【事件の表示】
　特許第２６８５１５８号「半導体素子収納用パッケージの製造方法」の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結論】
　訂正を認める。
　特許第２６８５１５８号の特許を維持する。
【理由】
１．手続の経緯
　本件特許第２６８５１５８号（以下、本件特許という。）は、平成３年９月２４日に出願された特許出願（特願平３−２４３３５４号）（以下、本件出願という。）に係り、平成９年８月１５日に設定登録されたもので、その後日本特殊陶業株式会社から特許異議の申立がされ、当審において検討の結果、取消理由の通知がされたところ、その指定期間内に特許異議意見書及び訂正請求書が提出され、更に当審において、訂正拒絶理由の通知がされ、その指定期間内に意見書及び訂正請求書の手続補正書が提出されたものである。
２．訂正請求書の手続補正について
（１）当該補正の内容
　訂正請求書の「訂正の要旨」における特許請求の範囲の訂正を、以下のように補正すると共に、その他の訂正請求書の記載については、当該補正書の「補正の内容」に記載のとおりに補正し、この補正内容のとおりに全文訂正明細書を補正するものである。
「【請求項１】
　半導体素子が載置固定される矩形状絶縁基体に、前記半導体素子の各電極が接続され、且つ外部リードピンがロウ付けされる複数個のメタライズ配線層を設けるとともに各メタライズ配線層の一部を矩形状絶縁基体の各側辺に分割して導出される工程と、
　前記矩形状絶縁基体に、該矩形状絶縁基体の隣接する各側辺に導出し、かつ前記メタライズ配線層に対し非導通である予備メタライズ配線層を設ける工程と、
　前記矩形状絶縁基体の側辺端部を除いた各側辺に共通導体を被着させ、矩形状絶縁基体の各側辺に導出されたメタライズ配線層及び予備メタライズ配線層の各々を共通に電気的接続する工程と、
　前記共通導体で電気的に接続されたメタライズ配線層の露出表面及び各メタライズ配線層にロウ付けされた外部リードピン表面に電解メッキ方法によりメッキ金属層を層着させる工程と、
　前記メタライズ配線層の露出表面及び外部リードピン表面にメッキ金属層を層着させた後、矩形状絶縁基体の各側辺を研磨し、共通導体を除去して各メタライズ配線層を電気的に独立させる工程とを含む半導体素子収納用パッケージの製造方法。」
（２）当該補正の適否
　前記のように、特許請求の範囲を補正することは、特許請求の範囲の減縮を目的とするものと認められ、その他の補正は、この特許請求の範囲の補正に伴い、不整合となった箇所の補正で、明りょうでない記載の釈明を目的とするものと認められる。そして、これら補正は、全文訂正明細書に記載された事項の範囲内であって、しかも全文訂正明細書の特許請求の範囲を実質的に拡張又は変更するものとも認められないので、当該補正は、認められるものである。
３．訂正請求について
（１）訂正の内容
　上記補正が認められることにより、本件訂正は、特許請求の範囲を前記補正する内容に訂正するものであり、その他の特許明細書の訂正は、前記手続補正書に添付の補正後の訂正請求書の「訂正の要旨」に記載のとおりに訂正するものである。
（２）訂正の適否
　特許請求の範囲を前記の（補正された）ように訂正することは、特許請求の範囲の減縮を目的とし、その他特許明細書を前記のように訂正することは、特許請求の範囲を前記のように訂正することにより不整合となった箇所の訂正で、明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。そして、これら訂正は、特許明細書に記載された事項の範囲内であり、しかも特許請求の範囲を実質的に拡張又は変更するものとは認められない。
　ところで、当審の通知した訂正拒絶理由の概要は、補正前の訂正後の特許請求の範囲に記載された事項により構成される発明、即ち補正前の訂正発明は、本件特許出願前の特許出願であって本件特許出願後に出願公開されたされた特願平３−２１４９１７号の特許出願の願書の最初に添付した明細書又は図面に記載された発明（特開平５−５５７２８号公報参照）（以下、先願発明という。）と同一（特に、第６図参照）であって、前記訂正発明の発明者と先願発明の発明者とは同一でなく、又本件出願のとき本件出願人と前記特許出願の出願人とは同一でないので、前記訂正発明は、特許法第２９条の２第１項の規定により、本件出願の際独立して特許を受けることができないというものである。
