【事件の表示】
　特許第２８１４４３６号「気相成長方法及びその装置」の請求項１ないし２に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結論】
　訂正を認める。
　特許第２８１４４３６号の請求項１ないし２に係る特許を維持する。
【理由】
Ｉ．手続の経緯
　本件特許第２８１４４３６号（以下「本件特許」という。）は、昭和６３年５月２０日に特許出願されたものであって、特許権の設定の登録がなされた後、安藤純男より請求項１及び２に係る特許について特許異議の申立がなされ、その後、当審より特許取消理由の通知、特許権者より特許異議意見書及び訂正請求書の提出がなされたものである。
ＩＩ．訂正について
（ＩＩ−１）訂正の内容
訂正事項ａ（特許請求の範囲の訂正）
特許請求の範囲を、次のとおりに訂正する。
「（１）反応室を真空排気した後、原料ガスを導入して気相成長する方法において、真空排気した反応室に、原料ガスラインとは別のリークラインからキャリアガスと同一のリークガスを導入して成長圧力に昇圧する際に、分子流領域から粘性流領域への遷移する圧力領域の昇圧速度を次式
　ｄＰ／ｄｔ＝Ｐ０＊ａ＊ｔ＊１０ａｔ−１
（Ｐ０：初期の真空排気状態の圧力、Ｐ：ｔ分後の成長室内の圧力、ａ：０．５≦ａ≦２である定数）で昇圧した後、前記リークガスを原料ガスに切り換えることを特徴とする気相成長方法。
（２）基板を内部に設置する反応室と、原料ガス導入管と、真空排気系に接続する排気管とを有する気相成長装置において、原料ガス導入管に、分子流領域の高真空状態から粘性流領域の成長圧力への遷移を円滑に行える精密なリークバルブを介してリークガス導入管を接続し、キャリアガスと同一のリークガスを導入して成長圧力まで昇圧した後、原料ガスヘの切り換えを可能にしたことを特徴とする気相成長装置。」
訂正事項ｂ（特許請求の範囲以外の訂正）
（ｂ−１）明細書第５頁第３〜１８行の「本発明は・・・・である。」を、
「本発明は、（１）反応室を真空排気した後、原料ガスを導入して気相成長する方法において、真空排気した反応室に、原料ガスラインとは別のリークラインからキャリアガスと同一のリークガスを導入して成長圧力に昇圧する際に、分子流領域から粘性流領域への遷移する圧力領域の昇圧速度を次式
　ｄＰ／ｄｔ＝Ｐ０＊ａ＊ｔ＊１０ａｔ−１
（Ｐ０：初期の真空排気状態の圧力、Ｐ：ｔ分後の成長室内の圧力、ａ：０．５≦ａ≦２である定数）で昇圧した後、前記リークガスを原料ガスに切り換えることを特徴とする気相成長方法、及び
（２）基板を内部に設置する反応室と、原料ガス導入管と、真空排気系に接続する排気管とを有する気相成長装置において、原料ガス導入管に、分子流領域の高真空状態から粘性流領域の成長圧力への遷移を円滑に行える精密なリークバルブを介してリークガス導入管を接続し、キャリアガスと同一のリークガスを導入して成長圧力まで昇圧した後、原料ガスヘの切り換えを可能にしたことを特徴とする気相成長装置である。」と訂正する。
（ｂ−２）明細書第８頁第１５行の「調べたとひころ」を、「調べたところ」と訂正する。
（ＩＩ−２）訂正の目的、範囲、及び実質上の拡張又は変更について
　訂正事項ａは特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当し、訂正事項ｂは明りょうでない記載の釈明（ｂ−１）及び誤記の訂正（ｂ−２）を目的とするものに該当する。そしてそれらは願書に添付した明細書及び図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、かつ実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものとも認められない。
　以下、訂正後の明細書を「訂正明細書」という。
（ＩＩ−３）独立特許要件について
（ＩＩ−３−１）本件発明
　訂正明細書の請求項１及び２に係る発明（以下「訂正後の本件発明１」、「訂正後の本件発明２」という。）は、その請求項１及び２に記載された次のとおりのものと認める。
