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　特願２００４−１０７２４２「低電流高速相変化メモリ素子及びその駆動方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年１１月４日出願公開、特開２００４−３１１０１５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯
　本願は、平成１６年３月３１日（パリ条約による優先権主張　２００３年４月４日、大韓民国）の特許出願であって、平成２１年１０月２９日付けの拒絶理由通知に対して平成２２年１月１８日に意見書及び手続補正書が提出され、同年６月１７付けの拒絶理由通知に対して同年８月３１日に意見書及び手続補正書が提出されたが、平成２３年３月１５日付けで拒絶査定がなされた。
　それに対して、同年７月２２日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに手続補正書が提出され、その後、同年１２月２０日付けで審尋がなされ、平成２４年３月３０日に回答書が提出された。
　
第２．平成２３年７月２２日に提出された手続補正書による補正について
１．補正の内容
　平成２３年７月２２日に提出された手続補正書による補正（以下「本件補正」という。）は、補正前の特許請求の範囲の請求項１〜１８を補正して、補正後の特許請求の範囲の請求項１〜６とするものであり、補正前の請求項１２及び１４並びに補正後の請求項６は、各々次のとおりである。
　
（補正前）
　「【請求項１２】
　下部電極コンタクトと、
　前記下部電極コンタクト上の相変化膜と、
　前記相変化膜上の上部電極コンタクトと、を含み、
　前記相変化膜に局部的に非晶質核が形成されて初期抵抗が４〜６ｋΩである状態がセットに、前記非晶質核の数及び体積が前記セットよりも増加されて抵抗が６〜２０ｋΩである状態がリセットに、定義され、
　前記相変化膜に前記リセットとセットとを記録するために電流を流す前記下部電極コンタクトのサイズは４０〜７０ｎｍであることを特徴とする相変化メモリ。」
　「【請求項１４】
　前記相変化膜に前記セットを記録する電流の範囲は３０〜５０μＡであり、前記リセットを記録する電流の範囲は６０〜２００μＡであることを特徴とする請求項１２に記載の相変化メモリ。」
　
（補正後）
　「【請求項６】
　下部電極コンタクトと、
　前記下部電極コンタクト上の相変化膜と、
　前記相変化膜上の上部電極コンタクトと、を含み、
　前記相変化膜に局部的に非晶質核が形成されて初期抵抗が４〜６ｋΩである状態がセットに、前記非晶質核の数及び体積が前記セットよりも増加されて抵抗が６〜２０ｋΩである状態がリセットに、定義され、
　前記相変化膜に前記リセットとセットとを記録するために電流を流す前記下部電極コンタクトのサイズは４０〜７０ｎｍであり、
　前記相変化膜に前記セットを記録する電流の範囲は３０〜５０μＡであり、前記リセットを記録する電流の範囲は６０〜２００μＡであることを特徴とする相変化メモリ。」
　
２．補正事項の整理
　本件補正による補正事項を整理すると、次のとおりである。
　
（１）補正事項１
　補正前の請求項６〜１３及び１５〜１８を削除するとともに、それに伴って請求項の番号及び引用する請求項の番号を修正すること。
　
（２）補正事項２
　補正前の請求項１４を独立請求項形式に改めて、補正後の請求項６とすること。
　
３．新規事項の追加の有無及び補正の目的の適否について
（１）補正事項１及び２について
　補正事項１及び２は、特許法第１７条の２第４項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項をいう。以下同じ。）第１号に掲げる請求項の削除を目的とするものに該当する。
　したがって、補正事項１及び２は、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たす。
　また、補正事項１及び２が特許法第１７条の２第３項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項をいう。以下同じ。）に規定する要件を満たすことは明らかである。
　したがって、本件補正は、特許法第１７条の２第３項及び第４項に規定する要件を満たす。
　
