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　特願２００７−１３９０２９「半導体装置及び半導体装置の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２０年１２月　４日出願公開、特開２００８−２９４２８１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯 
　本願は，平成１９年５月２５日の出願であって，平成２３年１０月１２日付けの拒絶理由通知（いわゆる最後の拒絶理由通知）に対して同年１２月１９日付けで特許請求の範囲等を対象とする手続補正がなされたが，平成２４年４月１２日付けで同手続補正を却下する決定がなされるとともに拒絶査定がなされ，これに対し，同年７月１７日に拒絶査定不服審判の請求がなされると同時に特許請求の範囲等を対象とする手続補正がなされたものである。
　
第２．原査定
　原査定における拒絶の理由は，以下のとおりのものと認める。
　「この出願の請求項に係る発明は，その出願前に日本国内又は外国において，頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて，その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　１．特開平１−５９９８６号公報
　２．特開２００６−２８６７５４号公報
　３．特開２００３−１７６２７号公報」
　
第３．平成２４年７月１７日付けの手続補正についての補正却下の決定
〔補正の却下の決定の結論〕
　平成２４年７月１７日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
　
〔理由〕
１．本件補正の概要
　本件補正は，平成２３年６月２０日付けで補正された特許請求の範囲をさらに補正するもので，請求項１については，補正前に
　「セラミック基板の一面に実装用の第１の金属層が接合されるとともに該第１の金属層に半導体素子が熱的に結合され，前記セラミック基板の他面に実装用の第２の金属層が接合されるとともに該第２の金属層に放熱装置が接合された半導体装置であって，
　前記放熱装置と前記第２の金属層の間に，板状をなし一面に前記第２の金属層より面積の小さい第１接合面を備えるとともに他面に第２接合面を備える応力緩和部材が介装され，前記第１接合面が前記第２の金属層の周縁より内側に配置されて該第２の金属層に直接ろう付けされているとともに前記第２接合面が前記放熱装置に直接ろう付けされており，前記応力緩和部材，前記第２の金属層及び前記放熱装置は，同じ金属材料により形成されている半導体装置。」
とあるのを，次のとおりに補正するものと認められる。
　
　「セラミック基板の一面に半導体素子実装用の第１の金属層が接合されるとともに該第１の金属層に半導体素子が熱的に結合され，前記セラミック基板の他面に放熱装置実装用の第２の金属層が接合されるとともに該第２の金属層に放熱装置が接合された半導体装置であって，
　前記放熱装置と前記第２の金属層の間に，板状をなし一面に前記第２の金属層より面積の小さい第１接合面を備えるとともに他面に第２接合面を備える応力緩和部材が介装され，前記第２金属層において前記応力緩和部材が接合されていない周縁部が全周に亘って一定の幅で延びるように前記第１接合面が前記第２の金属層の周縁より内側に配置されて該第２の金属層に直接ろう付けされているとともに前記第２接合面が前記放熱装置に直接ろう付けされており，前記応力緩和部材，前記第２の金属層及び前記放熱装置は，同じ金属材料により形成されている半導体装置。」
　
　上記補正は，補正前の発明特定事項である「第１接合面が第２の金属層の周縁より内側に配置され」に関して，「前記第２金属層において前記応力緩和部材が接合されていない周縁部が全周に亘って一定の幅で延びる」との限定を付したものであり，産業上の利用分野及び解決しようとする課題を変更するものではない。
