【事件の表示】
　特願２００４−　１２７６８「半導体素子の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年８月１２日出願公開、特開２００４−２２８５８２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯
　本願は、平成１６年１月２１日（パリ条約に基づく優先権主張　２００３年１月２１日、大韓民国）の特許出願であって、平成２２年１月１８日付けの拒絶理由通知に対して同年４月２６日に意見書及び手続補正書が提出されたが、同年８月４日付けで拒絶査定がなされた。
　それに対して、同年１２月１０日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに手続補正書が提出され、その後、平成２３年１２月２６日付けで審尋がなされ、平成２４年４月１０日に回答書が提出された。
　
第２．補正の却下の決定
【補正の却下の決定の結論】
　平成２２年１２月１０日に提出された手続補正書による補正を却下する。
　
【理由】
１．補正の内容
　平成２２年１２月１０日に提出された手続補正書による補正（以下「本件補正」という。）は、補正前の特許請求の範囲の請求項１〜１６を補正して、補正後の特許請求の範囲の請求項１〜１２とするものであり、補正前後の請求項１は各々次のとおりである。
　
（補正前）
　「【請求項１】
　　基板上に、バッファ層、マスク層及び金属層を順次に積層する第１段階と、
　前記金属層を陽極酸化してナノサイズのホールが多数形成された金属酸化物層を形成する第２段階と、
　前記ナノサイズのホールが前記バッファ層の表面まで延びるように前記金属酸化物層をマスクとして前記マスク層をエッチングする第３段階と、
　前記金属酸化物層をエッチングして除去する第４段階と、
　前記マスク層及び前記バッファ層の上面にｎ側半導体層、活性層及びｐ側半導体層を順次に蒸着する第５段階と、を含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。」
　
（補正後）
　「【請求項１】
　基板上に、バッファ層、マスク層及び金属層を順次に積層する第１段階と、
　前記金属層を陽極酸化してナノサイズのホールが多数形成された金属酸化物層を形成する第２段階と、
　前記ナノサイズのホールが前記バッファ層の表面まで延びるように前記金属酸化物層をマスクとして前記マスク層をエッチングする第３段階と、
　前記金属酸化物層をエッチングして除去する第４段階と、
　前記マスク層及び前記バッファ層の上面にｎ側半導体層、活性層及びｐ側半導体層を順次に蒸着する第５段階と、を含み、
　前記マスク層は、多結晶シリコン、多結晶窒化物及び１２００℃以上の融点を有する金属のうち少なくとも一つからなることを特徴とする半導体素子の製造方法。」
　
２．補正事項の整理
　本件補正による補正事項を整理すると次のとおりである。
　
（１）補正事項１
　補正前の請求項１の「を含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。」を、「を含み、　前記マスク層は、多結晶シリコン、多結晶窒化物及び１２００℃以上の融点を有する金属のうち少なくとも一つからなることを特徴とする半導体素子の製造方法。」と補正して、補正後の請求項１とすること。
　
（２）補正事項２
　補正前の請求項９〜１２を削除するとともに、当該削除にともなって、請求項の番号及び引用する請求項の番号を修正すること。
　
３．新規事項の追加の有無、及び補正の目的の適否についての検討
（１）補正事項１について
　補正事項１により補正された部分は、本願の願書に最初に添付した明細書（以下「当初明細書」という。また、本願の願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面を「当初明細書等」という。）の００１７段落等に記載されているものと認められるから、補正事項１は、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものである。
　したがって、補正事項１は、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものであるから、特許法第１７条の２第３項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項をいう。以下同じ。）に規定する要件を満たす。
　また、補正事項１は、補正前の請求項１に係る発明の発明特定事項である「基板上に、バッファ層、マスク層及び金属層を順次に積層する第１段階」における「マスク層」に対して技術的限定を加えるものであるから、特許法第１７条の２第４項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項をいう。以下同じ。）第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　したがって、補正事項１は、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たす。
