【事件の表示】
　特許第２７３４７４８号「反応性ドライエッチング法」の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結論】
　訂正を認める。
　特許第２７３４７４８号の特許を維持する。
【理由】
１．本件特許第２７３４７４８号は、平成２年６月１３日に出願されたものであって、平成１０年１月９日にその特許権の設定登録がなされ、その後、高橋友之輔より特許異議の申立てがなされ、取消理由が通知され、その指定期間内である平成１１年５月２６日に訂正請求がなされたものである。
２．本件特許に対し、異議申立人高橋友之輔は、甲第１号証として特開昭６３−１４１３１６号公報を、甲第２号証として特開平１−２４８５２２号公報を、申第３号証として特開昭６１−４８９２４号公報を、及び甲第４号証として特開昭６０−６５５３３号公報を提示し、本件特許の請求項１に係る発明は、甲第１〜４号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、当該発明に係る特許は取り消されるべきものである旨主張する。
３．上記取消理由は、請求項１に係る発明の特許は、窒素（Ｎ２）ガスの添加量が限定されていないから、明細書の発明の詳細な説明に記載された作用効果を奏さないものが含まれることとなり、特許法第３６条に規定する要件を満たさない出願に対してされたものであるから取り消すべきというものである。
４．上記訂正請求によって訂正された明細書の請求項１に係る発明（以下、「訂正された特許発明」という。）は、その特許請求の範囲に記載された次のとおりのものである。
　「六フッ化硫黄（ＳＦ６）ガスと塩素を含むガスとの混合ガスをプラズマ化させてタングステン（Ｗ）またはタングステン合金の異方性エッチングを行う反応性ドライエッチング法において、前記混合ガスに、エッチング速度を増大させるように窒素（Ｎ２）ガスを添加することを特徴とする反応性ドライエッチング法。」
５．上記訂正請求の適否について判断する。
（１）上記訂正は、願書に添付された明細書（以下、「特許明細書」という。）を、以下のａ、ｂのとおり訂正するものである。
ａ．特許請求の範囲について、
　「窒素（Ｎ２）ガスを添加する」を、「、エッチング速度を増大させるように窒素ガス（Ｎ２）を添加する」と訂正する。
ｂ．発明の詳細な説明について、
　平成９年９月８日付け手続補正書で補正された明細苔第４頁４−１６行の「六フッ化硫黄（ＳＦ６）ガスと塩素を含むガスとの混合ガスをプラズマ化させてタングステン（Ｗ）またはタングステン合金の異方性エッチングを行う反応性ドライエッチング法において、前記混合ガスに窒素（Ｎ２）ガスを添加するものである。」を、「六フッ化硫黄（ＳＦ６）ガスと塩素を含むガスとの混合ガスをプラズマ化させてタングステン（Ｗ）またはタングステン合金の異方性エッチングを行う反応性ドライエツチング法において前記混合ガスに、エッチング速度を増大させるように窒素（Ｎ２）ガスを添加するものである。」と訂正する。
（２）上記訂正のうち、
　特許請求の範囲の訂正についてみると、「窒素（Ｎ２）ガスを添加する」を、「、エッチング速度を増大させるように窒素ガス（Ｎ２）を添加する」とする訂正は、「窒素（Ｎ２）ガスを添加する」を、添加する分量を明らかにするために、窒素ガスの添加を機能的に限定して「、エッチング速度を増大させるように窒素ガス（Ｎ２）を添加する」とするものであるから、特許請求の範囲の減縮に相当する。
　ｂの訂正事項についてみると、この訂正事項は、特許請求の範囲の訂正に伴い、発明の詳細な説明の［課題を解決する為の手段］の欄の記載をこれに整合させたものであるから、明りょうでない記載の釈明に相当する。
　そして、上記訂正事項ａの訂正は、特許明細書の第４頁１７行目−第５頁２行目の［作用］の欄に「Ｎ２ガスを加えることにより、エッチング速度を増大させるものである。」と記載されていること、同第５頁５行目−第６頁１８行目に記載された（実施例１）に「Ｎ２流量分率が５％のところでＷエッチング速度は最大となり、Ｎ２を加えずにエッチングした場合に比べてエッチング速度は１割ほど上昇し、」と記載されていることから、窒素ガスの添加量が、エッチング速度を増大させるようなものであることは、特許明細書から直接的かつ一義的に導き出せるものである。
