【事件の表示】
　特許第２８０３７４１号「窒化ガリウム系化合物半導体の電極形成方法」の請求項２ないし３に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結論】
　特許第２８０３７４１号の請求項２ないし３に係る特許を維持する。
【理由】
１．本件発明
　本件特許第２，８０３，７４１号（平成５年３月１９日出願、平成１０年７月１７日設定登録）の請求項２及び３に係る発明（以下「本件第２発明」及び「本件第３発明」という。）は、特許明細書及び図面の記載からみて、その請求項２及び３に記載された以下のとおりのものである。
　「【請求項２】正孔キャリア濃度１×１０１５／ｃｍ３以上のＭｇをドープしたｐ型ＧａＮに、クロムおよび／またはニッケルを含む合金またはその金属を付着した後、アニーリングすることにより、そのｐ型ＧａＮの抵抗率を低下させ、その電極とオーミック接触させることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体の電極形成方法。
　【請求項３】前記アニーリング温度は４００℃以上であることを特徴とする請求項１または２に記載の窒化ガリウム系化合物半導体の電極形成方法。」
２．異議申立ての理由の概要
　特許異議申立人渡部賢一は、証拠として甲第１号証（Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｖｏｌ．３１（１９９２）ｐｐ．Ｌ１３９−Ｌ１４２，Ｐａｒｔ２，Ｎｏ．２Ｂ，「Ｔｈｅｒｍａｌ　Ａｎｎｅａｌｉｎｇ　Ｅｆｆｃｔｓ　ｏｎ　Ｐ−Ｔｙｐｅ　Ｍｇ−Ｄｏｐｅｄ　ＧａＮ　Ｆｉｌｍｓ」）、甲第２号証（特開平４−２１３８７８号公報）及び甲第３号証（特開昭４９−２９７７１号公報）を提出し、本件第２発明及び第３発明は、上記甲第１号証ないし第３号証に記載された発明に基いて当業者が容易になし得たものであるので、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであるから、特許を取り消すべきである旨主張している。
　また、出願当初の明細書においては、ＧａＡｌＮ層をアニーリングして低抵抗化してｐ型とした後に、電極を形成し、さらにアニーリングしてオーミック接触を得ることは記載されているが、ＧａＮについては記載されていないので、ＧａＮ層をアニーリングして低抵抗化してｐ型とした後に、電極を形成し、さらにアニーリングしてオーミック接触を得るとした平成１０年４月１０日付の手続補正は要旨変更であり、出願日は上記補正書を提出した日となる。そうすると、本件特許に係る公開公報及び甲第１号証記載の発明に基いて当業者が容易になし得たものであるので、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであるから、特許を取り消すべきである旨主張している。
３．証拠に記載された発明
　上記甲第１号証刊行物には、「７００℃以上の温度域におけるＮ２雰囲気中サーマル・アニーリングにより、低抵抗Ｍｇドープｐ型ＧａＮ薄膜が初めて得られた。サーマル・アニーリング前のＭｇドープｐ型ＧａＮ薄膜の抵抗値は約１×１０６Ω・ｃｍであったが、７００℃以上の温度域でサーマル・アニーリングを行うと、抵抗値は２Ω・ｃｍ、正孔キャリア濃度は３×１０１７／ｃｍ３、正孔移動度は１０ｃｍ２Ｖ・ｓとなった。」〔Ｌ１３９頁要約部第１行〜第４行（甲第１号証和訳文、第１頁第１２行〜第１６行）〕と記載され、「§３．結果と考察」の欄において、「アニーリング温度の関数として表した抵抗率の変化を図１に示す。このサンプルの抵抗率は、アニーリング前は１×１０６Ω・ｃｍであり、室温から４００℃までの間でアニーリングした限りでは、変化はみられなかった。しかし、アニーリング温度を５００℃に上げると、抵抗率は急激に低下し始め、７００℃では抵抗率は５Ω・ｃｍに低下した。９００℃では、抵抗率、正孔キャリア濃度、および正孔移動度はそれぞれ２Ω・ｃｍ、３×１０１７／ｃｍ３、１０ｃｍ２Ｖ・ｓとなった。７００℃より上の温度城では、抵抗率は２Ω・ｃｍから８Ω・ｃｍの間でほぼ一定していた。サーマル・アニーリングのみで低抵抗のｐ型ＧａＮ薄膜が得られることを示した報告は、本報が初である。」〔Ｌ１４０頁、左欄第４行〜第１８行（甲第１号証和訳文、第２頁第２９行〜第３６行）〕と記載されている。
　上記甲第２号証刊行物には、半導体発光素子、さらに詳細には、可視光領域の赤色から紫外領域で発光する半導体発光素子に関し、具体的には、「導電性ＺｎＯ基板と、前記基板上に形成したＩｎｘＧａｙＡｌ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ，ｙ；ｘ＋ｙ≦１）半導体発光層と、前記半導体発光層上の金属膜からなることを特徴とした半導体発光素子。」（特許請求の範囲の請求項１）を開示しており、実施例の欄において、「〔実施例３〕図５は、本発明の実施例３を説明する図である。本実施例は、ｐｎ接合を有する発光ダイオードに関する例で、電流の流れる方向に平行な切断した発光ダイオードの断面図である。この素子の構造はダブルヘテロ構造である。この素子は、厚さ３５０μｍのＩｎをドープした導電性ＺｎＯ基板３７、膜厚３μｍのＳｎドープＩｎＧａＡｌＮクラッド層３６、膜厚０．５μｍのノンドープＩｎＧａＮ活性層３４、膜厚２μｍのＺｎドープＩｎＧａＡｌＮ層クラッド層３３、ｐ型クラッド層のオーミック電極Ａｕ−Ｚｎ−Ｎｉ４７、ＳｉＯ２電流狭窄層４６、金メッキ層３２、及びｎ型クラッド層のオーミック電極Ａｕ−Ｇｅ−Ｎｉ３５から構成される。ＺｎＯ基板３７と上記各層の格子整合条件を満たし、かつ、クラッド層のバンドギャップエネルギを活性層より０．３ｅＶ高くなるようクラッド層と活性層の組成を、それぞれ、Ｉｎ０．２８Ｇａ０．３９Ａｌ０．３３Ｎ、Ｉｎ０．２３Ｇａ０．７７Ｎとした。」（４頁第５欄第４９行〜第６欄第１５行、段落００１６）と記載されている。
