【事件の表示】
特許第２７６７８３６号「強誘電性液晶素子」の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結論】
特許第２７６７８３６号の特許を維持する。
【理由】
１．本件発明
　本件特許第２７６７８３６号（昭和６３年１１月７日出願、平成１０年４月１０日設定登録）の請求項１に係る発明（以下、「本件発明」という。）は、特許明細書および図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものである。
「透明電極と電極上に形成された配向膜を有する一対の基板間に、該膜に接して強誘電性液晶を挟持してなる強誘電液晶素子に於いて、その配向制御膜がラビング処理されたものであり、ネマチック液晶に於いて基板表面に対し少なくとも１５゜以上のプレチルト角を与えるポリイミド膜であることを特徴とする強誘電液晶素子。」
２．特許異議申立の理由の概要
　これに対して、特許異議申立人キャノン株式会社（以下「申立人」という。）は、証拠として甲第１号証（Ｊａｐａｎｅｓｅ　Ｊｏｕｒｎａｌｏｆ　Ａｐｐｌｉｅｄ　Ｐｈｙｓｉｃｓ、第２７巻第５号、第８２７〜８２９頁）、甲第２号証（Ｍｏｌ．Ｃｒｙｓｔ．Ｌｉｑ．Ｃｒｙｓｔ．，１９８８，Ｖｏｌ．１６３、第１５７〜１６２頁）、甲第３号証（国際出願公開第８７／０６０２０号パンフレット）および甲第４号証（英国特許第１４５４２９６号明細書）を提示し、本件発明が、甲第１号証に記載の発明と同一であり、また甲第１号証ないし甲第４号証に記載の各発明から当業者が容易に発明し得たものであり、特許法第２９条第１項第３号の規定に該当し、また同法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない旨主張し、特許を取り消すべきものである旨主張している。
３．各甲号証記載の発明
（１）甲第１号証
▲１▼ナイロン布によるポリイミド膜へのラビング法処理の程度を、誘起された複屈折の検出により評価した。（極端な二形態としての）強ラビングならびに弱ラビングにより、それぞれ、１°および０．１°（検出精度０．１゜）の光学レターデーションが生じた。スーパーツイストネマチックＬＣＤの製造に有用な特製のポリイミドを弱ラビングしたものによって、ネマチック液晶における１０゜以上（３０゜程度さえ）のプレチルト角が得られた。
（第８２７頁表題下の要約部）
▲２▼２．３　ラビング強度の制御・規制
　ラビングは、著者らが開発した装置により行った。該装置は、長さ１．５〜３ｍｍおよび直径３０μｍのナイロン糸を垂直に植設した布（ＹＯ−１０一Ｎ、吉川化学社より購入）により被覆した、長さ２０ｃｍ、直径１０ｃｍのシリンダーを有する。
　ラビング強度は、該シリンダー（従って布の基部）と、ポリイミド膜で被覆したＩＴＯ付ガラス板との間隙を調整することにより、規制・制御した。該間隙を狭めて、ラピング圧を増大することによりラピング強度を増加した。
２．４　プレチルトの評価
　ネマチック液晶（例えば５ＣＢ）について、プレチルト角を、試料垂直方向から測定した入射角に対する透過光の角度基準分布を解析することにより、あるいは印加磁場に対する試料キャパシタンスを測定することにより、評価した。
前者は、クリスタルローテーション法、後者はマグネトーキャパシティブ・ナル法と呼ばれる。
§３　結果および考察
　ラビング法により処理されたポリマー膜には、下式で示されるレターデーションが生ずると考えられる。
　δｓ＝２πΔｎｄ＊／λ　　　（８），
