【事件の表示】
　特許第２６６４３８８号「半導体レーザ素子」の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結論】
　特許第２６６４３８８号の特許を取り消す。
【理由】
１、手続きの経緯
　　本件特許の出願　　　　　昭和６３年１月１３日
　　特許権設定登録　　　　　平成９年６月２０日
　　特許異議の申立て（申立人：シャープ株式会社）
　　　　　　　　　　　　　　平成１０年４月１５日
　　取消理由通知　　　　　　平成１０年７月１５日
　　訂正請求　　　　　　　　平成１０年９月１８日
　　訂正拒絶理由通知　　　　平成１１年３月２５日
２、訂正の適否
（独立特許要件について）
イ、訂正明細書の請求項１に係る発明について
　訂正明細書の請求項１に係る発明は、訂正明細書の特許請求の範囲請求項１に記載された次のとおりのものと認める。
「【請求項１】ファブリペロ共振器を有するとともに、共振器長が２５０μｍの場合に複数波長発振を呈する複数波長発振型のＧａＡｌＡｓ系の半導体レーザ素子において、活性層の厚みを０．０５μｍ以上０．１μｍ以下とし、共振器の長さを１００μｍ以上２００μｍ以下とした事を特徴とする半導体レーザ素子。」
ロ、引用刊行物記載の発明
　訂正明細書の請求項１に係る発明に対し、当審が訂正拒絶理由通知において示した刊行物１（「シャープ技報」通巻２６号、電子部品特集号、昭和５８年６月２３日シャープ株式会社技術本部発行、第６９〜７４頁、異議申立人が提出した甲第１号証）には、波長７８０μｍのＶＳＩＳレーザにおいて、共振器長を３７０μｍ、２４０μｍから１１０μｍという短い長さにすることにより、発振スペクトル幅を広げて、反射雑音（戻り光ノイズ）を減少させるようにしたことが記載されている。同刊行物記載の半導体レーザは、後述する刊行物２に記載されているレーザと波長が同じ７７０−７９０ｎｍのＶＳＩＳレーザであり、かつ７７０−７９０ｎｍの波長帯の半導体レーザはＧａＡｌＡｓ系レーザが一般に知られていることから、刊行物２記載のものと同じＧａＡｌＡｓ系レーザであると認められる。刊行物１には、前記半導体レーザは、共振器長が３７０μｍ、２４０μｍではシングルモード発振を行い、１１０μｍの長さでは発振スペクトル幅が広がるばかりでなく、マルチモード化することが記載され、更に、共振器長を１１０μｍと短くすることによって発振スペクトル幅が広がる理由として、「発振スペクトル幅の拡大は緩和振動周波数に共振した自己発振によって生じるものと考えられる。このような発振はレーザ発振領域と非発振領域とのキャリアの振動に対応するもので注入キャリアの横方向拡散によって生ずることが理論的に予測されている。また、共振器長を短くして自己発振が生じやすくなった原因は、発振しきい値電流密度の上昇によって非発振領域へのキャリアの漏れが多くなったためと考えられる。」という記載がなされている。
　同じく当審が訂正拒絶理由通知において示した刊行物２（Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，４０（５），１　Ｍａｒｃｈ　１９８２，ｐｐ．３７２−３７４）には、波長が７７０−７９０ｍｍであり、活性層厚さが０．０８μｍであるＧａＡｌＡｓ系ＶＳＩＳ型レーザが記載されている。
ハ、対比・判断
　訂正明細書の請求項１に係る発明と刊行物１に記載された発明とを対比すると、「ファブリペロ共振器を有するとともに、ＧａＡｌＡｓ系の半導体レーザ素子において、活性層の厚みを０．０５μｍ以上０．１μｍ以下とし、共振器の長さを１００μｍ以上２００μｍ以下とした事を特徴とする半導体レーザ素子。」という点で両者は一致する。しかしながら、
ａ、本件発明におけるベースとなる半導体レーザ素子が「共振器長が２５０μｍの場合に複数波長発振を呈する複数波長発振型」であるのに対して、刊行物１記載の発明のベースとなる半導体レーザ素子は、「共振器長が２５０μｍの場合に単一波長を発振する単一波長発振型」であるという点、及び
ｂ、本件発明においては、活性層の厚みが「０．０５μｍ以上０．１μｍ以下」であるのに対し、刊行物１には活性層の厚みについての記載はないという点
で両者は相違する。よって、これらの相違点について以下検討する。
（相違点ａについて）
　上記刊行物１には、共振器長を１１０μｍと短いものにすることによって発振スペクトル幅が広がる理由として、上記したように、「発振スペクトル幅の拡大は緩和振動周波数に共振した自己発振によって生じるものと考えられる。このような発振はレーザ発振領域と非発振領域とのキャリアの振動に対応するもので注入キャリアの横方向拡散によって生ずることが理論的に予測されている。また、共振器長を短くして自己発振が生じやすくなった原因は、発振しきい値電流密度の上昇によって非発振領域へのキャリアの漏れが多くなったためと考えられる。」と記載されているが、この記載によれば、共振器長を短くすることによって発振しきい値電流密度が上昇し、それにともなって非発振領域へのキャリアの移動が増加することによって自己発振が増加し、そのために反射雑音（戻り光ノイズ）を減少させることができることが理解できる。このような戻り光ノイズ減少のメカニズムによれば、ベースとなる半導体レーザ素子が「共振器長が２５０μｍの場合に複数波長発振を呈する複数波長発振型」であるか、「共振器長が２５０μｍの場合に単一波長を発振する単一波長発振型」であるかに拘わらず、共振器長を１００μｍ〜２００μｍと短くした場合、戻り光ノイズを減少させることができることは自明である。したがって、刊行物１記載の発明において、ベースとなる半導体レーザ素子を、「共振器長が２５０μｍの場合に単一波長を発振する単一波長発振型」のものに代えて、「共振器長が２５０μｍの場合に複数波長発振を呈する複数波長発振型」を採用することは、当業者が容易に想到し得たことと認められる。
