【事件の表示】
　特許第２７３４５５６号　「アモルファスカーボン膜の製造方法」の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第２７３４５５６号の特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　特許第２７３４５５６号に係る発明についての出願は、昭和６３年９月１７日に特許出願され、平成１０年１月９日に特許の設定登録がなされ、その後、平成１０年９月２６日に特許異議申立人 上野恭一（以下、「申立人」という。）により特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１１年４月２０日に訂正請求がなされた後、申立人宛て審尋がなされ、その指定期間内である平成１１年８月２３日に回答書が提出され、更に訂正拒絶理由通知がなされ、その指定期間内である平成１１年１２月１４日に手続補正がなされたものである。
２．訂正の適否についての判断
（１）訂正請求に対する補正の適否
　当該補正は、訂正請求書について、ア．特許請求の範囲請求項１の「混合ガス雰囲気中でマグネトロンスパッタリング」を「混合ガス雰囲気中での直流励起イオンプレーティング法によるマグネトロンスパッタリング」、イ．第２頁第１４〜１５行の「混合ガス雰囲気中でマグネトロンスパッタリング」を「混合ガス雰囲気中での直流励起イオンプレーティング法によるマグネトロンスパッタリング」、ウ．第２頁第２０行の「このスパッタリング」を「この直流励起イオンプレーティング法によるスパッタリング」、エ．第３頁第１７〜１８行及び第４頁第６行の「マグネトロンスパッタリング」を「直流励起イオンプレーティング法によるマグネトロンスパッタリング」、及びオ．第２頁第１３行及び第３頁第１９行の「基板」を「ガラス基板」、と補正するものである。
　そこで、訂正明細書の記載をみると、「マグネトロンスパッタリング」が「直流励起イオンプレーティング法によるマグネトロンスパッタリング」であることは、明細書に添付された図面第１図に「本発明に使用する装置の模式図」として、直流電源を使用してマグネトロンスパッタリングを行う装置が記載されているから、上記ア〜エの補正に係る事項は訂正明細書に記載されていた事項といえる。
  また、「基板」として「ガラス基板」を使用することは、［実施例］としてガラス基板を使用する例が記載されているから、上記オの補正に係る事項も訂正明細書に記載されていた事項といえる。
  したがって、当該補正に係る事項はいずれも訂正明細書に記載されているから、当該補正は訂正請求書の要旨を変更するものではなく、特許法第１２０条の４第３項において準用する同法第１３１条第２項の規定に適合する。
（２）訂正の内容
　上記補正後の訂正請求書に記載された訂正の内容は、次のとおりである。
ａ．特許請求の範囲請求項１の「混合ガス雰囲気中でマグネトロンスパッタリング」を「混合ガス雰囲気中での直流励起イオンプレーティング法によるマグネトロンスパッタリング」と訂正する。
ｂ．特許請求の範囲請求項１の「磁気記録媒体用アモルファスカーボン膜」を「磁気記録媒体用ガラス基板に対するアモルファスカーボン膜」と訂正する。
ｃ．第３頁第８〜９行の「混合ガス雰囲気中でマグネトロンスパッタリング」を「混合ガス雰囲気中での直流励起イオンプレーティング法によるマグネトロンスパッタリング」と訂正する。
ｄ．第４頁第６行の「このスパッタリング」を「この直流励起イオンプレーティング法によるスパッタリング」と訂正する。
ｅ．第６頁第４行及び第７頁第６行の「マグネトロンスパッタリング」を「直流励起イオンプレーティング法によるマグネトロンスパッタリング」と訂正する。
ｆ．第３頁第１６行及び第６頁第６行の「基板」を「ガラス基板」と訂正する。
（３）訂正の目的の適否、新規事項追加の有無及び拡張・変更の存否
　上記訂正事項ａは「マグネトロンスパッタリング」を直流励起イオンプレーティング法によるものに限定する訂正であり、訂正事項ｂはアモルファスカーボン膜の用途を「磁気記録媒体用」、即ち、磁気記録媒体に関連する用途全般、から、「磁気記録媒体用ガラス基板に対する」用途へ限定する訂正であるから、いずれも特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　また、訂正事項ｃ〜ｆは、訂正事項ａ，ｂに応じて、発明の詳細な説明の対応する記載を訂正し、明細書全体の記載の統一を図るものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
