【事件の表示】
　特許第２７５１９６３号「窒化インジウムガリウム半導体の成長方法」の請求項１ないし請求項４に係る発明の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第２７５１９６３号の請求項１ないし４に係る発明の特許を維持する。
【理　由】
（１）手続きの経緯
  本件特許第２７５１９６３号は、平成５年５月７日に出願され（国内優先日平成４年６月１０日及び平成４年１１月４日）、平成１０年２月２７日にその設定登録がなされ、その後、中西みどり、シャープ株式会社、菊池信及び高木栄より特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１２年２月２３日に訂正請求がなされたものである。
　
（２）訂正請求の適否についての判断
ｉ）訂正の内容
　訂正請求の内容は、特許請求の範囲の請求項１の
「【請求項１】原料ガスとして、ガリウム源のガスと、インジウム源のガスと、窒素源のガスとを用い、有機金属気相成長法により、次に成長させる窒化ガリウム層または窒化ガリウムアルミニウム層よりも低温で成長させるバッファ層を介して、バッファ層よりも高温で成長させた該窒化ガリウム層または窒化ガリウムアルミニウム層の上に、窒化インジウムガリウム半導体を成長させることを特徴とする窒化インジウムガリウム半導体の成長方法。」
を、
「【請求項１】有機金属気相成長法により、次に成長させる窒化ガリウム層よりも低温で成長させるバッファ層を介して、バッファ層よりも高温で成長させた該窒化ガリウム層の上に、原料ガスとして、ガリウム源のガスと、インジウム源のガスと、窒素源のガスとを用い、同じく有機金属気相成長法により、窒化インジウムガリウム半導体を成長させることを特徴とする窒化インジウムガリウム半導体の成長方法。」
と訂正し、明細書の記載もこれに合わせて訂正するものである。
　
ii）訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　特許請求の範囲の訂正は、「窒化ガリウム層または窒化ガリウムアルミニウム層」を「窒化ガリウム層」のみに限定し、「原料ガスとして、ガリウム源のガスと、インジウム源のガスと、窒素源のガスとを用い、有機金属気相成長法により成長させる」層は、窒化インジウムガリウム半導体であることを明確にするものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするもの及び明りょうでない記載の釈明に該当し、また、明細書の訂正は、特許請求の範囲の訂正に合わせた訂正であるから、明りょうでない記載の釈明に該当し、共に新規事項の追加にも、実質的に特許請求の範囲を拡張・変更するものにも該当しない。
　
iii）独立特許要件の検討
　取消理由通知は、請求項１の記載において、「原料ガスとして、ガリウム源のガスと、インジウム源のガスと、窒素源のガスとを用い、有機金属気相成長法により」成長させるのは、窒化インジウムガリウム半導体であると認められるが、窒化ガリウム層または窒化ガリウムアルミニウム層は、どのように成長させるのかが明りょうでない、というものであったが、上記訂正により、有機金属気相成長法により、窒化ガリウム層を成長させ、原料ガスとして、ガリウム源のガスと、インジウム源のガスと、窒素源のガスとを用い、同じく有機金属気相成長法により、窒化インジウムガリウム半導体を成長させる、ことが明確になった。
　よって、取消理由通知で指摘した記載不備は解消したので、本件請求項１乃至請求項４に係る発明を、独立特許要件がないものとすることはできない。
　
iv）むすび
　以上のとおりであるから、本件訂正請求は、特許法第１２０条の４第２項及び同条第３項で準用する第１２６条第２項乃至第４項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
（３）特許異議申立について
（本件発明）
　本件特許第２７５１９６３号の請求項１乃至請求項４に係る発明は、訂正された特許明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１乃至請求項４に記載された、
