【事件の表示】
特許第２７７９５５６号「エピタキシャル基板およびその製造方法」の特許に対する特許異議の申立てについて、　次のとおり決定する。　
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第２７７９５５６号の請求項１、２に係る特許を維持する。
【理　由】
［１］手続の経緯
　本件特許第２７７９５５６号の請求項１、２に係る発明は、平成３年５月１５日に出願され、平成１０年５月１５日に特許の設定の登録がなされたところ、その特許請求の範囲の請求項１、２に係る発明の特許に対し、杉山六郎（以下、「申立人」という。）より特許異議の申立てがなされ、当審において取消理由の通知がなされ、その指定期間内である平成１１年９月１３日に訂正請求がなされた。
［２］訂正の適否についての判断
１．訂正明細書の請求項１、２に係る発明
　訂正明細書の請求項１、２に係る発明は、訂正明細書の記載からみて、特許請求の範囲の請求項１、２に記載された次のとおりのものである。
「【請求項１】 ＭＣＺ法により作製した１．０×１０１８／ｃｍ３以上の高酸素濃度のシリコン単結晶基板上に、シリコン単結晶をエピタキシャル成長させたエピタキシャル基板であって、上記シリコン単結晶基板にはエピタキシャル成長前に、１１００℃以上の高温熱処理と、５００〜１０５０℃での熱処理とが施されたエピタキシャル基板。
　【請求項２】 ＭＣＺ法により１．０×１０１８／ｃｍ３以上の高酸素濃度のシリコン単結晶を作製する工程と、このシリコン単結晶よりシリコン単結晶基板を加工する工程と、このシリコン単結晶基板に１１００℃以上の高温熱処理を行う工程と、その後、このシリコン単結晶基板に５００〜１０５０℃の範囲の温度で熱処理を施す工程と、その後、このシリコン単結晶基板上にエピタキシャル成長を行う工程とを有するエピタキシャル基板の製造方法。」
（上記請求項１、２に係る発明を、以下、「訂正発明１、２」という。）
２．訂正の内容
　訂正請求は、本件特許の願書に添付した明細書（以下、「特許明細書」という。）を訂正請求書に添付した訂正明細書のとおりに訂正しようとするものであって、その訂正の内容は次のとおりである。
〈訂正事項〉
　特許明細書の特許請求の範囲の請求項１の
　「１．０×１０１８／ｃｍ３以上の高酸素濃度のシリコン単結晶基板」を、
　「ＭＣＺ法により作製した１．０×１０１８／ｃｍ３以上の高酸素濃度のシリコン単結晶基板」と訂正する。
３．訂正の目的、新規事項禁止、拡張・変更禁止の各要件についての判断
訂正事項は、「シリコン単結晶基板」について、訂正前にはその製造方法の限定がなされていなかったものを、訂正後はそれが「ＭＣＺ法により作製した」ものであることを限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
また、願書に添付した明細書の【０００９】及び【００１０】には、ＭＣＺ法によりシリコン単結晶を得たことが記載されているから、この訂正は特許明細書に記載した事項の範囲内においてされたものであり、また実質上特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
４．独立特許要件について
４−１．当審が通知した取消理由の概要
（１）請求項１に係る発明は、下記の刊行物１に記載された発明であるから、請求項１に係る発明の特許は、特許法第２９条第１項の規定に違反してされたものであり、取り消されるべきである。
（２）請求項１、２に係る発明は、下記の刊行物１及び下記の刊行物２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１、２に係る発明の特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであり、取り消されるべきである。
　　　　　　　　　　　　記
　刊行物１：特開平２−７４３７号公報
　刊行物２：特開昭６３−８５０８５号公報
４−２．引用刊行物の記載事項
（１）刊行物１
（1-1）「本発明のＳｉ基板の製造方法は、旧ＡＳＴＭの規定に準じて測定される格子間酸素を高濃度（１６．５〜１９．５×１０１７atoms／ｃｍ３）で含有するＣＺ基板に対し、１１００℃以上の１段熱処理を３〜１０時間施す事を特徴としている。また、このように熱処理をした基板にシリコンのエピタキシャル成長をすることもできる。」（第２頁左下欄第１７行〜同頁右下欄第３行）
