(57)【要約】活性層の外周部の貼り合わせ不良部分の除去を、表面研削後の研磨で行う貼り合わせ基板、その製造方法、ウェーハ外周加圧治具類である。表面研削後、貼り合わせウェーハ（３０）の活性層用ウェーハ（１０）側に外周部を除去し、中央部を残す外周除去研磨を施す。よって、従来の外周研削、外周エッチングが省ける。かつ、外周エッチングによるウェーハ（２０）の外周面のエッチピット、シリコン酸化膜（１０ａ）の削り残しによるＳＯＩ層（１０Ａ）の汚染や傷を解消でき、高歩留り、低コストが図れる。
2003098695.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
活性層と、これを裏面側から支持する支持基板用ウェーハとが貼り合わされた貼り合わせ基板において、
前記活性層の外周面が、この活性層の表面の外周縁から、前記支持基板用ウェーハの貼り合わせ不良部分を除去した貼り合わせ界面の外周縁まで、または、前記活性層の表面の外周縁から支持基板用ウェーハの外周縁まで、研磨された傾斜面である貼り合わせ基板。
【請求項２】
前記活性層の表面に、結晶欠陥が存在しない請求の範囲第１項に記載の貼り合わせ基板。
【請求項３】
前記研磨された傾斜面の幅が、ウェーハ周方向で部分的に異なる請求の範囲第１項または請求の範囲第２項に記載の貼り合わせ基板。
【請求項４】
前記傾斜面のうち、幅の広い部分がノッチ部またはオリエンテーションフラット部である請求の範囲第３項に記載の貼り合わせ基板。
【請求項５】
前記貼り合わせ基板が、前記活性層と支持基板用ウェーハとの間に埋め込み酸化膜が形成された貼り合わせＳＯＩ基板である請求の範囲第１項〜請求の範囲第４項のうち、何れか１項に記載の貼り合わせ基板。
【請求項６】
活性層用ウェーハと支持基板用ウェーハとを貼り合わせる貼り合わせ工程と、
この貼り合わせにより作製された貼り合わせウェーハの貼り合わせ強度を増強する熱処理工程と、
この貼り合わせウェーハの活性層用ウェーハ側を表面研削し、この活性層用ウェーハを減厚して活性層とする表面研削工程と、
この活性層に、その表面研削面側から、外周部の貼り合わせ不良部分を除去し、中央部を残す研磨を行う外周除去研磨工程とを備えた貼り合わせ基板の製造方法。
【請求項７】
前記貼り合わせ後の熱処理に代えて、前記外周除去研磨後、前記活性層の中央部を研磨する中央研磨工程と、
この中央部の研磨後、還元性雰囲気または不活性雰囲気での熱処理を施し、前記貼り合わせウェーハの貼り合わせ強度を増強するとともに、前記活性層の表面から結晶欠陥を除去する請求の範囲第６項に記載の貼り合わせ基板の製造方法。
【請求項８】
スマートカット法またはＥＬＴＲＡＮ法またはＳｉＧｅｎ法による貼り合わせ基板の製造方法において、
活性層用ウェーハと支持基板用ウェーハとを貼り合わせる貼り合わせ工程と、
この貼り合わせ後、貼り合わせ側の部分を支持基板用ウェーハに残して活性層用ウェーハを除去し、前記支持基板用ウェーハの一方の面に活性層を形成する活性層用ウェーハ除去工程と、
この活性層に対して、その活性層用ウェーハの除去面側から、外周部を除去して中央部を残す研磨を行う外周除去研磨工程とを備えた貼り合わせ基板の製造方法。
【請求項９】
前記外周除去研磨工程では、
前記活性層の外周部の研磨レートが、その中央部の研磨レートより大きい請求の範囲第６項〜請求の範囲第８項のうち、何れか１項に記載の貼り合わせ基板の製造方法。
【請求項１０】
前記活性層の外周部の研磨圧力は、その中央部の研磨圧力より大きい請求の範囲第９項に記載の貼り合わせ基板の製造方法。
【請求項１１】
前記外周除去研磨工程が、
前記活性層の外周部をその中央部より研磨面側に突出変形させるウェーハ外周加圧治具を用いて行われる請求の範囲第１０項に記載の貼り合わせ基板の製造方法。
【請求項１２】
前記外周除去研磨後、前記貼り合わせウェーハの外周部のうちの周方向の一部分だけを再研磨し、その部分の活性層を除去する外周部分除去研磨工程を有する請求の範囲第６項〜請求の範囲第１１項のうち、何れか１項に記載の貼り合わせ基板の製造方法。
【請求項１３】
前記外周部分除去研磨工程が、
前記活性層の外周部のうち、除去したい部分だけを研磨面側に突出変形させるウェーハ部分除去加圧治具を用いて行われる請求の範囲第１２項に記載の貼り合わせ基板の製造方法。
【請求項１４】
研磨布との対向面に半導体ウェーハが保持される研磨ヘッドと前記半導体ウェーハとの間に介在されたウェーハ外周加圧治具であって、
治具本体と、
この治具本体の半導体ウェーハの保持側の面に形成され、前記半導体ウェーハの外周部を中央部より研磨面側に突出変形させる環状の突条部とを備えたウェーハ外周加圧治具。
【請求項１５】
前記突条部に、前記半導体ウェーハの外周部に形成されたノッチ部を、前記半導体ウェーハの中央部より研磨面側に突出変形させるノッチ加圧部が形成された請求の範囲第１４項に記載のウェーハ外周加圧治具。
【請求項１６】
前記突条部に、前記半導体ウェーハの外周部に形成されたオリエンテーションフラット部を、前記半導体ウェーハの中央部より研磨面側に突出変形させるオリフラ加圧部が形成された請求の範囲第１４項に記載のウェーハ外周加圧治具。
【請求項１７】
活性層と支持基板用ウェーハとを貼り合わせた貼り合わせウェーハが、前記活性層側を研磨布に向けて保持される研磨ヘッドと、前記貼り合わせウェーハとの間に介在されるウェーハ部分除去加圧治具であって、
治具本体と、
この治具本体の貼り合わせウェーハの保持側の面に形成され、前記活性層の外周部のうち、除去したい部分だけを研磨面側に突出変形させる部分突出部とを備えたウェーハ部分除去加圧治具。
【請求項１８】
前記治具本体およびまたは部分突出部のうち、少なくとも研磨布に接触する部分が他の部分より研磨されにくい材質で形成されている請求の範囲第１７項に記載のウェーハ部分除去加圧治具。
【発明の詳細な説明】
技術分野
この発明は貼り合わせ基板およびその製造方法ならびにそれに使用されるウェーハ外周加圧治具類、詳しくは例えば活性層の外周部の貼り合わせ不良部分の除去を、表面研削後の研磨で行う貼り合わせ基板の製造技術に関する。
背景技術
２枚のシリコンウェーハを貼り合わせた貼り合わせ基板の一種として、貼り合わせＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板が知られている。これは、表面にデバイスが形成されるＳＯＩ層（活性層）と、これを裏側から支持する支持基板用ウェーハとの間に、厚さ数μｍの埋め込み酸化膜（シリコン酸化膜）が埋め込まれた貼り合わせＳＯＩ基板である。
このような貼り合わせＳＯＩ基板の製造方法において、活性層用ウェーハの外周部を研削する外周研削時に、そのウェーハ外周部を完全には削り取らず若干量を残しておき、その後、この削り残し部分をアルカリ性エッチング液によって除去し、次いでこの外周研削された活性層用ウェーハに、順次、表面研削および表面研磨を施す方法が知られている。
以下、第２３図〜第２７図に基づき、従来の貼り合わせＳＯＩ基板の製造工程を順次説明する。
まずＣＺ法により引き上げられた単結晶シリコンインゴットをスライスし、研磨して、鏡面に仕上げられた２枚のシリコンウェーハ（ＣＺウェーハ）１０１，１０２を用意する（第２３図（ａ））。このうち、活性層用ウェーハ１０１には、熱酸化炉を用いた熱酸化処理により、その露出面の全体に絶縁性のシリコン酸化膜１０１ａが形成されている。
次いで、活性層用ウェーハ１０１と、支持基板用ウェーハ１０２とを常温で重ね合わせ、貼り合わせウェーハ１０３を作製する。これにより、２枚のウェーハ１０１，１０２の間に埋め込みシリコン酸化膜１０１ｂが現出される。その後、貼り合わせウェーハ１０３に、酸化性雰囲気下で８００℃以上の貼り合わせ熱処理を施す（第２３図（ｂ））。こうして、貼り合わせウェーハ１０３の露出面全体にシリコン酸化膜１０３ａが形成される。このとき、活性層用ウェーハ１０１は、あらかじめシリコン酸化膜１０１ａにより覆われている。このため、貼り合わせ熱処理の熱により酸化膜がさらに成長し、厚くなる。便宜上、第２３図ではシリコン酸化膜１０１ａ，１０３ａを異なる色で表示している（第１図も同様）。
次に、面取りされた両ウェーハ１０１，１０２の外周部形状に起因した貼り合わせ不良領域を除去するため、活性層用ウェーハ１０１の外周部が研削される（第２３図（ｃ））。貼り合わせ不良領域が存在すれば、その後の洗浄工程、研磨工程などにおいて、この不良部分が剥がれて飛散し、それが付着してＳＯＩ層（活性層）の表面が汚染されたり、付着した飛散物により、後工程のウェーハ加工時にＳＯＩ層の表面を傷つけるおそれがある。この外周研削は、貼り合わせ界面に達しない程度に止められる。その結果、活性層用ウェーハ１０１の外周部に若干量の削り残し部分１０１ｃが現出する。
続いて、削り残し部分１０１ｃが、アルカリエッチにより除去される（第２３図（ｄ））。すなわち、貼り合わせウェーハ１０３の外周部が、ＫＯＨなどのアルカリ性エッチング液と接触し、削り残し部分１０１ｃが溶かされる。こうして、支持基板用ウェーハ１０２の貼り合わせ側の面の外周部が露出される。以下、この露出部分をテラス部という。
