【事件の表示】
特許第２７２７９８８号「インクジェットプリントヘッドの製造方法」の請求項１ないし３に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結論】
特許第２７２７９８８号の請求項１、３に係る特許を取り消す。
　同請求項２に係る特許を維持する。
【理由】
Ｉ．手続きの経緯
　本件特許第２７２７９８８号発明は、平成６年１２月１５日に特許出願され、平成９年１２月１２日にその特許の設定登録がなされ、その後、古沢邦子より特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１１年２月１５日に特許異議意見書が提出されたものである。
ＩＩ．本件発明
　本件請求項１乃至３に係る発明は、特許明細書及び図面の記載からみて、それぞれ、特許請求の範囲の請求項１乃至３に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
「【請求項１】サーマルヘッド基板上に、インク吐出エネルギーを発生させる発熱素子と、この発熱素子に電力を供給する電極と、前記発熱素子および電極を覆う保護層とを順次積層し、続いて、この保護層上に感光性樹脂フィルムを用いてインク流路を形成してなるインクジェットプリントヘッドの製造方法において、前記感光性樹脂フィルムによるインク流路の形成に先立って、前記サーマルヘッド基板の表面を酸素プラズマによってプラズマ処理することを特徴としたインクジェットプリントヘッドの製造方法。
　【請求項２】前記酸素プラズマは、その処理条件が、圧力１０Ｐａ，電力密度０．２８Ｗ／Ｃｍ２，処理時間１分に設定したことを特徴とする請求項１記載のインクジェットプリントヘッドの製造方法。
　【請求項３】前記インク流路は、フォトリソグラフィの手法を用いて形成されたものであることを特徴とする請求項１又は２記載のインクジェットプリントヘッドの製造方法。」
ＩＩＩ．異議申立についての判断
１．申立理由の概要
　申立人古沢邦子は、証拠として甲第１乃至４号証を提出し、本件請求項１乃至３に係る各発明は、甲第１乃至４号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件請求項１乃至３に係る各特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであり、取り消されるべき旨主張している。
　当審が通知した取消理由は、甲第１乃至４号証を刊行物１乃至４として引用し、申立人の主張理由を採用したものである。
２．甲各号証とその記載事項
　甲第１号証：特開昭５９−１２６７号公報
　ａ．感光性樹脂の硬化膜でインク通路壁を形成する方法により安価なインクジェット記録ヘッドを提供することができるが、インクの長期浸漬に対し基板と感光性樹脂硬化膜の密着力が徐々に低下し、微少な剥れが生じること（第２頁左上欄第８行〜同右上欄第３行）、
　ｂ．これを防止するため、インク吐出圧発生素子を設置した基板上に無機酸化物や無機窒化物からなる保護層を設け、この保護層の表面を金属有機化合物で処理した後に感光性樹脂を積層すること（第２頁右上欄第１４行〜同左下欄第４行）、
　ｃ．基板１上に信号入力用電極が接続してある発熱素子やピエゾ素子等のインク吐出圧発生素子２を所望の個数配置し、耐インク性電気絶縁性を付与する目的で無機酸化物やＳｉ３Ｎ４等の無機窒化物の保護層３を被覆するが、これらは感光性樹脂硬化膜との密着力を向上させるために行なう金属有機化合物の処理の効果を充分に発揮させる材料であること（第２頁左下欄第９行〜同右下欄第１行、第１図）、
　ｄ．保護層３上に金属有機化合物層４を形成し、これにラミネートするドライフィルムフォトレジストである感光性樹脂５は相当の外力が加わっても剥離しないこと（第４頁左下欄第１〜９行、第２，３図）、
　ｅ．感光性樹脂５上にフォトマスク６を重ねて露光し、未露光部分を溶解除去してインク通路となる溝９を形成し、溝９内に露出している金属有機化合物層４は除去すること（第４頁左下欄第１０〜同右下欄第１７行、第３，４，５図）、
　等が記載されている。
　甲第２号証：特開昭６１−２４９７６５号公報
　ａ．吐出エネルギー発生素子を配置した基板上に硬化した感光性樹脂の溝壁をフォトリソグラフィー工程を用いて積層形成したインクジェット記録ヘッドにおいて、製造工程や長期使用に際して基板とインク通路を形成する感光性樹脂硬化膜との剥離が生じやすいこと（第２頁右上欄第３行〜同左下欄第１４行）、
　ｂ．これを防止するため、感光性樹脂を積層するに先立って、基板面をカップリング剤で処理することにより、基板とインク通路を形成する樹脂硬化膜との間の密着性を低下させる種々の応力を緩和すること（第３頁左下欄第５〜１４行）、
　ｃ．平板１−１上に記録信号入力用電極が接続してある発熱素子やピエゾ素子等のインク吐出エネルギー発生素子１−２を所望の個数配置し、耐インク性や電気絶縁性を付与する目的で保護層１−３を被覆して基板１とすること（第３頁右下欄第１〜９行、第１図）、
