【事件の表示】
　特願２００６−２５３６８０「高速及び高性能の半導体パッケージ」拒絶査定不服審判事件〔平成１９年１０月１１日出願公開、特開２００７−２６６５６７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯 
　本願は，平成１８年９月２０日（パリ条約による優先権主張２００６年３月２９日，韓国）の出願であって，平成２３年７月７日付けで拒絶査定がなされ，これに対し，同年１１月１１日に拒絶査定不服審判の請求がなされると同時に特許請求の範囲を対象とする手続補正がなされたものである。
　特許請求の範囲に係る上記補正は，実質的に，補正前の特許請求の範囲の請求項１０を削除するものであって，平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第１号の請求項の削除を目的とするものに該当し，適法なものである。
　
第２．原査定 
　原査定における拒絶の理由の一つは，以下のとおりのものと認める。
「この出願の請求項に係る発明は，その出願前に日本国内又は外国において，頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて，その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　１．特開２００６−７３８２５号公報
　２．特開２００２−９３９４６号公報
　３．特開２００２−１６１７９号公報
　４．特開２０００−２００８０４号公報
　５．特開平１１−２０４５７６号公報
　６．特開２００６−７３８６２号公報
　上記刊行物のうち，特開２００６−７３８２５号公報を，以下「引用例」という。
　
第３．当審の判断 
１．本願発明 
　本願の請求項１に係る発明は，平成２３年１１月１１日付けで補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される，以下のとおりのものである（以下「本願発明」という）。 
「複数のボンディングパッドを有する半導体チップと，
　前記ボンディングパッドと接続するように前記半導体チップ上に形成された再配線層と，
　前記再配線層を露出させるウィンドウを有し，前記半導体チップ上に接着された基板と，
　前記再配線層と前記基板の回路パターンとを電気的に接続させる接続部材と，
　前記接続部材を含む前記基板の前記ウィンドウ及び，前記半導体チップを含む前記基板の前記ウィンドウ側とは反対側の面を封止する封止剤と，
　前記基板に形成されたソルダボールとを備え，
　前記接続部材は，ボンディングワイヤであることを特徴とする半導体パッケージ。」
　
２．引用刊行物記載事項
　本願の優先日前に頒布された刊行物である引用例には，半導体装置に関し，図面とともに次の事項が記載されている。
ａ）「【請求項１】
　第１主面及び前記第１主面に対向した第２主面を有し，前記第１及び第２主面間を貫通する開口部を有する基板と，
　前記第１主面に配置された第１の接着剤層と，
　前記第２主面に配置された第２の接着剤層と，
　前記第１の接着剤層上の前記開口部の両側に配置された第３の接着剤層と，
　チップ側ボンディングパッドが前記開口部に露出するように前記チップ側ボンディングパッドの周囲を前記第３の接着剤層に接着された半導体チップと，
　前記第２の接着剤層に接着された基板側ボンディングパッドと，
　前記チップ側ボンディングパッドと前記基板側ボンディングパッドとを接続するボンディングワイヤと
　前記第２の接着剤層に接着された電極と，
　前記ボンディングワイヤ及び前記半導体チップを封止する封止樹脂
　とを備えることを特徴とする半導体装置。」
　
ｂ）「【０００９】
　本発明の実施の形態に係る半導体装置は，図１に示すように，第１主面及び第２主面を有する基板１と，第１主面に配置された第１の接着剤層３と，第２主面に配置された第２の接着剤層５と，第１の接着剤層３に接着された２つの第３の接着剤層７ａ，７ｂと，第３の接着剤層７ａ，７ｂに接着された半導体チップ９と，半導体チップ９を封止する封止樹脂（第２の封止樹脂）１９を備える。ここで「第１主表面」とは，実質的に平板形状の基板１の一方の主表面（面積が最大若しくは２番目に大きな面）を指す。「第２主表面」は，基板１の「第１主表面」に対向した主表面を指す。即ち，第１及び第２主表面のいずれか一方が「表面」，他方が「裏面」と解釈できる関係にある対向した２つの面を定義している。
【００１０】
　基板１は，例えばポリイミド樹脂からなる樹脂テープ等が採用可能である。基板１の半導体チップ９が搭載される領域には，第１主面及び第２主面間を貫通する矩形の開口部１ａが配置されている。」
　
ｃ）「【００１３】
