【事件の表示】
　　特許第２８５６２５８号「薄膜磁気ディスク」の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第２８５６２５８号の特許を維持する。
【理　由】
 I．手続きの経緯
　特許第２８５６２５８号の請求項１に係る発明は、平成２年１月１６日に特許出願され、平成１０年１１月２７日にその特許の設定登録がなされ、その後、特許異議申立人　宮崎　厚、三竹　志朗、日本軽金属株式会社より特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１２年２月８日に訂正請求がなされたものである。
II．訂正の適否        
（１）訂正の内容
  以下の訂正事項（ａ）〜（ｈ）のとおり訂正する。
（ａ）特許請求の範囲の請求項１の「１．２７ｍｍ以下」２箇所をいずれも「０．８ｍｍ以下」と訂正する。
（ｂ）明細書第２頁第１８行及び同第３頁第１表（特許公報第３欄第５行及び同第１表）の「３．２５インチ」２箇所をいずれも「３．５インチ」と訂正する。
（ｃ）明細書の発明の詳細な説明の課題を解決するための手段の項（特許公報第３欄第４５行及び同第４８行）の「１．２７ｍｍ以下」２箇所をいずれも「０．８ｍｍ以下」と訂正する
（ｄ）明細書の発明の詳細な説明の課題を解決するための手段の項（特許公報第３欄第４９行）の「特徴特徴」を「特徴」と訂正する。
（ｅ）明細書第５頁第２０行（特許公報第４欄第１５行）及び同第８頁発明の効果の項（特許公報第６欄第２行）の「Ａｌ板」２箇所をいずれも「板厚０．８ｍｍ以下のＡｌ板」と訂正する。
（ｆ）同第６頁第４行及び同第９頁第７行（特許公報第４欄第１９行及び同第６欄第１１行）の「一実施例」２箇所を「一実施例および参考例」と訂正する。
（ｇ）同第６頁第９行，同第７頁及び同第８頁（特許公報第４欄第２３行，同第４欄第４８行，同第５欄第１行及び同第５欄第１４行）の「実施例１」４箇所をいずれも「参考例」と訂正する。
（ｈ）同第７頁及び同第８頁（特許公報第４欄第４７行及び同第５欄第１５行）の「実施例２」２箇所をいずれも「実施例１」と訂正する。
（２）訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
１．訂正事項（ａ）については特許明細書の特許請求の範囲に記載されたＡｌ板またはＡｌ合金板の板厚を「１．２７ｍｍ以下」から「０．８ｍｍ 以下」に限定するものである。当該「０．８ｍｍ」は特許明細書第７〜８頁に実施例２として記載されていたものであるから、この訂正は、特許法第１２０条の４第２項ただし書き第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものと認められる。
２．訂正事項（ｂ）については、ディスクの公称寸法を示す「３．２５インチ」を「３．５インチ」と訂正するもので、ディスクの規格からみて誤記であることは明白であるから、この訂正は、特許法第１２０条の４第２項ただし書き第２号に規定する誤記の訂正を目的とするものと認められる。
３．訂正事項（ｃ）及び（ｅ）については、上記訂正事項（ａ）の特許請求の範囲の訂正に発明の詳細な説明の課題を解決するための手段，作用及び発明の効果の項を整合させるものであり、この訂正は、特許法第１２０条の４第２項ただし書き第３号に規定する明りようでない記載の釈明を目的とするものであると認められる。
４．訂正事項（ｄ）については、「特徴特徴」を「特徴」と訂正するもので、誤記であることが明らかであるから、この訂正は、特許法第１２０条の４第２項ただし書き第２号に規定する誤記の訂正を目的とするものと認められる。
５．訂正事項（ｆ）〜（ｈ）については、上記訂正事項（ａ）の特許請求の範囲の訂正により含まれなくなった「実施例１」を「参考例」とし、「実施例２」を「実施例１」とすることにより、上記訂正事項（ａ）の特許請求の範囲の訂正に整合させるものであり、この訂正は、特許法第１２０条の４第２項ただし書き第３号に規定する明りようでない記載の釈明を目的とするものであると認められる。
