【事件の表示】
　特願２００６−１７９０６４「熱電素子及びその製造方法，並びに，熱電モジュール」拒絶査定不服審判事件〔平成２０年　１月１７日出願公開，特開２００８−　１０６１２〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯
　本願は，平成１８年６月２９日の出願であって，平成２３年７月２２日付けで手続補正がなされ，同年８月４日付けで拒絶査定がされ，これに対して同年１１月８日に拒絶査定に対する審判請求がされるとともに，同日に手続補正がされ，その後当審において，平成２４年９月２４日付けで拒絶理由通知がされ，これに対して，同年１１月２２日に意見書，手続補正書が提出されたものである。
　
２　本願発明
　本願発明は，平成２４年１１月２２日の手続補正書により補正された明細書，特許請求の範囲及び図面の記載からみて，その特許請求の範囲の請求項１〜６に記載されている事項により特定されるとおりのものであり，そのうちの請求項６に係る発明（以下「本願発明６」という。）は，請求項６に記載されている事項により特定される，以下のとおりのものである。
　
「真空チャンバ内において，ビスマス（Ｂｉ），テルル（Ｔｅ），セレン（Ｓｅ），及び，アンチモン（Ｓｂ）の内の２つ以上を含み所定の形状に成形された熱電材料層に逆スパッタを施すことにより，前記熱電材料層の表面を清浄にする工程（ａ）と，
　工程（ａ）が行われるのと同一の真空チャンバ内において，表面が清浄にされた前記熱電材料層上に，イオンプレーティング法により，モリブデン（Ｍｏ），タングステン（Ｗ），ニオブ（Ｎｂ），及び，タンタル（Ｔａ）の内のいずれかを含み，前記熱電材料層に対する異種元素の拡散を防止する拡散防止層を，空孔率が０．１％以下となるように形成する工程（ｂ）と，
　工程（ｂ）が行われるのと同一の真空チャンバ内において，前記拡散防止層の形成に引き続いて，前記拡散防止層上に，イオンプレーティング法により，ニッケル（Ｎｉ），銅（Ｃｕ），銀（Ａｇ），金（Ａｕ），白金（Ｐｔ），アルミニウム（Ａｌ），及び，クロム（Ｃｒ）の内のいずれかを含み，前記拡散防止層と半田とを接合させる半田接合層を形成する工程（ｃ）と，
を具備する熱電素子の製造方法。」
　
３　引用例１の記載，引用発明，引用例２の記載及び周知例の記載
（１）　引用例１の記載
　本願の出願前に日本国内において頒布され，当審において平成２４年９月２４日付けで通知した拒絶理由に引用した特開平９−２９３９０６公報（以下「引用例１」という。）には，「熱電変換素子」【発明の名称】に関して，図４とともに以下の記載がある（なお，下線は当合議体にて付加したものである。以下同様。）。
　
ア　「【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は，
Ｐ形導電形式またはＮ形導電形式を有するＢｉ−Ｔｅ系半導体に接する介在層が電極に接続
介在層は，Ａｌ，ＴｉおよびＭｇから成るグループのうちの１またはそれらの合金である
介在層は，薄膜技術または厚膜技術によって形成され，電極には，高温半田または硬ロウから成る接合層が接続され，介在層と接合層との間に，介在層と接合層との両者に濡れ性のよい中間層を設けることを特徴とする。また本発明は，中間層は，Ｃｕ，Ａｇ，ＡｕおよびＭｇから成るグループのうちの１またはそれらの合金である
【０００７】本発明に従えば，Ｐ形またはＮ形の導電形式を有する半導体の一端部を電極と接続するにあたり，半導体に接する介在層が設けられ，
介在層は，Ａｌ，ＴｉおよびＭｇから成るグループから選ばれる１またはそれらの合金である
これらの介在層を構成する金属は，半導体への拡散係数が極めて小さい
介在層によれば，電極，接合層および中間層の成分が半導体へ拡散しやすい物質であったとしても，その拡散を介在層によって防ぐことができる
介在層６，７はまた，薄膜技術または厚膜技術によって形成され，この薄膜技術は，陽射すなわちイオンプレーティング，スパッタリング，蒸着またはＩＣＢ（イオンクラスタビーム）が挙げられ
介在層１４，１５は，薄膜技術または厚膜技術によって形成され