　そして、マグネトロンスパッタリングが直流励起イオンプレーティング法によるものであること、及び「基板」として「ガラス基板」を使用することは、「２．（１）」で述べたと同様、順に、明細書に添付された図面第１図，発明の詳細な説明中の［実施例］に記載されているから、これらの訂正事項は新規事項の追加に該当せず、また、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものでもない。
（４）独立特許要件の判断
　当審は、引用例１（特開昭６３−２０７２１号公報）及び引用例２（特開昭６２−２４１１２４号公報）を証拠として、請求項１に係る発明は特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないことを理由とする訂正拒絶理由を通知した。
ア．訂正明細書の請求項１に係る発明
　平成１１年１２月１４日付け手続補正により補正された訂正明細書の請求項１に係る発明は、その請求項１に記載された事項により特定される次のとおりのものである（以下、「訂正後発明」という。）。
「グラファイトのターゲットを用いてスパッタリングして基板上にアモルファスカーボン膜を製造する方法において、該スパッタリングを水素とアルゴンガスの混合ガス雰囲気中での直流励起イオンプレーティング法によるマグネトロンスパッタリングによりおこない、且つスパッタリング時の全圧力を１Ｐａ以下、前記水素とアルゴンガスの体積混合比（Ｈ２／Ｈ２＋Ａｒ）を０．５〜５０％の混合ガス雰囲気とすることにより膜中に水素が取り込まれ、可視域において透明でビッカース硬度が７００ｋｇｆ／ｍｍ２以上の硬質な磁気記録媒体用ガラス基板に対するアモルファスカーボン膜の製造方法。」
イ．引用例の記載事項
　訂正拒絶理由で引用した引用例１，２には、次のとおりの事項が記載されている。
引用例１
ａ．「（１）基体上に炭素質膜が被覆され、炭素質膜上に脂肪酸とＬｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｍｇ，Ｃａから選ばれる金属との塩が被覆された磁気記録媒体に於いて、炭素質膜が、交流電圧印加のマグネトロンスパッタ方式で被覆せしめた事を特徴とする磁気記憶体の製造方法。（２）希ガスとＨ２ガスの混合ガス雰囲気下で炭素質膜を被覆せしめた事を特徴とする特許請求の範囲第一項記載の磁気記憶体の製造方法。」（第１頁特許請求の範囲）
ｂ．「従来より、炭素質膜が優れたヘッド浮上性を与える事から、金属媒体上に、Ａｒ，Ｈｅ等の希ガス雰囲気下で、グラファイトやアモルファスカーボンをターゲットとし、直流電圧印加マグネトロンスパッタリングにより、炭素質膜を被覆した。…（中略）…上述の如く、炭素質膜の形成を直流印加マグネトロンスパッタ方式で行った場合、ターゲットに含まれる灰分（絶縁性酸化物）が起点となるスプラッタ現象により、酸化物と炭素の塊状混合物が記憶体表面に付着する。」（第１頁右欄第１０行〜第２頁左上欄第４行）
ｃ．「希ガス中に残留Ｈ２Ｏ及びＯ２分圧の５倍以上のＨ２ガスを混合した事により、炭素質膜表面に従来形成された、ＣＯＯＨ基やＯＨ基等の親水基の形成が少なくなてた事が、赤外吸収波形の分析で明らかになった。この事から形成された炭素質膜は吸湿性，撥水性ともに改善された。」（第２頁左下欄第７〜１３行）
ｄ．（ＰＨ２：１×１０−４ｔｏｒｒ，ＰＡｒ：３×１０−３ｔｏｒｒ）、（ＰＡｒ：３×１０−３ｔｏｒｒ）、（ＰＨ２：５×１０−６ｔｏｒｒ，ＰＡｒ：３×１０−３ｔｏｒｒ）、（ＰＨ２：３×１０−６ｔｏｒｒ，ＰＡｒ：３×１０−３ｔｏｒｒ）のガス雰囲気下、マグネトロンスパッタ方式で基体上に炭素質膜を形成させること。（第３頁表−１）
引用例２
ａ．「（１）非磁性材料の基体上に強磁性体金属からなる記録膜を有し、この記録膜上に少なくとも１５８０ｃｍ−１，１３６０ｃｍ−１付近にピークを示すラマン分光特性の高硬度炭素膜を備えた磁気記録媒体。　
　　　　　　　　…（中略）…
（３）高硬度炭素膜が、ビッカース硬さ２０００ｋｇ／ｍｍ２以上の非晶質膜である特許請求の範囲第１項記載の磁気記録媒体。」（第１頁特許請求の範囲）
ｂ．「以後この新しい膜を硬質アモルファスカーボン膜と称することにする。硬質アモルファスカーボン膜は２０００ｋｇ／ｍｍ２以上のビッカース硬さを示し耐摩耗性に優れる。」（第３頁右下欄第６〜９行）