６．上記訂正事項（ａ）〜（ｈ）の訂正は、いずれも、本件特許に係る出願の願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正で、新規事項を追加するものでなく、また実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもないことから、特許法１２０条４第３項で準用する同法第１２６条第２項乃至第４項の規定に適合する。
（３）独立特許要件
１．訂正明細書の請求項１に係る発明
  訂正明細書の請求項１に係る発明（以後、「本件発明」と称す。）は、その特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
「ディスク状Ａｌ板またはＡｌ合金板の対向する両主面にＮｉ−Ｐ合金層が形成されてなる非磁性基板の両主面にそれぞれ少なくとも磁性層および保護層がこの順に成膜積層されてなる薄膜磁気ディスクにおいて、前記Ａｌ板またはＡｌ合金板の板厚は０．８ｍｍ以下であって、当該Ａｌ板またはＡｌ合金板の一主面に形成されている Ｎｉ−Ｐ合金層の膜厚とこれに対向する他の主面に形成されている Ｎｉ−Ｐ合金層の膜厚との差が当該０．８ｍｍ以下のＡｌ板またはＡｌ合金板の板厚の０．０３５％以下であることを特徴とする薄膜磁気ディスク。」
２．特許法第３６条第３項違反について
　当審が通知した取消理由において、本件特許明細書の「発明の詳細な説明」の、請求項１に係る薄膜磁気ディスクの構成を用いることによってディスク平坦度が１０μｍ以下となり、本件発明の効果を奏することの記載が第２図のデータと整合していないから、上記「発明の詳細な説明」には、当業者が本件発明について容易に実施し得る程度に記載されているものとは認められず、特許法第３６条第３項の規定に違反する、とした点については、上記II．（１）（ａ）の訂正により、本件発明の「Ａｌ板またはＡｌ合金板の板厚」が「０．８ｍｍ以下」となったことにより、上記特許明細書の記載と第２図の基板厚０．８ｍｍのディスクのデータとの対応関係が明らかになったため、上記不整合は解消した。　
３．特許法第２９条の２違反について
  当審が通知した取消理由において、同時に、本件の訂正前の請求項１に係る発明が、本件の出願日前の出願であって、その出願後に出願公開された特願平１−２８２１１６号の願書に最初に添付した明細書又は図面に記載の発明と同一であると認められ、しかも上記訂正前の請求項１に係る発明の発明者が上記明細書に記載された発明の発明者と同一であるとも、本件出願の時において、その出願人が上記他の出願の出願人と同一であるとも認められないので特許法第２９条の２の規定に違反する、とした点は、やはり上記II．（１）（ａ）の訂正により、本件発明の「Ａｌ板またはＡｌ合金板の板厚」が「０．８ｍｍ以下」となったことにより、上記板厚を「１．２５ｍｍ」とする上記他の出願の明細書に記載された発明とは板厚が異なることになり、それに伴って作用効果も異なってきたため、もはや両者を同一とは言えず、この取消理由も解消した。
４．特許法第２９条第２項違反について
 ４−１．刊行物に記載の発明
   さらに、当審で通知した取消理由において引用した、特開昭６２−９７１２３号公報（以後、「刊行物１」と称す。）には、
「Ａｌ−Ｍｇ合金基板からなる基板の対向する両主面にＮｉ−Ｐ合金下地層がされてなる非磁性基板の両主面にそれぞれ磁性媒体と保護膜がこの順に成膜されてなる薄膜磁気ディスク」（第２頁右下欄〜第３頁左上欄、第１図参照）が記載されているものと認められ、同時に引用した特開平１−１４４２０９号公報（以後、「刊行物２」と称す。）には、「ディスク状Ａｌ合金板の主面にＮｉ−Ｐ合金層が形成されてなる非磁性基板上に少なくとも磁性層および保護層がこの順に成膜積層されてなる薄膜磁気ディスクにおいて、該合金板の板厚を１．２５ｍｍとする」ことが記載されていると認められる。
　そして、やはり当審が同時に引用した、精機学会誌「精密機械」Vol.43 No.4, 1977, 第409-414頁、昭和５２年４月５日発行、宇根篤暢、河西敏雄「メッキ型磁気デイスク基板の加工変形−ラッピングによる残留応力と変形（第２報）−」（以後、「刊行物３」と称す。）には、
「Ａｌ基板の両面に形成されたＮｉ−Ｐ合金層の膜厚差に起因して磁気ディスクが変形し、その変形量はめっきの膜厚差（アンバランス率）に比例すること」が記載されているものと認められる。（図６及び第４１３頁右欄第１〜１７行参照）
