【事件の表示】
　特許第２８０２６８５号　「強誘電性液晶装置」の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第２８０２６８５号の請求項１に係る特許を維持する。
【理　由】
（１）手続きの経緯
  本件特許第２８０２６８５号は、平成３年１月８日に出願され、平成１０年７月１７日にその設定登録がなされ、その後、シャープ株式会社より特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１１年９月６日に訂正請求がなされたものである。
　
（２）訂正請求の適否についての判断
ｉ）訂正の内容
　訂正請求の内容は、特許請求の範囲の請求項１、
「強誘電性を示すカイラルスメクティック液晶を電極基板間に保持して構成され、液晶が複数の各部分ごとに電極基板を介して印加される電界に応じた複数の表面安定化状態を発現する強誘電性液晶素子と、表面安定化状態を遷移させる期間および液晶部分に電極基板を介して液晶の表面安定化状態を遷移させるに十分な電界を印加する駆動手段とを備え、表面安定化状態を遷移させない期間および液晶部分には遷移が生じない範囲で一定値以上の強度を有する交流電界が、表面安定化状態を遷移させない期間および液晶部分の任意の時点とそれ以外の時点とでインピーダンスを切り換える手段を介することなく印加される強誘電性液晶装置において、表面安定化状態を遷移させない期間および部分に印加される交流電界の強度は、液晶に流れを生じさせることのない、所定値以下であることを特徴とする強誘電性液晶装置。」
を、
「強誘電性を示すカイラルスメクティック液晶を電極基板間に保持して構成され、液晶が複数の各部分ごとに電極基板を介して印加される電界に応じた複数の表面安定化状態を発現する強誘電性液晶素子と、表面安定化状態を遷移させる期間および液晶部分に電極基板を介して液晶の表面安定化状態を遷移させるに十分な電界を印加する駆動手段とを備え、表面安定化状態を遷移させない期間および液晶部分には遷移が生じない範囲で一定値以上の強度を有する交流電界が、表面安定化状態を遷移させない期間および液晶部分の任意の時点とそれ以外の時点とでインピーダンスを切り換える手段を介することなく印加される強誘電性液晶装置において、前記液晶は基板界面近くの液晶分子の自転方向が上下電極基板において逆である配向状態であり、表面安定化状態を遷移させない期間および部分に印加される交流電界の強度は、液晶に流れを生じさせることのない、所定値以下であることを特徴とする強誘電性液晶装置。」
と訂正し、誤記の訂正を目的として、明細書の記載を訂正するものである。
　
ii）訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張　・変更の存否
　特許請求の範囲の訂正は、「前記液晶は基板界面近くの液晶分子の自転方向が上下電極基板において逆である配向状態であり」と限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮に該当し、明細書の訂正は誤記の訂正を目的としており、共に、新規事項の追加には該当せず、実質的に特許請求の範囲を拡張・変更するものではない。
　
iii）独立特許要件の検討
　訂正後の請求項１に係る発明（以下、訂正発明という。）の独立特許要件について検討する。
Ａ）取消理由通知の概要
　取消理由通知では、以下のような、明細書の記載不備を指摘した。
「請求項１に係る発明は、強誘電性液晶装置において、表面安定化状態を遷移させない期間および部分に印加される交流電界の強度は、液晶に流れを生じさせることのない、所定値以下であることを特徴とするものであるが、特許明細書には、図３の配向ｃ（アップ状態）を主とし、図３の配向ｄ（ダウン状態）についても言及して、「液晶の流れ」の生じるメカニズムを考察し、液晶の流れが電界強度に対して閾値的依存性を持つことを示しているのみであり、図２（ｄ）の型については、液晶の流れが電界強度に対して閾値的依存性を持つことは開示していないので、請求項１に係る発明は、本件明細書に実施可能に記載されていない。」
