【事件の表示】
　特許第２８４４３７４号「半導体処理用部材」の請求項１ないし２に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結論】
　特許第２８４４３７４号の請求項１ないし２に係る特許を維持する。
【理由】
Ｉ．手続の経緯
　本件特許第２８４４３７４号の請求項１及び２に係る発明は、平成元年１２月２７日の特許出願に係るものであって、平成１０年１０月３０日に特許の設定登録がなされ、その特許公報が平成１１年１月６日に発行されたところ、平成１１年７月６日付で東洋炭素株式会社から特許異議の申立がなされたものである。
ＩＩ．申立の理由の概要
　特許異議申立人東洋炭素株式会社（以下、「申立人」という。）は、下記の甲第１号証乃至甲第４号証を提出して、本件の請求項１及び２に係る発明は、甲第１号証乃至甲第４号証に記載された発明に基づき当業者が容易に発明をすることができたものであって、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、本件の請求項１及び２に係る特許は取消されるべきである旨主張している。
記
甲第１号証：特開昭６２−２５９４３１号公報
甲第２号証：「新素材シリーズ　炭化珪素セラミックス」１９８８年９月１５日、株式会社内田老鶴圃発行、第１〜８頁及び第５５〜７２頁
甲第３号証：「半導体結晶材総合ハンドブック」昭和６１年６月２０日、株式会社フジ・テクノシステム発行、第４７７〜４８６頁
甲第４号証：「薄膜作製応用ハンドブック」１９９５年１１月３０日、株式会社エヌ・ティー・エス発行、第３７６〜３８７頁
ＩＩＩ．当審の判断
１．本件発明
　本件の請求項１及び２に係る発明は、以下のとおりである。
　【請求項１】炭素基材の表面にＣＶＤ法により形成されたＳｉＣ被膜が、α−ＳｉＣとβ−ＳｉＣとの混在状態になっており、かつ、ＳｉＣ被膜におけるα−ＳｉＣの占める割合が５０％以上であることを特徴とする半導体処理用部材。
　【請求項２】炭素基材の表面にＣＶＤ法により形成されたＳｉＣ被膜がα−ＳｉＣのみからなる半導体処理用部材。」
２．甲号各証に記載された発明
　甲号各証には、以下の記載事項が認められる。
甲第１号証：
▲１▼基材表面に気相法によりＳｉＣ被膜が形成されてなる構造材において、該ＳｉＣ被膜を構成するＳｉＣの結晶形が３Ｃ構造と１５Ｒ構造との混合相であることを特徴とするＳｉＣ被膜を有する構造材。（特許請求の範囲第１項）
▲２▼基材はＳｉＣ、Ｓｉ３Ｎ４、黒鉛、ムライト、Ｗ又はＭｏであることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載のＳｉＣ被膜を有する構造材。（特許請求の範囲第２項）
▲３▼ＳｉＣ被膜は、アルゴンを励起源としたレーザにてラマン分光分析したときの７００〜８５０ｃｍ−１に存在する３Ｃと１５Ｒのラマンスペクトルの強度比Ｉ３Ｃ／Ｉ１５Ｒが１．５〜３０であることを特徴とする特許請求の範囲第１項又は第２項に記載のＳｉＣ被膜を有する構造材。（特許請求の範囲第３項）
▲４▼ウェハサセプターとしては、等方性カーボンよりなる基材にＣＶＤ法によりＳｉＣを被覆したものが一般的である。（第２頁左上欄第６〜８行）
▲５▼このＳｉＣ被膜はβ−ＳｉＣの結晶形である３Ｃ構造とα−ＳｉＣの１種である１５Ｒ構造との混合相である。（第２頁右下欄第１〜４行）
▲６▼ＳｉＣ被膜は３Ｃと１５Ｒという異なる結晶形のＳｉＣ結晶により形成されるため、極めて緻密でピンホールのないＳｉＣ被膜となり、このためこのような被膜を形成した部材は、極めて耐熱サイクル特性、耐熱衝撃性に優れたものとなり、しかも半導体構造装置の構造部材として用いた場合、半導体を汚染することが殆どなく、著しく優れた特性を有するものとなる。（第２頁右下欄下から第５行〜第３頁左上欄第４行）
▲７▼このような本発明に係るＳｉＣ被覆膜はＣＶＤ等の気相法により形成されるが、例えばＣＶＤ法により、被膜形成工程において、炭化水素及びＳｉＣｌ４の熱分解温度を１２５０〜１５００℃の温度範囲に保持し、圧力を１００〜６００ｔｏｒｒとなるように条件を設定することにより容易に製造することができる。（第３頁左上欄第１０〜１６行）と記載されている。
