(57)【要約】隣接する鏡筒ユニット（５９）の端面（５９ａ）と対向するワッシャ（６０）の端面（６０ａ）に環状溝（６５）が形成されている。環状溝（６５）は排気孔（６６）を介して真空ポンプと切換弁とを有する排気装置に接続される。鏡筒ユニット（５９）の内を露光光が通過する際、切換弁を介して環状溝（６５）と真空ポンプとが連通され、ワッシャ（６０）を介して隣接する鏡筒ユニット（５９）が密着して、投影系鏡筒（２７）内の投影気密室（４５）の外気からの隔離性能が向上される。
2003025987.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一つの光学素子を収容する複数の鏡筒ユニットを備えた鏡筒において、
隣接する鏡筒ユニットの相対向する端面の間の気体を排出して、各鏡筒ユニットの内部空間を外気から隔離する気体排気機構を備えた鏡筒。
【請求項２】
請求の範囲１に記載の鏡筒において、前記気体排気機構は、隣接する鏡筒ユニットの相対向する端面の少なくとも一方に設けられた気体吸引用凹部を有する。
【請求項３】
請求の範囲１に記載の鏡筒は、隣接する鏡筒ユニット間に配置され、前記各鏡筒ユニットの位置を調整する調整部材を更に備え、前記気体排気機構は、前記調整部材に設けられる。
【請求項４】
請求の範囲３に記載の鏡筒において、前記調整部材は対応する鏡筒ユニットの端面と対向する端面を有し、前記気体排気機構は、調整部材の端面に設けられた気体吸引用凹部を有する。
【請求項５】
請求の範囲２又は請求の範囲４に記載の鏡筒において、前記気体吸引用凹部は環状溝を含む。
【請求項６】
請求の範囲２、請求の範囲４、請求の範囲５のうちのいずれか一項に記載の鏡筒において、前記気体排気機構は、前記気体吸引用凹部に連通する排気通路と、前記排気通路に連結された排気装置とを有する。
【請求項７】
請求の範囲２又は請求の範囲４に記載の鏡筒において、前記気体吸引用凹部は同心円状に配置された複数の環状溝を含む。
【請求項８】
請求の範囲７に記載の鏡筒において、前記気体排気機構は、前記複数の環状溝に連通する複数の排気通路と、複数の排気通路にそれぞれ連結された複数の排気装置とを有する。
【請求項９】
請求の範囲７に記載の鏡筒において、前記気体排気機構は、前記複数の環状溝に連通する複数の排気通路と、複数の排気通路に連結された単一の排気装置とを有する。
【請求項１０】
請求の範囲６，請求の範囲８，請求の範囲９のいずれか一項に記載の鏡筒において、前記気体排気機構は、前記排気装置による凹部内の真空引きにより前記外気と前記内部空間とを隔離する第１の状態と、前記排気装置による凹部内の真空引きが解除された第２の状態とを切り換える切換装置を有する。
【請求項１１】
請求の範囲１０に記載の鏡筒は更に、前記第２の状態において、排気通路を介して前記凹部内に所定の気体を供給する供給装置を備える。
【請求項１２】
請求の範囲１０に記載の鏡筒において、切換装置は第２の状態において外気と前記凹部とを連通させる。
【請求項１３】
少なくとも一つの光学素子を収容する複数の鏡筒ユニットを備えた鏡筒において、
隣接する鏡筒ユニットの相対向する端面を吸着させて、各鏡筒ユニットの内部空間を外気から隔離する吸着機構を備えた鏡筒。
【請求項１４】
請求の範囲１３に記載の鏡筒において、吸着機構は、隣接する鏡筒ユニットの相対向する端面の少なくとも一方に設けられた気体吸引用凹部と、前記気体吸引用凹部内の気体を排気する排気装置とを含む。
【請求項１５】
請求の範囲１３に記載の鏡筒は更に、隣接する鏡筒ユニット間に配置され、前記各鏡筒ユニットの位置を調整する調整部材であって、対応する鏡筒ユニットの端面と対向する端面を有する前記調整部材を備え、吸着機構は、調整部材の端面に設けられた気体吸引用凹部と、前記気体吸引用凹部内の気体を排気する排気装置とを含む。
【請求項１６】
請求の範囲１４又は１５に記載の鏡筒において、吸着機構は、前記排気装置による凹部内の真空引きにより前記外気と各鏡筒ユニットの内部空間とを隔離する第１の状態と、前記排気装置による凹部内の真空引きが解除された第２の状態とを切り換える切換装置を有する。
【請求項１７】
請求の範囲１６に記載の鏡筒は更に、前記第２の状態において、排気通路を介して前記凹部内に所定の気体を供給する供給装置を備える。
【請求項１８】
請求の範囲１６に記載の鏡筒において、切換装置は第２の状態において外気と前記凹部とを連通させる。
【請求項１９】
露光光を用いてマスク上に形成されたパターンの像を基板上に露光する露光装置において、当該露光装置は
前記露光光の光路中に配置される少なくとも１つの光学素子を収容する複数の鏡筒ユニットを含む鏡筒を備え、鏡筒は
隣接する鏡筒ユニットの相対向する端面の間の気体を排出して、各鏡筒ユニットの内部空間を外気から隔離する気体排気機構を含む。
【請求項２０】
露光光を用いてマスク上に形成されたパターンの像を基板上に露光する露光装置において、当該露光装置は
前記露光光の光路中に配置される少なくとも１つの光学素子を収容する複数の鏡筒ユニットを含む鏡筒を備え、鏡筒は、
隣接する鏡筒ユニットの相対向する端面を吸着させて、各鏡筒ユニットの内部空間を外気から隔離する吸着機構を含む。
【請求項２１】
デバイスの製造方法であって、
露光装置を用いて露光光によりマスク上に形成されたパターンの像を基板上に転写する工程を備え、露光装置は前記露光光の光路中に配置される少なくとも１つの光学素子を収容する複数の鏡筒ユニットを含む鏡筒を備え、転写工程は、
前記鏡筒内に露光光が通過する際に、隣接する鏡筒ユニットの相対向する端面の間の気体を排出して、各鏡筒ユニットの内部空間を外気から隔離する工程を含む。
【請求項２２】
デバイスの製造方法であって、
露光装置を用いて露光光によりマスク上に形成されたパターンの像を基板上に転写する工程を備え、露光装置は前記露光光の光路中に配置される少なくとも１つの光学素子を収容する複数の鏡筒ユニットを含む鏡筒を備え、転写工程は、
前記鏡筒内に露光光が通過する際に、隣接する鏡筒ユニットの相対向する端面を吸着させて、各鏡筒ユニットの内部空間を外気から隔離する工程を含む。
【発明の詳細な説明】
［技術分野］
