【事件の表示】
　特許第２６５７７４３号「窒素−３族元素化合物半導体発光素子」の請求項１ないし８に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結論】
　特許第２６５７７４３号の請求項１ないし８に係る特許を取り消す。
【理由】
１．手続の経緯
　本件特許第２，６５７，７４３号に係る主な手続の経緯は以下のとおりである。
　特許出願　　　　　平成４年１０月２９日
　手続補正　　　　　平成８年３月２２日
　特許権設定登録　　平成９年６月６日
　特許公報発行　　　平成９年９月２４日
　特許異議の申立て　平成１０年３月２４日
　訂正請求　　　　　平成１０年９月１日
　手続補正書　　　　平成１１年２月１日
２．訂正の適否について
　２．１　訂正請求書の補正について
　▲１▼全文訂正明細書中の請求項１における「シリコン（Ｓｉ）の添加されたｎ型の窒素−３族元素化合物半導体（ＡｌＸＧａＹＩｎ１−Ｘ−ＹＮ；Ｘ＝０，Ｙ＝０，Ｘ＝Ｙ＝０を含む）からなるｎ層と、」を「シリコン（Ｓｉ）の添加されたｎ型の窒素−３族元素化合物半導体（ＡｌＸＧａＹＩｎ１−Ｘ−ＹＮ；Ｘ＝０，Ｙ＝０，Ｘ＝Ｙ＝０を含む）からなる高キャリア濃度ｎ＋層と、その高キャリア濃度ｎ＋層に接合するｎ型の窒素−３族元素化合物半導体（ＡｌＸＧａＹＩｎ１−Ｘ−ＹＮ；Ｘ＝０，Ｙ＝０，Ｘ＝Ｙ＝０を含む）からなる低キャリア濃度ｎ層と、」と補正することは、特許請求の範囲の限定的減縮であり、訂正請求書の要旨を変更するものではないので、特許法第１３１条第２項の規定に違反しない。
　▲２▼全文訂正明細書中の請求項２における「シリコン（Ｓｉ）の添加されたｎ型の窒素−３族元素化合物半導体（ＡｌＸＧａＹＩｎ１−Ｘ−ＹＮ；Ｘ＝０，Ｙ＝０，Ｘ＝Ｙ＝０を含む）からなるｎ層と、」を「シリコン（Ｓｉ）の添加されたｎ型の窒素−３族元素化合物半導体（ＡｌＸＧａＹＩｎ１−Ｘ−ＹＮ；Ｘ＝０，Ｙ＝０，Ｘ＝Ｙ＝０を含む）からなる高キャリア濃度ｎ＋層と、その高キャリア濃度ｎ＋層に接合するｎ型の窒素−３族元素化合物半導体（ＡｌＸＧａＹＩｎ１−Ｘ−ＹＮ；Ｘ＝０，Ｙ＝０，Ｘ＝Ｙ＝０を含む）からなる低キャリア濃度ｎ層と、」と補正することは、特許請求の範囲の限定的減縮であり、訂正請求書の要旨を変更するものではないので、特許法第１３１条第２項の規定に違反しない。
　▲３▼上記▲１▼及び▲２▼の補正にともない請求項の削除及び変更並びに発明の詳細な説明を補正することは、訂正請求書の要旨を変更するものではないので、特許法第１３１条第２項の規定に違反しない。
　２．２　訂正の目的等について
　（２．２．１）訂正事項１について
　特許明細書の特許請求の範囲請求項１における「ｎ型の窒素−３族元素化合物半導体（ＡｌＸＧａＹＩｎ１−Ｘ−ＹＮ；Ｘ＝０，Ｙ＝０，Ｘ＝Ｙ＝０を含む）からなるｎ層と、」を「シリコン（Ｓｉ）の添加されたｎ型の窒素−３族元素化合物半導体（ＡｌＸＧａＹＩｎ１−Ｘ−ＹＮ；Ｘ＝０，Ｙ＝０，Ｘ＝Ｙ＝０を含む）からなる高キャリア濃度ｎ＋層と、その高キャリア濃度ｎ＋層に接合するｎ型の窒素−３族元素化合物半導体（ＡｌＸＧａＹＩｎ１−Ｘ−ＹＮ；Ｘ＝０，Ｙ＝０，Ｘ＝Ｙ＝０を含む）からなる低キャリア濃度ｎ層と、」とする訂正は、特許請求の範囲の減縮に該当し、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内のものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張または変更するものでもない。
　（２．２．２）訂正事項２について
