(57)【要約】      （修正有）【課題】粘度の高い処理液を塗布処理するときに処理液の糸引きが起こったとしても、糸引きした処理液を除去することによって処理時間を短縮し、また糸引き処理液の基板への付着を予防する塗布処理装置を提供する。【解決手段】基板保持部６に保持されたウエハＷの周縁部近傍に対して、下方から上昇可能な糸引き除去棒１０ａ、１０ｂが、内カップ体９に設けられている。昇降機構１１ａ、１１ｂによって糸引き除去棒はウエハＷの上面よりも高い位置に移動する。糸引き除去棒の上昇によって、ウエハの周縁部から外方に延びた糸引き状態のレジスト液は除去される。【選択図】図３
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【実用新案登録請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面に粘度の高い処理液を供給して塗布膜を成膜する塗布処理装置であって、
基板を水平に保持し鉛直軸回りに回転させる基板保持部と、
前記基板保持部に保持された基板の周囲を囲う外カップ体と、
前記外カップ体の内部に基板の裏面に対向する位置に設けられる内カップ体と、
前記基板に供給された処理液が回転による遠心力で前記基板周縁部より外側に流出したときの前記処理液を捕捉するための液捕捉機構と、
を備えることを特徴とする塗布処理装置。
【請求項２】
前記液捕捉機構で捕捉される処理液は、前記基板周縁部から糸状に延びた処理液であることを特徴とする請求項１に記載の塗布処理装置。
【請求項３】
前記液捕捉機構は、基板が前記基板保持部に保持されたときの基板の周縁端部の近傍に、前記内カップ体または外カップ体より出没または進退可能に移動させる移動機構を備えていることを特徴とする請求項１に記載の塗布処理装置。
【請求項４】
前記液捕捉機構は、棒状に構成されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の塗布処理装置。
【請求項５】
前記内カップ体から上方に向けて出没する液捕捉機構の頂部の高さは、前記液捕捉機構が上昇した際には、前記基板保持部に保持された基板の表面より高くなることを特徴とする請求項３又は４に記載の塗布処理装置。
【請求項６】
前記外カップ体から基板に向けて水平方向に進退する液捕捉機構の先端は、基板の厚みと同じかそれ以上の厚みを有していることを特徴とする請求項３又は４に記載の塗布処理装置。
【請求項７】
前記外カップ体から下方に向けて出没する液捕捉機構の先端は、前記液捕捉機構が下降した際には、前記基板の裏面側の表面よりも下に位置することを特徴とする請求項３又は４に記載の塗布処理装置。
【請求項８】
前記液捕捉機構は、
前記基板保持部に保持されたときの基板の周縁端部を囲むように配置された前記基板の径よりも大きい内径を有するリング体と
前記基板保持部に保持されたときの基板の表面以上の高さに前記リング体の頂部を上昇させる昇降機構と、を備えていることを特徴とする請求項１に記載の塗布処理装置。
【請求項９】
前記リング体の縦断面は、頂部が三角形の頂点となっていることを特徴とする請求項８に記載の塗布処理装置。
【考案の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この考案は、例えば半導体ウエハや円形基板等の製造プロセスにおいて使用される処理液を基板に供給して塗布膜を形成する塗布処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、半導体デバイスの製造においては、例えば半導体ウエハやＦＰＤ基板等（以下にウエハ等という）にレジスト液を塗布し、マスクパターンを露光処理して回路パターンを形成させるために、フォトリソグラフィ技術が利用されている。このフォトリソグラフィ技術においては、スピンコーティング法によりウエハ等にレジスト液を塗布し、これにより形成されたレジスト膜を所定の回路パターンに応じて露光し、この露光パターンを現像処理することによりレジスト膜に回路パターンが形成されている。このようなフォトリソグラフィ工程においては、一般にレジスト液の塗布を行う塗布処理ユニットと現像処理を行う現像ユニットとを備えた塗布現像処理装置、および当該塗布現像処理装置と露光装置とを接続したシステムが用いられている。
