【事件の表示】
　特許第２８８０８９２号「半導体装置の製造方法」の請求項１ないし３に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第２８８０８９２号の請求項１ないし３に係る特許を維持する。
【理　由】
一.手続の経緯
　本件特許第２８８０８９２号の発明は、平成５年１２月２４日に出願され、平成１１年１月２９日に設定登録され、その後、平成１１年１０月１２日にセイコーエプソン株式会社より特許異議申立がなされ、平成１２年２月１７日付で取消理由通知をし、その指定期間内である平成１２年３月２日に訂正請求がなされたものである。
二.訂正の適否の判断
（イ）訂正の要旨
(1）訂正事項ａ
特許請求の範囲の請求項１を
「ＭＩＳ型トランジスタのソース・ドレイン領域及びこれらの少なくとも一方に連設する拡散配線領域をシリコン基板内に設けた半導体装置を製造する方法において、(a)シリコン基板上にゲート絶縁膜及びゲート電極を形成する工程と、(b)上記シリコン基板上の全面に気相成長法により、基板温度７００℃以上の温度を用いてシリコン酸化膜を堆積させる工程と、(c)上記シリコン酸化膜をエッチバックして前記ゲート電極の側部に残存させてサイドウオールを形成する工程と、(d)前記ゲート電極上と前記シリコン基板上の酸化膜を除去する工程と、(e)前記ゲート電極及びソース・ドレイン領域上に導体膜を自己整合的に選択形成する工程とをこの順に具備したことを特徴とする半導体の製造方法。」と訂正する。
(2）訂正事項ｂ
段落【００１５】を
「【課題を解決するための手段】上記課題を達成するために、本発明に係る半導体装置の製造方法は、ＭＩＳ型トランジスタのソース・ドレイン領域及びこれらの少なくとも一方に連設する拡散配線領域をシリコン基板内に設けた半導体装置を製造する方法において、(a)シリコン基板上にゲート絶縁膜及びゲート電極を形成する工程と、(b)上記シリコン基板上の全面に気相成長法により、基板温度７００℃以上の温度を用いてシリコン酸化膜を堆積させる工程と、(c)上記シリコン酸化膜をエッチバックして前記ゲート電極の側部に残存させてサイドウオールを形成する工程と、(d)前記ゲート電極上と前記シリコン基板上の酸化膜を除去する工程と、(e)前記ゲート電極及びソース・ドレイン領域上に導体膜を自己整合的に選択形成する工程とをこの順に具備したことを特徴とする。ここで、前記工程(b)における気相成長法がシランガスを用いるシラン還元法である場合には、膜成長時の基板温度を約８００℃以上とすることが望ましい。」と訂正する。
（ロ）訂正の適否
　訂正事項ａは特許請求の範囲の減縮に該当し、願書に添付した明細書又は図面に記載された事項の範囲内であり、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。また、訂正事項ｂは不明瞭な記載の釈明に該当し、願書に添付した明細書又は図面に記載された事項の範囲内であり、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
　上記訂正された特許請求の範囲請求項１に係る発明の独立特許要件について検討すると、当審が通知した取消理由において指摘した不備な点は全て解消されている。したがって、本件特許請求の範囲請求項１に係る発明が特許出願の際独立して特許を受けることができない発明とすることはできない。
　以上のとおりであるから、上記訂正請求は、特許法第１２０条の４第２項及び同第３項で準用する同第１２６条第２〜４項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
三．特許異議申立についての判断
(1)本件発明
　特許請求の範囲請求項１〜３に係る発明は下記のとおりである。
「【請求項１】ＭＩＳ型トランジスタのソース・ドレイン領域及びこれらの少なくとも一方に連設する拡散配線領域をシリコン基板内に設けた半導体装置を製造する方法において、(a)シリコン基板上にゲート絶縁膜及びゲート電極を形成する工程と、(b)上記シリコン基板上の全面に気相成長法により、基板温度７００℃以上の温度を用いてシリコン酸化膜を堆積させる工程と、(c)上記シリコン酸化膜をエッチバックして前記ゲート電極の側部に残存させてサイドウオールを形成する工程と、(d)前記ゲート電極上と前記シリコン基板上の酸化膜を除去する工程と、(e)前記ゲート電極及びソース・ドレイン領域上に導体膜を自己整合的に選択形成する工程と、をこの順に具備したことを特徴とする半導体の製造方法。
【請求項２】請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、前記工程(b)における気相成長法がシランガスを用いるシラン還元法であり、前記基板温度を約８００℃以上とすることを特徴とする半導体の製造方法。
【請求項３】請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、前記工程(b)における気相成長法が、テトラエトキシシランガスを用いる熱分解法であり、前記基板温度を約８００℃以下とすることを特徴とする半導体の製造方法。」
(2)申立の理由の概要
