【事件の表示】
　特許第２７８４９８２号「積層型セラミックチップコンデンサ」の請求項１ないし５に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結論】
　訂正を認める。
　特許第２７８４９８２号の請求項４に係る特許を維持する。
【理由】
１．手続の経緯
　特許２７８４９８２号の請求項１〜５に係る発明についての出願は、平成５年６月１日に特許出願され、平成１０年５月２９日にその発明について特許の登録がされ、その後、その特許について、異議申立人株式会社村田製作所、京セラ株式会社により特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１１年８月５日に訂正請求がなされたものである。
２．訂正の適否についての判断
２−１．訂正の内容
　訂正点▲１▼：請求項１、２、３及び５を削除し、請求項４を分割して新たな請求項１及び２とし、次のように訂正する。
　【請求項１】　誘電体層と内部電極層とが交互に積層された構成のコンデンサチップ体を有する積層型セラミックチップコンデンサであって、前記誘電体層が、主成分としてチタン酸バリウムを、副成分として酸化マグネシウムと、酸化イットリウムと、酸化バリウムおよび酸化カルシウムから選択される少なくとも１種と、酸化ケイ素とを含有し、チタン酸バリウムをＢａＴｉＯ３に、酸化マグネシウムをＭｇＯに、酸化イットリウムをＹ２Ｏ３に、酸化バリウムをＢａＯに、酸化カルシウムをＣａＯに、酸化ケイ素をＳｉＯ２にそれぞれ換算したとき、ＢａＴｉＯ３１００モルに対する比率が、
　ＭｇＯ：０．１〜３モル
　Ｙ２Ｏ３：１モル超５モル以下、
　ＢａＯ＋ＣａＯ：２　〜１２モル
　ＳｉＯ２：２〜１２モル
であり、前記内部電極層に含まれる導電材が、Ｎｉ又はＮｉ合金であり，酸素分圧が１０−８〜１０−１２気圧である雰囲気中で、１２００〜１４００℃の温度範囲内にて焼成されたことを特徴とする積層型セラミックチップコンデンサ。
　【請求項２】　前記誘電体層が副成分として酸化マンガンを含有し、この酸化マンガンをＭｎＯに換算したとき、ＢａＴｉＯ３　１００モルに対するＭｎＯの比率が０．５モル以下である請求項１に記載の積層型セラミックチップコンデンサ。
　訂正点▲２▼：【００１２】段を次のように訂正する。
　【課題を解決するための手段】このような目的は、下記（１）および（２）の本発明により達成される。
（１）誘電体層と内部電極層とが交互に積層された構成のコンデンサチップ体を有する積層型セラミックチップコンデンサであって、
前記誘電体層が、主成分としてチタン酸バリウムを、副成分として酸化マグネシウムと、酸化イットリウムと、酸化バリウムおよび酸化カルシウムから選択される少なくとも１種と、酸化ケイ素とを含有し、チタン酸バリウムをＢａＴｉＯ３に、酸化マグネシウムをＭｇＯに、酸化イットリウムをＹ２Ｏ３に、酸化バリウムをＢａＯに、酸化カルシウムをＣａＯに、酸化ケイ素をＳｉＯ２にそれぞれ換算したとき、ＢａＴｉＯ３１００モルに対する比率が、
　ＭｇＯ：０．１〜３モル
　Ｙ２Ｏ３：１モル超５モル以下、
　ＢａＯ＋ＣａＯ：２〜１２モル
　ＳｉＯ２：２〜１２モル
であり、前記内部電極層に含まれる導電材が、Ｎｉ又はＮｉ合金であり，酸素分圧が１０−８〜１０−１２気圧である雰囲気中で、１２００〜１４００℃の温度範囲内にて焼成されたことを特徴とする積層型セラミックチップコンデンサ。
（２）前記誘電体層が副成分として酸化マンガンを含有し、この酸化マンガンをＭｎＯに換算したとき、ＢａＴｉＯ３　１００モルに対するＭｎＯの比率が０．５モル以下である請求項１に記載の積層型セラミックチップコンデンサ。
　訂正点▲３▼：【００２９】段の「＜内部電極層＞…Ｎｉ又はＮｉ合金が好ましい」を次のように訂正する。
　　＜内部電極層＞
　内部電極層３に含有される導電材は、誘電体層２構成材料が耐還元性を有するため、卑金属を用いることができ、Ｎｉ又はＮｉ合金を用いる。
　訂正点▲４▼：【００４４】段の「＜脱バインダ処理＞…好ましい」を次のように訂正する。
　　＜脱バインダ処理＞
　焼成前に行われる脱バインダ処理は、通常の条件で行えばよいが、内部電極層の導電材にＮｉやＮｉ合金等を用いるため、特に下記の条件で行うことが好ましい。
　訂正点▲５▼：【００４９】段の「還元性雰囲気中で焼成した場合」を次のように訂正する。
　還元性雰囲気中で焼成したのち
　訂正点▲６▼：【００８５】段の「誘電体層を所定の組成とする」を次のように訂正する。
誘電体層を所定の組成とし、かつ焼成条件を所定のものとする
　訂正点▲７▼：【００４６】段の「１１００〜１４００℃」を次のように訂正する。
　１２００〜１４００℃とする必要があり
２−２．訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　訂正点▲１▼について
　請求項１、２、３、５項を削除することは、特許請求の範囲の減縮に相当し、請求項４を新たな請求項１及び請求項２のように訂正することは、請求項４が請求項３を引用し、請求項３は請求項１または請求項２を引用しているためであり、訂正点▲１▼は、新規事項の追加に該当せず、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものではなく、訂正後の特許請求の範囲に記載された発明が出願の際独立して特許を受けることができるものである。
　訂正点▲２▼について
　特許請求の範囲の範囲を訂正したことにより、これとの整合を図るためになされたものであり、明りようでない記載の釈明に該当し、新規事項の追加に該当せず、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、変更するものでもない。
　訂正点▲３▼、▲４▼、▲５▼、▲６▼について
　明りょうでない記載の釈明を目的とするものであって、新規事項の追加に該当せず、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、変更するものでもない。