　
Ｂ）特許権者の対応
　特許権者は訂正請求において、請求項１に、「前記液晶は基板界面近くの液晶分子の自転方向が上下電極基板において逆である配向状態であり」との限定を付し、意見書において、「明細書【００２１】〜【００２４】の記載から、基板面近くの液晶分子の自転方向が上下電極基板において逆であるような液晶の配向状態であれば、図２（ｄ）の型でユニホーム配向状態の液晶にも適用できることは明らかである」、旨主張している。
　
Ｃ）当審の判断
　明細書【００２１】〜【００２４】には、臨界値以下の電界ではほとんど流れが生じない理由について、概略以下の記載がある。
ａ．図３の配向ｃにおけるダイレクタ配置の場合に下向電界が加わると、上基板近くのダイレクタはコーン上を時計回りに回転し、下基板近くのダイレクタは反時計回りに回転し、ダイレクタがコーン上を動くと、分子自身も長軸の回りに回転する。
ｂ．個々の分子が同一方向に自転すると、液晶内に剪断応力が発生し、この剪断応力は分子の自転方向に応じて方向を変え、図３の配向ｃで示すような構造の場合、シェブロンの上半分と下半分で剪断応力の方向が逆になり、液晶は全体として左向きの力を受ける。
ｃ．上向電界が加わったときは、逆に右向きの力を受け、交流電界が印加されたときは、力の大きさが釣り合っているので正味の流れは生れないように見えるが、基板からの摩擦力を考慮すると、上下基板界面のプレチルト角は等しくなく、界面液晶の配置は左右非対称であるから摩擦抵抗力の大きさも左右で異なり、流れは一方向に生じる。
ｄ．以上の議論は図３の配向ｃについてのものだが、図３の配向ｄの場合も同様であり、逆方向に液晶が流れる。
ｅ．剪断応力は分子の自転速度、したがってダイレクタのコーン上の移動速度に比例するので、ほぼ電界強度に比例し、流れが電界強度に対して閾値的依存性を持つ。
　
　以上の記載からみれば、液晶の流れが電界強度に対して閾値的依存性を持つのは、基板面近くの液晶分子の自転方向が上下電極基板において逆であるような配向状態の液晶であれば、図２（ｃ）の型でユニホーム配向状態の液晶のみならず、図２（ｄ）の型でユニホーム配向状態の液晶でも同様であると認められる。
　
　よって、訂正発明は、本件明細書に実施可能に記載されていない、とすることはできず、訂正発明は、特許出願の際、独立して特許を受けることができるものである。
　
iv）結論
　以上のとおりであるから、本件訂正請求は、特許法第１２０条の４第２項及び同条第３項で準用する第１２６条第２項乃至第４項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
（３）特許異議申立について
（本件発明）
　本件特許第２８０２６８５号の請求項１に係る発明は、訂正された特許明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載されたとおりのものである。
（特許異議申立人の主張の概要）
  これに対して、特許異議申立人シャープ株式会社は、参考資料１として特開平１−１５８４１５号公報を提示して、
「請求項１に係る発明は、通常用いられる強誘電性液晶表示装置において、表面安定化状態を遷移させない期間および部分に印加される交流電界の強度は、液晶に流れを生じさせることのない、所定値以下であることを特徴とするものであるが、所定値をどのように決定すべきか不明であり、また、強誘電性液晶表示装置の配向モードに、Ｃ１配向とＣ２配向とが存在することは、参考資料１に示すように明らかであるが、Ｃ２配向モードにおいて、特定の電界強度以上において、液晶の流れがどのような作用により生じるのか明らかにされていないので、請求項１に係る発明は、本件明細書に実施可能に記載されていない」から、本件出願は、特許法第３６条の規定により特許を受けることができないものである、旨主張している。
