【事件の表示】
　特願２０１０−１３６０８７「太陽電池モジュール、シリコンリボンの製造方法および球状シリコンの製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２４年　１月　５日出願公開、特開２０１２−　　１３７９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
　本願は、平成２２年６月１５日の出願であって、平成２３年６月２８日付けで拒絶理由が通知され、同年８月２６日付けで意見書及び手続補正書が提出され、平成２４年２月２８日付けで拒絶査定され、同年５月１０日付けで拒絶査定不服審判の請求がなされるとともに手続補正書が提出されたものであり、その後、同年７月１２日付けで特許法第１６４条第３項に基づく報告を引用した審尋が通知され、同年９月６日付けで回答書の提出がなされたものである。
　
第２．平成２４年５月１０日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成２４年５月１０日付けの手続補正を却下する。
［理由］
１．平成２４年５月１０日付けの手続補正（以下、必要に応じて「本件補正」という。）により、特許請求の範囲の請求項１及び５は次のとおりに補正された。
「　　【請求項１】
　融液から直接作製されるシリコンリボンであって、窒素濃度が１×１０16ａｔｏｍｓ／ｃｍ3以上３×１０16ａｔｏｍｓ／ｃｍ3未満であるシリコンリボンを用いて作製された太陽電池セルが電気的に直列に接続されてなる、太陽電池モジュール。
　　【請求項５】
　窒素含有シリコン融液を作製する工程と、
　前記窒素含有シリコン融液から窒素濃度が１×１０16ａｔｏｍｓ／ｃｍ3以上３×１０16ａｔｏｍｓ／ｃｍ3未満であるシリコンリボンを成長させる工程と、を含み、
　前記シリコンリボンを成長させる工程においては、成長用基板を前記窒素含有シリコン融液に浸漬させることによって前記シリコンリボンを前記成長用基板上に成長させ、
　前記シリコンリボンの成長速度が７５〜１４０μｍ／秒である、シリコンリボンの製造方法。」
２．この請求項１及び５に係る補正は、窒素濃度の上限について、それぞれ、本件補正前の「５×１０16ａｔｏｍｓ／ｃｍ3以下」から「３×１０16ａｔｏｍｓ／ｃｍ3未満」と減縮するものであるから、特許法第１７条の２の第５項第２号に該当する。
３．そこで、本件補正後の請求項１及び５に係る発明（以下、それぞれ、「補正発明１、５」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものかについて、以下に検討する。
（１）引用例に記載された事項
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願前に頒布された刊行物である特開２００８−１８４３７６号公報（以下、「引用例」という。）には、図面と共に次の事項が記載されている。
（ア）「【請求項１】
　窒素によりドープされていることを特徴とする多結晶シリコン。
【請求項２】
　赤外吸収スペクトルにおいて、９６３±５ｃｍ-1および／または９３８±５ｃｍ-1の波数位置にピークを有することを特徴とする請求項１に記載の多結晶シリコン。
・・・・・・
【請求項４】
　請求項１〜３のいずれかに記載の多結晶シリコンからなる多結晶シリコン基体。
【請求項５】
　窒素含有シリコン融液を調製する、融液調製工程を含むことを特徴とする、請求項４に記載の多結晶シリコン基体の製造方法。
【請求項６】
　前記融液調製工程において、窒素含有シリコン融液は、シリコン融液を、窒素原子を含むガスにより窒化するか、またはシリコン融液に窒化シリコンを含有させることにより調製されることを特徴とする、請求項５に記載の多結晶シリコン基体の製造方法。
【請求項７】
　前記窒素含有シリコン融液に、基板を接触させて該基板表面上に多結晶シリコンを成長させる、結晶成長工程をさらに含むことを特徴とする、請求項５または６に記載の多結晶シリコン基体の製造方法。
【請求項８】
　請求項４に記載の多結晶シリコン基体を用いた光電変換素子。」（特許請求の範囲の請求項１、２、４〜８）
