【事件の表示】
　特願２００６−１１６６２７「フリップチップ型半導体発光素子の実装構造及び発光ダイオードランプ」拒絶査定不服審判事件〔平成１９年１１月　１日出願公開、特開２００７−２８８０９７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯  
　本願は、平成１８年４月２０日の出願であって、平成２４年２月２日付けで拒絶の理由が通知され、同年４月５日に手続補正がなされたが、同年６月１日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年９月４日に拒絶査定不服審判が請求されと同時に手続補正がなされ、その後、当審において、平成２５年５月３１日付けで拒絶の理由（以下「当審拒絶理由」という。）が通知され、同年８月１日に手続補正がなされたものである。  
         
第２　本願発明  
　本願の請求項に係る発明は、平成２５年８月１日付けの手続補正書の請求項１ないし３に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次のとおりのものである。  
           
　「透光性基板と、前記透光性基板上に積層された半導体層と、前記半導体層の前記透光性基板側とは反対側に形成された負電極と負電極パッド及び正電極と正電極パッドとが備えられ、前記負電極パッドは、前記負電極上と前記正電極の形成領域に渡って形成されており、かつ前記負電極より大きく、前記の各電極パッドの平面視形状が相互に同一の形状とされたフリップチップ型半導体発光素子と、
　実装の際に前記の各電極パッドが接続される一対の電極パターンと、前記電極パターンに接続された配線パターンとを具備してなり、
　一の前記電極パターン対して複数の配線パターンが接続され、前記電極パターンと前記配線パターンとの接続部に前記配線パターンの端面を露出すると共に、溶融した半田の流れを阻害する段差部が設けられ、
　前記配線パターンが略線状に形成されると共に、前記配線パターンの線幅ｗ１と前記電極パターンの短辺部の長さｌ１の比が１／３以下であり、
　前記段差部の深さは１０μｍ〜５００μｍの範囲であり、
　前記一対の電極パターンの平面視形状が相互に同一の形状とされていることを特徴とするフリップチップ型半導体発光素子用の実装基板と、を具備してなり、
　前記正電極パッド及び前記負電極パッドが前記実装基板の各電極パターンに接続されていることを特徴とするフリップチップ型半導体発光素子の実装構造。」　
　　             
第３　刊行物の記載　　　　　　　  
１　当審拒絶理由に引用され、本願の出願前に頒布された刊行物である国際公報第２００６／０３５６６４号（以下「引用文献」という。）には、図とともに以下の記載がある（なお、下線は当審で付した。以下同じ。）。 
　　　　　　　　  
（１）「［１］　光透過性の素子基板と、
　前記素子基板を覆うように前記素子基板上に形成されたｎ型半導体層と、
　前記ｎ型半導体層のｎ電極用領域を除いた前記ｎ型半導体層の領域上を覆うように形成され、前記ｎ型半導体層との間で発光を行うｐ型半導体層と、
　前記ｎ型半導体層の前記ｎ電極用領域上に形成された薄膜である第１ｎ電極と、
　前記ｐ型半導体層上に形成された薄膜である第１ｐ電極と、
　前記第１ｎ電極と前記第１ｐ電極とを絶縁するように形成された第１絶縁層と、
　前記ｎ型半導体と前記第１ｎ電極との接合面よりも面積が大きい薄膜として前記第１ｎ電極及び前記第１絶縁層上に形成されることで、前記第１ｎ電極に電気的に接続されるとともに前記第１絶縁層により前記第１ｐ電極と絶縁された第２ｎ電極と、
　前記ｎ型半導体層と前記ｐ型半導体層との接合面よりも面積が小さい薄膜として形成され、前記第１ｐ電極に電気的に接続される第２ｐ電極と、
