【事件の表示】
　特許第２７９８５７０号「静電チャック」の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結論】
　特許第２７９８５７０号の特許を維持する。
【理由】
１．本件発明
　本件特許第２７９８５７０号の特許請求の範囲の請求項１に係る発明（平成４年１２月１日出願、平成１０年７月３日設定登録。）は、特許明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された事項によって特定されるとおりのものである。
２．申立ての理由の概要
ア．申立人　村山俊秋は、「本件発明は、甲第１号証一甲第３号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明しうる程度のものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない」旨主張する。
　証拠方法
▲１▼甲第１号証：特開平２−１６０４４４号公報（以下、「引用例１」という。）
　引用例１には、「（１）静電力によって半導体ウエハー等を吸着する静電チャックにおいて、この静電チャックは基材上に電極及び絶縁膜からなる層を２層以上積層し、各々の絶縁膜については絶縁抵抗を異ならせ、各々の電極については電圧印加を選択的に切替可能としたことを特徴とする静電チャック。」、「前記各々の絶縁膜は上層のもの程絶縁抵抗が小さくなっていることを特徴とする請求項（１）に記載の静電チャック。」、「（３）前記絶縁膜は酸化チタンの添加量を調整することで絶縁抵抗が異なるようにしたことを特徴とする請求項（１）に記載の静電チャック。」（特許請求の範囲）
　実施例に関し、「第１図は本発明に係る静電チャックの縦断面図・・・である。静電チャックは円盤状基材１上に第１の層２及び第２の層３を積層してなり、第１の層２は第１の電極４及び第１の絶縁膜５から構成され、第２の層３は第２の電極６及び第２の絶縁膜７から構成されている。ここで基材１はＡｌ２Ｏ３、Ｓｉ３Ｎ４、ＡｌＮ・・・等を材料とし、また・・・第１及び第２の絶縁膜５，７には、Ａｌ２Ｏ３にＴｉＯ２を添加したものを材料としている。・・・また、第１及び第２の絶縁膜５，７はいずれも・・・その絶縁抵抗を異ならせている。具体的には第３図にも示すように第１の絶縁膜５についてはＴｉＯ２を０．３％添加して常温〜２００℃の範囲で体積固有抵抗ρが１０１２〜１０１１Ω・ｃｍとなるようにし、絶縁膜７についてはＴｉＯ２を１．０％添加して２００℃〜４００℃の範囲で体積固有抵抗ρが１０１２〜１０１１Ω・ｃｍとなるようにしている。」（２頁右上欄２行乃至左下欄５行、第１図、第２図参照）「低温（常温〜２００℃）でウェハーＷを吸着する場合には、・・・第１の電極４に電圧を印加し、第２（第１の誤記であるものと認められる。）の絶縁膜５のみを誘電膜として用いる。このときの体積固有抵抗ρ．は前記したように１０１２〜１０１１Ω・ｃｍの範囲である・・・また、高温（２００℃〜４００℃）となった場合には・・・第２の電極６に電圧を印加し、第１及び第２の絶縁膜５，７を誘電膜として用いる。」（２頁左下欄１２行乃至右下欄２行）との記載がある。
▲２▼甲第２号証：「エレクトロ・セラミクス」　１９８６年１１月号第４５−４８頁　「高熱伝導性ＡｌＮ基板“シェイパル”」（以下、「引用例３」という。）
▲３▼甲第３号証：特開昭５９−１２４１４０号公報（以下、「引用例４」という。）
▲４▼甲第４号証：特開平４−３９５６号公報（以下、「引用例５」という。）
