【事件の表示】
　特願２００７−５０１０１３「イオンビーム電流の調整」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年　９月１５日国際公開、ＷＯ２００５／０８６２０４、平成１９年　９月　６日国内公表、特表２００７−５２５８１１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯  
　本願は、２００５年２月２３日（優先権主張２００４年２月２７日、米国）を国際出願日とする出願であって、平成２３年８月８日及び平成２４年１月１２日に手続補正がなされたが、同年２月２７日に上記平成２４年１月１２日付けの手続補正についての補正の却下の決定がなされ、同日に拒絶査定がなされた。
　これに対し、平成２４年６月２７日に拒絶査定に対する審判請求がなされ、同時に手続補正がなされたものである。
　その後、平成２４年１０月３０日に、審判請求人に前置報告書の内容を示し意見を求めるための審尋を行ったところ、平成２５年１月３０日付けで回答書が提出された。
　
第２　平成２４年６月２７日付けの手続補正についての却下の決定 
［補正の却下の決定の結論］ 
　　平成２４年６月２７日付けの手続補正を却下する。 
　
［理由］ 
１．本件補正後の請求項１に記載された発明 
　平成２４年６月２７日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）により、本願の特許請求の範囲の請求項１は、特許請求の範囲の減縮を目的として、以下のように補正された。
　「１つまたは複数の加工物内にイオンを注入するために適したイオン注入システムであって、
　ビーム電流を有するイオンビームの形で引き出される多量のイオンを生じるイオン源と、
　前記イオン源の下流にあって前記イオンビームを受け入れて指向し、かつ、前記イオンビーム内のイオンを質量分析する質量分析器を含むビームラインアセンブリと、
　前記ビームラインアセンブリの下流にあって前記イオンビームが指向される方向に前記１つまたは複数の加工物を保持するためのエンドステーションと、
　前記イオン源内に配置され、または、前記イオン源と前記質量分析器との間に配置され、１つまたは複数の加工物にイオンを注入しながら、イオンビーム内のイオンの量又は数、あるいは、前記イオンビーム内のイオンの線量を変えることによって、前記ビーム電流を調整するための調整コンポーネントと、
　前記ビーム電流を読取るための測定コンポーネントとを含み、
　前記調整コンポーネントは、前記測定コンポーネントによって得られた測定値に応答して前記ビーム電流を調整することを特徴とするイオン注入システム。」
　
　そこで、本件補正後の上記請求項１に記載された発明（以下「補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否かについて、以下に検討する。
　
２．引用刊行物 
　
引用文献１：特開２０００−３９４７８号公報
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先日前に頒布された刊行物である、上記引用文献１には、以下の事項が記載されている。
（１ａ）「【０００１】
 【発明の属する技術分野】この発明は、例えばイオン注入装置、イオンビーム照射装置、電子線照射装置等であって、イオンビームのような荷電粒子ビームの電磁気的走査と、半導体基板のような被処理物の機械的駆動とを併用する、いわゆるハイブリッドスキャン方式の装置において、しかも被処理物のチルト角を０度よりも大きく設定可能な装置において、被処理物内に位置するＺ座標位置における荷電粒子ビームの電流密度分布を測定する方法、同分布を調整する方法および好ましい走査電気波形で荷電粒子ビームを走査しながら被処理物に照射する方法に関する。」
（１ｂ）「【０００５】イオンビーム２の走査方向（Ｘ方向）に所望のドーパント分布を得るためには、周知のように、イオンビーム２が被処理物４に入射衝突する位置におけるイオンビーム２の走査方向の電流密度分布を、所望のドーパント分布と一致させれば
良い。」
（１ｃ）「【００２１】
【発明の実施の形態】図１は、この発明に係る分布測定方法等を実施するハイブリッドスキャン方式のイオン注入装置の一例を示す斜視図である。図７の従来例と同一または相当する部分には同一符号を付し、以下においては当該従来例との相違点を主に説明する。
