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　特願２００６−５２５５４４「シングルゲートまたはマルチゲートフィールドプレート製造」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年　３月１７日国際公開、ＷＯ２００５／０２４９０９、平成１９年　３月　８日国内公表、特表２００７−５０５４８３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯・本願発明
　本願は、２００４年９月９日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００３年９月９日、アメリカ合衆国）を国際出願日とする出願であって、平成２３年１２月１３日付けの拒絶査定に対し、平成２４年３月３０日に拒絶査定不服審判が請求がされるとともに手続補正書が提出されたものであり、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成２４年３月３０日に提出された手続補正書により補正された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、特許請求の範囲の請求項１に記載されている事項により特定される次のとおりのものと認める。
　
「【請求項１】
　１以上のゲートフィールドプレートを製造する方法であって、該方法は、
　デバイスの活性領域およびゲート上に誘電性材料を提供することと、
　該誘電性材料をエッチングすることと、
　該誘電性材料上にメタルを蒸着することにより、少なくとも１つのフィールドプレートを形成することと
　を含み、
　（ｉ）該デバイスの該活性領域上に堆積された該誘電性材料は、該活性領域を曝すように除去されることはなく、
　（ｉｉ）該少なくとも１つのフィールドプレートは、該誘電性材料上に形成され、
　（ｉｉｉ）該ゲートは、該活性領域の直上にある、方法。」
　
２　引用例の記載と引用発明
（１）引用例：特開２００２−３４３８１４号公報
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である特開２００２−３４３８１４号公報（以下「引用例」という。）には、「電界効果型トランジスタ」（発明の名称）に関して、図１〜２７とともに以下の記載がある。（下線は当審において付加した。） 
　
・「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、移動体通信、衛星通信、及び衛星放送等のマイクロ波領域で動作する高出力のショットキゲート電界効果型トランジスタに関する。」
　
・「【００１８】（実施例１）本実施例の
ＦＥＴは
ゲート電極８と接続された電界制御電極１０が設けられている
【００１９】まず、半絶縁性GaAs基板１にMOCVD法により、AlGaAsバッファ層２、Siを3×1017cm-3ドーピングしたn型InGaP層３（厚さ、150nm）、
AlGaAsショットキ層４
n型GaAsコンタクト層５
を成長
GaAsコンタクト層５をウェットエッチングし、リセスを形成
ゲート電極箇所のAlGaAsショットキ層４を
エッチングした後
Au膜をこの順にスパッタ蒸着する。
ゲート電極を形成
SiO
2
からなる絶縁膜９を
堆積
次にドレイン電極形成箇所とゲート電極形成箇所との間に電界制御電極１０（Ti：100nm、Au：500nm）を形成
つづいて、絶縁膜９の所定箇所をエッチングしてコンタクト層５を露出させ
50nmのAuGe、8nmのNi、250nmのAuをこの順に真空蒸着し、ソース電極６及びドレイン電極７を形成
TiAu配線を用いて、ゲート電極８と電界制御電極１０とを接続し
ＦＥＴを完成
　
・図１３には、本発明の製造方法を示す工程断面図が示されており、図１３(d)には、ゲート電極８は、ショットキ層４の直上に形成されていること、及び絶縁膜９は、n-GaAsコンタクト層５、ショットキ層４及びゲート電極８上に形成されていることが見てとれるとともに、図１３(e)には、電界制御電極１０は、絶縁膜９上に形成されていることが見てとれる。
　
（２）引用発明
　以上、図１及び図１３(a)〜(h)を参酌してまとめると、引用例には次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
「ゲート電極８と接続された、ＦＥＴの電界制御電極１０を製造する方法であって、該方法は、
