【事件の表示】
　特願２００７−５３１４４６「ナノ構造を用いて腐食を検出し監視する方法および装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年１２月２８日国際公開、ＷＯ２００６／１３７８４９、平成２０年４月２４日国内公表、特表２００８−５１２６８８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本件は、平成１７年９月１３日（パリ条約による優先権主張外国受理庁　平成１６年９月１３日、米国（ＵＳ））を国際出願日とする特許出願（２００７年特許願第５３１４４６号。以下「本件出願」という。）につき、平成２３年４月２７日付けで拒絶査定（発送日：同年５月１０日）がなされたところ、これに対し、同年９月７日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに、同日付けで手続補正がなされたものである。
　
第２　平成２３年９月７日付けの手続補正についての補正却下の決定
　１　補正却下の決定の結論
　平成２３年９月７日付けの手続補正を却下する。
　　
　２　補正却下の決定の理由
　（１）平成２３年９月７日付けの手続補正書による手続補正（以下、「本件補正」という。）の内容
　本件補正は、本件出願の明細書の特許請求の範囲の請求項１５を以下のとおり補正することを含むものである。
　　　　　　　　
　ア　本件補正前の特許請求の範囲の請求項１５（平成２３年２月１０日提出の手続補正書の請求項１５）
「【請求項１５】
　腐食性雰囲気に暴露するようにした少なくとも一つの反応物質を有する少なくとも一つのナノ構造と、
　前記少なくとも一つの反応物質に関連した反応を検出する検出手段と、
　少なくとも前記反応に部分的に基づき、前記少なくとも一つの反応物質の腐食量を決定する測定手段とを備え、
　ナノ構造は、マイクロカンチレバー、ナノチューブ、カーボンナノチューブ、ナノ粒子、ナノボール、ナノカンチレバーの一つを含む、腐食を検出し監視する装置。」
　　
　イ　本件補正後の特許請求の範囲の請求項１３（項番号を繰り上げて請求項１３として補正したもの）
「　　【請求項１３】
　腐食性雰囲気に暴露するようにした少なくとも一つの反応物質を有する少なくとも一つのナノ構造と、
　前記少なくとも一つの反応物質に関連した反応を検出する検出手段と、
　少なくとも前記反応に部分的に基づき、前記少なくとも一つの反応物質の腐食量を決定する測定手段とを備え、
　ナノ構造は、マイクロカンチレバー、ナノチューブ、カーボンナノチューブ、ナノ粒子、ナノボール、ナノカンチレバーの一つを含む、腐食を検出し監視
し、
前記反応は、質量、変位、振動周波数、電気抵抗、電圧、前記反応物質の物理特性、前記反応物質の電気特性、前記反応物質の化学特性の一つにおける変化を含む
（なお、下線部は補正箇所を示す。）　
　
　（２）　本件補正の適否について
　本件補正は、本件補正前の請求項１５に「前記反応は、質量、変位、振動周波数、電気抵抗、電圧、前記反応物質の物理特性、前記反応物質の電気特性、前記反応物質の化学特性の一つにおける変化を含む」構成を付加する補正は、「反応」の構成を、減縮し特定する補正であるから、特許請求の範囲を減縮するものである。
　そうすると、本件補正は減縮する補正を含む補正であり、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例とされる同法による改正前（以下、単に「平成１８年改正前」という。）の特許法第１７条の２第４項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　 　
　（３）　独立特許要件について
　そこで、本件補正後の特許請求の範囲の請求項１３に係る発明（以下、「本願補正発明」という）が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
　（ア）引用刊行物記載の発明
（３Ａ）原査定の拒絶の理由に引用され、本件出願の優先権主張の日前に頒布された特開昭５８−３９９２９号公報（以下、「引用刊行物Ａ」という。）には、図面とともに次の事項が記載されている。（下線は当審で付与したものである。以下、同様である。）
　
（３Ａ−１）「２．特許請求の範囲
（１）１つのガス成分と選択的に反応を起し、この反応によつてその質量に変化を生じる反応物質によつて被覆された少なくとも１つの振動部材を有し、前記選択反応によつて振動部材の固有共振周波数が変化するようにしたガス・サンプル中の少なくとも１つのガス成分を検出する化学センサに於いて、前記振動部材は振動できるように支持体（１４）に懸垂したビーム（１０）からなり、このビームの少なくとも１表面は反応物質の層（３０）で被覆され、発振器（３４）によりその固有共振周波数で振動され、更にセンサ手段（２０）と共同してその振動数を検出し前記ビームの振動周波数に等しい周波数成分を有する共振周波数信号を発生させる、ことを特徴とする
化学センサ
　
（３Ａ−２）
本発明は
ガス・サンプル中のガス成分の検出に使用するセンサに関する
反応によつて被覆物質の質量を変化させ、これによつて振動部材の固有共振周波数を変化させるようにした化学センサ
