【事件の表示】
　特許第２６２６３２４号「洗浄方法」の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結論】
　訂正を認める。
　特許第２６２６３２４号の特許を維持する。
【理由】
（１）手続の経緯
　本件特許第２６２６３２４号発明は、平成３年７月２６日に特許出願され、平成９年４月１１日にその特許の設定登録がなされ、その後北村二郎及び佐藤正より特許異議の申立てがなされ、平成１０年６月２６日付けで取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１０年９月１４日に訂正請求がなされたものである。
（２）訂正の適否についての判断
ア．訂正の内容
＊訂正事項ａ
　特許請求の範囲の請求項１における、「高粘性薬液により処理された被処理物の洗浄方法であって、前記高粘性薬液により処理され、前記高粘性薬液が付着している前記被処理物を低粘性薬液により処理する工程と、」を「高温硫酸・過酸化水素の混合液または高温燐酸からなる高粘性薬液により処理された被処理物の洗浄方法であって、前記高粘性薬液により処理され、前記高粘性薬液が付着している前記被処理物を塩酸と過酸化水素水の混合液または硝酸からなる低粘性薬液により処理する工程と、」と訂正する。
＊訂正事項ｂ
　明細書の段落【０００８】の「【課題を解決するための手段】本発明の洗浄方法は、高粘性薬液により処理された被処理物の洗浄方法であって、この高粘性薬液により処理され、高粘性薬液が付着している被処理物を低粘性薬液により処理する工程と、この低粘性薬液が付着している被処理物を水洗処理する工程とを含むように構成する。」を「【課題を解決するための手段】本発明の洗浄方法は、高温硫酸・過酸化水素の混合液または高温燐酸からなる高粘性薬液により処理された被処理物の洗浄方法であって、この高粘性薬液により処理され、高粘性薬液が付着している被処理物を塩酸と過酸化水素水の混合液または硝酸からなる低粘性薬液により処理する工程と、この低粘性薬液が付着している被処理物を水洗処理する工程とを含むように構成する。」と訂正する。
＊訂正事項ｃ
　明細書の段落【００１２】及び【００１４】の「半導体基板をディップにして」を「半導体基板をディップして」と訂正する。
イ．訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　上記訂正事項ａは、請求項１における、「高粘性薬液」、「低粘性薬液」をそれぞれ「高温硫酸・過酸化水素の混合液または高温燐酸からなる高粘性薬液」、「塩酸と過酸化水素水の混合液または硝酸からなる低粘性薬液」と限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮に該当し、願書に添付した明細書に記載した事項の範囲内のものであり、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
　上記訂正事項ｂは、請求項１が訂正されたことに伴い特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載との整合を図るためのための訂正であり、願書に添付した明細書に記載した事項の範囲内のものであり、不明りょうな記載の釈明を目的としたものである。
　上記訂正事項ｃは、誤記の訂正を目的としたものである。
ウ．独立特許要件の判断
（本件発明）
　訂正明細書の本件発明は、その特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものである。「高温硫酸・過酸化水素の混合液または高温燐酸からなる高粘性薬液により処理された被処理物の洗浄方法であって、前記高粘性薬液により処理され、前記高粘性薬液が付着している前記被処理物を塩酸と過酸化水素水の混合液または硝酸からなる低粘性薬液により処理する工程と、前記低粘性薬液が付着している前記被処理物を水洗処理する工程と、を含むことを特徴とする洗浄方法。」
（引用例）
