【事件の表示】
　特願２００７−５４３５２７「バッチ処理チャンバを用いた基板処理装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年　５月２６日国際公開、ＷＯ２００６／０５５９８４、平成２０年　６月１９日国内公表、特表２００８−５２１２６１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本件出願は、２００５年１１月２２日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００４年１１月２２日、アメリカ合衆国）を国際出願日とする特許出願であって、平成２３年４月７日付けで拒絶の理由が通知され、同２３年８月８日に意見書及び手続補正書が提出されたが、同２３年１２月２７日付けで拒絶をすべき旨の査定がされ、これに対し、同２４年５月２１日に本件審判の請求がされるとともに同日付けで特許請求の範囲を補正対象とする手続補正（以下「本件補正」という。）がされ、同２４年６月２２日付けの当審の審尋に対し、同２４年１２月２５日に回答書が提出されている。
　
第２　本件補正についての補正の却下の決定
［補正の却下の決定の結論］
　本件補正を却下する。
［理由］
１　補正の内容
　本件補正は特許請求の範囲について補正をするものであって、補正前後の特許請求の範囲の請求項１の記載は以下のとおりである。
（１）補正前の特許請求の範囲の請求項１
「　　【請求項１】
　基板処理装置であって、
　通常は大気圧で維持され
ている
　基板と接触することによって当該基板を加熱
及び／又は
及び／又は
冷却プ
　該ファクトリインタフェースの該搬送領域と連通しているバッチ可能な基板処理チャンバと、
　
該冷却プ
を備えた前記装置。」
（２）補正後の特許請求の範囲の請求項１
「　　【請求項１】
　基板処理装置であって、
　通常は大気圧で維持され
、処理前の基板が搬送される
　
前記ファクトリインタフェースの前記搬送領域に設けられ、前記
及び
及び
プ
　該ファクトリインタフェースの該搬送領域と連通しているバッチ可能な基板処理チャンバと、
　
該プ
を備えた前記装置。」（下線は補正箇所を示すため、当審で付したものである。）
２　補正の適否
　請求項１に関する本件補正について検討すると、ファクトリインタフェースの搬送領域について、「処理前の基板が搬送される」搬送領域であると特定し、プレートについて、「加熱及び／又は冷却」するための（されるように適合されている）、「冷却プレート」との限定から、「加熱及び冷却」するための（されるように適合されている）「プレート」であると特定する、すなわち、加熱及び冷却されるものであると特定するとともに明確化し、また、その配置について、「ファクトリインタフェースの搬送領域に設けられ」るものであると特定したものであって、全体として特許請求の範囲の減縮及び明りょうでない記載の釈明を目的とするものであることは明らかである。
　そこで、本件補正後の特許請求の範囲の請求項１に記載された発明（以下「補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否かについて、以下検討する。
（１）補正発明
　補正発明は、本件補正により補正がされた明細書及び図面の記載からみて、上記１の（２）の補正後の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定されるとおりのものと認める。
（２）引用例記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用された本件優先日前に頒布された刊行物である特開２００３−９２３２９号公報（以下、「引用例」という。）には、以下の記載がある。
ア　段落【０００１】
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板処理装置に関し、特に、被処理基板の冷却技術に係り、例えば、半導体素子を含む半導体集積回路が作り込まれる半導体ウエハ（以下、ウエハという。）に不純物を拡散したり絶縁膜や金属膜等のＣＶＤ膜を形成したりする基板処理装置に利用して有効なものに関する。」
