【事件の表示】
　特願２００５−５１７０６１「電流注入磁壁移動素子」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年　７月２８日国際公開、ＷＯ２００５／０６９３６８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、２００５年１月１４日（優先権主張２００４年１月１５日、日本国）を国際出願日とする出願であって、平成２３年１月３１日付けの拒絶理由通知に対して、同年４月４日に手続補正書及び意見書が提出されたが、同年１２月１５日付けで拒絶査定がなされ、それに対して、平成２４年２月２７日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同日に手続補正がなされ、その後当審において、同年６月２５日付けで審尋がなされ、同年９月１８日に回答書が提出されたものである。
　
２．補正の却下の決定
【補正の却下の決定の結論】
　平成２４年２月２７日になされた手続補正を却下する。
　
【理由】
（１）補正の内容
　平成２４年２月２７日になされた手続補正（以下「本件補正」という。）は、補正前の特許請求の範囲の請求項１ないし２０を、補正後の特許請求の範囲の請求項１ないし１９に補正するとともに、明細書及び図面を補正するものであって、そのうちの補正前後の請求項は以下のとおりである。
　
（補正前）
　「【請求項１】
　互いに反平行の磁化方向を持つ第１の磁性体と第２の磁性体と、該第１の磁性体と前記第２の磁性体に挟まれた第３の磁性体の微小接合とを直列に配置して、前記第１の磁性体と前記第３の磁性体との間に第１の微小接合界面を、前記第３の磁性体と前記第２の磁性体との間に第２の微小接合界面をそれぞれ有し、前記第１の磁性体と前記第１の微小接合界面と前記第３の磁性体と前記第２の微小接合界面と前記第２の磁性体とに対してカスケードに電流源を接続して前記第１の微小接合界面及び前記第２の微小接合界面を横切る電流を流すことにより、該電流と前記第１の磁性体と前記第２の磁性体との間に存在する磁壁との相互作用により電流方向もしくは該電流方向の逆方向に前記磁壁を移動させ、前記第３の磁性体の磁化方向を制御することを特徴とする電流注入磁壁移動素子。
　　【請求項２】
　請求項１記載の電流注入磁壁移動素子において、前記第１の磁性体、前記第２の磁性体及び前記第３の磁性体が磁性半導体であることを特徴とする電流注入磁壁移動素子。
　　【請求項３】
　請求項２記載の電流注入磁壁移動素子において、前記磁性半導体が（Ｇａ，Ｍｎ）Ａｓからなる強磁性半導体であることを特徴とする電流注入磁壁移動素子。
　　【請求項４】
　請求項２記載の電流注入磁壁移動素子において、前記磁性半導体が（Ｉｎ，Ｍｎ）Ａｓからなる強磁性半導体であることを特徴とする電流注入磁壁移動素子。
　　【請求項５】
　請求項１から４のいずれか一項記載の電流注入磁壁移動素子において、前記電流がパルス電流であることを特徴とする電流注入磁壁移動素子。
　　【請求項６】
　請求項５記載の電流注入磁壁移動素子において、前記パルス電流の電流密度が１０4 −１０7 Ａ／ｃｍ2 であることを特徴とする電流注入磁壁移動素子。
　　【請求項７】
　請求項１記載の電流注入磁壁移動素子において、前記第１の磁性体と前記第２の磁性体を、磁場中成膜によって形成することを特徴とする電流注入磁壁移動素子。
　　【請求項８】
　請求項１記載の電流注入磁壁移動素子において、前記第１の磁性体と前記第２の磁性体を、保磁力差を利用して成膜後に外部磁場を印加することにより形成することを特徴とする電流注入磁壁移動素子。
　　【請求項９】
　請求項８記載の電流注入磁壁移動素子において、前記第１の磁性体と前記第２の磁性体が異種材料であることを特徴とする電流注入磁壁移動素子。
　　【請求項１０】
請求項１記載の電流注入磁壁移動素子において、前記第１の磁性体と前記第２の磁性体が同種材料であって、前記第２の磁性体膜上に反強磁性膜を形成し、前記第２の磁性体膜と磁気的に結合させることにより、前記第１の磁性体と前記第２の磁性体に保磁力差をつけることを特徴とする電流注入磁壁移動素子。
　　【請求項１１】
　請求項１記載の電流注入磁壁移動素子において、前記第１の磁性体と前記第２の磁性体が同種材料であって、前記第１の磁性体と前記第２の磁性体との膜厚を変えることにより、前記第１の磁性体と前記第２の磁性体に保磁力差をつけることを特徴とする電流注入磁壁移動素子。
　　【請求項１２】
　請求項１記載の電流注入磁壁移動素子において、前記第１の磁性体と前記第２の磁性体が同種材料であって、前記第１の磁性体と前記第２の磁性体とに形状差をつけ形状異方性の差により、前記第１の磁性体と前記第２の磁性体に保磁力差をつけることを特徴とする電流注入磁壁移動素子。
　　【請求項１３】
　請求項２、３又は４記載の電流注入磁壁移動素子において、前記磁性半導体からなる第１の磁性体と第２の磁性体にそれぞれ異なる外部電界を加えることにより、前記第１の磁性体と前記第２の磁性体に保磁力差をつけることを特徴とする電流注入磁壁移動素子。
