【事件の表示】
　特許第２８５７０１５号「高純度アルミニウムまたはその合金からなるスパッタリングターゲット」の請求項１ないし３に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第２８５７０１５号の請求項１ないし３に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　特許第２８５７０１５号は、平成５年４月８日に出願され、平成１０年１１月２７日に設定登録、平成１１年２月１０日に特許公報が発行されたものであり、その後、特許異議の申立てが、錦織　彰よりされたものである。
　そして、当審において、平成１１年１０月２２日付けで取消理由を通知したところ、平成１２年１月６日付けで特許異議意見書が提出されている。
２．本件特許発明
　本件特許請求の範囲の請求項１〜３に係る発明は、特許明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜３に記載されたとおりのものである。
３．取消理由について
（取消理由の概要）
　平成１１年１０月２２日付けで当審で通知した取消理由の概要は、刊行物１（軽金属学会第３３回シンポジウム「エレクトロニクス分野におけるアルミニウムの活用と問題点」昭和６３年９月１日発行、２０〜２８頁）、刊行物２（社団法人軽金属学会編「アルミニウムハンドブック」株式会社朝倉書店、昭和４３年３月３０日４版発行、４８２〜４８５頁）および刊行物３（特公平３−１０７０９号公報）を提示して、本件請求項１〜３に係る発明（以下「本件発明１〜３」という）は、刊行物１〜３に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件発明１〜３の特許は特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである、というものである。
（刊行物１〜３の記載）
　刊行物１〜３には、次の発明が記載されている。
　刊行物１；
　「半導体薄膜用アルミニウムターゲットの特性」に関する論文であって、
（１）２２頁の「４．２ターゲットの製造方法」の項には、「Ａｌ、Ａｌ−Ｓｉ、Ａｌ−Ｓｉ−ＣｕなどのＡｌターゲットの製造方法は図５に示すように高純度のＡｌ、Ｓｉ、Ｃｕなどを配合、溶解し、塑性加工、熱処理の後に、所定のターゲット形状に切削加工する。・・・・」と記載される。
（２）２５頁７行目〜９行目には、「４．５ターゲットの内部品質」に関して、「均一な膜厚分布を得るためにはターゲットの結晶粒径が均一微細であることが必要である。」と記載される。
　刊行物２；
　アルミニウムの熱処理の解説があり、４８４頁〜４８５頁には、再結晶について解説され、図５．１３２には純アルミニウムの再結晶図型が記載されている。そして、温度の高いほど再結晶粒が大きくなり、加工度が小さいほど再結晶粒は大きくなり、ことに高温では著しく粗大となること、また、アルミニウムの再結晶図形は、加熱速度によっても図形の形状は左右される、ことが記載される。
　刊行物３；
　アルミニウム又はアルミニウム合金から成るスパッタリングターゲットに関するもので、
　３頁５欄３７行目〜６欄２８行目の実施例１には、
「アルミニウム・・・及びシリコン・・・を溶解し、組成をＳｉ１％、残部Ａｌ及び不純物、となるように調整し、・・・・円筒状ブロックに鋳造した。このブロックを圧延率８０％で圧延し、直径４００ｍｍ、厚さ４０ｍｍの円板を得た。該円板を２５０℃で３０分焼鈍処理することにより、表−２に示す結晶方位分布を有する試料Ａを得た。また、焼鈍処理条件を４５０℃で３０分とした以外は同様の方法で、表−２に示す結晶方位分布を有する試料Ｂを得た。・・・・」と記載され、表−２には、試料Ａは「結晶方位面（２００）の結晶方位分布（％）」が２５％、「（２２０／２００）比」が１．９６であること、試料Ｂは「結晶方位面（２００）の結晶方位分布（％）」が５５％、「（２２０／２００）比」が０．４であること、が示されている。そして、６欄２６〜２８行には、「第３図によれば膜厚の変化量は試料Ａで約５００Å試料Ｂで約１０００Åであり、試料Ａの方がより均一な膜厚が得られた。」と記載される。
（対比・判断）
[本件発明１について]
　本件発明１と上記刊行物１〜３に記載の各発明とを比較検討する。
　本件発明１の「ターゲットの各部位での平均結晶粒径が５００μｍ以下であり、各部位の平均結晶粒径を平均化したターゲット全体の平均結晶粒径に対する各部位の平均粒径のバラツキが±１５％以内である」条件を達成するためには、特許明細書の段落[００１５]の記載によれば、例えば、「アルミニウム（合金）インゴットを素材の再結晶温度以上で熱間加工し、鋳造組織を破壊して結晶粒度を均一化すると共に、最終的な均一微細な再結晶組織を付与するため再結晶温度未満で所定の最終形状に均一に温間もしくは冷間加工を行った後、素材の再結晶温度域でターゲット全体に均一な熱処理を施し、再結晶化を完了させる。ここで、素材の再結晶温度は素材の純度、組成、並びに添加成分またはその化合物の析出状熊に主に依存する。」としている。
