【事件の表示】
　特許第２６０８４１０号「グロー放電分解装置」の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結論】
　訂正を認める。
　特許第２６０８４１０号の特許を維持する。
【理由】
Ｉ　手続の経緯
　本件特許第２６０８４１０号発明は、昭和６２年６月３０日に出願し、平成９年２月１３日に特許権の設定登録がなされ、平成９年５月７日に特許掲載公報が発行されたところ、平成９年１１月７日に山口雅行より特許異議の申立を受けたもので、その後、平成１０年３月２日付で取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１０年６月１日に訂正請求がなされ、該訂正請求に対して平成１０年１１月２６日付で訂正拒絶理由通知がなされ、その指定期間内である平成１１年２月９日付で該訂正請求について手続補正がなされ、該補正された訂正請求に対して、平成１１年４月２８日付で訂正拒絶理由通知がなされ、その指定期間内である平成１１年５月６日に平成１０年６月１日付の訂正請求について手続補正がなされたものである。
２　特許異議申立人の主張
　特許異議申立人山口雅行は、証拠として甲第１〜３号証を提出して、次の（Ａ）及び（Ｂ）のような主旨の主張をしている。
　（Ａ）本件特許請求の範囲第１項に係る発明は、甲第１号証に記載された発明と同一であるから、特許法第２９条第１項第３号に掲げる発明に該当し、本件特許は取り消されるべきものである。
　（Ｂ）本件特許請求の範囲第１項に係る発明は、甲第１〜３号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない発明であって、本件特許は取り消されるべきものである。
３　訂正の要旨
　平成１０年６月１日付でなされ、平成１１年５月６日に補正された訂正請求における訂正の要旨は、次の（ａ）、（ｂ）、（ｃ）のとおりである。
（ａ）特許請求の範囲の減縮を目的として、特許請求の範囲の記載の全文、すなわち「成膜用ガスが導入される反応室内に被成膜用の筒状基板が立設され、該筒状基板を内包するようにグロー放電用電極板が同心状に配置されており、該筒状基板内部に立設された筒状熱源によって該筒状基板が所要温度にまで加熱され且つグロー放電の発生によって筒状基板の外表面に成膜されるグロー放電分解装置において、前記筒状熱源は、上記反応室内においてグロー放電領域からの隔壁を形成する筒体と、該筒体内部に電熱線が配設されるとともに筒体内壁と電熱線との間隙に絶縁部材が充填されて成ることを特徴とするグロー放電分解装置。」を「成膜用ガスが導入される反応室内に被成膜用の筒状基板が載置体上に立設され、該筒状基板上にキャップ体が配設され、該筒状基板を内包するようにグロー放電用電極板が同心状に配置されており、該筒状基板内部に立設された筒状熱源によって該筒状基板が所要温度にまで加熱され且つグロー放電の発生によって筒状基板の外表面に成膜されるグロー放電分解装置であって、上記反応室内においてグロー放電領域からの隔壁を形成する導電性の筒体と、該筒体内部に電熱線が配設されるとともに筒体内壁と電熱線との間隙に絶縁部材が充填されて成る前記筒状熱源と筒状基板とがともに導電性材から成る載置体上に配設されていることを特徴とするグロー放電分解装置。」と訂正する。
（ｂ）明りょうでない記載の釈明を目的として、明細書第６頁９行目（特許公報第２頁第４欄２１行目）の「基板載置体１１」を「導電性材料から成る基板載置体１１」と訂正する。
（ｃ）誤記の訂正を目的として、明細書第７頁１９行目〜２０行目（同公報第２頁第４欄５０行目）の「底板１ｃ」を「基板載置体１１」と訂正する。
４　訂正の適否
　平成１１年５月６日付の訂正請求書の補正は、平成１０年６月１日付の訂正請求書により訂正され、平成１１年２月９日付の手続補正書（訂正請求書）により補正された事項をさらに減縮するものであり、請求書の要旨を変更するものではないから、以下、平成１１年５月６日付の手続補正書（訂正請求書）に記載された訂正の要旨に基づいて、上記訂正が適法であるか否かを検討する。
４−１　訂正の目的
４−１−１　上記（ａ）の訂正は、その実質的な個々の訂正内容が特許請求の範囲の記載中、下記（ｉ）〜（ｉｉｉ）の訂正をするものである。
（ｉ）　「反応室内に被成膜用の筒状基板が」とある次に「載置体上に」を加入する。
（ｉｉ）　「該筒状基板を内包するように」という語句の前に「該筒状基板上にキャップ体が配設され、」という記載を加入する。
（ｉｉｉ）　「グロー放電分解装置において、前記筒状熱源は、上記反応室内においてグロー放電領域からの隔壁を形成する筒体と、該筒体内部に電熱線が配設されるとともに筒体内壁と電熱線との間隙に絶縁部材が充填されて成ることを特徴とする」とあるのを「グロー放電分解装置であって、上記反応室内においてグロー放電領域からの隔壁を形成する導電性の筒体と、該筒体内部に電熱線が配設されるとともに筒体内壁と電熱線との間隙に絶縁部材が充填されて成る前記筒状熱源と筒状基板とがともに導電性材から成る載置体上に配設されていることを特徴とする」と訂正する。
