(57)【要約】オーバーレイオフセットを特定するための方法は：第１の散乱測定セルに関する第１の逆対称差分信号（ΔＳ１）の取得と；第２の散乱測定セルに関する第２の逆対称差分信号（ΔＳ２）の取得及び第１の散乱測定セルに関する第１の逆対称差分信号（ΔＳ１）及び第２の散乱測定セルに関する第２の逆対称差分信号（ΔＳ２）からのオーバーレイオフセットの計算を含むがそれに制限されるものではない。【選択図】図３
2013500586.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
オーバーレイオフセットを特定するための方法において、
第１の散乱測定セルに関する第１の逆対称差分信号（ΔＳ１）の取得と、
第２の散乱測定セルに関する第２の逆対称差分信号（ΔＳ２）の取得と、
前記第１の散乱測定セルに関する前記第１の逆対称差分（ΔＳ１）信号及び前記第２の散乱測定セルに関する前記第２の逆対称差分信号（ΔＳ２）からオーバーレイオフセットを計算することと、を備える方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法において、
前記第１の散乱測定セルに関する前記第１の逆対称差分（ΔＳ１）信号及び前記第２の散乱測定セルに関する前記第２の逆対称差分信号（ΔＳ２）からオーバーレイオフセットを前記計算することは、以下の式に応じて前記第１の散乱測定セルに関する前記第１の逆対称差分（ΔＳ１）信号及び前記第２の散乱測定セルに関する前記第２の逆対称差分信号（ΔＳ２）からオーバーレイオフセットを計算することを備える、方法。
【数５】
2013500586.tif 000007
オーバーレイオフセット
ここでｆ0は前記第１の散乱測定セル及び前記第２の散乱測定セルのためのプログラムされたオフセットの大きさである。
【請求項３】
請求項１に記載の方法において、
第１の散乱測定セルに関する第１の逆対称差分信号（ΔＳ１）の前記取得は、
第１の照射ビームによる照射に応答した第１の散乱測定セルによって生成された散乱信号及び第２の照射ビームによる照射に応答した前記第１の散乱測定セルによって生成された散乱信号の取得と、
前記第１の照射ビームによる照射に応答した前記第１の散乱測定セルによって生成された前記散乱信号及び前記第２の照射ビームによる照射に応答した前記第１の散乱測定セルによって生成された前記散乱信号の間の差分信号（ΔＳ１）の計算と、を備え、
第２の散乱測定セルに関する第２の逆対称差分信号（ΔＳ２）の前記取得は、
第１の照射ビームによる照射に応答して第２の散乱測定セルによって生成された散乱信号及び第２の照射ビームによる照射に応答して前記第２の散乱測定セルによって生成された散乱信号の取得と、
前記第１の照射ビームによる照射に応答して前記第２の散乱測定セルによって生成された前記散乱信号及び前記第２の照射ビームによる照射に応答して前記第２の散乱測定セルによって生成された前記散乱信号の間の第２の差分信号（ΔＳ２）の計算と、を備える方法。
【請求項４】
請求項３に記載の方法において、
第１の照射ビームによる照射に応答した第１の散乱測定セルによって生成された散乱信号及び第２の照射ビームによる照射に応答した前記第１の散乱測定セルによって生成された散乱信号の前記取得は、
第１の偏光を有する照射ビームでの前記第１の散乱測定セルの照射と、
前記第１の偏光を有する前記照射ビームによる照射に応答して前記第１の散乱測定セルによって生成された散乱信号に第２の偏光を与えることと、
前記第２の偏光を有する照射ビームでの前記第１の散乱測定セルの照射と、
前記第２の偏光を有する照射ビームによる照射に応答して前記第１の散乱測定セルによって生成された散乱信号に前記第１の偏光を与えることと、を備え、
第１の照射ビームによる照射に応答して第２の散乱測定セルによって生成された散乱信号及び第２の照射ビームによる照射に応答して前記第２の散乱測定セルによって生成された散乱信号の前記取得は、
前記第１の偏光を有する照射ビームでの前記第２の散乱測定セルの照射と、
前記第１の偏光を有する照射ビームによる照射に応答して前記第２の散乱測定セルによって生成された散乱信号に前記第２の偏光を与えることと、
前記第２の偏光を有する照射ビームでの前記第２の散乱測定セルの照射と、
前記第２の偏光を有する照射ビームによる照射に応答して前記第２の散乱測定セルによって生成された散乱信号に前記第１の偏光を与えることと、を備える方法。
【請求項５】
請求項４に記載の方法において、さらに、
前記第１の偏光及び前記第２の偏光の少なくとも１つを有する照射ビームに位相シフトを与えることと、
前記第１の散乱測定セル及び前記第２の散乱測定セルの少なくとも１つによって生成された散乱信号に位相シフトを与えることと、を備える方法。
【請求項６】
請求項５に記載の方法において、さらに、
前記第１の偏光及び前記第２の偏光の少なくとも１つを有する照射ビームに第２の位相シフトを与えることと、
前記第１の散乱測定セル及び前記第２の散乱測定セルの少なくとも１つによって生成された散乱信号に第２の位相シフトを与えることと、を備える方法。
【請求項７】
請求項４に記載の方法において、さらに、
少なくとも１つの波長板を通じた前記第１の偏光及び前記第２の偏光の少なくとも１つを有する照射ビームのルーティングと、
前記少なくとも１つの波長板を通じた１つ以上の散乱信号のルーティングと、を備える方法。
【請求項８】
請求項４に記載の方法において、
前記第１の偏光及び前記第２の偏光は直交する直線偏光である方法。
【請求項９】
請求項４に記載の方法において、
前記第１の偏光は方位角偏光で、前記第２の偏光はラジアル偏光である方法。
【請求項１０】
請求項１に記載の方法において、さらに、
源からの１つ以上の照射ビームの供給を備える方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載の方法において、
源からの１つ以上の照射ビームの前記供給は、
少なくとも部分的に環状の照明瞳を有する源からの１つ以上の照射ビームの供給を備える方法。
【請求項１２】
請求項１０に記載の方法において、
源からの１つ以上の照射ビームの前記供給は、
少なくとも部分的にアポダイズされた照明瞳を有する源からの１つ以上の照射ビームの供給を備える方法。
【請求項１３】
請求項１０に記載の方法において、
源からの１つ以上の照射ビームの前記供給は、
源からの単色の照射ビームの供給を備える方法。
【請求項１４】
請求項１０に記載の方法において、
源からの１つ以上の照射ビームの前記供給は、 
波長の列を備える源からの照射ビームの供給を備える方法。
【請求項１５】
請求項１に記載の方法において、
前記第１の散乱測定セルは、第１の方向の第１のプログラムされたオフセットと前記第１の方向に直行する第２の方向の第２の非ゼロのプログラムされたオフセットとを有する２次元の格子パターンを備え、
