【事件の表示】
　特許第２７１８２２０号「液晶パネル」の請求項１ないし２に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結論】
　訂正を認める。
　特許第２７１８２２０号の請求項１に係る特許を維持する。
【理由】
１．手続きの経緯
特許出願　　　　　平成１年１１月１７日
特許権設定登録　　平成９年１１月１４日
特許異議の申立て
小野省一：平成１０年８月２０日
セイコーエプソン株式会社：平成１０年８月２４日
牧田美樹：平成１０年８月２５日
シャープ株式会社：平成１０年８月２５日
取消理由通知　　　平成１０年１０月２６日
訂正請求　　　　　平成１０年１２月２５日
訂正拒絶理由通知　平成１１年３月２５日
訂正請求の補正　　平成１１年６月１５日
２．訂正の適否
ア．訂正請求に対する補正の適否について
　訂正請求の補正の内容は、特許請求の範囲の減縮、明りょうでない記載の釈明、誤記の訂正を目的とし願書に添付された明細書（以下、「特許明細書」という。）の訂正の補正を行うものであり、当該補正は要旨を変更するものではないからこれを認める。
イ．訂正請求の内容
　平成１１年６月１５日付け手続補正書により補正された平成１０年１２月２５日付け訂正請求の内容は以下のとおりである。
ａ．特許請求の範囲の記載を下記のとおり訂正する。
「（１）表示エリアの端子電極と外部配線とを半導体チップを介して接続する前記外部配線部分が、少なくとも　ガラス基板上にパターニングされた第１の金属膜導体と前記第１の金属膜導体上にＩＴＯによるオーバーコートとが施されている液晶パネルにおいて、前記第１の金属膜導体とＩＴＯの間に第２の金属膜導体層を設け、前記第１の金属膜導体をＡ１とし、前記第２の金属膜導体層をＭｏＳｉ２層としたことを特徴とする液晶パネル。」（以下、「本件発明」という。）
ｂ．発明の詳細な説明の欄中の見出し、“課題を解決するための手段”に係る記載（特許明細書３頁１６〜１９行、特許掲載公報３欄２０〜２６行）を
「課題を解決するための手段
　上記目的を達成するために、本発明の液晶パネルにおいては、表示エリアの端子電極と外部配線とを半導体チップを介して接続する前記外部配線部分が、少なくともガラス基板上にパターニングされた第１の金属膜導体と前記第１の金属膜導体上にＩＴＯによるオーバーコートとが施されている液晶パネルにおいて、前記第１の金属膜導体とＩＴＯの間に第２の金属膜導体層を設け、前記第１の金属膜導体をＡ１とし、前記第２の金属膜導体層をＭｏＳｉ２層としたものである。」と訂正する。
ｃ．発明の詳細な説明の欄中の、見出し“実施例”中の「中間金属膜２」（特許明細書５頁６行と８行、特許掲載公報４欄１４行と１５行）を「中間金属膜７」と訂正する。
ｄ．山発明の詳細な説明の欄中の、見出し“発明の効果”に係る記載（特許明細書５頁１３行〜６頁１行、特許掲載公報４欄２０〜２７行）を
「発明の効果
　本発明は以上説明したように構成されているので以下に記載されるような効果を奏する。
　本発明の液晶パネルにおいては配線パターン表面はＩＴＯであるため化学的に安定で配線パターンと外部との接続は非常に信頼性の高いものとなる。また、ＩＴＯ膜の下に体積抵抗率の小さい金属膜を設けているために配線パターンの抵抗値も非常に小さくすることができる。さらに、ＩＴＯ膜と上記金属膜の間にＭｏＳｉ２膜を設けているので、金属膜上にＩＴＯ膜をコートしにくいということはない。」と訂正する。
ウ．訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　上記ａの訂正は、特許請求の範囲の減縮、明りょうでない記載の釈明及び誤記の訂正を目的とするものであり、実質的に特許請求の範囲を拡張・変更するものではなく、また、新規事項の追加にも該当しない。
　上記ｂ、ｄの訂正は、ａの訂正により特許請求の範囲が訂正されたのに応じて、特許明細書の発明の詳細な説明を訂正し、特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載との整合を図るものであるので、明りょうでない記載の釈明に該当し、また上記ｃの訂正は、誤記の訂正に該当し、上記ｂ〜ｄの訂正はいずれも実質的に特許請求の範囲を拡張・変更するものではなく、新規事項の追加にも該当しない。