本発明は、例えばレンズ、ミラー等の少なくとも１つの光学素子を収容する鏡筒に関するものである。また、本発明は、例えば半導体素子、液晶表示素子、撮像素子、薄膜磁気ヘッド等、各種デバイスの製造プロセスのフォトリソグラフィー工程で使用される露光装置に関するものである。さらに、本発明は、各種デバイスを製造するためのデバイスの製造方法に関するものである。
［背景技術］
この種の露光装置では、所定のパターンが形成されたレチクル、フォトマスク等のマスクを所定の露光光で照明する照明光学系が設けられている。また、照明光学系の照明により、前記パターンの像をフォトレジスト等の感光性材料の塗布された基板（ウエハ、ガラスプレート等）上に露光する投影光学系が設けられている。これらの照明光学系及び投影光学系は、複数のレンズエレメント、ミラー等の光学素子で構成され、鏡筒内に収容されている。
このような露光装置では、近年の回路パターンの著しい微細化要求に対応すべく、露光光の短波長化が進められてきている。最近では、遠紫外域のＫｒＦエキシマレーザ光（λ＝２４８ｎｍ）、さらに真空紫外域のＡｒＦエキシマレーザ光（λ＝１９３ｎｍ）、Ｆ２レーザ光（λ＝１５７ｎｍ）等を露光光とした露光装置が開発されている。
ところで、このような真空紫外光を露光光として用いる場合、次のような問題が明らかになってきた。すなわち、その露光光が通過する空間（鏡筒の内部空間等）内に存在する酸素、水蒸気、炭化水素ガス、あるいは露光光と反応してレンズエレメント等の光学素子の表面に曇り物質を生ずる有機物質のガスなどは、露光光を吸収する吸光物質となるという問題である。この他にも、露光装置内に光学素子、ステージ等を駆動する駆動機構が存在する場合には、その駆動機構への給電、信号伝達のための電線の被覆物質等から極微量ながら揮散される有機物質等も、吸光物質となり得る。さらに、光学素子、それら光学素子を収容する鏡筒の内壁に付着していた付着物の揮散物等、いわゆる脱ガスも、吸光物質となり得る。
露光光として、特に、Ｆ２レーザ光以下の短波長の光を採用した場合には、光源から出射された露光光は、ＡｒＦエキシマレーザ光の露光光に対して吸光物質による吸収が大きく、基板に到達するまでにそのエネルギが著しく低下することがある。このように、露光光自体のエネルギが低下したり、光学素子の曇りによって露光光の透過率が低下したりすると、露光装置の露光効率が低下し、製品の歩留まりが低下することになる。
そこで、近年、不活性ガス、例えば、窒素、ヘリウム、アルゴン等のパージガスを用いて露光光が通過する鏡筒の内部空間等をパージする露光装置が開発されてきている。すなわち、パージガスを内部空間に供給して、吸光物質を含むガスを同空間外に排出するものである。
ところが、露光光として、真空紫外光、特にＦ２レーザ以下の短波長の光を採用した場合には、前記のような内部空間内に侵入する外気の影響が微量であったとしても無視できないものとなり得る。
特に、近年、さらなる高解像度を実現するため、投影光学系を構成する少なくとも一部の光学素子を、各光学素子間の相対位置を調整可能に構成した露光装置も開発されてきている。このような露光装置では、各光学素子間の相対位置の調整を容易にするため、各光学素子を１つあるいは複数まとめて、それぞれ独立した鏡筒ユニットに収容し、それらの鏡筒ユニットを積層することで１つの鏡筒を構成する、いわゆる分割鏡筒が一般的に採用されている。このような分割鏡筒では、各鏡筒ユニット間にできる隙間から鏡筒の内部空間への外気が侵入しやすいものとなっている。
このような各鏡筒間の隙間を介した外気の侵入を抑制するためには、それら各鏡筒ユニットの端面の間に、例えばフッ素樹脂からなるパッキンを介装する構成が考えられる。しかしながら、フッ素樹脂といえども完全に揮散物をゼロにすることはできない。また、鏡筒を組み立てる際、露光光の光軸と交差する方向に対する各鏡筒ユニットの相対的な位置を調整する必要があり、その調整時に、各鏡筒ユニット間にパッキンが介装されていると、パッキンの有する弾性力により、各鏡筒ユニット間の相対的な位置が変化するおそれがある。
［発明の開示］
本発明の目的は、外気からの内部空間の隔離性能を向上することのできる鏡筒及び露光装置を提供することにある。
本発明は、少なくとも一つの光学素子を収容する複数の鏡筒ユニットを備えた鏡筒を提供する。鏡筒は、隣接する鏡筒ユニットの相対向する端面の間の気体を排出して、各鏡筒ユニットの内部空間を外気から隔離する気体排気機構を備える。
本発明は、少なくとも一つの光学素子を収容する複数の鏡筒ユニットを備えた鏡筒を提供する。鏡筒は、隣接する鏡筒ユニットの相対向する端面を吸着させて、各鏡筒ユニットの内部空間を外気から隔離する吸着機構を備える。
本発明は、露光光を用いてマスク上に形成されたパターンの像を基板上に露光する露光装置を提供する。露光装置は露光光の光路中に配置される少なくとも１つの光学素子を収容する複数の鏡筒ユニットを含む鏡筒を備える。鏡筒は隣接する鏡筒ユニットの相対向する端面の間の気体を排出して、各鏡筒ユニットの内部空間を外気から隔離する気体排気機構を含む。
本発明は、露光光を用いてマスク上に形成されたパターンの像を基板上に露光する露光装置を提供する。露光装置は露光光の光路中に配置される少なくとも１つの光学素子を収容する複数の鏡筒ユニットを含む鏡筒を備える。鏡筒は、隣接する鏡筒ユニットの相対向する端面を吸着させて、各鏡筒ユニットの内部空間を外気から隔離する吸着機構を含む。
本発明は、デバイスの製造方法を提供する。その方法は、露光装置を用いて露光光によりマスク上に形成されたパターンの像を基板上に転写する工程を備える。露光装置は露光光の光路中に配置される少なくとも１つの光学素子を収容する複数の鏡筒ユニットを含む鏡筒を備える。転写工程は、鏡筒内に露光光が通過する際に、隣接する鏡筒ユニットの相対向する端面の間の気体を排出して、各鏡筒ユニットの内部空間を外気から隔離する工程を含む。
本発明は、デバイスの製造方法を提供する。その方法は、露光装置を用いて露光光によりマスク上に形成されたパターンの像を基板上に転写する工程を備える。露光装置は露光光の光路中に配置される少なくとも１つの光学素子を収容する複数の鏡筒ユニットを含む鏡筒を備える。転写工程は、鏡筒内に露光光が通過する際に、隣接する鏡筒ユニットの相対向する端面を吸着させて、各鏡筒ユニットの内部空間を外気から隔離する工程を含む。
［発明を実施するための最良の形態］
（第１実施形態）
以下、本発明の第１実施形態の半導体素子製造用の露光装置について、図１〜図４に基づいて説明する。
