【事件の表示】
　特許第６４８２１４４号発明「接合基板および接合基板の製造方法」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第６４８２１４４号の請求項１〜３に係る特許を維持する。
【理　由】
　第１　手続の経緯
　本件特許第６４８２１４４号（以下、「本件特許」という。）の請求項１〜５に係る特許についての出願は、２０１６年（平成２８年）１２月２２日（優先権主張　平成２７年１２月２８日　日本国（ＪＰ））を国際出願日とする特許出願であって、平成３１年２月２２日に特許権の設定登録がされ、同年３月１３日に特許掲載公報が発行され、その後、それらの特許のうちの請求項１〜３に係る特許に対し、令和１年９月６日付けで特許異議申立人　茂木早苗（以下「異議申立人」という。）により、特許異議の申立てがされたものである。
第２　本件発明
　本件特許における請求項１〜３に係る発明（以下、それぞれ「本件発明１」〜「本件発明３」ということがあり、また、これらを、まとめて、「本件発明」ということがある。）は、その特許請求の範囲の請求項１〜３に記載された事項により特定される以下のとおりのものであると認める。
「【請求項１】
　窒化物セラミックス基板の一方もしくは両方の主面に銅板が接合されてなる接合基板であって、
　ＴｉＮからなる接合層が前記窒化物セラミックス基板と前記銅板との間に介在するとともに少なくとも前記銅板と直接に接しており、
　前記銅板内に、Ａｇ原子が拡散してなり、前記Ａｇ原子の存在比率が１５ａｔ％以下であるＡｇ拡散領域が存在する、
ことを特徴とする接合基板。
【請求項２】
　請求項１に記載の接合基板であって、
　前記接合層と前記銅板との界面に、Ａｇの存在比率が６０ａｔ％を超え１００ａｔ％以下である、ＡｇリッチなＡｇ−Ｃｕ合金相またはＡｇ金属相であるＡｇリッチ相が、離散的に存在する、
ことを特徴とする接合基板。
【請求項３】
　請求項１または請求項２に記載の接合基板であって、
　前記Ａｇ拡散領域が、前記銅板内において少なくとも前記接合層との界面近傍に存在する、
ことを特徴とする接合基板。」
　第３　申立理由の概要
　異議申立人は、証拠として、特許異議申立書に添付して下記甲第１号証〜甲第２号証を提出し、以下の申立理由１〜３によって、本件発明１〜３に係る特許を取り消すべきものである旨主張している。
１．　申立理由１
　本件発明１〜３は、甲第１号証に記載された発明であって、特許法第２９条第１項第３号に該当するから、本件発明１〜３に係る特許は、特許法第２９条第１項の規定に違反してされたものである。
２．　申立理由２
　本件発明１、３は、その優先日前の特許出願であって、その出願後に出願公開がされた甲第２号証に係る特許出願（以下、「他の出願」という）の願書に最初に添付された明細書、特許請求の範囲又は図面に記載された発明と同一であり、しかも、本件発明に係る出願の発明者が、前記他の出願に係る発明をした者と同一ではなく、また、本件発明に係る出願の時において、その出願人が、前記他の出願の出願人と同一でもないので、本件発明１、３に係る本件特許は、特許法第２９条の２の規定に違反してされたものである。
３．　申立理由３
　本件発明１〜３に係る特許は、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。
［異議申立人が提出した証拠方法］
甲第１号証：国際公開第２０１１／１０８４９８号
甲第２号証：特開２０１６−５８７０６号公報
　なお、甲第１号証、甲第２号証を、以下では、それぞれ、「甲１」、「甲２」ということがある。
　第４　甲各号証の記載事項（当審注：「…」は記載の省略を表す。以下、　　　同じ。）、及び、甲１〜２発明
　１．　甲１の記載事項、及び、甲１発明
１ア　「本発明は、半導体素子を搭載するためのメタライズド基板の製造方法に関する。」（［0001］）
１イ　「　＜メタライズド基板１００の製造方法＞ 
　図１にメタライズド基板１００の製造方法の概略を示したように、まず、窒化物セラミックス焼結体基板１０上に、第一ペースト層２０が形成され、その上に、第二ぺースト層３０が形成され、第二積層体１１０が形成される。第二積層体１１０は、焼成され、窒化物セラミックス焼結体基板１０上に窒化チタン層６０および金属層５０を備えたメタライズド基板１００が製造される。」（［0024］）
１ウ　「　（窒化物セラミックス焼結体基板１０）
