【事件の表示】
　特願２００８−５３３６６３号「ＭＥＭＳ装置及びＭＥＭＳ装置における相互接続」拒絶査定不服審判事件〔平成１９年　４月１２日国際公開、ＷＯ２００７／０４１３０２、平成２１年　３月１２日国内公表、特表２００９−５０９７８６号〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１８年９月２９日（パリ条約による優先権主張　２００５年９月３０日、アメリカ合衆国）を国際出願日とする出願であって、平成２３年４月１５日付けで拒絶理由が通知され、これに対し、平成２３年９月２０日付けで意見書及び手続補正書が提出され、平成２３年１１月３０日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成２４年４月６日に拒絶査定不服審判の請求がなされるとともに、同時に特許請求の範囲についての手続補正がなされたものである。
　
第２　平成２４年４月６日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成２４年４月６日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
　
［理由］
１　補正後の本願発明
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項２７は、次のように補正された。
　
「微小電気機械システム装置であって、
　ディスプレイアレイ領域の固定された第１
透明
　第２電極を含む、前記ディスプレイアレイ領域の可動
完全
　前記ディスプレイアレイ領域の
固定された
透明
完全反射
透明
完全
　前記装置の外部の電気回路網と前記ディスプレイアレイ領域の前記固定された第１
透明
完全
　を含み、
　前記電気相互接続の少なくとも一部及び前記導電層は、同一の材料で形成される微小電気機械システム装置。」（なお、下線は補正箇所を示すものである。）
　
２　補正の目的の適否及び新規事項の追加の有無
　本件補正は、請求項２７に記載した発明を特定するために必要な事項である「第１電極」との特定事項を「第１透明電極」との限定事項に減縮し、「可動反射電極層」との特定事項を「可動完全反射電極層」との限定事項に減縮するとともに、明りょうでない記載の釈明及び特許請求の範囲の減縮を目的として「前記ディスプレイアレイ領域の前記第１電極」を「前記ディスプレイアレイ領域の固定された前記第１透明電極」と補正するものであり、かつ、補正後の請求項２７に記載された発明は、補正前の請求項２７に記載された発明と、産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一であるので、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮及び同法第１７条の２第４項第４号の明りょうでない記載の釈明を目的とするものに該当する。
　
　そして、本件補正は、新規事項を追加するものではない。
　
３　独立特許要件
　そこで、本件補正後の前記請求項２７に記載された発明（以下「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
（１）引用刊行物の記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願優先権主張日前に頒布された刊行物である特開２００２−３４１２６８号公報（以下「刊行物１」という。）には、図面と共に次の事項が記載されている。
ア　「【請求項１】少なくとも一方が入射光の反射または透過を制御する光学層を有する２つの電極が、電位差のない状態で間隙を有して画素を形成するように対向配置されており、前記各画素の２つの電極のうち一方の電極には走査電圧を印加する走査配線が接続され、他方の電極には信号電圧を印加する信号配線が接続され、少なくとも前記信号電圧によって前記２つの電極間に生じる電位差で前記間隙の状態が分離状態または接触状態またはその中間の状態に制御されて、その間隙の状態に対応して前記光学層に入射される光の反射、透過、吸収、回折のうち少なくともいずれか一つの状態が制御されるように設定された光学多層構造体と、前記走査配線には前記走査電圧を出力し前記信号配線には前記信号電圧を出力する駆動回路とを備えた表示装置であって、