イ　段落【０００９】〜【００１４】
「【０００９】本実施の形態において、本発明に係る基板処理装置は、半導体装置の製造方法にあってウエハに不純物を拡散したり絶縁膜や金属膜等のＣＶＤ膜を形成したりする工程に使用されるバッチ式縦形拡散・ＣＶＤ装置（以下、バッチ式ＣＶＤ装置という。）として構成されている。なお、このバッチ式ＣＶＤ装置１においてはウエハ搬送用のキャリアとしてはＦＯＵＰ（front opening unified pod 。以下、ポッドという。）が使用されている。
【００１０】以下の説明において、前後左右は図１を基準とする。すなわち、ポッドオープナ３９側が前側、その反対側すなわちロードロックチャンバ４側が後側、クリーンエアユニット３７側が左側、その反対側すなわちウエハ移載装置３０のエレベータ３６側が右側とする。
【００１１】図１〜図３に示されているように、バッチ式ＣＶＤ装置１は筐体２を備えており、筐体２の後側にはボート１９が待機する待機室３を形成したロードロックチャンバ４が設置されている。待機室３は大気圧未満の圧力を維持可能な気密性能を有する密閉室に構成されており、ロードロックチャンバ４はボート１９を収納可能な容積を有する略直方体の箱形状に形成されている。ロードロックチャンバ４の前面壁にはゲート６によって開閉されるウエハ搬入搬出口５が開設されている。ロードロックチャンバ４の後面壁には、保守点検等に際してボートを待機室３に対して出し入れするための保守点検口７が開設されており、通常時には、保守点検口７はゲート８によって閉塞されている。図３に示されているように、ロードロックチャンバ４の底壁には待機室３を大気圧未満に排気するための排気管９と、待機室３へ窒素（Ｎ２）ガスを給気するための給気管１０とがそれぞれ接続されている。
【００１２】図２および図３に示されているように、ロードロックチャンバ４の天井壁にはボート搬入搬出口１１が開設されており、ボート搬入搬出口１１はシャッタ１２によって開閉されるようになっている。ロードロックチャンバ４の上にはヒータユニット１３が垂直方向に設置されており、ヒータユニット１３の内部には処理室１４を形成するプロセスチューブ１５が配置されている。
【００１３】プロセスチューブ１５は上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されてヒータユニット１３に同心円に配置されており、プロセスチューブ１５の円筒中空部によって処理室１４が構成されている。プロセスチューブ１５はロードロックチャンバ４の天井壁の上にマニホールド１６を介して支持されており、マニホールド１６にはプロセスチューブ１５の円筒中空部によって形成された処理室１４に原料ガスやパージガス等を導入するためのガス導入管１７と、プロセスチューブ１５の内部を排気するための排気管１８とがそれぞれ接続されている。マニホールド１６はロードロックチャンバ４のボート搬入搬出口１１に同心円に配置されている。
【００１４】待機室３の後側左隅部にはボート１９を昇降させるためのボートエレベータ２０が設置されている。・・・」
ウ　段落【００１６】〜【００１７】
「【００１６】図１および図２に示されているように、筐体２はウエハ移載室２９を形成しており、ウエハ移載室２９の内部にはウエハＷを移載するウエハ移載装置３０が設置されている。ウエハ移載装置３０はロータリーアクチュエータ３１を備えており、ロータリーアクチュエータ３１は上面に設置された第一リニアアクチュエータ３２を水平面内で回転させるように構成されている。第一リニアアクチュエータ３２の上面には第二リニアアクチュエータ３３が設置されており、第一リニアアクチュエータ３２は第二リニアアクチュエータ３３を水平移動させるように構成されている。第二リニアアクチュエータ３３の上面には移動台３４が設置されており、第二リニアアクチュエータ３３は移動台３４を水平移動させるように構成されている。移動台３４にはウエハＷを下から支持するツィーザ３５が複数枚（本実施の形態においては五枚）、等間隔に配置されて水平に取り付けられている。ウエハ移載装置３０は送りねじ装置等によって構成されたエレベータ３６によって昇降されるようになっている。エレベータ３６の反対側には筐体２の内部にクリーンエアを供給するクリーンエアユニット３７が設置されている。