　
（２）補正事項２について
　補正事項２は、特許法第１７条の２第４項第１号に掲げる請求項の削除を目的とするものに該当する。
　したがって、補正事項２は、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たす。
　また、補正事項２が特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすことは明らかである。
　
（３）新規事項の追加の有無、及び補正の目的の適否についてのまとめ
　以上検討したとおりであるから、本件補正は、特許法第１７条の２第３項及び第４項に規定する要件を満たす。
　そして、本件補正は、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする補正を含むものであるから、本件補正による補正後の特許請求の範囲に記載されている事項により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否か、すなわち、本件補正がいわゆる独立特許要件を満たすものであるか否かにつき、以下において更に検討する。
　
４．独立特許要件についての検討
（１）補正後の発明
　本願の本件補正による補正後の請求項１〜１２に係る発明は、本件補正により補正された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜１２に記載されている事項により特定されるとおりのものであり、そのうちの請求項１に係る発明（以下「補正発明」という。）は、請求項１に記載されている事項により特定される上記第２．１．の「（補正後）」の箇所に記載したとおりのものであって、再掲すると次のとおりである。
　
　「【請求項１】
　基板上に、バッファ層、マスク層及び金属層を順次に積層する第１段階と、
　前記金属層を陽極酸化してナノサイズのホールが多数形成された金属酸化物層を形成する第２段階と、
　前記ナノサイズのホールが前記バッファ層の表面まで延びるように前記金属酸化物層をマスクとして前記マスク層をエッチングする第３段階と、
　前記金属酸化物層をエッチングして除去する第４段階と、
　前記マスク層及び前記バッファ層の上面にｎ側半導体層、活性層及びｐ側半導体層を順次に蒸着する第５段階と、を含み、
　前記マスク層は、多結晶シリコン、多結晶窒化物及び１２００℃以上の融点を有する金属のうち少なくとも一つからなることを特徴とする半導体素子の製造方法。」
　
（２）引用刊行物に記載された発明
（２−１）本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布され、原査定の根拠となった拒絶の理由において引用された刊行物である特開２００２−２４９４００号公報（以下「引用例」という。）には、図１とともに次の記載がある（ここにおいて、下線は当合議体にて付加したものである。以下同じ。）。
　
ａ．「【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、一般式ＩｎｘＧａｙＡｌｚＮ（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１，０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１）で表される化合物半導体（以下において単に「窒化物半導体」ということがある）の製造方法、該方法により製造した化合物半導体単結晶、該化合物半導体単結晶を有する半導体素子に関する
【０００２】
【従来の技術】
窒化物半導体は紫外線から黄色領域にわたる発光素子や光検知器などの光デバイスや高移動度トランジスタとして用いられている。上記一般式で表される化合物半導体による発光ダイオードやレーザダイオード、あるいは紫外線検出器などは、通常、サファイヤあるいは炭化珪素（ＳｉＣ）基板上に結晶成長した上記化合物半導体の組成の異なる（ｘ、ｙ、ｚの値の異なる）複数の薄膜による積層構造を用いて作製されている。
　
ｂ．「【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
上記の従来技術の問題点に鑑みて、本発明は、転位密度が小さい一般式ＩｎｘＧａｙＡｌｚＮ（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１，０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１）で表される窒化物半導体単結晶をシリコン基板上に簡便に形成する方法を提供することを目的とした。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、気相成長法においてシリコン基板上で窒化物半導体が析出する領域を、半導体微細加工技術を用いて作製したマスクによって制限し、同一場所に発生する成長核の数を少なくすれば、種結晶の数密度を低減させ、シリコン基板上に転位密度の低い窒化物半導体単結晶を得ることができることを見出した。