　（ｉ）の訂正は、特許請求の範囲において、反応室内での筒状基板の立設箇所を載置体上に特定しようとするものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　（ｉｉ）の訂正は、特許請求の範囲において、筒状基板上にキャップ体が配設されるという構成要件を付加しようとするものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　（ｉｉｉ）の訂正は、特許請求の範囲において、筒状熱源の構成部材でありグロー放電領域からの隔壁を形成する筒体を導電性のものに特定すると共に、筒状熱源と筒状基板とがともに導電性材から成る載置体上に配設されているという構成要件を加えようとするものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　したがって、上記（ａ）の訂正は特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
４−１−２　上記（ｂ）の訂正は、上記訂正事項（ａ）による特許請求の範囲の訂正に対応して、明細書の発明の詳細な説明の欄中の記載を訂正するものであるから、特許請求の範囲の減縮に伴って生じる明りょうでない記載の釈明を目的とすものである。
４−１−３　上記（ｃ）の訂正は、本来「基板載置体１１」とすべきところを「底板１ｃ」と誤記した記載を正しい記載に直すものであるので、誤記の訂正を目的とするものであることは明らかである。
４−２　新規事項
４−２−１　上記（ｉ）の訂正は、本件特許の願書に添付した図面であって、グロー放電分解装置を示す第１図及び第５図、並びに本件特許の願書に添付した明細書第６頁第４行〜第７行（特許公報第２頁第４欄第１７行〜第２０行）「第１図によれば、・・・、底板１ｃの上にリング状の基板載置体１１が形成されており、この基板載置体１１の上に基板４が立設されており、」の記載からみて、願書に添付した明細書及び図面に記載した事項の範囲内のものであることは明らかである。
　上記（ｉｉ）の訂正は、本件特許の願書に添付した図面であって、グロー放電分解装置を示す第５図、並びに本件特許の願書に添付した明細書第８頁第７行〜第９行（同公報第３頁第５欄第８行〜第１０行）「第５図は第１図のグロー放電分解装置を改良した装置であり、・・・基板４上にキャプ体１６を載置しており、」の記載からみて願書に添付した明細書及び図面に記載した事項の範囲内のものであることは明らかである。
　上記（ｉｉｉ）の訂正は、本件特許の願書に添付した明細書第６頁第４行〜第８頁第２行（同公報第２頁第４欄第１７行〜第３頁第５欄第３行）「第１図によれば、・・・、底板１ｃの上にリング状の基板載置体１１が形成されており、この基板載置体１１の上に基板４が立設されており、更に基板４の内部には筒状熱源１２が立設されている。・・・（中略）・・・。上記のようなグロー放電分解装置においては、熱源内部の素線１５が保護管１３によってグロー放電領域より保護されており、・・・。本発明によれば、前記保護管１３は・・・、導電性保護管により形成した場合、底板１ｃを介して基板４と電気的に導通させることができ、これにより、保護管１３と基板４の間で電位差がなくなり、両者間で放電しなくなる。」（同公報中の当該箇所で「前記保護管１３」は「前記保護層１３」と誤植されている。）、本件特許の願書に添付した明細書第８頁第７行〜第９行（同公報第３頁第５欄第８行〜第１０行）「第５図は第１図のグロー放電分解装置を改良した装置であり、第１図に比べて基板４上にキャップ体１６を載置しており、」及び本件特許の願書に添付した図面の第１図及び第５図の記載からみて、願書に添付した明細書及び図面の範囲内のものであることも明らかである。
　してみると、実質的な訂正内容が前記（ｉ）〜（ｉｉｉ）の訂正から成る前記訂正事項（ａ）は、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正である。
４−２−２　上記訂正（ｂ）は、本件特許の願書に添付した明細書第６頁第４行〜第８行（同公報第２頁第４欄第１７行〜第２１行）「第１図によれば・・・、底板１ｃの上にリング状の基板載置体１１が形成されており、この基板載置体１１の上に基板４が立設されており、更に基板４の内部には筒状熱源１２が立設されている。」、本件特許の願書に添付した明細書第７頁第１７行〜第８頁第２行（同公報第２頁第４欄第４８行〜第３頁第５欄第３行）「本発明によれば、前記保護管１３は・・・、導電性保護管により形成した場合、底板１ｃを介して基板４と電気的に導通させることができ、これにより、保護管１３と基板４の間で電位差が無くなり、両者間で放電しなくなる。」及び本件特許の願書に添付した図面の第１図、第２図、第５図の記載からみて、願書に添付した明細書及び図面に記載した事項の範囲内のものであることは明らかである。
４−２−３　上記訂正（ｃ）は、本件特許の願書に添付した明細書第６頁第４行〜第１９行（同公報第２頁第４欄第１７行〜第３１行）「第１図によれば、・・・、底板１ｃの上にリング状の基板載置体１１が形成されており、この基板載置体１１の上に基板４が立設されており、更に基板４の内部には筒状熱源１２が立設されている。・・・（中略）・・・。第２図は筒状熱源（以下熱源と略す）１２の・・・破断面図であり、・・・。この熱源１２は・・・保護管１３と、この保護管１３の内部に充填されたＭｇＯなどからなる絶縁部材１４と、・・・内部に埋設された発熱性の素線１５とから成り、」、同第７頁第１７行〜第８頁第２行（同公報第２頁第４欄第４８行〜第３頁第５欄第３行）「本発明によれば、前記保護管１３は・・・、導電性保護管により形成した場合、底板１ｃを介して基板４と電気的に導通させることができ、これにより、保護管１３と基板４の間で電位差が無くなり、両者間で放電しなくなる。」（同公報の当該箇所で「前記保護管１３」は「前記保護層１３」と誤植されている。）及び本件特許の願書に添付した図面の第１図、第２図、第５図（それぞれ、同公報の第１図、第２図、第５図と同じ）からみて、願書に添付した明細書及び図面に記載した事項の範囲内のものであることは明らかである。
