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　特願２００３−５８２４８８「加熱源の組み合わせを使用する半導体パルス加熱処理方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年１０月１６日国際公開，ＷＯ０３／８５３４３，平成１７年　９月１５日国内公表，特表２００５−５２７９７２〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯
　本願は，２００３年３月１９日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００２年３月２９日，米国．２００２年７月３０日，米国）を国際出願日とする出願であって，平成２２年３月９日付けの拒絶の理由の通知に対して，同年８月１６日に意見書と手続補正書が提出され，平成２３年２月１８日付けで拒絶査定がなされた。
　それに対して，同年６月２７日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに手続補正書が提出され，その後，平成２４年２月１６日付けで審尋がなされ，同年８月１７日に回答書が提出された。
　
２　本願発明
　平成２２年８月１６日の提出された手続補正書によって補正された特許請求の範囲の請求項２３２は，平成２３年６月２７日に提出された手続補正書によって補正されていないことから，前記平成２３年６月２７日に提出された手続補正書による補正が適法であるか否かによらず，前記請求項２３２に係る発明は，平成２２年８月１６日の提出された手続補正書によって補正された特許請求の範囲の請求項２３２に記載されている事項により特定される次のとおり（以下「本願発明２３２」という。）のものと認められる。
「第１の表面を有する物体を処理する方法であって，
　バックグラウンド加熱モードで物体の全体で温度上昇を生成するように前記物体を加熱するステップと，
　少なくとも第１のエネルギー・パルスへ表面を曝すことによって，パルス・モードで第１の表面を加熱するステップと，
　前記第1のエネルギー・パルスの印加に関連した特定の時間内に前記バックグラウンド加熱モードによって加えられる熱を低減するステップと，
　含む方法。」
　
３　引用例とその記載事項，及び，引用発明
　原査定の拒絶の理由に引用され，本願の出願前に頒布された刊行物である下記の引用例１には，次の事項が記載されている。（なお，下線は，当合議体において付したものである。以下同じ。）
　
・引用例１：特開昭６０−２５８９２８号公報
（１ａ）「（３）
直径の大きなドウパントインプラント半導体ウエーハを急速に焼きなますため加熱する方法において
　
ＣＷランプ手段と集光罐体を使用して，前記ウエーハを比較的均一に等温加熱する段階
　
パルス発光ランプ手段と集光罐体を使用して，前記等温加熱段階で前記半導体材料を昇温した後，前記ウエーハのドウパントインプラント表面区域を比較的均一に熱線束加熱する段階
　
（１ｂ）「従来から，直径の大きな半導体ウエーハを急速に焼きなます（短時間の焼きなまし）ことについての強い要望があった。急速焼きなましについての様々な文献や多くの特許明細書が発表され，また様々の試みもなされてきた。急速焼きなまし作業においては，一般に，短時間のうちにウエーハを高温に加熱し，約１ないし２秒間にわたってウエーハを高温に維持している。
できるだけ工程を短縮することにより，インプラントイオンがバルク半導体材料を拡散してしまうことがなく，また，回路速度も最大になる
　
（１ｃ）「ウエーハ加熱に関連して使用する用語についての定義
　基本的には，ウエーハを加熱する３つの方法がある。
　＜中略＞
　（ｂ）
熱線束加熱
エネルギは，５×１０
−６
ないし２×１０
−２
秒にわたって供給
ウエーハの表面から下側に２ミクロン以上にわたって実質的な温度勾配を作り出すが，ウエーハの厚み全体にわたって均一加熱することはない
　（ｃ）
等温加熱
ウエーハの所望の区域で当該ウエーハの厚み全体にわたってほぼ均一に温度を上昇
　
（１ｄ）「装置の
第２の実施例
第９図
　第４図と第９図は異なったタイプの放射熱源を使用した実施例を示している。一方の放射熱源はＣＷであり，他方の放射熱源はパルスまたはフラッシュ熱源である。従って，本発明は製法にも使用できるようになっている。」（第８頁右上欄第１８行−同頁左下欄第４行）
　
（１ｅ）「製法の詳細な説明
