【事件の表示】
　特許第２６２５８４１号「透明導電膜の製造方法、ターゲット材料及びタブレット材料」の請求項１ないし４に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結論】
　特許第２６２５８４１号の請求項１ないし４に係る特許を取り消す。
【理由】
Ｉ．手続の経緯
　特許第２６２５８４１号に係る発明についての出願は、昭和６３年３月２４日に特許出願され、平成９年４月１１日に特許の設定登録がなされた後、平成９年１２月８日に特許異議申立人西田良幸，平成９年１２月１７日に特許異議申立人友野宏，平成９年１２月３０日に特許異議申立人滝口嘉三（以下順に、「申立人１」〜「申立人３」という。）により特許異議申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１１年１月７日に訂正請求がされた後、訂正拒絶理由が通知され、訂正拒絶理由に対して意見書が提出されたものである。
ＩＩ．訂正の適否についての判断
１．訂正明細書の請求項１に係る発明
　訂正明細書の請求項１に係る発明（以下、「訂正発明」という。）は、その特許請求の範囲に記載された次の事項により特定されるとおりのものである。
「【請求項１】透光性基板上に錫を含んだ酸化インジウムのターゲット材料をスパッタリングすることによって透明電導膜を被膜形成させる透明電導膜の製造方法において、前記錫を含んだ酸化インジウムのターゲット材料として、、該ターゲット材料に含まれる全錫量が、酸化錫換算で８〜２０ｗｔ％であり、全含有錫量の７０％以上が酸化インジウムの結晶中に固溶体として存在しているものを用いることを特徴とする透明電導膜の製造方法。」
２．引用刊行物記載の発明
　当審は、この発明に対して、訂正拒絶理由を通知した。
　そして、当該訂正拒絶理由で引用した刊行物１（特開昭６２−１２００９号公報）には以下のとおりの事項が記載されている。
▲１▼「電子ビーム蒸着、又はスパッター蒸着による薄膜の形成方法において、インジウム塩、錫塩の混合水溶液とこれらの沈澱生成剤とを混合し、インジウムと錫を含む沈澱物を得、次いでこれを仮焼粉末化した後、成形、焼成した成形体をターゲットとして用いることを特徴とする酸化インジウム系低抵抗透明薄膜の形成方法。」（特許請求の範囲）
▲２▼「Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２透明薄膜の形成方法には塗布法、ＣＶＤ法真空蒸着法、スパッタリング法、電子ビーム蒸着法等が用いられる。中でも電子ビーム蒸着法又はスパッター蒸着法によると低抵抗透明膜が得られることが知られているが、従来の酸化インジウム粉末と酸化錫粉末とを混合し、粉砕、仮焼、焼結して得たＩｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２焼結体をターゲットとして用　いた場合、最も性能の良い膜で抵抗５０Ω／□、透過
率９０％で性能として充分とはいえない。また、透明電導膜を用いたデバイスの高性能化、小型化のためにより低抵抗、高透過率の透明電極薄膜が要求されている。」（第１頁右下欄第６〜１７行）
▲３▼「上記のように従来の方法で充分に低抵抗、高透明性膜が得られなかった。粉末同志の混合では長時間粉砕しても粉末の粒度には限度があり、粒度幅もある程度以上せまくならず焼結体の密度は低い。また、粉末同士の混合では、化学組成上のムラが生じ易いため、これらからつくられた焼結体はＩｎ２Ｏ３とＳｎＯ２が不均一で接触が不十分となる。このような焼結体をターゲットとして製膜した場合、膜においてＳｎＯ２が固溶せず抵抗が増大する。また、ＳｎＯ２が偏析した結果、透明性が損なわれる。…本発明の目的は、低抵抗透明Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２薄膜を提供することにある。」（第１頁右下欄第１９行〜第２頁左上欄第１１行）