４−３　拡張・変更
上記訂正（ａ）〜（ｃ）はその内容からみて、実質上特許請求の範囲を拡張したり、変更したりするものでないことも明らかである。
４−４　独立特許要件
　訂正後の特許請求の範囲第１項の記載は次のとおりである。
　「成膜用ガスが導入される反応室内に被成膜用の筒状基板が載置体上に立設され、該筒状基板上にキャップ体が配設され、該筒状基板を内包するようにグロー放電用電極板が同心状に配置されており、該筒状基板内部に立設された筒状熱源によって該筒状基板が所要温度にまで加熱され且つグロー放電の発生によって筒状基板の外表面に成膜されるグロー放電分解装置であって、上記反応室内においてグロー放電領域からの隔壁を形成する導電性の筒体と、該筒体内部に電熱線が配設されるとともに筒体内壁と電熱線との間隙に絶縁部材が充填されて成る前記筒状熱源と筒状基板とがともに導電性材から成る載置体上に配設されていることを特徴とするグロー放電分解装置。」
　そこで、特許異議申立人山口雅行の主張に沿って独立特許要件について検討する。
　甲第１号証（特開昭６２−６０８５８号公報）には
ア．「第１図は、従来の真空装置用ヒーターの一例を示す模式的断面図である。図中１はニクロム等の金属からなる発熱線であり、これに外部から電力を供給し、電気エネルギーを熱エネルギーに変換する。２はマグネシア（ＭｇＯ）等の絶縁粉末であり、発熱線間および保護管３との接触による短絡を防止するとともに、発熱体から発せられる熱を保護管３に効率良く伝達する。３は例えばステンレス等の金属からなる保護管であり、発熱体１および絶縁粉末２を保持および保護すると同時に、大気圧である内部と外部の真空との隔壁としての機能をもち、」（第１頁右下欄第１８行〜第２頁左上欄第１０行）
イ．「第３図（ａ）は、円筒状の基体（図示せず）をその内側から加熱できる様な形状とした本発明による真空装置用ヒーターの他の実施例を示す模式的断面図であり、第３図（ｂ）はその断面図の点線の円で示した一部を拡大した模式的断面図である。図中・・・、１はニクロムから成る発熱線、２はマグネシア（ＭｇＯ）から成る絶縁粉末、３はステンレス（・・・）製の保護管、４は溶射法により作成した被膜である。５はヒーター支持柱であり、・・・、ステンレス製のパイプ（・・・）を使用した。第３図に示した真空装置用ヒーターは、発熱線１及び絶縁粉末２を内蔵した保護管３をヒーターを支持柱５の周囲に巻き付け固定した後、アルゴン・ガス・プラズマ雰囲気中で高純度（・・・）アルミニウムを加熱して溶融させ、水素還元雰囲気中で上記保護管３を巻き付けたヒーター支持柱５に吹きつけるという手順で作成した。このようにして作成した真空装置用ヒーターの被膜４は、純度９９％以上のアルミニウムからなっており、平均的な膜厚は約１ｍｍで保護管３及びヒーター支持柱５の表面を完全に被覆した。」（第４頁左上欄第１行〜同頁右上欄第６行、〔実施例〕の項中の記載）
ウ．「本発明者は第３図に示した本発明による真空装置用ヒーター（以下アルミニウム溶射ヒーターと称す）と、該ヒーターと同一形状でアルミニウムの溶射による被膜４のない真空装置用ヒーター、即ち表面がステンレスの真空装置用ヒーター（以下ステンレスヒーターと称す）との放出ガス量に関する比較実験を行った。本実験には、同軸円筒形プラズマＣＶＤ装置を使用した。該装置は、中心に円筒状のヒーターを配置し、それをおおいかぶせるようにしてアノード電極であるアルミニウム製円筒状基体を回転可能に配置し、さらにその外側に真空槽の壁を兼ねるアルミニウム製カソード電極を配置した構造を有する。先ず、上記アルミニウム溶射ヒーターを上記実験装置に取付けて外部に接続した真空排気ポンプにより・・・排気し、該ヒーターに電力を供給してヒーターをヒーター表面が５５０℃、基体表面が３００℃になる様に加熱したときの実験装置の真空排気特性を測定した。次に、上記ステンレスヒーターに関して同様の実験を行ない、該ステンレスヒーターを取付けた実験装置の真空排気特性を測定した。・・・（中略）・・・。アルミニウム溶射ヒーターを取付けた実験装置はステンレスヒーターを取付けた実験装置に比べて、室温における到達真空度が高く、ヒーターの加熱に伴う吸着ガスの放出量も少なく、ヒーター加熱時の到達真空度も高く、・・・、極めて良好な真空排気特性を示す。また、これらのヒーターを取付けた上記実験装置を用いて１３．５６ＫＨｚの高周波プラズマＣＶＤ法でシラン・ガスを原料としたアモルフアスシリコン半導体膜の蒸着と、四フツ化炭素（ＣＦ４）ガスを用いたドライ・エツチングを交互にくり返し、ヒーターの耐蝕性について耐久実験を行なった。ヒーターはアモルフアスシリコン蒸着時には５５０℃（基体温度３００℃）に加熱・・・し、ドライエツチング時はヒーター電力を切って放冷・・・させた。ステンレスヒーターは１回目のドライ・エツチング工程で腐蝕が進行し使用不能の状態となった。一方、アルミニウム溶射ヒーターは１回目の加熱によってアルミ表面の金属光沢に変化があった以外は、まったく変化せず、２０回以上のヒートサイクルの後も、その加熱能力、外観ともに変化がなかった。」（第４頁右上欄第２０行〜第５頁左上欄第１６行、〔実施例〕の項中の記載）