　第３の接着剤層７ａ，７ｂに接着された半導体チップ９は，図１に示すように，素子面９ａを有し，この素子面９ａの一部が開口部１ａから露出するように，基板１の上にフェイスダウンに搭載されている。複数のチップ側ボンディングパッド１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，・・・・・，１０ｆは，図２に示すように，開口部１ａに露出した素子面９ａの中央に列状に配置され，金線（Ａｕ）等からなるボンディングワイヤ１４ａ，１４ｂ，１４ｃ，・・・・・，１４ｆによりそれぞれ第２主面側の右側の基板側ボンディングパッド１１ａ，１１ｂ，１１ｃ，・・・・・，１１ｆに接続されている。また，チップ側ボンディングパッド１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，・・・・・，１０ｆは，金線（Ａｕ）等からなるボンディングワイヤ１４ｇ，１４ｈ，１４ｉ，・・・・・，１４ｌによりそれぞれ第２主面側の左側の基板側ボンディングパッド１１ｇ，１１ｈ，１１ｉ，・・・・・，１１ｌに接続されている。
【００１４】
　第２の接着剤層５に接着された複数の電極１３は，基板１の周辺部，即ち図２に示すように，第２主面の基板側ボンディングパッド１１ａ，１１ｂ，１１ｃ，・・・・・，１１ｆが形成された開口部１ａの右側の残余の領域及び基板側ボンディングパッド１１ｇ，１１ｈ，１１ｉ，・・・・・，１１ｌが形成された開口部１ａの左側の残余の領域にそれぞれアレイ状に形成されている。また，図１に示すように，基板側ボンディングパッド１１ａ，１１ｂ，１１ｃ，・・・・・，１１ｆ・・・・・及び電極１３の周囲には，ソルダーレジスト２０が配置されている。ソルダーレジスト２０は，基板側ボンディングパッド１１及び電極１３が形成された場所の表面の一部が選択的に露出するように配置されており，露出した表面にニッケル（Ｎｉ）又は金（Ａｕ）等を含むメッキ層１５がそれぞれ配置されている。メッキ層１５には，例えば鉛（Ｐｂ）を含まない，いわゆる鉛フリー半田材料からなる半田ボール１７をそれぞれ接続することが，環境問題面からは好ましい。
【００１５】
　封止樹脂１９は，開口部１ａを封止する第１の封止樹脂１９ａ及び半導体チップ９を封止する第２の封止樹脂１９ｂを含む。第１の封止樹脂１９ａは，素子面９ａ，チップ側ボンディングパッド１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，・・・・・，１０ｆ・・・・・，基板側ボンディングパッド１１ａ，１１ｂ，１１ｃ，・・・・・，１１ｆ・・・・・及びボンディングワイヤ１４ａ，１４ｂ，１４ｃ，・・・・・，１４ｆ・・・・・の周囲を覆うように，第２主面側の開口部１ａを埋めて配置されている。第２の封止樹脂１９ｂは，第１の接着剤層３の上面，第３の接着剤層７ａ，７ｂの側面，半導体チップ９の側面及び上面にそれぞれ密着するように配置されている。第１の封止樹脂１９ａ及び第２の封止樹脂１９ｂとしては，エポキシ樹脂，シリコーン樹脂，フェノール樹脂等が採用可能である。」
　
　上記記載事項ａないしｃ及び図面の記載によれば，引用例には，次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているといえる。
「第１主面及び前記第１主面に対向した第２主面を有し，前記第１及び第２主面間を貫通する開口部１ａを有する基板１と，
　前記第１主面に配置された第１の接着剤層３と，
　前記第２主面に配置された第２の接着剤層５と，
　前記第１の接着剤層３上の前記開口部１ａの両側に配置された第３の接着剤層７ａ，７ｂと，
　複数のチップ側ボンディングパッド１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，・・・・・，１０ｆが前記開口部１ａに露出するように前記チップ側ボンディングパッド１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，・・・・・，１０ｆの周囲を前記第３の接着剤層７ａ，７ｂに接着された半導体チップ９と，
　前記第２の接着剤層５に接着された基板側ボンディングパッド１１ａ，１１ｂ，１１ｃ，・・・・・，１１ｆと， 
　前記チップ側ボンディングパッド１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，・・・・・，１０ｆと前記基板側ボンディングパッド１１ａ，１１ｂ，１１ｃ，・・・・・，１１ｆとを接続するボンディングワイヤ１４ａ，１４ｂ，１４ｃ，・・・・・，１４ｆと，
　前記第２の接着剤層５に接着された電極１３と，
　前記ボンディングワイヤ１４ａ，１４ｂ，１４ｃ，・・・・・，１４ｆ及び前記半導体チップ９を封止する封止樹脂１９とを備え，
　前記封止樹脂１９は，開口部１ａを封止する第１の封止樹脂１９ａ及び半導体チップ９を封止する第２の封止樹脂１９ｂを含み，第１の封止樹脂１９ａは，素子面９ａ，チップ側ボンディングパッド１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，・・・・・，１０ｆ，基板側ボンディングパッド１１ａ，１１ｂ，１１ｃ，・・・・・，１１ｆ及びボンディングワイヤ１４ａ，１４ｂ，１４ｃ，・・・・・，１４ｆの周囲を覆うように，第２主面側の開口部１ａを埋めて配置され，第２の封止樹脂１９ｂは，第１の接着剤層３の上面，第３の接着剤層７ａ，７ｂの側面，半導体チップ９の側面及び上面にそれぞれ密着するように配置されており，
