【事件の表示】
　上記当事者間の特許第２７７０７２０号発明「窒化ガリウム系化合物半導体発光素子」の特許無効審判事件について、次のとおり審決する。
【結　論】
　訂正を認める。
　本件審判の請求は、成り立たない。
　審判費用は、請求人の負担とする。
【理　由】
第１　事案の概要
　本件は、請求人が、被請求人が特許権者である特許第２７７０７２０号（以下「本件特許」という。平成５年１０月８日出願、平成１０年４月１７日特許権の設定の登録。登録時の請求項の数は４である。）の請求項１ないし４に係る発明についての特許を無効とすることを求める事案である。
　
第２　本件審判の経緯
　本件審判の経緯は、次のとおりである。
　
平成２３年　９月１４日　審判請求
平成２３年１２月　９日　訂正請求及び審判事件答弁書提出
平成２４年　２月　７日　審判事件弁駁書提出
平成２４年　５月１５日　口頭審理陳述要領書提出（請求人及び被請求人）
平成２４年　５月２９日　口頭審理
平成２４年　６月２６日　上申書提出（請求人）
　
第３　訂正請求についての当審の判断
　１　訂正請求の内容
　本件訂正の内容は、次のとおりである（訂正部分に下線を付した。）。
　
（１）訂正事項ａ
　特許請求の範囲の請求項１について、訂正前の
「基板上にｎ層とｐ層とが順に積層され、同一面側にｎ層の電極とｐ層の電極とが形成されて、それら電極側を発光観測面側とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、
前記ｐ層の電極が、ｐ層のほぼ全面に形成されたオーミック接触用のＡｕ合金を含む透光性の第一の金属電極と、前記第一の金属電極の表面の一部に形成されたボンディング用の第二の金属電極とからなり、前記第二の金属電極は、第一の金属電極と共通金属としてＡｕを含み、前記ｐ層とのオーミック接触を阻害するＡｌもしくはＣｒを含まないことを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。」
を下記のとおり訂正する。
「基板上にｎ層とｐ層とが順に積層され、同一面側にｎ層の電極とｐ層の電極とが形成されて、それら電極側を発光観測面側とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、
　前記ｐ層の電極が、ｐ層のほぼ全面に形成されたオーミック接触用のＡｕ合金を含む透光性の第一の金属電極と、前記第一の金属電極の表面の一部に形成されたボンディング用の第二の金属電極とからなり、前記第二の金属電極は、第一の金属電極と共通金属としてＡｕを含み、
加えてＴｉ、Ｎｉ、ＩｎおよびＰｔよりなる群から選択された少なくとも一種を含み、かつ
および
　
（２）訂正事項ｂ
　特許請求の範囲の請求項４を削除する。
　
（３）訂正事項ｃ
　本件特許の願書に添付した明細書（以下、同明細書及び本件特許の願書に添付した図面をあわせて、単に「本件特許明細書」という。）の【０００７】において、「パッド電極に特定の元素を含まず、Ａｕを含む電極金属を使用することにより、」とあるのを、「パッド電極に特定の元素を含まず、Ａｕを
含み、加えてＴｉ、Ｎｉ、ＩｎおよびＰｔよりなる群から選択された少なくとも一種を
　
（４）訂正事項ｄ
　本件特許明細書の【０００７】において、「即ち、本発明の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子は、基板上にｎ層とｐ層とが順に積層され、同一面側にｎ層の電極とｐ層の電極とが形成されて、それら電極側を発光観測面側とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、前記ｐ層の電極が、ｐ層のほぼ全面に形成されたオーミック接触用のＡｕ合金を含む透光性の第一の金属電極と、前記第一の金属電極の表面の一部に形成されたボンデイング用の第二の金属電極とからなり、前記第二の金属電極は、第一の金属電極と共通金属としてＡｕを含み、前記ｐ層とのオーミック接触を阻害するＡｌもしくはＣｒを含まないことを特徴とする。」とあるのを、「即ち、本発明の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子は、基板上にｎ層とｐ層とが順に積層され、同一面側にｎ層の電極とｐ層の電極とが形成されて、それら電極側を発光観測面側とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、前記ｐ層の電極が、ｐ層のほぼ全面に形成されたオーミック接触用のＡｕ合金を含む透光性の第一の金属電極と、前記第一の金属電極の表面の一部に形成されたボンデイング用の第二の金属電極とからなり、前記第二の金属電極は、第一の金属電極と共通金属としてＡｕを含み、
加えてＴｉ、Ｎｉ、ＩｎおよびＰｔよりなる群から選択された少なくとも一種を含み、かつ
および
　
（５）訂正事項ｅ
　本件特許明細書の【０００８】において、「従って第二の電極をＡｕ単体、またはＡｕを含みＡｌ若しくはＣｒを含まない合金とすることにより、第一の電極、およびボールとの接着性が良く、通電中にマイグレーションを引き起こしにくい電極を実現できる。」とあるのを、「従って第二の電極をＡｕ単体、またはＡｕを含みＡｌ
および
　
（６）訂正事項ｆ
　本件特許明細書の【００１２】において、「第二の電極１２はＡｕ単体、またはＡｕを含みＡｌもしくはＣｒを含まない合金とする。」とあるのを、「第二の電極１２はＡｕ単体、またはＡｕを含みＡｌ
およびＣ
　
（７）訂正事項ｇ
　本件特許明細書の【００１９】において、「以上説明したように、本発明の発光素子は電極側を発光観測面とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、オーミック接触用の第１の金属電極を透光性としているため素子の外部量子効率を向上させることができ、さらにその第１の電極の表面に形成するボンディング用の第二の電極材料をＡｕ単独、またはＡｕを含むがＡｌ若しくはＣｒを含まない合金とすることにより、第１の電極のオーミック特性を変化させることなく、また変色させることもないので、発光素子の信頼性が格段に向上する。」とあるのを、「以上説明したように、本発明の発光素子は電極側を発光観測面とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、オーミック接触用の第１の金属電極を透光性としているため素子の外部量子効率を向上させることができ、さらにその第１の電極の表面に形成するボンディング用の第二の電極材料をＡｕ単独、またはＡｕを含むがＡｌ
および
　
（８）訂正事項ｈ
　本件特許明細書の【０００５】において、「パット」とあるのを、「パッ
ド
　
（９）訂正事項ｉ
　本件特許明細書の【０００８】において、「パット」とあるのを、「パッ
ド
 　 
　２　訂正の適否
（１）訂正事項ａについて
　本訂正事項は、請求項１に係る発明における「第二の金属電極」について、「Ｔｉ、Ｎｉ、ＩｎおよびＰｔよりなる群から選択された少なくとも一種を含み」との特定事項を付加するとともに、「ＡｌもしくはＣｒを含まない」ものを「ＡｌおよびＣｒを含まない」ものに限定するものであるから、特許法第１３４条の２第１項ただし書第１号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものと認められる。