　そうすると、上記訂正事項は、いずれも、願書に添付された明細書又は図面に記載された事項の範囲内のものであって、かつ、これらの訂正によって、発明の目的が変更されるものでもないから、前記訂正事項は、いずれも、実質上特許請求の範囲を拡張するものでもなく、また、変更するものでもない。
（３）次に、独立特許要件について判断する。
　異議申立人が提示した甲各号証には、以下の事項が記載されている。
　第１号証；ガスプラズマ、イオンビーム、レーザビーム等による半導体基板の低温ドライエッチングに関し、「被エッチング基板表面の温度を十分に下げ、前記Ｔ１以下の温度においてもプラズマの発生条件を維持し、反応性ガスの被エッチング基板表面に対する吸着効率を高くすると共に、エッチングガスの消費量を少なくし、またイオンビームの入射強度の低下を防止し、基板の下地材料が極力エッチングされないような低温ドライエッチング方法を提供することを目的としている。（第２頁左上欄２０行目−右上欄７行目）」、「第１図は平行平板型高周波放電プラズマエッチング装置を用いてＳｉ基板上にＰｏｌｙ−Ｓｉ被膜を形成した基板に対し、基板の温度を変え、ＳＦ６とＨｅの混合ガスを用いてエッチングしたときの基板温度とＳＦ６ガスの流量との関係を示す特性図であって試験条件は下記の通りである。（第３頁左上欄１４−２０行目）」及び「エッチングガスとしては、Ｆを含むガス、Ｃｌを含むガス、Ｂｒを含むガス、またはこれらの混合ガス、さらにＯ２、Ｈ２Ｏ、Ｎ２、ＣＯ、ＣＯ２などを添加しても良い。被エッチング材は、Ｓｉ、ＧａＡｓ、Ｐｏｌｙ−Ｓｉ、Ｇｅ、ＩｎＰなどの半導体材料、ＳｉＯ２、ＨｆＯ２、Ｔａ２Ｏ５、ＳｉＮ、Ａｌ２Ｏ３などの絶縁物、Ａｌ、Ａｌ合金、Ｔｉ、ＴｉＮ、Ｗ、Ｍｏ、及びこれらのシリサイドからなる金属がエッチング可能である。（第３頁左下欄３−１１行目）」と記載されている。　　　　　　　　　
　甲第２号証；タングステン等の高融点金属材料のドライエッチングに関し、「次に、第１図（ｂ）に示すように、例えば、平行平板型の反応性ドライエッチング装置を用いて、第一工程のエッチングで、六フッ化硫黄とフロロカーボン系のガス、例えば、ＣＣＬ３Ｆガスとを、２：１の割合で混合したガスを使用して、条件を、例えば、流量４０ｃｍ３／ｍｉｎで装置のチャンバー内に導入し、圧力を６．６７Ｐａに維持し、高周波電力を５００Ｗを印加してエッチングを行なう。タングステン層３が、例えば、厚さの７５〜９０％がエッチングされたときエッチングを終了する。次に、第一の工程に引続き第二の工程で、第１図（ｃ）に示すように、フロロクロロカ一ボン系のガス、ＣＣＬ３Ｆガスと窒素ガスとを３：１に混合し、流量７０ｃｍ２／ｍｉｎで、装置のチャンバー内に導入し、圧力を、列えば、２４Ｐａに維持して、高周波電力を８００Ｗを印加して、約３分間エッチングして酸化膜２の上に残ったタングステン層３を完全に除去する。（第２頁右上欄１６行目−左下欄１４行目）」及び「本発明は、第一の行程で速度の早いエッチングを行ない、引続き第二の行程で横方向のエッチングを抑えて電極層をエッチングして精密に加工出来るので、（第２頁右下欄１３−１６行目）」と記載されている。
　甲第３号証；タングステン、モリブデン等の高融点金属のドライエッチングに関し、「本発明者等は、高融点金属のドライエッチング法における上記の如き現状に鑑みて、新規なエッチングガス混合物を得るべく種々検討を行った結果、六フッ化硫黄（ＳＦ６）と窒素ガスとの混合ガスが選択比を改善するために極めて有効であることを見出した。本発明はこのような新規知見に基づき完成されたものである。（第３頁左下欄２−８行目）」、「本発明の方法において使用するエッチングガス混合物において窒素の含有率は選択比を１より大きくするためには９５容量％以下とすることが好ましい。（第３頁右下欄１−４行目）」、「かくして、本発明によれば、六フッ化（ＳＦ６）に窒素ガス（Ｎ２）を添加することにより、ホトレジストのエッチング速度よりもタングステンのエッチング速度の大きな、言いかえれば選択比が１よりも大きくなる高融点金属のドライエッチングが可能となる。