【事件の表示】
　特願２００７−２６１４４２号「リソグラフィ装置、リソグラフィ装置とプロセシングモジュールとの組合せ、及び、デバイス製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２０年　４月２４日出願公開、特開２００８−　９８６３５号〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１９年（２００７年）１０月５日（パリ条約による優先権主張　２００６年１０月１２日　米国）を出願日とする特願２００７−２６１４４２号であって、平成２３年４月２１日付けで拒絶理由が通知され、同年７月２０日付けで手続補正がなされたが、同年９月８日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、平成２４年１月１０日に拒絶査定不服審判の請求がなされ、同時に手続補正がなされ、その後、同年６月２２日付けで前置報告書の内容について審判請求人の意見を事前に求めるための審尋がなされ、同年９月２４日付けで回答書が提出され、同年１２月２８日付けで当審において拒絶理由が通知され、平成２５年４月３日付けで手続補正がなされたものである。
　
第２　本願発明
　本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成２５年４月３日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。
　
「パターニングデバイスから基板上へパターンを転写するリソグラフィ装置と、プロセシングシステムと、の組合せであって、
　前記リソグラフィ装置は、前記基板を既定の温度サイクルにさらす一体型露光後ベークデバイスを備え、
　前記プロセシングシステムは、基板を前記リソグラフィ装置へ提供するとともに前記リソグラフィ装置から基板を受け取る基板インタフェースと、基板プロセシングに関する機能のサブセットを実施する少なくとも２つのプロセシングモジュールと、を備え、
　前記少なくとも２つのプロセシングモジュールの合計処理能力は、前記リソグラフィ装置の処理能力よりも大きく、
　前記２つのプロセシングモジュールの一方は長い処理を要する基板のロットを扱い、前記２つのプロセシングモジュールの他方は短い処理で済む基板のロットを扱い、
　前記基板インタフェースに設けられたバッファを使用することにより、前記２つのプロセシングモジュールの一方で処理した遅いロットの基板が、前記２つのプロセシングモジュールの他方が他のロットを処理する間に、集められる、
組合せ。」
　
第３　引用例
　当審において通知した拒絶理由に引用した、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開平１０−２８４４１３号公報（以下「引用例１」という。）、特開２００１−４２９１６号公報（以下「引用例２」という。）には、以下の技術事項が記載されている。（後述する引用発明の認定に関連する箇所に下線を付した。）
　
（１）引用例１
ア「【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところで、化学増幅型レジストは、上記したように露光処理によってレジスト内部に酸を発生させ、加熱処理によって酸の触媒作用によるレジストの化学反応を促進させるものである。このため、雰囲気中にアルカリ物質が存在すると、レジスト内部に発生した酸が中和され、酸の触媒作用が失活してレジストの化学反応が阻害されることになる。そこで、基板処理装置１、３には、その上部全体を覆うように配設されたクリーンベンチに化学吸着フィルタを設置して、雰囲気中からアルカリ物質を除去するようにしている。しかしながら、雰囲気中のアルカリ物質を完全に除去することは困難である。従って、レジスト中の酸とアルカリ物質との中和反応を極力抑えるためには、露光処理後からベーク部ＰＥＢでの加熱処理までの時間を出来るだけ短くする必要がある。
