【事件の表示】
　特願２０１０−　６６９２５「発光装置及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２３年１０月　６日出願公開、特開２０１１−１９９１９３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
　
第１　手続の経緯
　
　本願は、平成２２年３月２３日の出願であって、平成２４年７月１９日付けで手続補正がなされたが、同年１１月２日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成２５年２月５日付けで拒絶査定不服審判請求がなされ、これと同時に手続補正（以下「本件補正」という。）がなされたものである。　　
　
第２　本件補正についての補正却下の決定　　
　
１　結論
　
　本件補正を却下する。
　
２　理由
　
（１）補正の内容
　
　本件補正は、特許請求の範囲について、補正前（平成２４年７月１９日付け手続補正後のもの）の
　
　「【請求項１】
　基板の上に形成され前記基板が除去された積層体であり、第１の面と、前記第１の面とは反対側の第２の面と、を有し、且つ発光層を有する前記積層体と、
　前記積層体の前記第２の面に設けられたｐ側電極及びｎ側電極と、
　前記ｐ側電極及び前記ｎ側電極が露出する開口を有する絶縁膜と、
　前記ｐ側電極上の上に設けられたｐ側金属配線層と、前記ｐ側金属配線層の上に設けられたｐ側金属ピラーと、を有するｐ側引き出し電極と、
　前記ｎ側電極の上に設けられたｎ側金属配線層と、前記ｎ側金属配線層の上に設けられたｎ側金属ピラーと、を有するｎ側引き出し電極と、
　前記ｐ側引き出し電極及び前記ｎ側引き出し電極を囲むように、充填された樹脂層と、
　前記発光層を有する前記積層体の前記第１の面側に設けられた蛍光体層と、
　を備え、
　前記発光層からの放出光は、前記積層体の前記第１の面を介して放出され、
　前記蛍光体層には、波長２５０ｎｍ乃至５００ｎｍの光で励起した際に波長４９０ｎｍ乃至５８０ｎｍの間に発光ピークを示し、下記の式（１）
　（Ｍ１−ｘＲｘ）ａ２ＡｌＳｉｂ２Ｏｃ２Ｎｄ２　　（１）
　（上記式（１）中、ＭはＳｉおよびＡｌを除く少なくとも一種の金属元素であり、Ｒは
発光中心元素である。ｘ、ａ２、ｂ２、ｃ２、ｄ２は、次の関係を満たす。０＜ｘ≦１，
０．９３＜ａ２＜１．３，４．０＜ｂ２＜５．８，０．６＜ｃ２＜１，６＜ｄ２＜１１）
　で表される組成を有する蛍光体が含まれることを特徴とする発光装置。
……
　　【請求項１１】
　発光層を有する積層体を、その第１の面が透光性基板の第１の面に隣接するように形成する工程と、
　前記積層体の前記第１の面とは反対側の第２の面側に設けられたｐ側電極及びｎ側電極上に、第１及び第２の開口を有する絶縁膜を形成する工程と、
　前記絶縁膜と前記第１及び第２の開口とを覆うシード金属を形成する工程と、
　前記シード金属の上にｐ側金属配線層及びｎ側金属配線層をそれぞれ形成する工程と、
　前記ｐ側金属配線層の上にｐ側金属ピラーを、前記ｎ側金属配線層の上にｎ側金属ピラーを、それぞれ形成する工程と、
　前記ｐ側金属配線層と前記ｎ側金属配線層との間に露出した前記シード金属を除去し、
ｐ側シード金属とｎ側シード金属とに分離する工程と、
　前記シード金属を除去した空間の少なくとも一部に樹脂を形成する工程と、
　前記透光性基板を前記積層体から取り除く工程と、
　前記発光層を有する前記積層体の前記第１の面側に蛍光体層を形成する工程と、
　を備え、
　前記蛍光体層には、波長２５０ｎｍ乃至５００ｎｍの光で励起した際に波長４９０ｎｍ乃至５８０ｎｍの間に発光ピークを示し、下記の式（１）
　（（Ｍ１−ｘＲｘ）ａ２ＡｌＳｉｂ２Ｏｃ２Ｎｄ２　　（１）
　（上記式（１）中、ＭはＳｉおよびＡｌを除く少なくとも一種の金属元素であり、Ｒは発光中心元素である。ｘ、ａ２、ｂ２、ｃ２、ｄ２は、次の関係を満たす。０＜ｘ≦１，０．９３＜ａ２＜１．３，４．０＜ｂ２＜５．８，０．６＜ｃ２＜１，６＜ｄ２＜１１）
　で表される組成を有する蛍光体が含まれることを特徴とする発光装置の製造方法。
……」
　
を、
　
　「【請求項１】
　結晶を含む基板の上に結晶成長され前記基板が除去された積層体であり、第１の面と、前記第１の面とは反対側の第２の面と、を有し、且つ発光層を有する前記積層体と、
　前記積層体の前記第２の面に設けられたｐ側電極及びｎ側電極と、
　前記ｐ側電極及び前記ｎ側電極が露出する開口を有する絶縁膜と、
　前記ｐ側電極の上に設けられたｐ側金属配線層と、前記ｐ側金属配線層の上に設けられたｐ側金属ピラーと、外部接続可能な第１端部と、を有するｐ側引き出し電極と、
　前記ｎ側電極の上に設けられたｎ側金属配線層と、前記ｎ側金属配線層の上に設けられたｎ側金属ピラーと、外部接続可能な第２端部と、を有するｎ側引き出し電極と、
　前記ｐ側引き出し電極及び前記ｎ側引き出し電極を囲むように、充填された樹脂層と、
　前記発光層を有する前記積層体の前記第１の面側に設けられた蛍光体層と、
　を備え、
　前記発光層からの放出光は、前記積層体の前記第１の面を介して放出され、
　前記蛍光体層には、波長２５０ｎｍ乃至５００ｎｍの光で励起した際に波長４９０ｎｍ乃至５８０ｎｍの間に発光ピークを示し、下記の式（１）
　（Ｍ１−ｘＲｘ）ａ２ＡｌＳｉｂ２Ｏｃ２Ｎｄ２　　（１）
　（上記式（１）中、ＭはＳｉおよびＡｌを除く少なくとも一種の金属元素であり、Ｒは発光中心元素である。ｘ、ａ２、ｂ２、ｃ２、ｄ２は、次の関係を満たす。０＜ｘ≦１，０．９３＜ａ２＜１．３，４．０＜ｂ２＜５．８，０．６＜ｃ２＜１，６＜ｄ２＜１１）
　で表される組成を有する蛍光体が含まれることを特徴とする発光装置。
……
　　【請求項１１】
　発光層を有する積層体を、その第１の面が結晶を含む透光性基板の第１の面に隣接するように結晶成長させる工程と、
　前記積層体の前記第１の面とは反対側の第２の面側に設けられたｐ側電極及びｎ側電極上に、第１及び第２の開口を有する絶縁膜を形成する工程と、
　前記絶縁膜と前記第１及び第２の開口とを覆うシード金属を形成する工程と、
　前記シード金属の上にｐ側金属配線層及びｎ側金属配線層をそれぞれ形成する工程と、
　前記ｐ側金属配線層の上にｐ側金属ピラーを、前記ｎ側金属配線層の上にｎ側金属ピラーを、それぞれ形成する工程と、
　前記ｐ側金属配線層と前記ｎ側金属配線層との間に露出した前記シード金属を除去し、ｐ側シード金属とｎ側シード金属とに分離する工程と、
　前記シード金属を除去した空間の少なくとも一部に樹脂を形成する工程と、
　前記透光性基板を前記積層体から取り除く工程と、
　前記発光層を有する前記積層体の前記第１の面側に蛍光体層を形成する工程と、
　を備え、
　前記蛍光体層には、波長２５０ｎｍ乃至５００ｎｍの光で励起した際に波長４９０ｎｍ乃至５８０ｎｍの間に発光ピークを示し、下記の式（１）
　（Ｍ１−ｘＲｘ）ａ２ＡｌＳｉｂ２Ｏｃ２Ｎｄ２　　（１）