 【０００８】 
 【発明の実施の形態】図１は本発明の実施の一形態の熱電変換素子１を示す断面図であり，図２は図１に示される熱電変換素子１を数個直列接続して構成されたユニット２の簡略化した側面図である。これらの図面を参照して，熱電変換素子１は，Ｐ形導電形式を有する半導体４とＮ形導電形式を有するもう１つの半導体３との各一端部３ａ，４ａと電極５との間に，Ａｌ，ＴｉおよびＭｇのうちの１またはそれらの合金から成る介在層６，７が介在される。
この介在層６，７は，半導体３，４への拡散が零またはほとんど無く，しかも介在層６，７に接する電極５の成分との親和性が弱く，したがってその介在層６，７に接するＣｕなどの電極５の成分が介在層６，７を経て半導体３，４に拡散することを防ぐ
 　 
イ　「【００１３】本発明の実施の他の形態は、図３に示されている。この図３に示される実施の形態は、前述の構成に類似し、対応する部分には同一の参照符を付す。この実施の形態では、半導体３，４の一端部３ａ，４ａの端面に、まず、アルミニウムから成る介在層１４，１５を接合する。このアルミニウムから成る介在層１４，１５は、薄膜技術である陽射すなわちイオンプレーティング、スパッタリング、蒸着またはＩＣＢによって作成してもよく、または厚膜技術であるたとえばスクリーン印刷などによって作成することができる。次に、介在層１４，１５と銅から成る電極５とは、接合層１６，１７によって接続する。介在層１６，１７は、高温半田および硬ロウであってもよい。高温半田は、ＳｎとＰｂとを主成分として含み、Ｓｎはたとえば約６０重量％以上が含まれ、さらにＡｇが含まれてもよい。硬ロウは、たとえばアルミニウムロウ、マグネシウムロウ、銀ロウ、金ロウであってもよい。本発明の実施のさらに他の形態では、介在層１４，１５は、アルミニウムに代えて、ＴｉまたはＭｇであってもよく、さらにそれらの合金であってもよい。
【００１４】図４は，本発明の実施のさらに他の形態の一部の断面図である。この実施の形態は，前述の図３の構成に類似し，対応する部分には同一の参照符を付す。注目すべきはこの実施の形態では，
介在層１４，１５と接合層１６，１７との濡れ性を向上するために，中間層１８，１９を薄膜技術によってまたは厚膜技術によって設ける。この濡れ性のよい中間層１８，１９は，たとえばＣｕ，Ａｇ，ＡｕおよびＭｇのうちの１つまたはそれらの合金であってもよい
半導体３，４の一端部３ａ，４ａの端面に薄膜技術または厚膜技術によって形成された介在層１４，１５上に，濡れ性のよい中間層１８，１９が形成された後，高温半田または硬ロウから成る接合層１６，１７を用いて電極５に接合する。これによって強度を向上することができる。たとえば半導体３，４には，ＡｌまたはＴｉから成る介在層１４，１５が形成され，その上にＡｕから成る中間層１８，１９が形成され，高温半田から成る接合層１６，１７によってＣｕ製電極５に接合される。介在層１４，１５は，たとえばＡｌであってもよいけれども，ＴｉまたはＭｇから成ってもよく，またはそれらの合金であってもよい
　
ウ　引用例１には，熱電変換素子における介在層，中間層を薄膜技術により形成するという製造方法が記載されていることから，引用例１には「熱電変換素子の製造方法」が記載されていることは明らかである。
　
（２）引用発明
　以上を総合すると，引用例１には，以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
「Ｂｉ−Ｔｅ系半導体上に，電極，接合層および中間層の成分が半導体へ拡散しやすい物質であったとしても，その拡散を防ぎ，Ａｌ，ＴｉおよびＭｇから成るグループのうちの１またはそれらの合金である介在層１４，１５を薄膜技術により形成する工程と，
介在層１４，１５，高温半田からなる接合層１６，１７，及び介在層１４，１５と接合層１６，１７との両者に濡れ性のよい，Ｃｕ，Ａｇ，ＡｕおよびＭｇから成るグループのうちの１またはそれらの合金である中間層１８，１９を介在層と接合層との間にそれぞれ薄膜技術により形成する工程とを，
を具備する熱電変換素子の製造方法。」
