【事件の表示】
　特許第２７７３８９３号「混合物薄膜形成装置」の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結論】
　訂正を認める。
　特許第２７７３８９３号の特許を維持する。
【理由】
Ｉ．手続の経緯
　　特許出願　　　　　　　　平成１年３月２２日
　　特許権設定登録　　　　　平成１０年４月２４日
　　特許異議の申立て　　　　平成１１年１月１１日
　　　（申立人　株式会社村田製作所）
　　取消理由通知　　　　　　平成１１年５月１２日
　　訂正請求　　　　　　　　平成１１年７月２６日
ＩＩ．訂正の適否についての判断
１．訂正の内容
▲１▼　訂正事項ａ
　特許請求の範囲（１）中の
　「温度制御（Ｔ２）された、第１の原料ガスを引き出す第１導出管と、
上記第１昇華槽とは別個に温度制御（Ｔ３）された第２の原料を入れた第２昇華槽と」を、
　「温度制御（Ｔ３）された、第１の原料ガスを引き出す第１導出管と、
上記第１昇華槽とは別個に温度制御（Ｔ２）された、第２の原料を入れた第２昇華槽と」
と訂正する。
▲２▼　訂正事項ｂ
　特許請求の範囲（１）中の
　「Ｔ１≠Ｔ２」を
　「Ｔ１＜Ｔ２」
と訂正する。
▲３▼　訂正事項ｃ
　特許請求の範囲（１）中の
　「を満足するように温度制御状態が設定されていることを特徴とする」を
　「を満足するように温度制御状態が設定され、上記ガス混合部に対して、上記第１の原料ガスは上記第１導出管を経て上流側に達し、上記第２の原料ガスは上記第２導出管を経て下流側に達することを特徴とする」
と訂正する。
▲４▼　訂正事項ｄ
　明細書第６頁第１〜１８行（特許公報第４欄第１２〜２９行）の〔課題を解決するための手段〕における
　「この発明に係る・・・・温度制御（Ｔ２）された、第１の原料ガスを引き出す第１導出管と、上記第１昇華槽とは別個に温度制御（Ｔ３）された、第２の原料を入れた第２昇華槽と‥‥Ｔ１＜Ｔ３＜Ｔ５≦Ｔ６かつＴ２＜Ｔ４≦Ｔ５≦Ｔ６かつＴ１≠Ｔ２を満足するように温度制御状態が設定されていることを特徴とするものである。」を
　「この発明に係る‥‥温度制御（Ｔ３）された、第１の原料ガスを引き出す第１導出管と、上記第１昇華槽とは別個に温度制御（Ｔ２）された、第２の原料を入れた第２昇華槽と‥‥Ｔ１＜Ｔ３＜Ｔ５≦Ｔ６かつＴ２＜Ｔ４≦Ｔ５≦Ｔ６かつＴ１＜Ｔ２を満足するように温度制御状態が設定され、上記ガス混合部に対して、上記第１の原料ガスは上記第１導出管を経て上流側に達し、上記第２の原料ガスは上記第２導出管を経て下流側に達することを特徴とするものである。」
と訂正する。
２．訂正の目的の適否及び拡張・変更の存否
　訂正事項ａは、明らかに、誤記の訂正に該当する。
　訂正事項ｂは、「≠」の範囲（＜及び＞を含む。）を「＜」の範囲のみに限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮に該当する。
　訂正事項ｃは、第１の原料ガス及び第２の原料ガスのガス混合部への導入位置を、実施例及び図面に開示されたものに限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮に該当する。
　訂正事項ｄは、訂正事項ａ〜ｃの訂正に伴い、特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載とを整合させるものであって、明りょうでない記載の釈明にあたる。