次に、活性層用ウェーハ１０１を表面研削し、さらに鏡面研磨することで、薄いＳＯＩ層１０１Ａがその裏面側から支持基板用ウェーハ１０２により支持された貼り合わせＳＯＩ基板が作製される（第２３図（ｅ））。
ところで、従来の貼り合わせＳＯＩ基板の製造方法にあっては、以下に示す欠点があった。
（１）従来法によるＳＯＩ層１０１Ａの作製にあっては、活性層用ウェーハ１０１を外周研削し、このときその外周部を完全には削り取らず、次いでこの削り残し部分１０１ｃを外周エッチングにより除去し、その後、活性層用ウェーハ１０１に対する表面研削および表面研磨を施す、という煩雑な工程を経ていた。そのため、貼り合わせ基板の製造工程数が増加し、その製造に長い時間を要していた。
（２）前記貼り合わせ熱処理工程にあっては、貼り合わせウェーハ１０３を図示しないウェーハボートのウェーハ挿填溝に挿填し、その後、ウェーハボートを熱酸化炉に挿入して熱処理していた。このとき、支持基板用ウェーハ１０２の外周端面がウェーハボートのウェーハ挿填溝内壁に接触するため、支持基板用ウェーハ１０２の外周端面に傷および酸化膜の成長不足が発生するおそれがあった。これらの不具合が生じた状態で、削り残し部分１０１ｃを外周エッチングすると、その傷および酸化膜の成長不足部分が他の部分に比べて選択的にエッチングされ、第２４図に示すエッチピットａが、支持基板用ウェーハ１０２の外周端面に現出されていた。
（３）活性層用ウェーハ１０１の外周研削時にも、支持基板用ウェーハ１０２の外周面に傷が生じたり、局所的に両ウェーハ１０１，１０２の外周部に接着剥がれが生じ、その部分が選択エッチングされ、第２５図に示すエッチピットｂが現出する懸念があった。
（４）上記アルカリエッチングでは、シリコン酸化膜１０１ａ，１０３ａは、ほとんどエッチングされない。そのため、活性層用ウェーハ１０１の表面研削および表面研磨後、支持基板用ウェーハ１０２のテラス部分に髭形状のシリコン酸化膜１０１ａ，１０３ａの削り残し部分ｃが残ってしまい（第２６図）、それが剥がれて飛散し、ＳＯＩ層１０１Ａの表面に付着して汚染したり、その付着物により、後工程のウェーハ加工時にＳＯＩ層１０１Ａの表面を傷つけるおそれがあった。
（５）ＳＯＩ層１０１Ａの外周縁面は、オリエンテーションフラット（以下、オリフラ）またはノッチを基準にして周方向に向かって９０度の倍数（９０度、１８０度、２７０度）の付近以外、結晶方位は均一でない。例えばデバイス形成面が（１００）面のＳＯＩ層によると、オリフラまたはノッチに対して９０度の倍数の部分は［０１１］の結晶方位となるものの、その他の部分は結晶方位が不揃いである。そのため、削り残し部分１０１ｃの外周部を、ＫＯＨなどのアルカリ性エッチング液で異方性エッチングすると、ＳＯＩ層１０１Ａの外周縁面のうち、その結晶方位が均一でない領域に、第２７図に示すインデント（ノコギリ歯状のギザギザ）ｄが発生していた。
（６）例えばスマートカット法などによって製造されたＳＯＩ基板によれば、ＳＯＩ層をノッチを有する形状にすることが可能である。しかしながら、ＳＯＩ層１０１Ａの表面が研磨により仕上げられる前記貼り合わせＳＯＩ基板の場合、テラス形成を周辺研削で行っていたが、１回の研削でノッチに沿った周辺研削を行うことは困難であった。これにより、オリフラを有する形状のＳＯＩ層が採用されていた。その結果、ノッチを有するＳＯＩ層の場合よりもデバイスの形成面積が小さくなっていた。
以上、（２）〜（６）の課題の対策として、実際のウェーハ製造にあっては、さらに複雑な工程を追加し、貼り合わせＳＯＩ基板の品質を確保していた。そのことが製造コストを高騰させる要因となっていた。
（７）貼り合わせウェーハには、ウェーハを認識するため、支持基板用ウェーハのオリフラ部分またはノッチ部分に、レーザマークを刻印する場合がある。すなわち、外部に露出したテラス部分に、あらかじめ指定されたバーコード、数字、記号、図形などのマークを表示する。レーザマークの種類には、この溝の深さが０．１〜５μｍのソフトレーザマークと、溝の深さが５〜１０００μｍのハードレーザマークとが一般的に知られている。デバイス工程では、ソフトレーザーマークが使用される。ＳＯＩ層厚が５μｍ以下のＳＯＩウェーハのＳＯＩ層表面にソフトレーザーマークを印字すると埋め込み酸化膜までレーザー光線が到達し、発塵し、活性層の表面を汚染し、デバイスの歩留りを低下させていた。
また、貼り合わせＳＯＩ構造は、ＳＩＭＯＸなどの他のＳＯＩ構造に比べて、Ｓｉ−ＳｉＯ２界面および薄膜Ｓｉ層の結晶欠陥の問題には有利である。しかしながら、材料ウェーハとなるＣＺウェーハは、デバイス特性を悪化させるＣＯＰやＢＭＤ（Ｂｕｌｋ  Ｍｉｃｒｏ  Ｄｅｆｅｃｔ）を多く含んでいる。
そこで、これを解消する従来技術として、日本国特開平５−２１１６１６号公報が知られている。これは、貼り合わせ前の活性層用ウェーハ、または、貼り合わせ後の貼り合わせＳＯＩ基板に対して、還元性雰囲気または不活性雰囲気での高温熱処理を行い、ＳＯＩ層の表面に存在する酸素を除去して結晶品質を高める技術である。
（８）しかしながら、貼り合わせ前の活性層用ウェーハに対して、還元性雰囲気または不活性雰囲気による高温熱処理を行った際には、活性層用ウェーハを減厚して得られたＳＯＩ層の表面が露出面となる。そのため、単結晶シリコンインゴットの育成時に発生した結晶欠陥、酸化膜形成時および貼り合わせ熱処理時に発生した結晶欠陥がＳＯＩ層の表面に露出していた。よって、貼り合わせ前の活性層用ウェーハに対して前記高温熱処理を施しても、ＳＯＩ層の表面には欠陥が存在し、現実的には結晶品質を改善する対策とはならなかった。
（９）貼り合わせ後の活性層用ウェーハに対して、還元性雰囲気または不活性雰囲気による熱処理を行ったときには、貼り合わせ熱処理とは別に熱処理を施さなければならず、貼り合わせ基板の製造コストが高くなっていた。
そこで、発明者らは、鋭意研究の結果、従来の活性層用ウェーハの外周研削および外周エッチングに代わり、表面研削および表面研磨だけにより活性層用ウェーハの外周部の貼り合わせ不良部分を除去すれば、上述した（１）〜（６）の課題は解消されることを知見し、この発明を完成させた。
この発明は、貼り合わせ基板の製造工程数の削減および製造時間の短縮が図れ、また貼り合わせ基板の良品率を高めることができ、しかも貼り合わせ基板を廉価に製造することができ、さらにはノッチを有する活性層も得られる貼り合わせ基板およびその製造方法を提供することを目的としている。
そして、この発明は、既存の研磨装置を利用し、ウェーハに外周除去研磨を施すことができるウェーハ外周加圧治具を提供することを目的としている。
また、発明者らは、支持基板用ウェーハのテラス部分のうち、レーザマーキングが施される部分、例えばオリエンテーションフラット部またはノッチ部の幅を広げれば、レーザの照射による活性層からの発塵を抑制でき、これにより上述した（７）の課題は解消されることを知見し、この発明を完成させた。
すなわち、この発明は、支持基板用ウェーハの外周部の一部分にレーザーマーキングを施しても活性層から発塵しにくい貼り合わせ基板およびその製造方法ならびにそれに使用されるウェーハ部分除去加圧治具を提供することを目的としている。
さらに、発明者らは、活性層用ウェーハに対して表面研削を施すとともに、活性層に対してその外周部を除去して中央部を残す外周除去研磨を施すことで、室温による活性層用ウェーハと支持基板用ウェーハとの貼り合わせ後、貼り合わせ強化熱処理を行わなくても、ウェーハ周辺部分が剥がれることなく貼り合わせウェーハを作製することができることを知見した。しかも、これにより活性層の中央部の研磨後に還元性雰囲気または不活性雰囲気で熱処理を施せば、活性層の表面に結晶欠陥が存在しなくなり、これにより上述した（８），（９）の課題は解消されることを知見し、この発明を完成させた。
すなわち、この発明は、低コストで、活性層の表面に結晶欠陥が存在しない貼り合わせ基板およびその製造方法を提供することを目的としている。
発明の開示
第１の発明は、活性層と、これを裏面側から支持する支持基板用ウェーハとが貼り合わされた貼り合わせ基板において、前記活性層の外周面が、この活性層の表面の外周縁から、前記支持基板用ウェーハの貼り合わせ不良部分を除去した貼り合わせ界面の外周縁まで、または、前記活性層の表面の外周縁から支持基板用ウェーハの外周縁まで、研磨された傾斜面である貼り合わせ基板である。
貼り合わせ基板としては、例えば貼り合わせＳＯＩ基板を採用することができる。その他、活性層と支持基板用ウェーハとを、直接、貼り合わせた基板でもよい。活性層としては、例えば貼り合わせＳＯＩ基板のＳＯＩ層が挙げられる。この場合、酸化膜が活性層の下に存在し、酸化膜の外周縁の露出面も研磨された傾斜面になる。また、支持基板用ウェーハとしては、例えばシリコンウェーハが挙げられる。