　第１の方法によれば，ＣＷ放射源は集光罐体に組み合わせて使用され，所望の効果を得るのに必要な温度まで半導体ウエーハをある時間にわたって急速且つ均一に加熱することができる。加熱速度は，プログラム化した方法により所望の状態に制御することができる。加熱操作は，明細書の冒頭で示摘しまた第６図に示したような等温加熱である。集光罐体は，非常に好ましい形態では既に述べたようなカレイドスコープである。
　イオンインプラント半導体ウエーハを急速に焼きなます所望の効果を得ようとする場合，この製法は，ＣＷ源に大容量の電力を供給し，次いで急激に電力を減少させてできるだけ速やかに”保留”温度にし，
そして電力を充分に低下させるかまたは電力を切って半導体ウエーハを冷却する工程を備えている。（プログラム化した方法で電力を減少して，冷却工程を完全に制御することができる
　既に示摘したように，前述の第１の製法は，低密度ドウパントインプラント（lower density dopant implants）用としては少なくとも現段階では好ましい。次に，高密度ドウパントインプラント用として現段階では好ましい第２の方法について説明する。
　
ドウパントインプラント半導体ウエーハを急速に焼きなます第２の方法は，ウエーハの溶融点よりかなり低い所定温度までそうしたウエーハを均一に等温加熱し，その後でウエーハの（ドーパントインプラント処理を加える）上部表面区域を速やかに熱線束加熱し，次いでウエーハを冷却する工程を備えている
　さらに詳しく説明すると，
第２の製法は，ＣＷ放射源によりドウパントインプラント半導体ウエーハを等温加熱する工程を備えている
ＣＷランプに供給される電力は，毎秒当たり２００−５００℃（またはそれ以上）の温度上昇が得られるように制御される。シリコーンウエーハが，８００−１１００℃のプログラム温度に到達すると，次にパルスランプの列へ大電力が供給され，ウエーハのドウパントインプラント表面の温度を１２００−１４００℃まで急速に高める
　
（１ｆ）「例えば，
等温加熱を用いて，ウエーハ全体の温度を約１１００℃まで均一に高められる。数秒後，パルス源にエネルギが加えられて立ち上がり（第９図）を形成し，ウエーハの上部表面域だけをピーク温度まで高めている
パルスの持続時間は
充分に短い
ウエーハ全体の温度は，前記実施例で説明した１１００℃から数度上昇するにすぎない
　
（１ｇ）「
製造速度を速めるために，ウエーハの冷却速度を速める手段を用いることができる
　
（１ｈ）「
エレメント５３−５５は
第９図に関連して既に説明したように
ＣＷ加熱によってウエーハの温度を
所望の温度レベルまで上昇させ
その後，所望の時間にわたって必要な温度を維持し
次いでランプへの電力供給を（随意にまたはプログラム化した手法で）止める
　
（１ｉ）Ｆｉｇ．９は，引用例１に記載された発明の第２の実施例における温度と時間の関係を示すグラフであって，引用例１の上記摘記（１ａ）−（１ｈ）の記載を参酌すれば，同図から，ウエーハの表面の温度が，連続発光ランプへの電力供給によって，約４秒間で，８００−１１００℃のプログラム温度にまで上昇し，前記プログラム温度に到達した後は，約２秒間にわたってこの温度が保持され，その後，パルスランプの列へ大電力が供給されて立ち上がりが形成されてウエーハの上部表面域だけが１２００−１４００℃まで急速に高められ，次いで，前記立ち上がりから約２秒後に前記ＣＷランプへの電力供給がプログラム化した手法で止められて温度が低下していることを読み取ることができる。
　
　引用発明
　引用例１の上記摘記（１ａ）−（１ｉ）を総合勘案すれば，引用例１には，
「直径の大きなドウパントインプラント半導体ウエーハを急速に焼きなますため加熱する方法において，
　ＣＷランプ手段と集光罐体を使用して，前記ウエーハを比較的均一に等温加熱する段階と，
　パルス発光ランプ手段と集光罐体を使用して，前記等温加熱段階で前記半導体材料を昇温した後，前記ウエーハのドウパントインプラント表面区域を比較的均一に熱線束加熱する段階とを有する半導体ウエーハの加熱方法であって，
　前記等温加熱は，ウエーハの溶融点よりかなり低い所定温度まで当該ウエーハの厚み全体にわたってほぼ均一に温度を上昇させる加熱であり，
　前記熱線束加熱は，エネルギが，５×１０−６ないし２×１０−２秒にわたって供給される加熱であって，ウエーハの表面から下側に２ミクロン以上にわたって実質的な温度勾配を作り出すが，ウエーハの厚み全体にわたって均一加熱することはない加熱であり，