【００１０】すなわち本発明は、円換算直径が１μｍ以下の貫通孔を有するマスクを設けた半導体シリコン基板上に、一般式ＩｎｘＧａｙＡｌｚＮ（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１，０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１）で表される化合物半導体単結晶を選択的に成長させることを特徴とする、化合物半導体単結晶の製造方法を提供する。」
　
ｃ．「【００１３】
【発明の実施の形態】以下において、本発明の半導体素子について詳細に説明する。なお、本明細書において「〜」はその前後に記載される数値をそれぞれ最小値および最大値として含む範囲を意味する。
【００１４】
本発明の化合物半導体単結晶の製造方法では、円換算直径が１μｍ以下の貫通孔を有するマスク（２）を設けた半導体シリコン基板（１）を用いる（図１参照）。
【００１５】
シリコン基板上に形成されるマスク（２）は、円換算直径が１μｍ以下の貫通孔を少なくとも１個有する。貫通孔は複数個形成されていてもよく、量子ドットを形成するために使用する場合は、形成しようとするドットに対応する位置に貫通孔を設けておけばよい。また、層状の化合物半導体単結晶を製造するために使用する場合は、貫通孔は規則正しく開設されていることが好ましい。このとき、貫通孔同士の間隔は０．５〜３０μｍであることが好ましく、１〜１５μｍであることがより好ましく、３〜１０μｍであることがさらに好ましい
【００１６】
マスクに形成される貫通孔の円換算直径は、２０〜４５０ｎｍであることが好ましく、３０〜３５０ｎｍであることがより好ましく、５０〜２５０ｎｍであることがさらに好ましい。
　
ｄ．「【００１７】
マスクを構成する材料は、シリコン基板上に窒化物半導体を選択成長させるときにマスクとして機能しうる材料であればその種類は特に制限されない。例えば、窒化シリコン、二酸化シリコン等のアモルファス材料や、窒化物半導体の結晶成長の温度（通常は１０００℃程度）と雰囲気に耐えうるタングステン系材料等の高融点材料を用いることができる
【００１８】
シリコン基板上にマスクを形成する方法は特に制限されず、通常用いられる方法を採用することができる。例えば、シリコン基板（１）の上にスパッタリングあるいはＣＶＤ法により窒化シリコン膜または二酸化シリコン膜（２）を堆積させる。次に、この膜に、フォトリソグラフィーあるいは電子線リソグラフィーなどの方法で円形あるいは矩形の貫通孔をあける。
【００１９】
本発明の製造方法では、このようにして作製したマスク付きシリコン基板上に窒化物半導体を選択成長させる。具体的には、マスク付きシリコン基板を窒化物半導体の結晶成長炉に導入すること等により結晶成長させることができる。
ｐ形あるいはｎ形半導体とする場合は、ＭｇあるいはＳｉを添加するためにそれぞれの別の原料を用意する。ｐｎ接合を作製する場合は順次添加物とすべき原料を供給する
【００２０】
結晶成長はマスク材料上では起こらず、マスクに開けられた貫通孔内に露出したシリコン単結晶上でのみ選択的に起こる。このようにしてシリコン基板上に作製された窒化物半導体単結晶は、成長雰囲気で育成するとマスク上への横方向成長が起こり、単結晶が肥大し、貫通孔の大きさを越えた単結晶となる。この単結晶には原理的に転位が含まれず一般的には無転位の結晶となる。貫通孔内に偶発的に発生した転位は膜内で面内横方向マスク上に曲がり、結晶の上部では事実上転位のない結晶となる。この結晶を用いて作製した発光ダイオードの内部量子効率は従来法に比べて１桁以上、半導体レーザの寿命は従来法に比べて２桁以上の改善が得られる
　
ｅ．「【００２９】
以上の方法によって得られる単結晶で、ｐｎ接合を作製する場合の留意点について説明する。まず、シリコンと窒化物半導体との格子定数の不整合が原因となって、窒化物半導体のシリコン基板に近い部分は一般にｎ形で抵抗が低い。このため、伝導型として、最初にｐ形を作製するのは困難である場合が多い。まず、ｎ形層を形成し後からｐ形層を形成するのがよい。
本方法によってシリコン基板上にレーザダイオードを作ることもできる。選択成長時にＶ族原料をＩＩＩ族原料に比べて多く（たとえばその比が１０，０００以上）供給すると、（０００１）面の成長速度が高くなり（１−１０１）ファセットが消失し側面が基板に垂直になる。この面をレーザの端面とすることができる
　