▲４▼「本発明はインジウム塩と錫塩を水溶液として混合し、これに沈澱生成剤を加えてインジウムと錫を沈殿させ、これを仮焼し、解砕ないしは粉砕後所定の形状に成形し、焼成したものをターゲットとして使用し、電子ビーム蒸着又はスパッター蒸着により、低抵抗かつ透明な薄膜を形成する方法である。ここでターゲットとはスパッター法におけるいわゆるターゲットの外電子ビーム法では通常タブレットとして呼ばれているものも含む概念である。本発明ではインジウムと錫は水溶液に溶解して混合されるので混合は均一であり、これから得られた焼結体も均一になるばかりでなく、粒子が細かくかつ粒度巾も狭いので焼結体の密度も高い。以下先ず焼結体の製法について説明する。本発明で使用されるインジウム塩としては塩化インジウム、硝酸インジウム、硫酸インジウム等の水溶性のインジウム塩が用いられる。錫塩としては塩化錫、硝酸錫、硫酸錫等或る程度以上に水に溶解するものが用いられる。両者の混合割合はＩｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２となった場合にこれらの総量中ＳｎＯ２が３．３〜２５重量％になるようにするのが好ましい。この範囲が最も電気抵抗が低いからである。」（第２頁左上欄第１３行〜第２頁右上欄第１６行）
▲５▼「成形体の焼成は１２００℃〜１５００℃で１〜４時間行なう。雰囲気は特に制限なく空気中でよい。」（第２頁右下欄第１５〜１６行）
▲６▼「実施例　塩化インジウム水溶液に酸化錫（注）粉末を混合し、インジウム０．２８４モル／１，錫０．０１６モル／ｌを含む混合溶液をつくった。この混合溶液に７．５規定のアンモニア水を過剰（理論量の２倍）に添加して沈澱を得た。得られた沈澱を水洗した後、沈澱物にアセトンを加え、残留水分をアセトンと共に蒸発させた。次いで乾燥後４００℃、２Ｈｒ、空気中で仮焼した。仮焼物を冷却後解砕して酸化インジウムー酸化錫（含量に対し酸化錫５．７重量％）混合粉末を得た。この粉末をラバープレスで１．５トン／ｃｍ２の圧力でタブレット（直径２５ｍｍ．高さ２０ｍｍ）に成形し、空気中、１４００℃で２Ｈｒ焼成した。焼結体の見掛密度は５．０２ｇ／ｃｍ３（理論密度の７０．３％）であった。このタブレットを用い、Ｏ２ガス分圧２．８×１０−４ｔｏｒｒ、基板温度３５０℃、ガラス基板を用いタブットと基板間距離３６０ｍｍとし、１０ＫＶ，１６ｍＡの電子ビームをタブレットに照射することにより基板上にＩｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２膜を堆積させた。このようにして得られた透明薄膜は膜厚２８０Å、電気抵抗（シート抵抗）１６Ω／□、波長５５０ｎｍにおける透過率９０％であった。」（第３頁左上欄第２行〜同頁右上欄第５行）注：「酸化錫」という記載は「塩化錫」の誤記と認められる。なぜならば、「酸化錫」は水に不溶であり、また、上記摘記した刊行物１の記載▲４▼から明らかなように、刊行物１の発明はインジウム塩と錫塩とを水溶液として混合し、これに沈澱生成剤を加えてインジウムと錫を沈殿させることを特徴とするものであるから、「実施例」において、「錫塩」として「酸化錫」を塩化インジウム水溶液に混合　することは明らかに不合理であるからである。）
▲７▼「本発明によれば、湿式合成した均一性の高いＩｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２粉を成形焼結したターゲットを用いて蒸着することにより低抵抗高透明性Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２膜
が得られるという効果を有するものである。」（第３頁右上欄第１８行〜同頁左下欄代行）
３．独立特許要件についての判断
　そこで、訂正発明と刊行物１に記載の発明とを対比すると、刊行物１には、錫を含んだ酸化インジウムをターゲット材料として、ガラス基板（これは「透光性基板」に相当する。）上にスパッター蒸着することによって、ガラス基板上に低抵抗透明膜（これは
「透明電導膜」に相当する）を製造すること及びＩｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２中のＳｎＯ２の割合を３．３〜２５重量％とすることがそれぞれ記載されていることから、結局、両者は「透光性基板上に錫を酸化錫換算で８〜２０ｗｔ％含んだ酸化インジウムのターゲット材料をスパッタリングすることによって透明電導膜を被膜形成させる透明電導膜の製造方法」の構成の点で一致する。