　（上記式（１）中、ＭはＳｉおよびＡｌを除く少なくとも一種の金属元素であり、Ｒは発光中心元素である。ｘ、ａ２、ｂ２、ｃ２、ｄ２は、次の関係を満たす。０＜ｘ≦１，０．９３＜ａ２＜１．３，４．０＜ｂ２＜５．８，０．６＜ｃ２＜１，６＜ｄ２＜１１）
　で表される組成を有する蛍光体が含まれることを特徴とする発光装置の製造方法。
……」　
　
と補正するものであって、特許法第１７条の２第５項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当すると認められる。
　
（２）独立特許要件についての検討　　
　
　本件補正後の請求項１に係る発明及び請求項１１に係る発明（以下「本願補正発明１」及び「本願補正発明２」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるかについて検討する。　
　
ア　刊行物の記載
　
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願前に頒布された刊行物である特表２００７−５２７１２３号公報（以下「引用文献」という。）には、以下の記載がある（下線は当審にて付した）。
　
（ア）「【特許請求の範囲】
【請求項１】
　
最小電極分離を形成する少なくとも１つのｎ型電極と少なくとも１つのｐ型電極とが配置された背面及び正面を有する発光ダイオードと、
　
前記最小電極分離よりも大きい最小結合パッド分離を形成する少なくとも１つのｎ型結合パッドと少なくとも１つのｐ型結合パッドとを含む結合パッド層と、
　
前記少なくとも１つのｎ型電極と前記少なくとも１つのｎ型結合パッドの間、及び前記少なくとも１つのｐ型電極と前記少なくとも１つのｐ型結合パッドの間の電気連通をもたらす誘電体層のバイアを通過する複数の導電路を含む、前記発光ダイオードの前記正面と前記結合パッド層の間に置かれた少なくとも１つの扇形拡大層と、
　
を含むことを特徴とする発光素子
……
【請求項２５】
　
正面ｎ型及びｐ型電極を有してその間に最小電極分離を形成する発光ダイオードをフリップチップ結合して該発光ダイオードをプリント基板に機械的に固定し、かつ該正面ｎ型及びｐ型電極を該プリント基板のプリント回路に電気的に接続する方法であって、
　
ｎ型及びｐ型電極にアクセスするための貫通するバイアを有する誘電体層を少なくとも該ｎ型及びｐ型電極の上に配置する段階と、
　
前記バイア及び前記誘電体層の上に電気接触パッドを配置する段階と、
を含み、
　
前記電気接触パッドは、選択されたバイアを通じて前記ｐ型電極に接続するｐ型接触パッドと、選択された他のバイアを通じて前記ｎ型電極に接続するｎ型接触パッドとを含み、該接触パッドは、その間に最小電極分離よりも大きい最小接触パッド分離を有して前記誘電体層の上に配置されており、
前記接触パッドを前記プリント基板のプリント回路に該プリント基板及びチップの一方に配置された結合バンプを通じてフリップチップ結合する段階、
を更に含み、
　
前記フリップチップ結合する段階は、前記最小電極分離よりも大きく前記最小接触パッド分離よりも小さい機械的許容誤差を有し、前記接触パッドと前記プリント基板の間にサブマウントは配置されない、
　
ことを特徴とする方法
……
【請求項２９】
　
前記バイア及び前記誘電体層の上に電気接触パッドを配置する前記段階は、
　
前記バイアを第１の導電材料で埋める段階と、
　
前記第１の導電材料にアクセスするための貫通するバイアを有する第２の誘電体層を該第１の導電材料の上に配置する段階と、
　
前記第１の導電材料と前記第２の誘電体層を通る前記バイアとを通じて前記ｎ型及びｐ型電極に電気的に接触する前記電気接触パッドを該第２の誘電体層の上に配置する段階と、
　
を含む
　ことを特徴とする請求項２５に記載の方法。
……
【請求項３１】
　
前記発光ダイオードは、基板ウェーハの一部分を更に含み、これは、該基板ウェーハ上に作製された他の発光ダイオードと共有されており、誘電体層を配置する前記段階及び電気接触パッドを配置する前記段階は、ｐ型及びｎ型電気接触パッドを該他の発光ダイオード上に付加的な配置するウェーハレベル工程として行われるものであり、
　
前記電気接触パッドを配置する段階の後で、かつ前記フリップチップ結合する段階の前に、前記発光ダイオードを前記他の発光ダイオードから分離するために前記基板ウェーハをダイスカットする段階、
　
を更に含む
【請求項３２】
　前記電気接触パッドを配置する段階の後で、かつ前記
基板ウェーハをダイスカットする段階の前に、前記発光ダイオード上に少なくとも１つの光学要素を形成するために少なくとも付加的なウェーハレベル工程を実行する
　を更に含むことを特徴とする請求項３１に記載の方法。
【請求項３３】
　
前記少なくとも１つの光学要素は
蛍光体層
から成る
　
（イ）「技術分野】
【０００１】
　本発明は、照明技術に関する。本発明は、特に、表示灯用途及び照明用途などのためのフリップチップ発光ダイオードに関し、特にそれを参照して以下に説明するが、本発明は、表面装着式発光ダイオードが有用である他の用途にも適用することができる。
【背景技術】
【０００２】
　フリップチップ発光ダイオード構成は、電極によるシャドーイングによる光損失の低減、マウントとの活性層の熱結合の改善、より大きな分散電極の使用を通じた素子にわたる電流の広がり（spreading）の改善、電気配線又はワイヤ結合の低減、及びフリップチップ装着技術の自動ダイ結合機器との適合性を含む実質的な恩典を有する。サファイア又は炭化珪素基板上のＩＩＩ族窒化物ベースの発光ダイオードは、フリップチップ結合に適合した光透過性基板を有する。好ましいエピタキシ基板が不透明であるか又は光抽出特性が劣っているある一定の材料システムにおいては、基板は、薄くすることができ、又はエピタキシャル層は、形成後に透明ホスト基板に移すことができる。
【０００３】
　しかし、既存の自動素子装着工具は、一般的に発光ダイオードを確実にフリップチップ結合するには大きすぎる許容誤差を有するので問題が生じる。フリップチップ発光ダイオードの電極は、電流の広がり及び背面反射を最適化するために細かく離間した形態と構造を有する。例えば、例示的なｎ型の上にｐ型を載せた構成（ｐ−オン−ｎ構成）においては、ｎ型電極フィンガは、横の電流の広がりを促進するためにｐ型メサに非常に近接して配置される。ｎ型電極フィンガは、その間に配置されたｐ型電極材料を用いて約０．２０ｍｍから０．２５ｍｍだけ横方向に離間していることが好ましい。横方向の間隔が大きくなると、抵抗による電気的損失及び加熱が増大する。これらの細かい電極形態は、フリップチップ結合の精度及び正確性に対して約０．１５ｍｍよりも大きくない厳しい許容誤差を課するものである。約０．１５ｍｍを超える配置誤差は、ｎ型結合バンプに対するｐ型領域の交差結合をもたらす可能性があり、その逆も可能である。同様に厳しい許容誤差制限は、ｎ−オン−ｐ構成にも課せられる。このような厳しい結合許容誤差を達成することは、プリント基板又は他の比較的大きな電気構成要素への直接のフリップチップ発光ダイオードの自動ダイ装着においては一般的に困難か又は不可能である。更に、ＬＥＤ上の細かい特徴は、現在使用されているリソグラフィ及び転写工程における制限のために、既存のプリント基板においては複写することができない。
