【事件の表示】
特許第２７３１４２４号「半導体装置の製造方法」の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結論】
訂正を認める。
　特許第２７３１４２４号の特許を維持する。
【理由】
Ｉ．手続の経緯
　本件特許第２７３１４２７号の請求項１に係る発明は、平成１年７月２４日に出願され、平成９年１２月１９日に、この発明について特許の設定登録がされ、その後特許異議申立人　牧田美樹により特許異議の申立がなされ、当審において取消理由通知がなされ、その通知書で指定した期間内の平成１１年４月１９日に訂正請求がなされた後、その訂正請求に対して訂正拒絶理由が通知され、その通知書で指定された期間内の平成１１年６月２３日付けで前記訂正請求に対する手続補正書が提出されたものである。
ＩＩ．訂正の適否
１．手続補正書による補正
　前記補正は、訂正請求書に添付した全文訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１、及び該明細書第３頁第１４行目〜第１５行目の「前記ダイがダメージを受けない厚さの保護膜を形成し、」を「前記ダイがダメージを受けない保護膜を形成し、」と補正するものであるが、これらの補正は、明瞭でない記載の釈明に該当し、前記全文訂正明細書及び該明細書に添付した図面に記載された事項の範囲内であり、実質上その特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでない。したがって、前記手続補正書による補正は、訂正請求書の要旨
を変更するものではない。
　よって、前記手続補正書による補正は、特許法第１２０条の４第３項において準用する同法第１３１条第２項の規定に適合し、認められるものである。
２．訂正の内容
　前記手続補正書による補正が認められることにより、前記訂正明細書によって訂正される事項は、以下のとおりと認める。
▲１▼訂正事項ａ
　特許請求の範囲の請求項１に記載の
「【請求項１】　有機系接着剤を使用して行うダイボンディング工程（１）を有する半導体装置の製造方法において、上記ダイボンディングに使用した上記有機系接着剤より発生し、ダイの表面に付着して形成された有機成分層（８）を除去する工程（３０，６０）とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。」を
「【請求項１】　有機系接着剤を使用して行うダイボンディング工程（１）及び該ダイボンディング工程における前記有機系接着剤より発生し、ダイの表面に付着して形成された有機成分層（８）を除去する工程（３０，６０）とを有する半導体装置の製造方法において、前記有機成分層の除去に対して前記ダイがダメージを受けない保護膜を形成し、前記有機成分層の除去は、Ａｒスパッタエッチング又はＯ２アッシングにより行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。」に訂正する。
▲２▼訂正事項ｂ
　発明の詳細な説明における〔解題を解決するための手段〕に記載の
「本発明は、有機系接着剤を使用して行うダイボンディング工程を有する半導体装置の製造方法において、上記ダイボンディングに使用した上記有機系接着剤より発生し、ダイの表面に付着して形成された有機成分層を除去する工程とを有する構成としたものである。」を、
「有機系接着剤を使用して行うダイボンディング工程（１）及び該ダイボンディング工程における前記有機系接着剤より発生し、ダイの表面に付着して形成された有機成分層（８）を除去する工程（３０，６０）とを有する半導体装置の製造方法において、前記有機成分層の除去に対して前記ダイがダメージを受けない保護膜を形成し、前記有機成分層の除去は、Ａｒスパッタエッチング又はＯ２アッシングにより行う構成としたものである。」に訂正する。
３．訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　前記訂正事項ａは、特許請求の範囲の減縮に該当し、訂正事項ｃは、訂正事項ａに伴う明りょうでない記載の釈明に該当し、これらの訂正は新規事項の追加に該当せず、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
４．独立特許要件について
　訂正後における特許請求の範囲の請求項１に係る発明は、後記する特許異議の申立についての判断にも示すように、特許出願の際独立して特許を受けることができないとする理由及び証拠の方法は見出せない。
