【事件の表示】
　特許第２７７６０２３号「誘電体共振器の製造方法」の請求項１ないし２に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結論】
　訂正を認める。
　特許第２７７６０２３号の請求項１ないし２に係る特許を維持する。
【理由】
（１）手続きの経緯
　特許２７７６０２３号の請求項１ないし３に係る発明は、平成２年１０月２５日に特許出願され、平成１０年５月１日にその特許の設定登録がなされ、その後、異議申立人・ティーディーケイ株式会社により請求項１、２について特許異議の申立がなされ、平成１１年６月８日（発送日平成１１年６月８日）取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１１年６月８日に訂正請求がなされたものである。
（２）訂正の適否
ア．訂正明細書の発明
　訂正明細書の請求項１ないし３に係る発明は、その特許請求の範囲に記載された次のとおりのものである。
　「【請求項１】誘電体セラミック製であって貫通孔を有する基体の表面に銅で構成された第１の導電膜を膜厚３μｍ〜１０μｍで形成し、前記第１の導電膜の上に半田か錫の少なくとも一方で形成された第２の導電膜を積層し、前記基体及び前記第１、２の導電膜に１００℃〜３００℃の温度で熱処理を施し、その後に前記基体の一方の端面上の前記第１、２の導電膜を除去することを特徴とする誘電体共振器の製造方法。
　【請求項２】熱処理を大気中で行った事を特徴とする請求項１記載の誘電体共振器の製造方法。
　【請求項３】誘電体セラミック製であって貫通孔を有し表面粗さを０．１μｍ〜１５．０μｍとした基体の表面に銅で構成された第１の導電膜を形成し、前記第１の導電膜の上に半田か錫の少なくとも一方で形成された第２の導電膜を積層し、前記基体及び前記第１、２の導電膜に１００℃〜３００℃の温度で熱処理を施し、その後に前記基体の一方の端面上の前記第１、２の導電膜を除去することを特徴とする誘電体共振器の製造方法。」
イ．訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　特許権者が求めている訂正の内容は以下のａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅのとおりである。
　ａ　特許請求の範囲の請求項１の「【請求項１】誘電体セラミック製であって貫通孔を有する基体の表面に銅で構成された第１の導電膜を形成し、前記第１の導電膜の上に半田か錫の少なくとも一方で形成された第２の導電膜を積層し、前記基体及び前記第１、２の導電膜に１００℃〜３００℃の温度で熱処理を施し、その後に前記基体の一方の端面上の前記第１、２の導電膜を除去することを特徴とする誘電体共振器の製造方法。」を、上記（２）ア．で示した訂正明細書の請求項１に係る発明のように訂正する。
　ｂ　発明の詳細な説明の【課題を解決するための手段】の欄の「・・・基体の一方の端面上の第１及び第２の導電膜を除去した。」記載を「・・・基体の一方の端面上の第１及び第２の導電膜を除去し、更に、第１の導電膜の厚さまたは基台の表面粗さを規定した。」と訂正する。
　ｃ　特許請求の範囲の請求項３の「【請求項３】基台の表面粗さを０．１μｍ〜１５．０μｍとした事を特徴とする請求項１記載の誘電体共振器の製造方法。」を、上記（２）ア．で示した訂正明細書の請求項３に係る発明のように訂正する。
　ｄ　発明の詳細な説明の【発明の効果】の欄「・・・設備や不要となり、・・・寿命を長くする事ができる。」の記載を、「・・・設備が不要となり、・・・寿命を長くする事ができる。又、第１の導電膜の膜厚は３μｍ〜１０μｍで、しかも熱処理温度を１００℃〜３００℃の間にすればＱ値を十分大きくすることができる。更に、基体及び第１及び第２の導電膜の熱処理温度を１００℃〜３００℃にし、しかも基体の表面粗さを０．１μｍ〜１５．０μｍにする事によって高いＱ値を得る事ができ、第１の導電膜と基体１の密着強度を大きくする事ができる。」と訂正する。
