【事件の表示】
　特願２００７−　７２０８５「半導体基板の割断方法及び太陽電池の割断方法並びに太陽電池」拒絶査定不服審判事件〔平成２０年１０月　２日出願公開、特開２００８−２３５５２１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　
　この出願は、平成１９年３月２０日の特許出願であって、平成２３年１１月１８日付けで拒絶の理由が通知され、これに対して平成２４年１月１６日（受付日）付けで意見書及び手続補正書が提出された。その後、平成２４年３月２３日付けで最後の拒絶の理由が通知され、これに対して平成２４年５月２５日(受付日）付けで意見書及び手続補正書が提出された。
　
　この平成２４年５月２５日付け手続補正書により補正された請求項１、２に係る発明は、本件出願の際に独立して特許をうけることができないとして、原審で、平成２４年７月１９日付けで、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる改正前の特許法（以下、「改正前特許法」という。）第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであるとして、特許法第５３条第１項規定により却下された。そして、当該補正前の上記平成２４年１月１６日付け手続補正書により補正された本件特許請求の範囲の請求項１〜３に係る発明に対して、上記平成２４年３月２３日付けで通知された拒絶の理由が解消していないとして、平成２４年７月１９日付けで、拒絶の査定がなされた。
　
　その後、同年１０月３１日（受付日）付けで、当該拒絶の査定を不服とする本件審判の請求がされるとともに、同日付けで特許請求の範囲を補正対象とする手続補正(以下「本件補正」という。)がされ、平成２４年１２月１４日付けの当審の審尋に対し、平成２５年２月１５日（受付日）付けで回答書が提出されている。
　
第２　本件補正についての補正の却下の決定
　
［補正の却下の決定の結論］
　
　本件補正を却下する。
　
［理由］
　
１　本件補正の内容
　
　本件補正は特許請求の範囲について補正をするものであって、本件補正前の平成２４年１月１６日付手続補正書により補正された請求の範囲の請求項１及び３を削除するとともに、請求項２を新たな請求項１とし、併せて、本件補正前の請求項２の特定事項である「前記光電変換部上に、所定の深さを有する分割溝を形成する工程」を「前記終電電極を形成する工程後」と技術的に限定を付し、「前記分割溝に沿って前記光電変換部を折り曲げることにより、前記分割溝に沿って前記光電変換部を割断する工程」を「前記分割溝を形成する工程後」と技術的に限定を付するものである。
　
　本件補正前の請求項２と本件補正後の請求項１の記載を補正箇所に下線を付して示すと以下のとおりである。
　
（１）本件補正前の請求項２
　
「【請求項２】
　半導体基板を用いた半導体ｐｎ接合又は半導体ｐｉｎ接合を有する光電変換部を形成する工程と、
　前記光電変換部上に、スクリーン印刷法またはオフセット印刷法を用いて、集電電極を形成する工程と、
　前記光電変換部上に、所定の深さを有する分割溝を、前記所定のパターンに応じて形成する工程と、
　前記分割溝に沿って前記光電変換部を折り曲げることにより、前記分割溝に沿って前記光電変換部を割断する工程と、を備え、
　前記分割溝と、前記集電電極は、前記半導体基板の劈開面と平行ではないことを特徴とする太陽電池の割断方法。」
　
（２）本件補正後の請求項１
　
「【請求項１】
　半導体基板を用いた半導体ｐｎ接合又は半導体ｐｉｎ接合を有する光電変換部を形成する工程と、
　前記光電変換部上に、スクリーン印刷法またはオフセット印刷法を用いて、集電電極を形成する工程と、
　
前記集電電極を形成する工程後、
　
前記分割溝を形成する工程後、
　前記分割溝と、前記集電電極は、前記半導体基板の劈開面と平行ではないことを特徴とする太陽電池の割断方法。」
　
２　本件補正の適否
　