　したがって，少なくとも請求項１の補正に関する限り，本件補正は，特許法第１７条の２第５項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで，補正後の請求項１に記載された事項により特定される発明（以下「本願補正発明」という。）が，特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合するか）について検討する。
　
２．引用刊行物
（１）原査定の拒絶の理由に引用され，本願の出願前に頒布された刊行物である特開平１−５９９８６号公報（以下「引用例１」という。）には，図面とともに，次の事項が記載されている。
　１ａ）「ところで，このようなＤＢＣ法によるセラミックス回路基板においては，大電流を流せるように導電路となる銅回路板の厚さを０．３〜０．５ｍｍと厚いものを使用しているため，熱履歴に対して信頼性に乏しいという問題がある。すなわち，加熱接合後の冷却過程や冷熱サイクルの付加により，セラミックス部材と銅との熱膨張差に起因する熱応力が発生する。この応力は接合部近傍のセラミックス基板側に圧縮と引張の残留応力分布として存在し，特に銅板の端部と近接するセラミックス部分に残留応力の主応力が作用する。そして，この残留応力のうちの引張成分としての最大応力値がセラミックスの引張強度を超えるとセラミックス基板にクラックを生じさせ，さらには銅板剥離を起こしてしまう。また，クラックが生じないまでもこの残留応力は，セラミックス基板の強度を低下させるという悪影響を及ぼす。
　また，このようなセラミックス回路基板は，通常，セラミックス基板の裏面にも表面，すなわち半導体素子等の実装部と同一の厚さの銅板を接合して用いているが，この裏面の銅板はセラミックス基板の端部より所定の間隔を開けてそれ以外の部分全面に接合しているので，特に冷熱サイクルによる収縮が大きく，クラック発生の一因となっている。
　本発明はこのような従来の問題点を解消するためになされたもので，熱履歴に対する信頼性を向上させたＤＢＣ法によるセラミックス回路基板を提供することを目的とする。」（第２頁左上欄第１８行〜同頁左下欄第６行）
　１ｂ）「本発明のセラミックス回路基板は，セラミックス基板上に所定の形状の銅板を接触配置し加熱接合させてなるセラミックス回路基板において，前記銅板が各端部に薄肉部を有することを特徴としている。
　本発明における銅板端部の薄肉部の形状としては，例えば以下のようなものが挙げられる。
　１　銅板端部を段付形状とすることにより薄肉部を形成する。」（第２頁左下欄第９〜１７行）
　１ｃ）「また，薄肉部の形成範囲としては，銅板の外周より０．１〜１ｍｍが好ましい。この薄肉部の形成範囲が０．１ｍｍ未満であるとその効果が十分に得られず，１ｍｍを超えて形成してもそれ以上の効果が得られず，実装面積が減少し好ましくない。
　本発明に使用する銅板としては，タフピッチ銅のような酸素を１００〜３０００ｐｐｍの割合で含有する銅を圧延してなるものが好ましい。また，この銅板のうち，回路を構成し実装部となる銅板の厚さは，０．２５〜６．０ｍｍの範囲が好ましく，この実装部の反対側の面，すなわち裏面にも銅板を接合する場合のその厚さは，実装部の銅板の厚さの３０〜９０％の範囲が好ましい。このように裏面の銅板の厚さを薄くすることによりセラミックス基板の疲労を減少でき，さらに熱履歴に対する信頼性が向上する。裏面の銅板の厚さが実装部の銅板の厚さの９０％を超えるとこのセラミックス基板の疲労低減効果が十分でなく，また３０％未満では実装部との熱応力の差が大きくなりすぎ逆にセラミックス基板の疲労が大きくなる。また，裏面の銅板の端部にも薄肉部を設けたほうがよいことは当然である。」（第２頁右下欄末行〜第３頁右上欄第１行）
　１ｄ）「次に，第１図ないし第３図に示すように，厚さ０，３ｍｍの酸素含有量が３００ｐｐｍのタフピッチ銅を使用して厚さ０．１５ｍｍの薄肉部１ａを外周より幅１ｍｍの範囲に形成した段付形状の実装部となる所望の回路パターンの銅板１と，厚さ０．２５ｍｍの酸素含有量が３００ｐｐｍのタフピッチ鋼を使用して厚さ０．１２ｍｍの薄肉部２ａを外周より幅１ｍｍの範囲に形成した段付形状の裏面となる銅板２とを，前述のセラミックス基板３の両面に配置し，窒素ガス雰囲気中で１０７５℃，１０分の条件で加熱し接合させ，セラミックス回路基板を作製した。」（第３頁右下欄第１０〜末行）
