【事件の表示】
　特許第２７２８１９０号「半導体レーザ素子」の請求項１ないし４に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結論】
　訂正を認める。
　特許第２１７２８１９０号の請求項１ないし２に係る特許を維持する。
【理由】
（１）手続きの経緯
　本件特許第２７２８１９０号発明は、平成５年２月５日に特許出願され、平成９年１２月１２日にその発明の特許がなされ、その後、依田　昌三より特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１１年７月１２日に訂正請求がなされたものである。
（２）訂正の適否についての判断
▲１▼特許請求の範囲の訂正
ア．訂正明細書の請求項１に係る発明
　訂正明細書の請求項１に係る発明は、その特許請求の範囲の請求項１に特定された次のとおりのものである。
　「【請求項１】成長基板と、この成長基板上に順次形成されたｎ形及びｐ形窒化ガリウム層と、これらｐ形及びｎ形窒化ガリウム層にそれぞれ形成されたｐ及びｎ電極とを少なくとも有した半導体チップが支持基板上に設けられる半導体レーザ素子において、前記半導体チップは、Ｓｉをドープしたｎ形ＧａＮ層とＭｇをドープしたｐ形ＧａＮ層とその間に形成されるｎ形ＩｎＧａＮ層を有し、前記ｎ形ＧａＮ層上には前記ｎ電極を配設する一方、前記ｐ形ＧａＮ層上には前記ｐ電極を配設してなり、前記ｎ及びｐ電極側を下面にして、半導体チップの大きさより大きい熱伝導性絶縁スペーサを介して支持基板上に固定されており、一方、前記ｎ及びｐ電極と対向した前記熱伝導性絶縁スペーサ上には前記ｎ及びｐ電極に対応してそれぞれｎ及びｐ対向電極層が形成され、前記対応する電極と対向電極層とは熱伝導性のある導電性接着剤で固定されており、前記ｎ電極は、ｐ形窒化ガリウム層の一部をエッチングして露出するｎ形ＧａＮ層面に一対で形成され、前記熱伝導性絶縁スペーサに形成された対向電極層は、前記ｐ電極とその両側にある前記ｎ電極にそれぞれ対応して形成され、半導体チップとの重合部より外側に延在し、前記支持基板側の電極端子にボンディングしてなることを特徴とする半導体レーザ素子。」
▲２▼発明の詳細な説明の訂正
ア．明細書中の段落【０００６】（特許掲載公報第３欄の段落【０００６】）の記載を、「即ち、上述の目的は、成長基板と、この成長基板上に順次形成されたｎ形及びｐ形窒化ガリウム層と、これらｐ形及びｎ形窒化ガリウム層にそれぞれ形成されたｐ及びｎ電極とを少なくとも有した半導体チップが支持基板上に設けられる半導体レーザ素子において、前記半導体チップは、Ｓｉをドープしたｎ形ＧａＮ層とＭｇをドープしたｐ形ＧａＮ層とその間に形成されるｎ形ＩｎＧａＮ層を有し、前記ｎ形ＧａＮ層上には前記ｎ電極を配設する一方、前記ｐ形ＧａＮ層上には前記ｐ電極を配設してなり、前記ｎ及びｐ電極側を下面にして、半導体チップの大きさより大きい熱伝導性絶縁スペーサを介して支持基板上に固定されており、一方、前記ｎ及びｐ電極と対向した前記熱伝導性絶縁スペーサ上には前記ｎ及びｐ電極に対応してそれぞれｎ及びｐ対向電極層が形成され、前記対応する電極と対向電極層とは熱伝導性のある導電性接着剤で固定されており、前記ｎ電極は、ｐ形窒化ガリウム層の一部をエッチングして露出するｎ形ＧａＮ層面に一対で形成され、前記熱伝導性絶縁スペーサに形成された対向電極層は、前記ｐ電極とその両側にある前記ｎ電極にそれぞれ対応して形成され、半導体チップとの重合部より外側に延在し、前記支持基板側の電極端子にボンディングしてなる構造にすることにより、解決される。」と訂正する。
イ．明細書中の段落【０００７】（特許掲載公報第４欄の段落【０００７】）の記載を、「好適には、半導体チップの成長基板がサファイヤ基板からなっており、熱伝導性絶縁スペーサがサファイヤ基板より熱伝導性のよい材料からなる。」と訂正する。
