【事件の表示】
　特許第６４２２６５７号発明「ポリイミド樹脂の製造方法、ポリイミド膜の製造方法、ポリアミック酸溶液の製造方法、ポリイミド膜、及びポリアミック酸溶液」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第６４２２６５７号の特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１−３〕について訂正することを認める。
　特許第６４２２６５７号の請求項に係る特許を維持する。
【理　由】
第１　手続の経緯
１　特許第６４２２６５７号（請求項の数３。以下、「本件特許」という。）は、平成２６年２月１８日を出願日とする特許出願（特願２０１４−２８６４４号）に係るものであって、平成３０年１０月２６日に設定登録されたものである（特許掲載公報の発行日は、平成３０年１１月１４日である。）。 
２　本件特許につき平成３１年４月２４日に、本件特許の請求項１〜３に係る特許に対して、特許異議申立人である特許業務法人朝日奈特許事務所（以下、「申立人」という。）により、特許異議の申立てがされた。
３　本件特許異議の申立てにおける手続きの経緯は、以下のとおりである。
平成３１年　４月２４日　　　特許異議申立書
令和　１年　７月２４日付け　取消理由通知書
令和　１年　９月３０日　　　訂正の請求及び意見書（特許権者）
令和　１年１０月２５日付け　通知書（訂正請求があった旨の通知）
　なお、特許法第１２０条の５第５項の規定により、令和１年１０月２５日付けで訂正の請求があった旨の通知を申立人に送付したが、申立人からは意見書の提出は無かった。
　
第２　訂正の請求について
１　訂正の内容
　令和１年９月３０日付けでの訂正請求書による訂正（以下、「本件訂正」という。）の請求は、本件特許の特許請求の範囲を上記訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項１について訂正することを求めるものであり、その内容は、以下のとおりである。
　
訂正事項１：特許請求の範囲の請求項１に「下記一般式（１）で表される化合物（Ａ）を少なくとも含有する溶剤中でテトラカルボン酸二無水物成分とジアミン成分とを反応させて得られるポリアミック酸溶液（但し、液晶配向剤用を除く。）を基体上に塗布して形成されるポリイミド前駆体膜を１２０〜３５０℃で加熱する工程」と記載されているのを、「下記一般式（１）で表される化合物（Ａ）を少なくとも含有する溶剤中でテトラカルボン酸二無水物成分とジアミン成分とを反応させて得られるポリアミック酸溶液（但し、液晶配向剤用を除く。）を基体上に塗布して形成されるポリイミド前駆体膜を１２０〜３５０℃で加熱することにより前記基体上にポリイミド膜を形成する工程」に訂正する。
訂正事項２：特許請求の範囲の請求項１に「工程を含むポリイミド膜の製造方法であって、」と記載されているのを、「工程、及び、
　前記ポリイミド膜を前記基体から剥離する工程を含むポリイミド膜の製造方法であって、」に訂正する。
　本件訂正請求は、訂正前の請求項１について、請求項２、３は請求項１を引用しているものであって、訂正事項１によって記載が訂正される請求項１に連動して訂正されるものである。したがって、訂正前の請求項１〜３に対応する訂正後の請求項１〜３は、特許法第１２０条の５第４項に規定する一群の請求項となるから、一群の請求項１〜３に対して請求されたものである。
２　訂正の目的の適否、新規事項の有無、及び特許請求の範囲の拡張・変更の存否
（１）訂正事項１について
　訂正事項１は、訂正前の請求項１に係るポリイミド膜の製造方法について、「加熱する工程」を、該加熱する工程をポリイミド膜を形成するというように具体化した「加熱することにより基体上にポリイミド膜を形成する工程」と限定する工程へと減縮するものである。してみると、この訂正は、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであると認められる。
　そして、訂正事項１は、訂正前の請求項１に係るポリイミド膜の製造方法を、本件特許明細書の【００４９】に記載された「半導体素子等の電子素子や多層配線基板等を基体として用いて、基体上にポリイミド膜を形成することによって、電子素子や多層配線基板にポリイミド樹脂からなる絶縁膜を形成することができる。また、板上の基板を基体として用いて、ポリイミド膜を形成することによって、ポリイミドフィルムを得ることができる。基板上に形成されるポリイミドフィルムは、基板上で、そのまま使用されてもよいし、基板から剥離させた状態で使用されてもよい。」との記載に基づき特定するものであるから、新たな技術的事項を導入するものではなく、実質上特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