　１ｅ）「実施例４
　第５図に示すように，酸素含有量３００ｐｐｍの銅素材を用い，実施例１で使用したものと同一のセラミックス基板３の実装部となる一方の面に，厚さ０．２５ｍｍの薄肉部用銅板４と厚さ０．２５ｍｍの実装面用銅板５とを積層して配置し，他方の面にも厚さ０．２ｍｍの薄肉部用銅板６と厚さ０．２ｍｍの実装面用銅板７とを積層して配置する以外は実施例１と同一条件でセラミックス回路基板を作製し，同様にサーマルサイクルテストを行った後，実施例１と同様に蛍光探傷法試験により判定したところ，クラックは発生していなかった。」（第４頁左下欄第７〜１８行）
　１ｆ）第５図を参照すると，実装面用銅板７は薄肉部用銅板６の内側に位置するように積層され，薄肉部用銅板６と実装面用銅板７は全体として端部が段付形状を呈していることが看取できる。
　
　第１図〜第３図に示される実施例１のセラミックス回路基板と，第５図に示される実施例４のセラミックス回路基板とを比較すると，前者は，一枚の銅板を加工することにより，端部を段付形状として薄肉部を形成するのに対して，後者は，大きさが異なる二枚の銅板を積層することによって，端部を段付き形状として薄肉部を形成する点で異なると認められるが，薄肉部の形成範囲（銅板の外周より０．１〜１ｍｍが好ましいこと）等の構成について，両者は特段に相違しないものと解される。
　引用例１の第２頁右上欄第１５〜１８行に「このようなセラミックス回路基板は，通常，セラミックス基板の裏面にも表面，すなわち半導体素子等の実装部と同一の厚さの銅板を接合して用いている」とある記載を参酌すると（記載事項１ａ），記載事項１ｅにおける「セラミックス基板３の実装部となる一方の面」は，「セラミックス基板３の半導体素子等の実装部となる一方の面」をいうものと解される。
　以上を総合すると，引用例１には，実質的に次の発明が記載されているといえる（以下「引用発明」という。）。
　「セラミックス基板３の半導体素子等の実装部となる一方の面に，厚さがそれぞれ０．２５ｍｍの薄肉部用銅板４と実装面用銅板５がこの順に積層され，セラミックス基板３の他方の面に，厚さがそれぞれ０．２ｍｍの薄肉部用銅板６と実装面用銅板７がこの順に積層されたセラミックス回路基板であって，実装面用銅板７は平面視において薄肉部用銅板６の内側に位置するように積層され，実装面用銅板７に接合されない薄肉部用銅板６の周縁部が全周に亘って延びているセラミックス回路基板。」
　
（２）原査定の拒絶の理由に引用され，本願の出願前に頒布された刊行物である特開２００３−１７６２７号公報（以下「引用例２」という。）には，図面とともに，次の事項が記載されている。
　２ａ）「【０００８】また，近年の半導体素子の高集積化，高出力化に伴って半導体素子からの発熱量も増大しており，この半導体素子６からの多量の発熱を効率的に拡散させるために，図４（Ｂ）に示すように，半導体モジュールでは，従来からセラミックス回路基板１の素子搭載面と反対側の裏銅板５に，銅（Ｃｕ）やＡｌ−ＳｉＣ系材料から成るヒートシンクベース７を半田付け法によって一体に接合している。」
　２ｂ）「【００１２】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するために本発明に係るセラミックス回路基板は，セラミックス基板の表面側に金属回路板を接合する一方，裏面側に裏金属板を接合したセラミックス回路基板において，裏金属板に，上記金属回路板の厚さの１０〜９０％の深さを有する熱応力緩和部を設けるとともに，上記金属回路板の体積に対する裏金属板の体積の比が０．６以下であることを特徴とする。
【００１３】また，上記セラミックス回路基板において，前記熱応力緩和部が，裏金属板の外周縁に形成された段差であることが好ましい。さらに，前記熱応力緩和部が，裏金属板に形成された複数の溝であることも好ましい。また，前記熱応力緩和部を，裏金属板に形成された凹陥部で形成することもできる。
