【事件の表示】
　特許第２６４３６９５号「ホウ素イオンの注入方法」の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結論】
　特許第２６４３６９５号の特許を取り消す。
【理由】
Ｉ．手続の経緯・本件発明
　特許第２６４３６９５号に係る発明についての出願は、平成３年１０月１１日に特許出願され、平成９年５月２日に特許の設定登録がなされた後、平成１０年２月２０日に特許異議申立人　日本真空技術株式会社（以下、「申立人」という。）により特許異議申立てがなされ、取消理由通知がなされ、それに対して意見書が提出されたものである。
　そして、その請求項１に係る発明は、特許請求の範囲に記載された次の事項により特定されるとおりのものである（以下、「本件発明」という。）
「質量分析することなく半導体基板へホウ素イオンを注入する方法において、前記ホウ素イオンの生成に、高周波放電によってプラズマを発生させる高周波放電型のイオン源を用い、かつこのイオン源に導入するイオン源ガスに、水素で希釈されたジボランを用い、それによって当該イオン源からＢ２ＨＸ＋（Ｘ＝１〜６）を優先的に引き出すことを特徴とするホウ素イオンの注入方法。」
ＩＩ．当審が通知した取消理由の概要
　当審において通知した取消理由の概要は、本件発明は、その出願前に頒布された刊行物である、「ＪＡＰＡＮＥＳＥ　ＪＯＵＲＮＡＬ　ＯＦ　ＡＰＰＬＴＥＤ　ＰＨＹＳＩＣＳ、Ｖｏｌ．２７、Ｎｏ．ＪＵＬＹ、１９８８、ｐｐ．Ｌ１３５５〜Ｌ１３５７」（本件特許異議申立ての甲第１号証。以下、「引用例」という。）に記載された発明であり、特許法第２９条第１項第３号の発明に該当するから、その特許は、特許法第２９条第１項の規定に違反してなされたものである、というものである。
ＩＩＩ．引用例の記載事項
　引用例には以下の事項が記載されている。
▲１▼「我々は低エネルギー広域イオンビームドーピングによるＳｉ基板への不純物のドーピングについて研究してきた。この技術において、ドーピングガスは外部容量結合形高周波電力及び磁場によって放電される。放電ガスから抽出されるイオンは、質量分析及びビーム走査することなく半導体に注入される。」（Ｌ１３５５左欄第１７〜２２行）
▲２▼「図１には、大型イオンドーピング装置の概略図を示す。この装置はガラス製のプラズマ室（直径４５０ｍｍ，高さ５００ｍｍ）と試料室とから成っている。プラズマ室の外側には一対の電極（１５０ｍｍ×４００ｍｍ）が取り付けられている。これらの電極は容量結合によりプラズマ室内へ高周波（１３．５６ＭＨｚ）電力を供給する。またプラズマ室の外側には軸方向磁場を供給する磁気コイルが設けられている。ガスは約１．０〜０．５×１０−３Ｔｏｒｒの圧力で放電される。プラズマ領域からメッシュ２を備えた開口（３７０ｍｍφ）へ拡散するイオンは、試料室内の試料ステージ（３２０ｍｍφ）とメッシュ２との間の電位差（Ｖｉ）によって加速され、試料に照射される。メッシュ１とメッシュ２との間のプラズマ電位はＶｉに等しい。それによりこれら電極のスパッタリングは生じない。」（Ｌ１３５５左欄第２９行〜右欄第３行）
▲３▼「ドーピングの一様性を確認するため、８〜１０Ωｃｍの抵抗率を持つｎ型シリコン＜１００＞ウエハの５つの部片にホウ素イオンがドーピングされた。我々はソースガスとして水素中０．５％のジボラン（Ｂ２Ｈ６）を使用した。イオンはビーム方向に垂直にセットされたＳｉに注入した。放電及びドーピング条件は次のとおりである。即ち、ガス圧は１ｍＴｏｒｒ、入力高周波電力７０Ｗ、磁場の強さ２０ガウス、Ｖｉｌ．５ｋＶ、イオン照射時間は２５分であった。これらの条件の下で我々はサンプル段階で１０μＡ／ｃｍ２のイオン電流密度を得た。図３は、二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ）で得られたホウ素原子（Ｂ）の深さのプロファイルを示す。実線はアニーリング前のプロファイルを示す。ホウ素の総投与量は、このＳＩＭＳプロファイルを積分して計算した結果３．１×１０１５ｃｍ−２であった。ホウ素原子の濃度は表面近く（深さ５ｎｍ）で３×１０２１ｃｍ−３であり、そして深さ１００ｎｍでは１０１６ｃｍ−３まで指数関数的に減少した。ホウ素原子のこの分布は、６ｎｍの投射飛程を有するアモルファスシリコン中への１．５ｋｅＶのＢ＋イオンについてのガウス分布と異なっている。この結果は、一部分は、＜１００＞方向に整列したイオンのチャンネリングが原因で生じたものと思われる。更に、表面近くにおける高ホウ素濃度はＢ＋以外の分解したＢ２Ｈ６のイオンによって生じるのかもしれないが、これについては更なる研究が必要である。図３において点線は、Ｎ２雰囲気下、９００℃で３０分間アニーリングした後の分布を示す。ホウ素原子は深さで２００ｎｍ以上シリコン中へ拡散される。不純物濃度が１０１５ｃｍ−３である接合深さは２３０ｎｍと決定された。」（Ｌ１３５６左欄第１３行〜右欄第２１行）
▲４▼「我々は質量分析なしの大面積（直径３７０ｍｍ）イオンドーピング装置を開発した。イオン電流密度は１０μＡ／ｃｍ２であり、また５つのシリコンウエハへのホウ素のドーピングの一様性はこの装置を用いた１．５ｋＶイオンドーピングで±３．４４％であった。」（Ｌ１３５７右欄第７〜１１行）
