【事件の表示】
　特願２００１−１４４３３２「パワーモジュール用回路基板」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年１１月２９日出願公開、特開２００２−３４４０９４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成１３年５月１５日の出願であって、平成２３年１月４日付けで拒絶査定がされたところ、これに対して、平成２３年４月１１日付けで拒絶査定不服審判の請求がなされると同時に手続補正がなされたものである。
　そして、本願の請求項１及び２に係る発明は、平成２２年８月９日付け、平成２３年４月１１日付けの手続補正により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１及び２に記載された事項により特定されるとおりのものであると認められるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は次のとおりのものである。なお、特許請求の範囲の請求項１は、平成２３年４月１１日付けの手続補正により、補正前の特許請求の範囲の請求項１及び２を削除して、補正前の請求項３を繰り上げて請求項１としたものである。
「【請求項１】
　セラミックスがＡｌＮ、アルミナ、Ｓｉ３Ｎ４から選ばれるセラミックス基板と、このセラミックス基板上にろう材を介して接合した所定の形状の金属とより成り、上記セラミックス基板上において上記ろう材の一部が上記所定の形状の金属外周から外部にはみ出しており、上記所定の形状の金属の縁の内側に上記縁に沿った、上記ろう材まで達している溝が形成されていることを特徴とするパワーモジュール用回路基板。」
　
２．原査定の拒絶理由に引用され、本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物及びその記載事項
(１)刊行物１：特開平３−２６１６６９号公報
(２)刊行物２：特開平１０−８４０５９号公報
　
（刊行物１）
　刊行物１には、「セラミックスと金属との接合体およびその製造方法」に関して、図面とともに、下記の技術的事項が記載されている。
(ａ)「本発明は、セラミックス部材と金属部材とが金属ペースト材により接合された接合体およびその製造方法に関し、より詳しくは、接合された部材に繰り返し熱衝撃が加えられた時にもセラミックス部材内部に割れが生じ難い接合体およびその製造法に関する。」（第１頁右下欄第１５〜２０行）
(ｂ)「［課題を解決するための手段］
　本発明者らは、先に金属部材とセラミックス部材とを接合する方法における前述のような問題点を解決する一手段として、特願平１−１４０１６号に開示した「セラミックスと金属との接合体の製造法」の発明を完成し、金属部材の縁部からはみ出したろう材の露出部材（フィレット）が少なくとも０．５ｍｍのはみ出し幅で金属部材の周囲をとり囲んでセラミックス部材上に存在する状態の製品をつくるようにすれば、接合体の耐熱衝撃性が大幅に向上することを明らかにした。
　本発明者らは、さらに信頼性の高い部品として使用できる接合体を得るべく鋭意研究を進めた結果、前述のろう材に代えて活性金属ペースト材を用いることによって先に述べたフィレットの帯幅を０．２５ｍｍ程度まで縮めても所望の特性を持つ接合体を製造することが十分に可能であることを見い出し、本発明を達成することができた。
　すなわち本発明は、一つには、焼成された活性金属ペーストの層を介して相互に接合されたセラミックス部材と金属部材とからなる接合体であって、接合面におけるセラミックス部材の面積は金属部材の面積より少なくとも一回り大きく、該接合面における金属部材外周線の周囲かつセラミックス部材面上には、少なくとも０．２５ｍｍ以上の帯幅で金属部材の周囲を包囲するフィレットが前記焼成ペーストによって形成されていることを特徴とするセラミックスと金属との接合体を提供するものであり、さらには、セラミックス部材に金属部材を活性金属ペーストを介して接触配置し、該構成体を実質的に真空または非酸化性雰囲気中で加熱した後冷却することからなり、前記配置に際し、金属部材の縁部からはみ出した金属ペースト材によって形成されるフィレット部が少なくとも０．２５ｍｍの帯幅で、製品接合体のセラミックス部材上金属部材周囲に露出して存在する仕上りになるように金属ペースト材を配置して両者を接合することを特徴とするセラミックスと金属との接合体の製造方法を提供するものである。