【００１４】本発明においては，裏金属板に所定深さの段差，溝，凹陥部で形成した熱応力緩和部を設けているため，ヒートシンクベースと裏金属板との間の一部分に厚い半田層が形成されることになり，繰り返して熱サイクルが作用した場合においても熱応力が大幅に緩和され，半田クラックが発生しにくく，高い信頼性を有する回路基板が得られる。」
　２ｃ）「【００３２】なお，本発明の裏金属板とヒートシンクベースの接合には，一般的に使用されている半田のみならず，ＢＡｇ−８等のろう材や高分子を主成分とした接着剤などを使用しても問題はない。」
　２ｄ）「【００４２】図１は裏金属板５ａの外周縁に熱応力緩和部３としての段差を形成したセラミックス回路基板１ａの構成を示す図であり，セラミックス基板２の表面側に金属回路板４が接合される一方，裏面側に上記裏金属板５ａが接合されている。また金属回路板４の所定位置に半導体素子６が接合される一方，裏金属板５ａにヒートシンクベース７が一体に接合されて半導体モジュールが形成される。」
　
（３）原査定の拒絶の理由に引用され，本願の出願前に頒布された刊行物である特開２００６−２８６７５４号公報（以下「引用例３」という。）には，図面とともに，次の事項が記載されている。
　３ａ）「【０００２】
　従来，電気自動車，電車，工作機械などの大電流を制御するために，パワーモジュールが使用されている。従来のパワーモジュールでは，セラミックス基板の両面に金属板が接合された金属−セラミックス接合基板の上面に，パワー半導体素子が半田付けにより固定され，同様にセラミックス基板の両面に金属板が接合された金属−セラミックス接合基板の上面に，パワー半導体素子を制御する制御回路部が半田付けにより固定され，これらの金属−セラミックス接合基板が，半田付けにより厚い銅板などの放熱板（ベース板）に固定されている（例えば，特許文献１参照）。」
　３ｂ）「【００２２】
　最後に，図１Ｈに示すように，無電解Ｎｉ−Ｐめっきによって金属部の表面に約３μｍの厚さのめっき２０を施した。
【００２３】
　このようにして製造した金属−セラミックス接合基板について，２０℃→−４０℃×３０分→２０℃×１０分→１２５℃×３０分→２０℃×１０分を１サイクルとするヒートサイクルを３００回行った後に，銅板１４とろう材１２を除去して窒化アルミニウム基板１０の表面を光学顕微鏡で観察したところ，窒化アルミニウム基板１０の小回路部（制御回路部搭載用の銅板１４）に対応する部分にクラックが発生していた。しかし，本実施例で製造した金属−セラミックス接合基板の裏面に厚さ３ｍｍの銅ベース板（放熱板）を共晶半田で半田付け（２３０℃で５分間加熱）し，同様のヒートサイクル試験を行った後に，窒化アルミニウム基板１０の表面を光学顕微鏡で観察したところ，窒化アルミニウム基板１０にクラックが発生していなかった。」
　
（４）技術常識を示すために新たに引用する，本願の出願前に頒布された刊行物である特開２００２−２８９９９７号公報（以下「引用例４」という。）には，図面とともに，次の事項が記載されている。
　４ａ）「【０００５】また，前記セラミック回路基板において，セラミック基板とセラミック基板の上面に取着された金属回路板との熱膨張係数（セラミック基板の線熱膨張係数が約３ｐｐｍ／℃〜７ｐｐｍ／℃；酸化アルミニウム質焼結体：約７ｐｐｍ／℃，窒化アルミニウム質焼結体：約４ｐｐｍ／℃，窒化珪素質焼結体：約３ｐｐｍ／℃，金属回路板の熱膨張係数が約１８ｐｐｍ／℃〜約２３ｐｐｍ／℃；銅：約１８ｐｐｍ／℃，アルミニウム：約２３ｐｐｍ／℃）が大きく相違することからセラミック基板の上面に被着されたメタライズ金属層に金属回路板を銀ロウ等のロウ材を介して取着する際，両者の熱膨張係数の相違に起因する応力によりセラミック基板に反りが生じるという問題を解消するために，セラミック基板の上面に取着された金属回路板との熱膨張係数のバランスを取るためセラミック基板の下面にダミーとして金属部材が取着されている場合がある。
【０００６】更に，上述のセラミック回路基板においては，セラミック回路基板の上面にのみ金属回路板により回路を形成しているが，セラミック回路基板の高密度化を図るためにセラミック基板の下面にも上面と同様に回路を形成するための金属部材が取着されている場合がある。