【００１７】図１〜図３に示されているように、筐体２の正面壁にはウエハを筐体２に対して搬入搬出するためのウエハ搬入搬出口３８が開設されており、ウエハ搬入搬出口３８にはポッドオープナ３９が設置されている。ポッドオープナ３９はポッドＰを載置する載置台３９ａと、載置台３９ａに載置されたポッドＰのキャップを着脱するキャップ着脱機構３９ｂとを備えており、載置台３９ａに載置されたポッドＰのキャップをキャップ着脱機構３９ｂによって着脱することにより、ポッドＰのウエハ出し入れ口を開閉するようになっている。ポッドオープナ３９の載置台３９ａに対してはポッドＰが、図示しない工程内搬送装置（ＲＧＶ）によって供給および排出されるようになっている。」
エ　段落【００１８】
「【００１８】図１および図２に示されているように、ウエハ移載室２９の前側左隅部には処理済みのウエハＷを冷却する冷却用ストッカ４０がクリーンエアユニット３７に対向されて設置されており、冷却用ストッカ４０に装填されたウエハＷにはクリーンエアユニット３７からのクリーンエアが吹きかかるようになっている。冷却用ストッカ４０は使用済みのボート１９が転用されて構成されており、複数枚（例えば、２５枚、５０枚、１００枚、１２５枚、１５０枚ずつ等）のウエハＷをその中心を揃えて水平に支持し得るようになっている。ウエハ移載装置３０は冷却用ストッカ４０に対してウエハＷを装填（チャージング）および脱装（ディスチャージング）し得るように設定されている。」
オ　段落【００２４】〜【００２８】
「【００２４】以下、前記構成に係るバッチ式ＣＶＤ装置を使用した半導体装置の製造方法における成膜工程を説明する。
【００２５】これから成膜すべきウエハＷは複数枚がポッドＰに収納された状態で、成膜工程を実施するバッチ式ＣＶＤ装置１へ工程内搬送装置によって搬送されて来る。図１および図２に示されているように、搬送されて来たポッドＰはポッドオープナ３９の載置台３９ａの上に工程内搬送装置から受け渡されて載置される。ポッドＰのキャップがキャップ着脱機構３９ｂによって取り外され、ポッドＰのウエハ出し入れ口が開放される。
【００２６】ポッドＰがポッドオープナ３９により開放されると、ウエハＷはポッドＰから五枚宛、筐体２の内部に設置されたウエハ移載装置３０のツィーザ３５によって筐体２のウエハ搬入搬出口３８を通してピックアップされ、ウエハ搬入搬出口３８を通して筐体２の内部に搬入される。五枚のウエハＷが筐体２の内部へウエハ移載装置３０によって搬入されると、ロードロックチャンバ４のウエハ搬入搬出口５がゲート６によって開放される。ウエハ移載装置３０のツィーザ３５によって保持された五枚のウエハＷはボート１９へウエハ移載装置３０によってウエハ搬入搬出口５を通じて装填（チャージング）される。
【００２７】以降、ウエハＷのポッドＰからボート１９へのウエハ移載装置３０による装填作業が繰り返される。この間、ボート搬入搬出口１１がシャッタ１２によって閉鎖されることにより、プロセスチューブ１５の高温雰囲気が待機室３に流入することは防止されている。このため、装填途中のウエハＷおよび装填されたウエハＷが高温雰囲気に晒されることはなく、ウエハＷが高温雰囲気に晒されることによる自然酸化等の弊害の派生は防止されることになる。
【００２８】図１および図２に示されているように、予め指定された枚数のウエハＷがボート１９へ装填されると、ウエハ搬入搬出口５はゲート６によって閉鎖される。ちなみに、ロードロックチャンバ４の保守点検口７はゲート８によって閉鎖されており、ボート搬入搬出口１１はシャッタ１２によって閉鎖されている。このようにロードロックされた状態で、待機室３は排気管９によって真空に排気され、続いて、窒素ガスが給気管１０を通じて供給されることにより、内部の酸素や水分を除去される。この際、収容部５０の周囲が隆起した分だけ待機室３の容積は減少された状態になっているため、待機室３を真空排気し、かつ、窒素ガスパージするのに必要な時間は短縮されることになる。」
カ　段落【００３２】〜【００３６】