　特許明細書の特許請求の範囲請求項１における「ｐ型の窒素−３族元素化合物半導体（ＡｌＸＧａＹＩｎ１−Ｘ−ＹＮ；Ｘ＝０，Ｙ＝０，Ｘ＝Ｙ＝０を含む）からなるｐ層とを有する」を「マグネシウム（Ｍｇ）の添加されたｐ型の窒素−３族元素化合物半導体（ＡｌＸＧａＹＩｎ１−Ｘ−ＹＮ；Ｘ＝０，Ｙ＝０，Ｘ＝Ｙ＝０を含む）からなるｐ層とを有する」とする訂正は、特許請求の範囲の減縮に該当し、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内のものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張または変更するものでもない。
　（２．２．３）訂正事項３について
　特許明細書の特許請求の範囲請求項２における「ｎ型の窒素−３族元素化合物半導体（ＡｌＸＧａＹＩｎ１−Ｘ−ＹＮ；Ｘ＝０，Ｙ＝０，Ｘ＝Ｙ＝０を含む）からなるｎ層と、」を「シリコン（Ｓｉ）の添加されたｎ型の窒素−３族元素化合物半導体（ＡｌＸＧａＹＩｎ１−Ｘ−ＹＮ；Ｘ＝０，Ｙ＝０，Ｘ＝Ｙ＝０を含む）からなる高キャリア濃度ｎ＋層と、その高キャリア濃度ｎ＋層に接合するｎ型の窒素−３族元素化合物半導体（ＡｌＸＧａＹＩｎ１−Ｘ−ＹＮ；Ｘ＝０，Ｙ＝０，Ｘ＝Ｙ＝０を含む）からなる低キャリア濃度ｎ層と、」とする訂正は、特許請求の範囲の減縮に該当し、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内のものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張または変更するものでもない。
　（２．２．４）訂正事項４について
　特許明細書の特許請求の範囲請求項２における「ｐ型の窒素−３族元素化合物半導体（ＡｌＸＧａＹＩｎ１−Ｘ−ＹＮ；Ｘ＝０，Ｙ＝０，Ｘ＝Ｙ＝０を含む）からなるｐ層とを有する」を「マグネシウム（Ｍｇ）の添加されたｐ型の窒素−３族元素化合物半導体（ＡｌＸＧａＹＩｎ１−Ｘ−ＹＮ；Ｘ＝０，Ｙ＝０，Ｘ＝Ｙ＝０を含む）からなるｐ層とを有する」とする訂正は、特許請求の範囲の減縮に該当し、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内のものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張または変更するものでもない。
　（２．２．５）訂正事項５〜１０について
　訂正事項５〜１０は、上記特許請求の範囲の訂正に伴う訂正であり、明りょうでない記載の釈明に該当する。
　（２．２．６）訂正事項１１について
　特許明細書の特許請求の範囲請求項１における「前記ｎ層と前記ｐ層との間に」を「前記低キャリア濃度ｎ層と前記ｐ層との間に」とする訂正は、特許請求の範囲の減縮に該当し、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内のものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張または変更するものでもない。
　（２．２．７）訂正事項１２について
　特許明細書の特許請求の範囲請求項２における「前記ｎ層と前記ｐ層との間に」を「前記低キャリア濃度ｎ層と前記ｐ層との間に」とする訂正は、特許請求の範囲の減縮に該当し、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内のものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張または変更するものでもない。
　（２．２．８）訂正事項１３について
　特許明細書の特許請求の範囲請求項５を削除する訂正は、特許請求の範囲の減縮に該当する。
　（２．２．９）訂正事項１４〜２７について
　訂正事項１４〜２７は、上記特許請求の範囲の訂正に伴う訂正であり、明りょうでない記載の釈明に該当する。