　そして、上記各訂正は、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内のものであり、かつ、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
３．独立特許要件の判断
３−１）特許法第２９条違反の有無について
イ．訂正明細書の特許請求の範囲（１）に係る発明
　訂正明細書の特許請求の範囲（１）に係る発明は、その特許請求の範囲（１）に記載された次の事項により特定されるとおりのものである。
　「異なる温度（Ｔ１，Ｔ２）でそれぞれガス化する異なる原料を用いる混合物薄膜形成装置において、
　温度制御（Ｔ１）された、第１の原料を入れた第１の昇華槽と、
　温度制御（Ｔ３）された、第１の原料ガスを引き出す第１導出管と、
　上記第１昇華槽とは別個に温度制御（Ｔ２）された、第２の原料を入れた第２昇華槽と、
　上記第２昇華槽とは別個に温度制御（Ｔ４）された、第２の原料ガスを引き出す第２導出管と、
　それぞれのガス量を制御する第１，第２の流量制御部と、
　それぞれ引き出された原料ガスを混合する、独立に温度制御（Ｔ５）されたガス混合部を有するガス供給系と、
　混合されたガスが析出することのないように独立に温度制御（Ｔ６）されたガス輸送系と、
　輸送されてきたガスから薄膜を堆積させる反応室および排気系とを備え、
　Ｔ１＜Ｔ３＜Ｔ５≦Ｔ６かつ
　Ｔ２＜Ｔ４≦Ｔ５≦Ｔ６かつ
　Ｔ１＜Ｔ２
を満足するように温度制御状態が設定され、
上記ガス混合部に対して、上記第１の原料ガスは上記第１導出管を経て上流側に達し、上記第２の原料ガスは上記第２導出管を経て下流側に達することを特徴とする混合物薄膜形成装置。」　（以下「本件発明」という。
ロ．引用刊行物に記載された発明
ロ−１）　当審が通知した取消理由に引用した刊行物１（ＪＡＰＡＮＥＳＥ　ＪＯＵＲＮＡＬ　ＯＦ　ＡＰＰＬＩＥＤ　ＰＨＹＳＩＣＳ　ＳＥＰＴＥＭＢＥＲ　１９８８　ＶＯＬ．２７ＮＯ．９（昭和６３−９−２０）ｐ．Ｌ１６８３〜Ｌ１６８５）記載の発明
　この刊行物１には、「化学蒸着にょるＹ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ超伝導薄膜の製造」（表題）に関する技術が開示され、「３つのＶａｐｏｒｉｚｅｒ（蒸発器または昇華槽）、前記３つのＶａｐｏｒｉｚｅｒのそれぞれのガス量を制御する３つのＦｌｏｗ　Ｍｅｔｅｒ（流量制御部）、Ｍｉｘｉｎｇ　Ｔｕｂｅ（混合管またはガス混合部）及びＲｅ−ａｃｔｏｒ（反応室）を備えた混合物薄膜形成装置」の概略図（ｐ．Ｌ１６８３　Ｆｉｇ．１）が示されているとともに、以下の記載がみられる。
　「図１に、この研究に使われたＣＶＤシステムの概要図を示す。各蒸発器（昇華槽）は適切な温度に加熱されている。ガス路は、各原料の凝結を防ぐために蒸発器よりも高い温度で加熱されている。温度は、各原料の分温度よりも低い温度でなければならない。‥‥Ｙ（ＤＰＭ）３の蒸発器の温度（ＴＶＹ）は、ガス路の温度（Ｔ１）とともに、６６３Ｋよりも低くなければならない。したがって、
４１６Ｋ＜ＴＶＹ＜Ｔ１＜６６３Ｋ　（１）と、
６６３Ｋ＜ＴＳ　（ＴＳは基板温度）　　が成り立つ。
‥‥
３３３Ｋ＜ＴＶＣ＜Ｔ１＜５７３Ｋ　　（２）と、
５７３Ｋ＜Ｔｓ　（ＴＶＣはＣｕ（ＨＦＡ）２の蒸発温度）　　　　　　　　が成り立つ。
‥‥
ガス路の温度は、Ｂａ（ＨＦＡ）２の分解を防ぐために、５３３Ｋよりも低くなければならない。したがって、
４９３Ｋ＜ＴＶｂ＜Ｔ１＜５３３Ｋ　　（３）と、
５３３Ｋ＜ＴＳ（ＴＶｂはＢａ（ＨＦＡ）２の蒸発温度）　　　　　　　　が成り立つ。
ｅｑｓ（１）−（３）から、Ｔ１は５３３Ｋよりも低くなければならない。」（Ｌ１６８３左欄第３５行〜Ｌ１６８４右欄第１２行）