（第３頁右下欄１３−１８行目）」、「本発明の方法において使用するエッチンガスはＳＦ６とＮ２との混合ガスであるが例えば第２図に示したように、ＡＺ−１３５０をホトレジストとして使用した場合には、タングステンのエッチング速度と、ＡＺ−１３５０のエッチング速度とが、Ｎ２の含有率約９５容量％においてほぼ等しく、従ってこの含有率以下ではタングステンのエッチング速度の方が大きくなっている。（第４頁左上欄２０行目−右上欄７行目）」及び「本発明の他の実施例を以下に述べる。第５図は、ＳＦ６＋２０％Ｎ２混合ガスの流量を３５ｃｍ３／ｍｉｎ一定、印加高周波電力５０Ｗ一定にした場合の、圧力に対するタングステンとＡＺ−１３５０のエッチング速度をプロットしたものである。選択比は圧力約２０Ｐａで最大となり、この時の選択比は約１０とと大きな値を示す。（第５頁右上欄４−１０行目）」と記載されている。
　甲第４号証；モリブデン、タングステン等の遷移金属及びこれらの珪素化合物のドライエッチング法に関し、「ＳＦ６に混合するＮ２の混評は容量％で１０％を越えると、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉ、Ｔａ等のエッチング速度が著しく低下するため、これらの材料の下地となるＳｉＯ２のエッチング速度との比が低下するため、実用上不適格となる。このため、Ｎ２の混合率はＳＦ６に対し、１０容量％以下、更に望ましくは３〜７容量％がエッチング選択比を１０〜２０倍以上の実用的な値に維持したまま、上記の残差除去の効率を実現する上で好ましい。（第３頁左上欄１８行目−右上欄６行目）」と記載されている。
　訂正後の請求項１に係る発明と前記甲第１〜４号証に記載されたものとを対比すると、前記甲名号証には、いずれにも、訂正後の請求項１に係る発明の構成である「六フッ化硫黄（ＳＦ６）ガスと塩素を含む混合ガスに、エッチング速度を増大させるように窒素（Ｎ２）ガスを添加する」の構成が記載されておらず、かつ該構成が示唆されているとすることもできない。
　すなわち、甲第１号証に記載されたものは、低温ドライエッチングを目的とするものであって、訂正後の請求項１に係る発明と目的を異にし、また、被エッチング材と、エッチングガスとをそれぞれ別個に列記しているのみであって、タングステンをエッチングするためＳＦ６ガスと塩素を含むガスとの混合ガスに窒素ガスを添加するという具体的な組合せについて何ら記載がない。甲第２号証及び甲第３号証に記載されたものは、エッチングガスに窒素ガスを添加しているが、エッチング速度を増大させる目的で窒素ガスを添加したことについての記載はなく、窒素ガスの分量も、訂正後の明細書に実施例として記載されたものよりもはるかに大きい。甲第４号証に記載されたものは、エッチングガスに塩素を含むガスが用いられていないから、本願発明の課題である、タングステンと塩素の化合物に起因してエッチング速度が遅くなることに対処するために、窒素ガスを添加することを、示唆するものではない。
　そして、訂正後の請求項１に係る発明は、前記構成により、タングステン又はタングステン合金のエッチングにあたり、エッチング形状の異方性を保ちながらエッチング速度を増大できるというという甲各号証に記載されたものにはない、格別の作用効果を奏するものと認められる。
　したがって、訂正後の特許発明は、前記甲第１〜４号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
　また、取消理由通知で指摘した明細書の記載不備も、上記訂正事項ａの訂正によって解消した。
（４）以上のとおりであるから、上記訂正請求は、特許法第１２０条の４第２項及び同条第３項で準用する第１２６条第２項〜第４項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
６．次に、特許異議の申立てについて判断する。
（１）本件特許の請求項１に係る発明は、訂正された明細書の特許請求の範囲第１項に記載されたとおりのものであって、上記４で認定したとおりのものである。