　２．３　独立特許要件について
　（２．３．１）要旨変更について
　平成８年３月２２日付け手続補正書により、補正前の請求項１にあっては、「前記ｎ層と前記ｐ層との間にＺｎを添加した窒素−３族元素化合物半導体（ＡｌＸＧａＹＩｎ１−Ｘ−ＹＮ；Ｘ＝０，Ｙ＝０，Ｘ＝Ｙ＝０を含む）からなる半絶縁性のｉ層を設けた」であったものが、「前記ｎ層と前記ｐ層との間にＺｎを添加した窒素−３族元素化合物半導体（ＡｌＸＧａＹＩｎ１−Ｘ−ＹＮ；Ｘ＝０，Ｙ＝０，Ｘ＝Ｙ＝０を含む）からなる亜鉛（Ｚｎ）添加層を設けた」と変更された（この点については、取消理由通知において指摘したが、訂正請求書においても訂正されていない。）。
　しかるに、補正前の明細書には、「亜鉛添加層」という導電性を特定しない層についての記載はなく、導電性を問わない亜鉛添加層という概念が出願時点において自明であったする証拠もない。
　付言すると、窒素−３族元素化合物半導体（ＡｌＸＧａＹＩｎ１−Ｘ−ＹＮ；Ｘ＝０，Ｙ＝０，Ｘ＝Ｙ＝０を含む。以下「ＧａＮ系半導体」という。）は、成膜したままの状態においては、ｎ型であるところ、ｐ型不純物である亜鉛を添加すると、ｉ型に変化する。そこで、さらに亜鉛に加えて、ｎ型不純物であるシリコンを添加すると、上記ＧａＮ系半導体はｉ型からｎ型に変化する可能性がある。すなわち、上記亜鉛添加層が亜鉛以外の不純物を添加しないならば、出願時の技術常識からして、ｉ型であるから、ｉ型という修飾語を削除して単に亜鉛添加層とすることに明細書の要旨変更の問題は生じない。しかし、他の不純物を添加する可能性のある本件発明において、単に亜鉛添加層とすることは、出願当初においてはｉ型のみしか認識されていなかったものを、他の導電型のＧａＮ系半導体を包含するように変更することであり、出願当初の明細書に記載されていた技術的事項を変更するものである。
　したがって、上記補正は、願書に添付した明細書及び図面の要旨を変更するものであり、本件特許出願は、平成６年法律１１６号附則第６条１項及び平成５年法律２６号附則第２条第２号の規定により、なお従前の例とされる平成５年改正前の特許法第４０条の規定を適用して、上記手続補正書を提出した時にしたものとみなす。
　（２．３．２）訂正された発明
　平成１１年２月１日付け手続補正書により補正された訂正明細書の特許請求の範囲に記載された請求項１乃至７に係る発明（以下「訂正第１発明」乃至「訂正第７発明」という。）は、その明細書及び図面の記載からして特許請求の範囲の請求項１乃至７に記載されている次のとおりのものである。
「【請求項１】　シリコン（Ｓｉ）の添加されたｎ型の窒素−３族元素化合物半導体（ＡｌＸＧａＹＩｎ１−Ｘ−ＹＮ；Ｘ＝０，Ｙ＝０，Ｘ＝Ｙ＝０を含む）からなる高キャリア濃度ｎ＋層と、その高キャリア濃度ｎ＋層に接合するｎ型の窒素−３族元素化合物半導体（ＡｌＸＧａＹＩｎ１−Ｘ−ＹＮ；Ｘ＝０，Ｙ＝０，Ｘ＝Ｙ＝０を含む）からなる低キャリア濃度ｎ層と、マグネシウム（Ｍｇ）の添加されたｐ型の窒素−３族元素化合物半導体（ＡｌＸＧａＹＩｎ１−Ｘ−ＹＮ；Ｘ＝０，Ｙ＝０，Ｘ＝Ｙ＝０を含む）からなるｐ層とを有する窒素−３族元素化合物半導体発光素子において、
　前記低キャリア濃度ｎ層と前記ｐ層との間にＺｎを濃度１×１０１９〜１×１０２１／ｃｍ３範囲で添加した窒素−３族元素化合物半導体（ＡｌＸＧａＹＩｎ１−Ｘ−ＹＮ；Ｘ＝０，Ｙ＝０，Ｘ＝Ｙ＝０を含む）からなる亜鉛（Ｚｎ）添加層を設けたことを特徴とする発光素子。
