【事件の表示】
　特願２００６−　４６８０２「有機電界発光素子」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年１１月　９日出願公開、特開２００６−３１０７７８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１８年２月２３日（優先権主張平成１７年３月２８日）を出願日とする出願であって、平成２３年８月１２日付けで手続補正がなされたが、その後、平成２４年４月６日付けで拒絶査定がされた。
　本件は、これを不服として、同年７月４日に請求された拒絶査定不服審判であって、請求と同時に手続補正がなされ、その後、当審において、同年１１月１２日付けで審尋を行ったところ、平成２５年１月１５日付けで回答書が提出された。
　
第２　平成２４年７月４日付けの手続補正についての補正の却下の決定
　［補正の却下の決定の結論］
　平成２４年７月４日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
　［理由］
１　補正の内容
　本件補正は、特許請求の範囲及び明細書を補正するものであって、そのうち特許請求の範囲の請求項１の補正は、補正前（平成２３年８月１２日付けで補正、以下同様。）の
「【請求項１】
一対の電極間に少なくとも発光層と該発光層の陰極側に隣接するホールブロック層とを有する有機電界発光素子であって、該発光層が燐光発光材料とホスト材料とを含有し、かつ該ホールブロック層が燐光発光材料と電子輸送材料とを含有し、かつ該発光層と該ホールブロック層とに含有される燐光発光材料は同一であり、かつ該ホールブロック層に含有される電子輸送材料のイオン化ポテンシャルＩＰ（ＥＴ）が燐光発光材料のイオン化ポテンシャルＩＰ（ＥＭ）よりも１ｅＶ以上大きく、該ホールブロック層中の前記燐光発光材料の含有率が０．１〜３０質量％であり、前記電子輸送材料の含有量が７０〜９９．９質量％であることを特徴とする有機電界発光素子。」を
「【請求項１】
　一対の電極間に少なくとも発光層と該発光層の陰極側に隣接するホールブロック層とを有する有機電界発光素子であって、該発光層が燐光発光材料とホスト材料とを含有し、かつ該ホールブロック層が燐光発光材料と電子輸送材料とを含有し、かつ該発光層と該ホールブロック層とに含有される燐光発光材料は同一であり、かつ該ホールブロック層に含有される電子輸送材料のイオン化ポテンシャルＩＰ（ＥＴ）が燐光発光材料のイオン化ポテンシャルＩＰ（ＥＭ）よりも１．７ｅＶ以上大きく、該ホールブロック層中の前記燐光発光材料の含有率が４〜１５質量％であり、前記電子輸送材料の含有率が８５〜９６質量％であることを特徴とする有機電界発光素子。」と補正するものである。
　
２　補正の目的についての検討
　上記本件補正は、明らかに特許請求の範囲を限定して減縮するものであるから、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法（以下単に「平成１８年改正前特許法」という。）第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする補正を含むものである。
　そこで、本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本件補正発明」という。）が平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか、すなわち、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否かについて、以下検討する。
　
３　本件補正発明
　本件補正発明は、本件補正後の特許請求の範囲の請求項１に記載された上記のとおりのものである。
　
４　引用刊行物
（１）引用刊行物１
　これに対して、原査定の拒絶の理由で引用された、本願の優先日前である２００５年１月２７日に頒布された「国際公開第２００５／００９０８８号 」（以下「引用例１」という。）には、次の事項が記載されている。（下線は当審で付した。）
ａ　明細書の記載
「技術分野
　本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子、照明装置、表示装置に関し、詳しくは長寿命である有機エレクトロルミネッセンス素子、照明装置、及び表示装置に関する。」（明細書第１頁第５行〜第８行）
