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　特願２００５−　６８３７８「イメージセンサ及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年１０月　６日出願公開、特開２００５−２７７４０９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１７年３月１１日（パリ条約による優先権主張２００４年３月２２日、大韓民国）の出願であって、平成２３年４月１４日付けの拒絶理由通知に対して、同年８月１０日に手続補正書及び意見書が提出されたが、平成２４年３月５日付けで拒絶査定がなされ、それに対して、同年７月２日に拒絶査定に対する審判請求がなされたものである。
　
２．本願発明
　本願の請求項８に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成２３年８月１０日になされた手続補正により補正された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項８に記載されている事項により特定される以下のとおりのものである。
　
「【請求項８】
　基板上に形成されたフォトダイオードを有する素子及びその上の素子保護膜と、
　該素子保護膜の上に形成されたマイクロレンズと、
　該マイクロレンズの上に形成され、バンプ形成工程中に前記マイクロレンズを保護するためのマイクロレンズ保護膜であって、該マイクロレンズ保護膜は、酸化窒化膜及び窒化膜からなる群の中から選択されたいずれか１つの膜、若しくは前記群の中から選択された２つの膜が積層された膜である、マイクロレンズ保護膜と、
　該マイクロレンズ保護膜及び前記素子保護膜がエッチングされて形成されたパッドオープン部と、
　該パッドオープン部に形成されたバンプと
　を備えることを特徴とするイメージセンサ。」
　
３．引用刊行物に記載された発明
（３−１）特開２００２−１００７５５号公報
（３−１−１）原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先主張の日前である平成１４年４月５日に日本国内において頒布された特開２００２−１００７５５号公報（以下「引用刊行物１」という。）には、図１ないし１０とともに、以下の事項が記載されている。（なお、下線は、当審において付与したものである。以下、同じ。）
　
「【０００１】
【発明が属する技術分野】本発明は、半導体装置に関し、特に、金属ラインの表面が損傷または汚染されないようにすることにより、デバイスの収率を向上させることができるＣＭＯＳイメージセンサに関する。」
「【０００３】図１乃至図４は、従来のＣＭＯＳイメージセンサを製造する方法を示す断面図である。ここで、図面符号１００及び１５０は、それぞれ半導体構造体の単位画素領域部分及びパッドオープン領域部分を示す。
【０００４】図１に示すように、一連の工程を実行して上部に金属ライン１０１を有する半導体構造体を作成する。金属ライン１０１上に約３００Åの厚さに非反射層１０２を形成した後、素子保護層に用いられる酸化膜１０３及び窒化膜１０４を構造体全面に積層形成する。
【０００５】
図２に示すように、窒化膜１０４、酸化膜１０３及び非反射層１０２を選択的にエッチングして金属ライン１０１の一部分を露出させてパッドオープン領域１０５を形成する。
【０００６】図３に示すように、染色されたフォトレジスト１０６を全体構造上に塗布し、露光工程及び現像工程を実行して光感知領域のみにカラーフィルタ１０６ａを形成する。この場合、パッドオープン領域１０５を覆っている染色されたフォトレジスト１０６は、現像工程で除去される。その後、１４５℃乃至１５０℃の温度で熱処理を実行する。
【０００７】
図４に示すように、カラーフィルタをパターンニングした後、得られた構造体を現像溶液に浸漬する。この結果、金属ライン１０７の表面が高抵抗を有する酸化膜１０８により覆われるため、金属ボール（ｍｅｔａｌ　ｂａｌｌ）のコンタクトの質が低下するという問題点が発生する。
「【００１１】