▲５▼甲第５号証：米国特許第４，６７２，０４６号明細書（以下、「引用例６」という。）
▲６▼甲第６号証：「“Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ　ｏｆ　ｊｏｉｎｔ　ｍｅｅｔｉｎｇ　ｉｎ　Ｂｅｒｌｉｎ”Ｓｅｐｔｅｍｂｅｒ　ＤＫＧ／ＤＧＧ」第７５−７９頁「Ａｌｍｉｎｕｍ　ｎｉｔｒｉｄｅ−ａ　ｓｕｂｓｔｒａｔｅ　ｍａｔｅｒｉａｌ」（以下、「引用例７」という。）
▲７▼甲第７号証：［Ｉｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎ　ｏｆ　Ｃｅｒａｍｉｃｓ］Ｓｅｃｏｎｄ　Ｅｄｉｔｉｏｎ　第９０５頁（以下、「引用例８」という。）
▲８▼甲第８号証：特公昭６１−４６１１号公報（以下、「引用例９」という。）
▲９▼甲第９号証：特開昭６２−２８６２４９号公報（以下、引用例１０」という。）
▲１０▼甲第１０号証：特開平３−２６１１３１号公報（以下、引用例１１」という。）
イ．申立人　サンーゴバン　インダストリアルセラミックス、インコーポレイティドは、「本件特許発明は、甲第１号証〜甲第７号証に基づいて容易に想到できた発明にすぎず、特許法第２９条第２項の規定に違反して特許された発明であるので、第１１３条第１項第２号の規定により取り消されるべきものである。」旨主張する。
　証拠方法
▲１▼甲第１号証：Ｔ．Ｗａｔａｎａｂｅ　ｅｔ　ａｉ．“Ｅｆｆｅｃｔ　ｏｆ　Ａｄｄｉｔｉｖｅｓｏｎ　ｔｈｅ　Ｅｌｅｃｔｒｏｓｔａｔｉｃ　Ｆｏｒｃｅｏｆ　Ａｌｍｉｎａ　Ｅｌｅｃｔｒｏｓｔａｔｉｃ　Ｃｈｕｃｋｓ（Ｊ．Ｃｅｒａｍ．Ｓｏｃ．Ｊａｐａｎ、Ｉｎｔ’ｌ．Ｅｄ．Ｖｏｌ．１００，Ｎｏ．１，Ｐ．１−６，（１９９２）」（以下、「引用例２」という。）
　引用例２には、「アルミナセラミックス製のセラミックス静電チャックを作成した。遷移金属酸化物（１％のＴｉＯ２、・・・）を添加してチャックの誘電体絶縁層の抵抗を制御した。室温〜２００℃で電気抵抗及び静電力を測定し、静電チャックの静電力はセラミックスの電気抵抗に依存することが示された。調べた添加剤中でＴｉＯ２がアルミナ静電チャックの吸着力を増大する効果が大きかった。」（１頁１行乃至１０行）、「２．実験手順　静電力の測定試験試料の製造方法を第２図に示す。ＴｉＯ２，・・・のような酸化物・・・を９３％アルミリーセラミクッスに添加した（１重量％）。この材料を・・・０．６ｍｍのグリーンシートに成形し、切断した。このセラミックスにタングステンペーストを電極として印刷した。これらの切片をグリーンシート基材に積層し、・・・積層体を製造した。・・・試料のサイズは、基材を含めて、５０ｍｍ×５０ｍｍ×２ｍｍであった。・・・試料の形状は図３に示されている。」（２頁左欄２２行乃至右欄１５行、図２，３参照）
▲２▼甲第２号証：特開平４−３９５６号公報（以下、「引用例５」という。）
▲３▼甲第３号証：特開平４−３０４９４１号公報（以下、「引用例１２」という。）
▲４▼甲第４号証：Ｋａｂｙｓｈｅｖ　ｅｔ　ａｌ．“Ｅｆｆｅｃｔ　ｏｆ　Ａｄｄｉｔｉｖｅｓ　Ｓｉｎｔｅｒｉｎｇ　Ｏｎ　Ｔｈｅ　Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ　Ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ　Ｏｆ　Ａｌｍｉｎｕｍ　Ｃｅｒａｍｉｃ（Ｉｚｖｅｓｔｉｙａ　Ａｋａｄｅｍｉｉ　Ｎａｕｋ　ＳＳＳＲ，Ｖｏｌ．２６，Ｎｏ．２（１９９０）（以下、「引用例１３」という。）
