【事件の表示】
　特願２００７−５４１８９３「半導体デバイスおよび整流装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年　６月　１日国際公開、ＷＯ２００６／０５６５０５、平成２０年　６月１９日国内公表、特表２００８−５２１２２６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯
　本願は、２００５年１０月１１日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００４年１１月２４日、ドイツ）を国際出願日とする出願であって、平成２２年３月２３日付けの拒絶理由通知に対して、同年９月１日に意見書及び手続補正書が提出されたが、平成２３年９月１４日付けで拒絶査定がされ、これに対し、平成２４年１月１１日に拒絶査定を不服とする審判請求がされるとともに手続補正書が提出され、同年５月３０日付けでした審尋に対して、同年１０月２日に回答書が提出されたものである。
　
　
第２．補正却下の決定
　
［補正却下の決定の結論］
　平成２４年１月１１日に提出された手続補正書によりなされた手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
　
［理由］
１．本件補正の内容
　本件補正は、特許請求の範囲を補正するものであり、その内容は以下のとおりである。
　
〈補正事項〉
　本件補正前の請求項１の「高効率ショットキーダイオードＨＥＤを含む半導体デバイス」との記載を、本件補正後の請求項１においては、「発電機適用のための高効率ショットキーダイオードＨＥＤを含む半導体デバイス」と補正する。
　
２．新規事項の有無
　補正事項は、審判請求人が主張するとおり、本願の願書に最初に添付した明細書の段落【００２５】の「発電機適用のための高効率ショットキーダイオードでは、導通電圧ＵＦは比較的高く、例えば０．５から０．６Ｖであり、同時に比較的小さい阻止電流が発生するように障壁レベルが設定される。有利には障壁レベルは約０．６５から０．７５ｅＶに選択される。」との記載に基づいていると認められるから、補正事項は本願の願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内においてなされたものである。
　したがって、本件補正は、本願の願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入しないものである。
　よって、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たす。
　
３．補正目的の適否
　補正事項は、「高効率ショットキーダイオードＨＥＤ」が、「発電機適用のため」のものであるとして、その用途を限定するものである。
　したがって、補正事項は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　よって、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たす。
　
４．独立特許要件
　以上のとおり、本件補正は、前記改正前の特許法第１７条の２第４項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的としている。
　そこで、次に、本件補正後の特許請求の範囲に記載されている事項により特定される発明が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものかどうかを、その請求項１について検討する。
　
（１）補正発明
　本件補正後の請求項１に係る発明（以下「補正発明」という。）は、次のとおりである。
「　【請求項１】
・トレンチ構造を有する半導体チップ；および
・該半導体チップにモノリシックに集積された少なくとも１つのショットキーダイオードと、フィールドプレートまたはＭＯＳ構造体との組合わせ；
を備える、発電機適用のための高効率ショットキーダイオードＨＥＤを含む半導体デバイスにおいて、
　導通電圧（ＵＦ）の調整を、ショットキー障壁に対する金属の選択によって行い、
　当該選択は、前記導通電圧がＵＦ＝０．５Ｖから０．６Ｖの範囲となり、同時に小さな阻止電流が発生し、障壁レベルは０．６５ｅＶから０．７５ｅＶ（エレキトロンボルト）であるように行う、ことを特徴とする半導体デバイス。」
　
（２）引用例の表示
　　特表平０８−５１２４３０号公報
　　特開平０６−１５１８１６号公報
　
（３）各引用例の記載と引用発明
（３−１）引用例１の記載
　原査定の根拠となった拒絶の理由に引用され、本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である、特表平０８−５１２４３０号公報（以下「引用例１」という。）には、「ＭＯＳトレンチを有するショットキー障壁整流装置」（発明の名称）に関して、図５〜図９とともに、次の記載がある（下線は、参考のため、当審において付したもの。以下、他の引用例及び周知例についても同様である。）。
　
　　ア　特許請求の範囲
ａ．「１．
第一および第二の面、前記第一の面に隣接した第一導電型カソード領域、および前記カソード領域上の第一導電型ドリフト領域を有する半導体基板と
　
前記カソード領域に接したカソード電極と
　
前記第二の面にあり、かつ前記ドリフト領域内に第一の側壁部を有し、また前記第一の側壁部と前記第二の側壁部とのあいだにメサが設けられ、かつ該メサが所定のメサ幅と所定のメサドーピング濃度とを有するものである第一のトレンチと
