訂正箇所を示すために当審において付したものである。
（１）訂正事項１
　特許請求の範囲の請求項１を削除する。
（２）訂正事項２
　特許請求の範囲の請求項２を削除する。
（３）訂正事項３
　特許請求の範囲の請求項３を削除する。
（４）訂正事項４
　特許請求の範囲の請求項４を削除する。
（５）訂正事項５
　特許請求の範囲の請求項５を削除する。
（６）訂正事項６
　特許請求の範囲の請求項６を削除する。
（７）訂正事項７
　特許請求の範囲の請求項１を引用する請求項７を独立形式に改め、
　「
シリコン酸化物（ＳｉＯ
Ｘ
、０＜ｘ＜２）内に結晶サイズが１〜２５ｎｍであるシリコン粒子及びＭｇＳｉＯ
３
（enstatite）結晶を含み、表面に炭素被膜を含むことを特徴とする、二次電池負極材用シリコン複合酸化物であって、
、二
に訂正する。
（８）訂正事項８
　特許請求の範囲の請求項１を引用する請求項８を独立形式に改め、
　「
シリコン酸化物（ＳｉＯ
Ｘ
、０＜ｘ＜２）内に結晶サイズが１〜２５ｎｍであるシリコン粒子及びＭｇＳｉＯ
３
（enstatite）結晶を含み、表面に炭素被膜を含むことを特徴とする、二次電池負極材用シリコン複合酸化物であって、
、二
に訂正する。
（９）訂正事項９
　特許請求の範囲の請求項９を削除する。
（１０）訂正事項１０
　特許請求の範囲の請求項１を引用する請求項１０を独立形式に改め、
　「
シリコン酸化物（ＳｉＯ
Ｘ
、０＜ｘ＜２）内に結晶サイズが１〜２５ｎｍであるシリコン粒子及びＭｇＳｉＯ
３
（enstatite）結晶を含み、表面に炭素被膜を含むことを特徴とする、二次電池負極材用シリコン複合酸化物であって、
、二
に訂正する。
（１１）訂正事項１１
　特許請求の範囲の請求項１を引用する請求項１１を独立形式に改め、
　「珪素粉末と二酸化珪素粉末とを混合してＳｉ／ＳｉＯ２原料粉末混合体を準備するステップと、
　前記Ｓｉ／ＳｉＯ２原料粉末混合体と金属マグネシウムを蒸発及び蒸着させてシリコン複合酸化物を形成するステップと、
　前記形成されたシリコン複合酸化物を冷却させるステップと、
　前記冷却されたシリコン複合酸化物を粉砕するステップと、
　前記粉砕されたシリコン複合酸化物の表面を炭素で被覆させるステップと、
を含む
、シリコン酸化物（ＳｉＯ
Ｘ
、０＜ｘ＜２）内に結晶サイズが１〜２５ｎｍであるシリコン粒子及びＭｇＳｉＯ
３
（enstatite）結晶を含み、表面に炭素被膜を含む
に訂正する。
　請求項１１を引用する請求項１２〜１７も同様に訂正する。
（１２）訂正事項１２
　特許請求の範囲の請求項１８を削除する。
（１３）訂正事項１３
　特許請求の範囲の請求項１９を削除する。
　３　一群の請求項について
　本件訂正前の請求項１〜１９は、請求項２〜１９が、訂正請求の対象である請求項１を引用する関係にあるから、本件訂正は、一群の請求項である請求項１〜１９に対して請求されたものであり、特許法第１２０条の５第４項の規定に適合する。
　４　訂正要件の検討
（１）訂正事項１〜６、９、１２、１３について
　ア　訂正の目的の適否，新規事項の有無，特許請求の範囲の拡張・変更の存否
　訂正事項１〜６、９、１２、１３に係る本件訂正は、本件訂正前の請求項１〜６、９、１８、１９のそれぞれを削除するものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる「特許請求の範囲の減縮」を目的とするものであって、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内のものであるから、同法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項の規定に適合し、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではないから、同法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項の規定に適合する。
　イ　独立特許要件
　訂正事項１〜６、９、１２、１３に係る本件訂正によって、特許異議の申立てがされた請求項１〜６、９、１８、１９は削除されたため、特許法第１２０条の５第９項において読み替えて準用する同法第１２６条第７項の規定は適用されない。
（２）訂正事項７、８、１０、１１について
　ア　訂正の目的の適否，新規事項の有無，特許請求の範囲の拡張・変更の存否