ウ．明細書中の段落【０００８】（特許掲載公報第４欄の段落【０００８】）の「さらに、熱伝導性絶縁スペーサに形成された対向電極層が半導体チップとの重合部より外側に延在していることが好ましい。」なる記載を削除する。
▲３▼訂正の目的の適否及び拡張・変更の存否等
　上記訂正▲１▼は、特許請求の範囲の減縮に該当し、願書に添付した明細書又は図面に記載された事項の範囲内のものであり、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものではなく、新規事項の追加もない。また、上記訂正▲２▲は、特許請求の範囲の訂正に付随する訂正であるから、発明の詳細な説明の欄中の明瞭でない記載の釈明を目的とするものであり、願書に添付した明細書又は図面に記載された事項の範囲内のものであり、新規事項の追加もない。
▲４▼独立特許要件の判断
（引用刊行物に記載された発明）
訂正前明細書の請求項１〜４に係る発明に対して、当審が通知した取消理由で引用した特開平４−３２１２８０号公報（以下「第１引用例」という。）には、「サファイア基板１と、このサファイア基板１上に順次形成されたｎ形及びｐ形ＧａＸＡｌ１−ＸＮ層と、これらｐ形及びｎ形ＧａＸＡｌ１−ＸＮ層にそれぞれ形成されたｐ及びｎ電極とを少なくとも有した青色発光ダイオードにおいて、前記青色発光ダイオードは、Ｓｉをドープしたｎ形ＧａＸＡｌ１−ＸＮ層とＭｇをドープしたｐ形ＧａＸＡｌ１−ＸＮ層とその間に形成される活性層１４を有し、前記ｎ形ＧａＸＡｌ１−ＸＮ層上には前記ｎ電極を配設する一方、前記ｐ形ＧａＸＡｌ１−ＸＮ層上には前記ｐ電極を配設してなり、前記ｎ電極は、ｐ形ＧａＸＡｌ１−ＸＮ層の一部をエッチングして露出するｎ形ＧａＸＡｌ１−ＸＮ層面に形成されたもの。」が記載され、同じく引用したＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＳ　ＬＥＴＴＥＲＳ　２１ｓｔ　Ｊａｎｕａｒｙ　１９９３　Ｖｏｌ．２９　Ｎｏ．２　ｐｐ．２００〜２０１（以下「第２引用例」という。）には、「ｎ型基板と、このｎ型基板上に順次形成された活性層共振器と、電極とを少なくとも有したＶＣＳＥＬがレーザ用サブマウント上に設けられる半導体レーザ素子において、前記ＶＣＳＥＬは、活性層側を下面にして、ＶＣＳＥＬの大きさより大きい金がコートされたダイアモンド製ヒートシンクを介してレーザ用サブマウント上に固定されており、一方、前記電極と対向した前記金がコートされたダイアモンド製ヒートシンクはとは熱伝導性のあるインジウム半田で固定されていることを特徴とする半導体レーザ素子。」が記載され、同じく引用した特開昭５７−１２７５号公報（以下「第３引用例」という。）には、「基板結晶１１と、この基板結晶１１上に順次形成されたｎ型ＧａＮ層２１及び高抵抗ＧａＮ層（ｉ層）と、これらの層にそれぞれ形成された電極４１，５１とを少なくとも有した半導体チップが、電極４１，５１を下面にして半田バンプなどを形成した後リード６２，７２にボンディングした発光素子。」が記載され、同じく引用した特開平４−１０６７１号公報（以下「第４引用例」という。）には、「サファイヤ基板２８１と、このサファイヤ基板２８１上に順次形成されたｎ−ＧａＮ層２８２及び高抵抗ｉ−ＧａＮ層２８３と、これらの層にそれぞれ形成された電極２８４，２８５とを少なくとも有した半導体チップ２８が、電極２８４，２８５を下面にして半田バンプ１５によりリード１１，１６に固定した発光ダイオード。」が記載され、同じく引用した特開昭６３−１２６２４０号公報（以下「第５引用例」という。）には、「ＬＳＩチップ３１をはんだバンプ３２で回路基板３３の導電パターン３４に接続する構成。」が記載されている。
