【事件の表示】
　特願２０００−６０４２７２号「重ね合わせ誤差に対する拡大誤差およびレチクル回転誤差の影響の低減」拒絶査定不服審判事件〔平成１２年　９月１４日国際公開、ＷＯ００／５４１０８、平成１４年１１月１９日国内公表、特表２００２−５３９６０５号〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯・本願発明
　本願は、平成１２年２月１１日の出願（パリ条約による優先権主張、１９９９年３月１１日、米国）を国際出願日とする出願であって、平成２３年２月８日付けで手続補正がなされ、同年８月２日付けで拒絶査定がなされ、これに対して同年１２月８日に拒絶査定不服審判の請求がなされ、その後、平成２４年１２月１３日付けで拒絶理由が通知され、平成２５年４月２５日付けで意見書が提出されるとともに同日付けで手続補正がなされたものである。
　
　本願の請求項１ないし１８に係る発明は、平成２５年４月２５日付けの手続補正で補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１ないし１８に記載された次のとおりのものである。
　
「　【請求項１】　設計パターンを含む設計領域と、
　設計領域の外側に位置する第１のアライメントマークと、
　第１のアライメントマークに対称である、設計領域の外側に位置する第２のアライメントマークと、を含むレチクルと、
　設計パターン、第１のアライメントマークおよび第２のアライメントマークをウェハのフォトレジスト層上に投影し、設計パターン、第１のアライメントマークおよび第２のアライメントマークがウェハのフォトレジスト層上に、投影されたようにエッチングされるように構成された光源と、
　ウェハのフォトレジスト層上にエッチングされた第１および第２のアライメントマークの位置を識別およびマッピングするように構成された顕微鏡と、
　ウェハのフォトレジスト層上にエッチングされた第１および第２のアライメントマークの位置に基づいてウェハ上の第１の仮想アライメントマークの位置を計算するように構成されたプロセッサとを含み、第１の仮想アライメントマークの位置は、ウェハのフォトレジスト層上にエッチングされた第１および第２のアライメントマークの中点であり、プロセッサは、続くウェハのエッチングプロセスにおけるウェハのアライメントを促進するために第１の仮想アライメントマークの位置を採用する、システム。
　　【請求項２】　レチクルの中心点は、レチクル上で第１および第２のアライメントマークの中点であり、第２のアライメントマークは、レチクル中心点に関して第１のアライメントマークと対称である、請求項１に記載のシステム。
　　【請求項３】　第１のアライメントマークは、レチクル上で第２のアライメントマークのものと同一のパターンを有する、請求項１に記載のシステム。
　　【請求項４】　第１のアライメントマークは、レチクル上で第２のアライメントマークと異なるパターンを有する、請求項１に記載のシステム。
　　【請求項５】　第１の想像線が、ウェハのフォトレジスト層上にエッチングされた第１および第２のアライメントマークに交わり、第２の想像線が、レチクル中心がウェハのフォトレジスト層上に投影される位置とウェハのフォトレジスト層上にエッチングされた第１および第２のアライメントマークの中点とに交わり、第１の想像線は、ウェハ上で第２の想像線に対して垂直である、請求項１に記載のシステム。
　　【請求項６】　プロセッサは、以下の方程式に基づいてウェハに関して第１の仮想アライメントマークの位置を計算し、
【数１】
　
　式中Ｘv，Ｙvは第１の仮想アライメントマークの（ｘ，ｙ）座標であり、（Ｘ1，Ｙ1）は、ウェハのフォトレジスト層上にエッチングされた第１のアライメントマークの（ｘ，ｙ）座標であり、（Ｘ2，Ｙ2）は、ウェハのフォトレジスト層上にエッチングされた第２のアライメントマークの（ｘ，ｙ）座標である、請求項１に記載のシステム。
　　【請求項７】　プロセッサは、最小二乗法を用いて第１の仮想アライメントマークの位置を決定する、請求項１に記載のシステム。
　　【請求項８】　第２の設計パターンを含む第２の設計領域と、
　設計領域の外側に位置する第３のアライメントマークと、
　レチクル中心点に関して第３のアライメントマークに対称である、設計領域の外側に位置する第４のアライメントマークと、を含む第２のレチクルをさらに含み、
　光源は、第２の設計パターン、第３のアライメントマークおよび第４のアライメントマークをウェハのフォトレジスト層上に投影し、第２の設計パターン、第３のアライメントマークおよび第４のアライメントマークがウェハの他のフォトレジスト層上に、フォトレジスト層上の第１および第２のアライメントマークの位置に関する所定のオフセット位置に投影されたようにエッチングされるように構成され、
　顕微鏡は、ウェハの他のフォトレジスト層上にエッチングされた第３および第４のアライメントマークの位置を識別およびマッピングするように構成され、
　プロセッサは、ウェハの他のフォトレジスト層上にエッチングされた第３および第４のアライメントマークの位置に基づいてウェハの他のフォトレジスト層上の第２の仮想アライメントマークの位置を計算するように構成され、第２の仮想アライメントマークの位置は、ウェハの他のフォトレジスト層上にエッチングされた第３および第４のアライメントマークの中点であり、プロセッサは、所定のオフセット位置に基づいて、ウェハに関する第１の仮想アライメントマークと第２の仮想アライメントマークとの間のオフセット関係を決定する、請求項１に記載のシステム。
　　【請求項９】　他のフォトレジスト層は、フォトレジスト層の上に形成され、プロセッサは、第１の仮想アライメントマークおよび第２の仮想アライメントマークを用いる間、フォトレジスト層に対して他のフォトレジスト層を整列させることを制御するようにさらに構成される、請求項８に記載のシステム。
　　【請求項１０】　フォトレジスト層および他のフォトレジスト層は、ウェハの異なる領域に形成される、請求項８に記載のシステム。
　　【請求項１１】　設計パターンを含む設計領域と、
　設計領域の外側に位置する第１のアライメントマークと、
　設計領域の外側に位置し、第１のアライメントマークに対称な第２のアライメントマークと、を含むレチクルと、