（1-2）「本件発明と従来法とを比較するため、本発明では初期酸素濃度１８×１０１７atoms／ｃｍ３のＣＺ基板直径１５０ｍｍに１２００℃５時間の一段熱処理を施したもの、従来法では１５×１０１７atoms／ｃｍ３　のＣＺ基板直径１５０ｍｍに１２００℃５時間、７００℃１６時間の２段熱処理を施したものを各々試料とし、ＣＭＯＳデバイスの製造工程を想定した疑似熱処理を加えて、残留酸素濃度、ＤＺの幅、内部欠陥密度、反り、スリップを測定した、結果の一覧を表１に示す。表１において酸素濃度は旧ＡＳＴＭの規定に準じて測定したものである。」（第３頁左上欄第８〜末行）
（1-3）「第２図は本発明の他の実施例の縦断面図である。…（中略）…このＣＺ基板８に対し１２００℃５時間の熱処理を施し、…（中略）…この後１０００℃１６時間の熱処理を加え、…（中略）…続いて第２図（Ｄ）のように１０μｍのＳｉエピタキシャル膜１５を形成した。エピタキシャル成長は高温（１０００〜１２００℃）の工程であり、急熱、急冷の熱処理工程を含む事からスリップが生じやすいが、本発明のＤＺＩＧ基板上にＳｉエピタキシャル成長した場合には、スリップの発生は皆無であった。これに対し、従来法のＤＺＩＧ基板に、１０００℃１６時間の熱処理を加え、同様のＳｉエピタキシャル成長を行ったところ、１０〜３０ｍｍのスリップが数十本発生した。」（第３頁右下欄第１０行〜第４頁左上欄第１０行）
（1-4）表１
（２）刊行物２
（2-1）「１．シリコン単結晶引上げ法において、石英るつぼの内に保持された溶融シリコン中の引上げ単結晶の固液界面の下方に該石英ルツボとは別に石英材を設置することを特徴とするシリコン単結晶育成方法。
　２　チョクラルスキー法によるシリコン単結晶引上げ法が磁場中で行なわれることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のシリコン単結晶育成方法。」（第１頁特許請求の範囲）　
（2-2）「また、特に磁場中チョクラルスキー法（以下ＭＣＺ法と略称）では磁場によって熱対流が抑えられて、固液界面が安定化するため、高品質な結晶ができることを特徴としているが、熱対流がないために固液界面に溶解した酸素が輸送されず酸素濃度を十分に単結晶中で高めることができない。」（第２頁左上欄第９〜１４行）
（2-3）「その結果、結晶中の固溶酸素濃度は、５００ｍｍの長さのインゴット５内で（１７±１．５）×１０１７ｃｍ−３…（中略）…となり高酸素濃度単結晶が、従来の低酸素濃度ＭＣＺを得るのと同様の育成条件で、育成することができた。この単結晶インゴット５から加工して、作成した直径５インチの単結晶基板を７００℃で５時間熱処理した後さらに１０００℃で１６時間熱処理して酸素を析
出させて、Ｘ線トポグラフで酸素析出状態を観察した。その結果、従来法のＣＺ単結晶に誘起するストリエーション状の酸素析出が全く存在せず、均一な酸素析出が観察された。これにより、ストリエーションフリーの高品質単結晶であることが判明した。」（第２頁左下欄第１２行〜同頁右下欄第５行）
４−３．対比・判断
４−３−１．訂正発明１について
（１）訂正発明１の構成及び効果について
  　訂正発明１は、「ＭＣＺ法により作製した１．０×１０１８／ｃｍ３以上の高酸素濃度のシリコン単結晶基板」に所定の熱処理を施し、次いでこのシリコン単結晶基板上にシリコン単結晶をエピタキシャル成長させた」点を構成要件とし、これにより、このエピタキシャル基板は、「ＣＺ単結晶基板に比べて結晶成長縞（ストリエーション）のピッチが密であるので、エピタキシャル成長後デバイス熱処理をおこなっても、熱応力発生が小さい。また、ストリエーションの発生していないエピタキシャル成長層との間に内部応力（歪）の発生が小さい。このため、エピタキシャル成長層にスリップ・ライン（ＳＬ）が発生しない。この結果、デバイス製造工程中で熱的機械強度に強く、高いＩＧ能力を有するエピタキシャル基板を製造することができる。すなわち、この発明に係るエピタキシャル基板は機械的強度が強く、かつ、高いゲッタリング能力を有するものである。」（特許明細書【０００９】）という効果を奏するものである。
（２）引用刊行物１、２記載の発明との対比
（2-1）刊行物１記載の発明について
　　刊行物１には、従来例として、「１５×１０１７atoms／ｃｍ３　のＣＺ基板直径１５０ｍｍに１２００℃５時間、７００℃１６時間の２段熱処理を施し」て得たシリコン基板が記載されている。