図１に示すように、露光装置は、光源としての露光光源２１と露光装置本体２２とビーム・マッチング・ユニット（以下、「ＢＭＵ」という。）２３とから構成されている。露光光源２１は、露光光ＥＬとして、例えばＦ２レーザ光（λ＝１５７ｎｍ）を出射するレーザ光源となっている。また、ＢＭＵ２３は複数の光学素子（反射ミラー、シリンドリカルレンズ等を含む）で構成され、これら複数の光学素子はＢＭＵ室２９に収容される。ＢＭＵ２３は、露光光源２１と露光装置本体２２とを光学的に接続し、ＢＭＵ２３を介して露光光源２１から出射された露光光ＥＬが露光装置本体２２内に導かれる。
また露光装置本体２２は、露光光ＥＬの照射により、マスクとしてのレチクルＲ上に形成されたパターンの像を基板としてのウエハＷ上に転写するものである。以下に、その露光装置本体２２の概略構成について説明する。
露光装置本体２２のチャンバ２４内には、鏡筒としての照明系鏡筒２５、レチクル室２６、鏡筒としての投影系鏡筒２７、及びウエハ室２８が、ＢＭＵ２３を介して導入された露光光ＥＬの光軸方向に順次配置されている。これら鏡筒２５，２７、両室２６，２８及びＢＭＵ室２９は、露光光源２１からウエハＷに至る露光光ＥＬの光路を含む空間を形成している。また、チャンバ２４は空調装置（図示略）を備えており、露光装置本体全体の動作を制御する主制御系３０の制御の下で、チャンバ２４の内部が所定の温度及び湿度に保たれる。
照明系鏡筒２５内には、レチクルＲを照明するための照明光学系３３が収容されている。照明光学系３３は、複数のミラー３４、オプティカルインテグレータをなすフライアイレンズ（ロッドインテグレータでもよい）３５、コンデンサレンズ３６等の光学素子からなっている。フライアイレンズ３５は、露光光源２１からの露光光ＥＬの入射により、その後方面にレチクルＲを均一な照度分布で照明する多数の二次光源を形成する。そのフライアイレンズ３５の後方には、露光光ＥＬの形状を整形するためのレチクルブラインド３７が配置されている。
照明系鏡筒２５の両端におけるＢＭＵ側開口部２５ａ及びマスク側開口部２５ｂには、照明光学系３３の一部の光学素子として円板状の平行平板ガラス３８が配置されている。平行平板ガラス３８は、露光光ＥＬを透過する物質（合成石英、蛍石など）により形成されている。
ＢＭＵ側開口部２５ａに配置された平行平板ガラス３８によって、ＢＭＵ室２９の内部空間と照明系鏡筒２５の内部空間とが分離される。また、照明系鏡筒２５は、平行平板ガラス３８を介して複数（この例では５つ）の内部空間をなす照明気密室３９に区画されている。そして、各照明気密室３９には、ミラー３４、フライアイレンズ３５、及びコンデンサレンズ３６の各光学素子や、レチクルブラインド３７が単独であるいはいくつか組み合わされて収容されている。
また、投影系鏡筒２７内には、照明光学系３３によって照明されるレチクルＲ上のパターンの像をウエハＷ上に投影するための投影光学系４２が収容されている。投影光学系４２は、投影光学系を構成する光学素子として複数（この例では２つ）のカバーガラス４３と複数（この例では３つ）のレンズエレメント４４とからなっている。そして、その投影系鏡筒２７の内部には、投影系鏡筒２７の内壁及びカバーガラス４３によって、内部空間としての投影気密室４５が区画形成されている。
また、レチクル室２６には、レチクルステージＲＳＴが配置されている。
レチクルステージＲＳＴにより、所定のパターンが形成されたレチクルＲが、露光光ＥＬの光軸と直交する面内で移動可能に保持される。また、ウエハ室２８には、ウエハステージＷＳＴが配置されている。ウエハステージＷＳＴにより、露光光ＥＬに対して感光性を有するフォトレジストが塗布されたウエハＷが、その露光光ＥＬの光軸と直交する面内において移動可能、かつその光軸に沿って微動可能に保持される。
レチクルステージＲＳＴの端部には、干渉計（図示略）からのレーザビームを反射する移動鏡が固定されている。そして、レチクルステージＲＳＴは、干渉計によって走査方向の位置が常時検出され、主制御系３０の制御のもとで、所定の走査方向に駆動される。
また、ウエハステージＷＳＴの端部には、干渉計（図示略）からのレーザビームを反射する移動鏡が固定されており、ウエハステージＷＳＴが可動する平面内での位置は干渉計によって常時検出される。そして、ウエハステージＷＳＴは、主制御系３０の制御のもとで、走査方向の移動のみならず、走査方向に垂直な方向にも移動可能に構成されている。これにより、ウエハＷ上の各ショット領域毎に走査露光を繰り返すステップ・アンド・スキャン動作が可能になっている。
ここで、ステップ・アンド・スキャン方式により、レチクルＲ上の回路パターンをウエハＷ上のショット領域に走査露光する場合、レチクルＲ上の照明領域が、レチクルブラインド３７で長方形（スリット）状に整形される。照明領域は、レチクルＲ側の走査方向に対して垂直方向に長手方向を有するものとなっている。そして、レチクルＲを露光時に所定の速度Ｖｒで走査することにより、レチクルＲ上の回路パターンをスリット状の照明領域で一端側から他端側に向かって順次照明する。これにより、照明領域内におけるレチクルＲ上の回路パターンが、投影光学系４２を介してウエハＷ上に投影され、投影領域が形成される。
ここで、ウエハＷはレチクルＲとは倒立結像関係にあるため、レチクルＲの走査方向とは反対方向にレチクルＲの走査に同期して所定の速度Ｖｗで走査される。これにより、ウエハＷのショット領域の全面が露光可能となる。走査速度の比Ｖｗ／Ｖｒは投影光学系４２の縮小倍率に応じたものになっており、レチクルＲ上の回路パターンがウエハＷ上の各ショット領域上に正確に縮小転写される。
また、ＢＭＵ室２９、各照明気密室３９、レチクル室２６、投影気密室４５及びウエハ室２８の壁部に形成された開口４９には、気体供給源としてのパージガス供給系５０が接続されている。そして、ＢＭＵ室２９及び各室３９，２６，４５，２８には、パージガス供給系５０及び各開口４９を介して、マイクロデバイス工場のユーティリティプラント内のタンク５１より、パージガスとしての不活性ガスが供給される。ここで、不活性ガスとは、窒素、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノン、ラドン等の中から選択された単体のガス、あるいはその混合ガスである。