ここで、活性層の外周面が、活性層の表面から支持基板用ウェーハの貼り合わせ不良部分を除去した貼り合わせ界面の外周縁まで研磨された傾斜面であるとは、活性層の外周面が、裾広がりの研磨面であることをいう。裾広がりとは、断面直線状（テーパ状）または断面円弧状である。また、断面円弧状とは、断面視して中央が両端よりも外方に突出した形状をいう。
第１の発明によれば、貼り合わせウェーハの活性層用ウェーハに対して、活性層の表面の外周縁から支持基板用ウェーハの貼り合わせ不良部分を除去した貼り合わせ界面の外周縁まで、または、活性層の表面の外周縁から支持基板用ウェーハの外周縁まで、その中央部を残して活性層とする外周除去研磨を施す。これにより、従来、必要とされた活性層用ウェーハの外周研削工程、および、活性層の外周エッチング工程を省略することができる。その結果、貼り合わせ基板の製造工程数が削減され、これに伴って貼り合わせ基板の製造時間も短縮される。
また、外周除去研磨を施すことで、従来手段におけるウェーハ品質上の課題であった、活性層の外周エッチングを原因とした支持基板用ウェーハの外周面へのエッチピットの発生、および、貼り合わせ基板が貼り合わせＳＯＩ基板の場合において、外周エッチング後、活性層の外周部から飛散したシリコン酸化膜の髭状の削り残し部分を原因とした活性層の汚染または傷などの発生をなくすことができる。これにより、貼り合わせ基板の良品率が高まる。その結果、貼り合わせ基板の製造コストを低減することができる。さらに、従来法では作製が困難とされた、ノッチを有する活性層が形成された貼り合わせ基板を、簡単に作製することができる。
さらにまた、活性層の外周部は、従来のようにアルカリエッチングではなく、研磨布による研磨（外周除去研磨）によって除去されるので、活性層の外周縁面のうち、オリフラまたはノッチを基準にして、その周方向に向かって９０度の倍数以外の領域、すなわち結晶方位が均一ではない領域でも、異方性エッチングに起因するインデントが発生しない。そのため、活性層の外周縁面をその全周にわたってなめらかに形成することができる。
こうして得られた貼り合わせ基板は、活性層の表面の外周縁から支持基板用ウェーハの貼り合わせ不良部分を除去した貼り合わせ界面の外周縁まで研磨された斜面、または、活性層の表面の外周縁から支持基板用ウェーハの外周縁まで研磨された傾斜面となる。
第２の発明は、前記活性層の表面に、結晶欠陥が存在しない貼り合わせ基板である。
結晶欠陥とは、例えば単結晶シリコンインゴットの育成時に発生した結晶欠陥、酸化膜形成時および貼り合わせ熱処理時に発生した結晶欠陥などをいう。具体的には、ＣＯＰ（Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｏｒｉｇｉｎａｔｅｄ  Ｐａｒｔｉｃｌｅ）、ＢＭＤ、ＯＳＦ（Ｏｘｉｄａｔｉｏｎ  Ｉｎｄｕｃｅｄ  Ｓｔａｃｋｉｎｇ  Ｆａｕｌｔ）などが挙げられる。
ここでいう結晶欠陥が存在しないとは、直径０．１μｍ以上の結晶欠陥が活性層の表面に１０個／ｃｍ２以下しか存在しない状態をいう。
活性層の表面に結晶欠陥が存在しない状態を具現化する方法は限定されない。例えば、支持基板用ウェーハの貼り合わせ側の面に活性層を形成した後の熱処理などを採用することができる。
第２の発明によれば、活性層の表面に結晶欠陥が存在しないので、活性層の表面に形成されたデバイスの電気特性などを高めることができる。
第３の発明は、前記研磨された傾斜面の幅が、ウェーハ周方向で部分的に異なる貼り合わせ基板である。
傾斜面の幅とは、活性層の外周縁の接線と直交する方向における傾斜面の長さである。この傾斜面の幅がウェーハ周方向で部分的に異なるとは、ウェーハ周方向において、傾斜面の幅が広い部分と狭い部分とが存在することを意味する。活性層は薄いので、傾斜面のほとんどは、支持基板用ウェーハの外周部の貼り合わせ面側の部分（テラス部）となる。このうち、幅の広い部分を、例えばレーザマーキングが施されるマーキング領域とすることができる。レーザマーキングとしては、ソフトレーザマーキングを採用することができる。ウェーハ周方向における幅の広い部分の形成位置、その形成範囲は限定されない。例えば、オリエンテーションフラット部またはノッチ部を、その幅の広い部分としてもよい。
幅狭な部分の幅は０．５〜４ｍｍ、好ましくは０．５〜１．５ｍｍである。０．５ｍｍ未満では、未接着部分が残存するという不都合が生じる。また、４ｍｍを超えるとデバイス領域が小さくなり、デバイス収率が悪くなるという不都合が生じる。
幅広の部分の幅は３〜５ｍｍ、好ましくは３〜４ｍｍである。３ｍｍ未満では、発塵がＳＯＩ層表面を汚染するという不都合が生じる。また、５ｍｍを超えるとデバイス領域が小さくなり、デバイス収率が悪くなるという不都合が生じる。
第３の発明によれば、傾斜面の幅をウェーハ周方向で部分的に異なるように研磨すると、傾斜面の幅が広い部分、例えばノッチ部またはオリエンテーションフラット部において、活性層の外周部の一部分が他の部分より大きく除去されるとともに、支持基板用ウェーハの外周部に幅の広いテラス部が現出される。広いテラス部に、例えばレーザマーキングを施しても、照射されたレーザの影響が活性層にまでおよびにくい。その結果、レーザマーキング時における活性層への発塵を抑制することができる。
第４の発明は、前記傾斜面のうち、幅の広い部分がノッチ部またはオリエンテーションフラット部である貼り合わせ基板である。
傾斜面の幅の広い部分は、ノッチ部でもよいし、オリエンテーションフラット部でもよい。
第５の発明は、前記貼り合わせ基板が、前記活性層と支持基板用ウェーハとの間に埋め込み酸化膜が形成された貼り合わせＳＯＩ基板である。
貼り合わせＳＯＩ基板において、酸化膜により覆われるのは活性層の基材である活性層用ウェーハ、または支持基板用ウェーハのいずれでもよい。または、活性層用ウェーハと支持基板用ウェーハとの両方でもよい。酸化膜の形成方法は限定されない。例えば、ドライ酸化、ウェット酸化などを採用することができる。また、貼り合わせ面にｎ＋層やＳｉＧｅ膜が形成されていてもよい。
第６の発明は、活性層用ウェーハと支持基板用ウェーハとを貼り合わせる貼り合わせ工程と、この貼り合わせにより作製された貼り合わせウェーハの貼り合わせ強度を増強する熱処理工程と、この貼り合わせウェーハの活性層用ウェーハ側を表面研削し、この活性層用ウェーハを減厚して活性層とする表面研削工程と、この活性層に、その表面研削面側から、外周部の貼り合わせ不良部分を除去し、中央部を残す研磨を行う外周除去研磨工程とを備えた貼り合わせ基板の製造方法である。
活性層用ウェーハおよび支持基板用ウェーハの貼り合わせは、例えば常温において両ウェーハを重ね合わせた後、貼り合わせ熱処理することで行われる。貼り合わせ熱処理の加熱温度は８００℃以上、例えば１１００℃である。貼り合わせ熱処理の時間は、例えば２時間である。使用する熱酸化炉内の雰囲気ガスには酸素などが用いられる。
また、活性層用ウェーハを表面研削する際には、例えば表面研削砥石による研削が行われる。表面研削の条件は、例えば、＃３６０〜＃２０００のレジノイド研削砥石を使用し、活性層残厚が１０〜６０μｍになるまで表面研削する。
活性層の厚さは限定されない。例えば厚膜の活性層では１〜２００μｍ、また薄膜の活性層では０．１〜１．０μｍである。
外周除去研磨工程としては、例えば、活性層の外周部の研磨レートを中央部の研磨レートより大きくする表面研磨、活性層の外周部への研磨剤の供給量を中央部への供給量よりも増加させる表面研磨、活性層の外周部の研磨圧を中央部の研磨圧よりも増加させる表面研磨、活性層の外周部に押し付けられる研磨布の部分の素材を、活性層の中央部に押し付けられる研磨布の部分の素材よりも研磨しやすいものを用いて行う表面研磨、または、活性層の外周部に押し付けられる研磨布の部分の温度を、活性層の中央部に押し付けられる研磨布の部分の温度よりも高める表面研磨などによって実現することができる。
いずれの研磨の場合でも、例えば研磨装置の研磨ヘッドに表面研削された貼り合わせウェーハを装着し、研磨剤を供給しながら、活性層用ウェーハの研削面を、研磨定盤上に貼り付けられた研磨布に押しつけて研磨する。
研磨装置は限定されない。枚葉式の研磨装置でも、バッチ式の研磨装置でもよい。さらにはワックスタイプの片面研磨装置でも、ワックスレスタイプの装置でもよい。
研磨布の種類は限定されない。例えば、ポリエステルフェルトにポリウレタンを含浸させた多孔性の不織布タイプでもよい。また、発泡したウレタンのブロックをスライスした発泡性ウレタンタイプが挙げられる。さらには、ポリエステルフェルトにポリウレタンが含浸された基材の表面に発泡ポリウレタンを積層し、ポリウレタンの表層部分を除去して発泡層に開口部を形成したスエードタイプでもよい。さらには、セラミックやガラスでもよい。
前記研磨剤中には遊離砥粒（研磨砥粒）が含まれる。研磨剤を供給しながら、回転中の研磨布の研磨作用面に、減厚された活性層用ウェーハの研削面を押し付けることによって、微粒子である遊離砥粒の研削作用により、活性層用ウェーハの研削面を外周除去研磨する。
第６の発明によれば、貼り合わせ熱処理後、貼り合わせウェーハの活性層用ウェーハ側に、直接、表面研削して活性層用ウェーハを減厚した後、活性層用ウェーハに外周除去研磨を施してウェーハ外周部の貼り合わせ不良部分を除去し、活性層とする。