　このシリコン基板と訂正発明１のエピタキシャル基板とを以下で対比する。
  刊行物１記載のものは、酸素濃度が１５×１０１７atoms／ｃｍ３であり、これは訂正発明１の「１．０×１０１８atoms／ｃｍ３以上」に含まれる。
　また、刊行物１記載のものは「１２００℃５時間、７００℃１６時間」の２段熱処理を施しており、この熱処理は訂正発明１における「１１００℃以上の高温熱処理と、５００〜１０５０℃での熱処理」に相当する。
　そうすると、訂正発明１と刊行物１記載の発明とは「１．０×１０１８／ｃｍ３以上の高酸素濃度のシリコン単結晶基板に１１００℃以上の高温熱処理と、５００〜１０５０℃での熱処理とを施す」ことによって得られるシリコン単結晶基板を構成要件として備える基板の構成の点で一致するが、次の点で相違する。
〈相違点Ａ〉
　訂正発明１は、「１．０×１０１８／ｃｍ３以上の高酸素濃度のシリコン単結晶基板」が「ＭＣＺ法により作製した」ものであるのに対し、刊行物１には、シリコン単結晶基板はＣＺ法により得たものであることが記載されているのみで、シリコン単結晶基板をＭＣＺ法によって得ることについては記載がない点。
〈相違点Ｂ〉
　訂正発明１は、熱処理後のシリコン単結晶基板上に「シリコン単結晶をエピタキシャル成長させた」ものであるのに対して、刊行物１には、２段熱処理後のシリコン単結晶基板にシリコン単結晶をエピタキシャル成長させることについては記載がない点。
（なお、相違点Ｂについて付言するに、刊行物１には、「このように熱処理をした基板にシリコンのエピタキシャル成長をすることもできる。」（前記「［２］４−２（1-1）」参照）との記載及び「従来法のＤＺＩＧ基板に、１０００℃１６時間の熱処理を加え、同様のＳｉエピタキシャル成長を行った」（前記「［２］４−２（1-3）」参照）との記載がそれぞれあるが、これらはいずれも熱処理を一段で行う場合についてのものであり、熱処理を２段で行う場合についてのものではない。）
（2-2）刊行物２記載の発明について
　刊行物２には、シリコン単結晶をＭＣＺ法によって引き上げるための方法及び引き上げた単結晶から作成した基板に７００℃で５時間熱処理した後さらに１０００℃で１６時間熱処理したものについて観察したところ、それがストリエーションフリーの高品質単結晶であったことがそれぞれ記載されている。
　しかるに、刊行物２には、ＭＣＺ法によって得たシリコン単結晶基板に１１００℃以上の高温熱処理と５００〜１０５０℃での熱処理とを施す点及び熱処理後のシリコン単結晶基板にシリコン単結晶をエピタキシャル成長させる点については記載及び示唆がない。
（３）刊行物１、２に記載の発明を組み合わせる点について
　刊行物１記載の発明と訂正発明１とを対比すると、両者が上記の相違点Ａ及び相違点Ｂの点で構成上の差異があることは前述したとおりである。
　そして、前記「［２］４−２（1-2）,（1-4）」によれば、刊行物１記載のものは訂正発明１と同条件の熱処理を施しているにもかかわらず、これにＣＭＯＳデバイスの製造工程を想定した疑似熱処理を加えたところ、スリップが多発したことが認められる。
　これに対して、訂正発明１は「スリップラインの発生がみられない。」（特許明細書【００１２】）ものであり、両者のこの効果上の差異は、訂正発明１と刊行物１記載のものとに上記相違点Ａ及び相違点Ｂの構成上の差異があることによるものと解さざるを得ない。
　そこで、この相違点Ａ、Ｂについて刊行物２の記載を検討するに、刊行物２には、ＭＣＺ法により高酸素濃度シリコン単結晶を引き上げるための方法及びこれによって得られたシリコン基板がストリエーションフリーであることがそれぞれ記載されているが、ＭＣＺ法によって得たシリコン単結晶基板に１１００℃以上の高温熱処理と５００〜１０５０℃での熱処理とを施す点、及び熱処理後のシリコン単結晶基板にシリコン単結晶をエピタキシャル成長させる点については記載及び示唆がないことは前述したとおりである。
　また、刊行物１と刊行物２の記載を相互に勘案しても、刊行物１記載のものにおいて、シリコン単結晶基板としてＭＣＺ法によって得たものを採用すると共に、熱処理後のシリコン単結晶基板にシリコン単結晶をエピタキシャル成長させることにより、得られたエピタキシャル基板がデバイス製造工程中で熱的機械強度に強く、高いＩＧ能力を有するという効果を奏することについては当業者が容易に予測し得たものとすることはできない。