【０００３】
従来から塗布処理ユニットでレジスト液の塗布を行う塗布処理方法としては、ウエハ上の中心位置などにレジスト液を供給してウエハを回転させることで、ウエハ上の全面にレジスト液を伸展させて塗布膜を形成するスピンコーティング法が知られている。この様なスピンコーティング法を使うと、特許文献１示すように、伸展した処理液をウエハの外周端部から遠心力により外側方向に飛散させて、不要なレジスト液を回転により振り切って棄てている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１１−０６７８１０号公報（図１８）
【考案の概要】
【考案が解決しようとする課題】
【０００５】
近年、３Ｄ−ＮＡＮＤの製造における塗布処理において求められる膜厚は１０μｍ前後を求められており、厚くなって来ている。この様な厚膜用のレジスト液は粘度が高く従来の様に遠心力で成膜を行おうとすると、ウエハの周縁部に到達したレジスト液が振り切られる過程で、レジスト液の粘度が高いために流れ易い方向に引き延ばされて、その先端部が最終的には糸を引く（糸引き）状態になる。図１１はこの様に糸引きした状態の処理液を示している。プロセス処理は糸を引く状態が解消できるまで処理を継続しなければならず処理時間も掛かってしまう。また、糸引き状態のレジスト液の根元が残ることになり、ウエハの裏面側を汚す原因にもなることが知られている。
【０００６】
この考案は、上記事情に鑑みてなされたもので、レジスト液等の粘度の高い処理液を塗布処理するときに処理液の糸引きが起こったとしても、糸引きした処理液を除去することによって処理時間を短縮することができ、また糸引き処理液の基板への付着を予防することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前記問題を解決するために、この考案の塗布処理装置は、基板の表面に粘度の高い処理液を供給して塗布膜を成膜する塗布処理装置であって、基板を水平に保持し鉛直軸回りに回転させる基板保持部と、前記基板保持部に保持された基板の周囲を囲う外カップ体と、前記外カップ体の内部に基板の裏面に対向する位置に設けられる内カップ体と、前記基板に供給された処理液が回転による遠心力で前記基板周縁部より外側に流出したときの前記処理液を捕捉するための液捕捉機構と、を備えている（請求項１）。ここで、本考案で言うところの粘度の高いとは、例えば３０００ｃｐ〜１００００ｃｐの粘度を有する処理液である。また、この液捕捉機構を使って捕捉する液は、例えば基板周縁部から糸状に延びた処理液をキャッチするものである（請求項２）。
【０００８】
この様に構成することにより、高粘度処理液を成膜する最終工程で基板周縁部から糸状に処理液が延びて途切れない状態を、液捕捉機構によりキャッチすることができ、処理時間を短くすることが可能となり生産性の向上をさせることが出来る。
【０００９】
また、請求項１の考案において液捕捉機構は、基板の周縁部の外側で必要なタイミングで出没可能に構成されていることが好ましく、そのための移動機構を備えていてもよい（請求項３）。また、液捕捉機構は、内カップや外カップに設けられて糸状の処理液を捕捉するための位置に先端部が位置するものであってもよく、たとえば前記液捕捉機構は、棒状に構成されていてもよい（請求項４）。
【００１０】
この様に構成することにより、液捕捉機構は内カップおよび外カップに設けることが出来るので必要なタイミングでのみ昇降、出没させることで糸状の処理液をキャッチすることが出来る。
【００１１】
また、請求項３および請求項４の考案において液捕捉機構は、前記内カップ体から上方に向けて出没する液捕捉機構の頂部の高さは、液捕捉機構が上昇した際には基板保持部に保持された基板の表面より高く設定されていてもよい（請求項５）。また、前記外カップ体から基板の水平方向に進退する液捕捉機構の先端は、基板の厚みと同じかそれ以上の厚みを有することが好ましい（請求項６）。また、前記外カップ体から下方に向けて出没する液捕捉機構の先端は、前記基板の裏面側の表面よりも下に位置するように設定されることがよい（請求項７）。この様にすることで液捕捉機構は糸状の処理液を捕捉できる最適な位置に配置することが出来る。