【０００４】
　細かい電極形態に適応させるために、発光ダイオードとプリント基板の間にサブマウントが一般的に配置される。発光ダイオードは、ダイ装着中の正確なアラインメントが容易に達成可能であるように、発光ダイオードと同様のサイズであるサブマウントにフリップチップ結合される。サブマウントは、フリップチップ結合のための第１の組の結合パッドと、プリント基板との電気的接続のための第２の組のより広く離間した電極又は結合パッドとを有する。発光ダイオードがフリップチップ結合したサブマウントは、表面装着技術又はワイヤ結合によってプリント基板に取り付けることができる。
　【０００５】
　サブマウントの使用は、厳しいフリップチップ結合許容誤差に適応させるためにこれまで一般的に使用されているが、製造時間及び経費を増大する付加的なパッケージ化工程の導入を含む実質的な欠点を有する。サブマウントはまた、放熱効率を制限する付加的な熱抵抗を導入するものである。介在するサブマウントによって機械的信頼性が損なわれる可能性もある。サブマウント材料は、通常は、放熱に対する熱導電性及び電極隔離をもたらす絶縁性の両方であるように選択される。導電性サブマウントが使用された場合、絶縁のために誘電体層が付加される。これらの層が薄すぎた場合、それらは、高速用途に対するスイッチングを容量的に制限する可能性がある。別の考察事項は、発光ダイオード、サブマウント、及びプリント基板間のインタフェースで熱膨張率を合わせることである。
　本発明は、上述の制限及びその他を克服する改良型装置及び方法を考えるものである。」
　
（ウ）「【００１１】
　図１から図１１を参照して、発光ダイオード１０の電極１２及び１４間の小さな最小間隔ｄ電極を含む細かい形態をフリップチップ結合工程のより大きい許容誤差に適応させる方法で結合パッドをフリップチップ発光ダイオード１０上に形成する工程を説明する。
【００１２】
　図１から図３を参照すると、結合パッド形成前の例示的な発光ダイオード１０は、基板２０と、ｎ型基部層２２と、１つ又はそれよりも多くの素子メサ２４とを含む。フリップチップ結合構成での光抽出を容易にするために、基板２０は、発光ダイオード１０によって生成された光に対して実質的に光透過性であることが好ましい。任意的に、基板２０を薄くして光抽出を改善することができる。
【００１３】
　１つの好ましい実施形態では、
発光ダイオード１０は、ＩＩＩ族窒化物ベースの発光ダイオードであり、基板２０は、サファイア又は炭化珪素であり、ｎ型基部層２２は、ｎ型窒化ガリウム層又はｎ型窒化アルミニウムガリウム層であり、１つ又は複数の素子メサ２４は、ｎ型基部層２２に隣接するｎ型窒化ガリウム又は窒化アルミニウムガリウムクラッド層、１つ又はそれよりも多くの窒化インジウムガリウム層を含むｎ型クラッド層に隣接する活性領域、基板２０から遠位の活性領域の側に隣接するｐ型窒化ガリウム又は窒化アルミニウムガリウムクラッド層、及び基板２０から遠位のｐ型窒化ガリウムクラッド層の側に隣接するインジウム、ガリウム、及びアルミニウムのうちの１つ又はそれよりも多くを含むＩＩＩ族窒化物材料の重ドープｐ型接触強化層を含む
【００１４】
　図示していないが、例示的なＩＩＩ族窒化物発光ダイオード１０は、任意的に、基板２０とｎ型基部層２２の間に置かれた窒化アルミニウム又は別の材料のエピタキシ強化バッファ層のような他の層を含む。他のＩＩＩ族窒化物層をエピタキシャル層スタックの他の場所に含めて、電流の広がり、電導度の改善、光学的閉込め、キャリヤ閉込め、及び層間の急激なインタフェースなどのような他の望ましい構造的、電気的、及び／又は光学的効果をもたらすことができる。
発光ダイオード１０は、ＩＩＩ族窒化物層を基板２０上にヘテロエピタキシャル堆積し、１つ又は複数の素子メサ２４を形成してｎ型材料にアクセスするためにリソグラフィ処理によって堆積層の選択部分を除去することによって適切に形成される
【００１５】
　説明したＩＩＩ族窒化物発光ダイオードは、例示的なものに過ぎない。発光ダイオード１０は、ＩＩＩ族燐化物及びＩＩＩ族砒化物などのような他の材料を使用して構成することができる。更に、結合パッドの形成を例示的なｐ−オン−ｎ発光ダイオード１０を参照して説明するが、説明する結合パッド形成工程は、ｎ−オン−ｐ発光ダイオードにも適用可能である。
【００１６】
　
発光ダイオード１０は、群層を基板２０上に堆積してリソグラフィ処理によって材料を除去し、１つ又は複数の素子メサ２４を形成し、かつｎ型基部層２２の一部分を露出させることによって適切に形成される。
【００１７】
　動作時には、電極１２及び１４の間を流れる電流によって電界発光が素子メサ２４に発生する。電極１２及び１４間の間隔ｄ電極は、電流の流れに対する抵抗を小さくするために小さいことが好ましい。更に、素子メサ２４及びｎ型電極１４は、メサ２４にわたる横方向電流の広がりを最大にするために発光ダイオード１０の横方向区域にわたって分配されることが好ましい。
【００１８】
　ｐ型及びｎ型電極１２及び１４の細かい横方向形態及びその間にある小さな最小間隔ｄ電極により、サブマウントを間に置かないプリント基板に対する直接の発光ダイオード１０のフリップチップ結合が困難になる。この困難さを定量化すると、例示的な好ましいＩＩＩ族窒化物実施形態に対しては、ｎ型電極フィンガは、離間幅が約０．２０ｍｍから０．２５ｍｍであることが好ましい。ｐ型電極１２がｎ型電極フィンガの間に置かれる時、それによってｄ電極がフィンガ間隔よりも小さいものになる。ダイ装着工程中にミスアラインメントのためにｐ型電極１２とｎ型電極１４の間の分路をもたらす結合バンプを避けるために、フリップチップ結合は、約０．１５ｍｍ又はそれ未満の横方向許容誤差で行うべきである。このような厳しい許容誤差は、既存の自動ダイ装着工具を使用すると一般的に達成可能ではない。
【００１９】
　この問題に対処するために、図４から図１１を参照して説明する結合パッド形成工程を使用して、フリップチップ結合工程のより大きい許容誤差に電極１２及び１４の細かい形態を適応させる。
結合パッド形成工程は、図４から図７に示すように扇形拡大層３０の形成を含む。扇形拡大層３０の形成は、バイア３４が形成されてｐ型電極１２及びｎ型電極１４へのアクセスを提供する誘電体層３２を堆積する段階と、次に、バイア３４に導電材料３６を充填し、中間接続パッド、特に中間ｐ型接続パッド４２及び中間ｎ型接続パッド４４を形成する金属化処理とを含む
【００２０】
　誘電体層３２は、ｎ型及びｐ型電極１２及び１４、及び発光ダイオード１０の正面を密封することが好ましい。この密封は、有利な態様においては、後の素子パッケージ化中の別々の封入材料層の任意的な省略を考慮するものである。図４は、誘電体層３２が配置されてバイア３４が形成された後であるが導電材料３６が配置される前の発光ダイオード１０を示している。誘電体層３２は、適切な態様においては、ポリアミド材料であるが、窒化珪素又は二酸化珪素のような他の材料を使用することもできる。図４に示す誘電体層３２は、実質的に光透過性であり、従って、メサ２４及びｎ電極１４の横方向構造は、図４では誘電体層３２を通して依然として可視である。しかし、半透明又は不透明の誘電材料も使用することができる。適切な絶縁をもたらすために、誘電体層３２は、少なくとも２ミクロン厚であることが好ましい。誘電体層３２の誘電及び構造特性によっては、より薄い誘電体層が適切である場合がある。