「（１）反応室を真空排気した後、原料ガスを導入して気相成長する方法において、真空排気した反応室に、原料ガスラインとは別のリークラインからキャリアガスと同一のリークガスを導入して成長圧力に昇圧する際に、分子流領域から粘性流領域への遷移する圧力領域の昇圧速度を次式
　ｄＰ／ｄｔ＝Ｐ０＊ａ＊ｔ＊１０ａｔ−１
（Ｐ０：初期の真空排気状態の圧力、Ｐ：ｔ分後の成長室内の圧力、ａ：０．５≦ａ≦２である定数）で昇圧した後、前記リークガスを原料ガスに切り換えることを特徴とする気相成長方法。
（２）基板を内部に設置する反応室と、原料ガス導入管と、真空排気系に接続する排気管とを有する気相成長装置において、原料ガス導入管に、分子流領域の高真空状態から粘性流領域の成長圧力への遷移を円滑に行える精密なリークバルブを介してリークガス導入管を接続し、キャリアガスと同一のリークガスを導入して成長圧力まで昇圧した後、原料ガスヘの切り換えを可能にしたことを特徴とする気相成長装置。」
（ＩＩ−３−２）発明の新規性及び進歩性について
（ア）引用例の記載事実
　取消理由通知に引用し、本件出願前に頒布された刊行物であることが明らかな下記引用例１及び２には、以下の事項が記載されている。
引用例１（特開昭６０−１６９１３８号公報：特許異議申立の甲第１号証）
（１−１）「ガス供給装置と真空処理室とを連結するガス供給管にオリフィスを有するコントローラとストップバルブとが配設されたガス供給系と、前記コントローラと前記ストップパルブとの動作を制御する制御装置とを具備した真空処理装置において、前記真空処理室へのガスの供給停止後でガスの供給開始以前に前記コントローラの後流側の前記ガス供給管を真空排気することを特徴とする真空処理室へのガス供給方法。」（特許請求の範囲）
（１−２）「本発明の目的は、ガス供給系のストップバルブやガス供給管内のガスによる異物の飛散を防止して異物の被処理物への付着を抑制することで、被処理物の処理品質の低下を防止できる真空処理室へのガス供給方法を提供することにある。」（第２頁左上欄第９〜１２行）
（１−３）「第１図で、ガス供給系１０は、ガス供給装置２０と真空処理室３０とを連結するガス供給管１１と、ガス供給管１１に配設されたＭＦＣ１２とストップバルブ１３〜１５とで構成され、ＭＦＣ１２とストップバルブ１３〜１５の動作は制御装置４０で制卸される。ＭＦＣ１２の前流側にはストップバルブ１３が後流側にはストップバルブ１４が設けられ、ストップバルブ１４の後流側にはストップバルブ１５が設けられている。・・・・これによりＭＦＣ１２の後流側のガス供給管１１、この場合は、ＭＦＣ１２のオリフィスとストップバルブ１４との間を真空に保つことができる。真空処理室３０からの処理済みの被処理物の搬出及び真空処理室３０への新たな被処理物の搬入、設置完了後、ストップバルブ１４，１５を開放し、その後、ストップバルブ１３を開放する。ＭＦＣ１２に対して再び制御装置４０により必要流量までガスを流通させるようにオリフィス開度指令のための信号が出され、ガスは真空処理室３０へゆるやかに供給される。・・・・第２図は、本発明の他の実施例を説明するもので、ストップバルブ１４，１５間のガス供給管１１にストップバルブ１６が設けられた排気管５０の一端が連結されている。排気管５０の他端は、例えば真空処理室３０を真空排気する排気装置・・・に連結されている。」（第２頁右上欄第４行〜左下欄第１９行）
引用例２（特開昭６１−２１７５７２号公報：特許異議申立の甲第２号証）
（２−１）「処理室を真空状態にするための真空排気部と、上記処理室を大気圧にするための大気導入部とを有する真空装置により被処理物を処理する方法において、上記真空排気部又は大気導入部に上記処理室における気体の乱れを生じさせないための流量調整手段を設けこの流量調整手段により処理室内で気体の乱れが生じないようにし、このような処理室を用いて被処理物を処理することを特徴とする真空装置による処理方法。」（特許請求の範囲）
