【事件の表示】
　特許第２６２６２０９号「電界効果トランジスタの配線構造」の請求項１ないし２に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結論】
　特許第２６２６２０９号の請求項１ないし２に係る特許を取り消す。
【理由】
（１）手続の経緯
　本件特許第２６２６２０９号発明は、平成２年８月１３日に特許出願され、平成９年４月１１日にその特許の設定登録がなされ、その後村戸良至より特許異議の申立てがなされ、平成１０年６月１８日付けで取消理由通知がなされ、平成１０年９月７日付けで訂正請求がなされ、平成１１年２月１９日付けで訂正拒絶理由通知がなされ、更に平成１１年６月２８日付けで訂正拒絶理由通知がなされたものである。
（２）訂正の適否についての判断
ア．訂正請求に対する補正の適否について
　平成１０年９月７日付け訂正請求に対する平成１１年５月６日付けの補正は、訂正請求に係る特許請求の範囲の請求項１及び２において、ヘテロ接合電界効果トランジスタの構造を「前記ゲート電極全体を前記ソース電極がとり囲むように配置する」点に更に減縮するとともに、発明の詳細な説明における課題を解決するための手段の項の記載を該減縮と整合するように補正するものである。
　よって、上記補正は、訂正請求書の要旨を変更するものではなく、特許法第１２０条の４第３項で準用する特許法第１３１条第２項の規定に適合するから、以下平成１１年５月６日付けで補正された訂正請求書に基いて検討する。
イ．訂正の内容
＊訂正事項▲１▼
　特許請求の範囲の請求項１及び２における、「２本以上の独立したフィンガー部分」を「２本以上８本以下の独立したフィンガー部分」と、特許請求の範囲の請求項１における「電界効果トランジスタ」及び特許請求の範囲の請求項２における「効果トランジスタ」を「ヘテロ接合電界効果トランジスタ」とそれぞれ訂正する。
＊訂正事項▲２▼
　特許請求の範囲の請求項１及び２において、「電界効果トランジスタに於いて、」と「前記各ゲートフィンガーに挟まれた」の間に「前記ゲート電極全体を前記ソース電極がとり囲むように配置し、」を挿入する。
＊訂正事項▲３▼
　特許請求の範囲の請求項２における、「準一素子」を「単一素子」と訂正する。
＊訂正事項▲４▼
　明細書第５頁第１７〜１９行及び第６頁第８〜１０行の「２本以上の独立したフィンガー部分に分割されて配置されている電界効果トランジスタ」を「２本以上８本以下の独立したフィンガー部分に分割されて配置されているヘテロ接合電界効果トランジスタ」と訂正する。
＊訂正事項▲５▼
　明細書第５頁第１９行及び第６頁第１０〜１１行の「に於いて、」と「前記各ゲートフィンガー」の間に「前記ゲート電極全体を前記ソース電極がとり囲むように配置し、」を挿入する。
ウ．訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　上記訂正事項▲１▼は、請求項１及び２における、「２本以上の独立したフィンガー部分」を「２本以上８本以下の独立したフィンガー部分」と、「電界効果トランジスタ」を「ヘテロ接合電界効果トランジスタ」と限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮に該当し、願書に添付した明細書に記載した事項の範囲内のものであり（明細書第５頁第１７行、第６頁第８〜９行、第６頁第１７行、第８頁第８〜１５行及び第３図参照）、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
　上記訂正事項▲２▼は、請求項１及び２におけるヘテロ接合電界効果トランジスタのゲート電極とソース電極の配置を第１図（ａ）及び（ｂ）の記載に基いて、「ゲート電極全体をソース電極がとり囲むように配置」することに限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮に該当し、願書に添付した明細書に記載した事項の範囲内のものであり、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
　上記訂正事項▲３▼は、誤記の訂正を目的としたものである。
