【事件の表示】
　　特許第２７４５８９６号「半導体製造装置」の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第２７４５８９６号の特許を維持する。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯
　特許出願　　　　　　　　　　　　平成　３年１０月　７日
　設定登録　　　　　　　　　　　　平成１０年　２月１３日
　　　　　　　　　　　　　　　　（特許第２７４５８９６号）
　特許公報発行　　　　　　　　　　平成１０年　４月２８日
　特許異議の申立て　　　　　　　　平成１０年１０月２８日
　　　　　　　　　　　　　　　　（申立人　安　藤　純　男）
　取消理由通知　　　　　　　　　　平成１１年　４月２２日
　意見書、訂正請求書　　　　　　　平成１１年　７月２６日
　審尋（申立人宛）　　　　　　　　平成１１年　８月１２日
　回答書　　　　　　　　　　　　　平成１１年１０月２５日
　訂正拒絶理由通知　　　　　　　　平成１１年１１月１５日
　意見書、手続補正書（訂正請求書）平成１２年　２月　４日
　
II．訂正の要旨
１．訂正請求に対する補正の適否について
　平成１２年２月４日付けの「手続補正書（訂正請求書）」による補正は、平成１１年７月２６日付けの訂正請求書に添付された訂正明細書の記載のうち、特許請求の範囲の減縮を目的として、請求項１の「第２ステップ」の操作を行う手段を「成膜量累積手段」により行うものに限定すると共に、「第４ステップ」の動作時間を「クリーニング時間制御手段により決定された動作時間」に限定し、さらに、明りょうでない記載の釈明を目的として、上記請求項１の補正に整合するように、「発明の詳細な説明」及び上記訂正請求書の「訂正の原因」の記載を補正するものであるから、上記補正事項は、訂正請求書の要旨を変更するものではなく、特許法第１２０条の４第３項において準用する同法第１３１条第２項の規定に適合する。
２．訂正の内容
　平成１１年７月２６日付けの訂正請求書（平成１２年２月４日付けの手続補正書（訂正請求書）により補正された事項も含む。）における訂正の要旨は次のとおりである。
２．１　訂正事項ａ
　特許明細書の特許請求の範囲の請求項１に「を有する半導体製造装置。」（特許公報１欄１１行）とあるのを「を有し、前記半導体基板上に成膜する成膜処理を行い、この成膜処理による成膜量を得る第１ステップ、前記成膜量累積手段がこの得られた成膜量を累積膜厚に加算し新たな累積膜厚とする第２ステップ、前記新たな累積膜厚と設定してあるクリーニングすべき膜厚とを比較する第３ステップ、および、前記クリーニング時間制御手段により決定された動作時間で前記反応室のクリーニングを行う第４ステップを有する動作を行い、前記第３ステップで前記新たな累積膜厚がクリーニングすべき膜厚に達していなければ前記第１ステップに戻って前記第１ないし第３のステップを繰り返し、前記新たな累積膜厚が前記クリーニングすべき膜厚を超えていたら前記第４ステップに進むように動作する半導体製造装置。」に訂正する。
２．２　訂正事項ｂ
　特許明細書の段落【００１０】に「備えたものである。」（同公報４欄６行）とあるのを「備えたものである。さらに半導体製造装置は、半導体基板上に成膜する成膜処理を行い、この成膜処理による成膜量を得る第１ステップ、成膜量累積手段がこの得られた成膜量を累積膜厚に加算し新たな累積膜厚とする第２ステップ、新たな累積膜厚と設定してあるクリーニングすべき膜厚とを比較する第３ステップ、および、クリーニング時間制御手段で決定された動作時間で反応室のクリーニングを行う第４ステップを有する動作を行い、第３ステップで新たな累積膜厚がクリーニングすべき膜厚に達していなければ第１ステップに戻って第１ないし第３のステップを繰り返し、新たな累積膜厚が前記クリーニングすべき膜厚を超えていたら第４ステップに進む。」に訂正する。
III．訂正の適否に対する判断
１．訂正の目的、新規事項、拡張・変更
１．１　訂正事項ａについて
　上記訂正事項ａは、各構成手段によりどのような過程を経てクリーニング時間を制御するようになすかについて具体的に限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮に該当する。