　ＣＷランプに供給される電力は，毎秒当たり２００−５００℃（またはそれ以上）の温度上昇が得られるように制御され，シリコーンウエーハが，８００−１１００℃のプログラム温度に到達すると，約２秒間にわたってこの温度を保持し，その後，パルスランプの列へ大電力が供給されて立ち上がりを形成し，ウエーハの上部表面域だけを１２００−１４００℃まで急速に高め，次いで，前記立ち上がりから約２秒後に前記ＣＷランプへの電力供給をプログラム化した手法で止めて，温度を低下させる半導体ウエーハの加熱方法。」　
　の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。 
　
４　対比
（１）引用発明の「直径の大きなドウパントインプラント半導体ウエーハ」は，「物体」であり，引用発明の「加熱」は，「処理」の一種といえる。そして，引用発明の「ウエーハの表面」は，本願発明２３２の「第１の表面」に相当する。したがって，引用発明と本願発明２３２とは，「第１の表面を有する物体を処理する方法」である点で一致する。
　
（２）引用発明は「ウエーハを比較的均一に等温加熱」して「ウエーハの溶融点よりかなり低い所定温度まで当該ウエーハの厚み全体にわたってほぼ均一に温度を上昇させる」のであるから，引用発明において，ウエーハの全体で温度上昇が生成されることは明らかである。また，引用発明の「熱線束加熱」は，「エネルギが，５×１０−６ないし２×１０−２秒にわたって供給される加熱」であるから，エネルギー・パルスへ表面を曝すことによる加熱ということができる。したがって，引用発明の「ＣＷランプ手段と集光罐体を使用して，前記ウエーハを比較的均一に等温加熱する段階」，「『パルス発光ランプ手段と集光罐体を使用して』『前記ウエーハのドウパントインプラント表面区域を比較的均一に熱線束加熱する段階』」は，それぞれ，本願発明２３２の「バックグラウンド加熱モードで物体の全体で温度上昇を生成するように前記物体を加熱するステップ」，「少なくとも第１のエネルギー・パルスへ表面を曝すことによって，パルス・モードで第１の表面を加熱するステップ」に相当する。
　
（３）引用発明の「ＣＷランプへの電力供給をプログラム化した手法で止め」は，本願発明２３２の「バックグラウンド加熱モードによって加えられる熱を低減」に相当する。
　
（４）そうすると，本願発明１と引用発明の一致点と相違点は，次のとおりといえる。
　
＜一致点＞
「第１の表面を有する物体を処理する方法であって，
　バックグラウンド加熱モードで物体の全体で温度上昇を生成するように前記物体を加熱するステップと，
　少なくとも第１のエネルギー・パルスへ表面を曝すことによって，パルス・モードで第１の表面を加熱するステップと，
　前記バックグラウンド加熱モードによって加えられる熱を低減するステップと，
　含む方法。」
　
＜相違点＞　 
・相違点１：本願発明２３２の「バックグラウンド加熱モードによって加えられる熱を低減するステップ」が，「第１のエネルギー・パルスの印加に関連した特定の時間内」に行われるものであるのに対して，引用発明は「シリコーンウエーハが，８００−１１００℃のプログラム温度に到達すると，約２秒間にわたってこの温度を保持し，その後，パルスランプの列へ大電力が供給されて立ち上がりを形成し，ウエーハの上部表面域だけを１２００−１４００℃まで急速に高め，次いで，前記立ち上がりから約２秒後」に前記ＣＷランプへの電力供給をプログラム化した手法で止めるものである点で一応相違する。
　
５　相違点についての判断
（１）相違点１について 
ア　本願の明細書には，次のように記載されている。
（本ａ）「図８は，定常状態加熱時間が望まれない，より厳しいサーマルバジェットに適している加熱プロフィールを示す。
第１の加熱源は，半導体ウェーハのような基板を第１の温度Ｔ１（たとえば８００℃）へ加熱
基板が第１の温度Ｔ１へ達するか，それを超えたばかりの時点で
パルス・エネルギーＥｐを加えるためパルス加熱源が活性化され，第１の温度よりも高い第２の温度Ｔ２（たとえば，Ｔ２＝１３００℃）へ基板表面の前面を加熱
第１の加熱源
は
単一のパルスの後で非活性化される
　さらに図８を参照して，パルス７８の印加は，到達温度Ｔ１との時間関係で実行されてよいことを理解すべきである。同時に，
バックグラウンド加熱は，到達温度Ｔ１，または時点ｔｐにおけるパルス７８のイニシエーションとの時間関係，たとえば時間間隔７１の中で制御されてよい
この制御は
非常に大きな柔軟性で実現されてよいことを理解すべきである
　
好ましくは，第１の加熱源によって供給されるパワーは