　そこで、先願発明と、前記補正が認められた本件訂正後の特許請求の範囲に記載された事項により構成される発明（以下、補正後の訂正発明という。）と比較すると、
「半導体素子が載置固定される矩形状絶縁基体に、前記半導体素子の各電極が接続され、且つ外部リードピンがロウ付けされる複数個のメタライズ配線層を設けるとともに各メタライズ配線層の一部を矩形状絶縁基体の各側辺に分割して導出される工程と、
　前記矩形状絶縁基体に、該矩形状絶縁基体の隣接する各側辺に導出した予備メタライズ配線層を設ける工程と、
　前記矩形状絶縁基体の側辺端部を除いた各側辺に共通導体を被着させ、矩形状絶縁基体の各側辺に導出されたメタライズ配線層及び予備メタライズ配線層の各々を共通に電気的接続する工程と、
　前記共通導体で電気的に接続されたメタライズ配線層の露出表面及び各メタライズ配線層にロウ付けされた外部リードピン表面に電解メッキ方法によりメッキ金属層を層着させる工程と、
　前記メタライズ配線層の露出表面及び外部リードピン表面にメッキ金属層を層着させた後、矩形状絶縁基体の各側辺を研磨し、共通導体を除去して各メタライズ配線層を電気的に独立させる工程とを含む半導体素子収納用パッケージの製造方法。」
という点において両者一致するが、先願発明は、補正後の訂正発明のように、予備メタライズ配線層を前記メタライズ配線層に対し非導通であるようにしたものではない。そして、補正後の訂正発明は、この点を有することにより、補正後の全文訂正明細書記載の格別の効果を奏するものと認められる。
　そうすると、補正後の訂正発明は、先願発明とは相違するものであり、前記訂正拒絶理由によっては、本件出願の際独立して特許を受けられないとすることができない。
　そして、後述するように、前記取消理由及び特許異議の申立理由によっても同様であって、その他補正後の訂正発明が、本件出願の際、独立して特許を受けることでできないとする理由を発見しない。
　したがって、補正後の訂正発明は、本件出願の際、独立して特許を受けることができるものである。
　以上のことから、本件訂正請求は、特許法第１２０条の４第２項ただし書き及び同条第３項により準用する同法第１２６条第２〜４項の訂正に関する規定が、平成６年法律第１１６号附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされることから適用される、平成５年特許法第１２６条第１項ただし書き、第２項及び第３項の規定に適合するので、当該訂正は認められるものである。
４．特許異議の申立について
（１）本件特許に係る発明について
　本件特許に係る発明は、前記訂正が認められることから、前記「当該補正の内容」の項で記載した事項を必須の構成とする発明（以下、本件発明という。）と認められる。
（２）取消理由について
　前記取消理由は二つあり、その一つの概要は、前記訂正拒絶理由と同じであり、他の理由の概要は、本件発明は、下記の刊行物２〜６に記載された発明に基づき当業者が容易に発明をすることができたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないというものである。
　　　　　　　　　　記
刊行物２：発明協会公開技報［公技８９−１９６３３」（１９８９年１２月２０日発行）
刊行物３：実公昭６２−４０４４４号公報
刊行物４：特開昭６０−５５４６公報
刊行物５：特開昭６１−２４４０５７公報
刊行物６：特開昭６３−２７２０６１公報
　そこで、これら理由を検討すると、第１の理由は、前記訂正の適否において説示したことから、この理由により、本件発明が特許を受けることができないとすることができないことは明らかである。
　また、第２の理由における各刊行物に記載された事項をみてみると、
（刊行物２）
▲１▼「セラミックパッケージのステッチ、・・・にＮｉメッキ、Ａｕメッキを行なうために、セラミックパッケージ端面までパッケージの内部配線を引き出し、そこにメタルフィルムを貼り、それを電極として、ステッチ、・・・にメッキした後、メタルフィルムを除去していた。」という記載がある。（第１頁左欄第５〜１１行）