「【請求項１】有機金属気相成長法により、次に成長させる窒化ガリウム層よりも低温で成長させるバッファ層を介して、バッファ層よりも高温で成長させた該窒化ガリウム層の上に、原料ガスとして、ガリウム源のガスと、インジウム源のガスと、窒素源のガスとを用い、同じく有機金属気相成長法により、窒化インジウムガリウム半導体を成長させることを特徴とする窒化インジウムガリウム半導体の成長方法。
【請求項２】前記原料ガスのキャリアガスとして窒素を用いることを特徴とする請求項１に記載の窒化インジウムガリウム半導体の成長方法。
【請求項３】前記窒化インジウムガリウム半導体を６００℃より高い温度で成長させることを特徴とする請求項１または２に記載の窒化インジウムガリウム半導体の成長方法．
【請求項４】前記窒化インジウムガリウム半導体成長中、インジウム源のガスのインジウムのモル比を、ガリウム１に対し、０．１以上にすることを特徴とする請求項１乃至３の内のいずれか１項に記載の窒化インジウムガリウム半導体の成長方法。」
である。
　
（特許異議申立人の主張の概要）
  特許異議申立人中西みどりは、甲第１号証として特開平３−２０３３８８号公報、甲第２号証として特開平２−２９１１１１号公報を提示して、本件請求項１乃至請求項４に係る発明は、甲第１号証及び甲第２号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである旨、主張しており、特許異議申立人シャープ株式会社は、甲第１号証として特開平３−２１８６２５号公報、甲第２号証としてAppl.Phys.Lett.,Vol59,NO.18,28 0ctober l991 を提示して、本件請求項１及び請求項３に係る発明は、甲第１号証に記載された発明であり、あるいはその発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第１項第３号または第２項の規定により特許を受けることができないものであり、本件請求項２乃至請求項４に係る発明は、甲第１号証及び甲第２号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項規定により特許を受けることができないものである旨、主張しており、特許異議申立人菊池信は、甲第１号証として特開平３−２０３３８８号公報、甲第２号証として特公昭６２−２９３９７号公報、甲第３号証として特開平２−２２９４７６号公報を提示して、本件請求項１乃至請求項４に係る発明は、甲第１号証乃至甲第３号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、本件明細書にバッファ層に関して、その目的、厚さなどの構成、それが奏する効果について記載されていないから、特許法第３６条第４項に規定する要件を満たしていない旨、主張しており、特許異議申立人高木栄は、甲第１号証として特開平４−２０９５７７号公報、甲第２号証としてAppl.Phys.Lett.59(18),28 0ctober l991 、甲第３号証としてJAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS VOL.30,NO.10A,OCTOBER,1991、甲第４号証としてJAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS VOL.30,NO.12A,DECEMBER,1991を提示して、本件請求項１乃至請求項３に係る発明は、甲第１号証に記載された発明と同一であって、特許法第２９条の２の規定により特許を受けることができないものであり、また、本件請求項１乃至請求項４に係る発明は、甲第２号証乃至甲第４号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである旨、主張している。
　
（甲各号証の記載内容）
　特許異議申立人中西みどりの提示した甲第１号証には、
