【事件の表示】
　特願２００１−５７７６１６「発光ダイオードチップおよびその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年１０月２５日国際公開、ＷＯ０１／８０３２２、平成１６年　１月１５日国内公表、特表２００４−５０１５０７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯及び本願発明
　本願は、２００１年４月１９日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２０００年４月１９日、ドイツ）を国際出願日とする出願であって、平成２２年１２月２０日付けで拒絶の理由が通知され、平成２３年４月２５日に明細書の補正がなされたが、同年８月１日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年１２月５日に拒絶査定不服審判請求がなされたものであり、その請求項に係る発明は、本願明細書の特許請求の範囲の請求項１ないし２５に記載された事項により特定されるものと認められるところ、請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次のとおりのものである。
「横断面積がＦＬのビーム発光アクティブ領域（３２）と、照射方向で該ビーム発光アクティブ領域（３２）に後置接続されている屈折率ｎｓのビーム透過性ウインドウ層（２）を有し、該ウインドウ層は光出力結合のためにＦｃの横断面積を有し、さらに屈折率ｎＭの媒体が接している出力結合面を有している、発光ダイオードチップにおいて、
　前記ビーム発光アクティブ領域（３２）の横断面積ＦＬが、出力結合面の横断面積ＦＣよりも小さく、以下の式
【数１】
　ＦＬ≦（ｎＭ／ｎＳ）２・ＦＣ　
に当て嵌まるように構成されていることを特徴とする、発光ダイオードチップ。」
　　
第２　原査定の拒絶の理由の概要
　原査定の拒絶の理由は、概略、次の１及び２のとおりである。
　
　１　理由１
　本願は、平成１４年改正前特許法第３６条第４項に規定する要件を満たしていないとするものであり、拒絶査定においては、
『先の拒絶理由通知で通知したとおり、本願の請求項１および段落【００１１】には、ビーム発光アクティブ領域の横断面積ＦＬと出力結合面の横断面積Ｆｃとの関係式が「ＦＬ≦（ｎＭ／ｎＳ）２・Ｆｃ」として規定されているが、該関係式がどのように導出されたものであるのか不明であり、如何なる技術的意義を有するものであるのか不明である。
　また、本願明細書の段落【０００９】には、「発光ダイオードチップにおけるビーム効率（歩留まり）が、発光領域を発光ダイオードチップの横断面積よりも小さい面積に狭めることによって高められる。さらに、発光面が発光ダイオードチップの全横断面に亘る通常構成に比べて出力結合の向上は３０％以上である」との記載があるが、上記記載は、単に発光領域を発光ダイオードチップの横断面積よりも小さい面積に狭めることによって出力結合が向上することを示しているにすぎず、その具体的な関係式を「ＦＬ≦（ｎＭ／ｎＳ）２・Ｆｃ」とすることの技術的意義を示すものとは認められない。
　さらに、仮に上記関係式が、理論的な裏付けがなく、経験上から導き出されたものであるとしても、発明の詳細な説明には、上記関係式を満たす範囲において出力結合が向上したことを示す具体的な実験データや上記関係式を満たさない比較例との対比はなされていないことから、上記関係式を満たす全ての範囲において、どうして発明が解決しようとする課題を達成できるのか、発明の詳細な説明の記載からでは理解できない。』との指摘がある。
　
　２　理由２
　本願発明は、本願の優先日前に頒布された特開昭６３−８６５８０号（以下「引用刊行物」という。）に記載された発明であるか、または、当該発明に基づいて当業者が容易に発明できたものであるから、本願発明は、特許法第２９条第１項第３号に該当し、または同第２項の規定により特許を受けることができないとするものである。