　上記訂正事項▲４▼及び▲５▼は、請求項１及び２が訂正されたことに伴い特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載との整合を図るためのための訂正であり、願書に添付した明細書に記載した事項の範囲内のものであり、明りょうでない記載の釈明を目的としたものである。
エ．独立特許要件の判断
（本件発明）
　訂正明細書の本件発明は、その特許請求の範囲の請求項１及び２に記載された次のとおりのものである。
「ドレイン電極、ゲート電極、ソース電極の３端子を有し、単一素子中で該ゲート電極が２本以上８本以下の独立したフィンガー部分に分割されて配置されているヘテロ接合電界効果トランジスタに於いて、前記ゲート電極全体を前記ソース電極がとり囲むように配置し、前記各ゲートフィンガーに挟まれた前記ソース電極及び前記ドレイン電極をそれぞれ電気的導通をとるために前記各ゲートフィンガー電極上以外でかつ前記各ゲートフィンガーからの引出し電極上以外の部分で前記ドレイン電極の配線金属が少なくとも前記ソース電極の一部を跨ぎ、前記ソース電極に接触することなくエアブリッヂ配線にてドレイン電極の電気的導通をとることを特徴とするヘテロ接合電界効果トランジスタの配線構造。」（以下訂正本件第１発明という。）
「ドレイン電極、ゲート電極、ソース電極の３端子を有し、単一素子中で該ゲート電極が２本以上８本以下の独立したフィンガー部分に分割されて配置されているヘテロ接合電界効果トランジスタに於いて、前記ゲート電極全体を前記ソース電極がとり囲むように配置し、前記各ゲートフィンガーに挟まれた前記ソース電極及び前記ドレイン電極をそれぞれ電気的導通をとるために前記各ゲートフィンガー電極上以外でかつ前記各ゲートフィンガーからの引出し電極上以外の部分で前記ソース電極の配線金属が少なくとも前記ドレイン電極の一部を跨ぎ、前記ドレイン電極に接触することなくエアブリッヂ配線にてソース電極の電気的導通をとることを特徴とするヘテロ接合電界効果トランジスタの配線構造。」（以下訂正本件第２発明という。）
（引用例）
　訂正明細書の本件第１及び第２発明に対して、当審が平成１１年６月２８日付けの訂正拒絶理由で引用したＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｄｅｖｉｃｅｓ　Ｍｅｅｔｉｎｇ　１９７８　第１３３頁〜第１３５頁（以下、「引用例１」という。）には、ＧａＡｓ　ＭＥＳＦＥＴに関する技術が図１、２と共に開示されている。そして同引用例１の第１３３頁左欄「要約」の第８行〜第１４行には「この論文では、各々のゲートが２７ミクロンのゲート幅とサブミクロンのゲート長を持つ平行に配置された２８のゲートからなり、４つのゲートパッドと２つのドレインパッドを有する２セルの７５０ミクロンデバイスについて述べる。このデバイスは過剰なゲートソース容量を避けるために、ソース上ドレイン交差構造のエアブリッジを用いて作られている。」と記載されている。また同引用例１の第１３３頁右欄「デバイスの詳細」の第１行〜第１５行には「図１はトランジスタのＳＥＭ写真を示す。・・・。デバイスのボンディングには、２本のゲート及び２本のドレインワイアーと４本のソースワイアー及び発振防止のためのセル間のジャンパーワイアーが必要である。・・・。図２は、ソース上ドレイン交差構造のエアブリッジについての拡大ＳＥＭ写真を示す。」と記載されている。
　次に引用した、特開昭５３−７７１８３号公報（以下、「引用例２」という。）には、ＧａＡｓＦＥＴのゲート電極について開示されており、同公報第２頁左上欄第１８行〜右上欄第３行には、「しかしながらこのＦＥＴを大電力用にするにはゲート幅１を大にしなければならず、第６図の形状で単に幅１を大にすると非常に細長いものになり、しかもゲ一ト電極の抵抗が増大してしまう。これを避けるには第７図に示すように並列構造にすることが考えられる。」と記載されている。更に第７図から単一素子中でゲート電極が６本の独立したフィンガー部分に分割されて配置された構成が認められる。