　
前記第二の面にあり、かつ前記ドリフト領域内に第二の側壁部を有する第二のトレンチと
　
前記第一の側壁部上の第一の絶縁領域および前記第二の側壁部上の第二の絶縁領域と
　
前記第二の面と前記第一および第二の絶縁領域との上にあり、また前記第二の面上で前記メサとともにショットキー整流接合を形成するアノード電極と
　
を有し
　前記所定のメサドーピング濃度は１×１０１６ドーパント／立方センチメートルよりも大きい
ことを特徴とする整流装置
　
　　イ　発明の分野
ｂ．「この発明は、整流装置、特に金属・半導体整流装置と、これらの装置の製造方法とに関する。」（第６頁第４〜５行）
　
　　ウ　発明の背景
ｃ．「 ショットキー障壁整流装置はスイッチングモード電源機構の出力整流装置として、またモータドライブ等の他の高速電力スイッチング用途での出力整流装置として、大きな順方向電流を運び、かつ高逆方向ブロッキング電圧を維持するために、広範囲にわたって使用される。当業者によく知られされているように、二端子整流装置は順方向への電流の流れに対する抵抗がたいへん低く、一方逆方向への電流の流れに対する抵抗がたいへん高い。また当業者によく知られているように、ショットキー障壁整流装置は金属・半導体接合を横断する非線形電流輸送の結果として単極性整流を生じる。」（第６頁第７〜１４行）
　
ｄ．「最新の電源機構の電圧は電力消費量の低下およびエネルギー効率増大の必要性に応じて減少し続けるので、順方向バイアス電荷密度が高く維持されたままで電力整流装置を横切るオン電圧降下の減少にとってより一層有利となる。当業者が熟知しているように、オン電圧降下は金属／半導体接合を横切る順方向電圧降下と半導体領域およびカソード接合の直列抵抗とに依存する。
　電力消費量減少の必要性は、逆方向バイアス漏れ電流を最小限にすることも要求する。この逆方向バイアス電流は、操作の逆方向バイアスブロッキングモード中にける整流装置内の電流である。逆方向バイアスブロッキング電圧を高く持続させ、かつ逆方向漏れ電流を少なくするために、整流装置の半導体部分は、金属／半導体インターフェースにおける逆方向バイアス電界が過剰とならないように、通常軽くドープされ、かつ相対的に厚く作られている。与えられた逆方向バイアス電圧の逆方向バイアス漏れ電流の大きさもまた、金属領域と半導体領域との間のショットキー障壁の高さ（ポテンシャル障壁）に逆に依存する。したがって、電力消費を低くするために、順方向バイアス電圧降下および逆方向バイアス漏れ電流の両方が極小化されなければならず、また逆方向ブロッキング電圧は極大
化されなければならない。
　不運にも、
ショットキー障壁において順方向バイアス電圧降下と逆方向漏れ電流との間でトレードオフが存在する。したがって、これら二つの特性を同時に極小化させることは困難である。特に、ショットキー障壁の高さが減少されると、順方向電圧降下が減少する一方で逆方向バイアス漏れ電流が増加する。それとは逆に、上記障壁の高さが高くなると、順方向電圧降下が増加する一方で上記漏れ電流が減少する。
　
ーピング濃度が高ければ順方向バイアス電圧降下が低下するけれども、逆方向バイアス破壊が衝撃イオン化によって減少する。
  
したがって、ショットキー障壁整流装置の設計において、障壁の高さや半導体ドーピング濃度等の設計パラメータは特定用途上の必要に応じて選択される。なぜなら、すべての装置寄生を同時に極小化することはできない。
障壁の高さを高くすることは、周囲温度が高いあるいは高逆方向ブロッキングケイパビリティを必要とする用途に向けられたショットキー整流装置で通常使用される
　
ｅ．「しかし、実際のところ、ショットキー整流装置の正味破壊電圧は、式（１）によて記載され、かつ図１に示された階段形平行平面Ｐ−Ｎ接合に関して約３分の１（１／３）である。当業者に理解されるように、逆方向バイアス状態で起こる影像引力による金属領域および半導体領域の間のポテンシャルバリアの低下によって部分的に破壊電圧が平行平面の値よりも低くなる。」（第９頁第５〜９行）
　
　　エ　本発明の要約
ｆ．「したがって、本発明の目的は低電圧用途のショットキー整流装置を提供することでである。
　また、本発明の目的は、低順方向電圧降下を持つ高順方向バイアス電流を維持ことが可能なショットキー整流装置を提供することである。
　さらに、本発明の他の目的は、高逆方向ブロッキング電圧を維持することが可能なショットキー整流装置を提供することである。
　本発明のさらに別の目的は、理想の、あるいは理想の平行平面逆方向ブロッキング電圧よりも高く維持することが可能なショットキー整流装置を提供することである。」（第１２頁第５〜１３行）
　
　　オ　好ましい実施態様の詳細な説明
ｇ．「図５をここで参照する。この図は本発明にもとづくトレンチＭＯＳショットキー障壁整流装置（ＴＭＢＲ）の断面図である。
整流装置１０は、第一面１２ａおよび対向する第二面１２ｂを有する第一導電型、概してＮ−型導電の半導体基板１２を含む
基板１２は、第一面１２ａに隣接し、かつ相対的に高濃度にドープされたカソード領域１２ｃ（Ｎ
＋
として示す）を好ましくは含む。第一導電型のドリフト領域１２ｄ（Ｎとして示す）は、好ましくはカソード領域１２ｃから第二面１２ｂへ拡がる。
絶縁領域１６ａおよび１６ｂ（ＳｉＯ
２
として示す）もメサ面に設けられる
