【事件の表示】
　特許第２６４６９０５号「真空処理装置およびその運転方法」の請求項１ないし７に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結論】
　訂正を認める。
　特許第２６４６９０５号の請求項１ないし７に係る特許を維持する。
【理由】
　１．本件特許第２６４６９０５号は、平成３年９月１３日に出願され、平成９年５月９日にその特許権の設定登録がなされ、その後、永田大樹より特許の異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１１年９月１１日に訂正請求がなされたものである。
２．本件特許に対し、異議申立人永田大樹は、甲第１号証として特開平２−６５２５２号公報（以下、「引用例１」という。）を、甲第２号証として実願昭６３−１０３２０４号（実開平２−２６２２９号）のマイクロフィルム（以下、「引用例２」という。）を、甲第３号証として特開昭６０−２４６６３５号公報（以下、「引用例３」という。）を、甲第４号証として特開昭６２−１３２３２１号公報（以下、「引用例４」という。）を、甲第５号証として特開平２−２２４２４２号公報（以下、「引用例５」という。）を、甲第６号証として特開昭５８−９３３２１号公報（以下、引用例６」という。）を、甲第７号証として月刊Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ　Ｗｏｒｌｄ　１９９０　９、Ｐ．１２２−１２５（以下、「引用例７」という。）を、甲第８号証として電子材料　１９８９年３月号、Ｐ．２２−２９（以下、「引用例８」という。）を、甲第９号証としてＳｏｌｉｄ　ｓｔａｔｅ　ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ　１９９０年１０月号、Ｐ．３５−４１（以下、「引用例９」という。）を、甲第１０号証としてＳｏｌｉｄ　ｓｔａｔｅ　ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ　１９９０年１２月号、Ｐ．３７−４７（以下、「引用例１０」という。）を、甲第１１号証として月刊Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ　Ｗｏｒｌｄ　１９９０　９、Ｐ．１０６−１３９（以下、「引用例１１」という。）を提示し、さらに、参考資料１として特開平１−１３５０１５号公報（以下、「引用例１２」という。）を、参考資料２として、特開平３−１９２５２号公報（以下、「引用例１３」という。）を提示し、本件特許の請求項１乃至７に係る発明は、引用例１〜１１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、取り消されるべきものである旨主張する。
３．当審において通知した取消理由は、
　前記引用例１〜１３を引用し、本件特許の請求項１乃至７に係る発明は、前記引用例１〜１３に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、当該発明に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであって、取り消されるべきというものである。
４．上記訂正請求によって訂正された明細書の請求項１ないし７に係る発明は、その特許請求の範囲に記載されたとおりのものである。
　「【請求項１】被処理基板を真空下で処理した後、内部のドライクリーニング処理が行なわれる真空処理室を有する真空処理装置において、
　前記被処理基板を収容する第１の収納手段とともにダミー基板を収容する第２の収納手段を大気雰囲気中に設置し、
　前記第１の収納手段とロードロック室又はアンロードロック室との間で前記被処理基板を搬送するとともに、前記第２の収納手段とロードロック室又はアンロードロック室との間で前記ダミー基板を搬送する第１の搬送手段と、
　前記ロードロック室又はアンロードロック室と前記真空処理室との間で前記被処理基板を搬送するとともに、前記ロードロック室又はアンロードロック室と前記真空処理室との間で前記ダミー基板を搬送する第２の搬送手段と、
　前記ロードロック室又はアンロードロック室の大気側及び真空側にそれぞれ設けられ、該ロードロック室又はアンロードロック室を大気雰囲気もしくは真空雰囲気に切り替えるために前記被処理基板もしくは前記ダミー基板を一枚毎搬入出する毎に開閉される隔離弁と、
　前記真空処理室は複数あって、各真空処理室のドライクリーニング時期を判断する手段と、
　前記手段での判断に基づく前記各真空処理室のドライクリーニング時に前記ダミー基板を前記第２の収納手段と前記各真空処理室との間で搬送するように前記第１及び第２の搬送手段を制御する制御手段とを具備したことを特徴とする真空処理装置。
　【請求項２】前記ドライクリーニング時期の判断は、前記真空処理室を介して透過するプラズマ光の発光強度を計測するセンサを用いて行なわれる請求項１記載の真空処理装置。
　【請求項３】前記ドライクリーニング時期の判断は、前記真空処理室内で前記被処理基板を処理する回数を計数する手段を用いて行なわれる請求項１記載の真空処理装置。
　【請求項４】被処理基板を真空下で処理した後、内部のドライクリーニング処理が行なわれる真空処理室を有する真空処理装置の運転方法において、
　前記被処理基板を収容する第１の収納手段とともにダミー基板を収容する第２の収納手段を大気雰囲気中に設置する工程と、
　前記第１の収納手段と前記真空処理室との間でロードロック室を経由して前記被処理基板を一枚毎前記真空処理室に搬送し、前記被処理基板を真空処理する工程と、
　前記ロードロック室又はアンロードロック室の大気側及び真空側にそれぞれ設けられ前記被処理基板もしくは前記ダミー基板を一枚毎搬入出する毎に開閉される隔離弁を閉じた後、該ロードロック室又はアンロードロック室を大気雰囲気もしくは真空雰囲気に切り替える工程と、
　前記真空処理室のドライクリーニング時に、前記第２の収納手段と前記真空処理室との間でロードロック室を経由して前記ダミー基板を一枚毎前記真空処理室に搬送する工程とを具備し、前記真空処理室は複数あって、前記ダミー基板を前記複数の真空処理室の内の１つまたは複数に配置しドライクリーニングするとともに、残りの前記真空処理室では被処理基板を処理することを特徴とする真空処理装置の運転方法。
　【請求項５】前記ドライクリーニングは、前記真空処理室を介して透過するプラズマ光の発光強度を計測し、前記真空処理室のドライクリーニング時期を判断して行なわれる請求項４記載の真空処理装置の運転方法
　【請求項６】前記ドライクリーニングは、前記真空処理室内で前記被処理基板を処理する回数を計数し、前記真空処理室のドライクリーニング時期を判断して行なわれる請求項４記載の真空処理装置の運転方法。
　【請求項７】被処理基板を真空下で処理した後、内部のドライクリーニング処理が行なわれる真空処理室を有する真空処理装置の運転方法において、
　前記被処理基板を収容した第１の収納手段とともにダミー基板を収容した第２の収納手段を大気雰囲気中に設置する工程と、