　ｄ．保護層１−３上に基板と感光性樹脂硬化膜との密着性を向上させるシランカップリング剤層２−１，２−２を形成すること（第３頁右下欄第１０行〜第６頁右上欄第４行、第２図）、
　ｅ．その上に設けたドライフィルムフォトレジスト３上にフォトマスク４を重ねて露光し、未硬化部分を溶解除去してインク通路となる溝７を形成し、溝７の基板面にあるカップリング剤層２は除去すること（第６頁右上欄第５〜第７頁左下欄第１９行、第３，４，５図）、
　等が記載されている。
　甲第３号証：特開平６−２６７８３５号公報
　ａ．シリコン単結晶基板上に堆積したシリコン窒化薄膜（Ｓｉ３Ｎ４）とその上に塗布したフォトレジストとの密着性が悪くてレジストがパターニング途中で剥がれる不具合があるが、シリコン窒化薄膜（Ｓｉ３Ｎ４）の表面を酸素プラズマ処理することにより、薄膜表面をシリコン酸化膜に近い状態にできてレジストの密着性が向上すること（段落【０００２】〜【０００６】）、
　ｂ．シリコン窒化薄膜（Ｓｉ３Ｎ４）を用いた装置全般に適用でき、特にシリコン半導体製品において有用であること（段落【０００１】）、
　ｃ．密着性向上の効果は通常のレジストパターニングにおいても効果があるが、湿式エッチングを行う場合に大きな効果をもたらすこと（段落【０００７】）、
　等が記載されている。
　甲第４号証：特開平１−１６６９６５号公報
　インクジェット印字ヘッドの製造方法において、シリコンウェーハを用いて複数同時に制作すること、発熱体や電極があること、写真平版法（フォトリソグラフィ）が採用されること（第３頁左下欄第６行〜第４頁左上欄第２行）、
　等が記載されている。
３．対比・判断
（１）本件請求項１に係る発明について
　本件請求項１に係る発明において、「サーマルヘッド基板上に」の「サーマルヘッド基板」は、その上に発熱素子と電極と保護層とが順次積層される基板を意味し、「サーマルヘッド基板の表面」の「サーマルヘッド基板」は、その表面が酸素プラズマによりプラズマ処理されるのであるが、発明の詳細な説明の記載からみて、該プラズマ処理はサーマルヘッド基板の上記順次積層がなされた積層側表面になされることから、保護層まで含む基板を意味しており、その表面は実質的に保護層の表面であると認められる。
　そこで、本件請求項１に係る発明と甲第１，２号証記載の発明とを対比するに、甲第１号証記載の発明の「基板１」と甲第２号証記載の発明の「平板１−１」とは本件請求項１に係る発明の上記順次積層がなされる基板を意味する「サーマルヘッド基板」に相当し、甲第１号証記載の発明の金属有機化合物処理がなされる保護層３まで被覆したものと甲第２号証記載の発明のカップリング剤処理がなされる保護層１−３を被覆した「基板１」とは本件請求項１に係る発明の上記プラズマ処理がなされる基板を意味する「サーマルヘッド基板」に相当するから、本件請求項１に係る発明と甲第１，２号証記載の発明とは、サーマルヘッド基板上に、インク吐出エネルギーを発生させる発熱素子と、この発熱素子に電力を供給する電極と、前記発熱素子および電極を覆う保護層とを順次積層し、続いて、この保護層上に感光性樹脂フィルムを用いてインク流路を形成してなるインクジェットプリントヘッドの製造方法において、前記感光性樹脂フィルムによるインク流路の形成に先立って、前記サーマルヘッド基板の表面を処理することを特徴としたインクジェットプリントヘッドの製造方法、において一致し、次の点で相違する。
　サーマルヘッド基板の表面処理について、本件請求項１に係る発明は酸素プラズマによるプラズマ処理であるのに対して、甲第１号証記載の発明は金属有機化合物による処理であり、甲第２号証記載の発明はシランカップリング剤による処理である点。
　以下、相違点について検討する。
　上記サーマルヘッド基板の表面処理は、本件請求項１に係る発明及び甲第１，２号証記載の発明共に、フォトレジストである感光性樹脂フィルムと保護層との接着性（甲第１，２号証記載の発明では密着性とあるが、この場合同義である。）を向上させて感光性樹脂フィルムの剥離を防止するためになされる点で共通しているのであるが、やはりフォトレジストの接着面への接着性（密着性）を向上させて剥離を防止するために本件請求項１に係る発明のように接着面を酸素プラズマでプラズマ処理することは甲第３号証に記載されている。
　甲第３号証記載のフォトレジストは塗布されるものであってフィルム状のものではないが、フォトレジストの接着面への接着性を向上させて剥離を防止するためにおいては、フォトレジストがフィルム状であっても該プラズマ処理技術の適用は当然に想起し得るものと認められる。
