【事件の表示】
　特許第２７８８１０３号　「フッ化塩素ガスによるリンのクリーニング方法」の請求項1に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第２７８８１０３号の特許を維持する。
【理　由】
Ｉ　手続きの経緯
　本件特許第２７８８１０３号発明は、平成２年７月２６日に特許出願され、平成１０年６月５日に設定登録がなされ、その後、山口雅行より特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされその意見書の提出期間内である平成１１年７月２３日に訂正請求がなされれ、さらに取消理由通知がなされ平成１１年１２月２４日に２回目の訂正請求がなされたものである。（なお、平成１１年７月２３日付け訂正請求書は取り下げられた。）
II　訂正の適否についての判断
１　訂正明細書の請求項１に係る発明
　訂正明細書（平成１１年１２月２４日付け訂正請求書に添付のもの）の請求項１に係る発明（以下「請求項１の発明」という）は、その特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものである 。
［請求項１］ＣｌＦ、ＣｌＦ３、ＣｌＦ５のうち
少なくとも１種以上を不活性ガスで１０ｖｏｌ％以下となるように希釈した混合ガスを、リンの堆積物または付着物を含む材料と接触させることを特徴とするフッ化塩素ガスによるリンのクリーニング方法。」
２　訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　本件訂正請求は、本件特許第２７８８１０３号発明の明細書を訂正明細書のとおりに訂正することを求めるものであり、訂正の内容は次のとおりである。
（ａ）特許請求の範囲中、請求項１記載の「不活性ガスで希釈した混合ガスを」を「不活性ガスで１０ｖｏｌ％以下となるように希釈した混合ガスを」と訂正する。
（ｂ）明細書第３頁１３〜１５行（本件特許公報３欄１３〜１４行）の「不活性ガスで希釈した混合ガス・・・または付着物を含む材料と接触させる」を「不活性ガスで１０ｖｏｌ％以下となるように希釈した混合ガスを、リンの堆積物または付着物を含む材料と接触させる」と訂正する。
　そこで、これらの訂正事項について検討する。
（ａ）の訂正は、希釈の程度を限定するものであるので特許請求の範囲の減縮を目的とするものと認められる。
（ｂ）の訂正は、特許請求の範囲の減縮に係る（ａ）の訂正によって記載が一致せず不明りょうとなった明細書の発明の詳細な説明中の記載を訂正するものであるが、明りょうでない記載の釈明を目的とするものと認められる。
　そして、上記訂正に係る（ａ）、（ｂ）の点は、願書に添付した明細書５頁８〜１３行（本件特許公報３欄４４〜４９行）の「好ましいフッ化塩素ガスのの濃度は・・・少なくとも１０ｖｏｌ％以下の濃度が好ましい。」の記載に基づくものであり、いずれも願書に添付した明細書に記載の事項の範囲内のものであることは明らかである。そして、上記各訂正は実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでない。
３　独立特許要件の判断
　そこで、訂正後の特許請求の範囲に記載された事項により特定された発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるか否かについて以下検討する。
（１）第２９条の２違反について
ア．先願明細書の記載事項