エ．独立特許要件の判断
（引用刊行物）
　訂正明細書の請求項１に係る発明に対し、当審が訂正拒絶理由通知において示した刊行物１〜１３にはそれぞれ以下の発明が記載されている。
刊行物１：特開昭６３−３１６０８４号公報
　刊行物１には、ガラス基板１上にゲ一ト電極パターン２を形成すること、このゲート電極パターン２上にソース・ドレイン電極５を形成すること及びこのソース・ドレイン電極５上にＩＴＯ７を形成することが記載されている（２頁右上欄１６行〜左下欄１９行、第１図（ｃ））。ソース・ドレイン電極５は第２図に示されるごとく液晶デバイスの表示エリアに接続されるものであるし、また、ＩＴＯ７は、一旦は全端子を接続する形にパターンを残して形成されるが、第２図の一点鎖線で切除した後、外部回路に接続されるものである。
　また、刊行物１の第１図（ｃ）には、ゲート電極パターン２とＩＴＯの間にソース・ドレイン電極５を設けることが記載されている。
刊行物２：特開昭５２−７６８７７号公報
　刊行物２には、パネルガラス７に設けられた表示文字８と同時に形成された透明電極配線１２に半導体チップ４を接続する構成が記載されている（２頁左上欄１８行〜右上欄８行、第３図、第４図）。
刊行物４：特開昭６１−２１３４号公報
　刊行物４には、液晶表示部のがラス基板２０上に形成したＣｒ−Ｃｕ−Ｃｒの三層膜の金属配線２４にＣＣＢチップ２を接続する構成が記載されている（３頁右上欄６行〜左下欄３行、第５図）。
刊行物５：特開昭６４−５５８５０号公報
　刊行物５には、液晶表示装置のガラス基板上にＩＣ３を実装する際に、ＩＣ３をハンダ接続する配線部分が積層導電体５となっている発明が記載されている
（第１図、２頁左上欄１８行目〜右上欄１０行目）。
刊行物６：特開昭６３−１９５６８７号公報
　刊行物６には、液晶表示装置の従来の端子構造（第３図）において、外部配線のタンタル（Ｔａ）金属薄１３の表面が酸化被膜を作るため接触抵抗が増大する問題を解決することを目的とすること（２頁左下欄７〜１５行目）、その目的のため、アクティブマトリックス基板の端子構造を、第４、５図に示されるように、Ｔａ金属からなる端子部１３の上部にＩＴＯ薄膜１８を形成しＩＴＯ／Ｔａの積層構造とすることにより、接続部の接触抵抗の経時変化のない信頼性の高い実装方式を確立できたこと（２頁右下欄１０行〜３頁右上欄５行）が記載され、刊行物６の二層構造は「Ｔａ以外の金属でも適用出来ること」並びに「Ｔａ端子表面の酸化が問題となる他の実装方式においても、本発明による二層構造端子は大変有効である。」（３頁右上欄５〜１１行）という記載がある。
刊行物７：特開昭６１−２２８４８８号公報
　刊行物７には、ガラス基板２上に形成された液晶表示素子部分１１が、液晶表示素子を駆動するためのＬＳＩチップ４の一端に金属配線６を介して接続され、ＬＳＩチップ４の他端は配線７に接続されている構成（第２図、第３図、１頁右下欄１７行〜２頁左下欄１行）、配線７は、ＬＳＩチップ４の端子と外部回路との接続用端子間の金属配線であること（２頁左上欄５〜７行）が記載されている。
刊行物８：特開昭６０−２３８８１７号公報
　刊行物８に記載の発明は、フェイスダウン方式による液晶表示パネルとＩＣチップの接合構造に関するものであり（２頁左上欄６〜７行）、ＩＣチップ２１１の一端は配線（２２、２３、２４）を介して、液晶パネルと周辺回路を結ぶ配線基板２７に接続され（第２図、２頁左下欄６行〜右下欄７行）、ここで、２４は、入力部配線抵抗をさらに小さくするために電解メッキした金、ニッケル等である（２頁左下欄１０〜１６行）。
刊行物９：特開平１−２５５８２９号公報
　刊行物９には次の技術事項が記載されていると認められる。
「液晶ディスプレイのガラス基板１上にパターニングされたアルミニウム電極２の上に直接ＩＴＯをパターン形成することは困難であるので、アルミニウム電極２とＩＴＯの間にアルニウムシリコン層５を形成して、アルミニウムとＩＴＯ間のコンタクト抵抗を減少させること。」（１頁左欄１４行〜１７行、２頁左上欄４〜５行、２頁右上欄９〜１３行、２頁右上欄１９行〜左下欄１行、２頁左下欄７〜１３行、２頁左下欄１７行〜右下欄１７行）
