【事件の表示】
　特許第２７９２５３２号「半導体装置の製造方法及び半導体ウエハー」の特許に対する特許異議の申立てについて、　次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第２７９２５３２号の特許を維持する。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯
　本件特許第2792532号の請求項１〜５に係る発明は、平成６年９月30日に特許出願され、平成10年６月19日にその特許の設定登録がなされ、その後、佐藤勝明及び池田英治により特許異議の申立てがなされ、当審より取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成11年12月20日に訂正請求がなされたものである。
　
II．訂正の適否
 １．訂正の内容
 訂正ａ：
　(1)請求項１の「複数の配線を形成する工程と、」の後に「前記配線上にメッキ層を形成する工程と、」の語句を挿入し、又、「個々の半導体チップに分割する工程とを含む」の記載を「個々の半導体チップに分割する工程とを含み前記配線上に直接には前記カバーコート膜が形成されないことを特徴とする」なる記載に変更する。
　(2)明細書【0027】【課題を解決するための手段】の記載に対して、上記(1)と同一内容の訂正を行う。
 訂正ｂ：
　(1)請求項５の「延在する複数の配線と、前記配線」の後に「全面に設けたメッキ層と、前記メッキ層」の語句を挿入する。
　(2)明細書【0029】の記載に対して、上記(1)と同一内容の訂正を行う。
 ２．訂正の目的の適否、新規事項の有無および拡張・変更の存否
　上記訂正ａ(1)、ｂ(1)は、特許請求の範囲の減縮に該当し、また、訂正ａ(2)、ｂ(2)は、明細書の記載を訂正ａ(1)、ｂ(1)の訂正内容と整合させようとするものであるから、明りょうでない記載の釈明に該当する。また、いずれの訂正も、願書に添付した明細書の記載事項の範囲内であり、且つ、特許請求の範囲を実質上拡張ないし変更するものでもない。
 ３．独立特許要件の判断
　訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１〜５に記載された発明は、後記「III．特許異議申立てについて」において説示するように、特許出願の際独立して特許を受けることができないとする理由を見出せない。
 ４．むすび
　よって、上記訂正は、特許法第120条の４第２項但書及び同条第３項により準用する同法第126条第２〜４項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
III．特許異議申立てについて
 １．申立ての理由の概要
　特許異議申立人佐藤勝明は、証拠方法として下記甲第１〜３号証を提出し、又、特許異議申立人池田英治は、証拠方法として下記甲第１、２号証を提出し、いずれも、本件請求項１〜５に係る発明は、それぞれが提出した甲号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件請求項１〜５に係る特許は、特許法第29条第２項の規定に違反してなされたものであり、取り消されるべきである旨主張している。
（なお、当審で通知した取消理由も、上と同旨のものである。）
                    　　　　　記
〈佐藤勝明提出〉
　甲第１号証：特開平5-218042号公報
　甲第２号証：IEEE MULTI-CHIP MODULE CONFERENCE MCMC-94, March 15　　　　　　　-17, 1994, p.64-66
　甲第３号証：特開平1-173733号公報
〈池田英治提出〉
　甲第１号証：実願昭62-150142号（実開昭64-57643）のマイクロフィルム
　甲第２号証：特開平1-196856号公報
（以下、区別のため、上記池田英治提出の甲第１号証、甲第２号証を、それぞれ「甲第４号証」、「甲第５号証」と言う。） 
 ２．本件発明
　本件発明１〜５は、訂正明細書及び図面の記載からみて、それぞれ、その特許請求の範囲の請求項１〜５に記載された次のとおりのものと認める。
