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　特願２００７−５５３２４７「エンドレスゲートトレンチを備える電力半導体素子」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年　８月　３日国際公開、ＷＯ２００６／０８１３８２、平成２０年　７月３１日国内公表、特表２００８−５２９３０７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯
　本願は、２００６年１月２６日（パリ条約に基づく優先権主張　外国庁受理２００５年１月２７日、アメリカ合衆国、２００６年１月２４日、アメリカ合衆国）を国際出願日とする特許出願であって、平成２３年２月１６日付けの拒絶理由通知に対して同年７月２２日に意見書及び手続補正書が提出されたが、同年８月９日付けで拒絶査定がなされた。
　それに対して、同年１２月１４日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに手続補正書が提出され、前置審査においてなされた平成２４年１月１３日付けの最後の拒絶理由通知に対して同年６月１８日に意見書及び手続補正書が提出され、その後、同年８月２２日付けで審尋がなされ、それに対する回答書は提出されなかった。
　
第２．補正の却下の決定
【結論】
　平成２４年６月１８日に提出された手続補正書による補正を却下する。
　
【理由】
１．補正の内容
　平成２４年６月１８日に提出された手続補正書による補正（以下「本件補正」という。）は、補正前の特許請求の範囲の請求項１〜１６を、補正後の特許請求の範囲の請求項１〜１６と補正するものであり、補正前後の請求項１は各々以下のとおりである。
　
（補正前）
　「【請求項１】
　第１導電型のドリフト領域と、
　前記ドリフト領域を覆う第２導電型のベース領域と、
　前記ベース領域の頂面の上に配置される前記第１導電型の導電領域および前記導電領域の間に配置される前記第２導電型の高導電率領域と、
　前記ベース領域を通って、前記ドリフト領域にまで及ぶ複数のエンドレストレンチであって、前記複数のエンドレストレンチの各々が、２つの相隔たる平行トレンチと、前記２つの相隔たる平行トレンチを結合する２つの接続トレンチとを含む複数のエンドレストレンチと、
　前記ベース領域に隣接して、各エンドレストレンチに形成されるゲート絶縁層と、
　各エンドレストレンチにあるゲート電極であって、前記接続トレンチの１つの少なくとも一部を覆って配置されるゲートバスに電気的に接続されるゲート電極
とを備える電力半導体素子。」
　
（補正後）
　「【請求項１】
　第１導電型のドリフト領域と、
　前記ドリフト領域を覆う第２導電型のベース領域と、
　前記ベース領域の頂面の上に配置される前記第１導電型の導電領域および前記導電領域の間に配置される前記第２導電型の高導電率領域と、
　前記ベース領域を通って、前記ドリフト領域にまで及ぶ複数のエンドレストレンチであって、前記複数のエンドレストレンチの各々が、２つの相隔たる平行トレンチと、前記２つの相隔たる平行トレンチを結合する２つの接続トレンチとを含む複数のエンドレストレンチと、
　前記ベース領域に隣接して、前記複数のエンドレストレンチの各々に形成されるゲート絶縁層と、
　前記複数のエンドレストレンチの各々にあるゲート電極であって、前記接続トレンチの１つの少なくとも一部を覆って配置されるゲートバスに電気的に接続されるゲート電極と、を備え、
　前記ゲートバスの下の前記複数のエンドレストレンチにおいて前記ゲート絶縁層の早期ゲート絶縁降伏を抑制する、電力半導体素子。」
　
２．補正事項の整理
　本件補正による補正事項を整理すると、次のとおりである。
　
（１）補正事項１
　補正前の請求項１，５〜７の「各エンドレストレンチ」を、「前記複数のエンドレストレンチの各々」と補正して、各々補正後の請求項１，５〜７とすること。
　
（２）補正事項２
　補正前の請求項１の「とを備える電力半導体素子。」を、「と、を備え、　前記ゲートバスの下の前記複数のエンドレストレンチにおいて前記ゲート絶縁層の早期ゲート絶縁降伏を抑制する、電力半導体素子。」と補正して、補正後の請求項１とすること。
　
（３）補正事項３
