【事件の表示】
　特願２００８−２７２４１１「半導体素子のための緩衝化基板」拒絶査定不服審判事件〔平成２１年　３月　５日出願公開、特開２００９−　４９４２８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯
　本願は、平成９年５月２２日に出願した特願平９−１４８６５２号（パリ条約による優先権主張　１９９６年５月３１日、米国）（以下、「本願の原出願」という。）の一部を平成２０年１０月２２日に新たな特許出願としたものであって、平成２３年４月２７日付けで拒絶理由通知がなされ、同年１０月３１日付けで意見書及び手続補正書が提出され、同年１１月１７日付けで拒絶査定がなされ、平成２４年３月１４日に拒絶査定不服審判の請求がなされたものである。
　
第２．本願発明
　本願請求項１−６に係る発明は、平成２３年１０月３１日付け手続補正書の請求項１−６に記載された事項により特定されるものと認められるところ、その請求項１に係る発明は、以下のとおりである。
　
「【請求項１】
　少なくとも、二酸化シリコン、ガラス、石英及び金属の一つを含む基板と、
　前記基板上のゲート電極と、
　前記ゲート電極上のバッファ層であり、該バッファ層はゲート絶縁層及び前記基板の保護層として機能し、基板の融点よりも高い融点を備えるバッファ層と、
　前記バッファ層の上に形成された多結晶シリコン層であって、該多結晶シリコン層の厚み以下の平均粒径を有する多結晶シリコン層と、
　を有する構造。」（以下、「本願発明」という。）
　
第３．引用刊行物の記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願が出願されたとみなされる、本願の原出願の優先日前に日本国内において頒布された特開昭６２−６９６８０号公報（以下、「引用刊行物１」という。）、特開平４−２４５４８２号公報（以下、「引用刊行物２」という。）には、それぞれ、以下の事項が記載されている。
　
（１）引用刊行物１：特開昭６２−６９６８０号公報
（１ａ）「〔産業上の利用分野〕
　本発明は，レーザ光等のエネルギービームで再結晶化された半導体薄膜を用いた薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の製造方法に関する。
〔発明の概要〕
　ビームアニールされた再結晶半導体薄膜をチャンネル領域にもつ逆スタガー型ＴＦＴの製造方法で，（１）絶縁基板上への第１導電膜，ゲート絶縁膜，半導体薄膜の積層膜の堆積　（２）半導体薄膜のビームアニール　（３）積層膜のゲート電極形状島状積層膜への形成　（４）フィールド絶縁膜の堆積　（５）フィールド絶縁膜の島状堆積膜上面の開孔　（６）第２導電膜の堆積　（７）第２導電膜の選択エッチ　から成り，第１導電膜でゲート電極，第２導電膜でソース，ドレイン電極とする。第２導電膜の選択エッチには，基板裏面からの露光を利用した自己整合技術が使える。」（第２頁左上欄第２行−第１８行）
　
（１ｂ）「〔作用〕
　本発明では，半導体薄膜のビームアニールは，ゲート電極（第１導電膜）がパターニングされる前に行われるので，反射放熱共に均一な状態であり，再結晶半導体膜のアニールは均一に行える。また第１導電膜がヒートシンクとしても働き基板側への熱の影響が少なくでて，三次元ＩＣや
低融点ガラス基板
　
（１ｃ）「〔実施例〕
　以下に本発明を図面を用いて詳述する。
ａ．実施例１　ＴＦＴ断面（第１図）
　第１図には本発明による製造工程に沿った断面図を示す。第１図（ａ）は，絶縁基板１上に第１導電膜２，ゲート絶縁膜３，Ｓｉ薄膜４から成る積層膜１０を堆積後，Ｓｉ薄膜４をビームアニールして再結晶Ｓｉ膜１４を形成した状態である。基板１はガラス・石英等の非晶質絶縁的，絶縁膜コート
されたＳｉ基板等が用いられる。第１導電膜２には，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｔａ，Ｔｉ等の高融点金属やそのシリサイドまたは低抵抗Ｓｉ薄膜が，
ゲート絶縁膜３には
Ａｌ
２
Ｏ
３
　
（２）引用刊行物２：特開平４−２４５４８２号公報
（２ａ）「【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス基板上の非単結晶半導体装置において、素子の形成される非単結晶半導体層の平均粒径が，膜厚の１／２倍〜４倍である
　
