【事件の表示】
　特許第２６４５７１２号「ダイヤモンド膜のパターニング法」の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第２６４５７１２号の特許請求の範囲第１項に係る発明についての特許を維持する。
【理　由】
I．　手続の経緯　
　
　本件特許第２６４５７１２号に係る主な手続の経緯は、以下のとおりである。　
　特許出願　　　　　　　　　昭和６２年１１月　７日　
　特許権設定登録　　　　　　平成　９年　５月　９日　
　特許公報発行　　　　　　　平成　９年　８月２５日　
　特許異議の申立て　　　　　平成１０年　２月２５日　
　取消理由通知　　　　　　　平成１０年１０月２８日　
　特許異議意見書　　　　　　平成１０年１２月２８日　
　訂正請求書　　　　　　　　平成１０年１２月２８日　
　手続補正指令書　　　　　　平成１１年　９月　９日　
　手続補正書（方式）　　　　平成１１年１０月　４日　
　訂正拒絶理由通知　　　　　平成１１年１１月　１日　
　意見書　　　　　　　　　　平成１２年　１月１８日　
　手続補正書（訂正請求書）　平成１２年　１月１８日　
　
II．　特許異議申立ての理由の概要　
　
　特許異議申立人神戸製鋼株式会社は、以下のように主張する。　
　
（１）本件特許の特許請求の範囲の第１項ないし第３項及び第６項に係る特許発明は、本件特許の出願の日前の他の特許出願であって当該特許出願後に出願公開された特願昭６１−１３９６９３号に最初に添附した明細書・図面（異議申立人が提出した甲第１号証である特開昭６２−２９７２９８号公報所載）に記載された発明と同一であって、しかも、上記本件特許の出願の日前の他の特許出願の発明者が本件特許の発明者と同一でなく、また、本件特許の出願の時に本件特許の出願人が上記本件特許の出願の日前の他の特許出願の出願人と同一でないから、本件特許の特許請求の範囲の第１項ないし第３項及び第６項に係る特許発明については、特許法第２９条の２第１項の規定により、特許を受けることができなかったものである。　
　
（２）(a)本件特許明細書の「実施例」の項には、ネガパターン膜がＮｉの場合のもの（実施例２）が記載されているが、Ｎｉは特許請求の範囲第７項に該当しないことは勿論のこと、Ｎｉは周期律表のVIII族に属する元素であるので、特許請求の範囲の第１項にも該当しないから、同明細書には特許請求の範囲に入らないものが実施例として記載されている点で同明細書の記載は矛盾し、また、(b)上記事情であるから、本件特許の特許請求の範囲第１項に係る特許発明の実施例が同明細書には存在せず、よって同明細書の記載からは、同発明の効果を把握できない、(c)以上のように、同明細書の記載には矛盾があり、同明細書には、当業者が本件発明を容易に実施できる程度に記載されているとはいえない、(d)したがって、本件特許は、特許法第３６条第３項又は第４号に規定する要件を満たしていないから、特許を受けることができなかったものである。　
　
III．　取消理由の概略　
　
１．「理由１」（特許法第３６条第３項及び第４項に規定する要件の欠如）　　
（１）本件特許明細書の記載では、マスク材料として多数の物質名ないし物質群を列挙しており、そして特許請求の範囲第１項の記載によれば、これらの物質「から成る群から選択された
少なくとも１種の
　
（２）本件特許明細書の特許請求の範囲第７項の記載によれば、「Ｃｒ、Ｍｎ、Ｃｕ及びＡｇから成る群から選択された
少なくとも１種の
主成分とする
　
（３）本件特許明細書の発明の詳細な説明及び図面の簡単な説明並びに本件特許図面には、本件特許の特許請求の範囲第１項に係る特許発明及び特許請求の範囲第７項に係る特許発明を、これらの発明が属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易にその実施をすることができる程度に記載されているものとは認められない。　
　
２．「理由２」（特許法第２９条の２第１項について）　
　
　略（上記「II．（１）」と同旨）　
　
IV．　訂正請求の適否についての判断　
　
１．訂正請求書（平成１１年１０月４日付け手続補正書（方式）により補正された訂正請求書）に対する補正の内容及び補正の適否　
　
（１）補正の内容　
　
　１）全文訂正明細書の特許請求の範囲第１項の「Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｎ、ＣｕまたはＡｇのいずれかから成る」を、「Ｃｒ、Ｍｎ、ＣｕまたはＡｇのいずれかから成る」と補正する。