　してみれば、この刊行物１には、
　「異なる温度でそれぞれガス化する異なる原料（Ｙ（ＤＰＭ）３，Ｃｕ（ＨＦＡ）２，Ｂａ（ＨＦＡ）２）を用いる混合物薄膜形成装置において、
　温度制御（ＴＶｙ）されたＹ（ＤＰＭ）３を入れた第１の昇華槽と、
　温度制御（ＴＶｃ）されたＣｕ（ＨＦＡ）２を入れた第２の昇華槽と、
　温度制御（ＴＶｂ）されたＢａ（ＨＦＡ）２を入れた第３の昇華槽と、
　それぞれのガス量を制御する第１，第２及び第３の流量制御部と、
　それぞれ引き出された原料ガスを混合するガス混合部を有する独立に温度制御（Ｔ１）されたガス路と、
　輸送されてきたガスから薄膜を堆積させる反応室および排気系とを備え、
　４１６ＫくＴＶｙ＜Ｔ１＜６６３Ｋ　かつ　
　３３３Ｋ＜ＴＶｃ＜Ｔ１＜５７３Ｋ　かつ　
　４９３Ｋ＜ＴＶｂ＜Ｔ１＜５３３Ｋ　かつ
　４９３Ｋ＜Ｔ１＜５３３Ｋ
を満足するように温度制御状態が設定されてなる混合物（Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ）薄膜形成装置」が、実質的に記載されているものと認められる。
ロ−２）　当審が通知した取消理由に引用した刊行物２（窯業協会誌　第９３巻第９号（昭６０−９）第４９８〜５０４頁）記載の発明
　この刊行物２には、「プラズマトーチＣＶＤ法によるＮｄ−Ａｌ共ドープＳｉＯ２ガラスの合成と蛍光特性」（表題）に関する技術が開示され、第５０１頁のＦｉｇ．２によれば、「ＳｉＣｌ４とＡｌＣｌ３とを混合するガス混合部がＦｕｒｎａｃｅ（Ａ）（炉）によって独立に温度制御され、また、ガス輸送系がＨｏｔｌｉｎｅ（熱路）として約３００℃に独立して温度制御されている」ことを読みとることができる。
ハ．対比・判断
　本件発明と刊行物１記載の発明（以下「引用発明」という。）とを対比すると、両者は少なくとも以下の点で一応相違する。
　本件発明が、各昇華槽から反応室に至るまでのガス路を、「導出管、ガス混合部及びガス輸送系に分けて、それぞれを独立に温度制御する」のに対し、引用発明は、ガス路を分けて温度制御することについて触れるところがない点。
　そこで、上記相違点が、実質的な相違点にあたるかどうか、また、各刊行物に示唆されていないかどうかを以下検討する。
　本件明細書中には、本件発明の先行技術、先行技術における問題点、及び、（先行技術と比較しての）本件発明の作用・効果について、以下の記載がみられる。
ａ．本件発明の先行技術について
　「一方、最近発見された酸化物高温超電導体の薄膜形成用の原料は、室温付近では殆んどガス化せず、ガス化するためには、１００℃もしくはそれ以上の温度を必要とする。従って、このような原料をガスとして安定に反応室へ供給するためには、その供給系がガス化温度以上に保持されている必要があるばかりでなく、そのガス化温度は原料によって違い、それぞれの原料を適当なガス圧が取れる温度に独立に制御し、かつ従来のように安定なガス供給を実現する必要がある。」（特許公報第３欄第４１〜４９行）
　「従って、化合物薄膜形成装置においては、昇華槽ばかりでなく、昇華槽以外の供給系部分もきっちりと温度制御をする必要がある。」（特許公報第３欄第５０行〜第４欄第２行）
ｂ．先行技術における問題点について
　「しかし、バルブ、特に一体型バルブと単なる配管部分との熱容量差は大きく、例えば両者を同一制御するとそこで大きな温度差が生じ、供給系内に制御不能な温度分布が生じ、供給系内で析出が生じる等により、安定なガス供給ができないという問題点があった。」（特許公報第４欄第３〜７行）
ｃ．本件発明の作用・効果について
