【事件の表示】
　特願２００８−１４８８８０「イメージセンサ」拒絶査定不服審判事件〔平成２０年１０月　９日出願公開，特開２００８−２４４４９６〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯
　本願は，平成８年２月２１日に出願した特願平８−３３２３０号（以下「本願の原々出願」という。）の一部を，平成１６年６月２１日に新たな出願とした特願２００４−１８２８６３号について，その一部を平成２０年６月６日に新たな出願としたものであって，平成２４年４月１９日付けで拒絶査定がされ，これに対して同年７月２０日に審判請求がされたものである。
　その後，当審において，平成２５年３月１５日付けで拒絶理由が通知され，これに対して，同年５月２０日に手続補正書及び意見書が提出された。
　
２　本願発明について
（１）本願発明
　本願の請求項１及び２に係る発明は，平成２５年５月２０日に提出された補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１及び２に記載されている事項により特定されるとおりのものであり，そのうち請求項１に係る発明は，特許請求の範囲の請求項１に記載されている事項により特定される以下のとおりのもの（以下「本願発明」という。）である。
　
「【請求項１】
　Ｎ型の半導体基板に形成されたＰ型ウエルと，
　前記Ｐ型ウエル内で前記半導体基板の表面に形成されたＮ型の第１不純物層と，
　前記第１不純物層の下方に形成された，Ｎ型又はＰ型の第２不純物層と，
　前記第１不純物層に電気的に接続された，ソースホロワのゲート，及び，リセットゲートの一方の拡散層を備え，
　前記ソースホロワにスイッチトランジスタが直列に接続され，
　前記第１不純物層の不純物濃度が１×１０１８個／ｃｍ３〜１×１０２２個／ｃｍ３であり，
　前記第２不純物層の不純物濃度が１×１０１３個／ｃｍ３〜１×１０１６個／ｃｍ３であり，
　前記第１不純物層と，前記第２不純物層とから受光部が構成されている
　イメージセンサ。」
　
（２）刊行物に記載された発明
ア　引用例１：　特開平４−６９６７号公報
　当審において通知した拒絶理由に引用され，本願の原々出願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である特開平４−６９６７号公報（以下「引用例１」という。）には，第１図とともに，次の記載がある。（下線は当合議体において付加。以下同様。）
・「〔実施例〕
以下，第１図を参照しながら本発明の詳細な説明する。
　
第１図は，本実施例に係る固体撮像素子，特に画素の構造がフォトダイオードで発生した光信号電荷に基づく電位をＭＯＳＦＥＴ　（ＭＯＳ型電界効果トランジスタ）のゲートに印加して電流増幅を行なうタイプの増幅型固体撮像素子（Ａ）を示す回路図である
　この
固体撮像素子（Ａ）の各画素（１）は，フォトダイオード（Ｄ）と，夫々ＭＯＳＦＥＴで構成された増幅用トランジスタ（Ｔａ），垂直スイッチングトランジスタ（Ｔｙ）及びリセット用トランジスタ（Ｔ
Ｒ
）とを有して成り，これら画素（１）がマトリクス状に配列されて固体撮像素子（Ａ）のイメージ部（２）を構成する
　また，このイメージ部（２）の周辺には，垂直走査のための第１垂直走査回路（３ａ）と，リセット用の第２垂直走査回路（３ｂ）と，水平走査のための水平走査回路（４）が設けられている。
　・・・（中略）・・・
　次に，
各画素（１）の構成を説明すると，各画素（１）におけるフォトダイオード（Ｄ）の一端子は，増幅用トランジスタ（Ｔａ）のゲートに接続され，フォトダイオード（Ｄ）で発生した光信号電荷に基づく電位が増幅用トランジスタ（Ｔａ）のゲートに印加されるようになされている。また，増幅用トランジスタ（Ｔａ）には，直列に垂直スイッチングトランジスタ（Ｔｙ）が接続されると共に，垂直スイッチングトランジスタ（Ｔｙ）のゲートには，第１垂直走査回路（３ａ）からの行選択線（ｌｙ）が接続され，更にこの垂直スイッチングトランジスタ（Ｔｙ）のドレインには水平スイッチングトランジスタ，例えば（Ｔ