［作　用］
　本発明法で製造される接合体の耐熱衝撃性が上記フィレット部の形成により向上する理由は未だ十分に解明されていないが、形成されたフィレット部の存在により、金属部材とセラミックス部材との熱膨張差により発生する応力が金属部材外周線直下に対応するセラミックス部材の垂直断面に集中的に作用する代りにセラミックスとフィレットとの接する広い面において、これらの面を互いにスライドさせようとする応力に変るため応力が分散され、金属部材縁部（外周線）直下の位置におけるセラミックス部材の垂直断面に生じる水平方向の応力が小さくなるためであると考えられる。
　本発明者らの実験において活性金属ペースト材としては、銀６０〜９５重量％、銅３〜３８重量％、チタン１〜５重量％を合計１００重量％となるように配合した金属粉末８０〜９０重量部をビヒクル２０〜１０重量部中に混合して全体が１００重量部となるようにしたものを自動乳鉢と３本ロールミルを用いて混練しスクリーン印刷が可能なペースト状組成物としたものを用いた。」（第２頁右下欄第１７行〜第３頁左下欄第１６行）
(ｃ)「次に、本発明を実施例に基づき詳細に説明する。
［実施例１］（中略）
　セラミックス部材として市販の９６％アルミナからなり厚さ０．６３５ｍｍ、大きさ４６ｍｍ×３２ｍｍのアルミナ基板を準備した。（中略）
　割れ発生の程度を評価するため、割れ率として、銅板の周囲長さ１６０ｍｍに対し、クラックの発生した箇所の長さを百分率で表わした指標を使用した。この評価方法による調査結果を第２図のグラフに示す。
　このグラフから理解されるように、フィレット部のないものつまりフィレット幅が０ｍｍのものは５０サイクルですでに１５％以上の割れ率であり、さらにこの割れ率が１００〜２５０サイクルにおいては３０％以上であり一部のサンプルは銅板がアルミナ基板から剥離してしまった。これに対しフィレット部の幅が０．２５ｍｍ、１ｍｍのものについては全くクラックが見られないか、あるいはクラックが発生しても極めて少なく割れ率が５％以下であり、圧倒的に優れた繰り返し耐熱衝撃性を持つことが判明した。
［実施例２］
　セラミックス部材として、市販の９６％アルミナからなり厚さ０．６３５ｍｍ、大きさ５６ｍｍ×２７ｍｍのアルミナ基板およびこれと同じ形状・寸法の窒化アルミニウム基板の２種類を用意し、これら基板の一方の面には第３図に示すようなパターン化した銅板を、反対面には２０ｍｍ角の銅板をそれぞれ実施例１の場合と同様にして接合した。（中略）
　各サイクルにつき全く同じ方法でつくった接合体を２個ずつ準備して熱衝撃試験に供し、２個ともクラックがなかった場合を○、１個についてのみクラックがあった場合を△、２個ともクラックがあった場合を×として、これらの結果を下記第１表に示した。（第１表省略）
　この表から理解されるように、フィレット幅が０．２５ｍｍあればアルミナと窒化アルミニウムとで示されたようにセラミックスの材質に関わらず、優れた繰り返し耐熱衝撃性があることが確認された。（中略）
［実施例３］（中略）
　セラミックス部材として厚さが３．０ｍｍ、対辺距離が１６．０ｍｍの正六角形の窒化珪素板およびアルミナ板を準備した。
　これらの窒化珪素板およびアルミナ板それぞれの片面に、スクリーン印刷で直径１１．０ｍｍの円形にペースト材を印刷した。（中略）
　先ず熱衝撃試験にかける前の接合体の剪断強度を測定し、次に、接合体を２５０℃に予熱されたオーブン（大気中）中に１５分間保持後、オーブンから取り出して室温に戻すまでを１サイクルとして３０サイクルの熱衝撃処理を行った後、剪断強度を測定し熱衝撃を加える前と比較して剪断強度の劣化より繰り返し耐熱衝撃性を評価した。
　この結果、剪断強度の劣化は見られず耐熱衝撃性の高いことが確認された。剪断強度はかなりばらつきがあるものの、窒化珪素またアルミナのどちらを用いた場合も、最低でも２ｋｇ／ｍｍ２以上あるため実用上問題ないことがわかった。」（第３頁右下欄第１８行〜第５頁左下欄第１７行）
(ｄ)「［発明の効果］
