【事件の表示】
　特許第６３９５９２４号発明「多結晶シリコンの製造方法」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第６３９５９２４号の特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１〜３〕について訂正することを認める。
　特許第６３９５９２４号の請求項１〜３に係る特許を維持する。
【理　由】
第１　手続の経緯
　特許第６３９５９２４号（以下、「本件特許」という。）の請求項１〜３に係る特許についての出願は、２０１５年（平成２７年）８月１０日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２０１４年８月１８日（ＤＥ）ドイツ連邦共和国）を国際出願日とする出願であって、平成３０年９月７日にその特許権の設定登録がされ、平成３０年９月２６日に特許掲載公報が発行され、その後、請求項１〜３に係る特許に対して、平成３１年３月１２日付けで特許異議申立人中川賢治（以下、「特許異議申立人」という。）により特許異議の申立てがされ、令和１年６月１３日付けで取消理由が通知され、その指定期間内である令和１年９月１１日付けで意見書の提出及び訂正の請求（以下、「本件訂正請求」という。）がされ、特許異議申立人から令和１年９月１８日付け上申書及び令和１年１０月１７日付け意見書の提出がされたものである。
第２　訂正の適否についての判断
１　訂正の内容
　本件訂正請求による訂正の内容は、以下のとおりである。（なお、訂正箇所に下線を付した。）
（訂正事項１）
　特許請求の範囲の請求項１における「前記反応炉から前記多結晶シリコンロッドの取り出し後、かつ新しい支持体を前記反応炉に設置する前に、前記反応炉の前記底板を洗浄し、毎回のロッドの取り出し後に、前記底板を吸引除去し、及びその後に液体又は固体含有洗浄媒体で洗浄する」との記載を「前記反応炉から前記多結晶シリコンロッドの取り出し後、かつ新しい支持体を前記反応炉に設置する前に、
毎回、
吸引除去
、そ
２　訂正要件の判断
（１）訂正事項１について
　訂正事項１は、訂正前の請求項１に記載された「前記反応炉から前記多結晶シリコンロッドの取り出し後、かつ新しい支持体を前記反応炉に設置する前に、前記反応炉の前記底板を洗浄し、毎回のロッドの取り出し後に、前記底板を吸引除去し、及びその後に液体又は固体含有洗浄媒体で洗浄する」との特定事項において、「前記反応炉の前記底板を洗浄」することと、「前記底板を吸引除去し、及びその後に液体又は固体含有洗浄媒体で洗浄する」ことの関係を明確にするものであるから、明瞭でない記載の釈明を目的とするものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　そして、願書に添付した明細書の段落【００２３】〜【００２５】の「底板の洗浄は、１種の気体洗浄媒体及び１種の液体洗浄媒体で実施する場合が好ましい。・・・さらに好ましいプロセスの型は、１種の固体含有洗浄媒体及び１種の気体洗浄媒体の使用を含んでなる。」との記載、及び、段落【００３５】の「さらに好ましい実施形態としては、毎回のロッドの取り出し手順後に気体洗浄媒体を用いて底板の洗浄を実施することを含んでなる。最も単純な場合は、底板を吸引除去することを含んでなる。加えて、気体洗浄媒体を用いた洗浄は、その後に液体、又は固体若しくは固体含有洗浄媒体で底板の洗浄を追って行う。」との記載からみて、「底板を吸引除去し」、「その後に液体又は固体含有洗浄媒体で洗浄する」ことが、「底板を洗浄」することの実施形態であるは明らかであるから、訂正事項１は、願書に添付した明細書又は特許請求の範囲に記載された事項の範囲内においてなされたものである。
（２）一群の請求項、独立特許要件について
　訂正前の請求項２及び３は、訂正前の請求項１を引用するものであるから、訂正前の請求項１〜３は、一群の請求項である。
　したがって、本件訂正請求による訂正は、この一群の請求項１〜３について請求されたものである。
　また、本件訂正請求においては、請求項１〜３に係る特許に対して特許異議の申立てがされているので、特許法第１２０条の５第９項において準用する同法第１２６条第７項の規定は適用されない。
