【事件の表示】
　特願２００９−２５９９９６「新規樹脂およびそれを含有するフォトレジスト組成物」拒絶査定不服審判事件〔平成２２年４月８日出願公開、特開２０１０−７７４４１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１５年５月３０日（パリ条約による優先権主張　２００２年５月３０日　アメリカ合衆国）に出願した特願２００３−１５４３１０号の一部を平成２１年１１月１３日に新たな特許出願としたものであって、平成２３年７月２０日付けで拒絶理由が通知され、同年１０月２４日に意見書及び手続補正書が提出されたが、同年１１月１５日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成２４年３月１９日に拒絶査定不服審判が請求されると同時に手続補正書が提出されたが、同年５月９日付けで前置報告がなされ、当審において同年８月１５日付けで審尋がなされ、同年１１月１６日に回答書が提出されたものである。
　
第２　補正の却下の決定
［結論］
　平成２４年３月１９日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
１．手続補正の内容
　平成２４年３月１９日付け手続補正（以下、「本件手続補正」という。）は、平成２３年１０月２４日に提出された手続補正書により補正された特許請求の範囲を補正するものであり、そのうち請求項１については、
「フォトレジストレリーフイメージの作成方法であって、
　ａ）ポジティブ作用性フォトレジスト組成物の被覆層を基体上に適用し、前記フォトレジスト組成物は光活性成分と、１）フォト酸レイビル基とは異なるヒドロキシナフチル基、２）ラクトン基、および３）フォト酸レイビル基を含むアクリレート樹脂とを含有するものであり、ならびに
　ｂ）得られたフォトレジスト組成物層を１９３ｎｍの波長をもつ活性化放射線に露光させ、露光したフォトレジスト組成物被覆層を現像する
ことを含むフォトレジストレリーフイメージの作成方法。」
を、
「フォトレジストレリーフイメージの作成方法であって、
　ａ）ポジティブ作用性フォトレジスト組成物の被覆層を基体上に適用し、前記フォトレジスト組成物は光活性成分と、１）フォト酸レイビル基とは異なるヒドロキシナフチル基であって、現像液に溶解しないヒドロキシナフチル基、２）ラクトン基、および３）フォト酸レイビル基を含むアクリレート樹脂とを含有するものであり、前記ヒドロキシナフチル基を有するヒドロキシナフチル単位の樹脂中の含有量は、樹脂の全単位を基準として５〜３０モル％であり、ならびに
　ｂ）得られたフォトレジスト組成物層を１９３ｎｍの波長をもつ活性化放射線に露光させ、露光したフォトレジスト組成物被覆層を現像する
ことを含むフォトレジストレリーフイメージの作成方法。」
と補正するものである。
　
２．本件手続補正の適否について
（１）本件手続補正は、審判請求と同時にされた補正であるから、その補正は、特許法第１７条の２第３項の規定により、願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した範囲内においてしなければならないだけでなく、第１７条の２第５項第１号から第４号に掲げるいずれかの事項を目的とするものに限られる。
　そこで、本件手続補正について検討する。
　
ア　本件手続補正は、補正前の特許請求の範囲の請求項１に記載の発明を特定するために必要な事項（以下、「発明特定事項」という。）である「ヒドロキシナフチル基」について、新たに「現像液に溶解しない」との発明特定事項（以下、「発明特定事項１」という。）を追加するとともに、「ヒドロキシナフチル基を有するヒドロキシナフチル単位の樹脂中の含有量は、樹脂の全単位を基準として５〜３０モル％」との発明特定事項（以下、「発明特定事項２」という。）を追加することを含むものである。
イ　発明特定事項１については、願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲及び図面（以下、まとめて「当初明細書」という。）には、ヒドロキシナフチル基の現像液の溶解に関して何ら記載がないことから、発明特定事項１は、当初明細書に記載した範囲内のものとは認められず、また、技術常識から記載されているに等しいものともいえない。
ウ　発明特定事項２については、補正前の特許請求の範囲の請求項１には、ヒドロキシナフチル単位の樹脂中の含有量について何ら特定するものではないことから、補正前の発明特定事項をさらに限定したもの、すなわち、いわゆる「限定的減縮」にあたるということはできない。
　また、本件手続補正が、明りょうでない記載の釈明を目的とするものにも該当せず、さらに、請求項の削除、誤記の訂正のいずれかを目的とするものでもないことは、明らかである。
