【事件の表示】
　特許第６４５４９８１号発明「半導体積層体および受光素子」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第６４５４９８１号の特許請求の範囲を訂正請求書に添付された特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１−６〕について訂正することを認める。
　特許第６４５４９８１号の請求項１ないし６に係る特許を取り消す。
【理　由】
１．手続の経緯
　特許第６４５４９８１号の請求項１ないし６に係る特許についての出願は、平成２６年４月２４日に出願され、平成３０年１２月２８日にその特許権の設定登録がされ、平成３１年１月２３日に特許掲載公報が発行された。その特許についての本件特許異議の申立ての経緯は、次のとおりである。
令和元年　７月１９日　　：特許異議申立人　角田朗（以下「申立人」とい
　　　　　　　　　　　　　う。）による特許異議の申立て
令和元年　９月２０日付け：取消理由通知書（以下「取消理由」という。）
令和元年１１月２１日　　：特許権者による訂正請求書及び意見書の提出
令和元年１２月２５日　　：特許異議申立人による意見書の提出
令和２年　１月２０日付け：取消理由通知書（決定の予告。以下「取消理由
　　　　　　　　　　　　　（決定の予告）」という。）
令和２年　３月１７日　　：特許権者による意見書の提出
　
２．訂正の適否についての判断
（１）訂正の内容
　本件訂正請求による訂正の内容は、以下のア及びイのとおりである。
ア　特許請求の範囲の請求項１を以下のとおりに訂正する（以下「訂正事項１」という。）。
　特許請求の範囲の請求項１の「前記不純物の活性化率は３０％以上であり」との記載を、「前記不純物の活性化率は８０％以上であり」に訂正する。
　
イ　請求項１の記載を引用する請求項２〜６も同様に訂正する（以下「訂正事項２」という。）。
　
（２）訂正の目的の適否、新規事項の有無、及び特許請求の範囲の拡張・変更の存否
ア　訂正事項１
（ア）訂正の目的の適否
　訂正事項１は、請求項１において、「不純物の活性化率」について、訂正前に「３０％以上」であったものを、「８０％以上」に限定することで、特許請求の範囲を減縮するものであるから、当該訂正事項１は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
（イ）特許請求の範囲の拡張・変更の存否
　訂正事項１は、発明特定事項である「不純物の活性化率」を限定するものであり、カテゴリーや対象、目的を変更するものではないから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当せず、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第６項に適合する。
（ウ）新規事項の有無
　訂正事項１は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面（以下「本願明細書等」という。）に基づいて導き出される構成であり、当該不純物の活性化率を限定することによる作用効果も、本願明細書等に記載されたものであるから、当該訂正事項１は、本願明細書等に記載した事項の範囲内の訂正であり、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第５項に適合する。
　
イ　訂正事項２
（ア）訂正の目的の適否
　訂正事項２は、訂正事項１と同じ訂正であるから、上記「ア」「（ア）」と同じ理由により、当該訂正事項２は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
（イ）特許請求の範囲の拡張・変更の存否
　訂正事項２は、訂正事項１と同じ訂正であるから、上記「ア」「（イ）」と同じ理由により、当該訂正事項２は、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第６項に適合する。
（ウ）新規事項の有無
　訂正事項２は、訂正事項１と同じ訂正であるから、上記「ア」「（ウ）」と同じ理由により、当該訂正事項２は、許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第５項に適合する。
　
（３）訂正前の請求項１ないし６については、特許異議の申立てがされているため、訂正前の請求項１ないし６に係る訂正事項１及び２に関して、特許法第１２０条の５第９項で読み替えて準用する特許法第１２６条第７項の独立特許要件を要しない。
　
（４）一群の請求項
　訂正事項１及び２に係る訂正前の請求項１ないし６は、当該訂正事項１を含む請求項１の記載を訂正前の請求項２ないし６がそれぞれ引用しているものであるから、これらに対応する訂正後の請求項〔１〜６〕は、特許法１２０条の５第４項に規定する一群の請求項である。
　
（５）小括
　以上のとおりであるから、本件訂正請求による訂正は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる事項を目的とするものであり、かつ、同条第９項において準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合する。
　したがって、特許第６４５４９８１号の特許請求の範囲を訂正請求書に添付した特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１〜６〕について訂正することを認める。
　
３．本件訂正発明
　上記訂正請求により訂正された訂正後の請求項１ないし６に係る発明（以下、それぞれを「本件訂正発明１」ないし「本件訂正発明６」という。）は、以下のとおりのものである。
「【請求項１】
　ＩｎＰからなる基板と、
　前記基板上に配置され、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる半導体層と、を備え、
　前記基板の、多数キャリアを生成する不純物であるＳの濃度は１×１０１７ｃｍ−３以上２×１０２０ｃｍ−３以下であり、前記不純物の活性化率は８０％以上であり、
　前記基板の導電型はｎ型である、半導体積層体。
【請求項２】
　前記半導体層は量子井戸層を含む、請求項１に記載の半導体積層体。
【請求項３】
　前記量子井戸層の厚みは１μｍ以上である、請求項２に記載の半導体積層体。
【請求項４】
　前記量子井戸層はＩｎｘＧａ１−ｘＡｓ（０．３８≦ｘ≦１）層とＧａＡｓ１−ｙＳｂｙ（０．３６≦ｙ≦１）層とが交互に積層された構造、またはＧａ１−ｕＩｎｕＮｖＡｓ１−ｖ（０．４≦ｕ≦０．８、０＜ｖ≦０．２）層とＧａＡｓ１−ｙＳｂｙ（０．３６≦ｙ≦０．６２）層とが交互に積層された構造を有している、請求項２または請求項３に記載の半導体積層体。
【請求項５】
　前記半導体層は有機金属気相成長法により形成されている、請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載の半導体積層体。
【請求項６】
　請求項１〜請求項５のいずれか１項に記載の半導体積層体と、
　前記半導体積層体の前記基板の、前記半導体層とは反対側の主面上に形成された電極と、を備えた、受光素子。」　
４．特許異議の申立ての概要について
（１）本件特許発明１は、後記の申立人提出の甲第１号証に記載された発明であるから、本件特許発明１についての特許は、特許法第２９条第１項第３号の規定に違反してされたものである。
　
（２）本件特許発明１ないし６は、後記の申立人提出の甲第１号証に記載された発明、及び、甲第２号証ないし甲第５号証に記載された事項から容易に想到し得るものであるから、本件特許発明１ないし６についての特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。
　
（３）本件特許発明１ないし６は、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載したものではないから、本件特許発明１ないし６についての特許は、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。
　
（４）本件特許発明１ないし６は、特許を受けようとする発明が発明の詳細な説明に記載したものではないから、本件特許発明１ないし６についての特許は、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。
　
５．取消理由通知に記載した取消理由について
　訂正前の請求項１ないし６に係る特許に対して、当審が令和元年９月２０日付けで特許権者に通知した取消理由の要旨は、次のとおりである。
（１）［理由１］（サポート要件）
　特許第６４５４９８１号（以下「本件特許」という。）は、特許請求の範囲の記載が特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであり、取り消されるべきものである。
