【事件の表示】
　特許第２５９８３３５号「半導体集積回路装置の配線接続構造およびその製造方法」の請求項１ないし３に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結論】
　特許第２５９８３３５号の請求項１ないし３に係る特許を取り消す。
【理由】
１．手続の経緯
　本件特許第２，５９８，３３５号に係る主な手続の経緯は以下のとおりである。
　特許出願　　　　　　　平成２年８月２８日
　特許権設定登録　　　　平成９年１月９日
　特許公報発行　　　　　平成９年４月９日
　特許異議の申立て　　　平成９年１０月９日
　取消理由通知　　　　　平成９年１２月８日
　異議意見書　　　　　　平成１０年２月１０日
　訂正請求（第１回）　　平成１０年２月１０日
　訂正拒絶理由通知　　　平成１０年２月２６日
　意見書　　　　　　　　平成１０年４月２７日
　手続補正書　　　　　　平成１０年４月２７日
　取消理由通知　　　　　平成１０年８月２５日
　訂正拒絶理由通知　　　平成１０年８月２５日
　審尋（対異議申立人）　平成１０年８月２５日
　異議意見書　　　　　　平成１０年１１月１０日
　訂正請求（第２回）　　平成１０年１１月１０日
　回答書　　　　　　　　平成１０年１１月１０日
２．訂正の適否について
（２．１）訂正の目的等について
（２．１．１）訂正事項１
　特許明細書の請求項１における「チタン層の上に形成されたチタン化合物層」を「チタン層の上に形成された窒化チタン、酸化チタン、酸窒化チタンのいずれか一つからなるチタン化合物層」とする訂正は、チタン化合物を限定するものであるので、特許請求の範囲の減縮に該当し、願書に添付した明細書及び図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
　なお、訂正の要旨においては、さらに、「比抵抗が２５０〜４００μΩｃｍ程度の」という修飾句が付加されているが、訂正請求書に添付された別紙訂正明細書においては、その修飾句は付加されていない。訂正の趣旨は、別紙訂正明細書のとおりに訂正するものであるから、別紙訂正明細書の記載を採用して上記のとおり認定し、判断した。
（２．１．２）訂正事項２
　特許明細書の請求項２における「チタン層の上に形成されたチタン化合物層」を「チタン層の上に形成された、比抵抗が２５０〜４００μΩｃｍ程度の窒化チタン、酸化チタン、酸窒化チタンのいずれか一つからなるチタン化合物層」とする訂正は、チタン化合物を限定するものであるので、特許請求の範囲の減縮に該当し、願書に添付した明細書及び図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
（２．１．３）訂正事項３
　特許明細書の請求項４を引用形式請求項から独立形式請求項にするとともに、該項における「チタン層の上に形成されたチタン化合物層」を「チタン層の上に形成された、窒化チタン、酸化チタン、酸窒化チタンのいずれか一つからなるチタン化合物層」とする訂正は、チタン化合物を限定するものであるので、特許請求の範囲の減縮に該当し、願書に添付した明細書及び図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
（２．１．４）訂正事項４
　特許明細書の請求項５における「チタン層の上にチタン化合物層を形成する工程」を「チタン層の上に窒化チタン、酸化チタン、酸窒化チタンのいずれか一つからなるチタン化合物層を形成する工程」とする訂正は、チタン化合物を限定するものであるので、特許請求の範囲の減縮に該当し、願書に添付した明細書及び図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
（２．１．５）訂正事項５
　上記特許請求の範囲の訂正にともない、発明の詳細な説明における〔課題を解決する手段〕及び〔作用〕の項（特許明細書第１７頁第５行から第２１頁第１５行）を別紙全文訂正明細書のとおりに訂正することは、明瞭でない記載の釈明に該当する。