エ　したがって、本件手続補正は、特許法第１７条の２第３項及び第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
（２）独立特許要件について
　ここで、仮に、本件手続補正が特許請求の範囲の減縮を目的とするものとした場合、本件手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１に係る発明（以下、「補正発明」という。）が、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第５項に規定する要件（いわゆる、独立特許要件）を満足するか否かについて、以下に検討する。
　
ア　補正発明は、上記第２＿１．より、以下のとおりのものである。
「フォトレジストレリーフイメージの作成方法であって、
　ａ）ポジティブ作用性フォトレジスト組成物の被覆層を基体上に適用し、前記フォトレジスト組成物は光活性成分と、１）フォト酸レイビル基とは異なるヒドロキシナフチル基であって、現像液に溶解しないヒドロキシナフチル基、２）ラクトン基、および３）フォト酸レイビル基を含むアクリレート樹脂とを含有するものであり、前記ヒドロキシナフチル基を有するヒドロキシナフチル単位の樹脂中の含有量は、樹脂の全単位を基準として５〜３０モル％であり、ならびに
　ｂ）得られたフォトレジスト組成物層を１９３ｎｍの波長をもつ活性化放射線に露光させ、露光したフォトレジスト組成物被覆層を現像する
ことを含むフォトレジストレリーフイメージの作成方法。」
　
イ　本件手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１には、「現像液に溶解しないヒドロキシナフチル基」なる記載があるが、「ヒドロキシナフチル基」は、いわゆる官能基であって、特定の物質ではなく、かかる官能基である「ヒドロキシナフチル基」が「現像液に溶解しない」との技術的意味が不明りょうであるから、補正発明が明確であるとはいえず、本願は特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。
　
ウ　仮に、上記「現像液に溶解しないヒドロキシナフチル基」が、「現像液に溶解しないヒドロキシナフチル基を有するヒドロキシナフチル単位」を意味し、本件手続補正は補正前の「ヒドロキシナフチル単位」を限定的に減縮するものだとした場合について検討する。
　
（ア）刊行物
　特開２００２−１０７９３３号公報（以下、「引用例」という。平成２３年７月２０日付け拒絶理由通知書における引用文献５に同じ。）
　
（イ）引用例の記載事項
ａ　「【請求項１】　下記一般式（１）で示されるヒドロキシ基を有するナフタレン環を含む繰り返し単位と、カルボキシル基の水酸基の水素原子が酸不安定基によって置換された基を有する繰り返し単位とを有する重合体を含有することを特徴とするレジスト材料。
【化１】
（式中、Ｒ１は水素原子、炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基、又は炭素数６〜２０のアリール基であり、ａは１〜５の整数である。）
【請求項２】　請求項１で示される重合体において、カルボキシル基の水酸基の水素原子が酸不安定基によって置換された基を有する繰り返し単位が、下記一般式（２）−１〜（２）−４のいずれかで示されるレジスト材料。
【化２】
（式中、Ｒ２は水素原子、炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基、又は炭素数６〜２０のアリール基であり、Ｒ３は酸不安定基を示す。ｂは０又は１であり、Ｘ、Ｙは単結合、又は炭素数１〜１０の直鎖状、分岐状もしくは環状の２価の炭化水素基であり、該基はヒドロキシ基、アセチル基もしくはエステル基を含んでいてもよい。Ｚは酸素原子又は−ＮＲ−基（Ｒは水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基）である。）
【請求項３】　重合体が、更に下記一般式（１’）で示される繰り返し単位
を含有する請求項１又は２記載のレジスト材料。
【化３】
（式中、Ｒ１、Ｒ３、ａは上記と同様の意味を示す。）
【請求項４】　（Ａ）請求項１、２又は３記載の重合体であって、アルカリ不溶性又は難溶性であり、かつ上記酸不安定基が脱離したときにアルカリ可溶性となるベース樹脂、（Ｂ）有機溶剤、（Ｃ）酸発生剤を含有することを特徴とする電子線、Ｘ線、又は軟Ｘ線露光用化学増幅ポジ型レジスト材料。
【請求項５】　更に、（Ｄ）塩基性化合物を含有することを特徴とする請求項４記載の電子線、Ｘ線、又は軟Ｘ線露光用化学増幅ポジ型レジスト材料。
