【事件の表示】
　特許第２８０４７６２号「プラズマエッチング処理装置」の請求項１ないし３に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結論】
　訂正を認める。
　特許第２８０４７６２号の請求項１ないし３に係る特許を維持する。
【理由】
Ｉ．手続の経緯
　　　特許出願　　　　　　　　　　　　　　　昭和６３年７月１９日
　　　特許権設定登録　　　　　　　　　　　　平成１０年７月１７日
　　　特許異議の申立て　（申立人鈴木俊孝）　平成１１年３月３０日
　　　取消理由通知　　　　　　　　　　　　　平成１１年６月９日
　　　訂正請求　　　　　　　　　　　　　　　平成１１年８月２６日
ＩＩ．訂正の適否についての判断
１．訂正の内容
［訂正事項ａ］
　発明の名称である「プラズマ処理装置」を、「プラズマエッチング処理装置」と訂正する。
［訂正事項ｂ］
　特許請求の範囲の請求項（１）、（２）及び（３）中の「プラズマ処理装置」を、「プラズマエッチング処理装置」と訂正する。
［訂正事項ｃ］
　特許請求の範囲の請求項（１）中の「処理室内に配置された被処理体をプラズマ処理する装置」を、「上部電極と下部電極を備えた処理室内の下部電極に配置された被処理体をプラズマエッチング処理する装置」と訂正する。
［訂正事項ｄ］
　特許請求の範囲の請求項（１）中の「前記処理室に設けられた」を、「前記処理室の側壁に設けられた」と訂正する。
［訂正事項ｅ］
　特許請求の範囲の請求項（１）及び（２）中の「処理室側周囲」を、「処理室側周囲のエッヂ」と、それぞれ、訂正する。
［訂正事項ｆ］
　特許明細書の〔発明の構成〕（課題を解決するための手段）（本件特許公報第３欄第３０行〜４４行）中の「処理室内に配置された被処理体をプラズマ処理する装置」、「前記処理室に設けられた」、「処理室側周囲」（２箇所）及び「プラズマ処理装置」（３箇所）を、「上部電極と下部電極を備えた処理室内の下部電極に配置された被処理体をプラズマエッチング処理する装置」、「前記処理室の側壁に設けられた」、「処理室側周囲のエッヂ」（２箇所）及び「プラズマエッチング処理装置」（３箇所）と、それぞれ、訂正する。
２．訂正の目的の適否及び拡張・変更の存否
　訂正事項ａは、発明の名称を特許請求の範囲の記載に整合させるものであるから、明りょうでない記載の釈明に該当する。
　訂正事項ｂ〜ｅは、訂正前の特許請求の範囲に記載された構成を、それぞれ、より下位の概念に限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮に該当する。
　訂正事項ｆは、訂正事項ｂ〜ｅの訂正に伴い、発明の詳細な説明を特許請求の範囲の記載に整合させるものであるから、明りょうでない記載の釈明に該当する。
　そして、上記各訂正は、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内のものであり、かつ、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
３．独立特許要件の判断
［訂正明細書の特許請求の範囲の請求項（１）ないし（３）に係る発明］
　訂正明細書の特許請求の範囲の請求項（１）ないし（３）に係る発明は、それぞれ、その特許請求の範囲の請求項（１）ないし（３）に記載された下記のとおりのものである。
　「（１）上部電極と下部電極を備えた処理室内の下部電極に配置された被処理体をプラズマエッチング処理する装置において，前記処理室の側壁に設けられた前記被処理体を搬入或いは搬出する開口部の少なくとも前記処理室側周囲のエッヂには絶縁体が被覆されていることを特徴とする，プラズマエッチング処理装置。」（以下「本件訂正発明１」という。）
　「（２）前記絶縁体は，前記開口部の処理室側周囲のエッヂを覆うことが可能な略リング形状であることを特徴とする，請求項１に記載のプラズマエノチング処理装置。」（以下「本件訂正発明２」という。）
