【事件の表示】
　特許第２７５７９８５号「受光装置とその製造方法」の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結論】
　訂正を認める。
　特許第２７５７９８５号の特許請求の範囲第１項ないし第５項に記載された発明についての特許を維持する。
【理由】
（１）手続きの経緯
　　本件特許第２７５７９８５号発明は、昭和６１年１０月１日の出願であって、平成１０年３月１３日にその発明の特許がなされ、その後、荒谷直純より特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１１年７月９日に訂正請求がなされたものである。
（２）訂正の適否についての判断
▲１▼特許請求の範囲の訂正
ア．訂正明細書の請求項１に記載された発明訂正明細書の請求項１に記載された発明は、次のとおりのものである。
「（１）半導体基板表面部に複数の受光素子を受光中心の周りに形成した一つの受光領域を有し、該受光領域を構成する上記複数の受光素子の出力からディスクの信号面からの信号及びフォーカスエラーを少なくとも検出する受光装置において、上記半導体基板上に各受光素子及び各受光素子間の領域を覆うように無反射条件を満たす膜厚の透光性被膜を形成して各受光素子間における受光感度を各受光素子における受光感度まで高めて上記複数の受光素子の出力から検出された信号のジッタを低減してなることを特徴とする受光装置。」
イ．訂正明細書の請求項２に記載された発明訂正明細書の請求項２に記載された発明は、次のとおりのものである。
「（２）半導体基板表面部に複数の受光素子を受光中心の周りに形成した一つの受光領域を有し、該受光領域を構成する上記複数の受光素子の出力からピットの有無で変調されたＲＦ信号及びフォーカスエラーを少なくとも検出する受光装置において、上記半導体基板上に各受光素子及び各受光素子間の領域を覆うように無反射条件を満たす膜厚の透光性被膜を形成して各受光素子間における受光感度を各受光素子における受光感度まで高めて上記複数の受光素子の出力から検出された信号のジッタを低減してなることを特徴とする受光装置。」
ウ．訂正明細書の請求項３に記載された発明
　訂正明細書の請求項３に記載された発明は、次のとおりのものである。
「（３）半導体基板表面部に複数の受光素子を受光中心の周りに形成した一つの受光領域を有し、該受光領域を構成する上記複数の受光素子の出力からディスクの信号面からの信号及びフォーカスエラーを少なくとも検出する受光装置において、上記半導体基板上に各受光素子及び各受光素子間の領域を覆うように無反射条件を満たす厚の透光性被膜を上記半導体基板上のＳｉＯ２膜とナイトライド膜を含む複数の膜により形成して各受光素子間における受光感度を各受光素子における受光感度まで高めて上記複数の受光素子の出力から検出された信号のジッタを低減してなることを特徴とする受光装置。」
エ．訂正明細書の請求項４に記載された発明
　訂正明細書の請求項４に記載された発明は、次のとおりのものである。
「（４）半導体基板表面部に複数の受光素子を受光中心の周りに形成した一つの受光領域を有し、該受光領域を構成する上記複数の受光素子の出力からピットの有無で変調されたＲＦ信号及びフォーカスエラーを少なくとも検出する受光装置において、上記半導体基板上に各受光素子及び各受光素子間の領域を覆うように無反射条件を満たす膜厚の透光性被膜を上記半導体基板上のＳｉＯ２膜とナイトライド膜を含む複数の膜により形成して各受光素子間における受光感度を各受光素子における受光感度まで高めて上記複数の受光素子の出力から検出された信号のジッタを低減してなることを特徴とする受光装置。」
オ．訂正明細書の請求項５に記載された発明
　訂正明細書の請求項５に記載された発明は、次のとおりのものである。
「（５）半導体基板表面部に複数の受光素子を受光中心の周りに形成した一つの受光領域を有し、該受光領域を構成する上記複数の受光素子の出力から信号及びフォーカスエラーを少なくとも検出する受光装置の製造方法であって、表面にフィールド絶縁膜が全面的に形成された半導体基板の該フィ−ルド絶縁膜を選択的にエッチングすることにより複数の受光素子形成用窓部を形成する工程と、上記半導体基板表面部の上記各受光素子形成用窓部を通じて露出する部分にそれぞれ受光素子を形成する工程と、上記半導体基板表面上のフィールド絶縁膜と、上記受光素子形成過程で該半導体基板表面上に形成された絶縁膜を除去する工程と、上記半導体基板の受光素子及び各受光素子間上に無反射条件を満たす膜厚の透光性被膜を形成する工程と、を有することを特徴とする受光装置の製造方法。」
▲２▼詳細な説明の訂正
ア．明細書第８頁第１０行（特許掲載公報第７欄第３９行）の「しなかった」の次に「。」を追加する。
▲３▼目的の適否及び拡張・変更の存否等
　上記訂正▲１▼は、訂正前明細書の請求項１に記載された発明を、技術的に限定して、請求項１〜４とし、訂正前明細書の請求項２に記載された発明を、そのまま、請求項５としたものであり、特許請求の範囲の減縮ないし明瞭でない記載の釈明に該当し、願書に添付した明細書又は図面に記載された事項の範囲内のものであり、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものではなく、新規事項の追加もない。また、上記訂正▲２▼は、誤記の訂正を目的とするものであり、願書に添付した明細書又は図面に記載された事項の範囲内のものであり、新規事項の追加もない。
