【事件の表示】
　特願２００１−　　６３８３「上面発光型発光素子及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年　８月　２日出願公開、特開２００２−２１６９７６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１３年１月１５日の出願であって、平成２３年９月１６日付け及び同年１２月１９日付けで手続補正書が提出され、その後、平成２４年１月６日付けで平成２３年１２月１９日付けの手続補正の補正の却下の決定がなされるとともに、同日付けで拒絶査定がなされた。これに対して、平成２４年４月１１日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同時に手続補正がなされたものである。
　その後、平成２４年１０月４日付けで、審判請求人に前置報告の内容を示し意見を求めるための審尋を行ったところ、同年１２月７日付けで回答書が提出された。さらに、当審において、平成２５年２月１２日付けで平成２４年４月１１日付けの手続補正の補正の却下の決定がなされるとともに、同日付けで拒絶理由が通知され、平成２５年４月１５日付けで意見書が提出されるとともに、同日付けで手続補正書が提出された。
　
　
第２　本願発明について
１．本願発明
　本願の特許請求の範囲の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という」）は、平成２５年４月１５日付けの手続補正により補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。
　
「基板上に設けられた下部電極と、当該下部電極上に設けられた少なくとも発光層を有する有機層と、当該有機層上に設けられた光透過性上部電極とからなる発光素子において、
　前記下部電極は、前記基板側から金属材料層と、当該金属材料層を構成する金属材料の酸化物のうち前記有機層よりも導電性が高い材料からなり、前記金属材料層の表面粗さを緩和する緩衝薄膜層との順に積層された構造を有する
　上面発光型発光素子。」
　
２．引用刊行物
　当審で通知した拒絶の理由に引用され、本願の出願前に頒布された刊行物である、国際公開第９９／３９３９３号（以下「引用文献１」という。）には、以下の事項が記載されている。（なお、仮訳として、ファミリー文献である特表２００１−５０７１６７号公報（以下「引用文献１’」という。）の記載を採用した。また、下線は当審が付した。）
　
（ａ）「電子および正孔の伝達関数が別々の有機層と、
電子伝達層２０（ＥＴＬ）
正孔伝達層（ＨＴＬ）２１
　
（ｂ）「従来のＯＬＥＤはＩＴＯアノードにより光を抽出するが、
透明度の高いカソード（ＴＣ）
　
（ｃ）「本発明の手法は、
前処理した集積ディスプレイ回路（ここではＳｉ　ＩＣという）
　
（ｄ）「アノード改質層４８は、長期間にわたって一貫したＯＬＥＤパフォーマンスを保証するために、隣接する
有機放出層（ＥＭＬ）４９
　
（ｅ）「
Ｓｉ基板上に作成されたＴＣ　ＯＬＥＤ用の本発明のアノードの第３の実施の形態を第６図に示す。基板３３から上には、Ｓｉ　ＩＣ／Ｎｉ／ＮｉＯｘ／Ｖ
２
Ｏ
５
／ＨＴＬ／ＥＭＬ／ＥＴＬ／ＴＣ　ＯＬＥＤ構造が付着の順に示されている。第６図のＳｉ　ＩＣ３３はＡｌ：Ｃｕ合金の上部金属接点３４を含み、これは本発明のアノード内の金属層として機能する。
Ｓｉ　ＩＣの完成後、基板３３のうち、金属接点層３４によって覆われている部分の上に２層のＮｉ３５／ＮｉＯｘ３６の障壁層が順に直接付着されるか、あるいは、Ｎｉ３５障壁層が付着され、その表面がその後酸化されてＮｉＯｘ３６障壁層を形成する。本発明のアノードは、ＨＴＬ３８内へ正孔を注入可能なＶ
２
Ｏ
５
アノード改質層３７の付着によって完成する。
