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　特願２００５−　４８１４０「ダイヤモンドのオーム性接合部の形成方法及びその接合部を有する金属電極の形成方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年　９月　７日出願公開、特開２００６−２３７１７９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１７年２月２４日の出願であって、平成２３年７月２９日に手続補正がなされ、同年８月３０日付けで拒絶査定がなされ、それに対して、同年１１月２２日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同日に手続補正がなされ、その後当審において、平成２４年４月２６日付けで審尋がなされ、同年７月３日に回答書が提出されたものである。
　
２．平成２３年１１月２２日になされた手続補正について
　平成２３年１１月２２日になされた手続補正は、補正前の特許請求の範囲の請求項４を削除して、当該削除に伴って、請求項の番号及び引用する請求項の番号を修正するものであって、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第１号に掲げる請求項の削除を目的とするものである。
　また、当該補正が、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項に規定された新規事項の追加禁止の要件を満たしていることは明らかである。
　したがって、当該手続補正は、適法になされたものである。
　
３．本願発明
　本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成２３年１１月２２日になされた手続補正により補正された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載されている事項により特定される以下のとおりのものである。
　
「【請求項１】
　ダイヤモンドの表面にオーム性接合部を形成する方法であって、
　前記ダイヤモンド表面の所定領域にレーザー光を照射しながら前記所定領域に不純物をイオン注入することにより、前記ダイヤモンドの表面にオーム性接合部を構成する導電層を形成するステップを含む
ことを特徴とするダイヤモンドのオーム性接合部の形成方法。」
　
３．引用刊行物に記載された発明
（３−１）原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願前に日本国内において頒布された特開２００２−２８９５５０号公報（以下「引用刊行物１」という。）には、以下の事項が記載されている。なお、下線は、当審において付与したものである。（以下、同じ。）
　
「【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、イオン注入による伝導性制御が可能なワイドバンドギャップ半導体における不純物イオン注入層の活性化法に関する。
「【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記のように、SiC、ダイヤモンド、GaN等のワイドギャップ半導体へのイオン注入による伝導性制御技術の応用にはいくつかの問題点が残っており、エキシマレーザ照射によるアニーリング技術においてはさらに問題点が多い。そのため、現在のところ、実際のデバイスプロセスには応用されていない。本発明の目的は、SiC、ダイヤモンド、GaN等のワイドギャップ半導体への不純物イオン注入層の活性化を効率よく行い、実デバイスプロセスへの応用を可能にする手法を提供することである。」
「【００２０】
【ダイヤモンドの場合】
第3の形態として、ダイヤモンドへ伝導性を制御するための不純物のイオン注入を行う。不純物はN、P、As、Sb、B、Al、Ga、In、Be、S、Oの内いずれか1種類または複数種類の元素である。イオン注入は室温または100℃〜1000℃の高温環境下において行われる。特に、半導体デバイスにおける電流の出入り口になるオーミック電極を作製する際にイオン注入による局所的な高濃度不純物層が必要な場合においては、高濃度イオン注入による残留欠陥を極力少なくするために高温においてのイオン注入が望ましい。
イオン注入を行った後、ダイヤモンドに対してそのバンドギャップと同じか、またはそれよりも高いエネルギーのレーザ光を照射する。
この不純物活性化手法を用いることによりダイヤモンドによる各種半導体素子を作成することができる。
　
（３−１−２）そうすると、引用刊行物１には、以下の発明（以下「刊行物発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
「ダイヤモンドからなる半導体デバイスにおける電流の出入り口になるオーミック電極を作製する際の高濃度不純物層である不純物イオン注入層の活性化法であって、
　高濃度イオン注入による残留欠陥を極力少なくするために、高温において、ダイヤモンドへ伝導性を制御するための不純物のイオン注入し、
   前記イオン注入を行った後、ダイヤモンドに対してそのバンドギャップと同じか、またはそれよりも高いエネルギーのレーザ光を照射する
　不純物イオン注入層の活性化法。」
　
（３−２）原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願前に日本国内において頒布された特開平６−４８７１５号公報（以下「引用刊行物２」という。）には、以下の事項が記載されている。
　
「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電子工業における耐環境性素子などの半導体材料として用いられる半導体ダイヤモンドの製造方法に関するものである。」
「【０００８】
本発明は、このような従来の半導体ダイヤモンドの製造方法の課題を考慮し、ドナーやアクセプタ準位を形成する不純物元素をダイヤモンドに制御性良く導入し、ｐ形、ｎ形の半導体ダイヤモンドを製造する方法を提供することを目的とする。
「【００１７】
【作用】本発明の動作原理は次の通りである。