　
（当審の判断）
　（２）iii）に示したように、本件明細書には、液晶の流れが電界強度に対して閾値的依存性を持つのは、基板面近くの液晶分子の自転方向が上下電極基板において逆であるような配向状態の液晶であれば、図２（ｃ）の型でユニホーム配向状態の液晶のみならず、図２（ｄ）の型でユニホーム配向状態の液晶でも同様であることが示されており、また、これらの記載に基づいて、電界強度に対する所定値を決定することに、格別の困難性があると認めることはできない。
　
　よって、訂正請求により、特許異議申立人の主張する記載不備は解消された。
　
（むすび）
  以上のとおりであるから、特許異議の申立ての理由及び証拠によっては、本件の請求項１に係る発明の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件の請求項１に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年２月４日（２０００．２．４）
【訂正の要旨】
１．訂正事項１
　特許請求の範囲の減縮を目的として、特許請求の範囲の請求項１、
「強誘電性を示すカイラルスメクティック液晶を電極基板間に保持して構成され、液晶が複数の各部分ごとに電極基板を介して印加される電界に応じた複数の表面安定化状態を発現する強誘電性液晶素子と、表面安定化状態を遷移させる期間および液晶部分に電極基板を介して液晶の表面安定化状態を遷移させるに十分な電界を印加する駆動手段とを備え、表面安定化状態を遷移させない期間および液晶部分には遷移が生じない範囲で一定値以上の強度を有する交流電界が、表面安定化状態を遷移させない期間および液晶部分の任意の時点とそれ以外の時点とでインピーダンスを切り換える手段を介することなく印加される強誘電性液晶装置において、表面安定化状態を遷移させない期間および部分に印加される交流電界の強度は、液晶に流れを生じさせることのない、所定値以下であることを特徴とする強誘電性液晶装置。」
を、
「強誘電性を示すカイラルスメクティック液晶を電極基板間に保持して構成され、液晶が複数の各部分ごとに電極基板を介して印加される電界に応じた複数の表面安定化状態を発現する強誘電性液晶素子と、表面安定化状態を遷移させる期間および液晶部分に電極基板を介して液晶の表面安定化状態を遷移させるに十分な電界を印加する駆動手段とを備え、表面安定化状態を遷移させない期間および液晶部分には遷移が生じない範囲で一定値以上の強度を有する交流電界が、表面安定化状態を遷移させない期間および液晶部分の任意の時点とそれ以外の時点とでインピーダンスを切り換える手段を介することなく印加される強誘電性液晶装置において、前記液晶は基板界面近くの液晶分子の自転方向が上下電極基板において逆である配向状態であり、表面安定化状態を遷移させない期間および部分に印加される交流電界の強度は、液晶に流れを生じさせることのない、所定値以下であることを特徴とする強誘電性液晶装置。」
と訂正する。
２．訂正事項２
　誤記の訂正を目的として、明細書【００１４】の、
「基板１１と１２は、」
を、
「基板２１と２２は、」
と訂正する。
（５４）【発明の名称】
強誘電性液晶装置
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　強誘電性を示すカイラルスメクティック液晶を電極基板間に保持して構成され、液晶が複数の各部分ごとに電極基板を介して印加される電界に応じた複数の表面安定化状態を発現する強誘電性液晶素子と、表面安定化状態を遷移させる期間および液晶部分に電極基板を介して液晶の表面安定化状態を遷移させるに十分な電界を印加する駆動手段とを備え、表面安定化状態を遷移させない期間および液晶部分には遷移が生じない範囲で一定値以上の強度を有する交流電界が、表面安定化状態を遷移させない期間および液晶部分の任意の時点とそれ以外の時点とでインピーダンスを切り換える手段を介することなく印加される強誘電性液晶装置において、