【００２２】この実施例の装置は、図示しないイオン源で発生させた前記イオンビーム２を、必要に応じて加速、質量分離等を行った後、走査器１２によって電磁気的に往復走査し、更にこの例では平行化器１４によって平行化した後に、機械的に往復駆動される前記ホルダ６上の被処理物４に照射するよう構成されている。被処理物４およびホルダ６の駆動方向、被処理物４に照射するイオンビーム２の進行方向および走査方向は、前述した図７の例の場合と同様であり、それぞれＹ軸方向、Ｚ軸方向およびＸ方向である。」
（１ｄ）「【００２４】走査器１２はこの例では一対の走査磁極であり、これには、走査制御装置３４から出力される三角波状の走査電圧Ｖ（ｔ）が、増幅器３６によって増幅されて電流波形Ｉ（ｔ）に変換された後に供給される。
【００２５】平行化器１４は、この発明の本質に影響するものではなく、それを設けるか否かは任意である。
【００２６】ホルダ６に対してＺ軸方向の前後近傍にそれぞれ位置するように、第１および第２の多点ファラデー２０および３０を設けている。両多点ファラデー２０、３０のＺ座標位置をそれぞれＺf 、Ｚb とする。この例では、図８も参照して、Ｚf ＜Ｚ1 ＜Ｚ2 ＜Ｚ3 ＜Ｚb の関係にある。Ｚ1 〜Ｚ3 は前述のとおりである。各多点ファラデー２０および３０は、それぞれ、Ｙ軸方向に細長いスリットを持つ複数の互いに同一仕様のファラデーカップ２２、３２を、イオンビーム２の走査方向であるＸ方向に並べたものである。各ファラデーカップ２２、３２のＸ座標位置は予め分かっている。
【００２７】各ファラデーカップ２２、３２は、イオンビーム２を受けてそのビーム電流を測定するものであるが、各ファラデーカップ２２、３２のビーム入射部分の面積は予め分かっているので、各ファラデーカップ２２、３２に入射するイオンビーム２のビーム電流密度を測定することもできる。従って、各多点ファラデー２０および３０によって、Ｚ座標位置Ｚf およびＺb におけるイオンビーム２のＸ方向のビーム電流密度分布をそれぞれ測定することができる。両多点ファラデー２０、３０からの測定データは、この例では走査制御装置３４に供給される。
【００２８】上流側の多点ファラデー２０は、この例では開口部１８を有するマスク板１６の前方部に取り付けられており、これらは図示しない駆動装置によって、矢印Ｃに示すようにビーム軌道に対して上下に駆動される。図１では、マスク板１６および多点ファラデー２０は上限位置にある。この状態では、走査されたイオンビーム２の一部は、マスク板１６の開口部１８を通過する。通過したイオンビーム２は、被処理物４に対して注入処理が行われるときは、図示のように、ホルダ６上の被処理物４に照射されるが、注入処理が行われないときは、ホルダ６はイオンビーム２を遮らない位置に退避するため、下流側の多点ファラデー３０に入射する。従ってこのときは、下流側の多点ファラデー３０によってイオンビーム２のＸ方向のビーム電流密度分布を測定することができる。
【００２９】マスク板１６および多点ファラデー２０が下限位置にある状態では、多点ファラデー２０が走査されたイオンビーム２を遮る状態になり、この上流側の多点ファラデー２０によってイオンビーム２のＸ方向のビーム電流密度分布を測定することができる。」
（１ｅ）「【００３０】（１）この図１の装置において、走査されたイオンビーム２の電流密度分布を測定する方法を説明する。
【００３１】まず、上流側の多点ファラデー２０を使用して、Ｚ座標位置Ｚf におけるイオンビーム２の走査方向（Ｘ方向）のビーム電流密度分布Ｓ（Ｘ，Ｚf ）を測定する。その測定結果の一例を単純化して図３中に示す。
【００３２】次に、下流側の多点ファラデー３０を使用して、Ｚ座標位置Ｚb におけるイオンビーム２のＸ方向のビーム電流密度分布Ｓ（Ｘ，Ｚb ）を測定する。その測定結果の一例を単純化して図３中に示す。
【００３３】両データは、イオンビーム２が上流側の多点ファラデー２０から下流側の多点ファラデー３０まで進む間に、ビーム電流密度分布が図３中のＳ（Ｘ，Ｚf ）の形からＳ（Ｘ，Ｚb ）の形に変化したことを意味している。
