【事件の表示】
　特許第２８３２８４７号「減圧気相成長法」の請求項１ないし４に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結論】
　特許第２８３２８４７号の請求項１ないし４に係る特許を維持する。
【理由】
Ｉ．本件発明
　特許第２８３２８４７号（平成１年１０月２０日出願、平成１０年１０月２日設定登録）の請求項１〜４に係る発明（以下、「本件発明１」〜「本件発明４」という。）は、その特許請求の範囲に記載された次の事項により特定されるとおりのものである。
「【請求項１】減圧気相成長の開始に先立ち、反応室へのガス供給を停止した状態で前記反応室内の圧力を減圧気相成長圧力より低い高真空として前記反応室の気密検査を行った後、前記反応室の圧力を前記減圧気相成長圧力とするように排気制御しつつ減圧気相成長に必要な流量の坦体ガスを前記反応室に供給して減圧気相成長を行う減圧気相成長法において、前記気密検査を行った後、まず前記反応室へ減圧気相成長に必要な流量より少ない所定流量の坦体ガスを供給しつつ排気制御により前記反応室内の圧力を前記減圧気相成長圧力まで勾配制御して上昇させ、次いで排気制御により前記反応室内の圧力を前記減圧気相成長圧力に保ちつつ前記反応室への坦体ガスの供給流量を減圧気相成長に必要な流量まで勾配制御して増加させることを特徴とする減圧気相成長法。
　【請求項２】反応室へ供給するガスのコントロール系のベントガスを、前記反応室と排気ポンプとを結ぶ排気配管へ流すに当たり、前記反応室内の圧力が前記減圧気相成長圧力となり、かつ坦体ガスの供給流量が減圧気相成長に必要な流量に到達したところで、前記排気配管とベント回路との連通しゃ断を制御するメインベントバルブを開くことを特徴とする請求項１記載の減圧気相成長法。
　【請求項３】前記ベントガスを、前記排気配管に設けられている圧力調整弁より下流側へ流すことを特徴とする請求項１または２記載の減圧気相成長法。
　【請求項４】前記ベントガスを、前記反応室用の排気ポンプと別に設けた排気ポンプへ流すことを特徴とする請求項１記載の減圧気相成長法。」
ＩＩ．申立ての理由の概要
　特許異議申立人北村二郎（以下、「申立人」という。）は、証拠として甲第１号証（特開昭６０−５０９２３号公報），甲第２号証（特開昭６１−２１７５７２号公報），甲第３号証（特開昭６０−１６９１３８号公報）を提出し、本件発明１〜４に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであるから、その特許を取り消すべき旨を主張している。
ＩＩＩ．甲各号証の記載事項
１．甲第１号証
　甲第１号証には以下の事項が記載されている。
▲１▼「真空室内を排気した後ガスを導入し、この真空室内又はその一部にプラズマを発生させ、このプラズマにより試料の表面を処理する方法において上記ガス導入量を試料表面処理途中にて変化させることを特徴とするプラズマ表面処理方法。」（第１頁特許請求の範囲第１項）
▲２▼「第４図は本発明を用いたプラズマエッチング装置の一構成例である。・・（中略）・・本実施例では、まず真空室６を高真空（約１×１０−６Ｔｏｒｒ）に排気し、次に放電ガスを所定量供給する。」（第３頁右上欄第２０行〜左下欄第１５行）
▲３▼「第８図に別の実施例を示してある。本実施例の特徴は、ＳＦ６ガスのガス流量のみでなく、Ｎ２ガスのガス流量と高周波電源１５の駆動，停止がコントローラ１８からの電気的信号によって制御されていることである。」（第６頁左上欄第８〜１２行）
▲４▼「第１３図に、プラズマＣＶＤ装置に本発明を適用した例を示している。プラズマ発生手段として、有磁場マイクロ波放電を用いている。一例としてＳｉＦ４とＮ２ガスによって窒化シリコン膜（Ｓｉ−Ｎ膜）を形成する例を示してある。構造としては第８図と同じであるが、ＳＦ６ガスがＳｉＦ４ガスに替わっている。」（第７頁左上欄第１８行〜右上欄第４行）
▲５▼真空室内を排気した後ガスを導入し、この真空室内又はその一部にプラズマを発生させて試料の表面を処理する本発明の実施に使用する装置の概略図。（第９〜１０頁第４，７，８，１０〜１３図）
２．甲第２号証
　甲第２号証には以下の事項が記載されている。
