(57)【要約】【課題】本発明は、プラズマ処理装置を提供する。【解決手段】本発明の一実施形態にかかるプラズマ処理装置１は、相互に独立して配置された第１チャンバ１１０及び第２チャンバ１２０を有し、基板１０が投入されかつプラズマ処理されるユニットチャンバアセンブリ１００と、折り曲げられた形状を有し、第１チャンバ１１０及び第２チャンバ１２０にプラズマを発生させるユニットプラズマ電極２００とを含むことを特徴とする。【選択図】図２
2013529358.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマ処理装置であって、
相互に独立して配置された第１及び第２チャンバを有し、基板が投入されかつプラズマ処理されるユニットチャンバアセンブリと、
折り曲げられた形状を有し、前記第１及び第２チャンバにプラズマを発生させるユニットプラズマ電極とを含むことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】
プラズマ処理装置であって、
相互に独立して上下に配置された第１及び第２チャンバを有し、基板が投入されかつプラズマ処理されるユニットチャンバアセンブリと、
前記ユニットチャンバアセンブリに配置され、前記基板をプラズマ処理するためのプラズマを発生させるユニットプラズマ電極とを含み、
前記ユニットプラズマ電極が、
前記第１チャンバに配置され、該第１チャンバの内部にプラズマを発生させる第１電極部と、
前記第２チャンバに配置され、該第２チャンバの内部にプラズマを発生させる第２電極部と、
前記第１及び第２電極部を相互に接続する折り曲げ部とを含むことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項３】
前記第１電極部の末端が、プラズマ生成のための電磁場を発生させるＲＦ（Radio Frequency）信号を印加するＲＦアンテナに接続されており、
前記第２電極部の末端が、グラウンドに接続されていることを特徴とする請求項２に記載のプラズマ処理装置。
【請求項４】
前記ユニットチャンバアセンブリに前記ユニットプラズマ電極が複数個配置されていることを特徴とする請求項２に記載のプラズマ処理装置。
【請求項５】
前記基板が矩形状に形成され、
前記複数のユニットプラズマ電極の前記複数の第１電極部が、前記第１チャンバの内部に配置された前記基板の短辺方向と平行に一定間隔をおいて配置されていることを特徴とする請求項４に記載のプラズマ処理装置。
【請求項６】
前記基板が矩形状に形成され、
前記複数のユニットプラズマ電極の前記複数の第２電極部が、前記第２チャンバの内部に配置された前記基板の短辺方向と平行に一定間隔をおいて配置されていることを特徴とする請求項４に記載のプラズマ処理装置。
【請求項７】
前記ユニットチャンバアセンブリが、複数個設けられていることを特徴とする請求項２に記載のプラズマ処理装置。
【請求項８】
前記複数のユニットチャンバアセンブリが垂直に一列に配置されていることを特徴とする請求項７に記載のプラズマ処理装置。
【請求項９】
前記折り曲げ部が２つの折り曲げ点を含み、前記ユニットプラズマ電極が「コ」の字または逆「コ」の字から選択されたいずれか１つの形状を有することを特徴とする請求項２に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１０】
前記ユニットプラズマ電極が石英管を含んで構成されていることを特徴とする請求項２に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１１】
前記第１及び第２チャンバのそれぞれにおいて、プロセスガスを供給するガス供給部が設けられていることを特徴とする請求項２に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１２】
前記第１及び第２チャンバに互いに同量のプロセスガスが供給されるようにしたことを特徴とする請求項１１に記載のプラズマ処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマ処理装置に関し、より詳細には、複数のプラズマ電極間の相互作用によって発生する電磁場の相殺を最小化することができるプラズマ処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
