【事件の表示】
　特許第２８２８９９０号「液晶表示素子」の請求項１に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結論】
　特許第２８２８９９０号の請求項１に係る特許を維持する。
【理由】
（１）本件発明
　本件特許第２８２８９９０号の請求項１に係る発明は、特許明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定されるとおりのものである。
（２）申立ての理由の概要
　申立人佐藤　勝明は、証拠として甲第１号証（特開昭６２−１１６９２１号公報）、甲第２号証（特開昭５６−１０７２８７号公報）、甲第３号証（特開昭６０−２０７１１６号公報）、参考文献１（特開昭６０−２４３６３３号公報）、参考文献２（特開昭６２−２６２０２６号公報）を提出し、請求項１に係る発明は、第２９条第２項の規定に違反してなされたものであるから、特許を取り消すべき旨主張している。
（３）甲各号証及び参考文献１，２に記載の発明
　甲第１号証には、「電圧を印加した表示電極２３と共通電極２５との間に位置する液晶分子であって、且つ表示電極２３の一隅に対応して位置する液晶分子が第５図（ハ）に示す如く液晶分子の配方向が反転する、所謂エッジドメイン現象が発生し、第５図（ニ）に示す如く表示電極２３の一隅に表示状態の不良部分２３ａが発生することが知られている。」（第１頁右欄末行乃至第２頁左上欄第６行）、「表示電極に対する信号のスイッチング素子として構成されている薄膜トランジスタは‥‥‥、それ自体は不透明であることに着目し、エッジドメインによる不良表示部がこの薄膜トランジスタ上にオーバラップして形成されるように設定することにより本来的に不透明な薄膜トランジスタの存在を利用して表示電極上に不良表示部が占める面積を可及的に低減し、表示画質の向上を図れるようにした液晶表示装置を提供するにある。」（第２頁左上欄第１９行乃至右上欄第
１０１１）、「下側の基板１には、その上面にＩＴＯ膜等で形成された表示電極３，薄膜トランジスタ４，配向膜５が、また下面には偏光板６が設けられ、一方下側の上側２にはその下面にＩＴＯ膜等で形成された共通電極７，配向膜８が積層形成され、また上面には偏光板９が設けられ、上、下の基板１，２の配向膜５，８間に液晶１０が介在せしめられている。」（第２頁左下欄第５行乃至第１２行）、「これらドレイン電極１１とゲート電極１２との交叉点近傍であって、各表示電極３との間にはスイッチング素子である薄膜トランジスタ４が形成されている。」（第２頁左下欄第１７行乃至第２０行）、及び「配向膜５，８は‥‥‥、硬化過程で布にてラビング等を施すことによって互いに直交する方向に配向処理を行ってある。」（第２頁右下欄第１４行乃至第１７行）との記載があり、結局、一主面上に複数個の薄膜トランジスタ４とこれに接続された表示電極３とがそれぞれ配設され且つ前記薄膜トランジスタ４及び前記表示電極３の周りにはドレイン電極１１及びゲート電極１２が形成された基板１と、この基板１と対向して配置された共通電極７を一主面上に有する基板２と、前記基板１と前記基板２との間に挟持された液晶分子を含む液晶１０とを有し、前記基板１と前記基板２の一主面上に互いの配向軸が直交し前記液晶分子に所定のプレチルトを付
与する配向処理がそれぞれ施された液晶表示装置において、エッジドメインによる不良表示部が薄膜トランジスタ上にオーバラップして形成されたものが記載されている。
　甲第２号証には、スイッチング素子として用いた非晶質シリコン薄膜部への光の導入を遮断する金属膜５０を備えた画像表示装置が記載されている。
　甲第３号証には、少なくともＴＦＴのチャネル部を覆い、所定電圧に固定された光しゃへい電極が設けられ、該光しゃへい電極と、前記画素電極の少なくとも１部あるいは該画素電極に電気的に接続された領域の少なくとも１部が、絶縁層を介して蓄積電気容量を成す構造を有し、かつそれぞれの電極はマスクの合わせずれに対し、前記蓄積電気容量が増減しないような相互関係の形状となっている表示電極アレイが記載されている。
　参考文献１には、動的雨状ドメインと静的雨状ドメインとの発生原理についての推測が記載されている。
　参考文献２には、画素電極４とデータ線３との間、及び画素電極相互間のすき間７からもれる光を遮断する遮光層８を設けたアクテイブマトリクスパネルが記載されている。
（４）本件請求項１に係る発明と甲各号証及び参考文献１，２に記載の発明との対比・判断
　本件請求項１に係る発明と甲第１号証記載の発明とを対比すると、本件請求項１に係る発明の「能動素子」、「画素電極」、「配線」、「能動素子基板」、「共通電極」、「対向基板」、「液晶組成物」は、夫々甲第１号証記載の発明の「薄膜トランジスタ４」、「表示電極３」、「ドレイン電極１１及びゲート電極１２」、「基板１」、「共通電極７」、「基板２」、「液晶１０」に相当するから、両者は、一主面上に複数個の能動素子とこれに接続された画素電極とがそれぞれ配設され且つ前記能動素子及び前記画素電極の周りには配線が形成された能動素子基板と、この能動素子基板と対向して配置された共通電極を一主面上に有する対向基板と、前記能動素子基板と前記対向基板との間に挟持された液晶分子を含む液晶組成物とを有し、前記能動素子基板と前記対向基板の一主面上に互いの配向軸が概略９０゜をなし前記液晶分子に所定のプレチルトを付与する配向処
理がそれぞれ施された液晶表示素子で一致し、本件請求項１に係る発明は、前記能動素子に対して概略平行な軸方向電界が前記液晶分子の前記プレチルトに逆らう領域の前記画素電極を前記画素電極の他の領域よりも多く被覆する遮光部を含むのに対して、甲第１号証記載の発明は、エッジドメインによる不良表示部が薄膜トランジスタ上にオーパラップして形成された点で相違する。
　そこで、この相違点について検討すると、甲第２号証には、能動素子部分に遮光部を設けるとの開示しかなく、甲第３号証には、能動素子部を覆い、マスク合わせズレが起きても蓄積電気容量が増減しないような相互関係の形状とするとの開示しかなく、参考文献１には、ドメイン発生原理の推論が開示されているだけであり、参考文献２には、すき間から洩れる光を遮断する遮光部を設けることが開示されているだけである。
　してみれば、甲各号証及び参考文献１，２に基づいて、本件請求項１に係る発明を推考しようとすれば、甲第１号証記載のエッジドメインによる不良表示部が、参考文献１記載のドメイン発生原理の推論によっても起こり、当該不良表示部を薄膜トランジスタでオーバーラップさせて隠した上に、さらに甲第２号証、甲第３号証及び参考文献２記載の遮光部を適用し、その遮光部を「前記能動素子に対して概略平行な軸方向電界が前記液晶分子の前記プレチルトに逆らう領域の前記画素電極を前記画素電極の他の領域よりも多く被覆する」ものとしなければならず、そのようなことは、当業者といえども容易ではない。
　したがって、本件請求項１に係る発明が、当該甲各号証及び参考文献１，２のいずれかに記載の発明であるとも、また、当該甲各号証及び参考文献１，２に記載の発明から容易に推考しうるものとも認められない。
（５）むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立の理由及び証拠によっては、本件請求項１に係る発明の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件請求項１に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１１年８月１２日（１９９９．８．１２）