【事件の表示】
　特願２００８−５１１８５０「ＰＣＭセルにおける“先溶融”領域の制御方法及びそれにより得た装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年１１月２３日国際公開、ＷＯ２００６／１２３３０６、平成２０年１１月２０日国内公表、特表２００８−５４１４７５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯
　本願は、平成１８年５月１８日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００５年５月１９日、アメリカ合衆国）を国際出願日とする特許出願であって、平成２２年５月２８日付けの拒絶理由通知に対して同年９月１日に意見書及び手続補正書が提出されたが、同年１０月２２日付けで拒絶査定がなされた。
　それに対して、平成２３年２月２８日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに手続補正書が提出され、その後、平成２４年１月３０日付けで審尋がなされ、同年４月２５日に回答書が提出された。
　
第２．補正の却下の決定
【補正の却下の決定の結論】
　平成２３年２月２８日に提出された手続補正書による補正を却下する。
　
【理由】
１．補正の内容
　平成２３年２月２８日に提出された手続補正書による補正（以下「本件補正」という。）は、補正前の特許請求の範囲の請求項１〜５を、補正後の特許請求の範囲の請求項１〜５と補正するものであり、補正前後の請求項１は各々次のとおりである。
　
（補正前）
　「【請求項１】
　相変化材料の少なくとも一つのパターン化層を備え、該少なくとも一つのパターン化層の各々が異なる抵抗率を有する少なくとも２つの領域を備えることを特徴とする相変化メモリセル。」
　
（補正後）
　「【請求項１】
　相変化材料の少なくとも一つのパターン化層を備え、該少なくとも一つのパターン化層が、基板に沿って配置された、異なる抵抗率を有する少なくとも２つの領域を備えることを特徴とする相変化メモリセル。」
　
２．本件補正による補正事項
　本件補正による補正事項を整理すると次のとおりである。
　
（１）補正事項１
　補正前の請求項１の「該少なくとも一つのパターン化層の各々が異なる抵抗率を有する少なくとも２つの領域を備えること」を、「該少なくとも一つのパターン化層が、基板に沿って配置された、異なる抵抗率を有する少なくとも２つの領域を備えること」と補正して、補正後の請求項１とすること。
　
（２）補正事項２
　補正前の請求項２の「前記少なくとも一つのパターン化層の各々が２つの外側領域間の中央領域からなり、」を、「前記少なくとも一つのパターン化層が２つの外側領域間の中央領域からなり、」と補正して、補正後の請求項２とすること。
　
３．新規事項の追加の有無、及び補正の目的の適否についての検討
（１）補正事項１について
　補正事項１は、補正前の請求項１に係る発明の発明特定事項である「少なくとも一つのパターン化層」に対して、技術的限定を加えるものものであるから、特許法第１７条の２第４項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項をいう。以下同じ。）第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　したがって、補正事項１は、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たす。
　また、補正事項１により補正された部分は、本願の願書に最初に添付した明細書（以下「当初明細書」という。また、本願の願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面をまとめて「当初明細書等」という。）の００１０段落、００１１段落及び００１４段落並びに図３及び５等に記載されているものと認められるから、補正事項１は、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものである。
　したがって、補正事項１は、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものであるから、特許法第１７条の２第３項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項をいう。以下同じ。）に規定する要件を満たす。