（２）訂正事項２について
　訂正事項２は、訂正前の請求項１に係るポリイミド膜の製造方法について、「前記ポリイミド膜を前記基体から剥離する工程」を含むものへと減縮するものである。してみると、この訂正は、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであると認められる。
　そして、訂正事項２は、訂正前の請求項１に係るポリイミド膜の製造方法を、本件特許明細書の【００４９】に記載された「また、板上の基板を基体として用いて、ポリイミド膜を形成することによって、ポリイミドフィルムを得ることができる。基板上に形成されるポリイミドフィルムは、基板上で、そのまま使用されてもよいし、基板から剥離させた状態で使用されてもよい。」との記載に基づき特定するものであるから、新たな技術的事項を導入するものではなく、実質上特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
３　小括
　以上のとおりであるから、本件訂正は特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号及び第３号に掲げる事項を目的とするものであり、かつ、同条第９項において準用する同法第１２６条第５項ないし第６項の規定に適合するので、本件訂正を認める。
第３　本件訂正後の請求項１〜３に係る発明
　上記第２で述べたように、本件訂正は認められるので、本件訂正により訂正された請求項１〜３に係る発明（以下「本件訂正発明１」等という。）は、訂正特許請求の範囲の請求項１〜３に記載された以下の事項によって特定されるとおりのものである（以下、本件特許の願書に添付した明細書を「本件明細書」という。また、下線は訂正箇所を示す。）。 
「【請求項１】
　下記一般式（１）で表される化合物（Ａ）を少なくとも含有する溶剤中でテトラカルボン酸二無水物成分とジアミン成分とを反応させて得られるポリアミック酸溶液（但し、液晶配向剤用を除く。）を基体上に塗布して形成されるポリイミド前駆体膜を１２０〜３５０℃で加熱する
ことにより前記基体上にポリイミド膜を形成する
及び、
　
前記ポリイミド膜を前記基体から剥離する工程
　前記化合物（Ａ）が下記式（ａ−１）〜（ａ−１７）で表される化合物の少なくとも１つを含み、
　前記ポリイミド前駆体膜の膜厚が０．８〜３５０μｍであるポリイミド膜の製造方法。
　　【化１】
（式中、Ｒ１は、水素原子又はヒドロキシル基を表し、Ｒ２及びＲ３は、独立に水素原子又はＣ１〜Ｃ３のアルキル基を表し、Ｒ４及びＲ５は、独立にＣ１〜Ｃ３のアルキル基を表す。）
　　【化２】
【請求項２】
　前記化合物（Ａ）がＮ，Ｎ，２−トリメチルプロピオンアミドである請求項１記載のポリイミド膜の製造方法。
【請求項３】
　前記化合物（Ａ）の量が、前記テトラカルボン酸二無水物成分の量と前記ジアミン成分の量との合計１００質量部に対して、２０〜２０００質量部である請求項１又は２記載のポリイミド膜の製造方法。」
第４　特許異議の申立ての理由及び取消理由の概要
１　特許異議申立書に記載した特許異議の申立ての理由
　本件訂正前の請求項１〜３に係る発明は、下記（１）のとおり、特許法第１１３条第２号に該当する。証拠方法として、下記（２）の甲第１号証（以下、単に「甲１」という。）を提出する。
（１）申立理由１（拡大先願）
　本件訂正前の請求項１〜３に係る発明は、その出願の日前の日本語特許出願であって、その出願後に国際公開がされた下記の日本語特許出願の国際出願日における国際出願の明細書、請求の範囲又は図面に記載された発明と同一であり、しかも、この出願の発明者がその出願前の日本語特許出願に係る上記の発明をした者と同一ではなく、またこの出願の時において、その出願人が上記日本語特許出願の出願人と同一でもないので、特許法第２９条の２の規定により、特許を受けることができない（同法第１８４条の１３参照）ものであるから、その発明に係る特許は、同法１１３条２号に該当する。
（２）証拠方法
・甲１：国際公開第２０１５／０５３３９４号
２　取消理由通知書に記載した取消理由
　上記１の申立理由１（拡大先願）と同旨。
第５　当審の判断
　以下に述べるように、取消理由通知書に記載した取消理由及び特許異議申立書に記載した特許異議の申立ての理由によっては、本件特許の請求項１〜３に係る特許を取り消すことはできない。
　以下、詳述する。
１　取消理由１
