【事件の表示】
　特願２００６−５２９０７７「半導体装置及び半導体装置の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年　１月２６日国際公開，ＷＯ２００６／００９０２５〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成１７年７月１３日（優先権主張平成１６年７月２０日）を国際出願日とする出願であって，平成２３年１１月３０日付けで拒絶理由が通知され，平成２４年２月２日に手続補正がされたが，同年２月２２日付けで拒絶査定がされ，これに対し，同年４月６日に審判請求がされるとともに，同日に手続補正がされ，その後，同年６月２５日付けで審尋がされ，同年７月１１日に回答書が提出されたものである。
　
第２　補正の却下の決定
　
［補正の却下の決定の結論］
　平成２４年４月６日にされた手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
　
［理由］
１．　本件補正の内容
　本件補正は，特許請求の範囲を補正するものであり，特許請求の範囲は補正の前後で以下のとおりである。
　
〈補正前〉
「【請求項１】
　ゲート電極をシリコン基板から電気的に絶縁するゲート絶縁膜を有する半導体装置であって，
　前記シリコン基板上にシリコン酸化物またはシリコン酸窒化物からなる下地層を形成し，該形成した下地層上に，金属拡散源としての金属化合物を堆積し，熱処理を施すことで，前記金属化合物の金属元素を前記下地層に拡散させ，前記シリコン基板上に高誘電率のゲート絶縁膜が形成されてなり，
　前記金属化合物の金属元素はＨｆであり，
　前記金属化合物中の金属原子量は，前記熱処理がアンモニアを少なくとも含む雰囲気において７００℃以上７５０℃未満で行われるときは，１．５Ｅ＋１５ｃｍ−２から１．７Ｅ＋１５ｃｍ−２の範囲であり，前記熱処理がアンモニアを少なくとも含む雰囲気において７５０℃以上９００℃以下で行われるときは，２．３Ｅ＋１５ｃｍ−２から２．６Ｅ＋１５ｃｍ−２の範囲であることを特徴とする半導体装置。
　　【請求項２】
　前記金属拡散源としての金属化合物の膜厚（ｎｍ）と，金属濃度（金属原子数／（シリコン原子数＋金属原子数））と，の積により決定する前記金属化合物中の金属量が，０．６以上０．９以下であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
　　【請求項３】
　前記熱処理は，アンモニアまたは酸素を少なくとも含む雰囲気で行うことで，前記金属化合物の金属元素が前記下地層に拡散した金属拡散膜が形成されることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
　　【請求項４】
　前記熱処理は，
　不活性ガス中で行い，その後に，アンモニアまたは酸素を少なくとも含む雰囲気で熱処理を施すことで，前記金属化合物の金属元素が前記下地層に拡散した金属拡散膜が形成されることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
　　【請求項５】
　前記アンモニアまたは酸素を少なくとも含む雰囲気で行う熱処理を，７００℃以上９５０℃以下で行うことで，前記金属化合物の金属元素が前記下地層に拡散した金属拡散膜が形成されることを特徴とする請求項３または４記載の半導体装置。
　　【請求項６】
　前記熱処理は，
　不活性ガス中で行い，その後に，窒素ラジカルを含む雰囲気に暴露することで，前記金属化合物の金属元素が前記下地層に拡散した金属拡散膜が形成されることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
　　【請求項７】
　前記熱処理は，
　酸素を少なくとも含む雰囲気で行い，その後に，窒素ラジカルを含む雰囲気に暴露することで，前記金属化合物の金属元素が前記下地層に拡散した金属拡散膜が形成されることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
　　【請求項８】
　前記酸素を少なくとも含む雰囲気での熱処理の際に，前記下地層の下部を酸化してなることを特徴とする請求項７記載の半導体装置。
　　【請求項９】
　前記金属化合物の金属濃度（金属原子数／（シリコン原子数＋金属原子数））が０．３以上であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
　　【請求項１０】
　前記熱処理後における，前記高誘電率ゲート酸化膜の酸化膜換算膜厚が，前記高誘電率ゲート酸化膜を形成する際に用いた前記下地層よりも薄くなることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
　　【請求項１１】
　ゲート電極をシリコン基板から電気的に絶縁するゲート絶縁膜を有する半導体装置の製造方法であって，
　前記シリコン基板上にシリコン酸化物またはシリコン酸窒化物からなる下地層を形成する工程と，
　前記下地層上に金属拡散源として金属化合物を堆積する工程と，前記下地層と，前記金属化合物と，に熱処理を施し，前記金属化合物の金属元素を前記下地層に拡散させ，前記シリコン基板上に高誘電率のゲート絶縁膜を形成する工程と，を行い，
　前記金属化合物の金属元素はＨｆであり，
　前記熱処理が，アンモニアを少なくとも含む雰囲気において７００℃以上７５０℃未満で行われるときは，前記金属化合物中の金属原子量が１．５Ｅ＋１５ｃｍ−２から１．７Ｅ＋１５ｃｍ−２の範囲であり，アンモニアを少なくとも含む雰囲気において７５０℃以上９００℃以下で行われるときは，前記金属化合物中の金属原子量が２．３Ｅ＋１５ｃｍ−２から２．６Ｅ＋１５ｃｍ−２の範囲であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
　　【請求項１２】
　前記金属拡散源として用いる前記金属化合物の膜厚（ｎｍ）と，金属濃度（金属原子数／（シリコン原子数＋金属原子数））と，の積により決定する前記金属化合物中の金属量は，０．６以上０．９以下の範囲であることを特徴とする請求項１１記載の半導体装置の製造方法。
