(57)【要約】  基板上にアモルファスカーボン層を形成するための方法及び装置が提供される。高い希釈比を有し、応力を高める窒素を加えるためにオプションのアミン前駆体が含まれる、炭化水素前駆体から、高い応力レベルを有するアモルファスカーボン層の第１の部分が形成される。炭化水素前駆体の希釈比を下げ、アミンガスを少なくするか、又は除去することによって、第１の部分上に、低い応力レベルを有するアモルファスカーボン層の第２の部分が形成される。前駆体流量の代わりに、又はそれに加えて、圧力、温度及びＲＦ電力入力を調整することができ、異なる応力レベルを得るために異なる前駆体を用いることもできる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にハードマスク層を形成する方法であって、
前記基板上に、本質的に炭素及び水素からなり、第１の応力レベルを有する第１の層を形成することと、
前記第１の層上に、前記第１の応力レベルよりも低い第２の応力レベルを有する、本質的に炭素及び水素からなる第２の層を形成することとを含む方法。
【請求項２】
前記第１の層及び前記第２の層はアモルファスカーボン層である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第１の層は第１の炭化水素を含む第１のガス混合物から形成され、前記第２の層は、前記第１の炭化水素とは異なる第２の炭化水素を含む第２のガス混合物から形成される、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記第２の層は前記第１の層よりも高いチャンバ圧において形成される、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記第１の層は、不活性ガスの炭化水素ガスに対する第１の体積測定比において炭化水素ガス及び不活性ガスを含む第１のガス混合物から形成され、第２の層は不活性ガスの炭化水素ガスに対する第２の体積測定比において炭化水素ガス及び不活性ガスを含む第２のガス混合物から形成され、前記第１の体積測定比は前記第２の体積測定比の少なくとも約３倍である、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
プロセスチャンバ内に基板を配置することと、
本質的に炭化水素ガス、アミンガス及び不活性ガスからなる前駆体ガス混合物を前記プロセスチャンバに流入させることと、
前記前駆体ガス混合物から高応力材料を堆積するために、チャンバ圧、温度及びＲＦ電力入力を設定することと、
前記不活性ガスの流量を減少させることと、
前記高応力材料上に、前記前駆体ガス混合物から低応力材料を堆積するために、チャンバ圧、温度及びＲＦ電力入力を設定することとを含む、基板処理方法。
【請求項７】
前記高応力材料は約６００ＭＰａより大きな第１の大きさの応力レベルを有し、前記低応力材料は約６００ＭＰａ以下の第２の大きさの応力レベルを有する、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記第１の大きさの前記第２の大きさに対する比は少なくとも約２．０である、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記アミンガス体積流量の前記炭化水素ガス体積流量に対する比は約０．５：１〜約２：１である、請求項６に記載の方法。
【請求項１０】
前記炭化水素ガス及び前記アミンガスは合わせて堆積前駆体を構成し、前記不活性ガスの体積流量の前記堆積前駆体の体積流量に対する比は、前記高応力材料を堆積しているときに約１０：１〜約１００：１であり、前記低応力材料を堆積しているときに約１：１〜約１０：１である、請求項６に記載の方法。
【請求項１１】
前記アミンガスの体積流量の前記炭化水素ガスの体積流量に対する比は約０．５：１〜約２：１である、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
基板上にパターニング層を形成する方法であって、
前記基板上に、本質的に炭素、水素及び窒素からなるハードマスク層を形成することと、
前記ハードマスク層上に、本質的に炭素及び水素からなるパターン平滑化層を形成することと、
前記パターン平滑化層上に、パターニングされたレジスト層を形成することと、