整流装置は絶縁領域１６ａ，１６ｂ上にアノード電極１８も有する。アノード電極１８はメサ１４とのショットキー整流接合を形成する。アノード電極／メサインターフェイスに形成されたショットキー障壁の高さは、電極金属および半導体（例えば、Ｓｉ，Ｇｅ，ＧａＡｓ，およびＳｉＣ）の種類のみならず、メサ１４のドーピング濃度にも依存する
カソード電極２０は第一面１２ａでカソード領域１２ｃに隣接して設けられる。このカソード電極２０はカソード領域１２ｃとオーミンクに接触(ohmically contact)する
　当業者に理解されるように、
アノード電極１８はメサ面１４ａ，１４ｂに隣接した絶縁領域１６ａ，１６ｂ上に形成される
逆方向バイアス破壊に対して感受性が低い整流装置１０を与え
トレンチＭＯＳショットキー障壁整流装置は、
大きい逆方向ブロッキング電圧を示し
　
ｈ．「ここで図６Ａ〜図６Ｆを参照し、図５に示した整流装置１０の製造方法を説明する。まず、図６Ａを参照すると、
第一および第二対向面１２ａおよび１２ｂを有する基板は、面１２ａに相対的に高濃度でドープされたカソード領域１２ｃと
該カソード領域上にドリフト領域１２ｄとを有し
ドリフト領域１２ｄは従来の方法によるエピタキシャル成長によって設けられる
　当業者に理解されるように、
エッチング工程によってドリフト領域１２ｄ内に複数の第一、第二、第三、および第四隣接トレンチ２２が定まる。これらのトレンチはそれぞれトレンチ幅“Ｗ
ｔ
”とトレンチ深さｄとを有する
　図６ｃを参照する。従来の熱酸化成長によって
それぞれの第一、第二、第三、および第四絶縁領域１６（例えば、ＳｉＯ
２
、約１０００Å）をトレンチ側壁部２２ａおよびトレンチ底部２２ｂ上に形成
高電流用途において、本発明にもとづくトレンチＭＯＳショットキー障壁整流装置が形成できる
　当業者に理解されるように、既に述べたようなストライプ状のメサを複数形成するプロセスが好ましいけれども、他のプロセスも使用できる。例えば、メサ１４を定めるためにトレンチ２２を形成するかわりに、メサを選択的エピタキシャル成長方法（ＳＥＧ）を用いたドリフト領域の拡張部分とすることもできる。また、メッサのドーピングプロファイルは特定の整流装置用途のために、順方向電圧降下と逆方向ブロッキング電圧との間のトレードオフを最適化するためにその部位(in-situ)で制御される。
　したがって、順方向電圧降下が低くかつ逆方向ブロッキング電圧が高い半導体整流装置は第一および第二対向面１２ａ，１２ｂを有する半導体基板１２と、第一導電型のカソード領域１２ｃと、該領域上の第一導電型のドリフト領域１２ｄとを有する。また、上記整流装置は、対応する典型的な平行平面階段形Ｐ−Ｎ接合整流装置の逆方向ブロッキング電圧よりも高く上記逆方向ブロッキング電圧を増加させるための手段をドリフト領域内に有する。」（第１６頁第６行〜第１７頁第２８行）
　
（３−２）引用発明
　前記「（３−１）引用例１の記載」のａ〜ｈの記載を総合すれば、引用例１には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているといえる。
　
「第一面１２ａに隣接し高濃度にドープされたカソード領域１２ｃと、前記カソード領域１２ｃ上でエピタキシャル成長によって設けられて第二面１２ｂへ拡がるドリフト領域１２ｄとを有するＮ型導電の半導体基板１２と、
　前記第一面１２ａで前記カソード領域１２ｃに接して、前記カソード領域１２ｃとオーミンクに接触するカソード電極２０と、
　エッチング工程によって前記ドリフト領域１２ｄ内に形成した、それぞれトレンチ幅Ｗｔとトレンチ深さｄとを有する、複数のトレンチ２２と、
　前記複数のトレンチ２２のトレンチ側壁部２２ａ及びトレンチ底部２２ｂ上に形成した、例えばＳｉＯ２からなる絶縁領域１６と、
  前記第二面１２ｂと前記絶縁領域１６の上に設けられ、前記第二面１２ｂ上で、隣接する前記トレンチ２２の間のメサとともにショットキー整流接合を形成する、アノード電極１８と、
  を有し、逆方向バイアス破壊に対して感受性が低く、大きい逆方向ブロッキング電圧を示し、高電流用途のトレンチＭＯＳショットキー障壁整流装置。」
　
（３−３）引用例２の記載
　原査定の根拠となった拒絶の理由に引用され、本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である、特開平０６−１５１８１６号公報（以下「引用例２」という。）には、「ダイオード」（発明の名称）に関して、次の記載がある
　
ａ．「【０００２】
【従来の技術】金属と半導体の間のショットキーバリアを利用したダイオードは、ＰＮ接合を利用したダイオードより順方向立上がり電圧が小さく、少数キャリアの蓄積現象がないため逆方向回復時間が短いという特長があるが、その反面逆方向降伏電圧が低いという欠点がある。
【０００３】このような
ショットキーバリアダイオードの順方向立上がり電圧をさらに小さくしようとして、バリア金属を変えた
　
（４）対比
（４−１）補正発明と引用発明との対比
　補正発明と引用発明とを対比する。
　
　　ア　引用発明の「エッチング工程によって前記ドリフト領域１２ｄ内に形成した、それぞれトレンチ幅Ｗｔとトレンチ深さｄとを有する、複数のトレンチ２２」を備えた前記「ドリフト領域１２ｄとを有するＮ型導電の半導体基板１２」は、補正発明の「トレンチ構造を有する半導体チップ」に相当する。
　
