【事件の表示】
　特許第２８２０５３４号「照射による表面汚染物質の除去方法及び装置」の請求項１、９に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結論】
　特許第２８２０５３４号の請求項１、９に係る特許を維持する。
【理由】
１．本件特許第２８２０５３４号は、平成６年４月１１日に出願された国際特許出願であって（優先権主張１９９３年４月１２日、米国）、平成１０年８月２８日に登録されたものである。
２．これに対し、特許異議申立人住友重機械工業株式会社は、甲第１号証として特開平２−８６１２８号公報を、甲第２号証として特開昭６２−１８７５９１号公報を、及び甲第３号証として特開昭６２−８０２７２号公報を提示し、本件特許の請求項１及び請求項９に係る発明は、甲第１号証に記載された発明並びに甲第２号証及び甲第３号証に記載された周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、これらの発明に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである旨主張する。
３．本件特許の請求項１及び請求項９に係る発明（以下、それぞれ「本件発明１」及び「本件発明９」という。）は、その願書に添付された明細書の特許請求の範囲の請求項１及び請求項９にそれぞれ記載された次のとおりのものと認める。
「１．処理すべき表面の結晶構造を保護しながら基板の処理表面から表面汚染物質を除去する方法において、
　前記処理表面を横切る方向にガス流を導入するステップを有し、前記ガスが処理表面に対して不活性であり、
　前記処理表面を高エネルギ照射で照射するステップを更に有し、前記照射が、処理表面から表面汚染物質を解放させるには充分であるが、処理表面の結晶構造を変えるには不充分なエネルギ密度及び時間を有し、前記処理表面を横切る方向にガス流を導入するステップが前記処理表面とほぼ平行な速度成分を有するガスの層流を導入することであることを特徴とする表面汚染物質の除去方法。」
「９．処理すべき表面の結晶構造を保護しながら基板の処理表面から表面汚染物質を除去する装置において、
　処理表面に対して不活性なガスのガス流路と、
　前記基板の前記処理表面を支持し且つ前記ガス流路からの前記不活性ガスの層流を前記処理表面上に導くハウジングと、
　処理表面から表面汚染物質を解放させるには充分であるが、処理表面の結晶構造を変えるには不充分なエネルギ密度及び時間で、前記処理表面を高エネルギ照射で照射する照射装置とを有し、前記照射装置は前記ハウジング内のガス流が前記処理表面上のほぼすべての点において処理表面に対しほぼ平行な速度成分を有する層流であることを特徴とする表面汚染物質の除去装置。」
４．前記甲第１号証乃至甲第３号証に記載された事項は、それぞれ次のとおりである。
甲第１号証；表面から汚染物を除去するための方法及び装置に関し、「処理すべき表面の分子構造を保ちながら基質の表面から表面汚染物を除去する方法および装置が提供される。この方法は基質処理表面にガスを絶えず流す工程と、基質を高エネルギー源からの放射線で照射する工程とを有しており、この放射線はエネルギー密度および存続時間が基質処理表面から表面汚染物を解放するのに必要とされるものと、基質処理表面の分子構造を変えるのに必要とされるものとの間にあることを特徴としている。（第４頁左下欄１５行目一右下欄３行目）」、「本発明の装置は基質処理表面に対して不活性のガスと、このガスを処理表面に絶えず流すためのガス流れ手段と、ガスが通っている基質処理表面に対してエネルギーを発生させるための高エネルギー放射線発生手段とを有している。高エネルギー放射線発生手段は基質処理表面から表面汚染物を解放するに必要とされるものと、基質処理表面の分子構造を変えるのに必要とされるものとの間のエネルギー密度および存続期間の放射線を発生する。好ましくは、高エネルギー放射線発生手段は脈動紫外線レーザである。（第４頁右下欄９−１９行目）」、及び「ガス源１６からのガス１８が絶えず基質１２上に流されている。このガス１８は基質１２に対して不活性であり、非反応性ガス環境中の基質１２を洗浄するように基質１２を横切って流される。好ましくは、ガス１８はヘリウム、窒素又はアルゴンのような化学的に不活性のガスである。基質１２を収容する包囲体１５は一連の管２１、弁２２およびガス流量計２０を介してガス源１６と連通している。第１図に示す本発明の実施例によれば、包囲体１５はガス入口ポート２３およびガス出口ポートが取付けられたステンレス鋼製の試料反応セルよりなる。包囲体１５には、光が通ることができる。」（第５頁左上欄９行目−右上欄１行目）」と記載されている。