前記パターニングされたレジスト層をマスクとして用いて、前記パターン平滑化層及び前記ハードマスク層をエッチングすることとを含む方法。
【請求項１３】
前記ハードマスク層は高い内部応力を有し、前記パターン平滑化層は前記ハードマスク層よりも低い内部応力を有する、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記ハードマスク層は少なくとも約６００ＭＰａの圧縮応力を有し、前記パターン平滑化層は約６００ＭＰａ以下の圧縮応力を有する、請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
前記ハードマスク層は約１原子パーセント〜約１０原子パーセントの窒素濃度を有する、請求項１２に記載の方法。
【請求項１６】
基板上にアモルファスカーボン層を形成する方法であって、
処理チャンバ内に前記基板を配置することと、
炭化水素ガス、アミンガス及び不活性ガスを含む前駆体ガス混合物を前記処理チャンバに供給することと、
前記前駆体ガス混合物からプラズマを形成するために、前記前駆体ガス混合物にＲＦ電力を印加し、前記基板上に高い圧縮応力を有するアモルファスカーボン層を堆積することと、
前記アモルファスカーボン層の前記圧縮応力を低減するために、前記アミンガスの流量及び前記不活性ガスの流量を減少させながら前記プラズマを継続することとを含む方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本明細書に記載の実施形態は包括的には半導体デバイスを形成する方法に関する。より具体的には、本明細書に記載の実施形態は、半導体デバイス製造プロセスにおいてエッチングマスク層を形成する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体チップ上のデバイスのサイズは、５０年以上にわたって、ムーアの法則に従って縮小してきた。フィーチャが更に小さくなり、アスペクト比が大きくなり、デバイス設計が更に複雑になるにつれて、そのようなデバイスを製造する際に新たな課題が生じる。
【０００３】
近年、半導体基板のパターニング及びエッチングのために、レジスト膜下に除去可能ハードマスク層を使用することに移行している。除去可能ハードマスクは、スタック高を低くすること、及び最終的なデバイスの電気的特性を改善するうえで利点をもたらすが、デバイスが縮小し続けるにつれて、エッチング選択性を改善するためにハードマスク層内に組み込まれる残留応力が、パターンラインの曲がり及び蛇行、ライン粗さ、スペース幅粗さ、エッチング後のパターンの全体的な歪みを引き起こす。フィーチャが小さくなると、そのような歪みはますますデバイス故障を引き起こす。更に、場合によっては、ハードマスク層内の残留応力は、処理中に層間剥離を伴う問題を引き起こす。
【０００４】
したがって、半導体産業における種々の応用形態のために、基板内の歪みを最小限に抑えながら微細なパターンをエッチングする方法が引き続き必要とされている。
【発明の概要】
【０００５】
内部応力によって生成されるパターン歪みを低減する低応力部分を有するハードマスク層を形成することによって、エッチング後の除去可能ハードマスク層内のパターンライン幅粗さ、又はスペース幅粗さを低減することができる。
【０００６】
基板上にハードマスク層を形成する方法を用いることができ、その方法は、本質的に炭素及び水素からなり、第１の応力レベルを有する第１の層を基板上に形成することと、本質的に炭素及び水素からなる第２の層を第１の層上に形成することとを含み、第２の層は第１の応力レベルよりも低い第２の応力レベルを有する。
【０００７】
他の方法が、プロセスチャンバ内に基板を配置することと、基板上に高応力材料を堆積することとを含む。本質的に炭化水素ガス、アミンガス及び不活性ガスからなる前駆体ガス混合物がプロセスチャンバに流入し、チャンバ圧力、温度及びＲＦ電力入力を設定して、高応力材料を堆積する。高応力材料上に低応力材料が堆積される。不活性ガスの流量を少なくし、チャンバ圧力、温度及びＲＦ電力入力を設定して、低応力材料を堆積する。
【０００８】
他の方法が、基板上にハードマスク層及びパターン平滑化層を形成する。本質的に炭素、水素及び窒素からなるハードマスク層が基板上に形成される。本質的に炭素及び水素からなるパターン平滑化層がハードマスク層上に形成される。その後、パターニングされたレジスト層をパターン平滑化層上に形成することができ、パターニングされたレジスト層をマスクとして用いて、パターン平滑化層及びハードマスク層をエッチングすることができる。