エ．従来の真空装置用ヒーターを示す模式的断面図であって、そのヒーターが、保護管３、保護管３内部に配設された発熱線１、保護管内壁と発熱線との間隙に充填された絶縁部材２から成るように見て取れる図である第１図、真空装置用ヒーターの実施例を示す模式的な全体断面図であり符号（ａ）を付した図とこの符号（ａ）を付した図中の点線で囲んだ部分を拡大した模式的断面図であり符号（ｂ）を付した図とから成りその真空装置用ヒーターの実施例の図はヒーター支持柱５の外周面に接して第１図と同じ構造の真空装置用ヒーターが螺旋状に巻かれていると共にヒーター支持柱５の外周面及びこの螺旋状に巻かれている真空装置用ヒーターの保護管３の外周面が被膜４で覆われていることが読み取れる第３図（第６頁）
　が記載されており、
　甲第２号証（特開昭６０−１３０７５号公報）には
オ．「本発明は・・・、特に、複写機等の円筒状感光体を高品質に安定して製造するのに好適なプラズマＣＶＤ装置に関するものである。薄膜の製造方法の１つとして近年脚光を浴びているものにプラズマＣＶＤ法がある。この方法は反応室を減圧し、原料ガスを供給した後、直流又は高周波によるグロー放電で原料ガスを分解し反応室内に配置された被成膜基体上に薄膜を形成する方法で、例えば非晶質硅素膜の生成に応用されている。この方法で例えばシランガス（ＳｉＨ４）を原料ガスとして作製した非晶質硅素膜は、・・・、電子写真用感光体として有効である。・・・（中略）・・・。電子写真用感光体の様な円筒状基体に成膜するプラズマＣＶＤ装置として例えば第１図の様なプラズマＣＶＤ装置が知られている。図中、１は反応室を構成する真空槽、２はその排気口、３は該真空槽内に配置された中空二重壁構造の円筒形電極、４は該電極と同心に配置され対向電極を構成している被成膜基体、５は該基体を支持する軸、６は上記の電極および基体を取囲むシールド円筒、７および８は上下のシールド蓋を示す。円筒状基体の内部には加熱ヒーター９があり、基体を内部より加熱する。基体の取り付けられている軸５は回転し、膜の均一化が計られている。電極及び基体は、外側で、円筒６及び上下の蓋７及び８により電気的にシールドして、反応プラズマをとじ込めている。これら全体の系は、真空槽１により覆われており真空ポンプにより排気口２から排気される。プラズマ分解される原料ガスは電極３の中空部に外部より供給され電極の内側に明けられた孔を通し、プラズマ中に放出され、分解されて、基板４の表面に堆積して、該基体４の表面上に成膜する。上記のような従来のプラズマＣＶＤ装置においては、被成膜基体が加熱ヒーター９からの輻射熱によって加熱されているために基体中に温度分布が生じやすく、さらに基体の温度よりもヒー夕ー部の温度の方がはるかに高いためプラズマの不均一も起こりやすい。従ってその結果、基体上に堆積した膜の電気的及び工学的特性にも不均一が生じやすくなる。本発明の目的は前述のプラズマＣＶＤ装置の欠点を克服することで、すなわち基体を均一に加熱しかつプラズマＣＶＤ反応室内において基体よりも温度の高い部分を作らないようにしたプラズマＣＶＤ装置を提供することであり、その要旨とするところは、筒形の被成膜基体とそれを取り囲む真空槽で真空を保ち、その間に挟まれた空間のみ減圧に保たれる反応室として、筒形の被成膜基体内に高温の気体又は液体を流すか、又は基体内に基体内の気体または液体を加熱する加熱ヒーターを配することによって基体を加熱することを特徴としたプラズマＣＶＤ装置である。」（第１頁左下欄第２０行〜第２頁左下欄第２行）
カ．「第２図および第３図は、それぞれ、本発明の実施例を示すもので、第１図に示すものと対応する部分は同一の符号によって指示して、その詳細な説明は省略する。・・・。然して、本発明装置では筒形の被成膜基体の加熱を筒形の基体内部に高温の気体又は液体を流すか又は基体内部を空気又は窒素、Ａｒ等の不活性ガスで満たし、その中に加熱ヒーターを配することによって行ない、熱伝導によって筒形の基体を均一に加熱する。第２図は円筒形の基体内部に高温の気体又は液体を流すことにより基体を加熱するようにした実施例、第３図は円筒形の基体内部にヒーターを配することによって基体を加熱するようにした実施例を示す。いずれの装置においても回転軸５及び円筒状基体４と真空槽１の間に挟まれた部分のみが真空に保たれるプラズマＣＶＤの反応室となっており、円筒状基体内部はこの反応室とは独立している。第２図の装置では中空の回転軸の方から・・・高温の気体、又は・・・高温の液体を熱媒体として導入し他方の回転軸から排出することにより円筒状基体を加熱する。」（第２頁左下欄第５行〜同頁右下欄第１４行）
キ．従来の円筒状被成膜基体用プラズマＣＶＤ装置の説明図である第１図及び本発明の実施例を示す図で、真空槽１内に、円筒状被成膜基体４の上端及び下端が、それぞれ、真空槽の天板部を気密に貫通する上方の中空回転軸５の下端及び真空槽の底板部を気密に貫通する下方の中空回転軸５の上端に気密に連結されて、円筒状被成膜基体４が立設されていると共に、該円筒状被成膜基体４を取り囲むように、中空二重構造の円筒形電極４が同心状に配置され、該円筒状被成膜基体４内部に中空回転軸５を介して高温の気体又は液体を流す（第２図の場合）か該円筒状被成膜基体４内部の気体又は液体を加熱する加熱ヒーター１０を配して（第３図の場合）、円筒状被成膜基体４を加熱し、円筒状被成膜基体４外表面に成膜する構造を有することが読み取れる筒状基体用プラズマＣＶ装置の説明図である第２図及び第３図（第３頁）が記載されており、
　甲第３号証（特開昭５８−１８１７１４号公報）には