　を備える半導体発光素子。
　　　・・・（略）・・・　　
［７］　
請求項１に記載の半導体発光素子
　
複数の電極を有する配線基板
　
前記第２ｎ電極と、前記第２ｐ電極とを前記配線基板上の前記電極に電気的に接続するとともに固定する導電性接着材料層と、
　を備える
発光装置
［８］　
前記導電性接着材料層が、はんだ
　
（２）「［００２７］　図１において、ＬＥＤチップ１は、素子基板１１と、素子基板１１を覆うように素子基板１１上に形成されたｎ型半導体層１２と、ｎ型半導体層１２の角部のｎ電極用領域１２ａを除いたｎ型半導体層１２のｐ型半導体層用領域１２ｂ上に形成されたｐ型半導体層１３と、ｎ電極用領域１２ａ上に形成された第１ｎ電極１４と、ｐ型半導体層１３上に形成された第１ｐ電極１５とにより構成される基礎チップ１０（図３参照）を備えている。 
［００２８］　また、ＬＥＤチップ１は、第１ｎ電極１４及び第１ｐ電極１５を覆うとともに、第１ｎ電極１４と第１ｐ電極１５とを絶縁するように形成された第１絶縁層１６と、第１絶縁層１６上（すなわち、図１においてＬＥＤチップ１の最も下側）に形成され、第１絶縁層１４を貫通して第１ｎ電極１４に電気的に接続された第２ｎ電極１７及び第１ｐ電極１５に電気的に接続された第２ｐ電極１８を備えている。」　 
 　　　 
（３）「［００３１］　第２ｎ電極１７と第２ｐ電極１８とは、第１絶縁層１６上にスパッタリングやメッキなどにより、例えば厚さ０．１μｍ〜０．３μｍ程度の薄膜で形成され、図２に示すように、素子基板１１の一つの対角線部を挟んで
二等辺三角形状で大略同じ大きさとなるように形成されている
［００３２］ 
　本第１実施形態に係るＬＥＤチップ１は、以上のように構成されている。　上記のように構成される
ＬＥＤチップ１は、第２ｎ電極１７及び第２ｐ電極１８が、図１に示すように、導電性接着材料層の一例であるはんだ３１を介して配線基板４０上の電極４１に電気的に接続されるとともに固定される
 　　 
（４）「［００３４］　本第１実施形態に係るＬＥＤチップ１を備えた発光装置においては、
配線基板４０を介して第２ｎ電極１７と第２ｐ電極１８との間に電流が与えられることにより、ｎ型半導体層１２とｐ型半導体層１３との間で光を発生する
　
（５）「［００３６］　また、本第１実施形態のＬＥＤチップ１においては、第２ｎ電極１７と第２ｐ電極１８とを素子基板１１の一つの対角線部を挟んで、
二等辺三角形状で大略同じ大きさとなるように形成したが、これには限られない。第２ｎ電極１７と第２ｐ電極１８とは、ＬＥＤチップ１の中心を通る線部を挟んで、大略同じ大きさに形成されていればよく、例えば、第２ｎ電極１７と第２ｐ電極１８との形状は、長方形であってもよい
［００３７］　また、第２ｎ電極１７と第２ｐ電極１８とは、違う大きさ（面積）に形成しても構わないが、
大略同じ大きさに形成するほうが、配線基板４０への実装時にＬＥＤチップ１が傾いたり、マンハッタン現象を発生したりするなどの不具合が生じにくい
　
（６）「［００４７］　また、本第１実施形態によれば、特に、
多数のＬＥＤチップ１を配線基板４０に高密度にて実装する場合に、大型のＬＥＤチップ１（例えば１ｍｍ以上）を一括して固定することができ、製造コストの削減を一層図ることができる
　　
（７）図１は、以下のものである。 
    　
（８）図２は、以下のものである。
　      　
２　引用文献に記載された発明  
（１）上記１（１）の記載によれば、  
　引用文献には、  
　「光透過性の素子基板と、
　前記素子基板を覆うように前記素子基板上に形成されたｎ型半導体層と、
　前記ｎ型半導体層のｎ電極用領域を除いた前記ｎ型半導体層の領域上を覆うように形成され、前記ｎ型半導体層との間で発光を行うｐ型半導体層と、
