【事件の表示】
　特願２００５−３６０２８８「窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１９年　６月２８日出願公開、特開２００７−１６５６１１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯　　
　
　本願は、平成１７年１２月１４日に出願したものであって、平成２４年１月１８日付けで手続補正がなされたが、拒絶査定がなされ、これに対し、同年１０月２４日付けで拒絶査定不服審判請求がなされ、これと同時に手続補正（以下「本件補正」という。）がなされたものである。　
　
第２　本件補正についての補正却下の決定　　
　
　１　結論　
　
　本件補正を却下する。　　
　　                 
　２　理由　
　　
　（１）補正の内容　　
　本件補正は、特許請求の範囲の請求項１について、補正前（平成２４年１月１８日付け手続補正後のもの）の　　
　「【請求項１０】　
　窒化ガリウム系化合物半導体素子のｐ型半導体層上にドーパントを含む透光性導電酸化膜を積層する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法において、前記ｐ型半導体層上にドーパントを含む透光性導電酸化膜を積層した後、２００℃〜９００℃の温度で熱アニール処理を行うことにより、前記ｐ型半導体層と前記透光性導電酸化膜との界面のドーパント濃度を、前記透光性導電酸化膜のバルクのドーパント濃度よりも高濃度にするとともに、該透光性導電酸化膜のバルクよりもドーパント濃度が５〜１０質量％高い領域を、前記界面を中心にして０．１ｎｍ〜３ｎｍの範囲に形成することを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法。」　
　を、　　 
　「【請求項１】　
　窒化ガリウム系化合物半導体素子のｐ型半導体層上にドーパントを含む透光性導電酸化膜を積層する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法において、
前記ｐ型半導体層の表面を洗浄し、次いで、該ｐ型半導体層上に、ドーパントを含む透光性導電酸化膜をＩＴＯ（Ｉｎ
２
Ｏ
３
−ＳｎＯ
２
）から形成して積層した後、２５０℃〜８００℃の温度で熱アニール処理を行うことで透光性導電酸化膜内のドーパントを拡散させることにより、
且つ、該透光性導電酸化膜の厚さを１００ｎｍ〜１０００ｎｍの範囲として形成する
に補正する内容を含むものであり、特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。　
　
　（２）独立特許要件についての検討　　
　本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるかについて検討する。　
　                　　
　ア　刊行物の記載　　
　
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願前に頒布された刊行物である特開２００５−２４４１２８号公報（以下「刊行物」という。）には、以下の記載がある（下線は、審決で付した）。　　
　                                     
　（ア）「【実施例１】　
【００４６】　
  実施例１として作成した半導体発光素子を図１に基づき詳細に説明する。半導体発光素子１０は、サファイア基板１の上に、Ａｌ０．１Ｇａ０．９Ｎよりなるバッファ層（図示せず）、ノンドープＧａＮ層（図示せず）が積層され、その上に、ｎ型半導体層２として、ＳｉドープＧａＮよりなるｎ型コンタクト層、ＧａＮ層（４０Å）とＩｎＧａＮ層（２０Å）とを交互に１０回積層させた超格子のｎ型クラッド層が積層され、さらにその上に、最初に膜厚が２５０ÅのアンドープＧａＮからなる障壁層と続いて膜厚が３０ÅのＩｎ０．３Ｇａ０．７Ｎからなる井戸層と膜厚が１００ÅのＩｎ０．０２Ｇａ０．９８Ｎからなる第１の障壁層と膜厚が１５０ÅのアンドープＧａＮからなる第２の障壁層が繰り返し交互に６層ずつ積層されて形成された多重量子井戸構造の活性層３（総膜厚１９３０Å）、ｐ型半導体層４として、ＭｇドープＡｌ０．１Ｇａ０．９Ｎ層（４０Å）とＭｇドープＩｎＧａＮ層（２０Å）とが交互に１０回積層された超格子のｐ型クラッド層、ＭｇドープＧａＮよりなるｐ型コンタクト層がこの順に積層されて構成される。　
