【事件の表示】
　特願２００５−１７９１７７「整流素子およびその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年１２月２８日出願公開、特開２００６−３５２００６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯
　本願は、平成１７年６月２０日の出願であって、平成２２年７月２６日付けの拒絶理由通知に対して、同年９月２８日に手続補正書及び意見書が提出され、平成２３年３月３日付けの最後の拒絶理由通知に対して、同年４月２１日に手続補正書及び意見書が提出されたが、前記同年４月２１日付け手続補正書でした明細書、特許請求の範囲又は図面についての補正は、同年８月２日付けで補正の却下の決定がなされ、同日付けで拒絶査定がされた。
　これに対し、同年１０月２８日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに手続補正書が提出され、その後、平成２４年３月２１日付けで審尋がなされ、同年４月１６日に回答書が提出された。
　
第２．補正却下の決定
　
［補正却下の決定の結論］
　平成２３年１０月２８日に提出された手続補正書による補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
　
［理由］
１．本件補正の内容
　本件補正は、補正前の特許請求の範囲の請求項１〜６を補正して、補正後の特許請求の範囲の請求項１〜６とするとともに、明細書の段落【００１１】と【００１２】を補正するものであり、請求項１については、本件補正の前後で各々次のとおりである。
　
（補正前）
「ワイドバンドギャップ半導体よりなる第１導電型の第１不純物領域と、
　前記第１不純物領域内に形成され、かつ平面的に見て前記第１不純物領域を囲むように形成された第２導電型の第２不純物領域と、
　前記第１不純物領域とショットキー接触し、かつ前記第２不純物領域と電気的に接続された第１電極と、
　前記第１電極とは異なる電位を印加可能であり、かつ前記第１不純物領域に電気的に接続された第２電極とを備え、
　前記第１電極と前記第２電極との電位差が変化することにより、前記第１電極と前記第２電極との間に電流を流す状態と、前記第２不純物領域に囲まれる前記第１不純物領域を空乏層化させて前記第１電極と前記第２電極との間の電流経路を遮断する状態とを選択可能で、
　前記第１不純物領域は凸部を有し、
　前記凸部の上面および側面において前記第１不純物領域と前記第１電極とがショットキー接触する、整流素子。」
　
（補正後）
「ＳｉＣよりなる第１導電型の第１不純物領域と、
　前記第１不純物領域内に形成され、かつ平面的に見て前記第１不純物領域を囲むように形成された第２導電型の第２不純物領域と、
　前記第１不純物領域とショットキー接触し、かつ前記第２不純物領域と電気的に接続された第１電極と、
　前記第１電極とは異なる電位を印加可能であり、かつ前記第１不純物領域に電気的に接続された第２電極とを備え、
　前記第１電極と前記第２電極との電位差が変化することにより、前記第１電極と前記第２電極との間に電流を流す状態と、前記第２不純物領域に囲まれる前記第１不純物領域を空乏層化させて前記第１電極と前記第２電極との間の電流経路を遮断する状態とを選択可能で、
　前記第１不純物領域は凸部を有し、かつ１×１０16／ｃｍ3〜１×１０18／ｃｍ3の不純物濃度を有し、
　前記凸部の上面および側面において前記第１不純物領域と前記第１電極とがショットキー接触し、前記ショットキー接触におけるショットキー障壁φＢｎ1が、０．４８ｅＶ＜φＢｎ1＜０．８４ｅＶであり、かつ２５０℃の温度でも前記ショットキー接触を確保できる、整流素子。」
　
２．補正事項の整理
　本件補正による補正事項を整理すると、次のとおりである。
（１）補正事項１
　補正前の請求項１の「ワイドバンドギャップ半導体よりなる第１導電型の第１不純物領域」を、補正後の請求項１の「ＳｉＣよりなる第１導電型の第１不純物領域」と補正し、補正前の請求項１の「前記第１不純物領域は凸部を有し」を、補正後の請求項１の「前記第１不純物領域は凸部を有し、かつ１×１０16／ｃｍ3〜１×１０18／ｃｍ3の不純物濃度を有し」と補正し、補正前の請求項１の「前記凸部の上面および側面において前記第１不純物領域と前記第１電極とがショットキー接触する」を、補正後の請求項１の「前記凸部の上面および側面において前記第１不純物領域と前記第１電極とがショットキー接触し、前記ショットキー接触におけるショットキー障壁φＢｎ1が、０．４８ｅＶ＜φＢｎ1＜０．８４ｅＶであり、かつ２５０℃の温度でも前記ショットキー接触を確保できる」と補正する。
　
（２）補正事項２
　補正前の請求項４の「ワイドバンドギャップ半導体よりなる第１不純物領域に凸部を形成する工程」を、補正後の請求項４の「ＳｉＣよりなる第１不純物領域に凸部を形成する工程」と補正し、補正前の請求項４の「前記第１不純物領域の不純物濃度が調整される」を、補正後の請求項４の「前記第１不純物領域の不純物濃度が１×１０16／ｃｍ3〜１×１０18／ｃｍ3に調整され、
　前記ショットキー接触におけるショットキー障壁φＢｎ1が、０．４８ｅＶ＜φＢｎ1＜０．８４ｅＶであり、かつ２５０℃の温度でも前記ショットキー接触を確保できる」と補正する。
　
（３）補正事項３
　補正前の発明の詳細な説明の段落【００１１】と【００１２】を補正して、それぞれ補正後の発明の詳細な説明の段落【００１１】と【００１２】とすること。
　
３．新規事項の追加の有無についての検討
（１）補正事項１について
　補正事項１のうち、「第１導電型の第１不純物領域」の「ワイドバンドギャップ半導体」を「ＳｉＣよりなる」ものとする点については、本願の願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面（以下「当初明細書等」という。）の次の箇所に記載されているものと認められる。
「【００３１】
　ｎ+半導体基板２０およびｎ-半導体層２は、ＳｉＣ、窒化ガリウム（ＧａＮ）、またはダイヤモンドなどのワイドバンドギャップ半導体よりなっている。」
「【００５５】
  続いて、本実施の形態における整流素子の製造方法について、図１０〜図１３を用いて説明する。始めに図１０を参照して、ＳｉＣよりなるｎ+半導体基板２０を準備する。ｎ+半導体基板２０は、Ｎ（窒素）を不純物として１×１０19／ｃｍ3の不純物濃度を有する。そして、たとえば厚さ１２μｍ程度のＳｉＣよりなるｎ-半導体層２をｎ+半導体基板２０上にエピタキシャル成長させる。」
　
