【事件の表示】
　　特許第２７５３３１９号「エッチング終点判定方法」の請求項１ないし５に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第２７５３３１９号の請求項１ないし５に係る特許を維持する。
【理　由】
［１］手続の経緯
　特許第２７５３３１９号（平成１年３月２２日出願、平成１０年２月２７日設定登録）は、高橋　学より特許異議の申立がなされ、平成１１年６月７日に取消理由を通知し、さらに、平成１２年３月２１日に取消理由を通知し、平成１２年３月３０日に訂正請求書が提出されたものである。
　
［２］訂正の適否についての判断
（１）訂正事項
１）特許明細書の請求項１に記載の、「前記一次差分信号の値の極大値を検出する工程」、「所定値以下となる、そのサンプリング回数」及び「設定回数以上」を、それぞれ、「プラズマ発生後の発光光量の電気信号の値が略一定若しくは略一定勾配になる時刻以降であって前記一次差分信号の値の極大値を検出する工程」、「所定値以下となり、該所定値以下になったサンプリング回数」及び「設定回数（ｎ＞１）以上」と訂正する。
２）同請求項４に記載の、「前記一次差分信号の値の極大値を検出する工程」及び「設定回数以上」を、それぞれ、「プラズマ発生後の発光光量の電気信号の値が略一定若しくは略一定勾配になる時刻以降であって前記一次差分信号の値の極大値を検出する工程」及び「設定回数（ｎ＞１）以上」と訂正する。
３）同請求項５に記載の、「所定値以下となる、そのサンプリング回数」を、「所定値以下となり、該所定値以下になったサンプリング回数」と訂正する。
４）特許明細書（特許掲載公報第４欄７、１０行）の「Ｄ１Ｆ」を、「ＤＩＦ」と訂正し、同明細書（同公報第４欄３７〜４０行）の「該一次差分信号の値の・・・設定回数以上になったこと」を、「プラズマ発生後の発光光量の電気信号の値が略一定若しくは略一定勾配になる時刻以降に該一次差分信号の値の極大値を検出して該極大値を検出した後、、一次差分信号の値の極大値に対する割合が所定値以下となり、該所定値以下となったサンプリング回数が極大値以後に設定回数（ｎ＞１）以上になったこと」と訂正し、同明細書（同公報第４欄４６行）の「設定回数以上多く」を、「設定回数（ｎ＞１）以上多く」と訂正し、同明細書（同公報第５欄１〜２行）の「割合が所定値以下となる、そのサンプリング回数」を、「割合が所定値以下となり、該所定値以下になったサンプリング回数」と訂正し、さらに、同明細書（同公報第５欄３６行）の「一次差分波ｂ１」を、「一次差分波形ｂ１」と訂正する。
　
（２）訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
１）上記訂正事項１）は、特許明細書の請求項１において、「一次差分信号の値の極大値」をさらに限定して明りょうにし、また、「そのサンプリング回数」の「その」の意味を明りょうにし、さらに、「設定回数」をｎ＞１以上に限定したものであり、特許請求の範囲の減縮に該当するとともに明りょうでない記載の釈明に該当する。
２）上記訂正事項２）は、同明細書の請求項４において、「一次差分信号の値の極大値」をさらに限定して明りょうにし、また、「設定回数」をｎ＞１以上に限定したものであり、特許請求の範囲の減縮に該当するとともに明りょうでない記載の釈明に該当する。
３）上記訂正事項３）は、同明細書の請求項５において、「そのサンプリング回数」の「その」の意味を明りょうにしたものであり、明りょうでない記載の釈明に該当する。
４）上記訂正事項４）は、同明細書の発明の詳細な説明において、「波」を「波形」に訂正し、また、発明の詳細な説明の記載を特許請求の範囲の記載に整合させたものであり、誤記の訂正に該当するとともに、明りょうでない記載の釈明に該当する。
　そして、上記訂正事項１）〜４）は、いずれも願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内であって、さらに、実質上特許請求の範囲を拡張し、変更するものではない。
　
（３）独立特許要件
１）本件発明
　上記訂正明細書の請求項１〜５に係る発明（以下、「本件発明１〜５」という。）は、それぞれ特許請求の範囲の請求項１〜５に記載された以下のとおりのものである。
　「【請求項１】試料のガスプラズマエッチング時に生じる発光の光量を電気信号に変換する工程と、
　前記電気信号の一次差分信号を演算する工程と、
　プラズマ発生後の発光光量の電気信号の値が略一定若しくは略一定勾配になる時刻以降であって前記一次差分信号の値の極大値を検出する工程と、
　前記極大値を検出した後、前記一次差分信号の値の前記極大値に対する割合が所定値以下となり、該所定値以下になったサンプリング回数が前記極大値以後に設定回数（ｎ＞１）以上になったことにより前記試料のプラズマエッチングの終点を判定する工程と
を有することを特徴とするエッチング終点判定方法。
【請求項２】請求項１記載のエッチング終点判定方法において、前記一次差分信号の値の極大値は、前記一次差分信号の値が設定値を越えたときから前記極大値の検出を開始するエッチング終点判定方法。
【請求項３】請求項１記載のエッチング終点判定方法において、前記電気信号の二次差分信号を演算し、該二次差分信号の値が設定値を越えたときから前記一次差分信号の値の極大値の検出を開始するエッチング終点判定方法。