　上述のように、本発明の方法によれば、金属部材の縁部からはみ出したペースト材のフィレット部を所定幅以上設けることにより、接合後の繰り返し耐熱衝撃性に優れた接合体の製造が可能となるので、電子部品その他の部品として信頼性の高い接合体を提供することができる。」（第５頁右下欄第３〜９行）
　したがって、刊行物１には、下記の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されているものと認める。
【引用発明】
　セラミックス部材が窒化アルミニウム、アルミナ、窒化珪素から選ばれるセラミックス基板と、このセラミックス基板上に活性金属ペーストを介して接合した所定の形状の金属部材とより成り、上記セラミックス基板上において上記活性金属ペーストの一部が上記所定の形状の金属部材外周から外部にはみ出している電子部品その他の部品として信頼性の高い接合体。
　
（刊行物２）
　刊行物２には、「窒化けい素回路基板」に関して、図面（特に、図２を参照）とともに、下記の技術的事項が記載されている。
(ｅ)「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、窒化けい素回路基板に係り、特に冷熱サイクルの付加等に対する信頼性を向上させ、かつ放熱性および構造強度を改善した窒化けい素回路基板に関する。」（第２頁第２欄第２４〜２８行、段落【０００１】参照）
(ｆ)「【０００２】
【従来の技術】近年、パワートランジスタモジュールやスイッチング電源モジュール等の比較的高電力を扱う半導体部品の搭載用基板等として、セラミックス基板上に銅板等の金属板を接合したセラミックス回路基板が用いられている。
【０００３】上述したようなセラミックス回路基板の製造方法、すなわちセラミックス基板と金属板との接合方法としては、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ等の活性金属をＡｇ−Ｃｕろう材等に１〜１０％添加した活性金属ろう材を用いる方法（活性金属法）や、金属板として酸素を１００〜１０００ｐｐｍ含有するタフピッチ電解銅や表面を１〜１０μｍの厚さで酸化させた銅を用いてセラミックス基板と銅板とを直接接合させる、いわゆる直接接合法（ＤＢＣ法：ダイレクト・ボンディング・カッパー法）等が知られている。
【０００４】例えば直接接合法においては、まず所定形状に打ち抜かれた厚さ０．３〜０．５ｍｍの銅回路板を、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）焼結体や窒化アルミニウム（ＡｌＮ）焼結体等からなる厚さ０．６〜１．０ｍｍのセラミックス基板上に接触配置させて加熱し、接合界面にＣｕ−Ｃｕ２Ｏの共晶液相を生成させ、この液相でセラミックス基板の表面を濡らした後、液相を冷却固化することによって、セラミックス基板と銅回路板とが接合される。このような直接接合法を適用したセラミックス回路基板は、セラミックス基板と銅回路板との接合強度が強く、またメタライズ層やろう材層を必要としない単純構造なので小型高実装化が可能である等の長所を有しており、また製造工程の短縮化を図ることもできる。
【０００５】ところで、上述した直接接合法や活性金属法等により金属板をセラミックス基板に接合したセラミックス回路基板においては、大電流を流せるように金属板の厚さを０．３〜０．５ｍｍと厚くしているため、熱履歴に対して信頼性に乏しいという問題があった。すなわち、熱膨張率が大きく異なるセラミックス基板と金属板とを接合すると、接合後の冷却過程や冷熱サイクルの付加により、上記熱膨張差に起因する熱応力が発生する。この応力は接合部付近のセラミックス基板側に圧縮と引張りの残留応力分布として存在し、特に金属板の外周端部と近接するセラミックス部分に残留応力の主応力が作用する。この残留応力は、セラミックス基板にクラックを生じさせたり、あるいは金属板剥離の発生原因等となる。また、セラミックス基板にクラックが生じないまでも、セラミックス基板の強度を低下させるという悪影響を及ぼす。
