【事件の表示】
　特許第２８４５９７４号「面内磁気記録媒体及びそれを用いた磁気記憶装置」の請求項１〜９に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第２８４５９７４号の（訂正後の）請求項１〜４に係る特許を維持する。
【理　由】
(１)手続の経緯
　
　本件特許第２８４５９７４号の請求項１〜４に係る発明は、平成１年９月８日に特許出願され、平成１０年１０月３０日に特許の設定登録がなされ、その後、斎藤順一より特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１１年１２月６日に訂正請求がなされたものである。
　
(２)訂正の適否についての判断
　
　ア．訂正明細書の請求項１〜４に係る発明
　
　訂正明細書の請求項１〜４に係る発明（以下、本件発明１〜４という。）は、その請求項１〜４に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
　請求項１「基板上にCrまたはCrを主成分とする合金からなる下地層を介して連続形成された磁性層を有し、該磁性層がCoを主成分とし、第１の添加元素であるPtと、Ti,Zr,Hf,V,Nb,Ta,Cr,Mo,W,Ge及びSiから成る群から選ばれた少なくとも１種の第２の添加元素と、酸素とを含む合金であり、該第１の添加元素の濃度が１〜３５原子％であり、該第２の添加元素が結晶粒界か結晶粒内に偏析し、該磁性層の面内保持力が1820Ｏe以上であり、かつ、保磁力角形比が0.4以上0.85以下であることを特徴とする面内磁気記録媒体。」
　請求項２「上記保磁力角形比が0.5以上0.81以下であることを特徴とする請求項１記載の面内磁気記録媒体。」
  請求項３「磁性膜を形成する前工程として、下地基板表面を溝状、不規則溝状、もしくは島状に粗面加工後、非磁性金属下地層を形成したことを特徴とする請求項１記載の面内磁気記録媒体。」
  請求項４「磁気記録媒体と、これを回転駆動する駆動部と、磁気ヘッド及びその駆動手段と、磁気ヘッドの記録再生手段を有して成り、前記磁気ヘッドが金属磁性材料から成る磁極を有し、かつ、前記磁気記録媒体が請求項１乃至３記載の面内磁気記録媒体で構成されることを特徴とする磁気記録装置。」
　
　イ．訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　
  特許権者が求めている訂正の内容は次のとおりである。
「訂正前の請求項１〜５を削除し、同請求項６を請求項１に繰り上げると共に、上記ア．に記載したとおりのものとし、同請求項６の従属項である請求項７〜９を請求項２〜４に繰り上げると共に、上記請求項６の訂正に合わせて請求項１の従属項とする訂正。」
　
　上記請求項の削除は、特許請求の範囲の減縮に該当し、請求項１の訂正は、項番号を整理すると共に、「第２の添加元素を含む合金であり、」という記載を、「第２の添加元素と、酸素とを含む合金であり、該第１の添加元素の濃度が１〜３５原子％であり、」とするものであるから、明瞭でない記載の釈明及び特許請求の範囲の減縮に該当し、請求項２〜４の訂正は、明瞭でない記載の釈明に該当する。また、上記いずれの訂正も、新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。  
　              
　 ウ．独立特許要件
　
１、第２９条第１項第３号及び第２項違反について
　
（引用刊行物）
  本件発明１〜４に対して当審が通知した取消理由において引用した刊行物１（特開昭６１−２５３６２２号公報）には、
　
（対比・判断）
　本件発明１と引用発明とを対比すると、両者は、「基板上にCrまたはCrを主成分とする合金からなる下地層を介して連続形成された磁性層を有し、該磁性層がCoを主成分とし、第１の添加元素であるPtと、Ti,Zr,Hf,V,Nb,Ta,Cr,Mo,W,Ge及びSiから成る群から選ばれた少なくとも１種の第２の添加元素と、酸素とを含む合金であり、該第１の添加元素の濃度が３〜１５原子％である面内磁気記録媒体。」に係るものである点において一致し、本件発明１が「第２の添加元素が結晶粒界か結晶粒内に偏析し、磁性層の面内保持力が1820Ｏe以上であり、かつ、保磁力角形比が0.4以上0.85以下である」という限定を有するのに対し、引用発明１はこのような限定を有しない点で相違する。
　そこで、この相違点について検討すると、刊行物１の第１表に示された実施例１〜１８の保磁力は何れも680〜920Ｏｅの範囲内にあり、同保磁力角形比Ｓ＊は何れも0.89〜0.94の範囲内にあって、本件発明１の数値限定を満たさないものである。また、第２の添加元素の偏析については記載も示唆もされていない。
　さらに、本件特許明細書には、製造方法について、「上記スパッタリング法による磁性層の形成工程ににおいては、下地基板を加熱維持した状態で形成することが望ましく、実用的には100〜350℃が好ましい。350℃を超えると下地基板と磁性層が反応してしまい、一方100℃より低い温度では層間化合物ができ易く保磁力角形比が異常に大きくなり好ましくない。」(第７頁第19〜24行)と記載されているのに対し、刊行物１には、「スパッタリング時の基板温度は、室温から300℃の間であってもよいが、生産性や窒素の吸収の容易さの点から100℃以下であることが望ましい。」(第３頁右下欄第５〜９行)と記載されており、実施例も70℃を採用している。
　してみると、刊行物１には、本件発明１の上記限定についての記載及び示唆はなく、望ましい製造条件も異なることが明らかである。
　また、刊行物２〜４についても、本件発明１の上記限定については記載も示唆もされていない。
　そして、本件発明１は、上記構成を採用することにより、明細書に記載の顕著な効果を奏するものである。
　したがって、本件発明１は、引用発明とは異なるものである。さらに、引用発明に刊行物２〜４に記載された事項を併せたとしても、当業者が本件発明１を容易に発明することができたものとは言えない。
　また、本件発明２〜４についても、本件発明１の従属項であって、本件発明１の構成要件を全て備えているから、判断に変わりはない。
　
２、第２９条の２違反について
　
　訂正前の請求項１〜３は訂正請求により削除されたので、本件特許の先願である、特願昭６３−２２６２６７号(特開平２−７３５１１号公報)による特許法第２９条の２の取消理由は解消した。
　
３、第３６条違反について
　
　上記(２)イ．Ｂで述べた訂正により、請求項１の記載不備は解消した。　
　
　エ．むすび
　　以上のとおりであって、上記訂正は、特許法第１２０条の４第２項及び同条第３項で準用する第１２６条第２〜４項の規定に適合するものであるから、当該訂正を認める。　　
　
(３)特許異議申立について
　
　ア．本件発明
　
　本件発明１〜４は、上記（２）ア．で示した請求項１〜４に記載されたとおりのものである。