「しかしながら、一般的に、蛍光発光素子に比してリン光素子は寿命が短く、リン光性化合物を発光材料として用いた有機エレクトロルミネッセンス素子は連続駆動時の耐久性に乏しい。
　これは、発光材料にリン光性化合物を用いた有機ＥＬ素子の高発光輝度、高発光効率を達成するために設けられた阻止層の劣化から生じている。
　即ち、例えば、発光層からの電子や正孔を阻止層で十分にブロックすることができず若干阻止層内に電子や正孔が注入されてしまい、これにより、阻止層が劣化して素子の寿命が短くなる。また、リン光発光ドーパントは励起寿命が長いため、励起子の濃度が高くなると、生成した三重項励起子が近くの三重項励起子と衝突し、Ｔ−Ｔ消滅を起こし、発光効率低下につながる。
　本発明は係る課題に鑑みてなされたものであり、本発明の目的は、長寿命、高発光効率である有機エレクトロルミネッセンス素子、照明装置および表示装置を提供することである。」（明細書第３頁第２２行〜第４頁第１１行）
「正孔阻止層１には、発光層に含有されるリン光性化合物の含有率の１〜２０％の含有率となるようにリン光性化合物を含有させることがより好ましく、これにより、より一層長寿命である有機ＥＬ素子とすることができる。」（明細書第１０頁第１５行〜第１７行）
「また、本発明者等は、鋭意検討の結果、
陰極と陽極との間にリン光性化合物を含有する発光層を少なくとも有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、発光層と陰極との間に存在し発光層に隣接して正孔阻止層１を設け、この正孔阻止層１に、発光層のリン光発光の０．１〜５０％のリン光発光を有するようにリン光性化合物を含有させ
即ち、本発明者等らは、正孔阻止層１に、発光層のリン光発光の０．１〜５０％のリン光発光を有するようにリン光性化合物を含有させることにより、正孔阻止層１に注入されてしまった正孔を、正孔阻止層１に含有されるリン光性化合物の発光により安定化させ、正孔阻止層１の劣化を抑えて、有機ＥＬ素子を長寿命化させることができることを見出した。また、再結合領域を広げることで、三重項励起子の濃度を下げ、Ｔ−Ｔ消滅の発生を抑え、素子発光効率を向上させることができることを見出した。」（明細書第３２頁第１０行〜第２２行）
「
　
　　　　　　　　　　　　　　　　　」（第３７頁）
「《電子輸送層》
　電子輸送層とは電子を輸送する機能を有する材料からなり、広い意味で電子注入層、正孔阻止層も電子輸送層に含まれる。電子輸送層は単層または複数層設けることができる。」（明細書第５９頁第６行〜第９行）
「実施例１
　＜有機ＥＬ素子１−１〜１−１０の作製＞
　（１）有機ＥＬ素子１−１の作製
　陽極として１００ｍｍ×１００ｍｍ×１．１ｍｍのガラス基板上にＩＴＯ（インジウムチンオキシド）を１００ｎｍ製膜した基板（ＮＨテクノグラス社製ＮＡ４５）にパターニングを行った後、このＩＴＯ透明電極を設けた透明支持基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、ＵＶオゾン洗浄を５分間行った。この透明支持基板を市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、一方、モリブデン製抵抗加熱ボートにＮＰＤを２００ｍｇ入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートにＣＢＰを２００ｍｇ入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートにＩｒ−１を１００ｍｇ入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートにバソキュプロイン（ＢＣＰ）を２００ｍｇ入れ、更に別のモリブデン製抵抗加熱ボートにＡｌｑ3を２００ｍｇ入れ、真空蒸着装置に取り付けた。
　次いで、真空槽を４×１０-4Ｐａまで減圧した後、ＮＰＤの入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度０．１ｎｍ／ｓｅｃで透明支持基板に蒸着し４５ｎｍ正孔輸送層を設けた。
　更に
ＣＢＰとＩｒ−１
共蒸着して３０ｎｍの発光層を設け
　更に、
ＢＣＰとＩｒ−１
共蒸着して２０ｎｍの正孔阻止層１を設け
