【事件の表示】
　特許第２６２５２６８号「アクティブマトリクス基板」の請求項１ないし２に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結論】
　訂正を認める。
　特許第２６２５２６８号の請求項１に係る特許を維持する。
【理由】
（１）手続の経緯
　特許第２６２５２６８号の請求項１に係る発明についての出願は、平成３年３月１９日に特許出願され、平成９年４月１１日にその特許の設定登録がなされ、その後、古川京子、及び三洋電機株式会社より特許異議の申立がなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１０年６月３日に訂正請求がされた後、再度の訂正拒絶理由が通知され、訂正拒絶理由に対して手続補正書が提出されたものである。
（２）訂正の適否についての判断
　▲１▼訂正の内容
訂正事項１：特許請求の範囲の請求項１の記載を
　「【請求項１】絶縁性基板と、
　該絶縁性基板上に形成され、ソース電極およびドレイン電極、ゲート絶縁膜、ゲート電極がこの順に順次形成された薄膜トランジスタと、
　該ドレイン電極を覆う少なくとも第１及び第２の層間絶縁膜と、
　該ドレイン電極上の該第１層間絶縁膜に形成された第１コンタクトホールと、
　該第１層間絶縁膜上に形成され、該第１コンタクトホールを介して該ドレイン電極に電気的に接続された金属層と、
　該金属層上の第２層間絶縁膜に形成された第２コンタクトホールと、
　該第２層間絶縁膜上に形成され、該第２コンタクトホールを介して該金属層に電気的に接続された絵素電極と、を備え、
　前記金属層に対向する付加容量電極及び容量用下部電極を更に有し、該付加容量電極と該金属層との間及び該容量用下部電極と該付加容量電極との間に付加容量が形成されていることを特徴とするアクティブマトリクス基板。」と訂正する。
訂正事項２：特許請求の範囲の請求項２を削除する。
訂正事項３：明細書第３頁第２６〜２７行「形成された、ドレイン電極を有する薄膜トランジスタ」を「形成され、ソース電極およびドレイン電極、ゲート絶縁膜、ゲート電極がこの順に順次形成された薄膜トランジスタ」と訂正する。
訂正事項４：明細書第４頁第４行「を備えており」を「を備え、前記金属層に対向する付加容量電極及び容量用下部電極を更に有し、該付加容量電極と該金属層との間及び該容量用下部電極と該付加容量電極との間に付加容量が形成されていることを特徴としており」と訂正する。
訂正事項５：明細書第４頁第６〜７行「また、前記金属層に対向する付加容量電極を更に有し、該付加容量用電極と前記金属層との間に付加容量が形成されている構成とすることもできる。」の記載を削除する。
　▲２▼訂正の目的の適否及び拡張・変更の存否
　訂正事項１及び２に係る訂正は、特許請求の範囲の減縮に該当し、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものではないし、新規事項の追加にも該当しない。
　訂正事項３〜５に係る訂正は、明瞭でない記載の釈明に該当し、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものではないし、新規事項の追加にも該当しない。
　▲３▼独立特許要件の判断
［特許法第３６条第５項違反についての判断］
　当審が平成１１年５月２８日付で通知した訂正拒絶理由は、本件の請求項１及び２の記載では、本件発明の構成が不明瞭であり、特許法第３６条第５項に規定する要件を満たしていないというものであるが、平成１１年７月１６日付の訂正の補正で、前記明細書の記載不備については、解消した。
［特許法第２９条第２項違反についての判断］
　（刊行物記載の発明）
　当審が通知した訂正拒絶理由及び取消理由で引用した刊行物（特開平２−２４５７４１号公報）には、
（ｉ）「本発明の反射型液晶表示デバイスは、各表示画素にスイッチとして形成している薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の構造に関し」（第２頁左上欄第７〜１０行）
