【事件の表示】
　特許第２７９６３７７号「プラズマ処理方法および装置」の請求項１ないし４に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結論】
　特許第２７９６３７７号の請求項１ないし４に係る特許を維持する。
【理由】
Ｉ．手続の経緯
　本件特許第２７９６３７７号（以下「本件特許」という。）は、平成１年１０月２５日に特許出願され、特許権の設定の登録がなされた後、高橋学より特許異議の申立がなされたものである。
ＩＩ．特許異議申立理由
　特許異議申立人は、本件特許出願の日前の出願であって、同出願後に出願公開された特許出願に係る甲第１号証（特願平１−５６７４３号の出願当初の明細書及び図面。以下単に「甲第１号証」という。特開平２−２３５３３３号公報参照。）、並びに、本件特許出願前に頒布された刊行物である、甲第２号証（特開昭６３−７２８７７号公報）、甲第３号証（特開昭５７−１６１０６７号公報）及び甲第４号証（特開昭６２−２８１４２３号公報）を提出して、本件特許の請求項１〜４に係る発明は、甲第１号証に記載された発明と同一であると主張し、また、甲第２〜４号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明であると主張している。
ＩＩＩ．本件発明
　本件特許の請求項１〜４に係る発明（以下１本件発明１〜４」という。）は、願書に添付した明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜４に記載された次のとおりのものと認める。
「【請求項１】低温に冷却された試料台に試料を配置する工程と、前記試料台の低温熱により前記試料が冷却され温度降下している途中に放電を開始する工程とを有することを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項２】前記放電開始は、前記試料が前記試料台に配置されてからの所定時間で放電開始、または、前記試料の温度を測定し所定温度に達したときに放電を開始する請求項１記載のプラズマ処理方法。
【請求項３】処理室内に設けられ低温に冷却される試料台と、該試料台に試料を配置する手段と、前記試料台に配置された試料の温度降下途中で前記処理室内にプラズマを発生させる手段とを具備したことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項４】前記プラズマの発生手段は、前記試料が前記試料台に配置されてからの所定時間でプラズマを発生、または、前記試料の温度を測定し所定温度に達したときにプラズマを発生する請求項３記載のプラズマ処理装置。」
ＩＶ．特許法第２９条の２、及び同法第２９条第２項の規定に係る主張について
（ア）証拠の記載事実
甲第１号証
（１ａ）「反応ガスの導入口（１ａ）と排気口（１ｂ）を備えたエッチングチャンバ（１）内において、対向する上部電極（２）と下部電極（３）間に高周波電源（４）により高周波電圧を印加し、前記下部電極（３）に載置した半導体ウエーハ（８）面上に形成した被エッチング膜（８ｂ）をエッチングするドライエッチング装置であって、前記下部電極（３）の温度を加熱及び冷却可能に制御する温度制御機構（５）を具備することを特徴とするドライエッチング装置。」（特許請求の範囲）
（１ｂ）「ドライエッチング工程中において下部電極を冷却することが行われている。しかし、下部電極に半導体ウエーハを載置していない、エッチン
グ加工を行っていない場合には、この下部電極の冷却によって下部電極の表面にポリマーが堆積し、その後のエッチング工程において・・・ウエーハの背面にこのポリマーが付着して半導体ウエーハを汚染したり・・・パターニングの信頼性を低下させる原因となっている。」（第１頁右下欄１７行〜第２頁左上欄第８行）
（１ｃ）「ドライエッチング装置の改良に関し、ポリマーが下部電極の表面に堆積するのを確実に防止することが可能なドライエッチング装置の提供を目的とし」（第１頁左下欄第１８行〜右下欄第２行）
（１ｄ）「半導体ウエーハ８をエッチングチャンバ１内の下部電極３の上に載置すると・・・冷媒が下部電極３内の流路３ａに送られて下部電極３の冷却が開始される。下部電極３の表面の温度が設定した温度、例えばＯ℃以下に低下すると・・・温度を検出して・・・エッチングが開始される。」（第３頁左下欄第９〜１９行）
