【事件の表示】
　特許第２８４２１６９号「不揮発性半導体記憶装置」の請求項１ないし１０に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第２８４２１６９号の請求項１ないし３、５ないし８、１０に係る特許を維持する。
【理　由】
 一.手続の経緯
　本件特許第２８４２１６９号の発明は、平成５年１０月１９日に出願され、平成１０年１０月２３日に設定登録され、その後、平成１１年６月２４日にセイコーインスツルメンツ株式会社より特許異議申立がなされ、平成１２年２月２９日付で取消理由通知をし、その指定期間内である平成１２年２月２９日に訂正請求がなされたものである。
二.訂正の適否の判断
（イ）訂正の要旨
(1）訂正事項ａ
特許請求の範囲の請求項１を
「第１レベルにある第１表面領域、前記第１レベルよりも低い第２レベルにある第２表面領域、および前記第１表面領域と前記第２表面領域とを連結する段差領域を含む表面を有する基板と、
　前記第１表面領域に形成されたソース領域、および前記第２表面領域に形成されたドレイン領域と、
　前記段差領域、前記第１表面領域および前記第２表面領域上に形成された第１の絶縁膜と、
　前記第１の絶縁膜上に形成されたフローティングゲートとを備えた、不揮発性半導体記憶装置であって、
　前記フローティングゲートは前記第１の絶縁膜を介して、少なくとも前記段差領域の一部を覆っており、
　前記段差領域には第２ドレイン領域が形成され、前記第２ドレイン領域は前記ドレイン領域とつながっているとともに、その厚みは、チャネルホットエレクトロンが突き抜けて前記フローティングゲートに注入される距離またはそれ以下であり、
　書き込み時には、前記第１表面領域の表面にチャネル領域が形成され、前記チャネルホットエレクトロンが前記フローティングゲートに注入される、不揮発性半導体記憶装置。」と訂正する。
(2）訂正事項ｂ
特許請求の範囲の請求項３を
「第１レベルにある第１表面領域、前記第１レベルよりも低い第２レベルにある第２表面領域、および前記第１表面領域と前記第２表面領域とを連結する段差領域を含む表面を有する基板と、
　前記第１表面領域に形成されたソース領域、および前記第２表面領域に形成されたドレイン領域と、
　前記段差領域、前記第１表面領域および前記第２表面領域上に形成された第１の絶縁膜と、
　前記第１の絶縁膜上に形成されたフローティングゲートと、
　前記フローティングゲート上に形成された第２の絶縁膜と、
　前記第２の絶縁膜上に形成されたコントロールゲートとを備えた、不揮発性半導体記憶装置であって、
　前記フローティングゲートは前記第１の絶縁膜を介して、少なくとも前記段差領域および前記第１表面領域を覆っており、
　前記第１の絶縁膜は、前記第２表面領域上で膜厚は一定であり、
　前記段差領域には第２ドレイン領域が形成され、前記第２ドレイン領域は前記ドレイン領域とつながっているとともに、その厚みは、チャネルホットエレクトロンが突き抜けて前記フローティングゲートに注入される距離またはそれ以下であり、
　書き込み時には、前記第１表面領域の表面にはチャネル領域が形成され、チャネルホットエレクトロンが前記フローティングゲートに注入される、不揮発性半導体記憶装置。」と訂正する。
(3）訂正事項ｃ
特許請求の範囲の請求項４を削除する。
(4）訂正事項ｄ
特許請求の範囲の請求項５を
「前記第２ドレイン領域の厚みは、０．１μｍ以下である、請求項３に記載の不揮発性半導体記憶装置。」と訂正する。
(5）訂正事項ｅ
特許請求の範囲の請求項６を
「第１レベルにある第１表面領域、前記第１レベルよりも低い第２レベルにある第２表面領域、および前記第１表面領域と前記第２表面領域とを連結する段差領域を含む表面を有する基板と、
　前記第１表面領域に形成されたドレイン領域、および前記第２表面領域に形成されたソース領域と、
　前記段差領域、前記第１表面領域および前記第２表面領域上に形成された第１の絶縁膜と、