Ｘ１
）からの垂直信号線（ｌ
Ｓ１
）が接続される。また，フォトダイオード（Ｄ）の一端子には，上記増幅用トランジスタ（Ｔａ）のほか，リセット用トランジスタ（Ｔ
Ｒ
）にも接続されており，このリセット用トランジスタ（Ｔ
Ｒ
）のゲートには，第２垂直走査回路（３ｂ）からのリセット線（ｌ
Ｒ
）が接続される。そして，増幅用トランジスタ（Ｔａ）及びリセット用トランジスタ（Ｔ
Ｒ
）の各ドレインには全画素共通の電源電圧Ｖｄｄが印加される
　
　したがって，引用例１には，次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
「フォトダイオードで発生した光信号電荷に基づく電位をＭＯＳＦＥＴのゲートに印加して電流増幅を行なうタイプの増幅型固体撮像素子（Ａ）であって，
　各画素（１）は，フォトダイオード（Ｄ）と，夫々ＭＯＳＦＥＴで構成された増幅用トランジスタ（Ｔａ），垂直スイッチングトランジスタ（Ｔｙ）及びリセット用トランジスタ（ＴＲ）とを有して成り，これら画素（１）がマトリクス状に配列されて固体撮像素子（Ａ）のイメージ部（２）が構成され，
　各画素（１）におけるフォトダイオード（Ｄ）の一端子は，増幅用トランジスタ（Ｔａ）のゲートに接続され，フォトダイオード（Ｄ）で発生した光信号電荷に基づく電位が増幅用トランジスタ（Ｔａ）のゲートに印加されるようになされており，
　増幅用トランジスタ（Ｔａ）には，直列に垂直スイッチングトランジスタ（Ｔｙ）が接続されるとともに，垂直スイッチングトランジスタ（Ｔｙ）のゲートには，第１垂直走査回路（３ａ）からの行選択線（ｌｙ）が接続され，更にこの垂直スイッチングトランジスタ（Ｔｙ）のドレインには水平スイッチングトランジスタ，例えば（ＴＸ１）からの垂直信号線（ｌＳ１）が接続され，
　フォトダイオード（Ｄ）の一端子には，上記増幅用トランジスタ（Ｔａ）のほか，リセット用トランジスタ（ＴＲ）にも接続されており，このリセット用トランジスタ（ＴＲ）のゲートには，第２垂直走査回路（３ｂ）からのリセット線（ｌＲ）が接続されており，
　増幅用トランジスタ（Ｔａ）及びリセット用トランジスタ（ＴＲ）の各ドレインには全画素共通の電源電圧Ｖｄｄが印加されるものである，
　増幅型固体撮像素子（Ａ）。」
　
イ　引用例２：　特開昭６２−１２４７７１号公報
　当審において通知した拒絶理由に引用され，本願の原々出願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である特開昭６２−１２４７７１号公報（以下「引用例２」という。）には，第１図とともに，次の記載がある。
・「〈発明の技術分野〉
　本発明は固体撮像装置の改良に関し，特にインターライン転送方式ＣＣＤ撮像装置のブルーミングおよびスミアを抑圧すると共に，高密度化を可能にした固体撮像装置に関するものである。
〈発明の技術的背景とその問題点〉
　
固体撮像装置は従来の撮像管に比べ，小型，軽量，長寿命，高信頼性，焼き付きがないなど数多くの特長を持つが，ブルーミングとスミアという撮像管にはない現象を生じる。前者は過負荷の光入射によ多発生した過剰信号電荷が転送チャネルに沿って選択的に広がることにより，表示上では完全な白線となる現象である
　一方，
ブルーミングを抑圧するためにオーバフロードレインを導入すると画素の有効面積を減少させるため，基板側へ過剰電荷を吸収させる方法が提案されている
・「〈発明の実施例〉
　
第１図は本発明を適用したインターライン転送方式ＣＣＤ撮像装置の画素の断面図である。同図において，ｎ基板２１上にｐ層２２が形成されており，このｐ層２２上には埋め込みチャネルＣＣＤを構成するためのｎ
−
