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　特願２００１−２０９９５４「多層プリント配線板」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年１月２４日出願公開、特開２００３−２３２５２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯
　本願は、平成１３年７月１０日の出願であって、平成２３年５月９日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成２３年８月１７日に拒絶査定不服審判の請求がなされるとともに、同時に手続補正がなされたものである。その後、当審において平成２３年８月１７日付けの手続補正を平成２４年８月２１日付けで決定をもって却下するとともに、同日付けで拒絶理由（以下、「当審拒絶理由」という。）を通知したところ、平成２４年１０月２９日付けで意見書が提出されるとともに手続補正がされたものである。
　
２　本願発明
　本願の請求項１ないし６に係る発明は、平成２２年１０月１５日付け、平成２３年４月８日付け及び平成２４年１０月２９日付けの手続補正によって補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし６に記載された事項により特定されるとおりのものであると認められるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、次のとおりである。
「【請求項１】　基板上に、導体回路と層間樹脂絶縁層とが順次積層され、前記層間樹脂絶縁層を挟んだ導体回路間がバイアホールを介して接続され、さらに、最外層にソルダーレジスト層が形成された多層プリント配線板であって、
前記バイアホールは、前記層間樹脂絶縁層に形成されたバイアホール用開口の表面に形成された無電解めっきによる薄膜導体層と、前記薄膜導体層上に形成され、前記バイアホール用開口に充填された電解めっきとからなり、
前記バイアホールのうち、階層の異なるバイアホール同士は積み重ねられており、
前記積み重ねられたバイアホールは、３段以上であり、
前記積み重ねられたバイアホールのうち、最上段のバイアホールは、その下段のバイアホールにその中心をずらして積み重ねられており、内層のバイアホール同士は、その中心がほぼ重なるように積み重ねられていることを特徴とする多層プリント配線板。」
　
３　引用例
（１）引用例１
　これに対して、当審拒絶理由に引用された、本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である特開平９−２３０６５号公報（以下、「引用例１」という。）には、「薄膜多層配線基板及びその製法」に関し、図面（特に、図１）とともに次の事項が記載されている。
　ア　「【００２３】本発明のビアスタッド接続型の薄膜多層基板の一例を図１に示す。セラミックスまたはガラスエポキシからなる基板１上に絶縁層（例えばポリイミド等）２を形成し、該絶縁層２にビアホールを形成し、金属配線層４間を無電解めっきの導電性金属の充填体からなるビアスタッド３で接続しながら絶縁層２を積層し、上記と同様にしてビアスタッド３で逐次接続した金属配線層４を積層した薄膜多層配線基板である。」
　イ　図１の記載を参酌すると、右側のビアスタッド３の配置構成に関し、次の事項が看取できる。即ち、「ビアスタッド３のうち、階層の異なるビアスタッド３同士は積み重ねられており、上記積み重ねられたビアスタッド３は、５段であり、上記積み重ねられたビアスタッド３のうち、最上段のビアスタッド３は、その下段のビアスタッド３にその中心をずらして積み重ねられており、内層のビアスタッド３同士は、その中心がほぼ重なるように積み重ねられていること」が看取できる。
　
　上記記載事項ア、イ及び図面（特に、図１）の記載を総合すると、引用例１には、
「基板１上に絶縁層（例えばポリイミド等）２を形成し、該絶縁層２にビアホールを形成し、金属配線層４間を無電解めっきの導電性金属の充填体からなるビアスタッド３で接続しながら絶縁層２を積層し、上記と同様にしてビアスタッド３で逐次接続した金属配線層４を積層した薄膜多層配線基板であって、
上記ビアスタッド３のうち、階層の異なるビアスタッド３同士は積み重ねられており、
上記積み重ねられたビアスタッド３は、５段であり、
上記積み重ねられたビアスタッド３のうち、最上段のビアスタッド３は、その下段のビアスタッド３にその中心をずらして積み重ねられており、内層のビアスタッド３同士は、その中心がほぼ重なるように積み重ねられている薄膜多層配線基板。」