　「【請求項１】ウエハー上で、各々が外周縁部に複数の電極パッドを備え、かつ前記複数の電極パッドを除く前記ウエハー全面がパッシベーション膜で覆われた、複数の半導体チップ領域を形成する工程と、前記ウエハー上で、前記複数の半導体チップ領域の各々に対して、一端がそれぞれ前記複数の電極パッドに接続し、半導体チップ領域の内部に延在するように複数の配線を形成する工程と、前記配線上にメッキ層を形成する工程と、前記ウエハー全面をカバーコート膜で覆う工程と、前記カバーコート膜に格子状に複数の開口部をそれぞれ形成する工程と、前記複数の開口部にそれぞれバンプを形成する工程と、前記ウエハー上に形成された前記複数の半導体チップ領域をスクライブラインに沿って個々の半導体チップに分割する工程とを含み前記配線上に直接には前記カバーコート膜が形成されないことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】前記半導体チップ領域の内部に延在される配線が前記複数の開口部において露出されるように形成されている請求項1記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】前記バンプが前記スクライブラインを避けて形成されている請求項1記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】前記バンプは前記電極パッドを避けて形成されている請求項1記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】複数の半導体チップを有する半導体ウエハーにおいて、前記半導体チップの外周縁部に配置した複数の電極パッドと、前記複数の電極パッドで開口したパッシベーション膜と、一端がそれぞれ前記複数の電極パッドに接続されると共に前記パッシベーション膜上の半導体チップ領域内部に延在する複数の配線と、前記配線全面に設けたメッキ層と、前記メッキ層を覆うようにウエハー全面に形成したカバーコート膜と、前記配線のそれぞれと重なる箇所であって前記半導体チップ領域内部に格子状に配置され前記半導体チップ間のスクライブラインを除いて形成した前記カバーコート膜の開□部と、前記開口部において前記配線と接続するように形成したバンプ電極とを有することを特徴とする半導体ウエハ一。」（以下、それぞれ、「本件発明１」〜「本件発明５」という。）
 ３．甲各号証に記載の事項
〈甲第１号証〉
  イ．配線が単層の例につき、
　 半導体基板９の半導体素子領域9aの外側に第１のボンディングパッド８が配置され、該半導体基板９上に該第１のボンディングパッド８面を開口・露出させてパッシベーション膜14が形成され、その上の絶縁層10a、10b間に、一端が第１のボンディングパッド８に接続し、半導体素子領域9aの内部に延在する配線12が形成され、ボンディングパッド８上に電極バンプ13が形成された半導体装置。（図１，【0011】）
　ロ．配線が多層の例につき、
　 半導体基板９'上に上記イの如き態様で第１、第２の絶縁層10a、10bとその間の第１の配線12を形成した後、その上に第２の配線12'及び第３の絶縁層10cを順に形成し、該第３の絶縁層10cに第２の配線12'の一端を露出する開口を形成した後、全面にＣu/Ｔi層15を形成し、該開口位置のＣu/Ｔi層15上にレジスト層16を利用して電極バンプ13を形成した後、レジスト層16の除去と該電極バンプ13形成部位以外のＣu/Ｔi層15のエッチング除去を行うこと。（図２〜12，【0014】〜【0025】）
〈甲第２号証〉
　ハ．半田バンプを、チップ上の絶縁層間に配置され、一端がチップ外周部のワイヤボンドパッドに接続する配線の、チップ内側に延びた端部上に設けること。（Figure１）
〈甲第３号証〉
  ニ．ウエハーを、バンプ形成後に、各チップ単位にダイシングすること。（第１図，第３図，実施例）
〈甲第４号証〉
　ホ．接続バンプ20を、半導体チップ10上の絶縁膜４と保護膜７間に配置された接続バンプ用接続膜５の、集積回路の接続用接続膜３よりチップ内側に延びた端部上に設けること。（第２図，第３図）
〈甲第５号証〉
　ヘ．半導体ウエハー１を、バンプ12形成後に、各チップ単位にダイシングすること。（５頁左上欄1〜8行）
 ４．対比・判断　 
　本件発明１〜４は、上記III．２での認定から明らかなように、半導体装置の製造方法において、
　一端がそれぞれウエハー上の各半導体チップ領域外周縁部の複数の電極パッドに接続され、半導体チップ領域の内部に延在する配線上に、メッキ層を形成する工程を有し、且つ、該配線上に直接にはウエハー全面を覆うカバーコート膜が形成されないこと（以下、「構成Ａ」という。）、
