(57)【要約】  構成要素間の接着が良好な抵抗変化型メモリデバイスを形成するための方法および装置が提示される。第１の導電層が基板上に形成され、この第１の導電層の表面が処理されて、表面に接着促進材料が添加される。接着促進材料は、表面の上に層を形成してもよく、表面中に組み入れられてもよく、または第１の導電層の表面を単に安定化処理してもよい。可変抵抗層が処理済表面の上に形成され、第２の導電層が可変抵抗層の上に形成される。さらに、接着促進材料は、可変抵抗層と第２の導電層との間の界面に含まれてもよい。
2013506293.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に第１の導電層を形成するステップと、
前記導電層と接触するように抵抗層を形成するステップと、
前記導電層の表面を処理することにより前記導電層に対する前記抵抗層の接着を向上させるステップと、
前記抵抗層を覆うように第２の導電層を形成するステップと
を含む、デバイス形成方法。
【請求項２】
前記抵抗層がアモルファスカーボンを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記抵抗層がアモルファスカーボンを含み、前記導電層の前記表面を処理することが、前記導電層を接着促進材料に晒すことを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記接着促進材料が前記導電層と前記抵抗層との間に溶液境界を形成することにより前記導電層の前記表面を安定化処理する、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記抵抗層がアモルファスカーボンを含み、前記導電層の前記表面を処理することが、窒素を用いて前記導電層の前記表面の終端部を形成することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
第１の金属コンタクトの窒素リッチ表面の上に可変抵抗層を形成するステップと、
前記可変抵抗層を覆うように第２の金属コンタクトを形成するステップと
を含む、電子メモリデバイス形成方法。
【請求項７】
前記第１の金属コンタクトの前記窒素リッチ表面が、前記可変抵抗層を形成する前に前記第１の金属コンタクトの表面に窒素を添加することにより形成される、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記第１の金属コンタクトの前記窒素リッチ表面が、窒素を含むプラズマに前記第１の金属コンタクトの表面を曝露することにより形成される、請求項６に記載の方法。
【請求項９】
前記第１の金属コンタクトの前記窒素リッチ表面が、前記第１の金属コンタクトと前記可変抵抗層との間の溶液境界である、請求項６に記載の方法。
【請求項１０】
前記可変抵抗層がアモルファスカーボンを含み、前記第１の金属コンタクトがタングステンを含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
基板上に金属含有層を形成するステップと、
プラズマに前記金属含有層を曝露することにより前記金属含有層の表面中に結合材料を組み入れることによって、前記金属含有層の処理済表面を形成するステップと、
前記金属含有層の前記処理済表面と接触するように炭素含有層を堆積させるステップと
を含む、電子デバイス形成方法。
【請求項１２】
前記金属含有層の前記処理済表面を形成するステップの前に、前記金属含有層から表面層を除去するステップをさらに含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記結合材料が窒素および炭素を含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記金属含有層と前記炭素含有層との間に前記結合材料からなる層を形成するステップをさらに含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１５】
前記金属含有層がタングステンを含む、請求項１１に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本明細書に記載する実施形態は、概して半導体デバイスの製造に関する。より具体的には、本明細書に記載する実施形態は、メモリデバイスの製造に関する。