　　【請求項１４】
　請求項１記載の電流注入磁壁移動素子において、前記磁壁が、前記第１の微小接合界面又は前記第２の微小接合界面に位置し易くなるように、前記第３の磁性体の接合界面の断面積を減らして前記第１の磁性体及び前記第２の磁性体内より前記第３の磁性体内の磁壁形成によるエネルギー損失を減らすことを特徴とする電流注入磁壁移動素子。
　　【請求項１５】
　請求項１記載の電流注入磁壁移動素子において、前記磁壁が、前記第１の微小接合界面又は前記第２の微小接合界面に位置し易くなるように、前記第３の磁性体として前記第１の磁性体及び前記第２の磁性体より磁化の小さい異種材料を用いて、前記第１の磁性体及び前記第２の磁性体内より前記第３の磁性体内の磁壁形成によるエネルギー損失を減らすことを特徴とする電流注入磁壁移動素子。
　　【請求項１６】
　請求項１記載の電流注入磁壁移動素子において、前記磁壁が、前記第１の微小接合界面又は前記第２の微小接合界面に位置し易くなるように、外部電界の印加により前記第３の磁性体として前記第１の磁性体及び前記第２の磁性体より磁化を小さくした同種材料を用いて、前記第１の磁性体及び前記第２の磁性体内より前記第３の磁性体内の磁壁形成によるエネルギー損失を減らすことを特徴とする電流注入磁壁移動素子。
　　【請求項１７】
　請求項１記載の電流注入磁壁移動素子において、前記磁壁が、前記第１の微小接合界面及び前記第２の微小接合界面に位置し易くなるように、前記第１の微小接合界面、及び前記第２の微小接合界面にくびれを設け、該くびれ位置に前記磁壁がトラップされやすくすることを特徴とする電流注入磁壁移動素子。
　　【請求項１８】
　請求項１記載の電流注入磁壁移動素子において、前記第３の磁性体の磁化方向の読み出しを可能にすることを特徴とする電流注入磁壁移動素子。
　　【請求項１９】
　請求項１８記載の電流注入磁壁移動素子において、前記第３の磁性体の磁化状態を、前記第１の微小接合界面に前記磁壁がある場合と前記第２の微小接合界面に前記磁壁がある場合に生じる前記第３の磁性体の抵抗差を用いて、電流注入端子と同じ端子に前記磁壁が移動しない程度の微小電流を流して前記第３の磁性体の抵抗を計測することで読み出すことを特徴とする電流注入磁壁移動素子。
　　【請求項２０】
　請求項１９記載の電流注入磁壁移動素子において、前記第１の微小接合界面と前記第２の微小接合界面との構造を非対称にすることにより前記第３の磁性体の抵抗差を生じ易くしたことを特徴とする電流注入磁壁移動素子。」
　
（補正後）
　「【請求項１】
　互いに反平行の磁化方向を持つ第１の磁性半導体と第２の磁性半導体と、該第１の磁性半導体と前記第２の磁性半導体に挟まれた第３の磁性半導体の微小接合とを直列に配置して、前記第１の磁性半導体と前記第３の磁性半導体との間に第１の微小接合界面を、前記第３の磁性半導体と前記第２の磁性半導体との間に第２の微小接合界面をそれぞれ有し、前記第１の磁性半導体と前記第１の微小接合界面と前記第３の磁性半導体と前記第２の微小接合界面と前記第２の磁性半導体とに対してカスケードに電流源を接続して前記第１の微小接合界面及び前記第２の微小接合界面を横切る電流を流すことにより、該電流と前記第１の磁性半導体と前記第２の磁性半導体との間に存在する磁壁との相互作用により電流方向もしくは該電流方向の逆方向に前記磁壁を移動させ、外部磁場を印加することなく、前記第３の磁性半導体の磁化方向を制御することを特徴とする電流注入磁壁移動素子。
　　【請求項２】
　請求項１記載の電流注入磁壁移動素子において、前記第１、第２及び第３の磁性半導体が（Ｇａ，Ｍｎ）Ａｓからなる強磁性半導体であることを特徴とする電流注入磁壁移動素子。
　　【請求項３】
　請求項１記載の電流注入磁壁移動素子において、前記第１、第２及び第３の磁性半導体が（Ｉｎ，Ｍｎ）Ａｓからなる強磁性半導体であることを特徴とする電流注入磁壁移動素子。
　　【請求項４】
　請求項１から３のいずれか一項記載の電流注入磁壁移動素子において、前記電流がパルス電流であることを特徴とする電流注入磁壁移動素子。
　　【請求項５】
　請求項４記載の電流注入磁壁移動素子において、前記パルス電流の電流密度が１０4 −１０7 Ａ／ｃｍ2 であることを特徴とする電流注入磁壁移動素子。
　　【請求項６】
　請求項１記載の電流注入磁壁移動素子において、前記第１の磁性半導体と前記第２の磁性半導体を、磁場中成膜によって形成することを特徴とする電流注入磁壁移動素子。
　　【請求項７】
　請求項１記載の電流注入磁壁移動素子において、前記第１の磁性半導体と前記第２の磁性半導体を、保磁力差を利用して成膜後に外部磁場を印加することにより形成することを特徴とする電流注入磁壁移動素子。
　　【請求項８】
　請求項７記載の電流注入磁壁移動素子において、前記第１の磁性半導体と前記第２の磁性半導体が異種材料であることを特徴とする電流注入磁壁移動素子。
　　【請求項９】
　請求項１記載の電流注入磁壁移動素子において、前記第１の磁性半導体と前記第２の磁性半導体が同種材料であって、前記第２の磁性半導体膜上に反強磁性膜を形成し、前記第２の磁性半導体膜と磁気的に結合させることにより、前記第１の磁性半導体と前記第２の磁性半導体に保磁力差をつけることを特徴とする電流注入磁壁移動素子。
