【事件の表示】
　特願２００７−５３９４７６「色変換材料を有する発光ダイオード装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年　５月１１日国際公開、ＷＯ２００６／０４８０６４、平成２０年　６月　５日国内公表、特表２００８−５１９４４４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯  
　本願は、２００５年８月２４日（パリ条約による優先権主張外国庁受理　２００４年１１月３日、ドイツ）を国際出願日とする出願であって、平成２２年８月２７日付け拒絶理由通知に対して、同年１１月２９日に手続補正がなされたが、平成２３年６月１４日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年１０月２１日に拒絶査定不服審判が請求されると同時に手続補正がなされ、その後、当審において、平成２４年８月３日付けで拒絶の理由（以下「当審拒絶理由」という。）を通知したところ、同年１１月７日に意見書が提出されたものである。
　　　  
第２　本願発明 　
　本願の請求項に係る発明は、平成２３年１０月２１日付けの手続補正書の請求項１ないし１２に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次のとおりのものである。 
　 
「【請求項１】
　基板上に配された発光ダイオードチップと、
　発光ダイオードチップによって発光された光の少なくとも一部を別の波長の光に変換するよう構成され、この発光ダイオードチップの側面を囲繞するとともにその上面に接しかつその上面を被覆する色変換材料と、
を含む発光ダイオード装置において、
　この発光ダイオードチップの側面を囲繞する前記色変換材料は、垂直方向に配された反射体によって側面が囲繞され、前記発光ダイオードチップからこの反射体までの横方向の距離（ｘ）は、０．１ｍｍから０．２ｍｍの範囲内であり、
　前記発光ダイオードチップ（２）の上面を被覆する色変換材料（７）の厚さ（ｈ）は、前記発光ダイオードチップ（２）と前記反射体（８）との間の前記横方向の距離（ｘ）よりも少なくとも０．０５ｍｍ大きいことを特徴とする発光ダイオード装置。」　
　　　　 
第３　引用文献 
１　引用文献に記載の事項  
　当審拒絶理由に引用された、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開２００２−３３５２０号公報（以下「引用文献」という。）には図とともに以下の事項が記載されている。  
　 
（１）「【請求項３】半導体発光チップと、第一のリードと、第二のリードと、それらの一部を覆うように設けられた樹脂部とを有する樹脂ステムであって、
前記第一のリードの一端と前記第二のリードの一端とはそれぞれ前記樹脂部から外部に導出され、
前記樹脂部は、前記半導体発光チップと、前記半導体発光チップの第一の電極に電気的に接続された前記第一のリードの他端及び前記半導体発光チップの第二の電極に電気的に接続された前記第二のリードの他端を収容する第一の凹部とを有し、
前記
半導体発光チップを囲む反射板が形成された樹脂ステム
前記
反射板で囲まれた領域に形成された蛍光体を含有した樹脂
前記
蛍光体を含有した樹脂と前記反射板を有する前記第一の凹部に充填された光透過性樹脂
　
（２)「【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の半導体発光装置は装置毎の輝度と色調にバラツキを生じ、再現性及び歩留まりに問題を生じていた。
輝度および色調のバラツキは、半導体発光チップを包含する蛍光体領域７０３の発光むらに起因している
発光チップ上部と発光チップ側面との蛍光体発光の不均一により色調にむらが生じる。また発光チップ７０２から離れて発光していない蛍光体領域は、発光チップ７０２周辺の蛍光体から放出される発光を散乱する領域となり、蛍光体領域７０３から放出された発光の光取り出しを低下させ、半導体発光装置の輝度を低下させてしまう
【０００５】本発明は、上述した問題点を解決するためになされたもので、その目的は
発光チップ周辺の蛍光体を均一に発光させて色調のバラツキを抑えるとともに、チップ周辺の蛍光体を全て発光させて高輝度発光の可能な半導体発光装置を提供することにある
　
（３）「【００１６】第二の実施例の半導体発光装置において発光チップ２０６はｎ型基板を有し、・・・（略）・・・第三の実施例における半導体発光装置は、凹部３０５の底面に形成している発光チップ３０６の周囲に反射板３０９を具備している点で第一及び第二の半導体発光装置と異なる。
前記反射板３０９を有することにより、蛍光体の未発光部分の光散乱による輝度の低下を防止することが可能となり、高輝度の半導体発光装置を提供可能である
前記反射板３０９を有することにより、蛍光体の未発光部分の光散乱による輝度の低下を防止することが可能となり、高輝度の半導体発光装置を提供可能である
凹部３０５の略円形底面中央部には発光チップ３０６をＡｇペースト等によりマウントしている