　【請求項２】　シリコン（Ｓｉ）の添加されたｎ型の窒素−３族元素化合物半導体（ＡｌＸＧａＹＩｎ１−Ｘ−ＹＮ；Ｘ＝０，Ｙ＝０，Ｘ＝Ｙ＝０を含む）からなる高キャリア濃度ｎ＋層と、その高キャリア濃度ｎ＋層に接合するｎ型の窒素−３族元素化合物半導体（ＡｌＸＧａＹＩｎ１−Ｘ−ＹＮ；Ｘ＝０，Ｙ＝０，Ｘ＝Ｙ＝０を含む）からなる低キャリア濃度ｎ層と、マグネシウム（Ｍｇ）の添加されたｐ型の窒素−３族元素化合物半導体（ＡｌＸＧａＹＩｎ１−Ｘ−ＹＮ；Ｘ＝０，Ｙ＝０，Ｘ＝Ｙ＝０を含む）からなるｐ層とを有する窒素−３族元素化合物半導体発光素子において、
　前記低キャリア濃度ｎ層と前記ｐ層との間にＺｎを添加した窒素−インジウム３族元素化合物半導体（ＡｌＸＧａＹＩｎ１−Ｘ−ＹＮ；Ｘ＝０，Ｙ＝０，Ｘ＝Ｙ＝０を含み、Ｘ＋Ｙ＜１）からなる亜鉛（Ｚｎ）添加層を設けたことを特徴とする発光素子。
　【請求項３】　前記亜鉛（Ｚｎ）添加層の亜鉛（Ｚｎ）の濃度は１×１０１９〜１×１０２１／ｃｍ３であることを特徴とする請求項２に記載の発光素子。
　【請求項４】　前記ｐ層は半絶縁性の層の一部をｐ型活性化した層であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の発光素子。
　【請求項５】　前記低キャリア濃度ｎ層のキャリア濃度は１×１０１４〜１×１０１７／ｃｍ３、前記高キャリア濃度ｎ＋層のキャリア濃度は１×１０１７〜１×１０１９／ｃｍ３であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の発光素子。
　【請求項６】　前記低キャリア濃度ｎ層は０．５〜２．０μｍ、前記高キャリア濃度ｎ＋層は２．０〜１０．０μｍの厚さを有することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の発光素子。
　【請求項７】　前記亜鉛（Ｚｎ）添加層の厚さは２０〜３０００Åであることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の発光素子。」
　（２．３．３）刊行物記載の発明について
　平成６年５月３１日に公開された特開平６−１５１９６３号公報（本件特許の公開公報、以下「刊行物１」という。）には、
「【課題を解決するための手段】
　本発明は、ｎ型の窒素−３属元素化合物半導体（ＡｌＸＧａＹＩｎ１−Ｘ−ＹＮ；Ｘ＝０，Ｙ＝０，Ｘ＝Ｙ＝０を含む）からなるｎ層と、ｐ型の窒素−３属元素化合物半導体（ＡｌＸＧａＹＩｎ１−Ｘ−ＹＮ；Ｘ＝０，Ｙ＝０，Ｘ＝Ｙ＝０を含む）からなるｐ層とを有する窒素−３属元素化合物半導体発光素子において、ｎ層とｐ層との間にＺｎを添加した窒素−３属元素化合物半導体（ＡｌＸＧａＹＩｎ１−Ｘ−ＹＮ；Ｘ＝０，Ｙ＝０，Ｘ＝Ｙ＝０を含む）からなる半絶縁性のｉ層を設けたことを特徴とする。
　【０００６】
　上記の半絶縁層の厚さは、２０〜３０００Åであることが望ましい。２０Åよりも薄いと半絶縁層での発光輝度が小さい。又、３０００Åよりも厚いとｐ層に注入される電子濃度が減少するので望ましくない。半絶縁層のＺｎ濃度は、１×１０１９〜１×１０２１／ｃｍ３である。Ｚｎ濃度が１×１０２１／ｃｍ３以上となると結晶性が悪化するため望ましくなく１×１０１９／ｃｍ３以下となると発光強度が低下するので望ましくない。」、
「【実施例】
第１実施例
図１において、発光ダイオード１０は、サファイア基板１を有しており、そのサファイア基板１に５００ÅのＡｌＮのバッファ層２が形成されている。そのバッファ層２の上には、順に、膜厚約２．２μｍのＧａＮから成る高キャリア濃度ｎ＋層３と膜厚約１．５μｍのＧａＮから成る低キャリア濃度ｎ層４が形成されており、更に、低キャリア濃度ｎ層４の上に膜厚約４００ÅのＧａＮから成るｉ層６が形成されており、そのｉ層６の上に０．２μｍから成るｐ層５が形成されている。そして、ｐ層５に接続するアルミニウムで形成された電極７と高キャリア濃度ｎ＋層３に接続するアルミニウムで形成された電極８とが形成されている。電極８と電極７とは、満９により電気的に絶縁分離されている。」、