　この点について、特許権者は、平成１０年７月９日付特許異議意見書において、「刊行物１には、主として蒸着、特に電子ビーム蒸着による成膜に関して記載されており、スパッタリングによる成膜については具体的に記載されておりません。本発明においてはスパッタリング法を用いることも重要な構成要件であります。スパッタリング法を用いた成膜により、前述の特定のターゲット材を用いることとあいまって、比抵抗２×１０−４Ω・ｃｍを上回るＩＴＯ透明電導膜を容易に実現することができます。すなわち本件特許公報の第５欄２１〜２５行の記載、および第１図と第２図との比較からも明確なように、蒸着法を用いた場合に比べ、スパッタリング法を用いた成膜では、より低い固溶状態でも低抵抗化を容易に実現できるという効果を奏します。以上のように、刊行物１には、本発明の重要な構成要件である…（中略）…スパッタリング法により成膜すること、については、何ら記載されてはおりません。」（第４頁第２１行〜第５頁第５行）と主張している。
　しかるに、刊行物１には、実施例としては、沈澱法によって製造したタブレット材を用いて電子ビーム蒸着によって酸化インジウム系薄膜を形成した例のみが記載されているものではあるが、前記の刊行物１についての摘記事項▲１▼及び▲４▼から明らかなように、刊行物１には、刊行物１記載の発明が、沈澱法によって製造したターゲット材又はタブレット材を用いてスパッタリング蒸着法又は電子ビーム蒸着法によって酸化インジウム系低抵抗透明薄膜を形成する方法に係るものであることが明記されているのであるから、実施例にスパッタリング法を用いた例がないことをもって、刊行物１には、スパッタリング法によって成膜するという技術思想が記載されていないとすることはできない。
　従って、上記の特許権者の主張は採用できない。
　そして、訂正発明ではターゲット材料として、ターゲット材料に含まれる全含有錫最の７０％以上が酸化インジウムの結晶中に固溶体として存在するものを使用するのに対して、刊行物１には、そのような構成についてはとくに記載がない点において、一応、
構成上の相違点を有するといえる。
　しかるに、刊行物１にはターゲット材料の「固溶度」についての記載はないが、そのことをもって刊行物１記載のターゲット材料が固溶度７０％以上のものを当然に包含しないとすることはできない。
　そして、刊行物１に「固溶度」についての記載がないという場合には、訂正発明におけるターゲット材料と刊行物１記載のターゲット材料とが同一のものか別異のものかについては、訂正発明におけるターゲット材料の製造方法と刊行物１記載のターゲット材料の製造方法との比較及び得られた透明電導膜の物性の比較を行なうことが合理的な判断手法であるとするのが相当である。
　そこで、それぞれの製造方法を検討するに、本件特許明細書には、ターゲット材料の製造方法について具体的な記載は一切ない。しかるに、本件特許に係る出願の出願経過において特許権者が提出した「平成８年１０月２２日付意見書」を参照するに、そこに
おいて特許権者は、特に原料の調製条件については具体的に述べることなく、ただ、全含有錫量の７０％以上を酸化インジウムの結晶中に固溶させるには、例えば、下表に示すように、ある温度以上の高温で焼成を行うことが必要です。」（第２頁第９〜１３行）と述べるとともに、空気中で１４００℃及び１５００℃での焼成によって、それぞれ８３．０％及び９１．５％の固溶量のものを得たことを示している（第２頁の表）。また、「引用例…には、膜圧１０００Ａで比抵抗が約３×１０−３Ω・ｃｍであり、プレスパッタを行っても１．７×１０−３Ω・ｃｍ程度であることが記載されております。一方、本発明においては実施例１（図１）に示すように、「全含有錫最の７０％以上が酸化インジウムの結晶中に固溶体として存在している」場合に、膜厚１０００Åで２×１Ｏ−４Ω・ｃｍより低比抵抗を達成しています。」とも述べている（第３頁第９〜１４行）。
　そうすると、特許権者が出願経過において表明するところによれば、空気中で少なくとも１４００℃以上で出発材料を焼成することによって固溶度が７０％を超えるターゲット材料が得られることになり、また、ターゲット材料が７０％を超える固溶度を有することによって膜厚１０００Ａで２×１０−４Ω・ｃｍより低い比抵抗を達成することができることとなる。
　そこで、刊行物１の記載を検討するに、刊行物１について摘記した土記２．▲４▼の記載によると、刊行物１には、インジウムと錫との混合溶液をつくり、この混合溶液から酸化インジウムと酸化錫との混合物の沈澱を得て、これを乾燥・仮焼・粉砕して得た酸化インジウム−酸化錫混合粉末を成形した後、空気中、１４００℃で２Ｈｒ焼成してターゲット材料を得ている。