　　【請求項１０】
　請求項１記載の電流注入磁壁移動素子において、前記第１の磁性半導体と前記第２の磁性半導体が同種材料であって、前記第１の磁性半導体と前記第２の磁性半導体との膜厚を変えることにより、前記第１の磁性半導体と前記第２の磁性半導体に保磁力差をつけることを特徴とする電流注入磁壁移動素子。
　　【請求項１１】
　請求項１記載の電流注入磁壁移動素子において、前記第１の磁性半導体と前記第２の磁性半導体が同種材料であって、前記第１の磁性半導体と前記第２の磁性半導体とに形状差をつけ形状異方性の差により、前記第１の磁性半導体と前記第２の磁性半導体に保磁力差をつけることを特徴とする電流注入磁壁移動素子。
　　【請求項１２】
　請求項３又は４記載の電流注入磁壁移動素子において、前記第１の磁性半導体と第２の磁性半導体にそれぞれ異なる外部電界を加えることにより、前記第１の磁性半導体と前記第２の磁性半導体に保磁力差をつけることを特徴とする電流注入磁壁移動素子。
　　【請求項１３】
　請求項１記載の電流注入磁壁移動素子において、前記磁壁が、前記第１の微小接合界面又は前記第２の微小接合界面に位置し易くなるように、前記第３の磁性半導体の接合界面の断面積を減らして前記第１の磁性半導体及び前記第２の磁性半導体内より前記第３の磁性半導体内の磁壁形成によるエネルギー損失を減らすことを特徴とする電流注入磁壁移動素子。
　　【請求項１４】
　請求項１記載の電流注入磁壁移動素子において、前記磁壁が、前記第１の微小接合界面又は前記第２の微小接合界面に位置し易くなるように、前記第３の磁性半導体として前記第１の磁性半導体及び前記第２の磁性半導体より磁化の小さい異種材料を用いて、前記第１の磁性半導体及び前記第２の磁性半導体内より前記第３の磁性半導体内の磁壁形成によるエネルギー損失を減らすことを特徴とする電流注入磁壁移動素子。
　　【請求項１５】
　請求項１記載の電流注入磁壁移動素子において、前記磁壁が、前記第１の微小接合界面又は前記第２の微小接合界面に位置し易くなるように、外部電界の印加により前記第３の磁性半導体として前記第１の磁性半導体及び前記第２の磁性半導体より磁化を小さくした同種材料を用いて、前記第１の磁性半導体及び前記第２の磁性半導体内より前記第３の磁性半導体内の磁壁形成によるエネルギー損失を減らすことを特徴とする電流注入磁壁移動素子。
　　【請求項１６】
　請求項１記載の電流注入磁壁移動素子において、前記磁壁が、前記第１の微小接合界面及び前記第２の微小接合界面に位置し易くなるように、前記第１の微小接合界面、及び前記第２の微小接合界面にくびれを設け、該くびれ位置に前記磁壁がトラップされやすくすることを特徴とする電流注入磁壁移動素子。
　　【請求項１７】
　請求項１記載の電流注入磁壁移動素子において、前記第３の磁性半導体の磁化方向の読み出しを可能にすることを特徴とする電流注入磁壁移動素子。
　　【請求項１８】
　請求項１７記載の電流注入磁壁移動素子において、前記第３の磁性半導体の磁化状態を、前記第１の微小接合界面に前記磁壁がある場合と前記第２の微小接合界面に前記磁壁がある場合に生じる前記第３の磁性半導体の抵抗差を用いて、電流注入端子と同じ端子に前記磁壁が移動しない程度の微小電流を流して前記第３の磁性半導体の抵抗を計測することで読み出すことを特徴とする電流注入磁壁移動素子。
　　【請求項１９】
　請求項１８記載の電流注入磁壁移動素子において、前記第１の微小接合界面と前記第２の微小接合界面との構造を非対称にすることにより前記第３の磁性半導体の抵抗差を生じ易くしたことを特徴とする電流注入磁壁移動素子。」
　
（２）補正事項の整理
（補正事項ａ）
（補正事項ａ−１）補正前の請求項１の「磁性体」を、補正後の請求項１の「磁性半導体」と補正すること。
　
（補正事項ａ−２）補正前の請求項１の「前記第３の磁性体の磁化方向を制御する」を、補正後の請求項１の「外部磁場を印加することなく、前記第３の磁性半導体の磁化方向を制御する」と補正すること。
　
（補正事項ｂ）補正前の請求項２を削除するとともに、当該削除に伴って、請求項の番号及び引用する請求項の番号を修正すること。
　
（補正事項ｃ）補正前の請求項３及び４の「前記磁性半導体」を、補正後の請求項２及び３の「前記第１、第２及び第３の磁性半導体」と補正すること。
　
（補正事項ｄ）補正前の請求項７ないし１２、１４ないし１６、１８ないし２０の「磁性体」を、補正後の請求項６ないし１１、１３ないし１５、１７ないし１９の「磁性半導体」と補正すること。
　
（補正事項ｅ）補正前の請求項１３の「前記磁性半導体からなる第１の磁性体と第２の磁性体」及び「前記第１の磁性体と前記第２の磁性体」を、各々補正後の請求項１２の「前記第１の磁性半導体と第２の磁性半導体」及び「前記第１の磁性半導体と前記第２の磁性半導体」と補正すること。
　
（３）新規事項追加の有無及び補正の目的の適否についての検討
（３−１）補正事項ａについて
（３−１−１）補正事項ａ−１について
