(57)【要約】本発明は、キャリアを介した処理室雰囲気の汚染を抑制し、安定した搬送及び高品質の基板処理を継続できる基板処理装置及び処理方法であって、今後ますます大型化する基板に対応でき、また種々の基板寸法に対応できる汎用性の高い基板処理装置及び処理方法を提供することを目的とする。基板を搭載したキャリアを搬入するロードロック室と、キャリア間で基板の移載を行う移載機構を有する基板移載室と、基板に所定の処理を行う基板処理室と、を有し、前記ロードロック室及び前記基板移載室間を移動する第１のキャリアと、前記基板移載室及び前記基板処理室間を移動する第２のキャリアとを有し、前記移載機構により、前記第１のキャリア及び前記第２のキャリア間で基板を移載する構成としたことを特徴とする。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を搭載したキャリアを搬入するロードロック室と、キャリア間で基板の移載を行う移載機構を有する基板移載室と、基板に所定の処理を行う基板処理室と、を有する基板処理装置であって、
前記ロードロック室及び前記基板移載室間を移動する第１のキャリアと、前記基板移載室及び前記基板処理室間を移動する第２のキャリアとを有し、前記移載機構により、前記第１のキャリア及び前記第２のキャリア間で基板を移載する構成としたことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
処理済み基板を搭載した前記第１のキャリアを前記ロードロック室へ搬出することを特徴とする請求の範囲第１項に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記移載機構は、複数のキャリア保持台を有し互いに入れ替え可能なキャリア保持機構と基板保持機構とをそれぞれ２つと、該２つのキャリア保持機構の保持台間でキャリアを移動させる移動機構と、により構成されることを特徴とする請求の範囲第１項又は第２項に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記基板保持機構は、真空吸着又は静電吸着機構であることを特徴とする請求の範囲第１項〜第３項のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記基板移載室は乾燥気体雰囲気に保持することを特徴とする請求の範囲第１項〜第３のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記キャリアは、基板の４辺を支持することを特徴とする請求の範囲第１項〜第５項のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記薄膜は、ＭｇＯ膜であることを特徴とする請求の範囲第１項〜第６項のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項８】
基板を搭載したキャリアを搬出入するロードロック室と、キャリア間で基板の移載を行う基板移載室と、基板に所定の処理を行う基板処理室と、を連結配置し、前記ロードロック室及び前記基板移載室間を移動する第１のキャリアと前記基板移載室及び前記基板処理室間を移動する第２のキャリアとを配置し、前記基板移載室において、前記第１のキャリア及び前記第２のキャリア間で基板の移載を行い、前記基板処理室に搬出入される前記第２のキャリアを大気にさらすことなく、連続して基板処理を行うことを特徴とする基板処理方法。
【請求項９】
前記移載機構は、複数のキャリア保持台を有し互いに入れ替え可能なキャリア保持機構と基板保持機構とをそれぞれ２つと、該２つのキャリア保持機構の保持台間でキャリアを移動させる移動機構とで構成し、前記保持台上の前記第１及び第２のキャリアから基板を前記基板保持機構により保持した状態で、キャリアを前記２つの保持機構間で移動させ、その状態で再びキャリアに基板を載置させることにより基板の移載を行うことを特徴とする請求の範囲第８項に記載の基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は、基板を搭載したキャリアを処理室に連続して搬送し所定の処理を行う基板処理装置及び処理方法に係り、特にキャリアが処理室と大気間を移動することに帰因する処理室雰囲気汚染の問題を解消し、品質の優れた薄膜形成及びエッチング等の処理を安定して行うことが可能な基板処理装置及び処理方法に関する。