【０００６】上述した残留応力のうち、金属板の接合後の冷却過程で発生する熱応力に基くものは、冷却速度の調節等によりある程度までは低減できるものの、実使用時における搭載部品からの発熱等に起因する残留応力は、外的条件によっては低減することができず、重大な問題となっている。このため、上記したようなセラミックス回路基板は、通常、セラミックス基板の裏面にも表面すなわち半導体部品の実装部と同一あるいは５〜３０％薄い金属板を接合して、セラミックス回路基板の反りを防止しているが、残留応力の問題は根本的には解決されていない。」（第２頁第２欄第２９行〜第３頁第３欄第３４行、段落【０００２】〜【０００６】参照）
(ｇ)「【０００７】上述したような熱応力や残留応力による問題、すなわち接合強度の低下やクラックの発生等への対応策として、例えば特公平５−２５３９７号公報には、金属板としての銅板の外周端部を薄肉形状（薄肉部）、具体的には外周端部を段付き形状やテーパー形状とすることが記載されている。また、特開平３−１４５７４８号公報には、金属板の外周縁部に沿った内側に溝を形成することが記載されている。これにより、金属板の外周端部に集中する応力を溝で分散させることによって、接合強度の低下やクラックの発生等を防止している。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述した従来のセラミックス回路基板における熱履歴に対する信頼性の向上手法のうち、特公平５−２５３９７号公報に記載されている手法では、金属板外周端部の薄肉部を回路パターンの形成と同時にエッチング等で形成しているために製造工程が繁雑となり、製造工数の増大を招いていた。
【０００９】また、特開平３−１４５７４８号公報においても、同様に金属板の外周縁部に沿った溝をエッチング法で形成することが主に記載されている。エッチング法によれば、回路パターンの形成と同時に溝を形成することができるものの、上述したようにエッチング法は工程が複雑で、製造工数の増大を招くといった難点を有している。」（第３頁第３欄第３５行〜第４欄第９行、段落【０００７】〜【０００９】参照）
(ｈ)「【００１１】一方、半導体素子の高集積化、高出力化、大型化が進展し、素子から発熱する熱を効率的に系外に放散できる回路基板構造や熱応力に耐える高強度の回路基板構造を求める技術的要請が高まっている。そこでセラミックス基板として従来のアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）基板よりも高強度を有する窒化けい素（Ｓｉ３Ｎ４）基板を用いることも試行された。しかしながら、Ｓｉ３Ｎ４基板は、靭性値などの機械的強度は優れているものの熱伝導性が窒化アルミニウム基板などと比較して著しく低いため、特に放熱性を要求される半導体用回路基板の構成材としては実用化されていない。
【００１２】一方、窒化アルミニウム基板は他のセラミックス基板と比較して高い熱伝導性と低熱膨張特性とを有するが、機械的強度の点で満足するものが得られていないため、回路基板の実装工程において付加されるわずかな押圧力や衝撃力によって、回路基板が破損し易く、半導体装置の製造歩留りが大幅に減少させる場合がある。
【００１３】本発明は、このような課題に対処するためになされたもので、放熱性および構造強度に優れ、冷熱サイクルが付加された場合等においても、金属板に生じる熱応力や残留応力を分散させることにより金属板の外周端部への応力集中を緩和し、セラミックス基板のクラック発生や強度低下を有効に防止することができ、しかも製造工程的に有利な機械加工によっても金属板の変形を防止し得る、信頼性や製造性に優れる窒化けい素回路基板を提供することを目的としている。」（第３頁第４欄第２３〜４９行、段落【００１１】〜【００１３】参照）
(ｉ)「【００１６】また、本発明の他の窒化けい素回路基板は、請求項３に記載したように、希土類元素を酸化物に換算して１．０〜１７．５重量％含有し、窒化けい素結晶相および粒界相から構成されるとともに粒界相中における結晶化合物相の粒界相全体に対する割合が２０％以上、好ましくは５０％以上である高熱伝導性窒化けい素基板と、この高熱伝導性窒化けい素基板に接合された金属板とを具備する窒化けい素回路基板において、前記金属板の前記高熱伝導性窒化けい素基板との接合面と反対面側の外周縁部内側に、溝が形成されていることを特徴としている。