　　イ　引用発明は、「エッチング工程によって前記ドリフト領域１２ｄ内に形成した、それぞれトレンチ幅Ｗｔとトレンチ深さｄとを有する、複数のトレンチ２２」と「前記複数のトレンチ２２のトレンチ側壁部２２ａ及びトレンチ底部２２ｂ上に形成した、例えばＳｉＯ２からなる絶縁領域１６」と「前記第二面１２ｂと前記絶縁領域１６の上に設けられ、前記第二面１２ｂ上で、隣接する前記トレンチ２２の間のメサとともにショットキー整流接合を形成する、アノード電極１８」とを有することで、１枚の「Ｎ型導電の半導体基板１２」に、「アノード電極１８」と「隣接する前記トレンチ２２の間のメサと」で「ショットキー整流接合を形成」する複数のショットキーダイオードと、前記「アノード電極１８」と「ＳｉＯ２からなる絶縁領域１６」と「エピタキシャル成長によって設けられ」た「ドリフト領域１２ｄ」からなる「前記トレンチ２２の間のメサ」とで構成された「トレンチＭＯＳ」構造とが形成されることとなる。
　そして、この引用発明の、１枚の「Ｎ型導電の半導体基板１２」に形成された、「アノード電極１８」と「隣接する前記トレンチ２２の間のメサと」で「ショットキー整流接合を形成」する複数のショットキーダイオードと、前記「アノード電極１８」と「ＳｉＯ２からなる絶縁領域１６」と「エピタキシャル成長によって設けられ」た「ドリフト領域１２ｄ」からなる「前記トレンチ２２の間のメサ」とで構成された「トレンチＭＯＳ」構造とを組み合わせたものは、補正発明の「該半導体チップにモノリシックに集積された少なくとも１つのショットキーダイオードと、フィールドプレートまたはＭＯＳ構造体との組合わせ」に相当する。
　
　　ウ　引用発明の「逆方向バイアス破壊に対して感受性が低く、大きい逆方向ブロッキング電圧を示し、高電流用途のトレンチＭＯＳショットキー障壁整流装置」は、上記の「トレンチＭＯＳ」構造を備えることで、上記の「アノード電極１８」と「隣接する前記トレンチ２２の間のメサと」で「ショットキー整流接合を形成」する複数のショットキーダイオードが、「逆方向バイアス破壊に対して感受性が低く、大きい逆方向ブロッキング電圧を示し」、それにより「高電流用途」に使用できるものと解される。
　ところで、本願明細書には、「発電機」への適用に関して、段落【０００２】に「整流のために三相発電機またはオルタネータでは、交流ブリッジないしは整流器が使用される。……ダイオードは、高電流（例えば５００Ａ／ｃｍ２まで）と高温（例えば空乏層温度Ｔｊ＜２２５℃）での駆動に対して設計されている。」と、段落【００２４】に「その結果、ＩＲは比較的に高く、最大許容使用温度は低い。この構造は発電機での適用には適さない。」と記載されている。したがって、本願明細書における「発電機」とは、少なくとも、高電流と高温下での使用が要求される環境を具体化したものとして記載されていると認められる。
　さらに、本願明細書には、段落【００２３】に「一般的に、ショットキーダイオードとフィールドプレートとの組合わせ（ＴＭＢＳの場合）、ｐｎダイオードとの組合わせ（ＴｊＢＳの場合）、および他の構成素子とショットキーダイオードの組合わせすべては、これが少なくとも１つのトレンチないし溝を有していれば高効率ダイオードＨＥＤと称される。」と記載されている。してみれば、引用発明における、「アノード電極１８」と「隣接する前記トレンチ２２の間のメサと」で「ショットキー整流接合を形成」するショットキーダイオードと、前記「アノード電極１８」と「ＳｉＯ２からなる絶縁領域１６」と「エピタキシャル成長によって設けられ」た「ドリフト領域１２ｄ」からなる「前記トレンチ２２の間のメサ」とで構成された「トレンチＭＯＳ」構造とを組み合わせたものは、「複数のトレンチ２２」を有しているから、「高効率」ショットキー「ダイオードＨＥＤ」と言い得るものである。
　以上から、引用発明の、「アノード電極１８」と「隣接する前記トレンチ２２の間のメサと」で「ショットキー整流接合を形成」する複数のショットキーダイオードと、前記「アノード電極１８」と「ＳｉＯ２からなる絶縁領域１６」と「エピタキシャル成長によって設けられ」た「ドリフト領域１２ｄ」からなる「前記トレンチ２２の間のメサ」とで構成された「トレンチＭＯＳ」構造とを組み合わせたものを備える「逆方向バイアス破壊に対して感受性が低く、大きい逆方向ブロッキング電圧を示し、高電流用途のトレンチＭＯＳショットキー障壁整流装置」と、補正発明の「発電機適用のための高効率ショットキーダイオードＨＥＤを含む半導体デバイス」とは、高電流での使用が要求される環境への適用のための高効率ショットキーダイオードＨＥＤを含む半導体デバイスである点で共通する。
　
（４−２）一致点及び相違点
　そうすると、補正発明と引用発明の一致点と相違点は、次のとおりとなる。
　
《一致点》
「・トレンチ構造を有する半導体チップ；および
・該半導体チップにモノリシックに集積された少なくとも１つのショットキーダイオードと、フィールドプレートまたはＭＯＳ構造体との組合わせ；
を備える、高電流での使用が要求される環境への適用のための高効率ショットキーダイオードＨＥＤを含む半導体デバイス。」
　
《相違点１》
　補正発明の「高効率ショットキーダイオードＨＥＤを含む半導体デバイス」は「発電機適用」のものであるのに対して、引用発明の「トレンチＭＯＳショットキー障壁整流装置」は「高電流用途」であるものの、個別具体的な「用途」は不明である点。
　
《相違点２》
　補正発明は「導通電圧（ＵＦ）の調整を、ショットキー障壁に対する金属の選択によって行い」、「当該選択は、前記導通電圧がＵＦ＝０．５Ｖから０．６Ｖの範囲となり、同時に小さな阻止電流が発生し、障壁レベルは０．６５ｅＶから０．７５ｅＶ（エレキトロンボルト）であるように行う」のに対して、引用発明は、「導通電圧」及び「障壁レベル」が不明である点。
　
（５）相違点１及び２についての判断