を構成要件の一として含み、
　また、同様に、本件発明５は、半導体ウエハーにおいて、
  一端がそれぞれウエハー上の各半導体チップ領域外周縁部の複数の電極パッドに接続され、半導体チップ領域の内部に延在する配線上に、メッキ層が形成され、且つ、該メッキ層を覆うようにウエハー全面にカバーコート膜が形成されること（以下、「構成Ｂ」という。）、
を構成要件の一として含む。
　これに対し、上記III．３．イ〜ヘで認定したとおり、甲第１、２、４号証には、半導体チップ上での配線及びバンプの形成ないし配置について、また、甲第３、５号証には、半導体ウエハーのダイシングについて、それぞれ記載されているが、いずれの甲号証にも、上記構成Ａないし構成Ｂについては記載されておらず、また、示唆するところもない。
　そして、本件発明１〜５は、かかる構成ＡないしＢの存在により、半田接続部の信頼性を確保し、かつ半導体チップと実装基板との熱膨張差によって発生する熱応力を吸収し得るという明細書記載の効果（段落【0034】参照）を奏すると共に、客観的にみて、甲第１、２、４号証に記載されているような、バンプ形成後に導電層を除去するという如き工程を要しない、という効果をも奏することが明らかである。
  したがって、本件発明１〜５は、甲第１〜５号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものということはできない。
 ５．むすび
  以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては（従って又、当審が通知した取消理由及び証拠によっても）、本件発明１〜５に係る特許を取り消すことはできない。
  また、他に本件特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年２月１７日（２０００．２．１７）
【訂正の要旨】
　訂正の要旨
　特許第２７９２５３２号発明の明細書を、特許請求の範囲の減縮及び明りょうでない記載の釈明を目的として、訂正請求書に添付された訂正明細書のとおり訂正する。
　すなわち、
訂正ａ：
　（１）請求項１の「複数の配線を形成する工程と、」の後に「前記配線上にメッキ層を形成する工程と、」の語句を挿入し、又、「個々の半導体チップに分割する工程とを含む」の記載を「個々の半導体チップに分割する工程とを含み前記配線上に直接には前記カバーコート膜が形成されないことを特徴とする」なる記載に変更する。
　（２）明細書【００２７】【課題を解決するための手段】の記載に対して、上記（１）と同一内容の訂正を行う。
訂正ｂ：
　（１）請求項５の「延在する複数の配線と、前記配線」の後に「全面に設けたメッキ層と、前記メッキ層」の語句を挿入する。
　（２）明細書【００２９】の記載に対して、上記（１）と同一内容の訂正を行う。
（５４）【発明の名称】
半導体装置の製造方法及び半導体ウエハー
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　ウエハー上で、各々が外周縁部に複数の電極パッドを備え、かつ前記複数の電極パッドを除く前記ウエハー全面がパッシベーション膜で覆われた、複数の半導体チップ領域を形成する工程と、前記ウエハー上で、前記複数の半導体チップ領域の各々に対して、一端がそれぞれ前記複数の電極パッドに接続し、半導体チップ領域の内部に延在するように複数の配線を形成する工程と、
前記配線上にメッキ層を形成する工程と、
前記配線上に直接には前記カバーコート膜が形成されないことを
　【請求項２】　前記半導体チップ領域の内部に延在される配線が前記複数の開口部において露出されるように形成されている請求項１記載の半導体装置の製造方法。
　【請求項３】　前記バンプが前記スクライブラインを避けて形成されている請求項１記載の半導体装置の製造方法。
　【請求項４】　前記バンプは前記電極パッドを避けて形成されている請求項１記載の半導体装置の製造方法。
　【請求項５】　複数の半導体チップを有する半導体ウエハーにおいて、前記半導体チップの外周縁部に配置した複数の電極パッドと、前記複数の電極パッドで開口したパッシベーション膜と、一端がそれぞれ前記複数の電極パッドに接続されると共に前記パッシベーション膜上の半導体チップ領域内部に延在する複数の配線と、
前記配線全面に設けたメッキ層と、前記メッキ層を