　「（３）前記絶縁体は，セラミックスであることを特徴とする，請求項１又は２に記載のプラズマエッチング処理装置。」（以下「本件訂正発明３」という。）
［引用刊行物に記載された発明］
　当審が通知した取消理由に引用した刊行物１である特開昭６２−２０８７５公報（以下「刊行物１」という。）には、「堆積膜形成装置」が、かかる装置の構造を示す図面（第６頁第１図）及び以下の各記載とともに開示されている。
　「プラズマを利用するＣＶＤ法が近年脚光を浴びている。この方法は、例えば第４図に示した様式の堆積膜形成装置を用い、カソード電極として作用する反応槽容器２内を排気系１１により高真空に減圧し、原料ガスを導入管７，７・・・により容器内に供給した後、例えば容器２と円筒状の導電性基体６との間でグロー放電を生起させて原料ガスを励起・反応させて基体６上に堆積膜を形成させる」（第１頁左下欄第１９行〜右下欄第７行，第７頁第４図）、
　「第１図は円筒状導電性基体を装着した本発明の堆積膜形成装置の１構成例を示した模式図であり、第４図と同一の要素は同一の符号で表わしている。」（第２頁左下欄第４行〜６行）、
　「反応槽容器２上には基体搬送設備が設けられており、環状碍子２２を介して容器２上に載置される上ゲート２３、真空チャンバー２４及びこの下ゲート２５等で構成されている。基体６は真空チャンバー２４により真空中で上下移動せしめられて、容器２内に搬入され、堆積膜形成後に搬出される。」（第３頁右上欄第１０行〜１５行）、
　「この様な構成の装置を用いて本発明方法を実施するに際しては、先づ下ゲート２５、上ゲート２３を開けて円筒状の導電性基体６を容器２内に入れ、基体受け台５上に容器２とほぼ軸芯を合せて載置する。次いでゲート２３、２５を閉じ、排気系Ａから排気して反応槽容器内を１０−２〜１０−６Ｔｏｒｒ程度の真空度まで減圧した後、ガス導入管７，７から堆積膜形成用ガスを導入すると共に容器２に高周波電力を供給してグロー放電を生起せしめ、基体６を静止させたまま堆積膜を形成させる。」（第３頁左下欄第２行〜１１行）。
　上記各記載及びその他の箇所の記載を参照しながら第１図を検討すると、この刊行物１には、「反応槽容器（処理室）２内に配置された導電性基体（被処理体）６をグロー放電処理（プラズマ処理）する装置において、前記反応槽容器２に設けられた前記導電性基体６を搬入或いは搬出するゲート（開口部）２３、２５の前記反応槽容器２の側周囲には環状碍子（絶縁体）２２が設けられている堆積膜形成装置（プラズマ処理装置）」が、実質的に記載されているものと認められる。
［対比・判断］
　本件訂正発明１と刊行物１記載の発明（以下「引用発明」という。）とを対比すると、引用発明は、本件訂正発明１が必須の構成要件としている下記▲１▼及び▲２▼の点を備えていない。
▲１▼　電極を上部電極と下部電極によって構成し、かつ、被処理体を下部電極に配置した点。
▲２▼　被処理体を搬入或いは搬出する開口部を処理室の側壁に設け、かかる開口部の少なくとも処理室側周囲のエッヂを絶縁体で被覆した点。
　上記▲２▼の点について検討するに、引用発明の装置には、絶縁体である環状碍子２２は存在するものの処理室側周囲にエッヂは存在せず、したがって、上記環状碍子２２はエッヂを被覆するものではないから、▲２▼の点は、引用発明から容易に想到できるものではない。
　そして、本件訂正発明１では、上記▲１▼及び▲２▼の点を備えることによって、「上部電極と下部電極間にグロー放電を生起させて下部電極上の被処理体をプラズマ処理する際に、上部電極と処理室内壁凸部（エッヂ）との間に好ましくないアーク放電が発生するのを防止することができ、もって、放電の効率低下の防止、放電安定性の向上、アーク放電に伴う塵（汚染）の発生の防止等をはかることができる」という、引用発明からは予測できない顕著な効果を奏し得たものである。
　してみれば、本件訂正発明１が、刊行物１に記載された発明であるとすることも、刊行物１に記載された発明から当業者が容易になしえたものであるとすることもできない。