　　
（３Ａ−３）「第１図及び第２図は化学センサの平面図及び側断面図である。薄膜シリコンすなわち二酸化シリコン・
カンチレバー・ビーム１０
　ピエゾ抵抗ブリツジ２０の様なひずみ（抵抗）センサが片持ちばりされた又はベース端に隣接するビーム上に配置されている。ブリッジ２０の圧電抵抗素子は、公知の技術を使用して、シリコン表面上に拡散又はイオン打ち込みされている。圧電抵抗ブリツジの四隅は端子２２，２４，２６及び２８に接続されている。
ブリッジ２０は
ビーム１０の振動周波数に対応する周波数成分の出力信号を発生する
　
ビーム１０の上表面は
ガスの特定成分と化学的に反応
する反応物質３０の層で感度が付与されてい
　発振回路３４の入力にはブリツジ２０の出力端子２２及び２４、及びバツテリー１８からの電源が接続されている。発振器３４の出力は出力端子３６及び導電ベース素子１６に隣接するカンチレバー・ビーム１０の底側に配置されている電極３２に接続されている。好適な実施例に於ては、発振回路３４は通常の集積回路技術を用いて、直接基板１４の表面に形成されている。
　動作時には、
圧電抵抗ブリッジ２０は振動するカンチレバー・ビーム１０の周波数に対応する周波数を有する発振信号を発生する
　
（３Ａ−４）「反応したガス成分による質量の増加Δｍによるビームの共振周波数の変化Δｆは：
　
　　Δｆ／ｆ＝−Δｍ／ｔＡρ　　　（２）
　
で表される。但し、Ａは被覆された表面積であり、ｆ，ｔ及びρは等式（１）で定義されたものである。ビームの厚さｔ＝３５μｍ，ビームの長さＬ＝３５０μｍ，及びビームの幅Ｗ＝１００μｍの場合のセンサの質量変化に対する感度は反応成分１マイクログラム当たり約１１３ＫＨｚである。従つて
反応した成分の量Δｍは片持ち張りされたビーム１０の共振周波数の変化から直接決定できる
　
（３Ａ−５）「第６図には、第１図から第４図までに示した２つのかた持ちばりされたビームを有する化学センサの他の実施例が示されている。
この２つのビームの寸法は、両方とも同じ固有共振周波数を有するように選択されている
ビーム１１０のみが分析するガスの選択された成分と反応する反応物質３０を有する
一つのビーム１１２は反応物質の層を備えておらず基準信号発生器として機能す
両方のビーム１１０及び１１２とも関連するひずみセンサ１２０及び１２２をそれぞれ備えており、これらのセンサはかた持ちばりされ支持されている端部に隣接する上表面上に配置されている
これらのひずみセンサは第１図に示した圧電抵抗ブリッジ
である
　
第１のビーム１１０と関連するひずみセンサ１２０の出力は第１の発振回路１３４で受信され
　同様にして
ひずみセンサ１２２の出力は第２の発振回路１４４により受信されており
　
第１の発振回路１３４及び第２の発振回路１４４の出力はまた通常の構成のミキサー回路１５０に受信されている
ミキサー回路１５０は
第１の発振回路から受信された信号の周波数と第２の発振回路から受信された信号の周波数の差信号を発生する
　ビーム１１０の表面上の反応物質３０の層がガス・サンプル中の選択された成分と反応するにつれてビームの質量の変化Δｍが生じる。等式（２）により、ビーム１１０の共振周波数は質量の変化Δｍに反比例して変化する。そして第１及び第２のは発振回路により発生される周波数は異なるようになり、
ミキサー回路１５０からの信号はガス・サンプルの反応成分の量又は質量に比例する周波数となる
　
（３Ａ−６）「第７図には、
化学センサのマルチビーム構成の実施例が示されている
シ
個々のビームの構造は第１図から図〜第４図までに示したものと等価であり、それぞれ関連するひずみセンサ及び発振回路を備えている
ビーム１１２は反応物質の層は示されていないが、ひずみセンサ１２２とは接続されており、発振回路１４４は基準信号発生器として機能する
ビーム１１０はガス成分Ａに応答する第１の反応物質により感度が付与されており
ひずみセンサ１２０及び関連する発振回路１３４
ビーム１１４はガス成分Ｂに対して応答する第２の反応物質で感度が付与されており
ひずみセンサ１２４及び関連する発振回路１５４を備えている
ビーム１１６はガス成分Ｃに対して反応する第３の反応物質で感度が付与されており
ひずみセンサ及び関連する発振回路１６４を備えてい
　
発振回路１３４及び１４４の出力はガス成分Ａの量に比例する周波数を有する信号を発生する
発振回路１４４及び１５４の出力はガス成分Ｂの量に比例する周波数を有する信号を発生する
、発振回路１４４及び１６４の出力はミキサー回路１７０により受信され、発振回路はガス成分Ｃの量に比例する周波数路有する信号を発生する
　
ミキサー回路１５０，１６０，１７０
　
（３Ａ−７）第７図には、
カンチレバー・ビーム１１０〜１１６に対応して、ひずみセンサ１２０〜１２６、及び発振回路１３４〜１６４を設けられ、さらに、発振回路１４４の出力が、それぞれ、発振回路１３４、１５４、１５４の出力が入力するミキサー回路１５０，１６０、１７０に、入力する
　
　上記引用刊行物Ａの摘記事項（３Ａ−１）〜（３Ａ−７）の記載を参照すると、上記引用刊行物Ａには、　
「上表面にガスの特定成分と化学的に反応する反応物質が付与されたカンチレバー・ビーム１１０、１１０〜１１６と、