ｃ．「第１図に本発明の一実施例を示す。１はテープ状，カード状，ディスク状などの基体で、プラスチック，ガラス，金属等の非磁性材料から構成される。」（第４頁右下欄第１〜４行）
ウ．対比・判断
　訂正後発明と引用例１，２に記載された発明とを対比する。
　「２．（４）イ．」で摘記した事項よりみて、引用例１には、希ガスとＨ２ガスの混合ガス雰囲気下で交流電圧印加のマグネトロンスパッタ方式により炭素質膜を形成する磁気記憶体の製造方法、及び従来炭素質膜の形成は希ガス雰囲気下で直流印加マグネトロンスパッタ方式により行われたこと、引用例２には、ガラス等の非磁性材料の基体上に強磁性体金属からなる記録膜及びビッカース硬さ２０００ｋｇ／ｍｍ２以上の硬質アモルファスカーボン膜を形成した磁気記録媒体、が記載されているといえるが、アモルファスカーボン膜を形成するにあたって、「水素とアルゴンガスの混合ガス雰囲気中での直流励起イオンプレーティング法によるマグネトロンスパッタリング」を行うことはいずれの引用例にも、記載も示唆もされていない。
　そして、訂正後発明はそのような構成を備えることによって、「可視域に対して透明で硬質なアモルファスカーボン膜が得られる。」（本件特許公報第２頁第４欄第４２〜４３行参照）という顕著な効果を奏するものである。
　してみれば、訂正後発明は引用例１，２の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。
　したがって、訂正後発明は、特許出願に際して独立して特許を受けることができるものである。
エ．むすび
 以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法第１２０条の４第２項及び同条第３項で準用する第１２６条第２−４項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
３．特許異議申立てについての判断
（１）本件発明
　本件発明は、平成１１年１２月１４日付け手続補正により補正された訂正明細書の請求項１に記載されたとおりのものである（以下、「本件発明」という。）。
（２）特許異議の申立て理由の概要
　申立人は、証拠として甲第１号証（特開昭６３−３１１６２６号公報），甲第２号証（取消理由で引用した引用例１に相当する。），甲第３号証（取消理由で引用した引用例２に相当する。）を提出し、ａ．本件発明は甲第１号証に記載された発明と同一の発明であるから、特許法第２９条の２の規定により特許を受けることができないこと、及びｂ．本件発明は甲第２乃至３号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないこと、を理由として、その特許を取り消すべき旨を主張している。
（３）甲各号証の記載事項
甲第１号証
ａ．「アルゴンと水素からなる雰囲気中でコバルトを主成分とする合金の膜をスパッタ付着することにより、ディスク基板に磁気層を形成し、実質的に同じ雰囲気中で前記磁気層の上に炭素のターゲットから水素化炭素の膜をスパッタ付着することを含む、磁気記録ディスクの製造方法。」（第１頁特許請求の範囲第１項）
ｂ．「Ｅ．実施例　炭化水素雰囲気中での反応性スパッタ付着という既知の技術によって形成された水素化炭素保護層をもつ薄膜ディスクの製造のフィージビリティを研究するため、アルゴン−メタン（Ａｒ−ＣＨ４）雰囲気中でＣＨ４の量を様々に変えたスパッタ付着により、様々なディスクの皮膜構造を形成した。次にこうしたディスクの磁気特性を検討した。シリコン（Ｓｉ）基板とＣｒ80Ｖおよびコバルト−白金−クロム（Ｃｏ77ＰｔＣｒ）のターゲットとを入れた高周波動力式Ｓ−ガン（Ｖａｒｉａｎ　Ａｓｓｏｃｉａｔｅｓの商標）マグネトロン・スパッタ室の単一ポンプ・ダウン中にディスクを作成した。…（中略）…ディスクを、同様のスパッタ条件で、ただし雰囲気をＡｒ−Ｈ２としＨ２の量を様々に変えて製造した。さらに、磁気層の付着後に、ディスクのＣｏＰｔＣｒ磁気層上に厚さ２５０Åの水素化炭素保護層を形成させた。こうしたディスク製造の際まずＳ−ガン・スパッタ室中でＡｒ−Ｈ２雰囲気中を３−４ミリトルに保ち、Ｃｒ８０Ｖターゲットに２３５ワットの高周波電力を供給し…（中略）…Ｈ２濃度が比較的低い（８％）Ａｒ−Ｈ２スパッタ雰囲気中で形成した水素化炭素保護層も、腐食電流の測定値からみてＣＨ４濃度が比較的高い（５０％）Ａｒ−ＣＨ４スパッタ雰囲気中で形成された水素化炭素保護層と匹敵する耐腐食性を示す。工程中に必要なＨ２の好ましい最小量は、約１％と考えられる。」（第２頁左下欄第１１行〜第３頁右下欄第８行）
