【事件の表示】
　特願２００６−２２０８４７号「半導体装置及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１９年１２月　６日出願公開、特開２００７−３１８０５９号〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１８年８月１４日（優先権主張平成１８年４月２６日）の出願であって、平成２３年１２月５日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成２４年３月１２日に拒絶査定に対する不服審判の請求がなされるとともに、同日付けで手続補正（前置補正）がなされたものである。
　
２．平成２４年３月１２日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　　平成２４年３月１２日付けの手続補正を却下する。
［理由］
（１）補正後の本願発明について
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１は、
「【請求項１】
　半導体を含んでパッケージ化されており、
　基板と、
　回路面に能動素子が形成された半導体本体部分と、前記回路面に形成されたパッドと、
前記パッドを除く領域を覆って形成された酸化シリコンからなる保護層とからなり、前記基板にマウントされた第１半導体チップと、
　前記第１半導体チップの外周において前記基板に形成された段差緩和樹脂層と、
　能動素子が形成され、前記第１半導体チップの上方に積層してマウントされた第２半導体チップと
　を有する半導体装置。」
と補正された。
　上記補正は、補正前の請求項１に記載された発明を特定するために必要な事項である「半導体本体部分の能動素子が形成された回路面にパッドが形成され、前記パッドを除く領域は保護層で覆われた構成」について「回路面に能動素子が形成された半導体本体部分」と「前記回路面に形成されたパッド」と「前記パッドを除く領域を覆って形成された酸化シリコンからなる保護層」とに分けた構成とし、また、「保護層」について「酸化シリコンからなる保護層」と限定を付したものであるから、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法（以下「平成１８年改正前特許法」という。）第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本件補正後の前記請求項１に記載された発明（以下「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
（２）原査定の拒絶の理由に引用した文献等の記載
　
　ア　本願の優先権主張日前に頒布された刊行物１である特開２００４−９５８３６号公報（以下「引用例１」という）には、図面とともに次の(ア)〜(ウ)の事項が記載されている。なお、下線部は当審において付したものである。
　
　(ア)「【００１４】
【発明の実施の形態】
（第１実施形態）
図１はこの発明の第１実施形態としての半導体装置の断面図を示したものである。この半導体装置は、シリコン、ガラス、セラミックス、樹脂、金属などからなる平面正方形状の
ベース板２１
【００１５】
接着層２２の上面中央部には、ベース板２１のサイズよりもやや小さいサイズの平面正方形状の
半導体構成体２３
シリコン基板２４
接続パッド２５
　
　(イ)「【００１９】
半導体構成体２３の周囲における接着層２２の上面には方形枠状の埋込材３４が接着されている。この場合、
埋込材３４
埋込材３４の厚さは、半導体構成体２３の全体の厚さとほぼ同じとなっている。
　
　(ウ)「【００８９】
（第１６実施形態）
図３７はこの発明の第１６実施形態としての半導体装置の断面図を示したものである。この半導体装置では、平面正方形状の
ベース板７１
半導体構成体７３ａのシリコン基板７４ａ
【００９０】
第１の半導体構成体７３ａの周囲におけるベース板７１の上面には方形枠状の
第１の埋込材７５ａ
【００９１】
第１の上層再配線７７ａを含む第１の半導体構成体７３ａの上面には第２の接着層７２ｂを介して図１に示す場合と同様の
第２の半導体構成体７３ｂ
　
《引用発明》
　上記引用例１の記載事項(ア)〜(ウ)及び図に示された内容を総合すると、引用例１には、【図３７】の第１６実施形態中心に、以下の発明が記載されていると認められる。 （なお、【図１】の第１実施形態のみに符号があり、【図３７】の第１６実施形態で符号が省略されている部材があるので、【図１】の符号も併記して記載している。）
　
「半導体装置（符号なし）であって、
ベース板２１，７１と、
　シリコン基板２４，７４ａと、前記接続パッド２５と、
前記接続パッド２５の中央部を除くシリコン基板２４，７４ａの上面には酸化シリコンなどからなる絶縁膜２６とからなり、前記ベース板２１，７１にマウントされた（第１半導体チップを包含する）第１の半導体構成体２３，７３ａと、
　前記（第１半導体チップを包含する）第１の半導体構成体２３，７３ａの外周において半導体構成体２３の全体の厚さとほぼ同じとなるように前記基板に形成された第１の埋込材３４，７５ａと、
　能動素子が形成され、前記（第１半導体チップを包含する）第１の半導体構成体２３，７３ａの上方に積層してマウントされた（第２半導体チップを包含する）第２の半導体構成体７３ｂと
　を有する半導体装置」
　
（３）対比
　本願補正発明と引用発明を対比する。
まず、引用発明の「半導体装置（符号なし）」に関しては、引用例１の【図３７】に示されているものである。
　該第１６実施形態としての「半導体装置（符号なし）」が、全体としてパッケージ化されたものであることは、【図３８】〜【図４４】の製造工程から明白である。
　したがって、引用発明の「半導体装置（符号なし）であって」は、本願発明の「半導体を含んでパッケージ化され」たものということができる。