ク．「以下図に示す実施例に基いてこの発明を詳述する。・・・。第１〜２図において、ａ‐Ｓｉ感光体ドラム作成装置（１）は、ドラム仕込み兼取り出し室（以下ドラム仕込み室と略記する）（２）とａ‐Ｓｉ膜作成室（３）とで円形に形成されており、両室（２）、（３）を通して床面に２本１組の基板ホルダー用レール（４）が円形に配設されている。このレール（４）の上には、Ａｌ円筒状基板（５）をセットする基板ホルダー（６）が複数台、・・・載置され、車輪（７）によってレール（４）上を移動可能になっている。基板ホルダー（６）は上側に円筒状基板（５）を内部から加熱する基板加熱手段（８）を備えるとともに、下側に・・・円筒状基板（５）を回転させるための伝達軸（９）が設けられている。（１０）はホルダー（６）にセットされる基板（５）を覆う円筒状カバーである。基板ホルダー（６）が停止される各指定位置には、背面中央に高周波兼ガス導入端子（１２）（１２）の一端を接続された半円筒状のガス噴出孔付き電極（１１）（１１）が、円筒状基板（５）の周側面を・・・取囲むことができるように配設されている。前記端子（１２）（１２）の他端は、それぞれドラム作成装置（１）の内壁（１ａ）（１ｂ）に固着されているが、端子（１２）（１２）はフレキシブルな構造であるから、ホルダー（６）が円筒状基板（５）をセットされてレール（４）に沿って移動するとき、電極（１１）（１１）は・・・開いて基板（５）の移動を許すとともに、ホルダー（６）が指定位置に停止されたとき基板（５）の周側面を取囲むことができる。・・・。ドラム仕込み室（２）は、扇形の両側をパルブ付き仕切り（１４）（１４）でａ‐Ｓｉ膜作成室（３）と区分されていて、ドラム仕込み室（２）の・・・天板部分には・・・ドラム出し入れドア（１５）が・・・設けられている。・・・（中略）・・・真空にされた前記両室（２）、（３）へのガスの供給は、図示する如く・・・異なつたガスが充填されている各ボンベ（２０）ら・・・流量制御したガスを・・・前記ガス噴出孔付き電極・・・から行う。このとき、ガスは電極・・・に設けた多数の噴出孔・・・から円筒状基板（５）の周側面の高さ方向に均一に噴出される。（２３）は・・・各電極（１１）に・・・電力を供給する高周波電源である。」（第２頁右上欄第１８行〜第３頁左上欄第２０行）
ケ．Ａｌ円筒状基板（５）を、上側から基板ホルダー（６）にセットして、仕込み室（２）から、ボンベ（２０）の各種ガスを流して反応可能な状態に保ったａ‐Ｓｉ膜作成室（３）の所定位置に移動し、半円筒状のガス噴出孔付き電極（１１）、（１１）に取り囲まれて高周波電源（２３）からの電力を受けてプラズマ放電を開始し、放電中、Ａｌ円筒状基板（５）の周側面にａ‐Ｓｉ膜が均一に形成されること。（第３頁右上欄第１行〜同頁左下欄第１７行、実施例の装置の作動に関する記載）
コ．実施例のａ‐Ｓｉ感光体ドラム作成装置（１）の横断面図である第１図、第１図の縦断面部分図であって基板ホルダー６上にセットされ、円筒状カバー１０が上端にかぶされているＡｌ円筒状基板５が対向するガス噴出孔付電極１１、１１間に位置して示されている図面である第２図、及び実施例のａ‐Ｓｉ感光体ドラム作成装置（１）へのガス供給系、排気系、電力供給系が示されている説明図である第３図（第４頁〜第５頁）
の記載がある。
　訂正後の本件特許請求の範囲第１項に係る発明（以下、「訂正後の本件発明」という。）と甲第１号証に記載された事項とを対比すると、前記摘記事項ア．〜エ．の記載から明らかなように、甲第１号証に記載された、中心にアルミニウム溶射ヒーター又はステンレスヒーターが配置され、該ヒーターをおおいかぶせるようにしてアノード電極であるアルミニウム製円筒状基体を回転可能に配置し、さらにその外側に真空槽の壁を兼ねるアルミニウム製カソード電極を配置した構造を有し、１３．５６ＫＨｚの高周波プラズマＣＶＤ法でシラン・ガスを原料としたアモルファスシリコン半導体の蒸着と四フツ化炭素ガスをもちいたドライ・エツチングを交互にくり返すヒーターの耐蝕性についての耐久実験に用いられた同軸円筒形プラズマＣＶＤ装置は、対向する電極間に高周波を印加置であるから、成膜用ガスの導入下及び高周波の印加の下でのグロー放電のが分解されて基板表面に成膜されるグロー放電分解装置に外ならないものであり、しかも該同軸円筒形プラズマＣＶＤ装置における「真空槽」、「アルミニウム製円筒状基体」、「アルミニウム製カソード電極」は、それぞれ訂正後の本件発明における「反応室」、「被成膜用の筒状基板」、「グロー放電用電極板」に相当するものであり、また該同軸円筒形プラズマＣＶＤ装置でのアルミニウム溶射ヒーター又はステンレスヒーターの構成を成す、「ステンレス製の保護管」、「ニクロムからなる発熱線」、「マグネシアからなる絶縁粉末」が、それぞれ、訂正後の本件発明装置での筒状熱源の構成を成す「導電性の筒体」、「電熱線」、「絶縁部材」に相当するから、甲第１号証に記載された上記同軸円筒形プラズマＣＶＤ装置は実質的に「成膜用ガスが導入される反応室内に被成膜用の筒状基板が立設され、該筒状基板を内包するようにグロー放電用電極板が同心状に配置されており、該筒状基板内部に立設された筒状熱源によって該筒状基板が所要温度にまで加熱され且つグロー放電の発生によって筒状基板の外表面に成膜されるグロー放電分解装置であって、前記筒状熱源は上記反応室内においてグロー放電領域からの隔壁を形成する導電性の筒体と、該筒体内部に電熱線が配設されるとともに筒体内壁と電熱線との間隙に絶縁部材が充填されて成るグロー放電分解装置」である点で、訂正後の本件発明とは共通するが、甲第１号証には訂正後の本件発明が要件とする下記Ｉ．〜ＩＩＩ．の点に関する記載がない。
　Ｉ．被成膜用の筒状基板が載置体上に立設されること
　ＩＩ．筒状基板上にキャプ体が配設されること
　ＩＩＩ．筒状熱源と筒状基板とがともに導電性材か置体上に配設されていること