ｅ　特許明細書第８頁第７行の「３μｍ以上」を「３μｍ〜１０μｍ」と訂正する。
　上記訂正ａは、特許明細書に記載された事項の範囲内において、請求項１に係る発明の第１の導電膜の膜厚を３μｍ〜１０μｍと限定したものといえるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであって、新規事項の追加にも該当せず、また実質上特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
　上記訂正ｂ、ｄ、ｅは、特許明細書に記載された事項の範囲内において特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載との整合を図るための訂正であり、明りょうでない記載の釈明を目的とするものであって、新規事項の追加にも該当せず、また実質上特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
　上記訂正ｃは、特許明細書に記載された事項の範囲内において、特許請求の範囲の請求項３を独立形式に書き直す訂正であり、明りょうでない記載の釈明を目的とするものであって、新規事項の追加に該当せず、また実質上特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
ウ．独立特許要件の判断
　当審が、平成１１年６月８日付けで通知した取消理由通知の概要は、「請求項１、２に係る発明の記載では、第１の導電膜の膜厚が不明であるので、請求項１、２に係る発明の構成が不明りょうである。したがって、請求項１、２に係る発明は、特許法第３６条第４項及び第５項の規定に違反して特許されたものである」というものである。
　しかしながら、上記訂正ａによって、訂正明細書の請求項１に係る発明の構成は明らかになったので、訂正明細書の請求項１に係る発明は、特許法第３６条第４項及び第５項の規定により特許を受けることできない発明であるということができない。よって、上記取消理由はその根拠を失っている。
　したがって、訂正明細書の請求項１、２に係る発明は、特許出願の際独立して特許を受けることができない発明とすることはできない。
エ．むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正請求は、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、特許法１２０条の４第２項、同条第３項で準用する第１２６条２〜４項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
（３）特許異議の申立てについて
ア．申立て理由の概要
　異議申立人・ティーディーケイ株式会社は、証拠として甲第１号証（実願昭５５−２５７７８号（実開昭５６−１２８７０８号）のマイクロフィルム）、甲第２号証（実用メッキ（Ｉ）（日本プレーティング協会編）の抜粋の写し、甲第３号証（実用メッキ（ＩＩＩ）（日本プレーティング協会編）の抜粋の写しを提出し、本件請求項１、２に係る発明は、甲第１〜３号証に記載された発明から当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであるから、特許を取り消すべき旨主張している。
イ．甲各号証に記載された発明