前記液晶は基板界面近くの液晶分子の自転方向が上下電極基板において逆である配向状態であり、
　【請求項２】　前記液晶は、仮に前記所定値以上の交流電界を印加して液晶の流れを生じさせた場合は、交流電界の正負に応じて流れの方向が反転するものである、請求項１記載の強誘電性液晶装置。
　【請求項３】　前記液晶の流れの速さは、交流電界の方向が電界非印加時の液晶の自発分極の平均方向と同方向のときは小さく、逆方向のときは大きい、請求項２記載の強誘電性液晶装置。
　【請求項４】　前記液晶は、仮に液晶に流れを生じさせたとすれば、その方向は、表面安定化状態間で異なるものである、請求項１記載の強誘電性液晶装置。
　【請求項５】　前記液晶は、そのスメクティック層が折れ曲がっており、仮に液晶に流れを生じさせたとすれば、その折れ曲がった角の２等分線方向であってその折れ曲がりの外側方向と、液晶の流れの方向とのなす角度の内側に、電界印加時における液晶の平均分子軸方向が存在するものである、請求項４記載の強誘電性液晶装置。
　【請求項６】　前記液晶に流れを生じさせようとする力は、印加する電界の強度に比例する、請求項１記載の強誘電性液晶装置。
　【請求項７】　前記液晶の流れを阻止しようとする電極基板面からの力は流れを生じさせようとする方向によって異なる、請求項６記載の強誘電性液晶装置。
　【請求項８】　各安定状態における液晶の基板近傍におけるプレチルト角が対向電極基板間で異なる、請求項１記載の強誘電性液晶装置。
　【請求項９】　対向する電極基板は液晶に電界を印加するための走査電極群およびこれに交差する情報電極群を有し、その各交差部で画素を形成しており、各走査電極の走査時において、選択された走査電極上の画素には表面安定化状態を遷移させる閾値以上の強度の電界を印加することによりその画素の表面安定化状態を遷移させ、選択されていない走査電極上の画素には遷移が生じない範囲で一定値以上でかつ液晶に流れを生じさせることのない所定値以下の交流電界が印加される、請求項１〜８のいずれか１つに記載の強誘電性液晶装置。
　【請求項１０】　前記強誘電性液晶はユニホーム配向状態である請求項１〜９のいずれか１つに記載の強誘電性液晶装置。
　【請求項１１】　前記ユニホーム配向状態の液晶が電極基板に対して流れが生じるのを妨げるために、表面安定化状態を遷移させない期間および部分に印加される交流電界の強度が、ユニホーム配向状態の液晶で生み出されるせん断応力に基づく駆動力がユニホーム配向状態の液晶と基板の界面で働く静止摩擦力よりも大きくならないように定義された所定値以下である請求項１０記載の強誘電性液晶装置。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　本発明は、図形表示等に用いられる強誘電性液晶装置に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　表面安定化強誘電性液晶（以下、ＳＳＦＬＣという）は２枚の基板の間隙に強誘電性液晶（以下、ＦＬＣという）を挟持し、基板間隙を十分薄くしてＦＬＣのらせん構造を消失させることにより実現される。ＳＳＦＬＣは多くの場合カイラルスメクチックＣ相で利用されている。スメクチック相では周知のように液晶分子が層構造を形成しているが、ＳＳＦＬＣおいてはこの層は図２（ａ）〜（ｄ）に示すような配列構造をもつ。同図（ａ）の構造はブックシェルフ型といわれており、層が基板２１および２２に対して垂直である。この型は同図（ｂ）〜（ｄ）の型の配列構造をもつＳＳＦＬＣに、強いＡＣ電界を印加することでつくることができる。同図（ｂ）に示される構造は傾いたブックシェルフ型であり、プレチルト角の大きい配向処理がなされた基板を反平行に貼り合わせた場合に出現する。同図（ｃ）および（ｄ）に示す構造は、いわゆるシェブロン型であり、ラビング処理した基板をラビング方向Ａが上下基板で略平行になるように貼り合わせた場合に出現し、同図（ｃ）の型は高温側で安定であり、同図（ｄ）の型は、同図（ｃ）の型を温度を下げていく過程でジグザグ状の欠陥を介して出現する。