　本件出願の出願日前の出願であって、その出願後に出願公開された特願平２ー１１８８９号（特開平３ー２１９０８０号公報参照。異議申立人提出の甲第１号証。）の願書に最初に添付した明細書（以下、「先願明細書１」という。）には、「シリコン系堆積膜を形成するための真空反応槽内をプラズマエッチングにより洗浄する過程を含む堆積膜形成装置の洗浄方法において、・・・ＣｌＦ３ガスを１０容量％以上含むＣｌＦ３ガスと希釈ガスとの混合ガスを前記真空槽内に導入し、・・・の放電電力で行なうことを特徴とする堆積膜形成装置の洗浄方法。」（特許請求の範囲１）が記載され、「エッチングガスとしての・・・希釈ガスとしては、Ａｒ、・・・を挙げることができる。」（３頁右下欄８行〜１１行）、「第４図に示す装置を用いて第６図の太陽電池用光受容部材205を形成する場合の手順を以下に詳しく説明する。・・・堆積膜を形成した後の真空反応槽容器31,35の内壁にはシランの重複合物が付着堆積しやすい。」（４頁右上欄３行〜４頁左下欄１２行）、「次に第４図に示す装置において、真空反応槽内壁等に付着したシランの重複合物をエッチングし、該装置を洗浄する手順を以下に説明する。・・・内壁に付着堆積したシランの重複合物をエッチングする。エッチングを終えた・・・導電性基体を取り出す。」（４頁左下欄１３行〜右下欄１３行）、「実験例４　第４図に示す装置を用い上述した手順に従い第６図に示す太陽電池用光受容部材205を第２表の成膜条件で形成した。・・・ＣｌＦ３ガスとＮ２ガスの混合気体によってエッチングし、該装置を洗浄した。以上の操作を繰返し行ない、・・・またエッチング時間・・・も実験例１と同様にＣｌＦ３流量および・・・に依存して飛躍的に短縮された。」（６頁右上欄５行〜右下欄６行）、「実施例２　第４図に示した装置を用い、実験例４と同様の成膜条件により太陽電池用光受容部材２０５を形成し、・・・エッチングを行なった。　エッチング条件８　　ＣｌＦ３流量／Ｎ２流量５０（％）　・・・」（７頁左下及び右下欄）と記載されている。又、「第２表」には、ＳiＨ４、ＰＨ３／ＳiＨ４等の原料ガス用いてＮ型層を形成することが、第４図には堆積膜形成用のガスと洗浄ガスの導入手段、マイクロ波発振器、真空反応槽容器等を有する堆積膜を形成するための装置が示されている。
　以上の記載から、上記「先願明細書１」には、シリコン系堆積膜を形成するための堆積膜形成装置にＣｌＦ３ガスを１０容量％以上含む希釈ガスとの混合ガスを導入し、付着物を混合ガスによってエッチングし該装置を洗浄する方法が、記載されていると言える。又実験例に関する記載から、太陽電池用光受容部材のＮ型層形成のためＳiＨ４、ＰＨ３／ＳiＨ４等の原料ガスが導入され、内壁等にシランの重複合物が付着した堆積膜形成用装置に、ＣｌＦ３ガスと不活性ガスの混合ガスを導入、付着物を混合ガスによってエッチングし該装置を洗浄する方法（以下、「特定洗浄方法」という。）が記載されていると認められる。
　本件出願の出願日前の出願であって、その出願後に出願公開された特願平１ー１０６５０号（特開平２ー１９０４７２号公報参照）の願書に最初に添付した明細書（以下、「先願明細書２」という。）には、「少なくとも一部が金属類物質又はその化合物から成る部材を製造した処理操作系内にフッ化物系クリーニングガスを導入して、その処理操作系内の金属類物質又はその化合物の一部をクリーニング処理した後に、・・・膜形成操作系におけるフッ化物系ガスによるクリーニング後の汚染除去方法において、上記フッ化物系クリーニングガスがフッ化塩素・・・を含有するガスであって、クリーニング後の処理操作系に、・・・水素含有化合物ガスを流して、・・・フッ化物系ガスによるクリーニング後の汚染除去方法」（特許請求の範囲）が記載され、「薄膜形成後におけるＣＶＤ炉のクリーニングをＣｌＦ３ガス或いはＢｒＦ３ガスで行い、・・・本発明を完成した。」（２頁左下欄、右下欄）、「上記金属類物質とは、・・・具体的には、Ｓｉ（単結晶或いはアモルファス）、Ｔｉ、Ｗなどを意味する。また、金属類物質の化合物とは主にセラミックスを意味し、具体的には、ＳｉＯ２・・・などを指す。」