【事件の表示】
　特許第２７９１８７７号「シリカ糸被膜形成用基板処理装置」の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結論】
　特許第２７９１８７７号の特許を取り消す。
【理由】
（１）手続の経緯
　特許第２７９１８７７号の請求項１に係る発明についての出願は、平成４年７月１７日に出願した特願平４−２１３６６５号の一部を平成８年３月８日に新たな特許出願としたものであって、平成１０年６月１９日にその発明について特許の設定登録がなされ、その後、その特許について、特許異議申立人　高橋　学より特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１１年７月２８日に訂正請求がなされた後、訂正拒絶理由通知がなされ、当該訂正拒絶理由通知に対して、その指定期間内である平成１１年１０月１８日に、上記訂正請求を補正する手続補正書が提出されたものである。
（２）訂正の適否についての判断
ア．訂正明細書の請求項１に係る発明
　平成１１年１０月１８日付け手続補正書により補正された訂正明細書の請求項１に係る発明は、その請求項１に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
「シリコン化合物を有機溶剤に溶解させ又はシリカ系の微粒子を有機溶剤に分散混入させたシリカ系の被膜形成用塗布液を、基板に回転塗布する回転塗布機と、
　前記基板を受け取って、基板に回転塗布されたシリカ系被膜形成用の塗布液から溶剤成分を揮発させるホットプレートとクールプレートを備えた熱処理板と、
　前記ホットプレートとクールプレートを備えた熱処理板で、シリカ系被膜中に残存する溶剤成分の度合いを均一に溶剤成分を揮発された基板を、複数枚を一単位として一括装填して熱処理する熱処理炉と、
　を備えるシリカ系被膜形成用基板処理装置。」
イ．引用刊行物記載の発明
　上記訂正明細書の請求項１に係る発明に対し、当審が上記訂正拒絶理由通知において引用した刊行物１乃至３に記載の事項を記すと、次のとおりである。
（ａ）刊行物１に記載の発明
　当審が上記訂正拒絶理由通知において引用した実願平１−８５４８３号（実開平３−２３９２６号）の願書に添付された明細書および図面の内容を撮影したマイクロフィルム（以下、「刊行物１」という。）には、
　その第１頁第１５行−同頁第１６行の
「本考案は、半導体製造装置に関し、特にシリカスピン塗布装置に関する。」
　との記載、
　第２頁第１６行−第４頁第１３行の
「まず、本実施例は、シリカスピン塗布領域１，ウェハー搬送ベルト２，３，シリカ供給タンク４，シリカ供給管５，シリカ供給タンク加圧用窒素配管６，塗布機気圧安定用窒素配管７，排液管８，から成るシリカスピン塗布部分とホットプレート１１，往復型ウェハー搬送機１２，窒素ガスボンベ１３，給気排気カバー１４，排気管１５，ハロゲンランプ加熱装置１６，パンダグラフ型ウェハー搬送機１７，窒素ガスボンベ１８，排気管１９から成る熱処理部分とウェハーストッカー９，１０から成る。
　次に本実施例の動作を８００Åのリンケイ酸ガラス（ＰＳＧ）膜をシリコン基板上に形成する場合を例に説明する。この時、シリカ塗布条件は、リンを２％含む溶媒比５％シリカを用い回転数４０００ｒｐｍで行う。この塗布は、枚葉式で行う。塗布が完了したウェハーは、往復型搬送機１２でホットプレート１１上に運ばれる。ウェハーは、窒素ボンベ１３から給気排気カバー１４をへて均一に供給された窒素の雰囲気１５０℃から４００℃までウェハー進行方向に温度が高くなるのホットプレート１１上を５分間かけて通過し、シリカの溶媒が蒸発する。蒸発した溶媒は給気排気カバー１４をへて、排気管１５から直ちに排気される。ホットプレート型加熱装置中には、同時に４枚のウェハーが直列に通過する。従って本実施例では、５／４＝１分１５秒枚に１枚のウェハーの処理が可能である。
