【事件の表示】
　特願２００６−３４６７３７「半導体層形成装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２０年　７月１０日出願公開、特開２００８−１５９８１２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本件は，平成１８年１２月２２日の出願であって，平成２１年１１月５日付けで拒絶理由が通知され，同年１２月２８日に手続補正がされ，平成２２年７月８日付けで拒絶査定がされ，これに対して同年１０月５日に審判請求がされるとともに，同日に手続補正がされたものである。
　
第２　補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成２２年１０月５日になされた手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
　
［理由］
１．本件補正の内容
　本件補正は，特許請求の範囲を補正するものであって，本件補正の前後での特許請求の範囲は以下のとおりである。
　
《補正前》
「　【請求項１】
　半導体層のパターンを表す溝が表面に形成されている第１のインク転写手段と，
　半導体材料を少なくとも含んでいるインクを，前記第１のインク転写手段に，直接接触させることで供給するインク供給手段と，
　前記第１のインク転写手段に供給された前記インクを，前記溝に埋め込むインク埋込手段とを備え，
　前記半導体材料は，異方性を有する半導体材料であり，
　前記インク埋込手段は，前記第１のインク転写手段の表面を掃引し，
　前記第１のインク転写手段は，前記溝に埋め込まれた前記インクを，予め導電性の半導体材料配設領域が形成された基板の表面に直接的または間接的に転写することによって，当該基板の表面に前記半導体層を形成し，
　前記半導体材料配設領域が形成された前記基板に転写されたインクに含まれている前記異方性を有する前記半導体材料の配向を制御する配向制御手段を備えていることを特徴とする半導体層形成装置。
　　【請求項２】
　前記配向制御手段に一体化され，前記基板の表面に転写されたインクを硬化させるインク硬化手段をさらに備えていることを特徴とする請求項１に記載の半導体層形成装置。」
　
《補正後》
「　【請求項１】
　半導体層のパターンを表す溝が表面に形成されている第１のインク転写手段と，
　半導体材料を少なくとも含んでいるインクを，前記第１のインク転写手段に，直接接触させることで供給するインク供給手段と，
　前記第１のインク転写手段に供給された前記インクを，前記溝に埋め込むインク埋込手段とを備え，
　前記半導体材料は，異方性を有する半導体材料であり，
　前記インク埋込手段は，前記第１のインク転写手段の表面を掃引し，
　前記第１のインク転写手段は，前記溝に埋め込まれた前記インクを，予め導電性の半導体材料配設領域が形成された基板の表面に直接的または間接的に転写することによって，当該基板の表面に前記半導体層を形成し，
　前記半導体材料配設領域が形成された前記基板に転写されたインクに含まれている前記異方性を有する前記半導体材料の配向を，磁界を印加することにより制御する配向制御手段を備えていることを特徴とする半導体層形成装置。
　　【請求項２】
　前記配向制御手段に一体化され，前記基板の表面に転写されたインクを硬化させるインク硬化手段をさらに備えていることを特徴とする請求項１に記載の半導体層形成装置。」
　
２．補正事項の整理
　上記の，本件補正後の特許請求の範囲についての補正を整理すると次のとおりとなる。
〈補正事項〉
　補正前の請求項１の「前記半導体材料配設領域が形成された前記基板に転写されたインクに含まれている前記異方性を有する前記半導体材料の配向を制御する配向制御手段」を，補正後の請求項１の「前記半導体材料配設領域が形成された前記基板に転写されたインクに含まれている前記異方性を有する前記半導体材料の配向を，磁界を印加することにより制御する配向制御手段」と補正すること。
　
３．補正の目的の適否及び新規事項の追加の有無についての検討
　上記補正事項は，補正前の請求項１係る発明の発明特定事項である「前記半導体材料の配向を制御する配向制御手段」について，「磁界を印加することによ」るものとして，より限定するものである。また，「前記半導体材料の配向を，磁界を印加することにより制御する配向制御手段」は，本願の願書に最初に添付した明細書（以下「当初明細書」という。また，本願の願書に最初に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面を「当初明細書等」という。）の，段落【００７３】〜【００７４】に記載されている。
　よって，上記補正事項は特許法第１７条の２第４項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項をいう。以下同じ。）第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　そして，上記補正事項に係る事項は当初明細書に記載されている。よって，上記補正事項は，当初明細書等の記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものであるから，特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすものである。
　
　上記のとおり，本件補正は，特許法第１７条の２第３項及び第４項に規定する要件を満たすものであり，同法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものであるから，以下，本件補正後の特許請求の範囲に記載された発明が，特許出願の際独立して特許を受けることができるものか（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定を満たすか）どうかを，補正後の請求項１に係る発明について検討する。
　
４．独立特許要件についての検討
（１）本願補正発明
　本件補正後の請求項１に係る発明は，本件補正後の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される，以下のとおりものである。（再掲。以下「本願補正発明」という。）
「　【請求項１】
　半導体層のパターンを表す溝が表面に形成されている第１のインク転写手段と，
　半導体材料を少なくとも含んでいるインクを，前記第１のインク転写手段に，直接接触させることで供給するインク供給手段と，
　前記第１のインク転写手段に供給された前記インクを，前記溝に埋め込むインク埋込手段とを備え，
　前記半導体材料は，異方性を有する半導体材料であり，
　前記インク埋込手段は，前記第１のインク転写手段の表面を掃引し，
　前記第１のインク転写手段は，前記溝に埋め込まれた前記インクを，予め導電性の半導体材料配設領域が形成された基板の表面に直接的または間接的に転写することによって，当該基板の表面に前記半導体層を形成し，
　前記半導体材料配設領域が形成された前記基板に転写されたインクに含まれている前記異方性を有する前記半導体材料の配向を，磁界を印加することにより制御する配向制御手段を備えていることを特徴とする半導体層形成装置。」
　
（２）刊行物に記載された発明
・特開２００６−２８９９８３号公報
　原査定の拒絶の理由に引用され，本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である，特開２００６−２８９９８３号公報（以下「引用例」という。）には，図１〜図７とともに以下の記載がある。（下線は当審において付加。以下同様）
　
ア　技術分野
「【技術分野】
【０００１】
　本発明は，機能性インクとロールツーロール輪転印刷法とを用いて，ICチップ等の電子回路素子を経済的に製造する方法及び装置に関する。」
　
イ　発明が解決しようとする課題
「【発明が解決しようとする課題】
【００２０】
　従って本発明の目的は，電子素子を可撓性印刷シート上にロールツーロール輪転印刷法により高精度かつ経済的に製造する方法及び装置を提供することである。」
　
ウ　発明を実施するための最良の形態
「【００２６】
　本発明の実施例を添付図面を参照して詳細に説明する。本発明の方法は，
薄膜トランジスタやICチップ等の電子素子を大量生産するために，導電性インク，半導体インク，誘電体インク等の機能性インクを用いて回路パターンをロールツーロール印刷法でシートに印刷する
【００２７】
　図１は本発明の一実施例による電子素子の製造方法を示し，
図２は本発明の一実施例による電子素子の製造装置の全体構成を示し
図３は本発明の一実施例による電子素子の製造装置の一部である印刷ユニットを詳細に示し
図6a，図6b及び図７は図２のＡ部の拡大断面図であり，印刷シートに電子素子が印刷された状態を例示する
　
エ　電子素子の製造方法
「【００２８】
[1] 電子素子の製造方法
(1) 第１の工程（機能性インクを成形ロールの成形溝に注入）
　