　更にＡｌｑ3の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度０．１ｎｍ／ｓｅｃで前記正孔阻止層１上に蒸着して膜厚３０ｎｍの電子輸送層を設けた。
なお、蒸着時の基板温度は室温であった。
　引き続き陰極バッファー層としてフッ化リチウム０．５ｎｍを蒸着し、更に、アルミニウム１１０ｎｍを蒸着して陰極を形成し、有機ＥＬ素子１−１を作製した。」（明細書第６７頁第７行〜第６８頁第１０行）
　
ｂ　引用例１記載の発明
　上記ａの明細書第３７頁に記載されたＩｒ−１は、その化学式からみてIr(ppy)3である。
　また、本件出願の明細書【表１】に記載されているように、「Ir(ppy)3」のイオン化ポテンシャルは５．４ｅＶであり、また、「ＢＣＰ」のイオン化ポテンシャルは６．７ｅＶである（特開２００４−５９４３３号公報の【００９１】参照）から、引用例１に記載された正孔阻止層１の
「ＢＣＰ」のイオン化ポテンシャルは「Ir(ppy)
3
」のイオン化ポテンシャルよりも１．３ｅＶ大きい
　これらの事項及び上記ａの記載事項によると、引用例１には、以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「陰極と陽極との間にリン光性化合物を含有する発光層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、発光層と陰極との間に存在し発光層に隣接して正孔阻止層１を設け、正孔阻止層１に、発光層のリン光発光の０．１〜５０％のリン光発光を有するようにリン光性化合物を含有させ、ＣＢＰとIr(ppy)3を共蒸着して発光層を設け、ＢＣＰとIr(ppy)3を共蒸着して正孔阻止層１を設け、ＢＣＰのイオン化ポテンシャルはIr(ppy)3のイオン化ポテンシャルよりも１．３ｅＶ大きい有機エレクトロルミネッセンス素子。」
　
（２）引用刊行物２
　また、原査定の拒絶の理由で引用された、本願の優先日前である平成１７年１月２０日に頒布された「特表２００５−５０２１６５号公報 」（以下「引用例２」という。）には、次の事項が記載されている。
ａ　発明の詳細な説明の記載
「【００４７】
いくつかの実施形態では、本発明のデバイスは少なくとも１つの阻止層を含む。阻止層（ＢＬ）は正孔、電子及び／又はエキシトンを発光デバイスの特定の領域に閉じ込めるように機能する。例えば、エキシトンがＥＬに閉じ込められた場合、及び／又は正孔と電子がＥＬから移動するのを妨げられた場合、デバイス効率の増大が可能である。阻止層は１つ又は複数の阻止機能の働きをすることができる。例えば、正孔阻止層はエキシトン阻止層としての働きもすることができる。いくつかの実施形態では、本発明のデバイスで、正孔阻止層は同時に発光層として働くことはない。阻止層は放出が可能である化合物を含むことができるが、放出は別の発光層で発生することができる。したがって、好ましい実施形態では阻止層はルミネセンスを示さない。阻止層はキャリア層より薄くすることができる。典型的な阻止層は、約５０〜約１０００Å又は約５０〜約７５０Å、又は約５０〜約５００Åの範囲の厚さを有する。さらに、阻止層はＢＡｌｑ以外の化合物を含むことが好ましい。
【００４８】
正孔阻止層（ＨＢＬ）は一般に正孔を獲得しにくい材料を含む。例えば、正孔阻止材料は比較的酸化されにくい。ほとんどの場合、正孔阻止材料は、輸送正孔からの酸化を隣接する層より受けにくい。酸化するのが他の材料より困難な材料は一般により低いＨＯＭＯエネルギーレベルを有する。例えば、ＥＬに隣接した材料の阻止層をデバイスの陰極側に配置することによって、陽極から発生してＥＬに移動する正孔が、ＥＬ（陰極側で）を励起することを効果的に阻止することができる。阻止層はＥＬのＨＯＭＯエネルギーレベルより低いＨＯＭＯエネルギーレベルを有することが好ましい。ＨＯＭＯエネルギーレベルの差が大きいことが、より良好な正孔阻止能力に対応する。阻止層の材料のＨＯＭＯは、少なくとも約５０、１００、２００、３００、４００、５００ｍｅＶ（ミリ電子ボルト）、あるいは正孔が閉じ込められる隣接した層のＨＯＭＯレベルより深いことが好ましい。いくつかの実施形態では、阻止層の材料のＨＯＭＯは正孔が閉じ込められる隣接した層のＨＯＭＯレベルより少なくとも約２００ｍｅＶ深い。
【００４９】