　２）全文訂正明細書第２頁第７行の「Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｎ、ＣｕまたはＡｇなどの」を、「Ｃｒ、Ｍｎ、ＣｕまたはＡｇの」と補正する。
　３）全文訂正明細書第３頁第１０〜１４行の「一般に、ダイヤモンド膜の成長し易い材料は、…ＶＩａ族の金属……などの表面に研磨処理を施したものである。」を削除する。
　４）全文訂正明細書第４頁第２１〜２２行の「およびＮｉ」を削除する。
　５）全文訂正明細書第３頁第２９行の「実施例２」を、「参考例」と補正する。　
　
（２）補正の適否　
　
　１）上記「（１）１）」の補正は特許請求の範囲の減縮に該当する。　
　２）上記「（１）２）」の補正ないし上記「（１）４）」の補正は、上記「（１）１）」の特許請求の範囲の補正に伴い、特許請求の範囲の記載に整合しなくなる発明の詳細な説明の記載箇所を特許請求の範囲の記載に整合させようとするものであるから、明りょうでない記載の釈明に該当する。　
　３）上記「（１）５）」の補正は、上記「（１）１）」の特許請求の範囲の補正に伴い、発明の詳細な説明の実施例の記載のうち、特許請求の範囲第１項に係る特許発明の実施例には該当しなくなる「実施例２」を「参考例」としようとするものであるから、明りょうでない記載の釈明に該当する。　
　４）以上のとおり、訂正請求に対する平成１２年１月１８日付けの補正は、訂正請求書の要旨を変更しないものであるから、これを認める。　
　
２．訂正請求の内容及び訂正の適否　
　
（１）訂正請求の内容（平成１１年１０月４日付け手続補正書（方式）及び平成１２年１月１８日付け補正書により補正された訂正請求書による）　
  
　１）　訂正事項（ａ）　
　特許請求の範囲第７項を、特許請求の範囲第１項と訂正するとともに、「Ｃｒ、Ｍｎ、ＣｕまたはＡｇのいずれかから成るネガパターン膜を基板上に形成した後、ネガパターン膜によりマスクされていない部分の上に選択的にダイヤモンド膜を成長させ、ネガパターン膜を除去し、これによりダイヤモンド膜のパターンを基板上に形成することを特徴とするダイヤモンド膜のパターニング方法。」と訂正する。（新特許請求の範囲第１項）　
　２）　訂正事項（ｂ）　
　特許請求の範囲第２項を削除する。　
　３）　訂正事項（ｃ）　
　特許請求の範囲第１２項の「研摩処理されている」を「研磨処理されている」と訂正する。　
　４）　訂正事項（ｄ）　
　特許請求の範囲第１項、第３項から第６項まで及び第８項を削除する。
　５）　訂正事項（ｅ）　
　特許明細書第４頁第１９行〜第５頁第２行（平成８年１１月２７日付け手続補正書第２頁第６〜７行を含む。；特許公報第４欄第１２〜１６行）の「マスク材料は、通常、研磨処理がされていない周期律表のIVａ、Vａ、VIａ、VIIａ、VIIIａ族の遷移金属、Ｓｉ及びＢの単体、炭化物、窒化物、ケイ化物及びホウ化物、並びにＳｉＯ２から成る群から選択された少なくとも１種の物質から成る。」を削除する。　
　６）　訂正事項（ｆ）　
　特許明細書第６頁第６行、第７行及び第１４行（以上、特許公報第４欄第３７行、第３８行及び第４３〜４４行）の「研摩処理」を「研磨処理」と訂正する。　
　７）　訂正事項（ｇ）　
　特許明細書第４頁第１９行（特許公報第４欄第１２行）に、「基板として天然または人工合成のダイヤモンド単結晶を用い、その上にダイヤモンド単結晶膜を成長させてもよい。」を挿入する。　
　８）　訂正事項（ｈ）　
　特許明細書第６頁第１７行〜第７頁第４行（特許公報第４欄第４６行〜第５欄第２行）の「一般に、ダイヤモンド膜の成長し易い材料は、周期律表のIVａ、Vａ、VIａ族の金属及びＳｉの単体、炭化物、窒化物、ケイ化物、ホウ化物、ホウ炭化物及びホウ窒化物、Ａｌ及びＢの炭化物及び窒化物から成る群から選択された少なくとも１種の物質などの表面に（例えば、高硬度粉末による）研磨処理をしたものである。　一方、ダイヤモンド膜の成長し難い材料は、VIIａ、VIIIａ族の金属などである。」を削除する。　
　９）　訂正事項（ｉ）　
　特許明細書第７頁第８〜９行（特許公報第５欄第７行）の「研摩処理」を「研磨処理」と訂正する。　
　１０）訂正事項（ｊ）　
　特許明細書第７頁第１６〜１７行（特許公報第５欄第１４行）の「Ｍｏは王水によって、Ｓｉはフッ硝酸によって」を「Ｃｒは王水によって」と訂正する。　
　１１）訂正事項（ｋ）　