【背景技術】
【０００２】
不揮発性電子メモリデバイスは、多様な消費財において使用される。不揮発性メモリデバイスまたはスタティックメモリデバイスは、機械的にアドレス指定される形態および電気的にアドレス指定される形態のものが市販されているが、一般的には、電気エネルギーの印加により変化し得るがかかるエネルギーが印加されない限りは変化しない材料の１つまたは複数の特性に依拠する。機械的にアドレス指定されるスタティックメモリシステムの例には、磁気テープドライブ、ハードディスクドライブ、および光学ドライブが含まれる。現行において広く使用されている電気的にアドレス指定されるデバイスの例には、フラッシュメモリデバイス、ＳＲＡＭ、およびリードオンリーメモリの旧式の形態のものが含まれる。
【０００３】
抵抗変化型メモリは、電気的にアドレス指定されるスタティックメモリの一発展形態である。可変抵抗を有する材料が、２つの導電性材料の間に堆積される。電圧がこの可変抵抗材料に印加されると、この材料の内部構造が恒常的に変化して、材料の電気特性、具体的にはその抵抗に変化をもたらす。抵抗のこの変化は、記憶情報として検出および処理され得る。
【０００４】
抵抗メモリデバイスの種々の構成要素の接着は、温度サイクル条件および負荷サイクル条件の下でも信頼性を有するデバイスの製造のために克服しなければならない課題である。電気的性能から魅力的なものとなり得るいくつかの材料は、デバイスへと組み立てられる際に、十分に接着しない。
【０００５】
したがって、高信頼性かつ高耐久性のメモリデバイスを形成するための方法および装置に対する必要性が、依然としてある。
【発明の概要】
【０００６】
本明細書に記載する複数の実施形態により、基板上に第１の導電層を形成するステップと、導電層と接触するように抵抗層を形成するステップと、導電層の表面を処理することによって導電層に対する抵抗層の接着を向上させるステップと、抵抗層を覆うように第２の導電層を形成するステップとを含む、デバイスを形成する方法を提示する。
【０００７】
他の実施形態により、第１の金属コンタクトの窒素リッチ表面の上に可変抵抗層を形成するステップと、可変抵抗層を覆うように第２の金属コンタクトを形成するステップとを含む、電子メモリデバイスを形成する方法が提示される。
【０００８】
さらに他の実施形態により、基板上に第１の導電層を形成するステップと、プラズマに第１の導電層を曝露することにより第１の導電層の表面中に結合材料を組み入れるステップと、第１の導電層の表面の上に抵抗メモリ層を堆積させるステップと、抵抗メモリ層の上に第２の導電層を形成するステップとを含む、電子デバイスを形成する方法が提示される。
【０００９】
本発明の上記特徴を詳細に理解することが可能となるように、上記で簡潔に要約した本発明のさらに具体的な説明を、一部が添付の図面に図示される複数の実施形態を参照として行う。しかし、添付の図面は、本発明の典型的な実施形態を示すものに過ぎず、したがって本発明によって他の同様に有効な実施形態が許容され得るので、本発明の範囲を限定するものとして見なすべきではない点に留意されたい。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】一実施形態によるデバイスの概略断面図である。
【図２】別の実施形態による方法の概略流れ図である。
【図３】Ａ〜Ｅは、図２の方法の様々な段階におけるデバイスの概略断面図である。
【図４】別の実施形態による方法の概略流れ図である。
【図５Ａ】別の実施形態による方法の概略流れ図である。
【図５Ｂ】図５Ａの方法により作製されたデバイスの概略断面図である。
【図６】本明細書に記載する実施形態を実施するための装置の概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
理解を容易にするために、可能である場合には、複数の図面に共通する同一の要素を示すために同一の参照数字を用いた。一実施形態において開示する要素が、特に説明を伴うことなく他の実施形態においても好都合に使用し得ることが予期される。
【００１２】