　甲１は特願２０１３−２１３１１７号（出願日：平成２５年１０月１０日。以下「基礎出願」という。）を優先基礎とする日本語国際出願（ＰＣＴ／ＪＰ２０１４／０７７２１９）が公開された国際公報である。そして、下記（１）にて、甲１の記載事項として示した内容は、基礎出願の特許請求の範囲及び明細書に記載されている。
　そして、本件出願の発明者が甲１の発明者と同一ではなく、また本件出願時において、本件出願人が甲１の出願人と同一でない。
（１）甲１に記載された事項（下線は当審が付与した。） 
　甲１には、以下の事項が記載されている。
ア　「【請求項１】　（Ａ）成分：下記の式［Ａ］：
【化１】
（式中、Ｘ１およびＸ２は、それぞれ独立して、炭素数１〜３のアルキル基を示し、Ｘ３およびＸ４は、それぞれ独立して、炭素数１〜３のアルキル基を示す）で示される溶媒；および
（Ｂ）成分：ポリイミド前駆体およびポリイミドから選ばれる少なくとも１種の重合体
を含有する組成物。
【請求項２】　前記（Ａ）成分の溶媒が、下記の式［Ａ−１］：
【化２】
で示される溶媒である、請求項１に記載の組成物。
・・（略）・・・
【請求項１８】　請求項１〜請求項１７のいずれか一項に記載の組成物から得られるポリイミド膜。」
イ　「【０００９】　そこで本発明は、上記特性を兼ね備えた組成物を提供することを目的とする。すなわち、本発明の目的は、ポリイミド膜を形成する際に、はじきに伴うピンホールの発生を抑制することができ、その端部の塗膜性にも優れる組成物を提供することである。その際、低温での焼成でも、ポリイミド膜が作製できる組成物となることも目的とする。」
ウ　「【００６１】＜特定重合体＞
　本発明の（Ｂ）成分である特定重合体は、ポリイミド前駆体およびポリイミド（総称してポリイミド系重合体ともいう）から選ばれる少なくとも１種の重合体である。なかでも、本発明のポリイミド系重合体は、ジアミン成分とテトラカルボン酸成分とを反応させて得られるポリイミド前駆体またはポリイミドであることが好ましい。
【００６２】　ポリイミド前駆体とは、下記の式［ａ］で示される構造である。
【化１７】
（式［ａ］中、Ｒ１は、４価の有機基であり、Ｒ２は、２価の有機基であり、Ａ１およびＡ２は、それぞれ独立して、水素原子または炭素数１〜５のアルキル基を示し、Ａ３およびＡ４は、それぞれ独立して、水素原子、炭素数１〜５のアルキル基またはアセチル基を示し、ｎは正の整数を示す）。
【００６３】　前記ジアミン成分としては、分子内に１級または２級のアミノ基を２個有するジアミン化合物が挙げられる。
【００６４】　また、前記テトラカルボン酸成分としては、テトラカルボン酸化合物、テトラカルボン酸二無水物、テトラカルボン酸ジハライド化合物、テトラカルボン酸ジアルキルエステル化合物またはテトラカルボン酸ジアルキルエステルジハライド化合物が挙げられる。」
エ　「【０１２６】　ジアミン成分とテトラカルボン酸成分とを溶媒中で反応させる際には、ジアミン成分を溶媒に分散あるいは溶解させた溶液を攪拌させ、テトラカルボン酸成分をそのまま、または溶媒に分散あるいは溶解させて添加する方法、逆にテトラカルボン酸成分を溶媒に分散、あるいは溶解させた溶液にジアミン成分を添加する方法、ジアミン成分とテトラカルボン酸成分とを交互に添加する方法などが挙げられ、これらのいずれの方法を用いてもよい。また、ジアミン成分またはテトラカルボン酸成分を、それぞれ複数種用いて反応させる場合は、あらかじめ混合した状態で反応させてもよく、個別に順次反応させてもよく、さらに個別に反応させた低分子量体を混合反応させ重合体としてもよい。その際の重合温度は−２０℃〜１５０℃の任意の温度を選択することができるが、好ましくは−５℃〜１００℃の範囲である。また、反応は任意の濃度で行うことができるが、濃度が低すぎると高分子量の重合体を得ることが難しくなり、濃度が高すぎると反応液の粘性が高くなり過ぎて均一な攪拌が困難となる。そのため、好ましくは１〜５０質量％、より好ましくは５〜３０質量％である。反応初期は高濃度で行い、その後、溶媒を追加することができる。」
オ　「【０１６８】＜ポリイミド膜＞
　本発明の組成物は、基板上に塗布、焼成した後、ポリイミド膜として用いることができる。この際に用いる基板としては、目的とするデバイスに応じて、ガラス基板、シリコンウェハ、アクリル基板、ポリカーボネート基板またはＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）基板などのプラスチック基板なども用いることができる。また、ポリイミド膜をそのままフィルム基板として用いることもできる。組成物の塗布方法は、特に限定されないが、工業的には、ディップ法、ロールコータ法、スリットコータ法、スピンナー法、スプレー法、スクリーン印刷、オフセット印刷、フレキソ印刷またはインクジェット法などで行う方法が一般的である。これらは、目的に応じてこれらを用いてもよい。