　そして、本件特許明細書の特許請求の範囲の請求項４には、「前記第二の金属電極がＡｕに加えて、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｉｎおよびｐｔよりなる群から選択された少なくとも一種を含む合金よりなる」との記載がある（なお、該記載中の「ｐｔ」は「Ｐｔ」の明らかな誤記と認められる。）から、本件特許明細書には、「第二の金属電極」が「Ｔｉ、Ｎｉ、ＩｎおよびＰｔよりなる群から選択された少なくとも一種を含」むものであることが記載されているものと認められる。
　また、本件特許明細書の表１には、第二の金属電極として「ＡｌおよびＣｒを含まない」ものが記載されているものと認められる。
　したがって、本訂正事項は、本件特許明細書に記載された事項の範囲内でするものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもないから、特許法第１３４条の２第５項において準用する同法第１２６条第３項及び第４項の規定に適合するものである。
　
（２）訂正事項ｂについて
　本訂正事項は、登録時の請求項４を削除するものであって、特許法第１３４条の２第１項ただし書第１号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものと認められる。
　そして、同訂正事項は、本件特許明細書に記載された事項の範囲内でするものであることは明らかであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもないから、特許法第１３４条の２第５項において準用する同法第１２６条第３項及び第４項の規定に適合するものである。
　
（３）訂正事項ｃないしｇについて
　これらの訂正事項は、発明の詳細な説明の記載について、訂正事項ａ（請求項１の訂正）との整合を図り記載を明りょうにするために行うものと認められるから、特許法第１３４条の２第１項ただし書第３号に掲げる明りょうでない記載の釈明を目的とするものと認められる。
　そして、前記（１）における訂正事項ａについての検討と同様の理由により、本訂正事項は、本件特許明細書に記載された事項の範囲内でするものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもないから、特許法第１３４条の２第５項において準用する同法第１２６条第３項及び第４項の規定に適合するものである。
　
（４）訂正事項ｈ及びｉについて
　本件特許明細書の【０００５】及び【０００８】における「パット」は「パッド」の明らかな誤記と認められるから、これらの訂正事項は、特許法第１３４条の２第１項ただし書第２号に掲げる誤記の訂正を目的とするものと認められ、また、本件特許明細書に記載された事項の範囲内でするものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもないから、同法第１３４条の２第５項において準用する同法第１２６条第３項及び第４項の規定に適合するものである。
　
　３　訂正請求についてのむすび
　以上のとおりであるから、本件訂正を認める。
　
第４　本件発明
　上記のとおり、本件訂正が認められたので、本件特許の請求項１ないし３に係る発明（以下、各請求項に係る発明を「本件発明１」などといい、これらを総称して「本件発明」ということがある。）は、次の各請求項に記載したとおりのものと認められる。
　
「【請求項１】  基板上にｎ層とｐ層とが順に積層され、同一面側にｎ層の電極とｐ層の電極とが形成されて、それら電極側を発光観測面側とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、
　前記ｐ層の電極が、ｐ層のほぼ全面に形成されたオーミック接触用のＡｕ合金を含む透光性の第一の金属電極と、前記第一の金属電極の表面の一部に形成されたボンディング用の第二の金属電極とからなり、前記第二の金属電極は、第一の金属電極と共通金属としてＡｕを含み、加えてＴｉ、Ｎｉ、ＩｎおよびＰｔよりなる群から選択された少なくとも一種を含み、かつ前記ｐ層とのオーミック接触を阻害するＡｌおよびＣｒを含まないことを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
【請求項２】  前記第一の金属電極と前記第二の金属電極とが同一材料よりなることを特徴とする請求項１に記載の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
【請求項３】  前記第一の金属電極はＮｉとＡｕとが積層された合金よりなることを特徴とする請求項１に記載の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。」
　
第５　請求人の主張の概要
　１　無効理由１（特許法第２９条第２項違反）
　本件発明１ないし３は、本件特許の出願前に頒布された刊行物である甲第１号証（実願平４−５０６４号（実開平５−５９８６１号）のＣＤ−ＲＯＭ）に記載された発明などに基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、上記各発明についての特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであり、同法第１２３条第１項第２号に該当し、無効とすべきものである。
　
　２　無効理由２（特許法第３６条第５項第１号及び第２号違反）
　以下のとおり、本件特許の請求項１には、記載の不備があるから、平成６年法律第１１６号による改正前の特許法（以下「旧特許法」という。）第３６条第５項第１号及び第２号に規定する要件を満たしておらず、本件発明に係る特許は、旧特許法第３６条第５項第１号及び第２号に規定する要件を満たしていない出願に対してされたものであり、同法第１２３条第１項第４号に該当し、無効とすべきものである。
　
（１）本件特許の請求項１は「前記ｐ層とのオーミック接触を阻害するＡｌおよびＣｒを含まないこと」と定義するところ、審査基準では「特許法第３６条第５項第２号違反の類型」として「〜を除く」又は「〜でない」等の否定的表現を挙げており、上記審査基準に照らして、本件特許の請求項１は、旧特許法第３６条第５項第２号の規定に違反する。
　
（２）請求項１中、「第二の金属電極」は、「第一の金属電極と共通金属としてＡｕを含み、前記ｐ層とのオーミック接触を阻害するＡｌおよびＣｒを含まないこと」と定義されている。
　しかしながら、本件当初明細書は、「Ａｕ」と「ＡｌおよびＣｒを含まない全ての金属」との合金が実施可能であること（オーミック接触非阻害性を有すること）を裏付ける記載を有していないから、請求項１の発明は、明細書の発明の詳細な説明によって裏付けられていないことになり、本件特許の請求項１は、旧特許法第３６条第５項第１号の規定に違反する。
 　　 　  
　３　甲号証
　請求人が提出した甲号証は、以下のとおりである。
　
　甲第１号証：実願平４−５０６４号（実開平５−５９８６１号）のＣＤ−ＲＯＭ
　甲第２号証：特開昭５６−８１９８６号公報
　甲第３号証：特開平５−１３８１２号公報
　甲第４号証：特開平３−１８３１７３号公報
　甲第５号証：特開昭６２−１０１０８９号公報
