【事件の表示】
　特許第２６９８７５２号「薄膜形成用高純度チタン材、それを用いて形成されてなるターゲットおよび薄膜」の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結論】
　特許第２６９８７５２号の特許請求の範囲第１項ないし第４項に記載された発明についての特許を取り消す。
【理由】
１．手続きの経緯
　本件特許第２６９８７５２号は、平成５年１１月２９日に特許法第４４条の規定に基づく分割の適用を受けるべく出願され、平成９年９月１９日にその特許の設定登録がなされ、その後、村中祥世及び日立金属株式会社より特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内に異議意見書が提出されたものである。
２．本件特許発明
　本件特許の請求項１〜４に係る発明は、特許明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜４に記載された次のとおりのものと認める。
（１）．残留抵抗比ＲＲＲ２７３が４５以上であることを特徴とする薄膜形成用高純度チタン材。
（２）．残留抵抗比ＲＲＲ２７３が４５以上である高純度チタン材を用いて形成されてなることを特徴とするターゲット。
（３）．残留抵抗比ＲＲＲ２７３が４５以上である高純度チタン材を用いて形成されてなることを特徴とする薄膜。
（４）．薄膜がＬＳＩ，ＶＬＳＩまたはＵＬＳＩ用である請求項３に記載の薄膜。
３．「特許出願の分割」に関する判断
　本件特許は、特許法第４４条の特許出願の分割の規定に基づき、もとの特許出願の一部を新たな出願とする手続きに係るものであるが、その分割の適否について検討する。（以下、もとの特許出願を原出願という。）
　原出願（特願昭６１−１２３４６３号、昭和６１年５月３０日出願）の当初明細書は、特許法第１７条の２の規定による、審査請求時（昭和６３年４月２０日）の手続補正によって補正され、次の事項が新たに追加された。
　『「本発明の高純度Ｔｉの優れた特性を更に示すものとして、残留抵抗比ＲＲＲ２７３が挙げられる。」として、「残留抵抗比２７３の特性、作用について」説明が加えられ、「本発明ではこれらの関係についても試験を行い、本発明の高純度ＴｉがＲＲＲ２７３≧４５という優れた値を示すことを見出した。この関係を第２図に示す。」』
　上記経緯によれば、原出願の当初明細書には、高純度Ｔｉ材中の、次の８元素、即ち、酸素、鉄、ニッケル、クロム、ナトリウム、カリウム、ウラン、トリウムの各種不純物の上限値の規定は記載されていたが、残留抵抗比ＲＲＲに関する記載並びにＲＲＲ２７３が４５以上であることの記載は一切なされていなかったことになる。
　しかして、ここで新しく加入された残留抵抗比ＲＲＲという技術用語は、金属を低温に冷却すると熱振動による電気抵抗分が消えて本来ならば抵抗は零になるはずであるが、不純物による抵抗分としての残留抵抗値が残り、常温における抵抗値と残留抵抗値との比、即ち残留抵抗比ＲＲＲが金属の純度を表す尺度となり、この値が大きいほど金属の純度が高いことを意味することは原出願当時の技術水準に属し、当業者に広く知られた事項であると認めることはできる。
　しかしながら、Ｔｉ材料中の上記特定の不純物である８元素の各々の許容量の規定と、該８元素だけでなく材料中の全不純物の総量の程度を知ることができる残留抵抗比ＲＲＲの規定とは異なる技術的概念である。
　なるほど、原出願の当初明細書には、発明が解決しようとする問題点の項に、「Ｔｉ材中の各不純物は少ないほど配線材料としては好適である」、発明の効果の項に、「配線材料としてみた場合、忌避すべき不純物元素の含有量が非常に少ない」と記載されているから、当初明細書の記載によれば、高純度Ｔｉ材、ターゲット或いは薄膜中に含まれる不純物は少ないものであることは理解できるが、これを特定の不純物元素の各許容量とは異なる概念である、不純物総量の程度を残留抵抗比ＲＲＲを用いて表現するというだけでなく、ＲＲＲ２７３の値が４５以上という具体的な数値を用いた規定を設けることは、当業者にとって自明な事項とは言えず、異なる技術思想を新たに提示したものと認められる。
　してみれば、本件は、この新たなる技術思想を、原出願の出願後に補正により加入し、この加入事項を本件発明の構成に関する技術的事項としたものである。
