【事件の表示】
　特許第２５６９０３６号「半導体レーザ装置」の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結論】
　訂正を認める。
　特許第２５６９０３６号の特許を維持する。
【理由】
１．手続の経緯
　本件特許第２，５６９，０３６号に係る主な手続の経緯は以下のとおりである。
　特許出願　　　　　昭和６２年２月１８日
　特許権設定登録　　平成８年１０月３日
　異議の申立て　　　平成９年７月８日
　取消理由通知　　　平成９年１０月３１日
　訂正請求　　　　　平成１０年１月１２日
　審尋（権利者）　　平成１０年３月１３日
　審尋（申立人）　　平成１０年３月１３日
　回答（権利者）　　平成１０年５月２９日
　回答（申立人）　　平成１０年６月１日
２．訂正の適否についての判断
（１）訂正の目的の適否等について
　▲１▼訂正事項ａについて
　特許請求の範囲の第１項において、「上記活性層からの光が到達し且つ」を「上記活性層からの光が到達して複数のモードが導波される領域であり且つ」とする訂正、及び、「該クラッド層より屈折率又は光吸収の大きい第１の半導体層を有し、」を「該クラッド層より屈折率又は光吸収の大きく且つ該活性層より屈折率の小さい第１の半導体層を有し、」とする訂正は、条件を限定するものであるので、特許請求の範囲の減縮に該当し、願書に添付した明細書及び図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。また、「該、活性層との間に」を「該活性層との間」とする訂正は、誤記の訂正である。
　▲２▼訂正事項ｂについて
　特許明細書の第１１頁第６行〜第７行、及び同頁第１６行〜第１７行目における「Ｇａ０．７Ａｌ０．３Ａｓ　（膜厚：５００〜１０００Å）１５」を「Ｇａ０．７Ａｌ０．３Ａｓ　（膜厚：５００〜１０００Å）７」とする訂正は、図面との整合性を図るものであり、不明瞭な記載の釈明に相当し、願書に添付した明細書及び図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
（２）独立特許要件の判断
　（２．１）本件特許発明
　訂正明細書の特許請求の範囲の第１項に係る発明（以下「本件特許発明」という。）は、その特許請求の範囲第１項に記載された以下のとおりのものである。
　「１．活性層と、該活性層を挟むように設けられ且つ活性層よりも屈折率の小さなクラツド層と、該活性層に該クラッド層を介して電流を供給する手段とを含み、上記クラツド層の少なくとも一方は、該クラッド層中の上記活性層からの光が到達して複数のモードが導波される領域であり且つ該活性層への電流供給経路となる領域の少なくとも一部に該クラッド層より屈折率または光吸収の大きく且つ該活性層より屈折率の小さい第１の半導体層を有し、該クラッド層の少なくとも一部は該第１の半導体層と該活性層との間に形成されていることを特徴とする半導体レーザ装置。」
　（２．２）引用刊行物に記載された発明
　これに対して、異議申立人の提出する甲第１号証（特開昭６１−８４８９１号公報）には、特許請求の範囲の欄及び第２頁右下欄乃至第３頁右下欄５行目には、電流注入により光に対して利得を有する活性層、及びこの活性層と組成がほぼ同じでありレーザ光に対し可飽和吸収特性を有する薄膜層（以下、「可飽和吸収層」という。）とによりクラッド層を挟んだ積層構造を基本構造とすること、活性層と可飽和吸収層とが近接しているため、活性層を導波するレーザ光は、一部可飽和吸収層に結合して導波すること及び以上述べた構造は半導体レーザ素子の共振器内部に可飽和吸収体を設けたものとなることが記載されており、第４図（ａ）を参照すると、可飽和吸収層１５８が埋め込み層１４８に挟まれてなることが記載されている。