　前記電極１３の表面にメッキ層１５が配置され，メッキ層１５には，半田ボール１７を接続する半導体装置。」
　
３．対比・判断 
　本願発明と引用発明とを対比する。
　引用発明の「チップ側ボンディングパッド１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，・・・・・，１０ｆ」，「半導体チップ９」，「開口部１ａ」，「基板１」，「封止樹脂１９」，「半田ボール１７」及び「半導体装置」は，それぞれ本願発明の「ボンディングパッド」，「半導体チップ」，「ウィンドウ」，「基板」，「封止剤」，「ソルダボール」及び「半導体パッケージ」に相当する。
　引用発明の「ボンディングワイヤ１４ａ，１４ｂ，１４ｃ，・・・・・，１４ｆ」は，本願発明の「接続部材」及び「ボンディングワイヤ」に相当する。
　引用発明において，基板側ボンディングパッド１１ａ，１１ｂ，１１ｃ，・・・・・，１１ｆが，基板に形成される回路パターンの一部であることは明らかであるので，引用発明の「基板側ボンディングパッド１１ａ，１１ｂ，１１ｃ，・・・・・，１１ｆ」は，本願発明の「回路パターン」に相当する。
　
　したがって，本願発明と引用発明は，本願発明の表記にできるだけしたがえば，
「複数のボンディングパッドを有する半導体チップと，
　ウィンドウを有し，前記半導体チップ上に接着された基板と，
　前記半導体チップと前記基板の回路パターンとを電気的に接続させる接続部材と，
　前記接続部材を含む前記基板の前記ウィンドウ及び，前記半導体チップを含む前記基板の前記ウィンドウ側とは反対側の面を封止する封止剤と，
　前記基板に形成されたソルダボールとを備え，
　前記接続部材は，ボンディングワイヤである半導体パッケージ。」
の点で一致し，次の点で相違する。
　
［相違点］
　本願発明は，ボンディングパッドと接続するように半導体チップ上に再配線層が形成されており，前記再配線層を基板のウィンドウから露出させ，前記再配線層と基板の回路パターンとをボンディングワイヤで電気的に接続させるのに対し，引用発明は，半導体チップのチップ側ボンディングパッド１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，・・・・・，１０ｆを基板１の開口部１ａから露出させ，前記チップ側ボンディングパッド１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，・・・・・，１０ｆと基板１の基板側ボンディングパッド１１ａ，１１ｂ，１１ｃ，・・・・・，１１ｆとをボンディングワイヤ１４ａ，１４ｂ，１４ｃ，・・・・・，１４ｆで電気的に接続させてはいるが，再配線層については備えていない点。
　
相違点について検討する。
　半導体チップとして，再配線層を形成してボンディングパッドの位置を所望の位置に調整した半導体チップは，例えば，特開平１１−２０４５７６号公報（原査定で引用した文献，段落【０００２】〜【０００８】，図４参照），特開２００６−７３８６２号公報（原査定で引用した文献，段落【００２１】〜【００３４】，図１〜４参照）に記載されているように周知である。さらに，再配線層が形成された半導体チップを基板に搭載し，前記再配線層と前記基板の回路パターンとをボンディングワイヤで接続することも，例えば，特開２００５−１５８７６８号公報（前置報告書で提示された文献，段落【００１２】〜【００１６】，図１参照），国際公開第２００４／１０２６５３号（前置報告書で提示された文献，明細書第６頁第７行〜第８頁第２０行，図１，２，４参照），特開２００３−１５２０１４号公報（前置報告書で提示された文献，段落【０００２】〜【０００４】，【０１０９】〜【０１１５】，図９参照）に記載されているように周知技術である。
　そうしてみると，引用発明において，半導体チップ９として，再配線層が形成された半導体チップを採用し，上記相違点に係る構成とすることは当業者であれば容易に想到し得たことである。
　
　そして，本願発明により得られる作用効果は，引用発明及び周知技術から当業者が予測できる程度のものであって，格別なものとはいえない。
　
　よって，本願発明は，引用発明及び周知技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４．むすび 
　以上のとおり，本願発明は，引用発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであって，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから，本願の他の請求項に係る発明について検討するまでもなく，本願は拒絶されるべきものである。
　したがって，原査定は妥当であり，結論のとおり審決する。