（２ｂ）「【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は非単結晶半導体装置とその製造方法に係り、特にガラス基板上の非単結晶シリコン（ポリシリコン、アモルファスシリコン等）膜に形成した薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ　Ｆｉｌｍ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ、以下ＴＦＴという）の特性を改善するものである。
【０００２】
【従来の技術】ファクシミリ用のイメージセンサ等に用いるＴＦＴは、通常石英基板あるいはガラス基板上に形成した多結晶シリコン、アモルファスシリコン等の非単結晶半導体層に形成される。
【０００３】従来、石英基板上のＴＦＴは９００℃以上の高温プロセスで形成されるが、ガラス基板上のＴＦＴは６００℃以下の低温で形成される。この低温プロセスによってＴＦＴを形成するための非単結晶層も当然６００℃以下の低温で形成する。
【０００４】即ち、ガラス基板上に例えばシラン（ＳｉＨ４）ガスを用いたプラズマＣＶＤ法や減圧ＣＶＤ法（ＬＰＣＶＤ法）によりアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）層を成長させた後、固相成長させてポリシリコン化して活性層とするものである。
【０００５】固相成長させるためには、（１）低温で長時間アニールする方法と（２）レーザアニール法がある。」（第２頁第１欄第２２行−第４５行）
（２ｃ）「【０００９】ところが、前記（１）のシランガスを用いたａ−Ｓｉ層の長時間アニール法で形成した半導体基板に形成したＭＯＳＦＥＴにおいては、Ｎ−チャンネルの移動度が最大でも３５ｃｍ３／Ｖ・ｓｅｃであり、Ｐ−チャンネルの移動度については実用的な値を得ることができなかった。
【００１０】また（２）のレーザーアニール法で形成した半導体基板に形成したＭＯＳＦＥＴのＮ−チャンネルの移動度は高い値が得られるが、この方法ではａ−Ｓｉ層を均一に固相成長させることが困難であり、特に液晶の如き大画面ディスプレイやラインセンサ用に用いるＴＦＴを形成する場合の基板としては不適当であった。
【００１１】従って、本発明の目的はスイッチング速度が早く、液晶の如き大画面ディスプレイやラインセンサ用のＴＦＴの形成を可能とする、ガラス基板上の非単結晶半導体層としてチャンネル移動度が大きく、広い面積にわたり均一な半導体層の形成を実現するものである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため、本発明者は鋭意研究の結果、ガラス基板上の非単結晶半導体層として、その粒径が該半導体層の膜厚の１／２倍〜４倍である非単結晶半導体層を用いることによって、特のよいＴＦＴが得られることを見出した。」（第２頁第２欄第１３行−第３５行）
　
（２ｄ）「【００４０】また本発明におけるａ−Ｓｉ膜、ポリシリコン膜等の非結晶Ｓｉ膜の膜厚と平均粒径、移動度、しきい電圧等との関係を図３〜図５に示す。
【００４１】図３は膜厚が５００Åのとき、図４は膜厚が１０００Åのとき、図５は膜厚が２０００Åのときの例を示す。
【００４２】図３により明らかなように、膜厚が５００Åのとき平均粒径が、２５０Å以下になるとその移動度は急激に減少する。そして平均粒径が３０００Å以上になると移動度のバラツキが大きくなる。図４、図５でも同様の傾向を有する。」（第４頁第５欄第３１行−第４１行）
　
第４．引用刊行物記載の発明
　上記記載事項（１ａ）−（１ｃ）によれば、引用刊行物１には、
「低融点ガラス基板と、
前記基板上のゲート電極と、
前記電極上のＡｌ２Ｏ３からなるゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁層の上に形成された再結晶Ｓｉ膜、
を有する薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）。」の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。
　
第５．対比・判断
　本願発明と引用発明を対比する。
　引用発明における「低融点ガラス基板」、「再結晶Ｓｉ膜」、「薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）」は、それぞれ、本願発明における「少なくとも、二酸化シリコン、ガラス、石英及び金属の一つを含む基板」、「多結晶シリコン層」、「構造」に相当する。