　　【請求項１３】
　前記熱処理は，
　アンモニアまたは酸素を少なくとも含む雰囲気で行うことで，前記金属化合物の金属元素が前記下地層に拡散した金属拡散膜を形成することを特徴とする請求項１１記載の半導体装置の製造方法。
　　【請求項１４】
　前記熱処理は，
　不活性ガス中で行い，その後に，アンモニアまたは酸素を少なくとも含む雰囲気で行うことで，前記金属化合物の金属元素が前記下地層に拡散した金属拡散膜を形成することを特徴とする請求項１１記載の半導体装置の製造方法。
　　【請求項１５】
　前記アンモニアまたは酸素を少なくとも含む雰囲気で行う熱処理は，７００℃以上９５０℃以下で行うことを特徴とする請求項１３または１４記載の半導体装置の製造方法。
　　【請求項１６】
　前記熱処理は，
　不活性ガス中で行い，その後に，窒素ラジカルを含む雰囲気に暴露することで，前記金属化合物の金属元素が前記下地層に拡散した金属拡散膜を形成することを特徴とする請求項１１記載の半導体装置の製造方法。
　　【請求項１７】
　前記熱処理は，
　酸素を少なくとも含む雰囲気で行い，その後に，窒素ラジカルを含む雰囲気に暴露することで，前記金属化合物の金属元素が前記下地層に拡散した金属拡散膜を形成することを特徴とする請求項１１記載の半導体装置の製造方法。
　　【請求項１８】
　前記酸素を少なくとも含む雰囲気での熱処理の際に，前記下地層の下部を酸化することを特徴とする請求項１７記載の半導体装置の製造方法。
　　【請求項１９】
　前記金属化合物の金属濃度（金属原子数／（シリコン原子数＋金属原子数））は，０．３以上であることを特徴とする請求項１１記載の半導体装置の製造方法。
　　【請求項２０】
　前記熱処理後における，前記高誘電率ゲート酸化膜の酸化膜換算膜厚が，前記高誘電率のゲート酸化膜を形成する際に用いた前記下地層よりも薄くなることを特徴とする請求項１１記載の半導体装置の製造方法。」
　
〈補正後〉
「【請求項１】
　ゲート電極をシリコン基板から電気的に絶縁するゲート絶縁膜を有する半導体装置であって，
　前記シリコン基板上にシリコン酸化物またはシリコン酸窒化物からなる下地層を形成し，該形成した下地層上に，金属拡散源としての金属化合物を堆積し，熱処理を施すことで，前記金属化合物の金属元素を前記下地層に拡散させ，前記シリコン基板上に高誘電率のゲート絶縁膜が形成されてなり，
　前記金属化合物の金属元素はＨｆであり，
　前記熱処理がアンモニアを少なくとも含む雰囲気において７００℃以上９００℃以下で行われ，前記金属化合物中の前記金属元素のＨｆの原子量は，前記熱処理の温度が７００℃以上７５０℃未満で１．５Ｅ＋１５ｃｍ−２から１．７Ｅ＋１５ｃｍ−２の範囲であり，前記熱処理の温度が７５０℃以上９００℃以下で２．３Ｅ＋１５ｃｍ−２から２．６Ｅ＋１５ｃｍ−２の範囲であることを特徴とする半導体装置。
　　【請求項２】
　前記金属拡散源としての金属化合物の膜厚（ｎｍ）と，金属濃度（金属原子数／（シリコン原子数＋金属原子数））と，の積により決定する前記金属化合物中の前記Ｈｆの金属量が，０．６以上０．９以下であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
　　【請求項３】
　前記金属化合物の前記Ｈｆの金属濃度（金属原子数／（シリコン原子数＋金属原子数））が０．３以上であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
　　【請求項４】
　前記熱処理後における，前記高誘電率ゲート酸化膜の酸化膜換算膜厚が，前記高誘電率ゲート酸化膜を形成する際に用いた前記下地層よりも薄くなることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
　　【請求項５】
　ゲート電極をシリコン基板から電気的に絶縁するゲート絶縁膜を有する半導体装置の製造方法であって，
　前記シリコン基板上にシリコン酸化物またはシリコン酸窒化物からなる下地層を形成する工程と，
　前記下地層上に金属拡散源として金属化合物を堆積する工程と，前記下地層と，前記金属化合物と，に熱処理を施し，前記金属化合物の金属元素を前記下地層に拡散させ，前記シリコン基板上に高誘電率のゲート絶縁膜を形成する工程と，を行い，
　前記金属化合物の金属元素はＨｆであり，
　前記熱処理がアンモニアを少なくとも含む雰囲気において７００℃以上９００℃以下で行われ，前記金属化合物中の前記金属元素のＨｆの原子量は，前記熱処理の温度が７００℃以上７５０℃未満で１．５Ｅ＋１５ｃｍ−２から１．７Ｅ＋１５ｃｍ−２の範囲であり，前記熱処理の温度が７５０℃以上９００℃以下で２．３Ｅ＋１５ｃｍ−２から２．６Ｅ＋１５ｃｍ−２の範囲であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
　　【請求項６】
　前記金属拡散源として用いる前記金属化合物の膜厚（ｎｍ）と，金属濃度（金属原子数／（シリコン原子数＋金属原子数））と，の積により決定する前記金属化合物中の前記Ｈｆの金属量は，０．６以上０．９以下の範囲であることを特徴とする請求項５記載の半導体装置の製造方法。
　　【請求項７】
　前記金属化合物の前記Ｈｆの金属濃度（金属原子数／（シリコン原子数＋金属原子数））は，０．３以上であることを特徴とする請求項５記載の半導体装置の製造方法。
　　【請求項８】
　前記熱処理後における，前記高誘電率ゲート酸化膜の酸化膜換算膜厚が，前記高誘電率のゲート酸化膜を形成する際に用いた前記下地層よりも薄くなることを特徴とする請求項５記載の半導体装置の製造方法。」
　
２．補正事項の整理
　本件補正について整理すると，次のとおりとなる。
〈補正事項１〉