　
　イ．申立ての理由の概要
　
　特許異議申立人斎藤順一は、甲第１〜５号証(甲第１、３、４、５号証は、上記（２）ウ．１、第２９条第１項第３号、第２項違反についての項で記載した刊行物１〜４に該当し、甲第２号証は、上記（２）ウ．２、第２９条の２違反についての項で記載した、特願昭６３−２２６２６７号(特開平２−７３５１１号公報)に該当する。)を提示し、訂正前の請求項１〜８は、特許法第２９条第１項第３号、第２項、第２９条の２、第３６条の規定により特許を受けることができないものであるから取り消されるべきである旨主張している。
　
　ウ．判断
　
　上記(２)イ．で示したように、訂正請求により訂正前の請求項１〜５が削除され、請求項６〜９は請求項１〜４となった。
　したがって、訂正前の請求項１〜５を対象とする申立ては意味のないものとなった。
  また、請求項１〜４に対する申立てについては、上記（２）ウ．１、第２９条第１項第３号、第２項違反についての項で示したように、本件発明１〜４は、上記甲各号証に記載された発明ではなく、また同号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものでもないから、その特許を取り消すことはできない。
  さらに、上記（２）ウ．３、第３６条違反についての項で示したように明細書の記載不備も解消した。
　
　エ．むすび
　
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件発明１〜４に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明１〜４に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年２月９日（２０００．２．９）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
　特許請求の範囲の減縮及び明瞭でない記載の釈明を目的として、
訂正前の請求項１〜５を削除し、
同請求項６を請求項１に繰り上げると共に、同項中の「第２の添加元素を含む合金であり、」という記載を、「第２の添加元素と、酸素とを含む合金であり、該第１の添加元素の濃度が１〜３５原子％であり、」とし、
同請求項６の従属項である請求項７〜９を請求項２〜４に繰り上げると共に、上記請求項６の訂正に合わせて請求項１の従属項とする。
（５４）【発明の名称】
面内磁気記録媒体及びそれを用いた磁気記憶装置
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　基板上にＣｒまたはＣｒを主成分とする合金から成る下地層を介して連続形成された磁性層を有し、該磁性層がＣｏを主成分とし、第１の添加元素であるＰｔと、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｇｅ及びＳｉから成る群から選ばれた少なくとも１種の第２の添加元素と、酸素とを含む合金であり、該第１の添加元素の濃度が１〜３５原子％であり、該第２の添加元素が結晶粒界か結晶粒内に偏析し、該磁性層の面内保磁力が１８２０Ｏｅ以上であり、かつ、保磁力角形比が０．４以上０．８５以下であることを特徴とする面内磁気記録媒体。
　【請求項２】　上記保磁力角形比が０．５以上０．８１以下であることを特徴とする請求項１記載の面内磁気記録媒体。
　【請求項３】　磁性膜を形成する前工程として、下地基板表面を溝状、不規則溝状、もしくは島状に粗面加工後、非磁性金属下地層を形成したことを特徴とする請求項１記載の面内磁気記録媒体。
　【請求項４】　磁気記録媒体と、これを回転駆動する駆動部と、磁気ヘッド及びその駆動手段と、磁気ヘッドの記録再生手段を有して成り、前記磁気ヘッドが金属磁性材料から成る磁極を有し、かつ、前記磁気記録媒体が請求項１乃至３記載の面内磁気記録媒体で構成されることを特徴とする磁気記憶装置。
【発明の詳細な説明】
　【産業上の利用分野】
　本発明は、面内磁気記録媒体及びその製造方法並びに磁気記憶装置に関する。
　【従来の技術】
　従来の面内磁気記録媒体用磁性層としては、例えばＵＳＰ４６１０９１１、特開昭６２−２５７６１７に見られるように基板上に、下地層としてＣｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｎｂ，Ｖ等の単体金属層もしくはＣｒ−Ｖ、Ｃｒ−Ｆｅ等の合金層を形成し、それを介してＣｏ−Ｐｔ合金磁性層を形成したものや、特開５９−８８８０６号に見られるようにＮｉ−Ｐ下地層上にＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金磁性層を形成したもの、更には特開昭６１−２４６９１４号、特開昭６１−２５３６２２号に見られるようにアルミニウム合金基板上にアルマイト下地層を形成し、それを介してＭｏ，Ｖ及びＷの少なくとも１種３〜１５原子％もしくは、Ｃｒ３〜２０原子％と、Ｐｔ，Ｒｈ，Ｒｕ，Ｒｅ，Ｐｄ，Ｉｒ等の貴金属元素３〜１５原子％と、残部Ｃｏ　７５原子％以上とから成るＣｏ基合金磁性膜を形成したもの等が提案されている。
　【発明が解決しようとする課題】
　上記Ｎｉ−Ｐ下地層にＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ磁性層を形成した磁気記録媒体は耐食性と磁気特性の改善を意図したものであるが、特開昭５９−８８８０６に述べられているように面内の保磁力角形比Ｓ＊は０．７〜０．９であるが、面内保磁力Ｈｃは５００〜１２００Ｏｅを狙ったものの実際には５５０〜８５００Ｏｅと低い。一方、特開昭６２−２５７６１７（ＵＳＰ４６５４２７６）や特開昭６２−２５７６１８（ＵＳＰ４６５２４９９）に述べられているように膜厚５０ｎｍ程度のＣｒ−Ｖ下地やＷ下地等の非磁性下地にＣｏ−Ｐｔ磁性層を設けると面内保磁力力Ｈｅは１２００Ｏｅ以上に高くできるが、このように面内保磁力Ｈｃを高くすると保磁力角形比Ｓ＊も増大し０．９以上と大きくなる。本発明者らによる研究によれば保磁力と保磁力角形比を高くすれば高密度での再生出力は高くなるが、同時にノイズも大きくなり、出力ノイズ比の点で必ずしも有利ではないことが明らかになった。特にノイズという観点からすれば、保磁力角形比Ｓ＊を０．９以上に大きくすると記録媒体の記録再生ノイズが著しく大きくなるという問題があった。したがって、優れた記録再生出力特性を有する面内磁気記録媒体を得るには、これら両者の相反する磁気特性を同時に満足させることが必須であり、面内保磁力がＨｃ１２００Ｏｅ以上、保磁力角形比Ｓ＊０．９以下より望ましくは０．８５以下を同時に満足させることが当面の解決すべき課題である。なお、保磁力角形比Ｓ＊とは、磁化曲線の面内保磁力Ｈｃ点での接触と、残留磁化Ｍｒ点でＨ軸と平行に引いた直線の交差におけるＨの値とＨｃの値との比（Ｈ／Ｈｃ）を言う。