【０００７】また更に，上述のセラミック回路基板においては，セラミック回路基板上に搭載される電子部品子等の発生する熱を効率よく外部に放散させるためにセラミック基板の下面に板状の金属部材を取着しておき，これに放熱体を接着するようにした場合もある。」
　
３．対比・判断
　本願補正発明と引用発明とを対比する。
　引用発明の「セラミックス基板３」，「薄肉部用銅板６」は，それぞれ本願補正発明の「セラミック基板」，「第２の金属層」に相当し，引用発明の「薄肉部用銅板４」及び「実装面用銅板５」は，本願補正発明の「第１の金属層」に相当する。
　引用発明の実装面用銅板７における薄肉部用銅板６との接合面は，本願補正発明の「第１接合面」に相当する。
　引用発明の「実装面用銅板７」は，記載事項１ａ及び１ｃを参照すると，応力緩和に寄与するといえるから，本願補正発明の「応力緩和部材」に相当する。
　引用発明の「薄肉部用銅板６」と「実装面用銅板７」が同じ金属材料により形成されていることは明らかである。
　したがって，本願補正発明と引用発明は，本願補正発明の表記にできるだけしたがえば，
　「セラミック基板の一面に半導体素子実装用の第１の金属層が接合されるとともに該第１の金属層に半導体素子が熱的に結合され，前記セラミック基板の他面に第２の金属層が接合された半導体装置であって，第２の金属層に，板状をなし一面に前記第２の金属層より面積の小さい第１接合面を備える応力緩和部材が設けられ，前記第２金属層において前記応力緩和部材が接合されていない周縁部が全周に亘って延びるように前記第１接合面が前記第２の金属層の周縁より内側に配置されて該第２の金属層に接合され，前記応力緩和部材及び前記第２の金属層は，同じ金属材料により形成されている半導体装置。」
の点で実質的に一致し，次の点で相違する。
　
［相違点１］
　本願補正発明の応力緩和部材は，第１接合面の反対側に第２接合面を備え，第２接合面が応力緩和部材及び第２の金属層と同じ金属材料からなる放熱装置に直接ろう付けされるのに対して，引用発明の「実装面用銅板７」は，放熱装置に接合されるか否か不明である点。
［相違点２］
　本願補正発明は，応力緩和部材が接合されていない第２金属層の周縁部が全周に亘って一定の幅で延びるものであるのに対して，引用発明では，実装面用銅板７に接合されない薄肉部用銅板６の周縁部が全周に亘って延びるものではあるが，一定の幅で延びていることまでは明らかでない点。
［相違点３］
　本願補正発明では，応力緩和部材が第２の金属層に直接ろう付けされるのに対して，引用発明では，実装面用銅板７と薄肉部用銅板６との接合形態は不明である点。
　
　相違点１について検討する。
　セラミックス基板の一方の面に金属板を介して半導体素子を接合するとともに，他方の面に金属板を介して放熱装置（ヒートシンク）を接合することは，引用例２及び引用例３に記載されている（記載事項２ｂ，２ｄ，３ａ，３ｂ）。また，ヒートシンクを金属板と同じ材料である銅から構成することも，金属板とヒートシンクをろう材により接合することも，引用例２に記載されている（記載事項２ａ，２ｃ）。引用発明において，実装面用銅板７を銅からなる放熱装置にろう付けすること，すなわち相違点１に係る本願補正発明の構成は，引用例２及び引用例３を参酌することにより，当業者が容易に想到し得たことである。
　相違点１に関して，請求人は，平成２４年１２月２６日付け回答書において「引用文献１の実施例４においては，セラミックス基板の一方側の面だけでなく他方側の面も，半導体素子等が実装される『実装部』として機能することを想定している。他方側の面に半導体素子等が搭載されるのであるから，この他方側の面に放熱装置を接合することは不可能である。」と主張する。確かに，引用発明の「実装面用銅板７」は，その名称だけを見れば，実装面用銅板５と同様に，半導体素子が実装されることが予定されているとも受け取れる。しかし，記載事項１ｃの記載ぶりを見ると，引用例１では，実装部の反対側の面は，むしろ，実装部とは異なる構成が想定されているといえる。