【事件の表示】
　特許第２６３４３３４号「半導体ウェーハ上の集積回路構造体形成用ＶＨＦ／ＵＨＦプラズマ処理法」の請求項１ないし１６に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結論】
　訂正を認める。
　特許第２６３４３３４号の請求項１ないし１５に係る特許を維持する。
【理由】
［１］手続の経緯
　本件特許第２６３４３３４号（平成３年７月２９日出願、平成９年４月２５日設定登録）は、高橋　学より特許異議の申立がなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内に意見書が提出され、平成１１年６月２日に新たな取消理由通知の手交がなされ、同日付けで訂正請求がなされたものである。
［２］訂正の適否についての判断
（１）訂正の内容
１．訂正事項１
　特許請求の範囲の請求項１に記載の「かつ５０ＭＨｚ〜８００ＭＨｚの周波数を有している電源を使用してプラズマを維持する段階を具備し、」を、特許請求の範囲の減縮を目的として、「かつ１００ＭＨｚ〜８００ＭＨｚの周波数を有している電源を使用してプラズマを維持する段階を具備し、」と訂正する。
２．訂正事項２
　特許請求の範囲の請求項７に記載の「フォトレジストのエッチング（厚さ）」を、特許請求の範囲の減縮を目的として、「フォトレジストのエッチング（厚さ）速度」と訂正する。
３．訂正事項３
　特許請求の範囲の請求項９を削除するとともに、特許請求の範囲の請求項１０〜１６を、それぞれ請求項９〜１５に変更する。
４．訂正事項４
　特許請求の範囲の請求項１４（訂正後の請求項１３）に記載の「かつ５０ＭＨｚ〜８００ＭＨｚの周波数を有している電源を使用してプラズマを維持する段階を具備し、」を、特許請求の範囲の減縮を目的として、「かつ１００ＭＨｚ〜８００ＭＨｚの周波数を有している電源を使用してプラズマを維持する段階を具備し、」と訂正する。
５．訂正事項５
　特許請求の範囲の請求項１５（訂正後の請求項１４）に記載の「真空チャンパ」を、特許請求の範囲の減縮を目的として、「真空エッチングチャンパ」と訂正する。
６．訂正事項６
　特許請求の範囲の請求項１６（訂正後の請求項１５）に記載の「請求項１から請求項１５のいずれか一項に記載のプラズマ補助プロセス」を、特許請求の範囲の減縮を目的として、「請求項１，４，５，６，１３のいずれか一項に記載のプラズマ補助プロセス」と訂正する。
（２）訂正の目的の適否・新規事項の有無及び拡張・変更の存否
１．上記訂正事項１は、訂正前の周波数範囲をさらに限定するものであり、特許明細書（特許掲載公報第１１欄第１２〜１３行）に記載されている周波数範囲からみて、特許請求の範囲の減縮に該当し、新規事項の追加に該当せず、さらに実質上特許請求の範囲を拡張し、変更するものではない。
２．上記訂正事項２は、エッチング（厚さ）をさらに限定するものであり、特許明細書（特許掲載公報第８欄第１６行）の記載からみて、特許請求の範囲の減縮に該当し、新規事項の追加に該当せず、さらに実質上特許請求の範囲を拡張亡、変更するものではない。
３．上記訂正事項３は、上記訂正事項１により特許請求の範囲の請求項９に記載の「周波数範囲」が含まれることになり、これを削除するとともに、請求項９の削除に伴い、請求項１０〜１６を請求項９〜１５に変更するものであり、明りょうでない記載の釈明に該当し、新規事項の追加に該当せず、さらに実質上特許請求の半を拡張し、変更するものではない。
４．上記訂正事項４は、訂正前の周波数範囲をさらに限定するものであり、特許明細書（特許掲載公報第１１欄第１２〜１３行）に記載されている周波数範囲の記載からみて、特許請求の範囲の減縮に該当し、新規事項の追加に該当せず、さらに実質上特許請求の範囲を拡張し、変更するものではない。
５．上記訂正事項５は、訂正前の「真空チャンバ」を、さらに「真空エッチングチャンバ」に限定するものであり、特許明細書（特許掲載公報第７欄第３６行）の記載からみて、特許請求の範囲の減縮に該当し、新規事項の追加に該当せず、さらに実質上特許請求の範囲を拡張し、変更するものではない。
６．上記訂正事項６は、エッチングに限定されない処理を記載している請求項１，４，５，６，１３のいずれかを引用することにより、プラズマ補助プロセスが、エッチングプロセス、ＣＶＤプロセスまたはクリーニングプロセスのいずれかであることを明確にしたものであり、エッチングプロセス、ＣＶＤプロセスについては、特許明細書（特許掲載公報第１１欄第４１〜４８行）に記載され、クリーニングプロセスについては、特許明細書（特許掲載公報第１３欄第９〜１２行、第３３〜４８行）に記載されていることからみて、特許請求の範囲の減縮に該当し、新規事項の追加に該当せず、さらに実質上特許請求の範囲を拡張し、変更するものではない。
（３）独立特許要件
１．本件発明
　訂正明細書の請求項１〜１５に係る発明（以下、「本件発明１〜１５」という。）は、その特許請求の範囲の請求項１〜１５に記載された次のとおりのものである。
　「【請求項１】半導体ウェーハ上に集積回路素子を製作することに使用される素材を処理するプラズマ補助プロセスであって、陽極及び陰極上に取り付けられたウェーハを有しておりかつ２〜５００ミリトルの範囲内の圧力に維持された真空エッチングチャンパ内で、ウェーハ領域の１０〜７６ワット／インチ２の範囲の出力密度レベルに維持され、かつ１００ＭＨｚ〜８００ＭＨｚの周波数範囲を有している電源を使用してプラズマを維持する段階を具備し、前記陽極及び陰極は、少なくとも２：１の陽極対陰極面積の比及び５ｃｍ以上の電極間隔を有することを特徴とするプラズマ補助プロセス。
　【請求項２】前記プラズマ補助プロセスは、０．３〜０．７５ミクロン／分のエッチング速度で酸化ケイ素をエッチングする処理を含むことを特徴とする請求項１に記載のプラズマ補助プロセス。
　【請求項３】前記電源は、１００ＭＨｚ〜２５０ＭＨｚの周波数範囲内で動作することを特徴とする請求項２に記載のプラズマ補助プロセス。
　【請求項４】前記チャンバ内の前記圧力は、２０〜２００ミリトルの範囲にあることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ補助プロセス。
　【請求項５】前記出力密度が、ウェーハ領域の４５〜５６ワット／インチ２の範囲にあることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ補助プロセス。
　【請求項６】フッ素の素材と、水素の選択素材と、炭素の素材と、酸素の選択素材と、選択不活性ガスとを、前記プラズマが点弧する前記チャンパに流入する段階を更に具備することを特徴とする請求項１に記載のプラズマ補助プロセス。
　【請求項７】前記プロセスは、ポリシリコンまたはフォトレジストよりも酸化ケイ素をエッチングする選択処理を含み、酸化ケイ素のエッチング（厚さ）速度とポリシリコンまたはフォトレジストのエッチング（厚さ）速度との２：１〜３０：１以上の比を得るように、炭素とフッ素との原子比が０．１：１〜２：１の範囲にあり、また、存在する水素とフッ素との比が約０．１：１〜０．５：１１の範囲にあることを特徴とする請求項６に記載のプラズマ補助プロセス。
　【請求項８】前記プロセスは、０．２〜１．０ミクロン／分のエッチング速度でボリシリコンまたはアルミニウムをエッチングする処理を含むことを特徴とする請求項１に記載のプラズマ補助プロセス。
　【請求項９】前記電源は、１５０ＭＨｚ〜６００ＭＨｚの周波数範囲内で動作することを特徴とする請求項８に記載のプラズマ補助プロセス。
　【請求項１０】前記チャンパ内の前記圧力は、　２０〜２００ミリトルの範囲にあることを特徴とする請求項８に記載のプラズマ補助プロセス。
　【請求項１１】前記出力密度は、ウェーハ領域の２０〜４０ワット／インチ２の範囲にあることを特徴とする請求項８に記載のプラズマ補助プロセス。
　【請求項１２】塩素含有ガスと選択不活性ガスを前記プラズマが点弧する前記チャンパに流入する段階を更に具備することを特徴とする請求項８に記載のプラズマ補助プロセス。
　【請求項１３】半導体ウェーハ上に集積回路素子を製作することに使用される素材を処理するプラズマ補助プロセスであって、陽極及び陰極上に取り付けられたウェーハを有しておりかつ２〜５００ミリトルの範囲内の圧力に維持された真空エッチングチャンパ内で、ウェーハ領域の１０〜７６ワット／インチ２の範囲の出力密度レベルに維持され、かつ１００ＭＨｚ〜８００ＭＨｚの周波数範囲を有している電源を使用してプラズマを維持する段階を具備し、前記陽極及び陰極は、５ｃｍ〜３０ｃｍの範囲の電極間隔を有することを特徴とするプラズマ補助プロセス。