【請求項４】試料のガスプラズマエッチング時に生じる発光の光量を電気信号に変換する工程と、
　前記電気信号の一次差分信号を演算する工程と、
　プラズマ発生後の発光光量の電気信号の値が略一定若しくは略一定勾配になる時刻以降であって前記一次差分信号の値の極大値を検出する工程と、
　前記極大値を検出した後、前記一次差分信号の値の前記極大値に対する割合が所定値以下となったかどうかを判定する工程と、
　前記一次差分信号の値の前記極大値に対する割合が前記所定値以下でなかったときのサンプリング回数よりも、前記所定値以下のときのサンプリング回数の方が設定回数（ｎ＞１）以上多くなったことにより前記試料のプラズマエッチングの終点を判定する工程と
を有することを特徴とするエッチング終点判定方法。
【請求項５】試料のガスプラズマエッチング時に生じる発光の光量を電気信号に変換する工程と、
　前記電気信号の一次差分信号を演算する工程と、
　前記一次差分信号の値の極大値を検出する工程と、
　前記極大値を検出した後、前記一次差分信号の値の前記極大値に対する割合が所定値以下となったかどうかを判定する工程と、
　前記極大値を検出した後、前記一次差分信号の値の前記極大値に対する割合が所定値以下となり、該所定値以下になったサンプリング回数は前記極大値以後に設定回数以上になった時刻、若しくは
　前記一次差分信号の値の前記極大値に対する割合が前記所定値以下でなかったときのサンプリング回数よりも、前記所定値以下のときのサンプリング回数の方が設定回数以上多くなった時刻を検出する工程と、
　該時刻と前記一次差分信号の値が所定値を越えた時刻との差および前記極大値をもとにオーバー時間を設定し、該オーバー時間の経過により前記試料のプラズマエッチングの終点を判定する工程と
を有することを特徴とするエッチング終点判定方法。」
２）特許法第２９条の２違反について
（ａ）先願明細書
　本件発明１，２，４の特許に対して、当審が平成１１年６月７日付けで通知した取消理由通知において引用した、本件出願日前の出願であって、その出願後に出願公開された特願昭６３−２９３１８６号（特開平２−１３９９２５号公報参照）の願書に最初に添付した明細書及び図面（以下、「先願明細書」という。）には、ドライエッチング工程に用いるエッチング終点検出装置において、多層の被エッチング膜が精度良くエッチング終点検出できるようにした発明が、第１，３，４図とともに開示され、さらに、
　「任意時間Ｔにおける電圧値ＳＩＧ（Ｔ）を読み取って該電圧値の微分値ＤＩＦＦ（Ｔ）を計算し、該微分値ＤＩＦＦ（Ｔ）と微分極大値ＭＡＸ（Ｔ）を比較し、更に、終点検出微分値ＦＬＡＧ（Ｎ）と前記微分値ＤＩＦＦ（Ｔ）と比較しながら、１番目からＮＫ番目までの膜の各々のエッチング終点を順次に検出し、」（公報第１頁右欄第１５行〜第２頁左上欄第１行）、
　「第４図はそのようなエッチング終点検出装置のブロックダイヤグラム図を示しており、・・・動作概要はエッチングチャンバ１１の内部におけるエッチング状態を示す発光強度をデイテクタ１２で受光し、その発光強度の電圧値を検出器１３で電気信号に変換して演算回路計算装置１４に送る。演算回路計算装置１４では増幅・ノイズ除去・微分計算をし、必要な制御信号を出力する。・・・出力した制御信号を制御装置１５に送り、制御装置１５はこれを評価・判断してパワーサプライ１７に電力の支給停止を指示してエッチングを中止する。」（公報第２頁右上欄第６行〜左下欄第１行）、
　「最初に、第１図に示す２層膜の被エッチング膜のエッチング終点を検出する本発明の原理図によって本発明の特徴を説明する。第１図は第６図と同じ図で、同図（ａ）はエッチング時間に対する発光強度曲線、同図（ｂ）はその発光強度曲線の微分波形である。まず、第１図（ｂ）におけるプラス側に突出した微分波形Ａはパワー投入時のもので、これはエッチング判断の開始時刻を設定し、このＡ点をそれ以前としてキャンセルして除去する。計算処理には、常に発光強度の時間微分計算をおこなって第１図（ｂ）に示す微分波形を検出するのであるが、マイナス側に突出した微分波形Ｂに近ずくと微分値が増大して時間Ｔ１で極大になる。この微分極大値をＭＡＸ（１）とし、更に時間が進む（エッチングが進行する）と微分値は減少するが、この時に補正値１／Ｋ（１）を設定して、ＭＡＸ（１）／Ｋ（１）（但しＫ（１）は正数）をエッチング終点にする。・・・この時の１／Ｋ（１），１／Ｋ（２）が補正値で、これはＭＡＸ（１），ＭＡＸ（２）の時点で被エッチング膜の大部分のエッチングが完了しているが、パターンコーナーなどに未だ部分的に残存していることがあるために更に余分のエッチングをおこなう補正である。」（公報第３頁右上欄第１６行〜右下欄第４行）
が、それぞれ記載されている。
（ｂ）対比・判断
　本件発明１：先願明細書には、「電圧値ＳＩＧ（Ｔ）を読み取って該電圧値の微分値ＤＥＩＦＦ（Ｔ９）を計算し、該微分値ＤＩＦＦ（Ｔ）と微分極大値ＭＡＸ（Ｔ）を比較し、更に、終点検出微分値ＦＬＡＧ（Ｎ）と前記微分値ＤＩＦＦ（Ｔ）と比較しながら、１番目からＮＮ番目までの膜の各々のエッチング終点を順次検出し、」と記載されているように、１番目からＮＮ番目までの膜の各々について、サンプリングして計算した微分値ＤＩＦＦ（Ｔ）を終点検出微分値ＦＬＡＧ（Ｎ）と比較することは開示されている。
