(57)【要約】  本発明は、特に、改善された溶解度を有する金属錯体、金属錯体を調製するための方法、これらの金属錯体を含むデバイス、および金属錯体の使用に関する。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（１）の化合物
Ｍ（Ｌ）ｎ（Ｌ’）ｍ  式（１）
（ここで、
前記化合物は、式（２）の部分Ｍ（Ｌ）ｎを含み、
【化１】
2013533214.tif 000057
Ｍは、Ｘおよび炭素原子Ｃを介して任意の所望の二座配位子Ｌに結合しており、
使用された記号および添え字には以下が適用される：
Ｍは、イリジウム、ロジウム、白金およびパラジウムからなる群から選択される金属であり；
Ｘは、出現する毎に、同一であるかまたは異なり、ＣＲ１またはＮであり；
Ｙは、出現する毎に、同一であるかまたは異なり、単結合、またはＣ（Ｒ１）２、Ｃ（＝Ｏ）、Ｏ、Ｓ、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲ１、ＰＲ１もしくはＰ（＝Ｏ）Ｒ１から選択される二価の基；５〜６０個の原子を有する脂肪族、芳香族もしくはヘテロ芳香族炭化水素（これは、各場合において、１以上のラジカルＲ３により置換されていてもよい）であり；
Ｒ１は、出現する毎に、同一であるかまたは異なり、Ｈ、Ｄ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、Ｎ（Ｒ２）２、ＣＮ、ＮＯ２、Ｓｉ（Ｒ２）３、Ｂ（ＯＲ２）２、Ｃ（＝Ｏ）Ｒ２、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ２）２、Ｓ（＝Ｏ）Ｒ２、Ｓ（＝Ｏ）２Ｒ２、ＯＳＯ２Ｒ２、１〜４０個のＣ原子を有する直鎖アルキル、アルコキシもしくはチオアルコキシ基、または２〜４０個のＣ原子を有する直鎖アルケニルもしくはアルキニル基、または３〜４０個のＣ原子を有する分枝もしくは環状アルキル、アルケニル、アルキニル、アルコキシもしくはチオアルコキシ基（これらのそれぞれは、１以上のラジカルＲ２により置換されていてもよい）（ここで、１以上の隣接していないＣＨ２基は、Ｒ２Ｃ＝ＣＲ２、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ２）２、Ｇｅ（Ｒ２）２、Ｓｎ（Ｒ２）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ２、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ２）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲ２、Ｏ、ＳもしくはＣＯＮＲ２により置きかえられていてもよく、１以上のＨ原子は、Ｄ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮもしくはＮＯ２により置きかえられていてもよい）、または５〜６０個の芳香族環原子を有する芳香族もしくはヘテロ芳香族環系（これは、各場合において、１以上のラジカルＲ２により置換されていてもよい）、または５〜６０個の芳香族環原子を有するアリールオキシもしくはヘテロアリールオキシ基（これは、１以上のラジカルＲ２により置換されていてもよい）、または１０〜４０個の芳香族環原子を有するジアリールアミノ基、ジヘテロアリールアミノ基もしくはアリールヘテロアリールアミノ基（これは、１以上のラジカルＲ２により置換されていてもよい）、またはこれらの基の２以上の組合せであり；ここでまた、２以上のラジカルＲ１は、互いに単環または多環状の脂肪族、芳香族および／またはベンゾ縮合環系を形成していてもよく；
Ｒ２は、出現する毎に、同一であるかまたは異なり、Ｈ、Ｄ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、Ｎ（Ｒ３）２、ＣＮ、ＮＯ２、Ｓｉ（Ｒ３）３、Ｂ（ＯＲ３）２、Ｃ（＝Ｏ）Ｒ３、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ３）２、Ｓ（＝Ｏ）Ｒ３、Ｓ（＝Ｏ）２Ｒ３、ＯＳＯ２Ｒ３、１〜４０個のＣ原子を有する直鎖アルキル、アルコキシもしくはチオアルコキシ基、または２〜４０個のＣ原子を有する直鎖アルケニルもしくはアルキニル基、または３〜４０個のＣ原子を有する分枝もしくは環状アルキル、アルケニル、アルキニル、アルコキシもしくはチオアルコキシ基（これらのそれぞれは、１以上のラジカルＲ３により置換されていてもよい）（ここで、１以上の隣接していないＣＨ２基は、Ｒ３Ｃ＝ＣＲ３、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ３）２、Ｇｅ（Ｒ３）２、Ｓｎ（Ｒ３）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ３、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ３）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲ３、Ｏ、ＳもしくはＣＯＮＲ３により置きかえられていてもよく、１以上のＨ原子は、Ｄ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮもしくはＮＯ２により置きかえられていてもよい）、または５〜６０個の芳香族環原子を有する芳香族もしくはヘテロ芳香族環系（これは、各場合において、１以上のラジカルＲ３により置換されていてもよい）、または５〜６０個の芳香族環原子を有するアリールオキシもしくはヘテロアリールオキシ基（これは、１以上のラジカルＲ３により置換されていてもよい）、または１０〜４０個の芳香族環原子を有するジアリールアミノ基、ジヘテロアリールアミノ基もしくはアリールヘテロアリールアミノ基（これは、１以上のラジカルＲ３により置換されていてもよい）、またはこれらの基の２以上の組合せであり；ここで、２以上の隣接するラジカルＲ２は、互いに単環または多環状の脂肪族または芳香族環系を形成していてもよく；
Ｒ３は、出現する毎に、同一であるかまたは異なり、Ｈ、Ｄ、Ｆ、または１〜２０個のＣ原子を有する脂肪族、芳香族および／またはヘテロ芳香族炭化水素ラジカル（ここにおいて、さらに、１以上のＨ原子がＦにより置きかえられていてもよい）であり；ここでまた、２以上の置換基Ｒ３は、互いに単環または多環状の脂肪族または芳香族環系を形成していてもよく；
Ｌ’は、出現する毎に、同一であるかまたは異なり、任意の所望の共配位子であり；
Ｗは、式（３）に等しく
【化２】
2013533214.tif 000058
ここで、
環Ａは、５〜６０個の原子を有する任意の所望の置換もしくは無置換の脂肪族、芳香族もしくはヘテロ芳香族環または置換もしくは無置換の多環状環系（これは、任意の可能な様式で、隣接する環と縮合していてもよい）であり得；
Ｕは、出現する毎に、同一であるかまたは異なり、−Ｃ（Ｒ１）２、−Ｓｉ（Ｒ１）２、Ｎ、−ＮＲ１、−Ｏ、−Ｓ、−Ｃ（＝Ｏ）、−Ｓ（＝Ｏ）、−ＳＯ２、−ＣＦ２、−ＳＦ４、−Ｐ、−Ｐ（＝Ｏ）Ｒ１、−ＰＦ２、−Ｐ（＝Ｓ）Ｒ１、−Ａｓ、−Ａｓ（＝Ｏ）、−Ａｓ（＝Ｓ）、−Ｓｂ、−Ｓｂ（＝Ｏ）および−Ｓｂ（＝Ｓ）からなる群から選択され；
ｑ、ｒは、互いに独立して、０または１であり；
ｐは、１以上であり；
ｔは、０、１または２である；
ｎは、Ｍがイリジウムまたはロジウムに等しい場合、１、２または３であり、Ｍが白金またはパラジウムに等しい場合、１または２であり；
ｍは、０、１、２、３または４であり；
ここで、添え字ｎおよびｍは、当該金属上の配位数が、Ｍがイリジウムまたはロジウムに等しい場合、６に相当するように、およびＭが白金またはパラジウムに等しい場合、４に相当するように選択され；
ここでまた、複数の配位子Ｌが互いに連結していてもよく、または、Ｌが任意の所望の架橋Ｚを介してＬ’に連結し、かくして三座、四座、五座または六座配位子系を形成していてもよい）。
【請求項２】
請求項１に記載の化合物であって、前記部分Ｍ（Ｌ）ｎが、式（４）〜（２０）の式を有する化合物の群から選択されることを特徴とする化合物
【化３】
2013533214.tif 000059
【化４】
2013533214.tif 000060
【化５】
2013533214.tif 000061
【化６】
2013533214.tif 000062
（ここで、
使用された記号および添え字には以下が適用される：
Ｑは、出現する毎に、同一であるかまたは異なり、Ｒ１Ｃ＝ＣＲ１、Ｒ１Ｃ＝Ｎ、Ｏ、Ｓ、ＳｅまたはＮＲ１であり；
Ｖは、出現する毎に、同一であるかまたは異なり、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、ＮＲ１またはＣ（Ｒ１）２である）。
【請求項３】
請求項１または２に記載の化合物であって、前記部分Ｍ（Ｌ）ｎは、式（４）、（９）、（１２）および（１８）から選択されることを特徴とする化合物。
【化７】
2013533214.tif 000063
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか一項に記載の化合物であって、前記部分Ｍ（Ｌ）ｎが、式（４）および（１２）から選択されることを特徴とする化合物。
【化８】
2013533214.tif 000064
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか一項に記載の化合物であって、記号Ｘが、出現する毎に、Ｍに直接結合していない全ての原子についてＣＲ１を表すことを特徴とする化合物。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか一項に記載の化合物であって、前記部分Ｍ（Ｌ）ｎが、式（２５）〜（２８）から選択されることを特徴とする化合物。
【化９】
2013533214.tif 000065
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか一項に記載の化合物であって、Ｗ中の環Ａが、式（３ａ）の化合物により示されることを特徴とする化合物；
【化１０】
2013533214.tif 000066
（ここで、
Ｔは、−Ｃ（Ｒ１）２、−Ｎ、−ＮＲ１、−Ｏ、または−Ｓからなる群から選択される）。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか一項に記載の化合物であって、Ｗが、式（６６）〜（７１）および（７８）〜（８９）の化合物から選択されることを特徴とする化合物
【化１１】
2013533214.tif 000067
【化１２】
2013533214.tif 000068
【化１３】
2013533214.tif 000069
（ここで、
点線は、ＷとＹとの間の接続を表す）。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか一項に記載の化合物であって、Ｙは、出現する毎に、同一であるかまたは異なり、単結合、または５〜６０個の原子を有する脂肪族、芳香族もしくはヘテロ芳香族炭化水素（これは、各場合において、１以上のラジカルＲ３により置換されていてもよい）であることを特徴とする化合物。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか一項に記載の化合物であって、ラジカルＹが、式（３３）〜（６３）の化合物から選択されることを特徴とする化合物
【化１４】
2013533214.tif 000070
【化１５】
2013533214.tif 000071
【化１６】
2013533214.tif 000072
（ここで、
