【事件の表示】
　特願２００４−５５１７４３「レーザ走査装置および熱処理方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　５月２７日国際公開、ＷＯ２００４／０４４９５５、平成１８年　２月１６日国内公表、特表２００６−５０５９５３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、２００３年１１月３日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００２年１１月６日、アメリカ合衆国）を国際出願日とする出願であって、平成２１年６月４日付けの拒絶理由通知に対して、同年１１月１０日に意見書及び手続補正書が提出されたが、平成２２年６月２２日付けで拒絶査定がされ、これに対し、同年１０月２８日に審判請求がされるとともに手続補正書が提出されたものである。
　そして、平成２３年１２月９日付の審尋に対して、平成２４年３月１４日に回答書が提出されたものである。
　
　
第２　平成２２年１０月２８日に提出された手続補正書による補正（以下「本件補正」という。）についての補正却下の決定
　
［補正却下の決定の結論］
　本件補正を却下する。
　
［理由］
１　本件補正の内容
　本件補正は、特許請求の範囲を補正するものであり、その内容は以下のとおりである。
　
〈補正事項１〉
　補正前の請求項１の「前記像を走査して、前記第２の放射線ビームを用いて、前記領域の熱処理が十分である温度へと前記領域を加熱するように構成され」を、補正後の請求項１の「前記像を走査して、前記第２の放射線ビームを用いて、前記領域の熱処理が十分である温度へと前記領域を加熱し、前記像は、前記走査方向に垂直な方向において、＋／−２％の均一強度を有するように構成され」と補正する。
〈補正事項２〉
　補正前の請求項１０を、削除する。
〈補正事項３〉
　補正前の請求項１１、１２を、それぞれ、補正後の請求項１０、１１に繰り上げる。
〈補正事項４〉
　補正前の請求項１３を、補正後の請求項１２に繰り上げるとともに、補正前の請求項１３の「請求項１２において」を、補正後の請求項１２の「請求項１１において」と補正する。
〈補正事項５〉
　補正前の請求項１４を、補正後の請求項１３に繰り上げる。
〈補正事項６〉
　補正前の請求項１５を、補正後の請求項１４に繰り上げるとともに、補正前の請求項１５の「請求項１４において」を、補正後の請求項１４の「請求項１３において」と補正する。
〈補正事項７〉
　補正前の請求項１６を、補正後の請求項１５に繰り上げる。
〈補正事項８〉
　補正前の請求項１７を、補正後の請求項１６に繰り上げるとともに、補正前の請求項１７の「請求項１６において」を、補正後の請求項１６の「請求項１５において」と補正する。
〈補正事項９〉
　補正前の請求項１８を、補正後の請求項１７に繰り上げるとともに、補正前の請求項１８の「請求項１６において」を、補正後の請求項１７の「請求項１５において」と補正する。
〈補正事項１０〉
　補正前の請求項１９を、補正後の請求項１８に繰り上げるとともに、補正前の請求項１９の「請求項１６において」を、補正後の請求項１８の「請求項１５において」と補正する。
〈補正事項１１〉
　補正前の請求項２０、２１を、それぞれ、補正後の請求項１９、２０に繰り上げる。
〈補正事項１２〉
　補正前の請求項２２を、補正後の請求項２１に繰り上げるとともに、補正前の請求項２２の「請求項２１において」を、補正後の請求項２１の「請求項２０において」と補正する。
〈補正事項１３〉
　補正前の請求項２３、２４を、それぞれ、補正後の請求項２２、２３に繰り上げる。
〈補正事項１４〉
　補正前の請求項２５を、補正後の請求項２４に繰り上げるとともに、補正前の請求項２５の「ａ．前記領域を加熱可能な波長を有する連続放射線ビームを生成する工程、および」を、補正後の請求項２４の「ａ．前記領域を加熱可能な第１の強度プロファイルおよび波長を有する連続的な放射線ビームを生成する工程と、
　ｂ．連続的な前記放射線ビームの前記第１の強度プロファイルを、前記基板において像を形成する第２の強度プロファイルに変更する工程と、」と補正し、補正前の請求項２５の「ｂ．」を、補正後の請求項２４の「ｃ．」と補正し、補正前の請求項２５の「前記放射線ビームをブリュースター角でもって走査する」を、補正後の請求項２４の「前記放射線ビームの前記像をブリュースター角でもって走査する」と補正し、補正前の請求項２５の「走査する工程
を含み」を、補正後の請求項２４の「走査する工程と、
　を含み」と補正し、補正前の請求項２５の「前記放射線ビームは、前記基板に関してｐ−偏光されている」を、補正後の請求項２４の「前記放射線ビームは、前記基板に関してｐ−偏光され、前記像は、前記走査方向に垂直な方向において、＋／−２％の均一強度を有する」と補正する。
〈補正事項１５〉
　補正前の請求項２６を、補正後の請求項２５に繰り上げるとともに、補正前の請求項２６の「請求項２５において」を、補正後の請求項２５の「請求項２４において」と補正し、補正前の請求項２６の「工程ｂ」を、補正後の請求項２５の「工程ｃ」と補正する。
〈補正事項１６〉
　補正前の請求項２７を、補正後の請求項２６に繰り上げるとともに、補正前の請求項２７の「請求項２６において」を、補正後の請求項２６の「請求項２５において」と補正し、補正前の請求項２７の「工程ｂ」を、補正後の請求項２６の「工程ｃ」と補正する。
〈補正事項１７〉
　補正前の請求項２８と２９を、削除する。
〈補正事項１８〉
　補正前の請求項３０を、補正後の請求項２７に繰り上げるとともに、補正前の請求項３０の「請求項２５において」を、補正後の請求項２７の「請求項２４において」と補正し、補正前の請求項３０の「ｃ．前記連続放射線ビーム」を、補正後の請求項２７の「ｄ．連続的な前記放射線ビーム」と補正する。
〈補正事項１９〉
　補正前の請求項３１を、補正後の請求項２８に繰り上げるとともに、補正前の請求項３１の「請求項２５において」を、補正後の請求項２８の「請求項２４において」と補正し、補正前の請求項３１の「前記連続放射線ビーム」を、補正後の請求項２８の「連続的な前記放射線ビーム」と補正し、補正前の請求項３１の「ｃ．」を、補正後の請求項２８の「ｄ．」と補正する。
〈補正事項２０〉