このような外周除去研磨を採用したことで、従来、必要とされた活性層用ウェーハの外周研削工程、および、活性層の外周エッチング工程を省略することができる。その結果、貼り合わせ基板の製造工程数が削減され、これに伴い貼り合わせ基板の製造時間も短縮される。
また、外周除去研磨を施すことで、活性層の外周エッチングによる支持基板用ウェーハの外周面へのエッチピットの発生、および、貼り合わせ基板が貼り合わせＳＯＩ基板の場合において、シリコン酸化膜の髭状の削り残し部分を原因とした活性層の汚染または傷などの発生をなくすことができる。これにより、貼り合わせ基板の良品率が高まる。その結果、貼り合わせ基板の製造コストを低減することができる。さらには、ノッチを有する活性層が形成された貼り合わせ基板を、簡単に作製することができる。
さらにまた、活性層の外周部はアルカリエッチングではなく、研磨によって除去されるので、活性層の外周縁面のうち、オリフラまたはノッチを基準にして、その周方向に向かって９０度の倍数以外の領域でも、異方性エッチングに起因するインデントが発生しない。そのため、活性層の外周縁面をその全周にわたってなめらかに形成することができる。
第７の発明は、前記貼り合わせ後の熱処理に代えて、前記外周除去研磨後、前記活性層の中央部を研磨する中央研磨工程と、この中央部の研磨後、還元性雰囲気または不活性雰囲気での熱処理を施し、前記貼り合わせウェーハの貼り合わせ強度を増強するとともに、前記活性層の表面から結晶欠陥を除去する貼り合わせ基板の製造方法である。
中央研磨工程における活性層の中央部の研磨量は、例えば５〜１０μｍ、好ましくは７μｍである。５μｍ未満では、平面研削のダメージが残存するという不都合が生じる。また、１０μｍを超えると研磨時間が長くなるという不都合が生じる。
熱処理時の炉内雰囲気は、還元性または不活性ガス雰囲気である。
還元性雰囲気は、例えばＨ２などの還元性ガスから形成される。
不活性雰囲気は、例えばＨｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅなどの不活性ガスから形成される。また、例えばＨ２：Ａｒ＝５：１などのような還元性ガスと不活性ガスとの混合ガスを採用してもよい。
熱処理温度は１０００℃以上、好ましくは１１５０〜１２５０℃である。１０００℃未満では結晶欠陥が十分にシュリンクしないという不都合が生じる。１２５０℃を超えると、活性層にスリップおよび金属汚染が発生するおそれがある。
熱処理時間は、例えば１〜３時間である。
第７の発明によれば、活性層の中央部の研磨後の活性層と支持基板用ウェーハとの貼り合わせ強度を高める熱処理時に、還元性雰囲気または不活性雰囲気で熱処理を施すことで、貼り合わせ熱処理とは別にこれらの雰囲気による熱処理を施さなくても、活性層の表面から結晶欠陥を除去することができる。
第８の発明は、スマートカット法またはＥＬＴＲＡＮ法またはＳｉＧｅｎ法による貼り合わせ基板の製造方法において、活性層用ウェーハと支持基板用ウェーハとを貼り合わせる貼り合わせ工程と、この貼り合わせ後、貼り合わせ側の部分を支持基板用ウェーハに残して活性層用ウェーハを除去し、前記支持基板用ウェーハの一方の面に活性層を形成する活性層用ウェーハ除去工程と、この活性層に対して、その活性層用ウェーハの除去面側から、外周部を除去して中央部を残す研磨を行う外周除去研磨工程とを備えた貼り合わせ基板の製造方法である。
スマートカット法とは、まず、露出面全域に酸化膜が形成された活性層用ウェーハの一方の面から軽元素をイオン注入し、イオン注入面に支持基板用ウェーハを貼り合わせる。その後、これを熱処理して、貼り合わせウェーハの貼り合わせ強度を増強するとともに、軽元素がイオン注入された部分から貼り合わせウェーハを厚さ方向に２分割し、活性層用ウェーハの貼り合わせ側の部分を剥離して支持基板用ウェーハと一体化した活性層を形成する方法（株式会社リアライズ社１９９６年６月２８日付発行の「シリコン科学」、第６章第３節  ３．２スマートカット技術、４６５頁参照）である。
また、ＥＬＴＲＡＮ法とは、まず、活性層用ウェーハの一方の面に陽極化成により多孔質層を形成し、多孔質層の表面に単結晶膜をエピタキシャル成長させ、次に、活性層用ウェーハの単結晶膜側の面に、露出面全域に酸化膜が形成された支持基板用ウェーハを貼り合わせる。それから、これを熱処理し、貼り合わせウェーハの貼り合わせ強度を高め、次いで活性層用ウェーハをその貼り合わせ側とは反対側の面から多孔質層が露出するまで研削する。または、ウォータージェットで多孔質層から剥離している。続いて、露出した多孔質層を選択エッチングし、単結晶膜からなる活性層を形成する方法である（株式会社リアライズ社１９９６年６月２８日付発行の「シリコン科学」、第６章第４節ＥＬＴＲＡＮ、４６７頁参照）。
ＳｉＧｅｎ法とは、まず活性層用ウェーハの一方の面にＳｉＧｅ層を形成し、このＳｉＧｅ層の表面に気相成長により単結晶膜を成膜させ、その面に酸化膜を形成する。次に、該ウェーハの一方の面から水素イオンを注入することによりＳｉＧｅ層内の歪みを増長する。そして、露出全面域に酸化膜が形成された支持基板用ウェーハを貼り合わせ、Ｎ２ガス等の不活性ガスを吹き付けることにより、ＳｉＧｅ層の歪み部分で剥離する。続いて露出したＳｉＧｅを選択エッチングする。
第８の発明によれば、剥離後、この活性層用ウェーハに外周除去研磨を施してウェーハ外周部の貼り合わせ不良部分を除去し、活性層とする。
このような外周除去研磨を採用したことで、従来、必要とされた活性層の外周エッチング工程を省略することができる。その結果、貼り合わせ基板の製造工程数が削減され、これに伴い貼り合わせ基板の製造時間も短縮される。
また、外周除去研磨を施すことで、活性層の外周エッチングによる支持基板用ウェーハの外周面へのエッチピットの発生、および、貼り合わせ基板が貼り合わせＳＯＩ基板の場合において、シリコン酸化膜の髭状の削り残し部分を原因とした活性層の汚染または傷などの発生をなくすことができる。これにより、貼り合わせ基板の良品率が高まる。その結果、貼り合わせ基板の製造コストを低減することができる。
さらにまた、活性層の外周部はアルカリエッチングではなく、研磨によって除去されるので、活性層の外周縁面のうち、オリフラまたはノッチを基準にして、その周方向に向かって９０度の倍数以外の領域でも、異方性エッチングに起因するインデントが発生しない。そのため、活性層の外周縁面をその全周にわたってなめらかに形成することができる。
第９の発明は、前記外周除去研磨工程では、前記活性層の外周部の研磨レートが、その中央部の研磨レートより大きい貼り合わせ基板の製造方法である。
活性層の外周部および中央部の各研磨レートは具体的に限定されるものではない。要は、活性層の中央部が目標の厚さまで研磨された時（ただし、研磨されない場合もある）、活性層の外周部の貼り合わせ不良部分が研磨により消失する研磨レートであればよい。
具体的な研磨レートは、例えばウェーハ外周部が５．０〜１０．０μｍ／分、ウェーハ中央部が０〜２．０μｍ／分程度である。
第１０の発明は、前記活性層の外周部の研磨圧力は、その中央部の研磨圧力より大きい貼り合わせ基板の製造方法である。
ここでは、活性層の中央部が目標の厚さまで研磨された時、活性層の外周部が研磨により消失する大きさの研磨圧力が、貼り合わせウェーハに作用する。
具体的には、ウェーハ外周部の研磨圧力が１０００〜２５００ｇ／ｃｍ２、ウェーハ中央部の研磨圧力が０〜５００ｇ／ｃｍ２程度である。
第１１の発明は、前記外周除去研磨工程が、前記活性層の外周部をその中央部より研磨面側に突出変形させるウェーハ外周加圧治具を用いて行われる貼り合わせ基板の製造方法である。ウェーハ外周加圧治具については後述する。
第１１の発明によれば、ウェーハ外周加圧治具を利用し、減厚された活性層用ウェーハの外周部をその中央部より研磨面側（研磨布に向かって）に突出変形させて外周除去研磨するので、既存の研磨装置でも、ウェーハ外周加圧治具を装着するだけで、この発明の特徴である外周除去研磨を実施することができる。
第１２の発明は、前記外周除去研磨後、前記貼り合わせウェーハの外周部のうちの周方向の一部分だけを再研磨し、その部分の活性層を除去する外周部分除去研磨工程を有する貼り合わせ基板の製造方法である。
再研磨される部分の研磨量は限定されない。例えば１〜２０μｍである。
外周部分除去研磨に用いられる加圧治具としては、例えば、貼り合わせウェーハの外周部のうち、除去したい部分だけを研磨面側に突出変形させるウェーハ部分除去加圧治具を採用することができる。ウェーハ部分除去加圧治具については後述する。
第１２の発明によれば、このような外周部分除去研磨を施すことで、ウェーハ外周部のうち、その周方向の一部分、例えばオリエンテーションフラット部またはノッチ部などに、活性層の一部分が大きく除去されて支持基板用ウェーハの外周部に幅の広いテラス部が形成される。そのため、この広いテラス部に例えばレーザマーキングを施したときでも、照射されたレーザの影響が活性層にまでおよびにくい。その結果、レーザマーキング時の活性層への発塵を抑制することができる。