　また、特許明細書の段落【００１３】〜【００１５】には、「図２は図１に示した実施例の概要動作を示す・・・（中略）・・・反応室１のクリーニングが実行される。この後ステップ２１に戻る。」（特許公報４欄２０〜４１行）と記載され、さらに【図２】にもフローチャートとしてクリーニング時間を制御するための具体的な過程が示されていたから、上記訂正事項ａは、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内のものであり、かつ実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
１．２　訂正事項ｂについて
　上記訂正事項ｂは、上記訂正事項ａで特許明細書の請求項１が訂正されたことに伴い、発明の詳細な説明の記載をこれに整合するように訂正するものであるから、明りょうでない記載の釈明に該当し、また、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内のものであり、かつ実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
２．独立特許要件
２．１　訂正明細書に記載された発明
　訂正請求書の特許請求の範囲の請求項１の記載は次のとおりである。
　【請求項１】　半導体基板を置きそれに成膜処理を行なう反応室と、前記成膜処理の成膜諸条件を制御する成膜制御手段と、前記反応室の内壁に堆積した膜をクリーニングするクリーニング手段と、成膜処理毎の堆積膜厚を累積していく成膜量累積手段と、前記成膜累積手段により累積した堆積膜厚から前記クリーニング手段の動作時間を決めるクリーニング時間制御手段とを有し、前記半導体基板上に成膜する成膜処理を行い、この成膜処理による成膜量を得る第１ステップ、前記成膜量累積手段がこの得られた成膜量を累積膜厚に加算し新たな累積膜厚とする第２ステップ、前記新たな累積膜厚と設定してあるクリーニングすべき膜厚とを比較する第３ステップ、および、前記クリーニング時間制御手段により決定された動作時間で前記反応室のクリーニングを行う第４ステップを有する動作を行い、前記第３ステップで前記新たな累積膜厚がクリーニングすべき膜厚に達していなければ前記第１ステップに戻って前記第１ないし第３のステップを繰り返し、前記新たな累積膜厚が前記クリーニングすべき膜厚を超えていたら前記第４ステップに進むように動作する半導体製造装置。
（以下、上記請求項１に係る発明を「本件訂正発明」という。）
２．２　訂正拒絶理由の概要
　平成１１年１１月１５日付けの訂正拒絶理由の概要は、次のとおりである。
　本件訂正発明は、下記引用例１〜３に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであると認められるから、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　　　　　　　　　　　　　記
　引用例１．特開平　１−１８９１２９号公報　（甲第１号証に該当）
　引用例２．特開昭６３−　７３６２９号公報　（甲第２号証に該当）
　引用例３．特開平　２−２２４２４２号公報　（添付資料１に該当）
２．３　各引用例に記載の発明
２．３．１　引用例１
　上記引用例１には、「薄膜の形成方法」の発明に関し、
(1-1)「高集積半導体メモリなどの電子素子に使用される薄膜形成技術には近年ますます高品質化、高精度化が要求されており、この目的のために多くのプロセス改良が進められている。薄膜を形成する蒸着機やスパッタ装置、ＣＶＤ装置などの装置内部のクリーニングはその中の極めて重要なプロセスである。・・・（中略）・・・また、装置内壁に付着した薄膜材料が剥離して形成薄膜の内部や表面に取り込まれ、以後の微細加工や膜の特性に悪影響を及ぼすことも多い。」（１頁左下欄１８行〜同頁右下欄１３行）、
(1-2)「第１図は本発明の一実施例を説明するための光ＣＶＤ装置の概略図である。１６ＤＲＡＭ（ダイナミックランダムアクセスメモリ）に使用する誘電薄膜である酸化タンタル薄膜を形成する場合、五塩化タンタル１と酸素２の混合ガスを反応器内に充たし、反応器内の加熱用サセプタ３上にシリコン等の半導体基板４を載置して加熱し、更に該基板４上方の合成石英窓５から低圧水銀ランプ６の紫外光を反応器内に供給する。・・・（中略）・・・この条件によって基板４上に五酸化タンタル薄膜が成長するが、このとき同時に光照射窓内壁にも時間と共に五酸化タンタル薄膜が成長する。・・・（中略）・・・そこで成膜後の基板を搬送機構で排出し、反応器内部の残留ガスを十分排気した後、マスフローコントローラ（図示せず）で流量制御した三弗化塩素ガス７を合成石英窓５近傍に設けた放出口８より反応器内に供給する。・・・（中略）・・・この三弗化塩素ガスによるクリーニングの条件は以下のようなものである。
