【事件の表示】
　特許第２７３５２９５号「平面インダクタ」の請求項１ないし３に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結論】
　訂正を認める。
　特許第２７３５２９５号の請求項１ないし３に係る特許を維持する。
【理由】
１．手続きの経緯・本件発明
ア．本件特許第２７３５２９５号の請求項１ないし４に係る発明についての出願は、平成１年６月３０日に出願され、その発明は平成１０年１月９日に特許の設定登録がされたものである。
イ．これに対して、特許異議申立人（林　秀樹）は、甲第１ないし５号証を提出し、本件請求項１ないし３に係る発明は、甲第１ないし５号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、当該発明に係る特許は特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであり、同法第１１３条第１項第２号の規定により取り消されるべきであると主張している。
ウ．これに対して、当審において平成１０年１２月１６日付で、請求項１ないし３に係る発明に対して刊行物１ないし５（特許異議申立人の提出した甲第１ないし５号証）を提示して取消理由を通知したところ、その指定期間内である平成１１年３月９日に、特許請求の範囲の請求項１ないし４の記載を（削除し）、新たに請求項１ないし３の記載とする訂正請求書が提出されたものである。
２．訂正の適否についての判断
ア．訂正明細書の請求項１ないし３に係る発明
　訂正明細書の請求項１ないし３に係る発明はその特許請求の範囲の請求項１ないし３に記載された次のとおりのものである。
（１）平面導体コイル又はこれらの積層体の両面を絶縁層を解して強磁性薄帯又はその積層体で挟んだ平面インダクタにおいて、前記強磁性体として、飽和磁化４πＭｓが
　４πＭｓ≧１０ｋＧ
であり、厚さが１００μｍ以下のものを用い、前記強磁性薄帯又はその積層体の両面に、モールド樹脂の収縮力緩和層を形成し、全体をモールド樹脂で被覆したことを特徴とする平面インダクタ。
（２）強磁性薄帯として、１０ＫＨｚにおける実効透磁率μ１０ｋが
　μ１０ｋ≧１×１０４
であるものを用いたことを特徴とする請求項（１）記載の平面インダクタ。
（３）強磁性薄帯又はその積層体が、複数の部分に分割されていることを特徴とする請求項（１）記載の平面インダクタ。
イ．訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張変更の存否
　特許権者が求めている訂正の内容は以下の事項ａのとおりである。
ａ．特許請求の範囲の請求項１ないし４を上記の訂正明細書記載のとおりの請求項１ないし３に訂正する。
　上記ａの訂正事項は、従前の請求項４を単に記載の形式を変更して新たな請求項１とし、従前の請求項２及び３を、該新たな請求項１を引用する形式で新たな請求項２及び３としたものであるから、特許請求の範囲の減縮に該当するものであって、新規事項の追加に該当せず、又、実質上特許請求の範囲を拡張し、又、変更するものではない。
ウ．独立特許要件についての判断
　当審で通知した取消理由に引用した刊行物１ないし５には、本件訂正明細書の請求項１ないし３に係る発明の構成要件である「強磁性薄帯又はその積層体の両面に、モールド樹脂の収縮力緩和層を形成し、全体をモールド樹脂で被覆した」事項が記載も示唆もされていない。そして、当該事項により、本件訂正明細書の請求項１ないし３に係る発明は、明細書に記載されたとおりの顕著な効果を奏するものと認められるから、上記刊行物１ないし５に記載のものから当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　よって、本件訂正明細書の請求項１ないし３に係る発明が、特許出願の際独立して特許を受けることができないものとはいえない。
エ．むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は特許法第１２０条の４第２項及び同条第３項において準用する第１２６条第２ないし４項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