層２３および受光部のｐ−ｎ接合ホトダイオードを構成するためのｎ
＋
層２５，ｎ
−
層２４が形成されている
　ｎ−層２３とｎ＋層２５との間にはｐ層のままの領域（トランスファゲート領域）２７が残されている。また画素の周辺部分にはｐ＋層によるチャネルストップ２６，２６が設けられ，画素間と分離している。ｎ−層２３と領域２７の上部には絶縁膜２８を介してシフトレジスタの電極を構成するポリシリコン電極２９が設けられ，φＶなるパルスが印加される。更にポリシリコン電極２９の上部には遮光のためにＡｌ３０が設けられている。チャネルストップ２６とｎ基板２１の間には逆バイアス電圧３１が印加され，ｐ層２２は基板２１とＣＣＤシフトレジスタ及びホトダイオードの間に渡って完全に空乏化している。
　上記の如き構成において，φＶに３値のパルスを印加し，信号電荷の読み出しと，シフトレジスタ内での転送および受光部での信号電荷の蓄積を制御する方法は従来と同様で良く，
また強い光の入射により発生した過剰電荷もｎ
−
層２４およびｐ層２２を通ってｎ基板２１へ流出していき，ブルーミングが抑圧される
　
　以上の記載から，引用例２には，インターライン転送方式ＣＣＤ撮像装置において，ｎ基板２１上にｐ層２２を形成し，このｐ層２２上に受光部のｐ−ｎ接合ホトダイオードを構成するためのｎ＋層２５，ｎ−層２４を形成することにより，強い光の入射により発生した過剰電荷をｎ−層２４およびｐ層２２を通ってｎ基板２１へ流出させて，ブルーミングを抑圧する技術が示されているものと認められる。
　
（３）対比
　本願発明と引用発明とを対比する。
　
・引用発明の「増幅型固体撮像素子（Ａ）」は，本願発明の「イメージセンサ」に相当する。
　
・引用発明の「フォトダイオード（Ｄ）」は，本願発明の「受光部」に相当する。
　
・引用発明においては，「フォトダイオードで発生した光信号電荷に基づく電位をＭＯＳＦＥＴのゲートに印加して電流増幅を行な」うところ，「各画素（１）におけるフォトダイオード（Ｄ）の一端子は，増幅用トランジスタ（Ｔａ）のゲートに接続され，フォトダイオード（Ｄ）で発生した光信号電荷に基づく電位が増幅用トランジスタ（Ｔａ）のゲートに印加されるようになされて」いるから，当該「増幅用トランジスタ（Ｔａ）」は，本願発明の「ソースホロワ」に相当する。
　
・引用発明の「リセット用トランジスタ（ＴＲ）」は，本願発明の「リセットゲート」に相当する。
　
・引用発明の「増幅用トランジスタ（Ｔａ）には，直列に垂直スイッチングトランジスタ（Ｔｙ）が接続される」ことは，本願発明の「前記ソースホロワにスイッチトランジスタが直列に接続され」ることに相当する。
　
・本願発明においては，「Ｎ型の半導体基板に形成されたＰ型ウエルと，　前記Ｐ型ウエル内で前記半導体基板の表面に形成されたＮ型の第１不純物層と，　前記第１不純物層の下方に形成された，Ｎ型又はＰ型の第２不純物層と，」「を備え，」「前記第１不純物層の不純物濃度が１×１０１８個／ｃｍ３〜１×１０２２個／ｃｍ３であり，　前記第２不純物層の不純物濃度が１×１０１３個／ｃｍ３〜１×１０１６個／ｃｍ３であり，　前記第１不純物層と，前記第２不純物層とから受光部が構成されている」ところ，「受光部」を構成する「前記第１不純物層に電気的に接続された，ソースホロワのゲート」「を備え」るから，本願発明は，「受光部」「に電気的に接続された，ソースホロワのゲート」「を備え」るといえる。また，同様に，「受光部」を構成する「前記第１不純物層に電気的に接続された，」「リセットゲートの一方の拡散層を備え」るから，本願発明は，「受光部」「に電気的に接続された」「リセットゲートの一方の拡散層を備え」るといえる。
