(57)【要約】本発明は、発光ダイオードウェハレベルの色純化方法を開示する。当該発光ダイオードウェハレベルの色純化方法は、既にｎ型半導体エピタキシャル層、活性層、ｐ型半導体エピタキシャル層のプロセスが完了したＬＥＤウェハを提供する工程と、所定の中心波長値を設定する工程と、二酸化ケイ素を多層膜のうちの第１の透明膜の材質として選択する工程と、反射率が前記二酸化ケイ素膜よりも高い金属酸化膜を第２の透明膜の材質として選択する工程と、前記ＬＥＤウェハの発光の中心波長値を設定する工程と、前記第１の透明膜、前記第２の透明膜が交互に堆積する場合の厚さの所定値を計算し、前記厚さの所定値は前記中心波長、前記第１の透明膜、前記第２の透明膜、前記ＬＥＤウェハの最外層膜の反射率に基づいて前記第１の透明膜、前記第２の透明膜が交互に堆積する場合における各層の厚さの所定値を計算し、前記反射率は前記中心波長に対する屈折率である工程と、前記第１の透明膜、前記第２の透明膜を堆積するとともに、前記膜の厚さの所定値に基づいて順次交互に堆積する工程と、を備えることを特徴とする。【選択図】図２
2013530529.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光ダイオードウェハレベルの色純化方法であって、前記方法は、少なくとも、
既にｎ型半導体エピタキシャル層、活性層、ｐ型半導体エピタキシャル層のプロセスが完了したＬＥＤウェハを提供する工程と、
所定の中心波長値を設定する工程と、
二酸化ケイ素を多層膜のうちの第１の透明膜の材質として選択する工程と、
反射率が前記二酸化ケイ素膜よりも高い金属酸化膜を第２の透明膜の材質として選択する工程と、
前記ＬＥＤウェハの発光の中心波長値を設定する工程と、
前記第１の透明膜、前記第２の透明膜が交互に堆積する場合の厚さの所定値を計算し、前記厚さの所定値は、前記中心波長、前記第１の透明膜、前記第２の透明膜、前記ＬＥＤウェハの最外層膜の反射率に基づいて、前記第１の透明膜、前記第２の透明膜が交互に堆積する場合について各層の厚さの所定値を計算し、前記反射率は前記中心波長に対する反射率である、工程と、
前記第１の透明膜、前記第２の透明膜を堆積するとともに、前記膜の厚さの所定値に基づいて順次交互に堆積する工程と、
を備えることを特徴とする発光ダイオードウェハレベルの色純化方法。
【請求項２】
前記方法は、前記第１の透明膜を前記ＬＥＤウェハに堆積する前に、まず前記ＬＥＤウェハの最外層膜を不活性イオンプラズマビームによって洗浄しておくことを更に含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記厚さの所定値の計算においては、全膜層の厚さ又は前記中心波長における発光の透過率を境界条件として含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記厚さの所定値の計算においては、前記境界条件において所定の多層透明膜の最後の一層から内側に向かって前記ＬＥＤウェハの最外層膜まで推算することを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記第２の透明膜は、ＴｉＯ２、Ｔｉ２Ｏ５からいずれか１つが選ばれることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記堆積の方法は、イオンプラズマアシスト電子銃堆積であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項７】
発光ダイオードウェハレベルの色純化構造であって、前記構造は、少なくとも、