　本発明のアノードの金属層３４とアノード改質層３７との間には任意に多数の障壁層３５、３６を挿入することができる。ただし、それそれの界面またはその大部分における過剰な直列抵抗によってデバイス効率を低減しないものとする。本実施の形態のＮｉ３５／ＮｉＯｘ３６障壁層構造は、良好なデバイス効率を保証するために、Ｎｉ３５金属の高い反射率と、絶縁しているＮｉＯｘ３６層の透明度および厚さを頼りにしている。
　Ｎｉ層およびＮｉＯｘ層のない第３の実施の形態は、Ａｌ：Ｃｕ合金３４とアノード改質層３７との化学反応のために不安定である。Ｎｉ３５表面の酸化あるいは追加の障壁層の付着により、Ｎｉ金属はアノード改質層３７からさらに化学的に隔離される。Ｎｉ３５障壁層は導電性が高いので、隣接するＩＣメタライゼーション３４（第６図には図示しない）間の側方伝導を回避するために、非常に薄くするかまたはパターン化（第６図に示す）しなければならない。
　第６図に示す本発明の金属／Ｎｉ／ＮｉＯｘ／Ｖ２Ｏ５アノード構造を有するデバイスは、従来のＩＴＯアノードより急峻な電流／電圧特性と、同様の電力効率を示す。」（引用文献１第１５頁第４行〜第１６頁第１０行（引用文献１’第１７頁下から第８行〜第１８頁第２２行））
　
（ｆ）「
　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 」
　
（ｇ）「
　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 」
　
　上記記載事項からみて、引用文献1記載の「ＯＬＥＤ」が上面発光型ＯＬＥＤであることは明らかであるから、上記引用文献１の記載事項から、引用文献１には、以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。
　
「基板３３上に、Ｓｉ　ＩＣ／Ｎｉ／ＮｉＯｘ／Ｖ２Ｏ５／ＨＴＬ／ＥＭＬ／ＥＴＬ／ＴＣの順に付着された上面発光型ＯＬＥＤにおいて、
　Ｓｉ　ＩＣ３３はＡｌ：Ｃｕ合金の上部金属接点３４を含み、これはアノード内の金属層として機能し、
　Ｓｉ　ＩＣの完成後、基板３３のうち、金属接点層３４によって覆われている部分の上に２層のＮｉ３５／ＮｉＯｘ３６の障壁層が順に直接付着されるか、あるいは、Ｎｉ３５障壁層が付着され、その表面がその後酸化されてＮｉＯｘ３６障壁層を形成し、アノードは、ＨＴＬ３８内へ正孔を注入可能なＶ２Ｏ５アノード改質層３７の付着によって完成する上面発光型ＯＬＥＤ。」
　
３．対比
（１）本願発明と引用発明との対比
（ａ）引用発明の「基板３３」、「ＨＴＬ／ＥＭＬ／ＥＴＬ」、「ＴＣ」及び「上面発光型ＯＬＥＤ」が、それぞれ、本願発明の「基板」、「当該下部電極上に設けられた少なくとも発光層を有する有機層」、「当該有機層上に設けられた光透過性上部電極」及び「上面発光型発光素子」に相当する。
　
（ｂ）引用発明において、「Ｓｉ　ＩＣ３３はＡｌ：Ｃｕ合金の上部金属接点３４を含み、これはアノード内の金属層として機能し、Ｓｉ　ＩＣの完成後、基板３３のうち、金属接点層３４によって覆われている部分の上に２層のＮｉ３５／ＮｉＯｘ３６の障壁層が順に直接付着されるか、あるいは、Ｎｉ３５障壁層が付着され、その表面がその後酸化されてＮｉＯｘ３６障壁層を形成し、アノードは、ＨＴＬ３８内へ正孔を注入可能なＶ２Ｏ５アノード改質層３７の付着によって完成する」のであるから、引用発明の「Ａｌ：Ｃｕ合金の上部金属接点３４」及び「Ｎｉ／ＮｉＯｘ／Ｖ２Ｏ５」は、本願発明の「下部電極」に相当する。