　また、補正事項１のうち、「第１不純物領域」の「凸部」が、「１×１０16／ｃｍ3〜１×１０18／ｃｍ3の不純物濃度を有」する点、及び、「凸部の上面および側面」の「ショットキー接触におけるショットキー障壁φＢｎ1が、０．４８ｅＶ＜φＢｎ1＜０．８４ｅＶであり、かつ２５０℃の温度でも前記ショットキー接触を確保できる」点については、当初明細書等の次の箇所に記載されているものと認められる。
「【００３６】
  さらに、ｎ-半導体層２の不純物濃度がたとえば１×１０16／ｃｍ3〜１×１０18／ｃｍ3である場合、ショットキー障壁φＢｎ1が０．４８ｅＶ＜φＢｎ1＜０．８４ｅＶであることが好ましい。０．４８ｅＶ＜φＢｎ1とすることで、２５０℃の温度でもｎ-半導体層２とショットキー電極３とのショットキー接触を確保することができる。また、φＢｎ1＜０．８４ｅＶとすることで、１Ａ／ｃｍ3の電流を流すのに必要な電圧を０．１Ｖ以下にすることができる。ショットキー障壁φＢｎ1が上記範囲となることが期待できるショットキー電極３の材料としては、たとえばＴｉ（チタン）、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｚｎ（亜鉛）、Ｍｏ、Ｔｅ（テルル）、Ｓｎ（スズ）、Ｐｂ（鉛）、またはＷなどが挙げられる。」
「【００６３】
  （実施の形態２）
  図１４は、本発明の実施の形態２における整流素子の構成を示す断面図である。図１４を参照して、本実施の形態の整流素子１０ａにおいて、ｎ-半導体層２はその表面に凸部１２を有している。凸部１２は、ｎ+半導体基板２０の表面に均一にエピタキシャル成長されたｎ-半導体層２において、凸部１２以外の領域に溝１３を形成することによって形成されている。」
　
　よって、補正事項１の補正は、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものであるから、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものである。
　したがって、補正事項１は、特許法第１７条の２第３項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項をいう。以下同じ。）に規定する要件を満たす。
　
（２）補正事項２について
　補正事項２のうち、「第１導電型の第１不純物領域」の「ワイドバンドギャップ半導体」を「ＳｉＣよりなる」ものとする点が、当初明細書等の段落【００３１】、【００５５】に記載されていることは、上記（１）で検討したとおりである。
　また、補正事項２のうち、「第１不純物領域の不純物濃度」が「１×１０16／ｃｍ3〜１×１０18／ｃｍ3に調整」される点、及び、「凸部の上面および側面」の「ショットキー接触におけるショットキー障壁φＢｎ1が、０．４８ｅＶ＜φＢｎ1＜０．８４ｅＶであり、かつ２５０℃の温度でも前記ショットキー接触を確保できる」点が、当初明細書等の段落【００３６】、【００６３】に記載されていることも、上記（１）で検討したとおりである。
　
　よって、補正事項２の補正は、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものであるから、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものである。
　したがって、補正事項２は、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たす。
　
（３）補正事項３について
　補正事項３は、特許請求の範囲の補正と整合するように、発明の詳細な説明を補正するものであるから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすことは明らかである。
　
（４）新規事項の追加の有無についての検討のまとめ
　以上のとおり、補正事項１〜３はいずれも特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしているから、本件補正は、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすものである。
　
４．補正目的の適否についての検討
（１）補正事項１について
　補正事項１は、補正前の請求項１の「ワイドバンドギャップ半導体よりなる第１導電型の第１不純物領域」を、補正後の請求項１の「ＳｉＣよりなる第１導電型の第１不純物領域」とし、補正前の請求項１の「前記第１不純物領域は凸部を有し」を、補正後の請求項１の「前記第１不純物領域は凸部を有し、かつ１×１０16／ｃｍ3〜１×１０18／ｃｍ3の不純物濃度を有し」とし、補正前の請求項１の「前記凸部の上面および側面において前記第１不純物領域と前記第１電極とがショットキー接触する」を、補正後の請求項１の「前記凸部の上面および側面において前記第１不純物領域と前記第１電極とがショットキー接触し、前記ショットキー接触におけるショットキー障壁φＢｎ1が、０．４８ｅＶ＜φＢｎ1＜０．８４ｅＶであり、かつ２５０℃の温度でも前記ショットキー接触を確保できる」とする補正であり、ワイドバンドギャップ半導体を具体的な材料であるＳｉＣで限定し、第１不純物領域を具体的な不純物濃度で限定し、ショットキー接触をショットキー障壁の具体的なエネルギー値と動作温度で限定することによって、特許請求の範囲を減縮をしようとする補正であるから、この補正は、特許法第１７条の２第４項（平成１８年法律５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項を言う。）第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする補正に該当する。
　したがって、補正事項１は、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たす。
　
（２）補正事項２について
　補正事項２は、補正前の請求項４の「ワイドバンドギャップ半導体よりなる第１不純物領域に凸部を形成する工程」を、補正後の請求項４の「ＳｉＣよりなる第１不純物領域に凸部を形成する工程」とし、補正前の請求項４の「前記第１不純物領域の不純物濃度が調整される」を、補正後の請求項４の「前記第１不純物領域の不純物濃度が１×１０16／ｃｍ3〜１×１０18／ｃｍ3に調整され、
　前記ショットキー接触におけるショットキー障壁φＢｎ1が、０．４８ｅＶ＜φＢｎ1＜０．８４ｅＶであり、かつ２５０℃の温度でも前記ショットキー接触を確保できる」とする補正であり、ワイドバンドギャップ半導体を具体的な材料であるＳｉＣで限定し、第１不純物領域の不純物濃度を具体的な値で限定し、ショットキー接触をショットキー障壁の具体的なエネルギー値と動作温度で限定することによって、特許請求の範囲を減縮をしようとする補正であるから、この補正は、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする補正に該当する。