インク槽21に満たされた機能性インク２中に浸漬されたインク注入ロール22は，その上の成形ロール23と接触している。成形ロール23及びインク注入ロール22が回転すると，成形ロール23の表面に形成された成形溝23aに機能性インク２が注入される。インク注入ロール22により成形溝23aへの機能性インク２の注入が確実になる
【００２９】
(2) 第２の工程（成形ロールの表面からインクを除去）
　
成形ロール23の表面にドクターブレード（「スクレーパー」とも言う）24が接触しているので，回転する成形ロール23の表面に付着した機能性インク２はドクターブレード24により取り除かれ，成形溝23aに充填された機能性インク２（成形インク2a）だけが残る
【００３０】
(3) 第３の工程（成形インクの乾燥）
　成
形ロール23は印刷ロール26と接触するが，ドクターブレード24と印刷ロール26との間で印刷ロール26より上流の領域に第一の乾燥装置25が設置されている
【００３１】
(4) 第４の工程（機能性インクを印刷ロールに転写）
　
成形ロール23の成形溝23aに充填された成形インク2aを印刷ロール26の表面に転写する
【００３２】
(5) 第５の工程（印刷ロールに転写された機能性インクの乾燥）
　
印刷ロール26は印刷シート１と接触するが，成形ロール23と印刷シート１との間で印刷シート１より上流の領域に第二の乾燥装置27が設置されている
【００３３】
(6) 第６の工程（機能性インクの可撓性印刷シートへの転写）
　印刷ロール26と加圧ロール28との間を可撓性印刷シート１が通過する。
加圧ロール28により印刷シート１は印刷ロール26に押圧されるので，印刷ロール26のロール面に付着した成形インク2aは印刷シート１に転写される
【００３４】
(7) 第７の工程（電子回路が印刷された印刷シートの巻き取り）
　以上のようにして電子回路パターンが印刷された印刷シート１をリワインディングロール40に巻き取る。」
　
オ　上記方法により製造された電子素子
「【００４５】
　上記方法により製造された電子素子（特にトランジスタ）３を図6a，図6b及び図７に例示する。
図6に示すトランジスタは，印刷シート１上にゲート電極3aを印刷し，その上に誘電体層４をほぼ全面に塗布した後，ドレイン電極3b及びソース電極3cを同時に印刷し，その上に半導体パターン3dを印刷することにより得られる
　
カ　電子素子の製造装置
「【００４６】
[2] 電子素子の製造装置
　本発明の好ましい一実施例による電子素子の製造装置は，図２に示すように，可撓性印刷シートを巻回したワインディングロール10と，一列に配列された所定の回路パターンを形成するための複数の印刷ユニット20と，少なくとも一つのコーティング部30と，印刷の完了した印刷シートを巻き戻すリワインディングロール40と，ワインディングロールとリワインディングロールとの間に配置され，印刷シートをガイドする複数のガイドロール50と，ワインディングロール及びリワインディングロールの付近にそれぞれ設置され，印刷シートの張力を調節する手段60とを有し，
各印刷ユニット20は，(a) 機能性インク２が貯蔵されたインク槽21と，(b) 機能性インク2に浸漬したインク注入ロール22と，(c) インク注入ロール22と接触した状態で一方向に回転し，回路パターン形状を有する成形溝23aが表面に形成されている成形ロール23と，(d) 成形ロール23のロール面に接触し，成形ロール23の表面のインクを除去するドクターブレードと，(e) 各成形溝23aに注入された機能性インク2の表面を乾燥させる第一の乾燥装置25と，(f) 成形ロール23と接触した状態で成形ロール23と逆方向に回転し，成形ロール23から一次転写された成形インク2aを印刷シート１に二次転写する印刷ロール26と，(g) 印刷ロール26に転写された成形インク2aの露出面をさらに乾燥させる第二の乾燥装置27と，(h) 印刷ロール26と接触した状態で印刷ロール26と逆方向に回転し，印刷シート１を印刷ロール26に一定の圧力で押圧する押圧ロール28とを具備し
　
　ここで，上記カに摘記した段落【００４６】に記載された製造装置によれば，上記エに摘記した段落【００２８】〜【００３３】に記載された各製造工程が行われ，上記オに摘記した段落【００４５】に記載された電子素子が製造されることは明らかである。そして，上記各摘記事項から，上記オに摘示した「電子素子（特にトランジスタ）３」の製造にあたり，「半導体パターン3dを印刷する」に際しては，「機能性インク」として「半導体インク」を用い，成形ロール23の表面に形成されている成形溝23aが有する回路パターン形状を「半導体パターン3d」の形状として，上記カに摘示した製造装置により，上記エに摘示した方法で印刷することも明らかである。
　また，図６（ａ）及び図６（ｂ）からは，印刷シート１上の，ドレイン電極3b及びソース電極3c上を含む部分に半導体パターン3dが形成されることが見て取れる。
　
　よって，「電子素子（特にトランジスタ）３」の製造にあたり，「半導体パターン3dを印刷する」工程を行う製造装置に着目すると，引用例には次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
「トランジスタを生産するために，印刷シート１上の，ドレイン電極3b及びソース電極3c上を含む部分に半導体パターン3dを印刷する工程を行うための，ロールツーロール輪転印刷法を用いた製造装置であって，
　当該製造装置は，半導体パターン3dを形成するための印刷ユニット20を有し，
　印刷ユニット20は，(a) 半導体インク２が貯蔵されたインク槽21と，(b) 半導体インク２に浸漬したインク注入ロール22と，(c) インク注入ロール22と接触した状態で一方向に回転し，半導体パターン3dの形状を有する成形溝23aが表面に形成されている成形ロール23と，(d) 成形ロール23のロール面に接触し，成形ロール23の表面のインクを除去するドクターブレードと，(e) 各成形溝23aに注入された半導体インク２の表面を乾燥させる第一の乾燥装置25と，(f) 成形ロール23と接触した状態で成形ロール23と逆方向に回転し，成形ロール23から一次転写された成形インク2aを印刷シート１に二次転写する印刷ロール26と，(g) 印刷ロール26に転写された成形インク2aの露出面をさらに乾燥させる第二の乾燥装置27と，(h) 印刷ロール26と接触した状態で印刷ロール26と逆方向に回転し，印刷シート１を印刷ロール26に一定の圧力で押圧する押圧ロール28とを具備し，
　インク注入ロール22は，その上の成形ロール23と接触し，成形ロール23及びインク注入ロール22が回転すると，成形ロール23の表面に形成された成形溝23aに半導体インク２が注入され，
　成形ロール23の表面に接触しているドクターブレード24が，回転する成形ロール23の表面に付着した半導体インク２を取り除いて，成形溝23aに充填された半導体インク２だけが残るものであり，
　印刷ロール26のロール面に付着した成形インク2aが印刷シート１に転写される，
　製造装置。」
　
（３）本願補正発明と引用発明との対比
ア　引用発明の「半導体パターン3dの形状を有する成形溝23aが表面に形成されている成形ロール23」は，本願補正発明の「半導体層のパターンを表す溝が表面に形成されている第１のインク転写手段」に相当する。
　
イ　引用発明の「半導体インク２」は，「半導体パターン3d」を形成するためのものであり，半導体材料を含むものであることは明らかであるから，本願補正発明の「半導体材料を少なくとも含んでいるインク」に相当する。
　
ウ　引用発明の「半導体インク２が貯蔵されたインク槽21」と，「半導体インク２に浸漬したインク注入ロール22」であって，「インク注入ロール22は，その上の成形ロール23と接触し，成形ロール23及びインク注入ロール22が回転すると，成形ロール23の表面に形成された成形溝23aに半導体インク２が注入され」るものは，合わせて，本願補正発明の「半導体材料を少なくとも含んでいるインクを，前記第１のインク転写手段に，直接接触させることで供給するインク供給手段」に相当する。
　
エ　引用発明の「成形ロール23のロール面に接触し，成形ロール23の表面のインクを除去するドクターブレード」であって，「回転する成形ロール23の表面に付着した半導体インク２を取り除いて，成形溝23aに充填された半導体インク２だけが残るものであ」るものは，本願補正発明の「前記第１のインク転写手段に供給された前記インクを，前記溝に埋め込むインク埋込手段」であって，「前記インク埋込手段は，前記第１のインク転写手段の表面を掃引」するものに相当する。
　
オ　引用発明の「印刷シート１上の，ドレイン電極3b及びソース電極3c上を含む部分に半導体パターン3dを印刷する工程」において，「ドレイン電極3b及びソース電極3c」は導電材料により形成されることは明らかであるから，引用発明において，「半導体パターン3dを印刷する」，「印刷シート１上の，ドレイン電極3b及びソース電極3c上を含む部分」は，本願補正発明の「予め導電性の半導体材料配設領域が形成された基板の表面」に相当する。また，引用発明において，「成形ロール23と接触した状態で成形ロール23と逆方向に回転し，成形ロール23から一次転写された成形インク2aを印刷シート１に二次転写する印刷ロール26」と「印刷ロール26と接触した状態で印刷ロール26と逆方向に回転し，印刷シート１を印刷ロール26に一定の圧力で押圧する押圧ロール28と」により，「印刷ロール26のロール面に付着した成形インク2aが印刷シート１に転写される」ことは，本願補正発明の「前記溝に埋め込まれた前記インクを，」「基板の表面に」「間接的に転写する」ことに相当する。ここで，本願補正発明における「直接的または間接的に転写する」は選択的な記載である。