　それ故、本発明の第１の目的は、少なくとも１２００Ｏｅの高い面内保磁力Ｈｃを有し、しかも保磁力角形比Ｓ＊が０．９以下より望ましくは０．８５以下と小さく、高密度において高いＳ／Ｎ比で記録再生でき、かつ耐食性、耐摺動性に優れた高信頼性の面内磁気記録媒体を提供することにある。第２の目的は上記第１の目的を達成できる面内記録媒体の製造方法を、そして第３の目的は上記第１の目的を達成できる磁気記録媒体を用いた磁気記憶装置を、それぞれ提供することにある。
　【課題を解決するための手段】
　上記第１の目的は非磁性基板上に形成されたＣｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｖ，Ｎｂ及びＴａから成る群から選ばれた少なくとも１種の金属元素を含む非磁性金属下地層を介して、Ｐｔ及びＩｒから成る群から選ばれた少なくとも１種の第１の添加元素１〜３５原子％と、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｇｅ及びＳｉから成る群から選ばれた少なくとも１種の第２の添加元素１〜１７原子％、より好ましくは３〜１５原子％、ただしＳｉについては１〜４０原子％より好ましくは２〜３０原子％と、酸素０．１〜１０原子％とを総量で２．２〜５０原子％を含み、残部Ｃｏから成るＣｏ基合金磁性層を形成して成る面内磁気記録媒体により、達成される。そして、図４に示されるように、面内保磁力向上の点から、上記非磁性金属下地層の膜厚は好ましくは１５０ｎｍ以上であり、より望ましくは２００ｎｍ以上である。この金属下地層を介して上記磁性層を形成すると、磁性層の結晶配向性は基板面内成分が多くなるので面内保磁力が向上する。さらに、磁性膜に比べて硬度の大きな上記非磁性金属下地層を設けることで耐摺動信頼性を高めることができる。また、非磁性金属下地層の膜厚は６００ｎｍを超えると表面粗さの問題が大きくなり磁気ヘッドの浮上性が劣化し、しかもコストも高くなるなどの理由から６００ｎｍ以下とすることが望ましい。上記Ｃｏ基合金磁性層のより好ましい組成は、前記第１の添加元素を３〜１３原子％、更に好ましくは５〜９原子％とすることであり、前記第２の添加元素については、３〜１５原子％ただしＳｉについては、３〜１５原子ただしＳｉについては２〜３０原子％含有することである。
　上記第２の添加元素について更に詳述すれば、上記群のうち、特にＣｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｇｅ及びＳｉの選択が好ましく、これら元素の少なくとも１種が必須成分として含有されることが望ましい。つまり、上記第２の添加元素をＣｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｇｅ及びＳｉから成るＡ群と、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ及びＴａから成るＢ群とに分類したとき、Ａ群から選ばれた少なくとも１種とＢ群から選ばれた少なくとも１種とを同時に含むか、もしくはＡ群から選ばれた少なくとも１種を必須成分として含むことである。特に、Ａ群の添加元素をＣｒとＳｉとすることが望ましい。好ましいＡ群の添加量は、前述のとおり３〜１５原子％ただしＳｉについては２〜３０原子％、Ｂ群の添加量は１〜１５原子％である。
　なお、上記非磁性金属下地層を構成するＣｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｖ，Ｎｂ及びＴａから成る群から選ばれた少なくとも１種の金属元素と共に、Ｔｉ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｃｕ，Ｐｔ，Ｒｈ，Ｒｕ，Ｒｅ，Ｐｄ及び酸素から成る群から選ばれた少なくとも１種の元素を含有せしめることもできる。この場合、Ｔｉ，Ｓｉ，Ｇｅ及びＣｕから成る群から選ばれた少なくとも１種の元素の好ましい含有量は１〜３０原子％、同じくＰｔ，Ｒｈ，Ｒｅ及びＰｄから成る群から選ばれた少なくとも１種の元素の好ましい含有量は０．０１〜１０原子％、そして酸素の好ましい含有量は０．１〜１０原子％である。
　これにより、面内保磁力角形Ｓ＊０．８５以下、好ましくは０．８５〜０．４、より好ましくは０．８１〜０．６、面内保磁力Ｈｃ１２００Ｏｅ以上、より好ましくは少なくとも１５００Ｏｅを有する特性が達成され、耐食性、Ｓ／Ｎ比の点で優れた磁性層と成る。さらに上記Ｃｏ基合金磁性層に適量のＮｉ，Ａｌなどを添加すれば、耐食性は劣化するがＳ／Ｎ比を向上させることができる。
　上記第２の目的は、非磁性基板上に物理蒸着法によりＣｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｖ，Ｎｂ及びＴａから成る群から選ばれた少なくとも１種の金属元素を含む非磁性金属下地層を介して、Ｐｔ及びＩｒから成る群から選ばれた少なくとも１種の第１の添加元素１〜３５原子％と、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｇｅ及びＳｉから成る群がら選ばれた少なくとも１種の第２の添加元素１〜１７原子％、より好ましくは３〜１５原子％、ただしＳｉについては１〜４０原子％より好ましくは２〜３０原子％と、酸素０．１〜１０原子％とを総量で２．２〜５０原子％含み、残部Ｃｏから成るＣｏ基合金磁性層を微量の酸素ガス含有雰囲気下で、それぞれの金属元素を含むターゲットを用いてスパッタリング法により形成する工程、及び保護膜を形成する工程を有して成る面内磁気記録媒体の製造方法により、達成される。そして、好ましくは、上記非磁性金属下地層を形成する工程の前段に、予め例えばＮｉ−Ｐメッキ膜等の非磁性メッキ膜下地層を形成する工程を付加することが望ましい。非磁性金属下地層及びＣｏ基合金磁性層の成膜法としては、スパッタリング法、蒸着法、メッキ法、イオンビーム蒸着法などがあるが特にＤＣマグネトロンスパッタ法が成膜速度、膜質磁性の点で好ましい。
　また、上記非磁性基板上に物理蒸着法によりＣｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｖ，Ｎｂ及びＴａから成る群から選ばれた少なくとも１種の金属元素を含む非磁性金属下地層を形成するに際し、副成分としてＴｉ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｃｕ，Ｐｔ，Ｒｈ，Ｒｕ，Ｒｅ，Ｐｄ及び酸素から成る群から選ばれた少なくとも１種の元素を含有せしめることもできる。この場合、Ｔｉ，Ｓｉ，Ｇｅ及びＣｕから成る群から選ばれた少なくとも１種の元素の好ましい含有量は１〜３０原子％、同じくＰｔ，Ｒｈ，Ｒｕ，Ｒｅ及びＰｄから成る群から選ばれた少なくとも１種の元素の好ましい含有量は０．０１〜１０原子％、そして酸素の好ましい含有量は０．１〜１０原子％である。