　甲第６号証：日本学術振興会薄膜第１３１委員会編「薄膜ハンドブック」株式会社オーム社、昭和５８年１２月１０日発行、４３９頁〜４４０頁及び５１１頁〜５１２頁
　甲第７号証：越川　清重著「電子部品の信頼性試験」株式会社日科技連出版社、昭和６０年（１９８５年）１０月３０日発行、３４頁〜３９頁
　甲第８号証：特開平５−１２９６５８公報
　甲第９号証：無効２００１−３５１３８の審決書
　甲第１０号証：特許庁編、特許・実用新案審査基準第Ｉ部明細書、２頁〜６頁（第１章　明細書の記載要件、３．特許請求の範囲、３．１　特許法第３６条第５項ないし３．３．１　特許法第３６条第５項第２号違反の類型）
　甲第１１号証：平成１１年審判第３５０６９号の審決書
（以上、審判請求書に添付して提出。）
　甲第１２号証：特許庁編、特許・実用新案審査基準第II部特許要件、１７頁（２．７　選択発明の進歩性の考え方）
（以上、審判事件弁駁書に添付して提出。）
　
　４　審判請求書における無効理由４（本件発明は未完成発明であり、記載に不備がある。）について
　審判請求書における無効理由４（審判請求書２９頁〜３０頁）は、撤回された（口頭陳述要領書３頁、第２）。
　
第６　被請求人の主張の概要
　１　無効理由１に対して
　本件発明１ないし３は、甲第１号証に記載された発明などに基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
　２　無効理由２に対して
　本件特許の請求項１の記載は、審査基準に照らしても、不明瞭なものではなく、特許を受けようとする発明の構成に欠くことのできない事項を記載したものであるから、本件特許の請求項１は、旧特許法第３６条第５項第２号に違反しないし、また、本件発明１は、明細書の発明の詳細な説明に記載されたものであるから、旧特許法第３６条第５項第１号に規定する要件を満たす。
　
　３　乙号証
　被請求人が提出した乙号証は、以下のとおりである。
　
　乙第１号証：生駒俊明監修「最新化合物半導体ハンドブック」株式会社サイエンスフォーラム、昭和５７年７月１０日発行、１６９頁〜１７２頁
　乙第２号証：特開平４−１９９７５２号公報
（以上、審判事件答弁書に添付して提出。）
　
第７　無効理由についての当審の判断
　１　無効理由２（旧特許法第３６条第５項第１号及び第２号違反）について
　事案にかんがみ、無効理由２についてまず検討する。
　
（１）本件発明の技術上の意義
　ア　本件特許の願書に添付した明細書（本件訂正後のもの。以下「本件訂正明細書」という。）には、以下の記載がある（下線は、審決で付した。以下同じ。）。
「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、発光ダイオード、レーザーダイオード等に使用される窒化ガリウム系化合物半導体（ＩｎＸＡｌＹＧａ１−Ｘ−ＹＮ、０≦Ｘ≦１、０≦Ｙ≦１）が積層されてなる窒化ガリウム系化合物半導体発光素子に係り、特に、ｐ−ｎ接合を有する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の電極の構造に関する。」
　
「【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
我々は、外部量子効率の問題に対しては、先に、ｐ層側を発光観測面とする発光素子のｐ層に形成する電極を金属よりなる透光性の全面電極（第一の電極）とし、その全面電極の上にボンディング用のパッド電極（第二の電極）を形成する技術を提案した
しかしながら、通電中にパッド電極の金属材料によるマイグレーションが発生し、透光性電極の透光性が失われてくるという問題が生じてきた
【０００６】従って、本発明はこのような事情を鑑み成されたもので、その目的とするところは、同一面側に形成された電極側を発光観測面とした窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、パッド電極のマイグレーションによるｐ層の透光性電極の変質を防ぎ、オーミック特性を維持するとともに、透光性電極の透光性を維持し外部量子効率を低下させないことにある。」
　
「【０００８】
【作用】本発明の発光素子は、
ｐ層の上に形成する第一の金属電極をｐ層のほぼ全面に形成した全面電極とし、ｐ層とオーミック接触可能なＡｕ合金を使用している
第一の金属電極を透光性としている
第一の電極の上にボンディング用のパッド電極として第二の電極を形成している
第二の電極は第一の金属電極との共通金属としてＡｕを含有することにより、第一の金属電極と接着性が良く、ワイヤーボンディング時に用いられる金線よりできるボールとも接着性がよい
Ａｕの中にＡｌ若しくはＣｒを含有させた合金を第二の電極とすると、これらの金属は通電中、比較的短時間（例えば５００時間）でマイグレーションが発生して、第一の金属電極を変質させてしまう。従って第二の電極をＡｕ単体、またはＡｕを含みＡｌおよびＣｒを含まない合金とすることにより、第一の電極、およびボールとの接着性が良く、通電中にマイグレーレョンを引き起こしにくい電極を実現できる
　
「【００１３】図１に示す構造の発光素子において、第一の電極１１をＮｉおよびＡｕを順に積層した透光性電極とし、その透光性電極の上に数々の材料でボンディング用の第二の電極１２を形成した後、ｎ層の電極４と第二の電極１２とにワイヤーボンドして通常の発光ダイオードとして発光させ、５００時間連続点灯後の第一の電極の状態を調べた。その結果を表１に示す。表１において、列側に示す電極材料は第一の電極１１側の電極材料、行側に示す電極材料はボールと接触する側の電極材料を示す。つまり、表１の第二の電極１２は、列に示す電極材料と、行に示す電極材料とを順に積層した電極よりなることを示している。
【００１４】表１において、
第二の電極１２の特性は、５００時間点灯後第一の電極材料が全く変色せず透光性を保ったままで、しかもｐ層３と第一の電極１１とのオーミック特性が変化しなかったものを○、第二の電極１２の周囲にあたる第一の電極がやや変色しているが発光を減衰させる程度ではなく、またオーミック特性も変化しなかったものを△、第一の電極１１の透光性が失われ、オーミック特性も失われているものを×として評価した
【００１５】
【表１】
【００１６】表１に示したように、例えば第一の電極をＮｉ−Ａｕとした場合、その第一の電極の上に形成するボンディング用の第二の電極１２の材料を、第一の電極と同一材料、即ちＡｕ−Ｎｉとすると第一の電極１１は全く変色せず透光性を保ったままである。またＡｕ単独でもＡｕ−Ｎｉと同一の効果を得ることができる。一方、
Ｃｒ、Ａｌは第一の電極１１に対し、マイグレーションが発生しやすく、これらの金属を第二の電極１２に含有させると、たとえＡｕを含んでいても第一の電極１１の特性が失われてしまう
【００１７】また、他の実施例として、第一の電極１１をＡｕ−Ｔｉ（但し、Ａｕ−Ｔｉのオーミック特性は、Ｎｉ−Ａｕよりも若干劣っていた。）で形成した後、同様にして数々の第二の電極材料を形成し、第二の電極材料を評価した。その結果は特に表には示さないが、第二の電極材料をＡｕ単独とした場合、またはＡｕ−Ｔｉ（Ａｕ−Ｔｉの積層順序は問わない。）とした場合には○、Ａｕを含むＮｉ、Ｉｎ、Ｐｔ等よりなる電極の場合は△、ところがＡｕ−Ａｌ等、
Ａｌ、Ｃｒを含有させると表１と同様に×の評価であった