【００１７】ここで、金属板の外周縁部内側とは、図６に示すように金属板２の幅Ｄを基準として、外周縁部から中央方向へ向って、金属板２の幅Ｄの１／３以内の部分と定義する。すなわち、金属板２の幅Ｄを基準として、外周縁部を含まない外周縁部から中央方向への両側１／３以内の部分を外周縁部内側とし、中央の金属板２の幅Ｄの１／３の部分を中央部とする（図６においては外周縁部内側を斜線で示す）。」（第４頁第５欄第１８〜３６行、段落【００１６】及び【００１７】参照）
(ｊ)「【００５５】本発明に係る窒化けい素回路基板は、上記のように製造した高熱伝導性窒化けい素基板の表面に、前記直接接合法や活性金属法を用いて導電性を有する金属板を一体に接合して製造される。
【００５６】本発明の窒化けい素回路基板においては、金属板の接合面と反対面側の外周縁部内側に、連続した溝や不連続な溝または複数の孔を形成している。ここで、金属板の接合後の冷却過程で発生する熱応力や冷熱サイクルの付加等による熱応力、またそれらに基く残留応力は、金属板の外周縁部内側に設けられた上記連続した溝や不連続な溝または複数の孔により分散されるため、金属板の外周端部への応力集中が緩和される。これにより、金属板の外周端部での応力値自体を低減することができるため、従来問題となっていたセラミックス基板のクラック発生や強度低下等を有効に防止することが可能となる。」（第７頁第１１欄第２６〜４１行、段落【００５５】及び【００５６】参照）
(ｋ)「【００７２】ここで、図１に示した窒化けい素回路基板４Ａは、高熱伝導性窒化けい素基板１に銅板２，３をＤＢＣ法により接合したものであるが、例えば図２に示すように、銅板２，３を活性金属法で高熱伝導性窒化けい素基板１に接合した窒化けい素回路基板５Ａであってもよい。上記活性金属法は、例えばＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ等から選ばれた少なくとも１種の活性金属を含むろう材（以下、活性金属含有ろう材と記す）層６を介して、高熱伝導性窒化けい素基板１と銅板２，３とを接合する方法である。用いる活性金属含有ろう材の組成としては、例えばＡｇ−Ｃｕの共晶組成（７２ｗｔ％Ａｇ−２８ｗｔ％Ｃｕ）もしくはその近傍組成のＡｇ−Ｃｕ系ろう材やＣｕ系ろう材を主体とし、これに１〜１０重量％のＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ等から選ばれた少なくとも１種の活性金属を添加した組成等が例示される。なお、活性金属含有ろう材にＩｎのような低融点金属を添加して用いることもできる。
【００７３】図１に示した窒化けい素回路基板４Ａのように、銅板２，３を高熱伝導性窒化けい素基板１にＤＢＣ法で接合したものは、単純構造で高接合強度が得られ、また製造工程を簡易化できる等の利点を有する。また、図２に示した窒化けい素回路基板５Ａのように、銅板２，３を高熱伝導性窒化けい素基板１に活性金属法で接合したものは、高接合強度が得られると共に、活性金属含有ろう材層６が応力緩和層としても機能するため、より信頼性の向上が図れる。このようなことから、要求特性や用途等に応じて接合法を選択することが好ましい。
【００７４】また、活性金属法により高熱伝導性窒化けい素基板１に金属板を接合する場合には、銅板に限らず、用途に応じて各種の金属板、例えばニッケル板、タングステン板、モリブデン板、これらの合金板やクラッド板（銅板とのクラッド板を含む）等を用いることも可能である。
【００７５】そして、上述した窒化けい素回路基板４Ａ，５Ａにおいては、図１に示すように、半導体部品等の実装部となる銅板２の外周縁部内側に、連続な溝７が外周縁部に沿って、すなわち銅板２の各回路パターン部の外周縁部に沿って形成されている。」（第１１頁第１９欄第３２行〜第２０欄第２０行、段落【００７２】〜【００７５】参照）
(ｌ)「【００７９】上記連続した溝７および不連続な溝８は、製造工程の繁雑化を避けると共に、製造工数の低減を図るために、金型を用いたプレス加工等の機械加工により形成することが望ましい。ただし、必ずしも他の形成方法の適用を除外するものではない。」（第１１頁第２０欄第３９〜４３行、段落【００７９】参照）