高周波のエネルギーによって発生したプラズマを用いる工程は、「高周波プラズマ法（RF Plasma Processes）」または「高周波プラズマ処理（RF Plasma Processing）」と呼ばれる。
【０００３】
プラズマを用いる工程は、大規模集積回路のような半導体製造技術において、エッチング及び蒸着などの技術に利用されており、特に、液晶表示装置（ＬＣＤ；Liquid Crystal Display）のようなディスプレイ装置の製造において、非常に実用的に利用されている。また、最近、半導体素子の微細化及びウエハの大口径化が要求されるに伴い、プラズマを用いる工程は、より重要な役割を果たすようになった。
【０００４】
プラズマを用いる工程を行うにあたり、速度及び生産性を向上させるためには、一般的に、プラズマの密度、すなわち、プラズマ内に荷電された粒子の密度を増加させることが要求される。プラズマの密度を高くするために主に利用される方法は、複数のプラズマ電極を用いることである。
【０００５】
しかし、プラズマ処理装置の製造費用またはプラズマ処理装置の面積を考慮すると、利用されるプラズマ電極の数には限界がある。したがって、利用されるプラズマ電極の数を最小にしながら、高密度のプラズマを実現できる技術が必要であるのが実情である。
【０００６】
一方、高密度のプラズマを発生させるために複数のプラズマ電極を用いるにあたり、電磁場の相殺について考慮することが必要である。複数のプラズマ電極を用いる場合、複数の電極間の相互作用によって電磁場の相殺が起きる可能性が大きいからである。
【０００７】
図１は、従来のプラズマ処理装置の構成を概略的に示す図であり、従来のプラズマ処理装置２は、複数のプラズマ電極５０の一端及び他端にそれぞれ配置されたＲＦアンテナ及びグラウンド（GROUND）が交互に逆に配置されている。
【０００８】
図１を参照すると、反応チャンバ３０の内部に支持された基板４０の上方に複数のプラズマ電極５０が設けられ、複数のプラズマ電極５０の一端及び他端にＲＦアンテナ及びグラウンドがそれぞれ接続されている。このとき、ＲＦアンテナとグラウンドとは、交互に逆の方向に配置されていることを確認することができる。
【０００９】
従来のプラズマ処理装置２によれば、相対的に弱い電磁場を有する特定の領域が存在しなくなるという利点はあるが、特定のプラズマ電極５０によって発生する電磁場が、隣接するプラズマ電極５０によって発生する電磁場によって相殺されるという問題があった。すなわち、図１の参照番号「Ａ」と表示された領域で電磁場の相殺が発生するという問題があった。
【００１０】
電磁場はプラズマを発生させる役割を果たすため、電磁場の相殺は、発生するプラズマの密度を減少させるという結果を招くことになる。このため、高密度のプラズマを発生させるために電磁場の相殺を最小化できる技術が要求されている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
そこで、本発明は、上記の従来技術の問題を解決するためになされたものであって、本発明は、複数のプラズマ電極間の相互作用によって発生する電磁場の相殺を最小化することができるプラズマ処理装置を提供することを目的とする。
【００１２】
また、本発明は、プラズマ電極の数を最小化しながら、高密度のプラズマを発生させることができるプラズマ処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記の目的を達成するために、本発明の実施形態にかかるプラズマ処理装置は、相互に独立して配置される第１及び第２チャンバを有し、基板が投入されかつプラズマ処理されるユニットチャンバアセンブリと、折り曲げられた形状を有し、第１及び第２チャンバにプラズマを発生させるユニットプラズマ電極とを含むことを特徴とする。
【００１４】