　ビームの表面上の反応物質とガス・サンプル中の選択された成分との反応によるカンチレバー・ビーム１１０、１１０〜１１６の質量の変化Δｍを検出するための、カンチレバー・ビーム１１０、１１０〜１１６の振動周波数に対応する周波数成分の出力信号を発生するひずみセンサ１２０、１２０〜１２６と、ひずみセンサの１２０、１２０〜１２６の出力を受信する発振回路１３４、１３４〜１６４と、
　反応物質の層を備えていないビーム１１２の端部の上表面上に配置されたひずみセンサ１２２の出力を受信する発振回路１４４、及び、発振回路１３４、１３４〜１６４の出力を受信し、発振回路１４４の周波数と発振回路１３４、１３４〜１６４の周波数の差信号から、ガス・サンプルの反応成分の量又は質量に比例する周波数を発生するミキサー回路１５０、１５０〜１７０とからなるガス・サンプル中のガス成分を検出する化学センサ。」
　の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されているものと認める。
　
（３Ｂ）原査定の拒絶の理由に引用され、本件出願の優先権主張の日前に頒布された、特開２００１−９９７７７号公報（以下、「引用刊行物Ｂ」という。）には、図面とともに次の事項が記載されている。
　
（３Ｂ−１）「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、腐食環境中における金属の腐食量、並びに、その腐食性物質の種類と濃度を同時に、かつ、連続的に監視する腐食環境監視装置、特に大気の腐食環境監視装置に関する。」
　
（３Ｂ−２）「【００３０】この金属薄膜が腐食すると、腐食生成物の形成により堆積させた金属の質量が変化する。この質量変化は式〔１〕に従って、水晶振動子の振動数変化と関係付けられる。
【００３１】
【数１】
      Δｆ＝−ｋｆ０２（Δｗ／Ａ）                      …〔１〕
ここで、ｆ０は水晶振動子の初期周波数、Δｆは周波数変化量、Δｗは質量変化量、Ａは金属薄膜を堆積させた面積、ｋは定数である。
・・・
【００４７】
【発明の実施の形態】図１は、本発明の一実施例である腐食環境監視装置の構成図である。
【００４８】該監視装置は、圧電素子を用いた腐食量計測部、温度湿度計測部、塵埃等の付着物量計測部からなる計測系（１，２，４〜９）と、シグナルスキャナ３，信号変換器１０，周波数カウンタ１１，デジタルマルチメータ１２で構成される信号処理系、パーソナルコンピュータ１３とディスプレイ１４で構成される計測データ処理・記録系を備えている。
【００４９】信号処理系とデータ処理系との間は、ＧＰ−ＩＢの規格に基づいたデータ転送方法を用いて装置制御とデータ転送を行った。なお、ここで腐食量計測部以外の温湿度計測系、および／または、付着物量計測系を省略すると、簡易な腐食監視装置を構成することもできる。
【００５０】次に、上記各部のそれぞれの詳細について説明する。
【００５１】図２は、図１で用いた腐食量計測部のセンサの模式構成図である。直径８ｍｍの水晶基板の両面に直径４.５ｍｍ×厚さ５００ｎｍの金属薄膜を蒸着し、この金属薄膜に銀分散電導性接着剤でリード線を取り付けた水晶振動子センサ１を用いた。金属薄膜は両面とも平面形状は同じものであり、側面端部に互いに反対側より両面の金属薄膜に接続した発振用または検出用のリード線が設けられる。
【００５２】ここでは、圧電素子基板として水晶基板にアルミニウム，銀，銅，鉄，ニッケルの５種類をスパッタリング法により蒸着したものを用いた。しかし、測定対象機器を構成する金属や、それが置かれている環境に応じ、圧電基板としてタンタル酸リチウムなどの弾性表面波デバイスを用いたり、圧電素子基板の数や基板上に蒸着する金属の種類を任意に選択することで、高精度の計測が可能になる。
【００５３】図１において、各水晶振動子センサ１を発振器２で発振させ、その信号をシグナルスキャナ３を介して周波数カウンタ１１により周波数を連続測定した。
【００５４】一方、白金測温抵抗体温度センサ４を温度計測器５に、高分子フィルム湿度センサ６を湿度計測器７に、付着物量計測センサ８を付着物量計測器９にそれぞれ接続し、これらの信号をシグナルスキャナ３を内蔵した信号変換器１０により各信号を電圧変化に変換して、デジタルマルチメータ１２により連続的に測定した。
【００５５】この周波数カウンタ１１とデジタルマルチメータ１２のデータを、パーソナルコンピュータ１３に転送，処理してアルミニウム，銀，銅，鉄，ニッケルの腐食速度，温度，湿度，付着物量，大気中の腐食性ガス成分の種類とその濃度に関する情報をディスプレイ１４に表示させた。また、同時にそのデータをパーソナルコンピュータ１３に接続されたハードディスク装置（図示省略）に記録した。」
　
（イ）本願補正発明と引用発明との対比・判断
　　（イ−１）本願補正発明と引用発明とを対比する。
（i）引用発明の「ガスの特定成分と化学的に反応する反応物質３０」が、気体の雰囲気中に存在することは明らかであり、さらに、上記引用刊行物Ａの摘記事項（３Ａ−１）に、
「１つのガス成分と選択的に反応を起し、
この反応によつてその質量に変化を生じる反応物質によつて被覆された少なくとも１つの振動部材を有し