（イ）「本発明の多結晶シリコンにおいて、ドープされた窒素の濃度は、特に限定されるものではないが、後述する本発明の多結晶シリコン基体の製造方法によれば、多結晶シリコン中の窒素濃度（１ｃｍ3あたりの窒素原子数）を６×１０18ｃｍ-3程度以下の範囲で適宜調整することが可能である。一般に、シリコン中の窒素の固溶限界は５×１０15ｃｍ-3程度といわれているため、これ以上の窒素濃度を有する場合、一部の窒素は、粒界部分や欠陥部分に入り込んでいると考えられる。
　ここで、赤外吸収スペクトル測定における上記特徴的なピークの検出は、多結晶シリコン中の窒素濃度が比較的高い（たとえば、３×１０16ｃｍ-3程度以上）場合には、室温の測定でも十分可能である。一方、窒素濃度が比較的低い場合には、測定の感度を上げるために、液体ヘリウム温度での測定または試料の厚さ調整等が必要となることが多い。このような高感度化により、１×１０14ｃｍ-3程度までの低い窒素濃度においても、上記特徴的なピークの検出が可能となる。さらに窒素濃度が低い場合には、放射光等の高輝度赤外線源などを用いる必要がある。」（【００１９】〜【００２０】）
（ウ）「＜多結晶シリコン基体の製造方法＞
　本発明の多結晶シリコン基体の製造方法は、窒素含有シリコン融液を調製する融液調製工程を含むことを特徴とする。得られた窒素含有シリコン融液を用いて、多結晶シリコン基体を製造する方法としては・・・・・・（５）シリコン融液にシリコン成長用基板を接触させて基板上にＳｉを成長させる方法・・・・・・などがある。以下では好適な一例として、上記（５）の方法に属する結晶成長方法を用いた例を示す・・・・・・。
　（１）融液調製工程
　本工程において、窒素含有シリコン融液を調製する。・・・・・・なお、シリコン融液は、作製する多結晶シリコンをｐ型またはｎ型とするために、それぞれＢ（ホウ素）、Ｇａ（ガリウム）などのＩＩＩ族元素や、Ｐ（リン）などのＶ族元素などを含んでいてもよい。
　シリコン融液に窒素を含有させる方法は特に制限されるものではないが、好適な方法として、シリコン融液を、窒素を含むガスにより窒化する方法を挙げることができる。・・・・・・。
　シリコン融液に窒素を含有させる別の好適な方法として、シリコン融液に窒化シリコンを含有させる方法を挙げることができる。・・・・・・。
・・・・・・
　（２）結晶成長工程
　本工程において、当該窒素含有シリコン融液に、基板を接触させて該基板表面上に多結晶シリコンを成長させ、多結晶シリコン基体を形成する。・・・・・・。以下、図２に示される装置を用いて本工程を行なう場合について説明する。
　図２において、軸２９は、図中の矢印で示すように、その一端に取り付けられた結晶成長用の基板２２の表面が窒素含有シリコン融液２４中に浸漬された後、該窒素含有シリコン融液２４から引き上げられるように動作可能となっている。窒素含有シリコン融液２４の液面の調整は、坩堝台２６に取り付けられた坩堝昇降用台２８によってなされる。坩堝台２６の下面には、断熱材２７で被覆されている。なお、図２に示される装置は、真空排気ができるようチャンバ内に設置されることが好ましい。また、図示されていないが、図２に示される装置には、たとえば軸２９を上記のように動作させる手段、加熱用ヒータ２５を制御する手段およびシリコンを追加投入する手段が付設されている。
　上記図２に示される装置を用いた多結晶シリコン基体の形成方法は概略次のとおりである。まず、窒素含有シリコン融液２４の温度を、たとえば１４２０〜１４４０℃程度に調整する。ついで、軸２９を動作させ、基板２２の表面を窒素含有シリコン融液２４中に浸漬させる。浸漬時間は、所望する多結晶シリコン基体２１の厚みに応じて適宜の時間を採り得るが、たとえば厚み３００μｍの多結晶シリコン基体を得るための浸漬時間はおよそ３〜４秒程度である。このような基板２２の窒素含有シリコン融液２４への浸漬により、基板２２の表面上に多結晶シリコン基体２１が形成される。
　＜光電変換素子＞
本発明は、たとえば上述のような方法で作製した多結晶シリコン基体を用いた光電変換素子を提供する。光電変換素子としては、太陽電池・・・・・・等を挙げることができる。・・・・・・。」（【００２７】〜【００３５】）
（エ）「（多結晶シリコン基体の作製）
　＜実施例１＞
　図２に示される装置を用いて、窒素含有シリコン融液の調製および多結晶シリコン基体の形成を行なった。・・・・・・。このようにして得られた窒素含有シリコン融液に、黒鉛製の基板２２の浸漬時間が５秒となる条件で、図２中左側から基板２２の下面を接触させ、多結晶シリコン基体を形成した。当該多結晶シリコン基体の厚みは３７０μｍであった。