「窒化処理した基板と、この基板上に形成したバッファ層と、このバッファ層上に形成したＧａｘＩｎ１−ｘＮ層（０≦ｘ≦１）のｐｎ接合構造とを備え、前記バッファ層がＡｌＮ層およびＡｌＮ／ＧａＮ歪超格子層およびＡｌｚＧａ１−ｚＮ層（０≦ｚ≦１）のうちの少なくとも一層である半導体発光素子。」（特許請求の範囲請求項１）、
「第２図に示すように、有機金属気相（ＭＯＶＰＥ）装置Ｙは、キャリアガス２０として、Ｈ２またはＮ２を用い、原料ガスとして、III族にはＴＭＡ（トリメチルアルミニウム）１０、ＴＭＧ（トリメチルガリウム）１１、ＴＭＩ（トリメチルインジウム）１２を用い、Ｖ族にはＮＨ３を用いた。」（公報第３頁右上欄第６行〜第１１行）、
「バッファ層としてＡｌＮ／ＧａＮ歪超格子層を採用した場合、・・・格子緩和しやすく、格子欠陥をほとんど吸収し、・・・結晶性は飛躍的に向上する。・・・バッファ層としてＡｌＮ層２を形成した場合に比べて２倍以上の明るさを有した。」（公報第４頁左下欄第１３行〜右下欄第８行）、
「窒化処理された基板上に、バッファ層としてＡｌＮ層およびＡｌＮ／ＧａＮ歪超格子層およびＡｌｚＧａ１−ｚＮ層（０≦ｚ≦１）のうちの少なくとも一層を形成した後に、この表面にＧａｘＩｎ１−ｘＮ層（０≦ｘ≦１）を形成することによって、窒素を充分に含む高品質、かつ結晶性の良いＧａｘＩｎ１−ｘＮ層を形成することができ、ｐｎ接合構造を容易に形成することができる。その結果、・・・高効率の青色の半導体発光素子を得ることができる。」（公報第４頁右下欄第１３行〜第５頁左上欄第４行）と記載されている。
　同じく、甲第２号証には、
「有機金属化合物ガスを用いた化合物半導体薄膜を気相成長させる装置において、化合物半導体薄膜の成長する基板まで、反応ガスを導く導入ガス管を有し、前記導入ガス管の前記基板に面する吹出口は、前記基板の幅方向に沿って長く前記基板の高さ方向に短く偏平していることを特徴とする気相成長装置。」（特許請求の範囲）、
「本装置は、特に、サファイア基板上に窒化ガリウム系化合物半導体（ＡｌｘＧａ１−ｘＮ；ｘ＝０を含む）を気相成長させる装置に最適である。」（公報第２頁右上欄第１１行〜第１３行）、
「次に温度を４００℃まで低下させて、・・・ＡｌＮのバッファ層５１が約２５０Åの厚さに形成された。次に、ＴＭＡの供給を停止して、試料温度を１１５０℃に保持し、・・・Ｎ型のＧａＮから成るＮ層５２を成長させた。」（公報第３頁右下欄最終行〜第４頁左上欄第１２行）と記載されている。
　また、特許異議申立人シャープ株式会社の提示した甲第１号証には、
「マグネシウム（Ｍｇ）、亜鉛（Ｚｎ）或いは炭素（Ｃ）などのアクセプタ不純物を添加した
（（Ｇａ１−ｘＡｌｘ）１−ｙＩｎｙＮ：０≦ｘ＜１、０≦ｙ＜１）
よりなる窒化ガリウム系化合物半導体結晶に電子線照射処理を行い、添加したアクセプタ不純物を活性化させｐ形窒化ガリウム系化合物半導体
（（Ｇａ１−ｘＡｌｘ）１−ｙＩｎｙＮ：０≦ｘ＜１、０≦ｙ＜１）
よりなる結晶を得ることを特徴とする半導体結晶の作製方法。」（特許請求の範囲請求項１）、
「結晶成長用基板、例えばサファイアを結晶成長部に設置したのち・・・基板を６００℃程度まで降温し、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）およびアンモニアを成長装置内に導入し、・・・緩衝層として窒化アルミニウムを約５０ｎｍ程度堆積する。その後ＴＭＡの供給のみを止め、基板温度を１０３０℃程度まで昇温する。次にＭｇが添加された
（Ｇａ１−ｘＡｌｘ）１−ｙＩｎｙＮ（０≦ｘ＜１、０≦ｙ＜１）
の結晶を作製する場合は、ＴＭＡ、トリメチルガリウム（ＴＭＧ）、トリメチルインジウム（ＴＭＩ）およびビスシクロペンタジエニルマグネシウムを所定量供給する。」（公報第３頁右上欄第３行〜第１８行）、
「第１図に示すように、サファイア基板１上に、故意に不純物を添加しない
（Ｇａ１−ｘＡｌｘ）１−ｙＩｎｙＮの単結晶層（ｎ形、０≦ｘ＜１、０≦ｙ＜１））２を形成し、次いでアクセプタ、本例ではＭｇを添加した
（Ｇａ１−ｘＡｌｘ）１−ｙＩｎｙＮ（０≦ｘ＜１、０≦ｙ＜１）単結晶層３を形成する。」（公報第４頁左下欄第５行〜第１１行）と記載されている。