　訂正点▲７▼について
　焼成時の保持温度を「１１００〜１４００℃」から「１２００〜１４００℃」訂正するものであり、焼成時の保持温度の範囲を減縮するものと認められ、新規事項の追加に該当せず、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、変更するものでもない。（なお、特許権者は誤記の訂正と主張しているが、誤記と認定する根拠が不明であり、上記のように認定した。）
２−３．むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法第１２０条の４第２項及び同条第３項において準用する第１２６条２〜４項の規定に適合するので、訂正を認める。
３．特許異議の申立てについて
３−１．本件発明
　２−１の▲１▼　参照
　（以下、「新たな請求項１、２に係る発明」という。）
３−２．申立ての理由の概要
　申立人京セラ株式会社は、証拠として甲第１号証（特開平３−２７８４１３号公報）、甲第２号証（特開昭６３−１０３８６１号公報）、甲第３号証（特開平４−２３７９０２号公報）、甲第４号証（特開平２−８３２５６号公報）、甲第５号証（特開平３−１３３１１５号公報）を提出し、請求項１、２に係る発明は甲第１号証の発明と同一であり、第２９条第１項第３号の規定に違反してなされたものであり、請求項１、２に係る発明は、甲第２号証に対して甲第３号証および／または甲第４号証を組み合わせることにより、あるいは甲第３号証に対して甲第２号証を組み合わせることにより当業者が容易になし得るものであり、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであり、請求項３に係る発明は、甲第１号証と実質的に同一、または甲第２号証と、甲第３号証または甲第４号証との組み合わせ、あるいはこれらと甲第１号証との組み合わせにより当業者が容易になし得るものであり、特許法第２９条第１項第３号または同法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであり、請求項４に係る発明は、甲第１号証と甲第２号証または甲第３号証との組み合わせにより、または甲第２号証と、甲第３号証および／または甲第４号証との組み合わせにより当業者が容易になし得るものであり、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであり、さらに請求項５に係る発明は、甲第１号証と実質的に同一であり、または甲第１号証と、甲第２号証乃至甲第５号証との組み合わせにより当業者が容易になし得るものであり、特許法第２９条第１項第３号または同法第２９条第２項の規定に違反して特許されたものであり、特許を取り消すべき旨主張している。
　申立人株式会社村田製作所は、証拠として甲第１号証（特開昭６３−１０３８６１号公報）、甲第２号証（特開平２−８３２５６号公報）、甲第３号証（特開平３−１３３１１６号公報）を提出し、請求項１〜４に係る発明は、甲第１号証および甲第２号証に記載された事項に基づいて、また請求項５に係る発明は、甲第１号証、甲第２号証および甲第３号証に記載された事項に基づいて、当業者が容易になし得るものであり、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであり、特許を取り消すべき旨主張している。
３−３．甲各号証記載の発明
　▲１▼申立人京セラ株式会社が提出した甲第１号証の発明（特開平３−２７８４１３号公報）
　誘電体磁器組成物からなる誘電体磁器層と、この誘電体磁器層を挟持している少なくとも２以上の内部電極を備えたコンデンサにおいて、非酸化性雰囲気中における１２００℃以下の焼成で得られるものであるにもかかわらず、非誘電率が３０００以上、誘電体損失ｔａｎδが２．５％以下、抵抗率ρが１×１０６ＭΩ・ｃｍ以上であり、かつ非誘電率の温度変化率が−５５℃〜１２５℃で−１５％〜＋１５％（２５℃基準）、−２５℃〜８５℃で−１０％〜＋１０％（２０℃基準）の範囲に収まる誘電体組成物を提供するために、
　誘電体磁器組成物が１００重量部の基本成分と、０．２〜５重量部の添加成分からなり、　前記基本成分が
（Ｂａｋ−ｘＭｘ）Ｏｋ（Ｔｉｌ−ｚＲｚ）Ｏ２−ｚ／ｚ
（但し、ＭはＭｇ及び／又はＺｎ、ＲはＳｅ、Ｙ、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、及びＹｂから選択された１種または２種以上の金属元素、ｋ、ｘ、ｚは、
　１．００≦ｋ≦１．０５
　０．０１≦ｘ≦０．１０
　０．００２≪ｚ≪０．０６
を満足する数値）
で表される物質からなり、
　前記添加成分がＬｉ２とＳｉ２とＭＯ（但し、ＭＯはＢａＯ、Ｓｒｏ、ＣａＯ、ＭｇＯ及びＺｎＯから選択された１種または２種以上の金属酸化物からなり、
　基本成分の中に、本発明の目的を阻害しない範囲で微量のＭｎＯ２（好ましくは０．０５〜０．１重量％）等の鉱化剤を添加して、焼結性を高めるようにし、
　内部電極としてニッケルを使用する、
　発明が記載されている。
　▲２▼申立人株式会社村田製作所が提出した甲第１号証、申立人京セラ株式会社が提出した甲第２号証の発明（特開昭６３−１０３８６１号公報）
　磁器コンデンサ、特にニッケルから成る内部電極を有する積層型磁器コンデンサの非還元性誘電体磁器組成物に関し、
　組成物が
（１００−ｘ−ｙ）ＢａＴｉＯ３＋ｘＭｎＯ＋ｙＭｇＯ
で示される主成分に対して、添加剤としてＹ２Ｏ３、Ｌａ２Ｏ３、Ｎｄ２Ｏ３、ＳｍＯ３、Ｄｙ２Ｏ３から選ばれる１種を前記主成分に対して、添加剤としてＺモル％含有せしめた組成物であって前記ｘ、ｙ、ｚが下記式
　０≦ｘ≦７
　１≦ｙ≦８
　０．２５≦ｚ≦２．５
　１≦ｘ＋ｙ≦１０
　１．０≦ｙ／ｚ≦１０
を満足し
　上記組成から成る得られた試料を酸素分圧３×１０−１０乃至３×１０−８ａｔｍに制御し、キャリアガスをＮ２ガスとして１２５０乃至１３５０℃にて２時間焼成してなる、
　発明が記載されている。