　と記載され、同摘記事項（３Ａ−６）に、
「第７図には、化学センサのマルチビーム構成の実施例が示されている。センサはシリコン基板内に形成されたくぼみに固定されている複数個のかた持ちばりされたシリコン・ビーム１１０〜１１８を備えている。個々のビームの構造は第１図から図〜第４図までに示したものと等価であり、それぞれ関連するひずみセンサ及び発振回路を備えている。図に於て、
ビーム１１２は反応物質の層は示されていないが、ひずみセンサ１２２とは接続されており、発振回路１４４は基準信号発生器として機能する
ビーム１１０はガス成分Ａに応答する第１の反応物質により感度が付与されており
ひずみセンサ１２０及び関連する発振回路１３４
ビーム１１４はガス成分Ｂに対して応答する第２の反応物質で感度が付与されており
ひずみセンサ１２４及び関連する発振回路１５４を備えている
ビーム１１６はガス成分Ｃに対して反応する第３の反応物質で感度が付与されており
ひずみセンサ及び関連する発振回路１６４を備えてい
　と記載されていることから、引用発明の「ガスの特定成分と化学的に反応する反応物質」は、カンチレバー・ビーム１１０、又は、カンチレバー・ビーム１１０、１１０〜１１６に付与されていることになる。
　そして、本件出願明細書に、
「【０００２】
  背景技術
  多くの金属含有装置および金属含有構造は、時間の経過とともに劣化を引き起こすような腐食性雰囲気中において機能しなければならない。腐食は、空気中の酸素との反応に起因する金属酸化物や、多くの工業処理に暴露することによって形成する硫化水素のような化合物の形を取る。」
　と記載されており、この記載のうち、「空気中の酸素」や「硫化水素」は、例えば、特表２００２−５２００２８号公報に、
「【００２５】・・・これらの感知器は微生物の代謝によって
気体
硫化水素又は酸素
　と記載されているように、気体である。
　そうすると、引用発明の「上表面に
ガスの特定成分と化学的に反応する
　
（ii）引用発明の「カンチレバー・ビーム１１０、１１０〜１１６の振動周波数に対応する周波数成分の出力信号を発生するひずみセンサ１２０、１２０〜１２６と、ひずみセンサの１２０、１２０〜１２６の出力を受信する発振回路１３４、１３４〜１６４」は、ビームの表面上の反応物質とガス・サンプル中の選択された成分との反応によるカンチレバー・ビーム１１０、１１０〜１１６の質量の変化Δｍを検出することから、本願補正発明の「前記少なくとも一つの反応物質に関連した反応を検出する検出手段」に相当する。
　
（iii）本件出願明細書の段落【００３９】に、
「さらに前記装置は、前記反応の少なくとも一部に基づき、前記少なくとも一つの反応物質の腐食量を決定する測定手段を任意で含むことができる。」
　と記載されていることから、本願補正発明の「少なくとも前記反応に部分的に基づき」は、「前記反応の少なくとも一部に基づき」を意味するものと認められる。
　そして、この意味であるとすると、本願補正発明の「少なくとも前記反応に部分的に基づき」の構成は、「前記反応の全てに基づき」の構成を含むことになる。
　ところで、上記引用刊行物Ａの摘記事項（３Ａ−２）に、
「本発明は固体化学センサに関し、特にガス・サンプル中のガス成分の検出に使用するセンサに関するものであつて、
このセンサは前記ガス成分と選択的に反応する反応物質が被覆されている少なくとも１つの振動部材を備え
反応によつて被覆物質の質量を変化させ、これによつて振動部材の固有共振周波数を変化させるようにした化学センサ
　ことが記載され、また、同摘記事項（３Ａ−４）に、
「反応したガス成分による質量の増加Δｍによるビームの共振周波数の変化Δｆは：
　　Δｆ／ｆ＝−Δｍ／ｔＡρ　　　（２）
で表される。但し、
Ａは被覆された表面積であり
　と記載されていることから、引用発明の反応物質は、被覆された反応物質の表面積、すなわち、反応物質の全ての領域で、ガスの特定成分と化学的に反応することになる。
　そうすると、引用発明の「ミキサー回路１５０、１５０〜１７０」は、反応物質の層を備えていないビーム１１２の端部の上表面上に配置されたひずみセンサ１２２の出力を受信する発振回路１４４、及び、発振回路１３４、１３４〜１６４の出力を受信し、発振回路１４４の周波数と発振回路１３４、１３４〜１６４の周波数の差信号から、ガス・サンプルの反応成分の量又は質量に比例する周波数を発生することから、引用発明の「反応物質の層を備えていないビーム１１２の端部の上表面上に配置されたひずみセンサ１２２の出力を受信する発振回路１４４、及び、発振回路１３４、１３４〜１６４の出力を受信し、発振回路１４４の周波数と発振回路１３４、１３４〜１６４の周波数の差信号から、ガス・サンプルの反応成分の量又は質量に比例する周波数を発生するミキサー回路１５０、１５０〜１７０」と、本願補正発明の「少なくとも前記反応に部分的に基づき、前記少なくとも一つの反応物質の腐食量を決定する測定手段」とは、「前記反応の全てに基づき、前記少なくとも一つの反応物質の反応量を決定する測定手段」である点で共通する。
　