　溶媒が蒸発したウェハーは、パンダグラフ型ウェハー搬送機１６でハロゲンランプ加熱装置中に入れられ、窒素雰囲気中で９５０℃　３０秒の熱処理を加えられる。ハロゲンランプ加熱は、昇降間時間も含め１枚あたり、約１分２０秒の時間を要した。
　この発明を用いて形成されたＰＳＧの膜質は、シリカスピン塗布後、拡散炉で、窒素雰囲気３００℃　３０分、窒素雰囲気９００℃　２０分の熱処理を行ったものと同等であった。」
　との記載、
　第５頁第３行−同頁第８行の
「以上説明したように、基本的に枚葉的処理を行うシリカスピン塗布装置と、連続的熱処理装置であるホットプレート、枚葉式熱処理装置であるランプ加熱装置を順次用いる事により、製造工程において、シリカスピン塗布と、熱処理両方に要する時間を大幅に短縮できる効果がある。」　との記載、
　及び、第１図の記載内容等からみて、次の発明が記載されているものと認められる。
「リンを２％含む溶媒比５％シリカを、シリコン基板に回転塗布するシリカスピン塗布領域１と、
　前記シリコン基板を受け取って、シリコン基板に回転塗布されたリンを２％含む溶媒比５％シリカから溶媒を蒸発させるホットプレート１１と、
　前記ホットプレート１１で溶媒を蒸発されたシリコン基板を、枚葉装填して熱処理するハロゲンランプ加熱装置１６と、
　を備える半導体製造装置。」
（ｂ）刊行物２に記載の発明
　当審が上記訂正拒絶理由通知において引用した特開昭６３−２４６１５号公報（以下、「刊行物２」という。）には、
　その第７頁右下欄第７行−同欄第１３行の
「垂直炉２３は、第１図に示す実施例で、軸方向にのびたほぼ管状の部材内に形成された内部加熱チェンバから成る。この部材５５は、第１図で示す実施例で石英から成っている。
炉成分５７が、加熱チェンバ及び、加熱チェンバ内でボート３９のスロット内で保持されているウエーハ３５の加熱をもたらす。」
　との記載、
　第８頁左上欄第７行−同欄第１０行の
「さらに、シリコンウエーハ及びそのコーティングは、ウエーハのエッジがボート又はカセットとぶつかるならば、容易に破損する。」
　との記載、
　第８頁右上欄第１４行−同欄第１７行の
「第１図で図示するように、炉２３内での加熱より前にボート３９内に入れられるべきウエーハ３５は、カセットホルダ装置２７の多数のカセット３７内に含まれる。」
との記載、
　第８頁左下欄第５行−同欄第７行の
「各カセット３７は、第１図で示すようにカセット内の個々のスロットの中に多数のウエーハ３５を保持する。」
　との記載、
　並びに、第１図及び第３図の記載内容等からみて、次の発明が記載されているものと認められる。
「コーティングされたウエーハ３５を、複数枚を一単位として一括装填して熱処理する垂直炉２３。」
（ｃ）刊行物３に記載の発明
　当審が上記訂正拒絶理由通知において引用した特開平４−４５５１４号公報（以下、「刊行物３」という。）には、
　その第３頁左上欄第２０行−同頁右上欄第１３行の
「各熱処理ユニット２３Ａ〜２３Ｃは、第２図に示すように、上段にホットプレート２４が、下段にクールプレート２５が断熱仕切り壁２７で仕切って配置され、各プレート２４、２５には昇降支持具２６が付設され、基板Ｗの熱処理に際し、上昇状態にある昇降支持具２６で基板Ｗを受け取り、そのまま基板ＷをタクトタイムＴと加熱時間ｔとの時間差だけホットプレート２４上で離間待機させ、その後昇降支持具２６を下降させることにより基板Ｗをホットプレート２４上に着地または近接させ、タクトタイムＴの満了と同時に昇降支持具２６を上昇させ、直ちに自走式基板搬送ロボット３０で基板Ｗをクールプレート２５上へ移載するように構成されている。」