　ここでΔｎは生成した複屈折であり、ｄ＊は処理層の有効厚さである。実験によれば、個々のポリイミドによってわずかには異なるが、前記強いおよび弱いラビングの両極端において、それぞれ１°および０．１°のレターデーション値（分離精度０．１°）が得られた。強ラビングおよび弱ラビングについてのｄ＊の推算値は、強ラビングについて約２０ｎｍ、弱ラビングについて、約１０ｎｍ以下であった。
　ネマチック液晶についての生成プレチルト値の複屈折で表わされたラビング強度に対する依存性の結果を、Ｆｉｇ．２に示す。低プレチルト角用に開発されたポリイミド（ＰＩ−１３０、日産化学社）についてはプレチルト角は４〜１°であった、また高プレチルト角用に特別に開発された（ＲＮ−３６９、日産化学社）については、該値は１０〜２°であった。このようにして、適当なポリイミド材料を選択し、ラビング条件を制御することにより１〜４°あるいは２〜１０°の範囲のプレチルト角を有するネマチック液晶セルが得られた。ポリイミド・タイプＲＮ−３６９は、ねじれ角２７０゜のスーパーツイストネマチック（ＳＴＮ）表示素子に成功裡に利用された。
　Ｆｉｇ．３は強誘電性液晶セルの見かけコーン角（偏光顕微鏡で測定）と印加駆形電圧波の振幅との関係を示す。弱いラビングにより、見かけコーン角が広がり、低電圧値での飽和が容易になった。すなわち、弱ラビングは、Ｆｉｇ．４に示すように、表面安定化強誘電性液晶（ＳＳＦＬＣ）素子において、良好な双安定性を得るための好適な条件であることが見出された。
　ＳＳＦＬＣ素子の双安定性、ラビングされたポリイミドへのネマチックＬＣのアンカリング強度および高プレチルト角用ポリイミドの分子設計および合成の詳細については、他文献７）・８）にて発表する。
§４　結論
　ラビング強度を、液晶配向用のラビングしたポリイミドに生ずる誘起光学複屈折により評価した。ラビングしたポリイミドについて、分離精度１°（ｓｉｃ．）で強ラビングおよび弱ラビングは、それぞれ１゜および０．１゜のレターデーションをもたらした。ＳＴＮ−ＬＣＤ用の２７０°ツイストと適合する１０°に達する高プレチルトをもたらす特殊ポリイミドに弱いラビングを行った。また、弱ラビングは、強誘電性液晶素子において良好な双安定性を得るのに効果的であることが見出された。
　　　　
文　　献
７）Ｈ．ＦｕｋｕｒｏおよびＳ．Ｋｏｂａｙａｓｈｉ：Ｍｏｌ．Ｃｒｙｓｔ．＆Ｌｉｑ．Ｃｒｙｓｒｔ．（１９８８）にて発表予定。
８）Ｔ．Ｏｈ−ｉｄｅおよびＳ．Ｋｏｂａｙａｓｈｉ：Ｍｏｌ．Ｃｒｙｓｔ．＆Ｌｉｑ．Ｃｒｙｓｒｔ．（１９８８）にて発表予定。
（第８２８頁左欄下から第９行〜第８２９頁右欄最下行）
▲３▼図２（Ｆｉｇ．２）
　図２には、ネマチック液晶を使用した液晶素子におけるレターデーションとプレチルト角の関係について記載され、「ＲＮ−３６９」なる高プレチルト角用ポリイミドからなる配向膜を使用した場合において、レターデーションが小さくなると、ネマチック液晶におけるプレチルト角が大きくなる傾向がある点が記載されている。
▲４▼図４（Ｆｉｇ．４）
　図４には、弱ラビングしたポリイミド配向膜を使用した強誘電液晶素子が、良好な双安定性を有している点が記載されている。
（２）甲第２号証
▲１▼ラビング法により、数°ないし３０°のプレチルト角でネマチック液晶を配向するために用いる、一連の特殊ポリイミドを合成した。化学的に合成した該ポリイミドは、通常の長鎖ポリマー部と、追加的に化学的に結合したある長さの炭化水素枝部との、二つの部分を有する。前者の部分は、ラピングにより液晶を一方向に配向する役割を有し、後者は適当なラピングが行われる際に、高プレチルト角を与える役割を担うものと考えられる。この新規合成ポリイミドは、ねじれ角２７０°およびプレチルト角１２゜のスーパーツイスト液晶ディスプレイの作成に成功裡に使用された。
