【事件の表示】
　特許第２６９５４０３号「半導体基板処理方法および半導体基板処理装置」の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結論】
　訂正を認める。
　特許第２６９５４０３号の特許請求の範囲第１項ないし第３項に記載された発明についての特許を維持する。
【理由】
１．手続の経緯
　特許第２６９５４０３号の請求項１〜３に係る発明は、昭和５８年１１月２８日に出願した特願昭５８−２２２００４号の出願を、平成７年１２月１４日に特許法第４４条第１項の規定により分割して新たな特許出願とされ、平成９年９月１２日にその特許の設定登録がなされ、その後、特許異議申立人高橋学により特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１０年１２月２８日に訂正請求がされた後、訂正拒絶理由が通知され、訂正拒絶理由に対して手続補正書が提出されたものである。
２．訂正の適否についての判断
ア．訂正請求に対する補正の適否について
　特許権者は、訂正請求書第４頁第９〜１３行記載の訂正事項「また、基板搬送機構の・・・提供できるという効果がある。」を削除する補正、同第４頁「（１）請求の原因」とあるのを「（４）請求の原因」とする補正、また、第１１頁第３〜６行「また、基板搬送機構の・・・搬送機構を提供できる。」を削除する補正をするものであり、当該訂正請求に対する補正は、訂正請求の要旨を変更するものでなく、特許法第１２０条の４第３項において準用する同法第１３１条第２項の規定に適合する。
イ．訂正明細書の請求項１〜３に係る発明
　訂正明細書の請求項１〜３に係る発明は、その特許請求の範囲の請求項１〜３に記載された次の事項により特定されるとおりのものである。
「【請求項１】カセットから１枚毎取り出した基板を、真空搬送室と真空処理室とが連通した状態で搬送手段により前記真空処理室の基板支持台の基板支持面に対向した位置へ搬送し、
　前記基板支持台の下方から支持部材を上昇させて前記基板を支持部材で支持した後、前記搬送手段を退避させ、前記支持部材を下降させて前記基板支持台に前記基板を載置し、
　その後、前記真空処理室を仕切り、前記基板が載置された前記基板支持台を真空処理のための電極位置まで上昇させて所定の真空処理を行い、該真空処理の終了に伴い前記仕切りを開放しその後前記基板支持台を基板搬出入用の所定位置まで下降させ、
　前記真空処理が終了した基板は前記基板支持台の下方から上昇させた前記支持部材により前記基板支持台から離間した位置に移動させ、
　その後、前記搬送手段を前記基板の下方の位置に移動させ、
　前記支持部材を下降させることによって前記基板を前記搬送手段に受渡し、該搬送手段によって前記基板を前記真空処理室から搬出し、
　該搬出した前記基板をカセットに１枚毎回収することを特徴とする半導体基板処理方法。
　【請求項２】カセットから１枚毎取り出した基板を、真空搬送室と真空処理室とが連通した状態で第一の搬送手段により前記真空処理室の基板支持台の基板支持面に対向した位置へ搬送し、
　前記基板支持台の下方から支持部材を上昇させて前記基板を支持部材で支持した後、前記第一の搬送手段を退避させ、前記支持部材を下降させて前記基板支持台に前記基板を載置し、
　その後、前記真空処理室を仕切り、前記基板が載置された前記基板支持台を真空処理のための電極位置まで上昇させて所定の真空処理を行い、該真空処理の終了に伴い前記仕切りを開放しその後前記基板支持台を基板搬出入用の所定位置まで下降させ、
　前記真空処理が終了した基板は前記基板支持台の下方から上昇させた前記支持部材により前記基板支持台から離間した位置に移動させ、
　その後、前記第一の搬送手段が設けられた前記真空搬送室と同室に設けられた第二の搬送手段を前記基板の下方の位置に移動させ、
　前記支持部材を下降させることによって前記基板を前記第二の搬送手段に受渡し、該第二の搬送手段によって前記真空処理室から搬出し、
　該搬出した前記基板をカセットに１枚毎回収することを特徴とする半導体基板処理方法。
　【請求項３】基板に対して所定の真空処理を行う真空処理室と、カセットと前記真空処理室の間で前記基板の搬送を行なう搬送手段及び支持部材を備えた半導体基板処理装置において、
　前記搬送手段は、前記カセットから１枚毎取り出した基板を該基板の裏面で保持しながら、真空搬送室と真空処理室とが連通した状態で前記真空処理室の基板支持台の基板支持面に対向した位置へ搬送し、前記基板が前記真空処理のための電極位置と搬出入用の所定位置との間を前記基板支持台に載置されて上下に搬送され該基板搬出入用の所定位置まで戻された後、前記真空処理が終了した基板を前記真空処理室から搬出し、該搬出した前記基板をカセットに１枚毎回収するように構成され、
　前記支持部材は、前記基板支持台の下方から上昇し前記基板をその裏面で支持し、前記搬送手段の前記真空処理室の基板支持台の基板支持面に対向した位置から退避した後、下降して前記基板支持台に前記基板を載置し、前記真空処理が終了した後、前記基板支持台の下方から上昇し、前記基板をその裏面で支持しながら前記基板支持台から離間した位置に移動させ、下降することによって前記基板を前記搬送手段に受渡すように構成されている、
　ことを特徴とする半導体基板処理装置。」
（以下、それぞれ「訂正発明１」、「訂正発明２」、「訂正発明３」という。）
ウ．訂正の内容
　訂正請求は、本件特許の明細書を訂正請求書に添付した訂正明細書のとおりに訂正しようとするものであって、その訂正の内容は次の▲１▼〜▲７▼のとおりである。
▲１▼特許請求の範囲の請求項１に「その後、前記真空処理室を仕切り、所定の真空処理を行い、」とあるのを、「その後、前記真空処理室を仕切り、前記基板が載置された前記基板支持台を真空処理のための電極位置まで上昇させて所定の真空処理を行い、該真空処理の終了に伴い前記仕切りを開放しその後前記基板支持台を基板搬出入用の所定位置まで下降させ、」に訂正する。
▲２▼請求項２に「その後、前記真空処理室を仕切り、所定の真空処理を行い、」とあるのを、「その後、前記真空処理室を仕切り、前記基板が載置された前記基板支持台を真空処理のための電極位置まで上昇させて所定の真空処理を行い、該真空処理の終了に伴い前記仕切りを開放しその後前記基板支持台を基板搬出入用の所定位置まで下降させ、」に訂正する。
▲３▼請求項３に、「前記真空処理が終了した基板を前記真空処理室から搬出し、」とあるのを、「前記基板が前記真空処理のための電極位置と搬出入用の所定位置との間を前記基板支持台に載置されて上下に搬送され該基板搬出入用の所定位置まで戻された後、前記真空処理が終了した基板を前記真空処理室から搬出し、」と訂正する。