　【０００３】
　同図（ｃ）および（ｄ）の層構造と温度との関係は公知である。すなわち、同図（ｃ）の型の配向においては４つの表面安定化状態があり、そのうち２つはダイレクタが上下基板間で振れたいわゆるスプレイ配向である。他の２つはダイレクタが上下基板間でほぼ均一ないわゆるユニフォーム配向である。これらの配向状態はダイレクタがスメクチックＣ相のらせん構造から定義されるコーンの上にあると仮定して図３に示すような配列であると推測されている。同図のａ〜ｄはコーンを底面からみたＣダイレクタの配置を表わしており、ａとｂがスプレイ配向、ｃとｄがユニフォーム配向を示す。３１は自発分極の向きである。これらの表面安定化状態のうちユニフォーム配向ｃとｄを表示に用いることによりコントラストの高いディスプレイが実現できる。
　【０００４】
　【発明が解決しようとする課題】
　ところが、ユニフォーム配向状態を表示素子として用いた場合、しばしば焼付きと呼ばれる現象が生じる。これは、１つの表示状態を固定して長時間駆動し続けるとその表示内容が定着し、表示内容を書き換えても薄く残ってしまう現象である。これを防止するにはプレチルト角の大きい配向処理基板を用いればよいことを本発明者等は見出したが、プレチルト角を大きくすると、新たに次のような問題が生じる。
　【０００５】
　ＦＬＣは通例、単純マトリクス表示素子の形で用いられるが、その場合の駆動方法は例えば特開昭６０−３３５３５公報において開示されているように、選択された走査線上の画素には閾値以上の電圧を印加してオンまたはオフの状態を決定し、選択されていない走査線上の画素には交流電圧信号を印加する方式が多く用いられる。しかし、この駆動によりユニフォーム配向状態において同一表示状態を長時間続けると、画質の劣化を生じ、長時間の使用に耐えることができないという問題を生ずるのである。
　【０００６】
　本発明の目的は、上記従来技術の問題点に鑑み、強誘電性液晶素子において、プレチルト角が大きい場合でも、画質の劣化を生じさせないようにすることにある。
　【０００７】
　【課題を解決するための手段】
　上記目的を達成するため本発明では、強誘電性を示すカイラルスメクティック液晶を電極基板間に保持して構成され、液晶が複数の各部分ごとに電極基板を介して印加される電界に応じた複数の表面安定化状態を発現する強誘電性液晶素子と、表面安定化状態を遷移させる期間および液晶部分に電極基板を介して液晶の表面安定化状態を遷移させるに十分な電界を印加する駆動手段とを備え、表面安定化状態を遷移させない期間および液晶部分には遷移が生じない範囲で一定値以上の強度を有する交流電界が、表面安定化状態を遷移させる期間および液晶部分と表面安定化状態を遷移させない期間および液晶部分とでインピーダンスを切り換える手段を介することなく印加される強誘電性液晶装置において、
前記液晶は基板界面近くの液晶分子の自転方向が上下電極基板において逆である配向状態であり、
　【０００８】
　液晶は例えば、仮に前記所定値以上の交流電界を印加して液晶の流れを生じさせた場合は、交流電界の正負に応じて流れの方向が反転し、その方向は表面安定化状態間で異なり、その速さは交流電界の方向が電界非印加時の液晶の自発分極の平均方向と同方向のときは小さくて逆方向のときは大きい。
　【０００９】