　特許明細書第９頁第１７行（特許公報第６欄第７行）の「Ｍｏマスク」を「Ｃｒネガパターン膜」と訂正する。　
　１２）訂正事項（ｌ）　
　特許明細書第１０頁第１６〜１７行（特許公報第６欄第２３〜２４行）の「Ｎｉを網状に蒸着させ、」を「網状に」と訂正する。　
　１３）訂正事項（ｍ）　
　特許請求の範囲第９項を第２項に、同第１０項を第３項に、同第１１項を第４項に、同第１２項を第５項に、訂正する。　
　１４）訂正事項（ｎ）　
　特許請求の範囲第９項、第１１項及び第１２項（新特許請求の範囲第２項、第４項及び第５項）中の「特許請求の範囲第７項に記載の方法。」との記載を「特許請求の範囲第１項に記載のパターニング方法。」と、また、特許請求の範囲第１０項（新特許請求の範囲第３項）中の「第７〜９項に記載の方法。」との記載を「特許請求の範囲第１項または２項に記載のパターニング方法。」と、それぞれ訂正する。　
　１５）訂正事項（ｏ）　
　特許明細書第４頁第４行（特許公報第３欄第４９行）の「マスク材料から成る」を「Ｃｒ、Ｍｎ、ＣｕまたはＡｇのマスク材料から成る」と訂正する。　
　１６）訂正事項（ｐ）　
　特許明細書第１０頁第９行（特許公報第６欄第１７行）の「実施例２」を「参考例」と訂正する。　
　
２．訂正の適否　
　
（１）訂正の目的の適否、新規事項追加の有無及び特許請求の範囲の実質上の拡張又は変更の存否　
　
　１）上記訂正事項（ａ）は、　
　上記訂正事項（ｂ）及び（ｄ）により特許請求の範囲第１項から第６項までを削除することに伴い、特許明細書の特許請求の範囲第７項の項番号を繰り上げて特許請求の範囲第１項と訂正しようとするものであるから、明りょうでない記載の釈明に該当するとともに、　
　特許明細書の特許請求の範囲第７項の記載「
マスク材料から成る
であって、
マスク材料が、
から成る群から選択された少なくとも１種の金属を主成分とする材料から成るダイヤモンドのパターニング方法
のいずれかから成る
ことを特徴とする
　そして、「ネガパターン膜がＣｒ、Ｍｎ、ＣｕまたはＡｇのいずれかから成る」ことは、特許明細書第６頁第４〜９行（特許公報第４欄第３４〜３９行）に「ダイヤモンド膜は……Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｃｕ又はＡｇの表面へは成長が起こりにくい。」と記載されていることからみて、願書に添付した明細書に記載した事項の範囲内のことである。　
　また、上記訂正事項（ａ）は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。　
　２）上記訂正事項（ｂ）及び（ｄ）は、特許請求の範囲の減縮に該当する。　
　そして、これら訂正事項は願書に添付した明細書に記載した事項の範囲内の訂正であり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。　
　３）上記訂正事項（ｍ）は、上記訂正事項（ｂ）及び（ｄ）により特許請求の範囲第１項から第６項まで及び第８項が削除されたことに伴い、特許明細書の特許請求の範囲第９項から第１２項までの項番号を繰り上げるものであるから、明りょうでない記載の釈明に該当する。　
　そして、上記訂正事項（ｍ）は願書に添付した明細書に記載した事項の範囲内の訂正であり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。　
　４）上記訂正事項（ｎ）は、上記訂正事項（ｍ）により特許明細書の特許請求の範囲第９項から第１２項までの項番号を繰り上げたこと、及び上記訂正事項（ｄ）により同明細書の特許請求の範囲第８項を削除したことに伴い、これら訂正事項と整合させるため、上記各項の記載中の項引用番号を繰り上げるとともに、上記各項の末尾の「記載の方法。」との記載を、新特許請求の範囲第１項（特許明細書における特許請求の範囲第７項）の末尾の「パターニング方法。」に整合させるため、「記載のパターニング方法。」という記載にしようとするものであるから、明りょうでない記載の釈明に該当する。　
　そして、上記訂正事項（ｎ）は願書に添付した明細書に記載した事項の範囲内の訂正であり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。　
　５）上記訂正事項（ｃ）、（ｆ）及び（ｉ）は、誤記の訂正に該当する。
　そして、これら訂正事項は願書に最初に添付した明細書に記載した事項の範囲内の訂正であり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。　