また、本発明の実施形態にかかるプラズマ処理装置は、相互に独立して上下に配置された第１及び第２チャンバを有し、基板が投入されかつプラズマ処理されるユニットチャンバアセンブリと、基板をプラズマ処理するためのプラズマを発生させ、ユニットチャンバアセンブリに配置されたユニットプラズマ電極とを含み、ユニットプラズマ電極は、第１チャンバに配置され、該第１チャンバの内部にプラズマを発生させる第１電極部と、第２チャンバに配置され、該第２チャンバの内部にプラズマを発生させる第２電極部と、第１及び第２電極部を相互に接続する折り曲げ部とを含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、複数のプラズマ電極間の相互作用によって発生する電磁場の相殺を最小化することができる。
【００１６】
また、本発明によれば、プラズマ電極の数を最小化しながら、高密度のプラズマを発生させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】従来のプラズマ処理装置の構成を概略的に示す図である。
【図２】本発明の一実施形態にかかるプラズマ処理装置の構成を示す図である。
【図３】本発明の一実施形態にかかるユニットプラズマ電極の構成のみを示す図である。
【図４】本発明の一実施形態にかかる、ＲＦ信号がユニットプラズマ電極で流れる様子を概略的に示す図である。
【図５】本発明の一実施形態にかかるプラズマ処理装置の外部構成を示す斜視図である。
【図６】本発明の一実施形態にかかる複数の第１及び第２電極部の配置状態を概略的に示す図である。
【図７】ユニットプラズマ電極に接続されるＲＦアンテナ周辺の構成を示す図である。
【図８】本発明の他の実施形態にかかるプラズマ処理装置の構成を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
後述する本発明に関する詳細な説明は、本発明が実施できる特定の実施形態を例示として示す添付図面を参照する。これらの実施形態は、当業者が本発明を実施できるように十分に詳細に説明される。本発明の多様な実施形態は、互いに異なるが、相互排他的である必要はないことが理解されなければならない。例えば、ここに記載されている特定の形状、特定の構造、及び特性は一実施形態に関連し、本発明の精神及び範囲を逸脱しない範囲内で他の実施形態で実現可能である。また、各々の開示された実施形態における個別構成要素の位置または配置は、本発明の精神及び範囲を逸脱しない範囲内で変更可能であることが理解されなければならない。したがって、後述する詳細な説明は、限定的な意味として受け取るものではなく、本発明の範囲は、適切に説明された場合、その請求項が主張するのと均等なすべての範囲とともに添付した請求項によってのみ限定される。図面において、類似の参照符号は、様々な側面にわたって同一または類似の機能を指し示し、長さ、面積、厚さ、及び形態は、便宜上、誇張して表現されることもある。
【００１９】
以下では、当業者が本発明を容易に実施できるようにするために、本発明の好ましい実施形態について、添付した図面を参照して詳細に説明する。
【００２０】
図２は、本発明の一実施形態にかかるプラズマ処理装置の構成を示す図である。
【００２１】
図２を参照すると、本発明のプラズマ処理装置１は、全般的な半導体工程分野において、プラズマを用いるすべての工程を行うことができる。したがって、以下において、基板１０を「プラズマ処理」するとは、基板１０上に半導体層を形成することに限らず、基板１０上に形成された半導体の表面を改質することや、基板１０上に形成された半導体層をエッチングすることなどをすべて含む意味と解釈できることを明らかにする。
【００２２】
また、本発明のプラズマ処理装置１で処理される基板１０の材質は、ガラス基板であることが好ましいが、これに限定されるものではない。したがって、プラスチック、ポリマー、シリコンウエハ、ステンレススチールなど、多様な材質の基板が本発明のプラズマ処理装置１で処理できることを明らかにする。そして、基板１０は、略矩形状に形成される。
【００２３】