本発明の複数の実施形態により、概してメモリデバイスを形成する方法を提示する。場合によっては抵抗変化型メモリまたはＭＩＭデバイスとして知られる、情報を記録するための可変抵抗を利用するメモリデバイスは、一般的には、抵抗層を間に有する２つの導電性接触層を備える。そのようなデバイス１００の概略断面図を図１に示す。構造基板１０２が、デバイス１００の基礎を成す。基板１０２は、電子デバイスを形成するために一般的に使用される技術において知られている任意の材料であってよい。金属、金属合金、導電性金属化合物、または導電性ポリマーであってもよい第１の導電層１０４が、当技術において知られている任意のプロセスによる物理的気相堆積または化学気相堆積によって基板上に形成される。抵抗層１０８は、典型的には化学気相堆積プロセスにより第１の導電層１０４の上に形成され、第２の導電層１１０は、抵抗層１０８の上に形成される。コンタクト１１２および１１４が、第１の導電層１０４および第２の導電層１１０をそれぞれの外部回路に接続する。
【００１３】
抵抗層１０８は、一般的には、電流に対して可変抵抗を有する材料から形成される。候補材料の抵抗は、典型的には、電界または磁界が印加される際の抵抗材料の微細構造の変化によって変化する。いくつかの実施形態においては、酸化物材料の抵抗は、結晶構造中の欠陥の構成が電界による刺激の下で調節されることによって変化し得る。他の実施形態においては、アモルファスカーボン材料、またはドープされたアモルファスカーボン材料が、同様に再構成されて、代替の導電性経路を形成する。抵抗層の内部構造が、様々な構成間でサイクル変化することにより、隣接層への接着が弱まる場合がある。
【００１４】
図１の実施形態においては、第１の導電層１０４は、第１の導電層１０４に対する抵抗層１０８の接着を強化する処理済表面１０６を有する。処理済表面１０６は、一般的には、抵抗層１０８の接着を強化するための作用をもたらすために第１の導電層１０４の表面に添加される１つまたは複数の材料を含む。一実施形態においては、処理済表面１０６は、接着強化のための結合層を成し、別の実施形態では、処理済表面１０６は、接着強化のための溶液層を成す。
【００１５】
図２は、一実施形態による方法２００の概略流れ図である。方法２００は、図１のデバイス１００などのデバイスを形成するために利用することができる。２０２で、第１の導電層が、基板上に形成される。第１の導電層は、銅、アルミニウム、ニッケル、プラチナ、チタン、タングステン、銀、金、もしくは亜鉛などの実質的に純粋な金属、またはこれらの金属のいずれかの混合物もしくは合金であってもよい。また、第１の導電層は、導電性金属酸化物または導電性金属窒化物などの導電性金属化合物であってもよい。第１の導電層は、一般的には、例えば約１００Åなどの、約５０Å〜約５００Åなどの、約２０Å〜約１，０００Åの厚さを有する。第１の導電層は、プラズマ支援を伴うまたは伴わない物理的気相堆積または化学気相堆積などの、基板上に層を堆積させるための任意の一般的に用いられるプロセスにより形成することができる。
【００１６】
２０４で、抵抗層が、導電層上に形成される。この抵抗層は、一般的には、電界または磁界の印加によりその抵抗が恒常的に変更され得る材料である。いくつかの実施形態においては、抵抗層は、金属酸化物層であってもよい。他の実施形態においては、抵抗層は、ドープされたまたはドープされないアモルファスカーボン層であってもよい。抵抗層は、一般的には、例えば約５００Åなどの、約３００Å〜約１，０００Åなどの、約１００Å〜約５，０００Åの厚さを有する。また、抵抗層は、プラズマ支援を伴うまたは伴わない物理的気相堆積または化学気相堆積によって堆積されてもよい。
【００１７】
２０６では、第１の導電層に対する抵抗層の接着を向上させるために、抵抗層に面する第１の導電層の表面が処理される。この表面は、抵抗層の材料に対する第１の導電層の表面の原子の親和性を変化させる接着促進材料に対して晒される。いくつかの実施形態においては、接着促進材料に対して晒すことにより、抵抗層に対する第１の導電層の表面の安定化処理がなされる。一実施形態においては、第１の導電層の表面は、結合表面となり、第１の導電層の表面の原子が、抵抗材料の原子との間に化学結合を形成する。一例においては、第１の導電層の表面は、抵抗性金属酸化物層中の金属原子と結合するための酸素原子および／または窒素原子をこの表面上に吸着するために、酸素含有ガスおよび／または窒素含有ガスで処理されてもよい。別の実施形態においては、第１の導電層の処理済表面は、第１の導電層と抵抗層との間に溶液境界を形成することにより、抵抗材料の原子がこの溶液境界にて第１の導電層の原子と混合することが可能となることによる接着の向上をもたらす。窒素原子が、炭素含有抵抗層を塗布する前に第１の導電層の表面上に吸着されることにより、炭素／金属界面のための溶液境界が形成されてもよい。