　更にまた、上記Ｃｏ基合金磁性層のより好ましい形成方法としては、前記第１の添加元素を３〜１３原子％、更に好ましくは５〜９原子％とすることであり、前記第２の添加元素については、３〜１５原子％ただしＳｉについては２〜３０原子％含有せしめることである。
　上記第２の添加元素について更に詳述すれば、上記群のうち、特にＣｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｇｅ及びＳｉの選択が好ましく、これら元素の少なくとも１種を必須成分として含有せしめることが望ましい。つまり、上記第２の添加下元素をＣｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｇｅ及びＳｉから成るＡ群と、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ及びＴａから成るＢ群とに分類したとき、Ａ群から選ばれた少なくとも１種とＢ群から選ばれた少なくとも１種とを同時に含有させるか、もしくはＡ群から選ばれた少なくとも１種を必須成分として含有させることである。特に、Ａ群の添加元素をＣｒとＳｉとすることが望ましい。好ましいＡ群の添加量は、前述のとおり３〜１５原子％ただしＳｉについては２〜３０原子％、Ｂ群の添加量は１〜１５原子％であり、かかる組成を満足するようスパッタリング条件等を設定して成膜することである。
　上記スパッタリング法による磁性層の形成工程においては、下地基板を加熱維持した状態で形成することが望ましく、実用的には１００〜３５０℃が好ましい。３５０℃を超えると下地基板と磁性層が反応してしまい、一方、１００℃より低い温度では層間化合物ができ易く保磁力角形が異常に大きくなり好ましくない。なお、磁性膜を形成する前工程として、下地基板表面を一般にテクスチャ加工と呼ばれている加工技術等で予め化学的、物理的な手段で溝状、不規則溝状、もしくは島状などに粗面加工しておくことが好ましい。例えばディスク基板の略磁気ヘッド走行方向に沿って中心線平均面粗さで２ｎｍ〜３０ｎｍの微細な前記形態の傷を設けておくことにより、ディスク基板面上の非磁性膜金属下地層及びその上に形成される磁性層の結晶粒が磁気ヘッド走行方向に結晶配向し、ヘッド走行方向の角形比、保磁力等の磁気特性が著しく改善されるので特に好ましい。また、このテクスチャ加工は磁性層形成時の基板加熱と相応して磁気特性の向上に寄与する。特に、不規則溝状、島状の粗面状態の場合にはＣＳＳ特性が著しく向上するので好ましい。
　上記第３の目的は、図１０（ａ）および図１０（ｂ）にその一例を示すような、磁気記録媒体２１と、これを回転駆動する駆動部２２と、磁気ヘッド２３及びその駆動手段２４と、磁気ヘッドの記録再生信号処理手段２５とを有して成る磁気記憶装置において、前記磁気記録媒体を上記第１の目的を達成することの出来る面内磁気記録媒体で構成して成る磁気記憶装置により、達成される。
　【作用】
　本発明において、非磁性基板上に設けられたＣｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｖ，Ｎｂ及びＴａから成る群から選ばれた少なくとも１種の金属元素の単体もしくは合金からなる非磁性磁性金属下地層は、その表面に形成されるＣｏ基合金磁性層の磁気特性に大きな影響を及ぼし、磁性層と密接な関係を有する。即ち、この非磁性金属下地層は、体心立方構造をとり基板上に（１１０）配向しやすい。そして、この上に形成される磁性層が容易にエピタキシャル成長する結果、磁気異方性の面内成分が大きくなる。このように、非磁性金属下地層は磁性層の面内保磁力Ｈｃを大きくする作用を有する。
　ここで、図９（ａ）および図９（ｂ）は各々本発明の一実施例の面内磁気記録媒体に対するＸ線回折線パターンおよび磁性層と下地層の配向性、結晶性を示す図である。すなわち、３．５′φの強化ガラス基板（表面を化学エッチ処理で粗らし、中心線平均面粗さを６ｎｍとした）上に、酸素を０．１ｖｏｌ％含むＡｒガス中で、ガス圧１０ｍＴｏｒｒ，投入電力１Ｗ／ｃｍ２，基板温度１１０℃で、Ｔｉ組成を１〜３０ａｔ％と変えた、ＣｒＴｉ合金下地層（膜厚１０〜５００ｎｍ）、Ｃｏ−１５ａｔ％Ｃｒ−８ａｔ％Ｐｔ−１ａｔ％Ｓｉ磁性層（膜厚５０ｎｍ）、Ｃ保護層（膜厚３０ｎｍ）を連続してＤＣスパッタリング法で形成した。
　同図（ｂ）に示すように、ＣｒＴｉ下地層の膜厚が０．０５μｍよりも小さいとＣｒＴｉ膜は（１００）配向が主であるが、０．１５μｍ（１５０ｎｍ）よりも大きくなると、急激に（１１０）配向成分が多くなり、これに伴ってＣｏＣｒＰｔＳｉ磁性膜もエピタキシャル的に（１０￣１１）配向するようになる。ＣｒＴｉ下地層を設けることで、ＣｏＣｒＰｔＳｉの磁気異方性の主軸であるＣ軸が面内に存在する（１０￣１０）配向も同時に発生する。このように、ＣｒＴｉ下地層を設けることで、ＣｏＣｒＰｔＳｉのＣ軸が面内方向成分を持つ（１０￣１１）及び（１０￣１０）配向することにより、高保磁力化しているのである。なおここで、磁性層中の酸素含有量は２ａｔ％であった。
　なお、図９（ａ）及び図９（ｂ）に示した関係はＣｏＣｒＰｔＳｉとＣｒＴｉに限るものではなく、本発明の値の構成のものについても成り立つ。そして、この非磁性金属下地層の膜厚は保磁力角形比Ｓ＊と面内保磁力Ｈｃとの関係にも大きな役割を果たす。以下、図４を用いて説明する。
　図４は、非磁性ディスク基板上に、周知の技術によりＮｉ−Ｐメッキ層を形成し、この基板上に本発明の非磁性金属下地層（この例ではＣｒを代表例とした）び磁性層（この例ではＣＯ８６Ｃｒ１８Ｐｔ１６を代表例とした）を基板温度１５０℃で順次形成した試料についての非磁性金属下地層の膜厚と磁気特性Ｈｃ及びＳ＊との関係を示した特性曲線図である。なお、試料における磁性膜の膜厚は、７５ｎｍと一定に固定した。ここで磁性膜中の酸素温度は２ａｔ％であった。同図から明らかなように下地層膜厚が１５０ｎｍ付近から急激に大きな変化を示し、面内の保磁力角形比Ｓ＊が０．８５以下に低下する傾向において面内保磁力Ｈｃは１２００Ｏｅ以上となり、さらに膜厚が２００ｎｍを超えるとＳ＊は０．８以下、Ｈｃは１５００Ｏｅ以上となり、より高密度で高いＳ／Ｎ比の記録再生が可能となる。このように下地層膜厚が大きくなると下地層の結晶配向性が向上することにより磁気特性が飛躍的に改善されると共に、これら複合膜の総合的な強度が向上するため耐摺動性も向上し好ましい。しかし、下地層膜厚が６００ｎｍを超えると磁性膜表面の凹凸が大きくなり、さらに下地層を形成している非磁性金属が異常成長しやすく、それに伴い磁性層表面の粗さが大きくなり磁気ヘッドの浮上性が劣化し、またコストも高くなるので好ましくなく６００ｎｍを超えないようにすることが望ましい。したがって、実用的に好ましい非磁性金属層の厚さは１５０〜６００ｎｍ、より好ましくは２００〜４５０ｎｍである。なお、面内の保磁力角形比Ｓ＊と磁気記録媒体のノイズとの関係については、図７に示す特性曲線図のとおりである。Ｓ＊が０．８５を超えると急激にノイズは増大し好ましくない。また、Ｓ＊が０．４より小さくなると、再生出力波形が歪むため実用的なＳ＊は０．８５〜０．４、より好ましくは０．８１〜０．５、更に好ましくは０．７５〜０．６となる。