刊行物１０：特開平１−１５８７４３号公報
　刊行物１０にはＩＣチップと基板との実装構造、特にフェースダウン実装に関する発明が記載されており、以下の記載がある。
（１）「第１図は本発明のＩＣの実装構造の断面図である。１はガラス基板であり、１２の電源接続部から１０の金属電極上にはさらに２のＩＴＯ電極が形成されており」（２頁右下欄１１〜１５行）
（２）「また、１０の金属電極上のＩＴＯ電極はあっても無くとも良い。存在していれば、金属の酸化防止にもなる。１０の金属電極は、メッキ、あるいはスパッタ等でＮｉを成膜すれば良いが、何もＮｉだけでなくＣｒでもかまわないし、多層の膜、合金の膜としても良い。」（３頁左上欄７〜１２行）
（３）「配線のインピーダンスを低くできるので」（３頁右上欄１６行）
刊行物１１：特開平１−２５６１３６号公報
　刊行物１１にはＩＣチップと基板との実装構造、特にフェースダウン実装に関する発明が記載されており、以下の記載がある。
（１）「第１図は、本発明のＩＣの実装構造を液晶表示装置へ応用した場合の断面図である。．．．ガラス基板１上には、遮光膜２が形成されており、これと同時に金属電極１１が形成される。金属電極１１上にはＩＴＯ電極４が形成されている。」（２頁右上欄９〜１５行）
（２）「１１の金属電極を形成する。すなわち遮光膜２を形成するためには、まず、ガラス基板１上に金属薄膜を形成する。一般的には、Ｎｉ、Ｃｒ等の金属をスパッタで付着させることが多く、多層膜とすることもある。」（２頁左下欄２〜６行）
刊行物１２：特開平１−２７６７３１号公報
　刊行物１２にはＩＣチップと基板との実装構造、特にフェースダウン実装に関する発明が記載されており、以下の記載がある。
（２）「ＩＣの被接続基板が、液晶パネルや、イメージセンサのようにガラス基板を用いる場合は、透明電極が必要であるため、基板上の電極は、第２図に示すようにＩＴＯ電極であることが多い」（１頁右下欄１１〜１４行）
（２）「第１図は本発明のＩＣの実装構造の断面図である。」（２頁左下欄１８〜１９行）
（３）「第１図中に示されるように、ＩＴＯ電極４上に金属電極１１を形成しても良いし、逆に、金属電極上にＩＴＯ電極を形成しても良い。」（２頁右下欄７〜９行）
刊行物１３：特開平１−２６６７３０号公報
　刊行物１３には、電気的接続構造に関し次の記載がある。
「例えば薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を使用した液晶ディスプレイの場合にはガラス基板上の電極にも若干の酸化膜が成長し、フレキシブルプリント基板等と異方性導電膜を使用して接続するときに、接続不良を発生させる原因となることがあった。．．．更に酸化膜を除去した表面を酸化しない材料例えば銀（Ａｇ）や金（Ａｕ）で覆う必要があった。」（１頁右下欄１６行〜２頁左上欄９行）
（対比・判断）
　本件発明と刊行物１、２、４〜１３に記載の発明とを対比すると、刊行物１、２、４〜１３には本件発明の構成要件である「前記第１の金属膜導体とＩＴＯの間に第２の金属膜導体層を設け、前記第１の金属膜導体をＡ１とし、前記第２の金属膜導体層をＭｏＳｉ２層としたこと」について記載されておらず、その示唆もない。
　そして、本件発明は、上記構成要件を備えることにより、特許明細書記載の本件発明に特有の作用効果を奏するものである。
　したがって、本件発明は刊行物１、２、４〜１３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
（むすび）
　よって、本件発明は、特許出願の際独立して特許を受けることができないものとすることはできない。
オ．むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正請求は、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、特許法第１２０条の４第２項、同条第３項で準用する第１２６条第２項乃至第４項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