　上記のとおりであるから、訂正発明１は、刊行物１に記載された発明であるとすることができないばかりでなく、刊行物１、２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることもできない。
４−３−２．訂正発明２について
  訂正発明２は、エピタキシャル基板の製造方法の発明であるところ、訂正発明２と刊行物１記載の発明とを対比すると、両者は、「１．０×１０１８／ｃｍ３以上の高酸素濃度のシリコン単結晶を作製する工程と、このシリコン単結晶よりシリコン単結晶基板を加工する工程と、このシリコン単結晶基板に１１００℃以上の高温熱処理を行う工程と、その後、このシリコン単結晶基板に５００〜１０５０℃の範囲の温度で熱処理を施す工程と」を備える基板の製造方法の構成の点で一致するが、次の点で相違する。
〈相違点Ａ’〉
　訂正発明２は、シリコン単結晶基板が、ＭＣＺ法により作製したシリコン単結晶から得られたものであるのに対し、刊行物１には、シリコン単結晶基板はＣＺ法により得たものであることが記載されているのみで、シリコン単結晶基板をＭＣＺ法によって得ることについては記載がない点。
〈相違点Ｂ’〉
　訂正発明２は、熱処理後のシリコン単結晶基板上に「エピタキシャル成長を行う」ことによりエピタキシャル基板を製造するものであるのに対して、刊行物１には、熱処理後のシリコン単結晶基板にエピタキシャル成長させることについては記載がない点。
　そこで、この相違点Ａ’、Ｂ’について刊行物２の記載を検討するに、刊行物２には、ＭＣＺ法によって得たシリコン単結晶基板に１１００℃以上の高温熱処理と５００〜１０５０℃での熱処理とを施す点、及び熱処理後のシリコン単結晶基板にエピタキシャル成長させる点については記載及び示唆がない。
　また、刊行物１と刊行物２の記載を相互に勘案しても、刊行物１記載のものにおいて、シリコン単結晶基板としてＭＣＺ法によって作製したものを採用すると共に、熱処理後のシリコン単結晶基板にエピタキシャル成長させることにより、得られたエピタキシャル基板がデバイス製造工程中で熱的機械強度に強く、高いＩＧ能力を有するという効果を奏することについては当業者が容易に予測し得たものとすることはできない。
　上記のとおりであるから、訂正発明２は、刊行物１、２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
４−４．まとめ
  以上のとおりであるから、訂正発明１、２は特許出願の際に独立して特許を受けることができるものである。
５．訂正の認否
従って、本件訂正請求は、特許法第１２０条の４第２項ただし書及び同条第３項において準用する同法第１２６条第２〜４項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
［３］特許異議申立てについて
１．本件発明
　前述のように、本件訂正は適法なものであるので、本件請求項１、２に係る発明は、前記「［２］１」において摘記したとおりの「訂正発明１」及び「訂正発明２」である（以下、「本件発明１、２」という。）。
２．特許異議申立ての理由の概要
　申立人は、証拠方法として甲第１号証（特開平２−７４３７号公報）及び甲第２号証（特開昭６３−８５０８５号公報）を提出し、請求項１に係る発明は、甲第１号証に記載された発明であるか、甲第１号証及び甲第２号証に記載された発明に基づいて基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであること並びに請求項２に係る発明は甲第１号証及び甲第２号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであることをそれぞれ主張して、請求項１、２に係る発明の特許は、特許法第２９条第１項又は同条第２項の規定に違反してなされたものであり、取り消されるべきである旨主張している。
３．対比・判断
　申立人の主張する特許異議申立ての理由及び証拠方法は、当審が取消理由通知において示した取消理由及び証拠方法と同一のものである。
　従って、上記「［２］４−３」で述べたと同じ理由により、本件発明１、２の特許が、特許法第２９条第１項又は同条第２項の規定に違反してなされたものであるとすることはできない。
［４］むすび