　前記第１の絶縁膜上に形成されたフローティングゲートとを備えた、不揮発性半導体記憶装置であって、
　前記第１表面領域には第２ドレイン領域が形成され、前記第２ドレイン領域は前記ドレイン領域とつながっているとともに、その厚みは、チャネルホットエレクトロンが突き抜けて前記フローティングゲートに注入される距離またはそれ以下であり、
　前記フローティングゲートは前記第１の絶縁膜を介して、少なくとも前記第２ドレイン領域の一部を覆っており、
　書き込み時には、前記段差領域の表面にチャネル領域が形成され、前記チャネルホットエレクトロンが前記フローティングゲートに注入される、不揮発性半導体記憶装置。」と訂正する。
(6）訂正事項ｆ
特許請求の範囲の請求項８を
「第１レベルにある第１表面領域、前記第１レベルよりも低い第２レベルにある第２表面領域、および前記第１表面領域と前記第２表面領域とを連結する段差領域を含む表面を有する基板と、
　前記第１表面領域に形成されたドレイン領域、および前記第２表面領域に形成されたソース領域と、
　前記段差領域、前記第１表面領域および前記第２表面領域上に形成された第１の絶縁膜と、
　前記第１の絶縁膜上に形成されたフローティングゲートと、
　前記フローティングゲート上に形成された第２の絶縁膜と、
　前記第２の絶縁膜上に形成されたコントロールゲートとを備えた、不揮発性半導体記憶装置であって、
　前記フローティングゲートは前記第１の絶縁膜を介して、少なくとも前記段差領域および前記第１表面領域上を覆っており、
　前記第１の絶縁膜は、前記第１表面領域上で膜厚は一定であり、
　前記第１表面領域には第２ドレイン領域が形成され、前記第２ドレイン領域は前記ドレイン領域とつながっており、前記第２ドレイン領域の厚みは、チャネルホットエレクトロンが突き抜けて前記フローティングゲートに注入される距離、またはそれ以下であり、
　書き込み時には、前記段差領域の表面にチャネル領域が形成され、前記チャネルホットエレクトロンが前記フローティングゲートに注入される、不揮発性半導体記憶装置。」と訂正する。
(7）訂正事項ｇ
特許請求の範囲の請求項９を削除する。
(8）訂正事項ｈ
特許請求の範囲の請求項１０を
「前記第２ドレイン領域の厚みは、０．１μｍ以下である、請求項８に記載の不揮発性半導体記憶装置。」と訂正する。
(9)訂正事項ｉ
明細書【００１２】に記載の、
「また本発明は、フローティングゲートに、エレクトロンを注入する際に、チャンネルホットエレクトロンを用いる不揮発性メモリにおいて、ソースとドレインの間のチャンネル面のドレイン近傍に第２の導電型の拡散層を備え、前記チャンネルホットエレクトロンの方向及び速度を速度ベクトルとして現し、前記チャンネルホットエレクトロンの速度ベクトルの方向をフローティングゲートの方向に曲げたことを特徴とした不揮発性半導体記憶装置とその製造方法である。」を削除する。
（ロ）訂正の適否
　訂正事項ａ及びｅは誤記の訂正に該当し、願書に最初に添付した明細書又は図面に記載された事項の範囲内であり、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。訂正事項ｂ、ｃ、ｆ及びｇは特許請求の範囲の減縮に該当し、願書に添付した明細書又は図面に記載された事項の範囲内であり、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。また、訂正事項ｄ、ｈ及びｉは不明瞭な記載の釈明であり、願書に添付した明細書又は図面に記載された事項の範囲内であり、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
　上記訂正された特許請求の範囲請求項１、３、６及び８に係る発明の独立特許要件について検討すると、当審が通知した取消理由において指摘した不備な点は全て解消されている。したがって、本件特許請求の範囲請求項１、３、６及び８に係る発明が特許出願の際独立して特許を受けることができない発明とすることはできない。