 ４−２．対比・判断
   しかしながら、刊行物１，２のいずれに記載の発明にも、本件発明を特定する事項である、
「Ａｌ板またはＡｌ合金板の板厚は０．８ｍｍ以下であって、当該Ａｌ板またはＡｌ合金板の一主面に形成されている Ｎｉ−Ｐ合金層の膜厚とこれに対向する他の主面に形成されている Ｎｉ−Ｐ合金層の膜厚との差が当該０．８ｍｍ以下のＡｌ板またはＡｌ合金板の板厚の０．０３５％以下である」点の記載が無い。また、刊行物３に記載された「Ａｌ基板の両面に形成されたＮｉ−Ｐ合金層の膜厚差に起因して磁気ディスクが変形し、その変形量はめっきの膜厚差（アンバランス率）に比例すること」で表される技術思想を刊行物１，２に記載の発明に適用しようとしても、刊行物３の記載の前提となった実験におけるＡｌ合金試料の厚みが「２ｍｍ」であること、図６の「めっき型磁気ディスク基板のめっき厚のアンバランス率と変形量との関係」において、アンバランス率が（ｈ3−ｈ1）／ｈ3（下面のめっき厚ｈ3、上面のめっき厚ｈ1）で定義されるもので、基板の板厚ｈ2を２ｍｍに固定して２つの主面上の無電解Ｎｉめっき膜の厚みのアンバランスとの関係を示すだけのものであって、基板の板厚とは直接無関係であることから、たとえ、この刊行物３の４１３頁第１７〜２３行の「上下面のめっき厚が異なることによって中立面が板厚の中心からずれるため、平均残留応力によって変形を生じる。この場合の・・・変形量Ｂは・・きわめて小さい。」の記載を考慮したとしても、板厚２ｍｍのものに対する実験からの知見を、本件出願当時さほど一般的とは言えない板厚０．８ｍｍの薄い、すなわち刊行物３の表１に示されるように、無電解Ｎｉめっき膜のヤング率１２２３０（ｋｇ/ｍｍ２）に対してＡｌ合金のヤング率が７４３０（ｋｇ/ｍｍ２）であることからも明らかなように、めっき膜の応力の影響を受けて変形し易いＡｌまたはＡｌ合金板の変形と、磁気ディスクの周知の下地成分であるとはいえ、成分がＮｉ単独ではない、ＡｌまたはＡｌ合金板上のＮｉ−Ｐ合金層の上下両主面の膜厚差とＡｌまたはＡｌ合金板の板厚との比とを関係付けて、その臨界値「０．０３５％以下」を導出することには、当業者であろうとも容易に想到可能であったとは認めらない。
  従って、本件発明は、上記刊行物１〜３に記載の発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたとは言えず、特許法第２９条第２項の規定に違反しないから、その出願の際、独立して特許を受けることが可能であると認められる。
　また訂正事項（ｂ）（ｄ）の誤記の訂正も、本件発明の独立特許要件に何の支障をもたらすものでもない。
（４）結び
  以上のとおり、上記訂正事項（ａ）〜（ｈ）の訂正はいずれも、特許法第１２０条の４第２項及び同条第３項において準用する同法第１２６条第２、乃至第４項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
III．特許異議の申立てについて    
（１）申立ての理由の概要
　１．特許異議申立人　宮崎　厚、三竹　志朗は、ともに、本件訂正前の請求項１に係る発明は、その出願日前の出願であって、その出願後に出願公開された特願平１−２８２１１６号の願書に最初に添付した明細書又は図面に記載の発明と同一であると認められ、しかも上記訂正前の請求項１に係る発明の発明者が上記明細書に記載された発明の発明者と同一であるとも、本件の出願の時において、その出願人が上記他の出願の出願人と同一であるとも認められないから、特許法第２９条の２の規定により特許をうけることができないものであり、その発明に対する特許を取り消すべき旨の主張を行っている。
（２）判断
 １．特許異議申立人　宮崎　厚、三竹　志朗の特許異議申立てについては、II．（３）３で述べたとおり、登録時の請求項１が本件発明の如くに訂正された結果、両者を同一とは言えなくなった。
　なお、特許異議申立人　三竹　志朗は、その申立て理由において、上記他の出願の明細書に記載の発明が「Ｎｉ−Ｐ表裏面膜厚差」が０μｍのものを含むため、基体の厚さに依存することなく、表裏面のＮｉ−Ｐ合金層の膜厚差は基体の膜厚の０．０３５％以下となると主張しているが、表裏面膜厚差が０μｍとなることは実際上あり得ず、限りなく０μｍに近いという意味と解されることから、やはり基体の板厚との関係は残ると考えるのが妥当であり、この主張は採用できない。
