【事件の表示】
　特許第２７９４３１１号「インピーダンス素子」の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結論】
　訂正を認める。
　特許第２７９４３１１号の特許を維持する。
【理由】
１．手続の経緯
　本件特許２７９４３１１号の請求項１に係る発明についての出願は、平成１年１１月２１日に特許出願され、平成１０年６月２６日にその発明について特許の設定登録がされ、その後、その特許について、異議申立人山根稔により特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１１年９月６日に訂正請求がなされたものである。
２．訂正の適否についての判断
２−１．訂正の内容
　訂正点▲１▼：請求項１を次のように訂正する。
　「フェライト素体の第１面よりそれと相対向する第２面へ貫通する少なくとも１個の貫通孔を有するチップ状のフェライト素体と、該各貫通孔の内壁に形成された導体と、前記導体を直列に接続する外部導体と、前記直列に接続された導体の両端に接続された、フェライト素体の前記第１面及び第２面とは異なった互いに対向する面に設けた端子電極とよりなり、前記フェライト素体が六方晶系フェライトＢａ３ＣｏｘＭｅ２−ｘＦｅ２４Ｏ４１（ここにｘは
１．５〜２
　訂正点▲２▼：発明の名称を「ノイズフィルター素子」と訂正する。
　訂正点▲３▼：特許公報第（２）頁左欄第２５行目及び同第（２）頁左欄第４０行目に「０．６〜２」とあるのを「１．５〜２」と訂正し、同第（３）頁左欄下から第７行目及び同第（３）頁右欄第１２行の化学式の後に「（ｘ＝１．５〜２）」と加入する。
２−２．訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　訂正点▲１▼について
　「六方晶系フェライトＢａ３ＣｏｘＭｅ２−ｘＦｅ２４Ｏ４１（ここにｘは
１．５〜２
　訂正点▲２▼について
　特許請求の範囲の記載と整合させるものであり、明りょうでない記載の釈明を目的とするものであって、新規事項の追加に該当せず、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
　訂正点▲３▼について
　訂正点▲３▼の訂正は、特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の項との整合を図るためになされたものであり、明りょうでない記載の釈明を目的とするものであって、新規事項の追加に該当せず、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
２−３．独立特許要件
２−３−１．訂正明細書の請求項１に係る発明
　上記２−１．における訂正点▲１▼参照
２−３−２．引用刊行物記載の発明
　▲１▼先の取消理由通知で引用した刊行物１（特開昭６０−６３９０６号公報）には、
　非常に小型で限られた体積の中で十分な特性を発揮でき、ノイズフィルターにも使用できるインピーダンスを提供するために、
　フェライト素体の第１面よりそれと相対向する第２面へ貫通する少なくとも１個の貫通孔を有するチップ状のフェライト素体と、該各貫通孔の内壁に形成された導体と、前記導体を直列に接続する外部導体と、前記直列に接続された導体の両端に接続された、フェライト素体の前記第１面及び第２面とは異なった互いに対向する面に設けた端子電極とよりなり、前記フェライト素体がＭｎ−Ｚｎフェライト、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェライト、Ｎｉ−Ｚｎフェライト等により構成されるインピーダンス素子、
　の発明が記載されている。
　▲２▼同刊行物２（特開昭５７−１７１１１号公報）には、
　高周波数で大きな透磁率を有し高周波領域で使用される六方晶系フェライトの初透磁率の温度特性を改良するために、
　六方晶系フェライトで一般式Ｂａ３Ｃｏ２−ｘＮｉｘＦｅ２４Ｏ４１なる組成において、０．５＜ｘ≦１なる条件を満たした酸化物磁性材料、
　の発明が記載されている。
　▲３▼同刊行物３（平賀貞太郎、奥谷克伸、尾島輝彦共著「電子材料シリーズ　フェライト」（昭６３−４−３０第２刷発行）丸善ｐ．１６−１８及びｐ．９８−１０３）には、
　六方晶構造を持つ一連のフェライトのＺ型は、Ｂａ３Ｍｅ２＋２Ｆｅ２４Ｏ４１であり、Ｍｅ２＋には種々のイオンが入り、
　六方晶フェライトのＺ型のｃ面の磁化容易軸とするものをプラナ型フェライトと呼び、スピネル型とプラナ型フェライトとの透磁率の周波数特性は、プラナ型がスネークの限界を越え周波数特性が改善され、高周波領域でスピネル型と比較して透磁率が大きくなっている、