【００１８】
第１の導電層の表面上の接着促進材料は、最大で約５層の単分子層の厚さまで形成することができ、この厚さは、約１０Å未満の厚さを有し得る。この層は、連続的なまたは不連続的なものであってよい。例えば、この表面のいくつかの部分が接着促進材料で飽和されてもよい一方で、他の部分は飽和されない。接着促進材料による飽和は、表面のいくつかの箇所における約２０％から、他の箇所における１００％までの間で変化してもよい。接着促進材料によるこの表面全体の平均飽和度は、例えば約９８％などの、約７５％〜約１００％などの、約５０％〜約１００％で変化してもよい。
【００１９】
２０８では、第２の導電層が抵抗層を覆うように形成されることにより、メモリセルが完成される。第２の導電層は、やはり第１の導電層と同様に、実質的に純粋な金属、金属の混合物もしくは合金、または導電性金属化合物であってもよい。いくつかの実施形態においては、第２の導電層は、組成および厚さにおいて第１の導電層と実質的に同一であってもよく、プラズマ支援を伴うまたは伴わない物理的気相堆積または化学気相堆積によって堆積されてもよい。いくつかの実施形態においては、例えば第２の導電層の堆積の開始時近くにて接着促進材料を含む１つまたは複数の前駆体を反応混合物中に律動的に送ることによってなど、抵抗層と第２の導電層との間の界面に接着促進材料を組み入れることにより接着が強化されてもよい。炭素抵抗層を備える一実施形態においては、Ｎ２またはＮＨ３などの窒素含有前駆体を反応混合物に添加することにより、第２の導電層を堆積している間に窒素が反応混合物に添加されてもよい。
【００２０】
図３Ａ〜図３Ｅは、図２の方法２００の様々な段階におけるデバイスの概略断面図である。図３Ａにおいては、構造基板３０２および第１の導電層３０４を備えるデバイス３００が示される。図３Ｂは、第１の導電層３０４の処理済表面３０６を形成するために表面処理を受けているデバイス３００を示す。図３Ｂにおいては、デバイス３００は、プロセスガスに電離エネルギーを印加することにより形成されたイオン３１０で処理されつつある。この電離エネルギーは、事実上任意の電磁エネルギー形態などの、ガスを電離させるために適用可能な任意のエネルギー形態であってよい。このガスは、静的なまたは変動的なもののいずれかであることが可能な電界または磁界を印加することにより電離されてもよい。このガスは、ＤＣ電界、パルスＤＣ電界、またはＲＦ電界をｉｎ−ｓｉｔｕにてまたは遠隔的に印加することにより電離されてもよい。同様に、このガスは、誘導電界であることが可能な磁界をｉｎ−ｓｉｔｕにてまたは遠隔的に印加することにより電離されてもよい。別の実施形態においては、このガスは、ＵＶ、マイクロは、または熱放射をｉｎ−ｓｉｔｕにてまたは遠隔的に印加することにより電離されてもよい。一実施形態においては、ＲＦ変動電界が、第１の導電層３０４の表面を処理するために使用されているプロセスチャンバ内へと結合されることにより、プロセスガスを電離させる。
【００２１】
デバイス３００は、表面処理前に酸素を含有する原層を有してもよい。いくつかの実施形態においては、イオン３１０が、酸素原子、イオン、またはラジカル３１２を遊離させるのに十分なエネルギーで第１の導電層３０４の表面３０８に衝突してもよい。いくつかの実施形態においては、イオン３１０が、例えば最大で約２０Åの深さまでなど、第１の導電層３０４の表面中にある深さまで注入されてもよい。図３Ｃにおいては、デバイス３００は、第１の導電層３０４の処理済表面３１４を有する状態で示される。
【００２２】
図３Ｄは、抵抗層３１６が第１の導電層３０４の処理済表面３１４上に堆積された状態のデバイス３００を示す。抵抗層３１６は、可変抵抗特性を有する金属酸化物層またはアモルファスカーボンもしくはドープされたアモルファスカーボンなどの炭素含有層であってもよい。抵抗層３１６は、プラズマ支援を伴うまたは伴わない物理的気相堆積または化学気相堆積によって形成されてもよい。
【００２３】