　
（２）［理由２］（実施可能要件）
　本件特許は、特許請求の範囲の記載が、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであり、取り消されるべきものである。
　
（３）［理由３］（新規性）
　請求項１に係る発明は、本件特許出願前に日本国内又は外国において、頒布された後記甲１に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明であって、特許法第２９条第１項第３号に該当するから、請求項１に係る特許は、特許法第２９条第１項の規定に違反してされたものであり、取り消されるべきものである。
　
（４）［理由４］（進歩性）
　請求項１ないし６に係る発明は、本件特許出願前に日本国内又は外国において、頒布された後記甲１ないし６に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、本件特許出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１ないし６に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであり、取り消されるべきものである。
　
６．甲号証に記載された事項及び甲号証に記載された発明
６−１　甲各号証は次のとおりである。
（１）甲１：「High Quality InP Substrates Grown by the VCZ Method」Proceedings of 8th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, PP.35-38, 1996（申立人提出の甲第１号証）
（２）甲２：国際公開第２０１１／０１６３０９号（申立人提出の甲第２号証）
（３）甲３：特開２００８−７８２６１号公報（申立人提出の甲第３号証）
（４）甲４：特開２０１２−３８７６６号公報（申立人提出の甲第４号証）
（５）甲５：国際公開第２００６／０３０５６５号（申立人提出の甲第５号証）
　
６−２　甲１ないし甲５には、下記（１）ないし（５）に摘記した事項が記載され、下記に示した発明ないし記載された事項が記載されていると認められる。
（１）甲１について
ア　本願出願の出願前に頒布された甲１には、下記の事項が記載されている（訳は当審が作成した。下線は当審が付した。以下同じ。）。
（ア）「
InP single crystals have been used as the substrates for optical devices such as LDs, LEDs and PDs
（訳：
ＩｎＰ単結晶
レーザーダイオード、発光ダイオード
フォトダイオード
光学デバイス
基板として使用
　
（イ）「Experimental
・・・
The crystals were pulled in a ＜100＞ direction at a rate of 4-6mm／H. For S-doped InP, the S concentration was in the range of 2-6×1018cm-3
（訳：実験
・・・
結晶は、４〜６ｍｍ／時の速度で＜１００＞方向に引き上げられた
ＳドープＩｎＰ
Ｓの濃度
２〜６×１０１８ｃｍ−３の範囲
　
（ウ）「Results and discussions
・・・
Fig.3 shows the low EPD area of S-doped crystals as a function of carrier concentration.」（２頁左下欄１０行、右下欄９〜１１行）
（訳：結果と考察
・・・
図３は、キャリア濃度の関数としてのＳドープ結晶の低ＥＰＤ面積を示している。）
　
（エ）Ｆｉｇ．３は次のものである。
［Ｆｉｇ．３］
（訳
［図３］
図３　ＳドープＩｎＰのキャリア濃度の関数としての低ＥＰＤ面積）
　
（オ）上記（ア）ないし（ウ）の記載を踏まえて、上記（エ）の図３を見ると、
ＶＣＺ（
蒸気圧制御チョクラルスキー）法によ
基板のＳキャリア濃度は、
３〜５×１０１８ｃｍ−３の範囲であ
　
イ　上記アによれば、甲１には、下記の発明（以下「甲１発明」という。）が記載されている。
「ＶＣＺ（蒸気圧制御チョクラルスキー）法により、＜１００＞方向に４〜６ｍｍ／時の速度で引き上げられたＳドープＩｎＰ単結晶であって、
　Ｓの濃度を２〜６×１０１８ｃｍ−３の範囲とした前記ＳドープＩｎＰ単結晶のＳキャリア濃度は、３〜５×１０１８ｃｍ−３の範囲であり、
　前記ＳドープＩｎＰ単結晶を基板として使用したレーザーダイオード、発光ダイオードまたはフォトダイオードである光デバイス。」
　
（２）甲２について
ア　本願出願の出願前に頒布され又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった甲２には、下記の事項が記載されている。
（ア）「技術分野　
［０００１］　本発明は、ＩＩＩ−Ｖ族の半導体素子およびその製造方法であって、より具体的には、能率よく製造することができる、近赤外の長波長域にまで受光感度を持つ高品質の多重量子井戸構造を含む、半導体素子およびその製造方法に関するものである。
［０００２］　ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体である
ＩｎＰ基板上に、ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓＳｂのタイプＩＩの多重量子井戸構造を形成
フォトダイオード
　またＩｎＰ基板上に、ＩｎＧａＡｓ−ＧａＡｓＳｂのタイプＩＩ型量子井戸構造を活性層として形成し、発光波長２．１４ミクロンとなるＬＥＤの開示もなされている（非特許文献２）。
　さらに、ＧａＩｎＮＡｓＳｂ量子井戸構造を有する半導体レーザー素子の開示がなされている（特許文献１）。このＧａＩｎＮＡｓＳｂ量子井戸構造は、単一量子井戸構造（すなわち、ペア数＝１）である。」
　
（イ）「［００１５］　
多重量子井戸構造
ＩｎｘＧａ１−ｘＡｓ（０．３８≦ｘ≦０．６８）とＧａＡｓ１−ｙＳｂｙ（０．３６≦ｙ≦０．６２）のペア、または、Ｇａ１−ｕＩｎｕＮｖＡｓ１−ｖ（０．４≦ｕ≦０．８、０＜ｖ≦０．２）とＧａＡｓ１−ｙＳｂｙ（０．３６≦ｙ≦０．６２）のペア、で構成され
これによって、エネルギバンドギャップから決まる波長が２μｍ〜５μｍとなる半導体素子を、不純物濃度を低く、かつ良好な結晶性を保持した上で、能率良く、大量に製造することができる。
［００１６］　半導体素子が受光素子であり、該受光素子は、受光層に、ＩｎｘＧａ１−ｘＡｓ（０．３８≦ｘ≦０．６８）とＧａＡｓ１−ｙＳｂｙ（０．３６≦ｙ≦０．６２）のペア、または、Ｇａ１−ｕＩｎｕＮｖＡｓ１−ｖ（０．４≦ｕ≦０．８、０＜ｖ≦０．２）とＧａＡｓ１−ｙＳｂｙ（０．３６≦ｙ≦０．６２）のペア、で構成されるタイプＩＩ型の多重量子井戸構造を備えることができる。これによって、２μｍ〜５μｍの波長領域に受光感度を持つフォトダイオード等を、良好な結晶性を保持した上で、能率良く、大量に製造することができる。」
　
（ウ）「［００３７］　（実施の形態１）
　図１は、本発明の実施の形態１における半導体素子の製造方法によって製造された多重量子井戸構造を示す断面図である。多重量子井戸構造３は、
Ｓをドープしたｎ型ＩｎＰ基板１の上
多重量子井戸構造３における量子井戸のペアは、厚み５ｎｍのＧａＡｓＳｂ３ａと、厚み５ｎｍのＩｎＧａＡｓ３ｂとからな
多重量子井戸構造３は、２５０ペアの量子井戸
２５０ペアの量子井戸からなる多重量子井戸構造３が、全有機ＭＯＶＰＥ法で形成され
　
（エ）「［００４６］　（実施の形態２）
　図５は、本発明の実施の形態２における半導体素子を示す断面図である。この半導体素子１０は、
フォトダイオード
ｎ型ＩｎＰ基板１／バッファ層２／タイプＩＩの多重量子井戸構造３（ＩｎＧａＡｓ３ａ／ＧａＡｓＳｂ３ｂ）
多重量子井戸構造３の上には、
ＩｎＧａＡｓ層４が位置し、そのＩｎＧａＡｓ層４の上にＩｎＰ窓層５が位置し
ＩｎＰ窓層５の表面から、所定領域にｐ型不純物のＺｎが導入されてｐ型領域１５が設けられ、
ｐ型領域１５にオーミック接触するｐ側電極１１
画素電極であ
共通の接地電位にされるｎ側電極
との間で
電荷を画素ごとに読み出す
　多重量子井戸構造を形成したあと、ＩｎＰ窓層５の形成まで、全有機ＭＯＶＰＥ法によって同じ成膜室または石英管３５の中で成長を続けることが、一つのポイントになる。すなわち、ＩｎＰ窓層５の形成の前に、成膜室からウエハ１０ａを取り出して、別の成膜法によってＩｎＰ窓層５を形成することがないために、再成長界面を持たない点が一つのポイントである。すなわち、ＩｎＧａＡｓ層４とＩｎＰ窓層５とは、石英管３５内において連続して形成されるので、界面１７は再成長界面ではない。このため、酸素および炭素の濃度がいずれも所定レベル以下であり、ｐ型領域１５と界面１７との交差線において電荷リークが生じることはない。」