（２−２）「本発明は・・・・その目的とするところは真空装置の処理室内での異物巻き上がりを抑え清浄な処理室内で半導体ウエーハを処理することができる真空装置による被処理物の処理法を提供するにある。」（第２頁左上欄第３〜８行）
（２−３）「この大気導入動作は、蒸着室２内の圧力（高真空）を大気圧にもどすためのもので、これは（ｂ）に示すように、まずスローベントバルブ１２で取り込む大気の粘性流領域での流量を気体が乱れない程度にしぼって、これをさらに流量コントロール・バルブ７で調節して蒸着室２に導入している。このあと、ベントバルブ１０を開いてスローベント・バルブ１２による導入量よりも大なる流量で大気を蒸着室２内にとり込むことにより、蒸着室２の圧力を高真空状態から大気圧状態にまでもどすことができる。」（第２頁右下欄第３〜１３行）
（イ）対比・判断
（１）訂正後の本件発明１について
　訂正後の本件発明１と引用例１に記載された発明とを対比すると、引用例１には訂正後の本件発明１の構成要件である、▲１▼：真空排気した反応室に原料ガスラインとは別のリークラインからキャリアガスと同一のリークガスを導入して成長圧力に昇圧する点、▲２▼：分子流領域から粘性流領域への遷移する圧力領域の昇圧速度を式ｄＰ／ｄｔ＝Ｐ０＊ａ＊ｔ＊１０ａｔ−１（Ｐ０：初期の真空排気状態の圧力、Ｐ：ｔ分後の成長室内の圧力、ａ：０．５≦ａ≦２である定数）で昇圧する点、及び▲３▼：前記昇圧した後前記リークガスを原料ガスに切り換える点が記載されておらず、また、引用例１の記載からみて、これらの点が自明とも認められない。
　したがって、訂正後の本件発明１は、引用例１に記載された発明ということはできない。
　一方、引用例２には、真空装置による処理方法において、真空排気部又は大気導入部に処理室における気体の乱れを生じさせないための流量調整手段を設けて気体の乱れが生じないように処理を行なうことが記載されているが、訂正後の本件発明１の前記▲１▼〜▲３▼の構成に係る点についての記載はなく、したがって、引用例１及び引用例２に記載のものから、訂正後の本件発明１の構成が容易に想到できるとはいえない。
　そして訂正後の本件発明１は、上記相違点▲１▼〜▲３▼に係る構成を含む前記認定のとおりの構成を有することにより、基板上に微細なダストを付着させることもなく、高真空状態から成長工程に移行することができ、その結果、表面品質の劣化を抑制し、高品質で結晶性の良い薄膜結晶を歩留まり良く気相成長させることができ、生産性を向上させるという、訂正明細書に記載の効果を奏したものと認められる。
　したがって、訂正後の本件発明１は、引用例１及び２に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明ということはできない。
（２）訂正後の本件発明２について
　訂正後の本件発明２は、気相成長装置において、▲４▼：原料ガス導入管に分子流領域の高真空状態から粘性流領域の成長圧力への遷移を円滑に行える精密なリークバルブを介してリークガス導入管を接続した点、及びそれにより、▲５▼：キャリアガスと同一のリークガスを導入して成長圧力まで昇圧した後原料ガスヘの切り換えを可能にした点、を構成要件として有するものであるが、これら▲４▼及び▲５▼の構成に係る点は引用例１及び２のいずれにも記載がなく、またそれらの記載からみて自明とも認められない。
　そして訂正後の本件発明２は、それら▲３▼及び▲４▼に係る構成を含む前記認定のとおりの構成を有することにより、前項（１）に指摘した効果を奏したものと認められる。
　したがって、訂正後の本件発明２は、引用例１に記載された発明とも、また、引用例１及び２に記載された発明に基いて容易に発明をすることができた発明ともいえない。
　また、他に訂正後の本件発明１及び２について、特許出願の際独立して特許を受けることができない発明とすべき理由を発見しない。
（ＩＩ−４）訂正の適否の結論
　以上のとおりであるから、本訂正は、特許法第１２０条の４第２項ただし書き、及び同条第３項で準用する同法第１２６条第２項から第４項までの規定を満足し、また、他に訂正を認めるべきでない理由を発見しないので、当該訂正を認める。