３．特許異議の申立てについての判断
ア．本件発明
　前記のとおり本件訂正は認められるので、本件請求項１ないし３に係る発明は、前述のとおりの訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１ないし３に記載されたとおりのものである。
イ．申立ての理由の概要
　特許異議申立人は、甲第１ないし５号証（取消理由に引用した刊行物１ないし５）を提出し、従前の請求項１ないし３に係る発明は特許法第２９条第２項に規定する発明に該当し、当該発明の特許は特許法第１１３条第２項の規定に該当するので取り消されるべきものである旨主張している。
ウ．判断
　本件発明は、上記２．ウで示したように、取消理由通知で示した刊行物に記載された発明から容易に発明をすることができたものとすることはできない。
　また、他に本件請求項１ないし３に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１１年１１月１２日（１９９９．１１．１２）
【訂正の要旨】
　訂正の要旨
　特許第２７３５２９５号発明の明細書中の特許請求の範囲の請求項１−４において、特許請求の範囲の減縮を目的として、もとの請求項１を削除し、以下もとの請求項４を単に記載の様式を変更して新たな請求項１とし、もとの請求項２及び３を新たな請求項１を引用する形式で新たな請求項２及び３と訂正する。
（５４）【発明の名称】
平面インダクタ
（５７）【特許請求の範囲】
　　（１）平面状導体コイル又はこれらの積層体の両面を絶縁層を介して強磁性薄帯又はその積層体で挟んだ平面インダクタにおいて、前記強磁性薄帯として、飽和磁化４πＭｓが
　　４πＭｓ≧１０ｋＧ
であり、厚さが１００μｍ以下のものを用い
、前記強磁性薄帯又はその積層体の両面に、モールド樹脂の収縮力緩和層を形成し、全体をモールド樹脂で被覆した
　　（２）強磁性薄帯として、１０ｋＨｚにおける実効透磁率μ１０ｋが
　　μ１０ｋ≧１×１０４
であるものを用いたことを特徴とする請求項（１）記載の平面インダクタ。
　　（３）強磁性薄帯又はその積層体が、複数の部分に分割されていることを特徴とする請求項（１）記載の平面インダクタ。
【発明の詳細な説明】
　［発明の目的］
　　（産業上の利用分野）
　　本発明は平面インダクタに関する。
　　（従来の技術）
　　従来よりスパイラル状又はつづら折れ状の導体コイルの両面を絶縁層を介して強磁性体層で挟んだ構造の平面インダクタが知られている。第１図（Ａ）及び（Ｂ）にこのような平面インダクタの一例を示す。なお、同図（Ａ）はこの平面インダクタの平面図であり、同図（Ｂ）は同図（Ａ）のＡ−Ａ’線に沿う断面図である。
　第１図（Ａ）及び（Ｂ）において、平面状導体コイル１は絶縁層３ｂの両面にスパイラルコイル２ａ、２ｂを設け、これらスパイラルコイル２ａ及び２ｂをスル−ホール４で電気的にかつ各スパイラルコイル２ａ、２ｂに同方向の電流が流れるように接続した構造を有している。ここで、第２図（Ａ）中の実線及び破線はそれぞれ絶縁層３ｂの表面側及び裏面側にあるスパイラルコイル２ａ、２ｂの中心の軌跡を表わしている。この平面状導体コイル１の両面を絶縁層３ａ、３ｃを介して強磁性薄帯又は強磁性薄膜５ａ、５ｂで挟むことにより平面インダクタが構成されている。以上の各部材からなる平面インダクタの端子６ａ、６ｂ間にインダクタンスが形成される。
　　（発明が解決しようとする課題）
　　前述した平面インダクタは例えばＤＣ−ＤＣコンバータなどの出力側のチョークコイルに適用される。この場合、平面インダクタには直流が重畳された高周波電流が流れるので、良好な直流重畳特性が要求される。