【００１８】さらに、他の実施例として、第一の電極１１をＡｕ−Ａｌ（但し、Ａｕ−Ａｌのオーミック特性は、Ｎｉ−Ａｕよりも若干劣っていた。）で形成した後、同様にして数々の第二の電極材料を形成し、第二の電極材料を評価した。その結果も特に表には示さないが、第二の電極材料をＡｕ単独とした場合には○、Ａｕを含むＮｉ、Ｔｉ、Ｉｎ、Ｐｔ等よりなる電極の場合は△、ところが
Ａｕ−Ａｌは同一材料であるにもかかわらず表１と同様に×の評価であり、Ａｕ−Ｃｒを含む場合も同様に×であった
　
　イ　上記アによれば、ｐ層側を発光観測面とする発光素子のｐ層に形成する電極をＡｕ合金を使用した透光性の全面電極（第一の電極）とし、その全面電極の上にボンディング用のパッド電極（第二の電極）を形成する技術においては、Ａｕの中にＡｌ若しくはＣｒを含有させた合金を第二の電極とすると、これらの金属は通電中、比較的短時間（例えば５００時間）でマイグレーションが発生して、第一の金属電極を変質させてしまい、透光性電極の透光性が失われてくるなどの問題が生じることにかんがみ、本件発明は、Ａｌ及びＣｒを含まない合金とすることにより、通電中にマイグレーレョンを引き起こしにくい電極を実現できるようにしたものであって、ＡｕとともにＴｉ、Ｎｉ、ＩｎまたはＰｔのいずれか１種を含む合金を第二の電極とした実施例では、第一の電極及びボールとの接着性が良く、オーミック特性は変化せず、第一の電極がやや変色したものもあったが発光を減衰させる程度ではなかったことを踏まえて、「第二の金属電極は、第一の金属電極と共通金属としてＡｕを含み、加えてＴｉ、Ｎｉ、ＩｎおよびＰｔよりなる群から選択された少なくとも一種を含み、かつ前記ｐ層とのオーミック接触を阻害するＡｌおよびＣｒを含まない」としたものであることが認められる。
　
（２）請求人の主張についての判断
　ア　請求人は、本件特許の請求項１に「前記ｐ層とのオーミック接触を阻害するＡｌもしくはＣｒを含まない」との特定があることを指摘し、審査基準に照らして、本件特許の請求項１は記載不備に該当し、旧特許法第３６条第５項第２号の規定に違反する旨主張する（審判請求書３０頁〜３１頁）。
　しかし、本件発明における第二の電極は、「第一の金属電極と共通金属としてＡｕを含み、加えてＴｉ、Ｎｉ、ＩｎおよびＰｔよりなる群から選択された少なくとも一種を含（む）」ものであることは、請求項１の記載から明らかであるところ、上記イのとおり、本件発明は、Ａｌ及びＣｒを含まない合金であることを更に特定することにより、通電中にマイグレーレョンを引き起こしにくい電極を実現できるようにしたものであって、請求項１の記載の記載において、本件発明１を特定する上で、明確でないというべきところは見当たらない。
　
イ　請求人は、本件訂正明細書に、「Ａｕ」と「ＡｌもしくはＣｒを含まない全ての金属」との合金が実施可能であること（オーミック接触非阻害性を有すること）を裏付ける記載を有しておらず、訂正によっても、「Ｔｉ、Ｎｉ、ＩｎおよびＰｔ」のいずれも含まない構成が排除されただけであり、それ以外の無数の金属の組み合わせが、本件発明には含まれることになるから、請求項１の発明は、明細書の発明の詳細な説明によって裏付けられていないことになり、本件特許の請求項１は、旧特許法第３６条第５項第１号の規定に違反する旨主張する（審判請求書３１頁〜３２頁、審判事件弁駁書２４頁）。
　しかし、本件発明における第二の電極は、「第一の金属電極と共通金属としてＡｕを含み、加えてＴｉ、Ｎｉ、ＩｎおよびＰｔよりなる群から選択された少なくとも一種を含（む）」ものであって、更に「ＡｌおよびＣｒを含まない」ことを特定したものであり、本件訂正明細書には、表１において、ＡｕとともにＴｉ、Ｎｉ、ＩｎまたはＰｔのいずれか１種を含む合金を第二の電極とした実施例では、オーミック特性が変化しなかったことが示されるところであるから、本件発明は、発明の詳細な説明に記載されているものと認められる。
　そして、本件発明は、「Ｔｉ、Ｎｉ、ＩｎおよびＰｔ」以外の金属を含むことを要件とするものではないから、Ａｕと「Ｔｉ、Ｎｉ、ＩｎおよびＰｔ」以外の金属を含む合金が実施可能であることが発明の詳細な説明に記載されていなければならないと解する理由は見当たらない。
　
（３）小括
　以上のとおりであるから、本件訂正明細書の特許請求の範囲の記載が、旧特許法第３６条第５項第１号または第２号に規定する要件を満たしていないということはできず、本件発明１ないし本件発明３に係る特許は、同法第１２３条第１項第４号に該当しないから、無効とすることはできない。
　
　２　無効理由１（特許法第２９条第２項違反）について
（１）甲号証の記載
　ア　甲第１号証
　本件特許の出願前に頒布された刊行物である甲第１号証（実願平４−５０６４号（実開平５−５９８６１号）のＣＤ−ＲＯＭ）には、以下の記載がある。
　
（ア）「【請求項１】  絶縁性基板の上に一般式ＧａXＡｌ1-XＮ（０≦X≦１）で表される窒化ガリウム系化合物半導体がｎ型およびｐ型、あるいはｎ型およびｉ型に積層され、ｎ型層およびｐ型層、あるいはｎ型層およびｉ型層にそれぞれ電極が設けられた構造を有する窒化ガリウム系化合物半導体素子において、
前記ｐ型層あるいはｉ型層の窒化ガリウム系化合物半導体層の一部がエッチングされてｎ型層を露出しており、さらにｐ型層あるいはｉ型層表面に、その層と電気的に接続された線状の電極が設けられていることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体素子。」
　
（イ）「【０００１】
    【産業上の利用分野】
  本考案は青色発光ダイオード、青色レーザーダイオード等の
青色発光デバイスに使用される窒化ガリウム系化合物半導体素子
　
（ウ）「【００１０】
  本考案の一実施例を示す窒化ガリウム系化合物半導体素子の平面図を図１に表す。この窒化ガリウム系化合物半導体素子はサファイア基板１上にｎ型層２、およびｐ型層４を順に積層した後、エッチングによりｐ型層３の一部を取り除き、ｎ型層２を露出させ、ｎ型層２の上部とｐ型層３の上部とに電極を蒸着により設けたものである。しかもｐ型層３を円弧状にエッチングすることにより、ｐ型層の面積を無駄なく確保しており、さらに
ｐ型層３の表面にｐ型層３と電気的に接触した線状電極６を設けることにより、電流がｐ型層に均一に広がる様になっている
      【００１１】
  ｐ型電極４（審決注、図１及び図２に照らして、「ｐ型電極５」の誤記と認められる。）の中心と、ｎ型電極３（審決注、同じく、「ｎ型電極４」の誤記と認められる。）の形状は、通常円で形成される。なぜなら、
電極に金線をワイヤーボンドする
      【００１２】
  
線状電極６はｐ型電極５と同一の材料で形成することができ、例えばＡｕ、Ｐｔ、Ａｌ又はそれらの合金を使用することができる
　
（エ）「【００１４】
    【作用】
  ｎ型層２は低抵抗な層であるため、この層を流れる電流は均一に広がることができる。しかし前記したようにｐ型層３は高抵抗な層であるため、従来のような電極とすると電流を均一に広げることが困難である。そのため発光部分がｐ型電極５の下付近にのみ限られてしまい、ｐ型層３を有効に利用することができない。  本考案はｐ型層３の上にそのｐ型層３と電気的に接触した線状の電極を設けることにより電流を均一に広げることができる。図１では線状電極６がｐ型電極６の中心より複数で放射する形状で形成したが、特に複数でなくとも一本の線状電極で渦巻状に形成しても同様の効果が得られる。」