▲２▼本件発明でいう「矩形状絶縁基体に、該矩形状絶縁基体の隣接する各側辺に導出し、かつメタライズ配線層に対し非導通である予備メタライズ配線層を設け」たものが記載されている（第５図）
（刊行物３）
　本件発明の基体、外部リードピン、メタライズ配線層及び共通導体に対応する基板１、リードピン２、メタライズ配線４及び電極５が記載されている。
（刊行物４）
　外部端子リード２と基板３の側面に鉢巻状に形成した導電パターン６とを導電路４を介して接続し、該リード２をメッキした後、該パターン６を除去するものが記載されている。
（刊行物５、６）
　ロー付け固定された外部リードピンの表面をＮｉ、Ａｕでメッキしたものが記載されている。
　と認められる。
　そして、本件発明とこれら刊行物２〜６に記載されたものと比較すると、これら刊行物には、本件発明の「矩形状絶縁基体の側辺端部を除いた各側辺に共通導体を被着させ、矩形状絶縁基体の各側辺に導出されたメタライズ配線層及び予備メタライズ配線層の各々を共通に電気的接続する」ことの記載はなく、これを示唆する記載もない。そして、本件発明は、この構成を有することにより、これら刊行物記載のものから予期できない明細書記載の格別の効果を奏するものと認められる。
　そうすると、本件発明は、これら刊行物記載のものから当業者が容易に発明をすることができたものとすることができない。
　以上のことから、本件特許を、前記取消理由によって、取り消すことはできない。
（３）特許異議の申立理由
　該理由は、前記取消理由と同じであることから、前記取消理由についての項で説示したことから、この理由によって、本件特許を取り消すことはできない。
５．結語
　以上のことから、本件特許は、前記異議の申立理由及び提出された証拠方法によって、また前記取消理由によっては、取り消すことができない。
　また、他に本件特許を取り消す理由を発見しない。
　よって、結論のとおりに決定する。
【異議決定日】
平成１１年６月３０日（１９９９．６．３０）
【訂正の要旨】
　訂正の要旨
　特許請求の範囲の記載を、
「半導体素子が載置固定される矩形状絶縁基体に、前記半導体素子の各電極が接続され、且つ外部リードピンがロウ付けされる複数個のメタライズ配線層を設けるとともに各メタライズ配線層の一部を矩形状絶縁基体の各側辺に分割して導出させる工程と、
　前記矩形状絶縁基体に、該矩形状絶縁基体の隣接する各側辺に導出
し、かつ前記メタライズ配線層に対し非導通である
　前記矩形状絶縁基体の側辺端部を除いた各側辺に共通導体を被着させ、矩形状絶縁基体の各側辺に導出されたメタライズ配線層及び予備メタライズ配線層の各々を共通に電気的接続する工程と、
　前記共通導体で電気的に接続されたメタライズ配線層の露出表面及び各メタライズ配線層にロウ付けされた外部リードピン表面に電解メッキ方法によりメッキ金属層を層着させる工程と、
　前記メタライズ配線層の露出表面及び外部リードピン表面にメッキ金属層を挿着させた後、矩形状絶縁基体の各側辺を研磨し、共通導体を除去して各メタライズ配線層を電気的に独立させる工程
とを含む半導体素子収納用パッケージの製造方法。」と訂正する。
　また、これに伴い、特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載との整合を図るため明瞭でない記載の釈明を目的として、請求書に添付された訂正明細書のとおり訂正する。即ち、
　特許第２６８５１５８号公報第２頁４欄３行目〜２１行目の記載を、
「本発明の半導体素子収納用パッケージの製造方法は、半導体素子が載置固定される矩形状絶縁基体に、前記半導体素子の各電極が接続され、且つ外部リードピンがロウ付けされる複数個のメタライズ配線層を設けるとともに各メタライズ配線層の一部を矩形状絶縁基体の各側辺に分割して導出させる工程と、前記矩形状絶縁基体に、該矩形状絶縁基体の隣接する各側辺に導出
し、かつ前記メタライズ配線層に非導通である
側辺端部を除いた
（５４）【発明の名称】
半導体素子収納用パッケージの製造方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】