【００２１】
　バイア３４は、好ましくは密封された誘電体層３２の全体的堆積後のリソグラフィ処理によって適切に形成される。代替的に、リソグラフィ処理を用いて誘電体層３２の堆積中にバイア区域を隠すことができ、その後マスクが除去されてバイア３４が残る。バイア３４は、ｎ型及びｐ型電極１２及び１４へのアクセスを提供する。好ましい実施形態では、電極１２及び１４の各々に接触するいくつかのバイア３４は、発光ダイオード１０にわたる電流の広がりを促進するために、発光ダイオード１０の横方向区域にわたって分配される。
【００２２】
　導電材料３６は、蒸着、スパッタリング、又は電気メッキなどによって堆積させることができる。蒸着技術が用いられる場合、中間ｐ型及びｎ型接続パッド４２及び４４の横方向の範囲は、当業技術で公知のリソグラフィ技術によって定められる。電気メッキの場合、薄いシード層（図示せず）がバイア３４の内側に堆積され、導電材料３６は、バイア３４を埋めてバイア３４の外側に延びるように電気メッキされる。電気メッキ材料のバイアの外側の延長又は溢れは、当業技術では「マッシュルーム」として公知である。バイア３４の外側にある導電材料３６は、接続パッド４２及び４４を形成する。
【００２３】
　図６及び図７に示されていない他の層を導電材料３６の配置段階に含めることができる。任意的に、薄い接着層が、接着を促進するために導電材料３６と電極１２及び１４との間に配置される。同様に、薄い拡散障壁層が、導電材料３６と電極１２及び１４の材料の混合を抑制するために導電材料３６と電極１２及び１４との間のインタフェースに任意的に配置される。ＩＩＩ族窒化物発光ダイオードの適切な実施形態では、薄いチタン及び／又はニッケル層が、電極１２及び１４上に堆積され、導電材料３６は、金又は銀である。当業者は、電極１２及び１４と導電材料３６の間のインタフェースで接着及び混合を制御する他の材料スタックを容易に選択することができる。
【００２４】
　バイア３４内にある導電材料３６の部分は、電極１２及び１４と接続パッド４２及び４４との間の電気連通を提供する導電路を形成する。接続パッド４２及び４４は、最小電極分離ｄ電極よりも大きい最小分離ｄ接続を有することが好ましい。図５から図７で最も良く分るように、中間ｐ型接続パッド４２は、誘電体層３２を横切って横方向に延びてｐ型電極１２にアクセスするバイアを接続し、かつ４つの素子メサ２４を接続して単一のｐ型接続パッド４２を形成する。同様に、図５で最も良く分るように、ｎ型接続パッド４４は、誘電体層３２を横切って横方向に延びてｎ型電極１４にアクセスするバイアを接続し、単一のｎ型接続パッド４４を形成する。更に、接続パッド４２及び４４は、パッド４２及び４４が電気抵抗の発生源を制限しないように十分な厚みであることが好ましい。約１ミクロン又はそれよりも大きい厚みのパッド厚みが好適である。
【００２５】
　接続パッド４２及び４４は、電極１２及び１４の横方向の構成よりもフリップチップ結合に対して有利により良く適応させた横方向の構成を有する。第１に、接続パッド４２及び４４は、４つのメサ２４及びｎ型電極１４のフィンガの複雑な横方向の構成に従わない単純な矩形の幾何学的形状を有する。従って、ダイ装着のためのプリント基板上の結合バンプは、相応に単純な幾何学的形状を有することができる。第２に、接続パッド４２及び４４の最小分離ｄ接続は、最小電極分離ｄ電極よりも大きい。小さい分離に対しては、ダイ装着中の横方向アラインメントの相応に小さな誤差が分離を短絡させる可能性があるので、最小分離は、フリップチップ結合工程に許容することができる最大横方向許容誤差に関連する。従って、接続パッド４２及び４４の最小分離ｄ接続が大きいほど、フリップチップ結合工程に許容される横方向の許容誤差が大きくなる。
【００２６】
　これらの利点のために、扇形拡大層３０が発光ダイオード１０の正面に配置された図５から図７に示すような素子が、接続パッド４２及び４４を結合パッドとして使用するサブマウントのないプリント基板への直接的なフリップチップ結合に対して考えられている。この実施形態では、接続パッド４２及び４４は、任意的に、半田付け、リフロー合金結合、又は発光ダイオード１０をプリント基板の結合バンプに電気的かつ機械的に固定するための別の選択された結合方法を促進する結合層又は結合層スタック（図示せず）で被覆される。
【００２７】
　しかし、図８から図１１を更に参照すると、好ましい実施形態では、この結合パッド作製工程は、第２の結合パッド層５０を扇形拡大層３０の上に生成するために継続される。接続パッド４２及び４４は、サブマウントのないプリント基板へのＬＥＤ１０の直接的なフリップチップ結合に対する実質的な適応をもたらすが、それらは、ある一定の欠陥を有する。ｐ型電極１２とｐ型接続パッド４２の間を連通するバイア３４は、ｐ型電極１２とｐ型接続パッド４２の間の実質的な横方向の重複を課するものである。この重複は、接続パッド４２及び４４の最小分離ｄ接続の最大サイズを抑制する。より大きな分離をもたらすために、電極１２及び１４から遠位の扇形拡大層３０の側に結合パッド層５０が配置される。
　
結合パッド層５０の形成は、ｐ型接続パッド４２とｎ型接続パッド４４へのアクセスを提供するバイア５４が形成される第２の誘電体層５２の堆積と、次に、バイア５４に導電材料５６（これは、導電材料３６と同じとすることができ、又は導電材料３６と異なってもよい）を埋めて結合パッド、特にｐ型結合パッド６２及びｎ型結合パッド６４を形成する金属化工程とを含む
【００２８】
  図８は、第２の誘電体層５２が上に配置されてバイア５４が形成された後であるが導電材料５６の堆積前である発光ダイオード１０を示している。
第２の誘電体層５２は、ポリアミド材料であることが適切である
可視である。しかし、半透明又は不透明の誘電体層も使用することができる。適切な絶縁をもたらすために、誘電体層５２は、少なくとも２ミクロン厚であることが好ましい。誘電体層５２の誘電及び構造特性によっては、より薄い誘電体層が適切である場合がある。第２の誘電体層５２は、誘電体層３２と同じ材料で作ることができ、又は異なる材料で作ることもできる。
【００２９】
　バイア５４は、第２の誘電体層５２の全体的堆積の後にリソグラフィ処理によって適切に形成される。代替的に、リソグラフィ処理を用いて、誘電体層５２の堆積中にバイア区域を隠すことができ、その後にマスクが除去されてバイア５４が残る。バイア５４は、ｐ型及びｎ型中間接続パッド４２及び４４へのアクセスを提供する。導電材料５６は、蒸着、スパッタリング、又は電気メッキなどによって堆積させることができる。蒸着技術の場合、中間ｐ型及びｎ型結合パッド６２及び６４の横方向の範囲は、当業技術で公知のリソグラフィ技術によって定められる。