　設計パターン、第１のアライメントマークおよび第２のアライメントマークをウェハのフォトレジスト層上に投影し、設計パターン、第１のアライメントマークおよび第２のアライメントマークがウェハのフォトレジスト層上に、投影されたようにエッチングされるように構成された光源と、
　ウェハのフォトレジスト層上にエッチングされた第１および第２のアライメントマークの位置を識別およびマッピングするように構成された顕微鏡と、
　ウェハのフォトレジスト層上にエッチングされた第１および第２のアライメントマークの位置、レチクル上に与えられた第１および第２のアライメントマークの位置、およびウェハのフォトレジスト層上の第１および第２のアライメントマークのエッチングのために意図された位置に基づいて、レチクル回転誤差および／またはレンズ拡大誤差の大きさを決定するように構成されたプロセッサとを含む、システム。
　　【請求項１２】　設計パターンを含む設計領域と、設計領域の外側に位置する第１のアライメントマークと、レチクル中心点に関して第１のアライメントマークに対称である、設計領域の外側に位置する第２のアライメントマークと、を含むレチクルを用いて、ウェハのフォトレジスト層上に第１のアライメントマークをエッチングするステップと、
　ウェハのフォトレジスト層上に第１のアライメントマークの直接上に第２のアライメントマークをエッチングする意図でレチクルを用いて第２のアライメントマークをフォトレジスト層上にエッチングするステップと、
　第１の仮想アライメントマークを決定するステップとを含み、第１の仮想アライメントマークは、組合された、エッチングされた第１および第２のアライメントマークによって規定される物体の中心であり、さらに、
　続くウェハのエッチングプロセスにおいて、第１の仮想アライメントマークを使用してウェハを整列させることを促進するステップを含む、方法。
　　【請求項１３】　以下の方程式から仮想アライメントマークの位置を決定するステップをさらに含み、
【数２】
　
　式中、（ＸV，ＹV）は仮想アライメントマークの（ｘ，ｙ）座標であり、ＸMAXは物体の最大ｘ座標であり、ＸMINは物体の最小ｘ座標であり、ＹMAXは物体の最大ｙ座標であり、ＹMINは物体の最小ｙ座標である、請求項１２に記載の方法。
　　【請求項１４】　少なくとも２つのアライメントマークをウェハの設計領域の外側でウェハの第１の表面層上にエッチングするための手段を含み、少なくとも２つのアライメントマークは、ウェハの第１の表面層上にエッチングされたマークがウェハの第１の表面層上にエッチングされたマークの中点に関してレチクル回転誤差および／またはレンズ拡大誤差を実質的に打ち消すように関連付けられた対称性を有し、さらに、
　中点を決定するための手段を含み、中点は仮想アライメントマークであり、さらに、
　続くウェハのエッチングプロセスにおいて、仮想アライメントマークを基準として用いてウェハを整列させるための手段を含む、システム。
　　【請求項１５】　ウェハの第１の表面層上にエッチングされた少なくとも２つのアライメントマークの位置を識別するための手段をさらに含む、請求項１４に記載のシステム。
　　【請求項１６】　２つの付加的なアライメントマークをウェハの他の設計領域の外側でウェハの第２の表面層上にエッチングするための手段をさらに含み、２つの付加的なアライメントマークは、ウェハの第２の表面層上にエッチングされた２つの付加的なマークがウェハの第２の表面層上にエッチングされた２つの付加的なマークの中点に関してレチクル回転誤差および／またはレンズ拡大誤差を実質的に打ち消すように関連付けられた対称性を有し、
　２つの付加的なマークの中点を決定するための手段を含み、中点は第２の仮想アライメントマークであり、さらに、
　第１および第２の仮想アライメントマークを基準として用いてウェハを整列させるため
の手段を含む、請求項１４に記載のシステム。
　　【請求項１７】　第１および第２のアライメントマークを用いて第１および第２の表面層を整列させるための手段をさらに含む、請求項１６に記載のシステム。
　　【請求項１８】　ウェハの設計領域の外側でウェハの表面にアライメントマークをエッチングするための手段と、
　ウェハの表面にエッチングされたアライメントマークの位置を決定するための手段と、　意図されたエッチング位置からのエッチングされたアライメントマークのずれを決定するための手段と、
　ウェハのアライメントを修正してずれを補償するための手段とを含む、ウェハアライメントシステム。」
　
第２　特許法第３６条の要件について
１．当審の拒絶理由
　当審において平成２４年１２月１３日付けで通知した拒絶理由の「第１」の概要は以下のとおりである。
「第１　本願は、以下の理由で特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。
　
１．請求項１
（１）請求項１に記載された「ウェハの第１の表面層上に印刷された第１および第２のアライメントマーク」の「印刷」について、リソグラフィにおいて「印刷」という用語は一般的でないため、当該「印刷」が（ａ）リソグラフィによりウェハ上にパターニングされて生じた状態を指すものか、（ｂ）ウェハ上に別途、リソグラフィとは異なる「印刷」が施されるものか、あるいは（ｃ）（ａ）及び（ｂ）以外の事項を意味するのかが、発明の詳細な説明及び図面を参酌してもなお不明であり、さらに、そのような「第１および第２のアライメントマーク」を「ウェハ」の「表面層上に印刷」するとはいかなる技術的事項を意味するのかが不明である。
　上記の点は、請求項２〜１９に記載（請求項の引用によるものを含む）された「印刷」についても同様である。
　
……（略）……
　
２．請求項５
（１）請求項５に記載された「第１の想像線が、第１および第２のアライメントマークに交わり、第２の想像線が、レチクル中心と第１および第２のアライメントマークの中点とに交わり、第１の想像線は、第２の想像線に対して垂直である」という記載について、当該記載の関係のみでは、レチクル中心が第２の想像線上のどこに位置するのかが一義的に定まらないため、第１、第２のアライメントマークに対するレチクル中心の位置関係が不明である。
　