　６）上記訂正事項（ｇ）は、基板材料として天然又は人工合成のダイヤモンド単結晶を用いる旨を発明の詳細な説明の記載に挿入しようとするものであるから、明りょうでない記載の釈明に該当する。　
　そして、この旨は特許明細書の特許請求の範囲第５項及び第１１項に記載されていたものであるから、上記訂正事項（ｇ）は、願書に添付した明細書に記載した事項の範囲内の訂正であり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。　
　７）上記訂正事項（ｅ）及び（ｈ）は、特許請求の範囲の訂正に伴い、特許請求の範囲の記載に整合しなくなる発明の詳細な説明の記載箇所を特許請求の範囲の記載に整合させようとするものであるから、明りょうでない記載の釈明に該当する。　
　そして、これら訂正事項は願書に添付した明細書に記載した事項の範囲内の訂正であり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。　
　８）上記訂正事項（ｊ）は、訂正前の特許請求の範囲第１項に、〔除去される〕マスク材料から成るネガパターン膜の材料として、「IVａ族の遷移金属」や「Ｓｉ単体」が含まれていたところ、特許請求の範囲の訂正に伴い、これらが〔除去される〕マスク材料から成るネガパターン膜の材料に含まれなくなったため、IVａ族の遷移金属であるＭｏ、及びＳｉを削除し、代わりに、特許請求の範囲の削除・訂正に伴い、マスク材料から成るネガパターン膜の材料に含まれることとなった「Ｃｒ」を挿入しようとするものであるから、明りょうでない記載の釈明に該当する。　
　そして、「Ｃｒを王水で除去」することは、特許明細書第９頁第７行（特許公報第５欄第４１行）に「Ｃｒを王水で除去し」と記載されているから、上記訂正事項（ｊ）は願書に添付した明細書に記載した事項の範囲内のことである。　
　また、上記訂正事項（ｊ）は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。　
　９）上記訂正事項（ｋ）は、〔除去される〕マスク材料から成るネガパターン膜として「Ｍｏマスク」と誤記したのを、「Ｃｒネガパターン膜」と訂正しようとするものである。上記訂正事項（ｋ）が誤記の訂正に該当することは、特許明細書の「実施例１」の記載及び特許図面第２図の記載から明らかである。　
　そして、上記訂正事項（ｋ）は、願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内のことであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。　
　１０）上記訂正事項（ｌ）は、Ｎｉネガパターンについて、Ｎｉを蒸着した後フォトリソグラフィ技術により網状にパターンを形成することを明確にしようとするものであるから、明りょうでない記載の釈明に該当する。　
　そして、上記訂正事項（ｌ）は、願書に添付した明細書に記載した事項の範囲内の訂正であり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。　
　１１）上記訂正事項（ｏ）は、上記訂正事項（ａ）、（ｂ）及び（ｄ）により、新特許請求の範囲第１項における〔マスク材料から成る〕ネガパターン膜が「Ｃｒ、Ｍｎ、ＣｕまたはＡｇのいずれかから成る」ことになったことに伴い、発明の詳細な説明の［発明の構成］の項の記載において、マスク材料から成るネガパターン膜は「Ｃｒ、Ｍｎ、ＣｕまたはＡｇのいずれかから成る」ものであることを明示しようとするものであるから、明りょうでない記載の釈明に該当する。　
　そして、上記訂正事項（ｏ）は、願書に添付した明細書に記載した事項の範囲内の訂正であり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。　
　１２）上記訂正事項（ｐ）は、Ｎｉは周期律表のVIII族に属する元素であって、訂正前の特許請求の範囲第１項及び第７項並びに訂正後の特許請求の範囲第１項のいずれの項に係る発明の実施例にも該当しないため、マスク材料から成るネガパターン膜としてＮｉを使用している「実施例２」を「参考例」と訂正するものであるから、明りょうでない記載の釈明に該当する。　
　そして、上記訂正事項（ｐ）は、願書に添付した明細書に記載した事項の範囲内の訂正であり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。　