（１ｅ）「ドライエッチング工程中においては下部電極３が冷却されているので、半導体ウエーハ８の表面の被エッチング膜８ｂが・・・エッチングされ、半導体ウエーハ８を下部電極３から取り外す場合には、下部電極３が温度制御装置５の作動により加熱された後に半導体ウエーハ８を搬出する」（第３頁右下欄第１０〜１６行）
甲第２号証
（２ａ）「真空容器内に、冷却された試料台を配設するとともに、この試料台に・・・静電チャック用電極を取付け、上記真空容器に、上記電極を貫通し上記固定された被処理物の裏面に開口する冷却ガス導入配管を接続したことを特徴とする真空処理装置。」（特許請求の範囲）
（２ｂ）「真空中において、半導体ウエハ等の被処理物のエッチング、スパッタリング、イオンインプラ、プラズマＣＶＤ、電子ビーム描写、蒸着等を行うため、種々の真空処理装置が開発されている。」（第１頁右下欄第２〜６行）
（２ｃ）「真空容器１内が所定の圧力に達したら・・・雰囲気ガスを導入しながら・・・高周波電力を印加して被処理物Ａのエッチング等の真空処理を行うものである。このとき・・・処理圧力を制御するようになされ・・・冷却ガスを電極５と被処理物Ａとの間に供給する。」（第３頁左上欄第１５行〜右上欄第４行）
甲第３号証
（３ａ）「（１）半導体基板上に絶縁被膜層を介して被着するアルミニウム膜を所定のパターンにドライエッチングする方法において、前記半導体基板を加熱し、この半導体基板の温度が所定温度の値に達したのち、ドライエッチングを開始することを特
徴とするアルミニウム膜のドライエッチング方法。
（２）ドライエッチング中も半導体基板の温度を所定の値に保持することを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のアルミニウム膜のドライエッチング方法。」（特許請求の範囲第１、２項）
（３ｂ）「表面のアルミナの膜質、膜厚などによって、エッチング時間がばらつき、エッチングの再現性という点で満足できる結果が得られない。・・・この第１図から、エッチング開始後、一定時間エッチングが進行していないことがわかる。これはアルミニウム層表面にアルミナが形成され、これが障害となってるためと考えられる。この立上り時間の遅れのため、エッチング時間の制御が困難と
なるだけでなく、この立上り時間中にパターニング材料の感光性樹脂膜が分解し、所望のアルミニウムの微細パターンが形成されない欠点があった。」（第２頁左上欄第１９行〜右上欄第１６行）
（３ｃ）「このような目的を達成するため、この発明は半導体基板を加熱し、この半導体基板の温度が所定の値に達したのち、ドライエッチングを開始するようにしたものであり」（第２頁左下欄第２〜５行）
（３ｄ）「エッチング開始前に、試料（１）の加熱温度をあらかじめ設定しておく。そして、真空引きと同時に加熱用電源（５）を投入して・・・試料（１）を加熱する。そして、真空引きが完了し、試料（１）が設定温度に達したとき、はじめて、ガスフローを行なうと共に高周波電源（４）を投入し、エッチングを開始する。」（第２頁左下欄第１９行〜右下欄第６行）
（３ｅ）「このとき、アルミニウム膜表面に形成されているアルミナは前記したように、高融点化合物であるため、ある温度以上にならないと・・・揮発性物質にならない。したがって、エッチング開始時に既に試料（１）が高温状態になっていれば、エッチング開始時間の遅れ・・・を短かくすることができ、エッチング時間の短縮を計ることができるうえ、エッチング時間のばらつき、エッチング
の再現性がよくなる。」（第２頁右下欄第６〜１５行）
（３ｆ）「試料側電極（２）の加熱および温度制御についてはエッチングの開始と同時に中止してもよいが、エッチング開始後も試料側電極（２）の温度を設
定温度に維持するように、加熱および冷却を行なえば更に、エッチングの再現性がよくなる」（第３頁左上欄第５〜９行）
甲第４号証
（４ａ）「プラズマにより試料をエッチング処理する方法において、前記試料を加熱してエッチング処理を開始し、該エッチング処理期間中に前記試料の温度を所定温度に保持することを特徴とするドライエッチング方法。」（特許請求の範囲第１項）
（４ｂ）「エッチング初期は試料の温度が低いためにエッチング速度が小さく、平均のエッチング速度が小さいという問題があった。」（第１頁右下欄第２０行〜第２頁左上欄第３行）
（４ｃ）「本発明の目的は、エッチング速度の温度依存性を考慮し、エッチング初期のエッチング速度の低下を抑制し、平均のエッチング速度を向上できる・・・方法および装置を提供することにある。」（第２頁左上欄第９〜１３行）