前記第２の散乱測定セルは、前記第１の散乱測定セルの前記第１のプログラムされたオフセットに等しくない前記第１の方向の第１のプログラムされたオフセットと前記第１の散乱測定セルの前記第２のプログラムされたオフセットに等しい前記第２の方向の非ゼロのプログラムされたオフセットとを有する２次元の格子パターンを備える方法。
【請求項１６】
請求項１に記載の方法において、さらに、
１つ以上の散乱信号の受信を備える方法。
【請求項１７】
請求項１に記載の方法において、さらに、
第３の散乱測定セルに関する第３の逆対称差分信号（ΔＳ１）の取得を備える方法。
【請求項１８】
請求項１７に記載の方法において、さらに、
前記第２の散乱測定セルに関する前記第２の逆対称差分信号（ΔＳ２）及び第３の散乱測定セルに関する第３の逆対称差分信号（ΔＳ３）からオーバーレイオフセットを計算することを備える方法。
【請求項１９】
請求項１８に記載の方法において、
前記第１の散乱測定セルに関する前記第１の逆対称差分（ΔＳ１）信号及び前記第２の散乱測定セルに関する前記第２の逆対称差分信号（ΔＳ２）からオーバーレイオフセットを前記計算することは、第１の方向のオーバーレイオフセットの計算を備え、
前記第２の散乱測定セルに関する前記第２の逆対称差分信号（ΔＳ２）及び第３の散乱測定セルに関する第３の逆対称差分信号（ΔＳ３）からオーバーレイオフセットを前記計算することは、前記第１の方向に直交する第２の方向のオーバーレイオフセットの計算を備える方法。
【請求項２０】
第１の散乱測定セルに関する第１の逆対称差分信号（ΔＳ１）の取得のための手段と、
第２の散乱測定セルに関する第２の逆対称差分信号（ΔＳ２）の取得のための手段と、
前記第１の散乱測定セルに関する前記第１の逆対称差分（ΔＳ１）信号及び前記第２の散乱測定セルに関する前記第２の逆対称差分信号（ΔＳ２）からオーバーレイオフセットを計算するための手段と、を備えるオーバーレイオフセットの特定のためのシステム。
【請求項２１】
第１の散乱測定セルに関する第１の逆対称差分信号（ΔＳ１）の取得のための回路と、
第２の散乱測定セルに関する第２の逆対称差分信号（ΔＳ２）の取得のための回路と、
前記第１の散乱測定セルに関する前記第１の逆対称差分（ΔＳ１）信号及び前記第２の散乱測定セルに関する前記第２の逆対称差分信号（ΔＳ２）からオーバーレイオフセットを計算するための回路と、を備えるオーバーレイオフセットの特定のためのシステム。
【発明の詳細な説明】
【背景技術】
【０００１】
薄いフィルムの厚さ及び光学特性の他に限界寸法（ＣＤ）及び半導体ウエハ上の周期構造の輪郭形状の測定にも半導体業界で光波散乱計測が現在使用されている。原則として、光波散乱計測は現在のオーバーレイ計測の画像技術に対して明らかな利点を有する。光波散乱計測は画像化では分解不可能なデバイスサイズ構造の測定が可能なことがある。光波散乱計測は計測構造の輪郭の変動及び非対称の処理により頑強であると考えられることも可能である。
【０００２】
輪郭非対称の測定方法は限界寸法走査電子顕微鏡法（ＣＤ−ＳＥＭ）及び光波散乱計測を含む。ＣＤ−ＳＥＭ手法は非常に遅く高価なことがある。（輪郭非対称を含む）輪郭の特性のモニタリングに適切なこともある、光波散乱計測ＣＤ計測の現在の運用は詳細モデリングに依存しそれゆえ又かなり遅いことがある。加えて、場合によって層になった平らでないフィルムによって分けられる２つの回折格子（１つが他方の上）のような、複雑な輪郭の正確なモデル作成が非常に困難なことがある。
【発明の概要】
【０００３】
オーバーレイオフセットを特定するための方法は：第１の散乱測定セルに関する第１の逆対称差分信号（ΔＳ１）の取得；第２の散乱測定セルに関する第２の逆対称差分信号（ΔＳ２）の取得及び第１の散乱測定セルに関する第１の逆対称差分信号（ΔＳ１）及び第２の散乱測定セルに関する第２の逆対称差分信号（ΔＳ２）からのオーバーレイオフセットの計算を含むがそれらに制限されるものではない。
【０００４】
前記の一般的な説明及び以下の詳細な説明は具体例であって、例示だけを目的としており、特許請求されている本発明の範囲の限定を必ずしも意図するものではない。本明細書に取り入れられると共にその一部を構成する添付の図面は本発明の実施例を示し一般的な記述と共に本発明の原理を説明する役割をなす。
【図面の簡単な説明】
【０００５】
開示の多くの利点は添付の図面を参照することで当業者により良く理解いただけるであろう。
【図１】パターン化された散乱測定セルを示す。
【図２Ａ】パターン化された散乱測定セルを含む散乱測定ターゲット示す。
【図２Ｂ】パターン化された散乱測定セルを含む散乱測定ターゲット示す。
【図２Ｃ】パターン化された散乱測定セルを含む散乱測定ターゲット示す。
【図３】散乱測定システムを示す。
【図４】散乱測定システムを示す。
【図５Ａ】偏光子構成を示す。
【図５Ｂ】偏光子構成を示す。
【図６Ａ】偏光子構成を示す。
【図６Ｂ】偏光子構成を示す。
【図７Ａ】照明瞳を示す。
【図７Ｂ】収集瞳を示す。
【図８Ａ】照明瞳を示す。
【図８Ｂ】収集瞳を示す。
【図９Ａ】照明瞳を示す。
【図９Ｂ】収集瞳を示す。
【図１０】散乱測定の実行のための方法を示す。
【図１１】散乱測定の実行のための方法を示す。
【図１２】散乱測定の実行のための方法を示す。
【図１３Ａ】散乱測定の実行のための方法を示す。
【図１３Ｂ】散乱測定の実行のための方法を示す。
【図１４】散乱測定の実行のための方法を示す。
【図１５】散乱測定の実行のための方法を示す。
【図１６】散乱測定の実行のための方法を示す。
【図１７】散乱測定の実行のための方法を示す。
【図１８】散乱測定の実行のための方法を示す。
【図１９Ａ】散乱測定システムを示す。
【図１９Ｂ】散乱測定システムを示す。
【発明を実施するための形態】
【０００６】
典型的な実施形態の以下の詳細な説明において、本明細書の一部をなす添付の図面が参照される。いくつかの図面において、同様な参照番号は同様な要素を指す。詳細な説明及び図面は典型的な実施形態を示す。本明細書に提示される内容の趣旨又は範囲を逸脱すること無しに他の実施形態が用いられても良く、他の変更が行われて良い。以下の詳細な説明はそれゆえ限定的な意味で解されるべきでなく請求の範囲は付属の特許請求の範囲によって定義されて良い。以下の記述は本発明を記載された実施形態に限定することを意図することではないことを理解いただきたい。逆に、付属の特許請求の範囲によって定義される本発明の趣旨及び範囲内に含まれるような代替案、変更形態及び均等物を対象とすることを意図される。
【０００７】