　訂正明細書の本件発明に対して、当審が平成１０年６月２６日付けの取消理由で引用した特開平１−２６４２２６号公報（以下、「引用例１」という。）には、半導体基板の水洗技術が開示されている。そして同引用例の第２頁右上欄第８行〜左下欄第８行には「粘性が高く溶解度の低い薬液処理を行なう工程の水洗においては、薬液除去が即座に行なわれず、水洗中にもかかわらず、半導体ウェハー表面の薬液処理が進行してしまう。また、水洗用の純水量が多量に必要であり、また、水洗時間が長時間必要であるなどの欠点があった。・・・。・・・、本発明は水洗処理の開始時に半導体ウェハーに付着した薬液を中和し、溶解度を高くした・・・。・・・化学薬液に浸漬処理した後の半導体基板を水洗する水洗装置において、水洗処理開始時にオーバーフロー槽内の水洗水に薬液を給液し、水洗水と混合することにより水洗効果を高める薬液槽を装備したものである。」と記載されている。
　更に引用した「精密洗浄技術」１７９〜１８１、１９０、１９１頁（平成３年６月２０日、工学図書株式会社発行、辻薦著）（以下、「引用例２」という。）」には、各槽毎に異なる種類の洗浄液を収容して行う多段回分洗浄技術が記載されている。
（対比・判断）
　本件発明と引用例１及び２とを対比すると、引用例１及び２には、本件発明の必須の構成要件である、高粘性薬液により処理され、高粘性薬液が付着している被処理物を低粘性薬液により処理する工程と、低粘性薬液が付着している前記被処理物を水洗処理する工程と、を含む洗浄方法において、高粘性薬液及び低粘性薬液としてそれぞれ「高温硫酸・過酸化水素の混合液または高温燐酸からなる高粘性薬液」及び「塩酸と過酸化水素水の混合液または硝酸からなる低粘性薬液」を選定する点について記載も示唆も認められない。
　そして、本件発明は、上記の構成をとることにより、明細書に記載されているように（本件特許公報第４欄第３１〜３５行参照）、「極めて簡単な工程の追加により高粘性薬液により処理された被処理物に付着した高粘性薬液を低粘性薬液と置換するので、この低粘性薬液を純水により容易に溶解することが可能となる」という引用例１及び２にはない顕著な作用効果を奏するものである。
　したがって、本件発明が引用例１に記載された発明と同一発明であるとも、引用例１及び２に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものとも認めることはできない。
　よって、本件発明は特許出願の際独立して特許を受けることができない発明であるとすることはできない。
エ．むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正請求は、特許法第１２０条の４第２項及び同条第３項で準用する特許法第１２６条第２から４項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
（３）特許異議の申立てについての判断
ア．申立ての理由の概要
　申立人北村二郎は、甲第１号証（特開昭５８−１３２９３４号公報：以下「文献１」という）、甲第２号証（特開昭６３−２５０１３１号公報：以下「文献２」という）及び甲第３号証（特開平２−１３４８２０号公報：以下「文献３」という）を提示して本件請求項１記載の発明は、甲第１乃至３号証（文献１乃至文献３）に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであるから、特許を取り消すべきものと主張している。
　また申立人佐藤正は、甲第１号証（特開平１−２６４２２６号公報：引用例１）、甲第２号証（特開昭６３−１１４２１６号公報：以下「文献４」という）及び甲第３号証（「精密洗浄技術」１７９〜１８１、１９０、１９１頁、平成３年６月２０日、工学図書株式会社発行、辻薦著：引用例２）を提示して、本件請求項１記載の発明は、甲第１号証（引用例１）又は甲第２号証（文献４）に記載された発明であるか、甲第１号証（引用例１）及び第３号証（引用例２）に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであって、特許法第２９条第１項第３号又は特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであり、また甲第４号証（「実用化学辞典」１４８頁、１９８６年１１月２５日、株式会社朝倉書店発行、越後谷悦郎等監訳）及び甲第５号証（「実験化学便覧［新版］」４０９頁、昭和４５年３月２０日、共立出版株式会社発行、実験化学便覧編集委員会編）を提示して、本件特許発明における「高粘性薬液」と「低粘性薬液」は、両者を区分けするための範囲等の定義がないことから、発明の構成が不明瞭であり、特許法３６条第４項の要件を満たしてないから、特許を取り消すべきものと主張している。
