【事件の表示】
　特許第２７７４７９１号「電子デバイス」の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結論】
　訂正を認める。
　特許第２７７４７９１号の特許を維持する。
【理由】
１．手続の経緯
　本件特許第２７７４７９１号の特許請求の範囲第１項〜第６項に記載された発明（以下、「本件発明」という。）は、昭和６２年７月３日に特許出願された特願昭６２−１９１６５２号を平成８年６月３日に分割して特許出願され、平成１０年４月２４日に設定登録され、その後、特許異議の申立がなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１１年５月１４日に訂正請求がなされ、訂正拒絶理由通知がなされ、その指定期間内である平成１１年９月１７日に訂正請求の補正がなされたものである。
２．訂正の適否について
　ア．訂正請求に対する補正の適否について
　（１）訂正請求の補正の内容
　▲１▼全文訂正明細書中の特許請求の範囲を「レジストを用いた一括のエッチングにより所望パターンに形成されて」を特許請求の範囲の減縮を目的として「レジストを用いたエッチングにより前記第２保護膜をその下層側の金属薄膜及び第１保護膜とともに除去してソース電極、ドレイン電極及びシグナル配線の各所望パターンに形成されて」と補正する。
　▲２▼訂正請求書の訂正事項ａ．全体を、「特許請求の範囲の請求項１の「レジストを用いたエッチングにより所望パターンに形成されて」を「レジストを用いたエッチングにより前記第２保護膜をその下層側の金属薄膜及び第１保護膜とともに除去してソース電極、ドレイン電極及びシグナル配線の各所望パターンに形成されて」と限定するものである。当該「レジストを用いたエッチングにより前記第２保護膜をその下層側の金属薄膜及び第１保護膜とともに除去してソース電極、ドレイン電極及びシグナル配線の各所望パターンに形成されて」と補正する。
　▲３▼訂正請求書の請求の原因「「レジストを用いたエッチング」を「レジストを用いた一括のエッチング」と限定するものである。当該「レジストを用いた一括のエッチング」は」を「「レジストを用いたエッチングにより所望のパターンに形成されて」を「レジストを用いたエッチングにより前記第２保護膜をその下層側の金属薄膜及び第１保護膜とともに除去してソース電極、ドレイン電極及びシグナル配線の各所望パターンに形成されて」と限定するものである。当該「レジストを用いたエッチングにより前記第２保護膜をその下層側の金属薄膜及び第１保護膜とともに除去してソース電極、ドレイン電極及びシグナル配線の各所望パターンに形成されて」は」と補正する。
　▲４▼訂正請求書の請求の原因「「レジストを用いた一括のエッチング」の記載がなく」を「「レジストを用いたエッチングにより前記第２保護膜をその下層側の金属薄膜及び第１保護膜とともに除去してソース電極、ドレイン電極及びシグナル配線の各所望パターンに形成されて」の記載がなく」と補正する。
　（２）当審の判断
　訂正請求に対する上記補正は、請求の趣旨を変更するものでなく、特許法第１２０条の４第３項において準用する同法第１３１条第２項の規定に適合する。
　イ．訂正の内容
　特許請求の範囲の請求項１の「レジストを用いたエッチングにより所望パターンに形成されて」を「レジストを用いたエッチングにより前記第２保護膜をその下層側の金属薄膜及び第１保護膜とともに除去してソース電極、ドレイン電極及びシグナル配線の各所望パターンに形成されて」と訂正する。
　イ．訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　上記訂正は、特許請求の範囲の減縮に該当し、新規事項の追加に該当せず、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
　ウ．独立特許要件の判断
　（訂正発明）
　訂正明細書の特許請求の範囲第１項〜第６項に記載された発明（以下、「訂正発明」という。）は、その特許請求の範囲第１項により特定される次のとおりのものである。
「【請求項１】　基体上に配置された透明電極と、この透明電極上に着膜される第１保護膜、この第１保護膜上に着膜される金属薄膜及びこの金属薄膜上に着膜される第２保護膜がレジストを用いたエッチングにより前記第２保護膜をその下層側の金属薄膜及び第１保護膜とともに除去してソース電極、ドレイン電極及びシグナル配線の各所望パターンに形成されて前記透明電極と接続された配線とを含む電子デバイスであって、