【発明の実施の形態】次に、本発明にかかるＣＭＯＳイメージセンサ及びその製造方法の実施の形態の具体例を図面を参照しながら説明する。
【００１２】
図５は、本発明の実施例によるＣＭＯＳイメージセンサを示す断面図である。図５に示すように、本発明に係るＣＭＯＳイメージセンサは、パッドオープン領域３１０を有する半導体構造体と、一部分が露出された金属ライン３０１と、素子保護層に用いられる酸化膜３０３及び窒化膜３０４と、カラーフィルタ３０５と、カラーフィルタ３０５及び素子保護層上に形成された平坦化フォトレジスト３０６と、平坦化フォトレジスト３０６上に形成されたマイクロレンズ３０７と、及び構造体全面に形成された低温酸化膜３０８とからなる。
【００１３】この時、低温酸化膜３０８は、１５０℃乃至２００℃の温度で３０００Å乃至１００００Åの厚さに形成する。本発明に係るＣＭＯＳイメージセンサは、さらに、金属ライン３０１上に形成した非反射層３０２を備えることが望ましい。
【００１４】以下、図６乃至図１０を参照して、図５に示した本発明に係るＣＭＯＳイメージセンサを製造する方法について説明する。
【００１５】
図６に示すように、一連の工程の実行を経て上部に金属ライン３０１を有する半導体構造体が用意される。その後、水分または擦り傷（ｓｃｒａｔｃｈ）から半導体構造体を保護するために、構造体全面に素子保護層を形成する。素子保護層として、酸化膜３０３及び窒化膜３０４を積層して形成することができる。
【００１６】図７に示すように、カラーフィルタアレイ工程を実行してカラーフィルタ３０５を形成する。カラーフィルタ３０５は、赤色カラーフィルタ、緑色カラーフィルタ及び青色カラーフィルタからなる。この場合、カラーフィルタアレイ工程は、染色されたフォトレジストを塗布するステップと、露光工程及び現像工程とを実行して光感知領域のみにカラーフィルタ３０５を形成するステップと、熱処理工程を実行するステップとからなる。
図７に示したように、平坦化フォトレジスト３０６を半導体構造体の単位画素アレイ領域部分３００の上部領域に形成する。
【００１７】
図８に示すように、平坦化フォトレジスト３０６上にマイクロレンズ３０７を形成した後、洗浄工程を実行する。
【００１８】
図９に示すように、低温酸化膜３０８を１５０℃乃至２００℃範囲の温度で３０００Å乃至１００００Åの厚さに形成する。
【００１９】
図１０に示すように、フォトレジストパターン３０９を形成した後、低温酸化膜３０８、窒化膜３０４及び酸化膜３０３をエッチングしてパッドオープン領域３１０を形成する。それから、フォトレジストパターン３０９を除去して洗浄工程を実行した後、パッケージ工程の実行を経て、ＣＭＯＳイメージセンサデバイスを得る。
　
（３−１−２）そうすると、引用刊行物には、以下の発明（以下「刊行物発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
「単位画素アレイ領域部分３００を含む半導体構造体と、
　前記半導体構造体全面に形成され、酸化膜３０３及び窒化膜３０４からなる素子保護層と、
　素子保護層上に形成された平坦化フォトレジスト３０６と、
　平坦化フォトレジスト３０６上に形成されたマイクロレンズ３０７と、
　前記半導体構造体全面に形成された低温酸化膜３０８と、
　前記低温酸化膜３０８、前記窒化膜３０４及び前記酸化膜３０３をエッチングして形成されたパッドオープン領域３１０と
　を備えるＣＭＯＳイメージセンサデバイス。」
　
（３−２）特開２０００−１３８３６１号公報
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先主張の日前である平成１２年５月１６日に日本国内において頒布された特開２０００−１３８３６１号公報（以下「引用刊行物２」という。）には、図１及び２とともに、以下の事項が記載されている。
　
「【発明の実施の形態】以下、図１及び図２を参照して、本発明固体撮像装置及びその製造方法の実施の形態の例につき説明する。この図１及び図２において、図３に対応する部分には同一符号を付して示す。
【００２１】本例においては、従来と同様に１つのウェーハに複数個の固体撮像素子チップ２の撮像領域１が形成されたものを用意する。この複数個の固体撮像素子チップ２の撮像領域１が形成されたウェーハは、例えばポリシリコン（PolySi）より成るＣＣＤの転送電極２０を形成すると共に遮光膜２１を形成するまでは従来と同様に形成する如くする。」