　　
（２）独立特許要件　
　
　１）特許法第３６条第３項及び第４項に規定する要件充足の有無　
　
　(a)平成１０年１０月２８日付け取消理由通知書の「理由１」で、本件特許は特許法第３６条第３項及び第４項に規定する要件を満たしていない出願に対してなされたものであるとして指摘した本件特許明細書の記載の諸々の不備及び(b)特許異議申立人が前記「II．（２）」で指摘した本件特許明細書の不備は、上記各訂正事項による訂正により解消した。　
　
　２）本件発明　
　
　前記平成１２年１月１８日付け手続補正書（訂正請求書）により補正された、平成１０年１２月２８日付けの訂正請求書に添付された全文訂正明細書の特許請求の範囲第１項には、　
　「Ｃｒ、Ｍｎ、ＣｕまたはＡｇのいずれかから成るネガパターン膜を基板上に形成した後、ネガパターン膜によりマスクされていない部分の上に選択的にダイヤモンド膜を成長させ、ネガパターン膜を除去し、これによりダイヤモンド膜のパターンを基板上に形成することを特徴とするダイヤモンド膜のパターニング方法。」　
と記載されている（以下、上記全文訂正明細書の特許請求の範囲第１項に記載されている事項により構成される発明を「本件発明」という。）。　
　
　３）特許法第２９条の２第１項について　
　
　３−１）先願明細書・図面の記載　
　本件特許の出願の日前の他の特許出願であって当該特許出願後に出願公開された特願昭６１−１３９６９３号に最初に添附した明細書・図面（異議申立人が提出した甲第１号証である特開昭６２−２９７２９８号公報所載）には、　
　(a)「本発明の目的は上記趣旨から明らかである様に、基板上の希望する部分に任意にダイヤモンド薄膜を形成できる様なダイヤモンドの気相合成法を提供する点にある。」（明細書第６頁第１２〜１５行）、　
　(b)「（１）基板上にダイヤモンドを気相合成するに当たり、前記基板表面上のダイヤモンドが形成されるべき部分をマスク部材で被覆すると共に、該マスク部材で被覆された部分以外の残余の部分をアモルファス性材料で被覆し、しかる後、前記マスク部材を除去して基板表面を露出し、気相合成を行なうことにより該露出された基板表面部分にダイヤモンド薄膜を形成することを特徴とするダイヤモンドの気相合成法。」（特許請求の範囲第１項）、　
　(c)「本発明者らは上記目的を達成する為種々検討し、Ｓｉウェハ上にアモルファスＳｉ（以下ａ−Ｓｉ又はａ−Ｓｉ：Ｈと略称する）膜を被覆した基板を用い、ＣＶＤ法によって基板表面にダイヤモンドを形成することを試みていたところ、ａ−Ｓｉ（又はａ−Ｓｉ：Ｈ）上には殆どダイヤモンドが形成されないという注目すべき知見が得られた。」（明細書第７頁第８〜１５行）、　
　(d)「本発明は上述の如く構成されるが、要はダイヤモンドが形成されるべき特定部分以外の残余の部分をアモルファス性材料で被覆（保護）することによって、基板上の残された部分（ダイヤモンド被覆の形成希望部分）にダイヤモンド薄膜を形成し得たものである。」（明細書第７頁第１８行〜第８頁第３行）、
　(e)「用いられる基板としては、Ｓｉ以外にＴａ，Ｃｏ，Ｗ，Ｍｏ等の金属材料が用いられる……又アモルファス性材料としては前述のａ−Ｓｉ（又はａ−Ｓｉ：Ｈ）以外にアモルファスＣ…、その他のアモルファス金属やアモルファス・セラミックス及び有機物質等が挙げられる」（明細書第９頁第３〜１１行）、　
と記載されている。　
　すなわち、上記特願昭６１−１３９６９３号に最初に添附した明細書・図面には、「Ｓｉ及びＴａ，Ｃｏ，Ｗ，Ｍｏ等の金属材料からなる基板上にダイヤモンドを気相合成するに当たり、前記基板表面上のダイヤモンドが形成されるべき部分をマスク部材で被覆すると共に、該マスク部材で被覆された部分以外の残余の部分をａ−Ｓｉ、アモルファスＣ、その他のアモルファス金属やアモルファス・セラミックス及び有機物質等のアモルファス性材料で被覆し、しかる後、前記マスク部材を除去して基板表面を露出し、気相合成を行なうことにより該露出された基板部分にダイヤモンド薄膜を形成することを特徴とするダイヤモンドの気相合成法」が記載されているものと認められる。　
　
　３−２）対比・判断
　本件発明と上記特願昭６１−１３９６９３号に最初に添附した明細書・図面に記載された発明とを対比すると、　