【請求項６】　更に、（Ｅ）溶解阻止剤を含有することを特徴とする請求項４又は５記載の電子線、Ｘ線、又は軟Ｘ線露光用化学増幅ポジ型レジスト材料。
【請求項７】　（１）請求項４、５、６のいずれか１項に記載の化学増幅ポジ型レジスト材料を基板上に塗布する工程と、（２）次いで、加熱処理後、フォトマスクを介して波長３００ｎｍ以下の電子線、Ｘ線、又は軟Ｘ線で露光する工程と、（３）必要に応じて加熱処理した後、現像液を用いて現像する工程とを含むことを特徴とするパターン形成方法。」（特許請求の範囲）
　
ｂ　「Ｒ３の酸不安定基としては、種々選定されるが、特にカルボキシル基の水酸基の水素原子と置換される酸不安定基としては下記式（３）で示される三級アルキル基であることが好ましい。
【化１０】
　式（３）において、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６は、上記Ｒ１と同様の炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基、又は炭素数６〜２０のアリール基であるが、酸素、硫黄、窒素、フッ素などのヘテロ原子を含んでもよく、Ｒ４とＲ５、Ｒ４とＲ６、Ｒ５とＲ６とは互いに結合して環を形成してもよい。
　式（３）中、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６は、フェニル基、ｐ−メチルフェニル基、ｐ−エチルフェニル基、ｐ−メトキシフェニル基等のアルコキシ置換フェニル基等の非置換又は置換アリール基、ベンジル基、フェネチル基等のアラルキル基等や、これらの基に酸素原子を有する、あるいは炭素原子に結合する水素原子が水酸基に置換されたり、２個の水素原子が酸素原子で置換されてカルボニル基を形成する下記式で示されるようなアルキル基等の基も挙げることができる。
　即ち、一般式（３）中、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６は、炭素数４〜２０のオキソアルキル基としても例示でき、３−オキソアルキル基、又は下記式（５）−１〜（５）−７で示される基等が挙げられる。
【化１１】
」（段落【００２４】〜【００２９】）
　
ｃ　「本発明の重合体は、ヒドロキシビニルナフタレンと、酸不安定基置換カルボキシル基含有モノマーとを共重合させることによって得られるが、更に密着性を向上させるための置換基を含むモノマー、ドライエッチング耐性を向上させるためのモノマー、（メタ）アクリレートモノマーを更に加えて重合させることができる。密着性向上のためのモノマーとしては、フェノール、酸無水物、エステル（ラクトン）、カーボネート、アルコール、カルボン酸、カルボン酸アミド、スルホン酸アミド、ケトンなどの親水性置換基を含むものであり、このようなモノマーから得られる単位として、例えば下記のような繰り返し単位が挙げられる。
【化２１】
」（段落【００５５】〜【００５６】）
　
ｄ　「なお、上記重合体において、式（１）の単位の含有量は１０〜９５モル％、より好ましくは２０〜９３モル％、更に好ましくは３０〜９０モル％であることが好ましく、またカルボキシル基の水酸基の水素原子が酸不安定基で置換された基を有する単位の含有量は５〜６０モル％、より好ましくは７〜５０モル％、更に好ましくは１０〜４０モル％であることが好ましい。」（段落【００６０】）
　
ｅ　「酸発生剤の配合量は、全ベース樹脂１００重量部に対して０．２〜１５重量部、特に０．５〜１５重量部とすることが好ましく、０．２重量部に満たないと露光時の酸発生量が少なく、感度及び解像力が劣る場合があり、２０重量部を超えるとレジストのエッチング耐性が劣る場合がある。」（段落【００７１】）
　
（ウ）引用例に記載された発明
　引用例には、摘示ａの請求項７より、「（１）請求項４、５、６のいずれか１項に記載の化学増幅ポジ型レジスト材料を基板上に塗布する工程と、（２）次いで、加熱処理後、フォトマスクを介して波長３００ｎｍ以下の電子線、Ｘ線、又は軟Ｘ線で露光する工程と、（３）必要に応じて加熱処理した後、現像液を用いて現像する工程とを含むことを特徴とするパターン形成方法。」が記載され、請求項４には、「（Ａ）請求項１、２又は３記載の重合体であって、アルカリ不溶性又は難溶性であり、かつ上記酸不安定基が脱離したときにアルカリ可溶性となるベース樹脂、（Ｂ）有機溶剤、（Ｃ）酸発生剤を含有することを特徴とする電子線、Ｘ線、又は軟Ｘ線露光用化学増幅ポジ型レジスト材料。」が記載され、さらに請求項１には、「下記一般式（１）で示されるヒドロキシ基を有するナフタレン環を含む繰り返し単位と、カルボキシル基の水酸基の水素原子が酸不安定基によって置換された基を有する繰り返し単位とを有する重合体を含有することを特徴とするレジスト材料。