　【請求項１４】半導体ウェーハ上に集積回路素子を製作することに使用される素材をエッチングするプラズマ補助プロセスであって、陽極及び陰極上に取り付けられたウェーハを有しておりかつ５００ミリトル〜５０トルの範囲内の圧力に維持された真空エッチングチャンパ内で、ウェーハ領域の１５〜７６ワット／インチ２の範囲の出力密度レベルに維持され、かつ５０ＭＨｚ〜８００ＭＨｚの周波数範囲を有している一つ以上の電源を使用してプラズマを維持する段階を具備し、前記陽極及び陰極は、５ｃｍより小さい電極間隔を有し、前記プロセスは、０．２〜１．０ミクロン／分のエッチング速度で酸化ケイ素をエッチングする処理、ポリシリコンあるいはフォトレジストよりはむしろ酸化ケイ素をエッチングする選択処理よりなり、酸化ケイ素エッチング（厚さ）速度とポリシリコンまたはフォトレジストエッチング（厚さ）速度との２：１〜３０：１の範囲の比が得られるように、炭素とフッ素との原子比が０．１：１〜２：１の範囲であり、存在する水素とフッ素との原子比が約０．１：１〜０．５：１の間にあることを特徴とするプラズマ補助プロセス。
　【請求項１５】前記プラズマ補助プロセスは、エッチングプロセス、ＣＶＤプロセスまたはクリーニングプロセスであることを特徴とする請求項１、４、５、６、１３のいずれか一項に記載のプラズマ補助プロセス。」
２．引用刊行物に記載の発明
▲１▼刊行物１
　本件発明１に対し、平成１０年９月２８日付けで当審が通知した取消理由で引用した刊行物１（特開昭６３−３３５８６号公報）には、シリコンをプラズマエッチングして、メガビットチップ技術用の進んだミクロエレクトロニックデバイス構造体を製造する発明が、第１図とともに開示され、さらに、
　「腐蝕は毎分少なくとも０．１ミクロンから、最高毎分２．０ミクロンまでの範囲の高速で通常行われる。エッチングシステムの電力は５００〜２０００ワットの範囲であり、周波数は１〜５０ＭＨｚを使用する。エッチング帯域を通るエッチング剤の流速は、毎分１０〜１００標準立方センチメーター（ＳＣＣＭ）の範囲である。エッチング帯域内の圧力は、０．０１〜１トルの真空条件に維持する。エッチング帯域装置の電極温度は１５〜２５℃の範囲に保つ。このエッチング法は、一般にプラズマエッチングと呼ばれているが、さらに詳しく述べるとプラズマを用いるエッチングの反応性イオン法である。反応性イオン法は、基板を、電力を通じた電極上に取り付けることが必要であるという点で異なる。」（第５頁右下欄下から第２行〜第６頁左上欄第１４行）
が記載されている。
▲２▼刊行物２
　同じく引用した刊行物２（特開昭６２−７３７１９号公報）には、半導体デバイスを製造するに好適なドライエッチング装置に関する発明が、第１〜６図とともに開示され、さらに、
　発明の背景として、「平行平板電極間の面積比を変えることにより、電極面上に発生するシース間電圧が変わる現象が知られている。シースとは放電により生じるプラズマと、電極間との間の暗部をいう。」（第１頁右欄第７〜１０行）
が記載され、また、
　「本発明の目的は電極面積比とエッチング特性の関係を明らかにし、エッチングレートが高く、高い選択比のエッチングができるドライエッチング装置を提供することにある。」（第２頁左上欄下から第５〜２行）、
　「ウエハを載置する電極とこれに対向する電極を有し、この電極間に高周波電圧を印加する手段エッチングガスを導入、排出する手段を有するドライエッチング装置において、ウエハを載置する電極と対向する電極の面積化が１：２以上であることを特徴とするドライエッチング装置。」（特許請求の範囲）、
　「処理室１にガス供給管５からエッチングガスを供給し、排気管６で排気しながら０．０１Ｔｏｒｒ〜数Ｔｏｒｒの所定圧力に保つ。ウェハ７を高周波電極２上に置き高周波電源８より高周波電力を供給すると高周波電極２と対向電極３の間でプラズマが発生する。　・・・
エッチレートは圧力の上昇とともに増加し，０．１Ｔｏｒｒで最大となる。その時のエッチレートは約３００ｎｍ／分である。」（第２頁左下欄第６行〜右下欄第２行）、
　「このように高周波電極２と対向電極３の面積比を大きくすることは、エッチングレートの向上および選択比の向上に大きな効果がある。
　・・・
高周波電極の寸法はウエハを載せるという条件から、その寸法は制限される。そこで面積比をさらに大きくするために第４図に示すように対向電極の寸法を３００ｍｍまで大きくしたが、プラズマ発生領域２０が対向電極がφ２００の場合と変わらず、広がらなかったため効果上の相違は認められなかった。但し、対向電極３と高周波電極２との距離は約１００ｍｍであり、この距離をこれ以上の値とすることは、プラズマの安定した保持が行いにくくなる虞れがある。
　プラズマ発生領域２０は、ガス圧力、高周波電力、電極間隔等に依存するが、これらの放電条件を適当に選ぶことで当該領域２０を広げることができるので、対向電極３は可能な限り大きく設定する必要がある。」（第３頁左上欄第７行〜右上欄第７行）、
　「また本実施例ではアルミ膜のエッチングを中心にエッチレート、ＳｉＯ２膜との選択比について説明したが、レジスト膜との選択比が向上することも実験により確認されている。さらにこれら選択比の結果より、本発明はポリシリコン、モリブデンシリサイド、タングステンシリサイド、タングステンなどラジカルが反応に寄与するものに対して有効である。」（第３頁左下欄第１０〜１７行）
が、それぞれ記載されている。
▲３▼刊行物３
　同じく引用された刊行物３（特開昭６３−１９７３２９号公報）には、高周波発生器に接続された少なくとも１対の電極が配置されたプラズマ・チャンバー内において、基板表面に、無定形の水素化シリコンまたは無定形水素化シリコンの合金化からなる半導体フィルムを付着させる方法に関する発明が第１図とともに開示され、さらに、
　「［１］高周波発生器（５）に接続された少なくとも１対の電極（３，４）が配置されたプラズマ・チャンパー（２）内において基板（７）が上記電極の１つに接続されると共に、他の電極とは距離”ｄ”を距てて配置され、シリコン化合物を１つ以上含むガスが上記反応器（チャンバー）内に導入され、そして高周波電力が上記両電極間に印加されて、該領域にプラズマを発生して、上記基板（７）上に無定形水素化シリコンおよび／または無定形水素化シリコンの合金の半導体フィルムを付着させる方法において、周波数”ｆ”が２５−１５０ＭＨｚであり、およびこの周波数と上記距離との比”ｆ／ｄ　”が３０−１００ＭＨｚ／ｃｍであることを特徴とする方法。
［２］上記距離が１−３ｃｍの範囲内にあるこを特徴とする請求の範囲［１］項に記載の方法。」
（特許請求の範囲）、
　「第一点については、本発明は、周波数ｆが２０−１５０ＭＨｚの範囲内にあり、かつ周波数ｆと距離ｄとの比、即ち、ｆ／ｄが３０−１００ＭＨｚ／ｃｍの範囲内にあることを特徴とする冒頭に記述されたような方法に関する。この距離ｄは１−３ｃｍの範囲内にあるのが好ましい。
　本発明による方法の好ましい実施の態様においてはｆ／ｄ比が３０−８０ＭＨｚの範囲内にあり、そして距離ｄは１−２．５ｃｍの範囲内にある。
　投射される、即ち、プラズマ中に放散され、そして各電極の端子にて測定される電力Ｐに関して、この電力Ｐと、両電極間に存在するプラズマの両量Ｖｐとの比は０．０２−０．２Ｗ／ｃｍ３の範囲、好ましくは０．０４−０．１５Ｗ／ｃｍ３の範囲内にある。さらに、チャンパー内の圧力は、付着期の間に０．１−０．５ｍｂａｒの範囲内に維持されると共に、基板は、好ましくは２３０−３５０℃の範囲内に保持される。」（第４頁左上欄第１〜１９行）
が、それぞれ記載されている。
３．対比・判断
▲１▼本件発明１について
　本件発明１と上記刊行物１に記載の発明とを対比すると、刊行物１には、エッチング帯域内の圧力を０．０１〜１トルの真空条件に維持し、エッチングシステムの電力を５００〜２０００ワット（約２５．５〜約１０２ワット／インチ２）の範囲とすることが記載され、それぞれ本件発明１において、真空エッチングチャンパ内の圧力を２〜５００ミリトルに維持し、出力密度レベルを１０〜７６ワット／インチ２に維持する範囲の一部が含まれる。
　しかしながら、刊行物１には、本件発明１において、電源の周波数範囲を１００ＭＨｚ〜８００ＭＨｚとし、陽極対陰極面積の比を少なくとも２：１とし、さらに、電極間隔を５ｃｍ以上とする構成については何ら記載されていないし、示唆もされていない。
　また、本件発明１と上記刊行物２に記載の発明とを対比すると、刊行物２には、処理室１を０．０１Ｔｏｒｒ〜数Ｔｏｒｒの所定圧力に保つこと、ウエハを載置する電極と対向する電極の面積比（「面積化」は誤記）が１：２以上であること、さらに、対向電極３と高周波電極２との距離は約１００ｍｍであることが記載され、それぞれ本件発明１において、真空エッチングチャンバ内の圧力を２〜５００ミリトルに維持し、陽極対陰極面積の比を少なくとも２：１とし、さらに電極間隔を５ｃｍ以上とする範囲の一部が含まれる。