の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　
（２）引用例２
　同じく当審拒絶理由に引用された、本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である特開２００１−８５８３７号公報（以下、「引用例２」という。）には、「多層プリント配線板の製造方法」に関し、図面（特に、図８〜図１２）とともに次の事項が記載されている。
　ウ　「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、多層プリント配線板の製造方法に関するものである。」
　エ　「【００５０】本発明の製造方法においては、樹脂フィルムを本圧着した後、非貫通孔および／または貫通孔を形成する。上記非貫通孔を形成後、該非貫通孔の内壁に金属層を形成することによりバイアホールとして、層間樹脂絶縁層を介した導体回路間を電気的に接続することができる。また、上記貫通孔を形成後、該貫通孔の内壁に金属層を形成することによりスルーホールとして、基板を介した導体回路間を電気的に接続することができる。これらの金属層は、無電解めっきや蒸着等を用いて形成することができる。また、一度、層間樹脂絶縁層を形成した後、レーザを用いて貫通孔と非貫通孔とを同時に形成することができるため、効率よく多層プリント配線板を製造することができる。」
　オ　「【００９８】（実施例２）
……（中略）……
【０１０４】(6) 次に、以下の組成の無電解銅めっき水溶液中に基板を浸漬して、粗面全体に厚さ０．６〜３．０μｍの無電解銅めっき膜１２ａを形成した（図９（ｂ）参照）。
……（中略）……
【０１０７】(9) 次に、樹脂充填剤の表層部１０ａにパラジウム触媒（アトテック社製）を付与することにより、樹脂充填剤の表層部１０ａに触媒核を付着させた。さらに、上記(6) と同様の条件で無電解めっきを行い、上記(6) で形成した無電解めっき膜１２ａと樹脂充填剤の表層部１０ａとの上に、さらに厚さ０．６〜３．０μｍの無電解めっき膜１２ｂを形成した（図９（ｄ）参照）。この工程により、スルーホール２９の上に蓋めっき層を形成することができた。
【０１０８】(10)市販の感光性ドライフィルムを無電解銅めっき膜１２ｂに貼り付け、マスクを載置して、１００ｍＪ／ｃｍ2 で露光し、０．８％炭酸ナトリウム水溶液で現像処理することにより、厚さ３０μｍのめっきレジスト３を設けた（図１０（ａ）参照）。
【０１０９】(11)ついで、基板を５０℃の水で洗浄して脱脂し、２５℃の水で水洗後、さらに硫酸で洗浄してから、以下の条件で電解銅めっきを施し、厚さ２０μｍの電解銅めっき膜１３を形成した（図１０（ｂ）参照）。
……（中略）……
【０１１０】(12)めっきレジスト３を５％ＮａＯＨで剥離除去した後、そのめっきレジスト３下の無電解めっき膜１２ａ、１２ｂを硫酸と過酸化水素の混合液でエッチング処理して溶解除去し、無電解銅めっき膜１２と電解銅めっき膜１３からなる厚さ１８μｍの導体回路（バイアホール７を含む）５を形成した（図１０（ｃ）参照）。
……（中略）……
【０１１４】(16)次に、多層配線基板の両面に、上記ソルダーレジスト組成物を２０μｍの厚さで塗布し、７０℃で２０分間、７０℃で３０分間の条件で乾燥処理を行った後、ソルダーレジスト開口部のパターンが描画された厚さ５ｍｍのフォトマスクをソルダーレジスト層に密着させて１０００ｍＪ／ｃｍ２の紫外線で露光し、ＤＭＴＧ溶液で現像処理し、２００μｍの直径の開口を形成した。そして、さらに、８０℃で１時間、１００℃で１時間、１２０℃で１時間、１５０℃で３時間の条件でそれぞれ加熱処理を行ってソルダーレジスト層を硬化させ、開口を有し、その厚さが２０μｍのソルダーレジストパターン層１４を形成した。上記ソルダーレジスト組成物としては、市販のソルダーレジスト組成物を使用することもできる。
……（中略）……
【０１１６】(18)この後、基板のＩＣチップを載置する面のソルダーレジスト層１４の開口に、スズ−鉛を含有するはんだペーストを印刷し、さらに他方の面のソルダーレジスト層１４の開口にスズ−アンチモンを含有するはんだペーストを印刷し、該はんだペーストにピンを載置した後、２００℃でリフローすることにより、ＩＣチップを載置する面にはんだバンプ（はんだ体）１７を形成し、他方の面には、既に図２を参照しながら説明した方法と同様の方法を用いてＰＧＡを形成し、多層配線プリント基板を製造した（図１２（ｂ）参照）。」