　
（３）引用例２の記載
　本願の出願前に日本国内において頒布され，当審において平成２４年９月２４日付けで通知した拒絶理由に引用した特開２００６−１４７６００号公報（以下「引用例２」という。）には，「熱電変換モジュール」【発明の名称】について以下の記載がある。
  
ア　「【００１７】
  また，特許文献５では，熱電素子において必須とされる元素拡散防止層と熱応力緩和層を熱電半導体素子に組み込むための最適な溶射条件（溶射材チタンＴｉ，層厚１０μｍ以上１００μｍ以下）を提示し，且つ金属電極に直接接合して拡散防止層兼熱応力緩和層を実現する熱電素子とその製造方法を開示している。しかしながら，溶射法では
気孔率をゼロにすることは実質的に不可能であり，この気孔を通じて熱電部材，電極部材の構成元素が熱拡散する可能性は高い。更に，こうした気孔は溶射金属層及び熱拡散した蝋材金属の酸化層形成の場所ともなるため，やはり素子の電気抵抗・熱抵抗を増加してしまい，結果として熱電変換効率を下げることとなる。また，通常こうした溶射層に使用される溶射材は高融点金属が多く，層が薄ければ気孔率が上がって元素拡散の生じやすい場所となるとともに，熱応力に起因するクラック等が生じやすくなる
　
イ　「【００６３】
  この場合，使用される接合材は中温域使用下において接合面における元素
拡散防止層として機能する
Ｗ，Ｍｏ
　
（４）周知例の記載
 ア　周知例１：特開平１１−１８６６１６号公報
　本願の出願前に日本国内において頒布された特開平１１−１８６６１６号公報（以下「周知例１」という。）には，「熱電変換素子及び熱電変換素子の製造方法」【発明の名称】について以下の記載がある。
　
（ア）　「【００３３】ここで
真空成膜法とは，スパッタリング（イオンプレーテング
【００３４】
【発明の実施の形態】熱電変換素子は例えば次のようにして製造される。
熱電半導体Ａ″はＢｉ−Ｔｅ−Ｓｅ系合金（ｎ型）またはＢｉ−Ｓｂ−Ｔｅ系合金（ｐ型）
熱電半導体Ａ″の表面が例えばＡｒプラズマエッチング（逆スパッタリング）される
拡散防止効果を有する金属（Ｔｉ，Ｃｒ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｗ）のうち少なくとも一種類の元素からなる拡散防止層Ｄが図１２（ａ）のように真空成形膜法にて形成される。例えばＭｏがスパッタリングされて元素の層Ｃまたは合金層Ｂ″の上に拡散防止層Ｄが形成される
拡散防止層Ｄの上に半田濡れ性を向上させる金属（Ｃｕ，Ｓｎ，Ａｕ，Ｂｉ−Ｓｎのうち一種類の金属）よりなる半田濡れ性向上層Ｇが図１２（ｃ）に示すように真空成膜法によって形成されるのであるが，例えばＣｕをスパッタリングすることで半田濡れ性向上層Ｇが形成される
　
 イ　周知例２：特開平１０−１９００７０号公報
　本願の出願前に日本国内において頒布された特開平１０−１９００７０号公報（以下「周知例２」という。）には，「熱電変換素子およびその製造方法」【発明の名称】について以下の記載がある。
　
（ア）　「【００２７】以上の熱電半導体１はビスマス−アンチモン−テルル−セレン系合金として形成されるものが用いられている。そして，このような熱電半導体１の上に錫，ビスマスまたはアンチモンのうちの少なくとも一種類の金属からなる拡散層３を形成し，さらにこの拡散層３の上にモリブデン，タングステンまたはニオブのうちの少なくとも一種類の金属からなる拡散防止層４を形成し，さらにこの拡散防止層４の上に電極２を形成して，この熱電変換素子は形成されている。」
　
（イ）　「【００３４】また，図４に示すように，
拡散防止層４の上に銅層７を形成し，この銅層７の上にはんだ材５を介して電極２を形成する
銅層７によって
はんだ材５のぬれ性が向上する
電極２を熱電半導体１にしっかりと接合して形成する
　
（ウ）　「【００３８】また，
熱電半導体１と電極２との間の各層の形成を，真空中における連続工程にて行うようにすれば，加工中の酸化が防止されるので，電極２の熱電半導体１に対する接合強度が向上したものになるので好ましい
　
