【事件の表示】
　特許第２６９１３９３号「単結晶引上げ用Ｓｉ融液の調節方法」の請求項１ないし５に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。　
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第２６９１３９３号の請求項１、２、３に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　特許第２６９１３９３号の請求項１〜５に係る発明は、平成６年１２月２６日（優先権主張平成５年１２月２８日、日本）に特許出願され、平成９年９月５日にその特許の設定登録がなされ、その後、特許異議申立人北垣　敏より特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１１年３月１７日に訂正請求がなされたのち、訂正拒絶理由が通知され、訂正拒絶理由に対して手続補正書が提出されたものである。
２．訂正の適否についての判断
ア．訂正請求に対する補正の適否について
　 訂正請求に対する補正は、訂正請求書に添付した訂正明細書について、以下（ａ）〜（ｄ）の補正をするものである。
（ａ）特許請求の範囲の請求項１に「希ガス」とあるのを、「質量が大きいＫｒ，Ｘｅ，Ｒｎの１種又は２種以上をＡｒに配合した希ガス」とする。
（ｂ）特許請求の範囲の請求項２の全文を、「ルツボで溶解したＳｉ原料にＶ族元素を添加して用意したＳｉ融液を、単結晶引上げ開始までの間、質量が大きいＫｒ，Ｘｅ，Ｒｎの１種又は２種以上の希ガスを充満させた雰囲気圧１００トール以上のチャンバー内で保持する単結晶引上げ用融液の調整方法。」とする。
（ｃ）特許請求の範囲の請求項３を削除する。
（ｄ）特許請求の範囲の請求項４を請求項３に繰り上げる。
　これらの補正において、補正（ａ）、（ｂ）は実質的に「希ガス」を特定するもの、補正（ｃ）は請求項を削除するもので、いずれも特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり、また、補正（ｄ）は請求項３の削除により生じる欠番を解消するための明りょうでない記載の釈明を目的とするものであって、訂正請求書の要旨を変更するものではないから、特許法第１２０条の４第３項において準用する同法第１３１条第２項の規定に適合するものである。
イ．訂正明細書の請求項１〜３に係る発明
　訂正明細書の請求項１〜３に係る発明は、その特許請求の範囲の請求項１〜３に記載された次の事項により特定されるとおりのものである。
「【請求項１】　ルツボで溶解したＳｉ原料にＶ族元素を添加して用意したＳｉ融液を、単結晶引上げ開始までの間、質量が大きいＫｒ，Ｘｅ，Ｒｎの１種又は２種以上をＡｒに配合した希ガスを充満させた雰囲気圧１００トール以上のチャンバー内で保持する単結晶引上げ用融液の調整方法。
　【請求項２】　ルツボで溶解したＳｉ原料にＶ族元素を添加して用意したＳｉ融液を、単結晶引上げ開始までの間、質量が大きいＫｒ，Ｘｅ，Ｒｎの１種又は２種以上の希ガスを充満させた雰囲気圧１００トール以上のチャンバー内で保持する単結晶引上げ用融液の調整方法。
　【請求頃３】　Ｓｉ原料の溶解から引上げ開始までの間、希ガスを充満させた雰囲気圧１００トール以上のチャンバー内でＳｉ融液を保持する請求項１又は２記載の単結晶引上げ用融液の調整方法。」
（以下、それぞれ「訂正発明１」〜「訂正発明３」という。なお、訂正前の特許明細書の請求項３、５は削除され、請求項４は請求項３に繰り上げられた。）
ウ．訂正の内容
　訂正請求は、本件特許の明細書及び図面を訂正請求書に添付した訂正明細書及び訂正図面のとおりに訂正しようとするものであって、その訂正の内容は次の（ａ）〜（ｊ）のとおりである。（なお、図面については内容の変更はない。）
（ａ）特許請求の範囲の請求項１に「Ｖ族元素を添加したＳｉ原料をルツボで溶解した後」、「希ガス」とあるのを、それぞれ「ルツボで溶解したＳｉ原料にＶ族元素を添加して用意したＳｉ融液を」、「質量が大きいＫｒ，Ｘｅ，Ｒｎの１種又は２種以上をＡｒに配合した希ガス」と訂正する。
（ｂ）特許請求の範囲の請求項２の全文を、「ルツボで溶解したＳｉ原料にＶ族元素を添加して用意したＳｉ融液を、単結晶引上げ開始までの間、質量が大きいＫｒ，Ｘｅ，Ｒｎの１種又は２種以上の希ガスを充満させた雰囲気圧１００トール以上のチャンバー内で保持する単結晶引上げ用融液の調整方法。」と訂正する。
（ｃ）特許請求の範囲の請求項３を削除する。