　▲３▼申立人株式会社村田製作所が提出した甲第２号証、申立人京セラ株式会社が提出した甲第４号証の発明（特開平２−８３２５６号公報）
　ニッケル等安価な卑金属電極を用いた積層セラミック・コンデンサに用いられる非還元性誘電体磁器組成物を得るために、
　組成式がＢａαＣａ１−αＳｉＯ３（ただし０．４３≦α≦０．６２）で表される添加物を、チタン酸バリウム１００部に対して、０．１〜６部添加し、Ｎ２中、またはＮ２＋Ｈ２中で１１８０〜１３００℃で２時間焼成して誘電体磁器組成物を得る、
　発明が記載されている。
　▲４▼申立人京セラ株式会社が提出した甲第３号証の発明（特開平２−８３２５６号公報）
　特にニッケルを内部電極に有する積層磁器コンデンサを形成するのに有用な誘電体磁器組成物を得るために、
　ＢａＴｉＯ３　１００モル％に対して
　ＭｎＯ　　０．１０モル％〜２．００モル％
　Ｙ２Ｏ３　０．０１モル％〜１．００モル％
｛Ｂａα、ｃａ（１−α）｝ＳｉＯ３
　（ただし０．４３≦α≦０．５２）
　　０．５〜１０．００％
の範囲にある組成であって、
　酸素分圧７×１０−９〜９×１０−１３ａ．ｔ．ｍ．に制御し、焼成温度１２００℃〜１３００℃で、安定時間２時間で焼成し、得られた焼成体をさらに中性雰囲気中で７００℃〜１１００℃で安定時間９時間で再酸化を行うようにした、
　発明が記載されている。
　▲５▼申立人京セラ株式会社が提出した甲第５号証の発明（特開平３−１３３１１５号公報）
　ＮｉないしＮｉ合金製内部電極を有する積層型チップコンデンサを得るために、
　熱処理は、保持温度ないし最高温度を９００〜１２００℃、好ましくは９００〜１１００℃、特に好ましくは１０００〜１１００℃で行い、酸素分圧は１０−８ａｔｍ以上、好ましくは１０−４〜１０−７ａｔｍ、特に好ましくは１０−６〜１０−８ａｔｍとして行う、
　発明が記載されている。
　▲６▼申立人株式会社村田製作所が提出した甲第３号証の発明（特開平３−１３３１１６号公報）
　ＮｉないしＮｉ合金製内部電極を有する積層型チップコンデンサを得るために、
　熱処理は、保持温度ないし最高温度を９００〜１２００℃、好ましくは９００〜１１００℃、特に好ましくは１０００〜１１００℃で行い、酸素分圧は１０−８ａｔｍ以上、好ましくは１０−４〜１０−７ａｔｍ、特に好ましくは１０−６〜１０−８ａｔｍとして行う、
　発明が記載されている。
３−４．対比判断
　新たな請求項１、２に係る発明と、上記刊行物▲１▼〜▲６▼を対比すると、積層セラミックコンデンサの誘電体を構成する点で一致するものの、「容量の温度特性であるＸ７Ｒ特性を満足することができ、かつ、直流電界下での容量の経時変化が小さく、絶縁抵抗ＩＲの加速寿命が長く、直流バイアス特性が良好な積層型セラミックチップコンデンサを提供する」ために、
「誘電体層が、主成分としてチタン酸バリウムを、副成分として酸化マグネシウムと、酸化イットリウムと、酸化バリウムおよび酸化カルシウムから選択される少なくとも１種と、酸化ケイ素とを含有し、チタン酸バリウムをＢａＴｉＯ３に、酸化マグネシウムをＭｇＯに、酸化イットリウムをＹ２Ｏ３に、酸化バリウムをＢａＯに、酸化カルシウムをＣａＯに、酸化ケイ素をＳｉＯ２にそれぞれ換算したとき、ＢａＴｉＯ３１００モルに対する比率が、
　ＭｇＯ：０．１〜３モル
　Ｙ２Ｏ３：１モル超５モル以下、
　ＢａＯ＋ＣａＯ：２〜１２モル
　ＳｉＯ２：２〜１２モル
であり、前記内部電極層に含まれる導電材が、Ｎｉ又はＮｉ合金であり，酸素分圧が１０−８〜１０−１２気圧である雰囲気中で、１２００〜１４００℃の温度範囲内にて焼成された」構成は、上記刊行物▲１▼〜▲６▼には記載されているとは認められず、また刊行物▲１▼〜▲６▼に記載された発明に基づいて容易に発明をすることができたものとは認められない。
　そして新たな請求項１、２に係る発明のように構成することにより、明細書記載の
　「本発明では、誘電体層を所定の組成とし、かつ焼成条件を所定のものとすることにより、容量の温度特性に関するＸ７Ｒ特性を満足することができ、かつ、直流電界下での容量の経時変化が小さく、絶縁抵抗ＩＲの加速寿命が長く、直流バイアス特性が良好な積層型セラミックコンデンサを実現することができる。従って、誘電体の厚さを５μｍ以下としても実用的に十分な特性が得られる」という顕著な効果を奏するものである。
　したがって、新たな請求項１、２に係る発明は、申立人京セラ株式会社が提出した甲第１号証、甲第２号証、甲第３号証、甲第４号証、甲第５号証、申立人株式会社村田製作所が提出した甲第１号証、甲第２号証、甲第３号証に記載の発明であるとも、申立人京セラ株式会社が提出した甲第１号証、甲第２号証、甲第３号証、甲第４号証、甲第５号証、申立人株式会社村田製作所が提出した甲第１号証、甲第２号証、甲第３号証に記載の各発明を組み合わせて容易に発明をすることができたものともいえない。
ＩＩＩ−４．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立の理由及び証拠によっては、新たな請求項１、２に係る発明の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件新たな請求項１、２に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１１年９月７日（１９９９．９．７）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
　訂正点▲１▼：請求項１、２、３及び５を削除し、請求項４を分割して新たな請求項１及び２とし、次のように訂正する。
　【請求項１】　誘電体層と内部電極層とが交互に積層された構成のコンデンサチップ体を有する積層型セラミックチップコンデンサであって、前記誘電体層が、主成分としてチタン酸バリウムを、副成分として酸化マグネシウムと、酸化イットリウムと、酸化バリウムおよび酸化カルシウムから選択される少なくとも１種と、酸化ケイ素とを含有し、チタン酸バリウムをＢａＴｉＯ３に、酸化マグネシウムをＭｇＯに、酸化イットリウムをＹ２Ｏ３に、酸化バリウムをＢａＯに、酸化カルシウムをＣａＯに、酸化ケイ素をＳｉＯ２にそれぞれ換算したとき、ＢａＴｉＯ３１００モルに対する比率が、