　窒化物セラミックス焼結体基板１０は、所定形状の窒化物セラミックスグリーンシートあるいは窒化物セラミックス顆粒を加圧成形した加圧成形体を焼成する公知の方法により作製することができる。その形状、厚み等は特に制限されない。焼結体原料には、通常用いられる焼結助剤、例えば、希土類酸化物を含む焼結助剤を含んでいてもよい。窒化物セラミックス焼結体基板１０の表面は、必要に応じて研磨して表面を平滑にしてもよい。窒化物セラミックスとしては、例えば、窒化アルミニウム、窒化珪素、窒化ホウ素、窒化ジルコニウム、窒化チタン、窒化タンタル、窒化ニオブ等が挙げられる。…」（［0025］）
１エ　「　（第一ペースト層２０および第二ペースト層３０）
　本発明のメタライズド基板１００の製造方法においては、まず、窒化物セラミックス焼結体基板１０上に、銅粉および水素化チタン粉を含む第一ペースト層２０を積層し第一積層体を形成する。その後、該第一積層体の第一ペースト層２０上に、合金粉を含む第二ペースト層３０を積層し第二積層体１１０を形成する。第一および第二ペースト層２０、３０は、配線パターンを形成したい箇所に、以下において説明するペースト組成物を塗布することにより形成される。…
…
　第一ペースト層２０の厚さは、好ましくは３μｍ以上１５０μｍ以下、より好ましくは５μｍ以上７０μｍ以下である。第二ペースト層３０の厚さは、好ましくは３μｍ以上１５０μｍ以下、より好ましくは５μｍ以上７０μｍ以下である。第一ペースト層２０と第二ペースト層３０の厚さの比は、好ましくは０．１以上１０．０以下（第一ぺースト層／第二ペースト層）、より好ましくは０．２以上５．０以下である。」（［0026］〜［0033］）
１オ　「　（第一及び第二ペースト組成物）
　第一ペースト層２０を形成するための第一ペースト組成物は、金属成分として銅粉および水素化チタン粉（水素化チタンそのものは金属ではないが、焼成時に分解してチタンとなることから金属成分として取り扱う。）を含む。…
…
　第二ペースト組成物は、金属成分として、「銀と銅との合金粉」を含んでなる。なお、本発明において、「銀と銅との合金」とは、銀と銅とを含む固溶体、共晶または金属間化合物を意味し、「銀と銅との合金粉」とは粉末を構成する粒子が上記合金の粒子である粉末を意味する。…このような銀−銅合金としては、例えば、銅成分の含有割合が２０質量％〜３５質量％であるものが挙げられる。…」（［0035］〜［0050］）
１カ　「　（第三ペースト層４０）
　図２（ａ）、（ｂ）に示すように、本発明のメタライズド基板１００の製造方法は、第一ペースト層２０と第二ペースト層３０との間（図２（ａ））、あるいは、第二ペースト層３０上に（図２（ｂ））、銅粉を含む第三ペースト層４０を積層する工程を含んでいてもよい。…
…第三ペースト層４０は、第一ペースト層２０と第二ペースト層３０との間、あるいは、第二ペースト層３０の上、いずれも、水素化チタン粉を含む第一ペースト層２０の上に形成するのであるが、この銅粉を含んでなる第三ペースト層４０が存在していることにより、第一ペースト層中の水素化チタン粉由来の凹凸を低減できる。
　金属層の表面をより効果的に平滑化する観点、および、金属層におけるボイド発生抑制効果を阻害せずに維持する観点から、第三ペースト層４０の厚みは、好ましくは１μｍ以上１００μｍ以下、より好ましくは５μｍ以上５０μｍ以下、さらに好ましくは８μｍ以上３０μｍ以下である。
…
　また、第三ペースト層４０を形成する場合、第一ペースト層２０、第二ペースト層３０、および第三ペースト層４０を併せた全ペースト層中の銅成分と銀成分の合計質量を１００質量部として、第一ペースト層２０に含まれる水素化チタン粉を１質量部以上１０質量部以下とすることが好ましい。…」（［0054］〜［0058］）
１キ　「　（焼成工程）
　焼成工程においては、上記で作製した積層体１１０、すなわち、窒化物セラミックス焼結体基板１０、第一ペースト層２０、および、第二ペースト層３０を有する積層体１１０を焼成する。これにより、窒化物セラミックス焼結体基板１０上に窒化チタン層６０および金属層５０が形成される。なお、第三ペースト層４０を形成した積層体についても焼成条件は特に変わるところは無い…本発明においては、非酸化性雰囲気下、耐熱性容器内で積層体１１０を焼成することが好ましい。
…