　しかしながら、各々の膜のサンプリング回数は１回であり、本件発明１のように、「サンプリング回数が極大値以後に設定回数（ｎ＞１）以上になったことにより試料のプラズマエッチングの終点を判定する」構成は備えていないし、プラズマエッチングの終点の判定を設定回数がｎ＞１以上となったこととすることは、単なる設計上の事項にすぎないとすることもできないから、本件発明１は、先願明細書に記載の発明と同一であるとすることはできない。
　本件発明２：本件発明２は、本件発明１を引用する発明であるから、上記本件発明１の場合と同じく先願明細書に記載の発明と同一であるとすることはできない。
　本件発明４：本件発明４は、「一次差分信号の値の極大値に対する割合が所定値以下でなかったときのサンプリング回数よりも、所定値以下のときのサンプリング回数の方が設定回数（ｎ＞１）以上多くなったことにより試料のプラズマエッチングの終点を判定する」構成を有するものであるが、上記本件発明１の場合と同じく、先願明細書に記載の発明は上記構成を備えていないし、プラズマエッチングの終点の判定を設定回数がｎ＞１以上多くなったことにより行うことは、単なる設計上の事項とすることもできないから、本件発明４は、先願明細書に記載の発明と同一であるとすることはできない。
３）同法第２９条第２項違反について
（ａ）引用刊行物１〜３
　引用刊行物１：平成１１年６月７日付けで当審が通知した取消理由で引用した刊行物１の特開昭５６−１１５５３６号公報（甲第２号証）には、半導体装置製造のためのドライエッチング工程において、エッチング反応の終了時点を検出する方法に関する発明が、第１、２図とともに開示され、さらに、
　「このプラズマ光の光量はエッチング反応の量に比例し、またエッチング反応の時間的進行を反映するから、その光量／時間の関係は例えば第１図に示す如くになる。同図において、曲線ａは反応生成物に対応した発光強度、曲線ｂは反応ガス状態・・・に対応した発光強度の変化を示す。・・・そこで、被処理物層の下地層のエッチングを防止するためには、このプラズマ光急減後定常状態となった時、つまり、その特徴的プラズマ光量／反応時間函数の微分値ｃが十分小さくなった時点を検出してただちに反応を停止させる必要がある。さもないとエッチング反応が進みすぎるからである。」（第２頁左上欄第１３行〜右上欄第９行）、
　「このため、前記ｄＯＬ／ｄｔの値に所定のレベル（例えば第１図１）を設け、ｄＯＬ／ｄｔの値が該レベルに達した点ｌｔで当該エッチング反応の終点を判定しようとすると、ｄＯＬ／ｄｔの変化量の小さな場合はその値の前記所望レベルへの到達時間の検出精度が低下してしまう。
　そこで、本発明にあっては、プラズマ発光の光電変換出力の強度が予め設定された一定レベルになるよう、プラズマ発光の光電変換出力回路に増幅器を付設挿入する。このような構成により、被処理量が少ない場合であっても、大きな微分出力を得ることができ、終点検出を容易に且つ正確に行うことができる。
　なお、微分出力は発光光量の変化の前後に前記所望レベルに達するが、該発光光量の変化後に所定レベルに達した時をもってプラズマ反応の終点とする。
　・・・第２図において、・・・１０はフォトダイオード等の光電変換装置であり、上記波長を有する光の光量を電圧に変換して出力する。光電変換装置の出力電圧は、エッチング条件、例えば被エッチング物の数量に連動して利得が自動調節される増幅器を介して自動検出装置の出力装置に導かれる。ここで、電気信号の増幅・検出回路は一般的な回路を使用すればよく、説明を省略する。又、エッチング反応終了時点を遅滞なく検出するためには上記光電変換装置出力電圧の変化を微分することにより明確化することが有利であるから、この光電変換装置の出力電圧は微分回路に導かれ、その最高時を検出し、更に予め設定された第２のレベルに到達した時点をもって終了点とする。かかる第２のレベルは零近傍に設定される。ここにおいても、微分回路は従来技術に属するので、説明を省略する。」（第２頁左下欄第６行〜第３頁右上欄第２行）
が、それぞれ記載されている。
　引用刊行物２：同じく引用した引用刊行物２の特開昭５６−１２９３２５号公報（甲第３号証）には、ドライ・エッチングにおける終点検出方法に関する発明が、第２図とともに開示され、さらに、
　「上記のようなプラズマ・エッチング装置を用いて、例えばアルミニウム（Ａｌ）層の被着された半導体基板を０．１〜０．０１〔Ｔｏｒｒ〕程度の圧を有するハロゲン系のエッチング・ガス、例えば四塩化炭素（ＣＣｌ４）、・・・等に１３．５６〔ＭＨｚ〕２００〜３００〔Ｗ〕程度の高周波を印加して発生せしめたプラズマ中にさらしてＡｌ層のエッチングを行うと、エッチングが開始されると同時にプラズマ放電の中に反応生成ガス中に含まれるＡｌ原子の放電が加わって来る。そこでこのＡｌ原子特有の発光波長の中、例えば３９６〔ｎｍ〕の波長を有する光を干渉フィルタ（第１図６）により選別しフォト・ダイオード（第１図７）により電気信号に変換すると、エッチングの進行に伴うフォト・ダイオードの出力電圧のプロフアイルは第２図に示すようになる。即ち該出力電圧のプロファイルは高周波出力印加ＲＦＯｎすると短時間で急激に上昇しＡｌのエッチングが行われている間は最高の出力電圧Ｖｍａｘ のレベルが維持され、Ａｌのエッチングが終了した時点で出力電圧が急激に低下し１／ｋ・Ｖｍａｘ （ｋは或る常数）の値となる。」（公報第２頁右下欄第１１行〜第３頁左上欄第１３行）、