【０００８】ところが、図６に示したような従来の装置では、露光処理された基板は、露光装置ＳＴから一旦インタフェース部ＩＦへ渡され、インタフェース部ＩＦ内を搬送されて、インタフェース部ＩＦから搬送ユニットＴＲへ渡され、搬送ユニットＴＲによりベーク部ＰＥＢへ搬送される。このように、露光処理後の基板をベーク部ＰＥＢへ搬送する過程でインタフェース部ＩＦでの基板の受け渡し工程が介在するため、露光処理後からベーク部ＰＥＢでの加熱処理までに時間がかかることになる。この結果、加熱処理時における酸の触媒作用が低下してレジストの化学反応が不十分となり、現像処理したときにレジストパターンの形状異状が発生して、製品の歩留りが低下する、といった問題点がある。
……（中略）……
【００１０】露光装置ＳＴの露光処理部とベーク部ＰＥＢとの間における基板の搬送時間のばらつきがあると、雰囲気中のアルカリ物質の影響によりレジストの露光部分における架橋反応または分解反応の進み具合がばらつく。この結果、現像処理後におけるレジスト膜上のパターンの線幅がばらつき、製品の歩留りが大きく低下する、といった問題点があった。
……（中略）……
【００１３】この発明は、以上のような事情に鑑みてなされたものであり、露光処理された基板を加熱処理するまでの時間を短縮し、かつ、基板の露光処理が終了してから加熱処理されるまでの時間の基板間でのばらつきを無くして、現像処理品質の低下を防ぐとともに現像処理品質の均一化を図り、製品歩留りを向上させることができる基板処理装置を提供すること、ならびに、露光処理された基板を加熱処理するまでの時間を短縮し、かつ、基板の露光処理が終了してから加熱処理されるまでの時間の基板間でのばらつきを無くして、現像処理品質の低下を防ぐとともに現像処理品質の均一化を図り、製品歩留りを向上させることができる露光装置を提供することを目的とする。」
　
イ「【００３２】
【発明の実施の形態】
　以下、この発明の好適な実施形態について図１ないし図５を参照しながら説明
 する。
【００３３】図１は、この発明に係る
基板処理装置に露光装置を連設した装置
この基板処理装置１０は、
複数の基板処理部を有する基板処理エリア１２、およびインタフェース部ＩＦとを備えて構成されている。基板処理エリア１２には、
コーティング処理部ＳＣ、
２つの現像処理部ＳＤ１、ＳＤ２が配置されている。
　
ウ「【００３９】図１に示した基板処理装置１０および露光装置ＳＴにおける基板の処理フローを図２に示す。この図２に基づいて基板の処理手順を説明すると、まず、インデクサ部ＩＤからカセットに収納された
処理前の基板が１枚ずつ搬送ユニットＴＲへ供給される。搬送ユニットＴＲへ供給された基板は、
コーティング処理部ＳＣ、
へと順番に搬送されながら、それぞれの基板処理部により所要の処理が施される。これにより、基板の表面にレジスト膜が塗布形成される。次に、表面にレジスト膜が形成された基板は、搬送ユニットＴＲからインタフェース部ＩＦへ渡され、
インタフェース部ＩＦを通して露光装置ＳＴへ搬入される。
露光処理が終了した基板は、
ベーク部ＰＥＢで加熱処理された後冷却処理部ＣＰ３で冷却処理され、その後に、インタフェース部ＩＦへ戻され、インタフェース部ＩＦを通して搬送ユニットＴＲへ受け渡される。搬送ユニットＴＲに戻された露光処理済みの基板は、現像処理部ＳＤ１、ＳＤ２、
により所要の処理が施される。
【００４０】次に、図５により、この発明に係る露光装置について説明する。図５は、この発明の実施形態の１例を示す露光装置の概略平面図である。
【００４１】この
露光装置５０は、ベーク部ＰＥＢおよび冷却処理部ＣＰ３をそれ自体に備えており、ベーク部ＰＥＢおよび冷却処理部ＣＰ３が設けられていない基板処理装置に連設されて使用される。露光装置５０には、ステッパ（図示せず）が設けられた露光処理部５２、
が配設されている。
基板搬送ロボット５８は、露光処理部から取り出された露光処理後の基板Ｗを直ちに受け取って、その基板Ｗをベーク部ＰＥＢに投入する。また、基板搬送ロボット６２は、ベーク部ＰＥＢにより加熱処理された基板Ｗをベーク部ＰＥＢから取り出して、その基板Ｗを冷却処理部ＣＰ１へ投入し、また、冷却処理部ＣＰ１により冷却処理された基板Ｗを冷却処理部ＣＰ１から取り出して、基板処理装置のインタフェース部ＩＦとの境界位置である基板搬出位置へ搬送する。そして、基板搬送ロボット５８により露光処理部５２から取り出された直後の基板Ｗをベーク部ＰＥＢへ搬送する搬送時間、ベーク部ＰＥＢにおいて基板Ｗを加熱処理する処理時間、基板搬送ロボット６２によりベーク部ＰＥＢから冷却処理部ＣＰ３へ基板Ｗを搬送する搬送時間、ならびに、冷却処理部ＣＰ３において基板Ｗを冷却処理する処理時間は、図示しないコントローラによりそれぞれ一定に保たれるように制御される。