（第１５７頁表題下要約部）
▲２▼表１（第１６０頁下段）
　表１には、アルキルアミンを使用した分枝ポリイミドの配向膜を使用し、ネマチック液晶「ＺＬＩ−２２９３」を使用した場合の使用アルキルアミンとプレチルト角の関係が示されており、ｎ−ヘキサデシルアミンを使用した場合、１９゜のプレチルト角が得られる点が記載されている。
▲３▼４．結論
　適度の長さを有する分岐炭化水素鎖を有するポリイミド分子を合成した。これらポリイミドは、その分岐部の長さおよびラビング強度に依存して数゜ないし１９°、更には３０°までの高プレチルトにてネマチック液晶を配向する良好な特性を示す。配向相はサイクル温度テスト（８０℃、数時間）に対して耐久性を示し、また開発されたポリイミドは、例えばスーパーツイスト・ネマチックＬＣＤの製造に有用であることが示された。
（第１６１頁第１８〜２８行）
（３）甲第３号証
▲１▼速いスイッチング時間および双安定性を有する液晶表示素子を、セル内壁間にカイラルスメクチック液晶材料層をおくことにより形成する。内壁に設けた電極により正および負の電圧パルスを印加することにより該液晶材料を二状態間でスイッチングさせる。急速なスイッチングは強誘電効果による。液晶分子に５〜４５゜の高いチルトをもたらす配向により、良好な配向と表示の均一性が達成される。配向は、一酸化ケイ素の視射角（ｇｌａｎｃｉｎｇ　ａｎｇｌｅ）１５°までの斜め蒸着により達成し得る。
（第１頁要約）
▲２▼本発明に従い、上記問題は、接触する液晶分子に対し、高チルトを与えるセル内壁表面処理を使用することにより解決される。
（第３頁第１１〜１３行）
▲３▼組立前に、電極５、６で被覆した内壁２、３に、公知の一酸化ケイ素の斜め蒸着法による表面処理をする。これは、例えば、英国特許第１４５４２９６号、第１４７２２４７号、第１４７０５９２号明細書に記載されている。一酸化ケイ素の流れを基板表面に対し１５゜までの角度で、内壁に蒸着する。上記特許明細書に、記載されるように、ネマチック液晶に適用したときに、これにより、液晶材料分子の均一な直線状配向ならびに内壁に対する分子の３０°のチルトが得られる。この配向は、液晶材料を、但し約２°のチルトで配向するラビングと、類似するものである。１５°以下及び１５〜３０゜でのＳｉＯの蒸着を順次行うことにより異なる分子チルト角が得られる。これら２方向での蒸着量を変化することによりチルト角を約０°と４５°の間で変化させることができる。
（第６頁第２２行〜第７頁第１３行）
▲４▼以下よりなる液晶素子：
　スベーサにより隔てられた二つのセル内壁、
　内壁間に収容されたカイラルスメクチック液晶層、
　セル内壁の内側対向表面上の電極構造体、
　内壁の内側対向表面上の表面配向被覆であり、接触する液晶材料に配向方向および５゜を超える表面チルトをともに与える表面配向被覆、
　液晶分子配向方向に対し光学軸を平行に配列した少なくともーの偏光子、および
　液晶材料中の一定量の二色染料または二つの偏光子間にセル壁が存在するように配置された第二の偏光子。
（クレーム１）
▲５▼分子チルトが１０〜４５゜の範囲であるクレーム１の素子。
（クレーム４）
（４）甲第４号証
　甲第４号証は、甲第３号証記載の発明における一酸化ケイ素被膜の製造方法が記載されている。
４．当審の判断
（１）本件発明と各甲号証記載発明の対比・判断
