【事件の表示】
　特許第２６８１０９４号「窒化ガリウム糸化合物半導体発光素子」の請求項１ないし４に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結論】
　特許第２６８１０９４号の請求項１ないし４に係る特許を取り消す。
【理由】
１．手続の経緯
　本件特許第２，６８１，０９４号に係る主な手続の経緯は以下のとおりである。
　特許出願　　　　　　平成２年２月２８日
　手続補正　　　　　　平成９年３月２４日
　特許権設定登録　　　平成９年８月８日
　特許公報発行　　　　平成９年１１月１９日
　特許異議の申立て（２件）
　　　　　　平成１０年５月１５日及び１９日
　取消理由通知　　　　平成１０年８月１９日
　異議意見書　　　　　平成１０年１１月９日
２．本件発明
　本件特許明細書の請求項１〜４に係る発明（以下「第１発明」乃至「第４発明」という。）は、その明細書及び図面の記載からして請求項１〜４に記載されている次のとおりのものである。
「【請求項１】Ｎ型の少なくとも窒素（Ｎ）とガリウム（Ｇａ）を含む窒化ガリウム系化合物半導体からなるＮ層と、Ｐ型不純物を添加した少なくとも窒素（Ｎ）とガリウム（Ｇａ）を含む窒化ガリウム系化合物半導体からなるＰ型不純物添加層とを有する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、
　Ｐ型不純物添加層を、前記Ｎ層と接合する側から側に、
前記Ｐ型不純物が比較的低濃度の低不純物濃度層と前記Ｐ型不純物が比較的高濃度の高不純物濃度層との二重層構造とし、
　前記高不純物濃度層の厚さを、０．０２〜０．３μｍとし、
　前記低不純物濃度層の厚さを、０．０１〜１μｍとしたことを特徴とする発光素子。
　【請求項２】前記低不純物濃度層のＰ型不純物の濃度は、１×１０１６〜５×１０１９／ｃｍ３であることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の発光素子。
　【請求項３】前記高不純物濃度層のＰ型不純物の濃度は、１×１０１９〜５×１０２０／ｃｍ３であることを特徴とする特許請求の範囲第１項又は第２項に記載の発光素子。
　【請求項４】前記Ｐ型不純物は亜鉛（Ｚｎ）であることを特徴とする特許請求の範囲第１項乃至第３項のいずれかに記載の発光素子。」
　本件の各発明は、上記構成により発光ダイオードの青色の発光強度を増加させるという作用及び効果を奏するものである。
３．要旨変更について
　（３．１）出願当初の明細書の記載
　出願当初の特許請求の範囲に、「Ｎ型の窒化ガリウム系化合物半導体（ＡｌＸＧａ１−ＸＮ；Ｘ＝０を含む）からなるＮ層と、Ｐ型不純物を添加したＩ型の窒化ガリウム系化合物半導体（ＡｌＸＧａ１−ＸＮ；Ｘ＝０を含む）からなるＩ層とを有する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、前記Ｉ層をＮ層と接合する側から順に、前記Ｐ型不純物が比較的低濃度の低不純物濃度ＩＬ層と前記Ｐ型不純物が比較的高濃度の高不純物濃度ＩＨ層との二重層構造としたことを特徴とする発光素子。」と記載されているように、Ｐ型不純物を添加した窒化ガリウム系化合物半導体はＩ型であり、該層はＩ層と記載され、低不純物濃度層はＩＬ層と、高不純物濃度層はＩＨ層と定義されていた。ここで、Ｉ型又はＩ層とはその層が絶縁体であることを示す。
　また、図面においては全図を通して低不純物濃度層５はＩＬ−ＧａＮと表示され、高不純物濃度層６はＩＨ−ＧａＮと表示されていた。
　したがって、出願人は上記Ｉ層をＮ型半導体層上に形成した構造の発光素子を金属／絶縁体／半導体（Ｍｅｔａｌ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ−Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）からなるＭＩＳ構造の発光素子と定義していた（出願当初の明細書第９頁第２〜４行）。
　（３．２）補正後の明細書の記載
　しかるに、平成９年３月２４日付けの手続補正書により、Ｐ型不純物を添加した窒化ガリウム系化合物半導体がＩ型又はＩ層である旨の記載をすべて削除し、単にＰ型不純物添加層とした。
　また、図面では全図を通して低不純物濃度層５はＧａＮと表示し、高不純物濃度層６はＧａＮと表示し、ＩＬ又はＩＨの表示を削除した。
　さらに、ＭＩＳ構造と称していた発光素子の構造特定を削除した。
　（３．３）補正後の内容の検討
　窒化ガリウム系化合物半導体発光素子は上記ＭＩＳ構造とＰＮ接合構造とに大別される。前者は金属／絶縁体／半導体からなり、通常Ｎ型半導体上に絶縁体を積層し、この絶縁体を発光層とするものである。したがって、金属と半導体との間に印加される動作電圧は比較的高く、発光強度が大きいものが得られない。それに対し後者は、Ｐ型半導体層とＮ型半導体層とを接合させ、その界面又はその界面に介在させた活性層を発光層とするものであり、動作電圧は比較的低く、しかも発光強度が大きいのが特徴である。
　後者は前者の改良型として開発されたものである。窒化ガリウム系化合物半導体においては開発当初、Ｎ型半導体にＰ型不純物を添加してもＰ型半導体が製造できなかった。したがって、従来は、本件特許の出願当初の明細書における【従来の技術】においても説明されているように、Ｎ型半導体にＰ型不純物を添加して形成されるＩ型半導体を使用し、ＭＩＳ構造の発光素子を対象としていた。しかし、その後、Ｐ型不純物（Ｍｇ）を添加した窒化ガリウム系化合物半導体に低速電子線を照射したり、又は量産法として窒化ガリウム系化合物半導体を熱処理してＰ型半導体を製造することが可能となり、後者のＰＮ接合構造の発光素子が窒化ガリウム系化合物半導体においても製造できるようになった。