　しかしながら、刊行物２には、本件発明１において、ウェーハ領域の出力密度レベルを１０〜７６ワット／インチ２に維持し、電源の周波数範囲を１００ＭＨｚ〜８００ＭＨｚとする構成については、何らの記載もないし、示唆もされていない（刊行物２の第３図に、高周波電力を０．２５〜１．００（「０．１０」は誤記）Ｗ／ｃｍ２（約１．６１〜約６．４５ワット／インチ２）とする記載があるものの、その範囲は、本件発明１のウェーハ領域の出力密度レベルとは明らかに相違する。）。
　さらに、本件発明１と上記刊行物３に記載の発明とを対比すると、刊行物３には、チャンバー内の圧力を０．１−０．５ｍｂａｒ（約０．０７５−約０．３７５トル）の範囲内に維持し、周波数ｆが２０−１５０ＭＨｚの範囲にあり、さらに、電極間隔ｄを１−３ｃｍとすることが記載され、それぞれ本件発明１において、真空エッチングチャンバ内の圧力を２〜５００ミリトルに維持し、電源の周波数範囲を１００ＭＨｚ〜８００ＭＨｚとする範囲の一部が含まれる。
　しかしながら、刊行物３には、本件発明において、ウェーハ領域の出力密度を１０〜７６ワット／インチ２に維持し、陽極対陰極面積の比を少なくとも２：１とし、さらに、電極間隔を５ｃｍ以上とする構成については何ら記載されていないし、示唆もされていない（刊行物３には、電力Ｐと両電極間に存在するプラズマの両量Ｖｐとの比を０．０２−０．２Ｗ／ｃｍ３の範囲とし、電極間の距離ｄを１〜３ｃｍとする記載はあるものの、その範囲は本件発明１の範囲とは明らかに相違する。）。
　以上のとおり、刊行物１〜３には、本件発明１の構成が断片的に記載されているにすぎないから、刊行物１〜３に記載のものを組み合わせて件発明１の構成を容易に想到し得たものとすることはできない。
　そして、本件発明１は、上記の構成を有することにより、ウェーハ上の素子への破損の危険を防止するに十分低いが、所望の異方性を得るに十分高いシース電圧を形成し、これによって、従来技術の処理法に匹敵する反応速度で処理が行われるという、明細書に記載の顕著な効果を奏するものである。
　したがって、本件発明１は、刊行物１〜３に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
▲２▼本件発明２〜１２について
　本件発明２〜１２は、いづれも本件発明１を引用する引用形式の発明であるから、上記理由と同じ理由により、刊行物１〜３に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
▲３▼本件発明１３について
　本件発明１３は、本件発明１における陽極対陰極面積の比を限定せずに、陽極及び陰極の電極間隔を５ｃｍ〜３０ｃｍの範囲に限定したものであるが、上記▲１▼において対比したように、刊行物２には、対向電極３と高周波電極２との距離が約１００ｍｍであることが記載され、本件発明１３における電極間隔の範囲の一部が含まれるものの、ウェーハ領域の出力密度レベルを１０〜７６ワット／インチ２に維持し、電源の周波数範囲を１００ＭＨｚ〜８００ＭＨｚとする構成については、何ら記載されていないし、示唆もされていない。
　また、刊行物１，３には、電極間隔を５ｃｍ〜３０ｃｍの範囲に限定する何らの記載もないし、示唆もされていない。
　したがって、本件発明１３は、刊行物１〜３に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
▲４▼本件発明１５について
　本件発明１５は、本件発明１，４，５，６，１３を引用する引用形式の発明であるから、上記理由と同じ理由により、刊行物１〜３に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
　また、当審が通知した平成１１年６月２日付けの取消理由通知に記載した、本件特許の請求項１，７，９，１４及び１６の記載は不明りようであるとの理由は、同日付けの前記訂正明細書により解消した。
　したがって、本件発明１，７，１３及び１５（本件特許の請求項１，７，１４及び１６に係る発明）が、特許出願の際独立して特許を受けることができないものとはいえない。
（４）むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法第１２０条の４第２項及び第３項において準用する同法第１２６条第２〜４項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
［３］特許異議の申立について
（１）申立の理由の概要
　特許異議申立人高橋　学は、本件特許の請求項１〜１６に係る発明（本件発明１〜１５）は、甲第１〜３号証（刊行物１〜３）に記載の発明に基づいて当業者が容易になした発明であるから特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものでり、また、請求項１４に係る発明（本件発明１３）は甲第４号証に記載の発明であって、特許法第２９条の２の規定に違反してされたものであるから、上記発明に係る特許は同法第１１３条第１項第２号の規定により取り消されるべきものである旨主張している。
（２）特許法第２９条第２項違反について
１．本件発明１〜１３，１５
　本件発明１〜１３、１５（本件特許の請求項１〜１４，１６に係る発明）は、上記［２］（３）で示した理由により、甲第１〜３号証（刊行物１〜３）に記載の発明から容易に発明をすることができたものとすることはできない。
２．本件発明１４
　本件発明１４（本件特許の請求項１５に係る発明）は、本件発明１３（本件特許の請求項１４に係る発明）における処理をエッチングに限定し、２〜５００ミリトルの範囲内の圧力を５００ミリトル〜５０トルの範囲内の圧力とし、１０〜７６ワット／インチ２の範囲の出力密度を１５〜７６ワット／インチ２の範囲の出力密度に限定し、電源を１つ以上の電源に限定し、５ｃｍ〜３０ｃｍの範囲の電極間隔を５ｃｍより小さい電極間隔とし、さらに、「前記プロセスは、０．２〜１．０ミクロン／分のエッチング速度で酸化ケイ素をエッチングする処理、ポリシリコンあるいはフォトレジストよりはむしろ酸化ケイ素をエッチングする選択処理よりなり、酸化ケイ素エッチング（厚さ）速度とポリシリコンまたはフォトレジストエッチング（厚さ）速度との２：１〜３０：１の範囲の比が得られるように、炭素とフッ素との原子比が０．１：１〜２：１の範囲であり、存在する水素とフッ素との原子比が約０．１：１〜０．５：１の間にある」との構成を付加したものである。
　そして、甲第１〜３号証には、いずれも、エッチングするプラズマ補助プロセスの上記構成について何らの記載もないし、示唆もされていないから、本件発明１４は、甲第１〜３号証に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
（３）特許法第２９条の２違反について
１．甲第４号証に記載の発明
　甲第４号証の、本願出願日前の出願であって、その出願後に出願公開された特願平１−１１９６５１号（特開平２−２９８０２４号公報参照）の願書に最初に添付した明細書又は図面（以下、「先願明細書」という。）には、減圧状態になされた雰囲気中において、プラズマを発生させることにより基体表面あるいは基体表面に形成された薄膜をエッチングさせる装置に関する発明が、第１図とともに開示され、さらに、
　「すなわち、従来の装置においては、プラズマ密度、照射イオンエネルギをそれぞれ単独かつ直接的に制御することができず、励起活性種源ガスの圧力、流量、高周波電力等の条件を適宜組合せて間接的に制御せざるを得ない。」（第２頁右下欄下から第４行〜第３頁左上欄第１行）、
　本発明の実施例の説明として、「サセプタ１０４には整合回路を介して第２の周波数の高周波電力が加えられている。本例では１００ＭＨｚの高周波電力を加えた例を示している。また、電極１０７には整合回路を介して、サセプタ１０４に加えられている高周波より大きな周波数（第１の周波数）が加えられている。本例では２５０ＭＨｚの高周波電力が加えられた例を示している。周波数ｆ１，ｆ２は整数位の関係にないことが望ましい。」（第３頁左下欄末行〜右下欄第８行）、
　「この状態で、例えばＡｒガスを５×１０−３Ｔｏｒｒの圧力で導入し、５０ｗの高周波電力で放電を起し、電極に加える直流電圧Ｖとその結果流れる電流の関係をとったものを第３図に示す。」（第５頁右上欄第５〜９行）、
　「以上、電極およびサセプタに供給するＲＦの周波数をそれぞれ１００ＭＨｚと２５０ＭＨｚの場合についてのみ述べたが、これに限る必要のないことは言うまでもない。要するに前者に対し後者を高くすればよいのであって、実際の値はそれぞれの目的に応じて必要なエッチング速度や形成された膜の段差部での被覆形状等を考慮して決めればよい。また、エッチングすべき材料も絶縁物に限ることなく、当然導電性材料に対しても有効である。」（第６頁左下欄下から第２行〜右下欄第８行）、
　「電極間隔は、ガス圧にもよるが通常２〜１０ｃｍ程度である。」（第８頁左下欄第１３〜１４行）、