▲４▼明細書の段落番号【０００６】に「その後、前記真空処理室を仕切り、所定の真空処理を行い、」とあるのを、「その後、前記真空処理室を仕切り、前記基板が載置された前記基板支持台を真空処理のための電極位置まで上昇させて所定の真空処理を行い、該真空処理の終了に伴い前記仕切りを開放しその後前記基板支持台を基盤搬出入用の所定位置まで下降させ、」と訂正する。
▲５▼明細書の段落番号【０００７】に「前記真空処理が終了した基板を前記真空処理室から搬出し、」とあるのを、「前記基板が前記真空処理のための電極位置と搬出入用の所定位置との間を前記基板支持台に載置されて上下に搬送され該基板搬出入用の所定位置まで戻された後、前記真空処理が終了した基板を前記真空処理室から搬出し、」と訂正する。
▲６▼明細書の段落番号【０００８】に「本発明によれば、搬送時に基板の裏面を保持する搬送機構を用いた処理装置とすることにより、」とあるのを、「本発明によれば、基板支持台が、該基板支持台の下方から上昇下降する支持部材を有すると共に、真空処理のための基板位置と搬出入の所定位置の間で基板を載置して上下に搬送する構成としたことにより、基板支持台が搬送機構の一部の機能を持ち、搬入位置から搬出位置までを通して基板の裏面を保持して搬送することが可能となり、」と訂正する
▲７▼明細書の段落番号【００４７】に「本発明によれば、搬送時に基板の裏面を保持する搬送機構を用いた処理装置とすることにより、」とあるのを、「本発明によれば、基板支持台が、該基板支持台の下方から上昇下降する支持部材を有すると共に、真空処理のための基板位置と搬出入の所定位置の間で基板を載置して上下に搬送する構成としたことにより、基板支持台が搬送機構の一部の機能を持ち、搬入位置から搬出位置までを通して基板の裏面を保持して搬送することが可能となり、」と訂正する。
エ．訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　上記訂正▲１▼〜▲３▼は、訂正前の請求項１〜３に係る発明について、所定の真空処理の間における基板が載置された基板支持台の位置を電極との関係で限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　上記訂正▲４▼〜▲７▼は、特許請求の範囲の記載と明細書中の記載を整合させるものであり、明細書中の明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
　また、上記訂正▲１▼〜▲７▼は、願書に添付した明細書における段落番号【００２７】および【００２９】の記載に基づくものであり、いずれも新規事項を追加するものではなく、また実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
オ．独立特許要件の判断
（ｉ）引用刊行物の概要
　当審が通知した取消理由で引用した刊行物１、２の概要は以下のとおりである。
▲１▼刊行物１（特開昭５８−１２３７１８号公報）は「プラズマＣＶＤ装置」に関するものであり、明細書に、その一実施例の概略構成を示す説明図とされる第２図、第３図が記載され、その説明として、「図中２０は、真空容器本体である。真空容器本体２０内には、１対の陽陰電極２１ａ、２１ｂが所定間隔を設けて対設されている。・・・陰電極２１ｂ上には、所定枚数の被処理体２３である半導体ウェハが載置されるようになっている。真空容器本体２０の側部には、開閉板２４を介して真空容器本体２０の内部と自由に連通できるように真空予備室２５が隣接されている。真空予備室２５内には、被処理体２３を多段に収容したカセット２６と、このカセット２６と真空容器本体２０内の陰電極２１ｂ間で被処理体２３を搬送せしめる被処理体搬送機構２７が設けられている。被処理体搬送機構２７は被処理体２３をカセット２６から真空予備室２５の所定位置まで移送する第１のホーク２７ａと、この所定位置から陰電極２１ｂ上まで被処理体２３を移送する第２のホーク２７ｂとで構成されている。なお、陰電極２１ｂの被処理体設置部２１ｃには、被処理体２３の下面を突き上げて第２のホーク２７ｂの先端部が挿入される間隙部を形成するための突起体２１ｄが設けられている。・・・開閉坂２４は、陰電極２１ｂ上の被処理体２３にＣＶＤ膜の形成が行われている際には、真空容器本体２０を密閉するように閉じており、被処理体２３の出入れの際にのみ開放されて真空容器本体２０内と真空予備室２５とを連通させるようになっている。」（第２頁左下欄第８行〜第３頁左上欄第１行）、「ＣＶＤ膜の形成後、再び開閉板２４を開放して真空容器本体２０内と真空予備室２５とを連通させると共に、突起体２１ｄによりＣＶＤ膜の形成された被処理体２３をその下面より突き上げ、第２のホーク２７ｂを被処理体２３の下部に挿入して、真空予備室２５の所定位置まで引き出す。然る後、第２のホーク２７ｂによりこの被処理体２３をカセット２６の所定段のところに戻し、操作を完了する。」（第３頁右上欄第８〜１６行）と記載されている。
▲２▼刊行物２（実願昭５４−１６１１２２号（実開昭５６−７７７５７号）のマイクロフィルム）は「真空空間の試料輸送機構」に関するものであり、本考案によるものとして図２〜７が記載され、その図面の説明として、「第２図は本考案による真空空間の試料輸送機構の概念図である。回転アーム１０を回転できるように支持している回転軸１０’は主真空室１の中にある。主ゲートバルブ３を開けて、回転アーム１０をゲート部を通過させ、副真空室２に入れて試料を取り上げ、回転アーム１０を戻せば、試料は副真空室２から主真空室１へ輸送される。処理が終った後では、逆の過程を経て、試料は主真空室１から副真空室２に戻される。」（第４頁第１９行〜第５頁第７行）、「第６図は本考案による試料輸送機機の１例の動作の説明図である。図中、左側が主真空室、右側が副真空室である。アーム１０は最初第３図にａで示す位置にある（Ａ）。試料から第１のカセット７から取り出され、ベルト８にのって、シリンダ１８の真上に来た所で、ベルト８は停止する（Ｂ）。シリンダ１８が上昇し、試料を持ち上げる（Ｃ）。アーム１０がａからｄに移動する（Ｄ）。シリンダ１８が下降する（Ｅ）。アーム１０がｄからｃに移動する（Ｆ）。シリンダ１６が上昇する（Ｇ）。アーム１０がｃからｂに移動する（Ｈ）。シリンダ１６が下降する（Ｉ）。アーム１０が再びａに戻る（Ｊ）。試料を主真空室１から副真空室２に移すときは、逆の過程をたどる。」（第６頁第１１行〜第７頁第４行）と記載されている。また、この真空空間の試料輸送機構をマイクロ波プラズマエッチング装置に適用した第３図から第５図までに示す装置においては、「アームを１本示したけれども、複数本のアームを設け、複数個の試料の出入れを同時に行なうこともできる。また、１本の回転軸に２本以上のアームを取り付けることも可能である。」（第７頁第６〜９行）と記載されている。
（ｉｉ）対比・判断
▲１▼訂正発明１について