（２）請求項５で引用する請求項１に記載された「レチクル中心点に関して第１のアライメントマークに対称である、設計領域の外側に位置する第２のアライメントマーク」について、請求項５に係る発明に対応する発明の詳細な説明の記載は【００４６】〜【００５１】及び【図１１ｃ】〜【図１１ｆ】であると考えられるところ、【００４６】には「アライメントマーク２８４ａおよび２８４ｂは、レチクル中心２８６に関して互いに対称」及び「アライメントマーク２８４ａ’および２８４ｂ’は、レチクル中心２８６’に関して互いに対称」と、また【００４７】には「マーク２８４ａおよび２８４ｂは、レチクル中心２８６に関して互いに対称」と記載されているものの、【図１１ｃ】〜【図１１ｆ】では、アライメントマーク及びレチクル中心との間に、そのような対称な関係は存在していないから（一般に、ある「点」に対して「対称」という場合、「点対称」な関係のみが定義可能であることに留意されたい。）、請求項１を引用する請求項５の当該記載は、発明の詳細な説明及び図面を参酌してもなお意味が不明である。
　
３．請求項８
　請求項８に記載された「第１の仮想アライメントマークは、ウェハに関して第２の仮想アライメントマークからの既知のオフセットを有する」について、あらかじめ「既知」であればオフセットは生じることはないと考えられるところ、「既知のオフセットを有する」とは、いかなる技術的事項を指すのかが、発明の詳細な説明及び図面を参酌してもなお不明である。
　また、「オフセット」とは、一定の離れた距離のことを指すものと解されるところ、「仮想アライメントマーク」自体が「オフセットを有する」とはいかなる技術的事項を指すのかが、発明の詳細な説明及び図面を参酌してもなお不明である。
　上記の点については、請求項８を引用する請求項９〜１１、並びに請求項１０及び請求項１０を引用する請求項１１に記載された「第２の仮想アライメントマークは、ウェハに関して第３の仮想アライメントマークからの既知のオフセットを有する」についても同様である。
　
４．請求項９
　請求項９に記載された「プロセッサは第１の仮想アライメントマークおよび第２の仮想アライメントマークを用いて第１の層を第２の層に整列させる」について、「プロセッサ」は通常、演算をするためのものにすぎないから、それ単独ではウェハ等の物体を動かす機能はないところ、「プロセッサ」が「第１の仮想アライメントマークおよび第２の仮想アライメントマークを用いて第１の層を第２の層に整列させる」とは、プロセッサが「第１のアライメントマークおよび第２のアライメントマーク」をどのように「用いて」、何によって「第１の層を第２の層に整列させる」のか、その意味する技術的事項が、発明の詳細な説明及び図面を参酌してもなお不明である。
　上記の点については、請求項９を引用する請求項１０及び１１、並びに請求項１１に記載された「プロセッサは、第２の仮想アライメントマークおよび第３の仮想アライメントマークを用いて第２の層を第３の層に整列させる」についても同様である。
　
……（略）……
　
６．請求項１３
　
……（略）……
　
（３）請求項１３に記載された「第１のアライメントマークの直接上に第２のアライメントマークを印刷する意図で第２のアライメントマークを第１の表面層上に印刷する」について、「第１のアライメントマークの直接上に第２のアライメントマークを印刷する」とは、「マーク」の「直接上」に「マーク」を「印刷する」という言葉の意味する内容、及び「印刷する意図」と「印刷する」ことの関係が、発明の詳細な説明及び図面を参酌してもなお不明である。
　
　上記（１）〜（３）の点については、請求項１３を引用する請求項１４についても同様である。
　
……（略）……
　
第２　本願は、以下の理由で特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない。
　
　請求項１〜１９に係る発明は、上記「第１」に示した各理由により、発明の詳細な説明と対応しておらず、したがって、発明の詳細な説明に記載されたものとは認められないから、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない。
　
　
 第３　本願は、以下の理由で特許法第３６条第４項に規定する要件を満たしていない。
　
　請求項１〜１９に係る発明は、上記「第１」に示した各理由により、対応する発明の詳細な説明及び図面を参酌しても、その記載が不明であり、あるいは、上記「第２」に示した理由により、対応する技術的事項が発明の詳細な説明に記載されておらず、また技術常識を参酌しても、当業者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載したものであるということができない。
　したがって、本願は、発明の詳細な説明に、当該発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者がその実施をすることができる程度に明瞭かつ十分に記載されていないから、特許法第３６条第４項に規定する要件を満たしていない。」
　
２．当審の判断
（１）請求項１について
（１−１）請求人は平成２５年４月２５日付け意見書において
「１）　審判官殿は、請求項１に記載された「ウェハの第１の表面層上に印刷された第１および第２のアライメントマーク」の「印刷」について、リソグラフィにおいて「印刷」という用語は一般的でないため、当該「印刷」が（ａ）リソグラフィによりウェハ上にパターニングされて生じた状態を指すものか、（ｂ）ウェハ上に別途、リソグラフィとは異なる「印刷」が施されるものか、あるいは（ｃ）（ａ）および（ｂ）以外の事項を意味するのかが、発明の詳細な説明および図面を参酌してもなお不明であり、さらに、そのような「第１および第２のアライメントマーク」を「ウェハ」の「表面層上に印刷」するとはいかなる技術的事項を意味するのかが不明であり、上記の点は、請求項２〜１９に記載された「印刷」についても同様であるとご指摘されました。
　そこで、上述のように、請求項１〜１９において、「印刷」を「エッチング」に補正するとともに、請求項１等において、「設計パターン、第１のアライメントマークおよび第２のアライメントマークをウェハのフォトレジスト層上に投影し、設計パターン、第１のアライメントマークおよび第２のアライメントマークがウェハのフォトレジスト層上に、投影されたようにエッチングされるように構成された光源」との限定を付加しました（たとえば、明細書の第００２３段落および図４参照）。