　したがって、補正事項２は、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たす。
　
（３）補正目的の適否についての検討のまとめ
　以上のとおり、補正事項１、２はいずれも特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たしているから、本件補正は、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たすものである。
　
　本件補正は、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする補正を含むものであるから、本件補正による補正後の特許請求の範囲に記載されている事項により特定される発明が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものか（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項において準用する同法第１２６条第５項に規定する独立特許要件を満たすか）否かを、請求項１に係る発明について検討する。
　
５．独立特許要件についての検討
（１）本願補正発明
　本件補正による補正後の請求項１〜６に係る発明は、本件補正により補正された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜６に記載されている事項により特定されるとおりのものであり、そのうちの請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）は、請求項１に記載されている事項により特定される、上記１．に補正後の請求項１として記載したとおりのものであり、再掲すると次のとおりである。
　
【請求項１】
「ＳｉＣよりなる第１導電型の第１不純物領域と、
　前記第１不純物領域内に形成され、かつ平面的に見て前記第１不純物領域を囲むように形成された第２導電型の第２不純物領域と、
　前記第１不純物領域とショットキー接触し、かつ前記第２不純物領域と電気的に接続された第１電極と、
　前記第１電極とは異なる電位を印加可能であり、かつ前記第１不純物領域に電気的に接続された第２電極とを備え、
　前記第１電極と前記第２電極との電位差が変化することにより、前記第１電極と前記第２電極との間に電流を流す状態と、前記第２不純物領域に囲まれる前記第１不純物領域を空乏層化させて前記第１電極と前記第２電極との間の電流経路を遮断する状態とを選択可能で、
　前記第１不純物領域は凸部を有し、かつ１×１０16／ｃｍ3〜１×１０18／ｃｍ3の不純物濃度を有し、
　前記凸部の上面および側面において前記第１不純物領域と前記第１電極とがショットキー接触し、前記ショットキー接触におけるショットキー障壁φＢｎ1が、０．４８ｅＶ＜φＢｎ1＜０．８４ｅＶであり、かつ２５０℃の温度でも前記ショットキー接触を確保できる、整流素子。」
　
（２）引用例の表示
　　引用例１：特表２００１−５０８９４６号公報
　　引用例２：特開平５−２５９４３６号公報
　
（３）引用例１の記載、引用発明と、引用例２の記載
（３−１）引用例１の記載
ア．原査定の根拠となった拒絶の理由において引用された、本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である、特表２００１−５０８９４６号公報（以下「引用例１」という。）には、「ＳｉＣを使用したショットキー・ダイオードとその製造方法」（発明の名称）に関して、図１〜図３とともに、次の記載がある。（ここにおいて、下線は当合議体が付加したものである。以下同様。）
　
＜発明の背景等＞
ａ．「発明の技術分野および先行技術
  本発明は、ｎまたはｐの第１形に従って高濃度にドープされているＳｉＣの基板層、前記第１形に従って比較的低濃度にドープされているＳｉＣのドリフト層および前記ドリフト層にショットキー接触をつくる金属層を、言及されている順番で相互の上にもつショットキー・ダイオードに関する。このようなショットキー・ダイオードの利点は、ｐｎダイオードに比較して電圧降下が小さいためオン状態の損失が小さく、ショットキー・ダイオードの場合、主として多数キャリヤによる導通によってオフになるときの逆方向回復動作と、オンになるときの順方向電圧のオーバーシューとが存在しないため、ｐｎダイオードに比較してスイッチング損失が少なく、変換回路の使用に適している。しかし、実際のショットキー・ダイオードは、ｐｎダイオードに比較して漏洩電流に難点があり、ショットキー接合が高電界にさらされる場合は、大電力の用途に受け入れられることは難しい。
  
ＳｉＣで製造されたデバイスが、高温、すなわち１０００Ｋまでの温度で動作できるような高い耐熱性、高い空間密度でＳｉＣデバイスが配置されうる高い熱伝導度、Ｓｉの場合よりも約１０倍も高い降伏電界（breakdown field）など、ＳｉＣは優れた物理的特性を備えている。
発明の要約
  本発明の目的は、既知のＳｉＣショットキー・ダイオードに比較して特性が改善されたＳｉＣショットキー・ダイオードを提供することである。」（第７頁第３行〜第８頁第９行）
　
＜実施例＞
ｂ．「図１に、ＳｉＣで製造された接合障壁ショットキー・ダイオードが模式的に示されている。」（第１３頁第２０〜２１行）
　
ｃ．「最初に、望ましくは化学的気相成長法により、
相互の上に高濃度にドープされたＳｉＣのｎ形基板層１と、低濃度にドープされたＳｉＣのｎ形ドリフト層２がエピタキシャル成長する。
ドリフト層および基板パターン層の代表的なドーピング濃度は、それぞれ１０
15
〜１０
16
ｃｍ
-3
および１０
18
〜１０
20
ｃｍ
-3
でよい。
前記ドリフト層に高濃度にドープされたｐ形エミッタ層領域を形成する
　
ｄ．「打ち込まれた不純物元素を電気的に活性化するアニーリング・ステップの後と、使用されたマスクを除去した後とに、
隣接エミッタ層領域間の領域６の上とエミッタ層領域３の上とにショットキー接触５をつくるために前記ドリフト層２の上と、金属層に対するオーミックコンタクト７をつくるためにエミッタ層領域３の上とに金属層４が加えられる。オーミックコンタクトおよびショットキー接触はダイオードの陽極を形成するが、線８で示されているだけの対応する金属層はダイオードの陰極を形成する
このダイオードの順方向導通状態では、（約２.２Ｖから２.５Ｖの）ｐｎ障壁より低い（約０.７Ｖから１Ｖの）ショットキー障壁により、このダイオードは低電流密度におけるショットキー・ダイオードとして機能する。