　同じく、甲第２号証には、
「ＩｎＧａＮ膜は（０００１）サファイア基板上に縦型コールドウォール反応炉を用いたＭＯＣＶＤ法により成長させた。サファイア基板は有機溶剤及び硫酸により処理している。原料ガスはトリエチルガリウム（ＴＥＧ）、トリメチルインジウム（ＴＭＩ）と純化したアンモニアである。バブリング及びキャリアガスはともに窒素である。」（第２２５１頁左欄第３３行〜第３８行）、
「インジウムのモル比とIII族流量比（ＴＭＩ／ＴＭＧ＋ＴＭＩ）の関係を図１に示す。・・・この図はインジウムのモル比は流量比により直線的に変化することを示す。」（第２２５１頁右欄第１１行〜第１９行）と記載されている。
　また、特許異議申立人菊池信の提示した甲第１号証は、特許異議申立人中西みどりの提示した甲第１号証であるから、前記事項が記載されており、
　同じく、甲第２号証には、
「所定の基板に単結晶膜を形成するへテロ・エピタキシャル成長方法において、前記単結晶膜を形成する物質と同じ物質の多結晶または非晶質の膜を前記基板上に前記単結晶膜の成長温度より低い温度で、５００Å程度までの厚さ付着した後、前記単結晶膜を前記成長温度で気相成長することを特徴とするへテロ・エピタキシャル成長方法。」（特許請求の範囲）、
「例えば、単結晶が成長しないような低めの温度におけるＣＶＤ法で基板上にあらかじめ薄い膜を付着し、その後温度を上げてエピタキシャル成長させれば、同一のＣＶＤ用装置内で処理できるので、より清浄な単結晶膜を成長させることができる。前述の薄い膜の膜厚は１０Å〜５００Åの範囲にあればよい。」（公報第３頁左欄第１９行〜右欄第６行）と記載されている。
　同じく、甲第３号証には、
「有機金属化合物ガスを用いてサファイア基板上に窒化ガリウム系化合物半導体（ＡｌｘＧａ１−ｘＮ；ｘ＝０を含む）を気相成長させる方法において、サファイア基板上に、成長温度４００〜９００℃で膜厚１００〜５００Åに成長され、・・・窒化アルミニウム（ＡｌＮ）から成るバッファ層を設け、前記バッファ層上に窒化ガリウム系化合物半導体（ＡｌｘＧａ１−ｘＮ；ｘ＝０を含む）を成長させることを特徴とする室化ガリウム系化合物半導体の気相成長方法。」（特許請求の範囲請求項１）、
「単結晶のサファイア基板６０上に、成長温度６５０℃で、・・・ＡｌＮのバッファ層６１を形成した。次に、・・・サファイア基板６０の温度を９７０℃に保持し、・・・ＧａＮから成るＮ層６２を形成した。」（公報第５頁左上欄第２行〜第１２行）と記載されている。
　また、特許異議申立人高木栄の提示した甲第１号証には、
「Ｉｎ１−ｘ−ｙＧａｘＡｌｙＮ（０≦ｘ≦１：０≦ｘ＋ｙ≦１）薄膜を少なくとも一層を含む、基板、バッファ層、クラッド層または低抵抗層、発光層を備える半導体発光素子において、前記基板はＭｎＯ、ＺｎＯ、ＭｇＡｌ２Ｏ４、ＭｇＯ、ＣａＯのいずれかであり、かつ基板上に接して形成されたバッファ層はＩｎ１−ｘ−ｙＧａｘＡｌｙＮ（０≦ｘ≦１：０≦ｘ＋ｙ≦１）よりなることを特徴とする半導体発光素子。」（特許請求の範囲請求項１）、
「０００９】（実施例１）図２は本発明の第一の実施例を説明する図であって、発光素子の断面を示す。この発光素子はＭｎＯ（１１１）基板１の上に成長した膜厚５００ÅのアンドープＧａＡｌＮバッファ層２、膜厚５μｍのＳｎドープｎ型低抵抗ＧａＡｌＮ層３、膜厚０．５μｍのＺｎドーピングにより半絶縁化したＧａＡｌＮ発光層４、前記発光層上に設けた半絶縁層の電極５、及び低抵抗層３上に設けたｎ型抵抗層のオーミック電極６からなる。」（公報第３頁左欄第１９行〜第２７行）、
「【０００１０】（実施例２）図３は本発明の第二の実施例を説明する図であって、発光素子の断面を示す。この発光素子はＭｇＯ（１１１）基板１０の上に成長した膜厚５００ÅのアンドープＩｎＧａＮバッファ層１１、膜厚５μｍのＳｎドープｎ型ＩＧａＡｌＮクラッド層１２、膜厚０．５μｍのアンドープＩｎＧａＮ活性層１３、膜厚２μｍのＭｇドープｐ型ＩｎＧａＡｌＮクラッド層１４、ｐ型クラッド層のオーミック電極１５、ｎ型クラッド層のオーミック電極１６からなる。」（公報第３頁左欄第３４行〜第４２行）、
