【事件の表示】
特許第２８２１０７４号「耐紫外線レーザー用光学部材の製造方法」の請求項１〜３に係る特許について、次のとおり決定する。　
【結　論】
特許第２８２１０７４号の請求項１〜３に係る特許を維持する。
【理　由】
 １．本件発明
　特許第２８２１０７４号（平成４年１１月３０日出願、平成１０年８月２８日設定登録）の請求項１〜３に係る発明（以下、「本件発明１」〜「本件発明３」という。）は、その特許請求の範囲の請求項１〜３に記載された次の事項により特定されるとおりのものである。
「【請求項１】揮発性珪素化合物を火炎加水分解し、生成するシリカ微粒子をそのまま回転する基体上に溶融・堆積して得られる合成石英を出発母材として耐紫外線レーザー用光学部材を製造する方法において、前記出発母材を６００℃以上１５００℃以下の温度領域で酸化熱処理し、水素濃度を５×１０１５分子／ｃｍ３以下に低減させる第１の工程と、第１の工程で得られる石英ガラスを水素含有雰囲気下で３００℃以上６００℃以下の温度領域に保持して水素濃度を１×１０１７分子／ｃｍ３以上含有せしめる第２の工程を含む事を特徴とする耐紫外線レーザー用光学部材の製造方法。
　【請求項２】前記第１の工程が、酸素を有する雰囲気で１０００℃以上、１５００℃以下の温度領域で保持した後徐冷することにより、２４５ｎｍの波長の紫外線に対する内部透過率が９９．８％／ｃｍ以上でかつ含有される水素濃度が５×１０１６分子／ｃｍ３以下に低減した工程である請求項１記載の耐紫外線レーザー用光学部材の製造方法。
  【請求項３】前記第２の工程を高圧炉内で１気圧以上、特には５０気圧以上の高圧下で行なう事を特徴とする請求項１記載の耐紫外線レーザー用光学部材の製造方法。」
２．特許異議申立ての理由の概要
　特許異議申立人前田明子（以下、「申立人」という。）は、証拠として甲第１号証（特開平３−１０１２８２号公報）、甲第２号証（「ガラスの事典」作花済夫編集（朝倉書店）１９８５年９月２０日発行，第２０４〜２０７頁）、甲第３号証（「レーザー研究」第１９巻第２号，平成３年２月発行，第３３〜４０頁）、甲第４号証（「ＮＥＷ　ＧＬＡＳＳ」Ｖｏｌ．６Ｎｏ．２，１９８９年発行，第１９１〜１９６頁）を提出し、本件発明１〜３は甲第１号証に記載された発明と同一であるか、または甲第１乃至４号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、その特許は特許法第２９条第１項乃至第２項の規定に違反してなされたものであり、取り消すべきものである旨を主張している。
３．引用例記載の発明
　当審が通知した取消理由で引用した引用例１〜４（順に、甲第１〜４号証に該当する。）には次の事項が記載されている。
（１）引用例１
ア．「本発明はレンズ、窓部材、ミラー、プリズム、フィルタ、エタロン板、その他のレーザ光用光学系に係り、特に２５０ｎｍ以下の特定波長域で使用されるレーザ光用光学系部材に関する。」（第１頁右欄第７〜１０行）
イ．「本発明に用いる合成石英ガラスはスート法やダイレクト法と呼ばれる酸水素炎加水分解法若しくはプラズマ法等に基づいて製造される事になる」（第３頁右上欄第４〜７行）
ウ．「「実験例」本発明を製造手順に従って具体的に説明する。先ず原料四塩化ケイ素を蒸留処理して不純物を除去させた後テフロンランニグ付ステンレス製容器に貯溜した高純度四塩化ケイ素を用意し、該高純度の四塩化ケイ素原料を用いてダイレクト法とＣＶＤスート再溶融合成法にて、φ１２０×ｔ１０００ｍｍの高純度石英ガラスインゴットを各々複数個合成する。…（中略）…そして前記インゴット群よりＯＨ基の含有量が５ｐｐｍ以下、１００ｐｐｍ（スート法）、８００ｐｐｍ（ダイレクト法）のＯＨ基濃度を有するインゴットを選出し、これらをφ１２０×ｔ１００ｍｍに切断して各数ピースずつのサンプルを用意する（ＮＯＩ：ＯＨ基５ｐｐｍ以下、ＮＯＩＩ：ＯＨ基１００ｐｐｍ、ＮＯＩＩＩ：ＯＨ基８００ｐｐｍ）。