したがって、このダイオードの逆ブロッキング状態において金属層４が負電位に接続されると、エミッタ層領域は、前記ドリフト層領域６の低濃度ドーピングにより、ドリフト層領域６を容易に空乏化するとともに、点線９によって示されるように、エミッタ層領域の間に連続して空乏化された領域を形成する。
　
ｅ．「本発明の第２の好適実施例によるダイオードの見方が図２に示されているが、図１によるダイオードと比較して、このダイオードには、１つだけの相違点、すなわち、エミッタ層領域３を形成するＰ形不純物元素を打ち込むために、高エネルギ、具体的には約４メガ電子ボルトが使用されているという相違点がある。勿論、１つのエネルギが使用されているばかりでなく、箱形のドーピング分布（doping profile）を得るために、たとえば、３キロ電子ボルトから４メガ電子ボルトの異なるエネルギを使用しながら打ち込みが実行されるのであって、このことは、表面からと表面の下深くのドーピング濃度が大きいことを意味している。これは、これらのエミッタ層領域が、ホウ素の場合は約３μｍ、アルミニウムの場合は約２μｍというようにもっと深くなるので、これらのエミッタ層領域をもっと間隔をあけて配置することが可能であり、要求されるリソグラフィおよびマスキングの解像力が便利な範囲（３μｍのオーダー）内でよいことを意味している。図１を参照して説明するこの方法は、サブミクロンの解像力を必要とする。
隣接するエミッタ層領域３の間の間隔をこのように大きくできる理由は、ドリフト層の空乏状態によってショットキー接触領域をピンチ・オフするとともに、このダイオードのブロッキング状態におけるショットキー接触領域から高電界を隔離することが、エミッタ層領域が浅い場合よりも容易なためである。
　
ｆ．「
打ち込みステップを実行する前に、エミッタ層領域が形成される位置で、上方から前記ドリフト層２に溝１０をエッチングすることにより、本発明の第３の好適実施例によるダイオードがつくられることが図３に示されている。溝の壁１１および底１２によってエミッタ層領域３が形成されるように、打ち込みが実行される。金属層は、オーミックコンタクト４およびショットキー接触５を形成するために、溝の中と溝の間のドリフト層領域６の上とにそれぞれ加えられる。この手法は、図２に示す実施例の場合と同じ利点を得る
　
＜図面の記載＞
ｇ．図３の断面図を参照すると、ＳｉＣのｎ形ドリフト層２に溝１０が形成されており、２つの前記溝１０の間で、前記ｎ形ドリフト層２は、凸部を有していること、溝１０の壁１１と底１２にエミッタ層領域３が形成されていること、ｎ形ドリフト層２を挟むようにエミッタ層領域３が形成されていること、及び、前記エミッタ層領域３が形成されていない前記凸部の上面には、金属層４によりショットキー接触５が形成されていることが、見て取れる。
　また、図３に記載された第３の好適実施例は、ダイオードの上部のみが記載されているが、前記ｎ形ドリフト層２の下部には、図１に記載された好適実施例と同様に、ＳｉＣのｎ形基板層１と金属層８を有しているものと認められる。
　
イ．第３の好適実施例のダイオードとしての機能について
　図３を参照して説明されている第３の好適実施例について、ダイオードの機能についての詳細な説明はされていないが、金属層４とエミッタ層領域３がオーミックコンタクト４を構成し、金属層４とドリフト層２がショットキー接触５を構成する点については、第１，第２の好適実施例と共通しているので、第３の好適実施例のダイオードは、第１，第２の好適実施例と同様のダイオードの機能を有しているものと認められる。
　具体的には、上記ｄ．で摘記した「オーミックコンタクトおよびショットキー接触はダイオードの陽極を形成するが、線８で示されているだけの対応する金属層はダイオードの陰極を形成する」、「このダイオードの順方向導通状態では、（約２.２Ｖから２.５Ｖの）ｐｎ障壁より低い（約０.７Ｖから１Ｖの）ショットキー障壁により、このダイオードは低電流密度におけるショットキー・ダイオードとして機能する。」、及び、「このダイオードの逆ブロッキング状態において金属層４が負電位に接続されると、エミッタ層領域は、前記ドリフト層領域６の低濃度ドーピングにより、ドリフト層領域６を容易に空乏化するとともに、点線９によって示されるように、エミッタ層領域の間に連続して空乏化された領域を形成する。」によって説明された第１の実施例のダイオードの機能と、上記ｅ．で摘記した「ドリフト層の空乏状態によってショットキー接触領域をピンチ・オフするとともに、このダイオードのブロッキング状態におけるショットキー接触領域から高電界を隔離することが、エミッタ層領域が浅い場合よりも容易」によって説明された第２の実施例のダイオードの機能については、第３の実施例のダイオードにおいても同様に有しているものと認められる。
　
（３−２）引用発明
　上記（３−１）のア．とイ．を総合すれば、引用例１には、第３の好適実施例に関して、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
「高濃度にドープされたＳｉＣのｎ形基板層１の上面に形成され低濃度にドープされたＳｉＣのｎ形ドリフト層２と、
　前記ｎ形ドリフト層２に形成された溝１０の壁１１および底１２に形成され、かつ、断面的に見て前記ｎ形ドリフト層２を挟むように形成されたｐ形エミッタ層領域３と、
　前記溝１０の前記壁１１および前記底１２と、相互に隣接した前記溝１０の間のドリフト層領域６上と、にそれぞれ加えられ、前記ｐ形エミッタ層領域３とオーミックコンタクトを形成し、前記ドリフト層領域６とショットキー接触を形成する金属層４と、
　前記ｎ形基板層１の裏面に形成された金属層８とを備え、
　順方向導通状態では、電流を流し、逆ブロッキング状態では、前記ｎ形ドリフト層領域６を空乏化するとともに、前記ｐ形エミッタ層領域３の間に連続して空乏化された領域９を形成して、前記ｎ形ドリフト層２の空乏状態によってショットキー接触領域をピンチ・オフし、
　前記ｎ形ドリフト層２は前記溝１０の間に凸部を有し、かつ、１０１５〜１０１６ｃｍ−３のドーピング濃度を有し、
　前記凸部の上面において前記ｎ形ドリフト層２と前記金属層４とがショットキー接触をすることを特徴とするショットキー・ダイオード。」
　
（３−３）引用例２の記載
　原査定の根拠となった拒絶の理由において引用された、本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である、特開平５−２５９４３６号公報（以下「引用例２」という。）には、「ショットキバリア整流半導体装置」（発明の名称）に関して、図１〜図３とともに、次の記載がある。
　