第１３の発明は、前記外周部分除去研磨工程が、前記活性層の外周部のうち、除去したい部分だけを研磨面側に突出変形させるウェーハ部分除去加圧治具を用いて行われる貼り合わせ基板の製造方法である。
ウェーハ部分除去加圧治具については後述する。
第１４の発明は、研磨布との対向面に半導体ウェーハが保持される研磨ヘッドと前記半導体ウェーハとの間に介在されたウェーハ外周加圧治具であって、治具本体と、この治具本体の半導体ウェーハの保持側の面に形成され、前記半導体ウェーハの外周部を中央部より研磨面側に突出変形させる環状の突条部とを備えたウェーハ外周加圧治具である。
半導体ウェーハとしては、例えばシリコンウェーハ、ガリウム砒素ウェーハを採用することができる。半導体ウェーハは単体でもよいし、２枚の半導体ウェーハを貼り合わせた貼り合わせ基板（貼り合わせＳＯＩ基板を含む）でもよい。
ウェーハ外周加圧治具の素材としては、例えば、ジュラコン（ポリアセタールの商品名）、ＰＥＥＫ（ポリエーテルエーテルケトン）、ポリカーボネートなどの硬い樹脂類、ＳＵＳなどの金属類、またはセラミック類を採用することができる。突条部の素材も同様である。突条部は、治具本体と一体形成することができる。または別体で設けてもよい。
ウェーハ外周加圧治具の形状は、貼り合わせウェーハの外観形状に応じて変更される。また、ウェーハ外周加圧治具の大きさも、研磨される貼り合わせウェーハの大きさに応じて変更される。
治具本体の形状は限定されない。例えば、円板状、筒形状でもよい。
突条部の外観形状は、例えばノッチを有する半導体ウェーハまたはオリフラを有する半導体ウェーハなど、その形状に応じて適宜変更される。
また、突条部は、連続的に形成されても、間欠的に形成されてもよい。
外周除去研磨時、突条部より内側の治具本体の領域により、半導体ウェーハの外周部を除いた中央部を加圧する。この中央部は研磨ヘッドのウェーハ保持側の平面を利用して加圧してもよい。ただし、半導体ウェーハの中央部は、必ずしも加圧しなくてもよい。したがって、ウェーハ外周加圧治具は、リング状の治具本体を有してもよい。ウェーハ加圧面の大きさは、半導体ウェーハの大きさに応じて変更される。ウェーハ外周加圧治具への半導体ウェーハの保持は、例えば真空吸着またはテンプレート保持を採用することができる。
突条部の先端面は、治具本体の中心部に向かって徐々に高さが低くなる傾斜面とすることができる。傾斜面の傾斜角度は、半導体ウェーハの外周部の研磨量に応じて０．１度〜９０度の範囲で適宜変更される。ウェーハ外周部の研磨量を大きく、幅を狭くする場合には、その傾斜角度を大きくする。この傾斜面は、断面直線状ではなく、ウェーハの面取り形状のような曲面でもよい。
第１４の発明によれば、ウェーハ外周加圧治具を利用し、半導体ウェーハの外周部をその中央部より研磨面側に突出変形させて外周除去研磨する。
このような外周除去研磨を採用したことで、半導体ウェーハが貼り合わせ基板の場合において、従来、必要とされた活性層用ウェーハの外周研削工程、および、活性層の外周エッチング工程を省略することができる。その結果、貼り合わせ基板の製造工程数が削減され、これに伴い貼り合わせ基板の製造時間も短縮される。
また、外周除去研磨を施すことで、例えば半導体ウェーハが貼り合わせＳＯＩ基板用の貼り合わせウェーハの場合、活性層の外周エッチングによる支持基板用ウェーハの外周面へのエッチピットの発生、および、シリコン酸化膜の髭状の削り残し部分を原因とした活性層の汚染または傷などの発生をなくすことができる。これにより、貼り合わせ基板の良品率が高まる。その結果、貼り合わせ基板の製造コストを低減することができる。さらには、ノッチを有する活性層が形成された貼り合わせ基板を、簡単に作製することができる。
さらにまた、活性層の外周部はアルカリエッチングではなく、研磨によって除去されるので、活性層の外周縁面のうち、オリフラまたはノッチを基準にして、その周方向に向かって９０度の倍数以外の領域でも、異方性エッチングに起因するインデントが発生しない。そのため、活性層の外周縁面をその全周にわたってなめらかに形成することができる。
また、このようにウェーハ外周加圧治具を利用し、減厚された活性層用ウェーハの外周部をその中央部より研磨面側に突出変形させて外周除去研磨するので、既存の研磨装置でも、ウェーハ外周加圧治具を装着すれば外周除去研磨を実施することができる。
第１５の発明は、前記突条部に、前記半導体ウェーハの外周部に形成されたノッチ部を、前記半導体ウェーハの中央部より研磨面側に突出変形させるノッチ加圧部が形成されたウェーハ外周加圧治具である。
ノッチ加圧部とは、突条部の内周縁の一部分に設けられ、半導体ウェーハのノッチ形成部に押し当てられる突起用部分である。ノッチ加圧部は、半導体ウェーハのノッチ形状と相似形状で、ノッチよりも０．１〜０．５ｍｍだけ大きくなっている。
第１５の発明によれば、ウェーハ外周加圧治具による外周除去研磨時、ノッチ加圧部によって半導体ウェーハのノッチ部がウェーハの中央部より研磨面側に突出変形させられるので、ノッチ部の研磨を伴う外周除去研磨を施すことができる。
第１６の発明は、前記突条部に、前記半導体ウェーハの外周部に形成されたオリエンテーションフラット部を、前記半導体ウェーハの中央部より研磨面側に突出変形させるオリフラ加圧部が形成されたウェーハ外周加圧治具である。
オリフラ加圧部とは、突条部の内周縁の一部分に設けられ、半導体ウェーハのオリフラ形成部に押し当てられる半月形の凸部である。オリフラ加圧部は、半導体ウェーハのオリフラ形状と相似形状で、オリフラよりも０．１〜０．５ｍｍだけ小さくなっている。
第１６の発明によれば、ウェーハ外周加圧治具による外周除去研磨時、オリフラ加圧部によって半導体ウェーハのオリエンテーションフラット部がウェーハの中央部より研磨面側に突出変形させられるので、オリエンテーションフラット部の研磨を伴う外周除去研磨を施すことができる。
第１７の発明は、活性層と支持基板用ウェーハとを貼り合わせた貼り合わせウェーハが、前記活性層側を研磨布に向けて保持される研磨ヘッドと、前記貼り合わせウェーハとの間に介在されるウェーハ部分除去加圧治具であって、治具本体と、この治具本体の貼り合わせウェーハの保持側の面に形成され、前記活性層の外周部のうち、除去したい部分だけを研磨面側に突出変形させる部分突出部とを備えたウェーハ部分除去加圧治具である。
ウェーハ部分除去加圧治具の素材としては、例えば、ジュラコン、ＰＥＥＫ、ポリカーボネートなどの硬い樹脂類、ＳＵＳなどの金属類、またはセラミック類を採用することができる。部分突出部の素材も同様である。部分突出部は、治具本体と一体形成することができる。または別体で設けてもよい。
ウェーハ部分除去加圧治具の形状は、貼り合わせウェーハの外観形状に応じて変更される。また、ウェーハ部分除去加圧治具の大きさも、研磨される貼り合わせウェーハの大きさに応じて変更される。
治具本体の形状は限定されない。例えば、円板状、筒形状でもよい。
部分突出部の外観形状は、例えばノッチ部またはオリフラ部を被う大きさの半月形状など、貼り合わせウェーハの外周部のうち、除去したい部分の形状に応じて適宜変更される。
貼り合わせウェーハは、部分突出部より内側の治具本体の領域によって、貼り合わせウェーハの中央部だけでなく、そのウェーハ外周部分のうち、除去したい部分を除く部分が加圧される。貼り合わせウェーハの中央部は、研磨ヘッドのウェーハ保持側の平面を利用して加圧してもよい。ウェーハ部分除去加圧治具に対する貼り合わせウェーハの保持は、例えば真空吸着またはテンプレート保持を採用することができる。
部分突出部の先端面は、治具本体の中心部に向かって徐々に高さが低くなる傾斜面とすることができる。傾斜面の傾斜角度は、貼り合わせウェーハの外周部の研磨量に応じて０．１度〜９０度の範囲で適宜変更される。ウェーハ外周部の研磨量を増加する場合には、その傾斜角度を大きくする。この傾斜面は、断面直線状ではなく、ウェーハの面取り形状のような曲面でもよい。
第１７の発明によれば、あらかじめ外周除去研磨された貼り合わせウェーハの外周部のうち、除去したい部分だけを、ウェーハ部分除去加圧治具の部分突出部によって研磨面側に突出変形させ、この突出部分だけを研磨布に押し付けて外周部分除去研磨する。これにより、ウェーハ外周部の周方向の一部、例えばオリフラ部またはノッチ部などに、活性層の外周部の一部が大きく除去されて傾斜面の幅が広い部分が現出される。よって、幅が広い部分にレーザマーキングを施しても、照射されたレーザの影響が活性層にまでおよびにくい。その結果、レーザマーキング時の活性層からの発塵を抑制することができる。
第１８の発明は、前記治具本体およびまたは部分突出部のうち、少なくとも研磨布に接触する部分が他の部分より研磨されにくい材質で形成されているウェーハ部分除去加圧治具である。
研磨されにくい材質の種類は限定されない。例えばジュラコン、ＰＥＥＫ、ポリカーボネートなどの硬い樹脂やセラミックなどを採用することができる。