（３）特許異議申立てについて
ア．特許異議申立ての理由の概要
　特許異議申立人・小野省一は、甲第１号証（特開昭６３−３１６０８４号公報）、甲第２号証（特開昭５２−７６８７７号公報）、甲第３号証（特開昭５２−７７７４９号公報）、甲第４号証（特開昭６１−２１３４号公報）、参考資料１（特開昭６３−３０９９２３号公報）を提示し、訂正前の特許明細書の特許請求の範囲の請求項１、２に係る発明は、甲第１〜４号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないので、訂正前の請求項１、２に係る発明の特許は取り消されるべきである旨主張している。
　特許異議申立人・セイコーエプソン株式会社は、甲第１号証（特開昭６４−５５８５０号公報）、甲第２号証（特開昭６３−１９５６８７号公報）、参考資料１（特開昭６２−２４４１４３号公報）、参考資料２（実願昭６０−１８０１６０号（実開昭６２−８９６８０号）のマイクロフィルム、参考資料３（特開昭６３−２０１６２７号公報）、参考資料４（特開昭６４−１１３５０号公報）、参考資料５（特開昭６０−１６１６８６号公報）を提示し、訂正前の特許明細書の特許請求の範囲の請求項１、２に係る発明は、甲第１、２号証に記載された発明及び参考資料１〜５記載の周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許第２９条第２項の規定により特許を受けることができないので、訂正前の請求項１、２に係る発明の特許は取り消されるべきである旨主張している。
　特許異議申立人・牧田美樹は、甲第１号証（特開昭６１−２２８４８８号公報）、甲第２号証（特開昭６０−２３８８１７号公報）、甲第３号証（特開昭６３−１９５６８７号公報）、甲第４号証（特開平１−２５５８２９号公報）を提示し、訂正前の特許明細書の特許請求の範囲の請求項１、２に係る発明は、甲第１〜４号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないので、訂正前の請求項１、２に係る発明の特許は取り消されるべきである旨主張している。
　特許異議申立人・シャープ株式会社は、甲第１号証（特開平１−１５８７４３号公報）、甲第２号証（特開平１−２５６１３６号公報）、甲第３号証（特開平１−２７６７３１号公報）、甲第４号証（特開平１−２６６７３０号公報）を提示し、訂正前の特許明細書の特許請求の範囲の請求項１、２に係る発明は、甲第１〜４号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないので、訂正前の請求項１、２に係る発明の特許は取り消されるべきである旨主張している。
イ．対比・判断
　特許異議申立人・小野省一が提示した甲第１、２、４号証は、それぞれ訂正拒絶理由通知に引用した刊行物１、２、４であり、特許異議申立人・セイコーエプソン株式会社が提示した甲第１、２号証は、それぞれ訂正拒絶理由通知に引用した刊行物５、６であり、特許異議申立人・牧田美樹が提示した甲第１〜４号証は、それぞれ訂正拒絶理由通知に引用した刊行物７、８、６、９であり、特許異議申立人・シャープ株式会社が提示した甲第１〜４号証は、それぞれ訂正拒絶理由通知に引用した刊行物１０〜１３であるから、各々２．訂正の適否エ．独立特許要件（引用刊行物）に示した発明が記載されている。
　また、特許異議申立人・小野省一が提示した甲第３号証（特開昭５２−７７７４９号公報）には、液晶表示体と駆動回路を同一のガラス基板上に形成すること（４頁右上欄７行〜左下欄１０行）、ＩＣチップ４を液晶表示体の透明電極導電被膜１０に接続すること（第４図）が記載されている。
　そして、特許異議申立人・小野省一が提示した甲第３号証及び各特許異議申立人が提示した各参考資料には本件発明の構成要件である「前記第１の金属膜導体とＩＴＯの間に第２の金属膜導体層を設け、前記第１の金属膜導体をＡ１とし、前記第２の金属膜導体層をＭｏＳｉ２層としたこと」について記載されておらず、その示唆もない。