ここで、パージガス中には、ミラー３４，フライアイレンズ３５、コンデンサレンズ３６、平行平板ガラス３８、カバーガラス４３及びレンズエレメント４４等の光学素子の表面上に、露光光ＥＬの照射下で堆積して曇り現象を生じせしめる汚染物質、あるいはＦ２レーザ光を強く吸収する酸素等の吸光物質が不純物として含まれることがある。
このため、パージガス供給系５０の給気配管５２中には、パージガス中に含まれる上記汚染物質や吸光物質を含む不純物を除去するためのフィルタ５３及びパージガスを所定の温度に調整するとともにパージガス中の水分を除去する温調乾燥器５４が介装されている。そして、ＢＭＵ室２９及び各室３９，２６，４５，２８は、パージガス排出管５５を介して半導体素子製造工場の排気ダクト５６に接続されている。
また、チャンバ２４も同排気ダクト５６に接続されている。これにより、ＢＭＵ室２９、各室３９，２６，４５，２８内に供給されたパージガスは、排気ダクト５６を介して、工場の外部に排出される。
なお、ＢＭＵ室２９及び各室３９，２６，４５，２８内に存在する汚染物質としては、例えば有機ケイ素化合物、アンモニウム塩、硫酸塩、ウエハＷ上のレジストからの揮散物、駆動部を有する構成部品に使用される摺動性改善剤からの揮散物、チャンバ２４内の電気部品に給電あるいは信号供給するための配線の被覆層からの揮散物等がある。従って、工場の外部に排出されるパージガスには、これらの汚染物質が含まれている場合もある。
また、露光装置本体２２には、レチクル室２６と隣接するように予備室２６ａが設けられている。予備室２６ａは、レチクル室２６と連通及び遮断可能であるとともに、チャンバ２４の外部と連通及び遮断可能な構造になっている。さらに、予備室２６ａにも、パージガス供給系５０及びパージガス排出管５５が接続されている。
ここで、レチクルＲの交換に際しては先ず、内部のガスのパージが行われている予備室２６ａとレチクル室２６とが連通される。そして、レチクルＲは予備室２６ａに配置されたレチクルカセット（図示略）に収容され、新たなレチクルＲがそのレチクルカセットから取り出されて、レチクル室２６内のレチクルステージＲＳＴ上に載置される。その後、レチクル室２６と予備室２６ａとの連通が遮断される。レチクルカセットを交換する場合には、レチクル室２６と予備室２６ａとが遮断された状態で予備室２６ａを外部に開放させて、予備室２６ａからレチクルカセットが取り出される。
一方、レチクルカセットを予備室２６ａ内に導入する際には先ず、レチクル室２６と予備室２６ａとを遮断した状態で、予備室２６ａを外部に開放する。そして、この状態でレチクルカセットが予備室２６ａに導入される。
その後、予備室２６ａと外部との連通が遮断されるとともに、同予備室２６ａにパージガスが供給されて同予備室２６ａの内部のガスがパージされる。
そして、新たなレチクルカセットからレチクルＲをレチクル室２６内に導入する際には、同予備室２６ａ内が所定のガス状態になった後、予備室２６ａとレチクル室２６とが連通され、同レチクル室２６内にレチクルＲが導入される。このように、レチクル室２６内のレチクルＲの交換は、必ずパージガスにより所定のガス状態に調整された予備室２６ａを介して行われるようになっており、レチクル室２６を外部に直接開放することがない。
また露光装置本体２２には、ウエハ室２８と隣接するように予備室２８ａが設けられている。予備室２８ａは、ウエハ室２８と連通及び遮断可能であるとともに、チャンバ２４の外部に対しても連通及び遮断可能な構造になっている。さらに、予備室２８ａにも、パージガス供給系５０及びパージガス排出管５５が接続されている。
そして、ウエハＷのウエハ室２８からの取り出し、及びウエハ室２８内への導入が、レチクル室２６からのレチクルＲの取り出しの過程、及びレチクル室２６への導入の過程に準じた過程を通じて行われる。すなわち、ウエハＷの交換を、パージガスにより所定のガス状態に調整された予備室２８ａを介して行うことで、この交換がウエハ室２８を外部に直接開放することなく行われる。なお、この場合、ウエハＷは、予備室２８ａと外部との間ではカセットに複数枚収容された状態で搬送される。
次に、投影光学系４２を収容する投影系鏡筒２７の構成について、説明する。
図２に示すように、投影系鏡筒２７は、各対応するレンズエレメント４４を保持する複数の鏡筒ユニット５９を備える。各隣接する鏡筒ユニット５９は、調整部材としてのワッシャ６０を介してボルト６１（図３参照）により互いに固定されている。ワッシャ６０は、金属（例えば投影系鏡筒２７を形成する材料と同性質の材料）からなり、円環状に形成されている。ワッシャ６０は、各レンズエレメント４４の光軸方向（つまり、露光光ＥＬの光軸方向）に沿った位置を調整するために、隣接する２つの鏡筒ユニット５９の相対向する端面５９ａ間に配置される。
投影系鏡筒２７の両端に位置する２つの鏡筒ユニット５９ｂの各々には、パージガス供給系５０の給気配管５２が接続されている。投影系鏡筒２７のほぼ中央に位置する鏡筒ユニット５９ｃには、その投影系鏡筒２７を露光装置本体２２の架台２２ａに支持するためのフランジＦＬＧが設けられている。また、中央の鏡筒ユニット５９ｃには、パージガス排出管５５が接続されている。
ここで、中央の鏡筒ユニット５９ｃ及びそれより下側、すなわちウエハＷ側に配置される鏡筒ユニット５９には、レンズエレメント４４が不図示の保持部材によって保持されている。また、フランジＦＬＧより上側、すなわちレチクルＲ側に配置される鏡筒ユニット５９のそれぞれには、少なくとも一つのレンズエレメント４４が（図２においては１個のみ図示）不図示の保持部材によって移動可能に保持されている。レンズエレメント４４は、鏡筒ユニット５９の周壁に取着されたピエゾ素子６２を用いた主制御系３０の制御により駆動される。
レンズエレメント４４は、その外周の複数箇所（例えば３ヶ所）にて保持部材により保持されているので、レンズエレメント４４と保持部材との間には隙間が生じる。また、保持部材は鏡筒ユニット５９の内壁に複数箇所で取り付けられているために、内壁と保持部材との間に隙間が生じる。これら隙間により、各鏡筒ユニット５９内の空間が連通され、カバーガラス４３と各鏡筒ユニット５９の内壁とにより投影気密室４５が形成される。