　そして、このターゲット材料を使用して、膜厚２８０Ａ電気抵抗（シート抵抗）１６Ω／□のＩｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２膜を得ている。この場合、比抵抗（ρ）は、ρ＝Ｓ・ｄ（Ｓ：シート抵抗、ｄ：膜厚）であるから、ρ＝１６Ω／ｃｍ２×２８０×１０−８ｃｍ＝０．４５×１０−４Ω・ｃｍである。
　そして、刊行物１記載の発明は、従来の粉末同士を混合する方法では、化学組成上のムラが生じやすいため、これからつくられた焼結体はＩｎ２Ｏ３とＳｎＯ２が不均一で接触が不十分となるため、液相から各成分を同時に沈澱させるという方法を採用しており、また、一般に液相から各成分を沈殿させるという方法自体は各成分を均一に混合するのに適した方法であることは技術常識であることを勘案すると、刊行物１記載のものにおいては、沈澱によって得られた混合物は均一に混ざり合っており、しかもこれを実施例においては１４００℃で２Ｈｒという焼結条件で焼成しており、また、空気中における一般的な焼成条件としては「１２００〜１５００℃で１〜４時間」という条件が示
されているのであるから、前記の特許権者の出願経過における表明を勘案すると、刊行物１記載のものにおいては、固溶度７０％以上のターゲット材料を製造する場合をも包含するものとするのが相当である。
　さらに、刊行物１の実施例において得られたＩｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２薄膜の比抵抗が０．４５×１０−４Ω・ｃｍであって、本件発明のＩｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２薄膜が示す比抵抗である１．３×１０−４Ω・ｃｍよりも小さいこと及び特許権者が出願経過において示した「全含有錫量の７０％以上が酸化インジウムの結晶中に固溶体として存在している」場合に、「膜厚１０００Åで２×１０−４Ω・ｃｍより低比抵抗を達成しています。」との表明を勘案することによっても、刊行物１記載の発明の実施例においては固
溶度が７０％以上のターゲット材料を使用して透明導電膜を形成しているとするのが相当である。
　以上のとおりであるから、刊行物１記載の発明は、ターゲット材料として全含有錫最の７０％以上が酸化インジウムの結晶中に固溶体として存在しているものを用いる場合をも包含しているとするのが相当である。
　したがって、上記の相違点は訂正発明と刊行物１記載の発明との実質的な相違点ではなく、訂正発明と刊行物１記載の発明とは、実質的に同一の発明である。
　なお、特許権者は平成１０年１０月１６日付意見書において、「刊行物１の比較例では、ＳｎＯ２が１０ｍｏｌ％（５．７ｗｔ％）、すなわち実施例と同組成の粉末を用い、実施例と同じくやはり１４００℃焼成を行ってタブレットを得ていますが、低比抵抗の膜は得られておりません。これは固溶の程度が異なるためと推定され、したがって、固溶の程度は焼成温度のみに依存するのではなく、その他のファクタにも大きく依存することが示されています。」と主張するが、刊行物１の比較例は原料粉末が均一に混合されていない例として上げられているのであり、しかもその焼成温度は１２００℃であって、実施例の１４００℃とは異なる焼成温度であり、また、特許権者が固溶度７０％を達成するために必要な焼成温度であるとして示している１４００℃以上の温度でもないから、特許権者のこの点の主張は採用できない。
　以上のとおりであって、訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１に係る発明は刊行物１に記載された発明であると認められるから、特許出願に際して独立して特許を受けることができないものである。
４．むすび
　したがって、上記訂正は、特許法第１２０条の４第３項で準用する第１２６条第４項の規定に適合しないので、当該訂正は認められない。
ＩＩＩ．特許異議申立てについての判断
１．本件発明
　請求項１〜４に係る発明は、特許明細書及び図面の記載からみて、それぞれ、その特許請求の範囲の請求項１〜４に記載された次の事項によって特定されるとおりのものである（以下順に「本件発明１」〜「本件発明４」という。）。
「【請求項１】透光性基板上に錫を含んだ酸化インジウムのターゲット材料をスパッタリングすることによって透明電導膜を被膜形成させる透明電導膜の製造方法において、前記錫を含んだ酸化インジウムのターゲット材料として、該ターゲット材料に含まれる全錫量が、酸化錫換算で８〜２０ｗｔ％であり、全含有錫最の７０％以上が酸化インジウムの結晶中に固溶体として存在しているものを用いることを特徴とする透明電導膜の製造方法。
