【事件の表示】
　特許第２８０９３６４号「四ほう酸リチウム単結晶の製造方法」の請求項１ないし２に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結論】
　特許第２８０９３６４号の請求項１ないし２に係る特許を維持する。
【理由】
１．手続の経緯
　特許第２８０９３６４号は、平成４年３月２日に出願され、平成１０年７月３１日にその特許の設定登録がなされ、その後、特許異議の申立てが、吉葉芳彦及び青木幾夫よりされたものである。
　そして、当審において、平成１１年７月１３日付けで取消理由を通知したところ、平成１１年９月３０日付けで特許異議意見書が提出されている。
２．本件特許発明
　本件特許請求の範囲の請求項１、２に係る発明（以下「本件発明１，２」という）は、特許明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１、２に記載された次のとおりのものである。
「【請求項１】ブリッジマン法で融液から四ほう酸リチウム単結晶を成長させる方法において、種管の内径をａとし、ルツボの胴体部の内径をｂとしたときに、ａ／ｂの比が０．５以上であるルツボを使用することを特徴とする四ほう酸リチウム単結晶の製造方法。
　【請求項２】ａ／ｂの比が１．０である請求項１に記載した四ほう酸リチウム単結晶の製造方法。」
３．取消理由について
（１）取消理由の概要
　平成１１年７月１３日付けで当審で通知した取消理由の概要は、刊行物１（Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　Ｃｒｙｓｔａｌ　Ｇｒｏｗｔｈ　９９（１９９０），８１１〜８１４頁）、刊行物２（「半導体研究３５巻　化合物半導体の結晶成長と評価　その６」工業調査会、１９９１年８月５日発行、３〜１５頁）、刊行物３（実開平４−１３０５５号全文明細書及び図面）及び刊行物４（特開平５−２０１７９７号公報）を提示して、（１）本件発明１，２は、刊行物１〜３に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、当該発明１，２に係る特許は特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである、（２）本件発明１，２は、本件の先願に係る刊行物４に記載の発明と同一であるから、当該発明１，２に係る特許は特許法第２９条の２の規定に違反してされたものである、というものである。
（２）刊行物１〜４の記載
　刊行物１；
　「ブリッジマン法による四ほう酸リチウム結晶成長」に関する文献であって、８１１頁の第１図に、種管と胴体部とを備えたルツボが例示されている。
　刊行物２；
　液体封止垂直ブリッジマン法によるＧａＡｓ単結晶成長に関するものであり、その第１４頁左欄〜第１５頁左欄第５行には、
「図１．１５は、実験的に求めた上述のγを用いて、間隙の最大値γｏｍａｘを試算する説明図である。半径γｏの半円筒の体積のＢ２Ｏ３の浮力と界面張力による抗力がバランスし、
　（１／２）πγｏ２（ρＧ−ρＢ）ｇ＝２γ　（１．３）
の関係を満たすγｏｍａｘより間隙が大きくなると、間隙部のＢ２Ｏ３が泡となって上昇し、これに代わってＧａＡｓ融液が侵入してしまう。・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
　以上の試算および実験的知見から、安定な種子づけのための、種子結晶とるつぼ内周との間隙は０．０２〜０．１ｃｍと範囲も広くかつ設定も比較的容易な値であることが結論される。また、この値は融液の高さ（育成する結晶の長さに関係する）や種子結晶の直径に依存しない値である点が、実際の結晶育成では好都合である。
　例えば、上記の条件を満たしていれば、種子結晶はＬＥＣ法で用いる種子結晶のように細い必要はなく、極端な場合、育成しようとする結晶直径と同程度の直径の種子結晶（定径種子）を用いることも可能である。図１．１６は実際に行った定径種子づけ結晶の例を示す。図において、使用した種子結晶は、ＬＥＣ法で育成した直径３インチの結晶であり、成長結晶も同直径の場合である。」と記載される。