　半導体素子が載置固定される矩形状絶縁基体に、前記半導体素子の各電極が接続され、且つ外部リードピンがロウ付けされる複数個のメタライズ配線層を設けるとともに各メタライズ配線層の一部を矩形状絶縁基体の各側辺に分割して導出させる工程と、
　前記矩形状絶縁基体に、該矩形状絶縁基体の隣接する各側辺に導出し、かつ前記メタライズ配線層に対し非導通である予備メタライズ配線層を設ける工程と、
　前記矩形状絶縁基体の側辺端部を除いた各側辺に共通導体を被着させ、矩形状絶縁基体の各側辺に導出されたメタライズ配線層及び予備メタライズ配線層の各々を共通に電気的接続する工程と、
　前記共通導体で電気的に接続されたメタライズ配線層の露出表面及び各メタライズ配線層にロウ付けされた外部リードピン表面に電解メッキ方法によりメッキ金属層を層着させる工程と、
　前記メタライズ配線層の露出表面及び外部リードピン表面にメッキ金属層を層着させた後、矩形状絶縁基体の各側辺を研磨し、共通導体を除去して各メタライズ配線層を電気的に独立させる工程
とを含む半導体素子収納用パッケージの製造方法。
【発明の詳細な説明】
　【産業上の利用分野】
　本発明は半導体素子を収容する半導体素子収納用パッケージの製造方法に関するものである。
　【従来の技術】
　従来、半導体素子、例えば多数の電極を有するゲートアレイ型半導体素子を収容するプラグイン型半導体素子収納用パッケージは、アルミナセラミックス等の電気絶縁材料から成り、上面略中央部に半導体素子を収容するための凹部及び該凹部周辺から底面にかけて導出された多数のメタライズ配線層を有する矩形状絶縁基体と、半導体素子を外部電気回路に電気的に接続するために前記メタライズ配線層に銀ロウ等のロウ材を介しロウ付けされた外部リードピンと、蓋体とから構成されており、絶縁基体の凹部内に半導体素子を取着収容するとともに該半導体素子の各電極をボンディングワイヤを介してメタライズ配線層に接続し、しかる後、絶縁基体上面に蓋体を封止材を介して取着させ、絶縁基体と蓋体とから成る容器内部に半導体素子を気密に封止することによって最終製品としての半導体装置となる。
　尚、この従来のプラグイン型半導体素子収納用パッケージでは、メタライズ配線層及び外部リードピンが酸化腐食するのを防止するために、また外部リードピンと外部電気回路との電気的接続を良好となすために通常、前記メタライズ配線層及び外部リードピンの露出する外表面にはニッケル、金等の良導電性で、且つ耐蝕性に優れた金属がメッキ方法により層着されている。
　またかかるプラグイン型半導体素子収納用パッケージは各メタライズ配線層及び外部リードピンが個々に独立しているためこれら全てのメタライズ配線層及び外部リードピン表面にメッキ金属層を層着させる際には、その作業性を考慮して以下の方法が採用される。。
　即ち、
（１）外部リードピンがロウ付けされた各メタライズ配線層の一部を矩形状絶縁基体の各側辺に導出させる、
（２）次に絶縁基体の側辺全周に共通導体を被着させ、該共通導体によって全てのメタライズ配線層を電気的に接続する、
（３）次にメタライズ配線層及び外部リードピンの外表面に電解メッキ方法によりメッキ金属層を層着させる、
（４）最後に共通導体を研磨除去し、各外部リードピンがロウ付けされたメタライズ配線層を電気的に独立させ、
これによって全てのメタライズ配線層及び外部リートピンの露出する外表面に一度にメッキ金属層を層着させる。
　【発明が解決しようとする課題】
　しかしながら、この従来のプラグイン型半導体素子収納用パッケージでは絶縁基体が矩形形状を成し、各側辺の端部に約９０゜の角張った角部が存在することから全てのメタライズ配線層及び外部リードピンの露出する外表面に一度にメッキ金属層を層着させるために外部リードピンがロウ付けされたメタライズ配線層の各々の一部を絶縁基体の各側辺に導出させるとともに該導出されたメタライズ配線層を絶縁基体の側辺全周に被着させた共通導体で電気的に接続させる際、共通導体が前記絶縁基体の角部で断線を発生してしまい、その結果、外部リードピンがロウ付けされたメタライズ配線層の電気的接続が不可となって全てのメタライズ配線層及び外部リードピンの外表面に一度にメッキ金属層を層着させるこができないという欠点を有していた。