　また、上記甲第３号証刊行物には、ｐ−ｎ接合を含むＧａＮの気相成長方法に関し、「１．ＧａＮの気相成長に際し、供給するＮとＧａの気相モル比を変化させることによってＧａＮ中のキャリア（自由電荷担体）濃度を制御し、もって成長層内に少なくとも１個のｐ−ｎ接合を形成せしめることを特徴とするＧａＮの結晶製造法。」（特許請求の範囲の請求項１）を開示している。
　また、同号証は、実施例１の欄において、Ｚｎを添加して形成したｐ層を有するものに対して、「Ｈａｌｌ測定の結果、ｐ層のキャリア濃度は約３×１０１７ｃｍ−３であった。次にこのＧａＮ　ｐ−ｎ接合を用いて発光ダイオードを作った。超音波カッターによって直径１ｍｍの円形チップに切出した後、ｎ層側にはＳｎ−Ａｕ、ｐ層側にはＺｎ−Ａｕを蒸着してから約５００℃で３０分加熱し、抵抗性電極とした。」（第３頁左上欄第１３行〜第１９行）と記載されている。
４．比較及び判断
　（４．１）本件第２発明について
　本件第２発明と上記甲第１号証刊行物記載の発明とを比較すると、両者は、正孔キャリア濃度１×１０１５／ｃｍ３以上のＭｇをドープしたｐ型ＧａＮである点において一致するが、前者が、クロムおよび／またはニッケルを含む合金またはその金属を付着した後、アニーリングすることにより、そのｐ型ＧａＮの抵抗率を低下させ、その電極とオーミック接触させることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体の電極形成方法であるのに対し、後者には、電極形成については何も記載されていない点において相違する。
　そこで、上記相違点について検討すると、上記甲第２号証には、「ＺｎをドープしたＩｎＧａＡｌＮクラッド層」と「ｐ型クラッド層のオーミック電極Ａｕ−Ｚｎ−Ｎｉ」を備えた発光ダイオードが記載されているが、上記本件第２発明は、ＭｇをドープしたＧａＮに対する電極材料を特定しているのであるから、上記甲第１号証記載の発明に甲第２号証記載の発明を組み合わせても本件第２発明は得られない。
　また、甲第３号証には、ＺｎをドープしたＧａＮ層にＺｎ−Ａｕを蒸着した後、加熱することが示されているが、上記本件第２発明は、ＭｇをドープしたＧａＮにＺｎ−Ａｕとは異なる電極材料を特定しているのであるから、上記甲第１号証記載の発明に甲第３号証記載の発明を組み合わせても本件第２発明は得られない。
　したがって、本件第２発明は、上記甲第１号証乃至甲第３号証記載の発明に基づいて、当業者が容易になし得たこととすることはできない。
　（４，２）本件第３発明について
　本件第３発明は、上記本件第２発明又は請求項１記載の発明を引用するものであり、請求項１については異議申立の対象外であり、上記第２発明については上記（４．１）で述べたとおり、上記甲第１号証乃至甲第３号証記載の発明に基づいて、当業者が容易になし得たこととすることはできないものであるので、第２発明をさらに限定する本件第３発明も、上記甲第１号証乃至甲第３号証記載の発明に基づいて、当業者が容易になし得たこととすることはできない。
　（４．３）要旨変更について
　異議申立人は、出願当初の明細書には、「ＧａＮ層をアニーリングして低抵抗化してｐ型とした後に、電極を形成し、さらにアニーリングしてオーミック接触を得る」ことは記載されていないと主張するが、当初明細書の段落【０００９】には、「また、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体は、幅２０μｍ以下で電極材料を付着した後、４００℃以上でアニーリングを行うことにより、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体の抵抗率は下がり、好ましいｐ型を得ることができる。」と記載されており、【００１１】には、「Ｍｇドープｐ型ＧａＮ層にＣｒ−Ｎｉ合金より成る電極を付着して、同じく５００℃で１５分間アニーリングした後、それぞれのＣｒ−Ｎｉ電極間の電流電圧特性を測定して、ｐ型ＧａＮ層と電極とのオーミック接触を調べた」と記載されているので、上記異議申立人の主張は採用できない。
５．むすび
　以上のとおりであるので、本件第２発明及び第３発明は、異議申立人の提示する証拠及び理由によっては取り消すことができない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１１年１１月１７日（１９９９．１１．１７）