　そうすると，引用発明の，「各画素（１）におけるフォトダイオード（Ｄ）の一端子は，増幅用トランジスタ（Ｔａ）のゲートに接続され，フォトダイオード（Ｄ）で発生した光信号電荷に基づく電位が増幅用トランジスタ（Ｔａ）のゲートに印加されるようになされて」いることと，本願発明の「受光部」を構成する「前記第１不純物層に電気的に接続された，ソースホロワのゲート」「を備え」ることとは，「受光部」「に電気的に接続された，ソースホロワのゲート」を備える点で一致する。
　また，引用発明の「フォトダイオード（Ｄ）の一端子には，上記増幅用トランジスタ（Ｔａ）のほか，リセット用トランジスタ（ＴＲ）にも接続されて」いることと，本願発明の「前記第１不純物層に電気的に接続された，」「リセットゲートの一方の拡散層を備え」ることとは，「受光部」「に電気的に接続された，リセットゲートを備える」点で一致する。
　
　従って，引用発明と本願発明とは，次の点で一致する。
「受光部，及び当該受光部に電気的に接続された，ソースホロワのゲート，及び，リセットゲートの一方の拡散層を備え，前記ソースホロワにスイッチトランジスタが直列に接続された，イメージセンサ。」
　
　一方，両者は以下の各点で相違する。
　
《相違点１》
　本願発明は，「Ｎ型の半導体基板に形成されたＰ型ウエルと，　前記Ｐ型ウエル内で前記半導体基板の表面に形成されたＮ型の第１不純物層と，　前記第１不純物層の下方に形成された，Ｎ型又はＰ型の第２不純物層と，」「を備え，」「前記第１不純物層の不純物濃度が１×１０１８個／ｃｍ３〜１×１０２２個／ｃｍ３であり，　前記第２不純物層の不純物濃度が１×１０１３個／ｃｍ３〜１×１０１６個／ｃｍ３であり，　前記第１不純物層と，前記第２不純物層とから受光部が構成されている」のに対して，引用発明は，「フォトダイオード（Ｄ）」を有するものの，その具体的な構成が不明である点。
　
《相違点２》
　本願発明は，「前記第１不純物層に電気的に接続された，ソースホロワのゲート，及び，リセットゲートの一方の拡散層を備え」るのに対して，引用発明においては，「フォトダイオード（Ｄ）」にソースホロワ接続されている「増幅用トランジスタ（Ｔａ）」のゲートが接続され，また，「フォトダイオード（Ｄ）」に「リセット用トランジスタ（ＴＲ）」が接続されているものの，「前記第１不純物層に電気的に接続された，ソースホロワのゲート，及び，リセットゲートの一方の拡散層を備え」ることまでは明らかではない点。
　
（４）判断
　上記相違点１，２について検討する。
《相違点１について》
　前記２（２）「イ　引用例２：　特開昭６２−１２４７７１号公報」において検討したとおり，引用例２には，インターライン転送方式ＣＣＤ撮像装置において，ｎ基板２１上にｐ層２２を形成し，このｐ層２２上に受光部のｐ−ｎ接合ホトダイオードを構成するためのｎ＋層２５，ｎ−層２４を形成することにより，強い光の入射により発生した過剰電荷をｎ−層２４およびｐ層２２を通ってｎ基板２１へ流出させて，ブルーミングを抑圧する技術が示されている。
　このうち「ｎ基板２１」，「ｐ層２２」，「受光部」，「受光部のｐ−ｎ接合ホトダイオードを構成するためのｎ＋層２５」，「受光部のｐ−ｎ接合ホトダイオードを構成するための」「ｎ−層２４」に注目して，これ等の各部分と本願発明とを対比すると，これ等の各部分は，それぞれ本願発明の
「Ｎ型の半導体基板」，「Ｐ型ウエル」，「受光部」，「受光部」を構成する「前記Ｐ型ウエル内で前記半導体基板の表面に形成された」より高い濃度の「Ｎ型の第１不純物層」，「前記第１不純物層の下方に形成された」より低い濃度の「Ｎ型」「の第２不純物層」に相当するといえる。
　ところで，引用発明に係る増幅型固体撮像素子と，引用例２に記載されたインターライン転送方式ＣＣＤ撮像装置とは，固体撮像素子の種類としては異なるものであるが，両者とも，受光部としてはフォトダイオードを用いているものである。そして，以下の周知例１及び２に示されているように，増幅型固体撮像素子及びＣＣＤ撮像装置のいずれにおいても，受光部でブルーミングが生ずるため，これを解決することは周知の技術課題である。
　
周知例１：　特開昭６２−２３１５９号公報