　ここでＣｒ，Ｍｏ，Ｗ等の上記非磁性金属下地層中に酸素を０．１〜１０原子％含有せしめると、この上にエピタキシャル的に成長する磁性膜の結晶粒が１００ｎｍ以下に小さくなり、ノイズが低下するので特に好ましい。ただし酸素含有量が１０原子％を超えると、このエピタキシャル成長が著しく阻害され保磁力が劣化してしまうので好ましくない。また、上記非磁性金属下地層に含有させるＴｉ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｃｕ，Ｐｔ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｒｅ及びＰｄから成る群から選ばれた少なくとも１種の元素は、酸化添加の場合と同様に下地層の結晶粒を微細化でき、その上に形成される磁性層の保磁力角形比を０．８５以下とすると共に、ノイズを低減できるので好ましい。さらにこの場合には図９（ａ）および図９（ｂ）に示したように、下地層の結晶粒配向性も高まりまた、図１１に示すように面内保磁力さらには出力向上の効果が大きいので特に好ましい。実用的に好ましいこれら元素の添加量について述べれば、前述のとおりＴｉ，Ｓｉ，Ｇａ，Ｃｕの群は１〜３０原子％、Ｐｔ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｒｅ及びＰｄの群は０．０１〜１０原子％であり、少なければ効果が不十分であり、多すぎればエピタキシャル成長が阻害され、面内保磁力が劣化もしくはＳ＊が高くなりすぎるなど磁気特性が劣化することから過剰な添加は好ましくない。
　非磁性下地金属を形成する前工程として、Ｎｉ−Ｐ等の基板下地表面を略ヘッド走行方向に沿って微細な傷が入るように加工し、走行方向の中心線平均面粗さＲａを１〜１０ｎｍ、これに直角方向のＲａを２〜３０ｎｍとすることで、ヘッド走行方向の面内保磁力を半径方向のそれよりも大きくすることができ、出力を１〜２割高くできるので特に好ましい。これは、非磁性下地金属層が下地形状に倣って成長するいわゆるグラフォエピタキシャル効果のあるものであることが、ＳＥＭ等の観察で明らかになった。直角方向のＲａについては２ｎｍ以上でないと効果は小さく、３０ｎｍよりも大きくすると耐摺動性が劣化するので好ましくない。
　次に、Ｃｏ基合金磁性層の組成と磁気特性について述べる。先ず、Ｃｏを主成分とする組成に含有するＰｔ及びＩｒから成る群から選ばれた少なくとも１種の第１の添加元素（１〜３５原子％）の役割であるが、これらの作用は主として面内保磁力Ｈｃを向上させるものであると言える。しかし、これも面内の保磁力角形比Ｓ＊と同様にＴｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｇｅ及びＳｉから成る群から選ばれた少なくとも１種の第２の添加元素（１〜１７原子％、より好ましくは３〜１５原子％、ただしＳｉについては１〜４０原子％より好ましくは２〜３０原子％）と、酸素（０．１〜１０原子％）との共存下における相互作用で発揮されるものであり、それぞれの添加元素単独の作用として発揮されるものではない。その理由は、本発明らの次ぎのような実験結果から得られた知見による。即ち、Ｃｏに第１の添加元素（Ｐｔ，Ｉｒ）のみを添加すると一般に高保磁力になり易い。しかし、これらの組合せだけでは安定に１０００Ｏｅ以上の保磁力を得ることは困難であり、しかもノイズが大きく、高いＳ／Ｎ比は得られにくい。これに対し本発明者らは、Ｃｏに上記第１の添加元素と上記第２の添加元素とを同時に添加し、酸素ガス含有放電ガス雰囲気下で、成膜すると、面内保磁力Ｈｃ、結晶配向性が高く、高記録密度でも高Ｓ／Ｎ比の磁気記録媒体が得られることを見出した。これはＣｏに第２の添加元素が添加され、スパッタリング法による成膜時の放電ガス雰囲気中に酸素ガス成分が含有されていると、酸素の助けを借りてこの第２の添加元素が結晶粒界や結晶粒内に偏析し、結晶粒間の相互作用が低減されると共に結晶配向性も向上するため、結果として磁気記録媒体のノイズが低下するというものである。一方、第１の添加元素を用いないで第２の添加元素のみを用いた場合には、面内保磁力Ｈｃが低下するので出力も低下し易い。しかし、本発明のように第１，第２の添加元素を酸素と共に同時に添加すると、図１２に示すように面内保磁力Ｈｃも高くなるので、第１の添加元素（Ｐｔ，Ｉｒ）のみを単独に添加した場合に比べてノイズが少なく、結果として高いＳ／Ｎ比が得られる。
　図１２に示した実施例の試料は、磁性層が膜厚６５ｎｍのＣｏ−１５ａｔ％Ｃｒ−７ａｔ％Ｐｔ−３ａｔ％Ｓｉであり、Ｃｒ下地層は膜厚３５０ｎｍ、Ｃ保護層は膜圧４０ｎｍである。（酸素含有量０ａｔ％の試料は比較例である。）この時、磁性膜中の酸素含有量は０．１原子％以上が望ましい。磁性膜中の酸素含有量が１０原子％よりも増大すると著しく酸化が進行し、飽和磁化の値が小さくなると共に、面内保磁力も低下し、再生出力の低下が著しいので好ましくなく、実用上０．１〜１０原子％とすることが望ましい。上記磁性膜中の酸素含有量の調整は、例えばスパッタリングの成膜法による場合には、Ａｒ等の放電ガス雰囲気中の酸素ガス分圧を調整することにより任意値に設定できる。
　以上、各添加元素の作用及び有効量について述べたが、これら酸素も含めた添加元素の総量は多くても５０原子％以下、つまり残部を構成するＣｏ主成分が少なくとも５０原子％を有することが望ましい。
　以下さらに作用について結晶学的な面から詳細に説明する。
　非磁性基板上に、前述の非磁性金属下地層を介して磁性層を形成すると、例えば酸素を０．１ｖｏｌ％含むＡｒガス中でスパッタリングにより成膜した場合には、図２に示すように第１の添加元素（この例ではＰｔを代表例とした）の添加量が１〜３５原子％で面内保磁力Ｈｃが１２００Ｏｅ以上となる。これはＰｔをＣｏに添加するとＣｏ−Ｐｔ規則相を生じ、磁壁の移動がおさえられるためである。保磁力はＰｔ添加量が１３原子％で極大となるが、結晶粒内でのＣＯ−Ｐｔ規則相の出現と関係して、Ｐｔ量が１３原子％よりも多い磁性層と、それよりも少ない磁性層とでは、保磁力出現の機構が異なり、Ｐｔ量が１３原子％以下の場合に特に動的な磁化反転がスムーズとなる。これに対応してＰｔ量が１３原子％以下の記録媒体はオーバライト特性が特に高く、しかもトラック幅方向の漏れ記録の効率、消去の効率が高く、ヘッド記録再生時での位置ずれに対するマージンが広いという効果がある。この効果はＰｔ量が９原子％以下の時に特に顕著であり、Ｐｔ量としては１３原子％以下、より好ましくは９原子％以下とすることが望ましい。