　前記第１の収納手段から前記被処理基板を一枚毎第１の搬送手段によりロードロック室へ搬送し、該搬送されたロードロック室の被処理基板を１枚毎第２の搬送手段により前記真空処理室に搬送し、該搬送された被処理基板を真空処理する工程と、
　前記ロードロック室又はアンロードロック室の大気側及び真空側にそれぞれ設けられ前記被処理基板もしくは前記ダミー基板を一枚毎搬入出する毎に開閉される隔離弁を閉じた後、該ロードロック室又はアンロードロック室を大気雰囲気もしくは真空雰囲気に切り替える工程と、
　前記第１の収納手段内の複数枚の前記被処理基板の真空処理終了後に、前記第２の収納手段から前記真空処理室ヘロードロック室を経由して前記ダミー基板を一枚毎前記第１及び第２の搬送手段により搬入して前記真空処理室をドライクリーニング処理する工程と、
　前記ドライクリーニング処理終了後に、使用済みの前記ダミー基板をアンロードロック室を経由して前記第２の収納手段の元の収納位置に前記第２及び第１の搬送手段により戻す工程とを具備し、
　前記真空処理室は複数あって、前記ドライクリーニングは、前記それぞれの真空処理室のドライクリーニング時期を検出して行なわれることを特徴とする真空処理装置の運転方法。」
５．上記訂正請求の適否について判断する。
（１）上記訂正は、願書に添付された明細書を、以下のａ〜Ｃのとおり訂正するものである。
ａ．特許請求の範囲について、
　特許請求の範囲第１項に、「前記ロードロック室又はアンロードロック室の大気側及び真空側にそれぞれ設けられ、該ロードロック室又はアンロードロック室を大気雰囲気もしくは真空雰囲気に切り替えるために前記被処理基板もしくは前記ダミー基板を一枚毎搬入出する毎に開閉される隔離弁と、」を追加する訂正をし、「真空処理室のドライクリーニング時期を判断する手段」を、「真空処理室は複数あって、各真空処理室のドライクリーニング時期を判断する手段」と訂正し、「前記真空処理室のドライクリーニング時に」を「前記各真空処理室のドライクリーニング時に」と訂正し、「前記第２の収納手段と前記真空処理室との間で搬送する」を「前記第２の収納手段と前記各真空処理室との間で搬送する」と訂正する。
ｂ．特許請求の範囲について、
　特許請求の範囲第４項に、「前記ロードロック室又はアンロードロック室の大気側及び真空側にそれぞれ設けられ前記被処理基板もしくは前記ダミー基板を一枚毎搬入出する毎に開閉される隔離弁を閉じた後、該ロードロック室又はアンロードロック室を大気雰囲気もしくは真空雰囲気に切り替える工程と、」を追加する訂正をし、「第１の収納手段と前記真空処理室との間でロードロック室を経由して前記被処理基板を前記真空処理室に搬送し」を「第１の収納手段と前記真空処理室との間でロードロック室を経由して前記被処理基板を一枚毎前記真空処理室に搬送し」と訂正し、「ダミーウエハ」を「ダミー基板」に訂正し、「ウエハ」を「被処理基板」と訂正する。
ｃ．特許請求の範囲について、
　特許請求の範囲第７項に、「前記ロードロック室又はアンロードロック室の大気側及び真空側にそれぞれ設けられ前記被処理基板もしくは前記ダミー基板を一枚毎搬入出する毎に開閉される隔離弁を閉じた後、該ロードロック室又はアンロードロック室を大気雰囲気もしくは真空雰囲気に切り替える工程と、」及び「前記真空処理室は複数あって、」を追加する訂正をし、「第１の収納手段から前記被処理基板を第１の搬送手段によりロードロック室へ搬送し、該搬送されたロードロック室の被処理基板を第２の搬送手段により前記真空処理室に搬送し」を「第１の収納手段から前記被処理基板を一枚毎第１の搬送手段によりロードロック室へ搬送し、該搬送されたロードロック室の被処理基板を一枚毎第２の搬送手段により前記真空処理室に搬送し」と訂正し、「前記第２の搬送手段から前記真空処理室ヘロードロック室を経由して前記ダミー基板を前記第１及び第２の搬送手段により搬入して」を「前記第２の搬送手段から前記真空処理室ヘロードロック室を経由して前記ダミー基板を一枚毎前記第１及び第２の搬送手段により搬入して」と訂正する。
（２）上記訂正のうち、
　ａの訂正事項についてみると、当該訂正は、訂正前の請求項１の構成に、「ロードロック室又はアンロードロック室の大気側及び真空側にそれぞれ設けられ、該ロードロック室又はアンロードロック室を大気雰囲気に切り替えるために前記被処理基板もしくは前記ダミー基板を一枚毎搬入出する毎に開閉される隔離弁」の構成要件を直列的に付加するとともに、「真空処理室」をその下位概念である、複数の真空処理室に限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮に相当する。
　ｂの訂正事項についてみると、当該訂正は、訂正前の請求項４の構成に、「前記ロードロック室又はアンロードロック室の大気側及び真空側にそれぞれ設けられ前記被処理基板もしくは前記ダミー基板を一枚毎搬入出する毎に開閉される隔離弁を閉じた後、該ロードロック室又はアンロードロック室を大気雰囲気もしくは真空雰囲気に切り替える工程と、」の構成要件を直列的に付加するとともに、第１の収納手段から前記真空処理室への被処理基板の搬送を一枚毎に搬送することに限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮に相当し、また、ｂの訂正事項のうち、「ダミーウエハ」を「ダミー基板」とし、「ウエハ」を「被処理基板」とする訂正は、明らかに誤記の訂正に相当する。
　ｃの訂正事項についてみると、この訂正は、訂正前の請求項７の構成に、「前記ロードロック室又はアンロードロック室の大気側及び真空側にそれぞれ設けられ前記被処理基板もしくは前記ダミー基板を一枚毎搬入出する毎に開閉される隔離弁を閉じた後、該ロードロック室又はアンロードロック室を大気雰囲気もしくは真空雰囲気に切り替える工程と、」の構成要件を直列的に付加するとともに、「真空処理室」をその下位概念である、複数の真空処理室に限定し、かつ、第１の収納手段から前記真空処理室への被処理基板及びダミー基板の搬送を一枚毎に搬送することに限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮に相当する。
　そして、願書に添付された明細書には、その段落【００２１】及び【００２２】に、ダミーウェハ３０（ダミー基板に相当）は、ウェハ２０（被処理基板に相当）の搬送と同様、ロードロック室又はアンロードロック室に１枚ずつ搬入出する毎に隔離弁１２ａ、１２ｂ、１２ｃ又は１２ｄが開閉してロードロック室又はアンロードロック室を真空排気又は大気圧復帰することが記載されている。
　なお、「被処理基板もしくはダミー基板を一枚毎搬入出する毎に開閉される隔離弁」の装置としての構成は、直接に記載されていないが、段落【００１６】に「制御装置１９は、搬送装置３および１４を制御して」と記載されており、かつ、隔離弁１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄ、搬送装置１３、１４と同期して開閉されなければならないことから、隔離弁１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄが制御装置１９によって制御されていることは明らかであって、ダミー基板の搬入出に同期して開閉する隔離弁を備えた装置は、願書に添付された特許明細書に直接的かつ一義的に記載されているものと認めて差し支えない。訂正された特許請求の範囲に記載された事項は、願書に添付された明細書又は図面に記載された事項の範囲内のものである。