ａ．「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ショットキバリア整流半導体装置の構造に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】整流半導体装置は、順方向特性、逆方向特性に種々の改善がなされ、損失低減の努力がなされている。例えば、一導電型半導体（例えば、Ｎ型）表面に逆導電型半導体領域（例えばＰ+型）を形成し、一導電型半導体とはショットキバリア接触をし、逆導電型半導体領域とはオ−ミック性接触をなすショットキバリア整流半導体装置は、順方向降下電圧ＶFをそれほど犠牲にする（２）ことなく、逆方向漏れ電流ＩRを小さく抑制し得る構造として有効である。
【０００３】その構造例として、図１及び図２の断面構造図のものがある。１は高濃度一導電型半導体（例えば、Ｎ+）、２は一導電型半導体（例えば、Ｎ）、３は逆導電型半導体（例えば、Ｐ+）、４は電極金属、Ａはアノ−ド、Ｃはカソ−ドである。
【０００４】しかして、０.５Ｖolt以下の低い順方向電圧降下ＶFにおける順方向電流が流れる有効面積は、図示のａ部（２−４間接触部）によって決定し、ｂ部（３−４間接触部）は実質的には順方向電流の流れない領域である。又、約０.５Ｖolt以上のＶFでは、逆導電型半導体領域がＰ型の場合、少数キャリアが電子電流と同等量流れる場となり、特に電極金属４にＣｒ、Ｔｉのようなバリア高さφBNの低い金属を用いて、小さいＶFを得るために設計した整流半導体装置においては、通常、使用する順方向電流密度が５０〜２００Ａmp／cm2の領域であり、この領域では、ＶFは０.５Ｖoltより小さい値である。
【０００５】従って、φBNの小さなショットキバリア整流半導体装置としての有効面は、ａ部のみとなり、半導体チップ内の有効面積活用率は２０〜５０％程度の低い値となる。言い換えれば、一定の順方向電流を得るチップとしては、大きなチップ面積を用意する必要があり、高価な半導体装置となる欠点がある。
【０００６】前記の欠点を解決するため、図３の断面構造図に示す従来構造が提案されている。一導電型半導体２と電極金属４の接触面をｃ部及びｄ部に増加するためトレンチ溝による三面構造を形成している。しかして、図３の構造では、順方向電流が主として流れるショットキバリア接触面のｃ部及びｄ部とカソ−ドＣ間のそれぞれのシリ−ズ抵抗値が異なる。即ち、ｃ部からの抵抗は（ｒ1＋ｒ2）、ｄ部からの抵抗は略ｒ1〜（ｒ1＋ｒ2）となる。このため、順（３）方向電流は、抵抗の小なる方に偏りやすく、高電流密度領域では、主として、ｄ部の逆導電型半導体領域３（Ｐ+型）との境界寄りに電流が集中し、ｃ部の接触面にはほとんど電流が流れなくなる。従って、図３の構造は、シリ−ズ抵抗が比較的、効かない低電流密度領域で、ＶFを大幅に低減できるが、高電流密度領域では接触面積を増加した割合ほど、ＶFを小さくできない。」
　
（４）対比
（４−１）次に、本願補正発明と引用発明とを対比する。
ア．引用発明の「高濃度にドープされたＳｉＣのｎ形基板層１の上面に形成され低濃度にドープされたＳｉＣのｎ形ドリフト層２」において、引用発明の「ｎ形」、「ドリフト層２」は、それぞれ、本願補正発明の「第１導電型」、「第１不純物領域」に対応するので、引用発明の「高濃度にドープされたＳｉＣのｎ形基板層１の上面に形成され低濃度にドープされたＳｉＣのｎ形ドリフト層２」は、本願補正発明の「ＳｉＣよりなる第１導電型の第１不純物領域」に相当する。
　
イ．引用発明の「前記ｎ形ドリフト層２に形成された溝１０の壁１１および底１２に形成され」「たｐ形エミッタ層領域３」において、引用発明の「ｐ形」、「エミッタ層領域３」は、それぞれ、本願補正発明の「第２導電型」、「第２不純物領域」に対応するので、引用発明の「前記ｎ形ドリフト層２に形成され」「たｐ形エミッタ層領域３」は、本願補正発明の「前記第１不純物領域内に形成され」「た第２導電型の第２不純物領域」に相当する。
　
ウ．引用発明の「前記溝１０の前記壁１１および前記底１２と、相互に隣接した前記溝１０の間のドリフト層領域６上と、にそれぞれ加えられ、前記ｐ形エミッタ層領域３とオーミックコンタクトを形成し、前記ドリフト層領域６とショットキー接触を形成する金属層４」において、引用発明の「オーミックコンタクトを形成」すること、「金属層４」は、それぞれ、本願補正発明の「電気的に接続された」こと、「第１電極」に相当し、また、引用発明の「ドリフト層領域６」は「ドリフト層２」のうち「溝１０」の間の領域のことであり、本願補正発明の「第１不純物領域」の一部に相当するから、引用発明の「前記溝１０の前記壁１１および前記底１２と、相互に隣接した前記溝１０の間と、にそれぞれ加えられ、前記ｐ形エミッタ層領域３とオーミックコンタクトを形成し、前記ｎ形ドリフト層２とショットキー接触を形成する金属層４」は、本願補正発明の「前記第１不純物領域とショットキー接触し、かつ前記第２不純物領域と電気的に接続された第１電極」に相当する。
　
エ．引用発明の「前記ｎ形基板層１の裏面に形成された金属層８」において、引用発明の「金属層８」は本願補正発明の「第２電極」に相当し、また、引用発明の「金属層８」は「ｎ形基板層１」を介して「ｎ形ドリフト層２」と電気的に接続しており、ダイオードの陽極側である「金属層４」と陰極側である「金属層８」には異なる電位が印加可能とされることは明らかであるから、引用発明の「前記ｎ形基板層１の裏面に形成された金属層８」は、本願補正発明の「前記第１電極とは異なる電位を印加可能であり、かつ前記第１不純物領域に電気的に接続された第２電極」に相当する。
　
オ．引用発明の「順方向導通状態では、電流を流し、逆ブロッキング状態では、前記ｎ形ドリフト層領域６を空乏化するとともに、前記ｐ形エミッタ層領域３の間に連続して空乏化された領域９を形成して、前記ｎ形ドリフト層２の空乏状態によってショットキー接触領域をピンチ・オフ」することにおいて、引用発明の「順方向導通状態では、電流を流し」及び「逆ブロッキング状態では、前記ｎ形ドリフト層領域６を空乏化するとともに、前記ｐ形エミッタ層領域３の間に連続して空乏化された領域９を形成して、前記ｎ形ドリフト層２の空乏状態によってショットキー接触領域をピンチ・オフ」することは、それぞれ、本願補正発明の「前記第１電極と前記第２電極との間に電流を流す状態」及び「前記第１不純物領域を空乏層化させて前記第１電極と前記第２電極との間の電流経路を遮断する状態」に対応し、また、引用発明は、「順方向導通状態」と「逆ブロッキング状態」の両状態において、「金属層４」と「金属層８」との間の電位差が変化することは、明らかであるので、引用発明の「順方向導通状態では、電流を流し、逆ブロッキング状態では、前記ｎ形ドリフト層領域６を空乏化するとともに、前記ｐ形エミッタ層領域３の間に連続して空乏化された領域９を形成して、前記ｎ形ドリフト層２の空乏状態によってショットキー接触領域をピンチ・オフ」することは、本願補正発明の「前記第１電極と前記第２電極との電位差が変化することにより、前記第１電極と前記第２電極との間に電流を流す状態と、前記第２不純物領域に囲まれる前記第１不純物領域を空乏層化させて前記第１電極と前記第２電極との間の電流経路を遮断する状態とを選択可能で」あることに相当する。