（相違点ｂについて）
　上記刊行物２には、活性層厚さが０．０８μｍとしたものが示されているが、このように活性層の厚みを０．０５〜０．１μｍとすることは刊行物２の記載を参照するまでもなく、従来より慣用されている値であり、刊行物１記載の発明もこの範囲の活性層厚さのものを使用しているものと云うことができるので、この点において、刊行物１記載の発明と本件発明とは実質的な相違は認められない。
　以上のとおり、訂正明細書の請求項１に係る発明は、上記刊行物１及び２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
（むすび）
　したがって、本件訂正請求は、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、改正前の同法第１２６条第３項の規定に違反するので、当該訂正請求は認められない。
３、特許異議申立について
（本件発明）
　本件発明は、特許明細書および図面の記載からみて、その訂正前の特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものと認める。
　「【請求項１】ファブリペロ共振器を有するとともに、複数波長発振型のＧａＡｌＡｓ系の半導体レーザ素子において、活性層の厚みを０．０５μｍ以上０．１μｍ以下とし、共振器の長さを１００μｍ以上２００μｍ以下とした事を特徴とする半導体レーザ素子。」
（申立の理由の概要）
　特許異議申立人は甲第１号証（上記刊行物１）、甲第２号証（上記刊行物２）を提出し、本件発明は特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであるから特許は取り消されるべき旨主張している。
（特許法第２９条第２項違反について）
　本件発明と刊行物１に記載された発明とを対比すると、「ファブリペロ共振器を有するとともに、ＧａＡｌＡｓ系の半導体レーザ素子において、活性層の厚みを０．０５μｍ以上０．１μｍ以下とし、共振器の長さを１００μｍ以上２００μｍ以下とした事を特徴とする半導体レーザ素子。」という点で両者は一致する。しかしながら、
ａ、本件発明におけるベースとなる半導体レーザ素子が「複数波長発振型」であるのに対して、刊行物１記載の発明のベースとなる半導体レーザ素子は、単一波長発振型である、という点、及び
ｂ、本件発明においては、活性層の厚みが「０．０５μｍ以上０．１μｍ以下」であるのに対し、刊行物１には活性層の厚みについての記載はない、
という点で両者は相違する。よって、これらの相違点について以下検討する。
（相違点ａについて）
　上記刊行物１には、共振器長を１１０μｍにすることによって発振スペクトル幅が広がる理由として、「発振スペクトル幅の拡大は緩和振動周波数に共振した自己発振によって生じるものと考えられる。このような発振はレーザ発振領域と非発振領域とのキャリアの振動に対応するもので注入キャリアの横方向拡散によって生ずることが理論的に予測されている。また、共振器長を短くして自己発振が生じやすくなった原因は、発振しきい値電流密度の上昇によって非発振領域へのキャリアの漏れが多くなったためと考えられる。」という記載がなされているが、この記載によれば、共振器長を短くすることによって発振しきい値電流密度が上昇し、それにともなって非発振領域へのキャリアの移動が増加することによって自己発振が増加し、そのために反射雑音（戻り光ノイズ）を減少させることができることが理解できる。このような戻り光ノイズ減少のメカニズムによれば、ベースとなる半導体レーザ素子が「複数波長発振型」であるか、「単一波長発振型である」かに拘わらず、共振器長を１００μｍ〜２００μｍと短くした場合、戻り光ノイズを減少させることができることは、上記２の（独立要件について）の項で述べたと同様に自明である。したがって、刊行物１記載の発明において、ベースとなる半導体レーザ素子を、「単一波長発振型」のものに代えて、「複数波長発振型」を採用することは、当業者が容易に想到し得たことと認められる。
（相違点ｂについて）
　この点についても、上記２の（独立要件について）の項で述べたと同様に、刊行物１記載の発明と本件発明との間に実質的な相違は認められない。
（むすび）
　以上のとおり、本件発明は、刊行物１及び２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件特許は特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。
　したがって、本件特許は、特許法の一部を改正する法律の一部の施行に伴う経過措置を定める平成７年政令第２０５号第４条の規定により、取り消されるべきものである。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１１年７月１４日（１９９９．７．１４）