本発明のいくつかのデバイスでは、正孔が閉じ込められる層は、ホスト材料（マトリックス）及びドーパントなどの２つ以上の材料を含むことができる。この場合、ＨＢＬは、正電荷の大部分を運ぶ隣接した層の材料（すなわち最も高い（最も浅い）ＨＯＭＯエネルギーレベルを有する材料）より低い（より深い）ＨＯＭＯエネルギーレベルを有することが好ましい。例えば、発光層は、ドーパントより深いＨＯＭＯエネルギーレベルを有するホスト材料を含むことができる。この場合、ドーパントは正孔のための捕捉体として作用し、発光層の主要な正孔輸送体であることができる。したがって、そうした実施形態では、正孔阻止層を選択する際、ドーパントのＨＯＭＯエネルギーを考慮する。したがって、いくつかの実施形態では、ＨＢＬのＨＯＭＯエネルギーレベルは、ホスト材料より高くかつドーパントのレベルより低くてよい。
【００５０】
正孔阻止層は好ましくは良好な電子注入体でもある。したがって、ＨＢＬのＬＵＭＯエネルギーレベルは、正孔が閉じ込められる層のＬＵＭＯエネルギーレベルに近似していることが好ましい。いくつかの実施形態では、２つの層間のＬＵＭＯエネルギーレベルの差は約５００ｍｅＶ、２００ｍｅＶ、１００ｍｅＶ、５０ｍｅＶ未満、あるいはそれ以下でもよい。良好な電子注入体でもある正孔阻止層は一般に、正孔の漏出に対するより電子注入に対してより小さいエネルギーバリアを有している。したがって、ＨＢＬと、正孔が閉じ込められる（電子注入エネルギーバリアに相当する）層のＬＵＭＯエネルギーの差は、それらのＨＯＭＯエネルギーの差（すなわち正孔阻止エネルギーバリア）より小さい。」
「【００５５】
本発明のいくつかの実施形態によれば、阻止層はドーパントも含むことができる。例として、阻止層は、より少ないバンド・ギャップドーパントでドープされた広幅バンド・ギャップマトリックス（ホスト）材料から構成されることができる。マトリックスとドーパントの組合せによっては、ドーパントの存在によって、阻止層の有効なＬＵＭＯエネルギーを下げることができ、その結果、正孔阻止層の電子伝導性と注入特性を向上させることができる。逆に、ドーパントの存在によって阻止層の有効なＨＯＭＯエネルギーを上昇させることができ、それによって正孔注入特性を向上させることができる。例えば、いくつかの実施形態では、ＨＢＬは、より小さいバンド・ギャップ材料でドープされた広幅バンド・ギャップマトリックスを含み、そこでは、マトリックスの深いＨＯＭＯエネルギーレベルは正孔の輸送を防止する働きをし、ドーパントの比較的浅いＬＵＭＯレベルは電子注入に好都合である。本発明のいくつかの実施形態では、マトリックスは、オクタフェニルシクロオクタテトラエン（ＯＰＣＯＴ）、ヘキサフェニルなどのオリゴフェニレン、及び広幅バンド・ギャップを有する他の同様の物質などの実質的に共役している有機分子を含むことができる。適切なマトリックスバンド・ギャップ値は少なくとも約３ｅＶであってよいが、少なくとも約２．５ｅＶ、３．０ｅＶ、３．３ｅＶ、３．５ｅＶ、あるいはそれ以上であってもよい。ドーパントは金属錯体であることが好ましい。ドーピングレベルは、重量％で、約１〜約５０％、より好ましくは約５〜約２０％、さらにより好ましくは約１０〜約１５％の範囲でよい。阻止層用のドーパントとして使用される適切な金属錯体の例は、ビス（２−（４，６−ジフルオロフェニル）ピリジル−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（ＦＩｒｐｉｃ）である。金属錯体でドープされたマトリックスを含む正孔阻止層の例は、１５重量％のＦＩｒｐｉｃ（ＯＰＣＯＴ：ＦＩｒｐｉｃ（１５％））でドープされたＯＰＣＯＴである。例えば、ＯＰＣＯＴ：ＦＩｒｐｉｃは、ＯＰＣＯＴのＨＯＭＯがＩｒｐｐｙのＨＯＭＯより低く、ＦＩｒｐｉｃのＬＵＭＯがＣＢＰのＬＵＭＯより高いので（例えば実施例７及び８参照）、Ｉｒ（ｐｐｙ）3（トリス（２−フェニルピリジル−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ），Ｉｒｐｐｙ）でドープされたＣＢＰを含む発光層に正孔を効果的に閉じ込めることができる。」
　
５　本件補正発明と引用発明との対比
（１）引用発明の「リン光性化合物」、「正孔阻止層１」及び「有機エレクトロルミネッセンス素子」は、本件補正発明の「燐光発光材料」、「ホールブロック層」及び「有機電界発光素子」にそれぞれ相当する。