　補正前の請求項１の「前記金属化合物中の金属原子量は，前記熱処理がアンモニアを少なくとも含む雰囲気において７００℃以上７５０℃未満で行われるときは，１．５Ｅ＋１５ｃｍ−２から１．７Ｅ＋１５ｃｍ−２の範囲であり，前記熱処理がアンモニアを少なくとも含む雰囲気において７５０℃以上９００℃以下で行われるときは，２．３Ｅ＋１５ｃｍ−２から２．６Ｅ＋１５ｃｍ−２の範囲であること」を，補正後の請求項１の「前記熱処理がアンモニアを少なくとも含む雰囲気において７００℃以上９００℃以下で行われ，前記金属化合物中の前記金属元素のＨｆの原子量は，前記熱処理の温度が７００℃以上７５０℃未満で１．５Ｅ＋１５ｃｍ−２から１．７Ｅ＋１５ｃｍ−２の範囲であり，前記熱処理の温度が７５０℃以上９００℃以下で２．３Ｅ＋１５ｃｍ−２から２．６Ｅ＋１５ｃｍ−２の範囲であること」と補正すること。
〈補正事項２〉
　補正前の請求項２の「前記金属化合物中の金属量が，」を，補正後の請求項２の「前記金属化合物中の前記Ｈｆの金属量が，」と補正すること。
〈補正事項３〉
　補正前の請求項３〜８及び請求項１３〜１８を削除するとともに，補正前の請求項９〜１２及び請求項１９〜２０の請求項番号を繰り上げて，それぞれ補正後の請求項３〜６及び請求項７〜８とすること。
〈補正事項４〉
　補正前の請求項１１の「前記熱処理が，アンモニアを少なくとも含む雰囲気において７００℃以上７５０℃未満で行われるときは，前記金属化合物中の金属原子量が１．５Ｅ＋１５ｃｍ−２から１．７Ｅ＋１５ｃｍ−２の範囲であり，アンモニアを少なくとも含む雰囲気において７５０℃以上９００℃以下で行われるときは，前記金属化合物中の金属原子量が２．３Ｅ＋１５ｃｍ−２から２．６Ｅ＋１５ｃｍ−２の範囲であること，」を，補正後の請求項５の「前記熱処理がアンモニアを少なくとも含む雰囲気において７００℃以上９００℃以下で行われ，前記金属化合物中の前記金属元素のＨｆの原子量は，前記熱処理の温度が７００℃以上７５０℃未満で１．５Ｅ＋１５ｃｍ−２から１．７Ｅ＋１５ｃｍ−２の範囲であり，前記熱処理の温度が７５０℃以上９００℃以下で２．３Ｅ＋１５ｃｍ−２から２．６Ｅ＋１５ｃｍ−２の範囲であること」と補正すること。
〈補正事項５〉
　補正前の請求項１２の「前記金属化合物中の金属量は，」を，補正後の請求項６の「前記金属化合物中の前記Ｈｆの金属量は，」と補正すること。
〈補正事項６〉
　補正前の請求項１９の「前記金属化合物の金属濃度」を，補正後の請求項７の「前記金属化合物の前記Ｈｆの金属濃度」と補正すること。
　
３．補正の目的の適否及び新規事項の追加の有無についての検討
　
　上記〈補正事項１〉は，補正前の請求項１に係る発明の発明特定事項である「熱処理」について，「アンモニアを少なくとも含む雰囲気において７００℃以上９００℃以下で行われ」ることを技術的に限定するとともに，当該記載と「前記金属化合物中の金属原子量」の具体的数値に関する記載を整合させ，また，「前記金属化合物中の金属原子量」が，「前記金属元素のＨｆの原子量」を指すことを明記したものである。
　よって，〈補正事項１〉のうち，「アンモニアを少なくとも含む雰囲気において７００℃以上９００℃以下で行われ」ることを技術的に限定することは，特許法第１７条の２第４項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項をいう。以下同じ。）第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。また，〈補正事項１〉のその余の補正は，特許法第１７条の２第４項第４号に掲げる明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
　そして，上記〈補正事項１〉に係る事項は，本願の願書に最初に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面（以下「当初明細書等」という。）の段落【００６２】〜【００７６】に記載されている。よって，上記〈補正事項１〉は，当初明細書等の記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものであるから，特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすものである。
　
　上記〈補正事項２〉，〈補正事項５〉及び〈補正事項６〉は，「前記金属化合物中の金属量」あるいは「前記金属化合物の金属濃度」が，それぞれ「前記金属化合物中の前記Ｈｆの金属量」あるいは「前記金属化合物の前記Ｈｆの金属濃度」であることを明記したものである。
　よって，上記〈補正事項２〉，〈補正事項５〉及び〈補正事項６〉は，特許法第１７条の２第４項第４号に掲げる明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
　そして，上記〈補正事項２〉，〈補正事項５〉及び〈補正事項６〉に係る事項は，当初明細書に記載されており，当初明細書等の記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものであるから，特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすものである。
　
　上記〈補正事項３〉は，請求項を削除するとともに，当該削除に伴う請求項番号の整合を取るものであるから，特許法第１７条の２第４項第１号に掲げる請求項の削除を目的とするものである。
　そして，上記〈補正事項３〉が，特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすものであることは明らかである。
　
　上記〈補正事項４〉は，上記〈補正事項１〉と同様に，補正前の請求項１１に係る発明の発明特定事項である「熱処理」について，「アンモニアを少なくとも含む雰囲気において７００℃以上９００℃以下で行われ」ることを技術的に限定するとともに，当該記載と「前記金属化合物中の金属原子量」の具体的数値に関する記載を整合させ，また，「前記金属化合物中の金属原子量」が，「前記金属元素のＨｆの原子量」を指すことを明記したものである。
　よって，〈補正事項４〉のうち，「アンモニアを少なくとも含む雰囲気において７００℃以上９００℃以下で行われ」ることを技術的に限定することは，特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。また，〈補正事項４〉のその余の補正は，特許法第１７条の２第４項第４号に掲げる明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
