【事件の表示】
　特願２００４−１５８２２３「コンバータダイオードおよびその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年１２月　８日出願公開、特開２００５−３４０５２８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１６年５月２７日の出願であって、平成２３年３月２日付けの拒絶理由通知に対して、同年５月９日に意見書及び手続補正書が提出されたが、平成２４年１月３０日付けで拒絶査定がなされた。
　これに対し、同年４月２６日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに手続補正書が提出され、その後、同年７月２４日付けで審尋がなされ、同年９月２１日に回答書が提出された。
　
第２　平成２４年４月２６日に提出された手続補正書による補正についての却下の決定
［補正の却下の決定の結論］ 
　平成２４年４月２６日に提出された手続補正書による補正（以下「本件補正」という。）を却下する。 
 　 
［理由］ 
１　本件補正の内容
  本件補正は、補正前の特許請求の範囲の請求項１〜６を、補正後の特許請求の範囲の請求項１〜４と補正するとともに、明細書の発明の名称及び発明の詳細な説明を補正するものであり、補正前後の請求項１は、それぞれ次のとおりである。
　
（補正前）
「【請求項１】
　第１導電型半導体層と、
　前記第１導電型半導体層の表面層に選択的に設けられた第２導電型半導体領域よりなる１２．６μｍ以上の深さの拡散領域と、
　前記第１導電型半導体層および前記拡散領域の全体にわたって、前記拡散領域と前記第１導電型半導体層との接合界面であるＰＮ接合面の最も深い位置よりも浅い位置から該ＰＮ接合面の最も深い位置よりも深い位置まで、Ｈｅイオンの照射により形成されたライフタイムキラーを含むことによって、他の領域よりもキャリアのライフタイムが短い低ライフタイム領域と、
　を備え、
　Ｈｅイオンのピーク位置が前記拡散領域の深さの８０％以上１２０％以下の範囲であることを特徴とする半導体装置。」
　
（補正後）
「【請求項１】
　第１導電型半導体層と、
　前記第１導電型半導体層の表面層に選択的に設けられた第２導電型半導体領域よりなる１２．６μｍ以上２２μｍ以下の深さの拡散領域と、
　前記第１導電型半導体層および前記拡散領域の全体にわたって、前記拡散領域と前記第１導電型半導体層との接合界面であるＰＮ接合面の最も深い位置よりも浅い位置から該ＰＮ接合面の最も深い位置よりも深い位置まで、Ｈｅイオンの照射により形成されたライフタイムキラーを含むことによって、他の領域よりもキャリアのライフタイムが短い低ライフタイム領域と、
　を備え、
　Ｈｅイオンのピーク位置が前記拡散領域の深さの８０％以上１２０％以下の範囲であり、
　ｄｉ／ｄｔ耐量が４０００Ａ／μ秒以上であることを特徴とするコンバータダイオード。」
　
２　本件補正についての検討
（１）補正事項の整理
　本件補正を整理すると次のとおりである。
［補正事項１］
　補正前の請求項１の「１２．６μｍ以上の深さの拡散領域」を「１２．６μｍ以上２２μｍ以下の深さの拡散領域」とし、「半導体装置」を「コンバータダイオード」とするとともに、「ｄｉ／ｄｔ耐量が４０００Ａ／μ秒以上である」との記載を付加して、補正後の請求項１とする。
　
［補正事項２］
　補正前の請求項３の「半導体装置として」及び「半導体装置。」を、それぞれ「コンバータダイオードとして」及び「コンバータダイオード。」として、補正後の請求項２とする。
　
［補正事項３］
　補正前の請求項５の「１２．６μｍ以上の深さの拡散領域」を「１２．６μｍ以上２２μｍ以下の深さの拡散領域」とし、「前記拡散領域を１４μｍ以上の深さになるように選択的に形成する」を「前記拡散領域を１４μｍ以上２０μｍ以下の深さになるように選択的に形成する」とするとともに、「半導体装置を製造するにあたって」及び「半導体装置の製造方法」を、それぞれ「ｄｉ／ｄｔ耐量が４０００Ａ／μ秒以上であるコンバータダイオードを製造方法するにあたって」及び「コンバータダイオードの製造方法」として、補正後の請求項３とする。
　
［補正事項４］
　補正前の請求項６の「１２．６μｍ以上の深さの拡散領域」を「１２．６μｍ以上２２μｍ以下の深さの拡散領域」とし、「前記拡散領域を１４μｍ以上の深さになるように選択的に形成する」を「前記拡散領域を１４μｍ以上２０μｍ以下の深さになるように選択的に形成する」とするとともに、「半導体装置を製造するにあたって」及び「半導体装置の製造方法」を、それぞれ「ｄｉ／ｄｔ耐量が４０００Ａ／μ秒以上であるコンバータダイオードを製造方法するにあたって」及び「コンバータダイオードの製造方法」として、補正後の請求項４とする。
　
［補正事項５］
　補正前の請求項２及び４を削除し、当該削除に対応して、補正前の請求項３、５及び６を、それぞれ請求項２、３及び４として項番号を繰り上げるとともに、補正前の請求項３に記載された「請求項１または２に記載の」を、「請求項１に記載の」とする。
　
［補正事項６］
　補正前の明細書の発明の名称並びに明細書の段落【０００１】、【００２０】、【００２２】、【００２４】、【００２６】〜【００２８】、【００３０】〜【００３２】及び【００４９】を補正するとともに、補正前の明細書の段落【００２３】及び【００２５】を削除する。
　
（２）新規事項の追加の有無及び補正の目的の適否についての検討
　以下、補正事項１〜補正事項６について検討する。
　
ア　補正事項１について
（ア）補正事項１により補正された事項は、本願の願書に最初に添付された明細書（以下「当初明細書」という。また、本願の願書に最初に添付された明細書、特許請求の範囲又は図面をまとめて「当初明細書等」という。）の段落【００３７】、【００４５】及び【００４９】並びに図３〜５に記載されているから、補正事項１は、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入しないものである。
　したがって、補正事項１は、当初明細書等に記載した事項の範囲内においてなされたものであるから、特許法第１７条の２第３項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項をいう。以下同じ。）に規定する要件を満たしている。
　
（イ）補正事項１は、補正前の請求項１に係る発明の発明特定事項である「拡散領域」についての限定事項である「１２．６μｍ以上の深さの」を「１２．６μｍ以上２２μｍ以下の深さの」とし、補正前の請求項１の「半導体装置」を「コンバータダイオード」とするとともに、更に、「ｄｉ／ｄｔ耐量が４０００Ａ／μ秒以上である」という構成を追加して「半導体装置」を限定する補正である。
　したがって、補正事項１は、特許法第１７条の２第４項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項をいう。以下同じ。）第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当するから、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たしている。
　