４．補正についてのむすび
　以上検討したとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第３項及び第４項に規定する要件を満たすものであるから、適法になされたものである。
　
第３．本願発明
　上記第２．において検討したとおり、本件補正は適法になされたものであるから、本願の請求項１〜６に係る発明は、本件補正により補正された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜６に記載されている事項により特定されるとおりのものであり、そのうちの請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、請求項１に記載されている事項により特定される次のとおりのものである。
　
　「【請求項１】
　相変化メモリセルの相変化膜に１０〜１００ｎｓ間、３０〜５０μＡのセット電流を印加して、前記相変化膜に局部的に非晶質核が形成された低抵抗状態であるセットを記録する段階と、
　前記相変化メモリセルの相変化膜に１０〜１００ｎｓ間、６０〜２００μＡのリセット電流を印加して、前記非晶質核の数及び体積が前記セットよりも増加された高抵抗状態であるリセットを記録する段階と、
　を含むことを特徴とする相変化メモリ素子駆動方法。」
　
第４．引用刊行物に記載された発明
１．本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布され、原査定の根拠となった拒絶の理由において引用された刊行物である特表２００２−５４１６１３号公報（以下「引用例」という。）には、図１とともに、次の記載がある（ここにおいて、下線は当合議体が付加したものである。以下同じ。）。
　
ａ．「【０００１】
（関連出願情報）
　本出願は、１９９８年６月２３日に出願の米国特許出願番号第０９／１０２，８８７号の一部継続出願である。
【０００２】
（技術分野）
　
本発明は一般的には、プログラム可能なメモリ素子に関し、また特定的には、データ記憶、多値論理、ニューラル・ネットワーク／人工知能計算といったアプリケーションに実現される消去可能なメモリ素子と、同メモリ素子を読取り、書込み、またプログラムするための方法と装置とに関する。
　
ｂ．「【０００３】
（背景技術）
　
電子メモリの応用のために電気的に書込み可能で消去可能な相変化材料（すなわち一般にアモルファスの状態と一般に結晶の状態との間で電気的に切換え可能な材料）を利用するという一般的な考えは、例えば１９６６年９月６日に発行されたＯｖｓｈｉｎｓｋｙの米国特許第３，２７１，５９１号と１９７０年９月２２日に発行されたＯｖｓｈｉｎｓｋｙの米国特許第３，５３０，４４１号とに開示されているように、本技術においては周知であり、これら両特許とも本発明と同じ譲受人に譲渡されており、両特許の開示内容は、参考のために本書に組み入れられている（以後、「オブシンスキー（Ｏｖｓｈｉｎｓｋｙ）特許」）
　　【０００４】
　
オブシンスキー特許に開示されているように、このような相変化材料は、一般的アモルファス（非晶質）の構造状態と一般的結晶性局所秩序の構造状態との間で変化できるか、あるいは完全にアモルファスの状態と完全に結晶性局所秩序の状態との間のスペクトル全体に亘って局所秩序の異なる検出可能状態の間でセットできる。オブシンスキー特許によって述べられている初期の材料は、符号化された２進情報の個別ビットの記憶と検索とに適応するために一般的アモルファスと一般的結晶性局所秩序との二つの検出可能な構造状態の間で切り換わることが可能であるか、あるいはこれらの材料は、完全にアモルファスの状態と完全に結晶性の状態との間のスペクトル全体に亘って局所秩序の中間的な検出可能レベルにセットすることが可能である
　　【０００５】
　
すなわちオブシンスキー特許は、このような材料の電気的切換えが完全にアモルファスの状態と完全に結晶性の状態との間で行われることを必要とせず、むしろ例えば抵抗といった検出可能な性質が完全にアモルファスの状態と完全に結晶性の状態との間の局所秩序全範囲に亘って如何なるレベルにもセットすることが可能であるということを述べている。この局所秩序を変えるという性質は、完全にアモルファスの状態と完全に結晶性の状態との間のスペクトルによって表される「グレースケール」を提供する。
　　【０００６】