５．むすび
　以上のとおりであるから、前記訂正は、１２０条の４第２項第１号及び第３号に掲げる事項を目的とし、同条第３項で準用する同法第１２６条第２項乃至第４項の規定について、平成６年法律第１１６号附則第６条第１項の規定により、なお従前の例によるとされることから適用される平成５年特許法第１２６条第１項ただし書き及び同条第２及び３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
ＩＩＩ．特許異議の申立についての判断
１．本件発明
　本件請求項１に係る発明は、前記補正された全文訂正明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものと認める。
「【請求項１】　有機系接着剤を使用して行うダイボンディング工程（１）及び該ダイボンディング工程における前記有機系接着剤より発生し、ダイの表面に付着して形成された有機成分層（８）を除去する工程（３０，６０）とを有する半導体装置の製造方法において、前記有機成分層の除去に対して前記ダイがダメージを受けない保護膜を形成し、前記有機成分層の除去は、Ａｒスパッタエッチング又はＯ２アッシングにより行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。」
２．特許異議申立の理由の概要
　特許異議申立人は、前記訂正前の本件請求項１に係る発明は、甲第１号証に記載の発明と同一であるから特許法第２９条第１項の規定により特許を受けることができないものであり、又たとえ有機成分の除去方法を、Ａｒスパッタエッチング又はＯ２アッシングに限定したとしても、甲第１号証に記載のものに、甲第２号証および甲第３号証に記載の有機成分除去方法を単に適用しただけであるから、この様な除去方法を限定した発明であっても、甲第１号証乃至甲第３号証に基づいて、当業者が容易に発明をすることができるのであるから特許法第２９条２項に該当し、特許を受けることができないものであるから、取り消すべきものである旨主張している。
３．甲各号証に記載の事項
　３−１．甲第１号証：特開昭６４−４７０３３号公報
　半導体装置の製造方法に関し、
（ア）　「Ａｇペーストダイボンドを行った場合、そのＡｇペーストダイボンド剤が硬化する際にＡｇぺーストダイボンド剤から発生した有機物質、主としてキシレン、エチルベンゼン、フェノール、ブチルアルコール、ブチルセルソルプなどが半導体素子の表面に付着する。」（第１頁右欄第４行〜第９行」と記載され、
（イ）「しかるに、有機物質が付着したまま半導体装置の製造工程を進めると、半導体装置の信頼性が低下する欠点があった。」（第１頁右欄第１３行〜第１５行）と記載され、その欠点の１つは、
（ウ）「半導体素子の表面に有機物質の極く薄い層が存在するためにモールド樹脂によってパッケージした時に樹脂と素子との密着が悪く、水分の侵入が生じ、」　（第１頁右欄第１７行〜第２０行）と記載され、そして、かかる欠点を解消するために、
（エ）「熱した純水による水蒸気、または熱水により半導体素子１５の表面に付着した有機物質を洗浄除去している方法」（第１図、第２図およびその関連記載である第２頁右上欄第２行〜右下欄第４行）が開示されている。
　３−２．甲第２号証：［Ｐｌａｓｍａ　ｃｌｅａｎｉｎｇ　ｏｆ　ｍｅｔａｌ　ｓｕｒｆａｃｅｓ］，Ｊ．Ｖａｃ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．，Ｖｏｌ．１１．Ｎｏ３，１９７４
（オ）「金属表面のマイルドプラズマクリーニングは、有機汚染物の除去に効果的である」（第１頁頭書き第１行〜第２行）と記載され、
（力）「プラズマ用に用いられたガスは、純アルゴンガス（９９．９９％）とヘリウム（９７％）‐酸素（３％）混合ガスであった。」（第１頁右欄第３４行乃至第３６行）と記載され、金属表面を浄化する理由については、
（キ）「浄化された金属表面は、蒸着されるポリマーフィルムの接着性を良くするために必要とされる。」（第１頁左欄第４行〜第５行）と記載され、プラズマクリーニングの結果については、
（ク）「ヘリウム−酸素混合ガスをアルゴンに置き換えた場合、プラズマの浄化効率に顕著な差はなかった。プラズマによる金属の酸化を避けるために、アルゴンガスの使用が望ましい。」（第２頁右欄第５行〜第９行）と記載されている。
　３−３．甲第３号証：特開昭６４−７７０２７号公報