　ところが、従来の平面インダクタは、直流重畳特性が悪いという問題があったこれは、従来使用されている強磁性薄帯の磁気特性が不適当なためである。すなわち、第１図の平面インダクタにおいては、磁束は両面の強磁性薄帯５ａ、５ｂの面内方向を流れ、高インダクタンスを得るためには高透磁率強磁性薄帯が用いられる。しかしながら、高透磁率強磁性薄帯の飽和磁化が低い場合には、小さな直流磁場が重畳されても磁束密度が飽和してインダクタンスが低下し、直流重畳特性が悪くなる。例えば、高透磁率強磁性体としてはＣｏ系非晶質合金が知られているが、その飽和磁化はフェライトよりも高いものの充分ではなく、直流重畳特性は悪い。
　なお、強磁性薄帯としてＣｏ系非晶質合金を用いる場合でも、これを積層すれば直流重畳特性をある程度改善することができる。しかし、非晶質合金を積層すれば、それだけ平面インダクタの厚さが増すため、平面インダクタの薄形化という目的からすると好ましくない。
　このように平面インダクタの直流重畳特性が悪いと、インダクタンスが低下し、制御が困難になってＤＣ−ＤＣコンバータの効率が低下するため、そのままではＤＣ−ＤＣコンバータなどへ適用することは不適当である。したがって、直流重畳特性の改善には、高透磁率強磁性薄帯の飽和磁化が高いことが要求される。
　更に、インダクタンスの直流重畳特性を改善できたとしても、これら平面インダクタを適用したＤＣ−ＤＣコンバータの効率に関しては、強磁性薄帯の高周波損失のために、その向上には限度がある。したがって、従来のフェライト製インダクタを使用した場合に匹敵する高効率を得るためには、強磁性薄帯の高周波損失を少なくする必要がある。
　なお、強磁性薄帯として用いられる非晶質合金は正の飽和磁歪を有するものが多い。このように正の飽和磁歪を有する非晶質合金を一般のトロイダル状磁心にして用いる場合には、曲げ応力による逆磁歪効果により歪取り熱処理時に複雑な磁気異方性が発生し、実効透磁率などの軟磁気特性は劣化する。一方、これらの非晶質合金を平面インダクタに適用する場合には、これらの薄帯を平面状態で使用するため、前述した逆磁歪効果による軟磁気特性の劣化は少なく、これら合金の軟磁気特性を充分に活用することができる。したがって、トロイダル状磁心と平面インダクタとでは、強磁性体を同様に取り扱う必要はない。
　しかし、本発明に係る平面インダクタは、実際には外装用モールド樹脂でモールド被覆された状態で使用される。このため、非晶質合金薄帯が正の飽和磁歪を有する場合、液状のモールド樹脂を表面に被覆して硬化させる際に、モールド樹脂の収縮に伴って強磁性薄帯にも圧縮応力が加わり、逆磁歪効果により実効透磁率が低下し、インダクタンスが低下するという問題点が生じる。
　本発明は上記問題点を解決するためになされたものであり、直流重畳特性の良好な平面インダクタを提供することを目的とする。また、強磁性薄帯の高周波損失を少なくし、ＤＣ−ＤＣコンバータに適用されてもその効率を低下させることのない平面インダクタを提供することを目的とする。更に、モールド被覆されても、インダクタンスの低下を防止できる平面インダクタを提供することを目的とする。
［発明の構成］
　　（課題を解決するための手段と作用）
　　本発明の平面インダクタは、平面状導体コイル又はこれらの積層体の両面を絶縁層を介して強磁性薄帯又はその積層体で挟んだ平面インダクタにおいて、前記強磁性薄帯として、飽和磁化４πＭｓが４πＭｓ≧１０ｋＧであり、厚さが１００μｍ以下のものを用い
、前記強磁性薄帯又はその積層体の両面に、モールド樹脂の収縮力緩和層を形成し、全体をモールド樹脂で被覆した
　本発明の平面インダクタにおける平面状導体コイルとは、通常、例えば第１図に示されるように絶縁層の表面及び裏面にスパイラルコイルを設けて各スパイラルコイルをスル−ホ−ルを通して接続した構造のスパイラル状２層導体コイルを指す。なお、端子の取出しに支障が生じなければ、スパイラル状導体コイルとしてはスパイラルコイルが１層だけのものでもよい。また、スパイラル状導体コイルを積層するとインダクタンスが増大するが、この場合スパイラル状導体コイル間には絶縁層のみを介在させ、強磁性薄帯を介在させないことが望ましい。これは、スパイラル状導体コイル間に強磁性薄帯を介在させてもインダクタンスの増大にはほとんど寄与せず、かえって平面インダクタ全体の厚さを増大させて単位体積当りのインダクタンスを低下させるためである。