　
（オ）「【００１５】
    【実施例】
  以下、一実施例に基づき、図面を参照しながら本考案を詳説する。
  サファイア基板１上にＴＭＧ（トリメチルガリウム）−アンモニアを用いＭＯＣＶＤ法により、厚さ３μｍのｎ型ＧａＮ層２、および厚さ０．５μｍのｐ型ＧａＮ層３を順に積層した。その断面図を図４に示す。
      【００１６】
  次にｐ型層３の上にプラズマＣＶＤ法を用い、保護膜としてＳｉＯ2膜を厚さ１μｍで形成した。その断面図を図５に示す。
      【００１７】
  ＳｉＯ2層を形成した後、さらに フォトリソグラフィーによりポジ型フォトレジストを形成し、露光してパターニングを施した。その断面図を図６に示す。
      【００１８】
  次に、フォトレジストのパターニングが終了したウエハーをフッ酸に浸漬し、ＳｉＯ2層をフォトレジストと同様のパターンにエッチングした。ウエハーを水洗した後、アセトンで洗浄することによりフォトレジストを剥離した。その断面図を図７に示す。
      【００１９】
  パターニングの施されたＳｉＯ2層が現れたウエハーのｐ型層３をドライエッチングした。その断面図を図８に示す。
      【００２０】
  残留するＳｉＯ2層を、前述のフッ酸溶液に浸漬することによって除去した後、蒸着およびリフトオフ法により、図９に示すように、ｐ型電極５（線状電極６）とｎ型電極４を付け、ペレットチェックをウエハー状態で行った後、ダイシングソーでカットして本考案の青色発光素子を得た。なお、
ｐ型電極５および線状電極６はフォトレジストをｐ型層上に形成した後、蒸着によって同時に形成した
　
（カ）図１及び図２は次のものである。
　
　イ　甲第２号証
　同じく甲第２号証（特開昭５６−８１９８６号公報）には、以下の記載がある。
　
「
たとえば、ＧａＡｌＡｓ系の従来の面発光ダイオードは第１図に示すように、ｐ形ＧａＡｓ基板１上にｐ形Ｇａ
１−ｘ
Ａｌ
ｙ
Ａｓ発光層２が形成され、さらにその上にｎ形Ｇａ
１−ｙ
Ａｌ
ｙ
Ａｓ窓層３が形成されている。さらにこの窓層３の上面には、たとえば第２図或いは第３図に示すような円形状もしくは王字状のオーミック電極４が形成されている
「
低キヤリア濃度側での発光出力の低下は、第２図或いは第３図のような点状或いは線状の電極形状によつて、窓層３に注入される電流の広がりが悪く、電極直下およびその近傍のみが強く発光し、その大半が電極４により遮光されて外部に投射されない
「本発明は、透
明な薄膜電極を発光体表面全面に付着することにより電流の広がりをよくし、ダイオードの面発光出力を増加させる
「以下に、本発明の一実施例を図面とともに説明する。なお
以下の実施例においては、ＧａＡｌＡｓ系赤色発光ダイオードを例にとつて説明するが、本発明はこの実施例に限らず、他の種々の素材を用いた面発光ダイオードにも適用される
　第６図において、面発光ダイオード１０は後述の合金薄層１７を除き、第１図に示したものと同様に構成されており、１１はｐ形ＧａＡｓ基板、１２はｐ形Ｇａ１−ｘＡｌｘＡｓ発光層、１３はｎ形Ｇａ１−ｙＡｌｙＡｓ窓層（ｙ＞ｘ）、１４はｎ側オーミック電極である。
　窓層３の表面は、ｐ形発光層１２とｎ形の窓層１３との接合面、即ちｐｎ接合面と平行な平面に形成され、その窓層１３の表面にｎ形Ｇａ１−ｙＡｌｙＡｓ材料に対して、電気抵抗の小さい、即ち
良好なオーム性を示す電極材料にてなる透明な合金薄層１７
　
合金薄層１７はたとえばＡｕＧｅ共晶合金を約１５０Åの厚さで窓層３の表面に適宜な方法で蒸着し、これを真空中で４５０℃、７分間の加熱合金化処理を施して窓層３と合金化することにより形成される。その後合金薄層１７の表面の中心部に、たとえば円形状のオーミック電極１４が蒸着等により形成される。オーミック電極１４としてはたとえばＡｕＧｅ共晶合金が用いられる
　合金薄層１７は注入される電流を横方向（窓層３の表面に沿う方向）に十分に広がらせる一方、ｐｎ接合１５からの発光を吸収することなく透過させる厚さでなければならない。
　合金薄層１７の厚さが１００Å末満では前者の条件を満たさず、また３００Å以上の厚さでは後者の条件に対して不適合であり合金薄層１７のために発光が遮蔽されてしまうため、この合金薄層１７の厚さは１００Åないし３００Åでなければならない。」（２頁左下欄６行〜右下欄末行）、
「また従来の発光ダイオードでは、電極下で強く発光し、これが電極によって遮蔽されたために、発光が無効になる割合が高かったが、本発明によれば電極面積を小さくしても合金薄層によって電流分布を均一化して発光も均一化できるので、電極によって遮蔽される発光量の割合が小さくなり、発光を有効に外部にとり出すことができ、面発光出力の増大に寄与することができる。」（３頁右上欄１行〜８行）、
「なお、本発明
はＧａＡｌＡｓ系発光ダイオードを例として説明したが、他の材料を用いた面発光ダイオードに適用できる
　ここで、第１図ないし第３図及び第６図は、それぞれ次のものである。
　
　ウ　甲第３号証
　同じく甲第３号証（特開平５−１３８１２号公報）には、以下の記載がある。
　
「【００１５】図１は本実施例の発光ダイオードの構造を示す断面図である。この発光ダイオードは、ｐｎ接合型の青色発光タイプであり、禁制帯幅が約３．０ｌＶである６Ｈ型の単結晶からなる
ｎ型炭化珪素基板１上に、単結晶のｎ型炭化珪素層２および単結晶のｐ型炭化珪素層３がこの順に形成されている
【００１６】一方、
ｐ型炭化珪素層３の上面には、下側をチタン膜、上側をアルミニウム膜として積層された金属膜７がほぼ全面に形成され、この金属膜７の上の中央部にはアルミニウム電極８が設けられている
「【００２７】また、
ｐ型炭化珪素層３の上に形成したオーム性電極が光透過性を有する金属膜７からなっているので、このオーム性電極の形成面積を広くすることにより、チップ内を通る電流をチップ全域へ広げることができる
　ここで、図１は次のものである。
　
　エ　甲第４号証
　同じく甲第４号証（特開平３−１８３１７３号公報）には、以下の記載がある。
　
（ア）「第１図は本発明の発光素子の概念的模式図である。
本発明の発光素子１００は、下部より基体１０１、第一導電層１０２、不純物を含有する窒化ガリウムで構成された第一電荷注入層１０３、水素原子を含有し、必要に応じてハロゲン原子を含有する非単結晶炭化シリコンで構成された発光層１０４、不純物を含有する窒化ガリウムで構成された第二電荷注入層１０５、第二導電層１０６が順次積層された構造を有し
　
（イ）「本発明において使用される第一導電層１０２及び第二導電層１０６の材質としては、例えば、Ｎｉ，Ｃｒ，Ａｌ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｍｏ，Ａｇ，Ａｕ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｖ，Ｔｉ，Ｐｔ，Ｐｂ等の金属の単体またはこれらの合金、例えばステンレス鋼、あるいは酸化物、例えばＩｎ２Ｏ３、ＩＴＯ（Ｉｎ２Ｏ３＋ＳｎＯ２）等が挙げられる。」（２頁左下欄７行〜１２行）
　
（ウ）「本発明において第一電荷注入層１０３及び第二電荷注入層１０５に導入される不純物としては、ベリリウム原子（Ｂｅ）、マグネシウム原子（Ｍ）、亜鉛原子（Ｚｎ）、カドミウム原子（Ｃｄ）、炭素原子（Ｃ）、ケイ素原子（Ｓｉ）、ゲルマニウム原子（Ｇｅ）、イオウ原子（Ｓ）、セレン原子（Ｓｅ）等の単独、あるいはこれらのうちの２種以上を混合したものが挙げられる。」（３頁左上欄２行〜９行）