　したがって，引用発明の「印刷シート１上の，ドレイン電極3b及びソース電極3c上を含む部分に半導体パターン3dを印刷する工程」において，「成形ロール23と接触した状態で成形ロール23と逆方向に回転し，成形ロール23から一次転写された成形インク2aを印刷シート１に二次転写する印刷ロール26」と「印刷ロール26と接触した状態で印刷ロール26と逆方向に回転し，印刷シート１を印刷ロール26に一定の圧力で押圧する押圧ロール28と」により，「印刷ロール26のロール面に付着した成形インク2aが印刷シート１に転写される」ことは，本願補正発明の「前記第１のインク転写手段は，前記溝に埋め込まれた前記インクを，予め導電性の半導体材料配設領域が形成された基板の表面に直接的または間接的に転写することによって，当該基板の表面に前記半導体層を形成」することに相当する。
　
カ　引用発明の「トランジスタを生産するために，印刷シート１上の，ドレイン電極3b及びソース電極3c上を含む部分に半導体パターン3dを印刷する工程を行うための，ロールツーロール輪転印刷法を用いた製造装置」は，本願発明の「半導体層」に対応する，「半導体パターン3d」を形成するものであるから，引用発明に係る「製造装置」は，本願発明に係る「半導体層形成装置」に相当する。
　
　以上から，引用発明と本願補正発明とは，
「半導体層のパターンを表す溝が表面に形成されている第１のインク転写手段と，
　半導体材料を少なくとも含んでいるインクを，前記第１のインク転写手段に，直接接触させることで供給するインク供給手段と，
　前記第１のインク転写手段に供給された前記インクを，前記溝に埋め込むインク埋込手段とを備え，
　前記インク埋込手段は，前記第１のインク転写手段の表面を掃引し，
　前記第１のインク転写手段は，前記溝に埋め込まれた前記インクを，予め導電性の半導体材料配設領域が形成された基板の表面に直接的または間接的に転写することによって，当該基板の表面に前記半導体層を形成するものであることを特徴とする半導体層形成装置。」
である点で一致する。
　
　一方，両者は，以下の各点で相違する。
《相違点１》
　本願補正発明においては，「半導体材料を少なくとも含んでいるインク」について，「前記半導体材料は，異方性を有する半導体材料であ」るが，引用発明においては，「半導体材料を少なくとも含んでいるインク」を用いるものの，「前記半導体材料は，異方性を有する半導体材料であ」るとの特定はなされていない点。
　
《相違点２》
　本願補正発明は，「前記半導体材料配設領域が形成された前記基板に転写されたインクに含まれている前記異方性を有する前記半導体材料の配向を，磁界を印加することにより制御する配向制御手段を備え」るが，引用発明はそのようなものを備えない点。
　
（４）当審の判断
《相違点１について》
　半導体となりうる，異方性を有するカーボンナノチューブを液体に懸濁させ，基材に塗布することで，膜として形成することは，例えば以下の周知例１及び２にも示されているように，従来より周知の技術である。
　
　・周知例１：　国際公開第２００６／７８２８１号
　原査定の拒絶の理由に引用された，本願の出願前に外国において頒布された刊行物である国際公開２００６／７８２８１号には，ＦＩＧ．２Ａ，２Ｂ，６Ａ，６Ｂ，７Ａ及び７Ｂとともに次の記載がある。（なお，日本語訳は特表２００８−５０６２５４号公報を参考とした。）
・「[0002] Nanomaterials, and in particular, nanowires have the potential to facilitate a whole new generation of electronic devices. For example, In certain cases, uses of nanomaterials have been proposed that exploit the unique and interesting properties of these materials more as a bulk material than as individual elements requiring individual assembly. For example, Duan et al., Nature 425:274-278 (September 2003), describes a nanowire based transistor for use in large area electronic substrates, such as, displays, antennas, and the like that employ a bulk processed, oriented semiconductor nanowire film or layer in place of a rigid semiconductor wafer. The result is an electronic substrate that performs on par with a single crystal wafer substrate that can be manufactured using conventional and less expensive processes than those used to manufacture poorer performing amorphous semiconductors, which is also more amenable to varied architectures, such as, flexible and/or shaped materials.」
（日本語訳：[0002]
ナノマテリアル，特にナノワイヤーは，全く新しい世代の電子機器を促進する可能性を有する
配向された半導体ナノワイヤー膜又は層を用いる大面積電子基板，例えばディスプレイ，アンテナなどに使用されるナノワイヤーベースのトランジスタ
　
・「[00040] Examples of such nanowires include semiconductor nanowires as described in Published International Patent Application Nos. WO 02/17362, WO 02/48701, and WO 01/03208, carbon nanotubes, and other elongated conductive or semiconductive structures of like dimensions, which are incorporated herein by reference.」
（日本語訳：[00040]
このようなナノワイヤーの例としては，国際公開第ＷＯ０２／１７３６２号，同第ＷＯ０２／４８７０１号及び同第ＷＯ０１／０３２０８号に記載の半導体ナノワイヤー，カーボンナノチューブ，及び同様の寸法をもつその他の細長い導電性又は半導電性構造物が挙げられ
　
・「[00059] Exemplary applications of semiconductor nanowire materials include simple electronic components, such as, transistors. For example, a simple nanowire transistor device is shown in FIG. 2A. As shown, the basic device 200 includes a source electrode 202 and a drain electrode 204 disposed upon a substrate 206 and spaced apart from each other. A semiconductor nanowire 208 is provided spanning the two electrodes and is electrically connected to the electrodes 202 and 204. The transistor typically includes an insulator or dielectric layer over its surface that provides insulation between the nanowire 208 and, for example, gate electrode 210. As shown, the dielectric layer is provided as an oxide shell 212 or coating on the nanowire 208. By modulating the field applied to the gate electrode 210, one can vary the conductivity of the nanowire 208 as in a conventional field effect transistor (FET).