　
（オ）図５は次のものである。
［図５］
　
イ　上記アによれば、甲２には、下記の事項（以下「甲２に記載された事項」という。）が記載されている。
「ＩｎＰ基板上に、ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓＳｂのタイプＩＩの多重量子井戸構造を形成したフォトダイオードであって（［０００２］）、
　多重量子井戸構造は、ＩｎｘＧａ１−ｘＡｓ（０．３８≦ｘ≦０．６８）とＧａＡｓ１−ｙＳｂｙ（０．３６≦ｙ≦０．６２）のペア、または、Ｇａ１−ｕＩｎｕＮｖＡｓ１−ｖ（０．４≦ｕ≦０．８、０＜ｖ≦０．２）とＧａＡｓ１−ｙＳｂｙ（０．３６≦ｙ≦０．６２）のペア、で構成され（［００１５］）、
　Ｓをドープしたｎ型ＩｎＰ基板の上の多重量子井戸構造における量子井戸のペアは、厚み５ｎｍのＧａＡｓＳｂと、厚み５ｎｍのＩｎＧａＡｓとからなり、２５０ペアの量子井戸であって、前記２５０ペアの量子井戸からなる多重量子井戸構造が、全有機ＭＯＶＰＥ法で形成され（［００３７］）、
　ｎ型ＩｎＰ基板／バッファ層／タイプＩＩの多重量子井戸構造（ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓＳｂ）、前記多重量子井戸構造の上には、ＩｎＧａＡｓ層が位置し、そのＩｎＧａＡｓ層の上にＩｎＰ窓層が位置し、前記ＩｎＰ窓層の表面から、所定領域にｐ型不純物のＺｎが導入されてｐ型領域が設けられ、前記ｐ型領域にオーミック接触する画素電極であるｐ側電極が設けられ、共通の接地電位にされるｎ側電極との間で、電荷を画素ごとに読み出すフォトダイオード（［００４６］）。」
　
（３）甲３について
ア　本願出願の出願前に頒布された甲３には、下記の事項が記載されている（ア）「【技術分野】
【０００１】
　本発明は、
半導体受光素子
　
（イ）「【実施例】
【００２３】
　（実施例１）
　図３は、実施例１における本発明例の半導体受光素子を説明するためのエピタキシャル積層構造を示す図である。ＭＢＥ成長により図３のようなフォトダイオード用エピタキシャル積層結晶を形成した。基板は、（００１）面を有する２インチの
ＳドープＩｎＰ基板
を用い
【００２４】
　次に、ＧａＩｎＮＡｓ（ＧａｙＩｎ１−ｙＮｚＡｓｗ）からなる受光層１３を成長した。受光層１３の膜厚は２．５μｍとした。Ｇａ組成は１７％（ｙ＝０．１７）、Ｉｎ組成は８３％（１−ｙ＝０．８３）、Ｎ組成は１０％（ｚ＝０．１）、Ａｓ組成は９０％（ｗ＝０．９）とし、ＩｎＰ基板に格子整合させている。ドーピングは行っていない。次に、（ＡｌｘＩｎ１−ｘＡｓ）からなる窓層１４を成長した。膜厚は０．６μｍとし、Ｉｎ組成は５２％（１−ｘ＝０．５２）で、ＩｎＰ基板に格子整合させている。ＩｎＧａＡｓバッファ層１２には表面側にＮ含有ＩｎＧａＡｓ層１２ａが形成される。」
　
イ　上記アによれば、甲３には、下記の事項（以下「甲３に記載された事項」と
いう。）が記載されている。
「ＳドープＩｎＰ基板を用い、ＧａＩｎＮＡｓ（ＧａｙＩｎ１−ｙＮｚＡｓｗ）からなる受光層を成長した半導体受光素子。」
　
（４）甲４について
ア　本願出願の出願前に頒布された甲４には、下記の事項が記載されている
（ア）「【技術分野】
【０００１】
　本発明は、画素等の電極が配列された
受光素子アレイ
　
（イ）「【００２７】
　図３（ａ），（ｂ）は、図２（ａ）に示した検出装置１０を構成する受光素子アレイ５０などを具体的に示す図である。図３（ａ）において、
受光素子アレイ５０
ｎ型ＩｎＰ基板１／ｎ型ＩｎＰバッファ層またはｎ型ＩｎＧａＡｓバッファ層２／受光層（光吸収層）３／ＩｎＰキャップ層４、のエピタキシャル積層体７に形成されている
　ｐ型領域６には、ｐ側電極１１すなわち画素電極１１がオーミック接触しており、画素電極１１と接合バンプ９とは導電接続している。画素電極１１は、ＩｎＰキャップ層４にオーミック接触する電極部１１ａとそれを被覆する被覆金属１１ｂとで構成される。バンプ９は被覆金属１１ｂ上に形成される。ｐ型領域６／画素電極１１を含む領域からなる単位の受光素子が、画素Ｐに対応する部分である。画素電極１１に対して共通のグランド（接地）電位を与えるｎ側電極１２は、ｎ型ＩｎＰ基板１の裏面にオーミック接触されている。
　光が入射される入射面となるＩｎＰ基板１の裏面にはＳｉＯＮ膜の反射防止膜３５が配置されている。また、ｐ型領域６を形成する選択拡散に用いられたＳｉＮの選択拡散マスクパターン３６は、そのまま残されている。その選択拡散マスクパターン３６の開口部またはＩｎＰキャップ層４の表面、および当該選択拡散マスクパターン３６を被覆するパッシベーション膜４３が設けられている。
　一方、ＲＯＩＣを構成するＣＭＯＳ７０では、画素電極１１に対応する位置に、パッド７１ａと被覆金属７１ｂとで構成される読み出し電極７１が形成されている。画素電極１１上のバンプ９と、読み出し電極７１上のバンプ３９とが、圧着されることで、接合されたバンプ９，３９が形成される。
【００２８】
　図３（ａ）において、
受光素子アレイ５０の受光層３は
　また、とくに上記の波長域の長波長側に感度を持たせる場合は、受光層３をタイプ２のＭＱＷで構成するのがよい。受光層３がタイプ２のＭＱＷの場合には、ｐ型不純物である亜鉛（Ｚｎ）を拡散するとき、良好な結晶性を確保するためＭＱＷにおけるＺｎ濃度を所定レベル以下に抑制するのがよい。このために、図示しない拡散濃度分布調整層をＩｎＰキャップ層４の側に設ける。図３（ａ）において、受光層３をＭＱＷとする場合には、拡散濃度分布調整層が受光層３内のＩｎＰキャップ層４の側に含まれていると考えるのがよい。受光層３とキャップ層４との間に、図示しない拡散濃度分布調整層を挿入する場合、拡散濃度分布調整層はバンドギャップエネルギが比較的低いために不純物濃度が低い厚み部分（受光層側の所定厚み部分）があっても電気抵抗が大きくなりにくいＩｎＧａＡｓで形成するのがよい。この拡散濃度分布調整層の挿入によって、結晶性に優れたタイプ２ＭＱＷを得ることができる。
ＭＱＷには、ＧａＡｓＳｂ／ＩｎＧａＡｓ、ＧａＡｓＳｂ／ＩｎＧａＡｓＮ、ＧａＡｓＳｂ／ＩｎＧａＡｓＮＰ、ＧａＡｓＳｂ／ＩｎＧａＡｓＮＳｂ
を用いる
　
イ　上記アによれば、甲４には、下記の事項（以下「甲４に記載された事項」という。）が記載されている。
「ｎ型ＩｎＰ基板／ｎ型ＩｎＰバッファ層またはｎ型ＩｎＧａＡｓバッファ層／受光層（光吸収層）／ＩｎＰキャップ層、のエピタキシャル積層体に形成されている受光素子アレイであって、前記受光素子アレイ５０の受光層３のＭＱＷには、ＧａＡｓＳｂ／ＩｎＧａＡｓ、ＧａＡｓＳｂ／ＩｎＧａＡｓＮ、ＧａＡｓＳｂ／ＩｎＧａＡｓＮＰ、ＧａＡｓＳｂ／ＩｎＧａＡｓＮＳｂを用いる点。」
　
（５）甲５について
ア　本願出願の出願前に頒布され又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった甲５には、下記の事項が記載されている。
（ア）「技術分野
［０００１］　本発明は、化合物半導体からなるエピタキシャル結晶の成長方法に関し、特に、所望のキャリア濃度を有するエピタキシャル結晶を成長させるときのドーピング条件を容易に設定する技術に関する。
　背景技術
［０００２］　従来、発光素子や受光素子等の半導体素子の用途には、ＩｎＰ基板上にＩｎＰ等のＩ−Ｖ族系化合物半導体層をエピタキシャル成長させた半導体ウェハが広く用いられている。この化合物半導体のエピタキシャル層は、例えば、
有機金属気相成長法
ＭＯＣＶＤ法
　
（イ）「［００２９］　これらのＩｎＰ基板を用いて、ＭＯＣＶＤ法により該基板上に所定の流量でドーパントとしてＨ２Ｓ（硫化水素）を添加しながらエピタキシャル結晶を成長させ、該エピタキシャル結晶のキャリア濃度及びヘイズを測定した。
（１）
Ｓドープ濃度が４×１０１８ｃｍ−３、３５０ｍｍ厚のＩｎＰジャスト基板を用い、ＭＯＣＶＤ法によりＩｎＰエピタキシャル結晶層を１μｍ形成
　
イ　上記アによれば、甲５には、下記の事項（以下「甲５に記載された事項」という。）が記載されている。
「Ｓドープ濃度が４×１０１８ｃｍ−３、３５０ｍｍ厚のＩｎＰジャスト基板を用い、有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）によりＩｎＰエピタキシャル結晶層を１μｍ形成する点。」
　
７．当審の判断
７−１　取消理由の［理由１］（上記「５．」「（１）」）、申立人の理由（上記「４．」「（４）」））について
（１）本件訂正発明１は、半導体積層体を構成するＩｎＰからなる基板における「多数キャリアを生成する不純物であるＳ」について、「濃度は１×１０１７ｃｍ−３以上２×１０２０ｃｍ−３以下であり」、「活性化率は８０％以上であ」ることを発明特定事項とするものである。
　
（２）上記（１）の発明特定事項に関して、本件の発明の詳細な説明には、下記の記載がある（下線は当審が付した。）。
（ア）「【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