　上記の補正により、「印刷」が（ａ）リソグラフィによりウェハ上にパターニングされて生じた状態を指し、アライメントマークは、アライメントマークおよび設計パターンを有するレチクルを用いてウェハのフォトレジスト層上にエッチングされることが明確となっています。よって、ご指摘の記載不備は解消されたものと思料致します。」と主張している。
　しかし、請求項１に記載された「ウエハのフォトレジスト層上にエッチングされた第１および第２のアライメントマーク」では、第１および第２のアライメントマークはウエハのフォトレジスト層上にエッチングされるのであるから、ウエハのフォトレジスト層の上の層をエッチングすることを意味するものと考えられるが、通常はフォトレジスト層をパターニングし、パターニングされたフォトレジスト層で覆われた部分以外の部分をエッチングすることでパターンを形成するのが普通であり、このような、「フォトレジスト層上にエッチング」とはいかなる技術的事項を意味するのか不明である。
　また、請求項１に記載された「設計パターン、第１のアライメントマークおよび第２のアライメントマークをウェハのフォトレジスト層上に投影し、設計パターン、第１のアライメントマークおよび第２のアライメントマークがウェハのフォトレジスト層上に、投影されたようにエッチングされるように構成された光源」では、「光源」が「投影」とともに「エッチング」も行うことを意味するものと考えられるが、通常「光源」はエッチングを行うものではないから、「投影されたようにエッチングされるように構成された光源」とはいかなる技術的事項を意味するのか不明である。
　したがって、請求項１に係る発明は明確とはいえない。
　
（１−２）当審の拒絶理由で、請求項５で引用する請求項１について指摘したことに対し、請求人は平成２５年４月２５日付け意見書において
「２）　審判官殿は、請求項５で引用する請求項１に記載された「レチクル中心点に関して第１のアライメントマークに対称である、設計領域の外側に位置する第２のアライメントマーク」について、請求項５に対応する発明に対応する発明の詳細な説明の記載は、第００４６段落〜第００５１段落および図１１ｃ〜図１１ｆであると考えられるところ、図１１ｃ〜図１１ｆでは、アライメントマークおよびレチクル中心との間に対称な関係は存在していないから、請求項１を引用する請求項５の当該記載は、発明の詳細な説明および図面を参酌してもなお不明であるとご指摘されました。
　そこで、上述のように、請求項１において「レチクル中心点に関して」との限定を削除しました。当該補正により、上記の１）での補正および議論と合わせて、補正前の請求項１と補正前の請求項５との間にあった「第１のアライメントマーク」、「第２のアライメントマーク」および「レチクル中心」間の位置関係の矛盾が解消され、ご指摘の記載不備は解消されたものと思料致します。」と主張している。
　しかし、請求項１において「レチクル中心点に関して」との記載が削除されたことにより、第２のアライメントマークは第１のアライメントマークと何に関して対称であるのかが不明となったから、請求項１に記載された「第１のアライメントマークに対称である、設計領域の外側に位置する第２のアライメントマーク」は意味が不明である。
　したがって、請求項１に係る発明は明確とはいえない。
　
（１−３）上記（１−１）で指摘した点は、請求項１を直接または間接的に引用する請求項２ないし１０においても同様に不明であり、請求項１と同様の記載がある請求項１１、１２、１４およびこれらの請求項の何れかを直接または間接的に引用する請求項１３、１５ないし１７においても同様に不明である。また、上記（１−２）で指摘した点については、請求項１を直接または間接的に引用する請求項３ないし１０においても同様に不明であり、請求項１と同様の記載がある請求項１１においても同様に不明である。
　したがって、請求項２ないし１７に係る発明は明確とはいえない。
　
（１−４）上記（１−１）ないし（１−３）で指摘した点については、発明の詳細な説明の記載と対応しておらず、請求項１ないし１７に係る発明が発明の詳細な説明に記載したものであるとはいえない。
　
（１−５）上記（１−１）ないし（１−３）で指摘した点については、対応する技術的事項が発明の詳細な説明に記載されておらず、請求項１ないし１７に係る発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載したものであるとはいえない。
　
（２）請求項５について
（２−１）請求人は平成２５年４月２５日付け意見書において、
「１）　審判官殿は、請求項５に記載された「第１の想像線が、第１および第２のアライメントマークに交わり、第２の想像線が、レチクル中心と第１および第２のアライメントマークの中点とに交わり、第１の想像線は、第２の想像線に対して垂直である」という記載について、当該記載の関係のみでは、レチクル中心が第２の想像線上のどこに位置するのかが一義的に定まらないため、第１、第２のアライメントマークに対するレチクル中心の位置関係が不明であるとご指摘されました。
　そこで、上述のように、請求項５において、「第１の想像線が、第１および第２のアライメントマークに交わり、第２の想像線が、レチクル中心と第１および第２のアライメントマークの中点とに交わり、第１の想像線は、第２の想像線に対して垂直である」を「第１の想像線が、ウェハのフォトレジスト層上にエッチングされた第１および第２のアライメントマークに交わり、第２の想像線が、レチクル中心がウェハのフォトレジスト層上に投影される位置とウェハのフォトレジスト層上にエッチングされた第１および第２のアライメントマークの中点とに交わり、第１の想像線は、ウェハ上で第２の想像線に対して垂直である」に補正しました（たとえば、明細書の第００４６段落〜第００５１段落および図１１ｃ〜図１１ｆにおける記載参照）。
　請求項５において、第１および第２の想像線の位置は、ウェハ上で明確に定義されています。よって、上記の補正により、レチクル中心が第２の想像線上の「ウェハのフォトレジスト層上に投影される位置」に位置することが一義的に定まり、下記の２）での補正および議論と合わせて、第１、第２のアライメントマークに対するレチクル中心の位置関係が明確になったものと思料致します。」と主張している。