（ｉｉ）「ドレイン電極と第一画素電極と分離する第一の絶縁層・・・第一画素電極と第二画素電極と分離する第二の絶縁層」（第２頁右上欄第２〜４行）
（ｉｉｉ）「第１図は、本発明の一実施例のＴＦＴアレイの断面図、第２図は別の実施例のＴＦＴアレイの断面図、第３図は第１図の実施例の一画素の電気的な等価回路図である。ＴＦＴ２は、絶縁基板１上に形成されており第一画素電極６はドレイン電極４に接続されている。また反射電極になる第二画素電極８は、第二の絶縁層７を介して第一画素電極６と接続されている。」（第２頁右上欄第１３〜２０行）が、記載されている。
　　（対比・判断）
　本件請求項１に係る発明と、上記刊行物に記載の発明とを対比すると、上記刊行物に記載の発明は、本件請求項１に係る発明を特定する事項である「金属層に対向する付加容量電極及び容量用下部電極を更に有し、該付加容量電極と該金属層との間及び該容量用下部電極と該付加容量電極との間に付加容量が形成されている」点を備えておらず、この点により、本件請求項１に係る発明は、「本発明のアクティブマトリクス基板は、小さな面積で大きな容量値の付加容量を有しているので、この基板を用いた表示装置の画面の開口率を向上させることができ、画像品位の向上に寄与することができる。」という顕著な効果を奏するものであり、本件請求項１に係る発明が、上記刊行物記載のものから容易に発明をすることができたものとはいえない。
　したがって、本件請求項１に係る発明は特許出願の際独立して特許を受けることができるものである。
　▲４▼むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法第１２０条の４第２項及び同条第３項で準用する第１２６条第２〜４項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
（３）特許異議申立についての判断
　（申立理由の概要）
　申立人古川京子は、証拠として、甲第１号証：特開平２−２４５７４１号公報、甲第２号証：特開昭５９−４９５８０号公報、甲第３号証：特開昭６３−１２１８８６号公報を提出し、本件特許の請求項１及び２に係る発明は、特許法第２９条第１項第３号または第２項の規定に違反しており、特許を取り消すべきである旨主張し、申立人三洋電機株式会社は、証拠として、甲第１号証：「電子情報通信学会技術研究報告　電子ディスプレイ」ＥＩＤ　８９−６４　第３３頁〜第３７頁（１９９０．１．１８）、甲第２号証：特許第２５９４９７１号公報、甲第３号証：特許第２６０７１４７号公報を提出し、本件特許の請求項１に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定に違反しており、特許を取り消すべきである旨主張している。
　（甲各号証記載の発明）
　申立人古川京子が提出した、甲第１号証は、当審が通知した平成１０年９月１日付訂正拒絶理由で引用した刊行物１、及び、平成１０年３月１８日付取消理由で引用した刊行物と同じであり、上記「（２）▲３▼独立特許要件の判断［特許法第２９条第２項違反についての判断］（刊行物記載の発明）」において示したとおりの発明が記載されている。
　同甲第２号証には、
　「本発明の製造方法に於てはまずガラス等の絶縁基板上に・・・等のゲート電極材料を形成したのち、・・・ゲート電極１状にパタン化する。・・・ついで、第７図（ａ），（ｂ）に示すように例えばプラズマＣＶＤ法によってアモルファスシリコンＴＦＴを製作する場合では、・・・ゲート絶縁膜２を形成する。・・・次にガス組成を変えて、・・・アモルファスシリコン半導体膜３を前記ゲート絶縁膜と同じ形状に堆積させる。この上から保護絶縁膜１８を形成してのち、・・・ソース，ドレインコンタクト孔１９，２０を第７図の如く設ける。ついで、第８図（ａ），（ｂ）に示すように・・・無機絶縁膜を層間絶縁膜２１として設ける。層間絶縁膜には、フォトエッチにより絵素電極用コンタクト孔２２を設ける。ついで第１０図（ａ），（ｂ）に示すように・・・絵素電極８の形状にパタン化する。」（第３頁左上欄第１１行〜同頁左下欄第７行）