　そして、[発明の効果]の欄には、異なったターゲット間及び同一ターゲット使用時においても膜厚分布のバラツキ及びその変動が少なく、安定して優れた膜厚分布均一性を示す、と記載される。
　刊行物１には、２２頁の「４．２ターゲットの製造方法」の項に、「Ａｌ、Ａｌ−Ｓｉ、Ａｌ−Ｓｉ−ＣｕなどのＡｌターゲットの製造方法は図５に示すように高純度のＡｌ、Ｓｉ、Ｃｕなどを配合、溶解し、塑性加工、熱処理の後に、所定のターゲット形状に切削加工する。・・・・」と記載されるが、上記熱処理が再結晶組織化のための熱処理であるのか否か明確でなく、まして、本件発明１の上記の製造工程を示唆するものでもない。また、刊行物１の２５頁７行目〜９行目には、「４．５ターゲットの内部品質」に関して、「均一な膜厚分布を得るためにはターゲットの結晶粒径が均一微細であることが必要である。」と記載されるが、「結晶粒径が均一微細であることが必要である。」と一般的な必要条件を述べているだけであって、本件発明１の「ターゲットの各部位での平均結晶粒径が５００μｍ以下であり、各部位の平均結晶粒径を平均化したターゲット全体の平均結晶粒径に対する各部位の平均粒径のバラツキが±１５％以内である」構成要件を具体的に開示するものではない。
　また、刊行物３はアルミニウム又はアルミニウム合金から成るスパッタリングターゲットに関するもので、実施例１には試料Ａ、Ｂについて記載されるが、試料Ａが、本件発明１の「各部位の平均結晶粒径を平均化したターゲット全体の平均結晶粒径に対する各部位の平均粒径のバラツキが±１５％以内である」構成要件を示唆する記載は、何等ない。また、試料Ｂは「膜厚の変化量は約１０００Åであり」、本件発明１の「異なったターゲット間及び同一ターゲット使用時においても膜厚分布のバラツキ及びその変動が少なく、安定して優れた膜厚分布均一性を示す」効果を奏するものとは発明の効果が相違するものであることからして、本件発明１の上記構成要件を満たすものとは到底認めがたい。
　刊行物２にはアルミニウムの再結晶熱処理について解説されているだけであって、本件発明１の上記構成要件を示唆する記載は、何等ない。
　したがって、本件発明１は、刊行物１〜３に記載の各発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。
[本件発明２について]
　本件発明２と上記刊行物１〜３に記載の各発明とを比較検討する。
　本件発明２の「｛２００｝結晶方位含有比がターゲットの各部位で０．３５以上であり、そして各部位の｛２００｝結晶方位含有比を平均化したターゲット全体の｛２００｝結晶方位含有比に対する各部位の｛２００｝結晶方位含有比のバラツキが±１５％以内である」条件を実現するためには、特許明細書の段落[００１６]の記載によれば、例えば、「上記特許明細書の段落[００１５]記載の加工工程の内、加工比を１．５以上として均一に温間もしくは冷間加工を行い、その後、素材の再結晶温度域でターゲット全体に均一な熱処理を施し、再結晶を完了させることが必要である。ここで、加工比が１．５未満では、熱処理後の再結晶組織に対応する均一な｛２００｝結晶方位含有比を実現することができない。」としている。
　そして、前記したように[発明の効果]の欄には、異なったターゲット間及び同一ターゲット使用時においても膜厚分布のバラツキ及びその変動が少なく、安定して優れた膜厚分布均一性を示す、と記載される。
　刊行物１には、２２頁の「４．２ターゲットの製造方法」の項に、「Ａｌ、Ａｌ−Ｓｉ、Ａｌ−Ｓｉ−ＣｕなどのＡｌターゲットの製造方法は図５に示すように高純度のＡｌ、Ｓｉ、Ｃｕなどを配合、溶解し、塑性加工、熱処理の後に、所定のターゲット形状に切削加工する。・・・・」と記載されるが、上記熱処理が再結晶組織化のための熱処理であるのか否か明確でなく、まして、本件発明２の上記の製造工程を示唆するものでもないから、刊行物１の記載に基づいて、本件発明２の「｛２００｝結晶方位含有比がターゲットの各部位で０．３５以上であり、そして各部位の｛２００｝結晶方位含有比を平均化したターゲット全体の｛２００｝結晶方位含有比に対する各部位の｛２００｝結晶方位含有比のバラツキが±１５％以内である」構成を容易に想起し得るものではない。
　また、刊行物３はアルミニウム又はアルミニウム合金から成るスパッタリングターゲットに関するもので、実施例１には試料Ａ、Ｂについて記載されるが、試料Ａは「結晶方位面（２００）の結晶方位分布（％）」が２５％であり、本件発明２の「｛２００｝結晶方位含有比がターゲットの各部位で０．３５以上のもの」ではない。また、試料Ｂは「結晶方位面（２００）の結晶方位分布（％）」が５５％ではあるが、「膜厚の変化量は約１０００Åであり」、本件発明２の「異なったターゲット間及び同一ターゲット使用時においても膜厚分布のバラツキ及びその変動が少なく、安定して優れた膜厚分布均一性を示す」効果を奏するものとは発明の効果が相違するものであることからして、本件発明２の上記構成要件を満たすものとは到底認めがたい。