「【００２９】次に、本例においては、このオンチップマイクロレンズ８及び全固体撮像素子チップ２上に亘って、比較的硬い例えばガラスと同程度の硬さを有するＳｉＯ2 をプラズマＣＶＤで所定厚さ堆積して保護層２５を形成し、その後、この保護層２５の表面を平坦化する。
【００３０】この場合、図１に示す如く、この保護層２５に、この固体撮像素子チップ２の電気的接続に必要なパッド部３に夫々対応して孔２５ａを形成する如くする。その後、図１に示す如く、この保護層２５の電気的接続用の孔２５ａに半田バンプ２６を形成する如くする。この半田バンプ２６の代わりに金線ボンド等であっても良い。」
　
４．対比
（４−１）刊行物発明は、「ＣＭＯＳイメージセンサデバイス」であって、「単位画素アレイ領域部分３００」には、フォトダイオードを有していることが明らかであるから、刊行物の「単位画素アレイ領域部分３００を含む半導体構造体」は、本願発明の「基板上に形成されたフォトダイオードを有する素子」に相当する。
　
（４−２）刊行物発明の「酸化膜３０３及び窒化膜３０４からなる素子保護層」は、本願発明の「素子保護膜」に相当する。
　
（４−３）刊行物発明において、「マイクロレンズ３０７」は、「酸化膜３０３及び窒化膜３０４からなる素子保護層」の上に形成されていることは明らかであるから、刊行物発明の「マイクロレンズ３０７」は、本願発明の「素子保護膜の上に形成されたマイクロレンズ」に相当する。
　
（４−４）刊行物発明において、「低温酸化膜３０８」は、「マイクロレンズ３０７」の上に形成されていることが明らかであるから、刊行物発明の「低温酸化膜３０８」と、本願発明の「マイクロレンズ保護膜」とは、「マイクロレンズの上に形成され」た「膜」という点で、共通する。
　
（４−５）刊行物発明の「低温酸化膜３０８、」「窒化膜３０４及び」「酸化膜３０３をエッチングして形成されたパッドオープン領域３１０」は、本願発明の「膜及び」「素子保護膜がエッチングされて形成されたパッドオープン部」に相当する。
　
（４−６）そうすると、本願発明と刊行物発明とは、
「基板上に形成されたフォトダイオードを有する素子及びその上の素子保護膜と、
　該素子保護膜の上に形成されたマイクロレンズと、
　該マイクロレンズの上に形成された膜と、
　該膜及び前記素子保護膜がエッチングされて形成されたパッドオープン部と
　を備えることを特徴とするイメージセンサ。」
である点で一致し、次の２点で相違する。
　
（相違点１）本願発明では、「マイクロレンズの上に形成された膜」が、「バンプ形成工程中に前記マイクロレンズを保護するためのマイクロレンズ保護膜であって、該マイクロレンズ保護膜は、酸化窒化膜及び窒化膜からなる群の中から選択されたいずれか１つの膜、若しくは前記群の中から選択された２つの膜が積層された膜である」であるのに対して、刊行物発明では、「低温酸化膜３０８」について、そのような特定がなされていない点。
　
（相違点２）本願発明では、「パッドオープン部に形成されたバンプ」を備えるのに対して、刊行物発明では、「パッドオープン領域３１０」について、そのような特定がなされていない点。
　
５．判断
　以下、上記相違点について、検討する。
（５−１）相違点２について
　引用刊行物１の従来技術に関する、「【０００５】
図２に示すように、窒化膜１０４、酸化膜１０３及び非反射層１０２を選択的にエッチングして金属ライン１０１の一部分を露出させてパッドオープン領域１０５を形成する。
【０００６】図３に示すように、染色されたフォトレジスト１０６を全体構造上に塗布し、露光工程及び現像工程を実行して光感知領域のみにカラーフィルタ１０６ａを形成する。この場合、パッドオープン領域１０５を覆っている染色されたフォトレジスト１０６は、現像工程で除去される。その後、１４５℃乃至１５０℃の温度で熱処理を実行する。
【０００７】
図４に示すように、カラーフィルタをパターンニングした後、得られた構造体を現像溶液に浸漬する。この結果、金属ライン１０７の表面が高抵抗を有する酸化膜１０８により覆われるため、金属ボール（ｍｅｔａｌ　ｂａｌｌ）のコンタクトの質が低下するという問題点が発生する。