　　　反応器の保持温度：９０℃
　　　・・・（中略）・・・
　　　クリーニング時間：１０ｍｉｎ（５０ｎｍ酸化タンタル成膜時）
　この条件で酸化タンタル薄膜は毎分約１０ｎｍのエッチング速度が得られ、非常に効果的に除去される。」（２頁左下欄１６行〜３頁左上欄１６行）、
(1-3)「第２図は本発明の一実施例と従来例とを比較した図である。第２図中Ａは基板への成膜間にクリーニングを行なわれない場合の酸化タンタル薄膜の累積膜厚と成膜時間との関係を示し、第２図中Ｂは基板への成膜毎にクリーニングを行なった場合の酸化タンタル薄膜の累積膜厚と成膜時間との関係を示したものである。実用上必要な酸化タンタル薄膜の膜厚は約３０ｎｍ程度であるが、第２図中Ａから明らかなようにクリーニングを行なわないと成膜を繰り返す毎に成膜速度は低下し、膜厚の制御は困難になる。一方、成膜毎に三弗化塩素ガスによるクリーニングを行うと、第２図中Ｂから明らかなように繰り返しの成膜に対しても光強度は毎回回復するため、成膜速度が飽和することなく直線的に増加する。したがって本実施例により成膜毎に成膜前の状態を再現できることがわかる。上記本実施例において、成膜装置として光ＣＶＤ装置を用いて酸化タンタル薄膜を成膜したが、本発明はこれに限定されるものではなく、蒸着機、スパッタ装置、或いはＣＶＤ装置等の成膜装置のいずれかを用いて酸化タンタル或いは他の薄膜を形成してよい。」（３頁右上欄８行〜同頁左下欄１０）、
との記載がある。
２．３．２　引用例２
　上記引用例２には、「総堆積膜厚積算計」の発明に関し、
(2-1)「このようなＣＶＤ装置において、プロセスチューブ１の洗浄交換等の定期的なメンテナンスは、プロセスチューブ１に堆積する膜の総堆積膜厚によって管理する。」（１頁右下欄１８行〜２頁左上欄１行）(2-2)「第１図において、１はＣＶＤ反応を行なうプロセスチューブ、２はプロセスチューブ周囲に配したヒーター、３はプロセスチューブ内の温度をコントロールする温度制御装置、４はプロセスチューブ内に流すガスの流量をコントロールするガス流量制御装置、５はプロセスチューブ内の圧力をコントロールする圧力制御装置、６はプロセスチューブ内にガスを流す時間を設定するタイマーであり、これらは基本的に第２図に示したものと同様である。本実施例では、これらに加えて、堆積速度を決定する堆積速度決定部７および堆積速度と堆積時間とから堆積膜厚を算出し、これらを積算する堆積膜厚積算部８が設けてある。」（２頁右上欄第４〜１６行）、
(2-3)「この発明は以上説明した通り、堆積速度を決定する手段と、堆積時間を計測する手段と、これらの出力から堆積膜厚を求めて積算する手段により総堆積膜厚積算計を構成したことにより、総堆積膜厚が自動的に得られ、メンテナンス周期の管理が容易かつ正確に行なえる効果がある。」（２頁右下欄７〜１２行）、
との記載がある。
２．３．２　引用例３
　上記引用例３には、「半導体基板処理装置」の発明に関し、
(3-1)「受光装置８は入射した偏光の情報を評価部９に伝え、評価部９はその情報からポリマーの膜厚及び屈折率の値を算出する。これにより、ポリマーの膜厚や物質特性等を知ることができる。前記評価部９には、所定のエッチング特性を維持できるポリマー膜厚及び屈折率の許容値が予め記憶されており、エッチング毎に算出された膜厚及び屈折率がこの許容値内にあるか否かをチェックする。算出値が許容値を超えたときにはアラームを発してチャンバー１のクリーニング時期を知らせたり、もしくはクリーニングの実施及びクリーニング後の慣らし放電を実施するようにプログラムされている。」（４頁右上欄３〜１６行）、
(3-2)「上記実施例では、半導体基板処理装置としてエッチング装置について説明したが、本発明は化学的気相堆積法（ＣＶＤ法）等における堆積装置としての半導体基板処理装置にも適用可能である。即ち、堆積装置の場合にはチャンバー内に堆積膜が形成されるが、この堆積膜に対しエッチングのポリマーと同様の扱いを施すことにより、第１図または第２図とほぼ同様の装置を利用することができる。」（第５頁右下欄第５〜１３行）、