イ　補正事項２について
（ア）補正事項２により補正された事項は、当初明細書等の段落【００４９】に記載されているから、補正事項２は、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入しないものである。
　したがって、補正事項２は、当初明細書等に記載した事項の範囲内においてなされたものであるから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしている。
　
（イ）補正事項２は、補正前の請求項３の「半導体装置」を「コンバータダイオード」とする補正である。
　したがって、補正事項２は、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当するから、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たしている。
　
ウ　補正事項３及び補正事項４について
（ア）補正事項３及び補正事項４により補正された事項は、当初明細書等の段落【００３７】、【００４５】、【００４７】及び【００４９】並びに図３〜５に記載されているから、補正事項３及び補正事項４は、いずれも当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入しないものである。
　したがって、補正事項３及び補正事項４は、当初明細書等に記載した事項の範囲内においてなされたものであるから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしている。
　
（イ）補正事項３及び補正事項４は、補正前の請求項５及び６に係る発明の発明特定事項である「拡散領域」についての限定事項である「１２．６μｍ以上の深さの」及び「前記拡散領域を１４μｍ以上の深さになるように」を、それぞれ「１２．６μｍ以上２２μｍ以下の深さの」及び「前記拡散領域を１４μｍ以上２０μｍ以下の深さになるように」とし、補正前の請求項５及び６の「半導体装置の製造方法」を「コンバータダイオードの製造方法」とするとともに、更に、「ｄｉ／ｄｔ耐量が４０００Ａ／μ秒以上である」という構成を追加して「半導体装置の製造方法」を限定する補正である。
　したがって、補正事項３及び補正事項４は、いずれも特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当するから、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たしている。
　
エ　補正事項５について
　補正事項５は、特許法第１７条の２第４項第１号に掲げる請求項の削除を目的とするものに該当するから、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たしている。
　また、補正事項５が、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすことは明らかである。
　
オ　補正事項６について
　補正事項６により補正された事項は、当初明細書等の段落【００３７】、【００４５】、【００４７】及び【００４９】並びに図３〜５に記載されており、補正事項６は、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入しないものである。
　したがって、補正事項６は、当初明細書等に記載した事項の範囲内においてなされたものであるから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしている。
　
カ　新規事項の追加の有無及び補正の目的の適否についてのまとめ
　以上のとおりであるから、本件補正は、特許法第１７条の２第３項及び第４項に規定する要件を満たすものである。
　そして、本件補正は、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする補正を含むものであるから、補正後における特許請求の範囲に記載されている事項により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定の規定に適合するか）について、以下において検討する。 
　
（３）独立特許要件について 
ア　本件補正後の発明 
　本件補正後の請求項１に係る発明は、上記「１　本件補正の内容」の「（補正後）」に記載したとおりである。 
 　　　 
イ　引用例の記載と引用発明 
（ア）引用例１：特開２０００−１０６３６８号公報
　原査定の拒絶の理由で引用された、本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である特開２０００−１０６３６８号公報（以下「引用例１」という。）には、「半導体素子及びその製造方法」（発明の名称）に関して、図１〜３とともに以下の事項が記載されている（下線は当審で付加した。以下同じ。）。 
　
ａ　「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，パワーエレクトロニクスの分野に関し，特に半導体ダイオードに関する。本発明は、請求項１のプリアンブルによる半導体素子の製造方法、及び請求項５のプリアンブルによる半導体素子に関する。」
　
ｂ　「【０００２】
【従来の技術】
半導体素子の動作モードに対する一つの重要なパラメータは、その軸のキャリヤの寿命である
オン状態の損失を小さく保つためにはできる限り長くする必要があるが、急速なブロッキング能力を得るためにはできる限り短い必要がある
それぞれの半導体素子に対して、そのキャリヤの寿命に基づいて最適な妥協点を見つける必要がある
欠陥領域
が与えられ、それによってキャリヤの寿命を制御された方法で調節
【０００３】
欠陥の発生、及びしたがって、半導体素子における軸のキャリヤ寿命の調節は
ヘリウム原子核の粒子照射によって得られる
【０００４】電子照射は、半導体基板にその体積にわたって欠陥が設けられ、半導体素子のオン状態の振る舞いとターンオフの振る舞いの間で理想的な妥協を許さない。重い金属をドーピングすることによって、基板の所定の領域にのみ欠陥を生成することは確かに可能であるが、この方法は、複雑で、費用がかかる。
【０００５】現在、確立された
キャリアの寿命を調節する１つの技術は、活発な重い粒子を有する粒子の照射
　
ｃ　「【００１１】本発明による方法は、エッジ領域においても連続した欠陥領域を有する半導体素子の製造を可能にする。この場合、
キャリヤの寿命を調節するために重要な欠陥の位置
【００１２】…
【００１３】本発明による方法は、キャリヤの寿命を非常に正確に調節する必要のある全ての半導体素子の製造に適している。特に、アノード側に照射されなければならないダイオードを製造するのに適している。」
　
ｄ　「【００１４】
【発明の実施の形態】図面をとおして同じ参照番号は同じ部分、或いは対応部分を示している。図２(ａ)及び図２(ｂ)は、本発明による方法を用いた
半導体ダイオード
図２(ａ)は
半導体基板１
２つの面１３と１４の間に
軽くドープされたｎ
-
領域１０、重くドープされたｐ領域１１、及び重くドープされたｎ
+
領域１２が配列されている
このｎ
-