前記駆動回路が、前記光学多層構造体と共に同一基板に設けられていることを特徴とする表示装置。
【請求項２】複数個の前記光学多層構造体が、前記基板上の表示領域にマトリックスアレイ状に配設されており、
前記駆動回路が、前記表示領域の外側に設けられていることを特徴とする請求項１記載の表示装置。
・・・
【請求項８】  前記光学多層構造体および前記駆動回路が、前記基板上に半導体プロセスによって薄膜を積層して形成されていることを特徴とする請求項１記載の表示装置。・・・」（【特許請求の範囲】）
　
イ　「【発明の属する技術分野】本発明は、入射光を反射または透過させる機能を有する光学多層構造体を用いた表示装置に関する。」（段落【０００１】）
　
ウ　「このＭＥＭＳのような光スイッチング素子を各画素に用いた表示装置は、複数の走査配線（スキャンライン）と複数の信号配線（データライン）とを直交するようにそれぞれ配列形成し、その交差部分ごとに、画素を形成する上部電極と下部電極とを、間隙を設けて対向配置して、画面内に多数の画素が単純マトリクス状に２次元的に配列された極めて簡易な構造とすることができる。液晶表示装置の場合のような液晶の劣化を防ぐための交流駆動等の必要がなく、またプラズマディスプレイデバイスのような高電圧・大電流を必要とせず、低消費電力化を達成できるなど、多くの利点がある。」（段落【０００５】）
　
エ　「［実施の形態１］図１は、本発明の実施の形態１に係る表示装置の主要部の構成を模式的に表したものである。この表示装置は、表示領域内に光学多層構造体１がマトリックスアレイ状に配設され、その個々の光学多層構造体１がそれぞれ画素として機能する光学多層構造体アレイ１０と、その個々の光学多層構造体１の有する下部電極２には走査電圧を印加し上部電極３には信号電圧を印加する駆動回路系２０とを備えた、パッシブマトリックス型の表示装置である。
　個々の光学多層構造体１は、図２に示したように、絶縁性基板４の上に、下部電極２と、上部電極３と、その上部電極３の上下両面のうち下部電極２と対面する側の面に設けられた光学薄膜５とを、その主要な構造として備えている。
　絶縁性基板４としては、この光学多層構造体１が透過型の表示装置に用いられる場合には、透明ガラスや透明プラスチックなどの非金属の透明絶縁性材料からなる基板などを好適に用いることが可能である。あるいは、この光学多層構造体１が反射型の表示装置に用いられる場合には、カーボン系材料のような不透明な絶縁性の材質からなる絶縁性基板４を用いることなどが可能である。
　下部電極２は、走査配線６に接続されて走査電圧が印加される電極として機能するものである。この下部電極２の材料としては、例えば、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）などの金属材料か窒化チタン、窒化タンタルなどの窒化物を用いて、その薄膜を絶縁性基板４の上に成膜し、それをエッチング法などにより加工して所定の電極状に形成することなどが可能である。
　上部電極３は、下部電極２と対向する側の面に別の光学薄膜５を備えており、その光学薄膜５の表面と下部電極２の表面との間には、所定の電位差が与えられない状態では所定の間隙７を保つように設定されている。この上部電極３は、信号配線８に接続されて信号電圧が印加され、その信号電圧と下部電極２に印加される走査電圧とが重畳して得られる電位差に応じて間隙７に生じる電界の静電的吸引力により、光学薄膜５と共に弾性変形する。電位差の大きさが所定のしきい値以上になると下部電極２に対して接触した状態となり、しきい値未満になると弾性力が静電的吸引力よりも勝って分離した状態となるように設定されている。この上部電極３の形成材料としては、例えばＩＴＯ（Indium-Tin Oxide；インジウムとスズの酸化物混合膜）のような透明性および導電性の高いものなどが好適である。あるいは、この光学多層構造体１が反射型の表示装置に用いられる場合には、アルミニウムのような透明でない材質の導電性の薄膜を用いることなども可能である。