　また、本件訂正発明２及び３については、これらは本件訂正発明１の構成を全て備えた上でさらなる構成要件が付加されたものであるから、本件訂正発明１と同様に、刊行物１に記載された発明であるとすることも、刊行物１に記載された発明から当業者が容易になしえたものであるとすることもできない。
　したがって、本件訂正発明１ないし３を、特許出願の際独立して特許を受けることができないものとすることはできない。
４．まとめ
　　以上のとおりであるから、上記訂正事項ａ〜ｆに係る訂正は、特許法第１２０条の４第２項ただし書き第１ないし第３号に該当するものであり、また、同条第３項で準用する同第１２６条第２ないし第４項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
ＩＩＩ．特許異議の申立てについての判断
１．申立ての理由の概要
　申立人鈴木俊孝は、証拠として甲第１号証（上記「刊行物１」）を提出するとともに、参考資料１（１９８９年８月１５日共立出版株式会社（縮刷版３２刷）「化学大辞典２」表紙、第２４６頁、奥付）を提示して、本件の訂正前の請求項１ないし３に係る発明は特許法第２９条第１項第３号または同法第２９条第２項の規定によって特許を受けることができない発明であるので、当該発明の特許は取り消されるべき旨主張している。
２．証拠等に記載された発明
　刊行物１の記載内容は、上記「ＩＩ−３−［引用刊行物に記載された発明］」において述べたとおりである。
　なお、参考資料１には、刊行物１に記載された「碍子」が、「絶縁体」であり、かつ、「セラミックス」であることを裏付ける記載がある。
３．対比・判断
　上記「Ｈ−４」において既述したように、訂正請求が認められた結果、本件特許の特許請求の範囲の請求項（１）ないし（３）に係る発明は、訂正明細書の特許請求の範囲の請求項（１）ないし（３）に記載されたとおりのものとなった。
　そこで、申立人鈴木俊孝の異議申立てについて検討すると、本件訂正発明１ないし３が、刊行物１に記載された発明であるとすることも、刊行物１に記載された発明から当業者が容易になしえたものであるとすることもできないことは、上記「ＩＩ−３−［対比・判断］」で述べたとおりである。
　なお、申立人は、「（本件特許発明におけるエッヂを被覆している絶縁体については）エッヂを被覆しているということ以上の意味はなく、この構成は、（刊行物１に記載された）開口部を碍子（絶縁体）で覆うようにした構成と格別差異はなく、したがって、処理室内壁における放電の発生を抑止するという本件特許発明の課題、及び、電極と開口部との間の放電を抑制して放電の安定化を図り、被処理体及び処理室内の汚染を防止するという本件特許発明の作用効果は必然的に達成されている」（特許異議申立書第６頁第２３行〜第７頁第６行）旨主張する。
　しかしながら、刊行物１記載の装置は、反応槽容器２自体を放電発生用のカソードとしたものであり、しかも、第１図の記載から明らかなように、処理室内壁にエッヂも存在しないから、かかる装置においては、処理室内壁、特にエッヂにおける放電発生を防止する本件特許発明の課題自体が存在し得ないものである。
　したがって、申立人の上記主張は採用しない。
４．まとめ
　したがって、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件訂正発明１ないし３に係る特許を、特許法第２９条第１項第３号または同法第２９条第２項の規定に違反してされたものとすることはできない。
ＩＶ．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件の訂正明細書の特許請求の範囲の請求項（１）ないし（３）に係る発明の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件の訂正明細書の特許請求の範囲の請求項（１）ないし（３）に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１１年１０月２９日（１９９９．１０．２９）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