「【００３２】予め設定された処理時間が経過すると、図２および図３に示されているように、ボート１９がボートエレベータ２０の昇降台２５によって下降されることにより、処理済みウエハＷを保持したボート１９が待機室３に搬出（アンローディング）される。・・・
【００３３】ボート１９が待機室３に搬出されると、ボート搬入搬出口１１がシャッタ１２によって閉鎖される。次に、待機室３がロードロックされた状態で、窒素ガスが待機室３に給気管１０および排気管９を通じて流通されることにより、ボート１９上の高温（例えば、５００〜６００℃）になった処理済みのウエハＷが窒素ガスによって強制冷却されて、ウエハ移載装置３０によって取扱い可能な温度（例えば、２００℃）まで降温される。この際、冷却媒体としての窒素ガスを待機室３へ給気管１０および排気管９によって強制的に流通させることにより、新鮮な低温の窒素ガスを高温のウエハＷに常に接触させることができるため、熱交換効率を高めることができ、窒素ガスの一次冷却によるウエハＷの降温時間を短縮することができる。
【００３４】ボート１９上の処理済みウエハＷがウエハ移載装置３０によって取扱い可能な温度に降温すると、待機室３のウエハ搬入搬出口５がゲート６によって開放される。続いて、降温されたボート１９の処理済みウエハＷがウエハ移載装置３０によって脱装（ディスチャージング）されてウエハ移載室２９に搬入され、冷却用ストッカ４０へ装填される。この冷却用ストッカ４０は使用済みのボート１９が転用されて構成されているため、装填されるウエハＷの温度がウエハ移載装置３０によって取扱い可能な最大温度（例えば、２００℃）であっても何らの支障もなく安全に保管することができる。
【００３５】冷却用ストッカ４０に装填された処理済みウエハＷは自然冷却によって二次冷却される。この際、冷却用ストッカ４０が設置されたウエハ移載室２９は室温（例えば、２５℃）に維持されており、処理済みウエハＷの温度（例えば、２００℃）との温度差が大きいため、冷却用ストッカ４０に装填されたウエハＷは効果的に自然冷却される。しかも、冷却用ストッカ４０がクリーンエアユニット３７に対向されていることにより、冷却用ストッカ４０に装填されたウエハＷには新鮮な低温のクリーンエアが常に接触するため、ウエハＷをクリーンエアによって強制冷却することができる。
【００３６】ボート１９上の処理済みウエハＷが冷却用ストッカ４０にウエハ移載装置３０によって全て移し換えられると、次回のバッチにおいて処理すべきウエハＷがポッドオープナ３９に供給されることにより、次のバッチのウエハＷがポッドオープナ３９から処理済みウエハＷが脱装された空のボート１９へウエハ移載装置３０によって順次装填されて行く。」
キ　ここで、図面の図２や図３を参照すると、ボート１９には複数枚のウエハＷが載置されているのが見て取れる。したがって、処理室１４がバッチ処理可能な処理室であることは明らかである。
　また、摘記事項オの段落【００２８】にあるように、ウエハＷをボート１９へ装填後、ロードロックされた状態で、待機室３は真空に排気されるのであるから、待機室３と連通している状態のウエハ移載室２９が通常は大気圧に維持されていることは明らかである。
　さらに、引用発明の「ウエハ移載室２９」は、ウエハ移載装置３０が設置されており、ポッドＰが載置される載置台３９ａを有するポッドオープナ３９と待機室３を形成したロードロックチャンバ４との間にあるのであるから、「処理前のウエハＷが搬送される搬送領域」を有していることは明らかである。そして、ウエハ移載装置３０はポッドＰと待機室３の間に設けられているのであるから、ウエハ移載装置３０が搬送領域に位置していることは明らかである。
ク　引用発明
　上記アないしカの摘記事項、キの認定事項及び図面より、引用例には、以下の「基板処理装置」が記載されていると認める。
「基板処理装置であって、
　前側にポッドＰが載置される載置台３９ａを有するポッドオープナ３９、後側にロードロックチャンバ４が接続され、処理前のウエハＷが搬送される搬送領域を有し、通常は大気圧に維持されるウエハ移載室２９を形成する筐体２と、
　前記ウエハ移載室２９の前側左隅部に設けられ、処理済みのウエハＷをクリーンエアユニット３７からの新鮮な低温のクリーンエアによって強制冷却する冷却用ストッカ４０と、