　
（エ）「本発明において使用される第二導電層は、基体１０１側に光を放出する場合には透光性であっても、非透光性であってもよい。
第二導電層側に光を放出する場合は、第二導電層は透光性であることが望ましい
　ここで、第１図は次のものである。
　
　オ　甲第５号証
　同じく甲第５号証（特開昭６２−１０１０８９号公報）には、次の記載がある（表記の都合上、丸数字は「○１４」のように示した。）。
　
「第２図は本発明の実施例に於けるＭＩＳ型構造の青色発光素子の断面構造図である。第２図は第１図の素子本体に相当する部分のみを示した。
Ｓｉ基板○１４上に、グレーデイングをつけたＺｎＳｘＳｅｌ−ｘ層○１５及びｎ−ＺｎＳｅ○１６をエピタキシヤル成長させ、そのｎ−ＺｎＳｅ○１６上に絶縁層○１７を形成する
絶縁層○１７上に金電極○１９を発光が取り出せる程度の厚さの部分と電極の取り出しが可能な程度の厚さの部分とができるよう形成する
　ここで、第２図は次のものである。
　
　カ　甲第８号証
　同じく甲第８号証（特開平５−１２９６５８号公報）には、次の記載がある。
　
「【００１７】
【実施例】以下、本発明を具体的な実施例に基づいて説明する。図１は、本発明の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子を適用した発光ダイオードの構成を示す断面図である。発光ダイオード１０はサファイア基板１を有しており、そのサファイア基板１上には　５００ÅのＡｌＮのバッファ層２が形成されている。そのバッファ層２の上には、膜厚約２．５μｍのｎ型ＧａＮから成るｎ層４が形成されている。さらに、ｎ層４の上に膜厚約０．２μｍの半絶縁性ＧａＮから成るｉ層５が形成されている。そしてｉ層５の表面からｉ層５を貫通しｎ層４に達する凹部２１が形成されている。この凹部２１を覆うようにｎ層４に接続する金属製のｎ層４のための第２の電極８が形成されている。この第２の電極８と離間してｉ層５上に錫添加酸化インジウム（以下ＩＴＯと略す）から成る透明導電膜のｉ層５のための第１の電極７が形成されている。第１の電極７の隅の一部分には取出電極９が形成されている。その取出電極９はＮｉ層９ｂとＡｕ層９ｃとの２層で構成されている。又、第２の電極８はｎ層４に接合するＡｌ層８ａとＮｉ層８ｂとＡｕ層８ｃとの３層で構成されている。この構造の発光ダイオード１０のサファイア基板１の裏面にはＡｌの反射膜１３が蒸着されている。」
　
（２）甲第１号証に記載された発明
　ア　前記（２）ア（ア）、（イ）及び（エ）によれば、甲第１号証には、
「絶縁性基板の上に一般式ＧａXＡｌ1-XＮ（０≦X≦１）で表される窒化ガリウム系化合物半導体がｎ型及びｐ型に積層され、ｎ型層及びｐ型層にそれぞれ電極が設けられた構造を有する窒化ガリウム系化合物半導体素子において、前記ｐ型層の窒化ガリウム系化合物半導体層の一部がエッチングされてｎ型層を露出しており、さらにｐ型層表面に、その層と電気的に接続された線状の電極が設けられている、青色発光デバイスに使用される窒化ガリウム系化合物半導体素子」
が記載されているものと認められる。
　
　イ（ア）　また同（ウ）によれば、上記アの窒化ガリウム系化合物半導体素子において、ｎ型層及びｐ型層の上部にそれぞれ設けられた電極には金線をワイヤーボンドすること、線状の電極は、電流をｐ型層全体に均一に広げるものであり、ｐ型層に設けられた電極と同一の材料で形成することができ、例えばＡｕ、Ｐｔ、Ａｌ又はそれらの合金を使用することができることが記載されているものと認められる。そして、「例えばＡｕ、Ｐｔ、Ａｌ又はそれらの合金を使用することができる」との記載によれば、線状の電極は、例えばＡｕとＰｔの合金であることは、当業者にとって容易に理解できるというべきである。
　
（イ）被請求人は、「甲第１号証の段落【００１２】の記載は、Ａｕを含むＡｕ合金（Ａｕと合金を形成する金属元素は甲第１号証の段落【００１２】に記載された金属元素に限られない）、Ｐｔを含むＰｔ合金（Ｐｔと合金を形成する金属元素は甲第ｌ号証の段落【００１２】に記載された金属元素に限られない）、およびＡｌを含むＡｌ合金（Ａｌと合金を形成する金属元素は甲第１号証の段落【００１２】に記載された金属元素に限られない）という、極めて広範な合金である３パターンをさらに開示しているというべきである」と主張する（口頭審理陳述要領書９頁〜１０頁）が、「例えばＡｕ、Ｐｔ、Ａｌ又はそれらの合金を使用することができる」との記載によれば、線状の電極は、例えばＡｕとＰｔの合金であることは、当業者にとって容易に理解できるというべきであるから、採用できない。
　
　ウ　以上によれば、甲第１号証には、
「絶縁性基板の上に一般式ＧａXＡｌ1-XＮ（０≦X≦１）で表される窒化ガリウム系化合物半導体がｎ型及びｐ型に積層され、ｎ型層及びｐ型層の上部にそれぞれ電極が設けられ、これらの電極に金線をワイヤーボンドする構造を有する窒化ガリウム系化合物半導体素子において、前記ｐ型層の窒化ガリウム系化合物半導体層の一部がエッチングされてｎ型層を露出しており、さらにｐ型層表面に、当該層と電気的に接続され電流を当該層全体に均一に広げる線状の電極が設けられている窒化ガリウム系化合物半導体素子であって、前記線状の電極は前記ｐ型層に設けられた前記電極と同一の材料で形成することができ、例えばＡｕとＰｔの合金である窒化ガリウム系化合物半導体素子」（以下「甲１発明」という。）
が記載されているものと認められる。
　
（３）本件発明１と甲１発明との対比、判断
　ア　対比
　本件発明１と甲１発明とを対比する。
　
（ア）甲１発明における「絶縁性基板」、「ｎ型層」、「ｐ型層」及び「青色発光デバイスに使用される窒化ガリウム系化合物半導体素子」は、それぞれ、本件発明１の「基板」、「ｎ層」、「ｐ層」及び「窒化ガリウム系化合物半導体発光素子」に相当する。
　
（イ）前記（２）ア（エ）の「発光部分がｐ型電極５の下付近にのみ限られてしまい、ｐ型層３を有効に利用することができない。  本考案はｐ型層３の上にそのｐ型層３と電気的に接触した線状の電極を設けることにより電流を均一に広げることができる。」との記載に照らすと、甲１発明は、ｐ型層側を発光観測面側とするものと解される。そして、甲１発明は、「絶縁性基板の上に一般式ＧａXＡｌ1-XＮ（０≦X≦１）で表される窒化ガリウム系化合物半導体がｎ型及びｐ型に積層」され、「前記ｐ型層の窒化ガリウム系化合物半導体層の一部がエッチングされてｎ型層を露出」して「ｎ型層及びｐ型層の上部にそれぞれ電極が設けられ」たものであるから、ｎ型層及びｐ型層に設けられる電極は、いずれもｐ型層側に形成するものと認められる。
　そうすると、甲１発明は、本件発明１の「基板上にｎ層とｐ層とが順に積層され、同一面側にｎ層の電極とｐ層の電極とが形成されて、それら電極側を発光観測面側とする」との構成を備えるものと認められる。
　
（ウ）ａ　本件訂正明細書の「【作用】本発明の発光素子は、ｐ層の上に形成する第一の金属電極をｐ層のほぼ全面に形成した全面電極とし、ｐ層とオーミック接触可能なＡｕ合金を使用しているため、電流をｐ層全体に均一に広げ、ｐ−ｎ接合界面から均一な発光を得ることができる。」（【０００８】）との記載に照らすと、本件発明１の「第一の金属電極」は、電流をｐ層全体に均一に広げるものと認められる。