・・・・・・
　実施例１で得られた多結晶シリコン基体について、ＳＩＭＳ（・・・・・・）を用いて測定した窒素濃度（１ｃｍ3あたりの窒素原子数）は、面内でばらつきがあるものの、３〜７×１０16ｃｍ-3程度であった。・・・・・・。」（【００３８】〜【００４０】）
（オ）「（太陽電池の作製）
　＜実施例２＞
　以下の手順に従い、実施例１の多結晶シリコン基体を用いて光電変換素子の１種である太陽電池の作製を行なった例を示す。・・・・・・。得られた太陽電池について、ＡＭ１．５、１００ｍＷ／ｃｍ２の照射下にて、セル特性の評価を行なった。・・・・・・。」（【００４２】）
（カ）「本発明の多結晶シリコン基体の製造方法の結晶成長工程において好適に用いられる装置の概略断面図である」と説明されている図２をみると、上記（ウ）及び（エ）の事項を窺うことができる。
（２）引用例に記載された発明
ア　引用例の（ア）の請求項１を引用する請求項２を引用する、請求項４を引用する、請求項８の記載を独立形式に書き改めると、「窒素によりドープされ、赤外吸収スペクトルにおいて、９６３±５ｃｍ-1および／または９３８±５ｃｍ-1の波数位置にピークを有する・・・・・・多結晶シリコンからなる多結晶シリコン基体を用いた光電変換素子。」である。
イ　この「光電変換素子」における「多結晶シリコン」は、「窒素によりドープされ」たものであるが、そのドープされた窒素の濃度は、同（イ）によれば、「特に限定されるものではな」く、「６×１０18ｃｍ-3程度以下の範囲で適宜調整することが可能である」とされている。
ウ　また、上記「多結晶シリコンからなる多結晶シリコン基体」の製造方法について、同（ア）の請求項７及び同（ウ）に、「窒素含有シリコン融液にシリコン成長用基板を接触させて基板上に多結晶シリコンを成長させる方法」が記載されているから、上記アの「多結晶シリコンからなる多結晶シリコン基体」は「窒素含有シリコン融液にシリコン成長用基板を接触させて基板上に多結晶シリコンを成長させる」ものであるといえる。
エ　さらに、同（ウ）の「光電変換素子としては、太陽電池・・・・・・等を挙げることができる。」との記載をみると、上記アの「光電変換素子」は「太陽電池」ということができ、さらに、同（オ）の記載をみると、この「太陽電池」は「太陽電池セル」とみることができる。
オ　そうすると、引用例には、
「窒素含有シリコン融液にシリコン成長用基板を接触させて基板上に多結晶シリコンを成長させた、６×１０18ｃｍ-3程度以下の範囲の窒素によりドープされ、赤外吸収スペクトルにおいて、９６３±５ｃｍ-1および／または９３８±５ｃｍ-1の波数位置にピークを有する多結晶シリコンからなる多結晶シリコン基体を用いた太陽電池セル。」の発明（以下、「引用発明１」という。）が記載されていると認める。
カ　また、引用例の（ア）の請求項１を引用する請求項２を引用する、請求項４を引用する請求項５を引用する、請求項６を引用する請求項７の記載を独立形式に書き改めると、「シリコン融液を、窒素原子を含むガスにより窒化するか、またはシリコン融液に窒化シリコンを含有させることにより調製される窒素含有シリコン融液調製工程と、前記窒素含有シリコン融液に、基板を接触させて該基板表面上に多結晶シリコンを成長させる、結晶成長工程をさらに含む、窒素によりドープされ、赤外吸収スペクトルにおいて、９６３±５ｃｍ-1および／または９３８±５ｃｍ-1の波数位置にピークを有する・・・・・・多結晶シリコンからなる多結晶シリコン基体の製造方法。」である。
キ　この「多結晶シリコン基体の製造方法」により製造される「多結晶シリコン」は、「窒素によりドープされ」たものであるが、そのドープされた窒素の濃度は、同（イ）によれば、「特に限定されるものではな」く、「６×１０18ｃｍ-3程度以下の範囲で適宜調整することが可能である」とされている。
ク　そうすると、引用例には、