　補正前の請求項３２を、補正後の請求項２９に繰り上げるとともに、補正前の請求項３２の「請求項２５において」を、補正後の請求項２９の「請求項２４において」と補正し、補正前の請求項３２の「ｃ．」を、補正後の請求項２９の「ｄ．」と補正する。
〈補正事項２１〉
　補正前の請求項３３を、補正後の請求項３０に繰り上げるとともに、補正前の請求項３３の「請求項３２において」を、補正後の請求項３０の「請求項２９において」と補正し、補正前の請求項３３の「ｄ．」を、補正後の請求項３０の「ｅ．」と補正する。
〈補正事項２２〉
　補正前の請求項３４を、補正後の請求項３１に繰り上げるとともに、補正前の請求項３４の「請求項３２において」を、補正後の請求項３１の「請求項２９において」と補正し、補正前の請求項３４の「ｄ．」を、補正後の請求項３１の「ｅ．」と補正する。
〈補正事項２３〉
　補正前の請求項３５を、補正後の請求項３２に繰り上げるとともに、補正前の請求項３５の「請求項３２において」を、補正後の請求項３２の「請求項２９において」と補正し、補正前の請求項３５の「ｄ．」を、補正後の請求項３２の「ｅ．」と補正する。
〈補正事項２４〉
　補正前の請求項３６を、補正後の請求項３３に繰り上げるとともに、補正前の請求項３６の「請求項２５において」を、補正後の請求項３３の「請求項２４において」と補正し、補正前の請求項３６の「ｃ．」を、補正後の請求項３３の「ｄ．」と補正する。
〈補正事項２５〉
　補正前の請求項３７を、補正後の請求項３４に繰り上げるとともに、補正前の請求項３７の「請求項２５において」を、補正後の請求項３４の「請求項２４において」と補正し、補正前の請求項３７の「ｃ．」を、補正後の請求項３４の「ｄ．」と補正する。
〈補正事項２６〉
　補正前の請求項３８を、補正後の請求項３５に繰り上げるとともに、補正前の請求項３８の「請求項３７において」を、補正後の請求項３５の「請求項３４において」と補正する。
〈補正事項２７〉
　補正前の請求項３９を、補正後の請求項３６に繰り上げるとともに、補正前の請求項３９の「請求項３７において」を、補正後の請求項３６の「請求項３４において」と補正し、補正前の請求項３９の「ｄ．」を、補正後の請求項３６の「ｅ．」と補正し、補正前の請求項３９の「ｅ．」を、補正後の請求項３６の「ｆ．」と補正する。
〈補正事項２８〉
　補正前の請求項４０を、補正後の請求項３７に繰り上げるとともに、補正前の請求項４０の「請求項２５において」を、補正後の請求項３７の「請求項２４において」と補正する。
〈補正事項２９〉
　補正前の請求項４１を、補正後の請求項３８に繰り上げるとともに、補正前の請求項４１の「請求項４０において」を、補正後の請求項３８の「請求項３７において」と補正し、補正前の請求項４１の「ｃ．」を、補正後の請求項３８の「ｄ．」と補正する。
〈補正事項３０〉
　補正前の請求項４２を、補正後の請求項３９に繰り上げるとともに、補正前の請求項４２の「請求項４０において」を、補正後の請求項３９の「請求項３７において」と補正し、補正前の請求項４２の「ｃ．」を、補正後の請求項３９の「ｄ．」と補正する。
〈補正事項３１〉
　補正前の請求項４３を、補正後の請求項４０に繰り上げるとともに、補正前の請求項４３の「請求項２５において」を、補正後の請求項４０の「請求項２４において」と補正し、補正前の請求項４３の「ｃ．」を、補正後の請求項４０の「ｄ．」と補正する。
〈補正事項３２〉
　補正前の請求項４４を、補正後の請求項４１に繰り上げるとともに、補正前の請求項４４の「請求項２５において」を、補正後の請求項４１の「請求項２４において」と補正し、補正前の請求項４４の「ｃ．」を、補正後の請求項４１の「ｄ．」と補正する。
〈補正事項３３〉
　補正前の請求項４５を、補正後の請求項４２に繰り上げるとともに、補正前の請求項４５の「請求項２５において」を、補正後の請求項４２の「請求項２４において」と補正し、補正前の請求項４５の「工程ｂ」を、補正後の請求項４２の「工程ｃ」と補正する。
〈補正事項３４〉
　補正前の請求項４６を、補正後の請求項４３に繰り上げるとともに、補正前の請求項４６の「請求項２５において」を、補正後の請求項４３の「請求項２４において」と補正し、補正前の請求項４６の「ｃ．」を、補正後の請求項４３の「ｄ．」と補正する。
〈補正事項３５〉
　補正前の請求項４７を、補正後の請求項４４に繰り上げるとともに、補正前の請求項４７の「請求項２５において」を、補正後の請求項４４の「請求項２４において」と補正し、補正前の請求項４７の「工程ｂ」を、補正後の請求項４４の「工程ｃ」と補正する。
〈補正事項３６〉
　補正前の請求項４８を、補正後の請求項４５に繰り上げるとともに、補正前の請求項４８の「請求項２５において」を、補正後の請求項４５の「請求項２４において」と補正する。
〈補正事項３７〉
　補正前の請求項４９を、補正後の請求項４６に繰り上げるとともに、補正前の請求項４９の「請求項２５において」を、補正後の請求項４６の「請求項２４において」と補正し、補正前の請求項４９の「工程ｂ」を、補正後の請求項４６の「工程ｃ」と補正する。
〈補正事項３８〉
　補正前の請求項５０を、補正後の請求項４７に繰り上げるとともに、補正前の請求項５０の「請求項２５において」を、補正後の請求項４７の「請求項２４において」と補正し、補正前の請求項５０の「工程ｂ」を、補正後の請求項４７の「工程ｃ」と補正し、補正前の請求項５０の「前記連続放射線ビーム」を、補正後の請求項４７の「連続的な前記放射線ビーム」と補正する。
〈補正事項３９〉
　補正前の請求項５１を、補正後の請求項４８に繰り上げるとともに、補正前の請求項５１の「請求項２５において」を、補正後の請求項４８の「請求項２４において」と補正し、補正前の請求項５１の「工程ｂ」を、補正後の請求項４８の「工程ｃ」と補正する。
〈補正事項４０〉
　補正前の請求項５２を、補正後の請求項４９に繰り上げるとともに、補正前の請求項５２の「請求項５１において」を、補正後の請求項４９の「請求項４８において」と補正し、補正前の請求項５２の「工程ｂ」を、補正後の請求項４９の「工程ｃ」と補正する。
〈補正事項４１〉