　他方、甲１発明の「線状の電極」は、ｐ型層全体に均一に広げるものであるから、「電流をｐ層全体に均一に広げる第一の電極」といえ、この点において、本件発明１の「第一の金属電極」と一致する。
　また、甲１発明の「『ｐ型層の上部』に設けられ、『金線をワイヤーボンドする』『電極』」は、「ボンディング用の第二の金属電極」といえ、この点において、本件発明１の「第二の金属電極」と一致する。
　そして、甲１発明の「線状の電極」は、「前記ｐ型層に設けられた前記電極と同一の材料で形成することができ、例えばＡｕとＰｔの合金である」から、本件発明１の「前記第二の金属電極は、第一の金属電極と共通金属としてＡｕを含み、加えてＴｉ、Ｎｉ、ＩｎおよびＰｔよりなる群から選択された少なくとも一種を含み、かつ前記ｐ層とのオーミック接触を阻害するＡｌおよびＣｒを含まない」との構成を備えるものといえる。
　
　ｂ　被請求人は、「本件発明１の技術的意義を考慮すれば、甲第１号証には、第二の金属電極がＡｌおよびＣｒを含まない構成が記載されているとはいえない」と主張する（口頭審理陳述要領書５頁〜９頁）が、甲１発明の「線状の電極」は、「前記ｐ型層に設けられた前記電極と同一の材料で形成することができ、例えばＡｕとＰｔの合金である」から、本件発明１の「前記第二の金属電極は、第一の金属電極と共通金属としてＡｕを含み、加えてＴｉ、Ｎｉ、ＩｎおよびＰｔよりなる群から選択された少なくとも一種を含み、かつ前記ｐ層とのオーミック接触を阻害するＡｌおよびＣｒを含まない」との構成を備えることは明らかである。
　よって、被請求人の上記主張は、採用できない。
　
（エ）以上によれば、両者は、
「基板上にｎ層とｐ層とが順に積層され、同一面側にｎ層の電極とｐ層の電極とが形成されて、それら電極側を発光観測面側とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、前記ｐ層の電極が、Ａｕ合金を含み電流をｐ層全体に均一に広げる第一の金属電極と、ボンディング用の第二の金属電極とからなり、前記第二の金属電極は、第一の金属電極と共通金属としてＡｕを含み、加えて、Ｐｔを含み、かつ前記ｐ層とのオーミック接触を阻害するＡｌおよびＣｒを含まない窒化ガリウム系化合物半導体発光素子」
である点で一致し、
「本件発明１では、電流をｐ層全体に均一に広げる第一の金属電極が、ｐ層のほぼ全面に形成されたオーミック接触用のＡｕ合金を含む透光性のものであり、ボンディング用の第二の金属電極が前記第一の金属電極の表面の一部に形成され、第一の金属電極と共通金属としてＡｕを含み、加えて、Ｔｉ、Ｎｉ、ＩｎおよびＰｔよりなる群から選択された少なくとも一種を含み、かつ前記ｐ層とのオーミック接触を阻害するＡｌおよびＣｒを含まないのに対して、甲１発明では、電流をｐ層全体に均一に広げる第一の金属電極が、ｐ型層表面に設けられ、その層と電気的に接続された線状の電極であり、当該電極と、ボンディング用の第二の金属電極が同一の材料で形成することができ、例えばＡｕとＰｔの合金である点」（以下、単に「相違点」という。）
で相違するものと認められる。
　なお、以下においては、相違点について判断する便宜上、相違点のうち、「本件発明１では、電流をｐ層全体に均一に広げる第一の金属電極が、ｐ層のほぼ全面に形成されたオーミック接触用の透光性のものであるのに対して、甲１発明では、電流をｐ層全体に均一に広げる第一の金属電極が、ｐ型層表面に設けられ、その層と電気的に接続された線状の電極である点。」を「相違点１」といい、「本件発明１では、ボンディング用の第二の金属電極が前記第一の金属電極の表面の一部に形成されているのに対して、甲１発明では、（第一の金属電極である）線状の電極と、ボンディング用の第二の金属電極が同一の材料で形成することができ、例えばＡｕとＰｔの合金である点。」を「相違点２」という。
　
　イ　判断
（ア）ａ　相違点２についてまず検討するに、請求人は、以下のとおり主張する。
　
（ａ）甲第１号証発明においては、ｐ型電極５と線状電極６はいずれもｐ型層３上に形成されているものの、ｐ型電極５と線状電極６は同一の材料で形成されることが開示されているから、図１のとおり交差する線状電極６を設け、線状電極の一部である交差箇所にｐ型電極５を形成した場合と同じ構成を開示している（審判請求書１２頁７行〜１１行）。
　
（ｂ）交差する線状電極を設け、その上に同一材料からなるｐ型電極を設ける場合には、甲第１号証のようにｐ型電極５と線状電極６を同一平面上に同時に形成するのと、最終的な形状も電気的特性も、何も変わるところがない（弁駁書４頁〜６頁）。
　
　ｂ　しかるに、前記（２）ア（オ）の「なお、ｐ型電極５および線状電極６はフォトレジストをｐ型層上に形成した後、蒸着によって同時に形成した。」（【００２０】）との説明を踏まえると、甲１発明において、両者が実質的に相違しないのであれば、相違点１の想到容易性を検討するに当たっては、甲１発明において、線状の電極と、ボンディング用の第二の金属電極が同一の材料で形成することができ、例えばＡｕとＰｔの合金であるのは、双方の電極が同時に形成されることを念頭においたものと解される。
　そして、同時に形成される電極における線状の部分が甲１発明の線状の電極となり、ボンディング用の部分が第二の金属電極となるのであって、ボンディング用の第二の金属電極が線状の電極、すなわち第一の金属電極の表面の一部に形成されているとは認められないから、相違点２は、実質的な相違というべきである。
　
（イ）ａ　進んで相違点について検討するに、相違点１に関し、請求人は次のように主張するものと認められる。
　
（ａ）本件出願当時、甲第１号証において、その従来技術における「ｐ型層３が高抵抗であるため、ｐ型電極５の電流がｐ型層３全面に拡散せず、電界の集中が起こり、発光する部分がｐ型電極５の下付近に限られてしまう」ために電極により遮光されて発光出力が低下してしまうという課題を解決するために、「線状電極に起因して遮光（発光出力の低下）が生じる」という甲第１号証と同一の課題を有する甲第２号証に開示されている、「発光体表面全面に形成した透明な」オーミック薄膜電極（合金薄層１７）を適用することは容易である（審判請求書１４頁〜１９頁）。
（ｂ）また、本件発明（請求項１）における「第一の電極」をｐ層等の半導体層のほぼ全面に形成された透光性とすることは、本件特許出願当時周知慣用技術である（甲第２号証ないし甲第５号証）といえる（審判請求書１９頁〜２３頁）。
（ｃ）甲第２号証における（ＡｌもしくはＣｒを含まず）共にＡｕ合金から成る「合金薄層１７」と「オーミック電極１４」の組合せにより、本件発明と同一の作用・効果（オーミック接触性・透光性）が得られ、さらに、甲第６号証及び甲第７号証により、本件出願当時、「Ａｌ」を含むことによるマイグレーションは当業者間で周知の技術事項であったといえるから、本件発明（請求項１）は何ら格別の作用・効果を与えるものではないと結論できる（審判請求書２３頁〜２５頁）。