との記載がある。
２．４　対比・判断
　上記引用例１には、ＣＶＤ装置などの装置内部のクリーニングは重要なプロセスであること、光ＣＶＤ装置により酸化タンタル薄膜を形成する際に成膜後に反応器内を三弗化塩素ガスでクリーニングしたこと等が示されてはいるが、上記「(1-2)」には、５０ｎｍ酸化タンタル成膜時のクリーニング時間は、エッチング速度が毎分約１０ｎｍであるにもかかわらず、約２倍に相当する１０分であると示されており、また、上記「(1-3)」には「成膜毎に三フッ化塩素ガスによるクリーニングを行う」ことや「成膜毎に成膜前の状態を再現できる」と示されていることを考慮すると、引用例１に記載のものでは成膜毎に予め時間を設定してクリーニングを行っていることは明らかであるから、少なくとも本件訂正発明の構成要件である「成膜毎の堆積膜厚を累積していく成膜量累積手段」及び「成膜累積手段により累積した堆積膜厚から前記クリーニング手段の動作時間を決めるクリーニング時間制御手段」とを設けることが示唆されているとは認められない。
　また、上記引用例２には、ＣＶＤ装置に総堆積膜厚積算計を設け、得られた総堆積膜厚からプロセスチューブの定期的メンテナンスを行うことが示されてはいるが、ここに記載されている定期的メンテナンスは、上記「(2-1)」に示したように、「洗浄交換等の定期的なメンテナンス」と記載されているのみであって、具体的な洗浄手段やどの程度の時間にわたって洗浄するかについては何も示されてはいないから、少なくとも本件訂正発明の構成要件である「成膜累積手段により累積した堆積膜厚から前記クリーニング手段の動作時間を決めるクリーニング時間制御手段」とを設けることが示唆されているとは認められない。
　さらに、上記引用例３には、エッチング装置において、評価部９が受光装置８で受けた偏向の情報からチャンバー１の内壁に堆積したポリマーの膜厚を算出し、その算出された膜厚が許容値内にあるかないかをチェックして、許容値を超えたときにクリーニング時期を知らせてクリーニングするようになすこと、及び、ＣＶＤ装置等にも適用できることが示されてはいるが、具体的な洗浄手段やどの程度の時間にわたって洗浄するかについては何も示されてはいないから、少なくとも本件訂正発明の構成要件である「成膜累積手段により累積した堆積膜厚から前記クリーニング手段の動作時間を決めるクリーニング時間制御手段」とを設けることが示唆されているとは認められない。
　一方、本件訂正発明は、上記「成膜毎の堆積膜厚を累積していく成膜量累積手段」及び「成膜累積手段により累積した堆積膜厚から前記クリーニング手段の動作時間を決めるクリーニング時間制御手段」とを同時に備えることにより、その余の構成とも相まって、「クリーニング時に終点を検出するためのガス分析装置等を必要とせず、装置を複雑にせず安価にできる」という効果を奏することは、その構成からして明らかである。
　してみれば、上記引用例１〜３には、少なくとも本件訂正発明の構成要件である「成膜毎の堆積膜厚を累積していく成膜量累積手段」及び「成膜累積手段により累積した堆積膜厚から前記クリーニング手段の動作時間を決めるクリーニング時間制御手段」とを同時に備えることを示唆する記載はないから、たとえ本件訂正発明は、引用例１〜３の記載を総合して勘案したところで当業者にとり容易に想到することができるものではない。
　以上のとおりであるから、本件訂正発明は特許出願の際独立して特許を受けることができるものである。
３．訂正の認否
　したがって、上記「III．１．」及び「III．２．４」に述べたように、上記訂正は特許法第１２０条の４第２項及び同条第３項で準用する同法第１２６条第２項から第４項までの規定にそれぞれ適合するものであるから、当該訂正を認める。
　
IV．特許異議の申立についての判断
１．特許異議の申立ての理由の概要
　申立人は、証拠として甲第１、２号証及び添付資料１（それぞれ順に上記引用例１〜３に該当）を提出し、本件特許の請求項１に係る発明は、甲第１、２号証及び添付資料１に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、該発明の特許は特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであり、取り消されるべきものであると主張している。