　上記「１　本件補正の内容」のとおりであるから、本件補正は補正前の請求項１及び３を削除して、補正前の請求項２を請求項１へ繰り上げるとともに、併せて補正前請求項２の特定事項を技術的に限定するものであるから、全体として特許請求の範囲の減縮を目的とすることを含むものであることは明らかである。
　
　そこで、本件補正後の特許請求の範囲の請求項１に記載された発明（以下「補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否かについて、以下検討する。
　
（１）補正発明
　
　補正後の請求項１には（そして補正前の請求項２にも）、「前記所定のパターンに応じて形成する工程」と記載があるが、この記載の前に「所定のパターン」は記載されておらず、「前記所定のパターンに応じて形成する工程」は、単に「所定のパターンに応じて形成する工程」と記載すべきものである。
　
　したがって、補正発明は、本件補正により補正された特許請求の範囲の記載並びに上記検討結果からみて、以下のとおりのものであると認める。
　
「半導体基板を用いた半導体ｐｎ接合又は半導体ｐｉｎ接合を有する光電変換部を形成する工程と、
　前記光電変換部上に、スクリーン印刷法またはオフセット印刷法を用いて、集電電極を形成する工程と、
　前記集電電極を形成する工程後、前記光電変換部上に、所定の深さを有する分割溝を、所定のパターンに応じて形成する工程と、
　前記分割溝を形成する工程後、前記分割溝に沿って前記光電変換部を折り曲げることにより、前記分割溝に沿って前記光電変換部を割断する工程と、を備え、
　前記分割溝と、前記集電電極は、前記半導体基板の劈開面と平行ではないことを特徴とする太陽電池の割断方法。」
　
（２）引用例記載事項
　
　原査定の拒絶の理由に引用された本件出願日前に頒布された刊行物である特開２００６−３１０７７４号公報（平成２４年３月２３日付け拒絶理由通知書記載の引用文献４、以下、「引用例１」という。）、特開昭６２−１０５４４６号公報（平成２４年３月２３日付け拒絶理由通知書記載の引用文献２、以下「引用例２」という。）には、それぞれ以下の記載がある。
　
（２−１）引用例１
　
ア　段落【００１６】、【００１７】
　
「【００１６】すなわち、単結晶基板の主面のうち、上記非晶質半導体層が形成された主面とは反対側の主面側からレーザ光を照射し、少なくとも上記非晶質半導体層まで達しないように太陽電池に溝を形成することによって、リーク電流が発生せず、開放電圧ＶＯＣや曲線因子Ｆ．Ｆ．の低下が抑制された太陽電池を製造することができる。したがって、単結晶基板と同じ導電型の非晶質半導体層側からレーザ光を照射することによっても、少なくとも単結晶基板とは異なる導電型の非晶質半導体層に達しないように太陽電池に溝を形成することによって、リーク電流が発生せず、開放電圧ＶＯＣや曲線因子Ｆ．Ｆ．の低下が抑制された太陽電池を製造することができる。
　
【００１７】本発明に係る光起電力素子の製造方法は、第１導電型を有する結晶系半導体基板の第１の主面上に、第２導電型を有する第１の非晶質半導体層と第１の導電性薄膜とを含む第１の積層体を形成する工程と、前記結晶系半導体基板と前記第１の積層体とを備える構造体に前記結晶系半導体基板の第２の主面側からレーザ光を照射することにより、少なくとも前記第１の非晶質半導体層に達しないように前記結晶系半導体基板に溝を形成する工程と、該溝に沿って前記構造体を分割する工程とを含むことを特徴とする。」
　
イ　段落【００２９】〜【００３４】
　
「【００２９】（実施の形態１）
  本発明の実施の形態１に係る光起電力素子及びその製造方法について、図１、図２及び図３を参照して説明する。
　
【００３０】まず、図１に示す構造の非晶質半導体と結晶系半導体を組み合わせることにより構成されたヘテロ接合を有する構造体１を作製する。
　