　「そこで本発明の方法に於いては上記のようなフォト・ダイオードの出力電圧を第４図に示すように、例えば入力端子９からオフセット回路１０，増幅回路１１，ピーク・ホルダ１２，除算回路１３を経て比較回路１４に接続する回路と、増幅回路１１とピークホルダ１２の間から比較回路１４に直かに接続する回路とからなる終点検出装置に入力し、前記フォト・ダイオードの出力電圧がエッチング進行中の電圧レベルに対して所望の比率例えば１／ｋ或るいはｋ倍になるエッチング終点の検出を正確に行い、該終点検出装置からの信号によりエッチングの停止を行う。」（公報第３頁右上欄第１６行〜左下欄８行）
が、それぞれ記載されている。
　引用刊行物３：同じく引用した引用刊行物３の特開昭５６−１１４３２９号公報（甲第４号証）には、ドライエッチング工程に於いて、エッチング反応の終了時点を、自動的に、且つ、簡易に検出する方法に関する発明が、第１〜３図とともに開示され、さらに、
　第３図について、「８は反応管１に設けられた窓であり、９はエッチング反応継続期間中にのみ特徴的に発生又は減少するプラズマ光の波長と同一の波長を有する光のみを選択的に透過する干渉フィルタであり、シリコンを４弗化炭素ガスを用いてエッチングする場合には反応の終了とともに弗素ラジカル（Ｆ＊）からの発光（波長７０４ｎｍ）が増加する。これを例えば透過率５０％以上、半値幅５ｎｍ程の金属膜又は非金属の多層膜からなる干渉フィルタを用いて検出する。１０は光電二次電子増倍管又はフォトダイオード等の光電変換装置であり、上記の波長を有するプラズマ光の光量を電圧に変換して出力する。この出力電圧は一定の時間間隔、すなわち、シリコンを４弗化炭素ガスを用いてエッチングする場合は１〜５秒間隔でサンプリングし、連続する３点における電圧差が１ｍＶ以下になったとき反応が完了したものと判定する。サンプリング方法は従来技術に属するので、説明を省略する。たゞ、ノイズによる小振幅の高調波は反応の全期間に発生するので、サンプリング回路は発光量が急激に変化した後の期間のみ動作させることにする。すなわち、例えば厚さ５，０００オングストロームの多結晶シリコンを４弗化炭素ガスを用いてエッチングする場合は、反応開始後２分〜３分の期間が経過するまでは、サンプリング回路は動作させない。」（公報第２頁左下欄第９行〜右下欄第１４行）
が記載されている。
（ｂ）対比・判断
　本件発明１：引用刊行物１には、プラズマ光量を電圧に変換して、電圧の変化を微分し、その最高時（極大値）を検出した後、微分値が、予め設定された第２のレベルに到達した時点をエッチングの終了点とすることが開示され、また、引用刊行物２には、プラズマ発光の強度がエッチング時における最大強度水準に対して、所定の比率になる点を終点とすることが開示され、さらに、引用刊行物３には、エッチング時のプラズマ光の光量を電圧に変換してサンプリングし、連続する３点における電圧差が１ｍＶ以下になったときにエッチングの完了を判定することが開示されているものの、引用刊行物１〜３に記載のものは、いずれも、本件発明１の構成である、「一次差分信号の値の極大値に対する割合が所定値以下となり、所定値以下になったサンプリング回数が極大値以後に設定回数（ｎ＞１）以上になったことにより試料のプラズマエッチングの終点を判定する」構成を備えていない。
　また、引用刊行物３に記載のものは、連続する３点における電圧差が所定値以下になったときにエッチングの終点を判定するものであって、サンプリング回数はｎ＞１であるものの、エッチングの終点を判定する方法は本件発明１と異なり、本件発明１のように、プラズマエッチングの終点の判定を、極大値以後に設定回数がｎ＞１以上になったことにより行うとすることは、引用刊行物３に記載のものから容易になし得ることはできない。
　そうしてみると、本件発明１は、上記引用刊行物１〜３に記載のものを組み合わせて容易に想到することはできない。
　本件発明２、３：本件発明２、３は、本件発明１を引用する発明であるから、上記本件発明１の場合と同じく上記刊行物１〜３に記載のものから容易に想到することはできない。
　本件発明４：本件発明４は、「一次差分信号の値の極大値に対する割合が所定値以下でなかったときのサンプリング回数よりも、所定値以下のときのサンプリング回数の方が設定回数（ｎ＞１）以上多くなったことにより試料のプラズマエッチングの終点を判定する」構成を有するものであるが、上記本件発明１の場合と同じく、上記引用刊行物１〜３に記載のものは上記構成を備えていないし、また、引用刊行物３に記載のものは、連続する３点における電圧差が所定値以下になったときにエッチングの終点を判定するものであって、プラズマエッチングの終点の判定を、所定値以下でなかったときのサンプリング回数よりも、所定値以下のときのサンプリング回数の方が設定回数がｎ＞１以上多くなったことにより行うことは、引用刊行物３に記載のものから容易になし得ることはできない。
　そうしてみると、本件発明４は、上記引用刊行物１〜３に記載のものを組み合わせて容易に想到することはできない。
　そして、本件発明１〜４は、上記の構成により、エッチングの終点付近における変化の傾きが変わってもエッチングの終点の判定位置のずれを防止することができ、エッチングの終点を正確に判定できるという顕著な効果を奏するものである。