　　ア　引用例１には、前記「ウ　発明の背景」の項において「ｄ．」で摘記したように、「ショットキー障壁において順方向バイアス電圧降下と逆方向漏れ電流との間でトレードオフが存在する。したがって、これら二つの特性を同時に極小化させることは困難である。特に、ショットキー障壁の高さが減少されると、順方向電圧降下が減少する一方で逆方向バイアス漏れ電流が増加する。それとは逆に、上記障壁の高さが高くなると、順方向電圧降下が増加する一方で上記漏れ電流が減少する。」、「したがって、ショットキー障壁整流装置の設計において、障壁の高さや半導体ドーピング濃度等の設計パラメータは特定用途上の必要に応じて選択される。なぜなら、すべての装置寄生を同時に極小化することはできない。」と記載されている。
　そして、ショットキーダイオードに限らず、ダイオードにおいて、前記順方向電圧降下すなわち順方向立上がり電圧が大きいほど、順方向損失が大きくなることは、以下の周知例１〜３にも記載されているが、技術常識である。
　
　　イ　引用発明の「トレンチＭＯＳショットキー障壁整流装置」は、前記「特定用途」として、「高電流用途」のものである。
　しかし、前記「（３−１）引用例１の記載」の「ウ　発明の背景」の項において「ｄ．」で摘記したように、引用例１には「障壁の高さを高くすることは、周囲温度が高いあるいは高逆方向ブロッキングケイパビリティを必要とする用途に向けられたショットキー整流装置で通常使用される。」との記載がある。すなわち、引用例１には、「障壁の高さを高くすること」で、「周囲温度が高い」という「用途」に向けられた「ショットキー整流装置」を得ようとすることも記載されている。
　そして、前記「（３−１）引用例１の記載」の「オ　好ましい実施態様の詳細な説明」の項において「ｇ．」で「アノード電極／メサインターフェイスに形成されたショットキー障壁の高さは、電極金属および半導体（例えば、Ｓｉ，Ｇｅ，ＧａＡｓ，およびＳｉＣ）の種類のみならず、メサ１４のドーピング濃度にも依存する。」と摘記したように、引用例１には、前記「周囲温度が高い」という「用途」では「高くすること」が求められる「ショットキー障壁」の、その「高さ」が「電極金属」の「種類」に「依存する」ことが記載されている。
　
　　ウ　また、「（３−３）引用例２の記載」の項で摘記したように、引用例２には従来の技術として「ショットキーバリアダイオードの順方向立上がり電圧をさらに小さくしようとして、バリア金属を変えた」と記載され、前記周知例２に「バリアメタルと形状の最適化を図りＶＦを従来の０．５５Ｖから０．３５Ｖに低減できた」と記載され、ショットキーダイオードの順方向立上がり電圧を、障壁金属を選択することにより設定することは、ショットキーダイオードの技術分野において、常套手段にすぎない。
　一方、ショットキーダイオードの逆方向漏れ電流が、障壁レベルに依存すること、すなわち、前記障壁レベルを決定する障壁金属に依存することは、自明である。
　
　　エ　そして、引用発明の「トレンチＭＯＳショットキー障壁整流装置」は「高電流用途」のものであり、引用例１には、ショットキー整流装置を「周囲温度が高い」という「用途」に適用しようとすることも記載されているから、引用発明の「トレンチＭＯＳショットキー障壁整流装置」を、一般に高電流と高温下での使用が要求される「発電機」に適用しようとすることは、当業者であれば、ごく自然に想起したものと認められる。
　
　　オ　ここで、発電機用または大電流の用途に使用するショットキーダイオードの順方向立上がり電圧を、０．５Ｖから０．６Ｖの範囲に設定することは、前記周知例１〜３に記載されるように、周知技術にすぎない。
　また、大電力ないし大電流や、高温下の用途に使用するショットキーダイオードとして、障壁レベルが０．６５ｅＶから０．７５ｅＶの範囲にあるものは、以下の周知例４〜６に記載されるように、周知である。
　
　　カ　してみれば、引用発明の「トレンチＭＯＳショットキー障壁整流装置」を、一般に高電流と高温下での使用が要求される「発電機」に適用しようとするとき、前記ア〜ウの検討から、引用発明の「ショットキー整流接合を形成」する「アノード電極１８」の金属を、当該「発電機」適用という用途において許容される順方向損失と逆方向漏れ電流と、前記用途において求められる耐熱性とに応じて適宜に選択することにより、前記「アノード電極１８」と「隣接する前記トレンチ２２の間のメサと」で「ショットキー整流接合を形成」するショットキーダイオードの順方向立上がり電圧及び障壁レベルを、それぞれ、高電流ないし高温下での用途において周知である、０．５Ｖから０．６Ｖの範囲、及び、０．６５ｅＶから０．７５ｅＶの範囲に設定することは、当業者が容易に想到し得たものと認められる。
　
　　キ　周知例１：特開昭６３−２４０３３６号公報
　本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である前記周知例１には、「
車両充電発電機
ａ．「
本発明は車両充電発電機の電圧調整装置に関し
　
ｂ．「ところで、上記各実施例における
整流ダイオード２２Ａ、２２Ｂ、２２Ｃとしてはショットキダイオードを使用する
ショットキダイオードは一最のダイオードに比べて順方向電圧降下が約０．５Ｖと小さいため損失が少ない。
ショットキダイオードは作動時の発熱が小さく、放熱構造や断熱構造が不要であるから、充電発電機を小型化する
　
　　ク　周知例２：特開平０３−１０５９７５号公報
　本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である前記周知例２には、「半導体整流ダイオード及びそれを使つた電源装置並びに電子計算機」（発明の名称）に関して、次の記載がある。