　補正前の請求項５３を、補正後の請求項５０に繰り上げるとともに、補正前の請求項５３の「請求項２５において」を、補正後の請求項５０の「請求項２４において」と補正し、補正前の請求項５３の「ｃ．前記連続放射線ビーム」を、補正後の請求項５０の「ｄ．連続的な前記放射線ビーム」と補正し、補正前の請求項５３の「ｄ．」を、補正後の請求項５０の「ｅ．」と補正し、補正前の請求項５３の「前記連続放射線ビーム」を、補正後の請求項５０の「連続的な前記放射線ビーム」と補正する。
〈補正事項４２〉
　補正前の請求項５４を、補正後の請求項５１に繰り上げるとともに、補正前の請求項５４の「請求項５３において」を、補正後の請求項５１の「請求項５０において」と補正する。
〈補正事項４３〉
　補正前の請求項５５を、補正後の請求項５２に繰り上げるとともに、補正前の請求項５５の「請求項５４において」を、補正後の請求項５２の「請求項５１において」と補正し、補正前の請求項５５の「ｅ．」を、補正後の請求項５２の「ｆ．」と補正する。
〈補正事項４４〉
　補正前の請求項５６を、補正後の請求項５３に繰り上げるとともに、補正前の請求項５６の「請求項１６において」を、補正後の請求項５３の「請求項１５において」と補正する。
〈補正事項４５〉
　補正前の請求項５７を、補正後の請求項５４に繰り上げるとともに、補正前の請求項５７の「請求項５６において」を、補正後の請求項５４の「請求項５３において」と補正する。
〈補正事項４６〉
　補正前の請求項５８を、補正後の請求項５５に繰り上げるとともに、補正前の請求項５８の「請求項５６において」を、補正後の請求項５５の「請求項５３において」と補正する。
〈補正事項４７〉
　補正前の請求項５９を、補正後の請求項５６に繰り上げるとともに、補正前の請求項５９の「請求項１６において」を、補正後の請求項５６の「請求項１５において」と補正する。
〈補正事項４８〉
　補正前の請求項６０を、補正後の請求項５７に繰り上げるとともに、補正前の請求項６０の「請求項５９において」を、補正後の請求項５７の「請求項５６において」と補正する。
〈補正事項４９〉
　補正前の請求項６１を、補正後の請求項５８に繰り上げるとともに、補正前の請求項６１の「請求項５９において」を、補正後の請求項５８の「請求項５６において」と補正する。
〈補正事項５０〉
　補正前の請求項６２〜６４を、それぞれ、補正後の請求項５９〜６１に繰り上げる。
〈補正事項５１〉
　補正前の請求項６５を、補正後の請求項６２に繰り上げるとともに、補正前の請求項６５の「請求項６４において」を、補正後の請求項６２の「請求項６１において」と補正する。
〈補正事項５２〉
　補正前の請求項６６を、補正後の請求項６３に繰り上げるとともに、補正前の請求項６６の「請求項６４において」を、補正後の請求項６３の「請求項６１において」と補正する。
〈補正事項５３〉
　補正前の請求項６７を、補正後の請求項６４に繰り上げる。
〈補正事項５４〉
　補正前の請求項６８を、補正後の請求項６５に繰り上げるとともに、補正前の請求項６８の「請求項６７において」を、補正後の請求項６５の「請求項６４において」と補正する。
〈補正事項５５〉
　補正前の請求項６９を、補正後の請求項６６に繰り上げるとともに、補正前の請求項６９の「請求項６７において」を、補正後の請求項６６の「請求項６４において」と補正する。
〈補正事項５６〉
　補正前の請求項７０、７１を、それぞれ、補正後の請求項６７、６８に繰り上げる。
〈補正事項５７〉
　補正前の請求項７２を、補正後の請求項６９に繰り上げるとともに、補正前の請求項７２の「請求項４３において」を、補正後の請求項６９の「請求項４０において」と補正する。
〈補正事項５８〉
　補正前の請求項７３を、補正後の請求項７０に繰り上げるとともに、補正前の請求項７３の「請求項７２において」を、補正後の請求項７０の「請求項６９において」と補正する。
　
　上記補正事項１〜５８は、本願の願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲または図面とみなされる翻訳文に記載した事項の範囲内においてなされたものである、と認められる。
　したがって、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たす。
　
２　補正目的の適否
（１）補正事項１について
　補正事項１は、補正前の請求項１の「前記像を走査して、前記第２の放射線ビームを用いて、前記領域の熱処理が十分である温度へと前記領域を加熱するように構成され」を、補正後の請求項１の「前記像を走査して、前記第２の放射線ビームを用いて、前記領域の熱処理が十分である温度へと前記領域を加熱し、前記像は、前記走査方向に垂直な方向において、＋／−２％の均一強度を有するように構成され」とする補正であるが、これは、補正前の請求項１の「前記像」が、補正後にあっては、「前記走査方向に垂直な方向において、＋／−２％の均一強度を有する」ことを特定したものである。
　したがって、補正事項１は、補正前の請求項１の発明特定事項である「前記像」を概念的により下位のものに限定する補正であるから、補正事項１は、特許請求の範囲の減縮（請求項に記載した発明を特定するために必要な事項を限定するものであつて、その補正前の当該請求項に記載された発明とその補正後の当該請求項に記載される発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一であるものに限る。）を目的とする補正に該当する。
　
（２）補正事項２、１７について
　補正事項２、１７は、請求項の削除を目的とする補正に該当する。
　
（３）補正事項１４について
　補正事項１４において、補正前の請求項２５の「ａ．前記領域を加熱可能な波長を有する……放射線ビームを生成する工程、および」を、補正後の請求項２４にあっては「ａ．前記領域を加熱可能な第１の強度プロファイルおよび波長を有する……放射線ビームを生成する工程と、
　ｂ．連続的な前記放射線ビームの前記第１の強度プロファイルを、前記基板において像を形成する第２の強度プロファイルに変更する工程と、」とする補正、補正前の請求項２５の「前記放射線ビームをブリュースター角でもって走査する」を補正後の請求項２４の「前記放射線ビームの前記像をブリュースター角でもって走査する」とする補正、及び、補正前の請求項２５の「前記放射線ビームは、前記基板に関してｐ−偏光されている」を補正後の請求項２４の「前記放射線ビームは、前記基板に関してｐ−偏光され、前記像は、前記走査方向に垂直な方向において、＋／−２％の均一強度を有する」とする補正は、いずれも、特許請求の範囲の減縮（請求項に記載した発明を特定するために必要な事項を限定するものであつて、その補正前の当該請求項に記載された発明とその補正後の当該請求項に記載される発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一であるものに限る。）を目的とする補正に該当する。