 [00060] FIG. 2B schematically illustrates a variation of the simple device shown in FIG. 2A. As shown, the transistor device 250 includes source 252, drain 254 and gate 260 electrode provided upon a substrate 256. However, in place of a single nanowire with a dielectric shell is a film or population of substantially oriented nanowires 258 that span the source and drain electrodes 252 and 254, bridging the gate electrode 260. As compared to the device illustrated in FIG. 2 A, the nanowire film 258 provides a much higher current density than a single nanowire based device, while retaining processibility advantages of film-based processing and uniformity. In particular, the fact that some of the nanowires in the nanowire population do not completely span the source and drain electrodes does not substantively affect the operation of the device as the overwhelming number of nanowires will provide this functionality.」
（日本語訳：　「[00059]半導体ナノワイヤー材料の典型的な用途としては，簡単な電子部品，例えばトランジスタが挙げられる。例えば，簡単なナノワイヤートランジスタ素子を図２Ａに示す。図に示されるように，基本的素子２００は，基板２０６上に配置されかつ相互に間隔を空けたソース電極２０２及びドレイン電極２０４を含む。前記２つの電極にまたがる半導体ナノワイヤー２０８が提供され，電極２０２と２０４に電気的に接続される。トランジスタは，典型的にはその表面全体にわたってナノワイヤー２０８と，例えばゲート電極２１０との間に絶縁を提供する絶縁体又は誘電体層を含む。図に示されるように，誘電体層は，酸化物シェル２１２として又はナノワイヤー２０８上の被膜として提供される。ゲート電極２１０に印加される場を調節することによって，従来の電場効果トランジスタ（ＦＥＴ）におけるようにナノワイヤー２０８の伝導率を変化させることができる。
　[00060]図２Ｂは，図２Ａに示す簡単な素子の変形を概略的に図示する。図に示されるように，トランジスタ素子２５０は，基板２５６上に提供されたソース電極２５２，ドレイン電極２５４及びゲート電極２６０を含む。しかし，誘電体シェルを有する単一のナノワイヤーの代わりに，ゲート電極２６０をまたいでソース電極２５２とドレイン電極２５４との間をつなぐ実質的に配向されたナノワイヤー２５８の薄膜又は群を有する。図２Ａに例示された素子と比較すると，ナノワイヤーの薄膜２５８は，薄膜に基づいた加工及び均一性の加工性の利点を保持しながら，単一ナノワイヤーベースの素子よりもはるかに高い電流密度を提供する。特に，ナノワイヤー群中のナノワイヤー全てが必ずしもソースソース電極とドレイン電極をまたがるわけではないことは，圧倒的な数のナノワイヤーがこの機能性を提供するため，素子の動作に実質的には影響を及ぼさない。）
　
・「[00081] Following synthesis and release of nanowires from growth substrates, many applications require the controlled deposition of the free nanowires onto another substrate, for example, upon an electronic substrate, connecting electrical contacts, etc. For example, in certain cases, it is desirable to provide  films of nanowires deposited upon a substrate and positioned in particular locations and/or oriented substantially along a one or more particular axes. A number of methods have been previously described for depositing and aligning or orienting nanowires on a substrate, including flow based alignment where fluids carrying nanowires are flowed over the substrate. Alternatively methods that utilize adhesive patches to stick and stretch the nanowires into a desired orientation have also been described. In accordance with the present invention, a modification to a typical flow based alignment method, for example, as described in published U.S. Patent Application No. 2003/186522, which is incorporated herein by reference, is envisioned.」
（日本語訳：[00081]　ナノワイヤーの合成及び成長基板からの剥離の後に，
多数の用途では，別の基板上，例えば電気接点などを接続する電子基板上への，ばらばらのナノワイヤーの制御された被着を必要とする。例えば，ある場合には，基板上に被着されかつ特定の位置に配置される及び／又は一つ以上の特定の軸に沿って実質的に配向されたナノワイヤーの薄膜を提供することが望ましい
　
・「[00088] In a related aspect of the invention, a gravure coater as shown in FIG.6A can be used to facilitate large scale production of oriented nanowire films  on substrates. In this embodiment, a main applicator roller or drum 600 is provided on a horizontal axis or axle 602 so as to permit rotation through a solution of nanowires 604. Second impression rollers or drums 606 are located on opposite sides of main roller 600 and are configured to rotate in either in the same or opposite direction as main roller 600 on horizontal axes or axles 608. The substrate 610 to be coated passes around the impression rollers 606, and is coated by the nanowire solution in a nip 612 formed between roller 600 and substrate 610.