　甲第１号証には、「１は円筒状のセラミック誘電体である。全長Ｌは共振周波数において１／２波長または１／４波長になるようにする。このようにあらかじめ焼成された誘電体１の全表面に無電解メッキ法により銅膜を形成する。つまり外周面２、内周面３、両端面４、５に銅膜を形成したのち、不必要な部分、すなわち、両端面４、５の銅膜を除去する。・・・１／４波長共振器の場合、短絡電極が必要なときは両端面４、５に設けた銅膜のいずれか一方を残しておいてもよい。」（３頁１６行〜４頁８行）、「銅電極の表面になにも保護膜を設けないと防蝕性に劣ることが見いだされた。・・・銅を無電解メッキしてなる電極の外側に防蝕膜を形成した・・・８は銅電極７の外側に形成した錫、ニッケルその他の防蝕性にすぐれた金属で形成した第２の電極である。電極８は電界メッキ法、無電解メッキ法その他の公知の電極形成方法で形成する。」（５頁５〜１９行）が記載されている。
　甲第２号証には、すずめっきの問題点（ウイスカー発生）が「１０−３　すずおよびはんだめっきの性質と利用」（３７２頁〜３７５頁）の欄で指摘され、その問題点の解決のために「材料およびめっきの残留応力の除去のため、めっきの前後に１５０℃程度で約３時間の熱処理を行なう。」（３７４頁１〜２行）、「電気すず、はんだめっきの腐食はほとんどはピンホールから起こり、下地めっきの有無およびその厚さ、最終めっきの厚さ、浴の種類により大きな差異がある。銅またはニッケル下地を１〜３μｍ施し、無光沢すず浴では１０μｍ以上、光沢浴では約５μｍ以上のめっきでは、塩水噴霧試験で２４〜４８時間の試験に耐え、はんだめっき、光沢はんだめっきの場合、さらに耐食性は良くなる」（３７４頁下から３行〜３７５頁３行）が記載されている。
　甲第３号証には、「すずめっきした電子部品のはんだ付け性が劣化し困っていますが、一般の素材へすずめっきしても長時間保管後はんだ付け性があまり劣化しない方法はありますか」との質問に対する回答として、「すずめっきを融解するのが効果的と思います。この場合のめっき厚さは５〜８μｍとし、２５０℃前後でリフロー油に入れ短時間で溶融した後、溶剤で油を除去します。」（１３９頁４〜１１行）が記載されている。
ウ．対比・判断
　訂正明細書の請求項１、２に係る発明と上記各甲号証に記載された発明とを対比すると、上記各甲号証のいずれにも、訂正明細書の請求項１、２に係る発明の構成に欠くことができない事項、すなわち必須の構成要件である「基体の表面に銅で構成された第１の導電膜を膜厚３μｍ〜１０μｍで形成し、前記第１の導電膜の上に半田か錫の少なくとも一方で形成された第２の導電膜を積層し、前記基体及び前記第１、２の導電膜に１００℃〜３００℃の温度で熱処理を施し」を備えておらず、その構成要件により、訂正明細書の請求項１、２に係る発明は、「第１の導電膜の膜厚は３μｍ〜１０μｍで、しかも熱処理温度を１００℃〜３００℃の間にすればＱ値を十分大きくすることができる。」という顕著な効果を奏するものであり、訂正明細書の請求項１、２に係る発明が、上記各甲号証のいずれかに記載された発明であるとも、また上記各甲号証に記載された発明から当業者が容易に発明をすることができたものともいえない。
ウ．異議申立人の主張
　異議申立人は、特許異議申立書９頁３〜２７行で『本件特許発明の作用効果として、本件特許掲載公報第６欄２６行〜３２行には「第１の導電膜がむき出しにならない状態で熱処理を行うことができるので、不活性ガス中でなく大気中で熱処理しても銅膜が酸化することはないので、従来のように不活性ガス中で熱処理するための設備や（が）不要となり、しかも工数が減るので生産性が向上する。又耐候性も向上させる事ができるので、寿命を長くする事ができる。」と記載されている。・・・しかしながら、特許掲載公報に記載されている本件特許発明の効果は、「第１の導電膜がむき出しにならない状態で熱処理を行うことができる」という作用によるものであり、この作用は、甲第１号証の電極形成方法に甲第２号証を適用した場合にも得られる。よって、本件特許発明の前記効果は、格別の効果と見ることはできない。』と主張しているが、（３）ウ．対比・判断で述べた如く、各甲号証は、訂正明細書の請求項１、２に係る発明の必須の構成要件を備えておらず、その構成要件により、訂正明細書の請求項１、２に係る発明によって製造された誘電体共振器はＱ値を十分大きくできるという顕著な効果を奏するので、異議申立人の主張を採用することができない。