Ｘ’は、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、ＮＲ１、Ｃ（Ｒ１）２またはＳ（＝Ｏ）２の群から選択され、点線は、Ｗに対する、または金属Ｍに直接結合している有機配位子の一部に対する連結を表す）。
【請求項１１】
対応する遊離配位子の、式（１５５）の金属アルコキシド、式（１５６）の金属ケトケトネート、または式（１５７）の金属ハライドとの反応により、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の化合物を製造するための方法
【化１７】
2013533214.tif 000073
（ここで、
記号Ｍ、ｎおよびＲ１は、上記の意味を有し、Ｈａｌ＝Ｆ、Ｃｌ、ＢｒまたはＩである）。
【請求項１２】
請求項１〜１０のいずれか一項に記載の少なくとも１種の化合物と、少なくとも１種の溶媒とを含む配合物。
【請求項１３】
電子デバイス、好ましくは有機エレクトロルミネッセンスデバイス（ＯＬＥＤ、ＰＬＥＤ）、有機集積回路（Ｏ−ＩＣ）、有機電界効果トランジスタ（Ｏ−ＦＥＴ）、有機薄膜トランジスタ（Ｏ−ＴＦＴ）、有機発光トランジスタ（Ｏ−ＬＥＴ）、有機太陽電池（Ｏ−ＳＣ）、有機光学検波器、有機光受容体、有機電場消光素子（Ｏ−ＦＱＤ）、発光電気化学電池（ＬＥＣ）または有機レーザダイオード（Ｏ−レーザ）からなる群から選択される電子デバイスにおける、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の化合物の使用。
【請求項１４】
請求項１〜１０のいずれか一項に記載の少なくとも１種の化合物を含む電子デバイスであって、好ましくは有機エレクトロルミネッセンスデバイス（ＯＬＥＤ、ＰＬＥＤ）、有機集積回路（Ｏ−ＩＣ）、有機電界効果トランジスタ（Ｏ−ＦＥＴ）、有機薄膜トランジスタ（Ｏ−ＴＦＴ）、有機発光トランジスタ（Ｏ−ＬＥＴ）、有機太陽電池（Ｏ−ＳＣ）、有機光学検波器、有機光受容体、有機電場消光素子（Ｏ−ＦＱＤ）、発光電気化学電池（ＬＥＣ）または有機レーザダイオード（Ｏ−レーザ）からなる群から選択される電子デバイス。
【請求項１５】
請求項１４に記載の有機エレクトロルミネッセンスデバイスであって、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の化合物が、好ましくはマトリックス材料と組み合わされて、１以上の発光層における発光化合物として使用され、前記マトリックス材料は、好ましくはケトン、ホスフィンオキシド、スルホキシド、スルホン、トリアリールアミン、カルバゾール誘導体、インドロカルバゾール誘導体、インデノカルバゾール誘導体、アザカルバゾール誘導体、双極性マトリックス材料、シラン、アザボロール、ボロン酸エステル、トリアジン誘導体、亜鉛錯体、ジアザ−もしくはテトラアザシロール誘導体またはジアザホスホール誘導体、あるいはこれらのマトリックス材料の混合物からなる群から選択されることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンスデバイス。
【請求項１６】
疾患および／または美容状態の治療、予防および／または診断のための、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の化合物または請求項１４または１５に記載のデバイス。
【発明の詳細な説明】
【発明の概要】
【０００１】
有機半導体が機能性物質として使用される有機エレクトロルミネッセンスデバイス（ＯＬＥＤ）の構造は、米国特許第４５３９５０７号、米国特許第５１５１６２９号、欧州特許第０６７６４６１号および国際公開第９８／２７１３６号に記載されている。ここで使用される発光物質は、蛍光の代わりにリン光を示す有機金属錯体に次第になってきている（Ｍ．Ａ．Ｂａｌｄｏら、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．１９９９、７５、４〜６）。量子力学的な理由から、有機金属化合物をリン光エミッタとして使用して、エネルギーおよび電力効率の４倍までの増加が可能である。しかしながら、一般に、特に効率、動作電圧および寿命に関して、三重項発光を示すＯＬＥＤの改善が依然として必要とされている。これは、特に、比較的短波長、すなわち緑および青の領域で発光するＯＬＥＤに該当する。さらに、多くのリン光エミッタは、溶液からの処理のための適正な溶解度を有さず、したがってその点でもさらに改善が必要とされている。
【０００２】
従来技術によれば、リン光ＯＬＥＤにおいて使用される三重項エミッタは、特に、イリジウムおよび白金錯体であり、これらは通常、シクロメタル化錯体として使用される。ここで、配位子は、フェニルピリジンの誘導体であることが多い。しかしながら、そのような錯体の溶解度は多くの場合低く、これにより、溶液からの処理がより困難となるか、または完全にできなくなる。
【０００３】
従来技術は、金属への配位に対してパラ位にあるフェニルピリジン配位子のフェニル環上で、任意選択で置換されたアリールまたはヘテロアリール基により置換されたイリジウム錯体を開示している（国際公開第２００４／０２６８８６Ａ２号）。これは、錯体の改善された溶解度をもたらす。しかしながら、それでもまだ、錯体の溶解度および効率および寿命に関してさらなる改善が必要とされている。
【０００４】
驚くべきことに、以下でより詳細に説明するある特定の金属キレート錯体が、改善された溶解度を有し、さらに、特に効率および寿命に関して、有機エレクトロルミネッセンスデバイスにおける改善をもたらすことが見出された。したがって、本発明は、これらの金属錯体、およびこれらの錯体を含む有機エレクトロルミネッセンスデバイスに関する。
【０００５】
本発明は、式（１）の化合物に関し、
Ｍ（Ｌ）ｎ（Ｌ’）ｍ  式（１）
ここで、一般式（１）の化合物は、式（２）の部分Ｍ（Ｌ）ｎを含有し、
【化１】
2013533214.tif 000002
【０００６】
ここで、Ｍは、Ｘおよび炭素原子Ｃを介して任意の所望の二座配位子Ｌに結合しており、
ここで、使用された記号および添え字には以下が適用される：
Ｍは、イリジウム、ロジウム、白金およびパラジウムからなる群から選択される金属であり；
Ｘは、出現する毎に、同一であるかまたは異なり、ＣＲ１またはＮであり；
Ｙは、出現する毎に、同一であるかまたは異なり、単結合、またはＣ（Ｒ１）２、Ｃ（＝Ｏ）、Ｏ、Ｓ、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲ１、ＰＲ１もしくはＰ（＝Ｏ）Ｒ１から選択される二価基；５〜６０個の原子を有する脂肪族、芳香族もしくはヘテロ芳香族炭化水素（これは、各場合において、１以上のラジカルＲ３により置換されていてもよく）であり；
Ｒ１は、出現する毎に、同一であるかまたは異なり、Ｈ、Ｄ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、Ｎ（Ｒ２）２、ＣＮ、ＮＯ２、Ｓｉ（Ｒ２）３、Ｂ（ＯＲ２）２、Ｃ（＝Ｏ）Ｒ２、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ２）２、Ｓ（＝Ｏ）Ｒ２、Ｓ（＝Ｏ）２Ｒ２、ＯＳＯ２Ｒ２、１〜４０個のＣ原子を有する直鎖アルキル、アルコキシもしくはチオアルコキシ基、または２〜４０個のＣ原子を有する直鎖アルケニルもしくはアルキニル基、または３〜４０個のＣ原子を有する分枝もしくは環状アルキル、アルケニル、アルキニル、アルコキシもしくはチオアルコキシ基（これらのそれぞれは、１以上のラジカルＲ２により置換されていてもよい）（ここで、１以上の隣接していないＣＨ２基は、Ｒ２Ｃ＝ＣＲ２、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ２）２、Ｇｅ（Ｒ２）２、Ｓｎ（Ｒ２）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ２、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ２）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲ２、Ｏ、ＳもしくはＣＯＮＲ２により置きかえられていてもよく、１以上のＨ原子は、Ｄ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮもしくはＮＯ２により置きかえられていてもよい）、または５〜６０個の芳香族環原子を有する芳香族もしくはヘテロ芳香族環系（これは、各場合において、１以上のラジカルＲ２により置換されていてもよい）、または５〜６０個の芳香族環原子を有するアリールオキシもしくはヘテロアリールオキシ基（これは、１以上のラジカルＲ２により置換されていてもよい）、または１０〜４０個の芳香族環原子を有するジアリールアミノ基、ジヘテロアリールアミノ基もしくはアリールヘテロアリールアミノ基（これは、１以上のラジカルＲ２により置換されていてもよい）、またはこれらの基の２以上の組合せであり；ここで、２以上のラジカルＲ１は、互いに単環または多環状の脂肪族、芳香族および／またはベンゾ縮合環系を形成していてもよく；
Ｒ２は、出現する毎に、同一であるかまたは異なり、Ｈ、Ｄ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、Ｎ（Ｒ３）２、ＣＮ、ＮＯ２、Ｓｉ（Ｒ３）３、Ｂ（ＯＲ３）２、Ｃ（＝Ｏ）Ｒ３、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ３）２、Ｓ（＝Ｏ）Ｒ３、Ｓ（＝Ｏ）２Ｒ３、ＯＳＯ２Ｒ３、１〜４０個のＣ原子を有する直鎖アルキル、アルコキシもしくはチオアルコキシ基、または２〜４０個のＣ原子を有する直鎖アルケニルもしくはアルキニル基、または３〜４０個のＣ原子を有する分枝もしくは環状アルキル、アルケニル、アルキニル、アルコキシもしくはチオアルコキシ基（これらのそれぞれは、１以上のラジカルＲ３により置換されていてもよい）（ここで、１以上の隣接していないＣＨ２基は、Ｒ３Ｃ＝ＣＲ３、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ３）２、Ｇｅ（Ｒ３）２、Ｓｎ（Ｒ３）２、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、Ｃ＝Ｓｅ、Ｃ＝ＮＲ３、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ３）、ＳＯ、ＳＯ２、ＮＲ３、Ｏ、ＳもしくはＣＯＮＲ３により置きかえられていてもよく、１以上のＨ原子は、Ｄ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮもしくはＮＯ２により置きかえられていてもよい）、または５〜６０個の芳香族環原子を有する芳香族もしくはヘテロ芳香族環系（これは、各場合において、１以上のラジカルＲ３により置換されていてもよい）、または５〜６０個の芳香族環原子を有するアリールオキシもしくはヘテロアリールオキシ基（これは、１以上のラジカルＲ３により置換されていてもよい）、または１０〜４０個の芳香族環原子を有するジアリールアミノ基、ジヘテロアリールアミノ基もしくはアリールヘテロアリールアミノ基（これは、１以上のラジカルＲ３により置換されていてもよい）、またはこれらの基の２以上の組合せであり；ここで、２以上の隣接するラジカルＲ２は、互いに単環または多環状の脂肪族または芳香族環系を形成していてもよく；
Ｒ３は、出現する毎に、同一であるかまたは異なり、Ｈ、Ｄ、Ｆ、または１〜２０個のＣ原子を有する脂肪族、芳香族および／もしくはヘテロ芳香族炭化水素ラジカル（さらに１以上のＨ原子がＦにより置きかえられていてもよい）であり；ここで、２以上の置換基Ｒ３は、互いに単環または多環状の脂肪族または芳香族環系を形成していてもよく；
Ｌ’は、出現する毎に、同一であるかまたは異なり、任意の所望の共配位子であり；