【００３０】
　図１０及び図１１は、薄いシード層６６が、バイア５４の内側に堆積され、導電材料５６が電気メッキされ、バイア５４を埋めてバイア５４の外側にマッシュルームして結合パッド６２及び６４を形成する電気メッキ実施形態を示す図である。図１０及び図１１に示されていない他の層を導電材料５６の配置段階に含めることができる。任意的に、薄い接着層及び／又は拡散障壁層が、導電材料５６と中間接続パッド４２及び４４の間に置かれる。１つの適切な実施形態では、薄いチタン及び／又はニッケル層が、中間接続パッド４２及び４４上に堆積され、導電材料５６は、金又は銀である。当業者は、中間接続パッド４２及び４４と導電材料５６の間のインタフェースで接着及び混合を制御する他の材料スタックを容易に選択することができる。
【００３１】
　バイア５４内にある導電材料５６の部分は、接続パッド４２及び４４と結合パッド６２及び６４との間の電気連通をもたらす導電路を形成する。結合パッド６２及び６４は、最小電極分離ｄ電極よりも大きくかつ中間接続パッド４２及び４４の最小分離ｄ接続よりも大きい最小分離ｄパッドを有することが好ましい。結合パッド６２及び６４は、パッド６２及び６４が電気抵抗の発生源を制限しないように十分な厚みであることが好ましく、また、選択されたダイ装着工程に関わるのに十分な厚みであることが好ましい。約２ミクロン又はそれよりも大きい結合パッド６２及び６４の厚みが好適であるが、より薄い結合パッドを使用することもできる。
【００３２】
　引き続き図９から図１１を参照し、更に図１２を参照すると、リフロー結合工程を使用する好ましいフリップチップ結合が説明されている。図１０及び図１１で見るように、
結合パッド６２及び６４は、拡散障壁層７０及びリフロー層スタック７２で被覆される
【００３３】
　図１２を参照すると、発光ダイオード１０は、結合バンプ８６が配置された少なくとも正及び負の電力トレース８０及び８２を含むプリント回路を有するプリント基板７６（図１２に部分的に図示）に結合されたフリップチップである。結合バンプは、金又は銀メッキの銅バンプ、金バンプ、又は銀バンプなどとすることができる。結合バンプ８６は、接着層、拡散障壁層、及び結合可能層を含むスタックのような複数の層を含むことができる。結合バンプ８６は、フリップチップ結合のために結合パッド６２及び６４と横方向に整列する。
ダイ装着は、結合バンプ８６の材料とのリフロー層７２のリフロー合金化によって達成される
【００３４】
　説明したリフロー工程は好ましいものであるが、フリップチップ結合装着は、熱音波結合、超音波結合、又は従来の半田付けなどを用いて行うことができる。更に、プリント基板７６への結合を説明しているが、本明細書に説明するダイ装着技術は、ガラス基板又は複合材料の基板のような実質的にあらゆる種類の基板へのダイ装着に用いることができる。
  図４から図１１を参照して説明した結合パッドを作製する好ましい工程では、２つの層、すなわち、扇形拡大層３０及び結合パッド層５０を使用する。」
　
（エ）「【００３８】
　図１から図１３は、単一の発光ダイオード１０に適用される結合パッド作製工程を示している。しかし、好ましい実施形態では、説明する工程は、ウェーハレベルで適用され、ウェーハは、パッド４２及び４４の形成後（１層工程の場合）、結合パッド６２及び６４の形成後（２層工程の場合）、又は結合パッド１０２及び１０４の形成後（３層工程の場合）にダイスカットされる。
……
【００４０】
　図１４において、結合パッド６２及び６４形成後の基板ウェーハ１１０の好ましいダイスカット段階が、ダイ分離点線によって示されている。更に、好ましい実施形態では、発光ダイオード１０上及び基板ウェーハ１１０の他の発光ダイオード上の１つ又はそれよりも多くの光学構成要素の少なくとも堆積を含む付加的なウェーハレベル処理は、結合パッド６２及び６４形成後であってダイスカット段階の前に行われる。
……
【００４４】
　図１６を参照すると、結合パッド作成後に適用される別の適切な処理シーケンスが説明されている。この処理シーケンスにおいては、
選択した厚みの蛍光体層を透明基板２０に付加し、傾斜側壁が形成されて反射コーティングで被覆される。当業技術で公知のように、紫外線に又は青色光電界発光を生成するＩＩＩ族窒化物発光ダイオードを白色、黄色、又は他の蛍光体と有利に組み合わせて、実質的に白色の光を発生させる
【００４５】
　図１６は、処理中に２点で図１４に示す断面Ｄ−Ｄに沿って基板ウェーハ１１０を図式的に示すことによりこの処理を示している。この説明は、特に、例示的な発光ダイオード１０に着目したものである。基板ウェーハ１１０は、最初に、レーザ又は他の切断装置を使用して正面から形成される楔形の切り込みを作って処理される。電気メッキ又は蒸着などによって切り込み１３０に反射コーティング１３２を堆積させる。次に、
ウェーハを下向きにワックス１３６上に装着して機械的支持をもたらし、基板２０を薄くする。この薄肉化は、ウェーハレベル処理として行われ、すなわち、基板２０を含む基板ウェーハ１１０の背面を薄くする。蛍光体コーティング１４０を背面に施して低温で硬化させる。次に、ワックス１３６を取り除き、切り込み１３０でダイを分離し、例えば、発光ダイオード１０を隔離する
【００４６】
　得られた素子は、図１２に示すようにフリップチップ結合に適切なものである。有利な態様では、反射コーティング１３２及びウェーハ薄肉化は、蛍光体コーティング１４０内への光抽出を改善し、一方、蛍光体コーティング１４０は、ＩＩＩ族窒化物発光ダイオードに対して例えば紫外線から白色光への選択された光変換を提供する。
【００４７】
　図１５及び図１６の処理シーケンスを結合パッド作製後に適用するが、例示的なものに過ぎない。当業者は、特定の用途に対して例示的な処理シーケンスを容易に修正することができる。図１５及び図１６の処理シーケンスは、封入材料３２による発光ダイオード１０正面の密封により、かつより一般的には、１つ又は複数の結合パッド層３０、５０、９０により可能になることが認められるであろう。図１５及び図１６の最終処理シーケンスを行う前に正面の密封段階を含んで結合パッドを形成することにより、比較的弱い正面を保護する付加的な割込工程がなくてもウェーハレベルの最終処理を行うことができる。
【００４８】
　例えば、ある一定の既存のウェーハレベル処理においては、正面は、処理前に正面に厚いフォトレジストを付加することによって保護される。これには、フォトレジスト内の炭化水素又は他の物質による正面の化学汚染、フォトレジストによる処理工具の汚染の可能性、及びフォトレジスト付加及び剥離に伴う付加的な時間及び経費を含むいくつかの欠点がある。本明細書で説明するように、ウェーハレベル処理として結合パッド処理を最初に適用し、次に図１５及び図１６の工程のような最終処理を行うことにより、保護のための厚いフォトレジストコーティングが不要になる。