イ．特許法３６条第４項違反について
「高粘性薬液」及び「低粘性薬液」については、訂正により薬液の種類が明瞭となっている。また発明の詳細な説明の記載によれば、両薬液の粘性の関係が相互に「高粘性」及び「低粘性」の関係にあれば、本件発明の作用効果が得られるものである。（両薬液の粘性の関係が相互に「高粘性」及び「低粘性」の関係を逸脱する場合は、本件発明の範囲外と言える。）
　したがって更に両者を区分けするための粘性の範囲等の定義の必要性は認められない。なお上記薬液の関係は「高粘性」及び「低粘性」という特許請求の範囲の記載からも明らかであるから、「高粘性薬液」或いは「低粘性薬液」を前提とした本件発明の構成は明瞭である。
ロ．特許法第２９条第１項第３号又は特許法第２９条第２項違反について
（引用例）
文献１には、半導体ウエハーを異なった薬液で処理する処理工程ならびに薬液が付着している半導体ウエハーを水洗処理する工程とからなる半導体ウエハーの水洗方法が記載されている。（第１頁左下欄下から第６行〜右上欄第１３行参照）
文献２には、粘性の大きい液体でウェーハ上の異物を除去する工程を含む半導体装置の製造方法が記載されている。
文献３には、ウエハの洗浄感光性ポリイミドの異物を除去するに当たって、ピロリジオンを第１洗浄液として、純水を第２洗浄液として供給することが記載されている。（第２頁右下欄下から第３行〜第３頁左上欄第１４行）
さらにピロリジオンが比較的粘度が高い溶剤であること（第４頁左上欄第２行〜第３行）及び第１洗浄液として他の溶剤の使用、第２洗浄液としてアルコール、アセトン、シンナ、キシレン等の使用の可能性が記載されている。（第４頁左下欄下から第３行〜右上欄第３行参照）
　申立人佐藤正の提出した甲第１、３号証は、（２）ウの引用例の項で検討した引用例１、２と同一のものであり、それぞれ（２）ウで述べた発明が記載されている。
　文献４には、酸又はアルカリ等の薬液を満たした薬液槽内で半導体基板を処理した後、純水を前記薬液槽に供給し、前記薬液槽の薬液を純水に置換し、濃度を薄くした後、前記半導体基板を浸漬したまま隣接する第１の純水槽に移す工程と、第１の純水槽内の純水で前記半導体基板を処理した後、前記半導体基板を液中に浸漬したまま第１の純水槽から後段の第２の純水槽内に移動する工程と、最終純水槽内の純水の流れに逆って下流側から上流側へ前記半導体基板を移動させ上流側で半導体基板を槽外へ取り出す工程とを含むことを特徴とする半導体基板ウェット処理方法の発明が記載されている。（特許請求の範囲）
（対比・判断）
　本件発明と引用例１、２及び文献１乃至４とを対比すると、引用例１、２及び文献１乃至４には、本件発明の必須の構成要件である、高粘性薬液により処理され、高粘性薬液が付着している被処理物を低粘性薬液により処理する工程と、低粘性薬液が付着している前記被処理物を水洗処理する工程と、を含む洗浄方法において、高粘性薬液及び低粘性薬液としてそれぞれ「高温硫酸・過酸化水素の混合液または高温燐酸からなる高粘性薬液」及び「塩酸と過酸化水素水の混合液または硝酸からなる低粘性薬液」を選定する点についての記載はないし、この点を示唆する記載もない。
　そして、本件発明は、上記の構成をとることにより、明細書に記載されているように（本件特許公報第４欄第３１〜３５行参照）、「極めて簡単な工程の追加により高粘性薬液により処理された被処理物に付着した高粘性薬液を低粘性薬液と置換するので、この低粘性薬液を純水により容易に溶解することが可能となる」という引用例１、２及び文献１乃至４にはない顕著な作用効果を奏するものである。
　よって、本件発明は、引用例１又は文献１に記載された発明であるとも、引用例１、２及び文献１乃至４に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるとも認めることはできない。