（iv）引用発明の「カンチレバー・ビーム１１０、１１０〜１１６」と、本願補正発明の「ナノ構造は、マイクロカンチレバー、ナノチューブ、カーボンナノチューブ、ナノ粒子、ナノボール、ナノカンチレバーの一つを含む」のうちの、「ナノ構造は、マイクロカンチレバー、ナノカンチレバーの一つを含む」こととは、「構造は、カンチレバーを含む」点で共通する。
　
（v）引用発明の「化学センサ」は、ガス・サンプル中のガス成分を検出する化学センサであるから、引用発明の「化学センサ」が「ガス・サンプル中のガス成分を検出する」ことと、本願補正発明の「腐食を検出し監視」することとは、「反応を検出」する点で共通する。
　
（vi）上記（ii）で検討したように、上記引用刊行物Ａの摘記事項（３Ａ−５）に
「・・・ビーム１１０の表面上の反応物質３０の層がガス・サンプル中の選択された成分と反応するにつれてビームの質量の変化Δｍが生じる。等式（２）により、ビーム１１０の共振周波数は質量の変化Δｍに反比例して変化する。・・・
ビーム１１０の表面上の反応物質３０の層がガス・サンプル中の選択された成分と反応するにつれてビームの質量の変化Δｍが生じる
ビーム１１０の共振周波数は質量の変化Δｍに反比例して変化する
　と記載されていることから、引用発明の「ガス・サンプル中のガス成分を検出する化学センサ」は、本願補正発明の「前記反応は、質量、変位、振動周波数、電気抵抗、電圧、前記反応物質の物理特性、前記反応物質の電気特性、前記反応物質の化学特性の一つにおける変化を含む装置」のうちの「前記反応は、振動周波数における変化を含む装置」に相当する。
　
　そうすると、本願補正発明と引用発明とは、
「気体雰囲気に暴露するようにした少なくとも一つの反応物質を有する少なくとも一つの構造と、
　前記少なくとも一つの反応物質に関連した反応を検出する検出手段と、
　前記反応の全てに基づき、前記少なくとも一つの反応物質の反応量を決定する測定手段とを備え、
　構造は、カンチレバーを含む、反応を検出し、
　前記反応は、振動周波数における変化を含む装置。」
　である点で一致し、次の相違点（あ）〜相違点（え）で相違する。
　　　
・相違点（あ）
　気体雰囲気に暴露するようにした少なくとも一つの反応物質が、本願補正発明では、「腐食性雰囲気に暴露するようにした少なくとも一つの反応物質」であるのに対して，引用発明では、ガスの特定成分と化学的に反応する反応物質である点。
　
・相違点（い）
　構造が、本願補正発明では、「ナノ構造」であり、「ナノ構造は、マイクロカンチレバー、ナノカンチレバーの一つを含む」のに対して、引用発明では、カンチレバー・ビーム１１０、１１０〜１１６である点。
　
・相違点（う）
　少なくとも一つの反応物質の反応量を決定する測定手段が、本願補正発明では、「前記少なくとも一つの反応物質の腐食量を決定する測定手段」であるのに対して、引用発明では、反応物質の層を備えていないビーム１１２の端部の上表面上に配置されたひずみセンサ１２２の出力を受信する発振回路１４４、及び、発振回路１３４、１３４〜１６４の出力を受信し、発振回路１４４の周波数と発振回路１３４、１３４〜１６４の周波数の差信号から、ガス・サンプルの反応成分の量又は質量に比例する周波数を発生するミキサー回路１５０、１５０〜１７０である点。
　
・相違点（え）
　反応を検出することが、本願補正発明では、「腐食を検出し監視」することであるのに対して、引用発明では、化学センサが、ガス・サンプル中のガス成分を検出する点。
　　　　
　（イ−２）当審の判断
　そこで、上記相違点（あ）〜相違点（え）について判断する。
・相違点（あ）、相違点（う）及び相違点（え）について
（１）引用発明では、カンチレバー・ビーム１１０、１１０〜１１６の振動周波数を検出して、カンチレバー・ビーム１１０、１１０〜１１６の上表面付与された反応物質のガス・サンプルとの反応による質量の変化を検出しているが、振動子の振動周波数を検出して、振動子に設けた反応物質の腐食性ガスと反応による質量の変化を検出することは周知である。
　例えば、上記引用刊行物Ｂの摘記事項（３Ｂ−２）に、
「【００３０】この
金属薄膜が腐食すると、腐食生成物の形成により堆積させた金属の質量が変化する
【００３１】
【数１】
      Δｆ＝−ｋｆ０２（Δｗ／Ａ）                      …〔１〕
ここで、ｆ０は水晶振動子の初期周波数、Δｆは周波数変化量、Δｗは質量変化量、Ａは金属薄膜を堆積させた面積、ｋは定数である。
・・・
【００４７】
【発明の実施の形態】図１は、本発明の一実施例である腐食環境監視装置の構成図である。
【００４８】
該監視装置は、圧電素子を用いた腐食量計測部
周波数カウンタ１１
・・・
【００５１】図２は、図１で用いた腐食量計測部のセンサの模式構成図である。直径８ｍｍの水晶基板の両面に直径４.５ｍｍ×厚さ５００ｎｍの金属薄膜を蒸着し、この金属薄膜に銀分散電導性接着剤でリード線を取り付けた水晶振動子センサ１を用いた。金属薄膜は両面とも平面形状は同じものであり、側面端部に互いに反対側より両面の金属薄膜に接続した発振用または検出用のリード線が設けられる。
【００５２】ここでは、圧電素子基板として
水晶基板にアルミニウム，銀，銅，鉄，ニッケルの５種類をスパッタリング法により蒸着した
【００５３】図１において、
各水晶振動子センサ１を発振器２で発振させ