抵抗層３１６のための堆積プロセスの選択は、抵抗層３１６と第１の導電層３０４の処理済表面３１４との間に求められる結合または接着の度合いおよび特徴と、プロセス考慮条件とにより影響され得る。基板がバイアスを受けるプラズマＣＶＤプロセスなどの、基板との間における粒子の直接的な運動および衝撃に依拠するプロセスは、抵抗層３１６の材料を第１の導電層３０４の処理済表面３１４中に追いやることにより、第１の導電層３０４、処理済表面３１４、および抵抗層３１６に由来する材料を場合によっては含む、例えば約５０Å〜約１００Åなどの比較的厚い遷移層を場合によっては形成させる。接着は、比較的強力になり得るが、抵抗層３１６は、遷移層の高い導電性を補償するために比較的厚いものとなることが必要となる場合がある。熱ＣＶＤプロセスおよびＰＶＤプロセスなどの比較的低い衝撃エネルギーを特徴とするプロセスは、第１の導電層３０４と抵抗層３１６との間に例えば約２０Å未満などの比較的薄い遷移層を形成することができる。
【００２４】
代替的な実施形態においては、イオン処理の特定のパラメータに応じて、処理済表面３１４が、界面層、結合層、溶液層、注入層、または混合層の中の１つまたは複数を備えてもよい。界面層は、一般的には、接着促進材料が第１の導電層３０４の表面に由来する材料と混合する第１の部分と、実質的に混合されない接着促進材料からなる第２の部分と、抵抗層３１６が形成された後に接着促進材料が抵抗層３１６の表面に由来する材料と混合する第３の部分とを有する。結合層は、上述のように、抵抗層３１６の材料との間に化学結合を形成する。溶液層は、やはり上述のように、抵抗層３１６に由来する材料に対して可溶性を呈し、これが、第１の導電層３０４に対して抵抗層３１６を接着させる。注入層は、第１の導電層３０４に由来する材料と第１の導電層３０４の表面３０６を処理するために使用される接着促進材料との混合物を含む、第１の導電層３０４の処理済表面３１４から得られる。衝撃層においては、接着促進材料の密度が、例えば約２０Å未満などの処理済表面３１４の下方において最も高くてもよい。注入層は、第１の導電層３０４と抵抗材料３１６との間に比較的厚い遷移層をやはり形成する。混合層は、第１の導電層３０４から抵抗層３１６にかけて平滑な組成遷移を有する。
【００２５】
図３Ｅにおいては、第２の導電層３１８が抵抗層３１６に塗布されることにより、デバイス３００の機能的中核が完成される。第２の導電層３１８は、金属、金属混合物、金属合金、導電性金属化合物、または導電性もしくは半導電性の非金属であってもよい。第２の導電層３１８は、プラズマ支援を伴うまたは伴わない物理的気相堆積または化学気相堆積によって、またはめっきプロセスによって形成されてもよい。第２の導電層３１８は、第１の導電層３０４と同一の材料であってもよく、または異なる材料であってもよく、第１の導電層３０４と同一のチャンバ内において形成されてもよく、または異なるチャンバ内において形成されてもよい。抵抗層３１６に対する第２の導電層３１８の接着を促進するために、接着促進材料が、第２の導電層３１８を堆積させるためのプロセスの開始時に堆積混合物に添加されてもよい。接着促進材料が、堆積混合物中に律動的に送られることにより、抵抗層３１６と第２の導電層３１８との間に薄い接着層が形成されてもよい。接着促進材料は、窒素含有材料または酸素含有材料であってもよく、第１の導電層３０４の表面を処理するために使用される接着促進材料と同一のものであってもよい。
【００２６】
図４は、別の実施形態による方法４００の概略流れ図である。４０２で、第１の金属コンタクトが、構造基板の表面上に形成される。構造基板は、上述のように、電子デバイスの形成において一般的に使用される任意の基板であってよい。金属コンタクトは、プラズマ支援を伴うまたは伴わないＰＶＤプロセスまたはＣＶＤプロセスによって形成されてもよく、実質的に純粋な金属、金属混合物もしくは金属合金、または金属酸化物もしくは金属窒化物などの導電性金属化合物であってもよい。いくつかの実施形態においては、第１の金属コンタクトは、複数の層を備えてもよく、これらの各層は、１つまたは複数の他の層と実質的に同一の組成を有するか、または異なる組成を有する。一実施形態においては、第１の金属コンタクトは、２つの異なる金属組成の二重層であってもよく、これらの層はそれぞれ、実質的に純粋な金属または金属混合物もしくは金属合金であってもよい。第１の金属コンタクト中に組み入れられてもよい金属には、銅、アルミニウム、ニッケル、亜鉛、タンタル、チタン、コバルト、銀、金、白金、クロム、およびタングステンが含まれる。
【００２７】