　前記第１及び第２保護膜は、前記金属薄膜よりも耐アルカリ性を有することを特徴とする電子デバイス。」
　（引用刊行物）
　当審の取消理由通知で引用した甲第２号証（特開昭６０−１２７７０号公報、以下「刊行物１」という。）には、その１頁右下欄１４行〜１８行には、
「特に液晶等と組み合わせて画像表示装置を構成するためのシリコンを主成分とする非単結晶半導体薄膜電界効果トランジスタ（以後、ＴＦＴと呼ぶ）に関するものである。」ということが記載され、その第３頁右下欄第４行〜第１３行には、
「第４図の様に第１層７ａ，８ａにクロムを用い、第２層７ｂ、８ｂおよびバス配線にアルムニウムを使用する。しかしこのままではアルミニウムの反射率が大きいため液晶とＴＦＴを細合せた画像表示装置のコントラスト比がとれず劣悪な画像となってしまう。従って第４図におけるソース、ドレイン電極７，８の第２層７ｂ，８ｂのアルミニウムの上に更に７０、８ｃの光反射率がたとえば５０％以下である金属例えばクロムを５００Å被着形成する。」
ということが記載され、また更に、その第４頁左上欄第６行〜第１２行には、「以上、三層構造のソース、ドレイン電極の第１層および第３層をクロムで実施した場合を代表例として説明したが、第１層、第２層をそれぞれモリブデン、タンタル、タングステン、パラジウム、プラチナ、ニッケル、クロム、ニクロム、シリコンおよびシリコン合金等として場合でもクロムと同様の効果が得られた。」ということが記載がそれぞれ、図面と共に記載されている。
　（対比・判断）
　訂正発明の「第１保護膜上に着膜される金属薄膜及びこの金属薄膜上に着膜される第２保護膜がレジストを用いたエッチングにより前記第２保護膜をその下層側の金属薄膜及び第１保護膜とともに除去してソース電極、ドレイン電極及びシグナル配線の各所望パターンに形成される」ことは、上記刊行物１のいずれにも記載も示唆もされていない。
　そして、訂正発明は「第１保護膜上に着膜される金属薄膜及びこの金属薄膜上に着膜される第２保護膜がレジストを用いたエッチングにより前記第２保護膜をその下層側の金属薄膜及び第１保護膜とともに除去してソース電極、ドレイン電極及びシグナル配線の各所望パターンに形成される」ことにより、「透明電極や金属薄膜が直接現像液にさらされることがなく、これにより配線不良や透明電極の電解腐食が防止され、不良発生率が大幅に低減することが可能になる」という特許明細書に記載の作用効果を呈するものである。
　したがって、訂正発明は、上記刊行物１及び２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明することができたものとすることができないから、特許出願の際独立して特許を受けることができないとすることができない。
　エ．むすび
　以上のとおり、上記訂正請求は、特許法第１２０条の４第２項及び同条第３項でさらに準用する第１２６条第２〜４項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
３．特許異議申立についての判断
　ア．異議申立の理由の概要
　異議申立人　牧田由男は、証拠として甲第１号証（特開昭６１−１３２２７号公報）及び甲第２号証（特開昭６０−１２７７０号公報）を提出し、訂正発明は、甲第１及び２号証に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明することができるものであり、特許法第２９条第２項の規定に違反して特許されたものであるから、その特許を取り消すべき旨主張している。
　イ．異議申立人が提出した甲各号証に記載の発明
　（１）甲第１号証（特開昭６１−１３２２７号公報）について
　その第２頁左下欄第１行〜１７行および第１図には、ガラス基板１上にＩＴＯ電極２が形成されており、この一部に高融点金属Ｃｒ層３をレジストを用いたエッチングにより形成し、続いて、Ａｌ層４を堆積、所定の形状にパターンニングした電子デバイスが記載されている。
　また、その第２頁右下欄第１３行〜第１６行には、上記Ｃｒ層に替えて、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｗを用いてもよいことが記載されている。
　（２）甲第２号証（特開昭６０−１２７７０号公報）について
　上記「２．ウ．（引用刊行物）」の記載を参照。
　ウ．訂正発明と上記甲第１及び２号証に記載された発明との対比・判断