　「第１の工程（第１の電極となるゲート電極を絶縁基板に設ける工程）に於てゲート電極以外に蓄積容量形成用電極を設けておき、第７の工程（第２の電極膜をソース，ドレイン電極の形にパタン化する工程）に於て設けられたドレイン電極との間で蓄積容量を形成せしめることを特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載のマトリクス表示パネルの製造方法。」（第１頁右下欄第１２〜１６行）
　「すなわち、ゲート絶縁膜を形成するに先立って基板上にゲート電極のみを設けておくのではなしに、第１１図に示す如く並列容量形成用共通電極１７を同時に形成しておく。これは工程を増やすことなく単にフォトマスクの模様を第１１図に示すように変えておくことで実現できる。以下ははじめに述べたのと全く同じプロセスでＴＦＴアレーが形成される。
　前記並列容量形成用共通電極１７は、表示媒体１２をはさみ込む前ないしはさんで後に、表示媒体１２をはさんでいる共通透明電極１３と電気的に接続することによってパネルが完成する。この場合、並列容量形成用共通電極１７と絵素電極８との間にはゲート絶縁層２と半導体層３及び層間絶縁層１８が積層の形ではさみ込まれ、コンデンサを形成している。また、並列容量形成用共通電極と共通透明電極が電気的に接続されているからここに形成される絵素容量と電気的には並列に付加されることになるため、並列容量と名付けてある。」（第４頁左上欄第９行〜同頁右上欄第８行）が記載されている。
　同甲第３号証には、「ＩＴＯをスパッタで蒸着し、パターニングを行って中間電極１０６を形成する。」（第２頁右上欄第１７〜１８行）
　「上述の行程を経てでき上がった本アクティブマトリクスパネルは、中間電極１０６を共通電極１１０と同電位とすることによって、半導体層１０３と中間電極１０６との重なりによって生じる容量及び中間電極１０６と画素電極１０９との重なりによって生じる容量が、画素容量として付加される。その結果、画素容量は飛躍的に増大する。」　（第２頁左下欄第８〜１４行）が記載されている。
　申立人三洋電機株式会社が提示した、甲第１号証には、ガラス基板上に形成したポリシリコンにＢをイオン注入・活性化してソース・ドレイン領域を形成し、ゲート絶縁膜となるＳｉＯ２を形成する。そのゲート絶縁膜にコンタクトホールを形成してクロム／アルミから成るゲート電極及び配線部を形成する。更にこの上からパッシベーション膜となるＳｉＮＸを形成し、最後にパッシベーション膜に蛍光体形成用の窓を開けてＴＦＴ形成が完成する。蛍光体の膜厚は数μである、ことが記載されている。
　同甲第２号証には、半導体層１６と、クロム、チタン等の金属からなるソース電極１３と、ＩＴＯ等からなる透明画素電極５とが、透明絶縁層１８を介して積層されている、ことが記載されている。
　同甲第３号証には、層間絶縁膜１７の厚みが１μもある場合にドレイン領域１６とＩＴＯより成る画素電極２３との間にクロム、ニッケル、アルミ等の金属から成る金属層１９，２２を挿入する、ことが記載されている。
　（対比・判断）
　本件請求項１に係る発明と、上記甲号各証記載の発明とを対比すると、当該甲号各証のいずれにも、本件請求項１に係る発明を特定する事項である「金属層に対向する付加容量電極及び容量用下部電極を更に有し、該付加容量電極と該金属層との間及び該容量用下部電極と該付加容量電極との間に付加容量が形成されている」点を備えておらず、この点により本件請求項１に係る発明は、「本発明のアクティブマトリクス基板は、小さな面積で大きな容量値の付加容量を有しているので、この基板を用いた表示装置の画面の開口率を向上させることができ、画像品位の向上に寄与することができる。」という顕著な効果を奏するものであり、本件請求項１に係る発明が、当該甲号各証のいずれかに記載されたものであるとも、また、当該甲号各証記載のものから容易に発明をすることができたものともいえない。
（４）むすび
　以上のとおりであるから、各異議申立人の提出した理由及び証拠によっては、本件請求項１に係る発明の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件請求項１に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１１年８月３０日（１９９９．８．３０）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