（ケ）「Ｏ２プラズマ洗浄及び紫外線洗浄では、オゾンＯ３を発生させて、該有機強誘電体とオゾンＯ３から発生した原子状の酸素Ｏが反応しＣＯ２、Ｈ２Ｏ、Ｎ、Ｏ２のような単純な分子を形成し気相化させ除去する。」（第２頁左上欄第１７行〜右上欄第１行）と記載されている。
４．対比・判断
　訂正後の請求項１に係る本件発明（前者）と上記甲第１号証に記載されたもの（後者）とを対比すると、後者も、有機系のＡｇペーストダイボンド剤を用いてダイボンディングを行う半導体の製造方法に関するものであるから、産業上の利用分野は共通しており、しかもダイ表面に付着形成された有機成分層を除去するための蒸気洗浄工程等を具備するものであるから、両者は、「有機系接着剤を使用して行うダイボンディング工程及び該ダイボンディング工程における前記有機系接着剤より発生し、ダイの表面に付着して形成された有機成分層を除去する工程とを有する半導体装置の製造方法」である点で一致しているが、▲１▼有機成層の具体的な除去工程が、前者が、Ａｒスパッタエッチング又はＯ２アッシングにより行うのに対して、後者は蒸気洗浄、熱水の噴霧である点、及び▲２▼前者はダイにダメージを受けない保護膜を形成するのに対して、後者は保護膜に関し何等言及していない点で相違している。
　そこで前記相違点に付き検討するに、相違点▲１▼については、前記甲第２号証には、金属表面の有機汚染物の除去に純アルゴンガスやヘリウムと酸素の混合ガスをプラズマ用として用いることが、前記甲第３号証には、有機強誘電体をＯ２プラズマでエッチングする方法が開示されているので、甲第１号証に記載の蒸気洗浄や熱水の噴霧による有機成分層の除去工程に代えて、Ａｒスパッタエッチング又はＯ２アッシングによる有機成分層の除去工椋を採用することは、甲第１乃至第３号証に記載のものから当業者が容易に想到することができる程度のことと認められるが、Ａｒスパッタエッチング又はＯ２アッシングによる有機成分層の除去工程を採用する際にダイがその工程でダメージを受けないようにするめの、「ダイにダメージを受けない保護膜を形成する」とした相違点▲２▼における前者の構成については、甲第１号証乃至第３号証のいずれにも記載がなく、示唆するものもない。
　そして、前者は、上記相違点▲２▼に係る構成とその他の前者の構成要件とが相俟って、Ａｒスパッタエッチング又はＯ２アッシングによってダイがダメージを受けることなく表面が浄化された状態で封止されるため、封止状態が向上して耐湿性が向上し、有機成分の拡散による特性劣化が起きないという上記甲第１乃至第３号証記載のものから予測し得ない作用効果を奏するものである。
　したがって、訂正後の請求項１に係る本件発明は、甲第１号証に記載のものと同一であるといえないばかりでなく、甲第１乃至第３号証に記載されたものに基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることもできない。
５．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立の理由及び証拠方法によっては、本件特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１１年６月３０日（１９９９．６．３０）
【訂正の要旨】
　　訂正の要旨
　特許第２７３１４２４号発明の明細書を、訂正請求書に添付された補正された訂正明細書及び図面のとおり訂正する。
　すなわち、
１．特許請求の範囲の減縮を目的として
　特許請求の範囲の請求項１に記載の
「【請求項１】　有機系接着剤を使用して行うダイボンディング工程（１）を有する半導体装置の製造方法において、上記ダイボンディングに使用した上記有機系接着剤より発生し、ダイの表面に付着して形成された有機成分層（８）を除去する工程（３０，６０）とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。」を
「【請求項１】　有機系接着剤を使用して行うダイボンディング工程（１）及び該ダイボンディング工程における前記有機系接着剤より発生し、ダイの表面に付着して形成された有機成分層（８）を除去する工程（３０，６０）とを有する半導体装置の製造方法において、前記有機成分層の除去に対して前記ダイがダメージを受けない保護膜を形成し、前記有機成分層の除去は、Ａｒスパッタエッチング又はＯ２アッシングにより行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。」に訂正する。
