【事件の表示】
　特願２００７−　５５８６７「発光素子」拒絶査定不服審判事件〔平成１９年　６月　７日出願公開、特開２００７−１４２４８３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯
　本願は、平成９年３月１８日（パリ条約による優先権主張　１９９６年３月２２日、アメリカ合衆国）に出願した特願平９−６４００３号（以下「原出願」という。）の一部を平成１９年３月６日に新たな特許出願としたものであって、平成２１年６月１９日に手続補正がなされたが、平成２２年７月６日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年１１月８日に拒絶査定不服審判の請求がなされた後、当審において、平成２３年４月５日付けで拒絶理由通知がなされ、同年１０月６日に手続補正がなされたものである。
　
２　平成２３年４月５日付け拒絶理由通知の概要
　平成２３年４月５日付け拒絶理由通知の内容は、概略、次の（１）及び（２）のとおりである。
　
（１）本願の請求項１ないし５に係る発明は、特開平７−２０２２５７号公報に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
（２）本願は、特許請求の範囲及び発明の詳細な説明の記載が不備のため、特許法第３６条第４項並びに第６項第１号及び第２号に規定する要件を満たしていない。
　なお、本拒絶理由通知においては、上記不備について、請求項１３の「Ｎ層の２次界面」がどのようなことを意味するのか理解困難であること、「主界面」がどのような界面を意味するのか明確でないことが指摘されている。
　
３　本願発明
　平成２３年１０月６日になされた手続補正後の特許請求の範囲は、次のとおりのものである。
　
「　　【請求項１】
（ａ）素子、該素子は、以下（ａ−１）ないし（ａ−４）を含む、
（ａ−１）基板（３）、
（ａ−２）ｐ−ｎ接合領域（２）、該ｐ−ｎ接合領域（２）は複数の層を備え、その部分組をなす複数層の極性が、ｐ−ｎ接合を形成するように逆極性になっており、層の１つが基板に隣接している、
（ａ−３）透過性ウインドウ層、該透過性ウインドウ層は前記ｐ−ｎ接合領域に隣接して配置され、及び、
（ａ−４）電気接点（４）、該電気接点は前記ｐ−ｎ接合領域に接続し、前記ｐ−ｎ接合に順バイアスをかける働きをする、
（ｂ）主界面（７、８、１１）であって、該主界面（７、８、１１）は、前記素子の表面に配置され、少なくとも1つの選択された方向において繰り返される特徴によってテクスチャが形成されており、前記選択された方向のそれぞれにおいて関連する周期性を備えて、光の抽出を増すようになっており、１つの周期内において、前記繰り返される特徴として少なくとも１つの山と少なくとも１つの谷を有する断面プロフィールを備える主界面（７、８、１１）
を備え、
　前記繰り返される特徴としての少なくとも１つの山と少なくとも１つの谷のうちの少なくともいずれか１つは、円錐状又は三角型の断面プロフィールを備えるように構成される、
ことを特徴とする発光素子。
　　【請求項２】ないし【請求項８】省略
　　【請求項９】
　さらに次のものを含むことを特徴とする、
　素子に配置されるＮ個の２次界面（１０）（ここで、Ｎ＞１）、該２次界面は、それぞれに少なくとも１つの選択方向において繰り返される特徴によってテクスチャが形成され、それぞれの選択された方法において周期性を備えて光の抽出を増すようになっており、任意の周期内において少なくとも１つの山と少なくとも１つの谷を有する断面プロフィールを備える請求項１に記載の発光素子。
　　【請求項１０】
　前記Ｎ層の２次界面の少なくとも１つの界面及び前記主界面が、異なる断面プロフィールを備えていることを特徴とする請求項９に記載の発光素子。
　　【請求項１１】
　前記Ｎ層の２次界面の少なくとも１つの界面及び前記主界面が、異なる周期性でテクスチャが形成されることを特徴とする請求項９に記載の発光素子。」
　
　そして、本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、上記特許請求の範囲の請求項１に記載された事項によって特定されるものと認められる。
　
４　当審の判断
（１）特許法第３６条第６項第２号に規定する要件について