　【請求項２】透光性基板上に錫を含んだ酸化インジウムのタブレット材料を真空蒸着法によって透明電導膜を被膜形成させる透明電導膜の製造方法において、前記錫を含んだ酸化インジウムの蒸着用タブレット材料として、該タブレット材料に含まれる全錫量が、酸化錫換算で３〜２０ｗｔ％であり、全含有錫量の８０％以上が酸化インジウムの結晶中に固溶体として存在しているものを用いることを特徴とする透明導電膜の製造方法。
　【請求項３】全錫量が、酸化錫換算で８〜２０ｗｔ％であり、全含有錫量の７０％以上が酸化インジウムの結晶中に固溶体として存在していることを特徴とする錫を含んだ酸化インジウム焼結体より成るスパッタリング用ターゲット材料。
　【請求項４】全錫量が、酸化錫換算で３〜２０ｗｔ％であり、全含有錫量の８０％以上が酸化インジウムの結晶中に固溶体として存在していることを特徴とする錫を含んだ酸化インジウム焼結体より成る真空蒸着用タブレット材料。」
２．当審が通知した取消理由に引用した刊行物の記載事項
　当審が通知した取消理由に引用した刊行物１（特開昭６２−１２００９号公報）、刊行物２（「メスパウアース人クトロメトリーによるインジウム・スズ酸化物（ＩＴＯ）中のスズの存在状態分析１東京大学工学部総合評験所年報，第４６巻（１９８７年）１８９−１９２頁））及び刊行物３（特開昭６３−４０７５６号公報）には、以下のとおりの事項が記載されている。
（１）刊行物１
　上記「ＩＩ．２」参照。
（２）刊行物２
▲１▼「ＩＴＯ膜は、真空蒸着、スパッタリング、化学蒸着、スプレー法、浸漬などで製造される」（第１８９頁左欄第５〜６行）
▲２▼「酸化インジウム粉末と酸化スズ粉末をある割合で混合し、数１００℃から数１０００℃で数時間空気中で加熱処理して得たＩＴＯ粉末を、電子ビーム溶解による真空蒸着法によってガラス基板に蒸着させてＩＴＯ膜を作製した。酸化スズ（ＩＶ）が酸化インジウムに固溶しているかどうかは、Ｘ線回折の測定によって調べた。また、固溶状態のを定量的に調べるために、酸化インジウムは酸に可溶であるが、酸化スズ（ＩＶ）は酸に不溶である性質を利用して、調製したＩＴＯ粉末を６ＮＨＣ１で溶解し、ＩＴＯ中の可溶性スズと不溶性スズの割合を湿式分析より求めた。」（第１８９頁右欄第１〜１１行）
▲３▼「２×１０−４ＴｏｒｒのＯ２中、基盤を３００℃に加熱しながら７．５ｗ％ＳｎＯ２を含むＩＴＯを原料として電子ビーム溶解による作製したＩＴＯ被膜（ＥＢ膜）は、透明でＳｎ（ＩＶ）のピークのみが観測された〔図１ｂ〕。」（第１９０頁左欄第１６〜１９行）
▲４▼「図１ｂ）と図１ｃ）のＩＴＯ膜について破断面と膜内のＳｎ／Ｉｎの比をオージェ電子のピーク強度比から調べると、この比が２．０と１．３となり酸化スズが偏析
していることが認められた。偏析が小さいものほどＳｎ（ＩＶ）がＩＴＯにより均質に固溶していると考えられるので、ピーク幅がより拡がると推定できるこれを確かめるために、酸化スズ（ＩＶ）の固溶割合が既知のインジウムとスズの混合酸化物粉末のメスバウアースペクトルを測定した結果を図２に示した。」（第１９０頁右欄第６〜１４行）
▲５▼図２（Ｓｎ（ＩＶ）中の固溶Ｓｎ（ＩＶ）がａ）７．６％、ｂ）２９％、ｃ）５７％、ｄ）９２％であるインジウムとスズの混合酸化物粉末のメスバウアースペクトルが示されている。）
▲６▼「３−２ＩＴＯ粉末の１１９ＳｎＴＭＳ　酸化インジウムは酸に可溶なので、スズが酸化インジウムに固溶していれば、スズは、酸化インジウムの溶解にともなって可溶性のスズとして溶出する。また、酸化スズが単に酸化インジウムと混合しているだけであれば、酸化スズは不溶性なので酸化インジウムが酸溶解しても溶出しない。ＩＴＯ透明導電膜の原料となる酸化インジウム−酸化スズの粉末について、酸に可溶性のスズと不溶性のスズの割合を湿式分析から求めた。また、これら粉末の透過メスバウアースペクトル（図２）を便宜的にタブレットとシングレットの３本ピークに分解して、それぞれの強度を求めた。結果を図３に示した。可溶性スズの割合が多いところで、直線関係が得られた。」（第１９２頁左欄第１〜１４行）