　
（２）補正事項２について
　補正事項２は、補正事項１と整合するように、補正前の請求項２を補正するものであるから、特許法第１７条の２第４項第４号に掲げる明瞭でない記載の釈明を目的とするものに該当する。
　また、補正事項２が、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすことは明らかである。
　したがって、補正事項２は、特許法第１７条の２第３項及び第４項に規定する要件を満たす。
　
（３）新規事項の追加の有無、及び補正の目的の適否についてのまとめ
　以上検討したとおりであるから、本件補正は、特許法第１７条の２第３項及び第４項に規定する要件を満たすものである。
　そして、本件補正は、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする補正を含むものであるから、本件補正による補正後の特許請求の範囲に記載されている事項により特定される発明が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否か、すなわち、本件補正がいわゆる独立特許要件を満たすものであるか否かについて、以下において更に検討する。
　
４．独立特許要件についての検討
（１）補正後の発明
　本件補正による補正後の請求項１〜５に係る発明は、本件補正により補正された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜５に記載されている事項により特定されるとおりのものであり、そのうちの請求項１に係る発明（以下「補正発明」という。）は、請求項１に記載されている事項により特定される、上記１．の「（補正後）」の箇所に記載したとおりのものであり、再掲すると次のとおりである。
　
　「【請求項１】
　相変化材料の少なくとも一つのパターン化層を備え、該少なくとも一つのパターン化層が、基板に沿って配置された、異なる抵抗率を有する少なくとも２つの領域を備えることを特徴とする相変化メモリセル。」
　
（２）引用刊行物に記載された発明
（２−１）本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布され、原査定の根拠となった拒絶の理由において引用された刊行物である特開２００４−２７４０５５号公報（「以下「引用例」という。）には、図２と共に、次の記載がある（ここにおいて、下線は当合議体が付加したものである。以下同じ。）。
　
ａ．「【０００１】
　
本発明は、不揮発性記憶素子及びその形成方法に関するものであり、特に記憶素子の貯蔵セル、ならびに相変化記憶素子及びその形成方法に関するものである。
　
ｂ．「【０００７】
　
本発明の課題は、動作電流を減少させることによって、高集積化に適する相変化記憶素子を提供することにある
　
本発明の他の課題は、動作電流を減少させることによって、高集積化に適する相変化記憶素子の形成方法を提供することにある。
　
ｃ．「【００１６】
　
図２は、本発明の望ましい一実施例による相変化記憶素子を示す断面図である
　図２に示すように、半導体基板１０１の所定の領域に活性領域を限定する素子分離膜１０２が配置される。前記素子分離膜１０２はトレンチ素子分離膜であり得る。前記活性領域に不純物拡散層１０３が配置される。前記不純物拡散層１０３はＭＯＳトランジスタ(図示しない)のソース／ドレイン領域であり得る。
【００１７】
　前記不純物拡散層１０３及び前記素子分離膜１０２を覆う下部層間絶縁膜１０４が配置される。前記下部層間絶縁膜１０４は絶縁膜であるシリコン酸化膜からなることができる。前記下部層間絶縁膜１０４を貫通して前記不純物拡散層１０３の所定の領域と電気的に接続する下部プラグ１０５が配置される。前記下部プラグ１０５は導電膜からなる。例えば、ＴｉＮ、ＴｉＡｌＮ、ＴｉＢＮ、ＴｉＳｉＮ、ＴａＮ、ＴａＡｌＮ、ＴａＢＮ、ＴａＳｉＮ、ＷＮ、ＷＢＮ、ＷＳｉＮ、ＷＡｌＮ、ＺｒＮ、ＺｒＳｉＮ、ＺｒＡｌＮ、ＺｒＢＮ、ＭｏＮ、Ａｌ、Ａｌ−Ｃｕ、Ａｌ−Ｃｕ−Ｓｉ、ＷＳｉｘ、Ｔｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔａ、ＴｉＷ及びＣｕで構成されたグループから選択された少なくとも一つからなることが望ましい。場合によっては、前記下部プラグ１０５及び前記不純物拡散層１０３の間に導電性拡散防止膜(図示しない)を介在させることができる。