　ゲート６によって開閉されるウエハ搬入搬出口５が開設され、待機室３を形成したロードロックチャンバ４と、ロードロックチャンバ４の上に設置され、ロードロックチャンバ４の天井壁のボート搬入搬出口１１がシャッタ１２によって開閉され、ヒータユニット１３の内部にバッチ処理可能な処理室１４を形成するプロセスチューブ１５と、
　ボート１９の処理済みウエハＷ５枚をウエハ移載室２９の冷却用ストッカ４０へ装填するツィーザ３５を有する該搬送領域に位置したウエハ移載装置３０と、
を備えた前記装置。」（以下「引用発明」という。）
（３）対比
　補正発明と引用発明とを対比する。
　引用発明の「ウエハ移載室２９」、「ウエハＷ」は、それぞれ、補正発明の「ファクトリインタフェース」、「基板」に相当する。
　引用発明の「処理済みのウエハＷをクリーンエアユニット３７からの新鮮な低温のクリーンエアによって強制冷却する冷却用ストッカ４０」は、「基板の温度を調節する装置」という限りで、補正発明の「基板と接触することによって当該基板を加熱及び冷却するために、熱交換流体または熱電デバイスを用いて加熱及び冷却されるように適合されているプレート」と共通する。
　引用発明の「待機室３」と「処理室１４」とは、合わせて、補正発明の「基板処理チャンバ」に相当する。さらに、待機室３にはウエハ搬入搬出口５が開設されているのであるから、補正発明の「ファクトリインタフェースの搬送領域と連通している基板処理チャンバ」に相当することは明らかである。そして、引用発明の「バッチ処理可能」は、補正発明の「バッチ可能」に相当する。
　引用発明の「ウエハ移載装置３０」は、補正発明の「搬送ロボット」に相当する。ウエハ移載装置３０は５枚のウエハＷを装填するので、「１枚以上の基板を搬送するように適合されている」ものであることは明らかである。また、引用発明の「ボート１９の処理済みウエハＷ５枚をウエハ移載室２９の冷却用ストッカ４０へ装填するツィーザ３５を有する搬送領域に位置したウエハ移載装置３０」は、「基板の温度を調節する装置とバッチ可能な基板処理チャンバの間に１枚以上の基板を搬送するように適合されている搬送領域に位置した搬送ロボット」という限りで、補正発明の「プレートとバッチ可能な基板処理チャンバの間に１枚以上の基板を搬送するように適合されている搬送領域に位置した搬送ロボット」と共通する。
　以上のとおりであるので、両者は、次の「基板処理装置」で一致している。
＜一致点＞
「基板処理装置であって、
　通常は大気圧で維持され、処理前の基板が搬送される搬送領域を有するファクトリインタフェースと、
　前記ファクトリインタフェースに設けられ、前記基板の温度を調節する装置と、
　該ファクトリインタフェースの該搬送領域と連通しているバッチ可能な基板処理チャンバと、
　基板の温度を調節する該装置と該バッチ可能な基板処理チャンバの間に１枚以上の前記基板を搬送するように適合されている該搬送領域に位置した搬送ロボットと、
を備えた前記装置。」
　そして、両者は以下の点で相違している。
＜相違点＞
　基板の温度を調節する装置に関して、補正発明では、「ファクトリインタフェースの搬送領域に設けられ、基板と接触することによって当該基板を加熱及び冷却するために、熱交換流体または熱電デバイスを用いて加熱及び冷却されるように適合されているプレート」であると特定しているのに対して、引用発明では、処理済みのウエハＷをクリーンエアユニット３７からの新鮮な低温のクリーンエアによって強制冷却する冷却用ストッカ４０であって、ファクトリインタフェースに相当するウエハ移載室２９には設けられているものの、処理前の基板が搬送される搬送領域に設けられているものではない点。
（４）相違点の検討 
　上記相違点について検討する。