　上記のとおりであるから、本件発明１、２の特許は、特許異議申立ての理由及び証拠方法によっては取り消すことはできない。
　また、他に本件発明１、２の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年２月７日（２０００．２．７）
【訂正の要旨】
　　　　　　　　　　　　　　　訂正の要旨
　特許第２７７９５５６号発明の明細書を訂正請求書に添付された訂正明細書のとおりに訂正する。
　その訂正の内容は次のとおりである。
〈訂正事項〉
　特許請求の範囲の減縮を目的として、特許明細書の特許請求の範囲の請求項１の「１．０×１０１８／ｃｍ３以上の高酸素濃度のシリコン単結晶基板」を、「ＭＣＺ法により作製した１．０×１０１８／ｃｍ３以上の高酸素濃度のシリコン単結晶基板」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
エピタキシャル基板およびその製造方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　
ＭＣＺ法により作製した
　上記シリコン単結晶基板にはエピタキシャル成長前に、１１００℃以上の高温熱処理と、５００〜１０５０℃での熱処理とが施されたエピタキシャル基板。
　【請求項２】　ＭＣＺ法により１．０×１０１８／ｃｍ３以上の高酸素濃度のシリコン単結晶を作製する工程と、
　このシリコン単結晶よりシリコン単結晶基板を加工する工程と、
　このシリコン単結晶基板に１１００℃以上の高温熱処理を行う工程と、
　その後、このシリコン単結晶基板に５００〜１０５０℃の範囲の温度で熱処理を施す工程と、
　その後、このシリコン単結晶基板上にエピタキシャル成長を行う工程とを有するエピタキシャル基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
　　　【０００１】
　　【産業上の利用分野】
　この発明はエピタキシャル基板およびその製造方法、特に高集積微細化素子で構成される回路の電気特性のバラツキを小さくするために必要な高品位エピタキシャル基板およびその製造方法に関する。
　　　【０００２】
　　【従来の技術】
　従来、高集積微細化する半導体集積回路において、基板の大口径化に有利なチョクラルスキー（ＣＺ）法によって製造されたシリコン単結晶棒から切り出されたシリコン単結晶基板（ウェーハ）では、特定の加熱処理を施すことにより、基板表面に無欠陥層（Ｄｅｎｕｄｅｄ　Ｚｏｎｅ）を、この基板内部に結晶欠陥（Ｂｕｌｋ　Ｍｉｃｒｏ　Ｄｅｆｅｃｔ：ＢＭＤ）をそれぞれ形成している。このＢＭＤにより、半導体集積回路の製造過程中に侵入する微量の重金属などを捕獲している。このようにシリコン基板にあっては、イントリンシック・ゲッタリング（ＩＧ）効果を積極的に利用し、デバイス作製での歩留まりの向上を図っている。
　　　【０００３】
　　【発明が解決しようとする課題】
　ＩＧ効果では、シリコン単結晶基板中に含有されている酸素の濃度（［Ｏｉ］：格子間に存在する酸素の濃度）が関連する。すなわち、単結晶成長時、坩堝や雰囲気から混入し、シリコン単結晶中に溶解している過剰の酸素は、熱処理によって結晶内部に析出し、その析出部の周囲に結晶欠陥を形成する。この形成により、結晶格子に歪が生じ、この歪場を利用して重金属などを捕獲、析出するものである。
　　　【０００４】
　ところが、このＩＧ効果を高めるため、酸素析出核を高密度に形成すると、残留酸素が少なくなり、シリコン単結晶基板の機械的強度が弱くなってしまう。例えば、半導体集積回路の製造工程中の熱処理では、デバイス回路の電気的活性領域にまで転位欠陥が発生し、その結晶特性が悪くなった。そのため、デバイス特性を損なうことがないように、ＩＧ効果を狭い範囲で制御しなければならなかった。
　　　【０００５】
　また、アンチモン不純物を高濃度に含有するシリコン単結晶基板に対して、ランピング比を０．１℃／ｍｉｎ以下で低温熱処理工程を行えば、高いＩＧ効果を持たせることができた。しかし、これでは熱処理炉の占有時間が非常に長く、コスト的にも半導体装置の量産製造には適さなかった。
　　　【０００６】
　この発明の目的は、その機械的強度を損なうことなく、高いＩＧ能力を有するエピタキシャル基板を安価に提供することにある。また、そのエピタキシャル基板の製造方法を提供することにある。
　　　【０００７】
