【事件の表示】
　特願２００４−３６９９９０「電圧可変材料、これを含む組成物、及びこれを用いた装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年７月７日出願公開、特開２００５−１８４００３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　
　本件特許出願は、平成１６年１２月２１日（パリ条約に基づく優先権主張　２００３（平成１５）年１２月２３日　米国（ＵＳ））の出願であって、平成２２年５月２４日付けで通知した拒絶の理由に対し、同年９月１日付けで手続補正がされたが、平成２３年１月３１日付けで拒絶査定され、これに対し、同年６月８日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに、同日付けで特許請求の範囲について手続補正がされたものである。
　その後、前置報告書の内容を利用した審尋に対し、平成２４年６月８日付けで回答書が提出された。
　
　
第２　平成２３年６月８日付けの手続補正についての補正却下の決定
　
〔補正却下の決定の結論〕
　平成２３年６月８日付けの手続補正を却下する。
　
〔理　由〕
１．本件補正
　平成２３年６月８日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）は、特許請求の範囲について、本件補正前に、
　
「【請求項１】
　電気過大応力に対する保護を提供する組成物であって：
　絶縁性バインダーと；
　半導体粒子であって、各粒子が、ドープされたコアとそのコア上に備えた絶縁性コーティングとを有し、バインダー中に分散された半導体粒子と；
　バインダー中に分散された導電性粒子と；
を備え、
　前記各粒子間の粒子間距離が高抵抗状態を形成するように、前記導電性粒子及び前記半導体粒子が、前記絶縁性バインダー中に分散されており、
　電圧の過大応力条件に応じて前記絶縁性バインダー中に分散された前記粒子が低抵抗状態を形成する組成物。
　　【請求項２】
　前記絶縁性バインダーはポリマー樹脂を含む請求項１に記載の組成物。
　　【請求項３】
　前記のドープされたコアはシリコンとドーパント材料とを含む請求項１に記載の組成物。
　　【請求項４】
　前記ドーパント材料は、アンチモン、ヒ素、リン、及びボロンから成る群から選択された少なくとも一のコンポーネントを含む請求項３に記載の組成物。
　　【請求項５】
　前記のドープされたコアは約5μmから約100μmの平均サイズを有する請求項１に記載の組成物。
　　【請求項６】
　前記コーティングは約100Åから約10,000Åの平均厚さを有する請求項１に記載の組成物。
　　【請求項７】
　前記コーティングは、二酸化シリコン、エピタキシャルシリコン、及び、ガラスから成る群から選択された少なくとも一の材料を含む請求項１に記載の組成物。
　　【請求項８】
　前記導電性粒子は単一材料から成る請求項１に記載の組成物。
　　【請求項９】
　前記導電性粒子は酸化物コーティングを含む請求項１に記載の組成物。
　　【請求項１０】
　前記導電性粒子は、アルミニウム、真ちゅう、カーボンブラック、銅、グラファイト、金、鉄、ニッケル、銀、ステンレス鋼、すず、亜鉛、及びこれらの合金を含む群から選択された少なくとも一の材料を含む請求項１に記載の組成物。
　　【請求項１１】
　前記導電性粒子は約5μmから約50μmの平均サイズを有する請求項１に記載の組成物。
　　【請求項１２】
　絶縁性粒子、半導体粒子及びタングステンパウダーから成る群から選択された少なくとも一の添加粒子を含む請求項１に記載の組成物。
　　【請求項１３】
　電気過大応力に対する保護用組成物であって：
　高い絶縁破壊強度を与える樹脂を含む絶縁性バインダーと；
　コアと絶縁性シェルとを含み、バインダー中に分散されたドープされた半導体粒子と；
　バインダー中に分散され、単一材料から成る導電性粒子と；を備え、