２．明りょうでない記載の釈明として
　発明の詳細な説明における〔解題を解決するための手段〕に記載（公報第２頁第３欄第４９行から第４欄第３行目）の
「本発明は、有機系接着剤を使用して行うダイボンディング工程を有する半導体装置の製造方法において、上記ダイボンディングに使用した上記有機系接着剤より発生し、ダイの表面に付着して形成された有機成分層を除去する工程とを有する構成としたものである。」を、
「有機系接着剤を一使用して行うダイボンディング工程（１）及び該ダイボンディング工程における前記有機系接着剤より発生し、ダイの表面に付着して形成された有機成分層（８）を除去する工程（３０，６０）とを有する半導体装置の製造方法において、前記有機成分層の除去に対して前記ダイがダメージを受けない保護膜を形成し、前記有機成分層の除去は、Ａｒスパッタエッチング又はＯ２アッシングにより行う構成としたものである。」に訂正する。
（５４）【発明の名称】
半導体装置の製造方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　有機系接着剤を使用して行うダイボンディング工程（１）
及び該ダイボンディング工程における前記有機系接着剤より発生し、ダイの表面に付着して形成された有機成分層（８）を除去する工程（３０，６０）と
　
前記有機成分層の除去に対して前記ダイがダメージを受けない保護膜を形成し、
　前記有機成分層の除去は、Ａｒスパッタエッチング又はＯ２アッシングにより行う
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
　有機系接着剤を使用してダイボンディングを行う半導体装置の製造方法に関し、信頼性の高い半導体装置の製造を可能とすることを目的とし、
　有機系接着剤を使用して行うダイボンディング工程を有する半導体装置の製造方法において、上記ダイボンディングに使用した上記有機系接着剤より発生しダイの表面に付着して形成された有機成分層を除去する工程を有するよう構成する。
〔産業上の利用分野〕
　本発明は有機系接着剤を使用してダイボンディングを行う半導体装置の製造方法に関する。
　第８図は一般的な半導体装置の製造方法を示す。
　１はダイボンディング工程であり、第９図に示すようにダイ２がリードフレーム３のステージ３ａにボンディングされる。ダイ２の表面には何らかの保護膜が形成してある。ボンディング剤としては、ダイサイズの大型化及びコストダウンのため、半田等の金属に代えて有機系接着剤４が使用されている。
　この後、有機系接着剤４を硬化させるために、１５０〜２００℃で約２時間の後キュア工程５を行ない、その後、ワイヤボンディング工程６を行ない、最後に樹脂で封止する樹脂モールド工程７を行なう。
後キュア工程５時に、第９図中矢印ａ，ｂで示すように、有機系接着剤４からこの成分のうち低分子の有機成分が脱ガスし、ダイ２の表面及びステージ３ａの裏面及びインナーリード３ｂの表面に付着し、有機成分層８を形成する。
　この有機成分層８は後述するように、最終製品である半導体装置の耐湿性を損ない、且つ特性を劣化させる。
　従って、樹脂をモールドする前に、上記の有機成分層８を除去されていることが望ましい。
　〔従来の技術〕
　従来の製造方法は、工程は第８図と同じであり、後キュア工程５においてキュア炉に入れる被処理物（ダイボンディングされたリードフレーム）の数量を、通常の量より少なくし、キュア炉内に発生する有機成分の量を少なく抑えて、有機成分層が形成されにくくしている。
〔発明が解決しようとする課題〕
　しかし、有機成分層は少ないとはいえ形成されることにより、これが、以下の問題を起こしていた。
　第１０図は従来の製造方法により製造された半導体装置１０を示す。同図中、第９図に示す構成部分と対応する部分には同一符号を付す。１１はリード，１２はワイヤ，１３はパッケージである。
　パッケージ１３は有機材であり、同じく有機材である有機成分層８との密着力が弱い。
　このため、パッケージ１３内に水分が侵入し易くなり、符号１４で示すクラックが生じたり、符号１５で示すパッド腐食が生じたりする。パッド腐食は、層８の揮発成分自体の作用によっても起きる。
　第４図中、線Ｉは１２１℃，２気圧の水蒸気雰囲気中で試験を行った結果を示す。
　１００時間を経過した時点では、サンプル２０個のうち２個がパッド腐食を起こしワイヤ接続部が切れて不良となり、１０００時間経過した時点では１４個が不良となった。