　以上のとおりであるから、上記訂正請求は、特許法第１２０条の４第２項及び同第３項で準用する同第１２６条第２〜４項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
三．特許異議申立についての判断
(1)本件発明
　特許請求の範囲請求項１〜１０に係る発明は下記のとおりである。
「【請求項１】第１レベルにある第１表面領域、前記第１レベルよりも低い第２レベルにある第２表面領域、および前記第１表面領域と前記第２表面領域とを連結する段差領域を含む表面を有する基板と、
　前記第１表面領域に形成されたソース領域、および前記第２表面領域に形成されたドレイン領域と、
　前記段差領域、前記第１表面領域および前記第２表面領域上に形成された第１の絶縁膜と、
　前記第１の絶縁膜上に形成されたフローティングゲートとを備えた、不揮発性半導体記憶装置であって、
　前記フローティングゲートは前記第１の絶縁膜を介して、少なくとも前記段差領域の一部を覆っており、
　前記段差領域には第２ドレイン領域が形成され、前記第２ドレイン領域は前記ドレイン領域とつながっているとともに、その厚みは、チャネルホットエレクトロンが突き抜けて前記フローティングゲートに注入される距離またはそれ以下であり、
　書き込み時には、前記第１表面領域の表面にチャネル領域が形成され、前記チャネルホットエレクトロンが前記フローティングゲートに注入される、不揮発性半導体記憶装置。
【請求項２】第２ドレイン領域の厚みは、０．１μｍ以下である、請求項１に記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項３】第１レベルにある第１表面領域、前記第１レベルよりも低い第２レベルにある第２表面領域、および前記第１表面領域と前記第２表面領域とを連結する段差領域を含む表面を有する基板と、
　前記第１表面領域に形成されたソース領域、および前記第２表面領域に形成されたドレイン領域と、
　前記段差領域、前記第１表面領域および前記第２表面領域上に形成された第１の絶縁膜と、
　前記第１の絶縁膜上に形成されたフローティングゲートと、
　前記フローティングゲート上に形成された第２の絶縁膜と、
　前記第２の絶縁膜上に形成されたコントロールゲートとを備えた、不揮発性半導体記憶装置であって、
　前記フローティングゲートは前記第１の絶縁膜を介して、少なくとも前記段差領域および前記第１表面領域を覆っており、
　前記第１の絶縁膜は、前記第２表面領域上で膜厚は一定であり、
　前記段差領域には第２ドレイン領域が形成され、前記第２ドレイン領域は前記ドレイン領域とつながっているとともに、その厚みは、チャネルホットエレクトロンが突き抜けて前記フローティングゲートに注入される距離またはそれ以下であり、
　書き込み時には、前記第１表面領域の表面にはチャネル領域が形成され、チャネルホットエレクトロンが前記フローティングゲートに注入される、不揮発性半導体記憶装置。
【請求項４】削除。
【請求項５】前記第２ドレイン領域の厚みは、０．１μｍ以下である、請求項３に記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項６】第１レベルにある第１表面領域、前記第１レベルよりも低い第２レベルにある第２表面領域、および前記第１表面領域と前記第２表面領域とを連結する段差領域を含む表面を有する基板と、
　前記第１表面領域に形成されたドレイン領域、および前記第２表面領域に形成されたソース領域と、
　前記段差領域、前記第１表面領域および前記第２表面領域上に形成された第１の絶縁膜と、
　前記第１の絶縁膜上に形成されたフローティングゲートとを備えた、不揮発性半導体記憶装置であって、
　前記第１表面領域には第２ドレイン領域が形成され、前記第２ドレイン領域は前記ドレイン領域とつながっているとともに、その厚みは、チャネルホットエレクトロンが突き抜けて前記フローティングゲートに注入される距離またはそれ以下であり、