周波数カウンタ１１により周波数を連続測定した
・・・
【００５５】この
周波数カウンタ１１
のデータを
処理してアルミニウム，銀，銅，鉄，ニッケルの腐食速度
に関する情報をディスプレイ１４に表示させた
　と記載され、また、特開平７−１１３７４０号公報に、
「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、屋内または屋外の
大気環境の腐食性の定量化および環境中に配された部材の腐食状況の監視に係り
腐食監視システムに関する
・・・
【００１１】また高感度，高精度の腐食モニタカードとして、
圧電基板上に配置した薄膜の腐食に伴う圧電基板の共振周波数の変化から環境の腐食性を定量化する回路を備えた腐食モニタ素子を備えている
腐食量の
・・・
【００１９】
【作用】本発明の腐食モニタカードおよび腐食モニタ方法は絶縁基板上に配置した微細電極の環境の腐食性に応じた交流インピーダンス特性の変化、さらに水晶や表面弾性波素子に用いる
圧電基板の共振周波数が基板上に形成した電極や薄膜の質量変化に応じて変化することを利用した腐食モニタ素子
　と記載され、さらに、特開２０００−１８０２５０号公報に、
「【０００１】
【発明の属する技術分野】  本発明は、ナノグラム（１０−９ｇ）オーダーの微小質量を測定する質量センサ、例えば、細菌、ウィルス、原虫等の微生物を検出するための質量センサ（免疫センサ）や、水分や有毒物質あるいは味覚成分等の化学物質の検出に使用される
質量センサ
ガスセンサ
質量センサは
振動板に塗布された捕捉物質の質量変化を測定する
振動板自体の質量変化に基づく共振周波数の変化を検知する
気体
の媒体環境下に置く
・・・
【００５３】  なお、
質量センサ５０は
振動板２に塗布された物質の微小腐食量
の測定
　と記載されている。
　そして、上記引用発明も上記周知のものも、ともに振動子の振動周波数を検出して、振動子に設けた反応物質の気体との反応による質量の変化を検出する点で共通し、さらに、上記周知例の特開２０００−１８０２５０号公報には、振動子の振動周波数を検出して、振動子に設けた反応物質の気体との反応による質量の変化を検出する質量センサを、ガスセンサや腐食センサに用いることが記載されていることを考慮すれば、引用発明のガスの特定成分と化学的に反応する反応物質が付与されたカンチレバー・ビーム１１０、１１０〜１１６を、ガス・サンプル中のガス成分を検出するセンサとして、化学センサの代わりに、上記周知例の、腐食センサを用いて、本願補正発明のごとく、気体雰囲気に暴露するようにした少なくとも一つの反応物質が、「腐食性雰囲気に暴露するようにした少なくとも一つの反応物質」であるようにすることは当業者であれば容易になし得るものである。（相違点（あ））
　　
（２）また、上記（１）において検討したように、引用発明のガスの特定成分と化学的に反応する反応物質が付与されたカンチレバー・ビーム１１０、１１０〜１１６を、ガス・サンプル中のガス成分を検出するセンサとして、化学センサの代わりに、上記周知例の、腐食センサを用いれば、上記周知例の、引用刊行物Ｂや特開平７−１１３７４０号公報に記載されているように、腐食センサが、腐食量を検出することになるから、本願補正発明のごとく、少なくとも一つの反応物質の反応量を決定する測定手段が、「少なくとも一つの反応物質の腐食量を決定する測定手段」となることは明らかである。（相違点（う））
　
（３）さらに、上記周知例の引用刊行物Ｂに、
「【００４８】
該監視装置は、圧電素子を用いた腐食量計測部
周波数カウンタ１１
　ことが記載され、さらに、特開平７−１１３７４０号公報に、
「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、屋内または屋外の
大気環境の腐食性の定量化および環境中に配された部材の腐食状況の監視に係り
腐食監視システムに関する
　ことが記載されていることから、上記（１）において検討したように、引用発明のガスの特定成分と化学的に反応する反応物質が付与されたカンチレバー・ビーム１１０、１１０〜１１６を、ガス・サンプル中のガス成分を検出するセンサとして、化学センサの代わりに、上記周知例の、腐食センサを用いれば、本願補正発明のごとく、「腐食を検出し監視」する構成となることは、明らかである。（相違点（え））
　
・相違点（い）について
（い−１）引用発明のセンサを、化学センサの代わりに、腐食センサとして用いることは、上記「相違点（あ）、相違点（う）及び相違点（え）について」において検討したとおりである。
　
（い−２）ところで、上記引用刊行物Ａの摘記事項（３Ａ−４）に、
「
ビームの厚さｔ＝３５μｍ，ビームの長さＬ＝３５０μｍ，及びビームの幅Ｗ＝１００μｍの場合のセンサ
　と記載されていることから、引用発明の上表面にガスの特定成分と化学的に反応する反応物質が付与されたカンチレバー・ビーム１１０、１１０〜１１６はマイクロカンチレバーである。
　他方、例えば、特開平９−１２６８３３号公報に、
「【０００２】