　
（４）むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正請求は特許法第１２０条の４第２項の規定に及び同条の４第３項で準用する同法第１２６条第２〜４項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
［３］異議申立てについて
（１）申立ての理由の概要
　申立人高橋学は、証拠として甲第１〜４号証を提出して、本件発明１〜３は、甲第１号証に記載の発明と同一であって特許法第２９条の２の規定に違反してなされたものであり、また、本件発明１〜５は、甲第２〜４号証に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであって、同法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであるから、本件発明１〜５に係る特許は、同法第１１３条第１項第２号の規定により取り消されるべきである旨、また、本件発明５に係る明細書の記載は不備であって、本件発明５は同法第３６条第３，４項の規定に違反してなされたものであるから、本件発明５に係る特許は同法第１１３条第１項第４号の規定により取り消されるべきである旨、それぞれ主張している。
　
（２）特許法第２９条の２違反について
　本件発明１、２については、上記［２］（３）２）に示したとおり、甲第１号証（上記「先願明細書」に対応する。）に記載の発明と同一であるとすることはできない。　また、本件発明３については、「電気信号の二次差分信号を演算し、二次差分信号の値が設定値を越えたときから一次差分信号の値の極大値の検出を開始する」構成が甲第１号証には記載されていないし、また、上記構成は適宜になし得る単なる設計的事項とも認められないから、甲第１号証に記載の発明と同一であるとすることはできない。
　
（３）同法第２９条第２項違反について
　本件発明１〜４：本件発明１〜４については、上記［２］（３）３）において記載したとおり、甲第２〜４号証（上記刊行物１〜３に対応する。）に記載の発明から容易に想到することはできない。
　本件発明５：本件発明５については、本件発明５と上記甲第２〜４号証に記載の発明を対比すると、甲第２号証には、プラズマ光量を電圧に変換して、電圧の変化を微分し、その最高時（極大値）を検出した後、微分値が、予め設定された第２のレベルに到達した時点をエッチングの終了点とすることが開示され、また、甲第３号証には、プラズマ発光の強度がエッチング時における最大強度水準に対して、所定の比率になる点を終点とすることが開示され、さらに、甲第４号証には、エッチング時のプラズマ光の光量を電圧に変換してサンプリングし、連続する３点における電圧差が１ｍＶ以下になったときにエッチングの完了を判定することが開示されているものの、本件発明５の構成である、「一次差分信号の値の極大値に対する割合が所定値以下でなかったときのサンプリング回数よりも、所定値以下のときのサンプリング回数の方が設定回数以上多くなった時刻を検出する工程と、該時刻と一次差分信号の値が所定値を越えた時刻との差および極大値をもとにオーバー時間を設定し、該オーバー時間の経過により試料のプラズマエッチングの終点を判定する工程」の点については何らの記載も示唆もない。
　申立人は、例えば、甲第２号証（「甲第１号証」は誤記。）の第１図等に、微分信号が零近傍の所定レベルとなった１ｔの僅か後に反応生成物に対応した発光強度が零となることが示されているように、微分信号等によって、エッチングの終点が近付いていることが検出された後、さらに所定時間の経過を待ってエッチングを終了する技術は、周知、慣用のものである旨主張している。
　しかしながら、上記甲第２号証の第１図には、たしかに微分信号がエッチング反応の終了点である所定レベルとなった時点１ｔの後に、反応生成物に対応した発光強度がほぼ零となることが示され、また、同号証には、微分値ｃが十分小さくなった時点を検出してただちに反応を停止させる必要があることが記載されているものの、微分信号がエッチング反応終了時点である所定レベルとなった後、さらに所定時間経過後にエッチングの終了を判定することは何も示されていないし、上記技術が周知、慣用のものであるとすることもできないから、オーバー時間の経過によりプラズマエッチングの終点を判定する上記の点については、当業者が容易に想到できるものではない。
　
（４）明細書の記載不備について
　申立人は、特許明細書の請求項５の構成である、「 該時刻と一次差分信号の値が所定値を越えた時刻との差および極大値をもとにオーバー時間を設定し、該オーバー時間の経過により試料のプラズマエッチングの終点を判定する工程」において、上記「該時刻」と一次差分信号の値が所定値を越えた時刻との差および極大値をもとに、どのようにして「オーバー時間」を設定するのかについての具体的な説明がなされておらず、２つの時刻の差の長短や、極大値の大小等の相違によって、如何にして「オーバー時間」を設定するかということは、当業者にとって自明な事項とも思われないから、本件特許明細書の記載は不備であって、特許法第３６条第３，４項の規定を満たさない旨主張している。