　補正事項ａ−１は、補正前の請求項１に係る発明の発明特定事項である「磁性体」について、「磁性半導体」と限定的に減縮する事項を追加する補正であり、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項（以下「特許法第１７条の２第４項」という。）第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そして、「磁性半導体」という事項は、本願の願書に最初に添付した明細書の【００５７】、【００５８】、【００６５】及び【００６６】等の記載に基づく補正であり、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項（以下「特許法第１７条の２第３項」という。）に規定された新規事項の追加禁止の要件を満たしている。
　
（３−１−２）補正事項ａ−２について
　補正事項ａ−２は、補正前の請求項１に係る発明の発明特定事項である「前記第３の磁性体の磁化方向を制御する」ことについて、「外部磁場を印加することなく、」と限定的に減縮する事項を追加する補正であり、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そして、「外部磁場を印加することなく、」という事項は、本願の願書に最初に添付した明細書の【００２６】及び【実施例】の記載全体から導かれる補正であり、特許法第１７条の２第３項に規定された新規事項の追加禁止の要件を満たしている。
　
（３−２）補正事項ｂについて
　補正事項ｂは、特許法第１７条の２第４項第１号に掲げる請求項の削除に該当する。
　
（３−３）補正事項ｃについて
　補正事項ｃは、補正前の請求項３及び４に係る発明の発明特定事項である「前記磁性半導体」について、「前記第１、第２及び第３の磁性半導体」と具体的な構成を明確にする補正であり、特許法第１７条の２第４項第４号に掲げる明りょうでない記載の釈明を目的とするものに該当する。
　そして、「前記第１、第２及び第３の磁性半導体」という事項は、本願の願書に最初に添付した明細書の【００５７】、【００５８】、【００６５】及び【００６６】等の記載に基づく補正であり、特許法第１７条の２第３項に規定された新規事項の追加禁止の要件を満たしている。
　
（３−４）補正事項ｄについて
　補正事項ｄは、補正前の請求項請求項７ないし１２、１４ないし１６、１８ないし２０に係る発明の発明特定事項である「磁性体」について、「磁性半導体」と限定的に減縮する事項を追加する補正であり、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そして、「磁性半導体」という事項は、本願の願書に最初に添付した明細書の【００５７】、【００５８】、【００６５】及び【００６６】等の記載に基づく補正であり、特許法第１７条の２第３項に規定された新規事項の追加禁止の要件を満たしている。
　
（３−５）補正事項ｅについて
　補正事項ｅは、補正前の請求項１３に係る発明の発明特定事項である「前記磁性半導体からなる第１の磁性体と第２の磁性体」及び「前記第１の磁性体と前記第２の磁性体」について、各々「前記第１の磁性半導体と第２の磁性半導体」及び「前記第１の磁性半導体と前記第２の磁性半導体」と、表現を明確にする補正であり、特許法第１７条の２第４項第４号に掲げる明りょうでない記載の釈明を目的とするものに該当する。
　そして、当該補正事項が、特許法第１７条の２第３項に規定された新規事項の追加禁止の要件を満たしていることは明らかである。
　
（４）独立特許要件について
（４−１）はじめに
　上記（３）において検討したとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする補正を含むものであるから、本件補正が、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項（以下「特許法第１７条の２第５項」という。）において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか否かについて、検討する。
　
（４−２）補正後の請求項１に係る発明
　本件補正による補正後の請求項１ないし１９に係る発明は、平成２４年２月２７日になされた手続補正により補正された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし１９に記載されている事項により特定されるとおりのものであって、そのうちの補正後の請求項１に係る発明（以下「補正後の発明」という。）は、その特許請求の範囲の請求項１に記載されている事項により特定される上記２．（１）の補正後の請求項１として記載したとおりのものである。
　
（４−３）引用刊行物
（４−３−１）特開２００３−１０１１０１号公報
（４−３−１−１）原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先日前である平成１５年４月４日に日本国内において頒布された刊行物である特開２００３−１０１１０１号公報（以下「引用刊行物１」という。）には、図１及び１４とともに、以下の事項が記載されている。なお、下線は、当合議体において付加したものである。（以下同様。）