　「この時、チャンバ内に流されるガスは、エッチングされる材料によって、塩素系（Ｃｌ２，ＳｉＣｌ４，ＣＨ２Ｃｌ２，ＣＣｌ４等）、フッ素系（Ｆ２，ＣＨ２Ｆ２，ＣＦ４，ＳｉＦ４等）および混合ガス系（ＣＦ２Ｃｌ２等）であり、キャリアガスＡｒ，Ｈｅ，添加ガスＨ２，０２が加えられる。」（第９頁右上欄第１３〜１９行）、
　「望ましくは１００ＭＨｚ（波長３ｍ）〜ＩＧＨｚ（波長３０ｃｍ）程度である。」（第１０頁左上欄第１〜３行）、
　さらに、「以上本発明の実施例は主としてＳｉＯ２やＳｉ膜のエッチングについて述べてきたが、これに限る必要はもちろんない。例えば、ＰＳＧ膜、ＢＰＳＧ膜、ＡＳＧ膜、シリコン窒化膜、Ａｌ２Ｏ３膜、ＡＩＮ膜、Ａｌ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｔｉあるいはこれらの合金等よりなる膜及び基板のエッチングに用いてもよい。」（第１１頁左上欄下から第３行〜右上欄第４行）
が、それぞれ記載されている。
２．対比・判断
　本件発明１３（本件特許の請求項１４に係る発明）と上記甲第４号証に記載の発明とを対比すると、甲第４号証の先願明細書には、高周波電力を５０Ｗとしてプラズマを維持することは記載されているものの、本件発明１３のように、ウェーハ領域の出力密度レベルを１０〜７６ワット／インチ２に維持する構成は記載されていないから、本件発明１３は、甲第４号証に記載の発明であるとすることはできない。
（４）むすび
　以上のとおりであるから、特許異議の申立ての理由及び証拠によっては、本件発明１〜１５の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明１〜１５の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１１年７月１６日（１９９９．７．１６）
【訂正の要旨】
特許第２６３４３１３４号発明の明細書を本件審判請求書に添付された訂正明細書のとおり訂正する。
▲１▼特許請求の範囲の請求項１に記載の、「かつ５０ＭＨｚ〜８００ＭＨｚの周波数範囲を有している電源を使用してプラズマを維持する段階を具備し、」とあるのを、特許請求の範囲の減縮を目的として、「かつ１００ＭＨｚ〜８００ＭＨｚの周波数範囲を有している電源を使用してプラズマを維持する段階を具備し、」と訂正する。
▲２▼特許請求の範囲の請求項７に記載の、「フォトレジストのエッチング（厚さ）」とあるのを、特許請求の範囲の減縮を目的として、「フォトレジストのエッチング（厚さ）速度」と訂正する。
▲３▼特許請求の範囲の請求項９を削除する。
▲４▼特許請求の範囲の請求項１０，１１，１２及び１３を、それぞれ請求項９，１０，１１及び１２に変更する。
▲５▼特許請求の範囲の請求項１４を請求項１３に変更し、さらに、「かつ５０ＭＨｚ〜８００ＭＨｚの周波数範囲を有している電源を使用してプラズマを維持する段階を具備し、」とあるのを、特許請求の範囲の減縮を目的として、「かつ１００ＭＨｚ〜８００ＭＨｚの周波数範囲を有している電源を使用してプラズマを維持する段階を具備し、」と訂正する。
▲６▼特許請求の範囲の請求項１５を請求項１４に変更し、さらに、「真空チャンバ」とあるのを、特許請求の範囲の減縮を目的として、「真空エッチングチャンバ」と訂正する。
▲７▼特許請求の範囲の請求項１６を請求項１５に変更し、さらに、「請求項１から請求項１５のいずれか一項に記載のプラズマ補助プロセス」とあるのを、特許請求の範囲の減縮を目的として、「請求項１，４，５，６，１３のいずれか一項に記載のプラズマ補助プロセス」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
半導体ウェーハ上の集積回路構造体形成用ＶＨＦ／ＵＨＦプラズマ処理法
（５７）【特許請求の範囲】
　　【請求項１】　半導体ウェーハ上に集積回路素子を製作することに使用される素材を処理するプラズマ補助プロセスであって、陽極及び陰極上に取り付けられたウェーハを有しておりかつ２〜５００ミリトルの範囲内の圧力に維持された真空エッチングチャンバ内で、ウェーハ領域の１０〜７６ワット／インチ２の範囲の出力密度レベルに維持され、かつ
１００
　　【請求項２】　前記プラズマ補助プロセスは、０．３〜０．７５ミクロン／分のエッチング速度で酸化ケイ素をエッチングする処理を含むことを特徴とする請求項１に記載のプラズマ補助プロセス。
　　【請求項３】　前記電源は、１００ＭＨｚ〜２５０ＭＨｚの周波数範囲内で動作することを特徴とする請求項２に記載のプラズマ補助プロセス。
　　【請求項４】　前記チャンバ内の前記圧力は、２０〜２００ミリトルの範囲にあることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ補助プロセス。
　　【請求項５】　前記出力密度が、ウェーハ領域の４５〜５６ワット／インチ２の範囲にあることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ補助プロセス。
　　【請求項６】　フッ素の素材と、水素の選択素材と、炭素の素材と、酸素の選択素材と、選択不活性ガスとを、前記プラズマが点弧する前記チャンバに流入する段階を更に具備することを特徴とする請求項１に記載のプラズマ補助プロセス。
　　【請求項７】　前記プロセスは、ポリシリコンまたはフォトレジストよりも酸化ケイ素をエッチングする選択処理を含み、酸化ケイ素のエッチング（厚さ）
速度
　　【請求項８】　前記プロセスは、０．２〜１．０ミクロン／分のエッチング速度でポリシリコンまたはアルミニウムをエッチングする処理を含むことを特徴とする請求項１に記載のプラズマ補助プロセス。
　　【請求項
９
　　【請求項
１０
　　【請求項
１１
　　【請求項
１２
　　【請求項
１３
１００
　　【請求項
１４
エッチング
　　【請求項
１５
、４、５、６、１３
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　本発明は、集積回路構造体を形成する半導体ウェーハの処理に関する。具体的には、本発明は、半導体ウエーハの処理におけるＶＨＦ／ＵＨＦプラズマの使用に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　集積回路構造体を形成する半導体ウェーハの処理において、プラズマ処理は、蒸着あるいはエッチング加工段階で、しばしば使用されている。この種の処理、例えば、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）、プラズマエッチング、ＣＶＤファセット（ｆａｃｅｔ）、あるいは、共形等方性ＣＶＤなどにおいては、発電器あるいは電源からのラジオ周波数の電力は、一般に、発電器あるいは電源からプラズマへの電力伝送を最大にするある種の整合回路網を経て、真空処理室内の電極へ加えられる。十分に大きい電界が真空室内の電極の間に形成されている場合、電界は、ガス内に存在ずる電子を加速して、電子はガス分子と衝突する。電子と原子あるいは分子との質量の差が大きいので、非常に小さいエネルギーが、弾性的過程を経て伝達される。従って、電子はエネルギーを電界から得て、時には、ガス分子と非弾性的に衝突し、ガス分子を励起するか、あるいは、イオン化する。イオン化により、ほかの電子が放出され、電子は順次、電界によって加速される。イオン化と再結合の過程が平衡状態にある場合、この電子なだれにより、ガスが破壊して、定常状態のプラズマが発生する。高度に反応性のイオンとラジカルな原子核が発生して、素材を半導体ウェーハ上でエッチングするか、あるいは、蒸着するために使用される。
　【０００３】
　このような従来技術のプラズマ発生に使用されている電源は、約１０〜４００ＫＨｚの低周波、約１３〜約４０ＭＨｚ（一般に、１３．５６ＭＨｚ）の範囲の高周波、及び約９００ＭＨｚから２．５ＧＨｚの範囲のマイクロ波における電磁放射を一般に使用している。１０〜４００ＫＨｚの低周波において、イオンと電子はいずれも、振動電界、及びすべての定常状態の電界あるいはプラズマ内に発生したバイアスにより加速されて、ウェーハ上に組付けられた敏感な素子に対する電位破壊の危険を誘発する。いわゆる高周波帯域の１３〜４０ＭＨｚの高周波において、定常状態の電極シース電圧が、数百ボルトから千ボルト以上の範囲で発生する。これは、素子破壊が約２００ボルトより高い電圧における問題であるので、素子の構造、材料、及びほかの要因に従って、問題を起す。
　【０００４】
　高いシース電圧の問題は、プラズマを励起するマイクロ波電源、即ち、約９００ＭＨｚから約２．５ＧＨｚの範囲の周波数の電源を使用することにより改善された。この方法により、低分子エネルギー、すなわち、１０〜３０ｅＶにおいてプラズマが発生する。しかし、マイクロ波周波数を使用すると、明らかにシース電圧の低下により、エネルギーの異方性（垂直性）の損失を伴い、明らかに分子エネルギーレベルの低下により、エッチングあるいは蒸着の速度の低下が生ずる。実際に、数例では、ＳｉＯ２の反応性イオンエッチングなどのプロセスのしきい値エネルギーレベルには、プラズマに送られるマイクロ波エネルギーだけを使用して、達することが出来ない。