　しかしながら、本件訂正明細書（第６頁第３〜７行）に記載されているように、エッチングの終点と判定した時刻ｔＥから所定のオーバーエッジ時間経過後にプラズマ印加する電源をＯＦＦする処理等を行っていることからみて、どのような終点処理を行うかによって、適宜に「オーバー時間」を設定できることは明らかであり、本件特許明細書の記載が不備であるとは認められない。
　
［５］むすび
　以上のとおりであるから、特許異議の申立ての理由及び証拠によっては本件発明１〜５の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明１〜５の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年４月１７日（２０００．４．１７）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
（１）特許請求の範囲の減縮及び明りょうでない記載の釈明を目的として、特許明細書の請求項１に記載の、「前記一次差分信号の値の極大値を検出する工程」、「所定値以下となる、そのサンプリング回数」及び「設定回数以上」を、それぞれ、「プラズマ発生後の発光光量の電気信号の値が略一定若しくは略一定勾配になる時刻以降であって前記一次差分信号の値の極大値を検出する工程」、「所定値以下となり、該所定値以下になったサンプリング回数」及び「設定回数（ｎ＞１）以上」と訂正する。
恥６
（２）特許請求の範囲の減縮及び明りょうでない記載の釈明を目的として、同請求項４に記載の、「前記一次差分信号の値の極大値を検出する工程」及び「設定回数以上」を、それぞれ、「プラズマ発生後の発光光量の電気信号の値が略一定若しくは略一定勾配になる時刻以降であって前記一次差分信号の値の極大値を検出する工程」及び「設定回数（ｎ＞１）以上」と訂正する。
（３）明りょうでない記載の釈明を目的として、同請求項５に記載の、「所定値以下となる、そのサンプリング回数」を、「所定値以下となり、該所定値以下になったサンプリング回数」と訂正する。
（４）誤記の訂正及び明りょうでない記載の釈明を目的として、特許明細書（特許掲載公報第４欄７、１０行）の「Ｄ１Ｆ」を、「ＤＩＦ」と訂正し、同明細書（同公報第４欄３７〜４０行）の「該一次差分信号の値の・・・設定回数以上になったこと」を、「プラズマ発生後の発光光量の電気信号の値が略一定若しくは略一定勾配になる時刻以降に該一次差分信号の値の極大値を検出して該極大値を検出した後、、一次差分信号の値の極大値に対する割合が所定値以下となり、該所定値以下となったサンプリング回数が極大値以後に設定回数（ｎ＞１）以上になったこと」と訂正し、同明細書（同公報第４欄４６行）の「設定回数以上多く」を、「設定回数（ｎ＞１）以上多く」と訂正し、同明細書（同公報第５欄１〜２行）の「割合が所定値以下となる、そのサンプリング回数」を、「割合が所定値以下となり、該所定値以下になったサンプリング回数」と訂正し、さらに、同明細書（同公報第５欄３６行）の「一次差分波ｂ１」を、「一次差分波形ｂ１」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
エッチング終点判定方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】
　試料のガスプラズマエッチング時に生じる発光の光量を電気信号に変換する工程と、
　前記電気信号の一次差分信号を演算する工程と、
　
プラズマ発生後の発光光量の電気信号の値が略一定若しくは略一定勾配になる時刻以降であって
　前記極大値を検出した後、前記一次差分信号の値の前記極大値に対する割合が所定値以下とな
り、核所定値以下になった
（ｎ＞１）
を有することを特徴とするエッチング終点判定方法。
　【請求項２】
　請求項１記載のエッチング終点判定方法において、前記一次差分信号の極大値は、前記一次差分信号の値が設定値を越えたときから前記極大値の検出を開始するエッチング終点判定方法。
　【請求項３】
　請求項１記載のエッチング終点判定方法において、前記電気信号の二次差分信号を演算し、該二次差分信号の値が設定値を越えたときから前記一次差分信号の値の極大値の検出を開始するエッチング終点判定方法。
　【請求項４】
　試料のガスプラズマエッチング時に生じる発光の光量を電気信号に変換する工程と、
　前記電気信号の一次差分信号を演算する工程と、
　
プラズマ発生後の発光光量の電気信号の値が略一定若しくは略一定勾配になる時刻以降であって
　前記極大値を検出した後、前記一次差分信号の値の前記極大値に対する割合が所定値以下となったかどうかを判定する工程と、
　前記一次差分信号の値の前記極大値に対する割合が前記所定値以下でなかったときのサンプリング回数よりも、前記所定値以下のときのサンプリング回数の方が設定回数
（ｎ＞１）
を有することを特徴とするエッチング終点判定方法。
　【請求項５】
　試料のガスプラズマエッチング時に生じる発光の光量を電気信号に変換する工程と、
　前記電気信号の一次差分信号を演算する工程と、
　前記一次差分信号の値の極大値を検出する工程と、
　前記極大値を検出した後、前記一次差分信号の値の前記極大値に対する割合が所定値以下となったかどうかを判定する工程と、
　前記極大値を検出した後、前記一次差分信号の値の前記極大値に対する割合が所定値以下とな
り、核所定値以下になった