【０００９】
他の方法が、基板上に高い圧縮応力を有するアモルファスカーボン層を形成し、その後、圧縮応力を低減する。基板が処理チャンバ内に配置され、炭化水素ガス、アミンガス及び不活性ガスを含む前駆体ガス混合物が処理チャンバに与えられる。ＲＦ電力が前駆体ガス混合物からプラズマを形成し、高い圧縮応力を有するアモルファスカーボン層を堆積する。アミンガスの流量及び不活性ガスの流量を一定の割合で減少させながらプラズマを継続し、アモルファスカーボン層の圧縮応力を低減する。
【００１０】
本発明の先に記載された特徴を細部にわたって理解することができるように、複数の実施形態を参照することによって、先に簡単に要約された本発明の更に詳細な説明を行うことができ、それらの実施形態のうちの幾つかが添付の図面に示される。しかしながら、添付の図面は本発明の典型的な実施形態のみを示しており、本発明は同等に実効的な他の実施形態も受け入れることができるので、それらの図面は本発明の範囲を制限すると見なされるべきでないことに留意されたい。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】一実施形態による方法を要約する流れ図である。
【図２Ａ】別の実施形態による、図１の方法を実施しているデバイスの概略的な断面図である。
【図２Ｂ】別の実施形態による、図１の方法を実施している別のデバイスの概略的な断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
本明細書に記載の実施形態は、良好なエッチング選択性を有し、スペース幅粗さに起因するパターニング歪みが小さいパターニング層を形成する方法を提供する。一般的に、本明細書に記載のパターニング層は、エッチングマスク層としての役割を果たす、良好なエッチング選択性を得るための高応力、高密度部分と、エッチングマスク層の高い内部応力から生じるパターン歪みを安定化させる、異なる応力レベルを有する部分とを有する。本明細書に記載の幾つかのパターニング層は、高応力部分と、低応力部分とを有し、低応力部分が高応力部分内に形成されるパターンを安定化させることになる。２０ｎｍノードにおいて、好ましい実施形態におけるスペース幅粗さは、エッチング選択性を維持し、かつ有用なマスク厚を与えながら、平均で４ｎｍ未満である。パターニング層はハードマスク層とすることができるか、ハードマスク又はエッチングマスク層と、パターン平滑化又は安定化層とを含むことができるか、又は漸変応力レベルを有することができる。
【００１３】
図１は、一実施形態による方法１００を要約する流れ図である、１０２において、エッチングされる基板上にハードマスク層が形成され、ハードマスク層は高応力層及び低応力層を含む。その場合に、ハードマスク層は第１の応力レベルを有する第１の層と、第１の応力レベルよりも低い第２の応力レベルを有する第２の層とを備える。１０４において、ハードマスク層上にパターン転写層が形成される。１０６において、パターン転写層がパターニングされ、パターン転写層をマスクとして用いて、パターンがハードマスク層を通して基板に転写される。
【００１４】
１０２のハードマスク層は除去可能ハードマスク層であり、一般的には、炭化水素前駆体からＣＶＤプロセスにおいてアモルファスカーボン層として形成される。それらの前駆体は、１つ又は複数のキャリアガスと混合される場合があり、１つ又は複数の基板を含む処理チャンバ内に流入する。熱的手段、又はＲＦなど電磁的手段によってガス混合物全体にエネルギーを加え、前駆体の反応速度を速め、アモルファスカーボン層を堆積する。層、又は層の一部の応力レベルを調整するために、層の一部又は全部に、アミンなど窒素含有前駆体が含まれる場合もある。アモルファスカーボンに窒素を加えることによって、特定の方向において内部圧縮応力が高められる。
【００１５】