エ．むすび
　以上のとおりであるから、訂正明細書の請求項１、２に係る発明は、各甲号証に記載された発明であるとも、またそれらから当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
　また、他に訂正明細書の請求項１、２に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１１年８月２６日（１９９９．８．２６）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
　訂正ａ　特許請求の範囲の請求項１の「【請求項１】誘電体セラミック製であって貫通孔を有する基体の表面に銅で構成された第１の導電膜を形成し、前記第１の導電膜の上に半田か錫の少なくとも一方で形成された第２の導電膜を積層し、前記基体及び前記第１、２の導電膜に１００℃〜３００℃の温度で熱処理を施し、その後に前記基体の一方の端面上の前記第１、２の導電膜を除去することを特徴とする誘電体共振器の製造方法。」を、訂正明細書の請求項１に係る発明のように訂正する。
　訂正ｂ　発明の詳細な説明の【課題を解決するための手段】の欄の「・・・基体の一方の端面上の第１及び第２の導電膜を除去した。」記載を「・・・基体の一方の端面上の第１及び第２の導電膜を除去し、更に、第１の導電膜の厚さまたは基台の表面粗さを規定した。」と訂正する。
　訂正ｃ　特許請求の範囲の請求項３の「【請求項３】基台の表面粗さを０．１μｍ〜１５．０μｍとした事を特徴とする請求項１記載の誘電体共振器の製造方法。」を、訂正明細書の請求項３に係る発明のように訂正する。
　訂正ｄ　発明の詳細な説明の【発明の効果】の欄「・・・設備や不要となり、・・・寿命を長くする事ができる。」の記載を、「・・・設備が不要となり、・・・寿命を長くする事ができる。又、第１の導電膜の膜厚は３μｍ〜１０μｍで、しかも熱処理温度を１００℃〜３００℃の間にすればＱ値を十分大きくすることができる。更に、基体及び第１及び第２の導電膜の熱処理温度を１００℃〜３００℃にし、しかも基体の表面粗さを０．１μｍ〜１５．０μｍにする事によって高いＱ値を得る事ができ、第１の導電膜と基体１の密着強度を大きくする事ができる。」と訂正する。
　訂正ｅ　特許明細書第８頁第７行の「３μｍ以上」を「３μｍ〜１０μｍ」と訂正する。
　上記訂正ａは、特許明細書に記載された事項の範囲内において、請求項１に係る発明の第１の導電膜の膜厚を３μｍ〜１０μｍと限定したものといえるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであって、新規事項の追加にも該当せず、また実質上特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
　上記訂正ｂ、ｄ、ｅは、特許明細書に記載された事項の範囲内において特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載との整合を図るための訂正であり、明りょうでない記載の釈明を目的とするものであって、新規事項の追加にも該当せず、また実質上特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
　上記訂正ｃは、特許明細書に記載された事項の範囲内において、特許請求の範囲の請求項３を独立形式に書き直す訂正であり、明りょうでない記載の釈明を目的とするものであって、新規事項の追加に該当せず、また実質上特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
（５４）【発明の名称】
誘電体共振器の製造方法
（５７）【特許請求の範囲】
（１）誘電体セラミック製であって貫通孔を有する基体の表面に銅で構成された第１の導電膜を
膜厚３μｍ〜１０μｍで