　
カ．引用発明の「前記ｎ形ドリフト層２は前記溝１０の間に凸部を有し、かつ、１０１５〜１０１６ｃｍ−３のドーピング濃度を有し」において、引用発明の「溝１０の間」の「凸部」は本願補正発明の「凸部」に対応し、引用発明の「ドーピング濃度」は、本願補正発明の「不純物濃度」に対応するので、引用発明の「前記ｎ形ドリフト層２は前記溝１０の間に凸部を有し、かつ、１０１５〜１０１６ｃｍ−３のドーピング濃度を有し」は、本願補正発明の「前記第１不純物領域は凸部を有し、かつ１×１０16／ｃｍ3」「の不純物濃度を有し」に相当する。
　
キ．引用発明の「前記凸部の上面において前記ｎ形ドリフト層２と前記金属層４とがショットキー接触をすること」は、本願補正発明の「前記凸部の上面」「において前記第１不純物領域と前記第１電極とがショットキー接触」することに相当する。
　
ク．引用発明の「ショットキー・ダイオード」は、本願補正発明の「整流素子」に相当する。
　
（４−２）そうすると、本願補正発明と引用発明の一致点と相違点は、次のとおりとなる。
　
《一致点》
「ＳｉＣよりなる第１導電型の第１不純物領域と、
　前記第１不純物領域内に形成された第２導電型の第２不純物領域と、
　前記第１不純物領域とショットキー接触し、かつ前記第２不純物領域と電気的に接続された第１電極と、
　前記第１電極とは異なる電位を印加可能であり、かつ前記第１不純物領域に電気的に接続された第２電極とを備え、
　前記第１電極と前記第２電極との電位差が変化することにより、前記第１電極と前記第２電極との間に電流を流す状態と、前記第１不純物領域を空乏層化させて前記第１電極と前記第２電極との間の電流経路を遮断する状態とを選択可能で、
　前記第１不純物領域は凸部を有し、かつ１×１０16／ｃｍ3の不純物濃度を有し、
　前記凸部の上面において前記第１不純物領域と前記第１電極とがショットキー接触する、整流素子。」
　
《相違点》
《相違点１》
　本願補正発明は、「第２導電型の第２不純物領域」が「平面的に見て前記第１不純物領域を囲むように形成」されているのに対して、引用発明は、本願補正発明の「第２導電型の第２不純物領域」に対応する「ｐ形エミッタ層領域３」が、「断面的に見て前記ｎ形ドリフト層２を挟むように形成され」ているものであるが、平面的に見て、本願補正発明の「第１不純物領域」に対応する「ドリフト層２」を囲むように形成しているかどうか不明である点。
　
《相違点２》
　本願補正発明は、「前記第１不純物領域は」「１×１０16／ｃｍ3〜１×１０18／ｃｍ3の不純物濃度」を有しているのに対して、引用発明は、本願補正発明の「第１不純物領域」に対応する「ドリフト層２」が「１０１６ｃｍ−３のドーピング濃度を有し」ている点で一部一致しているものの、１×１０16／ｃｍ3を超える不純物濃度を有していない点。
　
《相違点３》
　本願補正発明は、「前記凸部の上面および側面において前記第１不純物領域と前記第１電極とがショットキー接触し」ているのに対して、引用発明は、凸部の上面においては、本願補正発明の「第１不純物領域」に対応する「ドリフト層２」と、本願補正発明の「第１電極」に対応する「金属層４」とがショットキー接触しているものの、前記凸部の側面においては、「ｎ形ドリフト層２」と「金属層４」とがショットキー接触していない点。
　
《相違点４》
　本願補正発明は、「前記ショットキー接触におけるショットキー障壁φＢｎ1が、０．４８ｅＶ＜φＢｎ1＜０．８４ｅＶであり、かつ２５０℃の温度でも前記ショットキー接触を確保できる」のに対して、引用発明は、このような特定がされていない点。
　
（５）相違点１〜４についての判断
（５−１）相違点１について
　ＳｉＣ基板に形成されたショットキー接触を有する整流素子において、平面的に見て第１導電型の第１不純物領域（ｎ型ドリフト領域）を囲むように、第２導電型の第２不純物領域（ｐ型不純物領域）を形成することは、本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である、下記周知例１〜４に記載されているように、周知の技術事項である。
　
周知例１：特開２０００−２５２４７８号公報
　上記周知例１には、図１、図２、図４（ａ）とともに、次の記載がある。
「【００２３】図１は本実施形態に係るショットキーバリアダイオードの単位セルを示す斜視図、図２は本実施形態に係るショットキーバリアダイオードの単位セルの配置例を示す斜視図である。
【００２４】これらの図において、１はＳｉＣを基材とした半導体基板、２は不純物濃度約３×１０19，厚さ約３００μｍの低抵抗のｎ＋型層、３は不純物濃度約１×１０16，厚さ約１２μｍの高抵抗のｎ−型層、４は深さ約１μｍ、幅約１μｍ、ボロン注入量約１×１０15／ｃｍ2の比較的高濃度の第１表面層を形成するｐ＋型層であり、第１表面層４は単位セルの周辺に沿って設けられる。４１は第１表面層４で囲まれた表面に設けた深さおよび幅が約０．１５μｍ、ボロン注入量約１×１０14／ｃｍ2の比較的高濃度のストライプ状の第２表面層を形成するｐ＋型層であり、第２表面層４１は単位セルの周縁部において前記第１表面層４と接している。
【００２５】３１は主表面の隣接する二つの第２表面層４１間に露出した幅約０．２μｍの前記ｎ−型層３の表面露出部分である。」
「【００４４】図４（ａ）および図４（ｂ）は前記単位セルの二次元構造の他の例を示す図である。図４（ａ）において、主表面に比較的深くかつ広い幅で形成した第１表面層４は単位セルの周縁部に形成する。また、前記主表面の前記第１表面層４によって囲まれた領域には、比較的浅くかつ幅の狭い第２表面層４１を格子状に配置する。」
　
周知例２：特開平７−６６４３３号公報
　上記周知例２には、図４、図１１（ｃ）、（ｄ）とともに、次の記載がある。
「【００２７】図４において、３1 はＰ＋型の半導体連結領域（第２導電型の高不純物濃度の半導体連結部）であり、その他、図１に示された構成要素と同じ構成要素には同じ符号を付けている。
【００２８】そして、Ｐ＋型の半導体連結領域３1 は、一方の面がｎ型の半導体基体層１の他方の面と同一レベルにあり、他方の面がｎ型の半導体基体層１の内部に達する帯状のものであって、複数の帯状のＰ＋型の半導体領域３の一方の端部を相互に連結するように配置構成されている。」
「【００５９】（省略）図１１（ｃ）に示されている第９の実施例は、１つの
ｐ＋型の半導体領域３の露出面内に、島状に規則的に配置された略正方形の複数のｎ型の半導体基体層１が露出しているパターン形状