【００３１】 図１は、本実施形態に係る光起電力素子の製造方法によって製造する構造体の構造を示す模式的断面図である。構造体１は、ｎ型の結晶系半導体基板２の第１の主面上に、第１の積層体１１が形成され、第１の主面と対向する第２の主面上に、第２の積層体１２が形成された構造となっている。結晶系半導体基板としては、単結晶や多結晶の構造を有するシリコン基板又はゲルマニウム基板等を用いることができる。前記第１の積層体１１は、ｎ型結晶系半導体基板２の第１の主面上に真性非晶質半導体層３、ｎ型結晶系半導体基板２と異なる導電型を有するｐ型非晶質半導体層４、ｐ側透明導電膜層５及びｐ側集電極６がこの順に形成された構造を有している。さらに、前記第２の積層体１２は、ｎ型結晶系半導体基板２の第２の主面上に真性非晶質半導体層７、ｎ型結晶系半導体基板２と同じ導電型を有するｎ型非晶質半導体層８、ｎ側透明導電膜層９及びｎ側集電極１０がこの順に形成されている。非晶質半導体としては、シリコン又はゲルマニウム等を用いることができる。
　
【００３２】真性非晶質半導体層３、ｐ型非晶質半導体層４、真性非晶質半導体層７及びｎ型非晶質半導体層８は、それぞれプラズマＣＶＤ法を用いて形成することができる。また、ｐ側透明導電膜層５及びｎ側透明導電膜層９は、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）等の透光性の導電性膜を用いることができ、スパッタ法、真空蒸着法等を用いて形成することができる。また、ｐ側集電極６及びｎ側集電極１０は、Ａｇ等の金属を用いることができ、それぞれ、スクリーン印刷法、真空蒸着法、スパッタ法等を用い、パターニング形成することができる。
　
【００３３】次に、前記構造体１にレーザ光を照射することによって、該構造体１に溝を形成する工程について、図２を参照して説明する。図２は、図１に示す構造体１にレーザ光を照射することにより構造体１に溝を形成した構造体１３を示す模式的断面図である。構造体１に、図２に示すように、レーザ光を矢印Ｌに示すように、ｎ型結晶系半導体基板２の前記第２の主面側、本実施形態の場合、ｎ型結晶系半導体基板２と同じ導電型を有するｎ型非晶質半導体層８を含む前記第２の積層体１２側から照射することにより、第２の積層体１２及びｎ型結晶系半導体基板２に溝１５を形成し、構造体１３を作製する。
　
【００３４】本実施形態においては、図２に示すように、溝１５はｎ側集電極１０、ｎ側透明導電膜層９、ｎ型非晶質半導体層８、真性非晶質半導体層７及びｎ型結晶系半導体基板２に形成されているが、ｎ型結晶系半導体基板２とは異なる導電型を有するｐ型非晶質半導体層４まで達しなければよく、溝１５の深さは、溝１５形成後に行う溝１５に沿った分割を行いやすい深さで適宜選ぶことができる。」
　　
ウ　段落【００３８】
　
「【００３８】続いて、図３に示すように、前記構造体１３を溝１５に沿って分割する。図３は、前記構造体１３を溝１５に沿って分割することによって得られた、本発明に係る光起電力素子１４を示す模式的断面図である。分割の方法としては、例えば、溝１５の部分を中心にして構造体１３の周辺部を保持部材で挟み折り曲げることにより、折り曲げ切断する方法や、スクラバー、ダイシングソー等を用いて切断する方法等を用いることができる。かかる分割によって、所望のサイズの光起電力素子１４を作製できる。」
　
エ　段落【００５２】〜【００５７】
　
「【００５２】以下、図１、図２及び図３を参照して、上記の実施の形態１にかかる光起電力素子の製造方法の一例について、説明する。
　
【００５３】まず、比抵抗が約１Ω・ｃｍ、大きさが１０．４ｃｍ角、厚さが約２００μｍのｎ型単結晶シリコン基板２を洗浄した後、真空チャンバー内に設置し、１７０℃に加熱した。次に前記チャンバー内に水素ガスを導入してプラズマ放電させることにより、ｎ型単結晶シリコン基板２の第２の主面の界面処理を行った。
　
【００５４】その後、チャンバー内にＳｉＨ４ガス及び水素ガスを導入してプラズマＣＶＤ法により、厚さ１０ｎｍの真性非晶質シリコン層７を、前述のｎ型単結晶シリコン基板２の第２の主面上に形成した。続いて、チャンバー内にＳｉＨ４ガス、ＰＨ３ガス及び水素ガスを導入してプラズマＣＶＤ法により、真性非晶質シリコン層７上に、厚さ５ｎｍのｎ型非晶質シリコン層８を形成した。
　
【００５５】次に、上記真性非晶質シリコン層７とｎ型非晶質シリコン層８とが形成されたｎ型単結晶シリコン基板２をチャンバーから取り出し、再びチャンバーに設置した後、１７０℃に加熱し、前述の第２の主面の界面処理と同様の処理を、第２の主面と対向する第１の主面に行った。