【００３４】ところで、この実施例の装置では、多点ファラデー２０と３０との間には、イオンビーム２の軌道を変化させるような外部電磁界は実効的には存在しない。また、この区間にイオンビーム２の焦点が存在しないように設計されているので、イオンビーム２の自己電界による発散効果（空間電荷効果）も無視し得るほど小さい。従って、イオンビーム２はこの区間においてその進行方向を変えないと見なすことができる。更に、この区間で発生するイオンビーム２の生成、消滅は無視し得るほど少ない。以上のことは、この種のイオン注入装置において一般的に言えることである。
【００３５】従って、両多点ファラデー２０、３０間に存在する被処理物４内に位置する任意のＺ座標位置Ｚx （Ｚ1 ≦Ｚx ≦Ｚ3 ）におけるイオンビーム２のＸ方向のビーム電流密度分布Ｓ（Ｘ，Ｚx ）は、次の数１に示すように、多点ファラデー２０でのビーム電流密度分布Ｓ（Ｘ，Ｚf ）と多点ファラデー３０でのビーム電流密度分布Ｓ（Ｘ，Ｚb ）とを使って表現することができる。
【００３６】
【数１】Ｓ（Ｘ，Ｚx ）＝Ｓ（Ｘ，Ｚf ）＋｛Ｓ（Ｘ，Ｚb ）−Ｓ（Ｘ，Ｚf ）｝×（Ｚx −Ｚf ）／（Ｚb −Ｚf ）
【００３７】従って、この数１に従って、上記Ｚ座標位置Ｚx におけるビーム電流密度分布Ｓ（Ｘ，Ｚx ）を求めることができる。この方法は、内挿法（補間法）と呼ばれるものである。このようにして求めたビーム電流密度分布Ｓ（Ｘ，Ｚx ）の一例を単純化して図３中に示す。
【００３８】なお、多点ファラデー２０および３０の両方を共に被処理物４の上流側近傍または下流側近傍に設けた場合も、数１と同様の関係が成立するので、それに従って、上記Ｚ座標位置Ｚx におけるビーム電流密度分布Ｓ（Ｘ，Ｚx ）を求めることができる。この方法は、外挿法（補外法）と呼ばれるものである。
【００３９】この例では、上記のようなビーム電流密度分布の測定を、二つの多点ファラデー２０、３０および走査制御装置３４を用いて行うことができる。
【００４０】上記分布測定方法によれば、２個所（Ｚf とＺb ）でのビーム電流密度分布測定という少ない測定で、被処理物４内に位置する任意のＺ座標位置Ｚx におけるビーム電流密度分布を自由に求めることができる。従って、被処理物４のチルト角θや平面寸法が大きい場合でも、被処理物４のＹ方向端部付近を含めて、被処理物４の面内におけるビーム電流密度分布の状況を正確に把握することができる。」
（１ｆ）「【００４１】（２）次に、上記のようにして求めたビーム電流密度分布Ｓ（Ｘ，Ｚx ）が所望の分布になるように調整する方法を説明する。
【００４２】まず一例として、上記ビーム電流密度分布Ｓ（Ｘ，Ｚx ）の、次式で定義する偏差ｄｅｖ（Ｘ，Ｚx ）を求める。ここでｍｅａｎＳ（Ｚx ）は、Ｓ（Ｘ，Ｚx ）の平均値である。
【００４３】
【数２】ｄｅｖ（Ｘ，Ｚx ）＝｛Ｓ（Ｘ，Ｚx ）−ｍｅａｎＳ（Ｚx ）｝／ｍｅａｎＳ（Ｚx ）
【００４４】上記のようにして求めた偏差ｄｅｖ（Ｘ，Ｚx ）の一例を単純化して図４Ａに示す。偏差ｄｅｖ（Ｘ，Ｚx ）がプラスの部分は平均よりも電流密度が大きい部分であり、マイナスの部分は小さい部分である。
【００４５】このような場合、ビーム電流密度を上げたい位置でのイオンビーム２の走査速度が相対的に小さくなるようにイオンビーム２の走査電圧Ｖ（ｔ）の波形を整形する、具体的にはビーム電流密度を上げたい位置に相当する部分での走査電圧Ｖ（ｔ）の傾きΔＶ（ｔ）／Δｔを小さくすることによって、またはビーム電流密度を下げたい位置に相当する部分の走査電圧Ｖ（ｔ）の傾きを大きくすることによって、あるいは両者を併用することによって、上記位置Ｚx における偏差ｄｅｖ（Ｘ，Ｚx ）を所望のものに、即ち上記位置Ｚx におけるビーム電流密度分布Ｓ（Ｘ，Ｚx ）を所望のものに調整することができる。
【００４６】例えば、図４Ａに示すような偏差ｄｅｖ（Ｘ，Ｚx ）の場合、同図Ｂに示すように、偏差ｄｅｖ（Ｘ，Ｚx ）がマイナスの部分での走査電圧Ｖ（ｔ）の傾きを基本となる三角波４２の傾きよりも小さくし、偏差ｄｅｖ（Ｘ，Ｚx ）がプラスの部分での走査電圧Ｖ（ｔ）の傾きを三角波４２の傾きよりも大きくすることによって、偏差ｄｅｖ（Ｘ，Ｚx ）をほぼ０に平坦化して、上記位置Ｚx におけるビーム電流密度分布Ｓ（Ｘ，Ｚx ）をほぼ一様に（均一に）することができる。
【００４７】この例では、上記のような走査電圧Ｖ（ｔ）の波形整形を、走査制御装置３４によって行うことができる。