　焼成は、銅の融点（１０８３℃）以下の温度で実施することができる。ただし、高い精度の精密配線パターンを形成するためには、８００℃以上９５０℃以下の温度で実施することが好ましい。なお、該焼成温度範囲の中で焼成温度を高くすれば、金属層５０中のボイドがより減少するという効果が得られる。また、焼成時間は、配線パターン、膜厚等に応じて適宜決定すればよいが、通常は、上記温度範囲で数十秒以上１時間以下保持すれば問題なく焼成することができる。」（［0059］〜［0064］）
１ク　「　（窒化チタン層６０）
　窒化チタン層６０は、第一ペースト層２０中のチタン成分と、窒化物セラミックス焼結体基板１０中の窒素成分とが反応することにより、窒化物セラミックス焼結体基板１０と金属層５０との界面において形成される。…」（［0065］）
１ケ　「　（金属層５０）
　窒化物セラミック焼結体基板１０上に第一ペースト層２０を積層し、さらに、該第一ペースト層２０上に第二ペースト層３０を積層し（場合によっては、第三ペースト層４０をも積層し）、得られた第二積層体１１０を焼成することにより、窒化チタン層６０上に、金属層５０が形成される。
　金属層５０は、銅１００質量部に対して、銀を１５質量部以上８０質量部以下、好ましくは２０質量部以上６０質量部以下含み、チタンを５質量部以下、好ましくは３質量部以下含んで構成されることが望ましい。
　なお、上記した金属層５０の構成成分の質量比は、製造されたメタライズド基板１００を分析して算出した値に基づいている。具体的には、焼成後に得られたメタライズド基板１００について酸等によるエッチング処理を施し、金属層５０（窒化チタン層の部分を除く。）のみを溶解させ、得られた溶液を分析することにより上記質量比を決定することができる。」（［0067］）
１コ　「
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
１サ　上記１アによれば、甲１には、半導体素子を搭載するためのメタライズド基板の製造方法に関する発明が記載されていると認められる。
１シ　上記１イ〜１コによれば、１サに示したメタライズド基板は、窒化物セラミックス焼結体基板１０上に、銅粉および水素化チタン粉を含む第一ペースト層２０を形成し、その上に、銀と銅との合金粉を含む第二ぺースト層３０を形成し、前記第一ペースト層２０と前記第二ペースト層３０との間（図２（ａ））、あるいは、前記第二ペースト層３０上に（図２（ｂ））、銅粉を含む第三ペースト層４０を積層して、全ペースト層中の銅成分と銀成分の合計質量を１００質量部として、第一ペースト層２０に含まれる水素化チタン粉が１質量部以上１０質量部以下である積層体１１０を形成し、その積層体１１０を焼成することによって製造された、前記窒化物セラミックス焼結体基板１０と金属層５０との界面に窒化チタン層６０が形成された、半導体素子を搭載するためのメタライズド基板１００であって、前記金属層５０は、銅１００質量部に対して、銀を１５質量部以上８０質量部以下含み、チタンを５質量部以下含んで構成されるメタライズド基板１１０であるとされている。
１ス　上記１サ〜１シの検討によれば、甲１には、半導体素子を搭載するためのメタライズド基板に注目すると、次の発明（以下、「甲１発明」という。）が記載されていると認められる。
「窒化物セラミックス焼結体基板と金属層との界面に窒化チタン層が形成された、半導体素子を搭載するためのメタライズド基板であって、前記金属層は、銅１００質量部に対して、銀を１５質量部以上８０質量部以下含み、チタンを５質量部以下含んで構成されるメタライズド基板。」
　２．　甲２の記載事項、及び、甲２発明
２ア　「この発明は、窒化アルミニウム基板の少なくとも一方の表面側に、銅又は銅合金からなる導体層を積層してなる金属セラミック接合基板…に関するものであり、特には、微細な回路パターンの形成を可能にするとともに、パワーモジュール用基板として用いる場合に導体層上に搭載され得る半導体素子から生じる熱を有効に放散させることのできる技術を提案するものである。」（【０００１】）
２イ　「…この発明の金属セラミック接合基板１は、図１に概略的に示すように、窒化アルミニウム基板２の少なくとも一方の表面側に、銅又は銅合金からなる導体層３を積層して構成されるものであって、前記窒化アルミニウム基板２と導体層３との間に、窒化チタン、窒化ジルコニウム及び窒化ハフニウムからなる群から選択される少なくとも一種の化合物を含む接合層４が介在し、かかる接合層４の介在下で、前記窒化アルミニウム基板２と導体層３とが接合されたものである。