　
【００５６】その後、チャンバー内にＳｉＨ４ガス及び水素ガスを導入してプラズマＣＶＤ法により、厚さ１０ｎｍの真性非晶質シリコン層３を、前述のｎ型単結晶シリコン基板２の第１の主面上に形成した。続いて、チャンバー内にＳｉＨ４ガス、Ｂ２Ｈ６ガス及び水素ガスを導入してプラズマＣＶＤ法により、該真性非晶質シリコン層３上に、厚さ５ｎｍのｐ型非晶質シリコン層４を形成した。
　
【００５７】以上の非晶質シリコン層の成膜条件を、表１に示す。表１中、「ｉ型」とは真性非晶質シリコン層３及び真性非晶質シリコン層７を、「ｐ型」とはｐ型非晶質シリコン層４を、「ｎ型」とはｎ型非晶質シリコン層８をそれぞれ示す。また、Ｂ２Ｈ６とＰＨ３は、Ｈ２ガスにより、それぞれ２％、１％に希釈されている。」
　
オ　【００５９】〜【００６３】
　
「【００５９】次に、ｎ型単結晶シリコン基板２の両主面上に形成されたｎ型非晶質シリコン層８及びｐ型非晶質シリコン層４上に、厚さ１００ｎｍのＩＴＯからなるｎ側透明導電膜層９及びｐ側透明導電膜層５をスパッタ法により形成した。
　
【００６０】次に、ｎ型単結晶シリコン基板２の第２の主面側に形成されたｎ側透明導電膜層９上及び第１の主面側に形成されたｐ側透明導電膜層５上に、銀ペーストからなるｎ側集電極１０とｐ側集電極６をスクリーン印刷法により塗布した後、約１８０℃で約１時間焼成して銀ペーストを硬化させた。これにより、第２の積層体１２と第１の積層体１１を完成させた。このようにして、構造体１を作製した。
　
【００６１】続いて、前記構造体１にレーザ光を照射し、レーザ光を照射された部分の構造体を除去することにより、構造体１に溝を形成した。
　
【００６２】この際、レーザ光径が５０μｍで波長が１０６４ｎｍのＹＡＧレーザを用いて、３〜５Ｗのパワーを使用して、構造体１に、図２に示すように、矢印Ｌの方向に第２の積層体１２側、すなわち、ｎ型単結晶シリコン基板２の第２の主面側からレーザ光を照射した。このようなレーザ光照射を行うことによって、図２に示すように、第１の積層体１１及びｎ型単結晶シリコン基板２を除去することにより、構造体１に溝１５を形成し、構造体１３を作製した。レーザ光の照射条件を調整することによって、ｎ型単結晶シリコン基板２とは異なる導電型を有するｐ型非晶質シリコン層４までは達しない深さの溝１５を形成した。この溝１５の深さは６０μｍ程度であり、溝１５の幅は前記レーザ光径と同程度であった。
　
【００６３】最後に、構造体１３に応力を印加することにより、前記溝１５に沿って、構造体１３を機械的に分割した。この分割によって、所望のサイズの光起電力素子１４を作製した（図３）。」
　　
カ　また、上記摘記事項イ、段落【００３４】には、「溝１５はｎ側集電極１０、ｎ側透明導電膜層９、ｎ型非晶質半導体層８、真性非晶質半導体層７及びｎ型結晶系半導体基板２に形成されているが、ｎ型結晶系半導体基板２とは異なる導電型を有するｐ型非晶質半導体層４まで達しなければよく、溝１５の深さは、溝１５形成後に行う溝１５に沿った分割を行いやすい深さで適宜選ぶことができる」と記載されていることから、「溝」の深さは所定の深さであるということができる。
　
（２−２）引用例２
　
キ　第１ページ右下欄第１７行〜第２ページ左上欄第２行
　
「第３図にＰＮ接合及び電極形成後の半導体結晶基板を示している。１はＰ層電極、２はＰ層、３はＮ層、４はＮ層電極である。この半導体結晶基板にハーフダイスを行ない、第４図のように基板の厚みの半分近辺の深さまで極細幅の溝５を入れる。」
　
ク　第２ページ右上欄第３行〜同欄第１２行
　
「＜発明が解決しようとする問題点＞
　上記は、半導体結晶基板をチップに分割するに当って、ダイシングライン１０，スクライブライン６が基板の割れ易いへき開方向８及び９と一致しているので、チップ７（第６図参照）として良好な形状のものが得られるという利点がある。
　しかし、ダイシングの工程及び半導体結晶基板のチップ化する分割までの工程において、半導体結晶基板の割れが、製造工程上歩留悪化に著しい影響を及ぼしている。」
　