　特許第２，８０４，７６２号の明細書を以下のとおり訂正する。
［訂正事項ａ］
　明りょうでない記載の釈明を目的として、発明の名称である「プラズマ処理装置」を、「プラズマエッチング処理装置」と訂正する。
［訂正事項ｂ］
　特許請求の範囲の減縮を目的として、特許請求の範囲（１）、（２）及び（３）中の「プラズマ処理装置」を、「プラズマエッチング処理装置」と訂正する。
［訂正事項ｃ］
　特許請求の範囲の減縮を目的として、特許請求の範囲（１）中の「処理室内に配置された被処理体をプラズマ処理する装置」を、「上部電極と下部電極を備えた処理室内の下部電極に配置された被処理体をプラズマエッチング処理する装置」と訂正する。
［訂正事項ｄ］
　特許請求の範囲の減縮を目的として、特許請求の範囲（１）中の「前記処理室に設けられた」を、「前記処理室の側壁に設けられた」と訂正する。
［訂正事項ｅ］
　特許請求の範囲の減縮を目的として、特許請求の範囲（１）及び（２）中のｒ処理室側周囲」を、「処理室側周囲のエツヂ」と、それぞれ、訂正する。
［訂正事項ｆ］
　明りょうでない記載の釈明を目的として、特許明細書の〔発明の訂正要旨構成〕（課題を解決するための手段）（本件特許公報第３欄第３０行〜４４行）中の「処理室内に配置された被処理体をプラマ処理する装置」、「前期処理室に設けられた」、「処理室側周囲」（２箇所）及び「プラズマ処理装置」（３箇所）を、「上部電極と下部電極を備えた処理室の下部電に配置された被処理体をプラズマエッチング処理する装置」、「前期処理室に設けられた」、「処理室側周囲のエッヂ」（２箇所）及び「プラズマエッチング処理装置」（３箇所）と、それぞれ、訂正する。
（５４）【発明の名称】
プラズマ
エッチング
（５７）【特許請求の範囲】
　（１）　
上部電極と下部電極を備えた
の下部電極
エッチング
の側壁
エッヂ
エッチング
　（２）　前期絶縁体は，前期開口部の処理室側の周囲
のエッヂ
エッチング
　（３）　前期絶縁体は，セラミックであることを特徴とする，請求項１又は２に記載のプラズマ
エッチング
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
（産業上の利用分野）
　本発明は、プラズマ処理装置に関する。
（従来の技術）
　文字・数字・図形・画像等を電気的手段を利用して表示する表示装置として、軽量小型，低消費電力，長寿命化等の見地から、例えばＬＣＤ（Ｌｉｑｕｌｄ　Ｃｒｙｓｔａｌ　Ｄｉｓｐｌａｙ液晶表示）装置が実用されている。
　上記ＬＣＤの製造には、半導体ウエハ製造技術が用いられ、蒸着した透明導電膜を選択的にエッチングすることにより電極パターンが形成される。上記エッチングにおいては、品質の安定性・生産性・経済性の面で優れているウエットエッチングが行なわれている。しかし、セグメント表示するＬＣＤの場合、上記電極パターンの精度は３００〜５００μｍ程度であるが、ＴＶ画像などをマトリクス表示するＬＣＤの場合は電極パターンの精度を１０〜２０μｍに設定する場合がある。更に、近年上記電極パターンの微細化が進み、上記ウェットエッチングでは上記電極パターンの微細化に対応することが困難となって来ており、上記ウエットエッチングに代わりドライエッチングが注目されている。このドライエッチングは、減圧処理室内に対向配置された電極の一方に上記ＬＣＤ用ガラス基板を設置し、上記電極間に電力を印加することにより、導入したエッチングガスをプラズマ化し、このプラズマ化したエッチングガスにより電極パターンを形成するものである。
（発明が解決しようとする課題）