　上記刊行物１に記載の発明（以下、「引用発明１」という。）における、真空容器本体２０、真空予備室２５、被処理体搬送機構２７、被処理体設置部２１ｃ、突起体２１ｄが、それぞれ訂正発明１における、真空処理室、真空搬送室、搬送手段、基板支持台、支持部材に相当すること、また、刊行物２に記載の発明（以下、「引用発明２」という。）における、主真空室１、副真空室２、アーム１０、回転試料台１１、上下運動するシリンダ１６は、それぞれ訂正発明１における、真空処理室、真空搬送室、搬送手段、基板支持台、支持部材に相当することを考慮して訂正発明１と引用発明１、２とを対比すると、両者はいずれも、カセットから取り出した基板を、搬送手段により真空処理室の基板支持台に搬送し、支持部材により基板支持台に基板を載置し、その後、真空処理室を仕切り、真空処理を行い、真空処理の終了に伴い仕切りを開放し、基板を基板支持台の支持部材により搬送手段に受渡し、真空処理室から搬出した前基板をカセットに回収する半導体基板処理方法に関するものである。
　しかしながら、訂正発明１における、基板を載置し真空処理室を仕切ってから、「前記基板が載置された前記基板支持台を真空処理のための電極位置まで上昇させ」る点、および、所定の真空処理を行い、該真空処理の終了に伴い前記仕切りを開放した後に、「前記基板支持台を基板搬出入用の所定位置まで下降させ」る点については、刊行物１、刊行物２には記載されず、また、示唆もされない。
　そして、訂正発明１は、基板支持台の下方から上昇下降する支持部材を用いると共に、真空処理のための基板位置と搬出入の所定位置の間で基板を上下に搬送する基板支持台を搬送機構の一部として用いることにより、搬送時に基板の裏面を保持して搬送することが可能となり、基板の搬送時における基板の損傷を防止することができるという明細書記載の効果を奏するものである。
　したがって、訂正発明１は取消理由で引用した刊行物１、刊行物２に記載された発明から当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
▲２▼訂正発明２について
　訂正発明２は、訂正発明１における搬送手段を、第１の搬送手段および第２の搬送手段としたものであるから、上記「▲１▼訂正発明１について」で述べたように、基板を載置し真空処理室を仕切ってから、「前記基板が載置された前記基板支持台を真空処理のための電極位置まで上昇させ」る点、および、所定の真空処理を行い、該真空処理の終了に伴い前記仕切りを開放した後に、「前記基板支持台を基板搬出入用の所定位置まで下降させ」る点が、刊行物１、刊行物２に記載も示唆もされるものではないので、同様に、訂正発明２も取消理由で引用した刊行物１、刊行物２に記載された発明から当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
▲３▼訂正発明３について
　訂正発明３の半導体基板処理装置において、訂正発明１における「前記基板が載置された前記基板支持台を真空処理のための電極位置まで上昇させ」る点、および、「前記基板支持台を基板搬出入用の所定位置まで下降させ」る点に相当する、基板支持台に搬送された基板を真空処理するにあたり、「前記真空処理のための電極位置と搬出入用の所定位置との間を前記基板支持台に載置されて上下に搬送され」る点は、刊行物１、刊行物２には記載も示唆もされていない。
　そして、訂正発明３は、基板支持台の下方から上昇下降する支持部材を有すると共に、真空処理のための基板位置と搬出入の所定位置の間で基板を上下に搬送する基板支持台を搬送機構の一部として用いた処理装置とすることにより、搬送時に基板の裏面を保持して搬送することが可能となり、基板の搬送時における基板の損傷を防止することができるという明細書記載の効果を奏するものである。
　したがって、訂正発明３も取消理由で引用した刊行物１、刊行物２に記載された発明から当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
（ｉｉｉ）まとめ
　したがって、訂正発明１〜３は、特許出願の際独立して特許を受けることができるものである。
カ．むすび
　以上のとおりであるから、本件訂正請求は、特許法第１２０条の４第２項、同条第３項で準用する同法第１２６条第２〜４項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
３．特許異議の申立てについての判断
ア．申立ての理由の概要
　特許異議申立人高橋学は、本件の請求項１〜３に係る発明は、甲第１、２号証に記載された発明から当業者が容易に成し得た発明であり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、特許を取り消すべきと主張している。
　また、特許異議申立人は、本件発明の効果は、基板の裏面を保持する搬送機構を採用したことによるものであるにもかかわらず、請求項１、２においては、かかる構成について、何ら記載されていないので、本件特許の明細書はその記載が不備であり、本件特許は取り消されるべきと主張している。
イ．判断
（ｉ）特許法第２９条第２項について
　前述のように、本件訂正は適法なものであるので、本件請求項１〜３にかかる発明は、訂正明細書の請求項１〜３に記載された発明である。
　そして、申立人の提出した甲第１号証、甲第２号証は、取消理由で引用した刊行物１、刊行物２と同一のものであるところ、上記「２．オ．独立特許要件の判断」で述べたように、訂正発明１〜３は上記刊行物１、刊行物２に記載された発明から当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　なお、特許異議申立ての証拠として甲第３号証（Ｓｏｌｉｄ　Ｓｔａｔｅ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ／Ａｐｒｉｌ　１９８２，ｐｐ．２０９−２１４）が提出されているが、これは単に枚葉式の処理に関する公知文献として挙げられているにすぎず、また、真空処理にあたり基板が載置された基板支持台を上下させることは記載されないので、上記判断に影響を与えるものではない。
（ｉｉ）記載不備について
　訂正明細書の請求項１における、「前記基板支持台の下方から支持部材を上昇させて前記基板を支持部材で支持した後、前記搬送手段を退避させ、前記支持部材を下降させて前記基板支持台に前記基板を載置し」、「前記真空処理が終了した基板は前記基板支持台の下方から上昇させた前記支持部材により前記基板支持台から離間した位置に移動させ」、「前記搬送手段を前記基板の下方の位置に移動させ、前記支持部材を下降させることによって前記基板を前記搬送手段に受渡し」なる記載、および、請求項２における、「前記基板支持台の下方から支持部材を上昇させて前記基板を支持部材で支持した後、前記第一の搬送手段を退避させ、前記支持部材を下降させて前記基板支持台に前記基板を載置し」、「前記真空処理が終了した基板は前記基板支持台の下方から上昇させた前記支持部材により前記基板支持台から離間した位置に移動させ」、「その後、前記第一の搬送手段が設けられた前記真空搬送室と同室に設けられた第二の搬送手段を前記基板の下方の位置に移動させ」なる記載からすると、「基板支持台」、「支持部材」、「搬送手段」の組み合わせにより、基板の搬入から搬出まで基板の裏面を保持する機構となっていることは明らかであるから、基板の裏面を保持する搬送機構を採用したとする構成が記載されていないとの特許異議申立人の主張は採用できない。