　本発明を好ましい実施形態を参照して説明した。明らかに、先の詳細説明を読んで理解すると、他者は、修正及び変更を想起するであろう。本発明は、全てのこのような修正及び変更が特許請求の範囲又はその均等物の範囲に該当する限り、それらを含むように解釈されるものとする。」
　
（オ）図１ないし図１２は、次のものである。
　
　
イ　引用発明
　
　上記ア（ア）ないし（オ）によれば、引用文献には、次の各発明が記載されているものと認められる。
　
　「最小電極分離を形成する少なくとも１つのｎ型電極と少なくとも１つのｐ型電極とが配置された背面及び正面を有する発光ダイオードと、
　前記最小電極分離よりも大きい最小結合パッド分離を形成する少なくとも１つのｎ型結合パッドと少なくとも１つのｐ型結合パッドとを含む結合パッド層と、
　前記少なくとも１つのｎ型電極と前記少なくとも１つのｎ型結合パッドの間、及び前記少なくとも１つのｐ型電極と前記少なくとも１つのｐ型結合パッドの間の電気連通をもたらす誘電体層のバイアを通過する複数の導電路を含む、前記発光ダイオードの前記正面と前記結合パッド層の間に置かれた少なくとも１つの扇形拡大層と、
　を含む発光素子であって、
　発光ダイオード１０は、ＩＩＩ族窒化物層をサファイア基板２０上にヘテロエピタキシャル堆積して形成され、ｎ型基部層２２、活性領域を含む１つ又は複数の素子メサ２４を含み、
　扇形拡大層３０は、バイア３４が形成されてｐ型電極１２及びｎ型電極１４へのアクセスを提供する誘電体層３２と、バイア３４に導電材料３６を充填し形成されるｐ型接続パッド４２及びｎ型接続パッド４４とを含み、
　結合パッド層５０は、ｐ型接続パッド４２とｎ型接続パッド４４へのアクセスを提供するバイア５４が形成される、ポリアミド材料からなる第２の誘電体層５２と、バイア５４に導電材料５６を埋めて形成されるｐ型結合パッド６２及びｎ型結合パッド６４とを含み、
　結合パッド６２及び６４は、拡散障壁層７０及びリフロー層スタック７２で被覆され、ダイ装着は、結合バンプ８６の材料とのリフロー層７２のリフロー合金化によって達成される発光素子。」（以下「引用発明１」という。）
　
　「正面ｎ型及びｐ型電極を有してその間に最小電極分離を形成する発光ダイオードをフリップチップ結合して該発光ダイオードをプリント基板に機械的に固定し、かつ該正面ｎ型及びｐ型電極を該プリント基板のプリント回路に電気的に接続する方法であって、
　発光ダイオード１０を、ＩＩＩ族窒化物層をサファイア基板２０上にヘテロエピタキシャル堆積し、活性領域を含む１つ又は複数の素子メサ２４を形成してｎ型材料にアクセスするためにリソグラフィ処理によって堆積層の選択部分を除去することによって形成する段階と、
　ｎ型及びｐ型電極にアクセスするための貫通するバイアを有する誘電体層を少なくとも該ｎ型及びｐ型電極の上に配置する段階と、
　前記バイア及び前記誘電体層の上に電気接触パッドを配置する段階と、を含み、
　前記電気接触パッドは、選択されたバイアを通じて前記ｐ型電極に接続するｐ型接触パッドと、選択された他のバイアを通じて前記ｎ型電極に接続するｎ型接触パッドとを含み、該接触パッドは、その間に最小電極分離よりも大きい最小接触パッド分離を有して前記誘電体層の上に配置されており、
　前記接触パッドを前記プリント基板のプリント回路に該プリント基板及びチップの一方に配置された結合バンプを通じてフリップチップ結合する段階、を含み、
　前記フリップチップ結合する段階は、前記最小電極分離よりも大きく前記最小接触パッド分離よりも小さい機械的許容誤差を有し、前記接触パッドと前記プリント基板の間にサブマウントは配置されない、ことを特徴とする方法であって、
　前記バイア及び前記誘電体層の上に電気接触パッドを配置する前記段階は、
　前記バイアを第１の導電材料で埋める段階と、
　前記第１の導電材料にアクセスするための貫通するバイアを有する、ポリアミド材料からなる第２の誘電体層を該第１の導電材料の上に配置する段階と、
　前記第１の導電材料と前記第２の誘電体層を通る前記バイアとを通じて前記ｎ型及びｐ型電極に電気的に接触する前記電気接触パッドを該第２の誘電体層の上に配置する段階と、を含み、
　前記発光ダイオードは、基板ウェーハの一部分を更に含み、これは、該基板ウェーハ上に作製された他の発光ダイオードと共有されており、誘電体層を配置する前記段階及び電気接触パッドを配置する前記段階は、ｐ型及びｎ型電気接触パッドを該他の発光ダイオード上に付加的な配置するウェーハレベル工程として行われるものであり、
　前記電気接触パッドを配置する段階の後で、かつ前記フリップチップ結合する段階の前に、前記発光ダイオードを前記他の発光ダイオードから分離するために前記基板ウェーハをダイスカットする段階、を含み、
　前記電気接触パッドを配置する段階の後で、かつ前記基板ウェーハをダイスカットする段階の前に、前記発光ダイオード上に蛍光体層を形成するために少なくとも付加的なウェーハレベル工程を実行する段階、を含む方法。」（以下「引用発明２」という。）
　
ウ　対比・判断
　
（ア）本願補正発明１について
　
　本願補正発明１と引用発明１とを対比する。
　
　ａ　引用発明１の「発光ダイオード１０」は、「ＩＩＩ族窒化物層をサファイア基板２０上にヘテロエピタキシャル堆積して形成され、ｎ型基部層２２、活性領域を含む１つ又は複数の素子メサ２４を含」むから、本願補正発明１の「結晶を含む基板の上に結晶成長され」た「積層体」に相当する。
　　　
ｂ　引用発明１の「ｐ型電極１２」、「ｎ型電極１４」、「正面」、「背面」、「活性領域」、「誘電体層３２」及び「発光素子」は、それぞれ本願補正発明１の「ｐ側電極」、「ｎ側電極」、「第１の面」、「第２の面」、「発光層」、「絶縁膜」及び「発光装置」に相当する。
　
ｃ　引用発明１の「バイア３４」は「誘電体層３２」に形成されて、「ｐ型電極１２及びｎ型電極１４へのアクセスを提供する」ものであるから、本願補正発明１の「ｐ側電極及び前記ｎ側電極が露出する開口」に相当する。
　
ｄ　引用発明１の「ｐ型接続パッド４２」及び「ｎ型接続パッド４４」は、「バイア３４に導電材料３６を充填し形成される」ものであるから、本願補正発明１の「ｐ側電極の上に設けられたｐ側金属配線層」及び「ｎ側電極の上に設けられたｎ側金属配線層」に相当する。
　
ｅ　引用発明１の「ｐ型結合パッド６２」及び「ｎ型結合パッド６４」は、「第２の誘電体層５２」に形成される「ｐ型接続パッド４２とｎ型接続パッド４４へのアクセスを提供するバイア５４」に「導電材料５６を埋めて形成される」ものであるから、本願補正発明１の「ｐ側金属配線層の上に設けられたｐ側金属ピラー」及び「ｎ側金属配線層の上に設けられたｎ側金属ピラー」に相当する。
　
ｆ　引用発明１の「結合パッド６２及び６４」を被覆する「リフロー層スタック７２」は、「結合バンプ８６の材料」との「リフロー合金化」により「ダイ装着」するものであるから、本願補正発明１の「外部接続可能な第１端部」及び「外部接続可能な第２端部」に相当する。
　
ｇ　引用発明１の「ｐ型接続パッド４２」、「ｐ型結合パッド６２」及びｐ型結合パッド６２を被覆する「リフロー層スタック７２」を総称したものが、本願補正発明１の「ｐ側引き出し電極」に相当し、引用発明１の「ｎ型接続パッド４４」、「ｎ型結合パッド６４」及びｎ型結合パッド６４を被覆する「リフロー層スタック７２」を総称したものが、本願補正発明１の「ｎ側引き出し電極」に相当する。