　基板の温度を調節する装置として、熱交換流体または熱電デバイスを用いて加熱及び冷却されるように適合されているプレートは、いわゆる「温調プレート」又は「温度調整プレート」として、例えば、特開２００３−７７９０６号公報（段落【００３１】〜【００３２】及び図面の図４参照。）、特開２００３−１４２３８６号公報（段落【００１７】〜【００１９】及び図面の図１、図２参照。）、特開２００１−１３４３２４号公報（段落【０００２】〜【０００５】、及び図面の図７参照。）に記載されているように、本件出願の優先権主張日前に周知の事項である。そして、基板処理チャンバで処理される基板は、該チャンバに搬送される前、あるいは、該チャンバから搬送された後、必要に応じて該基板の温度を調節することは半導体の製造工程上通常行われていること、従来周知の温調プレートを引用発明の温度を調節する装置として適用することを妨げる阻害要因も格別見当たらないこと、以上の点からすれば、引用発明において、基板であるウエハＷの温度を調節する装置として、引用発明において用いられている処理済みのウエハＷをクリーンエアユニット３７からの新鮮な低温のクリーンエアによって強制冷却する冷却用ストッカ４０に代えて、熱交換流体または熱電デバイスを用いて加熱及び冷却されるように適合されているプレートを用いるようにすることは、当業者にとって格別困難なことではない。
　また、プレートを搬送領域に設ける点についても、基板の搬送径路を短くすればそれだけ処理時間が短くなることは自明のことであるところ、製造工程において基板を処理する前に加熱や冷却する必要がある場合、基板の温度を調節する装置を搬送領域に設ければそれだけ処理時間が短くなることは明らかであるから、基板の温度を調整する装置を搬送領域に設けるようにしたことをもって、格別困難なこととすることはできない。
　補正発明の奏する作用ないし効果についても、引用発明、及び従来周知の事項から予測可能なものであって、格別なものではない。
　したがって、補正発明は、引用発明及び従来周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
（５）回答書における補正案について
　請求人は、平成２４年１２月２５日付けの回答書において、補正案を示している。この補正案の法的根拠は存在しないものの、一応検討するに、補正案の発明特定事項は、搬送領域で搬送される処理前の基板を「一枚ずつ」であると特定するとともに、プレートによって加熱及び冷却する基板も「一枚ずつ」であると特定するものである。
　しかしながら、基板を一枚ずつ搬送することは、特に例示するまでもなく半導体製造工程において通常採用されている事項であるとともに、基板の温度の調節を１枚ずつ行うことも、プレートによって基板を冷却した場合には当然一枚ずつ冷却することになるものであることからすれば、当該発明特定事項を考慮したとしても、上記「当業者が容易になし得たもの」との判断を覆すべきものではない。
（６）補正却下におけるむすび
　以上のとおりであるので、本件補正は、平成１８年法律第５５号による改正前の特許法（以下、「改正前特許法」という。）第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本件発明について
１　本件発明
　本件補正は、上記のとおり却下されたので、本件出願の請求項１ないし２０に係る発明は、平成２３年８月８日付け手続補正書により補正がされた特許請求の範囲及び明細書、出願当初の図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし２０に記載された事項により特定されるとおりのものであると認めるところ、請求項１に係る発明（以下「本件発明」という。）は、上記第２の１の（１）の補正前の特許請求の範囲の請求項１に示したとおりである。
２　対比及び判断
　本件発明は、前記第２の２で述べたとおり、補正発明の発明特定事項から、前記限定事項が省かれたものである。
　そうすると、上記第２の２の（４）で検討したとおり、本件発明は、引用発明及び上記従来周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
３　むすび
　以上のとおりであるので、本件発明は、引用発明及び従来周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本件出願の請求項２乃至２０に係る発明について検討するまでもなく、本件出願は拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。