【０１６９】　
組成物を基板上に塗布した後
加熱手段
蒸発させてポリイミド膜とする
カ　「【０２３５】「本発明の組成物および液晶配向処理剤の製造」
　下記する実施例１〜実施例２０、比較例１〜比較例４では、組成物の製造例を記載する。また、これら組成物は液晶配向処理剤の評価のためにも使用される。
【０２３６】　本発明の組成物および液晶配向処理剤を表３〜表５に示す。
【０２３７】　本発明の実施例および比較例で得られた組成物および液晶配向処理剤を用い、「組成物および液晶配向処理剤の印刷性の評価（ピンホールの評価）」、「組成物および液晶配向処理剤の印刷性の評価（塗膜端部の評価）」、「電圧保持率（ＶＨＲ）の評価（通常セル）」、「液晶配向処理剤のインクジェット塗布性の評価」、「液晶セルの作製および液晶配向性の評価（ＰＳＡセル）」および「液晶セルの作製および液晶配向性の評価（ＳＣ−ＰＶＡセル）」を行った。
【０２３８】「組成物および液晶配向処理剤の印刷性の評価（ピンホールの評価）」
　本発明の実施例および比較例の手法で得られた組成物を用いて、ポリイミド膜のピンホールの評価を行った。具体的には、これら組成物を細孔径１μｍのメンブランフィルタで加圧濾過し、未洗浄のＣｒ蒸着基板（縦１００ｍｍ×横１００ｍｍ，厚さ１．０ｍｍ）に対して印刷を行った。印刷機には簡易印刷機Ｓ１５型（日本写真印刷社製）を用い、印刷面積が基板の中心に対して８０×８０ｍｍの範囲、印圧が０．２ｍｍ、捨て基板が５枚、印刷から仮乾燥までの時間が９０秒、仮乾燥がホットプレート上にて７０℃で５分間、本焼成が熱循環型クリーンオーブンにて１６０℃で１５分間の条件で行った。
【０２３９】　その後、得られたポリイミド膜付き基板のピンホールの数を確認した。具体的には、このポリイミド膜付き基板をナトリウムランプの下で目視観察をして、ポリイミド膜上のピンホールの数を数えた。なお、ピンホールの数が少ないものほど、組成物中の析出物が少なく、本評価に優れるとした。
【０２４０】　表６〜表８に、実施例および比較例で得られたピンホールの数を示す。
【０２４１】　なお、本発明の実施例および比較例で得られた組成物は、液晶配向処理剤に用いることができる。そのため、本発明の実施例および比較例で得られた組成物のポリイミド膜のピンホールの評価は、液晶配向膜のピンホールの評価ともした。
【０２４２】「組成物および液晶配向処理剤の印刷性の評価（塗膜端部の評価）」
　前記の「組成物および液晶配向処理剤の印刷性の評価（ピンホールの評価）」で得られポリイミド膜付き基板を用いて、ポリイミド膜の塗膜端部の評価、すなわち、ポリイミド膜端部の直線性の評価（直線性の評価ともいう）およびポリイミド膜端部の盛り上がり（盛り上がりの評価ともいう）の評価を行った。
【０２４３】　ポリイミド膜の端部の直線性の評価は、印刷方向に対して右側端部のポリイミド膜を光学顕微鏡観察することで行った。より具体的には、光学顕微鏡の倍率が２５倍で観察して得られたポリイミド膜画像の図１中の（１）と（２）の差、すなわち、図１中のＡの長さを測定した。その際、すべてのポリイミド膜の画像は、同一倍率で得た。このＡの長さが短いほど、ポリイミド膜の端部の直線性に優れるとした。
【０２４４】　ポリイミド膜の端部の盛り上がりの評価は、印刷方向に対して右側端部のポリイミド膜を光学顕微鏡観察することで行った。具体的には、光学顕微鏡の倍率が２５で観察して得られたポリイミド膜画像の図２中のＢの長さを測定した。その際、すべてのポリイミド膜画像は、同一倍率で得た。このＢの長さが短いほど、ポリイミド膜の端部の盛り上がりに優れるとした。
【０２４５】　表６〜表８に、実施例および比較例で得られた前記Ａの長さおよびＢの長さを示す。
【０２４６】　なお、本発明の実施例および比較例で得られた組成物は、液晶配向処理剤に用いることができる。そのため、本実施例および比較例で得られたポリイミド膜の塗膜端部の評価は、液晶配向膜の塗膜端部の評価ともした。
【０２４７】「電圧保持率（ＶＨＲ）の評価（通常セル）」
　本発明の実施例および比較例で得られた液晶配向処理剤を用いて、電圧保持率（ＶＨＲ）の評価を行った。具体的には、これら液晶配向処理剤を細孔径１μｍのメンブランフィルタで加圧濾過し、純水およびＩＰＡ（イソプロピルアルコール）にて洗浄を行ったＩＴＯ電極付き基板（縦４０ｍｍ×横３０ｍｍ、厚さ０．７ｍｍ））のＩＴＯ面にスピンコートし、ホットプレート上にて８０℃で３分間、熱循環型クリーンオーブンにて１６０℃で１５分間加熱処理をして膜厚が１００ｎｍの液晶配向膜付きのＩＴＯ基板を得た。このＩＴＯ基板の塗膜面をロール径が１２０ｍｍのラビング装置で、レーヨン布を用いて、ロール回転数：３００ｒｐｍ、ロール進行速度：２０ｍｍ／ｓｅｃ、押し込み量：０．４ｍｍの条件でラビング処理を行った。