【００１２】
また、請求項１の考案において、基板が基板保持部に保持されたときの基板の周縁端部の近傍に、前記基板の径よりも大きい内径を有するリング体を設けて前記リング体が昇降可能とされていてもよい（請求項８）。前記リング体の液捕捉機構は、リング体の縦断面が三角形であり、その頂部が三角形の頂点となっていてもよい（請求項９）。
【００１３】
この様に構成することにより、このリング体は基板の全周をカバーして糸状の処理液を捕捉することが可能となる。またリング体の縦断面は、頂部が三角形の頂点として配置される形状とすることで、糸状の処理液がリング体の表面に積もって付着することはない。
【考案の効果】
【００１４】
本考案によれば、基板上に厚みのある塗布膜を被膜処理するときに発生する糸引き状態の処理液を、最適なタイミングで捕捉して除去できるので、処理時間を短縮することが出来ると共に、糸引きした処理液の跳ね返りによる基板への付着汚染を予防できる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本考案の実施の形態に係る塗布処理装置を搭載したレジスト塗布現像処理装置の平面図である。
【図２】図１のレジスト塗布現像処理装置の斜視図である。
【図３】本考案の実施の形態に係る塗布処理装置の構造を説明するための塗布処理装置の縦断面を模式的に示した説明図である。
【図４】本考案の実施の形態に係る塗布処理装置における液捕捉機構である糸き除去棒とウエハとの位置関係を平面視で説明した説明図である。
【図５】図４の糸き除去棒によって糸引き処理液を除去している様子を示す側面の説明図である。
【図６】糸き除去棒が外カップの内縁に設けられた場合の塗布処理装置の要部の縦断面を模式的に示した説明図である。
【図７】糸き除去棒が外カップを水平方向に貫通して設けられた場合の塗布処理装置の要部の縦断面を模式的に示した説明図である。
【図８】液捕捉機構がリング体の場合の塗布処理装置の要部の縦断面を模式的に示した説明図である。
【図９】図８のリング体とウエハとの位置関係を平面視で説明した説明図である。
【図１０】図８のリング体によって糸引き処理液を除去する際の動作を示す説明図であり、（ａ）はリング体の上昇前の様子、（ｂ）はリング体が上昇して糸引き処理液を除去したときの様子、（ｃ）は糸引き処理液の除去後リング体が降下したときの様子を示している。
【図１１】本考案の課題に係る糸引き状態の処理液の様子を示す斜視図である。
【考案を実施するための形態】
【００１６】
まずこの考案の実施の形態に係る塗布処理装置が組み込まれるレジスト塗布現像処理装置の形態として、図１、図２に示した、半導体基板であるウエハのレジスト塗布現像処理装置に適用した場合について説明する。レジスト塗布現像処理装置には、キャリアブロックＳ１が設けられており、その載置台２１上に載置された密閉型の基板収納容器であるキャリア２０から、開閉部２２を介して受け渡しアームＣがウエハＷを取り出して、キャリアブロックＳ１の奥側に筐体２４で囲まれた処理ブロックＳ２に受け渡し、処理ブロックＳ２から受け渡しアームＣが処理済みのウエハＷを受け取ってキャリア２０に戻すように構成されている。
【００１７】
前記処理ブロックＳ２は、図２に示すように、この例では現像処理を行うため現像処理装置の第１のブロック（ＤＥＶ層）Ｂ１、Ｂ２、本考案が適用可能な、レジスト膜の下層側に形成される反射防止膜の形成処理を行うため下層反射防止膜塗布装置が設けられる第２のブロック（ＢＣＴ層）Ｂ３、本考案が適用可能な、レジスト膜の塗布を行うためレジスト塗布処理装置が設けられる第３のブロック（ＣＯＴ層）Ｂ４、本考案が適用可能な、レジスト膜の上層側に形成される反射防止膜の形成を行うため上層反射防止膜塗布装置が設けられる第４のブロック（ＴＣＴ層）Ｂ５を、下から順に積層して構成されている。