図２を参照すると、本発明の一実施形態にかかるプラズマ処理装置１は、ユニットチャンバアセンブリ１００を含んで構成できる。ユニットチャンバアセンブリ１００は、基本的に、相互に独立して配置された第１チャンバ１１０及び第２チャンバ１２０で構成されるユニット体である。第１チャンバ１１０と第２チャンバ１２０が独立して配置されるとは、第１チャンバ１１０と第２チャンバ１２０が位置的に区分され、互いに異なるプラズマ処理空間を提供する意味と解釈できる。すなわち、互いに異なる基板１０が、第１チャンバ１１０と第２チャンバ１２０内で独立してプラズマ処理可能である。たとえ、図２には、第１チャンバ１１０及び第２チャンバ１２０内で一度に１枚の基板１０がプラズマ処理されるものとして示されているが、場合によっては、ボート（図示せず）などを用いて、第１チャンバ１１０及び第２チャンバ１２０内で複数の基板１０をそれぞれ同時にプラズマ処理することもできる。
【００２４】
第１チャンバ１１０及び第２チャンバ１２０には、工程チャンバの一般的な構成要素が設けられ、基板１０に対する独立したプラズマ処理空間を提供することができる。
【００２５】
プラズマ処理の信頼性のために、第１チャンバ１１０及び第２チャンバ１２０には、ほとんどの構成要素が共通に設けられるが、以下では、共通に設けられる構成要素について説明する。
【００２６】
まず、図２に示していないが、第１チャンバ１１０及び第２チャンバ１２０には、所定の長さを有する複数の駆動ローラユニットが設置可能である。複数の駆動ローラユニットは、基板１０を支持しながら、インライン方式によって基板１０を移動させる機能を果たすことができる。
【００２７】
より具体的には、複数の駆動ローラユニットは、基板１０の下面と接触しながら、後述する基板１０の搬出部の方向である基板１０の進行方向に回転して、第１チャンバ１１０及び第２チャンバ１２０の内部に基板１０を搬入させる。
【００２８】
そして、複数の駆動ローラユニットは、基板１０が搬入されると、基板１０に対するプラズマ処理が行われている間に基板１０を支持し、基板１０に対するプラズマ処理が完了すると、基板１０の下面と接触しながら、基板１０の進行方向に回転して、外部に基板１０を搬出する機能を果たすことができる。複数の駆動ローラユニットは、設置位置によって互いに異なる幅で形成可能であるが、直径はすべて等しく形成されることが好ましい。
【００２９】
次に、図２に示していないが、ユニットプラズマ電極２００が配置されていない第１チャンバ１１０及び第２チャンバ１２０の全面には、所定の幅と高さを有する搬入部が設置可能である。搬入部は、開口して、基板１０が搬入される通路としての役割を果たすことができる。プラズマ処理が行われている間には、第１チャンバ１１０及び第２チャンバ１２０の密閉のために搬入部が遮断される必要があることから、搬入部には、上下方向に開閉されるドア（図示せず）が設置可能である。
【００３０】
次に、図２に示していないが、搬入部が配置された面に対向する第１チャンバ１１０及び第２チャンバ１２０の後面には、所定の幅及び高さを有する搬出部が形成可能である。搬出部は、開口して、基板１０が搬出される通路としての役割を果たすことができる。搬入部と同様に、熱処理工程が行われている間には、第１チャンバ１１０及び第２チャンバ１２０の密閉のために搬出部が遮断される必要があることから、搬出部には、上下方向に開閉されるドア（図示せず）が設置可能である。
【００３１】
次に、図２に示していないが、第１チャンバ１１０及び第２チャンバ１２０には、ヒータが設置可能である。ヒータは、第１チャンバ１１０及び第２チャンバ１２０の内部または外部に設けられ、プラズマ処理に必要な熱を基板１０に供給する機能を果たすことができる。ヒータは、石英管の内部に発熱体が挿入されている棒状のユニットヒータ（図示せず）が複数個で構成できる。
【００３２】
これに関連し、図２には、基板１０が単独で第１チャンバ１１０または第２チャンバ１２０に搬入されてプラズマ処理されるものとして示されているが、好ましくは、基板１０は、基板ホルダ（図示せず）に載置された状態で、第１チャンバ１１０または第２チャンバ１２０内に搬入されてプラズマ処理されることができる。これは、基板１０に対するプラズマ処理過程を行うにあたり、ヒータで基板１０を加熱することによって発生し得る基板１０の変形を防止するためである。
【００３３】
次に、図２に示していないが、第１チャンバ１１０及び第２チャンバ１２０には、第１チャンバ１１０及び第２チャンバ１２０の内部にプロセスガスを供給するガス供給部が設置可能である。第１チャンバ１１０及び第２チャンバ１２０に供給されたガスは、プラズマに変換され、基板１０のプラズマ処理に関与することができる。