（３）特許異議申立人の意見について
　ア　特許異議申立人は、訂正前の請求項１に記載された「前記反応炉から前記多結晶シリコンロッドの取り出し後、かつ新しい支持体を前記反応炉に設置する前に、前記反応炉の前記底板を洗浄し、毎回のロッドの取り出し後に、前記底板を吸引除去し、及びその後に液体又は固体含有洗浄媒体で洗浄する」との特定事項を、時系列に、
　反応炉から多結晶シリコンロッドの取り出し後、かつ新しい支持体を反応炉に設置する前に、
　（ア）反応炉の底板を何らかの方法で洗浄する。
　（イ）そして、製造された多結晶シリコンロッドを反応炉から取り出す。
　（ウ）底板自体を吸引して除去する（取り出す）。
　（エ）取り出した底板を液体又は固体含有洗浄媒体で洗浄する。
と解釈した上で、上記（ア）に対応する「底板を洗浄」という特定事項を削除することは、特許請求の範囲を拡張又は変更するものである旨を主張している（令和１年１０月１７日付け意見書第２頁第１５行〜第３頁第６行、令和１年９月１８日付け上申書第３頁第８〜２５行）。
　しかしながら、上記（１）で検討したように、願書に添付された明細書の段落【００２３】〜【００２５】及び【００３５】の記載からみて、上記特定事項は、「底板を洗浄」することの具体的な態様として、「前記底板を吸引除去し、及びその後に液体又は固体含有洗浄媒体で洗浄する」ことを特定していることは明らかであるから、当該特定事項を特許異議申立人が主張するように解釈することはできない。
　よって、特許異議申立人の上記主張は採用できない。
　イ　特許異議申立人は、訂正前の請求項１に記載された「毎回のロッドの取り出し後」という特定事項において、「ロッドの取り出し後」という事項を削除して、単に「毎回」とする訂正は、「ロッドの取り出し後」以外の事項の「毎回」を含むため、特許請求の範囲を拡張又は変更するものである旨を主張している（令和１年１０月１７日付け意見書第３頁第７〜１６行）。
　しかしながら、訂正後の請求項１には、「前記反応炉から前記多結晶シリコンロッドの取り出し後、かつ新しい支持体を前記反応炉に設置する前に、毎回」と記載され、「毎回」が、反応炉から前記多結晶シリコンロッドの取り出し後の毎回を示し、「ロッドの取り出し後」以外の事項の「毎回」を含まないことは明らかである。
　よって、特許異議申立人の上記主張も採用できない。
３　むすび
　以上のとおりであるから、本件訂正請求による訂正は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第３号に掲げる事項を目的とするものであり、かつ、同条第４項、及び、同条第９項において準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合するので、訂正後の請求項〔１〜３〕について訂正することを認める。
第３　特許異議の申立てについて
１　本件発明
　本件訂正請求により訂正された請求項１〜３に係る発明（以下、「本件発明１」〜「本件発明３」という。）は、訂正特許請求の範囲の請求項１〜３に記載された事項により特定される次のとおりのものであると認める。
「【請求項１】
　直接通電で加熱された支持体上に多結晶シリコンを堆積し、多結晶シリコンロッドを与え、前記支持体を反応炉の底板上で保持し、かつ電極によって電流を供給し、前記多結晶シリコンロッドが所要の最終径に達した際に、多結晶シリコンの前記堆積を終了し、その後、前記多結晶シリコンロッドを前記反応炉から取り出し、多結晶シリコンロッドをさらに与える新たな支持体を前記反応炉に設置し、前記反応炉から前記多結晶シリコンロッドの取り出し後、かつ新しい支持体を前記反応炉に設置する前に、毎回、前記反応炉の前記底板を吸引除去し、その後に液体又は固体含有洗浄媒体で洗浄する、多結晶シリコンの製造方法。
　【請求項２】
　前記底板の洗浄が、液体洗浄媒体を用いる洗浄工程を含んでなり、この洗浄工程後に前記底板を乾燥する、請求項１に記載の方法。
　【請求項３】
　前記底板の洗浄前に、気体及び水を通さないように底板の隙間を密閉する、請求項１又は２に記載の方法。」
２　取消理由の概要
　令和１年６月１３日付けで通知した取消理由は、