　したがって、上記相違点２は、実質的なものでないか、仮に実質的なものであったとしても、当業者が容易になし得た範囲に含まれる程度のものである。
　
（５−２）相違点１について
　引用刊行物１に、「【００１９】図１０に示すように、フォトレジストパターン３０９を形成した後、低温酸化膜３０８、窒化膜３０４及び酸化膜３０３をエッチングしてパッドオープン領域３１０を形成する。それから、フォトレジストパターン３０９を除去して洗浄工程を実行した後、パッケージ工程の実行を経て、ＣＭＯＳイメージセンサデバイスを得る。」と記載されているように、「パッドオープン領域３１０」を形成した後には、完成品としての「ＣＭＯＳイメージセンサデバイス」を得るまでに、さまざまな工程が行われ、そのような工程の中には、上記（５−１）において述べたように、「パッドオープン領域３１０」に「金属ボール（ｍｅｔａｌ　ｂａｌｌ）」のような電極を形成する工程も含まれているものと認められる。そして、そのような工程を行う際に、「低温酸化膜３０８」が、「マイクロレンズ３０７」を保護する機能を有していることは、当業者であれば、当然に察知しうることである。また、一般に、保護膜として「窒化膜」を用いることも、以下の周知例に記載されているように、従来から周知の技術である。
　
（周知例）
　本願の優先主張の日前である平成１０年７月３１日に日本国内において頒布された特開平１０−２０００８３号公報には、図１ないし７とともに、以下の事項が記載されている。
「【００１７】
【発明の実施の形態】以下、補色系のオンチップカラーフィルタが設けられているＣＣＤ型固体撮像素子に適用した本願の発明の第１〜第３実施形態を、図１〜５を参照しながら説明する。図１が、第１実施形態を示している。この第１実施形態の製造に際しても、図２に示す様に、赤フィルタ３３ａ及び青フィルタ３３ｂを平坦化膜３２上でパターニングするまでは、図６、７に示した一従来例を製造する場合と実質的に同様の工程を実行する。」
「【００２７】なお、第１実施形態の製造工程では、オンチップレンズ材としてフォトレジスト３５、４３を用い、パターニングしたフォトレジスト３５、４３のリフローのみによってオンチップレンズ４１、４５を形成している。しかし、フォトレジスト以外のオンチップレンズ材上でオンチップレンズのパターンのフォトレジストをリフローさせ、フォトレジストが残らなくなるまでフォトレジスト及びオンチップレンズ材の全面をエッチバックしてオンチップレンズを形成してもよい。
【００２８】図４が、第２実施形態を示している。この第２実施形態は、２００℃以下のＥＣＲ−ＣＶＤ法で薄く堆積させたＳｉＮ膜や薄く塗布したアクリル系樹脂膜等である保護膜４７がオンチップレンズ４１、４５等を覆っていることを除いて、図１に示した第１実施形態と実質的に同様の構成を有している。」
　
　そうすると、上記（５−１）において検討したように、刊行物発明において、「パッドオープン領域３１０」に、「バンプ電極」を形成した場合に、「低温酸化膜３０８」に換えて、周知の保護膜である「窒化膜」を用いることにより、本願発明のように、「バンプ形成工程中に前記マイクロレンズを保護するためのマイクロレンズ保護膜であって、該マイクロレンズ保護膜は、」「窒化膜からなる」「膜である」構成とすることは、当業者が容易になし得たことである。
　したがって、相違点１は、当業者が容易になし得た範囲に含まれる程度のものである。
　
（５−３）まとめ
　以上検討したとおり、本願発明と刊行物発明との相違点は、引用刊行物２に記載された技術及び周知技術を勘案することにより、当業者が容易に想到し得た範囲に含まれる程度のものにすぎず、本願発明は、引用刊行物１及び２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
６．むすび
　以上のとおりであるから、本願は、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、拒絶をすべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。