　なお、図示の実施形態では、窒化アルミニウム基板２の一方の表面だけに、導体層３を積層させているが、図示は省略するが、窒化アルミニウム基板の両面のそれぞれに導体層を積層させたものとすることも可能である。
　ここで、上記の導体層３は、回路パターンが形成され得るものであって、純銅又は銅合金からなるものである。
　導体層３を純銅で構成する場合、タフピッチ銅、脱酸銅又は、無酸素銅等を用いることができる。
　一方、導体層３を銅合金からなるものとする場合、この銅合金は、銅の他、銀、錫及びジルコニウムから選択される少なくとも一種を、二種以上の場合は合計で０．０５重量％以上かつ０．３重量％以下で含有するものとすることができる。好ましくは、上記の銅合金はＣｕ−０．１重量％Ｚｒ合金またはＣｕ−０．１２重量％Ｓｎ合金とする。
…
…この発明の金属セラミック接合基板１では、窒化アルミニウム基板２と導体層３との間に、窒化チタン、窒化ジルコニウム及び窒化ハフニウムからなる群から選択される少なくとも一種の化合物を含む接合層４を介在させることとし、この接合層４が、窒化アルミニウム基板２と導体層３とを強固に接合するべく機能する。」（【００２０】〜【００２３】）
２ウ　「図２に、この発明の金属セラミック接合基板の一例の各元素の含有量の、厚み方向の分布を例示する。
　この図２は、厚み０．６３５ｍｍの窒化アルミニウム基板２と、タフピッチ銅からなる厚み３３μｍの導体層３との間に、窒化チタンを含む厚み５００ｎｍの接合層４を介在させた金属セラミック接合基板１で、その厚み方向に沿う断面で、電子線マイクロアナライザ（ＥＰＭＡ：Electron Probe Micro Analyser）を用いて、各元素の厚み方向の相対的な量の大小を調べ、厚み方向に沿う各元素の存在プロファイルを示したものであり、ここでは、横軸に厚み方向の位置を示し、縦軸に各元素のＥＰＭＡでのカウント数を示している。
　また、本発明において、製造された金属セラミック接合基板中の不純物濃度の定量分析は、二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ：Secondary Ion Mass Spectrometry）を用いて行われた。
　この発明では、後述するような製造方法等によって金属セラミック接合基板１を製造することで、図２に示す金属セラミック接合基板１のように、導体層３に含まれる銅が、図２の二本の破線の間に挟まれる接合層４の領域に拡散しているしていることが好ましい。
　この場合、接合層４の銅が存在する領域では、チタン等と銅との化合物が形成されていると解され、これが、窒化アルミニウム基板２と導体層３との接合に有効に寄与すると考えられる。」（【００２４】〜【００２６】）
２エ　「…
　なお、回路パターンの形成方法は特に限定されるものではないが、たとえば、フォトレジスト工程を利用し、マスクパターンを形成して、不要金属箔部分をエッチングで除去して作製すること等により、回路パターンを形成することが可能である。」（【００４３】）
２オ　「
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
２カ　上記２アによれば、甲２には、窒化アルミニウム基板の少なくとも一方の表面側に、銅又は銅合金からなる導体層を積層してなる金属セラミック接合基板であって、微細な回路パターンの形成を可能にするとともに、パワーモジュール用基板として用いる場合に導体層上に搭載され得る半導体素子から生じる熱を有効に放散させることのできる、金属セラミック接合基板に係る発明が記載されていると認められる。
２キ　上記２イと上記２エ〜２オによれば、上記２カに示した金属セラミック接合基板は、窒化チタン、窒化ジルコニウム及び窒化ハフニウムからなる群から選択される少なくとも一種の化合物を含む接合層４の介在下で、窒化アルミニウム基板２と導体層３とが接合された金属セラミック接合基板であって、前記導体層は純銅又は銅合金からなり、回路パターンが形成され得る箔であると認められる。
２ク　上記２カ〜２キの検討によれば、甲２には、微細な回路パターンの形成を可能にするとともに、パワーモジュール用基板として用いることのできる、金属セラミック接合基板に注目すると、次の発明（以下、「甲２発明」という。）が記載されていると認められる。