▲１▼「本発明は真空装置の処理室である蒸着室内の異物巻き上がりを抑えながら処理室内の被処理物を処理する方法に関するものである。周知のように真空装置例えば真空蒸着装置を用いて、たとえば半導体ウエーハの表面に金属蒸着膜を形成する処理方法が行なわれている。そして、この蒸着を行なう際には、まず装置の蒸着室内を高真空にしておく必要があり、また蒸着終了後においては蒸着室内の圧力を大気圧にもどす必要がある。」（第１頁左欄第１４行〜右欄第３行）
▲２▼「まず、（ａ）に示すように蒸着室２を大気圧から適当な真空度にもっていくためには、真空排気動作を行わせなければならない。これをするには、最初に流量コントロールバルブ７で大まかに流量をしぼったあと、つぎのスロー排気バルブ８にて、気体の粘性流領域での流量を気体が乱れない程度にしぼって粗引き用のロータリーポンプで引く。
　ついで、粗引きバルブ５を開いて前記スロー排気バルブ８での粗引きよりも大なる粗引きを同じくロータリーポンプ４で引いて図る。ここまでは、気体の粘性流領域を対象として真空排気であるが、これに引き続いて粘性流領域以外たとえば分子流領域を対象とした本引き動作に入る。この本引きは、言うに及ばず拡散ポンプ１４と、これにつないだロータリーポンプ１６とにより行い、高真空状態を得る。この状態において、蒸着室２内で被処理物の処理、すなわちウエーハの表面に対する金属蒸着膜の形成を行なったあと、前述した大気導入動作を行なわせる。この大気導入動作は、蒸着室２内の圧力（高真空）を大気圧にもどすためのもので、これは（ｂ）に示すように、まずスローベントバルブ１２で取り込む大気の粘性流領域での流量を気体が乱れない程度にしぼって、これをさらに流量コントロール・バルブ７で調節して蒸着室２に導入している。このあと、ベントバルブ１０を開いてスローベントバルブ１２による導入量よりも大なる流量で大気を蒸着室２内にとり込むことにより、蒸着室２の圧力を高真空状態から大気圧状態にまでもどすことができる。」（第２頁左下欄第１行〜右下欄第１３行）
▲３▼「本発明よれば、真空装置の真空排気部と大気導入部の双方にそれぞれ、気体の粘性流領域での流量を制御するための手段を設けて、真空排気工程の初期および大気導入工程の初期において、気体の流量をしぼり極力、気体の流れに乱れを生じさせないようにしているから、従来のように処理室内の異物の巻き上げがなく、ウエーハなど被処理物に対して清浄な状態で処理を行なうことができる。」（第３頁左上欄第１０〜１８行）３．甲第３号証　甲第３号証には以下の事項が記載されている。
▲１▼「真空処理室３０での被処理物（図示省略）の処理完了後、ストップバルブ１３を閉止すると共に制御装置４０によりＭＦＣ１２のオリフィスを完閉とする指令を出す。・・（中略）・・真空処理室３０からの処理済みの被処理物の搬出及び真空処理室３０への新たな被処理物の搬入，設置完了後、ストップバルブ１４，１５を開放し、その後、ストップバルブ１３を開放する。ＭＦＣ１２に対して再び制御装置４０により必要流量までガスを流通させるようにオリフィス閉度指令のための信号が出され、ガスは真空処理室３０へゆるやかに供給される。本実施例のような真空処理室へのガス供給方法では、真空処理室へのガス供給時にガスの突出を防止してガス供給系のストップバルブやガス供給管内のガスによる異物の飛散を防止できるため、異物の被処理物への付着を抑制でき被処理物の処理品質の低下を防止できる。」（第２頁右上欄第１２行〜左下欄第１３行）
▲２▼「本発明は、以上説明したように、真空処理室へのガスの供給停止後でガスの供給開始以前にＭＦＣの後流側のガス供給管を真空排気することで、真空処理室へのガス供給時にガスの突出を防止してガス供給系のストップバルブやガス供給管内のガスによる異物の飛散を防止できるので、異物の被処理物への被着を抑制でき被処理物の処理品質の低下を防止できるという効果がある。」（第３頁左上欄第１４行〜右上欄第１行）
ＩＶ．対比・判断
１．本件発明１について
　本件発明１と甲第１号証に記載された発明とを対比すると、甲第１号証の「プラズマ表面処理方法」はプラズマＣＶＤによる気相成長方法にも利用されるものであり、また該処理方法は真空室を高真空に排気後、所定量のガスを導入しつつ行われることよりみて、減圧下での処理と解されるから（ＩＩＩ．１．▲１▼，▲４▼）、本件発明の「減圧気相成長方法」に相当する。
　また、甲第１号証の「真空室を高真空に排気した後ガスを所定量供給」する点は、本件発明１の「反応室へのガス供給を停止した状態で前記反応室内の圧力を減圧気相成長圧力より低い高真空として、前記反応室の圧力を前記減圧気相成長圧力とするように減圧気相成長に必要な流量の坦体ガスを前記反応室に供給して減圧気相成長を行う」点に相当する。