領域１０は、ｐ領域を囲んでおり、従って基板１のアノード側の面１３まで延びているけれども、ｐ領域とｎ
+
領域の間にある
これらの領域は、ここでは詳細に説明しないが、既知のドーピング法を用いて得られる。
【００１５】ドープされた領域に小区分されたこの半導体基板１は、第１の方法のステップでｐ領域側、即ちアノード側の基板１上に作用する
粒子のビームＰに曝される
【００１６】プロトン或いは他の活発な重い粒子を用いることができるけれども、これに対しては
ヘリウム原子核を用いる
全体のアノード側の面１３はできる限り一様に照射される
連続的に、且つ基板１のアノード側の面１３に少なくともほぼ平行に延びる欠陥領域５が半導体基板１に形成される
ダイオードの性質及び意図した目的次第で
欠陥領域は、アノード側の面１３に近いが、しかしｎ
-
領域１０に専らあるように欠陥領域を位置する
他の場合
ｐ領域１１を通して広がる
　
（イ）引用発明
　以上、図２及び図３を参酌してまとめると、引用例１には以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。
　
「半導体基板１のアノード側の面１３とカソード側の面１４の間に、軽くドープされたｎ-領域１０と、重くドープされたｐ領域１１、及び重くドープされたｎ+領域１２とが配列され、
　このｎ-領域１０は、ｐ領域１１を囲んでおり、従って基板１のアノード側の面１３まで延びているけれども、ｐ領域１１とｎ+領域１２の間にあり、
　全体のアノード側の面１３へのヘリウム原子核のビームＰの照射により、連続的に、且つ基板１のアノード側の面１３に少なくともほぼ平行に延びる欠陥領域５が半導体基板１に形成されており、
　欠陥領域５は、アノード側の面１３に近いが、しかしｎ-領域１０に専らあるように位置するか、又はｐ領域１１を通して広がり、
　キャリアの寿命を調節するための欠陥領域５である半導体ダイオード。」
　
（ウ）引用例２：特開平６−３１４８０１号公報
　原査定の拒絶の理由で引用された、本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である特開平６−３１４８０１号公報（以下「引用例２」という。）には、「半導体装置およびその製造方法」（発明の名称）に関して、図１〜３２とともに以下の事項が記載されている。
　
ａ　「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＰＮ接合を有する半導体装置に関するもので、特に高速スイッチングダイオードなどにおける逆回復電荷の低減に関連した改良に関する。」
　
ｂ　「【０００２】
【従来の技術】図３１は、ＰＮ接合を有する従来の高速スイッチングダイオード１００の断面構造を示す図である。また、図３２は、このダイオード１００の縦断面方向の不純物濃度分布の概略を示す図であり、縦断面方向の深さＸと不純物濃度ρとの関係を片対数スケールで表現している。
【０００３】このダイオード１００においては、低不純物濃度のＮ- 半導体基板１の下主面上に高不純物濃度のＮ+ 拡散層３が形成されている。また、Ｎ- 半導体基板１の上主面上に不純物の表面濃度ρs が１×１０17ｃｍ-3を超え、かつ、厚みＤ0 が２０μｍ以上であるＰ拡散層２が形成されている。
【０００４】そして、Ｐ拡散層２の表面に金属電極４が、Ｎ+ 拡散層３の表面に金属電極５が、それぞれオーミック接触し設けられている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、このようなダイオード１００を用いたスイッチング動作における逆回復電荷を小さくするためには、順方向動作時にＰ型半導体層２およびＮ型半導体層１，３にそれぞれ蓄積された少数キャリアの数が小さいことが要求される。この要求に対して、
従来、ダイオード１００では金、白金等の金属をライフタイムキラーとして拡散させていたが、このような方法では逆回復電荷の減少に伴う順方向電圧の上昇が著しく大きくなる欠点があった
【０００６】また、逆回復時に発生するサージ電圧を抑制するためには、逆回復電流をソフトリカバリー波形にすることが必要であるが、逆回復電流をソフトリカバリー波形にするためには、逆回復時に空乏層が到達するＮ- 半導体基板１とＮ+ 拡散層３との境界面近傍領域における少数キャリア（ホール）の数が多いことが必要である。これは前記境界面近傍領域の不純物濃度を低く抑えればよい。
【０００７】一方、逆回復電荷を小さくするためには、前記境界面近傍領域における少数キャリア（ホール）の数は少ないほどよく、これは前記境界面近傍領域の不純物濃度を高くすることによって実現できる。
【０００８】したがって、逆回復電荷を小さくするという要求とソフトリカバリー波形を得るという要求とは相反する要求である。このため、これらをダイオード１００の用途に応じてバランスさせ、Ｎ- 半導体基板１とＮ+ 拡散層３との境界面近傍領域を最適な不純物濃度分布の構造にしなければならない。
【０００９】しかしながら、従来はＮ+ 拡散層３を拡散によって形成していたので、前記境界面近傍領域の不純物濃度分布の形状を自由にコントロールできないという欠点があった。
【００１０】この発明は従来技術における上記の問題点の克服を意図しており、
順方向動作時にＰ型及びＮ型の半導体層にそれぞれ注入される少数キャリアの不必要な蓄積を抑制して、順方向電圧の上昇を低く抑えるとともに、逆回復電荷が小さな半導体装置を提供することを第１の目的とする
　
ｃ　「【００５３】＜第２の実施例＞　図５はこの発明の第２の実施例であるダイオード２０の断面構造を示す図である。また、図６は、ダイオード２０の縦断面方向の不純物濃度分布の概略を示す図である。
【００５４】このダイオード２０と図１のダイオード１０との相違点は、Ｎ- 半導体基板１１とＰ拡散層１２との境界面すなわち
ＰＮ接合面Ｊの付近の領域に陽子線等の荷電粒子線が照射されることによって、ライフタイムキラーとしての格子欠陥が局所的に形成されている
【００５５】このため、Ｐ拡散層１２は
格子欠陥を有する領域１２ｂ
格子欠陥を有する領域１１ｂ
【００５６】残余の構成は第１の実施例であるダイオード１０と同様であり、Ｐ拡散層１２の厚さＤ1 やその表面不純物濃度ρ0 についてもダイオード１０と同じ基準に従って選択されている。
【００５７】ダイオード１０と同様の理由によって、このダイオード２０においても逆回復電荷および順方向電圧の減少、それにソフトリカバリー化の達成がなされる。
【００５８】さらに、Ｐ拡散層１２の格子欠陥形成領域１２ｂは、順方向動作におけるＮ- 半導体基板１１からＰ拡散層１２への少数キャリア（電子）の注入量を低下させ、Ｎ- 半導体基板１１の格子欠陥形成領域１１ｂは、順方向動作におけるＰ拡散層１２からＮ- 半導体基板１１への少数キャリア（ホール）の注入量を低下させる作用がある。このため、
逆回復電荷の低減効果はダイオード１０よりもさらに向上する
　
ｄ　「【００８９】＜第２の実施例＞図５のダイオード２０の製造プロセスの前半は、上記ダイオード１０の製造プロセスのうち図１５および図１６の工程と同様である。
【００９０】次に、図１７に矢印Ａ3 で示すように、Ｐ拡散層１２の上主面側からこのＰ拡散層１２を介して陽子線等の荷電粒子線が照射され、Ｎ- 半導体基板１１とＰ拡散層１２との境界面すなわち