　高い絶縁破壊強度により、通常の条件の間は導電性を有しないが、電圧の過大応力条件に応じて低抵抗状態が形成されるように、前記半導体粒子と、前記導電性粒子とが、前記絶縁性バインダー中に分散されており、
　前記バインダーと、前記半導体粒子と、前記導電性粒子とが電極ギャップ内に積層されるように配備されている組成物。
　　【請求項１４】
　前記導電性粒子は、アルミニウム、真ちゅう、カーボンブラック、銅、グラファイト、金、鉄、ニッケル、銀、ステンレス鋼、すず、亜鉛、及びこれらの合金を含む群から選択された少なくとも一の材料を含む請求項１３に記載の組成物。
　　【請求項１５】
　装置内に封入されることなく、使用に際して直接付けられるように配備された請求項１３に記載の組成物。
　　【請求項１６】
　装置内に備えられるように配備された請求項１３に記載の組成物。
　　【請求項１７】
　絶縁性粒子、半導体粒子及びタングステンパウダーから成る群から選択された少なくとも一の添加粒子を含む請求項１３に記載の組成物。
　　【請求項１８】
　電気過大応力組成物において使用される粒子であって：
　シリコンカーバイド、ゲルマニウム、ガリウム、ヒ化物から成る群から選択されたコア材料を含むドープされた半導体コアと；
　アンチモン、ヒ素、リン、及びボロンから成る群から選択されたドーパントと；
　該コア材料を囲繞する絶縁性コーティングと；を備え、
　前記粒子が電気絶縁であるように高抵抗状態を形成し、及び前記粒子が導電性であるように電圧の過大応力条件に応じた低抵抗状態を形成するように、前記絶縁性コーティングが、前記コア材料に適用されることを特徴とする粒子。
　　【請求項１９】
　前記のドープされたコアがシリコンとドーパント材料とを含む請求項１８に記載の粒子。
　　【請求項２０】
　前記ドーパント材料は、アンチモン、ヒ素、リン、及びボロンから成る群から選択された少なくとも一のコンポーネントを含む請求項１９に記載の組成物。
　　【請求項２１】
　前記のドープされたコアは約5μmから約100μmの平均サイズを有する請求項１８に記載の組成物。
　　【請求項２２】
　前記コーティングは約100Åから約10,000Åの平均厚さを有する請求項１８に記載の組成物。
　　【請求項２３】
　前記コーティングは、二酸化シリコン、エピタキシャルシリコン、及び、ガラスから成る群から選択された少なくとも一の材料を含む請求項１８に記載の組成物。
　　【請求項２４】
　電気過大応力組成物において使用される粒子であって：
　シリコン内側部と；
　二酸化シリコン、エピタキシャルシリコン、及び、ガラスから成る群から選択された少なくとも一の材料を含む外側部と；を備え、
　前記シリコン内側部が、コア材料と、前記コア材料の電気伝導性を変化させるように選択されたドーパントとを含み、
　前記外側部が、前記シリコン内側部の周囲のコーティングを形成し、前記シリコン内側部の周囲を絶縁していることを特徴とする粒子。
　　【請求項２５】
　前記外側部は熱制御環境で成長させた請求項２４に記載の粒子。
　　【請求項２６】
　前記外側部は流動床プラズマ炉を用いて付けられた請求項２４に記載の粒子。
　　【請求項２７】
　電気過大応力組成物を作製する方法であって：
　シリコンに所望の抵抗率となるまでドープする段階と；
　ドープされたシリコンを、ドープされたシリコン上に酸化物層を成長させる時間全体にわたって加熱させる段階と；
　形成されたシリコンと酸化物材料とにバインダーを混ぜる段階と；を備えた方法。
　　【請求項２８】
　溶媒においてポリマーを溶解することによって絶縁性バインダーを準備する段階を含む請求項２７に記載の方法。
　　【請求項２９】
　ドープされたシリコンを適当な粒子サイズまでつぶす段階を含む請求項２７に記載の方法。
　　【請求項３０】
　ドープされたシリコンを約500℃から約1500℃の温度にさらす請求項２７に記載の方法。
　　【請求項３１】
　ドープされたシリコンを、約15分から約3時間の時間全体にわたって加熱する請求項２７に記載の方法。