投影系鏡筒２７の両端部の鏡筒ユニット５９ｂに供給されたパージガスは、各鏡筒ユニット５９の内壁と保持部材、あるいは保持部材とレンズエレメント４４との間の隙間を通って、ほぼ中央部の鏡筒ユニット５９ｃに達する。このパージガスの流れに伴って、投影系鏡筒２７の投影気密室４５内のガスが、パージガスにより置換される。この置換により、投影気密室４５内に存在する吸光物質及び汚染物質を含むガスは、中央の鏡筒ユニット５９ｃに接続されたパージガス排出管５５及び排気ダクト５６を介して露光装置本体２２の外部に排出される。
図３及び図４に示すように、隣接する鏡筒ユニット５９の端面５９ａと係合されるワッシャ６０の両端面６０ａの各々には、排気機構の一部をなす気体吸引用凹部としての環状溝６５が形成されている。環状溝６５の底面には、複数（図４においては３つ）の排気孔６６が等間隔をおいて形成されている。各排気孔６６には、排気管６７を介して環状溝６５内を真空引きするための気体排気機構あるいは吸着機構の一部をなす排気装置６８（図２参照）が接続されている。
図２に示すように、排気装置６８は、真空ポンプ６９と切換装置としての切換弁７０とからなっている。真空ポンプ６９は、各レンズエレメント４４の光軸と直交する平面内において各鏡筒ユニット５９とワッシャ６０とが位置調整された状態で積層されたとき、環状溝６５内のガスを排気して真空引きする。
投影系鏡筒２７内に露光光ＥＬを通過させる場合には、環状溝６５内と真空ポンプ６９とが連通され、その環状溝６５内が真空引き状態となるように切換弁７０が制御される。この場合、図３に示すように、各鏡筒ユニット５９の端面５９ａとワッシャ６０の端面６０ａとの間に存在するガスは、環状溝６５内に引き込まれ、真空ポンプ６９により排気される。この結果、投影系鏡筒２７の投影気密室４５が外気に対して隔離された状態となる。
なお、投影系鏡筒２７内には、隔離状態において、排気装置６８により環状溝６５から排気されるガスの量を考慮して、投影気密室４５内が大気圧と同等または陽圧となるようにパージガス供給系５０からパージガスが供給される。
投影系鏡筒２７の各鏡筒ユニット５９の位置を調整する場合には、環状溝６５内と真空ポンプ６９との間の連結が遮断され、その環状溝６５内の真空引きが解除されるように切換弁７０が制御される。更に、環状溝６５内と気体供給源としてのパージガス供給系５０の給気配管５２とが連通され、環状溝６５内にパージガスが供給されるように切換弁７０が制御される。この場合、各鏡筒ユニット５９の端面５９ａとワッシャ６０の端面６０ａとの間にパージガスが所定の圧力で供給される。すなわち、パージガスが鏡筒ユニット５９の端面５９ａとワッシャ６０の端面６０ａとに向かって供給されることにより、ボルト６１を緩めた状態では、各鏡筒ユニット５９の端面５９ａとワッシャ６０の端面６０ａとが互いに離れる方向の力が発生する解除状態となる。
従って、第１実施形態によれば、以下のような効果を得ることができる。
（イ）  投影系鏡筒２７では、外気に対して投影気密室４５を隔離するために、鏡筒ユニット５９の間に、その鏡筒ユニット５９間の環状溝６５内のガスを排気する排気装置６８を接続している。排気装置６８により鏡筒ユニット５９間の環状溝６５内に存在するガスを排出することで、隣接する鏡筒ユニット５９の相対向する端面が吸着され、かつ強固に密着して、投影系鏡筒２７内の投影気密室４５を外気に対して隔離することができる。これにより、投影気密室４５内への外気の侵入が効果的に抑制され、その外気とともに酸素等の吸光物質、露光光ＥＬ照射下で光反応してレンズエレメント４４の汚染を生じせしめる汚染物質等が侵入するのを抑制することができる。従って、真空紫外域の露光光ＥＬを使用したとしても、ウエハＷ面に到達する露光光ＥＬのエネルギが低下することがなく、露光処理の効率を高く維持することができる。
（ロ）  投影系鏡筒２７では、鏡筒ユニット５９間に配置されるワッシャ６０に、排気装置６８が接続されている。このため、鏡筒ユニット５９側に排気装置６８を接続する必要がなく、鏡筒ユニット５９、さらには投影系鏡筒２７全体の構成が複雑化するのを抑制することができる。
また、投影系鏡筒２７では、各鏡筒ユニット５９とワッシャ６０とが、いずれも金属加工面同士の接触となっており、外気に対して投影気密室４５をパッキンにより隔離する場合のように、鏡筒ユニット５９間に介装物を介在させる必要がない。このため、そのパッキンからの揮散物により、投影気密室４５内の清浄度が低下したり、そのパッキンの弾性力により各鏡筒ユニット５９間に相対的な位置変化（ずれ）が生じたりするおそれもない。
（ハ）  投影系鏡筒２７では、鏡筒ユニット５９の端面５９ａに対向するワッシャ６０の端面６０ａに、排気装置６８に接続される環状溝６５が設けられている。このため、その排気装置６８を稼動させることで、各鏡筒ユニット５９の端面５９ａとワッシャ６０の端面６０ａとの間に存在するガスが、環状溝６５内へと引き込まれ、そして両端面５９ａ，６０ａ間のガスを好適に排出することができる。
しかも、両端面５９ａ，６０ａ間のガスを導く凹部が環状溝６５となっているため、両端面５９ａ，６０ａ間のガスがその鏡筒ユニット５９の全周にわたって排出される。このため、両端面５９ａ，６０ａ間のガスをさらに効率よく排出することができ、投影気密室４５に対する外気の侵入を一層効果的に抑制することができる。
（ニ）  投影系鏡筒２７では、排気管６７を介して環状溝６５内を真空引きする真空ポンプ６９を備えている。このため、真空ポンプ６９を稼動させることにより、各鏡筒ユニット５９の端面５９ａとワッシャ６０の端面６０ａとの間のガスが効率よく排出され、両端面５９ａ，６０ａが互いに吸着され、投影気密室４５に対する外気の侵入が好適に抑制することができる。
（ホ）  投影系鏡筒２７では、排気装置６８が、環状溝６５内が真空引きされる隔離状態と、その真空引きが解除され、環状溝６５内にパージガスが供給される解除状態とを切り換える切換弁７０とを有している。このため、投影系鏡筒２７内に露光光ＥＬを通過させる際には、切換弁７０により環状溝６５を真空ポンプ６９と連通させ、これにより投影気密室４５を外気に対して隔離した隔離状態とする。一方、各鏡筒ユニット５９を相対的に移動させる必要が生じたときには、切換弁７０により環状溝６５をパージガス供給系５０と連通させ、解除状態へと容易に切り換えることができる。