「請求項１に記載された『前記反応炉から前記多結晶シリコンロッドの取り出し後、かつ新しい支持体を前記反応炉に設置する前に、前記反応炉の前記底板を洗浄し、毎回のロッドの取り出し後に、前記底板を吸引除去し、及びその後に液体又は固体含有洗浄媒体で洗浄する』との特定事項において、『前記反応炉の前記底板を洗浄』することと、『前記底板を吸引除去し、及びその後に液体又は固体含有洗浄媒体で洗浄する』ことの関係が明確でない。
　よって、請求項１に係る発明及びこれを引用する請求項２〜３に係る発明は明確でないから、請求項１〜３に係る特許は、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしてない特許出願に対してされたものである。」
というものである。
３　取消理由の検討
（１）当審の判断
　本件発明１では、底板の洗浄に関して、「前記反応炉から前記多結晶シリコンロッドの取り出し後、かつ新しい支持体を前記反応炉に設置する前に、毎回、前記反応炉の前記底板を吸引除去し、その後に液体又は固体含有洗浄媒体で洗浄する」との特定事項に訂正され、「前記反応炉から前記多結晶シリコンロッドの取り出し後、かつ新しい支持体を前記反応炉に設置する前」の反応炉の底板の洗浄が、「底板を吸引除去し、及びその後に液体又は固体含有洗浄媒体で洗浄する」ことであることが明確になった。
　したがって、本件発明１及びこれを引用する本件発明２及び３は明確である。
　よって、取消理由に理由はない。
（２）特許異議申立人の意見について
　特許異議申立人は、訂正前の請求項１に記載された「前記反応炉の前記底板を洗浄」することと、「前記底板を吸引除去し、及びその後に液体又は固体含有洗浄媒体で洗浄する」ことの関係について何ら説明することなく、単に「前記反応炉の前記底板を洗浄」するという構成を削除するだけでは、取消理由は解消していない旨を主張している（令和１年１０月１７日付け意見書第３頁第２２行〜第４頁第７行）。
　しかしながら、特許権者は、訂正前の請求項１に記載された「前記反応炉の前記底板を洗浄」することが、「前記底板を吸引除去し、及びその後に液体又は固体含有洗浄媒体で洗浄する」ことであることを明確にするために、上記第２の１に示した訂正をした上で、「本願発明の多結晶シリコンの製造方法において、反応炉の底板の洗浄は２段階の工程があり、第１工程が『底板の吸引除去』、第２工程が『液体又は固体含有洗浄媒体での底板の洗浄』であることが明確となっている。」（令和１年９月１１日付け意見書第２頁第２１〜２３行）と説明しているから、特許異議申立人の上記主張は採用できない。
４　取消理由通知において採用しなかった申立理由の検討
（１）特許法第３６条第６項第１号及び第２号に関する申立理由
　特許異議申立人は、特許異議申立書において、訂正前の請求項１に記載された「毎回のロッドの取り出し後に、前記底板を吸引除去し」との特定事項に関して、当該特定事項は、底板そのものを吸引力によって取り去る、という意味であるため、このような特定事項を含む請求項１に係る発明は、発明の詳細な説明に記載した発明でないし、また、当該特定事項が、底板の洗浄を意味するのであれば、当該特定事項をそのように理解できないため、当該特定事項を含む請求項１に係る発明は明確でないから、訂正前の請求項１〜３に係る発明は、特許法第３６条第６項第１号及び第２号に規定する要件を満たしてない特許出願に対してされたものである旨を主張している（特許異議申立書第１７頁第１〜２０行）。
　そこで検討するに、本件発明１の「底板を吸引除去」することは、本件特許明細書の段落【００３４】に「毎回の取り出し手順後に気体洗浄媒体を用いて底板の洗浄を実施することを含んでなる。最も単純な場合は、底板を吸引除去することを含んでなる（洗浄媒体は吸引除去される空気である）。」と記載されていることからして、気体洗浄媒体として空気を用いた洗浄であることは明らかであり、底板そのものを吸引力によって取り去ることを意味しているといえない。そして、気体洗浄媒体を用いた洗浄である「底板を吸引除去」することは、発明の詳細な説明に記載されている。
　したがって、本件発明１は明確であるし、発明の詳細な説明に記載された発明であるから、特許異議申立人の主張する申立理由に理由はない。