　【０００５】
　マイクロ波エネルギー源のみを使用する場合にこのような欠点があるので、マイクロ波エネルギーは、ウェーハのシース電圧を十分に高めて所望の異方性をエッチングにおいて得るために、１３．５６ＭＨｚなどの高周波において、ほかの電源との組合せで使用されている。マイクロ波ＥＣＲ源は、マイクロ波源と、ＥＣＲ条件が満足される、すなわち、マイクロ波源の放射周波数Ｗ＝｜Ｂ｜ｅ／ｍ−ここで｜Ｂ｜は磁界の大きさ、ｅとｍは、それそれ電子の電荷と質量−であるような磁界を使用する。これは、低圧において高密度で低エネルギーのプラズマを発生する。発散磁界が、イオンを引き出して高エネルギーへ加速するために使用されるか、あるいは、高周波のバイアスが、イオンのエネルギーを増大するため、ウェーハに印加される。
　【０００６】
　しかし、このような多重電源装置の使用と調整は、この種のエッチングあるいは蒸着処理に使用される装置を、さらに複雑にする。その上、ＥＣＲ装置を使用するには、０．１から数ミリトルの低い動作圧力を使用することが必要である。これにより、非常に大きい真空ポンプを使用しなければ、反応室に流れるエッチングあるいは蒸着のガスの最大流量が低下することになる。
　【０００７】
　【発明が解決しようとする課題】
　従って、ウェーハ上の素子への破壊を防止するに十分に低く、しかし所望の異方性を得るに十分に高く、また、従来技術の処理と比較出来る反応速度において、シース電圧が発生する電源を使用して、プラズマ補助の処理を行うことが、望ましい。
　【０００８】
　【課題を解決するための手段】
　従って、本発明の目的は、約５０ＭＨｚから約８００ＭＨｚの範囲の周波数を有する電源を使用して、半導体ウェーハ上の集積回路素子の生産用のプラズマ補助処理法を提供することである。本発明のほかの目的は、半導体ウェーハ上の集積回路素子の製造に使用される素材をエッチングするプラズマ補助処理法を提供することであり、この処理法は、約５０ＭＨｚから約８００ＭＨｚの範囲の周波数を有する電源を使用して、約２から約５００ミリトルの範囲にある圧力の真空室内で、約１０から約７６ワット／インチ２のウェーハ領域の電力密度レベルに維持されることよ、り成っている。
　【０００９】
　本発明のさらにほかの目的は、半導体ウェーハ上の酸化けい素をエッチングするプラズマ補助のＲＩＥ処理法を提供することであり、この処理法は、約１００ＭＨｚから約２５０ＭＨｚの周波数範囲を有する電源を使用して、約２から約５００ミリトルの範囲にある圧力の真空室内で約３０から約７６ワット／インチ２のウェーハ領域の電力密度レベルに維持され、一方で、少なくとも約２：１の陽極と陰極との有効面積比にして５ｃｍ以上の電極間隔で、一種類以上のエッチングガスと選択不活性ガスを真空室に流して、約０．３から０．７５ミクロン／分のエッチング速度で異方性エッチングを行うことより成っている。
　【００１０】
　本発明のなおほかの目的は、半導体ウェーハ上の酸化けい素を異方性にエッチングするプラズマ補助のＲＩＥ処理法を提供することであり、この処理法は、約１００ＭＨｚから約２５０ＭＨｚの周波数範囲を有する電源を使用して、約２０から約２００ミリトルの範囲にある圧力の真空室内で約４５から約５６ワット／インチ２の範囲のウェーハ領域の電力密度レベルに維持され、一方で、約２：１から約２０：１の陽極と陰極との有効面積比にして５ｃｍの電極間隔で、ふっ素の素材、水素の選択素材、炭素の素材、及び選択不活性ガスを真空室に流して、約０．３から約０．７５ミクロン／分のエッチング速度で異方性エッチングを行うことより成っている。
　【００１１】
　本発明のそのほかの目的は、ポリシリコンあるいはフォトレジストに関して、半導体ウェーハ上の酸化けい素を選択的に異方性にエッチングするプラズマ補助のＲＩＥ処理法を提供することであり、この処理法は、約１００ＭＨｚから約２５０ＭＨｚの周波数範囲を有する電源を使用して、約２０から約２００ミリトルの範囲にある圧力の真空室内で約４５から約５６ワット／インチ２のウェーハ領域の電力密度レベルに維持され、一方で、ふっ素の素材、水素の選択素材、炭素の素材、及び選択不活性ガスを真空室に流すことより成り、この場合炭素とふっ素の原子比が約０．１：１から約２：１の範囲にあり、水素（存在する場合）とふっ素の原子比が約０．１：１から約０．５：１の範囲にあり、約２：１かあ２０：１の陽極と陰極との有効面積比にして約５ｃｍから約３０ｃｍの電極間隔で、約０．３から約０．７５ミクロン／分のエッチング速度において、約２：１から３０：１以上の酸化けい素のエッチング（厚さ）速度とポリシリコンあるいはフォトレジストのエッチング（厚さ）速度の比が得られる。
　【００１２】
　なお、本発明のそのほかの目的は、半導体ウェーハ上のポリシリコンあるいはアルミニウムをエッチングするプラズマ補助のＲＩＥ処理法を提供することであり、この処理法は、約１００ＭＨｚから約８００ＭＨｚの周波数範囲を有する電源を使用して、約２から約５００ミリトルの範囲にある圧力の真空室内で約１０から約７６ワット／インチ２のウェーハ領域の電力密度レベルに維持され、一方で、少なくとも約２：１の陽極と陰極の面積比にして５ｃｍ以上の電極間隔で、１種類以上のエッチングガスと選択不活性ガスを真空室に流して、約０．２から約１．０ミクロン／分のエッチング速度で異方性エッチングを行うことより成っている。
　【００１３】
　さらに本発明のそのほかの目的は、半導体ウェーハ上のポリシリコンあるいはアルミニウムを異方性にエッチングするプラズマ補助のＲＩＥ処理法を提供することであり、この処理法は、約１５０ＭＨｚから約６００ＭＨｚの周波数範囲を有する電源を使用して、約２０から約２００ミリトルの範囲にある圧力の真空室内で約２０から約４０ワット／インチ２のウェーハ面の電力密度レベルに維持され、一方で、約２：１から約２０：１の陽極と陰極の面積比にして約５ｃｍから約３０ｃｍの電極間隔で、ふっ素の素材と選択不活性ガスを真空室に流入して、約０．５から約０．７ミクロン／分のエッチング速度で異方性エッチングを行うことより成っている。
　【００１４】
　本発明のほかの目的は、半導体ウェーハ上の集積回路の製作に使用される素材をエッチングするプラズマ補助エッチング処理法を提供することであり、この処理法は、約５０から約８００ＭＨｚの周波数範囲を有する電源を使用して、５００ミリトルから５０トルの範囲にある圧力の真空室内で約１５から約７６ワット／インチ２のウェーハ領域の電力密度レベルに維持されていることより成っている。
　【００１５】
　本発明のさらにほかの目的は、半導体ウェーハ上の酸化けい素をエッチングするプラズマ補助エッチング処理法を提供することであり、約１００ＭＨｚから約２００ＭＨｚの周波数範囲を有する電源を使用して、約１トルから約２０トルの範囲にある圧力の真空室内で約３０から５０ワット／インチ２のウェーハ領域の電力密度レベルに維持され、約５ｃｍより小さい陽極と陰極との間隔で、ふっ素の素材、カーボンの素材、水素の選択素材、及び選択不活性ガスを真空室に流して、約０．２から約１．０ミクロン／分のエッチング速度が得られる。
　【００１６】
　本発明のなおほかの目的は、ポリシリコンあるいはフォトレジストのエッチングに関して、半導体ウェーハ上の酸化けい素を選択してエッチングするプラズマ補助のエッチング処理法を提供することであり、この処理法は、約１００ＭＨｚから約２００ＭＨｚの周波数範囲を有する電源を使用して、１トルから２０トルの範囲にある圧力の真空室内で約３０から約５０ワット／インチ２の範囲のウェーハ領域の電力密度レベルに維持され、一方で、ふっ素の素材、炭素の素材、水素の選択素材、及び選択不活性ガスを真空室内に流すことより成り、この場合、陰極と陽極の電極間隔が約５ｃｍより小さい状態で、炭素とふっ素の原子比が約０．１：１から約２：１の範囲にあり、水素（存在する場合）とふっ素の原子比が約０．１：１から約０．５：１の範囲にあって、約０．２から約１．０ミクロン／分のエッチング速度で、酸化けい素のエッチング（厚さ）速度とポリシリコンあるいはフォトレジストのエッチング（厚さ）速度との比が得られる。
　【００１７】
　本発明のさらにほかの目的は、半導体ウェーハ上のポリシリコンあるいはアルミニウムをエッチングするプラズマ補助のエッチング処理法を提供することであり、約１００ＭＨｚから約２００ＭＨｚの周波数範囲を有する電源を使用し、約１トルから約２０トルの範囲にある圧力の真空室内で約２０から約４０ワット／インチ２のウェーハ領域の電力密度レベルに維持され、一方で、陽極と陰極の電極間隔が約５ｃｍより小さい状態で、塩素の素材と選択不活性ガスを真空室に流して、約０．２から約１ミクロン／分のエッチング速度を設定していることより成っている。