（２−２）上記記載のうちの００１８段落の「シリコン基板上にマスクを形成する方法は特に制限されず、通常用いられる方法を採用することができる。例えば、シリコン基板（１）の上にスパッタリングあるいはＣＶＤ法により窒化シリコン膜または二酸化シリコン膜（２）を堆積させる。次に、この膜に、フォトリソグラフィーあるいは電子線リソグラフィーなどの方法で円形あるいは矩形の貫通孔をあける。」という記載において例示されている「窒化シリコン膜または二酸化シリコン膜（２）」が「マスク」の材料となる膜であることは自明である。
　したがって、００１７段落の「マスクを構成する材料は、シリコン基板上に窒化物半導体を選択成長させるときにマスクとして機能しうる材料であればその種類は特に制限されない。例えば、窒化シリコン、二酸化シリコン等のアモルファス材料や、窒化物半導体の結晶成長の温度（通常は１０００℃程度）と雰囲気に耐えうるタングステン系材料等の高融点材料を用いることができる。」という記載に注意すると、引用例には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
　「シリコン基板の上にマスクの材料となる膜を堆積させ、次に、この膜に、フォトリソグラフィーあるいは電子線リソグラフィーなどの方法で、円換算直径が２０〜４５０ｎｍで間隔が０．５〜３０μｍである円形あるいは矩形の貫通孔をあけることによりシリコン基板上にマスクを形成する段階と、
　前記マスク付き前記シリコン基板上に窒化物半導体を選択成長させることによりレーザーダイオードを作る段階とを含み、
　前記マスクの材料としてタングステン系材料等の高融点材料を用いることができる、
　化合物半導体単結晶を有する半導体素子の製造方法。」
　
（３）補正発明と引用発明との対比
（３−１）引用発明の「シリコン基板」は、補正発明の「基板」に相当する。
　また、補正発明においては、積層された直後の「ナノサイズのホール」が形成されていない「マスク層」も、最終的に「ナノサイズのホール」が形成された「マスク層」も、ともに「マスク層」という同じ語が用いられていることに注意すると、引用発明の「マスクの材料となる膜」は、補正発明の「基板上に、バッファ層、マスク層及び金属層を順次に積層する第１段階」における（未だ「ナノサイズのホール」が形成されていない）「マスク層」に相当する。
　したがって、補正発明と引用発明とは、「『基板上に、』『マスク層』を『積層する』段階」を備えている点で一致する。
　
（３−２）補正発明の「前記金属層を陽極酸化してナノサイズのホールが多数形成された金属酸化物層を形成する第２段階」、「前記ナノサイズのホールが前記バッファ層の表面まで延びるように前記金属酸化物層をマスクとして前記マスク層をエッチングする第３段階」及び「前記金属酸化物層をエッチングして除去する第４段階」という一連の工程により、最終的に「ナノサイズのホールが多数形成された」「マスク層」が形成されていることは明らかである。
　そして、引用発明の「円形あるいは矩形の貫通孔」は、「２０〜４５０ｎｍ」という「円換算直径」を有するものであるところ、本願の明細書の００１６段落の「ここで、ナノホールの直径のサイズは、１０ｎｍ〜５００ｎｍとするが、」という記載を勘案すると、引用発明の「円形あるいは矩形の貫通孔」が補正発明の「ナノサイズ」に相当するサイズを有していることは明らかであり、また、引用発明の「円形あるいは矩形の貫通孔」は、「０．５〜３０μｍ」の間隔で形成されているから、引用発明においては、当該「円形あるいは矩形の貫通孔」が多数形成されていることが明らかである。
　したがって、補正発明と引用発明とは、「『ナノサイズのホールが多数形成された』『マスク層』」を形成する段階を備えている点で一致する。
　
（３−３）本願明細書の００１８段落の「マスク層３５及び第１半導体層３３の上部に、第２半導体層３８を蒸着させれば、図３Ｅに示すように半導体素子が形成される。ナノパターンを有するマスク層３５をマスクとして第２半導体層３８を再成長させる場合、選択的成長を通じて初期発生した欠陥の伝播を遮断できる。」等の記載から、補正発明の「蒸着」には、引用発明の「選択成長」も含むものであることに留意すると、引用発明の「前記マスク付き前記シリコン基板上に窒化物半導体を選択成長させることによりレーザーダイオードを作る段階」と補正発明の「前記マスク層及び前記バッファ層の上面にｎ側半導体層、活性層及びｐ側半導体層を順次に蒸着する第５段階」とは、「『前記マスク層』『の上面に』『半導体層を』『蒸着する』段階」である点で一致する。
　
（３−４）タングステンが「１２００℃以上の融点を有する金属」であることは当業者の技術常識であるから、引用発明の「前記マスクの材料としてタングステン系材料等の高融点材料を用いることができる」という構成は、補正発明の「前記マスク層は、多結晶シリコン、多結晶窒化物及び１２００℃以上の融点を有する金属のうち少なくとも一つからなる」という構成に相当する。
　また、引用発明の「化合物半導体単結晶を有する半導体素子の製造方法」が補正発明の「半導体素子の製造方法」に相当することは自明である。
　