訂正事項１：特許請求の範囲の請求項１の記載を
　　「【請求項１】絶縁性基板と、
　該絶縁性基板上に形成され、ソース電極およびドレイン電極、ゲート絶縁膜、ゲート電極がこの順に順次形成された薄膜トランジスタと、
　該ドレイン電極を覆う少なくとも第１及び第２の層間絶縁膜と、
　該ドレイン電極上の該第１層間絶縁膜に形成された第１コンタクトホールと、
　該第１層間絶縁膜上に形成され、該第１コンタクトホールを介して該ドレイン電極に電気的に接続された金属層と、
　該金属層上の第２層間絶縁膜に形成された第２コンタクトホールと、
　該第２層間絶縁膜上に形成され、該第２コンタクトホールを介して該金属層に電気的に接続された絵素電極と、を備え、
　前記金属層に対向する付加容量電極及び容量用下部電極を更に有し、該付加容量電極と該金属層との間及び該容量用下部電極と該付加容量電極との間に付加容量が形成されていることを特徴とするアクティブマトリクス基板。」と訂正する。
訂正事項２：特許請求の範囲の請求項２を削除する。
訂正事項３：明細書第３頁第２６〜２７行「形成された、ドレイン電極を有する薄膜トランジスタ」を「形成され、ソース電極およびドレイン電極、ゲート絶縁膜、ゲート電極がこの順に順次形成された薄膜トランジスタ」と訂正する。
訂正事項４：明細書第４頁第４行「を備えており」を「を備え、前記金属層に対向する付加容量電極及び容量用下部電極を更に有し、該付加容量電極と該金属層との間及び該容量用下部電極と該付加容量電極との間に付加容量が形成されていることを特徴としており」と訂正する。
訂正事項５：明細書第４頁第６〜７行「また、前記金属層に対向する付加容量電極を更に有し、該付加容量用電極と前記金属層との間に付加容量が形成されている構成とすることもできる。」の記載を削除する。
（５４）【発明の名称】
アクティブマトリクス基板
（５７）【特許請求の範囲】
　　　【請求項１】　絶縁性基板と、
　該絶縁性基板上に形成され、ソース電極およびドレイン電極、ゲート絶縁膜、
ゲート電極がこの順に順次形成された薄膜トランジスタと、
　該ドレイン電極を覆う少なくとも第１及び第２の層間絶縁膜と、
　該ドレイン電極上の該第１層間絶縁膜に形成された第１コンタクトホールと、
　該第１層間絶縁膜上に形成され、該第１コンタクトホールを介して該トレイン電極に電気的に接続された金属層と、
　該金属層上の第２層間絶縁膜に形成された第２コンタクトホールと、
　該第２層間絶縁膜上に形成され、該第２コンタクトホールを介して該金属層に電気的に接続されな絵素電極と、
を備え、
　前記金属層に対向する付加容量電極及び容量用下部電極を更に有し、該付加容量電極と該金属層との間及び該容量用下部電極と該付加容量電極との間に付加容量が形成されていることを特徴とする
【発明の詳細な説明】
　　　　【０００１】
　　　【産業上の利用分野】
　本発明は、スイッチング素子として薄膜トランジスタ（以下「ＴＦＴ」という）を有し、液晶等の表示媒体と組み合わせて表示装置を構成するための、アクティブマトリクス基板に関する。
　　　　【０００２】
　　　【従来の技術】
　近年、液晶等を表示媒体として用いたアクティブマトリクス表示装置が、活発に研究されている。中でも、液晶を用いたアクティブマトリクス型の表示装置は、平面ディスプレイとして研究され、その成果も着実に上がっている。
　　　　【０００３】
　このようなアクティブマトリクス表示装置は、絵素電極、ＴＦＴ等が形成されたアクティブマトリクス基板と、対向電極が形成された対向基板と、これらの間に封入された液晶層とによって構成されている。アクティブマトリクス表示装置の研究に於いては、欠陥のない画面を得ることが大きな課題となっている。欠陥のない画面を有する表示装置を作製するためには、アクティブマトリクス基板上のＴＦＴと絵素電極との電気的接続を、確実に行うことが非常に重要である。
　　　　【０００４】