　ア　２次界面及び主界面について
　上記３の特許請求の範囲の請求項９ないし１１の記載によれば、本願発明は、主界面を備え、さらに素子に配置されるＮ個の２次界面ないしＮ層の２次界面を含むものであってよいものと認められるところ、特許請求の範囲の記載によっては、Ｎ個の２次界面ないしＮ層の２次界面がどのような界面を意味するのか明確に理解することは困難である。
　しかるに、本願明細書には、上記Ｎ個の２次界面ないしＮ層の２次界面について、【００５１】ないし【００５３】に特許請求の範囲とほぼ同一の内容が示されるにとどまり、本願明細書の記載を参照しても、Ｎ個の２次界面ないしＮ層の２次界面がどのようなことを意味するのか理解困難である。
　そして、上記のように、本願発明においてＮ個の２次界面ないしＮ層の２次界面とともに備えられる主界面がどのような界面を意味するのか、明確に理解することができない。
　
　イ　請求人の主張について
　請求人は、平成２３年１０月６日に提出した意見書において、補正後の請求項９において、発光素子が、例えば図８〜１１等に記載されるように「Ｎ個の２次界面」を含むことを明確にした旨、「主界面」とは、文字通り、発光素子における主な界面であり、本願発明でいうところの発光層から主に光が発される界面を意図されており、例えば、図７ｃ、８〜１１における界面７，８，１０などを示す旨、例えば、図８〜１１において複数の界面７，８，１０が存在し、これは主界面以外の光を発する２次界面を含んでいるが、必ずしも主界面が２次界面より多くの光を発するようには限定されない旨などを主張する。
　しかし、上記主張においては、図７ｃ、８〜１１における界面７、８、１０は主界面を示すと同時に２次界面を含み、しかも必ずしも主界面が２次界面より多くの光を発するようには限定されないものとされており、これらの図に示されるどの界面が主界面あるいは２次界面に相当するのかすら理解不能というほかなく、請求人の上記主張をもって、本願発明において含まれるＮ個の２次界面ないしＮ層の２次界面及びこれとともに備えられる主界面がどのような界面を意味するのかについて明確に理解できるものとは到底認められない。
　
　ウ　小括
　以上の検討によれば、本願の特許請求の範囲の記載では、特許を受けようとする発明が明確であるといえないから、本願は、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。
　
（２）特許法第２９条第２項の規定について
　ア　刊行物の記載
　平成２３年４月５日付け拒絶理由通知に引用した、原出願の優先日前に頒布された刊行物である特開平７−２０２２５７号公報（以下「引用刊行物」という。）には、以下の記載がある（下線は、審決で付した。）。
 　 
（ア）「【請求項１】  光を発生する発光層を有し、該発光層から発生した光を光取出面を通して外部へ放射させる形式の発光ダイオードにおいて、
該光取出面に多数の凹凸を設け、該凹部と該凸部との高さの差の光学的長さを、前記光の１／４波長の奇数倍としたことを特徴とする発光ダイオード。」
　
（イ）「【０００２】
【従来の技術およびその課題】発光ダイオードでは、通常、基板の上に形成された発光層から発生する光が外部へ取り出されて利用されている。しかし、発光層から発生する光が必ずしも充分に利用されている訳ではなく、高い発光効率が望まれている。すなわち、比較的外部へ取り出し易い発光層から基板と反対側へ向かう光でも、その一部（一般的には３２％程度）は反射されたり表面電極によって吸収される一方、発光層から基板側へ向かう光は、発光ダイオード内に閉じ込められ易く、基板や下部電極に吸収されたりして有効に利用され難い。このため、従来では、発光層から発生する光のうちの１／１０程度しか利用されていないのが実情である。
【０００３】本発明は以上の事情を背景として為されたものであり、その目的とするところは、
光取出面での反射を低減して高い発光効率を備えた発光ダイオードを提供する
【０００４】
【課題を解決するための手段】斯かる目的を達成するため、本発明の要旨とするところは、光を発生する発光層を有し、その発光層から発生した光を光取出面を通して外部へ放射させる形式の発光ダイオードにおいて、その光取出面に多数の凹凸を設け、その凹部と凸部との高さの差の光学的長さを、前記光の１／４波長の奇数倍としたことにある。