Ｗは、式（３）に等しく、
【化２】
2013533214.tif 000003
【０００７】
ここで、環Ａは、５〜６０個の原子を有する任意の所望の置換もしくは無置換の脂肪族、芳香族もしくはヘテロ芳香族環、または置換もしくは無置換の多環状環系（これは、隣接する環と任意の可能な様式で縮合していてもよい）であり得、ここで、好ましい実施形態において、環Ａは、式（３ａ）の化合物（これは、隣接する環と任意の可能な様式で縮合していてもよい）であり得；
Ｔ、Ｕは、出現する毎に、同一であるかまたは異なり、−Ｃ（Ｒ１）２、−Ｓｉ（Ｒ１）２、Ｎ、−ＮＲ１、−Ｏ、−Ｓ、−Ｃ（＝Ｏ）、−Ｓ（＝Ｏ）、−ＳＯ２、−ＣＦ２、−ＳＦ４、−Ｐ、−Ｐ（＝Ｏ）Ｒ１、−ＰＦ２、−Ｐ（＝Ｓ）Ｒ１、−Ａｓ、−Ａｓ（＝Ｏ）、−Ａｓ（＝Ｓ）、−Ｓｂ、−Ｓｂ（＝Ｏ）および−Ｓｂ（＝Ｓ）からなる群から選択され；
ｑ、ｒは、互いに独立して、０または１であり；
ｐは、１以上であり；
ｔは、０、１または２である；
ｎは、Ｍがイリジウムまたはロジウムに等しい場合、１、２または３であり、Ｍが白金またはパラジウムに等しい場合、１または２であり；
ｍは、０、１、２、３または４であり；
ここで、添え字ｎおよびｍは、当該金属上の配位数が、Ｍがイリジウムまたはロジウムに等しい場合６に相当するように、およびＭが白金またはパラジウムに等しい場合４に相当するように選択され；
ここで、複数の配位子Ｌが互いに連結していてもよく、または、Ｌが任意の所望の架橋Ｚを介してＬ’に連結し、かくして三座、四座、五座または六座配位子系を形成していてもよい。
【０００８】
本発明の好ましい実施形態において、一般式（１）の化合物は、式（４）〜式（２０）の部分Ｍ（Ｌ）ｎを含有し、
【化３−１】
2013533214.tif 000004
【化３−２】
2013533214.tif 000005
【化４】
2013533214.tif 000006
【化５】
2013533214.tif 000007
【０００９】
ここで、使用された記号および添え字には以下が適用される：
Ｑは、出現する毎に、同一であるかまたは異なり、Ｒ１Ｃ＝ＣＲ１、Ｒ１Ｃ＝Ｎ、Ｏ、Ｓ、ＳｅまたはＮＲ１であり；
Ｖは、出現する毎に、同一であるかまたは異なり、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、ＮＲ１またはＣ（Ｒ１）２である。
【００１０】
本発明の意味におけるアリール基は、６〜４０個のＣ原子を含有し、本発明の意味におけるヘテロアリール基は、２〜４０個のＣ原子および少なくとも１個のヘテロ原子を含有するが、ただし、Ｃ原子およびヘテロ原子の合計は、少なくとも５個である。ヘテロ原子は、好ましくは、Ｎ、Ｏおよび／またはＳから選択される。ここで、アリール基またはヘテロアリール基は、単純な芳香族環、すなわちベンゼン、または単純なヘテロ芳香族環、例えばピリジン、ピリミジン、チオフェン等、または縮合アリールもしくはヘテロアリール基、例えばナフタレン、アントラセン、フェナントレン、キノリン、イソキノリン等のいずれかを意味すると解釈される。
【００１１】
本発明の意味における芳香族環系は、環系内に６〜６０個のＣ原子を含有する。本発明の意味におけるヘテロ芳香族環系は、環系内に２〜６０個のＣ原子および少なくとも１個のヘテロ原子を含有するが、ただし、Ｃ原子およびヘテロ原子の合計は、少なくとも５個である。ヘテロ原子は、好ましくは、Ｎ、Ｏおよび／またはＳから選択される。本発明の目的において、芳香族またはヘテロ芳香族環系は、必ずしもアリールまたはヘテロアリール基のみを含有するとは限らないが、その代わりに、さらに、複数のアリールまたはヘテロアリール基が非芳香族単位（好ましくは、１０％未満のＨ以外の原子）、例えば、ｓｐ３混成Ｃ、ＮもしくはＯ原子またはカルボニル基等により中断されていてもよい系を意味すると解釈される。したがって、例えば、９，９’−スピロビフルオレン、９，９−ジアリールフルオレン、トリアリールアミン、ジアリールエーテル、スチルベン等の系もまた、本発明の目的において芳香族環系を意味すると解釈されることが意図され、また、例えば直鎖もしくは環状アルキル基により、またはシリル基により２以上のアリール基が中断されている系も同様である。
【００１２】
本発明の意味における環状アルキル、アルコキシまたはチオアルコキシ基は、単環状、二環状または多環状の基を意味すると解釈される。
【００１３】
本発明の目的において、Ｃ１〜Ｃ４０アルキル基（さらに個々のＨ原子またはＣＨ２基が上述の基により置換されていてもよい）は、例えば、ラジカルであるメチル、エチル、ｎ−プロピル、ｉ−プロピル、ｎ−ブチル、ｉ−ブチル、ｓ−ブチル、ｔ−ブチル、２−メチルブチル、ｎ−ペンチル、ｓ−ペンチル、ｔｅｒｔ−ペンチル、２−ペンチル、シクロペンチル、ｎ−ヘキシル、ｓ−ヘキシル、ｔｅｒｔ−ヘキシル、２−ヘキシル、３−ヘキシル、シクロヘキシル、２−メチルペンチル、ｎ−ヘプチル、２−ヘプチル、３−ヘプチル、４−ヘプチル、シクロヘプチル、１−メチルシクロヘキシル、ｎ−オクチル、２−エチルヘキシル、シクロオクチル、１−ビシクロ［２．２．２］オクチル、２−ビシクロ［２．２．２］オクチル、２−（２，６−ジメチル）オクチル、３−（３，７−ジメチル）オクチル、トリフルオロメチル、ペンタフルオロエチルまたは２，２，２−トリフルオロエチルを意味すると解釈される。アルケニル基は、例えば、エテニル、プロペニル、ブテニル、ペンテニル、シクロペンテニル、ヘキセニル、シクロヘキセニル、ヘプテニル、シクロヘプテニル、オクテニル、シクロオクテニルまたはシクロオクタジエニルを意味すると解釈される。アルキニル基は、例えば、エチニル、プロピニル、ブチニル、ペンチニル、ヘキシニル、ヘプチニルまたはオクチニルを意味すると解釈される。Ｃ１〜Ｃ４０アルコキシ基は、例えば、メトキシ、トリフルオロメトキシ、エトキシ、ｎ−プロポキシ、ｉ−プロポキシ、ｎ−ブトキシ、ｉ−ブトキシ、ｓ−ブトキシ、ｔ−ブトキシまたは２−メチルブトキシを意味すると解釈される。５〜６０個の芳香族環原子を有する芳香族またはヘテロ芳香族環系（これは、さらに、各場合において、上述のラジカルＲにより置換されていてもよく、任意の所与の位置を介して芳香族またはヘテロ芳香族環系に連結していてもよい）は、例えば、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、ベンズアントラセン、フェナントレン、ベンゾフェナントレン、ピレン、クリセン、ペリレン、フルオランテン、ベンゾフルオランテン、ナフタセン、ペンタセン、ベンゾピレン、ビフェニル、ビフェニレン、テルフェニル、テルフェニレン、フルオレン、スピロビフルオレン、ジヒドロフェナントレン、ジヒドロピレン、テトラヒドロピレン、ｃｉｓ−またはｔｒａｎｓ−インデノフルオレン、ｃｉｓ−またはｔｒａｎｓ−モノベンゾインデノフルオレン、ｃｉｓ−またはｔｒａｎｓ−ジベンゾインデノフルオレン、トルキセン、イソトルキセン、スピロトルキセン、スピロイソトルキセン、フラン、ベンゾフラン、イソベンゾフラン、ジベンゾフラン、チオフェン、ベンゾチオフェン、イソベンゾチオフェン、ジベンゾチオフェン、ピロール、インドール、イソインドール、カルバゾール、ピリジン、キノリン、イソキノリン、アクリジン、フェナントリジン、ベンゾ−５，６−キノリン、ベンゾ−６，７−キノリン、ベンゾ−７，８−キノリン、フェノチアジン、フェノキサジン、ピラゾール、インダゾール、イミダゾール、ベンズイミダゾール、ナフタイミダゾール、フェナントロイミダゾール、ピリドイミダゾール、ピラジンイミダゾール、キノキサリンイミダゾール、オキサゾール、ベンゾオキサゾール、ナフトオキサゾール、アントロオキサゾール、フェナントロオキサゾール、イソオキサゾール、１，２−チアゾール、１，３−チアゾール、ベンゾチアゾール、ピリダジン、ベンゾピリダジン、ピリミジン、ベンゾピリミジン、キノキサリン、１，５−ジアザアントラセン、２，７−ジアザピレン、２，３−ジアザピレン、１，６−ジアザピレン、１，８−ジアザピレン、４，５−ジアザピレン、４，５，９，１０−テトラアザペリレン、ピラジン、フェナジン、フェノキサジン、フェノチアジン、フルオルビン、ナフチリジン、アザカルバゾール、ベンゾカルボリン、フェナントロリン、１，２，３−トリアゾール、１，２，４−トリアゾール、ベンゾトリアゾール、１，２，３−オキサジアゾール、１，２，４−オキサジアゾール、１，２，５−オキサジアゾール、１，３，４−オキサジアゾール、１，２，３−チアジアゾール、１，２，４−チアジアゾール、１，２，５−チアジアゾール、１，３，４−チアジアゾール、１，３，５−トリアジン、１，２，４−トリアジン、１，２，３−トリアジン、テトラゾール、１，２，４，５−テトラジン、１，２，３，４−テトラジン、１，２，３，５−テトラジン、プリン、プテリジン、インドリジンおよびベンゾチアジアゾールから得られる基を意味すると解釈される。
【００１４】
式（１）の化合物は、電荷を有しても、または電荷を有さなくてもよい。好ましい実施形態において、式（１）の化合物は、電気的に中性である。これは、錯化した金属原子Ｍの電荷を相殺するように配位子ＬおよびＬ’の電荷を選択することにより、単純な様式で達成される。
【００１５】
さらに、金属原子の周りの価電子の合計が、白金およびパラジウムの場合１６、イリジウムまたはロジウムの場合１８であることを特徴とする、式（１）の化合物が好ましい。この優先性は、これらの金属錯体が特に安定であるためである。
【００１６】
本発明の好ましい実施形態において、Ｍは、イリジウムまたは白金を表す。Ｍは、特に好ましくは、イリジウムを表す。
【００１７】
Ｍが白金またはパラジウムを表す場合、添え字ｎは、１または２を表す。添え字ｎ＝１である場合、１つの二座配位子または２つの単座配位子Ｌ’、好ましくは１つの二座配位子Ｌ’もまた、金属Ｍに配位する。それに応じて、１つの二座配位子Ｌ’の場合添え字ｍ＝１、２つの単座配位子Ｌ’の場合添え字ｍ＝２である。添え字ｎ＝２である場合、添え字ｍ＝０である。
【００１８】
Ｍがイリジウムまたはロジウムを表す場合、添え字ｎは、１、２または３、好ましくは２または３、特に好ましくは３を表す。添え字ｎ＝１の場合、４つの単座配位子または２つの二座配位子または１つの二座配位子および２つの単座配位子または１つの三座配位子および１つの単座配位子または１つの四座配位子Ｌ’、好ましくは２つの二座配位子Ｌ’もまた、金属に配位する。それに応じて、添え字ｍは、配位子Ｌ’に依存して、１、２、３または４に等しい。添え字ｎ＝２である場合、１つの二座配位子または２つの単座配位子Ｌ’、好ましくは１つの二座配位子Ｌ’もまた、金属に配位する。それに応じて、添え字ｍは、配位子Ｌ’に依存して、１または２に等しい。添え字ｎ＝３である場合、添え字ｍ＝０である。
【００１９】
本発明の好ましい実施形態において、記号Ｘは、出現する毎に、同一であるかまたは異なり、ＣＲ１を表す。
【００２０】
本発明のさらに好ましい実施形態において、全ての記号Ｘは、出現する毎に、同一であるかまたは異なり、ＣＲ１を表すか、または全ての記号Ｘは、Ｎを表す。
【００２１】
本発明のさらに好ましい実施形態において、記号Ｑは、出現する毎に、同一であるかまたは異なり、Ｒ１Ｃ＝ＣＲ１、Ｒ１Ｃ＝Ｎ、ＯまたはＮＲ１、特に好ましくはＲ１Ｃ＝ＣＲ１およびＲ１Ｃ＝Ｎ、特に好ましくはＲ１Ｃ＝ＣＲ１を表す。
【００２２】
本発明のさらに好ましい実施形態において、記号Ｖは、出現する毎に、同一であるかまたは異なり、Ｏ、ＳまたはＮＲ１、特に好ましくはＳまたはＮＲ１、特に好ましくはＳを表す。
【００２３】
本発明のさらに好ましい実施形態において、記号Ｙは、単結合またはＣ（＝Ｏ）もしくはＮＲ１から選択される二価基、特に好ましくは単結合を表す。
【００２４】
上述の優先性が同時に適用されるのが、特に好ましい。
【００２５】
本発明の特に好ましい実施形態において、使用された記号には以下が適用される：