　また、本願発明における「前記ゲート電極上のバッファ層であり、該バッファ層はゲート絶縁層及び前記基板の保護層として機能し、基板の融点よりも高い融点を備えるバッファ層」とは、ゲート電極上のゲート絶縁層としての機能を有する層である点において、引用発明における「前記電極上のＡｌ２Ｏ３からなるゲート絶縁膜」と共通する。
　
　よって、両者は、
「少なくとも、二酸化シリコン、ガラス、石英及び金属の一つを含む基板と、
　前記基板上のゲート電極と、
　前記ゲート電極上のゲート絶縁層として機能する層、
　前記ゲート絶縁層の上に形成された多結晶シリコン層と、
　を有する構造」である点で一致し、以下の点で相違する。
　
 （相違点１）
　前記ゲート電極上のゲート絶縁層として機能する層が、本願発明では、「バッファ層であり、該バッファ層は」、「前記基板の保護層として機能し、基板の融点よりも高い融点を備える」のに対し、引用発明では、そのようなものか明らかでない点。
　
（相違点２）
　本願発明では、前記多結晶シリコン層が、「該多結晶シリコン層の厚み以下の平均粒径を有する」のに対し、引用発明では、それが明らかでない点。
　
　上記相違点について、検討する。
・（相違点１）について
　本願発明における「バッファ層」について、本願明細書中には、「本発明の好適な実施形態では、多結晶シリコン結晶を用いた半導体素子などの構成において、基板とシリコン層の間にバッファ層を設けることで、結晶化によって得られる多結晶シリコン結晶の粒径と粒径バラツキを減少させる。バッファ層は、基板の限界温度（基板の耐熱限界温度）以上の耐熱性をもつ材料から形成される。基板がその限界温度以上に加熱されると、基板のアブレーションや基板上に形成された膜のアブレーションが起こるといった悪影響が生じる。そこでバッファ層によって上記悪影響から基板を保護する。例えばＳｉＯ２は、約１６１０℃〜１７２３℃の間に融点をもつ。したがって１７２３℃以上の融点をもつ材料がＳｉＯ２基板のバッファ層として使用されうる。」（【００１４】）、「基板の限界温度以上の高温に耐え得ることに加えて、バッファ層は高密度のシリコン核生成の基礎にもなる。基板と溶融シリコン界面に大量の核が存在すると、結晶化は多結晶シリコン薄膜の厚さにほぼ等しい大きさの結晶粒を形成するように進行する。この現象は等方粒成長（ｉｓｏｔｒｏｐｉｃ　ｇｒａｉｎ　ｇｒｏｗｔｈ）と呼ばれる。バッファ層はシリコンの等方粒成長を促進するものである。等方粒成長の増加により、巨大な側方成長が抑制され、横方向、つまり面方向の粒子サイズが多結晶シリコン膜の厚さと同程度まで低減される。」（【００１５】）、「溶融シリコンがバッファ層に接した状態で冷却される時に、前記増加した核生成密度の作用によりシリコン粒子の微小化と粒径の均一化がなされる。」（【００１６】）と記載されている。
　一方、「バッファ層の構成材料としては、例えば、ＭｇＯ、ＭｇＡｌ２Ｏ４、Ａｌ２Ｏ３およびＺｒＯ２が適用可能である。」（【００１０】）と記載されるものの、バッファ層が上記機能を満たすための事項についての説明は、これ以外のものはない。
　引用発明においては、ゲート絶縁層の構成材料としてＡｌ２Ｏ３を含んでおり、この場合、該ゲート絶縁層は、基板である低融点ガラスの軟化点よりも高い融点を有するとともに、前記基板の保護層として機能していることは明らかであり、また、本願発明における上記バッファ層としての機能も備えているものといえる。
　よって、該相違点は実質的なものとはいえない。
　
・（相違点２）について
　ガラス基板上に形成されるＴＦＴにおいて、ポリシリコン層（多結晶シリコン）の平均粒径を該ポリシリコンの厚みの１／２〜１とすることにより、移動度等の特性に優れたＴＦＴを得ることは、引用刊行物２にも記載されるように当業者に知られており、ガラス基板上に形成される薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）に係る引用発明においても、同様に、そのような技術事項を考慮し、当該相違点に係る本願発明の構成とすることは当業者が適宜なしえたことである。
　そして、本願発明が、引用刊行物１，２に記載された発明からは予想しえない格別の効果を奏するものとも認められない。
　
  よって、本願発明は、引用刊行物１および２に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
第６．むすび
　以上のとおりであるから、本願請求項１に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、その他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。