　【００１８】
　本発明のほかの目的は、半導体ウェーハ上の集積回路素子の製作に使用される素材を蒸着するプラズマ補助ＣＶＤファセット（ｆａｃｅｔ）蒸着処理法を提供することであり、この処理法は、約５０ＭＨｚから約８００ＭＨｚの周波数範囲を有する電源を使用し、約２から約５００ミリトルの範囲にある圧力の真空室内で約１０から約７６ワット／インチ２のウェーハ領域の電力密度レベルに維持されていることより成っている。
　【００１９】
　本発明のなおほかの目的は、半導体ウェーハ上に酸化けい素を蒸着するプラズマ補助ＣＶＤファセット蒸着処理法を提供することであり、この処理法は、約１００ＭＨｚから約２５０ＭＨｚの周波数範囲を有する電源を使用し、約２から約５００ミリトルの範囲にある圧力の真空室内で約１０から約７６ワット／インチ２のウエーハ領域の電力密度レベルに維持され、一方で、陽極と陰極の面積比が少なくとも２：１、また、電極間隔が５ｃｍ以上の状態で、１種類以上のけい素材の素材、１種類以上の酸素の素材、及び選択不活性ガスを真空室に流し、これにより約０．１から約１．５ミクロン／分の蒸着速度を設定していることより成っている。
　【００２０】
　本発明のさらにほかの目的は、半導体ウェーハ上に酸化けい素を蒸着するプラズマ補助ＣＶＤファセット蒸着処理法を提供することであり、この処理法は、約１００ＭＨｚから約２５０ＭＨｚの周波数範囲を有する電源を使用し、約２０から約２００ミリトルの範囲にある圧力の真空室内で約４５から約５６ワット／インチ２のウェーハ領域の電力密度レベルに維持され、一方で、陽極と陰極の面積比が少なくとも２：１から２０：１、また、電極間隔が約５ｃｍから約３０ｃｍである状態で、１種類以上のけい素の素材、１種類以上の酸素の素材、及び選択不活性ガスを真空室に流して、約０．４から約１．０ミクロン／分の蒸着速度を設定していることより成っている。
　【００２１】
　なお、本発明のそのほかの目的は、半導体ウェーハ上に窒化けい素を蒸着するプラズマ補助ＣＶＤファセット蒸着処理法を提供することであり、この処理法は、約１００ＭＨｚから約２５０ＭＨｚの周波数範囲を有する電源を使用し、約２から約５００ミリトルの範囲にある圧力の真空室内で約１０から約７６ワット／インチ２のウェーハ領域の電力密度レベルに維持され、一方で、陽極と陰極の面積比が少なくとも２：１、また、電極間隔が５ｃｍ以上の状態で、１種類以上のけい素材の素材、１種類以上の窒素の素材、水素の選択素材、及び選択不活性ガスを真空室に流して、約０．１から約１．５ミクロン／分の蒸着速度を設定していることより成っている。
　【００２２】
　さらに本発明のそのほかの目的は、半導体ウェーハ上に窒化けい素を蒸着するプラズマ補助ＣＶＤファセット蒸着処理法を提供することであり、この処理法は、約１００ＭＨｚから約２５０ＭＨｚの周波数範囲を有する電源を使用し、約２０から２００ミリトルの範囲にある圧力の真空室内で約４５から約５６ワット／インチ２のウェーハ領域の電力密度レベルに維持され、一方で、陽極と陰極の面積比が約２：１から約２０：１、また、電極間隔が約５ｃｍから約３０ｃｍの状態で、１種類以上のけい素の素材、１種類以上の窒素の素材、及び水素の選択素材、及び選択不活性ガスを真空室に流し、約０．４から約１．０ミクロン／分の蒸着速度を設定していることより成っている。
　【００２３】
　本発明のほかの目的は、半導体ウェーハ上の集積回路素子の製作に使用される素材を蒸着するプラズマ補助ＣＶＤ共形等方性蒸着処理法を提供することであり、この処理法は、約５０ＭＨｚから約８００ＭＨｚの周波数範囲を有する電源を使用し、５００ミリトルから約５０トルの範囲にある圧力の真空室内で約１０から約３８ワット／インチ２のウェーハ領域の電力密度レベルに維持されることより成っている。
　【００２４】
　さらに、本発明のほかの目的は、半導体ウェーハ上に酸化けい素を蒸着するプラズマ補助ＣＶＤ共形等方性蒸着処理法を提供することであり、この処理法は、約１５０ＭＨｚから約８００ＭＨｚの周波数範囲を有する電源を使用し、５００ミリトルから約５０ミリトルの範囲にある圧力の真空室内で約１０から約３８ワット／インチ２の範囲の電力密度レベルに維持され、一方で、陽極と陰極の電極間隔が約５ｃｍより小さい状態で、１種類以上のけい素の素材、１種類以上の酸素の素材、及び選択不活性ガスを真空室に流し、約０．５から約１．０ミクロン／分の蒸着速度を設定していることより成っている。
　【００２５】
　さらに、本発明のほかの目的は、半導体ウェーハ上に酸化けい素を蒸着するプラズマ補助ＣＶＤ共形等方性蒸着処理法を提供することであり、この処理法は、約１５０ＭＨｚから約８００ＭＨｚの周波数範囲を有する電源を使用し、約１トルから約２０トルの範囲にある圧力の真空室内で約１０から約３８ワット／インチ２の範囲のウェーハ領域の電力密度レベルに維持され、一方で、陽極と陰極の電極間隔が約５ｃｍより小さい状態で、１種類以上のけい素の素材、１種類以上の窒素の素材、水素の選択素材、及び選択不活性ガスを真空室に流して、約０．５から約１．０ミクロン／分の蒸着速度を設定していることより成っている。
　【００２６】
　なお、本発明のそのほかの目的は、半導体ウエーハに窒化けい素を蒸着するプラズマ補助ＣＶＤ共形等方性蒸着処理法を提供することであり、この処理法は、約１５０ＭＨｚから約８００ＭＨｚの周波数範囲を有する電源を使用し、５００ミリトルから約５０トルの範囲にある圧力の真空室内で約１０から３８ワット／インチ２のウェーハ領域の電力密度レベルに維持され、一方で、陽極と陰極の電極間隔が約５ｃｍよ、り小さい状態で、１種類以上のけい素の素材、１種類以上の窒素の素材、水素の選択素材、及び選択不活性ガスを真空室内に流し、約０．５から約１．０ミクロン／分の蒸着速度を設定していることより成っている。
　【００２７】
　さらに、本発明のそのほかの目的は、半導体ウェーハ上に窒化けい素を蒸着するプラズマ補助ＯＶＤ共形等方性蒸着処理法を提供することであり、この処理法は、約１５０ＭＨｚから約８００ＭＨｚの周波数範囲を有する電源を使用し、約１トルから約２０トルの範囲にある真空室内で約１０から約３８ワット／インチ２の範囲のウェーハ領域の電力密度レベルに維持され、一方で、陽極と陰極の電極間隔が５ｃｍより小さい状態で、１種類以上のけい素の素材、１種類以上の窒素の素材、水素の選択素材、及び選択不活性ガスを真空室に流して、約０．５から約１．０ミクロン／分の蒸着速度を設定していることより成っている。
　【００２８】
　【実施例】
　本発明は、プラズマ補助処理法を使用して、真空室内で陽極と間隔をおいて、陰極上に取り付けられた半導体ウェーハ上に、集積回路構造体を製作する改良された方法を提供し７ており、プラズマ補助処理法において、プラズマは、真空室内の陰極と陽極とへ接続し、また、約５０から約８００ＭＨｚの範囲の周波数で動作する、ＶＨＦ／ＵＨＦ電源と呼ばれる電源により発生する。
　【００２９】
　好適に、約２：１から約２０：１の陽極と陰極の面積比、及び約５ｃｍから約３０ｃｍの電極間隔において、電源は、低圧プラズマ補助処理、すなわち、約５００ミリトルを超えない圧力範囲内で維持された真空室内で行われる処理の場合、約５０から約５００ＭＨｚの周波数範囲内の電力を発生する。
　好適に、約５ｃｍより小さい陽極と陰極の電極間隔において、電源は、高圧プラズマ補助処理、すなわち、５００ミリトルから５０トル以上の圧力範囲に維持された真空室内で行われる処理の場合、約１００ＭＨｚから約８００ＭＨｚの周波数範囲内の電力を発生する。
　【００３０】
　プラズマが、約５０から約８００ＭＨｚの範囲内の周波数の電源により発生する場合のプラズマ補助処理を行うことにより、シース電圧は、ウェーハ上の構造体に対する破壊を防止するように十分に低く維持されるが、補助電源を必要とせずに、この処理を適切に始動することが出来る。その上、この周波数範囲でプラズマが動作すると、イオンエネルギーの減少と、プラズマのラジオ周波数電圧の低下とこれらの周波数におけるプラズマインピーダンスの低下による電流の増加に伴うイオン束密度の増加とにより、満足出来る蒸着速度あるいはエッチング速度が達成される。さらに、この周波数範囲のプラズマを形成して印加することにより、マイクロローディング（ｍｉｃｒｏｌｏａｄｉｎｇ）の影響は低減するか、あるいは、除去される。例えば、同じエッチング速度が、開孔の大きさに関係なく、保持される。
　【００３１】
　ここで使用されている用語“シース（ｓｈｅａｔｈ）”は、プラズマ内の各電極に形成した、電子が欠如した領域を意味する。用語“シース電圧”は、特定の電子欠如領域、すなわち、プラズマと電極（陰極あるいは陽極）の間の特定のシースに発生し電圧を意味する。
