【事件の表示】
　特許第２８１２７２０号「反射型ＭＩＭアクティブマトリクス基板の製造方法」の請求項１ないし３に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結論】
　特許第２８１２７２０号の請求項１ないし３に係る特許を維持する。
【理由】
１．手続きの経緯
　特許第２８１２７２０号の請求項１〜３に係る発明についての出願は、平成１年７月１４日に出願され、平成１０年８月７日にその発明について特許の設定登録がなされ、その後、その特許について、セイコーエプソン株式会社より特許異議の申立がなされたものである。
２．特許異議申立について
ア．本件発明
　特許第２８１２７２０号の請求項１〜３に係る発明（以下、「本件発明１〜３」という。）は、明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲に記載された次のとおりのものと認める。
「【請求項１】基板上に設けられた配線電極と該配線電極上に設けられた絶縁膜と該絶縁膜上に設けられた上部電極とからなるＭＩＭ（金属−絶縁膜−金属）素子と反射性画素電極を有する反射型ＭＩＭアクティブマトリクス基板の製造方法に於て、
前記基板上に反射性の金属膜を形成する工程と、該反射性の金属を前記配線電極と反射性画素電極の形状にパタン化する工程と、前記配線電極上に前記絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜及び反射性画素電極上に前記上部電極を形成する工程とを少なくとも有する事を特徴とする反射型ＭＩＭアクティブマトリクス基板の製造方法。
【請求項２】請求項１記載の反射型ＭＩＭアクティブマトリクス基板の製造方法において、配線電極上に形成する絶縁膜は、前記配線電極を利用して電流を供給する事により、前記配線電極を陽極酸化して形成する事を特徴とする反射型ＭＩＭアクティブマトリクス基板の製造方法。
【請求項３】請求項１記載の反射型ＭＩＭアクティブマトリクス基板の製造方法において、上部電極は絶縁膜を介して反射性画素電極上に形成する事を特徴とする反射型ＭＩＭアクティブマトリクス基板の製造方法。」
イ．申立の理由の概要
　異議申立人・セイコーエプソン株式会社は、証拠として甲第１号証（特開昭５７−２０５７１２公報）及び参考資料１（特開昭６２−２５３１９１号公報）、参考資料２（特開昭６２−２３０１９号公報）、参考資料３（特開昭６３−２４９１９１号公報）を提出し、本件発明１、２は、甲第１号証記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、また「ＭＩＭ型液晶表示装置として、上部電極を絶縁膜を介して画素電極上に形成してバックトゥバックのＭＩＭ素子を構成するものは本件出願前に広く知られているところであるので」（参考資料１〜３）、本件発明３は、甲第１号証記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、本件発明１〜３の特許は特許法第２９条第２項の規定に違反し、取り消されるべきである旨主張している。　
ウ．甲第１号証記載の発明
　甲第１号証には以下の記載がある。
▲１▼「本発明は、液晶表示体の製造方法に関する。さらに詳しくは、各々の表示画素に非線形素子を結合した液晶表示体の製法に関する。」（１頁左下欄１５〜１７行）
▲２▼「従来のＭＩＭ素子の構成は、第３図に示すようにガラス基板３を酸化膜４で被覆し、金属薄膜５を形成、パターニングした後、その表面に絶縁体薄膜６を形成する。さらに金属薄膜７を形成してパターニングし、ＭＩＭ構造を作る。・・・従来の方法では、ＭＩＭ素子を備えた基板の製造に、（１）金属薄膜５のパターング、（２）金属薄膜７のパターニング及び（３）液晶駆動用の電極８のパターニングと３回のフォト・リソグラフイ工程を要し、その製造コストは多大なものであった。本発明は、ＭＩＭ素子の一方の金属電極を形成する際のフオトエツチング工程で液晶駆動用電極のパターニングも同時に行うことによって、フオト・リソグラフイー工程を１工程減らし、コストの低下を図るものである。」（２頁左下欄６行〜右下欄７行）