(ｍ)「【００８６】上記連続した溝７および不連続な溝８の縦断面形状は、図７に示すように深さ方向にほぼ均等な形状であっても、また図８に示すように逆三角形状であってもよい。ただし、その深さｄは銅板２の厚さｔの１／３〜２／３の範囲とすることが好ましい。溝７，８の深さが銅板２の厚さｔの１／３未満であると、応力の分散効果が不十分となるおそれがあり、また厚さｔの２／３を超えると銅板２の強度低下等を招きやすくなる。また、溝７，８の形成位置、すなわち銅板２の外周縁部から溝７，８までの最短距離Ｌ２は、銅板２の厚さや大きさ等によっても異なるが、０．３〜１．０ｍｍとすることが好ましい。溝７，８の形成位置を示す距離Ｌ２が０．３ｍｍ未満であると、銅板２の形状維持能が低下し、また距離Ｌ２が１．０ｍｍを超えると銅板２の外周端部での応力集中を十分に緩和できないおそれがある。」（第１２頁第２１欄第４７行〜第２２欄第１１行、段落【００８６】参照）
(ｎ)「【００８９】また、活性金属法により金属板を接合した窒化けい素回路基板５は、例えば以下のようにして製造される。まず、上記窒化けい素回路基板４と同様に、連続した溝７または不連続な溝８を有する銅板２，３を用意する。一方、前述したような活性金属含有ろう材をペースト化したものを、例えば高熱伝導性窒化けい素基板１側に塗布する。ろう材層の塗布厚は、冷熱サイクル特性の向上を図る上で、加熱接合後のろう材層６の層厚があまり厚くならないようにすることが好ましい。次に、ろう材ペーストを塗布した高熱伝導性窒化けい素基板１上に、銅板２，３をそれぞれ積層配置し、使用したろう材に応じた温度で熱処理することにより、窒化けい素回路基板５を作製する。
【００９０】上述したような構造の窒化けい素回路基板４，５においては、銅板２，３の接合後の冷却過程で発生する熱応力や冷熱サイクルの付加等による熱応力、およびそれらに基く残留応力は、銅板２，３の外周縁部内側に設けられた溝７，８により分散されて、銅板２，３の各外周端部への応力集中が緩和される。これにより、銅板２，３の外周端部での応力値自体が低減するため、従来問題となっていたセラミックス基板部のクラック発生や強度低下等を有効に防止することができる。そして、上述した応力の分散を溝７，８により達成しているため、溝７，８の形成にプレス加工等の機械加工を適用しても、銅板２，３の、特にその中央部の変形を防止することができる。従って、銅板２，３の変形による接合強度の低下等を招くことなく、製造工程の簡略化および製造工数の低減が実現できる。」（第１２頁第２２欄第３５行〜第１３頁第２３欄第１２行、段落【００８９】及び【００９０】参照）
(ｏ)「【００９７】図９から明らかなように、銅板２，３の外周縁部に沿って連続した溝７または不連続な溝８を形成することにより、冷熱サイクル付加時の応力は溝７，８により分散され、外周端部の応力は溝を有しない比較例に比べて明らかに低減されていることが分かる。これにより、窒化けい素基板のクラック発生や強度低下等を防止することが可能となる。ちなみに、実施例１の窒化けい素回路基板は、１００サイクルのＴＣＴ後においてもクラックが発生しなかったのに対して、比較例による窒化けい素回路基板は１００サイクルで窒化けい素回路基板の２５％にクラックが生じた。」（第１３頁第２４欄第１〜１１行、段落【００９７】参照）
(ｐ)「【０１３０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の窒化けい素回路基板によれば、冷熱サイクルが付加された場合等においても、金属板に生じる熱応力や残留応力を、連続した溝や不連続な溝、または複数の孔により分散させることで、金属板の外周端部への応力集中を緩和することができると共に、製造工程的に有利な機械加工によっても金属板の変形を防止することができる。したがって、製造工程の簡略化および製造工数の低減を図った上で、冷熱サイクルの付加等によるセラミックス基板部のクラック発生や強度低下を有効に防止することができ、信頼性および製造性に優れた窒化けい素回路基板を提供することが可能となる。」（第１６頁第２９欄第８〜２０行、段落【０１３０】参照）
　
３．対比・判断
　本願発明と引用発明とを対比すると、それぞれの有する機能からみて、引用発明の「セラミックス部材」は本願発明の「セラミックス」に相当し、以下同様にして、「窒化アルミニウム」は「ＡｌＮ」に、「窒化珪素」は「Ｓｉ３Ｎ４」に、「活性金属ペースト」は「ろう材」に、「金属部材」は「金属」に、それぞれ相当する。また、引用発明の「電子部品その他の部品として信頼性の高い接合体」は、「回路基板」である限りにおいて、本願発明の「パワーモジュール用回路基板」にひとまず相当するので、両者は下記の一致点、並びに相違点１及び２を有する。