（３−５）以上を総合すると、補正発明と引用発明とは、
　
　「基板上に、マスク層を積層する段階と、
　ナノサイズのホールが多数形成されたマスク層を形成する段階と、
　前記マスク層の上面に半導体層を蒸着する段階と、を含み、
　前記マスク層は、多結晶シリコン、多結晶窒化物及び１２００℃以上の融点を有する金属のうち少なくとも一つからなることを特徴とする半導体素子の製造方法。」
　
　である点で一致し、次の点で相違する。
　
（相違点１）
　補正発明は、「基板」上に「バッファ層」を積層する段階を備えている（それにともなって、「ｎ側半導体層、活性層及びｐ側半導体層を順次に蒸着する」箇所は、「前記マスク層
及び前記バッファ層
　
（相違点２）
　「ナノサイズのホールが多数形成されたマスク層を形成する段階」が、補正発明では、「マスク層及び金属層を順次に積層する第１段階」、「前記金属層を陽極酸化してナノサイズのホールが多数形成された金属酸化物層を形成する第２段階」、「前記ナノサイズのホールが前記バッファ層の表面まで延びるように前記金属酸化物層をマスクとして前記マスク層をエッチングする第３段階」及び「前記金属酸化物層をエッチングして除去する第４段階」により実現されているのに対して、引用発明では、「マスクの材料となる膜」に「フォトリソグラフィーあるいは電子線リソグラフィーなどの方法で」「円形あるいは矩形の貫通孔をあけることにより」実現されている点。
　
（相違点３）
　「前記マスク層の上面に半導体層を蒸着する段階」が、補正発明では、「前記マスク層及び前記バッファ層の上面にｎ側半導体層、活性層及びｐ側半導体層を順次に蒸着する第５段階」であるのに対して、引用発明では、「前記マスク付き前記シリコン基板上に窒化物半導体を選択成長させることによりレーザーダイオードを作る段階」である点。
　
（４）相違点についての当審の判断
（４−１）相違点１について
（４−１−１）一般に、マスクが形成された基板上に、窒化物半導体を成長させるに当たり、基板に直接マスクを設けて成長させるか、基板に成長の下地となる層（バッファ層）を形成し、当該バッファ層の上にマスクを設けて成長させるかは、当業者が適宜選択できる設計的事項であり、基板に結晶成長の下地となる層（バッファ層）を形成し、当該バッファ層の上にマスクを設けて成長させることは、例えば本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布され、原査定の根拠となった拒絶の理由において引用された刊行物である下記周知例１及び２にも記載されているように、当業者における周知技術である。
　
ａ．周知例１：特開平１１−２３８６８７号公報
　上記周知例１には、図１〜１８とともに次の記載がある。
　
　「【発明の属する技術分野】
本発明は、ＧａＮ系化合物半導体から構成される半導体基板
　「【００２９】図１，図２，図３，図４，図５，図６を参照すると、
この半導体基板は、図３，図４に示すように、サファイア，ＧａＡｓ等の単結晶基板１１の一主面上に、選択成長の核発生層となる結晶層１２が形成され、この結晶層(核発生層)１２上に、選択成長用マスク１３が形成されている
【００３０】ここで、選択成長用マスク１３には、周期的に並んで(図１〜図６の例では格子状に)配置された円形パターンの穴１４が核発生層１２の表面に至るまで開けられている。選択成長用マスク１３は、穴１４を通して核発生層１２の材料に優先的にＧａＮ単結晶層の結晶成長が生じる材料で構成されるのが良い。」
　「【００６０】
また、上述の各例(図１〜図６の例，図７〜図１２の例，図１３〜図１８の例)では、円形パターンの穴１４が開けられた選択成長用マスク１３を結晶層(核発生層)１２を介して単結晶基板１１上に形成したが、選択成長用マスク１３を単結晶基板１１上に直接形成することもできる
　
　上記記載から、上記周知例１には、サファイア，ＧａＡｓ等の単結晶基板１１に核発生層１２を形成し、当該核発生層１２の上に選択成長用マスク１３を設けてＧａＮ単結晶層を成長すること、及び、当該核発生層１２を設けることなく、単結晶基板１１上に直接選択成長用マスク１３を設けてもよいことが記載されているものと認められる。
　
ｂ．周知例２：特開２００１−１４８３４８号公報
　上記周知例２には、図１とともに次の記載がある。
　
　「【０００１】
【発明の属する技術分野】  
本発明は、半導体結晶のエピタキシャル成長方法に関し、格子定数や、熱膨張係数の異なる基板上にＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体結晶膜をエピタキシャル成長させる方法及びこの成長方法これによって得られるＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体膜に関する。
　「【００２３】（第１の実施の形態）本発明の第１の実施の形態について、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体のエピタキシャル成長を例に図１を参照して説明する。