（２）そして、本件請求項１に係る発明は、上記５（３）で示したように、甲第１〜４号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものともすることはできない。
７．したがって、特許異議甲立ての理由及び証拠によっては、本件特許の請求項１に係る発明の特許を取り消すことはできない。
　また、他に、本件特許の請求項１に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１１年６月１０日（１９９９．６．１０）
【訂正の要旨】
　訂正の要旨
ａ．特許請求の範囲について、
　「窒素（Ｎ２）ガスを添加する」を、「、エッチング速度を増大させるように窒素ガス（Ｎ２）を添加する」と、特許請求の範囲の減縮を目的として訂正する。
ｂ．発明の詳細な説明について、
　平成９年９月８日付け手続補正書で補正された明細書第４頁４−１６行の「六フッ化硫黄（ＳＦ６）ガスと塩素を含むガスとの混合ガスをプラズマ化させてタングステン（Ｗ）またはタングステン合金の異方性エッチングを行う反応性ドライエッチング法において、前記混合ガスに窒素（Ｎ２）ガスを添加するものである。」を、「六フッ化硫黄（ＳＦ６）ガスと塩素を含むガスとの混合ガスをプラズマ化させてタングステン（Ｗ）またはタングステン合金の異方性エッチングを行う反応性ドライエツチング法において前記混合ガスに、エッチング速度を増大させるように窒素（Ｎ２）ガスを添加するものである。」と、明りょうでない記載の釈明を目的として訂正する。
（５４）【発明の名称】
反応性ドライエッチング法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】六フッ化硫黄（ＳＦ６）ガスと塩素を含むガスとの混合ガスをプラズマ化させてタングステン（Ｗ）またはタングステン合金の異方性エッチングを行う反応性ドライエッチング法において、前記混合ガスに
、エッチング速度を増大させるように
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
　本発明は反応性ドライエッチング法に関し、特に反応ガスとして六フッ化硫黄（ＳＦ６）と窒素（Ｎ２）と塩素を含むガス（ＣＣｌ２Ｆ２，Ｃｌ２等）の混合ガスによるタングステン（Ｗ）の反応性ドライエッチング法に関する。
〔従来の技術〕
　従来のタングステン（Ｗ）エッチング法では第５図（ａ）に示すように、シリコン基板２１に拡散工程により酸化膜２２を形成し、その上にスパッタ等によりタングステン膜２３を蒸着した後、フォトレジスト２４を塗布し、露光現像処理を行い、パターンを形成している。その後、このパターンをマスクとし、エッチングガスとしてＳＦ６のみを用いて、エッチングを行うと、第５図（ｂ）に示すようにフォトレジスト２４の下にタングステン膜２３のアンダーカットが入る。しかし、エッチングガスとして、ＳＦ６にＣＣｌ２Ｆ２等のフレオン系ガスを加えることにより、エッチング形状は第５図（ｃ）に示すように、異方的な形状を得るが、ＳＦ６のみのときに較べてエッチング速度が遅くなる。この理由は、次のように考えられる。すなわち、反応ガスであるＳＦ６とともにＣＣｌ２Ｆ２等のフレオン系ガスを加えると、フレオン系ガス中の塩素原子（Ｃｌ）とＷとが反応し、不揮発性物質ＷＣｌ６が生成し、エッチングＷ表面上に付着する。このＷＣｌ６により基板面に水平方向のエッチングは妨げられるが、垂直方向にはイオンの衝撃によりＷＣｌ６が取り除かれ、遅い速度でエッチングは進行する。このようにしてＳＦ６にＣＣｌ２Ｆ２等のフレオン系ガスを加えた時には速度は遅いが、異方性形状のエッチングが進行する。
〔発明が解決しようとする課題〕
　上述のようにドライエッチング過程において、反応ガスである六フッ化硫黄（ＳＦ６）に二フッ化二塩化炭素（ＣＣｌ２Ｆ２）を加えた場合には、異方性は向上するが、エッチング速度が遅くなるという問題点があった。
　本発明の目的は、異方性Ｗエッチング形状を維持しながら、エッチング速度を増大させることにより、前記課題を解決した反応性ドライエッチング法を提供することにある。
〔課題を解決するための手段〕