【００１８】
　
前記下部層間絶縁膜１０４上に情報貯蔵要素１１５及びバリアパターン１１１'が順次に積層される。前記情報貯蔵要素１１５は前記下部プラグ１０５の上部面と電気的に接続する
　
前記情報貯蔵要素１１５は順次に積層された少なくとも二つの相変化物質パターン１０７ａ'、１０７ｂ'、１０７ｃ'と、隣接した前記相変化物質パターン１０７ａ'、１０７ｂ'、１０７ｃ'の間に各々介在した少なくとも一つの高抵抗相変化物質パターン１０９ａ'、１０９ｂ'とで構成される。この時に、前記高抵抗相変化物質パターン１０９ａ'、１０９ｂ'は前記相変化物質パターン１０７ａ'、１０７ｂ'、１０７ｃ'に比べて高い抵抗を有する。前記情報貯蔵要素１１５の下部面及び上部面は前記相変化物質パターン１０７ａ'、１０７ｃ'からなることが望ましい。図２に示した前記情報貯蔵要素１１５は第１相変化物質パターン１０７ａ'、第１高抵抗相変化物質パターン１０９ａ'、第２相変化物質パターン１０７ｂ'、第２高抵抗相変化物質パターン１０９ｂ'及び第３相変化物質パターン１０７ｃ'が順次に積層された構造を有する。前記情報貯蔵要素１１５は四つ以上の前記相変化物質パターン１０７ａ'、１０７ｂ'、１０７ｃ'及び三つ以上の前記高抵抗相変化物質パターン１０９ａ'、１０９ｂ'を有することができる
　
ｄ．「【００１９】
　前記相変化物質パターン１０７ａ'、１０７ｂ'、１０７ｃ'及び前記高抵抗相変化物質パターン１０９ａ'、１０９ｂ'は、温度によって二つの安定した状態を有する。すなわち、非晶質状態及び結晶状態がそれである。前記相変化物質パターン１０７ａ'、１０７ｂ'、１０７ｃ'及び前記高抵抗相変化物質パターン１０９ａ'、１０９ｂ'は結晶状態であることが望ましい。すなわち、前記情報貯蔵要素１１５の初期状態は結晶状態であり、前記情報貯蔵要素１１５の一部分Ａが結晶状態または非晶質状態に変換することが望ましい。
【００２０】
　結晶状態である前記情報貯蔵要素１１５は非晶質状態である前記情報貯蔵要素１１５に比べて少量の動作電流を要する。言い替えれば、前記結晶状態である情報貯蔵要素１１５にデータをプログラム、または消去する場合に、前記結晶状態である情報貯蔵要素１１５内の電流通路のうち一部分のみを非晶質状態または結晶状態に変換させても、データ判別が容易である。一方、前記非晶質状態である情報貯蔵要素１１５にデータをプログラムまたは消去する場合には、前記情報貯蔵要素１１５内に位置する電流通路の全体を非晶質状態または結晶状態に変換すればデータ判別が容易である。これは、前記情報貯蔵要素１１５が薄膜であるためである。すなわち、結晶状態及び非晶質状態の比抵抗の差を判別することが非晶質状態である前記情報貯蔵要素１１５の厚さによる抵抗の差を判別することに比べて容易である。結果的に、結晶状態である前記情報貯蔵要素１１５は非晶質状態である前記情報貯蔵要素１１５に比べて相変化する一部分Ａが少ない。これによって、前記結晶状態である情報貯蔵要素１１５が前記非晶質状態である情報貯蔵要素１１５に比べて少ない動作電流が求められる。
【００２１】
　前記相変化物質パターン１０７ａ'、１０７ｂ'、１０７ｃ'はカルコゲナイド(ｃｈａｌｃｏｇｅｎｉｄｅ)元素であるテルル（Ｔｅ）及びセレン（Ｓｅ）のうちから選択された少なくとも一つを含む物質からなることが望ましい。例えば、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ａｓ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ａｓ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ｓｎ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ｓｎ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ、５Ａ族元素−Ｓｂ−Ｔｅ、６Ａ族元素−Ｓｂ−Ｔｅ、５Ａ族元素−Ｓｂ−Ｓｅ、６Ａ族元素−Ｓｂ−Ｓｅからなることができる。
【００２２】
　