甲第２号証
　「２．（４）イ．引用例１」参照。
甲第３号証
　「２．（４）イ．引用例２」参照。
（４）対比・判断
ア．特許法第２９条の２
　本件発明と甲第１号証に記載された発明とを対比すると、「３．（３）」で摘記した事項よりみて、甲第１号証には、約１％以上の水素とアルゴンからなる雰囲気中で、高周波動力式マグネトロン・スパッタにより、基板上にコバルトを主成分とする合金の膜及び水素化炭素の膜を形成することは記載されているが、本件発明を特定する事項である「水素とアルゴンガスの混合ガス雰囲気中での直流励起イオンプレーティング法によるマグネトロンスパッタリング」を行うことは、記載も示唆もされていない。
　したがって、本件発明は甲第１号証に記載された発明と同一の発明であるとはいえない。
イ．特許法第２９条第２項
　本件発明は、「２．（４）ウ」に記載したのと同様の理由により、甲第２乃至３号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
４．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立の理由及び証拠方法によっては、本件発明に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年２月２日（２０００．２．２）
【訂正の要旨】
　特許第２７３４５５６号「アモルファスカーボン膜の製造方法」の明細書を、以下のとおり訂正する。
ａ．特許請求の範囲の減縮を目的として、特許請求の範囲請求項１の「混合ガス雰囲気中でマグネトロンスパッタリング」を「混合ガス雰囲気中での直流励起イオンプレーティング法によるマグネトロンスパッタリング」と訂正する。
ｂ．特許請求の範囲の減縮を目的として、特許請求の範囲請求項１の「磁気記録媒体用アモルファスカーボン膜」を「磁気記録媒体用ガラス基板に対するアモルファスカーボン膜」と訂正する。
ｃ．明りょうでない記載の釈明を目的として、第２頁第１４〜１５行の「混合ガス雰囲気中でマグネトロンスパッタリング」を「混合ガス雰囲気中での直流励起イオンプレーティング法によるマグネトロンスパッタリング」と訂正する。
ｄ．明りょうでない記載の釈明を目的として、第２頁第２０行の「このスパッタリング」を「この直流励起イオンプレーティング法によるスパッタリング」と訂正する。
ｅ．明りょうでない記載の釈明を目的として、第３頁第１７〜１８行及び弟４頁第６行の「マグネトロンスパッタリング」を「直流励起イオンプレーティング法によるマグネトロンスパッタリング」と訂正する。
ｆ．明りょうでない記載の釈明を目的として、第２頁第１３行及び第３頁第１９行の「基板」を「ガラス基板」、と訂正する。
（５４）【発明の名称】
アモルファスカーボン膜の製造方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　グラファイトのターゲットを用いてスパッタリングして基板上にアモルファスカーボン膜を製造する方法において、該スパッタリングを水素とアルゴンガスの混合ガス雰囲気中で
の直流励起イオンプレーティング法による
ガラス基板に対する
【発明の詳細な説明】
　［産業上の利用分野］
　本発明はアモルファスカーボン膜の製造方法に関し、特に各種表面保護膜等に用いられて有効な、透明かつ高硬度なアモルファスカーボン膜の製造方法に関するものである。
　［従来の技術］
　従来、アモルファスカーボン膜は、粒界がなく、化学的に安定で、高硬度の膜が得られることが知られており、各種表面保護膜に応用されている。
　従来アモルファスカーボン膜の製法としてはグラファイトをターゲットとし、希ガスであるアルゴンの放電によるスパッタリング法（例えばＮ．Ｓａｖｖｉｄｅｓ　ａｎｄ　Ｂ．Ｗｉｎｄｏｗ，Ｊ．Ｖａｃ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．Ａ３（６），ｐｐ２３８６，１９８５）や、メタンを初めとする各種炭化水素を原料ガスとして、減圧状態で（〜１０Ｐａ）グロー放電を発生させてガスを分解し基板に凝着させるプラズマＣＶＤ法（例えば山口他、昭和６２年春期応物学会予稿集ｐ．３４９）が知られていた。
　［発明が解決しようとする課題］