第１の透明膜及び第２の透明膜を備え、前記ＬＥＤウェハの発光の中心波長の波長幅が所定値の±１％内となるように交互に９０層以上堆積され、又は、中心波長の波長幅が所定値の±３％内となるように交互に８０層以上堆積され、前記第１の透明膜は低反射率材料膜層であり、前記第２の透明膜は高反射率材料膜層であることを特徴とする発光ダイオードウェハレベルの色純化構造。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光ダイオードウェハに関し、特に発光ダイオードウェハ（ｗａｆｅｒ）のウェハプロセス完了後に多層フィルタをその上に形成することによって、ウェハが発光する色を純化する発光ダイオード構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
発光ダイオード（Ｌｉｇｈｔ  ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｄｉｏｄｅｓ、ＬＥＤ）の発光原理は、電流を半導体のｐ−ｎに順方向に流した時に光を発することである。そのうち、ＡｌＧａＩｎＰ材料は、高輝度の赤色、オレンジ色、黄色及び黄緑色ＬＥＤに応用され、ＡｌＧａＩｎＮ材料は、青色、緑色ＬＥＤに応用され、通常は有機金属化学気相エピタキシー（ｍｅｔａｌ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｖａｐｏｒ  Ｐｈａｓｅ  Ｅｐｉｔａｘｙ、ＭＯＶＰＥ）法によって量産され、素子においてはホモ構造（ｈｏｍｏ−ｊｕｎｃｔｉｏｎ、ＨＯＭＯ）、シングルヘテロ構造（ｓｉｎｇｌｅ−ｈｅｔｅｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ、ＳＨ）、ダブルヘテロ構造（ｄｏｕｂｌｅ−ｈｅｔｅｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ、  ＤＨ）、単一量子井戸構造（ｓｉｎｇｌｅ−ｑｕａｎｔｕｍ  ｗｅｌｌ、  ＳＱＷ）及び多重量子井戸構造（ｍｕｌｔｉｐｌｅ−ｑｕａｎｔｕｍ  ｗｅｌｌ、ＭＱＷ）等の構造又はその他の構造方式を用いて発光させる。
【０００３】
図１Ａに示すように、従来の発光ダイオードの構造は、上から下へそれぞれ表面電極１１（ｆｒｏｎｔ  ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ  ｃｏｎｔａｃｔ）、電流分散を増強するための透光層１５（ｃａｐｐｉｎｇ  ｌａｙｅｒ  ｏｒ  ｗｉｎｄｏｗ  ｌａｙｅｒ）、活性層１２（ａｃｔｉｖｅ  ｌａｙｅｒ）、基板１０、裏面電極１３（ｂａｃｋ  ｃｏｎｔａｃｔ）が設けられる。最も典型的な透光層１５としては、例えば酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）といった、電流拡散の機能を提供する透明導体酸化層を使用する。電流が表面電極１１から注入されると、電流は透明導体酸化層１４を通って拡散し、次いで活性層１２、基板１０を経て裏面電極１３に流れる。電流が活性層１２に流れると、光を発する。ここで、活性層は、ｐ型クラッド層、真正層（Ｉｎｔｒｉｎｓｉｃ  ｌａｙｅｒ）及びｎ型クラッド層を含む。また、透明導体酸化層の導電性を向上させるため、最も常套的な例として透明導体酸化層１５内に金属ゲート１６を埋め込むことが行われる。即ち、金属ゲート１６をまず活性層１２の上に形成しておき、更にＩＴＯ層１５で被覆する。
【０００４】
基板１０については、異なる活性層１２に応じて異なる材料の基板が選択される。活性層１２の材料がＡｌＧａＩｎＰの場合は、ガリウムヒ素を材料とする基板が選択される。活性層１２の材料がＡｌＧａＩｎＮの場合は、サファイア（ｓａｐｐｈｉｒｅ）を材料とする基板が選択される。活性層の厚さは０．３〜３μｍであり、透光層１５の厚さは１０〜５０μｍである。活性層１２及び透光層１５はいずれも有機金属化学気相エピタキシー（ＭＯＶＰＥ）法又は分子線エピタキシー（Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ  Ｂｅａｍ  Ｅｐｉｔａｘｙ、ＭＢＥ）法を用いて製作される。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