　前記フローティングゲートは前記第１の絶縁膜を介して、少なくとも前記第２ドレイン領域の一部を覆っており、
　書き込み時には、前記段差領域の表面にチャネル領域が形成され、前記チャネルホットエレクトロンが前記フローティングゲートに注入される、不揮発性半導体記憶装置。
【請求項７】第２ドレイン領域の厚みは、０．１μｍ以下である、請求項６に記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項８】第１レベルにある第１表面領域、前記第１レベルよりも低い第２レベルにある第２表面領域、および前記第１表面領域と前記第２表面領域とを連結する段差領域を含む表面を有する基板と、
　前記第１表面領域に形成されたドレイン領域、および前記第２表面領域に形成されたソース領域と、
　前記段差領域、前記第１表面領域および前記第２表面領域上に形成された第１の絶縁膜と、
　前記第１の絶縁膜上に形成されたフローティングゲートと、
　前記フローティングゲート上に形成された第２の絶縁膜と、
　前記第２の絶縁膜上に形成されたコントロールゲートとを備えた、不揮発性半導体記憶装置であって、
　前記フローティングゲートは前記第１の絶縁膜を介して、少なくとも前記段差領域および前記第１表面領域上を覆っており、
　前記第１の絶縁膜は、前記第１表面領域上で膜厚は一定であり、
　前記第１表面領域には第２ドレイン領域が形成され、前記第２ドレイン領域は前記ドレイン領域とつながっており、前記第２ドレイン領域の厚みは、チャネルホットエレクトロンが突き抜けて前記フローティングゲートに注入される距離、またはそれ以下であり、
　書き込み時には、前記段差領域の表面にチャネル領域が形成され、前記チャネルホットエレクトロンが前記フローティングゲートに注入される、不揮発性半導体記憶装置。
【請求項９】削除。
【請求項１０】前記第２ドレイン領域の厚みは、０．１μｍ以下である、請求項８に記載の不揮発性半導体記憶装置。」
(2)申立の理由の概要
　申立人セイコーインスツルメンツ株式会社は、甲第１号証（特開平４−８１３４７号公報）、甲第２号証（Proceeding of the 3rd Conference on Solid State Device,Tokyo,1971 「Proposal of Electrically Reprogrammable,Nonvolatile Semiconductor Memory」）、甲第３号証（特開昭６０−２４６６７７号公報）、甲第４号証（特開平３−２８０５８０号公報）及び参考資料（２超高速ＭＯＳデバイス1986年12月15日発行第３３頁〜第３５頁）を提示し、特許請求の範囲請求項１〜１０に係る発明は甲第１号証〜甲第４号証記載の発明に基づいて当業者が容易に発明することができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである旨主張する。
(3)判断
　申立人セイコーインスツルメンツ株式会社提示の甲第１号証には、第１表面にソース領域が形成され、第１表面より低い第２表面にドレイン領域が形成され、第１表面と第２表面との段差部に絶縁膜を介して浮遊ゲートが形成された不揮発性メモリにおいて、ソース領域とドレイン領域との間のパンチスルー現象を用いてホットエレクトロンを発生させ、このホットエレクロンを浮遊ゲートに注入することにより、パンチスルー方向と注入方向との間の差を少なくして注入効率を上げた不揮発性メモリが記載されており、同様に提示された甲第２号証には、ソース領域とドレイン領域との間のチャネルを通してチャネルホットエレクトロンが生成されることが記載されており、同様に提示された甲第３号証には、トンネル注入ＭＯＳと浮遊ゲートＭＯＳとを直列に配置し、その間の半導体基板表面に浅い不純物領域を形成し、トンネル注入ＭＯＳの注入ゲートから浅い不純物領域にトンネル注入された電子が浮遊ゲートＭＯＳの浮遊ゲートの注入される不揮発性メモリにおいてトンネル注入ＭＯＳと浮遊ゲートＭＯＳとの間に段差を設け、上記浅い不純物領域を