　　【請求項３２】
　ドープされたシリコンを、多段の加熱及び冷却のインターバルにさらすことを含む請求項２７に記載の方法。
　　【請求項３３】
　ドープされたシリコンを真空下で冷却することを含む請求項３２に記載の方法。
　　【請求項３４】
　バインダー内の形成されたシリコン及び酸化物材料を、導電性粒子、導電性コア／シェル粒子、絶縁性粒子、半導体粒子、及び、タングステンパウダーから成る群から選択された少なくとも一の添加コンポーネントに混ぜることを含む請求項３２に記載の方法。」
とあったものを、
　
「【請求項１】
　電気過大応力に対する保護を提供する組成物であって：
　絶縁性バインダーと；
　半導体粒子であって、各粒子が、ドープされたコアとそのコア上に備えた絶縁性コーティングとを有し、バインダー中に分散された半導体粒子と；
　バインダー中に分散された導電性粒子と；
を備え、
　前記各粒子間の粒子間距離が高抵抗状態を形成するように、前記導電性粒子及び前記半導体粒子が、前記絶縁性バインダー中に分散されており、
　
前記ドープされたコアが、少なくとも前記絶縁性コーティング及び前記絶縁性バインダーによって、隣接する粒子から離隔されており、
　電圧の過大応力条件に応じて前記絶縁性バインダー中に分散された前記粒子が低抵抗状態を形成する組成物。
　　【請求項２】
　前記絶縁性バインダーはポリマー樹脂を含む請求項１に記載の組成物。
　　【請求項３】
　前記のドープされたコアはシリコンとドーパント材料とを含む請求項１に記載の組成物。
　　【請求項４】
　前記ドーパント材料は、アンチモン、ヒ素、リン、及びボロンから成る群から選択された少なくとも一のコンポーネントを含む請求項３に記載の組成物。
　　【請求項５】
　前記のドープされたコアは約5μmから約100μmの平均サイズを有する請求項１に記載の組成物。
　　【請求項６】
　前記コーティングは約100Åから約10,000Åの平均厚さを有する請求項１に記載の組成物。
　　【請求項７】
　前記コーティングは、二酸化シリコン、エピタキシャルシリコン、及び、ガラスから成
る群から選択された少なくとも一の材料を含む請求項１に記載の組成物。
　　【請求項８】
　前記導電性粒子は単一材料から成る請求項１に記載の組成物。
　　【請求項９】
　前記導電性粒子は酸化物コーティングを含む請求項１に記載の組成物。
　　【請求項１０】
　前記導電性粒子は、アルミニウム、真ちゅう、カーボンブラック、銅、グラファイト、金、鉄、ニッケル、銀、ステンレス鋼、すず、亜鉛、及びこれらの合金を含む群から選択された少なくとも一の材料を含む請求項１に記載の組成物。
　　【請求項１１】
　前記導電性粒子は約5μmから約50μmの平均サイズを有する請求項１に記載の組成物。
　　【請求項１２】
　絶縁性粒子、半導体粒子及びタングステンパウダーから成る群から選択された少なくとも一の添加粒子を含む請求項１に記載の組成物。
　　【請求項１３】
　電気過大応力に対する保護用組成物であって：
　高い絶縁破壊強度を与える樹脂を含む絶縁性バインダーと；
　コアと絶縁性シェルとを含み、バインダー中に分散されたドープされた半導体粒子と；
　バインダー中に分散され、単一材料から成る導電性粒子と；を備え、
　高い絶縁破壊強度により、通常の条件の間は導電性を有しないが、電圧の過大応力条件に応じて低抵抗状態が形成されるように、前記半導体粒子と、前記導電性粒子とが、前記絶縁性バインダー中に分散されており、
　
前記コアが、少なくとも前記絶縁性シェルと前記絶縁性バインダーとによって、隣接する粒子から離隔されており、
　前記バインダーと、前記半導体粒子と、前記導電性粒子とが電極ギャップ内に積層されるように配備されている組成物。
　　【請求項１４】
　前記導電性粒子は、アルミニウム、真ちゅう、カーボンブラック、銅、グラファイト、金、鉄、ニッケル、銀、ステンレス鋼、すず、亜鉛、及びこれらの合金を含む群から選択された少なくとも一の材料を含む請求項１３に記載の組成物。
　　【請求項１５】