　そして、甲第１号証記載の発明の保護層の具体例として、本件請求項１記載の発明の保護層の具体例でもある窒化シリコン（Ｓｉ３Ｎ４）が例示され、甲第３号証には該プラズマ処理技術がＳｉ３Ｎ４を用いた装置全般に適用できることが記載されていることから、さらには、甲第３号証にシリコン半導体製品において有用であることが記載されているところ、インクジェット印字ヘッドの製造においてもシリコン半導体製品の製造におけると同様にシリコンウェーハを用いることやフォトリソグラフィを採用すること等が甲第４号証により公知であることからも、甲第３号証記載の該プラズマ処理技術を甲第１号証記載の発明のサーマルヘッド基板の表面処理に適用することは容易に想到し得たことと認められ、上記相違点に格別のものがあるとは認められない。
　また、甲第２号証記載の発明に対しても、その保護層が甲第１号証記載の発明の保護層と同様に耐インク性や電気絶縁性の付与を目的としていることから、その保護層にＳｉ３Ｎ４を採用して甲第３号証記載の該プラズマ処理技術を適用することは容易に想到し得たことと認められる。
　特許権者は、特許異議意見書の中で、本件請求項１記載の発明におけるプラズマ処理はヘッドの長時間使用で生じる基板と感光性樹脂フィルムとの剥離による寿命の低下という問題を解決するためのものであるのに対して、甲第３号証記載のプラズマ処理はフォトレジストを使用したパターニング途中でのレジストの剥離を防止するためのものであるから、甲第１号証記載の発明に甲第３号証記載の発明を適用して本件請求項１記載の発明を容易に案出することはできない旨主張している。
　しかし、甲第３号証には、Ｓｉ３Ｎ４表面の酸素プラズマ処理がＳｉ３Ｎ４とフォトレジストとの密着性に着目したものであって、その密着性を向上するためのものであることが明瞭に記載されており、湿式エッチング処理を行わない通常のレジストパターニングにおいても効果があることも記載されていることから、該酸素プラズマ処理が、Ｓｉ３Ｎ４を湿式エッチング処理するものに限らず、Ｓｉ３Ｎ４とフォトレジストとの密着性を要するものであれば適用し得ることが示唆されているものと認められる。
　そして、甲第１号証記載の発明もＳｉ３Ｎ４とフォトレジストとの密着性を要するものであるため、甲第１号証記載の発明に甲第３号証記載の該酸素プラズマ処理を適用することは容易であって、且つ甲第１号証記載の発明は密着性の向上によりヘッドの長期使用で生じる基板と感光性樹脂フィルムとの剥離が防止されて寿命の低下という問題が解決されることを示唆しているのであるから、上記特許権者の主張は採用することができない。
　したがって、本件請求項１に係る発明は、甲第１乃至４号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものと認められる。
（２）本件請求項２に係る発明について
　酸素プラズマ処理をインクジェットプリントヘッドの製造に採用するときに、圧力や電力密度や処理時間の処理条件をどのように設定するかについては甲第１乃至４号証の何れにも記載がない。
　申立人は、本件特許明細書に処理条件は他の条件によっても良いとの記載があることから、本件請求項２に係る発明の処理条件には格別の意義はない旨主張している。
　しかし、本件請求項２に係る発明の処理条件を採用したインクジェットプリントヘッドは、「６０℃に加熱したインクにプリントヘッドを１０００時間浸漬した後も、感光性樹脂フィルムの剥離やインク滴の吐出不良等の不都合は生じなかった。」（本件特許明細書段落【００１２】）という作用効果を奏するものであり、他にも適切な処理条件があり得るとしても、本件請求項２に係る発明の処理条件は明らかに格別の意義がある処理条件であることから、申立人の上記主張は採用することができない。
　したがって、本件請求項２に係る発明は、甲第１乃至４号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとは認められない。
（３）本件請求項３に係る発明について
　本件請求項３に係る発明は、本件請求項１に係る発明からみればインク流路の形成についてフォトリソグラフィ手法を用いることを限定したものであるが、甲第１，２号証記載の発明もフォトリソグラフィ手法を用いてインク流路を形成しているため、該限定に格別のものは認められない。
　したがって、本件請求項３に係る発明は、本件請求項１に係る発明について上述したと同様の理由により、甲第１乃至４号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものと認められる。
ＩＶ．むすび
　以上のとおり、本件請求項１及び３に係る発明は、上記甲第１乃至４号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものと認められるから、本件請求項１及び３に係る特許は特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであり、同法第１１３条第１項第２号に該当する。
　また、本件請求項２に係る特許については、他に取消理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１１年５月１２日（１９９９．５．１２）