　同じく甲第２号証（特開昭６０−１１０１８８号公報）には、その第３頁左上欄１５行目乃至同頁右下欄１５行目及び第５図において、活性層１３からの光が到達し電流供給経路となる領域にクラッド層１４、１８より屈折率が大きい酸化防止層１５を設けること、酸化防止層１５がクラッド層１４、１８に挟まれていること、酸化防止層１５はその厚さが５０Å、又は１００Å以下であること、クラッド層中に、導電型の異なる半導体層を形成して電流供給経路を規制すること、前記半導体層が離間していること及び酸化防止層１５が前記半導体層に対向しない部分を有することが記載されている。
　同じく甲第３号証（特開昭６０−１８９９８３号公報）には、その第３図において、活性層３３に隣接するバリア層３２とクラッド層３１との間にクラッド層よりも屈折率の大きな井戸層３４を複数形成する構造が記載されている。
　同じく甲第４号証（特開昭６０−２２９３８９号公報）には、その第３図において、活性層１３近傍にクラッド層４２より屈折率の大きいごく薄い層１５、４１を複数層形成する構造が記載されている。
　（２．３）対比及び判断
　本件特許発明は、「クラツド層より屈折率または光吸収の大きく且つ該活性層より屈折率の小さい第１の半導体層を有し」ている点に特徴を有するが、上記甲第１号証〜甲第４号証刊行物には、活性層と同じかあるいはそれより大きな屈折率の半導体層を有するレーザは記載されているが、活性層の屈折率より小さな屈折率の半導体層を有するものは記載されておらず、示唆もされていない。
　したがって、本件特許発明は、上記甲第１号証〜甲第４号証刊行物に基いて当業者が容易になし得たことと認めることはできない。
　よって、本件特許発明は、特許出願の際独立して特許を受けることができない発明であるとすることはできない。
　（この項のむすび）
　以上のとおりであるので、上記訂正請求は、平成６年改正前の特許法第１２６条第１項ないし３項の規定に適合するので、これを認める。
３．特許異議の申立てについての判断
　特許異議申立人シャープ株式会社は、上記甲第１号証〜上記甲第４号証を提出し、本件発明は、上記甲第１号証〜上記甲第４号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明することができたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、特許を取り消すべきであると主張している。
　しかしながら、上記２．（２．３）において述べた理由により、本件特許は取り消すことはできない。
　なお、異議申立人は、平成１０年６月１日付回答書において、訂正により付加された「活性層より屈折率の小さい」という構成には、格別の効果はなく無意味な限定に過ぎないと主張するが、平成１０年５月２９日付の特許権者の回答書に記載されているように（第２頁〜第７頁における（１）−２．及び（１）−３．の項）、上記構成を有することにより、縦基本モードのスペクトルを分離させ、レーザ光の発振波長を分離されたスペクトル間で行き来させることができるという効果を奏するものであるから、上記主張は採用できない。
４．むすび
　以上のとおりであるので、本件特許は、特許異議申立人の提出した証拠及び理由によっては、取り消すことができない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１１年６月１６日（１９９９．６．１６）
【訂正の要旨】
　　　　　　　　　　　　訂正の要旨
（１）訂正事項ａ