　グレースケール範囲に亘って調整可能な、抵抗などの可変パラメータの性質は、例えばオブシンスキー特許に記載のような、ニューラルネットワーク・人工知能システムへのこれらの装置の応用を可能にする。オブシンスキー特許に記載のこのような装置の他の応用では、パラメータの個別検出可能な増分レベルをセットするためにこの素子を使用することは、マルチビット・データを単一メモリ素子に格納することへの適応を可能にする。」
　
ｃ． 「【００１５】
 　　（発明を実施するための詳細な説明）
　
図１は、本発明のユニバーサルメモリ素子に関する印加電流パルスの振幅対装置抵抗のグラフである。図１を参照すれば、異なるプログラミング方式が区別できる。カーブの左側では装置の抵抗は、十分なエネルギーのリセット・パルスの印加によって装置がリセットされるまで実質的に一定に留まる（すなわちその高抵抗状態にある）。
　　【００１６】
　
印加電流パルスの振幅が更に大きくなると、装置の抵抗は、低抵抗状態から高抵抗状態に増加する。この増加は、カーブの右側の上または下向き何れかを指す矢印で示されるように漸進的、可逆的である。この方式では、オボニック（Ｏｖｏｎｉｃ）メモリ素子は適当な振幅の電流パルスを印加することによって、抵抗値のダイナミック・レンジ内の如何なる抵抗にでもプログラム可能である。このタイプのプログラミング方式は、アナログ、マルチステートで直接上書き可能なデータ記憶装置に備えており、オブシンスキー特許に記載のプログラミング方式である
　　【００１７】
　
本発明のプログラミングの方法は、図１のカーブの左側を利用している。この方式では、装置をプログラムするために使われる電流パルスの振幅と持続時間の両者とも重要である。このカーブのこのサイドへの遷移は、カーブの左側の単一の矢印で示すように、可逆ではない。すなわち一旦この装置が高抵抗状態から低抵抗状態への遷移を行った場合には、この装置は、減少した電流のプログラミング・パルスを印加することによっても高抵抗状態にリセットできない。その代わりに装置は、カーブの右側上方へ抵抗を上げる高振幅電流パルス（すなわち「リセット・パルス」）によって高抵抗状態にリセットできる。
　
ｄ．「【００４０】
　
理論に縛られたくはないが、セット・エネルギーパルスによってメモリ材料に印加されるエネルギーはメモリ材料のボリュームの少なくとも一部分の局所秩序を変化させると信じられている。明確には、印加されたエネルギーは、メモリ材料のボリュームの少なくとも一部分をより規則的でない「アモルファス」状態からより規則的な「結晶性」状態に変化させる。ここで使われる用語「アモルファス」は単結晶よりも比較的構造的に規則的でない、あるいはより不規則であって高い電気抵抗率といった検出可能な特性を有する状態を指していることが留意される。ここで使われる用語「結晶性の」はアモルファスよりも比較的構造的に規則的であって、より低い電気抵抗率といった少なくとも一つの検出可能に異なる特性を有する状態を指している。
　
２．ここにおいて、引用例において「オブシンスキー特許」として言及されている、０００３段落〜０００６段落及び００１６段落並びに図１に記載されたプログラミング方法に注目すると、引用例には、「メモリ素子」を構成する「相変化材料」に、適当な「電流パルス」を加えることにより、「相変化材料」を完全にアモルファスの状態と完全に結晶性の状態との間のスペクトル全体に亘って局所秩序の中間的な任意の状態とし、「相変化材料」の抵抗値を、ダイナミック・レンジ内の（最低値から最高値までの間の）任意に変化させるプログラミング方法が記載されていることが明らかである。
　さらに、００１６段落の「印加電流パルスの振幅が更に大きくなると、装置の抵抗は、低抵抗状態から高抵抗状態に増加する。」という記載及び図１の記載を勘案すれば、引用例には、「メモリ素子」を構成する「相変化材料」に特定の振幅の電流パルスを印加することにより、「相変化材料」をアモルファス状態と完全に結晶性の状態の間の特定の局所秩序状態として、「相変化材料」を特定の抵抗値の状態とし、「メモリ素子」を構成する「相変化材料」に前記特定の振幅よりも大きな振幅の電流パルスを印加することにより、「相変化材料」をアモルファス状態と完全に結晶性の状態の間の、前記特定の局所秩序状態よりもアモルファス状態に近い局所秩序状態として、「相変化材料」を前記特定の抵抗値よりも高い抵抗値の状態とすることが記載されているものと認められる。