　また、本願発明において、「緩衝薄膜層」が「金属材料層の表面の粗さを緩和する」のは、本願の明細書段落【００１２】、【００１９】、【００２０】の記載によれば、表面粗さが粗い金属膜上に、表面粗さが小さい金属酸化膜を、スパッタリング法や熱酸化法により積層することにより達成されると認められ、引用発明の「２層のＮｉ３５／ＮｉＯｘ３６の障壁層が順に直接付着されるか、あるいは、Ｎｉ３５障壁層が付着され、その表面がその後酸化されてＮｉＯｘ３６障壁層を形成」した構成も、金属膜（「Ｎｉ３５障壁層」）上に金属酸化膜（「ＮｉＯｘ３６障壁層」）を積層したものであるから、本願発明と同様、「ＮｉＯｘ３６障壁層」が「Ｎｉ３５障壁層」の表面粗さを緩和するものであると認められる。さらに、「ＮｉＯｘ３６障壁層」が「Ｎｉ３５障壁層」の酸化物であることから、引用発明の「Ｓｉ　ＩＣの完成後、基板３３のうち、金属接点層３４によって覆われている部分の上に２層のＮｉ３５／ＮｉＯｘ３６の障壁層が順に直接付着されるか、あるいは、Ｎｉ３５障壁層が付着され、その表面がその後酸化されてＮｉＯｘ３６障壁層を形成」する構成が、本願発明の「前記基板側から金属材料層と、前記金属材料層を構成する金属材料の酸化物」「からなり、前記金属材料層の表面粗さを緩和する緩衝薄膜層との順に積層された構造を有する」構成に相当する。
　したがって、引用発明の「Ｓｉ　ＩＣ／Ｎｉ／ＮｉＯｘ／Ｖ２Ｏ５」、「Ｓｉ　ＩＣ３３はＡｌ：Ｃｕ合金の上部金属接点３４を含み、これはアノード内の金属層として機能し、Ｓｉ　ＩＣの完成後、基板３３のうち、金属接点層３４によって覆われている部分の上に２層のＮｉ３５／ＮｉＯｘ３６の障壁層が順に直接付着されるか、あるいは、Ｎｉ３５障壁層が付着され、その表面がその後酸化されてＮｉＯｘ３６障壁層を形成し、アノードは、ＨＴＬ３８内へ正孔を注入可能なＶ２Ｏ５アノード改質層３７の付着によって完成する」構成と、本願発明の「前記下部電極は、前記基板側から金属材料層と、前記金属材料層を構成する金属材料の酸化物のうち前記有機層よりも導電性が高い材料からなり、前記金属材料層の表面粗さを緩和する緩衝薄膜層との順に積層された構造を有する」構成とは、「前記下部電極は、前記基板側から金属材料層と、前記金属材料層を構成する金属材料の酸化物からなり、前記金属材料層の表面粗さを緩和する緩衝薄膜層との順に積層された構造を有する」構成で一致する。
　
（２）一致点
　してみると両者は、
「基板上に設けられた下部電極と、当該下部電極上に設けられた少なくとも発光層を有する有機層と、当該有機層上に設けられた光透過性上部電極とからなる発光素子において、
　前記下部電極は、前記基板側から金属材料層と、当該金属材料層を構成する金属材料の酸化物からなり、前記金属材料層の表面粗さを緩和する緩衝薄膜層との順に積層された構造を有する
　上面発光型発光素子。」
で一致し、次の点で相違する。
　
（３）相違点
　「緩衝薄膜層」を形成する「金属材料の酸化物」が、本願発明では「前記金属材料層を構成する金属材料の酸化物のうち前記有機層よりも導電性が高い材料からな」るものであるのに対して、引用発明では、「ＮｉＯｘ」が「ＨＴＬ／ＥＭＬ／ＥＴＬ」よりも導電性が高いか否かが明らかでない点。
　
（４）判断
　上記相違点について検討する。
　有機ＥＬ素子において、電極を発光層等の有機物層よりも導電性が高い材料で形成することは周知であるから、引用発明において、電極を構成する「ＮｉＯｘ」として、「ＨＴＬ／ＥＭＬ／ＥＴＬ」よりも導電性が高いものを使用することは、当業者が容易に想到し得ることである。
　
　そして、本願発明が奏し得る効果は、引用発明が奏し得るものであるか、または、引用発明及び周知技術に基いて当業者が容易に想到し得るものであって格別なものではない。
　
　したがって、本願発明は、引用発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　
第３　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、本願の他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。