　次に引用した、ＩＥＥＥ　ＴＲＡＮＳＡＣＴＩＯＮＳ　ＯＮ　ＥＬＥＣＴＲＯＮ　ＤＥＶＩＣＥＳ，ＶＯＬ．３６　ＮＯ．３　ＭＡＲＣＨ　１９８９　第４６１頁〜第４７３頁（以下、「引用例３」という。）には、ＨＥＭＴ’ｓ（ヘテロ接合電界効果トランジスタ）の特性について記載されており、その第４６８頁第３４行〜第４２行には、「エアブリッヂ−ソース（Ｆｉｇ．１６（ａ））とエアブリッヂ−ドレイン（Ｆｉｇ．１６（ｂ））構造は表面側のプロセスで完成するように形成される。エアブリッヂ構造が同じ長さと幅を有する従来の中央給電ゲートデバイスにおけるもの［１０］に比較して、４倍のファクターで実効的にゲート抵抗を減少できるように適用された。２つの異なるブリッヂ構造が、ショートチャネルデバイスの動作上でのゲート電極と寄生容量の効果を調査するために作成された。」と記載されている。更にＦｉｇ．１６（ａ）、（ｂ）から、単一素子中でゲート電極が４本の独立したフィンガー部分に分割されて配置された構成が認められる。
　次に引用した、「ガリウムヒ素」生駒俊昭他２名著　丸善株式会社昭和６３年１月３０日発行第１３９頁及び第１４６頁（以下、「引用例４」という。）の図４・１１及び図４・２１には、低雑音ＦＥＴの代表的デバイスパターン及び高出力ＧａＡｓＦＥＴのパターンの一例が示されている。更に図４・１１及び図４・２１からゲート電極全体をソース電極がとり囲むように配置された構成が認められる。
　次に引用した、「超格子ヘテロ構造デバイス」榊裕之編著　株式会社工業調査会１９８８年９月１０日発行第３４４頁及び第３４７頁（以下、「引用例５」という。）の写真９．２及び写真９．３には、Ｔ型ゲート構造ＨＥＭＴの平面パターン及びマルチ・チャネル構造高出力ＨＥＭＴの平面パターンが示されている。
（対比・判断）
［訂正本件第１発明について］
　訂正本件第１発明と引用例１の発明とを対比すると、両者は「ドレイン電極、ゲート電極、ソース電極の３端子を有し、単一素子中で該ゲート電極が２本以上の独立したフィンガー部分に分割されて配置されている電界効果トランジスタに於いて、前記各ゲートフィンガーに挟まれた前記ソース電極及び前記ドレイン電極をそれぞれ電気的導通をとるために前記各ゲートフィンガー電極上以外でかつ前記各ゲートフィンガーからの引出し電極上以外の部分で前記ドレイン電極の配線金属が少なくとも前記ソース電極の一部を跨ぎ、前記ソース電極に接触することなくエアブリッヂ配線にてドレイン電極の電気的導通をとる電界効果トランジスタの配線構造」の点で一致し、次の点で相違している。
（ａ）訂正本件第１発明ではゲート電極が２本以上８本以下の独立したフィンガー部分に分割されているのに対し、引用例１の発明ではゲート電極が８本を越える２８本の独立したフィンガー部分に分割されている点。
（ｂ）訂正本件第１発明では電界効果トランジスタがヘテロ接合電界効果トランジスタであるのに対し、引用例１の発明ではＭＥＳＦＥＴである点。
（ｃ）訂正本件第１発明ではトランジスタのゲート電極とソース電極の配置を「ゲート電極全体をソース電極がとり囲むように配置」しているのに対し、引用例１の発明では図１から明らかなようにＭＥＳＦＥＴのドレイン電極とソース電極の配置を「ドレイン電極全体をソース電極がとり囲むように配置」している点。
＜相違点（ａ）について＞
　引用例２、３にゲート電極が６本或いは４本の独立したフィンガー部分に分割された構造が開示されておりまた８本以下とした点に臨界的意義が認められない。しかも引用例２における「しかしながらこのＦＥＴを大電力用にするにはゲート幅ｌを大にしなければならず、第６図の形状で単に幅ｌを大にすると非常に細長いものになり、しかもゲ一ト電極の抵抗が増大してしまう。これを避けるには第７図に示すように並列構造にすることが考えられる。」との記載に照らせば、ゲート電極を２本以上８本以下の独立したフィンガー部分に分割する点は当業者が適宜なし得たものと認められる。
＜相違点（ｂ）について＞
　引用例４、５に見るように電極レイアウトのような基板内部の構造と直接関係しない技術であるＭＥＳＦＥＴで用いられるπ形や櫛形のゲート構造がそのままヘテロ接合電界効果トランジスタに用いられることは周知の技術であるから、ＭＥＳＦＥＴのゲート構造をヘテロ接合電界効果トランジスタのゲート構造に適用することは当業者が格別の創意工夫をすることなくなし得たものと認められる。
＜相違点（ｃ）について＞
　引用例４の図４・１１及び図４・２１には、ゲート電極全体をソース電極がとり囲むように配置された構成が認められしかもドレイン電極とゲート電極が対向して配置される場合にソース電極の引出方向は、ゲート電極側とドレイン電極側のいづれか一方に配置されることになるから、引用例１の発明におけるドレイン電極全体をソース電極がとり囲むように配置してソース電極をドレイン電極側に引出すのに代えて、ゲート電極全体をソース電極がとり囲むように配置してソース電極をゲート電極側に引出すことは当業者が格別の創意工夫をすることなくなし得たものと認められる。