（２．１．６）訂正事項６
　特許明細書第３４頁１９行〜第２０行における「電気的なコンタクト抵抗が安定になるとともに」を「電気的なコンタクト抵抗の増加が抑えられかつ電気的なコンタクト抵抗が安定になるとともに」とする訂正は、明瞭でない記載の釈明に該当する。
（２．２）独立特許要件について
　（２．２．１）訂正された発明
　本件特許は、５つの発明に対してなされているが、特許異議の申立の対象である訂正された発明は、訂正された特許請求の範囲請求項１及至３に記載された事項により特定された下記のとおりのものである。
「【請求項１】多層アルミニウム配線層の各層が接続孔を通じて接続された半導体集積回路装置の配線接続構造であって、
　半導体基板上に形成されたセルを被覆する第１の絶縁層と、
　前記第１の絶縁層上に形成された第１のアルミニウム配線層と、
　前記第１のアルミニウム配線層を介して前記第１の絶縁層の上に形成され、前記第１の絶縁層上において第１のアルミニウム配線層の表面に達する貫通孔を有する第２の絶縁層と、
　前記第２の絶縁層の上に形成され、前記貫通孔を通じて前記第１のアルミニウム配線層に電気的に接続された第２のアノレミニウム配線層とを備え、
　前記第２のアルミニウム配線層は、
　前記貫通孔を通じて前記第１のアルミニウム配線層の表面に接触するように前期第２の絶縁層の上に形成されたチタン層と、
　前記チタン層の上に形成された、窒化チタン、酸化チタン、酸窒化チタンのいずれか一つからなるチタン化合物層と、
　前記チタン化合物層の上に形成されたアルミニウムまたはアルミニウム合金からなるアルミニウム層とを含み、
　前記チタン層は、前記第１のアルミニウム配線層と接触する部分においてチタンとアルミニウムとの金属間化合物層を含むことを特徴とする半導体集積回路装置の配線接続構造。
　【請求項２】多層アルミニウム配線層の各層が接続孔を通じて接続された半導体集積回路装置の配線接続構造であって、
　主表面を有する半導体基板と、
　前記半導体基板の主表面に接するように前記半導体基板の主表面上に形成され、かつシリコンを含むアルミニウム合金よりなる第１のアルミニウム配線層と、
　前記第１のアルミニウム配線層の上に形成され、前記第１のアルミニウム配線層の表面に達する貫通孔を有する絶縁層と、
　前記絶縁層の上に形成され、前記貫通孔を通じて前記第１のアルミニウム配線層に電気的に接続された第２のアルミニウム配線層とを備え、
　前記第２のアルミニウム配線層は、
　前記貫通孔を通じて前記第１のアルミニウム配線層の表面に接触するように前記絶縁層の上に形成されたチタン層と、
　前記チタン層の上に形成された比抵抗が２５０〜４００μΩ・ｃｍ程度の窒化チタン、酸化チタン、酸窒化チタンのいずれか一つからなるチタン化合物層と、
　前記チタン化合物層の上に形成されたアルミニウムまたはアルミニウム合金からなるアルミニウム層とを含み、
　前記チタン層は５０Å以上１５０Å以下の膜厚を有する、半導体集積回路装置の配線接続構造。
　【請求項３】前記第１のアルミニウム配線層と接触する部分において、前記チタン層はチタンとアルミニウムとの金属間化合物層を含むことを特徴とする、請求項２に記載の半導体集積回路装置の配線接続構造。」
　本件発明は、上記事項により、多層アルミニウム配線構造の接続孔の部分において安定なコンタクトを得ることができる。また、電気的なコンタクト抵抗の増加が抑えられ、かつ、電気的なコンタクト抵抗が安定になるとともに、エレクトロ・マイグレーション耐量やストレス・マイグレーション耐量等の接続孔の部分での半導体集積回路装置の信頼性のレベルが向上するいという効果を生じるものである。
　（２．２．２）刊行物記載の発明