これにより、隔離状態では投影気密室４５内を清浄に保つとともに、解除状態では各鏡筒ユニット５９間に互いに離れる方向の発生したような状態とすることができる。そして、その解除状態では、各鏡筒ユニット５９をスムースに移動させることができ、例えばレンズエレメント４４の相対的な位置を調整する場合に、その調整を各鏡筒ユニット５９の相対的な位置を調整することで、容易に行うことができる。
（ヘ）  露光装置本体２２では、投影光学系４２が各鏡筒ユニット５９の端面５９ａとワッシャ６０の端面６０ａとの間のガスを排気する排気装置６８が接続された投影系鏡筒２７内に収容されている。このため、投影系鏡筒２７の投影気密室４５内への外気の侵入に伴う吸光物質の侵入が抑制され、その投影気密室４５内の清浄度を高く維持することができる。このため、露光光ＥＬが投影光学系４２を通過する際における露光光ＥＬのエネルギの低下が抑制され、投影光学系４２の光学的特性が改善される。従って、レチクルＲ上のパターンの像をウエハＷ上に高精度に転写することができる。そして、そのパターンが、非常に微細なパターンであっても精度よく露光することができる。
（第２実施形態）
つぎに、本発明の第２実施形態について、第１実施形態と異なる部分を中心に説明する。
第２実施形態では、図５及び図６に示すように、投影系鏡筒２７は、ワッシャ６０を介することなく隣接する鏡筒ユニット５９の端面同士が互いに接触した状態にある直接積層された複数の鏡筒ユニット５９からなる。そして、隣接する鏡筒ユニット５９の一方の鏡筒ユニット５９の端面５９ａに環状溝６５が形成されている。隣接する鏡筒ユニット５９はボルト６１により締め付けられている。環状溝６５には、第１実施形態と同様に、複数の排気孔６６が形成されている。各排気孔６６は対応する排気管６７を介して排気装置６８と接続されている。
従って、本実施形態によれば、第１実施形態における（イ）及び（ニ）〜（ヘ）の効果に加えて、以下のような効果を得ることができる。
（ト）  投影系鏡筒２７では、排気装置６８に接続される環状溝６５が、鏡筒ユニット５９の端面５９ａに設けられている。このため、その排気装置６８を稼動させることで、隣接する各鏡筒ユニット５９の端面５９ａ間に存在するガスが、環状溝６５内へと引き込まれた後、好適に排出することができる。
しかも、両端面５９ａ間のガスを導く凹部が環状溝６５となっているため、両端面５９ａ間のガスがその鏡筒ユニット５９の全周にわたって排出される。このため、両端面５９ａ間のガスをさらに効率よく排出することができて、投影気密室４５に対する外気の侵入を一層効果的に抑制することができる。
また、投影系鏡筒２７では、各鏡筒ユニット５９が、いずれも金属加工面同士の接触となっており、外気に対して投影気密室４５をパッキンにより隔離する場合のように、鏡筒ユニット５９間に介装物を介在させる必要がない。このため、そのパッキンからの揮散物により、投影気密室４５内の清浄度が低下したり、そのパッキンの弾性力により各鏡筒ユニット５９間に相対的な位置変化（ずれ）が生じたりするおそれもない。従って、各鏡筒ユニット５９を相対的により正確な位置に配置することができる。
（第３実施形態）
つぎに、本発明の第３実施形態について、第１実施形態と異なる部分を中心に説明する。
第３実施形態においては、図７に示すように、ワッシャ６０の端面６０ａに、排気機構又は吸着機構の一部をなす凹部としての複数の環状溝６５ａ，６５ｂが同心円状に設けられ、各環状溝６５ａ，６５ｂには、第１実施形態と同様に、複数の排気孔６６が形成されている。そして、内側環状溝６５ａは第１排気装置６８ａに接続され、外側環状溝６５ｂは第１排気装置６８ａとは別の第２排気装置６８ｂに接続されている。各排気装置６８ａ，６８ｂは、真空ポンプ６９ａ，６９ｂと切換弁７０ａ，７０ｂとを備えている。
従って、本実施形態によれば、第１実施形態における（イ）〜（ヘ）の効果に加えて、以下のような効果を得ることができる。
（チ）  投影系鏡筒２７では、ワッシャ６０の端面６０ａに第１及び第２排気装置６８ａ，６８ｂに接続される環状溝６５ａ，６５ｂが同心円状に複数設けられている。このため、各鏡筒ユニット５９の端面５９ａとワッシャ６０の端面６０ａとの間のガスが、複数の環状溝６５ａ，６５ｂを介して、一層効率よく排出される。これにより、投影系鏡筒２７の投影気密室４５内への外気の侵入をより確実に抑制することができる。
（第４実施形態）
つぎに、本発明の第４実施形態について、第３実施形態と異なる部分を中心に説明する。
第４実施形態においては、図８に示すように、ワッシャ６０の端面６０ａに凹部としての複数の長溝７３ａ，７３ｂが設けられている。３つの長溝７３ａが等間隔で配置され、更に３つの長溝７３ｂが等間隔かつ、３つ長溝７３ａよりも外側に配置されている。即ち、長溝７３ａ，７３ｂは、同心円状にかつ二重の円形をなすように配列されている。そして、内側に配列された長溝７３ａと外側に配列された長溝７３ｂとは、位相が異なるように配置されている。従って、ワッシャ６０の全周にわたっていずれかの長溝７３ａ，７３ｂが存在する。このようにすることで、連続していない長溝７３ａ，７３ｂであっても、各実施形態の環状溝６５と同様な作用が発揮させることができる。各長溝７３ａ，７３ｂには、排気孔６６が形成され、排気孔６６は排気管６７を介して排気装置６８に接続されている。
排気装置６８には、真空ポンプ６９と排気機構又は吸着機構の一部をなす切換弁７４とが設けられている。切換弁７４は、投影系鏡筒２７内に露光光ＥＬを通過させる場合には、長溝７３ａ，７３ｂ内と真空ポンプ６９とを連通させ、その長溝７３ａ，７３ｂ内を真空引きした状態とする。この場合、各鏡筒ユニット５９の端面５９ａとワッシャ６０の端面６０ａとの間に存在するガスは、長溝７３ａ，７３ｂ内に引き込まれ、真空ポンプ６９により排気され、投影系鏡筒２７の投影気密室４５が外気に対して隔離された隔離状態となる。
一方、切換弁７４は、投影系鏡筒２７の各鏡筒ユニット５９の相対的な位置を調整するようなときには、長溝７３ａ，７３ｂ内と真空ポンプ６９との間を遮断し、その長溝７３ａ，７３ｂ内の真空引きを解除する。そして、切換弁７４は、長溝７３ａ，７３ｂ内を外気に開放し、その長溝７３ａ，７３ｂ内に外気が供給される状態とする。この場合、各鏡筒ユニット５９の端面５９ａとワッシャ６０の端面６０ａとの密着が解除され、ボルト６１を緩めた状態で各鏡筒ユニット５９の端面５９ａとワッシャ６０の端面６０ａとの間の相対的な移動が可能な解除状態となる。