　光学薄膜５は、上述のように上部電極３の状態が変化すると、その上部電極３と共に変位して状態が変化し、その状態に対応して光の干渉状態が変化する。この光学薄膜５の材料としては、例えば窒化珪素（Ｓｉ３Ｎ４；ｎ１＝２．０）、酸化珪素（ＳｉＯ２；ｎ２＝１．４６）、酸化ビスマス（Ｂｉ２Ｏ３；ｎ２＝１．９１）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ２；ｎ２＝１．３８）、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３；ｎ２＝１．６７）、酸化チタン（ＴｉＯ２　ｎ＝２．４）などを好適に用いることができる。なお、この光学薄膜５および上部電極３は、それぞれ単層でもよいが、それぞれが光学的特性の互いに異なる２つ以上の膜を積層してなるものとしてもよい。」（段落【００１４】〜【００１９】）
　
オ　「走査配線６および信号配線８は、例えば図３の斜視図に該当部分のみを抜き出して模式的に示したように、信号配線８を上部電極３と同じ材料膜をエッチング加工するなどして上部電極３と連続した（一体の）構造に形成し、走査配線６を下部電極２と同じ材料膜をエッチング加工するなどして下部電極２と連続した構造に形成するようにしてもよい。あるいは、本実施の形態とは異なり、信号配線８が下部電極２と接続され、走査配線６が上部電極３と接続される構造の場合には、本実施の形態とは逆に、走査配線６を上部電極３と連続したものとし、信号配線８を下部電極２と連続したものとしてもよい。いずれの場合も、このような構造とすることにより、走査配線６および信号配線８ならびに光学多層構造体１の形成プロセスのさらなる簡易化を達成することができる。なお、図３では、走査配線６および信号配線８等の構造を明確に理解できるようにするために、信号配線８を図の横方向とし、走査配線６を図の縦方向として描いてある。」（段落【００２２】）
　
カ　「本実施の形態に係る個々の光学多層構造体１は、下部電極２と上部電極３とに所定の電位差を与えることによって両電極間に生じる電界により、静電的な吸引力が働いて下部電極２の表面と上部電極３の表面（より正確には光学薄膜５の表面）とを接触した状態にすることができる。あるいは両電極間の電位差を所定の大きさ未満にすることにより、上部電極３および光学薄膜５の材料力学的な弾性による引張応力で両電極を分離した状態にすることができる。すなわち、光学多層構造体１に駆動電圧を印加して、上部電極３と下部電極２との状態を変化させ、接触状態にした場合と分離状態にした場合とでは、図４に示したように光の反射率が明確に異なったものとなる。この図４では、反射型の表示装置に用いられる光学多層構造体１の場合について、グラフ中の点線の曲線が分離状態における反射率を、実線が接触状態における反射率を、それぞれ示している。図３の横軸に示すような４００［ｎｍ］〜７００［ｎｍ］の間のいわゆる可視光領域では、分離状態における反射率は約７０％〜約８０％と極めて高い値を示し、接触状態における反射率は約０％〜約１０％と極めて低い値を示しており、このように反射率が明確に変化する特性を、適切な駆動方法によって活用すれば、コントラスト特性の極めて良好な表示装置を実現することが可能である。」（段落【００２３】）
　
キ　「このような光学多層構造体１は、例えば次に述べるような製造プロセスによって作製することができる。まず、例えばガラスからなる透明な絶縁性基板４の上に、例えばスパッタリング法によりＴｉ あるいはＴａなどの材料からなる導電膜を形成し、これをパターニングして、下部電極２を形成する。続いて、例えばＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition：化学的気相成長）法により犠牲層としての非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）膜を成膜する。続いて、フォトレジスト膜を形成し、このフォトレジスト膜を露光・現像し、可動部としての所定の平面形状のパターンを形成する。そしてこのフォトレジスト膜をマスクとして用いて、例えばＲＩＥ（Reactive Ion Etching） により非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）膜を選択的に除去する。続いて、前述のフォトレジスト膜を除去した後、例えばスパッタリング法によりＢｉ２ Ｏ３ あるいはＳｉ３ Ｎ４ からなる光学薄膜５を形成する。次いで、例えばＣＦ４ ガスを用いたドライエッチング法により、光学薄膜５を所定の形状に加工すると共に開口部を設ける。そして、例えばＸｅＦ２ドライエッチング法により、開口部を通じて非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）膜を除去する。これにより、上記のような内部に所定の寸法の間隙７を有して下部電極２と上部電極３とが対向配置された構造の光学多層構造体１が作製される。」（段落【００２４】）