　かつ、これらの訂正によって、発明の目的が変更されるものでもないから、前記訂正事項は、いずれも、実質上特許請求の範囲を拡張するものでもなく、また、変更するものでもない。
（３）訂正された明細書の請求項１乃至３に係る発明の独立特許要件について判断する。
　前記引用例１〜１３に記載された事項は、それぞれ以下のとおりである。
　引用例１には、半導体ウェハを真空処理室で処理する半導体製造装置に関し、「真空処理室１に真空予備室２を一体的に連設し、この真空予備室２内に真空供給エレベータ３，真空収納エレベータ４を設け、搬送ベルト機構５に沿って半導体ウェハＷを真空処理室１に供給、収納するようになっている。これらのエレベータには大気中に配設した半導体ウェハの供給・収納部に設けた供給エレベータ７，ウェハ収納エレベータ８を対向して設け、半導体ウェハＷを真空予備室２の内外で供給、収納させる。また、この種の製造装置では、製造試験やメンテナンス時にダミーウェハを用いて処理を行っているが、このダミーウェハを真空処理室１に供給しかつ収納するためのダミーウェハ供給・収納エレベータ１２をウェハ供給・収納部６内にも設けている。（第１頁左下欄２０行目−右下欄１４行目）」と記載されている。
　引用例２には、プラズマエッチング及びプラズマＣＶＤ等を行なうプラズマ処理装置に関し、「この種のプラズマ処理装置においては、プラズマエッチング処理に際して、使用ガスのプラズマ重合によるポリマー又は反応生成物等のデポ膜が、反応室内面及び電極等に付着すると、エッチングの均一性或いは速度等のエッチング特性の低下やパーティクル発生の増大等を招き、ＩＣの歩留りが低下するため、例えばＯ２等を用いたプラズマクリーニング法等を以てデポ膜を除去し、反応室内を常時クリーンな状態に保つようにしていた。（明細書第２頁２−１１行目）」、「又、ウエハの所定処理枚数毎にクリーニング処理を行なう場合は、ウエハの状態、例えばレジスト膜の有無やプラズマ処理時間により反応室内へのデポ膜付着量が一定にならないので、クリーニング処理が適切な時期に行われず、（明細書第３頁１−５行目）」、「反応室１の所定部分には、プラズマ発光の透過部となる透過窓８が形成され、この透過窓８の外側には、透過窓８を通過したプラズマ光の透過窓の強度を測定する光検出器９及び信号処理装置１０が、上記透過窓８に対向するように順次配設されている。そして、上記信号処理装置１０には、この信号処理装置１０からの信号により反応室１内のクリーニング開始・終了時期を判断する判定回路１１と、この判定回路１１の判定信号を入力し、反応室１内のクリーニング処理を制御するクリーニング処理制御ユニット１２とが順次接続されている。（明細書第５頁１５−第６頁６行目）」及び「検出されるプラズマ発光強度は、第２図のｂに示す如く、低下し、そのピーク値は、Ｉ１となる。このＩ１は、判定回路１１に送られ、反応室１内のクリーニングを行なうか、否かの判断に用いられる。（明細書７頁５−８行目）」と記載されている。
　引用例３には、半導体デバイス等を製造する際に用いる半導体基板等の自動基板処理装置に関し、「被処理基板１１はカセット１０に１枚または複数枚収納された状態で扉２を開けて右方の外気側からカセット室１に投入設置される。（第２頁左上欄１４−１６行目）」及び「ダミー用の補助基板５１はカセット４１，４２に収納されている。（第３頁左上欄４−５行目）」と記載されている。
　引用例４には、多数枚のウエハーをエッチング室に装着してエッチングを行うドライエッチング装置に関し、「大気とエッチング室２３との間に設けたロードロック室２２内に配置したロードロック室ロードカセット２７中に、エッチングを行うウエハーと、ウエハーの不足分に相当するダミーウエハとを装填している。そして、この装填は、ウエハーをオートローダー２１内に配置したオートローダーロードカセット２４からロードロック室２２内に配置したロードロック室ロードカセット２７に搬送後、不足するウエハーに相当する枚数のダミーウエハーをオートローダーダミーカセット２５からロードロック室ロードカセット２７に搬送することによって行っている。（第２頁右下欄２−１３行目）」と記載されている。
　引用例５には、半導体基板処理装置、特にそのチャンバーのクリーニング時期決定に供する手段に関し、「半導体基板の処理枚数を目安としたチャンバークリーニング時期の決定が広く行われている。（第２頁左下欄１７−１９行目）」及び「基板処理枚数に基づくクリーニング時期を決定せねばならず、（第２頁右下欄９−１０行目）」と記載されている。
　引用例６には、グローまたはアーク放電を利用したプラズマ気相法により、安定して再現性のよい半導体装置を多量に作成するための製造装置に関し、「本発明は第１の反応系には第１の室があり、この室に設けられた移動機構（１２）により基板及びホルダ（４）は反応炉（１）と第１の室（７）との間を往復する。さらに同様に第２，第３の反応炉、基板およびホルダの保持及び移動機構（２９）、（４１）を有している。（第５頁左上欄４−９行目）」、「反応炉内壁は５〜３０回作成するとフレイク（薄片）が発生するので、かかる場合には、ＣＦ４またはＨＦによりプラズマエッチングして除去すればよい。（第５頁右下欄５−７行目）」及び「さらにそれらに共通室を設け連続的に製造する構造とすることによりバッチ方式と連続方式とを結合させることが可能となった。（第７頁左上欄７−１０行目）」と記載されている。
　引用例７には、マルチチャンバスパッタ装置について、「表１　代表的なスパッタ装置の性能比較」の表が掲載され、「ターゲット交換時他のチャンバの使用可／不可」の欄に「可」と記載されたものがある。
　引用例８には、図２にマルチチャンバのコンセプトが記載され、図３のマルチチャンバ方式によるプロセス複合化の選択肢に、「チャンバクリーニング（ｉｎ−ｓｉｔｕプラズマエッチング）のブロックが記載されており、「ドライエッチングやＣＶＤ工程では、化学反応による生成物あるいは副生成物そのものがパーティクルの要因となるのであり、（第２６頁２４−２８行目）」と記載されている。
　引用例９には、集積プロセス装置について、「故障が起きても、原則として全体システムを止める必要はない。欠陥のあるモジュールは、検査済みの装置と速やかにリプレースできるし、（第３９頁左欄３４−３６行目）」及び「パーティクルを制御する際に考慮すべき重要な条件は、超清浄なガス分配システム、ＣＶＤ／エッチプロセスチェンバのｉｎ　ｓｉｔｕ　クリーニング、（第４１頁左欄４１頁１６−１８行目）」と記載されている。
　引用例１０には、集積プロセス装置−クラスタシステムについて、「Ｐｌａｓａｍ−Ｔｈｅｒｍは、ＲＩＥと枚葉方式でエッチバックや堆積前のプラズマクリーニングができるプラズマ処理機構を兼ね備えたモジュールを提供している。（第４７頁左欄１０−１２行目）」と記載されている。