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造方法に関し、特に高密度実装に適した半導体装置の製造方法に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】半導体パッケージは、小型軽量化、高速化、高機能化という電子機器の要求に対応する為に、新しい形態が次々に開発されている。半導体チップ（以下、単にチップとも呼ぶ）の高集積化による多ピン化と、装置の小型・薄型化の要求は厳しくなり、その両立にはファインピッチ化が避けられない。よって、狭ピッチ化が可能なインナーリード接続とピッチを拡大できるエリアアレイ接続は必要不可欠な技術になることは間違いないと思われる。
　【０００３】現在、チップとリードとの電気的接続、いわゆるインナーリード接続（ＩＬＢ）には主にワイヤボンディング（ｗｉｒｅ　ｂｏｎｄｉｎｇ）方式が用いられている。ここで、ワイヤボンディング方式とは、チップ上のボンディングパッドとパッケージのリードとの接続間を２０〜３０μｍ径の細線により結線することをいう。ワイヤボンディング方式には熱圧着法（ｔｈｅｒｍｏ　ｃｏｍｐｒｅｓｓｉｏｎ　ｂｏｎ　ｄｉｎｇ）と超音波ボンディング法（ｕｌｔｒａｓｏｎｉｃ　ｂｏｎｄｉｎｇ）およびこれら両者の特徴を取り入れた超音波熱圧着法がある。
　【０００４】しかしながら、多ピン化に伴い、パッドピッチが狭くなり、接続が困難になってきた為、ワイヤボンディング方式の代わりにワイヤレスボンディング（ｗｉ　ｒｅｌｅｓｓ　ｂｏｎｄｉｎｇ）方式が注目されている。ワイヤレスボンディング方式とは、チップ上の全電極パッド（以下、単にパッドとも呼ぶ）と特定のバンブ（ｂｕｍｐ）や金属リードによりパッケージ上の端子に一度にボンディングする方法であり、ギャングボンディング（ｇａｎｇ　ｂｏｎｄｉｎｇ）とも呼ばれる。ワイヤレスボンディング方式には、ＴＡＢ（ｔａｐｅ　ａｕｔｏｍａｔｅｄ　ｂｏｎｄｉｎｇ）方式やフリップチップ（ｆｌｉｐ　ｃｈｉｐ）方式がある。
　【０００５】ＴＡＢ方式では、絶縁フィルム上にエッチングして作った金属箔のインナーリンドをチップの電極パッド上に形成されたバンプとボンディングする。この為、薄型・小型実装化に対してもメリットがある。ＴＡＢ方式はテープキャリア方式とも呼ばれる。一方、フリップチップ方式は、チップの能動素子面に半田バンプを形成し、チップを裏返して基板に直接接続する方式である。その為、多ピン・狭ピッチ化に対応でき、接続配線長が極めて短い為、高速化や低ノイズ化にも有利である。
　【０００６】とにかく、ＴＡＢ方式やフリップチップ方式のいずれの方式にしても、チップとフィルム（パッケージ）との電気的に接続に、それらの間に設けれたのバンプを使用している。このような方式は、例えば、特開平５−１２９３６６号公報や特開平６−７７２９３号公報に開示されている。
　【０００７】また、本願出願人は、ワイヤレスボンディング方式の一種ではあるが、半導体チップとキャリアフィルムとを電気的に接続する新方式を提案している（平成６年５月２５日出願、特願平６−１１０８５７号、発明の名称「フレキシブルフィルム及びこれを有する半導体装置」。この新方式では、チップとキャリアフィルムとの電気的接続にバンプを使用せず、バンプをキャリアフィルムのチップが搭載されない側の面に形成している。
　【０００８】以下、図３を参照して、上記特願平６−１１０８５７号に開示された、半導体ベアチップとキャリアフィルムとを組立工程で電気的に接続して、フィルムキャリア半導体装置を製造する従来の製造方法について説明する。
　【０００９】まず、図３（Ａ）に示すように、フィルムキャリア半導体装置を構成するのに必要な部材は、半導体ベアチップ１０とキャリアフィルム２０と接着フィルム３０である。
　【００１０】キャリアフィルム２０は、ポリイミド系有機絶縁フィルム２１を有する。この絶縁フィルム２１の一主面には、半導体ベアチップ１０への接続部を有する配線層２２が形成されている。また、絶縁フィルム２１には、スルーホールが開孔しており、このスルーホールの一端は配線層２２の接続部とは異なる部分に接し、他端は絶縁フィルム２１の裏面に到達している。スルーホールは導電極２３で埋められている。絶縁フィルム２１の配線層２２の接続部に対応する部分に開孔部が設けられ、この開孔部に充填物２４が挿入されている。尚、キャリアフィルム２０の詳細な構造及びその製造方法については、上記特願平６−１１０８５７号を参照されたい。
　【００１１】接着フィルム３０チップサイズより小さく切断されており、その厚さは数十μｍ程度である。