【００４７】　             
  ｎ型半導体層２の一部の領域においては、その上に積層された活性層３及びｐ型半導体層４が除去され、さらにｎ型半導体層２自体の厚さ方向の一部が除去されて露出しており、その露出したｎ型半導体層２上にｎ電極７が形成されている。　
【００４８】　
  ｐ型半導体層３上には、ほぼ全面に、ＩＴＯからなる透光性電極５が形成されており、この透光性電極５の上に一部パッド電極６が形成される開口部を有して、導電性の酸化物膜８が形成されている。なお、透光性電極５は、パッド電極６側において膜中酸素濃度が低い領域５ａが、ｐ型半導体層３側において膜中酸素濃度が高い領域５ｂが形成されている。
このような半導体発光素子は、以下の製造方法により形成する
＜半導体層の形成＞　
【００４９】　　
  ２インチφのサファイア
基板１の上に
Ａｌ
０．１
Ｇａ
０．９
Ｎよりなるバッファ層を１００Å、ノンドープＧａＮ層を１．５μｍ、ｎ型半導体層２として、ＳｉドープＧａＮよりなるｎ型コンタクト層を２．１６５μｍ、ＧａＮ層（４０Å）とＩｎＧａＮ層（２０Å）とを交互に１０回積層させた超格子のｎ型クラッド層５を６４０Å、最初に膜厚が２５０ÅのアンドープＧａＮからなる障壁層と続いて膜厚が３０ÅのＩｎ
０．３
Ｇａ
０．７
Ｎからなる井戸層と膜厚が１００ÅのＩｎ
０．０２
Ｇａ
０．９８
Ｎからなる第１の障壁層と膜厚が１５０ÅのアンドープＧａＮからなる第２の障壁層が繰り返し交互に６層ずつ積層されて形成された多重量子井戸構造の活性層３（総膜厚１９３０Å）、ｐ型半導体層４として、ＭｇドープＡｌ
０．１
Ｇａ
０．９
Ｎ層（４０Å）とＭｇドープＩｎＧａＮ層（２０Å）とを交互に１０回積層させた超格子のｐ型クラッド層を０．２μｍ、ＭｇドープＧａＮよりなるｐ型コンタクト層を０．５μｍの膜厚でこの順に成長させ、ウェハを作製した
＜エッチング＞　
【００５０】　
  
得られたウェハを
６００℃にてアニールし、ｐ型クラッド層及びｐ型コンタクト層をさらに低抵抗化した
最上層のｐ型コンタクト層の表面に所定の形状のマスクを形成し、エッチング装置でマスクの上からエッチングし、ｎ型コンタクト層の一部を露出させた
＜ＩＴＯ膜の形成＞　
【００５１】　
  
マスクを除去した後
＜パッド電極の形成＞　
【００５２】　
  
透光性電極５上に、レジストにより所定のパターンを有するマスクを形成し
パッド電極６を総膜厚１μｍで形成した
ｎ型コンタクト層の上に
ｎ電極７を７０００Åの膜厚で形成し、アニール装置にて４００℃以上で熱処理を施し、電極を合金化した
絶縁性酸化物膜８をパッド電極６とｎ電極７の表面の一部が露出するようにして半導体積層構造及び導電性酸化物膜の表面及び側面に２０００Åの膜厚で形成した。得られたウェハを所定の箇所で分割することにより、半導体発光素子１０を得た
【００５３】　
  以上のようにして形成した半導体発光素子を、酸化物膜８表面側から、ＩＴＯ膜５及び半導体層４にかけてＳＩＭＳにより分析し、パッド電極、透光性電極、ｐ型半導体層のデプスプロファイルを測定した。その結果は図２に示す傾向になり、図２から、ＩＴＯ膜は、パッド電極側の界面近傍において、ｐ型半導体層４側の酸素濃度よりも酸素濃度の高い領域５ａを有していることが確認された。　
【００５４】　
  このような構成により、ＩＴＯ膜の表面において、酸素濃度の高い、つまりキャリアが少ない領域が形成され、酸化物膜との界面近傍において、結晶性に優れ、発光層からの光を十分に外部に取り出すことができる。さらにＩＴＯ膜の半導体層側に酸素濃度の低い、つまりキャリアが多い領域が形成されるために、半導体層とのショットキー障壁を小さくすることができる。また、ＩＴＯ膜は、半導体層が表面にある半導体積層構造側のシート抵抗を低くでき、半導体積層構造に最も効率よく電流注入が行えるので、発光効率の高い半導体発光素子を得ることができる。」　
　
　（イ）「【実施例４】　
【００５９】　
  実施例４の半導体発光素子は、実施例１における製造工程においてＩＴＯ膜を成膜した後、あるいは、
実施例１における製造工程において第１の酸化物ターゲットを用いて４０００ÅのＩＴＯ膜を形成した後
３００℃でランプアニール
　　
　（ウ）図１は、次のものである。　
　　　
　イ　引用発明　　
  