堆積された層の応力レベルを調整するために、異なる前駆体及び／又は反応条件を用いて、異なる条件においてハードマスク層を堆積することもできる。チャンバ圧、温度、前駆体流量及びＲＦ電力入力レベルを調整することによって、実質的に異なる応力レベルを有する２つの層を堆積することができる。理論に縛られはしないが、高応力層上に低応力層が形成されるとき、低応力層は、ハードマスク層内の応力がパターニング後に層を歪ませる傾向を低減すると考えられる。低応力層内の炭素原子は高応力層内の炭素原子に結合し、高応力炭素マトリックスが変形する傾向を抑制する。低応力材料は、高応力材料からの原子を変形した構成に押し込む傾向がある圧縮力を相殺する抑制力によって、高応力材料をその元の構成に引き戻し、圧縮応力から生じるパターン歪みを低減する。パターニングのために高応力層上に堆積される場合があるフォトレジスト層は、高応力材料に結合された低応力材料と同じ抑制機能を実行するとは限らないので、低応力層上に高応力層がある代替の構成は、同じ利点を与えないことに留意されたい。更に、高応力層は、低応力層のための下地層である。エッチング後に、高応力層は低応力層を支持するのに十分な強度を保持する。低応力層上に高応力層が形成される場合には、低応力層は、下地層と同じ利点を与えない。
【００１６】
ハードマスク層の応力レベルは、前駆体、温度、圧力、イオン化プロセスのための電力入力、及び前駆体とキャリアガスとの比を変更することによって調整することができる。幾つかの実施形態では、低応力層は、小さな大きさの引張応力を有し、高応力層内の圧縮応力の効果を相殺することができる。
【００１７】
高応力部分及び低応力部分を有するハードマスク層は、プロセスチャンバ内に基板を配置し、炭化水素ガス及び不活性ガスを含むガス混合物をチャンバに供給することによって、ＰＥＣＶＤプロセスにおいて形成することができる。適切な炭化水素は、一般化学式ＣｘＨｙを有する。ただし、ｘは２〜４であり、ｙは２〜１０である。例示的な炭化水素は、プロピレン（Ｃ３Ｈ６）、プロピン（Ｃ３Ｈ４）、プロパン（Ｃ３Ｈ８）、ブタン（Ｃ４Ｈ１０）、ブチレン（Ｃ４Ｈ８）、ブタジエン（Ｃ４Ｈ６）及びアセチレン（Ｃ２Ｈ２）を含み、それらの混合物も用いることができる。適切な不活性ガスはアルゴン及びヘリウムを含み、それらのガスは組み合わせることもできる。低応力アモルファスカーボン層及び高応力アモルファスカーボン層は、堆積条件を変更して、層形成中のイオン衝撃の過酷度を調整することによって、炭素及び水素のみを含む前駆体を用いて形成することができる。代わりに、窒素含有前駆体を加えて、アモルファスカーボン層内に窒素を堆積することができる。窒素を加えることによって、堆積された層の内部応力を高めることができる。
【００１８】
一例では、プロセスチャンバ内に基板を配置し、アセチレン（Ｃ２Ｈ２）、トリメチルアミン（Ｎ（ＣＨ３）３）、アルゴン及びヘリウムの混合物をチャンバに供給することによって、高応力アモルファスカーボン層、すなわち、アモルファスカーボン層の一部を基板上に形成することができる。３００ｍｍ基板の場合、アセチレンの流量は、約５００ｓｃｃｍ〜約７００ｓｃｃｍ、例えば、約６００ｓｃｃｍなど、約４００ｓｃｃｍ〜約８００ｓｃｃｍである。トリメチルアミンの流量は、約３００ｓｃｃｍ〜約７００ｓｃｃｍ、例えば、約５００ｓｃｃｍなど、約２００ｓｃｃｍ〜約１０００ｓｃｃｍである。アルゴンの流量は、約１２，０００ｓｃｃｍ〜約１６，０００ｓｃｃｍ、例えば、約１４，０００ｓｃｃｍなど、約１０，０００ｓｃｃｍ〜約２０，０００ｓｃｃｍである。ヘリウムの流量は、約３００ｓｃｃｍ〜約５００ｓｃｃｍ、例えば、約４００ｓｃｃｍなど、約２００ｓｃｃｍ〜約６００ｓｃｃｍである。約１３．５６ＭＨｚの周波数を有する高周波ＲＦ電力が、約１，０００Ｗ〜約２，０００Ｗ、例えば、約１，４００Ｗなど、約１００Ｗ〜約３，０００Ｗの電力レベルにおいてチャンバに結合される。これらの条件下で、約１０秒〜約５分、例えば、約３０秒など、所望の厚みの膜を堆積するのに要する時間にわたって、堆積が継続される。チャンバ圧は約１ｍＴｏｒｒ〜約２Ｔｏｒｒ、例えば、約１Ｔｏｒｒなど約２Ｔｏｒｒ未満であり、温度は約３００℃〜約６５０℃、例えば、約４８０℃である。
【００１９】
プロセスチャンバ内に基板を配置し、炭化水素ガス及び不活性ガスの混合物をチャンバに供給することによって、パターン平滑化層又は安定化層とすることができる低応力アモルファスカーボン層、すなわち、アモルファスカーボン層の一部を基板上に形成することができる。先に列挙された炭化水素のいずかを用いて、低応力アモルファスカーボン層を堆積することができる。３００ｍｍウエハの場合、低応力層に関して先に記述された流量に類似の流量において炭化水素ガスを与えることができ、アルゴン及びヘリウムなど不活性ガスの流量は通常、約５００ｓｃｃｍ〜約５，０００ｓｃｃｍ、例えば、約１，０００ｓｃｃｍなど、約４００ｓｃｃｍ〜約８，０００ｓｃｃｍである。チャンバ圧は、約２Ｔｏｒｒ〜約１０Ｔｏｒｒ、例えば、約７Ｔｏｒｒなど、約２Ｔｏｒｒよりも高い圧力に保持される。温度は低応力層の場合の温度に類似である。