「【００１１】
次に、温度を４００℃まで低下させて、Ｈ２を２０ｌｉｔｅｒ／分、ＮＨ３を１０ｌｉｔｅｒ／分、ＴＭＡを１．８×１０−５モル／分で供給してＡｌＮのバッファ層２が約５００Åの厚さに形成された。次に、サファイア基板１の温度を１１５０℃に保持し、Ｈ２を２０ｌｉｔｅｒ／分、ＮＨ３を１０ｌｉｔｅｒ／分、ＴＭＧを１．７×１０−４モル／分、Ｈ２で０．８６ｐｐｍまで希釈したシラン（ＳｉＨ４）を２００ｍｌ／分の割合で３０分間供給し、膜厚約２．２μｍ、キャリア濃度１．５×１０１８／ｃｍ３のＧａＮから成る高キャリア濃度ｎ＋層３を形成した。
　【００１２】
続いて、サファイア基板１の温度を１１５０℃に保持し、Ｈ２を２０ｌｉｔｅｒ／分、ＮＨ３を１０ｌｉｔｅｒ／分、ＴＭＧを１．７×１０−４モル／分の割合で２０分間供給し、膜厚約１．５μｍ、キャリア濃度１×１０１５／ｃｍ３のＧａＮから成る低キャリア濃度ｎ層４を形成した。
　【００１３】
次に、サファイア基板１を９００℃にして、Ｈ２を２０ｌｉｔｅｒ／分、ＮＨ３を１０ｌｉｔｅｒ／分、ＴＭＧを１．７×１０−４モル／分、ＤＥＺを１．５×１０−４モル／分の割合で０．５分間供給して、膜厚４００ÅのＧａＮから成るＺｎ濃度３×１０２０／ｃｍ３のｉ層６を形成した。
　【００１４】
次に、サファイア基板１を９００℃にして、Ｈ２を２０ｌｉｔｅｒ／分、ＮＨ３を１０ｌｉｔｅｒ／分、ＴＭＧを１．７×１０−４モル／分、ＣＰ２Ｍｇを２×１０−７モル／分の割合で３分間供給して、膜厚０．２μｍのＧａＮから成るｉ層５を形成した。この状態では、ｉ層５は絶縁体である。」、
「【００２３】
二重層構造にすると、単層ｎ層の場合に比べて発光輝度が向上した。又、二重層構造の場合には、上記低キャリア濃度ｎ層４のキャリア濃度は１×１０１４〜１×１０１７／ｃｍ３で膜厚は０．５〜２μｍが望ましい。キャリア濃度が１×１０１７／ｃｍ３以上となると発光強度が低下するので望ましくなく、１×１０１４／ｃｍ３以下となると発光素子の直ダリ抵抗が高くなりすぎ電流を流すと発熱するので望ましくない。又、膜厚が２μｍ以上となると発光素子の直列抵抗が高くなりすぎ電流を流すと発熱するので望ましくなく、膜厚が０．５μｍ以下となると発光強度が低下するので望ましくない。」、
「【００３１】
次に、図１５に示すように、ｐ型部５とｉ層５０の上面と孔１５を通って高キャリア濃度ｎ＋層３とに、Ａｌ層２０が蒸着により形成された。そして、そのＡｌ層２０の上にフォトレジスト２１を塗布して、フォトリングラフにより、そのフォトレジスト２１が高キャリア濃度ｎ＋層３及びｐ型部５に対する電極部が残るように、所定形状にパターン形成した。次に、そのフォトレジスト２１をマスクとして下層のＡｌ層２０の露出部を硝酸系エッチング液でエッチングし、フォトレジスト２１をアセトンで除去した。このようにして、図８に示すように、高キャリア濃度ｎ＋層３の電極５２、ｐ型部５の電極５１を形成した。その後、上述のように形成されたウエハが各素子毎に切断された。」
及び
「【００３３】第３実施例
図１に示す構造の第１実施例の発光ダイオードにおいて、高キャリア濃度ｎ＋層３、低キャリア濃度ｎ層４、ｉ層６、ｐ層５を、それぞれ、Ａｌ０．２Ｇａ０．５Ｉｎ０．３Ｎとした。高キャリア濃度ｎ＋層３は、シリコンを添加して電子濃度２×１０１８／ｃｍ３に形成し、低キャリア濃度ｎ層４は不純物無添加で電子濃度１×１０１６／ｃｍ３に形成した。ｉ層６はＺｎ濃度３×１０２０／ｃｍ３で厚さ４００Åに形成し、ｐ層５はマグネシウム（Ｍｇ）を添加して電子線を照射して正孔濃度２×１０１７／ｃｍ３に形成した。そして、ｐ層５と高キャリア濃度ｎ＋層３に接続するアルミニウムで形成された電極７，８とを形成した。」と記載されている。