　本発明において、強磁性薄帯の飽和磁化４πＭｓを１０ｋＧ以上としたのは、４πＭｓが１０ｋＧ未満では直流重畳特性が悪くなるためである。
　本発明において、強磁性薄帯（積層体の場合には各層の強磁性薄帯）の厚さを１００μｍ以下としたのは以下のような理由による。すなわち、一般に平面インダクタをＤＣ−ＤＣコンバータなどに適用し１０ｋＨｚ以上の周波数帯で使用することを前提とした場合、強磁性薄帯の厚さが１００μｍを超えると表皮効果によって磁束は内部まで入らなくなり、強磁性薄帯の厚さが増加した割にはインダクタンスは増加せず、単位体積当りのインダクタンスはかえって低下するためである。なお、強磁性薄帯の厚さは４μｍ以上であることが望ましい。これは、強磁性薄帯の厚さが４μｍ未満であると、スパイラル状導体コイルに電流が流れることによって生じる磁束がすべて通るのに必要な断面積が得られないために漏れ磁束が多くなってインダクタンスが著しく低下し、単位体積当りのインダクタンス値が低下するためである。
　本発明において、前記強磁性薄帯としては、１０ｋＨｚにおける実効透磁率μ１０ｋがμ１０ｋ≧１×１０４であるものが望ましい。このような強磁性薄帯を用いれば、高インダクタンスの平面インダクタを得ることができる。
　本発明において用いられる強磁性薄帯としては、例えば一般式
　　（Ｆｅ１−ａＭａ）１００−ｂＸｂ
（ただし、ＭはＴｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｃｕのうち少なくとも１種、ＸはＳｉ、Ｂ、Ｐ、Ｃ、Ｇｅ、Ａｌのうち少なくとも１種、０≦ａ≦０．１５、１２≦ｂ≦３０）で表わされる非晶質合金薄帯が用いられる。
　この非晶質合金薄帯を構成する各元素の作用及び組成について説明する。
　Ｍは高周波領域における透磁率の向上及び結晶化温度の上昇に寄与する成分である。Ｍはごく微量添加するだけで前記作用を発揮するが、実用上はａ≧０．０１であることが望ましい。なお、ａ＞０．１５の場合にはキュリー温度が低くなりすぎ、実用上好ましくない。
　Ｘは非晶質化に必須の元素である。ただし、実用上熱安定性を考慮した場合、ＳｉとＢとの組み合わせが好ましい。なお、ｂ＜１２及びｂ＞２８では非晶質化が困難となるため、１２≦ｂ≦２８が好ましく、更に１５≦ｂ≦２５が好ましい。Ｓｉは２〜１３％、好ましくは２〜８％が良好である。
　このような組成を有する非晶質合金の大部分は１０ｋＧ以上の飽和磁化を有し、最適歪取り熱処理によって、１×１０４以上の実効透磁率が得られる。
　本発明の目的を達成するためには、飽和磁化及び透磁率がともに高い強磁性薄帯を用いることが特に望ましい。このような高透磁率、高飽和磁化を有する磁性薄帯として、例えば
　　Ｆｅ７３．５Ｃｕ１Ｎｂ３Ｓｉ１３．５Ｂ９
なる組成の非晶質合金を結晶化温度よりも高い温度で熱処理することにより得られる超微細結晶粒合金薄帯が挙げられる。この磁性合金は高透磁率（１０ｋＨｚにおける実効透磁率μ１０ｋ＝５×１０４）、高飽和磁化（４πＭｓ＝１３．５ｋＧ）を有する。このような磁性合金薄帯を用いることにより、高インダクタンス値を有し、直流重畳特性の良好な平面インダクタが得られる。
　本発明において、平面インダクタを構成する強磁性薄帯又はその積層体は複数の部分に分割することが望ましい。強磁性薄帯又はその積層体は複数の部分に分割することにより、高周波損失を減少することができ、このような平面インダクタを用いて製造されるＤＣ−ＤＣコンバータの効率が向上する。これは以下のような理由による。一般に、インピーダンスＺの実抵抗分Ｒは、　　Ｒ＝２πｆ・Ｌ・ｔａｎδ
で表わされる。ここで、ｆは周波数、Ｌはインダクタンス、ｔａｎδは高周波損失である。この式から明らかなように、Ｒはｔａｎδに比例した値となる。そして、強磁性薄帯又はその積層体を複数の部分に分割すると、渦電流損ｔａｎδが減少し、Ｒが低下する。また、例えば出力側にインダクタンスを有する非絶縁・降圧型ＤＣ−ＤＣコンバータの効率ηは、近似的にη＝１００ＲＬ／（ＲＬ＋Ｒ）（％）（ただし、ＲＬは負荷抵抗）で表わされる。したがって、Ｒが小さいほうがＤＣ−ＤＣコンバータの効率が向上する。