【０００５】
【作用および発明の効果】このようにすれば、光取出面において光が反射される場合には、その凹部と凸部とでそれぞれ反射される光は、互いの位相が１／２波長だけ異なって打ち消し合うことになるため、結果として反射が低減される。したがって、その光取出面から外部へ取り出される光量が多くなるので、発光ダイオードの発光効率が高められる。」
　
（ウ）「【０００６】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図面に基づいて詳細に説明する。
【０００７】図１は本発明の一実施例の発光ダイオード１０の構成を示している。図において、発光ダイオード１０は、エピタキシャル構造のＬＥＤであって、
ｎ−ＧａＡｓ（ｎ型ガリウム−砒素化合物半導体）単結晶から成る３５０μｍ程度の厚みの基板１２、この基板１２の上に結晶成長により順次積層された、ｎ−Ａｌ
0.45
Ｇａ
0.55
Ａｓから成る２μｍ程度の厚みの第１クラッド層１４、ｐ−ＧａＡｓから成る０．１μｍ程度の厚みの発光層１６、ｐ−Ａｌ
0.45
Ｇａ
0.55
Ａｓから成る４μｍ程度の厚みの第２クラッド層１８、ｐ−ＧａＡｓから成る０．１μｍ程度の厚みのキャップ層１９を備えている。そして、基板１２の底面および第２クラッド層１８の上面には、電流を供給するための下部電極２０および上部電極２２が設けられている
【０００８】
上記の発光ダイオード１０において、上部電極２２から下部電極２０へ駆動電流が流されると、上記発光層１８から光が放射され、基板１２と反対側へ向かう光は、第２クラッド層１８上面の光取出面２４から外部へ取り出されるようになっている。この光取出面２４には、図２および図３に示すように多数の凸部２６が２乃至４μｍ程度の間隔で設けられている。この凸部２６は、平面形状が図２に示すように矩形であって、斜線で示す矩形の凹穴２８を隔てて等間隔で規則正しく配列されている。図３は、光取出面２４の断面構造を示すものであって、上記凸部２６および凹穴２８は、断面形状も略矩形とされており
　
（エ）「【００１５】以上、本発明の一実施例を図面に基づいて説明したが、本発明はその他の態様においても適用される。
【００１６】例えば、
前述の実施例において、凸部２６および凹穴２８は、その平面形状おおよび断面形状が何れも略矩形状とされていたが、これらの形状は適宜変更される
断面形状は、凹凸形状が設けられた全ての面積に亘って凸部２６と凹穴２８との高さの差ｄの光学的長さを１／４波長の奇数倍とするためには略矩形状が望ましいが、メサ形状或いは逆メサ形状等にされていたり、凸部２６の上面或いは凹穴２８の底面が完全な平面とされていなくとも、本発明の効果は一応得られる
　
　イ　引用発明
（ア）上記ア（ア）及び（イ）によれば、引用刊行物には、「光を発生する発光層を有し、該発光層から発生した光を光取出面を通して外部へ放射させる形式の発光ダイオードにおいて、該光取出面に多数の凹凸を設け、該凹部と該凸部との高さの差の光学的長さを、前記光の１／４波長の奇数倍とし、光取出面での反射を低減して高い発光効率を備えた発光ダイオード。」の発明が記載されているものと認められる。
　
（イ）上記ア（ウ）によれば、上記（ア）の「発光ダイオード」の一実施例は、ｎ−ＧａＡｓ（ｎ型ガリウム−砒素化合物半導体）単結晶から成る基板１２、この基板１２の上に結晶成長により順次積層された、ｎ−Ａｌ0.45Ｇａ0.55Ａｓから成る第１クラッド層１４、ｐ−ＧａＡｓから成る発光層１６、ｐ−Ａｌ0.45Ｇａ0.55Ａｓから成る第２クラッド層１８、ｐ−ＧａＡｓから成るキャップ層１９を備え、基板１２の底面及び第２クラッド層１８の上面には、電流を供給するための下部電極２０及び上部電極２２が設けられ、上部電極２２から下部電極２０へ駆動電流が流されると、上記発光層１８から光が放射され、基板１２と反対側へ向かう光は、第２クラッド層１８上面の光取出面２４から外部へ取り出されるようになっており、光取出面２４には、平面形状が矩形である多数の凸部２６が、矩形の凹穴２８を隔てて等間隔で規則正しく配列され、上記凸部２６及び凹穴２８は、断面形状も略矩形とされていることが認められる。
　
（ウ）以上によれば、引用刊行物には、次の発明が記載されているものと認められる。
　