【００２４】
初めに、基板材料とは性質を異にし、その次の工程で成長する材料と同じか、あるいはその材料と格子定数や熱膨張係数の似た性質を有するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体１２を基板上に成長し、その表面上にフォトリソグラフィー法とウエットエッチング法を用いて基板上の成長領域を制限するマスク１４を形成する。
【００２５】
次に、成長領域に対しＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体膜のエピタキシャル成長を行う
　
　上記記載から、上記周知例２には、基板上にその次の工程で成長する材料と同じか、あるいはその材料と格子定数や熱膨張係数の似た性質を有するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体１２を形成し、当該ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体１２の上にマスク１４を設けてＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体膜のエピタキシャル成長を行うことが記載されているものと認められる。
　
（４−１−２）したがって、引用発明に接した当業者であれば、「シリコン基板の上にマスクの材料となる膜を堆積させ」る構成に換えて、当該「シリコン基板」の上に成長の下地となる層（バッファ層）を形成し、当該バッファ層の上にマスクの材料となる膜を堆積させる構成とすること、すなわち、補正発明のように、「基板」上に「バッファ層」を積層する段階を備えている構成とすること（それにともなって、「窒化物半導体を選択成長させる」箇所は、当然に、補正発明のように「前記マスク層及び前記バッファ層の上面」となる。）は、上記周知技術を勘案することにより、適宜なし得たことである。
　よって、相違点１は、周知技術を勘案することにより、当業者が適宜なし得た範囲に含まれる程度のものである。
　
（４−２）相違点２について
（４−２−１）一般に、ナノサイズのホールが多数形成されたマスク層を形成するに際して、マスク層の上に金属層を設けた後に当該金属層を陽極酸化してナノサイズのホールが多数形成された金属酸化膜を形成し、次いで、当該金属酸化膜をマスクとしてマスク層をエッチングし、最後に金属酸化膜を除去するという工程によりそれを実現すること、すなわち、補正発明のように、「マスク層及び金属層を順次に積層する第１段階」、「前記金属層を陽極酸化してナノサイズのホールが多数形成された金属酸化物層を形成する第２段階」、「前記ナノサイズのホールが前記バッファ層の表面まで延びるように前記金属酸化物層をマスクとして前記マスク層をエッチングする第３段階」及び「前記金属酸化物層をエッチングして除去する第４段階と」により、ナノサイズのホールが多数形成されたマスク層を実現することは、例えば、本願の優先権主張の日前に日本国内又は外国において頒布され、原査定の根拠となった拒絶の理由において引用された刊行物である下記周知例３及び４にも記載されているように、当業者における周知技術である。
　
ａ．周知例３：米国特許出願公開第２００３／００１０９７１号明細書
　上記周知例３には、図４及び５とともに次の記載がある。
　
　「［００４０］　図４Ｄの光電子デバイスと同様のデバイスを形成する別の方法は、所望の量子ドット９０ａ／９０ｂの高さと一致する慎重に制御された厚さを有する多孔質成長のテンプレートとして、電気絶縁層（例えば、ＳｉＯ２）を利用することができる。この方法は、
図５Ａに示されたように、基礎となる化合物半導体基板８０上のＮ型のＡｌ
Ｘ
Ｇａ
１−Ｘ
層８２の成長を含んでよい。化合物半導体基板８０は、Ｎ＋ガリウム砒素（ＧａＡｓ）基板として示されている。図５Ｂに示されたように、その後、二酸化シリコン層９６又はその他の許容可能な絶縁材料層がＡｌ
Ｘ
Ｇａ
１−Ｘ
Ａｓ８２の上に堆積される。
その後、アルミニウム金属層８４が、二酸化シリコン層９６（又はバリアメタル層）上に形成される。
　
［００４１］ 　
図５Ｃを参照すると、アルミニウム金属層８４を、ナノ細孔８８の高密度で非常に規則的なアレイを有する陽極酸化された酸化アルミニウム層（ＡＡＯ）８６に変換するために、アルミニウム金属層８４は反復的に陽極酸化プロセスを受ける。図５Ｄを参照すると、陽極酸化された酸化アルミニウム層８６をエッチングマスクとして用いて、二酸化シリコン層９６を選択的にエッチングしてもよい。この選択的なエッチング工程の結果、ＡＡＯ層８６内のナノ細孔８８のアレイが下の二酸化シリコン層９６に転写される。
　