　ＭｇＯ：０．１〜３モル
　Ｙ２Ｏ３：１モル超５モル以下、
　ＢａＯ＋ＣａＯ：２　〜１２モル
　ＳｉＯ２：２〜１２モル
であり、前記内部電極層に含まれる導電材が、　Ｎｉ又はＮｉ合金であり，酸素分圧が１０−８〜１０−１２気圧である雰囲気中で、１２００〜１４００℃の温度範囲内にて焼成されたことを特徴とする積層型セラミックチップコンデンサ。
　【請求項２】　前記誘電体層が副成分として酸化マンガンを含有し、この酸化マンガンをＭｎＯに換算したとき、ＢａＴｉＯ３　１００モルに対するＭｎＯの比率が０．５モル以下である請求項１に記載の積層型セラミックチップコンデンサ。
　訂正点▲２▼：【００１２】段を次のように訂正する。
　【課題を解決するための手段】このような目的は、下記（１）および（２）の本発明により達成される。
（１）誘電体層と内部電極層とが交互に積層された構成のコンデンサチップ体を有する積層型セラミックチップコンデンサであって、
前記誘電体層が、主成分としてチタン酸バリウムを、副成分として酸化マグネシウムと、酸化イットリウムと、酸化バリウムおよび酸化カルシウムから選択される少なくとも１種と、酸化ケイ素とを含有し、チタン酸バリウムをＢａＴｉＯ３に、酸化マグネシウムをＭｇＯに、酸化イットリウムをＹ２Ｏ３に、酸化バリウムをＢａＯに、酸化カルシウムをＣａＯに、酸化ケイ素をＳｉＯ２にそれぞれ換算したとき、ＢａＴｉＯ３１００モルに対する比率が、
　ＭｇＯ：０．１〜３モル
　Ｙ２Ｏ３：１モル超５モル以下、
　ＢａＯ＋ＣａＯ：２〜１２モル
　ＳｉＯ２：２〜１２モル
であり、前記内部電極層に含まれる導電材が、　Ｎｉ又はＮｉ合金であり，酸素分圧が１０−８〜１０−１２気圧である雰囲気中で、１２００〜１４００℃の温度範囲内にて焼成されたことを特徴とする積層型セラミックチップコンデンサ。
（２）前記誘電体層が副成分として酸化マンガンを含有し、この酸化マンガンをＭｎＯに換算したとき、ＢａＴｉＯ３　１００モルに対するＭｎＯの比率が０．５モル以下である請求項１に記載の積層型セラミックチップコンデンサ。
　訂正点▲３▼：【００２９】段の「＜内部電極層＞…Ｎｉ又はＮｉ合金が好ましい」を次のように訂正する。
　　＜内部電極層＞
　内部電極層３に含有される導電材は、誘電体層２構成材料が耐還元性を有するため、卑金属を用いることができ、Ｎｉ又はＮｉ合金を用いる。
　訂正点▲４▼：【００４４】段の「＜脱バインダ処理＞…好ましい」を次のように訂正する。
　　＜脱バインダ処理＞
　焼成前に行われる脱バインダ処理は、通常の条件で行えばよいが、内部電極層の導電材にＮｉやＮｉ合金等を用いるため、特に下記の条件で行うことが好ましい。
　訂正点▲５▼：【００４９】段の「還元性雰囲気中で焼成した場合」を次のように訂正する。
　還元性雰囲気中で焼成したのち
　訂正点▲６▼：【００８５】段の「誘電体層を所定の組成とする」を次のように訂正する。
誘電体層を所定の組成とし、かつ焼成条件を所定のものとする
　訂正点▲７▼：【００４６】段の「１１００〜１４００℃」を次のように訂正する。
　１２００〜１４００℃とする必要があり
（５４）【発明の名称】
積層型セラミックチップコンデンサ
（５７）【特許請求の範囲】
　　【請求項１】　誘電体層と内部電極層とが交互に積層された構成のコンデンサチップ体を有する積層型セラミックチップコンデンサであって、
　前記誘電体層が、主成分としてチタン酸バリウムを、副成分として酸化マグネシウムと、酸化イットリウムと、酸化バリウムおよび酸化カルシウムから選択される少なくとも１種と、酸化ケイ素とを含有し、チタン酸バリウムをＢａＴｉＯ３に、酸化マグネシウムをＭｇＯに、酸化イットリウムをＹ２Ｏ３に、酸化バリウムをＢａＯに、酸化カルシウムをＣａＯに、酸化ケイ素をＳｉＯ２にそれぞれ換算したとき、ＢａＴｉＯ３１００モルに対する比率が
　　ＭｇＯ：０．１〜３モル、
　　Ｙ２Ｏ３：１モル超５モル以下、
　　ＢａＯ＋ＣａＯ：２〜１２モル、
　　ＳｉＯ２：２〜１２モル
であり、
前記内部電訴内に含まれる導電材が、Ｎｉ又はＮｉ合金であり、酸素分圧が１０−８〜１０−１２気圧である雰囲気中で、１２００から１４００℃の温度範囲内にて焼成された
　　【請求項２】　前記誘電体層が副成分として酸化マンガンを含有し、この酸化マンガンをＭｎＯに換算したとき、ＢａＴｉＯ３１００モルに対するＭｎＯの比率が０．５モル以下である請求項１に記載の積層型セラミックチップコンデンサ。
【発明の詳細な説明】
　　　【０００１】
　　【産業上の利用分野】
　本発明は、積層型セラミックチップコンデンサに関する。
　　　【０００２】
　　【従来の技術】
　積層型セラミックチップコンデンサは、小型、大容量、高信頼性の電子部品として広く利用されており、１台の電子機器の中で使用される個数も多数にのぼる。近年、機器の小型・高性能化にともない、積層型セラミックチップコンデンサに対する更なる小型、大容量、低価格、高信頼性化への要求はますます厳しくなっている。
　　　【０００３】
　積層型セラミックチップコンデンサは通常、内部電極層用のペーストと誘電体層用のペーストとをシート法や印刷法等により積層し、一体同時焼成して製造される。
　　　【０００４】
　内部電極層の導電材には、一般にＰｄやＰｄ合金が用いられているが、Ｐｄは高価であるため、比較的安価なＮｉやＮｉ合金等の卑金属が使用されつつある。内部電極層の導電材として卑金属を用いる場合、大気中で焼成を行なうと内部電極層が酸化してしまうため、誘電体層と内部電極層との同時焼成を、還元性雰囲気中で行なう必要がある。しかし、還元性雰囲気中で焼成すると、誘電体層が還元され、比抵抗が低くなってしまうため、非還元性の誘電体材料が提案されている。
　　　【０００５】
　しかし、非還元性の誘電体材料を用いた積層型セラミックチップコンデンサは、絶縁抵抗ＩＲの寿命が短くなり、信頼性が低いという問題がある。