　なお、ここでＰｔの増加と共に飽和磁化はゆるやかに減少した。つまり、Ｐｔを３原子％よりも多くすると飽和磁化が減少し、ノイズも相対的に大きくなる傾向にあり、図５に示すようにＳ／Ｎ比はＰｔ量が１〜３％のときに特に高くなる。しかも、Ｐｔ，Ｉｒは高価な貴金属であることから不要な多量の添加量はコスト的にも好ましくなく実用的には上述のとおり、１〜３原子％とすることがより望ましい。このＰｔのごとき第１の添加元素を３原子％以上とする場合には、前述のようにＰｔ，Ｉｒ量を１３原子％、より望ましくは９原子％以下としてオーバライト特性を向上せしめ、さらにＣｏを７５原子％以下とすることで耐食性を高めると共にノイズを著しく低減することにより相対的にＳ／Ｎ比を高めることが望ましい。ＣｏにＰｔのごとき第１の添加元素と同時に添加する第２の添加元素としては、図２に示したＣｒ，Ｍｏ，Ｗの値Ｇｅ，Ｓｉの群がとりわけ望ましいが、残りの群のＴｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａについても有効であることは言うまでもない。特にこれら残りの群の元素等が添加された４元磁性合金の場合には、これら元素の酸化物あるいは水酸化物等が表面や結晶粒界に優位的に偏析し図８に示すように３元合金に比べて耐食性が著しく向上するので特に好ましい。なお、同様にして形成したＣｏ−２０ａｔ％Ｓｉ−８ａｔ％Ｐｔ磁性膜、Ｃｏ−１０ａｔ％Ｇｅ−８ａｔ％Ｐｔ磁性膜、及びＣｏ−８ａｔ％Ｐｔ膜（比較例）の、塩水噴霧試験４時間後の残存磁化は、それぞれ０．８５，０．８２及び０．７５であった。つまり、この図８は、縦軸に腐食による劣化の程度を示す残存磁化Ｍｓ（ｔ）／Ｍｓ（ｏ）を、横軸に４０℃の塩水噴霧試験時間（ｈｒ）をそれぞれ示したもので、時間経過によって残存磁化が低下しないものほど耐食性に優れていることを意味している。本発明のこの４元系磁性合金においては、Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｇｅ、Ｓｉ等をＣｏ−Ｐｔ合金に添加した３元合金の場合に比べＴｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ等がＣｒ，Ｍｏ等との相乗効果によって特に強固に結晶粒界及び結晶粒内に偏析するので、結晶粒間の磁気的な相互作用が低減され記録密度特性、Ｓ／Ｎ比がさらに改善されるのでより望ましい。図８ではＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ系磁性合金について説明したが、Ｍｏ，Ｗ，Ｓｉ，Ｇｅを用いた場合も同様である。耐食性、Ｓ／Ｎ比改善の上からは、これら帰りの群の少なくとも１種の元素の添加量は１〜１５原子％がより好ましい。
　図３は、Ｃｏ−Ｐｔ系に第２の添加元素としてＣｒを代表例として添加した場合の、Ｃｒの添加量とＨｃとの関係を示したものであり、１原子％以上、特に３原子％以上添加すれば面内保磁力は１２００Ｏｅよりも高くなるので望ましい。１７原子％よりも多く添加すると飽和磁化が劣化するので好ましくない。したがって、前述のとおり第２の添加元素の有効含有量は１〜１７原子％であるが、Ｓｉについてのみ１〜４０原子％が有効である。なお、これら図２、図３における試料の非磁性金属下地層は、いずれもＣｒを代表例としたものであるが、Ｍｏ，Ｗ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａや、これらを主成分とする合金など、その他のものであっても同様の結果が得られるのは言うまでもない。
　さらに磁性層中の酸素量について述べれば、上記第１および第２の添加元素を含む本発明のＣｏ基合金に酸素を０．１〜１０原子％含有させると、Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ等の体心立方構造をとる非磁性金属下地層上においてもｈｃｐ構造の面内（１０￣１０）配向（（１００）配向と略記）だけではなく垂直（０００１）配向（（００１）配向と略記）成分も大きくなる。すなわち結晶学的にいえば、図９（ａ）および図９（ｂ）に示したようにＣｏ基合金の００２Ｘ線回析線強度と１００Ｘ線回析線強度との比が３よりも大きくなり、磁気的には、基本的に面内異方性を有するが、垂直異方性成分も付与されＣｏ基合金のｃ軸が実質的に等方的になり、前記図４に示したように非磁性金属下地層の膜厚が増加するにつれ面内の保磁力角形比Ｓ＊が０．８５以下、さらには０．８以下となる。これは第２の添加元素、例えばＣｒ，Ｍｏ，Ｗが酸素の助けを借りて粒界さらには粒内にも偏析しやすくなり、結晶粒が微細化したり、垂直に配向する結晶粒成分が大きくなることなどのためである。このように垂直異方性が大きくなると磁化遷移領域が小さくなり、ノイズが低下することになるので好ましい。なお、図２，図３に示した本実施例の磁性層中の酸素濃度はそれぞれ１，１．５ａｔ％であった。
　ここで、本発明の磁気記録媒体を、作動ギャップ近傍にＣｏ−Ｎｂ−Ｚｒ，Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ，Ｎｉ−Ｆｅ等の強磁性金属を設けたメタルインギャップタイプもしくは薄膜形磁気ヘッドで記録再生したところ、図６に示すようにディスク円周方向の面内保磁力Ｈｃを１２００Ｏｅ以上とすれば再生出力が格段に向上することが確認された。上記面内保護力Ｈｃを１５００Ｏｅ以上にすれば、さらに出力記録密度特性が向上するのでより好ましい。ここで、少なくとも磁極の一部を上記のように金属磁性材料で構成すると記録磁界が強くなるので、本発明のような高保磁力の記録媒体には好適で、これを用いて記録再生すれば効率が向上し、特に大容量の磁気記憶装置が提供できるので好ましい。
　【実施例】
　以下、本発明の実施例を説明する。
（実施例１）
　図１は、本発明の一実施例となる磁気記録媒体の縦断面図を示したものであり、図において、１１はＮｉ−Ｐ、Ｎｉ−Ｐ−Ｗ等の非磁性メッキＡｌ合金、化学強化ガラス等からなる非磁性基板、１２，１２′は前記基板の両面に設けられたＣｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｖ，Ｎｂ及びＴａから成る群から選ばれた少なくとも１種の体心立方構造をとる単体あるいはこれらの元素を主成分とする合金、さらにはこれら単体もしくは合金にＴｉ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｃｕ，Ｐｔ，Ｒｈ，Ｒｕ，Ｒｅ，Ｐｄ及び酸素から成る群から選ばれた少なくとも１種の元素を含有してなる非磁性金属下地層、１３，１３′は磁性層でＰｔ及びＩｒから成る群から選ばれた少なくとも１種の第１の添加元素１〜３５原子％（以下、ａｔ％と略称）と、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍ。，Ｗ，Ｇｅ及びＳｉから成る群がら選ばれた少なくとも１種の第２の添加元素１〜１７ａｔ％ただしＳｉについては１〜４０ａｔ％と、酸素０．１〜１０ａｔ％と、残部Ｃｏとから成るＣｏ基合金属、１４，１４’はＣ，Ｂ，Ｂ４Ｃ，Ｓｉ−Ｃ，Ｃｏ３Ｏ４、ＳｉＯ２，Ｓｉ３Ｎ４，Ｗ−Ｃ，Ｚｒ−Ｗ−Ｃ，Ｚｒ−Ｎｂ−Ｎ等からなる保護層であり、それぞれは以下に示す例のように形成される。