▲７▼「酸化スズの含有量が０．１ｗｔ％，０．５ｗｔ％，１ｗｔ％，２ｗｔ％，４ｗｔ％，２０ｗｔ％および３５ｗｔ％と異なている完全固溶化したＩＴＯ粉末を調整して、それらの透過メスバウアースペクトルを測定した（図５）。低濃度の酸化スズ（ＩＶ）を固溶したＩＴＯのＴＭＳスペクトルは、四極子分裂（Ｑ．Ｓ．）が小さい成分からなっているので、スズは置換型固溶体として存在していると考えられる。スズ含有量の増加にともなって四極子分裂（４）．Ｓ．）が大きい成分の割合が増加しているので、ＩＴＯの結晶の歪みが大きくなり、スズの原子核位置の電場勾配が影響を受けていることが分かる。これは格子間位置に侵入するスズが増大してきたためと予想される。」（第１９２頁左欄第２３〜３５行）
（３）刊行物３
▲１▼「酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）の高温下における還元処理によって形成されたインジウム低級酸化物（ＩｎＯＸ：０．５＜ｘ＜１．５）の粉体と酸化錫（ＳｎＯ２）の粉体とを均一に混合し、高密度に焼結させてなる錫を含む物理蒸着用酸化インジウム焼結体。」（第１頁「特許請求の範囲」）
▲２▼「本発明は、真空蒸着用ＩＴＯタブレットやスパッタリング用ＩＴＯターゲットなどとして使用される錫を含む物理蒸着用酸化インジウム焼結体に関するものである。」（第１頁左欄第１３〜１６行）
▲３▼「成型焼成するインジウム低級酸化物の粉末と酸化錫（ＳｎＯ２）の粉体との混合割合は、重量比で９８：２〜８０：２０が適当である。」（第２頁左下欄第６〜８行）
▲４▼得られたＩＴＯ膜の比抵抗が、１．２〜１．３×１０−４Ωｃｍであること。（第３頁実施例１，２）
３．特許法第２９条第１項違反について
（１）本件発明１について
　本件発明１は、平成１１年１月７日付け訂正請求書の特許請求の範囲の請求項１に記載された発明（訂正発明）と構成上同一の発明であるところ、訂正発明が刊行物１記載の発明と同一であることは上記、「ＩＩ．３」で述べたとおりである。
　したがって、本件発明１は、訂正発明について述べたのと同様の理由により刊行物１に記載された発明である。
（２）本件発明２について
　刊行物１には、Ｉｎ２Ｏ３−ｓｎＯ２透明薄膜の形成方法については、「ＣＶＤ法、真空蒸着法、スパッタリング法、電子ビーム蒸着法等が用いられる。」との記載があり、特に電子ビーム蒸着法又はスパッター蒸着法によると低抵抗透明膜が得られることから電子ビーム蒸着法又はスパッタ蒸着法を推奨しているものである。
　ところで、本件特許明細書においては「エレクトロンビーム加熱蒸着法」を用いて透明電導膜を製造するものが実施例２として記載されていることがらみて、本件発明２における「真空蒸着法」は真空下で電子ビームを使用する方法を含むものと認められるから、本件発明２における「真空蒸着法」は、刊行物１記載の発明における「電子ビーム蒸着法」に相当する。
　そして、刊行物１には、「ターゲットとは…電子ビーム法では通常タブレットとして呼ばれているものも含む概念である。」と記載されているから、刊行物１には、電子ビーム蒸着法（すなわち本件発明２における「真空蒸着法」）において錫を含んだ酸化インジウムからなるタブレット材料を使用すること及びＩｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２中のｓｎＯ２の割合を３．３〜２５重量％とすることがそれぞれ記載されていることを併せて勘案すると、結局、本件発明２と刊行物１記載の発明とは「透光性基板上に錫を酸化錫換算で３〜２０ｗｔ％含んだ酸化インジウムの蒸着用タブレット材料を真空蒸着法によって透明電導膜を被膜形成させる透明
電導膜の製造方法」の構成の点で一致するが、本件発明ではタブレット材料として、タブレット材料に含まれる全含有錫量の８０％以上が酸化インジウムの結晶中に固溶体として存在するものを使用するという構成を有しているのに対して、刊行物１には、そのような構成についてはとくに記載がない点において、両者は一応、構成上の相違点を有するといえる。
　しかるに、刊行物１記載の発明がターゲット材料（タブレット材料）として全含有錫量の７０％以上が酸化インジウムの結晶中に固溶体として存在しているものを用いる場合をも包含していることは、既に上記「ＩＩ．３」において述べたとおりである。
　してみれば、本件発明２と刊行物１記載の発明とに構成上の実質的な差異はない。
（３）本件発明３，４について