１つのｐ＋型の半導体領域３の露出面内に、島状に規則的に配置された略丸形の複数のｎ型の半導体基体層１が露出しているパターン形状
　
周知例３：特開平３−１０５９７５号公報
　上記周知例３には、図１１（ｃ）、（ｄ）、（ｅ）とともに、次の記載がある。「第１１図は本発明の更に異なる実施例を一方の主表面上１側から見たパターン図で示している。（省略）（ｃ），（ｄ）及び（ｅ）は、
第３の半導体領域１５を一体に形成し、ストライプ状，矩形状，円形状の欠如部を多数個設け、その欠如部に第１の半導体領域１３を露出させた構或となっている。
　
周知例４：特開昭５２−２４４６５号公報
　上記周知例４には、第２図とともに、次の記載がある。
「シリコン基板（３）の表面状態を示す第２図から明らかなようにＰ＋形シリコン領域（４）は６本の帯状部分（４ａ）と上下の結合部（４ｂ）（４ｃ）とから成る。従って
平面的にはＰ形シリコン領域（４）の中に複数の短冊形Ｎ形シリコン領域（２）が配置され、Ｐ
＋
形シリコン領域（４）とＮ形シリコン領域（２）とが交互に表面に露呈している。
　
　したがって、引用発明の「ｐ形エミッタ層領域３」と「ｎ形ドリフト層２」の部分に、上記の周知技術を適用することにより、ｐ形エミッタ層領域３が、「断面的に見て前記ｎ形ドリフト層２を挟むように形成され」るのみでなく、「平面的に見て前記ｎ形ドリフト層２を囲むように形成」すること、すなわち、本願補正発明の「平面的に見て前記第１不純物領域を囲むように形成された第２導電型の第２不純物領域」となすことは、当業者が適宜なし得たことと認められる。
　
（５−２）相違点２について
　ＳｉＣ基板に形成されたショットキー接触を有する整流素子において、本願補正発明の第１不純物領域に相当する領域の不純物濃度として、１０１６ｃｍ−３を超える濃度を採用し得ることは、本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である下記周知例５、６に記載されているように、周知の技術事項である。
　
周知例５：特開２００５−１０１１５８号公報
　上記周知例５には、図１とともに、次の記載がある。
「【００２１】また、ｎ＋型ＳｉＣ層３、３、…上には、ｎ＋型ＳｉＣ層３、３、…の上面の一部を露出するように、約２μｍの層厚を有し、Ｎ（窒素）などの
ｎ型不純物ドーパントが約１×１０
１７
ｃｍ
−３
含まれている４Ｈ構造のドリフト層として機能するｎ
−
型ＳｉＣ層４、４、…がそれぞれ形成されている
　
周知例６：特表２００３−５１６６３１号公報
　上記周知例６には、図１とともに、次の記載がある。
「【００３４】図１Ａを参照して、シリコンカーバイド基板１０１は、比較的高濃度にドープされたＮ＋型層１０２と、層１０２よりも少なくドープされたエピタキシャルＮ型層１０４とを含むように示されている。（省略）基板１０２のドーピングレベルは、好ましくは約１×１０１８ｃｍ−３以上であり、
エピタキシャル層１０４のドーピングレベルは好ましくは１×１０
１４
ｃｍ
−３
と約１×１０
１７
ｃｍ
−３
の間である
　
　したがって、引用発明において、上記周知の技術を適用することにより、ｎ形ドリフト層２ドーピング濃度として、１０１５〜１０１６ｃｍ−３とすることに代えて、例えば１０１７ｃｍ−３等の１０１６ｃｍ−３を超える不純物濃度とすること、つまり、本願補正発明の「前記第１不純物領域」が「１×１０16／ｃｍ3〜１×１０18／ｃｍ3の不純物濃度を有し」ているようになすことは、当業者が適宜なし得たことと認められる。
　
（５−３）相違点３について
　引用例２には、従来のショットキバリア整流半導体装置として、ＳｉＣを用いたものではないものの、図２に示されるような、引用発明の「前記凸部の上面において前記ｎ形ドリフト層２と前記金属層４とがショットキー接触をすること」に対応する構造を有するものが記載されている。
　しかしながら、図２の上記構造を有するショットキバリア整流半導体装置は、「φBNの小さなショットキバリア整流半導体装置としての有効面は、ａ部のみとなり、半導体チップ内の有効面積活用率は２０〜５０％程度の低い値となる」（段落【０００５】）という課題を有しており、この課題を解決するために、図３に記載されているように、「一導電型半導体２と電極金属４の接触面をｃ部及びｄ部に増加するためトレンチ溝による三面構造を形成（当審注：この段落の記載によれば、図３に記載された接触面を示す符号「ａ」は、「ｄ」の誤記である）」（段落【０００６】）することにより、順方向電流が流れる有効面積を増加させようとする技術が、引用例２に記載されている。そして、このことは、本願補正発明の「前記凸部の上面および側面において前記第１不純物領域と前記第１電極とがショットキー接触」することに対応する。
　
　したがって、引用発明の「前記凸部の上面において前記ｎ形ドリフト層２と前記金属層４とがショットキー接触をする」構成において、順方向電流が流れる有効面積を増加させるために、引用例２に記載された、凸部の上面のみでなく側面においてもショットキー接触する構造を採用することにより、本願補正発明の「前記凸部の上面および側面において前記第１不純物領域と前記第１電極とがショットキー接触」するようになすことは、当業者が容易になし得たことと認められる。
　
　なお、引用例２の段落【０００６】には、「図３の構造は、シリ−ズ抵抗が比較的、効かない低電流密度領域で、ＶFを大幅に低減できるが、高電流密度領域では接触面積を増加した割合ほど、ＶFを小さくできない」とも記載されており、上記「一導電型半導体２と電極金属４の接触面をｃ部及びｄ部に増加するためトレンチ溝による三面構造」を形成するのみでは上記課題が十分に解決できないことも述べられているが、少なくとも低電流密度領域において図２の実施例よりは有効であることは明らかであるから、引用発明において、引用例２の図３に記載の構成を採用することに阻害要因があるとまでは言えない。
　
（５−４）相違点４について
　ＳｉＣを用いたショットキーダイオードが、高い耐熱性を有すること、及び、ｐｎ接合ダイオードよりも低い電圧で順方向電流を流す特性があることは、引用例１について摘記した上記ａ．とｄ．に記載されているように周知の技術事項であり、このようなＳｉＣを用いたダイオードの好ましい特性を引き出すために、耐熱性の観点からショットキーダイオード動作を保証する所望の温度と、順方向電流が流れる電圧について所望の使用条件を設定し、当該条件に叶うような電極材料を選択することは、当業者が必要により適宜なし得ることである。
　具体的には、上記「（５−２）相違点２について」において検討したように、周知例５，６には、ＳｉＣを用いたショットキー接触を有する整流素子において、本願補正発明の第１不純物領域に相当する領域の不純物濃度として、１０１６ｃｍ−３を超える濃度を採用し得ることが記載されているが、このような不純物濃度において使用可能とされるいくつかのショットキー電極の材料が、周知例５，６に以下のとおり記載されている。