　
３．したがって、引用例には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
　「メモリ素子を構成する相変化材料に特定の振幅の電流パルスを印加することにより、前記相変化材料をアモルファス状態と完全に結晶性の状態の間の特定の局所秩序状態として、前記相変化材料を特定の抵抗値の状態とする段階、
　前記メモリ素子を構成する前記相変化材料に前記特定の振幅よりも大きな振幅の電流パルスを印加することにより、前記相変化材料をアモルファス状態と完全に結晶性の状態の間の、前記特定の局所秩序状態よりもアモルファス状態に近い局所秩序状態とすることにより、前記相変化材料を前記特定の抵抗値よりも高い抵抗値の状態とする段階と、
　を含むメモリ素子のプログラミング方法。」
　
第５．本願発明と引用発明との対比
１．引用発明「相変化材料」は、本願発明の「相変化膜」に相当する。
　そして、引用発明の「メモリ素子」は、「相変化材料」を用いたものであるから、本願発明の「相変化メモリセル」に相当する。
　また、引用発明の「特定の抵抗値の状態」は、本願発明の「低抵抗状態」に相当し、引用発明の「特定の抵抗値の状態とする」ことは、本願発明の「低抵抗状態であるセットを記録する」ことに相当する。
　したがって、引用発明の「メモリ素子を構成する相変化材料に特定の振幅の電流パルスを印加することにより、前記相変化材料をアモルファス状態と完全に結晶性の状態の間の特定の局所秩序状態として、前記相変化材料を特定の抵抗値の状態とする段階」と、本願発明の「相変化メモリセルの相変化膜に１０〜１００ｎｓ間、３０〜５０μＡのセット電流を印加して、前記相変化膜に局部的に非晶質核が形成された低抵抗状態であるセットを記録する段階」とは、「『相変化メモリセルの相変化膜に』『セット電流』のパルスを『印加して、』『低抵抗状態であるセットを記録する段階』」である点で一致する。
　
２．引用発明の「前記特定の抵抗値よりも高い抵抗値の状態」は、本願発明の「低抵抗状態」に相当し、引用発明の「前記特定の抵抗値よりも高い抵抗値の状態とする」ことは、本願発明の「高抵抗状態であるリセットを記録する」ことに相当する。
　したがって、引用発明の「前記メモリ素子を構成する前記相変化材料に前記特定の振幅よりも大きな振幅の電流パルスを印加することにより、前記相変化材料をアモルファス状態と完全に結晶性の状態の間の、前記特定の局所秩序状態よりもアモルファス状態に近い局所秩序状態とすることにより、前記相変化材料を前記特定の抵抗値よりも高い抵抗値の状態とする段階」と、本願発明の「前記相変化メモリセルの相変化膜に１０〜１００ｎｓ間、６０〜２００μＡのリセット電流を印加して、前記非晶質核の数及び体積が前記セットよりも増加された高抵抗状態であるリセットを記録する段階」とは、「『前記相変化メモリセルの相変化膜に』前記セット電流よりも大きい『リセット電流』のパルスを『印加して、』『高抵抗状態であるリセットを記録する段階』」である点で一致する。
　
３．引用発明の「メモリ素子」が引用例の図７のようにアレイ状に形成されてなる装置が、本願発明の「相変化メモリ素子」に相当する。
　そして、引用発明において、「メモリ素子」のプログラミングが、当該「メモリ素子」がアレイ状に形成されてなる装置を駆動することにより行われることは自明であるから、引用発明の「メモリ素子のプログラミング方法」は、本願発明の「相変化メモリ素子駆動方法」に相当する。
　
４．以上を総合すると、本願発明と引用発明とは、
　
　「相変化メモリセルの相変化膜にセット電流のパルスを印加して、低抵抗状態であるセットを記録する段階と、
　前記相変化メモリセルの相変化膜に前記セット電流よりも大きいリセット電流のパルスを印加して、高抵抗状態であるリセットを記録する段階と、
　を含むことを特徴とする相変化メモリ素子駆動方法。」
　
　である点で一致し、次の点で相違する。
　
（相違点１）
　本願発明は、「セット電流」が「１０〜１００ｎｓ間、３０〜５０μＡ」であり、「リセット電流」が「１０〜１００ｎｓ間、６０〜２００μＡ」であるのに対して、引用発明は、そのようなパルス幅及びパルスの振幅についての特定がなされていない点。
　
（相違点２）