　また、不純物である有機成分がダイ２内に拡散し、ダイ２中のＭＯＳトランジスタのゲートに加える閾値電圧ＶＴＨが、第５図中線ＩＩで示すように、試験時間の経過と共に大きく変化してしまい、ＭＯＳトランジスタの特性が劣化してしまい、短寿命となる。ＶＴＨの変動率は、（現在のＶＴＨ−初期のＶＴＨ）／初期のＶＴＨで表わされる。
　また、キュア炉内で一度に処理するダイボンディングされたリードフレームの数量を通常より少なくしており、生産性の向上を図ることが困難であった。
　本発明は、信頼性の高い半導体装置の製造を可能とした半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
〔課題を解決するための手段〕
　本発明は、有機系接着剤を使用して行うダイボンディング工程（１）
及び該ダイボンディング工程における前記有機系接着剤より発生し、ダイの表面に付着して形成された有機成分層（８）を除去する工程（３０，６０）とを有する半導体装置の製造方法において、前記有機成分層の除去に対して前記ダイがダメージを受けない保護膜を形成し、前記有機成分層の除去は、Ａｒスパッタエッチング又はＯ２アッシングにより行う
〔作用〕
　有機成分層除去工程を付加したことにより、ダイはその表面に付着形成された有機成分層を除去されてクリーンな状態で封止されることになり、有機成分層が付いた状態のまま封止した場合に生じていた不都合が除去され、耐湿性に優れ、且つ特性劣化が起きにくく、従来に比べて高い信頼性を有する半導体装置を製造し得る。
〔実施例〕
　第１図は本発明の一実施例になる半導体装置の製造方法の工程を示す。同図中、第８図に示す部分と対応する部分には同一符号を付す。
　３０はＡｒスパッタエッチング工程であり、樹脂モールド工程７の直前の部位、即ちワイヤボンディング工程６の後の部位に追加してある。
　この工程３０は、第２図に示すＡｒスパッタエッチング装置３１を使用して所定の条件で行う。
　３２−１〜３２−ｎ（ｎは例えば１００）は夫々ワイヤボンディング済のリードフレームであり、ダイ２の表面及びステージ３ａの裏面等には有機成分層８が付いている。
　このワイヤボンディング済リードフレーム３２−１〜３２−ｎは、チャンバ３３内に垂直の状態で面対向させて隙間をあけて配列してあり、共にアース３４に接続してある。
　３５，３６は電極であり、リードフレーム３２−１〜３２−ｎの上下に対向して配設してあり、高周波（ＲＦ）電源３７，３８により電圧を印加される。
　チャンバ３３は真空ポンプ３９により真空とされ、上部の入口４０によりＡｒガスが導入される。
　これにより、リードフレーム３２−１〜３２−ｎに対してＡｒスパッタエッチングが行われ、各リードフレーム３２−１〜３２−ｎの表面の有機成分層８が剥離されて物理的に除去される。
　ダイ２の表面には保護膜があり、ダイ２自身にダメージは無い。
　このときのＡｒスパッタエッチングの条件は例えば以下の通りである。
　　反応圧力　　　　０．５　Ｔｏｒｒ
　　Ａｒ流量　　　　２５０　ＳＣＣＭ
　　ＲＦ出力　　　　１　Ｗ／ｃｍ２
　　ＲＦ周波数　　　１３．５６　ＭＨＺ
　　時　　間　　　　１０　分間
　樹脂モールドは有機成分層８が除去されたリードフレーム及びチップに対して行われ、モールドされて完成した半導体装置５０は第３図に示す如くになる。
　同図中、５１は樹脂パッケージ部である。
　ダイ２の表面、ステージ３ａの下面、及びインナーリード３ｂの表面には有機成分層８が除去されてクリーンな状態となっている。
　これにより、第１には、樹脂パッケージ部５１とダイ２，ステージ３ａ及びインナーリード３ｂとが良好に密着した状態となり、半導体装置５０は従来のものに比べて耐湿性が向上する。
　このことは、第４図中、線Ｉａで示す耐湿性試験の結果より分かるであろう。　耐湿性試験は、１２１℃，２気圧の水蒸気雰囲気中で行った。
　線Ｉａより分かるように、パッド腐食を起こしてワイヤ接続部が切れて不良となった半導体装置５０は、１，０００時間経過後も零であった。
　第２には、ダイ２自体の劣化が起きない。
　第５図中の線ＩＩａより分かるように、ＭＯＳトランジスタのＶＴＨに変動が起きず、ＶＴＨは、試験時間が１，０００時間を経過した後も、元の値を維持し続ける。
　これは、ダイ２の表面２ａに有機成分層８が無く、然してダイ２の内部への不純物の拡散が起きないためである。