以上のプロセスは典型的な発光ダイオードプロセスである。しかしながら、エピタキシープロセスでは均一度が不足し、実務上は青色発光ダイオードプロセス、緑色発光ダイオードプロセス、又は赤色発光ダイオードプロセスを問わず、２インチ以上のウェハ上においては、図１Ｂに示すように、ウェハの中心のダイ３０と縁部のダイ３２、３３、３４とでは、発光ダイオードにおける発光の中心波長にずれが生じる。例えば、青色発光ダイオードについて言えば、中心波長はおよそ４４０ｎｍであるが、実際には、ウェハの縁部のダイ３４（直径の一端から他端まで）の中心波長には３０ｎｍ〜４０ｎｍの偏差が生じる可能性があり、それによってダイ（ｄｉｅ）に色ずれが起きてしまう。たとえウェハ中心のダイ３０（ｄｉｅ）であっても、プロセスによってずれが生じる可能性があり、そのロットと前のロットにおいて、ウェハの中心波長が偏移してしまう。従って、ＬＥＤダイの半導体製造業者にとって、全ロットのウェハを不良品とするか否か、又は品質管理によって各ダイの発光の色差を測定することで範囲内に入らなかった製品を排除するか否かは、極めて大きな問題である。
【０００６】
ＬＥＤダイを使用することで照明器具を製造するメーカにとっては、中心波長に僅かな偏移や大きな偏移があることは、許容範囲であるが、若しその他の原色ＬＥＤとの組み合わせによって光を生成する必要がある場合、例えばＬＥＤバックライトテレビ、ＬＥＤバックライトノートＰＣ、ＬＥＤバックライトディスプレイ、ＬＥＤバックライト携帯といった装飾又はパターンの生成に係るメーカにとっては、通常その要求が厳しいために、受け入れることができない。特にハイエンドの機種においてはそうである。
【０００７】
これに鑑み、本発明は、発光ダイオードの色を純化するのに用いられるウェハレベル発光ダイオード多層フィルタを提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、主にＬＥＤウェハレベルの色純化方法及びＬＥＤウェハの色純化に係る構造を提供することを目的とする。
【０００９】
本発明に係る発光ダイオード（ＬＥＤ）ウェハレベルの色純化方法は、少なくとも以下の工程を含む。即ち、まず従来の半導体プロセスによってＬＥＤウェハを製造する。片面からの発光とするか両面からの発光とするかは制限されない。また、２つの電極はまだ製造されていない。次いで、発光ダイオード（ＬＥＤ）ウェハレベルを所定の発光の中心波長値を設定する。その後、適切な２種類の透明膜を多層膜として選択する。この２種類の透明膜における好ましい実施例は、一方が低反射率の二酸化ケイ素膜であり、他方が反射率が相対的に高い金属酸化膜であり且つ二酸化ケイ素膜との組み合わせによって堆積時の残留応力が膜数の増加によって増加しないものであり、例えば二酸化チタンを第２の透明膜とする。その後、中心波長、２つの材質の中心波長における反射率、ＬＥＤウェハの最上層の材質の反射率、及び最終的な所定の多層の厚さの総厚さ又は光透過率の下限値を含むパラメータに基づいて、上述した２つの透明膜の交互に堆積する場合の所定の厚さの値を計算する。
【００１０】
本発明の目的の一つは、既にｎ型半導体エピタキシャル層、活性層、ｐ型半導体エピタキシャル層のプロセスが完了したＬＥＤウェハを提供する工程と、所定の中心波長値を設定する工程と、二酸化ケイ素を多層膜のうちの第１の透明膜の材質として選択する工程と、反射率が二酸化ケイ素膜よりも高い金属酸化膜を第２の透明膜の材質として選択する工程と、ＬＥＤウェハの発光の中心波長値を設定する工程と、第１の透明膜、第２の透明膜が交互に堆積する場合の厚さの所定値を計算し、厚さの所定値は前記中心波長、第１の透明膜、第２の透明膜、ＬＥＤウェハの最外層膜の反射率に基づいて、第１の透明膜、第２の透明膜が交互に堆積する場合について各層の厚さの所定値を計算し、反射率は中心波長に対する反射率である工程と、第１の透明膜、第２の透明膜を堆積するとともに、膜の厚さの所定値に基づいて順次交互に堆積する工程と、を備える発光ダイオードウェハレベルの色純化方法を提供することである。