▲４▼独立特許要件の判断
（引用刊行物に記載された発明）
訂正前明細書の請求項１及び２に記載された発明に対して、当審が通知した取消理由で引用した特開昭５６−１６００７９号公報（以下、「第１引用例」という。）には、「共通の半導体基体（１）に例えば４個のフォトダイオード（２）が分離領域（７）によって分離されて設けられ、レーザービームスポットが正規の位置にある状態では、第１図に鎖線ｂをもって示すように、４つのフォトダイオード（２）の例えば中心にその中心があるように位置させ、互いに対角位置にある２つのダイオード（２）の出力の夫々の和をとり、これらの和の出力の互の差によつビームスポットｂのずれを検出するようになされる。」（第１頁左欄末行乃至右欄第８行）、「この分離領域（７）によって分離された半導体層（５）の各部分に、選択的拡散、イオン注入法等によってｐ型の高不純物濃度領域（８）が高濃度の分離領域（７）と離間するように設けられて夫々ダイオード（２）が構成される。」（第１頁右欄第１６行乃至第２０行）、「（１０）はレーザービームに対する反射防止膜である。」（第２頁左上欄第１行乃至第２行）、及び、「領域（７）及び（８）を形成するための夫々の不純物の例えば選択的拡散に際しての拡散マスクの窓あけのためのフォトエッチング」（第２頁左上欄第１５行乃至第１７行）、「基体（１６）の領域（１５）を有する表面に、例えば分離溝（１７）内を含んで光透過性と電気的絶縁性を有する反射防止膜（１８）を被着する。」（第２頁右下欄第１１行乃至第１３行）との記載があり、結局、半導体基体６に複数のフォトダイオード２を受光中心の周りに形成した一つの受光領域を有し、該受光領域を構成する上記複数のフォトダイオード２の出力から信号を検出する受光装置において、上記半導体基体６上に各フォトダイオード２及び各フォトダイオード２間の領域を覆うように無反射条件を満たす膜厚の反射防止膜１０を形成した受光装置、及び、半導体基体６に複数のフォトダイオード２を受光中心の周りに形成した一つの受光領域を有し、該受光領域を構成する上記複数のフォトダイオード２の出力から信号を検出する受光装置の製造方法であって、上記半導体基体６のフォトダイオード２及び各フォトダイオード２間上に無反射条件を満たす膜厚の反射防止膜１０を形成する工程と、を有する受光装置の製造方法、が記載されている。
　同じく引用した特開昭５５−１５１３７５号公報（以下、「第２引用例」という。）には、「素子ａとｂの出力和と素子ｃとｄの出力和との差信号は記録面とレンズとの離間距離と正確に対応していることになるから、この差信号出力を用いて収束レンズの位置を制御している。またこれら素子の全出力の和を用いて再生信号を得ている。」（第２頁左上欄第１３行乃至第１８行）との記載があり、同じく引用した特開昭６１−１３６５６号公報（以下、「第３引用例」という。）には、「全面にフィールド酸化膜となる熱酸化膜５を形成する。つづいて、フィールド酸化膜５の一部を選択的にエッチングした後、ボロンを拡散してｐ型ベース領域６を形成し、更にその表面に熱酸化膜７を形成する。つづいて、熱酸化膜５及び熱酸化膜７の一部を選択的にエッチングした後、例えばヒ素を拡散することによりＮ＋型エミッタ領域８，Ｎ＋型コレクタコンタクト領域９及びコンデンサ用のＮ＋型拡散層１０を形成する。」（第２頁左上欄第１８行乃至右上欄第７行）との記載がある。
（請求項１に記載された発明についての対比・判断）
本件請求項１に係る発明と第１引用例に記載の発明とを対比すると、本件請求項１に係る発明の「半導体基」、「受光素子」、「透光性被膜」は、それぞれ第１引用例記載の発明の「半導体基体６」、「フォトダイオード２」、「反射防止膜１０」に相当するから、両者は、半導体基板表面部に複数の受光素子を受光中心の周りに形成した一つの受光領域を有し、該受光領域を構成する上記複数の受光素子の出力から信号を少なくとも検出する受光装置において、上記半導体基板上に各受光素子及び各受光素子間の領域を覆うように無反射条件を満たす膜厚の透光性被膜を形成したことを特徴とする受光装置で一致し、
Ａ検知する信号が、本件請求項１に係る発明は、ディスクの信号面からの信号及びフォーカスエラーであるのに対して、第１引用例に記載の発明は、そのような記載が無い点、
Ｂ本件請求項１に係る発明は、各受光素子間における受光感度を各受光素子における受光感度まで高めて上記複数の受光素子の出力から検出された信号のジッタを低減してなるものであるのに対して、第１引用例に記載の発明は、そのような記載が無い点で相違する。
　そこで、相違点Ａ及びＢについて、第２及び３引用例に記載されているか否かを検討すると、いずれの引用例にもＡ及びＢの記載が無い。
　してみれば、第１〜３引用例に記載の発明は、本件請求項１に係る発明の構成の一部である相違点Ａ及びＢを有しない。