　特許第２，５６９，０３６号の明細書における特許請求の範囲第１項において、特許請求の範囲の減縮を目的にして「上記活性層からの光が到達し且つ」を「上記活性層からの光が到達して複数のモードが導波される領域であり且つ」とし、［該クラッド層より屈折率又は光吸収の大きい第１の半導体層を有し、」を「該クラッド層より屈折率又は光吸収の大きく且つ該活性層より屈折率の小さい第１の半導体層を有し、」と訂正する。また、誤記の訂正を目的として「該活性層との間に」を「該活性層との間」と訂正する。
（２）訂正事項ｂ
　同明細書第１１頁第６行〜第７行、及び同頁第１６行〜第１７行目における［Ｇａ０．７Ａｌ０．３Ａｓ　（膜厚：５００〜１０００Å）１５」を、明瞭でない記載の釈明を目的として「Ｇａ０．７Ａｌ０．３Ａｓ　（膜厚：５００〜１０００Å）７」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
半導体レーザ装置
（５７）【特許請求の範囲】
　１．活性層と、該活性層を挟むように設けられ且つ活性層よりも屈折率の小さなクラッド層と、該活性層に該クラッド層を介して電流を供給する手段とを含み、上記クラッド層の少なくとも一方は、該クラッド層中の上記活性層からの光が到達し
て複数のモードが導波される領域であり
く且つ該活性層より屈折率の小さ
該活
　
２
　
３
　
４
　
５
　
６
【発明の詳細な説明】
　〔発明の利用分野〕
　本発明は、戻り光雑音の少ない自励発振レーザが再現性良く得られる半導体レーザの構造に係る。
　〔従来の技術〕
　従来の半導体レーザは、第１１図に示すごとく半導体レーザの活性層から数百ｎｍの位置にレーザ光に対し吸収を持つ領域を設け、レーザストライプの内外に実行屈折率の差を設けレーザ光を導波するものであった。ところがこのような構造のレーザの場合、発振モードが単一のモードになりやすく、光学システムから戻り光があったばあい戻り光雑音が発生することが問題であった。
　〔発明が解決しようとする問題点〕
　本発明の目的は、上記問題を解決するため、最も戻り光雑音に強いとされる自励発振する半導体レーザを容易に得られる半導体レーザの構造を与えることにある。
　〔問題点を解決するための手段〕
　自励発振レーザを容易に得るために本発明では半導体レーザのクラッド層中（表面も含む）にクラッド層よりも屈折率の大きな層を設けるか、あるいは光吸収の大きい層を設けることにより、レーザの発振状態がスペクトルの近接した複数のモードを取りうるようにして達成される。この層を以下のモード分離層と称する。
　モード分離層が複数層で構成されてもよく、その場合多層の膜厚は３０〜１０００Åにおいて本発明が実施できた。また、その他の半導体層は単層でも多重超格子層でもよい。
　〔作用〕
　本発明によれば、二つのレーザスペクトル間のモードの振動により自励発振が起りやすくなり、戻り光雑音に強い半導体レーザが容易に得られる。
　〔実施例〕
　以下図に従い本発明の実施例を説明する。
　　実施例１
　第１図の本発明第１の実施例による半導体レーザの断面構造の模式図を示す。この構造は、ｎ−ＧａＡｓ基板１上に周知の有機金属化学蒸着（ＭＯＣＶＤ）法によりｎ−Ｇａ０．５Ａｌ０．５Ａｓクラッド層２，アンドープＧａ０．８６Ａｌ０．１４Ａｓ活性層３，ｐ−Ｇａ０．５Ａ１０．５Ａｓクラッド層４，ｐ−Ｇａ０．８Ａｌ０．２Ａｓモード分離層（ドープ量：５×１０１７ｃｍ−３、膜厚：２００〜８００Å）８，ｐ−Ｇａ０．５Ａｌ０．５Ａｓ選択エッチング層６，ｐ−ＧａＡｓキャップ層１０を順次結晶成長した後、通常のフォトリソグラフ技術を用いてＳｉ０２マスクを設けリン酸系のエッチング液を用いて、ストライプ外部のｐ型選択エッチング層を０．