　【課題を解決するための手段】
　本発明の半導体素子収納用パッケージの製造方法は、
　半導体素子が載置固定される矩形状絶縁基体に、前記半導体素子の各電極が接続され、且つ外部リードピンがロウ付けされる複数個のメタライズ配線層を設けるとともに各メタライズ配線層の一部を矩形状絶縁基体の各側辺に分割して導出させる工程と、
　前記矩形状絶縁基体に、該矩形状絶縁基体の隣接する各側辺に導出し、かつ前記メタライズ配線層に対し非導通である予備メタライズ配線層を設ける工程と、
　前記矩形状絶縁基体の側辺端部を除いた各側辺に共通導体を被着させ、矩形状絶縁基体の各側辺に導出されたメタライズ配線層及び予備メタライズ配線層の各々を共通に電気的接続する工程と、
　前記共通導体で電気的に接続されたメタライズ配線層の露出表面及び各メタライズ配線層にロウ付けされた外部リードピン表面に電解メッキ方法によりメッキ金属層を層着させる工程と、
　前記メタライズ配線層の露出表面及び外部リードピン表面にメッキ金属層を層着させた後、矩形状絶縁基体の各側辺を研磨し、共通導体を除去して各メタライズ配線層を電気的に独立させる工程、
とを含むことを特徴とするものである。
　【実施例】
　次に本発明を添付図面に基づき説明する。
　図１は本発明にかかる製造方法によって製作されたプラグイン型半導体素子収納用パッケージの一実施例を示す断面図であり、１は矩形状の絶縁基体、２は蓋体である。この絶縁基体１と蓋体２とで半導体素子３を収容するための容器が構成される。
　前記絶縁基体１は酸化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体、炭化珪素質焼結体等の電気絶縁材料から成り、その上面中央部に半導体素子３を収容するための空所を形成する凹部１ａが設けてあり、該凹部１ａ底面には半導体素子３がガラス、樹脂、ロウ材等の接着材を介して取着固定される。
　また前記絶縁基体１の凹部１ａ周辺から底面にかけて複数個のメタライズ配線層４が導出されており、該各メタライズ配線層４の凹部１ａ周辺部には半導体素子３の各電極がボンディングワイヤ５を介して電気的に接続され、また絶縁基体１の底面に導出された部位には外部電気回路と接続される外部リードピン６が銀ロウ等のロウ材を介して取着される。
　前記メタライズ配線層４にロウ材を介して取着される外部リードヒン６は内部に収容する半導体素子３を外部電気回路に電気的に接続する作用を成し、該外部リードピン６を外部電気回路に設けたソケット等に挿入し接続することによって内部に収容される半導体素子３はメタライズ配線層４及び外部リードピン６を介して外部電気回路に接続されることとなる。
　尚、前記外部リードピン６はコバール金属（Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金）や４２アロイ（Ｆｅ−Ｎｉ合金）等の金属から成り、コバール金属等のインゴット（塊）を圧延加工法や打　ち抜き加工法等、従来周知の金属加工法を採用することによって所定のピン状に形成される。
　また前記メタライズ配線層４及び外部リードピン６はその露出する外表面にニッケル、金等の耐蝕性に優れ、且つ良導電性の金属からメッキ金属層７が電解メッキ方法により１．０乃至２０．０μｍの厚みに層着されており、該ニッケル、金等のメッキ金属層７によってメタライズ配線層４及び外部リードピン６の酸化腐食が有効に防止されるとともにメタライズ配線層４とボンディングワイヤ５の電気的接続及び外部リードピン６と外部電気回路との電気的接続が良好なものとなっている。
　かくして上述のプラグイン型半導体素子収納用パッケージによれば、絶縁基体１の凹部１ａ底面に半導体素子３を接着材を介して取着固定し、該半導体素子３の各電極をボンディングワイヤ５によりメタライズ配線層４に接続させるとともに絶縁基体１と蓋体２とを樹脂等の封止材で接合させ、絶縁基体１と蓋体２とから成る容器内部に半導体素子３を気密に封止することによって最終製品としての半導体装置が完成する。
　次に本発明のプラグイン型半導体素子収納用パッケージの製造方法について図２乃至図６に基づき説明する。