　
ク　「本実施の形態では、走査回路２１および信号回路２２は、上記のような光学多層構造体１と共に一つの絶縁性基板４の上に形成されており、ボンディングパッドや接続用配線等は省略することができる。さらに詳細には、光学多層構造体１がマトリックスアレイ状に形成されている表示領域の外周における、縦方向の１辺には走査回路２１が設けられており、横方向の１辺には信号回路２２が設けられている。走査回路２１は、走査配線６を線順次に選択状態にする走査電圧波形を出力する。信号回路２２は、走査電圧波形と同期して、所望の画素に所望の状態を書き込むための信号電圧波形を出力する。この走査電圧波形および信号電圧波形については、光学多層構造体を各画素として用いたパッシブマトリックス型の表示装置に適用される一般的なもので構わない。また、そのような駆動電圧波形を出力する走査回路２１および信号回路２２の電気的な回路構成についても、出力する駆動電圧波形に対応したものであればよい。
　このような走査回路２１および信号回路２２は、例えば半導体薄膜や配線用の導電膜を成膜し、それをフォトリソグラフィ法により所定の形状に加工するなどして、いわゆるＴＦＴ（Thin Film Transistor）として形成することができる。また、そのようなＴＦＴとして形成する場合には、上記の光学多層構造体１や走査配線６あるいは信号配線８等に用いられる配線用の導電膜等を、この走査回路２１および信号回路２２のＴＦＴの配線等を形成するための材料膜として用いて、上記の光学多層構造体１や走査配線６あるいは信号配線８の形成プロセスで形成するようにしてもよい。このように光学多層構造体１と駆動回路２０とを同一基板に設けることで、それらの間のボンディング構造を省略することができ、その接続構造を簡易化することができる。また、その製造プロセスについても、さらなる簡易化を達成することができる。」（段落【００２５】〜【００２６】）
　
ケ　「【発明の効果】以上説明したように、請求項１ないし９のいずれかに記載の表示装置によれば、光学多層構造体とそれに対して走査電圧や信号電圧を印加するための駆動回路とを同一基板に設けて、それらの間の接続構造を簡易化し、またボンディング構造を省略するようにしたので、光学多層構造体の簡易な構造であるという本来の特質をさらに生かして、光学多層構造体を用いた表示装置における外形寸法の小型化、構造の簡易化を達成することができる。また、その製造プロセスについても簡易なものとすることができる。」（段落【００４０】）
　
コ　上記記載事項ア及びクに関連して、図１には「走査配線６及び信号配線８が、表示領域の外側の周辺領域にある」点が示されている。
　
　以上の記載事項から、刊行物１には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。
　
「基板上に半導体プロセスによって薄膜を積層して形成され、入射光を反射させる機能を有する光学多層構造体を用いた表示装置であって、
　複数個の光学多層構造体１がマトリックスアレイ状に配設された表示領域の基板４の上に成膜された下部電極２と、
　前記表示領域の前記下部電極２との間の電位差に応じて弾性変形するアルミニウムのような透明でない材質の上部電極３及び光学薄膜５と、
　前記表示領域の前記下部電極２と前記上部電極３及び前記光学薄膜５との間の犠牲層としての非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）膜を除去することによって作製される、前記表示領域の前記下部電極２と前記上部電極３及び前記光学薄膜５との間の間隙７と、
