【事件の表示】
　特許第２７４８８６４号「半導体装置及びその製造方法及び非晶質炭素膜の製造方法及びプラズマＣＶＤ装置」の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第２７４８８６４号の請求項４ないし８、１１ないし１２に係る特許を取り消す。
　同請求項１ないし３、９ないし１０に係る特許を維持する。
【理　由】
（１）本件発明
　本件特許第２７４８８６４号の発明（平成６年９月１２日出願、平成１０年２月２０日設定登録）は、その特許請求の範囲の請求項１〜１２に記載された次のとおりのものである。
「【請求項１】フッ素を含有させた非晶質炭素膜を半導体装置の多層配線用層間絶縁膜に用いた半導体装置であって、非晶質炭素膜中のフッ素含有量に深さ方向の分布が設けてあり、下地と非晶質炭素膜との界面にフッ素が存在しないことを特徴とする半導体装置。（以下、本件第１発明という）
【請求項２】請求項１に記載の半導体装置において、非晶質炭素膜中から下地との界面に向けて徐々にフッ素含有量が低下することを特徴とする半導体装置。（以下、本件第２発明という）
【請求項３】　請求項１に記載の半導体装置において、非晶質炭素膜中でフッ素含有量が急峻に変化することを特徴とする半導体装置。（以下、本件第３発明という）
【請求項４】プラズマＣＶＤ法によるフッ素を含有する非晶質炭素膜の製造方法において、少なくとも炭化水素ガスとフッ素含有ガスのそれぞれ１種類を原料として用い、成膜中に前記炭化水素ガスと前記フッ素含有ガスの流量比を変化させることを特徴とするフッ素を含有する非晶質炭素膜の製造方法。（以下、本件第４発明という）
【請求項５】プラズマＣＶＤ法によるフッ素を含有する非晶質炭素膜の製造方法において、少なくとも炭化水素ガスとフッ素含有ガスのそれぞれ１種類を原料として用い、成膜開始時には前記炭化水素ガスのみを供給し、その後前記炭化水素ガスと前記フッ素含有ガスの両方を供給して成膜を行うことを特徴とするフッ素を含有する非晶質炭素膜の製造方法。（以下、本件第５発明という）
【請求項６】前記プラズマＣＶＤが、平行平板型高周波プラズマ、ヘリコン波プラズマ、マイクロ波プラズマ、または誘導結合型プラズマのいずれかの放電を用いるものであることを特徴とする請求項４または請求項５に記載のフッ素を含有する非晶質炭素膜の製造方法。（以下、本件第６発明という）
【請求項７】前記炭化水素系ガスが、ＣＨ４、Ｃ２Ｈ６、Ｃ２Ｈ２より選ばれた少なくとも一つのガスであることを特徴とする請求項４から請求項６のいずれかに記載のフッ素を含有する非晶質炭素膜の製造方法。（以下、本件第７発明という）【請求項８】前記フッ素含有ガスが、ＣＦ４、Ｃ２Ｆ６、Ｃ２Ｆ２、Ｃ２Ｆ２、ＳＦ６、ＮＦ３より選ばれた少なくとも一つのガスであることを特徴とする請求項４から請求項６のいずれかに記載のフッ素を含有する非晶質炭素膜の製造方法。（以下、本件第８発明という）
【請求項９】多層配線構造を有する半導体装置の製造方法において、層間絶縁膜の製造工程に請求項４から請求項８のいずれかに記載の方法によるフッ素を含有する非晶質炭素膜の成膜工程が含まれることを特徴とする半導体装置の製造方法。（以下、本件第９発明という）
【請求項１０】多層配線構造を有する半導体装置において、層間絶縁膜として請求項４から請求項８のいずれかに記載の方法により製造されたフッ素を含有する非晶質炭素膜を有する半導体装置。以下、本件第１０発明という）
【請求項１１】原料ガスを真空槽内に流入させこれをプラズマ励起手段により励起して前記真空槽内に設置された基板上に膜堆積を行うプラズマＣＶＤ装置において、少なくとも炭化水素ガスとフッ素含有ガスの原料ガス導入機構と、基板温度調節機構とを備え、該原料ガス導入機構はガス流量の調節が可能であることを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。（以下、本件第１１発明という）