Ｍは、イリジウムまたは白金、特に好ましくはイリジウムであり、
Ｘは、出現する毎に、Ｍに直接結合していない全ての位置に対してＣＲ１であり、
Ｑは、出現する毎に、同一であるかまたは異なり、Ｒ１Ｃ＝ＣＲ１またはＲ１Ｃ＝Ｎ、特に好ましくはＲ１Ｃ＝ＣＲ１であり、
Ｖは、出現する毎に、同一であるかまたは異なり、Ｏ、ＳまたはＮＲ１、特に好ましくはＳであり、
Ｙは、出現する毎に、同一であるかまたは異なり、単結合またはＣ（＝Ｏ）もしくはＮＲ１から選択される二価基、特に好ましくは単結合を表す。
【００２６】
本発明の目的において、式（４）および（１２）の化合物が特に好ましい。
【００２７】
本発明の特に好ましい実施形態において、式（４）または（１２）の部分は、以下の式（２１）、（２２）、（２３）または（２４）の部分から選択される。
【化６】
2013533214.tif 000008
【００２８】
本発明の特に好ましい実施形態は、式（２５）の化合物である。
【化７】
2013533214.tif 000009
【００２９】
本発明のさらに特に好ましい実施形態は、式（２６）の化合物である。
【化８】
2013533214.tif 000010
【００３０】
本発明のさらに特に好ましい実施形態は、式（２７）の化合物である。
【化９】
2013533214.tif 000011
【００３１】
本発明のさらに特に好ましい実施形態は、式（２８）の化合物である。
【化１０】
2013533214.tif 000012
【００３２】
本発明の好ましい実施形態において、Ｙは、５〜６０個の原子を有する芳香族またはヘテロ芳香族炭化水素の群から選択され、これは、各場合において、１以上のラジカルＲ３により置換されていてもよい。
【００３３】
Ｙは、特に好ましくは、以下の式（３３）〜（６３）の化合物である。
【化１１】
2013533214.tif 000013
【化１２】
2013533214.tif 000014
【００３４】
ここで、Ｘ’は、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、ＮＲ１、Ｃ（Ｒ１）２またはＳ（＝Ｏ）２である。点線は、Ｗへの、または金属Ｍに直接結合している有機配位子の一部への連結を表す。
【００３５】
Ｙは、極めて特に好ましくは、式（３３）、（３６）、（３７）、（３９）、（４０）、および（４８）の化合物である。
【００３６】
Ｙに対してさらに特に好ましい化合物は、式（６３）の化合物である。
【００３７】
本発明の好ましい実施形態において、Ｗは、ＴおよびＵが、互いに独立して、−Ｃ（Ｒ１）２、−Ｎ、−ＮＲ１、−Ｏ、または−Ｓからなる群から選択されることを特徴とする。
【００３８】
ＷおよびＹの連結は、好ましくは、環Ｂまたは環Ｃを介して生じる。ＷおよびＹの連結が環Ｂを介して生じる場合、以下の式（６４）の化合物は、Ｗの特に好ましい実施形態を表す。
【化１３】
2013533214.tif 000015
【００３９】
式（３）のさらに特に好ましい化合物は、式（６５）の化合物である。
【化１４】
2013533214.tif 000016
【００４０】
ｐ＞１である場合、ＷおよびＹの連結は、出現するＢ環のいずれかを介して生じ得る。ＷとＹとの間の連結は、Ｃ環のすぐ隣にあるＢ環で生じることが特に好ましい。
【００４１】
本発明の極めて特に好ましい実施形態において、ｒ＝１およびｐ＝１であり、式（３）の特に好ましい化合物は、式（６６）〜（７１）を有する化合物である。
【化１５】
2013533214.tif 000017
【００４２】
式（３）の化合物に対して、さらに、以下の式（７２）〜（７７）の化合物が好ましい。
【化１６】
2013533214.tif 000018
【００４３】
ここで、使用された記号および添え字は、上述の意味を、特に上述の好ましい意味を有する。
【００４４】
Ｗはまた、環Ｃを介してＹに連結していてもよく、この場合、環Ｃの任意の自由に置換可能な位置が、連結位置として好適である。ここで、以下の式（７８）〜（８３）の化合物が好ましい。
【化１７】
2013533214.tif 000019
【００４５】
Ｗに対してさらに好ましい化合物は、式（８４）〜（８９）の化合物である。
【化１８−１】
2013533214.tif 000020
【化１８−２】
2013533214.tif 000021
【００４６】
式（８４）〜（８９）の化合物は、特に、ＵがＣ（Ｒ１）２に等しい場合好ましい。
【００４７】
式（３）の化合物に対して、さらに、以下の式（９０）〜（９５）の化合物が好ましい。
【化１９−１】
2013533214.tif 000022
【化１９−２】
2013533214.tif 000023
【００４８】
Ｗに対してさらに好ましい化合物は、式（９６）〜（１０１）の化合物である。
【化２０−１】
2013533214.tif 000024
【化２０−２】
2013533214.tif 000025
【００４９】
式（９６）〜（１０１）の化合物は、特に、ＵがＣ（Ｒ１）２に等しい場合好ましい。
【００５０】
本発明のさらに好ましい実施形態において、本発明による化合物に対し、ｔ＝０である。
【００５１】
また、配位子Ｌを１以上のさらなる配位子ＬまたはＬ’に連結する架橋単位Ｚが、ラジカルＲ１の１つに存在してもよい。本発明の好ましい実施形態において、架橋単位Ｚは、ラジカルＲ１の１つの代わりに存在するが、これは、配位子が、三座または多座または多脚（polypodal）特性を有することを意味する。また、この種類の２つの架橋単位Ｚが存在してもよい。これは、大環状配位子の形成、またはクリプテートの形成をもたらす。
【００５２】
多座配位子を有する好ましい構造は、以下の式（１０２）〜（１０９）の金属錯体であり、
【化２１】
2013533214.tif 000026
【００５３】
ここで、使用された記号は上述の意味を有し、Ｚは、好ましくは、部分配位子Ｌ同士を、またはＬをＬ’に互いに共有結合させる、第３、第４、第５および／もしくは第６主族（ＩＵＰＡＣ第１３、１４、１５もしくは１６族）からの１〜８０個の原子、または３〜６員の単素環もしくはヘテロ環を含有する架橋単位を表す。ここで、架橋単位Ｚはまた、非対称構造を有してもよく、すなわち、ＺのＬまたはＬ’への連結は、同一である必要はない。
【００５４】
架橋単位Ｚは、中性であってもよく、一価、二価もしくは三価の負電荷、または一価、二価もしくは三価の正電荷を有してもよい。Ｚは、好ましくは、中性であるか、または一価の負電荷を有するか、または一価の正電荷を有する。ここで、Ｚの電荷は、好ましくは、全体的に中性の錯体が生じるように選択される。
【００５５】
Ｚが三価基である場合、すなわち３つの配位子Ｌ同士を、または２つの配位子ＬをＬ’に、または１つの配位子Ｌを２つの配位子Ｌ’に架橋する場合、Ｚは、好ましくは、出現する毎に、同一であるかまたは異なり、Ｂ、Ｂ（Ｒ２）−、Ｂ（Ｃ（Ｒ２）２）３、（Ｒ２）Ｂ（Ｃ（Ｒ２）２）３−、Ｂ（Ｏ）３、（Ｒ２）Ｂ（Ｏ）３−、Ｂ（Ｃ（Ｒ２）２Ｃ（Ｒ２）２）３、（Ｒ２）Ｂ（Ｃ（Ｒ２）２Ｃ（Ｒ２）２）３−、Ｂ（Ｃ（Ｒ２）２Ｏ）３、（Ｒ２）Ｂ（Ｃ（Ｒ２）２Ｏ）３−、Ｂ（ＯＣ（Ｒ２）２）３、（Ｒ２）Ｂ（ＯＣ（Ｒ２）２）３−、Ｃ（Ｒ２）、ＣＯ−、ＣＮ（Ｒ２）２、（Ｒ２）Ｃ（Ｃ（Ｒ２）２）３、（Ｒ２）Ｃ（Ｏ）３、（Ｒ２）Ｃ（Ｃ（Ｒ２）２Ｃ（Ｒ２）２）３、（Ｒ２）Ｃ（Ｃ（Ｒ２）２Ｏ）３、（Ｒ２）Ｃ（ＯＣ（Ｒ２）２）３、（Ｒ２）Ｃ（Ｓｉ（Ｒ２）２）３、（Ｒ２）Ｃ（Ｓｉ（Ｒ２）２Ｃ（Ｒ２）２）３、（Ｒ２）Ｃ（Ｃ（Ｒ２）２Ｓｉ（Ｒ２）２）３、（Ｒ２）Ｃ（Ｓｉ（Ｒ２）２Ｓｉ（Ｒ２）２）３、Ｓｉ（Ｒ２）、（Ｒ２）Ｓｉ（Ｃ（Ｒ２）２）３、（Ｒ２）Ｓｉ（Ｏ）３、（Ｒ２）Ｓｉ（Ｃ（Ｒ２）２Ｃ（Ｒ２）２）３、（Ｒ２）Ｓｉ（ＯＣ（Ｒ２）２）３、（Ｒ２）Ｓｉ（Ｃ（Ｒ２）２Ｏ）３、（Ｒ２）Ｓｉ（Ｓｉ（Ｒ２）２）３、（Ｒ２）Ｓｉ（Ｓｉ（Ｒ２）２Ｃ（Ｒ２）２）３、（Ｒ２）Ｓｉ（Ｃ（Ｒ２）２Ｓｉ（Ｒ２）２）３、（Ｒ２）Ｓｉ（Ｓｉ（Ｒ２）２Ｓｉ（Ｒ２）２）３、Ｎ、ＮＯ、Ｎ（Ｒ２）＋、Ｎ（Ｃ（Ｒ２）２）３、（Ｒ２）Ｎ（Ｃ（Ｒ２）２）３＋、Ｎ（Ｃ＝Ｏ）３、Ｎ（Ｃ（Ｒ２）２Ｃ（Ｒ２）２）３、（Ｒ２）Ｎ（Ｃ（Ｒ２）２Ｃ（Ｒ２）２）＋、Ｐ、Ｐ（Ｒ２）＋、ＰＯ、ＰＳ、ＰＳｅ、ＰＴｅ、Ｐ（Ｏ）３、ＰＯ（Ｏ）３、Ｐ（ＯＣ（Ｒ２）２）３、ＰＯ（ＯＣ（Ｒ２）２）３、Ｐ（Ｃ（Ｒ２）２）３、Ｐ（Ｒ２）（Ｃ（Ｒ２）２）３＋、ＰＯ（Ｃ（Ｒ２）２）３、Ｐ（Ｃ（Ｒ２）２Ｃ（Ｒ２）２）３、Ｐ（Ｒ２）（Ｃ（Ｒ２）２Ｃ（Ｒ２）２）３＋、ＰＯ（Ｃ（Ｒ２）２Ｃ（Ｒ２）２）３、Ｓ＋、Ｓ（Ｃ（Ｒ２）２）３＋、Ｓ（Ｃ（Ｒ２）２Ｃ（Ｒ２）２）３＋、または式（１１０）、（１１１）、（１１２）もしくは（１１３）の単位からなる群から選択され、
【化２２】
2013533214.tif 000027
【００５６】
ここで、破線で示される結合は、各場合において、部分配位子ＬまたはＬ’への結合を示し、Ａは、出現する毎に、同一であるかまたは異なり、単結合、Ｏ、Ｓ、Ｓ（＝Ｏ）、Ｓ（＝Ｏ）２、ＮＲ２、ＰＲ２、Ｐ（＝Ｏ）Ｒ２、Ｐ（＝ＮＲ２）、Ｃ（Ｒ２）２、Ｃ（＝Ｏ）、Ｃ（＝ＮＲ２）、Ｃ（＝Ｃ（Ｒ２）２）、Ｓｉ（Ｒ２）２またはＢＲ２からなる群から選択される。使用された他の記号は、上述の意味を有する。
【００５７】
Ｚが二価基である場合、すなわち２つの配位子Ｌ同士を、または１つの配位子ＬをＬ’に架橋する場合、Ｚは、好ましくは、出現する毎に、同一であるかまたは異なり、ＢＲ２、Ｂ（Ｒ２）２−、Ｃ（Ｒ２）２、Ｃ（＝Ｏ）、Ｓｉ（Ｒ２）２、ＮＲ２、ＰＲ２、Ｐ（Ｒ２）２＋、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ２）、Ｐ（＝Ｓ）（Ｒ２）、ＡｓＲ２、Ａｓ（＝Ｏ）（Ｒ２）、Ａｓ（＝Ｓ）（Ｒ２）、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、または式（１１４）〜（１２２）の単位からなる群から選択され、
【化２３】
2013533214.tif 000028
【００５８】
ここで、破線で示される結合は、各場合において、部分配位子ＬまたはＬ’への結合を示し、使用されたさらなる記号は、各場合において、上述の意味を有する。
【００５９】
式（１）において出現するような好ましい配位子Ｌ’を、以下で説明する。配位子基Ｌ’はまた、架橋単位Ｚを介してＬに結合する場合、適宜選択され得る。
【００６０】
配位子Ｌ’は、好ましくは、中性、一価アニオン性、二価アニオン性または三価アニオン性配位子、特に好ましくは中性または一価アニオン性配位子である。それらは、単座、二座、三座または四座であってもよく、好ましくは二座であり、すなわち、好ましくは２つの配位部位を有する。上述のように、配位子Ｌ’はまた、架橋基Ｚを介してＬに結合していてもよい。
【００６１】
好ましい中性の単座配位子Ｌ’は、一酸化炭素、一酸化窒素、シアン化アルキル、例えばアセトニトリル等、シアン化アリール、例えばベンゾニトリル等、イソシアン化アルキル、例えばメチルイソニトリル等、イソシアン化アリール、例えばベンゾイソニトリル等、アミン、例えばトリメチルアミン、トリエチルアミン、モルホリン等、ホスフィン、特にハロホスフィン、トリアルキルホスフィン、トリアリールホスフィンまたはアルキルアリールホスフィン、例えばトリフルオロホスフィン、トリメチルホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン、トリフェニルホスフィン、トリス（ペンタフルオロフェニル）ホスフィン等、ホスファイト、例えばトリメチルホスファイト、トリエチルホスファイト等、アルシン、例えばトリフルオロアルシン、トリメチルアルシン、トリシクロヘキシルアルシン、トリ−ｔｅｒｔ−ブチルアルシン、トリフェニルアルシン、トリス（ペンタフルオロフェニル）アルシン等、スチビン、例えばトリフルオロスチビン、トリメチルスチビン、トリシクロヘキシルスチビン、トリ−ｔｅｒｔ−ブチルスチビン、トリフェニルスチビン、トリス（ペンタフルオロフェニル）スチビン等、窒素含有ヘテロ環、例えばピリジン、ピリダジン、ピラジン、ピリミジン、トリアジン等、およびカルベン、特にＡｒｄｕｅｎｇｏカルベンから選択される。