［訂正本件第２発明について］
　次に訂正本件第２発明と引用例１の発明とを対比すると、両者は「ドレイン電極、ゲート電極、ソース電極の３端子を有し、単一素子中で該ゲート電極が２本以上の独立したフィンガー部分に分割されて配置されている電界効果トランジスタに於いて、前記各ゲートフィンガーに挟まれた前記ソース電極及び前記ドレイン電極をそれぞれ電気的導通をとるために前記各ゲートフィンガー電極上以外でかつ前記各ゲートフィンガーからの引出し電極上以外の部分で一方の電極の配線金属が少なくとも他方の電極の一部を跨ぎ、他方の電極に接触することなくエアブリッヂ配線にて一方の電極の電気的導通をとる電界効果トランジスタの配線構造」の点で一致し、次の点で相違している。
（ｄ）訂正本件第２発明ではゲート電極が２本以上８本以下の独立したフィンガー部分に分割されているのに対し、引用例１の発明ではゲート電極が８本を越える２８本の独立したフィンガー部分に分割されている点。
（ｅ）訂正本件第２発明では電界効果トランジスタがヘテロ接合電界効果トランジスタであるのに対し引用例１の発明ではＭＥＳＦＥＴである点。
（ｆ）訂正本件第２発明ではヘテロ接合電界効果トランジスタのゲート電極とソース電極の配置を「ゲート電極全体をソース電極がとり囲むように配置」しているのに対し、引用例１の発明では図１から明らかなようにＭＥＳＦＥＴのドレイン電極とソース電極の配置を「ドレイン電極全体をソース電極がとり囲むように配置」している点。
（ｇ）訂正本件第２発明では一方の電極がソース電極、他方の電極がドレイン電極であり、即ちソース電極の配線金属が少なくともドレイン電極の一部を跨ぎ、ドレイン電極に接触することなくエアブリッヂ配線にてソース電極の電気的導通をとるのに対し、引用例１の発明では図１から明らかなように一方の電極がドレイン電極、他方の電極がソース電極であり、即ちＭＥＳＦＥＴのドレイン電極の配線金属が少なくともソース電極の一部を跨ぎ、ソース電極に接触することなくエアブリッヂ配線にてドレイン電極の電気的導通をとる点。
＜相違点（ｄ）〜（ｆ）について＞
　相違点（ｄ）〜（ｆ）は、前記相違点（ａ）〜（ｃ）と同様のものであるから、上記相違点（ａ）〜（ｃ）について検討したと同様の理由により当業者が適宜なし得たものと認められる。
＜相違点（ｇ）について＞
　引用例３には、ソース・ドレイン電極の配線金属が交差するに当たり、ソース電極の配線金属がドレイン電極の一部を跨ぎ、ドレイン電極に接触することなくエアブリッヂ配線にてソース電極の電気的導通をとるようにするエアブリッヂ−ソース（Ｆｉｇ．１６（ａ））とソース電極の配線金属がドレイン電極の一部を跨ぎ、ドレイン電極に接触することなくエアブリッヂ配線にてソース電極の電気的導通をとるエアブリッヂ−ドレイン（Ｆｉｇ．１６（ｂ））の両方の例が開示されている。
　そして引用例１にあるようにドレイン電極の配線金属が少なくともソース電極の一部を跨ぎ、ソース電極に接触することなくエアブリッヂ配線にてドレイン電極の電気的導通をとるエアブリッヂ−ドレインに代えて、エアブリッヂ−ソースを採用してソース電極の配線金属が少なくともドレイン電極の一部を跨ぎ、ドレイン電極に接触することなくエアブリッヂ配線にてソース電極の電気的導通をとるようにすることは当業者が格別の創意工夫をすることなくなし得たものと認められる。
　したがって、訂正後の本件請求項１及び２に係る発明は、特許出願の際独立して特許を受けることができない発明である
　よって、上記訂正の請求は、特許法第１２０条の４第３項で準用する特許法第１２６条第４項の規定に適合しないので、当該訂正は認められない。
　なお平成１１年６月２８日付けで上記と同趣旨の訂正拒絶理由を通知し、期間を指定して意見書を提出する機会を与えたが、請求人からは何らの応答もないものである。
（３）特許異議の申立てについての判断
ア．申立ての理由の概要