　外径１３０ｍｍ、内径４０ｍｍ、厚さ１．９ｍｍのマグネシウムを４ｗｔ％含むアルミニウム合金ディスク基板の両面に厚み２０μｍのＮｉ−１２ｗｔ％Ｐメッキを施した後、さらに円周方向（ヘッド走行方向）に微細な凹凸を有し、その中心線平均面粗さが１０ｎｍになるように研磨して膜厚を１５μｍとした。この種の表面加工を通称テクスチャ加工と称しているが、この基板を洗浄後、ＲＦマグネトロンスパッタ装置を用い、初期排気を２×１０−８Ｔｏｒｒまで行なった後、成膜時の放電雰囲気ガスとして０．２ｖｏｌ％酸素を含むＡｒ、放電ガス圧力を１５ｍＴｏｒｒ、投入電力を１．６Ｗ／ｃｍ２、基板温度を１１０℃として下地層、磁性層、保護層を連続して形成し、面内磁気記録媒体とした。非磁性金属下地層には酸素を４ａｔ％含有するＣｒ層を用い、磁性層にはＣｏ−１５ａｔ％Ｃｒ−１１ａｔ％Ｐｔ合金（ただし酸素３ａｔ％含有）を、保護膜にはカーボンを用いた。また、保護膜の上にさらにパーフルオロアルキルポリエーテル等の潤滑層を設けても良い。非磁性金属下地層のＣｒ膜厚を５００ｎｍと一定にして、Ｃｏ−１５ａｔ％Ｃｒ−１１ａｔ％Ｐｔ合金の膜厚を１０〜９０ｎｍまで変化させたところ、表１のような静磁気特性が得られた。
　【表１】
なお、表中の（　　）内数値は非磁性金属下地層を設けない比較例の特性値を示す。これらの比較例から明らかなように、非磁性金属下地層の存在は磁気特性の向上に重要な役割を果たしており、保護力角形比Ｓ＊≦０．８５なる条件を十分に満足させつつ、面内保磁力Ｈｃはいずれも１５００Ｏｅ以上という優れた特性を示している。
　そして、非磁性金属下地層のＣｒ膜厚を５０，１００，２００，３００および４００ｎｍとしても磁性層膜厚の増加にともない保磁力角形非Ｓ＊は上昇し、１５ｎｍ以上の磁性層膜厚があれば、より好ましい条件である０．８５≧Ｓ＊≧０．６となった。ここで、保磁力角形比Ｓ＊は、ディスクの周方向すなわちヘッド走行方向及び半径方向の値の平均値であり、面内保磁力Ｈｃは、ディスク周方向の値である（以下、いずれの実施例及び比較例も同じ）。ＮｉＰメッキＡｌ合金基板の替りに、化学エッチ処理で表面に凹凸をつけた化学強化ガラス基板やアルマイト処理Ａｌ合金基板を用いても同様の結果が得られた。
（比較例１）
　磁性層の組成を、Ｃｏ−２０ａｔ％Ｎｉ−１５ａｔ％Ｐｔとし、磁性層の膜厚を９０ｎｍとした他の実施例１と同様に薄膜形成したところ、面内保磁力Ｈｃの値は８６０Ｏｅであった。このように実施例１と同じ非磁性金属下地層のＣｒ膜を有しているにも拘らず、磁性層の組成が異なることにより面内保磁力Ｈｃは大幅に低下した。つまり、この比較例は本発明の第２の添加元素を含存していないものである。
（実施例２）
　面内磁気記録媒体形成装置としてロードロック式のＤＣマグネトロンスパッタ装置を用い、初期排気を１×１０−６Ｔｏｒｒまで行なった後、成膜時の放電雰囲気ガスとして酸素を０．１ｖｏｌ％含むＡｒ、放電ガス圧力を１０ｍＴｏｒｒ、投入電力を１．６〜４．８Ｗ／ｃｍ２、基板温度を１５０℃として膜厚４００ｎｍのＣｒ下地層、膜厚５０ｎｍで表２に示す組成の磁性層を連続して形成後、放電ガス圧力を３ｍＴｏｒｒとして保護膜を形成した他は前記実施例１と同様にして形成した。なお、これらいずれの磁性層及びＣｒ下地層中にも酸素は１ａｔ％含有された。
　【表２】
　その結果、いずれの実施例も面内保磁力が１４００Ｏｅ以上であった。特に、面内保磁力を１５００Ｏｅ以上とした場合には磁性層の組成によらず出力半減記録密度が３５ｋＦＣＩ以上となり、またこれらの記録媒体の出力ノイズ比（Ｓ／Ｎ）は従来媒体のＳ／Ｎに比べ２割程度高かった。しかしながら、放電ガスとして０．１ｖｏｌ％酸素を含むＡｒガスを用いて形成した薄膜の面内保磁力が１５００Ｏｅ以上もあった合金組成でも、リクレートが大きい場合や窒素等を含有させた場合には、面内保磁力が１２００Ｏｅ以下となり、Ｓ／Ｎも低い場合があった。これらの媒体を０．００１ｍｏｌ／１のＮａＮＯ２，０．１ｍｏｌ／１のＮａＣｌを含む塩水を噴霧して耐食性を評価したところ、第２の添加元素としてＴｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｎｂの少なくとも１種を添加したものは、その他の合金に比べ２倍以上高い耐食性を示した。特に試料Ｎｏ．２０１〜２０６，２１０〜２１５，２２１及び２２３に示した４元合金の場合には出力半減記録密度が４０ｋＦＣＩ以上と最も高く、オーバライト特性、耐食性ともに特に良好な特性を示し、これらの中で最も好ましかった。これ等４元合金の場合には、０．６Ｎの塩酸と、０．０７Ｎの硝酸の１対１混液等で磁性膜をエッチングして組成の偏析を調べると３元合金に比べて結晶粒内での偏析が著しかった。非磁性金属下地層として、Ｃｒの替りにＭｏ，Ｗ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ−Ｔｉ，Ｃｒ−Ｗ，Ｃｒ−Ｍｏ，Ｃｒ−Ｓｉ，Ｃｒ−Ｐｔ，Ｍｏ−Ｔｉ，Ｗ−Ｖ，Ｖ−Ｓｉ，Ｎｂ−Ｃｒ，Ｔａ−Ｃｒ合金を用いても同様の結果が得られた。特にＣｒ−２０ａｔ％Ｔｉ，Ｃｒ−２０ａｔ％Ｓｉ，Ｃｒ−１ａｔ％Ｐｔ，Ｍｏ−２０ａｔ％Ｔｉ下地膜を用いた場合には最も高いＳ／Ｎが得られた。いずれの下地層の場合にもＣｏと下地層成分元素との金属間化合物は含まれていなかった。
（実施例３）
　外径１３０ｍｍ、内径４０ｍｍ、厚さ１．９ｍｍのマグネシウムを４％含むアルミニウム合金ディスク基板の両面に厚み２０μｍのＮｉ−１２ｗｔ％ｐメッキを施した後、さらに円周方向に微細な凹凸を有しその中心線平均面粗さが５ｎｍになるように研磨して膜厚を１５μｍとした。この基板を洗浄後、ＲＦマグネトロンスパッタ装置を用い、初期排気を２×１０−６Ｔｏｒｒまで行なった後、成膜時の放電雰囲気ガスとして０．５ｖｏｌ％の酸素を含むＡｒを、放電ガス圧力１５ｍＴｏｒｒ、投入電力１．６Ｗ／ｃｍ２、基板温度を１００℃として下地層、磁性層、保護層を連続して形成し、面内磁気記録媒体とした、非磁性金属下地層には、Ｃｒを用い、磁性層には６ａｔ％の酸素を含有するＣｏ−８ａｔ％Ｃｒ−３ａｔ％Ｔａ−１３ａｔ％Ｐｔ合金を、保護膜にはカーボンを用いた。また、保護膜の上にさらにパーフルオロアルキルポリエーテル等の潤滑層を設けても良い。