　図３に従来のアクティブマトリクス基板のＴＦＴ近傍の断面図を示す。この表示装置では、ガラス基板１１上に、チャネル層１２ａ、１２ｂ、ソース電極２３及びドレイン電極２４からなる多結晶シリコン薄膜３０が形成されている。多結晶シリコン薄膜３０上には、ゲート絶縁膜１３が形成されている。多結晶シリコン薄膜３０のチャネル層１２ａ及び１２ｂ以外の部分にはイオン注入法によるドーピングが行われ、それらの抵抗が低減されている。
　　　　【０００５】
　ゲート絶縁膜１３上には、ｎ＋又はｐ＋型の多結晶シリコンによって、ゲート電極３ａ及び３ｂが形成されている。この表示装置では２個のＴＦＴ２５ａ及び２５ｂが形成されている。
　　　　【０００６】
　ゲート電極３ａ及び３ｂを覆って基板１１上の全面には、第１層間絶縁膜１４が形成されている。第１層間絶縁膜１４には、スルーホール７ａが形成され、スルーホール７ａ上にはソースバス配線２が形成されている。ソースバル配線２はスルーホール７ａを介してＴＦＴ２５ａのソース電極２３に接続されている。第１層間絶縁膜１４上の全面には第２層間絶縁膜１７が形成され、第１及び第２層間絶縁膜を貫いてコンタクトホール７ｂが形成されている。第２層間絶縁膜１７上には、ＩＴＯから成る絵素電極４がパターン形成されている。絵素電極４はコンタクトホール７ｂを介して、ＴＦＴ２５ｂのドレイン電極２４に接続されている。
　　　　【００７】
　　【発明が解決しようとする課題】
　図３の基板では、ゲート絶縁膜１３の厚さは１００ｎｍ、第１及び第２層間絶縁膜１４、１６の合計の層厚は１３００ｎｍに設定されている。従って、ドレイン電極２４と絵素電極４とを接続するために設けられたコンタクトホール７ｂの深さは１４００ｎｍとなる。この基板ではコンタクトホール７ｂは絵素電極４を構成するＩＴＯによってのみ埋められる。ところが、絵素電極２４を作製するためのＩＴＯ膜の層厚は通常１００ｎｍと小さいため、絵素電極４を構成するＩＴＯをコンタクトホール７ｂ上に形成するだけでは、絵素電極４をドレイン電極２４に電気的に確実に接続した状態で形成することができない場合がある。このような絵素電極４とドレイン電極２４との接続不良は、表示画面上に現れる点欠陥の大きな原因の一つとなっている。
　　　【０００８】
　また、特に高精細な表示を行う表示装置に用いられるアクティブマトリクス基板では、絵素電極４の面積が非常に小さくなるため、絵素電極４と対向基板上の対向電極（図示せずＹとの間に型成されるコンデンサの容量が小さくなり、映像信号を必要な時間保持できない。この容量不足を補うため、ドレイン電極２４にはドレイン電極２４と同じ材料からなる電極が形成され、この電極と付加容量共通電極との間に付加容量が形成される。ところが、付加容量を設けると絵素電極４の表示に寄与する部分の面積が小さくなり、表示画面の開口率が小さくなるという問題点が生じる。
　　　【０００９】
　本発明はこのような問題点を解決するものであり、本発明の目的は、ドレイン電極と絵素電極との接続不良の発生が低減され、しかも、映像信号を保持するための付加容量の占める部分の面積が小さいアクティブマトリクス基板を提供することである。
　　　【００１０】
　　【課題を解決するための手段】
　本発明のアクティブマトリクス基板は、絶縁性基板と、該絶縁性基板上に形成され、ソース電極およびドレイン電極、ゲート絶縁膜、ゲート電極がこの順に順次形成された薄トランジスタと、核ドレイン電極を覆う少なくとも第１及び第２の層間絶縁膜と、該ドレイン極上の該第１層間絶縁膜に形成された第１コンタクトホールと、該第１層間絶縁膜上に形成され、該第１コンタクトホールを介して該ドレイン電極に電気的に接続された金属層と、該金属層上の第２層間絶縁膜に形成された第２コンタクトホールと、該第２層間絶縁膜上に形成され、該第２コンタクトホールを介して該金属層に電気的に接続された絵素電極と、
を備え、前記金属層に対向する付加容量電極及び容量用下部電極を更に有し、該付加容量電極と該金属層との間及び該容量用下部電極と該付加容量電極との間に付加容量が形成されていることを特徴としており
　　　【００１１】
　　【作用】