…（中略）…又ダイレクト法で製造したサンプル群（ＮＯＩＩＩ）においても内部歪の除去を図るためにアルゴンガスで希釈した酸素ガス雰囲気下（ＮＯＩＩＩ−３’）で１１００℃前後の温度で加熱処理を行ったものと、内部歪の除去を図るためにＡｉｒ雰囲気下（ＮＯＩＩＩ−１〜４）で１１００℃前後の温度で加熱処理を行ったものを用意した。…（中略）…第２〜第４及び第３’のサンプル群（ＮＯ．Ｉ　ＩＩ　ＩＩＩ−２，３，４，３’）については吸蔵水素ガス濃度を異ならせるために、常圧（ＮＯ．Ｉ　ＩＩ　ＩＩＩ−２）１０気圧（ＮＯ．Ｉ　ＩＩ　ＩＩＩ−３，３’）及び２００気圧（ＮＯ．Ｉ　ＩＩ　ＩＩＩ−４）の夫々の圧力下で夫々水素ドーピング処理を行った。水素ドーピング処理は塩化水素ＨＣｌを１％を加味した水素ガス（９９％）雰囲気下にて前記圧力状態を維持した状態で、各々約５００℃で一定時間保持した後次に約２００℃の温度以下になるまで一定のプログラムにより徐冷を行い、その後大気放冷を行うことにより前記処理が完了する。」（第４頁左上欄第１３行〜左下欄最下行）
エ．ダイレクト法によって製造された石英ガラスインゴットに水素ドープ処理を施したものは、酸素欠陥が検出されず、水素濃度が４×１０１７〜８×１０１９分子数／ｃｍ３であること。（第６頁実験結果一覧表）
オ．「本発明によれば、長時間にわたってエキシマレーザ光を照射した場合においても透過率の低下や屈折率分布の変動が生じる事なく耐レーザ性が一層向上し得るレーザ光用光学系部材を得ることが出来…（中略）…高出力エキシマレーザーに使用されるレーザ光学系母材にも十分適用可能である。」（第６頁左下欄第２〜１１行）
（２）引用例２
　ＩＩＩ型有水合成石英ガラスが、四塩化ケイ素を酸水素炎中で火炎加水分解してガラス微粒子（スートとよぶ）を合成し、これをターゲット上に溶融堆積して透明ガラスを得る方法により合成されること。（第２０６頁第４〜７行）
（３）引用例３
　Ｅ＊センターに対応する２２０ｎｍ吸収帯がＡｒＦレーザ（１９３ｎｍ）照射により比較的不安定な水素に起因するソラリゼーションを起こすこと、及び石英ガラスを酸素中でアニールすることにより水素分子がガラス中から系外へ拡散され、石英ガラスの局所構造の緩和が促進されること。（第３９頁）
（４）引用例４
　ＫｒＦ，ＡｒＦエキシマレーザー等を光源とするステッパー用投影レンズに必要な石英ガラスの品質について、１０ｍｍあたり９９．９％以上の透過率が要求されること。（第１９５頁）
４．対比・判断
（１）特許法第２９条第１項第３号について
　本件発明１は「１．本件発明」に記載した事項により特定されるとおりのものであり、かかる事項を備えることによって、「石英ガラスと水素の反応によって生じる還元性欠陥に着目してその欠陥を排除し、かつそれら欠陥が再度生成しないように水素ドーピングを行うことを特徴」（本件特許公報段落【００１４】参照）とするものである。
　そこで、本件発明１と引用例１の発明とを対比する。
  引用例１には「３（１）ア，ウ，エ」に摘記した事項よりみて、「高純度四塩化ケイ素を用いてダイレクト法で合成した高純度石英ガラスインゴットをアルゴンガスで希釈した酸素ガス雰囲気下で１１００℃前後の温度で加熱処理し、更に塩化水素（１％）と水素ガス（９９％）からなる雰囲気下、約５００℃に一定時間保持した後、約２００℃以下になるまで徐冷、その後大気放冷して水素ドーピング処理する、酸素欠陥と内部歪が除去されたレーザ光用光学系部材の製造方法」が記載されていると言えるが、石英ガラスと水素の反応によって生じる還元性欠陥の排除及び再生防止を行う目的で、所定の酸化熱処理及び水素化処理を行うことは記載されていない。