　(a)後者が「基板表面上のダイヤモンドが形成されるべき部分をマスク部材で被覆すると共に、該マスク部材で被覆された部分以外の残余の部分をａ−Ｓｉ、アモルファスＣ、その他のアモルファス金属やアモルファス・セラミックス及び有機物質等のアモルファス性材料で被覆し、しかる後、前記マスク部材を除去して基板表面を露出し、気相合成を行なうことにより該露出された基板表面部分にダイヤモンド薄膜を形成する」ものであるのに対し、前者は、「ネガパターン膜によりマスクされていない部分」すなわち「ネガパターン膜によりマスクされていない部分の基板〔表面部分〕」の上にダイヤモンド膜を成長させるものであるとともに、当該「ネガパターン膜」がアモルファス性材料でない点、　
　及び(b)後者は前者の構成要件である、「ネガパターン膜」が「Ｃｒ、Ｍｎ、ＣｕまたはＡｇのいずれかから成る」構成を備えていない点、　
で両者は相違している。　
　したがって、本件発明は、本件特許の出願の日前の他の特許出願であって当該特許出願後に出願公開された特願昭６１−１３９６９３号に最初に添附した明細書・図面に記載された発明と同一でないから、本件発明については特許法第２９条の２第１項の規定により特許を受けることができないとすることはできない。　
　
（３）上記（１）及び（２）のとおりであるから、上記訂正請求は、平成６年法律第１１６号（特許法等の一部を改正する法律）附則第６条第１項において「なお従前の例による」とされる改正前の特許法第１２６条第１項ないし第３項の規定に適合するので、これを認める。　
　
V．むすび　
　
　上記「VI．」の「２．訂正の適否」の「（２）独立特許要件」で検討したとおり、上記訂正請求書により訂正された明細書は、特許法第３６条第３項及び第４項に規定する要件を満たさないものではなくなっており、また、特許法第２９条の２第１項の規定により、本件発明についての特許を受けることができなかったものとすることはできない。　
　以上のとおりであるから、本件特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件発明についての特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明についての特許を取り消すべき理由を発見しない。　
　よって、結論のとおり決定する。　
【異議決定日】
平成１２年４月１１日（２０００．４．１１）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
（１）特許請求の範囲第１項から第６項まで及び第８項を、特許請求の範囲の減縮を目的として、削除する。
（２）特許請求の範囲第７項「
マスク材料から成る
であって、
マスク材料が、
から成る群がら選択された少なくとも１種の金属を主成分とする材料から成るダイヤモンドのパターニング方法
　を、明りょうでない記載の釈明を目的として、特許請求の範囲第１項に訂正する（新特許請求の範囲第１項）とともに、特許請求の範囲の減縮を目的として、
　「Ｃｒ、Ｍｎ、ＣｕまたはＡｇ
のいずれかから成る
ことを特徴とする
（３）特許請求の範囲第９項を第２項に、同第１０項を第３項に、同第１１項を第４項に、同第１２項を第５項に、それぞれ明りょうでない記載の釈明を目的として、訂正する。
（４）特許請求の範囲第９項、第１１項及び第１２項（新特許請求の範囲第２項、第４項及び第５項）中の「特許請求の範囲第７項に記載の方法。」との記載を「特許請求の範囲第１項に記載のパターニング方法。」と、特許請求の範囲第１０項（新特許請求の範囲第３項）中の「特許請求の範囲第７〜９項に記載の方法。」との記載を「特許請求の範囲第１項または第２項に記載のパターニング方法。」と、明りょうでない記載の釈明を目的として、訂正する。
（５）特許請求の範囲第１２項（新特許請求の範囲第５項）の「研摩処理されている」を、誤記の訂正を目的として、「研磨処理されている」と、訂正する。
（６）特許明細書第４頁第１９行〜第５頁第２行（平成８年１１月２７日付け手続補正書第２頁第６〜７行を含む。；特許公報第４欄第１２〜１６行）の「マスク材料は、通常、研磨処理がされていない周期律表のＩＶａ、Ｖａ、ＶＩａ、ＶＩＩａ、ＶＩＩＩａ族の遷移金属、Ｓｉ及びＢの単体、炭化物、窒化物、ケイ化物及びホウ化物、並びにＳｉＯ２から成る群がら選択された少なくとも１種の物質から成る。」を、明りょうでない記載の釈明を目的として、削除する。
（７）特許明細書第６頁第６行、第７行及び第１４行（以上、特許公報第４欄第３７行、第３８行及び第４３〜４４行）の「研摩処理」を、誤記の訂正を目的として、「研磨処理」と訂正する。