　本発明により行われるエッチングと蒸着処理において、約５０ＭＨｚから約８００ＭＨｚの範囲の周波数で動作する電源により励起されたプラズマを使用する場合、磁気強化のため真空室の回りに配置された補助磁石を組合せて使用することが出来る。プラズマは、約５０ＭＨｚから約８００ＭＨｚの周波数範囲外で動作する電源を含む一つ以上の電源へ接続することが出来る。
　【００３２】
　本発明は、各種の処理法で使用することが出来る。それらは、低圧における反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）すなわち５００ミリトル以下、高圧におけるプラズマエッチングすなわち５００ミリトル以上の圧力、低圧における化学蒸着（ＣＶＤ）ファセット法すなわち５００ミリトル以下、及び高圧における共形等方性ＣＶＤ法すなわち５００ミリトル以上の圧力などである。
　【００３３】
　本発明の処理法は、本出願と関連出願の、米国特許Ｎｏ．０７／４１６，７５０に開示されている装置などのすべての普通の真空エッチングあるいは蒸着装置で使用される。しかし，、本発明により約５０ＭＨｚから約８００ＭＨｚの周波数範囲で動作する電源は、真空装置と適切に接続することが、本発明の処理法を実施するに当って重要である。電源へ適切に接続して、この周波数範囲の真空室内のプラズマにこの電力を接続する回路網が、米国特許出願Ｎｏ．　　　　　（整理番号１５１−１）、名称“ＶＨＦ／ＵＨＦ反応装置”に開示され、特許請求がなされている。
Ａ．反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）
　本発明に従い、酸化けい素、ポリシリコン、アルミニウムなどの素材は、約５０ＭＨｚから８００ＭＨｚの周波数範囲、好適には、約５００ミリトルを超えない圧力において、５０ＭＨｚから６００ＭＨｚの周波数内で動作する電源へ接続したプラズマを使用して、反応性イオンエッチングによって除去することが出来る。
　【００３４】
　本発明（陰極上に取付けられたウエーハによる）により行われるＲＩＥ処理における全有効陽極面積と全有効陰極面積との比は、陽極と陰極との平均電極間隔が約５ｃｍから約３０ｃｍの範囲にあって、陽極：陰極＝２：１〜２０：１の範囲にあることが好適である。ここで使用されている陽極あるいは陰極の“有効面積”は、プラズマへ接続した電極の面積として定義される。
　【００３５】
　Ｓｉ０２などの酸化けい素が除去されるものである場合、プラズマの電源の周波数は、プラズマの電源の通常周波数が約１５０ＭＨｚから約２００ＭＨｚの範囲で維持された状態で、約１００から約２５０ＭＨｚの範囲に適切に維持される。高い周波数は約８００ＣＭＨｚまで使用出来るが、エッチング速度とエッチングの異方性は、それによって、許容限界以下に低下する。
　【００３６】
　本発明の実施において、ＲＩＥ酸化けい素エッチングに対して使用される圧力は、約２ミリトルから約５００ミリトルの範囲にあり、通常の圧力が約５０ミリトルである状態で、約２０から２００ミリトルの範囲にあることが好適である。
　本発明による、酸化けい素のエッチングに使用されるプラズマの電力密度（ウェーハ領域のワット／インチ２）は、約３０から約７６ワット／インチ２、例えば、一般的な直径５インチのウェーハの場合約６００〜１５００ワットの範囲にある。好適には、電力密度は、約４５から約５６ワット／インチ２の範囲である。
　【００３７】
　各種のエッチングの化学物質が、酸化けい素の除去のために、本発明のＲＩＥ処理の実施において利用され、酸化けい素には、１種類以上のふっ素含有ガス、１種類以上の炭素含有ガス、及び選択の１種類以上の水素含有ガスが含まれている。代表的ガスとガスの混合物には、ＣＦ４，Ｃ２Ｆ６，Ｃ４Ｆ８，ＣＨＦ３，ＣＨ３Ｆ，ＣＨＦ３，ＣＨ３ＦとＣＦ４，ＣＨＦ３とＣＦ４，ＣＦ４とＣＨ４，Ｃ２Ｆ６とＣＨＦ３，Ｃ４Ｆ８とＣＨＦ３，ＮＦ３とＣＨ４，ＳＦ６とＣＨ４，ＣＦ４とＨ２、及び、このガスの化合物あるいはガスの混合物がある。選択使用の酸素の素材は、本分野の精通者には周知のように、上記混合物のすべてと結合して、エッチングの選択性を制御する。アルゴンなどの不活性ガスは、エッチングの異方性を改善するために、エッチングガスのすべての化合物と共に選択して使用される。一般的１０〜１５リットルのエッチング室に使用される各ガスの流量は、所望の圧力範囲について使用される真空ポンプの大きさによって、約１から約３００ｓｃｃｍの範囲にある。
　【００３８】
　酸化けい素のＲＩＥ除去は、本発明の処理法を使用して、湿潤酸化物の状態で熱的に成長した酸化物（流れのなかで成長）に対して、約０．３〜０．７５ミクロン／分の範囲の酸化物除去速度が得られる。このエッチングは、実際に、高度に異方性であり、集積回路構造体に対する識別出来る程度の破損は、ウェーハには残存しない。
　【００３９】
　ポリシリコンあるいはフォトレジストについて、酸化けい素に対して選択性のある酸化けい素エッチングを行うことが望まれる場合、炭素とふっ素の原子比は、約０．１：１から約２：１の範囲になければならない。また、水素（多くのガスの一つに存在する場合）とふっ素の原子比は、約０．１：１から約０．５：１の範囲になければならない。
　【００４０】
　また、アルミニウムとポリシリコンは、約１００ＭＨｚから約８００ＭＨｚの周波数において、好適には、約１５０ＭＨｚから約６００ＭＨｚの周波数において動作する電源を使用して、本発明に従って行われたＲＩＥ処理によって、除去することが出来る。アルミニウムあるいはポリシリコンのＲＩＥ除去に使用される圧力は、酸化物のＲＩＥ除去に使用される圧力と同じである。すなわち、約２ミリトルから約５００ミリトルの範囲の低圧であり、好適には、約２０ミリトルから約２００ミリトルの範囲の圧力である。
　【００４１】
　アルミニウムあるいはポリシリコンのＲＩＥ除去は、本発明の処理により、約１０から約７６ワット／インチ２の範囲の、例えば、直径５インチに対し約２００〜１５００ワットのウエーハ面の電力密度、また、好適には、約２０から約４０ワット／インチ２の範囲の電力密度によって行われる。アルミニウムあるいはポリシリコンの除去に使用される有用な代表的ＲＩＥ化学物質には、不活性ガスと塩水含有ガスの混合、例えばＣＩ２とＡｒの混合、あるいは、ＢＣｌ３とＡｒの混合などがあり、これらのガスは、本発明の処理を行う場合に使用される。この種のガスの普通の流量は、１０〜１５リットルのエッチング室の場合、塩素含有ガスあるいはアルゴンなどの不活性ガスに対して、約１０から約１００ｓｃｃｍの範囲である。
　【００４２】
　本発明により行われたアルミニウムあるいはポリシリコンＲＩＥ処理のエッチング除去の速度は、約０．２から約１．０ミクロン／分の範囲であり、好適には、約０．５から約０．７ミクロン／分の範囲である。このエッチングは、実際に高度に異方性であり、ウエーハ上に残留する集積回路構造体には識別出来る破損はない。また、単結晶シリコンも酸化けい素のエッチングに使用する化学物質を変えることにより、例えば、ふっ素の素材、及び炭素と酸素の選択使用素材を使用して、本発明のＲＩＥによって除去することが出来る。
Ｂ．プラズマ補助高圧エッチング
　酸化けい素及びアルミニウムあるいはポリシリコンのエッチング除去は、高圧により、すなわち、５００ミリトルから５０トル以上の圧力により行うことも出来る。このような高圧プラズマ補助エッチング処理が、アルミニウムあるいはポリシリコンなどの素材の除去のために、本発明に従って使用される場合、プラズマ励起に使用される周波数は、約５０ＭＨｚから約８００ＭＨｚ、好適には、約１００ＭＨｚから約２００ＭＨｚの範囲にあり、圧力は５００ミリトルから約５０トル以上、好適には、約１トルから約２０トルの範囲である。
　【００４３】
　電力密度は、ウェーハ領域で約１５から約７６ワット／インチ２、好適には、約３０から約５０ワット／インチ２の範囲である。陽極と陰極の電極間隔は、プラズマが電極間の容積を完全に満すように、約０．２ｃｍから約５ｃｍの範囲である。酸化けい素除去の本発明の高圧プラズマ補助エッチング処理の実施に使用されるエッチング化学物質には、１種類以上のふっ素含有ガス、１種類以上の炭素含有ガス、選択使用の１種類以上の水素含有ガスがある。代表的ガスと混合ガスは、ＣＦ４，Ｃ２Ｆ６，Ｃ４Ｆ８，ＣＨＦ３，ＣＨＦ３とＣＨＦ３，ＣＨ３ＦとＣＦ４，ＣＨＦ３とＣＦ４，ＣＦ４とＣＨ４，Ｃ２Ｆ６とＣＨＦ３，Ｃ４Ｆ８とＣＨＦ３，ＮＦ３とＣＨ４，ＳＦ６とＣＨ４，ＣＦ４とＨ２、及び、この種のガスあるいは混合ガスの化合物である。選択使用の酸素の素材は、上記混合物のどれとも結合して、本分野の熟練者には周知のように、エッチングの選択性を制御する。
　【００４４】
　アルゴンなどの不活性フローガスは、望むならば、エッチングガスのすべての化合物と一緒に使用されて、エッチング面の外形を制御する。一般的な１０〜１５リットルのエッチング室に使用される各ガスの流量は、所望の圧力範囲で使用される真空ポンプの大きさに従って、約１から約３００ｓｃｃｍの範囲である。本発明により行われるこの高圧プラズマ補助エッチングのエッチング速度は、約０．２から約１．０ミクロン／分の範囲である。