　引用例１には、アルゴンガスで希釈した酸素ガス雰囲気下１１００℃前後での酸化熱処理、及び塩化水素（１％）と水素ガス（９９％）からなる雰囲気下約５００℃での水素化処理、を行うことについての記載はあるが、これらの処理はその目的とするところよりみて、酸素欠陥と内部歪の除去を図る程度に行われるものと解すべきであって、還元性欠陥の排除及び再生防止を図る程度に行われるものとは言えないから、本件発明１で行う所定の酸化熱処理及び水素化処理と同一の処理とは言えない。　
　したがって、本件発明１は引用例１の発明と同一ではない。
　また、本件発明２，３は、本件発明１を更に技術的に限定したものであるから、本件発明１と同様の理由により、引用例１の発明と同一ではない。
（２）特許法第２９条第２項について
　「４．（１）」で述べたとおり、本件発明１と引用例１の発明とは、本件発明１は石英ガラスと水素の反応によって生じる還元性欠陥の排除及び再生防止を行う目的で、所定の酸化熱処理及び水素化処理を行うのに対して、引用例１の発明はそのような処理を行うことに言及しない点で相違する。
　そこで、この相違点について検討する。
　引用例２には、ＩＩＩ型有水合成石英ガラスが四塩化ケイ素を酸水素炎中で火炎加水分解して得られたガラス微粒子をターゲット上に溶融堆積する方法により合成されること、引用例４には、ＫｒＦ，ＡｒＦエキシマレーザー等を光源とするステッパー用投影レンズに使用する石英ガラスとして１０ｍｍあたり９９．９％以上の透過率が要求されることが記載されているが、いずれの引用例にも、石英ガラスと水素の反応によって生じる還元性欠陥の排除及び再生防止を行う目的で、所定の酸化熱処理及び水素化処理を行うことは記載されていない。
　引用例３には、Ｅ＊センターに対応する２２０ｎｍ吸収帯がＡｒＦレーザ（１９３ｎｍ）照射により比較的不安定な水素に起因するソラリゼーションを起こすこと、及び石英ガラスを酸素中でアニールすることによって、その水素分子がガラス中から系外へ拡散されることが記載されている。
　引用例３に記載された石英ガラス中の水素分子は、本件発明１の石英ガラスと水素の反応によって生じる還元性欠陥に相当するものと解されるが、引用例３には、そのような水素分子を除去するための処理として、石英ガラスを酸素中でアニールすることが記載されているに過ぎず、この記載より本件発明１の所定の酸化熱処理及び水素化処理、即ち「６００℃以上１５００℃以下の温度領域で酸化熱処理し、水素濃度を５×１０１５分子／ｃｍ３以下に低減させる第１の工程と
、第１の工程で得られる石英ガラスを水素含有雰囲気下で３００℃以上６００℃以下の温度領域に保持して水素濃度を１×１０１７分子／ｃｍ３以上含有せしめ
る第２の工程」を想到することは、当業者といえども容易になし得たこととは言えない。
　してみれば、上記相違点に係る本件発明１の構成の点は、引用例１と引用例２〜４とを併せて勘案しても、当業者が容易になし得たこととはいえないから、本件発明１は引用例１〜４の発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものとは言えない。      
　また、本件発明２，３は、本件発明１を更に技術的に限定したものであるから、本件発明１と同様の理由により、引用例１〜４の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。      
５．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立の理由及び証拠方法によっては、本件発明１〜３に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明１〜３に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年１月２６日（２０００．１．２６）