　しかし、請求人が補正の根拠とする明細書の第００４６段落〜第００５１段落および図１１ｃ〜図１１ｆには、「第１の想像線」および「第２の想像線」は、レチクル上における想像線であったことしか記載されていないが、請求項５には「第１の想像線が、ウェハのフォトレジスト層上にエッチングされた第１および第２のアライメントマークに交わり、第２の想像線が、レチクル中心がウェハのフォトレジスト層上に投影される位置とウェハのフォトレジスト層上にエッチングされた第１および第２のアライメントマークの中点とに交わり、第１の想像線は、ウェハ上で第２の想像線に対して垂直である」と記載されているように「第１の想像線」および「第２の想像線」は、ウエハ上における想像線となっており、このような「第１の想像線」および「第２の想像線」が、ウエハ上における想像線であることは、発明の詳細な説明には記載されていない。
　したがって、請求項５に係る発明が発明の詳細な説明に記載したものであるとはいえない。
　
（２−２）請求項５には「レチクル中心がウェハのフォトレジスト層上に投影される」と記載されているが、「レチクル中心」は、レチクルにおける中心位置を意味するものであり、何らかのパターンが形成されていることを意味するものではないことは明らかであるから、「レチクル中心がフォトレジスト層上に投影される」とはいかなる技術的事項を意味するのかが不明である。
　したがって、請求項５に係る発明は明確とはいえない。
　
（２−３）上記（２−２）で指摘した点については、発明の詳細な説明の記載と対応しておらず、請求項５に係る発明が発明の詳細な説明に記載したものであるとはいえない。
　
（２−４）上記（２−１）、（２−２）で指摘した点については、対応する技術的事項が発明の詳細な説明に記載されておらず、請求項５に係る発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載したものであるとはいえない。
　
（３）請求項８について
（３−１）請求人は平成２５年４月２５日付け意見書において、
「審判官殿は、請求項８等に記載された「第１の仮想アライメントマークは、ウェハに関して第２の仮想アライメントマークからの既知のオフセットを有する」について、あらかじめ「既知」であればオフセットは生じることはないと考えられるところ、「既知のオフセットを有する」とは、いかなる技術的事項を指すのか、また、「オフセット」とは、一定の離れた距離のことを指すものと解されるところ、「仮想アライメントマーク」自体が「オフセットを有する」とはいかなる技術的事項を指すのかが、発明の詳細な説明および図面を参酌してもなお不明であるとご指摘されました。
　そこで、上述のように、請求項８において、第３および第４のアライメントマークに関する記載を詳しく限定し直すとともに、「第１の仮想アライメントマークは、ウェハに関して第２の仮想アライメントマークからの既知のオフセットを有する」を「プロセッサは、所定のオフセット位置に基づいて、ウェハに関する第１の仮想アライメントマークと第２の仮想アライメントマークとの間のオフセット関係を決定する」に補正しました（たとえば、明細書の第００４８段落〜第００５１段落参照）。また、請求項１０を「フォトレジスト層および他のフォトレジスト層は、ウェハの異なる領域に形成される」に補正するとともに、請求項１１を削除しました。
　補正後の請求項８は、第３および第４のアライメントマークに対して予期されるエッチング位置のオフセットが所定のものであり、プロセッサが、第３および第４のアライメントマークに対して予期されるエッチング位置の所定のオフセットに基づいて、仮想アライメントマークに対するオフセットを決定することを示しています。上記の補正により、「既知のオフセットを有する」との文言は削除され、プロセッサは、所定のオフセット位置に基づいて、「ウェハに関する第１の仮想アライメントマークと第２の仮想アライメントマークとの間のオフセット関係」を決定することが明確になったものと思料致します。」と主張している。
　しかし、請求項８に記載された「所定のオフセット位置に投影」では、どのような位置に投影することを意味するのか不明であり、さらに、「プロセッサは、所定のオフセット位置に基づいて、ウェハに関する第１の仮想アライメントマークと第２の仮想アライメントマークとの間のオフセット関係を決定する」では、「ウェハに関する第１の仮想アライメントマークと第２の仮想アライメントマークとの間のオフセット関係」が、どのように決定されるのかが不明である。
　なお、請求項８が引用する請求項１では「ウェハのフォトレジスト層上にエッチングされた第１および第２のアライメントマークの位置に基づいてウェハ上の第１の仮想アライメントマークの位置を計算するように構成され」ており、請求項８では「ウェハの他のフォトレジスト層上にエッチングされた第３および第４のアライメントマークの位置に基づいてウェハの他のフォトレジスト層上の第２の仮想アライメントマークの位置を計算するように構成され」ているのであるから、「第１の仮想アライメントマーク」と「第２の仮想アライメントマーク」との間のオフセット関係は、上記計算の結果から求めることができるものと考えられるが、上記計算結果から求めるのではなく、「所定のオフセット位置に基づいて」「オフセット関係を」「決定する」とは、いかなる技術的事項を意味するのかが不明である。
　したがって、請求項８に係る発明は明確とはいえない。
　
（３−２）上記（３−１）で指摘した点は、請求項８を引用する請求項９、１０においても同様に不明である。
　したがって、請求項９、１０に係る発明は明確とはいえない。
　
（３−３）上記（３−１）、（３−２）で指摘した点については、発明の詳細な説明の記載と対応しておらず、請求項８ないし１０に係る発明が発明の詳細な説明に記載したものであるとはいえない。
　
（３−４）上記（３−１）、（３−２）で指摘した点については、対応する技術的事項が発明の詳細な説明に記載されておらず、請求項８ないし１０に係る発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載したものであるとはいえない。
　
（４）請求項９について
（４−１）請求人は平成２５年４月２５日付け意見書において、