　
第３　当審の判断
　１　原査定の理由１について
　本願明細書には、「ＦL≦（ｎM／ｎS）２・Ｆｃ」がどのように導出されたものであるのか、また、具体的にどのような技術的意義を有するものであるのかについて説明する記載はない。
　上記第２、１の理由に対し、請求人は、審判請求書において、『本願の請求項１および段落[００１１]の関係式「ＦL≦（ｎM／ｎS）２・Ｆｃ」がどのように導出されたものであるのか不明であり、如何なる技術的意義を有するものであるのか不明、並びに、本願明細書の段落[０００９]の「発光ダイオードチップにおけるビーム効率の具体的な関係式を「ＦL≦（ｎM／ｎS）２・Ｆｃ」とすることの技術的意義が認められず、さらに上記関係式を満たす全ての範囲において、どうして発明が解決しようとする課題を達成できるのか、発明の詳細な説明の記載からでは理解できない、との認定は、当該分野の当業者であるならば、本願の開示内容から十分に理解できるものと思料致します。従って当該理由は不当であります。』と主張するにとどまり、本願発明において、「ビーム発光アクティブ領域（３２）の横断面積ＦＬが出力結合面の横断面積ＦＣよりも小さく、「ＦL≦（ｎM／ｎS）２・Ｆｃ」に当て嵌まるように構成されている」とすることの技術的意義が本願明細書の記載内容から当業者であればなぜ理解できるのかについての説明はない。
　したがって、本願明細書に当業者が発明の技術上の意義を理解するために必要な事項が記載されているとは認められない。
　さらにいえば、本願明細書において、横断面積ＦＬないしＦｃを算出する基になるサイズが記載された実施例は、ウインドウ層（２）の光出射面の横断面長Ｃ＝３００μｍ、ｎｓ／ｎＭ＝３．５、ビーム発光アクティブ領域（３２）の横断長Ｄ＝１００μｍ（本願明細書【００５３】参照。）で、ＦＣ ＝９０，０００μｍ２、ＦＬ＝１０，０００μｍ２（本願明細書【００５７】参照。）のものだけであるところ、これは、「ＦL≦（ｎM／ｎS）２・Ｆｃ」を満たすものではない。
　してみると、この点からも「ビーム発光アクティブ領域（３２）の横断面積ＦＬが出力結合面の横断面積ＦＣよりも小さく、「ＦL≦（ｎM／ｎS）２・Ｆｃ」に当て嵌まるように構成されている」とすることの技術上の意義が当業者に理解できるように明細書に記載されているということはできない。
　以上の検討によれば、本願は、平成１４年改正前特許法第３６条第４項に規定する要件を満たしていないものというべきである。
　
　２　原査定の理由２について
（１）引用刊行物の記載
　ア　引用刊行物には、以下の記載がある。
「この発明は、高出力で且つ光ファイバに効率良く光を入射させることのできる、光通信に好適な発光ダイオードに関する。」（第１頁左下欄第１７〜１９行）
　
「また第４図では、ｎ−ＩｎＰ基板１０の裏面側にｎ−ＩｎＰ層１１、活性層１２、ｐ−ＩｎＰ層１３、ｐ−ＩｎＧａＡｓＰ層１４を成長させた後、この裏面側からエツチングして発光領域とすべき部分（直径約２０μｍの部分）を残して他を除去し、こうして残ったメサ部４０の頂上においてＳｉＯ２層１５に窓を設けてｐ−電極１６を接触させるという構造になっている。そのため直径２０μｍの発光領域とすべき部分にだけ活性層１２が残っているので、発光領域の限定ができ、光ファイバとの結合効率も良くなる。なお、この第４図では表面側には反射防止コート１８が設けられ、裏面側にはＡｕめっき層２１を介してＳｉヒートシンク２２が固定されている。」（第２頁左上欄第１３〜右上欄第５行）
　
　イ　また、引用刊行物の第４図から、反射防止コート１８が設けられた領域は、発光領域である活性層より大きいものであることが理解できる。
　ここで、第４図は、次のものである。
　
（２）引用発明
　上記（１）によれば、引用刊行物には、