４０４では、窒素が、第１の金属コンタクトの表面に添加されて、窒素リッチ表面が形成される。基板は、この基盤を窒素含有ガスに晒すように構成されたプロセスチャンバ内に配設される。窒素含有ガスは、チャンバ処理空間内へと誘導電界または容量性電界を結合することによりチャンバ内で電離されてもよい。これにより形成される窒素含有イオンは、基板にバイアスをかけることにより、第１の金属コンタクトの表面上に堆積されるか、またはその表面に衝撃を与えるように促されてもよい。窒素含有イオンは、第１の金属コンタクトの表面上の吸着部位を占め、ある窒素含有イオンは、基板バイアスエネルギーに応じて、第１の金属コンタクトの表面中に埋入または注入される。５００ワット未満の出力レベルにて約１００Ｖ〜約５００Ｖの実効値のＲＦバイアスなどの弱いバイアスが、窒素含有イオンによる浅い表面の処理のために用いられてもよい。いくつかの実施形態においては、窒素含有イオンは、約５層の単分子層未満の平均深さまで第１の金属コンタクトの表面上に堆積してもよい。他の実施形態においては、窒素含有イオンは、約１０Å未満の平均深さまで堆積してもよい。
【００２８】
一実施形態においては、窒素は、窒素を含むプラズマに表面を曝露することにより、金属コンタクトの表面に添加されてもよい。窒素含有混合ガスが、ガス分配器を介してプロセスチャンバに供給され、基板が、プロセスチャンバ内の基板支持体の上に配設される。基板支持体、ガス分配器、またはそれらの両方が、電気エネルギー源に結合される。この電気エネルギー源は、インピーダンス整合回路を介して供給されるＤＣエネルギー、パルスＤＣエネルギー、またはＲＦエネルギーであってもよい。この電気エネルギーにより、窒素含有混合ガスが電離されてプラズマ状態になり、このプラズマが、金属コンタクトの表面と相互作用する。窒素含有混合ガスは、窒素ガス（Ｎ２）、アンモニア（ＮＨ３）、亜酸化窒素（ＮＯ２）、またはヒドラジン（Ｈ２Ｎ２）を含んでもよく、メタン（ＣＨ４）、エタン（Ｃ２Ｈ６）、エチレン（Ｃ２Ｈ４）、またはアセチレン（Ｃ２Ｈ２）などの炭素含有ガスをさらに含んでもよい。窒素含有混合ガス中に炭素を含むことは、抵抗層がアモルファスカーボンまたはドープされたアモルファスカーボンを含む実施形態にとっては有利となり得る。
【００２９】
窒素含有混合ガスは、一般的には、例えば約７，５００ｓｃｃｍ〜約８，５００ｓｃｃｍ、または約３，５００ｓｃｃｍ〜約４，５００ｓｃｃｍ、または約１，５００ｓｃｃｍ〜約２，５００ｓｃｃｍ、または約５００ｓｃｃｍ〜約１，５００ｓｃｃｍなど、約５００ｓｃｃｍ〜約８，５００ｓｃｃｍなどの、約１０ｓｃｃｍ〜約１０，０００ｓｃｃｍの流量でプロセスチャンバに供給される。接着は、金属コンタクト層の表面の窒素による飽和度に影響を及ぼし得る曝露時間によって、または窒素含有種の窒素非含有種に対するもしくは混合ガス全体に対する体積比によって制御され得る。
【００３０】
一実施形態においては、タングステン表面が、約１：１〜約２０：１、または約２０：１〜約４０：１、または約１：１〜約５：１、または約５：１〜約１０：１、または約１０：１〜約２０：１、または約２０：１〜約４０：１などの、約１：１〜約４０：１のＮ２／Ｃ２Ｈ２体積比で窒素ガス（Ｎ２）およびアセチレン（Ｃ２Ｈ２）を含む混合ガスに晒すことにより、処理されてもよい。プラズマ発生出力は、約１，５００Ｗ〜約３，０００Ｗなどの、約１，０００Ｗ〜約５，０００Ｗで供給される。例えば約１００秒〜約２００秒などの、約５０秒〜約２５０秒などの、約１０秒〜約５００秒の期間にわたるかかる条件に対する曝露により、タングステン表面に対する炭素含有層の接着が向上する。一実施形態においては、窒素ガスが、８，０００ｓｃｃｍの流量で処理チャンバに供給され、アセチレンガスが、２００ｓｃｃｍで供給され、プラズマ出力が、１，６００Ｗで４００℃の温度および６．５ミリトールの圧力にて４０秒間にわたり印加されて、炭素抵抗層に対する良好な接着性を有する処理済タングステン表面が形成される。
【００３１】
４０６では、炭素含有層が、第１の金属コンタクトの窒素リッチ表面の上に形成される。炭素含有層は、一般的には、プラズマ支援を伴うまたは伴わないＣＶＤプロセスまたはＰＶＤプロセスを利用して形成され、例えば約５００Åなど、約３００Å〜約１，０００Åなどの、約１００Å〜約５，０００Åの厚さを有する。一態様においては、炭素含有相は、アモルファスカーボン層であってもよい。別の態様においては、炭素含有層は、電界が印加される際にこの炭素層を貫通して移動することにより炭素含有層の電気特性を恒常的に転換させるように選択されたドーパントでドープされてもよい。