　前記ｎ型半導体層の前記ｎ電極用領域上に形成された薄膜である
第１ｎ電極
　前記ｐ型半導体層上に形成された薄膜である
第１ｐ電極
　前記第１ｎ電極と前記第１ｐ電極とを絶縁するように形成された第１絶縁層と、
　前記ｎ型半導体と前記第１ｎ電極との接合面よりも面積が大きい薄膜として前記第１ｎ電極及び前記第１絶縁層上に形成されることで、前記第１ｎ電極に電気的に接続されるとともに前記第１絶縁層により前記第１ｐ電極と絶縁された
第２ｎ電極
　前記ｎ型半導体層と前記ｐ型半導体層との接合面よりも面積が小さい薄膜として形成され、前記第１ｐ電極に電気的に接続される
第２ｐ電極
　を備える
半導体発光素子
　
複数の電極を有する配線基板
　前記第２ｎ電極と、前記第２ｐ電極とを前記配線基板上の前記電極に電気的に接続するとともに固定する
はんだ層
　が記載されているものと認められる。  
                    
（２）上記１（５）の記載に照らせば、
　上記（１）の「第２ｎ電極」と「第２ｐ電極」の形状は、
　配線基板への実装時に半導体発光素子が傾いたり、マンハッタン現象を発生したりするなどの不具合が生じにくいように、半導体発光素子の中心を通る線部を挟んで、大略同じ大きさの長方形としたものであってもよいものと認められる。　　
    　
（３）上記１（６）記載に照らせば、
　上記（１）の「発光装置」は、
　多数の半導体素子を配線基板に実装したものであとてもよいものと認められる。
　
（４）上記１（４）の記載を踏まえて、図１を見ると、
　上記（１）の「半導体発光素子」は、
　フリップチップ型の半導体発光素子であることが理解できる。
  　
（５）上記１（５）の記載を踏まえて、図１、２を見ると、 　
　上記（１）の「第２ｎ電極」は、
　第１ｎ電極１４と第１ｐ電極１５の形成領域に渡って形成され、かつ第１ｎ電極１４より大きいことが理解できる。
　　
（６）上記（１）ないし（５）から、引用文献には次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。　  
         
　「光透過性の素子基板と、
　素子基板を覆うように素子基板上に形成されたｎ型半導体層と、
　ｎ型半導体層のｎ電極用領域を除いたｎ型半導体層の領域上を覆うように形成され、ｎ型半導体層との間で発光を行うｐ型半導体層と、
　ｎ型半導体層のｎ電極用領域上に形成された薄膜である第１ｎ電極と、
　ｐ型半導体層上に形成された薄膜である第１ｐ電極と、
　第１ｎ電極と第１ｐ電極とを絶縁するように形成された第１絶縁層と、
　ｎ型半導体と第１ｎ電極との接合面よりも面積が大きい薄膜として第１ｎ電極及び第１絶縁層上に形成されることで、第１ｎ電極に電気的に接続されるとともに第１絶縁層により第１ｐ電極と絶縁された第２ｎ電極と、
　ｎ型半導体層とｐ型半導体層との接合面よりも面積が小さい薄膜として形成され、第１ｐ電極に電気的に接続される第２ｐ電極と、を備えるフリップチップ型の半導体発光素子と、
　複数の電極を有する配線基板と、
　第２ｎ電極と、第２ｐ電極とを配線基板上の電極に電気的に接続するとともに固定するはんだ層と、
　を備える、多数の半導体素子を配線基板に実装した発光装置であって、
　第２ｎ電極は、第１ｎ電極と第１ｐ電極の形成領域に渡って形成され、かつ第１ｎ電極より大きく、
　第２ｎ電極と第２ｐ電極の形状は、配線基板への実装時に半導体発光素子が傾いたり、マンハッタン現象を発生したりするなどの不具合が生じにくいように、半導体発光素子の中心を通る線部を挟んで、大略同じ大きさの長方形とした、
　多数の半導体素子を配線基板に実装した発光装置。」
　　　                             
第４　対比・判断  
１　対比