「光を発生する発光層を有し、該発光層から発生した光を光取出面を通して外部へ放射させる形式の発光ダイオードにおいて、該光取出面に多数の凹凸を設け、該凹部と該凸部との高さの差の光学的長さを、前記光の１／４波長の奇数倍とし、光取出面での反射を低減して高い発光効率を備えた発光ダイオードであって、該発光ダイオードは、ｎ−ＧａＡｓ単結晶から成る基板、この基板の上に結晶成長により順次積層された、ｎ−Ａｌ0.45Ｇａ0.55Ａｓから成る第１クラッド層、ｐ−ＧａＡｓから成る発光層、ｐ−Ａｌ0.45Ｇａ0.55Ａｓから成る第２クラッド層、ｐ−ＧａＡｓから成るキャップ層を備え、基板の底面及び第２クラッド層の上面には、電流を供給するための下部電極及び上部電極が設けられ、上部電極から下部電極へ駆動電流が流されると、上記発光層から光が放射され、基板と反対側へ向かう光は、第２クラッド層の光取出面から外部へ取り出されるようになっており、光取出面には、平面形状が矩形である多数の凸部が、矩形の凹穴を隔てて等間隔で規則正しく配列され、上記凸部及び凹穴は、断面形状も略矩形とされている発光ダイオード。」（以下「引用発明」という。）
　
　ウ　対比
　本願発明と引用発明とを対比する。
　
（ア）引用発明は「発光ダイオード」であるから、「発光素子」であり、この点において、本願発明と一致する。
　
（イ）引用発明の「ｎ−ＧａＡｓ単結晶から成る基板」は、本願発明の「基板（３）」に相当する。
　
（ウ）引用発明は「基板の上に結晶成長により順次積層された、ｎ−Ａｌ0.45Ｇａ0.55Ａｓから成る第１クラッド層、ｐ−ＧａＡｓから成る発光層、ｐ−Ａｌ0.45Ｇａ0.55Ａｓから成る第２クラッド層」を備えるものであるから、本願発明の「ｐ−ｎ接合領域、該ｐ−ｎ接合領域は複数の層を備え、その部分組をなす複数層の極性が、ｐ−ｎ接合を形成するように逆極性になっており、層の１つが基板に隣接している」との構成を備えるものといえる。
　
（エ）引用発明の「『基板の底面及び第２クラッド層の上面』に設けられた『下部電極及び上部電極』」は、本願発明の「電気接点（４）」に相当し、引用発明は、本願発明の「該電気接点は前記ｐ−ｎ接合領域に接続し、前記ｐ−ｎ接合に順バイアスをかける働きをする」との構成を備えるものといえる。
　
（オ）前記（１）のとおり、本願発明における「主界面」がどのような界面を意味するのか明確でないところがあるが、本願発明においては、「該主界面（７、８、１１）は、前記素子の表面に配置され、少なくとも1つの選択された方向において繰り返される特徴によってテクスチャが形成されており、前記選択された方向のそれぞれにおいて関連する周期性を備えて、光の抽出を増すようになっており」とされるところ、引用発明が、「光取出面には、平面形状が矩形である多数の凸部が、矩形の凹穴を隔てて等間隔で規則正しく配列され」、「光取出面での反射を低減して高い発光効率を備えた発光ダイオード」であることに照らせば、引用発明の「光取出面」は、本願発明の「主界面（７、８、１１）」に相当するものと解される。
　そして、引用発明の「凸部」及び「凹穴」は、それぞれ、本願発明の「山」及び「谷」に相当し、引用発明は、本願発明の「主界面であって、該主界面は、前記素子の表面に配置され、少なくとも1つの選択された方向において繰り返される特徴によってテクスチャが形成されており、前記選択された方向のそれぞれにおいて関連する周期性を備えて、光の抽出を増すようになっており、１つの周期内において、前記繰り返される特徴として少なくとも１つの山と少なくとも１つの谷を有する断面プロフィールを備える主界面」を備えるものといえる。
　
（カ）以上によれば、両者は、
「（ａ）素子、該素子は、以下（ａ−１）ないし（ａ−４）を含む、
（ａ−１）基板、
（ａ−２）ｐ−ｎ接合領域、該ｐ−ｎ接合領域は複数の層を備え、その部分組をなす複数層の極性が、ｐ−ｎ接合を形成するように逆極性になっており、層の１つが基板に隣接している、
（ａ−３）透過性ウインドウ層、該透過性ウインドウ層は前記ｐ−ｎ接合領域に隣接して配置され、及び、
（ａ−４）電気接点、該電気接点は前記ｐ−ｎ接合領域に接続し、前記ｐ−ｎ接合に順バイアスをかける働きをする、