　取消理由通知書において引用した特開昭５７−２０８１６１号公報（以下「刊行物１」という。）には、「第３図は本発明にかかる半導体装置の一実施例の断面図を示す。第１図、第２図と同じく、コレクタ領域２、ベース領域３、エミッタ領域４からなる半導体素子が形成されたシリコン基板１上に配設されたＳｉＯ２膜９に窓あけがなされ、エミッタ電極導出用の第１層のＡｌ層６が前記窓５内のエミッタ領域表面からＳｉＯ２９上に延在して形成される。そして層間絶縁膜となるＳｉＯ２膜１０を被着して接続部７を窓あけがなされ、膜厚２００〜１０００〔Å〕のＴｉ膜１１、膜厚５００〜３０００〔Å〕のチタン・タングステン（Ｔｉ−Ｗ、Ｔｉ：１０〔重量％〕、Ｗ：９０〔重量％〕）膜１２、膜厚１〔μｍ〕のＡｌ層８の三重層からなる第２層の配線層が形成される。この様な構成とすれば少なくとも層間接続用窓内において、Ｔｉ−Ｗ膜１２がＴｉ膜１１とＡｌ膜８の間に存在しているためＴｉＡｌ３が熱処理で形成されても、Ｓｉを偏析して第２層のＡｌ層８に当該Ｓｉを溶出することはＴｉ−Ｗ膜１２で阻止される。したがって第１層のＡｌ層６にはある程度Ｓｉが溶出するが、第２層のＡｌ層まで溶出することは抑制され、無制限なＳｉの溶出がなくなるから、ＶＥＢＯもそれ程耐圧低下することはない。
　この様な阻止層（バリヤ層）としてはＴｉ−Ｗの他にタングステン（Ｗ）、タンタル（Ｔａ）チタン窒化物（ＴｉＮ）など種々の高融点金属や合金及び高融点金属の窒化物あるいは硅化物がある。又、Ａｌと金属間化合物を形成する金属としてはＴｉの他にＭｏ、Ｐｔがある。」（第２頁右上欄第１８行〜右下欄第５行）と記載されている。
　すなわち、刊行物１には、多層アルミニウム配線層の各層が接続孔を通じて接続された半導体集積回路装置の配線接続構造であって、
　コレクタ領域２、ベース領域３、エミッタ領域４からなる半導体素子が形成されたシリコン基板１上に設けられたＳｉＯ２膜９と
　前記ＳｉＯ２膜９上に形成された第１層のＡｌ層６と
　前記第１層のＡｌ層６を介して前記ＳｉＯ２膜９の上に形成され、前記ＳｉＯ２膜９上において第１層のＡｌ層６の表面に達する貫通孔を有するＳｉＯ２膜１０と、
　前記ＳｉＯ２、膜１０上に形成され、前記貫通孔を通じて前記第１層のＡｌ層６に電気的に接続された第２層のＡｌ層８とを備え、
　前記第２層のＡｌ層８は、前記貫通孔を通じて前記第１層のＡｌ層６の表面に接触するように前記ＳｉＯ２膜１０の上に形成されたチタン層と、
　前記チタン層の上に形成されたＴｉ−Ｗからなるチタン化合物層と、
　前記チタン化合物層の上に形成されたアルミニウム層とを含み、
　前記チタン層は、前記第１層のＡｌ層６と接触する部分においてチタンとアルミニウムとの金属間化合物層（ＴｉＡｌ３）を含んだ半導体集積回路装置の配線接続構造が記載されるとともに、上記チタン化合物は、チタン窒化物（ＴｉＮ）であってもよいと記載されている。
　同じく特開昭６０−５５６０号公報（以下「刊行物２」という。）には、以下の事項が記載されている。
　▲１▼「本発明は５００［℃］程度の高温温度サイクル過程を経てもなお且つすぐれたバリア性を失うことのない窒化チタン（ＴｉＮ）層を主たるバリア層として用いている。そしてＴｉＮ層が前述したようにシリコン（Ｓｉ）等の半導体層、アルミニウム（Ａｌ）や金（Ａｕ）等の配線材料層、及び特に二酸化シリコン（ＳｉＯ２）、りん珪酸ガラス（ＰＳＧ）等の絶縁膜に対して密着性が悪い点を改善するため、ＴｉＮと強固に結合し且つ前記半導体材料や配線材料とも良く反応して強固に密着し、更に、前記絶縁膜とも表面に形成される酸化チタン（例えばＴｉＯ２）膜を介して強固に密着する性質を有するチタン（Ｔｉ）を０．５〜２０［ｗｔ％］程度前記ＴｉＮに加えることによりその密着性を高めている。
　即ち本発明が提供するバリア層は、ＴｉＮにＴｉを０．５〜２０［ｗｔ％］程度加えたＴｉＮとＴｉの混合物若しくはＴｉ−ＴｉＮ−Ｔｉの三重構造よりなっており、その厚さはバリア効果を均一にするためのカバレージを考慮し１０００〜２０００［Å］程度に形成される。なお前記三重構造の場合Ｔｉ層の厚さはそれぞれＴｉＮ層の厚さの１／２０〜１／１０程度例えば５０〜１００［Å］程度とし、上下Ｔｉ層を合わせた量が混合比換算でＴｉＮに対して２０［ｗｔ％］を上廻らないような厚さにする。」（第２頁左下欄第１３行〜右下欄第１６行）。