　【００１２】半導体ベアチップ１０は、図４に示すように、周知のウエハー製造技術によりウエハー４０上に形成された多数のチップ領域をスクライブライン１３に沿ってダイシング（ｄｉｃｉｎｇ）により個々のチップに分割したものである。一般に、このダイシングはダイシングソー（ｄｉｃｉｎｇ　ｓａｗ）方式によって行われる。図示の半導体ベアチップ１０では、電極パッド１１がチップ外周縁部に設置されているが、活性領域に配置されていても良い。電極パッド１１を形成する金属としては一般的にアルミニウム系合金が使用される。また、半導体ベアチップ１０の表面に形成されているパッシベーション膜１２としては、ポリイミド、窒化ケイ素膜、酸化ケイ素膜等が使用される。
　【００１３】図３（Ｂ）に移って、上記切断済み接着フィルム３０を半導体ベアチップ１０上に精度良く位置決めしてセッティングする。尚、接着フィルム３０として熱可塑性樹脂を用いる場合、接着フィルム３０が溶融する温度まで半導体ベアチップ１０側から接着フィルム３０を加熱することで仮に固定できる。この時、ボイドがトラップされないように、接着フィルム３０を設置、加熱する必要がある。
　【００１４】図３（Ｃ）に移って、ＴＡＢ方式による接続で用いられるシングルポイントボンダーを流用し、キャリアフィルム２０と接着フィルム３０が仮固定された半導体ベアチップ１０とを位置合わせした後、インナーリード接続する。この接合は、半導体ベアチップ１０の電極パッド１１を構成するアルミニウムとキャリアフィルム２０の配線層２２を構成する銅の合金化によって強固なものとなる。
　【００１５】次に、図３（Ｄ）に移って、キャリアフィルム２０と半導体ベアチップ１０とをそれらの間に接着フィルム３０を挟んで貼り合わせる為に、キャリアフィルム２０側或いは半導体ベアチップ１０側から加熱、加圧を数秒間行う。そのことによって、キャリアフィルム３０と半導体ベアチップ１０とは接着する。
　【００１６】ところで、キャリアフィルム２０と半導体ベアチップ１０との接着は、図３（Ｂ）〜（Ｄ）に示した方法に限定されない。例えば、接着フィルム３０はキャリアフィルム２０側にセッティングしても構わない。また、キャリアフィルム２０と半導体ベアチップ１０とをそれらの間に接着フィルム３０を挟んで位置精度よく貼り合わせた後に、インナーリード接続しても良い。また、予めウエハー状態で接着層をチップ表面に形成しておいても構わない。
　【００１７】次に、図３（Ｅ）では、選別用パッド２５を利用して通常のテープキャリヤパッケージ（ＴＣＰ）と同様の方法で、電気選別・ＢＴを実施する。キャリアフィルム２０の外形や寸法等、ＥＩＡＪに準拠するよう設計することで、ソケット、ボール等の選別治具は共有化することができる。
　【００１８】図３（Ｆ）に移って、チップ裏面にレーザー捺印で品名表示後、金型を用い外形切断する。切りしろを考慮に入れ、通常、片端１００μｍ程度づつやや大きめに切断するが、ダイシングソーやレーザー等により高精度に切断することも可能である。
　【００１９】最後に、図４（Ｇ）に移って、キャリアフィルム２０の基板対応面に同一ピッチで格子状に配置された外部接続用パッドに半田バンプ２６を形成する。この半田バンプ２６の形成方法は、例えば、特開昭４９−５２９７３号公報に開示された方法を使用できる。すなわち、半田から成るワイヤをワイヤボンディング法を使用してボールを形成し、ボールをパッド上に接合後、ボールのみを残してワイヤを切断する。以上のような工程を経て、フィルムキャリア半導体装置が完成する。
　【００２０】ところで、半導体装置にも種々の種類があるが、その中でもメモリや液晶ドライバは大量生産に向いている。このような品種に適用していくことを考えた場合、上述したような、半導体ベアチップ１０とキャリアフィルム２０とを組立工程で電気的に接続する製法では、半導体装置を大量に生産することは困難である。そのため、半導体装置の大量生産には、ウエハー上で処理するバッチ式が有効と考えられる。
　【００２１】このようなウエハー４０上でバンプを形成するバッチ式が知られている。この方法はＩＢＭによって開発された技術で、Ｃ４技術と呼ばれており、Ａｌ電極パッド（チップ電極）にバリヤメタルを形成し、半田バンプを蒸着して形成する方法である。
　【００２２】