（ｄ）特許請求の範囲の請求項４を請求項３に繰り上げる。
（ｅ）特許請求の範囲の請求項５を削除する。
（ｆ）発明の詳細な説明の段落番号【0004】において、「育成したＳｉ単結晶の酸素濃度を著しく変化する。」とあるのを、「育成したＳｉ単結晶の酸素濃度が著しく変化する。」と訂正する。
（ｇ）発明の詳細な説明の段落番号【0005】において、「雰囲気ガスとしては、質量が大きいＡｒ，Ｋｒ，Ｘｅ，Ｒｎ等の希ガス、或いは質量の小さいＨｅ，Ｎｅ等の希ガスが使用される。また、質量が大きいＫｒ，Ｘｅ，Ｒｎ等の　希ガス、又は質量の小さいＨｅ，Ｎｅ等の希ガスをＡｒに配合した雰囲気ガスを使用することもできる。」とあるのを、「雰囲気ガスとしては、質量が大きいＡｒ，Ｋｒ，Ｘｅ，Ｒｎ等の希ガスが使用される。また、質量が大きいＫｒ，Ｘｅ，Ｒｎ等の希ガスＡｒに配合した雰囲気ガスを使用することもできる。」と訂正する。
（ｈ）発明の詳細な説明の段落番号【0006】における、「また、質量の小さな希ガスを単独であるいはＡｒと混合した雰囲気として使用すると、逆にＶ族元素及び酸素の蒸発が加速され、酸素濃度の低いＳｉ融液が調製される。」及び「他方、質量の小さな希ガスを含む雰囲気では、逆のメカニズムによって蒸発を促進させるものと考えられる。」を削除する。
（ｉ）発明の詳細な説明の段落番号【0008】において、「逆に、質量の小さな希ガスを使用すると、Ｓｉ融液の酸素濃度が低レベルに維持される。このような融液から得られた単結晶は、酸素濃度が低いため、表面から数μｍを無欠陥領域として必要なＭＯＳデバイスとして使用される。」を削除する。
（ｊ）発明の詳細な説明の段落番号【0015】における、「雰囲気圧を高くし、或いは更に必要に応じて質量の大きな希ガス又は質量の小さな希ガスを使用することによって」とあるのを、「質量の大きなＫｒ，Ｘｅ，Ｒｎ等の希ガス又はＫｒ，Ｘｅ，ＲｎをＡｒに配合した希ガスを雰囲気ガスとして使用し、雰囲気圧を高くすることによって」と訂正する。
エ．訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　上記訂正（ａ）は、「Ｓｉ原料」が、Ｖ族元素を含むものとも読めることから、Ｓｉ原料はＶ族元素を含まないことを明らかにする明りょうでない記載の釈明を目的とするもの、および、「希ガス」を特定のものに限定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　訂正（ｂ）は、実質的に、希ガスからＡｒおよびＨｅ、Ｎｅを除くものであり、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　訂正（ｃ）、（ｅ）は、請求項３、５を削除するもので、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　訂正（ｄ）は、訂正（ｃ）により請求項３が削除されことに伴い番号を繰り上げるもので、明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
　訂正（ｆ）は、「を」を「が」とするもので、誤記の訂正を目的とするものである。
　訂正（ｇ）〜（ｊ）は、特許請求の範囲を減縮することにより生じる発明の詳細な説明の記載との不整合を訂正するもので、明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
　そして、上記訂正（ａ）、（ｂ）における、限定された希ガスは、発明の詳細な説明中に記載され、実施例において用いられているものであり、また、（ａ）、（ｄ）〜（ｊ）は、誤記の訂正もしくは明りょうでない記載の釈明であり、いずれも新規事項を追加するものではなく、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものでもない。
オ．独立特許要件の判断
（１）引用刊行物
　当審が通知した取消理由で引用した刊行物１、２には以下の事項が記載されている。