　上記エッチングガスをプラズマ化するためには、当然上記電極間に放電を発生させるが、この放電は上記電極間に限らず、一方の高圧電極と上記処理室内壁凸部との間にも放電が発生する。この高圧電極と処理室内壁凸部間の放電は、アーク放電となり、このアーク放電はエネルギーが強いため、薄い絶縁膜程度のものは破壊して放電が発生する。通常、上記処理室内壁には、耐腐食対策のためアルマイト処理により絶縁膜が形成されている。しかし、この絶縁膜が上記放電により破壊されて剥離し、これが塵となって上記ＬＣＤ基板を汚染してしまう他、上記放電により絶縁膜が破壊されると、その部分がエッチングガス等により腐食され、これも汚染の原因となる。
　又、エッチングに寄与する放電が不安定になったり、不均一になってエッチング特性に悪影響をおよぼす。
　本発明は上記点に対処してなされたもので、処理室内壁凸部への放電の発生を抑止することにより、被処理体の歩留まりの低下を防ぐことを可能としたプラズマ処理装置を提供しようとするものである。
〔発明の構成〕
（課題を解決するための手段）
　上記課題を解決するために，請求項１に記載の発明によれば，
上部電極と下部電極を備えた
の下部電極
エッチング
の側壁
のエッヂ
エッチング
　また，請求項２に記載の発明は，請求項１に記載のプラズマ
エッチング
のエッヂ
また，請求項３に記載の発明は，請求項１又は２に記載のプラズマ
エッチング
（作用効果）
　かかる構成によれば，処理室に設けられた被処理体を搬入或いは搬出する開口部の少なくとも処理室側周囲に絶縁体を被覆して設けたため，電極と開口部との間の放電を抑制すると共に，被処理体のプラズマ処理に寄与する放電の効率低下を防止して，この放電の安定化を図ることができる。さらに，電極と開口部との間で放電が生じないため，その放電に伴う塵も発生せず，被処理体及び処理室内の汚染を防止することができる。
（実施例）
　以下、本発明装置をＬＣＤ基板のエッチング処理工程に適用した一実施例につき、図面を参照して説明する。
　まず、プラズマ処理装置の構成を説明する。
　エッチング処理が行なわれる処理室（１）は、材質例えばアルミニウム製で、耐腐食対策例えば表面にアルミナの被膜が形成されている。この処理室（１）は、立方体形状で、メンテナンスを容易にする等の理由から上記処理室（１）上面が開閉可能とされている。更に、上記処理室（１）の側壁には開口（２）が設けられており、この開口（２）を開閉可能とする開閉機構（３）が、上記処理室（１）側壁の外面に設けられている。この開閉機構（３）が上記開口（２）を閉じることにより、上記処理室（１）内を気密に設定可能としている。また、上記処理室（１）内の下方には、昇降機構（４）に連設した下部電極（５）か昇降自在に設けられ、この昇降に対応して材質例えばステンレススチール製のベローズ（６）により気密が保たれている。上記下部電極（５）は、例えばアルミニウム製で表面にアルマイト処理を施してある平板状に形成されている。この下部電極（５）の上面には、被処理体例えばＬＣＤ基板（７）を設置可能となっており、このＬＣＤ基板の設置を容易とするために、上記下部電極（５）表面に出没自在なリフターピン（図示せず）が設けられている。また、上記ＬＣＤ基板をプラズマ処理例えばプラズマエッチングする際に発生させる放電即ちグロー放電を、上記ＬＣＤ基板表面に集中させるため、上記下部電極（５）の上面周縁部には、上記ＬＣＤ基板（７）の外周形状とほぼ同形状の開口を有する絶縁材質からなるフォーカス体（８）が設けられている。更に、上記下部電極（５）下面も絶縁体（９）で覆われ、この下部電極（５）はアース（１０）されている。