　また、他に本件特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１１年３月１２日（１９９９．３．１２）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
＊訂正事項ａ
　特許請求の範囲の減縮を目的として、特許請求の範囲の請求項１における、「高粘性薬液により処理された被処理物の洗浄方法であって、前記高粘性薬液により処理され、前記高粘性薬液が付着している前記被処理物を低粘性薬液により処理する工程と、」を「高温硫酸・過酸化水素の混合液または高温燐酸からなる高粘性薬液により処理された被処理物の洗浄方法であって、前記高粘性薬液により処理され、前記高粘性薬液が付着している前記被処理物を塩酸と過酸化水素水の混合液または硝酸からなる低粘性薬液により処理する工程と、」と訂正する。
＊訂正事項ｂ
　不明りょうな記載の釈明を目的として、明細書の段落【０００８】の「【課題を解決するための手段】本発明の洗浄方法は、高粘性薬液により処理された被処理物の洗浄方法であって、この高粘性薬液により処理され、高粘性薬液が付着している被処理物を低粘性薬液により処理する工程と、この低粘性薬液が付着している被処理物を水洗処理する工程とを含むように構成する。」を「【課題を解決するための手段】本発明の洗浄方法は、高温硫酸・過酸化水素の混合液または高温燐酸からなる高粘性薬液により処理された被処理物の洗浄方法であって、この高粘性薬液により処理され、高粘性薬液が付着している被処理物を塩酸と過酸化水素水の混合液または硝酸からなる低粘性薬液により処理する工程と、この低粘性薬液が付着している被処理物を水洗処理する工程とを含むように構成する。」と訂正する。
＊訂正事項ｃ
誤記の訂正を目的として、明細書の段落【００１２】及び【００１４】の「半導体基板をディップにして」を「半導体基板をディップして」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
洗浄方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】高温硫酸・過酸化水素の混合液または高温燐酸からなる高粘性薬液により処理された被処理物の洗浄方法であって、
　前記高粘性薬液により処理され、前記高粘性薬液が付着している前記被処理物を塩酸と過酸化水素水の混合液または硝酸からなる低粘性薬液により処理する工程と、
　前記低粘性薬液が付着している前記被処理物を水洗処理する工程と、
　を含むことを特徴とする洗浄方法。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　本発明は、半導体装置の製造工程において高粘性薬液により処理された半導体基板のような被処理物の洗浄方法の改良に関するものである。
　【０００２】
　近年の半導体装置の製造工程においてはウエーハの大径化、高集積化に伴い、高粘性薬液により処理された半導体基板の洗浄工程には加熱された純水による洗浄や大量の純水による洗浄が行われているが、このためには純水加熱装置や大型の純水製造装置が必要となる。
　【０００３】
　以上のような状況から、加熱純水や大量の純水を用いないで洗浄処理を効率良く行うことが可能な洗浄方法が要望されている。
　【０００４】
　【従来の技術】
　従来の洗浄方法を複数の槽を用いる半導体基板の場合について図４により詳細に説明する。
　【０００５】
　図４は従来の洗浄方法を工程順に示す図である。まず図に示すように高粘性薬液槽３１の高粘性薬液中に半導体基板をディップする。この高粘性薬液槽３１にて処理された半導体基板の表面には高粘性薬液が付着しているが、従来はこの半導体基板を直接水洗槽３３の純水中にディップし、この高粘性薬液を加熱した純水や大量の純水により溶解させて除去した後、乾燥室３４内で乾燥させている。
　【０００６】
　【発明が解決しようとする課題】
　以上説明した従来の半導体基板の洗浄方法においては、高粘性薬液にて処理した半導体基板の表面には高粘性薬液が付着しており、この半導体基板を直接水洗槽の純水中にディップし、純水に溶解しにくい高粘性薬液を完全に除去するためには水洗処理に長時間が必要になるから加熱した純水を用いるか、或いは大量の純水により高粘性薬液を溶解させて除去しているので、純水加熱装置や大型の純水製造装置が必要になるという問題点があった。