　訂正発明の「第１保護膜上に着膜される金属薄膜及びこの金属薄膜上に着膜される第２保護膜がレジストを用いたエッチングにより前記第２保護膜をその下層側の金属薄膜及び第１保護膜とともに除去してソース電極、ドレイン電極及びシグナル配線の各所望パターンに形成される」ことは、甲第１及び２号証のいずれにも記載も示唆もされていない。
　そして、訂正発明は「第１保護膜上に着膜される金属薄膜及びこの金属薄膜上に着膜される第２保護膜がレジストを用いたエッチングにより前記第２保護膜をその下層側の金属薄膜及び第１保護膜とともに除去してソース電極、ドレイン電極及びシグナル配線の各所望パターンに形成される」ことにより、「透明電極や金属薄膜が直接現像液にさらされることがなく、これにより配線不良や透明電極の電解腐食が防止され、不良発生率が大幅に低減することが可能になる」という特許明細書に記載の作用効果を呈するものである。
　したがって、訂正発明は、上記甲第１及び２号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明することができたものとすることができないから、特許法第２９条第２項の規定に違反して特許されたものとすることができない。
　エ．むすび
　以上のとおり、異議申立の理由及び証拠によっては、訂正発明についての特許を取り消すことができない。
　また、他に訂正発明についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１１年９月３０日（１９９９．９．３０）
【訂正の要旨】
訂正事項
　ａ．
特許請求の範囲の請求項１の「レジストを用いたエッチングにより所望パターンに形成されて」を「レジストを用いたエッチングにより前記第２保護膜をその下層側の金属薄膜及び第１保護膜とともに除去してソース電極、ドレイン電極及びシグナル配線の各所望パターンに形成されて」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
電子デバイス
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】基体上に配置された透明電極と、
この透明電極上に着膜される第１保護膜、この第１保護膜上に着膜される金属薄膜及びこの金属薄膜上に着膜される第２保護膜が
レジストを用いたエッチングにより前記第２保護膜をその下層側の金属薄膜及び第１保護膜とともに除去してソース電極、ドレイン電極及びシグナル配線の各所望パターンに形成されて
　前記第１及び第２保護膜は、前記金属薄膜よりも耐アルカリ性を有することを特徴とする電子デバイス。
　【請求項２】前記金属薄膜がアルミニウムまたはアルミニウム合金からなることを特徴とする請求項１記載の電子デバイス。
　【請求項３】前記第２保護膜が、アルミニウムよりも光の反射率が小さいことを特徴とする請求項１記載の電子デバイス。
　【請求項４】前記第１保護膜が、モリブデン、チタン、クロムまたはタングステンから選ばれることを特徴とする請求項１記載の電子デバイス。
　【請求項５】前記第２保護膜が、モリブデン、チタン、クロムまたはタングステンから選ばれることを特徴とする請求項１記載の電子デバイス。
　【請求項６】前記第１及び第２保護膜が同一材料から成ることを特徴とする請求項１記載の電子デバイス。
【発明の詳細な説明】
　　　【０００１】
　【発明の属する技術分野】
　本発明は、金属薄膜からなる配線とともに透明電極とを備えた電子テバイスに関する。
　　　【０００２】
　【従来の技術】
　従来から、各種電子デバイスにおける配線あるいは電極を形成する方法として、基体上に形成した導体層からその不要部分を除去して所望パターンを得るフォトリソグラフィ技術が一般に知られている。
　　　【０００３】
　なかでも薄膜技術による電子デバイスにおいては、前記導体層として、真空蒸着法等により容易に得られる金属薄膜が用いられており、この金属薄膜の材料としては、安価なうえ低抵抗であることからＡｌ等が広く用いられている。また、エッチングの際に用いられるレジストとしては、ｇ、ｈ、ｉ線等の紫外光を用いるフォトレジストが一般であるが、レジストの剥離が容易でかつ使い易いといった点から、アルカリ現像が可能なフォトレジストの使用が現在主流となっている。
　　　【０００４】
　【発明が解決しようとする課題】
　しかしながら、このような従来からの配線形成において用いられる前記フォトレジストの現像液は有機アルカリ系であることから、現像時にフォトレジスト膜とともに金属薄膜の表面も浸蝕されてしまい、このことが配線の断線原因となるといった難点があった。