　
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気抵抗効果素子及びその製造方法、磁気検出素子並びに磁気記録再生素子に関し、より詳細には、高い磁気抵抗変化率を示す磁気微小接点を有する磁気抵抗効果素子及びその製造方法、磁気検出素子並びに磁気記録再生素子に関する。」
「【００１８】図１は、本発明の実施の形態にかかる磁気抵抗効果素子の要部構造を例示する平面図である。
【００１９】本発明の磁気抵抗効果素子は、基板Ｓの上に直接的あるいは間接的に形成された導電性の磁性体エレメント１を有する。この磁性体エレメント１は、くびれ部Ｃを有する。そして、電流Ｉが基板Ｓの面に対して平行に磁性体エレメント１を流れる際に、くびれ部Ｃの電気抵抗が、磁場印加により減少する点に特徴がある。図１は、基板Ｓを上から見たもの、膜状のエレメント１の中央部にくびれＣが形成されている。本発明における、このくびれ部Ｃの幅の最大値は、２０ｎｍ以下とすることが望ましい。
【００２０】なお、本願において、くびれ部Ｃの「幅」とは、くびれ部Ｃの断面形状が四角形あるいは多角形の場合には対角線のうちで最も長いもの、断面形状が円形の場合はその直径、扁平円などの非等方的な形状の場合にはその両端間距離の最も長いものをいうものとする。
【００２１】
くびれ部Ｃのサイズを微細化すると、磁場の印加により電気抵抗が減少する。このような電気抵抗の減少が発現するサイズは、くびれ部Ｃの断面形状にもよるが、本発明者の検討の結果によれば、くびれ部Ｃの最大幅を概ね２０ｎｍ以下とすると、電気抵抗の減少が顕著となることが判明した。
「【００２８】
本発明の磁気抵抗効果素子において、このような大きな磁気抵抗効果が生ずるのは、磁化方向を異にする２つの部分の遷移領域である磁壁が、微細なくびれ部Ｃに生ずるためであると考えられる。すなわち、くびれ部Ｃの前後の磁性体エレメント１の部分における磁化配置の差異により、このような大きな磁気抵抗効果がおこると考えられる。
【００２９】本発明における磁性体エレメント１の材料としては、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）などの単体、または、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、マンガン（Ｍｎ）、クロム（Ｃｒ）の少なくともいずれかの元素を含む合金、または、「パーマロイ」と呼ばれるＮｉＦｅ系合金、あるいは、ＣｏＮｂＺｒ系合金、ＦｅＴａＣ系合金、ＣｏＴａＺｒ系合金、ＦｅＡｌＳｉ系合金、ＦｅＢ系合金、ＣｏＦｅＢ系合金などの軟磁性材料、ホイスラー合金やＣｒＯ２、Ｆｅ３Ｏ４、Ｌａ１―ＸＳｒＸＭｎＯ３などのハーフメタル磁性体を用いることができる。すなわち、これらの材料のうちから用途に応じた磁気特性を有するものを適宜選択して用いればよい。」
「【００７４】
図１４は、電流駆動により、さらに効果的に記録再生できる固体メモリ用記録再生素子に本発明を適応した例を示す。本発明による１Ａと１Ｂを含むエレメントにさらにもう一つのくびれと領域１Ｃが接続されている。ここで、２つのくびれ部Ｃで区切られた磁性体エレメント１の３つの領域のうちで、外側の２つの領域（領域１Ａおよび１Ｃ）は、互いに磁化配置が反平行となるように磁化固着されている。そして、中間の領域１Ｂの磁化の向きを記録情報とすると、この記録情報すなわち領域１Ｂの磁化の向きをくびれ部Ｃを利用した１Ａ間での磁気抵抗効果により読み取ることが可能となる。
【００７５】
記録部である領域１Ｂの磁化方向を、ここに流す電流の向き（領域１Ａから流すか、あるいは領域１Ｃから流すか）、および大きさで変化させることによって所定の情報を記録させることができる。
【００７６】
記録情報の読み込みは、本発明の１Ａと１Ｂの磁化配置の違いによる磁気抵抗を読み込むことにより行う。領域１Ａと領域１Ｂの間で磁化が平行ならば抵抗は小さく、反平行なら抵抗は大きい。このときの電流Ｉは、記録電流よりも弱い電流にして抵抗値を測定することより、領域１Ｂの磁化方向を変化させずに記録させた状態を認識することができる。
　
（４−３−１−２）そうすると、引用刊行物１には、以下の発明（以下「刊行物発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
「２つのくびれ部Ｃで区切られた磁性体エレメント１の３つの領域（領域１Ａ、領域１Ｂ及び領域１Ｃ）からなり、外側の２つの領域（前記領域１Ａ及び前記領域１Ｃ）は、互いに磁化配置が反平行となるように磁化固着されており、中間の領域（前記領域１Ｂ）の磁化方向を、ここに流す電流の向き（前記領域１Ａから流すか、あるいは前記領域１Ｃから流すか）、および大きさで変化させることによって所定の情報を記録させ、前記くびれ部Ｃを利用した前記領域１Ａ間での磁気抵抗効果により、記録情報を読み取る固体メモリ用記録再生素子。」
　