【０２４８】　得られた液晶配向膜付きのＩＴＯ基板を２枚用意し、液晶配向膜面を内側にして６μｍのスペーサー挟んで組み合わせ、紫外線硬化型のシール剤を印刷した。次いで、他方の基板と液晶配向膜面が向き合うようにして貼り合わせた後、紫外線硬化型のシール剤を硬化させるための処理を行い、空セルを得た。具体的には、照度６０ｍＷのメタルハライドランプを用いて、３１０ｎｍ以下の波長をカットし、３６５ｎｍ換算で５Ｊ／ｃｍ２の紫外線を照射し、その後、熱循環型クリーンオーブン中にて１２０℃で６０分間加熱処理をして空セルを得た。この空セルに、減圧注入法によって、ネマチック液晶を注入して液晶セル（通常セル）を得た。
【０２４９】　なお、実施例２〜実施例４の手法で得られた液晶配向処理剤（２）〜液晶配向処理剤（４）、実施例１２の手法で得られた液晶配向処理剤（１２）、実施例１９の手法で得られた液晶配向処理剤（１９）、比較例１の手法で得られた液晶配向処理剤（２１）および比較例２の手法で得られた液晶配向処理剤（２２）を用いた液晶セルには、液晶にＭＬＣ−２００３（メルク・ジャパン製）を用いた。
【０２５０】　また、前記以外の実施例および比較例で得られた液晶配向処理剤を用いた液晶セルには、液晶にＭＬＣ−６６０８（メルク・ジャパン製）を用いた。
【０２５１】　得られた液晶セルに、８０℃の温度下で１Ｖの電圧を６０μｓ印加し、５０ｍｓ後の電圧を測定し、電圧がどのくらい保持できているかを電圧保持率（ＶＨＲ）として計算した。なお、測定は、電圧保持率測定装置（ＶＨＲ−１）（東陽テクニカ社製）を使用し、Ｖｏｌｔａｇｅ：±１Ｖ、Ｐｕｌｓｅ　Ｗｉｄｔｈ：６０μｓ、Ｆｌａｍｅ　Ｐｅｒｉｏｄ：５０ｍｓの設定で行った。
【０２５２】　さらに、ＶＨＲの測定が終わった液晶セルを、温度８０℃の高温槽内に７２０時間保管し、再度、上記と同様の条件でＶＨＲの測定（高温槽保管後ともいう）を行った。
【０２５３】　評価は、液晶セル作製直後のＶＨＲの値に加え、液晶セル作製直後のＶＨＲの値に対して、高温槽内保管後のＶＨＲの値の低下が小さいものほど、良好とした。
【０２５４】　表９〜表１１に、実施例および比較例で得られた電圧保持率（ＶＨＲ）の値を示す。
【０２５５】「液晶配向処理剤のインクジェット塗布性の評価」
　本発明の実施例４の手法で得られた液晶配向処理剤（４）、実施例７の手法で得られた液晶配向処理剤（７）および実施例１５の手法で得られた液晶配向処理剤（１５）を用いて、インクジェット塗布性の評価を行った。具体的には、これら液晶配向処理剤を細孔径１μｍのメンブランフィルタで加圧濾過し、インクジェット塗布機に、ＨＩＳ−２００（日立プラントテクノロジー社製）を用いて、純水およびＩＰＡにて洗浄を行ったＩＴＯ（酸化インジウムスズ）蒸着基板上に、塗布面積が７０×７０ｍｍ、ノズルピッチが０．４２３ｍｍ、スキャンピッチが０．５ｍｍ、塗布速度が４０ｍｍ／秒、塗布から仮乾燥までの時間が６０秒、仮乾燥がホットプレート上にて７０℃で５分間、本焼成が熱循環型クリーンオーブンにて１６０℃で１５分間の条件で行った。
【０２５６】　得られた液晶配向膜付き基板をナトリウムランプの下で目視観察をして、液晶配向膜上のピンホールの数を数えたところ、いずれの実施例で得られた液晶配向膜とも、ピンホールは５個未満であった。また、いずれの実施例とも、塗膜均一性に優れた液晶配向膜が得られた。
【０２５７】　さらに、得られた液晶配向膜付きの基板を用いて、前記「電圧保持率（ＶＨＲ）の評価（通常セル）」の条件で、ＶＨＲ（通常セル）の評価を行った。
【０２５８】「液晶セルの作製および液晶配向性の評価（ＰＳＡセル）」
　本発明の実施例６の手法で得られた液晶配向処理剤（６）、実施例９の手法で得られた液晶配向処理剤（９）および実施例１４の手法で得られた液晶配向処理剤（１４）を用いて、液晶セルの作製および液晶配向性の評価（ＰＳＡセル）を行った。具体的には、これら液晶配向処理剤を細孔径１μｍのメンブランフィルタで加圧濾過し、純水およびＩＰＡにて洗浄した中心に１０×１０ｍｍのパターン間隔２０μｍのＩＴＯ電極付き基板（縦４０ｍｍ×横３０ｍｍ、厚さ０．７ｍｍ）と中心に１０×４０ｍｍのＩＴＯ電極付き基板（縦４０ｍｍ×横３０ｍｍ、厚さ０．７ｍｍ）のＩＴＯ面にスピンコートし、ホットプレート上にて８０℃で３分間、熱循環型クリーンオーブンにて１６０℃で１５分間加熱処理をして膜厚が１００ｎｍの液晶配向膜付き基板を得た。
