【事件の表示】
　特許第２８０１４４９号「半導体素子収納用パッケージ」の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結論】
　特許第２８０１４４９号の特許を維持する。
【理由】
　Ｉ．本件の経緯
　本件特許第２８０１４４９号は、平成３年１１月２１日に出願され、平成１０年７月１０日に設定登録がなされ、平成１０年９月２１日に特許公報に掲載され、平成１１年３月２３日に戸原和雄から特許異議の申立がなされたものである。
　ＩＩ．本件発明
　本件の請求項１に係る発明（以下、本件発明という）は、特許明細書の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものである。
【請求項１】絶縁基体と蓋体とから成り、絶縁基体に被着させた金属層と蓋体に被着させた金属層とを封止材を介し接合させることによって内部に半導体素子を気密に封止する半導体素子収納用パッケージであって、前記封止材が錫、インジウムの少なくとも１種１．０乃至１０．０重量％と銀１．０乃至１０．０重量％とビスマス３．０乃至１３．０重量％と残部が鉛の合金から成ることを特徴とする半導体素子収納用パッケージ。
ＩＩＩ．異議申立人の主張
　異議申立人は、イ）本件発明は、甲第１〜５号証に記載された発明に基づき当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであって、本件発明に係る特許は取り消されるべきものである、ロ）本件特許明細書には記載不備があるから、本件発明に係る特許は特許法第３６条第４項又は第６項の規定を満足しない出願に対してなされたものであって取り消されるべきものである旨を主張する。
　なお、ここで、甲第１号証は特開昭６０−２０６５９６号公報、甲第２号証は特開平２−７５４９３号公報、甲第３号証は米国特許第３７６９００７号明細書、甲第４号証は米国特許第２３０６６７５号明細書、甲第５号証は特開昭５４−７２７３８号公報である。
ＩＶ．主張の検討
ＩＶ−１．ロ）の主張について
　▲１▼請求項１でＩｎ、Ｓｎの含有量を規定しているが、それが単独の量であるか、合計量であるか不明であるとの主張：
　請求項１で規定するＩｎ，Ｓｎの含有量については、その規定の根拠が本件特許明細書の段落番号【００２７】に「錫（Ｓｎ）、インジウム（Ｉｎ）は、・・・封止材Ａの濡れ性を改善するための成分であり、錫（Ｓｎ）、インジウム（Ｉｎ）の少なくとも１種の量が１．０重量％未満であると封止材Ａと・・金属層９，１０との接合強度が弱くなって容器３の気密封止の信頼性が大幅に劣化してしまい、また、１０．０重量％を越えると・・機械的強度の弱い金属間化合物を作り容器３の気密封止の信頼性が劣化する。」と記載され、錫とインジウムは、封止材の濡れ性改善、容器の気密封止という観点からは、いずれも同等の作用を有する成分として説明されており、同等の作用を有する成分を２種類用いれば全体としての作用は通常それらの成分の作用の総和となると解されるところ、該解釈を上記含有量の限定に適用すると、含有量が各成分の単独の量であると解すると、各成分の合計含有量が１０．０重量％を越える場合を許容することになるが、その場合、機械的強度の弱い金属間化合物を形成する成分が合計量で１０．０重量％を越えて存在することとなり、上記記載に従えば、製品全体の機械的強度は弱められ目的とする気密封止の信頼性を得ることが不可能となって、上記限定理由が技術的意義を有しないこととなることからみて、上記含有量の限定は錫とインジウムから成る成分群の合計含有量に係るものであると解さざるを得ない。
　したがって、請求項１の「錫、インジウムの少なくとも１種１．０乃至１０．０重量％」との記載は、特許明細書の記載内容からみて、「錫、インジウムの単独含有量がそれぞれ１．０乃至１０．０重量％」であることを表現するものでなく、「錫、インジウムの合計含有量が１．０乃至１０．０重量％」であることを意味するものであることは明らかであるから、上記主張は採用できない。
　▲２▼請求項１において絶縁基体および蓋における各金属層を特定すべきである旨の主張：
　本件発明は、「従来の半導体素子収納用パッケージにおいては絶縁基体に蓋体を接合させるための封止材が通常、半田から成っており、その融点が２９５℃と高いことから封止材を介して絶縁基体と蓋体とを接合させる際、封止材を加熱溶融させるための熱が内部に収容する半導体素子に印加されると該熱によって半導体素子に熱破壊を生じさせたり、特性に熱変化を招来させたりするという欠点を有していた。」（段落番号【０００５】参照）との課題認識のもとになされたもので、「その目的は内部に収容する半導体素子を長期間にわたり正常、且つ安定に作動させることができる半導体素子収納用パッケージを提供すること」（段落番号【０００６】参照）であり、その効果は「絶縁基体に被着させた金属層と蓋体に被着させた金属層とを封止材を介して接合させる際、封止材を加熱溶融させる熱が内部に収容する半導体素子に印加されたとしても半導体素子は熱破壊したり、特性に熱変化を招来することは殆どなく、の結果、半導体素子を長期間にわたり正常、且つ安定に作動させることが可能となる。」（段落番号【００３３】参照）であるところ、本件発明で用いる封止材は融点が２７０℃（段落番号【００２６】参照）とされており、本件発明が上記金属層の金属種によらずその目的及び効果を達成しうるであろうことは明細書の記載から容易に予想できることであるから、上記主張は採用できない。