甲第２号証：
▲１▼立方晶のβ形を除く他の多形を、ＳｉＣではα形と呼ぶ慣行がある。（第１頁備考欄末行）
▲２▼比較的高純度なＳｉ−Ｃ二元系でこれまでにわかった事柄は次のようなものである。
１）２Ｈは１４００℃以下の温度域で生成しやすい。ＣＶＤ法で得られる２Ｈ形は、１５００℃以上の温度域で、結晶外形を維持したまま、無秩序相の生成を伴い他の多形に転移する。転移温度の上昇に伴い、転移により生成する多形は、３Ｃ、４Ｈおよび６Ｈと変化する。この過程で１５Ｒはほとんど生成しない。２Ｈのこの転移は不可逆である。
２）３Ｃは、過飽和度が大きい環境下で、全温度域で生成する。同じ理由で、結晶成長の初期に生成しやすい。１６００℃以上では主として再結晶化過程を通じ、２Ｈ以外のα形に変化してゆく。
３）１５Ｒは、２０００℃以上の温度域で、６Ｈと共存して生成しやすいが、６Ｈに比べ不安定である。高温下での２Ｈの転移で生成が認められない多形で、次に述べる長周期多形の典型と考えられる。
４）４Ｈは、２０００℃付近で生成しやすい。
５）少なくとも２２００〜２６００℃の温度域では、６Ｈは、２Ｈ、３Ｃ、４Ｈおよび１５Ｒに比べ安定である。（第４頁第３〜１６行）
と記載されている。
甲第３号証：
▲１▼炭化ケイ素は一般にβ型炭化ケイ素およびα型炭化ケイ素と呼ばれる。β型炭化ケイ素は低温型で立方晶系であり、２０００℃以上の高温では徐々にα型炭化ケイ素に変る。α型炭化ケイ素は高温型で現在までに約５０種類ぐらいの多形が報告されている。（第４７７頁右欄下から第１０〜６行）
と記載され、第４７７頁の図１には、結晶析出時の析出温度と析出相の関係が図示されている。
甲第４号証：
　第３８０頁の「ＣＶＤ膜生成条件と代表的生成装置」と題した、表３には、熱ＣＶＤ方式において、１０００℃以上の高温条件では、常圧法（７６０Ｔｏｒｒ）と低圧法（〜５０Ｔｏｒｒ）があることが記載されている。
（３）対比・判断
（ｉ）請求項１に係る発明について
　本件の請求項１に係る発明と甲第１号証に記載された発明とを比較する。
　本件明細書には、「この発明はＳｉエピタキシャル成長用サセプターや拡散用ボートのような半導体処理用部材に関する。」と記載されており、該号証の上記▲４▼の記載からみて、後者における「気相法によりＳｉＣ皮膜が形成されてなる構造材」は、前者における「基材の表面にＣＶＤ法により形成されたＳｉＣ被膜を有する半導体処理用部材」に相当し、また、後者の「黒鉛」は、前者の「炭素基材」に相当する。さらに、該号証の上記▲５▼の記載からみて、後者の「３Ｃ構造」は、前者の「β−ＳｉＣ」に相当し、後者の「１５Ｒ構造」は、前者のｒα−ＳｉＣ」の一種であるから、両者は、「ＳｉＣ被膜が、α−ＳｉＣとβ−ＳｉＣとの混在状態になって」いる点でも一致している。
　してみると、両者の相違点は以下の点にあるものと認められる。
相違点：
　前者では、「ＳｉＣ被膜におけるα−ＳｉＣの占める割合が５０％以上である」としているのに対し、後者では、α−ＳｉＣのうち、１５Ｒ構造だけを取り上げてβ−ＳｉＣの３Ｃ構造と対比し、「アルゴンを励起源としたレーザにてラマン分光分析したときの７００〜８５０ｃｍ−１に存在する３Ｃと１５Ｒのラマンスペクトルの強度比Ｉ３Ｃ／Ｉ１５Ｒが１．５〜３０である」としている点。
　そこで、該相違点について検討する。
　本件明細書（本件特許公報第４欄第１２行）には「α−ＳｉＣとβ−ＳｉＣの比率（Ｘ線回折による比率）」と記載されており、該記載から判断して、本件発明におけるα−ＳｉＣとβ−ＳｉＣの比率の測定法は、甲第１号証に記載されたものとは異なるものであるが、両測定法により算出される比率の値に殆ど差がないと仮定しても、甲第１号証に記載されたラマンスペクトルの強度比（Ｉ３Ｃ／Ｉ１５Ｒ）「１．５〜３０」から算出される１５Ｒの占める割合（Ｉ１５Ｒ／Ｉ３Ｃ＋Ｉ１５Ｒ）は、１／１＋３０〜１／１＋１．５＝３．２〜４０％となり、１５Ｒの占める割合は最大４０％であるから、該号証には、１５Ｒの占める割合を５０％以上とすることが何等開示されていないことは明らかである。また、１５Ｒがα−ＳｉＣの結晶形の１種であることは記載されているが、１５Ｒ以外のα−ＳｉＣの含有量については何等言及する記載もない。