「シリコン融液を、窒素原子を含むガスにより窒化するか、またはシリコン融液に窒化シリコンを含有させることにより調製される窒素含有シリコン融液調製工程と、前記窒素含有シリコン融液に、基板を接触させて該基板表面上に多結晶シリコンを成長させる、結晶成長工程をさらに含む、６×１０18ｃｍ-3程度以下の範囲の窒素によりドープされ、赤外吸収スペクトルにおいて、９６３±５ｃｍ-1および／または９３８±５ｃｍ-1の波数位置にピークを有する多結晶シリコンからなる多結晶シリコン基体の製造方法。」の発明（以下、「引用発明２」という。）が記載されていると認める。
（３）対比・判断
（３−１）補正発明１について
ア　補正発明１と引用発明１とを対比する。
イ　まず、補正発明１の「融液から直接作製されるシリコンリボン」についてみてみる。
イ−１　本願明細書の【００１５】によれば、「融液から直接作製されるシリコンリボン」とは、「融液からインゴットなどの他の形状を経ることなく作製されたシリコンリボン」である。
イ−２　補正発明１の「シリコンリボン」に製造法について、本願明細書の【００３４】〜【００４２】に次のように記載されている。
「　＜シリコンリボンの製造方法＞
　本発明のシリコンリボンは、融液から直接作製されることを特徴としている。・・・・・・。
　本発明のシリコンリボンの製造方法は、（ｉ）窒素含有シリコン融液を作製する工程と、（ｉｉ）シリコンリボンを成長させる工程と、を含んでいる。
　（ｉ）窒素含有シリコン融液を作製する工程
・・・・・・シリコン融液に窒素を含有させる方法としては、たとえば、シリコン融液が収容されたチャンバに窒素を含むガスを導入する方法、またはシリコン融液に窒化シリコンを投入する方法などを用いることができる。・・・・・・。なお、窒素含有シリコン融液は、シリコンリボンをｐ型またはｎ型とするために、たとえば、Ｂ（ホウ素）、Ａｌ（アルミニウム）、Ｇａ（ガリウム）などのＩＩＩ族元素や、Ｐ（リン）、Ａｓ（ヒ素）、Ｓｂ（アンチモン）などのＶ族元素などを含んでいてもよい。
　（ｉｉ）シリコンリボンを成長させる工程
　上記の（ｉ）の工程で作製された窒素含有シリコン融液からシリコンリボンを成長させて、本発明のシリコンリボンを窒素含有シリコン融液から直接作製する。・・・・・・。
・・・・・・
　図１に示すシリコンリボンの成長装置を用いてシリコンリボンを成長させる工程は、たとえば以下のようにして行なわれる。まず、・・・・・・窒素含有シリコン融液１２の温度をたとえば１４２０℃〜１４４０℃程度に保持する。
　次に、・・・・・・坩堝２２の内部の窒素含有シリコン融液１２にシリコンリボン成長用基板１４の表面を浸漬させて、窒素含有シリコン融液１２にシリコンリボン成長用基板１４を接触させる。なお、シリコンリボン成長用基板１４は・・・・・・たとえば黒鉛・・・・・・が挙げられる。
　窒素含有シリコン融液１２へのシリコンリボン成長用基板１４の表面の浸漬時間は、所望とするシリコンリボン１１の厚みに応じて適宜の時間を採り得るが、たとえば厚み３００μｍのシリコンリボン１１を得るための浸漬時間はおおよそ３〜４秒程度である。
　以上により、シリコンリボン成長用基板１４の表面上に窒素濃度が５×１０15ａｔｏｍｓ／ｃｍ3以上５×１０17ａｔｏｍｓ／ｃｍ3以下、好ましくは１×１０16ａｔｏｍｓ／ｃｍ3以上５×１０16ａｔｏｍｓ／ｃｍ3以下となるシリコンリボン１１を成長させる。」
イ−３　次に、引用発明１の「窒素含有シリコン融液にシリコン成長用基板を接触させて基板上に多結晶シリコンを成長させた、・・・・・・多結晶シリコンからなる多結晶シリコン基体」の製造方法に関し、引用例の（ウ）の記載をみてみると、次の（ａ）〜（ｃ）に記載された工程を含んでいるといえる。すなわち、
（ａ）「窒素含有シリコン融液を調製する融液調製工程」と「結晶成長工程」とを含み（「＜多結晶シリコン基体の製造方法＞」の項参照。）、
（ｂ）「窒素含有シリコン融液を調製する融液調製工程」は、シリコン融液を、窒素を含むガスにより窒化するかシリコン融液に窒化シリコンを含有させるものであり、シリコン融液は、作製する多結晶シリコンをｐ型またはｎ型とするために、それぞれＢ（ホウ素）、Ｇａ（ガリウム）などのＩＩＩ族元素や、Ｐ（リン）などのＶ族元素などを含んでいてもよく（「融液調製工程」の項参照。）、