AlGaAsショットキ層４、n型GaAsコンタクト層５を成長し、
ｎ型GaAsコンタクト層５をウェットエッチングし、リセスを形成し、
ゲート電極箇所のAlGaAsショットキ層４をエッチングした後、該ショットキ層４の直上にゲート電極８を形成し、
ｎ型GaAsコンタクト層５、AlGaAsショットキ層４及びゲート電極８上にSiO2からなる絶縁膜９を堆積し、
次にドレイン電極形成箇所とゲート電極形成箇所との間の絶縁膜９上にTi及びAuからなる電界制御電極１０を形成し、
つづいて、絶縁膜９の所定箇所をエッチングしてコンタクト層５を露出させ、
ソース電極６及びドレイン電極７を形成し、
さらに、TiAu配線を用いて、ゲート電極８と電界制御電極１０とを接続しＦＥＴを完成する、方法。」
　
３　対比・判断
（１）対比
　本願発明と引用発明とを対比する。
　
ア　引用発明の「ゲート電極８」及び「『ゲート電極８と接続された』、『電界制御電極１０』」は、それぞれ本願発明の「ゲート」及び「ゲートフィールドプレート」に相当する。
　したがって、本願発明と引用発明とは、「１以上のゲートフィールドプレートを製造する方法」である点で一致する。　
　
イ　引用発明の「ＦＥＴ」は本願発明の「デバイス」に相当するから、上記「２（１）引用例」の上記摘記事項及び図１３を参照すると、引用発明の「ゲート電極８」が形成されている「AlGaAsショットキ層４」は本願発明の「デバイスの活性領域」に相当することが当業者にとって明らかである。
　引用発明の「絶縁膜９」は、「SiO2からなる絶縁膜９」であるので「『誘電性材料』からなる膜」であることが当業者には明らかである。したがって、引用発明の「SiO2からなる絶縁膜９を堆積」は本願発明の「誘電性材料を提供」することに相当する。
　よって、本願発明と引用発明とは、「デバイスの活性領域およびゲート上に誘電性材料を提供する」ことを含む点で一致する。
　
ウ　引用発明の「電界制御電極１０」は「Ti及びAuからなる電界制御電極１０」であるとともに、「Ti及びAu」は「メタル」であるから、本願発明と引用発明とは、「『該誘電性材料上にメタル』を形成することにより、『少なくとも１つのフィールドプレートを形成する』」ことを含む点で一致する。
　
エ　引用発明では、「絶縁膜９の所定箇所をエッチングしてコンタクト層５を露出させ」るから、本願発明と引用発明とは、「該誘電性材料をエッチングする」ことを含む点で一致する。
　
オ　引用発明は、「ｎ型GaAsコンタクト層５、AlGaAsショットキ層４及びゲート電極８上にSiO2からなる絶縁膜９を堆積し」、「絶縁膜９の所定箇所をエッチングしてコンタクト層５を露出させ」るものであり、図１３(d)〜(f)を勘案すると、引用例において、FETの「AlGaAsショットキ層４」上に堆積された「絶縁膜９」は、該「AlGaAsショットキ層４」を曝すように除去されていないから、本願発明と引用発明とは、「（ｉ）該デバイスの該活性領域上に堆積された該誘電性材料は、該活性領域を曝すように除去されることはな」い点で一致する。
　
カ　引用発明では、「『絶縁膜９上』に『電界制御電極１０』を形成」するから、本願発明と引用発明とは、「（ｉｉ）該少なくとも１つのフィールドプレートは、該誘電性材料上に形成され」る点で一致する。
　
キ　引用発明では、「ゲート電極箇所のAlGaAsショットキ層４をエッチングした後、該ショットキ層４の直上にゲート電極８を形成」するから、本願発明と引用発明とは、「（ｉｉｉ）該ゲートは、該活性領域の直上にある」点で一致する。
　
ク　以上をまとめると、本願発明と引用発明の一致点及び相違点は次のとおりである。
＜一致点＞ 
「１以上のゲートフィールドプレートを製造する方法であって、該方法は、
　デバイスの活性領域およびゲート上に誘電性材料を提供することと、
　該誘電性材料をエッチングすることと、
　該誘電性材料上にメタルを形成することにより、少なくとも１つのフィールドプレートを形成することと
　を含み、
　（ｉ）該デバイスの該活性領域上に堆積された該誘電性材料は、該活性領域を曝すように除去されることはなく、
　（ｉｉ）該少なくとも１つのフィールドプレートは、該誘電性材料上に形成され、
　（ｉｉｉ）該ゲートは、該活性領域の直上にある、方法。」
　
＜相違点１＞
　「フィールドプレート」を形成することについて、本願発明では、「メタルを蒸着することにより」、形成するのに対し、引用発明では、「メタル（Ti及びAu）からなる電界制御電極１０を形成」するものの、メタルの形成手法については特定されていない点。