　本発明に係る平面インダクタは、通常、その全体を外装用モールド樹脂で被覆した形態で使用される。この場合、平面インダクタを構成する強磁性薄帯又はその積層体の両面に、モールド樹脂の収縮力緩和層として、例えばモールド樹脂の硬化温度よりも熱変形温度が高い有機高分子フィルムを積層し、平面インダクタの側面を接着剤で塞いだ状態で、全体をモールド樹脂で被覆することが望ましい。このように強磁性薄帯又はその積層体の両面に、モールド樹脂の硬化温度よりも熱変形温度が高い有機高分子フィルムを積層しておけば、モールド樹脂が硬化して収縮する際に生じる収縮力を緩衝することができ、収縮力が強磁性薄帯又はその積層体に伝わるのを防止して、逆磁歪効果によるインダクタンスの低下を防ぐことができる。
　収縮力緩和層として用いられる熱変形温度が高い有機高分子フィルムとしては、例えばポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）が挙げられる。なお、同様の効果が得られれば、収縮力緩和層は有機高分子フィルムに限らないことはいうまでもない。このような収縮力緩和層の厚さは２０μｍ以上であることが望ましい。これは、収縮力緩和層の厚さが２０μｍ未満であると、しわが入りやすくなり、モールド樹脂が硬化して収縮する際に生じる収縮力を緩衝することができず、収縮力が強磁性薄帯又はその積層体に伝わって、逆磁歪効果によるインダクタンスの低下を防ぐことができなくなるためである。
　　（実施例）
　　以下、本発明の実施例を図面を参照して説明する。
実施例１〜４、比較例１、２
　実施例１〜４、比較例１、２においては、第１図（ａ）、（ｂ）に示すのと同様な単層タイプの平面インダクタを作製した。
　２５μｍ厚のポリイミドフィルム（絶縁層３ｂ）の両面に３５μｍ厚のＣｕ箔を両張りして中央部のスル−ホ−ル４を通して接続した両面ＦＰＣ板（フレキシブルプリント回路板）を用意し、両面のＣｕ箔をエッチングして外周部の寸法が２０ｍｍ×２０ｍｍ、コイル線幅２５０μｍ、コイルピッチ５００μｍ、コイル巻線数４０回（各面２０回）のスパイラルコイル２ａ、２ｂに加工して、スパイラル状導体コイル１を作製した。このスパイラル状導体コイル１の両面を７μｍ厚のポリイミドフィルム（絶縁層３ａ、３ｃ）を介して、１辺の長さ２５ｍｍの正方形の強磁性薄帯（強磁性薄帯５ａ、５ｂ）で挟むことにより平面インダクタを作製した。
実施例１
　単ロール法により作製された、
　　（Ｆｅ０．９５Ｎｂ０．０５）８２Ｓｉ６Ｂ１２
なる組成を有し、平均厚さ１６μｍ、幅２５ｍｍの非晶質合金薄帯から１辺の長さ２５ｍｍの正方形に切り出したものを強磁性薄帯として用いた。この非晶質合金薄帯については、１０ｋＨｚにおける実効透磁率μ１０ｋ＝１×１０４、飽和磁化４πＭｓ＝１２．３ｋＧである。
実施例２
　単ロール法により作製された、
　　Ｆｅ７８Ｓｉ９Ｂ１３
なる組成を有し、平均厚さ１６μｍ、幅２５ｍｍの非晶質合金薄帯から１辺の長さ２５ｍｍの正方形に切り出したものを強磁性薄帯として用いた。この非晶質合金薄帯については、１０ｋＨｚにおける実効透磁率μ１０ｋ＝２０００、飽和磁化４πＭｓ＝１５．６ｋＧである。
実施例３
　単ロール法により作製された、
　　Ｆｅ７３．５Ｃｕ１Ｎｂ３Ｓｉ１３．５Ｂ９
なる組成を有し、平均厚さ１８μｍ、幅２５ｍｍの非晶質合金薄帯を窒素雰囲気中、５５０℃で１時間熱処理することにより得られた超微結晶粒合金薄帯から１辺の長さ２５ｍｍの正方形に切り出したものを強磁性薄帯として用いた。この合金薄帯については、１０ｋＨｚにおける実効透磁率μ１０ｋ＝５×１０４、飽和磁化４πＭｓ＝１３．５ｋＧである。
比較例１
　単ロール法により作製された、
　　（Ｃｏ０．８８Ｆｅ０．０６Ｎｂ０．０２Ｎｉ０．０４）７５Ｓｉ１０Ｂ１５
なる組成を有し、平均厚さ１６μｍ、幅２５ｍｍの非晶質合金薄帯から１辺の長さ２５ｍｍの正方形に切り出したものを強磁性薄帯として用いた。この非晶質合金薄帯については、１０ｋＨｚにおける実効透磁率μ１０ｋ＝２×１０４、飽和磁化４πＭｓ＝６．７ｋＧである。