研磨されにくい材質を使用する部分は治具本体だけ、部分突出部だけでもよい。または、治具本体と部分突出部の両方でもよい。部分突出部は、治具本体と一体形成することができる。または別体で設けてもよい。
第１８の発明によれば、研磨中、治具本体およびまたは部分突出部の一部が研磨布に接触しても、その接する部分が研磨されにくい材質で形成されているので、治具本体およびまたは部分突出部が研磨布による損傷を受けにくい。
発明を実施するための最良の形態
以下、この発明の実施例を図面を参照して説明する。また、この発明は、この実施例に限定されないことはもちろんである。まず、第１図〜第１６図に基づき、第１の実施例を説明する。
第１図に示すように、まずＣＺ法により単結晶シリコンインゴットの引き上げ、その後、この得られた単結晶シリコンインゴットに、ブロック切断、ノッチ加工、スライス、面取り、ラッピング、エッチング、鏡面研磨などを施すことで、厚さ７２５μｍ、直径２００ｍｍの鏡面仕上げされたノッチを有する活性層用ウェーハ１０を用意する。一方、この活性層用ウェーハ１０と同じ製法により、同じ厚さ、同一口径の鏡面仕上げのノッチを有する支持基板用ウェーハ２０を用意する（第１図（ａ））。ただし、活性層用ウェーハ１０と支持基板用ウェーハ２０とは、同じ厚さでなくてもよい。このうち、活性層用ウェーハ１０は、熱酸化炉に挿入して熱酸化処理され、その露出面の全体が絶縁性のシリコン酸化膜１０ａにより覆われている。また、支持基板用ウェーハ２０だけを酸化しても、両ウェーハ１０，２０を酸化してもよい。
その後、両ウェーハ１０，２０の鏡面同士をクリーンルームの室温下で重ね合わせる（第１図（ｂ））。これにより、貼り合わせウェーハ３０が形成される。この貼り合わせにより、活性層用ウェーハ１０と支持基板用ウェーハ２０との間に介在されたシリコン酸化膜１０ａの部分が埋め込みシリコン酸化膜１０ｂとなる。
次に、必要により、貼り合わせウェーハ３０を、貼り合わせ用の熱酸化炉の炉内に挿入し、酸化性雰囲気で貼り合わせ熱処理する。貼り合わせ温度は１１００℃，熱処理時間は２時間である（同じく第１図（ｂ））。これにより、貼り合わせウェーハ３０の露出面全体がシリコン酸化膜３０ａにより覆われる。その結果、活性層用ウェーハ１０の露出している酸化膜は厚くなる。このように、貼り合わせウェーハ３０を形成するにあたり、貼り合わせ熱処理が必須でなくなったのは、後に活性層用ウェーハ１０に対して表面研削を施すとともに、ＳＯＩ層１０Ａに対して外周除去研磨だけしか施さないためである。外周部の研削とエッチングを行わないので、室温での接合状態でも十分に接合強度が保てるからである。
次いで、赤外線によるボイド検査を行う。ボイドとは、活性層用ウェーハ１０と支持基板用ウェーハ２０との貼り合わせ界面間に、貼り合わせ不良により発生した空隙欠陥である。良品の貼り合わせウェーハ３０については、活性層用ウェーハ１０がその表面側から＃３００〜＃２０００のレジノイド研削砥石により表面研削される（第１図（ｃ））。このとき、表面研削量は７００μｍ程度で、加工により減厚された活性層用ウェーハ１０の厚さは２０μｍ程度とする。貼り合わせウェーハ３０のＴＴＶは１μｍ以下とする。
その後、ウェーハ外周加圧治具５０を用いて、減厚された活性層用ウェーハ１０の研削面に、貼り合わせ時に生じた外周部の貼り合わせ不良部分を除去し、中央部を残してＳＯＩ層１０Ａを作製する外周除去研磨を施す（第１図（ｄ））。
まず、第２図および第３図を参照して、ウェーハ外周加圧治具５０を詳細に説明する。
ウェーハ外周加圧治具５０は、治具本体５１と、治具本体５１の外周部の下面側に一体形成され、表面研削後の活性層用ウェーハ１０の外周部を、中央部より研磨面側に突出変形させる環状の突条部５１ａと、治具本体５１の上面に貼着される両面テープ５２とを備えている。
治具本体５１はＰＥＥＫなどの硬い樹脂製で、厚肉な円盤形状を有している。この治具本体５１の上面には、両面テープ５２の一方の面が貼着されている。治具本体５１の突条部５１ａより内側の領域が、貼り合わせウェーハ３０の中央部一帯を背面から加圧するウェーハ加圧部分となっている。この領域の大きさ、すなわち貼り合わせウェーハ３０の加圧面５１ｂの大きさは、直径２００ｍｍの貼り合わせウェーハ３０に対して、ウェーハ外周部を１．０ｍｍ程度、ノッチ部を３．０ｍｍ程度で外周除去研磨する場合に、ノッチ部分の直径が約１９７ｍｍ、それ以外の部分が約１９９ｍｍとなる。貼り合わせウェーハ３０は、加圧面５１ｂに真空吸着により保持される。
突条部５１ａの内周面の一部分には、支持基板用ウェーハ２０のノッチ部を介して、活性層用ウェーハ１０のノッチ部を、活性層用ウェーハ１０の中央部より研磨面側に突出変形させるノッチ加圧部５１ｃが形成されている。
突条部５１ａの先端面の内周部分は、治具本体５１の中心部に向かって徐々に高さが低くなるテーパ面５１ｄとなっている。テーパ面５１ｄの傾斜角度θは、３０°である。ただし、傾斜角度は０．１°〜９０°で適宜設定される。
ウェーハ外周加圧治具５０は、両面テープ５２により、枚葉式の研磨装置４０の研磨ヘッド４１の下面に貼着される。その後、ウェーハ外周加圧治具５０を介して、表面研削後の貼り合わせウェーハ３０が、活性層用ウェーハ１０側を下方に向けて保持される。次いで、活性層用ウェーハ１０の研削面を、研磨定盤４２の上面にスポンジゴムを介して貼り付けられた研磨布４３に押し付け、ウェーハ外周部を除去する。これにより、活性層用ウェーハ１０の貼り合わせ不良部分が取り除かれる。研磨布４３は、ロデール社製の軟質不織布パッド、Ｓｕｂａ６００（Ａｓｋｅｒ硬度８０°）である。
外周除去研磨時、研磨ヘッド４１の回転速度は６０ｒｐｍ、研磨定盤４２の回転速度は１２０ｒｐｍとなっている。この際、ウェーハ外周加圧治具５０を介した研磨布４３に対する活性層用ウェーハ１０の中央部の研磨圧力は０ｋｇ／ｃｍ２程度、活性層用ウェーハ１０の外周部の研磨圧力は５００ｋｇ／ｃｍ２程度である。これにより、ウェーハ外周部の研磨レートが５〜１０μｍ／分程度、ウェーハ中央部の研磨レートが０μｍ／分程度となる。研磨量は、活性層用ウェーハ１０の中央部で０μｍ程度、ウェーハ外周部では、この部分の活性層用ウェーハ１０が消失する２０μｍ程度である。研磨砥粒を含む研磨剤（コロイダルシリカ）の供給量は、１８００ｍｌ／分である。
このように、貼り合わせ熱処理された貼り合わせウェーハ３０の活性層用ウェーハ１０側に、外周研削することなく、直接、表面研削して活性層用ウェーハ１０を減厚し、その後、活性層用ウェーハ１０に対して、貼り合わせ時に生じた外周部の貼り合わせ不良部分を除去し、中央部を残してＳＯＩ層１０Ａとする外周除去研磨を施すようにしたので、従来必要とされた、外周研削および外周エッチングを省略することができる。その結果、貼り合わせＳＯＩ基板の製造工程数が削減され、これに伴って貼り合わせＳＯＩ基板の製造時間も短縮される。得られたＳＯＩ層１０Ａの厚さは１５〜２０μｍ程度、そのＴＴＶも１〜５μｍ程度となる。
また、このような外周除去研磨を施すことで、従来技術におけるウェーハ品質上の課題であった、ＳＯＩ層の外周エッチングを原因とした支持基板用ウェーハの外周面へのエッチピットの発生、および、外周エッチング後、ＳＯＩ層の外周部から飛散したシリコン酸化膜の髭状の削り残し部分を原因としたＳＯＩ層の汚染または傷などの発生を解消することができる。これにより、貼り合わせＳＯＩ基板の良品率が高まる。その結果、貼り合わせＳＯＩ基板の製造コストを低減することができる。さらには、従来法では作製が困難とされたノッチを有するＳＯＩ層が形成された貼り合わせＳＯＩ基板を、簡単に作製することができる。これにより、オリフラを有するＳＯＩ層の場合よりも、ＳＯＩ層１０Ａのデバイス形成面積を拡大することができる。
さらにまた、ＳＯＩ層１０Ａの外周部は、従来のようにアルカリエッチングではなく、機械的な研磨（外周除去研磨）によって除去されるので、ＳＯＩ層１０Ａの外周縁面のうち、ノッチを基準にして、その周方向に向かって９０度の倍数以外の領域、すなわち結晶方位が均一ではない領域でも、異方性エッチングに起因するインデントが発生しない。そのため、ＳＯＩ層１０Ａの外周縁面をその全周にわたってなめらかにすることができる。
こうして得られた貼り合わせＳＯＩ基板は、第１図（ｅ），（ｅ１）に示すように、ＳＯＩ層１０Ａの外周面が、ＳＯＩ層１０Ａの表面の外周縁から支持基板用ウェーハ２０の貼り合わせ不良部分を除去した貼り合わせ界面の外周縁まで研磨されたテーパ面となる。しかも、ＳＯＩ層１０Ａの外周部の一部分に、ノッチが形成される。また、第１図（ｅ２）に示すように、支持基板用ウェーハ２０の周辺のシリコン酸化膜３０ａが研磨される場合もある。
さらに、このようにウェーハ外周加圧治具５０を利用し、減厚された活性層用ウェーハ１０の外周部を中央部より研磨面側に突出変形させて外周除去研磨するので、既存の研磨装置４０の研磨ヘッド４１の下面に、ウェーハ外周加圧治具５０を固定するだけで、第１の実施例の特徴である外周除去研磨を行うことができる。