　「この発明におけるガス供給系では、それぞれの昇華槽、導出管、およびガス混合部を独立に温度制御するような構成を採ったので、供給系内に制御不可能な温度分布が生じることをなくすように作用する。また、ガス化温度の低い原料を用いる第１の昇華槽および第１の導出管は、ガス混合部まで適切な温度勾配が形成できるように作用する。」（特許公報第４欄第３１〜３７行）
　「又、ガス化温度の低い（Ｔ１）原料Ａは高い温度（Ｔ５）に調整されたガス混合部５に行く前にＴ１とＴ５との間の温度（Ｔ３）に調整できる第１導出管３を通るので、Ｔ５とＴ１との温度差が大きくても安定な温度分布を形成できる。」（特許公報第５欄第２２〜２６行）
　上記ａ〜ｃの記載及び他の記載からみて、本件発明では、「供給系部分の温度を、昇華槽とは独立に、ガス化温度（昇華槽の温度）以上の温度に制御する」という先行技術をふまえた上で、かかる先行技術における「供給系部分をまとめて温度制御するだけでは安定なガス供給ができない」という問題点を見いだし、「供給系部分を導出管及びガス混合部に分けて、それぞれを独立に温度制御し、さらにガス輸送系をも独立に温度制御する」構成とすることにより、先行技術における問題点を解決し、上記ｃ記載のとおりの効果を奏し得たものである。
　これに対して、「ガス路（供給系部分）を分けて、それぞれを独立に温度制御する」という認識のない引用発明は、本件明細書に記載の先行技術そのものに相当し、本件発明とは明らかに構成も効果も相違する。
　即ち、上記相違点は実質的なものであり、かつ刊行物１から示唆されるものでもない。
　なお、刊行物２には「炉、ガス混合部及びガス輸送系をそれぞれ独立に温度制御する」技術が記載されているものの、刊行物１及び２のいずれにも、刊行物１記載の発明と刊行物２記載の発明とを組み合わせるべき動機付けとなるような事項は何ら開示されていない。
　したがって、本件発明は、刊行物１及び２の記載に基づいて当業者が容易に発明できたものとは認められないから、上記取消理由によっては、本件発明に係る特許を特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものとすることはできない。
３−２）特許法第３６条違反の有無について
　当審が通知した特許法第３６条に係る取消理由は、訂正事項ａ（上記ＩＩ−１−▲１▼）に係る訂正によって解消された。
　したがって、本件明細書の記載が特許法第３６条第３項及び第４項に規定する要件を具備していないとすることできない。
４．まとめ
　以上のとおり、当審が通知した取消理由によっては、本件発明を、特許出願の際独立して特許を受けることができないものとすることはできない。
　したがって、上記訂正事項ａ〜ｄに係る訂正は、特許法第１２０条の４第２項ただし書き第１〜第３号に該当するものであり、また、同条第３項で準用する同第１２６条第２〜第４項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
ＩＩＩ．特許異議の申立てについての判断
１．申立ての理由の概要
　申立人株式会社村田製作所は、証拠として甲第１号証（上記「刊行物１」）及び甲第２号証（上記「刊行物２」）を提出し、本件の訂正前の特許請求の範囲の請求項１に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定によって特許を受けることができない発明であるので、当該発明の特許は取り消されるべき旨主張している。
２．対比・判断