　申立人は、甲第１号証としてＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｄｅｖｉｃｅｓ　Ｍｅｅｔｉｎｇ　１９７８　第１３３頁〜第１３５頁（「引用例１」に相当）を提示して請求項１に係る発明（本件第１発明という）は、甲第１号証に記載された発明であって本件第１発明に係る特許は、特許法第２９条第１項第３号の規定に違反してなされたものであり、また請求項２に係る発明（本件第２発明という）は、甲第１号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであって本件第２発明に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであるから、特許を取り消すべきものと主張している。
イ．特許明細書の本件発明
特許明細書の本件発明は、その特許請求の範囲の請求項１及び２に記載された次のとおりのものである。
「ドレイン電極、ゲート電極、ソース電極の３端子を有し、単一素子中で該ゲート電極が２本以上の独立したフィンガー部分に分割されて配置されている電界効果トランジスタに於いて、前記各ゲートフィンガーに挟まれた前記ソース電極及び前記ドレイン電極をそれぞれ電気的導通をとるために前記各ゲートフィンガー電極上以外でかつ前記各ゲートフィンガーからの引出し電極上以外の部分で前記ドレイン電極の配線金属が少なくとも前記ソース電極の一部を跨ぎ、前記ソース電極に接触することなくエアブリッヂ配線にてドレイン電極の電気的導通をとることを特徴とする電界効果トランジスタの配線構造。」（以下本件第１発明という。）
「ドレイン電極、ゲート電極、ソース電極の３端子を有し、単一素子（「準一素子」とあるは「単一素子」の誤記と認定した）中で該ゲート電極が２本以上の独立したフィンガー部分に分割されて配置されている電界効果トランジスタに於いて、前記各ゲートフィンガーに挟まれた前記ソース電極及び前記ドレイン電極をそれぞれ電気的導通をとるために前記各ゲートフィンガー電極上以外でかつ前記ゲートフィンガーからの引出し電極上以外の部分で前記ソース電極の配線金属が少なくとも前記ドレイン電極の一部を跨ぎ、前記ドレイン電極に接触することなくエアブリッヂ配線にてソース電極の電気的導通をとることを特徴とする電界効果（「効果」とあるは「電界効果」の誤記と認定した。）トランジスタの配線構造。」（以下本件第２発明という。）
ウ．甲第１号証記載の発明
　甲第１号証は、引用例１と同一のものであり、（２）エ．独立特許要件の判断（引用例）の項に記載の発明が記載されている。
エ．対比・判断
　特許明細書の本件第１発明と甲第１号証記載の発明とを対比すると甲第１号証には、本件第１発明の構成が全て記載されている。
　また特許明細書の本件第２発明と甲第１号証記載の発明とを対比すると、本件第２発明と甲第１号証記載の発明とは（２）エ．独立特許要件の判断（対比・判断）の項で指摘した相違点（ｇ）の点で相違しているが、ソース・ドレイン電極の配線金属が交差するに当たり、ソース電極の配線金属がドレイン電極の一部を跨ぎ、ドレイン電極に接触することなくエアブリッヂ配線にてソース電極の電気的導通をとるようにするエアブリッヂ−ソース構造及びソース電極の配線金属がドレイン電極の一部を跨ぎ、ドレイン電極に接触することなくエアブリッヂ配線にてソース電極の電気的導通をとるエアブリッヂ−ドレイン構造はいづれも当業者にとって周知なものであるから（例えばＩＥＥＥ　ＴＲＡＮＳＡＣＴＩＯＮＳ　ＯＮ　ＥＬＥＣＴＲＯＮ　ＤＥＶＩＣＥＳ，ＶＯＬ．３６　ＮＯ．３　ＭＡＲＣＨ　１９８９　第４６１頁〜第４７３頁におけるＦｉｇ．１６（ａ）（ｂ）参照）、引用例１にあるようにドレイン電極の配線金属が少なくともソース電極の一部を跨ぎ、ソース電極に接触することなくエアブリッヂ配線にてドレイン電極の電気的導通をとるエアブリッヂ−ドレインに代えて、エアブリッヂ−ソースを採用してソース電極の配線金属が少なくともドレイン電極の一部を跨ぎ、ドレイン電極に接触することなくエアブリッヂ配線にてソース電極の電気的導通をとるようにすることは当業者が格別の創意工夫をすることなくなし得たものと認められる。
オ．結び
　以上のとおりであるから、本件第１発明に係る特許は、特許法第２９条第１項第３号の規定に違反してされたものであり、また本件第２発明に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであるから、本件発明についての特許は特許法第１１３条第２号に該当し、取り消されるべきものである。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１１年１２月１０日（１９９９．１２．１０）