【００４８】波形整形前後の走査電圧Ｖ（ｔ）、当該走査電圧の変分Ｄ（＝ΔＶ（ｔ）／Δｔ）およびビーム電流密度分布の偏差ｄｅｖのより具体例を図５（波形整形前）および図６（波形整形後）に示す。変分Ｄは、上述した走査電圧Ｖ（ｔ）の傾きに相当する。両図の横軸は、ここでは時間ｔで表しているが、これは、イオンビーム２のＸ方向の走査位置に対応している。走査電圧Ｖ（ｔ）の傾きが反転している時点で（即ち三角波状の頂点で）、イオンビーム２の走査方向は反転することになる。図６の変分Ｄの目盛りは、図５のそれを約１０倍に拡大している。
【００４９】図５に示すように、完全な三角波の（即ち変分Ｄが一定の）走査電圧Ｖ（ｔ）でイオンビーム２を走査したときの偏差ｄｅｖが図示のように±に変化している場合、図６に示すように、走査電圧Ｖ（ｔ）の変分Ｄを上記偏差ｄｅｖを打ち消すように変化させて走査電圧Ｖ（ｔ）の波形を完全な三角波から少し整形（この例では三角波の斜辺をわずかに下に凸状にしている）することによって、偏差ｄｅｖを常に０にすることができる。
【００５０】（３）次に、チルト角θを採った状態でＹ軸方向に往復駆動される被処理物４（図８参照）に、所望のビーム電流密度分布を実現するのに適切な走査電圧波形で走査しながらイオンビーム２を照射するビーム照射方法を説明する。
【００５１】イオン注入時のホルダ６および被処理物４のチルト角θ（これは注入中は一定である）および時々刻々のＹ座標位置Ｙx は、ホルダ駆動装置２４によって検出され、走査制御装置３４にリアルタイムで供給される（図１参照）。この明細書でリアルタイムとは、バッチ処理ではなく即時処理の意味である。
【００５２】走査制御装置３４は、供給されるチルト角θおよびＹ座標位置Ｙx を用いて、例えば次式の演算をリアルタイムで行うことによって、イオンビーム２が被処理物４に入射する位置のＺ座標位置Ｚx をリアルタイムで求めることができる。ここでＹx は、図８を参照して、イオンビーム２の入射位置Ｚx がＺ2 のときを０とし、それよりも被処理物４が上にある場合を正、下にある場合を負としている。
【００５３】
【数３】Ｚx ＝Ｚ2 −Ｙx ｔａｎθ
【００５４】このようにして、被処理物４にイオンビーム２が入射衝突するＺ座標位置Ｚxをリアルタイムで求めることができ、その各Ｚ座標位置Ｚx において、前述した分布調整方法に従って、所望のビーム電流密度分布Ｓ（Ｘ，Ｚx ）を実現する走査電圧波形でイオンビーム２を走査しながらそれを被処理物４に照射することによって、被処理物４のチルト角θや平面寸法が大きい場合でも、被処理物４の所望の領域（例えば全面）に所望の分布（例えば均一な分布）でイオンビーム２を照射することができる。その結果例えば、被処理物４のチルト角θや平面寸法が大きい場合でも、被処理物４の全面に亘って均一なイオン注入を行って、被処理物４の全面におけるドーパントの注入量分布を均一にすることができる。」
　
　これらの記載事項を含む引用文献１全体の記載及び当業者の技術常識を総合すれば、引用文献１には、以下の発明が記載されている。
　「イオン源で発生させたイオンビーム（２）を、必要に応じて加速、質量分離等を行った後、走査器（１２）によって電磁気的に往復走査し、ホルダ（６）上の被処理物（４）に照射するよう構成されており、
　ホルダに対して前後近傍にそれぞれ位置するように、第１および第２の多点ファラデー（２０および３０）を設け、両多点ファラデーによってイオンビームのビーム電流密度分布を各座標位置ごとに測定し、
　各座標位置の所望のビーム電流密度分布との偏差がマイナスの部分での走査電圧Ｖ（ｔ）の傾きを基本となる三角波（４２）の傾きよりも小さくし、偏差がプラスの部分での走査電圧Ｖ（ｔ）の傾きを三角波の傾きよりも大きくすることによって、偏差をほぼ０に平坦化して、各座標位置におけるビーム電流密度分布をほぼ一様にすることができ、
　被処理物にイオンビームが入射衝突する座標位置をリアルタイムで求め、その各座標位置において、所望のビーム電流密度分布を実現する走査電圧波形でイオンビームを走査しながらそれを被処理物に照射することによって被処理物の所望の領域に所望の分布でイオンビームを照射することができる、
イオンビームを走査しながら被処理物に照射する装置。」（以下「引用発明」という。）
　
３．対比 
　補正発明と引用発明を対比する。
（１）引用発明の「被処理物」、「イオン源」及び「イオンビームを走査しながら被処理物に照射する装置」は、それぞれ補正発明の「加工物」、「ビーム電流を有するイオンビームの形で引き出される多量のイオンを生じるイオン源」及び「イオン注入システム」に相当する。