　ことが記載されている。
２−３−３．対比・判断
　訂正明細書の請求項１に係る発明と、刊行物１、２記載の発明及び刊行物３の記載事項とを対比すると、５００ＭＨｚ以上の周波数において高いインピーダンスを有するノイズフィルターを得るために、訂正明細書の請求項１に係る発明の必須の構成要件である「フェライト素体が六方晶系フェライトＢａ３ＣｏｘＭｅ２−ｘＦｅ２４Ｏ４１（ここにｘは１．５〜２、ＭｅはＣｕ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｍｇ、Ｚｎより選択される少なくとも一種）により構成」されることは、刊行物１〜３には記載、もしくは示唆されているとは認められない。
　そして、訂正明細書の請求項１に係る発明は上記のように構成することにより、明細書記載の「本発明の六方晶系フェライトＢａ３ＣｏｘＭｅ２−ｘＦｅ２４Ｏ４１（ｘは１．５〜２）を使用したインピーダンス素子は５００ＭＨｚ以上の高周波帯域において従来よりも大きいインピーダンスを有する。従って、ノイズフィルタとして優れた特性を有する」ような格別の効果を奏するものである。
　したがって、訂正明細書の請求項１に係る発明は、刊行物１、２に記載の発明、刊行物３記載の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものといえない。また訂正明細書の請求項１の係る発明は、他の独立特許要件を満たさないものでもない。よって、訂正明細書の請求項１に係る発明は、特許出願の際独立して特許を受けることができる発明である。
２−４．むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法第１２０条の４第２項及び同条第３項において準用する第１２６条２〜４項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
３．特許異議の申立てについて
３−１．本件発明１
　上記２−１．訂正点▲１▼参照。
３−２．申立ての理由の概要
　申立人山根稔は、証拠として甲第１号証（特開昭６０−６３９０６号公報）、甲第２号証（特開昭５７−１７１１１号公報）を提出し、請求項１に係る発明は、甲第１号証及び甲第２号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に想到し得るものであり、特許法第２９条第２項の規定に違反して特許されたものであるから、請求項１に係る発明の特許を取り消すべき旨主張している。
　なお、異議申立人山根稔は、参考資料（平賀貞太郎、奥谷克伸、尾島輝彦共著「電子材料シリーズ　フェライト」（昭６３−４−３０　第２刷発行）丸善ｐ．１６−１８及びｐ．９８−１０３）を提出し、請求項１に係る発明は甲第１号証及び甲第２号証に記載された発明に基づいて当業者が容易になし得るが、参考資料に記載された技術事項から請求項１に係る発明の効果も当然予測し得るものであると、この資料に基づいて主張している。
３−３．甲各号証記載の発明及び参考資料の記載事項
　甲第１号証については、上記２−３−２．▲１▼、甲第２号証については、上記２−３−２．▲２▼参照。
　また参考資料の記載事項は、２−３−２．▲３▼参照。
３−４．対比・判断
　上記２−３−３において示したとおりである。
３−５．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件請求項１に係る発明の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件請求項１に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１１年１０月１８日（１９９９．１０．１８）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
　訂正点▲１▼：請求項１を次のように訂正する。
　「フェライト素体の第１面よりそれと相対向する第２面へ貫通する少なくとも１個の貫通孔を有するチップ状のフェライト素体と、該各貫通孔の内壁に形成された導体と、前記導体を直列に接続する外部導体と、前記直列に接続された導体の両端に接続された、フェライト素体の前記第１面及び第２面とは異なった互いに対向する面に設けた端子電極とよりなり、前記フェライト素体が六方晶系フェライトＢａ３ＣｏｘＭｅ２−ｘＦｅ２４Ｏ４１（ここにｘは
１．５〜２