「【００１１】（実施例３）図４は本発明の第三の実施例を説明する図であって、発光素子の断面を示す。この発光素子は低抵抗ＺｎＯ（１１１）基板１７の上に成長した膜厚５００ÅのアンドープＡｌＮバッファ層１８、膜厚５μｍのＳｎドープｎ型ＩｎＧａＡｌＮクラッド層１９、膜厚０．５μｍのアンドープＩｎＧａＮ活性層２０、膜厚２μｍのＭｇドープｐ型ＩｎＧａＡｌＮクラッド層２１、ｐ型クラッド層のオーミック電極２２、ｎ型クラッド層のオーミック電極２３からなる。」（公報第３頁右欄第８行〜第１６行）、
「【００１２】次に本発明の素子の作製方法について説明する。図５は、原料ガスとしてＩＩＩ族有機金属とＮＨ３を用いる場合について、本発明の半導体発光素子の作製方法を実施するための成長装置の一例を示すものである。石英反応管３２の内部に成長基板３０を保持するカーボン・サセプタ３１を収め・・・石英反応管３２に対して有機金属ガス導入管３５、ＮＨ３ガス導入管３６、Ｈ２ガス及びＮ２ガス導入管３７、及び排気口３８を設ける。３４は熱電対を示す。
【００１３】この装置で、本発明の半導体発光素子用の多層膜構造を作製するには、・・・カーボン・サセプタ３１を５００〜６００℃に加熱し、・・・トリメチルインジウム（ＴＭＩｎ）、トリメチルガリウム（ＴＭＧａ）及びトリメチルアルミニウム（ＴＭＡｌ）のうち必要な原料を・・・導入管３７より石英反応管３２へ供給し、成長基板上にＩｎ１−ｘ−ｙ ＧａｘＡｌｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）バッファ層を堆積する。・・・
【００１４】これに続けて、必要な膜厚を堆積したＩｎ１−ｘ−ｙ ＧａｘＡｌｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）バッファ層をＮＨ３雰囲気中６００〜１３００℃の温度で１〜６０分保持した後、６００〜１３００℃に基板温度を設定し上記と同様の手順で発光素子用の多層膜構造（例えばクラッド層、活性層）を作製する。」（公報第３頁右欄第３７行〜第４頁左欄第１９行）と記載されている。
　同じく、甲第２号証は、特許異議申立人シャープ株式会社の提示した甲第２号証であるから、前記事項が記載されている。
　同じく、甲第３号証には、サファイア基板の上に、原料ガスとして、ガリウム源のガスと、窒素源のガスとを用い、有機金属気相成長法により、次に成長させる窒化ガリウム層よりも低温で成長させる窒化ガリウムのバッファ層を介して、バッファ層よりも高温で該窒化ガリウム層を成長させることが記載されている。
　同じく、甲第４号証には、原料ガスとして、ガリウム源のガスと、窒素源のガスとを用い、有機金属気相成長法により、次に成長させる窒化ガリウム層よりも低温で成長させる窒化ガリウムのバッファ層を介して、バッファ層よりも高温で該窒化ガリウム層を成長させることが記載されている。すなわち、Ｌ１９９８頁右欄第９行〜第２１行には、まず、基板上に５１０℃でＧａＮバッファ層を成長させ、ついで、１０３５℃でｎＧａＮ層及びｐＧａＮ層を順次成長させることが記載されている。
　
Ａ．特許法第２９条第１項第３号及び第２項に関して
ａ．本件の請求項１に係る発明について
（対比・判断）
　本件の請求項１に係る発明（以下、本件発明という。）と特許異議申立人中西みどりの提示した甲第１号証及び甲第２号証、特許異議申立人シャープ株式会社の提示した甲第１号証及び甲第２号証、特許異議申立人菊池信の提示した甲第１号証乃至甲第３号証、特許異議申立人高木栄の提示した甲第２号証乃至甲第４号証（以下、甲各号証という。）に記載された発明とを対比すると、甲各号証には、本件発明の構成要件である、
「バッファ層よりも高温で成長させた窒化ガリウム層の上に、窒化インジウムガリウム半導体を成長させること」について記載されていないし、示唆されてもいない。
　そして、本件発明は、上記構成要件を具備することにより、明細書に記載の