（ｉｉｉ）まとめ
　したがって、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、訂正発明１〜３に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に訂正発明１〜３に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１１年１０月２８日（１９９９．１０．２８）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
　特許第２６９５４０３号発明の明細書を訂正請求書に添付された訂正明細書のとおりに、すなわち
（１）特許請求の範囲の減縮を目的として、次のように訂正する。
▲１▼請求項１に「その後、前記真空処理室を仕切り、所定の真空処理を行い、」とあるのを、「その後、前記真空処理室を仕切り、前記基板が載置された前記基板支持台を真空処理のための電極位置まで上昇させて所定の真空処理を行い、該真空処理の終了に伴い前記仕切りを開放しその後前記基板支持台を基板搬出入用の所定位置まで下降させ、」に訂正する。
▲２▼請求項２に「その後、前記真空処理室を仕切り、所定の真空処理を行い、」とあるのを、「その後、前記真空処理室を仕切り、前記基板が載置された前記基板支持台を真空処理のための電極位置まで上昇させて所定の真空処理を行い、該真空処理の終了に伴い前記仕切りを開放しその後前記基板支持台を基板搬出入用の所定位置まで下降させ、」に訂正する。
▲３▼請求項３に、「前記真空処理が終了した基板を前記真空処理室から搬出し、」とあるのを、「前記基板が前記真空処理のための電極位置と搬出入用の所定位置との間を前記基板支持台に載置されて上下に搬送され該基板搬出入用の所定位置まで戻された後、前記真空処理が終了した基板を前記真空処理室から搬出し、」と訂正する。
（２）明りょうでない記載の釈明を目的として次のように訂正する。
▲４▼段落番号【０００６】に「その後、前記真空処理室を仕切り、所定の真空処理を行い、」とあるのを、「その後、前記真空処理室を仕切り、前記基板が載置された前記基板支持台を真空処理のための電極位置まで上昇させて所定の真空処理を行い、該真空処理の終了に伴い前記仕切りを開放しその後前記基板支持台を基盤搬出入用の所定位置まで下降させ、」と訂正する。
▲５▼段落番号【０００７】に「前記真空処理が終了した基板を前記真空処理室から搬出し、」とあるのを、「前記基板が前記真空処理のための電極位置と搬出入用の所定位置との間を前記基板支持台に載置されて上下に搬送され該基板搬出入用の所定位置まで戻された後、前記真空処理が終了した基板を前記真空処理室から搬出し、」と訂正する。
▲６▼段落番号【０００８】に「本発明によれば、搬送時に基板の裏面を保持する搬送機構を用いた処理装置とすることにより、」とあるのを、「本発明によれば、基板支持台が、該基板支持台の下方から上昇下降する支持部材を有すると共に、真空処理のための基板位置と搬出入の所定位置の間で基板を載置して上下に搬送する構成としたことにより、基板支持台が搬送機構の一部の機能を持ち、搬入位置から搬出位置までを通して基板の裏面を保持して搬送することが可能となり、」と訂正する。
▲７▼段落番号【００４７】に「本発明によれば、搬送時に基板の裏面を保持する搬送機構を用いた処理装置とすることにより、」とあるのを、「本発明によれば、基板支持台が、該基板支持台の下方から上昇下降する支持部材を有すると共に、真空処理のための基板位置と搬出入の所定位置の間で基板を載置して上下に搬送する構成としたことにより、基板支持台が搬送機構の一部の機能を持ち、搬入位置から搬出位置までを通して基板の裏面を保持して搬送することが可能となり、」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
半導体基板処理方法および半導体基板処理装置
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】
　カセットから１枚毎取り出した基板を、真空搬送室と真空処理室とが連通した状態で搬送手段により前記真空処理室の基板支持台の基板支持面に対向した位置へ搬送し、
　前記基板支持台の下方から支持部材を上昇させて前記基板を支持部材で支持した後、前記搬送手段を退避させ、前記支持部材を下降させて前記基板支持台に前記基板を載置し、
　その後、前記真空処理室を仕切り、
前記基が載置された前記基板支持台を真空処理のための電極位置まで上昇させて
該真空処理の終了に伴ない前記仕切りを開放しその後前記基板支持台を基板搬出入用の所定位置まで下降させ、
　前記真空処理が終了した基板は前記基板支持台の下方から上昇させた前記支持部材により前記基板支持台から離間した位置に移動させ、
　その後、前記搬送手段を前記基板の下方の位置に移動させ、
　前記支持部材を下降させることによって前記基板を前記搬送手段に受渡し、該搬送手段によって前記基板を前記真空処理室から搬出し、
　該搬出した前記基板をカセットに１枚毎回収することを特徴とする半導体基板処理方法。
　【請求項２】
　カセットから１枚毎取り出した基板を、真空搬送室と真空処理室とが連通した状態で第一の搬送手段により前記真空処理室の基板支持台の基板支持面に対向した位置へ搬送し、
　前記基板支持台の下方から支持部材を上昇させて前記基板を支持部材で支持した後、前記第一の搬送手段を退避させ、前記支持部材を下降させて前記基板支持台に前記基板を載置し、
　その後、前記真空処理室を仕切り、
前記基板が載置された前記基板支持台を真空処理のための電極位置まで上昇させて
該真空処理の終了に伴い前記仕切りを開放しその後前記基板支持台を基板搬出入用の所定位置まで下降させ、
　前記真空処理が終了した基板は前記基板支持台の下方から上昇させた前記支持部材により前記基板支持台から離間した位置に移動させ、
　その後、前記第一の搬送手段が設けられた前記真空搬送室と同室に設けられた第二の搬送手段を前記基板の下方の位置に移動させ、
　前記支持部材を下降させることによって前記基板を前記第二の搬送手段に受渡し、該第二の搬送手段によって前記真空処理室から搬出し、