　そうすると、引用発明の「陰極と陽極との間にリン光性化合物を含有する発光層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子において、発光層と陰極との間に存在し発光層に隣接して正孔阻止層１を設け」、「ＣＢＰとIr(ppy)3を共蒸着して発光層を設け」る構成は、本件補正発明の「一対の電極間に少なくとも発光層と該発光層の陰極側に隣接するホールブロック層とを有する有機電界発光素子であって、該発光層が燐光発光材料とホスト材料とを含有」する構成に相当する。
　
（２）引用発明の「ＢＣＰ」は、電子輸送材料として知られているもの（例えば、特開２００４−３１１４１３号公報の【０２１９】、国際公開第２００５／００９９７９号の［００５１］参照。）であるから、本件補正発明の「電子輸送材料」に相当する。
　そうすると、引用発明の「正孔阻止層１に、発光層のリン光発光の０．１〜５０％のリン光発光を有するようにリン光性化合物を含有させ、」「ＢＣＰとIr(ppy)3を共蒸着して正孔阻止層１を設けた」構成は、本件補正発明の「ホールブロック層が燐光発光材料と電子輸送材料とを含有」する構成に相当する。
　
（３）引用発明は、「ＣＢＰとIr(ppy)3を共蒸着して発光層を設け、ＢＣＰとIr(ppy)3を共蒸着して正孔阻止層１を設け」た構成を有するものであるから、本件補正発明の「発光層と該ホールブロック層とに含有される燐光発光材料は同一であ」る構成に相当する構成を有するものである。
　
　上記（１）〜（３）の点から、本件補正発明と引用発明は、
「一対の電極間に少なくとも発光層と該発光層の陰極側に隣接するホールブロック層とを有する有機電界発光素子であって、該発光層が燐光発光材料とホスト材料とを含有し、かつ該ホールブロック層が燐光発光材料と電子輸送材料とを含有し、かつ該発光層と該ホールブロック層とに含有される燐光発光材料は同一である有機電界発光素子。」
で一致し、以下（ａ）及び（ｂ）の各点で相違する。
（相違点）
（ａ）ホールブロック層に含有される電子輸送材料のイオン化ポテンシャルＩＰ（ＥＴ）が燐光発光材料のイオン化ポテンシャルＩＰ（ＥＭ）よりも、本件補正発明は、１．７ｅＶ以上大きいのに対し、引用発明は、１．３ｅＶ大きい点。
（ｂ）ホールブロック層中の燐光発光材料の含有率、電子輸送材料の含有率が、本件補正発明は、それぞれ４〜１５質量％、８５〜９６質量％であるのに対し、引用発明は、そのような特定がない点。
　
６　当審の判断
　以下、上記各相違点について検討する。
（ａ）の点について
　引用例１には、「発光層からの・・・正孔を阻止層で十分にブロックすることができず若干阻止層内に・・・正孔が注入されてしまい、これにより、阻止層が劣化して素子の寿命が短くなる」（明細書第４頁第４行〜第６行）、「正孔阻止層１に、発光層のリン光発光の０．１〜５０％のリン光発光を有するようにリン光性化合物を含有させることにより、正孔阻止層１に注入されてしまった正孔を、正孔阻止層１に含有されるリン光性化合物の発光により安定化させ、正孔阻止層１の劣化を抑えて、有機ＥＬ素子を長寿命化させることができることを見出した」（明細書第３２頁第１６行〜第２０行）と記載されている。
　これらの記載から、引用発明は、正孔阻止層の劣化を抑えるために、正孔阻止層に注入されてしまった正孔を、正孔阻止層に含有されるリン光性化合物で発光させたいものであるといえ、そのためには、リン光性化合物以外の正孔阻止層の材料のイオン化ポテンシャルを正孔阻止層に含有されるリン光性化合物のイオン化ポテンシャルよりも大きくした方がよいことは技術常識からみて明らかである。
　また、引用例２には、正孔阻止層（本件補正発明の「ホールブロック層」に相当。）がＥＬ層（本件補正発明の「発光層」に相当。）のＨＯＭＯエネルギーよりも低いＨＯＭＯエネルギーレベルを有することが好ましく、ＨＯＭＯエネルギーレベルの差が大きいことが、正孔阻止能力のために良好であることが記載（【００４８】）されており、すなわち、引用例２には、正孔阻止能力を高めるためには、発光層のイオン化ポテンシャルに対して正孔阻止層のイオン化ポテンシャルを大きくすれば大きいほど良好であることが記載されているといえる。