パルスの
１秒後までの時間間隔の或る時点で０から９０％の間へ大きさを低減される
　
（本ｂ）「【
図８
本発明の第５の実施形態に従った加熱方法
　
（本ｃ）本願の図８から，時点ｔｐから基板表面温度が急速に上昇しその後低下する加熱プロフィールが示されたグラフにおいて，時間ｔｐの前後それぞれ約１秒を含む時間が，時間間隔７１として特定されていることを読み取ることができる。
　
イ　そうすると，上記摘記（本ａ）−（本ｃ）から，本願明細書及び図面には，第５の実施形態に従った加熱方法として，第１の加熱源は，半導体ウェーハのような基板を第１の温度Ｔ１（たとえば８００℃）へ加熱し，基板が第１の温度Ｔ１へ達するか，それを超えたばかりの時点で，パルス・エネルギーＥｐを加えるためパルス加熱源が活性化され，第１の温度よりも高い第２の温度Ｔ２（たとえば，Ｔ２＝１３００℃）へ基板表面の前面を加熱し，第１の加熱源およびパルス加熱源は，基板の冷却を可能にするため単一のパルスの後で非活性化される加熱方法において，バックグラウンド加熱は，時点ｔｐにおけるパルス７８のイニシエーションとの時間関係，たとえば時間間隔７１の中で制御されてよく，この制御は，非常に大きな柔軟性で実現されてよいものであり，好ましくは，第１の加熱源によって供給されるパワーは，パルスの１秒前から１秒後までの時間間隔の或る時点で０から９０％の間へ大きさを低減される加熱方法が開示されていることが理解できる。
　
ウ　ところで，本願発明２３２の「バックグラウンド加熱モードによって加えられる熱」，及び，「第１のエネルギー・パルスの印加」が，前記イにおける「第１の加熱源によって供給されるパワー」，及び，「パルス・エネルギーＥｐを加える」ことに相当することは明らかである。してみれば，本願発明２３２の「第１のエネルギー・パルスの印加に関連した特定の時間内」は，前記イにおける「時点ｔｐにおけるパルス７８のイニシエーションとの時間関係，たとえば時間間隔７１の中」を意味するものと解することが自然といえる。
　
エ　そして，前記イで検討したように，「時間間隔７１」として，「好ましくは，第１の加熱源によって供給されるパワーは，パルスの１秒前から１秒後までの時間間隔の或る時点で０から９０％の間へ大きさを低減される」ことが例示されていることから，本願発明２３２の「第１のエネルギー・パルスの印加に関連した特定の時間内」は，本願の明細書の記載に照らして，少なくとも，第１のエネルギー・パルスの印加の時点を基準とした時間関係において，前記基準の時点の特定の時間前から特定の時間後までの時間間隔の或る時点にあることを意味しているものと認められる。
　
オ　一方，引用発明は，シリコーンウエーハが，８００−１１００℃のプログラム温度に到達すると，約２秒間にわたってこの温度を保持し，その後，パルスランプの列へ大電力が供給されて立ち上がりを形成し，ウエーハの上部表面域だけを１２００−１４００℃まで急速に高め，次いで，前記立ち上がりから約２秒後に前記ＣＷランプへの電力供給をプログラム化した手法で止めるものであるから，引用発明において，パルスランプの列へ大電力が供給されて立ち上がりを形成する時点から，ＣＷランプへの電力供給をプログラム化した手法で止めるまでの時間間隔は，あらかじめプログラムされた特定の時間であるということができる。
　
カ　そうすると，本願発明２３２と引用発明は，いずれも，バックグラウンド加熱モードによって加えられる熱を低減するステップが，第１のエネルギー・パルスの印加に関連した特定の時間内に行われるものであるということができるから，前記相違点１は，実質的には存在しない。したがって，本願発明２３２は，引用例１に記載された発明であるから，特許法第２９条第１項第３号に該当する。
　
キ　なお，仮に，本願発明２３２の「第１のエネルギー・パルスの印加に関連した特定の時間内」との発明特定事項の技術的意義を，本願の明細書及び図面の記載に基づいて，「パルスの１秒前から１秒後までの時間間隔の或る時点」を意味しているものと解釈すべきとしても，本願発明２３２は，引用発明から容易に発明をすることができたものといえる。
　すなわち，このような解釈のもとでは，引用発明は，立ち上がりから約２秒後にＣＷランプへの電力供給をプログラム化した手法で止めるものであるから，ＣＷランプへの電力供給をプログラム化した手法で止めるステップが，「パルスの１秒前から１秒後までの時間間隔の或る時点」に行われていない点で相違するといえる。
　しかしながら，引用例１の上記摘記（１ａ）の「直径の大きなドウパントインプラント半導体ウエーハを