本発明は差分信号散乱測定オーバーレイ（ＳＣＯＬ）の測定に関する。オーバーレイターゲットはその間でオーバーレイが測定される少なくとも２つのパターンを各々有する１つ以上のセルを備えて良い。各セルは、各々が同じ又は異なる層のウエハ内にあって良い、概ね重なるパターンを備えてよい。セルの幾何構造（パターンピッチ、ＣＤ等）は、セルごとに異なって良い２つのパターンの間のプログラムされたオフセット以外は、同一であって良い。２つのパターンは頂及び底パターンと呼ばれて良く、オーバーレイ情報は頂及び底パターンの間のずれをさす。典型的なオーバーレイターゲットが図１に示される。頂パターン１２０及び底パターン１２１はプログラムされたオフセット及び製造関連のオーバーレイを含む合計オフセット（ｖ）だけ互いにずらされてよい。
【０００８】
セルの合計オフセットｖは２つの寄与因子：プログラムされたオフセット及びオーバーレイオフセット（存在する場合）の和であって良い。プログラムされたオフセットはセル内に設計されて良い。オーバーレイオフセットは製造ばらつきにより生じる特定されるべき未知の量であって良い。かくして、本発明の実施形態による散乱測定の準備において、ターゲットは、各々が合計オフセットをもたらすプログラムされたオフセットを有する、複数のセルを備えるように設計されて良い。特定のセルは、ｘ方向のオーバーレイ及びｙ方向のオーバーレイの独立した測定のための、互いに直交する格子方向（例えば、第１の「水平の」セル及び第２の「垂直の」セル）を有して良い。
【０００９】
散乱測定信号は各セルについて測定されて良く、それから信号間の差分が計算されそこからオーバーレイの値が抽出されてよい。他の散乱測定手順に対するこの方法の利点はオーバーレイの測定が測定された信号を擬似参照信号と詳細に比較するよりは測定された信号そのものの間の対称特性に依存することである。その結果、擬似参照信号の大きなライブラリーの回帰又は生成が不要である。しかしながら、こうした差分法はいくつかのセルからなる大きなターゲットを必要とすることがある、例として、ＳＣＯＬターゲットは４つがＸオーバーレイ測定のための及び４つがＹオーバーレイのための、８つのセルからなってよい。
【００１０】
この発明の構造は１対のセルからの差分信号の代わりに各セルからの１つ以上の差分信号の抽出を可能にする具体的な構成内の各セルの多重測定を提供する。これはターゲットあたりに必要なセルの数、かくしてターゲットのサイズを減らすことに役立つことがある。
【００１１】
例えば、オーバーレイターゲットの分析に２つの検査信号が用いられて良い。検査信号応答は各セルのための各検査信号のために取得されて良い。第１の検査信号に関する信号応答と第２の検査信号に関する信号応答の間の差分が以下のように逆対称特性を示すかもしれないことがある：
【数１】
2013500586.tif 000003
【００１２】
こうした差分はゼロのオフセットで消えて良くオフセットの小さい値のためのオフセットの線形関数であってよい。特定の方向のオーバーレイオフセットに沿ったこうした線形関数の傾斜は異なるプログラムされたオフセットを有する２つのセルの測定から特定可能である（すなわち、２つの測定された差分信号が未知の傾斜及びオーバーレイを特定するために用いられて良い）。かくして、オフセット計算を促進するためにこうした逆対称を示す信号応答を生成するためのシステム及び方法を提供することが望ましいことがある。
【００１３】
例えば、図２Ａに示すように、オーバーレイターゲット１１３は複数のセル１２７を含んで良い。セル１２７はセルの対１２８として配置されてよい。セルの対１２８Ａのセル１２７の格子はｘ方向及びｙ方向の両方でオーバーレイ測定を可能にするためにセルの対１２８Ｂのセル１２７の格子に垂直であって良い。各セル１２７Ａは頂及び底格子の間でプログラムされたオフセットｖ１を有して良く各セル１２７Ｂはプログラムされたオフセットｖ２を有して良く、ここでｖ１≠ｖ２である。こうしたセル構成を有するオーバーレイターゲット１１３を照射するための（以下に記すような）第１の偏光を有する照射ビーム及び第２の偏光を有する照射ビームの併用は逆対称挙動を示す各セル１２７の信号応答差分を生じて良い。交互偏光状態でオーバーレイターゲット１１３の順次照射によって追加の直交情報が提供されるにつれてこうした逆対称挙動は方向ごとに２つのセル１２７のみでゼロ次散乱測定の実行を可能にする。
【００１４】
図２Ｂに示される特定の構成において、第１の散乱測定セル１２７Ａは第１の方向（例えば、ｘ方向）の第１のプログラムされたオフセット（例えば、ｖ１）及び第２の方向（例えば、ｙ方向）の第２の非ゼロプログラムされたオフセット（例えば、ｖ２）を有する２次元の格子パターンを含んで良い。更に、第２の散乱測定セル１２７Ｂは第１の散乱測定セルの第１のプログラムされたオフセットに等しくない（例えば、ｖ１≠ｖ３）第１の方向（例えば、ｘ方向）の第１のプログラムされたオフセット（例えば、ｖ３）及び第１の散乱測定セルの第２のプログラムされたオフセットに等しい（例えば、ｖ２＝ｖ４）第２の方向（例えば、ｙ方向）の第２の非ゼロプログラムされたオフセット（例えば、ｖ４）を有する２次元の格子パターンを含んで良い。
【００１５】
図２Ｃに示される代替構成において、オーバーレイターゲット１１３は第１のセル１２７Ａ、第２のセル１２７Ｂ及び第３のセル１２７Ｃを含んで良い。各セル１２７は２次元の格子を含んで良い。３つのセル１２７は各々ｘ方向及びｙ方向の両方のプログラムされたオフセットを有して良い。プログラムされたオフセットはｘ方向のオーバーレイオフセットの測定がセル１２７Ａ及びセル１２７Ｂを用いる一方ｙ方向のオーバーレイオフセットの測定がセル１２７Ｂ及びセル１２７Ｃを用いるように構成されて良い。ｘ方向及びｙ方向のセルのプログラムされたオフセットはそれぞれｖi(x)及びｖi(y)と呼ばれて良い。３つのセルの構成のそれぞれのプログラムされたオフセットの特定の例は以下のようであってよい：
【数２】
2013500586.tif 000004
ここでｆ0(x)及びｆ0(y)はそれぞれｘ方向及びｙ方向の基本オフセットである。基本オフセットｆ0(x)及びｆ0(y)は散乱測定セル１２７の格子のためのパターンピッチより著しく小さくて良い。例えば、基本オフセットｆ0(x)及びｆ0(y)は約１０ｎｍ〜１５ｎｍで良い。
【００１６】
図３は散乱測定システムを示すハイレベルブロック図である。システムは照射側の偏光子１１１及び収集側の偏光子１１５を備えてよい。偏光子１１１及び偏光子１１５は入射光に様々な偏光を与えるような構成で良い。光源１１０から送られた入射光１１８は偏光子１１１及び焦点レンズ１１２を通って伝わり試料によって散乱されて良い。試料は少なくとも１つのオーバーレイターゲット１１３を備える半導体ウエハであってよい。オーバーレイターゲット１１３の１つ以上の散乱測定セル１２７付きの入射光１１８の相互作用は入射光１１８を散乱しそれによって入射光１１８の偏光の状態を変更する。散乱光１１９は集光レンズ１１４及び偏光子１１５を通って伝わりそこで検出器１１６によって検出されてよい。
【００１７】