「微細な回路パターンの形成を可能にするとともに、パワーモジュール用基板として用いることのできる、金属セラミック接合基板であって、窒化チタン、窒化ジルコニウム及び窒化ハフニウムからなる群から選択される少なくとも一種の化合物を含む接合層の介在下で、窒化アルミニウム基板と導体層とが接合されており、前記導体層は純銅又は銅合金からなる箔である金属セラミック接合基板。」
　第５　当審の判断 
　１．　申立理由１について
　上記第３に示した、本件発明１〜３は、甲第１号証に記載された発明である旨の申立理由につき、以下に順次検討する。 
（１）　本件発明１と甲１発明との対比・検討 
ア．　本件発明１と上記第４の１．１スに示した甲１発明とを対比する。
　甲１発明における「窒化物セラミックス焼結体基板」、「窒化チタン」は、それぞれ、本件発明１における「窒化物セラミックス基板」、「ＴｉＮ」に相当し、また、甲１発明における「半導体素子を搭載するためのメタライズド基板」は、本件発明１における「接合基板」とは、「基板」の点で共通し、そして、甲１発明における「金属層は、銅１００質量部に対して、銀を１５質量部以上８０質量部以下含み、チタンを５質量部以下含んで構成される」ことは、本件発明１における「銅板」とは、「銅を主成分とする金属層」の点で共通することから、甲１発明における「窒化物セラミックス焼結体基板と金属層との界面に窒化チタン層が形成された、半導体素子を搭載するためのメタライズド基板」は、本件特許発明１における「ＴｉＮからなる接合層が前記窒化物セラミックス基板と前記銅板との間に介在する」こととは、「ＴｉＮからなる接合層が窒化物セラミックス基板と銅を主成分とする金属層との間に介在する」点で共通する。
　してみると、両者は、以下の点で一致し、以下の点で相違していると認められる。
＜一致点＞
「ＴｉＮからなる接合層が窒化物セラミックス基板と銅を主成分とする金属層との間に介在する基板」である点。
＜相違点＞
相違点１−１：　銅を主成分とする金属層について、本件特許発明１では「銅板」という発明特定事項を備えているのに対し、甲１発明では、前記の発明特定事項を備えているのか明らかではない点。
相違点１−２：　基板について、本件発明１では「窒化物セラミックス基板の一方もしくは両方の主面に銅板が接合されてなる接合基板」という発明特定事項を備えているのに対し、甲１発明では、前記の発明特定事項を備えているのか明らかではない点。
相違点１−３：　ＴｉＮからなる接合層が窒化物セラミックス基板と銅を主成分とする金属層との間に介在することについて、本件発明１では「ＴｉＮからなる接合層」が「少なくとも前記銅板と直接に接しており、 前記銅板内に、Ａｇ原子が拡散してなり、前記Ａｇ原子の存在比率が１５ａｔ％以下であるＡｇ拡散領域が存在する」という発明特定事項を備えているのに対し、甲１発明では、前記の発明特定事項を備えているのか明らかではない点。
イ．　そこで、まず、上記相違点１−１について検討するに、甲１発明における「金属層」に関し、甲１には、上記第４の１．１ケに示したとおり、窒化物セラミック焼結体基板１０上に第一ペースト層２０を積層し、さらに、該第一ペースト層２０上に第二ペースト層３０を積層し、第三ペースト層４０をも積層し、得られた第二積層体１１０を焼成することにより、窒化チタン層６０上に、金属層５０が形成されるところ、その金属層５０は、銅１００質量部に対して、銀を１５質量部以上８０質量部以下、好ましくは２０質量部以上６０質量部以下含み、チタンを５質量部以下含んで構成される旨の記載があり、その焼成条件については、上記第４の１．１キに示したとおり、高い精度の精密配線パターンを形成するために、銅の融点（１０８３℃）未満である、８００℃以上９５０℃以下の温度範囲で数十秒以上１時間以下で実施する旨の記載がある。甲１のこれらの記載からすると、甲１発明における「金属層」は、その組成からして銅層とはいえないものであるし、また、銅を溶融させずに形成されるものであるから、銅板とは異なるものであることは明らかである。
　なお、異議申立人は、甲１発明における「金属層」に関し、特許異議申立書において、厚み２００μｍの金属層５０が甲１の段落［0072］に開示されているのに対し、本件発明では、厚み０．３ｍｍの銅板が開示されており、いずれも、薄く平たく広がり、板状でもあり、層状でもあり、甲１発明における「金属層」と本件発明における「銅板」との間において、物としての実質的な差異はない旨主張している（第１１頁下から２行〜第１２頁第９行）が、甲１発明における「金属層」と本件発明における「銅板」とが、物としての区別が付かないことを裏付け得る、客観的かつ具体的な証拠は見当たらないし、前記の検討によれば、甲１発明における「金属層」と本件発明１における「銅板」とは、物としての区別がつくことは明らかであるから、異議申立人の当該主張は妥当性を欠いている。