１〜０．３μｍ残してエッチングし、さらに、６０℃に加熱した１３モル％の塩酸水溶液により残りの選択エッチング層を取り除いた。この塩酸はｐ−Ｇａ０．５Ａ１０．５Ａｓ選択エッチング層のみをエッチングしｐ−Ｇａ０．８Ａ１０．２Ａｓモード分離層をエッチングしないため、正確にモード分離層の表面でエッチングを停止することができる。このようにして作製した構造を、表面状態向上のためのシャローエッチを行った後再び〜ＭＯＣＶＤ法によりｎ−ＧａＡｓ１１により埋込んだ。このとき、良好な横基本モード発振を得るためには、活性層とＧａＡｓ埋込層の距離を０．１〜０．５μｍとすることが必要である。Ｓｉ０２膜の上に結晶成長がおこらないＭＯＣＶＤ法の特性のためＳｉＯ２膜は露出したままとなり、埋込成長後にフッ酸系のエッチング液により取除くことが出来た。この構造にｐ電極としてＣｒ／Ａｕ１２をｎ電極としてＡｕＧｅＮｉ／Ｃｒ／Ａｕ１３を蒸着し３００μｍ角にへきかいしてレーザチップとした。第２図に計算器解析により求めた本構造ストライプ領域におけるレーザ光の電界分布を示す。図のように、この構造の場合モード分離層における電界の位相が活性層と同一のモードと逆位相のモードが近接したスペクトルで存在する。このため、両モードのスペクトル間をモードが行き来することにより自励発振が起る。
　なお、上記のモード分離層以外の各層の、膜厚等の仕様は周知のものである。
本実施例では、モード分離層はクラッド層の表面に形成したが、クラッド層の中に形成しても同様の結果を得た。
　　実施例２
　第３図を用いて説明する。実施例１の構造においてモード分離層を単一のＧａＡｌＡｓ層とする変わりに薄いＧａＡｓ（膜厚：３０〜２００Å）１４とＧａ０．７Ａｌ０．３Ａｓ（膜
厚：５００〜１０００Å）１５の二層構造とした素子の試作を行った。このような素子の場合ＧａＡｓ１４層がレーザ光を吸収するが、薄膜であるため光強度が強くなるとＧａＡｓ層の吸収が飽和する現象が起き、レーザの発振状態に対応して複数の基本モードが存在する。このため、これらのモード間を発振状態が行き来することにより自励発振が発生する。
　なお、上記ＧａＡｓ層１４は膜厚３０〜２００ÅのＧａＡｓ層と膜厚３０〜２００ÅのＧａ０．５Ａｌ０．５Ａｓ層の各２０層を交互に積層した多重量子井戸層としても同様の結果が得られた。
　　実施例３
　第４図を用いて説明する。ｎ−ＧａＡｓ基板１上にＭＯＣＶＤ法によりｎ−Ｇａ０．５Ａｌ０．５Ａｓクラッド層２，Ｇａ０．８６Ａ１０．１４ＡＳ活性層３，ｐ−Ｇａ０．５Ａｌ０．５Ａｓクラッド層４，ｎ−ＧａＡｓ光吸収層１６を成長した後、通常のホトリソグラフ技術を用いてストライプ状のＳｉＣ］９パターンを形成しリアクティブイオンエッチによりｎ−ＧａＡｓ光吸収層１６を選択的に除去し、ｐ−ＧａＡｓ層（ドープ量：５×１０１７ｃｍ−３，膜厚：３０〜１０Å）１７，ｐ−Ｇａ０．５Ａｌ０．５Ａｓ層１８，ｐ−ＧａＡｓキャップ層１０の３層よりなる埋込成長を行った構造の素子を試作した。本構造の効果は実施例２の構造とほぼ同様であるが、本構造の場合は通常の自己整合型半導体レーザで問題であった成長界面の不良を低減させる効果もある。
　なお、上記ｐ−ＧａＡｓ層１７は、膜厚３０〜２００ÅのＧａＡｓ層と、膜厚３０〜２００ÅのＧａ０．５Ａｌ０．５Ａｓ層の各１５層を交互に積層した多重量子井戸超格子層を用いても同様の結果を得た。また層数は２〜１００間で同様であった。
　　実施例４