　本願発明と引用発明とを対比する。  
（１）引用発明の「光透過性の素子基板」は本願発明の「透光性基板」に相当し、同様に、 　  
　「ｎ型半導体層」及び「ｐ型半導体層」は「半導体層」に、
　「配線基板」は「実装基板」に、
　「電極」は「電極パターン」に、
　「半導体発光素子」は「半導体発光素子」に、それぞれ、相当する。
　                      　
（２）本願明細書には、「負電極」及び「正電極」に関連して、以下の記載がある。
　
　ア　「【００２４】
　図１（Ａ）に示すように、負電極５の電極面積は、正電極４の電極面積の数分の１から十数分の１程度の大きさとされている。このように正電極４の電極面積を大きくするのは、発光層３ｄからの光を正電極４によって効率よく反射して基板２側に放射させるように、また比較的導電率の低いｐ型半導体層（上部クラッド層３ｅ及びコンタクト層３ｆ）に効率よく電流を流せるようにするためである。一方、
負電極５が小さくて良い理由は、負電極５が比較的導電率の高いｎ型半導体層（ｎ−ＧａＮ層３ｂ）に接合され
　
　イ　上記アの記載に照らせば、
　本願発明の「負電極」及び「負電極パッド」はｎ型半導体層に接続され、「正電極」及び「正電極パッド」はｐ型半導体層に接続されるものであると解される。
    　
　ウ　一方、引用発明の「第１ｎ電極」はｎ型半導体層のｎ電極用領域上に形成され、「第１ｐ電極」はｐ型半導体層上に形成されたものであることに照らせば、
　引用発明の「第１ｎ電極」及び「第１ｐ電極」は、それぞれ、本願発明の「負電極」及び「正電極」に相当する。
　また、引用発明の「第２ｎ電極」及び「第２ｐ電極」は、それぞれ、本願発明の「負電極パッド」及び「正電極パッド」に相当する。
                　
（３）上記（１）及び（２）より、
　引用発明の「半導体発光素子」と本願発明の「半導体発光素子」とは「透光性基板と、前記透光性基板上に積層された半導体層と、前記半導体層の前記透光性基板側とは反対側に形成された負電極と負電極パッド及び正電極と正電極パッドとが備えられ、前記負電極パッドは、前記負電極上と前記正電極の形成領域に渡って形成されており、かつ前記負電極より大きく、前記の各電極パッドの平面視形状が相互に同一の形状とされたフリップチップ型半導体発光素子」である点で一致する。　
　                  　
（４）また、引用発明の「『大略同じ大きさの長方形』である『第２ｎ電極』及び『第２ｐ電極』」が「配線基板」の電極にそれぞれ固定されることに照らせば、
　引用発明の「配線基板」と本願発明の「実装基板」とは「実装の際に前記の各電極パッドが接続される一対の電極パターンと、前記電極パターンに接続された配線とを具備してなり、
　一の前記電極パターン対して所定数の配線が接続されたフリップチップ型半導体発光素子用の実装基板」である点で共通する。　
　
（５）本願発明の「実装構造」とは、本願明細書の【００１３】の記載に照らせば、フリップチップ型半導体発光素子が実装基板の各電極パターンに接続された構造であると解されることから、引用発明の「発光装置」も「実装構造」であるといえる。
　　       　
（６）以上のことから、本願発明と引用発明とは以下の点で一致する。  
　＜一致点＞  
　「透光性基板と、前記透光性基板上に積層された半導体層と、前記半導体層の前記透光性基板側とは反対側に形成された負電極と負電極パッド及び正電極と正電極パッドとが備えられ、前記負電極パッドは、前記負電極上と前記正電極の形成領域に渡って形成されており、かつ前記負電極より大きく、前記の各電極パッドの平面視形状が相互に同一の形状とされたフリップチップ型半導体発光素子と、
　実装の際に前記の各電極パッドが接続される一対の電極パターンと、前記電極パターンに接続された配線とを具備してなり、