【００６２】
好ましい一価アニオン性の単座配位子Ｌ’は、水素化物、重水素化物、ハロゲン化物Ｆ−、Ｃｌ−、Ｂｒ−およびＩ−、アルキルアセチリド、例えばメチル−Ｃ≡Ｃ−、ｔｅｒｔ−ブチル−Ｃ≡Ｃ−等、アリールアセチリド、例えばフェニル−Ｃ≡Ｃ−等、シアン化物、シアネート、イソシアネート、チオシアネート、イソチオシアネート、脂肪族または芳香族アルコレート、例えばメタノレート、エタノレート、プロパノレート、イソプロパノレート、ｔｅｒｔ−ブチレート、フェノレート等、脂肪族または芳香族チオアルコレート、例えばメタンチオレート、エタンチオレート、プロパンチオレート、イソプロパンチオレート、ｔｅｒｔ−チオブチレート、チオフェノレート等、アミド、例えばジメチルアミド、ジエチルアミド、ジイソプロピルアミド、モルホリド等、カルボキシレート、例えばアセテート、トリフルオロアセテート、プロピオネート、ベンゾエート等、アリール基、例えばフェニル、ナフチル等、ならびに、アニオン性窒素含有ヘテロ環、例えばピロリド、イミダゾリド、ピラゾリド等から選択される。これらの基におけるアルキル基は、好ましくは、Ｃ１〜Ｃ２０アルキル基、特に好ましくはＣ１〜Ｃ１０アルキル基、極めて特に好ましくは、Ｃ１〜Ｃ４アルキル基である。アリール基はまた、ヘテロアリール基を意味すると解釈される。これらの基は、上述された通りである。
【００６３】
好ましい二価または三価アニオン性リガンドは、Ｏ２−、Ｓ２−、炭化物（これは、Ｒ−Ｃ≡Ｍの形態の配位をもたらす）およびニトレン（これは、Ｒ−Ｎ＝Ｍの形態の配位をもたらす）（ここで、Ｒは、一般に、置換基を表す）、またはＮ３−である。
【００６４】
好ましい中性または一価もしくは二価アニオン性の二座または多座配位子Ｌ’は、ジアミン、例えばエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルエチレンジアミン、プロピレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルプロピレンジアミン、ｃｉｓ−またはｔｒａｎｓ−ジアミノシクロヘキサン、ｃｉｓ−またはｔｒａｎｓ−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルジアミノシクロヘキサン等、イミン、例えば２［１−（フェニルイミノ）エチル］ピリジン、２［１−（２−メチルフェニルイミノ）エチル］ピリジン、２［１−（２，６−ジイソプロピルフェニルイミノ）エチル］ピリジン、２［１−（メチルイミノ）エチル］ピリジン、２［１−（エチルイミノ）エチル］ピリジン、２［１−（イソプロピルイミノ）エチル］ピリジン、２［１−（ｔｅｒｔ−ブチルイミノ）エチル］ピリジン等、ジイミン、例えば１，２−ビス（メチルイミノ）エタン、１，２−ビス（エチルイミノ）エタン、１，２−ビス（イソプロピルイミノ）エタン、１，２−ビス（ｔｅｒｔ−ブチルイミノ）エタン、２，３−ビス（メチルイミノ）ブタン、２，３−ビス（エチルイミノ）ブタン、２，３−ビス（イソプロピルイミノ）ブタン、２，３−ビス（ｔｅｒｔ−ブチルイミノ）ブタン、１，２−ビス（フェニルイミノ）エタン、１，２−ビス（２−メチルフェニルイミノ）エタン、１，２−ビス（２，６−ジイソプロピルフェニルイミノ）エタン、１，２−ビス（２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルイミノ）エタン、２，３−ビス（フェニルイミノ）ブタン、２，３−ビス（２−メチルフェニルイミノ）ブタン、２，３−ビス（２，６−ジイソプロピルフェニルイミノ）ブタン、２，３−ビス（２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルイミノ）ブタン等、２個の窒素原子を含有するヘテロ環、例えば２，２’−ビピリジン、ｏ−フェナントロリン等、ジホスフィン、例えばビスジフェニルホスフィノメタン、ビスジフェニルホスフィノエタン、ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン、ビス（ジフェニルホスフィノ）ブタン、ビス（ジメチルホスフィノ）メタン、ビス（ジメチルホスフィノ）エタン、ビス（ジメチルホスフィノ）プロパン、ビス（ジエチルホスフィノ）メタン、ビス（ジエチルホスフィノ）エタン、ビス（ジエチルホスフィノ）プロパン、ビス（ジ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィノ）メタン、ビス（ジ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィノ）エタン、ビス（ｔｅｒｔ−ブチルホスフィノ）プロパン等、１，３−ジケトンから得られる１，３−ジケトネート、例えばアセチルアセトン、ベンゾイルアセトン、１，５−ジフェニルアセチルアセトン、ジベンゾイルメタン、ビス（１，１，１−トリフルオロアセチル）メタン等、３−ケトエステルから得られる３−ケトネート、例えばアセト酢酸エチル等、アミノカルボン酸から得られるカルボキシレート、例えばピリジン−２−カルボン酸、キノリン−２−カルボン酸、グリシン、Ｎ，Ｎ−ジメチルグリシン、アラニン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノアラニン等、サリチルイミンから得られるサリチルイミネート、例えばメチルサリチルイミン、エチルサリチルイミン、フェニルサリチルイミン等、ジアルコールから得られるジアルコレート、例えばエチレングリコール、１，３−プロピレングリコール等、およびジチオールから得られるジチオレート、例えば１，２−エチレンジチオール、１，３−プロピレンジチオール等から選択される。
【００６５】
好ましい三座配位子は、窒素含有ヘテロ環のボレート、例えばテトラキス（１−イミダゾリル）ボレートおよびテトラキス（１−ピラゾリル）ボレート等である。
【００６６】
さらに、金属と共に、少なくとも１つの金属−炭素間結合を有するシクロメタル化５員または６員環、特にシクロメタル化５員環を有する、二座の一価アニオン性配位子Ｌ’が特に好ましい。これらは、特に、有機エレクトロルミネッセンスデバイス用のリン光金属錯体の分野において一般的に使用されるような配位子、すなわち、フェニルピリジン、ナフチルピリジン、フェニルキノリン、フェニルイソキノリン等の種類の配位子であり、そのそれぞれは、１以上のラジカルＲ１〜Ｒ７により置換されていてもよい。多数の、この種類の配位子が、リン光エレクトロルミネッセンスデバイスの分野における当業者に知られており、当業者は、式（１）の化合物の配位子Ｌ’として、発明ステップを必要とせずにこの種類のさらなる配位子を選択することができる。一般に、以下の式（１２３）〜（１５０）により表されるような２つの基の組合せが、この目的において特に好適であり、ここで、１つの基は、中性窒素原子またはカルベン原子を介して結合し、他の基は、負の電荷を有する炭素原子または負の電荷を有する窒素原子を介して結合している。こうして、配位子Ｌ’は、式（１２３）〜（１５０）の基が、各場合において＃で指定される位置で互いに結合することにより、それらの基から形成され得る。基が金属に配位する位置は、＊で指定される。これらの基はまた、１つまたは２つの架橋単位Ｚを介して配位子Ｌに結合していてもよい。
【化２４−１】
2013533214.tif 000029
【化２４−２】
2013533214.tif 000030
【００６７】
ここで使用された記号は、上述と同じ意味を有し、好ましくは、それぞれの基において最大３つの記号ＸがＮを表し、特に好ましくは、それぞれの基において最大２つの記号ＸがＮを表し、極めて特に好ましくは、それぞれの基において最大１つの記号ＸがＮを表す。特に好ましくは、全ての記号Ｘが、出現する毎に、同一であるかまたは異なり、ＣＲ１を表す。
【００６８】
本発明の特に好ましい実施形態において、式（１２３）〜（１５０）の配位子Ｌ’の２つの断片が、断片の少なくとも１つが位置＊にヘテロ原子を含有するように、位置＃を介して互いに結合される。
【００６９】
本発明の極めて特に好ましい実施形態において、配位子Ｌ’は、式（１２３）〜（１５０）の一覧からの、ヘテロ原子を有さない厳密に１つの断片と、式（１２３）〜（１５０）を有する断片の一覧からの、ヘテロ原子、好ましくは窒素原子を有する厳密に１つの断片とから構成される。
【００７０】
同様に好ましい配位子Ｌ’は、η５−シクロペンタジエニル、η５−ペンタメチルシクロペンタジエニル、η６−ベンゼンまたはη７−シクロヘプタトリエニルであり、そのそれぞれは、１以上のラジカルＲ１により置換されていてもよい。
【００７１】
同様に好ましい配位子Ｌ’は、特に式（１５０）の１，３，５−ｃｉｓ−シクロヘキサン誘導体、特に式（１５２）の１，１，１−トリ（メチレン）メタン誘導体、ならびに特に式（１５３）および（１５４）の１，１，１−三置換メタンであり、
【化２５】
2013533214.tif 000031
【００７２】
式のそれぞれにおいて、金属Ｍへの配位が示され、Ｒ１は、上述の意味を有し、Ａは、出現する毎に、同一であるかまたは異なり、Ｏ−、Ｓ−、ＣＯＯ−、Ｐ（Ｒ１）２またはＮ（Ｒ１）２を表す。
【００７３】
上述の構造における好ましいラジカルＲ１は、出現する毎に、同一であるかまたは異なり、Ｈ、Ｄ、Ｆ、Ｂｒ、Ｎ（Ｒ２）２、ＣＮ、Ｂ（ＯＲ２）２、Ｃ（＝Ｏ）Ｒ２、Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ２）２、１〜１０個のＣ原子を有する直鎖アルキル基、または２〜１０個のＣ原子を有する直鎖アルケニルもしくはアルキニル基、または３〜１０個のＣ原子を有する分枝もしくは環状アルキル、アルケニルもしくはアルキニル基（これらのそれぞれは、１以上のラジカルＲ２により置換されていてもよい）（ここで、１以上のＨ原子は、Ｆにより置きかえられていてもよい）、または５〜１４個の芳香族環原子を有する芳香族もしくはヘテロ芳香族環系（これは、各場合において、１以上のラジカルＲ２により置換されていてもよい）からなる群から選択され；ここで、複数のラジカルＲ１はまた、互いに単環または多環状の脂肪族、芳香族および／またはベンゾ縮合環系を形成していてもよい。特に好ましいラジカルＲ１は、出現する毎に、同一であるかまたは異なり、Ｈ、Ｆ、Ｂｒ、ＣＮ、Ｂ（ＯＲ２）２、１〜６個のＣ原子を有する直鎖アルキル基、特にメチル、または３〜１０個のＣ原子を有する分枝もしくは環状アルキル基、特にイソプロピルもしくはｔｅｒｔ−ブチル（ここで、１以上のＨ原子は、Ｆにより置きかえられていてもよい）、または５〜１２個の芳香族環原子を有する芳香族もしくはヘテロ芳香族環系（これは、各場合において、１以上のラジカルＲ２により置換されていてもよい）からなる群から選択され；ここで、複数のラジカルＲ１はまた、互いに単環または多環状の脂肪族、芳香族および／またはベンゾ縮合環系を形成していてもよい。
【００７４】
本発明による金属錯体は、原則として、様々なプロセスにより調製され得る。しかしながら、以下で説明されるプロセスが、特に好適であることが判明している。
【００７５】
したがって、本発明は、さらに、対応する遊離配位子の、式（１５５）の金属アルコキシド、式（１５６）の金属ケトケトネート、または式（１５７）の金属ハライドとの反応により、式（１）の金属錯体化合物を調製するための方法に関し、
【化２６】
2013533214.tif 000032
【００７６】
ここで、記号Ｍ、ｎおよびＲ１は、上記の意味を有し、Ｈａｌ＝Ｆ、Ｃｌ、ＢｒまたはＩである。