　第５図を用いて説明する。ｎ−ＧａＡｓ基板１上に〜ＭＯＣＶＤ法によりｎ−Ｇａ０．５Ａｌ０．５Ａｓクラッド層２，Ｇａ０．８６Ａｌ０．１４ＡＳ活性層３，ｐ−Ｇａ０．５Ａｌ０．５Ａｓクラッド層４，ＧａＡｓ薄膜層（膜厚３０〜１００Å）１９，Ｇａ０．５Ａｌ０．５Ａｓ層（膜厚：５００〜１０００Å）２０，ｎ−ＧａＡｓ光吸収層１６を成長した後、通常ホトリソグラフ技術を用いてストライプ状のＳｉＯ２パターンを形成しリアクティブイオンエッチによりｎ−ＧａＡｓ光吸収層１６を選択的に除去し、さらにリアクティブイオンビームエッチによりＧａ０．５Ａｌ０．５Ａｓ層（膜厚：５００〜１０００Å）２０，ｎ−ＧａＡｓ薄膜層（膜厚：３０〜１００Å）１９を取り除き、ｐ−Ｇａ０．５Ａｌ０．５Ａｓ層１８，ｐ−ＧａＡｓキャップ層１０の３層よりなる埋込成長を行った第５図のような構造を試作した。この構造においてリアクティブイオンエッチによるｎ−ＧａＡｓ光吸収層１６のエッチングをオーバエッチとすればｎ−ＧａＡｓ光吸収層１６のサイドエッチが起り第５図のようにストライブ領域にＧａＡｓ薄膜層（膜厚：３０〜１００Å）１９が張り出した構造となる。その結果、ストライプの中心部分は通常の屈折率を持つがストライプの周辺部分は過飽和吸収領域となるため一層自励発振が起こりやすくなる。
　　実施例５
　第６図に本発明第５の実施例による半導体レーザの断面構造の模式図を示す。
この構造は、ｎ−ＧａＡｓ基板１上にＭＯＣＶＤ法によりｎ−Ｇａ０．５Ａｌ０．５Ａｓクラッド層２，ＧａＡｓ薄膜層（膜厚３０〜２００Å）１４，ｎ−Ｇａ０．５Ａｌ０．５Ａｓクラッド層２，アンドープＧａ０．８６Ａｌ０．１４Ａｓ活性層３，ｐ−Ｇａ０．５Ａｌ０．５Ａｓクラッド層４，ｐ−Ｇａ０．８Ａｌ０．２Ａｓエッチング停止層（ドープ量：５×１０１７ｃｍ−３，膜厚：１０００Å）５，ｐ−Ｇａ０．５Ａｌ０．５Ａｓ選択エッチング層６，ｐ−ＧａＡｓキャップ層１０を順次結晶成長した後、実施例１と同様の工程を経てレーザチップを形成したものである。本発明の効果は実施例２〜４と同様であるが本実施例の場合ＧａＡｓ薄膜層（膜厚：３０〜２００Å）１４層の位置の選択範囲がより広くなり設計が容易になるとともに、ストライプ外部における電界分布の縮みがｎクラッド層側には少ないため、より強力な過飽和吸収層を得ることができる。
　　実施例６
　第７図を用いて説明する。ｎ−ＧａＡｓ基板１上に〜ＭＯＣＶＤ法によりｎ−Ｇａ０．５Ａｌ０．５Ａｓクラッド層２，Ｇａ０．８６Ａｌ０．１４ＡＳ活性層３，ｐ−Ｇａ０．５Ａｌ０．５Ａｓクラッド層４，ＧａＡｓ薄膜層（膜厚３０〜１００Å）１９，Ｇａ０．５Ａｌ０．５Ａｓ層（膜厚：５００〜１０００Å）２０，ｎ−ＧａＡｓ光吸収層１６を成長した後、通常のホトリソグラフ技術を用いてストライプ状のＳｉＯ２パターンを形成しリアクティブイオンエッチによりｎ−ＧａＡｓ光吸収層１６を選択的に除去し、さらに化学エッチによりＧａ０．５Ａｌ０．５Ａｓ層（膜厚：５００〜１０００Å）２０，ＧａＡｓ薄膜層（膜厚：３０〜１００Å）１９を取り除き、ｐ一Ｇａ０．５ＡＩ０．５ＡＳ層１８，ｐ−ＧａＡｓキャップ層１０の３層よりなる埋込成長を行った構造を試作した。ＧａＡｓ薄膜層（膜厚：３０〜１００Å）１９は光吸収のある層であるが、薄膜であるため光の分布にはあまり影響せず、ストライプ外部に染みだした光に対し強い吸収を持つ。ストライプ内外の利得差が大きい場合、ストライプ領域の屈折率変動によりレーザのスポットサイズが大きく変わる状態が発生するため、スポットサイズ変動に伴う事例発振が発生した。
　　実施例７
　本発明第７の実施例として、ｎ一ＧａＡｓ基板１上に〜ＭＯＣＶＤ法によりｎ−Ｇａ０．５Ａｌ０．５クラッド層２，Ｇａ０．８６Ａｌ０．１４Ａｓ活性層３，ｐ−Ｇａ０．５Ａｌ０．５Ａｓクラッド層４，Ｇａ０．７Ａｌ０．３Ａｓ（膜厚：５００〜１０００Å）
７
７
　　実施例８