【０２５９】　これら液晶配向膜付き基板を、液晶配向膜面を内側にして、６μｍのスペーサー挟んで組み合わせ、シール剤で周囲を接着して空セルを作製した。この空セルに減圧注入法によって、ネマティック液晶（ＭＬＣ−６６０８）（メルク・ジャパン社製）に、下記の式で示される重合性化合物（１）を、ネマティック液晶（ＭＬＣ−６６０８）の１００質量％に対して重合性化合物（１）を０．３質量％混合した液晶を注入し、注入口を封止して、液晶セルを得た。
【化６０】
（省略）
【０２６０】　得られた液晶セルに、交流５Ｖの電圧を印加しながら、照度６０ｍＷのメタルハライドランプを用いて、３５０ｎｍ以下の波長をカットし、３６５ｎｍ換算で２０Ｊ／ｃｍ２の紫外線照射を行い、液晶の配向方向が制御された液晶セル（ＰＳＡセル）を得た。液晶セルに紫外線を照射している際の照射装置内の温度は、５０℃であった。
【０２６１】　この液晶セルの紫外線照射前と紫外線照射後の液晶の応答速度を測定した。応答速度は、透過率９０％から透過率１０％までのＴ９０→Ｔ１０を測定した。
【０２６２】　いずれの実施例で得られたＰＳＡセルは、紫外線照射前の液晶セルに比べて、紫外線照射後の液晶セルの応答速度が早くなったことから、液晶の配向方向が制御されたことを確認した。また、いずれの液晶セルとも、偏光顕微鏡（ＥＣＬＩＰＳＥ　Ｅ６００ＷＰＯＬ）（ニコン社製）での観察により、液晶は均一に配向していることを確認した。
【０２６３】「液晶セルの作製および液晶配向性の評価（ＳＣ−ＰＶＡセル）」
　本発明の実施例６の手法で得られた液晶配向処理剤（６）、実施例９の手法で得られた液晶配向処理剤（９）および実施例１４の手法で得られた液晶配向処理剤（１４）を用いて、液晶セルの作製および液晶配向性の評価（ＳＣ−ＰＶＡセル）を行った。具体的には、これら液晶配向処理剤に、前記で示される重合性化合物（１）を、液晶配向処理剤中の全重合体成分１００質量％に対して２質量％加え、２５℃で４時間攪拌した。その後、得られた液晶配向処理剤を細孔径１μｍのメンブランフィルタで加圧濾過し、純水およびＩＰＡにて洗浄した中心に１０×１０ｍｍのパターン間隔２０μｍのＩＴＯ電極付き基板（縦４０ｍｍ×横３０ｍｍ、厚さ０．７ｍｍ）と中心に１０×４０ｍｍのＩＴＯ電極付き基板（縦４０ｍｍ×横３０ｍｍ、厚さ０．７ｍｍ）のＩＴＯ面にスピンコートし、ホットプレート上にて８０℃で３分間、熱循環型クリーンオーブンにて１６０℃で１５分間加熱処理をして膜厚が１００ｎｍの液晶配向膜付き基板を得た。
【０２６４】　これら液晶配向膜付き基板を、液晶配向膜面を内側にして、６μｍのスペーサー挟んで組み合わせ、シール剤で周囲を接着して空セルを作製した。この空セルに減圧注入法によって、ネマティック液晶（ＭＬＣ−６６０８）（メルク・ジャパン社製）を注入し、注入口を封止して、液晶セルを得た。
【０２６５】　得られた液晶セルに、交流５Ｖの電圧を印加しながら、照度６０ｍＷのメタルハライドランプを用いて、３５０ｎｍ以下の波長をカットし、３６５ｎｍ換算で２０Ｊ／ｃｍ２の紫外線照射を行い、液晶の配向方向が制御された液晶セル（ＳＣ−ＰＶＡセル）を得た。液晶セルに紫外線を照射している際の照射装置内の温度は、５０℃であった。
【０２６６】　この液晶セルの紫外線照射前と紫外線照射後の液晶の応答速度を測定した。応答速度は、透過率９０％から透過率１０％までのＴ９０→Ｔ１０を測定した。
【０２６７】　いずれの実施例で得られたＳＣ−ＰＶＡセルは、紫外線照射前の液晶セルに比べて、紫外線照射後の液晶セルの応答速度が早くなったことから、液晶の配向方向が制御されたことを確認した。また、いずれの液晶セルとも、偏光顕微鏡（ＥＣＬＩＰＳＥ　Ｅ６００ＷＰＯＬ）（ニコン社製）での観察により、液晶は均一に配向していることを確認した。」
キ　「【０３２７】　本発明の組成物は、ポリイミド膜を形成する際に、はじきに伴うピンホールの発生を抑制することができ、その端部の塗膜性にも優れるポリイミド膜を得ることができる。その際、低温での焼成でも、ポリイミド膜が作製できる。
【０３２８】　また、本発明の組成物を液晶配向処理剤に用いると、はじきに伴うピンホールの発生を抑制することができ、その端部の塗膜性にも優れる液晶配向膜を得ることができる。さらには、液晶配向膜を作製する際の焼成が低温であっても、液晶表示素子における電気特性、特に電圧保持率（ＶＨＲともいう）に優れる液晶配向膜となる。よって、本発明の液晶配向処理剤から得られた液晶配向膜を有する液晶表示素子は、信頼性に優れたものとなり、大画面で高精細の液晶テレビや中小型のカーナビゲーションシステムやスマートフォンなどに好適に利用することができ、ＴＮ素子、ＳＴＮ素子、ＴＦＴ液晶素子、特にＶＡモード、ＰＳＡモードおよびＳＣ−ＰＶＡモードなどの垂直配向型の液晶表示素子に有用である。」