　（ア）前記ア（ア）によれば、刊行物には、「基板の上に、Ａｌ０．１Ｇａ０．９Ｎよりなるバッファ層を１００Å、ノンドープＧａＮ層を１．５μｍ、ｎ型半導体層２として、ＳｉドープＧａＮよりなるｎ型コンタクト層を２．１６５μｍ、ＧａＮ層（４０Å）とＩｎＧａＮ層（２０Å）とを交互に１０回積層させた超格子のｎ型クラッド層５を６４０Å、最初に膜厚が２５０ÅのアンドープＧａＮからなる障壁層と続いて膜厚が３０ÅのＩｎ０．３Ｇａ０．７Ｎからなる井戸層と膜厚が１００ÅのＩｎ０．０２Ｇａ０．９８Ｎからなる第１の障壁層と膜厚が１５０ÅのアンドープＧａＮからなる第２の障壁層が繰り返し交互に６層ずつ積層されて形成された多重量子井戸構造の活性層３（総膜厚１９３０Å）、ｐ型半導体層４として、ＭｇドープＡｌ０．１Ｇａ０．９Ｎ層（４０Å）とＭｇドープＩｎＧａＮ層（２０Å）とを交互に１０回積層させた超格子のｐ型クラッド層を０．２μｍ、ＭｇドープＧａＮよりなるｐ型コンタクト層を０．５μｍの膜厚でこの順に成長させ、ウェハを作製し、得られたウェハを６００℃にてアニールし、最上層のｐ型コンタクト層の表面に所定の形状のマスクを形成し、エッチング装置でマスクの上からエッチングした後、マスクを除去し、スパッタ装置にウェハを設置し、Ｉｎ２Ｏ３とＳｎＯ２とを９５：５の重量比で混合した焼結体からなる第１の酸化物ターゲットと、このＩｎ２Ｏ３とＳｎＯ２との焼結体に９０：１０の重量比となるようにさらにＩｎを添加した第２のターゲットとをＩＴＯターゲットとして設置し、スパッタ装置によって、酸素ガス雰囲気中、スパッタガスとしてアルゴンガスで、まず、第１の酸化物ターゲットを用いて、例えばＲＦパワー１０Ｗ／ｃｍ３で５分間スパッタリングし、引き続き、第２のターゲットに変更して１５分間スパッタリングすることにより、ウェハのｐ型コンタクト層のほぼ全面に、ＩＴＯよりなる透光性電極５を４０００Åの膜厚で形成した。透光性電極５の上に、マスクを形成し、パッド電極６を形成し、その後、ｎ型コンタクト層の上に、ｎ電極７を形成し、アニール装置にて４００℃以上で熱処理を施し、電極を合金化し、さらに、絶縁性酸化物膜８をパッド電極６とｎ電極７の表面の一部が露出するようにして形成した。得られたウェハを所定の箇所で分割することにより、半導体発光素子１０」を得る半導体発光素子の製造方法が記載されていると認められる。
　　　
　（イ）前記ア（イ）によれば、刊行物には、「実施例１における製造工程において、第１の酸化物ターゲットを用いて４０００ÅのＩＴＯ膜を形成した後、酸化性ガス雰囲気下（例えば酸素ガス雰囲気下）にて、例えば３００℃でランプアニールによって処理する」点が記載されている。　
　ここで前記「第１の酸化物ターゲット」とは、前記ア（ア）記載の「Ｉｎ２Ｏ３とＳｎＯ２とを９５：５の重量比で混合した焼結体からなる第１の酸化物ターゲット」である。
　
　（ウ）以上によれば、刊行物には、「基板の上に、Ａｌ０．１Ｇａ０．９Ｎよりなるバッファ層を１００Å、ノンドープＧａＮ層を１．５μｍ、ｎ型半導体層２として、ＳｉドープＧａＮよりなるｎ型コンタクト層を２．１６５μｍ、ＧａＮ層（４０Å）とＩｎＧａＮ層（２０Å）とを交互に１０回積層させた超格子のｎ型クラッド層５を６４０Å、最初に膜厚が２５０ÅのアンドープＧａＮからなる障壁層と続いて膜厚が３０ÅのＩｎ０．３Ｇａ０．７Ｎからなる井戸層と膜厚が１００ÅのＩｎ０．０２Ｇａ０．９８Ｎからなる第１の障壁層と膜厚が１５０ÅのアンドープＧａＮからなる第２の障壁層が繰り返し交互に６層ずつ積層されて形成された多重量子井戸構造の活性層３（総膜厚１９３０Å）、ｐ型半導体層４として、ＭｇドープＡｌ０．１Ｇａ０．９Ｎ層（４０Å）とＭｇドープＩｎＧａＮ層（２０Å）とを交互に１０回積層させた超格子のｐ型クラッド層を０．２μｍ、ＭｇドープＧａＮよりなるｐ型コンタクト層を０．５μｍの膜厚でこの順に成長させて、ウェハを作製し、得られたウェハを６００℃にてアニールし、ｐ型クラッド層及びｐ型コンタクト層をさらに低抵抗化し、最上層のｐ型コンタクト層の表面に所定の形状のマスクを形成し、エッチング装置でマスクの上からエッチングし、ｎ型コンタクト層の一部を露出させ、マスクを除去した後、Ｉｎ２Ｏ３とＳｎＯ２とを９５：５の重量比で混合した焼結体からなる第１の酸化物ターゲットを用いて４０００ÅのＩＴＯ膜を形成した後、酸化性ガス雰囲気下（例えば酸素ガス雰囲気下）にて、３００℃でランプアニールによって処理し、透光性電極５上にマスクを形成し、パッド電極６を形成し、ｎ型コンタクト層の上にｎ電極７を形成し、アニール装置にて４００℃以上で熱処理を施し電極を合金化し、絶縁性酸化物膜８をパッド電極６とｎ電極７の表面の一部が露出するようにして形成し、得られたウェハを所定の箇所で分割することにより、半導体発光素子を得る製造方法。」（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。　