　
　次に、引用発明の「ベース板２１，７１」は本願補正発明の「基板」に相当し、以下同様に、「シリコン基板２４，７４ａ」は「回路面に能動素子が形成された半導体本体部分」に、「接続パッド２５」は「回路面に形成されたパッド」に、「接続パッド２５の中央部を除くシリコン基板２４，７４ａの上面には酸化シリコンなどからなる絶縁膜２６」は「パッドを除く領域を覆って形成された酸化シリコンからなる保護層」にそれぞれ相当する。
　また、「第１の埋込材３４，７５ａ」は半導体構成体２３の全体の厚さとほぼ同じとなっているから、結果として「第１の埋込材３４，７５ａ」より上方の段差を解消しているのであるから、引用発明の「半導体構成体２３の全体の厚さとほぼ同じとなっている第１の埋込材３４，７５ａ」は本願補正発明の「段差緩和樹脂層」に相当しているといえる。
　引用発明の「半導体構成体２３」は、ＣＳＰ（ｃｈｉｐ　ｓｉｚｅ　ｐａｃｋａｇｅ）と呼ばれるものであり、第１の半導体構成体２３，７３ａと第２の半導体構成体７３ｂは、それぞれ半導体チップを包含するものであるから、「第１の半導体構成体２３，７３ａ」及び「第２の半導体構成体７３ｂ」は本願補正発明の「第１半導体チップ」及び「第２半導体チップ」の対応しており、共通の技術概念といえる。
　
　上記の事項を考慮すると、両者は次の点で一致し、
「半導体を含んでパッケージ化されており、
　基板と、
　回路面に能動素子が形成された半導体本体部分と、前記回路面に形成されたパッドと、
前記パッドを除く領域を覆って形成された酸化シリコンからなる保護層とからなり、前記基板にマウントされた第１の半導体構成体と、
　前記第１の半導体構成体の外周において前記基板に形成された段差緩和樹脂層と、
　能動素子が形成され、前記第１の半導体構成体の上方に積層してマウントされた第２の半導体構成体と
　を有する半導体装置。」
　
　以下の点で一応相違する。
　（相違点）本願補正発明では「第１半導体チップ」及び「第２半導体チップ」であるのに対して、引用発明では「第１の半導体構成体２３，７３ａ」及び「第２の半導体構成体２３，７３ｂ」である点。
　
（４）当審の判断
　上記相違点に関しては、半導体チップをマウントするか、半導体チップ上に接続回路を設けた半導体構成体としてマウントするかの違いであり、これは当業者が使用する際の要望に応じ適宜選択する程度の設計上の事項ということができるので、引用発明に設計上の事項を施すことにより、本願補正発明の相違点に係る構成とすることは当業者であれば容易に為し得ることと認められる。
　
　そして、本願補正発明により得られる作用効果も、引用発明及び設計上の事項から当業者であれば予測できる範囲のものであって、格別のものとはいえない。 
　
　なお、請求人は、本願補正発明は、段切れを抑制する点、厚膜化を抑制する点等の課題効果を有する旨主張しているが、請求項１の記載は、依然として、基板と通常の半導体チップ同士を一つのチップの上方に他のチップを離して積層配置することと、段差緩和樹脂層との関係に特化して請求しているだけで、２回の補正時にも、課題効果と直結する構成の加入は為されなかったため、請求人の主張を採用することはできない。
　
　したがって、本願補正発明は、引用発明に設計上の事項を施して、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
（５）むすび
　以上のとおり、本件補正は、平成１８年改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
３．本願発明について
（１）本願発明 
　平成２４年３月１２日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成２３年８月８日付け手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定されるものと認められるところ、そのうちの請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次のとおりである。　
　
「半導体を含んでパッケージ化されており、
　基板と、
　半導体本体部分の能動素子が形成された回路面にパッドが形成され、前記パッドを除く領域は保護層で覆われた構成であり、前記基板にマウントされた第１半導体チップと、
　前記第１半導体チップの外周において前記基板に形成された段差緩和樹脂層と、
　能動素子が形成され、前記第１半導体チップの上方に積層してマウントされた第２半導体チップと
　を有する半導体装置。」
　
（２）刊行物等
　原査定の拒絶の理由に引用された刊行物等、および、その記載事項は、前記「２．（２）」に記載したとおりである。
　
（３）判断
　本願発明は、前記２．で検討した本願補正発明から「保護層」の限定事項である「酸化シリコンからなる」との構成を省き、個々の記載に分けた構成を一連の記載にしたものである。
　そうすると、本願発明の構成要件を全て含み、さらに他の構成要件を付加したものに相当する本願補正発明が、前記「２．（４）」に記載したとおり、引用発明に設計上の事項を施して、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、引用発明に設計上の事項を施して、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（４）むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用発明に設計上の事項を施して、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　そうすると、このような特許を受けることができない発明を包含する本願は、他の請求項について検討するまでもなく拒絶されるべきものである。 
　よって、結論のとおり審決する。