　訂正事項７、８、１０、１１に係る本件訂正は、本件訂正前の請求項７、８、１０、１１のそれぞれが請求項１を引用する記載であるところ、いずれの訂正も、請求項間の引用関係を解消するために、その内容を変更することなく請求項１の記載を引用しない形に書き替えるものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第４号に掲げる「他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとすること。」を目的とするものであって、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内のものであるから、同法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項の規定に適合し、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではないから、同法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項の規定に適合する。
　イ　独立特許要件
　前記アのとおり、訂正事項７、８、１０、１１に係る本件訂正は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第４号に掲げる事項を目的とするものであるから、特許法第１２０条の５第９項において読み替えて準用する同法第１２６条第７項の規定は適用されない。
　５　小括
　以上のとおり、本件訂正は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号及び第４号に掲げる事項を目的とするものであり、同条第４項、同条第９項で準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合する。
　そして、本件訂正は、請求項間の引用関係の解消を目的とする訂正が認められた場合に、特定の請求項に係る訂正事項について別の請求単位とする求めもない。
　したがって、特許請求の範囲を、訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、請求項〔１〜１９〕について訂正することを認める。
第３　本件発明
　前記第２のとおり、本件訂正が認められたので、本件特許の請求項１〜１９に係る発明は、本件訂正後の特許請求の範囲の請求項１〜１９に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
　「【請求項１】
　
（削除）
【請求項２】
　
（削除）
【請求項３】
　
（削除）
【請求項４】
　
（削除）
【請求項５】
　
（削除）
【請求項６】
　
（削除）
【請求項７】
　
シリコン酸化物（ＳｉＯ
Ｘ
、０＜ｘ＜２）内に結晶サイズが１〜２５ｎｍであるシリコン粒子及びＭｇＳｉＯ
３
（enstatite）結晶を含み、表面に炭素被膜を含むことを特徴とする、二次電池負極材用シリコン複合酸化物であって、
、二
【請求項８】
　
シリコン酸化物（ＳｉＯ
Ｘ
、０＜ｘ＜２）内に結晶サイズが１〜２５ｎｍであるシリコン粒子及びＭｇＳｉＯ
３
（enstatite）結晶を含み、表面に炭素被膜を含むことを特徴とする、二次電池負極材用シリコン複合酸化物であって、
、二
【請求項９】
　
（削除）
【請求項１０】
　
シリコン酸化物（ＳｉＯ
Ｘ
、０＜ｘ＜２）内に結晶サイズが１〜２５ｎｍであるシリコン粒子及びＭｇＳｉＯ
３
（enstatite）結晶を含み、表面に炭素被膜を含むことを特徴とする、二次電池負極材用シリコン複合酸化物であって、
、二
【請求項１１】
　珪素粉末と二酸化珪素粉末とを混合してＳｉ／ＳｉＯ２原料粉末混合体を準備するステップと、
　前記Ｓｉ／ＳｉＯ２原料粉末混合体と金属マグネシウムを蒸発及び蒸着させてシリコン複合酸化物を形成するステップと、
　前記形成されたシリコン複合酸化物を冷却させるステップと、
　前記冷却されたシリコン複合酸化物を粉砕するステップと、
　前記粉砕されたシリコン複合酸化物の表面を炭素で被覆させるステップと、
を含む
、シリコン酸化物（ＳｉＯ
Ｘ
、０＜ｘ＜２）内に結晶サイズが１〜２５ｎｍであるシリコン粒子及びＭｇＳｉＯ
３
（enstatite）結晶を含み、表面に炭素被膜を含む
【請求項１２】
　前記珪素粉末は平均粒径が１〜５０μｍであり、前記二酸化珪素粉末は平均粒径が１０〜１００ｎｍであることを特徴とする、請求項１１に記載の二次電池負極材用シリコン複合酸化物の製造方法。
【請求項１３】
　前記Ｓｉ／ＳｉＯ２原料粉末混合体は、珪素粉末１モル当たり二酸化珪素粉末を０．８〜１モルの割合で混合することを特徴とする、請求項１１に記載の二次電池負極材用シリコン複合酸化物の製造方法。
【請求項１４】
　前記Ｓｉ／ＳｉＯ２原料粉末混合体と金属マグネシウムの蒸発は０．０１〜２ｔｏｒｒの圧力下で８００〜１６００℃に加熱して遂行されることを特徴とする、請求項１１に記載の二次電池負極材用シリコン複合酸化物の製造方法。
【請求項１５】