　▲３▼従来技術に係るはんだ合金の組成が記載されておらず、本件発明に係る封止材の具体的組成およびデータもないから、本件明細書の目的及び効果に係る記載は不十分である旨の主張：
　従来技術に係るはんだ合金の組成が明示されなくても本件発明が目的とするところは明細書の段落番号【０００５】の記載から明確に理解でき、封止材の具体的データの記載がなくとも、▲２▼に説明したとおり、本件発明が目的とする効果を奏するであろうことは明細書の記載から容易に理解できるところであるから、上記主張は採用できない。
　したがって、上記▲１▼〜▲３▼を根拠とする申立人のロ）の主張は採用できない。
ＩＶ−２．イ）の主張について
　甲第１号証には、「ＳｎおよびＩｎのうちの１種または２種：１〜６５％を含有し、さらにＡｇ：１〜１０％を含有し、残りがＰｂと不可避的不純物からなる組成（以上重量％）を有し、かつ不可避的不純物としての酸素の含有量を１ｐｐｍ以上２０ｐｐｍ未満として、気密封止性と熱伝導性を向上させたことを特徴とする半導体装置用Ｐｂ合金ろう材。」［特許請求の範囲（２）］が記載され、前記ろう材をＩＣセラミック・パッケージのアッセンブリーに際して用いること（第３頁右上欄３〜７行参照）、「この発明のＰｂ合金は、・・・不可避的不純物としての酸素を極く僅かしか含まないため、これを半導体装置のアッセンブリーにろう材として使用した場合、ボイドの発生が低下し、その結果気密封止性と熱伝導性が向上し、きわめて信頼性の高いものとなる上に、Ａｕ合金に比べて安価であるという利点を有する。」こと（第２頁左下欄７〜１３行）、さらに、Ｓｎ：３．２％、Iｎ：２．５％、Ａｇ：８．５％、Ｐｂおよび不可避的不純物：残量％であるろう材が実施例として挙げられること（実施例１２）が記載されているものの、本件発明のように、ＢｉをＰｂ合金ろう材の成分として用いることや、さらに、Ｂｉを用いることにより半導体素子に与える熱的な悪影響を少なくしつつ気密に封止することができるであろうことを示唆する記載はない。
　甲第２号証には、０．１〜１．Ｏｗｔ％のゲルマニウム、０．５〜１．５ｗｔ％の錫、１．０〜２．０ｗｔ％の銀および残部が鉛と不可避的不純物からなる鉛系高融点はんだ合金」（特許請求の範囲）が記載され、「半導体装置のアッセンブリー（組み立て）の際に部材接合用はんだ材料として使用するのに適し」ていること（第１頁右下欄４〜６行）、その目的が、「耐酸化性とはんだぬれ性とが良好で、ボイド発生量を低減し、熱疲労寿命の長い高融点はんだ材料を提供する」ことであること（第２頁右上欄４〜６行）、Ｇｅ添加量が「０．１ｗｔ％未満では酸化防止の効果があまり見られ」ないこと（第２頁左下欄８〜９行参照）が記載されているものの、Ｂｉを上記はんだ合金の成分とすることや、さらに、Ｂｉを用いることにより半導体素子に与える熱的な悪影響を少なくしつつ気密に封止することができるであろうことを示唆する記載はないうえに、Ｇｅがはんだ合金の必須成分とされ、さらに、「近年、IＣなどの半導体装置そしてコンピュータの高密度、高実装化に伴い、・・はんだ付け技術が必要となり、通常のＳｎ−Ｐｂはんだ以外に低融点あるいは高融点のはんだ材料が求められている。特に、半導体装置の部材接合には、高融点のはんだ材料が求められている。」（第１頁右下欄７〜１２行参照）と記載からも明らかなように、半導体装置に用いる際の上記はんだ合金材料においてその融点を下げるような変更をすることを示唆する記載もない。
　また、甲第３号証には、Ｂｉ：８〜５０ｗｔ％、Ａｇ：０．５〜５ｗｔ％、Iｎ：０．５〜１０ｗｔ％、Ｐｂ：４５〜９０ｗｔ％または更にＳｎ：０．５〜４．５ｗｔ％を含み、５００°Ｆ以下の融点を持つＡ１はんだ付け用合金（ＡＢＳＴＲＡＣＴ、第４欄３２〜４５行参照）が記載され、甲第４号証にはＢｉ：５％、Ａｇ：１．５％、Ｓｎ：１５％、Ｐｂ：７８．５％の合金が２６４℃の融点を有すること（第１頁の表参照）、および、Ｂｉ、Ａｇ、Ｓｎの含有量を調節することにより融点や他の特性をかなり大幅に変えることができること（第１頁右欄４１〜４４行参照）が記載され、甲第５号証には、「Ｓｎ３０〜５５重量％、Ｂｉ１０〜２５重量％、Ａｇ０．５〜１．５重量％、Ｐｂ残部よりなる銀電極用低温はんだ合金。」（特許請求の範囲）が記載されているものの、第３〜５号証に記載された合金を、本件発明や甲第１、２号証に記載された発明における合金のように、半導体装置のアッセンブリー（組み立て）の際の部材接合用はんだ材料として使用することについて示唆する記載はなく、さらには、その際、半導体素子に与える熱的な悪影響を融点が２９５℃のはんだを用いた従来品に比して少なくし気密封止の目的を達成しうるであろうことを示唆する記載はない。
　してみれば、甲第１〜５号証を総合しても、本件発明の構成および明細書に記載の効果に想到することが当業者にとって容易であったとすることはできず、上記イ）の主張は採用できない。
Ｖ．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由および証拠によっては、本件の請求項１に係る発明の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件の請求項１に係る発明の特許を取消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１１年６月１１日（１９９９．６．１１）