（ｃ）「結晶成長工程」は、窒素含有シリコン融液２４の温度を、たとえば１４２０〜１４４０℃程度に調整し、基板２２の表面を窒素含有シリコン融液２４中に浸漬させる。浸漬時間は、所望する多結晶シリコン基体２１の厚みに応じて適宜の時間を採り得るが、たとえば厚み３００μｍの多結晶シリコン基体を得るための浸漬時間はおよそ３〜４秒程度である。このような基板２２の窒素含有シリコン融液２４への浸漬により、基板２２の表面上に多結晶シリコン基体２１が形成される（「結晶成長工程」の項参照。）ものである。
　さらに、基板２２は黒鉛製であることが同（エ）に開示されている。
イ−４　ここで、この引用例の（ウ）及び（エ）の記載と本願明細書の記載を対比すると、引用例に記載の上記「窒素含有シリコン融液を調製する融液調製工程」には、本願明細書に記載の「窒素含有シリコン融液を作製する工程」と実質的に同じ事項が記載され、また、引用例に記載の上記「結晶成長工程」には、本願明細書に記載の「シリコンリボンを成長させる工程」と実質的に同じ事項が記載されているから、引用例に記載の「窒素含有シリコン融液を調製する融液調製工程」、「結晶成長工程」は、それぞれ、本願明細書に記載の「窒素含有シリコン融液を作製する工程」、「シリコンリボンを成長させる工程」に相当する。そして、引用発明の「多結晶シリコン基体」は、上記イ−３（ａ）に記載したように、「窒素含有シリコン融液を調製する融液調製工程」と「結晶成長工程」とを含む工程により製造され、一方、補正発明１の「シリコンリボン」は上記イ−２でみたように、「窒素含有シリコン融液を作製する工程」と「シリコンリボンを成長させる工程」を含む工程により製造されるから、引用発明１の「窒素含有シリコン融液にシリコン成長用基板を接触させて基板上に多結晶シリコンを成長させた、・・・・・・多結晶シリコンからなる多結晶シリコン基体」は、補正発明１の「融液から直接作製されるシリコンリボン」に相当するといえる。
ウ　そして、上記イ−１〜イ−４の検討結果を踏まえると、引用発明の「多結晶シリコン基体」と補正発明の「シリコンリボン」は、共に窒素を含有している点で共通している。
エ　また、「太陽電池モジュール」とは複数の「太陽電池セル」を直列及び／または並列に接続したものであることは明らかである。
オ　以上の検討を踏まえると、両者は、
「融液から直接作製されるシリコンリボンであって、窒素を含むシリコンリボンを用いて作製された太陽電池セル」である点で一致し、次の点で相違している。
相違点１：窒素濃度について、補正発明１は、１×１０16ａｔｏｍｓ／ｃｍ3以上３×１０16ａｔｏｍｓ／ｃｍ3未満であるのに対し、引用発明１は、６×１０18ｃｍ-3程度以下の範囲である点
相違点２：補正発明１は、電池セルが電気的に直列に接続されてなる太陽電池モジュールであるのに対し、引用発明１は、太陽電池セルを直列に接続して太陽電池モジュールとすることについて特定がない点
カ　これら相違点について検討する。
キ　相違点１について
キ−１　引用例の（イ）には、「ドープされた窒素の濃度は、特に限定されるものではない」こと、「窒素濃度を６×１０18ｃｍ-3程度以下の範囲で適宜調整することが可能である」こと、及び「赤外吸収スペクトル測定の感度を上げれば、１×１０14ｃｍ-3程度までの低い窒素濃度においても、上記特徴的なピークの検出が可能となる」ことが開示されているとみることができ、少なくとも、窒素濃度が「１×１０14ｃｍ-3程度以上、６×１０18ｃｍ-3程度以下」の範囲であることが記載されているといえ、引用発明の窒素濃度の下限は、最高で１×１０14ｃｍ-3程度ということができる。
キ−２　一方、引用例の（エ）に記載された「実施例１」では、「窒素濃度（１ｃｍ3あたりの窒素原子数）は、面内でばらつきがあるものの、３〜７×１０16ｃｍ-3程度であった」との記載がなされている。ここで、「程度」とは、「上に基準などを示す語を伴って、物事の段階がほぼそのあたりであることを表す」（「大辞林　第３版」　２００６年１０月２７日発行　三省堂　１７１３頁　「程度」の項）文言であるから、この「３〜７×１０16ｃｍ-3程度」とは、「３〜７×１０16ｃｍ-3あたり」ということであり、３×１０16ｃｍ-3よりも若干小さな値、すなわち、「１×１０16ａｔｏｍｓ／ｃｍ3以上３×１０16ｃｍ-3未満」の値を含んでいると解され、引用例には、窒素濃度が「１×１０16ａｔｏｍｓ／ｃｍ3以上３×１０16ｃｍ-3未満」であるものが実際に記載されているといえる。