「直径２０μｍの発光領域から照射方向にｎ−ＩｎＰ層１１、ｎ−ＩｎＰ基板１０及び発光領域より大きい反射防止コート１８が設けられた発光ダイオード。」（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
（３）対比
　本願発明と引用発明を対比すると、引用発明の「発光領域」、「ｎ−ＩｎＰ層１１、ｎ−ＩｎＰ基板１０」、「（ＩｎＰ基板１０表面の）反射防止コート１８（が設けられた領域）」及び「発光ダイオード」がそれぞれ本願発明の「ビーム発光アクティブ領域（３２）」、「ビーム透過性ウインドウ層（２）」、「出力結合面」及び「発光ダイオードチップ」に相当するところである。
　ここで、本願発明と同様に、引用発明において、「発光領域」の横断面積をＦＬ、「ｎ−ＩｎＰ層１１、ｎ−ＩｎＰ基板１０」の屈折率をｎｓ、「反射防止コート１８（が設けられた領域）」の面積をＦｃ、「反射コート膜」の外側の媒質の屈折率を、ｎＭと表現すれば、両者は、
「横断面積がＦＬのビーム発光アクティブ領域（３２）と、照射方向で該ビーム発光アクティブ領域（３２）に後置接続されている屈折率ｎｓのビーム透過性ウインドウ層（２）を有し、該ウインドウ層は光出力結合のためにＦｃの横断面積を有し、さらに屈折率ｎＭの媒体が接している出力結合面を有している、発光ダイオードチップにおいて、
　前記ビーム発光アクティブ領域（３２）の横断面積ＦＬが、出力結合面の横断面積ＦＣよりも小さい発光ダイオードチップ」
である点で一致し、
「本願発明は、ＦＬ≦（ｎＭ／ｎＳ）２・ＦＣに当て嵌まるように構成されているものであるのに対し、引用発明がこのようなものであるか不明である点」
で相違するものと認められる。
　
（４）判断
　上記相違点について検討するに、引用発明におけるｎＳは、ＩｎＰの屈折率であるが、これは、光通信に用いられる波長である１．３μｍの波長において３．２１、１．５５μｍの波長において３．１７程度である（必要であれば、例えば平成６年１０月２５日、株式会社　オーム社発行、応用物理学会編、伊賀健一編著「半導体レーザ」の３７頁、図２・１１「ＧａＩｎＡｓＰの屈折率の計算例」を参照。）。
　また、引用発明のｎＭ は空気の屈折率である「１」である。
　してみると、引用発明において、反射防止コート１８が設けられた領域の直径が、発光領域の直径である２０μｍの３．２１倍以上、すなわち、６４．２μｍ以上の直径であれば、上記相違点に係る「ＦＬ≦（ｎＭ／ｎＳ）２・ＦＣ」に当て嵌まるところ、引用発明における反射防止コート１８が設けられた領域の直径として、この程度のものを採用することに何らの困難性も認められない（ちなみに、引用刊行物の第４図には、反射防止コート１８が設けられた領域の直径が発光領域の直径の３倍程度の大きさで図示されるところであり、引用発明において、反射防止コート１８が設けられた領域の直径が６４．２μｍより小さくなければならないとする格別の理由も認められないし、この直径を６４．２μｍ以上とすることに格別の妨げがあるとも認められない。）。
　また、上記１での検討に照らして、本願発明において、「ＦL≦（ｎM／ｎS）２・Ｆｃ」に当て嵌まるように構成することに格別の技術上の意義を認めることはできない。
　したがって、引用発明において、相違点に係る本願発明の構成とすることは、当業者が設計上適宜に採用し得る構成にすぎないものというべきである。
　よって、本願発明は、引用発明に基づいて当業者が容易に発明できたものである。
　
第４　むすび
　以上のとおりであって、本願は、明細書の記載に不備があり、平成１４年改正前特許法第３６条第４項に規定する要件を満たしていない。
　また、本願発明は、引用刊行物に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明できたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。