（２）特許法第２９条第２項に関する申立理由
　ア　特許異議申立人は、訂正前の請求項１〜３に係る発明は、下記の甲第１号証に記載された発明及び甲第２号証〜甲第４号証に記載された技術的事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１〜３に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである旨を主張している（特許異議申立書第５頁第１行〜第１６頁末行）。
（証拠方法）
　甲第１号証：特開２０１３−１８６７５号公報
　甲第２号証：特開２０１４−７３９１３号公報
　甲第３号証：特開平５−１８９７号公報
　甲第４号証：特開２０１０−２７５１８３号公報
　イ　甲号証に記載された発明及び技術的事項
　（ア）甲第１号証に記載された発明
　甲第１号証には、
「【０００２】
　半導体用単結晶シリコンあるいは太陽電池用シリコンの原料となる
多結晶シリコンの製造方法として、シーメンス法が知られている。シーメンス法は、クロロシランを含む原料ガスを加熱されたシリコン芯線に接触させることにより、該シリコン芯線の表面に多結晶シリコンをＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法を用いて気相成長させる方法である。
【０００３】
　
シーメンス法により多結晶シリコンを気相成長する際の反応炉は、
該鳥居型のシリコン芯線の両端を一対のカーボン製の芯線ホルダを介してベースプレート上に配置した一対の金属製の電極に固定する。
「【０００９】
　従って、
反応炉で複数回のバッチの繰り返しにより多結晶シリコンの製造を行う場合、反応バッチ間において付着微粒子を清掃除去することが必要である。
【００１０】
　付着微粒子を除去するには、ベルジャーについては、ベースプレートから取り外し、高圧水や炭酸ガスペレットなどを用いて洗浄される。一方、
ベースプレートは取り外しができないため、純水を用いた拭き取り清掃やブラシによる清掃、或いは、吸い込み式の掃除機による清掃を行うのが一般的である。
「【００２７】
　図１は、多結晶シリコン製造のための反応炉１００の構成の一例を示す概略断面図である。
反応炉１００は、シーメンス法によりシリコン芯線１１の表面に多結晶シリコンを気相成長させて多結晶シリコン棒１２を得るための装置であり、ベースプレート５とベルジャー１により構成される。
【００２８】
　
ベースプレート５には、シリコン芯線１１に電流を供給する金属電極１０と
が配置されている。
「【００３４】
　先ず、図２に例示した態様について説明すると、シリコン芯線１１が炭素製の芯線ホルダ１５に保持され、この芯線ホルダ１５が金属性の電極１０の頂部に保持されている。
電極１０はシリコン芯線１１に通電するための電極
ことが記載されている（下線は当審が付した。以下同様。）。
　これら記載を「多結晶シリコン棒の製造方法」に注目して整理すると、甲第１号証には、
「反応炉のベースプレートに配置された電極でシリコン芯線を固定し、かつ電極から電流を供給し、通電により加熱されたシリコン芯線の表面に多結晶シリコンを気相成長して、多結晶シリコン棒を製造する方法であって、
複数回のバッチの繰り返しにより多結晶シリコン棒の製造を行う際に、反応バッチ間において、純水を用いた拭き取り清掃、ブラシによる清掃、或いは、吸い込み式の掃除機による清掃によって、ベースプレートの付着微粒子を清掃除去する、多結晶シリコン棒の製造方法。」
の発明（以下、「甲１発明」という。）が記載されているといえる。
　（イ）甲第２号証に記載された技術的事項
　甲第２号証には、
「【請求項１】
　
シーメンス法による多結晶シリコンの製造に使用されるベルジャー型還元炉
炉底部の表面をドライアイスブラストにより洗浄処理する還元炉洗浄方法。
「【００３８】
　
多結晶シリコンの製造に使用するベルジャー炉の炉底部表面を前述した手法により洗浄した。
ドライアイスペレットの噴射量を０．３〜３ｋｇ／分の範囲内で様々に調整を行うことにより、
その条件で一定時間をかけて炉底部の表面全体を洗浄した。
ことが記載されている。
　これら記載からみて、甲第２号証には、