　該搬出した前記基板をカセットに１枚毎回収することを特徴とする半導体基板処理方法。
　【請求項３】
　基板に対して所定の真空処理を行う真空処理室と、カセットと前記真空処理室の間で前記基板の搬送を行なう搬送手段及び支持部材を備えた半導体基板処理装置において、
　前記搬送手段は、前記カセットから１枚毎取り出した基板を該基板の裏面で保持しながら、真空搬送室と真空処理室とが連通した状態で前記真空処理室の基板支持台の基板支持面に対向した位置へ搬送し、
前記基板が前記真空処理のための電極位置と搬出入用の所定位置との間を前記基板支持台に載置されて上下に搬送され該基板搬出入用の所定位置まで戻された後、
　前記支持部材は、前記基板支持台の下方から上昇し前記基板をその裏面で支持し、前記搬送手段の前記真空処理室の基板支持台の基板支持面に対向した位置から退避した後、下降して前記基板支持台に前記基板を載置し、前記真空処理が終了した後、前記基板支持台の下方から上昇し、前記基板をその裏面で支持しながら前記基板支持台から離間した位置に移動させ、下降することによって前記基板を前記搬送手段に受渡すように構成されている、
　ことを特徴とする半導体基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の利用分野】
　本発明はエッチング装置，プラズマＣＶＤ装置，スパッタ装置等の半導体製造工程における基板処理方法および半導体基板処理装置に関するものである。
　【０００２】
　【発明の背景】
　最近の半導体製造プロセス技術の進歩は著しく、ドライエッチング装置においても１μｍパターンを処理する機種が現われ、注目を浴びている。このような微細化が進むにつれ、基板は大口径化し、それに伴って半導体製造装置の占有床面積あたりのスループット（時間あたりの基板処理枚数）を向上させることおよび製造プロセス技術の多様化に応えることが大きな課題となっている。
　【０００３】
　このような要求を解決するためには装置を小形化するとともに、複数の真空処理室を用いて多目的処理を行うことが必要で、しかも、プロセス変更やライン変更に対応して真空処理室数を自由に変えてシステムが構成あるいは編成できる真空処理モジュールが要求されるようになってきた。これに対して、従来の、例えば、特開昭５７−１２８９２８号公報に開示されているような真空処理室と大気中での基板搬送ラインを結合したモジュールを増設できるタイプでは清浄度の悪い大気中を経て基板が次の真空処理室に搬送されるので、処理途中で次の真空処理室に処理を引き継ぐようなプロセス工程への適用にはむかない。
　【０００４】
　また、実開昭５７−３９４３０号公報に開示されているようないくつかの真空処理室と一つのバッファ室との間を基板が搬送されて連続的に処理されるようなタイプでは真空処理室数が固定され、プロセス変更やライン変更に対応して真空処理室数を変更したりする自由度がなく、使用しづらいという問題点を有している。
　【０００５】
　【発明の目的】
　本発明の目的は、半導体製造におけるスループットを向上させるために、搬送により基板を損傷させない半導体基板処理方法及び装置を提供することにある。
　【０００６】
　【発明の概要】
　本発明の特徴は、カセットから１枚毎取り出した基板を、真空搬送室と真空処理室とが連通した状態で搬送手段により前記真空処理室の基板支持台の基板支持面に対向した位置へ搬送し、前記基板支持台の下方から支持部材を上昇させて前記基板を支持部材で支持した後、前記搬送手段を退避させ、前記支持部材を下降させて前記基板支持台に前記基板を載置し、その後、前記真空処理室を仕切り、
前記基板が載置された前記基板支持台を真空処理のための電極位置まで上昇させて
該真空処理の終了に伴い前記仕切りを開放しその後前記基板支持台を基板判出入用の所定位置まで下降させ、
　【０００７】
　本発明の他の特徴は、基板に対して所定の真空処理を行う真空処理室と、カセットと前記真空処理室の間で前記基板の搬送を行なう搬送手段及び支持部材を備えた半導体基板処理装置において、前記搬送手段は、前記カセットから１枚毎取り出した基板を該基板の裏面で保持しながら、真空搬送室と真空処理室とが連通した状態で前記真空処理室の基板支持台の基板支持面に対向した位置へ搬送し、
前記基板が前記真空処理のための電極位置と搬出入用の所定位置との間を前記基板支持台に載置されて上下に搬送され該基板搬出乳用の所定位置まで戻された後、
　【０００８】
　本発明によれば、
基板支持台が該基板支持台の下方から上昇下降する支持部材を有すると共に、真空処理のための基板位置と搬出入の所定位置の間で基板を載置して上下に搬送する構成としたことにより、基板支持台が搬送機構の一部の機能を持ち、搬入位置から搬出位置までを通して基板の裏面保持して搬送することが可能となり、
　【０００９】
　また、搬送機構として把持手段で基板を掴かまず、裏面から押し上げる方式としたため、これとオリフラ合わせを組み合わせることにより、把持手段で基板を掴むときのような位置ずれの心配が無く、高精度の位置決めを行うことが出来る。
　搬送機構としては、真空吸着や静電吸着方式でも良い。
　【００１０】
　【発明の実施例】
　本発明の一実施例を図１〜図５で説明する。
　図１で、真空処理装置は、真空排気可能なバッファ室１０と、バッファ室１０に設けられた真空処理室２０と、基板３０を矢印Ａ方向に搬送可能なバッファ室１０に内設された第１の基板搬送手段（図示省略）と、第１の基板搬送手段の両端に対応してバッファ室１０の側壁に設けられたゲート弁，仕切具等の真空開閉手段４０，４１と、この場合、真空開閉手段４０，４１が設けられた側壁と直角をなし第１の基板搬送手段をはさんで真空処理室２０と対応する側壁に設けられたゲート弁等の他の真空開閉手段５０，５１を介してバッファ室１０に具設された真空予備室６０と、第１の基板搬送手段との間で他の真空開閉手段５０，５１を介して基板３０を矢印Ｂ，Ｃ方向に搬送する第２の基板搬送手段（図示省略）と、第１の基板搬送手段の基板搬送経路上で、かつ、真空処理室２０に対応して設けられた基板受渡手段（図示省略）と、基板受渡手段と真空処理室２０との間で基板３０を矢印Ｄ方向に搬送する第３の基板搬送手段（図示省略）とを有している。なお、この場合、真空予備室６０には、基板カセット７０，７１を昇降駆動するカセット昇降装置（図示省略）のカセットテーブル（図示省略）が昇降可能に他の真空開閉手段５０，５１と対応して内設されている。
　【００１１】
　第１〜第３の基板搬送手段，基板受渡手段等を図２で更に詳細に説明する。
　図２において、第１の基板搬送手段はベルト搬送装置８０であり、ベルト搬送装置８０は、その全体を昇降装置、例えば、シリンダ８１で昇降駆動されると共に、モータ８２でベルト８３を回転駆動される。
　【００１２】