　そして、この解釈の前提となる「程度」とは、「ほぼそのあたり」という意味で引用例において使用されていることは、引用例の（ウ）に「厚み３００μｍの多結晶シリコン基体を得るための浸漬時間はおよそ３〜４秒程度である。」と記載され、この記載から、「シリコン基体の成長速度は７５〜１００μｍ／秒（＝３００／４〜３）程度」と言い換えることができるが、同（エ）では、「基板２２の浸漬時間が５秒となる条件で、図２中左側から基板２２の下面を接触させ、多結晶シリコン基体を形成した。当該多結晶シリコン基体の厚みは３７０μｍであった。」と記載され、このときの「シリコン基体の成長速度は７４μｍ／秒（＝３７０／５）」となっており、「７５〜１００μｍ／秒程度」とは、「７４μｍ／秒」を含んだ記載といえることから裏付けられる。
キ−３　そうすると、引用発明は窒素濃度が、３×１０16ｃｍ-3程度のもの、すなわち、「１×１０16ａｔｏｍｓ／ｃｍ3以上３×１０16ｃｍ-3未満」のものを含むといえるから、上記相違点１は実質的なものではない。
ク　相違点２について
　太陽電池用セルを使用するに当たって、所望の電圧を得るために太陽電池セルを直列に接続し太陽電池モジュールとすることは周知技術であるから（要すれば、特開平１１−２９８０２２号公報、特開２００１−１６８３６９号公報、特開２０１０−１２４００７号公報等参照。）、引用発明の太陽電池セルを直列に接続されてなる太陽電池モジュールとすることは当業者であれば適宜なし得ることである。
ケ　よって、補正発明１は引用例に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであって、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
（３−２）補正発明５について
ア　補正発明５と引用発明２とを対比する。
イ　引用発明２の「シリコン融液を、窒素原子を含むガスにより窒化するか、またはシリコン融液に窒化シリコンを含有させることにより調製される窒素含有シリコン融液調製工程」は、補正発明５の「窒素含有シリコン融液を作製する工程」に相当する。
ウ　上記（３−１）のイ−１〜イ−４の検討結果を踏まえると、引用発明２の「前記窒素含有シリコン融液に、基板を接触させて該基板表面上に多結晶シリコンを成長させる、結晶成長工程」は、補正発明５の「成長用基板を前記窒素含有シリコン融液に浸漬させることによって前記シリコンリボンを前記成長用基板上に成長させ」る「シリコンリボンを成長させる工程」に相当するから、引用発明２の「多結晶シリコン基体」と補正発明５の「シリコンリボン」は、共に、窒素を含有している点で共通している。
エ　引用発明２の多結晶シリコンを成長させる速度、すなわち、多結晶シリコン基体の成長速度は、引用例の（ウ）の「たとえば厚み３００μｍの多結晶シリコン基体を得るための浸漬時間はおよそ３〜４秒程度である。」との記載から、「７５〜１００μｍ／秒（＝３００／４〜３）程度」といえ、補正発明５のシリコンリボンの成長速度である「７５〜１４０μｍ／秒」と少なくとも「７５〜１００μｍ／秒」の範囲で一致している。
オ　そうすると、両者は、
「窒素含有シリコン融液を作製する工程と、
　前記窒素含有シリコン融液から窒素を含むシリコンリボンを成長させる工程と、を含み、
　前記シリコンリボンを成長させる工程においては、成長用基板を前記窒素含有シリコン融液に浸漬させることによって前記シリコンリボンを前記成長用基板上に成長させ、
　前記シリコンリボンの成長速度が７５〜１００μｍ／秒である、シリコンリボンの製造方法」である点で一致し、次の点で相違している。
相違点３：窒素濃度について、補正発明１は、１×１０16ａｔｏｍｓ／ｃｍ3以上３×１０16ａｔｏｍｓ／ｃｍ3未満であるのに対し、引用発明１は、６×１０18ｃｍ-3程度以下の範囲である点
カ　この相違点３について検討すると、この相違点３は相違点１と同じであるから、上記相違点１の検討のところで述べたものと同じ理由により、相違点３も実質的なものではない。
キ　よって、補正発明５は、引用例に記載されたものであって、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができないものであるから、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