　装置内に封入されることなく、使用に際して直接付けられるように配備された請求項１３に記載の組成物。
　　【請求項１６】
　装置内に備えられるように配備された請求項１３に記載の組成物。
　　【請求項１７】
　絶縁性粒子、半導体粒子及びタングステンパウダーから成る群から選択された少なくとも一の添加粒子を含む請求項１３に記載の組成物。
　　【請求項１８】
　電気過大応力組成物において使用される粒子であって：
　
前記粒子が、
　シリコンカーバイド、ゲルマニウム、ガリウム、ヒ化物から成る群から選択されたコア材料
と
を含むドープされた半導体コアと；
　該コア材料を囲繞する絶縁性コーティングと；を備え、
　前記粒子が電気絶縁であるように高抵抗状態を形成し、及び前記粒子が導電性であるように電圧の過大応力条件に応じた低抵抗状態を形成するように、前記絶縁性コーティングが、前記コア材料に適用され
、
　
前記ドープされた半導体コアが、少なくとも前記絶縁性コーティングと絶縁性バインダーとによって、隣接する粒子から離隔されている
　　【請求項１９】
　前記のドープされたコアは約5μmから約100μmの平均サイズを有する請求項１８に記載の
粒子
　　【請求項２０】
　前記コーティングは約100Åから約10,000Åの平均厚さを有する請求項１８に記載の
粒子
　　【請求項２１】
　前記コーティングは、二酸化シリコン、エピタキシャルシリコン、及び、ガラスから成る群から選択された少なくとも一の材料を含む請求項１８に記載の
粒子
　　【請求項２２】
　電気過大応力組成物において使用される粒子であって：
　シリコン内側部と；
　
エピタキシャルシリコンを含む
　前記シリコン内側部が、コア材料と、前記コア材料の電気伝導性を変化させるように選択されたドーパントとを含
む
　　【請求項２３】
　前記外側部は熱制御環境で成長させた請求項
２２
　　【請求項２４】
　前記外側部は流動床プラズマ炉を用いて付けられた請求項
２２
　　【請求項２５】
　電気過大応力組成物を作製する方法であって：
　シリコンに所望の抵抗率となるまでドープする段階と；
　
粒子としてのドープされたシリコンを準備する段階と；
　ドープされたシリコン粒子を、ドープされたシリコン
粒子
であって、前記ドープされたシリコン粒子が、ドープされたコアと酸化物コーティングとを含む段階と
　形成された
ドープされた
粒子
絶縁性
であって、前記ドープされたコアが、少なくとも前記酸化物コーティングと前記絶縁性バインダーとによって、隣接する粒子から離隔されている段階と
　　【請求項２６】
　溶媒においてポリマーを溶解することによって絶縁性バインダーを準備する段階を含む請求項
２５
　　【請求項２７】
　ドープされたシリコンを適当な粒子サイズまでつぶす段階を含む請求項
２５
　　【請求項２８】
　ドープされたシリコンを約500℃から約1500℃の温度にさらす請求項
２５
　　【請求項２９】
　ドープされたシリコンを、約15分から約3時間の時間全体にわたって加熱する請求項
２５
　　【請求項３０】
　ドープされたシリコンを、多段の加熱及び冷却のインターバルにさらすことを含む請求項
２５
　　【請求項３１】
　ドープされたシリコンを真空下で冷却することを含む請求項
３０
　　【請求項３２】
　バインダー内の形成されたシリコン及び酸化物材料を、導電性粒子、導電性コア／シェル粒子、絶縁性粒子、半導体粒子、及び、タングステンパウダーから成る群から選択された少なくとも一の添加コンポーネントに混ぜることを含む請求項
３０
と補正しようとするものである。
　
　すると、本件補正の補正事項は、概略、
（１）補正前の請求項１９及び２０を削除して請求項２１〜３４の項番を繰り上げて請求項１９〜３２とする、
（２）補正前の請求項１に、「
前記ドープされたコアが、少なくとも前記絶縁性コーティング及び前記絶縁性バインダーによって、隣接する粒子から離隔されており、
（３）補正前の請求項２１〜２３（補正後の請求項１９〜２１）の末尾が「組成物」とあったところを「粒子」をする、