　上記「ＩＩ」において既述したように、訂正請求が認められた結果、本件発明は、訂正明細書の特許請求の範囲（１）に記載された上記事項により特定されるとおりのものとなった。
　そして、本件発明が、申立人の提出した甲第１号証（上記「刊行物１」）及び甲第２号証（上記「刊行物２」）の記載から当業者が容易に発明できたものとは認められないことは、上記「ＩＩ−３−１）」で述べたとおりである。
　なお、申立人は、申立書の「ｃ．本件発明と証拠との対比」において、甲第１号証に記載された事項であるとして、「ガス路を、導出管、ガス混合部及びガス輸送部に描き分けてなるブロック図」（特許異議申立書第１０頁）を示しているが、甲第１号証には、供給系は一括して「ガス路（Ｔ１）」として記載されているだけで、ガス路をさらに幾つかの部分に分けるという技術思想は示されていないから、導出管、ガス混合部及びガス輸送部を描き分けた上記ブロック図が、甲第１号証に記載されているものとは認められない。
　したがって、かかるブロック図が記載されているという前提に立っての申立人の主張（特許異議申立書第１１頁第１行〜第１２頁第５行）は、根拠がなく当を得ていない。
３．まとめ
　したがって、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件の訂正明細書の特許請求の範囲（１）に係る発明の特許を、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものとすることはできない。
ＩＶ．むすび
　以上のとおりであるから、当審が通知した取消理由によっても、特許異議申立ての理由及び証拠によっても、本件の訂正明細書の特許請求の範囲（１）に係る発明の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件の訂正明細書の特許請求の範囲（１）に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１１年９月６日（１９９９．９．６）
【訂正の要旨】
　　　　　　　　　　　　　　　訂正の要旨
　特許第２，７７３，８９３号の明細書を以下のとおり訂正する。
１．　訂正事項ａ
　誤記の訂正を目的として、特許請求の範囲（１）中の
　「温度制御（Ｔ２）された、第１の原料ガスを引き出す第１導出管と、
上記第１昇華槽とは別個に温度制御（Ｔ３）された、第２の原料を入れた第２昇華槽と」を、
　「温度制御（Ｔ３）された、第１の原料ガスを引き出す第１導出管と、
上記第１昇華槽とは別個に温度制御（Ｔ２）された、第２の原料を入れた第２昇華槽と」
と訂正する。
２．訂正事項ｂ
　特許請求の範囲の減縮を目的として、特許請求の範囲（１）中の
　　「Ｔ１≠Ｔ２」を
　　「Ｔ１＜Ｔ２」　
と訂正する。
３．訂正事項ｃ
　特許請求の範囲の減縮を目的として、特許請求の範囲（１）中の「を満足するように温度制御状態が設定されていることを特徴とする」を
　「を満足するように温度制御状態が設定され、
上記ガス混合部に対して、上記第１の原料ガスは．上記第１導出管を経て上流側に達し、上記第２の原料ガスは上記第２導出管を経て下流側に達することを特徴とする」
と訂正する。
４．訂正事項ｄ
　明りょうでない記載の釈明を目的として、明細書第６頁第１〜１８行（特許公報第４欄第１２〜２９行）の〔課題を解決するための手段〕における
　「この発明に係る‥‥温度制御（Ｔ２）された、第１の原料ガスを引き出す第１導出管と、上記第１昇華槽とは別個に温度制御（Ｔ３）された、第２の原料を入れた第２昇華槽と‥‥Ｔ１＜Ｔ３＜Ｔ５≦Ｔ６かつＴ２＜Ｔ４≦Ｔ５≦Ｔ６かつＴ１≠Ｔ２を満足するように温度制御状態が設定されていることを特徴とするものである。」を