　本願発明は、「セットを記録する段階」において「前記相変化膜に局部的に非晶質核が形成された」状態とし、「リセットを記録する段階」において「前記非晶質核の数及び体積が前記セットよりも増加された」状態としているのに対して、引用発明はそのような特定がなされていない点。
　
第６．相違点についての当審の判断
１．相違点１について
（１）一般に、相変化メモリにおいて、低抵抗にするためのパルス電流（セット電流）及び、及びそれよりも大きい高抵抗にするためのパルス電流（リセット電流）として、どのようなパルス幅及び振幅のものを使用するかは、当該相変化メモリに用いられている相変化膜の材料、大きさ、形状等を勘案して当業者が適宜選択し得る設計的事項である。
　例えば、本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である下記周知例１には、セット電流及びリセット電流として様々な印加時間及び電流値のパルスを使用することが記載されており、一例として、「【請求項２１】」には、セット電流である「第４の電流パルス」のパルス幅ｔc12を５〜２００ｎｓ、振幅Ｉc12を０．０５〜２０ｍＡ（５０〜２００００μＡ）という、本願発明の「セット電流」に近い（一部重複する）値とすることが記載されており、「【請求項１９】」には、リセット電流である「第３の電流パルス」のパルス幅ｔa1を１〜１００ｎｓ、振幅Ｉa1を０．１〜２００ｍＡ（１００〜２０００００μＡ）という、本願発明の「リセット電流」と近い値とすることが記載されている。
　
ａ．周知例１：特開２００２−２０３３９２号公報
　「【請求項１６】  メモリに情報を書き込む書き込み装置であって、
前記メモリは、
電流パルスの印加による温度上昇に起因して結晶相と非晶質相との間で可逆的な相変化を起こすことにより情報を記録する第１の記録層と、
電流パルスの印加による温度上昇に起因して結晶相と非晶質相との間で可逆的な相変化を起こすことにより情報を記録する第２の記録層とを備えるメモリであって、
前記第１の記録層の結晶化温度Ｔx1と前記第２の記録層の結晶化温度Ｔx2との関係が、Ｔx1＜Ｔx2であり、
前記第１の記録層の結晶化時間ｔx1と前記第２の記録層の結晶化時間ｔx2との関係が、ｔx1＞ｔx2であり、
前記第１の記録層が非晶質相の場合の抵抗値をＲa1、前記第１の記録層が結晶相の場合の抵抗値をＲc1、前記第２の記録層が非晶質相の場合の抵抗値をＲa2、前記第２の記録層が結晶相の場合の抵抗値をＲc2とすると、Ｒa1＋Ｒa2、Ｒa1＋Ｒc2、Ｒa2＋Ｒc1、Ｒc1＋Ｒc2が互いに異なり、
前記書き込み装置は
少なくとも第１〜第３の電流パルスを発生させるパルス発生部と
前記少なくとも第１〜第３の電流パルスを前記第１の記録層および前記第２の記録層に印加する印加部とを備え、前記パルス発生部は
前記第１の記録層を非結晶相から結晶相に相変化させ、前記第２の記録層の相状態を維持する場合には、Ｔ
x1
≦Ｔ＜Ｔ
x2
なる温度Ｔおよびｔ
x1
≦ｔなる時間ｔに相当する前記第１の電流パルスを発生し
前記第１の記録層の相状態を維持し、前記第２の記録層を非晶質相から結晶相に相変化させる場合には、Ｔ
x2
≦Ｔなる温度Ｔおよびｔ
x2
≦ｔ＜ｔ
x1
なる時間ｔに相当する前記第２の電流パルスを発生し
前記第１の記録層および前記第２の記録層を結晶相から非晶質相に相変化させる場合には、前記第１および第２の記録層の融点のうち低くない方の融点以上の温度に相当する前記第３の電流パルスを発生する、書き込み装置
「【請求項１９】  
前記第３の電流パルスの振幅Ｉ
a1
およびパルス幅ｔ
a1
は、それぞれ０．１≦Ｉ
a1
（ｍＡ）≦２００および１≦ｔ
a1
（ｎｓ）≦１００である、請求項１６に記載の書き込み装置
【請求項２０】  
前記パルス発生部は、前記第１の記録層および前記第２の記録層を非晶質相から結晶相に相変化させる場合に、Ｔ
x2
≦Ｔなる温度Ｔおよびｔ
x1
≦ｔなる時間ｔに相当する第４の電流パルスを発生する、請求項１６に記載の書き込み装置
【請求項２１】  
前記第４の電流パルスの振幅Ｉ
c12
およびパルス幅ｔ
c12
は、それぞれ０．０５≦Ｉ
c12
（ｍＡ）≦２０および５≦ｔ
c12
（ｎｓ）≦２００である、請求項２０に記載の書き込み装置
　