【００２０】
低応力層は、所望により、より低い希釈度及びより高い圧力を用いて形成することもできる。低応力層を形成する際に、前駆体ガス混合物は通常、約１：１〜約５：１、例えば、約２：１など、約０．１：１〜約１０：１の不活性ガスと炭化水素ガスとの体積流量比を有する。その範囲の上限近くの希釈比では、約５０ｍＴｏｒｒなど、約１Ｔｏｒｒ未満に堆積圧を下げることにより、結果として低応力アモルファスカーボン層が生成される。高応力層を形成する際に、前駆体ガス混合物は通常、より高い希釈比を有する。高応力層を堆積する場合、不活性ガスと堆積ガス、例えば、炭化水素及びアミンガスとの体積流量比は通常、約１２：１〜約２０：１、例えば、約１４：１など、約１０：１〜約１００：１である。アミンガスと炭化水素ガスとの体積流量比は通常、約０．５：１〜約２：１、例えば、１：１である。アミンガスは窒素を導入し、窒素は堆積された層の内部応力を特定の方向において高める。
【００２１】
上記の条件下で堆積された高応力アモルファスカーボン層は通常、約８００ＭＰａより大きいか、又は約８００ＭＰａ〜約２，０００ＭＰａ、例えば、約１，２００ＭＰａなど、６００ＭＰａよりも大きな圧縮応力を有する。上記の実施形態による低応力層は通常、約４００ＭＰａ未満など、約６００ＭＰａ未満の圧縮応力を有し、実施形態によっては、約２００ＭＰａまでの引張応力を示す場合もある。ハードマスク層内で高応力及び低応力を組み合わせることによって、ポリシリコン及び窒化ケイ素に対する良好なエッチング選択性、パターンの低いスペース幅粗さ、並びに基板のエッチングを容易にするだけの十分なマスク厚が提供される。
【００２２】
図２Ａは、一実施形態による、図１の方法を実施しているデバイス２００の概略的な断面図である。半導体層２０２、例えば、シリコンには、酸化物層２０４が形成されている。パターニング層２０６が酸化物層２０４上に形成される。パターニング層２０６は、図１に関連して説明されたように、高応力部分２０６Ａ及び低応力部分２０６Ｂを有する。部分２０６Ａ／Ｂはそれぞれアモルファスカーボン層であり、高応力部分２０６Ａは、窒素など応力増加元素を含むことができる。方法１００において記述されるアミン前駆体を用いる結果として、約１原子パーセント〜約１０原子パーセントの窒素濃度を生成することができる。シリコンなど、他の応力増加元素を用いることもできる。
【００２３】
部分２０６Ａ／Ｂは、図２Ａにおいて概ね等しい厚みを有するように示される。低応力部分２０６Ｂの厚みは高応力部分の厚みの約１０％〜１５０％、例えば、約２５％〜約７５％とすることができる。
【００２４】
パターニング層２０６上に形成された、パターニングされたレジスト層２０８が示される。レジスト層２０８をマスクとして用いて、パターニング層２０６及びその下層の酸化物層２０４をエッチングすることができる。
【００２５】
図２Ｂは、別の実施形態による、図１の方法を実施している別のデバイス２５０の概略的な断面図である。図２Ｂのデバイス２５０は、パターニング層２５２が異なる応力レベルを有する３つの部分２５２Ａ／Ｂ／Ｃを有する点で、図２Ａのデバイス２００とは異なる。図１の方法１００に関連して説明されたように、パターニング層の異なる部分の応力レベルは、堆積条件、及び同時に堆積される応力増加元素のレベルを変更することによって調整することができる。例えば、部分２５２Ａは高濃度の窒素を有することができ、一方、部分２５２Ｂは低濃度の窒素を有し、部分２５２Ｃは窒素を有しない。代わりに、３つの部分２５２Ａ／Ｂ／Ｃは本質的に炭素及び水素からなることができるが、異なる応力レベルを誘発するために、異なるチャンバ条件において堆積される。
【００２６】
異なる炭化水素前駆体を用いて堆積することによって、堆積されたアモルファスカーボン層内に異なる応力レベルを誘発することもできることに留意されたい。例えば、同じ堆積条件下で、直鎖炭化水素は、環式又は芳香族炭化水素よりも特定の方向において高い応力を生成する。
【００２７】
