【事件の表示】
　特許第２８６９９６９号「フレキシブル回路基板の製造方法」の請求項１ないし３に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結論】
　特許第２８６９９６９号の請求項１ないし３に係る特許を維持する。
【理由】
１．手続の経緯
　特許第２８６９９６９号に係る発明についての出願は、平成７年９月１４日の出願であって、平成１１年１月８日にその発明について特許の設定登録がなされた後、その特許について、特許異議の申立てがなされたものである。
２．特許異議の申立てについて
ア．本件発明
　本件特許第２８５９９９３号の特許請求の範囲の請求項１乃至３に係る発明は、特許明細書の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１乃至３に記載された事項によって特定されるとおりのものである。
イ．申立ての理由の概要
（１）申立人高野登志雄は、「本件請求項１に係る発明は甲第１号証に記載されている発明と同一であって、特許法第２９条第１項の規定により特許を受けることができないものである。また、本件請求項１乃至請求項３に係る各発明は、甲第１号証乃至甲第３号証に記載され発明に基づいて当業者の容易に推考し得たものであって、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。」旨主張する。
（２）証拠方法
　申立人高野登志雄は、以下の証拠を提出している。
（ａ）甲第１号証：特開平４−１６２６９５号公報（以下、「引用例１」という。）
　引用例１には、「第１図（ａ）は金属箔２上にシート状感光ポリイミド前駆体１をホットロールラミネーターを用いて熱圧着する工程を示す。・・・第１図（ｂ）はシート状感光ポリイミド前駆体１にフォトリソグラフィーによって多数のスルーホール孔３を形成する工程を示す。・・・第１図（ｄ）は金属箔２にフォトレジストを塗布した後、フォトリソグラフィーによって所望の配線パターン５を形成する工程を示す。金属箔５をエッチングして配線パターンを形成する・・・。第１図（ｅ）は配線パターン５の形成されたシート状感光性ポリイミド前駆体１を複数枚積層して圧着固定する工程を示す。シート状感光性ポリイミド前駆体１を圧着固定する場合、セラミック若しくはガラス等のリジッド基盤上に固定してもよい。第１図（ｆ）は積層したシート状感光性ポリイミド前駆体を加熱してイミド化処理を行う工程を示す。イミド化処理を行うことによって、シート状感光性ポリイミド前駆体は、・・・ポリイミド樹脂となり、配線パターン５を電気的に絶縁する絶縁層８となるため多層配線基板が作成できる。」（３頁左上欄３行乃至右上欄１９行）との記載がある。
（ｂ）甲第２号証：「第９回回路実装学学術講演大会講演論文集」６１〜６２頁１５Ａー１３（以下、「引用例２の１」という。）
　引用例２の１には、概略プロセスに関し、「プロセス初期材料として、図２に示すように、ステンレス箔・・・に、ポリアミック酸樹脂・・・とフォトレジスト・・・を塗布乾燥の後、保護フイルム・・・をラミネートしたものを準備した。・・・基板形成プロセスは、ベース絶縁層の形状加工より開始する。まず表面フォトレジストに露光処理・・・を施し・・・樹脂エッチングマスクとして形成する。次に、・・・ポリアミック酸樹脂をエッチング処理し・・・表面フォトレジストを剥離する。更に、段階的キュア処理を実施しステンレス箔上にベース絶縁層形状を得る。この構造物の表面全体に銅シード層を・・・スパッタリングする。・・・シード層表面にレジスト・・・をスピンコーティングし、・・・露光・現像処理条件を適用して、最上部に、必要な信号配線パターンの反転パターンを・・・形成する。」との記載がある。
（ｃ）甲第２号証：「第９回回路実装学学術講演大会講演論文集」１４１〜１４２頁１６Ｂー０１（以下、「引用例２の２」という。）