▲１▼まず、本件発明と上記甲第１号証記載の発明とを比較すると、本件発明では、ポリイミド配向制御膜がネマチック液晶において、少なくとも１５°以上のプレチルト角を与えるものであるのに対して、甲第１号証記載の発明では、ラビング強度によりレターデーションが変化し、当該レターデ−ションが小さくなるとネマチック液晶におけるプレチルト角が大きくなる傾向がある点および弱ラビングを施したポリイミド配向制御膜が強誘電性液晶を使用した場合、優れた双安定性を有する点がそれぞれ記載されているに留まり、ネマチック液晶において１５°以上のプレチルト角を有するポリイミド配向制御膜あるいは当該配向制御膜を使用した強誘電性液晶素子に係る具体的記載がない点で相違している。
　そして、本件発明は、当該特定のポリイミド配向制御膜を使用し強誘電性液晶素子を構成することにより、双安定性に優れるのみならず、表示欠陥を発生させない均一な配向を達成しているのであるから、上記相違点は実質的なものである。
　なお、申立人は、申立書第４頁下段において、上記３（２）に摘示した事項が記載された甲第２号証を提示し、甲第１号証に記載の「ＳＳＦＬＣ素子の双安定性、ラビングされたポリイミドへのネマチックＬＣのアンカリング強度および高プレチルト角用ポリイミドの分子設計および合成の詳細については、他文献７）・８）にて発表する」とされた文献７）であるとし、甲第１号証に記載の発明におけるポリイミド配向制御膜が１９°程度のプレチルト角を有している旨を主張しているが、甲第２号証記載の発明は専らＳＴＮ−ＬＣＤに係るものであり、甲第１号証における記載内容と甲第２号証における内容とを実質的に関連づける記載は、甲第１号証および甲第２号証のいずれを検討してもないから、申立人の上記主張は採用できない。
▲２▼次に、本件発明と甲第３号証記載の発明とを比較すると、本件発明は、ネマチック液晶において１５°以上のプレチルト角を与えるポリイミド配向制御膜を使用した強誘電液晶素子であるのに対して、甲第３号証記載の発明は、ネマチック液晶において１５°以上のプレチルト角を与えるものを含む一酸化ケイ素配向制御膜を使用した強誘電液晶素子である点で相違しており、配向制御膜の材料の相違であるから、本質的なものである。
▲３▼さらに、甲第１号証記載の発明と甲第３号証記載の発明とを組み合わせて、本件発明をなし得るかについて検討すると、甲第１号証には、弱いラビングを施した特定のポリイミド配向制御膜を使用して強誘電液晶素子を構成した場合、良好な双安定性を有する点は記載されているが、当該場合に使用するポリイミド配向制御膜の種類（プレチルト角等）については記載されておらず、また、甲第３号証には、ポリイミド配向制御膜を使用する点につき記載されていない。したがって、甲第１号証記載の発明において、甲第３号証記載の発明における１５°以上のプレチルト角を与える配向制御膜を使用して強誘電液晶素子を構成する点を付加するための動機となり得る事項が存するものとは認められず、また、甲第３号証記載の発明において、甲第１号証記載のポリイミド配向制御膜を使用する点を付加するための動機となり得る事項が存するものとも認められない。
▲４▼したがって、本件発明は、上記甲第１号証ないし甲第４号証の各甲号証に記載の発明に基づいて、当業者容易になし得たものとはいえない。
　以上のとおりであるから、申立人の、本件発明が甲第１号証に記載の発明と同一である旨の主張および甲第１号証ないし甲第４号証の各甲号証に記載の発明から当業者が容易に発明し得たものである旨の主張はいずれも採用できない。
５．むすび
　以上のとおりであるから、申立人が提示した特許異議申立の理由および証拠によっては、本件発明についての特許を取り消すことができない。
　また、他に本件発明についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１１年７月２日（１９９９．７．２）