　したがって、引用発明において、正孔阻止層としてＢＣＰとそれよりもイオン化ポテンシャルが１．３ｅＶ小さいIr(ppy)3に代えて、電子輸送材料のイオン化ポテンシャルが燐光発光材料のイオン化ポテンシャルよりも、１．７ｅＶ以上大きい材料の組み合わせを採用して、相違点（ａ）に係る本件補正発明の発明特定事項を得ることは、当業者が容易になしえたことである。
　
（ｂ）の点について
　正孔阻止層に１０〜１５％の範囲でドーパントを含有させることが、引用文献２（【００５５】）に記載されている。
　また、引用例１には、「正孔阻止層１に、・・・・・リン光性化合物を含有させることにより、・・・・・有機ＥＬ素子を長寿命化させることができることを見出した。また、再結合領域を広げることで、・・・・・素子発光効率を向上させることができることを見出した」（引用例１の明細書第３２頁第１６行〜第２２行）と記載されている。
　したがって、引用発明において、発光効率や素子の長寿命化を考慮しながら、ホールブロック層中の燐光発光材料の含有率、電子輸送材料の含有率を、それぞれ４〜１５質量、８５〜９６質量％とすることは、当業者が適宜設計できたことである。
　
　相違点（ａ）及び（ｂ）については上記のとおりであり、本件補正発明によってもたらされる効果は、引用発明、引用例２記載の事項及び技術常識から当業者が予測できる範囲内のものと認められる。
　よって、本件補正発明は、引用発明、引用例２記載の事項及び技術常識に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
７　本件補正についての補正の却下の決定のむすび
　以上のとおり、本件補正は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
１　本願発明
　平成２４年７月４日付けの手続補正は上記の通り却下されたので、本願の特許請求の範囲の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成２３年８月１２日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載されたとおりのものである。（上記「第２」［理由］「１」参照。）
　
２　引用刊行物
　本願の優先日前に頒布された引用例１及び２、その記載事項、ならびに引用発明は、上記「第２」［理由］「４」に記載したとおりである。
　
３　対比及び当審の判断
　本願発明は、本件補正発明の構成要素の「ホールブロック層に含有される電子輸送材料のイオン化ポテンシャルＩＰ（ＥＴ）」と「燐光発光材料のイオン化ポテンシャルＩＰ（ＥＭ）」の差に関し、前者が後者よりも「１．７ｅＶ以上大き」い構成を「１ｅＶ以上大き」い構成とし、本件補正発明の構成要素の「ホールブロック層中の前記燐光発光材料の含有率」及び「電子輸送材料の含有率」に関し、それぞれ「４〜１５質量％」及び「８５〜９６質量％」である構成を「０．１〜３０質量％」及び「７０〜９９．９質量％」である構成とするものである。
　ここで、本願発明と引用発明とを比較すると、引用発明の「ＢＣＰのイオン化ポテンシャルがIr(ppy)3のイオン化ポテンシャルよりも１．３ｅＶ大きい」構成は、本願発明の「ホールブロック層に含有される電子輸送材料のイオン化ポテンシャルＩＰ（ＥＴ）が燐光発光材料のイオン化ポテンシャルＩＰ（ＥＭ）よりも１ｅＶ以上大き」い構成に相当するから、両者は下記相違点（ｂ’）でのみ相違し、その余の点で一致する。
（相違点）
（ｂ’）ホールブロック層中の燐光発光材料の含有率、電子輸送材料の含有率が、本件補正発明は、それぞれ０．１〜３０質量％、７０〜９９．９質量％であるのに対し、引用発明は、そのような特定がない点。
　
　ここで、上記相違点（ｂ’）について検討するに、上記相違点（ｂ’）に係る本願発明の発明特定事項を得ることは、上記「第２」［理由］「６」「（ｂ）の点について」に記載した理由と同様の理由により、当業者が容易になしえたことである。
　したがって、本願発明は、引用発明及び引用例２記載の事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用発明及び引用例２記載の事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、その余の請求項に係る発明について言及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。