[00089] Following rotation of the main applicator roller 600 through the fluid suspension of nanowires 604, the wires in solution will be deposited upon the surface of the substrate 610 in a substantially oriented fashion as shown by reference to FIG. 6B, as a result of the flow based contact and shearing motion between the substrate and gravure roller surfaces. The relative motion helps to transfer a consistent amount of nanowire coating material from the gravure applicator roller 600 to the substrate 610 to coat the substrate with substantially aligned nanowires.
[00090] The coating material may consist of nanowires in an appropriate solvent, or there may be additional stabilizers, binders, surfactants etc. which can be used to create a suitable nanowire coating. Metering of the nanowire coating solution can be accomplished by the gravure roller in a conventional manner.
[00091] It is to be appreciated that other types of coaters other than direct or reverse gravure coaters can be used for applying roll coatings of nanowires to a surface of a substrate including without limitation rod coaters, differential offset gravure coaters, micro gravure coaters, reverse roll coaters, 3-roll coaters, saturation coaters, hot melt coaters, split film coaters, knife coaters, dip coaters, slot die coaters, slide coaters, doctor blade coaters, Meyer rod and Meyer rod related coaters, and other roll coaters which are well know to those of ordinary skill in the art. A variety of coating processes may also be used such as, for example, hot melt coating, pressure sensitive coating, PVC resin, doctor blade hand drawdown or Meyer rod coating, and other coating  techniques or machines by which a liquid flow can be generated during the coating to achieve proper nanowire alignment.」
（日本語訳：[00088]　本発明の関連した局面において，図６Ａに示されるようなグラビアコーターが，基板上への配向されたナノワイヤー薄膜の大規模生産を促進するために使用できる。この実施形態において，主アプリケーターローラー又はドラム６００は，ナノワイヤーの溶液６０４を通る回転を可能にするように水平軸６０２上に提供される。第二のインプレッションローラー又はドラム６０６が主ローラー６００の両側に配置され，主ローラー６００と同じ方向又は反対の方向に回転するために水平軸６０８上に配置される。被覆されるべき基板６１０は，インプレッションローラー６０６の周りを通り，ローラー６００と基板６１０の間で形成されるニップ６１２中でナノワイヤー溶液で被覆される。
[00089]　
ナノワイヤーの流動性懸濁液６０４の中を通る主アプリケーターローラー６００の回転の後に，溶液中のワイヤーは，流れに基づいた接触及び基板とグラビアローラー表面の間の剪断運動の結果として，図６Ｂを参照することにより明らかにされるように基板６１０の表面に実質的に配向した様式で被着される
[00090]　被覆材は，適当な溶媒中のナノワイヤーからなっていてもよいし，又は適当なナノワイヤー被膜を作製するのに使用することができる追加の安定剤，結合剤，界面活性剤などがあってもよい。ナノワイヤー被覆溶液の計量は，グラビアローラーにより従来の方法で達成することができる。
[00091]　ダイレクト又はリバースグラビアコーター以外の別の種類のコーター，例えば限定されることなくロッドコーター，差動オフセットグラビアコーター，マイクログラビアコーター，リバースロールコーター，３ロールコーター，含浸コーター，ホットメルトコーター，スプリットフィルムコーター，ナイフコーター，ディップコーター，スロットダイコーター，スライドコーター，ドクターブレードコーター，マイヤーロッド及びマイヤーロッド関連コーター，並びに当業者に周知のその他のロールコーターを，ナノワイヤーのロール被膜を基板の表面に塗布するために使用することができることが理解されるべきである。種々の被覆方法，例えば，ホットメルトコーティング，感圧コーティング，ＰＶＣ樹脂，ドクターブレードハンドドローダウン又はマイヤーロッドコーティング，及び適切なナノワイヤー整列を達成するために被覆中に液体流を作り出すことができるその他のコーティング技術又は機械も使用し得る。）
　
・「[00092] In macroelectronic and other applications, electronic components may be sparsely arrayed over select portions of a substrate surface. For example, co-pending and commonly assigned U.S. patent application Serial No. 10/674,060, titled Large- Area Nanoenabled Macroelectronic Substrates And Uses Therefor, filed September 30, 2003 describes methods and systems for high-performance large-area thin-film electronics that provide the electronic performance of a silicon wafer, but can be processed over large areas, at low- temperature, on flexible plastic substrates. The substrates described therein incoiporate thin films of semiconducting nanowires deposited therein and configured to operate as transistors (or other electronic devices such as diodes and the like). In such applications, nanowires are only needed at certain locations where the semiconductor devices (e.g., transistors, diodes etc.) are to be formed. Nanowires used for fabrication of these electronic components can be uniformly deposited on the surface of the substrate, but any nanowires not actually incorporated into the electronic devices are wasted. It is possible that these extraneous wires could be removed and recycled to reduce cost, but a more direct cost savings could be realized with a patterned deposition process, in which the extraneous nanowires are not deposited at all.