発光チップ３０６の周囲には凹部３０５の底面に対し略垂直に反射板３０９を形成し、これにより発光チップ３０６からの紫外光で励起する蛍光体と励起しない蛍光体とを分離している。反射板の高さは適宜変更可能であるが、発光チップの高さ以上であることが望ましい
    　    　
（４）【００１７】第三の実施例において発光チップ３０６から離れた位置にあり発光に寄与しない蛍光体を発光チップ３０６周辺の発光可能な蛍光体と反射板３０９によって分離することにより、
反射板３０９外部の蛍光体に発光が入射せず、光散乱による輝度の低下を防止できる
例えば発光チップ３０６のチップサイズが８０μｍ□〜４００μｍ□、厚さが３０μｍ〜２００μｍ、反射板３０９の直径が０．２ｍｍ〜１．２ｍｍ、反射板内に充填される蛍光体の高さが６０μｍ〜５００μｍであればよく、色調むらのない半導体発光装置が実現できる
　                 　
（５）図３は、以下のものである。   　
 　 
２　引用文献の記載から認定できる発明 
（１）上記１（１）の記載に照らせば、
　引用文献には、
　「半導体発光チップと、第一のリードと、第二のリードと、それらの一部を覆うように設けられた樹脂部とを有する樹脂ステムであって、
　第一のリードの一端と第二のリードの一端とはそれぞれ樹脂部から外部に導出され、
　樹脂部は、半導体発光チップと、半導体発光チップの第一の電極に電気的に接続された第一のリードの他端及び半導体発光チップの第二の電極に電気的に接続された第二のリードの他端を収容する第一の凹部とを有し、
　半導体発光チップを囲む反射板が形成された樹脂ステムと、
　反射板で囲まれた領域に形成された蛍光体を含有した樹脂と、
　蛍光体を含有した樹脂と反射板を有する第一の凹部に充填された光透過性樹脂とを備えた、半導体発光装置」が記載されているものと認められる。
    　
（２）上記１（３）の記載に照らせば、
　上記（１）の「半導体発光装置」は「発光チップ周辺の蛍光体を均一に発光させて色調のバラツキを抑えるとともに、チップ周辺の蛍光体を全て発光させて高輝度発光の可能な半導体発光装置」であるといえる。　
　　　
（３）上記１（３）の記載を踏まえて、図３を見ると、以下のことが把握できる。
　ア　半導体発光チップ３０６は、凹部３０５の略円形底面中央部にマウントされていること
　イ　反射板３０９は、半導体発光チップ３０６の周囲に凹部３０５の底面に対し略垂直に形成されていること
　ウ　蛍光体を含有した樹脂３１０は、半導体発光チップ３０６から反射板３０９までの間及び半導体発光チップ３０６の上面に充填されていること
　　　
（４）上記１（４）の記載に照らせば、
　半導体発光チップ３０６のチップサイズは、８０μｍ□〜４００μｍ□、厚さが３０μｍ〜２００μｍであり、
　反射板３０９の直径は、０．２ｍｍ〜１．２ｍｍ、
　反射板内に充填される蛍光体の高さは、６０μｍ〜５００μｍであるといえる。
    　
（５）以上のことから、引用文献には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。 
 　 
　「半導体発光チップと、第一のリードと、第二のリードと、それらの一部を覆うように設けられた樹脂部とを有する樹脂ステムであって、
　第一のリードの一端と第二のリードの一端とはそれぞれ樹脂部から外部に導出され、
　樹脂部は、半導体発光チップと、半導体発光チップの第一の電極に電気的に接続された第一のリードの他端及び半導体発光チップの第二の電極に電気的に接続された第二のリードの他端を収容する第一の凹部とを有し、
　半導体発光チップを囲む反射板が形成された樹脂ステムと、
　反射板で囲まれた領域に形成された蛍光体を含有した樹脂と、
　蛍光体を含有した樹脂と反射板を有する第一の凹部に充填された光透過性樹脂とを備えた、半導体発光装置において、
　半導体発光チップは、凹部の略円形底面中央部にマウントされ、
　反射板は、半導体発光チップの周囲に凹部の底面に対し略垂直に形成され、  　
　蛍光体を含有した樹脂は、半導体発光チップから反射板までの間及び発光チップの上面に充填され、　
　半導体発光チップのチップサイズは、８０μｍ□〜４００μｍ□、厚さが３０μｍ〜２００μｍであり、
　反射板の直径は、０．２ｍｍ〜１．２ｍｍ、
　反射板内に充填される蛍光体の高さは、６０μｍ〜５００μｍである、
　半導体発光チップ周辺の蛍光体を均一に発光させて色調のバラツキを抑えるとともに、半導体発光チップ周辺の蛍光体を全て発光させて高輝度発光の可能な半導体発光装置。」　
　　
第４　進歩性  
１　本願発明と引用発明とを対比する。  
（１）引用発明の「半導体発光チップ」は本願発明の「発光ダイオードチップ」に相当し、同様に、
「マウントされ」は「配され」に、
「蛍光体を含有した樹脂」は「色変換材料」に、
「反射板」は「反射体」に、
「半導体発光装置」は「発光ダイオード装置」に、それぞれ、相当する。
　　　
（２）引用発明の「発光ダイオードチップ（半導体発光チップ）」は「凹部の略円形底面中央部に配され（マウントされ）」ることに照らせば、