＜一致点＞
　セラミックスがＡｌＮ、アルミナ、Ｓｉ３Ｎ４から選ばれるセラミックス基板と、このセラミックス基板上にろう材を介して接合した所定の形状の金属とより成り、上記セラミックス基板上において上記ろう材の一部が上記所定の形状の金属外周から外部にはみ出している回路基板。
（相違点１）
　前記回路基板に関し、本願発明は、「パワーモジュール用回路基板」であるのに対し、引用発明は、電子部品その他の部品として信頼性の高い接合体である点。
（相違点２）
　本願発明は、「上記所定の形状の金属の縁の内側に上記縁に沿った、上記ろう材まで達している溝が形成されている」のに対し、引用発明は、そのような構成を具備していない点。
　そこで、相違点１及び２について検討をする。
（相違点１について）
　パワーモジュール用回路基板は、従来周知の技術手段（例えば、刊行物２には、「近年、パワートランジスタモジュールやスイッチング電源モジュール等の比較的高電力を扱う半導体部品の搭載用基板等として、セラミックス基板上に銅板等の金属板を接合したセラミックス回路基板が用いられている。」［第２頁第２欄第３０〜３４行、段落【０００２】、上記摘記事項(ｆ)参照］と記載されている。）にすぎない。
　してみれば、引用発明の電子部品その他の部品として信頼性の高い接合体に、従来周知の技術手段を適用することにより、パワーモジュール用回路基板として、上記相違点１に係る本願発明の構成とすることは、技術的に格別の困難性を有することなく当業者が容易に想到できるものであって、これを妨げる格別の事情は見出せない。
（相違点２について）
　引用発明１及び刊行物２に記載された技術的事項は、ともに接合体（回路基板を含む）に関する技術分野に属するものであって、刊行物２には、「上記連続した溝７および不連続な溝８の縦断面形状は、図７に示すように深さ方向にほぼ均等な形状であっても、また図８に示すように逆三角形状であってもよい。ただし、その深さｄは銅板２の厚さｔの１／３〜２／３の範囲とすることが好ましい。溝７，８の深さが銅板２の厚さｔの１／３未満であると、応力の分散効果が不十分となるおそれがあり、また厚さｔの２／３を超えると銅板２の強度低下等を招きやすくなる。」（第１２頁第２１欄第４７行〜第２２欄第４行、段落【００８６】、上記摘記事項(ｍ)参照）と記載され、連続した溝７の深さｄは、連続した溝７による、応力の分散効果と、銅板２の強度低下等の兼ね合いの観点から、連続した溝７の深さｄは銅板２の厚さｔの１／３〜２／３の範囲とすることが好ましいことが記載又は示唆されている。
　一方、連続した溝７の製造方法として、刊行物２には、「上記連続した溝７および不連続な溝８は、製造工程の繁雑化を避けると共に、製造工数の低減を図るために、金型を用いたプレス加工等の機械加工により形成することが望ましい。ただし、必ずしも他の形成方法の適用を除外するものではない。」（第１１頁第２０欄第３９〜４３行、段落【００７９】、上記摘記事項(ｌ)参照）と記載され、金型を用いたプレス加工等の機械加工による形成のみではなく、他の形成方法（例えば、回路パターンの形成と同時に溝を形成するエッチング法［第３頁第４欄第５〜７行、段落【０００９】、上記摘記事項(ｇ)参照］など）の適用を除外するものではないことが記載又は示唆されている。
　また、刊行物２に記載又は示唆されたエッチング法により、溝をろう材まで達するようにすることは、技術的に格別の困難性を有することではない。
　さらに、引用発明は、「電子部品その他の部品として信頼性の高い接合体を」（刊行物１の第５頁右下欄第８及び９行、上記摘記事項(ｄ)参照）得るべく、「接合された部材に繰り返し熱衝撃が加えられた時にもセラミックス部材内部に割れが生じ難い」（同第１頁右下欄第１７〜１９行、上記摘記事項(ａ)参照）ようにすることを技術的課題とするものであり、また、刊行物２に記載された発明は、「信頼性および製造性に優れた」（刊行物２の第１６頁第２９欄第１８及び１９行、段落【０１３０】、上記摘記事項(ｐ)参照）回路基板を得るべく、「金属板に生じる熱応力や残留応力を分散させることにより金属板の外周端部への応力集中を緩和し、セラミックス基板のクラック発生や強度低下を有効に防止する」（同第３頁第４欄第４３〜４６行、段落【００１３】、上記摘記事項(ｈ)参照）ことを技術的課題とするものであり、両者は共通する技術的課題を有している。