ＰＮ接合面Ｊの付近にライフタイムキラーとしての格子欠陥が局所的に形成される
【００９１】これによって、Ｐ拡散層１２は
格子欠陥を有する領域１２ｂ
格子欠陥を有する領域１１ｂ
　
（エ）引用例３：特開平４−３１４３６７号公報
　原査定の拒絶の理由で引用された、本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である特開平４−３１４３６７号公報（以下「引用例３」という。）には、「プレーナダイオードおよびその製造方法」（発明の名称）に関して、図１〜５とともに以下の事項が記載されている。
　
ａ　「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、低不純物濃度層をはさんで互いに異なる導電型の高不純物濃度層が存在するＰＩＮ構造を有するプレーナダイオードおよびその製造方法に関する。」
　
ｂ　「【０００８】
【実施例】図１は本発明の一実施例の
プレーナ型高耐圧ダイオード
従来例のプレーナダイオードと同様、ｎ
- 
層１
深さ20〜25μｍのｐ
+ 
領域３
　
ウ　対比
　本件補正後の請求項１に係る発明（以下「補正発明」という。）と引用発明とを対比する。
（ア）引用発明の「ｎ-領域１０」は補正発明の「第１導電型半導体層」に相当する。
　引用例１の上記「イ（ア）引用例１」の摘記事項「ｄ」の段落【００１４】には、「これらの領域は、ここでは詳細に説明しないが、既知のドーピング法を用いて得られる。」と記載されているから、技術常識及び引用例２、３の記載を勘案すると、引用発明の「ｐ領域１１」は補正発明の「『第２導電型半導体領域よりなる』『拡散領域』」に相当するとともに、引用発明では、「ｎ-領域１０は、ｐ領域１１を囲んでおり、従って基板１のアノード側の面１３まで延びている」から、引用例１の図２も勘案すると、補正発明と引用発明とは、「前記第１導電型半導体層の表面層に選択的に設けられた第２導電型半導体領域よりなる拡散領域」を備える点で一致する。
　
（イ）引用発明の「欠陥領域５」は、「『ヘリウム原子核のビームＰの照射により』『形成されており』」、「キャリアの寿命を調節するための欠陥領域５」であるから、技術常識も勘案すると、引用発明の「欠陥領域５」は、補正発明の「ライフタイムキラーを含むことによって、他の領域よりもキャリアのライフタイムが短い低ライフタイム領域」に相当することは明らかである。
　したがって、補正発明と引用発明とは、「Ｈｅイオンの照射により形成されたライフタイムキラーを含むことによって、他の領域よりもキャリアのライフタイムが短い低ライフタイム領域」を備える点で一致する。
　
（ウ）引用発明の「半導体ダイオード」と補正発明の「コンバータダイオード」とは、「ダイオード」である点で一致する。
　
（エ）以上をまとめると、補正発明と引用発明の一致点及び相違点は次のとおりである。
＜一致点＞ 
「第１導電型半導体層と、
　前記第１導電型半導体層の表面層に選択的に設けられた第２導電型半導体領域よりなる拡散領域と、
　Ｈｅイオンの照射により形成されたライフタイムキラーを含むことによって、他の領域よりもキャリアのライフタイムが短い低ライフタイム領域と、
　を備えるダイオード。」
　
＜相違点１＞
　補正発明の「拡散領域」は、「１２．６μｍ以上２２μｍ以下の深さ」のものであるのに対し、引用発明においては、「拡散領域（ｐ領域１１）」の深さについて特定されていない点。
　
＜相違点２＞
　補正発明の「低ライフタイム領域」は、「『前記第１導電型半導体層および前記拡散領域の全体にわたって、前記拡散領域と前記第１導電型半導体層との接合界面であるＰＮ接合面の最も深い位置よりも浅い位置から該ＰＮ接合面の最も深い位置よりも深い位置まで』『形成された』」ものであるのに対し、引用発明の「低ライフタイム領域（欠陥領域５）」は、「『全体のアノード側の面１３への』『ビームＰの照射により、連続的に、且つ基板１のアノード側の面１３に少なくともほぼ平行に延び』、『アノード側の面１３に近いが、しかしｎ-領域１０に専らあるように位置するか、又はｐ領域１１を通して広が』」るものの、引用発明は、「低ライフタイム領域（欠陥領域５）」について、補正発明の上に述べた構成を備えることが特定されていない点。
　
＜相違点３＞
  補正発明は、「Ｈｅイオンのピーク位置が前記拡散領域の深さの８０％以上１２０％以下の範囲である」のに対し、引用発明は、「全体のアノード側の面１３へのヘリウム原子核のビームＰの照射により、連続的に、且つ基板１のアノード側の面１３に少なくともほぼ平行に延びる欠陥領域５が半導体基板１に形成されており、　欠陥領域５は、アノード側の面１３に近いが、しかしｎ-領域１０に専らあるように位置するか、又はｐ領域１１を通して広が」るものの、「ヘリウム原子核のビームＰの照射」のピーク位置は不明であり、引用発明は補正発明の上に述べた構成を備えることが特定されていない点。
　
＜相違点４」
　補正発明は、「『ｄｉ／ｄｔ耐量が４０００Ａ／μ秒以上である』『コンバータダイオード』」であるのに対し、引用発明においては、逆回復電流の減衰率に対する耐量（ｄｉ／ｄｔ耐量）について特定されておらず、さらに、半導体ダイオードについて、コンバータダイオードであるとは特定されていない点。
　
エ　判断
（ア）相違点１について
ａ　ダイオードのアノードとなる「拡散領域」の深さをどの程度の数値範囲とするかは、所望とする順方向特性と逆回復特性などに応じて当業者が適宜選択し得る設計的事項であるところ、一般に、ダイオードのアノードとなる「拡散領域」の深さを「１２．６μｍ以上２２μｍ以下」程度の範囲の値とすることも、例えば、引用文献３には、深さ20〜25μｍのｐ+ 領域３を備えたプレーナ型高耐圧ダイオードが記載されており、以下の周知例１には、拡散深さ４μｍの第一ｐ+ アノード領域４と拡散深さ８μmの第二ｐアノード領域５とが選択的に重複して形成されている高速ダイオードが記載されているように、当業者において周知である。
　
（ａ）周知例１：特開平１０−２００１３２号公報
・「【０００２】
【従来の技術】図３は従来の高速ダイオードの断面図である。低抵抗のｎ+ サブストレート１上に高抵抗のｎエピタキシャル層２を成長したエピタキシャルウェハを用い、そのｎエピタキシャル層２の表面層にｐ型不純物を拡散したｐ+ アノード領域３が形成されている。６は酸化膜、７はアノード電極、８はカソード電極である。
【０００３】従来、低ノイズ型の高速ダイオードとしては、逆回復時間を長くしたソフトリカバリー型の高速ダイオードが多く用いられた。そのようなソフトリカバリー型の高速ダイオードでは、ライフタイムキラーを導入するとともにｐ+ アノード領域３とｎ+ サブストレート１との間の低濃度領域（以下ｉ層９と記す）を必要以上に厚くしてキャリアの再結合を促している。例えば、この高速ダイオードでは、耐圧上、ｉ層９の厚さは１７μｍ以上であればよいが実際の素子では、４０μｍとしている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、
ｉ層９を厚くしているため、この高速ダイオードでは順方向電圧（Ｖ
F 
）が大きく
・「【００１２】
【発明の実施の形態】以下、図３と同じ部分に同じ符号を付した図を参照しながら本発明の実施例について説明する。