　そして、相違点Ａ及びＢの構成を有ることによって、明細書記載の作用効果を奏するものであるから、本件請求項１に係る発明が、上記各引用例に記載された発明であるとも、上記各引用例に基づいて当業者が容易に推考できたものとも言えない。
　したがって、本件請求項１に係る発明は特許出願の際独立して特許を受けることができない発明とすることはできない。
（請求項２に記載された発明についての対比・判断）
本件請求項２に係る発明と第１引用例に記載の発明とを対比すると、本件請求項２に係る発明の「半導体基」、「受光素子」、「透光性被膜」は、それぞれ第１引用例記載の発明の「半導体基体６」、「フォトダイオード２」、「反射防止膜１０」に相当するから、両者は、半導体基板表面部に複数の受光素子を受光中心の周りに形成した一つの受光領域を有し、該受光領域を構成する上記複数の受光素子の出力から信号を少なくとも検出する受光装置において、上記半導体基板上に各受光素子及び各受光素子間の領域を覆うように無反射条件を満たす膜厚の透光性被膜を形成したことを特徴とする受光装置で一致し、
Ａ’検知する信号が、本件請求項１に係る発明は、ピットの有無で変調されたＲＦ及びフォーカスエラーであるのに対して、第１引用例に記載の発明は、そのような記載が無い点、
Ｂ本件請求項２に係る発明は、各受光素子間における受光感度を各受光素子における受光感度まで高めて上記複数の受光素子の出力から検出された号のジッタを低減してなるものであるのに対して、第１引用例に記載の発明は、そのような記載が無い点で相違する。
　そこで、相違点Ａ’及びＢについて、第２及び３引用例に記載されているか否かを検討すると、いずれの引用例にもＡ’及びＢの記載が無い。
　してみれば、第１〜３引用例に記載の発明は、本件請求項１に係る発明の構成の一部である相違点Ａ’及びＢを有しない。
　そして、相違点Ａ’及びＢの構成を有することによって、明細書記載の作用効果を奏するものであるから、本件請求項２に係る発明が、上記各引用例に記載された発明であるとも、上記各引用例に基づいて当業者が容易に推考できたものとも言えない。
　したがって、本件請求項２に係る発明は特許出願の際独立して特許を受けることができない発明とすることはできない。
（請求項３に記載された発明についての対比・判断）
　請求項３に係る発明は、本件請求項１に係る発明の構成の一部をさらに限定したものであるから本件請求項１に係る発明と同様の判断となる。
　したがって、本件請求項３に係る発明は特許出願の際独立して特許を受けることができない発明とすることはできない。
（請求項４に記載された発明についての対比・判断）
　請求項４に係る発明は、本件請求項２に係る発明の構成の一部をさらに限定したものであるから本件請求項２に係る発明と同様の判断となる。
　したがって、本件請求項４に係る発明は特許出願の際独立して特許を受けることができない発明とすることはできない。
（請求項５に記載された発明についての対比・判断）
本件請求項５に係る発明と第１引用例に記載の発明とを対比すると、本件請求項５に係る発明の「半導体基」、「受光素子」、「透光性被膜」は、それぞれ第１引用例記載の発明の「半導体基体６」、「フォトダイオード２」、「反射防止膜１０」に相当するから、両者は、半導体基板表面部に複数の受光素子を受光中心の周りに形成した一つの受光領域を有し、該受光領域を構成する上記複数の受光素子の出力から信号を少なくとも検出する受光装置の製造方法であって、上記半導体基板の受光素子及び各受光素子間上に無反射条件を満たす膜厚の透光性被膜を形成する工程と、を有することを特徴とする受光装置の製造方法で一致し、
Ａ”検知する信号が、本件請求項５に係る発明は、信号及びフォーカスエラーであるのに対して、第１引用例に記載の発明は、そのような記載が無い点、
Ｃ本件請求項５に係る発明は、表面にフィールド絶縁膜が全面的に形成された半導体基板の該フィールド絶縁膜を選択的にエッチングすることにより複数の受光素子形成用窓部を形成する工程と、上記半導体基板表面部の上記各受光素子形成用窓部を通じて露出する部分にそれぞれ受光素子を形成する工程と、上記半導体基板表面上のフィールド絶縁膜と、上記受光素子形成過程で該半導体基板表面上に形成された絶縁膜を除去する工程とを有するものであるのに対して、第１引用例に記載の発明は、そのような記載が無い点で相違する。
　そこで、相違点Ａ”及びＣについて、第２及び３引用例に記載されているか否かを検討すると、第２引用例にはＡ”及びＣの記載が無く、第３引用例には、表面にフィールド絶縁膜が全面的に形成された半導体基板は、記載されているが、Ｃの残余の構成が記載されておらず、Ａ”の記載も無い。
　してみれば、第１〜３引用例に記載の発明は、本件請求項１に係る発明の構成の一部である相違点Ａ”及びＣを有しない。
　そして、相違点Ａ”及びＣの構成を有することによって、明細書記載の作用効果を奏するものであるから、本件請求項５に係る発明が、上記各引用例に記載された発明であるとも、上記各引用例に基づいて当業者が容易に推考できたものとも言えない。
　したがって、本件請求項５に係る発明は特許出願の際独立して特許を受けることができない発明とすることはできない。