　補正前の請求項１２の「前記エンドレストレンチ」を、「前記複数の相隔たるエンドレスゲートトレンチ」と補正して、補正後の請求項１２とすること。
　
（４）補正事項４
　補正前の請求項１２の「各エンドレストレンチ内」を、「前記複数の相隔たるエンドレスゲートトレンチの各々の内」と補正して、補正後の請求項１２とすること。
　
（５）補正事項５
　補正前の請求項１２の「とを備える電力半導体素子。」を、「と、を備え、　前記ゲートバスの下の前記複数の相隔たるエンドレスゲートトレンチにおいて前記ゲート絶縁内張りの早期ゲート絶縁降伏を抑制する、電力半導体素子。」と補正して、補正後の請求項１２とすること。
　
（６）補正事項６
　補正前の請求項１３，１６の「各エンドレスゲートトレンチ」を、「前記複数の相隔たるエンドレスゲートトレンチの各々」と補正して、各々補正後の請求項１３，１６とすること。
　
（７）補正事項７
　補正前の請求項１３の「エンドレスゲートトレンチ」を、「前記複数の相隔たるエンドレスゲートトレンチ」と補正して、補正後の請求項１３とすること。
　
３．新規事項追加の有無及び補正の目的についての検討
（１）補正事項１について
　補正事項１は、指示関係を明瞭にするとともに、補正前の請求項１に記載されていた「前記複数のエンドレストレンチの各々」という表現に統一するものであるから、特許法第１７条の２第４項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項をいう。以下同じ。）第４号に掲げる明瞭でない記載の釈明を目的とするものに該当する。
　したがって、補正事項１は、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たす。
　また、補正事項１が特許法第１７条の２第３項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項をいう。以下同じ。）に規定する要件を満たすことは明らかである。
　
（２）補正事項２について
　補正事項２は、補正前の請求項１に係る発明の発明特定事項である「複数のエンドレストレンチ」を「備える電力半導体素子」について、「前記ゲートバスの下の前記複数のエンドレストレンチにおいて前記ゲート絶縁層の早期ゲート絶縁降伏を抑制する」という技術的限定を加えるものであるから、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　したがって、補正事項２は、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たす。
　また、補正事項２により補正された部分は、本願の願書に最初に添付した明細書（以下「当初明細書」という。また、本願の願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面を「当初明細書等」という。）の０００５〜０００８段落、００１９〜００２０段落等に記載されているものと認められるから、補正事項２は、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものである。
　したがって、補正事項２は、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものであるから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たす。
　
（３）補正事項３，４，６，７について
　補正事項３は、補正前の請求項１２に記載されていた「複数の相隔たるエンドレスゲートトレンチ」という表現に統一するものであり、補正事項４，６，７は、指示関係を明瞭にするとともに、補正前の請求項１２に記載されていた「複数の相隔たるエンドレスゲートトレンチ」という表現を用いて書き改めるものであるから、特許法第１７条の２第４項第４号に掲げる明瞭でない記載の釈明を目的とするものに該当する。
　したがって、補正事項３，４，６，７は、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たす。
　また、補正事項３，４，６，７が特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすことは明らかである。