　第２の基板搬送手段は、他の真空開閉手段５０，５１をはさんで真空予備室６０に設けられたベルト搬送装置９０，１００とバッファ室１０に設けられたベルト搬送装置１１０，１２０である。ベルト搬送装置９０のプーリ９１，９２とプーリ９１，９２に無端に巻掛けられたベルト９３とは、カセット昇降装置１３０のカセットテーブル１３１に対応し、かつ、カセットテーブル１３１が最高位置まで上昇させられた時点でもその上方に位置するように配設されている。
　【００１３】
　ベルト９３はモータ９４で回転駆動される。ベルト搬送装置１１０はモータ１１１でベルト１１２を回転駆動され、ベルト搬送装置１１０のベルト搬送装置８０側端部は、ベルト搬送装置８０のベルト８３の一方の昇降動を阻害しないように、この場合、Ｖ字形に折曲され最終端のプーリ１１３は、ベルト搬送装置８０のベルト８３間に位置するように設けられている。なお、ベルト搬送装置９０のベルト９３とベルト搬送装置１１０のベルト１１２とは同一レベルであり、ベルト搬送装置９０とベルト搬送装置１１０との他の真空開閉手段５０側端の間隔は、基板３０の受渡しに支障のない大きさとなっている。
　【００１４】
　ベルト搬送装置１００のプーリ１０１，１０２とプーリ１０１，１０２に無端に巻掛けられたベルト１０３とは、ベルト搬送装置９０と同様に配設され、ベルト１０３はモータ１０４で回動駆動される。ベルト搬送装置１２０はモータ１２１でベルト１２２を回転駆動され、ベルト搬送装置１２０のベルト搬送装置８０側端部は、ベルト搬送装置１１０の場合と同様にベルト搬送装置８０のベルト８３の一方の昇降動を阻害しないようにＶ字形に折曲され最終端のプーリ１２３は、ベルト搬送装置８０のベルト８３間に位置するように設けられている。
　【００１５】
　なお、ベルト搬送装置１００のベルト１０３とベルト搬送装置１２０のベルト１２２とは同一レベルであり、ベルト搬送装置１００とベルト搬送装置１２０との他の真空開閉手段５１側端の間隔は、基板３０の受渡しに支障のない大きさとなっている。また、ベルト搬送装置１１０のプーリ１１３とプーリ１１３に対応するプーリ１１４との間隔は、基板３０の落下を防止して良好に受渡し可能な大きさであり、ベルト搬送装置１２０のプーリ１２３に対応するプーリ１２４との間隔も同様の大きさである。なお、ベルト搬送装置８０は、ベルト８３のレベルがベルト搬送装置１１０，１２０のベルト１１２，１２２のレベル以下並びに以上になるように昇降駆動される。
　【００１６】
　基板受渡手段１４０は、ベルト搬送装置８０のベルト８３間の寸法より小さい基板テーブル１４１と昇降装置、例えば、シリンダ１４２とで構成されている。基板テーブル１４１は真空処理室２０と対応する位置で、この場合は、ベルト搬送装置１１０，１２０の間の位置で、ベルト搬送装置８０のベルト８３間を通過しシリンダ１４２で昇降可能に設けられている。
　【００１７】
　第３の基板搬送手段は、アーム搬送装置１５０，１６０である。アーム搬送装置１５０は、基板すくい具１５１とアーム１５２と回動装置、例えば、パルスモータ１５３とで構成されている。パルスモータ１５３は、ベルト搬送装置８０と真空処理室２０との間で、かつ、基板受渡手段１４０の基板テーブル１４１の中心と真空処理室２０の基板電極２１の中心とを結ぶ線の一方の側（図２では左側）に設けられ、パルスモータ１５３には、アーム１５２の一端が設けられている。アーム１５２の他端には基板すくい具１５１が設けられている。また、アーム搬送装置１６０は、基板すくい具１６１とアーム１６２と回動装置、例えば、パルスモー夕１６３とで構成されている。パルスモータ１６３は、ベルト搬送装置８０と真空処理室２０との間で、かつ、基板受渡手段１４０の基板テーブル１４１の中心と真空処理室２０の基板電極２１の中心とを結ぶ線の他方の側（図２では右側）に設けられ、パルスモータ１６３には、アーム１６２の一端が設けられている。アーム１６２の他端には、基板すくい具１６１が設けられている。この場合、基板すくい具１５１，１６１，アーム１５２，１６２の寸法は、基板テーブル１４１並びに基板電極２１に基板３０が載置されている場合、この基板３０を基板すくい具１５１，１６１ですくい可能な寸法である。
　【００１８】
　また、アーム１５２，１６２は、基板すくい具１５１，１６１で基板３０を基板テーブル１４１と基板電極２１との間で搬送可能にパルスモータ１５３，１６３でそれぞれ部分回動される。なお、この場合、アーム１５２，１６２の動作平面はアーム１５２が上面、アーム１６２で下面と異なり、例えば、アーム搬送装置１５０で基板３０を基板テーブル１４１から基板電極２１へ搬送する際に、アーム搬送装置１６０で基板３０を基板電極２１から基板テーブル１４１へ搬送するのを阻害しないようになっている。
　【００１９】
　カセット昇降装置１３０は、カセットテーブル１３１と、カセットテーブル１３１に垂設され下端部にネジが形成された昇降ロッド１３２と、モータ１３３で回動駆動される歯車１３４と、歯車１３４と噛合し設けられると共に昇降ロッド１３２の下端部が螺合された歯車１３５とで構成されている。基板電極２１は、ラック・ピニオン機構２２を介しモータ２３の回動により昇降駆動される。また、基板電極２１の中心部には、基板支持用の爪２４が昇降装置、例えば、シリンダ２５で昇降可能に設けられている。爪２４は、その表面が基板電極２１の表面以下になる位置と、アーム搬送装置１５０，１６０の基板すくい具１５１，１６１と基板３０を受渡し可能な位置との間で昇降駆動される。
　【００２０】
　図１，図２で示される真空処理装置では、次のような基板処理を行うことができる。
　【００２１】
　まず、他の真空開閉手段５０に対応するカセットテーブル１３１は、最下部に下降させられ、他の真空開閉手段５１に対応するカセットテーブル（図示省略）は最上部に上昇させられる。他の真空開閉手段５０，５１が、例えば、シリンダ５２，５３の駆動により閉止されバッファ室１０と真空予備室６０との連通は気密に遮断されると共に、真空開閉手段４０，４１が閉止又は仕切られてバッファ室１０と外部との連通も気密に遮断される。この状態でバッファ室１０は真空排気装置（図示省略）を作動させることで所定圧力に減圧排気される。
　【００２２】
　一方、真空予備室６０には、外部が大気側である場合は、真空予備室６０に設けられた扉等の大気真空開閉手段（図示省略）を開放することで所定枚数の基板３０が装填された基板カセット（以下、供給カセットと略）７０と基板回収用の空の基板カセット（以下、回収カセットと略）７１とが搬入されて、供給カセット７０は他の真空開閉手段５０に対応するカセットテーブル１３１に、回収カセット７１は他の真空開閉手段５１に対応するカセットテーブルにそれぞれ載置される。
　【００２３】