　本発明のアクティブマトリクス基板では、ドレイン電極上に少なくとも２層の層間絶縁膜が形成されている。ドレイン電極と金属層とは第１層間絶縁膜に形成された第１コンタクトホールを埋める金属層を構成する金属を介して接続される。金属層と絵素電極とは第２層間絶縁膜に形成された第２コンタクトホールを埋める絵素電極を構成する透明導電材料を介して接続される。従って、ドレイン電極と絵素電極とは金属層を介して電気的に接続され、絵素電極とドレイン電極との接続不良の発生は低減される。
　　　【００１２】
　また、金属層を所定の大きさとし、この金属層に対向する付加容量電極を設ければ、金属層と付加容量電極との間に付加容量を構成することができる。また、容量を補った付加容量部のＳｉＯ２を薄膜化することも可能である。この構成によれば、付加容量の面積を小さくすることができる。
　　　【００１３】
　　【実施例】
　本発明の実施例について以下に説明する。図２に、本発明のアクティブマトリクス基板を用いた、アクティブマトリクス表示装置の基本的構造の模式図を示す。この表示装置では、駆動回路とＴＦＴアレイとが同一基板上に形成されている。基板１１上に、ゲート駆動回路５４、ソース駆動回路５５、及びＴＦＴアレイ部５３が形成されている。ＴＦＴアレイ部５３には、ゲート駆動回路５４から延びる多数の平行するゲートバス配線１が配設されている。ソース駆動回路５５からは多数のソースバス配線２が、ゲートバス配線１に直交して配設されている。更に、ソースバス配線２に平行して、付加容量配線８が配設されている。
　　　【００１４】
　ソースバス配線２と、ゲートバス配線１、１と、付加容量配線８とに囲まれた領域には、ＴＦＴ２５、絵素５７、及び付加容量２７が設けられている。ＴＦＴ２５のゲート電極はゲートバス配線１に接続され、ソース電極はソースバス配線２に接続されている。ＴＦＴ２５のドレイン電極に接続された絵素電極と対向基板上の対回電極との間に液晶が封入され、絵素５７が構成されている。絵素５７は電気的には容量と等価であり、絵素５７に書き込まれた信号を保持する作用を有する。また、ＴＦＴ２５のドレイン電極と付加容量配線８との間には、絵素５７に書き込まれた映像信号を保持するための付加容量２７が形成されている。付加容量配線８は、対向電極と同じ電位の電極に接続されている。
　　　【００１５】
　図１（ａ）に、本実施例のアクティブマトリクス基板のＴＦＴ近傍の断面図を示す。また、本実施例の付加容量近傍の断面図を図１（ｂ）に示す。本実施例を製造工程に従って説明する。ガラス、石英等の透明絶縁性基板１１上の全面に、多結晶シリコン薄膜をＣＶＤ法によって形成した。次に、ＣＶＤ法、スパッタリング法、又はこの多結晶シリコン薄膜３０上面の熱酸化によりゲート絶縁膜１３を形成した。ゲート絶縁１３の厚さは１００ｎｍである。また、多結晶シリコン薄膜３０の層厚は、４０〜８０ｎｍである。
　　　【００１６】
　次に、上記多結晶シリコン薄膜３０及びゲート絶縁膜１３のパターニングを行い、チャネル層１２ａ、１２ｂ、ソース電極２３、ドレイン電極２４及び容量用下部電極５を形成した。上述のゲート絶縁膜１３の形成をチャネル層１２ａ、１２ｂ、容量用下部電極５等のパターン形成の後に行ってもよい。また、ゲート絶縁膜１３の形成前に、多結晶シリコン薄膜の結晶性を高めるため、レーザアニール、窒素雰囲気中でのアニール等の処理を行うことも可能である。次に、容量用下部電極５の部分にイオン注入を行い、低抵抗の容量用下部電極５を得た。
　　　【００１７】
　次に、後にゲートバス配線１（図２）ゲート電極３ａ及び３ｂ、並びに付加容量電極６となる多結晶シリコン層をＣＶＤ法によって４５０ｎｍの厚さに形成し、ドーピングを行った。これにより、低抵抗の多結晶シリコン層が得られた。その後、低抵抗多結晶シリコン層のパターニングによって、ゲートバス配線１、２つのゲート電極３ａ及び３ｂ、並びに付加容量電極６を形成した。付加容量電極６は、表示装置として完成した後は対向基板上の対向電極と同じ電位の電極に接続される。ゲート電極３ａ及び３ｂをマスクとし、且つ、フォトリソグラフィ法によって形成されたレジストをマスクとして、ゲート電極３ａ及び３ｂの下方以外の多結晶シリコンン薄膜３０の部分にイオン注入を行った。これにより、ＴＦＴ２５ａ及び２５ｂのソース電極２３及びドレイン電極２４が形成される。尚、本実施例ではＴＦＴ２５は２つのＴＦＴ２５ａ及び２５ｂからなる。