▲５▼甲第５号証：Ｎ．Ｋｕｒａｍｏｔｏ　ｅｔ　ａｌ．“Ｔｒａｎｓｌｕ−ｃｅｎｔ　ＡｌＮ　Ｃｅｒａｍｉｃ　Ｃｅｒａｍｉｃ　Ｓｕｂｓｔｒａｔｅ”（ＩＥＥＥ　ＴＲＡＮＳＡＣＴＩＯＮＳ　ＯＮ　ＣＯＭＰＯＮＥＮＴＳ，ＨＹＢＲＩＤＳ，ＡＮＤ　ＭＡＮＵＦＡＣＴＵＲＥＩＮＧ　ＴＥＣＮＯＬＯＧＹ，ＶＯＬ．ＣＨＭＴ−９，ＮＯ．４　ＤＥＭＢＥＲ　１９８６）（以下、「引用例１４」という。）
▲６▼甲第６号証：欧州特許出願公開第５０６３９１号明細書（以下、「引用例１４」という。）
▲７▼甲第７号証：特開昭５８−１６９７８８号公報（以下、「引用例１６」という。）
３．対比・判断
（１）そこで、本件請求項１に係る発明と引用例１に記載のものとを対比すると、引用例１には、上記したように、「（１）静電力によって半導体ウエハー等を吸着する静電チャックにおいて、この静電チャックは基材上に電極及び絶縁膜からなる層を２層以上積層し、各々の絶縁膜については絶縁抵抗を異ならせ、各々の電極については電圧印加を選択的に切替可能としたことを特徴とする静電チャック。」、「前記各々の絶縁膜は上層のもの程絶縁抵抗が小さくなっていることを特徴とする請求項（１）に記載の静電チャック。」、「（３）前記絶縁膜は酸化チタンの添加量を調整することで絶縁抵抗が異なるようにしたことを特徴とする請求項（１）に記載の静電チャック。」（特許請求の範囲）が記載され、その実施例に関し、「第１図は本発明に係る静電チャックの縦断面図・・・である。静電チャックは円盤状基材１上に第１の層２及び第２の層３を積層してなり、第１の層は第１の電極４及び第１の絶縁膜５から構成され、第２の層３は第２の電極６及び第２の絶縁膜７から構成されている。ここで基材１はＡｌ２Ｏ３、Ｓｉ３Ｎ４、ＡｌＮ・・・等を材料とし、また・・・第１及び第２の絶縁膜５，７には、Ａｌ２Ｏ３にＴｉＯ２を添加したものを材料としている。・・・また、第１及び第２の絶縁膜　５，７はいずれも・・・その絶縁抵抗を異ならせている。具体的には第３図にも示すように第１の絶縁膜５についてはＴｉＯ２を０．３％添加して常温〜２００℃の範囲で体積固有抵抗ρが１０１２〜１０１１Ω・ｃｍとなるようにし、絶縁膜７についてはＴｉＯ２を１．０％添加して２００℃〜４００℃の範囲で体積固有抵抗ρが１０１２〜１０１１Ω・ｃｍとなるようにしている。」（２頁右上欄２行乃至左下欄５行、第１図、第２図参照）、「低温（常温〜２００℃）でウェハーＷを吸着する場合には、・・・第１の電極４に電圧を印加し、第２（第１の誤記であるものと認められる。）の絶縁膜５のみを誘電膜として用いる。このときの体積固有抵抗ρは前記したように１０１２〜１０１１Ω・ｃｍの範囲である・・・また、高温（２００℃〜４００℃）となった場合には・・・第２の電極６に電圧を印加し、第１及び第２の絶縁膜５，７を誘電膜として用いる。」（２頁左下欄１２行乃至右下欄２行）と記載されているように、引用例１に記載のものでは、高温（２００℃〜４００℃）となった場合には・・・第２の電極６に電圧を印加し、第１及び第２の絶縁膜５，７を誘電膜として用いており、ウェハーＷに接する絶縁膜は第１の絶縁膜５であり、また第２の電極６は、Ａｌ２Ｏ３、Ｓｉ３Ｎ４、ＡｌＮ・・・等を材料とした基材１と第２の絶縁膜７との間に介在していて、上記基材１の組成割合について何ら記載されていない。さらに、上記引用例１によれば、使用温度域に応じて、体積固有抵抗ρが１０１２〜１０１１Ω・ｃｍとなるように、酸化チタンの添加量を調整することが開示されてはいるが、特許異議申立人　村山　俊秋の主張、すなわち「２５０℃以上の温度域において酸化チタンの添加量を０にすることで、体積固有抵抗ρが、１０１２〜１０１１Ω・ｃｍとなる温度域を一層高温側にシフトさせること」については開示されていない。