　本願の原々出願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である特開昭６２−２３１５９号公報（以下「周知例１」という。）には，第１図とともに，次の記載がある。
「〔発明の利用分野〕
　本発明は，半導体基板上に光電変換素子および各素子の光学情報を取り出す電荷移送素子あるいは各素子の光学情報を取り出す走査回路，信号出力線などを集積化した固体撮像装置に関するものである。
〔発明の背景〕
　固体撮像装置は現行のテレビジョン放送で使用されている撮像用電子管並みの解像力を備えた撮像板を必要とし，このため垂直方向に５００個，水平方向に８００〜１０００個を配列した画素（光電変換素子）マトリックスとそれに相当する走査素子が必要となる。したがって，
上記固体撮像装置は高集積化が可能なＭＯＳ大規模回路技術を用いて作られ，構成素子として一般に電荷移送素子（以下ＣＣＤと略称する）あるいはＭＯＳトランジスタ等が使用されている
　第１図にＭＯＳ形固体撮像装置の基本構成を示す，１は光ダイオード，２は垂直走回路４からのシフトパルスにより開閉する垂直スイッチＭＯＳトランジスタ（以下ＭＯＳＴと略記する），３は水平走査回路５からのシフトパルスにより開閉する水平スイッチＭＯＳＴであり，所定の期間にダイオード１に蓄積された光信号電荷は，スイッチ２，垂直信号出力線６，水平スイッチ３，水平信号出力線７−１を介して出カフ−２に読出される。ここで，走査回路５，４を取り除き，信号出力線６を垂直ＣＣＤシフトレジスタ，信号出力線７−１を水平ＣＣＤシフトレジスタに置き換えるとＣＣＤ形固体撮像装置となる。
　上記の固体撮像装置は小形，軽量，信頼性が高く寿命が長い等の優れた利点を有している。反面，
高輝度の被写体を撮像すると再生像が線状に拡がるという欠陥がある。この現象は一般にブルーミングと呼ばれ，画質を著しく低下させるので固体撮像装置を実用化するには解決しなければならない重要な問題である
　
周知例２：　特開平７−２８４０２４号公報
　本願の原々出願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である特開平７−２８４０２４号公報（以下「周知例２」という。）には，図９〜１１とともに，次の記載がある。
「【０００１】
【産業上の利用分野】
この発明は，固体撮像素子に関し，特に，増幅読出型固体撮像素子の改善に関するものである
【０００２】
【従来の技術】従来，イメージセンサは，水平方向の高解像度化及び高密度化にともなって，イメージセンサ中の１画素当たりの面積が縮小し，１画素当たりに入射する光量が減少している。したがって，イメージセンサから読み出される信号の強度が低下し，Ｓ／Ｎ比（Ｓは信号，Ｎはノイズ）の低下を招いている。このような問題を克服するために，増幅読出型のイメージセンサを用いることが望ましいと考えられている。
【０００３】
図９は従来の増幅読出型イメージセンサの典型的な一例を示す回路図である
【０００４】
　・・・（中略）・・・
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】従来の増幅型イメージセンサは以上のように構成されており，イメージセンサ中の１画素当たりの面積が縮小されて高集積化が図られているので，
高輝度被写体撮像時には，過大な入射光によって画素中に発生する信号電荷が過剰となり，その過剰電荷が隣接画素にあふれ，本来，光の照射されていない画素部分にも光が入っているかのような，いわゆるブルーミング現象によって画質を損なうという問題点があった
　
　また，例えば以下の周知例３にも示されているように，フォトダイオードを構成する不純物層の不純物濃度として，１０１６〜１０２０ｃｍ−３の値は普通に採用される程度のものである。
　
周知例３：　特開平１−２０７９６４号公報