　【００４５】
　本発明のこの処理の実施において、アルミニウムあるいはポリシリコン除去に有用なエッチング化学物質は、低圧ＲＩＥ処理に使用されるものと同じ、すなわち、塩素含有ガスと不活性ガスの混合であり、例えば、Ｃｌ２とＡｒの混合、あるいは、ＢＣｌ３とＡｒとの混合である。１０〜１５リットルのエッチング室に使用されるこの種のガスの一般的な流量は、塩素含有ガスあるいはアルゴンなどの不活性ガスのいずれについても、約１０から約１００ｓｃｃｍの範囲である。アルミニウムあるいはポリシリコンのエッチング除去速度は、このような化学物質を使用して、約０．２から約１．０ミクロン／分の範囲である。
　【００４６】
　単結晶シリコンも、酸化けい素のエッチングに使用される化学物質を変えて、例えば、ふっ素の素材及び炭素と酸素の選択素材を使用して、本発明の高圧エッチング処理によって除去することが出来る。
Ｃ．ＣＶＤ低圧（ファセット）蒸着
　プラズマ補助処理法により集積回路構造体を製作する、改良された本方法では、プラズマは、約５０から約８００ＭＨｚの周波数で動作する電源により発生する。また、本方法は、低圧ＣＶＤ処理などのプラズマ補助蒸着処理にも使用出来る。
　【００４７】
　ＣＶＤファセット処理として知られているこの処理では、シリコンウェーハの深溝の外側（上部）の角に蒸着された素材（例えば、酸化物あるいは窒化物）のエッチングも、酸化物あるいは窒化物の深溝内への蒸着を瞬間的に行い、これによって、充填素材内のすき間の形成を防止することが出来る。従来技術では、このようなファセット及び蒸着は、ＥＣＲ／マイクロ波周波数プラズマＣＶＤで瞬間的に行われ、一般的な１３．５６ＭＨｚなどの高周波でプラズマ補助ＣＶＤを使用する従来の技術では、所望のファセットを得るために、蒸着室とエッチング室との間を往復することが必要であった。
　【００４８】
　本発明により、瞬間的低圧ＣＶＤ蒸着とファセットは、プラズマが約５０ＭＨｚから８００ＭＨｚの周波数範囲で、好適には、約１００ＭＨｚから約２５０ＭＨｚの周波数範囲で動作する電源により励起される。従って、複雑なマイクロ波／ＥＣＲ装置の使用、あるいは、蒸着室とエッチング室との間でウェーハを往復する必要は、本発明の処理を行うことにより避けることが出来る。
　【００４９】
　このようなプラズマ補助ＣＶＤファセット蒸着中のプラズマの電力密度は、約１０から約７６ワット／インチ２、好適には、約３０から約７６ワット／インチ２、最も好適には約４５から約５６ワット／インチ２の範囲内に維持されなければならない。酸化物あるいは窒化物の蒸着速度は、約０．１から約１．５ミクロン／分の範囲の蒸着速度を生ずる１０〜７６ワット／インチ２の電力密度範囲を有するプラズマの電力密度と共に変化するが、約４５から５６ワット／インチ２の範囲の電力密度で動作すると、酸化物あるいは窒化物などの素材の所望の厚さが蒸着されるまで、蒸着速度は、約０．４から１．０ミクロン／分の範囲にある。
　【００５０】
　このプラズマ補助ＣＶＤファセット蒸着中の蒸着室内の圧力は、約２ミリトルから約５００ミリトルの範囲に、好適には、約２０ミリトルから約２００ミリトルの範囲に維持されなければならない。蒸着室内の陽極の全有効面積と陰極（ウェーハが支持されている）の全有効面積との比は、−“有効面”は、前に定義されている通りに、プラズマに接続した面積である−最小で約２：１から約２０：１の範囲であり、陽極と陰極との間隔は、最小で約５ｃｍから約３０ｃｍである。
　【００５１】
　この方法により酸化けい素を蒸着する場合、アルゴンなどの選択不活性ガスのほかに、１種類以上のけい素の素材と１種類以上の酸素の素材が、蒸着室に流入する。けい素の素材は、シラン（ＳｉＨ４）などの気体状の素材、あるいは、有機けい素の素材、例えば、テトラエチルオルトけい酸塩（ＴＥＯＳ）などの液状素材からの蒸気である。酸素の素材は、Ｏ２、Ｎ２０、あるいは、少量の酸素を有するかまたは有していない同素材の化合物、または、すべてのほかの入手容易な酸素の素材である。ドープ剤の素材も、ドープされたガラスを蒸着することが必要である場合、反応室内へ流すことが出来る。
　【００５２】
　５〜１０リットル蒸着室へのガスの代表的流量は、けい素の素材としてシラン及び酸素の素材として０２あるいはＮ２Ｏをアルゴンガスと共に使用する場合、約１０〜１５０ｓｃｃｍのＳｉＨ４、約１０〜３００ｓｃｃｍ、及びゼロから約５００ｓｃｃｍのアルゴンである。ＴＥＯＳが、けい素の素材として使用される場合、代表的流量は、約０．１から約１．０グラム／分の範囲である。
　【００５３】
　窒化けい素は、酸化けい素の代りに、同一蒸着条件で酸素の素材を窒素の素材に置き換えて、半導体ウエーハに蒸着することが出来るが、オキシ窒化物を形成しない上記のすべてのけい素の素材を使用する。これに関して、留意すべきことは、形成された、いわゆる窒化けい素は、真のＳｉＨ４でないが、窒化けい素あるいは単に“窒化物”と慣例的に呼ばれているＳｉｘＨｙＮｚであることである。
　【００５４】
　このような窒化けい素の層を蒸着する場合、窒素とアンモニアは、窒素の素材として使用される。水素の選択素材も供給出来る。窒化けい素の蒸着の場合の代表的ガスの流量は、酸化けい素の蒸着と同じ条件で、約１０がら約１５０ｓｃｃｍのＳｉＨ４、約２５から約３００ｓｃｃｍのＮ２、約ゼロから約５０ｓｃｃｍのＮＨ４、ゼロがら約５０ｓｃｃＩＩＩの水素、及びゼロから約５００ｓｃｃｍのアルゴンである。
　【００５５】
　オキシ窒化けい素を半導体ウェーハに蒸着することが望まれる場合、酸素の素材は、ほかのすべての反応条件を実質的に変えることなく、窒化けい素の形成に使用され反応物質へさらに加えることが出来る。
Ｄ．高圧ＣＶＤ（共形等方性）蒸着
　酸化けい素と窒化けい素などの素材の共形等性層の蒸着は、また、高圧条件の下で、すなわち、５００ミリトルを超えて５０トル以上の圧力において、好適には、約１トルから約２０トルの範囲で、また、約５０ＭＨｚから約８００ＭＨｚの範囲の、好適には、約１５０ＭＨｚから８００ＭＨｚの範囲の周波数において励起されたプラズマを使用して、本発明により製作され、ウェーハ面の約１０から約３８ワット／インチ２の電力密度において、例えば、一般的な直径５インチのウェーハについて約２００から約７５０ワットの電力レベルに維持される。陽極と陰極の電極間隔は、約０．２から約５ｃｍの範囲にある。
　【００５６】
　けい素の素材は、シラン（ＳｉＨ４）などの気体状の素材、あるいはＳｉＨ２Ｃｌ２などの置換されたシランである。酸素の素材は、Ｎ２０あるいはほかの入手容易で酸素の十分に安全な素材である。５〜１０リットルの蒸着室へのガスの一般的流量は、けい素の素材としてシランと酸素の素材としてＮ２０を使用して、約１０〜１０００ｓｃｃｍのＳｉＨ４と約１００〜５０００Ｎ２０である。このような蒸着条件の下で、約０．１から約２ミクロン／分の蒸着速度が、共形のＳｉ０２の所望の厚が得られるまで、維持される。
　【００５７】
　窒化けい素は、また、同一高圧蒸着条件の下で、酸素の素材を窒素の素材に置換して、酸化けい素の代りに蒸着される。低圧処理法の場合のように、窒素と（選択的）アンモニアが、窒素の素材として使用される。窒化けい素蒸着の場合の一般的ガスの流量は、酸化けい素の高圧蒸着の場合と同一条件の下で、約１０から約１００ｓｃｃｍのＳｉＨ４、約１００から約１，０００ｓｃｃｍのＮ２、及び約ゼロから約１００ｓｃｃｍのＮＨ３であり、酸化けい素とほぼ同じ蒸着速度、すなわち、約０．１から約２ミクロン／分の速度に達する。
　【００５８】
　半導体ウェーハにオキシ窒化けい素の共形層を等方性に蒸着することが、望まれる場合、Ｎ２０などの酸素の素材が、ほかのすべての反応条件を実質的に変えることなく、窒化けい素の形成に使用される反応物質へさらに加えられる。従って、本発明は、約５０ＭＨｚから約８００ＭＨｚの範囲内の周波数において動作する電源により励起されたプラズマにより、素材の半導体ウェーハへのエッチングと蒸着に関する改良された方法を提供し、ウェーハ上の素子への破損の危険を防止するに十分に低いが、所望の異方性を得るに十分に高いシース電圧を形成し、これによって、本処理法は、従来技術の処理法に匹敵する反応速度で行われる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本発明のプラズマ補助の処理法によるＲＩＥ低圧エッチングを示す流れ図である。
　【図２】
　本発明のプラズマ補助の処理法による高圧エッチングを示す流れ図である。
　【図３】
　本発明のプラズマ補助の処理法による低圧ＣＶＤ（ファセット）蒸着を示す流れ図である。
　【図４】
　本処理法のプラズマ補助の処理法による高圧ＣＶＤ共形等方性蒸着を示す流れ図である。