　　　【０００６】
　また、誘電体を直流電界にさらすと、比誘電率εｓが経時的に低下するという問題が生じる。チップコンデンサを小型、大容量化するために誘電体層の厚みを薄くすると、直流電圧を印加したときの誘電体層にかかる電界が強くなるため、比誘電率εｓの経時変化、すなわち容量の経時変化が著しく大きくなってしまう。
　　　【０００７】
　さらに、コンデンサには直流バイアス特性が良好であることも要求される。直流バイアス特性とは、チップコンデンサに交流電界とこれに重畳する直流成分とが印加されたときの容量の変化率を表わすもので、印加される直流電界が大きくなると、一般に容量の低下がみられる。この特性が不十分であると、通常の使用時に直流電界が印加されたとき、容量が著しく低下して規格の容量に満たなくなてしまう、という問題が生じる。
　　　【０００８】
　ところで、ＥＩＡ規格に定められたＸ７Ｒ特性と呼ばれる規格では、容量の変化率が、−５５℃から１２５℃の間で±１５％以内（基準温度２５℃）と定められている。
　　　【０００９】
　Ｘ７Ｒ特性を満足する誘電体材料としては、例えば特開昭６１−３６１７０号公報に示されるＢａＴｉＯ３＋ＳｒＴｉＯ３＋ＭｎＯ系の組成が知られている。しかし、このものは、直流電界下における容量の経時変化が大きく、例えば４０℃で５０Ｖの直流電界を１０００時間印加すると、容量の変化率が−１０〜−３０％程度となってしまい、Ｘ７Ｒ特性を満足することができなくなる。
　　　【００１０】
　また、この他、非還元性の誘電体磁器組成物としては、特開昭５７−７１８６６号公報に開示されているＢａＴｉＯ３＋ＭｎＯ＋ＭｇＯ、特開昭６１−２５０９０５号公報に開示されている（Ｂａ１−ｘ　ＳｒｘＯ）ａＴｉ１−ｙＺｒｙＯ２＋α（（１−ｚ）ＭｎＯ＋ｚＣｏＯ）十β（（１−ｔ）Ａ２Ｏ５＋ｔＬ２Ｏ３）＋ｗＳｉＯ２（ただし、Ａ＝Ｎｂ，Ｔａ，Ｖ、Ｌ＝Ｙまたは希土類元素）、特開平２−８３２５６号公報に開示されているチタン酸バリウムにガラス状態のＢａαＣａ１−αＳｉＯ３を添加したものなどが挙げられる。しかし、これらのいずれの誘電体磁器組成物も、容量の温度特性が良好で、直流電界下での容量の経時変化が少なく、直流バイアス特性が良好であり、絶縁抵抗の加速寿命が長いという特性の全てを満足することはできなかった。例えば、特開昭６１−２５０９０５号公報および特開平２−８３２５６号公報にそれぞれ開示されているものでは、絶縁抵抗の加速寿命が短い。
　　　【００１１】
　　【発明が解決しようとする課題】
　本発明はこのような事情からなされたものであり、容量の温度特性であるＸ７Ｒ特性を満足することができ、かつ、直流電界下での容量の経時変化が小さく、、絶縁抵抗ＩＲの加速寿命が長く、直流バイアス特性が良好な積層型セラミックチップコンデンサを提供することを目的とする。
　　　【００１２】
　　【課題を解決するための手段】
　このような目的は、下記（１）および（２）の本発明により達成される。
　（１）誘電体層と内部電極層とが交互に積層された構成のコンデンサチップ体を有する積層型セラミックチップコンデンサであって、
　前記誘電体層が、主成分としてチタン酸バリウムを、副成分として酸化マグネシウムと、酸化イットリウムと、酸化バリウムおよび酸化カルシウムから選択される少なくとも１種と、酸化ケイ素とを含有し、チタン酸バリウムをＢａＴｉＯ３　に、酸化マグネシウムをＭｇＯに、酸化イットリウムをＹ２Ｏ３に、酸化バリウムをＢａＯに、酸化カルシウムをＣａＯに、酸化ケイ素をＳｉＯ２にそれぞれ換算したとき、ＢａＴｉＯ３１００モルに対する比率が
　　ＭｇＯ：０．１〜３モル、
　　Ｙ２Ｏ３：１モル超５モル以下、
　　ＢａＯ＋ＣａＯ：２〜１２モル、
　　ＳｉＯ２：２〜１２モル
であり、
前記内部電極層に含まれる導伝材が、Ｎｉ又はＮｉ合金であり、酸素分圧が１０−８〜１０−１２気圧である雰囲気中で、１２００〜１４００℃の温度範囲内にて焼成された
（２）前記誘電体層が副成分として酸化マンガンを含有し、この酸化マンガンをＭｎＯに換算したとき、ＢａＴｉＯ３１００モルに対するＭｎＯの比率が０．５モル以下である上記（１）に記載の積層型セラミックチップコンデンサ。
　　　【００１３】
　　【具体的構成】
　以下、本発明の具体的構成について詳細に説明する。
　　　【００１４】
［積層型セラミックチップコンデンサ］
　本発明の積層型セラミックチップコンデンサの構成例の断面図を、図１に示す。
　　　【００１５】
　図１に示されるように、本発明の積層型セラミックチップコンデンサ１は、誘電体層２と内部電極層３とが交互に積層された構成のコンデンサチップ体１０を有し、このコンデンサチップ体１０表面に、内部電極層３と導通する外部電極４を有する。コンデンサチップ体１０の形状に特に制限はないが、通常、直方体状とされる。また、その寸法にも特に制限はなく、用途に応じて適当な寸法とすればよいが、通常、（１．０〜５．６ｍｍ）×（０．５〜５．０ｍｍ）×（０．５〜１．９ｍｍ）程度である。内部電極層３は、その端面がコンデンサチップ体１０対向する２表面に交互に露出するように積層され、外部電極４は、コンデンサチップ体１０の前記対向する２表面に形成され、所定のコンデンサ回路を構成する。
　　　【００１６】
　　＜誘電体層２＞
　誘電体層２は、主成分としてチタン酸バリウム、副成分として酸化マグネシウムと、酸化イットリウムと、酸化バリウムおよび酸化カルシウムから選択される少なくとも１種と、酸化ケイ素とを含有する。チタン酸バリウムをＢａＴｉＯ３に、酸化マグネシウムをＭｇＯに、酸化イットリウムをＹ２Ｏ３に、酸化バリウムをＢａＯに、酸化カルシウムをＣａＯに、酸化ケイ素をＳｉＯ２にそれぞれ換算したとき、誘電体層中における各化合物の比率は、ＢａＴｉＯ３１００モルに対し
　　ＭｇＯ：０．１〜３モル、好ましくは０．５〜２．０モル、
　　Ｙ２Ｏ３：１モル超５モル以下、好ましくは１．１〜３．５モル、
　　ＢａＯ＋ＣａＯ：２〜１２モル、好ましくは２〜６モル、
　　ＳｉＯ２：２〜１２モル、好ましくは２〜６モル、