　したがって、上記２．訂正の適否エ．独立特許要件（対比・判断）において判断したとおり、訂正後の特許請求の範囲の請求項１に記載された発明である本件発明は、各特許異議申立人が提示した甲各号証及び各参考資料に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
ウ．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議の申立ての理由及び証拠によっては本発明の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１１年８月１１日（１９９９．８．１１）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
１．特許請求の範囲の訂正
ａ．特許請求の範囲の記載を、特許請求の範囲の減縮、明瞭でない記載の釈明及び誤記の訂正を目的として下記の通りに訂正する。
　「（１）表示エリアの端子電極と外部配線とを半導体チップを介して接続する前記外部配線部分が、少なくともガラス基板上にパターニングされた第１の金属膜導体と前記第１の金属膜導体上にＩＴＯによるオーバーコートとが施されている液晶パネルにおいて、前記第１の金属膜導体とＩＴＯの間に第２の金属膜導体層を設け前記第１の金属膜導体をＡ１とし、前記第２の金属膜導体層をＭｏＳｉ２層としたことを特徴とする液晶パネル。」
２．発明の詳細な説明の訂正
ｂ．発明の詳細な説明の欄中の見出し、“課題を解決するための手段”に係る記載（特許明細書３頁１６〜１９行、特許掲載公報３欄２０〜２６行）を、明瞭でない記載の釈明を目的として
「課題を解決するための手段
　上記目的を達成するために、本発明の液晶パネルにおいては、表示エリアの端子電極と外部配線とを半導体チップを介して接続する前記外部配線部分が、少なくともガラス基板上にパターニングされた第１の金属膜導体と前記第１の金属膜導体上にＩＴＯによるオーバーコートとが施されている液晶パネルにおいて、前記第１の金属膜導体とＩＴＯの間に第２の金属膜導体層を設け、前記第１の金属膜導体をＡ１とし、前記第２の金属膜導体層をＭｏＳｉ２層としたものである。」と訂正する。
ｃ．発明の詳細な説明の欄中の、見出し“実施例”中の「中間金属膜２」（特許明細書５頁６行と８行、特許掲載公報４欄１４行と１５行）を、誤記の訂正を目的として「中間金属膜７」と訂正する。
ｄ．発明の詳細な説明の欄中の、見出し“発明の効果”に係る記載（特許明細書５頁１３行〜６頁１行、特許掲載公報４欄２０〜２７行）を、明瞭でない記載の釈明を目的として
「発明の効果
　本発明は以上説明したように構成されているので以下に記載されるような効果を奏する。
　本発明の液晶パネルにおいては配線パターン表面はＩＴＯであるため化学的に安定で配線パターンと外部との接続は非常に信頼性の高いものとなる。また、ＩＴＯ膜の下に体積抵抗率の小さい金属膜を設けているために配線パターンの抵抗値も非常に小さくすることができる。さらに、ＩＴＯ膜と上記金属膜の間にＭｏＳｉ２膜を設けているので、金属膜上にＩＴＯ膜をコートしにくいということはない。」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
液晶パネル
（５７）【特許請求の範囲】
（１）表示エリアの端子電極と外部配線とを半導体チップを介して接続する前記外部配線部分が、少なくともガラス基板上にパターニングされた第１の金属膜導体と前記第１の
金属膜導体
液晶パネルにおいて、前記第１の金属膜導体とＩＴＯの間に第２の金属膜導体層を設け、前記第１の金属膜導体をＡｌとし、前記第２の金属膜導体層をＭｏＳｉ２層とした
【発明の詳細な説明】
　産業上の利用分野
　本発明は、液晶パネルに関するものである。
　従来の技術
　従来より、液晶パネル上の配線パターンとしてはＩＴＯ（Ｉｎ２０３）が用いられているがＩＴＯの固有抵抗は比較的高いため、特に配線パターンの電気抵抗を下げる必要のある箇所、例えば駆動ＩＣに電源、信号を供給する配線パターン等にはＩＴＯ上に金属膜をメタライズして配線パターンの抵抗を低減するという方法がとられていた。メタライズする金属としてはＡｕ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｃｒ等各種の金属が使用できるが、前述した金属の中でもＡｕ以外の金属を用いた場合には金属表面に酸化膜が形成されやすく、配線パターンと外部回路あるいは駆動ＩＣを接続する際に問題となる。