　引用例１１には、ゼネラルシグナルジャパン社のマルチチャンバシステムの紹介として、「▲４▼終点検出機構は各チャンバ毎にフィルタを選択し完壁な検出が可能（第１３７頁右欄１３−１４行）」と記載されている。
　引用例１２には、半導体ウエハのプロセス処理として、ＥＣＲ（電子サイクロトロン共鳴）プラズマを用いてプラズマＣＶＤ、ないしエッチング等の処理を行う半導体ウエハ処理装置に関し、「第１図において、プロセス反応室１の側方には第１ロック室１５と第２ロック室１６とが直列に連接配備されている。また、各ロック室は個々に真空排気系１７，１８を装備し、かつプロセス反応室１と第１ロック室１５との間、第１ロック室１５と第２ロック室１６との間、及び第２ロック室１６と室外大気側との間にはそれぞれの通路を個別に仕切る真空仕切弁１９，２０，２１を備えている。さらに第２ロック室１６には室外より搬入されたウエハを一時的に受容保持する中継受け渡し機構２２が配備されている。この中継受け渡し機構２２にウエハ１４の処理面を保護するようにウエハの外周マージン部を担持するウエハ保持具を室外の駆動部で上下移動操作するようにしたものである。一方、第１ロック室１５にはプロセス反応室１のウエハ保持機構１１との間、および前記した第２ロック室内の中継受け渡し機構２２との間でウエハを移送、受け渡し操作するハンドリング機構２３が装備されている。（第４頁右上欄５行目−左下欄３行目）」、「ここで未処理ウエハを収容したカセット１３をクリーンベンチ２７内の所定位置にセットし、真空仕切弁２１を開いて第２ロック室１６を大気側に開放した状態でハンドリング機構２４の操作でカセット１３より一枚のウエハ１４を取り出し、かつウエハ１４を反転してその処理面が下を向くようにフェイスダウン姿勢で空気中の塵挨が処理面に付着するのを極力防止しながらウエハ１４を第２ロック室内の中継受け渡し機構２２に受け渡してここに受容保持させる。（第４頁右下欄７−１６行目）」、「一方、ウエハ１４を中継受け渡し機構２２に受け渡した後に、ハンドリング機構２４を後退させた上で真空仕切弁２１を閉じ、さらに第２ロック室を真空排気する。（第５頁左上欄１−４行目）」及び「続いて第２ロック室１６の圧力が所定の真空圧に低下したところで第１ロック室１５との間の真空仕切弁２０を開き、ハンドリング機構２３の操作で中継受け渡し機構２２に保持されているウエハ１４をフェイスダウン姿勢のまま第１ロック室１５内に取り込む。（第５頁左上欄８−１３行目）」と記載されている。
　引用例１３には、特許異議申立人が主張するとおり、マルチチャンバの構成において、処理室のまわりに複数の処理室を配置する構成、ロードアンロードを分割する構成が記載されている。
　訂正された明細書の請求項１に係る発明（以下、「訂正後の請求項１に係る発明」という。）と前記引用例１〜１３に記載されたものとを対比すると、前記各引用例には、いずれにも、訂正後の請求項１に係る発明の必須の構成である「被処理基板を真空下で処理した後、内部のドライクリーニング処理が行なわれる真空処理室を有する真空処理装置において、前記真空処理室は複数あって、各真空処理室のドライクリーニング時期を判断する手段と、ロードロック室又はアンロードロック室の大気側及び真空側にそれぞれ設けられ、該ロードロック室又はアンロードロック室を大気雰囲気もしくは真空雰囲気に切り替えるために前記被処理基板もしくは前記ダミー基板を一枚毎搬入出する毎に開閉される隔離弁と」を具備した構成が記載されておらず、かつ、当該構成を示唆する記載もない。
　なお、前記引用例１２には、第２ロック室１６の室外大気側と第１ロック室１５側にそれぞれ設けられ、ウエハを一枚毎搬入出する毎に開閉して、第２ロック室１６を大気雰囲気、真空雰囲気に切り替えるための真空仕切弁２１、２０を備えたものが記載されているが、引用例１２に記載されたものは、複数の真空処理室を備えたものではなく、かつ、前記引用例１２に記載されたものを複数の真空処理室を備えた真空処理装置の搬送装置に使用することを示唆する記載もない。
　そして、訂正後の請求項１に係る発明は、前記構成によって、クリーニングを実施する周期を任意に設定できるとともに、処理の流れを中断することなくドライクリーニングが行え効率的な処理が行えるという、前記各引用例に記載されたものから予測し得ない格別の効果を奏するものである。
　したがって、訂正後の請求項１に係る発明は、前記引用例１〜１３に記載された発明と同一であるとも、それらの発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることも、できない。
　さらに、訂正された明細書の請求項２乃至３に係る発明についてみると、これらの発明は、訂正後の請求項１に係る発明の構成を全て備えた上でさらに限定を加えたものであるから、この限定した構成が前記引用例１〜１３のいずれかに記載されているとしても、前記のとおり、訂正後の請求項１に係る発明が、前記引用例１〜１３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができない以上、請求項２乃至３に係る発明も前記引用例１〜１３に記載された発明に基づき当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
（４）訂正された明細書の請求項４乃至７に係る発明の独立特許要件について判断する。
　訂正された明細書の請求項４に係る発明（以下、「訂正後の請求項７に係る発明」という。）又は、訂正された明細書の請求項７に係る発明（以下、「訂正後の請求項７に係る発明」という。）と前記引用例１〜１３に記載されたものとを対比すると、前記各引用例には、いずれにも、訂正後の請求項４に係る発明及び請求項７に係る発明の、それぞれの必須の構成である「被処理基板を真空下で処理した後、内部のドライクリーニング処理が行なわれる真空処理室を有する真空処理装置の運転方法において、各真空処理室のドライクリーニング時期を判断する手段と、ロードロック室又はアンロードロック室の大気側及び真空側にそれぞれ設けられ前記被処理基板もしくは前記ダミー基板を一枚毎搬入出する毎に開閉される隔離弁を閉じた後、該ロードロック室又はアンロードロック室を大気雰囲気もしくは真空雰囲気に切り替える工程を具備し、前記真空処理室は複数あって、前記ダミー基板を前記複数の処理室のうちの１つまたは複数に配置しドライクリーニングするとともに、残りの前記真空処理室では被処理基板を処理」する構成、及び「被処理基板を真空下で処理した後、内部のドライクリーニング処理が行なわれる真空処理室を有する真空処理装置の運転方法において、各真空処理室のドライクリーニング時期を判断する手段と、ロードロック室又はアンロードロック室の大気側及び真空側にそれぞれ設けられ前記被処理基板もしくは前記ダミー基板を一枚毎搬入出する毎に開閉される隔離弁を閉じた後、該ロードロック室又はアンロードロック室を大気雰囲気もしくは真空雰囲気に切り替える工程を具備し、前記真空処理室は複数あって、前記ドライクリーニングは、前記それぞれの処理室のドライクリーニング時期を検出して行われる」構成が記載されておらず、かつ、当該各構成を示唆する記載もない。