である。
　　　【００１７】
　各酸化物の酸化状態は特に限定されず、各酸化物を構成する金属元素の含有量が上記範囲であればよい。
　　　【００１８】
　なお、誘電体層２には他の化合物が含まれていてもよいが、酸化コバルトは容量変化率を増大させるので実質的に含まれないことが好ましい。
　　　【００１９】
　上記各副成分の含有量の限定理由は下記のとおりである。
　　　【００２０】
　酸化マグネシウムの含有量が前記範囲未満であると、容量の温度特性を所望の範囲とすることができない。酸化マグネシウムの含有量が前記範囲を超えると、焼結性が急激に悪化し、緻密化が不十分となってＩＲ加速寿命が低下し、また、高い比誘電率が得られない。
　　　【００２１】
　酸化イットリウムは、ＩＲ加速寿命を向上させる効果を有し、直流バイアス特性も向上させる。酸化イットリウムの含有量が１モル以下となると直流バイアス特性が不十分となる。酸化イットリウムの含有量が前記範囲を超えると比誘電率が低下し、また、焼結性が低下して緻密化が不十分となる。
　　　【００２２】
　ＢａＯ＋ＣａＯの含有量が前記範囲未満であると、直流電界印加時の容量の経時変化が大きくなり、また、ＩＲ加速寿命が不十分となり、また、容量の温度特性を所望の範囲とすることができない。含有量が前記範囲を超えると、ＩＲ加速寿命が不十分となり、また、比誘電率の急激な低下が起こる。また、ＳｉＯ２の含有量が前記範囲未満であると焼結性が低下して緻密化が不十分となり、前記範囲を超えると初期絶縁抵抗が低くなりすぎる。
　　　【００２３】
　誘電体層中には、上記各化合物に加え酸化マンガンが含有されていてもよい。酸化マンガンは誘電体層を緻密化する作用とＩＲ加速寿命を向上させる作用をもつが、含有量が多すぎると直流電界印加時の容量の経時変化を小さくすることが困難となる。ＭｎＯに換算したときの酸化マンガンの含有量は、ＢａＴｉＯ３１００モルに対し好ましくは０．５モル以下、より好ましくは０．３モル以下であり、十分な効果を得るためには０．０１モル以上添加することが好ましい。
　　　【００２４】
　また、誘電体層中には、酸化アルミニウムが含有されていてもよい。酸化アルミニウムは比較的低温での焼結を可能にする作用をもつ。Ａｌ２Ｏ３に換算したときの酸化アルミニウムの含有量は、誘電体材料全体の１重量％以下とすることが好ましい。酸化アルミニウムの含有量が多すぎると比誘電率が著しく低下してしまい、同時にＩＲ加速寿命も短くなってしまう。
　　　【００２５】
　本発明において誘電体層は、いわゆるコアーシェル構造となっている。すなわち、ペロブスカイト構造を有する高誘電率相の結晶粒（コア）の周囲を低誘電率相の結晶粒界（シェル）が取り囲む構造となっている。コアには、通常、ＢａＯ、ＴｉＯ２、ＭｎＯ、ＣａＯなどが含まれ、シェルには、通常、ＣａＯ、ＴｉＯ２、ＢａＯ、ＳｉＯ２、ＭｎＯ、ＭｇＯ、Ｙ２Ｏ３などが含まれる。
　　　【００２６】
　誘電体層の平均結晶粒径は特に限定されないが、上記組成とすることにより微細な結晶粒が得られ、通常、平均結晶粒径は０．２〜０．７μｍ程度となる。また、シェルの平均幅は、０．０２〜０．２μｍ程度である。
　　　【００２７】
　誘電体層のキュリー温度は、適用される規格に応じて組成を選択することにより適宜設定することができるが、一般に８５℃以上、通常、１２０〜１３５℃程度とする。
　　　【００２８】
　誘電体層の一層あたりの厚さは、５０μｍ以下、さらには２０μｍ程度以下とする。厚さの下限は０．５μｍ程度である。本発明は、このような薄層化した誘電体層を有する積層型セラミックチップコンデンサの容量の経時変化防止に有効である。なお、誘電体層の積層数は、通常、２〜３００程度とする。
　　　【００２９】
　　＜内部電極層３＞
　内部電極層３に含有される導電材は、誘電体層２構成材料が耐還元性を有するため、卑金属を用いることができ、ＮｉまたはＮｉ合金を用いる。Ｎｉ合金としては、Ｍｎ、Ｃｒ、ＣｏおよびＡｌから選択される１種以上の元素とＮｉとの合金が好ましく、合金中のＮｉ含有量は９５重量％以上であることが好ましい。
　　　【００３０】
　なお、ＮｉまたはＮｉ合金中には、Ｐ等の各種微量成分が０．１重量％程度以下含まれていてもよい。
　　　【００３１】
　内部電極層の厚さは用途等に応じて適宜決定すればよいが、通常、０．５〜５μｍ、特に０．５〜２．５μｍ程度であることが好ましい。
　　　【００３２】
　　＜外部電極４＞
　外部電極４に含有される導電材は特に限定されないが、本発明では安価なＮｉ、Ｃｕや、これらの合金を用いることができる。
　　　【００３３】
　外部電極の厚さは用途等に応じて適宜決定されればよいが、通常、１０〜５０μｍ程度であることが好ましい。
　　　【００３４】
［積層型セラミックチップコンデンサの製造方法］
　本発明の積層型セラミックチップコンデンサは、ペーストを用いた通常の印刷法やシート法によりグリーンチップを作製し、これを焼成した後、外部電極を印刷ないし転写して焼成することにより製造される。
　　　【００３５】
　　＜誘電体層用ペースト＞
　誘電体層用ペーストは、誘電体原料と有機ビヒクルとを混練して製造される。
　　　【００３６】
　誘電体原料には、上記した複合酸化物や酸化物の混合物を用いることができるが、その他、焼成により上記した複合酸化物や酸化物となる各種化合物、例えば、炭酸塩、シュウ酸塩、硝酸塩、水酸化物、有機金属化合物等から適宜選択し、混合して用いることができる。誘電体原料中の各化合物の含有量は、焼成後に上記した誘電体層の組成となるように決定すればよい。
　　　【００３７】
　誘電体原料は、通常、平均粒子径０．１〜３μｍ程度の粉末として用いられる。
　　　【００３８】
　有機ビヒクルとは、バインダを有機溶剤中に溶解したものである。有機ビヒクルに用いるバインダは特に限定されず、エチルセルロース等の通常の各種バインダから適宜選択すればよい。また、用いる有機溶剤も特に限定されず、印刷法やシート法など、利用する方法に応じて、テルピネオール、ブチルカルビトール、アセトン、トルエン等の各種有機溶剤から適宜選択すればよい。