２．当審の判断
２．１　本件発明
　上記「III．３．」で述べたように、上記訂正を認めるので、本件特許の請求項１に係る発明は、上記「III．２．１」に摘記した請求項１に記載された事項により特定されるとおりのもの（以下、「本件発明」という。）である。
２．２　特許異議の申立ての理由についての判断
　申立ての理由及びその申立ての理由で引用された甲第１、２号証及び添付資料１は、それぞれ当審における訂正拒絶理由で通知した理由及び証拠として引用した引用例１〜３と同じであるから、上記「III．２．４」で述べたのと同様の理由により、本件発明は甲第１、２号証及び添付資料１に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
　
Ｖ．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議の申立ての理由及び証拠によっては、本件発明に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年３月２８日（２０００．３．２８）
【訂正の要旨】
　平成１１年７月２６日付けの訂正請求書（平成１２年２月４日付けの手続補正書（訂正請求書）により補正された事項も含む。）における訂正の要旨は次のとおりである。
１．　訂正事項ａ
　特許請求の範囲の減縮を目的として、特許明細書の特許請求の範囲の請求項１に「を有する半導体製造装置。」（特許公報１欄１１行）とあるのを「を有し、前記半導体基板上に成膜する成膜処理を行い、この成膜処理による成膜量を得る第１ステップ、前記成膜量累積手段がこの得られた成膜量を累積膜厚に加算し新たな累積膜厚とする第２ステップ、前記新たな累積膜厚と設定してあるクリーニングすべき膜厚とを比較する第３ステップ、および、前記クリーニング時間制御手段により決定された動作時間で前記反応室のクリーニングを行う第４ステップを有する動作を行い、前記第３ステップで前記新たな累積膜厚がクリーニングすべき膜厚に達していなければ前記第１ステップに戻って前記第１ないし第３のステップを繰り返し、前記新たな累積膜厚が前記クリーニングすべき膜厚を超えていたら前記第４ステップに進むように動作する半導体製造装置。」に訂正する。
２．　訂正事項ｂ
　明りょうでない記載の釈明を目的として、特許明細書の段落【００１０】に「備えたものである。」（同公報４欄６行）とあるのを「備えたものである。さらに半導体製造装置は、半導体基板上に成膜する成膜処理を行い、この成膜処理による成膜量を得る第１ステップ、成膜量累積手段がこの得られた成膜量を累積膜厚に加算し新たな累積膜厚とする第２ステップ、新たな累積膜厚と設定してあるクリーニングすべき膜厚とを比較する第３ステップ、および、クリーニング時間制御手段で決定された動作時間で反応室のクリーニングを行う第４ステップを有する動作を行い、第３ステップで新たな累積膜厚がクリーニングすべき膜厚に達していなければ第１ステップに戻って第１ないし第３のステップを繰り返し、新たな累積膜厚が前記クリーニングすべき膜厚を超えていたら第４ステップに進む。」に訂正する。
（５４）【発明の名称】
半導体製造装置
（５７）【特許請求の範囲】
　　【請求項１】　半導体基板を置きそれに成膜処理を行なう反応室と、
　前記成膜処理の成膜諸条件を制御する成膜制御手段と、
　前記反応室の内壁に堆積した膜をクリーニングするクリーニング手段と、
　成膜処理毎の堆積膜厚を累積していく成膜量累積手段と、
　前記成膜累積手段により累積した堆積膜厚から前記クリーニング手段の動作時間を決めるクリーニング時間制御手段と
　を有
し、
　
前記半導体基板上に成膜する成膜処理を行い、この成膜処理による成膜量を得る第１ステップ、前記成膜量累積手段がこの得られた成膜量を累積膜厚に加算し新たな累積膜厚とする第２ステップ、前記新たな累積膜厚と設定してあるクリーニングすべき膜厚とを比較する第３ステップ、および、前記クリーニング時間制御手段により決定された動作時間で前記反応室のクリーニングを行う第４ステップを有する動作を行い、
　