図４はオーバーレイターゲット１１３の散乱測定セル１２７との相互作用の前後の偏光の状態の変化を示す、及び散乱光１１９を検出するための電荷結合素子（ＣＣＤ）検出器１１６を示す散乱測定システムの構成の別の図表示を示す。例えば、偏光子１１１は入射光１１８Ａに第１の偏光を行い偏光１１８Ｃ（例えば、垂直の偏光）を生じるような構成で良い。偏光子１１５は散光１１９Ａに第２の偏光を与えて良い。偏光子１１１及び偏光子１１５のために様々な偏光の組み合わせが用いられて良い。例えば偏光子１１１及び偏光子１１５は以下の各々の偏光を与えても良い：水平／垂直、垂直／水平、方位角方向／半径方向、及び／又は半径方向方位角方向。
【００１８】
ターゲットオーバーレイオフセットの計算に用いられる逆対称差分信号は下記のように散乱測定システムの照明経路及び集光経路の様々な光学的構成を用いてセル上の２つの測定を行うことによって取得されて良い。図１０を参照して逆対称差分信号を用いた試料のオーバーレイオフセットの推定のための方法１０００が示される。
【００１９】
操作のフロー、記述及び説明は例示の図１〜９Ｂに関して、及び／又は他の実施例及び文脈に関してなされる。操作のフローは多くの他の環境及び文脈、及び／又は図１〜９Ｂの修正版において行われて良いことを理解いただきたい。加えて、様々な操作フローは図示の順序で示されるが、様々な操作が示されるもの以外の順番及び組み合わせで行われて良いことを理解いただきたい。例えば、いかなる操作手順がいかなる他の操作手順といかなる順序で組み合わされて良い。
【００２０】
図１０を参照して、操作１０１０は第１の散乱測定セルに関する第１の逆対称差分信号（ΔＳ１）の取得を表す。例えば、図１〜４に示されるように、光源１１０は散光１１９を生成するためにセルの対１２８の第１の散乱測定セル１２７Ａを入射光１１８の第１のビーム（例えば第１の偏光を有するビーム）で照射してよい。ＣＣＤ検出器１１６は散光１１９を受けその光を計算装置１２６によって処理されるべき電気信号に変換してよい。更に、光源１１０は散光１１９を生成するためにセルの対１２８の第１の散乱測定セル１２７Ａを入射光１１８の第２のビーム（例えば第２の偏光を有するビーム）で照射してよい。ＣＣＤ検出器１１６は散光１１９を受けその光を計算装置１２６によって処理されるべき電気信号に変換してよい。計算装置１２６は散乱測定セル１２７Ａの各照射に関する電子信号応答を受け信号間の差分を計算して良い。
【００２１】
操作１０２０は第２の散乱測定セルに関する第２の逆対称差分信号（ΔＳ２）の取得を表す。例えば、図１〜４に示されるように、光源１１０は散光１１９を生成するためにセルの対１２８の第２の散乱測定セル１２７Ｂを入射光１１８の第１のビーム（例えば第１の偏光を有するビーム）で照射してよい。ＣＣＤ検出器１１６は散光１１９を受けその光を計算装置１２６によって処理されるべき電気信号に変換してよい。更に、光源１１０は散光１１９を生成するためにセルの対１２８の第２の散乱測定セル１２７Ｂを入射光１１８の第２のビーム（例えば第２の偏光を有するビーム）で照射してよい。ＣＣＤ検出器１１６は散光１１９を受けその光を計算装置１２６によって処理されるべき電気信号に変換してよい。計算装置１２６は散乱測定セル１２７Ｂの各照射に関する電子信号応答を受け信号間の差分を計算して良い。
【００２２】
操作１０３０は第１の散乱測定セルに関する第１の逆対称差分（ΔＳ１）信号及び第２の散乱測定セルに関する第２の逆対称差分信号（ΔＳ２）からオーバーレイオフセットを計算することを示す。例えば、操作１１１０に示されるように、所定の方向のプログラムされたオフセットｖ１＝ｆ０及びｖ１＝−ｆ０及び（操作１０１０に規定されるように）差分信号ΔＳ１及び（操作１０２０に規定されるような）逆対称な差分信号ΔＳ２を有するセルの対１２８Ａの第１のセル１２７Ａ及び第２のセル１２７Ｂの場合、オーバーレイ及びプログラムされたオフセットの両方が小さければ、差分信号は合計オフセットの線形関数であると想定されうる：
ΔＳ１∝ｆ０＋オーバーレイ；ΔＳ２∝−ｆ０＋オーバーレイ
それゆえ、（例えばｘ方向に沿った）セルの対１２８のオーバーレイオフセットは以下として計算されうる：
【数３】
2013500586.tif 000005
オーバーレイオフセット
【００２３】
１つの実施形態において、図１２に示されるように操作１０１０の第１の散乱測定セルに関する第１の逆対称差分信号（ΔＳ１）の取得は追加の操作１２１０及び１２２０を含んで良く、及び操作１０２０の第２の散乱測定セルに関する第２の逆対称差分信号（ΔＳ２）の取得は追加の操作１２３０及び１２４０を含んで良い。
【００２４】
操作１２１０は第１の照射ビームによる照射に応答して第１の散乱測定セルによって生成された散乱信号及び第２の照射ビームによる照射に応答して第１の散乱測定セルによって生成された散乱信号の取得を記す。例えば、図１〜４に示されるように、光源１１０は散光１１９を生成するためにセルの対１２８の第１の散乱測定セル１２７Ａを入射光１１８の第１のビーム（例えば第１の偏光を有するビーム）で照射してよい。ＣＣＤ検出器１１６は散光１１９を受けその光を計算装置１２６によって処理されるべき電気信号に変換してよい。更に、光源１１０は散光１１９を生成するためにセルの対１２８の第１の散乱測定セル１２７Ａを入射光１１８の第２のビーム（例えば第２の偏光を有するビーム）で照射してよい。ＣＣＤ検出器１１６は散光１１９を受けその光を計算装置１２６によって処理されるべき電気信号に変換してよい。
【００２５】
操作１２２０は第１の照射ビームによる照射に応答して第１の散乱測定セルによって生成された散乱信号及び第２の照射ビームによる照射に応答して第１の散乱測定セルによって生成された散乱信号との間の差分信号（ΔＳ１）の計算を記す。例えば、計算装置１２６はセルの対１２８の第１のセル１２７Ａによる第１の照射光線（例えば第１の偏光を有するビーム）の散光に応答して生成された検出器１１６からの第１の電子信号を受けて良い。計算装置１２６は更にセルの対１２８の第１のセル１２７Ａによる第２の照射光線（例えば第２の偏光を有するビーム）の散光に応答して生成された検出器１１６からの第２の電子信号を受けて良い。計算装置１２６はバックグラウンド効果、ノイズ等を除去するために第１の及び第２の電子信号に１つ以上の最適化計算（正規化、暗信号の除去、等）を実行して良い。そうした計算に従い、計算装置１２６はそれから第１の電子信号及び第２の電子信号の間の差分を計算して良い。
【００２６】
操作１２３０は第１の照射ビームによる照射に応答して第２の散乱測定セルによって生成された散乱信号及び第２の照射ビームによる照射に応答して第２の散乱測定セルによって生成された散乱信号の取得を記す。例えば、図１〜４に示されるように、光源１１０は散光１１９を生成するためにセルの対１２８の第２の散乱測定セル１２７Ｂを入射光１１８の第１のビーム（例えば第１の偏光を有するビーム）で照射してよい。ＣＣＤ検出器１１６は散光１１９を受けその光を計算装置１２６によって処理されるべき電気信号に変換してよい。更に、光源１１０は散光１１９を生成するためにセルの対１２８の第２の散乱測定セル１２７Ｂを入射光１１８の第２のビーム（例えば第２の偏光を有するビーム）で照射してよい。ＣＣＤ検出器１１６は散光１１９を受けその光を計算装置１２６によって処理されるべき電気信号に変換してよい。