（２）引用発明は「イオン源で発生させたイオンビームを、必要に応じて加速、質量分離等を行った後、走査器によって電磁気的に往復走査」するから、補正発明の「イオン源の下流にあってイオンビームを受け入れて指向し、かつ、イオンビーム内のイオンを質量分析する質量分析器を含むビームラインアセンブリ」に相当する構成を有することは明らかである。
（３）引用発明は「イオンビームを」「ホルダ上の被処理物に照射するよう構成されて」いるから、補正発明の「ビームラインアセンブリの下流にあってイオンビームが指向される方向に１つまたは複数の加工物を保持するためのエンドステーション」に相当する構成を有することも明らかである。
（４）引用発明の「被処理物にイオンビームが入射衝突する座標位置をリアルタイムで求め、その各座標位置において、所望のビーム電流密度分布を実現する走査電圧波形でイオンビームを走査しながらそれを被処理物に照射することによって被処理物の所望の領域に所望の分布でイオンビームを照射すること」は、補正発明の「１つまたは複数の加工物にイオンを注入しながら、イオンビーム内のイオンの量又は数、あるいは、イオンビーム内のイオンの線量を変えることによって、ビーム電流を調整する」ことに相当する。
　したがって、引用発明は補正発明の「調整コンポーネント」に相当する構成を有する。
（５）引用発明の「第１および第２の多点ファラデー」は、補正発明の「ビーム電流を読取るための測定コンポーネント」に相当する。
　そして、引用発明は「両多点ファラデーによってイオンビームのビーム電流密度分布を各座標位置ごとに測定し」「各座標位置の所望のビーム電流密度分布との偏差がマイナスの部分での走査電圧Ｖ（ｔ）の傾きを基本となる三角波の傾きよりも小さくし、偏差がプラスの部分での走査電圧Ｖ（ｔ）の傾きを三角波の傾きよりも大きくすることによって、偏差をほぼ０に平坦化して、各座標位置におけるビーム電流密度分布をほぼ一様にすることができ」「各座標位置において、所望のビーム電流密度分布を実現する走査電圧波形でイオンビームを走査しながらそれを被処理物に照射することによって被処理物の所望の領域に所望の分布でイオンビームを照射することができる」から、補正発明の「調整コンポーネントは、前記測定コンポーネントによって得られた測定値に応答して前記ビーム電流を調整すること」に相当する構成を有することは明らかである。
　
　してみると両者は、 
　「１つまたは複数の加工物内にイオンを注入するために適したイオン注入システムであって、
　ビーム電流を有するイオンビームの形で引き出される多量のイオンを生じるイオン源と、
　前記イオン源の下流にあって前記イオンビームを受け入れて指向し、かつ、前記イオンビーム内のイオンを質量分析する質量分析器を含むビームラインアセンブリと、
　前記ビームラインアセンブリの下流にあって前記イオンビームが指向される方向に前記１つまたは複数の加工物を保持するためのエンドステーションと、
　１つまたは複数の加工物にイオンを注入しながら、イオンビーム内のイオンの量又は数、あるいは、前記イオンビーム内のイオンの線量を変えることによって、イオンビーム内のイオンの量又は数、あるいは、前記イオンビーム内のイオンの線量を変えることによって、前記ビーム電流を調整するための調整コンポーネントと、
　前記ビーム電流を読取るための測定コンポーネントとを含み、
　前記調整コンポーネントは、前記測定コンポーネントによって得られた測定値に応答して前記ビーム電流を調整するイオン注入システム。」
の点で一致し、次の点で相違している。
　
（相違点）
　調整コンポーネントが、補正発明では「イオン源内に配置され、または、前記イオン源と前記質量分析器との間に配置され」ているのに対して、引用発明ではどこに配置されているのか不明な点。
　
４．判断 
　上記相違点について検討する。
　ビーム電流を調整するための調整コンポーネントを備えたイオン注入装置において、調整コンポーネントとしてイオン源と質量分析器との間に引き出し電極を配置するなどし、該電極に印加する電圧を調整することは、ごく普通に行われている周知技術（原査定の拒絶の理由に引用された下記引用文献２、同じく特開昭６１−２３３９４２号公報参照）である。
　引用発明の調整コンポーネントとして当該周知技術を用い、上記相違点に係る構成を採用することは、当業者が容易になしうる事項である。
　
　そして、補正発明全体の効果も、引用発明及び周知技術から当業者が予測し得る範囲のものであって格別なものではない。