したがって，実施例４における「実装面用銅板７」は，必ずしも半導体素子が実装されることが予定されているものではなく，「実装面用銅板７」との名称は，便宜上そのような呼び方をしているに過ぎない。実際に，セラミック基板の両面に金属板が取着され，少なくとも一方の金属板に電子部品（半導体素子）が装着される場合，他方の金属板には，電子部品が装着されることもあれば，放熱板が装着されることもあり，また，他方の金属板は，単に，熱応力のバランスをとるためのダミー金属板として使用されることもある（記載事項４ａ参照）。実施例４における他方の面側に放熱装置を接合することについて，請求人が主張する阻害要因があるとはいえない。
　相違点２について検討する。
　引用例１では，セラミックス部材と銅板を接合したセラミックス回路基板では，セラミックス部材と銅との熱膨張差に起因する熱応力が接合部近傍のセラミックス基板側に残留応力分布として存在し，特に銅板の端部と近接するセラミックス部分に残留応力の主応力が作用することを問題点として採りあげており，この問題を解決するために，銅板の外周に薄肉部を形成するという手段を採用している。したがって，実装面用銅板７に接合されない薄肉部用銅板６の周縁部を全周に亘って一定の幅とすることは，きわめて自然な実施形態といえる。相違点２に係る本願補正発明の構成は，当業者が適宜なし得た事項に過ぎない。
　相違点３について検討する。
　銅板同士の接合にろう付けを用いることは，例を挙げるまでもなく，周知慣用手段である。引用発明において，実装面用銅板７を薄肉部用銅板６にろう付けすることは，当業者が適宜なし得た設計事項に過ぎない。
　以上のことから，本願補正発明は，引用発明，引用例２に記載された事項及び引用例３に記載された事項に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるので，特許法第２９条第２項の規定により，特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
４．むすび
　以上のとおりであるから，本件補正は，特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するので，同法１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第４．本願発明
　本件補正は，上記のとおり却下されたので，本願の請求項１に係る発明は，平成２３年６月２０日付けで補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される次のとおりのものである（以下「本願発明」という。「第３」の「１．本件補正の概要」参照。）。
　
第５．引用刊行物
　原査定の拒絶の理由に引用された刊行物等及びその記載事項は，前記「第３」の「２．引用刊行物」に記載したとおりである。
　
第６．対比・判断
　本願発明は，本願補正発明から，前記「第３」の「１．本件補正の概要」に記載した限定を外したものである。
　してみると，本願発明の発明特定事項をすべて含む本願補正発明が，前記「第３」の「３．対比・判断」に記載したとおり，引用発明，引用例２に記載された事項及び引用例３に記載された事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，本願発明も，同様の理由で当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
第７．むすび 
　以上のとおり，本願発明は，引用発明，引用例２に記載された事項及び引用例３に記載された事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであって，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから，他の請求項について検討するまでもなく，本願は拒絶されるべきものである。
　したがって，原査定は妥当であり，結論のとおり審決する。