　引用例２の２には、ポリイミド系フォトカバーレイフイルム「エスパネックスＳＦＰ」に関し、「エスパネックスＳＦＰの層構成を図．１に示す。酸現像型の感光性樹脂とポリイミド前駆体であるポリアミック酸フイルムが離型フイルムと保護フイルムに挟まれたサンドイッチ構造を有している。」との記載、及び加工条件に関し、「ＳＦＰを用いた加工工程・・・を図．２に示す。プライマー液を用いてラミネーターの加熱厚着ロールで、基板表面に熱厚着させる。次に・・・（フォトツール）を通して紫外線露光させ画像を焼き付ける。そして感光性樹脂層を・・・現像し、次いで露出したポリアッミク酸フイルムを・・・エッチングする。その後感光性樹脂層を酸により剥離し、・・・熱処理によりイミド化反応を完結させる。」との記載がある。
（ｄ）甲第３号証：特開平５−２５４０６４号公報（以下、「引用例３」という。）
　引用例３には、「離型ポリエステルフイルム／感光性樹脂層／ポリイミド前駆体樹脂層の３層構造の積層体を得た。この積層体をあらかじめ回路加工しておいた無接着剤銅張積層板・・・とラミネートした。」【００３３】との記載がある。
（３）申立人三簾　寛は、「本件特許の請求項１〜３に係る発明は、いずれも甲第１号証及び甲第２〜５号証に記載され発明、に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。したがって、本件特許の請求項１〜３係る発明は、特許法第１１３条第２号の規定により取消されるべきものである。」旨主張する。
（４）証拠方法
申立人三簾　寛は、以下の証拠を提出している。
（ａ）甲第１号証：「第９回回路実装学学術講演大会講演論文集」１４１〜１４２頁（引用例２の２）
（ｂ）甲第２号証：特開平５−２５４０６４号公報（引用例３）
（ｃ）甲第３号証：特開昭６２−２４２３８４号公報（以下、「引用例４」という。）
　引用例４には、「（１）金属箔３１の片面のうち、端子部などを除いた所定部分に、ポリイミド系樹脂をパターンコーティングして絶縁層３２を形成する（・・・第８図（ａ））。（２）その金属箔露出表面上にレジストパターン３３、レジスト層３３’、およびレジストパターン３３”を形成する。・・・（・・・第８図（ｂ）））。」との記載がある。
（ｄ）甲第４号証：特開平４−１６２６９５号公報（引用例１）
（ｅ）甲第５号証：「第９回回路実装学学術講演大会講演論文集」６１〜６２頁（引用例２の１）
３．対比・判断
ア．本件請求項１に係る発明について
　請求項１に係る発明と引用例１乃至４のものとを対比すると、該引用例のいずれにも、（１）金属箔の一方の面上にポリイミド前駆体層及びフォトレジスト層を積層する工程、（２）フォトレジスト層を、フォトマスクを介して露光し、現像することによりパターニングする工程、（３）パターニングしたフォトレジスト層をマスクとしてポリイミド前駆体層をエッチングする工程、（４）フォトレジストを剥離し、ポリイミド前駆体層を熱硬化させてポリイミド層を形成する工程、（５）金属箔をエッチングによりパターニングする工程、及び（６）パターニングした金属箔上に絶縁被覆層を形成する工程を有することについて記載されていない。
　すわわち、引用例１の記載について検討すると、引用例１の記載のものは、配線パターン５が形成されたシート状感光性ポリイミド前駆体１をセラミック、ガラス等リジット基盤に積層することよりなる多層配線基盤の製造方法であって、フレキシブル回路基板の製造法ではなく、上記引用例１には、金属箔の一方の面上にポリイミド前駆体層及びフォトレジスト層を積層する工程についても記載されていない。
　引用例２の１及び引用例２の２について検討すると、引用例２の１には、ベース絶縁層の形状加工について記載されているが、本件請求項１に係る発明における（５）金属箔をエッチングによりパターニングする工程及び（６）パターニングした金属箔上に絶縁被覆層を形成する工程について記載されていない。引用例２の２には、「酸現像型の感光性樹脂とポリイミド前駆体であるポリアミック酸フイルムが離型フイルムと保護フイルムに挟まれたサンドイッチ構造を有している。」との記載、及び「基板表面に熱厚着させる。次に（フォトツール）を通して紫外線露光させ画像を焼き付ける。そして感光性樹脂層を現像し、次いで露出したポリアッミク酸フイルムをエッチングする。その後感光性樹脂層を酸により剥離し、熱処理によりイミド化反応を完結させる。」との記載があるが、上記基板は、あらかじめパターニングされたものであって金属箔そのものではなく、（１）金属箔の一方の面上にポリイミド前駆体層及びフォトレジスト層を積層する工程、（２）フォトレジスト層を、フォトマスクを介して露光し、現像することによりパターニングする工程、（３）パターニングしたフォトレジスト層をマスクとしてポリイミド前駆体層をエッチングする工程の後、（４）フォトレジストを剥離し、ポリイミド前駆体層を熱硬化させてポリイミド層を形成する工程、（５）金属箔をエッチングによりパターニングする工程、及び（６）パターニングした金属箔上に絶縁被覆層を形成する工程を有することについて記載されていない。