【請求項１２】前記プラズマ励起手段が、平行平板型高周波プラズマ、ヘリコン波プラズマ、マイクロ波プラズマ、または誘導結合型プラズマのいずれかの放電を用いるものであることを特徴とする請求項１１に記載のプラズマＣＶＤ装置。（以下、本件第１２発明という）」
（２）申立ての理由の概要
　申立人佐藤正は、甲第１号証（特開平１−２２７１６１号公報、以下引用例１という）、甲第２号証（特開平１−１３０１６５号公報、以下引用例２という）、甲第３号証（特開昭６３−４６４６７号公報、以下引用例３という）及び甲第４号証（特開平６−６９２０１号公報、以下引用例４という）を基に、本件第１乃至第３発明は甲第１、２、４号証（引用例１、２、４）に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであり、本件第４乃至第８発明は甲第１、２又は３号証（引用例１、２、３）に記載された発明と同一であるか甲第１〜４号証（引用例１〜４）に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであり、本件第９乃至第１０発明は甲第１〜４号証（引用例１〜４）に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであり、本件第１１乃至第１２発明は甲第１、２又は３号証（引用例１、２、３）に記載された発明と同一であるか甲第１〜４号証（引用例１〜４）に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件第１乃至第１２発明の特許は、特許法第２９条第１項第３号又は第２９条第２項の規定に違反してなされたものであり特許を取り消すべきものであると主張している。
（３）引用例１〜４記載の発明　
　引用例１には、感光体及びその製造方法に関する発明が第１乃至第４図とともに開示されている。
　また第４頁右下欄第１２行〜第５頁右下欄第７行には「また、本発明においては、グロー放電法により表面保護層のアモルファスカーボン膜を形成するためのガスとして、原料ガスとしては炭化水素ガス及びハロゲン化合物ガスが用いられ、・・・使用可能な炭化水素には種類が多いが、飽和炭化水素としては、例えば、メタン、エタン・・・。不飽和炭化水素としては、例えば、・・・アセチレン・・・。・・・。本発明においては炭化水素ガスの他に、アモルファスカーボン膜中に少なくともハロゲン原子を添加するためにハロゲン化合物ガスが使用される。・・・ハロゲン化合物としては、例えば、弗素、・・・。ハロゲン化アルカンとしては、例えば、四弗化メタン、・・・、六弗化エタン、・・・等が用いられる。」と記載され、第９頁右上欄第１３行〜右下欄第８行には「第4図に示すグロー放電分解装置において、まず反応室(333)の内部を・・・高真空にした後、・・・第一タンク（301)よりパーフルオロプロピレン、・・・、第三タンク（303)よりプロピレンを・・・マスフローコントローラ(313),(314)及び(315)内へ流入させた。そして各マスフロコントローラーの目盛りを調節してパーフルオロプロピレンの流量を60sccm，H2を120sccm，プロピレンをOsccmとなるように設定して反応室内へ流入した。・・・基板を用いて50℃に予め加熱しておき、各ガス流量が安定し、内圧が安定した状態で低周波電源を投入し、・・・プラズマ重合を行ない、この時点でマスフローコントローラ(313)及び(315)を調節して、パーフルオロプロピレンの流量を0sccm、プロピレンを60sccmとなるように設定し、(この流量の変更は、・・・、反応室内では表３のように緩慢な流量変化と成る。)約10秒間のプラズマ重合を行ない・・・。・・・平均フッ素原子濃度が15atm%の厚さ0.34μmの第1の表面保護層領域と、平均フッ素原子濃度が0.01atm%の厚さ0.01μmの第2の表面保護層領域が、この順に積層されるのである。」と記載されている。
　引用例２には、電子写真感光体に関する発明が第１乃至第２図とともに開示されている。