前記第３ステップで前記新たな累積膜厚がクリーニングすべき膜厚に達していなければ前記第１ステップに戻って前記第１ないし第３のステップを繰り返し、前記新たな累積膜厚が前記クリーニングすべき膜厚を超えていたら前記第４ステップに進むように動作する
【発明の詳細な説明】
　　　【０００１】
　　【産業上の利用分野】
　本発明は、セルフクリーニング機構を備えた半導体製造装置に関する。
　　　【０００２】
　　【従来の技術】
　図４は、従来のセルフクリーニング機構を備えた半導体製造装置の１例である、減圧ＣＶＤ装置を示す構成図である。
　１は成膜を行なう石英製の反応室、２は反応室１を囲みこれを加熱するヒータ、３は成膜に要するガスを反応室１内に供給するプロセスガス供給装置、４は反応室１を減圧するための真空排気装置、５はクリーニングに要するガスを反応室１内に供給するエッチングガス供給装置、１３は反応室１から排気されたガスの成分を分析するガス分析装置である。
　　　【０００３】
　６ｃは成膜に関するシーケンス制御を行なうＣＶＤコントローラ、７はクリーニングに関する制御を行なうクリーニングコントローラ、７ａはクリーニングのエッチングのシーケンス制御を行なうエッチングシーケンス制御部、７ｃはクリーニングためのエッチング時間の終点を検出するエッチング終点検出部である。
　　　【０００４】
　８はプロセスガス供給装置３のバルブ開閉やガス流量などを制御するプロセスガス制御部、９は前記ヒータ２を制御して反応室１内の温度を制御する温度制御部、１０は真空排気装置４を制御して反応室１内の圧力を制御する圧力制御部、１１はエッチングガス供給装置５の動作を制御するエッチングガス制御部である。
　　　【０００５】
　次に動作について説明する。
　従来の減圧ＣＶＤ装置で半導体基板上に成膜を行なう場合、反応室１内に半導体基板を置いた後これを閉じ、温度制御部９に制御されたヒータ２によって５００〜８００℃程度に加熱し、真空排気装置４により反応室１内を真空排気した後、圧力制御部１０によって１０〜１００Ｐａ程度の圧力に保持し、プロセスガス制御部８に制御されたプロセスガス供給装置３より成膜に必要なガスを反応室１に供給して成膜を行なう。
　　　【０００６】
　所定の厚さの成膜が完了したら、反応室１内を再度真空排気し、その後窒素などを反応室１に導入し大気圧にした後、半導体基板を反応室１から取り出す。
　これら一連の動作は、ＣＶＤコントローラ６ｃによって制御され反応室１内の成腹中の温度，ガス流量，圧力の各制御値が一定であれば成膜の速度は一定になるので、成膜に必要なガスを供給する時間を変更することによって成膜の厚さは制御できる。
　　　【０００７】
　一方、成膜を行うとき半導体基板上だけでなく反応室１の内壁にも膜が形成され、成膜処理を繰り返す度に反応室１の内壁には膜が堆積していく。
　堆積していた膜は剥がれることなどにより塵埃となり、この装置で製造される半導体装置の不良原因となる。
　これを防ぐために反応室１内は、ある頻度でクリーニングする必要がある。
　　　【０００８】
　そこで３フッ化塩素等の反応性エッチングガスをエッチングガス供給装置５から反応室１に送り、そのガスの熱化学反応により反応室１の内壁の堆積した膜を除去するセルフクリーニングを行なう。
　このときガス分析装置１３によって排気されるガスの分析を行い、堆積した膜とエッチングガスとの熱化学反応により生成したガスの濃度を測定し、その反応により生成したガスがなくなったことをエッチング終点検出部７ｃが認知した時点で堆積した膜の除去の終点を検出し、エッチングガスの供給を終了する。
　　　【０００９】
　　【発明が解決しようとする課題】
　従来のセルフクリーニング装置を備えた減圧ＣＶＤ装置は上記のように構成されているので、クリーニング完了判定にガス分析装置などのエッチング終点検出装置が必要となり、装置が複雑化し高価になるという問題があった。
　本発明は上記のような問題点を解消するためになされたもので、クリーニングのためのエッチングの終点を検出する手段に、ガス分析装置などの高価な機器を要しない半導体製造装置を得ることを目的とする。
　　　【００１０】
　　【課題を解決するための手段】
　本発明に係る半導体製造装置は、成膜をした膜厚を累積する成膜累積手段と、累積した膜厚からクリーニングに要する時間を決定するクリーニング時間制御手段とを備えたものである。