【化１】
（式中、Ｒ１は水素原子、炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基、又は炭素数６〜２０のアリール基であり、ａは１〜５の整数である。）」が記載されている。
　また、引用例には、摘示ｄから、式（１）の単位の含有量は、重合体において１０〜９５モル％である旨記載されている。
　してみると、引用例には、
「（１）（Ａ）下記一般式（１）で示されるヒドロキシ基を有するナフタレン環を含む繰り返し単位と、カルボキシル基の水酸基の水素原子が酸不安定基によって置換された基を有する繰り返し単位とを有する重合体であって、該ナフタレン環を含む繰り返し単位の含有量は１０〜９５モル％であり、アルカリ不溶性又は難溶性であり、かつ上記酸不安定基が脱離したときにアルカリ可溶性となるベース樹脂、（Ｂ）有機溶剤、（Ｃ）酸発生剤を含有することを特徴とする電子線、Ｘ線、又は軟Ｘ線露光用化学増幅ポジ型レジスト材料を基板上に塗布する工程と、（２）次いで、加熱処理後、フォトマスクを介して波長３００ｎｍ以下の電子線、Ｘ線、又は軟Ｘ線で露光する工程と、（３）必要に応じて加熱処理した後、現像液を用いて現像する工程とを含むことを特徴とするパターン形成方法。
（式中、Ｒ１は水素原子、炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基、又は炭素数６〜２０のアリール基であり、ａは１〜５の整数である。）」の発明（以下、「引用例発明」という。）が記載されていると認められる。
　
（エ）補正発明と引用例発明との対比
　引用例発明の「パターン形成方法」は、補正発明の「フォトレジストレリーフイメージの作成方法」に相当することは明らかである。
　引用例発明の「（Ａ）下記一般式（１）で示されるヒドロキシ基を有するナフタレン環を含む繰り返し単位と、カルボキシル基の水酸基の水素原子が酸不安定基によって置換された基を有する繰り返し単位とを有する重合体であって、アルカリ不溶性又は難溶性であり、かつ上記酸不安定基が脱離したときにアルカリ可溶性となるベース樹脂」に関しては、「ベース樹脂」はアクリレート樹脂であり、また、「下記一般式（１）で示されるヒドロキシ基を有するナフタレン環を含む繰り返し単位」はフォト酸レイビル基とは異なるヒドロキシナフチル基であって、現像液に溶解しないヒドロキシナフチル基を含み、さらに、「カルボキシル基の水酸基の水素原子が酸不安定基によって置換された基を有する繰り返し単位」はフォト酸レイビル基を含むことは明らかである。
　引用例発明のヒドロキシナフチル単位（ナフタレン環を含む繰り返し単位）の含有量は、１０〜９５モル％であり、補正発明における該単位の含有量である５〜３０モル％と重複一致し、また、引用例発明の「波長３００ｎｍ以下の電子線、Ｘ線、又は軟Ｘ線」は、補正発明の「１９３ｎｍの波長をもつ活性化放射線」を意味包含している。
　引用例発明の「（Ｃ）酸発生剤」は、摘示ｅより補正発明の「光活性成分」に相当することは明らかである。
　
　してみると、補正発明と引用例発明は、
「フォトレジストレリーフイメージの作成方法であって、
　ａ）ポジティブ作用性フォトレジスト組成物の被覆層を基体上に適用し、前記フォトレジスト組成物は光活性成分と、フォト酸レイビル基とは異なるヒドロキシナフチル基であって、現像液に溶解しないヒドロキシナフチル基、およびフォト酸レイビル基を含むアクリレート樹脂とを含有するものであり、前記ヒドロキシナフチル基を有するヒドロキシナフチル単位の樹脂中の含有量は、樹脂の全単位を基準として５〜３０モル％であり、ならびに
　ｂ）得られたフォトレジスト組成物層を１９３ｎｍの波長をもつ活性化放射線に露光させ、露光したフォトレジスト組成物被覆層を現像する
ことを含むフォトレジストレリーフイメージの作成方法。」
である点で一致し、以下の点で相違する。
　
相違点１：補正発明のアクリレート樹脂はラクトン基を含むと特定されているが、引用例発明ではそのような特定がない点。
　
（オ）判断
　引用例発明のベース樹脂を構成する重合体（アクリレート樹脂）は、摘示ｃの繰り返し単位（９）−７及び（９）−９から、ラクトン基を含むことができるから、相違点１は実質的な相違点ではないか、もしくは、該樹脂の用途との関係で周知の技術的課題である基体との密着性向上を目的として、ラクトン基を含ませることは、摘示ｃよりラクトン基により基体との密着性が向上するのであるから、この技術の分野における通常の知識を有する者（以下、「当業者」という。）が必要に応じて適宜なし得ることに過ぎす、また、このことにより格別予期しがたい優れた効果が奏されているとも認められない。