　したがって、本件発明１と甲第１号証記載の発明とは、「減圧気相成長の開始に先立ち、反応室へのガス供給を停止した状態で前記反応室内の圧力を減圧気相成長圧力より低い高真空として、前記反応室の圧力を前記減圧気相成長圧力とするように減圧気相成長に必要な流量の坦体ガスを前記反応室に供給して減圧気相成長を行う減圧気相成長法。」の点で一致し、以下の点で相違する。
（ア）本件発明１では、反応室への坦体ガスの導入を、「まず前記反応室へ減圧気相成長に必要な流量より少ない所定流量の坦体ガスを供給しつつ排気制御により前記反応室内の圧力を前記減圧気相成長圧力まで勾配制御して上昇させ（ステップ１）、次いで排気制御により前記反応室内の圧力を前記減圧気相成長圧力に保ちつつ前記反応室への坦体ガスの供給流量を減圧気相成長に必要な流量まで勾配制御して増加させる（ステップ２）」操作によって行うのに対して、甲第１号証記載の発明はその点について言及しないものである点。
（イ）本件発明１では、反応室内の圧力を減圧気相成長圧力より低い高真空とした後気密検査を行うのに対して、甲第１号証記載の発明はその点について言及しないものである点。
　そこで、まず相違点（ア）について検討する。
　「ＩＩＩ．２」で摘示した事項よりみて、甲第２号証には、真空装置において真空排気工程の初期および大気導入工程の初期に、気体の流量をしぼり極力、気体の流れに乱れを生じさせないようにして処理室内の異物の巻き上げを防止することが記載され、甲第３号証には、真空処理室へのガスの供給停止後でガスの供給開始以前に、ガス供給管を真空排気した後、ガスを真空処理室へゆるやかに供給することで、真空処理室へのガス供給時にガスの突出を防止してガス供給系のストップバルブやガス供給管内のガスによる異物の飛散を防止することが記載されている。
　これらの刊行物に記載された発明は、真空装置に気体を導入する際に気体の流量をしぼり、異物の舞い上がりを防止するものではあるが、本件発明１のステップに即して言えば、甲第２号証の「真空排気工程の初期」は（ステップ１）の前の段階、「大気導入工程の初期」は（ステップ２）の後の処理完了段階、甲第３号証の「真空処理室へのガスの供給停止後でガスの供給開始以前」は複数回の処理を行う場合の１回目の処理が完了し、２回目の処理が開始される前の段階、に相当するものであり、いずれも気体の流量制御を行う段階が本件発明１とは全く異なるものである。
　さらに、本件発明１は上記のとおりの（ステップ１），（ステップ２）という２段階の操作によって、気体の流量制御を行うものであるのに対して、甲第２，３号証には、そのような２段階の操作によって制御を行う点について記載も示唆もなく、またそのような２段階の操作を行うことが当業者に自明なこととも言えない。
　してみれば、甲第１号証記載の発明に甲第２，３号証記載の発明を併せ勘案しても、上記（ア）は当業者が容易になし得たこととは言えない。
　そして、本件発明１は「減圧気相成長工程の開始時に生ずるパーティクルの舞い上がりを押さえることができ、減圧気相成長の本来の特徴である気相成長層の正確さを十分に生かした良質な気相成長層を得ることができる。」（本件特許公報第４頁第８欄第８〜１２行）という顕著な効果を奏するものである。
　したがって、上記（ア）が当業者の容易になし得たことでない以上、（イ）について検討するまでもなく、本件発明１は甲第１乃至３号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
２．本件発明２〜４について
　本件発明２〜４は、本件発明１の減圧気相成長法を更に技術的に限定したものであるから、本件発明１について述べたのと同様の理由により、甲第１乃至３号証に記載された発明に基づき、当業者が容易に発明をすることができたものとは言えない。
Ｖ．むすび
　以上のとおりであるから、特許異儀申立の理由及び証拠方法によっては、本件発明１〜４に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明１〜４に係る特許を取り消すべき理由も発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１１年９月１７日（１９９９．９．１７）