　そして，上記〈補正事項４〉に係る事項は当初明細書等の段落【００６２】〜【００７６】に記載されている。よって，上記〈補正事項４〉は，当初明細書等の記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものであるから，特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすものである。
　
　上記のとおり，本件補正は，特許法第１７条の２第３項及び第４項に規定する要件を満たすものであり，同法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものを含むから，以下，本件補正後の特許請求の範囲に記載されている発明が，特許出願の際独立して特許を受けることができるものか（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定を満たすか）どうかを，補正後の請求項１に係る発明について検討する。
　
４．独立特許要件についての検討
（１）特許法第３６条第６項第１号に規定された要件（いわゆるサポート要件）について
　
ア　本願の補正後の請求項１の記載
　本件補正後の請求項１〜８に係る発明のうち，本件補正後の請求項１に係る発明（以下「補正発明」という。）は本件補正後の請求項１に記載されている事項により特定される次のとおりのものである。
「【請求項１】
　ゲート電極をシリコン基板から電気的に絶縁するゲート絶縁膜を有する半導体装置であって，
　前記シリコン基板上にシリコン酸化物またはシリコン酸窒化物からなる下地層を形成し，該形成した下地層上に，金属拡散源としての金属化合物を堆積し，熱処理を施すことで，前記金属化合物の金属元素を前記下地層に拡散させ，前記シリコン基板上に高誘電率のゲート絶縁膜が形成されてなり，
　前記金属化合物の金属元素はＨｆであり，
　前記熱処理がアンモニアを少なくとも含む雰囲気において７００℃以上９００℃以下で行われ，前記金属化合物中の前記金属元素のＨｆの原子量は，前記熱処理の温度が７００℃以上７５０℃未満で１．５Ｅ＋１５ｃｍ−２から１．７Ｅ＋１５ｃｍ−２の範囲であり，前記熱処理の温度が７５０℃以上９００℃以下で２．３Ｅ＋１５ｃｍ−２から２．６Ｅ＋１５ｃｍ−２の範囲であることを特徴とする半導体装置。」
　
　したがって，請求項１の記載に基づいて判断すると，「下地層」について，「シリコン酸化物またはシリコン酸窒化物からなる」ことは特定されているが，その膜厚については特定されていない。それゆえ，「下地層」の膜厚にかかわりなく，「前記熱処理がアンモニアを少なくとも含む雰囲気において７００℃以上９００℃以下で行われ，前記金属化合物中の前記金属元素のＨｆの原子量は，前記熱処理の温度が７００℃以上７５０℃未満で１．５Ｅ＋１５ｃｍ−２から１．７Ｅ＋１５ｃｍ−２の範囲であり，前記熱処理の温度が７５０℃以上９００℃以下で２．３Ｅ＋１５ｃｍ−２から２．６Ｅ＋１５ｃｍ−２の範囲であること」という条件を満たすものであれば，補正発明の範囲に含まれることは明らかである。
　
イ　本願明細書の記載
　これに対し，本願明細書には，前記請求項１に記載された「前記金属化合物中の前記金属元素のＨｆの原子量」が「前記熱処理の温度が７００℃以上７５０℃未満で１．５Ｅ＋１５ｃｍ−２から１．７Ｅ＋１５ｃｍ−２の範囲であり，前記熱処理の温度が７５０℃以上９００℃以下で２．３Ｅ＋１５ｃｍ−２から２．６Ｅ＋１５ｃｍ−２の範囲であること」について，以下の記載がある。（下線は当審において付加。以下同様。）
　
・「【００４６】
　このように，本発明は，ゲート電極をシリコン基板から電気的に絶縁するゲート絶縁膜を有する半導体装置において，シリコン基板上に，下地シリコン酸化膜を形成し，該形成した下地シリコン酸化膜上に，金属拡散源として，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｔａ，Ａｌ，Ｔｉ，Ｎｂ，Ｓｃ，Ｙ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕの少なくとも１つの金属元素を含有する金属酸化物，金属シリコン酸化物，あるいは，窒化物を堆積し，界面シリケート反応を促進するための熱処理を行い，下地シリコン酸化膜中に，金属元素を拡散させることで，シリコン基板上に，高誘電率のゲート絶縁膜が形成されることになり，金属酸化膜（窒化膜）中の金属原子量が，１．５Ｅ＋１５ｃｍ−2〜２．６Ｅ＋１５ｃｍ−2の範囲であることを特徴とするものである。つまり，電子トラップのほとんど無い固相反応膜形成にとって，ウェハ上に生成された下地シリコン酸化膜に供給する金属原子量が重要となる。金属拡散源として用いる金属シリコン酸化膜，または，金属窒化膜の堆積法は，どのような堆積法を用いても良く，拡散源である金属含有酸化物，あるいは，金属窒化物中に含まれる金属量を適正な値にすることが固相反応膜を形成する上で必須となる。なお，下地シリコン酸化膜に代えてシリコン酸窒化膜を下地層として用いた場合も同様である。」
　
・「【００５３】
　（第１の実施形態）
　・・・（中略）・・・
　【００５４】
　なお，図１は，本実施形態における高品質のＨｆＳｉＯゲート絶縁膜の作製工程を示唆するものである。
　【００５５】
　図１に示唆するように，まず，シリコン基板（１０１）を硫酸過水，及び，アンモニア過水によって洗浄した後，熱酸化を施すことにより
下地酸化膜層（１０２）となるシリコン酸化膜をここでは１．８ｎｍ形成することになる（図１（ａ））
　【００５６】
　・・・（中略）・・・
　【００６１】