【００７７】
同様に、アルコレートおよび／またはハライドおよび／またはヒドロキシルラジカルとケトケトネートラジカルの両方を有する金属化合物、特にイリジウム化合物を使用することが可能である。これらの化合物もまた、電荷を有してもよい。出発物質として特に好適な対応するイリジウム化合物は、国際公開第０４／０８５４４９号に開示されている。［ＩｒＣｌ２（ａｃａｃ）２］─、例えばＮａ［ＩｒＣｌ２（ａｃａｃ）２］が、特に好適である。
【００７８】
錯体は、好ましくは、国際公開第０２／０６０９１０号および国際公開第０４／０８５４４９号に記載のように合成される。また、ヘテロレプティック錯体は、例えば国際公開第０５／０４２５４８号に従って合成され得る。また、合成は、例えば、熱的、光化学的、および／またはマイクロ波照射により活性化され得る。
【００７９】
これらのプロセスにより、本発明による式（１）の化合物を高純度で、好ましくは９９％を超える純度で（１Ｈ−ＮＭＲおよび／またはＨＰＬＣを用いて決定される）得ることができる。
【００８０】
ここで説明される合成法は、特に、以下に示される本発明による式（１５８）〜（３３５）の化合物の調製を可能とする。
【化２７】
2013533214.tif 000033
【化２８】
2013533214.tif 000034
【化２９】
2013533214.tif 000035
【化３０】
2013533214.tif 000036
【化３１】
2013533214.tif 000037
【化３２】
2013533214.tif 000038
【化３３】
2013533214.tif 000039
【化３４】
2013533214.tif 000040
【化３５】
2013533214.tif 000041
【化３６】
2013533214.tif 000042
【化３７】
2013533214.tif 000043
【化３８】
2013533214.tif 000044
【化３９】
2013533214.tif 000045
【化４０】
2013533214.tif 000046
【化４１】
2013533214.tif 000047
【００８１】
上述の式（１）および上述の好ましい実施形態の錯体は、電子デバイス内の有効成分として使用され得る。電子デバイスは、アノードと、カソードと、少なくとも１つの層とを含むデバイスを意味すると解釈され、この層は、少なくとも１種の有機または有機金属化合物を含む。したがって、本発明による電子デバイスは、アノードと、カソードと、上記の式（１）の少なくとも１種の化合物を含む少なくとも１つの層とを含む。ここで、好ましい電子デバイスは、少なくとも１つの層内に、上記の式（１）の少なくとも１種の化合物を含む、有機エレクトロルミネッセンスデバイス（ＯＬＥＤ、ＰＬＥＤ）、有機集積回路（Ｏ−ＩＣ）、有機電界効果トランジスタ（Ｏ−ＦＥＴ）、有機薄膜トランジスタ（Ｏ−ＴＦＴ）、有機発光トランジスタ（Ｏ−ＬＥＴ）、有機太陽電池（Ｏ−ＳＣ）、有機光学検波器、有機光受容体、有機電場消光素子（Ｏ−ＦＱＤ）、発光電気化学電池（ＬＥＣ）または有機レーザダイオード（Ｏ−レーザ）からなる群から選択される。有機エレクトロルミネッセンスデバイスが特に好ましい。有効成分は、一般に、アノードとカソードとの間に導入される有機または無機物質、例えば電荷注入、電荷輸送または電荷阻止物質であるが、特に、発光物質およびマトリックス物質である。本発明による化合物は、有機エレクトロルミネッセンスデバイスにおける発光物質として、特に良好な性質を示す。したがって、有機エレクトロルミネッセンスデバイスは、本発明の好ましい実施形態である。
【００８２】
有機エレクトロルミネッセンスデバイスは、カソードと、アノードと、少なくとも１つの発光層とを含む。このデバイスはまた、これらの層以外に、さらなる層、例えば、各場合において、１以上の正孔注入層、正孔輸送層、正孔阻止層、電子輸送層、電子注入層、励起子阻止層、電荷生成層、および／または有機もしくは無機ｐ／ｎ接合層を含んでもよい。同様に、例えば励起子阻止機能を有し、および／またはエレクトロルミネッセンスデバイス内の電荷平衡を制御する中間層を、２つの発光層の間に導入することができる。しかしながら、これらの層のそれぞれは、必ずしも存在しなければならないとは限らないことが指摘されるべきである。有機エレクトロルミネッセンスデバイスは、１つの発光層または複数の発光層を含んでもよい。複数の発光層が存在する場合、これらは、好ましくは、全体として、３８０ｎｍ〜７５０ｎｍの間の複数の発光極大を有し、全体的に白色発光をもたらし、すなわち、蛍光またはリン光発光性の様々な発光化合物が発光層において使用される。３つの層が青、緑および橙もしくは赤の発光を示す３層系（基本構造に関しては、例えば国際公開第０５／０１１０１３号を参照されたい）、または３個を超える発光層を含む系が特に好ましい。
【００８３】
本発明の好ましい実施形態において、有機エレクトロルミネッセンスデバイスは、１以上の発光層における発光化合物として、式（１）または上述の好ましい実施形態の化合物を含む。
【００８４】
式（１）の化合物が発光層における発光化合物として使用される場合、好ましくは、１以上のマトリックス物質と組み合わせて使用される。式（１）の化合物とマトリックス物質との混合物は、エミッタおよびマトリックス物質を含む混合物全体を基準として、１〜９９重量％、好ましくは２〜４０重量％、特に好ましくは３〜３０重量％、特に５〜２５重量％の式（１）の化合物を含む。それに応じて、混合物は、エミッタおよびマトリックス物質を含む混合物全体を基準として、９９〜１重量％、好ましくは９８〜６０重量％、特に好ましくは９７〜７０重量％、特に９５〜７５重量％のマトリックス物質を含む。
【００８５】
本発明による化合物に好適なマトリックス物質は、ケトン、ホスフィンオキシド、スルホキシドおよびスルホン、例えば国際公開第２００４／０１３０８０号、国際公開第２００４／０９３２０７号、国際公開第２００６／００５６２７号または未公開ドイツ特許出願第１０２００８０３３９４３．１号に基づくもの、トリアリールアミン、カルバゾール誘導体、例えばＣＢＰ（Ｎ，Ｎ−ビスカルバゾリルビフェニル）、または国際公開第２００５／０３９２４６号、米国特許出願公開第２００５／００６９７２９号、日本国特許第２００４／２８８３８１号、欧州特許第１２０５５２７号または国際公開第２００８／０８６８５１号に開示されているカルバゾール誘導体、インドロカルバゾール誘導体、例えば国際公開第２００７／０６３７５４号または国際公開第２００８／０５６７４６号に基づくもの、インデノカルバゾール誘導体、例えば未公開ドイツ特許出願第１０２００９０２３１５５．２号および第１０２００９０３１０２１．５号に基づくもの、アザカルバゾール、例えば欧州特許第１６１７７１０号、欧州特許第１６１７７１１号、欧州特許第１７３１５８４号、日本国特許第２００５／３４７１６０号に基づくもの、双極性マトリックス物質、例えば国際公開第２００７／１３７７２５号に基づくもの、シラン、例えば国際公開第２００５／１１１１７２号に基づくもの、アザボロールまたはボロン酸エステル、例えば国際公開第２００６／１１７０５２号に基づくもの、トリアジン誘導体、例えば未公開ドイツ特許出願第１０２００８０３６９８２．９号、国際公開第０７／０６３７５４号または国際公開第０８／０５６７４６号に基づくもの、亜鉛錯体、例えば欧州特許第６５２２７３号に基づくもの、または国際公開第０９／０６２５７８号に基づくもの、ジアザ−またはテトラアザシロール誘導体、例えば未公開ドイツ特許出願第１０２００８０５６６８８．８号に基づくもの、あるいはジアザホスホール誘導体、例えば未公開ドイツ特許出願第１０２００９０２２８５８．６号に基づくものである。
【００８６】
また、混合物としての複数の異なるマトリックス物質、特に少なくとも１種の電子伝導性マトリックス物質および少なくとも１種の正孔伝導性マトリックス物質を使用することが好ましくなり得る。好ましい組合せは、例えば、本発明による金属錯体の混合マトリックスとしての、芳香族ケトンまたはトリアジンのトリアリールアミン誘導体またはカルバゾール誘導体との使用である。また、同様に、例えばドイツ特許第１０２００９０１４５１３号に開示されているような、正孔または電子輸送物質と、正孔輸送と電子輸送のいずれにも関与しない材料との混合物も好ましい。
【００８７】
本発明のさらに好ましい実施形態において、本発明による化合物は、１以上のさらなるエミッタとの混合物として使用され得る。ここで、本発明による化合物と、１以上の蛍光エミッタとの混合物が極めて特に好ましい。さらに、１以上のリン光エミッタとの混合物が好ましい。蛍光エミッタは、主に励起一重項状態から発光し、一方リン光エミッタは、主により高いスピン状態（例えば三重項および五重項）から光を発光する。本発明の目的において、有機遷移金属の錯体が、リン光エミッタであると解釈される。さらなるエミッタは、好ましくは、有機化合物である。
【００８８】
本発明の特に好ましい実施形態において、本発明による化合物は、さらなる３種のエミッタと、特に好ましい実施形態においてはさらなる２種のエミッタと、極めて特に好ましい実施形態においてはさらなる１種のエミッタと混合される。
【００８９】
本発明のさらに好ましい実施形態において、エミッタ混合物は、３種、特に好ましくは２種、極めて特に好ましくは１種の本発明による化合物を含む。
【００９０】
本発明の特に好ましい実施形態において、エミッタ混合物は、本発明による化合物の厳密に１種と、厳密に１種のさらなるエミッタとを含む。
【００９１】
本発明の目的において、混合物の少なくとも１種のエミッタの吸収スペクトルおよび少なくとも１種の他のエミッタの発光スペクトルが重複し、エミッタ間のエネルギー移動（二重ドーピング（double doping））が単純化されることがさらに好ましい。ここで、エネルギー移動は、様々な機構により生じ得る。この非限定的な例は、ＦｏｒｓｔｅｒまたはＤｅｘｔｅｒエネルギー移動である。
【００９２】
説明されたエミッタ混合物は、好ましくは、共に赤色光を発光する少なくとも２種のエミッタを含む。さらに、共に緑色光を発光する少なくとも２種のエミッタを含むエミッタ混合物が好ましい。さらに、赤色光を発光する少なくとも１種のエミッタと、緑色光を発光する少なくとも１種のエミッタとを含むエミッタ混合物が好ましい。
【００９３】
カソードは、好ましくは、低い仕事関数を有する金属、金属合金、または様々な金属を含む多層構造、例えば、アルカリ土類金属、アルカリ金属、主族金属またはランタノイド等（例えば、Ｃａ、Ｂａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｍｇ、Ｙｂ、Ｓｍ等）を含む。また、アルカリまたはアルカリ土類金属と銀との合金、例えばマグネシウムと銀との合金も好適である。多層構造の場合、比較的高い仕事関数を有するさらなる金属、例えばＡｇ等もまた、前記金属に加えて使用されてもよいが、その場合、金属の組合せ、例えばＣａ／ＡｇまたはＢａ／Ａｇ等が一般に使用される。また、金属カソードと有機半導体との間に、高い誘電率を有する物質の薄い中間層を導入することが好ましくなり得る。この目的に好適なのは、例えば、アルカリ金属またはアルカリ土類金属フッ化物であるが、対応する酸化物または炭酸塩もまたは好適である（例えば、ＬｉＦ、Ｌｉ２Ｏ、ＢａＦ２、ＭｇＯ、ＮａＦ、ＣｓＦ、Ｃｓ２ＣＯ３等）。この層の層厚は、好ましくは、０．５〜５ｎｍである。
【００９４】