　刊行物２にはアルミニウムの再結晶熱処理について解説されているだけであって、本件発明２の上記構成要件を示唆する記載は、何等ない。
　したがって、本件発明２は、刊行物１〜３に記載の各発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。
[本件発明３について]
　本件発明３は、本件発明１の構成と本件発明２の構成を兼ね備えるものであるから、[本件発明１についての判断]及び[本件発明２についての判断]の項に記載の理由によって、刊行物１〜３に記載の各発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。
４．異議の申立てについて
（申立て理由の概要）
  申立人は、（１）本件特許明細書特許請求の範囲の請求項１，２には必須の構成要件が記載されていないので、本件特許は特許法第３６条の規定に違反してなされたものであり、また（２）証拠として甲第１号証（上記刊行物１）、甲第２号証（上記刊行物２）及び甲第３号証（上記刊行物３）を提出して、本件発明１〜３の特許は特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであるから、本件発明１〜３の特許を取り消すべきと主張する。
（特許法第３６条違反について）
　本件特許明細書特許請求の範囲の請求項１，２には必須の構成要件が記載されていない理由として、申立人は次のことを主張している。即ち、本件特許明細書の段落[０００７]記載の課題、段落[００１０]〜[００１９]記載の作用および段落[００２６]記載の効果を実現するためには、請求項１と２との構成をいずれも含んだ構成（即ち請求項３の構成）でなければならない。
　申立人の上記主張について検討する。
　本件特許明細書の段落[００１０]には、請求項１の構成に関して、「ターゲット結晶組織を再結晶組織と規定したのは、結晶組織の熱的な安定性を狙ったもので、スパッタリング時のターゲットの温度上昇のため、加工組織ではターゲット結晶組織の回復または部分再結晶化等が起こり、ターゲット結晶組織の変質に伴う経時的な膜厚分布の変動が起こるためである。また、ターゲットの各部位での平均結晶粒径を５００μｍ以下とするのは、平均結晶粒径が５００μｍを超えるような粗大結晶粒では各結晶粒からの原子の放出特性の違いが顕著化するためであり、ターゲット全体の平均結晶粒径に対する各部位の平均粒径のバラツキを±１５％以下とするのは、バラツキが±１５％を超えると、同様にターゲット各部位のスパッタ速度の違いが顕著化し膜厚分布の不均一性が生じるためである。・・・」と記載されることから判断して、請求項１記載の構成の発明が成立し得るものと認められる。
　同様に、本件特許明細書の段落[００１２]には、請求項２の構成に関して、「ターゲットの各部位での結晶方位含有比が０．３５未満では、図１に結晶組織と結晶方位含有比の関係を示すように、ターゲットの結晶組織は熱的に不安定な加工組織または不安定な部分再結晶組織であり、結晶方位含有比が０．３５以上となると安定した部分再結晶組織及び再結晶組織となる。また、ターゲット全体の平均結晶方位含有比に対する各部位の結晶方位含有比のバラツキが±１５％以上では各部位のスパッタ速度の違いが顕著化し、膜厚分布の不均一性が生じる。」と記載されることから判断して、請求項２記載の構成の発明が成立し得るものと認められる。
　したがって、申立人の上記主張は妥当なものではない。
（特許法第２９条第２項違反について）
　「取消理由についての判断」の項で記載した理由により、本件発明１〜３は、甲第１〜甲第３号証に記載の各発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。
５．むすび
　以上のとおり、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件発明１〜３の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明１〜３の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　したがって、本件発明１〜３についての特許は拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものと認められない。
　よって、平成６年改正法附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第２項の規定により、上記のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年４月１８日（２０００．４．１８）