（３頁左上欄）、「従って、少なくとも一部が金属類物質又はその化合物から成る部材とは、・・・当該部材の製造操作系とは、例えば半導体、太陽電池、感光体ドラムなどの製造プロセスにおける薄膜形成用のＣＶＤ炉、ＰＶＤ炉、溶射炉などを意味する。・・・上記フッ化物系クリーニングガスは、・・・ＣｌＦ、ＣｌＦ３、ＣｌＦ５、・・・のいずれか或いはこれらの複合ガス、・・・を含むものを意味するが、・・・希ガスで希釈したものを用いる。上記クリーニングの対象になる製造操作系内とは、操作系内でフッ素汚染される部位を示し、・・・を意味する。」（３頁左上欄、右上欄）、「半導体製造工場などにおける実際の汚染除去操作を説明すると・・・図面は上記ＣｌＦ３クリーニング装置であって・・・それぞれ接続される。」（４頁左上欄、右上欄）、「（実施例１）・・・（２）ＣｌＦ３で反応室１内をクリーニングし・・・実験結果を得た。」（４頁右上欄、左下欄）と記載されている。図面には「ＣｌＦ３クリーニング装置」が示されている。
　特許請求の範囲における「フッ化物系ガスによるクリーニング後の汚染除去方法」の記載及びその具体例の説明からみて、「先願明細書１」には、「クリーニング後の汚染除去方法」の部分工程における具体例処理方法として、半導体製造プロセスにおける金属類物質等が付着している製造装置内に希釈されたフッ化塩素ガスを導入してクリーニング処理を行う方法が開示されていると言える。
イ．対比、判断
（ｉ）「先願明細書１」記載の発明との対比
　「先願明細書１」には、シリコン系堆積膜を形成する真空反応槽を有す堆積膜形成装置に、ＣｌＦ３ガスを１０容量％以上含む希釈ガスとの混合ガスを導入することが記載されているが、リンの堆積物にＣｌＦ３ガスを１０容量％以下となるように希釈した混合ガスを接触させリンを除去することについては具体的に記載されていない。
　堆積膜形成装置内にＰＨ３が導入され気相反応が行われたとき装置内の壁面にリンが付着する場合があることは否定できない。しかし、上記した「特定洗浄方法」においては、堆積膜形成装置に「ＣｌＦ３ガスとＮ２ガスの混合ガス」が導入されているが、装置内壁面にリンが付着していると言える状態の装置に対してＣｌＦ３ガスが１０容量％以下となるように希釈した混合ガスを導入し、その装置を洗浄し付着物を除くことは具体的に明らかにされていない。
　そうすると、「先願明細書１」には希釈したＣｌＦ３ガスを用いて洗浄する旨の記載はあるが、ＣｌＦ３ガスが１０容量％以下の希釈した混合ガスを導入し装置内壁に付着しているリンを除去することが開示されているとは言えない。又「先願明細書１」には、ＣｌＦ又はＣｌＦ５と不活性ガスとの混合ガスの使用については何等記載されていない。
　したがって、請求項１の発明と「先願明細書１」記載の発明とが同一であるとは認められない。
（ｉｉ）「先願明細書２」記載の発明との対比
　「先願明細書２」には、「フッ化物系ガスによるクリーニング後の汚染除去方法」の部分工程として、半導体製造プロセスにおいて金属類物質等が付着している製造装置内に希釈されたフッ化塩素ガスを導入することが記載されているが、ＣｌＦ、ＣｌＦ３又はＣｌＦ５ガスが１０容量％以下の希釈した混合ガスを導入しリンが付着した装置を洗浄しリンを除去することは記載されていない。
　「先願明細書２」に記載のものは、フッ化物系クリーニングガスを導入して、金属類物質又はその化合物の一部をクリーニング処理するものであり、「金属類物質又はその化合物」としてはＳｉ、Ｔｉ、Ｗ、ＳｉＯ２等が挙げられているがリンについては記載がない。
　したがって、「先願明細書２」にはＣｌＦ、ＣｌＦ３又はＣｌＦ５ガスが１０容量％以下の希釈した混合ガスを導入し装置内壁に付着したリンを除去することが実質的に開示されているとは言えず、請求項１の発明と「先願明細書２」記載の発明とが同一であるとは認められない。
　
（２）第３６条違反について
　異議申立人は下記の点で本件明細書の記載が不備であると主張している。