アノードは、好ましくは、高い仕事関数を有する材料を含む。アノードは、好ましくは、真空に対して４．５ｅＶを超える仕事関数を有する。この目的に好適なのは、一方では、高い酸化還元電位を有する金属、例えば、Ａｇ、ＰｔまたはＡｕ等である。他方では、金属／金属酸化物電子（例えば、Ａｌ／Ｎｉ／ＮｉＯｘ、Ａｌ／ＰｔＯｘ）もまた好ましくなり得る。いくつかの用途において、有機物質の照射（Ｏ−ＳＣ）または光のカップリングアウト（coupling-out）（ＯＬＥＤ／ＰＬＥＤ、Ｏ−レーザ）のいずれかを可能とするために、電極の少なくとも１つが透明でなければならない。好ましい構造は、透明アノードを使用する。ここで、好ましいアノード物質は、導電性混合金属酸化物である。インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）またはインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）が特に好ましい。さらに、導電性ドープ有機物質、特に導電性ドープポリマーが好ましい。
【００９５】
一般に、従来技術による層に使用される全ての物質を、さらなる層において使用することができ、当業者は、発明ステップを必要とせずに、電子デバイスにおいて、これらの物質のそれぞれを、本発明による物質と組み合わせることができる。
【００９６】
デバイスは、適宜（用途に応じて）構造化され、接点が提供され、最終的に密閉されるが、これは、この種のデバイスの寿命が、水および／または空気の存在下で劇的に短縮されるためである。
【００９７】
さらに、１以上の層が昇華プロセスを用いて塗布されることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンスデバイスが好ましく、物質は、真空昇華ユニット内で、通常１０−５ｍｂａｒ未満、好ましくは１０−６ｍｂａｒ未満の初期圧力下で蒸着される。また、初期圧力をさらにより低くする、例えば１０−７ｍｂａｒ未満とすることも可能である。
【００９８】
同様に、１以上の層がＯＶＰＤ（有機気相成長）プロセスを用いて、またはキャリアガス昇華を利用して塗布されることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンスデバイスが好ましく、物質は、１０−５ｍｂａｒ〜１ｂａｒの圧力で塗布される。このプロセスの特別な場合は、ＯＶＪＰ（有機気相ジェット印刷）プロセスであり、物質は、ノズルを通して直接塗布され、構造化される（例えば、Ｍ．Ｓ．Ａｒｎｏｌｄら、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．２００８、９２、０５３３０１）。
【００９９】
さらに、１以上の層が、例えばスピンコーティングにより、または任意の所望の印刷プロセス、例えばスクリーン印刷、フレキソ印刷もしくはオフセット印刷等であるが、特に好ましくはＬＩＴＩ（光誘起熱画像化、熱転写印刷）もしくはインクジェット印刷等を用いて溶液から生成されることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンスデバイスが好ましい。本発明による式（１）の化合物は、有機溶媒に対する非常に良好な溶解度を有するため、溶液からの処理に特に好適である。
【０１００】
また、有機エレクトロルミネッセンスデバイスは、１以上の層を溶液から塗布し、１以上の他の層を蒸着により塗布することによって、ハイブリッドシステムとして製造することができる。したがって、例えば、式（１）の化合物およびマトリックス物質を含む発光層を溶液から塗布し、その上に正孔阻止層および／または電子輸送層を真空蒸着により塗布することが可能である。
【０１０１】
これらのプロセスは、概して当業者に知られており、式（１）または上述の好ましい実施形態の化合物を含む有機エレクトロルミネッセンスデバイスに、当業者により問題なく適用され得る。
【０１０２】
溶液からの処理には、式（１）の化合物の溶液または調合物が必要である。また、２種以上の溶媒の混合物を使用することが好ましくなり得る。好適で好ましい溶媒は、例えば、トルエン、アニソール、ｏ−、ｍ−もしくはｐ−キシレン、メチルベンゾエート、ジメチルアニソール、メシチレン、テトラリン、ベラトロール、ＴＨＦ、メチル−ＴＨＦ、ＴＨＰ、クロロベンゼン、ジオキサン、またはこれらの溶媒の混合物である。
【０１０３】
したがって、本発明は、さらに、式（１）の少なくとも１種の化合物と、１以上の溶媒、特に有機溶媒とを含む溶液または調合物に関する。この種類の溶液を調製することができる様式は、当業者に知られており、例えば、国際公開第０２／０７２７１４号、国際公開第０３／０１９６９４号およびそれらにおいて引用されている文献に記載されている。
【０１０４】
本発明による電子デバイス、特に有機エレクトロルミネッセンスデバイスは、従来技術に勝る以下の驚くべき利点により区別される：
１．式（１）の化合物は、多数の一般的な有機溶媒に対する非常に良好な溶解度を有し、したがって溶液からの処理に極めて好適である。特に、本発明による化合物は、従来技術において説明されている同様の化合物よりも高い溶解度を有する。
【０１０５】
２．発光物質として式（１）の化合物を含む有機エレクトロルミネッセンスデバイスは、優れた寿命を有する。特に、寿命は、従来技術による類似の化合物の場合よりも良好である。
【０１０６】
３．発光物質として式（１）の化合物を含む有機エレクトロルミネッセンスデバイスは、優れた効率を有する。特に、効率は、従来技術による類似の化合物の場合よりも良好である。
【０１０７】
これらの上述の利点は、他の電子的性質の低下を伴わない。
【０１０８】
本発明による化合物は、ある特定の前提条件において発光することができる。したがって、これらの化合物は、非常に多用途である。主要な適用領域のいくつかは、表示または照明技術である。さらに、化合物およびこれらの化合物を含むデバイスを、光線治療の領域において使用することが特に有利である。
【０１０９】
したがって、本発明は、さらに、疾患の処置、予防および診断のための、本発明による化合物および化合物を含むデバイスの使用に関する。さらに、本発明は、美容状態の処置および予防のための、本発明による化合物および化合物を含むデバイスの使用に関する。
【０１１０】
本発明は、さらに、治療疾患の治療、予防および／または診断用デバイスの製造のための、本発明による化合物に関する。
【０１１１】
多くの疾患が、美容学的側面に関連する。したがって、顔面に重度の座瘡を有する患者は、疾患の医学的因果関係だけでなく、それに伴う美容上の状況にも悩まされる。
【０１１２】
光線治療または光治療は、多くの医学的および／または美容学的領域において使用されている。したがって、本発明による化合物およびこれらの化合物を含むデバイスは、当業者が光線治療の使用を考慮する全ての疾患の治療および／もしくは予防および／もしくは診断、ならびに／または美容学的用途において使用され得る。照射の他に、光線治療という用語はまた、光線力学療法（ＰＤＴ）、ならびに一般に消毒および殺菌を含む。光線治療または光治療は、ヒトまたは動物だけでなく、任意の他の種類の生体または非生体物質の処置にも使用することができる。これらには、例えば、真菌、細菌、微生物、ウイルス、真核生物、原核生物、食品、飲料、水および飲料水が含まれる。
【０１１３】
光線治療という用語はまた、光治療と、例えば活性化合物による処置等他の種類の治療との任意の種類の組合せを含む。多くの光治療は、ヒトおよび動物の皮膚、傷、粘膜、目、毛髪、爪、爪床、歯茎および舌等の、物体の外側部分を照射または処置することを目的とする。本発明による処置または照射は、さらに、例えば内臓（心臓、肺等）または血管または胸部を処置するために、物体の内部にも行うことができる。
【０１１４】
本発明による治療および／または美容学的適用領域は、好ましくは、皮膚疾患および皮膚関連疾患または変化または状態、例えば、乾癬、皮膚の老化、皮膚の皺、皮膚の再生、皮膚の毛穴の拡大、セルライト、油性／脂性肌、毛嚢炎、光線角化症、前癌性光線角化症、皮膚病変、日光で痛んだ、および日光の影響を受けた皮膚、目尻の皺、皮膚潰瘍、座瘡、酒さ、座瘡を原因とした瘢痕、座瘡菌、脂性／油性脂腺およびその周辺組織の光変調、黄疸、新生児の黄疸、白斑、皮膚癌、皮膚腫瘍、クリグラー−ナジャー症候群、皮膚炎、アトピー性皮膚炎、糖尿病性皮膚潰瘍ならびに皮膚の脱感作等の群から選択される。
【０１１５】
本発明の目的において、乾癬、座瘡、セルライト、皮膚の皺、皮膚の老化、黄疸および白斑の処置および／または予防が特に好ましい。
【０１１６】
本発明による組成物および／または組成物を含むデバイスの、本発明によるさらなる適用領域は、炎症性疾患、関節リウマチ、疼痛治療、創傷の処置、神経系疾患および状態、浮腫、パジェット病、原発および転移性腫瘍、結合組織疾患または変化、哺乳動物の組織中の線維芽細胞を起点とする、コラーゲン、線維芽細胞および細胞レベルの変化、網膜の照射、新生血管および肥大性疾患、アレルギー反応、気道の照射、発汗、眼球新生血管疾患、ウイルス感染、特に、疣贅および陰部疣贅の処置における、単純ヘルペスまたはＨＰＶ（ヒト乳頭腫ウイルス）を原因とする感染の群から選択される。
【０１１７】
本発明の目的において、関節リウマチ、ウイルス感染および疼痛の処置および／または予防が特に好ましい。
【０１１８】
本発明による化合物および／または化合物を含むデバイスの、本発明によるさらなる適用領域は、冬期うつ病、睡眠病、心的状態を改善するための照射、疼痛、特に、例えば緊張を原因とする筋肉痛または関節痛の低減、関節の硬直の除去および歯のホワイトニング（漂白）から選択される。
【０１１９】
本発明による化合物および／または化合物を含むデバイスの、本発明によるさらなる適用領域は、消毒の群から選択される。本発明による化合物および／または本発明によるデバイスは、任意の種類の物体（非生体物質）または対象（生体物質、例えばヒトおよび動物等）の消毒を目的とした処置に使用することができる。これには、例えば、創傷の消毒、細菌の低減、手術器具または他の物品の消毒、食品、液体、特に水、飲料水および他の飲料の消毒、粘膜および歯茎および歯の消毒が含まれる。ここで、消毒は、細菌および病原菌等の、望ましくない効果の生きた微生物学的原因物質の低減を意味すると解釈される。
【０１２０】
上述の光線治療の目的において、本発明による化合物を含むデバイスは、好ましくは、２５０〜１２５０ｎｍ、特に好ましくは３００〜１０００ｎｍ、特に好ましくは４００〜８５０ｎｍの波長を有する光を発光する。
【０１２１】
本発明の特に好ましい実施形態において、本発明による化合物は、光線治療を目的とした有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）または有機発光電気化学電池（ＯＬＥＣ）に使用される。ＯＬＥＤおよびＯＬＥＣは両方とも、単一層または多層構造を備える、任意の所望の断面（例えば円形、楕円形、多角形、正方形）を有する平面または繊維状構造を有し得る。これらのＯＬＥＣおよび／またはＯＬＥＤは、さらなる機械的、接着性および／または電子的要素（例えば、バッテリー、ならびに／または照射時間、強度および波長を調節するための制御ユニット）を含む他のデバイス内に設置され得る。本発明によるＯＬＥＣおよび／またはＯＬＥＤを含むこれらのデバイスは、好ましくは、ギブス、パッド、テープ、包帯、カフ、ブランケット、キャップ、寝袋、布地およびステントを含む群から選択される。
【０１２２】
ＯＬＥＤおよび／またはＯＬＥＣを使用した本発明によるデバイスを利用して、より低い照射強度の均一な照射が、事実上任意の場所および任意の時刻に行うことができるため、前記治療および／または美容学的目的のための前記デバイスの使用は、従来技術と比較して特に有利である。照射は、入院時、通院時、および／または患者自身により、すなわち、医療または美容専門家により開始されることなく行うことができる。したがって、例えば、労働時間、余暇時間または睡眠中も照射が可能となるように、衣服の下にギブスをはめることができる。入院／通院による複雑な処置は、多くの場合、回避され得るか、またはその頻度が低減され得る。本発明によるデバイスは、再利用が意図されてもよく、または、１回、２回もしくは３回の使用後に廃棄され得る使い捨ての物品であってもよい。