　また、上記処理室（１）内の上方即ち上記下部電極（５）の対向位置には、導電性機質例えばグラファイト製の上部電極（１１）が設けられている。この上部電極（１１）は上記ＬＣＤ基板（７）表面と同形状を露出させ、それ以外の部分に絶縁体（１２）を覆設して、上記上部電極（１１）の露出下面と上記下部電極（５）上面のみにグロー放電が発生する如く構成されている。上記絶縁体（１２）は、上記上部電極（１１）を支持し、上記処理室（１）側壁上端に固定可能となっている。また、上記上部電極（１１）には電源（１３）が接続しており、上記上部電極（１１）及び下部電極（５）間で放電可能とされている。この場合、下部電極（５）側が接地され、この下部電極（５）に上記ＬＣＤ基板（７）を載置するため、ラジカルによりエッチングされるプラズマエッチングモードに設定されているが、イオンによりエッチングされるＲＩＥ（リアクティブ・イオン・エッチング）モードにも対応する如く、下部電極（５）に電源（１３）を接続し、上部電極（１１）を接地することもできる。また、上記上部電極（１１）には、所定の口径の孔（図示せず）が複数個形成されており、この孔からプラズマ処理用反応ガス例えばエッチングガスを流通可能としている。このエッチングガスは、上記上部電極（１１）上部に設けられた空間（１４）に接続したガス供給管（１５）から供給される如く構成されている。このガス供給管（１５）は、図示しないガス供給源に連設し、上記空間（１４）内へ所定の処理ガスを所定量で供給可能とされている。上記空間（１４）内に供給された処理ガスを上記ＬＣＤ基板（７）表面に均一に供給するために、上記空間（１４）内には複数枚のバッフル（１６）が設けられている。このバッフル（１６）には、複数個の開孔が形成されており、上記処理ガスが上記開孔を有するバッフル（１６）を複数枚通過することにより広面積に均一に拡散されるようになっている。
　また、上記処理室（１）の下方周縁部には、上記処理室（１）内のガスが均一に排気される如く、各点で異なる所定の開孔率に設定した整流体（１７）が、取付台（１８）に着脱自在に設けられている。このような整流体（１７）を介して上記処理室（１）内のガスを排気する如く排気管（１９）が接続し、この排気管（１９）は図示しない排気機構例えばロータリーポンプやターボ分子ポンプ等に連設している。
　また、上記上部電極（１１）及び下部電極（５）間に放電を発生させる場合、高圧電極である上記電極（１１）と接地電極である下部電極（５）との間のみならず、上記上部電極（１１）及び上記処理室（１）内壁の凸部間にも放電が発生してしまう。そのため、上記処理室（１）内壁の凸部例えば処理室（１）側壁に形成された開口（２）のエッヂに着脱自在な絶縁体（２０）が取着され、上記エッヂを被覆している。この絶縁体（２０）は、第２図に示すように、上記開口（２）エッヂを覆うように断面Ｌ字型の角型リング形状で、低誘電率の絶縁材質例えばテフロン或いはセラミックで形成されており、この絶縁体（２０）のＬ字型突出部を上記開口（２）に嵌合可能となっている。このようにしてプラズマ処理装置が構成されている。
　次に、上述したプラズマ処理装置の動作作用を説明する。
　まず、処理室（１）内を所定の減圧状態に設定し、処理室（１）側壁に形成されている開口（２）を開閉機構（３）の動作により開け、図示しない搬送機構例えばハンドリングアームにより、被処理体例えばＬＣＤ基板（７）を上記処理室（１）内へ搬入する。上記開閉機構（３）により上記開口（２）を開けても、上記処理室（１）の圧力を保持可能とするように、上記開口（２）の外部空間をロードロック室としておく。そして、上記ＬＣＤ基板（７）を下部電極（５）表面の予め定められた位置に設置する。この時、上記ＬＣＤ基板の設置を容易に行なえるように、リフターピン（図示せず）により中継している。そして、上記ハンドリングアームを処理室（１）内から搬出した後、上記開口（２）を閉じ、処理室（１）内部を気密に設定する。そして、上記下部電極（５）を昇降機構（４）により上昇させ、上記ＬＣＤ基板（７）表面と上部電極（１１）表面との間隔を所定の間隔に設定する。この後、上記上部電極（１１）及び下部電極（５）間に電源（１３）により電力を印加し、グロー放電を発生させる。これと同時に、ガス供給源（図示せず）から所定の処理ガス即ちエッチングガスをガス供給管（１５）を介して空間（１４）に流入する。