ものと認められるところ、上記（１）は請求項の削除に該当し、上記（２）は、請求項の限定的減縮に該当し、上記（３）は引用する請求項１８と末尾が異なっていた誤記の訂正と解することができる。
　すると、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第１号、第２号及び第３号に掲げる事項を目的とするものである。
　
　そこで、本件補正後における特許請求の範囲に記載されている事項により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項に規定する要件を満たすか）否かを、請求項１に係る発明（以下、「本願補正発明」という。）について以下に検討する。
　
２．引用例
　本件特許出願の優先権主張の日の前に頒布された刊行物であって、原査定の拒絶の理由に引用された特開昭６３−１００７０２号公報（以下、「第１引用例」という。）には、図面とともに以下の技術事項が記載されている。なお、下線は当審で付した。
　
（ａ）
「
クランプレベルよりも低い電圧において高い抵抗を示し、クランプレベルよりも高い電圧において低い抵抗を示す
　
（ｂ）
「本発明は、
非線形抵抗材料を提供し、電気的過剰ストレスに対する保護を提供する。
約数百ミクロン以下のサイズを有する導電材料の分離した粒子と、約数百ミクロン以下のサイズを有する半導体材料の分離した粒子と、前記各粒子を覆うための絶縁材料とを全般に均一に混合してなる基質材料である。これら粒子は、基質材料内においてほぼ均一に混合され、無数の粒子の鎖を提供する。この時、粒子間の距離は、電子の量子力学的なトンネルによって粒子間に実質的な導電状態が実現される程度に短いものとする。好適実施例において、本発明の材料は、さらに結合剤または実装材料を含み、その中において導電材料および半導体材料の粒子は、はぼ均一に混合される
　さらに、本発明は、数ナノ秒以下の高速な立上り時間を有する電気的過渡現象に対して保護を行うための非線形抵抗材料を形成するための方法を提供する。この方法は、導電材料と半導体材料との分離した粒子を提供する段階を備える。これら粒子のサイズは約数百ミクロン以下である。本発明の方法は、さらに、各粒子に絶縁材料を別個に塗布することによって各粒子に数百オングストローム以下の厚さの塗膜を与える段階と、導電材料の塗膜された粒子と半導体材料の塗膜された粒子とを混合することによってほぼ均一な基質材料を形成する段階とを備える。前記基質材料は、隣接した多数の粒子の連鎖を有する。各粒子は極めて接近しており、
隣接した粒子間においては、印加される電気的過渡現象に応じて、量子力学的なトンネルによる実質的な電子の移動が行われる。
　
（ｃ）
「（実施例）
　第１図に示すように、本発明に基づく電気的過剰ストレス保護材料は、基質材料９を有する。基質材料９は、
分離した導電粒子１１と半導体粒子１３とを任意に混合したものである。これら粒子１１，１３は極めて接近しているが、構造的には絶縁材料１５によって分離されている。この絶縁材料１５は十分に薄いので、粒子１１，１３間に電子の量子力学的トンネルを可能にする。導電粒子１１と半導体粒子１３との間の間隙体積には結合材料１９が充填される
　
（ｄ）
「基質材料９内において、
導電粒子１１は約１００ミクロ以下のサイズ
半導体粒子１３の粒子サイズの好適範囲は一般に約０．１〜約１００ミクロン
　第２図に最も良く示されるように、
導電粒子１１と半導体粒子１３とは、電気絶縁材料１５によって別個に塗膜される
　実際において、導電粒子１１は、カルボニルニッケル、特にＩＮＣＯタイプ２５５カルボニルニツケル粉で形成することが好ましい。しかし、基質材料９内において使用される導電粒子１１は、炭化タンタル、炭化チタン、カルボニルニッケル以外の
ニッケル
　
（ｅ）
「半導体粒子１３は従来の半導体材料のいずれで形成してもよい。好適な材料としては、
炭化シリコン
ドープシリコン
　
（ｆ）