背景技術
基板処理装置の従来例として、図７に示した生産用の蒸着装置について説明する。従来の蒸着装置は、図７に示したように、キャリア搬入用ロードロック室１０、加熱室７０、蒸着室３０、キャリア搬出用ロードロック室１０’がゲートバルブ４１〜４３を介して連結され、各室にはキャリア２の搬送ユニット４が設置されている。搬送ユニット４としては、通常、多数の搬送コロの列が２列設けられ、駆動系によりコロを回転させることにより、コロ列上に載置されるキャリアを移動させる構成のものが好適に用いられる。基板３は大気中でキャリア２に搭載され、キャリア２をロードロック室１０から加熱室７０に搬送し、基板を所定温度に加熱した後、蒸着室３０に送って薄膜を形成する。その後、キャリア２はロードロック室１０’に送り出され、大気中に取り出される。処理済み基板３’が回収された後、キャリア２には再び未処理基板３が搭載され、ロードロック室１０に戻される。これらの操作を繰り返し行うことにより、多数の基板上に薄膜を連続して形成することができる。
この従来方式では、基板搬送用のキャリア２は大気中と真空中との間を繰り返し搬送される。そのため、キャリアに付着した膜に大気中の水分等の汚染物が吸着し、さらにこの上に膜が付着すると、密着性が低下して膜は剥離し易くなる。膜剥離により発生したパーティクルは膜内に取り込まれて膜の欠陥となるため、歩留まり低下の原因となっていた。
また、図７の蒸着装置をプラズマディスプレイ（ＰＤＰ）のＭｇＯ膜の形成に適用すると、表示性能上大きな問題となることが明らかになった。基板への膜形成を繰り返し行うと、図８に示すように、蒸着室内の水分圧は上昇し、これに伴いＭｇＯの膜質が変化することが分かった。即ち、２５０回程度の膜形成を繰り返すと蒸着室の水分圧は３ｘ１０−４Ｐａ程度となり、得られるＭｇＯ膜は、図９のＸ線回折パターンに示すように、（１１１）面に（２００）面及び（２２０）面が混在した形態の膜となることが分かった。ＭｇＯ膜の二次電子放出係数は結晶面により異なるため、結晶面が混在すると輝度むらが生じてＰＤＰの表示性能は大きく低下することになる。従って、高性能の表示性能を安定して得るには、蒸着室の水分圧を３ｘ１０−４Ｐａ以下に維持する必要がある。
以上の付着膜の剥離の問題及び水分等の蒸着室への取り込みの問題を解決する蒸着装置が特開平９−２７９３４１公報に提案されている。この蒸着装置は、図１０に示すように、基板搬入用ロードロック室１０、蒸着室３０、及び基板搬出用ロードロック室１０’とがゲートバルブ４１，４２で連結され、蒸着室３０はロードロック室１０から搬送される基板３をキャリア（トレイ）２に搭載する基板搭載部３１、蒸着部３２及び処理済み基板をロードロック室１０’に送り出す基板回収部３３とからなり、キャリア２は搭載部、蒸着部及び回収部間を循環して、大気に曝されない構成となっている。即ち、基板３はロードロック室１０に搬入された後、上述の搬送コロ列からなる搬送ユニット４により基板搭載部３１のキャリア（トレイ）２上に搭載され、蒸着部３２に送られ、加熱機構（不図示）により所定の温度に加熱されてＭｇＯ膜が形成される。その後、キャリア２は基板回収部３３に搬送され、キャリア２から処理済み基板３’を取り外し、基板のみロードロック室１０’に取り出される。一方、キャリア２は、上部の搬送路に沿って基板搭載部３１に戻される。このようにしてキャリアは、常に真空中を搬送されるため、付着膜は大気に接触することはなくパーティクル発生が大きく抑制されるとともに、水分等の持ち込みが抑制される結果、基板全面を通して同じ結晶面を有する均質なＭｇＯ膜を形成することができ、高性能ＰＤＰに対応できることが分かった。
発明の開示
しかしながら、図１０に示した蒸着装置では、基板の大型化等に対応することは実際上非常に困難であることが分かった。即ち、基板単体を搬送する搬送方法では基板の両端を搬送コロの上に載せて搬送するため、基板が大型化すると基板の撓みが大きくなる。その結果として、搬送が不安定となり、最悪の場合には基板が割れ、高精細・高性能ＰＤＰの安定した生産が困難になるという問題が生じた。この問題は、タクト向上のために基板短手方向に基板を搬送しようとするとより一層顕在化する。さらに、基板の大きさにより搬送コロ列間の間隔等の種々の煩雑な設定が必要となるため、多品種の基板に対応するのは実際上不可能となり、汎用性が低いという欠点があった。