　当審において通知した拒絶理由に引用され，本願の原々出願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である特開平１−２０７９６４号公報（以下「周知例３」という。）には，第１図とともに，次の記載がある。
「［実施例］
　第１図はこの発明の一実施例を示す固体撮像素子のセルの断面説明図である。
　・・・（中略）・・・
　次に，従来方法と全く同様に選択酸化法により，素子分離用酸化膜４を３０００〜５０００Å，ゲートＳｉＯ２酸化膜６，８を熱酸化法により５００〜１０００Å，ポリシリコン電極７，９を３０００〜５０００Åの厚さでＣＶＤ法により形成し，
ホトダイオード部には，燐または砒素拡散の濃度１０
１６
〜１０
２０
／ｃｍ
３
，深さ１〜３ÅのＮ型不純物層１０をイオン注入法等により，所定の深さの０．５〜１．５μｍ形成する
　
　そして，上記のように，受光部のｐｎ接合を半導体基板の表面に形成されたＮ型の第１不純物層と，前記第１不純物層の下方に形成された，Ｎ型の第２不純物層であって，前記Ｎ型の第１不純物層は前記Ｎ型の第２不純物層よりＮ型不純物濃度が高いものとにより形成することで，前記第２不純物層を形成しない場合に比べて，ｐｎ接合における接合容量が減少することは当業者における技術常識である。また，接合容量での充電電圧により入射光量を検出する場合，受光部のフォトダイオードの接合容量が増加することで感度が低下すること，逆に言えば，接合容量が減少することにより，感度が比較的向上することは，以下の周知例４にも示されているように，当業者に明らかな事項である。それゆえ，「フォトダイオードで発生した光信号電荷に基づく電位をＭＯＳＦＥＴのゲートに印加して電流増幅を行なうタイプの増幅型固体撮像素子」である引用発明において，相違点１に係る構成を備えることで，フォトダイオードの接合容量が減少し，感度が比較的向上することは，当業者が容易に予測できたことであるところ，本願明細書を見ても，本願発明において請求項１記載の各不純物濃度とすることにより，当業者の予測を越えた格別の作用効果が奏せられているとは認められない。
　
周知例４：　特開昭６３−５３９６８号公報
　本願の原々出願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である特開昭６３−５３９６８号公報（以下「周知例４」という。）には，第２図とともに，次の記載がある。
「（従来の技術）
　従来のこの種のＭＯＳ形イメージセンサとしては，例えば第２図（ａ），（ｂ）に示すようなものが知られている。
　・・・（中略）・・・
　このように構成された従来例は以下のような動作を行なう。
　まず，出力端子３０を所定のプリチャージ電圧Ｖｐに保持し，スイッチングＭＯＳトランジスタ１３をオン状態にすることによりフォトダイオードの接合容量１２をプリチャージ電圧Ｖｐまでプリチャージした後，スイッチングＭＯＳトランジスタ１３をオフ状態にする。
　この状態で放置すると，フォトダイオードの接合容量１２に蓄積された電荷は入射光量に応じて放電するため，フォトダイオードの接合容量１２の充電電圧はＶは前記電圧Ｖｐから減少していく。
　一定時間，入射光による放電を行なわせた後，スイッチングＭＯＳトランジスタ１３をオン状態にして，出力端子３からフォトダイオードの接合容量１２の蓄積電荷の放電量や充電電圧Ｖを読出す。
　・・・（中略）・・・
　そこで，強い入射光に対しても飽和状態にならない出力信号を得るためには，フォトダイオードの接合容量１２の容量を大きくして蓄積電荷量を増加させる必要がある。
　フォトダイオードの接合容量１２の容量を増加させるには，フォトダイオードを構成する拡散層７の拡散面積を大きくしたり，シリコン基板９の不純物濃度を高くするなどの方法がある。しかし，このような方法を用いて接合容量１２を増加させると，接合部に流れる暗電流が増加したり，素子の動作速度が低下する。また，接合容量１２の充電電圧を読出す方式では，弱い入射光に対して充電電圧Ｖの変化が小さくなり，感度が低下する。