　
（４）補正事項５について
　補正事項５は、補正前の請求項１２に係る発明の発明特定事項である「複数の相隔たるエンドレスゲートトレンチ」を「備える電力半導体素子」について、「前記ゲートバスの下の前記複数の相隔たるエンドレスゲートトレンチにおいて前記ゲート絶縁内張りの早期ゲート絶縁降伏を抑制する」という技術的限定を加えるものであるから、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　したがって、補正事項５は、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たす。
　また、補正事項５により補正された部分は、本願の願書に最初に添付した明細書（以下「当初明細書」という。また、本願の願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面を「当初明細書等」という。）の０００５〜０００８段落、００１９〜００２０段落等に記載されているものと認められるから、補正事項２は、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものである。
　したがって、補正事項５は、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものであるから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たす。
　
（５）補正の目的の適否、及び新規事項の追加の有無についてのまとめ
　以上検討したとおりであるから、本件補正は特許法第１７条の２第３項及び第４項に規定する要件を満たす。
　そして、本件補正は特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする補正を含むものであるから、本件補正による補正後の特許請求の範囲に記載されている事項により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否か、すなわち、本件補正がいわゆる独立特許要件を満たすものであるか否かにつき、以下において更に検討する。
　
４．独立特許要件について
（１）補正後の発明
　本願の本件補正による補正後の請求項１〜１６に係る発明は、本件補正により補正された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜１６に記載されている事項により特定されるとおりのものであり、そのうちの請求項１に係る発明（以下「補正発明」という。）は、請求項１に記載されている事項により特定される、上記１．の「（補正後）」の箇所に記載したとおりのものであり、再掲すると次のとおりである。
　
　「【請求項１】
　第１導電型のドリフト領域と、
　前記ドリフト領域を覆う第２導電型のベース領域と、
　前記ベース領域の頂面の上に配置される前記第１導電型の導電領域および前記導電領域の間に配置される前記第２導電型の高導電率領域と、
　前記ベース領域を通って、前記ドリフト領域にまで及ぶ複数のエンドレストレンチであって、前記複数のエンドレストレンチの各々が、２つの相隔たる平行トレンチと、前記２つの相隔たる平行トレンチを結合する２つの接続トレンチとを含む複数のエンドレストレンチと、
　前記ベース領域に隣接して、前記複数のエンドレストレンチの各々に形成されるゲート絶縁層と、
　前記複数のエンドレストレンチの各々にあるゲート電極であって、前記接続トレンチの１つの少なくとも一部を覆って配置されるゲートバスに電気的に接続されるゲート電極と、を備え、
　前記ゲートバスの下の前記複数のエンドレストレンチにおいて前記ゲート絶縁層の早期ゲート絶縁降伏を抑制する、電力半導体素子。」
　
（２）引用例に記載された発明
（２−１）本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布され、前置審査においてなされた平成２４年１月１３日付けの最後の拒絶理由通知において引用された刊行物である特開２００１−１６８３２９号公報（「以下「引用例」という。）には、図１〜４，１０とともに、次の記載がある（ここにおいて、下線は当合議体にて付加したものである。以下同じ。）。