このように、基板の大型化、多様化に対応するには、基板搬入時から基板を所定の大きさのキャリアに搭載しておく装置構成とするのが不可欠であることが分かり、この装置構成でさらに膜剥離及び膜質維持の検討を行った。この中で、成膜時にキャリアをマスクで覆ってキャリアへの膜付着を抑制し、マスクは外部に取り出さず真空室内にとどめる構成の蒸着装置を開発したが（特開平１１−１３１２３２号公報）、図７の装置構成と比べて改善されるものの、高精細・高性能の大型ＰＤＰに対応するには十分でないことが分かった。例えば、マスク開口部がキャリア開口部よりも大きいとキャリアに膜が付着し上述したのと同様の問題が起こり、逆にマスク開口部が小さいと基板外周部に蒸着材料が回り込んで堆積するため、膜厚が薄くまた結晶面が混在する形態となり輝度むらが生じるという問題があることが分かった。
以上述べてきた問題は、ＭｇＯの蒸着装置に限らず、種々の薄膜形成に用いるスパッタやＣＶＤ等の成膜装置やエッチング等の処理装置についても同様に起こる問題であり、真空基板処理の分野においては、膜質、処理性能に影響を与えず継続して安定した処理を可能とする基板搬送方法が求められていた。
このような状況の下で、本発明は、キャリアを介した処理室雰囲気の汚染を抑制し、安定した基板搬送及び高品質の基板処理を継続できる基板処理装置及び処理方法であって、今後ますます大型化する基板に対応でき、また種々の基板寸法に対応できる汎用性の高い基板処理装置及び処理方法を提供することを目的とする。
本発明の基板処理装置は、基板を搭載したキャリアを搬入するロードロック室と、キャリア間で基板の移載を行う移載機構を有する基板移載室と、基板に所定の処理を行う基板処理室と、を有する基板処理装置であって、前記ロードロック室及び前記基板移載室間を移動する第１のキャリアと、前記基板移載室及び前記基板処理室間を移動する第２のキャリアとを有し、前記移載機構により、前記第１のキャリア及び前記第２のキャリア間で基板を移載する構成としたことを特徴とする。また、前記ロードロック室へ処理済み基板を搭載した前記第１のキャリアが搬出されることを特徴とする。
これらにより、例えば、成膜時に基板を保持するキャリアは大気に曝されずにすむため、大気中でキャリア付着膜に吸着、吸蔵し蒸着室に持ち込まれる水分等に帰因する薄膜の膜質不均質化や膜剥離を大きく低減でき、欠陥がなく均質な高品質薄膜を多数の基板上に連続して作製することが可能となる。
本発明において、前記移載機構は、複数のキャリア保持台を有し互いに入れ替え可能なキャリア保持機構と基板保持機構とをそれぞれ２つと、該２つのキャリア保持機構の保持台間でキャリアを移動させる移動機構と、により構成されることを特徴とする。
これにより、前記保持台上の前記第１及び第２のキャリアから基板を前記保持機構により保持した状態で、キャリアを前記２つの保持機構間で移動させ、その状態で再びキャリアに基板を載置させてることにより、基板を移載させることができる。この構成は、大型基板であっても、スループットの高い移載を確実に行うことができるため、生産性の高い基板処理装置を実現できる。しかも、ロボット等による移載方法と比べて装置面積を大幅に削減できることから基板処理装置全体で大幅なコストダウンを達成することができる。
また、前記基板保持機構としては、真空吸着又は静電吸着機構を用いるのが好ましい。この保持機構は、基板を裏面から保持できるので、大型基板のみならず種々の大きさの基板を表面の膜堆積面を汚したり疵をつけることなく確実に保持し、大気側キャリアと真空側キャリア間で基板移載を容易且つ確実に行うことができる。
さらに、前記基板移載室は乾燥気体雰囲気に保持することを特徴とし、例えばＮ２ガスが用いられる。これにより、基板移載機構及び処理装置構成を簡素化することができる。
また、前記キャリアは、基板の４辺を支持するのが好ましく、基板が大型化しても基板の撓みを抑え全面に均質な薄膜を形成することができる。さらに、本発明は、ＭｇＯ膜等、吸湿性の高い膜の形成に特に好適に用いられる。