　訂正点▲２▼：発明の名称を「ノイズフィルター素子」と訂正する。
　訂正点▲３▼：特許公報第（２）頁左欄第２５行目及び同第（２）頁左欄第４０行目に「０．６〜２」とあるのを「１．５〜２」と訂正し、同第（３）頁左欄下から第７行目及び同第（３）頁右欄第１２行の化学式の後に「（ｘ＝１．５〜２）」と加入する
（５４）【発明の名称】
ノイズフィルター素子
（５７）【特許請求の範囲】
（１）フェライト素体の第１面よりそれと相対向する第２面へ貫通する少なくとも１個の貫通孔を有するチップ状のフェライト素体と、該各貫通孔の内壁に形成された導体と、前記導体を直列に接続する外部導体と、前記直列に接続された導体の両端に接続された、フェライト素体の前記第１面及び第２面とは異なった互いに対向する面に設けた端子電極とよりなり、前記フェライト素体が六方晶系フェライトＢａ３ＣｏｘＭｅ２−ｘＦｅ２４Ｏ４１（ここにｘは
１．５〜２
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
　本発明は電子機器に組み込まれる電子回路部品の一種であるチップ状インピーダンス素子に関し、更に詳しくは５００ＭＨｚ以上の高周波領域で使用されるノイズ抑制用のインピーダンス素子に関する。
（従来技術とその問題点）
　従来ビーズフィルターと称する小型のチップ状インピーダンス素子が広く使用されている。この素子は例えば導電路におけるノイズ抑制のために使用される。これらの素子は典型的には磁性フェライトの貫通孔に導体を挿通したものであり、インピーダンスを大きくするにはフェライトを長くする必要があるため大型化するので、大きいインピーダンスが必要な場合には、例えば特開昭６０−６３９０６号等により提案されているような、導電路の長いものが使用されている。
　本発明の１例を示す第２図は構造上は上記公報に記載の従来のチップ状インダクタンス素子と同様であるので、これらの図を参照して従来技術のインピーダンス素子を説明するに、インピーダンス素子はスピネル型のＭｅＯ・Ｆｅ２Ｏ３（ここにＭｅは２価のＣｕ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｍｇ、Ｚｎより選択される少なくとも一種以上）よりなる透磁性のフェライト素体１に、貫通孔２、２を形成し、貫通孔内面に導体３、３を被着し、これらの導体を電極ないし導電路４、４、４により直列に接続し、両端は端子電極５、５に接続する。導体３、３により生じる磁束は互いに反対方向になり相殺するように接続されている。
　上記の従来技術によるチップ状インピーダンス素子は小型で大きいインピーダンスを有することが知られているが、５００ＭＨｚ以上の高周波域では充分でなく、又ノイズ抑制効果が充分に得られない。
（発明の目的）
　本発明の目的は５００ＭＨｚ以上の周波数において高いインピーダンスを有するノイズフィルター素子を提供することにある。
（発明の概要）
　本発明は、フェライト素体の第１面よりそれと相対向する第２面へ貫通する１個又は複数個の貫通孔を有するチップ状のフェライト素体と、該貫通孔に形成された少なくとも１本の導体と、前記導体をフェライト素体の表面で直列に接続する外部導体とよりなるインピーダンス素子において、前記フェライト素体が六方晶系フェライトＢａ３ＣｏｘＭｅ２−ｘＦｅ２４Ｏ４１（ここにｘは
１．５〜２
　本発明のインピーダンス素子は、高周波、特に５００ＭＨｚ以上で使用される時大きいインピーダンスを示す。
（発明の具体的な説明）
　本発明は、フェライト素体の第１面よりそれと相対向する第２面へ貫通する少なくとも１個の貫通孔を有するチップ状のフェライト素体と、該各貫通孔の内壁に形成された導体と、前記導体を直列に接続する外部導体と、前記直列に接続された導体の一方をフェライト素体の前記第１面及び第２面とは異なった互いに対向する面へ引出す外部導体とよりなるインピーダンス素子であって、前記フェライト素体が六方晶系フェライトＢａ３ＣｏｘＭｅ２−ｘＦｅ２４Ｏ４１（ここにｘは
１．５〜２
　フェライト素体は所定の原料組成物を仮焼成し、次いで所定のバインダーと混合し、所定の形状に成形し、高温度で本焼成したものよりなる。
　第１図は本発明のインピーダンス素子の１例を示す。
　インピーダンス素子は六方晶系フェライト素体１に、貫通孔２を形成し、この貫通孔内面に導電ペーストの流し込み、あるいは無電解めっき等で導電膜を形成し、必要なら更に電気めっきを施すことにより導体３を被着し、この導体を電極ないし導電路４、４により直列に接続し、最後にフェライト素体の対向した面に形成した端子電極５、５に接続する。導電路及び電極は好ましくは別出願の対象である第１層を銅、第２層をニッケル、第３層を銅、及び第４層を錫又は錫−鉛とした順次積層体よりなる導電路より構成するか、更に好ましくはフェライト基材上に銀層又は銀合金層を予め設ける。この様にすると導電路の輪郭がめっき中に所定寸法からはみ出すことがないので有利である。