[00093] In web-based (e.g., roll-to-roll) processing applications, a thin film of nanowires can be patterned on a device substrate, for example, by using a gravure coater 700 having a striped pattern in which a film of nanowires is patterned in a series of stripes 702 that are aligned in the direction of web motion as shown in FIGs 7 A and 7B. The use of such a striped gravure coater 700 provides a striped pattern of nanowires 712, corresponding to series of stripes 702, on a device substrate 704 used in a nanowire-based device, as shown in Figure 7B. The savings in nanowires is governed by the stripe pitch and width, for example, a stripe width of 100 microns with a pitch of 1 mm may allow a 75% to 90% (or more) reduction in nanowire usage. 
[00094] Striping with a web coater such as a gravure coater can be realized in a number of ways to provide alternating smooth and textured regions (e.g., corresponding to non-deposition and deposition regions, respectively) to deposit aligned nanowires in stripes where they are needed. If a gravure coater (e.g., a direct or reverse gravure coater as described above) is used, which has the advantage of aligning the nanowires, the striping can be accomplished by, for example, texturing only the part of the gravure roller 700 where stripes are to be located, or by lyophobic treatment of the gravure roller in the area between stripes. With slot coating, the slot can be closed between the stripes. Alternatively, the nanowire deposition can be uniform, but striping occurs with a patterned doctor-blade or Meyer rod down-web of the deposition.」
（日本語訳：[00092]　マクロエレクトロニクス及びその他の用途において，電子部品は，基板表面の選択部分にまばらに整列させてもよい。例えば，同時係属中の同一人に譲渡された２００３年９月３０日付け出願の「Ｌａｒｇｅ−Ａｒｅａ　Ｎａｎｏｅｎａｂｌｅｄ　Ｍａｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ　Ｓｕｂｓｔｒａｔｅｓ　Ａｎｄ　Ｕｓｅｓ　Ｔｈｅｒｅｆｏｒ」という表題の米国特許出願第１０／６７４，０６０号には，シリコンウェーハのエレクトロニックパフォーマンスを提供するが，可撓性プラスチック基板上で大面積にわたって低温で処理することができる高性能大面積薄膜エレクトロニクス用の方法及びシステムが記載されている。この明細書に記載された基板は，それに被着されかつトランジスタ（又はダイオードなどのその他の電子機器）として作用するために配置された半導体ナノワイヤーの薄膜を組み込む。このような用途においては，ナノワイヤーは，半導体素子（例えば，トランジスタ，ダイオードなど）が形成されるべきある一定の位置で必要とされるのみである。これらの電子部品の製作に使用されるナノワイヤーは，基板の表面に均一に被着させることができるが，電子機器に実際に組み込まれていないナノワイヤーは「無駄にされる」。これらの無関係なワイヤーを取り出し，経費低減のためにリサイクルすることができるが，より直接的な経費節減は，無関係なナノワイヤーを被着させないパターン化被着法を用いて実現することが可能である。
[00093]　巻き取り型の（例えば，ロール・ツー・ロール）処理用途において，ナノワイヤーの薄膜は，素子基板上に，例えば図７Ａ及び７Ｂに示されるようにナノワイヤーのフィルムが巻き取り動作の方向で整列されている一連のストライプ７０２にパターン形成される「ストライプ」模様を有するグラビアコーター７００を使用することによってパターン形成することができる。このようなストライプのあるグラビアコーター７００の使用は，図７Ｂに示されるように，ナノワイヤーベースの素子において使用される素子基板７０４上に，一連のストライプ７０２に対応するストライプ模様のナノワイヤー７１２を提供する。ナノワイヤーの節約は，ストライプのピッチ及び幅によって左右され，例えば，１ｍｍのピッチを有する１００ミクロンのストライプ幅は，ナノワイヤーの使用の７５％〜９０％（又はそれ以上）の低減を可能にし得る。
[00094]　グラビアコーターのようなウェブコーターを用いるストライプ形成は，整列させたナノワイヤーを必要とされる箇所にストライプで被着させるために交互に平滑領域及び表面模様つき領域（例えば，非被着領域及び被着領域それぞれに対応する）を提供するために多数の方法で実現することができる。ナノワイヤーを整列させるとういう利点を有するグラビアコーター（例えば，前記のダイレクト又はリバースグラビアコーター）が使用される場合には，ストライプ形成は，例えば，ストライプが配置されるべきグラビアローラー７００の部分のみにテクスチャリングによって，又はストライプ同士の間の領域においてグラビアローラーの疎液性処理によって達成することができる。スロットコーティングを用いて，スロットはストライプ同士の間で閉じることができる。あるいは，ナノワイヤー被着は均一であることができるが，ストライプ形成は，被着のパターン形成ドクターブレード又はマイヤーロッドダウン−ウェブにより生じる。）