（請求項１に係る発明についての対比・判断）
　先ず、本件請求項１に係る発明と第１引用例に記載の発明とを対比すると、本件請求項１に係る発明の「成長基板」、「半導体チップ」は、夫々第１引用例に記載の発明の「サファイア基板１」、「青角発光ダイオード」に相当するから、両者は、成長厚板と、この成長基板上に順次形成されたｎ形及びｐ形層と、これらｐ形及びｎ形層にそれぞれ形成されたｐ及びｎ電極とを少なくとも有した半導体チップにおいて、前記半導体チップは、Ｓｉをドープしたｎ形層とＭｇをドープしたｐ形層とその間に形成される活性層を有し、前記ｎ形層上には前記ｎ電極を配設する一方、前記ｐ形層上には前記ｐ電極を配設してなり、前記ｎ電極は、ｐ形層の一部をエッチングして露出するｎ形層面に形成されるもの、で一致し、
Ａ、ｎ形及びｐ形層が、本件請求項１に係る発明は、窒化ガリウムであるのに対して、第１引用例は、ＧａＸＡｌ１−ＸＮである点、
Ｂ、ｎ形及びｐ形層間に形成される活性層が、本件請求項１に係る発明は、ｎ形ＩｎＧａＮであるのに，対して、第１引用例には、その点に関する記載が無い点、
Ｃ、ｎ電極が、本件請求項１に係る発明は、一対であるのに対して、第１引用例は、１個である点、
Ｄ、本件請求項１に係る発明は、半導体チップが支持基板上に設けられる半導体レーザ素子であるのに対して、第１引用例に記載の発明は、その点に関する記載が無い点、
Ｅ、本件請求項１に係る発明は、前記ｎ及びｐ電極側を下面にして、半導体チップの大きさより大きい熱伝導性絶縁スペーサを介して支持基板上に固定されているのに対して、第１引用例に記載の発明は、その点に関する記載が無い点、
Ｆ、本件請求項１に係る発明は、前記ｎ及びｐ電極と対向した前記熱伝導性絶縁スペーサ上には前記ｎ及びｐ電極に対応してそれぞれｎ及びｐ対向電極層が形成されるのに対して、第１引用例に記載の発明は、その点に関する記載が無い点、
Ｇ、本件請求項１に係る発明は、前記対応する電極と対向電極層とは熱伝導性のある導電性接着剤で固定されているのに対して、第１引用例に記載の発明は、その点に関する記載が無い点、
Ｈ、本件請求項１に係る発明は、前記熱伝導性絶縁スペーサに形成された対向電極層が、前記ｐ電極とその両側にある前記ｎ電極にそれぞれ対応して形成され、半導体チップとの重合部より外側に延在し、前記支持基板側の電極端子にボンディングしてなるのに対して、第１引用例に記載の発明は、その点に関する記載が無い点で相違する。
　そこで、これらの相違点Ａ〜Ｈが、第２〜５引用例に記載されているか否かを検討すると、Ａ点については、第３及び４引用例にＧａＮの記載はあるものの、ｐ層ではなくｉ層であり、第２及び５引用例には記載が無い。Ｂ、Ｃ点については、第２〜５引用例のいずれにも記載が無く、Ｄ点については、第２引用例に記載があり、Ｅ点については、第２引用例記載のヒートシンクは金コートされているから絶縁できるとは認め難く、第３〜５引用例には記載が無い。Ｆ、Ｇ及びＨ点については、第２引用例記載のヒートシンクは金コートされているから、一体的なものであり、ｎ及びｐ対向電極と個別に分割されたものとは認め難く、第３〜５引用例には記載が無い。
　してみると、上記第１〜５引用例に記載の発明は、本件請求項１に係る発明の構成の一部である上記Ａ、Ｂ，Ｃ，Ｅ、Ｆ及びＧの構成を有しない。
　そして、本件請求項１に係る発明は、上記Ａ、Ｂ，Ｃ，Ｅ、Ｆ及びＧの点を有することによって明細書記載の作用効果を奏するものであるから、前者が、後者に記載された発明であるとも、後者に記載された発明に基づいて、当業者が容易に推考することができたものともいえない。
　したがって、本件請求項１に係る発明は特許出願の際独立して特許を受けることができない発明とすることはできない。