「本発明の成長方法によると従来では不可能であったＩｎＧａＮ層の単結晶を成長させることができる。また、ＧａＮ層を成長させる前にサファイア基板上で低温でバッファ層を成長させることにより、その上に成長させるＧａＮ層の結晶性がさらに向上するため、ＩｎＧａＮの結晶性もよくすることができる。」という作用効果を奏するものである。
  よって、本件発明は、甲各号証に記載された発明と同一の発明ではなく、また、甲各号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
　これに関し、特許異議申立人中西みどりは、甲第２号証には、バッファ層よりも高温で成長させた窒化ガリウム層が記載されており、この技術を甲第１号証に適用すれば、上記構成要件となる旨、主張しており、特許異議申立人シャープ株式会社は、甲第１号証のｘ及びｙの値を適当に定めれば上記構成要件となる旨、主張しており、特許異議申立人菊池信は、甲第２号証及び甲第３号証には、バッファ層よりも高温で成長させた単結晶膜が記載されており、この技術を甲第１号証に適用すれば、上記構成要件となる旨、主張しており、特許異議申立人高木栄は、甲第３号証には、バッファ層よりも高温で成長させた窒化ガリウム層が記載されており、また、甲第４号証には、バッファ層と最上層との間に中間層（ｎＧａＮ）を介在させることが記載されているから、この技術を甲第２号証に適用すれば、上記構成要件となる旨、主張している。
　しかしながら、特許異議申立人中西みどりの提示した甲第２号証、特許異議申立人菊池信の提示した（甲第２号証及び）甲第３号証、特許異議申立人高木栄の提示した甲第３号証には、基板上にバッファ層を介して結晶性のよいＧａＮ層を成長させることは開示されているが、そのＧａＮ層の上に窒化インジウムガリウム半導体を成長させることについて記載されていないし、示唆されてもいない。
　また、特許異議申立人中西みどりの提示した甲第１号証、特許異議申立人菊池信の提示した甲第１号証、特許異議申立人高木栄の提示した甲第２号証には、窒化インジウムガリウム半導体を、基板上に、バッファ層を介して、または直接成長させることが開示されているのみで、バッファ層及び窒化ガリウム層を介して窒化インジウムガリウム半導体を成長させることについては記載されていない。
　してみれば、これらの証拠を各々組み合わせても、「バッファ層よりも高温で成長させた窒化ガリウム層の上に、窒化インジウムガリウム半導体を成長させること」という構成要件を導き出すことは容易とはいえない。
　さらに、特許異議申立人シャープ株式会社の提示した甲第１号証に記載されている、故意に不純物を添加しない（Ｇａ１−ｘＡｌｘ）１−ｙＩｎｙＮの単結晶層（０≦ｘ＜１、０≦ｙ＜１）２、及び、Ｍｇを添加した（（Ｇａ１−ｘＡｌｘ）１−ｙＩｎｙＮ：０≦ｘ＜１、０≦ｙ＜１）単結晶層３において、単結晶層２ではｘ＝ｙ＝０、単結晶層３ではｘ＝０、ｙ≠０の組み合わせとすれば本件発明と同じ構成になるが、例示されているのは、共にｘ＝ｙ＝０のｐ形ＧａＮ単結晶とｎ形ＧａＮ単結晶との組み合わせのみであり、両単結晶においてｘ及びｙが異なる値をとることは記載されていないこと、ＧａＮ層の上に窒化インジウムガリウム半導体を成長させることについて記載されていないことから、該証拠に前記ｘ及びｙの値の組み合わせは開示ないし示唆されていないし、該証拠に基づいて前記ｘ及びｙの値の組み合わせを容易に想到し得るとすることはできない。
　よって、各特許異議申立人の主張は採用できない。
　
ｂ．本件の請求項２乃至請求項４に係る発明について
　本件の請求項２乃至請求項４に係る発明は、本件発明の構成要件をすべて含み、さらに構成要件を付加したものであるから、本件発明と同様に、甲各号証に記載された発明と同一の発明ではなく、また、甲各号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
Ｂ．特許法第２９条の２に関して
ａ．本件の請求項１に係る発明について
（対比・判断）
　本件発明と特許異議申立人高木栄の提示した甲第１号証（以下、先願明細書という。）に記載された発明（以下、先願発明という。）とを対比する。