　なお、前記引用例１２には、第２ロック室１６の室外大気側と第１ロック室１５側にそれぞれ真空仕切弁２１、２０を設け、ウエハを一枚毎搬入出する毎に開閉して、第２ロック室１６を大気雰囲気、真空雰囲気に切り替えるものが記載されているが、引用例１２に記載されたものは、複数の真空処理室を備えたものではなく、かつ、前記引用例１２に記載されたものを複数の真空処理室を備えた真空処理装置の搬送装置に使用することを示唆する記載もない。
　そして、訂正後の請求項４に係る発明及び訂正後の請求項７に係る発明は、いずれも、前記それぞれの構成によって、クリーニングを実施する周期を任意に設定できるとともに、処理の流れを中断することなくドライクリーニングが行え効率的な処理が行えるという、前記各引用例に記載されたものから予測し得ない格別の効果を奏するものである。
　したがって、訂正後の請求項４に係る発明及び訂正後の請求項７に係る発明は、いずれも前記引用例１〜１３に記載された発明と同一であるとも、それらの発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることも、できない。
　さらに、訂正された明細書の請求項５乃至６に係る発明についてみると、これらの発明は、訂正後の請求項４に係る発明の構成を全て備えた上でさらに限定を加えたものであるから、この限定した構成が前記引用例１〜１３のいずれかに記載されているとしても、前記のとおり、訂正後の請求項４に係る発明が、前記引用例１〜１３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができない以上、請求項５乃至６に係る発明も前記引用例１〜１３に記載された発明に基づき当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
（５）以上のとおりであるから、上記訂正請求は、特許法第１２０条の４第２項及び同条第３項で準用する同法第１２６条第２項〜第４項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
６．次に、特許異議の申立てについて判断する。
（１）本件特許の請求項１乃至７に係る発明は、訂正された明細書の特許請求の範囲に記載されたとおりのものであって、上記４で認定したとおりのものである。
（２）そして、請求項１乃至７に係る発明は、上記５（３）、（４）で示したように、前記引用例１〜１３に記載された発明と同一であるとも、それらの発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものともすることができない。
　したがって、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件特許の請求項１乃至７に係る発明の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件特許の請求項１乃至７に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１１年１０月５日（１９９９．１０．５）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
ａ．特許請求の範囲について、
　特許請求の範囲第１項に、「前記ロードロック室又はアンロードロック室の大気側及び真空側にそれぞれ設けられ、該ロードロック室又はアンロードロック室を大気雰囲気もしくは真空雰囲気に切り替えるために前記被処理基板もしくは前記ダミー基板を一枚毎搬入出する毎に開閉される隔離弁と、」を追加し、「真空処理室のドライクリーニング時期を判断する手段」を、「真空処理室は複数あって、各真空処理室のドライクリーニング時期を判断する手段」とし、「前記真空処理室のドライクリーニング時に」を「前記各真空処理室のドライクリーニング時に」とし、「前記第２の収納手段と前記真空処理室との間で搬送する」を「前記第２の収納手段と前記各真空処理室との間で搬送する」とする、特許請求の範囲の減縮を目的とする訂正をする。
ｂ．特許請求の範囲について、
　特許請求の範囲第４項に、「前記ロードロック室又はアンロードロック室の大気側及び真空側にそれぞれ設けられ前記被処理基板もしくは前記ダミー基板を一枚毎搬入出する毎に開閉される隔離弁を閉じた後、該ロードロック室又はアンロードロック室を大気雰囲気もしくは真空雰囲気に切り替える工程と、」を追加し、「第１の収納手段と前記真空処理室との間でロードロック室を経由して前記被処理基板を前記真空処理室に搬送し」を「第１の収納手段と前記真空処理室との間でロードロック室を経由して前記被処理基板を一枚毎前記真空処理室に搬送し」とし、「ダミーウエハ」を「ダミー基板」とし、「ウエハ」を「被処理基板」とする、特許請求の範囲の減縮を目的とする訂正をする。
ｃ．特許請求の範囲について、
　特許請求の範囲第７項に、「前記ロードロック室又はアンロードロック室の大気側及び真空側にそれぞれ設けられ前記被処理基板もしくは前記ダミー基板を一枚毎搬入出する毎に開閉される隔離弁を閉じた後、該ロードロック室又はアンロードロック室を大気雰囲気もしくは真空雰囲気に切り替える工程と、」及び「前記真空処理室は複数あって、」を追加し、「第１の収納手段から前記被処理基板を第１の搬送手段によりロードロック室へ搬送し、該搬送されたロードロック室の被処理基板を第２の搬送手段により前記真空処理室に搬送し」を「第１の収納手段から前記被処理基板を一枚毎第１の搬送手段によりロードロック室へ搬送し、該搬送されたロードロック室の被処理基板を一枚毎第２の搬送手段により前記真空処理室に搬送し」とし、「前記第２の搬送手段から前記真空処理室ヘロードロック室を経由して前記ダミー基板を前記第１及び第２の搬送手段により搬入して」を「前記第２の搬送手段から前記真空処理室ヘロードロック室を経由して前記ダミー基板を一枚毎前記第１及び第２の搬送手段により搬入して」とする、特許請求の範囲の減縮を目的とする訂正をする。
（５４）【発明の名称】
真空処理装置およびその運転方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】被処理基板を真空下で処理した後、内部のドライクリーニング処理が行なわれる真空処理室を有する真空処理装置において、
　前記被処理基板を収容する第１の収納手段とともにダミー基板を収容する第２の収納手段を大気雰囲気中に設置し、
　前記第１の収納手段とロードロック室又はアンロードロック室との間で前記被処理基板を搬送するとともに、前記第２の収納手段とロードロック室又はアンロードロック室との間で前記ダミー基板を搬送する第１の搬送手段と、
　前記ロードロック室又はアンロードロック室と前記真空処理室との間で前記被処理基板を搬送するとともに、前記ロードロック室又はアンロードロック室と前記真空処理室との間で前記ダミー基板を搬送する第２の搬送手段と、
　
前記ロードロック室又はアンロードロック室の大気側及ひ真空側にそれそれ設けられ、該ロードロック室又はアンロードロック室を大気雰囲気もしくは真空雰囲気に切り替えるために前記被処理基板もしくは前記ダミー基板を一枚毎搬入出する毎に開閉される隔離弁と、
　前記
真空処理室は複数あって、各