▲５▼むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正請求は、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、特許法第１２０条の４第２項及び第３項で準用する第１２６条第２−４項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
（３）特許異議の申立てについての判断
ア．申立ての理由の概要
　申立人依田　昌三は、証拠として甲第１号証（特開平４−３２１２８０号公報）、甲第２号証（ＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＳ　ＬＥＴＴＥＲＳ　２１ｓｔ　Ｊａｎｕａｒｙ　１９９３　Ｖｏｌ．２９　Ｎｏ．２　ｐｐ．２００〜２０１）、甲第３号証（特開昭５７−１２７５号公報）、甲第４号証（特開平４−１０６７１号公報）、甲第５号証（特開昭６３−１２６２４０号公報）を提出し、訂正前の請求項１〜４に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであるから、特許を取り消すべき旨主張している。
イ．判断
〔本件請求項１に係る発明〕
　　本件請求項１に係る発明は、上記（２）▲４▼で示したように、取消理由通知で示した各引用例に記載された発明と同一であるとも、それらから容易に発明をすることができたものとすることができない。
〔本件請求項２に係る発明〕
　本件請求項２に係る発明は、本件請求項１に係る発明の構成の一部をさらに限定したものであるから本件請求項１に係る発明と同様の判断となる。
ウ．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立の理由及び証拠によっては、本件請求項１及び２に係る発明の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件請求項１及び２に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１１年８月１７日（１９９９．８．１７）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
特許請求の範囲の減縮を目的として、下記（１）のように特許請求の範囲の請求項１を訂正する。また、特許請求の範囲の訂正に応じて、発明の詳細な説明についても、適合性を持たせるために下記（２）〜（４）のように訂正する。
（１）特許請求の範囲の請求項１を次のとおり訂正する。
　「【請求項１】成長基板と、この成長基板上に順次形成されたｎ形及びｐ形窒化ガリウム層と、これらｐ形及びｎ形窒化ガリウム層にそれぞれ形成されたｐ及びｎ電極とを少なくとも有した半導体チップが支持基板上に設けられる半導体レーザ素子において、前記半導体チップは、Ｓｉをドープしたｎ形ＧａＮ層とＭｇをドープしたｐ形ＧａＮ層とその間に形成されるｎ形ＩｎＧａＮ層を有し、前記ｎ形ＧａＮ層上には前記ｎ電極を配設する一方、前記ｐ形ＧａＮ層上には前記ｐ電極を配設してなり、前記ｎ及びｐ電極側を下面にして、半導体チップの大きさより大きい熱伝導性絶縁スペーサを介して支持基板上に固定されており、一方、前記ｎ及びｐ電極と対向した前記熱伝導性絶縁スペーサ上には前記ｎ及びｐ電極に対応してそれぞれｎ及びｐ対向電極層が形成され、前記対応する電極と対向電極層とは熱伝導性のある導電性接着剤で固定されており、前記ｎ電極は、ｐ形窒化ガリウム層の一部をエッチングして露出するｎ形ＧａＮ層面に一対で形成され、前記熱伝導性絶縁スペーサに形成された対向電極層は、前記ｐ電極とその両側にある前記ｎ電極にそれぞれ対応して形成され、半導体チップとの重合部より外側に延在し、前記支持基板側の電極端子にボンディングしてなることを特徴とする半導体レーザ素子。」