▲５▼大型イオンドーピング装置の概略図（Ｌ１３５５第１図）
▲６▼単結晶シリコンへ注入されたホウ素原子の深さ方向のプロファイル（Ｌ１３５６第３図）
ＩＶ．対比・判断
　本件発明と引用例記載の発明（以下、「引用発明」という。）とを対比すると、これらはいずれも質量分析することなく半導体基板へホウ素イオンを注入する方法に係るものであり、引用発明における「高周波電力を供給する一対の電極」によってプラズマが生成されるプラズマ室又はプラズマ室内のプラズマは、本件発明の「高周波放電型のイオン源」に相当し、引用発明において「ソースガスとして水素中０．５％のジボラン（Ｂ２Ｈ６）を使用」する点は、本件発明の「イオン源ガスに、水素で希釈されたジボランを用い」ることに相当するから、結局両者は、質量分析することなく半導体基板へホウ素イオンを注入する方法であって、ホウ素イオンの生成に、高周波放電によってプラズマを発生させる高周波放電型のイオン源を用い、このイオン源に導入するイオン源ガスに、水素で希釈されたジボランを用いるホウ素イオンの注入方法の構成の点で一致する。
　ところで、引用発明においては、プラズマ室の外側に軸方向磁場を供給する磁気コイルが設けられているが、この点については、当審が特許権者に対して平成１０年１２月１７日付け審尋書において、「本件発明は高周波放電型のイオン源として、磁場コイルを併用する高周波放電型のイオン源を使用する場合をも含むか」との審尋を行ったのに対し、特許権者は、平成１１年１月２９日付け回答書において、「本件発明は、高周波放電型のイオン源として、磁場コイルを併用する高周波放電型のイオン源を使用する場合をも含むものである。」と回答しているので、引用発明において磁気コイルを使用する点は本件発明との相違点ではないものとした。
　そうすると、本件発明と引用発明とは、前者が「イオン源からＢ２ＨＸ＋（Ｘ＝１〜６）を優先的に引き出す」という構成を備えているのに対して、引用例にはこの構成の点が明示されていない点において一応相違する。
　そこで、本件発明における上記の「イオン源からＢ２ＨＸ＋を優先的に引き出す」という構成がどのようなものであるかを検討するに、本件特許明細書中には次の記載がある。
　▲１▼「この発明のホウ素イオンの注入方法は、ホウ素イオンの生成に、高周波放電によってプラズマを発生させる高周波放電型のイオン源を用い、かつこのイオン源に導入するイオン源ガスに、水素で希釈されたジボランを用い、それによって当該イオン源からＢ２ＨＸ＋（Ｘ＝１〜６）を優先的に引き出すことを特徴とする。」（【０００６】）
▲２▼「種々の実験を行った結果、上記方法によれば、イオン源から引き出されるイオンにＢＨＸ＋は殆ど含まれておらず、大部分がＢ２ＨＸ＋の形をしていることが分かった。」（【０００７】）
▲３▼「これは次のような理由によるものと考えられる。即ち、電子を衝突させてジボランＢ２ＨＸ＋に分解するには、電子のエネルギーは比較的小さく済むのに対して、ＢＨＸ＋に分解するには大きなエネルギーを必要とする。従来のアーク放電によってプラズマを発生させるイオン源の場合は、アーク放電用の直流電圧がそのまま電子の加速エネルギーになるので電子のエネルギーが高くなり、従ってジボランをＢ２ＨＸ＋だけでなくＢＨＸ＋にまで分解してしまう。これに対して、高周波放電によってプラズマを発生させるイオン源の場合は、交番電界の周期が速すぎて電子はこれに十分追従できないので、電子は高周波電圧相当のエネルギーにまで加速されることはなく、それよりも小さいエネルギーにしかならない。従ってジボランをＢＨＸ＋にまで分解するエネルギーはなく、大部分がＢ２ＨＸ＋への分解となる。」（【０００８】）
　上記に摘示した記載によると、イオン源からＢ２ＨＸ＋（Ｘ＝１〜６）を優先的に引き出すための具体的手段とは、「高周波放電によってプラズマを発生させる高周波放電型のイオン源を用い、かつこのイオン源に導入するイオン源ガスに、水素で希釈されたジボランを用いる」ことであるとするのが相当である。
　また、明細書の他の記載を参照しても、「イオン源からＢ２ＨＸ＋を優先的に引き出す」という構成に対応する手段が、上記の「高周波放電によってプラズマを　発生させる高周波放電型のイオン源を用い、かつこのイオン源に導入するイオン源ガスに、水素で希釈されたジボランを用いる」という手段とは異なる別異の操作として開示されているものとは認められない。
　そうすると、本件発明における、「イオン源からＢ２ＨＸ＋を優先的に引き出す」という構成は、「高周波放電によってプラズマを発生させる高周波放電型のイオン源を用い、かつこのイオン源に導入するイオン源ガスに、水素で希釈されたジボランを用いる」という構成を採用することによって得られた作用・効果を構成としたものというべきであり、この構成の点は引用発明との実質的な相違点とはならない。
　上記のとおりであるから、本件発明は引用発明実質的に同一のものであるとせざるを得ない。
Ｖ．むすび
　以上のとおりであるから、本件発明は引用例に記載された発明であって、特許法第２９条第１項第３号規定する発明に該当し、本件特許は、特許法第１１３第２号に該当し、取り消されるべきものである。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１１年４月２２日（１９９９．４．２２）