　
４　発明の対比
　本願発明と引用発明とを対比すると、その意味、機能又は作用からみて、引用発明の「基板１」は本願発明の「基板」に相当し、以下同様に、「絶縁層（例えばポリイミド等）２」は「層間樹脂絶縁層」に、「ビアホール」は「バイアホール用開口」に、「金属配線層４」は「導体回路」に、「ビアスタッド３」は「バイアホール」に、「薄膜多層配線基板」は「多層プリント配線板」にそれぞれ相当し、また、引用発明の「上記積み重ねられたビアスタッド３は、５段であ」ることは、本願発明の「前記積み重ねられたバイアホールは、３段以上であ」ることに含まれる。
　
　よって、本願発明と引用発明とは、
［一致点］
「基板上に、導体回路と層間樹脂絶縁層とが順次積層され、前記層間樹脂絶縁層を挟んだ導体回路間がバイアホールを介して接続された多層プリント配線板であって、
前記バイアホールのうち、階層の異なるバイアホール同士は積み重ねられており、
前記積み重ねられたバイアホールは、３段以上であり、
前記積み重ねられたバイアホールのうち、最上段のバイアホールは、その下段のバイアホールにその中心をずらして積み重ねられており、内層のバイアホール同士は、その中心がほぼ重なるように積み重ねられている多層プリント配線板。」
である点で一致し、次の点で相違する。
　
［相違点１］
　本願発明は、「最外層にソルダーレジスト層が形成され」ているのに対して、引用発明は、最外層にソルダーレジスト層が形成されていない点。
　
［相違点２］
　バイアホールにおける導電手段が、本願発明では、「前記バイアホールは、前記層間樹脂絶縁層に形成されたバイアホール用開口の表面に形成された無電解めっきによる薄膜導体層と、前記薄膜導体層上に形成され、前記バイアホール用開口に充填された電解めっきとからな」るのに対して、引用発明では、「無電解めっきの導電性金属の充填体からなるビアスタッド３」である点。
　
５　当審の判断
（１）相違点１について
　引用例２の上記記載事項オの段落【０１１４】及び図１２には、最外層にソルダーレジストパターン層１４を形成する旨が記載され、さらに段落【０１１６】には、ソルダーレジストパターン層１４の開口にはんだバンプ１７を形成することが記載されており、当該「ソルダーレジストパターン層１４」は、本願発明の「ソルダーレジスト層」に相当する。
　ところで、引用例１には、実施例として、薄膜多層配線基板２４に、はんだバンプ１６によりＬＳＩ１４を搭載、接続する旨が記載されている（引用例１の段落【００５３】、図７、段落【００６７】、図１０を参照）。
　そうすると、引用発明の薄膜多層配線板の最外層の絶縁層２に、はんだバンプ１６によりＬＳＩ１４を搭載、接続することが予定されているから、引用例２記載のソルダーレジストパターン層１４を形成する動機付けは十分にあるといえる。
　よって、引用発明の薄膜多層配線板の最外層の絶縁層２に、引用例２記載のソルダーレジストパターン層１４を形成することによって、相違点１に係る本願発明の構成とすることは、当業者が容易に想到し得たことである。
　
（２）相違点２について
　引用例２の上記記載事項オには、無電解銅めっき膜１２と電解銅めっき膜１３からなるバイアホール７を形成する旨が記載されており、当該「バイアホール７」は、本願発明の「前記バイアホールは、前記層間樹脂絶縁層に形成されたバイアホール用開口の表面に形成された無電解めっきによる薄膜導体層と、前記薄膜導体層上に形成され、前記バイアホール用開口に充填された電解めっきとからな」る「バイアホール」に相当する。
　そして、バイアホールを形成する手法として、引用発明のように、無電解めっきのみで形成することよりも、引用例２の上記記載事項オのように、無電解銅めっき膜１２と電解銅めっき膜１３とで形成することが一般的な手法であることを考慮すれば、引用発明の「無電解めっきの導電性金属の充填体からなるビアスタッド３」であることに代えて、引用例２の上記記載事項オの無電解銅めっき膜１２と電解銅めっき膜１３からなるバイアホール７を形成することを適用することによって、相違点２に係る本願発明の構成とすることは、当業者が容易に想到し得たことである。
　
（３）作用効果について
　本願発明の効果に関し、本願明細書の段落【０１４９】及び【０１５０】には、