【００３２】
一態様においては、炭素含有層は、４０４の窒素リッチ表面が形成される同一のチャンバ内において形成されてもよい。窒素含有混合ガスの流れが停止されてもよく、炭素含有混合気の流れが開始されて、炭素含有層の堆積を開始する。窒素含有前駆体もまた炭素を含む上述のような一実施形態においては、混合ガスの窒素含有成分が、停止されてもよい一方で、炭素含有成分は、継続される。
【００３３】
４０８では、第２の金属コンタクトが、炭素含有層の上に形成される。上記の他の実施形態との関連で説明したように、第２の金属コンタクトは、第１の金属コンタクトと同一の成分であってもよく、または同一の金属、金属混合物もしくは金属合金、および金属化合物の中の１つまたは複数を概して含む異なる成分であってもよく、プラズマ支援を伴うまたは伴わないＰＶＤプロセスまたはＣＶＤプロセスにより、第１の金属コンタクトと同一のチャンバ内において形成されてもよく、または異なるチャンバ内において形成されてもよい。例えば約１００Åなど、約５０Å〜約５００Åなどの、約２０Å〜約１，０００Åの厚さを有する第２の金属コンタクトを形成することにより、中核となる可変抵抗メモリデバイスが完成する。
【００３４】
第２の金属コンタクトの形成の前に、所望に応じて炭素含有層と第２の金属コンタクトとの間の界面に窒素を添加するために窒素添加処理を実施することにより、炭素含有層に対する第２の金属コンタクトの接着を促進させてもよい。一実施形態においては、炭素含有層は、炭素含有層を堆積させる前に第１の金属コンタクト層に対して実施されるのと同一の表面処理を受ける。別の実施形態においては、炭素含有層は、炭素含有表面に窒素を添加するために、窒素プラズマに曝露される。
【００３５】
図５Ａは、別の実施形態による方法５００の概略流れ図である。図５Ｂは、図５Ａの方法５００により形成されるデバイス５５０の概略断面図である。５０２では、第１の導電層が、図１〜図４に関連して上述した実施形態のいずれかにより、基板の表面上に形成される。図５Ｂは、基板５５２上に形成された第１の導電層５５４を示す。
【００３６】
５０４では、第１の導電層の表面が、プラズマに曝露される。プラズマ曝露により、第１の導電層の表面に接着促進材料が添加されて、後続層の接着を向上させる。プラズマは、窒素、酸素、炭素、またはそれらの任意の混合物を含んでもよい。プラズマは、前駆体混合ガスに電磁エネルギーを印加して混合ガスを電離させることにより形成されてもよい。電磁エネルギーは、電界、磁界、または電磁放射として、ｉｎ−ｓｉｔｕにてまたは遠隔的に印加されてもよい。電界は、ＤＣ出力、パルスＤＣ出力、またはＲＦ出力として印加されてもよい。磁界は、ＤＣ出力、パルスＤＣ出力、またはＲＦ出力を利用して誘導鉄心を作動させることにより印加されてもよい。さらに、ＵＶ、マイクロは、または赤外（熱）周波の電磁放射が、ガスに印加されてもよい。一実施形態においては、プラズマが、プロセスチャンバのガス分配器に、基板支持体に、またはそれらの両方にＲＦ出力源を接続することにより、ｉｎ−ｓｉｔｕにて形成される。ＲＦ出力は、当技術において知られているように、インピーダンス整合ネットワークを介して接続されてもよい。殆どの実施形態において、約５００Ｗ〜約５ｋＷの出力レベルにて印加される約１００Ｖ〜約５ｋＶのＲＦ電圧により、プロセスチャンバ内にプラズマが生成される。
【００３７】
窒素を含有するプラズマを形成するのに有用な窒素化合物には、Ｎ２、ＮＨ３、ＮＯ２、またはＨ２Ｎ２が含まれる。炭素を含有するプラズマを形成するのに有用な炭素化合物には、ＣＨ４、Ｃ２Ｈ６、Ｃ２Ｈ４、またはＣ２Ｈ２が含まれる。酸素を含有するプラズマを形成するのに有用な酸素化合物には、酸素ガス（Ｏ２）、オゾン（Ｏ３）、一酸化炭素（ＣＯ）、二酸化炭素（ＣＯ２）、およびＮＯ２が含まれる。
【００３８】