　刊行物３；
　結晶成長用るつぼに関するものであり、
（１）その第５頁には、「（Ａ）双晶境界発生要因とその定量化」の項に、「・・・・・種々の温度条件（温度勾配、温度変動）、成長速度、るつぼ形状（増径角度、定径部の直径）などを変えた結晶育成実験とその結果に考案を加え・・・」と記載される。
（２）第１図に従来公知の液体封止垂直ブリッジマン法によるＧａＡｓ結晶の育成を示す炉内の模式図、第２図に結晶育成の原料充填時の模式図、第３図に従来技術の問題点を示す模式図、第４図に上記増径角度と双晶境界発生の関係の計算結果を示す図が示され、増径角度が０度〜９０度までの全領域である場合が開示されている。
　図中、１は種子結晶、２は成長結晶、３は融液、４は液体封止剤、５はるつぼ、１０は固体の原料、１１は固体の液体封止剤、１２は種子部、１３は定径部、１４は増径部、１５は双晶境界を示す。
　刊行物４；
　ほう酸リチウム単結晶及びその製造方法に関するものであり、その第２頁左欄第２３行〜第２８行には、「ＬｉＸＢｙＯ１２で示されるほう酸リチウム単結晶の製造は、従来、リチウム化合物とほう酸とを混合し、この混合物を仮焼してほう酸リチウムガラスとしたのち、これを溶融して融液とし、この融液からブリッジマン法でほう酸リチウム単結晶を生長させるという方法で行われている。」と記載され、また、その第３頁右欄第４行〜第８行には、「直径５０ｍｍの白金円筒ルツボに入れ、水を０．０７％含有する雰囲気で融解させたのち、育成点での温度勾配が２０℃／ｃｍであるブリッジマン炉で０．５ｍｍ／時の速度で降下させたところ、気泡の少ないほう酸リチウム単結晶が得られ」と記載される。
（３）対比・判断
　先ず、本件発明１，２が上記刊行物１〜３に記載の発明に基づいて当業者が容易になし得たものであるか否かについて検討する。
　本件発明１，２と刊行物１に記載の発明とを対比すると、両者は、ブリッジマン法で融液から四ほう酸リチウム単結晶を成長させる方法である点で一致し、種管の内径をａとし、ルツボの胴体部の内径をｂとしたときのａ／ｂの比が、本件発明１は０．５以上、本件発明２は１．０であるのに対して、後者には該比の具体的な記載がない点で相違する。
　上記相違点について刊行物２，３を検討する。
　刊行物２には、液体封止垂直ブリッジマン法によるＧａＡｓ単結晶成長に関して、特定の条件を満たしているときに、育成しようとする結晶直径と同程度の直径の種子結晶（定径種子）を用いることも可能である旨記載される。しかしながら、ブリッジマン法による単結晶成長の対象となる単結晶が、本件発明１，２は四ほう酸リチウム単結晶であるのに対して、刊行物２は液体封止垂直ブリッジマン法によるＧａＡｓ単結晶であって、対象単結晶が異なるし、また、刊行物２のものは、育成しようとする結晶直径と同程度の直径の種子結晶（定径種子）を用いることが可能であっても、特定の条件を満たしているときに限られる。これに対して、本件発明１，２は、特定の条件を付することなく、ａ／ｂの比が０．５以上、或いは１．０とするものであり、この点でも刊行物２のものは、本件発明１，２と技術的に相違する。
　刊行物３のものは、ブリッジマン法による単結晶成長の対象となる単結晶は、具体的には刊行物２のものと同様に液体封止垂直ブリッジマン法によるＧａＡｓ単結晶であり、しかも、増径角度を変化させることでるつぼ形状を変化させるものであって、種子結晶１の径及びるつぼ５の内径は一定であると認められる。そして、刊行物３には、本件発明１，２のようにａ／ｂの比が０．５以上、或いは１．０とする記載は、何らない。
　そして、本件発明１，２は、請求項１，２に記載される構成を採ることにより、気泡状介在物の混入が防止され、四ほう酸単結晶を容易に得ることができる効果を奏するものである。
　よって、本件発明１，２は、刊行物１と刊行物２，３に記載の各発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。
　つぎに、本件発明１，２が、本件の先願に係る刊行物４に記載の発明と同一であるか否かについて検討する。