４．請求人は、回答書において「引用文献１には、窒素濃度を１×１０16ａｔｏｍｓ／ｃｍ3以上３×１０16ａｔｏｍｓ／ｃｍ3未満とすることによって、太陽電池セルの逆方向漏れ電流を低減することができ、太陽電池セルおよび太陽電池モジュールの歩留まりを向上して、製造コストを低減することができるという、特有の効果については記載も示唆もされていません」（（２）（ｉｉｉ）の項）と主張しているので検討すると、上述のとおり引用発明１、２は、共に、窒素濃度が「１×１０16ａｔｏｍｓ／ｃｍ3以上３×１０16ｃｍ-3未満」の範囲にあるから、請求人が主張する特有の効果を当然に奏しているとみることが自然であり、この主張は採用できない。
５．補正却下のむすび
　したがって、本件補正は、平成２３年法律第６３号改正附則第２条第１８項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３．本願発明について
１．本願発明
　平成２４年５月１０日付けの手続補正は上記第２．のとおり却下されたので、本願の請求項１、５に係る発明（以下、「本願発明１、５」という。）は、平成２３年８月２６日付け手続補正書により補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１、５に記載された事項により特定される以下のとおりのものである。
「　　【請求項１】
　融液から直接作製されるシリコンリボンであって、窒素濃度が１×１０16ａｔｏｍｓ／ｃｍ3以上５×１０16ａｔｏｍｓ／ｃｍ3以下であるシリコンリボンを用いて作製された太陽電池セルが電気的に直列に接続されてなる、太陽電池モジュール。
　　【請求項５】
　窒素含有シリコン融液を作製する工程と、
　前記窒素含有シリコン融液から窒素濃度が１×１０16ａｔｏｍｓ／ｃｍ3以上５×１０16ａｔｏｍｓ／ｃｍ3以下であるシリコンリボンを成長させる工程と、を含み、
　前記シリコンリボンを成長させる工程においては、成長用基板を前記窒素含有シリコン融液に浸漬させることによって前記シリコンリボンを前記成長用基板上に成長させ、
　前記シリコンリボンの成長速度が７５〜１４０μｍ／秒である、シリコンリボンの製造方法。」
２．引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された刊行物である引用例びその記載事項は、上記第２．３（１）に記載したとおりである。
３．対比・判断
（１）本願発明１について
ア　本願発明１は、上記第２．で検討した補正発明１において、窒素濃度の上限について、「３×１０16ａｔｏｍｓ／ｃｍ3未満」を「５×１０16ａｔｏｍｓ／ｃｍ3以下」に拡張したものである。
イ　本願発明１と引用発明１とを対比すると、本願発明１では、上記アで述べたように窒素濃度の上限が拡張されたから、両者は、上記第２．（３）（３−１）で述べた相違点２のみで相違し、その余の点で一致している。
ウ　そうすると、本願発明１は、補正発明１のところで述べたものと同じ理由により、引用例に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
（２）本願発明５について
ア　本願発明５は、上記第２．で検討した補正発明５において、窒素濃度の上限について、「３×１０16ａｔｏｍｓ／ｃｍ3未満」を「５×１０16ａｔｏｍｓ／ｃｍ3以下」に拡張したものである。
イ　本願発明５と引用発明２とを対比すると、上記アで述べたように窒素濃度の上限が拡張されたから、両者は相違するところがない。
ウ　そうすると、本願発明５は、補正発明５のところで述べたものと同じ理由により、引用例に記載された発明であり、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができないものである。
４．むすび
　以上のとおり、本願発明１は、引用例に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないし、本願発明５は、引用例に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し特許を受けることができないものである。
　したがって、その余の請求項に係る発明について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。