　【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ウエハー上にバンプを形成するとしても、半導体チップ１０の電極パッド１１はチップ周辺縁部に配置されるので、ウエハー上のバンプも必然的にチップの電極パッドにそろえて各パッド上に形成されることになる。一方、チップの電極パッドをチップ全面に配置することも考えられるが、そのためにはパッドを全面に配置できるような多層電極構造を採用しなければならない。この構造は製造が困難であるとともに、表面の平坦性にも大きな影響を及ぼし、得策ではない。さらに、チップサイズのシュリンク化、多ピン化を両立させようとすると、電極パッドの狭ピッチ化が進んでくるので、半田バンプを電極パッドに対応した位置に形成したり実装することは実際上困難になってきており、かつこれを多層構造で解決しようとしても上述のとおり製造困難におちいるのは明白である。
　【００２３】一方、上述した半導体ベアチップ１０とキャリアフィルム２０とをチップ分割後の組立工程で電気的に接続する製法では、半導体ベアチップ１０とキャリアフィルム２０との間の接合部に信頼性の点で問題がある。また、半導体ベアチップ１０とキャリアフィルム２０との界面の密着にも問題が起こる虞があった。
　【００２４】したがって本発明の目的は、電極パッドとは異なる位置にバンプを有する半導体装置を大量に製造できる方法を提供することにある。
　【００２５】本発明の他の目的は、耐Ｔ／Ｃ性が良好な半導体装置を製造する方法を提供することにある。
　【００２６】本発明の更に他の目的は、耐湿性が良好な半導体装置を製造する方法を提供することにある。
　【００２７】
　【課題を解決するための手段】本発明によれば、ウエハー上で、各々が外周縁部に複数の電極パッドを備え、かつ前記複数の電極パッドを除く前記ウエハー全面がパッシベーション膜で覆われた、複数の半導体チップ領域を形成する工程と、前記ウエハー上で、前記複数の半導体チップ領域の各々に対して、一端がそれぞれ前記複数の電極パッドに接続し、半導体チップ領域の内部に延在するように複数の配線を形成する工程と、
前記配線上にメッキ層を形成する工程と、
前記配線上に直接には前記カバーコート膜が形成されないことを
　【００２８】上記半導体装置の製造方法において、半導体チップ領域の内部に延在される配線が複数の開口部において露出されるように形成されていることが好ましい。また、バンプがスクライブラインを避けて形成されていることが望ましい。さらに、バンプは電極パッドを避けて形成されていることが好ましい。
　【００２９】また、本発明によれば、複数の半導体チップを有する半導体ウエハーにおいて、前記半導体チップの外周縁部に配置した複数の電極パッドと、前記複数の電極パッドで開口したパッシベーション膜と、一端がそれぞれ前記複数の電極パッドに接続されると共に前記パッシベーション膜上の半導体チップ領域内部に延在する複数の配線と、
前記配線全面に設けたメッキ層と、前記メッキ層を
　【００３０】
　【実施例】以下、本発明について図面を参照して説明する。
　【００３１】図１に本発明の一実施例による半導体装置の製造方法を示す。まず、図１（Ａ）に示すように、周知のウエハー製造工程によって、ウエハー４０上に複数の半導体チップ領域を形成する。複数の半導体チップ領域の各々は外周縁部に複数の電極パッド１１を備えている。
　【００３２】次に、図１（Ｂ）に移って、ウエハー４０上をスピンコートでパッシベーション膜１２で覆う。このパッシベーション膜１２の厚さは２０μｍ以下である。次に、周知の露光、エッチングにより、複数の電極パッド１１を開口する。これにより、複数の電極パッド１１を除くウエハー４０全面がパッシベーション膜１２で覆われる。これは、図４に示したウエハー４０であり、前述したように、従来においては、このウエハー４０に形成された複数の半導体チップ領域をスクライブライン１３に沿ってダイシングにより個々の半導体ベアチップに分割している。本発明では、この状態ではまだダイシングを行わない。
　【００３３】図１（Ｃ）に移って、ウエハー４０上で、複数の半導体チップ領域の各々に対して、一端がそれぞれ複数の電極パッド１１に接続し、半導体チップ領域の内部に延在するように複数のＡｌ配線１４を形成する。このＡｌ配線１４の形成は、マスクを利用し、スパッタなどの薄膜形成技術により行う。Ａｌ配線１４の厚さは１μｍ以下である。
