【事件の表示】
　特許第２７８０４７３号「ＤＣ―ＳＱＵＩＤ素子およびその製造方法」の請求項１，２に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第２７８０４７３号の請求項１，２に係る特許を維持する。
【理　由】
１．経緯
出願　　　　　　平成　２年　９月２０日
設定登録　　　　平成１０年　５月１５日
特許異議申立（申立人株式会社東芝）
　　　　　　　　平成１１年　１月２９日
取消理由通知　　平成１１年　６月　７日
特許異議意見書　平成１１年　８月２６日
　
２．本件特許発明
　本件特許の請求項１ないし２に係る発明は、特許明細書特許請求の範囲請求項１ないし２に記載されたとおりの次のものである。
「【請求項１】それぞれ超電導体薄膜をパターニングして形成されたＳＱＵＩＤリング、カウンタ電極、モジュールコイルおよびインプットコイルが積層されているとともに、上記ＳＱＵＩＤリングとカウンタ電極とが、バリア層を介してブリッジにより２か所でウィークに接合されて２つのジョセフソン接合部を得てなるＳＱＵＩＤ素子において、上記ＳＱＵＩＤリングとカウンタ電極のいずれか一方が上記各層の最上層に、かつ、他方が最下層に配置されていることを特徴とするＤＣ−ＳＱＵＩＤ素子、
【請求項２】請求項１に記載のＤＣ−ＳＱＵＩＤ素子の製造方法であって、上記最下層の電極を形成した後、その電極上の上記ジョセフソン接合部が形成される位置を含むその近傍所定範囲を保護膜で覆い、次に、最上層の電極を除いてその上方の各層を形成した後、上記保護膜を除去し、その後、上記最上層の電極形成及び上記ブリッジ形成を行うことを特徴とするＤＣ−ＳＱＵＩＤ素子の製造方法。」
　
３．異議申立理由及び取消理由
　異議申立人は、甲第１号証（Revie　of　Scientific　Instrument,　Vol.55,　No.6,　952−957)、甲第2号証(1987　International　Superconductivity　Electronics　Conference,　265−268)、甲第３号証（特開平２−２９５１３２号公報）を提出し、本件特許の請求項１ないし２に係る発明は、甲各号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定に違反して特許されたというものです。
　また、取消理由も同趣旨である。
　
４．甲号証記載の発明
　甲第１号証には、Ｎｂのフィルムからスパッタにより、ＳＱＵＩＤ本体と螺旋コイルの内側終端に接続する細片をパターン形成し、ジョセフソン接合部のための２つの２μｍ平方の窓を形成した後、ピックアップコイル、ＳＱＵＩＤ接続部、インプットコイル等を形成し、ついで力ウン夕電極を形成したＤＣ−ＳＱＵＩＤ素子が開示されている（第９５３頁右欄第９行〜第２６行）。
　甲第２号証には、モデュレーションコイル、ＳＱＵＩＤループ、インプットコイルが形成され、又モリブデンシャント抵抗がＳｉＯ絶縁層の窓を通して接続されたジョセフソン接合ユニットを有するＤＣ−ＳＱＵＩＤ素子が開示されている。
　甲第３号証には、製造工程における過程で保護膜を用いる薄膜トランジスタの製
造方法が開示されている。
　　
５．請求項１に係る発明と甲号証との対比・判断
　請求項１において、「上記ＳＱＵＩＤリングと力ウン夕電極とが、バリア層を介してブリッジにより２カ所でウイークに接合されて２つのジョセフソン接合部を得てなる」と記載されており、ブリッジによるウイーク接合が明記されており、これは準平面型のジョセフソン接合であることを示す。
　これに対して、甲第１号証では、同第９５３頁右欄第１２行から第１５行に「Photoresist　was　Datterned　for　the　first　Sio　insulation　layer，leavmg　two　２‐μm　square　windows　for　the　junctions」と記載されており、ジョセフソン接合はホールを介して行われており、これはトンネル型のジョセフソン接合であることを示す。従って、甲第１号証には、本件特許請求項１に記載されているブリッジによって上下電極をウィークに結合する構成が何ら開示されていない。