　すなわち、上記刊行物１には、以下の事項が記載されている。
　▲１▼シリコン（Ｓｉ）の添加されたｎ型の窒素−３族元素化合物半導体（ＡｌＸＧａＹＩｎ１−Ｘ−ＹＮ；Ｘ＝０，Ｙ＝０，Ｘ＝Ｙ＝０を含む）からなる高キャリア濃度ｎ＋層と、その高キャリア濃度ｎ＋層に接合するｎ型の窒素−３族元素化合物半導体からなる低キャリア濃度ｎ層と、マグネシウム（Ｍｇ）の添加されたｐ型の窒素−３族元素化合物半導体からなるｐ層とを有する窒素−３族元素化合物半導体発光素子において、
　前記低キャリア濃度ｎ層と前記ｐ層との間にＺｎを濃度１×１０１９〜１×１０２１／ｃｍ３範囲で添加した窒素−３族元素化合物半導体からなる半絶縁性のｉ層６を設けた発光素子。
　▲２▼シリコン（Ｓｉ）の添加されたｎ型の窒素−３族元素化合物半導体からなる高キャリア濃度ｎ＋層と、その高キャリア濃度ｎ＋層に接合するｎ型の窒素−３族元素化合物半導体からなる低キャリア濃度ｎ層と、マグネシウム（Ｍｇ）の添加されたｐ型の窒素−３族元素化合物半導体からなるｐ層とを有する窒素−３族元素化合物半導体発光素子において、
　前記低キャリア濃度ｎ層と前記ｐ層との間にＺｎを添加した窒素−インジウム３族元素化合物半導体（Ａｌ０．２Ｇａ０．５Ｉｎ０．３Ｎ）からなる半絶縁性のｉ層を設けた発光素子。
　▲３▼前記ｉ層の亜鉛の濃度は１×１０１９〜１×１０２１／ｃｍ３である発光素子。
　▲４▼前記ｐ層は半絶縁性の層の一部をｐ型活性化した層である発光素子。
　▲５▼前記低キャリア濃度ｎ層のキャリア濃度は１×１０１４〜１×１０１７／ｃｍ３、前記高キャリア濃度ｎ＋層のキャリア濃度は１×１０１７〜１×１０１９／ｃｍ３である発光素子。
　▲６▼前記低キャリア濃度ｎ層は０．５〜２．０μｍ、前記高キャリア濃度ｎ＋層は２．０〜１０．０μｍの厚さを有する発光素子。
　▲７▼前記ｉ層の厚さは２０〜３０００Åである発光素子。
　（２．３．４）対比及び判断
　訂正第１発明乃至第７発明と上記刊行物１に記載された発明とを比較すると、後者における「亜鉛を添加した半絶縁性のｉ層」は、前者における「亜鉛（Ｚｎ）添加層」の一つであり、両者は、亜鉛を添加している点において重複しており、この点において同一の発明である。
　したがって、訂正第１発明乃至第７発明は、特許法第２９条第１項第３号に規定する発明に該当するので特許を受けることができないものである。
　（２．３．５）この項のむすび
　以上のとおりであるので、訂正第１発明乃至第７発明は、上記刊行物１に記載された発明と同一であるので、特許法第２９条第１項第３号の規定に該当し、特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから、本件訂正は、平成６年法律第１１６号第６条第１項において、なお従前の例によるとされる改正前の特許法第１２６条第３項の規定により、これを認めることができない。
３．本件発明
　本件発明は、以上のとおり訂正請求が認められないので、特許された明細書の特許請求の範囲請求項１乃至８に記載された事項により特定された以下のとおりのものである（以下「本件第１発明」乃至「本件第８発明」という。）。
「【請求項１】　ｎ型の窒素−３族元素化合物半導体（ＡｌＸＧａＹＩｎ１−Ｘ−ＹＮ；Ｘ＝０，Ｙ＝０，Ｘ＝Ｙ＝０を含む）からなるｎ層と、ｐ型の窒素−３族元素化合物半導体（ＡｌＸＧａＹＩｎ１−Ｘ−ＹＮ；Ｘ＝０，Ｙ＝０，Ｘ＝Ｙ＝０を含む）からなるｐ層とを有する窒素−３族元素化合物半導体発光素子において、
　前記ｎ層と前記ｐ層との間にＺｎを濃度１×１０１９〜１×１０２１／ｃｍ３範囲で添加した窒素−３族元素化合物半導体（ＡｌＸＧａＹＩｎ１−Ｘ−ＹＮ；Ｘ＝０，Ｙ＝０，Ｘ＝Ｙ＝０を含む）からなる亜鉛（Ｚｎ）添加層を設けたことを特徴とする発光素子。