　
ｈ　引用発明１の「ポリアミド材料からなる第２の誘電体層５２」は、「バイア５４」に「導電材料５６を埋めて」「ｐ型結合パッド６２及びｎ型結合パッド６４」が形成されるものであるから、本願補正発明１の「ｐ側引き出し電極及びｎ側引き出し電極を囲むように、充填された樹脂層」に相当する。
　
　以上によれば、両者は、
　
　「結晶を含む基板の上に結晶成長された積層体であり、第１の面と、前記第１の面とは反対側の第２の面と、を有し、且つ発光層を有する前記積層体と、
　前記積層体の前記第２の面に設けられたｐ側電極及びｎ側電極と、
　前記ｐ側電極及び前記ｎ側電極が露出する開口を有する絶縁膜と、
　前記ｐ側電極の上に設けられたｐ側金属配線層と、前記ｐ側金属配線層の上に設けられたｐ側金属ピラーと、外部接続可能な第１端部と、を有するｐ側引き出し電極と、
　前記ｎ側電極の上に設けられたｎ側金属配線層と、前記ｎ側金属配線層の上に設けられたｎ側金属ピラーと、外部接続可能な第２端部と、を有するｎ側引き出し電極と、
　前記ｐ側引き出し電極及び前記ｎ側引き出し電極を囲むように、充填された樹脂層と、
　を備えた発光装置。」
　
で一致し、以下の点で相違するものと認められる。
　
　本願補正発明１では、積層体は、基板が除去されたものであり、積層体の第１の面側に設けられた蛍光体層を備え、蛍光体層には、波長２５０ｎｍ乃至５００ｎｍの光で励起した際に波長４９０ｎｍ乃至５８０ｎｍの間に発光ピークを示し、下記の式（１）
　（Ｍ１−ｘＲｘ）ａ２ＡｌＳｉｂ２Ｏｃ２Ｎｄ２　　（１）
　（上記式（１）中、ＭはＳｉおよびＡｌを除く少なくとも一種の金属元素であり、Ｒは発光中心元素である。ｘ、ａ２、ｂ２、ｃ２、ｄ２は、次の関係を満たす。０＜ｘ≦１，０．９３＜ａ２＜１．３，４．０＜ｂ２＜５．８，０．６＜ｃ２＜１，６＜ｄ２＜１１）
　で表される組成を有する蛍光体が含まれるのに対し、引用発明１では、基板を除去するか否か、及び積層体の第１の面側に蛍光体層を設けるか否かが特定されていない点（以下「相違点１」という。）。
　
ｉ　相違点１について検討する。
　引用発明１においては、基板の処理を含め積層体の第１の面にどのような処理を施すかは、当業者が適宜決定し得る設計的事項というべきところ、引用文献には、発光ダイオードの背面の処理の例示として、「ウェーハを下向きにワックス１３６上に装着して機械的支持をもたらし、基板２０を薄くする。この薄肉化は、ウェーハレベル処理として行われ、すなわち、基板２０を含む基板ウェーハ１１０の背面を薄くする。蛍光体コーティング１４０を背面に施して低温で硬化させる。次に、ワックス１３６を取り除き、切り込み１３０でダイを分離し、例えば、発光ダイオード１０を隔離する。」（上記ア（エ）を参照。）と記載されており、また、発光装置において、積層体の基板を除去することは、例えば国際公開第２００９／００７８８６号（［００２７］、Ｆｉｇ．２Ｃを参照。）、特開２００６−４１４７９号公報（段落【００２０】、図２を参照。）に記載のように周知の技術であることを踏まえると、引用発明１において、基板が除去された積層体の第１の面側に蛍光体層を設けることは当業者が適宜なし得ることである。
　さらに、引用文献には、「選択した厚みの蛍光体層を透明基板２０に付加し、傾斜側壁が形成されて反射コーティングで被覆される。当業技術で公知のように、紫外線に又は青色光電界発光を生成するＩＩＩ族窒化物発光ダイオードを白色、黄色、又は他の蛍光体と有利に組み合わせて、実質的に白色の光を発生させる。」（上記ア（エ）を参照。）と記載されており、また、発光装置の蛍光体層に、波長２５０ｎｍ乃至５００ｎｍの光で励起した際に波長４９０ｎｍ乃至５８０ｎｍの間に発光ピークを示し、下記の式（１）
　（Ｍ１−ｘＲｘ）ａ２ＡｌＳｉｂ２Ｏｃ２Ｎｄ２　　（１）
　（上記式（１）中、ＭはＳｉおよびＡｌを除く少なくとも一種の金属元素であり、Ｒは発光中心元素である。ｘ、ａ２、ｂ２、ｃ２、ｄ２は、次の関係を満たす。０＜ｘ≦１，０．９３＜ａ２＜１．３，４．０＜ｂ２＜５．８，０．６＜ｃ２＜１，６＜ｄ２＜１１）
　で表される組成を有する蛍光体を含ませることは、例えば国際公開第２００７／１０５６３１号（［０１５９］ないし［０１６３］を参照。）に記載のように周知の技術であることを踏まえると、引用発明１において、基板が除去された積層体の第１の面側に蛍光体層を設けるにあたり、蛍光体層に当該周知の蛍光体を含ませることにより相違点１に係る本願補正発明１の構成とすることは、当業者が容易になし得ることである。
　
ｊ　そして、本願補正発明１によってもたらされる効果を全体としてみても、引用発明１及び周知技術から当業者が当然に予測できる程度のものであって、格別顕著なものとはいえない。
　
（イ）本願補正発明２について
　
　本願補正発明２と引用発明２とを対比する。
　
ａ　引用発明２の「発光ダイオード１０」は、「ＩＩＩ族窒化物層をサファイア基板２０上にヘテロエピタキシャル堆積し」、「活性領域を含む１つ又は複数の素子メサ２４を形成」するものであるから、本願補正発明２の「発光層を有する積層体」に相当し、引用発明２の「発光ダイオード１０を、ＩＩＩ族窒化物層をサファイア基板２０上にヘテロエピタキシャル堆積し、活性領域を含む１つ又は複数の素子メサ２４を形成してｎ型材料にアクセスするためにリソグラフィ処理によって堆積層の選択部分を除去することによって形成する段階」は、本願補正発明２の「発光層を有する積層体を、その第１の面が結晶を含む透光性基板の第１の面に隣接するように結晶成長させる工程」に相当する。
　
ｂ　引用発明２の「正面」、「ｐ型電極」及び「ｎ型電極」は、それぞれ本願補正発明２の「第２の面」、「ｐ側電極」及び「ｎ側電極」に相当する。
　
ｃ　引用発明２の「ｎ型及びｐ型電極にアクセスするための貫通するバイアを有する誘電体層を少なくとも該ｎ型及びｐ型電極の上に配置する段階」の「誘電体層」及び「ｎ型及びｐ型電極にアクセスするための貫通するバイア」は、それぞれ本願補正発明２の「絶縁膜」及び「ｐ側電極及びｎ側電極上に」形成された「第１及び第２の開口」に相当し、引用発明２の「ｎ型及びｐ型電極にアクセスするための貫通するバイアを有する誘電体層を少なくとも該ｎ型及びｐ型電極の上に配置する段階」は、本願補正発明２の「前記積層体の前記第１の面とは反対側の第２の面側に設けられたｐ側電極及びｎ側電極上に、第１及び第２の開口を有する絶縁膜を形成する工程」に相当する。
　
ｄ　引用発明２の「バイア」を埋める「第１の導電材料」は、本願補正発明２の「『ｐ側金属配線層』及び『ｎ側金属配線層』」に相当し、引用発明２の「バイアを第１の導電材料で埋める段階」は、本願補正発明２の「ｐ側金属配線層及びｎ側金属配線層をそれぞれ形成する工程」に相当する。
　
ｅ　引用発明２の「ｐ型接触パッド」、「ｎ型接触パッド」及び「ポリアミド材料からなる第２の誘電体層」は、それぞれ本願補正発明２の「ｐ側金属ピラー」、「ｎ側金属ピラー」及び「樹脂」に相当する。