　との記載、
　第３頁右上欄第１７行−同欄第１９行の
「ちなみに、第３図〜第５図はそれぞれフォトレジスト塗布後の熱処理条件を例示するグラフである。」
　との記載、
　第３頁左下欄第５行−同欄第７行の
「第５図は本発明の方法により基板Ｗを熱処理した場合を示すものである。」
　との記載、
　並びに、第１図及び第２図の記載内容等からみて、次の発明が記載されているものと認められる。「フォトレジストが塗布された基板Ｗを、ホットプレート２４とクールプレート２５を備えた熱処理ユニット２３（２３Ａ・２３Ｂ・２３Ｃ）にて熱処理する基板の熱処理方法。」
ウ．対比・判断
（訂正明細書の請求項１に係る発明と刊行物１に記載された発明との対比）
　訂正明細書の請求項１に係る発明と刊行物１に記載された発明とを対比すると、刊行物１に記載された発明の「リンを２％含む溶媒比５％シリカ」は、シリカ系の微粒子を有機溶剤に分散混入させた被膜形成用塗布液であることが、当該技術分野の技術常識であるから、訂正明細書の請求項１に係る発明の「シリカ系の微粒子を有機溶剤に分散混入させたシリカ系の被膜形成用塗布液」に相当する。更に、刊行物１に記載された発明の「シリコン基板」、「シリカスピン塗布領域１」、「溶媒を蒸発させるホットプレート１１」、及び「半導体製造装置」は、それぞれ、訂正明細書の請求項１に係る発明の「基板」、「回転塗布機」、「溶剤成分を揮発させるホットプレートを備えた熱処理板」、及び「シリカ系被膜形成用基板処理装置」に相当する。又、刊行物１に記載された発明の「ハロゲンランプ加熱装置１６」と、訂正明細書の請求項１に係る発明の「熱処理炉」とは、ホットプレートを備えた熱処理板でシリカ系被膜中に残存する溶剤成分を揮発された基板を、更に熱処理する熱処理手段である点で共通している。
　したがって、両者は、
「シリカ系の微粒子を有機溶剤に分散混入させたシリカ系の被膜形成用塗布液を、基板に回転塗布する回転塗布機と、
　前記基板を受け取って、基板に回転塗布されたシリカ系被膜形成用の塗布液から溶剤成分を揮発させるホットプレートを備えた熱処理板と、
　前記ホットプレートを備えた熱処理板で、シリカ系被膜中に残存する溶剤成分を揮発された基板を熱処理する熱処理手段と、
　を備えるシリカ系被膜形成用基板処理装置。」
　である点において一致し、次の点で相違している。
　▲１▼溶剤成分を揮発させる熱処理板が、訂正明細書の請求項１に係る発明では、「ホットプレートとクールプレートを備えた」ものであるのに対して、刊行物１に記載された発明では、「ホットプレートを備えた」ものではあるが、クールプレートに相当する構成が存在しない点。
　▲２▼訂正明細書の請求項１に係る発明では、熱処理板で、シリカ系被膜中に残存する溶剤成分の度合いを「均一に」揮発するのに対して、刊行物１に記載された発明では、溶剤成分の度合いの均一性については、明示の記載がない点。
　▲３▼溶剤成分を揮発された基板を熱処理する熱処理手段が、訂正明細書の請求項１に係る発明においては、「複数枚を一単位として一括装填して熱処理する熱処理炉」であるのに対して、刊行物１に記載された発明においては、「枚葉装填して熱処理するハロゲンランプ加熱装置１６」である点。
（相違点についての検討と判断）
　そこで、上記相違点▲１▼乃至▲３▼について、一つずつ検討する。
　▲１▼’上記刊行物３には、既述のように、「フォトレジストが塗布された基板Ｗを、ホットプレート２４とクールプレート２５を備えた熱処理ユニット２３（２３Ａ・２３Ｂ・２３Ｃ）にて熱処理する基板の熱処理方法」が記載されている。そして、上記刊行物１に記載の発明と上記刊行物３に記載の発明とは、被膜形成用塗布液が塗布された基板を熱処理するという、共通の作用を有する。よって、上記刊行物１に記載の発明における「溶剤成分を揮発させるホットプレートを備えた熱処理板」の構成部分に、該発明と共通の作用を有する上記刊行物３に記載の発明を適用して、クールプレートを付加し、「溶剤成分を揮発させるホットプレートとクールプレートを備えた熱処理板」とすることは、当業者が容易になし得たことである。