（２）甲１に記載された発明
　甲１には、記載事項アの請求項１、１８から、以下の発明が記載されていると認められる。
　「（Ａ）成分：下記の式［Ａ］：
【化１】
（式中、Ｘ１およびＸ２は、それぞれ独立して、炭素数１〜３のアルキル基を示し、Ｘ３およびＸ４は、それぞれ独立して、炭素数１〜３のアルキル基を示す）で示される溶媒；および
（Ｂ）成分：ポリイミド前駆体およびポリイミドから選ばれる少なくとも１種の重合体
を含有する組成物から得られるポリイミド膜。」（以下「甲１発明」という。）
（３）本件訂正発明１について 
ア　対比 
　本件訂正発明１と甲１発明とを対比する。 
　甲１発明の「（Ａ）成分」の「式［Ａ］・・・（略）・・・で示される溶媒」は、本件訂正発明１の一般式（１）で表される化合物の「Ｒ１」が「Ｈ（水素原子）」、「Ｒ２〜Ｒ５」が「Ｃ１〜Ｃ３のアルキル基」である化合物であって、その構造式からみて「本件訂正発明１の「式（ａ−１）〜（ａ−１７）で表される化合物」を包含するから、本件訂正発明１の「式（ａ−１）〜（ａ−１７）で表される化合物の少なくとも１つを含」む、「一般式（１）で表される化合物（Ａ）を少なくとも含有する溶剤」に相当する。
　さらに、甲１の摘記ウ（【００６１】、【００６４】）に記載されたように、甲１発明の（Ｂ）成分の「ポリイミド前駆体」は、「ジアミン成分とテトラカルボン酸二無水物等のテトラカルボン酸成分とを反応させて得られる」ものであり、一般的に「ポリイミド前駆体」と「ポリアミック酸」が同義であることは本願出願時に良く知られた事項であるから、本件訂正発明１の「テトラカルボン酸二無水物成分とジアミン成分とを反応させて得られるポリアミック酸」に相当する。
　そうすると、本件訂正発明１と甲１発明は、
　「下記一般式（１）で表される化合物（Ａ）を少なくとも含有する溶剤中でテトラカルボン酸二無水物成分とジアミン成分とを反応させて得られるポリアミック酸溶液から形成されるポリイミド膜であって、前記化合物（Ａ）が下記式（ａ−１）〜（ａ−１７）で表される化合物の少なくとも１つを含む、ポリイミド膜。
【化１】
（式中、Ｒ１は、水素原子又はヒドロキシル基を表し、Ｒ２及びＲ３は、独立に水素原子又はＣ１〜Ｃ３のアルキル基を表し、Ｒ４及びＲ５は、独立にＣ１〜Ｃ３のアルキル基を表す。）
【化２】
」
の点で一致し、以下の点で相違する。
＜相違点１＞
　本件訂正発明１では、「ポリイミド膜の製造方法」との特定があるのに対し、甲１発明は「ポリイミド膜」である点。
＜相違点２＞
　本件訂正発明１では、ポリアミック酸溶液について「ポリアミック酸溶液（但し、液晶配向剤用を除く。）」とあるのに対し、甲１発明はそのような特定がない点。
＜相違点３＞
　本件訂正発明１では、「前記ポリイミド前駆体膜の膜厚が０．８〜３５０μｍである」とあるのに対し、甲１発明はそのような特定がない点。
＜相違点４＞
　本件訂正発明１では、ポリアミック酸溶液を「基体上に塗布して形成されるポリイミド前駆体膜を１２０〜３５０℃で加熱する
ことにより前記基体上にポリイミド膜を形成する
及び、
前記ポリイミド膜を前記基体から剥離する工程
イ　判断
　事案に鑑み、上記相違点１、４から検討する。
　相違点１について、甲１発明は、ポリイミド膜に関するものであるが、ポリイミド膜を得るにはポリイミド膜の製造方法を経るのは自明であるから、本件訂正発明１の「ポリイミド膜の製造方法」を満たすと認められる。
　そして、相違点４のうち、「基体上に塗布する」こと、「１２０〜３５０℃で加熱する」こと、「基体上にポリイミド膜を形成する工程」について検討する。甲１の摘記オには「本発明の組成物は、基板上に塗布、焼成した後、ポリイミド膜として用いることができる」（【０１６８】）と記載されていることから、甲１発明のポリイミド膜は、ポリイミド前駆体を含む組成物を基板上に塗布して基板上にポリイミド前駆体膜を形成したものと認められ、さらに、甲１の「焼成」とは一般的に「加熱」を含むものであるから、本件発明１のポリアミック酸溶液を「基体上に塗布して形成されるポリイミド前駆体膜」を「加熱する工程」についても満たすものと認められる。
　また、甲１の摘記オには「組成物を基板上に塗布した後は、ホットプレート、熱循環型オーブンまたはＩＲ（赤外線）型オーブンなどの加熱手段により５０〜３００℃、好ましくは８０〜２５０℃で溶媒を蒸発させてポリイミド膜とすることができる。」（【０１６９】）と記載されており、本件発明１のポリアミック酸溶液を基体上に塗布して形成されるポリイミド前駆体膜を「１２０〜３５０℃で加熱する工程」と加熱の温度範囲が「１２０〜３００℃の範囲」で重複する範囲を包含する。