　　　【００１８】
　この基板上の全面に、ＣＶＤ法によって７００ｎｍの厚さで第１層間絶縁膜１４を形成した。次に、図１（ａ）に示すように、スルーホール７及び第１コンタクトホール９ａを形成した。次に、信号線として機能するソースバス配線２（図２）と金属層１０とを、Ａ１等の低抵抗の金属を用いて同時に形成した。金属層１０の層厚は６００ｎｍである。ソースバス配線２はスルーホール７上を通るように形成される。従って、ソースバス配線２はスルーホール７を介してソース電極２３に接続されることになる。また、金属層１０は第１コンタクトホール９ａを埋めるように形成される。従って、金属層１０とドレイン電極２４とは第１コンタクトホール９ａを介して電気的に接続される。また、本実施例では図１（ｂ）に示すように、付加容量電極６と対向するように形成され、付加容量電極６と金属層１０とのの間にも付加容量２７が形成されている。
　　　【００１９】
　次に、この基板上の全面に、ＣＶＤ法によって第２層間絶縁膜１７を６００ｎｍの厚さに形成した。次に、第２層間絶縁膜１７に第２コンタクトホール９ｂを形成した。図１（ａ）に示すように、コンタクトホール９ｂは第２層間絶縁膜１７を貫いて金属層１０上に形成されている。更に、層厚１００ｎｍのＩＴＯから成る絵素電極４をパターン形成した。１図（ａ）に示すように、絵素電極４はコンタクトホール９ｂ上にも形成されるので、絵素電極４はコンタクトホール９ｂを介して金属層１０に電気的に接続される。金属層１０はドレイン極２４に接続されているので、絵素電極４は金属層１０を介してドレイン電極２４に電気的に接続されることになる。
　　　【００２０】
　本実施例では第１層間絶縁膜１４に形成されている第１コンタクトホール９ａが金属層１０を構成する金属によって埋められ、更に第２層間絶縁膜１７に形成されている第２コンタクトホール９ｂが絵素電極４を構成するＩＴＯによって埋められている。従って、絵素電極４とドレイン電極２４とは、ＩＴＯ及び金属によって電気的に接続されることになるので、これらの間の接続不良の発生が低減れている。
　　　【００２１】
　また、付加容量２７は、容量用下部電極５と付加容量電極６からなる容量と、金属層１０と付加容量電極６からなる容量とによって構成される。従って、従来の付加容量に比べ、小さな面積で必要な容量値を得ることができ、表示画面の開口率を向上させることができる。
　　　【００２２】
　　【発明の効果】
　本発明のアクティブマトリクス基板では、絵素電極とＴＦＴのドレイン電極との接続不良が低減されているので、アクティブマトリクス基板の歩留りが向上する。また、本発明のアクティブマトリクス基板は、小さな面積で大きな容量値の付加容量を有しているので、この基板を用いた表示装置の画面の開口率を向上させることができ、画像品位の向上に寄与することができる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　（ａ）は本発明のアクティブマトリクス基板に於ける、薄膜トランジスタの近傍の断面図である。
　（ｂ）は本発明のアクティブマトリクス基板に於ける、付加容量の近傍の断面図である。
　【図２】
　本発明のアクティブマトリクス基板を用いたアクティブマトリクス表示装置の概略構成を示す図である。
　【図３】
　従来のアクティブマトリクス基板に於ける、薄膜トランジスタの近傍の断面図である。
　　【符号の説明】
　１　ゲートバス配線
　２　ソースバス配線
　３ａ、３ｂ　ゲート電極
　５　容量用下部電極
　６　付加容量電極
　７　スルーホール
　８　付加容量配線
　９ａ　第１コンタクトホール
　９ｂ　第２コンタクトホール
　１０　金属層
　１１　絶縁性基板
　１２ａ、１１ｂ　チャネル層
　１３　ゲート絶縁膜
　１４　第１層間絶縁膜
　１７　第２層間絶縁膜
　２５ａ、２５ｂ　ＴＦＴ
　３０　多結晶シリコン薄膜