　同じく、引用例２には、上記した「遷移金属酸化物（１％のＴｉＯ２、・・・）を添加してチャックの誘電体絶縁層の抵抗を制御した。室温〜２００℃で電気抵抗及び静電力を測定し、静電チャックの静電力はセラミックスの電気抵抗に依存することが示された。調べた添加剤中でＴｉＯ２がアルミナ静電チャックの吸着力を増大する効果が大きかった。」（１頁１行乃至１０行）との記載、さらに、「２．実験手順の静電力の測定試験試料の製造方法において、ＴｉＯ２，・・・のような酸化物・・・を９３％アルミナセラミクッスに添加した（１重量％）材料を・・・０．６ｍｍのグリーンシートに成形し、切断した。」、「このセラミックスにタングステンペーストを電極として印刷した。これらの切片をグリーンシート基材に積層し、・・・積層体を製造した。・・・試料のサイズは、基材を含めて、５０ｍｍ×５０ｍｍ×２ｍｍであった。・・・試料の形状は図３に示されている。」との記載によれば、静電チャックされる物質に接する絶縁層２は、ＴｉＯ２・・・のような酸化物を９３％アルミナセラミックスに（１重量％）添加した材料であり、また上記電極は、組成成分が特定されていない基材と絶縁層２との間に介在していることが開示されていて、２５０℃以上の高温下で使用するための静電チャックについては記載されていない。
　以上のように、上記引用例１及び２には、本件請求項１に記載された事項のうち、アルミニウム、珪素、酸素、窒素以外の元素量が０．２重量％以下の組成を有し、２５０℃以上の温度域における体積固有抵抗値が１０８〜１０１３Ωｃｍ、抗折強度が２０Ｋｇ／ｍｍ２以上、耐熱衝撃性ΔＴが１５０℃以上のセラミックス体中に静電電極を埋設してなる点について記載されていないし示唆するところもない。
（２）上記相違点について引用例３乃至１６を検討すると、同様に、本件請求項１に記載された事項のうち上記の点について記載されていないし示唆するところもない。
　たとえば、引用例３には、「半導体実装用のセラミック回路基板として現在アルミナ・・・が汎用されている。」（４５頁左欄２〜３行）、「このような状況の下で最近窒化アルミニウム（ＡｌＮ）が新しい高放熱基板材料として注目を集めている．・・・当社では・・・透光性ＡｌＮ基板（商品名：シェイパル）を市場に送り出している．・・・シェイパルは均一な組織のＡｌＮセラミックで・・・高純度であるから、優れた特性を安定して得ることができる．・・・シェイパルの大きな特徴のひとつは熱伝導性である．ＡｌＮの熱伝導率は微量の金属不純物や酸素不純物の影響を受けやすいのでこれらの厳密なコントロールを行っている．」（４５頁左欄１５行乃至４６頁１行）との記載はあるが、「シェイパルの熱膨張率はアルミナ・・・に比べてかなり小さく、シリコン単結晶や化合物半導体の熱膨張率に近いので、これらの半導体素子の直接搭載に有利であると考えられる．」（４６頁１１行乃至右欄２行）及び「３．シェイパルのメタライズ技術　半導体実装基板として実用されるためには各種のメタライズ技術（回路技術）の開発を必要とする．」（４７頁左欄下から２行乃至５行）の記載から明らかなように、窒化アルミ　（ＡｌＮ）であるシェイパルは半導体実装用の回路基板として用いられることが開示されているが、具体的に半導体製造装置などにおいてシリコンなどのウェハを固定、搬送するために用いられる静電チャックのセラミック体として用いられることについて開示されていない。