別の実施形態では、層が成長するにつれて内部応力のレベルが減少する漸変層を形成することができる。一般的に、層の厚みに沿って変化する応力勾配を有するアモルファスカーボン層を形成することが好ましい。応力が層の底部付近の高応力構成から層の上部付近の低応力構成まで滑らかに変化するように、応力は層の底部から上部まで減少することができる。
【００２８】
堆積された層の種々の部分の応力レベルの滑らかな変化は、前駆体流及び／又は堆積条件を一定の割合で変更する、すなわち、滑らかに変更することによって達成することができる。チャンバ温度及び圧力、プラズマ電力入力を第１の条件から第２の条件まで線形に、又は非線形に、例えば、Ｓ字曲線に従って、並行して、同時に又は別々に一定の割合で変更することができる。
【００２９】
一実施形態では、反応混合物の希釈比を滑らかに増加させることによって、層の成長方向において応力の大きさが減少する漸変応力層を形成することができる。希釈比は、希釈剤の流れを増加させることと、炭素原料の流れを減少させることとを任意に組み合わせることによって調整することができる。上記の希釈ガス及び炭素原料の流量が、予定された変化量を得るための高応力終点及び低応力終点としての役割を果たすことができる。
【００３０】
一例では、３００ｍｍ基板を処理チャンバ内に配置し、チャンバに前駆体ガス混合物を供給することができる。前駆体ガス混合物は、高応力アモルファスカーボン層を堆積する場合に先に説明されたような、約６００ｓｃｃｍアセチレン、約５００ｓｃｃｍトリメチルアミン、約１４，０００ｓｃｃｍアルゴン及び約４００ｓｃｃｍヘリウムを含むことができる。チャンバ圧は約５．７Ｔｏｒｒに、温度は約４８０℃に設定することができる。高周波ＲＦ電力を約１，４００Ｗの電力レベルにおいてガス混合物に結合し、高応力開始層を堆積することができる。
【００３１】
高応力開始層を第１の持続時間にわたって第１の厚みまで堆積した後に、チャンバへのアルゴンの流量を約６００ｓｃｃｍまで滑らかに減少させて、堆積された膜内に減少する応力勾配を生成することができる。変化率及びパターンを選択して、膜成長の方向において減少する応力勾配を有する第２の厚みの移行層を堆積しながら、第２の持続時間中の減少を完了する。オプションの並行又は同時動作では、アセチレンの流量を約８００ｓｃｃｍまで滑らかに増加させることができ、トリメチルアミンの流量を滑らかに０まで減少させて、ガス混合物から窒素を除去することによって応力を更に減少させることができる。更に、チャンバ圧を約１０Ｔｏｒｒまで滑らかに増加させて、応力を更に減少させることができる。更に、所望の段階において異なる炭化水素前駆体を組み合わせて、堆積されるアモルファスカーボン層の応力レベルを調整することができる。例えば、ベンゼン又はトルエンなど芳香族前駆体がアセチレンを補うことができ、高応力条件から低応力条件まで滑らかに増加することができる。
【００３２】
移行層を堆積した後に、低応力層を第３の持続時間にわたって第３の厚みまで堆積することができる。第１の厚みは一般的に層厚全体（第１の厚みと、第２の厚みと、第３の厚みとの和）の約３０％〜約７５％にある。第２の厚みは層厚全体の約２０％〜約６０％とすることができる。第３の厚みは、層厚全体の約０％〜約５０％とすることができる。したがって、例示的な１μｍ厚の漸変応力アモルファスカーボン層は、約５００ｎｍ厚の高応力部分と、約３００ｎｍ厚の移行応力部分と、約２００ｎｍ厚の低応力部分とを有することができる。
【００３３】
堆積中に、第１の持続時間は約１０秒〜約６０秒とすることができ、第２の持続時間は約１０秒〜約３０秒とすることができ、第３の持続時間は約１０秒〜約３０秒とすることができる。堆積速度は一般的に低応力堆積条件の場合に低いので、堆積持続時間は、所望の厚みが異なる速度において堆積されることを反映することに留意されたい。
【００３４】
これまでの説明は本発明の実施形態を対象とするが、本発明の基本的な範囲から逸脱することなく、本発明の他の実施形態及び更なる実施形態を考案することができ、本発明の範囲は添付の特許請求の範囲によって決定される。
【図１】
2013543281.tif 000003
【図２Ａ】
2013543281.tif 000004
【図２Ｂ】
2013543281.tif 000005
【国際調査報告】
2013543281.tif 000006
2013543281.tif 000007
2013543281.tif 000008