　次に、特許法第４４条でいう出願の分割とは、二以上の発明を包含する特許出願の一部を新たな特許出願とすれば、新たな出願は原出願の時にしたものとみなされるものであり、これは、原出願の当初明細書に記載されている事項の一部を分割するからこそ、原出願の出願日まで新たな出願の出願日の遡及が認められるのである。
　したがって、分割による新たな出願に係る発明は、原出願の当初明細書に記載されていなければならないことは当然の道理であり、原出願の当初明細書に記載されていなかった技術的事項を、新たな出願に係る発明とすることは法の予定するところではないから、本件のように原出願の出願後の補正により新しく加入された技術事項を新たな特許出願の発明とすることは、分割出願として不適法なものであり、出願日の遡及は認められず、本件の出願日は、分割出願の手続きをした現実の出願日である平成５年１１月２９日と認める。
　なお、特許権者は、異議意見書において、上記審査請求時の補正は補正却下されていないのであるから適法に行われた補正であり、その内容は原出願日に遡及すると述べているが、この補正により新たに加入された時期と内容は、新規事項加入制限の規定がない時点のものであり、且つ、原出願の審査手続き中、特許請求の範囲に現れず、原出願の明細書の発明の詳細な説明の項に潜伏されていたから、補正却下されなかっただけのことで、原出願の特許請求の範囲に発明の構成として発現されれば、その時点で明細書の要旨を変更するものとして却下されるべきものである。
４．引用刊行物に記載の事項
　先の取消理由で引用した（日立金属の異議申立書第２頁第１行〜第５頁第４行、及び、村中祥世の異議申立書第６頁第１７行〜第８頁末行参照）刊行物１，２には、次の事項が記載されている。
　◆刊行物１（日立金属の甲第２号証）：
　　米国特許第４，８９１，０６６号明細書、
　　１９９０年（平成２年）１月２日発行、
　　刊行物１には、高純度チタンの発明に関して、「酸素が２００ｐｐｍ以下、Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃｒそれぞれの元素が３０ｐｐｍ以下、Ｎａ，Ｋそれぞれの元素が０．１ｐｐｍでなり、残留抵抗比２７３が４５以上である高純度Ｔｉ」（第５欄第２５〜第６欄第５行）、「しかしながら、９９％から９９．９％程度の純度である上述した一般プロセスで得られたチタン材は、６４Ｋビットのデバイス用のターゲットとして使用できるが、２５６Ｋビット、１Ｍビット、４Ｍビットのデバイスにおいては、配線材料としては適さない。」（第２欄第２２〜２７行）等記載され、
　◆刊行物２（村中祥世の甲第５号証）：
　　ＴＯＳＨＩＢＡ　ＲＥＶＩＥＷ　Ｎｏ．１６１　［Ｈｉｇｈ　Ｐｕｒｉｔｙ　Ｔｉ　Ｓｐｕｔｔｅｒ　Ｔａｒｇｅｔ　ｆｏｒ　ＶＬＳＩｓ］　Ｐ．３８−Ｐ．４１　１９８７年（昭和６２年）発行、
　　刊行物２には、ＶＬＳＩ用高純度Ｔｉスパッターターゲットに関して、「電気的特性」の欄に、純度を評価するために電気抵抗率の測定が有効であること、残留抵抗比ＲＲＲ３００を用いて純度を特定化できること等が説明され、図７に、ＴＳＢ４Ｎ−Ｔｉ及びＪＩＳ一級Ｔｉに関するＲＲＲ３００の結果が、そして、図８に、種々のＴｉ金属に関する酸素含有量とＲＲＲ３００との関係が示されている。
５．判断
　本件請求項１〜４に記載の発明は、残留抵抗比ＲＲＲ２７３が４５以上の薄膜形成用高純度Ｔｉ材と、これを用いたターゲット、並びに、高集積度素子用の薄膜であるが、これらは本件出願前頒布された刊行物１に記載されている。
　また、本件出願前頒布された刊行物２には、ＲＲＲ３００が８９に相当する、ＶＬＳＩ用のスパッターターゲット用高純度Ｔｉ材が示されているから、この記載に基づいて、本件発明のようにＲＲＲ２７３を４５以上と定めることは当業者が容易になし得るものと認められる。
６．むすび
　以上のとおり、本件請求項１〜４に記載の発明は、上記刊行物１に記載された発明であり、且つ、刊行物２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件請求項１〜４に係る特許は、特許法第２９条第１項第３号若しくは同第２９条第２項の規定に違反してなされたものである。
　したがって、本件請求項１〜４に係る特許は、特許法第１１３条第１項第２号に該当する。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１１年９月１日（１９９９．９．１）