甲第２号証；レーザ加工蒸散物の回収装置に関し、「炭酸ガスレーザ、ＹＡＧレーザ又はアルゴンレーザ等の高出力レーザ光を用いて、物体の表面加工、切断或いは人体治療のための人体表面組織の蒸散や切開等が近年盛んに行なわれるようになった。（第１頁左下欄１４−１８行目）」、「この場合、レンズは被照射物から通常数ｍｍ〜数ｃｍの位置にあるため、加工時に噴出する被照射物の蒸散物がレンズに付着しこれを汚すことがしばしばあった。（第１頁右下欄１−４行目）」、「レンズ表面に蒸散物が付着すると、照射レーザのパワーが低下するとともに、場合によってはレンズ表面が強力なレーザによって損傷を受けることもあった。また、レーザ照射を行なう環境によっては、蒸散物が空中に放出されることが許されない場合もあり、このような環境ではレーザ加工が行なえないこともあった。（第１頁右下欄１３−２０行目）」、「この発明は第１図に示すように、レーザ照射装置の先端集光レンズ１の前方に、レーザ２の通路を挟んで気体噴射用ノズル３と、気体吸引用ノズル４を対向配置したものである。これらのノズル３、４は、パイプ５、６の先端に設けられ、空気又は適当なガスを一方のノズル３から噴出し、他方のノズル４から吸引することにより、ノズル３、４間に気体の層流を発生させる。レーザ２はその層流を突き抜けて被照射物７に照射される。（第２頁左上欄５−１５行目）」及び「被照射物から発生する蒸散物は、気体の層流に捕捉され、その流れに従って吸引側のノズル４に吸い込まれる。なお、気体の層流の位置、即ちノズル３、４の高さは、蒸散物の飛散状況によって設定されるが、通常は被照射物に極めて接近した位置に設定される。（第２頁左上欄１７行目−右上欄４行目）」と記載されている。
甲第３号証；半導体工業分野での気相成長装置に関し、「３８は不活性ガス供給ノズルたるＮ２ガス供給ノズルであり、反応ガス供給ノズル２４とはほぼ同様に構成され、反応ガス供給ノズル２４の上方に配置されて、反応ガス供給ノズル２４から流出する反応ガス流の上方を覆ってＮ２ガスを帯状に流すものである。このＮ２ガスも、Ｎ２ガス供給管４０に巻回された加熱用コイル４２によって、反応ガスとほぼ同温度にまで加熱されて供給される。４４は上記Ｎ２ガスを排出するＮ２ガス排出管である。（第３頁右上欄８−１７行目）」、「層流状態で供給されるから、反応ガス気相中で生成した反応生成物がウエハー２２表面上に落下して、パーティクルが発生する等の事態が生じない。（第４頁左上欄３−６行目）」、及び「被処理物表面に流れる反応ガス流を覆ってＮ２ガス流を、両ガス流が完全に層流状体をなすように流すことができるから、気相中での反応生成物はガス流とともに完全に排出され、また従来のように反応チャンバー内壁等に反応生成物が付着して落下することがないからパーティクル発生を完全なまでに防止できる。（第４頁右下欄１７行目−第５頁左上欄４行目）」と記載されている。
５．本件発明１と、甲第１号証乃至甲第３号証に記載されたものとを対比すると、甲第１号証乃至甲第３号証には、いずれにも、本件発明１の必須の構成である「処理表面を高エネルギ照射で照射するステップを更に有し、前記照射が、処理表面から表面汚染物質を解放させるには充分であるが、処理表面の結晶構造を変えるには不充分なエネルギ密度及び時間を有し、前記処理表面を横切る方向にガス流を導入するステップが前記処理表面とほぼ平行な速度成分を有するガスの層流を導入することである表面汚染物質の除去方法」の構成が記載されていない。
　そして、甲第１号証に記載されたもののガス１８の流れは、この流れによって、基質１２を洗浄するものであって（第５頁左上欄９−１２行目参照）、空中に浮遊する物質が基板表面又は他の構成物に付着するのを防止するためにそれらの表面に平行にガスを層流状態で流すことが周知であるからといって、一概に基質を洗浄するガスを層流にすることが容易であるとすることはできない。
　なお、甲第２号証に記載されたものは、レーザ加工に関するものであって、被照射物から発生する蒸散物がレンズに付着すること、又は空中に飛散することを防止することを目的とするものであって、表面を洗浄するものでもないし、表面から除去された物質が再度表面に付着することを防止するものでもない。
　また、甲第３号証に記載されたものは、気相成長装置に関するものであって、被処理物表面に沿って流れるのは、不活性ガスではなく、反応ガスであって、これがパーティクルの発生原因となるものであるから、表面を洗浄するものでもないし、表面から除去された物質が再度表面に付着することを防止するものでもない。
　したがって、本件発明１が前記第１号証乃至甲第３号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることは、できない。
６．本件発明９と、甲第１号証乃至甲第３号証に記載されたものとを対比すると、甲第１号証乃至甲第３号証には、いずれにも、本件発明９の必須の構成である「処理表面から表面汚染物質を解放させるには充分であるが、処理表面の結晶構造を変えるには不充分なエネルギ密度及び時間で、前記処理表面を高エネルギ照射で照射する照射装置とを有し、前記照射装置はハウジング内のガス流が前記処理表面上のほぼすべての点において処理表面に対しほぼ平行な速度成分を有する層流である表面汚染物質の除去装置」の構成が記載されていない。
　そして、前記５で述べたと同様、本件発明９が前記第１号証乃至甲第３号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることも、できない。
７．したがって、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件発明１及び本件発明９に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明１及び本件発明９に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１１年１０月２６日（１９９９．１０．２６）