　ＨｆＳｉＯ膜（１０３），もしくは，ＨｆＯ2膜（１０３）の堆積後，熱処理を施すことで（図１（ｃ）），下地酸化膜層（１０２）と，ＨｆＳｉＯ膜（１０３），もしくは，ＨｆＯ2膜（１０３）と，の界面反応（金属拡散反応）を促進させ，ゲート絶縁膜（１０６）を作製することになる（図１（ｄ））。なお，ゲート絶縁膜（１０６）を作製する下地層（１０２）と，金属化合物層（１０３）と，の界面においては，界面シリケート反応が進行してシリケート領域となり，Ｈｆリッチ領域（１０４）と，Ｓｉリッチ領域（１０５）と，に区分されることになる。
　【００６２】
　次に，金属拡散源として１．５ｎｍのＨｆＳｉＯ膜（１０３）を堆積した場合に，電子トラップの低減とリーク電流低減効果とを最大限に引き出すことが可能となるＨｆ量を決定する際の実験結果について説明する。
　【００６３】
　なお，
本実形態における金属拡散反応のための熱処理は，アンモニア雰囲気において８００℃，１０分の条件を用い，金属拡散源中の金属元素が十分拡散できるようにした
　【００６４】
　なお，
図２から図４は，下地酸化膜層（１０２）上に堆積するＨｆＳｉＯ膜（１０３）の膜厚を1．５ｎｍに固定し，供給Ｈｆ量を変化させて作製した固相反応ＨｆＳｉＯＮ膜（１０３）のＭIＳＦＥＴの特性評価結果を示唆するものである
　【００６５】
　図２は，電気的酸化膜換算膜厚が同等なＳｉＯＮ膜に対するゲート絶縁膜（１０６）の反転側リーク電流低減効果のＨｆ量依存性を示唆するものである。
　【００６６】
　
図２に示唆するように，Ｈｆ量の低下とともに固相反応後のＨｆＳｉＯ膜（１０３）の誘電率が減少し，ゲートリーク低減効果が低下していくことになる。なお，図２に示唆するように，Ｈｆ量が２．３Ｅ＋１５ｃｍ
-2
未満でゲートリーク低減効果が急激に減るため，下地酸化膜層（１０２）上に堆積するＨｆＳｉＯ膜（１０３）のＨｆ量は，少なくとも２．３Ｅ＋１５ｃｍ
-2
以上にする必要があることがわかる
　【００６７】
　図３は，種々のＨｆ量におけるヒステリシス測定結果を示唆したものである。ヒステリシスは，電圧印加時にゲート絶縁膜（１０６）中の電子トラップに電荷が捕獲される現象に対応することになる。なお，図３は，電圧スイープ幅を１．８Ｖまで変化させた場合の測定結果を示唆している。
図３では，Ｈｆ量が低くなるに従って，ヒステリシスが減少することがわかる。これは，金属拡散源となるＨｆＳｉＯ膜（１０３）中に残された未反応の余剰Ｈｆ原子が減少するためである。特に，Ｈｆ量：２．６Ｅ＋１５ｃｍ
-2
以下においてヒステリシスが数ｍＶ以下と非常に低く，ヒステリシス抑制のためにはＨｆ量を２．６Ｅ＋１５ｃｍ
-2
以下にする必要があることがわかる
　【００６８】
　図４は，トランジスタのオン電流（Ｉｏｎ）を反転容量で規格化し，参照用のＳｉＯＮゲート絶縁膜を有したトランジスタの特性と比較したものである。Ｈｆ量が２．３Ｅ＋１５ｃｍ-2〜２．６Ｅ＋１５ｃｍ-2にオン電流のピークがあり，２．６Ｅ＋１５ｃｍ-2以上のＨｆ量ではオン電流が急激に劣化することがわかる。
　【００６９】
　つまり，図３に示唆するヒステリシスの傾向と完全に一致しており，金属拡散源中の余剰Ｈｆ原子を減らして電子トラップを低減することで移動度が向上していることがわかる。
　【００７０】
　即ち，
図４に示唆するように，Ｈｆ量が２．３Ｅ＋１５ｃｍ
-2
〜２．６Ｅ＋１５ｃｍ
-2
の範囲のときに，ＳｉＯＮの９０％程度の特性を維持することが可能となる
　【００７１】
　
この図２〜図４の測定結果を総合すると，Ｈｆ拡散源となるＨｆＳｉＯＮ膜中のＨｆ量を，２．３Ｅ＋１５ｃｍ
-2
から２．６Ｅ＋１５ｃｍ
-2
の範囲にすることで電子トラップの低減とリーク電流低減効果とを最大限に引き出した固相反応膜を形成することが可能となることがわかる
　【００７２】
　また，
Ｈｆ量を，２．３Ｅ＋１５ｃｍ
-2
から２．６Ｅ＋１５ｃｍ
-2
の範囲とした場合は，ＮＭＯＳＢＴ不安定性（Ｂｉａｓ　Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ　Ｉｎｓｔａｂｉｌｉｔｙ）の実験から得られる予測値（動作温度８５℃，動作電圧１．１Ｖの条件における１０年後のＶＴシフト量）は，２０ｍＶ以下であった。この値は，本実施形態において作製したゲート絶縁膜（１０６）が非常に優れたな信頼性を有することを示唆している
　【００７３】
　さらに，本実施形態において，１．８ｎｍの下地酸化膜層（１０２）に対して，Ｈｆ量原子量２．４Ｅ＋１５ｃｍ-2のＨｆＳｉＯを１．５ｎｍ堆積した場合，固相反応後の酸化膜換算膜厚が１．７ｎｍとなり，下地酸化膜層（１０２）の酸化膜換算膜厚よりも薄膜化することが可能となる。これは，固相反応と窒化により下地酸化膜層（１０２）も高誘電率化したためである。
　【００７４】
　次に，
図５を参照しながら，固相反応処理の温度を下げた場合における，供給可能なＨｆ量の変化について説明する。なお，固相拡散のための熱処理は，すべてアンモニア雰囲気で１０分間行った。図５は，ヒステリシスの固相拡散温度，及び，Ｈｆ量依存性を示唆する
　【００７５】
　
図５に示唆するように，金属拡散源のＨｆ量が，２．３Ｅ＋１５ｃｍ
-2
〜２．６Ｅ＋１５ｃｍ
-2
の場合，固相拡散処理温度が７５０℃未満になると，ヒステリシスが急激に増大し，特性が劣化することになる。このため，図５に示唆するように，固相拡散処理温度が７５０℃未満の場合には，Ｈｆ量を１．５Ｅ＋１５ｃｍ
-2
〜１．７Ｅ＋１５ｃｍ
-2
に減らすことで，ヒステリシスの劣化を抑制することが可能となる
　【００７６】
　なお，熱処理温度を下げることで，供給可能な金属量が減少するのは，固相反応可能なＨｆ量の低下により，余剰Ｈｆによる電子トラップの増大が起こるためと，窒化の強度が低下することで，結晶化温度の低下を抑制しきれないためである。なお，７００℃未満ではＨｆの固相反応が起きず，特性劣化の改善は見られなかった。
　【００７７】
　上記と同様な実験を，ＨｆＳｉＯ膜（１０３）の成膜法，膜厚，及び，濃度を変化させ，固相反応に最適なＨｆ拡散源が成膜法に関係なくＨｆ量によって決定される図６に示唆する結果を導いた。なお，図６に示唆する，Ｈｆ量：１．５Ｅ＋１５ｃｍ-2〜２．６Ｅ＋１５ｃｍ-2の範囲は，金属シリコン酸化物膜厚（ｎｍ）と，金属濃度（金属原子数／（金属原子数＋シリコン原子数））と，の積により決定する金属化合物中の金属量が０．６から０．９になるような金属拡散源の膜厚と，金属濃度と，の組み合わせに対応することになる。