　▲２▼「第２図は多層配線構造の例で、図中１はコレクタ領域、２はベース領域、３はエミッタ領域、４はＳｉＯ２、絶縁膜、５はＡｌ電極配線（純Ａｌ若しくは前記Ａｌ合金よりなる）、６はバリア層（前記実施例と同じ）、７はＰＳＧ絶縁膜、８はＡｌ上層配線（純Ａｌ若しくは前記Ａｌ合金よりなる）」（第３頁左下欄第７〜１２行）
　▲３▼ここで言及されている、前記実施例に関しては、以下の記載がある。
　「以下本発明を、上記ＴＩＮ／Ｔｉ混合物バリアを用いた実施例について説明する。
第１図は本発明をバイポーラ型半導体装置のエミッタ配線に用いた例で、同図に於て１はコレクタ領域、２はベース領域、３はエミッタ領域、４はＳｉＯ２絶縁膜、５ａは第１のＡｌ層（通常Ｐｕｒｅ　Ａｌ、Ａｌ−４％Ｃｕ・合金、Ａｌ〜０．５〜１％Ｍｇ・合金、あるいはこれらにＳｉを０．５〜２％混ぜた合金よりなり１０００［Å］程度の厚さを有する。配線の一部をなし主としてコンタクトの役目を果たす。）、５ｂは第２のＡｌ層（第１のＡｌ合金層と同じ材質により形成され、配線の主部をなし、８０００［Å］程度の厚さを有し、主として電気伝導の役目を果たす。）、６はバリア層（厚さ１０００［Å］程度で前記ＴＩＮ／Ｔｉ混合物よりなる）、７はＰＳＧ絶縁膜を示す。」（第３頁左上欄第２０〜右上欄第１５行）
　すなわち、上記刊行物２には、
多層アルミニウム配線層の各層が接続孔を通じて接続された半導体集積回路装置の配線接続構造であって、
　主表面を有する半導体基板と、
　前記半導体基板の主表面に接するように前記半導体基板の主表面上に形成され、かつシリコンを含むアルミニウム合金よりなるＡｌ電極配線５と、
　前記Ａｌ電極配線５の上に形成され、前記Ａｌ電極配線５の表面に達する貫通孔を有する絶縁層４と、
　前記絶縁層４の上に形成され、前記貫通孔を通じて前記Ａｌ電極配線５に電気的に接続されたＡｌ配線とを備え、
　前記Ａｌ配線は、
　前記貫通孔を通じて前記Ａｌ電極配線５の表面に接触するように前記絶縁層４の上に形成されたバリア層６とＡｌ上層配線８よりなり、
前記バリア層６は、前記貫通孔を通じて前記Ａｌ電極配線５の表面に接触するように前記絶縁層４の上に形成された第１のチタン層と、
　前記チタン層の上に形成された窒化チタンからなるチタン化合物層と、
　前記チタン化合物層の上に形成された第２のチタン層と、
　からなり、前記第１及び第２のチタン層は、それぞれ５０〜１００［Å］程度の膜厚を有する半導体集積回路装置の配線接続構造が記載されている。
　（２．２．３）訂正された請求項１記載の発明について
　訂正された請求項１記載の発明と上記刊行物１記載の発明とを比較すると、後者における「ＳｉＯ２膜９」、「ＳｉＯ２膜１０」、「第１層のＡｌ層６」及び「第２層のＡｌ層８」は、前者における「第１の絶縁層」、「第２の絶縁層」、「第１のアルミニウム配線層」及び「第２のアルミニウム配線層」に相当するので、両者は、多層アルミニウム配線層の各層が接続孔を通じて接続された半導体集積回路装置の配線接続構造であって、
　半導体基板上に形成されたセルを被覆する第１の絶縁層と、
　前記第１の絶縁層上に形成された第１のアルミニウム配線層と、
　前記第１のアルミニウム配線層を介して前記第１の絶縁層の上に形成され、前記第１の絶縁層上において第１のアルミニウム配線層の表面に達する貫通孔を有する第２の絶縁層と、
　前記第２の絶縁層の上に形成され、前記貫通孔を通じて前記第１のアルミニウム配線層に電気的に接続された第２のアルミニウム配線層とを備え、
　前記第２のアルミニウム配線層は、
　前記貫通孔を通じて前記第１のアルミニウム配線層の表面に接触するように前期第２の絶縁層の上に形成されたチタン層と、
　前記チタン層の上に形成されたチタン化合物層と、
　前記チタン化合物層の上に形成されたアルミニウム層とを含み、
　前記チタン層は、前記第１のアルミニウム配線層と接触する部分においてチタンとアルミニウムとの金属間化合物層を含む半導体集積回路装置の配線接続構造である点において一致し、相違するのは、上記チタン化合物が、前者においては、窒化チタン、酸化チタン又は酸窒化チタンであるのに対し、後者においては、Ｔｉ−Ｗである点である。