（エ）　「【００４０】この発明の一つの熱電変換素子は，以下の１〜１１の手順にて，好ましく製造される。
１．熱電半導体１の電極２が形成される接合部表面をサンドペーパーで湿式研磨する。この場合，サンドペーパーは４００番のものを用いている。
２．エタノールに浸して超音波洗浄を行う。
３．
熱電半導体１表面をプラズマエッチング（逆スパッタ）する
４．熱電半導体１表面にイオンビームを照射する。
５．拡散層３を熱電半導体１の電極２が形成される表面にスパッタリングする。この場合，アルゴンガスを用い，４．０Ｐａの圧力，３０００ＷでＤＣプラズマを発生させ，錫を１μｍの厚みにスパッタリングしている。
６．加熱し，拡散層３の熱電半導体１への拡散を促進させる。
７．
拡散防止層４を上記拡散層３の表面にスパッタリングする
８．
銅を上記拡散防止層４表面にスパッタリングして銅層７を形成する
９．半田付け用フラックスを銅層７の表面に塗布する。
１０．
はんだ材５を盛る
１１．電極２をはんだ接合する。
【００４１】以上の
熱電半導体１はＰ型，Ｎ型とも，粉末の押出し焼結材として形成されるもの
Ｐ型のものはビスマスを０．５，アンチモンを１．５，テルルを３．０とした成分割合であり，Ｎ型のものはビスマスを２．０，テルルを２．８５，セレンを０．１５とした成分割合である
　
　ウ　周知例３：特許庁，「特許マップシリーズ　化学１６　物理的蒸着」日本，２０００年３月３０日 ，２８１ページ〜２８２ページ
　本願の出願前に日本国内において頒布された「特許マップシリーズ　化学１６　物理的蒸着」（参考URL:http://www.jpo.go.jp/shiryou/s_sonota/map/kagaku16/4/4-3.htm#15)には，以下の記載がある。
　
（ア）「４．３．３ イオンプレーティングによる薄膜形成
　　…（中略）…
(5)反応性イオンプレーティング法
　イオンプレーティングにおいて、反応性のガス（Ｏ2、Ｎ2、ＮＨ3、ＣＨ4など）をチャンバー内に導入して蒸着物質との化合物薄膜（酸化物、窒化物、炭化物）を成膜する技術である。蒸着粒子の運動エネルギーが高いため、
密着性に優れた緻密な薄膜の形成が可能である
　
４　対比・判断
(１)　対比 
　引用発明と本願発明６とを対比する。
　
ア　引用発明の「Ｂｉ−Ｔｅ系半導体」は，本願発明６の「ビスマス（Ｂｉ），テルル（Ｔｅ），セレン（Ｓｅ），及び，アンチモン（Ｓｂ）の内の２つ以上を含み所定の形状に成形された熱電材料層」に相当し，引用発明の「介在層１４，１５」は，電極，接合層および中間層の物質が半導体へ拡散することを防いでいるものであるから，本願発明６の「熱電材料層に対する異種元素の拡散を防止する拡散防止層」に相当する。
　また，３（１）イから，「介在層１４，１５」及び「中間層１８，１９」は薄膜技術により設けられおり，３（１）アから，その薄膜技術として列記されているものの中に，「イオンプレーティング」があることが分かる。
　以上から，引用発明の「Ｂｉ−Ｔｅ系半導体上に，電極，接合層および中間層の成分が半導体へ拡散しやすい物質であったとしても，その拡散を防ぎ，Ａｌ，ＴｉおよびＭｇから成るグループのうちの１またはそれらの合金である介在層１４，１５を薄膜技術により形成する工程」と，本願発明６の「工程（ａ）が行われるのと同一の真空チャンバ内において，表面が清浄にされた前記熱電材料層上に，イオンプレーティング法により，モリブデン（Ｍｏ），タングステン（Ｗ），ニオブ（Ｎｂ），及び，タンタル（Ｔａ）の内のいずれかを含み，前記熱電材料層に対する異種元素の拡散を防止する拡散防止層を，空孔率が０．１％以下となるように形成する工程（ｂ）」とは，「ビスマス（Ｂｉ），テルル（Ｔｅ），セレン（Ｓｅ），及び，アンチモン（Ｓｂ）の内の２つ以上を含み所定の形状に成形された熱電材料層上に，」「薄膜技術により，」前記「熱電材料層に対する異種元素の拡散を防止する拡散防止層を，」「形成する工程」という点で一致する。
　
