【事件の表示】
　特許第２６２０５００号「磁気抵抗センサ及びその製造方法」の請求項１ないし４、７ないし８、１０に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結論】
　特許第２６２０５００号の請求項１ないし４、７ないし８、１０に係る特許を取り消す。
【理由】
Ｉ．本件発明
　特許第２６２０５００号の請求項１〜４、７、８、１０に係る発明は、特許明細書および図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜４、７、８、１０に記載された次の事項により特定されるものである。
　【請求項１】基板上に形成された磁気抵抗材料の層と、相互に離隔した複数の位置で上記磁気抵抗材料の層に電気的に結合された複数の電気伝導リード構造であって、各電気伝導リード構造が、磁気センサの露出面に延びる第１の伝導層、及び該第１の伝導層に電気的且つ物理的に結合する第２の伝導層を有し、該第２の伝導層が上記第１の伝導層上の、上記露出面から離隔した位置にあり、且つ上記第１の伝導層及び上記第２の伝導層の少なくとも一方が多層の伝導構造であるような上記複数の電気伝導リード構造とを有し、これによって信号出力手段が、１対の上記電気伝導リード構造間に結合されるとき、上記磁気抵抗材料の層によって捕捉される磁界に応答する該磁気抵抗材料中の抵抗変化を検知できる磁気抵抗センサ。
　【請求項２】上記複数の電気伝導リード構造が、上記磁気センサの中央活性領域によって分離された複数の端部領域の磁気抵抗材料の層の上方にのみ設けられたことを特徴とする請求項１記載の磁気抵抗センサ。
　【請求項３】上記磁気抵抗材料の層と上記第１の伝導層との間に電気的且つ物理的に結合する、長さ方向のバイアス層を更に有することを特徴とする請求項２記載の磁気センサ。
　【請求項４】上記長さ方向のバイアス層が上記端部領域のみに形成されることを特徴とする請求項３記載の磁気センサ。
　【請求項７】上記第２の伝導層が、銅、銀、金、アルミニウム、及び金ニッケル合金よりなる群から選択された材科の層を含むことを特徴とする請求項１記載の磁気センサ。
　【請求項８】上記第２の伝導層が、上記選択された材料の層上に、タンタル又はクロムの保護層を含むことを特徴とする請求項７記載の磁気センサ。
　【請求項１０】各々の多層の伝導リード構造の少なくとも１つの層が上記磁気抵抗センサの露出面から離隔した位置にある、複数の多層の伝導リード構造を有する磁気抵抗センサの製造方法であって、
磁気抵抗層を付着するステップと、
上記磁気抵抗センサの中央活性領域を覆う第１のステンシル・マスクを形成するステップと、
上記磁気抵抗センサの上記中央活性領域を画定するため、上記第１のステンシル・マスクによって覆われない上記磁気抵抗層の部分を除去するステップと、
長さ方向のバイアス層を得るために、上記第１のステンシル・マスクによって覆われない上記磁気抵抗センサの領域の上に磁性層を付着するステップと、
上記磁性層の上に電気伝導性の第１の伝導リード構造の層を付着する，ステップと、
上記中央活性領域によって分離された上記磁気抵抗センサの受動の端部領域を画定する上記第１のステンシル・マスクを除去し、磁性材料の長さ方向のバイアス層を得るようにし、その上に上記受動の端部領域における第１の伝導リード構造の層が設けられ、上記端部領域の上記磁性材料が上記磁気抵抗層の１つの端部との突き合わせ結合を形成するようにしたステップと、
上記磁気抵抗センサの上記中央活性領域と上記受動の端部領域の選択された部分とを覆うために第２のステンシル・マスクを形成するステップと、
上記第２のステンシル・マスクによって覆われない上記受動の端部領域の部分の上に、電気伝導材料の第２の伝導リード構造の層を付着させるステップと、
上記第１の伝導リード構造の層のそれぞれの上に、且つ上記磁気抵抗センサの露出面から離隔した位置に、上記第２の伝導リード構造の層を画定するため、上記第２のステンシル・マスクを除去するステップと、
を有する製造方法。
ＩＩ．引用刊行物記載の発明
　先の取消理由通知において引用した刊行物１（特開平４−３３０６号公報）には、