（ｄ）甲第３号証のように、ｐ型層の上に設けられた透光性電極も存在し、本件特許の出願日前において、透光性電極がｐ型、ｎ型を問わず広く知られていたことも明らかである。またそもそも、半導体発光素子において透光性電極を用いる動機づけとして、電極側から光を取り出す構成の場合に電極によって発光を阻害することを防ぎ、外部量子効率を改善するという課題があること（本件明細書段落【０００４】および【０００５】参照）は自明ともいえることであるから、周知慣用技術である透光性電極を開示した各文献には、透光性電極を開示するに当たって、本件発明１と同様の課題が存在するといってよい。よって、甲第１号証の線状電極の代わりに、周知慣用技術である発光表面の全面に形成された透光性の金属電極を適用し、ｐ型層３の全面に形成した、ｐ型電極５と同じ材料の透光性電極とすることもまた、当業者にとって容易であったことは明らかである（弁駁書１１頁〜１２頁）。
　
　ｂ　しかるところ、前記（２）イによれば、甲第２号証には、
（ａ）たとえば、ｐ形ＧａＡｓ基板１上にｐ形Ｇａ１−ｘＡｌｙＡｓ発光層２が形成され、さらにその上にｎ形Ｇａ１−ｙＡｌｙＡｓ窓層３が形成され、さらにこの窓層３の上面には、たとえば円形状もしくは王字状のオーミック電極４が形成されたＧａＡｌＡｓ系の従来の面発光ダイオードにおいて、電極４からの電流注入によりｐｎ接合付近で発光した光は主として窓層３の表面６から外部に放射されるが、点状或いは線状の電極形状によつて、窓層３に注入される電流の広がりが悪く、電極直下およびその近傍のみが強く発光し、その大半が電極４により遮光されて外部に投射されないという問題があったところ、透明な薄膜電極を発光体表面全面に付着することにより電流の広がりをよくし、ダイオードの面発光出力を増加させるようにした発光ダイオードに関する技術が記載されていることが認められ、
（ｂ）かかる技術は他の種々の素材を用いた面発光ダイオードにも適用されること、
（ｃ）ＧａＡｌＡｓ系赤色発光ダイオードの例においては、たとえばＡｕＧｅ共晶合金を窓層１３と合金化して透明な合金薄層１７を形成し、合金薄層１７の表面の中心部に、たとえばＡｕＧｅ共晶合金が用いられるオーミック電極１４が形成されること
などが記載されているものと認められる。
　
　ｃ　また、前記（１）ウないしオによれば、甲第３号証には、ｎ型炭化珪素基板１上に、単結晶のｎ型炭化珪素層２及び単結晶のｐ型炭化珪素層３が形成された発光ダイオードにおいて、下側をチタン膜、上側をアルミニウム膜として積層された金属膜７からなり、ｐ型炭化珪素層３の上に形成した光透過性を有するオーム性電極の形成面積を広くすることにより、チップ内を通る電流をチップ全域へ広げることができることが、甲第４号証には、基体１０１、第一導電層１０２、不純物を含有する窒化ガリウムで構成された第一電荷注入層１０３、水素原子を含有し、必要に応じてハロゲン原子を含有する非単結晶炭化シリコンで構成された発光層１０４、不純物を含有する窒化ガリウムで構成された第二電荷注入層１０５、第二導電層１０６が順次積層された構造を有する発光素子において、第二導電層側に光を放出する場合は、第二導電層は透光性であることが望ましいことが、甲第５号証には、Ｓｉ基板○１４上に、グレーデイングをつけたＺｎＳｘＳｅｌ−ｘ層○１５及びｎ−ＺｎＳｅ○１６をエピタキシヤル成長させ、そのｎ−ＺｎＳｅ○１６上に絶縁層○１７を形成したＭＩＳ型構造の青色発光素子において、絶縁層○１７上に金電極○１９を発光が取り出せる程度の厚さの部分と電極の取り出しが可能な程度の厚さの部分とができるよう形成することが、それぞれ記載されているものと認められる。
　
　ｄ　ここで、前記ア（ウ）ａのとおり、甲１発明の「線状の電極」が、本件発明１の「前記第二の金属電極は、第一の金属電極と共通金属としてＡｕを含み、加えてＴｉ、Ｎｉ、ＩｎおよびＰｔよりなる群から選択された少なくとも一種を含み、かつ前記ｐ層とのオーミック接触を阻害するＡｌおよびＣｒを含まない」との構成を備えるものといえるのは、上記「線状の電極」が「前記ｐ型層に設けられた前記電極」すなわちボンディング用の第二の金属電極と「同一の材料で形成することができ、例えばＡｕとＰｔの合金である」ことによるところ、甲１発明の「線状の電極」を、ｐ層のほぼ全面に形成されたオーミック接触用の透光性のものとしてボンディング用の第二の金属電極と同一の材料であるＡｕとＰｔの合金で形成する（相違点１）とともに、かかる電極の表面の一部に「ボンディング用の第二の金属電極」を形成する（相違点２）ことが、当業者にとって想到容易であれば、本件発明１は、甲１発明に基づいて容易に発明をすることができたものと考えられる。
　
　ｅ　しかし、上記（ア）ｂのとおり、甲１発明において、線状の電極と、ボンディング用の第二の金属電極が同一の材料で形成することができ、例えばＡｕとＰｔの合金であるのは、双方の電極が同時に形成されることを念頭においたものと解されるところであるから、上記ｃのように、種々の発光素子において、透光性の電極を形成する技術が採用されているとしても、甲１発明における「線状の電極」をｐ層のほぼ全面に形成されたオーミック接触用の透光性のものとすることにつき、当業者が容易になし得たこととは認めがたく、そのようにすることを想定しても、ボンディング用の第二の金属電極とともに、同一の材料であるＡｕとＰｔの合金を使用して形成することが必ずしも導けるものとはいえない。
　そして、本件各証拠を通じてみても、甲１発明において、「電流をｐ層全体に均一に広げる第一の金属電極が、ｐ層のほぼ全面に形成されたオーミック接触用のＡｕ合金を含む透光性のものであり、ボンディング用の第二の金属電極が前記第一の金属電極の表面の一部に形成され、第一の金属電極と共通金属としてＡｕを含み、加えて、Ｔｉ、Ｎｉ、ＩｎおよびＰｔよりなる群から選択された少なくとも一種を含み、かつ前記ｐ層とのオーミック接触を阻害するＡｌおよびＣｒを含まない」とされる、相違点に係る本件発明１の構成を採用することにつき、当業者が容易になし得たことと認めるに足る根拠を見いだすことはできない。
　
　ウ　小括
　以上のとおりであるから、本件発明１につき、甲第１号証に記載された発明及び甲第２号証に記載された発明ないし周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
　
（４）本件発明２及び本件発明３について
　前記第４のとおり、本件発明２及び本件発明３は、本件発明１または本件発明２の特定事項をすべて含むものであるから、本件発明１が、甲第１号証に記載された発明及び甲第２号証に記載された発明ないし周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものといえない以上、本件発明２ないし本件発明３が、甲第１号証に記載された発明及び甲第２号証に記載された発明ないし周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものといえないことは明らかである。
　
（５）小括
　以上のとおりであるから、本件発明１ないし本件発明３についての特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものではなく、同法第１２３条第１項第２号に該当しないから、無効とすることはできない。
　
第８　むすび
　以上のとおり、請求人が主張する無効理由によっては、本件発明１ないし３についての特許を無効とすることはできない。
　審判に関する費用については、特許法第１６９条第２項の規定で準用する民事訴訟法第６１条の規定により、請求人が負担すべきものとする。
　よって、結論のとおり審決する。