　引用例３について検討すると、引用例３には、「この積層体（すなわち離型ポリエステルフイルム／感光性樹脂層／ポリイミド前駆体樹脂層の３層構造の積層体）をあらかじめ回路加工しておいた無接着剤銅張積層板・・・とラミネートした。」との記載があるように、感光性樹脂層／ポリイミド前駆体樹脂層よりなる層構造の積層体について開示しているにすぎず、上記銅張積層板の銅箔は、あらかじめ回路加工されたものであって銅箔そのものではなく、上記引用例３には、（１）金属箔の一方の面上にポリイミド前駆体層及びフォトレジスト層を積層する工程、（２）フォトレジスト層を、フォトマスクを介して露光し、現像することによりパターニングする工程、（３）パターニングしたフォトレジスト層をマスクとしてポリイミド前駆体層をエッチングする工程、（４）フォトレジストを剥離し、ポリイミド前駆体層を熱硬化させてポリイミド層を形成する工程、（５）金属箔をエッチングによりパターニングする工程、及び（６）パターニングした金属箔上に絶縁被覆層を形成する工程を有することについて記載されていない。
　さらに、引用例４について検討すると、引用例４には、「（１）金属箔３１の片面のうち、端子部などを除いた所定部分に、ポリイミド系樹脂をパターンコーティングして絶縁層３２を形成する（・・・第８図（ａ））。（２）その金属箔露出表面上にレジストパターン３３、レジスト層３３’、およびレジストパターン３３”を形成する。・・・（・・・第８図（ｂ）））。」との記載があるように、上記ポリイミド系樹脂をパターンコーティングして形成された絶縁層３２は、ポリイミド前駆体ではなく、またパターンコーティングして形成されたものであって、本件請求項１に係る発明における工程（１）における積層されるポリイミド前駆体層及びフォトレジスト層と異なっており、上記引用例４には、（１）金属箔の一方の面上にポリイミド前駆体層及びフォトレジスト層を積層する工程、（２）フォトレジスト層を、フォトマスクを介して露光し、現像することによりパターニングする工程、（３）パターニングしたフォトレジスト層をマスクとしてポリイミド前駆体層をエッチングする工程、及び（４）フォトレジストを剥離し、ポリイミド前駆体層を熱硬化させてポリイミド層を形成する工程について記載されていない。
　したがって、本件請求項１に係る発明は引用例１に記載されている発明と同一ではない。また、請求項１に係る発明は、引用例１乃至引用例４に記載のものに基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
イ．本件請求項２に係る発明について
　請求項２に係る発明は、上記請求項１に係る発明をさらに限定したものであって、上記請求項１に係る発明についての判断と同様の理由により、上記引用例１乃至引用例４に記載に発明に基づいていて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
ウ．本件請求項３に係る発明について
　請求項３に係る発明は、上記請求項１又は２に係る発明をさらに限定したものであって、上記請求項１又は２に係る発明についての判断と同様の理由により、上記引用例１乃至引用例４に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
４．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては本件請求項１乃至３に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件請求項１乃至３に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１１年１２月２０日（１９９９・１２・２０）