　
ａ．「【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、トレンチ内に絶縁膜を介して埋め込まれた制御用のゲート電極を有する、ＭＯＳＦＥＴ（金属−酸化膜−半導体構造のゲート電極を有する電界効果トランジスタ）、
およびそれらの集合体であるインテリジェントパワーモジュール（ＩＰＭ）などのトレンチ型ＭＯＳ半導体装置に関する
　
ｂ．「【０００２】
【従来の技術】
トレンチ型ＭＯＳ半導体装置では、トレンチの端に起因する結晶欠陥やその部分の絶縁膜の影響を防止し、ゲート耐圧の向上を図る等の目的で、チップの端に向かうトレンチの先端を、隣接するトレンチの先端と結ぶ方法が、例えば、特開平８−２９３６０１号、特開平１０−２１４９６８号、特開平１０−２５６５４５号、特開平１１−９７６８９号公報に開示されている
【０００３】
図１０（ａ）は、そのような従来のトレンチ構造を有するＭＯＳ半導体装置の一例であるＭＯＳＦＥＴの主要部の保護膜、電極膜等を透視した半導体基板表面の透視平面図である。細線は多結晶シリコン膜の位置、点線はソース電極の接触部分を示している。図１０（ｂ）は（ａ）図のＡ−Ａ線に沿った断面図である。図１０（ａ）において、５は格子状のトレンチである。トレンチ５に囲まれた方形のセル領域が主電流の流れる活性領域であり、その表面層には、環状のｎ
+
ソース領域３が形成され、その内部にはｐ
+
 コンタクト領域４が形成されている。外周に沿ったトレンチ５の外側には、ｐウェル領域２１が見られる
【０００４】
図１０（ｂ）において、ｎ
+
 ドレイン層１ａとｎドリフト層１ｂとからなる半導体基板１の、ｎドリフト層１ｂの表面層にｐウェル領域２が形成され、そのｐウェル領域２の表面層にｎ
+
 ソース領域３が形成されている。ｎ
+
 ソース領域３の表面からｐウェル領域２を貫通してｎドリフト層１ｂに達するトレンチ５が形成され、そのトレンチ５の内部には、ゲート酸化膜６を挟んで多結晶シリコンからなるゲート電極層７が充填されている。
【０００５】
図１０（ｂ）に示すように、トレンチ５の終端部は、ゲート電極層７の引出し部にもなっており、ゲート電極層７はゲート電極層帯１３と接続されている。
　
ｃ．「【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題解決のため本発明は、第一導電型ドレイン層と、その第一導電型ドレイン層の一方に設けられた第二導電型ウェル領域と、第二導電型ウェル領域の表面層に形成された第一導電型ソース領域と、その第一導電型ソース領域の表面から第二導電型ウェル領域を貫通し第一導電型ドレイン層に達するトレンチと、トレンチ内にゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極層と、第一導電型ソース領域と第二導電型ウェル領域との表面に共通に接触して設けられたソース電極と、第一導電型ドレイン層の他方に設けられたドレイン電極とからなるトレンチ型ＭＯＳ半導体装置において、チップ端に向かうトレンチが、そのトレンチの終端と隣接するトレンチの内の一方のトレンチの終端とをつなぐトレンチ連結部を、第二導電型ウェル領域内に有するものとする。チップ端に向かうトレンチの一部が、そのトレンチの終端と隣接するトレンチの内の一方のトレンチの終端とをつなぐトレンチ連結部を、第二導電型ウェル領域内に有するものとしても良い。
【０００９】
トレンチの終端と隣接するトレンチの内の一方のトレンチの終端とをトレンチ連結部で結ぶことにより、トレンチの終端がなくなり、トレンチの終端での結晶欠陥や絶縁膜の薄膜化等の問題が解決される
【００１０】
特に大きな曲率半径をもつトレンチ連結部を設けることにより、電界が緩和される。
　
ｄ．「【００１２】
【発明の実施の形態】以下、実施例にもとづき、図を参照しながら本発明の実施の形態を説明する。
［実施例１］図１は、本発明第一の実施例のＭＯＳＦＥＴのチップ端部の保護膜、電極等を透視した透視平面図である
【００１３】
内側のセル領域では、トレンチ５に囲まれてｎ
+
 ソース領域３があり、その内部にｐ
+
 コンタクト領域４があって、従来と変わっていない。
【００１４】
図２は、トレンチ連結部５１近傍の拡大図である。