【００３４】
プラズマ処理工程の信頼性、すなわち、第１チャンバ１１０に配置される基板１０と、第２チャンバ１２０に配置される基板１０とが互いに同一の条件でプラズマ処理されるようにするために、第１チャンバ１１０及び第２チャンバ１２０には、互いに同量のプロセスガスが供給されるように制御されることが好ましい。このため、本発明のプラズマ処理装置１は、第１チャンバ１１０及び第２チャンバ１２０に供給されるプロセスガスの量を制御する制御部（図示せず）を含んで構成できる。
【００３５】
次に、図２に示していないが、第１チャンバ１１０及び第２チャンバ１２０には、冷却部が設置可能である。冷却部は、プラズマ工程が完了した基板１０を冷却する機能を果たすことができる。このため、冷却部は、水冷式と空冷式を含む公知の様々な冷却手段の構成原理を採用することができる。
【００３６】
一方、第１チャンバ１１０と第２チャンバ１２０は、相互に独立して左右に配置されてもよいが、好ましくは、図２に示すように、相互に独立して上下に配置可能である。当然のことながら、第１チャンバ１１０及び第２チャンバ１２０のいずれか一方が上部に位置すると、他方は下部に位置する。以下では、説明の便宜上、第１チャンバ１１０が第２チャンバ１２０の上部に位置すると想定して説明する。
【００３７】
次に、図２をさらに参照すると、本発明の一実施形態にかかるプラズマ処理装置１は、ユニットプラズマ電極２００を含んで構成できる。ユニットプラズマ電極２００は、外部から電源を受けてプラズマを発生させる機能を果たすことができる。本発明のユニットプラズマ電極２００がプラズマを発生させる方式は、特に制限はないが、好ましくは、誘導結合方式によってプラズマを発生させることができる。つまり、ユニットプラズマ電極２００は、高周波電圧を供給するＲＦ電源を受けて電磁場を生成させることにより、第１チャンバ１１０及び第２チャンバ１２０内に供給されたプロセスガスをプラズマに変換させることができる。
【００３８】
前述したように、プラズマ処理装置１の製造費用またはプラズマ処理装置１の面積を考慮すると、できるだけ少数のユニットプラズマ電極２００を用いながら、ユニットプラズマ電極２００の空間の活用を極大化することが必要である。このため、本発明では、折り曲げられた形状を有する１つのユニットプラズマ電極２００が第１チャンバ１１０及び第２チャンバ１２０の両方にプラズマを発生させることを構成上の特徴とする。
【００３９】
図３は、本発明の一実施形態にかかるユニットプラズマ電極の構成のみを示す図である。以下では、図２とともに、図３をさらに参照して、ユニットプラズマ電極２００の形態及び構成について詳細に説明する。
【００４０】
図２をさらに参照すると、１つのユニットプラズマ電極２００が第１チャンバ１１０と第２チャンバ１２０の両方に配置されていることを確認することができる。このため、本発明のユニットプラズマ電極２００は、折り曲げられた形状を有している。より具体的には、本発明のユニットプラズマ電極２００は、第１チャンバ１１０に配置される第１電極部２１０と、第２チャンバ１２０に配置される第２電極部２２０と、第１電極部２１０及び第２電極部２２０を相互に接続する折り曲げ部２３０とを含んで構成される。
【００４１】
ここで、折り曲げ部２３０は、１つ以上の折り曲げ点を有することができ、好ましくは、図３に示すように、２つの折り曲げ点を有することができる。折り曲げ点が２つの場合、図３に示すように、ユニットプラズマ電極２００は、「コ」の字または逆「コ」の字形状を有することができる。このような形態でユニットプラズマ電極２００が構成されることにより、１つのユニットプラズマ電極２００を第１チャンバ１１０及び第２チャンバ１２０の両方に配置することが容易になる。
【００４２】
図２をさらに参照すると、第１電極部２１０の末端にはＲＦアンテナ３００が接続され、第２電極部２２０の末端にはグラウンド（GROUND）４００が接続されることを確認することができる。ここで、ＲＦアンテナ３００は、ＲＦ信号をユニットプラズマ電極２００に印加する機能を果たすことができ、グラウンド４００は、印加されたＲＦ信号がユニットプラズマ電極２００を介して流れるようにする機能を果たすことができる。