［実施例１］図１は、本発明第一の実施例の
高速ダイオード
【００１３】図において、高濃度の砒素を含むｎ+ サブストレート１上に高抵抗のｎエピタキシャル層２を成長したエピタキシャルウェハを用いている。ｎ+ サブストレート１の比抵抗は０．００３Ωｃｍ、厚さ２７０μｍ、ｎエピタキシャル層２の比抵抗は５Ωｃｍ、厚さ３０μｍである。そのｎエピタキシャル層２の表面層に、ほう素イオンの注入およびその後の拡散により、
第一ｐ
+ 
アノード領域４と第二ｐアノード領域５とが選択的に重複して形成
第一ｐ
+ 
アノード領域４
拡散深さは４μｍ
第二ｐアノード領域５
拡散深さは８μｍ
【００１４】図１のような接合構造を形成後、ライフタイムキラーの導入のため金の拡散をおこなった。更に、アルミニウム合金の蒸着およびフォトリソグラフィにより、アノード電極７、チタン／ニッケル／金の蒸着によりカソード電極８を形成した。この高速ダイオードにおいて、逆回復特性を測定したところ、図３に示した従来の高速ダイオードに比べ、逆回復電流が１／２、逆回復時間（ｔrr）は、２／３になった。これは、第二ｐアノード領域５の不純物濃度が低いため順バイアス状態で第二ｐアノード領域５からｉ層９に注入される正孔が少なく、ｉ層９に蓄積される少数キャリアも、少なくなるためである。そのため順バイアス状態から逆バイアス状態に切り換えた場合の過渡現象である逆電流が小さく、逆回復時間が短くなって、高周波動作が可能となる。またこの場合、
ｉ層の厚さを必要以上に厚くする必要がなく、順電圧も小さく
　
ｂ　したがって、引用発明において、「拡散領域（ｐ領域１１）」の深さを、「１２．６μｍ以上２２μｍ以下」とすること自体に格別の困難性はないことは明らかである。
　
ｃ　次に、本願発明における、「拡散領域」の深さの下限値「１２．６μｍ」及び上限値「２２μｍ」について検討する。
　
　本願の明細書の【発明の詳細な説明】の欄及び【図面の簡単な説明】には、「拡散領域」の深さの数値範囲に関し、以下のように記載されている。
　
・「【００３１】…。本発明にかかる半導体装置の製造方法によれば、チップの全面にわたって、
１２．６μｍ以上の深さのＰＮ接合面
雷サージに耐え得る程度に十分に高いｄｉ／ｄｔ耐量と、低い順電圧ＶＦを有する半導体装置を容易に作製
・「【００３７】ここで、ｐ+拡散領域２３の深さ、すなわちｎ-半導体層２２とｐ+拡散領域２３とからなるＰＮ接合面３１の最も深い位置ｄ１は、ｐ+拡散領域２３の表面から
１２．６μｍ以上２２μｍ以下の範囲
１４μｍ以上２０μｍであるが、±１０％の結晶公差を見込む
・「【００４５】図４は、ｄｉ／ｄｔ耐量とＰＮ接合深さ（前記ｄ１）、すなわちｐ+拡散領域２３の深さとの関係を示す特性図である。図４に示すように、ＰＮ接合深さを１４μｍ以上にすることによって、低ライフタイム領域３２が半導体結晶の内部に形成されるので、４０００Ａ／μ秒以上の高いｄｉ／ｄｔ耐量が得られることがわかる。なお、図４において、白抜きの丸印で示すプロットは、ＰＮ接合深さが８μｍである従来のＰＩＮダイオードのものである。」
・「【００４７】以上説明したように、実施の形態によれば、低ライフタイム領域３２が、チップの全面にわたって、
１４〜２０μｍ（設計値）の深さ
従って、順電圧ＶＦを大幅に増大させなくても、雷サージ等に対して十分に高いｄｉ／ｄｔ耐量を有する
・「【図４】実施の形態にかかるＰＩＮダイオードのｄｉ／ｄｔ耐量とＰＮ接合深さとの関係を示す特性図である。」
　
ｄ　ところで、一般に、ｄｉ／ｄｔ耐量は、アノードとなる拡散領域の不純物濃度及び逆回復時におけるＰＮ接合近傍のライフタイム（すなわちライフタイムキラーの導入量など）、並びにアノードとなる拡散領域とＩ層との接合面積、すなわちＰＮ接合の面積及びＰＮ接合端部の曲率などに依存することは、例えば、以下の周知例２〜５に記載されているように技術常識である。
　さらに、順電圧ＶＦは、アノードとなる拡散領域の不純物濃度及び厚さ、ダイオードのＩ層の厚さや不純物濃度（比抵抗）、並びにライフタイムキラーの導入量などに依存することも、上記の周知例１及び以下の周知例２、６、７に記載されているように技術常識である。
　
（ａ）周知例２：特開平１１−４６００３号公報
・「【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明はプレーナ型ダイオードなどの半導体装置に関する。」
・「【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ダイオードの逆回復特性は、主に半導体内部に蓄積されるキャリア（正孔と電子のこと）、特にｎ- 層内に蓄積される正孔の挙動に影響される。そのため電子線や重金属（金、白金など）といったライフタイムキラーを導入し、蓄積されるキャリア、特にｎ- 層内の正孔のライフタイムを短くし、その消滅速度を速くする制御が行われる。
【０００６】またアノードｐ+ 層の不純物濃度を変化させることにより、より逆回復特性に対して大きな効果を得ることができる。従来の高耐圧電力用素子に用いられてきたアノードｐ層濃度の高いダイオード素子は、スイッチング素子は、スイッチング動作が遅い場合には問題ないものの、高速スイッチングの際には、逆回復損失、耐量の面で十分満足できるものではない。アノードｐ+ 層濃度を低く抑えることにより、逆回復特性を改善し、ソフトリカバリーで破壊耐量の高い素子を得ることができる。
【０００７】しかし、ダイオードを装置に適用した場合、
異常時において定格電流の数十倍といった大電流が素子に流れる場合が発生
このような場合においても素子破壊を引き起こさないことが望まれており、通常、サージ電流耐量と呼ばれ、ダイオードの重要な評価ポイントの一つ
アノードｐ
+ 
層の不純物濃度
順電圧降下
【０００８】逆回復特性（耐量）で良好な特性を得て、且つサージ電流に対しても十分な耐量を確保できるアノードｐ+ 層の不純物濃度の検討が必要になる。この発明の目的は、前記の課題を解決して、良好な逆回復特性と高サージ電流耐量を持つ半導体装置を提供することにある。」
　
（ｂ）周知例３：特開平１０−３２６９００号公報
・「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電力用整流素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】電力用半導体素子は、インバータを始め様々な用途に利用されており、現在でも、より高耐圧かつ大容量の用途に適用範囲を拡大しつつある。近年、絶縁ゲートバイポーラトランジスタなど、高耐圧、大容量、かつ高周波で動作可能なスイッチング素子が開発されており、それに伴い、電力用ダイオードにおいても高周波数動作が可能な高速リカバリー特性が要求されている。
【０００３】このような背景において、　特に高速逆回復特性を目指して、ＭＰＳ（Merged P-I-N Schottky ）ダイオードやＳＦＤ（Soft and Fast recovery Diode）といった新しい構造のダイオードも各種報告されており、電力用ダイオードの特性改善が進められている。最も広く用いられている電力用ダイオードの代表例の一つとしてｐｉｎダイオードがある。図４にｐｉｎダイオードの部分断面図を示す。