（２）熱処理を大気中で行った事を特徴とする請求項１記載の誘電体共振器の製造方法。
（３）
誘電体セラミック製であって貫通孔を有し表面粗さを０．１μｍ〜１５．０μｍとした基体の表面に銅で構成された第１の導電膜を形成し、前記第１の導電膜の上に半田か錫の少なくとも一方で形成された第２の導電膜を積層し、前記基体及び前記第１，２の導電膜に１００℃〜３００℃の温度で熱処理を施し、その後に前記基体の一方の端面上の前記第１，２の導電膜を除去することを特徴とする
【発明の詳細な説明】
　産業上の利用分野
　本発明は通信機器等に用いられる高周波用の誘電体共振器の製造方法に関するものである。
　従来の技術
　従来、高周波用の誘電体共振器の導電膜として銀が一般的に用いられている。銀の導電膜を形成させる場合、銀の焼付け法が用いられてきた。そのために少なくとも銀とガラスフリットを混合した銀ペーストを筆塗り等の手段で誘電体セラミックに付着させ、熱処理によって誘電体セラミック表面に銀金属を焼き付けて導電膜を形成していた。このために銀は本来６．０６×１０５（１／Ω・ｃｍ）の導電率を有しているが、この焼付け方法による銀導電膜はガラスフリットが混在しているために、その導電率の約８０％に低下する。しかし、このガラスフリットは本来、高周波用の誘電体セラミックと銀金属の密着強度を得る目的で添加されているので、このガラスフリットが混在しない銀ペーストで導電膜を形成しようとすると、導電膜と誘電体セラミックの密着強度が著しく低下し、導電膜として用いる事ができない。また銀は高価な金属でもあるので、製造コストが掛かるという事も懸念されている。
　そこで、高価な銀に対して安価な銅を導電膜として用いる試みもなされている。通常、銅導電膜を形成する場合、鍍金法による導電膜形成がなされる。しかし鍍金法によって形成されたままの導電膜では導電率が低いために、その導電膜が形成された誘電体共振器のＱ値が小さくなるので、導電膜をセラミックの上に形成した後に、導電膜に窒素やアルゴン等の不活性ガス中で熱処理を施し、導電膜の導電率を高くしていた。熱処理を不活性ガス中で行なう理由は、導電膜が酸化して半田付け性が悪くなったり、接触抵抗が大きくなるのを防止するためである。
　発明が解決しようとする課題
　しかしながらこのような銅導電膜の形成方法では、不活性ガス中で熱処理を行なわなければならないために、工程が複雑になり生産性が悪いという問題点を有していた。また一般的に銅で作成した導電膜は腐食し易いという問題点も有していた。
　　本発明は前記従来の問題点を解決するもので、熱処理を不活性ガス中等の工数の掛かる環境下ではなく工数の掛からない大気中で熱処理を行なってＱ値を高くする事ができ、しかも耐候性が良い誘電体共振器の製造方法を提供する事を目的としている。
　課題を解決するための手段
　この目的を達成するために、誘電体セラミック製であって貫通孔を有する基体の表面に第１の導電膜及び第２の導電膜を順に積層し、１００℃〜３００℃の温度で熱処理を行った後に、基体の一方の端面上の第１及び第２の導電膜を除去し
、更に、第１の導電膜の厚さまたは基台の表面粗さを規定し
　作　　　　用
　この構成によって、第１の導電膜がむき出しにならない状態で熱処理を行うことができる。
　実　　施　　例
　第１図は本発明の一実施例における誘電体共振器を示す斜視図である。第１図において１はＢａＴｉＯ２系やＭａＴｉＯ２系の高周波用の誘電体セラミック材料で構成された円筒状の基体、２は基体１の一端面を除いた全表面に形成された第１の導電膜で、第１の導電膜は銅で構成されている。３は第１の導電膜２の上に厚さ２μｍで形成された第２の導電膜で、第２の導電膜は半田か錫の少なくとも一方によって形成されている。
　以上の様に構成された本実施例の誘電体共振器についてその製造方法を説明する。