　次に、訂正後の本件発明と甲第２号証に記載された事項とを対比すると、前記摘記事項オ．〜キ．の記載から明らかなように、甲第２号証には成膜ガスが導入される真空槽内に、円筒状被成膜基体の上端及び下端が、それぞれ、真空槽の天板部を気密に貫通する上方の中空回転軸の下端及び真空槽の底板部を気密に貫通する下方の中空回転軸の上端に、気密に連結されて、円筒状被成膜基体が立設されていると共に、該円筒状被成膜基体を取り囲むように、内側に原料ガスの放出孔が明けられた中空二重構造の円筒形電極が同心状に配置されており、該円筒状被成膜基体内部に高温の気体又は液体を流すか、該円筒状被成膜基体内部に該円筒状被成膜基体内部の気体等を加熱する加熱ヒーターを配して，該円筒状被成膜基体内部に該円筒状被成膜基体全体を均一に加熱する手段を配置した、円筒状被成膜基体の外表面に成膜されるプラズマＣＶＤ装置が記載されており、該プラズマＣＶＤ装置は真空槽内で対向する電極が同軸円筒状に配置されている構造からみて、対向する電極間でのグロー放電の発生によるプラズマ状態を経て成膜用ガスが分解されて被成膜基板表面に成膜されるグロー放電分解装置に外ならないものであり、しかも該プラズマＣＶＤ装置における「真空槽」、「円筒状被成膜基体」、「円筒形電極」は、それぞれ、訂正後の本件発明における「反応室」、「被膜用の筒状基板」、「グロー放電用電極板」に相当するものであるから、甲第２号証には、「成膜用ガスが導入される反応室内に被成膜用の筒状基板が立設され、該筒状基板を内包するようにグロー放電用電極が同心状に配置されており、該筒状基板内部に設けられた熱源によって該筒状基板が所要温度にまで加熱され且つグロー放電の発生によって筒状基板の外表面に成膜されるグロー放電分解装置」が記載されているといえるが、甲第２号証にも、甲第１号証に記載がないとした訂正後の本件発明が要件とする前記Ｉ、ＩＩ及びＩＩＩの事項については記載がない。
　さらに、訂正後の本件発明と甲第３号証に記載された事項とを対比すると、前記摘記事項ク．〜コ．の記載から明らかなように、甲第３号証には成膜用ガスが導入されるａ‐Ｓｉ膜作成室（３）内に、Ａｌ円筒状基板（５）が該ａ‐Ｓｉ膜作成室（３）に配設した基板ホルダー用レール（４）上を移動可能に設けた複数個の基板ホルダー（６）上に立設され、該円筒状基板（５）上に該円筒状基板（５）を覆う円筒状カバー（１０）が配置され、基板ホルダー（６）が前記レール（４）上を移動してきたときに該円筒状基板（５）を同心状に内包する一対の半円筒状のガス噴出孔付き電極（１１）（１１）が前記レール（４）に沿って複数箇所配置され、プラズマＣＶＤ法により円筒状基板（５）外表面にａ‐Ｓｉ（アモルファスーシリコン）膜を形成するａ‐Ｓｉ感光体ドラム作成装置（１）が記載されており、感光体ドラム作成装置（１）は、プラズマＣＶＤ法により円筒状基板にａ‐Ｓｉ膜を形成する装置であって、成膜時にａ‐Ｓｉ膜作成室（３）内で一対の半円筒状のガス噴出孔付き電極（１１）（１１）とＡｌ円筒状基板（５）とが同軸に位置して相互に向き合う構造をとることからみて、一対の半円筒状のガス噴出孔付き電極（１１）（１１）とＡｌ円筒状基板（５）との間でのグロー放電の発生によるプラズマ状態を経て成膜用ガスが分解されて基板表面に成膜されるグロー放電分解装置に外ならないものであり、しかも上記ａ‐Ｓｉ感光体ドラム作成装置（１）における「Ａｌ円筒状基板（５）」、「基板ホルダー（６）」、「円筒状カバー（１０）」は、それぞれ、訂正後の本件発明における「被成膜用の筒状基板」、「載置体」、「キャップ体」に相当するから、甲第３号証には筒状基板の外表面に成膜されるグロー放電分解装置において、被成膜用の筒状基板が載置体上に立設されること及び筒状基板上にキャップ体が配設されることは記載されている。すなわち甲第１〜２号証に記載がないとした訂正後の本件発明が要件とする前記Ｉ及びＩＩの事項「被成膜用の筒状基板が載置体上に立設されること」及び「筒状基板上にキャプ体が配設されること」は甲第３号証に記載されていることが認められる。　しかしながら、甲第３号証には基板ホルダー（６）が上側にＡｌ円筒状基林（６）内部から加熱する基板加熱手段（８）を備えることは記載されてはいるものの、基板加熱手段（８）の内容についてなにも記載されてはいないし、基板ホルダー（６）の材質について触れる記載もないのであるから、甲第１〜２号証に記載がないとした訂正後の本件発明が要件とする前記ＩＩＩの事項「筒状熱源と筒状基板とがともに導電性材から成る載置体上に配設されていること」は甲第３号証にも記載がない。
　そして、訂正後の本件発明は甲第１〜３号証に記載のない上記構成をとることにより、載置体を介して筒状熱源の導電性の筒体を筒状基板と電気的に導通させることができ、筒状熱源の導電性の筒体と筒状基板の間で電位差がなくなり、両者間で放電しなくなる等の訂正後の本件明細書に記載の作用、効果を奏するものである。
　以上述べたとおりであるから、訂正後の本件発明は甲第１号証に記載された発明と同一であるとすることはできないし、また甲第１〜３号証に記載された発明を併せ総合してみても甲第１〜３号証に記載された事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることもできない。
　したがって、訂正後の本件発明は、特許出願の際、独立して特許を受けることができない発明であるとすることはできない。
４−５　訂正の認否
　上記４−１、４−２、４−３，４−４で述べたように上記（ａ）、（ｂ）、（ｃ）の訂正は、特許法第１２０条の４第２項ただし書第一号、第二号または第三号に掲げる事項を目的とするものであり、また同条第３項で準用する同法第１２６条第２項〜第４項に規定する要件に適合するものであるから、上記訂正は認める。