「審判官殿は、請求項９等に記載された「プロセッサは第１の仮想アライメントマークおよび第２の仮想アライメントマークを用いて第１の層を第２の層に整列させる」について、「プロセッサ」は通常、演算をするためのものにすぎないから、それ単独ではウェハ等の物体を動かす機能はないところ、プロセッサが「第１のアライメントマークおよび第２のアライメントマーク」をどのように「用いて」、何によって「第１の層を第２の層に整列させる」のか、その意味する技術的事項が、発明の詳細な説明および図面を参酌してもなお不明であるとご指摘されました。
　そこで、上述のように、請求項９において、「他のフォトレジスト層は、フォトレジスト層の上に形成され」との限定を付加するとともに、「プロセッサは、第１の仮想アライメントマークおよび第２の仮想アライメントマークを用いて第１の層を第２の層に整列させる」を「プロセッサは、第１の仮想アライメントマークおよび第２の仮想アライメントマークを用いる間、フォトレジスト層に対して他のフォトレジスト層を整列させることを制御するようにさらに構成される」に補正しました（たとえば、明細書の第００４８段落〜第００５１段落参照）。
　上記の補正により、プロセッサが「第１の仮想アライメントマークおよび第２の仮想アライメントマークを用いる間」、「フォトレジスト層に対して他のフォトレジスト層を整列させることを制御する」ことが明確となっています。補正後の請求項９は、プロセッサが、フォトレジスト層を直接整列させるのではなく、整列のプロセスを制御することを示しています。なお、上述のように、請求項１１は削除しました。以上により、ご指摘の記載不備は解消されたものと思料致します。」と主張している。
　しかし、「他のフォトレジスト層はフォトレジスト層の上に形成され」ているのであるから、すでに形成されている「フォトレジスト層」と「他のフォトレジスト層」を「整列させることを制御する」とは、具体的にどのような制御を行うことを意味するのかが不明である。
　したがって、請求項９に係る発明は明確とはいえない。
　
（４−２）上記（４−１）で指摘した点については、発明の詳細な説明の記載と対応しておらず、請求項９に係る発明が発明の詳細な説明に記載したものであるとはいえない。
　
（４−３）上記（４−１）で指摘した点については、対応する技術的事項が発明の詳細な説明に記載されておらず、請求項９に係る発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載したものであるとはいえない。
　
（５）請求項１２について
（５−１）請求人は平成２５年４月２５日付け意見書において、
「３）　審判官殿は、請求項１３等に記載された「第１のアライメントマークの直接上に第２のアライメントマークを印刷する意図で第２のアライメントマークを第１の表面層上に印刷する」について、「第１のアライメントマークの直接上に第２のアライメントマークを印刷する」とは、「マーク」の「直接上」に「マーク」を「印刷する」という言葉の意味する内容、および「印刷する意図」と「印刷する」ことの関係が、発明の詳細な説明および図面を参酌しても不明であるとご指摘されました。
　そこで、上述のように、請求項１３（補正後の請求項１２）において、「第１のアライメントマークの直接上に第２のアライメントマークを印刷する意図で第２のアライメントマークを第１の表面層上に印刷する」を「ウェハのフォトレジスト層上に第１のアライメントマークの直接上に第２のアライメントマークをエッチングする意図でレチクルを用いて第２のアライメントマークをフォトレジスト層上にエッチングする」に補正しました（たとえば、明細書の第００５２段落〜第００５６段落参照）。
　上記の補正により、「ウェハのフォトレジスト層上に」第１のアライメントマークの直接上に第２のアライメントマークを「エッチング」する意図で「レチクルを用いて」第２のアライメントマークをフォトレジスト層上にエッチングすることが明確となり、ご指摘の記載不備は解消されたものと思料致します。」と主張している。
　しかし、請求項１２に記載された「第２のアライメントマーク」は「レチクル中心点に関して第１のアライメントマークに対称であ」り、しかも「設計領域の外側に位置する」ものであるから、ウエハのフォトレジスト層上で第２のアライメントマークは第１のアライメントマークの直接上に投影されたりエッチングされたりすることはないはずである。そうすると「第１のアライメントマークの直接上に第２のアライメントマークをエッチングする意図でレチクルを用いて第２のアライメントマークをフォトレジスト層上にエッチングする」とは、いかなる技術的事項を意味するのかが不明である。
　したがって、請求項１２に係る発明は明確とはいえない。
　
（５−２）上記（５−１）で指摘した点は、請求項１２を引用する請求項１３においても同様に不明である。
　したがって、請求項１３に係る発明は明確とはいえない。
　
（５−３）上記（５−１）、（５−２）で指摘した点については、発明の詳細な説明の記載と対応しておらず、請求項１２、１３に係る発明が発明の詳細な説明に記載したものであるとはいえない。
　
（５−４）上記（５−１）、（５−２）で指摘した点については、対応する技術的事項が発明の詳細な説明に記載されておらず、請求項１２、１３に係る発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載したものであるとはいえない。
　
３．むすび
　以上検討したとおり、本願は、特許法第３６条第６項第１、２号および同条第４項に規定する要件を満たしていない。
　
第３　特許法第２９条第２項の要件について
１．原査定の拒絶理由
　平成２３年７月１４日付けで通知した拒絶理由の「理由３、４」の概要は以下のとおりである。
　
「［理由３］この出願の下記の請求項に係る発明は、その出願前に日本国内において、頒布された引用例に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。
［理由４］この出願の下記の請求項に係る発明は、その出願前に日本国内において頒布された引用例に記載された発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。」
　
２．本願発明
　平成２５年４月２５日付けの手続補正で補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１８に記載された事項により特定される発明（以下、「本願発明」という。）は、次のとおりのものである。