図３（ａ）、（ｂ）は、それぞれ図１のＢ−Ｂ線、Ｃ−Ｃ線に沿った断面図である。
【００１５】実際に試作したトレンチ型ＭＯＳＦＥＴにおいても、耐圧は７５Ｖ以上であり、従来より約２０％向上した。しかも、トレンチ５を形成するためのエッチングマスクを変更するだけで済み、特別な工程の付加を要しない。
［実施例２］図４は、本発明第二の実施例のＭＯＳＦＥＴの主要部の透視平面図である。
【００１６】
この例は、活性部がセル状でなく、ストライプ状の例である。
この場合も、外側のトレンチ５が連続しておらず、一個置きに隣のトレンチ同士を曲率をつけたトレンチ連結部５１で繋ぎ、終端が無いようになっている点が特徴である。
　
（２−２）ここで、上記ｄ．に記載された「実施例２」の「ＭＯＳＦＥＴ」は、「実施例１」の「ＭＯＳＦＥＴ」と「活性部がセル状でなく、ストライプ状」である点で異なるものであるから、「実施例２」の「ＭＯＳＦＥＴ」の各構成要素は、「活性部がセル状でなく、ストライプ状」である点を除き、上記ｄ．に記載された「実施例１」の「ＭＯＳＦＥＴ」の各構成要素と同じであることは明らかである。
　また、上記ｄ．に記載された「実施例１」の「ＭＯＳＦＥＴ」は、図１０の「従来のＭＯＳＦＥＴと比較して異なっているのは、外周に沿ったセル領域の外側のトレンチ５が連続しておらず、一個置きに隣のトレンチ同士を曲率をつけたトレンチ連結部５１で繋ぎ、終端が無いようになっている点」であるから、「実施例１」の「ＭＯＳＦＥＴ」の各構成要素は、上記「従来のＭＯＳＦＥＴと比較して異なっている」「点」を除き、上記ｂ．に記載された「従来のトレンチ構造を有するＭＯＳ半導体装置の一例であるＭＯＳＦＥＴ」の各構成要素と同じであることは明らかである。
　
（２−３）上記ｄ．の「実施例２」に関する記載を参照しつつ、図４を参照すると、図４からは、複数の「トレンチ５」の各々が、「ストライプ状」の「活性部」を挟むように形成された２つの隣接する平行トレンチと、隣接する平行トレンチ同士を繋ぐ「トレンチ連結部５１」で構成され、「終端が無いようになっている」ことが、見て取れる。
　
（２−４）図１〜３を参照しつつ、図４を参照すると、図４からは、「ゲート電極層帯１３」は、「トレンチ連結部５１」を覆って配置されていることが、見て取れる。
　
（２−５）以上を総合し、上記ｄ．の「実施例２」（図４）に記載された「ＭＯＳＦＥＴ」に注目すると、引用例には以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
　「ｎドリフト層１ｂと、
　前記ｎドリフト層１ｂの表面層に形成されたｐウェル領域２と、
　前記ｐウェル領域２の表面層に形成されたｎ+ ソース領域３、及びｎ+ ソース領域３の間に形成されたｐ+ コンタクト領域４と、
　ｎ+ ソース領域３の表面からｐウェル領域２を貫通してｎドリフト層１ｂに達する複数のトレンチ５であって、前記複数のトレンチ５の各々が、２つの隣接する平行トレンチと、隣接する平行トレンチ同士を繋ぐ２つのトレンチ連結部５１で構成され、終端が無いようになっている複数のトレンチ５と、
　前記複数のトレンチ５の各々の内部に充填された、ゲート酸化膜６、及びゲート電極層７と、を備え、
　前記ゲート電極層７は、前記複数のトレンチ５のトレンチ連結部５１を覆って配置されているゲート電極層帯１３に接続されるものであり、
　大きな曲率半径をもつトレンチ連結部５１を設けることにより、電界が緩和され、トレンチの終端でのゲート酸化膜６の薄膜化等の問題を解決し、ゲート耐圧の向上を図った、ＭＯＳＦＥＴ。」
　
（３）補正発明と引用発明との対比
（３−１）引用発明の「ｎドリフト層１ｂ」は、補正発明の「第１導電型のドリフト領域」に相当する。
　
（３−２）引用発明の「ｐウェル領域２」は、補正発明の「第２導電型のベース領域」に相当する。
　よって、引用発明の「前記ｎドリフト層１ｂの表面層に形成されたｐウェル領域２」は、補正発明の「前記ドリフト領域を覆う第２導電型のベース領域」に相当する。
　
（３−３）引用発明の「ｎ+ ソース領域３」、「ｐ+ コンタクト領域４」は、各々補正発明の「第１導電型の導電領域」、「第２導電型の高導電率領域」に相当する。