（４−３−２）国際公開第２００２／０５８１６７号
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先日前である２００２年７月２５日に外国において頒布された刊行物である国際公開第２００２／０５８１６７号（以下「引用刊行物２」という。）には、以下の事項が記載されている。
　
「一方、電圧の印加により、常磁性と強磁性とを制御できる磁性半導体と呼ばれる材料について、基礎的な研究が始まっている。（H. Ohno; Nature, Vol.408,21/28 December(2000) P944)」（明細書第１頁第２２〜２３頁）
　
（４−４）対比・判断
（４−４−１）刊行物発明の「２つのくびれ部Ｃで区切られた磁性体エレメント１の３つの領域（領域１Ａ、領域１Ｂ及び領域１Ｃ）」のうち、「互いに磁化配置が反平行となるように磁化固着され」た「外側の２つの領域（前記領域１Ａ及び前記領域１Ｃ）」と、補正後の発明の「互いに反平行の磁化方向を持つ第１の磁性半導体と第２の磁性半導体」は、「互いに反平行の磁化方向を持つ第１の磁性体と第２の磁性体」という点で共通する。
　また、刊行物発明の「２つのくびれ部Ｃで区切られた磁性体エレメント１の３つの領域（領域１Ａ、領域１Ｂ及び領域１Ｃ）」のうち、「中間の領域（前記領域１Ｃ）」と、補正後の発明の「第３の磁性半導体の微小接合」とは、「第３の磁性体」という点で共通する。
　そして、刊行物発明の「２つのくびれ部Ｃで区切られた磁性体エレメント１の３つの領域（領域１Ａ、領域１Ｂ及び領域１Ｃ）」が、直列に配置されていることは明らかである。
　
（４−４−２）刊行物発明において、「２つのくびれ部Ｃ」を横切る電流を流すことにより、外部磁場を印加することなく、「中間領域（前記領域１Ｂ）の磁化方向を、」「変化させ」ていることは明らかである。その際に、「磁性体エレメント１の３つの領域（領域１Ａ、領域１Ｂ及び領域１Ｃ）」に対してカスケードに電流源を接続することも明らかである。
　
（４−４−３）刊行物発明の「固体メモリ用記録再生素子」と、補正後の発明の「電流注入磁壁移動素子」とは、「素子」という点で共通する。
　
（４−４−４）そうすると、補正後の発明と刊行物発明とは、
「互いに反平行の磁化方向を持つ第１の磁性体と第２の磁性体と、該第１の磁性体と前記第２の磁性体に挟まれた第３の磁性体とを直列に配置して、前記第１の磁性体と前記第３の磁性体と前記第２の磁性半導体とに対してカスケードに電流源を接続して電流を流すことにより、外部磁場を印加することなく、前記第３の磁性体の磁化方向を制御することを特徴とする素子。」
である点で一致し、次の５点で相違する。
　
（相違点１）補正後の発明では、「第１の磁性半導体と第２の磁性半導体と、該第１の磁性半導体と前記第２の磁性半導体に挟まれた第３の磁性半導体の微小接合とを直列に配置して」いるのに対し、刊行物発明では、「３つの領域（領域１Ａ、領域１Ｂ及び領域１Ｃ）」が直列に配置されていることは明らかではあるものの、これらの領域が「磁性半導体」であるとは特定されておらず、また、「中間の領域（前記領域１Ｂ）」が「微小接合」であるとの特定もなされていない点。
　
（相違点２）補正後の発明では、「前記第１の磁性半導体と前記第３の磁性半導体との間に第１の微小接合界面を、前記第３の磁性半導体と前記第２の磁性半導体との間に第２の微小接合界面をそれぞれ有し」ているのに対し、刊行物発明では、「磁性体エレメント１の３つの領域（領域１Ａ、領域１Ｂ及び領域１Ｃ）」は、「２つのくびれ部Ｃで区切られ」ているものの、「微小接合界面」という特定がなされていない点。
　
（相違点３）補正後の発明では、「前記第１の磁性半導体と前記第１の微小接合界面と前記第３の磁性半導体と前記第２の微小接合界面と前記第２の磁性半導体とに対してカスケードに電流源を接続して前記第１の微小接合界面及び前記第２の微小接合界面を横切る電流を流す」のに対し、刊行物発明では、「磁性体エレメント１の３つの領域（領域１Ａ、領域１Ｂ及び領域１Ｃ）」に対してカスケードに電流源を接続して、「２つのくびれ部Ｃ」を横切る電流を流すことは明らかであるものの、上記相違点２において述べたように、「微小接合界面」という特定がなされていない点。
　
（相違点４）補正後の発明では、「該電流と前記第１の磁性半導体と前記第２の磁性半導体との間に存在する磁壁との相互作用により電流方向もしくは該電流方向の逆方向に前記磁壁を移動させ、」「前記第３の磁性半導体の磁化方向を制御する」のに対して、刊行物発明では、「２つのくびれ部Ｃ」を横切る電流を流すことにより、「中間領域（前記領域１Ｂ）の磁化方向を、」「変化させ」ているものの、「前記領域１Ａ及び前記領域１Ｃ」との間の磁壁が存在するかどうかについて、特定されていない点。
　
（相違点５）補正後の発明は、「電流注入磁壁移動素子」であるのに対し、刊行物発明は、「固体メモリ用記録再生素子」である点。
　
（４−５）判断
（４−５−１）相違点１について