　また第４頁左上欄第１行〜右上欄第２行には、「第1図に示す構造を有する感光体の製造には、例えば第2図に一例を示すようなアモルファス膜の生成装置が用いられ、真空槽11の内部に基体1の保持部12とそれに対向する電極13が配置され、保持部12、電極13にはそれぞれヒータ14、15が備えられている。・・・次に原料ガスの圧力容器21〜2 5の中から成膜に必要なガスの圧力容器、例えば21のバルブ18を開け、流量調節計19を通し、ストップバルブ20を開けて、真空槽11の中にガスを供給する。・・・、高周波(RF)電源31から高周波(13.56MHz)電力を絶縁材32を通して電極13に供給し、基体1との間にグロー放電を発生させて成膜を行う。」と記載され、第５頁左上欄第４行〜第１３行には
「バッファ層4までは実施例1と同一条件で作成し、表面層5を以下の条件にした。
　　　　　　　　バッファ層　　　　自由表面側
   　　　　　　 側の層5a          の層5b
C3H8(100%)流量　　　20cc/分　　　　10cｃ/分
CF4(100%)流量  ─────　　　　10cc/分  
ガス圧　　　　　　　0.05Torr　　　　0.03Torr
RF電力　　　　　　　200W　　　　　　200W
基体温度　　　　　　100℃　　　　　100℃
成膜時間　　　　　　5分　　　　　　50分　　」
と記載されている。
　引用例３には、電子写真用感光体に関する発明が第１乃至第８図とともに開示されている。
　また第４頁右上欄第８行〜左下欄第２行には、「本発明の炭素層は、感光体の表面保護層として使用することも可能である。・・・。また、例えばCH4により炭素層を形成し、その後直ぐに続けてH2とCF4をCH4に混合して、・・・、炭素層の表面にフッ素を含む薄い表面層を形成させてもよい。」と記載され、第４頁左下欄第８行〜第５頁左上欄第７行には、「本発明における炭素層の形成には種々の方法を利用することができる。その中で主な方法は、気体状の炭化水素を用いる方法である。第7図は成膜装置の1例を示したものである。・・・。基板は、加熱用ヒーター14により加熱できる。・・・。ガス導入系17は数種類に分かれており、それらが別々のボンベにつながっている。・・・。次に電源に直流、交流または高周波を印加するか、又は別に用意したマグネトロンによりマイクロ波を放射して、炭化水素の低温プラズマを生成させる。・・・。この際用いる気体状炭化水素としては、CH4、・・・、C2H6、・・・、C2H2などがあげられる。・・・。またCF4、・・・等の気体を使用することにより、ハロゲン元素の添加が可能となる。」と記載されている。
　引用例４の段落０００２における従来技術の（２）及び（３）には、
「（２）特開昭６３−０９２０４２には、配線パターン上に絶縁膜を形成した後、全面にフォトレジスト等の有機膜を塗布して表面を平坦化し、次いで有機膜と絶縁膜とのエッチング速度が同一となる条件で両者をエッチング除去して完全な平坦化面を形成し、次いでこの平坦化面上に絶縁膜を成長する方法が開示されている。
（３）Ｓ．Ｗ．Ｐａｎｇ　ｅｔａｌ，Ｊ．Ｖａｃ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．，Ｂ８（６），１９９０，ｐｐ１９８０−１９８４には、完全な平坦化はフォトレジストでは困難であることゝ、プラズマＣＶＤ法で形成したアモルファスカーボン膜ならばこれが可能であることが記載されている。」と記載されている。
（４）対比・判断
＜本件第１発明について＞
  本件第１発明と引用例１、２及び４記載の発明とを対比すると、引用例１、２及び４には本件第１発明の必須の構成要件である、「フッ素を含有させた非晶質炭素膜を半導体装置の多層配線用層間絶縁膜に用い」る点について記載も示唆もない。（引用例４におけるプラズマＣＶＤ法で形成したアモルファスカーボン膜は、フッ素を含有していないばかりでなく、平坦化のためフォトレジストに代わる材料としての提案が単になされているにすぎず、半導体装置の多層配線用層間絶縁膜への積極的な採用を開示或いは示唆するものではない。）そして本件第１発明は上記の点により「信頼性を損ねることなく半導体装置の高速化を行うことのできる半導体装置を実現させた。」という明細書記載の作用効果を奏するものである。