そして、この空間（１４）内に流入されたガスは、上記空間（１４）内に設けられているバッフル（１６）により広範囲に拡散され、上記上部電極（１１）に形成されている複数の開孔から上ＬＣＤ基板表面に供給する。ここで、この供給されたエッチングガスが上記グロー放電によりプラズマ化され、これにより発生したラジカルにより、上記ＬＣＤ基板（７）表面に被着している例えば、ａ−Ｓｉ膜、ＳｉＮｘ膜、Ａｌ膜等を選択的に除去する。この時、上記放電により上部電極（１１）及び下部電極（５）が加熱されてしまうため、上記上部電極（１１）及び下部電極（５）は夫々冷却されている。これは、上部電極（１１）が加熱されると、電極やその他の電極部構成部品が破損してしまうことや、熱輻射によりレジストにダメージを与えること等がある。また、上記下部電極（５）が加熱されると、この下部電極（５）表面に設定されたＬＣＤ基板（７）が加熱され、特に、このＬＣＤ基板（７）表面に被着されたレジストが１８０℃付近で変異し、必要以上にキュアリングしたり、選択比が悪くなる等の問題があるため、夫々冷却を必要としている。そして、エッチング廃ガス等は、上記処理室（１）内下方縁部に設けられた整流体（１７）を介して排気管（１９）より排気される。
　このようにしてエッチング処理が行なわれるが、上記エッチングの際には放電が行なわれる。通常、エッチング処理に寄与する放電は、上記上部電極（１１）及び下部電極（５）間で均一に発生するグロー放電であるが、上記上部電極（１１）及び上記処理室（１）内壁凸部間にも放電が発生する。この放電はアーク放電であり、このアーク放電はエネルギー密度が高く、薄い絶縁膜程度のものは破壊して放電が発生してしまう。これは、上記処理室（１）内壁も接地されていることから、この処理室（１）内壁と上記下部電極（５）が同電位となり、上記が発生してしまう。特に，上記放電は，電界集中を起こしやすい尖塔的形状をした凸部やエッヂ部に発生する場合が多い。この凸部やエッヂ部としては，例えば上記ＬＣＤ基板（７）を上記処理室（１）内へ搬入出する開口（２）や、上記処理室（１）内壁に形成された図示しない目視窓の部凸や、更に、図示はしないが上記処理室（１）内の圧力をモニターするための圧力計に上記処理室（１）内壁に形成された貫通穴の凸部などが考えられる。これらの凸部に、絶縁体を取着することにより、上記アーク放電の発生を防止することができる。例えば、上記ＬＣＤ基板（７）を搬入出するための開口（２）の凸部に、角型の絶縁体（２０）を取着することで、上記開口（２）凸部へのアーク放電を防止することができる。
　上記実施例では、ラジカルによりエッチングするプラズマエッチングモードで説明したが、ＲＩＥモードでも同様であり、このＲＩＥモードの場合、接地電極が異なるため、当然上記処理室（１）内壁凸部と放電する電極も異なる。
　また、上記実施例では、被処理体としてＬＣＤ基板を例に上げて説明したが、これに限定するものではなく、例えば半導体ウエハでも同様な効果が得られる。更に、被処理体のプラズマ処理としてエッチング処理について説明したが、これに限定するものではなく、例えばＣＶＤ処理・アッシング処理・スパッタ処理・クリーニング処理等に適用しても同様な効果が得られる。
　以上述べたようにこの実施例によれば、処理室内壁の凸部を絶縁体により被覆することにより、電極及び処理室内壁凸部間のアーク放電を抑止し、被処理体のプラズマ処理に寄与する放電の効率低下を防止すること及び放電の安定性の向上を計ることができる。そのため、上記電極及び処理室内壁凸部間の放電による塵の発生はなく、上記被処理体及び処理室内の汚染を防止することができ、歩留まりの低下を抑止することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
　第１図は本発明装置の一実施例を説明するためのプラズマ処理装置の構成図、第２図は第１図の絶縁体説明図である。
１……処理室、２……開口
５……下部電極、１１……上部電極
２０……絶縁体