【００１１】
また、本発明の目的の一つは、第１の透明膜及び第２の透明膜を備え、ＬＥＤウェハの発光の中心波長の波長幅が所定値の±１％内となるように交互に９０層以上堆積され、又は、中心波長の波長幅が所定値の±３％内となるように交互に８０層以上堆積され、第１の透明膜は低反射率材料膜層であり、第２の透明膜は高反射率材料膜層である発光ダイオードウェハレベルの色純化に係る構造を提供することである。
【００１２】
ＬＥＤウェハをイオンプラズマ洗浄し、すぐ後に、イオンプラズマアシスト電子銃堆積技術を用いて、各膜層の所定の厚さに基づいて、第１の透明膜、第２の透明膜を交互に堆積する。最後に、ｐ、ｎ電極を形成し、ウェハをダイ（ｄｉｅ）にダイシングする。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１Ａ】従来の発光ダイオードの構造を示した図である。
【図１Ｂ】従来の発光ダイオードウェハのダイが中心と縁部とではプロセスによって中心波長に偏移が生じる虞があることを示した図である。
【図２】本発明において多層膜をＬＥＤウェハにメッキした構造を示した図である。
【図３】本発明に係るＬＥＤウェハの純化後の中心波長について、青色に９５層のフィルタを用い、緑色に１０５層のフィルタを用い、赤色に１２０層のフィルタを用いた場合のシミュレーション結果を示した図である。
【図４Ａ】図３の緑色光及び青色光ＬＥＤウェハに対応して用いた多層膜の各層の厚さの値を示した図である。
【図４Ｂ】図３の緑色光及び青色光ＬＥＤウェハに対応して用いた多層膜の各層の厚さの値を示した図である。
【図５Ａ】図３の赤色光ＬＥＤウェハに対応して用いた多層膜の各層の厚さの値を示した図である。
【図５Ｂ】図３の赤色光ＬＥＤウェハに対応して用いた多層膜の各層の厚さの値を示した図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
従来のウェハでは発光ダイオードプロセスの後に色ずれが生じる問題においては、ウェハの中心から周縁までの発光における中心波長に差異が生じている可能性があり、色ずれが許容範囲を超えると、当該ウェハは不良品と見なされ、廃棄される。また、品質管理において、問題のある製品を排除するか否かの根拠とするために、各ウェハの中心波長について測定しなければならない。
【００１５】
本発明は、上述した課題を解決するために、ウェハレベル発光ダイオード多層フィルタ及びその色純化方法を提供する。ウェハ全体の中心波長がいずれも一致する目標波長に調整されると、ＬＥＤダイの半導体製造業者は、輝度が悪いものを排除しさえすれば（ウェハ全体の中心波長は１つのみ）色ずれを考慮する必要がなく、品質管理が非常に容易となる。下流業者にとっては、使い勝手がより便利となり、ＬＥＤバックライトテレビ、ＬＥＤバックライトノートＰＣ、ＬＥＤバックライトディスプレイ、ＬＥＤバックライト携帯の品質が一致するようになる。
【００１６】
図１Ａは、従来の発光ダイオード構造の横断面を示した図である。下から上へ基板１０（ｎ型半導体エピタキシャル層を含む）、活性層１２、透光層１５（ｐ型半導体層、電流拡散層を含む）を有する。ｐ、ｎが同側の発光ダイオードであれ、ｐ、ｎが異なる側の発光ダイオードであれ、いずれも本発明に係る方法を応用してＬＥＤ発光の中心波長を一定値に設定することができる。
【００１７】