　引用発明と本願発明とは「所定部位に配された発光ダイオードチップ」を含む点で共通する。
　
（３）引用発明では「蛍光体を含有した樹脂は、半導体発光チップから反射板までの間及び発光チップの上面に充填され」ることに照らせば、
　引用発明の「色変換材料（蛍光体を含有した樹脂）」は「発光ダイオードチップの側面を囲繞するとともにその上面に接しかつその上面を被覆」しているといえる。
　　
（４）引用発明の「色変換材料（蛍光体を含有した樹脂）」が「発光ダイオードチップによって発光された光の少なくとも一部を別の波長の光に変換する」ものであることは、当業者にとって明らかである。　
　
（５）してみると、本願発明と引用発明とは以下の点で一致する。  
　＜一致点＞  
　「所定部位に配された発光ダイオードチップと、
　発光ダイオードチップによって発光された光の少なくとも一部を別の波長の光に変換するよう構成され、この発光ダイオードチップの側面を囲繞するとともにその上面に接しかつその上面を被覆する色変換材料と、
を含む発光ダイオード装置において、
　この発光ダイオードチップの側面を囲繞する前記色変換材料は、垂直方向に配された反射体によって側面が囲繞され、前記発光ダイオードチップからこの反射体までの横方向の距離（ｘ）は、所定範囲内であり、
　前記発光ダイオードチップの上面を被覆する色変換材料の厚さ（ｈ）が、所定厚みである、発光ダイオード装置。」　
 　 
（６）一方で、本願発明と引用発明とは、以下の点で相違する。  
　＜相違点１＞ 　　
　発光ダイオードチップが配される所定部位に関し
　本願発明は、「基板」であるのに対して、
　引用発明は、「樹脂ステム」である点。
　　
  ＜相違点２＞
　横方向の距離（ｘ）に関し
　本願発明は、「０．１ｍｍから０．２ｍｍ」であるのに対して、
　引用発明は、その距離が不明である点。
　        　
　＜相違点３＞
　色変換材料の厚さ（ｈ）に関し
　本願発明は、「横方向の距離（ｘ）よりも少なくとも０．０５ｍｍ大きい」のに対して、
　引用発明は、厚みが不明である点。
　  　
２　判断 　  
（１）上記＜相違点１＞ついて検討する。  
　ア　基板上に配された発光ダイオードチップを有する発光ダイオード装置は、本願の優先日時点で周知である（例えば、
（ア）特開２００３−１１０１４９号公報の図８を参照。
（イ）特開２００３−１７７５１号公報の図４を参照。
（ウ）特開２００１−３６１５０号公報の図４を参照。
（エ）特開平１１−１６３４１９号公報の図３を参照。
（オ）特開平７−２０２２７１号公報の図１を参照。
　以下「周知技術」という。）。
　  　
　イ　上記周知技術に照らせば、引用発明の「発光ダイオードチップ（半導体発光チップ）」を基板上に配することは、当業者が適宜なし得たことである。　
　  　　
　ウ　したがって、引用発明において、上記＜相違点１＞に係る本願発明の構成となすことは、当業者が上記周知技術に基づいて適宜になし得ることである。
　　　
（２）上記＜相違点２＞及び＜相違点３＞ついて検討する。  
　ア　引用発明は「半導体発光チップ周辺の蛍光体を均一に発光させて色調のバラツキを抑えるとともに、半導体発光チップ周辺の蛍光体を全て発光させて高輝度発光の可能な半導体発光装置」であるところ、
　引用発明において、「横方向の距離（ｘ）」及び「色変換材料の厚さ（ｈ）」をどの程度とするかは、上記効果を奏するように当業者が引用発明を実施する上で設計上定めるべき事項であって、　
　引用発明が「半導体発光チップのチップサイズは、８０μｍ□〜４００μｍ□、厚さが３０μｍ〜２００μｍであり、
　反射板の直径は、０．２ｍｍ〜１．２ｍｍ、
　反射板内に充填される蛍光体の高さは、６０μｍ〜５００μｍである」ことに照らせば、
　例えば、
　半導体発光チップとして、４００μｍ□、厚さ２００μｍのもの採用し、
　反射板の直径を０．８ｍｍ（当審換算：８００μｍ）、　　　
　反射板内に充填される蛍光体の高さを５００μｍとすることは、当業者が適宜なし得たことであり、本願明細書の記載をみても、横方向の距離（ｘ）を「０．１ｍｍから０．２ｍｍ」とし、色変換材料の厚さ（ｈ）を「横方向の距離（ｘ）よりも少なくとも０．０５ｍｍ大きい」ものとする点に設計的事項の域を超えるほどの格別の技術的意義があるものとは認められず、本願発明の奏する効果も、引用発明から当業者が予測困難な程の格別顕著なものということはできない。
　    　
　イ　したがって、引用発明において、上記＜相違点２＞及び＜相違点３＞に係る本願発明の構成となすことは、当業者が適宜になし得ることである。
　    　
３　進歩性についてのまとめ
　以上の検討によれば、引用発明において、上記＜相違点１＞ないし＜相違点３＞に係る本願発明の構成を採用することは、当業者が周知技術に基づいて適宜なし得たことである。
　　　　　　 　    　
第５　むすび  
　以上のとおり、本願発明は、当業者が引用文献に記載された発明及び周知技術に基づいて容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。  
　よって、結論のとおり審決する。