　
エ「
　
　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
　
オ「
　
　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
　
カ「
　
　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
　
　上記ア〜カの記載（図面も含む）から、引用例１には、以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているといえる。
　
「基板処理装置にステッパが設けられた露光処理部が配設された露光装置を連設した装置であって、
　基板処理装置は、コーティング処理部ＳＣ及び２つの現像処理部ＳＤ１、ＳＤ２が配置された基板処理エリア及びインタフェース部ＩＦを備え、
　露光装置は、ベーク部ＰＥＢ及び冷却処理部ＣＰ３をそれ自体に備え、
　露光処理前の基板は、コーティング処理部ＳＣへと搬送され、基板の表面にレジスト膜が塗布形成され、表面にレジスト膜が形成された基板は、インタフェース部ＩＦへ渡され、インタフェース部ＩＦを通して露光装置へ搬入され、
　露光処理部から取り出された露光処理後の基板は、ベーク部ＰＥＢに投入され、加熱処理された基板は、冷却処理部ＣＰ３へ投入され、冷却処理された基板は、基板処理装置のインタフェース部ＩＦとの境界位置である基板搬出位置へ搬送され、その後、インターフェース部ＩＦへ戻され、基板処理装置の基板処理エリアに配置された２つの現像処理部ＳＤ１、ＳＤ２により所要の処理が施され、
　露光処理部から取り出された直後の基板をベーク部ＰＥＢへ搬送する搬送時間、ベーク部ＰＥＢにおいて基板を加熱処理する処理時間、ベーク部ＰＥＢから冷却処理部ＣＰ３へ基板を搬送する搬送時間、ならびに、冷却処理部ＣＰ３において基板を冷却処理する処理時間は、コントローラによりそれぞれ一定に保たれるように制御される、
　装置。」
　
（２）引用例２
キ「【００５０】図８は本実施例のカラーフィルタ生産ラインの構成を示すブロック図である。
【００５１】この生産ラインは、ガラス基板投入装置１１０を先頭に、以下洗浄機１１１、塗布機１１２、プリベーク１１３、ガラス基板の滞留を調整するバッファ１１４、露光機１１５、ＰＥＢ（Ｐｏｓｔ　Ｅｘｐｏｓｕｒｅ　Ｂａｋｅ：ホットプレート）１１６、バッファ１１７、並列に配置された描画装置１１８〜１２０、定着機１２１、キュア１２２、そしてガラス基板収納装置１２３が順次配置されている。
【００５２】図９は本実施例のカラーフィルタ生産ラインのネットワーク構成を示すブロック図である。
【００５３】図９中、１１０Ａ〜１２３Ａは図８に示すプロセス装置群がそれぞれ内部に有している制御装置である（１１０Ａが図７における制御装置１０２に相当する）。
【００５４】上記構成において、ガラス基板投入装置１１０にセットされたガラス基板は、予め設定した所定の投入タクトタイムに応じて生産ラインに順次投入される。そして、洗浄機１１１〜ＰＥＢ１１６で処理を施され、次に描画装置１１８〜１２０の何れかで処理を施される。更に、定着機１２１、キュア１２２での処理を経て、ガラス基板収納装置１２３にて不図示のコンテナ等に収納される。
【００５５】図１１は本実施例の各プロセスの処理時間の平均値を示す図である。
【００５６】図１１に示すように、リードタイムの最も長い描画装置１１８〜１２０の処理時間は、各々１９５、１８０、１９５ｓｅｃである。これらの装置が３台とも稼働している場合は、ガラス基板投入装置１１０は、６２．７（＝（１９５＋１８０＋１９５）／３／３）ｓｅｃ毎にガラス基板を投入すると生産ライン全体のバランスが最も効率良い状態となる。また、描画装置の何れかが故障している場合は、９３ｓｅｃあるいは９６ｓｅｃのガラス基板投入が最もバランスが良い状態となる。」
　
ク「【図８】
　
　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
 　 
ケ「
　
　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
　
第４　対比・判断
（１）本願発明と引用発明の対比