【００２７】
操作１２４０は第１の照射ビームによる照射に応答して第２の散乱測定セルによって生成された散乱信号及び第２の照射ビームによる照射に応答して第２の散乱測定セルによって生成された散乱信号との間の第２の差分信号（ΔＳ２）の計算を記す。例えば、計算装置１２６はセルの対１２８の第２のセル１２７Ｂによる第１の照射光線（例えば第１の偏光を有するビーム）の散光に応答して生成される検出器１１６からの第１の電子信号を受けて良い。計算装置１２６は更にセルの対１２８の第２のセル１２７Ｂによる第２の照射光線（例えば第２の偏光を有するビーム）の散光に応答して生成された検出器１１６からの第２の電子信号を受けて良い。計算装置１２６はそれから第１の電子信号及び第２の電子信号の間の差分を計算して良い。
【００２８】
実施形態において、図１３Ａおよび図１３Ｂに示されるように第１の照射ビームによる照射に応答して第１の散乱測定セルによって生成された散乱信号及び操作１２１０の第２の照射ビームによる照射に応答して第１の散乱測定セルによって生成された散乱信号の取得は追加の操作１３１０〜１３４０を含んで良く、第１の照射ビームによる照射に応答して第２の散乱測定セルによって生成された散乱信号及び操作１２３０の第２の照射ビームによる照射に応答して第２の散乱測定セルによって生成された散乱信号の取得は追加の操作１３５０〜１３８０を含んで良い。
【００２９】
操作１３１０は第１の偏光を有する照射ビームでの第１の散乱測定セルの照射を表す。例えば、図２から６Ｂに示されるように、偏光子１１１は入射光１１８Ａに第１の偏光を行い第１の偏光を有する偏光１１８Ｂを生じるような構成で良い。偏光子１１１の回転角は特定の偏光構成を設定するように調整されて良い。偏光１１８Ｂは第１のセル１２７Ａを照射するためにレンズ１１２を収束することでオーバーレイターゲット１１３のセルの対１２８（例えばセルの対１２８Ａ）の第１のセル１２７Ａの方に向けられて良い。偏光１１８Ｂは第１のセル１２７Ａによって散乱され散光１１９Ａを生じて良い。
【００３０】
操作１３２０は第１の偏光を有する照射ビームによる照射に応答して第１の散乱測定セルによって生成された散乱信号に第２の偏光を与えることを示す。例えば、図２から６Ｂに示されるように、偏光子１１５は散光１１９Ａに第２の偏光を行い第２の偏光を有する偏光散乱光１１９Ａを生じるような構成であって良い。偏光子１１１の回転角は特定の偏光構成を設定するように調整されて良い。
【００３１】
操作１３３０は第２の偏光を有する照射ビームでの第１の散乱測定セルの照射を表す。例えば、図２から６Ｂに示されるように、偏光子１１１は（例えば操作１０１５にあるように）散光子１１５によって先に散光１１９Ａに与えられた第２の偏光を入射光１１８Ａに行い第２の偏光を有する偏光１１８Ｂを生じるような構成で良い。偏光子１１１の回転角は特定の偏光構成を設定するように調整されて良い。第２の偏光を有する偏光１１８Ｂは第１のセル１２７Ａを照射するためにレンズ１１２を収束することでオーバーレイターゲット１１３の第１のセル１２７Ａの方に向けられて良い。偏光１１８Ｂは第１のセル１２７Ａによって散乱され散光１１９Ａを生じて良い。
【００３２】
操作１３４０は第２の偏光を有する照射ビームによる照射に応答して第１の散乱測定セルによって生成された散乱信号に第１の偏光を与えることを示す。例えば、図２から６Ｂに示されるように、偏光子１１５は（例えば操作１０１０にあるように）散光子１１１によって先に入射光１１８Ｂに与えられた第１の偏光を散光１１９Ａに行い第１の偏光を有する偏光散乱光１１９Ｂを生じるような構成で良い。偏光子１１５の回転角は特定の偏光構成を設定するように調整されて良い。
【００３３】
図５Ａを参照して、（操作１３１０〜１３２０に関して先に記載されたように）第１の散乱測定セルに関する第１の散乱測定において、偏光子１１１は第１の直線偏光（例えば、垂直偏光）を入射光１１８Ａに行う構成であって良く偏光子１１５は第１の直線偏光（例えば、水平偏光）に直交する第２の直線偏光を散光１１９Ａに与える構成で良い。図５Ｂを参照して、（操作１３３０〜１３４０に関して先に記載されたように）第１の散乱測定セルに関する第２の散乱測定において、偏光子１１１は第２の直線偏光（例えば、水平偏光）を入射光１１８Ａに与える構成であって良く偏光子１１５は第２の直線偏光（例えば、垂直偏光）に直交する第１の直線偏光を散光１１９Ａに与える構成で良い。
【００３４】
代わりに、図６Ａを参照して、（操作１３１０〜１３２０に関して先に記載されたように）第１の散乱測定セルに関する第１の散乱測定において、偏光子１１１は環状偏光を入射光１１８Ａに行う構成であって良く偏光子１１５はラジアル偏光を散光１１９Ａに与える構成であって良い。図６Ｂを参照して、（操作１３３０〜１３４０に関して先に記載されたように）第１の散乱測定セルに関する第２の散乱測定において、偏光子１１１はラジアル偏光を入射光１１８Ａに行う構成であって良く偏光子１１５は環状偏光を散光１１９Ａに与える構成であって良い。
【００３５】
操作１３５０は第１の偏光を有する照射ビームでの第２の散乱測定セルの照射を表す。例えば、図２から６Ｂに示されるように、偏光子１１１は入射光１１８Ａに第１の偏光を与え第１の偏光を有する偏光１１８Ｂを生じるような構成で良い。偏光子１１１の回転角は特定の偏光構成を設定するように調整されて良い。偏光１１８Ｂは第２の１２７Ｂを照射するためにレンズ１１２を収束することでオーバーレイターゲット１１３のセルの対１２８（例えばセルの対１２８Ａ）の第２のセル１２７Ｂの方に向けられて良い。偏光１１８Ｂは第２のセル１２７Ｂによって散乱され散光１１９Ａを生じて良い。
【００３６】
操作１３６０は第２の偏光を有する照射ビームによる照射に応答して第２の散乱測定セルによって生成された散乱信号に第１の偏光を与えることを示す。例えば、図２から６Ｂに示されるように、偏光子１１５は散光１１９Ａに第２の偏光を行い第２の偏光を有する偏光散乱光１１９Ａを生じるような構成で良い。偏光子１１１の回転角は特定の偏光構成を設定するように調整されて良い。
【００３７】