　また、甲第２号証の２６６頁Ｆｉｇｌの説明文（ｃ）に、ジョセフソン接合部は、モリブデンシャント抵抗がＳｉＯ絶縁膜の窓を通して接続される構成であることが明記されており、また、同Ｆｉｇｌ（ｃ）にジヨセフソン接合部（Ｊ．Ｊ．）が点で示されており、これはブリッジ構造になっていないことが明らかであることから、甲第２号証に示されたＤＣ−ＳＱＵＩＤ素子もトンネル型ジョセフソン接合のＤＣ−ＳＱＵＩＤ素子である。従って、甲第２号証には、本件特許請求項１に記載されているブリッジによって上下電極をウィークに結合する構成が何ら開示されていない。
　甲第３号証は半導体形成時の保護膜について開示するものであり、従って、甲第３号証には、本件特許請求項１に記載されているブリッジによって上下電極をウィークに結合する構成が何ら開示されていない。
　そして、準平面型のジョセフソン接合では、接合部のウイークリンク長が上部電極と下部電極の間に介在する絶縁層の厚さによって決まるため絶縁層の膜厚の調整によってウィークリンク長を定めることができるという特徴がある（特許公報第１頁右欄下から第３行〜第２頁左欄第４行）。このため、準平面型ジョセフソン接合のＤＣ−ＳＱＵＩＤ素子では、ウイークリンク長の微調整が可能であるという利点を生かすため、カウンタ電極、モジュールコイル及びインプットコイル等を形成した後にジョセフソン接合部を形成して最後にウイークリンク長の調整をするというのが通常であり、最上層にＳＱＵＩＤリング、カウンタ電極、及びブリッジが形成されることになり、上層ほど平坦性が悪くなることから、ＳＱＵＩＤリング及びカウンタ電極間に介在させる絶縁膜の平坦性も悪くなり、微妙なウイークリンク長の調整が困難になるということも準平面型ジョセフソン接合のＤＣ−ＳＱＵＩＤ素子に特有の問題となる（特許公報第２頁右欄第４行〜同第１８行）。
　これに対して、トンネル型のジョセフソン接合では、甲第１号証に記載されているように、絶縁層に設けた窓を介してジョセフソン接合が形成されるため、準平面型のような臨界電流値の微調整ができず、このため、準平面型のようにジョセフソン接合部をどの層に形成するかが問題となることはない。また、トンネル型ジョセフソン接合では、準平面型ジョセフソン接合のように絶縁層の厚さによって臨界電流値の微調整を行うことができないので、ジョセフソン接合部を上層に形成した場合であっても、準平面型の場合のように平坦性の低下により臨界電流値の微調整が困難になるという問題は何ら生じない。
　トンネル型ジョセフソン接合のＤＣ−ＳＱＵＩＤ素子において、ＳＱＵＩＤ本体の上にピックアップコイルなどを形成し、ついでカウンタ電極を形成する構成を開示しているが、これは準平面型における特徴やこれにより生じる課題とはまったく無関係に、トンネル型において考えられる複数の形態の中から単にひとつの形態を示しているに過ぎないものである。このため甲第１号証は、上述した準平面型において生じる請求項１の発明の課題及びそれらの解決手段を何ら開示及び示唆するものではない。
　したがって、特許請求項１に記載の発明と甲第１〜３号証記載の発明と同一でもなく、また、甲第１〜３号証記載の発明から容易に発明できたものでもない。
　
６．請求項２に係る発明と甲号証との対比・判断
　請求項２に係る発明は、請求項１に係るＤＣ−ＳＱＵＩＤ素子の製造方法であり、請求項１記載の素子が、準平面型であり、特許請求項１に記載の発明と甲第１〜３号証記載の発明と同一でもなく、また、甲第１〜３号証記載の発明から容易に発明できたものでもない。
　
７．まとめ
　上記５，６で検討したように、異議申立理由及び取消理由は、いずれも理由がなく、他に、請求項１，２に係る発明の特許を取り消すべき理由がない。
　よって、上記のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年３月１６日（２０００．３．１６）