２．特許異議申立人　日本軽金属株式会社の異議申立て理由についても、訂正の結果、本件発明は、すでにII．（３）４で論じた如く、甲第１〜３号証に記載された発明から当業者が容易に発明できたとは言えない。そして、甲第４〜５号証にも、磁気ディスクの板厚を０．８ｍｍ以下と薄くしたＡｌまたはＡｌ合金基板の変形と、表裏両主面のＮｉ−Ｐ合金層の膜厚差と上記基板の板厚との比との関係についての記載が無いことから、甲第１〜３号証に記載の発明に該甲第４〜５号証に記載の技術思想を考慮に入れても、やはり当業者が本件発明に容易に想到できたとは言えない。
　従って、本件発明は上記甲第１〜５号証に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明できたとは認められない。
（３）結び
　以上のとおりであるから、上記各特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件発明に対する特許を取り消すことはできない。
　なお、他に本件発明に対する特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年３月２１日（２０００．３．２１）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
（ａ）　特許請求の範囲の請求項１の「１．２７ｍｍ以下」２箇所をいずれも「０．８ｍｍ以下」と訂正する。
（ｂ）明細書第２頁第１８行及び同第３頁第１表（特許公報第３欄第５行及び同第１表）の「３．２５インチ」２箇所をいずれも「３．５インチ」と訂正する。
（ｃ）明細書の発明の詳細な説明の課題を解決するための手段の項（特許公報第３欄第４５行及び同第４８行）の「１．２７ｍｍ以下」２箇所をいずれも「０．８ｍｍ以下」と訂正する
（ｄ）明細書の発明の詳細な説明の課題を解決するための手段の項（特許公報第３欄第４９行）の「特徴特徴」を「特徴」と訂正する。
（ｅ）明細書第５頁第２０行（特許公報第４欄第１５行）及び同第８頁発明の効果の項（特許公報第６欄第２行）の「Ａ１板」２箇所をいずれも「板厚０．８ｍｍ以下のＡ１板」と訂正する。
（ｆ）同第６頁第４行及び同第９頁第７行（特許公報第４欄第１９行及び同第６欄第１１行）の「一実施例」２箇所を「一実施例および参考例」と訂正する。
（ｇ）同第６頁第９行，同第７頁及び同第８頁（特許公報第４欄第２３行，同第４欄第４８行，同第５欄第１行及び同第５欄第１４行）の「実施例１」４箇所をいずれも「参考例」と訂正する。
（ｈ）同第７頁及び同第８頁（特許公報第４欄第４７行及び同第５欄第１５行）の「実施例２」２箇所をいずれも「実施例１」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
薄膜磁気ディスク
（５７）【特許請求の範囲】
１）ディスク状Ａｌ板またはＡｌ合金板の対向する両主面にＮｉ−Ｐ合金層が形成されてなる非磁性基板の両主面にそれぞれ少なくとも磁性層および保護層がこの順に成膜積層されてなる薄膜磁気ディスクにおいて、前記Ａｌ板またはＡｌ合金板の板厚は
０．８
０．８
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
　この発明は、情報処理システムの外部記憶装置として用いられる固定磁気ディスク装置に搭載される薄膜磁気ディスクに関する。
〔従来の技術〕
　従来、薄膜磁気ディスク（以下単にディスクとも称する）の非磁性基板としては表面にアルマイト処理を施したＡｌ板またはＡｌ合金板（以下単にＡｌ板とも称する），表面にＮｉ−Ｐ合金無電解めっきを施したＡｌ板，ガラス板，セラミック板などが用いられているが、大部分はＮｉ−Ｐ合金無電解めっきを施したＡｌ板（以下、単にＮｉ−Ｐ基板とも称する）が用いられている。
　ディスクは、通常、このようなＮｉ−Ｐ基板上に、スパッタ法により、磁性を高めるための非磁性金属（例えばＣｒ）からなる下地層，強磁性金属（例えばＣｏ−Ｎｉ−Ｃｒ合金）からなる磁性層，磁性層を外部環境から保護しかつディスク表面の潤滑性能を高めるための材料（例えばａ−Ｃ）からなる保護潤滑層を順次成膜して作製される。一般的には潤滑性能をさらに高めるために保護潤滑層の上に液体潤滑層が設けられている。