ＩＩＩ．特許異議申立について
（ＩＩＩ−１）特許異議申立人の主張
　特許異議申立人安藤純男は、本件出願前に頒布された刊行物である甲第１号証（引用例１）及び甲第２号証（引用例２）を提示して、訂正前の請求項１及び２に係る発明（以下「訂正前の本件発明１」及び「訂正前の本件発明２」という。）は、甲第１号証に記載された発明であり、また、甲第１及び２号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明であると主張している。
（ＩＩＩ−２）証拠の記載事実
　甲第１及び２号証には、上記（ＩＩ−３−２）の（ア）「引用例の記載事実」の欄に指摘した事項が記載されている。
（ＩＩＩ−３）判断
　　上記ＩＩ−３項「独立特許要件について」の欄に記載したとおり、訂正後の本件発明１及び２は、甲第１号証に記載された発明とはいえず、また、甲第１号証及び甲第２号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明ということもできない。
ＩＶ．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立人の主張する理由及び提示した証拠によっては、訂正後の本件発明１及び２に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に訂正後の本件発明１及び２に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１１年１１月２５日（１９９９．１１．２５）
【訂正の要旨】
（訂正の要旨：別紙）
訂正事項ａ（特許請求の範囲の訂正）
特許請求の範囲を、次のとおりに訂正する。
「（１）反応室を真空排気した後、原料ガスを導入して気相成長する方法において、真空排気した反応室に、原料ガスラインとは別のリークラインからキャリアガスと同一のリークガスを導入して成長圧力に昇圧する際に、分子流領域から粘性流領域への遷移する圧力領域の昇圧速度を次式
　ｄＰ／ｄｔ＝Ｐ０＊ａ＊ｔ＊１０ａｔ−１
（Ｐ０：初期の真空排気状態の圧力、Ｐ：ｔ分後の成長室内の圧力、ａ：０．５≦ａ≦２である定数）で昇圧した後、前記リークガスを原料ガスに切り換えることを特徴とする気相成長方法。
（２）基板を内部に設置する反応室と、原料ガス導入管と、真空排気系に接続する排気管とを有する気相成長装置において、原料ガス導入管に、分子流領域の高真空状態から粘性流領域の成長圧力への遷移を円滑に行える精密なリークバルブを介してリークガス導入管を接続し、キャリアガスと同一のリークガスを導入して成長圧力まで昇圧した後、原料ガスヘの切り換えを可能にしたことを特徴とする気相成長装置。」
訂正事項ｂ（特許請求の範囲以外の訂正）
（ｂ−１）明細書第５頁第３〜１８行の「本発明は・・・・である。」を、
「本発明は、（１）反応室を真空排気した後、原料ガスを導入して気相成長する方法において、真空排気した反応室に、原料ガスラインとは別のリークラインからキャリアガスと同一のリークガスを導入して成長圧力に昇圧する際に、分子流領域から粘性流領域への遷移する圧力領域の昇圧速度を次式
　ｄＰ／ｄｔ＝Ｐ０＊ａ＊ｔ＊１０ａｔ−１
　（Ｐ０：初期の真空排気状態の圧力、Ｐ：ｔ分後の成長室内の圧力、ａ：０．５≦ａ≦２である定数）で昇圧した後、前記リークガスを原料ガスに切り換えることを特徴とする気相成長方法、及び
（２）基板を内部に設置する反応室と、原料ガス導入管と、真空排気系に接続する排気管とを有する気相成長装置において、原料ガス導入管に、分子流領域の高真空状態から粘性流領域の成長圧力への遷移を円滑に行える精密なリークバルブを介してリークガス導入管を接続し、キャリアガスと同一のリークガスを導入して成長圧力まで昇圧した後、原料ガスヘの切り換えを可能にしたことを特徴とする気相成長装置である。」と訂正する。
（ｂ−２）明細書第８頁第１５行の「調べたとひころ」を、「調べたところ」と訂正する。