（２）明細書中の段落【０００６】（特許掲載公報第３欄の段落【０００６】）の記載を、「即ち、上述の目的は、成長基板と、この成長基板上に順次形成されたｎ形及びｐ形窒化ガリウム層と、これらｐ形及びｎ形窒化ガリウム層にそれぞれ形成されたｐ及びｎ電極とを少なくとも有した半導体チップが支持基板上に設けられる半導体レーザ素子において、前記半導体チップは、Ｓｉをドープしたｎ形ＧａＮ層とＭｇをドープしたｐ形ＧａＮ層とその間に形成されるｎ形ＩｎＧａＮ層を有し、前記ｎ形ＧａＮ層上には前記ｎ電極を配設する一方、前記ｐ形ＧａＮ層上には前記ｐ電極を配設してなり、前記ｎ及びｐ電極側を下面にして、半導体チップの大きさより大きい熱伝導性絶縁スペーサを介して支持基板上に固定されており、一方、前記ｎ及びｐ電極と対向した前記熱伝導性絶縁スペーサ上には前記ｎ及びｐ電極に対応してそれぞれｎ及びｐ対向電極層が形成され、前記対応する電極と対向電極層とは熱伝導性のある導電性接着剤で固定されており、前記ｎ電極は、ｐ形窒化ガリウム層の一部をエッチングして露出するｎ形ＧａＮ層面に一対で形成され、前記熱伝導性絶縁スペーサに形成された対向電極層は、前記ｐ電極とその両側にある前記ｈ電極にそれぞれ対応して形成され、半導体チップとの重合部より外側に延在し、前記支持基板側の電極端子にボンディングしてなる構造にすることにより、解決される。」と訂正する。
（３）明細書中の段落【０００７】（特許掲載公報第４欄の段落【０００７】）の記載を、「好適には、半導体チップの成長基板がサファイヤ基板からなっており、熱伝導性絶縁スペーサがサファイヤ基板より熱伝導性のよい材料からなる。」と訂正する。
（４）明細書中の段落【０００８】（特許掲載公報第４欄の段落【０００８】）の「さらに、熱伝導性絶縁スペーサに形成された対向電極層が半導体チップとの重合部より外側に延在していることが好ましい。」なる記載を削除する。
（５４）【発明の名称】
半導体レーザ素子
（５７）【特許請求の範囲】
　　【請求項１】　成長基板と、この成長基板上に順次形成されたｎ形及びｐ形窒化ガリウム層と、これらｐ形及びｎ形窒化ガリウム層にそれぞれ形成されたｐ及びｎ電極とを少なくとも有した半導体チップが支持基板上に設けられる半導体レーザ素子において、
　前記半導体チップは、Ｓｉをドープしたｎ形ＧａＮ層とＭｇをドープしたｐ形ＧａＮ層とその間に形成されるｎ形ＩｎＧａＮ層を有し、前記ｎ形ＧａＮ層上には前記ｎ電極を配設する一方、前記ｐ形ＧａＮ層上には前記ｐ電極を配設してなり、前記ｎ及びｐ電極側を下面にして、半導体チップの大きさより大きい熱伝導性絶縁スペーサを介して支持基板上に固定されており、
　一方、前記ｎ及びｐ電極と対向した前記熱伝導性絶縁スペーサ上には前記ｎ及びｐ電極に対応してそれぞれｎ及びｐ対向電極層が形成され、前記対応する電極と対向電極層とは熱伝導性のある導電性接着剤で固定されており、
　前記ｎ電極は、ｐ形窒化ガリウム層の一部をエッチングして露出するｎ形ＧａＮ層面に一対で形成され、
　前記熱伝導性絶縁スペーサに形成された対向電極層は、前記ｐ電極とその両側にある前記ｎ電極にそれぞれ対応して形成され、半導体チップとの重合部より外側に延在し、前記支持基板側の電極端子にボンディングしてなることを特徴とする半導体レーザ素子。
　　【請求項２】　前記半導体チップの成長基板がサファイヤ基板からなっており、前記熱伝導性絶縁スペーサがサファイヤ基板より熱伝導性のよい材質からなっていることを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ素子。
【発明の詳細な説明】
　　　【０００１】
　　【産業上の利用分野】