　してみると、上記相違点１−１は実質的な相違点である。
ウ．　次に、上記相違点１−２について検討してみるに、甲１発明は、上記第４の１．１スに示したとおり、「半導体素子を搭載するためのメタライズド基板」であるところ、メタライズド基板は、その放熱特性等によって、パワーモジュール用基板として用いることはできず、接合基板とは区別されるとの技術常識に照らし、本件発明１の「窒化物セラミックス基板の一方もしくは両方の主面に銅板が接合されてなる接合基板」とは異なる基板であることは明らかである。
　なお、異議申立人は、甲１発明における「半導体素子を搭載するためのメタライズド基板」に関し、特許異議申立書において、本件発明１の「窒化物セラミックス基板の一方もしくは両方の主面に銅板が接合されてなる接合基板」である旨主張している（第６頁第５行〜第９頁第２１行）が、甲１発明における「半導体素子を搭載するためのメタライズド基板」と本件発明１の「窒化物セラミックス基板の一方もしくは両方の主面に銅板が接合されてなる接合基板」とが、物としての区別が付かないことを裏付け得る、客観的かつ具体的な証拠は見当たらないし、前記の検討によれば、それらの基板が、互いに、異なる基板であることは明らかであるから、異議申立人の当該主張は妥当性を欠いている。
　してみると、上記相違点１−２も実質的な相違点である。
エ．　上記イ．〜ウ．の検討から、上記相違点１−１〜１−２以外の他の相違点について検討するまでもなく、本件発明１が甲第１号証に記載された発明でないことは明らかである。
（２）　本件発明２〜３と甲１発明との対比・検討 
　本件発明２〜３は、本件発明１の全ての発明特定事項を備えたものであるから、上記（１）ア．〜エ．での検討と同様にして、甲第１号証に記載された発明でないことは明らかである。
　２．　申立理由２について
　上記第３に示した、本件発明１〜３は、甲第２号証に記載された発明と同一である旨の申立理由につき、以下に順次検討する。 
（１）　本件発明１と甲２発明との対比・検討 
ア．　本件発明１と上記第４の２．２クに示した甲２発明とを対比する。
　甲２発明における「金属セラミック接合基板」、「窒化チタン」、「窒化アルミニウム基板」、「純銅からなる箔」は、それぞれ、本件発明１における「接合基板」、「ＴｉＮ」、「窒化物セラミックス基板」、「銅板」に相当し、そして、甲２発明における「窒化アルミニウム基板と導体層とが接合されて」いる「金属セラミック接合基板」は、前記導体層が純銅からなる箔である場合、本件発明１における「窒化物セラミックス基板の一方もしくは両方の主面に銅板が接合されてなる接合基板」に相当し、また、甲２発明における「窒化チタン」「を含む接合層」は、ＴｉＮを含む点で、本件発明１における「接合層」と共通する。
　してみると、両者は、以下の点で一致し、以下の点で相違していると認められる。
＜一致点＞
「窒化物セラミックス基板の一方もしくは両方の主面に銅板が接合されてなる接合基板であって、ＴｉＮを含む接合層が前記窒化物セラミックス基板と前記銅板との間に介在する接合基板」である点。
＜相違点＞
相違点２−１：　ＴｉＮを含む接合層について、本件発明１では「ＴｉＮからなる」という発明特定事項と、「少なくとも前記銅板と直接に接して」いるという発明特定事項とを備えているのに対し、甲２発明では、それらの発明特定事項を備えているのか明らかではない点。
相違点２−２：　銅板について、本件発明１では「Ａｇ原子が拡散してなり、前記Ａｇ原子の存在比率が１５ａｔ％以下であるＡｇ拡散領域が存在する」という発明特定事項とを備えているのに対し、甲２発明では、それらの発明特定事項を備えているのか明らかではない点。
イ．　事案に鑑み、まず、上記相違点２−２について検討するに、甲２発明の金属セラミック接合基板における導体層が純銅からなる箔である場合の接合基板に関し、甲２には、上記第４の２．２ウと２オとによれば、当該接合基板には、Ａｇは含有されないとされていることから、上記相違点２−２に係る本件発明１の発明特定事項を備え得ないことは明らかである。