　よって、甲第１号証記載の発明において、１５Ｒおよびその他のα−ＳｉＣを含めた、全α−ＳｉＣの占める割合を５０％以上であるすることは、当業者といえども容易になし得ることではない。
　また、甲第２号証には、ＳｉＣに関し、β形である３Ｃは１６００℃以上では２Ｈ以外のα形に変化していき、α形の一種である１５Ｒは２０００℃以上の温度域で６Ｈと共存していることが記載されている（▲２▼参照）。さらに、甲第３号証には、炭化ケイ素（ＳｉＣ）に関し、１５Ｒの発生時点で６Ｈの生成が相当に進んでいることが図示されている。
　しかしながら、甲第２号証及び甲第３号証の何れも、炭化ケイ素の結晶の析出温度と析出相の関係を記載するにすぎず、該記載には、ＣＶＤ法によって形成されたＳｉＣ被膜の結晶形及びその形成条件について記載するものではないから、これらの号証の記載から直ちに、甲第１号証に記載された発明において、α−ＳｉＣの占める割合が５０％以上であると認定することはできない。
　なお、申立人は、甲第４号証を提出し、概要、以下のように述べている。
“甲第１号証の実施例には、「炭化水素及びＳｉＣｌ４の熱分解温度を１２５０〜１５００℃の温度範囲に保持し、圧力を１００〜６００ｔｏｒｒとなるように条件を設定する」とあり、本件明細書記載の「１６００℃以上の温度でＣＶＤ法により形成する」という記載と、温度範囲において異なる。ただし、甲第４号証に記載されているごとく、ＣＶＤ法には常圧法（７６０ｔｏｒｒ）と低圧法（〜５０ｔｏｒｒ）があり、本願明細書記載のＣＶＤ法は、特に明記されていないところから、常圧法と想定され、一方、甲第１号証記載のものは低圧法である。圧力が低くなると低い温度で気相を生成できるのは技術常識である。すなわち、１５Ｒを生成するには２０００℃以上の高温が必要であるため、甲第１号証では１５Ｒを生成するために低圧法を採用し、温度を１２５０〜１５００℃の範囲に下げているだけであり、α−ＳｉＣを形成するという点では甲第１号証は本発明と差異はない。”
　しかしながら、甲第４号証には、ＣＶＤ膜生成において、１０００℃以上の高温条件では、常圧法（７６０Ｔｏｒｒ）と低圧法（〜５０Ｔｏｒｒ）があることが記載されているにすぎず、該号証（第３７６〜３８７頁）の何処にも、ＳｉＣ被膜の形成については記載がない。よって、該号証の記載及び前記甲第２、３号証の何れを考慮しても、甲第１号証に記載された「炭化水素及びＳｉＣｌ４の熱分解温度を１２５０〜１５００℃の温度範囲に保持し、圧力を１００〜６００ｔｏｒｒとなるよう」という条件下で形成されたＳｉＣ被膜が、α−ＳｉＣが５０％以上を占めるＳｉＣ被膜であると認定するに足りる根拠は見いだせない。
（ｉｉ）請求項２に係る発明について
　本件の請求項２に係る発明と、甲第１号証に記載された発明とを比較すると、後者の「３Ｃ構造」は、前者の「β−ＳｉＣ」に相当し、後者の「１５Ｒ構造」は、前者の「α−ＳｉＣ」の一種であるから、後者は、「３Ｃ構造（β−ＳｉＣ）と１５Ｒ（ＳｉＣ）構造の混合相である」のに対し、前者は、「ＳｉＣ被膜がα−ＳｉＣのみからなる」点で、両者は相違している。
　そして、甲第１号証の上記▲３▼、▲５▼及び▲６▼の記載から明らかなように、甲第１号証に記載された発明は、β−ＳｉＣである「３Ｃ構造」を含むことを必須の要件とするものであるから、甲第１号証から、或いは甲第１号証乃至甲第４号証の記載を如何に組み合わせても、本件の請求項２の「α−ＳｉＣのみからなる」という構成を導き出すことはできない。
ＩＶ．むすび
　以上のとおりであるから、本件の請求項１及び２に係る特許は、特許異議申立の主張および提出された証拠方法によっては、取消すことはできない。
　また、他に本件の請求項１及び２に係る特許を取消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１１年１１月２日（１９９９．１１．２）