ａ．「〔従来の技術〕
　
半導体整流ダイオードは、交流を直流に変換する回路素子で、直流で動作する電気装置または電子装置の電源部に多数個使用されている
ショットキー接合ダイオードは順方向電圧降下が０．５〜０．６ｖが低いため順方向損失の低減を図ることができる
　
ｂ．「ここで、出力電圧が５Ｖ以下の
低電圧大電流出力ＤＣ−ＤＣコンバータとして．３Ｖ，６００Ａ出力のもの
バリアメタルと形状の最適化を図りＶＦを従来の０．５５Ｖ
　
　　ケ　周知例３：特開２００１−２７５３６１号公報
　本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である前記周知例３には、「スイッチング電源における整流回路、スイッチング電源回路」（発明の名称）に関して、次の記載がある。
ａ．「【０００２】
【従来の技術】
従来のスイッチング電源における整流回路
【０００３】
図７に示す整流回路は
整流用のダイオード５０５と５０６と５０７と
　……（中略）……
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】図７に示す回路の場合
、低電力出力で大電流用には、ダイオード５０５、５０６、５０７として、一般に、ショットキーバリアダイオードが使用される。このショットキーバリアダイオードの順方向電圧降下は約０．５Ｖ程度である
　
ｂ．「【００５２】次に図１に示す本発明による低損失整流回路と、図６と図７図に示した従来の回路との、電流素子の損失の比較を行う。
【００５３】ＭＯＳ−ＦＥＴのオン抵抗ＲＯＮを０．０１Ωとし、
出力電流I
O
を１０Ａとした
ダイオードの順方向電圧降下Ｖ
Ｆ
を０．５Ｖとすると、図６に示す回路のダイオード５０５、５０６、５０７の合計での損失はＶ
Ｆ
×Ｉ
Ｏ
である
０．５Ｖ×１０Ａ＝５Ｗ
となる。
【００５４】図７に示す回路の場合、Ｄ＝ＴＯＮ／Ｔ＝０．７とした場合（ここで、ＤはＤｕｔｙ比、ＴＯＮはＭＯＳ−ＦＥＴ５２５、５２６のオン時間、Ｔは１周期の時間である）、ＭＯＳ−ＦＥＴ５２５、５２６と
ダイオード５０７の
損失は
Ｖ
Ｆ
（１−Ｄ）
０．０１Ω×１０２Ａ×０．７＋
０．５Ｖ
となる。」
　
　　コ　周知例４：米国特許第４８６２２２９号明細書
　本願の優先権主張の日前に外国において頒布された刊行物である前記周知例４には、“Semiconductor Schottky Devices Having Improved Voltage Blocking Characteristics”（発明の名称、訳：改良された電圧阻止特性を有する半導体ショットキーデバイス）に関して、次の記載がある。
ａ．“This invention relates to semiconductor devices including a Schottky barrier and having an improved voltage blocking characteristic, particularly but not exclusively Schottky diodes designed for fast switching and blocking of medium or high voltages.”（第１欄第１１〜１５行、訳：
本発明は
高電圧ないし中電圧の急速スイッチングおよび阻止用に設計されたショットキーダイオードに関する
　
ｂ．“The semiconductor device of FIG.1 is a high voltage Schottky diode comprising a semiconductor body 10, for example of monocrystalline silicon, a portion 2 of which is of one conductivity type (n type in the example shown). A metal-based layer 11 is present at the upper major surface of the body 10 and forms a Schottky barrier with the body portion 2 at a plurality of separate areas to constitute the active barrier 3 of the diode.”（第３欄第５０〜５７行、訳：第１図の半導体デバイスは、その一部２が一方の導電型（図示の例ではｎ型）である半導体１０、たとえば
単結晶シリコンより或る高圧ショットキーダイオード
金属ベース層１１が半導体１０の上部主表面にあり、ダイオードの活性障壁３を構成する
　
ｃ．“In this case, the barrier height chosen for the Schottky barrier 3 would normally be as high as possible without degrading the speed, e.g. probably at least 0.7 eV for a silicon device. This choice would be made in order to give a low leakage current and hence low reverse dissipation which is required for thermal stability during hot operation, e.g. with barrier temperatures of 100°to 150℃”（第５欄第６３行〜第６欄第２行、訳：この場合には、