【従来の技術】近年、マイクロセンサーやマイクロマシン技術の研究開発が盛んである。なかでも半導体プロセスを応用しシリコン部材を加工して作製した、振動や変位などの機械物理量を検出するマイクロセンサーは各所で実用されるまでに至っている。このようなセンサーでは、半導体プロセスを応用して片持ち梁あるいは両持ち梁などの弾性を有する部材を作製しているものが多く、半導体プロセスの高い加工精度により、従来の
センサーと比較して小型化、高性能化といった機能面での向上がはかられている
・・・
【０００４】また、圧力センサーや加速度センサーでは、シリコン部材をエッチングなどにより薄くしたメインブレインやカンチレバーなどの微小構造体が、外部圧力や外部振動により変形・変位するのを検出して、その圧力や加速度を測定している。このようなセンサーも前述のＳＰＭ用のカンチレバー同様、半導体プロセスを応用して片持ち梁あるいは両持ち梁などの弾性を有する部材を加工しており、
この半導体プロセスの導入により従来のセンサーと比較して小型化、高性能化といった機能面での向上がはかられている
　と記載され、また、特開２００１−５６２７８号公報に、
「【０００８】
【発明の実施の形態】つぎに、本発明を図に示す実施形態に基づいて詳細に説明する。図１及び図２に符号１で示すものは本発明に係る質量検出型ガスセンサであり、この質量検出型ガスセンサ１は
エッチングなど写真技術を応用した形成手段により小型化されたカンチレバー２を採用する
　と記載され、さらに、特開２００２−６２２５２号公報に、
「【００３０】本実施の形態では、リアルタイム腐食寿命診断の指標として機器設置環境の環境評価点を導出することを基本としているので、上記の環境センサ群４は、温度、湿度、硫化水素濃度、亜硫酸ガス濃度、塩素濃度、アンモニア濃度、機器の汚損度をそれぞれ計測可能なセンサから構成されている。使用するガスセンサとしては、半導体材料へのガス分子の表面吸着や表面反応現象を電気抵抗変化として検出する半導体式ガスセンサや固体電解質の両側に電極を接合し、電解質で隔てられた両側のガスの濃度差を電極間に生じる起電力として検出する固体電解質式ガスセンサ、また、電極物質と被検ガスとの電池反応による電流変化を検出してガス濃度を計測する電気化学式ガスセンサなどがある。また、この他に、ＥＦＴ型ガスセンサ、ダイオード形ガスセンサ、ＡＥＴ（Absorption Effect Transistor）
形ガスセンサなど、小型化、
進めたガスセンサ類もある
　と記載されているように、測定分野において、センサを小型化することが課題であり、センサの小型化を図ることが技術常識であるから、引用発明の化学センサにおいても、センサの小型化を図るという課題が存在することは明らかである。
　そして、カンチレバー等の機械振動子をナノオーダの振動子とし、振動子の小型化を図ることは、例えば、特開２００１−９１４４１号公報に、
「【０００５】一方、
ナノメートルオーダの機械振動子
【０００６】そして、機械振動子の振幅や固有振動数の変化を測定することにより、振動子の質量の変化や、振動子の置かれた場の変化を検出することが可能である。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】機械振動子を用いた場合の力検出分解能は、その固有振動数、Ｑ値が高く、バネ定数、温度が低いと向上する。機械振動子がバネマス系としてモデル化できる場合、
振動子を小型化することが感度向上に有利に働く
・・・
【０１１１】図２４は本発明の第１２実施例を示す
ナノメートルオーダの機械振動子
【０１１２】これらの図において、第１層１１１〔図２４（ａ）〕は、ピエゾ性基板１１２と、表面弾性波発生装置（裏面に形成されている）１１３と、さらに
ピエゾ性基板１１２には
カンチレバーに対応する
【０１１３】図２４（ｂ）に示すように、第２層１１５は、基部１１６から突出する探針１１８を有する
多数アレイ状に並んだカンチレバー１１７が設けられている
　ことが記載され、また、特開２００３−１１４１８２号公報に、
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、
ナノサイズの機械振動子を
配列したカンチレバーアレイ
　ことが記載され、さらに、国際公開第２００４／０４１９９８号（日本語訳はパテントファミリの特表２００６−５０６２３６号公報を用いた。）に、
「1. Field of the Invention
 The invention relates to the field of vacuum-based nanomechanical detectors which convert some aspect or attribute of energy, force, and mass into an electrical response.（日本語訳：1.発明の技術分野
  本発明は、エネルギー、力及び
質量の
微小機械検出器の技術分野に関する
）」（２頁３〜６行）
　こと、及び、