（ａ）請求項１には、クリーニングの対象について「リンの堆積物または付着物を含む材料」とあり、これではリンを僅かしか含まない堆積物をクリーニングする場合も含むので、特許請求の範囲は開示範囲を越え広範すぎる。
（ｂ）請求項１では「・・・混合ガスを・・・接触させることを特徴とする・・・方法」とあるが「ガスを高エネルギー状態にする場合」が除かれていないので特許請求の範囲は開示範囲を越え広範すぎる。
（ｃ）請求項１ではフッ化塩素ガスの濃度については何等限定されていないので本件発明の効果が得られない範囲を含んでいる。
　以下これらの点について検討する。
（ａ）について
　本件請求項１の発明においてリンの除去はフッ化塩素ガスとリンとの反応によるから、リンを僅かしか含まない堆積物であっても除去できることは技術常識から明らかであり、請求項１の「リンの堆積物または付着物を含む材料」が不当に広範であるとは言えない。
（ｂ）について
　平成１１年１２月２４日付け訂正請求により「混合ガス」は「１０ｖｏｌ％以下となるように希釈した混合ガス」となった。請求項１の発明は特定濃度に希釈した混合ガスをリンを含む材料と接触させることによって所定の効果がもたらされるものであり、本件明細書には混合ガスをリンの付着物とどのように接触させるかが具体的に開示されている。したがって、上記の「・・・混合ガスを・・・方法」が開示の範囲を超えているとは言えない。
　請求人は、ガスを高エネルギー状態とする場合が除かれないと特許請求の範囲は開示に比し広範すぎると主張するが、それを裏付ける具体的根拠は示していない。
（ｃ）について
　平成１１年１２月２４日付け訂正請求により「・・・希釈した混合ガスを」は「・・・１０ｖｏｌ％以下となるように希釈した混合ガスを」となった。混合ガスの濃度は限定されたので、請求項１の発明が効果が得られない範囲を含んでいるとは言えない。
　したがって、本件の請求項１の発明は特許出願の際独立して特許を受けることができない発明とすることはできない。
４　訂正の適否についての結論
　以上のとおりであるから、上記訂正請求は、特許法第１２０条の４第２項及び同条第３項で準用する第１２６条第２〜４項の規定に適合するので、請求のとおり当該訂正を認める。
III　特許異議申立及び取消理由通知の理由についての判断
１　異議申立理由の概要
　異議申立人・山口雅行は、甲第１号証（特開平３ー２１９０８０号公報参照）を提出し、訂正前の請求項１に係る発明は、本件出願前に出願され本件出願後に出願公開された甲第１号証に係る出願の願書に最初に添付された明細書に記載された発明であるので、特許法第２９条の２の規定により特許を受けることができず、また本件明細書の記載が不備であるから特許法第３６条第４項及び第５項に規定する要件を満たしていないものであり、本件特許は取り消されるべきものである旨主張している。　
　
２　異議申立についての判断
（ａ）第２９条の２違反について
　上記３（１）イ（ｉ）に示したのと同じ理由により、本件の請求項１の発明は「先願明細書１」（異議申立人提出の甲第１号証参照）に記載された発明と同一であるとは認められない。
（ｂ）第３６条違反について
　上記した理由により本件明細書の記載が不備であるとすることはできない。
３　取消理由について
（ａ）第２９条の２違反について
　請求項１の発明は上記３（１）イ（ｉｉ）に示したのと同様な理由により「先願明細書２」（引用例）に記載された発明と同一であるとは認められない。
IV　むすび
　以上のとおり、本件の請求項１の発明に係る特許は異議申立ての理由及び証拠、取消理由通知の理由によっては取り消すことはできない。
　また、他に本件請求項１に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年１月３１日（２０００．１．３１）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