急速に焼きなます
できるだけ工程を短縮
プログラム化した方法で
冷却工程を完全に制御
製造速度を速める
　一方，引用例１には，ＣＷランプへの電力供給をプログラム化した手法で止める，立ち上がりから約２秒後という時間に，臨界的な意義は記載されておらず，また，この時間を約２秒後という時間よりも前にすることを妨げる特段の事情も認められない。
　他方，本願明細書及び図面には，前記「パルスの１秒前から１秒後までの時間間隔の或る時点」における「１秒」という数値自体が技術的意義を有するとは明示されておらず，むしろ，本願明細書の上記摘記（本ａ）の「たとえば時間間隔７１の中で制御されてよい。
この制御は
非常に大きな柔軟性で実現されてよい
好ましくは
パルスの１秒前から１秒後までの時間間隔の或る時点
　してみれば，引用発明において，ＣＷランプへの電力供給を，引用発明の立ち上がりから約２秒後という時間よりも前の時点である，例えば，立ち上がりから１秒経過するまでのタイミングで止めることは，当業者が適宜なし得た事項といえる。また，このような時間を選択したことによる格別の効果も認められない。
　したがって，引用発明において，前記相違点１について本願発明２３２のの構成を採用することは当業者にとって容易であり，このような構成を採用したことによる効果も当業者が予測する範囲内のものであるから，本願発明２３２は，引用例１に記載された発明から当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
ク　なお，審判請求人は，審判請求の理由において，本願発明が特許されるべき理由として，「本願発明の特徴の１つは，第１のエネルギー・パルスの加熱源が動作する直前またはそれと同時に，バックグラウンド加熱モードでの加熱源の動作を停止させることにある。もし，バックグラウンド加熱の加熱源が動作したまま，第１のエネルギー・パルスが印加されると，基板の裏側の温度が，バックグラウンド加熱での到達温度を超えて上昇してしまう。この基板温度における上昇は，望まれないドーパント拡散を導き，また，続いて印加される実効エネルギーのパルスにより，所望の上昇された温度よりも高へ基板の表面を加熱することも引き起こす（米国特許第6,849,831の第４欄６６行目〜第５欄段落６行目）。一実施例として，約１３００℃の温度へ基板の表面を加熱するために基板の表面へパルスが印加される間でも，基板の裏側は，熱処理の間中，約８００℃あるいはその付近で維持されることが望ましい。しかしながら，このようなことは，もしバックグラウンド加熱の加熱源が，パルス印加の間も動作していると，達成できない。」，「よって，本願発明は，引用文献から容易に想到できたものではない。」と主張する。
　しかしながら，上記「相違点１について」で検討したように，本願発明２３２は，バックグラウンド加熱モードによって加えられる熱が，第１のエネルギー・パルスの印加の
後
直前
同時
　
６　むすび 
　以上のとおり，本願発明２３２は，引用例１に記載された発明であるから，特許法第２９条第１項３号に該当し，特許を受けることができず，また，仮に本願発明２３２が特許法第２９条第１項３号に該当するとまではいえなかったとしても，本願発明２３２は，引用例１に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，同法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　そうすると，平成２３年６月２７日に提出された手続補正書による補正が適法である場合には，本件出願は，平成２３年６月２７日に提出された手続補正書により補正された特許請求の範囲の他の請求項に係る発明については検討するまでもなく，本願発明２３２により特許を受けることができず，また，仮に平成２３年６月２７日に提出された手続補正書による補正が不適法である場合には，前記補正は却下されて，本願の特許請求の範囲は，平成２２年８月１６日の提出された手続補正書によって補正された特許請求の範囲となるところ，この場合においても本件出願は，平成２２年８月１６日の提出された手続補正書によって補正された特許請求の範囲の他の請求項に係る発明については検討するまでもなく，本願発明２３２により特許を受けることはできないから，平成２３年６月２７日に提出された手続補正書による補正の適否，及び，他の請求項に係る発明については検討するまでもなく，本願は拒絶をすべきものである。
　
　よって，結論のとおり審決する。