「一般に、
粒子１１，１３を覆う絶縁材料１５は十分に薄く塗布され、隣接する粒子間において破局的絶縁破壊（この語は本明細書において、基質材料９を通って短絡通路が不可逆的に形成されてしまうことを意味する）を生ぜずに量子力学的トンネルを実現する
　
（ｇ）
「結合材料１９は、固体材料から流体材料（気体または液体）まで各種にわたることができる。
固体または半固体の結合材料１９は、粒子間の間隔を提供すると共に、粒子１１，１３の間の間隙空間を充填する
　一般に結合材料１９は、１センチメートル当なり約１０１２〜１０１５オームの抵抗を有する
電気絶縁材料である
エポキシ
　
（ｈ）
「基質材料９の組成の特定の例として、２重量％のCab-O-Sil、１２重量％のカルボニルニッケル、
３０重量％のエポキシ
３２重量％のエポキシ
　
（ｉ）
「基質材料９を形成するための好適方法において、各導電粒子１１には個別に絶縁材料１５が塗布され、同様に各半導体粒子１３にも個別に絶縁材料１５が塗布される。
次に、塗布された導電粒子１１は結合材料１９と混合され、この混合物に前記塗布された半導体粒子１３が追加される。
　
　上記引用例記載事項及び図面を総合勘案すると、第１引用例には、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。
　
「電気的過剰ストレスに対する保護を提供する、クランプレベルよりも低い電圧において高い抵抗を示し、クランプレベルよりも高い電圧において低い抵抗を示す非線形抵抗材料であって、
　前記材料が、
　個別に絶縁材料が塗布された導電粒子と、
　個別に絶縁材料が塗布された半導体粒子と、
　エポキシのような電気絶縁材料で形成される結合材料に前記導電粒子及び半導体粒子をはぼ均一に混合し、
　隣接した粒子間においては、印加される電気的過渡現象に応じて、量子力学的なトンネルによる実質的な電子の移動が行われる、
　電気的過剰ストレス保護材料。」
　
３．対比
　本願補正発明を、引用発明と比較すると、引用発明の「電気的過剰ストレス保護材料」又は「電気的過剰ストレスに対する保護を提供する」「非線形抵抗材料」は、本願補正発明における「電気過大応力に対する保護を提供する組成物」と用語上相違する程度であって特段の相違がない。
　引用発明の「結合材料」は、「エポキシのような電気絶縁材料」で形成されるので、本願補正発明の「絶縁性バインダー」に相当する。
　引用発明の「導電粒子」は、本願補正発明の「導電性粒子」に相当する。ここにおいて、本願の明細書００６６〜００６７段落によると、「導電性粒子９０」には、コーティングされない本質的に単一材料からなる実施形態の他、コア−シェル粒子も含まれ、その一実施態様として、内部コアに導電性材料を含み、外側シェルが絶縁材料からなるものも含まれているので、引用発明の「導電粒子」が「個別に絶縁材料が塗布された」点を考慮しても本願補正発明の「導電性粒子」と相違しない。
　引用発明の「個別に絶縁材料が塗布された半導体粒子」は、、本願補正発明の「半導体粒子」が、「コアとそのコア上に備えた絶縁性コーティングとを有し」と特定されていることに相当する。
　引用発明の材料は、各粒子と結合剤を「均一に混合」するものであるから、実質的に本願補正発明の「半導体粒子」及び「導電性粒子」が、「バインダー中に分散された」に相当する要件を備えている。
　引用発明は「
クランプレベルよりも低い電圧において高い抵抗を示
　引用発明が「
クランプレベルよりも高い電圧において低い抵抗を示す
隣接した粒子間においては、印加される電気的過渡現象に応じて、量子力学的なトンネルによる実質的な電子の移動が行われる
　
　すると、本願補正発明と、引用発明とは、次の点で一致する。
＜一致点＞
「電気過大応力に対する保護を提供する組成物であって：
　絶縁性バインダーと；
　半導体粒子であって、各粒子が、コアとそのコア上に備えた絶縁性コーティングとを有し、バインダー中に分散された半導体粒子と；
　バインダー中に分散された導電性粒子と；