ア　引用発明の「基板」、「基板処理装置」、「ステッパが設けられた露光処理部が配設された露光装置」及び「インターフェース部ＩＦ」は、それぞれ、本願発明の「基板」、「プロセシングシステム」、「パターニングデバイスから基板上へパターンを転写するリソグラフィ装置」及び「基板インタフェース」に相当する。
　また、引用発明の「基板処理装置にステッパが設けられた露光処理部が配設された露光装置を連設した装置」は、本願発明の「パターニングデバイスから基板上へパターンを転写するリソグラフィ装置と、プロセシングシステムと、の組合せ」に相当する。
　
イ　本願明細書の段落【００３７】には、「ＰＥＢ工程は、基板Ｗを所定の温度サイクルにさらす工程、例えば、第一期間内で基板Ｗを第一温度に加熱し、第二期間中この第一温度を保ち、その後第三期間内で、第一温度よりも低い第二温度へ基板Ｗを冷却する工程、からなる」と記載されていることを参酌すると、本願発明の「既定の温度サイクル」とは、加熱することのみならず冷却することも含むものと解釈できる。
　そうすると、引用発明の「露光装置は、ベーク部ＰＥＢ及び冷却処理部ＣＰ３をそれ自体に備え」ることが、本願発明の「前記リソグラフィ装置は、前記基板を既定の温度サイクルにさらす一体型露光後ベークデバイスを備え」ることに相当する。
　
ウ　本願明細書の段落【００５２】の「プロセシングシステムは、基板処理に関する機能のサブセットを実施する少なくとも２つのプロセシングモジュールをさらに備える。機能のサブセットとは、基板のコーティング、露光前のソフトベーク、基板の現像、基板のバッファリング、及び、基板の測定、からなる群から選択される１つ以上の機能である。」という記載及び段落【００５５】の「上記少なくとも２つのプロセシングモジュールのうち１つのプロセシングモジュールが、基板を受け取り、コーティングし、インタフェースユニットへ搬送するコーティングモジュールを備えることができる。また、上記少なくとも２つのプロセシングモジュールのうちの１つのプロセシングモジュールが、インタフェースユニットから基板を受け取って現像する現像モジュールを備えることができる。また、上記少なくとも２つのプロセシングモジュールのうちの１つのプロセシングモジュールが、コーティングモジュールと現像モジュールとの組合せを備えてもよく、かかる組合せは、基板を受け取り、コーティングし、インタフェースユニットへ搬送し、またインタフェースユニットから基板を受け取り、現像するように構成される。」という記載を参酌すると、引用発明の「コーティング処理部ＳＣ」、「現像処理部ＳＤ１」及び「現像処理部ＳＤ２」は、本願発明の「基板プロセシングに関する機能のサブセットを実施する」「プロセシングモジュール」に相当する。
　したがって、引用発明の「基板処理装置は、コーティング処理部ＳＣ及び２つの現像処理部ＳＤ１、ＳＤ２が配置された基板処理エリア及びインタフェース部ＩＦを備え、露光処理前の基板は、コーティング処理部ＳＣへと搬送され、基板の表面にレジスト膜が塗布形成され、表面にレジスト膜が形成された基板は、インタフェース部ＩＦへ渡され、インタフェース部ＩＦを通して露光装置へ搬入され、露光処理部から取り出された露光処理後の基板は、ベーク部ＰＥＢに投入され、加熱処理された基板は、冷却処理部ＣＰ３へ投入され、冷却処理された基板は、基板処理装置のインタフェース部ＩＦとの境界位置である基板搬出位置へ搬送され、その後、インターフェース部ＩＦへ戻され、基板処理装置の基板処理エリアに配置された２つの現像処理部ＳＤ１、ＳＤ２により所要の処理が施され、」ることは、本願発明の「前記プロセシングシステムは、基板を前記リソグラフィ装置へ提供するとともに前記リソグラフィ装置から基板を受け取る基板インタフェースと、基板プロセシングに関する機能のサブセットを実施する少なくとも２つのプロセシングモジュールと、を備え」ることに相当する。
　
　以上ア〜ウで述べたことからして、本願発明と引用発明は、
「パターニングデバイスから基板上へパターンを転写するリソグラフィ装置と、プロセシングシステムと、の組合せであって、
　前記リソグラフィ装置は、前記基板を既定の温度サイクルにさらす一体型露光後ベークデバイスを備え、
　前記プロセシングシステムは、基板を前記リソグラフィ装置へ提供するとともに前記リソグラフィ装置から基板を受け取る基板インタフェースと、基板プロセシングに関する機能のサブセットを実施する少なくとも２つのプロセシングモジュールと、を備えた、組合せ。」