　このように強い入射光に対応できるように
接合容量１２を増加させると，暗電流が増加し，動作速度が低下し，また充電電圧Ｖの読出し方式では感度が低下するため，弱い入射光に対する特性が犠牲になるという問題点があった
　
　したがって，引用発明に係る増幅型固体撮像素子に対して，受光部においてブルーミングを抑圧する前記引用例２に記載の技術を適用して，「Ｎ型の半導体基板に形成されたＰ型ウエルと，　前記Ｐ型ウエル内で前記半導体基板の表面に形成されたＮ型の第１不純物層と，　前記第１不純物層の下方に形成された，Ｎ型」「の第２不純物層」であって，前記Ｎ型の第１不純物層は，前記Ｎ型の第２不純物層よりＮ型不純物濃度が高いものであって，不純物濃度が高い第１不純物層については，例えば前記の１０１６〜１０２０ｃｍ−３の範囲のうち比較的高い１０１９ｃｍ−３程度の不純物濃度であり，不純物濃度が低い第２不純物層については，例えば前記の１０１６〜１０２０ｃｍ−３の範囲のうち比較的低い１０１６ｃｍ−３程度の不純物濃度であるものを備えることで，相違点１に係る，「Ｎ型の半導体基板に形成されたＰ型ウエルと，　前記Ｐ型ウエル内で前記半導体基板の表面に形成されたＮ型の第１不純物層と，　前記第１不純物層の下方に形成された，Ｎ型又はＰ型の第２不純物層と，」「を備え，」「前記第１不純物層の不純物濃度が１×１０１８個／ｃｍ３〜１×１０２２個／ｃｍ３であり，　前記第２不純物層の不純物濃度が１×１０１３個／ｃｍ３〜１×１０１６個／ｃｍ３であり，　前記第１不純物層と，前記第２不純物層とから受光部が構成されている」ようにすることは，当業者が適宜になし得たことである。
　よって，相違点１は当業者が適宜になし得た範囲に含まれる程度のものである。
　
《相違点２について》
　引用例２及び周知例３にも示されているように，受光部となるフォトダイオードは，ｐｎ接合を形成する不純物領域を半導体基板表面に形成して構成されるところ，当該フォトダイオードに電気的な接続を図るには，前記半導体基板表面に形成された不純物領域に対して電気的な接続を行うことは，以下の周知例５にも示されているように，周知の事項である。
　
周知例５：　Eric R. Fossum, CMOS Image Sensors: Electronic Camera On A Chip, Proceedings of International Electron Devices Meeting 1995, IEEE, pp.17-25 (1995) 
　当審において通知した拒絶理由に引用され，本願の原々出願の出願前に外国において頒布された刊行物である上記文献（以下「周知例５」という。）には，Figure 4 とともに，次の記載がある。（日本語訳は当審において作成した。）
「Figure 4 A photodiode-type active pixel sensor (APS). The voltage on the photodiode is buffered by a source follower to the column bus, selected by RS-row select. The photodiode is reset by transistor RST.」（Figure 4 の説明文）
（日本語訳：
　図４　フォトダイオードタイプの能動画素センサ（APS）。フォトダイオードの電圧は，コラムバスに向けてソースフォロワによってバッファされ，RS-ロウセレクトによって選択される。フォトダイオードはトランジスタRSTによってリセットされる。）
　ここで，Figure 4 を参照すると，フォトダイオードのｎ＋不純物層にソースフォロワのゲートが接続されたものが見て取れる。
　