従って、第４実施形態によれば、第１実施形態における（イ）〜（ニ）及び（ヘ）の効果に加えて、以下のような効果を得ることができる。
（リ）  投影系鏡筒２７では、排気装置６８が、長溝７３ａ，７３ｂ内が真空引きされる隔離状態と、その真空引きが解除され、長溝７３ａ，７３ｂ内に外気が供給される解除状態とを切り換える切換弁７４とを有している。このため、投影系鏡筒２７内に露光光ＥＬを通過させる際には、切換弁７４により長溝７３ａ，７３ｂを真空ポンプ６９と連通させ、これにより投影気密室４５を外気に対して隔離した隔離状態とする。一方、各鏡筒ユニット５９を相対的に移動させる必要が生じたときには、切換弁７４により長溝７３ａ，７３ｂを外気に開放させ、解除状態へと容易に切り換えることができる。これにより、隔離状態では投影気密室４５内を清浄に保つとともに、解除状態では各鏡筒ユニット５９を互いに相対的に移動可能な状態とすることができる。そして、解除状態では、各鏡筒ユニット５９を容易に離間させることができる。
（変更例）
なお、本発明の実施形態は、以下のように変更してもよい。
第１及び第３実施形態では、ワッシャ６０の端面６０ａに環状溝６５を設け、その環状溝６５，６５ａ，６５ｂに排気装置６８，６８ａ，６８ｂを接続する構成とした。これに対して、鏡筒ユニット５９の端面５９ａに環状溝６５，６５ａ，６５ｂを設け、その環状溝６５，６５ａ，６５ｂに排気装置６８，６８ａ，６８ｂを接続するようにしてもよい。また、第４実施形態では、ワッシャ６０の端面６０ａに長溝７３ａ，７３ｂを設け、その長溝７３ａ，７３ｂに排気装置６８を接続する構成とした。これに対して、鏡筒ユニット５９の端面５９ａに長溝７３ａ，７３ｂを設け、その長溝７３ａ，７３ｂに排気装置６８を接続するようにしてもよい。
このようにした場合、ワッシャ６０を単純な円環状に構成することができる。このため、ワッシャ６０を種々の厚さのものの中から選択して介装することにより、隣接する鏡筒ユニット５９のその内部を通過する露光光ＥＬの光軸方向における相対的な位置を容易に調整することができる。
第１、第３及び第４実施形態において、鏡筒ユニット５９の端面５９ａにも、環状溝６５，６５ａ，６５ｂまたは長溝７３ａ，７３ｂを設けてもよい。
第２実施形態において、隣接する鏡筒ユニット５９の対向する両側の端面５９ａに環状溝６５を設けてもよい。
第１、第３及び第４実施形態において、鏡筒ユニット５９の端面５９ａとワッシャ６０の端面６０ａの一方に環状溝６５，６５ａ，６５ｂまたは長溝７３ａ，７３ｂを設け、鏡筒ユニット５９の端面５９ａとワッシャ６０の端面６０ａの他方における環状溝６５，６５ａ，６５ｂまたは長溝７３ａ，７３ｂに対応する位置に排気孔６６を設け、その排気孔６６に排気装置６８を接続するようにしてもよい。
第２実施形態において、隣接する鏡筒ユニット５９の対向する一方の端面５９ａに環状溝６５を設け、他方の端面５９ａにおける環状溝６５に対応する位置に排気孔６６を設け、その排気孔６６に排気装置６８を接続するようにしてもよい。また、第２実施形態において、第３実施形態の環状溝６５ａ，６５ｂまたは第４実施形態の長溝７３ａ，７３ｂを採用してもよい。
第１〜第３実施形態において、各環状溝６５，６５ａ，６５ｂ内に開口する排気孔６６の数を、各実施形態に記載したものとは異なる数、すなわち１、２または４以上としてもよい。
第４実施形態において、長溝７３ａ，７３ｂ内に複数の排気孔６６を設け、その排気孔６６に排気装置６８を接続するようにしてもよい。
第３実施形態において、環状溝６５ａ，６５ｂの数を実施形態に記載したものとは異なる数、すなわち３以上としてもよい。
各実施形態では、本発明の鏡筒を投影光学系４２を収容する投影系鏡筒２７に具体化したが、照明光学系３３を収容する照明系鏡筒２５に具体化してもよい。
各実施形態において、ウエハ室２８を省略して、投影系鏡筒２７とウエハＷとの間をパージする構成としてもよい。
各実施形態において、環状溝６５，６５ａ，６５ｂ、長溝７３ａ，７３ｂ内の真空引きの解除は完全でなくてもよく、鏡筒ユニット５９間の相対的な位置が調整可能な程度に真空引きが行われていてもよい。
各実施形態において、各鏡筒ユニット５９間毎に排気装置６８を設けてもよく、また、１つの排気装置６８で各鏡筒ユニット５９間毎に排気力を変更可能なように構成してもよい。
第１〜第３実施形態において、各鏡筒ユニット５９の位置を調整する場合に環状溝６５内にパージガスを供給する代わりに、第４実施形態のように大気開放するようにしてもよい。
各実施形態において、投影光学系４２としては、屈折タイプに限らず、反射屈折タイプ、反射タイプであってもよい。また、露光装置としては、少なくとも１つの光学素子を含む露光装置であればよく、例えば投影光学系４２を用いることなく、マスクと基板とを密接させてマスクのパターンを露光するコンタクト露光装置、マスクと基板とを近接させてマスクのパターンを露光するプロキシミティ露光装置にも本発明を同様に適用することができる。
本発明の露光装置は、縮小露光型の露光装置に限定されるものではなく、例えば等倍露光型、拡大露光型の露光装置であってもよい。
また、半導体素子などのマイクロデバイスだけでなく、光露光装置、ＥＵＶ露光装置、Ｘ線露光装置、及び電子線露光装置などで使用されるレチクルまたはマスクを製造するために、マザーレチクルからガラス基板やシリコンウエハなどへ回路パターンを転写する露光装置にも本発明を適用できる。ここで、ＤＵＶ（深紫外）やＶＵＶ（真空紫外）光などを用いる露光装置では一般に透過型レチクルが用いられ、レチクル基板としては、石英ガラス、フッ素がドープされた石英ガラス、蛍石、フッ化マグネシウム、または水晶などが用いられる。また、プロキシミティ方式のＸ線露光装置や電子線露光装置などでは、透過型マスク（ステンシルマスク、メンバレンマスク）が用いられ、マスク基板としてはシリコンウエハなどが用いられる。
また、半導体素子の製造に用いられる露光装置だけでなく、液晶表示素子（ＬＣＤ）などを含むディスプレイの製造に用いられてデバイスパターンをガラスプレート上へ転写する露光装置、薄膜磁気ヘッド等の製造に用いられて、デバイスパターンをセラミックウエハ等へ転写する露光装置、及びＣＣＤ等の撮像素子の製造に用いられる露光装置などにも、本発明を適用することができる。
また、マスクと基板とが静止した状態でマスクのパターンを基板へ転写し、基板を順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の一括露光型の露光装置にも、本発明を適用することができる。