【００１８】
レジスト塗布現像処理装置は、第１のブロック（ＤＥＶ層）Ｂ１，Ｂ２、レジスト膜の下層側に形成される反射防止膜の形成処理を行うための第２のブロック（ＢＣＴ層）Ｂ３、レジスト膜の塗布を行うための第３のブロック（ＣＯＴ層）Ｂ４、レジスト膜の上層側に形成される反射防止膜の形成を行うための第４のブロック（ＴＣＴ層）Ｂ５、を有している。
【００１９】
例えば、第３のブロック（ＣＯＴ層）Ｂ４を例にとると、各層については、図１に示すように、ＣＯＴユニット２６内にレジストを塗布処理する塗布処理カップ２８が例えば３個設けられている。そして、搬送アームＡ４の直線搬送路を挟む形で、加熱及び冷却系の処理ユニット群Ｕ１，Ｕ２，Ｕ３，Ｕ４がそれぞれ前記直線搬送路に面して並べられている。この処理ユニット群Ｕ１，Ｕ２，Ｕ３，Ｕ４はそれぞれ２段に構成されており、図１の図面では合計８個の処理ユニットが存在することになる。図１のＣＯＴユニット２６（詳細な図示せず）には、ウエハＷを回転自在で吸着保持できるスピンチャックである基板保持部６と、この基板保持部６を囲むように設けられる塗布処理カップ２８を備えており、基板保持部６に吸着されたウエハＷ上面に吐出ノズル（図示せず）から、例えばレジスト液を適量吐出して厚さが均一に近い塗布膜を形成する液処理が行われる。
【００２０】
更に処理ブロックＳ２には、図１に示すように棚ユニットＵ５（詳細構成は図示せず）が設けられ、キャリアブロックＳ１からのウエハＷは、受け渡しアームＣによって棚ユニットＵ５の受け渡しユニットとなる、３本のピンが立設してなるトラジションステージＴＲＳ１、ＴＲＳ２（図示省略）に受け渡される。そして、第２のブロック（ＢＣＴ層）Ｂ３の対応する冷却処理ユニットＣＰＬ２（クーリングプレート）（図示省略）に、棚ユニットＵ５の横近傍に設けられた昇降自在な受け渡しアームＤによって順次搬送される。また、処理ブロックＳ２のキャリアブロックＳ１と反対側に位置するインターフェイスブロックＳ３に隣接する位置には、棚ユニットＵ６が設けられている。棚ユニットＵ６は棚ユニットＵ５と同様に構成されており、受け渡しアームＥでウエハＷを各層に昇降可能に構成されている。なお、棚ユニットＵ５は、図示しないクーリングプレートＣＰＬ、トラジションステージＴＲＳ１，ＴＲＳ２を複数備えており、それらを積層して構成されている。
【００２１】
前記第２のブロック（ＢＣＴ層）Ｂ３内の搬送アーム（図示せず）は、棚ユニットＵ５の冷却処理ユニットＣＰＬからウエハＷを受け取って、各ユニット（反射防止膜ユニット及び加熱・冷却系の処理ユニット群）に搬送し、これらユニットにてウエハＷには反射防止膜が形成される。同様にして、ＢＣＴ層Ｂ３で処理の完了したウエハＷは、棚ユニットＵ６の冷却処理ユニットＣＰＬに搬送されて、受け渡しアームＥによりＣＯＴ層Ｂ４に対応する冷却処理ユニットＣＰＬに搬送され、ＣＯＴ層Ｂ４の搬送アームＡ４によって各処理ユニットに運ばれてレジスト塗布処理が行われる。
【００２２】
この後は冷却処理ユニットＣＰＬに運ばれ、前述と同様に受け渡しアームＤが受け取り冷却処理ユニットＣＰＬに受け渡され、次いでＴＣＴ層Ｂ５の搬送アーム（図示せず）によって搬送された後、目的の反射防止膜処理がなされる。この後に棚ユニットＵ６の冷却ユニットＣＰＬに受け渡されて、受け渡しアームＥによりトラジションステージＴＲＳ３，ＴＲＳ４（図示省略）にウエハＷが受け渡される。このウエハＷをインターフェイスブロックＳ３にある受け渡しアームＦにより露光機Ｓ４に受け渡しをすることになる。露光が完了して露光機Ｓ４から搬出されたウエハＷは受け渡しアームＦが受け取り、ウエハＷを支持するための３ピンが出没可能に構成されてなる冷却処理ユニットＣＰＬ（図示せず）に受け渡された後、現像処理がＤＥＶ層Ｂ１、Ｂ２（詳細構成は図示せず）にて行われる。その後、冷却処理ユニットＣＰＬ（図示せず）に受け渡され、所定の温度に調整された後、キャリアブロックＳ１の受け渡しアームＣが受け取ってキャリア２０に収納される。
【００２３】