▲５▼むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正請求は、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、特許法第１２０条の４第２項及び第３項で準用する第１２６条第２−４項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
（３）特許異議の申立てについての判断
ア．申立ての理由の概要
　　申立人荒谷　直純は、証拠として甲第１号証（特開昭５６−１６００７９号公報、上記第１引用例に同）、甲第２号証（特開昭５５−１５１３７５号公報、上記第２引用例に同じ）及び甲第３号証（特開昭６１−１３６５６号公報、上記第３引用例に同じ）を提出し、訂正前の請求項１及び２に記載された発明は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであるから、特許を取り消すべき旨主張している。
イ．判断
〔本件請求項１〜５に記載された発明〕
　本件請求項１〜５に記載された発明は、上記（２）▲４▼で述べた通りである。
ウ．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立の理由及び証拠によっては、本件請求項１〜５に記載された発明の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件請求項１〜５に記載された発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１１年８月２３日（１９９９．８．２３）
【訂正の要旨】
　　　訂正の要旨
特許請求の範囲の減縮を目的として、下記（１）〜（４）のように特許請求の範囲を訂正し、当該訂正に応じて、不明瞭な記載の釈明を目的として、下記（５）のように特許請求の範囲を訂正する。また、誤記の訂正を目的として、下記（６）のように、発明の詳細な説明を訂正する。
（１）特許請求の範囲の請求項１に記載された発明は、次のとおりのものである。
「（１）半導体基板表面部に複数の受光素子を受光中心の周りに形成した一つの受光領域を有し、該受光領域を構成する上記複数の受光素子の出力からディスクの信号面からの信号及びフォーカスエラーを少なくとも検出する受光装置において、上記半導体基板上に各受光素子及び各受光素子間の領域を覆うように無反射条件を満たす膜厚の透光性被膜を形成して各受光素子間における受光感度を各受光素子にける受光感度まで高めて上記複数の受光素子の出力から検出された信号のジッタを低減してなることを特徴とする受光装置。」
　（２）特許請求の範囲の請求項２に記載された発明は、次のとおりのものである。
　「（２）半導体基板表面部に複数の受光素子を受光中心の周りに形成した一つの受光領域を有し、該受光領域を構成する上記複数の受光素子の出力からピットの有無で変調されたＲＦ信号及びフォーカスエラーを少なくとも検出する受光装置において、上記半導体基板上に各受光素子及び各受光素子間の領域を覆うように無反射条件を満たす膜厚の透光性被膜を形成して各受光素子間における受光感度を各受光素子にける受光感度まで高めて上記複数の受光素子の出力から検出された信号のジッタを低減してなることを特徴とする受光装置。」
　（３）特許請求の範囲の請求項３に記載された発明は、次のとおりのものである。
　「（３）半導体基板表面部に複数の受光素子を受光中心の周りに形成した一つの受光領域を有し、該受光領域を構成する上記複数の受光素子の出力からディスクの信号面からの信号及びフォーカスエラーを少なくとも検出する受光装置において、上記半導体基板上に各受光素子及び各受光素子間の領域を覆うように無反射条件を満たす膜厚の透光性被膜を上記半導体基板上のＳｉＯ２膜とナイライド膜を含む複数の膜により形成して各受光素子間における受光感度を各受光素子にける受光感度まで高めて上記複数の受光素子の出力から検出された信号のジッタを低減してなることを特徴とする受光装置。」
（４）特許請求の範囲の請求項４に記載された発明は、次のとおりのものである。「（４）半導体基板表面部に複数の受光素子を受光中心の周りに形成した一つの受光領域を有し、該受光領域を構成する上記複数の受光素子の出力からピットの有無で変調されたＲＦ信号及びフォーカスエラーを少なくとも検出する受光装置において、上記半導体基板上に各受光素子及び各受光素子間の領域を覆うように無反射条件を満たす膜厚の透光性被膜を上記半導体基板上のＳｉＯ２膜とナイライド膜を含む複数の膜により形成して各受光素子間における受光感度を各受光素子にける受光感度まで高めて上記複数の受光素子の出力から検出された信号のジッタを低減してなることを特徴とする受光装置。」
（５）特許請求の範囲の請求項５に記載された発明は、次のとおりのものである。
「（５）半導体基板表面部に複数の受光素子を受光中心の周りに形成した一つの受光領域を有し、該受光領域を構成する上記複数の受光素子の出力から信号及びフォーカスエラーを少なくとも検出する受光装置の製造方法であって、表面にフィールド絶縁膜が全面的に形成された半導体基板の該フィールド絶縁膜を選択的にエッチングすることにより複数の受光素子形成用窓部を形成する工程と、上記半導体基板表面部の上記各受光素子形成用窓部を通じて露出する部分にそれぞれ受光素子を形成する工程と、上記半導体基板表面上のフィールド絶縁膜と、上記受光素子形成過程で該半導体基板表面上に形成された絶縁膜を除去する工程と、上記半導体基板の受光素子及び各受光素子間上に無反射条件を満たす膜厚の透光性被膜を形成する工程と、を有することを特徴とする受光装置の製造方法。」