　また、補正前の請求項２５の「連続放射線ビーム」を補正前の請求項２５の「連続的な放射線ビーム」とする補正、補正前の請求項２５の「ｂ．」を補正後の請求項２４の「ｃ．」とする補正、及び、補正前の請求項２５の「走査する工程
を含み」を、補正後の請求項２４の「走査する工程と、
　を含み」とする補正部分は、明りょうでない記載の釈明と認められる。
　したがって、補正事項１４は、前記特許請求の範囲の減縮及び明りょうでない記載の釈明を目的とする補正に該当する。
　
（４）補正事項３〜１３、１５、１６、１８〜５８について
　補正事項３〜１３、１５、１６、１８〜５８は、補正事項２、１７で請求項を削除したことに伴って、請求項を繰り上げ、また、必要に応じて、引用する請求項を変更し、また、補正事項１４で用語を変更したことに伴って、必要に応じて、用語を変更した補正であるから、明りょうでない記載の釈明を目的とする補正に該当する。
　
（５）補正目的の適否のまとめ
　したがって、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第１号、第２号、及び、第４号に規定する要件を満たす。
　
　そこで、以下、本件補正後の特許請求の範囲に記載された発明が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものか（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法１２６条第５項に規定する独立特許要件を満たすか）どうかを、請求項１に係る発明について検討する。
　
３　独立特許要件を満たすかどうかの検討
（１）本願補正発明
　本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）は、次のとおりである。
　
【請求項１】
「基板の領域を熱処理する装置であって、
　連続的な第１の放射線ビームを提供可能な連続放射線源と、
　前記第１の放射線ビームを受けて、前記基板に像を形成する第２の放射線ビームを形成するように構成された光学系と、
　前記基板を支持するように構成されたステージと、
を軸に沿って含み、
　前記第１の放射線ビームは、前記基板の領域を加熱可能な第１の強度プロファイルおよび波長を有し、
　前記光学系および前記ステージのうち少なくとも１つは、走査方向において前記基板に関して前記像を走査して、前記第２の放射線ビームを用いて、前記領域の熱処理が十分である温度へと前記領域を加熱し、前記像は、前記走査方向に垂直な方向において、＋／−２％の均一強度を有するように構成され、
　前記軸は、前記基板の表面の法線と入射角Φを形成し、前記入射角Φは、ブリュースター角であり、前記第２の放射線ビームは、前記基板に関してｐ−偏光されている、装置。」
　
（２）引用例の表示
　　引用例１：特開２０００−３０６８３４号公報
　
（３）引用例１の記載と引用発明
（３−１）引用例１の記載
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先権主張日前に日本国内において頒布された刊行物である、特開２０００−３０６８３４号公報（以下「引用例１」という。）には、「レーザ照射方法およびレーザ照射装置および半導体装置」（発明の名称）に関して、図１〜図４、図６、図８、図２２とともに、次の記載がある。
　
　　ア　　発明の背景等
・「【０００１】
【発明の属する技術分野】本願発明は薄膜トランジスタで構成された回路を有する半導体装置に関する。例えば液晶表示装置に代表される電気光学装置およびその様な電気光学装置を部品として搭載した電気機器の構成に関する。なお、本明細書中において半導体装置とは、半導体特性を利用することで機能しうる装置全般を指し、上記電気光学装置および電気機器も半導体装置である。
【０００２】
【従来の技術】近年、ガラス等の絶縁基板上に形成された非晶質半導体膜や結晶性半導体膜（単結晶でない、多結晶、微結晶等の結晶性を有する半導体膜）、すなわち、非単結晶半導体膜に対し、レーザアニールを施して、結晶化させたり、結晶性を向上させる技術が、広く研究されている。上記半導体膜には、珪素膜がよく用いられる。」
・「【００１２】
【発明が解決しようとする課題】上記パルス発振エキシマレーザビームを線状に加工し、例えば非単結晶珪素膜に対し、該線状レーザビームを走査させながら照射した場合、ビームとビームの重なりの部分で縞ができてしまう現象が目立った。（図２２参照。）」
　
　　イ　課題を解決するための手段
・「【００１８】連続発光のエキシマレーザを使えば、本明細書の課題であるパルスレーザの照射跡が出来なくなる。よって、非常に均質性の高い膜が得られる。
【００１９】パルスレーザを照射したことにより生じる珪素膜の起伏を図２２に示し、連続発光レーザを照射したことにより生じる珪素膜の起伏を図１に示す。」
　
　　ウ　発明の実施の形態
・「【００２４】
【発明の実施の形態】ここでは、連続発光エキシマレーザを使って非晶質珪素膜を結晶化する具体的方法を述べる。
【００２５】まず、基板として１２５×１２５×0.7ｍｍのガラス基板（コーニング１７３７）を用意する。この基板は６００℃までの温度であれば充分な耐久性がある。該ガラス基板上に下地膜として酸化珪素膜を２００ｎｍ成膜する。さらに、その上から非晶質珪素膜を５５ｎｍの厚さに成膜する。成膜は、共にプラズマＣＶＤ法にて行う。またはスパッタ法等の公知の成膜方法にて成膜すればよい。」
・「【００２７】
本実施例では
発振波長は２４８ｎｍである
【００２８】基板１枚をレーザ処理する間、該レーザのエネルギーは、そのエネルギーの変動が±１０％以内、好ましくは±３％以内、より好ましくは±１％以内に収まっていると、均質な結晶化が行える。」