　よって、引用発明の「前記ｐウェル領域２の表面層に形成されたｎ+ ソース領域３、及びｎ+ ソース領域３の間に形成されたｐ+ コンタクト領域４」は、補正発明の「前記ベース領域の頂面の上に配置される前記第１導電型の導電領域および前記導電領域の間に配置される前記第２導電型の高導電率領域」に相当する。
　
（３−４）引用発明の「終端が無いようになっている複数のトレンチ５」、「２つの隣接する平行トレンチ」、「トレンチ連結部５１」は、各々補正発明の「複数のエンドレストレンチ」、「２つの相隔たる平行トレンチ」、「接続トレンチ」に相当する。
　よって、引用発明の「ｎ+ ソース領域３の表面からｐウェル領域２を貫通してｎドリフト層１ｂに達する複数のトレンチ５であって、前記複数のトレンチ５の各々が、２つの隣接する平行トレンチと、隣接する平行トレンチ同士を繋ぐトレンチ連結部５１で構成され、終端が無いようになっている複数のトレンチ５」は、補正発明の「前記ベース領域を通って、前記ドリフト領域にまで及ぶ複数のエンドレストレンチであって、前記複数のエンドレストレンチの各々が、２つの相隔たる平行トレンチと、前記２つの相隔たる平行トレンチを結合する２つの接続トレンチとを含む複数のエンドレストレンチ」に相当する。
　
（３−５）引用発明の「ゲート酸化膜６」は、補正発明の「ゲート絶縁層」に相当する。
　また、引用発明の「ＭＯＳＦＥＴ」において「ゲート酸化膜６」が「ｐウェル領域２」に隣接して形成されることは、引用例の図３からも、技術常識からも、明らかである。
　よって、引用発明の「前記複数のトレンチ５の各々の内部に充填された、ゲート酸化膜６」は、補正発明の「前記ベース領域に隣接して、前記複数のエンドレストレンチの各々に形成されるゲート絶縁層」に相当する。
　
（３−６）引用発明の「ゲート電極層７」、「ゲートバス」は、各々補正発明の「ゲート電極」、「ゲート電極層帯１３」に相当する。
　よって、引用発明の「前記複数のトレンチ５の各々の内部に充填された」「ゲート電極層７」であって、「前記複数のトレンチ５のトレンチ連結部５１を覆って配置されているゲート電極層帯１３に接続されるものであ」る「前記ゲート電極層７」は、補正発明の「前記複数のエンドレストレンチの各々にあるゲート電極であって、前記接続トレンチの１つの少なくとも一部を覆って配置されるゲートバスに電気的に接続されるゲート電極」に相当する。
　
（３−７）引用発明は、「前記ゲート電極層７は、前記複数のトレンチ５のトレンチ連結部５１を覆って配置されているゲート電極層帯１３に接続されるもの」であるから、「ゲート電極層帯１３」の下には、「トレンチ連結部５１」が配置されている。
　また、引用発明は、「大きな曲率半径をもつトレンチ連結部５１を設けることにより、電界が緩和され、トレンチの終端でのゲート酸化膜６の薄膜化等の問題を解決」して「ゲート耐圧の向上を図った」ものであるから、「トレンチ連結部５１」を設けずに「トレンチの終端」を有していた構成に比べて、ゲートに高電圧を印加しても、「トレンチ連結部５１」での「ゲート酸化膜６」での絶縁降伏が起こりにくくなっていることは、当業者にとって明らかである。
　よって、引用発明の「大きな曲率半径をもつトレンチ連結部５１を設けることにより、電界が緩和され、トレンチの終端でのゲート酸化膜６の薄膜化等の問題を解決し、ゲート耐圧の向上を図った」は、補正発明の「前記ゲートバスの下の前記複数のエンドレストレンチにおいて前記ゲート絶縁層の早期ゲート絶縁降伏を抑制する」に相当する。
　
（３−８）引用発明の「ＭＯＳＦＥＴ」と、補正発明の「電力半導体素子」とは、「半導体素子」という点で共通する。
　
（３−９）したがって、補正発明と引用発明とは、
　「第１導電型のドリフト領域と、
　前記ドリフト領域を覆う第２導電型のベース領域と、
　前記ベース領域の頂面の上に配置される前記第１導電型の導電領域および前記導電領域の間に配置される前記第２導電型の高導電率領域と、
　前記ベース領域を通って、前記ドリフト領域にまで及ぶ複数のエンドレストレンチであって、前記複数のエンドレストレンチの各々が、２つの相隔たる平行トレンチと、前記２つの相隔たる平行トレンチを結合する２つの接続トレンチとを含む複数のエンドレストレンチと、
　前記ベース領域に隣接して、前記複数のエンドレストレンチの各々に形成されるゲート絶縁層と、
　前記複数のエンドレストレンチの各々にあるゲート電極であって、前記接続トレンチの１つの少なくとも一部を覆って配置されるゲートバスに電気的に接続されるゲート電極と、を備え、