　従って、上記実施例により製造された半導体装置５０は耐湿性に優れ、長寿命を有するものとなる。
　また、リードフレーム３２−１〜３２−ｎは垂直の状態にあるため、剥離した有機成分層８が再びリードフレーム３２−１〜３２−ｎに付着することは起きにくく、好都合である。
　第６図は本発明の別の実施例になる半導体装置の製造方法の工程を示す。同図中、第８図に示す部分と対応する部分には同一符号を付す。
　６０はＯ２アッシング工程であり、樹脂モールド工程７の直前の部位、即ちワイヤボンディング工程６の後の部位に追加してある。
　この工程６０は、第７図に示すＯ２アッシング装置６１を使用して所定の条件で行う。
　第７図中、６２は石英製反応炉，６３は誘導コイル，６４は高周波＜ＲＦ＞電源，６５は多孔のエッチトンネルである。
　反応炉６２内には、ワイヤボンディング済のリードフレーム３２−１〜３２−ｎ（ｎは例えば１００）が、治具（図示せず）により、垂直状態で面対向して支持されている。
　Ｏ２アッシングは、真空ポンプ６６により反応炉６２内を真空とすると共に、入口６７よりＡｒとＯ２の混合ガスを導入し、誘導コイル６３に高周波電圧を印加することにより行う。
　これにより、反応炉６２内にプラズマが発生し、Ｏ＋，Ｏ−はエッチトンネル６５によりシールドされ、酸素ラジカルＯ＊だけがエッチトンネル６５を通過してエッチトンネル６５内の空間６９内に進入し、上記リードフレーム３２−１〜３２−ｎに作用する。これにより表面の有機成分層８が灰化されて、化学的に除去される。ダイ２の表面は保護膜（図示せず）により保護されており、ダメージは受けない。
　このときのＯ２アッシングの条件は例えば以下の通りである。
　反応圧力　　　２〜３　Ｔｏｒｒ
　Ａｒ：Ｏ２　　１：１０
　流　　量　　　２５０　ＳＣＣＭ
　ＲＦ出力　　　１　Ｗ／ｃｍ２
　ＲＦ周波数　　２００　ＭＨｚ
　時　　間　　　５　分間
　樹脂モールドは、有機成分層８が除去されたチップ及びリードフレームに対して行われ、モールドされて完成した半導体装置７０は上記の場合と同様に、第３図に示す如くになる。
　この半導体装置７０を上記と同じ条件で耐湿性試験及び特性劣化試験を行ったところ、前記の半導体装置５０の場合と同様の結果が得られる。
　従って、本実施例の半導体装置の製造方法により製造された半導体装置７０は、耐湿性に優れ且つ特性劣化を起こしにくく、長寿命を有する。
　また、前記のＡｒスパッタエッチング工程３０及びＯ２アッシング工程６０の所要時間は１０分程度と短いものであり、且つ同時に大量に処理できるものであり、しかも後キュア工程５を一度に処理するリードフレームの数を制限せずに行うことができるため、全体として、半導体装置の生産能率を従来に比べ上げることができる。
〔発明の効果〕
　以上説明した様に、本発明によれば、ダイ表面に付着形成された有機成分層が除去され、ダイは表面が洗浄化された状態で封止されるため、封止状態が向上して耐湿性が向上し、且つ有機成分の拡散による特性劣化が起きない、信頼性に優れた半導体装置を製造することが出来る。
　また、有機成分層の除去工程が新たに追加されているものの、その所要時間は短く、また後キュア工程における処理量を増やすことが出来、半導体装置の生産性を低下させることにはならず、生産性を向上させることも出来る。
【図面の簡単な説明】
　第１図は本発明の一実施例になる半導体装置の製造方法を説明する図、
　第２図は第１図中のＡｒスパッタエッチング工程に使用する装置の概略図、
　第３図は第１図の製造方法により製造された半導体装置を示す図、
　第４図は耐湿性試験結果を示す図、
　第５図は特性劣化試験結果を示す図、
　第６図は本発明の別の実施例になる半導体装置の製造方法を説明する図、
　第７図は第６図中のＯ２アッシング工程に使用する装置の概略図、
　第８図は半導体装置の一般的な製造方法を説明する図、
　第９図は、後キュア時における有機成分層の形成を説明する図、
　第１０図は従来の製造方法により製造された半導体装置を示す図である。
　図において、
１はダイボンディング工程、
２はダイ、
３はリードフレーム、
３ａはステージ、
４は有機系接着剤、
５は後キュア工程、
６はワイヤボンディング工程、
７は樹脂モールド工程、
８は有機成分層、
３０はＡｒスパッタエッチング工程、
３１はＡｒスパッタリング装置、
３２−１〜３２−ｎはワイヤボンディンク済リードフレーム、
５０は半導体装置、
５１は樹脂パッケージ、
６０はＯ２アッシング工程、
６１はＯ２アッシング装置
を示す。