基板上に下部シールド膜、第１ギャップ層を積層し、続いて磁気抵抗効果膜を蒸着法で堆積し、磁気抵抗効果膜は通常のホトリソグラフィ技術により長方形状にパターニングし、その後磁気抵抗効果膜の表面をわずかにスパッタリングした後、Ｎｂを堆積した信号検出用電極を露出面に延びるように磁気抵抗効果膜の両端に形成し、信号検出用電極を形成後、磁気抵抗効果膜以外の信号検出用電極上に、信号検出用電極の電気抵抗が大きくなりすぎ、発熱、ノイズを防ぐためにＣｕ、Ｃｕ合金、Ａ１、Ａ１合金からなる低電気抵抗膜を形成することが、また信号検出用電極の間隔がトラック幅、すなわち信号磁界検知部となり、信号磁界に対する磁気抵抗効果膜の磁気抵抗の変化を、信号検出用電極間に一定直流電流を流しておくことにより検出すること、が記載され、またその第１及び２図等を参照すれば、基板上に形成された磁気抵抗効果膜の層と、磁気抵抗効果膜の上層で信号検知部の以外の端部に膜記録媒体との摺動面に露出する面に延びる信号検出用電極と、露出する面から離隔した位置の磁気抵抗効果膜以外の信号検出用電極上に低電気抵抗膜とからなる磁気抵抗効果型ヘッドも記載されている。
　同刊行物３（特開平３−１２５３１１号公報）には、
　基板上に軟磁性膜薄膜及び非磁性スペーサ層を含む横バイアス構造体を付着し、その上にＮｉＦｅなどのＭＲ（磁気抵抗）材料を付着するステップ、ＭＲ層の中央領域にフォトレジスト材料をパターン付けしてステンシルを形成するステップ、ステンシルに覆われてないＭＲ材料の薄膜、スペーサ層、軟磁性薄膜をスパッタ・エッチング、イオン・ミリング、化学的エッチングなどのサブトラクティブ工程を施してＭＲ層構造を形成し、ＭＲ層の各縁部を画定するステップ、ステンシルがバイアスの縁部を画定するときに硬磁性バイアス層用の材料を付着するステップ、同じステンシルを用いて導体層を付着して、導体リード線を形成するステップ、リフトオフ工程でステンシルを除去するステップ、からなる磁気抵抗（ＭＲ）センサの製造方法が記載されている。
　また、刊行物３には、従来例として、変換器の全体にわたって延びるＭＲ層を含み、ＭＲ層の端部領域上にのみ延びて縦方向バイアス・フィールドを発生する交換バイアス層、交換バイアス層上に設けられた導体、薄い非磁性スペーサ層によってＭＲ層から離隔された横方向バイアス・フィールドを発生させる軟磁性薄膜層とからなり、一対の導体の間の間隔によって画定される中心能動領域上で読み取り信号が感知される従来型のＭＲ読み取り変換器も記載されている。
ＩＩＩ．対比・判断
ＩＩＩ−１　請求項１に係る発明について
　ここで、請求項１に係る発明と刊行物１記載の発明とを対比する。刊行物１記載の、磁気抵抗効果膜、信号検出用電極、低電気抵抗膜は、それぞれ、本件請求項１に係る発明の、磁気抵抗材料の層、第１の伝導層、第２の伝導層に対応している。なお、刊行物１には、一対の伝導層間に結合されるときに磁気抵抗材料の層によって捕促される磁界に応答する磁気抵抗材料層の抵抗変化を検知できる信号出力手段は、明示されていないが、信号磁界に対する磁気抵抗効果膜の磁気抵抗の変化を、信号検出用電極間に一定直流電流を流しておくことにより検出することが記載されており、当然信号出力手段に相当するものが伝導層間に接続されているものと認められる。また刊行物１のものは、磁気抵抗効果型ヘッドであり、磁界を検出するものであるので、磁気抵抗センサもしくは磁気センサと認められる。そうすると、「基板上に形成された磁気抵抗材料の層と、相互に離隔した複数の位置で上記磁気抵抗材料の層に電気的に結合された複数の電気伝導リード構造であって、各電気伝導リード構造が、磁気センサの露出面に延びる第１の伝導層、及び該第１の伝導層に電気的且つ物理的に結合する第２の伝導層を有し、該第２の伝導層が上記第１の伝導層上の、上記露出面から離隔した位置にあり、これによって信号出力手段が、１対の上記電気伝導リード構造間に結合されるとき、上記磁気抵抗材料の層によって捕捉される磁界に応答する該磁気抵抗材料中の抵抗変化を検知できる磁気抵抗センサ」で、本件請求項１に係る発明と刊行物１に記載された発明は一致し、以下の点で相違する。