「The variables characterizing the device geometry are depicted in Fig. 51 and are summarized for the cantilevers discussed here in Table 3 which shows the physical parameters for three prototype Si nanocantilevers. The parameters tabulated are thickness, t; width, w; length, l,. constriction width, b, and length l１;frequency in vacuum ω０ / 2π; force constant K; and resistance RT （日本語訳：装置の形態を特徴付ける変数は、図51に記載してあり、三種のプロトタイプのSi
ナノカンチレバーの物理的パラメータを示
　こと、及び、表３（５２頁）のカンチレバー４の構成を、
「
厚さt＝３０ｎｍ、幅w＝３０ｎｍ、長さl＝０．３μｍ
　とすることが記載されているように、周知であることから、引用発明の化学センサにおいても、センサの小型化を図るという課題を解決するために、上記周知のカンチレバー等の機械振動子をナノオーダの振動子とする構成を採用し、カンチレバー・ビーム１１０、１１０〜１１６をマイクロカンチレバーよりも小型化した、ナノオーダのカンチレバーとすることにより、本願補正発明のごとく、構造が、「ナノ構造」であり、「ナノ構造は、マイクロカンチレバー、ナノカンチレバーの一つを含む」うちの「ナノ構造は、ナノカンチレバーを含む」構成とすることは当業者が容易になし得るものである。
　
　そして、本願補正発明によってもたらされる効果は、引用発明及び周知の技術事項から予測される範囲内のものであって、格別のものではない。
　　　
　なお、請求人は、当審の審尋に対する回答書において、補正案を提示しているが、ナノ構造として、、ナノチューブ、カーボンナノチューブ、ナノ粒子、ナノボールは周知であり、また、センサを、プロセッサを備えた電子チップで構成することも周知であるので、補正案を検討しても進歩性は認められない。
　
　したがって、本願補正発明は、引用発明及び周知の技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　（４）補正却下の決定についてのむすび
　以上のとおりであるから、本件補正は、平成１８年改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであり、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下しなければならないものである。　
　　　　　　　　　　　　　　
第３　本願発明について
　１．本願発明
　平成２３年９月７日付けの手続補正は上記のとおり却下されることとなったので、本願の請求項１〜１７に係る発明は、平成２３年２月１０日付け手続補正書で補正された特許請求の範囲の請求項１〜１７に記載された事項により特定されるとおりのものであって、その請求項１５に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、上記「第２　２　（１）」の「ア　本件補正前の特許請求の範囲の請求項１５に記載したように、以下のとおりのものである。
　　　　　　　　　
「【請求項１５】
　腐食性雰囲気に暴露するようにした少なくとも一つの反応物質を有する少なくとも一つのナノ構造と、
　前記少なくとも一つの反応物質に関連した反応を検出する検出手段と、
　少なくとも前記反応に部分的に基づき、前記少なくとも一つの反応物質の腐食量を決定する測定手段とを備え、
　ナノ構造は、マイクロカンチレバー、ナノチューブ、カーボンナノチューブ、ナノ粒子、ナノボール、ナノカンチレバーの一つを含む、腐食を検出し監視する装置。」
　　　　　　
　２．引用刊行物の記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用された引用刊行物の記載事項は上記「第２　２　（３）」の（ア）に記載したとおりである。
　　　　　　　　　
　３．本願発明と引用発明との対比・判断
　本件補正について、本願発明に、「前記反応は、質量、変位、振動周波数、電気抵抗、電圧、前記反応物質の物理特性、前記反応物質の電気特性、前記反応物質の化学特性の一つにおける変化を含む」構成を追加することは、「反応」の構成を減縮し特定する補正であるから、特許請求の範囲を減縮するものである。
　そうすると、本願発明の構成要件を全て含み、さらに減縮したものに相当する本願補正発明が、上記「第２　２　（３）」の（イ）において検討したとおり、引用発明及び周知の技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであることから、本願発明も同様の理由により、引用発明及び周知の技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　４．むすび
　以上のとおり、本願発明は特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるので、本件出願は、その余の請求項に係る発明について検討するまでもなく、拒絶をすべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。