　近年、上記受光素子に対しては、感度の向上や消費電力の低減などの要求がある。しかし、上述のようなキャリア濃度を規定する対応では、十分な感度を確保しつつ消費電力を低減することが難しい場合がある。
【０００６】
　そこで、
受光素子の十分な感度を確保しつつ消費電力を低減することを可能とする半導体積層体および受光素子を提供すること
【００１１】
　本発明者らは、受光素子に十分な感度を付与しつつ消費電力を低減する方策について検討を行い、以下のような知見を得た。ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる基板上にＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる動作層としての半導体層を形成した構造を有し、キャリアが基板の厚み方向に移動することにより光を検出する受光素子においては、基板のキャリア濃度が消費電力に大きな影響を及ぼす。すなわち、基板のキャリア濃度（多数キャリアの濃度）を高くすることにより、受光素子の消費電力を低減することができる。一方、基板のキャリア濃度を高くすると、受光素子の感度が低下する。これは、キャリア濃度を高くすることにより、基板における自由キャリア吸収が大きくなるためである。そうすると、基板のキャリア濃度を適切に調整することにより、十分な感度を確保しつつ消費電力を低減することが可能であるとも考えられる。
【００１２】
　しかし、本発明者らの検討によれば、基板のキャリア濃度が同等であっても、受光素子の感度にばらつきがある。具体的には、基板のキャリア濃度が同等であっても、基板内の多数キャリアを生成する
不純物の活性化率が低い場合、受光素子の感度は低下する
純物の活性化率が低い場合、受光素子の感度は低下する
不純物濃度が高くなることにより自由キャリア吸収が大きくなる
活性化率が低い場合、基板の結晶性が低下し、受光素子の感度がさらに低下する
　
（イ）「【００３２】
　そして、上記基板２０の、多数キャリアを生成する不純物の濃度は１×１０１７ｃｍ−３以上２×１０２０ｃｍ−３以下であり、当該不純物の活性化率は３０％以上である。具体的には、たとえば基板２０を構成するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体としてＩｎＰを採用することができる。そして、基板２０の多数キャリアを生成する不純物として、たとえばＳ（硫黄）を採用することができる。これにより、基板２０の導電型はｎ型となる。基板２０の導電型はｐ型であってもよいが、ｎ型とすることで基板２０の多数キャリアが電子となり、多数キャリアが正孔である場合に比べて受光素子の動作速度を速くすることができる。
【００３３】
　そして、基板２０に不純物として添加されるＳの濃度が１×１０１７ｃｍ−３以上２×１０２０ｃｍ−３以下とされ、活性化率が３０％以上とされる。これにより、基板２０において消費電力低減が達成可能なキャリア濃度が確保されるとともに、感度低下の原因となる活性化していない不純物が低減される。その結果、本実施の形態の半導体積層体１０によれば、これを用いて受光素子を作製した場合における十分な感度の確保と消費電力の低減とを達成することができる。
【００３４】
　なお、不純物の活性化率は、（キャリア濃度）／（多数キャリアを生成する不純物の濃度）×１００（％）と定義される。また、多数キャリアを生成する不純物の濃度は、ＳＩＭＳ（Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ　Ｉｏｎ　Ｍａｓｓ　Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ；二次イオン質量分析法）やＧＤＭＳ（Ｇｌｏｗ　Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ　Ｍａｓｓ　Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ；グロー放電質量分析）により求めることができる。ＳＩＭＳやＧＤＭＳによる多数キャリアを生成する不純物濃度の測定に際しては、半導体積層体１０をスパッタ法により掘り進めることにより目的の部位を分析することができる。このとき、スパッタ法により半導体層の表面（コンタクト層５０の主面５０Ａ）から基板２０に到達するまで掘り進め、基板２０の多数キャリアを生成する不純物の濃度を測定してもよいし、基板２０の主面２０Ｂ側から掘り進めることにより基板２０の多数キャリアを生成する不純物の濃度を測定してもよい。また、半導体層（バッファ層３０、量子井戸層４０およびコンタクト層５０）をエッチングにより除去した後、基板２０を表面から掘り進めることにより、基板２０の多数キャリアを生成する不純物の濃度を測定してもよい。
【００３５】
　キャリア濃度は、Ｃ−Ｖ（静電容量−電圧）測定やホール測定により求めることができる。Ｃ−Ｖ測定に際しては、ショットキーコンタクトに電解液を用いてもよいし、金属を用いてもよい。ショットキーコンタクトに電解液を用いる場合、エッチングにより半導体層の表面（コンタクト層５０の主面５０Ａ）から基板２０に到達するまで半導体層を掘り進め、Ｃ−Ｖ測定を行ってもよいし、基板２０の主面２０Ｂ側からＣ−Ｖ測定を行ってもよい。また、半導体層（バッファ層３０、量子井戸層４０およびコンタクト層５０）をエッチングにより除去した後、基板２０のＣ−Ｖ測定を行ってもよい。また、半導体積層体１０に電圧をかけ、空乏層を基板２０にまで広げた状態でＣ−Ｖ測定を行ってもよい。ショットキーコンタクトに金属を用いる場合、半導体層の表面（コンタクト層５０の主面５０Ａ）および基板２０の主面２０Ｂのそれぞれにショットキーコンタクトが可能な金属からなる電極をつけて測定してもよいし、半導体層をエッチングによって除去した後、基板２０に電極をつけることで測定してもよい。また、ホール測定は、半導体層（バッファ層３０、量子井戸層４０およびコンタクト層５０）をエッチングにより除去した後、Ｉｎ、Ａｕ−Ｚｎ（金−亜鉛）、Ｔｉ／Ａｌなど、基板２０とオーミックコンタクト可能な金属からなる電極を基板につけて測定を行うことができる。」
　
（ウ）「【実施例】
【００５６】
　基板の厚み方向にキャリア（電子）が移動することにより、基板側から入射した赤外線を検出する実験用赤外線受光素子を作製し、基板の多数キャリアを生成する不純物の濃度および不純物の活性化率と、感度および消費電力との関係を調査する実験を行った。実験の手順は以下の通りである。・・・
【００５９】
　上記構造を有する実験用赤外線受光素子２において、基板２０の不純物濃度（Ｓの濃度）および当該不純物の活性化率を変化させて、基板２０のキャリア濃度が異なる複数の実験用赤外線受光素子２を作製した。基板２０の不純物濃度はＳＩＭＳにより確認した。キャリア濃度はＣ−Ｖ特性を調査することにより確認した。そして、各実験用赤外線受光素子２の基板２０側から波長２μｍの赤外線を入射させて感度を調査するとともに、消費電力を調査した。実験結果を表１および２、ならびに図９に示す。
【００６０】
【００６１】
　表１は、基板２０の活性化率を一定とし、多数キャリアを生成する不純物の濃度を変化させた場合の感度（波長２μｍの光に対する感度）および消費電力を示している。表１の実験において、活性化率は８０％である。表２は、一定の多数キャリアを生成する不純物の濃度の基板２０において、活性化率を変化させた場合の感度を示している。
表１および表２の感度の表記において、Ａは十分な感度が得られたこと、Ａ＋はＡよりもさらによい感度を得られたこと、Ｂ＋はＡに比べて劣るものの許容可能な感度が得られたこと、ＢはＢ＋に比べて劣るものの許容可能な感度が得られたこと、Ｃは不十分な感度であったことをそれぞれ表している。
【００６２】
　表１および図９を参照して、多数キャリアを生成する不純物の濃度が１×１０１８ｃｍ−３以上の場合、消費電力は十分に低い値、具体的には４ｍＷ以下となっている。また、多数キャリアを生成する不純物の濃度が１×１０１７ｃｍ−３の場合の消費電力は１０ｍＷとなり、やや上昇するものの許容可能な範囲に維持されている。しかし、多数キャリアを生成する不純物の濃度が１×１０１７ｃｍ−３未満になると消費電力は急激に上昇している。つまり、消費電力の観点からは、基板２０における多数キャリアを生成する不純物の濃度は１×１０１７ｃｍ−３以上とすることが好ましく、１×１０１８ｃｍ−３以上とすることがより好ましいといえる。
次に、表１の感度に着目すると、同じ活性化率であっても多数キャリアを生成する不純物の濃度が２×１０２０ｃｍ−３を超える３×１０２０ｃｍ−３の場合、感度は不十分（評価Ｃ）となっているのに対し、多数キャリアを生成する不純物の濃度が２×１０２０ｃｍ−３の場合、許容可能な感度が得られている（評価Ｂ）。また、多数キャリアを生成する不純物の濃度が１×１０２０ｃｍ−３以下の場合は感度の向上が見られ（評価Ａ以上）、１×１０１９ｃｍ−３以下の場合はさらに感度の向上が見られた（評価Ａ＋）。