　本件請求項１に係る発明が、第１の伝導層及び第２の伝導層の少なくとも一方が多層の伝導構造であるように構成しているのに対し、刊行物１記載のものは、そのように構成されていない点。
　以下、上記相違点について検討する。
　伝導層を多層に形成することによる伝導部の断面積を増加させることが、伝導部全体の電気的抵抗を減らすことは、本件出願前周知な技術事項である。そもそも本件請求項１に係る発明も第１伝導層と第２伝導層の多層構造とし、上記周知の技術事項を応用して、伝導部全体としての抵抗を小さくするものであり、第１の伝導層及び第２の伝導層の少なくとも一方を多層の伝導構造として、さらに抵抗を小さくするようにすることは、上記周知の技術事項から容易になし得るものであり、上記周知の技術事項を刊行物１記載の発明に適用して本件請求項１に係る発明のように構成することは当業者が容易に推考し得るものである。
ＩＩＩ−２　請求項２に係る発明について
　請求項２に係る発明と刊行物１のものと対比する。請求項２に係る発明の中央活性領域は、「データの実際の検知が行われる」ところであり（特許明細書段落番号【００１６】参照）、刊行物１記載のものの信号磁界検知部に対応し、そうすると請求項２に係る発明と刊行物１のものとの相違点は、請求項１の係る発明と刊行物のものとの相違点と同じになる。したがって上記ＩＩＩ−１に記載した判断と同様な理由により、周知技術事項を刊行物１記載の発明に適用して本件請求項２に係る発明のように構成することは当業者が容易に推考し得るものである。
ＩＩＩ−３　請求項３に係る発明について
　請求項３に係る発明と刊行物１のものと対比すると、ＩＩＩ−１で記載した相違点（以下、相違点▲１▼という）及び下記の点で相違している。
　請求項３に係る発明が、磁気抵抗材料の層と上記第１の伝導層との間に電気的且つ物理的に結合する、長さ方向のバイアス層を更に有しているのに対し、刊行物１に記載されたものには、そのような構成が示されていない点（以下、相違点▲２▼という）。
　以下、上記相違点について検討する。
　相違点▲１▼：上記ＩＩＩ−１に記載した判断と同様である。
　相違点▲２▼：刊行物３の従来例には、磁気抵抗材料層と端部領域に設けられた伝導層との間に縦方向のバイアス層を有するＭＲ層読み取り変換器が記載されている。なお、刊行物３の従来例には横方向バイアスを与える軟磁性薄膜層が記載され、本件明細書にも横方向バイアスを与える軟磁性薄膜層及び磁気抵抗材料層と伝導層との間に長さ方向バイアスを与えるバイアス層が記載されていることからして、刊行物３に記載された「縦方向のバイアス」とは、請求項３に係る発明の「長さ方向のバイアス」に相当すると認められる。
　よって上記周知事項及び刊行物３記載の従来例の発明を刊行物１記載の発明に適用して本件請求項３に係る発明のように構成することは当業者が容易に推考し得るものである。
ＩＩＩ−４　請求項４に係る発明について
　請求項４に係る発明と刊行物１のものと対比する。刊行物１記載の信号検出用電極は、磁気抵抗効果膜の端部領域に設けられるものであり、そうすると請求項４に係る発明と刊行物１のものとの相違点は、請求項３に係る発明と刊行物１のものとの相違点と同じになる。したがって上記ＩＩＩ−３に記載した判断と同様な理由により、周知技術事項及び刊行物３記載の従来例の発明を刊行物１記載の発明に適用して本件請求項４に係る発明のように構成することは当業者が容易に推考し得るものである。
ＩＩＩ−５　請求項７に係る発明について
　請求項７に係る発明と刊行物１のものと対比すると、刊行物１には第２伝導層を銅、アルミニウムおよびその合金で構成することが記載されているので、上記ＩＩＩ−１で記載した相違点でのみ相違している。したがって上記ＩＩＩ−１に記載した判断と同様な理由により、周知技術事項を刊行物１記載の発明に適用して本件請求項７に係る発明のように構成することは当業者が容易に推考し得るものである。
ＩＩＩ−６　請求項８に係る発明について
　請求項８に係る発明と刊行物１のものと対比すると、ＩＩＩ−１で記載した相違点（以下、相違点▲１▼という）及び下記の点で相違している。
　請求項８に係る発明は、第２伝導層が、銅、銀、金、アルミニウム、及び金ニッケル合金よりなる群から選択された材科の層上に、タンタル又はクロムの保護層を含むように構成されているに対し、刊行物１記載のものはそのように構成されていない点（以下、相違点▲３▼という）。