　そこで、上記相違点について検討すると、上記刊行物１には、上記チタン化合物として、上記Ｔｉ−Ｗに代えて窒化チタンでもよいとの記載があるので、この点は、実質的には相違点ではない。
　したがって、訂正された請求項１に係る発明は、刊行物１に記載された発明であり、特許法第２９条第１項第３号に規定する発明に該当し、特許を受けることができないものである。
　（２．２．４）訂正された請求項２記載の発明について
　訂正された請求項２記載の発明と上記刊行物２に記載された発明とを比較すると、後者における「Ａｌ電極配線５」及び「バリア層６及びＡｌ上層配線８」は、前者における「第１のアルミニウム配線層」及び「第２のアノレミニウム配線層」に相当するので、両者は、
多層アルミニウム配線層の各層が接続孔を通じて接続された半導体集積回路装置の配線接続構造であって、
　主表面を有する半導体基板と、
　前記半導体基板の主表面に接するように前記半導体基板の主表面上に形成され、かつシリコンを含むアルミニウム合金よりなる第１のアルミニウム配線層と、
　前記第１のアルミニウム配線層の上に形成され、前記第１のアルミニウム配線層の表面に達する貫通孔を有する絶縁層と、
　前記絶縁層の上に形成され、前記貫通孔を通じて前記第１のアルミニウム配線層に電気的に接続された第２のアルミニウム配線層とを備え、
　前記第２のアルミニウム配線層は、
　前記貫通孔を通じて前記第１のアルミニウム配線層の表面に接触するように前記絶縁層の上に形成されたチタン層と、
　前記チタン層の上に形成された窒化チタンからなるチタン化合物層と、
　前記チタン化合物層の上に形成されたアルミニウムまたはアルミニウム合金からなるアルミニウム層とを含み、
　前記チタン層は５０Å以上１００Å以下の膜厚を有する、半導体集積回路装置の配線接続構造である点において一致し、以下の点において相違している。
　▲１▼前者においては、チタン化合物層に接してアルミニウム層が積層されているが、後者においては、チタン化合物層の上にチタンを介してアルミニウム層が積層されている点。
　▲２▼前者においては、上記窒化チタンの比抵抗が２５０〜４００μΩ・ｃｍ程度であるが、後者においては、どの程度の比抵抗であるかの記載がない点。
　▲３▼前者においては、上記チタン層の膜厚が５０Å以上１５０Å以下であるが、後者においては、５０〜１００［Å］程度の膜厚である点。
　そこで上記相違点について検討する。
　相違点▲１▼について
　上記刊行物２においては、窒化チタンとアルミニウム配線との密着性を向上させるために上記窒化チタンとアルミニウム配線との間にチタンを介在させているが、密着性を多少落としても工程の簡略化を図る場合等には、該チタン層を省略することは当業者が容易になし得たことと認められる。
　相違点▲２▼について
　この点に関し、特許明細書においては、「この窒化チタン膜１０２は、バイア・ホール部において、第１のアルミニウム配線層４と接するチタン膜１０１が上層のアルミニウム含有膜と先に反応してしまうのを抑制する役割を果たす。このため、上層のアルミニウム含有膜との反応性が小さく、かつバイア・ホール抵抗の増加をできるだけ抑えるために、２５０〜４００μΩ・ｃｍ程度の比抵抗の小さい窒化膜が用いられる。
　なお、通常、シリコン基板とのコンタクト部においてバリアメタル膜として用いられる窒化チタン膜は、シリコンやアルミニウムに対するバリア性が必要であるので、４００〜２０００μΩ・ｃｍ程度の比抵抗の高い膜が用いられる。しかしながら、このような窒化チタン膜をバイア・ホール部で用いると、バイア・ホール抵抗が従来の構造に比べて数倍に高くなってしまうという問題がある。バイア・ホール部で用いられる窒化チタン膜１０２は、前述のように、チタン膜１０１と上層のアルミニウム含有膜との反応を抑制することを目的として形成される。そのため、この窒化チタン膜１０２はアルミニウムに対するバリア性をあまり必要としない。このことから、２５０〜４００μΩ・ｃｍ程度の比抵抗の小さい窒化膜を用いることができる。」（特許公報第６頁右欄第４５行〜第６頁左欄第１５行）と記載されており、窒化チタン膜の比抵抗を２５０〜４００μΩ・ｃｍ程度としたのは、通常のバリア層と異なり、バイア・ホール抵抗をできるだけ抑えるためである。