ウ．　なお、異議申立人は、甲２発明の金属セラミック接合基板に関し、その接合基板における導体層は、銅の他、銀、錫及びジルコニウムから選択される少なくとも一種を、二種以上の場合は合計で０．０５重量％以上かつ０．３重量％以下で含有するものとすることができるので、甲２発明の金属セラミック接合基板における銅板内には、Ａｇ原子が拡散してなり、前記Ａｇ原子の存在比率が１５ａｔ％以下であるＡｇ拡散領域が存在する旨主張している（第１４頁第１９行〜第１５頁第５行）。
　しかし、甲２発明の金属セラミック接合基板の導体層に関し、銅の他、銀、錫及びジルコニウムから選択される少なくとも一種を、二種以上の場合は合計で０．０５重量％以上かつ０．３重量％以下で含有するものとすることができるとの記載は、上記第４の２．２イと２オとによれば、当該導体層が銅と銀、錫及びジルコニウムから選択される少なくとも一種の金属との合金（以下、この合金を、単に「銅合金」という。）からなる場合の記載であるところ、本件の明細書の【００４０】に記載されるように、本件発明１の接合基板の銅板は、結晶格子のマトリックスはＣｕ原子によって構成されることから、結晶格子のマトリックスが合金組成に応じて構成される銅合金とは異なることに照らし、銅合金の板を包含しないものである。
　すなわち、甲２発明の金属セラミック接合基板の導体層が銅合金からなる場合の当該導体層は、銅板に相当しないとの実質的な相違点を備えることとなるから、異議申立人の前記の主張は、本件の明細書の記載を正解しないものであって、妥当性を欠いている。
エ．　上記イ．〜ウ．の検討によれば、上記相違点２−２は実質的な相違点である。
　してみると、上記相違点２−２以外の相違点について検討するまでもなく、本件発明１が甲第２号証に記載された発明と同一でないことは明らかである。
（２）　本件発明２〜３と甲２発明との対比・検討 
　本件発明２〜３は、本件発明１の全ての発明特定事項を備えたものであるから、上記（１）ア．〜エ．での検討と同様にして、甲第２号証に記載された発明と同一でないことは明らかである。
　３．　申立理由３について
（１）　異議申立人の主張
　上記第３に示した、本件発明１〜３に係る特許は、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである旨の申立理由について、異議申立人は、特許異議申立書（第１５頁第１７行〜第１７頁第２５行）において、次の（１−１）〜（１−４）の主張をしている。
（１−１）　本件発明１に記載される「ＴｉＮからなる接合層が…前記銅板と直接に接しており」との事項に関し、本件明細書の【００３８】の記載からは、接合基板２０におけるＡｇ−Ｃｕ層６が、Ｃｕが８０〜９６％で残部がＡｇというＡｇ−Ｃｕ合金である、Ｃｕリッチ相のみから成りうる場合があることが分かるが、その場合のＡｇ−Ｃｕ層６は、Ａｇ原子の存在比率が１５ａｔ％以下であり、各Ｃｕリッチ相内にＡｇ原子が拡散した構造となり、そして、例えば実際の接合基板の断面写真では、Ｃｕリッチ相と銅板との間には境界が存在せず、Ｃｕリッチ相と銅板との区別は困難であるので、Ａｇ−Ｃｕ層６は、銅板の一部ともいえる状態となり、接合層は銅板と直接に接することとなる、すなわち、本件発明１は、Ｃｕリッチ相のみから成るＡｇ−Ｃｕ層６が存在する従来の接合基板を含むものであり、どのような接合基板まで本件発明１の範囲に入るのかを理解できない。
（１−２）　本件発明１に記載される「前記銅板内に、Ａｇ原子が拡散してなり、前記Ａｇ原子の存在比率が１５ａｔ％以下であるＡｇ拡散領域が存在する」との事項に関し、本件明細書の【００３８】の記載によれば、Ｃｕリッチ相は、Ｃｕが８０〜９６％で残部がＡｇというＡｇ−Ｃｕ合金であり、「Ａｇ原子が拡散してなり、前記Ａｇ原子の存在比率が１５ａｔ％以下であるＡｇ拡散領域」といえるため、Ｃｕリッチ相と本件発明１の「Ａｇ拡散領域」との違いを、当業者が把握できない。
（１−３）　本件発明２に記載される「Ａｇの存在比率が６０ａｔ％を超え１００ａｔ％以下である、ＡｇリッチなＡｇ−Ｃｕ合金相またはＡｇ金属相であるＡｇリッチ相が、離散的に存在する」との事項に関し、本件明細書の【００３８】の記載によれば、Ａｇリッチ相は、Ａｇが８０％以上で残部がＣｕというＡｇ−Ｃｕ合金であり、「Ａｇの存在比率が６０ａｔ％を超え１００ａｔ％以下である、ＡｇリッチなＡｇ−Ｃｕ合金相またはＡｇ金属相であるＡｇリッチ相」といえ、Ａｇ−Ｃｕ層６がＡｇリッチ相及びＣｕリッチ相の両方を含む場合、Ａｇリッチ相は、Ｃｕリッチ相が存在することで、離散的に存在することとなるし、Ｃｕリッチ相は、上記（１−１）の主張のとおり、銅板との間には境界が存在せず、Ｃｕリッチ相も銅板の一部と解することができるため、どのような接合基板まで本件発明２の範囲に入るのかを理解できない。