　である点で一致し、以下の点で相違する。
　
［相違点１］
　本願発明は、少なくとも２つのプロセシングモジュールの合計処理能力は、リソグラフィ装置の処理能力よりも大きいのに対し、引用発明は、そのような発明特定事項を備えていない点。
　
［相違点２］
　本願発明は、２つのプロセシングモジュールの一方は長い処理を要する基板のロットを扱い、２つのプロセシングモジュールの他方は短い処理で済む基板のロットを扱うものであるのに対し、引用発明はそのような発明特定事項を備えていない点。
　
［相違点３］
　本願発明は、基板インタフェースに設けられたバッファを使用することにより、２つのプロセシングモジュールの一方で処理した遅いロットの基板が、２つのプロセシングモジュールの他方が他のロットを処理する間に、集められるのに対し、引用発明は、そのような発明特定事項を備えていない点。
　
（２）判断
　上記相違点について検討する。
　
　相違点１について
　一般に、リソグラフィ装置の技術分野において、リソグラフィ装置の稼働効率を最大にする観点から、リソグラフィ装置の処理能力よりも、リソグラフィ装置と組合わせるプロセシングモジュールの処理能力を大きくすること（例えば、特開２００２−７５８１４号公報の段落【００５９】参照。）は技術常識であるから、引用発明において、２つの現像処理部ＳＤ１、ＳＤ２等の合計処理能力を露光装置の処理能力よりも大きくして、上記相違点１に係る発明特定事項を得ることは当業者であれば容易になし得ることである。
　
　相違点２、３について
　引用例２には、ガラス基板（本願発明の「基板」に相当）の描画装置１１８及び１１９（本願発明の「２つのプロセシングモジュール」に相当）における処理時間について、前者が１９５秒（本願発明の「長い処理」に相当）、後者が１８０秒（本願発明の「短い処理」に相当）であることが記載（公報の段落【００５６】、【図８】及び【図１１】参照。）されているように、２つのプロセシングモジュールの一方は長い処理を要する基板のロットを扱い、他方は短い処理で済む基板のロットを扱うことは普通に知られており、引用発明の２つの現像処理部ＳＤ１、ＳＤ２等においても、扱う基板のロットとして一方に長い処理を要する基板のロットを扱い、他方に短い処理で済む基板のロットを扱うようにすることは当業者であれば適宜なし得ることである。
　また、基板インタフェースにバッファを設けることは、例えば、（特開２００１−２７４０５７号公報の【０００４】、【０００５】、特開平９−９２７０２号公報の【００３５】等参照）にも記載されているように周知技術であるから、必要に応じて引用発明のインタフェース部ＩＦにバッファを設けることは当業者であれば適宜なし得ることである。そして、バッファを設けた場合には、引用発明のコーティング処理部ＳＣ及び２つの現像処理部ＳＤ１、ＳＤ２の何れかで処理した基板が集められることとなるが、必要に応じてこれらの処理部の中の何れかの処理部で処理されたロットの基板を集めるようにする程度のことは設計的事項にすぎないから、特にコーティング処理部ＳＣ及び２つの現像処理部ＳＤ１、ＳＤ２の中の処理時間の長い処理部で処理したロットの基板（本願発明の「遅いロットの基板」に相当）を集めるようにすることに格別困難性があるとは認められない。
　したがって、上記相違点２、３に係る発明特定事項を得ることは当業者であれば容易になし得ることである。
　
　そして、本願発明によってもたらされる効果は、引用発明、引用例２に記載された事項、技術常識及び周知技術から当業者が容易に予測し得る程度のものである。
　
（３）小括
　よって、本願発明は、引用発明、引用例２に記載された事項、技術常識及び周知技術に基いて当業者が容易に発明することができたものである。
　
第５　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用発明、引用例２に記載された事項、技術常識及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。したがって、その余の請求項に係る発明について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。