操作１３７０は第２の偏光を有する照射ビームでの第２の散乱測定セルの照射を表す。例えば、図２から６Ｂに示されるように、偏光子１１１は（例えば操作１０３５にあるように）散光子１１５によって先に散光１１９Ａに与えられた第２の偏光を入射光１１８Ａに与え第２の偏光を有する偏光１１８Ｂを生じるような構成で良い。偏光子１１１の回転角は特定の偏光構成を設定するように調整されて良い。第２の偏光を有する偏光１１８Ｂは第２のセル１２７を照射するためにレンズ１１２を収束することでオーバーレイターゲット１１３の第２のセル１２７Ｂの方に向けられて良い。偏光１１８Ｂは第２のセル１２７Ｂによって散乱され散光１１９Ａを生じて良い。
【００３８】
操作１３７０は第２の偏光を有する照射ビームによる照射に応答して第２の散乱測定セルによって生成された散乱信号に第１の偏光を与えることを示す。例えば、図２から６Ｂに示されるように、偏光子１１５は（例えば操作１０３０にあるように）散光子１１１によって先に入射光１１８Ｂに与えられた第１の偏光を散光１１９Ａに行い第１の偏光を有する散光１１９Ｂを生じるような構成で良い。偏光子１１５の回転角は特定の偏光構成を設定するように調整されて良い。
【００３９】
図５Ａを参照して、（操作１３５０〜１３６０に関して先に記載されたように）第２の散乱測定セルに関する第１の散乱測定において、偏光子１１１は第１の直線偏光（例えば、垂直偏光）を入射光１１８Ａに行う構成であって良く偏光子１１５は第１の直線偏光（例えば、水平偏光）に直交する第２の直線偏光を散光１１９Ａに与える構成で良い。図５Ｂを参照して、（操作１３７０〜１３８０に関して先に記載されたように）第２の散乱測定セルに関する第２の散乱測定において、偏光子１１１は第２の直線偏光（例えば、水平偏光）を入射光１１８Ａに与える構成であって良く偏光子１１５は第２の直線偏光（例えば、垂直偏光）に直交する第１の直線偏光を散光１１９Ａに与える構成で良い。
【００４０】
代わりに、図６Ａを参照して、（操作１３５０〜１３６０に関して先に記載されたように）第１の散乱測定セルに関する第１の散乱測定において、偏光子１１１は環状偏光を入射光１１８Ａに与える構成であって良く偏光子１１５はラジアル偏光を散光１１９Ａに与える構成であって良い。図６Ｂを参照して、（操作１３７０〜１３８０に関して先に記載されたように）第１の散乱測定セルに関する第２の散乱測定において、偏光子１１１はラジアル偏光を入射光１１８Ａに与える構成であって良く偏光子１１５は環状偏光を散光１１９Ａに与える構成であって良い。
【００４１】
実施形態において、図１４に示されるように第１の照射ビームによる照射に応答して第１の散乱測定セルによって生成された散乱信号及び操作１２１０の第２の照射ビームによる照射に応答して第１の散乱測定セルによって生成された散乱信号の取得は追加の操作１４１０〜１４２０を含んで良く、第１の照射ビームによる照射に応答して第２の散乱測定セルによって生成された散乱信号及び操作１２３０の第２の照射ビームによる照射に応答して第２の散乱測定セルによって生成された散乱信号の取得は追加の操作１４３０〜１４４０を含んで良い。
【００４２】
１つの実施形態において、図１２に示されるように操作１０１０の第１の散乱測定セルに関する第１の逆対称差分信号（ΔＳ１）の取得は追加の操作１４１０及び１４２０を含んで良く、及び操作１０２０の第２の散乱測定セルに関する第２の逆対称差分信号（ΔＳ２）の取得は追加の操作１４３０及び１４４０を含んで良い。
【００４３】
操作１４１０及び１４３０は少なくとも１つの波長板を通じた第１の偏光及び第２の偏光の少なくとも１つを有する照射ビームのルーティングを示す。操作１４２０は少なくとも１つの波長板を通じた１つ以上の散乱信号のルーティングを示す。例えば、図１９Ａに示されるように、逆対称差分信号は照明経路内の偏光子１１１、照明経路内の波長板１３０Ａ（例えば四分の一波長板）、集光経路内の波長１３０Ｂ（例えば四分の一波長板）及び集光経路内の偏光子１１５を含む光学的設定で取得されて良い。偏光子及び波長板は適切な偏光子及び波長板の角度で測定された差分信号が逆対称条件に従うように構成されて良い。例えば、照明経路内の偏光子１１１の角度はセルの第１の測定で０度及びセルの第２の測定で９０度でよい。集光経路内の偏光子１１５の角度はセルの第１の測定で９０度及びセルの第２の測定で０度でよい。照明経路内の波長板１３０Ａの角度はセルの両方の測定で４５度でよい。集光経路内の波長板１３０Ｂの角度はセルの両方の測定で−１３５度でよい。こうした測定スキームの利点は偏光の柔軟性及びオーバーレイに最適な感度のための相含有量を可能にすることである。加えて、こうした光学的構成は比較的小さい入射角に最適なオーバーレイ感度を有するように調整されてよい。この場合、アポダイジング開口１３１によるアポディゼーション照明瞳１２２はオーバーレイへの感度の損失なしにスポットサイズを減少するために用いられて良い。
【００４４】
図１９Ｂに示される代替の構成において、逆対称差分信号は両方の波長板１３０が２度（例えば、ウエハの照射前に入射光１１８によって一度及び散乱測定セル１２７によって入射光１１８の散光に続いて散光１１９によって２回目）通過されるように、照明経路内の偏光子１１１、集光経路内の偏光子１１５及び照明経路及び集光経路に共通な位置内の少なくとも２つの波長板（例えば、半波長板１３０Ａ四分の一波長板１３０Ｂ）を含む光学的構成で取得されて良い。例えば、セルの第１の測定に対して偏光子１１１は０度、半波長板１３０Ａは２０５度、四分の一波長板１３０Ｂは５度及び偏光子１１５は９０度であってよい。セルの第２の測定に対して、偏光子１１１は９０度、半波長板１３０Ａは３００度、四分の一波長板１３０Ｂは１５度及び偏光子１１５は０度であってよい。
【００４５】
代替の実施形態において、図１５に示されるように方法１０００は追加の操作１５１０を含んで良い。
【００４６】
操作１５１０は源からの１つ以上の照射ビームの供給を示す。例えば、光源１１０は入射光１１８を発して良い。図７Ａに示されるように、光源１１０は環状部１２３を有する照明瞳１２２を含んで良い。環状部１２３を含む照明瞳１２２の使用は鏡面反射（すなわちゼロ次回折）経由で瞳内の複数の位置で測定されるべき散乱信号を可能にしてよい。代替として、図８Ａに示されるように、全照明瞳１２２が用いられて良い。代替として、図９Ａに示されるように、アポダイズ照明瞳１２２が用いられて良い。更に、入射光１１８は単色照射ビーム又は多波長の連続を含む照射ビームであってよい。
【００４７】
代替の実施形態において、図１６に示されるように方法１０００は追加の操作１６１０を含んで良い。
【００４８】