　【００７８】
　図６に示唆するように，金属化合物中の金属原子量が１．５Ｅ＋１５ｃｍ-2〜２．６Ｅ＋１５ｃｍ-2の範囲で，金属拡散源としての金属化合物の膜厚（ｎｍ）と，金属濃度（金属原子数／（シリコン原子数＋金属原子数））と，の積により決定する金属化合物中の金属量が，０．６以上０．９以下の範囲のＨｆ量であれば，異なる膜厚と，組成と，のＨｆＳｉＯ膜をいかなる方法で堆積しても，固相拡散後には同一の膜質となることがわかる。
つまり，ＭＯＣＶＤ法を用いて，Ｈｆ濃度０．６のＨｆＳｉＯ膜を１．５ｎｍ堆積後，８５０℃の少なくともアンモニアを含む雰囲気で固相反応させた場合でも，ＰＶＤ法を用いて，ＨｆＯ2膜（Ｈｆ濃度：１．０）を０．９ｎｍ堆積後，８５０℃のアンモニア雰囲気で固相反応させた場合でも，同様の性能の固相反応膜を形成することが可能となる。」
　
・「【００８２】
　（第２の実施形態）
　次に，第２の実施形態について説明する。
　【００８３】
　第２の実施形態では，金属拡散源としてＨｆ窒化物（ＨｆＮ）もしくはＨｆシリコン窒化物（ＨｆＳｉＮ）を用いることとする。シリコン基板（１０１）を硫酸過水，及び，アンモニア過水で洗浄後，
熱酸化を施して下地酸化膜層（１０２）となるシリコン酸化膜１．８ｎｍを形成した（図１（ａ））
　【００８４】
　次に，下地酸化膜層（１０２）表面にＨｆＮ層（１０３）もしくはＨｆＳｉＮ層（１０３）を０．５ｎｍ〜２．０ｎｍ堆積する（図１（ｂ））。
　【００８５】
　・・・（中略）・・・
　【００８７】
　金属拡散層の堆積後，窒素やＡｒ，Ｈｅなどの希ガス等の不活性ガス雰囲気で８００℃の熱処理を１０分間行い，下地シリコン酸化膜層（１０２）にＨｆ金属を拡散した（図１（ｃ））。なお，熱処理では，下地酸化膜層（１０２）に堆積したＨｆＮ膜（１０３），もしくは，ＨｆＳｉＮ膜（１０３）中の窒素の大部分が膜外に放出され，最終的なＨｆＳｉＯＮ膜中の窒素濃度は，５％まで減少することになる。ＨｆＮ膜（１０３）そのものは非常にリーク電流の大きい膜であるが，逆に，膜中窒素濃度が非常に少ない場合，耐熱性劣化の原因となるため，膜中窒素量を補充する目的でＨｆ拡散後に，窒素ラジカルに曝したり，アンモニア雰囲気で８００℃の熱処理を施したりすることで，最終的な窒素濃度を１０％〜２０％にすることになる。
　【００８８】
　このように，金属原子を拡散する工程と，窒化する工程と，を分ける方法は，金属原子を十分に拡散するための熱処理条件と所望の窒素濃度，及び，窒素プロファイルを実現するための窒化条件をそれぞれ独立に制御できる利点がある。
　【００８９】
　一方，
金属原子の拡散を，アンモニアを少なくとも含む雰囲気で行うことで，上述したような独立した制御はできないものの，金属原子の拡散と，窒素原子の補充と，を同時に行うことが可能となり，処理時間を短縮することが可能となる
なお，本実施形態では，主に，枚葉式ランプアニール装置を用いてアンモニアを含む雰囲気で８５０℃，２分間の熱処理を行い，金属原子の拡散と窒素原子との補充を同時に行った。縦型炉を用いてアンモニアを含む雰囲気で８００℃，３０分の処理を行っても同様の結果が得られた
　【００９０】
　なお，
図７から図９は，金属拡散源として用いる１．５ｎｍのＨｆ窒化物，および，Ｈｆシリコン窒化物中のＨｆ量を変化させた場合におけるゲートリーク電流低減効果（図７），ヒステリシス（図８），トランジスタオン電流（図９）を評価した測定結果を示唆する
　【００９１】
　なお，図７は，電気的酸化膜換算膜厚が同等なＳｉＯＮ膜に対するゲート絶縁膜の反転側リーク電流低減効果についてＨｆ量依存性を示唆したものである。
　【００９２】
　
図７に示唆するように，Ｈｆ量の低下とともに固相反応後のＨｆＳｉＯ膜の誘電率が減少し，ゲートリーク低減効果が低下していくことがわかる
　【００９３】
　
図７に示唆するように，Ｈｆ量が２．３Ｅ＋１５ｃｍ
-2
未満でゲートリーク低減効果が急激に減るため，堆積するＨｆＳｉＯ膜のＨｆ量は少なくとも２．３Ｅ＋１５ｃｍ
-2
以上にする必要がある
　【００９４】
　また，図８は，種々のＨｆ量におけるヒステリシス測定結果を示唆したものである。ヒステリシスは，電圧印加時にゲート絶縁膜中の電子トラップに電荷が捕獲される現象に対応することになる。図８は，電圧スイープ幅を１．８Ｖまで変化させた場合の測定結果を示唆している。
図８に示唆するように，Ｈｆ量が低くなるに従って，ヒステリシスが減少することがわかる。これは，金属拡散源となるＨｆＳｉＯ膜中に残された未反応の余剰Ｈｆ原子が減少するためである。特に，Ｈｆ量：２．３Ｅ＋１５ｃｍ
-2
以下においてヒステリシスが数ｍＶ以下と非常に小さく，ヒステリシス抑制のためには金属拡散源のＨｆ量を２．３Ｅ＋１５ｃｍ
-2
以下にする必要があること示している
　【００９５】
　また，図９は，トランジスタのオン電流（Ｉｏｎ）を反転容量で規格化し，参照用のＳｉＯＮゲート絶縁膜を有したトランジスタの特性と比較したものである。図９に示唆するように，Ｈｆ量が２．３Ｅ＋１５ｃｍ-2〜２．６Ｅ＋１５ｃｍ-2付近にオン電流のピークがあり，２．６Ｅ＋１５ｃｍ-2以上のＨｆ量ではオン電流が急激に劣化することがわかる。つまり，図８に示唆するヒステリシスの傾向と完全に一致しており，金属拡散源中の余剰Ｈｆ原子を減らして電子トラップを低減することで移動度が向上することがわかる。また，
図９に示唆するように，Ｈｆ量が２．３Ｅ＋１５ｃｍ
-2
〜２．６Ｅ＋１５ｃｍ
-2
の範囲のときに，ＳｉＯＮの９０％程度の特性を実現することが可能となる
　【００９６】
　
図７〜図９に示唆する測定結果を総合すると，Ｈｆ拡散源となるＨｆＳｉＯＮ膜中のＨｆ量を２．３Ｅ＋１５ｃｍ
-2
〜２．６Ｅ＋１５ｃｍ
-2
とすることで電子トラップの低減とリーク電流低減効果とを最大限に引き出した固相反応膜を形成することが可能なことが判明し，第１の実施形態と同様の結果を得ることになる
　【００９７】