　本発明は、ｐ−ｎ接合窒化ガリウム系の化合物半導体層を用いた半導体レーザ素子に係り、特に、冷却効率を向上させた半導体レーザ素子の改良に関するものである。
　　　【０００２】
　　【従来の技術】
　窒化ガリウム系化合物半導体を用いた半導体レーザ素子においては、窒化ガリウム層を結晶成長させる基板として、サフヤイヤ基板が多用されている。このサフヤイア基板上に、ｎ形ＧａＮ層、ｎ形ＩｎＧａＮ層及びｐ形ＧａＮ層を順次積層し、次いで、ｎ形ＧａＮ層上及びｐ形ＧａＮ層上に夫々電極を形成して半導体チップを形成する。その後、半導体チップのサファイヤ基板をステムの支持基板に固定するとともに、外部の電源と電気的に接続してステム上に延びた電極端子に電極をそれぞれ接続する。窓部を有した封止金属部材とステムとで内部に不活性ガスを封入することにより、半導体レーザ素子が作製される。
　　　【０００３】
　しかしながら、このように作製された半導体レーザ素子では、半導体チップの下にあるサフャイヤ基板が熱伝導性が悪く、半導体チップで発生したジュール熱がステムの支持基板に伝わらず、ひいては半導体チップ全体の冷却効率が悪く、素子寿命を著しく損なう結果となっていた。
　　　【０００４】
　　【発明が解決しようとする課題】
従って、本発明はこのような事情を鑑みてなされたものであって、その目的とするところは、ｐ−ｎ接合を有する窒化ガリウム系半導体チップを用いた半導体レーザ素子において、特に半導体チップの冷却効率の優れたものを提供することにある。
　　　【０００５】
　　【課題を解決するための手段】
　本発明者等は、窒化ガリウム系化合物半導体の発光ダイオード（ＬＥＤ）において、窒化ガリウム半導体層を結晶成長させたサファイヤ基板側でなく、窒化ガリウム半導体層側をステムに固定する、即ち、サファイヤ基板を上にすることを提案しており（特願平４−２８９４９５号）、本発明者等は、このことをレーザ素子に適用すべく、鋭意研究の結果、本発明を完成するに至った。
　　　【０００６】
　即ち、上述の目的は、成長基板と、この成長基板上に順次形成された盲形及びｐ形窒化ガリウム層と、これらｐ形及びｎ形窒化ガリウム層にそれぞれ形成されたｐ及びｎ電極とを少なくとも有した半導体チップが支持基板上に設けられる半導体レーザ素子において、前記半導体チップは、Ｓｉをドープしたｎ形ＧａＮ層とＭｇをドープしたｐ形ＧａＮ層とその間に形成されるｎ形ＩｎＧａＮ層を有し、前記ｎ形ＧａＮ層上には前記ｎ電極を配設する一方、前記ｐ形ＧａＮ層上には前記ｐ電極を配設してなり、前記ｎ及びｐ電極側を下面にして、半導体チップの大きさより大きい熱伝導性絶縁スペーサを介して支持基板上に固定されており、一方、前記ｎ及びｐ電極と対向した前記熱伝導性絶縁スペーサ上には前記ｎ及びｐ電極に対応してそれぞれｎ及びｐ対向電極層が形成され、前記対応する電極と対向電極層とは熱伝導性のある導電性接着剤で固定されており、前記ｎ電極は、ｐ形窒化ガリウム層の一部をエッチングして露出するｎ形ＧａＮ層面に一対で形成され、前記熱伝導性絶縁スペーサに形成された対向電極層は、前記ｐ電極とその両側にある前記ｎ電極にそれぞれ対応して形成され、半導体チップとの重合部より外側に延在し、前記支持基板側の電極端子にボンディングしてなる構造にすることにより、解決される。
　　　【０００７】
　好適には、半導体チップの成長基板がサファイヤ基板からなっており、熱伝導性絶縁スペーサがサファイヤ基板より熱伝導性のよい材料からなる。
　　　【０００８】
　　【作用】
　半導体チップのｐ形及びｎ形窒化ガリウム層で発生したジュール熱の一部は、半導体チップの成長基板を通じて不活性ガス中に放出されるが、サファイヤ基板の如く、熱伝導性の悪い成長基板の材質であっても、本発明では、半導体チップとステムの支持基板との間に導電性絶縁スペーサが設けられることから、ジュール熱の大部分は、電極、熱伝導性のある導電性接着剤、対向電極及び熱伝導性絶縁スペーサを介してステムの支持基板に伝導されるので、半導体チップの冷却効率が著しく改善される。