（４ｄ）「第１図で、マイクロコンピュータ８０には、例えば、第２図に一例を示すような設定温度が予め入力される。第２図で、エッチング処理開始時の基板５０の温度が１００℃になるように設定温度も１００℃となっている。エッチング処理期間中にエッチング時間の経過と共に基板５０の温度は１００℃を起点として上昇しようとする。このため、設定温度は１００℃を起点として逆に下降させる必要があり、これによって、エッチング処理期間中に基板５０の温度の上昇は抑制されて１２０℃程度の温度に保持される。」（第２頁右下欄第１４行〜第３頁左上欄第４行）
（４ｅ）「電極３０の温度は１００℃に制御され、これと共に、基板５０の温度は１００℃に上昇させられる。その後電極２０には・・・電力が印加される。これにより・・・プラズマ化される。このプラズマにより・・・エッチング処理が開始される。・・・これによって基板５０の温度は１２０℃程度にエッチング処理期間中保持される。本実施例では、エッチング処理開始時の基板の温度を１００℃と高くしているため、エッチング処理初期時のエッチング速度の低下が抑制され、したがって、平均のエッチング速度が向上する。」（第３頁右上欄第
２行〜左下欄第２行）
　（イ）対比・判断
（イー１）特許法第２９条の２の規定に係る主張について
（１）本件発明１について
　本件発明１と、甲第１号証に記載された発明とを比較すると、本件発明１でいうプラズマ処理とは、エッチングの他、ＣＶＤ及びスパッタ等の成膜処理のことであるので（特許公報第６欄第１８〜２２行）、これは甲第１号証に記載のドライエッチングを含むものであり、この点で両者は一致している。甲第１号証に記載の下部電極は、その上に、本件発明１における試料に相当する半導体ウエーハを載置するものである点で、本件発明１における試料台と一致し、また両者は、低温に冷却され、その上に載置された上記試料を冷却するものである点でも一致している。
　しかし、本件発明１では、試料が冷却され温度降下している途中に放電を開始する工程を有しているのに対して、甲第１号証にはかかる構成についての明らかな記載がない点で、両者は相違している。
　そこでこの相違点について検討する。
　特許異議申立人は、上記相違点に関して、下部電極３の表面の温度が次第に低下して０℃以下になった時点から、仮に、そのままエッチングが開始されなければ、半導体ウエーハ８の温度も次第に低下して、下部電極３と同様に０℃以下の温度となることは明らかであるから、この時の半導体ウエーハ８は、実質的に下部電極３の低温熱により冷却され温度降下している途中の状態になっている、と主張している（特許異議申立書第９頁第１７〜２２行）。
　そこで、甲第１号証の該当個所における、冷却及びエッチング開始の時期についての記載をみると、甲第１号証には、半導体ウエーハ８をエッチングチャンパ１内の下部電極の上に載置すると冷媒が下部電極内の流路に送られて下部電極の冷却が開始され、下部電極の表面の温度が設定した温度、例えば０℃以下に低下すると、温度を検出して、エッチングが開始される旨の記載がなされている（摘記１ｄ）。しかし、甲第１号証には、下部電極上に載置された半導体ウエーハの温度についての直接の記載はない。そして、甲第１号証の上記の記載では、冷却とエッチングの順序については明らかであるが、エッチング開始時にまだ下部電極が温度降下し続け、それに伴い半導体ウエーハも温度降下していると認めるべき記載はなく、また、エッチング開始時には半導体ウエーハと下部電極とが既に実質的に同じ温度になっている場合がないとはいえず、したがって、エッチング開始時に、半導体ウエーハの温度は降下の途中であるというべき理由はない。
　したがって、甲第１号証の記載からでは、直ちに、試料が冷却され温度降下している途中に放電を開始しているということはできず、よって、上記相違点に係る構成が甲第１号証に記載されているということはできない。
　そして、本件発明１は、上記相違点に係る構成を含む前記認定のとおりの構成を有することにより、所期の目的を達成し、プラズマからの入熱と冷却（放熱）がバランスして放電開始時の試料温度が一定に保てるので、試料処理中の初めから終わりまで試料温度を一定に保つことができ、高精度の処理を行うことができる、との明細書に記載され、甲第１号証に記載のない作用効果を奏したものと認めることができる。