　
　したがって、補正発明は、引用発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
５．むすび 
　以上のとおり、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項の規定において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 
　よって、上記［補正の却下の決定の結論］のとおり、決定する。
 　
第３　本願発明について 
　
１．本願発明
　平成２４年６月２７日付けの手続補正は上記のとおり却下され、平成２４年１月１２日付けの手続補正は同年２月２７日に補正の却下の決定がなされているので、本願の特許請求の範囲の請求項１に係る発明は、平成２３年８月８日付けの手続補正で補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。
「１つまたは複数の加工物内にイオンを注入するために適したイオン注入システムであって、
　ビーム電流を有するイオンビームの形で引き出される多量のイオンを生じるイオン源と、
　前記イオン源の下流にあって前記イオンビームを受け入れて指向するためのビームラインアセンブリと、
　前記ビームラインアセンブリの下流にあって前記イオンビームが指向された方向に前記１つまたは複数の加工物を保持するためのエンドステーションと、
　前記イオン源に関連して前記ビーム電流を調整するための調整コンポーネントと、
　前記ビーム電流を読取るための測定コンポーネントとを含み、
　前記ビームラインアセンブリは、前記イオンビーム内のイオンを質量分析するための分析磁石を含み、前記調整コンポーネントは、前記測定コンポーネントによって得られた測定値に応答して前記ビーム電流を調整することを特徴とするイオン注入システム。」（以下「本願発明」という。）
　
２．引用刊行物
　引用文献２：特開平９−２８３０７４号公報
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先日前に頒布された刊行物である、上記引用文献２には、以下の事項が記載されている。
（１ａ）「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体デバイスの製造プロセスの一つであるイオン注入技術に関するものである。」
（１ｂ）「【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明に係るイオン注入装置は、イオンビームを半導体基板に照射させるイオン注入装置において、イオンビームを出射させるイオンビーム発生手段と、イオンビーム発生手段からのイオンビームの速度調節及び収束を行なうイオンビーム速度調節・収束手段と、所定位置におけるイオンビームの電流密度を検出するイオン検出手段と、半導体基板を支持する基板支持台と、イオンビームの電流密度を調整すべくイオンビームの径を調整するイオンビーム径調整手段と、イオン検出手段により検出されたイオンビームの電流密度に基づき、所望の電流密度となるようにイオンビーム径調整手段を制御する制御手段とを備えることを特徴とする。これによって、所要の電流密度を有したイオンビームが得られ、電流密度の変動によるシート抵抗の再現性劣化を防止することができる。」
（１ｃ）「【００１２】図２は、本発明に係るイオン注入装置１０の好適な実施形態を概略的に示したものである。図示するように、イオン注入装置１０はイオン源２０、イオンビーム引き出し・前段加速系３０、質量分析系４０、イオンビームレンズ・後段加速系６０、イオン注入室８０から主として構成されている。
【００１３】イオン源２０は、ガス供給源（図示せず）から送り込まれたドーピングガスを放電させることにより、高密度のプラズマ状態を作り出すことができるようになっている。また、イオン源２０と質量分析系４０との間には、イオンビーム引き出し・前段加速系３０が設けられ、イオン源２０よりも負電圧に印加される一対の引き出し電極（図示せず）が配置されている。引き出し電極に負電圧を印加させると、上記プラズマを構成するイオンが0〜80keV程度の運動エネルギで加速されてイオンビーム１１が形成され、質量分析系４０に導入される。ただし、このイオンビームは様々なイオンを含んでいる。