（８）特許明細書第４頁第１９行（特許公報第４欄第１２行）に、明りょうでない記載の釈明を目的として、「基板として天然または人工合成のダイヤモンド単結晶を用い、その上にダイヤモンド単結晶膜を成長させてもよい。」を挿入する。
（９）特許明細書第６頁第１７行〜第７頁第４行（特許公報第４欄第４６行〜第５欄第２行）の「一般に、ダイヤモンド膜の成長し易い材料は、周期律表のＩＶａ、Ｖａ、ＶＩａ族の金属及びＳｉの単体、炭化物、窒化物、ケイ化物、ホウ化物、ホウ炭化物及びホウ窒化物、Ａｌ及びＢの炭化物及び窒化物から成る群がら選択された少なくとも１種の物質などの表面に（例えば、高硬度粉末による）研磨処理をしたものである。　一方、ダイヤモンド膜の成長し難い材料は、ＶＩＩａ、ＶＩＩＩａ族の金属などである。」を、明りょうでない記載の釈明を目的として、削除する。
（１０）特許明細書第７頁第８〜９行（特許公報第５欄第７行）の「研摩処理」を、誤記の訂正を目的として、「研磨処理」と訂正する。
（１１）特許明細書第７頁第１６〜１７行（特許公報第５欄第１４行）の「Ｍｏは王水によって、Ｓｉはフッ硝酸によって」を、明りょうでない記載の釈明を目的として、「Ｃｒは王水によって」と訂正する。
（１２）特許明細書第９頁第１７行（特許公報第６欄第７行）の「Ｍｏマスク」を、誤記の訂正を目的として、「Ｃｒネガパターン膜」と訂正する。
（１３）特許明細書第１０頁第１６〜１７行（特許公報第６欄第２３〜２４行）の「Ｎｉを網状に蒸着させ、」を、明りょうでない記載の釈明を目的として、「網状に」と訂正する。
（１４）特許明細書第４頁第４行（特許公報第３欄第４９行）の「マスク材料から成る」を、明りょうでない記載の釈明を目的として、「Ｃｒ、Ｍｎ、ＣｕまたはＡｇのマスク材料から成る」と訂正する。
（１５）特許明細書第１０頁第９行（特許公報第６欄第１７行）の「実施例２」を、明りょうでない記載の釈明を目的として、「参考例」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
　ダイヤモンド膜のパターニング法
（５７）【特許請求の範囲】
　１．
Ｃｒ、Ｍｎ、ＣｕまたはＡｇのいずれかから成る
　２．成長させるダイヤモンド膜が単結晶である特許請求の範囲第１項に記載のパターニング方法。
　３．ダイヤモンド膜成長後に、基板自体をも除去して、パターンを持つダイヤモンド膜を得る特許請求の範囲第１項または第２項に記載のパターニング方法。
　４．基板が天然又は人工合成のダイヤモンド単結晶であり、その上に、ダイヤモンド単結晶膜を成長させる特許請求の範囲第１項に記載のパターニング方法。
　５．基板は、その表面が高硬度粉末で
研磨
【発明の詳細な説明】
　［産業上の利用分野］
　本発明は、ダイヤモンド膜のパターニング法に関する。
［従来の技術］
　半導体デバイスなどにおいて、ダイヤモンド膜から成るパターンを必要とすることがある。ダイヤモンドは化学的に極めて安定なので、液相でダイヤモンドをエッチングする方法によってダイヤモンド膜のパターニングを行うことは不可能である。また、ダイヤモンドは物質中最高の硬度を有するので、機械的に加工することも極めて困難である。
　ダイヤモンドのパターニングを可能にする１つの方法として、プラズマによるエッチングを用いる方法が考えられる。例えば、ＡｌをマスクとしてＯ２イオンビームによってダイヤモンドをプラズマエッチングする。しかし、このプラズマエッチングにおいては、特殊なダイヤモンド用プラズマエッチング装置を用い、煩雑な手順及び長時間を要するという問題がある。
［発明の目的］
　本発明の目的は、ダイヤモンド膜のパターンを簡単に形成できる方法を提供することにある。
［発明の構成］
　本発明の目的は、
Ｃｒ、Ｍｎ、ＣｕまたはＡｇ
　本発明の方法は気相合成法におけるダイヤモンドの核生成密度及び結晶成長速度が、基板とする材料に応じて異なることを利用したものであり、２種類の材料と成長条件を選択することにより、一方の材料の上にのみダイヤモンドを成長させ、他方の材料の上にはダイヤモンドが成長しないようにして、ダイヤモンド膜のパターンを得るものである。
　
基板として天然または人工合成のダイヤモンド単結晶を用い、その上にダイヤモンド単結晶膜を成長させてもよい。
　以下、添付図面を参照して、本発明を説明する。なお、本発明は、添付図面の態様に限定されるものではない。
　第１図は、本発明のパターニング法の概略を示す断面図である。