　前記目的を達成するため、本発明に係る反応性ドライエッチング法においては、六フッ化硫黄（ＳＦ６）ガスと塩素を含むガスとの混合ガスをプラズマ化させてタングステン（Ｗ）またはタングステン合金の異方性エッチングを行う反応性ドライエッチング法において、前記混合ガスに
、エッチング速度を増大させるように
〔作用〕
　本発明では、六フッ化硫黄（ＳＦ６）に塩素原子を含むガス（ＣＣｌ２Ｆ２等）を混合させたものを用いて異方性エッチング形状を維持しつつ、さらにＮ２ガスを加えることにより、エッチング速度を増大させるものである。
〔実施例〕
　以下、本発明の実施例を図面により説明する。
（実施例１）
　第２図は本発明を実施するのに適した反応性ドライエッチング装置を示す断面図である。
　図において、真空排気系３６を用いて反応室４１を圧力を１０−３Ｐａ以下まで下げた後、ガス導入バルブ３８を開いて、反応ガスである六フッ化硫黄（ＳＦ６）ガス，二フッ化二塩化炭素（ＣＣｌ２Ｆ２）ガス，窒素（Ｎ２）ガスを反応室４１内に導入し、反応室４１内の圧力を１２Ｐａにする。その後、試料３５が設置されている電極３７と対向電極３９との間に高周波電源４０を用いて１３．５６ＭＨｚの周波数をもつ高周波電圧をかけることにより、プラズマを発生させ、電極３７上の試料３５に対してエッチングを行う。この操作を、Ｎ２ガスを流さずに、総流量を５０ＳＣＣＭとし、ＳＦ６とＣＣｌ２Ｆ２との比率を変えて行った場合と、ＣＣｌ２Ｆ２流量分率と、タングステンの試料面に垂直な方向と水平な方向での工ッチング速度比γとの関係を示したのが第３図である。これにより、ＣＣｌ２Ｆ２流量分率１０％以上で、試料面に水平方向のエッチング速度がほとんど０になることがわかったので、これ以降はエッチング速度の低下を最小限にとどめ、かつ、異方性を保つために、ＳＦ６とＣＣｌ２Ｆ２の合計流量に対するＣＣｌ２Ｆ２の流量分率を１０％に固定して実験を行った。次に、ＳＦ６の流量を４５ＳＣＣＭ，ＣＣｌ２Ｆ２の流量を５ＳＣＣＭに固定し、ＳＦ６とＣＣｌ２Ｆ２の合計流量に対するＮ２の流量分率を変化させたときの被エッチング試料であるタングステン（Ｗ）のエッチング速度の変化を示したのが第４図である。これより、Ｎ２流量分率が５％のところでＷエッチング速度は最大値となり、Ｎ２を加えずにエッチングした場合に較べてエッチング速度は１割ほど上昇し、かつ、第１図に示す異方性の形状が得られた。図において、１１はシリコン基板、１２は酸化膜、１３はタングステン膜、１４はフォトレジストである。
（実施例２）
　次に本発明の実施例２について説明する。
　本実施例では、実施例１と同じ装置を用い、試料としてチタンタングステン膜をもつものを用い、反応ガスとして、六フッ化硫黄（ＳＦ６）ガス，塩素（Ｃｌ２）ガス，窒素（Ｎ２）ガスの混合ガスを用い、実施例１と同様な操作により実験を行った。その結果、反応室４１内の圧力を１０パスカル、高周波出力４００ワット，ＳＦ６ガス４０ＳＣＣＭ，Ｃｌ２ガス１０ＳＣＣＭ，Ｎ２ガス１０ＳＣＣＭの条件下において、第１図に示す異方性エッチング形状が得られ、エッチング速度はＮ２を加えない場合に較べ、１．５割ほど向上した。本実施例では、環境破壊に関連して規制対象であるフロン１２を使わないで済むという利点を有する。
〔発明の効果〕
　以上説明したように本発明は反応ガスとして、ＳＦ６と塩素系ガスとに加えてＮ２ガスを用いたので、エッチング形状の異方性を保ちながら、エッチング速度を増大できるという効果を有する。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の反応性エッチング法によりエッチングを行った状態を示す断面図、第２図は本発明を実施する反応性ドライエッチング装置を示す断面図、第３図はＣＣｌ２Ｆ２流量分率と異方性指数γとの関係を示す図、第４図はＮ２流量分率とＷエッチング速度との関係を示す図、第５図（ａ），（ｂ），（ｃ）はＷエッチング試料を示す断面図である。
１１……シリコン基板、１２……酸化膜
１３……タングステン膜、１４……フォトレジスト
３５……試料、３６……真空排気系
３７……電極、３８……ガス導入バルブ
３９……対向電極、４０……高周波電源
４１……反応室