・「【００３５】ここでは、上記レーザを適当な光学系を用いて５ｍｍ（ドライバーの幅に対応させる。）×０．１ｍｍのサイズに変換する。光学系には、シリンドリカルレンズアレイと集光用のシリンドリカルレンズを組み合わせたものを使用する。光学系を構成するレンズの材質は、紫外光を透過させる合成溶融石英を用いる。レンズ表面には波長２４８ｎｍで透過率９９％以上が得られるように、ＡＲコート処理を施す。透過率と耐レーザ性を高めるためである。
【００３６】該光学系の構成は例えば、図３に示すものにするとよい。１０００Ｗの
連続発光エキシマレーザを安定に発振させうるビーム径は直径０．３ｍｍ程度の円形ビームである
【００３７】上記シリンドリカルレンズに直角にシリンドリカルレンズ３０５を配置し、概略０．３ｍｍ幅となっているビームを照射面で０．１ｍｍ幅にする。」
・「【００４２】上記、
照射面でのビーム形状が線状である連続発光エキシマレーザの、該線方向におけるエネルギー分布が
好ましくは、±３％以内、より好ましくは、±１％以内にするとより均質な結晶化が行える
【００４３】図２にレーザ照射装置の外観を示す。
レーザ発振装置２０１から連続発光エキシマレーザビームが出射され
光学系２０２により線状に加工され、被処理基板２０４に照射される
【００４４】レーザ照射は、ＸＹステージ２０５上で行う。
ＸＹステージに上記基板を設置し
【００４５】例えば、３．５インチのドライバー画素一体型の液晶表示装置で、画素とドライバーの間の隙間は、３００μｍ程度ある。よって、画素にレーザを照射せず、ドライバーのみにレーザを照射するには、上記のＸＹステージの精度があれば十分である。
【００４６】
レーザ照射は例えば、図４に示すように該ＸＹステージを走査させながら行う。
この処理をソースドライバー領域２０６と、ゲートドライバー領域２０７に対し行う
【００４７】
こうして、レーザアニール工程が終了する
　
　　エ　実施例２
・「【００６５】〔実施例２〕上記実施例１で計算したスポットサイズは非常に小さいので、大量生産には使いにくい。そこで、本実施例では、歪み点温度が高い石英基板を基板に使用することでレーザビームのサイズを飛躍的に大きくした例を示す。石英基板は珪素膜の融点温度に加熱されても全く変形、変質しない。よって、ビームサイズを広げることができる。本実施例中、照射対象は、発明実施の形態で示した珪素膜基板で、基板をガラス基板から厚さ１．１ｍｍの石英基板に置換したものとする。
【００６６】本実施例では、１０００Ｗの連続発光エキシマレーザを線状ビーム（サイズ１２５ｍｍ×０．４ｍｍ）に加工し使用する例を示す。該レーザを線状ビームに加工する手段を図８に示す。
【００６７】図８に示す装置は、レーザ発振装置４０６からのレーザ光（この状態では概略矩形形状を有している）を４０７、４０８、４０９、４１０、４１２で示す光学系を介して、線状ビーム４０５として照射する機能を有している。ステージ４１３は１方向に動作する１軸ステージである。これを走査させることで、ステージ４１３上に配置する基板をレーザ照射する。
【００６８】なお、
レーザ発振装置から出射されるレーザビームのサイズは、もともと直径０．３ｍｍ円ビームである
【００６９】上記光学系はすべて石英製である。石英は、エキシマレーザの波長域の透過率が十分高いために使用された。また、
使用するエキシマレーザの波長（本明細書では2４８ｎｍ）
【００７０】４０７はシリンドリカルレンズアレイと呼ばれ、ビームを多数に分割する機能を有する。この分割された多数のビームは、シリンドリカルレンズ４１０で１つに合成される。
【００７１】この構成は、ビーム内の強度分布を均一にするために必要とされる。また、シリンドリカルレンズアレイ４０８とシリンドリカルレンズ４０９との組み合わせも上述したシリンドリカルレンズアレイ４０７とシリンドリカルレンズ４１０の組み合わせと同様な機能を有する。
【００７２】シリンドリカルレンズアレイ４０７とシリンドリカルレンズ４１０の組み合わせは、線状レーザビームの長手方向における強度分布を均一にする機能を有し、シリンドリカルレンズアレイ４０８とシリンドリカルレンズ４０９の組み合わせは、線状レーザビームの幅方向における強度分布を均一にする機能を有している。
【００７３】シリンドリカルレンズアレイ４０８とシリンドリカルレンズ４０９の組み合わせにより、いったんビーム幅ｗのビームが形成される。ミラー４１１を介して、さらに、ダブレットシリンドリカルレンズ４１２を配置することにより、より細い（ビーム幅ｗよりも細い）線状レーザビームを得ることができる。
【００７４】図8の光学系で形成される線状レーザビームのエネルギー分布は、その幅方向の断面をみると、矩形状の分布を示した。すなわち、エネルギー密度について非常に均質性の高い線状レーザビームを得ることができた。」
・「【００８１】また、シリンドリカルレンズアレイ４０７は、レーザの光路に沿って、照射面から、２１００ｍｍレーザ寄りに配置した。
【００８２】また、シリンドリカルレンズアレイ４０８は、レーザの光路に沿って、照射面から、１９８０ｍｍレーザ寄りに配置した。
【００８３】また、シリンドリカルレンズ４０９は、レーザの光路に沿って、照射面から、１５８０ｍｍレーザ寄りに配置した。
【００８４】また、シリンドリカルレンズ４１０は、レーザの光路に沿って、照射面から、１０２０ｍｍレーザ寄りに配置した。
【００８５】また、ダブレットシリンドリカルレンズ４１２は、レーザの光路に沿って、照射面から、２７５ｍｍレーザ寄りに配置した。」
　
　　オ　実施例５
・「【０１０５】〔実施例５〕本実施例では、基板の全面をレーザで結晶化する方法を示す。発明実施の形態では、ドライバー領域のみの結晶化を行ったが、本実施例では、基板全面をレーザ照射する。
【０１０６】
使用するレーザは、図２に示したものとする。ビーム長は５ｍｍあるので、５ｍｍずつ走査位置をずらしながら、基板全面にレーザ照射する。レーザの１走査領域とその隣の走査領域の重なり部分を制御する
【０１０７】レーザの重なり部分は、先に述べたように特性がやや悪い。よって、この重なり部分が素子領域に入らないようにする。該重なり部分はレーザビーム長さ方向の端にあるエネルギーの減衰する領域に当てる。該減衰領域は、レーザビームを形成する光学系の精度にもよるが、現在の技術水準で５０μｍ程度に抑えることができる。
【０１０８】よって、本実施例で使用する５ｍｍ長のレーザビームを５０μｍずつ重ね合わせて基板全面にレーザを照射する。該重ね合わせの領域には、素子のチャネル領域やオフセット領域、ＬＤＤ領域がこないようにする。