【００６３】
　一方、多数キャリアを生成する不純物の濃度が同等であっても感度にばらつきがあるという本発明者らの知見を確認するため、活性化率の影響について表２を参照して説明する。
表２に示すように、活性化率が３０％未満である２０％の場合、感度が不十分（評価Ｃ）となっている。一方、活性化率を３０％以上とすることにより、許容可能な感度が得られている（評価Ｂ＋以上）。このことから、活性化率は３０％以上とする必要があるといえる。さらに、表２を参照して、多数キャリアを生成する不純物の濃度が同じであっても活性化率が５０％以上になると感度の向上がみられ（評価Ａ）、活性率が８０％以上になると５０％の感度に比べてよりよい感度が得られた（評価Ａ＋）。
【００６４】
　以上の実験結果より、基板の多数キャリアを生成する不純物の濃度を１×１０１７ｃｍ−３以上２×１０２０ｃｍ−３以下とし、かつ当該不純物の活性化率を３０％以上とすることにより、受光素子の十分な感度を確保しつつ消費電力を低減できることが確認される。」
　
（エ）図９は次のものである
　
（３）上記（２）の記載を踏まえて、図９のグラフに表１の結果及び段落【００６２】（特に下線部）の記載事項を合わせて、基板の多数キャリアを生成する不純物の濃度と当該不純物の活性化率の関係のグラフを作成すると下記の参考図１のグラフとなる。また、同様に、図９のグラフに表２の結果及び段落【００６３】（特に下線部）の記載事項を合わせて、基板の多数キャリアを生成する不純物の濃度と当該不純物の活性化率の関係のグラフを作成すると下記の参考図２のグラフとなる（参考図１、２は図９、表１、表２及び段落【００６１】〜【００６３】の記載をもとに当審が作成した。）。
　次に、参考図１及び参考図２の内容を合わせた上で、上記（１）の発明特定事項で特定する範囲をグラフに表記すると、下記参考図３のとおりとなる。
　さらに、参考図３において、表１から得られた感度Ａの領域と表２から得られた感度Ａの領域とを線Ａで結び、同様に、表１から得られた感度Ｂの領域と表２から得られた感度Ｂ＋の領域とを線Ｂで結び、表１から得られた感度Ｃの領域と表２から得られた感度Ｃの領域とを線Ｃで結ぶと下記参考図４のとおりとなる。
　
（４）上記「（２）」「（ア）」段落【００１２】の「不純物の活性化率が低い場合、受光素子の感度は低下する」との知見を踏まえた上で参考図４を見ると、線Ａより上側の領域は感度Ａとなる蓋然性が高いといえる。
　そして、不純物の活性化率が８０％の領域は、全て線Ａより上側の領域であるから、感度Ａとなる蓋然性が高いと解される。
　したがって、上記「（２）」「（ウ）」段落【００６１】の「表１および表２の感度の表記において、Ａは十分な感度が得られたこと、Ａ＋はＡよりもさらによい感度を得られたこと、Ｂ＋はＡに比べて劣るものの許容可能な感度が得られたこと、ＢはＢ＋に比べて劣るものの許容可能な感度が得られたこと、Ｃは不十分な感度であったことをそれぞれ表している。」との記載を踏まえると、「感度Ａ」は「十分な感度が得られた」とされるから、Ｓの濃度が１×１０１７ｃｍ−３以上２×１０２０ｃｍ−３以下の範囲における、当該線Ａより上側の領域のみを範囲とする不純物の活性化率が８０％の領域は、上記「（２）」「（ア）」【発明が解決しようとする課題】の段落【０００６】の「受光素子の十分な感度を確保しつつ消費電力を低減することを可能とする半導体積層体および受光素子を提供すること」ができるものと解される。
　
（５）以上の検討によれば、「受光素子の十分な感度を確保しつつ消費電力を低減することを可能とする半導体積層体および受光素子を提供すること」ができる「感度Ａ」の蓋然性が高い範囲のみを発明特定事項とする本件訂正発明１は、本願発明が解決しようとする課題が解決できる、本願の発明の詳細な説明に記載された発明であると認められる。
　よって、本件訂正発明１は、特許法第３６条第６項第１号に基づく取消事由を有するとはいえない。
　本件訂正発明２ないし６についても同様である。
　
７−２　取消理由の［理由２］（上記「５．」「（２）」）、申立人の理由（上記「４．」「（３）」））について
（１）上記７−１で検討したとおり、本件訂正発明１ないし６は、上記「（２）」「（ア）」【発明が解決しようとする課題】の段落【０００６】の「受光素子の十分な感度を確保しつつ消費電力を低減することを可能とする半導体積層体および受光素子を提供すること」ができる蓋然性が高いと解される範囲のみを発明特定事項とすると認められるから、発明の詳細な説明には、発明が解決しようとする課題を解決できる発明を当業者が実施できるように記載されていると認められる。
　
（２）発明の詳細な説明では、感度の評価をＡ＋〜Ｃで示しているところ、実験状況、使用態様、単位、数値、グラフ等、客観的な事項が記載されておらず、感度の評価基準が明らかではない。
　しかしながら、発明の詳細な説明の段落【００５９】には、「各実験用赤外線受光素子２の基板２０側から波長２μｍの赤外線を入射させて感度を調査するとともに、消費電力を調査した。」と記載され、また、段落【０００２】には、「たとえば通信用、生体検査用、夜間撮像用などの受光素子の開発を目的として、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる基板および動作層を備えた受光素子について、種々の検討がなされている。」と記載されていることに照らせば、「通信用、生体検査用、夜間撮像用などの受光素子」が「波長２μｍの赤外線」に対して求められる感度を表す評価基準として、当業者が技術常識に基づいて適宜定め得る程度のものと解される。
　さらに、当該「感度の評価基準」が明らかではないことにより、本件訂正発明１ないし６が、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者がその実施をすることができない発明であるとまではいえないと認められる。
　
（３）よって、本願の発明の詳細な説明は、経済産業省令（特許法施行規則第２４条の２）で定めるところにより、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載したものと認められるから、特許法第３６条第４項第１号に基づく取消事由を有するとはいえない。
　
７−３　取消理由の［理由３］（上記「５．」「（３）」）、申立人の理由（上記「４．」「（１）」）、及び、取消理由の［理由４］（上記「５．」「（４）」）、申立人の理由（上記「４．」「（２）」））について
（１）本件訂正発明１について
ア　対比
　本件訂正発明１と甲１発明を対比する。
（ア）甲１発明の「レーザーダイオード、発光ダイオードまたはフォトダイオードである光デバイス」は、「ＳドープＩｎＰ単結晶を基板として使用」するから、当該基板は「ＳドープＩｎＰ単結晶」からなる「基板」といえる。
　したがって、「ＳドープＩｎＰ単結晶を基板として使用したレーザーダイオード、発光ダイオードまたはフォトダイオードである光デバイス」の「基板」は、本件訂正発明１の「ＩｎＰからなる基板」に相当する。
　
（イ）甲１発明の「ＳドープＩｎＰ単結晶を基板として使用したレーザーダイオード、発光ダイオードまたはフォトダイオードである光デバイス」が、「ＳドープＩｎＰ単結晶」からなる「基板」の上に「レーザーダイオード、発光ダイオードまたはフォトダイオード」となすための「半導体からなる半導体層」を備えることは明らかである。
　したがって「ＳドープＩｎＰ単結晶を基板として使用したレーザーダイオード、発光ダイオードまたはフォトダイオードである光デバイス」の「レーザーダイオード、発光ダイオードまたはフォトダイオード」となすための「半導体からなる半導体層」は、本件訂正発明１の「前記基板上に配置され、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる半導体層」と「前記基板上に配置され、半導体からなる半導体層」の点で一致する。
　
（ウ）甲１発明の「ＳドープＩｎＰ単結晶」からなる「基板」の「Ｓ」が、多数キャリアを生成する不純物であることは明らかであるところ、「Ｓの濃度を２〜６×１０１８ｃｍ−３の範囲とした前記ＳドープＩｎＰ単結晶のＳキャリア濃度は、３〜５×１０１８ｃｍ−３の範囲であ」るから、本件訂正発明１の「前記基板の、多数キャリアを生成する不純物であるＳの濃度は１×１０１７ｃｍ−３以上２×１０２０ｃｍ−３以下であ」る点と、「前記基板の、多数キャリアを生成する不純物であるＳの濃度は２×１０１８ｃｍ−３以上６×１０１８ｃｍ−３以下であ」る点で一致する。
　しかしながら、甲１発明の「ＳドープＩｎＰ単結晶」からなる「基板」の不純物「Ｓ」の活性化率は明記されていない。
　したがって、甲１発明の「ＳドープＩｎＰ単結晶」からなる「基板」が、「Ｓの濃度を２〜６×１０１８ｃｍ−３の範囲とした前記ＳドープＩｎＰ単結晶のＳキャリア濃度は、３〜５×１０１８ｃｍ−３の範囲であ」ることは、本件訂正発明１の「多数キャリアを生成する不純物であるＳの濃度は１×１０１７ｃｍ−３以上２×１０２０ｃｍ−３以下であり、前記不純物の活性化率は８０％以上であ」ることと、「多数キャリアを生成する不純物であるＳの濃度は２×１０１８ｃｍ−３以上６×１０１８ｃｍ−３以下であ」ることの点で一致する。