　実施例１〜３、比較例１の平面インダクタについて、直流重畳電流とインダクタンスとの関係を調べた結果を第５図〜第７図に示す。なお、インダクタンス値は５０ｋＨｚで測定した。
　第５図〜第７図に示されるように、実施例１〜３の平面インダクタは比較例１の平面インダクタよりも直流重畳特性が大幅に改善されている。
実施例４
　実施例１と同一の組成、平均厚さ、幅を有する非晶質合金薄帯から２５ｍｍ×２５ｍｍの正方形に切り出したものを５枚積層した積層体を作製した。これらの積層体に歪取り熱処理を施した後、これらを強磁性薄帯として用いた。
比較例２
　比較例１と同一の組成、平均厚さ、幅を有する非晶質合金薄帯から２５ｍｍ×２５ｍｍの正方形に切り出したものを５枚積層した積層体を作製した。これらの積層体に歪取り熱処理を施した後、これらを強磁性薄帯として用いた。
　実施例４及び比較例２の各平面インダクタについて、直流重畳電流とインダクタンスとの関係を調べた結果を第８図に示す。なお、インダクタンス値は５０ｋＨｚで測定した。
　第８図に示されるように、実施例４の平面インダクタは比較例２の平面インダクタよりも直流重畳特性が大幅に改善されている。
　次に、飽和磁化の値が異なる強磁性薄帯を用いて作製された同一構造の平面インダクタを、出力電圧５Ｖ、２Ｗ級の非絶縁降圧型ＤＣ−ＤＣコンバータに適用した場合の効率について説明する。
　空心インダクタンス５４μＨ、コイル抵抗１．８Ωのスパイラル状導体コイル（約１ｍｍ厚）の両面を７．５μｍ厚のポリイミドフィルムを介してＣｏ系又はＦｅ系の非晶質合金薄帯（約１５μｍ厚）の５層積層体で挟んで構成される平面インダクタを適用してＤＣ−ＤＣコンバータを作製した場合の、非晶質合金薄帯の飽和磁化４πＭｓと、入力電圧１５Ｖ、出力電圧５Ｖ、出力電流０．４Ａの条件におけるＤＣ−ＤＣコンバータの効率ηとの関係を第９図に示す。
　第９図より、４πＭｓ≧１０ｋＧの非晶質合金薄帯を用いた場合の効率ηは約７０％のほぼ一定の値を有するが、４πＭｓ＜１０ｋＧの非晶質合金薄帯を用いた場合にはインダクタンスの直流重畳特性は悪くなり、効率ηは低下する。
実施例５、６、参考例１〜３
　実施例５、６、参考例１〜３においては、以下のような積層タイプの平面インダクタを作製した。
　２５μｍ厚のポリイミドフィルムの両面に１００μｍ厚のＣｕ箔を両張りして中央部のスル−ホ−ルを通して接続した両面ＦＰＣ板を用意し、両面のＣｕ箔をエッチングして外周部の寸法が２０ｍｍ×２０ｍｍ、コイル線幅２５０μｍ、コイルピッチ５００μｍ、コイル巻線数４０回（各面２０回）のスパイラルコイルに加工し、スパイラル状導体コイルを作製した。このスパイラル状導体コイル２個を７μｍ厚のポリイミドフィルムを介して積層し、電気的に並列に接続した積層コイルを作製した。更に、この積層コイル２個を７μｍ厚のポリイミドフィルムを介して積層し、電気的に直列に接続した積層コイル（４層積層コイル）を作製した。この積層コイルの両面を７μｍ厚のポリイミドフィルムを介して、複数枚を組み合わせることにより又は１枚で１辺の長さ２５ｍｍの正方形をなす５層の強磁性薄帯で挟むことにより平面インダクタを作製した。
実施例５
　実施例１と同一の組成、平均厚さ、幅を有する非晶質合金薄帯から２５ｍｍ×１２．５ｍｍの矩形状に切り出したものを５枚積層した積層体を作製した。第２図に示すように、これらの積層体１１に歪取り熱処理を施した後、一つの面について２個の積層体１１を同一平面上に隙間なく横に並べて１辺２５ｍｍの正方形とし、これらを強磁性薄帯として用いた。
実施例６
　実施例１と同一の組成、平均厚さ、幅を有する非晶質合金薄帯から２５ｍｍ×２５ｍｍの正方形に切り出したものを５枚積層した積層体を作製した。これらの積層体に歪取り熱処理を施した後、これらを強磁性薄帯として用いた。
　実施例５及び６の平面インダクタについて、各種特性を調べた。第１０図は直流重畳電流とインダクタンスとの関係を示す。第１１図は直流重畳電流と鉄損との関係を示す。第１２図は直流重畳電流とインピーダンスの実抵抗分との関係を示す。第１３図はこれらの平面インダクタを用いて構成された、出力５Ｖ、２Ｗ級の非絶縁降圧型ＤＣ−ＤＣコンバータについての、出力電流と効率ηとの関係を示す。