前記高抵抗相変化物質パターン１０９ａ'、１０９ｂ'は酸化された相変化物質及び窒化された相変化物質のうちから選択された一つからなることが望ましい。前記酸化された相変化物質はカルコゲナイド元素であるテルル（Ｔｅ）及びセレン（Ｓｅ）のうちから選択された少なくとも一つを含有すると同時に酸素Ｏを含有し、前記窒化された相変化物質はカルコゲナイド元素であるテルル（Ｔｅ）及びセレン（Ｓｅ）のうちから選択された少なくとも一つを含有すると同時に窒素Ｎを含む。これによって、前記酸化された相変化物質及び前記窒化された相変化物質は、相変化物質の固有の性質である二つの安定した状態を有すると同時に、相変化物質に比べて抵抗が高い。例えば、前記酸化された相変化物質は上述の各相変化物質に酸素が含まれた物質であり、前記窒化された相変化物質は上述の各相変化物質に窒素が含まれた物質である。
　
ｅ．「【００２６】
　図３は、本実施例による相変化記憶素子のうち情報貯蔵要素の比抵抗を説明するためのグラフである。
グラフにおいて、横軸は情報貯蔵要素の厚さを示し、縦軸は前記情報貯蔵要素の比抵抗(Ｒｅｓｉｓｔｉｖｉｔｙ)を示す
　図２及び図３に示すように、ポイント１６１、１６２、１６３は本実施例による情報貯蔵要素の実験値であり、ポイント１５０は一般的な相変化物質膜で形成された情報貯蔵要素の実験値である。前記ポイント１６１の情報貯蔵要素１１５は三つの前記相変化物質パターン１０７ａ'、１０７ｂ'、１０７ｃ'及び二つの前記高抵抗相変化物質パターン１０９ａ'、１０９ｂ'で構成され、３０ｎｍの厚さに形成した。前記ポイント１６２の情報貯蔵要素１１５は四つの前記相変化物質パターン１０７ａ'、１０７ｂ'、１０７ｃ'及び三つの前記高抵抗相変化物質パターン１０９ａ'、１０９ｂ'で構成され、４０ｎｍの厚さに形成した。前記ポイント１６３の情報貯蔵要素１１５は５個の前記相変化物質パターン１０７ａ'、１０７ｂ'、１０７ｃ'及び四つの前記高抵抗相変化物質パターン１０９ａ'、１０９ｂ'で構成され、５９ｎｍの厚さに形成した。前記ポイント１５０の情報貯蔵要素は一つの相変化物質膜で構成され、５０ｎｍの厚さに形成した。
【００２７】
　
図３に示したように、前記ポイント１６１、１６２、１６３の比抵抗は約２０ｍΩｃｍであり、前記ポイント１５０の比抵抗は約８ｍΩｃｍである。すなわち、前記高抵抗相変化物質パターン１０９ａ'、１０９ｂ'によって前記ポイント１６１、１６２、１６３の情報貯蔵要素は増加した抵抗を有することが分かる。これによって、前記ポイント１６１、１６２、１６３の情報貯蔵要素１１５に発生するジュール熱は増加する。結果的に、動作電流が減少しても、情報貯蔵要素は状態変換のための十分な熱を発生させることができる。言い替えれば、相変化記憶素子は動作電流を減少させることができるので、高集積化に適する
　
ｆ．「【００２８】
　
図４から図６は、図２に示した相変化記憶素子の形成方法を説明するための断面図である
　図４に示すように、半導体基板１０１に活性領域を限定する素子分離膜１０２を形成する。前記素子分離膜１０２はトレンチ素子分離膜で形成することができる。前記活性領域に選択的に不純物イオンを注入して不純物拡散層１０３を形成する。前記不純物拡散層１０３はＭＯＳトランジスタのソース／ドレイン領域であり得る。前記不純物拡散層１０３を有する半導体基板１０１の全面上に下部層間絶縁膜１０４を形成する。前記下部層間絶縁膜１０４はシリコン酸化膜で形成することができる。前記下部層間絶縁膜１０４を貫通して前記不純物拡散層１０３の所定の領域と接触する下部プラグ１０５を形成する。前記下部プラグ１０５は導電膜で形成する。例えば、ＴｉＮ、ＴｉＡｌＮ、ＴｉＢＮ、ＴｉＳｉＮ、ＴａＮ、ＴａＡｌＮ、ＴａＢＮ、ＴａＳｉＮ、ＷＮ、ＷＢＮ、ＷＳｉＮ、ＷＡｌＮ、ＺｒＮ、ＺｒＳｉＮ、ＺｒＡｌＮ、ＺｒＢＮ、ＭｏＮ、Ａｌ、Ａｌ−Ｃｕ、Ａｌ−Ｃｕ−Ｓｉ、ＷＳｉｘ、Ｔｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔａ、ＴｉＷ及びＣｕで構成されたグループから選択された少なくとも一つで形成することができる。
【００２９】
　
前記下部プラグ１０５を有する半導体基板１０１の全面上に、様々な膜が積層された構造の情報貯蔵膜１１４とバリア膜１１１とを順次に形成する。前記情報貯蔵膜１１４は積層された少なくとも二つの相変化物質膜１０７ａ、１０７ｂ、１０７ｃと、隣接した前記相変化物質膜１０７ａ、１０７ｂ、１０７ｃの間に各々介在した少なくとも一つの高抵抗相変化物質膜１０９ａ、１０９ｂとで構成される。