図２に示すように、本発明に係る構造では、図１Ａの最上層１５に更に第１の透明膜５１と第２の透明膜５２とが交互に重ねられた多層フィルタ５０が形成されている。好ましい実施例において、第１の透明膜５１と第２の透明膜５２はそれぞれＳｉＯ２及びＴｉＯ２である。この２つの材料の反射率はそれぞれ１．４５〜１．４８及び２．２〜２．５である。当然ながら、第１の透明膜５１はＳｉＯ２に限定されず、例えば酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）など、その他の金属酸化物又は例えばＭｇＦ２などのフッ化物であってもよい。第２の透明膜５２は、Ｔｉ２Ｏ５、Ｔａ２Ｏ５、Ｎｂ２Ｏ５であってよい。上述した第１の透明膜５１と第２の透明膜５２が具える共通した特色は、第１の透明膜５１と第２の透明膜５２とでは反射率が異なり、且つ反射率が低いものと高いものとが交互に堆積されることである。また、本発明において堆積される多層フィルタ５０は少なくとも数十層、例えば少なくとも八十層以上であるため、交互に重ねる際に先に低い反射率の層を堆積してその後高い反射率の層を堆積するか又は順序をその逆とするかは重要ではない。
【００１８】
本発明に係る方法では、ウェハ全体の中心波長がいずれも同じである。例えば、目標波長が４４０ｎｍである場合、全体でも全て４４０ｎｍであり、元のＬＥＤウェハ半完成品（ここで言う半完成品とは従来のＬＥＤウェハプロセスが全て完了したものであり、ウェハ上のダイの最上部の金属電極が未完成のものを除く）のウェハ中心からウェハの周縁に向かって中心波長がどのように変化するかを問わない。
【００１９】
本発明に係る方法では、例えばＴｉＯ２及びＴａ２Ｏ５などの反射率の高い金属酸化物材料を第１層５１又は第２層５２としてウェハの最上層にメッキする。ウェハ２０の最上層は、１つの実施例においては、透明導体酸化層１５であり、例えば酸化インジウムスズＩＴＯであり、他の実施例においては、例えばｐ型エピタキシャル層であり、２元又は４元のエピタキシャル層である。
【００２０】
更に、例えばＳｉＯ２などの反射率の低い酸化物材料を第２層又は第１層として第１層にメッキする。高反射率と低反射率の２層のメッキ膜を交互に堆積する。ウェハの最上層の反射率は第１層のメッキ膜の厚さに影響を及ぼし、第１層のメッキ膜の厚さ及び反射率は第２層のメッキ膜への入射角に影響を及ぼす。本発明に係る方法によれば、境界条件の設定が必要である。即ち、境界条件の設定としては、（１）多層膜の最外層の発光の中心波長を設定するとともに、層の数を選択した後、多層膜の全層数、又は（２）当該中心波長における透過率の下限、例えば透過率の下限を９５％とすること、又は（３）透過率を５０％とした場合は中心波長の±１％若しくは２％若しくは３％の波長幅、を境界条件とする。また、（４）ＬＥＤウェハの発光が第１の透明膜に進入する入射角を境界条件としてもよいが、この入射角は±４５度を下回ってはならない。次いで、最外層の反射率及び厚さに基づいて、第２外層について有すべき厚さ及び反射角を推算し、第２外層の反射率、入射角及び厚さに基づいて第３外層が有すべき厚さを推算し、以下これに準ずるものとして、ＬＥＤウェハの最上層まで行う。
【００２１】
上述した演算は、数式では以下のように表される。本発明の１つの実施例によれば、発光の中心波長が純化されるほど、より多くの膜層が必要となり、１つの実施例においては、百層に達する。従って、計算に際しては、以下の数式をコンピュータプログラムで表し、最終目標である発光の中心波長、許容される波長幅、最外層の所定の厚さ、第１の材料膜層の反射率、第２の材料膜層の反射率、ウェハ基板の反射率をパラメータとして入力しさえすれば、各膜層の所定の厚さを計算することができる。
【００２２】
従って、最外層５２０、第２外層５１０、第３外層、…ウェハ最上層まで、各層の所定の厚さを全て取得してから、イオンビームアシスト電子銃蒸着法によって多層膜５０の堆積を行う。
【００２３】