次に図３に示される前述の例えばＣＯＴユニット２６に適用する本考案の実施の形態にかかる塗布処理装置について説明する。ＣＯＴユニット２６はウエハＷを回転自在に吸着保持するチャックである基板保持部６と、基板保持部６を回転させるための回転駆動機構１と、基板保持部６との間の回転軸２を備えている。ウエハＷの搬入受け渡しをするときには、リフトピン５とリフトピン機構４による昇降動作が行われ、搬送アームＡ４から搬入されるウエハＷをリフトピン５に載置させる。その後このリフトピン機構４を下降させることでウエハＷを基板保持部６に吸着させる動作を行う。
【００２４】
ウエハＷを収容するため塗布処理カップ２８は、外カップ体８と内カップ体９を有している。外カップ体８は処理液がウエハＷの回転によって余分な処理液が拡散してウエハＷの周縁から飛散した処理液を受け留めるものである。内カップ体９は、同様に飛散した液が下方に流れるものを受ける位置に配置されている。外カップ体８は収容されたウエハＷよりも上方にて円形に開口している。内カップ体９は、回転軸２が中心を貫通した円形のカップベース３によって固定される様に設けられ、基板保持部６に保持されたウエハＷの裏面より下になる位置にて下向きの傾斜を有した傘状に設置される。
【００２５】
処理液は図示しない処理液の供給ノズルからウエハＷの中心に、例えばレジスト液が供給される。供給された処理液は回転による遠心力によってウエハＷの全面に拡げて被膜する。なお、処理液を供給する前に、ウエハＷの濡れ性を向上させて処理液の拡散を改善するためのシンナーを供給しておいても良い。
【００２６】
この外カップ体８と内カップ体９とによって、カップ内部を排気する排気流路１４が形成される。また処理液の廃液が流れてこれを受け止める外カップ体８の底部には廃液管１３が設けられ、排気中に含まれる処理液を分離する気液分離流路７が外カップ体８と内カップ体９との間に形成されている。排気はカップ底部に設けられるダクト挿入管１５が排気ダクト１６に接合されて排気される。処理液の廃液はカップ底部に設けられる前記した廃液管１３によって排出される。
【００２７】
次に本考案の液捕捉機構である、糸引きした処理液を捕捉して除去するための機構の説明を図３乃至図９にて説明する。先ずは図３乃至図６に基づいて液捕捉機構を説明する。内カップ体９においてウエハＷの周縁部の端部の近傍位置に、棒状の糸引き除去棒１０ａ、１０ｂが、内カップ体９を貫通して出没可能に構成されている。内カップ体９には、この糸引き除去棒１０ａ、１０ｂが内カップ体９を貫通して摺動するための孔カバー１２が設けられている。
【００２８】
図３における引き除去棒１０ａ、１０ｂは、動作状態をわかり易くするために、便宜上引き込まれた状態と、突出した状態とを、左右別々に示すものであり、糸引き除去棒１０ａ、１０ｂを出没させるための昇降機構１１ａ、１１ｂが、それぞれ内カップ体９の下部に設けられている。なお、動作としては同一の動作となる。糸引き除去棒１０ｂは上昇した状態ではウエハＷの表面よりも高い位置に先端が位置する。図４はウエハＷから処理液を糸引き状態で回転しているところを糸引き除去棒１０（１０ａ、１０ｂ）が突出した状態で捕捉している平面図であり、図５は側面図である。ウエハＷへの塗布処理の最終工程において膜厚が目標になったところで、回転している状態のウエハＷの周縁部の各所から糸引きした処理液Ｓが発生して途切れずに延びているので、糸引き除去棒１０を上昇させる。なお糸引き除去棒１０を上昇させるタイミングでのウエハＷの回転数は、例えば２５００回転であるが、上昇後に糸引きした処理液Ｓを捕捉するときには、回転数を１００回転程度に下げることが好ましい。次いで、膜厚は目標値になっているので糸引きした処理液Ｓを捕捉したところで塗布処理を終了させる。このときにウエハＷの回転数を例えば３０回転〜６０回転の様に更に低下させることで、糸引き除去棒１０を下降させるときの液の切れが良くなる。
【００２９】