　▲２▼’刊行物１に記載された発明における、ホットプレート１１による熱処理では、上記イ．（ａ）において指摘した同刊行物１の記載事項である、「塗布が完了したウェハーは、往復型搬送機１２でホットプレート１１上に運ばれる。ウェハーは、窒素ボンベ１３から給気排気カバー１４をへて均一に供給された窒素の雰囲気１５０℃から４００℃までウェハー進行方向に温度が高くなるのホットプレート１１上を５分間かけて通過し、シリカの溶媒が蒸発する。・・・・・ホットプレート型加熱装置中には、同時に４枚のウェハーが直列に通過する。従って本実施例では、５／４＝１分１５秒枚に１枚のウェハーの処理が可能である。」に示されるように、被膜形成用塗布液の塗布後に次々にホットプレート１１上を通過していく各シリコン基板ウェハーが、同一の加熱条件で熱処理され、該シリコン基板上の被膜中の溶剤成分（溶媒）が蒸発させられる。してみれば、当該熱処理が、この熱処理後においてシリコン基板上の被膜中に残存する溶剤成分の度合いをシリコン基板同士で均一にする、という作用を内包するものであることは、自明な事項であるというべきである。したがって、訂正明細書の請求項１に係る発明において、熱処理板で、シリカ系被膜中に残存する溶剤成分の度合いを「均一に」溶剤成分を揮発させる点は、単に上記した、刊行物１に記載の発明において自明な作用上の事項を、構成要件の形で明示したものに他ならない。
　▲３▼’上記刊行物２には、既述のように、「コーティングされたウエーハ３５を、複数枚を一単位として一括装填して熱処理する垂直炉２３」が記載されている。ここで、一般に、多数の同等物品に所定の処理を行う生産工程において、物品を１個ずつ連続処理するか、複数の物品を一括処理するか、また、一括処理の場合に処理単位をどのように設定するかは、１周期の処理に要する時間、処理に付随する搬送に費やされる時間、処理装置の容量等、生産効率に関連する諸要因に応じて、当業者が適宜選択する事項である。したがって、上記刊行物１に記載の発明における「枚葉装填して熱処理するハロゲンランプ加熱装置１６」の構成部分に上記刊行物２に記載の発明を適用して、該構成部分を、「複数枚を一単位として一括装填して熱処理する熱処理炉」に置換することは、当業者であれば容易になし得たことである。
　以上のとおりであるから、訂正明細書の請求項１に係る発明は、上記刊行物１乃至３に記載された各発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであり、よって、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
エ．むすび
　したがって、上記訂正は、特許法第１２０条の４第３項で準用する同第１２６条第４項の規定に適合しないので、当該訂正は認められない。
（３）特許異議申立てについての判断
ア．本件発明
　本件特許の請求項１に係る発明（以下、「本件発明」という。）は、特許請求の範囲の請求項１に記載された次の事項により特定されるとおりのものである。
「シリコン化合物を有機溶剤に溶解させ又はシリカ系の微粒子を有機溶剤に分散混入させたシリカ系の被膜形成用塗布液を、基板に回転塗布する回転塗布機と、
　前記基板を受け取って、基板に回転塗布されたシリカ系被膜形成用の塗布液から溶剤成分を揮発させる熱処理板と、