　前記表示領域の前記下部電極２及び前記上部電極３に接続され、前記装置の前記表示領域の外側に設けられている駆動回路２０から出力される走査電圧及び信号電圧を前記表示領域の前記下部電極２及び前記上部電極３に印可する走査配線６及び信号配線８であって、前記装置の前記表示領域の外側の周辺領域にあり、導電膜を成膜して形成される前記走査配線６及び前記信号配線８と、
　を含む、基板上に半導体プロセスによって薄膜を積層して形成され、入射光を反射させる機能を有する光学多層構造体を用いた表示装置。」
　
（２）対比
ア　本願補正発明と引用発明を対比すると、その意味、構造又は機能からみて、引用発明の「基板上に半導体プロセスによって薄膜を積層して形成され、入射光を反射させる機能を有する光学多層構造体を用いた表示装置」は、本願補正発明の「微小電気機械システム装置」に相当し、以下同様に、「複数個の光学多層構造体１がマトリックスアレイ状に配設された表示領域」は「ディスプレイアレイ領域」に、「作製される」は「形成される」に、「間隙７」は「キャビティ」に、「走査配線６及び信号配線８」は「電気相互接続」に、「前記装置の前記表示領域の外側の周辺領域にある」は「前記装置の前記ディスプレイアレイ領域の外部の周辺領域にある」に、それぞれ相当する。
イ　引用発明の「基板４の上に成膜された下部電極２」と本願補正発明の「固定された第１透明電極」は、「固定された第１電極」である点で共通する。
ウ　引用発明の「前記下部電極２との間の電位差に応じて弾性変形するアルミニウムのような透明でない材質の上部電極３及び光学薄膜５」は、「反射型の表示装置に用いられる」ものであり（上記（１）の記載事項エを参照）、光を反射する機能を有することは明らかであって、電極を含む可動の反射電極層であるいえるから、引用発明の「前記下部電極２との間の電位差に応じて弾性変形するアルミニウムのような透明でない材質の上部電極３及び光学薄膜５」と本願補正発明の「第２電極を含む・・・可動完全反射電極層」は、「第２電極を含む・・・可動反射電極層」である点で共通する。
エ　引用発明の「前記表示領域の前記下部電極２と前記上部電極３及び前記光学薄膜５との間の犠牲層としての非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）膜を除去することによって作製される、前記表示領域の前記下部電極２と前記上部電極３及び前記光学薄膜５との間の間隙７」と、本願補正発明の「前記ディスプレイアレイ領域の固定された前記第１透明電極と前記可動完全反射電極層との間の導電層を除去することによって形成される、前記ディスプレイアレイ領域の前記固定された第１透明電極と前記可動完全反射電極層との間のキャビティ」は、「ディスプレイアレイ領域の固定された第１電極と可動反射電極層との間の犠牲層を除去することによって形成される、ディスプレイアレイ領域の固定された第１電極と可動反射電極層との間のキャビティ」である点で共通する。
オ　本願補正発明の「前記装置の外部の電気回路網」との発明特定事項について、本願明細書の【課題を解決するための手段】では「装置の外側の電気回路網」（段落【０００６】〜【００１０】）と表現され、さらに【発明を実施するための最良の形態】では「アレイの外側にある電気回路網」（段落【００４５】）、「アレイの外側の接触パッド上の電気回路網」（段落【００５１】）、「アレイの外側の電気回路網」（段落【００７９】、【００８４】）と表現されていることを踏まえれば、当該発明特定事項は「装置のディスプレイアレイ領域の外側にある電気回路網」を意味すると解される。したがって、引用発明の「前記装置の前記表示領域の外側に設けられている駆動回路２０」は本願補正発明の「前記装置の外部の電気回路網」に相当するといえる。
カ　上記ア及びオを踏まえると、引用発明の「前記表示領域の前記下部電極２及び前記上部電極３に接続され、前記表示領域の外側に設けられている駆動回路２０から出力される走査電圧及び信号電圧を前記表示領域の前記下部電極２及び前記上部電極３に印可する走査配線６及び信号配線８であって、前記装置の前記表示領域の外側の周辺領域にあり・・・前記走査配線６及び前記信号配線８」は、「装置の外部の電気回路網とディスプレイアレイ領域の固定された第１電極及び可動反射電極層の少なくとも１つとの間の電気相互接続であって、装置のディスプレイアレイ領域の外部の周辺領域にある電気相互接続」であるといえるから、当該電気相互接続である点において、本願補正発明の「前記装置の外部の電気回路網と前記ディスプレイアレイ領域の前記固定された第１透明電極及び前記可動完全反射電極層の少なくとも１つとの間の電気相互接続であって、前記装置の前記ディスプレイアレイ領域の外部の周辺領域にある前記電気相互接続」と共通する。