（ａ）特許請求の範囲中、請求項１記載の「不活性ガスで希釈した混合ガスを」を「不活性ガスで１０ｖｏｌ％以下となるように希釈した混合ガスを」と訂正する。
（ｂ）明細書第３頁１３〜１５行の「不活性ガスで希釈した混合ガス・・・または付着物を含む材料と接触させる」（本件特許公報３欄１３〜１４行）を「不活性ガスで１０ｖｏｌ％以下となるように希釈した混合ガスを、リンの堆積物または付着物を含む材料と接触させる」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
フッ化塩素ガスによるリンのクリーニング方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　ＣＩＦ、ＣＩＦ３、ＣＩＦ５のうち少なくとも１種以上を不活性ガスで
１０ｖｏｌ％以下となるように
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
　本発明は、半導体分野においてＣＶＤ装置等の内部に付着するリンの堆積物または付着物を、フッ化塩素系のガスを用いてクリーニングする方法に関するものである。
［従来技術］
　従来よりリンまたはその化合物は、半導体分野において広範に利用されている。例えば、リンの化合物であるホスフィンを例にとれば、シリコンＩＣ製造におけるドーピングガス、化合物半導体におけるエピタキシャル原料等に利用されるている。
　特に、Ｇａ−Ｐ等の化合物半導体は赤外ＬＥＤ（発光ダイオード）、通信用ＬＥＤ、半導体レーザー、太陽電池、ＦＥＴ（電界効果トランジスター）ＩＣの材料としてその需要は益々増大していくものと考えられる。
　ところで上記工程においては、ガス状のリン化合物を用いるので、目的物以外の反応容器、治具排気管等の製造装置部材にもリンがかなりの量付着する。これら析出物は大部分が黄燐の形で析出するが、該物質は酸化性が強く、空気等に触れると燐光を発して酸化し、発火する場合が多く、非常に危険である。
　現状においては、リンが付着した装置部材のクリーニングは、装置を解体後、湿式法による酸またはアルカリ洗浄ま物理的に取り除く方法がとられている。しかし、リンは人体に対して有害であるばかりでなく、上記したように酸化の際に発火しやすく、一旦装置を解体しなければならない従来法によるクリーニングは好ましくない。又プロセスの簡易化という観点からも、従来使われている湿式であれば、装置の分解、洗浄、乾燥、組み立てのように数多くの工程を踏まねばならず、改善の余地がある。
［問題点を解決するための具体的手段］
　本発明者らは、上記従来法の問題点に鑑み簡易な乾式法でのクリーニング法について鋭意検討の結果、上記堆積物、付着物の除去にフッ化塩素ガスが有効であることを見出し、本発明に到達したものである。
　すなわち本発明は、ＣＩＦ、ＣＩＦ３、ＣＩＦ５のうち少なくとも１種以上を不活性ガスで
１０ｖｏｌ％以下となるように
　本発明でクリーニングできるのは単体のリンであり、普通は黄燐として析出するため、ＣＶＤ装置等の内部や治具等に黄色の粉末や膜状物として付着している。これらは、あまり硬度の高くないものであるので、物理的にも取り除くことができるが、前述したように発火の危険性があり、人体にも毒であるので、装置そのものを解体せずにガスを導入して取り除く方法が望ましい。
　そこで、上記リンの除去について検討したところ、フッ化塩素ガスの導入により簡単にガス化し取り除くことができることがわかった。また、この反応によって生じるガスを、ガスセルに導入してＩＲにより分析を行ったところＰＦ５であることがわかった。しかし、本発明のフッ化塩素ガスとリンの反応は、激しい発熱反応であるため高濃度のフッ化塩素ガスを導入した場合は、リンの温度が急激に上昇し、液状となってフランジ等に付着してこれらの材料を侵したり、場合によってはＣＶＤの装置や治具に損害を与える可能性があることがわかった。そこで、クリーニングガスの種類やその濃度等の種々の条件につき検討した結果、以下に示すような本発明の条件を見い出したものである。