基材と膜層の数学的関係式を行列の形式で表すと、以下のようになる：
【数１】
2013530529.tif 000003
【００２４】
従って、単一膜層境界面の電磁場の関係は：
【数２】
2013530529.tif 000004
【００２５】
多層膜をメッキした時、境界面の電磁場の関係は次のように表すことができる：
【数３】
2013530529.tif 000005
【００２６】
本発明の好ましい実施例によれば、ウェハをプラズマ洗浄する時、イオン源はアルゴンガス流量が４５ｓｃｃｍであり、酸素の流量が８ｓｃｃｍであり、電子銃蒸着を行う時は次の通りである。
【００２７】
【表１】
2013530529.tif 000006
【００２８】
その他の条件は表の通りである。
【００２９】
ここで、中和器の作用は、イオン源の電荷を放電中和することであるため、マッチングする比率を有する。若しイオン源の電流値が９００ｍＡであれば、中和器のマッチング率は１５０％であり、中和器が放出する電流値は１３５０ｍＡである。
【００３０】
図３は、本発明に係る方法に基づいて、青色ＬＥＤウェハ、緑色ＬＥＤウェハ及び赤色ＬＥＤウェハに対してそれぞれ９５層、１０５層及び１２０層のフィルタをメッキした後の中心波長のシミュレーション結果を示す。これは、５０％の光透過率における波長幅を中心波長の２％とするという条件を境界条件としてシミュレートしたものである。
【００３１】
図４Ａ、図４Ｂは、多層フィルタ（緑色光）が１０５層の場合の交互に重なる２層の各膜厚を示す。図３の結果は図４Ａ、図４Ｂ及び図５Ａ、図５Ｂの条件に基づいてシミュレートしたものである。
【００３２】
上述した演算法において、膜層と膜層との間の結合性、膜層ウェハ基板の最外層の結合性は、いずれも考慮しなければならない。
【００３３】
本発明の長所は以下の通りである。
（１）本発明ではＬＥＤウェハレベルの色を純化する。換言すれば、発光の中心波長をいずれも同一値に調節する。従って、色を組み合わせて使用する際に極めて便利である。
（２）本発明が提供するＬＥＤウェハレベルの色純化方法によれば、品質管理のコストを低減することができ、品質管理要員は光透過率のみを品質管理の合格基準としさえすればよい。従来のＬＥＤウェハでは色純化が行われず、その後、各ウェハの中心波長について合格するか否かを判定しなければならなかったのに比べ、明らかに本発明の優位性は顕著である。
（３）本発明は青色、赤色及び緑色の色純化に幅広く応用することができる。
以上の説明は、本発明の好ましい実施例に過ぎず、本発明の実施可能範囲を限定するものではない。当業者は、本発明に対して適切に行われた若干の変更及び調整は、依然として本発明の主旨を逸するものではなく、また本発明の請求の範囲を逸脱するものでもなく、いずれも本発明の範囲に属するものであることを理解することができる。
【符号の説明】
【００３４】
１０  基盤
１２  活性層
１３  裏面電極
１５  透明導体酸化層
２０  透光層
５１  第１の透過膜
５２  第２の透過膜
５１０  第２外層
５２０  最外層
【図１Ａ】
2013530529.tif 000007
【図１Ｂ】
2013530529.tif 000008
【図２】
2013530529.tif 000009
【図３】
2013530529.tif 000010
【図４Ａ】
2013530529.tif 000011
【図４Ｂ】
2013530529.tif 000012
【図５Ａ】
2013530529.tif 000013
【図５Ｂ】
2013530529.tif 000014
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月5日(2013.2.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光ダイオード（ＬＥＤ）ウェハレベルの色純化方法であって、前記方法は、少なくとも、