　「この発明に係る‥‥温度制御（Ｔ３）された、第１の原料ガスを引き出す第１導出管と、上記第１昇華槽とは別個に温度制御（Ｔ２）された、第２の原料を入れた第２昇華槽と‥‥Ｔ１＜Ｔ３＜Ｔ５≦Ｔ６かつＴ２＜Ｔ４≦Ｔ５≦Ｔ６かつＴ１＜Ｔ２を満足するように温度制御状態が設定され、上記ガス混合部に対して、上記第１の原料ガスは上記第１導出管を経て上流側に達し、上記第２の原料ガスは上記第２導出管を経て下流側に達することを特徴とするものである。」
と訂正する。
（５４）【発明の名称】
混合物薄膜形成装置
（５７）【特許請求の範囲】
　（１）異なる温度（Ｔ１，Ｔ２）でそれぞれガス化する異なる原料を用いる混合物薄膜形成装置において、
　温度制御（Ｔ１）された、第１の原料を入れた第１の昇華槽と、
　温度制御（
Ｔ３　
　上記第１昇華槽とは別個に温度制御（
Ｔ２　
　上記第２昇華槽とは別個に温度制御（Ｔ４）された、第２の原料ガスを引き出す第２導出管と、
　それぞれのガス量を制御する第１，第２の流量制御部と、
　それぞれ引き出された原料ガスを混合する、独立に温度制御（Ｔ５）されたガス混合部を有するガス供給系と、
　混合されたガスが析出することのないように独立に温度制御（Ｔ６）されたガス輸送系と、
　輸送されてきたガスから薄膜を堆積させる反応室および排気系とを備え、
　Ｔ１＜Ｔ３＜Ｔ５≦Ｔ６かつ
　Ｔ２＜Ｔ４≦Ｔ５≦Ｔ６かつ　
　
Ｔ１＜Ｔ２　
を満足するように温度制御状態が設定され
、
上記ガス混合部に対して、上記第１の原料ガスは上記第１導出管を経て上流側に達し、上記第２の原料ガスは上記第２導出管を経て下流側に達する
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
　この発明は、混合物薄膜形成装置に関し、例えば酸化物高温超電導薄膜のように、比較的高温でガス化する原料を用いて薄膜形成を実現する装置に関するものである。
〔従来の技術〕
　従来、この種の装置として、例えば特公昭６４−２６６８号公報に示されているように、１５０〜２００℃の高温になってガス化する原料を用いた場合、熱伝導ロス等により冷却部分に原料が析出する現象が発生することが指摘されている。この文献では、反応管へのガス導入部を問題にし、ガス導入部の熱伝導ロスによる冷却を防ぐ方法について提案されている。このように単一原料を用いる場合には、このガス導入部までのガス経路は簡単であり、ガス導入部以外、温度に対してそれほど注意を払う必要は生じなかった。
　一方、ＧａＡｓ薄膜形成用に代表される化合物薄膜形成装置は、例えば特開昭６３−９０１２１号公報に示されているように、そのガス供給系のガス経路は非常に複雑である。このような、複雑な経路をとる理由は次のようなものである。
　即ち、固体原料を用いてその昇華してガス化したものを反応ガスとして使用する場合、そのガスの供給量をマスフローコントローラ等で制御されたキャリヤガスと呼ばれる不活性ガスの流量で制御する。従って、実質の反応ガスを制御するためには、一定のキャリアガス体積に含まれる反応ガス量を一定に保つ必要がある。このためには、固体から昇華して発生するガス量の経時変化をなくすことが重要であり、そのために、昇華構内のガス圧力を一定に保つような工夫がなされている。
　また、昇華槽にキャリアガスを導入する瞬間のいわゆる非定常時には、昇華の状態が不安定であるので、反応室を通らない、いわゆる捨てラインを持ち、初期には反応ガスを捨てラインに流し、定常状態に達してから始めて反応ガスを反応室へ導入する方法が一般的である。また、このような昇華性固体原料を２種類以上用いる場合には、そのガスの切換えが損失時間なく瞬時に行なえるように、ブロックバルブと呼ばれるデッドスペースの小さな一体型選択バルブを用いて行なれるようになり、安定なガス供給が実現されるようになってきた。