を備え、
　前記各粒子間の粒子間距離が高抵抗状態を形成するように、前記導電性粒子及び前記半導体粒子が、前記絶縁性バインダー中に分散されており、
　前記コアが、少なくとも前記絶縁性コーティングによって、隣接する粒子から離隔されており、
　電圧の過大応力条件に応じて前記絶縁性バインダー中に分散された前記粒子が低抵抗状態を形成する組成物。」
である点。
　
　一方で、以下の点で相違する。
＜相違点＞
（相違点１）
　本願発明の半導体粒子のコアは「ドープされた」と特定されるのに対し、引用発明として認定した第１引用例の実施例である炭化シリコンについてドープするとの特定がない点。
　
（相違点２）
　本願発明では、コアについて「少なくとも前記絶縁性コーティング及び前記絶縁性バインダーによって、隣接する粒子から離隔されており」と特定されているのに対し、引用発明では、「絶縁性コーティングによって、」「隣接する粒子から離隔されており」の点は一致するものの、「及び前記絶縁性バインダーによって、隣接する粒子から離隔されており」と特定されるものではない点。
　
４．判断
１）相違点１について
　まず、半導体材料においては、その導電率を調整して所望の値とすることが、実用上きわめて重要であり、前記調整の手段として、微量の不純物を添加する、すなわち「ドープ」をすることが周知技術であって、第１引用例においても、上記摘記事項（ｅ）に「ドープシリコン」との記載もあり、実施例の炭化シリコンに対してもドープを行うことに特段の障害もないから、引用発明における「半導体粒子」すなわち本願補正発明の「コア」に相当する部分を「ドープされた」ものとすることは、当業者が適宜なし得ることである。
　
２）相違点２について
　そもそも「数百ミクロン以下のサイズ」の粒子をエポキシ樹脂のような結合剤（バインダー）に「均一に混合」した場合、粒子の個数は膨大なものとなるから、個々の粒子の挙動までは通常の状態ではコントロールできないと考えられる。
　第１引用例の第１図、第２図及び第７図は、それぞれ「図面の簡単な説明」にもあるように「概略図」であって、技術常識上、それぞれ絶縁性材料でコーティングされた導電粒子と半導体粒子とが接している状態で材料全体が構成されると解する必要はないもので、材料中の微細な構造としては、第２図のように導電粒子と半導体粒子とが接している状態のほか、導電粒子同士が接している状態、半導体粒子同士が接している状態、及び粒子同士は接しておらず、上記摘記事項（ｇ）に記載されるように絶縁性のバインダーが「粒子１１，１３の間の間隙空間を充填する」ことにより、粒子の周りをすべて結合剤が取り囲んでいる状態などが、ランダムに存在していると解するのが技術的に妥当である。
　本件特許出願においても事情は同様であって、コアが「絶縁性バインダーによって、隣接する粒子から離隔され」と特定する根拠として請求人が主張する記載について検討すると、図２及び図３Ａは、第１引用例同様、単なる概略図と解される程度のものにすぎず、明細書の指摘箇所（００３４〜００３６段落、及び００４８段落）を参照しても、単にバインダーの通常の機能を説明したにすぎない程度のもので「隔離」のための格別な技術事項が示されているわけでもない。したがって、これら図面及び発明の詳細な説明の記載によっても、前記「隔離」について、本願補正発明と引用発明との間に特段の相違を認めるべき根拠となるものではない。
　むしろ、本願補正発明における「分散され」との特定事項の技術的意義について検討すると、本件特許出願の発明の詳細な説明には、バインダー中における粒子の状態に関して、００４４段落に「一の実施形態では、半導体粒子７０及びドープ半導体粒子８０は、標準混合技術によってＶＶＭ１００の絶縁性バインダー５０に混合される。」との記載があるにすぎず、その他に「分散」の技術的内容を示す記載は認められないことからしても、本願補正発明において、絶縁性バインダーに「半導体粒子」と「導電性粒子」とが「分散」されるとの要件の技術的意義について、引用発明の「ほぼ均一に混合」との要件との間に特段の相違を認める根拠はない。