　
周知例５：特開２００５−１０１１５８号公報
「【００２２】ｎ−型ＳｉＣ層４、４、…上には、ｎ−型ＳｉＣ層４、４、…との間でショットキー接合を形成する
Ｍｏ
Ｔｉ
　
周知例６：特開２００３−５１６６３１号公報
「【００３５】好ましくは
チタン
　
　ショットキー電極として使用可能とされている周知の上記金属材料のうち、モリブデンやチタンを採用することは、２５０℃という温度でのショットキーダイオード動作を保証し、０．１Ｖ以下の電圧で順方向電流が流れるようにする、という使用条件を適宜設定することにより、当業者が容易になし得たことである。
　なお、周知例５，６には、本願補正発明の特徴である「前記ショットキー接触におけるショットキー障壁φＢｎ1が、０．４８ｅＶ＜φＢｎ1＜０．８４ｅＶ」を満たす点については記載されていないが、ショットキー障壁高さがショットキー電極材料に固有の仕事関数によって決まることは技術常識であるから、上記使用条件を満たす電極を特定するために、金属材料名に代えてショットキー障壁高さで表現することは、特に困難なことではない。
　
　したがって、引用発明において、「本願補正発明における第１不純物領域に相当する領域の不純物濃度として、１０１６ｃｍ−３以上の濃度」とするとともに、ショットキー電極の材料として、チタンやモリブデンを採用することによって、「前記ショットキー接触におけるショットキー障壁φＢｎ1が、０．４８ｅＶ＜φＢｎ1＜０．８４ｅＶであり、かつ２５０℃の温度でも前記ショットキー接触を確保できる」ようになすことは、周知の技術に基づいて、当業者が適宜なし得たことである。
　
（６）判断についてのまとめ
　以上のとおり、引用発明において、上記相違点１〜４に係る構成とすることは、当業者が容易に想到できたものである。
　
（７）独立特許要件についての検討のまとめ
　本願補正発明は、周知の技術事項を勘案することにより、引用例１，２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　したがって、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項（平成１８年法律５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項をいう。以下同じ。）の規定に適合しない。
　
６．補正却下の決定のむすび
　以上の次第で、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないものであるから、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により、却下すべきものである。
　
第３．本願発明について
１．本願発明
　以上のとおり、本件補正（平成２３年１０月２８日に提出された手続補正書による補正）は却下されたので、本願の請求項１〜６に係る発明は、平成２２年９月２８日に提出された手続補正書により補正された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜６に記載されている事項により特定されるとおりのものであり、そのうち、請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、請求項１に記載されている事項により特定される、上記第２．１．に補正前の請求項１として記載されたとおりのものであり、再掲すると次のとおりである。
　
【請求項１】
「ワイドバンドギャップ半導体よりなる第１導電型の第１不純物領域と、
　前記第１不純物領域内に形成され、かつ平面的に見て前記第１不純物領域を囲むように形成された第２導電型の第２不純物領域と、
　前記第１不純物領域とショットキー接触し、かつ前記第２不純物領域と電気的に接続された第１電極と、
　前記第１電極とは異なる電位を印加可能であり、かつ前記第１不純物領域に電気的に接続された第２電極とを備え、
　前記第１電極と前記第２電極との電位差が変化することにより、前記第１電極と前記第２電極との間に電流を流す状態と、前記第２不純物領域に囲まれる前記第１不純物領域を空乏層化させて前記第１電極と前記第２電極との間の電流経路を遮断する状態とを選択可能で、
　前記第１不純物領域は凸部を有し、
　前記凸部の上面および側面において前記第１不純物領域と前記第１電極とがショットキー接触する、整流素子。」
　
２．引用例１の記載、引用発明と、引用例２の記載
　引用例１の記載、引用発明と、引用例２の記載については、前記第２．５．（３）の（３−１）〜（３−３）において認定したとおりである。
　
３．対比・判断 
　前記第２．の２．（１）と４．（１）で検討したように、本願補正発明は、本件補正前の発明の「ワイドバンドギャップ半導体よりなる第１導電型の第１不純物領域」を、「ＳｉＣよりなる第１導電型の第１不純物領域」と限定し、本件補正前の発明の「前記第１不純物領域は凸部を有し」を「前記第１不純物領域は凸部を有し、かつ１×１０16／ｃｍ3〜１×１０18／ｃｍ3の不純物濃度を有し」と限定し、本件補正前の発明の「前記凸部の上面および側面において前記第１不純物領域と前記第１電極とがショットキー接触する」を「前記凸部の上面および側面において前記第１不純物領域と前記第１電極とがショットキー接触し、前記ショットキー接触におけるショットキー障壁φＢｎ1が、０．４８ｅＶ＜φＢｎ1＜０．８４ｅＶであり、かつ２５０℃の温度でも前記ショットキー接触を確保できる」と限定したものである。逆に言えば、本件補正前の発明（本願発明）は、本願補正発明から、上記の各限定を省いたものである。
　そうすると、本願発明の構成要件をすべて含み、これをより限定したものである本願補正発明が、前記第２．５．において検討したとおり、周知の技術事項を勘案することにより、引用例１，２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、周知の技術事項を勘案することにより、引用例１，２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。 
　
第４．結言 
　以上のとおり、本願発明は、周知の技術事項を勘案することにより、引用例１，２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
　したがって、本願は、他の請求項について検討するまでもなく、拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。