　 磁性体材料の一種として、電圧の印加により、常磁性と強磁性とを制御できる磁性半導体材料は、引用刊行物２に記載されているように、公知であり、刊行物発明の磁性エレメント１の材料として、このような公知の材料を採用することにより、補正後の発明のように、「第１の磁性半導体と第２の磁性半導体と、該第１の磁性半導体と前記第２の磁性半導体に挟まれた第３の磁性半導体」「とを直列に配置し」た構成とすることは、当業者が必要に応じて、適宜なし得たことである。
　なお、補正後の発明の「第３の磁性半導体の微小接合」という点について、本願の明細書の内容には、「微小」とはどの程度の大きさを意味するのかが記載されていない。
　また、補正後の発明の「接合」という意味も、本願明細書に、
「【００７４】
　図１２（ａ）において、１１１はＧａＡｓ基板、１１２はそのＧａＡｓ基板１１１上に形成されるＧａＡｓ層（５００Å）、１１３はそのＧａＡｓ層１１１上に形成される（Ｉｎ０．２Ｇａ０．８）Ａｓ層（５０００Å）、１１４はその（Ｉｎ０．２Ｇａ０．８）Ａｓ層１１３上に形成される強磁性半導体である（Ｇａ０．９６７Ｍｎ０．０３３）Ａｓ層（２００Å）である。
【００７５】
　このように電流注入磁壁移動素子は面直容易軸を持つ強磁性半導体（Ｇａ，Ｍｎ）Ａｓから作製した〔（Ｉｎ，Ｍｎ）Ａｓ層を代わりに用いてもよい〕。（Ｇａ，Ｍｎ）Ａｓ層１１４の場合は試料表面の一部をエッチングすることで、（Ｉｎ，Ｍｎ）Ａｓ層の場合は、表面の一部に絶縁膜を介して金属電極を蒸着し外部電界を印加すること（上記非特許文献１）で、面内に保持力の違う同種磁性体の接合を形成する。」
と記載されているように、同種の磁性体からなる「第１の磁性半導体」及び「第２の磁性半導体」と単に接合（接続）している「第３の磁性半導体」を意味するものと解されるので、補正後の発明の「第３の磁性」「体の微小接合」と刊行物発明の「中間の領域（前記領域１Ｂ）」との間に、実質的な相違は見出すことはできない。
　よって、相違点１は、当業者が容易になし得た範囲に含まれる程度のものである。
　
（４−５−２）相違点２及び３について
　本願明細書の実施例には、
「【００７９】
　図１４は図１２と同様の構造を持つ（Ｇａ，Ｍｎ）Ａｓ層に二段階の段差をつけて形成した電流注入磁壁移動素子（強磁性転移温度１００Ｋ程度）の模式図である。
【００８０】
　この図において、１２１は第１の磁性体（図１の第１の磁性体１に対応）、１２２は第２の磁性体（図１の第２の磁性体２に対応）、１２３は第３の磁性体（図１の第３の磁性体３に対応）であり、ここでは、それぞれの磁性体の幅は一様であり、それらの高さは、第１の磁性体１２１の高さ＞第２の磁性体１２２の高さ＞第３の磁性体１２３の高さの順となっており、二段階の段差が形成されている。１２４は第１の磁性体１２１に形成される端子対、１２５は第３の磁性体１２３に形成される端子対、１２６は第２の磁性体１２２に形成される端子対、矢印は電流の方向である。」
と記載されているところ、図１４に記載された電流磁壁移動素子において、「第１の磁性体」、「第２の磁性体」及び「第３の磁性体」を同種の磁性体で構成した場合、「第１の磁性体」と「第３の磁性体」、「第３の磁性体」と「第２の磁性体」の間には明確な接合面ができるのではなく、例えば、「第１の磁性体」と「第３の磁性体」の磁区が反平行状態になった場合に、「第１の磁性体」と「第３の磁性体」の間に生じる磁壁の幅程度の厚さの部分が補正後の発明における「微小接合界面」であると解するのが妥当である。
　そして、引用刊行物１の
「【００２８】本発明の磁気抵抗効果素子において、このような大きな磁気抵抗効果が生ずるのは、磁化方向を異にする２つの部分の遷移領域である磁壁が、微細なくびれ部Ｃに生ずるためであると考えられる。すなわち、くびれ部Ｃの前後の磁性体エレメント１の部分における磁化配置の差異により、このような大きな磁気抵抗効果がおこると考えられる。」
という記載を参酌すると、刊行物発明の「２つのくびれ部Ｃ」は、補正後の発明の「前記第１の磁性半導体と前記第３の磁性半導体との間」の「第１の微小接合界面」、「前記第３の磁性半導体と前記第２の磁性半導体との間」の「第２の微小接合界面」に相当するものと認められる。
　また、刊行物発明においては、「磁性体エレメント１の３つの領域（領域１Ａ、領域１Ｂ及び領域１Ｃ）」に対してカスケードに電流源を接続して、補正後の発明の「第１の微小接合界面」及び「第２の微小接合界面」に相当する「２つのくびれ部Ｃ」を横切る電流を流しているものと認められる。
　よって、相違点２及び３は、実質的なものでない。
　
（４−５−３）相違点４について
　引用刊行物１の
「【００２８】本発明の磁気抵抗効果素子において、このような大きな磁気抵抗効果が生ずるのは、磁化方向を異にする２つの部分の遷移領域である磁壁が、微細なくびれ部Ｃに生ずるためであると考えられる。すなわち、くびれ部Ｃの前後の磁性体エレメント１の部分における磁化配置の差異により、このような大きな磁気抵抗効果がおこると考えられる。」