　前記冷却させるステップは、水冷基板による冷却、自然冷却、及びその他の冷却方法のうち、いずれか一つの方法により常温まで冷却されることを特徴とする、請求項１１に記載の二次電池負極材用シリコン複合酸化物の製造方法。
【請求項１６】
　前記粉砕するステップは、平均粒径が０．１〜１５μｍの粉末になるように粉砕することを特徴とする、請求項１１に記載の二次電池負極材用シリコン複合酸化物の製造方法。
【請求項１７】
　前記炭素で被覆させるステップは、前記シリコン複合酸化物をメタン、プロパン、ブタン、アセチレン、ベンゼン、及びトルエンからなるグループから選択されるいずれか一つ以上の炭素前駆体と６００〜１２００℃でガス状で反応させることを特徴とする、請求項１１に記載の二次電池負極材用シリコン複合酸化物の製造方法。
【請求項１８】
　
（削除）
【請求項１９】
　
（削除）
第４　むすび
　以上のとおり、本件訂正によって特許異議の申立てがされた請求項１〜６、９、１８、１９は全て削除され、特許異議の申立ての対象となる請求項は存在しないものとなったから、本件特許についての特許異議の申立ては、特許法第１２０条の８第１項で準用する同法１３５条の規定によって却下すべきものである。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
令和１年１０月２９日（２０１９．１０．２９）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】
　
（削除）
　【請求項２】
　
（削除）
　【請求項３】
　
（削除）
　【請求項４】
　
（削除）
　【請求項５】
　
（削除）
　【請求項６】
　
（削除）
　【請求項７】
　
シリコン酸化物（ＳｉＯＸ、０＜ｘ＜２）内に結晶サイズが１〜２５ｎｍであるシリコン粒子及びＭｇＳｉＯ３（ｅｎｓｔａｔｉｔｅ）結晶を含み、表面に炭素被膜を含む二次電池負極材用シリコン複合酸化物であって、
、二
　【請求項８】
　
シリコン酸化物（ＳｉＯＸ、０＜ｘ＜２）内に結晶サイズが１〜２５ｎｍであるシリコン粒子及びＭｇＳｉＯ３（ｅｎｓｔａｔｉｔｅ）結晶を含み、表面に炭素被膜を含む二次電池負極材用シリコン複合酸化物であって、
、二
　【請求項９】
　
（削除）
　【請求項１０】
　
シリコン酸化物（ＳｉＯＸ、０＜ｘ＜２）内に結晶サイズが１〜２５ｎｍであるシリコン粒子及びＭｇＳｉＯ３（ｅｎｓｔａｔｉｔｅ）結晶を含み、表面に炭素被膜を含む二次電池負極材用シリコン複合酸化物であって、
、二
　【請求項１１】
　珪素粉末と二酸化珪素粉末とを混合してＳｉ／ＳｉＯ２原料粉末混合体を準備するステップと、
　前記Ｓｉ／ＳｉＯ２原料粉末混合体と金属マグネシウムを蒸発及び蒸着させてシリコン複合酸化物を形成するステップと、
　前記形成されたシリコン複合酸化物を冷却させるステップと、
　前記冷却されたシリコン複合酸化物を粉砕するステップと、
　前記粉砕されたシリコン複合酸化物の表面を炭素で被覆させるステップと、
を含む
、シリコン酸化物（ＳｉＯＸ、０＜ｘ＜２）内に結晶サイズが１〜２５ｎｍであるシリコン粒子及びＭｇＳｉＯ３（ｅｎｓｔａｔｉｔｅ）結晶を含み、表面に炭素被膜を含む
　【請求項１２】
　前記珪素粉末は平均粒径が１〜５０μｍであり、前記二酸化珪素粉末は平均粒径が１０〜１００ｎｍであることを特徴とする、請求項１１に記載の二次電池負極材用シリコン複合酸化物の製造方法。
　【請求項１３】
　前記Ｓｉ／ＳｉＯ２原料粉末混合体は、珪素粉末１モル当たり二酸化珪素粉末を０．８〜１モルの割合で混合することを特徴とする、請求項１１に記載の二次電池負極材用シリコン複合酸化物の製造方法。
　【請求項１４】
　前記Ｓｉ／ＳｉＯ２原料粉末混合体と金属マグネシウムの蒸発は０．０１〜２ｔｏｒｒの圧力下で８００〜１６００℃に加熱して遂行されることを特徴とする、請求項１１に記載の二次電池負極材用シリコン複合酸化物の製造方法。
　【請求項１５】
　前記冷却させるステップは、水冷基板による冷却、自然冷却、及びその他の冷却方法のうち、いずれか一つの方法により常温まで冷却されることを特徴とする、請求項１１に記載の二次電池負極材用シリコン複合酸化物の製造方法。
　【請求項１６】
　前記粉砕するステップは、平均粒径が０．１〜１５μｍの粉末になるように粉砕することを特徴とする、請求項１１に記載の二次電池負極材用シリコン複合酸化物の製造方法。
　【請求項１７】
　前記炭素で被覆させるステップは、前記シリコン複合酸化物をメタン、プロパン、ブタン、アセチレン、ベンゼン、及びトルエンからなるグループから選択されるいずれか一つ以上の炭素前駆体と６００〜１２００℃でガス状で反応させることを特徴とする、請求項１１に記載の二次電池負極材用シリコン複合酸化物の製造方法。
　【請求項１８】
　
（削除）
　【請求項１９】
　
（削除）