　したがって、補正発明は、引用例に記載された発明と同一であるか、または引用例に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
エ　まとめ
　以上より、補正発明が明確であるとはいえず、本願は特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしておらず、仮にそうでないとしても、補正発明は、引用例に記載された発明であるから特許法第２９条第１項第３号の規定に該当し、または、引用例に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　したがって、仮に本件手続補正が特許請求の範囲の減縮に該当するとしても、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
（３）むすび
　以上のとおりであるから、本件手続補正は、特許法第１７条の２第３項及び同第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものであり、仮に本件手続補正が特許請求の範囲の減縮に該当するとしても、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について 
１．本願発明 
　平成２４年３月１９日付け手続補正は、上述の通り却下されたので、本願の請求項１〜８に係る発明は、平成２３年１０月２４日に提出の手続補正書によって補正された特許請求の範囲の請求項１〜８に記載された事項により特定されるとおりのものであり、そのうち、請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、以下のとおりのものである。
「フォトレジストレリーフイメージの作成方法であって、
　ａ）ポジティブ作用性フォトレジスト組成物の被覆層を基体上に適用し、前記フォトレジスト組成物は光活性成分と、１）フォト酸レイビル基とは異なるヒドロキシナフチル基、２）ラクトン基、および３）フォト酸レイビル基を含むアクリレート樹脂とを含有するものであり、ならびに
　ｂ）得られたフォトレジスト組成物層を１９３ｎｍの波長をもつ活性化放射線に露光させ、露光したフォトレジスト組成物被覆層を現像する
ことを含むフォトレジストレリーフイメージの作成方法。」
　
２．原査定における拒絶の理由の概要
　原査定の拒絶の理由とされた、平成２３年７月２０日付け拒絶理由通知書に記載した理由１及び２の概要は、請求項１に係る発明は、引用文献５に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号の規定に該当し特許を受けることができない、または、引用文献５に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたというものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない、である。
　
第４　当審の判断
ア　上記引用文献５は、上記第２＿２．（２）ウ（ア）の刊行物と同じであるから、引用文献５には、上記第２＿２．（２）ウ（イ）に記載した事項及び第２＿２．（２）ウ（ウ）に記載の発明が記載されている。以下、引用文献５に記載された発明を引用例発明ともいう。
　
イ　本願発明は、上記第２＿１．の記載から、「現像液に溶解しないヒドロキシナフチル基」、及び「前記ヒドロキシナフチル基を有するヒドロキシナフチル単位の樹脂中の含有量は、樹脂の全単位を基準として５〜３０モル％であり、」との発明特定事項を補正発明から削除したものであるから、本願発明と引用例発明とを対比すると、両者は、上記第２＿２．（２）ウ（エ）に記載した点で一致し、相違点１で相違する。
　そして、相違点１については、上記第２＿２．（２）ウ（オ）で検討したとおりであるから、補正発明は引用文献５に記載された発明、もしくは、引用文献５に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
ウ　したがって、本願発明は、引用文献５に記載された発明、もしくは、引用文献５に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、または、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
　
第５　むすび 
　以上のとおりであるから、本願の請求項１に係る発明についての原査定の拒絶の理由とされた、平成２３年７月２０日付け拒絶理由通知書に記載した拒絶の理由１及び２は妥当なものである。したがって、他の請求項について検討するまでもなく、本願はこの理由により拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。