　　　【０００５】
　また、前記薄膜技術による電子デバイスのひとつであるたとえばＩ．Ｔ．Ｏ．（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ）等からなる透明電極を有する表示デバイスにおいては、前記透明電極上の取出電極を前記配線形成と同様に前記金属薄膜からエッチングで形成することが通常とされているが、たとえば膜中のゴミ等の影響により前記透明電極と前記金属薄膜との接触部分が前記現像液に侵された場合、Ｉ．Ｔ．Ｏ．の電解腐蝕が生じ、これが表示欠陥の発生につながるといった難点があった。
　　　【０００６】
　さらに、前記金属薄膜の材料として一般に用いられているＡｌは表面の光反射率が高いことから、レジスト露光の際に、レジスト膜内に混入したゴミ等によるレジスト膜表面の突起が光を散乱させてしまい、この結果、レジストパターンが変形し、やはり導体配線の断線原因となっていた。
　　　【０００７】
　本発明は、このような問題点を解決するためのもので、透明電極や金属薄膜の浸蝕が防止され、これにより表示欠陥の発生率が極めて低減させる電子デバイスを提供することを目的としている。
　　　【０００８】
　【課題を解決するための手段】
　請求項１記載の発明は、基体上に配置された透明電極と、この透明電極上に着膜される第１金属薄膜、この第１金属薄膜上に着膜される第２金属薄膜及びこの第２金属薄膜上に着膜される第３金属薄膜がレジストを用いたエッチングにより所望パターンに形成されて前記透明電極と接続された配線とを含む電子デバイスであって、前記第１及び第３金属薄膜は、前記第２金属薄膜よりも耐アルカリ性を有することを特徴とする電子デバイスにある。
　　　【０００９】
　請求項２記載の発明は、前記第２金属薄膜がアルミニウムまたはアルミニウム合金からなることを特徴とする請求項１記載の電子デバイスにある。
　　　【００１０】
　請求項３記載の発明は、前記第３金属薄膜が、アルミニウムよりも光の反射率が小さいことを特徴とする請求項１記載の電子デバイスにある。
　　　【００１１】
　請求項４記載の発明は、前記第１金属薄膜が、モリブデン、チタン、クロムまたはタングステンから選ばれることを特徴とする請求項１記載の電子デバイスにある。
　　　【００１２】
　請求項５記載の発明は、前記第３金属薄膜が、モリブデン、チタン、クロムまたはタングステンから選はれることを特徴とする請求項１記載の電子デバイスにある。
　　　【００１３】
　請求項６記載の発明は、前記第１及び第３金属薄膜が同一材料から成ることを特徴とする請求項１記載の電子デバイスにある。
　　　【００１４】
　【発明の実施の形態】
　以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細に説明する。
　　　【００１５】
　図１は本発明の一実施例の配線の形成方法を示す断面図である。同図に示すように、この方法では、まず、絶縁基板１上にたとえばＡｌ等からなる金属薄膜２を真空蒸着法あるいはスパッタ法等で着膜し、次いで、この金属薄膜２上にたとえばＭｏ等からなる耐アルカリ性を有する保護膜３を真空蒸着法あるいはスバッタ法等で着膜する。
　　　【００１６】
　この後、保護膜３上にポジ型あるいはネガ型の感光レジストを塗布し、乾燥させてたとえばポジレジスト膜４を形成し（図１−ａ）、所望のフォトマスクを介して露光してポジレジスト膜４にフォトマスクの開ロパターンと等しい露光部を形成し、さらに、有機アルカリ系の現像液を用いてそのポジレジスト膜４の露光部を除去する（図１−ｂ）。
　　　【００１７】
　次いで、所定のエッチング液を用いてウエットエッチングを行い、保護膜３の露出部に対応する金属薄膜２を保護膜３とともに除去して所望の配線パターンを形成する（図１−ｃ）。
　　　【００１８】
　そして、最後に残存するポジレジスト膜４を除去して配線の形成工程が完了する（図１−ｄ）。
　　　【００１９】
　なお、この状態で残存している保護膜３は必要に応じて除去してもよい。
　　　【００２０】
　かくして、この実施例の配線の形成方法によれば、金属薄膜２上にＭｏ等からなる耐アルカリ性を有する保護膜３を形成したので、レジスト膜の現像の際に、金属薄膜２の表面が直接現像液に浸されることがなくなり、これにより不良の発生率を大幅に低減させることが可能となる。さらに、この実施例の保護膜３の材料として用いたＭｏ等の表面光反射率はＡｌに比べて極めて低いため、レジスト露光時の表面突起による散乱光の影響を極小に抑えることが可能となり、安定したレジストパターンを形成することができ、よりいっそう配線の不良発生率を低減させることができる。