　まず図２に示す如く、３枚の矩形状セラミックグリーンシート１０ａ、１０ｂ、１０ｃを準備するとともに各セラミックグリーンシ一ト１０ａ、１０ｂ、１０ｃに半導体素子を収容する空所を形成するための孔Ｕａ及びメタライズ配線層４を引き回すための貫通孔１１ｂを従来周知の孔開け加工法によりあける。
　前記セラミックグリーンシート１０ａ、１０ｂ、１０ｃは絶縁基体１が酸化アルミニウム質焼結体からなる場合、例えば酸化アルミニウム（Ａｌ２０３）、シリカ（ＳｉＯ２）、カルシア（ＣａＯ）、マグネシア（ＭｇＯ）等の原料粉末に適当な有機溶剤、溶媒を添加混合して泥漿状となすとともにこれをドクターブード法やカレンダーロール法等を採用し、シート状に成形することによってセラミックグリーンシート（セラミック生シート）を得、しかる後、前記セラミックグリーンシートに適当な打ち抜き加工法を施し矩形状となすことによって形成される。
　次に図３に示す如く、セラミックグリーンシート１０ａの貫通孔１１ｂ内と、セラミックグリーンシート１０ｂの上面及び貫通孔１市内にメタライズ配線層４となる複数個の配線パターン１２を被着する。
　前記メタライズ配線層４となる配線パターン１２は例えば、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、マンガン（Ｍｎ）等の高融点金属粉末から成り、該高融点金属粉末に適当な有機溶剤、溶媒を添加混合することによって得た金属ペーストを従来周知のスクリーン印刷法を採用してセラミックグリーンシート１０ａ、１０ｂに印刷塗布することによーってセラミックグリーンシート１０ａ、１０ｂに被着される。
　また前記セラミックグリーンシート１０ｂに被着させた各配線パターン１２はその各々の一部がセラミックグリーンシート１０ｂの側辺部に導出されており、各配線パターン１２の各々の一部をセラミックグリーンシート１０ｂの側辺部に導出させておくことによって各配線パターン１２は後述する共通導体により電気的に接続されることとなる。
　更に前記セラミックグリーンシート１０ｂの上面各角部には隣接する側辺に導出される予備配線パターン１２ａが被着されており、該予備配線パターン１２ａは後述する予備メタライズ配線層となり、各セラミックグリーンシート１０ａ、１０ｂ、１０ｃを積層しセラミックグリーンシ一ト積層体となした後、セラミックグリーンシート積層体の各側辺に共通導体を被着させる際に隣接する側辺の共通導体間に電気的な断線が生じるのを有効に防止する作用を為す。
　次に前記各セラミックグリーンシート１０ａ、１０ｂ、１０ｃは図４に示す如く、その各々を上下に積層してセラミックグリーンシート積層体１０となすとともに該セラミックグリーンシート積層体１００側辺全周に共通導体１３を被着させる。
　前記共通導体１３はセラミックグリーンシート１０ａ、１０ｂに被着させた複数個の配線パターン１２を共通に電気的接続する作用を為し、タングステン、モリブデン、マンガン等の融点金属粉末から成り、該高融点金属粉末に適当な有機溶剤、溶媒を添加混合して得た金属ペーストをセラミックグリーンシート積層体１０の各側辺に従来周知のスクリーン印刷法により印刷塗布することによってセラミックグリーンシート積層体１０の側辺全周に被着される。
　尚、この場合、セラミックグリーンシート積層体１０の側辺全周に被着される共通導体１３はセラミックグリーンシート積層体１０の側辺端部が角張っていることに起因して断線を生じる危険性が有るがセラミックグリーンシート積層体１０には予備配線パターン１２ａが設けられているため各側辺に被着される共通導体１３の電気的導通は維持される。
　また前記セラミックグリーンシート積層体１０の各側辺に被着される共通導体１３はセラミックグリーンシート積層体１０に設けた予備配線パターン１２ａによってその電気的導通が維持されるためセラミックグリーンシート積層体１０の側辺全周にスクリーン印刷法により共通導体１３を被着させる必要はなく、セラミックグリーンシート積層体１０の側辺端部を除いた各側辺に被着させてもよい。この場合、セラミックグリーンシート積層体１０の側辺全周にスクリーン印刷法により共通導体１３を被着させる際、セラミックグリーンシート積層体１０の各側辺端部に共通導体１３が多量に被着され、その一部が積層体１０の底面に流出して各配線パターン１２に不要な短絡を発生させたり、外観不良等を発生させたりするのが有効に防止されるため好適である。