　また，通常ＭＯＳＦＥＴにおいて，外部回路に接続されるのは，ゲート，ソースまたはドレインであるところ，引用発明においては，「
フォトダイオード（Ｄ）の一端子には，
リセット用トランジスタ（Ｔ
Ｒ
）にも接続されており，このリセット用トランジスタ（Ｔ
Ｒ
）のゲートには，第２垂直走査回路（３ｂ）からのリセット線（ｌ
Ｒ
）が接続されており，　増幅用トランジスタ（Ｔａ）及びリセット用トランジスタ（Ｔ
Ｒ
）の各ドレインには全画素共通の電源電圧Ｖｄｄが印加される
　そして，以下の周知例６にも示されているように，一般にＭＯＳＦＥＴのソース・ドレインは不純物領域により構成されるから，上記引用発明に係る「フォトダイオード（Ｄ）の一端子には，」「リセット用トランジスタ（ＴＲ）にも接続」される構成に対応して，「フォトダイオード（Ｄ）」を構成する不純物領域に接続される，「リセット用トランジスタ（ＴＲ）」のソースを構成する不純物領域が備えられることは明らかである。
　
周知例６：　特開平２−１３１６８１号公報
　当審において通知した拒絶理由に引用され，本願の原々出願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である特開平２−１３１６８１号公報（以下「周知例６」という。）には，第３図とともに，次の記載がある。
「なお，フォトダイオードＰＥｉは，例えば第３図に示すようにｎ型半導体基板上にＰウェルを形成し，このＰウェルの表面にｎ領域およびＰ＋領域を形成することによって構成される。
　また，２つのｎ＋領域がＰウェルの表面に分離されて形成され，そのうちの１つのｎ＋領域がｎ領域に接触している。このｎ＋領域と，上記２つのｎ＋領域の間に形成される電極とによってリセットトランジスタ１２が構成される。」（４頁左下欄１８行〜同頁右下欄６行）
　
　ここで，前記《相違点１について》において述べたとおり，引用発明において引用例２に記載された発明を適用して，「Ｎ型の半導体基板に形成されたＰ型ウエルと，　前記Ｐ型ウエル内で前記半導体基板の表面に形成されたＮ型の第１不純物層と，　前記第１不純物層の下方に形成された，Ｎ型又はＰ型の第２不純物層と，」「を備え，」「前記第１不純物層の不純物濃度が１×１０１８個／ｃｍ３〜１×１０２２個／ｃｍ３であり，　前記第２不純物層の不純物濃度が１×１０１３個／ｃｍ３〜１×１０１６個／ｃｍ３であり，　前記第１不純物層と，前記第２不純物層とから受光部が構成されている」ようにすることは，当業者が適宜になし得たことである。
　そうすると，引用発明に係る「各画素（１）におけるフォトダイオード（Ｄ）の一端子は，増幅用トランジスタ（Ｔａ）のゲートに接続され」ることに対応して，受光部を構成する「前記半導体基板の表面に形成されたＮ型の第１不純物層」に「増幅用トランジスタ（Ｔａ）のゲート」を接続して，「前記第１不純物層に電気的に接続された，ソースホロワのゲート」を備え，また，引用発明に係る「フォトダイオード（Ｄ）の一端子には，」「リセット用トランジスタ（ＴＲ）にも接続」される構成に対応して，「前記第１不純物層に電気的に接続された，」「リセットゲートの一方の拡散層を備え」ることで，相違点２に係る「前記第１不純物層に電気的に接続された，ソースホロワのゲート，及び，リセットゲートの一方の拡散層を備え」ることは，《相違点１》に係る構成を備えることに伴い，当業者に明らかな構成といえるものである。
　よって，相違点２は，当業者が適宜になし得た範囲に含まれる程度のものである。
　
（５）まとめ
　以上検討したとおり，本願発明は，周知技術を勘案して，引用発明及び引用例２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
３　むすび
　以上のとおりであるから，他の請求項について検討するまでもなく，本願は拒絶すべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。