　　　【００２１】
　次に、本発明の他の実施例のについて説明する。図２はアクティブマトリクス方式の液晶表示素子においてスイッチ素子として用いられる薄膜トランジスタアレイの製造方法を示す図である。
　　　【００２２】
　同図に示すように、この薄膜トランジスタアレイの製造方法では、まず、絶縁基板１１上にたとえばＣｒ等からなる厚さ約２０００オングストロームのゲート電極１２をフォトエッチング法等を用いて形成し、更にこの上にたとえば酸化シリコン等からなる厚さ約３５００オングストロームの絶縁膜１３、厚さ約３０００オングストロームのａ−Ｓｉ膜１４および厚さ約５００オングストロームのａ−Ｓｉ：ｎ＋膜１５を順次真空蒸着法等により着膜する。
　　　【００２３】
　この後、ａ−Ｓｉ膜１４およびａ−Ｓｉ：ｎ＋膜１５の所望パターンをフォトエッチング法により形成する（図２−ａ）。
　　　【００２４】
　次に、絶縁膜１３上に、たとえばＩ．Ｔ．Ｏ．等からなる厚さ約１２００オングストロームの透明電極膜１６をスパッタリング等により着膜し、その所望のパターンをフォトエッチング法により形成する（図２−ｂ）。
　　　【００２５】
　次に、基材上に、たとえばＭｏ等から成る耐アルカリ性を有する保護膜１７と、ＡｌやＡｌを主体とするＡｌ合金等からなる電極薄膜１８と、前記同様の保護膜１９とを順次真空蒸着法またはスパッタ法等により堆積する（図２−ｃ）。
　　　【００２６】
　この後、保護膜１９上にポジ型あいはネガ型の感光性レジストを塗布し、乾燥させてたとえばポジ型レジスト膜２０を形成し（図２−ｄ）、所望のフォトマスクを介して露光してポジレジスト膜２０にフォトマスクの開ロパターンと等しい露光部を形成し、さらに、アルカリ系の現像液を用いてそのポジレジスト膜２０の露光部を除去する（図２−ｅ）。
　　　【００２７】
　そして、所定のエッチング液を用いてエッチングを行い、保護膜１９の露光部をその下層側の金属薄膜１８および保護膜１７とともに除去してソース電極、ドレイン電極およびシグナル配線の各所望パターンを形成し、この後残存するポジレジスト膜２０を除去して工程完了となる（図２−ｆ）。
　　　【００２８】
　こうして、透明電極膜１６と、これに蓄積する電荷量を制御する能動素子としての薄膜トランジスタとを電気的に接続する配線を得ることができる。
　　　【００２９】
　かくして、この実施例によれば、金属薄膜１８の上下にＭｏ等からなる耐アルカリ性を有する保護膜１７、１９を形成したので、レジスト膜の現像の際に、金属薄膜１８の表面が直接現像液に浸されることがなくなり、不良の発生率を低減させることが可能となるとともに、透明電極膜１６と金属薄膜１８の接触部分も現像液にさらされることがなくなるので、透明電極膜１６の電解腐食を防止することが可能となり、これにより表示欠陥の発生率を極めて低減させることができる。
　　　【００３０】
　さらに、この実施例の保護膜１７，１９の材料として用いたＭｏ等の表面光反射率はＡｌに比べて極めて低いため、レジスト露光時の表面突起による散乱光の影響を極小に抑えることが可能となり、よりいっそう配線の不良発生率を低減させることができる。
　　　【００３１】
　なお、以上の実施例では保護膜の材料としてＭｏを用いたものについて説明したが、この他にたとえばＣｒ，ＴｉあるいはＷ等もＡｌよりも光の表面反射率の小さい耐アルカリ性の材料であることから保護膜に用いることができる。
　　　【００３２】
　【発明の効果】
　以上説明したように本発明によれば、透明電極上、更にこの上に配置される金属薄膜上に保護膜をそれぞれ形成したので、透明電極や金属薄膜が直接現像液にさらされることなく、これにより配線不良や透明電極の電解腐食が防止され、不良発生率を大幅に低減することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】　図１は本発明の一実施例の配線の形成方法を説明するための各主要工程ごとの断面図である。
　【図２】　図２は本発明の他の実施例を説明するための各主要工程ごとの断面図である。
　【符号の説明】
　１、１１…絶縁基板
　２、１８‥金属薄膜
　３、１７、１９‥保護膜
　４、２０…ポジレジスト膜