　なお、訂正事項ａは特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当し、訂正事項ｂは明瞭でない記載の釈明（ｂ−１）及び誤記の訂正（ｂ−２）を目的とするものに該当する。
（５４）【発明の名称】
気相成長方法及びその装置
（５７）【特許請求の範囲】
（１）反応室を真空排気した後、原料ガスを導入して気相成長する方法において、真空排気した反応室に
、原料ガスラインとは別のリークラインからキャリアガスと同一の
の
　ｄＰ／ｄｔ＝Ｐ０＊ａ＊ｔ＊１０ａｔ−１
（Ｐ０：初期の真空排気状態の圧力、Ｐ：ｔ分後の成長室内の圧力、ａ：０．５≦ａ≦２である定数）
で
昇圧した後、前記リークガスを原料ガスに切り換える
（２）基板を内部に設置する反応室と、原料ガス導入管と、真空排気系に接続する排気管とを有する気相成長装置において、原料ガス導入管に
、分子流領域の高真空状態から粘性流領域の成長圧力への遷移を円滑に行える
、キャリアガスと同一のリークガスを導入して成長圧力まで昇圧した後、原料ガスヘの切り換えを可能にした
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
　本発明は、熱分解反応や化学反応によって、ＧａＡｓ系、ＩｎＰ系等の化合物半導体のエピタキシャル薄膜結晶、ＳｉＯ２，Ｓｉ３Ｎ４等の絶縁体薄膜、及びＷＳｉＸ．ＴｉＳｉＸ等の導電性多結晶薄膜を気相成長する方法及びその装置に関する。
（従来の技術）
　従来、気相成長装置には、バレル型支持体を縦型反応室に内蔵するものや、パンケーキ型支持体を横型反応室に内蔵するものがあり、加熱方式も高周波加熱の外に、抵抗加熱や赤外線加熱もある。また、薄膜結晶の成長方法も、原料ガスやキャリアガスにより搬送されるガス状物質を、熱分解反応や化学反応により堆積させる方法がある。
　第２図のバレル型気相成長装置を例にして以下説明する。基板１を搭載した縦型バレル２を回転軸３で反応室４の中央に支持し、反応室内を高真空に引いてから高周波加熱コイル７で基板１を成長温度まで加熱し、原料ガス系統１２のブロックバルブ１１の１カ所ないし数カ所を反応室側に切り換えることにより、導入管５から原料ガスを導入し、基板１の上に薄膜結晶を堆積させる。バレル２の周囲を流下する未反応物及び反応生成物は排気管６を介して系外に排出される。なお、８は冷却水を流す冷却ジャケットである。
（発明が解決しようとする課題）
　これらの気相成長装置では、反応室に滞留する不純物等を成長前に排出するために、例えば、１０−７〜１０−６Ｔｏｒｒの高真空状態に排気してから、マニホルドタイプのブロックバルブ等を切り換えることにより原料ガスを導入し、１０〜１００Ｔｏｒｒ程度の成長圧力で気相成長を行っている。従来使用されているバルブは、単にガス流路の切り替え機能を有するものであるため、分子流領域である高真空状態から粘性流領域である成長圧力に瞬間的に変換する。その結果、反応室の壁面やサセプタの表面に付着していた数μｍ以下の微細なダストが吹き飛ばされて落下する。その一部は、成長前の清浄な基板表面に付着し、その後の気相成長で薄膜の表面品質を劣化させる原因となる。表面品質の劣化には、エピタキシャル層では結晶欠陥やインクルージョン等があり、また、多結晶薄膜についてはさらにピンホールを生ずることもあり、デバイスプロセス等への適用を困難とする。この問題点はバレル型気相成長装置に特有のものではなく、上記の気相成長装置に共通するものである。
　本発明は、上記の問題点を解消し、成長前の高真空状態から成長圧力の低真空状態に、成長室内の微細なダストを浮遊させることなく、円滑に移行することを可能とし、表面品質の優れた薄膜結晶を堆積させることのできる気相成長方法及びその装置を提供しようとするものである。
（課題を解決するための手段）
　本発明は、（１）反応室を真空排気した後、原料ガスを導入して気相成長する方法において、真空排気した反応室に
、原料ガスラインとは別のリークラインからキャリアガスと同一の
の
　ｄＰ／ｄｔ＝Ｐ０＊ａ＊ｔ＊１０ａｔ−１