　　　【０００９】
　半導体チップの成長基板がサファイヤ基板からなり、且つ熱伝導性絶縁スペーサがサファイヤ基板より熱伝導性のよい材質からなっていると、熱伝導性の点から、好ましく、また、ｎ形窒化ガリウム層に形成された電極がｐ形窒化ガリウム層の一部をエッチングすることにより形成されることにより、容易に、電極と熱伝導性絶縁スペーサ上の対向電極とを熱導電性の良い導電性接着剤で電気的に接続できると共に、半導体チップをステムの支持基板に固定できる。
　　　【００１０】
　熱伝導性絶縁スペーサに形成された対向電極層が半導体チップとの重合部より外側に延在していることにより、対局電極層は好適なボンディング手段でそれぞれステムの電極端子に容易に電気的に接続できる。
　　　【００１１】
　　【実施例】
　以下、図１及び図２を参照しながら、本発明の一実施例について説明する。
　　　【００１２】
　図１には、本発明の半導体レーザ素子の概略図が一部を断面にして示されている。この半導体レーザ素子はステム２を具備しており、このステム２は、垂直方向に延びた支持基板４を有している。後で詳述するように、支持基板４上には熱伝導性絶縁スペーサ６を介して半導体チップ８が固定されている。一方、ステム２の周縁部には、内部に好適な不活性ガスを封止するための封止金属部材１０が延びており、半導体チップ８の上方には、レーザ光を透過するための窓部１２が設けられており、窓部１２と封止金属部材１０とは気密に接合されている。そして、半導体チップ８と離間したステム２の部位には、少なくとも一方で電気的に絶縁された一対の電極端子１４がステム２に対し垂直方向に延びている。
　　　【００１３】
　次に、図１中記号Ａでの位置で断面にして示す図２を参照しながら、半導体チップ８と支持基板４との構造について説明すると、本発明の半導体チップ８は、支持基板４に対し遠い側から、成長基板であるサファイヤ基板８０を有し、このサファイヤ基板８０上には、ｎ形窒化ガリウム層（以下、ｎ形ＧａＮ層という）８２及びｎ形窒化インジウムガリウム層８４（以下、ｎ形ＩｎＧａＮ層という）、ｐ形窒化ガリウム層８６（以下、ｐ形ＧａＮ層という）が積層されている。
　　　【００１４】
　ｐ形ＧａＮ層８６上の周縁部は、ｎ形ＩｎＧａＮ層８４及びｎ形ＧａＮ層の一部までにわたって好適なエッチング手段により切欠かれており、この部位にＡｌ電極８８が形成されている。一方、エッチングにより切欠けあれたｐ形ＧａＮ層８６上の周縁部には、絶縁保護膜９０が形成され、ｐ形ＧａＮ層８６上の中心部から絶縁保護膜８８上にわたってＮｉ電極９２が形成されている。
　　　【００１５】
　半導体チップ８のＡｌ電極８８及びＮｉ電極９２に対応した熱伝導性絶縁スペーサ６の部位には、対向電極６０、６２がそれぞれ形成されており、半導体チップ８のＡｌ電極８８及びＮｉ電極９２と対向電極６０、６２とは、熱導電性の良い導電性接着剤９４、９６によりそれぞれ固定されている。導電性接着剤９４、９６は、半導体チップ８のＡｌ電極８８及びＮｉ電極９２と対向電極６０、６２とを電気的に接続でき、且つ熱伝導性のよい材質であればよく、例えば、インジウム、銀ペースト、半田等からなっている。
　　　【００１６】
　熱伝導性絶縁スペーサ６は、絶縁体であって熱伝導性の良いもの、好適には成長基板であるサファイヤ基板８０より熱伝導性の良いもの、例えば、ダイヤモンド、ケイ素或いはその他のセラミックからなっている。この熱伝導性絶縁スペーサ６は、接着剤６４を介してステム２の支持基板４に装着されている。接着剤６４は、熱伝導性の良いものからなっており、例えば、導電性接着剤９４、９６と同じインジウム、銀ペースト、半田等からなっている。