５０６では、結合層が、導電層の表面上に形成される。結合層は、この表面上にプラズマに由来するイオンを堆積させることにより形成されてもよい。イオンは、ＤＣ出力、パルスＤＣ出力、またはＲＦ出力を利用して基板支持体に対して電気バイアスを印加することにより、基板支持体の方向に加速されてもよい。さらに、イオンは、イオンを表面中に所望の深さまで追いやるのに十分な強度のバイアスを利用することにより、表面中に埋入または注入されてもよい。弱いバイアスを用いることにより、またはバイアスを用いないことにより、イオンの埋入または注入を伴わずに表面上にイオンを堆積させてもよい。一実施形態においては、約５０Ｖ〜約１００ＶのＲＦ電気バイアスが、約１００Ｗ〜約３００Ｗなど、約５００Ｗ未満の出力レベルにて加えられる。図５Ｂは、結合層５５６を示すが、この結合層は、第１の導電層５５４の表面上に形成される、本明細書において説明したものを含む結合層の任意の実施形態であってもよい。
【００３９】
結合層は、後に堆積される層との間に接着結合を形成するように選択された材料を堆積させることにより形成される。一態様においては、化学量論的過剰量の酸素を添加することによってなど、導電層の表面に酸素を添加することにより、後に堆積される層に由来する原子と化学結合するための土台を形成してもよい。別の態様においては、表面に窒素を添加することにより、後に堆積される層に由来する原子が結合層と混合するかまたは結合層中に溶解するための土台を形成してもよい。結合層に炭素を添加することにより、後に堆積される炭素含有層との接着を向上させてもよい。結合層は、例えば約１００Åなどの、約５０Å〜約１５０Åなどの、約０Å〜約５００Åの厚さを有してもよい。
【００４０】
５０８では、可変抵抗層が結合層の上に形成される。可変抵抗層は、図１〜図４に関連して上述した方法のいずれかにより形成されてもよく、金属酸化物、金属窒化物、炭素、またはそれらの任意の混合物を含んでもよい。金属酸化物可変抵抗層が、化学量論的過剰量の酸素を有する結合層に対して好適に接着し得る一方で、炭素含有可変抵抗層は、窒素含有結合層に、または窒素および炭素含有結合層に好適に接着し得る。可変抵抗層は、一般的には、例えば約５００Åなど、約３００Å〜約１，０００Åなどの、約１００Å〜約５，０００Åの厚さを有して形成される。一実施形態においては、アモルファスカーボン層が、上述の炭素前駆体のいずれかからプラズマ堆積により形成される。アモルファスカーボン層は、上述の実施形態と同様に窒素ガスおよびアセチレンガスのプラズマに曝露されることにより窒素および炭素含有結合層が上に堆積されたタングステン基板に対して好適に接着する。結合層は、最大で約５００Åの厚さを有してもよい。図５Ｂは、結合層５５６上に形成された可変抵抗層５５８を示す。
【００４１】
５１０では、第２の導電層が、上述の方法と同様の様式で可変抵抗層の上に形成される。図５Ｂは、可変抵抗層５５８の上に形成された第２の導電層５６０を示す。図５Ｂのコンタクト５６２および５６４は、図５Ｂのデバイス５５０を外部回路に接続する。
【００４２】
図６は、本明細書において説明する実施形態を実施するために使用し得る装置６００の概略断面図である。装置６００は、処理区域６０８を画成する筐体６０２を備える。支持体６０４が、処理区域６０８内に配設される。ガスが、支持体６０４に面するガス分配器６０６を介して供給される。ガスは、ガス源６１０から代表的な導管６１２を介して供給される。複数のガス源および導管が、チャンバにガスを送給するために使用されてもよい。ガスは、出口導管６１８を介してチャンバから出る。出口導管６１８は、一般的には１つまたは複数の真空ポンプの吸入口に結合される。ガスは、電源６１４からガス分配器６０６に、または電源６１６から支持体６０４に電力を印加することにより電離されてもよい。イオンが、一方または両方の電源を用いて基板支持体に対する電気バイアスを生成することにより、支持体６０４の方向に加速されてもよい。電源６１４は、ガス分配器６０６にまたはガス分配器の付近の誘導鉄心（図示せず）に電圧を印加するために使用し得る点に留意されたい。誘導鉄心は、チャンバ内のガスに対して磁界を印加することによりプラズマを発生させる。
【００４３】
上記は、本発明の複数の実施形態を対象とするものであり、本発明の基本範囲から逸脱することなく本発明の他のまたはさらなる実施形態を考案することができる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図６】
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【国際調査報告】
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