　前記手段での判断に基づく前記
各
各
　【請求項２】前記ドライクリーニング時期の判断は、前記真空処理室を介して透過するプラズマ光の発光強度を計測するセンサを用いて行なわれる請求項１記載の真空処理装置。
　【請求項３】前記ドライクリーニング時期の判断は、前記真空処理室内で前記被処理基板を処理する回数を計数する手段を用いて行なわれる請求項１記載の真空処理装置。
　【請求項４】被処理基板を真空下で処理した後、内部のドライクリーニング処理が行なわれる真空処理室を有する真空処理装置の運転方法において、
　前記被処理基板を収容する第１の収納手段とともにダミー基板を収容する第２の収納手段を大気雰囲気中に設置する工程と、
　前記第１の収納手段と前記真空処理室との間でロードロック室を経由して前記被処理基板を
一枚毎
　
前記ロードロック室又はアンロードロック室の大気側及び真空側にそれぞれ設けられ前記被処理基板もしくは前記ダミー基板を一枚毎搬入出する毎に開閉される隔離弁を閉じた後、該ロードロック室又はアンロートロック室を大気雰囲気もしくは真空雰囲気に切り替える工程と、
　前記真空処理室のドライクリーニング時に、前記第２の収納手段と前記真空処理室との間でロードロック室を経由して前記ダミー基板を
一枚毎
　前記真空処理室は複数あって、前記ダミー
基板
被処理基板
　【請求項５】前記ドライクリーニングは、前記真空処理室を介して透過するプラズマ光の発光強度を計測し、前記真空処理室のドライクリーニング時期を判断して行なわれる請求項４記載の真空処理装置の運転方法。
　【請求項６】前記ドライクリーニングは、前記真空処理室内で前記被処理基板を処理する回数を計数し、前記真空処理室のドライクリーニング時期を判断して行なわれる請求項４記載の真空処理装置の運転方法。
　【請求項７】被処理基板を真空下で処理した後、内部のドライクリーニング処理が行なわれる真空処理室を有する真空処理装置の運転方法において、
　前記被処理基板を収容した第１の収納手段とともにダミー基板を収容した第２の収納手段を大気雰囲気中に設置する工程と、
　前記第１の収納手段から前記被処理基板を
一枚毎
一枚毎
　
前記ロードロック室又はアンロードロック室の大気側及び真空側にそれそれ設けられ前記被処理基板もしくは前記ダミー基板を一枚毎搬入出する毎に開閉される隔離弁を閉した後、該ロードロック室又はアンロードロック室を大気雰囲気もしくは真空雰囲気に切り替える工程と、
　前記第１の収納手段内の複数枚の前記被処理基板の真空処理終了後に、前記第２の収納手段から前記真空処理室ヘロードロック室を経由して前記ダミー基板を
一枚毎
　前記ドライクリーニング処理終了後に、使用済みの前記ダミー基板をアンロードロック室を経由して前記第２の収納手段の元の収納位置に前記第２及び第１の搬送手段により戻す工程とを具備し、
　
前記真空処理室は複数あって、
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】本発明は、真空処理装置およびその運転方法に係り、特に内部のクリーニング処理が必要な真空処理室を有する真空処理装置およびその運転方法に関するものである。
　【０００２】
　【従来の技術】ドライエッチング装置、ＣＶＤ装置あるいはスパッタリング装置などの真空処理装置においては、定められた複数枚の被処理基板を一つの単位（一般にロットとよばれる）として基板カセットに収納し装置に投入する。処理済みの基板も同一の単位毎に基板カセットに収容して回収する。これらの装置では、このようにして生産の効率化を図るのが一般的な運転方法である。
　【０００３】しかしながら、上記のような真空処理装置、特にドライエッチング装置、ＣＶＤ装置のように活性ガスによる反応を利用する装置においては、処理を行うにしたがい反応生成物が真空処理室内に付着、堆積する。このため、真空性能の劣化，ゴミの増加，光学モニタ信号のレベル低下などの問題が生じる。これらの問題を解決するために、定期的に真空処理室内をクリーニングするという作業を行っていた。クリーニング作業には、有機溶剤等によって付着物を拭き取る所謂ウェットクリーニングと、付着物を分解する活性ガスやプラズマを利用するドライクリーニングとがある。作業性や効率面からみるとドライクリーニングか優れている。ドライクリーニングのこうした特徴は、生産ラインの自動化が進むにつれて不可欠なものになりつつある。
　【０００４】このようなドライクリーニングの機能を備えた真空処理装置として、例えば、実開昭６３−１２７１２５号公報に開示された装置が挙げられる。該装置は、処理室にゲートバルブを介して、被処理用ウエハを大気側から真空側へ搬入するための真空予備室を隣接し、該真空予備室内にダミーウエハを収容しておき、処理室をプラズマクリーニングする際に、真空予備室に収容されたダミーウエハを専用の搬送手段によって処理室内に搬入し、トライクリーニングか終了したら該搬送手段によってダミーウエハを真空予備室に戻すようになっていた。
　【０００５】
　【発明が解決しようとする課題】上記従来技術は、真空処理装置の構造の点について配慮されていなかった。すなわち、ダミーウエハを収容する真空予備室は、大きな内容積を必要とするとともにダミーウエハ専用の搬送機構を必要とし、装置が複雑化するという問題があった。
　【０００６】また、プラズマクリーニングに使用されたダミーウエハは、再ひ真空予備室に戻され待機する。このとき、使用済みのダミーウエハには、プラズマクリーニング時に生じた反応生成物やプラズマクリーニングに用いた残留ガスが付着した状態となっている。その後、ウエハを処理するための正規の処理が続行される。このため、真空予備室内では使用済みのダミーウエハと処理前のウエハとが混在することになり、未処理ウエハ汚染の点から好ましくない。
　【０００７】本発明の目的は、装置構成が簡単で、被処理基板の汚染がなく高い製品歩留まりを実現することのできる真空処理装置およびその運転方法を提供することにある。
　【０００８】
　【課題を解決するための手段】上記目的を達成するために、被処理基板を真空下で処理した後、内部のドライクリーニング処理が行なわれる真空処理室を有する真空処理装置において、被処理基板を収容する第１の収納手段とともにダミー基板を収容する第２の収納手段を大気雰囲気中に設置し、第１の収納手段と真空処理室との間で被処理基板を搬送するとともに第２の収納手段と真空処理室との間でダミー基板を搬送する搬送手段と、真空処理室のドライクリーニング時にダミー基板を第２の収納手段と真空処理室との間で搬送するように搬送手段を制御する制御手段とを備えたものとし、被処理基板を真空下で処理した後、内部のドライクリーニング処理が行なわれる真空処理室を有する真空処理装置の運転方法において、被処理基板を収容する第１の収納手段とともにダミー基板を収容する第２の収納手段を大気雰囲気中に設置する工程と、第１の収納手段と真空処理室との間で被処理基板を搬送し、被処理基板を真空処理する工程と、真空処理室のドライクリーニング時に、第２の収納手段と真空処理室との間でダミー基板を搬送する工程とを有するようにしたものである。
　【０００９】