キ　本願補正発明の「電気相互接続の少なくとも一部」は、モリブデンなどの導電材料からなるものである（本願明細書の段落【００５１】等を参照）のに対し、引用発明の「走査配線６及び信号配線８」も導電膜を成膜して形成されるものであるから、本願補正発明の「電気相互接続の少なくとも一部」と引用発明の「走査配線６及び信号配線８」は、いずれも導電性の材料からなる点で共通する。
　
　そこで、本願補正発明の用語を用いて表現すると、両者は次の点で一致する。
（一致点）
「微小電気機械システム装置であって、
　ディスプレイアレイ領域の固定された第１電極と、
　第２電極を含む、前記ディスプレイアレイ領域の可動反射電極層と、
　前記ディスプレイアレイ領域の固定された前記第１電極と前記可動反射電極層との間の犠牲層を除去することによって形成される、前記ディスプレイアレイ領域の前記固定された第１電極と前記可動反射電極層との間のキャビティと、
　前記装置の外部の電気回路網と前記ディスプレイアレイ領域の前記固定された第１電極及び前記可動反射電極層の少なくとも１つとの間の電気相互接続であって、前記装置の前記ディスプレイアレイ領域の外部の周辺領域にある前記電気相互接続と、
　を含む、微小電気機械システム装置。」
　
　そして、両者は次の点で相違する。
（相違点１）
　「固定された第１電極」及び「第２電極を含む可動反射電極層」が、本願補正発明では、それぞれ「固定された第１透明電極」及び「第２電極を含む可動完全反射電極層」であるのに対して、引用発明では、そのような限定がなされていない点。
　
（相違点２）
　本願補正発明では、「犠牲層」が「導電層」であり、「電気相互接続の少なくとも一部及び導電層は、同一の材料で形成される」のに対して、引用発明では、電気相互接続を形成する走査配線６及び信号配線８は導電性の材料からなるものの、犠牲層は非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）膜からなり、同一の材料で形成されていない点。
　
（３）相違点の判断
　上記相違点について検討する。
　
（相違点１について）
　基板上に半導体プロセスによって薄膜を積層して形成され、入射光を反射させる機能を有する光学多層構造体を用いた表示装置の技術分野において、光学多層構造体を、固定された第１透明電極及び第２電極を含む可動完全反射電極層を用いた、干渉によって光を変調する干渉型変調器（interferometric modulator）から構成することは、本願優先権主張日前に広く知られた周知の技術事項である（例えば、原査定の拒絶の理由に引用された、米国特許出願公開第２００４／００５１９２９号明細書の段落［０００３］〜［０００６］、［００２３］、［００３１］〜［００３３］、図１〜７、特表２００４−５３４２８０号公報の段落【００４３】〜【００４６】、図８等を参照）。
　一方、刊行物１では、【発明の属する技術分野】を「本発明は、入射光を反射または透過させる機能を有する光学多層構造体を用いた表示装置に関する。」（上記（１）の記載事項イを参照）とし、【請求項１】において「・・・その間隙の状態に対応して前記光学層に入射される光の反射、透過、吸収、回折のうち少なくともいずれか一つの状態が制御されるように設定された光学多層構造体・・・」（上記（１）の記載事項アを参照）と記載しているとおり、種々の形態の「光学多層構造体」を表示装置に用いることを想定しているところ、引用発明において、「固定された第１電極」及び「第２電極を含む可動反射電極層」として、それぞれ上記周知の「固定された第１透明電極」及び「第２電極を含む可動完全反射電極層」を選択し、上記相違点１に係る本願補正発明の発明特定事項のようにすることは、当業者が容易に想到し得たことである。
　
（相違点２について）