　引用例４には、高温雰囲気中において使用可能な静電吸着装置に関し、「吸着基板がセラミックス部材より構成されてなること」（特許請求の範囲）、「第２図（ａ）において、アルミナ・・・、シリカ・・・及びマグネシア・・・などの混合物からなるセラミックス部材より構成される吸着部材１０」（２頁左下欄３行乃至６行）との記載があるが、上記記載によれば、上記吸着部材１０のセラミックス部材は、アルミナ、シリカ及びマグネシアなどの混合物より構成され、アルミニウム、珪素、酸素、窒素以外の元素、すなわちマグネシウムを含み、さらに上記吸着部材１０が上記各元素以外の元素量が０．２重量％以下の組成を有することについて記載されていない。
　引用例５には、「第４図の静電吸着装置１は、・・・ベース基板５上に第２の絶縁膜６を形成し、該第２の絶縁膜６上に２つの電極２ａ，２ｂが設けられる。該電極２ａ、２ｂ上には絶縁膜４が形成され、絶縁膜４上に半導体基板３が吸着される。・・・ここで、絶縁膜４は、たとえば比抵抗ρ（１０８Ωｃｍ＜ρ＜１０１２Ωｃｍ）のセラミックスが使用される。このセラミックスは不純物を混入することで組成制御が可能であり、・・・アルミナ、・・・シリカカーボン又はＡｌＮ（窒化アルミニウム）が考えられる。また、第２の絶縁膜６は高純度アルミナ等を使用して比抵抗を１０１２Ωｃｍ以上とし、常に絶縁膜４の比抵抗より高く設定する。これは、プラズマ処理時にベース基板５が電極として使用される場合があり、電極２ａ、２ｂと絶縁を確保するためである。」（３頁左下欄３行乃至右下欄２行）と記載され、上記記載によれば、電極２ａ、２ｂを埋設する上下の絶縁膜４，６は、組成が異なるものであり、さらに上記セラミックスは不純物を混入して組成制御がなされたものであることが開示されている。
　引用例１２には、「セラミックス基体１とセラミックス誘電体層６は、密着性の面から熱膨張の等しい同材質とするのが好ましく、・・・静電チャックとしての性能・・・の点より、窒化珪素が好ましい。」【００２６】との記載はあるが、上記セラミックス基体１とセラミックス誘電体層６が、アルミニウム、珪素、酸素、窒素以外の元素量が０．２重量％以下の組成を有し、２５０℃以上の温度域における体積固有抵抗値が１０８〜１０１３Ωｃｍ、抗折強度が２０Ｋｇ／ｍｍ２以上、耐熱衝撃性ΔＴが１５０℃以上のセラミックス体であることについて記載されていない。
　結局、上記引用例１乃至及び１６には、本件請求項１に記載された事項のうち、アルミニウム、珪素、酸素、窒素以外の元素量が０．２重量％以下の組成を有し、２５０℃以上の，温度域における体積固有抵抗値が１０８〜１０１３Ωｃｍ、抗折強度が２０Ｋｇ／ｍｍ２以上、耐熱衝撃性ΔＴが１５０℃以上のセラミックス体中に静電電極を埋設してなる点について記載されていないし示唆するところもないので、本件請求項１に係る発明は、上記引用例１乃至１６に記載のものに基づいて当業者が容易に想到しうるものではない。
　そして、本件明細書の記載によれば、本件請求項１係る発明は、請求項１に記載された事項により本件明細書記載の作用効果を奏することが認められる。
（４）むすび
　以上のとおりであるので、請求項１に係る発明は、上記引用例１乃至１６に記載されたものに基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　また、他に本件請求項１に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見することができない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１１年６月２１日（１９９９．６．２１）