また、露光装置の光源としては、例えばｇ線（λ＝４３６ｎｍ）、ｉ線（λ＝３６５ｎｍ）、Ｋｒ２レーザ（λ＝１４６ｎｍ）、Ａｒ２レーザ（λ＝１２６ｎｍ）等を用いてもよい。また、ＤＦＢ半導体レーザまたはファイバレーザから発振される赤外域、または可視域の単一波長レーザ光を、例えばエルビウム（またはエルビウムとイッテルビウムの双方）がドープされたファイバアンプで増幅し、非線形光学結晶を用いて紫外光に波長変換した高調波を用いてもよい。
なお、各実施形態の露光装置は、大略、例えば次のように製造される。
すなわち、まず、投影光学系４２を構成する複数のレンズエレメント４４及びカバーガラス４３等を、各実施形態の投影系鏡筒２７に収容する。また、ミラー３４及び各レンズ３５，３６等の光学素子からなる照明光学系３３を照明系鏡筒２５内に収容する。そして、これらの照明光学系３３及び投影光学系４２を露光装置本体２２に組み込み、光学調整を行う。次いで、多数の機械部品からなるウエハステージＷＳＴ（スキャンタイプの露光装置の場合は、レチクルステージＲＳＴも含む）を露光装置本体２２に取り付けて配線を接続する。そして、露光光ＥＬの光路内にパージガスを供給するパージガス供給系５０の配管を接続した上で、さらに総合調整（電気調整、動作確認など）を行う。
ここで、各鏡筒２５，２７を構成する各部品は、超音波洗浄などにより、加工油や、金属物質などの不純物を落としたうえで、組み上げられる。なお、露光装置の製造は、温度、湿度や気圧が制御され、かつクリーン度が調整されたクリーンルーム内で行うことが望ましい。
次に、上述した露光装置をリソグラフィ工程で使用したデバイスの製造方法の実施形態について説明する。
図９は、デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体素子、液晶表示素子、撮像素子（ＣＣＤ等）、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の製造例のフローチャートを示す図である。
図９に示すように、まず、ステップＳ１０１（設計ステップ）において、デバイス（マイクロデバイス）の機能・性能設計（例えば、半導体デバイスの回路設計等）を行い、その機能を実現するためのパターン設計を行う。引き続き、ステップＳ１０２（マスク製作ステップ）において、設計した回路パターンを形成したマスク（レクチルＲ等）を製作する。一方、ステップＳ１０３（基板製造ステップ）において、シリコン、ガラスプレート等の材料を用いて基板（シリコン材料を用いた場合にはウエハＷとなる。）を製造する。
次に、ステップＳ１０４（基板処理ステップ）において、ステップＳ１０１〜Ｓ１０３で用意したマスクと基板を使用して、後述するように、リソグラフィ技術等によって基板上に実際の回路等を形成する。次いで、ステップＳ１０５（デバイス組立ステップ）において、ステップＳ１０４で処理された基板を用いてデバイス組立を行う。ステップＳ１０５には、ダイシング工程、ボンディング工程、及びパッケージング工程（チップ封入等）等の工程が必要に応じて含まれる。
最後に、ステップＳ１０６（検査ステップ）において、ステップＳ１０５で作製されたデバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経た後にデバイスが完成し、これが出荷される。
図１０は、半導体デバイスの場合における、図６のステップＳ１０４の詳細なフローの一例を示す図である。図１０において、ステップＳ１１１（酸化ステップ）では、ウエハＷの表面を酸化させる。ステップＳ１１２（ＣＶＤステップ）では、ウエハＷ表面に絶縁膜を形成する。ステップＳ１１３（電極形成ステップ）では、ウエハＷ上に電極を蒸着によって形成する。ステップＳ１１４（イオン打込みステップ）では、ウエハＷにイオンを打ち込む。以上のステップＳ１１１〜Ｓ１１４のそれぞれは、ウエハ処理の各段階の前処理工程を構成しており、各段階において必要な処理に応じて選択されて実行される。
ウエハプロセスの各段階において、上述の前処理工程が終了すると、以下のようにして後処理工程が実行される。後処理工程では、まず、ステップＳ１１５（レジスト形成ステップ）において、ウエハＷに感光剤を塗布する。引き続き、ステップＳ１１６（露光ステップ）において、先に説明したリソグラフィシステム（露光装置）によってマスク（レチクルＲ）の回路パターンをウエハＷ上に転写する。次に、ステップＳ１１７（現像ステップ）では露光されたウエハＷを現像し、ステップＳ１１８（エッチングステップ）において、レジストが残存している部分以外の部分の露出部材をエッチングにより取り去る。そして、ステップＳ１１９（レジスト除去ステップ）において、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。
これらの前処理工程と後処理工程とを繰り返し行うことによって、ウエハＷ上に多重に回路パターンが形成される。
以上説明した本実施形態のデバイス製造方法を用いれば、露光工程（ステップＳ１１６）において、真空紫外域の露光光ＥＬにより解像力の向上が可能となり、露光量制御を高精度に行うことができる。従って、露光精度を向上することができて、最小線幅が０．１μｍ程度の高集積度のデバイスを歩留まりよく製造することができる。
【図面の簡単な説明】
図１は、本発明の第１実施形態の露光装置を示す概略図。
図２は、図１の露光装置の投影系鏡筒の側面図。
図３は、図２の投影系鏡筒の一部の断面図。
図４は、図３の投影系鏡筒の一部の４−４線に沿った断面図。
図５は、本発明の第２実施形態の露光装置の投影系鏡筒の一部の断面図。
図６は、図５の投影系鏡筒の一部の６−６線に沿った断面図。
図７は、本発明の第３実施形態の露光装置の投影系鏡筒の部分断面図。
図８は、本発明の第４実施形態の露光装置の投影系鏡筒の部分断面図。
図９は、デバイスの製造方法を示すフローチャート。
図１０は、半導体素子の製造方法を示すフローチャート。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【国際調査報告】
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