　
（２）判断
ア　相違点１について
（ア）上記「２（１）引用例」の上記摘記事項の段落【００１９】に、「…Au膜をこの順にスパッタ蒸着する。…50nmのAuGe、8nmのNi、250nmのAuをこの順に真空蒸着し」と記載されており、「ゲート電極８」や「ソース電極６」及び「ドレイン電極７」を形成する際に蒸着により行うことが記載されているとともに、引用発明の「電界制御電極１０」も「ゲート電極８」、「ソース電極６」及び「ドレイン電極７」と同様に材料としてAuを用いていることは明らかであるから、引用例には明記されていないものの、引用発明も本願発明のように、「メタルを蒸着することにより」、フィールドプレート（電界制御電極１０）を形成するものと認められる。
　したがって、相違点１は実質的なものではない。
　よって、本願発明の構成はすべて引用例に示されているものであって、本願発明は引用発明と同一ということとなる。 
　
（イ）また、仮に相違点１が実質的なものであったとしても、一般に、メタル形成工程を含む半導体装置の製造方法において、メタルの形成を「蒸着」により行うことは、例えば、以下の周知例１及び２に記載されているように、普通に知られている慣用技術である。
　
（ａ）周知例１：特開２０００−３９１９号公報（原査定の拒絶の理由で引用された引用文献２）
・「【００３６】（第１の実施の形態）第１の実施の形態を図１に示す。この実施の形態は、ゲート電極５とドレイン電極８との間に、チャンネル層２の上部に絶縁膜６を介して電界制御電極９が形成された例である。…」
・「【００３８】
電界制御電極９は
金属膜を蒸着
　
（ｂ）周知例２：特開２０００−３１５８０４号公報（原査定の拒絶の理由で引用された引用文献６）
・「【００２０】次に、図５に示すように、絶縁膜１５を全面に形成後、ゲート電極１を形成する部分に開口部を設け、スパッタしたＷＳｉ（１７）／Ａｕ（１６）にフォトレジストマスクによるドライエッチングを行い
ゲート電極１を形成
【００２１】次に、図６に示すように、絶縁膜１５を除去した後、
表面保護膜１２となる絶縁膜
ＳｉＯ
2 
を全面に堆積
ソース，ドレイン部分にフォトレジストでパターニングをし
【００２２】次に、図７に示すように、ゲート・ドレイン間のリセス部分にフォトレジストパターンを形成し、
Ｔｉ／Ａｕの蒸着リフトオフによりフィールドプレート電極４を形成する
　
（ウ）そして、上記（ア）において検討したとおり、引用発明においては、「電界制御電極１０」と同様にAuを用いている「ゲート電極８」、「ソース電極６」及び「ドレイン電極７」を形成する際に蒸着により行うのであるから、引用発明において、前記慣用技術に基づき、電界制御電極１０の形成を、「メタルを蒸着することにより」、形成するものとすることは、当業者であれば適宜なし得たことである。
　よって、引用発明において、上記相違点１に係る本願発明の構成とすることは、当業者が適宜なし得たことである。
　
（エ）よって、仮に相違点１が実質的なものであったとしても、相違点１は、当業者が容易になし得た範囲に含まれる程度のものである。
　
イ　判断についてのまとめ
　以上のとおりであるから、本願発明の構成はすべて引用例に示されているものであって、本願発明は引用発明と同一ということとなり、引用例に記載された発明である。
　よって、本願発明は、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。
　または、上記「ア　相違点１について（イ）〜（エ）」で検討したとおり、仮に相違点１が実質的なものであったとしても、当業者が容易になし得た範囲に含まれる程度のものであるから、本願発明は、引用発明及び慣用技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　よって、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
４　予備的検討
（１）検討の前提
　なお、特許請求の範囲に記載された文言とは一致しないが、仮に、本願発明が、
「１以上のゲートフィールドプレートを製造する方法であって、該方法は、
　デバイスの活性領域およびゲート上に誘電性材料を提供することと、
　該誘電性材料をエッチングすることと、
　該誘電性材料上にメタルを蒸着することにより、少なくとも１つのフィールドプレートを形成することと