ケ　第２ページ右上欄１５行〜同ページ左下欄６行
　
「＜問題点を解決するための手段＞
　メサ型構造形成のため半導体結晶基板をハーフダイスするに際し、半導体結晶基板のへき開方向に対し、２〜２０°ずらせてハーフダイシングする。
＜作用＞
　へき開方向に対し２〜２０°の範囲では、チップ化の分割に際し、へき開方向に逆ってスクライブラインに沿って割れるきっかけの方が強く、へき開方向からずれているものの良好なチップ形状のものが得られる。また、ダイシングラインがへき開方向からずれていることにより基板のワレは改善され、歩留を向上させることとなる。」
　
（２−３）　引用発明１
　
　上記アないしオの摘記事項、カの認定事項より、引用例１には、以下の「光起電力素子の切断方法」が記載されていると認める。
　
「ｎ型単結晶シリコン基板を用いた半導体ｐｎ接合又はｐｉｎ接合を有する光電変換部を形成する工程と、
　前記光電変換部上に、スクリーン印刷法を用いて、集電極を形成する工程と、
　前記集電極を形成する工程後、所定の深さを有する溝を、形成する工程と、
　前記溝を形成する工程後、前記溝に沿って前記光電変換部を折り曲げることにより、前記光電変換部を切断する工程と、を備えた光起電力素子の切断方法」（以下「引用発明１」という。）
　
（３）対比
　
　補正発明と引用発明１とを対比する。
　
　引用発明１の「ｎ型単結晶シリコン基板」は、「半導体基板」の下位概念である。
　また、引用発明１の、「スクリーン印刷法」、「集電極」、「溝」、「切断」は、それぞれ補正発明の「スクリーン印刷法」、「集電電極」、「分割溝」、「割断」にそれぞれ相当する。
　
　上記摘記事項アから、引用発明１の「光起電力素子」は、太陽電池を構成するものであることは当業者にとって自明である。
　
　そうすると、補正発明と引用発明１とは、以下の点で一致しているということができる。　
　
＜一致点＞
　
「半導体基板を用いた半導体ｐｎ接合又は半導体ｐｉｎ接合を有する光電変換部を形成する工程と、
　前記光電変換部上に、スクリーン印刷法を用いて、集電電極を形成する工程と、
　前記集電電極を形成する工程後、前記光電変換部上に、所定の深さを有する分割溝を、形成する工程と、
　前記分割溝を形成する工程後、前記分割溝に沿って前記光電変換部を折り曲げることにより、前記分割溝に沿って前記光電変換部を割断する工程と、を備える、
　太陽電池の割断方法。」
　
　そして、両者は以下の点で相違している。
　
＜相違点１＞
　
　補正発明では、分割溝を「所定のパターンに応じて形成」するものであるのに対して、引用発明１では、「所定のパターンに応じて」形成するかどうか明らかでない点。
　
＜相違点２＞
　
　補正発明では、分割溝は半導体基板の劈開面と平行ではないのに対して、引用発明１では、劈開面との関係は明らかでない点。
　
＜相違点３＞
　
　補正発明では、集電電極は半導体基板の劈開面と平行ではないのに対して、引用文献１では、集電極の半導体基板の劈開面との関係は明らかではない点。
　
（４）相違点の検討
　
ア　＜相違点１＞について
　
　補正発明の「所定のパターンに応じて形成」は、本件特許請求の範囲、明細書及び図面全体の記載を参酌すれば、「光電変換部上に集電電極を所定のパターンで形成し、当該所定のパターンに応じて分割溝を形成すること」と解するべきである。
　一方、上記摘記事項イ、段落【００３２】には、「ｐ側集電極６及びｎ側集電極１０は、Ａｇ等の金属を用いることができ、それぞれ、スクリーン印刷法、真空蒸着法、スパッタ法等を用い、パターニング形成することができる」との記載がある。そうすると、引用発明１の集電極も、予め決められたパターンとなるようにｎ型単結晶シリコン基板上に印刷されるものであるから、所定のパターンで形成するものであるということができる。そして、集電極は光起電力素子が発電した電流が流れるのであるから、光起電力素子を切断する部位である溝を形成するにあたり、上記集電極の所定のパターンに応じたものとすることは、当業者が容易に想到し得たものである。
　
イ　＜相違点２＞について
　