（ｂ）主界面であって、該主界面は、前記素子の表面に配置され、少なくとも1つの選択された方向において繰り返される特徴によってテクスチャが形成されており、前記選択された方向のそれぞれにおいて関連する周期性を備えて、光の抽出を増すようになっており、１つの周期内において、前記繰り返される特徴として少なくとも１つの山と少なくとも１つの谷を有する断面プロフィールを備える主界面
を備える、
発光素子。」
である点で一致し、以下のａ及びｂの点で相違するものと認められる。
　
　ａ　本願発明は、前記ｐ−ｎ接合領域に隣接して透過性ウインドウ層が配置されるものであるのに対して、引用発明は、透過性ウインドウ層が配置されないものである点（以下「相違点１」という。）。
　
　ｂ　本願発明は、前記繰り返される特徴としての少なくとも１つの山と少なくとも１つの谷のうちの少なくともいずれか１つは、円錐状又は三角型の断面プロフィールを備えるように構成されるものであるのに対して、引用発明は、凸部及び凹穴は、断面形状も略矩形とされているものである点（以下「相違点２」という。）。
　
　エ　判断 
（ア）相違点１について
　本願明細書の「テキスチャが形成された界面には、透明なウインドウ層（１２）が取り付けられている。このウインドウ層を設けることによって、活性層へ均一に電流を注入することが出来るために、上部接点から拡散する電流を増加させることが可能である。」（【００３５】）との記載によれば、本願発明の「透過性ウインドウ層」は、いわゆる電流拡散層であってよいものと認められるところ、発光ダイオードにおいて、電極と発光層との間に電流拡散層を設けることは、必要に応じて適宜なされる慣用手段である（例えば、特開平４−１００２７７号公報の３頁左上欄〜右上欄の「電流拡散層１４」に関連する記載を参照。）から、引用発明においてかかる電流拡散層を設け、「前記ｐ−ｎ接合領域に隣接して透過性ウインドウ層が配置される」とする、相違点１に係る本願発明の構成とすることは、当業者が必要に応じて適宜なし得ることである。
               
（イ）相違点２について
　ａ　前記ア（エ）によれば、引用刊行物には、引用発明の「凸部」及び「凹穴」の断面形状は適宜変更され、メサ形状或いは逆メサ形状等にされていたり、凸部の上面或いは凹穴の底面が完全な平面とされていなくとも発明の効果は一応得られることが記載されているものと認められる。
　してみれば、引用発明の「凸部」及び「凹穴」の断面形状を矩形のものから適宜変更することは、当業者が設計上適宜なし得る程度のことである。そして、上記のとおり、引用刊行物においては、断面形状がメサ形状或いは逆メサ形状等にされていたり、凸部の上面或いは凹穴の底面が完全な平面とされていなくとも発明の効果は一応得られるとされることに照らせば、「凸部」及び「凹穴」の断面形状を適宜定めるに当たり、「少なくとも１つの山と少なくとも１つの谷のうちの少なくともいずれか１つは、円錐状又は三角型の断面プロフィールを備える」とすることについて、格別の困難を要するとまではいえないものと認められる。
　
　ｂ　しかるところ、本願明細書には、円錐状又は三角型の断面プロフィールに関して、「特徴形状は、円錐状の隆起及び窪みとすることが可能である。」（【００２６】）との記載が認められるにとどまり、「少なくとも１つの山と少なくとも１つの谷のうちの少なくともいずれか１つは、円錐状又は三角型の断面プロフィールを備えるように構成されるものである」とする相違点２に係る本願発明の構成の技術的意義を明らかにする記載は見当たらず、かかる構成とすることに格別の技術的意義があるものと認めることはできない。
　
　ｃ　以上の検討によれば、引用発明において相違点２に係る本願発明の構成とすることは、当業者が設計上適宜なし得る単なる形状の変更にとどまるものと解するのが相当である。
　
　オ　小括
　以上の検討によれば、本願発明は、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものというべきであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
 　 
５　むすび
　以上のとおりであって、本願は、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。
　また、本願発明は、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。