　申立人セイコーエプソン株式会社は、甲第１号証（特開平４−２２６０２２号公報）、甲第２号証（特公平５−３７３３４号公報）、甲第３号証（特開昭６３−１９７３７３号公報）、甲第４号証（特開平１−２８６４６７号公報）、甲第５号証（特開平３−２２９４２７号公報）、甲第６号証（特開平５−１９０５３５号公報）、甲第７号証（特開平１−２４３４７１号公報）、甲第８号証（「ＬＳＩハンドブック」昭和５９年１１月３０日株式会社オーム社発行　第４０１及び４０２頁）、甲第９号証（特開平４−９３０２７号公報）、甲第１０号証（特開昭６３−１８１４３４号公報）、甲第１１号証（特開平２−１４６７７６号公報）、甲第１２号証（特開平３−２５９６７号公報）、甲第１３号証（特開平３−８０５４５号公報）、甲第１４号証（特開平４−１７７７２８号公報）及び甲第１５号証（特開平４−２２６０３８号公報）を提示し、特許請求の範囲請求項１に係る発明は甲第１号証記載の発明と同一であるから、特許法第２９条第１項第３号の規定により特許を受けることができないものであり、また、特許請求の範囲請求項１〜３に係る発明は甲第１号証、甲第２号証または甲第３号証記載の発明に基づいて当業者が容易に発明することができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、さらに、本件特許明細書は特許法第３６条第４項の規定を満たしていないので、本件は特許を受けることができない旨主張する。
(3)判断
　申立人セイコーエプソン株式会社提示の甲第１号証には、ポリシリコンの熱酸化により形成したサイドウオールを用いて自己整合的に金属シリサイドを形成することが、同様に提示された甲第２号証には、ＣＶＤ法で形成したシリコン酸化膜を８５０〜９５０℃で熱処理し、これを異方性エッチングしてゲート電極にサイドウオールを形成し、露出した基板上の酸化膜を除去し、ゲート電極上及びソース・ドレイン領域上に自己整合的に導体膜を形成することが、同様に提示された甲第３号証には、Ｍｏゲートを用いた場合、ソース・ドレインコンタクト用のチタンシリサイドを形成する際に残ったチタンを除去するとその下のＭｏも除去されるのを防止するためにＭｏゲート上にシリコン酸化膜を形成しておくようにしたこと及びゲートサイドウオールとしてＨＴＯで形成したシリコン酸化膜をエッチングして形成することが記載されており、同様に提示された甲第４号証〜甲第７号証には、サイドウオール形成のためのシリコン酸化膜の堆積温度を７００℃以上とすることが記載されており、同様に提示された甲第８号証には、シリサイド層をゲート電極上及びソース・ドレイン領域上に自己整合的に形成することが記載されており、同様に提示された甲第９号証〜甲第１５号証には、ＨＴＯが７００〜８６０℃の温度でＣＶＤシリコン酸化膜を堆積させるものであることが記載されている。
　しかしながら、上記甲第１号証記載の発明におけるサイドウオール９６，９８はポリシリコン４８を熱酸化して形成したものであって、本件特許請求の範囲請求項１に係る発明のサイドウオールのように基板温度７００℃以上の温度で気相成長したシリコン酸化膜をエッチバックして形成したものではないから、甲第１号証記載の発明は本件特許請求の範囲請求項１に係る発明と同一とはいえない。
　また、上記甲第２号証を除く甲各号証には、本件特許請求の範囲請求項１に係る発明の「(d)ゲート電極上及びシリコン基板上の酸化膜を除去する工程」は記載はおろか示唆もされていない。本件発明は上記構成の採用により、基板温度７００℃以上の温度で気相成長したシリコン酸化膜をエッチバックして形成したサイドウオールであるため、ゲート電極上及びシリコン基板上の酸化膜を除去する工程においてサイドウオールがエッチングされて絶縁不良が発生するという問題が生じないという著しい効果を奏することができる。甲第２号証には確かに「ゲート電極上及びシリコン基板上の酸化膜を除去する工程」が記載されているが、甲第２号証記載の発明はゲート電極上及びシリコン基板上の酸化膜をエッチング除去する際にサイドウオールもエッチングされるのを防止するために、ＣＶＤ法で形成したシリコン酸化膜を８５０〜９５０℃で熱処理するものであり、上記のようなシリコン酸化膜を上記甲第４号証〜甲第７号証記載の堆積温度７００℃以上の温度で形成されるシリコン酸化膜に替えるべき理由はない。よって、本件特許請求の範囲請求項１に係る発明が甲第１〜１５号証記載の発明に基づいて当業者が容易に発明できたともいえない。本件特許請求の範囲請求項２及び３に係る発明についても上記と同様の理由により甲第１〜１５号証記載の発明に基づいて当業者が容易に発明できたともいえない。
　特許法第３６条第４項違反については、通常気相成長法は基板温度として４００℃程度の温度を用いるのであるから、約４００℃の基板温度で形成したＣＶＤ酸化膜について問題点を提示することに何ら問題はない。また、図５の説明において従来例としてあげられているのは、【０００４】〜【００１３】に示されている従来例であることは明らかである。なお、本件発明の課題及び効果は当業者に十分に理解できるものである。よって、本件明細書等に特許法第３６条第４項違反はない。
(4)むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては本件特許請求の範囲請求項１〜３に係る発明の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件特許請求の範囲請求項１〜３に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年３月８日（２０００．３．８）