（６）明細書第８頁第１０行（特許掲載公報第７欄第３９行）の「しなかった」の次に「。」を追加する。
（５４）【発明の名称】
受光装置とその製造方法
（５７）【特許請求の範囲】
（１）半導体基板表面部に複数の受光素子を受光中心の周りに形成した一つの受光領域を有し、該受光領域を構成する上記複数の受光素子の出力から
ディスクの信号面からの
　上記半導体基板上に各受光素子及び各受光素子間の領域を覆うように無反射条件を満たす膜厚の透光性被膜を形成して各受光素子間における受光感度を各受光素子における受光感度まで高めて上記複数の受光素子の出力から検出された信号のジッタを低減してなる
ことを特徴とする受光装置。
（２）半導体基板表面部に複数の受光素子を受光中心の周りに形成した一つの受光領域を有し、該受光領域を構成する上記複数の受光素子の出力から
ピットの有無で変調されたＲＦ
　上記半導体基板上に各受光素子及び各受光素子間の領域を覆うように無反射条件を満たす膜厚の透光性被膜を成して各受光素子間における受光感度を各受光素子における受光感度まで高めて上記複数の受光素子の出力から検出された信号のジッタを低減してなる
　ことを特徴とする受光装置。
（３）半導体基板表面部に複数の受光素子を受光中心の周りに形成した一つの受光領域を有し、該受光領域を構成する上記複数の受光素子の出力から
ディスクの信号面からの
　上記半導体基板上に各受光素子及び各受光素子間の領域を覆うように無反射条件を満たす膜厚の透光性被膜を
上記半導体基板上のＳｉＯ２膜とナイトライド膜を含む複数の膜により
　ことを特徴とする受光装置。
（４）半導体基板表面部に複数の受光素子を受光中心の周りに形成した一つの受光領域を有し、該受光領域を構成する上記複数の受光素子の出力から
ピットの有無で変調されたＲＦ
　上記半導体基板上に各受光素子及び各受光素子間の領域を覆うように無反射条件を満たす膜厚の透光性被膜を
上記半導体基板上のＳｉＯ２膜とナイトライド膜を含む複数の膜により
　ことを特徴とする受光装置。
（５）半導体基板表面部に複数の受光素子を受光中心の周りに形成した一つの受光領域を有し、該受光領域を構成する上記複数の受光素子の出力から信号及びフォーカスエラーを少なくとも検出する受光装置の製造方法であって、
　表面にフィールド絶縁膜が全面的に形成された半導体基板の該フィールド絶縁膜を選択的にエッチングすることにより複数の受光素子形成用窓部を形成する工程と、
　上記半導体基板表面部の上記各受光素子形成用窓部を通じて露出する部分にそれぞれ受光素子を形成する工程と、
　上記半導体基板表面上のフィールド絶縁膜と、上記受光素子形成過程で該半導体基板表面上に形成された絶縁膜を除去する工程と、
　上記半導体基板の受光素子及び各受光素子間上に無反射条件を満たす膜厚の透光性被膜を形成する工程と、
　を有することを特徴とする受光装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
　以下の順序に従って本発明を説明する。
Ａ．産業上の利用分野
Ｂ．発明の概要
Ｃ．従来技術［第５図、第６図］
　ａ．技術的背景［第５図］
　ｂ．従来例［第６図］
Ｄ．発明が解決しようとする問題点［第７図乃至第１０図］
Ｅ．問題点を解決するための手段
Ｆ．作用
Ｇ．実施例［第１図乃至第４図］
　ａ．受光装置の構造［第１図］
　ｂ．受光装置の製造方法［第２図］
　ｃ．特性［第３図、第４図］
Ｈ．発明の効果
（Ａ．産業上の利用分野）
　本発明は、受光装置、特に複数の受光素子によって形成された一つの受光領域を有する受光装置と、その製造方法に関する。
（Ｂ．発明の概要）
　本発明受光装置は、複数の受光素子によって形成された一つの受光領域を有する受光装置において、
　受光素子間上に入射した光に対する感度、特に低い周波数成分の光に対する感度を良好にするため、
　各受光素子間上にも透光性被膜を形成したものであり、
　本発明受光装置の製造方法は、上記受光装置を製造するために、
　半導体基板の該フィールド絶縁膜を選択的にエッチングすることにより複数の受光素子形成用窓部を形成し、該基板表面部の該各受光素子形成用窓部を通じて露出する部分にそれぞれ受光素子を形成し、上記フィールド絶縁膜と、受光素子形成過程で該半導体基板表面上に形成された絶縁膜を除去し、その後、該半導体基板の受光素子及び各受光素子間上に透光性被膜を形成するものである。
（Ｃ．従来技術）第５図、第６図］
　（ａ．技術的背景）［第５図］
　コンパクトディスクプレーヤには、ディスクの信号面に形成されたピットの有無を検出する光ピックアップが信号読取装置として用いられる。
　光ピックアップはレーザから発射したレーザビームをディスクの信号面に照射して信号、つまりピットの有無によって変調された反射光を得てそれを受光装置によって受光することにより信号の読み取りを行うものである。