　【作用】真空処理装置によって被処理基板を処理するにしたがい、反応生成物が真空処理室内に付着、堆積する。真空処理室内に付着、堆積した反応生成物は、真空処理室内にダミーウエハを配置してドライクリーニングすることにより除去される。ドライクリーニングにあたっては、真空処理室のドライクリーニングの時期を判断し、所定枚数の被処理基板の処理の途中または終了後に、被処理基板収納手段と一緒に大気雰囲気中に設置されたダミー基板収納手段から基板搬送手段によってダミー基板を搬出し、真空処理室内に配置する。ダミー基板が配置された後、真空処理室内にガスプラズマを発生させて真空処理室内をドライクリーニングする。真空処理室内でのドライクリーニングが終了したら基板搬送手段によって、ダミー基板を真空処理室からダミー基板収納手段へ戻す。これにより、従来のようなダミー基板を収容するための真空予備室および専用の搬送機構は不要となり、装置構成が簡単になる。また、ドライクリーニング処理に使用されたダミー基板と被処理基板とが同じ室内で混在することもなくなり、ゴミの発生や残留ガスなどによる被処理基板の汚染か防止され、高い製品歩留まりを実現できる。
　【００１０】
　【実施例】以下、本発明の一実施例を第１図およひ第２図により説明する。
　【００１１】第１図およひ第２図は、本発明の真空処理装置、この場合、被処理基板であるウエハをガスプラズマによりエッチング処理するドライエッチング装置を示す。
　【００１２】カセット台２ａないし２ｃは、この場合、Ｌ字形に配置され、その位置および姿勢を変えることなく、装置への導入／払出しが可能な位置、すなわち、カセット１ａないし１ｃを略水平の平面上で常に一定の位置に固定される。カセット台２ａおよび２ｂは、Ｌ字形の一辺に平行に隣合わせて配置してある。カセット台２ｃは、Ｌ字形の他の辺に配置してある。カセット１ａおよび１ｂは、処理を行うための未処理ウエハを収納したり、処理済みのウエハを回収するためのもので、複数枚（通常２５枚）の被処理基板であるウエハ２０が収納可能となっている。カセット１ｃは、この場合、プラズマを用いたドライクリーニング（以下、「プラズマクリーニング」という。）を行うためのダミーウエハを収納したり、プラズマクリーニング後のダミーウエハを回収するためのもので、複数枚（通常２５枚）のダミーウエハ３０か収納可能となっている。
　【００１３】カセット台２ａ，２ｂに対向して、ロードロック室５およひアンロードロック室６か配置してあり、カセット台２ａ，２ｂとロードロック室５およびアンロードロック室６との間に第１の搬送手段１３（以下搬送装置１３と呼ぶ）が配置してある。ロードロック室５は、真空排気装置３およびガス導入装置４を装備するとともに、ゲート弁１２ａを介して未処理ウエハを真空装置内に導入可能となっている。アンロードロック室６は、同じく真空排気装置３およびガス導入装置４を装備するとともに、ゲート弁１２ｄを介して処理済みウエハを大気中に取り出し可能となっている。搬送装置１３は、Ｘ，Ｙ，Ｚおよひθ軸を有するロボットを備え、ロードロック室５およびアンロードロック室６とカセット１ａ，１ｂとの間でウエハ２０を、そしてロートロック室５およびアンロードロック室６とカセット１ｃとの間でダミーウエハ３０を授受可能に動作する。
　【００１４】ロードロック室５およびアンロードロック室６は、ゲート弁１２ｂ，１２ｃを介して搬送室１６につながる。この場合、搬送室１６は四角状で、搬送室１６の３方の側壁には、ゲート弁１５ａ，１５ｂ，１５ｃを介してエッチング処理室１１ａ，１１ｂ，１１ｃが設けてある。搬送室１６内には、ロードロック室５，アンロードロック室６およひエッチング処理室１１ａ，１１ｂ，１１ｃとの間でウエハ２０またはダミーウエハ３０を授受可能に動作する第２の搬送手段１４（以下搬送装置１４と呼ぶ）が設けてある。搬送室１６は、独立に真空排気可能な真空排気装置１７を装備している。
　【００１５】エッチング処理室１１ａ，１１ｂ，１１ｃは、この場合、同一の構成で同一の処理が行なわれるようになっている。エッチング処理室１１ｂを例に説明する。エッチング処理室１１ｂは、ウエハ２０を配置するための試料台８ｂを有し、試料台８ｂの上部に放電部７ｂを形成するように放電室が設けてある。エッチング処理室１１ｂは、放電部７ｂへの処理ガス供給のためのガス導入装置１０ｂを有するとともに、エッチング処理室１１ｂ内を所定圧力に減圧排気する真空排気装置９ｂを有し、放電部７ｂの処理ガスをプラズマ化するための、この場合、マイクロ波と磁場の発生手段を有している。
　【００１６】この場合、エッチング処理室の上方にプラズマ光の発光強度を計測するセンサ１８が設けてある。センサ１８の計測値は制御装置１９に入力される。制御装置１９は、センサ１８からの計測値を所定値と比較して、エッチング処理室内のクリーニング時期を判断する。また、制御装置１９は、搬送装置１３および１４を制御して、ダミーウエハ３０をカセット１ｃおよびエッチング処理室１１ａないし１１ｃの間で搬送制御する。
　【００１７】このように構成された真空処理装置では、まず、上位の制御装置から送られる情報に基づき動作するライン搬送ロボットまたはオペレータによって、カセット台２ａ，２ｂに未処理のウエハを収納したカセット１ａ、１ｂが載置される。一方、カセット台２ｃには、ダミーウエハを収納したカセット１ｃが載置される。装置は、カセット１ａないし１ｃに付与された生産情報を自ら認識するか、上位の制御装置から送られる情報に基づくか、あるいはオペレータの入力する命令によるか、いずれかの方法によりウエハ処理またはプラズマクリーニングを実行する。
　【００１８】例えば、搬送装置１３および搬送装置１４によって、カセット１ａ内のウエハ２０を上から順にエッチング処理室１１ａ，１１ｂ，１１ｃに搬入し、それぞれのウエハ２０をエッチング処理する。処理されたそれぞれのウエハ２０は、搬送装置１４および搬送装置１３によって、カセット１ａ内の元の位置に収納する。この場合、運転開始から終了に至る間、カセットの位置および姿勢を変えることなく未処理のウエハを取り出し、そして処理済みのウエハを未処理のウエハが収納されていた元の位置に戻して収納する。このようにすることで、生産ラインの自動化への対応が容易で、且つ、ゴミの発生によるウエハの汚染を低減でき、高い生産効率と高い製品歩留まりを実現できる。
　【００１９】エッチング室１１ａないし１１ｃは、エッチング処理を重ねるにつれて反応生成物がエッチング処理室の内壁面に付着，堆積してくるため、プラズマクリーニングによって付着物を除去し元の状態に復旧してやる必要がある。プラズマクリーニングを行なう時期の判断は、制御装置１９によって行なう。この場合、エッチング処理室１１ａないし１１ｃのそれぞれにプラズマ光の透過する部分を設けておき該透過したプラズマ光の発光強度をセンサ１８によって計測し、その値が所定値に達した時点でプラズマクリーニング時期に達したことを判断する。または、制御装置１９によってそれぞれのエッチング処理室でのウエハ処理枚数を計数しておき、その値が所定値に達した時点でプラズマクリーニング時期に達したことを判断しても良い。実際に行なうプラズマクリーニングのタイミングは、カセット１ａまたは１ｂ内のウエハ２０の所定枚数の処理途中でも良いし、ウエハ２０の処理が全て終り次のカセット内のウエハ処理に移る前でも良い。