【０１０９】上記
全面照射の様子は図６に示す
　
　　カ　発明の効果
・「【０２３４】
【発明の効果】本発明により、レーザビームによるレーザアニールの効果の面内均質性を向上させることができる。」
　
　　キ　図面
・図２には、レーザ発振装置２０１、光学系２０２、被処理基板２０４を載置するＸＹステージ２０５が、レーザビームの光路に沿って配置されていることが、図示されている。
・図６には、線状レーザビームを、前記線状レーザビームの線方向と垂直な方向で走査することが、図示されている。
　
（３−２）引用発明
　上記ア〜キによれば、引用例には、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されているといえる。
　
「連続発光エキシマレーザビームが出射される連続発光エキシマレーザからなるレーザ発振装置２０１と、
　前記連続発光エキシマレーザビームを被処理基板２０４に照射するために線状に加工する光学系２０２と、
　前記基板２０４を設置したＸＹステージ２０５と、
を光路に沿って含み、
　前記連続発光エキシマレーザビームは直径０．３ｍｍ程度の円形ビームであるとともに発振波長は２４８ｎｍであり、
　前記ＸＹステージ２０５を走査させながら前記線状に加工した連続発光エキシマレーザビームを前記基板２０４のソースドライバー領域２０６とゲートドライバー領域２０７に対して照射することによりレーザアニールを行い、
　前記基板２０４の照射面での前記線状に加工した連続発光エキシマレーザビームの、該線方向におけるエネルギー分布が、好ましくは、±３％以内、より好ましくは、±１％以内であることを特徴とする、レーザアニール装置。」
　
（４）対比
（４−１）本願補正発明と引用発明との対比
　本願補正発明と引用発明とを対比する。
　　ア　引用発明の「前記ＸＹステージ２０５を走査させながら前記線状に加工した連続発光エキシマレーザビームを前記基板２０４のソースドライバー領域２０６とゲートドライバー領域２０７に対して照射することによりレーザアニールを行」う「レーザアニール装置」において、引用発明の「前記基板２０４のソースドライバー領域２０６とゲートドライバー領域２０７」は、本願補正発明の「基板の領域」に対応し、引用発明の「レーザアニール装置」は、本願補正発明の「熱処理する装置」に対応するので、引用発明の「前記ＸＹステージ２０５を走査させながら前記線状に加工した連続発光エキシマレーザビームを前記基板２０４のソースドライバー領域２０６とゲートドライバー領域２０７に対して照射することによりレーザアニールを行」う「レーザアニール装置」は、本願補正発明の「基板の領域を熱処理する装置」に相当する。
　
　　イ　引用発明の「連続発光エキシマレーザビームが出射される連続発光エキシマレーザからなるレーザ発振装置２０１」において、引用発明の「連続発光エキシマレーザビーム」は、本願補正発明の「連続的な第１の放射線ビーム」に対応し、引用発明の「連続発光エキシマレーザからなるレーザ発振装置２０１」は、本願補正発明の「連続放射線源」に対応するので、引用発明の「連続発光エキシマレーザビームが出射される連続発光エキシマレーザからなるレーザ発振装置２０１」は、本願補正発明の「連続的な第１の放射線ビームを提供可能な連続放射線源」に相当する。
　
　　ウ　引用発明の「前記連続発光エキシマレーザビームを被処理基板２０４に照射するために線状に加工する光学系２０２」において、前記「レーザビームを被処理基板２０４に照射する」と前記「被処理基板２０４」に前記「レーザビーム」の像ができるから、引用発明の「前記連続発光エキシマレーザビームを被処理基板２０４に照射する」ことは、本願補正発明の「前記第１の放射線ビームを受けて、前記基板に像を形成する」ことに対応する。また、引用発明の「前記連続発光エキシマレーザビームを」「線状に加工する」ことは、本願補正発明の「第２の放射線ビームを形成する」ことに対応する。
　したがって、引用発明の「前記連続発光エキシマレーザビームを被処理基板２０４に照射するために線状に加工する光学系２０２」は、本願補正発明の「前記第１の放射線ビームを受けて、前記基板に像を形成する第２の放射線ビームを形成するように構成された光学系」に相当する。
　
　　エ　引用発明の「前記基板２０４を設置したＸＹステージ２０５」は、本願補正発明の「前記基板を支持するように構成されたステージ」に相当する。
　
　　オ　引用発明の「光路に沿って含み」において、「光路」は光軸を有することは、明らかであるので、引用発明の「光路に沿って含み」は、本願補正発明の「軸に沿って含み」に相当する。
　
　　カ　引用発明の「前記連続発光エキシマレーザビームは直径０．３ｍｍ程度の円形ビームであるとともに発振波長は２４８ｎｍであ」ることにおいて、引用発明の「前記連続発光エキシマレーザビーム」は、「レーザアニール」に用いられるから、「前記連続発光エキシマレーザビーム」の「照射」領域を加熱可能であることは、明らかである。
　そして、引用発明の「直径０．３ｍｍ程度の円形ビーム」は、「加工」して「前記基板２０４」の前記「レーザアニール」を行うための「ビーム」であるから、本願補正発明の「前記基板の領域を加熱可能な第１の強度プロファイル」に相当し、引用発明の「前記連続発光エキシマレーザビーム」の「発振波長は２４８ｎｍであ」ることは、本願補正発明の「前記基板の領域を加熱可能」な「波長を有」することに相当する。
　したがって、引用発明の「前記連続発光エキシマレーザビームは直径０．３ｍｍ程度の円形ビームであるとともに発振波長は２４８ｎｍであ」ることは、本願補正発明の「前記第１の放射線ビームは、前記基板の領域を加熱可能な第１の強度プロファイルおよび波長を有」することに相当する。
　
　　キ　引用発明の「前記ＸＹステージ２０５を走査させながら前記線状に加工した連続発光エキシマレーザビームを前記基板２０４のソースドライバー領域２０６とゲートドライバー領域２０７に対して照射することによりレーザアニールを行」うことにおいて、引用発明の「前記ＸＹステージ２０５を走査させながら前記線状に加工した連続発光エキシマレーザビームを前記基板２０４のソースドライバー領域２０６とゲートドライバー領域２０７に対して照射する」ことは、本願補正発明の「前記光学系および前記ステージのうち少なくとも１つは、走査方向において前記基板に関して前記像を走査」することに相当し、引用発明の「前記線状に加工した連続発光エキシマレーザビームを前記基板２０４のソースドライバー領域２０６とゲートドライバー領域２０７に対して照射することによりレーザアニールを行」うことは、本願補正発明の「前記第２の放射線ビームを用いて、前記領域の熱処理が十分である温度へと前記領域を加熱」することに相当する。