　一の前記電極パターン対して所定数の配線が接続されたフリップチップ型半導体発光素子用の実装基板と、を具備してなり、
　前記正電極パッド及び前記負電極パッドが前記実装基板の各電極パターンに接続されている、フリップチップ型半導体発光素子の実装構造。」　　
　                                                               
（７）一方で、本願発明と引用発明とは、以下の点で相違する。  
　＜相違点＞　  
　実装基板に関し、 
　本願発明は、「一の前記電極パターン対して複数の配線パターンが接続され、前記電極パターンと前記配線パターンとの接続部に前記配線パターンの端面を露出すると共に、溶融した半田の流れを阻害する段差部が設けられ、
　前記配線パターンが略線状に形成されると共に、前記配線パターンの線幅ｗ１と前記電極パターンの短辺部の長さｌ１の比が１／３以下であり、
　前記段差部の深さは１０μｍ〜５００μｍの範囲であり、
　前記一対の電極パターンの平面視形状が相互に同一の形状とされている」のに対して、
　引用発明は、そのような配線基板ではない点。　
                  
２　判断 　  
（１）上記＜相違点＞について検討する。  
　ア　引用発明において、「多数の半導体発光素子」を配線基板上にどのように配置して接続するかは、当業者が引用発明を実施する際に適宜定めるべき事項であって、例えば、複数個の半導体発光素子を並列接続するために、一つの電極に対して２つの略線状の配線パターンを接続して、隣り合う電極間を電気的に接続するようになすことに、何ら困難性は認められない。
　    　　                  　
　イ　引用発明の「第２ｎ電極及び第２ｐ電極」は、半導体発光素子が傾いたり、マンハッタン現象を発生したりするなどの不具合が生じにくいように、その形状を大略同じ大きさの長方形に形成したものであるところ、
　フリップチップ型の半導体発光素子が傾いたり、マンハッタン現象を発生したりするなどの不具合が、はんだが溶融する際の左右の表面張力等のバランスが崩れることによるものであることに照らせば（当審拒絶理由で引用した特開平８−１３０３６２号公報（【０００２】を参照。）の他に、特開平６−１７７５２６号公報（【０００７】を参照。））、第２ｎ電極側と第２ｐ電極側とで表面張力等のバランスが崩れないように、配線基板側の一対の電極の形状を同じ長方形とすることは、適宜なし得た設計的事項である。
　              　
　ウ　また、フリップチップ型の電子部品の電極をはんだにより配線基板に固定する際に、電子部品が位置ずれしないように、配線基板側に凹部を形成し、その凹部内において電気的な接続を行うことが、当審拒絶理由で引用した特開２００５−２２８７８２号公報（【要約】、【００６５】及び図１を参照。）、特開平１１−１７３２６号公報（【要約】、図１ないし３を参照。）、特開平４−１１８９８７号公報（特許請求の範囲及び第３図を参照。）、特開昭５５−６８６９０号公報（特許請求の範囲、第３図及び第４図を参照。）及び実願平２−９９９２７号（実開平４−５６３７４号）のマイクロフィルム（第３頁第１ないし１８行及び第１図を参照。段差部６ａを３００μｍとすることが記載されている。）等に記載されているように、本願の出願時点で周知であることに照らせば（以下「周知技術１」という。）、
　引用発明の「フリップチップ型の半導体発光素子」が位置ずれしないように、配線基板側に凹部を形成し、その凹部内において電気的な接続を行うことは、当業者が容易になし得たことである。
　その際、凹部の深さを、半導体発光素子の大きさ等を考慮して、１０μｍないし５００μｍの範囲内とすることは適宜なし得たことである。　