　第５図はその光ピックアップに用いられる受光装置の一例を示す平面図である。
　この受光装置は３つの受光領域を有し、第１の受光領域Ｐ１は４個のフォトダイオードＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄを近接して配置してなり、該受光領域Ｐ１にてピットの有無で変調されたレーザビームを受光し、音声信号の再生に供すると共にフォーカスサーボにも供する。第２の受光領域Ｐ２はフォトダイオードＥからなり、受光領域Ｐ３はフォトダイオードＦからなる。このフォトダイオードＥ、Ｆからなる第２、第３の受光領域Ｐ２、Ｐ３は２つの副ビームを検出してトラッキングを行う役割を果たす。
　ところで、上記第１の受光領域Ｐ１は非点収差法によるフォーカス検出を行うために近接して配置した４つのフォトダイオードＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄにより構成されているのであり、非点収差法はシリンドリカルレンズを用いてレーザビームを単一方向にのみ集光し、フォーカス状態ではビームスポットが真円になり、デフォーカス状態でビームスポットが楕円になり、ディスクが近すぎるときと遠すぎるときとで楕円の長軸の向きが９０゜異なることを利用しており、矩形の受光領域Ｐ１の対角線上に配置されたフォトダイオードＡとＣとの、そしてフォトダイオードＢとＤとの出力の和どうしを比較することによりビームスポットが真円或いはどの方向に長い楕円であるかを検出している。
　（ｂ．従来例）［第６図］
　第６図はそのような光ピックアップ用受光装置の従来の断面構造を拡大して示すものであり、この断面の位置は第５図の６−６線にあたる。第６図において、ａはＮ＋型のシリコン半導体基板、ｂは該基板ａ表面上に形成されたＮ−型半導体層、ｃは半導体層ｂの表面上に形成されたＳｉＯ２からなるフィールド絶縁膜（膜厚７０００Å）、ｄは該フィールド絶縁膜ｃを選択的にエッチングすることにより形成されたフォトダイオード形成用窓部、ｅは該窓部ｄを通じて半導体層ｂ表面部にＰ型不純物を拡散することにより形成されたＰ＋型半導体領域で、第６図における左側の半導体領域ｅ（Ａ）がフォトダイオードＡを構成するＰ＋型半導体領域、同図における右側の半導体領域ｅ（Ｂ）がフォトダイオードＢを構成するＰ型半導体領域である。
　ｆはＰ型半導体領域ｅ形成用の窓部ｄに形成されたＳｉＯ２膜（膜厚２０００Å）、ｇはフィールド絶縁膜Ｃ及びＳｉＯ２膜ｆ上に全面的に形成されたナイトライド膜（膜厚３０００〜４０００Å）である。
　上記ナイトライド膜ｇは、自身ｇと窓部ｄを覆う約２０００Åの厚さのＳｉＯ２膜ｆによって無反射条件を満たす透光性被膜ｈを構成するために形成したものであり、ナイトライド膜ｇは約３０００〜４０００人の膜厚にすると約２０００ÅのＳｉＯ２膜ｆとで無反射条件を満たす透光性被膜ｈを形成することができる。従って、窓部ｄ内に反射された光はそのナイトライド膜ｇとＳｉＯ２膜ｆとからなるフォトダイオードＡ、Ｂ等によって受光される。尚、フォトダイオード間上には７０００Åのフィールド絶縁膜ｃが存在し、その上にナイトライド膜ｇが存在しているが、７０００Åのフィールド絶縁膜ｃと３０００〜４０００Åのナイトライド膜ｇからは無反射条件を満たさない被膜、即ち、反射性被膜１が形成される。従って、フォトダイオードＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄ間上に入射した光は反射性被膜ｉによって反射され、フォトダイオードＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄによって受光されることはない。
（Ｄ．発明が解決しようとする問題点）［第７図乃至第１０図］
　ところで、コンパクトディスクプレーヤにおいてはジッタが問題になっていた。このジッタとは第７図に示すような受光領域Ｐ１で検出されたＲＦ信号のゼロクロス点のずれのことをいう。即ち、受光領域Ｐ１で検出されたＰＦ信号の波形は第７図に示すようなアイパターンと称される波形になり、時間軸上に所定の時間間隔をおいて存在するゼロクロス点でゼロクロスしなければならないようになっており、どのゼロクロス点でゼロクロスするかによってピットの長さが判断できる。
　ところが、実際にはアイパターンが本来ゼロクロスすべきゼロクロス点からずれた点でゼロクロスしてしまい読み取り性能が低下してしまうという問題があった。第８図は第７図における１つのゼロクロス部▲８▼を拡大して示すジッタの説明図であり、実線が本来あるべきパターンを示し、破線が実際のパターンを示すものであり、本来ゼロクロスすべきゼロクロス点と実際のゼロクロス点とのずれΔｔをジッタと称する。そして、このジッタΔｔが大きくなる程光ピックアップの読み取り性能が低下するのでこのジッタΔｔを小さくする必要がある。ジッタΔｔはコンパクトディスクの加工精度が低い頃は非常に大きがったが加工精度の著しい向上により比較的小さくなり、現在の加工精度の不充分さに起因するジッタはもはやなくなったとまでいわれている。しかし、ジッタが完全になくなったわけではない。そこで、ジッタを０にすべく研究を進めたところ受光領域Ｐ１における光学特性がジッタと関連性を有することが判明した。この点について説明すると次のとおりである。