　【０００７】
　本発明は以上のような状況から、高粘性薬液処理を行った被処理物の洗浄を簡単且つ短時間に行うことが可能となる洗浄方法の提供を目的とするものである。
　【０００８】
　【課題を解決するための手段】
　本発明の洗浄方法は、高温硫酸・過酸化水素の混合液または高温燐酸からなる高粘性薬液により処理された被処理物の洗浄方法であって、この高粘性薬液により処理され、高粘性薬液が付着している被処理物を塩酸と過酸化水素水の混合液または硝酸からなる低粘性薬液により処理する工程とを含むように構成する。
　【０００９】
　【作用】
　即ち本発明においては、図１に示すように高粘性薬液槽１内で高粘性薬液処理を行った半導体基板を低粘性薬液槽２内の低粘性薬液中にディップし、この高粘性薬液を低粘性薬液に置換した後、この純水に溶解し易い低粘性薬液が付着した半導体基板を水洗槽３内の純水中にディップすることにより除去するので高粘性薬液処理した被処理物を極めて短時間に純水により洗浄することが可能となる。
　【００１０】
　【実施例】
　以下複数の槽を用いる半導体基板の場合について、図２により窒化膜を除去する本発明の第１の実施例を、図３によりレジスト膜を剥離する本発明の第２の実施例を工程順に詳細に説明する。
　【００１１】
　図２は本発明による第１の実施例の洗浄方法を工程順に示す図、図３は本発明による第２の実施例の洗浄方法を工程順に示す図である。
　窒化膜を除去する場合には、まず図２に示すような高温燐酸槽１１内で高粘性薬液である高温燐酸で半導体基板を処理すると、半導体基板の表面の窒化膜は除去されて高温燐酸が付着する。
　【００１２】
　つぎに硝酸槽１２内の低粘性薬液である硝酸に半導体基板をディップして高温燐酸を硝酸で置換すると、半導体基板の表面には硝酸が付着する。
　ついで硝酸が表面に付着している半導体基板を水洗槽１３内の純水にディップすると、低粘性薬液である硝酸は純水に容易に溶解するので、短時間内に少量の純水により水洗することが可能となる。
　【００１３】
　レジスト膜を剥離する場合には、まず図３に示すような高温硫酸・過酸化水素槽２１（以下、高温硫酸・Ｈ２Ｏ２槽２１と略称する。）で高粘性薬液である高温硫酸・Ｈ２Ｏ２で半導体基板を処理すると、半導体基板の表面のレジスト膜は剥離されて高温硫酸・Ｈ２Ｏ２が付着する。
　【００１４】
　つぎに硝酸槽２２内の低粘性薬液である硝酸に半導体基板をディップして高温硫酸・Ｈ２Ｏ２を硝酸で置換すると、半導体基板の表面には硝酸が付着する。
　ついで硝酸が表面に付着している半導体基板を水洗槽２３内の純水にディップすると、低粘性薬液である硝酸は純水に容易に溶解するので、短時間内に少量の純水により水洗することが可能となる。
　【００１５】
　このように硝酸により処理を行うので、拡散工程或いはＣＶＤ工程の前にこのレジスト剥離・洗浄を行えば、前処理なしに拡散或いはＣＶＤ工程に半導体基板を投入することができ、スループット向上に寄与することが可能となる。
　【００１６】
　なお、本発明の第１及び第２の実施例においては低粘性薬液として硝酸を用いたが、塩酸と過酸化水素の混合液を用いても同様に短時間内に少量の純水により水洗することが可能である。
　【００１７】
　本実施例は複数の槽を用いる多槽方式の洗浄方法であるが、一槽のみを用いて処理薬液を順次交換して行う一槽方式の洗浄方法も可能である。
　【００１８】
　【発明の効果】
　以上の説明から明らかなように、本発明によれば極めて簡単な工程の追加により高粘性薬液により処理された被処理物に付着した高粘性薬液を低粘性薬液と置換するので、この低粘性薬液を純水により容易に溶解することが可能となる利点があり、著しい経済的及び、信頼性向上の効果が期待できる洗浄方法の提供が可能である。
【図面の簡単な説明】
　【図１】　本発明の原理図、
　【図２】　本発明による第１の実施例の洗浄方法を工程順に示す図、
　【図３】　本発明による第２の実施例の洗浄方法を工程順に示す図、
　【図４】　従来の洗浄方法を工程順に示す図、
　【符号の説明】
１は高粘性薬液槽、
２は低粘性薬液槽、
３は水洗槽、
１１は高温燐酸槽、
１２は硝酸槽、
１３は水洗槽、
１４は乾燥室、９
２１は高温硫酸・Ｈ２Ｏ２槽、
２２は硝酸槽、
２３は水洗槽、
２４は乾燥室、