　前記一次差分信号の値の前記極大値に対する割合が前記所定値以下でなかったときのサンプリング回数よりも、前記所定値以下のときのサンプリング回数の方が設定回数以上多くなった時刻を検出する工程と、
　該時刻と前記一次差分信号の値が所定値を越えた時刻との差および前記極大値をもとにオーバー時間を設定し、該オーバー時間の経過により前記試料のプラズマエッチングの終点を判定する工程と
を有することを特徴とするエッチング終点判定方法。
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
　本発明は、エッチング終点判定方法に係り、特に半導体素子基板，ディ
スク基板等の試料のガスプラズマエッチングの終点を発光法により判定するのに好適なエッチング終点判定方法に関するものである。
〔従来の技術〕
　試料のガスプラズマエッチングの終点を発光法により判定する方法としては、従来、例えば、特開昭５６−１１５５３６号公報に記載のような、光電変換後の信号の一次微分をとり、該一次微分値の振幅が最大となった後に設定振幅となった時点をエッチングの終点と判定する方法や、例えば、特開昭６０−６２１２７号公報に記載のような、光電変換後の信号の二次微分をとり、該二次微分値が設定値となった時点をエッチングの終点と判定する方法が知られている。
〔発明が解決しようとする課題〕
　上記従来技術で前者の技術では、入力信号の振幅が変動するとエッチングの終点の判定点が大きくずれる欠点があり、プラズマエッチング装置においては入力信号が経時的に変化してゆくことを考え合わせると、エッチングの終点を正確に判定することが難しいといった問題がある。
　また、上記従来技術で後者の技術では、二次微分をリアルタイムで取ることはノイズの影響が大きくなって困難であり、実際的には、所定間隔での一次差分をとり、さらに所定間隔での一次差分の差をとることで二次差分を求めて二次微分の代用とされている。この場合、本発明の発明者の知見によれば、入力波形の傾きの変化によりエッチングの終点の判定点が大幅にずれる欠点があることが解った。
　即ち、第６図に示すように、サンプリング周期（Ｔｓ）でサンプリングした信号Ｆ（ｔｎ）に対して一次差分間隔ｉを設定して、まず、一次差分
ＤＩＦ
　
ＤＩＦ
　ＱＤＦ（ｔｎ）＝Ｄ１Ｆ（ｔｎ〉−Ｄ１Ｆ（ｔｎ−ｊ）・・・・・（２）
　ｉ＝ｊ＝ＤＴとし、第７図に示す模擬入力波形の立下り時定数をτ０とした時の、二次差分波形が負から正になる時間Ｔ２，二次差分波形が正で最大となる時間Ｔ３，二次差分波形が正で最大となる時の振幅Ｖ２ＭＡＸをＴｓ×ＤＴ／τ０でプロットした例を第８図に示す。通常のエッチングにおける終点としては、第８図に▲Ａ▼で示したＴｓ×ＤＴ／τ０→０の時のＴ３の値若しくは該値付近で判定することが必要である。しかし、第８図に示すようにＴｓ×ＤＴ／τ０→０とするとＶ２ＭＡＸ→０となり、ノイズの影響等によりエッチングの終点の安定な判定は困難である。従って、Ｔｓ×ＤＴ／τ０としては、第８図に▲Ｂ▼で示したように大きくする必要がある。しかしながら、この場合、第６図の演算において、有限の差分間隔による遅れによりＴ３／τ０の値は、第８図の▲Ａ▼点より大幅に増加する。Ｔ２／τ０の点を終点と判定すれば▲Ａ▼の近傍に設定することはできるが、しかし、入力波形の傾きが変化した場合には、Ｔｓ×ＤＴ／τ０が変化し、終点の相対位置Ｔ２／τ０が大幅に変化する。
　本発明の目的は、入力波形の振幅や傾きによるエッチングの終点の判定位置のずれを防止することで、エッチングの終点を正確に判定できるエッチング終点判定方法を提供することにある。
〔課題を解決するための手段〕
　上記目的は、試料のガスプラズマエッチング時に生じる発光の光量を電気信号に変換して、該電気信号の一次差分信号を演算し、
プラズマ発生後の発光光量の電気信号の値が略一定若しくは略一定勾配になる時刻以降に
り、核所定値以下になった
（ｎ＞１）
　また、極大値を検出した後、一次差分信号の値の極大値に対する割合が所定値以下でなかったときのサンプリング回数よりも、所定値以下のときのサンプリング回数の方が設定回数
（ｎ＞１）
　さらに、極大値を検出した後、一次差分信号の値の極大値に対する割合が所定値以下となったかどうかを判定し、一次差分信号の値の極大値に対する割合が所定値以下とな
り、核所定値以下になった
〔作用〕
　上述のように、一次差分信号の値の極大値に対する割合が所定値以下となる、そのサンプリング回数が極大値以後に設定回数以上になる、または一次差分信号の値の極大値に対する割合が所定値以下でなかったときのサンプリング回数よりも、所定値以下のときのサンプリング回数の方が設定回数以上多くなることによって、エッチングの終点を判定するので、安定な判定が得られる。すなわち、第８図にＴ１／τ０のＴｓ×ＤＴ／τ０に対する依存性を示す。入力波形にっても異なるが、Ｔ３／τ０やＴ２／τ０に対する依存性に比べ数分の１に減少する。このため入力波形の傾きτ０に対するエッチングの終点の相対的位置の変動は大幅に少なくなり、安定な動作が得られる。また、一次差分波形の最大振幅に対する比率によりエッチングの終点を判定するため、入力信号の振幅の変動によるエッチングの終点の相対的位置の変動は、基本的に生じない。
〔実施例〕
　以下、本発明の一実施例を第１図〜第５図により説明する。