　第１０図〜第１３図から明らかなように、強磁性薄帯が２つの部分に分割されている実施例５の平面インダクタは、強磁性薄帯が分割されていない実施例６の平面インダクタと比較して、インダクタンスが若干改善され、更に鉄損が減少することによりインピーダンスの実抵抗分が減少する。この結果、実施例５の平面インダクタを用いた非絶縁降圧型ＤＣ−ＤＣコンバータは、実施例６の平面インダクタを用いたものよりも効率が高くなる。
　なお、実施例５、６では強磁性薄帯として、４πＭｓ≧１０ｋＧという条件を満たすものを用い、強磁性薄帯を分割することにより、前述した効果が得られることを示した。ただし、この効果は、４πＭｓ≧１０ｋＧという条件を満たしていない強磁性薄帯を用いた場合にも同様に認められる。このことを以下の参考例１〜３を参照して説明する。
参考例１
　比較例１と同一の組成、平均厚さ、幅を有する非晶質合金薄帯から１２．５ｍｍ×１２．５ｍｍの正方形に切り出したものを５枚積層した積層体１２を作製した。第３図に示すように、これらの積層体１２に歪取り熱処理を施した後、一つの面について４個の積層体１２を同一平面上に隙間なく横に並べて１辺２５ｍｍの正方形とし、これらを強磁性薄帯として用いた。
参考例２
　比較例１と同一の組成、平均厚さ、幅を有する非晶質合金薄帯から２５ｍｍ×１２．５ｍｍの矩形状に切り出したものを５枚積層した積層体１１を作製した。第２図に示すように、これらの積層体１１に歪取り熱処理を施した後、一つの面について２個の積層体１１を同一平面上に隙間なく横に並べて１辺２５ｍｍの正方形とし、これらを強磁性薄帯として用いた。
参考例３
　比較例１と同一の組成、平均厚さ、幅を有する非晶質合金薄帯から２５ｍｍ×２５ｍｍの正方形に切り出したものを５枚積層した積層体を作製した。これらの積層体に歪取り熱処理を施した後、これらを強磁性薄帯として用いた。
　参考例１〜３の平面インダクタについて、各種特性を調べた。第１４図は直流重畳電流とインダクタンスとの関係を示す。第１５図は直流重畳電流と鉄損との関係を示す。第１６図は直流重畳電流とインピーダンスの実抵抗分との関係を示す。第１７図はこれらの平面インダクタを用いて構成された、出力５Ｖ、２Ｗ級の非絶縁降圧型ＤＣ−ＤＣコンバータの効率ηと出力電流との関係を示す。
　第１４図〜第１７図からも、前述した実施例５及び６についての第１０図〜第１３図と同様な傾向が認められる。
実施例７、８
　実施例７、８では、平面インダクタをモールド被覆した場合のインダクタンスについて調べた。
実施例７
　第４図に示すように、実施例５、６で作製した４層積層コイル及び外周部の寸法２５ｍｍ×２５ｍｍの５層強磁性薄帯を有する平面インダクタ２０を用い、強磁性薄帯の外側両面に外周部の寸法３０ｍｍ×３０ｍｍ、厚さ１００μｍのＰＰＳ（ポリフェニレンサルファイド樹脂）フィルム２１を設け、積層コイルの側面を接着剤２２（セメダインスーパー、セメダイン株式会社製）で塞ぎ、次工程で液状のモールド樹脂に浸した時にモールド樹脂がコイル及び強磁性薄帯に直接触れないようにした。次に、これをモールド樹脂（セラコート６４０−４３、北陸塗装株式会社製）に浸した後、取り出した。これを約１時間自然乾燥させた後、１５０℃で１時間加熱してモールド樹脂２３を硬化させ、モールド平面インダクタを作製した。
実施例８
　強磁性薄帯の外側両面にＰＰＳフィルムを設ける工程、及び積層コイルの側面を接着剤で塞ぐ工程を行わなかった以外は、実施例７と全く同様にしてモールド平面インダクタを作製した。
比較例３
　実施例７と同一の構造、すなわち４層積層コイル及び５層強磁性薄帯を有する構造であるが、強磁性薄帯が
　　（Ｃｏ０．８８Ｆｅ０．０６Ｎｂ０．０２Ｎｉ０．０４）７５Ｓｉ１０Ｂ１５
なる組成を有し、平均厚さ１６μｍ、幅２５ｍｍの非晶質合金薄帯から１辺の長さ２５ｍｍの正方形に切り出したものからなる平面インダクタ（すなわち、参考例３の平面インダクタ）を用い、実施例７と同様にしてモールド平面インダクタを作製した。