　
　・周知例２：　国際公開第２００６／８９７８号
　原査定の拒絶の理由に引用された，本願の出願前に外国において頒布された刊行物である国際公開２００６／８９７８号には，図１，２とともに次の記載がある。
・「[0002]　２０世紀終盤になってＣ60やカーボンナノチューブがこれまでの炭素材料に加わり，第ＩＶb属元素「炭素」は周期律表中で最も多様な物質群を構成するようになっている。そして２１世紀の基盤技術と目されるナノテクノロジーを先導する物質として，炭素の筒，すなわち「カーボンナノチューブ」に今，大きな期待がかけられている。炭素材料の構造や機能の多様性は炭素原子がｓｐ，ｓｐ2，ｓｐ3の結合方式を取ることによるが，これは炭素の卓越した個性であって同じ第ＩＶb属元素のケイ素やゲルマニウムと大きく異なる点であり，この結合の多様性が類稀な炭素種の多様性の根源となっている。
[0003]　
カーボンナノチューブは単一の炭素原子で構成されているにもかかわらず，構造によって半導体，金属と電子物性が大きく変化する
すなわちカーボンナノチューブ自体も，豊かな多様性を有した物質であり，広範な範囲での応用が期待される所以となっている
　
・「[0035]　図１はカーボンナノチューブ含有体１の概略構成を示す斜視図である。
[0036]　図１に示す通り，カーボンナノチューブ含有体１は支持体２を備えており，支持体２上に，多数のカーボンナノチューブ３，３，…を含有したカーボンナノチューブ含有膜４と，カーボンナノチューブ含有膜４を被覆するオーバーコート膜５が成膜されている。ただし，図１では，カーボンナノチューブ含有膜４とオーバーコート膜５との膜構成を分かり易く説明するために，支持体２の一部を切断して図示しているが，支持体２は長尺でかつフィルム状を呈している。」
　
・「[0042]　カーボンナノチューブ含有膜４は，各カーボンナノチューブ３が互いに独立に分散した（アイソレートした）膜であり，各カーボンナノチューブ３がカーボンナノチューブ含有膜４中で一定方向に配向している。」
　
・「[0049]　カ
ーボンナノチューブ含有膜４は，上記した多数のカーボンナノチューブ３，３，…，界面活性剤，溶媒と透明バインダとを分散・攪拌・混合してその分散液が支持体２上に塗布されたものであり
　
・「[0097]　以下の工程では，図２に示す成膜装置１０を参照しながら各工程における処理を説明する。
[0098]　支持体２が元巻きローラ１１と巻取りローラ２６との間に巻回され（図２に示す状態），かつ，塗布装置１３にカーボンナノチューブ分散塗布液が貯留された状態において，搬送ローラ１２，各第２搬送ローラ２１，２２及び巻取りローラ２６が回転して，支持体２は元巻きローラ１１から搬送ローラ１２に搬送され，搬送ローラ１２に支持されながら当該搬送ローラ１２を通過する。このとき，塗布装置１３が支持体２に向けて過剰量のカーボンナノチューブ分散塗布液を塗布する。
[0099]　支持体１２が搬送ローラ１２を通過したら，その支持体１２はワイヤーバー１４の近傍を通過する。このとき，支持体１２上に塗布されたカーボンナノチューブ分散塗布液はワイヤーバー１４で余分な分が掻き落とされ，支持体１２上に膜厚が均一のカーボンナノチューブ分散膜４が形成される。
[0100]　ここで，支持体２上に塗布されたカーボンナノチューブ分散塗布液は支持体２の搬送に伴うが，その搬送方向の作用とワイヤーバー１４の存在とにより，支持体２の搬送方向に大きく引き延ばされながら搬送される。
このとき，カーボンナノチューブ分散塗布液には剪断応力がかかり，当該カーボンナノチューブ分散塗布液はその剪断応力を受けながら支持体２上に塗布される。その結果，カーボンナノチューブ分散塗布液中の各カーボンナノチューブ３が当該カーボンナノチューブ分散塗布液中で互いに独立に分散された（アイソレート状態の）まま，支持体２の搬送方向に沿う一定の方向に配列して配向した状態となる。各カーボンナノチューブ３の最も好ましい配向状態は一軸方向の配向である
[0101]　塗布工程においては，ワイヤーバー１４に対する支持体２の搬送速度（引き延ばし速度）は大きければ大きいほど好ましく，その速度は好ましくは５倍以上，より好ましくは１０倍，更に好ましくは５０倍以上とするのがよい。また，
塗布工程では，支持体２の搬送方向のみならず，支持体２の搬送方向と直交する方向に対しても剪断応力をかけることになるため，各カーボンナノチューブ３は支持体２の搬送方向及び膜面内へ配向することになる
[0102]　なお，支持体２上に塗布されたカーボンナノチューブ分散塗布液でワイヤーバー１４により掻き落とされた余分なカーボンナノチューブ分散塗布液は，レシーバ１６に落下し，その後，チューブ１７，タンク１８，ポンプ１９及びチューブ２０を経て塗布装置１３に供給され，塗布用の塗布液として再度支持体２に向けて塗布される。
[0103]　塗布工程後，ワイヤーバー１４の近傍を通過した支持体２は２つの第２搬送ローラ２１，２２に支持されながらその第２搬送ローラ２１，２２間を通過する。このとき，２つの第２搬送ローラ２１，２２間には交流電源２３により電場が形成されており，各第２搬送ローラ２１，２２間に配置されたカーボンナノチューブ含有膜４に電場がかけられるようになっている（電場配向工程）。
[0104]　
電場配向工程では，カーボンナノチューブ含有膜４中の各カーボンナノチューブ３を，静電配向によって端部同士で引き合わせて直線状に配列して上記塗布工程における一定方向の配向性をより確実なものとすることができる
　
　そうすると，引用発明における半導体材料として，周知の材料である異方性を有するカーボンナノチューブを採用して，相違点１に係る，「半導体材料を少なくとも含んでいるインク」について，「前記半導体材料は，異方性を有する半導体材料であ」るものとすることは，当業者が適宜になし得たことである。
　よって，相違点１は当業者が適宜になし得る範囲に含まれる程度のものである。
　
《相違点２について》
　上記《相違点１について》において述べたとおり，半導体となりうる，異方性を有するカーボンナノチューブを液体に懸濁させ，基材に塗布することで，膜として形成することは，従来より周知の技術であるところ，当該周知技術において，前記異方性を有するカーボンナノチューブを特定の軸に沿って配向した状態で前記膜を形成することは，例えば，上記周知例１の[00081]パラグラフ及び上記周知例２の[0100]及び[0104]段落に記載されているように，通常なされることである。
　また，磁界を印加することによりカーボンナノチューブを配向させることは，以下の周知例３及び４にも示されているように，従来より周知の技術である。
　
　・周知例３：　特開２００５−７５７１１号公報
　本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である特開２００５−７５７１１号公報には次の記載がある。