　したがって、以上の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の開発経緯からも明らかなように、上記補正は、出願当初の明細書及び図面においては、ＭＩＳ型の発光素子についてのみしか記載されていなかったものを、Ｐ型不純物を添加した層に対するＩ型という特性を削除することにより、ＰＮ接合型の発光素子をも包含するように変更するものであり、願書に添付した明細書及び図面の要旨を変更するものである。
　よって、本件特許出願は、平成６年法律１１６号附則第６条１項及び平成５年法律２６号附則第２条第２号の規定により、なお従前の例とされる平成５年改正前の特許法第４０条の規定を適用して、上記手続補正書を提出した時にしたものとみなす。
４．刊行物記載の発明
　平成３年１１月１１日に公開された特開平３−２５２１７８号公報（本件特許に係る公開公報、以下「刊行物」という。）には、その特許請求の範囲において、「Ｎ型の窒化ガリウム系化合物半導体（ＡｌＸＧａ１−ＸＮ，Ｘ＝０を含む）からなるＮ層と、Ｐ型不純物を添加したＩ型の窒化ガリウム系化合物半導体（ＡｌＸＧａ１−ＸＮ；Ｘ＝０を含む）からなるＩ層とを有する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、前記Ｉ層をＮ層と接合する側から順に、前記Ｐ型不純物が比較的低濃度の低不純物濃度ＩＬ層と前記Ｐ型不純物が比較的高濃度の高不純物濃度ＩＨ層との二重層構造としたことを特徴とする発光素子。」と記載され、【課題を解決するための手段】において、
「・・・尚、上記低不純物濃度ＩＬ層の不純物濃度は１×１０１６〜５×１０１９／ｃｍ３で膜厚は０．０１〜１μｍが望ましい。・・・更に、高不純物濃度ＩＨ層の不純物濃度は１×１０１９〜５×１０２０／ｃｍ３で膜厚は０．０２〜０．３μｍが望ましい。」と記載され、実施例において、Ｐ型不純物としてＺｎ（亜鉛）が示されている。
　すなわち、上記刊行物には、Ｎ型の窒化ガリウム系化合物半導体からなるＮ層と、Ｐ型不純物（亜鉛）を添加したＩ型の窒化ガリウム系化合物半導体からなるＩ層とを有する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、前記Ｉ層をＮ層と接合する側から順に、前記Ｐ型不純物が比較的低濃度の低不純物濃度ＩＬ層と前記Ｐ型不純物が比較的高濃度の高不純物濃度ＩＨ層との二重層構造とし、上記低不純物濃度ＩＬ層の不純物濃度は１×１０１６〜５×１０１９／ｃｍ３であり、膜厚は０．０１〜１μｍであり、また、高不純物濃度ＩＨ層の不純物濃度は１×１０１９〜５×１０２０／ｃｍ３であり、膜厚は００２〜０３μｍである発光素子の発明が記載されている。
５．対比及び判断
　（５．１）本件第１発明について
　本件第１発明（以下、この項において「前者」という。）と上記刊行物に記載された発明（以下、この項において「後者」という。）とを比較すると、前者におけるＰ型不純物層が、後者においては、Ｉ層である点においてのみ相違する。
　しかしながら、Ｐ型不純物層は、Ｐ層及びＩ層を包含するので、前者におけるＰ型不純物層がＩ層である場合は、両者の発明は同一である。
　したがって、本件第１発明は、特許法第２９条第１項第３号に規定する発明に該当するので特許を受けることができないものである。
（５．２）本件第２発明乃至第４発明について
　本件第２発明乃至第４発明も、上記本件第１発明と同様に刊行物に記載された発明と同一である。
　したがって、本件第２発明乃至第４発明は、特許法第２９条第１項第３号に規定する発明に該当するので特許を受けることができないものである。
（５．３）この項のむすび
　したがって、本件第１発明乃至第４発明は、特許法第２９条第１項第３号に規定する発明に該当するので、特許を受けることができないものである。
（５．４）特許権者の主張について
　特許権者は、平成１０年１１月９日付け特許異議意見書において、「「Ｉ型」を削除しても、Ｐ型不純物を添加している事実に変更はなく、Ｐ型不純物の添加されている層の電気的性質は、本来的に、Ｐ型不純物に起因するものであって、Ｐ型不純物が添加されている以上のその層の性質は、当初から、その層に内在しているものである。」と主張する。
　しかしながら、ＭＯＣＶＤで作製した窒化ガリウム系化合物半導体は、作製した状態ではＮ型であり、Ｐ型の不純物を添加してもＩ型にしかならないことは上記（３．３）においても記載したように周知である。そして、Ｐ型半導体においてはホールが多く存在し、Ｉ型半導体においてはホールは、ほとんど存在せず、存在しても極めて少量でしかない。このため、両者間では電気的特性、例えば電気伝導度あるいは抵抗率等において、大きな差異が生じてくる。よって、上記権利者の主張は採用できない。
６．むすび
　以上のとおり、本件第１発明乃至第４発明に係る特許は、拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してなされたものであるので、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の一部の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第１項及び第２項の規定により取り消すべきものである。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１１年９月１７日（１９９９．９．１７）