　非磁性金属下地層としてのＣｒ膜厚を５００ｎｍと一定にして、上記６ａｔ％の酸素を含有する磁性層Ｃｏ−８ａｔ％Ｃｒ−３ａｔ％−Ｔａ−１３ａｔ％Ｐｔ合金の膜厚を１０〜９０ｎｍまで変化させたところ、表３のような静磁気特性が得られた。上記Ｃｒ膜圧を１００，１５０，２００，３００，４００，６００，７００ｎｍとしても同様の結果が得られた。しかし、Ｃｒ膜厚を１００ｎｍとした場合には、球面摺動強度が５０００回以下で、１５０ｎｍ以上の場合の１／％４以下と極めて低く劣っていた。また、Ｃｒ膜厚を７００ｎｍとした場合には、磁気ディスク駆動時におけるヘッドの浮上量を０．２５μｍ以下にはつめられず好ましくなかった。これに対してＣｒ膜厚を６００ｎｍ以下とした場合には、浮上量は０．１μｍまでつめられ、信頼性も格段に向上した。このように、下地層としてのＣｒの膜厚は、実用上１５０〜６００ｎｍが優れている。
　【表３】
（実施例４）
　面内磁気記録媒体形成装置としてロードロック式のＤＣマグネトロンスパッタ装置を用い、初期排気を１×１０−８Ｔｏｒｒまで行なった後、成膜時の放電ガスを０．０５ｖｏｌ％の酸素を含むＡｒ、放電ガス圧力を１０ｍＴｏｒｒ、投入電力を１．６〜４．８Ｗ／ｃｍ２、基板温度を２００℃として膜厚４００ｎｍのＣｒ下地層、膜厚５０ｎｍで表４に示す組成の磁性層を連続して形成後、放電ガス圧力を３ｍＴｏｒｒとして保護膜を形成した他は前記実施例３と同様に形成した。
　その結果、いずれの試料も前記実施例３と同様に面内保磁力Ｈｃは１５００Ｏｅ以上であった。面内保磁力Ｈｃ１５００Ｏｅ以上のものは、出力半減記録密度が３５ｋＦＣＩ以上となり、またこれらの媒体の出力ノイズ比（Ｓ／Ｎ）は、Ｃｏ−Ｎｉ合金を用いた従来の媒体のＳ／Ｎに比べ２割程度高かった。特に試料Ｎｏ．４１７〜４２１の磁気ディスクはオーバライト特性が特に良好で、しかもトラック幅方向の漏れ記録もしくは消去効率が最も高く、最も良好な位置ずれマージンが得られた。磁気ディスクを０．６Ｎの塩酸と０．０７Ｎの硝酸でエッチングして偏析組織を透過電顕、（ＴＥＭ），ＳＥＭ等で評価すると試料Ｎｏ．４１７〜４２１，４０１及び４１５の磁気ディスクが他の磁気ディスクに比べて結晶粒界及び結晶粒内での偏析が著しかった。ここで０．００１ｍｏｌ／ｌのＮａＮＯ２、０．１ｍｏｌ／ｌのＮａＣｌを含む塩水を噴霧して耐食性を評価したところ、第２の添加元素としてＴｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｖ，Ｎｂを添加したものは、その他の例えばＣｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｇｅ，Ｓｉ等を添加した合金に比べ２倍以上高い耐食性を示した。非磁性金属下地層として、Ｃｒの替わりにＭｏ，Ｗ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ−Ｔｉ，Ｃｒ−Ｗ，Ｃｒ−Ｍｏ，Ｍｏ−Ｔｉ，Ｗ−Ｖ，Ｖ−Ｓｉ，Ｎｂ−Ｃｒ，Ｔａ−Ｃｒ合金を用いても同様の結果が得られた。なお、これら磁性層及び非磁性下地層中に含有する酸素量は、いずれも０．５ａｔ％であった。
　【表４】
（実施例５）
　面内磁気記録媒体形成装置としてロードロック式のＤＣマグネトロンスパッタ装置を用い、初期排気を１×１０−８Ｔｏｒｒまで行なった後、成膜時の放電ガスを０．０５ｖｏｌ％の酸素を含むＡｒ、放電ガス圧力を１０ｍＴｏｒｒ、投入電力を１．６〜４．８Ｗ／ｃｍ２、基板温度２５０℃として膜厚４００ｎｍのＣｒ−２０ａｔ％Ｔｉ下地層、膜厚５０ｎｍで表５に示す組成の磁性層を連続して形成後、放電ガス圧力を３ｍＴｏｒｒとして保護膜を形成した他は実施例３と同様に形成した。
　その結果、いずれの試料も面内保磁力Ｈｃが１２００Ｏｅ以上であった。特に、これら試料の面内保磁力Ｈｃを１２００Ｏｅ以上とした場合には、出力半減記録密度が３３ｋＦＣＩ以上となり、またこれらの媒体の出力ノイズ比（Ｓ／Ｎ）はＣｏ−Ｎｉ合金やＣｏ−Ｃｒ合金を用いた従来の媒体のＳ／Ｎに比べ１５％程度高かった。なお、これらの磁性層及び下地層中に含有する酸素量は、いずれも０．２ａｔ％である。また、いずれの試料においても結晶粒界、結晶粒内での偏析が認められた。
　【表５】
（実施例６）
　実施例１〜５の磁気ディスク媒体を１〜９枚組み込み、磁気コアの一部に膜厚２μｍＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ−Ｒｕもしくは膜厚２０μｍのＣＯ−Ｎｂ−Ｚｒを用いたメタルインギャップ型もしくは薄膜型磁気ヘッドを組み合わせて磁気ディスク装置としたところ、コーティング等の従来型塗布媒体やＣｏ−Ｎｉ合金連続媒体等を用いて構成した磁気ディスク装置に比べ１．５倍以上の大容量化ができ従来装置に比べ２倍以上耐摺動性、耐食性等の信頼性に優れた装置を得ることができた。
（実施例７）
　図１０（ａ）および図１０（ｂ）に各々その平面模式図および断面図が示されている、磁気記録媒体２１と、これを回転駆動する駆動部２２と、磁気ヘッド２２及びその駆動手段２４と、磁気ヘッドの記録再生信号処理手段２５とを有して成る周知の磁気記憶装置において、前記磁気記録媒体を上記実施例１〜５の記録媒体で構成すると共に、前記磁気ヘッドの磁極をＮｉ−Ｆｅ，Ｃｏ−Ｔａ−Ｚｒ等で構成した薄膜磁気ヘッドを用いて装置化した。
　【発明の効果】
　本発明によれば、高密度での記録再生が可能で、しかも耐食性、浮上性、耐摺動信頼性に優れた磁気記録媒体および大容量磁気記憶装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本発明の一実施例を示す磁気記録媒体の縦断面図。
　【図２】
　本発明の一実施例を示す磁性層に含有されているＰｔ量と面内保磁力Ｈｃとの関係を示す特性曲線図。
　【図３】
　本発明の一実施例を示す磁性層に含有されているＣｒ量と面内保磁力Ｈｃとの関係を示す物性曲線図。
　【図４】
　図４は本発明の一実施例を示す下地層膜厚と保磁力角形比及び面内保磁力との関係を示す特性曲線図。
　【図５】
　同じくＰｔ量とＳ／Ｎ比との関係を示す図。
　【図６】
　面内保磁力と再生出力の関係を示す特性曲線図。
　【図７】
　面内保磁力角形比Ｓ＊とノイズとの関係を示した特性曲線図。
　【図８】
　本発明の実施例となるＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ系４元磁性合金層の耐食性を特性曲線図。
　【図９】
　（ａ）及び（ｂ）は各々本発明の一実施例の磁気記録媒体のＸ線回析線パターンと結晶配向性を示す図。
　【図１０】
　（ａ）は本発明の一実施例の磁気ディスク装置の平面模式図。（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ′断面図。
　【図１１】
　本発明の一実施例の磁気記録媒体の下地層組成と面内保磁力Ｈｃとの関係を示す図。
　【図１２】
　本発明の一実施例の磁気記録媒体の磁性層に含有されている酸素量と面内保磁力Ｈｃとの関係を示す図である。
　【符号の説明】
　１１…非磁性基板、１２，１２′…非磁性下地層、１３，１３′…磁性層、１４，１４′…保護層、２１…磁気記録媒体、２２…磁気記録媒体駆動部、２３…磁気ヘッド、２４…磁気ヘッド駆動部、２５…記録再生信号処理系。