・「【０００１】
　本発明はカーボンナノチューブ（以下では，「ＣＮＴ」とする。）の配向方法に関する。」
　
・「【００１３】
　本発明のＣＮＴの配向方法は，カーボンナノチューブを含有する分散液から，基材上の凹部のパターン又はカーボンナノチューブに対する親和性を有する材料のパターン上に，このパターンに対して平行にカーボンナノチューブを配置することを特徴とする。尚，本明細書の記載において，用語「親和性」は，化学的結合をもたらす反応の反応性だけでなく，反応を伴わない結合性も含む概念である。」
　
・「【００２７】
　本発明の１つの態様では，
ＣＮＴを配向させるときに，基材上のパターンに対して平行な方向の磁場を付与する
　
【００２８】
　
この態様によれば，ＣＮＴの配向が促進される
　
　・周知例４：　国際公開第２００５／９０４８１号
　本願の出願日前に外国において頒布された刊行物である国際公開第２００５／９０４８１号には，図１とともに次の記載がある。
「[0006]　図１は，窒素，酸素，硫黄のようなヘテロ原子を含む原子団が主鎖や側鎖に存在している高分子物質１２中にナノカーボン１４が混入している，シート状（フイルム状を含む概念である）の複合素材１０の説明図である。
　なお，ナノカーボンとは，単層，二層，もしくは多層のカーボンナノチューブ，キャップスタック型カーボンナノチューブ，カーボンナノホーン，またはフラーレンのようなナノサイズのカーボンをいう。
このシート状の複合素材１０は，具体的には，上記高分子物質を溶解している分子量５０〜５００万の高分子物質由来の溶液（以下高分子溶液という）にナノカーボンを分散させ，この分散液を適宜な支持体上に広げ，常温中でまたは加温して乾燥し，シート状にしたものである。高分子溶液中にナノカーボンを分散させるには，混合溶液に超音波を印加するとよい。
　なお，
上記分散液に磁界をかけることによって，分散液中で，カーボンナノチューブのような繊維状のナノカーボンを所要方向に配向させることができる。これを乾燥することによって，ナノカーボンがある程度所要方向に配向した複合素材１０を得ることができる
　上記のように，複合素材１０は，高分子溶液にナノカーボンを分散させ，さらに乾燥させたシート状のもの，あるいは粒状のもの，そのものであってもよいが，上記シート状の複合素材１０を５００℃〜３０００℃程度の温度範囲で焼成することによって，シート状等の複合炭素素材としてもよい。上記高分子物質は焼成されることによって導電性が増し，またナノカーボンはもともと高い導電性を有することから，良好な導電性を有するシート状の複合炭素素材を得ることができる。しかも，高分子溶液にナノカーボンを分散させて後，乾燥したものを焼成するので，高分子物質の焼成物中にナノカーボンが均一に混入しており，したがって均一な導電性を有する複合炭素素材を得ることができる。」
　
　そして，カーボンナノチューブをより確実に配向させるべく，引用発明において，異方性を有するカーボンナノチューブを液体に懸濁させ，基材に塗布することで，膜として形成する前記周知技術とともに，上記の磁界を印加する周知技術を適用して，相違点２に係る「前記半導体材料配設領域が形成された前記基板に転写されたインクに含まれている前記異方性を有する前記半導体材料の配向を，磁界を印加することにより制御する配向制御手段を備え」るようにすることは，当業者が適宜になし得たことといえる。
　
（５）小括
　以上のとおりであるから，本願補正発明は，周知技術を勘案することにより，引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり，特許法第２９条第２項の規定により，特許を受けることができない。
　よって，本願補正発明は，特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
５．むすび
　したがって，本件補正は，平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので，同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
１．本願発明
　平成２２年１０月５日になされた手続補正は上記のとおり却下されたので，本願の請求項１に係る発明は，平成２１年１２月２８日になされた手続補正により補正された明細書，特許請求の範囲及び図面の記載から見て，その請求項１に記載された事項により特定される以下のとおりのものである。（以下「本願発明」という。）
「　【請求項１】
　半導体層のパターンを表す溝が表面に形成されている第１のインク転写手段と，
　半導体材料を少なくとも含んでいるインクを，前記第１のインク転写手段に，直接接触させることで供給するインク供給手段と，
　前記第１のインク転写手段に供給された前記インクを，前記溝に埋め込むインク埋込手段とを備え，
　前記半導体材料は，異方性を有する半導体材料であり，
　前記インク埋込手段は，前記第１のインク転写手段の表面を掃引し，
　前記第１のインク転写手段は，前記溝に埋め込まれた前記インクを，予め導電性の半導体材料配設領域が形成された基板の表面に直接的または間接的に転写することによって，当該基板の表面に前記半導体層を形成し，
　前記半導体材料配設領域が形成された前記基板に転写されたインクに含まれている前記異方性を有する前記半導体材料の配向を制御する配向制御手段を備えていることを特徴とする半導体層形成装置。」
　
２．引用発明
　引用発明は，前記第２の４．「（２）刊行物に記載された発明」に記載したとおりのものである。
　
３．対比・判断
　前記第２「１．本件補正の内容」〜第２「３．補正の目的の適否及び新規事項の追加の有無についての検討」において記したように，本願補正発明は，本件補正前の請求項１（本願発明）について前記〈補正事項〉に係る限定を付したものである。言い換えると，本願発明は，本願補正発明から前記限定を除いたものである。
　そうすると，本願発明の構成要件をすべて含み，これをより限定したものである本願補正発明が，前記第２の４．「（３）本願補正発明と引用発明との対比」〜第２の４．「（５）小括」において検討したとおり，周知技術を勘案して，引用発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，本願発明も，周知技術を勘案して，引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　よって，本願発明は特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
第４　むすび
　以上のとおりであるから，本願は，他の請求項に係る発明について検討するまでもなく，拒絶すべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。