既にｎ型半導体エピタキシャル層、活性層、ｐ型半導体エピタキシャル層のプロセスが完了したＬＥＤウェハであって、最上層Ｓが反射率ｎｓを有するＬＥＤウェハを提供する工程と、
前記ＬＥＤウェハの最外層膜Ｓを不活性イオンプラズマビームによって洗浄する工程と、
二酸化ケイ素、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）又はＭｇＦのうちいずれか１つを、多層膜における、反射率ｎＡを有する第１の透明膜の材質Ａとして選択する工程と、
金属酸化膜を、反射率ｎＢを有し且つｎＢ＞ｎＡである第２の透明膜の材質Ｂとして選択する工程と、
前記ＬＥＤウェハの種類に基づいて、前記ＬＥＤウェハが前記多層膜を備えた後の発光の中心波長を設定する工程と、
前記多層膜の塗膜順序をＡ１Ｂ１Ａ２Ｂ２…ＡＴＢＴ（ここでＴはそれら材質の総膜層数である）と設定する工程と、
前記第１の透明膜、前記第２の透明膜が交互に堆積する場合の厚さの所定値を計算し、前記厚さの所定値は、前記中心波長、前記第１の透明膜、前記第２の透明膜、前記ＬＥＤウェハの最外層膜の反射率に基づいて、前記第１の透明膜、前記第２の透明膜が交互に堆積する場合について各層の厚さの所定値を計算し、前記反射率は前記中心波長に対する反射率である、工程と、
前記第１の透明膜、前記第２の透明膜を堆積するとともに、これら多層膜Ａ１Ｂ１Ａ２Ｂ２…ＡＴＢＴの厚さの所定値に基づいて順次交互に堆積する工程と、
を備えることを特徴とする発光ダイオード（ＬＥＤ）ウェハレベルの色純化方法。
【請求項２】
前記厚さの所定値の計算においては、全膜層の厚さ又は前記中心波長における発光の透過率を境界条件として含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記厚さの所定値の計算においては、前記境界条件において所定の多層透明膜の最外部の一層Ｔから内側に向かって前記ＬＥＤウェハの最外層膜Ｓまで推算することを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記第２の透明膜は、ＴｉＯ２、Ｔｉ２Ｏ５、Ｔａ２Ｏ５、Ｎｂ２Ｏ５からいずれか１つかが選ばれ、前記堆積の方法は、イオンプラズマアシスト電子銃堆積であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
発光ダイオード（ＬＥＤ）ウェハレベルの色純化構造であって、前記構造は、少なくとも、
反射率ｎＡを有する第１の透明材料膜Ａと、反射率ｎＢを有する第２の透明材料膜Ｂとを備え、色純化されるＬＥＤウェハの最上層Ｓに多層フィルタとして交互に直接堆積され、ｎＡ＜ｎＢとすることによって堆積順序がＳＡ１Ｂ１Ａ２Ｂ２…ＡＴＢＴ又はＳＢ１Ａ１Ｂ２Ａ２Ｂ２…ＢＴＡＴとなり、前記多層フィルタによって前記ＬＥＤウェハの色の中心波長の±２％の範囲のＬＥＤ光源のみが通過し、それ以外はフィルタリングされ、前記通過は、前記多層フィルタの発光の光透過率が、前記ＬＥＤウェハに前記多層フィルタが設けられていない場合の光透過率を１００％とした場合に対して、少なくとも８０％であることを示すことを特徴とする発光ダイオード（ＬＥＤ）ウェハレベルの色純化構造。
【請求項６】
前記第１の透明材料膜Ａは、二酸化ケイ素、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）又はＭｇＦからいずれか１つが選ばれ、第２の透明材料膜Ｂは、ＴｉＯ２、Ｔｉ２Ｏ５、Ｔａ２Ｏ５、又はＮｂ２Ｏ５からいずれか１つが選ばれることを特徴とする請求項５に記載のＬＥＤウェハレベルの色純化構造。
【国際調査報告】
2013530529.tif 000015
2013530529.tif 000016
2013530529.tif 000017
2013530529.tif 000018