【００４３】
図２では、第１電極部２１０の末端にＲＦアンテナ３００が接続されるものとして示されているが、１つのユニットプラズマ電極２００の一端にＲＦアンテナ３００が接続され、他端にグラウンド４００が接続されるのであれば、ＲＦアンテナ３００がどの電極部に接続されるかはそれほど重要でない。したがって、第２電極部２２０の末端にＲＦアンテナ３００が接続され、第１電極部２１０の末端にグラウンド４００が接続されてもよい。ただし、以下では、第１電極部２１０の末端にＲＦアンテナ３００が接続されると想定して説明する。
【００４４】
図４は、本発明の一実施形態にかかる、ユニットプラズマ電極にＲＦ信号が流れる様子を概略的に示す図である。
【００４５】
図４を参照すると、第１チャンバ１１０に配置される第１電極部２１０においてＲＦ信号が印加され、第２チャンバ１２０に配置される第２電極部２２０においてＲＦ信号が流出することができる。すなわち、ＲＦアンテナ３００から印加されるＲＦ信号は、ＲＦアンテナ３００→第１電極部２１０→折り曲げ部２３０→第２電極部２２０→グラウンド４００の順に流れることができる。このようなＲＦ信号の流れにより、第１チャンバ１１０では、第１電極部２１０によってプラズマが発生及び維持され、第２チャンバ１２０では、第２電極部２２０によってプラズマが発生及び維持可能である。
【００４６】
一方、ユニットプラズマ電極２００は、中空の石英管で構成することができる。石英管は、耐熱性などの物理的な特性に優れているため、ユニットプラズマ電極２００の変形を防止するのに役立つ。石英管の内部に形成された中央の空間には、ＲＦ信号が流れる所定の金属線（図示せず）を配置することができる。ここで、金属線としては、導電性に優れた、例えば、銅線などが使用可能である。
【００４７】
図５は、本発明の一実施形態にかかるプラズマ処理装置の外部構成を示す斜視図である。
【００４８】
図５を参照すると、本発明のユニットプラズマ電極２００を１つのユニットチャンバアセンブリ１００に複数個配置できる。すなわち、ユニットチャンバアセンブリ１００の第１チャンバ１１０に第１電極部２１０が複数個配置し、ユニットチャンバアセンブリ１００の第２チャンバ１２０に第２電極部２２０が複数個配置することが可能である。
【００４９】
図６は、本発明の一実施形態にかかる複数の第１及び第２電極部の配置状態を概略的に示す図である。
【００５０】
詳細に説明すると、図６（ａ）は、第１チャンバ１１０の内部に複数の第１電極部２１０が配置される様子を概略的に示す図であり、図６（ｂ）は、第２チャンバ１２０の内部に複数の第２電極部２２０が配置される様子を概略的に示す図である。
【００５１】
図６（ａ）を参照すると、第１チャンバ１１０は、平面形状が略矩形状に形成され、複数のユニットプラズマ電極２００の複数の第１電極部２１０は、第１チャンバ１１０の内部に配置された基板１０の短辺方向と平行に一定間隔をおいて配置可能である。これにより、第１チャンバ１１０内において基板１０に対するプラズマ処理をより均一に行うことができる。
【００５２】
図６（ａ）をさらに参照すると、第１チャンバ１１０の内部には、１つの一定の方向、すなわち、上から下方向にＲＦ信号が印加されることを確認することができる。仮に、複数の第１電極部２１０に印加されるＲＦ信号の方向が互いに逆であれば、ＲＦ信号の相殺が生じ得るが、本発明によれば、複数の第１電極部２１０に印加されるＲＦ信号が同じ方向であるため、信号の減衰現象が現れなくなり、電磁場の強さが均一に維持できるようになる。
【００５３】
一方、図６（ｂ）を参照すると、第２チャンバ１２０は、平面形状が略矩形状に形成され、第１電極部２１０と同様に、複数のユニットプラズマ電極２００の複数の第２電極部２２０は、第２チャンバ１２０の内部に配置された基板１０の短辺方向と平行に一定間隔をおいて配置可能である。これにより、第２チャンバ１２０内において基板１０に対するプラズマ処理をより均一に行うことができる。
【００５４】