　
（エ）甲１発明の「ＳドープＩｎＰ単結晶」からなる「基板」の導電型は特定されないが、ＳドープしたＩｎＰ単結晶の導電型がｎ型であることは本願出願当時の技術常識である。
　したがって、甲１発明の「基板」が「ＳドープＩｎＰ単結晶」である点は、本件訂正発明１の「前記基板の導電型はｎ型である」点に相当する。
　
（オ）甲１発明の「ＳドープＩｎＰ単結晶を基板として使用したレーザーダイオード、発光ダイオードまたはフォトダイオードである光デバイス」は、上記（イ）での検討を踏まえれば、本件訂正発明１の「半導体積層体」に相当する。
　
（カ）上記（ア）ないし（オ）での検討によれば、本件訂正発明１と甲１発明とは、
「ＩｎＰからなる基板と、
　前記基板上に配置され、半導体からなる半導体層と、を備え、
　前記基板の、多数キャリアを生成する不純物であるＳの濃度は２×１０１８ｃｍ−３以上６×１０１８ｃｍ−３以下であり、
　前記基板の導電型はｎ型である、半導体積層体。」
の点で一致し、以下の点で一応相違する。
　
〔相違点１〕
　基板上に配置される半導体からなる半導体層が、本件訂正発明１は「ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体」と特定されるのに対して、甲１発明は、このような半導体からなると特定されない点。
　
〔相違点２〕
　不純物の活性化率が、本件訂正発明１は「８０％以上であ」ると特定されるのに対して、甲１発明は、このような構成であるのか否か定かでない点。
　
イ　判断
（ア）上記相違点１について
甲１発明の「ＳドープＩｎＰ単結晶を基板として使用したレーザーダイオード、発光ダイオードまたはフォトダイオードである光デバイス」が、「ＳドープＩｎＰ単結晶」からなる「基板」の上に「レーザーダイオード、発光ダイオードまたはフォトダイオード」となすための「半導体からなる半導体層」を備えることは明らかであるところ、「レーザーダイオード、発光ダイオードまたはフォトダイオード」となすための「半導体からなる半導体層」に「ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体」（ＩＩＩ属は例えばＢ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｖ属は例えばＮ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ）を用いることは、甲２に記載された事項、甲３に記載された事項、甲４に記載された事項及び甲５に記載された事項に見られるとおり本願出願当時周知の技術的事項である。
　したがって、甲１発明の「ＳドープＩｎＰ単結晶を基板として使用したレーザーダイオード、発光ダイオードまたはフォトダイオードである光デバイス」の「ＳドープＩｎＰ単結晶」からなる「基板」の上に設ける「レーザーダイオード、発光ダイオードまたはフォトダイオード」となすための「半導体からなる半導体層」を「ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体」となすことは、発明を実施するに際して、当業者が適宜選択する事項にすぎない。
　そうすると、甲１発明と本件訂正発明１は相違点１に関して実質的に相違するところはない。
　また、そこまではいえないとしても、甲１発明に上記周知の技術的事項を適用して、上記相違点１に係る本件訂正発明１の構成となすことは当業者が容易になし得たことである。
　
（イ）上記相違点２について
ａ　甲１発明は、活性化率を特定しないが、活性化率は、（Ｓキャリア濃度）／（Ｓの濃度）で求めることができるから、「Ｓの濃度を２〜６×１０１８ｃｍ−３の範囲とした前記ＳドープＩｎＰ単結晶のＳキャリア濃度は、３〜５×１０１８ｃｍ−３の範囲であ」ると特定する甲１発明は、実体的には活性化率も特定し得る発明であると認められる。
　
ｂ　ここで、「Ｓの濃度を２〜６×１０１８ｃｍ−３の範囲」とすることに関して、甲１に具体的な測定方法が記載されていないが、Ｓの濃度は適宜の周知技術で測定できる数値にすぎない。
　また、甲１において「Results and discussions」（２頁左欄１０行）の項目の中で、Ｆｉｇ．３の説明がなされているところ、「Results and discussions」（結果と考察）の前提となる「Experimental」（実験。１頁右下欄１行）の項目において「結晶は、４〜６ｍｍ／時の速度で＜１００＞方向に引き上げられた。ＳドープＩｎＰの場合、Ｓの濃度は２〜６×１０１８ｃｍ−３の範囲・・・であった。」（上記「６．」「６−２」「（１）」「ア」「（イ）」）と記載され、他に「Ｓの濃度」に係る記載は見当たらないから、「Results and discussions」（結果と考察）のＦｉｇ．３で用いられている「ＳドープＩｎＰ」の「結晶」は、「Ｓの濃度を２〜６×１０１８ｃｍ−３の範囲」の「ＳドープＩｎＰ」の「結晶」であると解するのが相当である。
　したがって、Ｆｉｇ．３の各データ点に対応する試料のＳの濃度はＦｉｇ．３には明記されていないが、「Ｓの濃度を２〜６×１０１８ｃｍ−３の範囲」としたものであることは、甲１全体から見て明確である。
　
ｃ　また、Ｓドープした１つのＩｎＰのインゴット中においては、Ｓの濃度にばらつきがあることは周知の技術事項であるから、Ｆｉｇ．３の各データ点に対応する試料のＳの濃度も２〜６×１０１８ｃｍ−３の範囲でばらついていたといえる。
　そうすると、Ｆｉｇ．３の各データ点に対応する試料のＳの濃度として３〜３．７５×１０１８ｃｍ−３の範囲のものも当然存在していたことは明らかである。
　
ｄ　そこで、甲１発明の「Ｓの濃度を２〜６×１０１８ｃｍ−３の範囲とした前記ＳドープＩｎＰ単結晶のＳキャリア濃度は、３〜５×１０１８ｃｍ−３の範囲であ」るとの発明特定事項に基づいて、甲１発明の当該発明特定事項の範囲での活性化率を求めると、下記参考図５のとおりとなる。
（参考図５において、横軸をＳの濃度とし、縦軸をＳキャリア濃度とし、活性化率＝（Ｓキャリア濃度）／（Ｓの濃度）とした。なお、活性化率が１００％以下であることは、本願出願当時の技術常識である。また、活性化率１００％の点を線Ｍで結び、活性化率約８０％の点を線Ｎで結び、その間の領域を領域Ｐとした。）
【参考図５】
　
ｅ　そうすると、上記参考図５において、領域Ｐは、「多数キャリアを生成する不純物であるＳの濃度は２×１０１８ｃｍ−３以上６×１０１８ｃｍ−３以下であり、前記不純物の活性化率は８０〜１００％であ」る領域といえるから、本件訂正発明１の「多数キャリアを生成する不純物であるＳの濃度は１×１０１７ｃｍ−３以上２×１０２０ｃｍ−３以下であり、前記不純物の活性化率は８０％以上であ」ることと、「多数キャリアを生成する不純物であるＳの濃度は２×１０１８ｃｍ−３以上６×１０１８ｃｍ−３以下であり、前記不純物の活性化率は８０〜１００％であ」る点で一致する。
　したがって、Ｆｉｇ．３の各データ点に対応する試料のＳの濃度として３〜３．７５×１０１８ｃｍ−３の範囲のものが存在していたことは明らかであるところ、当該範囲においては、活性化率が８０％以上である。
よって、出願前公知の甲１には甲１発明が記載されていることは明らかといえるから、「多数キャリアを生成する不純物であるＳの濃度は２×１０１８ｃｍ−３以上６×１０１８ｃｍ−３以下であり、前記不純物の活性化率は８０〜１００％であ」る点において、相違点２は実質的な相違点ではない。
　
ウ　特許権者の主張
ａ　特許権者は、令和元年１１月２１日提出の意見書の「５　意見の内容」「５−２．取消理由について」「（４−３）本件発明１〜６と甲１〜５号証に開示された発明との対比」において
「甲１号証では、ＶＣＺ法によるＳドープＩｎＰインゴットの製造および当該インゴットから得られる基板の特性（基板の欠陥密度等）が議論されています。甲１号証の『Ｅｘｐｅｒｉｍｅｎｔａｌ』の項には、Ｓの濃度が２〜６×１０１８ｃｍ−３であることが開示されています。また、Ｆｉｇ．３には、キャリア濃度が３〜６（または３〜５）×１０１８ｃｍ−３であることが開示されています。
　しかし、甲１号証の『Ｅｘｐｅｒｉｍｅｎｔａｌ』の項に記載のＳ濃度とＦｉｇ．３のキャリア濃度から活性化率を算出すると、たとえばＳの濃度が２×１０１８ｃｍ−３である場合、キャリア濃度が下限値の３×１０１８ｃｍ−３であっても、活性化率は１５０％という技術的に起こりえない数値となります。このことから明らかなように、甲１号証の『Ｅｘｐｅｒｉｍｅｎｔａｌ』の項に記載のＳ濃度とＦｉｇ．３のキャリア濃度から算出される活性化率が甲１号証に開示されているとまではいえず、少なくとも活性化率が８０％以上であることは甲１に開示されていません。