　次に前記セラミックグリーンシート積層体１０は還元雰囲気中、約１６００℃の温度で焼成され、各セラミックグリーンシート１０ａ、１０ｂ、１０ｃを焼結一体化することにより絶縁基体１となす。この時、セラミックグリーンシート１０ａ、１０ｂ等に被着された配線パターン１２はメタライズ配線層４として、また予備配線パターン１２ａは予備メタライズ配線層として絶縁基体１内に埋設される。
　次に前記絶縁基体１は図５に示す如く、その底面に導出されたメタライズ配線層４に外部リードピン６を銀ロウ等のロウ材を介して取着されるとともに該メタライズ４及び外部リードピン６の露出する外表面にメッキ金属層を層着させる。
　前記メタライズ金属層４及び外部リードピン６の外表面へのメッキ金属層の層着は電解メッキ方法によって行われ、具体的には外部リードピン６がロウ付けされた絶縁基体１をメッキ浴中に浸漬するとともにメタライズ配線層４及び外部リードピン６に一定の電力を印加することによって行われる。尚、この場合、外部リードピン６がロウ付けされた各メタライズ配線層４はその各々が共通導体１３及び予備メタライズ配線層によって電気的に共通に接続されているため、共通導体に電力を印加すれば全てのメタライズ配線層４及び外部リードピン６にメッキのための電力を印加することが可能となり、これによって全てのメタライズ配線層４及び外部リードピン６の露出する外表面に一度にメッキ金属層を確実に層着させることが可能となる。
　そして次に前記絶縁基体１はその側辺がグラインダー等の機械的研磨装置により研磨され、絶縁基体１より共通導体１３を除去し、各メタライズ配線層４を電気的に独立させることによって図６に示す如く、製品としてのプラグイン型半導体素子収納用パッケージが完成する。
　尚、本発明は上述した実施例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種々の変更は可能である。
　【発明の効果】
　本発明の半導体素子収納用パッケージの製造方法によれば、外部リードピンがロウ付けされているメタライズ配線層の一部を絶縁基体の各側辺に導出させてその各々を絶縁基体の各側辺に被着させた共通導体により電気的に接続するとともに絶縁基体の隣接する側辺の共通導体を予備メタライズ配線層により電気的に接続させたことから外部リードピンがロウ付けされている各メタライズ配線層はその全てが確実に共通に電気的接続され、その結果、メタライズ配線層及び外部リードピンの露出する外表面にメッキ金属層を電解メッキ方法により層着させる際、共通導体にメッキのための電力を印加すれば全てのメタライズ配線層及び外部リードピンに共通にメッキのための電力が印加されることとなり、全てのメタライズ配線層及び外部リードピンの露出する外表面に一度にメッキ金属層を確実に層着させることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本発明の半導体素子収納用パッケージの製造方法によって製作されたプラグイン型半導体素子収納用パッケージの一実施例を示す断面図である。
　【図２】
　本発明の半導体素子収納用パッケージの製造方法を説明するための分解斜視図である。
　【図３】
　本発明の半導体素子収納用パッケージの製造方法を説明するための分解斜視図である。
　【図４】
　本発明の半導体素子収納用パッケージの製造方法を説明するための斜視図である。
　【図５】
　本発明の半導体素子収納用パッケージの製造方法を説明するための斜視図である。
　【図６】
　本発明の半導体素子収納用パッケージの製造方法を説明するための斜視図である。
　【符号の説明】
１・・・・・・・絶縁基体
４・・・・・・・メタライズ配線層
６・・・・・・・外部リードピン
７・・・・・・・メッキ金属層
１０・・・・・・・セラミックグリーンシート積層体
１０ａ，１０ｂ，１０ｃ・・セラミックグリーンシート
１２・・・・・・・メタライズ配線層となる配線パターン
１２ａ・・・・・・予備メタライズ配線層となる予備配線パターン
１３・・・・・・・共通導体