こうして作製された貼り合わせＳＯＩ基板は、次にＳＯＩ層１０ＡのＴＴＶを１μｍ以下にするため、高精度低ダメージの平面研削または図示しない両面研磨装置による高精度研磨を施し、ＳＯＩ層１０Ａの層厚が５〜１０μｍ程度になるまで所定の加工を行う。続いて、図示しない枚葉式研磨装置により、ＳＯＩ層１０Ａの層厚を最終目標値の３μｍに仕上げる。
そして、必要により、貼り合わせウェーハ３０の貼り合わせ強度を増強するとともに、ＳＯＩ層１０Ａの表面からＣＯＰ、酸素析出物、ＯＳＰなどの結晶欠陥を除去する熱処理（以下、無欠陥熱処理）を施す。具体的には、１２００℃、Ｈ２ガス雰囲気中で１時間熱処理する。このように、ＳＯＩ層１０Ａの中央部の研磨後に熱処理を施すようにしたので、現実的にＳＯＩ層１０Ａの表面を、結晶欠陥が存在しない無欠陥表面とすることができる。しかも、貼り合わせウェーハ３０の貼り合わせ強度も増強される。
その後、得られた貼り合わせＳＯＩ基板は、洗浄され、ウェーハケースなどに梱包されてから、デバイスメーカに出荷される。
ここで、第４図〜第１３図を参照し、この第１の実施例のウェーハ外周加圧治具５０とは別構造のウェーハ外周加圧治具を例示する。
第４図および第５図に示すウェーハ外周加圧治具５０Ａは、オリフラを有する貼り合わせウェーハ３０を外周除去研磨することができる構成とした例である。突条部５１ａのテーパ面５１ｄの一部分には、支持基板用ウェーハ２０を介して、活性層用ウェーハ１０のオリフラ部を、活性層用ウェーハ１０の中央部より研磨面側に突出変形させるオリフラ加圧部５１ｅが、加圧面５１ｂの中心部に向かって突設されている。その他の構成、作用および効果は、前記第１の実施例のウェーハ外周加圧治具５０と略同じである。
また、第６図および第７図に示すウェーハ外周加圧治具５０Ｂは、テーパ面５１ｄの一部分にオリフラ加圧部５１ｅを形成し、オリフラを有する貼り合わせウェーハ３０を外周除去研磨する治具であって、しかも突条部５１ａのテーパ面５１ｄを、突条部５１ａの先端部の外周縁から、突条部５１ａの元部の内周縁にまで到達する幅広なテーパ面としている。その他の構成、作用および効果は、前記第１の実施例のウェーハ外周加圧治具５０と略同じである。
次いで、第８図および第９図に示すウェーハ外周加圧治具５０Ｃは、治具本体５１を厚肉化して両面テープ５２で治具本体５１を研磨ヘッド４１に接着し、しかも突条部５１ａの外周側に、ノッチを有する支持基板用ウェーハ２０を収納して保持する環状のテンプレート５１ｆを設けた例である。治具本体５１と突条部５１ａとテンプレート５１ｆとは同じ素材で一体形成されている。テンプレート５１ｆを設けることで、外周除去研磨時の貼り合わせウェーハ３０の保持力を高めることができる。この場合、テンプレート５１ｆ内での貼り合わせウェーハ３０の遊び量をできるだけ小さくした方が好ましい。そうすれば、貼り合わせウェーハ３０の外周部の全域において、ウェーハ半径方向の除去幅を均一にすることができる。
その他の構成、作用および効果は、前記第１の実施例のウェーハ外周加圧治具５０から推測できる範囲であり、詳細説明は省略する。
さらに、第１０図および第１１図に示すウェーハ外周加圧治具５０Ｄは、オリフラを有する貼り合わせウェーハ３０用の治具であって、これに前記テンプレート５１ｆを設けた例である。その他の構成、作用および効果は、前記ウェーハ外周加圧治具５０のそれと略同じである。
さらにまた、第１２図および第１３図に示すウェーハ外周加圧治具５０Ｅは、突条部５１ａのテーパ面５１ｄを、突条部５１ａの先端部の外周縁から、突条部５１ａの元部の内周縁まで達する幅広なテーパ面とし、さらにテンプレート５１ｆを設けた例である。テーパ面５１ｄの一部分には、ノッチ加圧部５１ｃが形成されている。その他の構成、作用および効果は、前記ウェーハ外周加圧治具５０の場合と略同じである。
そして、第１４図に示すウェーハ外周加圧治具５０Ｆは、治具本体５１を、研磨ヘッド４１の下部に形成された環状溝４１ａに外嵌されるテンプレート５１ｆと兼用させた例である。テンプレート５１ｆは、前記ウェーハ外周加圧治具５０Ｃのものと同様に、ノッチを有する支持基板用ウェーハ２０を収納して保持するタイプである。突条部５１ａとテンプレート５１ｆとは同じ素材で一体形成されている。図中、θは突条部５１ａのテーパ面５１ｄの傾斜角度である。
治具本体５１が環状であるため、研磨ヘッド４１の下部がウェーハ加圧部分となっている。貼り合わせウェーハ３０は、直接、この研磨ヘッド４１の下面に真空吸着される。
その他の構成、作用および効果は、前記第１の実施例のウェーハ外周加圧治具５０から推測できる範囲であり、説明は省略する。
第１５図および第１６図に、ウェーハ外周加圧治具５０，５０Ａ〜５０Ｅにおける突条部５１ａのテーパ面５１ｄの傾斜角度θを示す。このうち、第１５図にはウェーハ外周加圧治具５０，５０Ａ，５０Ｃ，５０Ｄと同タイプのテーパ面５１ｄの傾斜角度θを示す。また、第１６図にはウェーハ外周加圧治具５０Ｂ，５０Ｅと同タイプのテーパ面５１ｄの傾斜角度θを示す。
次に、第１７図〜第２２図を参照してこの発明の第２の実施例を説明する。
第２の実施例の特徴は、第１の実施例における外周除去研磨後、貼り合わせウェーハ３０の外周部のうちの周方向の一部分だけを再研磨（２回目の研磨）し、その部分の活性層１０Ａを除去する外周部分除去研磨を施す点である。
再研磨される貼り合わせウェーハ３０の具体的な部分は、オリフラ付近である。このような外周部分除去研磨を施すことで、支持基板用ウェーハ２０のオリフラ付近のテラス部の幅ｄが広がり、そこにハードレーザマークＭを刻印する（第１９図）。外周部分除去研磨には、ウェーハ部分除去加圧治具６０が用いられる。
ここで、ウェーハ部分除去加圧治具６０を詳細に説明する。
ウェーハ部分除去加圧治具６０は、治具本体６１と、治具本体６１の貼り合わせウェーハ３０の保持側の面に一体形成され、活性層１０Ａの外周部のうち、除去したい部分だけを研磨面側に突出変形させる部分突出部６２とを備えている。
治具本体６１はＰＥＥＫなどの硬い樹脂製で、厚肉な円盤形状を有している。治具本体６１の上面には、両面テープ５２の一方の面が貼着されている。治具本体６１の外周部の下面には、全周にわたって環状の突条部６１ａが一体形成されている。このうち、治具本体６１の外周部の下面のオリフラ付近を除く部分には、略Ｃ字形状を有するセラミックス製の磨耗防止枠６１ｂが固着されている。また、突条部６１ａのオリフラ部分には、この部分を厚肉化することで、貼り合わせウェーハ３０のオリフラ部を外方よりガイドするオリフラガイド６１ｃが一体形成されている。また、突条部６１ａより内側の領域が、貼り合わせウェーハ３０の中央部一帯を背面から加圧する加圧部分となっている。この領域の大きさ、すなわち貼り合わせウェーハ３０の加圧面６１ｄの大きさは、直径２００ｍｍの貼り合わせウェーハ３０に対して、そのオリフラ部分を４ｍｍ程度、外周部分除去研磨可能な大きさである。加圧面６１ｄのオリフラ部分には、支持基板用ウェーハ２０のテラス部の幅ｄを４ｍｍまで拡大する部分突出部６２が一体形成されている。部分突出部６２は、オリフラガイド６１ｃに隣接して形成された高さ０．２ｍｍの平坦な隆起部である。貼り合わせウェーハ３０を加圧面６１ｄに真空吸着すると、部分突出部６２により、貼り合わせウェーハ３０のオリフラ部が、活性層用ウェーハ１０の中央部より研磨面側に突出変形され、突条部６１ａの下端面から若干突出する。加圧面６１ｄの中央部には、負圧力発生装置（図示せず）の給気部と連通する５個の離間配置された吸引口６１ｅ…が形成されている。
外周部分除去研磨時、研磨ヘッド４１を６０ｒｐｍで回転し、研磨定盤４２を６０ｒｐｍで回転する。その際、ウェーハ部分除去加圧治具６０を介した研磨布４３に対する活性層用ウェーハ１０の中央部の研磨圧力は０ｋｇ／ｃｍ２程度、活性層用ウェーハ１０のオリフラ部分の研磨圧力は５００ｋｇ／ｃｍ２程度である。これにより、オリフラ部分の研磨レートが５〜１０μｍ／分、ウェーハ中央部の研磨レートが０μｍ／分となる。研磨量は、活性層用ウェーハ１０の中央部で０μｍ程度、ウェーハ外周部では、オリフラ部分の活性層用ウェーハ１０が、幅ｄ（４ｍｍ）だけ消失する２０μｍ程度である。研磨砥粒を含む研磨剤（コロイダルシリカ）の供給量は、１８００ｍｌ／分である。
このように、外周部分除去研磨を施すようにしたので、ウェーハ外周部のうちのオリフラ付近に活性層１０Ａの一部分が大きく除去され、ウェーハ外周部の傾斜面に幅の広い部分が形成される。そのため、この幅の広い部分にレーザマーキングＭを刻設しても、照射されたレーザの影響が活性層１０Ａにまでおよびにくい。その結果、レーザマーキング時の活性層１０Ａからの発塵を抑制することができる。
その他の構成、作用および効果は、前記第１の実施例のウェーハ外周加圧治具５０と略同じであるので説明を省略する。