（ａ）刊行物１（特開昭６１−２２７９８６号公報）は、「石英ルツボ中の溶融体に種結晶を浸漬し、溶融体に添加したアンチモンドーパントを蒸発させながら不活性雰囲気ガス中で単結晶を引上げるに際し、雰囲気ガスの流量および流れ方向を一定の減圧度において制御することを特徴とする、単結晶棒軸方向に任意、かつ断面内に均一なアンチモン濃度分布をもつ単結晶シリコン棒の製造方法。」（特許請求の範囲第１項）に関するものであり、単結晶シリコン棒の製造の実施例として、「石英ルツボ中に高純度シリコン多結晶塊最大長１０〜５０mmを２０Kg充填し、アルゴンガス雰囲気の常圧下でアルゴンガスを６．００Nl/minの割合で引上室内に導入し、溶解した。溶融後、この中に細粒状のアンチモン２０mgを添加し、３０分放置し、ついで、ルツボを・・・回転しつつ、・・・種結晶をシリコン溶融体に浸漬し、単結晶の引上を開始した。単結晶の直径が所望の１００mmに達した時点で、雰囲気ガス圧を２０mmHgに減圧し、同時にアルゴンガス流量を３５．０Nl/minに調節した。また、引上速度は１．１mm/minに設定した。」（第６頁左下欄第１７行〜同頁右下欄第１１行）ことが記載されている。更に、「また雰囲気ガスとしては、アルゴンガスに加えてヘリウムの如き不活性ガスも有効である。」（第７頁左下欄第１１〜１３行）とされている。
（ｂ）刊行物２（特公昭４４−２１０１４号公報）には、「単結晶を適当に選定されたアンチモン含量をもつ坩堝内のシリコン溶融体から種結晶を用いて引上げ、結晶成長の間、溶融体中のアンチモンの一部を蒸発させ、引上げ工程を真空にできる反応容器中で保護ガス雰囲気のもとに行う方法において、溶融体中に種結晶を浸漬後反応器内で１０mmHgの圧力を動的に一定に保つかあるいは３mmHgの圧力にまで下げることを特徴とする全長にわたり均一にアンチモンドープされた単結晶シリコン棒の製造方法。」（特許請求の範囲）が記載されており、具体的な操作として以下の記載がある。
「この発明の方法を実施するためには特に2つの操作が適している。
　この一つの方法はまずシリコンを減圧下たとえば１０−５mmHgで溶融する。溶融温度は約1400〜1450℃である。ついで溶融体の温度を溶融体がなお液状にとどまる限り下げ、しかる後に貯蔵容器からアルゴンを反応容器に導入し、反応容器のガス圧を約500〜760mmHgに調整する。つぎに種結晶を浸漬し、溶着した後結晶の引上げを開始する。ドープ物質として用いるアンチモンに種結晶の浸漬前後に小片たとえば等量の球状としてシリコン溶融体中に入れ、このアンチモンをドープした溶融体から回転数約１０−１００回/分特には約５０回/分で結晶を引上げるのであるが、その際の引上速度は約１〜３mm/分とされる。」（第３欄第３６行〜第４欄第５行）、「別の操作方法は、まずアンチモンとシリコンからなる前合金（Vorlegierung）を作り、ついでこれを約760mmHgの圧力で溶融する。この場合の合金は純アンチモンを坩堝内のシリコン溶融体とともに溶融することにより作られる。続いて種結晶を溶融体中に浸漬して溶着させ、前例で記載した方法で結晶を引上げる。温度と圧力の調整ならびにガス流量の調整も前例と同様である。」（第４欄第１５〜２２行）
（２）対比・判断
（ａ）訂正発明１について
　訂正発明１は、ルツボで溶解したＳｉ原料にＶ族元素を添加して用意したＳｉ融液を、単結晶引上げ開始までの間、質量が大きいＫｒ，Ｘｅ，Ｒｎの１種又は２種以上をＡｒに配合した希ガスを充満させた雰囲気圧１００トール以上のチャンバー内で保持するものであるが、刊行物１には、希ガスとしてＡｒもしくはＨｅを用いること、刊行物２にはＡｒを用いることが記載されるものの、Ａｒにそれよりも質量の大きいＫｒ，Ｘｅ，Ｒｎを配合して用いることは、記載も示唆もされるものではない。
　また、訂正発明２は、ルツボで溶解したＳｉ原料にＶ族元素を添加して用意したＳｉ融液を、単結晶引上げ開始までの間、質量が大きいＫｒ，Ｘｅ，Ｒｎの１種又は２種以上の希ガスを充満させた雰囲気圧１００トール以上のチャンバー内で保持するものであるが、刊行物１、２には、Ａｒよりも質量の大きいＫｒ，Ｘｅ，Ｒｎを用いることは、やはり記載も示唆もされるものではない。
　さらに、訂正発明３は、訂正発明１、２におけるＳｉ融液の保持を、Ｓｉ原料の溶解から引上げ開始までの間に限定するものと認められるが、上記のように、特定の希ガスもしくは特定の希ガスが配合されたものを充満させた雰囲気圧で保持することが、刊行物１、２に記載ないし示唆されないことから、訂正発明３も同様に記載ないし示唆されるといえるものではない。
　そして、訂正発明１〜３は、「Ｖ族元素でドープしたＳｉ融液を単結晶引上げ開始までの間、質量の大きなＫｒ，Ｘｅ，Ｒｎ等の希ガス又はＫｒ，Ｘｅ，ＲｎをＡｒに配合した希ガスを雰囲気ガスとして使用し、雰囲気圧を高くすることによって酸化物の蒸発を制御している。そのため、原料溶解後の均質化過程で酸化物として失われるＶ族元素や酸素の濃度低下が調製され、単結晶引上げに使用されるＳｉ融液が目標濃度をもったものとなる。また、Ｓｉ融液を再調整する必要も少なくなる。しかも、引上げ開始まで高圧雰囲気を維持することによって融液組成の変動が抑えられることから、融液調整からの経過時間に拘束されず、生産計画に合せて引上げ操作を行うことも可能になる。」（訂正明細書段落番号【0015】）という格別の効果を奏するものである。