　　　【００３９】
　　＜内部電極層用ペースト＞
　内部電極層用ペーストは、上記した各種導電性金属や合金からなる導電材、あるいは焼成後に上記した導電材となる各種酸化物、有機金属化合物、レジネート等と、上記した有機ビヒクルとを混練して調製する。
　　　【００４０】
　　＜外部電極用ペースト＞
　外部電極用ペーストは、上記した内部電極層用ペーストと同様にして調製すればよい。
　　　【００４１】
　　＜有機ビヒクル含有量＞
　上記した各ペースト中の有機ビヒクルの含有量に特に制限はなく、通常の含有量、例えば、バインダは１〜５重量％程度、溶剤は１０〜５０重量％程度とすればよい。また、各ペースト中には、必要に応じて各種分散剤、可塑剤、誘電体、絶縁体等から選択される添加物が含有されていてもよい。これらの総含有量は、１０重量％以下とすることが好ましい。
　　　【００４２】
　　＜グリーンチップ作製＞
　印刷法を用いる場合、誘電体層用ペーストおよび内部電極層用ペーストを、ＰＥＴ等の基板上に積層印刷し、所定形状に切断した後、基板から剥離してグリーンチップとする。
　　　【００４３】
　また、シート法を用いる場合、誘電体層用ペーストを用いてグリーンシートを形成し、この上に内部電極層用ペーストを印刷した後、これらを積層してグリーチップとする。
　　　【００４４】
　　＜脱バインダ処理＞
　焼成前に行なわれる脱バインダ処理は、通常の条件で行えばよいが、内部電極層の導電材にＮｉやＮｉ合金等
　
ため
　昇温速度：５〜３００℃／時間、特に１０〜１００℃／時間
　保持温度：２００〜４００℃、特に２５０〜３００℃
　温度保持時間：０．５〜２４時間、特に５〜２０時間
　雰囲気：空気中
　　　【００４５】
　　＜焼成＞
　グリーンチップ焼成時の雰囲気は、内部電極層用ペースト中の導電材の種類に応じて適宜決定されればよいが、導電材としてＮｉやＮｉ合金を用いるため、焼成雰囲気中の酸素分圧は、１０−８〜１０−１２気圧とすることが好ましい。酸素分圧が前記範囲未満であると、内部電極層の導電材が異常焼結を起こし、途切れてしまうことがある。また、酸素分圧が前記範囲を超えると、内部電極層が酸化する傾向にある。
　　　【００４６】
　また、焼成時の保持温度は、
１２００
とする必要があり
　　　【００４７】
　上記条件以外の各種条件は、下記のようにすることが好ましい。
　　　【００４８】
　昇温速度：５０〜５００℃／時間、特に２００〜３００℃／時間
　温度保持時間：０．５〜８時間、特に１〜３時間
　冷却速度：５０〜５００℃／時間、特に２００〜３００℃／時間
　焼成雰囲気は還元性雰囲気とし、雰囲気ガスとしては、例えば、Ｎ２とＨ２との混合ガスを加湿して用いることが好ましい。
　　　【００４９】
　　＜アニール＞
　還元性雰囲気中で焼成した
のち
　　　【００５０】
　アニール雰囲気中の酸素分圧は、１０−６気圧以上、特に１０−５〜１０−４気圧とすることが好ましい。酸素分圧が前記範囲未満であると誘電体層の再酸化が困難であり、前記範囲を超えると内部電極層が酸化する傾向にある。
　　　【００５１】
　アニールの際の保持温度は、１１００℃以下、特に５００〜１０００℃とすることが好ましい。保持温度が前記範囲未満であると誘電体層の酸化が不十分となって寿命が短くなる傾向にあり、前記範囲を超えると内部電極層が酸化し、容量が低下するだけでなく、誘電体素地と反応してしまい、寿命も短くなる傾向にある。なお、アニールは昇温および降温だけから構成してもよい。この場合、温度保持時間は零であり、保持温度は最高温度と同義である。
　　　【００５２】
　上記条件以外の各種条件は下記のようにすることが好ましい。
　　　【００５３】
　温度保持時間：０〜２０時間、特に６〜１０時間
　冷却速度：５０〜５００℃／時間、特に１００〜３００℃／時間
　雰囲気用ガスには、加湿したＮ２ガス等を用いることが好ましい。
　　　【００５４】
　なお、上記した脱バインダ処理、焼成およびアニールにおいて、Ｎ２ガスや混合ガス等を加湿するには、例えばウェッター等を使用すればよい。この場合、水温は５〜７５℃程度が好ましい。
　　　【００５５】
　脱バインダ処理、焼成およびアニールは、連続して行なっても、独立に行なってもよい。
　　　【００５６】
　これらを連続して行なう場合、脱バインダ処理後、冷却せずに雰囲気を変更し、続いて焼成の際の保持温度まで昇温して焼成を行ない、次いで冷却し、アニールの保持温度に達したときに雰囲気を変更してアニール行なうことが好ましい。
　　　【００５７】
　また、これらを独立して行なう場合、焼成に際しては、脱バインダ処理時の保持温度までＮ２ガスあるいは加湿したＮ２ガス雰囲気下で昇温した後、雰囲気を変更してさらに昇温を続けることが好ましく、アニール時の保持温度まで冷却した後は、再びＮ２ガスあるいは加湿したＮ２ガス雰囲気に変更して冷却を続けることが好ましい。また、アニールに際しては、Ｎ２ガス雰囲気下で保持温度まで昇温した後、雰囲気を変更してもよく、アニールの全工程を加湿したＮ２ガス雰囲気としてもよい。
　　　【００５８】
　　＜外部電極形成＞
　上記のようにして得られたコンデンサチップ体に、例えばバレル研磨やサンドブラストなどにより端面研磨を施し、外部電極用ペーストを印刷ないし転写して焼成し、外部電極４を形成する。外部電極用ペーストの焼成条件は、例えば、加湿したＮ２とＨ２との混合ガス中で６００〜８００℃にて１０分間〜１時間程度とすることが好ましい。
　　　【００５９】
　そして、必要に応じ、外部電極４表面に、めっき等により被覆層を形成する。
　　　【００６０】
　このようにして製造された本発明の積層型セラミックチップコンデンサは、ハンダ付等によりプリント基板上などに実装され、各種電子機器等に使用される。
　　　【００６１】
　そして、本発明の積層型セラミックチップコンデンサの誘電体層には、使用時に、０．０２Ｖ／μｍ以上、特に０．２Ｖ／μｍ以上、さらには０．５Ｖ／μｍ以上、一般に５Ｖ／μｍ程度以下の直流電界と、通常、これに重畳する交流成分とが印加されるが、このような直流電界を負荷しても、容量の経時変化は極めて少ないものである。