イ　引用発明の「高温半田からなる接合層」は，本願発明６の「半田接合層」に相当し，引用発明の「中間層１８，１９」が「介在層と接合層との両者に濡れ性」がよいということは，両者をしっかりと接合させていることに相当するから，引用発明の「介在層１４，１５と接合層１６，１７との両者に濡れ性のよい」「中間層１８，１９」は，本願発明６の「拡散防止層と半田とを接合させる半田接合層」に相当する。
　また，引用発明の「中間層」の材料は「Ｃｕ，Ａｇ，ＡｕおよびＭｇから成るグループのうちの１またはそれらの合金」であり，本願発明６の「半田接合層」の材料の「ニッケル（Ｎｉ），銅（Ｃｕ），銀（Ａｇ），金（Ａｕ），白金（Ｐｔ），アルミニウム（Ａｌ），及び，クロム（Ｃｒ）の内のいずれかを含」むものと，「銅（Ｃｕ），銀（Ａｇ），金（Ａｕ）」「の内のいずれかを含」む点で一致する。
　以上から，引用発明の「介在層１４，１５と接合層１６，１７と介在層と接合層との両者に濡れ性のよい，Ｃｕ，Ａｇ，ＡｕおよびＭｇから成るグループのうちの１またはそれらの合金である中間層１８，１９を薄膜技術により形成する工程」と，本願発明６の「工程（ｂ）が行われるのと同一の真空チャンバ内において，前記拡散防止層の形成に引き続いて，前記拡散防止層上に，イオンプレーティング法により，ニッケル（Ｎｉ），銅（Ｃｕ），銀（Ａｇ），金（Ａｕ），白金（Ｐｔ），アルミニウム（Ａｌ），及び，クロム（Ｃｒ）の内のいずれかを含み，前記拡散防止層と半田とを接合させる半田接合層を形成する工程（ｃ）」とは，「前記拡散防止層の形成に引き続いて，前記拡散防止層上に，薄膜技術により，銅（Ｃｕ），銀（Ａｇ），金（Ａｕ）の内のいずれかを含み，前記拡散防止層と半田とを接合させる半田接合層を形成する工程」という点で一致する。
　
（一致点）
　したがって，本願発明６と引用発明とは，
「ビスマス（Ｂｉ），テルル（Ｔｅ），セレン（Ｓｅ），及び，アンチモン（Ｓｂ）の内の２つ以上を含み所定の形状に成形された熱電材料層上に，薄膜技術により，前記熱電材料層に対する異種元素の拡散を防止する拡散防止層を形成する工程と，
　前記拡散防止層の形成に引き続いて，前記拡散防止層上に，薄膜技術により，銅（Ｃｕ），銀（Ａｇ），金（Ａｕ）の内のいずれかを含み，前記拡散防止層と半田とを接合させる半田接合層を形成する工程と，
を具備する熱電素子の製造方法。」
の点で一致し，以下の点で相違する。 
　
（相違点１） 
　本願発明６は，「真空チャンバ内において，」「熱電材料層に逆スパッタを施すことにより，」「熱電材料層の表面を清浄にする工程（ａ）」を具備しているのに対して，引用発明はこの工程がない点。
 　 
（相違点２）
　本願発明６は，「拡散防止層」を「形成する工程（ｂ）」が「工程（ａ）が行われるのと同一の真空チャンバ内において」行われ，「半田接合層を形成する工程（ｃ）」が「工程（ｂ）が行われるのと同一の真空チャンバ内において」行われるのに対して，引用発明は各工程が「同一の真空チャンバ内において」行われるかどうか特定されていない点。
　
（相違点３）
　本願発明６の拡散防止層の材料は「モリブデン（Ｍｏ），タングステン（Ｗ），ニオブ（Ｎｂ），及び，タンタル（Ｔａ）の内のいずれかを含」んでいるのに対して，引用発明は「Ａｌ，ＴｉおよびＭｇから成るグループのうちの１またはそれらの合金」である点。
　
（相違点４）
　本願発明６は，「拡散防止層」を「形成する工程（ｂ）」及び「半田接合層を形成する工程（ｃ）」が種々の薄膜技術のうち「イオンプレーティング法」により行われているのに対して，引用発明は「薄膜技術」としてどの方法を用いるかが特定されていない点。
　
（相違点５）
　本願発明６は，「拡散防止層」を，「空孔率が０．１％以下となるように形成」しているのに対して，引用発明はこの点が特定されていない点。
　
（２）判断 
ア　相違点１について 
 　熱電材料層の表面をその上層を形成する前に，逆スパッタを施すことは，例えば上記の周知例１，２にも記載されているように普通に行われている工程であり，そうすることにより材料表面が清浄化されることも当業者にとって自明である。
　したがって，引用発明において，上層を形成する前に熱電材料層に逆スパッタを施して表面を清浄にする工程を入れることは，当業者が適宜なし得た設計的事項である。