　　　【００１７】
　次に、このように構成された半導体レーザ素子の具体的製造方法について説明する。まず、ＭＯＣＶＤ装置にてサファイヤ基板８０のＣ面にＧａＮバッファ層を膜厚２００オングストロームで形成し、その上にＳｉをドープしたｎ形ＧａＮ層８２を膜厚４μｍで形成し、次いで、その上にＳｉをドープしたｎ形ＩｎＧａＮ（Ｉｎ０．２Ｇａ０．８Ｎ）層８４を膜厚２００オングストロームで、さらにその上にＭｇをドーブしたｐ形ＧａＮ層８６を０．５μｍで順次成長させる。
　　　【００１８】
　ｐ形ＧａＮ層８６成長後、ウエハをＭＯＣＶＤ装置から取り外し、新たに電子線照射装置に入れて、７００℃で電子線照射を行い、ｐ形ＧａＮ装置をさらに低抵抗化する。
　　　【００１９】
　次いで、ｐ形ＧａＮ層８６上にフォトレジストにより所定のパターンを形成し、ｐ形ＧａＮ層の一部をｎ形ＩｎＧａＮ層８４を貫通してｎ形ＧａＮ層８２に達するまでエッチングする。
　　　【００２０】
　エッチング終了後、レジストを剥離し、ｐ形ＧａＮ層８６の所定位置に絶縁保護膜９０を形成し、次いで、再度フォトレジストにより電極パターンを作成し、蒸着によりｎ形ＧａＮ層８２にＡｌ電極８８と、ｐ形ＧａＮ層８６Ｎｉ電極９２を形成する。その後、ウエハをダイシングにより半導体チップ８にカットする。
　　　【００２１】
　一方、熱伝導性絶縁体スペーサ６については、例えば、ノンドープのＳｉウエハ基板上にフォトレジストにより電極パターンを形成し、蒸着により対向電極６０、６２を形成する。その後、ウエハを、半導体チップ８よりも大きい所定のサイズにダイシングによりチップ状にする。そして、対向電極６０、６２と反対側の熱伝導性絶縁スペーサ６を、例えば、Ａｇペーストでステム２の支持基板４に接合し、熱伝導性絶縁スペーサ６上の対向電極６０、６２と半導体チップ８のＡｌ電極８８及びＮｉ電極９２と互いに対向させ、電極間を導電性接着剤（Ａｇペースト）９４、９６で接合して固定する。次いで、図１に示されるように、熱伝導性絶縁スペーサ６の対向電極６０、６２と電極端子１４とをそれぞれＡｕワイヤで接続し、最後に、内部に不活性ガスを封入すると共に、ステム２上を、石英等からなる窓部１２を有した封止金属部材１０で封止し、半導体レーザ素子とする。
　　　【００２２】
　上述した熱伝導性絶縁スペーサ６を設けることなく、半導体チップ２のサファイヤ基板８０を直接ステム２の支持基板４に接合した従来のものが発振しきい値電流密度３ｋＡ／ｃｍ２で発振波長４２０ｎｍとする素子寿命が約１時間であったのに対し、上述の実施例で得られた半導体レーザ素子では、発振しきい値電流密度２ｋＡ／ｃｍ２で発振波長４２０ｎｍとする素子寿命が約１００時間と著しく向上した。
　　　【００２３】
　　【発明の効果】
　上述したように、本発明によれば、半導体チップの成長基板から遠い側に電極を設け、この電極と熱伝導性絶縁スペーサの対向電極とを接合し、半導体チップを熱伝導性絶縁スペーサを介してステムの支持基板に固定することにより、半導体チップで発生する熱をステムに伝達することができ、著しい冷却効率を改善し、寿命の長い半導体レーザ素子を提供することができた。
【図面の簡単な説明】
　　【図１】　本発明の一実施例による半導体レーザ素子を一部断面にして示す立面図である。
　　【図２】　図１の符号Ａで断面にして半導体チップを示す断面図である。
　【符号の説明】
２　　　　ステム
４　　　　支持基板
６　　　　熱伝導性絶縁スペーサ
８　　　　半導体チップ
１０　　　　封止金属部材
１２　　　　窓部
６０、６２　対向電極
６４　　　　接着剤
８０　　　　成長基板
８２　　　　ｎ形ＧａＮ層
８４　　　　ｎ形ＩｎＧａＮ層
８６　　　　ｐ形ＧａＮ層
８８、９２　電極
９０　　　　絶縁保護膜
９４、９６導電性接着剤。