　すなわち、各粒子は、図２に示されたような絶縁性バインダーによって、隣接する粒子から離隔されている状態の他、導電性粒子と半導体粒子とが接している状態、導電性粒子同士が接している状態、半導体粒子同士が接している状態などが材料の中でランダムに存在しているとするのが技術的に妥当である。
　すると、本願補正発明においても、引用発明においても、多数の粒子の中には、粒子の周りをすべて結合剤が取り囲んで「絶縁性バインダーによって、隣接する粒子から離隔され」ている粒子が存在してもよく、通常そのような粒子も存在すると解することができる程度で共通するから、結局のところ、両者に実質的な相違は存在しないとするのが妥当である。
　また、仮に、本件特許出願の図２の概略図程度の記載を根拠に、相違があると認められた場合でも、その場合には、本件特許出願の優先権主張の日の前に頒布された刊行物である国際公開２００３／０８８３５６号（訳文は特表２００５−５２２８８１号公報参照）には、Ｆｉｇ．２に本件特許出願の図２に相当する図面が、Ｆｉｇ．３には本件特許出願の図３Ａに相当する図面が記載されているとともに、７頁２６行〜８頁２３行（訳文は前記公表公報の００３２〜００３４段落）に、本件特許出願の００３４〜００３６段落に対応する記載により「絶縁性結合剤５０」が「十分な粒子間隔をあけ、保持する」などと記載され、ドープ半導体８０その他の粒子が「絶縁性バインダーによって、隣接する粒子から離隔され」た過電圧保護組成物が記載されているから、前記国際公開の記載を参照して、単に同様の構造を採用することは当業者が容易に想到し得ることである。
　
　そして、上記各相違点を総合的に判断しても、本願補正発明が顕著な効果を奏すると認めるべき根拠もない。
　
５．本件補正についての結び
　以上のとおり、本願補正発明は、引用発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　したがって、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第５項に規定する要件を満たさないものであるから、同法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
　
第３　本願発明について
１．本願発明
　平成２３年６月８日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし３４に係る発明は、平成２２年９月１日付けで手続補正された特許請求の範囲の請求項１ないし３４に記載されたとおりのものであるところ、請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という）は、上記「第２　〔理由〕１．」に本件補正前の請求項１として掲げたとおりのものである。
　
２．引用例
　原査定の拒絶の理由で引用された引用例及びその記載事項は、前記「第２　〔理由〕２．」に記載したとおりである。
　
３．対比・判断
　本願発明は、上記「第２　〔理由〕」で検討した本願補正発明から、
「前記ドープされたコアが、少なくとも前記絶縁性コーティング及び前記絶縁性バインダーによって、隣接する粒子から離隔されており、」
　
　そうすると、本願発明を特定する事項を全て含み、更に他の事項を付加したものに相当する本願補正発明が前記「第２　〔理由〕４．」に記載したとおり、引用発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、引用発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４．むすび
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、その余の請求項について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。