　まずＢａＴｉＯ２系やＭａＴｉＯ２系の高周波用の誘電体セラミック材料でできた混練物を内径２．０ｍｍ、外径８．０ｍｍ、高さ１４．０ｍｍの円筒状に成形し焼成して基体１を作成する。この時基体１の表面粗さを０．１μｍ〜１５．０μｍの間になるように調整する。次に基体１の内周面及び外周面及び両端面、すなわち基体１の全表面に鍍金法によって第１の導電膜２を形成する。次に第１の導電膜２の上に鍍金法によって半田か錫の少なくとも一方によって形成された第２の導電膜３を形成する。次に第１及び第２の導電膜２，３を形成た基体１を大気中で１００℃〜３００℃の間で熱処理を施す。次に一端面に研磨加工等を施して、その端面の第１及び第２の導電膜２，３を取り除く。この様に第１図に示す様な誘電体共振器を作成した。
　次に第１の導電膜２の厚さ及び熱処理の温度と誘電体共振器のＱ値の関係について説明する。
　まず第１の導電膜２を無電解鍍金法によって形成する。この時第１の導電膜２の膜厚を２μｍ〜１０μｍの間で変化させたサンプルを複数作成した。。次に第１の導電膜２の上に電気半田鍍金法により第２の導電膜３を２μｍの厚さで形成した。次に大気中で熱処理を施すが、その時の熱処理温度を８０℃、１００℃、２００℃、３００℃、３５０℃とした。この時熱処理時間が３５０℃、３００℃、２００℃の時は約３０分、１００℃の時は３時間、８０℃の時は数十時間行なった。そして第１の導電膜２の膜厚及び熱処理温度によって誘電体共振器のＱ値がどの様に変化するかを第２図にまとめた。第２図は第１の導電膜の膜厚とＱ値の関係を表わしたグラフである。第２図から判るように第１の導電膜の膜厚が３μｍ以上であればＱ値はほぼ一定で安定している。また第２図に示す一点鎖線Ａは導電膜として銀膜を用い、その銀膜の厚さを３０μｍ〜４０μｍ（通常用いられる膜厚）とした時のＱ値である。従って第１の導電膜が３μｍ以上であれば、従来用いられている銀の導電膜よりもＱ値が大きいことが判る。また第２図から熱処理温度も１００℃から３００℃であれば十分にＱ値が大きいことがわかる。また１００℃以下または３００℃以上であるとＱ値が他の温度に比べて非常に小さいことがわかる。以上の様に第１の導電膜の膜厚は３μｍ
〜１０μｍ
　次に他の実施例について説明する。
　　基体１及び第２の導電膜３及び外見は第１図に示したものと同じで、しかも熱処理を大気中で行ない、しかもその時の熱処理温度を１００℃〜３００℃とする等の製造方法においても同じ方法である。しかし第１の導電膜の作成方法が異なる。すなわちまず基体１の上に無電解銅鍍金法によって銅膜を０．５μｍ〜２．０μｍを形成し、その胴膜の上に第１の導電膜が３μｍ以上となるように電気銅鍍金法によって他の銅膜を積層する。この様にまず無電解銅鍍金法により下地膜を形成し、その下地膜上に電気銅鍍金法によって他の銅膜を形成する事で、第１の導電膜の形成速度を速くする事ができる。これは以下の理由によるものである。無電解銅鍍金法で銅膜を形成しようとすると、形成速度が非常に遅い。従ってある程度無電解銅鍍金法によって銅膜を形成した後は形成速度の速い電気銅鍍金法によって形成した法が第１の導電膜の形成は速くなる。それでは最初から電気銅鍍金法によって作成すれば良いように思えるが、基体１はセラミックすなわち絶縁体で構成されているために最初から電気銅鍍金法では基体１上に銅膜を形成できないからである。このように構成された他の実施例においても第１の導電膜の厚さ及び熱処理温度に対する誘電体共振器のＱ値の関係を第３図に示した。第３図からわかる様に第２図に示した結果とほぼ同じで、２層構造の第１の導電膜を３μｍ以上形成し、しかも熱処理温度を１００℃〜３００℃の間にする事で、誘電体共振器のＱ値を大きくする事ができる。また第２の導電膜を電気半田鍍金法によって形成したけれども、電気錫鍍金法によって形成された錫膜でも同様の効果を得る事ができた。