　よって、本件第１発明は、引用例１、２及び４に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであると認めることはできない。
＜本件第２乃至第３発明について＞
  本件第２乃至第３発明は、本件第１発明をその構成の一部とするものであるから、本件第１発明についてと同様の理由により、引用例１、２及び４に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであると認めることはできない。
＜本件第４乃至第８発明について＞
　本件第４乃至第８発明については、平成１１年５月３１日付けで取消理由を通知し、期間を指定して意見書を提出する機会を与えたが、請求人からは何らの応答もない。
　そして、上記取消理由は妥当なものと認められるので、本件第４乃至第８発明に係る特許は、この取消理由によって取り消すべきものである。
＜本件第９発明について＞
  本件第９発明と引用例１〜４記載の発明とを対比すると、引用例１〜４には本件第９発明の必須の構成要件である、「フッ素を含有させた非晶質炭素膜の成膜工程を多層配線構造を有する半導体装置の層間絶縁膜の製造工程に含む」点について記載も示唆もない。（引用例４におけるプラズマＣＶＤ法で形成したアモルファスカーボン膜は、フッ素を含有していないばかりでなく、平坦化のためフォトレジストに代わる材料としての提案が単になされているにすぎず、半導体装置の多層配線用層間絶縁膜への積極的な採用を開示或いは示唆するものではない。）そして本件第９発明は上記の点により、「信頼性を損ねることなく半導体装置の高速化を行うことのできる半導体装置を実現させた。」という明細書記載の作用効果を奏するものである。
　よって、本件第９発明は、引用例１〜４に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであると認めることはできない。
＜本件第１０発明について＞
  本件第１０発明と引用例１〜４記載の発明とを対比すると、引用例１〜４には本件第１０発明の必須の構成要件である、「多層配線構造を有する半導体装置において、層間絶縁膜としてフッ素を含有する非晶質炭素膜を有する」点について記載も示唆もない。（引用例４におけるプラズマＣＶＤ法で形成したアモルファスカーボン膜は、フッ素を含有していないばかりでなく、平坦化のためフォトレジストに代わる材料としての提案が単になされているにすぎず、半導体装置の多層配線用層間絶縁膜への積極的な採用を開示或いは示唆するものではない。）そして本件第１０発明は上記の点により、「信頼性を損ねることなく半導体装置の高速化を行うことのできる半導体装置を実現させた。」という明細書記載の作用効果を奏するものである。
　よって、本件第１０発明は、引用例１〜４に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであると認めることはできない。
＜本件第１１乃至第１２発明について＞
　本件第１１乃至第１２発明については、平成１１年５月３１日付けで取消理由を通知し、期間を指定して意見書を提出する機会を与えたが、請求人からは何らの応答もない。
　そして、上記取消理由は妥当なものと認められるので、本件第１１乃至第１２発明に係る特許は、この取消理由によって取り消すべきものである。
（５）むすび
  以上のとおりであるから、本件第４乃至第８及び第１１乃至第１２発明は、上記引用例１、２又は３に記載の発明と同一であるから特許法第２９条第１項第３号の規定に該当し、同法第１１３条第２号に該当するから、本件第４乃至第８及び第１１乃至第１２発明の特許は、取り消されるべきものである。
　また本件第１乃至第３及び第９乃至第１０発明の特許については、取消理由を発見しない。
  よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年３月１４日（２０００．３．１４）