「シーメンス法による多結晶シリコンの製造に使用するベルジャー炉の炉底部表面をドライアイスブラストにより洗浄する。」
との技術的事項が記載されているといえる。
　（ウ）甲第３号証に記載された技術的事項
　甲第３号証には、
「【請求項１】　
天井面に埋込み、あるいは吊下げられ、ケーシング内に熱交換器及びファンが収納された空調機の熱交換器を洗浄する方法において、空調機のケーシング下面を覆うようにホッパーを取付け、このホッパーに設けられた排水口をホース及び排水回収タンクを介して洗浄ユニットに設けられた真空ポンプに接続し、この真空ポンプを動作させて洗浄前に熱交換器に付着している塵埃を吸引し、その後、
洗浄ノズルより洗浄液を噴霧する
空調機の熱交換器洗浄方法。
「【００１０】上記構成の洗浄装置による洗浄方法について以下に説明する。洗浄作業の手順は次の通りである。
（１）空調機の前面パネル、ドレンパン、ファン、モータ、制御基板等を取外し、ケーシング２２内の熱交換器２３が見える状態とする。
（２）
ケーシング２２の外周縁にそれを覆うようにホッパー６を
取付ける。
（３）
洗浄前の塵埃の回収を行う。それには、ホッパー６の排水口７に排水ホース８の一端を接続し、同ホース８の他端を排水回収タンク４を経て洗浄ユニット１の真空ポンプ２に接続する。そして、真空ポンプ２を動作させて排水ホース８の先端より空気を吸引し、ホッパー６内の荒ごみ、塵埃を吸い取る。
ホッパー６の排水口７の内側にフレキシブルチューブ（図示せず）を繋いで、このフレキシブルチューブを持って熱交換器２３に付着している塵埃等を吸い取れば、効率良く作業ができる。
【００１１】（４）
薬液による洗浄を行う。
薬液を圧送し洗浄ノズル１０から熱交換器２３へ噴霧し、薬液を浸透させる。
（５）
水洗いにより薬液を洗い落とす。
洗浄水を送水ポンプ３により圧送し、洗浄ノズル１０から熱交換器２３に噴射する。
ことが記載されている。
　これら記載からみて、甲第３号証には、
「天井面に埋込み、あるいは吊下げられ、ケーシング内に熱交換器及びファンが収納された空調機の熱交換器を洗浄するに際して、真空ポンプに接続したフレキシブルチューブによって、熱交換器に付着している塵埃等を吸い取り、その後、洗浄ノズルから熱交換器へ薬液及び洗浄水を噴霧して熱交換器を洗浄する。」
との技術的事項が記載されているといえる。
　（エ）甲第４号証に記載された技術的事項
　甲第４号証には、
「【００３１】
　
この多結晶シリコン反応炉１０を用いた反応処理および処理後の反応炉１０の清掃について説明する。
　図３および図４に示すように、反応処理の際には、炉底４０に開口する流路４４の開口部４４ａにプラグ５０が装着されている。そして、バルブ６０ａが閉鎖されるとともにバルブ６０ｂが開放されることにより、流路４４は原料ガス供給源６２からの原料ガスの供給流路として機能する。プラグ５０の連通孔５０ａおよび噴出ノズル１２から原料ガスが炉内に供給されると、通電により高温となったシリコン芯棒２０および連結部材２４の表面で、
多結晶シリコンが析出する。このとき、ベルジャ３０の内面および炉底４０の内面が冷却されているので、これらの内面上での多結晶シリコンの析出反応が抑制される反面、クロロシランポリマー等を含む反応副生成物Ａが炉内面に生じやすくなる。
・・・
【００３４】
　
反応処理が終了すると、
反応副生成物Ａに含まれるポリマーを不活性化する作業が行われる。
【００３５】
　
雰囲気置換および不活性化処理が終了し、ベルジャ３０が取り外されて多結晶シリコンが反応炉１０から取り出された後、
洗浄水が炉底４０上に供給されて溜められ、暫時放置される。これにより、炉底４０に付着したポリマーが、洗浄水により加水分解され、炉底４０から取り除かれやすい状態となる。そして、洗浄用具を用いて上面４０ａの付着物を剥離し、水とともに炉底４０上から取り除く。
ことが記載されている。
　これら記載からみて、甲第４号証には、
「多結晶シリコン反応炉の反応処理後の炉底の清掃について、多結晶シリコンの析出により炉底内面に付着した反応副生物を不活性化処理した後、炉底上に溜めた洗浄水で反応副生物を加水分解し、その後、洗浄用具を用いて剥離し、洗浄水とともに取り除く。」
との技術的事項が記載されているといえる。