　【００３４】図１（Ｄ）に移って、Ａｌ配線１４上にＮｉメッキ１５を施す。Ｎｉメッキ１５の代わりに、半田のバリヤメタルになり得る金属、例えば、Ｃｕメッキを使用してもよい。このＮｉメッキ１５の厚さは、半田接続部の信頼性を確保し、かつチップと実装基板との熱膨脹差によって発生する熱応力を吸収する為に、最低でも５μｍ程度の厚みが必要である。本例では、Ｎｉメッキ１５の厚さを１０μｍ程度としている。
　【００３５】図１（Ｅ）に移って、ウエハー４０全面をカバーコート膜１６で覆う。このカバーコート膜１６としては、例えばポリイミドが使用され、その厚さは２０μｍ以下である。引き続いて、カバーコート膜１６に、後述する半田バンプを形成する箇所に格子状に複数の開口部１７を形成する。この開口部１７の形成はエッチングやレーザ加工により行う。この開口部１７でＮｉメッキ１５の表面が露出する。この露出したＮｉメッキ１５の表面にＡｕメッキ処理を施す。これは、後述する半田バンプ形成時の不良率を抑えるためである。
　【００３６】図１（Ｆ）に移って、複数の開口部１７にそれぞれ複数の半田バンプ１８を形成する。半田バンプ（バンプ電極）１８の高さは１００μｍ程度である。この半田バンプ１８は、例えば以下のような方法で形成できる。先ず、半田リボンをダイスとポンチの組み合わせで打ち抜くことによって半田片を形成する。次に、半田片をフラックス等の粘着物で開口部１７に固着する。最後に、熱処理及びフラックス洗浄することで半田バンプ１８を形成する。
　【００３７】図２にこの状態のウエハー４０を示す。図２に示されるように、各半導体チップ間のスクライブライン１３を除くウエハー４０全面に格子状のバンプ電極１８が形成されている。半導体チップ領域の内部に延在されるＡｌ配線１４が複数の開口部１７を通るように配設されている。バンプ電極１８はスクライブライン１３を避けて形成されている。さらに、バンプ電極１８は電極パッド１１を避けて形成されている。
　【００３８】最後に、図１（Ｇ）に移って、ウエハー４０上に形成された複数の半導体チップ領域をスクライブライン１３に沿ってダイシングにより個々の半導体チップ１０に分割する。
　【００３９】図４に示す従来のウエハーでは電極パッド１１のピッチが０．１ｍｍ程度である。これに対して、図２に示すウエハーではバンプ電極１８のピッチを０．５ｍｍ程度にまで広げることができる。したがって、図１（Ｆ）の半田バンプ１８を形成する際、バンプ電極同士のショート不良を激減できる。また、実装基板上に実装する場合の実装歩留まりも向上する。更に、標準化もし易いという利点がある。また、半田バンプ１８とＮｉメッキ１５との結合強度も高い。
　【００４０】以上、本発明を実施例によって説明したが、本発明は上記実施例に限定せず、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内で種々の変形・変更をしても良いのは勿論である。例えば、バンプとして半田バンプの代わりにＡｕバンプを使用しても良い。この場合には、Ｎｉメッキ１５を施す工程やＡｕメッキ処理を省くことができる。
　【００４１】
　【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、ウエハー上で各半導体チップ領域に外周縁部に形成されている電極パッドを内側に引き回し、格子状にバンプ電極を再配列したので、大量に半導体装置を生産することができる。また、従来のチップ製造工程の延長であるので、新規投資が不要である。さらに、従来のような半導体ベアチップとキャリアフィルムとの接合部での信頼性上の不安がなく、耐Ｔ／Ｃ性が良好である。また、各界面の密着性が高いので、耐湿性も良好である。
【図面の簡単な説明】
　【図１】本発明の一実施例による半導体装置の製造方法を示す断面図である。
　【図２】本発明に係る半導体ウエハーを示す図で、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）の丸で囲んだ部分の拡大図、（ｃ）は（ｂ）のＢ−Ｂ´線で切った断面図である。
　【図３】従来の半導体装置の製造方法を示す断面図である。
　【図４】従来の半導体ウエハーを示す図で、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）の丸で囲んだ部分の拡大図、（ｃ）は（ｂ）のＡ−Ａ´線で切った断面図である。
　【符号の説明】
１０　半導体チップ
１１　電極パッド
１２　パッシベーション膜
１３　スクライブライン
１４　Ａｌ配線
１５　Ｎｉメッキ
１６　カバーコート膜
１７　開口部
１８　半田バンプ（バンプ電極）
４０　ウエハー