（途中略）
【００３３】
　
図５及び図６を参照すると、前記バリア膜１１１及び前記情報貯蔵膜１１４を連続してパターニングして、順次に積層された情報貯蔵要素１１５及びバリアパターン１１１'を形成する。前記情報貯蔵要素１１５は前記下部プラグ１０５の上部面と電気的に接続する。前記情報貯蔵要素１１５は順次に積層された少なくとも二つの相変化物質パターン１０７ａ'、１０７ｂ'、１０７ｃ'と、隣接した前記相変化物質パターン１０７ａ'、１０７ｂ'、１０７ｃ'の間に各々介在した少なくとも一つの高抵抗相変化物質パターン１０９ａ'、１０９ｂ'とで構成される。
　
（２−２）ここにおいて、０００１段落の「本発明は、・・・特に記憶素子の貯蔵セル、ならびに相変化記憶素子及びその形成方法に関するものである。」という記載、００１８段落の「前記下部層間絶縁膜１０４上に情報貯蔵要素１１５及びバリアパターン１１１'が順次に積層される。前記情報貯蔵要素１１５は前記下部プラグ１０５の上部面と電気的に接続する。　前記情報貯蔵要素１１５は順次に積層された少なくとも二つの相変化物質パターン１０７ａ'、１０７ｂ'、１０７ｃ'と、隣接した前記相変化物質パターン１０７ａ'、１０７ｂ'、１０７ｃ'の間に各々介在した少なくとも一つの高抵抗相変化物質パターン１０９ａ'、１０９ｂ'とで構成される。」という記載、００３３段落の「前記バリア膜１１１及び前記情報貯蔵膜１１４を連続してパターニングして、順次に積層された情報貯蔵要素１１５及びバリアパターン１１１'を形成する。」という記載等から、引用例には、「相変化物質」のパターニングされた「情報貯蔵要素１１５」を備える「相変化記憶素子」の「貯蔵セル」が記載されているものと認められる。
　
（２−３）また、００１８段落の「前記情報貯蔵要素１１５は順次に積層された少なくとも二つの相変化物質パターン１０７ａ'、１０７ｂ'、１０７ｃ'と、隣接した前記相変化物質パターン１０７ａ'、１０７ｂ'、１０７ｃ'の間に各々介在した少なくとも一つの高抵抗相変化物質パターン１０９ａ'、１０９ｂ'とで構成される。この時に、前記高抵抗相変化物質パターン１０９ａ'、１０９ｂ'は前記相変化物質パターン１０７ａ'、１０７ｂ'、１０７ｃ'に比べて高い抵抗を有する。」という記載、００２２段落の「前記高抵抗相変化物質パターン１０９ａ'、１０９ｂ'は酸化された相変化物質及び窒化された相変化物質のうちから選択された一つからなることが望ましい。」という記載、００２７段落の「図３に示したように、前記ポイント１６１、１６２、１６３の比抵抗は約２０ｍΩｃｍであり、前記ポイント１５０の比抵抗は約８ｍΩｃｍである。すなわち、前記高抵抗相変化物質パターン１０９ａ'、１０９ｂ'によって前記ポイント１６１、１６２、１６３の情報貯蔵要素は増加した抵抗を有することが分かる。」という記載等から、「情報貯蔵要素１１５」は、異なる「比抵抗」を有する「相変化物質パターン１０７ａ'、１０７ｂ'、１０７ｃ'」と「高抵抗相変化物質パターン１０９ａ'、１０９ｂ'」とを備えることが明らかである。
　
（２−４）したがって、引用例には次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
　「相変化物質のパターニングされた情報貯蔵要素１１５を備え、前記情報貯蔵要素１１５が、異なる比抵抗を有する相変化物質パターン１０７ａ'、１０７ｂ'、１０７ｃ'と高抵抗相変化物質パターン１０９ａ'、１０９ｂ'とを備えることを特徴とする相変化記憶素子の貯蔵セル。」
　
（３）補正発明と引用発明との対比
（３−１）引用発明の「相変化物質」は、補正発明の「相変化材料」に相当する。
　また、引用発明の「情報貯蔵要素１１５」は、積層された層をパターニングされた層であるから、補正発明の「一つのパターン化層」に相当することが明らかである。
　
（３−２）引用発明の「比抵抗」は、補正発明の「抵抗率」に相当し、引用発明の「異なる比抵抗を有する相変化物質パターン１０７ａ'、１０７ｂ'、１０７ｃ'と高抵抗相変化物質パターン１０９ａ'、１０９ｂ'」は、補正発明の「異なる抵抗率を有する少なくとも２つの領域」に相当する。
　
（３−３）引用発明の「相変化記憶素子の貯蔵セル」は、補正発明の「相変化メモリセル」に相当する。