▲３▼「実施例　ソーダガラス基板９上に、スパッタリングによって五酸化タンタル１０、酸化インジウム１１、タンタル１２の順に薄膜形成する［第５図（ａ）］。次に、ＭＩＭ素子の一方の金属電極及びリード部となるタンタル部１３、及び表示画素と同一形状のタンタル部１４が残るよう、前記タンタル薄膜１２をエツチングする［第５図（ｂ）］。続いてタンタル１３、１４をマスクとして用い、酸化インジウム層１１をエツチングし、液晶駆動用の透明電極１５をパターニングする［第５図（ｃ）］。次に、ＭＩＭ素子の一方の金属電極及びリード部となるタンタル１３の表面のみを陽極酸化して、五酸化タンタル１６を形成する［第５図（ｄ）］。この時、リード部のタンタル１３のみに通電して陽極酸化を行えば、表示画素部のタンタル１４は酸化されないでタンタルのままである。　次に、全面にタンタル薄膜をスパッタリングし、ＭＩＭ素子のもう一方の金属電極１７を形成する［第５図（ｅ）］。この時、五酸化タンタル１６と透明電極１５が完全にエツチングされてしまわないよう、タンタルと五酸化タンタル及び酸化インジウムとの選択エツチングが可能な方法でエツチングを行なう必要があり、例えば、フレオンガスによつてプラズマエツチングを行なうことにより目的を達成することが出来る。この時点で、ＭＩＭ素子が完成すると同時に液晶駆動用の透明電極１５が露出し、液晶表示体の一方の基板が完成する。」（２頁右下欄８行〜３頁左上欄１７行）
　▲４▼「以上、実施例を挙げたが本発明は上記実施例に　限定されるものではなく、例えばＭＩＭ素子の一方の金属電極及び絶縁体材料としては、Ｔａ−Ｔａ２Ｏ５系に限らず、前述のＡｌ、Ｎｂ、Ｔｉ、Ｓｉ等とその酸化物系を用いることが可能であり」（３頁右上欄１〜５行）
▲５▼「以上説明したように、本発明によれば従来３回のフオトリソグラフイー工程を要したＭＩＭ素子組込みの液晶表示体用基板が２回のフォト・リソグラフイー工程で完成出来、製造に要する時間及びコスト面で非常に有利であり、多桁駆動が可能なマトリクス型液晶表示体をより短時間で安価に得ることが出来る。」（３頁左下欄７〜１３行）
　以上▲１▼〜▲５▼の記載事項からみて甲第１号証には次の発明が記載されている。
「ソーダガラス基板９上に設けられたＭＩＭ素子の一方の金属電極及びリード部となるタンタル１３と該タンタル１３上に設けられた五酸化タンタル１６と該五酸化タンタル１６上に設けられた金属電極１７とからなるＭＩＭ素子と透明電極１５を有するＭＩＭアクティブマトリクス基板の製造方法に於いて、
前記ソーダガラス基板９上に五酸化タンタル１０、酸化インジウム１１、タンタル１２の順に薄膜形成する工程と、ＭＩＭ素子の一方の金属電極及びリード部となるタンタル部１３及び表示画素と同一形状のタンタル部１４が残るよう、前記タンタル薄膜　１２をエツチングする工程と、タンタル１３、１４をマスクとして用い、前記酸化インジウム層１１をエツチングして透明電極１５とする工程と、前記タンタル１３のみに通電してＭＩＭ素子の一方の金属電極及びリード部となるタンタル１３の表面のみを陽極酸化することにより前記五酸化タンタル１６を形成する工程と、タンタルと五酸化タンタル及び酸化インジウムとの選択エツチングにより酸化インジウムからなる透明電極１５を露出させ、該透明電極１５上に前記ＭＩＭ素子のもう一方の金属電極１７を形成する工程を少なくとも有する透過型ＭＩＭアクティブマトリクス基板の製造方。」
エ．対比・判断
〈請求項１に係る発明〉
（対比）
　本件発明１と異議申立人の提出した甲第１号証記載の発明とを対比すると、甲第１号証記載の発明の「ソーダガラス基板９」が本件発明１の「基板」に相当し、以下同様にＦＭＩＭ素子の一方の金属電極及びリード部」が「配線電極」に、「五酸化タンタル１６」が「絶縁膜」に、「ＭＩＭ素子のもう一方の金属電極１７」が「上部電極」に、「エツチングする工程」が「パタン化する工程」に相当し、また「透明電極１５」が「画素電極」に対応する。