【００１８】ドナーあるいはアクセプタを形成すると考えられる不純物元素を含む粒子を加速してダイヤモンドあるいはダイヤモンドが薄膜状に堆積されたものに照射することによって、それらの粒子は半ば強制的にダイヤモンドに注入される。当然のことながら、注入直後においては照射の際に生じた損傷（格子欠陥）や不純物元素が格子位置に置換していないため、半導体特性を示さない。この粒子照射領域にあるエネルギー密度以上を持つ紫外線を当てると、紫外線の持つ高いフォトンエネルギーのため、特に不純物粒子注入領域において吸収され、その結果、乱れたダイヤモンド構造は回復すると共に、ダイヤモンドの損傷は除去される。
【００１９】その際、導入された不純物粒子も格子位置に置換されるため、活性化し半導体特性を示すようになる。このときの導電性の制御は、照射粒子種並びに照射量、照射エネルギーをコントロールすることによって可能となる。」
「【００３５】（実施例２）
単結晶のダイヤモンドに粒子照射を行なった場合、ダイヤモンドが受ける損傷の度合はＣＶＤ法によって作製された多結晶状のダイヤモンド薄膜に比べて大きいとされている。そこで、基板素材１０１として単結晶ダイヤモンドを用い、粒子照射をしながら紫外線を照射することによって、形成される損傷を逐次回復することが可能な図２に示した手順によって半導体ダイヤモンドの製造を行なった。
イオン源より取り出されたホウ素イオン(B
+
)を100keVに加速して基板素材１０１に照射しながら、紫外線１０４として波長308nmのエキシマレーザ光をパルス状に照射した。
その結果粒子と紫外線の照射を同時に行なうことによって、注入直後の状態でも注入層内に損傷がなく、かつｐ形の電気特性を持つ半導体ダイヤモンド層１０５が得られた。
　
４．対比
（４−１）刊行物発明の「ダイヤモンドからなる半導体デバイスにおける電流の出入り口になるオーミック電極を作製する際の高濃度不純物層である不純物イオン注入層の活性化法」は、本願発明の「ダイヤモンドの表面にオーム性接合部の形成方法」に相当する。
　
（４−２）刊行物発明の「高濃度イオン注入による残留欠陥を極力少なくするために、高温において、ダイヤモンドへ伝導性を制御するための不純物のイオン注入」することと、本願発明の「ダイヤモンド表面の所定領域にレーザー光を照射しながら前記所定領域に不純物をイオン注入すること」とは、「ダイヤモンド表面の所定領域に」「不純物をイオン注入すること」という点で共通する。
　
（４−３）そうすると、本願発明と刊行物発明とは、
「ダイヤモンドの表面にオーム性接合部を形成する方法であって、
　前記ダイヤモンド表面の所定領域に不純物をイオン注入することにより、前記ダイヤモンドの表面にオーム性接合部を構成する導電層を形成するステップを含む
ことを特徴とするダイヤモンドのオーム性接合部の形成方法。」
である点で一致し、次の点で相違する。
　
（相違点）本願発明では、「前記ダイヤモンド表面の所定領域にレーザー光を照射しながら前記所定領域に不純物をイオン注入する」のに対して、刊行物発明では、「高温において、ダイヤモンドへ伝導性を制御するための不純物のイオン注入」を行う点。
　
５．判断
（５−１）上記相違点について、以下、検討する。
　引用刊行物２には、「ドナーやアクセプタ準位を形成する不純物元素をダイヤモンドに制御性良く導入し、ｐ形、ｎ形の半導体ダイヤモンドを製造する方法」（【０００８】）について、「イオン源より取り出されたホウ素イオン(B+)を100keVに加速して基板素材１０１に照射しながら、紫外線１０４として波長308nmのエキシマレーザ光をパルス状に照射した。・・・その結果粒子と紫外線の照射を同時に行なうことによって、注入直後の状態でも注入層内に損傷がなく、かつｐ形の電気特性を持つ半導体ダイヤモンド層１０５が得られた。」（【００３５】）と記載されている。一方、引用刊行物１には、「第3の形態として、ダイヤモンドへ伝導性を制御するための不純物のイオン注入を行う。・・・特に、半導体デバイスにおける電流の出入り口になるオーミック電極を作製する際にイオン注入による局所的な高濃度不純物層が必要な場合においては、高濃度イオン注入による残留欠陥を極力少なくするために高温においてのイオン注入が望ましい。」（【００２０】）と記載されており、引用刊行物１に記載された「高温においてのイオン注入」も、引用刊行物２に記載された「ホウ素イオン(B+)を・・・基板素材１０１に照射しながら、紫外線１０４として・・・エキシマレーザ光をパルス状に照射」することも、イオン注入に伴う損傷の回復という課題を解決するものと認められる。
　そうすると、刊行物発明の「高濃度イオン注入による残留欠陥を極力少なくするために、高温において、ダイヤモンドへ伝導性を制御するための不純物のイオン注入」することに換えて、引用刊行物２に記載された「イオン・・・を・・・基板素材１０１に照射しながら、・・・エキシマレーザ光をパルス状に照射」すること、すなわち、本願発明のように、「前記ダイヤモンド表面の所定領域にレーザー光を照射しながら前記所定領域に不純物をイオン注入する」構成とすることは、当業者が容易になし得たことである。
　また、仮に、刊行物発明の「高濃度イオン注入による残留欠陥を極力少なくするために、高温において、ダイヤモンドへ伝導性を制御するための不純物のイオン注入」することに換えて、引用刊行物２に記載された「イオン・・・を・・・基板素材１０１に照射しながら、・・・エキシマレーザ光をパルス状に照射」することが、当業者が、容易になし得たことであるとまでは言えなかったとしても、引用刊行物１に「高濃度イオン注入による
残留欠陥を極力少なくするために
加えて、
　したがって、上記相違点は、当業者が容易になし得た範囲に含まれる程度のものである
　
（５−２）以上検討したとおり、本願発明と刊行物発明との相違点は、引用刊行物２に記載された公知の技術を勘案することにより、当業者が、容易に想到し得た範囲に含まれる程度のものにすぎず、本願発明は、引用刊行物１及び２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
６．むすび
　以上のとおりであるから、本願は、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、拒絶をすべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。