　上記引用例２の摘記事項キ、クによれば、「半導体結晶基板」が「割れ易いへき開方向」を有するものにおいて、「基板の厚みの半分近辺の深さまで極細幅の溝」を入れるに際して、当該「へき開方向に対し、２〜２０°ずらせてハーフダイシングする」方法が記載されている。
　
　引用発明１は、半導体基板として「ｎ型単結晶シリコン基板」を用いるものであるが、単結晶シリコンが劈開面を有し、当該劈開面に平行な方向であれば割れ易いものであることは当業者にとって技術常識である。そうすると、引用例２の上記摘記事項に係る技術的事項を適用し、引用発明１において溝を形成するにあたり、その方向を劈開面と平行ではないものとすることは、当業者にとって格別な困難性はない。
　
ウ　＜相違点３＞について
　
　太陽電池を製造するにあたり、電極を形成するためにスクリーン印刷法が用いられること、そして印刷の際に電極が印刷される面に対して力が作用することは本件出願前周知（例えば、特開平１０−７４９３号公報の段落【００７７】、特開２００２−３１４１０５号公報の段落【００１４】を参照されたい。）の事項である。
　
　引用発明１が、スクリーン印刷によって集電極を形成する際にｎ型単結晶シリコン基板に加えられる力によって、劈開方向に沿って割れが生じることを避けるために、集電極をｎ型単結晶シリコン基板の劈開面と平行ではないものとすることは、上記「イ　＜相違点２＞」にて指摘した技術常識や上記引用例２記載の事項及び周知の事項に基づいて、当業者が容易に想到し得たものである。
　
エ　＜補正発明の効果＞について
　
　補正発明によってもたらされる効果も、引用発明１、引用例２の記載の事項及び上従来周知の事項から当業者であれば予測できる程度のものであって格別のものではない。
　
オ　したがって補正発明は、引用発明１、引用例２記載の事項及び従来周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
３　補正却下におけるむすび
　
　以上のとおりであるので、本件補正は、改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本件発明について
　
１　本件発明
　
　本件補正は、上記のとおり却下された。また、上記２．（１）に記載したとおり、本件補正前の請求項２には「前記所定のパターンに応じて形成する工程」と記載されているが、この記載の前に「所定のパターン」は記載されておらず、前記所定のパターンに応じて形成する工程」は、単に「所定のパターンに応じて形成する工程」と記載すべきものである。
　
　したがって、本件補正前の請求項２に係る発明（以下「本件発明」という）は以下のとおりのものであると認める。
　
「半導体基板を用いた半導体ｐｎ接合又は半導体ｐｉｎ接合を有する光電変換部を形成する工程と、
　前記光電変換部上に、スクリーン印刷法またはオフセット印刷法を用いて、集電電極を形成する工程と、
　前記光電変換部上に、所定の深さを有する分割溝を、所定のパターンに応じて形成する工程と、
　前記分割溝に沿って前記光電変換部を折り曲げることにより、前記分割溝に沿って前記光電変換部を割断する工程と、を備え、
　前記分割溝と、前記集電電極は、前記半導体基板の劈開面と平行ではないことを特徴とする太陽電池の割断方法。」
　
２　対比及び判断
　
　本件発明は、前記第２の「１　本件補正の内容」で述べたとおり、補正発明の発明特定事項である「
前記集電電極を形成する工程後、
前記分割溝を形成する工程後、
　
　そうすると、上記第２の２で検討したとおり、本件発明は、引用発明１，引用例２記載の事項及び従来周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
３　むすび
　
　以上のとおりであるので、本件発明は、引用発明、引用例２記載の事項及び従来周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　したがって、本願出願の請求項１、３に各々係る発明について検討するまでもなく、本件出願は拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。