　また、甲１号証には、活性化率を８０％以上とすることについて示唆する上記（４−２）のような技術思想は開示されていません。また、甲２〜５号証にも、基板における不純物の活性化率を８０％以上とすることについて、開示も示唆もされていません。したがいまして、仮に甲１〜５号証のそれぞれに開示された発明を組み合わせることができたとしても、活性化率が８０％以上である訂正後の構成Ｂを含む本件発明１に想到することは、当業者において容易ではありません。このように、訂正後の本件発明１に係る特許は、理由３および４により取り消されるべきものではありません。」
と主張する。
　
ｂ　また、特許権者は、令和２年３月１７日提出の意見書の「５　意見の内容」「（２）訂正発明１と甲１発明との対比」において
「しかし、甲第１号証（”High Quality InP Substrates Grown by the vcz Method”）の１頁右下欄１２〜１６行には「Ｓ濃度は２〜６×１０１８ｃｍ−３」との記載があるのみで、その測定方法等は記載されていません。甲第１号証では、他の評価値に関して比較的詳細に測定方法が記載されていること等を考慮すると、上記Ｓ濃度は実際に測定されたものではなく、狙い値等の何らかの目安の数値であると考えられます。また、この「２〜６×１０１８ｃｍ−３」との数値自体も、１つのインゴット中のばらつきを示しているのか、複数のインゴット間での範囲であるのかも不明です。そして、Ｆｉｇ．３の各データ点に対応する試料のＳ濃度も不明です。このようにＳ濃度について詳細な記載が無いのは、甲第１号証が公開された１９９６年当時の技術常識において、不純物の活性化率が重視されていなかったためであると考えられます。
　より具体的には、１９９６年当時は、ＩｎＰ基板においてデバイスの作製が可能な低い欠陥密度（たとえば低ＥＰＤ）を維持しつつ、十分なキャリア濃度を確保することが容易ではなく、甲第１号証ではこれが達成可能であることを示すため、高いキャリア濃度と低ＥＰＤとの両立がＦｉｇ．３に示されています。このとき、デバイスの特性に直接影響するキャリア濃度については試料ごとに測定して低ＥＰＤ領域との関係を検討しているものの、当時は活性化率が重要であることが認識されていなかったため、当該試料に対応するＳ濃度は特定されていません。
　このように、Ｆｉｇ．３の各データ点に対応するＳの濃度が不明確であるところ、たとえばキャリア濃度が３×１０１８ｃｍ−３のデータ点（試料）については、対応するＳ濃度３〜３．７５×１０１８ｃｍ−３という狭い範囲であった場合にのみ、活性化率が８０％以上であったことになり、これ以外の範囲であった場合には活性化率は８０％未満であったことになります。このように、甲第１号証の開示内容に基づいてＦｉｇ．３の各データ点に対応する活性化率を算出することは困難であり、少なくとも構成Ａが甲第１号証に開示されているとまではいえません。」
と主張する。
　
ｃ　上記ａにおける特許権者の主張について
　上述したように活性化率が１００％以下であることは本願出願当時の技術常識であるから、甲１発明の当該発明特定事項の範囲での活性化率は１００％以下の範囲において特定されると解すべきものである。
　たしかに、甲１号証には、「活性化率」についての記載はなく、「活性化率を８０％以上とする」という方向性についての示唆はなく、技術思想が開示されているとまではいえないが、甲１発明は、「Ｓの濃度を２〜６×１０１８ｃｍ−３の範囲とし」、「Ｓキャリア濃度は、３〜５×１０１８ｃｍ−３の範囲であ」るとしているのであるから、実質的に、「不純物の活性化率は８０〜１００％であ」る領域を含む点で、本件訂正発明１と相違せず、上記特許権者の意見書における主張は採用できない。
　
ｄ　上記ｂにおける特許権者の主張について
　上記「イ」「（イ）」で検討したとおりであって、「Ｓの濃度を２〜６×１０１８ｃｍ−３の範囲」とすることに関して、甲１に具体的な測定方法が記載されていないことをもって、「Ｓ濃度が実際に測定されたものではな」いとまではいえず、適宜の周知技術で測定した数値であってよい。
　また、甲１において「Results and discussions」（２頁左欄１０行）の項目の中で、Ｆｉｇ．３の説明がなされているところ、「Results and discussions」（結果と考察）の前提となる「Experimental」（実験。１頁右下欄１行）の項目において「結晶は、４〜６ｍｍ／時の速度で＜１００＞方向に引き上げられた。ＳドープＩｎＰの場合、Ｓの濃度は２〜６×１０１８ｃｍ−３の範囲・・・であった。」（上記「６．」「６−２」「（１）」「ア」「（イ）」）と記載され、他に「Ｓの濃度」に係る記載は見当たらないから、「Results and discussions」（結果と考察）のＦｉｇ．３で用いられている「ＳドープＩｎＰ」の「結晶」は、「Ｓの濃度を２〜６×１０１８ｃｍ−３の範囲」の「ＳドープＩｎＰ」の「結晶」であると解するのが相当である。
　したがって、Ｆｉｇ．３の各データ点に対応する試料のＳの濃度はＦｉｇ．３には明記されていないが、「Ｓの濃度を２〜６×１０１８ｃｍ−３の範囲」としたものであることは、甲１全体から見て明確である。
　また、Ｓドープした１つのＩｎＰのインゴット中においては、Ｓの濃度にばらつきがあることは周知の技術事項であるから、Ｆｉｇ．３の各データ点に対応する試料のＳの濃度も２〜６×１０１８ｃｍ−３の範囲でばらついていたといえる。
　そうすると、Ｆｉｇ．３の各データ点に対応する試料のＳの濃度として３〜３．７５×１０１８ｃｍ−３の範囲のものも当然存在していたことは明らかであり、当該範囲においては、活性化率が８０％以上であったこととなる。
　よって、出願前公知の甲１には甲１発明が記載されていることは明らかといえるから、この点において甲１発明は本件訂正発明１と相違せず、上記特許権者の意見書における主張は採用できない。
　
（２）本件訂正発明２について
　本件訂正発明１を引用する本件訂正発明２は、本件訂正発明１に「前記半導体層は量子井戸層を含む」との発明特定事項を付加するものである。
　ここで、甲１発明の「ＳドープＩｎＰ単結晶を基板として使用したレーザーダイオード、発光ダイオードまたはフォトダイオードである光デバイス」の「ＳドープＩｎＰ単結晶」からなる「基板」の上に設ける「レーザーダイオード、発光ダイオードまたはフォトダイオード」となすための「半導体からなる半導体層」として「量子井戸層」を設けることは、甲２に「ＩｎＰ基板上に、ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓＳｂのタイプＩＩの多重量子井戸構造を形成したフォトダイオード」（甲２に記載された事項）と記載されているとおり公知の技術的事項である。
　したがって、本件訂正発明２は、甲１発明に甲２に記載された事項を適用することにより当業者が容易に想到し得たものである。
　
（３）本件訂正発明３について
　本件訂正発明２を引用する本件訂正発明３は、本件訂正発明２に「前記量子井戸層の厚みは１μｍ以上である」との発明特定事項を付加するものである。
　ここで、甲１発明の「ＳドープＩｎＰ単結晶を基板として使用したレーザーダイオード、発光ダイオードまたはフォトダイオードである光デバイス」の「ＳドープＩｎＰ単結晶」からなる「基板」の上に設ける「レーザーダイオード、発光ダイオードまたはフォトダイオード」となすための「半導体からなる半導体層」としての「量子井戸層」の厚みに関して、甲２に「Ｓをドープしたｎ型ＩｎＰ基板の上の多重量子井戸構造における量子井戸のペアは、厚み５ｎｍのＧａＡｓＳｂと、厚み５ｎｍのＩｎＧａＡｓとからなり、２５０ペアの量子井戸であって、前記２５０ペアの量子井戸からなる多重量子井戸構造」（甲２に記載された事項）と記載されていて、（５ｎｍ＋５ｎｍ）×２５０＝２．５μｍであるから、「量子井戸層」の厚みを２．５μ以上とすること甲２に記載された事項に見られるとおり公知の技術的事項である。
　そして、当該「量子井戸層」の厚みは発光させる波長等に応じて、発明を実施するに際して適宜定められる事項にすぎない。
　したがって、本件訂正発明３は、甲１発明に甲２に記載された事項を適用することにより当業者が容易に想到し得たものである。
　
（４）本件訂正発明４について
　本件訂正発明２または３を引用する本件訂正発明４は、本件訂正発明２または３に「前記量子井戸層はＩｎｘＧａ１−ｘＡｓ（０．３８≦ｘ≦１）層とＧａＡｓ１−ｙＳｂｙ（０．３６≦ｙ≦１）層とが交互に積層された構造、またはＧａ１−ｕＩｎｕＮｖＡｓ１−ｖ（０．４≦ｕ≦０．８、０＜ｖ≦０．２）層とＧａＡｓ１−ｙＳｂｙ（０．３６≦ｙ≦０．６２）層とが交互に積層された構造を有している」との発明特定事項を付加するものである。