　刊行物４には、ブリッジマン法で融液からほう酸リチウム単結晶を成長させる方法において、ルツボとして円筒ルツボを使用することが記載されているといえる。
　刊行物４にいう「円筒ルツボ」がいかなる構造のものかについて検討する。
　刊行物４には、円筒ルツボが種管の内径をａとし、ルツボの胴体部の内径をｂとしたときのａ／ｂの比が１．０のものを指す記載は何らない。また、一般にブリッジマン法による単結晶成長に使用される「円筒ルツボ」と言った場合に、例えば特開平３−１０３３８６号公報の各図面に記載されるように、種結晶と該筒型の耐熱容器において、種結晶の径を該筒型の耐熱容器の径に比して著しく小さく異ならせた通常のルツボが普通に想定される。
　即ち、特開平３−１０３３８６号公報には、ブリッジマン法半導体単結晶製造装置に関して、該公報の２頁右下欄には、「この発明にかかる半導体単結晶製造装置は、底部に種結晶を配置し半導体結晶原料が収容される
筒型の耐熱容器
　そして、刊行物４にいう「円筒ルツボ」は、前記したように特にａ／ｂの比が１．０のものを指す記載が無い以上、特開平３−１０３３８６号公報の「筒型の耐熱容器」と同様な構造のものと解するのが自然である。
　よって、刊行物４にいう円筒ルツボが、本件発明２にいう「種管の内径をａとし、ルツボの胴体部の内径をｂとしたときのａ／ｂの比が１．０のもの」であるとはいえないから、本件発明１，２は刊行物４に記載の発明と同一であるとすることはできない。
４．異議の申立てについて
（１）申立て理由の概要
　申立人・吉葉芳彦は、証拠として甲第１号証（特開昭５８−５５３９８号公報、以下「刊行物５」という）、甲第２号証（上記刊行物２）、甲第３号証（上記刊行物３）及び甲第４号証（上記刊行物４）を提示して、（１）本件請求項１の記載は不備がある、（２）本件発明１，２は甲第１〜３号証記載の発明に基づいて当業者が容易になし得たものである、（３）本件発明１，２は、先願に係る甲第４号証（刊行物４）と同一であるから、本件発明１，２の特許は、特許法第３６条第５項の規定に違反してなされたものであるか、同法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであるか、或いは同法第２９条の２の規定に違反してなされたものであるから、本件発明１，２の特許を取り消すべきと主張する。
　申立人・青木幾夫は、証拠として甲第１号証（「Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　Ｃｒｙｓｔａｌ　Ｇｒｏｗｔｈ」Ｖｏｌ．９４，Ｎｏ．２，１９８９年２月発行、３７３〜３８０頁、Ｎｏｒｔｈ−Ｈｏｌｌａｎｄ，Ａｍｓｔｅｒｄａｍ」、以下「刊行物６」という）及びその翻訳文を提示して、本件発明１，２の特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであるから、本件発明１，２の特許を取り消すべきと主張する。
（２）特許法第３６条第５項違反について
　申立人・吉葉芳彦は、本件請求項１の記載は不備があるとする根拠として、請求項１には「ａ／ｂの比が０．５以上である」と記載され、上限の記載が無いことを挙げている。しかしながら、請求項２及び発明の詳細な説明には、「ａ／ｂの比が１．０」である場合が明確に記載されていることからして、ａ／ｂの比の上限は当然に１．０であると認められる。
　したがって、申立人の上記主張は妥当なものではない。
（３）特許法第２９条の２違反について
　上記３．項（３）に記載した理由により、本件発明１，２は、本件の先願に係る刊行物４に記載の発明と同一であるとはいえない。
（４）特許法第２９条第２項違反について
（ａ）刊行物２，３，５，６の記載
　刊行物２，３；
　上記３．項（２）に記載のとおり。
　刊行物５；
　４硼酸リチウム単結晶の成長方法に関するものであり、その第１頁左欄第５行〜第６行には、「ルツボ内融液から種結晶を用いて４硼酸リチウム単結晶を引上げ成長させるに際し、」と記載される。
　刊行物６（その翻訳文参照）；