　
ｆ　引用発明２の「発光ダイオード上に蛍光体層を形成するために少なくとも付加的なウェーハレベル工程を実行する段階」は、本願補正発明２の「前記発光層を有する前記積層体の前記第１の面側に蛍光体層を形成する工程」に相当する。
　
ｇ　引用発明２の「発光ダイオード１０を、……堆積層の選択部分を除去することによって形成する段階」から「前記接触パッドを前記プリント基板のプリント回路に……フリップチップ結合する段階」の前の段階までは、本願補正発明２の「発光装置の製造方法」に相当する。
　
　以上によれば、両者は、
　
　「発光層を有する積層体を、その第１の面が結晶を含む透光性基板の第１の面に隣接するように結晶成長させる工程と、
　前記積層体の前記第１の面とは反対側の第２の面側に設けられたｐ側電極及びｎ側電極上に、第１及び第２の開口を有する絶縁膜を形成する工程と、
　ｐ側金属配線層及びｎ側金属配線層をそれぞれ形成する工程と、
　前記ｐ側金属配線層の上にｐ側金属ピラーを、前記ｎ側金属配線層の上にｎ側金属ピラーを、それぞれ形成する工程と、
　前記発光層を有する前記積層体の前記第１の面側に蛍光体層を形成する工程と、
　を備えた発光装置の製造方法。」
　
で一致し、以下の点で相違するものと認められる。
　
（ａ）本願補正発明２では、絶縁膜と第１及び第２の開口とを覆うシード金属を形成する工程と、シード金属の上にｐ側金属配線層及びｎ側金属配線層をそれぞれ形成する工程と、を備え、ｐ側金属配線層とｎ側金属配線層との間に露出したシード金属を除去し、ｐ側シード金属とｎ側シード金属とに分離する工程と、シード金属を除去した空間の少なくとも一部に樹脂を形成する工程と、を備えているのに対し、引用発明２では、ｐ側金属配線層及びｎ側金属配線層をそれぞれ形成する工程、ｐ側金属ピラー及びｎ側金属ピラーをそれぞれ形成する工程、樹脂を形成する工程において、シード金属を形成、除去する工程を備えているか否かが特定されていない点（以下「相違点２という。）。
　
（ｂ）本願補正発明２では、透光性基板を積層体から取り除く工程を備えているのに対し、引用発明２では、透光性基板を積層体から取り除く工程を備えているか否かが特定されていない点（以下「相違点３という。）。
　
（ｃ）本願補正発明２では、蛍光体層には、波長２５０ｎｍ乃至５００ｎｍの光で励起した際に波長４９０ｎｍ乃至５８０ｎｍの間に発光ピークを示し、下記の式（１）
　（Ｍ１−ｘＲｘ）ａ２ＡｌＳｉｂ２Ｏｃ２Ｎｄ２　　（１）
　（上記式（１）中、ＭはＳｉおよびＡｌを除く少なくとも一種の金属元素であり、Ｒは発光中心元素である。ｘ、ａ２、ｂ２、ｃ２、ｄ２は、次の関係を満たす。０＜ｘ≦１，０．９３＜ａ２＜１．３，４．０＜ｂ２＜５．８，０．６＜ｃ２＜１，６＜ｄ２＜１１）
　で表される組成を有する蛍光体が含まれるのに対し、引用発明２では、蛍光体層に含まれる蛍光体が特定されていない点（以下「相違点４という。）。
　
ｈ　相違点２について検討する。
　発光装置の製造方法において、電極上にバンプを形成するにあたり、絶縁膜を覆うシード金属を形成し、バンプ形成後にバンプの間に露出したシード金属を除去することは、例えば特開２００５−７９５５１号公報（段落【００２０】ないし【００２３】、図３を参照。）に記載のように周知の技術であり、引用発明２において、当該周知の技術を適用して、相違点２に係る本願補正発明２の構成とすることは、当業者が容易になし得ることである。
　
ｉ　相違点３について検討する。
　引用発明２においては、基板をどう処理するかは、当業者が適宜決定し得る設計的事項というべきところ、上記（ア）ｋのように、発光装置の製造にあたり積層体の基板を除去することは周知の技術であることを踏まえると、引用発明２において、積層体の基板を除去することにより、相違点３に係る本願補正発明２の構成とすることは当業者が適宜なし得ることである。
　
ｊ　相違点４について検討する。
　引用発明２においては、蛍光体層に含まれる蛍光体として何を選択するかは、当業者が適宜決定し得る設計的事項というべきところ、上記（ア）ｋのように、波長２５０ｎｍ乃至５００ｎｍの光で励起した際に波長４９０ｎｍ乃至５８０ｎｍの間に発光ピークを示し、下記の式（１）
　（Ｍ１−ｘＲｘ）ａ２ＡｌＳｉｂ２Ｏｃ２Ｎｄ２　　（１）
　（上記式（１）中、ＭはＳｉおよびＡｌを除く少なくとも一種の金属元素であり、Ｒは発光中心元素である。ｘ、ａ２、ｂ２、ｃ２、ｄ２は、次の関係を満たす。０＜ｘ≦１，０．９３＜ａ２＜１．３，４．０＜ｂ２＜５．８，０．６＜ｃ２＜１，６＜ｄ２＜１１）
　で表される組成を有する蛍光体が周知であることを踏まえると、引用発明２において、蛍光体層に含まれる蛍光体として当該周知の蛍光体を適用して、相違点４に係る本願補正発明２の構成とすることは当業者が容易になし得ることである。
　
ｋ　そして、本願補正発明２によってもたらされる効果を全体としてみても、引用発明２及び周知技術から当業者が当然に予測できる程度のものであって、格別顕著なものとはいえない。
　
エ　小括
　
　以上のとおり、本願補正発明１及び本願補正発明２は、引用文献に記載の発明及び周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
（３）補正却下の決定のむすび
　
　よって、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するものであって、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について　　
　
１　本願発明　
　
　本件補正は、上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成２４年７月１９日付けで補正された特許請求の範囲の請求項１ないし２０に記載された事項によって特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明及び請求項１１に係る発明（以下「本願発明１」及び「本願発明２」という。）は、上記第２、２（１）において、本件補正前の請求項１及び請求項１１として示したとおりのものである。　
　
２　判断　　
　
　本願発明１及び本願発明２の発明特定事項を全て含み、さらに限定を付したものが本願補正発明１及び本願補正発明２であるところ、本願補正発明１及び本願補正発明２が、前記第２、２（２）において検討したとおり、引用文献に記載の発明及び周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであることに照らせば、本願発明１及び本願発明２が引用文献に記載の発明及び周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであることは明らかである。
　
３　むすび
　
　以上のとおり、本願発明１及び本願発明２は、引用文献に記載の発明及び周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。