　液晶のスメクティック層は、例えば、折れ曲がっており、仮に液晶に流れを生じさせたとすれば、その折れ曲がった角の２等分線方向であってその折れ曲がりの外側方向と、液晶の流れの方向とのなす角度の内側に、電界印加時における液晶の平均分子軸方向が存在する。
　【００１０】
　液晶に流れを生じさせようとする力は印加する電界の強度に比例し、液晶の流れを阻止しようとする電極基板面からの力は流れを生じさせようとする方向によって異なる。
　【００１１】
　各安定状態における液晶の基板近傍におけるプレチルト角は、例えば、対向電極基板間で異なる。
　【００１２】
　より具体化された態様においては、例えば、対向する電極基板は液晶に電界を印加するための走査電極群およびこれに交差する情報電極群を有し、その各交差部で画素を形成しており、各走査電極の走査時において、選択された走査電極上の画素には表面安定化状態を遷移させる閾値以上の強度の電界を印加することによりその画素の表面安定化状態を遷移させ、選択されていない走査電極上の画素には遷移が生じない範囲で一定値以上でかつ液晶に流れを生じさせることのない所定値以下の電界が印加される。
　【００１３】
　【作用】
　この構成において、表面安定化状態を遷移させない期間および液晶部分に印加される、遷移が生じない範囲で一定値以上の強度を有する交流電界は、その強度をさらに、液晶に流れを生じさせることのない、所定値以下であるように限定したため、同一表示状態を長時間続けても、液晶の流れによりセル厚が変化することがない。したがって、長時間使用しても画質の劣化がなく、良好な画質が維持される。次に、この作用についてより具体的に説明する。
　【００１４】
　上述のような選択されていない走査線上の画素に交流電圧信号を印加する方式においては、プレチルト角が大きい場合には、長時間駆動すると、液晶が一方向に流れることが本発明者等の実験により明らかになった。この流れの方向は、図１において矢印Ｂで示すように、スメクチック層に平行でありかつユニフォームの２つの安定状態間で互いに逆である。なお、基板
２１
２２
　【００１５】
　図４はこの流れの速度ｖが非選択交流電圧の波高値Ｖに依存する様子を測定した結果を示すグラフである。横軸は、電界強度Ｅ＝Ｖ／ｄでプロットしてある。ｄはセル厚であり、ここでは１．３μｍである。測定に用いた液晶は、フェニルピリミジンを主成分とし、３０℃における自発分極Ｐｓ＝−６．６ｎＣ／ｃｍ２の混合液であり、相変化は
　【００１６】
　【化１】
である。流れは電界強度Ｅが２Ｖ／μｍ以上ではっきりと生じているが、それ以下では０かまたは測定できない程度に小さい。この場合（ｄ＝１．３μｍ）波高値Ｖを２．６Ｖ以下にして駆動すれば、長い時間駆動し続けても実用上問題はない。
　【００１７】
　図５は、別の液晶材料ＡとＢを用いた測定結果である。横軸は、同様に電界強度を示す。セル厚は１．３μｍ前後に統一してある。この場合も、流れはある臨界電界強度以上で生じており、Ｅ＝３Ｖ／μｍ以下では測定できない程度に小さい。測定に用いたＡ，Ｂの液晶は３０℃における自発分極Ｐｓがそれぞれ−５．６ｎＣ／ｃｍ２および−３．８ｎＣ／ｃｍ２であり、それぞれ下記化２および化３に示す特性を有する。
　【００１８】
　【化２】
　【００１９】
　【化３】
　また、同じ振幅の交流でも、図６（ａ）に示すような休止期間をもつ２種類の印加電圧波形６１と６２で比較すると、図３の配向。におけるように自発分極が上向きのアップ状態では、波形６１の交流に対して流れ易く、波形６２の交流に対して流れ難い。ダウン状態の場合は逆である。図６（ｂ）は、同図（ａ）に示すような交流を印加したときのアップ状態の場合の光学応答（透過率Ｔ）、同図（ｃ）はダウン状態の光学応答を示す。ただし、いずれも無電界時に最暗となるような位置に偏光板（クロスニコル）を配置した場合を示す。これらの図からわかるとおり、閾値以下の交流であっても液晶分子はいくらか動いており、その動く量が大きいほど流れも大きいことがわかる。そして、液晶分子は、アップ状態ではダウン方向の電界が印加されたときに大きく動き、ダウン状態ではアップ方向の電界が印加されたときに大きく動く。