　「方向性凝固技法を用いたビスマス−ゲルマニウム酸塩（ＢＧＯ）単結晶の成長」に関する論文であって、次のことが記載される。
（１）３７３頁の要約部の第５行目から第７行目には「我々はこの目的のために設計した垂直ブリッジマン炉を使用して、固体内の温度勾記や成長率のような選定した成長パラメータを適切に変化させて多数の大型結晶（２５×２５×１５０ｍｍ３）を成長させた。」と記載される。
（２）３７４頁の右欄第４行目から第１０行目には「成長チャンバは全高８１０ｍｍの石英チューブ（外径＝１００ｍｍ）で、その内部に移動可能な石英台座を有し、この台座はＢＧＯを成長させるために使用される白金ルツボを支持し、さらに、ＩＲ（赤外）透明窓として働き、凝固時の潜熱を放散させる。」と記載される。
（３）３７４頁の右欄第２９行目から第３４行目には「炉の概略図は図１に報告されており、この図には、頭頂部絶縁カバーに加えて、成長チャンバ内の制御された環境を維持し且つ石英台座を垂直な位置へ保持するために使用される水冷フランジを示している。」と記載される。
（４）３７５頁のＦｉｇ．１（図１）には、結晶成長炉の概要図が記載される。Ｆｉｇ．１中の中央から左側には、「４０（ｍｍ）」（２カ所）および「２７５（ｍｍ）」と寸法が記載されており、これは３７４頁の左欄の「２．Ｅｘｐｅｒｉｍｅｎｔａｌ、２．１　Ｆｕｒｎａｃｅ　ｄｅｓｉｇｎ」の第１行目から第１２行目までの記載からｈｅａｔｉｎｇ　ｅｌｅｍｅｎｔ等を含む加熱部とわかる。
（５）３７７頁左欄第１５行目から第２２行目には「それから、第１加熱体の中程の中心に置かれた種結晶と共にルツボを炉内へ置いてから、炉全体はおよそ１５リットル／時の率で供給される純乾燥酸素で赤く輝き、一方、装填物の加熱を開始し１００℃／時の温度増加率で３５０℃迄、それから同じ増加率で９７０℃迄加熱し、３５０℃で約２時間加熱を停止する。」と記載される。
（ｂ）対比・判断
　先ず、本件発明１，２が上記刊行物５記載の発明と刊行物２，３記載の発明とに基づいて当業者が容易になし得たものであるか否かについて検討する。
　本件発明１，２と刊行物５に記載の発明とを対比すると、両者は、ブリッジマン法で融液から四ほう酸リチウム単結晶を成長させる方法である点では一致するが、後者のものは種管の内径をａとし、ルツボの胴体部の内径をｂとしたときのａ／ｂの比を、本件発明１、２のように０．５以上、或いは１．０とする記載は何らない。
　刊行物２，３についての判断は、上記３．項（３）に記載したとおりである。
　したがって、上記３．項（３）に記載される理由と同様の理由により、本件発明１，２は刊行物５記載の発明と刊行物２，３記載の発明とに基づいて当業者が容易になし得たものであるとすることはできない。
　つぎに、本件発明１，２が上記刊行物６記載の発明に基づいて当業者が容易になし得たものであるか否かについて検討する。
　刊行物６には、本件発明１，２にいう、ブリッジマン法で融液から四ほう酸リチウム単結晶を成長させる方法が記載されている。
　申立人・青木幾夫は、刊行物６の記載内容から判断して、Ｆｉｇ．１の結晶成長炉の概要図は特許異議申立書に添付された参考図に相当すると主張する。この参考図によれば、種管は「４」に相当するものであるとしているが、刊行物６の記載内容から判断して種管は「４」に相当するものであるとする根拠は何ら見いだせないから、申立人の上記主張は妥当ではない。また他に刊行物６には、本件発明１，２のようにａ／ｂの比を０．５以上、或いは１．０とすることを示唆する記載は何らない。
　したがって、本件発明１，２が刊行物６の記載を基に当業者が容易になし得たものであるとすることはできない。
５．むすび
　以上のとおり、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件発明１，２の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明１，２の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１１年１１月３０日（１９９９．１１．３０）