【０００４】…
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来、インバータなどの実機にフリーホイールダイオード（ＦＷＤ）としてｐｉｎダイオードが使用されているが、負荷短絡など発生した際に、そのＦＷＤに例えば１０００Ａ／ｃｍ2 以上といった
非常に大きな電流が流れることがある
そのような場合におけるダイオードのサージ電流耐量を向上させるには、ｐアノード層４の不純物濃度を増大させ
　
（ｃ）周知例４：特開２００１−２１０６５１号公報
・「【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、高耐圧かつ速やかな逆回復特性が要求されるＰＮ接合部を有するダイオード等の半導体装置に関する。」
・「【０００８】
【発明が解決しようとする課題】図１３で示したような構造の従来のダイオードは、
ＰＮ接合近傍のライフタイムを局部的に短く制御することにより、順電圧が低く
ｄｉ／ｄｔ耐量
の高い特性を実現
　
（ｄ）周知例５：特開平６−７７２３７号公報
・「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、プレーナ型ダイオードの製造方法に関する。」
・「【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来のプレーナ型ダイオードの製造方法は、図４（ａ），（ｂ）に示すように、Ｐ型不純物拡散層の直線部内側１１のｘ1 方向のアクセプター不純物濃度の関数をｆ（ｘ1 ）とすると、Ｐ型不純物拡散層のコーナー部内側１２のｘ2 方向のアクセプター不純物濃度は、ｆ（ｘ2 ）÷（１−ｘ2 ／ｒ）で表わせる。Ｐ型不純物拡散層の直線部内側１１と比べて、Ｐ型不純物拡散層のコーナー部内側１２のアクセプター濃度が高いため、Ｐ型不純物拡散層のコーナー部内側１２の電気抵抗が低くなる。短パルスのサージが入った時、コーナー部に電流が集中し、破壊しやすい。コーナー部の半径ｒが小さいほど、コーナー部内側の電気抵抗が低く、電気抵抗の低い部分の面積が小さくなり、より電流が集中しやすくなる。
【０００５】熱抵抗が小さく、
サージ耐量の高いペレットを作る場合、主接合面積（Ｐ
+
 ・Ｎ接合部の面積）が大きく、Ｐ型不純物拡散層のコーナー部のｒを大きくする必要
　
（ｅ）周知例６：特開平１０−９３１１４号公報
・「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は高耐圧・低損失で逆回復電流の小さな高速ダイオードおよびその応用装置に係わる。」
・「【０００３】図６に示すように逆回復電流のピーク値近傍では電圧はほとんど加わっていない。従って
ｐ
+ 
ｎ
- 
ｎ
+ 
接合を有するダイオード
Ｐ層濃度を低減することで順方向電圧降下（Ｖ
F 
）が大きくなるため、ｐ
+ 
層の厚みを３μｍ以下と浅くすることでＶ
F 
の上昇を抑えている
　
（ｆ）周知例７：特開平５−９０９２７号公報
・「【０００４】上述のスイッチング周波数, すなわち二次コイル32の電圧の周波数は数百ｋHzなので、整流用ダイオード34にはふつう図６に示す 
pin構造の高速ダイオード
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述のように、従来から整流ダイオードとしてライフタイムキラーを導入した高速ダイオードを利用することによってスイッチング電源等の動作の高周波化を進めて来たが、動作周波数を数ＭHzないしそれ以上の高周波領域にまで高めると高速ダイオードでも逆回復特性が充分でなくなり、ダイオードのオンオフ動作に伴うスイッチング損失が著しく増加する問題がある。
【０００６】ダイオードの動作の高速化には、よく知られているようにそれがオン状態から完全なオフ状態になるまでの逆回復時間, 図６でいえばオン時に流れていた電流の正負のキャリアがｉ形層34ｂ内からｐ形層34ａやｎ形層34ｃに移動して完全に消失するまでの時間を短縮する必要があり、
上述のライフタイムキラーは
その導入量を増やすとダイオードのオン時の順方向電圧が増加
　
ｅ　したがって、補正発明において、ＰＮ接合面積や、ライフタイムキラーの導入量について限定していない以上、補正発明において、「拡散領域」を「１２．６μｍ以上２２μｍ以下の深さ」のものとすることにより、「雷サージに耐え得る程度に十分に高いｄｉ／ｄｔ耐量と、低い順電圧ＶＦを有する」との格別の効果が生じているものとは認められず、そのような数値限定に臨界的意義は存在しない。
　
ｆ　以上のとおりであるから、引用発明において、ｐ領域１１を、補正発明のように「１２．６μｍ以上２２μｍ以下の深さ」のものとすることは当業者であれば適宜なし得たことである。
　よって、相違点１は、当業者が容易になし得た範囲に含まれる程度のものである。
　
（イ）相違点２及び相違点３について
ａ　相違点２及び相違点３は、関連するものであるからまとめて検討する。
　先ず、「低ライフタイム領域」の形成位置について検討する。
　
　ライフタイムキラーを含むことによって、他の領域よりもキャリアのライフタイムが短い低ライフタイム領域を備えるダイオードにおいて、低ライフタイム領域を設ける位置は、ダイオードの用途や所望とする特性に応じて、順方向特性と逆回復特性とのトレードオフなどを考慮して、当業者が適宜決定すべき設計的事項であり、上記「イ（ア）引用例１」の摘記事項「ｂ」にも「【０００２】【従来の技術】
半導体素子の動作モードに対する一つの重要なパラメータは、その軸のキャリヤの寿命である
オン状態の損失を小さく保つためにはできる限り長くする必要があるが、急速なブロッキング能力を得るためにはできる限り短い必要がある
それぞれの半導体素子に対して、そのキャリヤの寿命に基づいて最適な妥協点を見つける必要がある
欠陥領域
が与えられ、それによってキャリヤの寿命を制御された方法で調節
全体のアノード側の面１３はできる限り一様に照射される
連続的に、且つ基板１のアノード側の面１３に少なくともほぼ平行に延びる欠陥領域５が半導体基板１に形成される
ダイオードの性質及び意図した目的次第で
欠陥領域は、アノード側の面１３に近いが、しかしｎ
-
領域１０に専らあるように欠陥領域を位置する
他の場合
ｐ領域１１を通して広がる
　
　したがって、引用例１において、「欠陥領域５」の位置を、オン状態の損失と急速なブロッキング能力とのトレードオフを勘案しつつ適当な位置とすることは、当業者が当然になし得たことである。
　
ｂ　他方、上記「イ（ウ）引用例２」の摘記事項「ｃ」には、第２の実施例のダイオード２０は、「ＰＮ接合面Ｊの付近の領域」に陽子線等の荷電粒子線が照射されることによって、ライフタイムキラーとしての格子欠陥を局所的に形成させることにより、格子欠陥を有する領域１１ｂと１２ｂを形成し、逆回復電荷の低減効果を第１の実施例１のダイオード１０よりもさらに向上させたものである旨が開示されている。さらに、上記「イ（ウ）引用例２」の摘記事項「ｄ」の段落【００９０】には、第２の実施例のダイオード２０は、陽子線等の荷電粒子線が照射され、「ＰＮ接合面Ｊの付近にライフタイムキラーとしての格子欠陥が局所的に形成される」ことが記載されている。