　なお，Ｈｆ量が２．３Ｅ＋１５ｃｍ-2のＨｆＳｉＮ膜を金属拡散層として堆積し，ＴＺＤＢ（初期破壊）測定の固相拡散温度依存性を評価した。その結果，７５０℃以上では１個／ｃｍ2の欠陥密度であったが，７５０℃未満で激増し，７００℃では５０００個／ｃｍ2となった。また，７５０℃未満でヒステリシスも急激に増加し，１０ｍＶ以上となった。
熱処理温度を下げることによる電子トラップの増加は，第１の実施形態と同様に，固相反応が起こる量が低下するためである
上記低温固相拡散でのヒステリシスと欠陥密度とはＨｆ量の低減により改善することは可能であり，Ｈｆ量を１．５Ｅ＋１５ｃｍ
-2
〜１．７Ｅ＋１５ｃｍ
-2
にすることでヒステリシスを５ｍｖ以下，欠陥密度を１個／ｃｍ
2
まで改善することが可能となる。つまり，固相反応のための処理温度を７００℃以上７５０℃未満とした場合，Ｈｆ拡散反応に最適なＨｆ量は，７５０℃以上の場合に比べて低く１．５Ｅ＋１５ｃｍ
-2
〜１．７Ｅ＋１５ｃｍ
-2
であった
　【００９８】
　また，本実施形態と同様の実験を，ＨｆＳｉＮ膜の成膜法，膜厚，及び，濃度を変化させて行い，固相反応に最適なＨｆ拡散源が成膜法に関係なくＨｆ量によって決まり，Ｈｆ拡散源中のＨｆ原子量を１．５Ｅ＋１５ｃｍ-2〜２．６Ｅ＋１５ｃｍ-2にしなければならないという結論に至った。」
　
ウ　検討
　上記本願明細書の各記載から，補正発明の「前記熱処理がアンモニアを少なくとも含む雰囲気において７００℃以上９００℃以下で行われ，前記金属化合物中の前記金属元素のＨｆの原子量は，前記熱処理の温度が７００℃以上７５０℃未満で１．５Ｅ＋１５ｃｍ−２から１．７Ｅ＋１５ｃｍ−２の範囲であり，前記熱処理の温度が７５０℃以上９００℃以下で２．３Ｅ＋１５ｃｍ−２から２．６Ｅ＋１５ｃｍ−２の範囲であること」という条件が，下地層の膜厚が特定の値の場合において測定された結果に基づいて設定されたものであることがわかる。
　すなわち，「アンモニアを少なくとも含む雰囲気において」熱処理を行うことは，上記段落【００６３】に記載されているところ，この際の下地層は，段落【００５５】の記載から，１．８ｎｍの厚さのシリコン酸化膜である。また，段落【００８９】には，「金属原子の拡散を，アンモニアを少なくとも含む雰囲気で行うことで」，「金属原子の拡散と，窒素原子の補充と，を同時に行う」ことが記載され，さらに，「主に，枚葉式ランプアニール装置を用いてアンモニアを含む雰囲気で８５０℃，２分間の熱処理を行い，金属原子の拡散と窒素原子との補充を同時に行」うこと，及び「縦型炉を用いてアンモニアを含む雰囲気で８００℃，３０分の処理を行っても同様の結果が得られた」ことも記載されているが，この際の下地層も，段落【００８３】の記載から，１．８ｎｍの厚さのシリコン酸化膜である。それゆえ，本願明細書の記載から，本願の図２〜４及び図７〜９に記載された各データは，１．８ｎｍの厚さのシリコン酸化膜である下地層について得られたデータである。
　したがって，補正発明の「前記熱処理がアンモニアを少なくとも含む雰囲気において７００℃以上９００℃以下で行われ，前記金属化合物中の前記金属元素のＨｆの原子量は，前記熱処理の温度が７００℃以上７５０℃未満で１．５Ｅ＋１５ｃｍ−２から１．７Ｅ＋１５ｃｍ−２の範囲であり，前記熱処理の温度が７５０℃以上９００℃以下で２．３Ｅ＋１５ｃｍ−２から２．６Ｅ＋１５ｃｍ−２の範囲である」という条件は，１．８ｎｍの厚さのシリコン酸化膜である下地層について得られた当該データに基づくものといえる。
　
　ところで，本願明細書には，段落【００６６】に「Ｈｆ量の低下とともに固相反応後のＨｆＳｉＯ膜（１０３）の誘電率が減少し，ゲートリーク低減効果が低下していくことになる。なお，図２に示唆するように，Ｈｆ量が２．３Ｅ＋１５ｃｍ-2未満でゲートリーク低減効果が急激に減るため，下地酸化膜層（１０２）上に堆積するＨｆＳｉＯ膜（１０３）のＨｆ量は，少なくとも２．３Ｅ＋１５ｃｍ-2以上にする必要があることがわかる。」と記載され，当該記載によれば，固相反応後のＨｆＳｉＯ膜（１０３）のＨｆ量が低下し，誘電率が減少しないようにするために，下地酸化膜層（１０２）上に堆積するＨｆＳｉＯ膜（１０３）のＨｆ量を，少なくとも２．３Ｅ＋１５ｃｍ-2以上にする必要があること，すなわち，下地酸化膜層（１０２）に対してＨｆを供給した後におけるＨｆＳｉＯ膜（１０３）の誘電率が減少しない程度に，堆積されるＨｆＳｉＯ膜（１０３）のＨｆ量を設定する必要があることが明らかである。それゆえ，堆積されるＨｆＳｉＯ膜（１０３）のＨｆ量を一定としたとき，下地酸化膜層（１０２）が１．８ｎｍよりも相当程度厚い膜厚である場合には，供給すべきＨｆ量が増えて，固相反応後のＨｆＳｉＯ膜（１０３）のＨｆ量が低下し，誘電率が減少してしまい，ひいてはゲートリークを低減できなくなってしまう（トンネル電流が増加してしまう）ことは，当業者にとって明らかである。
　また，本願明細書の段落【００６７】には，「Ｈｆ量が低くなるに従って，ヒステリシスが減少することがわかる。これは，金属拡散源となるＨｆＳｉＯ膜（１０３）中に残された未反応の余剰Ｈｆ原子が減少するためである。特に，Ｈｆ量：２．６Ｅ＋１５ｃｍ-2以下においてヒステリシスが数ｍＶ以下と非常に低く，ヒステリシス抑制のためにはＨｆ量を２．６Ｅ＋１５ｃｍ-2以下にする必要があることがわかる。」と記載されており，当該記載によれば，金属拡散源となるＨｆＳｉＯ膜（１０３）中に残された未反応の余剰Ｈｆ原子を減少させて，ヒステリシスを抑制するために，Ｈｆ量を２．６Ｅ＋１５ｃｍ-2以下とする必要があること，すなわち，下地酸化膜層（１０２）に対してＨｆを供給した後において，ＨｆＳｉＯ膜（１０３）中に残された未反応の余剰Ｈｆ原子が減少してヒステリシスが抑制できる程度に，堆積されるＨｆＳｉＯ膜（１０３）のＨｆ量を設定する必要があることがわかる。それゆえ，堆積されるＨｆＳｉＯ膜（１０３）のＨｆ量を一定としたとき，下地酸化膜層（１０２）が１．８ｎｍよりも相当程度薄い膜厚である場合には，供給すべきＨｆ量が減少して，固相反応後のＨｆＳｉＯ膜（１０３）における余剰Ｈｆ量が増加し，ヒステリシスが抑制できなくなってしまうことは当業者にとって明らかである。
　