　しかるに、特許権者の認識と異なり、本件特許出願前において、窒化チタンをバリア層として用いる場合、比抵抗として２５０〜４００μΩ・ｃｍ程度の窒化チタンを用いることは周知であった（例えば、特開平２−１３３９６４号公報、特開平１−２６８０２５号公報、特開昭５９−１８２２０８号公報参照）。
　したがって、刊行物２記載の発明においても、バリアメタルとしての窒化チタンの比抵抗を２５０〜４００μΩ・ｃｍ程度とすることは、当業者が容易になし得たことと認められる。
　相違点▲３▼について
　前者においては、上記チタン層の膜厚が５０Å以上１５０Å以下であり、後者においては、５０〜１００［Å］程度の膜厚であるが、両者は、上記チタン層の膜厚が５０〜１００［Å］である点において重複しており、この重複している点において、同一である。
　（２．２．５）訂正された請求項３記載の発明について
　請求項３記載の発明は、請求項２記載の発明において、第１のアルミニウム配線層と接触する部分において、チタン層はチタンとアルミニウムとの金属間化合物層を含むことを特徴とするものであるが、チタン層を被覆した後、該チタン層と第１のアルミニウム配線層との密着性を良くするために熱処理することは通常の製作工程であり、その過程において該チタン層とアルミニウムが反応してチタンとアルミニウムとの金属間化合物層が形成されることは上記刊行物１に記載されているように周知であるので、この請求項３記載の発明は、請求項２記載の発明と同様に刊行物２及び刊行物１記載の発明に基いて当業者が容易になし得たことと認められる。
　（２．２．６）この項のむすび
　したがって、訂正された請求項１乃至３に記載された発明は、上記刊行物１及び２に記載された発明に基いて当業者が容易になし得たものであるので、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　よって、本件訂正は、平成６年法律第１１６号附則第６条第１項の規定により、なお従前の例とされる改正前の特許法第１２６条第３項に違反するので認めることができない。
３．特許異議の申立てについての判断
　（３．１）異議申立の理由の概要
　特許異議申立人牧田美樹は、甲第１号証（上記刊行物１）及び甲第２号証（上記刊行物２）を提出し、本件特許は上記甲第１号証乃至甲第２号証刊行物記載の発明に基いて当業者が容易になし得たものであるので、取り消すべきものであると主張する。
　（３．２）本件発明
　本件発明は、以上のとおり訂正請求が認められないので、特許された明細書の特許請求の範囲請求項１乃至３に記載された事項により特定された以下のとおりのものである（以下「本件第１発明」乃至「本件第３発明」という。）。
「【請求項１】多層アルミニウム配線層の各層が接続孔を通じて接続された半導体集積回路装置の配線接続構造であって、
　半導体基板上に形成されたセルを被覆する第１の絶縁層と、
　前記第１の絶縁層上に形成された第１のアルミニウム配線層と、
　前記第１のアルミニウム配線層を介して前記第１の絶縁層の上に形成され、前記第１の絶縁層上において第１のアルミニウム配線層の表面に達する貫通孔を有する第２の絶縁層と、
　前記第２の絶縁層の上に形成され、前記貫通孔を通じて前記第１のアルミニウム配線層に電気的に接続された第２のアルミニウム配線層とを備え、
　前記第２のアルミニウム配線層は、
　前記貫通孔を通じて前記第１のアルミニウム配線層の表面に接触するように前期第２の絶縁層の上に形成されたチタン層と、
　前記チタン層の上に形成されたチタン化合物層と、
　前記チタン化合物層の上に形成されたアルミニウムまたはアルミニウム合金からなるアルミニウム層とを含み、
　前記チタン層は、前記第１のアルミニウム配線層と接触する部分においてチタンとアルミニウムとの金属間化合物層を含むことを特徴とする半導体集積回路装置の配線接続構造。