５　特許異議の申立についての判断と結論
　上記４−５で述べたように、上記訂正は認めるので、訂正後の本件発明は、訂正後の特許請求の範囲第１項に記載された事項をその要旨とするものと認める。
　そして、上記４−４で述べたように、訂正後の本件発明の特許は、特許異議申立の理由及び証拠によっては取り消すことができないし、また、他に訂正後の本件発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１１年６月７日（１９９９．６．７）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
　特許第２６０８４１０号の明細書を訂正請求書に添付された訂正明細書のとおりに、すなわち、
　（１）特許請求の範囲の減縮を目的として、特許請求の範囲の全文、すなわち「成膜用ガスが導入される反応室内に被成膜用の筒状基板が立設され、該筒状基板を内包するようにグロー放電用電極板が同心状に配置されており、該筒状基板内部に立設された筒状熱源によって該筒状基板が所要温度にまで加熱され且つグロー放電の発生によって筒状基板の外表面に成膜されるグロー放電分解装置において、前記筒状熱源は、上記反応室内においてグロー放電領域からの隔壁を形成する筒体と、該筒体内部に電熱線が配設されるとともに筒体内壁と電熱線との間隙に絶縁部材が充填されて成ることを特徴とするグロー放電分解装置。」を「成膜用ガスが導入される反応室内に被成膜用の筒状基板が載置体上に立設され、該筒状基板上にキャップ体が配設され、該筒状基板を内包するようにグロー放電用電極板が同心状に配置されており、該筒状基板内部に立設された筒状熱源によって該筒状基板が所要温度にまで加熱され且つグロー放電の発生によって筒状基板の外表面に成膜されるグロー放電分解装置であって、上記反応室内においてグロー放電領域からの隔壁を形成する導電性の筒体と、該筒体内部に電熱線が配設されるとともに筒体内壁と電熱線との間隙に絶縁部材が充填されて成る前記筒状熱源と筒状基板とがともに導電性材から成る載置体上に配設されていることを特徴とするグロー放電分解装置。」と訂正する。
　（２）明りょうでない記載の釈明を目的として、明細書第６頁９行目（特許公報第２頁第４欄２１行目）の「基板載置体１１」を「導電性材料からなる基板載置体１１」と訂正する。
　（３）誤記の訂正を目的として、明細書第７頁１９行目〜２０行目（同公報第２頁だい４欄５０行目）の「底板１ｃ」を「基板載置体１１」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
グロー放電分解装置
（５７）【特許請求の範囲】
　成膜用ガスが導入される反応室内に被成膜用の筒状基板が
載置体上に
該筒状基板上にキャップ体が配設され、該
であって、
導電性の
る前記筒状熱源と筒状基板とがともに導電性材から成る載置体上に配設されている
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
　本発明は筒状基板上にアモルファスシリコン層などを形成することができるグロー放電分解装置に関し、その基板を所要の温度に設定する熱源を改良したグロー放電分解装置に関するものである。
〔従来技術及びその問題点〕
　今日、アモルファスシリコンを光導電層とした電子写真感光体が実用化されており、その優れた耐摩耗性、耐熱性及び光感度特性並びに無公害性等々によって急速に市場に浸透しつつある。
　この電子写真感光体はグロー放電分解法によって形成されるが、そのためのグロー放電分解装置は例えば第４図に示すような構成である。
　第４図において、１は円筒形状の反応容器であり、この反応容器１は例えばセラミックスから成る絶縁性の蓋体１ａ、導電性の周壁１ｂ、導電性の底板１ｃから成り、更に２は円筒形状のグロー放電用電極板、３は基板載置台であり、この基板載置台３の上にはアルミニウムなどから成る被成膜用の筒状基板４（以下基板４と略す）が載置されており、回転駆動手段（図示せず）によって基板載置台３が回転し、これによって基板４が回転する。
　そして、周壁１ｂは電極板２と電気的に導通しており、一方、底板１ｃは基板載置台３と電気的に導通して接地されている。また、高周波電源５の一方の出力端子は接地され、他方の出力端子は周壁１ｂと接続されており、このような電力印加系のもとで電極板２と基板４の間でグロー放電が発生する。尚、６は周壁１ｂ及び電極板２のそれぞれと底板１ｃとを電気的に絶縁するリング体である。
　７はガス導入口、８はガス排出口であり、ａ−Ｓｉ成膜用ガスがガス導入口７を介して反応容器１の内部へ導入され、次いで電極板２に貫設された複数個のガス噴出口９を通して基板４へ向けて吹き出される。
　また成膜に当たっては、基板４を所要の温度範囲内に設定する必要があり、そのためのヒータ１０が基板内部に配設されている。このヒータ１０は電熱線１０ａと支持体１０ｂから成り、支持体１０ｂを軸にしてその周囲に電熱線１０ａが螺旋状に形成されている。
　ａ−Ｓｉ感光体ドラムを製作する場合、上記のような電力印加系及びガス流入系の下で基板４が回転し、更に基板４が所要温度に設定され、グロー放電分解によって基板４上にａ−Ｓｉ膜が気相成長する。
　そして、この気相成長に伴って生じる分解残余ガスはガス排出口８を介して排出される。尚、図中の矢印はガス流の方向を表わす。