「【０１４９】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の多層プリント配線板は、階層の異なるバイアホール同士のうちの少なくとも１つが、他のバイアホールに、その中心をずらして積み重ねられているため、バイアホールと層間樹脂絶縁層との線膨張係数の差に起因して発生した応力を分散させることができ、積み重ねられたバイアホールの一部に、特に、最上段のバイアホールに大きな応力が集中することがないため、この応力の集中に起因した層間樹脂絶縁層でのクラックの発生が起こりにくく、信頼性に優れる。
【０１５０】
また、上記多層プリント配線板は、その中心をずらして積み重ねられたバイアホール以外のバイアホールは、他のバイアホールに、その中心がほぼ重なるように積み重ねられており、このように積み重ねられたバイアホールでは、配線距離が短くなるため、信号伝送時間を短縮することができるとともに、導体回路の設計の自由度が向上するため、高密度配線により対応しやすい。」
と記載されている。
　上記４で認定したとおり、引用発明のビアスタッド３の配置構成は、本願発明のバイアホールの配置構成と同じであるものの、その効果については、引用例１には特段の記載はない。
　しかしながら、特開平１０−２９４５６５号公報の段落【００１５】、図１及び図２に、基板の表裏面に形成される外部電極に一端が接続されるビアホール電極が、その中心軸をずらして積層される複数の子ビアホール電極からなるようにすると、外部電極を介してビアホール電極に集中する熱的あるいは機械的ストレスＡを中心軸をずらして積層される複数の子ビアホール電極にかかるストレスＢに分散させることができる旨が記載されていることを考慮すれば、本願明細書の段落【０１４９】に記載の効果は、当業者が予測できる程度のものである。
　また、本願明細書の段落【０１５０】に記載の効果については、引用例１の段落【００３６】に、「表面が平坦に生長したビアスタッド面に次の層の接続用配線ランドを形成し、更に、その直上に次層のビアスタッドを乗せることができる。これによって、層間の配線長がより短縮できるので、信号の高速伝送化を図ることができる。」と記載され、また、同段落【００７０】に、「実装の高密度化と配線長の短縮による信号伝送の高速化を図ることができる。」と記載されていることからみて、格別な効果とはいえない。
　
　なお、審判請求人は、平成２４年１０月２９日付け意見書の中で「刊行物１（審決注：本審決の「引用例１」を指す。以下同様）記載の発明においては、『ビアスタッドが無電解めっきによる導電性金属の充填体からなること』を必須の構成としております（請求項１）。そのため、刊行物１記載の発明では、電解めっきによりビアスタッドを形成することを明確に排除していると考えられます。このことは、『本発明において、ビアスタッド形成に無電解めっき法を選んだ理由は、逐次積層法では基板上に形成された第１の金属配線層の上に絶縁層を形成するプロセスをとるため、おおむね、上記金属配線パターンは独立したパターンであり、電解めっきのように共通電極を引き出すことは容易ではない。この点無電解めっきはこうした共通電極を必要としない。』という段落［００２８］の記載からも明らかであります。
従って、たとえ無電解銅めっき膜と電解銅めっき膜とでバイアホールを形成することが一般的な手法であったとしても、刊行物１に接した当業者であれば、刊行物１記載の発明の『無電解めっきの導電性金属の充填体からなるビアスタッド３』を『無電解銅めっき膜と電解銅めっき膜からなるバイアホール』に変更しようとは思わないはずではないでしょうか。」（（５）（ｉｉ）の項参照）と主張する。
　しかしながら、引用例１の段落【００２８】の記載は、電解めっきが共通電極を必要とするので、それを避けるために無電解めっきを採用したことを述べたものであって、電解めっきを採用することが技術的に不可能であることを述べたものではない。したがって、引用例１の上記記載だけをもって阻害要因があるということはできない。引用例２の図９及び１０などに記載されているように、めっきレジストを用いて無電解めっきの上に電解めっきを形成する方法が一般的な手法であって従来周知の技術にすぎないことを考慮すると、共通電極を引き出すことは容易なことであるから、引用例１の上記記載に接した当業者であれば、むしろ、電解めっきを採用してもよいと理解するのが普通である。
　よって、審判請求人の主張は採用できない。
　
６　むすび
　以上のとおり、本願発明（請求項１に係る発明）は、引用発明及び引用例２に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
　そうすると、本願発明が特許を受けることができないものである以上、請求項２ないし６に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。