　受光領域に入射されるところのＲＦ信号により変調されたレーザビームは、低い周波数成分がビームスポットの中心部により多く分布し、高い周波数成分がビームスポットの周縁部により多く分布し、そして、その周縁部に分布する高い周波数成分がジッタを生ぜしめる性質を有することが判明した。
　一方、受光領域Ｐ１における感度分布は第９図に示すように中心部Ｏでは０になり、それから離れると所定の感度を持つパターンになり、そして、従来においては中心部における感度が０ないしはそれに近い非常に低い領域、即ち、不感領域の幅が広かった。つまり、低い周波数成分のビームを受ける中心部に不感領域が比較的広く存在していた。そのため、周波数感度特性は第１０図に示すように低い周波数帯域、即ち低域で感度が大きく落ちてしまうパターンになってしまう。従って、信号全体に占めるジッタを起こす高い周波数成分の割合が比較的大きく、このことがジッタをより小さくすることの大きな妨げになっていた。
　本発明はこのような問題点を解決すべく為されたもので、一つの受光領域を構成する複数の受光素子間の部分に入射された光に対する感度を向上させることを目的とする。
（Ｅ．問題点解決するための手段）
　上記問題点を解決するため、本発明受光装置は、各受光素子間上にも無反射条件を満たす膜厚の透光性被膜を形成し各受光素子間における受光感度を高めてなるものである。
　また、本発明受光装置の製造方法は、半導体基板の該フィールド絶縁膜を選択的にエッチングすることにより複数の受光素子形成用窓部を形成し、該基板表面部の該各受光素子形成用窓部を通じて露出する部分にそれそれ受光素子を形成し、上記フィールド絶縁膜と、受光素子形成過程で該半導体基板表面上に形成された絶縁膜を除去し、その後、該半導体基板の受光素子及び各受光素子間上に無反射条件を満たす膜厚の透光性被膜を形成するものである。
（Ｆ．作用）
　本発明受光装置によれば、受光素子間上に入射された光もそこで反射されることなく無反射条件を満たす膜厚の透光性被膜を通って各受光素子の隣接する相手受光素子側の部分に入射される光に対する感度を向上させるので、受光領域に入射した光による信号に占めるところのジッタ要因たる高周波帯域成分（高域成分）の割合を小さくすることができる。従って、ジッタを小さくすることができる。
　また、本発明受光装置の製造方法によれば、受光素子形成後、一旦半導体基板表面上のフィールド絶縁膜等の絶縁膜を除去し、その後、改めて受光素子及び各受光素子間上に無反射条件を満たす膜厚の透光性被膜を形成するので、上記本発明受光装置を製造することができる。
（Ｇ．実施例）［１図乃至第４図］
　以下、本発明を図示実施例に従って詳細に説明する。
　（ａ．受光装置の構造）［第１図］
　第１図は本発明受光装置の一つの実施例を示す断面図である。
　図面において、１はＮ＋型のシリコン半導体基板、２は該半導体基板１上に形成されたＮ−型の半導体層、３は受光領域Ｐ１と他の受光領域とを遮ぎるＮ＋型半導体領域、４はフォトダイオードを構成するＰ型の半導体領域で、４（Ａ）がフォトダイオードＡを、４（Ｂ）がフォトダイオードＢを、４（Ｅ）がフォトダイオードＥを、４（Ｆ）がフォトダイオードＦを構成している。上記半導体領域３及び４は半導体層２の表面部にＰ型不純物を選択的に拡散することにより形成されたものである。５は受光領域Ｐ１を構成するフォトダイオードＡとフォトダイオードＢとの間の部分である。
　６は半導体層２表面に直接且つ全面的に形成されたＳｉＯ２膜で、２０００Åの厚さを有している。７は該ＳｉＯ２膜６上に全面的に形成されたナイトライド膜で、３０００〜４０００Åの膜厚を有している。上記ＳｉＯ２膜６とナイトライド膜７は無条件反射を満たす透光性被膜を構成し、この透光性被膜が受光装置の表面に全面的に形成されている。従って、受光領域Ｐ１を構成するフォトダイオードＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄ（Ｃ、Ｄは第１図に現れないので第５図参照のこと）上だけでなく、各フォトダイオード間５上も透光性皮膜６、７によって被覆されており、この点で各フォトダイオード上しか透光性皮膜ｈで覆われていない第６図に示した受光装置とは全く異なっている。
　（ｂ．受光装置の製造方法）［第２図］
　第２図（Ａ）乃至（Ｅ）は第１図に示した受光装置の製造方法の一例（本発明受光装置の製造方法の一つの実施例）を工程順に示す断面図である。
　（Ａ）表面にＮ−型半導体層２が形成されたＮ＋型半導体基板１を用意し、半導体層２の表面部に加熱酸化によりＳｉＯ２からなるフィールド絶縁膜８を形成した後該フィールド絶縁膜８をフォトエッチングで選択的に除去することによりフォトダイオード形成用の窓部９を形成する。第２図（Ａ）は窓部９形成後の状態を示す。
　（Ｂ）次に、上記窓部９を通じて半導体層２の表面部にＰ型不純物を拡散してフォトダイオード４を形成する。１０はその拡散の際、窓部９の表面に形成されたＳｉＯ２膜である。第２図（Ｂ）は拡散処理によりフォトダイオード４を形成した後の状態を示す。