という記載から、図１４に記載された固体メモリ用記録再生素子において、領域１Ａと領域１Ｂの間の「くびれ部Ｃ」に磁壁が生じている場合を考えると、領域１Ａと領域１Ｂの磁区方向は反平行になっているものと認められる。そして、領域１Ｂに電流を流すことにより、その磁区方向を反転させると、領域１Ａと領域１Ｂの磁区方向は平行になり、両者の間の磁壁は消滅するとともに、領域１Ｂと領域１Ｃの磁区方向が反平行となり、両者の間には磁壁が生じるものと認められる。すなわち、刊行物発明においても、領域１Ｂに電流を流すことにより、領域１Ｂの磁区方向を反転させ、その際、領域１Ａと領域１Ｃの間に存在する磁壁が、一方の「くびれ部Ｃ」から他方の「くびれ部Ｃ」へ移動したといえる。
　そうすると、補正後の発明の「該電流と前記第１の磁性半導体と前記第２の磁性半導体との間に存在する磁壁との相互作用」が具体的にどのようなものか明細書の記載からは明らかではないものの、刊行物発明の「２つのくびれ部Ｃ」を横切る電流を流すことにより、」「中間領域（前記領域１Ｂ）の磁化方向を、」「変化させ」ることは、結果として、補正後の発明の「該電流と前記第１の磁性半導体と前記第２の磁性半導体との間に存在する磁壁との相互作用により電流方向もしくは該電流方向の逆方向に前記磁壁を移動させ、」「前記第３の磁性半導体の磁化方向を制御する」ことに相当するものと認められる。
　よって、相違点４は、実質的なものでない。
　
（４−５−４）相違点５について
　上記（４−５−３）において検討したように、刊行物発明も、領域１Ｂに電流を流すことにより、領域１Ａと領域１Ｃの間に存在する磁壁を、一方の「くびれ部Ｃ」から他方の「くびれ部Ｃ」へ移動させているものと認められるから、刊行物発明の「固体メモリ用記録再生素子」は、補正後の発明の「電流注入磁壁移動素子」に相当するものと認められる。
　よって、相違点５は、実質的なものでない。
　
（４−６）独立特許要件についてのまとめ
　以上検討したとおり、補正後の発明と刊行物発明との相違点は、いずれも、実質的なものでないか、公知の技術を勘案することにより、当業者が、容易に想到し得た範囲に含まれる程度のものにすぎず、補正後の発明は、引用刊行物１及び２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
（５）補正の却下についてのむすび
　本件補正は、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする補正を含むものであるが、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないものである。
　したがって、本件補正は、特許法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
３．本願発明
　平成２４年２月２７日になされた手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし２０に係る発明は、平成２３年４月４日になされた手続補正により補正された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし２０に記載されている事項により特定されるとおりのものであって、そのうちの請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、その特許請求の範囲の請求項１に記載されている事項により特定される上記２．（１）の補正前の請求項１として記載したとおりのものである。
　
４．刊行物に記載された発明
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された刊行物には、上において検討したとおり、上記２．（４−３−１−１）及び（４−３−２）に記載したとおりの事項及び（４−３−１−２）で認定したとおりの発明（刊行物発明）が記載されているものと認められる。
　
 ５．判断
　上記２．（３）において検討したとおり、補正後の請求項１に係る発明は、補正前の請求項１に係る発明における発明特定事項である「磁性体」及び「前記第３の磁性体の磁化方向を制御する」ことについて、各々「磁性半導体」及び「外部磁場を印加することなく、」と限定したものである。逆に言えば本件補正前の請求項１に係る発明（本願発明）は，補正後の発明から上記の限定をなくしたものである。
　そうすると、本願発明と刊行物発明の相違点は、上記２．（４）において検討したように、相違点２ないし５のみとなり，これらの相違点は、いずれも、実質的なものでないから、本願発明は、引用刊行物１に記載された発明であり、仮にそうでないとしても、引用刊行物１に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　したがって、本願発明は、特許法第２９条第１項第３号に該当し、仮にそうでないとしても、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
６．むすび
　以上のとおりであるから、本願は、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、拒絶をすべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。