【００１４】質量分析系４０は分析磁石４２及び第１のスリット群４４から構成され、上に述べたイオンビーム１１から所望のイオン種のみを取り出すようにしている。詳細に説明すると、イオンビーム１１の通路内において、イオンビーム１１に対して垂直な方向に分析磁石により磁界がかけられると、イオンビーム１１の進行方向が曲げられる。この場合、イオンビーム１１の曲る度合いが質量によって異なる。つまり、重いイオンほど曲げられる度合いが少なく、軽いイオンほど大きい。したがって、イオンビームは質量毎に異なる軌道を描き、第１のスリット群４４に導かれる。また、第１のスリット群４４は複数のスリットから構成され、必要とするイオンビームのみを通過させるようにしている。これらのうち、分析磁石４２の焦点に位置している可変分析スリット４６は、そのスリット幅に応じて、質量分析系４０の分解能に特に影響を及ぼしている。」
（１ｄ）「【００１８】イオン注入室８０は、イオンビーム１１の進行方向に沿ってプラズマシャワー８４、及び半導体基板を支持する基板支持台９０が順次配設して構成されており、さらに、本発明では基板支持台９０の背面側にイオン検知器８６が設けられている。
・・・
【００２０】半導体基板を支持する基板支持台９０は、図３に明示するように、シャフト１００により第１のモータに連結されたハブ部９２を備えており、、そこから複数のアーム９４が放射状に突設されている。また、アーム９４には複数のサセプタ９６が固設されている。さらに、このサセプタ９６の上には、そこに設けられた支持機構（図示せず）によって半導体基板９８が支持されるようになっている。このように構成された基板支持台９０では、第１のモータ１０２を作動させることにより、旋回運動を可能にしている。また、第１のモータ１０２は、シャフト１０６、揺動アーム１０４及び揺動機構１０７を介して第２のモータ１０８が接続されている。揺動機構は、第２のモータ１０８の回転運動を揺動アームの往復揺動運動に変えることができる。以上から、上記イオン注入装置では、偏向されることなく軌道が固定されたイオンビームを半導体基板の全面に照射させることができる。なお、図３及び図２の基板支持台９０は、説明のために、実際のものよりも小さく示されており、また、サセプタ９６及びアーム９４の数も少なくしてある。
【００２１】上記の場合、揺動アーム１０４を揺動させてサセプタ９６の旋回軌道がイオンビーム１１の照射位置から外れたとき、イオンビーム１１がイオン検出器８６に入射可能となる。このイオン検知器８６はファラデーカップ８８が１次元配列して構成されたもので、イオンビーム１１に対して垂直な一つの面内を走査手段（図示せず）によって走査できるようになっている。ただし、ファラデーカップ８８を二次元配列して、イオンビームが照射領域全体に渡るようにしてもよい。」
（１ｅ）「【００２３】このようなイオン注入装置では、イオンビーム１１の加速電圧、イオンビーム１１の径、イオンビーム１１の照射位置、及びイオンビーム１１の照射量が制御手段によって制御されている。この制御手段１１０は、図４に示されるように、ＣＰＵ１１０ａを中心にして構成されている。ＣＰＵ１１０ａには入力インターフェース１１０ｂを介してイオン検出器８６が接続されている。よって、ＣＰＵ１１０ａは、イオン検出器８６からのイオン電流の信号に基づいてイオンビーム電流密度を求める演算を行なうことができる。この演算では、走査時におけるイオン電流の測定値を走査時間で積分した値を、走査面積で割ることが行なわれている。また、ＣＰＵ１１０ａはＲＡＭ及びＲＯＭからなる記憶手段１１０ｃに接続されている。この記憶手段１１０ｃには、様々なイオンビーム電流密度におけるイオンドーズ量とシート抵抗値との関係が記憶されている。さらに、ＣＰＵ１１０ａには出力インターフェース１１０ｄからモータ駆動回路１１４を介して、駆動機構８３におけるモータ１１５、筒体７０及び第１の電極７２が接続されている。したがって、ＣＰＵ１１０ａは、この演算結果及び記憶装置に記憶された記憶内容に基づいて、イオンビームが所望のイオンビーム電流密度となるように、第２の電極８２の位置を制御することができる。なお、制御手段１１０には基板支持台９０の第１及び第２のモータ１０２、１０８が接続され、基板支持台９０の位置及び揺動アーム１０４の往復揺動速度を制御できるようにしている。また、制御手段１１０にはイオンビーム電流密度を表示し、異常な値を測定した時は警報を発する表示・警報手段１１２や、イオンビーム照射時間を制御するタイマ回路（図示せず）も接続されている。」