〔発明が解決しようとする課題〕
　上記のような従来の化合物薄膜形成装置は、室温において充分蒸気圧のとれる、例えばトリメチルガリウムのような昇華性原料等を用いる時を念頭において開発されてきており、供給系、特に昇華槽以外の部分の温度制御については、それほど注意が払われていなかった。
　一方、最近発見された酸化物高温超電導体の薄膜形成用の原料は、室温付近では殆んどガス化せず、ガス化するためには、１００℃もしくはそれ以上の温度を必要とする。従って、このような原料をガスとして安定に反応室へ供給するためには、その供給系がガス化温度以上に保持されている必要があるばかりでなく、そのガス化温度は原料によって違い、それぞれの原料を適当なガス圧が取れる温度に独立に制御し、かつ従来のように安定なガス供給を実現する必要がある。
　従って、化合物薄膜形成装置においては、昇華槽ばかりでなく、昇華槽以外の供給系部分もきっちりと温度制御をする必要がある。
　しかし、バルブ、特に一体型バルブと単なる配管部分との熱容量差は大きく、例えば両者を同一制御するとそこで大きな温度差が生じ、供給系内に制御不能な温度分布が生じ、供給系内で析出が生じる等により、安定なガス供給ができないという問題点があった。
　この発明は上記のような従来のものの問題点に鑑みてなされたもので、高温でガス化する原料を用いる場合でも安定なガス供給ができる混合物薄膜形成装置を提供することを目的としている。
〔課題を解決するための手段〕
　この発明に係る混合物薄膜形成装置は、異なる温度（Ｔ１，Ｔ２でそれぞれガス化する異なる原料を用いる混合物薄膜形成装置において、温度制御（Ｔ１）された、第１の原料を入れた第１の昇華槽と、温度制御（
Ｔ１　
Ｔ２　
Ｔ１＜Ｔ３＜Ｔ５≦Ｔ６かつ
　Ｔ２＜Ｔ４≦Ｔ５≦Ｔ６かつ
　
Ｔ１＜Ｔ２　
を満足するように温度制御状態が設定され
、
上記ガス混合部に対して、上記第１の原料ガスは上記第１導出管を経て上流側に達し、上記第２の原料ガスは上記第２導出管を経て下流側に達する
〔作用〕
　この発明におけるガス供給系では、それぞれの昇華槽，導出管，およびガス混合部を独立に温度制御するような構成を採ったので、供給系内に制御不可能な温度分布が生じることをなくすように作用する。また、ガス化温度の低い原料を用いる第１の昇華槽および第１の導出管は、ガス混合部まで適切な温度勾配が形成できるように作用する。
〔実施例〕
　以下、この発明の実施例を図について説明する。図面は本発明の一実施例による混合物薄膜形成装置を示し、図において、１は第１の昇華槽、２は第２の昇華槽、３は第１のガスを導出する第１導出管、４は第２導出管、５はガス混合部、６は混合されたガスを輸送する輸送系、７は反応室、８は排気系、９，１０はそれぞれ第１の昇華槽，第２の昇華槽に入っている、例えばＹ３（Ｃ１１Ｈ１９Ｏ２）２，Ｃｕ２（Ｃ１１Ｈ１９Ｏ２）２等原料より発生するガスの供給量を制御するガス流量制御部、１１〜１６はそれぞれ独立に動作する温度調整部を示す。またＡ，Ｂはそれぞれガス化温度Ｔ１，Ｔ２（Ｔ１＜Ｔ２）の第１，第２の原料を示す。
　次に動作について説明する。流動制御部９によって流量制御されたキャリアガスは温度制御部１１でＴ１に温度制御された第１の昇華槽１に入り、ここで中に入っている第１の原料Ａのガス化成分を引きつれて温度制御部１３によってＴ３（Ｔ１＜Ｔ３）に温度調整された第１導出管３に運びこまれ、さらに温度制御部１５によってＴ５（Ｔ３＜Ｔ５）に温度調整されたガス混合部５に達する。