　
（３−４）以上を総合すると、補正発明と引用発明とは、
　
　「相変化材料の少なくとも一つのパターン化層を備え、該少なくとも一つのパターン化層が、異なる抵抗率を有する少なくとも２つの領域を備えることを特徴とする相変化メモリセル。」
　
　である点で一致し、次の点で一応相違する。
　
（相違点１）
　補正発明は、「異なる抵抗率を有する少なくとも２つの領域」が「基板に沿って配置された」ものであるのに対して、引用発明は、そのように構成することが特定されていない点。
　
（４）相違点についての当審の判断
（４−１）引用例の図２から明らかなように、引用発明は、「相変化物質パターン１０７ａ'、１０７ｂ'、１０７ｃ'」と「高抵抗相変化物質パターン１０９ａ'、１０９ｂ'」とが、それぞれ「半導体基板１０１」上に「半導体基板１０１」に対して平行に形成される構成、すなわち、「相変化物質パターン１０７ａ'、１０７ｂ'、１０７ｃ'」と「高抵抗相変化物質パターン１０９ａ'、１０９ｂ'」とが、それぞれ「半導体基板１０１」から近い距離を保って離れずに形成される構成を備えているから、引用発明においても、「相変化物質パターン１０７ａ'、１０７ｂ'、１０７ｃ'」と「高抵抗相変化物質パターン１０９ａ'、１０９ｂ'」は、「半導体基板１０１」に「沿って配置され」ているものと認められる。
　したがって、引用発明も補正発明のように、「異なる抵抗率を有する少なくとも２つの領域」が「基板に沿って配置され」ているものと認められるから、相違点１は実際には存在しない。
　
（４−２）相違点１については以上のとおりであるが、仮に、補正発明の「該少なくとも一つのパターン化層が、基板に沿って配置された、異なる抵抗率を有する少なくとも２つの領域を備えること」が、「『該少なくとも一つのパターン化層』が、『異なる抵抗率を有する少なくとも２つの領域』が水平方向に並んで配置される構成（いわゆる水平型の構成）となっていること」を意味するものであり、相違点１が存在する場合についても予備的に検討する。
　一般に、相変化メモリにおいて、水平型の相変化層を用いることは、例えば、本願の優先権主張の日前に日本国内又は外国において頒布された刊行物である下記周知例１〜３にも記載されているように、当業者における周知技術である。
　
ａ．周知例１：特開２００５−９３６１９号公報
　上記周知例１には、図１とともに次の記載がある。
　
　「【０００１】
　
本発明は記録素子とこれを用いた電子デバイスに関するものであり、特に、超高密度記録素子に関するものである。
　「【００１８】
　
図１に本発明のメモリトランジスタを提示する。図１（ａ）のように、情報の記録単位（セル）は、第１の電極１及び第２の電極３とその間に相変化材料を用いた記憶部材２を挟んだ構造としている。
【００１９】
　図１（ａ）のように、記憶部材（相変化膜）２が結晶相の場合、第１及び第２の電極間を流れる電流Ｉは流れ易い。一方、記憶部材２が非晶質相の場合、第１及び第２の電極間を流れる電流Ｉは流れにくい。」
　
　上記記載及び図１（ａ）から、上記周知例１には、相変化膜を情報記録単位として用いる記録装置において、水平型の相変化膜を用いることが記載されているものと認められる。
　
ｂ．周知例２：国際公開第２００５／０４１１９６号
　
　上記周知例２には、図５とともに次の記載がある。
　「Figur 5 zeigt eine erste schematisiert dargestellte Prozessierfolge in drei Schritten (a), (b) und (c) fur eine weitere bevorzugte Ausfuhrungsform eines vorgeschlagenen Phasenwechselspeichers 81. Die oberen Darstellungen zeigen jeweils eine Draufsicht entlang der lateralen Ausdehnung 83. Die unteren Darstellungen zeigen jeweils eine Schnittansicht entlang der vertikalen Ausdehnung 85. 