　【００２０】
　このことから、液晶分子は電界の正負に対応して流れ方向に振動的に動いており自発分極と同じ向きの電界が加わったときは小さく動き、逆向きの電界が加わったときは大きく動き、正味の動きとして方向の流れが生れていることがわかる。
　【００２１】
　この流速が電界強度に強く依存し、或る臨界値以下の電界ではほとんど流れが生じない理由は必ずしも明らかではないが、以下のようにも考えられる。すなわち、図３の配向。におけるダイレクタ配置（自発分極が上向きすなわちアップ状態）の場合にスイッチング閾値以下の下向電界が加わると、プレチルト角が大きくて界面近くのＣダイレクタはコーンの縁よりさらに高い位相角の位置にあるので上基板近くのダイレクタはコーン上を時計回りに回転し、下基板近くのダイレクタは反時計回りに回転する。ダイレクタがコーン上を動くと、図７（ａ）において矢印７１で示すように、分子自身も長軸の回りに回転する。ダイレクタがコーン上を一周すると、分子も１回自転する。そして、個々の分子が同一方向に自転すると、図７（ｂ）に示すように、液晶内に勇断応力７２が発生する。この勇断応力は分子の自転方向、換言すればダイレクタのコーン上の回転方向の正負に応じて符号（方向）を変える。したがって、図３の配向。で示すような構造の場合、シェブロンの上半分と下半分で勇断応力の方向が逆になり、液晶は全体として左向きの（矢印３２方向）の力を受ける。上向き電界が加わったときは、上述の場合と逆の回転および勇断応力が生じるから液晶は全体として右向きの力を受ける。正負対称の交流電界が印加されたときは、液晶は左右に交番する力を受け続けることになる。したがって、ダイレクタの位置が同じときは電界の符号の変化に対して勇断応力も符号が変化するだけだから、上向電界による力と下向電界による力は大きさが同じである。
　【００２２】
　この力によって液晶はスメクチック層内で左右に動くが、力の大きさが釣り合っているので正味の流れは生れないように見える。しかし、液晶は基板に対して相対的に動いたとき基板から摩擦力を受けるので、それも考慮しなければならない。上下基板界面のプレチルト角は液晶の分極の向きによって違うから図８（ａ）に示すように等しくないと考えられるが、その場合は上述の勇断応力によって基板が液晶を推す力も上下界面で異なるはずである。両者の差が小さいときは界面での流速は０で基板は上下とも液晶に対して推進力を与える。一方、両者の差が大きいときはおそらく下基板界面で大きな推進力が液晶に与えられ、これによって液晶が流れて上基板界面では基板に対して相対的に動くようになる。このとき、上基板は界面を通じて液晶に推進力よりはむしろ流れに逆らう摩擦力を与える。この摩擦力は基板面形状と界面液晶分子の配置によって決まるが、界面液晶の配置は図８（ａ）に示すように左右非対称だから摩擦抵抗力の大きさも左右で異なる。実測の方向と照らし合わせると、右（矢印８２方向）へ液晶が流れるときの抵抗は大きく、左（矢印８１方向）へ流れるときの抵抗は小さい。このため、流れは一方向（左）に生じる。
　【００２３】
　以上の議論は図３の配向ｃ（アップ状態）についてのものだが、図３の配向ｄ（ダウン状態）の場合も同様である。このダウン状態は、アップ状態をシェブロンの折れ曲がり点を通り図３の紙面に垂直な軸の回りに１８０°回転したものであり、基板界面のダイレクタ配置も、図８（ｂ）に示すように、同図（ａ）とは逆になっている。しかし勇断応力と界面の摩擦力はアップ状態と同じ大きさであるから、したがって方向が逆になることは明らかである。この結果、ダウン状態ではアップ状態と逆方向に液晶が流れる。
　【００２４】