段差に沿って配置するようにして注入効率を高めた不揮発性メモリが記載されており、同様に提示された甲第４号証には、トンネル注入書き込み型の不揮発性メモリにおいて、コントロールゲートと浮遊ゲートとの間の容量を大きくして書き込み・消去を効率よく、高速に行うために半導体基板に溝を掘り、その溝の上面、側壁及び底面にコントロールゲートと浮遊ゲートとを形成することが記載されており、同様に提示された参考資料にはドレイン近傍の空乏層中の高電界により加速された電子がホットエレクトロンとなることやチャネル中の電子が音響フォノンによる散乱や光学フォノンの放出によりエネルギーを失うことが記載されている。
　しかしながら、上記甲各号証には、本件特許請求の範囲請求項１に係る発明の「段差領域に形成された、ドレイン領域とつながる第２ドレイン領域とソース領域との間のチャネル領域を通してホットエレクトロンが生成される」点は記載はおろか示唆もされていない。確かに、ソース領域とドレイン領域間のチャネル領域を通してホットエレクトロンが生成されることは周知であるが、甲第１号証に「書込み状態においては、空間電荷形成領域の半導体基板表面が反転しないように選択ゲート電極２５に電圧を印加する。」（第５欄第３８〜４０行）と記載されているように甲第１号証記載の発明は半導体表面にチャネル領域が形成されないことを前提としているのであるから、甲第１号証記載の発明において上記周知技術を採用する理由はない。そして、甲第１号証記載の発明と本件発明との効果について検討すると、甲第１号証記載の発明においてドレイン領域からの空乏層を拡大するためドレイン領域に加える電圧を大きくしていくとドレイン領域と容量結合している浮遊ゲートの電圧もそれに比例して大きくなり、ドレイン領域からの空乏層の広がりと共に段差部からも空乏層が広がっていく。その結果、ドレイン領域からの空乏層と段差部からの空乏層とがソース領域からの空乏層と重なってパンチスルーが起こり、ホットエレクトロンが段差部及びドレイン領域方向に進むこととなる。これに対して、本件発明においてはホットエレクトロンは半導体基板表面のチャネル領域を通って段差領域方向のみに進むこととなる。以上のことから、本件発明が甲第１号証記載の発明に比べ浮遊ゲートへのホットエレクトロンの注入効率が高いといえる。すなわち本件発明は上記構成の採用により、甲第１号証記載の発明に比べてより大きな効果を奏するといえる。よって、本件特許請求の範囲請求項１に係る発明が甲第１〜４号証記載の発明に基づいて当業者が容易に発明できたともいえない。本件特許請求の範囲請求項２及び３に係る発明についても上記と同様に理由により甲第１〜４号証記載の発明に基づいて当業者が容易に発明できたともいえない。
　また、上記甲各号証には、本件特許請求の範囲請求項６に係る発明の「第１表面領域にに形成された、ドレイン領域とつながる第２ドレイン領域とソース領域との間の段差領域に形成されたチャネル領域を通してホットエレクトロンが生成される」点は記載はおろか示唆もされていない。そして、本件発明は上記構成を採用することによって、上記記載と同様の理由により、甲第１号証記載の発明に比べてより大きな効果を奏するといえる。よって、本件特許請求の範囲請求項６に係る発明が甲第１〜４号証記載の発明に基づいて当業者が容易に発明できたともいえない。本件特許請求の範囲請求項７、８及び１０に係る発明についても上記と同様に理由により甲第１〜４号証記載の発明に基づいて当業者が容易に発明できたともいえない。
(4)むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては本件特許請求の範囲請求項１〜３、５〜８、１０に係る発明の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件特許請求の範囲請求項１〜３、５〜８、１０に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年３月６日（２０００．３．６）