　したがって、引用発明の「前記ＸＹステージ２０５を走査させながら前記線状に加工した連続発光エキシマレーザビームを前記基板２０４のソースドライバー領域２０６とゲートドライバー領域２０７に対して照射することによりレーザアニールを行」うことは、本願補正発明の「前記光学系および前記ステージのうち少なくとも１つは、走査方向において前記基板に関して前記像を走査して、前記第２の放射線ビームを用いて、前記領域の熱処理が十分である温度へと前記領域を加熱」することに相当する。
　
　　ク　引用発明の「前記基板２０４の照射面での前記線状に加工した連続発光エキシマレーザビームの、該線方向におけるエネルギー分布が、好ましくは、±３％以内、より好ましくは、±１％以内である」ことにおいて、引用発明の「前記基板２０４の照射面での前記線状に加工した連続発光エキシマレーザビーム」は、「照射」により「前記基板２０４の照射面」に像を形成することは、明らかである。
　また、引用発明の「該線方向」は、引用例１の図６及び図９の記載を参照すれば、本願補正発明の「前記走査方向に垂直な方向」に相当する。
　そして、引用発明の「エネルギー分布が、好ましくは、±３％以内、より好ましくは、±１％以内である」ことは、「エネルギー分布」が±２％であるとの態様を含んでいるから、本願補正発明の「＋／−２％の均一強度を有する」に相当する。
　したがって、引用発明の「前記基板２０４の照射面での前記線状に加工した連続発光エキシマレーザビームの、該線方向におけるエネルギー分布が、好ましくは、±３％以内、より好ましくは、±１％以内である」ことは、本願補正発明の「前記像は、前記走査方向に垂直な方向において、＋／−２％の均一強度を有する」ことに相当する。
　
（４−２）一致点及び相違点
　そうすると、本願補正発明と引用発明の一致点と相違点は、次のとおりとなる。
　
《一致点》
「基板の領域を熱処理する装置であって、
　連続的な第１の放射線ビームを提供可能な連続放射線源と、
　前記第１の放射線ビームを受けて、前記基板に像を形成する第２の放射線ビームを形成するように構成された光学系と、
　前記基板を支持するように構成されたステージと、
を軸に沿って含み、
　前記第１の放射線ビームは、前記基板の領域を加熱可能な第１の強度プロファイルおよび波長を有し、
　前記光学系および前記ステージのうち少なくとも１つは、走査方向において前記基板に関して前記像を走査して、前記第２の放射線ビームを用いて、前記領域の熱処理が十分である温度へと前記領域を加熱し、前記像は、前記走査方向に垂直な方向において、＋／−２％の均一強度を有するように構成される、装置。」
　
《相違点》
　本願補正発明は、「前記軸は、前記基板の表面の法線と入射角Φを形成し、前記入射角Φは、ブリュースター角であり、前記第２の放射線ビームは、前記基板に関してｐ−偏光されている」のに対して、引用発明は、このような構成を有していない点。
　
（５）相違点についての判断
　　ア　例えば、以下の周知文献１に記載されているように、レーザアニールにおいて、基板に照射されるレーザ光をｐ−偏光とし、ブリュースター角となるような入射角で前記基板に照射することは、周知技術である。
　
　　イ　周知文献１：特開平１−１７３７０７号公報
　拒絶査定で「周知例」として提示された、上記周知文献１には、「半導体基板のレーザアニールを行うに際し、レーザ光の偏光を直線偏光とし、かつ前記直線偏光を入射面に対して平行としたレーザ光を用い、前記レーザ光を前記半導体基板固有のブリュースター角で入射させてアニールを行うレーザアニール方法。」（特許請求の範囲）が記載され、その実施例が第１図とともに第２ページ上右欄第１３行〜同ページ下左欄第１５行に説明されており、特に、「第１図は本発明の実施例におけるレーザアニール方法を示すものである。以下にその詳細を説明する。第１図ａにおいて、レーザ発振器１ａから出た、紙面に平行な偏光方向Ｐをもつレーザ光Ｌは、全反射ミラー２ａによって、試料４ａ固有のブリュースター角となるように入射角θｉを調整された後、凸レンズ３ａを通して、Ｘ−Ｙステージ５ｂに取り付けられた試料４ａに照射される。試料４ａとしてシリコンを用いた場合、θｉ＝16.2°としたときに、反射による損失は皆無となり、試料により吸収されるエネルギーは、垂直入射の場合の約１．４３倍となる。」（第２ページ上右欄第１３行〜同ページ下左欄第４行）ことが、記載されている。
　
　　ウ　そして、引用発明においても、「照射」する「連続発光エキシマレーザビーム」の反射を防止して、該「連続発光エキシマレーザビーム」のエネルギーをより有効に活用しようとすることは、当業者であれば、当然に想起したものと認められる。
　すると、引用発明の「レーザアニール装置」において、「線状に加工した連続発光エキシマレーザビームを被処理基板２０４のソースドライバー領域２０６とゲートドライバー領域２０７に対して照射する」際に、上記アに記載の周知技術を適用して、本願補正発明のように「前記軸は、前記基板の表面の法線と入射角Φを形成し、前記入射角Φは、ブリュースター角であり、前記第２の放射線ビームは、前記基板に関してｐ−偏光されている」ようになすことは、当業者が適宜なし得たことと認められる。
　
　　エ　なお、審判請求人は、平成２４年３月１４日に提出した回答書において、
・「本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明１」ともいう）は、特許請求の範囲に記載された、「前記（基板に照射される）像は、前記走査方向に垂直な方向において、＋／−２％の均一強度を有する」こと（以下、「第１の事項」ともいう。）と、「前記軸は、前記基板の表面の法線と入射角Φを形成し、前記入射角Φは、ブリュースター角であり、前記第２の放射線ビームは、前記基板に関してｐ−偏光されている」こと（以下、「第２の事項」ともいう。）を備えるものである。