　第１図は、試料のプラズマエッチング時に生じる発光の中から選択された特定波長の発光の光量（以下、プラズマ光量と略）が、エッチングの終点付近において減少する場合の例を示す。
　第１図で、プラズマ光量の曲線ａ１に対してその一次差分
波形
　第２図は、プラズマ光量が、エッチングの終点付近において増加する場合の例を示す。
　第２図で、プラズマ光量ａ２に対してその一次差分波形ｂ２をコンピュータで演算する。曲線ａ２の値が、略一定若しくは略一定勾配になる時刻ｔＬ以降であることと、曲線ｂ２の値が、コンピュータに予め設定された設定値ＶＴ２以上であることとを満たした時刻ｔＡより、曲線ｂ２の極大値の検出を開始する。曲線ｂ２の極大値ＶＭＡＸ２を検出後、曲線ｂ２の値がＰ・ＶＭＡＸ２以下になった時刻ｔＥを終点と判定し、その後、終点処理を行う。終点処理としては、所定のオーバーエッチ時間経過後、プラズマに印加する電源をＯＦＦする処理等を行う。
　第３図は、第１図と同一のプラズマ光量の曲線ａ１が入力された時、一次差分と共に二次差分を求め、二次差分波形ｃ１の値により極大値の検出を開始する場合を示す。時刻ｔＬにおける曲線ａ１の傾きが大きい場合には、第１図での方法に比べ、この場合で誤判定が少なくなる。第３図で、一次差分曲線ｂ１の極大値ＶＭＡＸ１を検知後、曲線ｂ１の値が、Ｐ・ＶＭＡＸ１以上になった時刻ｔＥを終点と判定し、所定のオーバーエッチ時間経過後、プラズマに印加する電源をＯＦＦする。
　例えば、第１図で、一次差分波形ｂ１にノイズが乗っている場合には、
曲線ｂ１が、Ｐ・ＶＭＡＸ１以上になる点をもってエッチングの終点と判定するより、設定回数連続して曲線ｂ１が、Ｐ・ＶＭＡＸ１以上になった点をもってエッチングの終点と判定する方が、安定な判定が得られる場合がある。その場合のフロー例を第４図に示す。第４図は、プラズマ光量の電気信号（プラズマ光信号）をサンプリング毎に処理するフローである。
　第４図で、ノイズ除去処理を行った後に、一次差分（ＤＩＦ），二次差分（ＱＤＦ）の算出を行う。エッチングの反応時間がｔＬを経過していれば、ＱＤＦ−ＶＴ３が≦０、つまり、ＱＤＦ−ＶＴ３が正から負に変化したかどうかを判定する。ＱＤＦ−ＶＴ３が≦０であれば、ＤＩＦが極大値を通過したかどうかを判定する。ＤＩＦが極大値を通過した後であれば、｜ＤＩＦ｜≦Ｐ・ＶＭＡＸ１となったかどうかを判定する。｜ＤＩＦ｜≦Ｐ・ＶＭＡＸ１となっていない場合はＮ＝０とし、｜ＤＩＦ｜≦Ｐ・ＶＭＡＸ１となった場合は、Ｎを一つ増加する。このＮがＮＥ以上となれば、エッチングの終点と判定してオーバーエッチ等の終点判定処理を行う。すなわち、極大値を検出した後、一次差分信号の値の極大値に対する割合が所定値以下となったかどうかを判定し、一次差分信号の値の極大値に対する割合が所定値以下となる、そのサンプリング回数が極大値以後に設定回数以上になったことにより、エッチングの終点を判定する。
　第５図は、上記の｜ＤＩＦ｜≦Ｐ・ＶＭＡＸ１となる確率が設定確率以上の確率となった時をもってエッチングの終点と判定する場合のフロー例で、
率以上となれば、エッチングの終点と判定してオーバーエッチ等の終点判定処理を行う。すなわち、極大値を検出した後、一次差分信号の値の極大値に対する割合が所定値以下でなかったときのサンプリング回数よりも、所定値以下のときのサンプリング回数の方が設定回数以上多くなった時刻を検出して、該時刻と一次差分信号の値が所定値を越えたことによって、エッチングの終点を判定する。
　なお、第４図または第５図に示したエッチングの終点判定方法をもとに、極大値を検出した後、一次差分信号の値の極大値に対する割合が所定値以下となったかどうかを判定し、一次差分信号の値の極大値に対する割合が所定値以下となる、そのサンプリング回数が極大値以後に設定回数以上になった時刻、若しくは一次差分信号の値の極大値に対する割合が所定値以下でなかったときのサンプリング回数よりも、所定値以下のときのサンプリング回数の方が設定回数以上多くなった時刻を検出して、該時刻と一次差分信号の値が所定値を越えた時刻との差および極大値をもとにオーバー時間を設定し、該オーバー時間の経過により試料のプラズマエッチングの終点を判定するようにしても良い。
　本実施例によれば、次のような効果が得られる。
　（１）入力波形の振幅や傾き、つまり、プラズマ光量の変化やエッチングの終点付近における変化の傾きが変わってもエッチングの終点の判定位置のずれを防止することができ、エッチングの終点を正確に判定できる。
　（２）入力波形の振幅や傾きによらずエッチングの終点を正確に判定できるので、試料のプラズマエッチングにおけるプロセス制御を高精度に行うことができる。
〔発明の効果〕
　本発明によれば、入力波形の振幅や傾きによるエッチングの終点の判定位置のずれを防止できるので、エッチングの終点を正確に判定できるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
　第１図ないし第５図は、本発明の一実施例を示すもので、第１図ないし第３図は、タイミング模式図、第４図，第５図は、終点判定フロー例図、第６図は、一次差分，二次差分の説明模式図、第７図は、波形各部の略号の説明模式図、第８図は、特性曲線の例を示す模式図である。
　ａ１，ａ２・・・・・プラズマ光量、ｂ１，ｂ２・・・・・一次差分、ｃ１・・・・・二次差分、ＶＭＡＸ１・・・・・一次差分の極大値、ＶＭＡＸ２・・・・・一次差分の極大値