　そうすると、甲１発明は、本件訂正発明１の「基体上に塗布して形成されるポリイミド前駆体膜を１２０〜３００℃で加熱することにより前記基体上にポリイミド膜を形成する工程」についても満たすものと認められる。
　しかしながら、甲１発明は、相違点４のうち、「前記ポリイミド膜を前記基体から剥離する工程」については特定していない。
　そして、甲１には、「本発明の目的は、ポリイミド膜を形成する際に、はじきに伴うピンホールの発生を抑制することができ、その端部の塗膜性にも優れる組成物を提供することである。その際、低温での焼成でも、ポリイミド膜が作製できる組成物となることも目的とする」（【０００９】）こと、
組成物の塗布方法としてディップ法などが挙げられること（【０１６８】）、実施例の組成物及び液晶配向処理剤の評価方法において、摘記カの記載からみて、基板に組成物又は液晶配向処理剤を塗布した後に焼成してポリイミド膜を形成したものを用いること、有用な用途として本発明の液晶配向処理剤から得られた液晶配向膜を有する液晶表示素子が挙げられること（【０３２８】）が記載されている。
　そうすると、甲１には、ポリイミド膜の形成に際し、ピンホールの発生が抑制された塗膜性に優れる組成物を提供するものであって、組成物の塗布方法についても一般的にディップ法などの塗膜を形成するものが挙げられ、用途としても基板に組成物又は液晶配向処理剤を塗布した後に焼成してポリイミド膜を形成したものを用いる液晶配向素子であること、すなわち基板上にポリイミド膜を形成する工程は記載されているといえるが、これらの記載からは、ポリイミド膜を基板から剥離することは明記されているとはいえず、また、ポリイミド膜を基板から剥離することが予定されているともいえない。
　以上によれば、相違点１は実質的な相違点ではないと認められるものの、相違点４は、実質的な相違点である。
　
　したがって、相違点２、３については検討するまでもなく、本件訂正発明１は、甲１に記載された発明と同一であるとはいえない。
ウ　小括
　以上のとおり、本件訂正発明１は、甲１に記載された発明と同一であるとはいえない。
（４）本件訂正発明２、３について
　本件訂正発明２、３は、本件訂正発明１を直接または間接的に引用するものであるが、上記（３）で述べたとおり、本件訂正発明１が甲１に記載された発明と同一であるとはいえない以上、本件訂正発明２、３についても同様に、甲１に記載された発明と同一であるとはいえない。 　
（５）まとめ 
　そうすると、取消理由１は理由がなく、取消理由１と申立理由１とは上記第４で述べたとおり同旨であるから、申立理由１についても理由がない。
　よって、本件訂正発明１〜３に係る特許は、特許法第１１３条第２号に該当せず、取り消すべきものではない。
第６　むすび
　以上のとおり、取消理由通知書に記載した取消理由及び特許異議申立書に記載した特許異議の申立ての理由によっては、本件特許の請求項１〜３に係る特許を取り消すことができない。
　また、他に本件特許の請求項１〜３に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
令和２年２月１２日（２０２０．２．１２）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】
　下記一般式（１）で表される化合物（Ａ）を少なくとも含有する溶剤中でテトラカルボン酸二無水物成分とジアミン成分とを反応させて得られるポリアミック酸溶液（但し、液晶配向剤用を除く。）を基体上に塗布して形成されるポリイミド前駆体膜を１２０〜３５０℃で加熱する
ことにより前記基体上にポリイミド膜を形成する
、及び、
　
前記ポリイミド膜を前記基体から剥離する工程
　前記化合物（Ａ）が下記式（ａ−１）〜（ａ−１７）で表される化合物の少なくとも１つを含み、
　前記ポリイミド前駆体膜の膜厚が０．８〜３５０μｍであるポリイミド膜の製造方法。
　【化１】
（式中、Ｒ１は、水素原子又はヒドロキシル基を表し、Ｒ２及びＲ３は、独立に水素原子又はＣ１〜Ｃ３のアルキル基を表し、Ｒ４及びＲ５は、独立にＣ１〜Ｃ３のアルキル基を表す。）
　【化２】
　【請求項２】
　前記化合物（Ａ）がＮ，Ｎ，２−トリメチルプロピオンアミドである請求項１記載のポリイミド膜の製造方法。
　【請求項３】
　前記化合物（Ａ）の量が、前記テトラカルボン酸二無水物成分の量と前記ジアミン成分の量との合計１００質量部に対して、２０〜２０００質量部である請求項１又は２記載のポリイミド膜の製造方法。