ショットキー障壁３に対して選択される障壁高さは、通常、速度を損なわないような高さであり、たとえば、シリコンデバイスに対して恐らく少なくとも０．７ｅＶである
この選択は、１００℃から１５０℃の障壁温度での高温動作の間に、熱的安定に対して必要とされる低い漏洩電流
を与えるためになされる
　
　　サ　周知例５：特開平０５−２７５４６６号公報
　本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である前記周知例５には、「化合物半導体装置の製造方法」（発明の名称）に関して、次の記載がある。
ａ．「【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は
ＩｎＰ単結晶およびその三元、四元混晶の基板上にショットキ・ダイオード
に関する
【０００２】
【従来の技術】ＧａＡｓ，
ＩｎＰなどの化合物半導体は
耐熱性などに優れ
　
ｂ．「【０００９】
【作用】フッ化水素酸を含むエッチャントはストイキメトリを乱すことなく基板表面の汚染物質を除去できるため、半導体基板上に金属薄膜を被着させる場合、フッ化水素酸系のエッチャントで前処理することにより、界面準位密度を低減させ
逆方向リーク電流が小さくゲート耐圧の高いショットキゲート電極を有する特性の良好な
ショットキ・ダイオードを得ることができる
　
ｃ．「【００１３】一方、基板上への数原子層の金属薄膜形成後は、上記ガス導入管２からの導入ガスを酸素に切換えて、
ＩｎＰ基板８上の金属薄膜を酸化させて金属酸化物層１２を形成した後、電子ビーム蒸着装置等により上記金属酸化物層１２上にショットキ電極１３を形成する（図２参照）。
金属原料としてＢｅ，Ｍｇ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｃａ，Ｔｉ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｇａ，Ｇｅ，Ａｓ，Ｚｒ，Ａｇ，Ｃｄ，Ｓｎ，Ｓｂ，Ｔｅ，Ｃｓ，Ｐｂ，ＢｉもしくはＣｅのように安定な酸化物を生成可能な金属を用いる
【００１４】一例として、５０％フッ化水素酸：Ｈ２Ｏが容量比１：１のエッチャントでＩｎＰ基板表面をエッチングした後、金属原料としてＣｄを用い、基板設置部の温度Ｔ２と原料ボート部の温度Ｔ１との温度差ΔＴを２℃（ただし、Ｔ２＞Ｔ１）として、
ＩｎＰ基板の表面上に、Ｃｄを１０原子層以下となるように吸着させてから、これを酸化させた
ショットキダイオードを作製した
その結果、ショットキ障壁は一般のＩｎＰショットキ電極の０．５ｅＶを上回り、最高は０．８０ｅＶであり、逆方向電圧２Ｖでのリーク電流は１×１０-
８
Ａ／cm
２
で、耐圧は約９０Ｖと良好であった。
　
　　シ　周知例６：特開２０００−１０１１００号公報
　本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である前記周知例６には、「半導体装置」（発明の名称）に関して、次の記載がある。
ａ．「【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、炭化珪素（ＳｉＣ）を用いた半導体装置に関する
【０００２】
【従来の技術】金属と半導体を接触させたショットキー電極を用いる構造のショットキーダイオードは、半導体中の少数キャリアを使用しないので高速スイッチングができるという特徴がある。しかしながら、シリコンを用いたショットキーダイオードは耐圧が低いという問題がある。これに対して、
ＳｉＣを用いたショットキーダイオードは耐圧が高いという特徴を有している。また、ＳｉＣを用いたショットキーダイオードは高温でも動作できることから、大電流が流れるような用途に対して、冷却手段なし或いは小さな冷却装置を用いるだけでよい
　
ｂ．「【００３８】（実施形態４）
第１の金属としてＨｆを、第二の金属としてＴｉを用い、両金属の固溶体をショットキー電極として
Ｈｆ／Ｔｉの比率は９から０．１とした。その結果、バリアハイトは０．３から０．７ｅＶまで連続的に変化させることができた
【００３９】なお、ＺｒとＨｆやＴｉとで固溶体を形成することも有効であり、上述したＨｆ−Ｔｉの他にも、Ｈｆ−Ｚｒ或いはＺｒ−Ｔｉの固溶体を用いることにより、Ｔｉよりも仕事関数を下げることができ、バリアハイトの低いショットキー接合を得ることが可能である。
【００４０】（実施形態５）第１の金属としてＬａを、第２の金属としてＡｌを用い、これらを基板温度２００℃で同時に蒸着して、Ｌａ３Ａｌ、ＬａＡｌ２をショットキー電極として用いた２種類のショットキーダイオードを第３の実施形態と同様に作製した。また、比較例として、Ｌａをショットキー電極とした試料も作製した。
【００４１】測定の結果、ＳｉＣとのショットキー接合のバリアハイトは、Ｌａ３Ａｌでは０．４ｅＶ、ＬａＡｌ２では０．６ｅＶであった。また電極にＬａＡｌ２を用いた試料に対してアニールを行った。逆方向に１００Ｖの電圧を印加した場合、３００℃のアニールでは１０−４（Ａ）のリーク電流であったが、８００℃のアニールでは１０−６（Ａ）に低下した。なお、電極にＬａのみを用いた試料では８００℃でのアニールによって電極が凝集してしまったが、電極にＬａＡｌ２を用いた試料では形状に特に変化は見られなかった。
（実施形態６）