　『を順に行うこと』を含み、
　（ｉ）該デバイスの該活性領域上に堆積された該誘電性材料は、該活性領域を曝すように除去されることはなく、
　（ｉｉ）該少なくとも１つのフィールドプレートは、該誘電性材料上に形成され、
　（ｉｉｉ）該ゲートは、該活性領域の直上にある、方法。」（以下、当該発明を「本願予備的発明」という。）であると解釈した場合についても、予備的に検討する。
　
（２）本願予備的発明と引用発明との対比
　上記「３（１）対比」における検討を勘案すると、本願予備的発明と引用発明の一致点及び相違点は次のとおりである。
＜一致点＞ 
「１以上のゲートフィールドプレートを製造する方法であって、該方法は、
　デバイスの活性領域およびゲート上に誘電性材料を提供することと、
　該誘電性材料をエッチングすることと、
　該誘電性材料上にメタルを形成することにより、少なくとも１つのフィールドプレートを形成することと
　を含み、
　（ｉ）該デバイスの該活性領域上に堆積された該誘電性材料は、該活性領域を曝すように除去されることはなく、
　（ｉｉ）該少なくとも１つのフィールドプレートは、該誘電性材料上に形成され、
　（ｉｉｉ）該ゲートは、該活性領域の直上にある、方法。」
　
＜相違点２＞
　フィールドプレートを形成することについて、本願予備的発明では、「メタルを蒸着することにより」、形成するのに対し、引用発明では、「メタル（Ti及びAu）からなる電界制御電極１０を形成」するものの、メタルの形成手法については特定されていない点。
　
＜相違点３＞
　誘電性材料を提供することと、該誘電性材料をエッチングすることと、少なくとも１つのフィールドプレートを形成することについて、本願予備的発明では、これらの工程を「『順に行うこと』を含」むのに対し、引用発明では、「SiO2からなる絶縁膜９を堆積し、次にドレイン電極形成箇所とゲート電極形成箇所との間の絶縁膜９上にTi及びAuからなる電界制御電極１０を形成し、つづいて、絶縁膜９の所定箇所をエッチングしてコンタクト層５を露出させ」るものであり、誘電性材料のエッチングとフィールドプレート（電界制御電極１０）の形成の順序が本願予備的発明とは逆である点。
　
（３）判断
ア　相違点２について
　相違点２は、上記「３（１）対比」における＜相違点１＞のとおりであるから、上記「３（２）ア　相違点１について」で検討したとおり、相違点２も当然に、実質的なものでない、あるいは仮に相違点２が実質的なものであったとしても、当業者が容易になし得た範囲に含まれる程度のものである。
　
イ　相違点３について
　ゲート電極を覆うとともにソース及びドレイン部分をパターニングした絶縁膜上に形成したフィールドプレートを有する半導体装置の製造方法において、絶縁膜のパターニングとフィールドプレートの形成の順序を、絶縁膜のパターニング、フィールドプレートの形成の順に行うことは、上記周知例２にも記載されているように周知技術である。
　他方、引用発明は、「『ゲート電極８上』に『絶縁膜９を堆積し』」、「『絶縁膜９上』に『電界制御電極１０を形成し』」、「絶縁膜９の所定箇所をエッチングしてコンタクト層５を露出させ、ソース電極６及びドレイン電極７を形成」するもの、すなわち、「『ゲート電極を覆うとともにソース及びドレイン部分をパターニングした絶縁膜上に形成したフィールドプレート』を有する半導体装置の製造方法」に係るものであるといえるから、引用発明において、前記周知技術に基づき、絶縁膜９のエッチングと電界制御電極１０の形成の順序を、絶縁膜９のエッチング、電界制御電極１０の順に行うものとすることは、当業者であれば適宜なし得たことである。
　したがって、引用発明において、上記相違点３に係る本願予備的発明の構成とすることは、当業者が適宜なし得たことである。
　よって、相違点３は、当業者が容易になし得た範囲に含まれる程度のものである。
　
ウ　予備的検討についてのまとめ
　以上検討したとおり、相違点２及び相違点３はいずれも、当業者が容易になし得た範囲に含まれる程度のものであるから、本願予備的発明は、引用発明、並びに慣用技術及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　よって、本願予備的発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
５　むすび
　以上のとおりであるから、他の請求項について検討するまでもなく、本願は拒絶をすべきものである。 
　よって、結論のとおり審決する。