　その後、大気真空開閉手段は閉止され真空予備室６０は、真空排気装置（図示省略）でバッファ室１０の圧力と同程度の圧力まで減圧排気される。その後、シリンダ５２の駆動により他の真空開閉手段５０が開放され、これによりバッファ室１０と真空予備室６０とは連通状態となる。この状態下で、モータ１３３を駆動しカセットテーブル１３１を１ピッチ分下降させることで供給カセット７０の、この場合、最下部に装填された基板３０はベルト９３に載置される。
　【００２４】
　その後、モータ９４によりベルト９３を回転駆動することで載置された基板３０は他の真空開閉手段５０側へ搬送され、モータ１１１により回転駆動されているベルト１１２に他の真空開閉手段５０を介して渡される。ベルト１１２に渡された基板３０はベルト搬送装置８０側へ搬送される。なお、このときベルト８３のレベルがベルト１１２のレベル以下となるようにベルト搬送装置８０全体はシリンダ８１により降下させられている。
　【００２５】
　その後、基板３０がプーリ１１３，１１４にかかる程度に搬送されてきた時点でベルト８３のレベルがベルト１１２のレベル以上となるようにベルト搬送装置８０全体はシリンダ８１により上昇させられ、これにより基板３０はベルト１１２からベルト８３へ渡される。ベルト８３に渡された基板３０は、モータ８２の一駆動により基板テーブル１４１に対応する位置まで搬送された後に、基板テーブル１４１をシリンダ１４２で上昇させることで基板テーブル１４１に受取られる。基板テーブル１４１に受取られた基板３０は、例えば、オリフラ合せ装置１７０でオリフラを合わされる。
　【００２６】
　その後、基板３０は、例えば、基板のせ具１５１に渡されアーム１５２をパルスモータ１５３で真空処理室２０側へ回転駆動することで、バッファ室１０を経て真空処理室２０の基板電極２１の上方へ搬送される。その後、爪２４をシリンダ２５で上昇させることで、基板のせ具１５１の基板３０は、爪２４に受取られる。その後、基板３０を爪２４に渡した基板のせ具１５１は、真空処理室２０外のバッファ室１０に退避させられる。その後、爪２４を、その表面が基板電極２１の表面以下となるようにシリンダ２５で下降させることで、基板３０は爪２４から基板電極２１に渡されて載置される。
　【００２７】
　その後、仕切り用のフランジ１８０と、フランジ１８０の裏面とバッファ室１０の底壁とに跨設されたべローズ１８１と、フランジ１８０を昇降駆動する昇降装置、例えば、シリンダ１８２とで構成される仕切り手段１８３によりバッファ室１０と真空処理室２０とは仕切られる。この状態で、まず、基板電極２０と、基板電極３０の上方に対向して真空処理室２０に設けられた対向電極（図示省略）との電極間隔は、モータ２３を駆動することにより適正間隔に調節される。その後、真空処理室２０には、流量を調節されてプロセスガスが導入されると共に、真空排気装置（図示省略）の駆動により真空処理室２０の圧力は処理圧力に調整される。
　【００２８】
　その後、例えば、基板電極２１に接続された電源、例えば、高周波電源（図示省略）より基板電極２１に高周波電力を印加することで、対向電極と基板電極２１との間には、グロー放電が生じ、該放電によりプロセスガスはプラズマ化される。このプラズマにより基板電極２１に載置された基板３０は、エッチング処理等所定処理される。この間、供給カセット７０からは、上記した操作により基板３０が取り出されベルト搬送装置１１０，８０で搬送されて基板テーブル１４１に渡されオリフラが合わされた後に基板のせ具１５１に渡される。
　【００２９】
　真空処理室２０での処理が終了した後に仕切り手段１８３によるバッファ室１０と真空処理室２０の仕切りは解除され、真空処理室２０はバッファ室１０と再び連通させられる。その後、基板電極２１は、所定位置まで降下させられ、爪２４をシリンダ２５で上昇させることで、処理済みの基板３０は、基板電極２１から除去され爪２４に渡される。その後、基板のせ具１６１を爪２４に渡された基板３０の裏面に対応する位置まで回転させた後に、爪２４をシリンダ２５で下降させることで、処理済みの基板３０は基板のせ具１６１に渡される。
　【００３０】
　その後、基板のせ具１５１に渡された基板３０は、基板テーブル１４１から基板電極２１へ、また、基板のせ具１６１に渡された処理済みの基板３０は基板電極２１から基板テーブル１４１へそれぞれ搬送される。基板電極２１へ搬送された基板３０は、上記した操作により所定処理される。この間、基板テーブル１４１に搬送された処理済みの基板３０は、基板テーブル１４１をシリンダ１４２で下降させることでベルト搬送装置８０のベルト８３に渡され、その後、ベルト８３，１２２のモータ８２，１２１による回転駆動で他の真空開閉手段５１側へ搬送される。なお、ベルト８３からベルト１２２への処理済みの基板３０の受渡しは、ベルト１１２からベルト８３への基板３０の受渡しと逆操作により行われる。シリンダ５３の駆動により他の真空開閉手段５１が開放され、モータ１０４によりベルト１０３を回転駆動することで、他の真空開閉手段５１側へ搬送されてきた処理済みの基板３０は他の真空開閉手段５１を介して真空予備室６０に搬入され、その後、カセットテーブルを１ピッチ分上昇させることで回収カセット７１に回収される。
　【００３１】
　また、供給カセット７０からは上記した操作により基板３０が取り出されベルト搬送装置１１０，８０で搬送されて基板テーブル１４１に渡されオリフラが合わされた後に基板のせ具１５１に渡される。
　【００３２】
　以上のような操作を繰り返し実施することで、供給カセット７０からは基板３０が１枚毎取り出され、真空予備室６０からバッファ室１０を経て真空処理室２０に搬送され、真空処理室２０で１枚毎処理され、処理済みの基板３０は、真空処理室２０からバッファ室１０を経て真空予備室６０に搬送されて１枚毎回収カセット７１に回収される。
　【００３３】
　図３は、図１，図２で示される真空処理装置を１モジュールとして真空開閉手段４０，４１を介して２モジュール連設した場合の例を示すものである。なお、図３での構成部品は、図２のそれと全て同一であり、したがって、構成，作用等の説明は省略する。図３で示される真空処理装置では、図４（ａ）〜図４（ｃ）に示すような基板処理を行うことができる。
　【００３４】
　即ち、図４（ａ）に示すように基板３０を連設された真空処理装置の二つの真空処理室２０でシリーズ処理することも、図４（ｂ）に示すように、基板３０を連設された真空処理装置の二つの真空処理室２０でパラレル処理することも、図４（ｃ）に示すように、基板３０を、連設された真空処理装置毎の真空処理室２０でパラレル処理することもできる。
　【００３５】
　なおこのような基板処理モードで図４（ａ），（ｂ）に示される基板処理モードの場合、前段の真空処理装置の真空予備室６０に供給カセット（図示省略）を少なくとも１個セットし、後段の真空処理装置の真空予備室６０に回収カセット（図示省略）を少なくとも１個セットするようにする。また、図４（ｃ）に示される基板処理モードの場合、各真空処理装置の真空予備室６０に供給カセット（図示省略），回収カセット（図示省略）を各１個セットするようにする。