　第１図（１）に示す基板１１の上に、マスク材料からなるネガパターン膜１２を形成する（第１図（２））。これに先だって、基板１１は、ダイヤモンド粒などによって研磨処理（グレイティング）しておくことが好ましい。ただし、基板がダイヤモンド単結晶である場合には必要ない。ネガパターンの形成は、パターンが粗い場合には、メタルマスクを用いて蒸着などを行うことによって行え、あるいは、パターンが細かい場合には、蒸着などにより全面に膜形成した後に通常のフォトリソグラフィ技術によりパターニングすることによって行える。
　次いで、マスク材料で被覆されていない基板露出表面の上に選択的に、目的とするパターン通りにダイヤモンド膜１３を成長させる（第１図（３））。ダイヤモンド膜は、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗ、Ｓｉ、Ｇｅなどの基板表面には成長しやすく、基板表面にダイヤモンド粉末などの高硬度粉末による
研磨
研磨
研磨
　ダイヤモンド膜の形成は、原料ガスとしてＣＨ４とＨ２などを用いたマイクロ波プラズマＣＶＤ法又はフィラメント法などによって行える。ただし、ダイヤモンド膜を成長させる条件及び
研磨
　ネガパターン膜１２を除去して、目的とするダイヤモンド膜１３のパターンが基板１１上に形成された素子を得る（第１図（４））。ネガパターンの除去は、マスク材料を溶解する酸に浸漬することによって行える。例えば、
Ｃｒは王水によって
［発明の効果］
　本発明によれば、ダイヤモンドのプラズマエッチングを要することなく、簡単な手順及び短時間で、ダイヤモンド膜のパターニングを行える。
　本発明は、ダイヤモンド膜のパターンを必要とするダイヤモンド半導体デバイス、プリンターヘッド及びヒートシンクの製造などにおいて有用である。
［発明の好ましい態様］
　以下に本発明の実施例を示す。
　実施例１
　第２図に示すような手順により、ＭＩＳ型電界効果トランジスタを製造した。
　（ｉ）Ｃｒをネガパターン膜２３として蒸着した３ｍｍ×２ｍｍ×１ｍｍのＩｂ型人工単結晶ダイヤモンド基板２１の（１００）面上に、マイクロ波プラズマＣＶＤ法によって、厚さ０．５μｍのＢハイドープＰ型ダイヤモンド薄膜層２２をネガパターン膜２３以外の部分に選択的に成長させた。合成条件：マイクロ波パワー＝３５０Ｗ、反応圧力＝３０Ｔｏｒｒ、反応ガス組成＝ＣＨ４（０．５％）＋Ｂ２Ｈ６（０．００１％）＋Ｈ２（残）。
　（ｉｉ）Ｃｒ膜を王水で除去し、その後、再びＣｒ膜を蒸着し、フォトリソグラフィ技術によりＣｒネガパターン膜２３を形成する。
　（ｉｉｉ）ネガパターン膜２３が形成されていない基板２１の表面上に、マイクロ波プラズマＣＶＤ法によって、厚さ０．５μｍのホウ素ドープＰ型ダイヤモンド単結晶薄膜層２４を形成した。合成条件：マイクロ波パワー＝３５０Ｗ、反応圧力＝３０Ｔｏｒｒ、反応ガス組成＝ＣＨ４（０．５％）＋Ｂ２Ｈ６（０．００００５％）＋Ｈ２（残）。
　（ｉｖ）王水によって
Ｃｒネガパターン膜２３
　（ｖ）再び、フォトリソグラフィ技術を用いてＣｒネガパターン膜２３を形成した後、マイクロ波プラズマＣＶＤ法で厚さ約１０００Åのノンドープダイヤモンド薄膜層２５をネガパターン以外の部分に成長させた。合成条件：マイクロ波パワー＝３５０Ｗ、反応圧力＝３０Ｔｏｒｒ、反応ガス＝ＣＨ４（０．５％）＋Ｈ２（９９．５％）。
　（ｖｉ）Ｃｒネガパターン膜２３を王水により除去した後、Ａｕ／Ｍｏ／Ｔｉの３層電極を蒸着し、一部エッチングを行って、電極２６，２６’，２６”を形成した。
　
参考例
　以下のようにして、ダイヤモンド膜ヒートシンクを製造した。
　２５ｍｍ×２５ｍｍ×０．５ｍｍの大きさを有するＳｉ基板を用意して、その表面上にダイヤモンド粒でグレイティングを施した後、Ｎｉを蒸着させ、フォトリソグラフィ技術により、メッシュの大きさが１ｍｍ×１ｍｍになるように
網状に
　次いで、マイクロ波プラズマＣＶＤ法により、Ｓｉ上のみに選択的に、ダイヤモンド多結晶を厚さ０．２ｍｍで成長させた。合成条件：マイクロ波パワー＝４００Ｗ、反応圧力＝３０Ｔｏｒｒ、反応ガス組成：ＣＨ４（９９％）＋Ｈ２（１％）。
　Ｎｉネガパターン膜を王水で溶解し、次いでＳｉ基板をフッ硝酸で溶解除去して、１ｍｍ×１ｍｍ×０．２ｍｍの大きさのダイヤモンドヒートシンクを得た。
　この方法においては、加工困難なダイヤモンド膜を切り刻む手間が省けた。
【図面の簡単な説明】
　第１図は、本発明のパターニング法の概略を示す断面図、及び
　第２図は、本発明のパターニング法を使用した電界効果トランジスタの製造工程を示す断面図である。
　１１，２１…基板、
　１２，２３…ネガパターン膜、
　１３，２４…ダイヤモンド膜。