　そして、引用例２に記載された技術は、段落【００１０】に記載されているように、「順方向電圧の上昇を低く抑えるとともに、逆回復電荷が小さな半導体装置を提供すること」を技術課題とするものであるところ、当該技術課題は、オン状態の損失と急速なブロッキング能力との高レベルの両立を実現するということにほかならない。
　
ｃ　したがって、引用発明において、オン状態の損失と急速なブロッキング能力との高レベルの両立を目指して、引用例２に記載された技術を適用し、「欠陥領域５」を、引用例１の図２(ａ)に示される位置と図３に示される位置の中間の位置とすること、すなわち「欠陥領域５」の形成位置を「ＰＮ接合面Ｊの付近」とすることは、当業者が容易に想到し得たことである。
　そして、このようにした場合においては、「欠陥領域５」が、「ｎ-領域１０およびｐ領域１１の全体にわたって、ｐ領域１１とｎ-領域１０の接合界面であるＰＮ接合の最も深い面よりも浅い位置から該ＰＮ接合界面の最も深い位置よりも深い位置まで形成された」ものとなること、すなわち補正発明のように、「『前記第１導電型半導体層および前記拡散領域の全体にわたって、前記拡散領域と前記第１導電型半導体層との接合界面であるＰＮ接合面の最も深い位置よりも浅い位置から該ＰＮ接合面の最も深い位置よりも深い位置まで』『形成された』」ものとなることは明らかである。
　よって、相違点２に係る補正発明の構成を採用することは、当業者であれば適宜なし得たことである。
　
ｄ　次に、「Ｈｅイオンのピーク位置」の数値範囲について検討する。
　
　本願の明細書には、「Ｈｅイオンのピーク位置」に関し、以下のように記載されている。
　
・「【００４０】上記プロセスにおいてＨｅイオン等を照射する際には、ｐ+拡散領域２３の深さ、すなわち前記ｄ１の深さがＨｅイオン等の照射半値幅以上になるようにする。また、Ｈｅイオン等のピーク位置がＨｅイオン等の照射半値幅よりも深くなるようにする。さらに、Ｈｅイオン等のピーク位置が前記ｄ１の深さの８０％以上１２０％以下の範囲になるようにする。
【００４１】照射する軽イオンとしては、Ｈｅイオンが効果的である。具体的にＨｅイオンの照射条件の一例を挙げれば、例えば、２３ＭｅＶの加速電圧で３Ｈｅ2+を照射する。この場合には、前記ｄ１の位置を挟んで上下にそれぞれ５μｍ程度の幅を有する低ライフタイム領域３２が形成される。このようにすることによって、効果的に逆回復時のキャリアを消滅させることができる。」
・「【００４６】図５は、ＰＮ接合深さ（前記ｄ１）を１６μｍまたは２０μｍとしたときのｄｉ／ｄｔ耐量とＨｅイオンのピーク位置、すなわち低ライフタイム領域３２の深さとの関係を示す特性図である。図５に示すように、低ライフタイム領域３２がＰＮ接合面３１を含み、かつＨｅイオンのピーク位置がＰＮ接合深さの±２０％以内であれば、その実力値が同等であることがわかる。また、このときに、順電圧ＶＦを最小限に抑えることができる。」
　
ｅ　そして、上記「（ア）相違点１について」の「ｄ」において検討したとおり、一般に、ｄｉ／ｄｔ耐量は、アノードとなる拡散領域の不純物濃度及び逆回復時におけるＰＮ接合近傍のライフタイム（すなわちライフタイムキラーの導入量など）、並びにアノードとなる拡散領域とＩ層との接合面積、すなわちＰＮ接合の面積及びＰＮ接合端部の曲率などに依存することは、技術常識であることを勘案すると、本願明細書の上記段落を含め、明細書、特許請求の範囲及び図面全般を精査しても、上記「（ア）相違点１について」の「ｄ」に記載した各パラメータが何ら特定されていない補正発明において、「Ｈｅイオンのピーク位置」の数値範囲を「前記拡散領域の深さの８０％以上１２０％以下の範囲」としたことにより格別の効果が生じているとは認められないから、「前記拡散領域の深さの８０％以上１２０％以下の範囲」という数値範囲に臨界的意義は存在しない。
　
ｆ　一方、上記「イ（ア）引用例１」の摘記事項「ｄ」の段落【００１６】には、「基板１内の欠陥領域５の位置及び幅は粒子のビームのエネルギーに本質的に依存し、従って非常に正確に調整され、そして最適位置は、いろいろなファクタに依存する。」と記載されており、さらに、上記「イ（ウ）引用例２」の摘記事項「ｃ」の段落【００５４】には、「ＰＮ接合面Ｊの付近の領域に陽子線等の荷電粒子線が照射される」と記載されている。
　
ｇ　したがって、上記「ｃ」で検討したように、引用発明において、引用例２に記載された技術を適用し、相違点２に係る補正発明の構成を採用するならば、それに際し、粒子ビームのエネルギーの調整、すなわち、粒子ビームのピーク位置の調整を、補正発明のように、「Ｈｅイオンのピーク位置が前記拡散領域の深さの８０％以上１２０％以下の範囲」とすることは、当業者であれば適宜なし得たことである。
　よって、相違点３に係る補正発明の構成を採用することは、当業者であれば適宜なし得たことである。
　
ｈ　以上のとおりであるから、相違点２及び相違点３は、当業者が容易になし得た範囲に含まれる程度のものである。
　
（ウ）相違点４について
ａ　一般に、交流電源を直流電圧に変換するコンバータ部とインバータ部とを備えたインバータ装置において、コンバータ部はダイオードを用いた整流回路で構成し、コンバータ部に商用交流電源から交流電流を供給したものとすることは、当業者において常とう的に用いられている周知技術である。さらに、このようなインバータ装置のコンバータ部には、商用交流電源から雷サージなどが侵入することがあるのでその対策をする必要があることも、以下の周知例８〜１０に記載されているように技術常識である。
　
（ａ）周知例８：特開２００２−７８３５２号公報
・「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、空気調和機を含めた家電機器等の制御装置として用いるインバータ装置の保護技術に係り、特に詳しくは、
入力交流電源から侵入するコモンモードノイズ（サージを含み）
【０００２】
【従来の技術】インバータ装置は、例えば図４に示すように、入力交流電源１をダイオードブリッジ回路等のコンバータ部２で直流電圧に変換し、この直流電圧を平滑用コンデンサ３で平滑化してスイッチング部４に入力し、このスイッチング部４の複数スイッチング素子で入力直流電圧をスイッチングして例えば三相交流に変換して負荷（モータ）５に印加する。
　なお、図中、Ｚは接地に対する負荷のインピーダンスを表している。
【０００３】…
【０００４】…。このとき、入力交流電源１から侵入するコモンモードノイズに対してインバータ装置を保護するため、
入力交流電源１とコンバータ回路２との間には
避雷回路
【０００５】
上記避雷回路は、入力交流電源（商用電源）１から侵入するサージを大地に流し、そのサージを一定値以下に抑える
　
（ｂ）周知例９：特開平５−３１６７４５号公報
・「【０００２】
【従来の技術】保護回路は被保護機器回路に広く使われている。例えば図５に示すインバータ駆動の回転機器では、
単相電源２０
インバータのコンバータ部２３
サージアブソーバ２２は雷サージなどが侵入した場合にこれを緩衝し、被保護機器回路を保護する
　
（ｃ）周知例１０：特開昭６１−１８３６６号公報
・「〔発明の技術的背景とその問題点〕