本発明の基板処理方法は、基板を搭載したキャリアを搬出入するロードロック室と、キャリア間で基板の移載を行う基板移載室と、基板に所定の処理を行う基板処理室と、を連結配置し、前記ロードロック室及び前記基板移載室間を移動する第１のキャリアと前記基板移載室及び前記基板処理室間を移動する第２のキャリアとを配置し、前記基板移載室において、第１のキャリア及び前記第２のキャリア間で基板の移載を行い、前記基板処理室に搬出入される前記第２のキャリアを大気にさらすことなく、連続して基板処理を行うことを特徴とする。
ここで、上述したように、前記移載機構は、複数のキャリア保持台を有し互いに入れ替え可能なキャリア保持機構と基板保持機構とをそれぞれ２つと、該２つのキャリア保持機構の保持台間でキャリアを移動させる移動機構とで構成し、前記保持台上の前記第１及び第２のキャリアから基板を前記基板保持機構により保持した状態で、キャリアを前記２つの保持機構間で移動させ、その状態で再びキャリアに基板を載置させることにより基板の移載を行うのが好ましい。
発明を実施するための最良の形態
本発明の基板処理装置の基本構成を図１の模式図に示す。
図１に示すように、基板処理装置は、ロードロック室１０、基板移載室２０及び処理室３０がゲートバルブ４１，４２を介して連結された構造を有し、ロードロック室１０及び基板移載室２０間で第１のキャリア１が移動して基板を搬送し、基板移載室２０及び処理室３０間で第２のキャリア１’が移動して基板を搬送する。ここで、基板移載室２０はＮ２ガス等の乾燥ガス雰囲気又は真空に保たれ、基板移載機構５が取り付けられている。
大気中で第１のキャリア１に基板３が搭載され、ロードロック室１０に搬入され、真空にした後（基板移載室がＮ２ガス雰囲気の場合はさらにＮ２ガスを充填した後）、ゲートバルブ４１が開けられ、基板移載室２０に送られる。基板移載室２０で、基板移載機構５により、第１のキャリア１から第２のキャリア１’に基板３が移載され、基板３を搭載した第２のキャリア１’が処理室３０に送られ、所定の処理が行われた後基板移載室２０に戻される。基板移載室では処理済み基板３’が第２のキャリア１’から第１のキャリア１に移載され、第１のキャリア１’はロードロック室１０を介して大気中に取り出され、処理済み基板３’と未処理基板３が交換され、再びロードロック室１０に戻される。このようにして、処理室３０に入る第２のキャリアは大気に触れることはなく、しかも基板３，３’は常にキャリアによって搬送する構成としたため、大型基板であっても安定した搬送及び処理を繰り返し継続することが可能となる。
以下に、本発明の好適な実施形態をＰＤＰのＭｇＯ膜蒸着装置について添付図面に基づいてより詳細に説明する。図２は本発明に係るＭｇＯ膜の作製方法が実施される蒸着装置の概略構成図、図３は基板移載室における基板の移載方法の一例を説明する概略図である。本実施形態では、ロードロック室１０、第１補助室５０、基板移載室２０、第２補助室６０、第１加熱室７０、蒸着室３０、及びキャリアの搬送方向を変換し、かつ基板加熱も行なう第２加熱室８０から構成されている。各室の間にはゲートバルブ４１〜４６が配設されている。第１及び第２加熱室にはそれぞれ基板を所定温度に加熱するための加熱機構（不図示）が設けられている。
本実施形態では、ロードロック室１０、第１補助室５０、第２補助室６０、第１加熱室７０及び蒸着室３０には、図の右方向にキャリアを搬送する上部搬送ユニットと左方向に搬送する下部搬送ユニットとがそれぞれ配置されている。各搬送ユニット４は、例えば、特開平９−２７９３４１公報に記載された２列の搬送コロ列からなり、コロを駆動系により回転させることにより、コロ上に載置されたキャリアが搬送される構成のものが好適に用いられる。また、第２加熱室８０には、１つの搬送ユニットが上下移動可能に取り付けられ、これによりキャリアを上部搬送路から下部搬送路へ移動させることができる。この搬送ユニットの上下移動機構も特開平９−２７９３４１公報に記載されたものが好適に用いられ、搬送ユニットをベローズを介して例えばシリンダで上下移動させる構造のものが用いられる。
また、基板移載室２０には、キャリア保持棚となる上述の搬送ユニット４が２段に重ねられ、上下に移動する構造のキャリア保持機構２１，２２が左右に２組配置されており、２つのキャリア保持機構の搬送ユニット間でキャリア１，１’の移動が可能な構成としてある。なお、上下移動機構としては、例えば上述した特開平９−２７９３４１公報に記載されたものが用いられる。さらに、基板移載室２０の天壁には、基板を真空吸着する公知の吸着機構からなる基板保持機構２３が設けられている。