　　                
　ウ　対比　　
　                      
　本願補正発明と引用発明を対比する。　
　
　（ア）引用発明の「半導体発光素子」は、「膜厚が２５０ÅのアンドープＧａＮからなる障壁層と続いて膜厚が３０ÅのＩｎ０．３Ｇａ０．７Ｎからなる井戸層と膜厚が１００ÅのＩｎ０．０２Ｇａ０．９８Ｎからなる第１の障壁層と膜厚が１５０ÅのアンドープＧａＮからなる第２の障壁層が繰り返し交互に６層ずつ積層されて形成された多重量子井戸構造の活性層」等を積層して得るものものであるから、本願補正発明の「窒化ガリウム系化合物半導体素子」に相当する。そして本願補正発明とは「半導体発光素子を得る製造方法」である点で一致する。　
　
　（イ）引用発明の「ｐ型半導体層４」は、本願補正発明の「ｐ型半導体層」に相当する。
  　　
　（ウ）引用発明の「ＩＴＯ膜」は、本願補正発明の「ＩＴＯ（Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２）から形成したドーパントを含む透光性導電酸化膜」に相当する。　
　
　（エ）引用発明は、前記（イ）の「ｐ型半導体層４」の最上層であるｐ型コンタクト層の表面にＩＴＯ膜を形成するものであるところ、上記（ウ）に照らせば、引用発明は、本願補正発明の「ｐ型半導体層上に、ドーパントを含む透光性導電酸化膜をＩＴＯ（Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２）から形成して積層」する構成を備える。　
　
　（オ）引用発明の「ランプアニール」は、本願補正発明の「熱アニール処理」に相当し、該「ランプアニール」は３００℃で行われるものであるから、引用発明は本願補正発明と「３００℃の温度で熱アニール処理を行う」点で一致する。　
　
　（カ）引用発明は、本願補正発明と同様に、ｐ型半導体層上に形成された、ＩＴＯからなる透光性導電酸化膜を、熱アニール処理していることに照らせば、本願補正発明と同様に「熱アニール処理を行うことで透光性導電酸化膜内のドーパントを拡散させることにより、前記ｐ型半導体層と前記透光性導電酸化膜との界面のドーパント濃度を、前記透光性導電酸化膜のバルクのドーパント濃度よりも高濃度にする」ものと認められる。　　
　
　（キ）引用発明の「４０００ÅのＩＴＯ膜」は、本願補正発明における「透光性導電酸化膜」を厚さ４００ｎｍとしたものに相当するから、引用発明は本願補正発明と「該透光性導電酸化膜の厚さを４００ｎｍとして形成する」点で一致する。　
　　　
　以上によれば、本願補正発明と引用発明は、「窒化ガリウム系化合物半導体素子のｐ型半導体層上にドーパントを含む透光性導電酸化膜を積層する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法において、該ｐ型半導体層上に、ドーパントを含む透光性導電酸化膜をＩＴＯ（Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２）から形成して積層した後、３００℃の温度で熱アニール処理を行うことで透光性導電酸化膜内のドーパントを拡散させることにより、前記ｐ型半導体層と前記透光性導電酸化膜との界面のドーパント濃度を、前記透光性導電酸化膜のバルクのドーパント濃度よりも高濃度にして形成し、且つ、該透光性導電酸化膜の厚さを４００ｎｍとして形成する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法。」である点で一致し、以下の（ク）、（ケ）の点で相違するものと認められる。　
　
　（ク）本願補正発明が、「透光性導電酸化膜のバルクよりもドーパント濃度が５〜１０質量％高い領域を、ｐ型半導体層と前記透光性導電酸化膜との界面を中心にして０．１ｎｍ〜３ｎｍの範囲に形成」するものであるのに対し、引用発明は、前記数値を特定するものではない点（以下「相違点１」という。）。　
　