「ウェハの設計領域の外側でウェハの表面にアライメントマークをエッチングするための手段と、
　ウェハの表面にエッチングされたアライメントマークの位置を決定するための手段と、
　意図されたエッチング位置からのエッチングされたアライメントマークのずれを決定するための手段と、
　ウェハのアライメントを修正してずれを補償するための手段とを含む、ウェハアライメントシステム。」
　
３．引用例の記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開平１０−２２３５２８号公報（以下「引用例」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている。（後述する引用発明の認定に関連する箇所に下線を付した。）
　
記載事項ア．
「【００５１】次に、上述のようにして構成された本第１の実施形態に係る投影露光装置１０におけるアライメント動作及び露光動作について、図６のようなショット配列のウエハＷの第２層露光時を例に挙げて説明する。
【００５２】まず、不図示のウエハローダから図１及び図２に示されるウエハホルダー３６上にウエハＷが転送される。
ウエハＷの各ショット領域にはそれぞれ、前層の露光により既に回路パターンが形成されている。更に、図６に示されるように、ウエハＷ上の各ショット領域Ｓ
n 
（ｎ＝１，２，３，……，２６）にはそれぞれ２個の十字型のアライメントマークＭＡ
n
 、ＭＢ
n 
（ｎ＝１，２，３，……，２６）が形成されている。
【００５３】アライメントマークＭＡn 、ＭＢn は、各ショット領域の中心（基準点）に関して点対称となる位置に形成され、設計上、各ショット領域Ｓn のＸ方向長さはＰｘ、Ｙ方向の長さはＰｙであるものとする。また、同一ショット内のマーク中心間のＸ方向の間隔はｐｘであり、Ｙ方向の間隔はｐｙであるものとする。
【００５４】次に、主制御系３２がウエハＷの原点調整（プリアライメント）を行う。その後、特開平６ー２７５４９６号公報に詳細に開示されるような、ＥＧＡ（エンハンスト・グローバルアライメント）計測を行うが、本実施形態では、それに先立って主制御系３２では可動式の計測顕微鏡２８の位置を調整する。
【００５５】これを更に詳述すると、図６のウエハＷの場合、サンプルショットとして斜線が施された８つのショット領域（Ｓ1 、Ｓ4 、Ｓ5 、Ｓ8 、Ｓ19、Ｓ22、Ｓ23、Ｓ26）を選択するものとし、アライメントマークＭＡ1 とＭＡ4 を同時に計測し、次にＭＢ1 とＭＢ4 とを同時に計測し、以後ＭＡ5 とＭＡ8 を同時に計測するというようにマークを２つずつ順次計測していくものとする。この場合、これら同時に計測される各組のアライメントマークはほぼ同一のＸ軸上に位置しているので、両顕微鏡２６、２８が図７の平面図に示されるような位置関係にあるとき、主制御系３２では図３のＹ移動機構７６Ａ、７６Ｂをその位置で固定し、この状態から計測顕微鏡２８を＋Ｘ方向に駆動し、図８の平面図に示される距離ｄ＝３Ｐｘとなるように、Ｘ移動機構７２を介して計測顕微鏡２８の位置を調整する。ここで、図７に示される基準位置に計測顕微鏡２８があるときに、基準板ＦＰを用いて計測顕微鏡２８の検出中心と投影光学系ＰＬの光軸との距離であるベースライン長さＢａ２0 の計測を、予め固定側の計測顕微鏡２６のベースライン長さＢａ１0 の計測とともに行っておけば、図７の両顕微鏡２６、２８の間隔Ｄは既知であるので、改めてベースライン長さＢａ２を計測することなく、移動後のベースライン長さＢａ２を計測顕微鏡２８の位置を管理する干渉計８６Ｘ、８６Ｙの計測値に基づいて求めることができる。
【００５６】上記の計測顕微鏡２８の位置調整が終了すると、主制御系３２では、ベースライン長さＢａ２が変動しないように、
計測顕微鏡２８の位置をサーボ制御しながら、ウエハステージ２２をＸＹ２次元駆動して、８つのＥＧＡショット領域（サンプルショット領域）内のアライメントマークＭＡ
m
 、ＭＢ
m
 （ｍ＝１，４，５，８，１９，２２，２３，２６）のステージ座標系（Ｘ、Ｙ）上での座標値（ＦＭ
NXn
 、ＦＭ
NYn 
）を実測する。
【００５７】そして、
上記のサンプルショットのアライメントマーク位置の実測が終了すると、主制御系３２では、この計測結果と、既知の上記選択された８個のショット領域の基準点（ショットセンタ）のウエハＷ上の座標系（α，β）上での設計上の配列座標値（Ｃ
Xn
，Ｃ
Yn
）と、測定されたアライメントマークの各ショット領域Ｓｎ上の座標系（ｘ，ｙ）での設計上の座標値（相対座標値）（Ｓ
NXn
 ,Ｓ
NYn
）とを用いて、次式の座標変換式に基づいてウエハＷの各ショット領域Ｓ
n 
のステージ座標系（Ｘ，Ｙ）上での計算上の座標、及びショット領域の各誤差（ショット領域そのものの倍率誤差、回転誤差等）を求める。
　
記載事項イ．
「【００６２】
その後、主制御系３２では式（１）の変換行列Ｂ中の各ショット領域上の回路パターンの残存回転誤差θを補正するように、レチクルステージ１４を介してレチクルＲに適当な回転を施して、ステージ座標系（Ｘ，Ｙ）に対するショット領域Ｓ
n
 上の回路パターンの回転を小さく抑える。
【００６３】次に、ウエハＷ上の座標系の直交度誤差ｗは、厳密な意味では補正できないが適度にレチクルＲを回転させることで、その誤差を小さく抑えることができる。そこで、主制御系３２では回転誤差Θ、回転誤差θ及び直交度誤差ｗのそれぞれの絶対値の和が最小になるように、レチクルＲ又はウエハＷの回転量を最適化することも可能である。
【００６４】
次に、主制御系３２では、式（１）の変換行列Ｂ中の各ショット領域Ｓｎ上の回路パターンの直交する２方向への線形伸縮（スケーリング誤差）を補正するように、図１の結像特性制御装置２０を介して投影光学系ＰＬの投影倍率を調整する。
【００６５】次に、主制御系３２では、上で求めた誤差パラメータより成る要素を含む変換行列Ａ及びＯを用いて、次式にウエハＷ上の各ショット領域Ｓｎの基準点の設計上の配列座標値（ＣXn ，ＣYn）を代入することにより、その基準点のステージ座標系（Ｘ，Ｙ）上での計算上の配列座標値（ＧXn ，ＧYn）を求める。
【００６６】
【数２】
　