　近年、固定磁気ディスク装置の小型化，薄型化に伴い、それに搭載されるディスクも５．２５インチディスクから
３．５
　また、固定磁気ディスク装置の小型化と同時に記憶容量の大容量化も進められ、ディスクの高記録密度化が要求され、これに対処するために、上述のディスク製造工程におけるスパッタ成膜時の非磁性基板の加熱温度を高めて磁気特性を向上させることが行われてきた。基板加熱温度は以前の１００℃〜１５０℃から２００℃〜２５０℃にまで高められてきている。
〔発明が解決しようとする課題〕
　ところが、スパッタ成膜時の基板加熱温度の高温化に伴い、Ｎｉ−Ｐ基板の変形の度合が大きくなり、平坦度を所要の許容範囲内に保つことができなくなり、得られるディスクの平坦度が悪化して磁気ヘッドの浮上走行が乱され、安定した低浮上走行が得られなくなるという問題が生じてきた。しかも、Ｎｉ−Ｐ基板の板厚はますます薄くなる傾向にあり、板厚が薄くなるほど変形は著しくなるので大きな問題となる。
　この発明は、上述の問題点を解消して、Ｎｉ−Ｐ基板の変形を抑制し、磁気ヘッドの安定した低浮上走行が得られる平坦度の良い薄膜磁気ディスクを提供することを課題とする。
〔課題を解決するための手段〕
　この発明は、上述の課題を解決するため、ディスク状Ａｌ板またはＡｌ合金板の対向する両主面にＮｉ−Ｐ合金層が形成されてなる非磁性基板の両主面にそれぞれ少なくとも磁性層および保護層がこの順に成膜積層されてなる薄膜磁気ディスクにおいて、前記Ａｌ板またはＡｌ合金板の板厚は
０．８
０．８
徴と
〔作用〕
　ディスクの平坦度の変化は、研究の結果、Ａｌ板の一面（Ａ面とする）とこれの対向面（Ｂ面とする）とにそれぞれ形成されているＮｉ−Ｐ合金層の膜厚差に起因することが判った。このような膜厚差はＡｌ板の両面に形成されたＮｉ−Ｐ合金層表面を鏡面研磨するときに両面間で生じる研磨のばらつきにより生じるものである。このような膜厚差があると、スパッタエ程で加熱され熱履歴を受けたときに、Ａｌ板のそれぞれの面が受けるストレスに差が生じ、その結果、Ａ１板，従ってＮｉ−Ｐ基板の平坦度が変化し、これを支持体とするディスクの平坦度が損なわれることになる。
　経験上、ディスクの平坦度が１０μｍを超えると、磁気ヘッドの安定した低浮上走行（浮上量０．１５μｍ以下）が難しく、ヘッドクラッシュが発生するようになるが、Ｎｉ−Ｐ基板のＡ，Ｂ面のＮｉ−Ｐ合金層の膜厚差を
板厚０．８ｍｍ以下の
〔実施例〕
　第１図は、この発明の一実施例
および参考例
参考例
　外径９５ｍｍ，内径２５ｍｍ，板厚１．２７ｍｍのＡｌ板の両面に無電解めっき法で膜厚１３μｍのＮｉ−Ｐ合金層を形成し、このＮｉ−Ｐ合金層表面を膜厚が１１μｍとなるように鏡面研磨してＮｉ−Ｐ基板とする。このとき、Ａ１板の一面（Ａ面）とその対向面（Ｂ面）とのＮｉ−Ｐ合金層の研磨量を変えてＮｉ−Ｐ合金層のＡ，Ｂ面膜厚差およびＡ１板厚に対するＡ，Ｂ面膜厚差の比率（Ａ，Ｂ面膜厚差／板厚）×１００（％）とが第２表に示すようにそれぞれ異なるＮｉ−Ｐ基板を作製した。
　これらの基板上に、スパッタ法で、基板加熱温度を２００℃として、Ｃｒ層（膜厚１５００Å），Ｃｏ合金磁性層（膜厚４５０Å），Ｃ保護層（膜厚４００Å）を順次成膜積層し、さらにその上に液体潤滑剤を塗布して潤滑層を形成して、ディスクを作製した。
実施例
１
　
参考例
参考例
　このようにして得られた各ディスクの平坦度を調べた。その結果、Ｎｉ−Ｐ合金層の（Ａ，Ｂ面膜厚差／板厚）×１００（％）とディスクの平坦度との間には第２図の線図に示す関係が得られた。第２図において、実線はＡ１板厚１．２７ｍｍのディスク（
参考例
１
〔発明の効果〕
　この発明によれば、非磁性基板を構成する
板厚０．８ｍｍ以下の
　このような非磁性基板を用いて得られる薄膜磁気ディスクは平坦度が１０μｍ以下と良好であり、磁気ヘッドの安定した低浮上走行（浮上量０．１５μｍ以下）による高密度記録及び非磁性基板の板厚を薄くしての小型化に対応することができる。
【図面の簡単な説明】
　第１図はこの発明の一実施例
および参考例
　１……Ｎｉ−Ｐ基板、２……Ｃｒ層、３……磁性層、４……保護層、５……潤滑層、１１……Ａｌ合金板、１２……Ｎｉ−Ｐ合金層。