　次に他の実施例の誘電体共振器と従来の銅だけを導電膜として持つ誘電体共振器についてＪＩＳ５０２８による塩水噴霧試験を行なった。この結果を第４図に示す。第４図では塩水噴霧実験の前と後の無負荷Ｑ値の変化と共振周波数の変化をそれぞれ下段及び上段に記載した。第４図から判るように従来の誘電体共振器では試験の前と後ではＱ値及び共振周波数が大幅に異なっている。これは塩水によって銅膜が腐食した事によるものだと考えられる。しかしながら他の実施例の誘電体共振器では、試験の前と後ではＱ値及び共振周波数の変化はほとんど見られなかった。
　次に第２の導電膜（半田膜か錫膜）の膜厚について説明する。実施例及び他の実施例では第２の導電膜を厚みを２μｍとしたが、実際は１μｍ以上あれば所定の特性を得る事ができる。膜厚が１μｍ以下では熱処理の際に第１の導電膜に拡散したり、また酸化する事によって第２の導電膜が消失してしまう事があるので、せめて第２の導電膜の膜厚は１μｍ以上にする事が必要である。また先ほど膜厚は１μｍ以上であれば良いと述べたけれども生産性の面からみると、第２の導電膜の膜厚はせめて５μｍ以下が良い。これは第２の導電膜の厚さが５μｍ以上になると鍍金時間が長くなってしまうからである。しかし特性面からみると１μｍ以上であればさしつかえない。
　次に基体１の表面粗さについて説明する。第５図は基体１の面粗さと導電膜と基体との密着強度及び無負荷Ｑ値の関係をそれぞれ下段及び上段に記載した。第５図から判るように面粗さが０．１μｍ以上であれば密着強度はほぼ０．８以上となるので、面粗さが０．１μｍ以上であれば密着強度の点からみれば良いことがわかる。また面粗さが１５．０μｍ以上であると、Ｑ値が急激に低下している事がわかる。従ってＱ値の面からみると面粗さは１５μｍ以下の方が望ましい。従って以上の事実から基体１の面粗さは０．１μｍ〜１５．０μｍの範囲が望ましい事がわかる。
　以上の様に本実施例によれば、基体１の上に銅でできた第１の導電膜を形成し、その上に半田か錫でできた第２の導電膜を形成した誘電体共振器において、第２の導電膜を設けた事により、大気中で熱処理を行なう事ができるようになるので、従来の様に不活性ガス中で熱処理するためにいろいろな設備が不要となり、しかも工数が減少するので生産性が向上する。又第１の導電膜の厚さを３μｍ以上にし、しかも基体１及び第１及び第２の導電膜の熱処理温度を１００℃〜３００℃にし、しかも基体の表面粗さを０．１μｍ〜１５．０μｍにする事によって高いＱ値を得る事ができ、第１の導電膜と基体１の密着強度を大きくする事ができる。
　なお本実施例において熱処理を大気中で行なったけれども、シリコーンや流動パラフィン等の高温オイル中で熱処理しても同様の効果を得る事ができた。
　発明の効果
　本発明は、誘電体セラミック製であって貫通孔を有する基体の表面に第１の導電膜及び第２の導電膜を順に積層し、１００℃〜３００℃の温度で熱処理を行った後に、基体の一方の端面上の第１及び第２の導電膜を除去し事によって、第１の導電膜がむき出しにならない状態で熱処理を行うことができるので、不活性ガス中でなく大気中で熱処理しても銅膜が酸化することはないので、従来のように不活性ガス中で熱処理するための設備
が
又、第１の導電膜の膜厚は３μｍ〜１０μｍで、しかも熱処理温度を１００℃〜３００℃の間にすればＱ値を十分大きくすることができる。更に、基体１及び第１及び第２の導電膜の熱処血温度を１００℃〜３００℃にし、しかも基体の表面粗さを０．１μｍ〜１５．０μｍにする事によって高いＱ値を得る事ができ、第１の導電膜と基体１の密着強度を大きくする事ができる。
【図面の簡単な説明】
　第１図は本発明の一実施例における誘電体共振器の製造方法で作製された共振器を示す斜視図、第２図は同第１の導電膜とＱ値の関係を示すグラフ、第３図は他の実施例の第１の導電膜とＱ値の関係を示すグラフ、第４図は従来と本実施例の各々の誘電体共振器の塩水噴霧実験の前と後のＱ値及び共振周波数の変化を示すグラフ、第５図は基体の面粗さとＱ硫及び第１の導電膜と基体１の密着強度の関係を示すグラーフである。
１……基体、２……第１の導電膜
３……第２の導電膜