操作１６１０は１つ以上の散乱信号の受信を示す。例えば、図３〜４及び７Ｂ、８Ｂ及び９Ｂに示されるように、ＣＣＤ検出器１１６は散光１１９Ｂを受けその光を計算装置１２６によって処理されるべき電気信号に変換してよい。図７Ｂに示されるように、検出器１１６は隙間１２５を有する収集瞳１２４を含んで良い。図７Ｂの収集瞳１２４を含む検出器１１６は図７Ａの照明瞳１２２を含む光源１１０と組み合わせて用いられて良い。代替として、図８Ｂに示されるように、検出器１１６は受光ピクセル１２５を有する収集瞳１２４を含んで良い。図８Ｂの収集瞳１２４を含む検出器１１６は図８Ａの照明瞳１２２を含む光源１１０と組み合わせて用いられて良い。代替として、図９Ｂに示されるように、検出器１１６は受光ピクセル１２５を有する収集瞳１２４を含んで良い。図９Ｂの収集瞳１２４を含む検出器１１６は図９Ａの照明瞳１２２を含む光源１１０と組み合わせて用いられて良い。計算装置１２６はオーバーレイターゲット１１３の１つ以上の散乱測定セル１２７の光散乱特性を示すＣＣＤ検出器１１６によって生成された電子信号を受けて良い。計算装置は電子信号から試料の１つ以上の計測特性（例えばオーバーレイオフセット、臨界距離等）を計算して良い。
【００４９】
代替の実施形態において、図１７に示されるように方法１０００は追加の操作１７１０及び１７２０を含んで良い。
【００５０】
操作１７１０は第３の散乱測定セルに関する第３の逆対称差分信号（ΔＳ３）の取得を表す。例えば、図１〜４に示されるように、光源１１０は散光１１９を生成するためにオーバーレイターゲット１１３の第３の散乱測定セル１２７Ｃを入射光１１８の第１のビーム（例えば第１の偏光を有するビーム）で照射してよい。ＣＣＤ検出器１１６は散光１１９を受けその光を計算装置１２６によって処理されるべき電気信号に変換してよい。更に、光源１１０は散光１１９を生成するためにオーバーレイターゲット１１３の第３の散乱測定セル１２７Ｃを入射光１１８の第２のビーム（例えば第２の偏光を有するビーム）で照射してよい。ＣＣＤ検出器１１６は散光１１９を受けその光を計算装置１２６によって処理されるべき電気信号に変換してよい。計算装置１２６は散乱測定セル１２７Ｃの各照射に関する電子信号応答を受け信号間の差分を計算して良い。
【００５１】
操作１７２０は第２の散乱測定セルに関する第２の逆対称差分信号（ΔＳ２）及び第３の散乱測定セルに関する第３の逆対称差分信号（ΔＳ３）からオーバーレイオフセットを計算することを示す。例えば、所定の方向のプログラムされたオフセットｖ２＝ｆ０及びｖ３＝−ｆ０及び（操作１０２０に規定されるように）差分信号ΔＳ２及び（操作１７１０に規定されるような）逆対称な差分信号ΔＳ３を有するオーバーレイターゲット１１３の第２のセル１２７Ｂ及び第３のセル１２７Ｃの場合、オーバーレイ及びプログラムされたオフセットの両方が小さければ、差分信号は合計オフセットの線形関数であると想定されうる：
ΔＳ２∝ｆ０＋オーバーレイ；ΔＳ１∝−ｆ０＋オーバーレイ
それゆえ、セルの対１２８Ｂのオーバーレイオフセットは以下として計算されうる：
【数４】
2013500586.tif 000006
オーバーレイオフセット
【００５２】
本発明の前述の実施形態は図及び説明で提供されて良い。これらは本発明を記載される詳細な形式に制限することを意図するものではない。例えば、散乱測定との関連で本明細書に記載される方法は偏光反射法に等しくあてはまる。その他の変形例及び実施形態は上記教示を踏まえて可能であり、かくして本発明の範囲は詳細な説明でなく付属の特許請求の範囲によって限定される。
【００５３】
前述の詳細な説明はブロック図、フローチャート及び／又は実施例の使用を通じて装置及び／又はプロセスの様々な実施形態を説明した。こうしたブロック図、フローチャート及び／又は実施例が１つ以上の機能及び／又は運用を包含する限り、こうしたブロック図、フローチャート又は実施例内の各機能及び／又は運用はハードウェア、ソフトウェア、ファームウェア又は事実上そのいかなる組み合わせの広い範囲によって個別に及び／又は集合的に実施されうることを当業者は理解するだろう。１つの実施形態において、本明細書に記載される内容のいくつかの部分は特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣｓ）、フィールド・プログラマブル・ゲート・アレー（ＦＰＧＡｓ）、デジタル・シグナル・プロセッサ（ＤＳＰ）又はその他の統合形式で実施されて良い。しかしながら、本明細書で開示される実施形態のいくつかの態様は、１つ以上のコンピューターで作動する１つ以上のコンピュータープログラムとして（例えば、１つ以上のコンピューターシステム上で作動する１つ以上のプログラムとして）、１つ以上のプロセッサで作動する１つ以上のプログラムとして（例えば、１つ以上のマイクロプロセッサで作動する１つ以上のプログラムとして）、ファームウェアとして又は実質そのいかなる組み合わせとして、全体又は部分的に、集積回路に均等に実施可能で、回路の設計及び／又はソフトウェア及び又はファームウェアのためのコードの書き込みは本開示に照らして当業者の技能の範囲内であることを当業者は理解するだろう。加えて、本明細書に記載される内容の機構は様々な形式でプログラム製品として提供可能であって良く、提供を実際に実行するために用いられる信号搬送媒体の特定の種類に関わらず本明細書に記載される内容の例示的な実施形態が当てはまることを当業者は理解するだろう。信号搬送媒体の実施例は以下を含むが、それに制限されるものではない：フレキシブルディスク、ハードディスクドライブ、コンパクトディスク（ＣＤ）、デジタルビデオディスク（ＤＶＤ）、デジタルテープ、コンピューターメモリー等の記録可能式媒体；デジタル及び／又はアナログ通信媒体（例えば、光ファイバーケーブル、導波管、有線通信リンク、無線通信リンク（例えば、送信機、受信機、送信論理、受信論理等）等）のような伝送式媒体。
【００５４】
一般的に、広い範囲のハードウェア、ソフトウェア、ファームウェア又はその組み合わせによって個別及び／又は一括で実施されうる本明細書に記載される様々な態様は様々な種類の「電気回路」からなると考えられることを当業者は認識するだろう。その結果、本明細書で用いられる「電気回路」は少なくとも１つのディスクリート電気回路を有する電気回路、少なくとも１つの集積回路を有する電気回路、少なくとも１つの特定用途向け集積回路を有する電気回路、コンピュータープログラムによって構成される汎用計算装置を形成する電気回路（例えば、少なくとも部分的にプロセスを実行するコンピュータープログラムによって構成される汎用計算装置及び／又は本明細書に記載される装置）、メモリー装置を形成する電気回路（例えば、ランダムアクセスメモリーの形式）、及び／又は通信装置を形成する電気回路（例えば、モデム、通信スイッチ、又は光電気装置）を含むが、これに限定されるものではない。当業者は本明細書に記載される内容がアナログ又はデジタル形式又はその組み合わせで運用されて良いことを理解するだろう。
【００５５】