　さらに、図７を用いて説明した勇断応力は分子の自転速度、したがってダイレクタのコーン上の移動速度に比例する。ダイレクタのコーン上の移動速度は弾性歪みを無視すればほぼ電界強度に比例するので、勇断応力は電界強度が大きい程強く働く。一方、基板との摩擦力としては、境界面の液晶が基板に対して動いていない場合の静止摩擦力と動いている場合の動摩擦力が考えられる。剪断応力による駆動力が小さいうちは液晶全体としての流れは遅く、基板界面では流れはないと考えられるから前者が支配し、駆動力が大きくなると基板界面でも流れが生じ後者が支配する。前者の場合は、液晶は境界での流速＝０の条件下での流体運動方程式に従って動くので、静止摩擦力の大小は流体の運動に寄与しない。したがって液晶の層内の左右の動きは、駆動力が均等なので対称であり正味の流れは零である。ところが後者の場合は、流体の運動が動摩擦力の大きさに依存するので、前述したように、左右の摩擦力が大きさを異にするために正味の流れが生じる。これが流れが電界強度に対して閾値的依存性を持つ理由である。
　【００２５】
　【実施例】
　ポリイミド膜（日立化成（株）製ＬＱ１８０２）を形成した基板をナイロン布でラビングし、ラビング方向を上下で右ネジ方向に６°ずらして貼り合わせてセルをつくった。セル厚は１．３μｍであった。これに対し、前記３０℃における自発分極Ｐｓが−５．６ｎＣ／ｃｍ２で化２に示す特性を有する前記Ａの液晶を注入し、冷却しＳＣ＊相にしてＳＳＦＬＣ状態をつくり、そして、セル全体にパルス電界を印加してセル全体を方の安定状態に揃えた。次に、これに対し、電界強度±３Ｖ／μｍ、周波数１２．５ＫＨｚの矩形波交流電界を印加し続けた。この結果、２日間経過後でも、表示状態にほとんど変化は見られなかった。
　【００２６】
　一方、同じセルに電界強度±５Ｖ／μｍ、周波数１２．５ＫＨｚの矩形波を印加し続けたところ、２日間で０．６ｃｍの液晶の移動が観測された。
　【００２７】
　なお、この２通りの印加電界のいずれに対しても安定状態が他に遷移することはなかった。
　【００２８】
　また、このセルと同じ配向処理を施した基板をラビング方向が反平行になるように貼り合わせ、その間隙に別の液晶を注入してクリスタルローテーション法でプレチルト角を測定したところ約１７°であった。
　【００２９】
　【発明の効果】
　以上説明したように本発明によれば、表面安定化状態を遷移させない期間および液晶部分に印加される交流電界の強度を、液晶に流れを生じさせることのない所定値以下であるようにしたため、同一表示状態を長時間続けても、液晶の流れによりセル厚が変化することがなく、したがって、液晶素子を長時間使用しても劣化のない良好な画質を維持することができる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　ＳＳＦＬＣ層のユニフォーム状態における流れを示す模式図である。
　【図２】
　ＳＳＦＬＣ層の配列構造を示す模式図である。
　【図３】
　ＳＳＦＬＣ層の配向状態を示す模式図である。
　【図４】
　ＳＳＦＬＣ層のユニフォーム状態における流れの性質を示すグラフである。
　【図５】
　第４図の場合と異なる２つの液晶についてのＳＳＦＬＣ層のユニフォーム状態における流れの性質を示すグラフである。
　【図６】
　ＳＳＦＬＣ層に印加する交流矩形波電界の波形図および光学応答を示すグラフである。
　【図７】
　ＳＳＦＬＣ層内に勇断応力が発生する原理の説明図である。
　【図８】
　上下基板界面の液晶分子の配置を示す模式図である。
　【符号の説明】
　２１　基板
　２２　基板
　３１　自発分極の向き
　３２　液晶の流れの方向を示す矢印
　７１　液晶分子の回転方向を示す矢印
　７２　剪断応力
　８１　液晶の流れの方向を示す矢印
　８２　液晶の流れの方向を示す矢印
　９１　上基板
　９２　下基板
　　Ａ　ラビング方向
　　Ｂ　液晶の流れの方向を示す矢印