　　　　                                 　
　エ（ア）さらに、配線パターンの線幅をどの程度にするかについても、当業者が引用発明を実施する際に適宜定めるべき事項であるところ、溶融したはんだが配線パターンに沿って流れ出ることで、電子部品が傾いたりする等の不具合の生じることが、当審拒絶理由で引用した実願平５−４７７４９号（実開平７−１４６７３号）のＣＤ−ＲＯＭ（【０００１】、【０００２】及び図３を参照。オーバーガラスを電極部から離して形成した際に、オーバーガラスで覆われていない回路配線導体（印刷公差部）にハンダが流れ込み、面実装部品のずれることが記載されている。）の他に、特開平４−２６４７９５号公報（【０００４】ないし【０００６】を参照。）、実願平３−１０１３３６号（実開平５−４３５７０号）のＣＤ−ＲＯＭ（【０００２】ないし【０００６】、図２及び図３を参照。）等に記載されているように、本願の出願時点で周知であることに照らせば（以下「周知技術２」という。）、
　配線パターンの線幅をできるだけ小さくすることに何ら困難性は認められない。
      　　      　
（イ）ところで、本願明細書には、「配線パターンの線幅ｗ１と電極パターンの短辺部の長さｌ１の比」に関連して、以下の記載がある。
　      　
　「【００５２】
　なお、
図６（Ａ）及び（Ｃ）に示すように、本例の実装基板２０では、溶融した半田が凹部２１から溢れ出る虞がなく
【００５３】
　更に、電極パターン２０ｃ、２０ｃに半田フラックスペーストを塗布してからリフローすることで、発光素子１と実装基板２０との接合部分が余分な半田等によって汚れる可能性が低くなり、接合部分を綺麗に仕上げることができる。
【００５４】
　尚、本実施形態の実装基板２０においては、第１の実施形態の場合と同様に、配線パターン２０ｄの線幅を２００μｍ以下としても良い。また第１の実施形態の場合と同様に、
配線パターン１０ｄの幅と電極パターン２０ｃの短辺部２０ｃ
２
の長さの比を１／３以下に設定しても良い
　
　上記記載に照らせば、
　本願発明では、そもそも、溶融した半田は凹部から溢れ出るおそれはなく、１／３という比にも、臨界的な技術的意義があるとは認められない。　
　    　
（ウ）してみると、配線パターンの線幅を、一対の電極（長方形）の短辺部の長さの１／３以下とすることは、適宜なし得た設計的事項である。
　　
　オ　以上の検討によれば、引用発明において、上記＜相違点＞に係る本願発明の構成を採用すること、すなわち、一の電極対して複数の配線パターンを接続し、電極と配線パターンとの接続部に配線パターンの端面を露出すると共に、溶融した半田の流れを阻害する段差部を設け、配線パターンを略線状に形成すると共に、配線パターンの線幅ｗ１と電極パターンの短辺部の長さｌ１の比を１／３以下とし、
　段差部の深さを１０μｍ〜５００μｍの範囲とし、
　一対の電極の平面視形状を相互に同一の形状とすることは、当業者が上記周知技術１及び２に基づいて容易になし得たことである。 　  
                    　
（２）効果  
　本願発明の奏する効果は、当業者が引用発明、周知技術１及び周知技術２から予測し得る範囲内のものである。  
                             
３　進歩性についてのまとめ  
　本願発明は、当業者が引用発明及び周知技術に基づいて容易に発明をすることができたものである。　  
     
第５　むすび 　 　  
　以上のとおり、本願発明は、当業者が引用発明及び周知技術に基づいて容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 　  
          
　よって、結論のとおり審決する。