　一方，上記アにおいて検討したとおり，「下地層」の膜厚にかかわりなく，「前記熱処理がアンモニアを少なくとも含む雰囲気において７００℃以上９００℃以下で行われ，前記金属化合物中の前記金属元素のＨｆの原子量は，前記熱処理の温度が７００℃以上７５０℃未満で１．５Ｅ＋１５ｃｍ−２から１．７Ｅ＋１５ｃｍ−２の範囲であり，前記熱処理の温度が７５０℃以上９００℃以下で２．３Ｅ＋１５ｃｍ−２から２．６Ｅ＋１５ｃｍ−２の範囲であること」という条件を満たすものであれば，補正発明の範囲に含まれることが明らかであるが，上に述べた理由により，当該条件を満たすものであっても，「下地層」の厚さが１．８ｎｍよりも相当程度厚い場合には，固相反応後のＨｆＳｉＯ膜（１０３）のＨｆ量が過度に低下し誘電率が減少してゲートリークを低減できなくなってしまい，逆に，「下地層」の厚さが１．８ｎｍよりも相当程度薄い場合には，固相反応後のＨｆＳｉＯ膜（１０３）のＨｆ量が過度に増加してヒステリシスの抑制ができなくなってしまい，いずれの場合においても，発明の詳細な説明に記載された所期の課題を解決することができないものと認められる。
　一方，本願の発明の詳細な説明全体を精査しても，「下地膜」の膜厚が１．８ｎｍｙｐりも相当程度薄い場合，及び厚い場合においても，補正発明が所期の課題を解決できることを当業者が認識できる記載は見いだせない。
　したがって，補正発明は，発明の詳細な説明に記載された課題を解決することができないものまでをもその範囲に含むから，発明の詳細な説明に記載されたものではない。
　よって，本件補正後の特許請求の範囲の記載は，特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たさない。
　
（２）小括
　以上のとおり，本件補正後の特許請求の範囲の記載は，特許法第３６条第６項第１号に規定する要件に適合していないから，補正発明は，特許出願の際独立して特許を受けることができるものではない。
　
５．むすび
　したがって，本件補正は，平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する特許法第１２６条第５項の規定に違反するので，同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
１．　本願特許請求の範囲の請求項１の記載
　上記のとおり，平成２４年４月６日にされた手続補正は却下されたので，本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は，平成２４年２月２日にされた手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
「【請求項１】
　ゲート電極をシリコン基板から電気的に絶縁するゲート絶縁膜を有する半導体装置であって，
　前記シリコン基板上にシリコン酸化物またはシリコン酸窒化物からなる下地層を形成し，該形成した下地層上に，金属拡散源としての金属化合物を堆積し，熱処理を施すことで，前記金属化合物の金属元素を前記下地層に拡散させ，前記シリコン基板上に高誘電率のゲート絶縁膜が形成されてなり，
　前記金属化合物の金属元素はＨｆであり，
　前記金属化合物中の金属原子量は，前記熱処理がアンモニアを少なくとも含む雰囲気において７００℃以上７５０℃未満で行われるときは，１．５Ｅ＋１５ｃｍ−２から１．７Ｅ＋１５ｃｍ−２の範囲であり，前記熱処理がアンモニアを少なくとも含む雰囲気において７５０℃以上９００℃以下で行われるときは，２．３Ｅ＋１５ｃｍ−２から２．６Ｅ＋１５ｃｍ−２の範囲であることを特徴とする半導体装置。」
　
２．特許法第３６条第６項第１号に規定された要件（いわゆるサポート要件）について
　
　前記第２　４．（１）アに記載された，平成２４年４月６日にされた手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１の記載と同様に，上記本願特許請求の範囲の請求項１には，「下地層」について，「シリコン酸化物またはシリコン酸窒化物からなる」ことは記載されているが，その膜厚についての記載はない。それゆえ，上記の本願請求項１の記載に基づいて判断すると，「下地層」の膜厚にかかわりなく，「前記金属化合物中の金属原子量は，前記熱処理がアンモニアを少なくとも含む雰囲気において７００℃以上７５０℃未満で行われるときは，１．５Ｅ＋１５ｃｍ−２から１．７Ｅ＋１５ｃｍ−２の範囲であり，前記熱処理がアンモニアを少なくとも含む雰囲気において７５０℃以上９００℃以下で行われるときは，２．３Ｅ＋１５ｃｍ−２から２．６Ｅ＋１５ｃｍ−２の範囲であること」という条件を満たすものであれば，本願発明の範囲に含まれることが明らかである。
　
　そして，前記第２　４．（１）イ，ウでの検討と同様に，本願発明の範囲に含まれるものであっても，「下地層」の厚さが１．８ｎｍよりも相当程度厚い場合には，固相反応後のＨｆＳｉＯ膜（１０３）のＨｆ量が過度に低下し誘電率が減少してゲートリークを低減できなくなってしまい，逆に，「下地層」の厚さが１．８ｎｍよりも相当程度薄い場合には，固相反応後のＨｆＳｉＯ膜（１０３）のＨｆ量が過度に増加してヒステリシスの抑制ができなくなってしまい，いずれの場合においても，発明の詳細な説明に記載された所期の課題を解決することができないものと認められる。
　一方，本願の発明の詳細な説明全体を精査しても，「下地膜」の膜厚が１．８ｎｍｙｐりも相当程度薄い場合，及び厚い場合においても，本願発明が所期の課題を解決できることを当業者が認識できる記載は見いだせない。
　したがって，本願発明は，発明の詳細な説明に記載された課題を解決することができないものまでをもその範囲に含むから，発明の詳細な説明に記載されたものではない。
　よって，本願の特許請求の範囲の記載は，特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たさない。
　
３．むすび
　以上のとおりであるから，他の請求項について検討するまでもなく，本願は拒絶すべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。