　本件発明３、４はそれぞれ、本件発明１，２に係る方法の発明において使用される「スパッタリング用ターゲット材料」及び「真空蒸着用タブレット材料」であるが、この構成を有する「スパッタリング用ターゲット」及び「真空蒸着用タブレット材」が刊行物１に記載されている「スパッタリング用ターゲット」及び「電子ビーム蒸着用タブレット材」と実質的に同一のものであることは、上記「ＩＩ．３」及び「ＩＩＩ．３（２）」で述べたとおりである。
　したがって、本件発明３，４は刊行物１に記載された発明と同一の発明である。
４．特許法第２９条第２項違反について
（１）本件発明３，４について
　刊行物２には、ＩＴＯ膜が、真空蒸着，スパッタリングによって製造されること、具体的には、ＩＴＯ粉末ペレットを電子ビーム溶解し、真空蒸着によってガラス基板上にＩＴＯ膜を蒸着したこと、ＩＴＯ透明導電膜の原料となる酸化インジウムー酸化スズの粉末についてスズの固溶割合は、７．６％，２９％，５７％，９２％であったことがそれぞれ記載されている。
　してみると、刊行物２には、酸化インジウムの９２％が固溶している酸化インジウム−酸化スズを原料として、電子ビーム溶解・真空蒸着によりＩＴＯ膜を形成することが記載されている。
　そして、本件発明３又は４と刊行物２記載の発明とを対比すると、両者は全錫量の７０％以上が酸化インジウムの結晶中に固溶体として存在している酸化インジウム−酸化スズからなる材料である点で一致し、次の点で相違する。
▲１▼本件発明３，４が錫量を酸化錫換算で８〜２０ｗｔ％（本件発明３）又は３〜２０ｗｔ％（本件発明４）としているのに対し、刊行物２では７．５ｗｔ％ＳｎＯ２を含むＩＴＯを原料として作製したＩＴＯ被膜についてメスバウアースペクトルを測定したことが記載されているのみで、ＩＴＯ材料中の酸化錫の含有量については、特に一般的な記載はない点。
▲２▼本件発明３が「錫を含んだ酸化インジウム焼結体より成るスパッタリング用ターゲット材料」であり、本件発明４が「錫を含んだ酸化インジウム焼結体より成る真空蒸着用タブレット材料」であるのに対し、刊行物２記載のものは、真空蒸着用のＩＴＯ粉末ペレットである点。
　そこで、検討するに、相違点▲１▼については、例えば、刊行物２には、ＩＴＯ膜の特性を検討するために、酸化スズの含有量が０．１ｗｔ％〜３５ｗｔ％で、酸化錫と酸化インジウムが完全固溶したＩＴＯ粉末について透過メスバウアースペクトルを測定していることから、ＩＴＯ粉末中の酸化錫の含有量は０．１ｗｔ％〜３５ｗｔ％とすることが前提となっていると認められること、及び、刊行物３においても、原料となるＩＴＯタブレット材料中の酸化錫の割合が２〜２０ｗｔ％とされていることから、本件発明におけるようにＩＴＯ材料中の酸化錫の割合を８〜２０ｗｔ％とすることは格別のこととは認められない。（このことは、例えば、本件特許についての異議申立の証拠として提出されている前記刊行物１に、酸化錫の割合を「３．３〜２５重量％」としたことが記載されていること（第２頁右上欄第１３〜１５行）、同じく「真空」第３０巻第６号第１６〜２４頁に、ターゲット材である酸化インジウム−酸化錫混合物中の酸化錫の含有量を５，１０，１５ｗｔ％としたことが記載されていること（第１７〜１８頁）及び同じく「Ａｍ．Ｃｅｒａｍ．Ｓｏｃ．Ｂｕｌｌ．，６５［４］６７３−６７８］に、ＩＴＯフィルムが通常は１０％以下のｓｎＯ０２を含んでいることがそれぞれ記載されていること等からもいえる。）
　また、刊行物３に記載されているように、ＩＴＯ薄膜を製造するためのＩＴＯ粉末を、焼結体に成形して真空蒸着用タブレットやスパッタリング用ＩＴＯターゲットとすることは知られているから、刊行物２記載のＩＴＯペレットを焼結体にして、スパッタリング用ＩＴＯターゲット又は真空蒸着用タブレットとする点
も格別のことではない。
　上記のとおりであるから、本件発明３，４は、刊行物２，３記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
（２）本件発明１について
　本件発明１と刊行物２記載の発明とを対比すると、刊行物２には、酸化インジウムの９２％が固溶している酸化インジウム−酸化スズを原料として、電子ビ
ーム溶解・真空蒸着によりＩＴＯ膜を形成することが記載されていることから、両者は、透光性基板上に全含有錫量の７０％以上が酸化インジウムの結晶中に固溶体として存在している錫を含んだ酸化インジウム材料から透明電導膜を被膜形成させる透明電導膜の製造方法の構成の点で一致するが、次の点で相違する。