第２０図〜第２２図に示すウェーハ部分除去加圧治具６０Ａは、ノッチを有する貼り合わせウェーハ３０を外周部分除去研磨することができる構成とした例である。突条部６１ａのノッチ部分には、この部分を底面視して半円形状に厚肉化することで、貼り合わせウェーハ３０のノッチ部を外方よりガイドするノッチガイド６１ｆが一体形成されている。また、加圧面６１ｄのノッチ部分には、支持基板用ウェーハ２０のテラス部の幅ｄ１を４ｍｍまで拡大する部分突出部６２Ａが一体形成されている。部分突出部６２Ａは、ノッチガイド６１ｆに隣接して形成された高さ０．２ｍｍの平坦な隆起部である。その他の構成、作用および効果は、前記第１の実施例のウェーハ外周加圧治具５０と略同じである。
図中での説明はないが、ウェーハ外周加圧治具またはウェーハ部分除去加圧治具の内部での貼り合わせウェーハの遊び量をそれぞれ小さくするため、貼り合わせウェーハをウェーハ外周加圧治具内でそれぞれクランプしてもよい。
また、これらの実施例では、活性層用ウェーハと支持基板用ウェーハとを貼り合わせ、その後、活性層用ウェーハを表面研削などにより減厚して活性層を作製する貼り合わせＳＯＩ基板を例に説明した。しかしながら、この発明はこれに限定されず、例えばスマートカット法により作製された貼り合わせ基板にも適用することができる。または、ＥＬＴＲＡＮ法または、ＳｉＧｅｎ法により作製された貼り合わせ基板にも適用することができる。
その場合には、スマートカット法、ＥＬＴＲＡＮ法または、ＳｉＧｅｎ法による貼り合わせ基板の作製時において、活性層用ウェーハと支持基板用ウェーハとを貼り合わせた後、貼り合わせ側の部分を支持基板用ウェーハに残して活性層用ウェーハを除去し、支持基板用ウェーハの一方の面に活性層を形成する。次いで、活性層に対して、その活性層用ウェーハの除去面側から、外周部を除去して中央部を残す研磨を行う（外周除去研磨）ことになる。さらに、貼り合わせウェーハばかりでなく、各種基板の周辺部分を研磨する場合にも適宜適用できる。
以上のように、この発明によれば、表面研削後の研磨として、活性層用ウェーハの外周部の貼り合わせ不良部分を除去し、中央部を残す外周除去研磨を採用したので、従来の活性層用ウェーハの外周研削、活性層の外周エッチングを省略することができる。これにより、貼り合わせ基板の製造工程数を削減することができ、貼り合わせ基板の製造時間を短縮することができる。
また、外周除去研磨を施すので、外周エッチングによる支持基板用ウェーハの外周面へのエッチピットの発生、および、活性層の外周部のシリコン酸化膜の削り残し部分による活性層の汚染または傷などの発生を解消することができ、その結果、貼り合わせ基板の良品率を高めることができる。よって、貼り合わせ基板の製造コストを低減することができる。そして、従来法では作製が困難とされたノッチを有する形状の活性層が形成された貼り合わせ基板を、簡単に作製することができる。
さらには、アルカリ性エッチング液を用いないので、活性層の外周縁面のうち、結晶方位が均一ではない領域でも、異方性エッチングに起因したインデントが発生しない。そのため、活性層の外周縁面をその全周にわたってなめらかにすることができる。
そして、ウェーハ外周加圧治具を利用して外周除去研磨を施すので、既存の研磨装置であっても、この発明の外周除去研磨を容易に実施することができる。
また、外周除去研磨後、ウェーハ部分除去加圧治具を用いて外周部分除去研磨を施すようにすれば、ウェーハ外周部のうち、その周方向の一部分、例えばオリフラ部またはノッチ部などに、活性層の一部分が大きく除去されて傾斜面に幅の広い部分が形成される。そのため、この幅の広い部分にレーザマーキングを施しても、照射されたレーザの影響が活性層にまでおよび難い。その結果、レーザマーキング時の活性層からの発塵を制御することができる。
さらに、活性層用ウェーハに対して表面研削を施すとともに、活性層の外周部に対して外周除去研磨を施すことで、室温による活性層用ウェーハと支持基板用ウェーハとの貼り合わせ後、貼り合わせ強化熱処理を行わなくても、ウェーハ周辺部分が剥がれることなく、貼り合わせウェーハを形成することができる。その結果、活性層の中央部の研磨後に還元性雰囲気または不活性雰囲気で熱処理を施すことで、貼り合わせ熱処理とは別に、これらの雰囲気による熱処理を施さなくても、活性層の表面から結晶欠陥を除去することができる。すなわち、活性層の表面を無欠陥表面とすることができる。
産業上の利用可能性
以上のように、この発明に係る貼り合わせ基板およびその製造方法ならびにそれに使用されるウェーハ外周加圧治具類は、活性層と支持基板用ウェーハとが貼り合わされた貼り合わせ基板用として、またＳＯＩ構造を有する貼り合わせ基板用として、さらにスマートカット法、ＥＬＴＲＡＮ法または、ＳｉＧｅｎ法による貼り合わせ基板用として有用である。
【図面の簡単な説明】
第１図は、この発明の第１の実施例に係る貼り合わせ基板の製造方法を示すフローシートである。
第２図は、この発明の第１の実施例に係る貼り合わせ基板の製造方法における外周除去研磨工程の使用状態を示す縦断面図である。
第３図は、この発明の第１の実施例に係る貼り合わせ基板の製造方法に適用されるウェーハ外周加圧治具への貼り合わせウェーハの装着工程を示す斜視図である。
第４図は、この発明の別の形態に係るオリフラ付ウェーハ用のウェーハ外周加圧治具の使用状態を示す断面図である。
第５図は、この別の形態に係るウェーハ外周加圧治具へのウェーハ装着工程を示す斜視図である。
第６図は、この発明のさらに別の形態に係るオリフラ付ウェーハ用のウェーハ外周加圧治具の使用状態を示す断面図である。
第７図は、このさらに別の形態に係るウェーハ外周加圧治具へのウェーハ装着工程を示す斜視図である。
第８図は、この発明のさらにまた別の形態に係るノッチ付ウェーハ用のウェーハ外周加圧治具の使用状態を示す断面図である。
第９図は、このさらにまた別の形態に係るウェーハ外周加圧治具へのウェーハ装着工程を示す斜視図である。
第１０図は、この発明の他の形態に係るオリフラ付ウェーハ用のウェーハ外周加圧治具の使用状態を示す断面図である。
第１１図は、この他の形態に係るウェーハ外周加圧治具へのウェーハ装着工程を示す斜視図である。
第１２図は、この発明のさらに他の形態に係るノッチ付ウェーハ用のウェーハ外周加圧治具の使用状態を示す断面図である。
第１３図は、この他の形態に係るウェーハ外周加圧治具へのウェーハ装着工程を示す斜視図である。
第１４図は、この発明のさらにまた他の形態に係るウェーハ外周加圧治具を示す断面図である。
第１５図は、この発明の第１の実施例に係る貼り合わせ基板の製造方法に適用されるウェーハ部分除去加圧治具の要部を示す断面図である。
第１６図は、この発明の第１の実施例に係る貼り合わせ基板の製造方法に適用される他のウェーハ部分除去加圧治具の要部を示す断面図である。
第１７図は、この発明の第２の実施例に係る貼り合わせ基板の製造方法に適用されるオリエンテーションフラット付ウェーハ用のウェーハ部分除去加圧治具への貼り合わせウェーハの装着工程を示す断面図である。
第１８図は、この発明の第２の実施例に係るウェーハ部分除去加圧治具の底面図である。
第１９図は、この発明の第２の実施例に係るウェーハ部分除去加圧治具を使用して作製された貼り合わせウェーハの平面図である。
第２０図は、この発明のもう一つ別の形態に係る貼り合わせ基板の製造方法に適用されるウェーハ部分除去加圧治具への貼り合わせウェーハの装着工程を示す断面図である。
第２１図は、この発明のもう一つ別の形態に係る貼り合わせ基板の製造方法に適用されるウェーハ部分除去加圧治具の平面図である。
第２２図は、この発明のもう一つ別の形態に係るウェーハ部分除去加圧治具を使用して作製された貼り合わせウェーハの平面図である。
第２３図は、従来手段に係る貼り合わせ基板の製造方法を示すフローシートである。
第２４図は、従来手段に係る支持基板用ウェーハの外周端面に発生したエッチピットの拡大正面図である。
第２５図は、従来手段に係る支持基板用ウェーハのテラス部分に発生したエッチピットの拡大平面図である。
第２６図は、従来手段に係る支持基板用ウェーハの外周部に発生したシリコン酸化膜の削り残し部分の拡大正面図である。
第２７図は、従来手段に係る活性層の外周縁面の一部分に発生したインデントの拡大平面図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
2003098695.tif 000021
【図２０】
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【図２１】
2003098695.tif 000023
【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
2003098695.tif 000027
【図２６】
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【図２７】
2003098695.tif 000029
【国際調査報告】
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2003098695.tif 000031
2003098695.tif 000032
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