　【請求項２】　ｎ型の窒素−３族元素化合物半導体（ＡｌＸＧａＹＩｎ１−Ｘ−ＹＮ；Ｘ＝０，Ｙ＝０，Ｘ＝Ｙ＝０を含む）からなるｎ層と、ｐ型の窒素−３族元素化合物半導体（ＡｌＸＧａＹＩｎ１−Ｘ−ＹＮ；Ｘ＝０，Ｙ＝０，Ｘ＝Ｙ＝０を含む）からなるｐ層とを有する窒素−３族元素化合物半導体発光素子において、
　前記ｎ層と前記ｐ層との間にＺｎを添加した窒素−インジウム３族元素化合物半導体（ＡｌＸＧａＹＩｎ１−Ｘ−ＹＮ；Ｘ＝０，Ｙ＝０，Ｘ＝Ｙ＝０を含み、Ｘ＋Ｙ＜１）からなる亜鉛（Ｚｎ）添加層を設けたことを特徴とする発光素子。
　【請求項３】　前記亜鉛（Ｚｎ）添加層の亜鉛（Ｚｎ）の濃度は１×１０１９〜１×１０２１／ｃｍ３であることを特徴とする請求項２に記載の発光素子。
　【請求項４】　前記ｐ層は半絶縁性の層の一部をｐ型活性化した層であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の発光素子。
　【請求項５】　前記ｎ層は前記亜鉛（Ｚｎ）添加層に接合する低キャリア濃度ｎ層とその低キャリア濃度ｎ層に接合する高キャリア濃度ｎ＋層の二重層であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の発光素子。
　【請求項６】　前記低キャリア濃度ｎ層のキャリア濃度は１×１０１４〜１×１０１７／ｃｍ３、前記高キャリア濃度ｎ＋層のキャリア濃度は１×１０１７〜１×１０１９／ｃｍ３であることを特徴とする請求項５に記載の発光素子。
　【請求項７】　前記低キャリア濃度ｎ層は０．５〜２．０μｍ、前記高キャリア濃度ｎ＋層は２．０〜１０．０μｍの厚さを有することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の発光素子。
　【請求項８】　前記亜鉛（Ｚｎ）添加層の厚さは２０〜３０００Åであることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の発光素子。」
４．刊行物記載の発明
　本件特許出願は、上記（２．３．１）において述べた理由により、平成８年３月２２日付け手続補正書を提出した時に出願されたものとみなされる。上記手続補正書を提出した日の前である平成６年５月３１日に公開された特開平６−１５１９６３号公報（本件特許の公開公報、以下「刊行物」という。）には、上記（２．３．３）に記載した事項が記載されている。
５．対比及び判断
　本件第１発明乃至第８発明と上記刊行物１に記載された発明とを比較すると、後者における「亜鉛を添加した半絶縁性のｉ層」は、前者における「亜鉛（Ｚｎ）添加層」の一つであり、両者は、亜鉛を添加している点において重複しており、この点において同一の発明である。
　したがって、本件第１発明乃至第８発明は、特許法第２９条第１項第３号に規定する発明に該当するので特許を受けることができないものである。
６．むすび
　以上のとおり、本件第１発明乃至第８発明に係る特許は、拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してなされたものであるので、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の一部の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第１項及び第２項の規定により取り消すべきものである。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１１年１１月８日（１９９９．１１．８）