　第２図は本発明のインピーダンス素子の他の構造例を示す。
　インピーダンス素子は六方晶系フェライト素体１に、２個の貫通孔２、２を形成し、これらの貫通孔内面に導体３、３を被着し、これらの導体を電極ないし導電路４、４、４により直列に接続し、最後に端子電極５、５に接続する。導体３、３により生じる磁束は互いに反対方向になり相殺するように接続されている。
　第３図は本発明のインピーダンス素子の更に他の構造例を示す。
　インピーダンス素子は六方晶系フェライト素体１に、３つの平行な貫通孔２、２、２を形成し、これらの貫通孔内面に導体３、３、３をそれぞれ被着し、これらの導体を電極ないし導電路４、４、４、４により直列に接続し、最後に端子電極５、５に接続する。導体３、３、３により生じる磁束は互いに反対方向になり相殺するように接続されている。
実施例１、２、３、４
　フェライト素体にＢａ３Ｃｏ２Ｆｅ２４Ｏ４１を使用し、次ぎの寸法のインピーダンス素子を製造した。
　第１図の構造を有し、縦１．２ｍｍ、横２．０ｍｍ、高さ０．９ｍｍのもの（実施例１）、
　第２図の構造を有し、縦１．６ｍｍ、横３．２ｍｍ、高さ１．１ｍｍのもの（実施例２）、
　第２図の構造を有し、縦２．５ｍｍ、横３．２ｍｍ、高さ１．３ｍｍのもの（実施例３）、
　第３図の構造を有し、縦３．２ｍｍ、横４．５ｍｍ、高さ１．６ｍｍのもの（実施例４）、
従来例１、２、３、４
　比較のため実施例１、２、３、４において六方晶系フェライトの代わりにスピネル型Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェライトを使用した他は同一の構造のインピーダンス素子を製造した。
　上記のインピーダンス素子のインピーダンス特性を測定したところ第４図の結果を得た。
（作用効果）
　図から明らかな様に、インピーダンスのピークはスピネル型フェライトに比して高周波側にずれており、しかも約５００ＭＨｚ以上において従来例よりも大きい。従って、高周波のノイズ抑制などに本発明のインピーダンス素子は効果を発揮出来ることが分かる。又、構造の違いによりインピーダンスのピークはかわり、大きいインピーダンスの場合、実施例４の様に従来の同一構造よりもはるかに高いインピーダンスを設計出来ることが分かる。
　次ぎに、線路に挿入した実施例及び従来例のインピーダンス素子の５００ＭＨｚ以上のノイズ抑制効果を測定したところ次表の結果を得た。数値はｄＢで表わした。
　以上の様に本発明の素子のノイズ抑制効果は大きい。
　一般にフェライト素体を使用した場合のインピーダンスは複素透磁率μ＝μ′−ｊμ″に比例する。従って、μ′、μ″が大きいほどインピーダンスは大きくなりノイズフィルター素子としての優れた作用を有する。本発明で使用する六方晶系フェライトＢａ３ＣｏｘＭｅ２−ｘＦｅ２４Ｏ４１　
（ｘは１．５〜２）
　第６図は六方晶系Ｂａ３Ｃｏ１．５Ｍｎ０．５Ｆｅ２４Ｏ４１の透磁率を示す。なおＢａ３Ｃｏ２Ｆｅ２４Ｏ４１の透磁率とスピネル型ＮｉＦｅ２Ｏ４の透磁率を対照として示す。
　第７図は六方晶系Ｂａ３Ｃｏ１．５Ｎｉ０．５Ｆｅ２４Ｏ４１の透磁率を示す。なお、Ｂａ３Ｃｏ２Ｆｅ２４Ｏ４１の透磁率とスピネル型ＮｉＦｅ２Ｏ４の透磁率を対照として示す。
　第８図はスピネル型ＮｉδＺｎ１−δＦｅ２Ｏ４の透磁率を示す。
　第９図は六方晶系Ｂａ３ＣｏδＺｎ２−δＦｅ２４Ｏ４１の透磁率を示す。
　以上の図から明らかな様に、本発明の六方晶系フェライトＢａ３ＣｏｘＭｅ２−ｘＦｅ２４Ｏ４１　
（ｘ＝１．５〜２）
【図面の簡単な説明】
　第１図は本発明のインピーダンス素子の１例を示す図、第２図は本発明の他の例によるインピーダンス素子を示す斜視図、第３図は本発明のさらに他の例によるインピーダンス素子を示す斜視図、第４図は本発明の実施例によるインピーダンス素子のインピーダンスの周波数特性を従来例に比較したグラフ、第５図、第６図及び第７図は本発明のインピーダンス素子に使用する各種六方晶系フェライトの複素透磁率の周波数特性を従来のフェライトと比較したグラフ、第８図は従来のスピネル型フェライトの複素透磁率の周波数特性を示すグラフ、及び第９図は本発明のインピーダンス素子に使用する六方晶系フェライトの複素透磁率の周波数特性を示すグラフである。