　
イ　相違点２について
　熱電材料層の表面に設ける各層をスパッタリングまたは蒸着等の真空中で形成する場合には，加工中の酸化を防止するために同一の真空チャンバ内の連続工程で行うことは，例えば周知例２にも記載されているように，薄膜形成の分野において周知技術である。
　したがって，引用発明において，拡散防止層，半田接合層の各層を同一の真空チャンバ内において形成することは，当業者が容易になし得た範囲に含まれるものである。
 　 
ウ　相違点３について 
　熱電素子の分野で，熱電材料への元素の拡散を防止する拡散防止層の材料として，Ｍｏ，Ｗ等の材料を用いることは，例えば引用例２，周知例１にも記載されているように周知技術である。
　したがって，引用発明において，拡散防止層の材料を「Ａｌ，ＴｉおよびＭｇから成るグループのうちの１またはそれらの合金」に換えて，周知のＭｏ，Ｗ等の元素の内いずれかを含んだ材料を選択することは，当業者が容易になし得た範囲に含まれるものである。
　
エ　相違点４，５について
（ア）　まず，「空孔率が０．１％以下」と限定した点について検討する。本願明細書中には「イオンプレーティング法を用いるので，空孔率が低く，……拡散防止層を，熱電材料層上に形成できる。」（段落【００１３】），「拡散防止層の空孔率は，例えば，０．１％以下である。」（段落【００１７】）と記載されるのみである。
　そうすると，本願発明６は，イオンプレーティング法を用いることにより，拡散防止層の空孔率が低くなり，その「空孔率」は例えば「０．１％以下」なのであって，「空孔率が０．１％以下となるように形成する」という数値限定によって，拡散防止層の製造条件を特定しているものとは認められない。
　また，本願明細書のその他の記載を精査しても空孔率を「０．１％以下」と数値限定したことによる臨界的意義も認められない。
　
（イ）　次に，熱電材料層に電極等の元素の拡散を防止するために，拡散防止層における気孔率（本願発明６の「空孔率」に相当。）を小さくしたいという課題は，引用例２にも記載されているように当該技術分野において公知の技術課題である。
　そして，元素の拡散を防ぐ拡散防止層を形成するための薄膜技術の１つとして，「イオンプレーティング法」も引用例１に列記されており，また，周知例１には，熱電素子の種々の層を形成する方法として「イオンプレーティング法」が記載されていることから，当該技術分野において，成膜方法として「イオンプレーティング法」は周知技術であるといえる。
　また，周知例３にも記載されているように，イオンプレーティング法によれば密着性に優れた緻密な薄膜が形成できることも周知の事項である。
　そうすると，引用発明において，空孔率を小さくしたい拡散防止層を形成するにあたり，種々ある薄膜技術の中から，緻密な膜を形成するために周知のイオンプレーティング法を選択することは当業者が適宜なし得たことといえ，また，そうすることにより上記（ア）で検討したとおり，拡散防止層の空孔率が「０．１％以下」が達成されていると認められる。
　
（ウ）　したがって，引用発明において，種々ある薄膜技術の中からイオンプレーティング法を用いて拡散防止層を空孔率が０．１％以下となるように形成すること及び半田接合層を形成することは当業者ならば適宜なし得たことである。
　以上から，相違点４，５は当業者が容易になし得た範囲に含まれるものである。
　
オ　以上から，引用発明において，周知技術を勘案し，引用例２に記載の発明を適用することにより，相違点１〜５に係る構成をとることは当業者が容易になし得たことである。
　したがって，本願発明６は特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
５ むすび 
　以上のとおり，本願の請求項６に係る発明は特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから，他の請求項に係る発明について検討するまでもなく，本願は拒絶をすべきものである。 
　
　よって，結論のとおり審決する。