　前記熱処理板で溶剤成分を揮発された基板を、複数枚を一単位として一括装填して熱処理する熱処理炉と、
　を備えるシリカ系被膜形成用基板処理装置。」
イ．引用刊行物記載の発明
　上記本件発明に対し、当審が通知した取消理由に引用した上記刊行物１および上記刊行物２には、次の各発明が記載されている。（上記（２）イ．（ａ）及び（ｂ）を参照。）
（ａ）刊行物１に記載の発明
「リンを２％含む溶媒比５％シリカを、シリコン基板に回転塗布するシリカスピン塗布領域１と、
　前記シリコン基板を受け取って、シリコン基板に回転塗布されたリンを２％含む溶媒比５％シリカから溶媒を蒸発させるホットプレート１１と、
　前記ホットプレート１１で溶媒を蒸発されたシリコン基板を、枚葉装填して熱処理するハロゲンランプ加熱装置１６と、
　を備える半導体製造装置。」
（ｂ）刊行物２に記載の発明
「コーティングされたウエーハ３５を、複数枚を一単位として一括装填して熱処理する垂直炉２３。」
ウ．対比・判断
（本件発明と刊行物１に記載された発明との対比）
　本件発明と刊行物１に記載された発明とを対比すると、刊行物１に記載された発明の「リンを２％含む溶媒比５％シリカ」、「シリコン基板」、「シリカスピン塗布領域１」、「溶媒を蒸発させるホットプレート１１」、及び「半導体製造装置」は、それぞれ、本件発明の「シリカ系の微粒子を有機溶剤に分散混入させたシリカ系の被膜形成用塗布液」、「基板」、「回転塗布機」、「溶剤成分を揮発させる熱処理板」、及び「シリカ系被膜形成用基板処理装置」に相当する。また、刊行物１に記載された発明の「ハロゲンランプ加熱装置１６」と、本件発明の「熱処理炉」とは、熱処理板で溶剤成分を揮発された基板を、更に熱処理する熱処理手段である点で共通している。
　したがって、両者は、
「シリカ系の微粒子を有機溶剤に分散混入させたシリカ系の被膜形成用塗布液を、基板に回転塗布する回転塗布機と、
　前記基板を受け取って、基板に回転塗布されたシリカ系被膜形成用の塗布液から溶剤成分を揮発させる熱処理板と、
　前記熱処理板で溶剤成分を揮発された基板を熱処理する熱処理手段と、
　を備えるシリカ系被膜形成用基板処理装置。」
　である点において一致し、次の点で相違している。
　溶剤成分を揮発された基板を熱処理する熱処理手段が、本件発明においては、「複数枚を一単位として一括装填して熱処理する熱処理炉」であるのに対して、刊行物１に記載された発明においては、「枚葉装填して熱処理するハロゲンランプ加熱装置１６」である点。
（相違点についての検討と判断）
　そこで、上記相違点について検討する。
　上記刊行物２には、既述のように、「コーティングされたウエーハ３５を、複数枚を一単位として一括装填して熱処理する垂直炉２３」が記載されているから、上記（２）ウ．の▲３▼’に記した理由により、上記刊行物１に記載の発明における「枚葉装填して熱処理するハロゲンランプ加熱装置１６」の構成部分に上記刊行物２に記載の発明を適用して、該構成部分を、「複数枚を一単位として一括装填して熱処理する熱処理炉」に置換することは、当業者が容易になし得たことである。
エ．むすび
　以上のとおりであるから、本件発明は、上記刊行物１および２に記載された各発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであり、よって、本件発明についての特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。
　したがって、本件発明についての特許は、特許法第１１３条第２号に該当し、取り消されるべきものである。
　よって結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１１年１２月２１日（１９９９．１２．２１）