　近年、インバータ装置により誘導電動機を周波数制御することによって産業機械等を可変速駆動するシステムが注目されている。斯様なインバータ装置にあっては、特に最近において回路構成の簡素化、装置の小形化と共に信頼性向上、低コスト化等を図るためにマイクロコンピュータを利用することが行なわれており、この場合にはマイクロコンピュータのプログラムに基づいた制御信号によりスイッチング素子をオンオフさせ、以て、直流出力を交流出力に変換する構成になされる。
　しかしながら、この場合に
インバータ装置に与えられる直流出力は商用交流電源の出力を整流して得る
雷サージ
に起因したノイズがインバータ装置内
に作用
　
ｂ　また、一般に、ダイオードとして、異常時において大電流が素子に流れる場合においても素子破壊を引き起こさないように、サージ電流に対して十分な耐量をもつものが要求されていることも、上記周知例２、３及び以下の周知例１１に記載されているように当業者における技術常識である。
　
（ａ）周知例１１：特開平９−２７５９２号公報
・「【００４９】図１０、図１１は本発明の第４の実施例を説明するダイオードの構造を示す断面図及び平面図である。この本発明の第４の実施例は、前述した本発明の第１の実施例を改良したものであり、ダイオード１００のキャリアの高ライフタイム領域１０４の周辺領域に複数の低ライフタイム領域１０３を配置し、サージ電流耐量を高くしたものである。
【００５０】前述で説明した本発明の第１〜第３の実施例は、ダイオード１００の通電領域を削減するものであり、この通電領域の削減により、ダイオードの発熱部分の特定、逆回復損失の低減を図ることができるという効果を有するものであるが、通電領域の面積が減少し電流密度が増加しているため、
サージ電流耐量が低下するという問題点
【００５１】…
【００５２】この本発明の第４の実施例に使用するダイオード１００は、
定格電流の数倍の電流が流れるサージ電流通電時に
サージ電流耐量を大きなものとする
【００５３】図１２、図１３は本発明の第５の実施例を説明するダイオードの構造を示す断面図及び平面図である。この本発明の第５の実施例は、前述した本発明の第１の実施例を改良したものであり、前述した本発明の第４の実施例の場合と同様に、ダイオード１００のキャリアの高ライフタイム領域１０４の周辺領域に複数の低ライフタイム領域１０３を配置し、サージ電流耐量を高くしたものである。
【００５４】この本発明の第５の実施例に使用するダイオード１００は、通常の通電時、通電に寄与する高ライフタイム領域１０４の周辺の通電に寄与しない領域１０３の中に、サージ電流耐量用の高ライフタイム領域１０４’を多数配置して構成されている。ダイオード１００をこのような構造とした場合にも、前述した本発明の第４の実施例の場合と同様に、このダイオードを使用する複合型半導体装置の
サージ電流耐量を大きなものとする
　
ｃ　したがって、引用発明において、雷サージにも耐えうるよう、ダイオードを、コンバータダイオードであって、サージ電流に対して、できるだけ大きな耐量をもつものとすべく、逆回復電流の減衰率に対する耐量（ｄｉ／ｄｔ耐量）をできるだけ大きくすることは当業者であれば適宜なし得たことであり、一例として、雷サージにも耐えうるよう「４０００Ａ／μ秒」を選択し、補正発明のように「ｄｉ／ｄｔ耐量が４０００Ａ／μ秒以上である」ダイオードとすることも適宜なし得たことである。
　したがって、相違点４は、当業者が容易になし得た範囲に含まれる程度のものである。
　
（エ）判断についてのまとめ
　以上検討したとおり、相違点１〜相違点４は、いずれも当業者が容易になし得た範囲に含まれる程度のものである。
　したがって、補正発明は、引用発明、並びに引用例２、３に記載された技術、周知技術及び技術常識に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
オ　独立特許要件についてのまとめ
　本件補正は、補正後の特許請求の範囲の請求項１に記載されている事項により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項をいう。以下同じ。）の規定に適合しない。
　
３　補正の却下の決定についてのむすび　 
　以上のとおりであるから、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないものであるから、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
１　本願発明
　本件補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜６に係る発明は、平成２３年５月９日に提出された手続補正書により補正された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜６に記載されている事項により特定されるものであり、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、その請求項１に記載されている事項により特定されるとおりのものである。
　
２　引用例の記載と引用発明
　原査定の拒絶の理由で引用された、本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である特開２０００−１０６３６８号公報（引用例１、再掲）には、「半導体素子及びその製造方法」（発明の名称）に関して、図１〜３とともに上記「第２　２（３）イ（ア）引用例１」に記載した事項が記載されており、引用例１には上記「第２　２（３）イ（イ）引用発明」に記載したとおりの引用発明が記載されており、本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である特開平６−３１４８０１号公報（引用例２、再掲）には、「半導体装置およびその製造方法」（発明の名称）に関して、図１〜３２とともに上記「第２　２（３）イ（ウ）引用例２」に記載した事項が記載されており、本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である特開平４−３１４３６７号公報（引用例３、再掲）には、「プレーナダイオードおよびその製造方法」（発明の名称）に関して、図１〜５とともに上記「第２　２（３）イ（エ）引用例３」に記載した事項が記載されている。
  
３　対比・判断
　本願発明は、上記「第２　２　本件補正についての検討」で検討した補正発明における限定事項を省いたものである。
　そうすると、上記「第２　２　本件補正についての検討」において検討したとおり、補正発明は、引用発明、並びに引用例２、３に記載された技術、周知技術及び技術常識に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、引用発明、並びに引用例２、３に記載された技術、周知技術及び技術常識に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　したがって、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
  
第４　むすび
　以上のとおりであるから、他の請求項について検討するまでもなく、本願は拒絶をすべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。