蒸着室３０の底壁部には開口部が形成されており、その下部に蒸着手段（例えば中外炉工業株式会社製プラズマ源）３５及びＭｇＯを収納するハース３４が装備されている。なお、膜質調節のために開口部近郊に酸素ガス導入機構が配設される。
ガラス基板（例えば、４２インチテレビ用）は、水平姿勢のキャリアに載せられ、搬送系により水平搬送される。以下に、その搬送方法を説明する。なお、基板を４辺で保持され、基板の片面（本実施形態では下側）に膜が形成される。
第１のキャリア１は、大気中、ロードロック室１０及び基板移載室２０間を循環し、第２のキャリア１’は基板移載室２０と第２加熱室８０の間を循環する。
まず、ガラス基板３は第１のキャリア１に搭載され、ロードロック室１０に搬入される。ロードロック室１０は所定の圧力（１０−５Ｐａ台）まで排気される。その後、ゲートバルブ４１を開け、第１のキャリア１は第１補助室５０に搬送される。第１補助室５０に搬入された第１のキャリア１は、加熱機構（不図示）により１５０℃程度まで加熱して脱ガス処理を行う。加熱を停止し、１０−４Ｐａ台に到達後乾燥Ｎ２ガスを大気圧まで導入する。
このとき、第２補助室６０の下部搬送ユニット上には、処理済み基板３’を搭載した第２のキャリア１’が待機しており、室内にはＮ２ガスが導入されている。
なお、基板移載室は、大気圧力のＮ２ガスにより満たされている。
この状態から基板移載室２０における基板移載動作を図３を参照して説明する。
図３（ａ）の状態から、ゲートバルブ４２を開け、第１のキャリア１は基板移載室２０の第１キャリア保持機構２１の上段棚に搬送される。一方、ゲートバルブ４３が開けられ、成膜済みの基板３’を搭載した第２のキャリア１’が第２補助室６０から第２キャリア保持機構２２の下段棚に搬送される（ｂ）。
基板移載室の天壁から、真空吸着機構２３が不図示のシリンダによりベローズを介して押し下げられ、それぞれの基板と接触して真空吸着した後、押し上げられる。ここで、第１及び第２のキャリア保持機構２１，２２が同じ高さに移動した後、搬送コロを回転させ、第１及び第２キャリアがそれぞれ反対のキャリア保持機構のユニットに移動する（ｃ）。続いて、真空吸着手段２３が再び押し下げられ、第１のキャリア１に処理済み基板３’が第２のキャリア１’に未処理基板３が搭載される（ｄ）。次に、第１及び第２のキャリアがそれぞれ反対側のユニットに移動する（ｅ）。続いて、第１及び第２のキャリア保持機構が上下移動し、ゲートバルブ４２，４３が開いて第１のキャリア１は第１補助室５０の下部搬送ユニットへ、第２のキャリア１’は第２補助室６０の上部搬送ユニットに送られる（ｆ）。
次に、第２補助室６０では、所定の圧力１０−５Ｐａ台まで排気された後、ゲートバルブ４４が開けられ、第２のキャリアは第１加熱室７０に搬送される。第１加熱室７０では、加熱機構（不図示）により３００℃まで加熱する。その圧力が１０−３Ｐａ台に到達するまで脱ガスを行なう。その後、ゲートバルブ４５を開け、第２のキャリアは蒸着室３０を通って第２加熱室８０に送られ、所定時間加熱される。第２加熱室８０では、キャリアを載置した搬送ユニット４が例えば特開平９−９７９３４１公報に開示されている上下移動機構により下降され、ゲートバルブ４６が再び開き、第２のキャリアは搬入方向と反対に移動し、蒸着室３０に搬入される。
なお、基板加熱は、以上の実施形態に限らず、ロードロック室１０や第２補助室で行ってもよい。
蒸着室３０において、第２のキャリア１’に搭載された基板３上に、所定の成膜条件でＭｇＯ膜が堆積される。すなわち、蒸着室には酸素ガスが８０ｓｃｃｍを導入され、さらに圧力０．１ＰａまでＡｒガスを導入して，プラズマ蒸着源を駆動し基板上にＭｇＯ膜を堆積する。
この後、第２のキャリア１’は、第１加熱室７０，第２補助室６０を通って基板移載室２０に送られ、前述したように、第１及び第２のキャリア間で基板の移載が行われる。
第１のキャリア１に搭載された処理済み基板３’は、第１補助室５０を経てロードロック室１０に搬送される。大気導入後、第１のキャリアは大気中に取り出され、処理済み基板３’が回収され、未処理基板３が第１のキャリア１に再び搭載される。
以上のようにして、連続的に基板上にＭｇＯ膜が堆積される。この間、第２のキャリア１’は大気と接触することはないため、膜剥離は起こり難く欠陥のないＭｇＯ膜を安定して形成することができる。また、得られたＭｇＯ膜のＸ線回折パターンは３０００回成膜を繰り返しても図４に示すように主に（１１１）結晶面をもつものとなり、輝度むらのない高性能ＰＤＰを継続して作製することが可能となった。なお、Ｂ、Ａ及びＣは基板中心及び基板端から３ｃｍ離れた位置での回折パターンを示す。