　【００２０】プラズマクリーニングの実施にあたっては、次の順序で行なわれる。この場合、カセット１ｃに収納されたダミーウエハ３０（この場合、２５枚収容されている。）の内３枚のダミーウエハ３０を用いてエッチング処理室１１ａないし１１ｃをプラズマクリーニングする場合について説明する。
　【００２１】カセット１ｃに収納された未使用または許容使用回数内のダミーウエハ３０を搬送装置１３によって抜取る。このとき、ダミーウエハ３０は、カセット１ｃ内のいずれの場所に収納されたものでも良いが、この場合は、制御装置１９にカセット内のダミーウエハの位置番号および使用回数を記憶するようにしておき、常に使用回数の少ないものから取り出すようにしてある。その後、ダミーウエハ３０は、ウエハ２０のエッチング処理時の搬送と同様に、搬送装置１３によってカセット１ａとは反対側に配置されたロードロック室５へ隔離弁１２ａを介して搬入される。ロードロック室５は、隔離弁１２ａを閉じた後、真空排気装置３によって所定の圧力まで真空排気され、次いで隔離弁１２ｂおよひ隔離弁１５ａが開放され、搬送装置１４によってダミーウエハ３０は搬送室１６を介してロードロック室５からエッチング室１１ａへ搬送され、試料台８ａ上に載置される。ダミーウエハ３０が配置されたエッチング室１１ａは、隔離弁１５ａを閉じた後、所定の条件によりプラズマクリーニングの処理が施される。
　【００２２】この間に、ロードロック室５は隔離弁１２ａ，１２ｂを閉じ、ガス導入装置４によって大気圧に復帰される。次に、隔離弁１２ａを開放し１枚目のダミーウエハ３０と同様に２枚目のダミーウエハ３０を搬送装置１３によってロードロック室５内に搬入し、隔離弁１２ａを閉じて再び真空排気装置３によって所定の圧力まで真空排気する。その後、隔離弁１２ｂおよび隔離弁１５ｂを開いて、搬送装置１３によって２枚目のダミーウエハ３０を搬送室１６を介してロードロック室５からエッチング処理室１１ｂに搬入し、隔離弁１５ｂを閉じた後プラズマクリーニングの処理を開始する。
　【００２３】さらにこの間に、２枚目のダミーウエハ３０と同様に３枚目のダミーウエハ３０をエッチング処理室１１ｃに搬入してプラズマクリーニングの処理を行なう。
　【００２４】１枚目のダミーウエハ２０が配置されたエッチング室１１ａのプラズマクリーニングが終了すると、隔離弁１５ａおよび隔離弁１２ｃが開かれる。使用済みのダミーウエハ３０は搬送装置１４によってエッチング室１１ａからアンロードロック室６に搬出される。続いて隔離弁１２ｃが閉じられる。ガス導入装置４によってアンロードロック室６を大気圧に復帰した後、隔離弁１２ｄが開かれる。アンロードロック室６に搬出された使用済みダミーウエハ３０は、搬送装置１３によって隔離弁１２ｄを介して大気中に取り出され、当初収納されていたカセット１ｃ内の元の位置へ戻される。
　【００２５】エッチング室１１ｂおよびエッチング室１１ｃのプラズマクリーニングが終了すると、同様にして２枚目および３枚目のダミーウエハ２０がカセット１ｃ内の元の位置へ戻される。
　【００２６】このように、使用済みのダミーウエハ３０はカセット１ｃ内の元の位置に戻され、ダミーウェーハ３０は常にカセット１ｃ内にストックされる。なお、カセット１ｃのダミーウエハ３０が全てプラズマクリーニングで使用された場合や、数回の使用によって予定使用回数に達した場合、ダミーウエハ３０はカセット１ｃごと全て交換される。このカセットの交換時期は、制御装置１９によって管理され、ライン搬送ロボットを制御する上位制御装置またはオペレータに指示される。
　【００２７】なお、この場合のプラズマクリーニングは、カセット１ｃ内のダミーウエハ３０の内３枚のダミーウエハ３０を用いてエッチング処理室１１ａないし１１ｃを連続的にプラズマクリーニングする場合について説明したが、別の処理方法をとしても良い。
　【００２８】例えば、１枚のダミーウエハ３０を用いてエッチング処理室１１ａないし１１ｃを順次プラズマクリーニングする。このようなプラズマクリーニングの場合は、プラズマクリーニングの対象となるエッチング処理室以外の他のエッチング処理室においては、未処理のウエハ２０をエッチング処理することができ、エッチング処理を中断させずに装置をクリーニングすることかできる。
　【００２９】また、処理室が、例えば、エッチング室，後処理室，成膜室というように異なっており、順次ウエハが各処理室を通り処理されるような場合には、カセット１ａまたは２ａ内のウエハ２０を順次送って処理する途中にダミーウエハ３０を送り、プラズマクリーニングの必要のない処理室では単に通過させるだけで、プラズマクリーニングの必要な処理室に来たときだけ処理するようにして、処理室のそれぞれを適宜プラズマクリーニングするようにしても良い。
　【００３０】以上本実施例によれば、ダミーウエハを収容したカセットと処理用のウエハを収容したカセットとを一緒に大気雰囲気中に配置し、クリーニング時にウエハの搬送と同一の搬送装置によってダミーウエハをカセット内から装置内に取り込み、プラズマクリーニングを行ない、使用済みのダミーウエハをカセット内の元の位置に戻すことによって、プラズマクリーニングのための専用の機構を設ける必要がなく、装置を簡単にすることができる。また、プラズマクリーニングを特別な処理シーケンスとして取り扱う必要はなく、通常のエッチング処理の中に組み込んで一連の作業として効率良く行うことができる。
　【００３１】また、プラズマクリーニングに使用したダミーウエハは、大気中に配置したカセットの元の位置に戻すようにしてあるので、真空室内では使用済みのダミーウエハと処理前および処理後のウエハとが回し室内で混在することがなく、従来の装置のようにゴミの発生や残留ガスなどによってウエハを汚染する心配がない。
　【００３２】また、使用済みのダミーウエハは、カセットの元の位置に戻すとともに使用回数を管理しているので、使用済みのダミーウエハと未使用のダミーウエハおよび使用回数の少ないダミーウエハと使用回数の多いダミーウエハの混同を防止でき、プラズマクリーニングを行なう際にダミーウエハを有効に、かつ、不都合なく使用することができる。
　【００３３】さらに、複数の処理室を有し、同一の搬送装置によってウエハおよひダミーウエハを搬送可能な装置とするとともに、制御装置によってそれぞれの処理室のクリーニング時期を管理して、プラズマクリーニングが行なえるようにしているので、クリーニングを実施する周期を任意に設定できるとともに、処理の流れを中断することなくドライクリーニングが行なえ、効率的な処理ができ高い生産効率を上げることができる。
　【００３４】
　【発明の効果】本発明によれば、装置構成が簡単で、被処理基板の汚染がなく高い製品歩留まりを実現できるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
　【図１】本発明の真空処理装置の一実施例であるのドライエッチング装置を示す平面図である。
　【図２】第１図を１−１から見た縦断面図である。
　【符号の説明】
１ａ〜１ｃ……カセット、５……ロードロック室、６……アンロードロック室、１３……搬送装置、２０……ウエハ、３０……ダミーウエハ。