　ここにおいて、図５Ｃ及び図５Ｄの記載から、陽極酸化された酸化アルミニウム層８６をエッチングマスクとして用いて二酸化シリコン層９６を選択的にエッチングした後に、酸化アルミニウム層８６の除去が行われていることは明らかであることに留意すると、上記周知例３には、ナノ細孔８９の高密度で非常に規則的なアレイを有し、ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ量子ドットの垂直スタックのマスクとなる二酸化シリコン層９６を形成するために、二酸化シリコン層９６の上にアルミニウム金属層８４を設けた後に、当該アルミニウム金属層８４を陽極酸化してナノ細孔８９の高密度で非常に規則的なアレイが形成された酸化アルミニウム層（ＡＡＯ層）８６を形成し、次いで、当該ＡＡＯ層８６をマスクとして二酸化シリコン層９６をエッチングし、最後に、ＡＡＯ層８６を除去することが記載されているものと認められる。
　
ｂ．周知例４：特開平８−７８７６９号公報
　上記周知例４には、図５及び６とともに次の記載がある。
　
　「【００４６】多孔質アルミナ層をマスクとして用いて、半導体基板上に形成した薄膜を選択的に除去し、さらにこの薄膜をマスクとして、量子構造の構成材料を選択的にエピタキシャル成長させることもできる。図５の方法では、エッチングした箇所にエピタキシャル成長させる場合には基板にダメージを加えてしまうが、この場合は基板はそのまま維持され、ダメージの発生を回避できる利点がある。この場合の一実施例を図６の工程図を参照して説明する。
【００４７】
半導体基板５例えばＡｌＧａＡｓ基板の表面に、ＣＶＤ法等により、後に選択成長マスクとして用いる薄膜例えばＳｉＯ
２
薄膜８を形成させる（図６Ａ）。次に、ＳｉＯ
２
薄膜８の上に、蒸着等の方法によりＡｌ層１を堆積形成させる（図６Ｂ）
【００４８】
Ａｌ層１を電圧を時間と共に段階的に降下させながら陽極酸化して、多孔質アルミナ層２中にＳｉＯ
２
薄膜８との界面まで貫通した細孔３を形成する（図６Ｃ）
【００４９】
多孔質アルミナ層２をマスクとして、多孔質アルミナ層２中の細孔３を通じて、細孔直下のＳｉＯ
２
薄膜８のみを、フッ酸等により除去する（図６Ｄ）。その後ＮａＯＨによって、多孔質アルミナ層２を溶解除去する（図６Ｅ）
【００５０】この半導体基板５上に、例えばＧａＡｓなどの半導体物質による量子構造の構成材料４を成長させる。このとき、ＳｉＯ２薄膜が除去された部分にのみ、構成材料４の成長が生じる（図６Ｆ）。この成長の後、例えばフッ酸によって、残りの  ＳｉＯ薄膜８を除去する（図６Ｇ）。」
　
　ここにおいて、００４８段落において形成されている細孔３が多数形成されていることは、技術常識からも、また図６（Ｃ）の記載からも明らかであるから、上記周知例４には、細孔３が多数形成された選択成長マスクとして用いるＳｉＯ２薄膜８を形成するに際して、ＳｉＯ２薄膜８の上にＡｌ層１を設けた後に当該Ａｌ層１を陽極酸化して細孔３が多数形成された多孔質アルミナ層２を形成し、次いで、当該多孔質アルミナ層２をマスクとしてＳｉＯ２薄膜８をエッチングし、最後に多孔質アルミナ層２を除去することが記載されているものと認められる。
　
（４−２−２）したがって、引用発明に接した当業者であれば、「マスクの材料となる膜」に「フォトリソグラフィーあるいは電子線リソグラフィーなどの方法で」「円形あるいは矩形の貫通孔をあける」という工程に換えて、「マスクの材料となる膜」の上に金属層を設けた後に当該金属層を陽極酸化してナノサイズのホールが多数形成された金属酸化膜を形成し、次いで、当該金属酸化膜をマスクとして「マスクの材料となる膜」をエッチングし、最後に金属酸化膜を除去するという工程を採用すること、すなわち、補正発明のように、「マスク層及び金属層を順次に積層する第１段階」、「前記金属層を陽極酸化してナノサイズのホールが多数形成された金属酸化物層を形成する第２段階」、「前記ナノサイズのホールが前記バッファ層の表面まで延びるように前記金属酸化物層をマスクとして前記マスク層をエッチングする第３段階」及び「前記金属酸化物層をエッチングして除去する第４段階」を採用することは、当業者が容易になし得たことである。
　よって、相違点２も、周知技術を勘案することにより、当業者が適宜なし得た範囲に含まれる程度のものである。
　
（４−３）相違点３について
（４−３−１）一般に、レーザーダイオードを作成するには、ｎ側半導体層、活性層及びｐ側半導体層の積層構造を形成することが必要であることは、例えば、上記周知例２における次の記載からも分かるように、当業者における技術常識である。
　
ａ．周知例２：特開２００１−１４８３４８号公報（再掲）
　上記周知例２には、図６とともに次に記載がある。
　
　「【０１３６】
次に、ＧａＮ系半導体レーザ構造の作製には、有機金属化学気相成長法（ＭＯＶＰＥ）を用いて作製した。ＧａＮ膜６５を形成後、ＭＯＣＶＤ装置にセットし、水素雰囲気で成長温度１０５０℃に昇温する。６５０℃の温度からＮＨ
3
ガス雰囲気にする。Ｓｉを添加した１μｍの厚さのｎ型ＧａＮ層６６、Ｓｉを添加した０．４μｍの厚さのｎ型Ａｌ
0.15
Ｇａ
0.85