次に図６、図７に糸引き除去棒１０を外カップ体８に設置した例を説明する。図６は糸引き除去棒１０をウエハＷの上方からウエハＷの周縁部の近傍に上下させるものであり、外カップ体８の開口部の近くに糸引き除去棒１０の上下機構１７を備える。この場合には糸引き除去棒１０が下降した時点で、ウエハＷの裏面側の表面よりも下方に除去棒１０の先端が位置する。図７に示す形態は外カップ体８の側面部に糸引き除去棒１０を設置して、ウエハＷの断面方向（水平方向）から糸引き除去棒１０を進退させるものである。この場合に糸引き除去棒１０はウエハＷの厚みと同じであるか、厚みよりも幅のある棒状物を進退させるものである。
【００３０】
次に図８、図９を用いて糸引き除去棒１０を使わない構造例を説明する。なお、ＣＯＴユニット２６の細かい構造に変更はないので記載は省略するものとする。図８はＣＯＴユニット２６の右側部分の断面を示し、糸引き除去棒１０の配置位置に、糸引き除去棒１０に代えてリング体３０を設けたものである。このリング体３０はリング形状であり、ウエハＷの近傍にて、例えば直径３０４〜３０７ｍｍの直径を有してウエハＷの外周部を囲う様に設置される。
【００３１】
リング体３０の縦断面は上方を頂点とする三角形状であり、より好ましくはウエハＷ側が垂直面となる直角三角形が良い。縦断面が三角形状であるため、糸引きした処理液ＳがウエハＷ周縁の対向面を越えたとしても、下向きに傾斜面を有するため、濡れ性を向上するシンナーが当たることで処理液の除去が容易に出来て流れ易い。リング体３０は糸引き除去棒１０と同様に、必要な処理タイミングで昇降が出来る様にリング体昇降機構３１と接続された構成をされている。
【００３２】
リング体３０の動作を説明する。図９はウエハＷを例えば２５００回転の高回転で回転させながら処理液を成膜させている状態であり、リング体３０の配置を示している。図１０（ａ）は処理液がウエハＷの全周の不特定箇所にて糸引きしたものを捕捉する前（下降位置）を示している。この後にリング体３０を上昇させて糸引き状態の処理液Ｓのつながりをカットする共に、引き続き伸びる処理液Ｓをリング体３０で受け止める状態を図１０（ｂ）に示す。リング体３０を上昇させるタイミングでウエハＷの回転数を例えば１００回転に下げる。
【００３３】
図１０（ｃ）はリング体３０を下降させた状態を示す。リング体３０を下降させるタイミング時またはその前から回転数を３０回転〜６０回転程度に更に下げて、リング体３０の下降と同時にウエハＷの回転を停止させる。これによりウエハＷ側の糸引きした処理液とリング体３０との液切れが良くなる。このためウエハＷの裏面などにも糸引きした処理液が付着することもない。
【００３４】
前述の糸引き除去棒１０の昇降機構１１ａ、１１ｂや上下機構１７及び進退機構１８とリング体昇降機構３１は図示しない制御部からの動作信号によって動作する移動機構である。また、ＣＯＴユニット２６における回転駆動機構や基板保持部６の吸着動作およびリフトピン機構４を使ってのウエハＷの受け渡し動作は、全て制御部（図示せず）の信号指示に基づいて行われる。
【００３５】
この考案に係る塗布処理装置を半導体ウエハの塗布・現像処理システムのレジスト液の配管回路に適用する場合について説明したが、複数の基板同士を張り合わせるためのボンダー装置の接着剤の塗布処理装置についてもこの考案は適用できる。
【符号の説明】
【００３６】
Ｓ                    処理液
Ｗ                    ウエハ
６                    基板保持部
８                    外カップ体
９                    内カップ体
１０、１０ａ、１０ｂ  糸引き除去棒
１１ａ、１１ｂ        昇降機構
１７                  上下機構
１８                  進退機構
３０                  リング体
３１                  リング体昇降機構
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
0003213760.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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