　特に導電性接着剤や異方導電性樹脂を用いた接続方式の場合、フィラーとして用いる金属粒子と回路に用いる金属との接触による接続メカニズムであるため信頼性上大きな問題となる。そこで接続を行う部分には薄くＡｕを蒸着あるいはメッキなどを行っていた。
　しかし一度金属膜を形成した上にＡｕ膜を形成しなければならないということで工数、コストの面から問題となっていた。
　以下に従来の液晶パネルについて図面を参照しながら説明する。
　第４図においてＩＣ５はバンプ６を介して導電性接着剤４によってＡｕ膜８と接続されている。Ａｕ以外の金属で構成された金属膜２上に直接、導電性接着剤４を接着すると金属膜２表面の酸化膜によって接続の信頼性が著しく損なわれる。金属膜２の材質をＡｕとしてもよいがコストの面から容易なことではない。
　発明が解決しようとする課題
　従来の液晶パネルにおいては配線パターンを形成する金属膜の表面が酸化しやすいため金属膜上にさらにＡｕを用いて接続用のパッドを設けなければならず工数、コストの面から問題となっていた。
　本発明は金属膜をＩＴＯによってオーバーコートすることによって化学的に安定な膜表面を金属膜上に形成し配線パターンと外部との接続の信頼性を向上させることを目的としている。
　課題を解決するための手段
　上記目的を達成するために、本発明の液晶パネルにおいては、表示エリアの端子電極と外部配線とを半導体チップを介して接続する前記外部配線部分が、少なくともガラス基板上にパターニングされた第１の金属膜導体と前記第１の
金属膜導体
液晶パネルにおいて、前記第１の金属膜導体とＩＴＯの間に第２の金属膜導体層を設け、前記第１の金属膜導体をＡｌとし、前記第２の金属膜導体層をＭｏＳｉ２層とした
　作用
　上記のように構成された液晶パネルにおいては配線パターン表面はＩＴＯであるため化学的に安定で配線パターンと外部との接続は非常に信頼性の高いものとなる。また、ＩＴＯの下に体積抵抗率の小さい金属膜を設けているために配線パターンの抵抗値も非常に小さくすることができる。
　実施例
　実施例を図面を参照して説明すると、第１図においてガラス基板１上に蒸着あるいは無電解メッキ等で例えばＡｌ、Ｃｒ、Ｃｕ等の金属膜２を形成する（第１図（ａ））。この際液晶パネルの表示エリアとなる部分については透明でなければならないので適当なマスキングを施して金属膜２が付着しないようにしなければならない。
　金属膜２を形成した後ＩＴＯ膜３を蒸着にてガラス基板上に形成する（第１図（ｂ））。次にＩＴＯ膜３上にレジストを塗布し感光、エッチングを行ういわゆるフォトリソ技術にて配線パターンを作り込む（第１図（Ｃ））。その際にはＩＴＯ膜３と金属膜２は同時にパターンニングされる。完成した配線パターンに第２図に示すように半導体チップ５を導電性接着剤４にて接続する。
　なお、金属膜２の材質によっては直接ＩＴＯをコートしにくい場合が考えられるがその際には第３図に示すように中間金属膜
７
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　発明の効果
　本発明は以上説明したように構成されているので以下に記載されるような効果を奏する。
　本発明の液晶パネルにおいては配線パターン表面はＩＴＯであるため化学的に安定で配線パターンと外部との接続は非常に信頼性の高いものとなる。また、ＩＴＯ膜の下に体積抵抗率の小さい金属膜を設けているために配線パターンの抵抗値も非常に小さくすることができる。
さらに、ＩＴＯ膜と上記金属膜の間にＭｏＳｉ２膜を設けているので、金属膜上にＩＴＯ膜をコートしにくいとうことはない。
【図面の簡単な説明】
　第１図は本発明の実施例における液晶パネルの配線パターン形成を示す斜視図、第２図は液晶パネルの縦断面図、第３図は中間金属膜を設けた液晶パネルの縦断面図、第４図は従来の液晶パネルの縦断面図である。
　１……ガラス基板、２……金属膜、３……ＩＴＯ膜、４……導電性接着剤、５……半導体チップ、６……バンプ、７……中間金属膜、８……Ａｕ膜。