　【請求項２】多層アルミニウム配線層の各層が接続孔を通じて接続された半導体集積回路装置の配線接続構造であって、
　主表面を有する半導体基板と、
　前記半導体基板の主表面に接するように前記半導体基板の主表面上に形成され、かつシリコンを含むアルミニウム合金よりなる第１のアルミニウム配線層と、
　前記第１のアルミニウム配線層の上に形成され、前記第１のアルミニウム配線層の表面に達する貫通孔を有する絶縁層と、
　前記絶縁層の上に形成され、前記貫通孔を通じて前記第１のアルミニウム配線層に電気的に接続された第２のアルミニウム配線層とを備え、
　前記第２のアルミニウム配線層は、
　前記貫通孔を通じて前記第１のアルミニウム配線層の表面に接触するように前記絶縁層の上に形成されたチタン層と、
　前記チタン層の上に形成されたチタン化合物層と、
　前記チタン化合物層の上に形成されたアルミニウムまたはアルミニウム合金からなるアルミニウム層とを含み、
　前記チタン層は５０Å以上１５０Å以下の膜厚を有する、半導体集積回路装置の配線接続構造。
　【請求項３】前記第１のアルミニウム配線層と接触する部分において、前記チタン層はチタンとアルミニウムとの金属間化合物層を含むことを特徴とする、請求項２に記載の半導体集積回路装置の配線接続構造。」
　（３．３）証拠に記載された発明
　上記甲第１号証及び甲第号証は、上記刊行物１及び刊行物２であり、その内容は、上記（２．２．２）のとおりである。
　（３．４）対比及び判断
　上記訂正された発明は、上記本件発明において、「チタン化合物層」とあるところを「窒化チタン、酸化チタン、酸窒化チタンのいずれか一つからなるチタン化合物」と限定するものであり、その窒化チタンに限定した場合についての対比判断は、上記（２．２．３）及び（２．２．５）のとおりである。
　したがって、窒化チタンの限定のない本件発明は、上記（２．２．３）及び（２．２．５）と同じ理由により、上記刊行物１記載の発明であるか、あるいは、刊行物１及び刊行物２記載の発明に基いて当業者が容易になし得たことと認められる。
　（３．５）この項のむすび
　したがって、本件第１発明乃至第３発明は、特許法第２９条第１項第３号及び同条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
４．特許権者の主張について
　特許権者は、平成１０年１１月１０日付け特許異議意見書において、
「本特許発明は、サブミクロン以下の接続孔では、スパッタエッチ処理を行っても、接続孔底部にＡｌＦやＡｌＯなどの粒子が残存し、これが不具合を起こすためになされたものである。
　従って、接続部の下層配線表面に形成されたＡｌＦやＡｌＯ等の絶縁層は除去し、この後にＴｉ層、Ｔｉ化合物層、アルミあるいはアルミ合金層を形成し、Ｔｉと下層配線のアルミ膜を反応させて金属間化合物膜を形成する。」（第７頁第２０行〜第２５行）と主張するが、特許請求の範囲の請求項１乃至請求項３においては、接続孔底部のＡｌＦやＡｌＯ等を除去するためにスパッタエッチ処理を行うとは記載されていない。逆に言えば、スパッタエッチ処理をしないものをも包含するものである。
　したがって、上記主張は、特許請求の範囲の記載に基づかないものであり、採用できない。
５．むすび
　以上のとおりであるので、本件特許明細書の請求項１乃至３に係る特許は、拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してなされたものであり、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の一部の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第１項及び第２項の規定により取り消すべきものである。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１１年７月１６日（１９９９．７．１６）