　　　【００６２】
　　【実施例】
　以下、本発明の具体的実施例を挙げ、本発明をさらに詳細に説明する。
　　　【００６３】
　下記の各ペーストを調製した。
誘電体層用ぺースト
　粒径０．１〜１μｍのＢａＴｉＯ３、（ＭｇＣＯ３）４・Ｍｇ（ＯＨ）２・５Ｈ２Ｏ．ＭｎＣＯ３、ＢａＣＯ３、ＣａＣＯ３、ＳｉＯ２、Ｙ２Ｏ３から選択した材料粉末をボールミルにより１６時間湿式混合し、次いでスプレードライヤーで乾燥させて、誘電体原料とした。各粉末の混合比率を変えて、複数の誘電体原料を作製した。
　　　【００６４】
　各誘電体原料１００重量部と、アクリル樹脂４．８重量部、塩化メチレン４０重量部、トリクロロエタン２０重量部、ミネラルスピリット６重量部およびアセトン４重量部とをボールミルで混合してペースト化した。
　　　【００６５】
内部電極層用ペースト
　平均粒径０．８μｍのＮｉ粒子１００重量部と、有機ビヒクル（エチルセルロース樹脂８重量部をブチルカルビトール９２重量部に溶解したもの）４０重量部およびブチルカルビトール１０重量部とを３本ロールにより混練し、ペースト化した。
　　　【００６６】
外部電極用ぺースト
　平均粒径０．５μｍのＣｕ粒子１００重量部と、有機ビヒクル（エチルセルロース樹脂８重量部をブチルカルビトール９２重量部に溶解したもの）３５重量部およびブチルカルビトール７重量部とを混練し、ペースト化した。
　　　【００６７】
　上記各誘電体層用ペーストおよび上記内部電極層用ペーストを用い、図１に示される構成の積層型セラミックコンデンサを作製した。
　　　【００６８】
　まず、誘電体層用ペーストを用いてＰＥＴフィルム上に厚さ２０μｍのグリーンシートを形成し、この上に内部電極層用ペーストを印刷した後、ＰＥＴフィルムからシートを剥離した。次いで、複数枚のシートを積層し、加圧接着してグリーンチップを得た。シートの積層数は４層とした。
　　　【００６９】
　次いでグリーンチップを所定サイズに切断し、脱バインダ処理、焼成およびアニールを下記の条件にて連続的に行ない、コンデンサチップ体を作製した。
　　　【００７０】
脱バインダ処理
　昇温速度：１５℃／時間
　保持温度：２８０℃
　温度保持時間：８時間
　雰囲気ガス：空気中
　　　【００７１】
焼成
　昇温速度：２００℃／時間
　保持温度：１３００℃
　温度保持時間：２時間
　冷却速度：３００℃／時間
　雰囲気ガス：加湿したＮ２とＨ２との混合ガス
　酸素分圧：１０−９気圧
　　　【００７２】
アニール
　保持温度：９００℃
　温度保持時間：９時間
　冷却速度：３００℃／時間
　雰囲気ガス：加湿したＮ２ガス
　酸素分圧：１０−５気圧
　　　【００７３】
　なお、それぞれの雰囲気ガスの加湿にはウエッターを用い、水温は３５℃とした。
　　　【００７４】
　得られたコンデンサチップ体の端面をサンドブラストにて研磨した後、上記外部電極用ペーストを前記端面に転写し、加湿したＮ２＋Ｈ２雰囲気中で８００℃にて１０分間焼成して外部電極を形成し、積層型セラミックチップコンデンササンプルを得た。
　　　【００７５】
　このようにして製造した各サンプルのサイズは、３．２ｍｍ×１．６ｍｍ×０．６ｍｍであり、誘電体層の厚さは１５μｍ、内部電極層の厚さは２．５μｍであった。
　　　【００７６】
　各サンプルの誘電体層の組成を、下記表１に示す。これらの組成は、前述した基準に従って算出した。
　　　【００７７】
　各サンプルについて、下記の測定を行なった。結果を表１に示す。
　　　【００７８】
容量の温度特性
　Ｘ７Ｒ特性：ＬＣＲメータにより、−５５〜１２５℃について測定電圧１Ｖで容量を測定し、容量変化率が±１５％以内（基準温度２５℃）を満足するかどうかを調べた。満足する場合を○、満足しない場合を×とした。
　　　【００７９】
直流電界下での容量の径時変化
　ＬＣＲメーターにより、測定電圧１．０Ｖ（交流）で初期容量Ｃ０を測定した。次いで、誘電体層の厚さ１μｍあたり１．０６Ｖの直流電界（サンプルへの印加電圧１６Ｖ）を４０℃にて１００時間印加した後、無負荷状態で室温にて２４時間放置した。放置後に容量を測定し、初期容量Ｃ０からの変化量ΔＣ１を求めて、変化率ΔＣ１／Ｃ０を算出した。なお、放置後の容量は上記条件にて測定した。
　　　【００８０】
絶縁抵抗ＩＲの加速寿命
　２２０℃にて１０Ｖ／μｍの電界下で加速試験を行ない、抵抗（ＩＲ）が２×１０５Ω以下になるまでの時間を寿命時間とした。
　　　【００８１】
比誘電率εｓ
　　２５℃における比誘電率を測定した。
　　　【００８２】
直流バイアス特性
　ＬＣＲメーターにより、測定電圧１．０Ｖ（交流）で初期容量Ｃ０を測定した。次に、誘電体層の厚さ１μｍあたり１．０Ｖの直流電圧を１．０Ｖの交流電圧に重畳して印加したときの容量を測定し、初期容量Ｃ０からの変化量ΔＣ２を求めて、変化率ΔＣ２／Ｃ０を算出した。
　　　【００８３】
　【表１】
　　　【００８４】
　表１に示される結果から、本発明の効果が明らかである。すなわち、誘電体層の組成が本発明の範囲内であるサンプルでは、Ｘ７Ｒ特性を満足し、かつ、直流電界下での容量の経時変化率が極めて低く、また、加速試験における絶縁抵抗ＩＲの寿命が長い。そして、１モル超のＹ２Ｏ３の添加により、ＩＲ加速寿命が著しく向上すると共に直流バイアス特性が著しく良好となることがわかる。なお、本発明サンプルは、静電容量の温度特性がＢ特性［−２５〜８５℃で容量変化率±１０％以内（基準温度２０℃）］も満足していた。
　　　【００８５】
　　【発明の効果】
　本発明では、誘電体層金所定の組成と
し、かつ焼成条件を所定のもの
【図面の簡単な説明】
　　【図１】
　本発明の積層型セラミックチップコンデンサの構成例を示す断面図である。
　　【符号の説明】
　１　積層型セラミックチップコンデンサ
　１０　コンデンサチップ体
　２　誘電体層
　３　内部電極層
　４　外部電極