　しかしながら、上記のようなグロー放電分解装置によれば、ヒータ１０が反応室内部のグロー放電領域と連続して繋がっており、そのために電熱線１０ａの加熱用電源電位によって電熱線１０ａの相互間に内部放電が発生し易くなり、更にａ−Ｓｉ成膜用ガスが基板内部へ入り、その結果、ａ−Ｓｉ成膜用ガスが分解し、その分解生成物がヒータ１０や基板４の内面に付着する。
　更に上記のような内部放電が発生した場合には、基板４と電極板２の間で発生する本来のグロー放電が影響を受け、グロー放電用高周波電力がリークされ、これによってその電力印加系の制御システムが変動し、成膜中所望通りの膜質が得られないという問題が生じる。
〔発明の目的〕
　従って本発明は叙上に鑑みて案出されたものであり、その目的は基板加熱用熱源に異常放電が発生せず、これにより、基板内部に成膜用ガスの分解生成物が発生しないようにしたグロー放電分解装置を提供することにある。
　本発明の他の目的はグロー放電用の制御系が成膜中変動しない高信頼性のグロー放電分解装置を提供することにある。
〔問題点を解決するための手段〕
　本発明によれば、成膜用ガスが導入される反応室内に被成膜用の筒状基板が立設され、該筒状基板を内包するようにグロー放電用電極板が同心状に配置されており、該筒状基板内部に立設された筒状熱源によって該筒状基板が所要温度にまで加熱され且つグロー放電の発生によって筒状基板の外表面に成膜されるグロー放電分解装置において、前記筒状熱源は、上記反応室内においてグロー放電領域からの隔壁を形成する筒体と、該筒体内部に電熱線が配設されるとともに筒体内壁と電熱線との間隙に絶縁部材が充填されて成ることを特徴とするグロー放電分解装置が提供される。
　以下、本発明をａ−Ｓｉ感光体ドラムを製作することができるグロー放電分解装置を例にとって詳細に説明する。
　第１図は本発明のグロー放電分解装置であり、第２図及び第３図は熱源である。尚、第１図中第４図と同一箇所には同一符号が付してある。
　第１図によれば、第４図に示したような基板載置台３に代えて、底板１ｃの上にリング状の基板載置体１１が形成されており、この基板載置体１１の上に基板４が立設されており、更に基板４の内部には筒状熱源１２が立設されている。また底板１ｃは
導電性材料から成る基板載置体１１
　第２図は筒状熱源（以下熱源と略す）１２の一部を切り欠いた破断面図であり、第３図は第２図中の切断面線Ｘ−Ｘによる断面図である。
　この熱源１２は基板４内部に立設されその一端が閉塞された保護管１３と、この保護管１３の内部に充填されたＭｇＯなどから成る絶縁部材１４と、更にこの絶縁部材１４の内部に埋設された発熱性の素線１５とから成り、この素線１５はＮｉ−Ｃｒなどから成る螺旋状の電熱線であり、これがＵ字型に配設され、この発熱によって保護管１３が加熱され、熱源１２となる。
　このような構成のグロー放電分解装置によりａ‐Ｓｉを成膜形成する場合には、反応室１の内部を脱気して真空度を著しく高め、次いでａ−Ｓｉ成膜用ガスをガス導入口７及びガス噴出口９を介して基板４へ向けて噴き出し、熱源１２により基板４を所要な温度になるように加熱する。また、基板載置体１１を回転駆動手段（図示せず）によって回転させ、これによって基板４が回転し、そして、グロー放電により基板上ａ−Ｓｉ膜を形成する。
　上記のようなグロー放電分解装置においては、熱源内部の素線１５が保護管１３によってグロー放電領域より保護されており、そのためにａ−Ｓｉ成膜用ガスに晒されなくなり、これによって素線１５自体に何等放電が発生しなくなる。
　本発明によれば、前記
保護管１３
基板載置体１１
　導電性保護管材料として、ＳＵＳ，Ａｌ，Ｃｕ，Ｎｉなどがあるが、就中、ＳＵＳが耐熱性及び耐食性に優れ且つ安価であるという点で望ましい。
　第５図は本発明の他の実施例である。
　第５図は第１図のグロー放電分解装置を改良した装置であり、第１図に比べて基板４上にキャップ体１６を載置しており、これにより、基板４と電極板２の間で発生するグロー放電が基板の内側に入り込まなくなり、更にａ−Ｓｉ成膜用ガスも入り込まなくなってその分解生成物が基板内側面や熱源１２に付着しなくなる。
〔発明の効果〕
　以上の通り、本発明のグロー放電分解装置によれば、基板加熱源に異常放電が発生しなくなり、そのために基板内部に成膜用ガスの分解生成物が発生しなくなり、その結果、成膜操作が簡便化したグロー放電分解装置を提供することができる。
　更に本発明のグロー放電分解装置によれば、ガス流量制御、基板温度制御、ガス圧力制御などの制御系統が成膜中不必要に変動せず、これにより、製造コントロールが容易となって製造効率を高めることができ、その結果、高信頼性のグロー放電分解装置を提供することができる。
　また本発明のグロー放電分解装置によれば、発熱体が成膜用ガスに晒されなくなり、更に必要に応じて反応室内部をガスエッチング洗浄するに当たってそのエッチングガスにも晒されなくなり、これにより、発熱体の腐蝕が無くなり、その結果、安定且つ信頼性に優れた基板加熱ができる。
　尚、本発明は上記のようなグロー放電分解装置に限られるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改善などは何等差支えない。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明グロー放電分解装置の説明図、第２図は熱源の一部破断面図、第３図は第２図中切断面線Ｘ−Ｘによる断面図、第４図は従来のグロー放電分解装置の説明図、第５図は本発明の他の実施例にて示されるグロー放電分解装置の説明図である。
２……グロー放電用電極
４……筒状基板
１０……ヒータ
１２……筒状熱源
１３…保護管
１４……絶縁部材
１５…発熱性素線