　（ケ）本願補正発明が、「ｐ型半導体層の表面を洗浄」し、次いで透光性導電酸化膜を形成するものであるのに対し、引用発明は、ｐ型半導体層の表面を洗浄するものか明らかでない点（以下「相違点２」という。）。　
　　　        
　エ　判断　　
　
　前記各相違点について検討する。　
　
　（ア）相違点１について　
　ドーパント濃度をどの程度とするかは、当業者が設計上適宜考慮する程度の事項というべきであり、ドーパント濃度ないしドーパント濃度を高くする部位の範囲を、本願補正発明に特定される程度のものとすることに格別の困難は認められない。　
　
　他方、本願明細書には、「このような、透光性導電酸化膜層とｐ型半導体層との間の接触抵抗を低減する機構については明らかではないが、透光性導電酸化膜の比抵抗が最も小さくなるドーパント濃度に対して、接触抵抗が最も小さくなるドーパント濃度が５〜１０質量％程度高いため」（【００２９】段落）、「透光性導電酸化膜の比抵抗をより低く保つためには、高ドーパント濃度領域が界面を中心にして０．１ｎｍ〜１０ｎｍの範囲に存在することがより好ましく、０．１ｎｍ〜３ｎｍの範囲に存在することが最も好ましい。」（【００３１】段落）と記載されるにとどまり、相違点１に係る特定事項としたことに、設計上適宜の範囲を特定した以上の意義は認められない。　
　したがって、本願補正発明において、前記相違点１に係る特定事項としたことに、当業者が適宜なし得る設計的事項以上のものということはできない。　　
　
　（イ）相違点２について　
　引用発明は、「マスクを除去した後、・・・４０００ÅのＩＴＯ膜を形成」するものであるところ、マスク除去後に洗浄することは通常行われている技術であるから、引用発明において、ＩＴＯよりなる透光性電極形成前に洗浄をすることは、当業者にとって当然考慮すべき事項にすぎない。  
　
　（ウ）請求人は、平成２５年３月２５日提出の回答書（２頁１５行〜３頁３行）において、引用例１においては、スパッタ処理前のｐ型半導体層の表面洗浄を行うことは記載されておらず、また、決して技術常識ではない旨主張する。 
　しかし、前記（イ）のとおり、引用発明において、ＩＴＯよりなる透光性電極形成前に洗浄を行うことは、当業者にとって当然考慮すべき事項にすぎず、洗浄による本願補正発明の効果についてみても、引用発明において、マスク除去後に洗浄を行うことによって、当然奏される以上の格別顕著な効果が奏されるとは認められないので、前記主張は採用できない。　
　　
　以上によれば、本願補正発明は、当業者が、引用発明に基づいて容易に発明できたものと認められ、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。　
　　　　                                                 
　（３）補正却下の決定のむすび　
　
　以上のとおり、本願補正発明は、当業者が引用発明に記載された発明に基づいて容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができない。　
　
　したがって、本件補正は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。　
　
第３　本願発明について　　
　
　１　本件補正は前記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成２４年１月１８日に補正された特許請求の範囲の請求項１ないし１３に記載された事項によって特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」は、前記第２、２（１）において、本件補正前の請求項１として示したとおりのものである。　
　　　
　２　判断　　
　
　本願発明の発明特定事項を全て含み、さらに限定を付したものが本願補正発明であるところ、本願補正発明が、前記第２、２（２）において検討したとおり、引用発明に基づいて当業者が容易に発明することができたものであることに照らせば、本願発明が引用発明に基づいて当業者が容易に発明できたものであることは明らかである。
　
　３　むすび　　
　
　以上のとおり、本願発明は、当業者が引用発明に記載された発明に基づいて容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。　
　
　よって、結論のとおり審決する。