　相違点▲１▼：上記ＩＩＩ−１に記載した判断と同様である。
　相違点▲３▼：磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、伝導層に銅を用いた場合にクロム層の保護層を設けるようにすることは、本件出願前周知な技術事項（例えば、特開平４−３３０５号公報、特開平４−１２３３０７号公報、等参照）であり、第２伝導層に上記周知技術事項の伝導層を用いるようにすることは、当業者が適宜なし得ることと認められる。
　よって、周知技術事項を刊行物１記載の発明に適用して本件請求項８に係る発明のように構成することは当業者が容易に推考し得るものである。
ＩＩＩ−７　請求項１０に係る発明について
　請求項１０に係る発明と刊行物３に記載されたものと対比すると、「伝導リード構造を有する磁気抵抗センサの製造方法であって、磁気抵抗層を付着するステップと、上記磁気抵抗センサの中央活性領域を覆うステンシル・マスクを形成するステップと、上記磁気抵抗センサの上記中央活性領域を画定するため、上記ステンシル・マスクによって覆われない上記磁気抵抗層の部分を除去するステップと、長さ方向のバイアス層を得るために、上記ステンシル・マスクによって覆われない上記磁気抵抗センサの領域の上に磁性層を付着するステップと、上記磁性層の上に電気伝導性の伝導リード構造の層を付着するステップと、上記中央活性領域によって分離された上記磁気抵抗センサの受動の端部領域を画定する上記ステンシル・マスクを除去し、磁性材料の長さ方向のバイアス層を得るようにし、その上に上記受動の端部領域における伝導リード構造の層が設けられ、上記端部領域の上記磁性材料が上記磁気抵抗層の１つの端部との突き合わせ結合を形成するようにしたステップ」からなる製造方法で一致し、以下の点で相違する。
請求項１０に係る発明は、上記磁気抵抗センサの上記中央活性領域と上記受動の端部領域の選択された部分とを覆うために第２のステンシル・マスクを形成するステップと、上記第２のステンシル・マスクによって覆われない上記受動の端部領域の部分の上に、電気伝導材料の第２の伝導リード構造の層を付着させるステップと、上記第１の伝導リード構造の層のそれぞれの上に、且つ上記磁気抵抗センサの露出面から離隔した位置に、上記第２の伝導リード構造の層を画定するため、上記第２のステンシル・マスクを除去するステップと、から構成されているのに対し、刊行物３にはそのような構成が記載されていない点。
　以下相違点について検討する。
　刊行物１には、信号検出用電極（請求項１０に係る発明の「第１の伝導リード層」に相当）を形成後、磁気抵抗効果膜（請求項１０に係る発明の「磁気抵抗層」に相当）上以外の信号検出用電極上に低電気抵抗膜（請求項１０に係る発明の「第２の伝導リード層」に対応）を形成することが記載されており、第１の伝導リード層形成後、磁気抵抗層上以外に第２の電気リード層を設けるさいに、刊行物３に記載されたような方法を応用して、すなわち選択された部分を覆うように第２のステンシルマスクを形成後、第２のステンシルマスクで覆われない部分の上に電気導電材料の第２の伝導リード構造の層を付着させ、第２のステンシル・マスクを除去して設けるようにすることは、当業者が適宜なし得ることと認められる。
　よって、刊行物３及び刊行物１記載のものから１本件請求項１０に係る発明のように構成することは当業者が容易に推考し得るものである。
ＩＶ．むすび
　したがって、本件発明についての特許は特許法第２９条第２項の規定により拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものと認める。
　よって、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の一部の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令２０５号）第４条第１項及び第２項の規定により、上記の通り決定する。
【異議決定日】
平成１１年３月８日（１９９９．３．８）