 　一般的に、半導体基板は、シリコン、酸化シリコンおよび窒化シリコンなど複数の異なる材料からなる表面を含むため、基板の表面は様々な反射率を有する。このような基板を熱処理する場合、基板の温度分布は、表面材料の材料固有の反射率によって影響を受けると考えられる。本願発明１は、上記第１の事項と第２の事項を備えることで、このような基板であっても、基板の温度分布をより均一にする効果を奏する。」、
・「例えば、１０．６μｍのシリコンの反射率は、通常、３．７５程度であることが知られており、１０．６μｍの酸化シリコンや、窒化シリコンの反射率は、２程度であることが知られている。したがって、通常のレーザービームを照射した場合、シリコンは３３％のレーザービームを反射するのに対し、酸化シリコンや、窒化シリコンは１１％のレーザービームを反射する。つまり、シリコンからなる部分と、酸化シリコンや、窒化シリコンからなる部分との間で、約２２％程度の反射率の差が発生することになる。
 　したがって、引用文献４（審決注：当該審決における「引用例１」）に開示される手段でもって、完全に均一なプロファイルを有する線状レーザービームを照射したとしても、線状レーザービームが照射された像のプロファイルは、基板上に様々な反射率を有する部材があるため、２０％程度のばらつきを有することは明らかである。
 　これに対し、本願発明１は、第２の事項を備えることで、基板の表面において、入射放射線に対する反射率が異なる材料（例えば、シリコン、酸化シリコン、窒化シリコンなど）を有する半導体基板であっても、入射角がブリュースター角であることにより、それぞれの異なる材料からの反射率を均一化にすることができる。」、
との主張をしている。
　
　　オ　しかしながら、上記各主張は、「熱処理する」対象の基板が半導体基板であり、シリコン、酸化シリコンおよび窒化シリコンなど複数の異なる材料からなる表面を含んでいることを前提とする主張である。
　しかしながら、本件補正後の請求項１には、「熱処理する」対象の基板が、シリコン、酸化シリコンおよび窒化シリコンなど複数の異なる材料からなる表面を含んでいることについては、何ら記載されておらず、したがって、本願補正発明は、「熱処理する」対象の「基板」の表面が均一な材料で形成されているものを包含している。
　したがって、前記各主張は、特許請求の範囲の記載に基づく主張ではなく、前記主張を採用することはできない。
　
（６）独立特許要件を満たすかどうかの検討のまとめ
　以上のとおり、上記相違点に係る構成とすることは、当業者が容易に想到できたものである。
　
　したがって、本願補正発明は、引用例１に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
４　小括
　以上の次第で、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
　
第３　本願発明
１　以上のとおり、本件補正（平成２２年１０月２８日に提出された手続補正書による補正）は却下されたので、本願の請求項１〜７３に係る発明は、平成２１年１１月１０日に提出された手続補正書によって補正された特許請求の範囲、明細書または図面の記載からみて、その請求項１〜７３に記載されたとおりのものであり、そのうち、請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次のとおりである。
　
【請求項１】
「基板の領域を熱処理する装置であって、
　連続的な第１の放射ビームを提供可能な連続放射線源と、
　前記第１の放射ビームを受けて、前記基板に像を形成する第２の放射線ビームを形成するように構成された光学系と、
　前記基板を支持するように構成されたステージと、
を軸に沿って含み、
　前記第１の放射ビームは、前記基板の領域を加熱可能な第１の強度プロファイルおよび波長を有し、
　前記光学系および前記ステージのうち少なくとも１つは、走査方向において前記基板に関して前記像を走査して、前記第２の放射線ビームを用いて、前記領域の熱処理が十分である温度へと前記領域を加熱するように構成され、
　前記軸は、前記基板の表面の法線と入射角Φを形成し、前記入射角Φは、ブリュースター角であり、前記第２の放射線ビームは、前記基板に関してｐ−偏光されている、装置。」
　
２　引用例１の記載と引用発明
　引用例１の記載と、引用発明については、前記「第２　平成２２年１０月２８日に提出された手続補正書による補正（以下「本件補正」という。）についての補正却下の決定」の「３　独立特許要件を満たすかどうかの検討」の「（３）引用例１の記載と引用発明」において、「（３−１）引用例１の記載」で摘記したとおりであり、「（３−２）引用発明」において認定したとおりである。
　
３　対比・判断
　前記「第２　平成２２年１０月２８日に提出された手続補正書による補正（以下「本件補正」という。）についての補正却下の決定」における、「１　本件補正の内容」の「〈補正事項１〉」、及び、「２　補正目的の適否」の「（１）補正事項１について」で検討したように、本願補正発明は、本件補正前の発明の「前記像」が、本件補正後においては「前記走査方向に垂直な方向において、＋／−２％の均一強度を有する」ものであることを限定したものである。逆に言えば、本件補正前の発明（本願発明）は、本願補正発明から、上記の「前記像は、前記走査方向に垂直な方向において、＋／−２％の均一強度を有する」という限定をなくしたものである。
　そうすると、本願発明の構成要件をすべて含み、これをより限定したものである本願補正発明が、前記前記「第２　平成２２年１０月２８日に提出された手続補正書による補正（以下「本件補正」という。）についての補正却下の決定」の「３　独立特許要件を満たすかどうかの検討」において検討したとおり、引用例１に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、引用例１に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　
第４　結言
　以上のとおり、本願発明は、引用例１に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
　したがって、本願は、他の請求項について検討するまでもなく、拒絶すべきものである。
　
 　よって、結論のとおり審決する。