　そして、タンタルは反射性金属であるので、甲第１号証記載の発明の「タンタル１２」も「反射性の金属膜」であると認められる。
　してみると、本件発明１と甲第１号証記載の発明の両者は
「基板上に設けられた配線電極と該配線電極上に設けられた絶縁膜と該絶縁膜上に設けられた上部電極とからなるＭＩＭ（金属−絶縁膜−金属）素子と画素電極を有するＭＩＭアクティブマトリクス基板の製造方法に於て、
反射性の金属膜を形成する工程と、該反射性の金属膜を前記配線電極と画素電極の形状にパタン化する工程と、前記配線電極上に前記絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜及び画素電極上に前記上部電極を形成する工程とを少なくとも有する事を特徴とするＭＩＭアクティブマトリクス基板の製造方法。」
である点で一致し、次の点で相違する。
　相違点１：反射性の金属膜を、本件発明１では「基板上に形成する」のに対して、甲第１号証記載の発明においては「基板上に」五酸化タンタル１０、酸化インジウム１１の薄膜を介して形成する点。
　相違点２：本件発明１ではＭＩＭアクティブマトリクス基板が「反射型」であり、「反射性の金属」を「反射性画素電極」の形状にパタン化するのに対して、甲第１号証記載の発明ではＭＩＭアクティブマトリクス基板が「透過型」であり、１反射性の金属膜」である「タンタル１４」は「酸化インジウム層１１をエツチングして「透明電極１５」とする際の「マスク」として用い、その後エツチング除去される点。
　相違点３：上部電極を、本件発明１では、「反射性画素電極上」に形成するのに対して、甲第１号証記載の発明では、「透明電極１５上」に形成する点。
（判断）
　まず、相違点１について検討する。
　甲第１号証には五酸化タンタル１０、酸化インジウム１１の薄膜を形成する工程を省くことに関する記載及び示唆はない。
　また、五酸化タンタル膜１０、酸化インジウム１１の薄膜を形成する工程を省くことが当該技術分野において自明な事項とも認められない。
　したがって、相違点１は当業者が容易に成し得た事項であるとは認められない。
　次に相違点２について検討する。
　甲第１号証には、「反射型」ＭＩＭアクティブマトリクス基板の製造方法に関する記載及び示唆はない。
　また、甲第１号証には、透明電極１５をエツチング形成する際にマスクとして用いた「タンタル１４」をエツチング除去せずに残し、「反射性画素電極」とすることに関する記載及び示唆もみい出せない。
　したがって、相違点２は当業者が容易に成し得た事項であるとは認められない。
　最後に相違点３について検討する。
　甲第１号証記載の発明には「反射性画素電極」が存在しないので、相違点３は当業者が容易に成し得た事項であるとは認められない。
　そして、本件発明１は、上記各相違点を有することにより本件特許明細書記載の本件発明１に特有な作用効果を奏すると認められる。
　よって、本件発明１は、甲第１号証記載の発明に基づいて当業者が容易に成し得たものであるとすることはできない。
〈請求項２、３に係る発明〉
　本件発明２、３は、それぞれ本件発明１の構成を全て含み、さらに技術的に限定したものであるので、本件発明１について検討したのと同様の理由で、甲第１号証記載の発明に基づいて当業者が容易に成し得たものであるとすることはできない。
　なお、異議申立人の提出した参考資料１〜３をみても上記判断を覆すに足りる根拠はみい出せない。
オ．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立の理由及び証拠によっては本件の請求項１〜３に係る発明の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件の請求項１〜３に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１１年７月２１日（１９９９．７．２１）