　先願明細書には、有機金属気相成長法により、基板上にＩｎ１−ｘ−ｙＧａｘＡｌｙＮ（０≦ｘ≦１：０≦ｘ＋ｙ≦１）からなるバッファ層を形成し、その上に、それより高温でＩｎ１−ｘ−ｙＧａｘＡｌｙＮ（０≦ｘ≦１：０≦ｘ＋ｙ≦１）からなるクラッド層または低抵抗層、発光層を備える半導体発光素子が記載されているので、両者は、
「有機金属気相成長法により、次に成長させるＩｎ１−ｘ−ｙＧａｘＡｌｙＮ（０≦ｘ≦１：０≦ｘ＋ｙ≦１）層よりも低温で成長させるバッファ層を介して、バッファ層よりも高温で成長させた該Ｉｎ１−ｘ−ｙＧａｘＡｌｙＮ（０≦ｘ≦１：０≦ｘ＋ｙ≦１）層の上に、原料ガスとして、ガリウム源のガスと、インジウム源のガスと、窒素源のガスとを用い、同じく有機金属気相成長法により、Ｉｎ１−ｘ−ｙＧａｘＡｌｙＮ（０≦ｘ≦１：０≦ｘ＋ｙ≦１）を成長させることを特徴とするＩｎ１−ｘ−ｙＧａｘＡｌｙＮ（０≦ｘ≦１：０≦ｘ＋ｙ≦１）の成長方法。」
である点で一致しているが、
　Ｉｎ１−ｘ−ｙＧａｘＡｌｙＮ（０≦ｘ≦１：０≦ｘ＋ｙ≦１）が、本件発明では、バッファ層の上に成長させるのが窒化ガリウム層であり、さらにその上に成長させるのが窒化インジウムガリウム半導体であるのに対し、先願発明では特に限定されておらず、実施例においては、実施例１ではＳｎドープＧａＡｌＮ低抵抗層及びＺｎドープＧａＡｌＮ発光層、実施例２及び実施例３では共にＳｎドープＩｎＧａＡｌＮクラッド層及びアンドープＩｎＧａＮ活性層である点、で相違している。
　そして、本件発明では、「バッファ層よりも高温で成長させた窒化ガリウム層の上に、窒化インジウムガリウム半導体を成長させること」により、明細書に記載の「本発明の成長方法によると従来では不可能であったＩｎＧａＮ層の単結晶を成長させることができる。また、ＧａＮ層を成長させる前にサファイア基板上で低温でバッファ層を成長させることにより、その上に成長させるＧａＮ層の結晶性がさらに向上するため、ＩｎＧａＮの結晶性もよくすることができる。」という作用効果を奏するものであるから、窒化ガリウム層の上に、窒化インジウムガリウム半導体を成長させることに関して記載も示唆もない先願明細書に記載された発明と、本件発明とは実質的に同一の発明ではない。
　
ｂ．本件の請求項２乃至請求項４に係る発明について
　本件の請求項２乃至請求項４に係る発明は、本件発明の構成要件をすべて含み、さらに構成要件を付加したものであるから、本件発明と同様に、先願発明と実質的に同一の発明ではない。
　
Ｃ．特許法第３６条に関して
　特許異議申立人菊池信は、本件明細書にバッファ層に関して、その目的、厚さなどの構成、それが奏する効果について記載されていないから、特許法第３６条第４項に規定する要件を満たしていない旨、主張しているが、特許請求の範囲、請求項１には、「有機金属気相成長法により、次に成長させる窒化ガリウム層よりも低温で成長させるバッファ層を介して、バッファ層よりも高温で成長させた該窒化ガリウム層」と記載されており、明細書の【００１６】〜【００２２】には、実施例１として、「温度を５１０℃まで下げ、・・・ＧａＮバッファ層を約２００オングストローム成長する。」、「温度が１０３０℃になったら、・・・ＧａＮ層を２μｍ成長させる。」と記載されており、当業者ならば、この記載に基づいて、請求項１に係る発明を容易に実施できるものと認められる。また、明細書の【００２８】【作用効果】の欄に、「ＧａＮ層を成長させる前にサファイア基板上で低温でバッファ層を成長させることにより、その上に成長させるＧａＮ層の結晶性がさらに向上するため、ＩｎＧａＮの結晶性もよくすることができる。」と記載されており、バッファ層が奏する効果についても記載されている。
　よって、本件特許は、特許法第３６条第４項の規定に違反してなされたものではない。
　
（むすび）
　以上のとおりであるから、特許異議の申立ての理由及び証拠によっては、本件の請求項１乃至請求項４に係る発明の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件の請求項１乃至請求項４に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年３月１日（２０００．３．１）