Ｎクラット層（審決注：「クラッド層」の誤記）６７、Ｓｉを添加した０．１μｍの厚さのｎ型ＧａＮ光ガイド層６８、２．５ｎｍの厚さのアンドープＩｎ
0.2
Ｇａ
0.8
Ｎ量子井戸層と５ｎｍの厚さのアンドープＩｎ
0.05
Ｇａ
0.95
Ｎ障壁層からなる１０周期の多重量子井戸構造活性層６９、マグネシウム（Ｍｇ）を添加した２０ｎｍの厚さのｐ型Ａｌ
0.2
Ｇａ
0.8
Ｎ層７０、Ｍｇを添加した０．１μｍの厚さのｐ型ＧａＮ光ガイド層７１、Ｍｇを添加した０．４μｍの厚さのｐ型Ａｌ
0.15
Ｇａ
0.85
Ｎクラッド層７２、Ｍｇを添加した０．５μｍの厚さのｐ型ＧａＮコンタクト層７３を順次形成しレーザー構造を作製した。
　
　上記記載から、上記周知例２には、ＧａＮ系半導体レーザ構造すなわち、レーザーダイオードを作成するために、Ｓｉを添加した０．４μｍの厚さのｎ型Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ｎクラッド層６７等のｎ側半導体層、多重量子井戸構造活性層６９等の活性層及びｐ型Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ｎ層７０等のｐ側半導体層の積層構造を形成することが記載されているものと認められる。
　
（４−３−２）したがって、引用発明における「レーザーダイオードを作る段階」とは、ｎ側半導体層、活性層及びｐ側半導体層の積層構造を形成する段階、すなわち、補正発明のように「ｎ側半導体層、活性層及びｐ側半導体層を順次に蒸着する」段階を意味するものであると解されるから、相違点３は実質的なものではない。
　また、仮に、引用発明における「レーザーダイオードを作る段階」が、補正発明のように「ｎ側半導体層、活性層及びｐ側半導体層を順次に蒸着する」段階を意味するものであるとまではいえず、相違点３が実質的なものであったとしても、当該相違点３は、上に述べた技術常識を勘案することにより、当業者が容易になし得た範囲に含まれる程度のものである。
　
（４−４）判断についてのまとめ
　以上検討したとおりであるから、補正発明は、周知例１〜４に記載された周知技術を勘案することにより、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　したがって、補正発明は、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
（５）独立特許要件についてのまとめ
　以上のとおり、本件補正は、補正後の請求項１に記載されている事項により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項をいう。以下同じ。）の規定に適合しない。
　
５．補正の却下の決定のむすび
　以上検討したとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないものであるから、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３．本願発明について
　平成２２年１２月１０日に提出された手続補正書による補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜１６に係る発明は、平成２２年４月２６日に提出された手続補正書により補正された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜１６に記載されている事項により特定されるとおりのものであり、そのうちの請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、請求項１に記載されている事項により特定される、上記第２．１．の「補正前」の箇所に記載したとおりのものである。
　一方、本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布され、原査定の根拠となった拒絶の理由において引用された刊行物である特開２００２−２４９４００号公報（引用例）には、上記第２．４．（２）に記載したとおりの事項及び発明（引用発明）が記載されているものと認められる。
　そして、本願発明に対して技術的限定を加えた発明である補正発明は、上記第２．４．において検討したとおり、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も当然に、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　したがって、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
第４．むすび
　以上のとおりであるから、他の請求項について検討するまでもなく、本願は拒絶をすべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。