【事件の表示】
　特許第２７１５８６０号「赤外線カットオフ膜とその形成材」の請求項１ないし３に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結論】
　特許第２７１５８６０号の請求項１ないし３に係る特許を維持する。
【理由】
Ｉ．本件発明
　本件特許第２７１５８６０号は、平成５年１０月１８日（優先権主張、平成５年６月３０日、日本）に出願された特願平５−２６０２５０号の出願に係り、平成９年１１月７日に設定登録されたものであり、その請求項に係る発明は、設定登録時の明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜３に記載された事項により構成される次のとおりのものである。
「【請求項１】　１０００ｎｍ以下のある波長より長波長側の赤外線を全面的に９０％以上カットオフする平均一次粒子径０．２μｍ以下の錫ドープ酸化インジウム粉末と、水および／またはアルコールに可溶性または分散性の結合剤とを、水および／またはアルコール中に含有することを特徴とする透明赤外線力ットオフ膜形成材。
【請求項２】　結合剤が、（１）Ｓｉ、Ａｌ、ＺｒもしくはＴｉのアルコキシドおよび／もしくはその部分加水分解物、（２）水および／またはアルコールに可溶性または分散性の有機樹脂、または（３）前記（１）と（２）との混合物であることを特徴とする、請求項１記載の赤外線カットオフ膜形成剤。
【請求項３】　請求項１または２記載の赤外線カットオフ膜形成材から形成された、可視光に対する８０％以上の透過率と、８５０〜１５００ｎｍの範囲内にある波長より長波長側の赤外線を全面的に８０％以上カットオフする赤外線カットオフ特性とを示す透明赤外線カットオフ膜。
ＩＩ．特許異議申立人の主張の概要
　特許異議申立人富士チタン工業株式会社は、下記甲第１〜第６号証を提示し、本件請求項１、２に係る発明は、実施不能な発明であり、また、本件請求項２に係る発明は甲第２号証及び甲第３号証に記載された発明に基づいて、本件請求項３に係る発明は甲第２号証〜甲第６号証に記載された発明に基づいて、いずれも当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件は、特許法第２９条第１項柱書き及び同条第２項の規定に違反して特許されたものであり、取り消されるべきである旨、主張している。
　　　　　　　　　記
甲第１号証：測定結果報告書（日立計測エンジニアリング株式会社）
甲第２号証：特開平５−７０１７８号公報
甲第３号証：特開昭５−１５１８２６号公報
甲第４号証：特開平４−４３５０７号公報
甲第５号証：特開平１−１０００２３号公報
甲第６号証：測定結果報告書（近畿大学理工学部　応用化学科　無機材料研究室　岩崎光伸作成）
ＩＩＩ．判断
（１）本件請求項１，２に係る発明は実施不能な発明であるか否かについて
　特許異議申立人は、粉末試料のため透過測光は不可能であるとの測定結果報告書（甲第１号証）を根拠に、本件請求項１、２に係る各発明は、実施不能であると主張している。
　しかし、本件明細書には、粉末及び膜の光透過スぺクトルについては、「粉末および膜の光透過スペクトルは、積分球付き自記分光光度計Ｕ−４０００型（日立製作所製）を用いて、拡散反射法により測定した。」として拡散反射法により測定されたことが記載されているところ、平均一次粒子径０．２μｍ以下程度の微粉末については、粉末粒子の光透過性の測定法として拡散反射法が用いられることが知られているから（分光研究第２５巻第１号（１９７６）５２〜５４頁）、この明細書の記載に基づけば、本件請求項１，２に係る発明が実施不能であるとすることはできない。
（２）本件請求項２に係る発明の進歩性の有無について
　甲第２号証には、熱線反射膜とその製造方法についての発明が記載されており、該熱線反射膜は、導電性酸化物の超微粒子と、マトリックスとしての酸化珪素、酸化チタン、酸化ジルコニウム等の金属酸化物から選ばれる少なくとも１種とを主成分とするコーティング液を塗布した後加熱することにより製造されること、該導電性酸化物として錫含有インジウムが用いられること、その平均粒径は１００ｎｍ以下、好ましくは５０ｎｍ以下であることが、いずれも記載されている。
　しかしながら、該錫含有酸化インジウム粒子については、実施例６で、Ｓｎを５ｍｏｌ％含有する酸化インジウム超微粒子（平均粒径２０ｎｍ）を用いたことが記載されているに留まり、それがいかなる手段により得られたか等のその具体的製法、また、赤外領域において波長と反射に関していかる特性を有しているか等については、何も記載されるところがない。
　また、甲第３号証には、透明導電膜とその製造方法についての発明が記載されており、該透明導電膜は、導電性酸化物の超微粒子とジルコニウム化合物とホウ素化合物とを含むコーティング液を塗布した後加熱することにより製造されること、該導電性酸化物の１つとして錫含有酸化インジウムが用いられることが記載されているが、その具体例としては、実施例６で、Ｓｎを５ｍｏｌ％含有する酸化インジウム超微粒子（平均粒径２０ｎｍ）を用いたことが記載されているだけで、それ以上にその製法、光学的特性等についてはやはり何も記載されていない。
　そうである以上、１０００ｎｍ以下のある波長より長波長側の赤外線を全面的に９０％以上カットオフする機能を有する平均一次粒子径０．２μｍ以下の錫ドープ酸化インジウム粉末を含有することを特徴とする本件請求項２記載の発明が、かかる光学的特性については何の記載もされていない甲第２号証及び甲第３号証の記載に基づき、当業者が容易に発明することができたものとすることはできない。
（３）本件請求項３記載の発明の進歩性の有無について
　甲第２号証及び甲第３号証には、上記したとおり、単に錫含有インジウム酸化物が導電性粒子として記載されているにすぎない。
　甲第４号証には、熱線反射フィルムについて記載され、これは、高分子フィルム上に設けられた酸化インジウム一酸化スズ系薄膜を主たる構成とする熱線反射フィルムであって、該熱線反射フィルムの可視光透過率が６０％以上でかつ波長１５００ｎｍ〜２５００ｎｍにおける反射率が３０％以上であることが記載されている。
　しかし、該酸化インジウム一酸化錫について、その製造法の具体的記載はなく、本件発明で規定する光学的特性に関しては全く記載がないといわざるを得ない。
　甲第５号証には、低抵抗酸化インジウム一酸化スズ粉末（ＩＴＯ粉末）の製造方法について記載され、特に１０００℃以下で調製した分散性に富むＩＴＯ粉末を不活性又は還元雰囲気で加熱処理し、一部脱酸素処理を行うことにより分散性に富みかつ低抵抗性のＩＴＯ粉末が製造されることが記載されている。
　特許異議申立人は、甲第６号証（実験報告書）を提示し、甲第５号証の記載を追試すれば、本件発明のカットオフ膜は既に得られていた旨を主張する。
　しかし、甲第６号証において試験された測定用フィルムは、いずれも、甲第５号証に記載された実施例とは該フイルムの組成をなすＩＴＯ粉末の製造方法が相違しており、甲第５号証を追試して作成したＩＴＯ粉末とは認められないものであり、しかも本件請求項３記載の発明は、同１記載の微粒子を用いることを要件としているが、該微粒子の光学的特性については甲第５号証には全く記載されていないものであるから、甲第６号証を参酌しても、これらについて記載のない甲第２号証〜甲第５号証の記載に基づき本件請求項３に係る発明が当業者の容易に発明をすることができたものとすることはできない。
Ｖ．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立人の提示する証拠によっては本件請求項１〜３に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件請求項１〜３に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１１年８月１１日（１９９９．８．１１）