Ausgangsmaterial fur diese grundlegende Prozessierfolge ist ein Siliziumsubstrat 87, auf dem ein Schichtsystem als MESA-Struktur 89 mit den einzelnen Schichten in der Lithographie/Depositionsebene entlang der lateralen Ausdehnung 83 deponiert werden. Das Substrat 87 dient bei dieser Ausfuhrungsform gleichzeitig als Warmesenke. Auf dem Substrat 87 wird zunachst ein Isolator als Warmeleitungsschicht 91 und Isolation aufgebracht. Bei dieser Ausfuhrungsform ist dies eine ZnS:SiO
2
-Schicht, wobei das Verhaltnis von ZnS zu SiO
2
 70:30 betragt. Danach wird ein Phasenwechselmaterial als eine Speichermaterialschicht 93 aufgebracht.
　
（合議体訳文）
　「図５は、提案される相変化メモリ８１の別の好ましい実施形態による、３つのステップ（ａ）、（ｂ）および（ｃ）における第１の概略的に表した処理シーケンスを示す。いずれの場合にも、上側の図は水平方向８３に沿った平面図を示す。いずれの場合にも、下側の図は垂直方向８５に沿った断面図を示す。
この基本的な処理シーケンスにおける出発材料はシリコン基板８７であり、この基板上に、層システムが水平方向８３に沿うリソグラフィ／蒸着面に個々の層を含むＭＥＳＡ構造８９として蒸着される。この実施形態においては、基板８７は同時にヒートシンクとして役立つ。最初に、熱伝導層９１および絶縁としての絶縁物が基板８７に付着される。この実施形態においては、前記絶縁物はＺｎＳ：ＳｉＯ
２
層であり、ＺｎＳ：ＳｉＯ
２
の割合は７０：３０である。その後、相変化材料がメモリ材料層９３として付着される。
　
　上記記載及び図５から、上記周知例２には、相変化メモリにおいて、相変化材料からなる水平型のメモリ材料層を用いることが記載されているものと認められる。
　
ｃ．周知例３：特開昭６１−２２９３７８号公報
　上記周知例３には、第２図とともに次の記載がある。
　
　「〔従来技術〕
　
従来、アモルファス半導体装置は、第１図（審決注：「第２図」の誤記）に示すごとく、絶縁基板に対しアモルファスシリコン等のアモルファス半導体を水平に形成することを通例としていた
　
すなわち、第２図ではシリコン基板１上にシリコン酸化膜２が形成され、該シリコン酸化膜２上にアモルファス半導体３が形成され、表面補護膜４を介して電極５，６が形成され成っていた
　
これらアモルファス半導体装置は、電極間にパルス電圧を印加してアモルファス状態と結晶状態とをスイッチさせて、電気的導通をオン、オフさせて用いる等している。
　
　上記記載から、上記周知例３には、アモルファス状態と結晶状態とをスイッチさせて、電気的導通をオン、オフさせるアモルファス半導体装置において、水平型のアモルファス半導体を用いることが記載されているものと認められる。
　
（４−３）そして、引用例の０００７段落に記載されているように、引用発明は、「動作電流を減少させることによって、高集積化に適する相変化記憶素子を提供すること」を課題とするものであるものであるが、一般に、メモリにおいて、高集積化及びそれを実現するための低消費電力化（低電圧・低電流化）は、当業者が常に念頭に置いている課題であるから、周知の水平型の相変化層を用いた相変化メモリにおいても、「動作電流を減少させることによって、高集積化に適する相変化記憶素子を提供する」という課題が存在することは、当業者であれば直ちに察知し得たことである。
　また、高抵抗相変化物質を設けることにより、垂直型であるか水平型であるかに関係なく、低電流で大きな熱量が発生することは当業者にとって自明である。