図６（ｂ）をさらに参照すると、第１電極部２１０と同様に、１つの一定の方向、すなわち、上から下方向にＲＦ信号が印加されることを確認することができる。前述したように、複数の第２電極部２２０に印加されるＲＦ信号は同じ方向であるため、信号の減衰現象が現れなくなり、電磁場の強さが均一に維持できるようになる。
【００５５】
一方、図７は、ユニットプラズマ電極に接続されるＲＦアンテナ周辺の構成を示す図である。
【００５６】
図７に示すように、ＲＦアンテナ３００の外部には、ＲＦアンテナ３００を囲むチューブ３１０が形成されており、チューブ３１０の外周面には、絶縁部３２０が形成可能である。絶縁部３２０は、例えば、プラズマ処理装置１の第１チャンバ１１０と接するようになるが、ＲＦアンテナ３００を固定するためのフランジ３３０及びワッシャ（washer）３４０によって固定可能である。チューブ３１０は、ＲＦアンテナシールキャップ３５０及びＲＦアンテナシールフェルール（ferrule）３６０によってフランジ３３０と接するようになり、これにより、プラズマ処理装置１の第１チャンバ１１０に固定可能である。ＲＦアンテナシールキャップ３５０とＲＦアンテナシールフェルール３６０は、絶縁物質からなり得る。ＲＦアンテナ３００及びこれを囲んでいるチューブ３１０と第１チャンバ１１０との間をシールするために、１つ以上のＯリング（O-ring）３７０をさらに具備することができる。
【００５７】
図８は、本発明の他の実施形態にかかるプラズマ処理装置の様子を示す図である。
【００５８】
図８を参照すると、本発明の他の実施形態にかかるプラズマ処理装置１ａは、基本的に、第１チャンバ１１０ａ及び第２チャンバ１２０ａで構成されるユニットチャンバアセンブリ１００ａを複数個含むことができる。図８には、プラズマ処理装置１ａに２つのユニットチャンバアセンブリ１００ａが含まれるものとして示されているが、必ずしもこれに限定されるものではなく、本発明の利用目的に応じて必要な数のユニットチャンバアセンブリ１００ａがプラズマ処理装置１ａに含まれる。
【００５９】
このような複数のユニットチャンバアセンブリ１００ａは、図８に示すように、垂直に一列に配置されることが好ましい。これにより、第１チャンバ１１０ａと第２チャンバ１２０ａとが交互に垂直に配置される。例えば、プラズマ処理装置１ａが２つのユニットチャンバアセンブリ１００ａを含む場合、垂直に第１チャンバ１１０ａ→第２チャンバ１２０ａ→第１チャンバ１１０ａ→第２チャンバ１２０ａの順に配置されることになる。
【００６０】
図８をさらに参照すると、本発明の他の実施形態にかかるプラズマ処理装置１ａにおいて、４枚の基板１０ａが同時にプラズマ処理されていることを確認することができる。すなわち、本発明の他の実施形態にかかるプラズマ処理装置１ａを用いる場合、一度により多くの基板１０ａを処理できるようになるため、工程の生産性を向上させることができる。
【００６１】
本発明の他の実施形態にかかるプラズマ処理装置１ａは、ユニットチャンバアセンブリ１００ａを複数個含むことを除けば、上述した本発明の一実施形態にかかるプラズマ処理装置１と同一の構成を有する。例えば、折り曲げられた形状を有するユニットプラズマ電極２００ａが１つのユニットチャンバアセンブリ１００ａに配置される。したがって、本発明の一実施形態にかかるプラズマ処理装置１で説明された構成要素は、本発明の他の実施形態にかかるプラズマ処理装置１ａに同様に適用されるため、これに関する詳細な説明は省略する。
【００６２】
本発明は、上述したように、好ましい実施形態を挙げて図示及び説明したが、上記の実施形態に限定されず、本発明の精神を逸脱しない範囲内で当業者によって多様な変形及び変更が可能である。そのような変形例及び変更例は、本発明と添付した特許請求の範囲の範囲内に属すると見なさなければならない。
【符号の説明】
【００６３】
１０：基板
１００：ユニットチャンバアセンブリ
１１０：第１チャンバ
１２０：第２チャンバ
２００：ユニットプラズマ電極
２１０：第１電極部
２２０：第２電極部
２３０：折り曲げ部
３００：ＲＦアンテナ
４００：グラウンド
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【国際調査報告】
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