　基板上に犠牲層を用いた半導体プロセスによって薄膜を積層して形成された微小電気機械システム装置の技術分野において、製造プロセスの簡易化等のため、可動部が設けられた領域を電気的に外部に接続する電気相互接続の少なくとも一部と、可動部を形成するための犠牲層とを、同一の材料で形成することは、本願優先権主張日前に広く知られた周知の技術事項である（例えば、原査定の拒絶の理由に引用された、特開２００２−３０１６９５号公報の要約、段落【００１４】、図１〜１１、特開２００５−２８５０４号公報の要約、段落【００２６】、【００２９】、【００５３】、【００５８】、図１、２、５、６、特開平１０−３００７０５号公報の要約、段落【００１７】、【００１８】、図１〜１３等を参照）。
　刊行物１においても、製造プロセスの簡易化が課題として挙げられているところ（上記（１）の記載事項オ、ク、ケを参照）、引用発明において、製造プロセスの簡易化のため、共通の技術分野に属する上記周知の技術事項を採用して、走査配線６及び信号配線８と犠牲層とを同一の材料で形成することとし、犠牲層も導電性の材料、すなわち導電層により構成して、上記相違点２に係る本願補正発明の発明特定事項のようにすることは、当業者が容易に想到し得たことである。
　
　また、本願補正発明による効果も、引用発明及び周知の技術事項から当業者が予測し得た程度のものであって、格別のものとはいえない。
　
　したがって、本願補正発明は、引用発明及び上記周知の技術事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
（４）むすび
　したがって、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明
　本件補正は、上記のとおり却下されたので、本願の請求項２７に係る発明（以下、同項記載の発明を、「本願発明」という。）は、平成２３年９月２０日付けの手続補正書により補正された、拒絶査定時の特許請求の範囲の請求項２７に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。
　
「【請求項２７】
　微小電気機械システム装置であって、
　ディスプレイアレイ領域の固定された第１電極と、
　第２電極を含む、前記ディスプレイアレイ領域の可動反射電極層と、
　前記ディスプレイアレイ領域の前記第１電極と前記可動電極層との間の導電層を除去することによって形成される、前記ディスプレイアレイ領域の前記固定された第１電極と前記可動反射電極層との間のキャビティと、
　前記装置の外部の電気回路網と前記ディスプレイアレイ領域の前記固定された第１電極及び前記可動反射電極層の少なくとも１つとの間の電気相互接続であって、前記装置の前記ディスプレイアレイ領域の外部の周辺領域にある前記電気相互接続と、
　を含み、
　前記電気相互接続の少なくとも一部及び前記導電層は、同一の材料で形成される微小電気機械システム装置。」
　
第４　引用刊行物の記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用された刊行物１の記載事項は、前記「第２　［理由］３（１）」に記載したとおりである。
　
第５　対比・判断
　本願発明は、前記「第２　［理由］１」の本願補正発明のうち、「第１透明電極」との発明特定事項を「第１電極」と上位概念化し、「可動完全反射電極層」との発明特定事項を「可動反射電極層」と上位概念化したものである。
　そうすると、本願発明の発明特定事項をすべて含み、さらに、一部発明特定事項を下位概念化したものに相当する本願補正発明が、前記「第２　［理由］３（３）」に記載したとおり、引用発明及び上記周知の技術事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様に、引用発明及び上記周知の技術事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
第６　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用発明及び上記周知の技術事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
　そして、本願の請求項２７に係る発明が特許を受けることができないものである以上、本願の他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。