　実施例７及び８のモールド平面インダクタについて、モールド前後における、直流重畳電流とインダクタンスとの関係を第１８図に示す。実施例７及び比較例３のモールド平面インダクタについて、モールド後における、直流重畳電流とインダクタンスとの関係を第１９図に示す。
　第１８図から明らかなように、強磁性薄帯の外側両面にＰＰＳフィルムを設けていない実施例８のモールド平面インダクタでは、モールド前と比較してモールド後のインダクタンスは約２０％低下している。これに対して、強磁性薄帯の外側両面にＰＰＳフィルムを設けている実施例７のモールド平面インダクタでは、モールド前と比較してモールド後のインダクタンスはわずかに約７％低下しているにすぎない。また、第１９図から明らかなように、強磁性薄帯として飽和磁化が充分でない非晶質合金薄帯が用いられている比較例３のモールド平面インダクタでは、実施例７のモールド平面インダクタと異なり、直流重畳電流が０．３Ａ以上になるとインダクタンスの低下が著しい。
　なお、以上の実施例では平面状導体コイルとしてスパイラル状導体コイルを用いた場合について述べたが、平面状導体コイルはつづら折れ状コイルなど他の形状のものでもよい。
　また、強磁性薄帯として、強磁性薄膜又はその積層体を用いてもよい。
　［発明の効果］
　以上詳述したように本発明によれば、直流重畳特性が改善され、強磁性薄帯の高周波損失を少なく、モールド被覆されてもインダクタンスの低下を防止でき、ＤＣ−ＤＣコンバータなどに適用可能な平面インダクタを提供することができ、その工業的価値は大きい。
【図面の簡単な説明】
　第１図（Ａ）は本発明に係る平面インダクタの平面図、同図（Ｂ）は同図（Ａ）のＡ−Ａ’線に沿う断面図、第２図は本発明の実施例５における平面インダクタの平面図、第３図は参考例１における平面インダクタの平面図、第４図は本発明の実施例７における平面インダクタの断面図、第５図は本発明の実施例１及び比較例１の平面インダクタについて直流重畳電流とインダクタンスとの関係を示す特性図、第６図は本発明の実施例２及び比較例１の平面インダクタについて直流重畳電流とインダクタンスとの関係を示す特性図、第７図は本発明の実施例３及び比較例１の平面インダクタについて直流重畳電流とインダクタンスとの関係を示す特性図、第８図は本発明の実施例４及び比較例２の平面インダクタについて直流重畳電流とインダクタンスとの関係を示す特性図、第９図は本発明に係る平面インダクタを構成する強磁性薄帯の飽和磁化とその平面インダクタを適用した非絶縁降圧型ＤＣ−ＤＣコンバータの効率との関係を示す特性図、第１０図は本発明の実施例５及び６の平面インダクタについて直流重畳電流とインダクタンスとの関係を示す特性図、第１１図は本発明の実施例５及び６の平面インダクタについて直流重畳電流と鉄損との関係を示す特性図、第１２図は本発明の実施例５及び６の平面インダクタについて直流重畳電流とインピーダンスの実抵抗分との関係を示す特性図、第１３図は本発明の実施例５及び６の平面インダクタを用いて構成された非絶縁降圧型ＤＣ−ＤＣコンバータについて出力電流と効率との関係を示す特性図、第１４図は参考例１〜３の平面インダクタについて直流重畳電流とインダクタンスとの関係を示す特性図、第１５図は参考例１〜３の平面インダクタについて直流重畳電流と鉄損との関係を示す特性図、第１６図は参考例１〜３の平面インダクタについて直流重畳電流とインピーダンスの実抵抗分との関係を示す特性図、第１７図は参考例１〜３の平面インダクタを用いて構成された非絶縁降圧型ＤＣ−ＤＣコンバータについて出力電流と効率との関係を示す特性図、第１８図は本発明の実施例７及び８のモールド平面インダクタについてモールド前後の直流重畳特性とインダクタンスとの関係を示す特性図、第１９図は本発明の実施例７及び比較例３のモールド平面インダクタについてモールド後の直流重畳特性とインダクタンスとの関係を示す特性図である。
　　１…スパイラル状導体コイル、２ａ、２ｂ…スパイラルコイル、３ａ、３ｂ、３ｃ…絶縁層、４…スルーホール、５ａ、５ｂ…強磁性薄帯、６ａ、６ｂ…端子、１１、１２…非晶質合金薄帯の積層体、２０…平面インダクタ、２１…ＰＰＳフィルム、２２…接着剤、２３…モールド樹脂。