本明細書に記載された内容は異なるその他の部分の中、又は接続された異なる部分を示すことがある。こうした描かれた構造は例示的のみであって良く、同じ機能を達成する多くの他の構造が事実上運用されてよい。概念的な意味で、同じ機能を達成するための部品のいかなる配置も所望の機能が達成されるように効果的に「関連」してよい。かくして、特定の機能を達成するために組み合わされた本明細書に記載されるいかなる２つの部品も構造又は中間の部品に関わらず、所望の機能が達成されるように互いに「関連する」と見なされうる。同様に、そのように関連したいかなる２つの部品も所望の機能を達成するために「操作可能に接続される」又は「操作可能に連結される」と考えることも可能であり、そのように関連されうるいかなる２つの部品も所望の機能を達成するために互いに「操作可能に連結可能」であるとも見なされうる。操作可能に連結可能な具体的な実施例は物理的に組み付け可能な及び／又は物理的に相互作用する部品、及び／又は無線で相互作用可能な、及び／又は無線で相互作用する部品、及び／又は論理的に相互作用する、及び／又は論理的に相互作用可能な部品を含むがそれらに制限されるものではない。
【００５６】
場合によって、１つ以上の部品は本明細書で「構成される」、「構成可能」、「操作可能／作用する」、「適応する／適応可能な」、「可能な」、「適合可能な／適合する」等として呼ばれうる。当業者は文脈上他の意味に解すべき場合を除き、「構成される」が活動状態の部品及び／又は非活動状態の部品及び／又は待機状態の部品を広く包括しうることを理解するだろう。本明細書に記載される本内容の特定の態様は図示され既述されるが、本明細書の教示に基づき、本明細書に記載される内容から逸脱することなく変更又は修正が成されて良く、より広い態様及び、それゆえ付属の特許請求の範囲が本明細書に記載される内容の真の趣旨及び範囲内であるように全てのこうした変更及び修正をその範囲内に包含すべきものであってよい。一般に本明細書で、及び特に付属の特許請求の範囲（例えば、付属の特許請求の範囲の本文）で用いられる用語は広く「開かれた」用語（例えば、「含む」という用語は「含むが制限されない」として解釈されるべきで、「有する」という用語は「少なくとも有する」として解釈されるべきで、「含む」という用語は「含むが制限されない」として解釈されるべき、等）として意図されてよい。特定の数の導入された請求項の記載が意図される場合、そうした意図は請求項内に明示的に示されそうした記載が無い場合、そうした意図は存在しないものとされてよいことが更に当業者に理解されるであろう。例えば、理解の助けとして、以下の付属の特許請求の範囲は請求項の記載を導入するために導入句「少なくとも１つの」及び「１つ以上の」の使用を包含してよい。しかしながら、同じ請求項が導入句「１つ以上の」又は「少なくとも１つの」及び「ある」のような不定冠詞（例えば、「ある」は「少なくとも１つの」又は「１つ以上の」を意味すると一般的に解釈される）を含む場合でも、こうした句の使用は「ある」という不定冠詞によって請求項の記載の導入がこうした導入された請求項の記載を包含するいかなる特定の請求項をこうした記載１つのみを包含する請求項に限定することを暗示すると解釈されるべきではない；同じことは請求項の記載を導入するために用いられる定冠詞の使用にあてはまる。加えて、特定の数の導入された請求項の記載が明示的に述べる場合であっても、こうした記載は一般的に少なくとも記載された数を意味すると解釈されるべきである（例えば、他の修飾語句の無い単なる記述の「２つの記述」は一般的に少なくとも２つの記述、又は２つ以上の記述を意味する）と当業者は認識するであろう。更に、「Ａ、Ｂ、及びＣの少なくとも１つ等」に似た規則が用いられる場合、一般にこうした構成は当業者が規則を理解するであろう様な意味を意図される（例えば、「Ａ、Ｂ及びＣの少なくとも１つを有するシステム」はＡのみ、Ｂのみ、Ｃのみ、ＡとＢが一緒、ＡとＣが一緒、ＢとＣが一緒、及び／又はＡ、Ｂ及びＣが一緒を有するシステムを含むがそれらに制限されるものではない、等）。「Ａ、Ｂ、又はＣの少なくとも１つ等」に似た規則が用いられる場合、一般にこうした構成は当業者が規則を理解するであろう様な意味を意図される（例えば、「Ａ、Ｂ又はＣの少なくとも１つを有するシステム」はＡのみ、Ｂのみ、Ｃのみ、ＡとＢが一緒、ＡとＣが一緒、ＢとＣが一緒、及び／又はＡ、Ｂ及びＣが一緒を有するシステムを含むがそれらに制限されるものではない、等）。一般的に２つ以上の代替用語を表す離接語及び／又は句は、説明、特許請求の範囲又は図面で用いられようが、用語の内の１つを含む、用語のいずれか、又は両方の用語の可能性を考慮すべきと理解されるべきということを当業者によって更に理解されるであろう。例えば、句「Ａ又はＢ」は一般的に「Ａ」又は「Ｂ」又は「Ａ及びＢ」の可能性を含むと理解されるであろう。
【００５７】
付属の特許請求の範囲に関し、当業者はそこに記載された操作が一般にいかなる順に行われて良いことを理解するであろう。又、様々な操作フローが順番で示されるが、様々な操作が示されるもの以外の順番に行われて良く、又、同時に行われて良いことを理解いただきたい。前後関係で示されない限り、こうした代替順序の実施例は重複、交互的、中断、並べ替え、段階的、予備的、補助的、同時、逆順、又はその他の異なる順を含んで良い。前後関係に関して、「応答する」、「関する」、又はその他の過去形の形容詞のような用語でさえ、前後関係で示されない限りそうした異なるものを概して排除することを意図しなくてよい。
【００５８】
具体的な従属が特許請求の範囲内に特定されるが、特許請求の範囲の特長の全ての可能な組み合わせが本出願内に想定されて良いことに留意いただきたく、それゆえ特許請求の範囲は全ての可能な複数の従属を含むと解釈されて良い。本開示及びその付随の利点の多くは先の記載により理解されると思われ、開示された内容から逸脱することなく又は物質的利点の全てを犠牲にすることなく部品の形式、構造及び配置に様々な変更がなされうることは明らかであろう。記載された形式は例示のみであって良く、以下の特許請求の範囲がこうした変更を包含することが意図されて良い。
【図１】
2013500586.tif 000008
【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図２Ｃ】
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【図３】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３Ａ】
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【図１３Ｂ】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９Ａ】
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【図１９Ｂ】
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【国際調査報告】
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