　同じように、流量制御部１０によって流量調整されたキャリアガスは温度制御部１２でＴ２（Ｔ１＜Ｔ２）に調整された第２の昇温槽２でその中に入っている第２の原料Ｂのガス化成分を引きつれて温度制御部１４でＴ４（Ｔ２≦Ｔ４≦Ｔ５）に温度調整された第２の導出管４を経てガス混合部５に達する。
　ガス混合部５に達した２つのガスはここで混合されて、温度制御部１６でＴ６（Ｔ５≦Ｔ６）に温度調整されたガス輸送系６を経て反応室７に送られ、反応室でシリコンウエハ，ＭｇＯ，ＹｓＺ等の基板７ａ上に所定の混合物膜を形成した後、残さガスが排気系８を経て排ガス処理設備に送られる。
　このように、ガス化温度の高い（Ｔ２）原料Ｂが通るところの第２導出管４，ガス混合部５，ガス輸送系６の温度はそれぞれＴ４，Ｔ５，Ｔ６とＴ２以上の温度に調整できるので、途中で析出したりすることはない。又、ガス化温度の低い（Ｔ１）原料Ａは高い温度（Ｔ５）に調整されたガス混合部５に行く前にＴ１とＴ５との間の温度（Ｔ３）に調整できる第１導出管３を通るので、Ｔ５とＴ１との温度差が大きくても安定な温度分布を形成できる。
　又、ガス混合部がそのガス混合を十分に行なうため、あるいは、いわゆるガスの捨てラインを持つガス選択機能を有するために、熱容量が大きい物を使用していても、ここを単独で温度調整しているので、温度調整不良等の問題が発生する心配もない。
　なお、上記実施例においては、２つの昇華性原料を用いているが、３つ以上の系においても同様な考えで実施することができる。
　また、温度ブロックの構成は基本的なものだけを示しており、例えば途中の配管が複雑もしくは昇華槽とガス混合部の温度差が大きくて、導出管部分を２分以上して制御する必要があるような場合にはそれを妨げるものではない。
　また、例えば図中の導出管４と輸送系６とが熱容量がほぼ等しく、かつ設定温度も同じ場合に、その温度制御部のコントローラや検出部を兼用することを妨げるものではない。
　また、キャリアガスの流量調整でガス流量を制御せず、昇華槽から出てきたガスを直接制御するような昇華槽と導出管との間に流量制御部があるようなタイプでも、それぞれの流量制御部を独立の温度制御ブロックと考えれば、適用可能である。
　更に、ガス混合部が、反応ガスを反応室へ輸送する出口と、反応ガスを排気系へ直接輸送する出口とを持ち、かつそれぞれ引き出された原料ガスを混合して反応室へ輸送したり、第１のガスのみを反応室へ輸送し、第２のガスは直接排気系へ輸送したりする選択機能を持つもので構成することにより、反応中に混合状態を変え、性質の異なった層状混合物も形成可能なように構成してもよいことは言うまでもない。、なお、この場合選択機能部は熱容量が大きくなるので別途温度制御する必要がある。
〔発明の効果〕
　以上のように、この発明に係る混合物薄膜形成装置によれば、ガス供給系の温度制御を、ガスの経路に合わせてブロックに分け、それぞれ独立に温度制御が可能な構成を採ったので、ガス化温度の違う２種類の原料を用いても、その供給系の途中で析出したりすることなく、安定に混合ガスを供給できるようになり、その結果、反応室において再現性良く、所望の混合薄膜ガスが形成できる効果がある。
【図面の簡単な説明】
図面はこの発明の一実施例による混合物薄膜形成装置を示すブロック構成図である。図において、１，２は昇華槽、３，４は導出管、５はガス混合部、６は輸送系、７は反応室、８はガス輸送系、９，１０はガス流量調整部、１１〜１６は温度調整部である。