　前記ゲートバスの下の前記複数のエンドレストレンチにおいて前記ゲート絶縁層の早期ゲート絶縁降伏を抑制する、半導体素子。」
　である点で一致し、次の点で相違する。
　
（相違点）
　補正発明は、「電力半導体素子」であるのに対し、引用発明の「ＭＯＳＦＥＴ」は、「半導体素子」ではあるものの、「電力半導体素子」とまでは特定されていない点。
　
（４）相違点についての当審の判断
　引用発明の「ＭＯＳＦＥＴ」は、トレンチゲートを用いた、いわゆる縦型のＭＯＳＦＥＴであることは明らかであるところ、一般に、縦型のＭＯＳＦＥＴが、電力用途に用いられるものであることは、当業者の技術常識である。
　また、引用例には、上記４．（２）（２−１）ａ．に摘記したように、「本発明は、トレンチ内に絶縁膜を介して埋め込まれた制御用のゲート電極を有する、ＭＯＳＦＥＴ（金属−酸化膜−半導体構造のゲート電極を有する電界効果トランジスタ）、・・・およびそれらの集合体であるインテリジェントパワーモジュール（ＩＰＭ）などのトレンチ型ＭＯＳ半導体装置に関する。」と記載されており、当該ＭＯＳＦＥＴを用いてパワーモジュールを構成することが示唆されている。
　したがって、引用発明において、「半導体素子」である「ＭＯＳＦＥＴ」を「電力半導体素子」とすることは、当業者が容易になし得たことである。
　よって、上記相違点は、当業者の技術常識を勘案することにより、当業者が容易になし得た範囲に含まれる程度のものである。
　補正発明と引用発明との相違点については以上のとおりであるから、補正発明は、当業者の技術常識を勘案することにより、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（５）独立特許要件についてのまとめ
　以上検討したとおり、補正発明は、引用発明に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　したがって、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項をいう。以下同じ。）の規定に適合しない。
　
５．補正の却下の決定のむすび
　以上検討したとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないものであるから、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３．本願発明について
　平成２４年６月１８日に提出された手続補正書による補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜１６に係る発明は、平成２３年１２月１４日に提出された手続補正書により補正された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜１６に記載されている事項により特定されるとおりのものであり、そのうちの請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、請求項１に記載されている事項により特定される、上記第２．１．の「（補正前）」の箇所に記載したとおりのものである。
　一方、前置審査においてなされた平成２４年１月１３日付けの最後の拒絶理由通知において引用された刊行物である特開２００１−１６８３２９号公報（引用例）には、上記第２．４．（２）に記載したとおりの事項、及び発明（引用発明）が記載されているものと認められる。
　そして、本願発明に対して技術的限定を加えた発明である補正発明は、上記第２．４．において検討したとおり、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も当然に、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　したがって、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
第４．むすび
　以上のとおりであるから、他の請求項について検討するまでもなく、本願は拒絶をすべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。