　ここで、甲１発明の「ＳドープＩｎＰ単結晶を基板として使用したレーザーダイオード、発光ダイオードまたはフォトダイオードである光デバイス」の「ＳドープＩｎＰ単結晶」からなる「基板」の上に設ける「レーザーダイオード、発光ダイオードまたはフォトダイオード」となすための「半導体からなる半導体層」として「量子井戸層」に関して、甲２に「多重量子井戸構造は、ＩｎｘＧａ１−ｘＡｓ（０．３８≦ｘ≦０．６８）とＧａＡｓ１−ｙＳｂｙ（０．３６≦ｙ≦０．６２）のペア、または、Ｇａ１−ｕＩｎｕＮｖＡｓ１−ｖ（０．４≦ｕ≦０．８、０＜ｖ≦０．２）とＧａＡｓ１−ｙＳｂｙ（０．３６≦ｙ≦０．６２）のペア、で構成され」（甲２に記載された事項）ることが記載され、このような組成の層と層を交互に積層（ペアで構成）することは本願出願当時公知の技術的事項である。
　そして、当該「量子井戸層」の各層の元素の具体的比率は発光させる波長等に応じて発明を実施するに際して適宜定められる事項にすぎない。
　したがって、本件訂正発明４は、甲１発明に甲２に記載された事項を適用することにより当業者が容易に想到し得たものである。
　
（５）本件訂正発明５について
　本件訂正発明１ないし４のいずれか１項を引用する本件訂正発明５は、本件訂正発明１ないし４のいずれか１項に「前記半導体層は有機金属気相成長法により形成されている」との発明特定事項を付加するものである。
　ここで、甲１発明の「ＳドープＩｎＰ単結晶を基板として使用したレーザーダイオード、発光ダイオードまたはフォトダイオードである光デバイス」の「ＳドープＩｎＰ単結晶」からなる「基板」の上に設ける「レーザーダイオード、発光ダイオードまたはフォトダイオード」となすための「半導体からなる半導体層」としての「量子井戸層」を有機金属気相成長法により形成することは、甲２に「Ｓをドープしたｎ型ＩｎＰ基板の上の多重量子井戸構造における量子井戸のペアは、厚み５ｎｍのＧａＡｓＳｂと、厚み５ｎｍのＩｎＧａＡｓとからなり、２５０ペアの量子井戸であって、前記２５０ペアの量子井戸からなる多重量子井戸構造が、全有機ＭＯＶＰＥ法で形成され」（甲２に記載された事項）、及び、甲５に「Ｓドープ濃度が４×１０１８ｃｍ−３、３５０ｍｍ厚のＩｎＰジャスト基板を用い、有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）によりＩｎＰエピタキシャル結晶層を１μｍ形成する点」（甲５に記載された事項）に見られるとおり本願出願当時周知の技術的事項である。
　したがって、本件訂正発明５は、甲１発明に上記周知の技術的事項を適用することにより当業者が容易に想到し得たものである。
　
（６）本件訂正発明６について
　本件訂正発明１ないし５のいずれか１項を引用する本件訂正発明５は、本件訂正発明１ないし５のいずれか１項に記載の「半導体積層体」に、「前記半導体積層体の前記基板の、前記半導体層とは反対側の主面上に形成された電極と、を備えた、受光素子」との発明特定事項を付加するものである。
　ここで、甲１発明の「ＳドープＩｎＰ単結晶を基板として使用した」「フォトダイオードである光デバイス」となすための「半導体からなる半導体層」「の前記基板の、前記半導体層とは反対側の主面上に形成された電極と、を備えた、受光素子」となすことは、甲２に「ｎ型ＩｎＰ基板／バッファ層／タイプＩＩの多重量子井戸構造（ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓＳｂ）、前記多重量子井戸構造の上には、ＩｎＧａＡｓ層が位置し、そのＩｎＧａＡｓ層の上にＩｎＰ窓層が位置し、前記ＩｎＰ窓層の表面から、所定領域にｐ型不純物のＺｎが導入されてｐ型領域が設けられ、前記ｐ型領域にオーミック接触する画素電極であるｐ側電極が設けられ、共通の接地電位にされるｎ側電極との間で、電荷を画素ごとに読み出すフォトダイオード」（甲２に記載された事項）が記載されており、このような構成とすることは本願出願当時公知の技術的事項である。
　そして、フォトダイオードとして具体化するに際して、適宜の位置に電極を設けることは当業者が適宜なし得る設計的事項にすぎない。
　したがって、本件訂正発明６は、甲１発明に甲２に記載された事項を適用することにより当業者が容易に想到し得たものである。
　
７−４　申立人の意見について
（１）申立人は、令和元年１２月２５日付けで提出された意見書の「３　意見の内容」「イ　サポート要件違反について」において、
「訂正請求書が出されて請求項１の『不純物の活性化率』が『８０％以上』に限定された。本件の明細書の段落００４５に『・・・このことから、基板の多数キャリアを生成する不純物の活性化率は５０％以上とすることが好ましく、８０％以上とすることがより好ましいといえる。』と記載されている。しかし、不純物の活性化率が８０％を超える実験データ等は一切示されておらず、感度が良くなるか否かは不明である。従って、『受光素子の十分な感度を確保しつつ消費電力を低減することを可能とする半導体積層体および受光素子を提供すること』ができない『感度Ｃ』の範囲も含み得る。」と主張する。
　しかしながら、上記「７．」「７−１」で検討したとおり、不純物の活性化率が８０％の領域は、全て線Ａより上側の領域であるから、感度Ａとなる蓋然性が高いと解されるから、上記主張は採用できない。
　
（２）また、申立人は、令和元年１２月２５日付けで提出された意見書の「３　意見の内容」「ウ　実施可能要件違反について」において
「特許権者は感度の評価の基準について『受光時に検出される電流がノイズによる電流と有意差をもって区別できるかどうか（ノイズと区別可能な大きさの電流が検出されるかどうか）であることは明らか』と主張している。しかし、本件の発明の詳細な説明には、受光時に検出される電流や、ノイズによる電流についての記載はない。また、受光時に検出される電流がノイズによる電流と有意差をもって区別できるかどうかと言っているが、本件明細書には区別の基準や方法が開示されていないため区別できない。
　さらに、発明の詳細な説明では、感度の評価がＡ＋〜Ｃで示されているが、実験状況、使用態様、単位、数値、グラフ等、何も客観的な事項は記載されておらず、感度の評価基準が全く不明である。そのため、当業者が実施できる程度に明確かつ十分に記載されたものではない。」と主張する。
　しかしながら、上記「７．」「７−２」で検討したとおり、「感度の評価基準」が明らかではないことにより、本願の発明の詳細な説明が、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者がその実施をすることができない発明であるとまではいえないから、上記主張は採用できない。
　
８　むすび
（１）特許法第３６条第６項第１号について（同法第１１３条第４号）
　上記「７．」「７−１」で検討したとおり、本件訂正発明１ないし６は、特許法第３６条第６項第１号に基づく取消事由を有するとはいえない。
　
（２）特許法第３６条第４項第１号について（同法第１１３条第４号）
　上記「７．」「７−２」で検討したとおり、本願の発明の詳細な説明は、特許法第３６条第４項第１号に基づく取消事由を有するとはいえない。
　
（３）特許法第２９条第１項について（同法第１１３条第２号）
　本件訂正発明１は甲１発明であり、本件訂正発明１は、取り消されるべきものである。
　
（４）特許法第２９条第２項について（同法第１１３条第２号）
　本件訂正発明１ないし６は、甲１発明及び甲２ないし５に記載された事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであり、本件訂正発明１ないし６は、取り消されるべきものである。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
令和２年５月２０日（２０２０．５．２０）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】
　ＩｎＰからなる基板と、
　前記基板上に配置され、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる半導体層と、を備え、
　前記基板の、多数キャリアを生成する不純物であるＳの濃度は１×１０１７ｃｍ−３以上２×１０２０ｃｍ−３以下であり、前記不純物の活性化率は
８０
　前記基板の導電型はｎ型である、半導体積層体。
　【請求項２】
　前記半導体層は量子井戸層を含む、請求項１に記載の半導体積層体。
　【請求項３】
　前記量子井戸層の厚みは１μｍ以上である、請求項２に記載の半導体積層体。
　【請求項４】
　前記量子井戸層はＩｎｘＧａ１−ｘＡｓ（０．３８≦ｘ≦１）層とＧａＡｓ１−ｙＳｂｙ（０．３６≦ｙ≦１）層とが交互に積層された構造、またはＧａ１−ｕＩｎｕＮｖＡｓ１−ｖ（０．４≦ｕ≦０．８、０＜ｖ≦０．２）層とＧａＡｓ１−ｙＳｂｙ（０．３６≦ｙ≦０．６２）層とが交互に積層された構造を有している、請求項２または請求項３に記載の半導体積層体。
　【請求項５】
　前記半導体層は有機金属気相成長法により形成されている、請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載の半導体積層体。
　【請求項６】
　請求項１〜請求項５のいずれか１項に記載の半導体積層体と、
　前記半導体積層体の前記基板の、前記半導体層とは反対側の主面上に形成された電極と、を備えた、受光素子。