　よって、訂正発明１〜３は取消理由で引用した刊行物１、２に記載された発明であるとも、また、刊行物１、２に記載された発明から当業者が容易に発明をすることができたものとすることもできない。
　したがって、訂正発明１〜３は特許出願の際独立して特許を受けることができるものである。
カ．むすび
　以上のとおりであるから、本件訂正請求は、特許法第１２０条の４第２項、同条第３項で準用する同法第１２６条第２〜４項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
３．特許異議の申立てについての判断
ア．申立ての理由の概要
　特許異議申立人北垣　敏は、訂正前の請求項１乃至５に係る発明は、甲第１、２号証に記載される発明と同一であるか、甲第１、２号証に記載される発明から当業者が容易に発明をすることができたものであるから特許を取り消すべきと主張している。
　また、特許異議申立人は、本件特許の明細書は、その記載が不備であるので、特許を取り消すべきとも主張している。
イ．判断
（１）特許法第２９条違反について
　前述のように、本件訂正は適法なものであるので、本件請求項１〜３に係る発明は、訂正明細書の請求項１〜３に記載された発明である。
　そして、特許異議申立人の提出した甲第１、２号証は、取消理由で引用した刊行物１、２と同一のものであるところ、上記「２．オ．」で述べたように、訂正発明１〜３は、刊行物１、２に記載された発明であるとも、また、刊行物１、２に記載された発明から当業者が容易に発明をすることができたとされるものでもない。
（２）記載不備について
　特許異議申立人は、訂正前の明細書の記載について、以下（ａ）〜（ｅ）の主張をしている。
（ａ）請求項１では、「Ｖ族元素を添加したＳｉ原料をルツボで溶解した」とするが、実施例１〜実施例３では、原料シリコンを溶解した後、その融液にアンチモンを添加しており、文言上明らかに請求項と実施例との意味が異なり、一致していない。
（ｂ）請求項１では、「単結晶引上げ開始までの間、チャンバー内でＳｉ融液を保持する」とするが、この「保持する」とはその文言からは意味が良くわからない。その上、この保持するとは一定時間放置することのようだが、時間の規定が全くなされていない。
（ｃ）請求項２、請求項３では「等」の文言が使われており、その権利範囲が著しく不明確である。
（ｄ）請求項５では、「引上げ中断から引上げ再開までの間、Ｓｉ融液を保持する」とする。しかし、これはいったいどのような場合で、どのような時のことを言っているのか、本件特許の明細書中に一切の説明がない。
　そこで、これらの点について検討する。
（ａ）について
　訂正前の請求項１の「Ｖ族元素を添加したＳｉ原料をルツボで溶解した」は、前記訂正により「ルツボで溶解したＳｉ原料にＶ族元素を添加して用意したＳｉ融液」とされ、これにより実施例１〜実施例３の内容と一致することとなった。
（ｂ）について
　訂正後の請求項１は、「ルツボで溶解したＳｉ原料にＶ族元素を添加して用意したＳｉ融液を、単結晶引上げ開始までの間、質量が大きいＫｒ，Ｘｅ，Ｒｎの１種又は２種以上をＡｒに配合した希ガスを充満させた雰囲気圧１００トール以上のチャンバー内で保持する単結晶引上げ用融液の調整方法。」であるが、この記載からすれば、「保持する」とは、Ｓｉ融液を単結晶引上げ開始の時まで溶融した状態におくことを意味するのは明らかといえる。また、保持するのは単結晶引上げ開始の時までであるから、時間の規定が全くなされていないとされるものではない。
（ｃ）について
　訂正後の請求項１、２において、「等」なる文言は削除された。
（ｄ）について
　訂正前の請求項５は削除された。
　以上のとおり、特許異議申立人が主張する点はいずれも妥当ではなく、本件特許を取り消すべき明細書の不備があるとすることはできない。
ウ．まとめ
　したがって、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、訂正発明１〜３に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に訂正発明１〜３に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年１月２８日（２０００．１．２８）