　したがって、引用発明に接した当業者であれば、周知の水平型の相変化層を用いた相変化メモリにおいて、「動作電流を減少させることによって、高集積化に適する」ものとするために、引用発明を当該周知の水平型の相変化層を用いた相変化メモリに転用し、「相変化物質パターン１０７ａ'、１０７ｂ'、１０７ｃ'」と「高抵抗相変化物質パターン１０９ａ'、１０９ｂ'」が水平方向に並んで配置される構成とすること、すなわち、補正発明のように、「『該少なくとも一つのパターン化層』が、『異なる抵抗率を有する少なくとも２つの領域』が水平方向に並んで配置される構成（水平型の構成）」とすることは、容易になし得たことである。
　したがって、たとえ相違点１が存在する場合であっても、当該相違点１は、当業者が容易になし得た範囲に含まれる程度のものである。
　
（４−４）以上検討したとおりであるから、補正発明は、引用例に記載された発明（引用発明）であり、また、仮に、引用例に記載された発明であるとまではいえなかったとしても、補正発明は、周知技術を勘案することにより引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（５）独立特許要件についてのまとめ
　以上のとおりであるから、補正発明は、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許出願の際独立して特許を受けることができず、また、仮に、特許法第２９条第１項第３号に該当するとまではいえなかったとしても、補正発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　したがって、本件補正は、補正後の特許請求の範囲の請求項１に記載されている事項により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項をいう。以下同じ。）の規定に適合しない。
　
５．補正の却下の決定のむすび
　以上検討したとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないものであるから、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３．本願発明について
　平成２３年２月２８日に提出された手続補正書による補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜５に係る発明は、平成２２年９月１日に提出された手続補正書により補正された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜５に記載されている事項により特定されるとおりのものであり、そのうちの請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、請求項１に記載されている事項により特定される、上記第２．１．の「（補正前）」の箇所に記載したとおりのものである。
　一方、本願の出願前に日本国内において頒布され、原査定の根拠となった拒絶の理由において引用された刊行物である特開２００４−２７４０５５号公報（引用例）には、各々上記第２．４．（２）に記載したとおりの事項及び発明（引用発明）が記載されているものと認められる。　
　そして、本願発明に対して技術的事項を付加した発明である補正発明は、上記第２．４．において検討したとおり、引用例に記載された発明（引用発明）であり、また、仮に、引用例に記載された発明であるとまではいえなかったとしても、補正発明は、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、当然に、引用例に記載された発明（引用発明）であり、また、仮に、引用例に記載された発明であるとまではいえなかったとしても、本願発明は、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　したがって、本願発明は、特許法第２９条第１項第３号の規定に該当し、特許を受けることができず、また、仮に、特許法第２９条第１項第３号に該当するとまではいえなかったとしても、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
第４．むすび
　以上のとおりであるから、他の請求項について検討するまでもなく、本願は拒絶をすべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。