　【００３６】
　また、図１，図２で示される真空処理装置を１モジュールとして真空開閉手段４０，４１を介して２モジュール連設した場合、各真空処理装置における基板３０の搬送はバッファ室１０を経ることで行われる。
　【００３７】
　更に、図１，図２で示される真空処理装置を１モジュールとして真空開閉手段４０，４１を介して３モジュール以上連設した場合は、図４に示すような基板処理モードに加えて図５（ａ），（ｂ）に示すような基板処理を行うことができる。
　【００３８】
　即ち、図５（ａ）に示すように、基板３０を連設された真空処理装置の前段の真空処理装置の真空処理室２０と、この場合は、中段の真空処理装置の真空処理室２０とで、まず、パラレル処理し、引続き後段の真空処理装置の真空処理室２０でシリーズ処理することも、図５（ｂ）に示すように、基板３０を連設された真空処理装置の前段と中段の真空処理装置の真空処理室２０でシリーズ処理すると共に、前段と後段の真空処理装置の真空処理室２０でシリーズ処理することもできる。
　【００３９】
　なお、このような基板処理モードの場合、前段の真空処理装置の真空予備室６０に供給カセット（図示省略）を２個セットし、後段の真空処理装置の真空予備室６０に回収カセット（図示省略）を２個セットするようにする。
　【００４０】
　また、各真空処理装置の真空処理室２０で基板３０をシリーズ処理する場合は、前段の真空処理装置の真空予備室６０に供給カセットを１個セットし、後段の真空処理装置の真空予備室に回収カセットを１個セットするようにする。
　【００４１】
　また、各真空処理装置の真空処理室で基板３０をパラレル処理する場合は、前段の真空処理装置の真空予備室に供給カセットを少なくとも１個セットし後段の真空処理装置の真空予備室に回収カセットを少なくとも１個セットするようにする。
　【００４２】
　また、各真空処理装置を独立させそれぞれの真空処理室で基板をパラレル処理する場合は、各真空処理装置の真空予備室に供給カセットと回収カセットとを各１個セットするようにする。また、図１，図２で示される真空処理装置を１モジュールとして真空開閉手段４０，４１を介して３モジュール以上連設した場合でも、各真空処理装置における基板３０の搬送は、バッファ室１０を経ることで行われる。
　【００４３】
　本実施例のような真空処理装置では、次のような効果が得られる。
（１）プロセス変更やライン変更に対応して真空処理室数を自由に変えてシステム構成あるいは編成ができる。
（２）基板は真空排気されているバッファ室を経て次の真空処理室に搬送されるため、処理途中で次の真空処理室へ処理を引継ぐようなプロセス工程にも問題なく適用できる。
（３）第２の基板搬送手段と第３の基板搬送手段とを平行とし真空処理装置の前面横幅を小さくすることができ、多モジュール構成がし易くなっている。
（４）真空予備室を真空排気可能なカセット室としているので、真空処理装置の奥行寸法を小さくすることができ、多モジュールシステムでは、１モジュールに２個のカセットをセットすることも可能でスループット向上時のカセットセット時間間隔を長くすることができる。
（５）第３の基板搬送手段として動作平面の異なるアーム搬送装置を用いているので、真空処理室への基板の搬入，搬出を同時に行うことができるので、スループットを向上できる。
（６）多モジュールによるシリーズ処理あるいはパラレル処理が可能となるため、真空処理装置の小形化と合わせ床面積当りのスループットを向上させることができる。
（７）バッファ室に設けられる真空開閉手段の開口面積は、基板が１枚通過可能な面積であればよく、したがって、多モジュールの場合、真空処理装置間での残留プロセスガスの混入がほとんど生じないため、各真空処理装置でのプロセスガスに対する独立性を確保できる。
　【００４４】
　なお、真空処理装置の奥行寸法を小さくして、しかも他の装置との連続一貫処理を目指す場合は、図６に示すように、真空予備室６０′を例えば、真空開閉手１段４０を介してバッファ室１０に具設すると共に、矢印Ａ方向に基板３０を搬送する第１の基板搬送手段であるベルト搬送装置（図示省略）との間で真空開閉手段４０を介して矢印Ｅ方向に基板３０を受渡し可能に第２の基板搬送手段であるベルト搬送装置（図示省略）を真空予備室６０′に設けるようにする。この場合、他の真空開閉手段は不用である。
　【００４５】
　以上、説明した実施例では、真空予備室を供給カセット，回収カセットが外部より搬入されてセットされるような真空予備室としているが、特に、このような真空予備室に限定する必要はない。例えば、供給カセット，回収カセットを真空予備室に固定してセットし、供給カセットに外部から所定枚数基板を装填すると共に、回収カセットに回収された基板を回収カセットから取り出して外部へ搬出するようにしても良い。
　【００４６】
　また、第１の基板搬送手段は、ベルト搬送装置の他に基板をバッファ室に設けられた真空開閉手段との間で搬送するようなものであれば良い。また、第２の基板搬送手段は、ベルト搬送装置の他に、例えば、アームが直進するアーム搬送装置，アームが回動するアーム搬送装置等を用いても良い。
　【００４７】
　【発明の効果】
　本発明によれば、
基板支持台が該基板支持台の下方から上昇下降する支持部材を有すると共に、真空処理のための基板を載置して上下に搬送する構成としたことにより、基板支持台が搬送機構の一部の機能を持ち、搬入位置から搬出位置までを通して基板支持台が搬送機構の一部の機能を持ち、搬入位置までを通して基板の裏面を保持して搬送することが可能となり、
　【００４８】
　また、搬送機構として把持手段で基板を掴かまず、裏面から押し上げる方式としたため、これとオリフラ合わせを組み合わせることにより、把持手段で基板を掴むときのような位置ずれの心配が無く、高精度の位置決めを行うことが出来るという効果があ
る。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本発明による真空処理装置の一実施例を示す平面図。
　【図２】
　図１の真空処理装置の基板搬送手段の斜視構成図。
　【図３】
　図１の真空処理装置を２モジュール連設した真空処理装置の基板搬送手段の斜視構成図。
　【図４】
　（ａ）ないし（ｃ）は、２モジュール真空処理装置での基板処理モード図。
　【図５】
　（ａ），（ｂ）は、３モジュール真空処理装置での他の基板処理モード図。
　【図６】
　本発明による真空処理装置の他の実施例を示す平面図。
　【符号の説明】
　１０…バッファ室、２０…真空処理室、３０…基板、４０，４１…真空開閉手段、５０，５１…他の真空開閉手段、６０，６０’…真空予備室、８０ないし１２０…ベルト搬送装置、１４０…基板受渡手段、１５０，１６０…アーム搬送装置。