　　【課題を解決するための手段】
　請求項１に記載の発明は、ＭＣＺ法により作製された１．０×１０１８／ｃｍ３以上の高酸素濃度のシリコン単結晶基板上に、シリコン単結晶をエピタキシャル成長させたエピタキシャル基板であって、上記シリコン単結晶基板にはエピタキシャル成長前に、１１００℃以上の高温熱処理と、５００〜１０５０℃での熱処理とが施されたエピタキシャル基板である。
　　　【０００８】
　また、請求項２に記載の発明は、ＭＣＺ法により１．０×１０１８／ｃｍ３以上の高酸素濃度のシリコン単結晶を作製する工程と、このシリコン単結晶よりシリコン単結晶基板を加工する工程と、このシリコン単結晶基板に１１００℃以上の高温熱処理を行う工程と、その後、このシリコン単結晶基板に５００〜１０５０℃の範囲の温度で熱処理を施す工程と、その後、このシリコン単結晶基板上にエピタキシャル成長を行う工程とを有するエピタキシャル基板の製造方法である。
　　　【０００９】
　　【作用】
　この発明に係るエピタキシャル基板の製造方法では、高酸素ＭＣＺ法（高濃度の酸素雰囲気の中で、融液対流を制御する磁場を設置したＣＺ法）によってシリコン単結晶を製造し、このシリコン単結晶から切り出したシリコン基板を使用する。このシリコン基板中の酸素濃度［Ｏｉ］は１．０×１０１８／ｃｍ３以上とする。
このシリコン基板に対して１１００℃以上の高温熱処理を行う。さらに、この高温熱処理の後、５００〜１０５０℃の範囲で熱処理を行う。そして、このシリコン基板上にシリコン単結晶のエピタキシャル層を積層する。
　このシリコン基板は、ＣＺ単結晶基板に比べて結晶成長縞（ストリエーション）のピッチが密である。よって、エピタキシャル成長後デバイス熱処理を行っても、発生する熱応力が小さい。また、ストリエーションが発生していないエピタキシャル成長層と単結晶基板との間に発生する内部応力（換言すると歪）が小さい。このため、エピタキシャル成長層にスリップ・ライン（ＳＬ）が発生しない。この結果、デバイス製造工程中で熱的機械強度に強く、高いＩＧ能力を有するエピタキシャル基板を製造することができる。
　すなわち、この発明に係るエピタキシャル基板は機械的強度が強く、かつ、高いゲッタリング能力を有するものである。
　　　【００１０】
　　【実施例】
［実施例１］
　以下、実施例１を説明する。
　高い濃度の酸素雰囲気の中で、シリコン単結晶素材を石英坩堝に入れておいて、加熱によってこの素材を溶かして、融点１４１４℃より少し高い温度に保っておく。また、ドーパントとしてアンチモンを添加しておく。この融液にシリコン単結晶の種子結晶を浸して、十分なじませたのち、軸と坩塙とを回転させながらゆっくりと引き上げる。この間、磁場を印加することによって、融液の動粘性を高くした状態で、坩禍との反応を抑制または促進しながら、シリコン単結晶中の酸素濃度を制御する。このようにして種子結晶の方位配列をもった円柱状のシリコン単結晶を得る。このＮ型高酸素ＭＣＺシリコン単結晶を、エピタキシャル成長基板として使用する。
　　　【００１１】
　高酸素ＭＣＺシリコン単結晶基板の表面は、ＣＺシリコン単結晶基板より、ストリエーションピッチが小さく密である。このため、面内方向の応力場の発生が小さい。
　エピタキシャル成長前に、このシリコン基板に対して１２００℃の熱処理を施した後、５５０℃〜９５０℃までの時に９５０℃での熱処理の温度上昇速度を０．１℃／ｍｉｎより早くして熱処理を行う。
　次に、このシリコン基板に対してシリコン単結晶の薄膜をエピタキシャル成長させる。
　さらに、このようにして作製されたエピタキシャル基板について、半導体装置製造工程における熱履歴に近似したシミュレーション熱処理を施す。
　この後、このエピタキシャル基板に対してジルトルエッチング液にて選択エッチングを行う。ＩＧ層を明確化するものである。この結果、このエピタキシャル成長層中に、スリップラインの発生がみられない。すなわち、デバイス製造工程中で、熱的機械強度の強いシリコン基板であることがわかる。また、高いＩＧ効果を有するエピタキシャル基板を安価に製造することができる。
　　　【００１２】
　　【発明の効果】
　以上説明してきたように、この発明によれば、機械的強度を損なうことなく、高いＩＧ能力を有する半導体シリコン基板を安価に製造することができる。
　すなわち、この発明に係るエピタキシャル基板は機械的強度が強く、かつ、高いゲッタリング能力を有するものである。