図１の装置構成は、ひとつのロードロック室でキャリアを搬入、搬出する構成としたが、ロードロック室を２つ設け、一方から搬入し他方から搬出する構成としてもよい。この一例を図５に示す。図５の装置では、処理室３０の両側に基板移載室２０，２０’及びロードロック室１０，１０’が配置され、第１基板移載室２０と第１ロードロック室１０及び大気間、並び第２基板移載室２０と第２ロードロック室１０及び大気間を移動する第１のキャリア１が２組と、第１基板移載室２０、処理室３０及び第２基板移載室２０’間を移動する第２のキャリア１’とが配置される。
なお、本発明において、基板処理装置の処理室、補助室等の数及び配置等、並びに基板処理装置内を同時に循環するキャリアの数等は、例えば各室でのタクトタイム等に応じて適宜選択すればよい。
また、本実施形態では、基板移載室の基板保持機構として真空吸着手段を用いたが、公知の静電吸着手段や特開平９−２７９３４１公報に開示されている基板の端部を保持する機械的保持機構を用いてもよい。また、基板移載機構としては、以上に限らず、例えば、回転軸の周りに２つの基板保持機構を取り付け、第１及び第２のキャリアの基板を保持した後、１８０°回転軸を回転させ、その状態で基板をキャリア上に載置する構成としてもよいし、また、ロボットにより基板を移載させる構成としてもよい。さらに、以上は基板を水平にして搬送、移載等する場合について述べてきたが、これに限らず、基板を垂直にして搬送、移載、処理等する構成としても良い。
以上の実施形態ではインライン方式の蒸着装置について説明してきたが、本発明は、例えば、図６に示すようにクラスター方式等の蒸着装置にも適用される。この場合、第１のキャリア１は、ロードロック室１０と基板移載室２０との間を移動し、第２のキャリア１’は基板移載室２０と処理室３０（３０’、３０”）との間を移動する。移載室では、例えば２つのハンドを有するロボット６により第１及び第２キャリアの基板を移載する。
さらに、上述したように、本発明は、蒸着装置に限られることはなく、例えばスパッタリング方法により露光用ブランクスとしてＣｒ酸化膜を作製する装置に好適に用いられる他、エッチング処理等の種々の処理装置に応用することができる。
産業上の利用可能性
以上の説明で明らかなように、本発明によれば、従来基板搬送の際に発生していた汚染の問題を低減し、品質の優れた膜を安定性良く形成することができ、特に酸化マグネシウムのような吸湿性の誘電体膜を高速で作製する装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
図１は、本発明の基板処理装置の基本的な構成例を示す模式図である。
図２は、ＰＤＰのＭｇＯ膜の蒸着装置の構成を説明する概略図である。
図３は、基板の移載を説明する概略図である。
図４は、本発明により成膜したＭｇＯ膜の結晶配向性を示すＸ線回折図である。
図５は、蒸着装置の他の構成例を示す概略図である。
図６は、基板処理装置の他の構成例を示す概略図である。
図７は、従来の蒸着装置の構成を説明する概略図である。
図８は、膜堆積基板の生産枚数と水分圧の関係を表すグラフである。
図９は、従来装置により成膜したＭｇＯ膜の結晶配向性を示すＸ線回折図である。
図１０は、大気中の水分の影響を抑制した蒸着装置の従来例を示す概略図である。
図において、１、１’、２はキャリアを示し、３、３’は基板、４は搬送ユニット、５は基板移載機構、６はロボット、１０、１０’はロードロック室、２０は基板移載室、２１，２２はキャリア保持機構、２３は基板保持機構、３０は処理室、３４はＭｇＯを収納ハース、３５は蒸着手段、４０〜４６はゲートバルブ、５０は第１補助室、６０は第２補助室、７０は第１加熱室、８０は第２加熱室を示す。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【国際調査報告】
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2003100848.tif 000014
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