　本発明で使用するガスは、ＣＩＦ、ＣＩＦ３、ＣＩＦ５であり、これらは単独で使用しても２種以上を混合しても使用してもよいが、ＣＩＦ３を単独で使用するかまたは主成分として使用するのが好ましい。
　また、フッ化塩素ガスはそのまま装置内に導入すると反応性が高すぎて材料の温度が上がりすぎるので好ましくなく、通常は窒素、アルゴン、ヘリウム等の不活性ガスで希釈して使用するのが好ましい。その時は好ましいフッ化塩素ガスの濃度は、系内に存在するリンの量、混合ガスの導入方法またはその濃度によってリンの発熱量が異なるので、いちがいにいえないが反応速度が遅いと考えられる封入方式の結果から考えて、少なくとも１０ｖｏｌ％以下の濃度が好ましい。
　クリーニングの方法としては、一定の温度、流速で装置内にガスを流通させるいわゆる流通方式か、または装置内に上記ガスを封入して一定の時間保ついわゆる封入方式かの二つの方法をとることができるが、発熱を防ぎながら比較的低濃度で迅速に処理できる流通法の方が好ましい。
　以上のように本発明のフッ化塩素を使用する方法により、ＣＶＤ装置の部材や治具などに堆積、付着したリンに対し、装置を分解することなく、不活性ガスで希釈された混合ガスを装置内に導入することにより簡単にとりのぞくことができる。
［実施例］
　以下、実施例により本発明を詳細に説明する。
実施例１
　Ｇａ−Ｐ化合物半導体製造用ＭＯＣＶＤ装置および排気管内に付着した黄色の物質を採取し、螢光Ｘ線により元素分析したところほぼ１００ｗｔ％リンであり、この物質はいわゆる黄燐といわれるものであることがわかった。
　そこで、市販の黄燐を無アルカリガラス製ボート中に約０．２ｇとり、円筒型の石英反応容器中に設置した。次に、反応容器中の温度が２０℃の条件でガスの全圧７６０Ｔｏｒｒ、ＣＩＦ３の流量：１０ｃｃ／ｍｉｎ、Ａｒガス流量：９９０ｃｃ／ｍｉでガスを流通させたところ、約４７分で気化させることができた。この時の、黄燐の処理速度（気化速度）は４．３×１０−３ｇ／ｍｉｎであった。
　本実施例で生成したガスを、ガスセルによりＩＲ分析したところＰＦ５であることがわかった。
実施例２
　ＣＩＦ３の流量：３０ｃｃ／ｍｉｎ、Ａｒガスの流量：９７０ｃｃ／ｍｉｎに設定した他は、実施例１と全く同様の方法を実施したところ、黄燐は約６分で完全に気化した。この時の、黄燐の処理速度（気化速度）は３．３×１０−２ｇ／ｍｉｎであった。
実施例３
　反応による発熱がより少ないと考えられる封入方式により、黄燐の発熱量をチェックした。
　まず、実施例１と同様に黄燐０．２ｇを無アルカリガラス製の反応容器にとり、石英反応容器中に設置した。この時の室温は２０℃であった。
　次に反応容器内部を４×１０−２Ｔｏｒｒまで真空排気した後、ＣＩＦ３ガスのそれぞれその濃度が３，５，８，１０，１２ｖｏｌ％になるようにＡｒガスと混合したガスを、流量が５００ｃｃ／ｍｉｎの速度で７６０Ｔｏｒｒになるまでゆっくり導入し、封入した。
　そして、この時の試料の温度を測定したところ、３，５，８ｖｏｌ％では試料の温度は余り上がらず４５℃以下であった。次に１０ｖｏｌ％の場合では、試料温度は５２℃まで上昇し、試料は半溶融状態であったが粘度が高く、流れだすところまでは至らなかった。さらに濃度を１２ｖｏｌ％まで上げたところ、温度は８０℃まで上昇し、完全に溶融状態となった。
［発明の効果］
　フッ化塩素ガスを不活性ガスに希釈した混合ガスを用い、種々のＣＶＤ装置等の容器、治具、排気管等に堆積、付着したリンと接触させることにより、上記リンを簡単に取り除き、クリーニングすることができるという効果を奏する。