（１ｆ）「【００３１】
【発明の効果】本発明のイオン注入装置及び方法によれば、イオンビームが検出できる位置に配置されたイオン検出器によって、半導体基板にイオンビームを照射させる前に予めイオンビームの電流密度を測定することができ、その測定結果から、イオンビーム電流密度を調整できる。したがって、電流密度の変動によるシート抵抗の再現性劣化を防止することができる。」
　
　これらの記載事項を含む引用文献１全体の記載及び当業者の技術常識を総合すれば、引用文献２には、以下の発明が記載されている。
　「イオンビームを半導体基板に照射させるイオン注入装置において、
　イオンビームを出射させるイオンビーム発生手段と、
　イオンビーム発生手段からのイオンビームの速度調節及び収束を行なうイオンビーム速度調節・収束手段と、
　イオンビームから所望のイオン種のみを取り出すための分析磁石と、
　所定位置におけるイオンビームの電流密度を検出するイオン検出手段と、
　半導体基板を支持する基板支持台と、
　イオンビームの電流密度を調整すべくイオンビームの径を調整するイオンビーム径調整手段と、
　イオン検出手段により検出されたイオンビームの電流密度に基づき、所望の電流密度となるようにイオンビーム径調整手段を制御する制御手段とを備える、
イオン注入装置。」（以下「引用２発明」という。）
　
３．対比
　本願発明と引用２発明を対比する。
（１）引用２発明の「半導体基板」、「イオンビーム発生手段」、「イオンビーム発生手段からのイオンビームの速度調節及び収束を行なうイオンビーム速度調節・収束手段」、「半導体基板を支持する基板支持台」及び「イオン注入装置」は、それぞれ本願発明の「加工物」、「ビーム電流を有するイオンビームの形で引き出される多量のイオンを生じるイオン源」、「イオン源の下流にあって前記イオンビームを受け入れて指向するためのビームラインアセンブリ」、「ビームラインアセンブリの下流にあって前記イオンビームが指向された方向に前記１つまたは複数の加工物を保持するためのエンドステーション」及び「イオン注入システム」に相当する。
（２）同じく「イオンビームの電流密度を調整すべくイオンビームの径を調整するイオンビーム径調整手段」、「イオンビームの電流密度を検出するイオン検出手段」及び「イオンビームから所望のイオン種のみを取り出すための分析磁石」は、それぞれ「イオン源に関連して前記ビーム電流を調整するための調整コンポーネント」、「ビーム電流を読取るための測定コンポーネント」及び「イオンビーム内のイオンを質量分析するための分析磁石」に相当する。
（３）さらに「イオン検出手段により検出されたイオンビームの電流密度に基づき、所望の電流密度となるようにイオンビーム径調整手段を制御する」ことは、「調整コンポーネントは、前記測定コンポーネントによって得られた測定値に応答して前記ビーム電流を調整すること」に相当する。
　
　そうすると、両者は
「１つまたは複数の加工物内にイオンを注入するために適したイオン注入システムであって、
　ビーム電流を有するイオンビームの形で引き出される多量のイオンを生じるイオン源と、
　前記イオン源の下流にあって前記イオンビームを受け入れて指向するためのビームラインアセンブリと、
　前記ビームラインアセンブリの下流にあって前記イオンビームが指向された方向に前記１つまたは複数の加工物を保持するためのエンドステーションと、
　前記イオン源に関連して前記ビーム電流を調整するための調整コンポーネントと、
　前記ビーム電流を読取るための測定コンポーネントとを含み、
　前記ビームラインアセンブリは、前記イオンビーム内のイオンを質量分析するための分析磁石を含み、前記調整コンポーネントは、前記測定コンポーネントによって得られた測定値に応答して前記ビーム電流を調整することを特徴とするイオン注入システム。」
の点で一致し、相違点はない。
　
４．判断
　したがって、本願発明は引用２発明であり、特許法第２９条第１項３号に規定する発明に該当し特許を受けることができない。
　
第５　むすび 
　以上のとおり、本願発明は引用２発明であり、特許法第２９条第１項３号に規定する発明に該当し特許を受けることができないから、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は、拒絶されるべきものである。 
　よって、結論のとおり審決する。