（１−４）　本件発明３に記載される「前記Ａｇ拡散領域が、前記銅板内において少なくとも前記接合層との界面近傍に存在する」との事項に関し、上記（１−１）の主張のとおり、Ｃｕリッチ相は、「Ａｇ拡散領域」といえ、銅板と接合層との界面に存在しており、また、実際の接合基板において、銅板の一部ともいえる状態にあるため、どのような接合基板まで本件発明３の範囲に入るのかを理解できない。
（２）　検討
ア．　そこで、本件発明の明確性につき検討するに、本件発明１の「接合基板」は、本件明細書の【００２９】〜【００４０】で説明されているとおり、その接合基板の断面を対象にした組成分布の分析をＥＰＭＡにて実施することによって、「接合層が…銅板と直接に接しており、前記銅板内にＡｇ原子が拡散してなり、前記Ａｇ原子の存在比率が１５ａｔ％以下であるＡｇ拡散領域が存在する」との発明特定事項を備えていることが確認できる物であって、当該物として明確である。さらに、本件発明２〜３の「接合基板」も、本件明細書の【００２９】〜【００４０】で説明されているとおり、その接合基板の断面を対象にした組成分布の分析をＥＰＭＡにて実施することによって、各々の発明特定事項を備えていることが確認できる物であって、当該物として明確である。
　このような本件発明の「接合基板」に対して、本件明細書の【００３８】には、本件発明の「接合基板」には包含されない態様の接合基板２０について、接合層２と銅板３とが直接に界面を構成せず、接合層２と銅板３との間に、Ａｇリッチ相とＣｕリッチ相の両方、もしくはどちらか１つから成る、Ａｇ−Ｃｕ層６が介在している点で、本件発明の接合基板と相違するという説明が記載されており、そして、本件明細書の【００３９】には、Ａｇ−Ｃｕ層６の存在も、ＥＰＭＡにて接合基板２０の断面を対象に組成分布を分析することによって確認できるとの説明も記載されている。
　これらの説明によれば、実際の接合基板の断面を対象にＥＰＭＡにて組成分布を分析することによって、接合層２と銅板３との間に、Ａｇリッチ相とＣｕリッチ相の両方、もしくはどちらか１つから成る、Ａｇ−Ｃｕ層６が介在していることが確認された場合には、その接合基板は、本件発明の接合基板には包含されないし、また、逆に、Ａｇ−Ｃｕ層６の介在が確認できない場合、その接合基板は、接合層２と銅板３とが直接に界面を構成していることになるから、本件発明の接合基板に係る「接合層が…銅板と直接に接して」いるとの特定事項を備えたものであることは明らかである。
イ．　上記ア．の検討を踏まえて、異議申立人の主張を検討するに、Ｃｕリッチ相から成るＡｇ−Ｃｕ層６とは、実際の接合基板の断面を対象にＥＰＭＡにて組成分布を分析することによって確認されるＡｇ−Ｃｕ層６を意味しているから、Ｃｕリッチ相と本件発明における「銅板」とが区別できないことを前提とする上記（１−１）、（１−３）の主張、及び、Ｃｕリッチ相と本件発明における「Ａｇ拡散領域」とが区別できないことを前提とする上記（１−２）、（１−４）の主張は、いずれも、裏付けをなす具体的かつ客観的な証拠を伴った主張ではなく、また、本件明細書の【００３８】の記載内容を正解しないことに基づく主張であるから、妥当性を欠いている。
　また、Ａｇリッチ相とＣｕリッチ相の両方から成るＡｇ−Ｃｕ層６とは、実際の接合基板の断面を対象にＥＰＭＡにて組成分布を分析することによって確認されるＡｇ−Ｃｕ層６が、Ａｇリッチ相から成るＡｇ−Ｃｕ層とＣｕリッチ相から成るＡｇ−Ｃｕ層とを備えていることを意味しているから、そのようなＡｇ−Ｃｕ層６が、本件発明１における「Ａｇ拡散領域」と区別できないことを前提とする、上記（１−３）の主張も、採用することはできない。
　第６　むすび
　したがって、特許異議申立ての理由によっては、請求項１〜３に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に請求項１〜３に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
令和１年１１月２６日（２０１９．１１．２６）