　してみれば、引用発明に、刊行物２に記載又は示唆された連続した溝７をエッチング法により形成することにより、所定の形状の金属の縁の内側に縁に沿った、ろう材まで達している溝を形成して、上記相違点２に係る本願発明の構成とすることは、技術的に格別の困難性を有することなく当業者が容易に想到できるものであって、これを妨げる格別の事情は見出せない。
　
　本願発明が奏する効果についてみても、引用発明、刊行物２に記載された発明、及び従来周知の技術手段が奏するそれぞれの効果の総和以上の格別顕著な効果を奏するものとは認められない。
　したがって、本願発明は、刊行物１及び２に記載された発明、並びに従来周知の技術手段に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　なお、審判請求人は、審判請求書の請求の理由（平成２３年５月１８日付けで手続補正された）において、「本願発明は、はみ出したろう材の存在と、金属の縁の内側に存在する、セラミックス基板には達しないが、ろう材に迄達している溝の存在を有する、上記引用文献（注：本審決の刊行物１、２に対応する。以下同様。）とは異なる構造によって、耐ヒートサイクルが３０００サイクルを超える極めて優れた耐熱衝撃性が得られることを見いだしたものであり、引用文献１、２に示される２００サイクルレベルと比べると著しく耐熱衝撃性の優れたものです。また、仮に引用文献１、２の効果を加算しても４００サイクルレベルの耐熱衝撃性であり、本願発明の耐熱衝撃性は予測できない格別の効果であるといえます。」（【本願発明が特許されるべき理由】「３．本願発明と引用文献との対比」の項参照）と述べるとともに、当審における審尋に対する平成２４年２月１７日付けの回答書において、「パワーモジュールに使用される半導体装置用回路基板には、車載用ということで極めて高信頼性が求められ、ヒートサイクル性は３０００サイクル以上の回路基板が要求されてきています。」、「本願発明の発明者は、従来においては銅回路の応力緩和策が不充分であると考え、・・・金属のエッジ部分の応力が緩和されヒートサイクル性を３０００サイクル程度に飛躍的に向上することを見出し、本願発明を得たものです。」、及び「本願発明において、ヒートサイクル向上のためには、所定形状の金属外周から外部にはみ出した部分のろう材と、上記溝９の下側に残存位置するろう材の有無が予測不能な相乗作用を奏し、重要な役割を果しています。」と主張している。
　しかしながら、本願の明細書の段落【００３７】の【表１】には、例えば、実施例３（Ｓｉ３Ｎ４、ろう材はみ出しあり、溝あり）について、クラックが入らないサイクル数が「５０００サイクルまで」と記載されているものの、（Ｓｉ３Ｎ４、
ろう材はみ出しあり
溝あり
　したがって、審判請求人の主張は受け入れることができない。
　よって、上記（相違点１について）及び（相違点２について）において述べたように、本願発明は、刊行物１及び２に記載された発明、並びに従来周知の技術手段から当業者が容易に想到し得たものであるところ、審判請求人が主張する本願発明が奏する作用効果は、従前知られていた構成が奏する作用効果を合わせたものにすぎず、本願発明の構成を備えることによって、本願発明が、従前知られていた構成が奏する作用効果を合わせたものとは異なる、相乗的で予想外の作用効果を奏するものとは認められないので、審判請求人の主張は採用することができない。
　
４．むすび
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明（本願発明）は、その出願前に日本国内において頒布された刊行物１及び２に記載された発明、並びに従来周知の技術手段に基づいて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本願の請求項２に係る発明について検討をするまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。