第１の金属としてＳｃ、Ｙ或いはランタン系のＬａ，Ｃｅ，Ｇｄ，Ｎｄを用い、第２の金属としてＲｕ，Ａｇ，Ｃｏ，Ｚｎ，Ｃｄ，Ｈｇ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｔｌ，Ｓｎ，Ｐｂ，Ｓｂ，Ｂｉ，Ｐｔ，Ａｕを用い、第１の金属／第２の金属の比率が０．３〜３の合金をショットキー電極とした
【００４２】その結果、
バリアハイトは０．３〜０．８ｅＶの範囲内であった
　
　　ス　以上のとおり、上記相違点１及び２は、引用例１、引用例２に記載の事項及び周知技術を参酌すれば、引用発明から当業者が容易に想到し得た範囲に含まれる程度のものである。
　したがって、補正発明は、引用発明、引用例１及び引用例２に記載された技術と周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
５．小括
　したがって、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
　
第３．本願発明について
１．本願発明
　以上のとおり、本件補正（平成２４年１月１１日に提出された手続補正書による手続補正）は却下されたので、本願の請求項１〜１８に係る発明は、平成２２年９月１日に提出された手続補正書によって補正された特許請求の範囲、明細書又は図面の記載からみて、その請求項１〜１８に記載されたとおりのものであり、そのうち、請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次のとおりである。
　
「　【請求項１】
・トレンチ構造を有する半導体チップ；および
・該半導体チップにモノリシックに集積された少なくとも１つのショットキーダイオードと、フィールドプレートまたはＭＯＳ構造体との組合わせ；
を備える高効率ショットキーダイオードＨＥＤを含む半導体デバイスにおいて、
　導通電圧（ＵＦ）の調整を、ショットキー障壁に対する金属の選択によって行い、
　当該選択は、前記導通電圧がＵＦ＝０．５Ｖから０．６Ｖの範囲となり、同時に小さな阻止電流が発生し、障壁レベルは０．６５ｅＶから０．７５ｅＶ（エレキトロンボルト）であるように行う、ことを特徴とする半導体デバイス。」
　
２．各引用例の記載と引用発明
　引用例１〜引用例２の記載については、前記「第２．補正却下の決定」の「４．独立特許要件」の「（３）各引用例の記載と引用発明」において、それぞれ、「（３−１）引用例１の記載」及び「（３−３）引用例２の記載」で摘記したとおりであり、引用発明については、「（３−２）引用発明」において認定したとおりである。
　
３．対比
　前記「第２．補正却下の決定」の「３．補正目的の適否」で検討したように、本件補正後の請求項１に係る発明（すなわち、補正発明）は、本件補正前の請求項１に係る発明（すなわち、本願発明）の「高効率ショットキーダイオードＨＥＤ」が、「発電機適用のため」のものであるとして、その用途を限定したものである。
　逆に言えば、本願発明は、補正発明から、上記の限定をなくしたものである。
　したがって、本願発明と引用発明の一致点と相違点は、前記「第２．補正却下の決定」の「４．独立特許要件」における「（４−１）補正発明と引用発明との対比」で検討したように、次のとおりとなる。
　
《一致点》
「・トレンチ構造を有する半導体チップ；および
・該半導体チップにモノリシックに集積された少なくとも１つのショットキーダイオードと、フィールドプレートまたはＭＯＳ構造体との組合わせ；
を備える高効率ショットキーダイオードＨＥＤを含む半導体デバイス。」
　
《相違点》
　本願発明は「導通電圧（ＵＦ）の調整を、ショットキー障壁に対する金属の選択によって行い」、「当該選択は、前記導通電圧がＵＦ＝０．５Ｖから０．６Ｖの範囲となり、同時に小さな阻止電流が発生し、障壁レベルは０．６５ｅＶから０．７５ｅＶ（エレキトロンボルト）であるように行う」のに対して、引用発明は、「導通電圧」及び「障壁レベル」が不明である点。
　
４．判断
　　ア　そうすると、前記「第２．補正却下の決定」の「４．独立特許要件」の「（５）相違点１及び２についての判断」において検討したと同様の理由により、引用発明の「トレンチＭＯＳショットキー障壁整流装置」において、許容される順方向損失と逆方向漏れ電流という素子特性に応じて、「アノード電極１８」の金属を適宜に選択することにより、前記「アノード電極１８」と「隣接する前記トレンチ２２の間のメサと」で「ショットキー整流接合を形成」するショットキーダイオードの順方向立上がり電圧及び障壁レベルを、それぞれ、周知である０．５Ｖから０．６Ｖの範囲、及び、周知である０．６５ｅＶから０．７５ｅＶの範囲に設定することは、当業者が容易に想到し得たものと認められる。
　
　　イ　以上のとおり、前記相違点は、引用例１、引用例２に記載の事項及び周知技術を参酌すれば、引用発明から当業者が容易に想到し得た範囲に含まれる程度のものである。
　したがって、本願発明は、引用発明、引用例１及び引用例２に記載された技術と周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　
第４．結言
　以上のとおり、本願発明は、引用発明、引用例１及び引用例２に記載された技術と周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
　したがって、他の請求項について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　
 　よって、結論のとおり審決する。