【００６７】そして、主制御系３２では、計算により得られた配列座標（ＧXn，ＧYn）及び予め求めてあるベースライン長さＢａ１、Ｂａ２に基づいて、ウエハＷ上の各ショット領域Ｓｎの基準点を投影光学系ＰＬの露光フィールド内の所定の位置に位置合わせして、当該ショット領域に対してレチクルＲのパターン像を投影露光する。こうした位置合わせ及び投影露光が、各ショット領域について順次実行される。そして、ウエハＷ上の全てのショット領域への露光が終了した後に、ウエハＷの現像が行われる。」
　
記載事項ウ．
「【０１００】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、同時に複数の位置合わせマークを計測できるので、アライメントのための計測時間を最大計測光学系（又は指標マーク）の個数分の１に短縮することが可能であり、
システム
　
記載事項エ．
「【図１】
　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
　
記載事項オ．
「【図６】
　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
　
４．引用例に記載された発明の認定
　引用例の上記記載事項ア．〜オ．の記載内容からして、引用例には、次の発明が記載されていると認めることができる。
　
「前層の露光によりウエハＷのショット領域に回路パターンとアライメントマークＭＡn、ＭＢnを形成する手段と、アライメントマークＭＡn、ＭＢnのステージ座標系上での座標値を実測する計測顕微鏡と、この計測結果と、ショット領域の基準点のウエハＷ上の座標系上での設計上の配列座標値と、測定されたアライメントマークの各ショット領域上の座標系での設計上の座標値とを用いて、ウエハＷの各ショット領域のステージ座標系上での計算上の座標、及びショット領域の各誤差（ショット領域そのものの倍率誤差、回転誤差等）を求め、その後、各ショット領域上の回路パターンの残存回転誤差を補正するようにレチクルステージを介してレチクルＲに適当な回転を施し、次に各ショット領域上の回路パターンの直交する２方向への線形伸縮を補正するように投影光学系ＰＬの投影倍率を調整する主制御系、とを含むシステム。」（以下「引用発明」という。）
　
５．本願発明と引用発明との対比・判断
（ａ）引用発明の「前層の露光により」「形成」された「アライメントマークＭＡn、ＭＢn」は、前層の露光後のエッチングにより形成されたものであることは明らかであるから、引用発明の「前層の露光によりウエハＷのショット領域に回路パターンとアライメントマークＭＡn、ＭＢnを形成する手段」と、本願発明の「ウェハの設計領域の外側でウェハの表面にアライメントマークをエッチングするための手段」は、「ウェハの表面にアライメントマークをエッチングするための手段」である点で共通している。
（ｂ）引用発明の「アライメントマークＭＡn、ＭＢnのステージ座標系上での座標値を実測する計測顕微鏡」は、本願発明の「ウェハの表面にエッチングされたアライメントマークの位置を決定するための手段」に相当する。
（ｃ）引用発明の「この計測結果と、ショット領域の基準点のウエハＷ上の座標系上での設計上の配列座標値と、測定されたアライメントマークの各ショット領域上の座標系での設計上の座標値とを用いて、ウエハＷの各ショット領域のステージ座標系上での計算上の座標、及びショット領域の各誤差（ショット領域そのものの倍率誤差、回転誤差等）を求め」る「主制御系」は、本願発明の「意図されたエッチング位置からのエッチングされたアライメントマークのずれを決定するための手段」に相当する。
（ｄ）引用発明の「その後、各ショット領域上の回路パターンの残存回転誤差を補正するようにレチクルステージを介してレチクルＲに適当な回転を施し、次に各ショット領域上の回路パターンの直交する２方向への線形伸縮を補正するように投影光学系ＰＬの投影倍率を調整する主制御系」は、本願発明の「ウェハのアライメントを修正してずれを補償するための手段」に相当する。
（ｅ）引用発明の「システム」が本願発明の「ウエハアライメントシステム」に相当する。
　
　（ａ）〜（ｅ）に記載したことからして、本願発明と引用発明の両者は、
「ウェハの表面にアライメントマークをエッチングするための手段と、
　ウェハの表面にエッチングされたアライメントマークの位置を決定するための手段と、
　意図されたエッチング位置からのエッチングされたアライメントマークのずれを決定するための手段と、
　ウェハのアライメントを修正してずれを補償するための手段とを含む、ウェハアライメントシステム。」 
である点で一致し、次の相違点が存在する。
　
　相違点
　本願発明は、アライメントマークをウェハの設計領域の外側でエッチングするのに対して、引用発明は、アライメントマークＭＡn、ＭＢnとウエハの設計領域との位置関係が不明である点。
　
　上記相違点について検討する。
　アライメントマークは、通常回路パターンが形成される設計領域の外側に設けるのが技術常識であるから、上記相違点は実質的な相違点とはいえない。仮に上記相違点が実質的な相違点であったとしても、アライメントマークを設計領域の外側に設けるようにする程度のことは当業者であれば容易に想到し得ることである。
　
　したがって、本願発明は引用発明であるか、引用発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
６．むすび
　以上検討したとおり、本願発明は、引用発明であるか、引用発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第１項第３号に規定する発明に該当し特許を受けることができないか、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
第４　まとめ
　したがって、本願は、特許法第３６条第６項第１、２号および同条第４項に規定する要件を満たしていない。
　また、本願発明は、引用発明であるか、引用発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第１項第３号に規定する発明に該当し特許を受けることができないか、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。