【０１２３】
従来技術に勝るさらなる利点は、例えば、より低い発熱および感情的側面である。したがって、黄疸により処置を受けている新生児は、典型的には、親と物理的に接触せずに、インキュベータ内で目隠しされて照射される必要があり、これは、親および新生児に対する感情的なストレスを呈する。本発明によるＯＬＥＤおよび／またはＯＬＥＣを含む本発明によるブランケットを利用すれば、感情的ストレスは大きく低減され得る。さらに、従来の照射機器と比較して、本発明によるデバイスの低減された熱発生により、子供のより良好な温度制御が可能である。
【０１２４】
本発明において説明される実施形態の変形例は、本発明の範囲内に含まれることが指摘されるべきである。本発明において開示されたそれぞれの特徴は、明示的に除外されない限り、同じ、等価または類似の目的を果たす代替の特徴により置きかえることができる。したがって、本発明において開示されたそれぞれの特徴は、別段に指定されない限り、一般的な系統の一例として、または等価もしくは類似の特徴としてみなされるべきである。
【０１２５】
本発明の全ての特徴は、ある特定の特徴および／またはステップが相互排他的でない限り、任意の様式で互いに組み合わせることができる。これは、特に、本発明の好ましい特徴に適用される。同等に、必須ではない組合せの特徴は、別個に（および組み合わせずに）使用することができる。
【０１２６】
さらに、特徴の多く、特に本発明の好ましい実施形態の特徴の多くは、それ自体発明性があるとみなされ、単なる本発明の実施形態の一部ではないとみなされるべきであることが指摘されるべきである。現在請求されているそれぞれの発明に追加して、またはその代替として、これらの特徴に対し、独立した保護が認められ得る。
【０１２７】
本発明と共に開示される技術的動作に関する教示は、抜粋して他の例と組み合わせることができる。
【０１２８】
以下の実施例により、本発明をより詳細に説明するが、これにより本発明を限定することを望むものではない。
【０１２９】
［例］
以下の合成は、別段に指定されない限り、乾燥溶媒中、保護ガス雰囲気下で行われる。化合物Ｉは、国際公開第２００２／０６８４３５号に従い調製され得る。化合物ＩＩ、ＩＶおよびＶＩは、ドイツ特許第１０２００９０２３１５５号に従い調製され得る。化合物ＩＸは、国際公開第２００６／００３０００号に従い調製され得る。
【０１３０】
例１
化合物ＩＩＩの調製
化合物ＩＩＩの調製のための合成手順：
【化４２】
2013533214.tif 000048
【０１３１】
１５．０ｇ（１６．８ｍｍｏｌ）の化合物Ｉ、３８．１ｇ（１３４．６ｍｍｏｌ）の化合物ＩＩ、および１４５ｇ（６８５ｍｍｏｌ）のＫ３ＰＯ４を、２１００ｍｌのｐ−キシレンに懸濁させる。１１７ｍｇ（０．５ｍｍｏｌ）のＰｄ（ＯＡｃ）２および６．７ｍｌの１Ｍ  トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン溶液を、この懸濁液に添加する。反応混合物を還流下で２７時間加熱する。冷却後、有機相を分離し、３００ｍｌの水で３回洗浄し、続いて蒸発乾固する。残渣をＤＭＳＯから再結晶化させ、最後に減圧下で乾燥させる。収量は８．５ｇ（６．７ｍｍｏｌ）であり、理論値の３４％に相当する。
【０１３２】
例２
化合物Ｖの調製
化合物Ｖの調製のための合成手順：
【化４３】
2013533214.tif 000049
【０１３３】
１７．０ｇ（１９０ｍｍｏｌ）の化合物Ｉ、７４．２ｇ（４７９ｍｍｏｌ）の化合物ＩＶ、２７．２ｇ（１８２ｍｍｏｌ）の炭酸カリウムを、３５０ｍｌのトルエンおよび３００ｍｌの水に懸濁させる。２１１ｍｇ（０．１８ｍｍｏｌ）のテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）をこの懸濁液に添加し、反応混合物を還流下で２４時間加熱する。冷却後、有機相を分離し、２００ｍｌの水で３回洗浄し、硫酸ナトリウムを用いて乾燥させ、続いて蒸発乾固する。残渣をエタノールで洗浄し、ＤＭＳＯから再結晶化させ、最後に減圧下で乾燥させる。収量は２１．９ｇ（１１．２ｍｍｏｌ）であり、理論値の５８．７％に相当する。
【０１３４】
例３
化合物ＶＩＩＩの調製
【化４４】
2013533214.tif 000050
【０１３５】
ａ）化合物ＶＩＩの合成
２２．４ｇ（３７．７ｍｍｏｌ）の化合物ＶＩ、１０．５ｇ（４１．５ｍｍｏｌ）のビスピナコラトジボロン、９．８ｇ（１００ｍｍｏｌ）の酢酸カリウムを、３００ｍｌのジオキサンに懸濁させる。０．９ｇ（１．１ｍｍｏｌ）の１，１−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセンパラジウム（ＩＩ）ジクロリド＊ＤＣＭをこの懸濁液に添加し、反応混合物を還流下で８時間加熱する。冷却後、２００ｍｌの酢酸エチルおよび４００ｍｌの水を添加し、有機相を分離し、３００ｍｌの水で３回洗浄し、硫酸ナトリウムを用いて乾燥させ、続いて蒸発乾固する。残渣をエタノールで洗浄し、酢酸エチルから再結晶化させ、最後に減圧下で乾燥させる。収量は１９．３ｇ（３０ｍｍｏｌ）であり、理論値の７９．８％に相当する。
【０１３６】
ｂ）化合物ＶＩＩＩの合成
２７．２ｇ（３０．５ｍｍｏｌ）の化合物Ｉ、１１８．７ｇ（１８５．３ｍｍｏｌ）の化合物ＶＩＩ、３０．３ｇ（２８６．６ｍｍｏｌ）の炭酸カリウムを、７００ｍｌのトルエンおよび６００ｍｌの水に懸濁させる。２９０ｍｇ（０．２５ｍｍｏｌ）のテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）をこの懸濁液に添加し、反応混合物を還流下で４８時間加熱する。冷却後、有機相を分離し、３００ｍｌの水で３回洗浄し、硫酸ナトリウムを用いて乾燥させ、続いて蒸発乾固する。残渣をエタノールで洗浄し、トルエンから再結晶化させ、最後に減圧下で乾燥させる。収量は４３．６ｇ（１９．９ｍｍｏｌ）であり、理論値の６５．１％に相当する。
【０１３７】
例４：
化合物Ｘの調製
【化４５】
2013533214.tif 000051
【０１３８】
２１．０ｇ（２３．６ｍｍｏｌ）の化合物ＩＸ、５３．４ｇ（１８８．４ｍｍｏｌ）の化合物ＩＩ、および２０３ｇ（９６０ｍｍｏｌ）のＫ３ＰＯ４を、３０００ｍｌのｐ−キシレンに懸濁させる。１６４ｍｇ（０．７３ｍｍｏｌ）のＰｄ（ＯＡｃ）２および９．４ｍｌの１Ｍ  トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン溶液を、この懸濁液に添加する。反応混合物を還流下で４２時間加熱する。冷却後、有機相を分離し、４００ｍｌの水で３回洗浄し、続いて蒸発乾固する。残渣をエタノールで洗浄し、トルエンから再結晶化させ、最後に減圧下で乾燥させる。収量は２０．６ｇ（１２．３ｍｍｏｌ）であり、理論値の５３％に相当する。
【０１３９】
例５
化合物ＸＩの調製
【化４６】
2013533214.tif 000052
【０１４０】
３３．８ｇ（３６．２ｍｍｏｌ）の化合物ＩＸ、１４１ｇ（４８０ｍｍｏｌ）の化合物ＩＶ、５４ｇ（３６５ｍｍｏｌ）の炭酸カリウムを、１３００ｍｌのトルエンおよび１０００ｍｌの水に懸濁させる。４３０ｍｇ（０．３６ｍｍｏｌ）のテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）をこの懸濁液に添加し、反応混合物を還流下で３５時間加熱する。冷却後、有機相を分離し、２００ｍｌの水で３回洗浄し、硫酸ナトリウムを用いて乾燥させ、続いて蒸発乾固する。残渣をエタノールで洗浄し、トルエンから再結晶化させ、最後に減圧下で乾燥させる。収量は３４ｇ（１６．２ｍｍｏｌ）であり、理論値の４４．６％に相当する。
【０１４１】
例６
化合物ＸＩＩの調製
【化４７】
2013533214.tif 000053
【０１４２】
３０．４ｇ（３２．６ｍｍｏｌ）の化合物ＩＸ、１２６．８ｇ（２９３．３ｍｍｏｌ）の化合物ＶＩＩ、３０．３ｇ（２８６．６ｍｍｏｌ）の炭酸カリウムを、８００ｍｌのトルエンおよび７００ｍｌの水に懸濁させる。２９０ｍｇ（０．２５ｍｍｏｌ）のテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）をこの懸濁液に添加し、反応混合物を還流下で４５時間加熱する。冷却後、有機相を分離し、３００ｍｌの水で３回洗浄し、硫酸ナトリウムを用いて乾燥させ、続いて蒸発乾固する。残渣をエタノールで洗浄し、トルエンから再結晶化させ、最後に減圧下で乾燥させる。収量は４４ｇ（１８．８ｍｍｏｌ）であり、理論値の５７．６％に相当する。
【０１４３】
例７〜１２
有機エレクトロルミネッセンスデバイスの製造および特性決定
本発明による化合物ＴＥ−１〜ＴＥ−６、ＴＭＭ−１（ドイツ特許第１０２００８０３６９８２．９号に従い合成）およびＴＭＭ−２（ドイツ特許第１０２００８０１７５９１．９号に従い合成）の構造を、明確性のために以下に示す。
【０１４４】
エミッタの構造
【化４８】
2013533214.tif 000054
【０１４５】
マトリックスの構造
【化４９】
2013533214.tif 000055
【０１４６】
本発明による物質は、溶液から使用することができ、この物質は、良好な性質を有する単純なデバイスをもたらす。そのようなコンポーネントの製造は、ポリマー発光ダイオード（ＰＬＥＤ）の製造に基づき、これはすでに、文献（例えば、国際公開第０４／０３７８８７号）において何度も説明されている。現在の場合においては、本発明による化合物ＴＥ−１〜ＴＥ−４をトルエンに溶解する。この場合のように、デバイスにおける８０ｎｍという典型的な層厚がスピンコーティングを用いて達成される場合、そのような溶液の典型的な固形分は、１６〜２５ｇ／ｌである。構造化されたＩＴＯ基板およびいわゆる緩衝層用の物質（ＰＥＤＯＴ、実際にはＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ）は、市販されている（Ｔｅｃｈｎｏｐｒｉｎｔ社製等のＩＴＯ、Ｈ．Ｃ．Ｓｔａｒｃｋ社製のＣｌｅｖｉｏｓ  Ｂａｙｔｒｏｎ  Ｐ水性分散液としてのＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ）。使用した中間層は、正孔注入に役立ち、この場合ではＭｅｒｃｋ社製ＨＩＬ−０１２を使用した。発光層は、不活性ガス、現在の場合ではアルゴン雰囲気中でスピンコーティングにより塗布し、１６０℃で１０分間加熱することにより乾燥させる。最後に、バリウムおよびアルミニウムを含むカソードを、真空蒸着により塗布する。また、正孔阻止層および／または電子輸送層を、発光層とカソードとの間に蒸着により塗布することができ、中間層はまた、単に、溶液から発光層を堆積させる後続の処理ステップにより再び剥離しないという条件を満たすだけの１以上の層で置きかえられてもよい。デバイスは、標準的方法により特性決定され、示されたＯＬＥＤの例は、まだ最適化されていない。表１は、得られたデータを要約したものである。ここで、処理されたデバイスの場合において、本発明による物質が、これまで利用可能であったものよりも優れた効率および／または寿命を有することが明らかである。ここで、ＯＬＥｄは、以下の層構造を示す：Ｉ）カソード（Ｂａ／Ａｌ：３ｎｍ／１５０ｎｍ）、ＩＩ）発光層（８０ｎｍ；４１．５重量％のＴＭＭ−１＋４１．５重量％のＴＭＭ−２＋１７重量％のＴＥ）、ＩＩＩ）中間層（２０ｎｍ）、ＩＶ）緩衝層（８０ｎｍ；ＰＥＤＯＴ）およびＶ）アノード。
【表１】
2013533214.tif 000056
【国際調査報告】
2013533214.tif 000074
2013533214.tif 000075
2013533214.tif 000076
2013533214.tif 000077
2013533214.tif 000078