さらに半導体製造装置は、半導体基板上に成膜する成膜処理を行い、この成膜処理による成膜量を得る第１ステップ、成膜量累積手段がこの得られた成膜量を累積膜厚に加算し新たな累積膜厚とする第２ステップ、新たな累積膜厚と設定してあるクリーニングすべき膜厚とを比較する第３ステップ、および、クリーニング時間制御手段で決定された動作時間で反応室のクリーニングを行う第４ステップを有する動作を行い、第３ステップで新たな累積膜厚がクリーニングすべき膜厚に達していなければ第１ステップに戻って第１ないし第３のステップを繰り返し、新たな累積膜厚が前記クリーニングすべき膜厚を超えていたら第４ステップに進む。
　　　【００１１】
　　【作用】
　成膜処理により堆積した膜厚よりクリーニングに必要な時間を算出し、クリーニング時間を制御する。
　　　【００１２】
　　【実施例】
　以下本発明の１実施例を図を参照して説明する。
　図１は本発明の１実施例を示す減圧ＣＶＤ装置の構成図である。
　６ａは成膜時に成膜シーケンスの制御を行なう成膜シーケンス制御部、６ｂは成膜シーケンス制御部６ａで設定した条件により成膜の膜厚を算出し累積していく堆積膜厚算出部、７ｂは堆積膜厚算出部６ｂの算出した膜厚からクリーニング時に反応室１内に導入するエッチングガスを流す時間を決定するエッチング時間決定部である。
　なお図４と同一の部分は説明を省略する。
　　　【００１３】
　次に本発明の１実施例の動作を図２を参照して説明する。
　図２は図１に示した実施例の概略動作を示すフローチャートである。
　通常堆積膜厚算出部６ｂは、反応室１で半導体基板表面に堆積した膜厚を累積して保持するが、スタートであるステップ２１では初期値０を設定し次の成膜処理を行なうステップ２２へ進む。成膜処理は従来の例と同様である。
　　　【００１４】
　この時、堆積膜厚算出部６ｂは成膜シーケンス制御部６ａの情報よりステップ２２での成膜量を算出する。
　次に、ステップ２３でステップ２２で算出した膜厚を累積膜厚に加算し新たな累積膜厚とし、ステップ２４でこの累積膜厚の値と設定してあるクリーニングすべき膜厚とを比較し、累積膜厚がクリーニングすべき膜厚に達していなければステップ２２に戻る。
　　　【００１５】
　ステップ２２からステップ２４のサイクルを何回か行なった後、ステップ２４で累積膜厚がクリーニングすべき膜厚を越えていたら、ステップ２５に進む。
　ステップ２５では、エッチング時間決定部７ｂが累積膜厚よりこれを除去するエッチング時間を決定し、ステップ２６では決定したエッチング時間でエッチングシーケンス制御部７ａの制御により反応室１のクリーニングが実行される。
　この後ステップ２１に戻る。
　　　【００１６】
　なお、前記実施例では、ステップ２３において成膜シーケンス６ａの情報を参照して加算する膜厚を算出したが、図３に示すように堆積膜厚累積部１２ａと堆積膜厚測定部１２ｂから成る膜厚測定器１２を設け、堆積膜厚測定部１２ｂにより処理毎に半導体基板上に堆積した膜厚を測定し、堆積膜厚累積部１２ａによりこの値を加算するようにしてもよい。
　　　【００１７】
　　【発明の効果】
　以上のように本発明では、反応性ガスによるプラズマエッチングを利用した反応室のセルフクリーニングを行なう半導体製造装置において、反応室の内壁に堆積した膜厚によってクリーニングする時間を決めるようにしたので、クリーニング時に終点を検出するためのガス分析器等を必要とせず、装置を複雑にせず安価にできる効果を有する。
【図面の簡単な説明】
　　【図１】
　本発明の半導体製造装置の１実施例を示す減圧ＣＶＤ装置の構成図である。
　　【図２】
　図１に示した減圧ＣＶＤ装置の一連の動作の概略を示すフローチャートである
　　【図３】
　本発明の半導体製造装置の他の実施例を示す減圧ＣＶＤ装置の構成図である。
　　【図４】
　従来の半導体製造装置の１例をしめす減圧ＣＶＤ装置の構成図である。
　　【符号の説明】
　　１　　反応室
　　２　　ヒータ
　　３　　プロセスガス供給装置
　　４　　真空排気装置
　　５　　エッチングガス供給装置
　　６　　ＣＶＤコントローラ
　　６ａ　成膜シーケンス制御部
　　６ｂ　堆積膜厚算出部
　　７　　クリーニングコントローラ
　　７ａ　エッチングシーケンス制御部
　　７ｂ　エッチング時間決定部
　　８　　プロセスガス制御部
　　９　　温度制御部
　　１０　圧力制御部
　　１１　エッチングガス制御部