　第９図を用いで説明する。実施例８として、ｎ−ＧａＡｓ基板１上に〜１０ＣＸｌＤ法によりｎ−Ｇａ０．５Ａｌ０．５Ａｓクラッド層２，Ｇａ０．８６Ａｌ０．１４Ａｓ活性層３，ｐ−Ｇａ０．５Ａｌ０．５Ａｓクラッド層４，ｎ−ＧａＡｓ光吸収層１６を成長した後、通常のホトリソグラフ技術を用いてストライプ状のＳｉ０２パターンを形成しリアクティブイオンエッチによりｎ−ＧａＡｓ光吸収層１６を選択的に除去し、ホトリソグラフ技術を適応しストライプに交差するレジストマスクを形成しｐ−Ｇａ０．５Ａｌ０．５Ａｓクラツド層４を部分的にエッチングしｐ−ＧａＡｓ層（ドープ量：５×１０１７ｃｍ−３，膜厚：３０〜１００Å）１７，ｐ−Ｇａ０．５Ａｌ０．５Ａｓ層１８，ｐ−ＧａＡｓキャップ層１０の３層よるなる埋込成長を行った構造を試作した。本構造によれば実施例　の構造と実施例７の構造の効果を合わせもち発振モードが多モード化するとともに、自励発振が起りやすく通常の自己整合型半導体レーザで問題であった成長界面の不良を低減させる効果もある。
　　実施例９
　第１０図を用いて説明する。実施例９として、実施例１の構造においてモード分離層を単一のＧａＡｌＡｓ層とする変わりに薄いＧａＡｓ（膜厚：３０〜２００Å）１４とＧａ０．７Ａｌ０．３Ａｓ（膜厚：５００〜１０００Å）１５の二層構造としてホトリソグラフ技術を適応しストライプに交差するレジストマスクを形成し薄いＧａＡｓ（膜厚：３０〜２００Ａ）１４とＧａ０．７Ａｌ０．３Ａｓ（膜厚：５００〜１０００Å）１５の二層を部分的にエッチングした素子の試作を行った。このような素子の場合のＧａＡｓ１４層がレーザ光を吸収するが、薄膜であるため光強度が強くなるとＧａＡｓ層が吸収が飽和する現象が起き、レーザの発振状態に対応して複数の基本モードが存在する。このため、これらのモード間を発振状態が行き来することにより自励発振が発生する。しかも、このような過飽和吸収を持つ領域と、通常の導波路領域がストライプ内に分布するため、高出力で低雑音な半導体レーザが容易に形成できた。
　〔発明の効果〕
　本発明により、戻り光の影響の少ない半導体レーザを再現性よく得られる効果がある。
【図面の簡単な説明】
　第１図は実施例１の半導体レーザの断面構造、第２図は実施例１の構造における光導波モ一ドの計算結果、第３図は実施例２の半導体レーザの断面構造、第４図は実施例３の半導体レーザの断面構造、第５図は実施例４の半導体レーザの断面構造、第６図は実施例５の半導体レーザの断面構造、第７図は実施例６の半導体レーザの断面構造、第８図は実施例７の半導体レーザの断面構造、第９図は実施例８の半導体レーザの断面構造、第１０図は実施例９の半導体レーザの断面構造、第１１図は従来の半導体レーザの断面構造をそれぞれ示す。
１…ｎ−ＧａＡｓ基板、２…ｎ−Ｇａ０．５Ａｌ０．５Ａｓクラッド層、３…Ｇａ０．８６Ａｌ０．１４ＡＳ活性層、…ｐ−Ｇａ０．５Ａ１０．５クラッド層、５…ｐ−Ｇａ０．７Ａｌ０．３Ａｓエッチング停止層、６…ｐ−Ｇａ０．５Ａｌ０．５Ａｓ選択エッチング層、７…ｐ−Ｇａ０．７Ａｌ０．３Ａｓ層、８…ｐ−Ｇａ０．８Ａｌ０．２Ａｓモード分離層、９…ｐ−ＧａＡｓ亜鉛拡散層、１０…ｐ−ＧａＡｓキャップ層、１１…ｎ−ＧａＡｓ、１２…Ｃｒ／Ａｕ１、１３…ＡｕＧｅＮｉ／Ｃｒ／Ａｕ１１、４…薄いＧａＡｓ（膜厚３０〜２００Å）、１５…Ｇａ０．７ＡＴ０．３Ａｓ（膜厚：５００〜１０００Å）、１６…ｎ−ＧａＡｓ光吸収層、１７…ｐ−ＧａＡｓ層（ドープ量：５×１０１７ｃｍ−３，膜厚：３０〜１００Å）、１８…ｐ−Ｇａ０．５Ａｌ０．５Ａｓ層、１９…ＧａＡｓ薄膜層（膜厚３０〜１００Å）、２０…Ｇａ０．５Ａｌ０．５Ａｓ層（膜厚：５０〜１０００Å）。