（Ｐ０：初期の真空排気状態の圧力、Ｐ：ｔ分後の成長室内の圧力、ａ：０．５≦ａ≦２である定数）
で
昇圧した後、前記リークガスを原料ガスに切り換える
、分子流領域の高真空状態から粘性流領域の成長圧力への遷移を円滑に行える
、キャリアガスと同一のリークガスを導入して成長圧力まで昇圧した後、原料ガスヘの切り換えを可能にした
（作用）
　第１図は、本発明の１具体例であるバレル型気相成長装置の概念図である。この装置は、第２図の装置の原料ガス導入管５に、精密にリーク制御をすることのできるリークバルブ１０を介してリークガス導入管９を接続したものである。なお、原料ガス導入管５には、ブロックバルブ１１を介して原料ガス系統１２が接続されている。
　この装置を用いて基板上に薄膜結晶を成長させるには、基板１をバレル型サセプタに搭載し、該サセプタを反応室にセットした後反応室を１０−７〜１０−６Ｔｏｒｒの高真空状態に排気し、次いで、リークバルブを開けて水素、窒素、ヘリウム等のキャリアガスと同一のリークガスを導入して、分子流領域の高真空状態から成長圧力の粘性流領域への遷移する圧力領域（〜０．１Ｔｏｒｒ）を次式
　ｄＰ／ｄｔ＝Ｐ０＊ａ＊ｔ＊１０ａｔ−１
（Ｐ０：初期の真空排気状態の圧力、Ｐ：ｔ分後の成長室内の圧力、ａ：０．５≦ａ≦２である定数）
の昇圧速度で通過させ、０．５〜１００Ｔｏｒｒ程度の成長圧力まで昇圧してから、マニホルドタイプのブロックバルブ等を介して原料ガスを導入して気相成長を行う。このようにリークバルブを有するリークガス導入管を用いて、分子流領域から粘性流領域に遷移する圧力領域を上記のように昇圧することにより、反応室内の急峻な圧力変化を抑制し、その結果、微細なダストを浮遊させることなく、成長工程への円滑な移行を可能とする。
（実施例）
　第１図の装置を用い、有機金属気相成長法で直径３インチのＧａＡｓ基板の上にＧａＡｓ単結晶をエピタキシャル成長させた。
　まず、反応室内を１×１０−６Ｔｏｒｒの高真空状態に排気した後、精密なリークバルブを開けてキャリアガスである水素を徐々に導入し、特に、分子流領域の高真空状態から成長圧力の粘性流領域への遷移する圧力領域を
　
ｄＰ／ｄｔ＝Ｐ０＊ｔ＊１０ａｔ−１
の昇圧速度で通過させ、最終的に１０Ｔｏｒｒの成長圧力にし、一方、高周波加熱コイルに通電して７００℃の成長温度にしてから、ブロックバルブを開けてトリメチルガリウムを１２ｓｃｃｍ（０℃，１ａｔｍの標準状態における流量ｃｍ３／ｍｉｎ）、アルシンを１ＳＬＭ（０℃，１ａｔｍの標準状態における流量ｌ／ｍｉｎ）、及びキャリアガスとして水素を用い、全流量を１０ＳＬＭに維持して１時間エピタキシャル成長を行った。
　基板の上には２．０μｍのＧａＡｓエピタキシャル層が形成されていた。このエピタキシャル層を表面検査装置（パーティクルカウンター）により、０．０６〜１０２．４μｍ２の大きさの表面欠陥及び表面パーティクルを調べた
ところ
　比較のために、上記の実施例の中でリークバルブを用いずに、他の条件を変更せずにＧａＡｓ単結晶のエピタキシャル成長を行った。このエピタキシャル層を表面検査装置により、表面欠陥及び表面パーティクルを数えたところ、およそ１５００ケ／ｃｍ２であった。
　上記２つの実験において、成長前の高真空状態からリークガスを導入することにより、エピタキシャル層の表面品質を大幅に改善することができた。
　また、上記実施例及び比較例で成長圧力を０．５〜１００Ｔｏｒｒの範囲で変化させて同様に実施したところ、上記と同様の表面品質のエピタキシャル層を得ることができた。
（発明の効果）
　本発明は、上記構成を採用することにより、基板上に微細なダストを付着させることもなく、高真空状態から成長工程に移行することができ、その結果、表面品質の劣化を抑制し、高品質で結晶性の良い薄膜結晶を歩留まり良く気相成長させることができ、生産性を著しく向上させることができるようになった。
【図面の簡単な説明】
　第１図の本発明の１具体例であるバレル型気相成長装置の概念図、第２図は従来のバレル型気相成長装置の概念図である。