　アルゴンの放電によりグラファイトのターゲットをスパッタするアモルファスカーボン膜の製造方法は、大面積の基板を搬送用カートに設置して連続的に成膜室を通過させるなどの方法を取ることが出来、量産性に優れている。また大面積にわたり均一な膜質、膜厚分布を実現できるなどの利点を有するが、得られる膜は可視域に対して不透明であり、保護膜としての応用範囲が限定されてしまうと言う重大な問題点があった。
　一方プラズマＣＶＤ法により得られるアモルファスカーボン膜は、膜中に水素を含み、可視域において透明なものを得ることが可能であるが、膜の硬度を大きくするためには基板に負のバイアス電圧を印加するなどの方法が必要で有り、大面積基板への連続成膜や絶縁性基板への成膜が困難であるという問題点を有していた。また比較的高い圧力でのグロー放電であり原料ガスを分解して基板に凝着させると言う成膜機構であるため放電の不均一性や、ガスの分解による膜成長種の分布の不均一性のために大面積の基板に均一な膜厚、膜質分布で成膜することが困難であると言う問題点がある。
　［課題を解決するための手段］
　本発明は上記従来の問題点を解決するためになされたものであって、グラファイトのターゲットを用いたスパッタリングにより
ガラス
の直流励起イオンプレーティング法による
　一般にカーボンのスパッタリングではアルゴン等の希ガスイオンがグラファイトターゲットに衝突して炭素原子が飛び出し、これが基板に凝着するわけであるが、例えば雰囲気ガスが純アルゴンである場合、形成される膜は黒いアモルファスカーボン膜となる。
　この
直流励起イオンプレーティング法による
　通常のＲＦ、ＤＣスパッタリング法を用いると、雰囲気ガスのイオン化率がマグネトロンスパッタリングに比べ低いため、活性化した水素原子の密度が低く十分にカーボン膜中に水素原子を取り込むことが出来ず、またグラファイトの再ガス化も効率よく行なわれず、透明なカーボン膜は得られない。
　スパッタリングに用いる希ガスとしては、アルゴン，ヘリウム等の希ガスが例示できる。なかでもアルゴンガスが安価であり、かつスパッタリングレートを高くできるので好ましい。
　またマグネトロンスパッタリングにおいては、低いガス圧力下で安定な放電が維持できるので、成膜表面に飛来するカーボン、アルゴン、水素各々の原子やイオンの持つ運動エネルギーが大きくなり、その結果カーボン膜の硬度が大きくなる。
　低いガス圧力下でのスパッタリングは、プラズマ中の水素原子を活性化する中でも効果がある。水素とカーボンの十分な反応性と硬度を確保するためにスパッタリング時の全圧力は３Ｐａ以下にすることが必要であり、特に１Ｐａ以下が望ましい。
　また、水素とアルゴンの体積混合比は０．５〜５０％が望ましい。０．５％以下の水素ガス濃度では十分透明な膜は得られにくい。また５０％以上の水素ガス濃度では、形成されるアモルファスカーボン膜の構造はポリエン構造が支配的となり硬度が著しく減少しやすい。
　［作用］
　本発明によれば、アルゴンと水素の混合ガスを雰囲気ガスとした
直流励起イオンプレーティング法による
ガラス
　［実施例］
　第１図は本発明の実施に使用するマグネトロンスパッタ装置の模式図である。
　ターゲット電極に取り付けられた磁石により電極に磁界が印加できるようになっている。磁束密度は１０００Ｇａｕｓｓであった。
　導入される雰囲気ガスは水素濃度が１０体積％のアルゴン−水素の混合ガスであり、ガス圧は１Ｐａである。投入電力は７００Ｗであった。基板はガラス板を用い、カーボン膜との付着力を増すために基板を１５０℃に加熱した。
　第２図は、上記本発明の条件にて作成されたアモルファスカーボン膜の透過スペクトルを示してある。
　第２図より、本発明によって作成されたアモルファスカーボン膜は可視域に於て透明な膜であることがわかる。エネルギーギャップは１．９８ｅＶであった。得られた膜の硬度はビッカース硬度で７００ｋｇｆ／ｍｍ２程度と硬い膜であった。
　［発明の効果］
　この様に、本発明は雰囲気ガスにアルゴンと水素の混合ガスを用いてグラファイトターゲットの
直流励起イオンプレーティング法による
　本発明により得られる透明でかつ硬質なアモルファスカーボン膜は、光磁気記録膜の保護膜、磁気記録膜の保護膜、各種光学製品の保護膜等各種表面保護膜として有用である。
【図面の簡単な説明】
　第１図は本発明に使用する装置の模式図、第２図は実施例に於て形成されたアモルファスカーボン膜の透過スペクトルを示す図である。