▲１▼本件発明３，４が錫量を酸化錫換算で８〜２０ｗｔ％（本件発明３）又は３〜２０ｗｔ％（本件発明４）としているのに対し、刊行物２では７．５ｗｔ％ｓｎＯ２を含むＩＴＯを原料として作製したＩＴＯ被膜についてメスパウアースペクトルを測定したことが記載されているのみで、ＩＴＯ材料中の酸化錫の含有量については、特に一般的な記載はない点。
▲２▼本件発明１が、皮膜形成用の酸化インジウム−酸化錫材料を焼結体とし、これをターゲット材料としてスパッタリングすることによって被膜を形成させているのに対して、刊行物２には、皮膜形成用原料である酸化インジウム−酸化錫材料をペレット化して真空蒸着によって被膜を形成したことが記載されており、酸化インジウム−酸化錫材料を焼結し、この焼結体をスパッタリングする点については特に記載がない点。
　上記相違点について検討するに、酸化インジウム−酸化錫材料中の酸化錫の割合を８〜２０ｗｔ％とする点が格別のものではないことは既に述べたとおりである。
　また、刊行物２にもＩＴＯ膜は、真空蒸着，スパッタリングによって製造されることは記載されており、また、刊行物３にも記載されているように、酸化インジウムー酸化錫材料を焼結体としてスパッタリングによって被膜を形成することは普通のこと（因みに、本件特許の特許異議申立の証拠として提出された上記刊行物１、同じく「真空」第３０巻第６号第１６〜２３頁及び同じく「Ａｍ．Ｃｅｒａｍ．Ｓｏｃ．Ｂｕｌｌ．，６５［４］６７３−６７８頁（１９８６）」のそれぞれにも、酸化インジウム−酸化錫材料を焼結してスパッタリングターゲットとすることが記載されている。）であるから、刊行物２記載のものにおいても、酸化インジウム−酸化錫材料を焼結体となして、これをスパッタリングすること
によって被膜を形成するようにすることは当業者が容易になし得たことと認める。
　してみれば、上記相違点▲１▼，▲２▼は格別のものではなく、本件発明１は、刊行物２，３記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
（３）本件発明２について
　本件発明２と刊行物２記載の発明とを対比すると、刊行物２には、酸化インジウムの９２％が固溶している酸化インジウム−酸化スズを原料として、電子ビーム溶解・真空蒸着によりＩＴＯ膜を形成することが記載されていることから、両者は、透光性基板上に全含有錫量の８０％以上が酸化インジウムの結晶中に固溶体として存在している錫を含んだ酸化インジウム材料から真空蒸着によって透明電導膜を被膜形成させる透明電導膜の製造方法の構成の点で一致するが、次の点で相違する。
▲１▼本件発明２が、全錫量が酸化錫換算で３〜２０ｗｔ％である酸化インジウム−酸化錫材料を皮膜形成用原料としているのに対し、刊行物２には、酸化インジウム−酸化錫材料中の酸化錫の含有量については特に記載がない点。
▲２▼本件発明２が、皮膜形成用の酸化インジウムー酸化錫材料を焼結体とし、これを蒸着用タブレット材料として真空蒸着によって被膜を形成させているのに対して、刊行物２には、皮膜形成用原料である酸化インジウム−酸化錫材料を焼結体とする点については記載がない点。
　上記相違点について検討するに、酸化インジウム−酸化錫材料中の酸化錫の割合を２０％以下とする点が格別のものではないことは既に述べたとおりである。
　また、例えば刊行物３に記載されているように、真空蒸着を行なうに際して原料を焼結してタブレットとすることは普通のこと（因みに、上記刊行物１にも酸化インジウムー酸化錫材料を焼結して真空蒸着用タブレットとすることが記載されている。）
　してみれば、上記相違点▲１▼，▲２▼は格別のものではなく、本件発明２は、刊行物２，３記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
ＩＶ．むすび
　以上のとおりであるから、本件発明１〜４は、上記刊行物１に記載された発明であるから特許法第２９条第１項第３号に規定する発明に該当するため、又は本
件発明１〜４は、上記刊行物２，３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるため、特許を受けることができないものである。
　従って、本件発明１〜４は、特許法第１１３条第２号に該当し、取り消されるべきものである。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１１年５月１２日（１９９９．５．１２）