　以上のとおりであるから、本件発明１と甲第１号証に記載された発明とは、上記の相違点に係る構成に基づき、互いに相違した別異の発明というべきであり、したがって本件発明１は甲第１号証に記載された発明と同一ということはできない。
（２）本件発明２〜４について
　本件発明２は本件発明１をさらに限定した発明であり、本件発明３は本件発明１における上記相違点に係る構成と同様、試料の温度降下途中で処理室内にプラズマを発生させる手段を具備するプラズマ処理装置の発明であり、また、本件発明４は本件発明３をさらに限定した発明であるので、本件発明１について上記（１）項に記載したと同様、それぞれ甲第１号証に記載された発明と同一とい
うことはできない。
（イー２）特許法第２９条第２項の規定に係る主張について
（１）本件発明１について
　本件発明１と、甲第２号証に記載されたものとを対比すると、本件発明１でいうプラズマ処理とは、前項（イー１）に記載したとおりエッチングの他、ＣＶＤ及びスパッタ等の成膜処理のことであり、一方、甲第１号証に記載の真空処理は、エッチング、プラズマＣＶＤ等をいうものであるので（摘記２ｂ）、この点で両者は一致している。甲第２号証に記載の電極は、その上面に、本件発明１における試料に相当する被処理物を載置するものである点で、本件発明１における試料台と一致し、また両者は冷却され、そして載置された上記試料を冷却するものである点でも一致している。
　しかし、本件発明１では、試料が冷却され温度降下している途中に放電を開始する工程を有しているのに対して、甲第２号証にはかかる構成についての記載がない点で、両者は相違している。
　そこでこの相違点について検討する。
　甲第３号証には、半導体基板上のアルミニウム膜をドライエッチングする方法において、半導体基板を加熱し、この半導体基板の温度が所定温度の値に達したのちドライエッチングを開始するアルミニウム膜のドライエッチング方法が記載されており（摘記３ａ）、さらに、エッチング開始前に試料の加熱温度をあらかじめ設定しておき、真空引きと同時に加熱用電源を投入して試料を加熱し、真空引きが完了し試料が設定温度に達したとき、はじめて、ガスフローを行なうと共に高周波電源を投入し、エッチングを開始することが記載されている（摘記３ｄ）。
　また甲第４号証には、プラズマにより試料をエッチング処理する方法において、前記試料を加熱してエッチング処理を開始し、該エッチング処理期間中に前記試料の温度を所定温度に保持するドライエッチング方法が記載され（摘記４ａ）、さらに、マイクロコンピュータを用いて、設定温度１００℃、エッチング処理開始時の基板温度１００℃、及びエッチング処理期間中の温度１２０℃程度とした例が示されている（摘記４ｄ、４ｅ）。
　しかし甲第３、４号証のいずれにも、試料が冷却され温度降下している途中に放電を開始するという、上記の相違点に係る構成の記載はなく、また、プラズマ発生初期時の一時的な温度変化に基づく課題及びその解決手段と作用効果に係る記載もない。
　そして、本件発明１は、当該相違点に係る構成を含む前記認定のとおりの構成を有することにより、所期の目的を達成し上記（イー１）項に記載したとおりの作用効果を奏したものと認めることができる。
　以上のとおりであるから、本件発明１は、甲第２〜４号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明とはいえない。
（２）本件発明２〜４について
　本件発明２は本件発明１をさらに限定した発明であり、本件発明３は本件発明１における上記相違点と同様、試料の温度降下途中で処理室内にプラズマを発生させる手段を構成要件として具備するプラズマ処理装置の発明であり、また、本件発明４は本件発明３をさらに限定した発明であるので、本件発明１について上記（１）項に記載したと同様、夫々、甲第２〜４号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明とはいえない。
Ｖ．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立人の主張する理由及び提示した証拠によっては、本件発明１〜４に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明１〜４に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１１年６月１１日（１９９９．６．１１）