　（Ｃ）次に、第２図（Ｃ）に示すように、半導体層２上のフィールド絶縁膜８、ＳｉＯ２膜１０をすべて除去する。
　（Ｄ）その後、加熱酸化により第２図（Ｄ）に示すように、半導体層２表面上に２０００Åの膜厚のＳｉＯ２膜６を形成する。
　（Ｅ）しかる後、ＣＶＤにより第２図（Ｅ）に示すようにＳｉＯ２膜６上に３０００〜４０００Åの膜厚を有するナイトライド膜７を形成することによって第１図に示すような受光装置を得ることができる。
　尚、半導体領域３は半導体領域４の形成の前または後に半導体領域４の形成工程と同じような工程で形成することができるので特に説明はしなかった。
　（ｃ．特性［第３図、第４図］
　第１図に示すような受光装置は前述のとおり受光領域Ｐ１を構成する各フォトダイオード間５上にも無反射条件を満たす透光性皮膜６、７が形成されているので、フォトダイオード間５上に入射された光もその被膜６、７で反射されることなくその被膜６、７を通り受光領域Ｐ１を構成する各フォトダイオードＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄの互いに隣接するダイオード側の部分に入射し、そこで受光される。従って、受光領域Ｐ１の中心部Ｏ（第５図参照）における感度が上昇し、その結果、第３図に示すような感度分布を得ることができる。この感度分布を第９図に示した従来の受光装置の感度分布と比較すると中心部Ｏにおいて感度が低下している部分の幅が非常に狭くなっており、中心部Ｏ付近に入射した光も受光されることが明らかである。従って、受光領域Ｐ１の周波数感度特性は第４図に示すようになり、第１０図に示した従来の受光装置のそれとは低周波帯域における感度低下がないという点で異なっている。従って、受光領域Ｐ１において検出したＲＦ信号に占める高域成分の割合が従来の場合と比較して少なくなり、延いてはジッタが少なくなる。
　即ち、本発明を光ピックアップの受光装置に適用することによってジッタを小さくすることができるのである。実際には本発明の適用の結果ジッタの規格についてマージンが増え、その結果、歩留りが３％以上も向上するという形で効果が現れている。
　また、透光性被膜は無反射条件を満たし、透光性を有すれば必ずしもナイトライド膜とＳｉＯ２膜との二層構造にしなければならないということはない。
（Ｈ．発明の効果）
　以上に述べたように、本発明受光装置は、無反射条件を満たす膜厚の透光性被膜で覆われた複数の受光素子を形成した一つの受光領域を有し、該受光領域を構成する上記複数の受光素子の出力から信号及びフォーカスエラーを少なくとも検出する受光装置において、上記各受光素子間上に無反射条件を満たす膜厚の透光性被膜を形成し各受光素子間における受光感度を高めてなることを特徴とする。
　従って、本発明受光装置によれば、受光素子間上に入射された光もそこで反射されることなく透光性被膜を通って各受光素子の隣接する相手受光素子側の部分に入射される光に対する感度を向上させるので、受光領域に入射した光による信号に占めるところのジッタ要因たる高周波帯域成分（高域成分）の割合を小さくすることができる。従って、ジッタを小さくすることができる。
　本発明受光装置の製造方法は、表面にフィールド絶縁膜が全面的に形成された半導体基板の該フィールド絶縁膜を選択的にエッチングすることにより複数の受光素子形成用窓部を形成する工程と、上記半導体基板表面部の上記各受光素子形成用窓部を通じて露出する部分にそれそれ受光素子を形成する工程と、上記半導体基板表面上のフィールド絶縁膜と、上記受光素子形成過程で該半導体基板表面上に形成された絶縁膜を除去する工程と、上記半導体基板の受光素子及び各受光素子間上に無反射条件を満たす膜厚の透光性被膜を形成する工程と、を有することを特徴とする。
　従って、本発明受光装置の製造方法によれば、受光素子形成後、一旦半導体基板表面上のフィールド絶縁膜等の絶縁膜を除去し、その後、改めて受光素子及び各受光素子間上に無反射条件を満たす膜厚の透光性被膜を形成するので、上記本発明受光装置を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
　第１図は本発明受光装置の一つの実施例を示す断面図、第２図（Ａ）乃至（Ｅ）は第１図に示した受光装置の製造方法の一例（本発明受光装置の製造方法の第１の実施例）を工程順に示す断面図、第３図は本発明により得ることができた感度分布特性を示す感度分布曲線図、第４図は本発明により得ることができた周波数感度特性を示す周波数感度特性曲線図、第５図は技術的背景を説明するための受光装置の平面図、第６図は受光装置の従来における断面構造を示す断面図、第７図乃至第１０図は発明が解決しようとする問題点を説明するためのもので、第７図はアイパターンを示す波形図、第８図は第７図のゼロクロス部分を拡大して示すジッタの説明図、第９図は従来の感度分布を示す感度分布曲線図、第１０図は従来の周波数感度特性を示す周波数感度特性曲線図である。
　符号の説明
　　Ｐ１・・・受光領域、４（Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ）・・・受光素子、５・・・受光素子間、　６、７・・・透光性被膜。