　ウ　当審の判断
　本件発明１と甲１発明を対比すると、甲１発明の「多結晶シリコン棒」、「ベースプレート」、「清掃除去する」ことは、それぞれ、本件発明の「多結晶シリコンロッド」、「底板」、「洗浄する」ことに相当する。
　したがって、本件発明１と甲１発明は、多結晶シリコンロッドの製造方法で使用される反応炉の底板の洗浄に関して、本件発明１では、「前記反応炉の前記底板を吸引除去し、その後に液体又は固体含有洗浄媒体で洗浄する」のに対して、甲１発明では、「純水を用いた拭き取り清掃、ブラシによる清掃、或いは、吸い込み式の掃除機による清掃によって、ベースプレートの付着微粒子を清掃除去する」点で少なくとも相違している（以下、「相違点１」という。）。
　そこで、上記相違点１について検討すると、甲第２号証及び甲第４号証には、上記イ（イ）及び（エ）で認定したとおり、多結晶シリコンロッドの製造方法で使用される反応炉の底板の洗浄方法に関する技術的事項が記載されているものの、いずれも、１つの洗浄媒体での洗浄方法であって、「吸引除去し、その後に液体又は固体含有洗浄媒体で洗浄する」ことは記載も示唆もされていない。
　また、甲第３号証には、上記イ（ウ）で認定したとおり、塵埃等を吸引除去し、その後に液体洗浄媒体で洗浄する技術的事項が記載されているが、当該技術的事項は、空調機の熱交換器を対象とする洗浄方法に関するものであって、多結晶シリコンロッドの製造方法で使用される反応炉の底板の洗浄に適用できることは記載も示唆もされていない。そして、空調機の熱交換器の洗浄方法を、多結晶シリコンロッド製造用反応炉の洗浄に転用できるとの技術常識も存在しない。
　この点に関して、特許異議申立人は、甲第３号証の記載から、乾式で清掃した後に湿式で清掃する清掃順序が周知技術である旨を主張している（異議申立書第１５頁第１２〜１７行）が、先に検討したとおり、甲第３号証に記載された洗浄方法は、空調機の熱交換器を対象としたものであって、洗浄対象物を限定しない一般的な洗浄方法を示したものであるといえないから、特許異議申立人の主張は採用できない。
　したがって、その他の点を検討するまでもなく、本件発明１は、甲第１号証に記載された発明及び甲第２号証〜甲第４号証に記載された技術的事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものでない。
　また、本件発明２及び３は、本件発明１を引用するものであって、少なくとも上記相違点１が存在するから、本件発明２及び３も、甲第１号証に記載された発明及び甲第２号証〜甲第４号証に記載された技術的事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものでない。
　よって、特許異議申立人の主張する申立理由に理由はない。
５　むすび
　以上のとおりであるから、取消理由通知書に記載した取消理由、及び、特許異議申立書に記載された申立理由によっては、本件請求項１〜３に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件請求項１〜３に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
令和１年１１月６日（２０１９．１１．６）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】
　直接通電で加熱された支持体上に多結晶シリコンを堆積し、多結晶シリコンロッドを与え、前記支持体を反応炉の底板上で保持し、かつ電極によって電流を供給し、前記多結晶シリコンロッドが所要の最終径に達した際に、多結晶シリコンの前記堆積を終了し、その後、前記多結晶シリコンロッドを前記反応炉から取り出し、多結晶シリコンロッドをさらに与える新たな支持体を前記反応炉に設置し、前記反応炉から前記多結晶シリコンロッドの取り出し後、かつ新しい支持体を前記反応炉に設置する前に、
毎回、
吸引除去
、そ
　【請求項２】
　前記底板の洗浄が、液体洗浄媒体を用いる洗浄工程を含んでなり、この洗浄工程後に前記底板を乾燥する、請求項１に記載の方法。
　【請求項３】
　前記底板の洗浄前に、気体及び水を通さないように底板の隙間を密閉する、請求項１又は２に記載の方法。