（２）したがって、引用発明に接した当業者にとって、引用発明において、本願発明の「セット電流」に相当する「特定の振幅の電流パルス」を「１０〜１００ｎｓ間、３０〜５０μＡ」とし、本願発明の「リセット電流」に相当する「前記特定の振幅よりも大きな振幅の電流パルス」を「１０〜１００ｎｓ間、６０〜２００μＡ」とすること自体に、格別の困難性がないことは明らかである。
　一方、本願明細書及び図面を精査しても、本願発明において、「セット電流」の範囲を「１０〜１００ｎｓ間、３０〜５０μＡ」とし、「リセット電流」の範囲を「１０〜１００ｎｓ間、６０〜２００μＡ」とすることにより、予測を超えた顕著な効果を生ずることを当業者が認識できる記載は見いだせず、これらのパルス幅及びパルス振幅の上下限の数値に臨界的意義があるとは認められない。
　よって、引用発明において、本願発明のように、「特定の振幅の電流パルス」を「１０〜１００ｎｓ間、３０〜５０μＡ」とし、「前記特定の振幅よりも大きな振幅の電流パルス」を「１０〜１００ｎｓ間、６０〜２００μＡ」とすることは当業者が容易になし得たことであるから、相違点１は、当業者が容易になし得た範囲に含まれる程度のものである。
　
２．相違点２について
（１）引用発明は、本願発明の「セットを記録する段階」に相当する「前記相変化材料を特定の抵抗値の状態とする段階」において、「前記相変化材料をアモルファス状態と完全に結晶性の状態の間の特定の局所秩序状態」としている。
　そして、本願の明細書及び引用例の「発明の詳細な説明」の記載を参酌すると、本願発明も引用発明も、その実施例において相変化材料として用いられる物質がカルコゲナイド（カルコゲニド）物質であることを勘案すると、引用発明において、「前記相変化材料」が「アモルファス状態と完全に結晶性の状態の間の特定の局所秩序状態」となった際には、本願発明と同様に、「前記相変化材料」に「局部的に非晶質核が形成され」ているものと解される。
　同様にして、引用発明は、本願発明の「リセットを記録する段階」に相当する「前記相変化材料を前記特定の抵抗値よりも高い抵抗値の状態とする段階」において、「前記相変化材料をアモルファス状態と完全に結晶性の状態の間の、前記特定の局所秩序状態よりもアモルファス状態に近い局所秩序状態」としているが、引用発明において、「前記相変化材料」が「アモルファス状態と完全に結晶性の状態の間の、前記特定の局所秩序状態よりもアモルファス状態に近い局所秩序状態」となった際には、本願発明と同様に、「前記相変化材料」の「前記非晶質核の数及び体積が前記セットよりも増加」しているものと解される。
　したがって、引用発明も、本願発明のように、「セットを記録する段階」において「前記相変化膜に局部的に非晶質核が形成された」状態とし、「リセットを記録する段階」において「前記非晶質核の数及び体積が前記セットよりも増加された」状態としているものと解されるから、相違点２は実質的なものではない。
　
（２）また、仮に、引用発明が、本願発明のように、「セットを記録する段階」において「前記相変化膜に局部的に非晶質核が形成された」状態とし、「リセットを記録する段階」において「前記非晶質核の数及び体積が前記セットよりも増加された」状態としているとまではいえず、相違点２が実質的なものであったとしても、上記１．において検討したとおり、引用発明において「セット電流」及び「リセット電流」のパルス幅及びパルス振幅を本願発明と同じ条件とすることは当業者が容易になし得たものであるところ、そのように同じ条件とした場合には、カルコゲナイド物質の変化も本願と同様に、「セットを記録する段階」において「前記相変化膜に局部的に非晶質核が形成された」状態となり、「リセットを記録する段階」において「前記非晶質核の数及び体積が前記セットよりも増加された」状態となることは明らかである。
　したがって、仮に相違点２が実質的なものであったとしても、当該相違点２は当業者が容易になし得た範囲に含まれる程度のものである。
　
３．相違点についての判断のまとめ
　本願発明と引用発明との相違点については以上検討したとおりであるから、本願発明は、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
第７．むすび
　以上検討したとおりであるから、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、他の請求項について検討するまでもなく、本願は拒絶をすべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。