【事件の表示】
　特願２００１−５２７３１０「前処理を行なったガス整流板」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年　４月　５日国際公開、ＷＯ０１／２４２１６、平成１５年１１月　５日国内公表、特表２００３−５３３０１０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯  
　本願は、２０００年９月２７日（外国庁受理、パリ条約による優先権主張１９９９年９月３０日、米国）を国際出願日とする出願であって、平成１４年４月１日付けで特許法第１８４条の５第１項に規定する書面が提出されるとともに同法第１８４条の４第１項に規定する明細書、図面及び要約の翻訳文が提出され、平成２２年８月２０日付けで拒絶理由が通知され、同年１１月２４日付けで意見書及び手続補正書が提出され、平成２３年６月３０日付けで拒絶査定がなされ、同年１１月４日付けで拒絶査定不服審判が請求されるとともに手続補正書が提出され、その後、当審において平成２４年２月２３日付けで審尋がなされ、同年８月２８日付けで回答書が提出され、同年９月２１日付けで拒絶理由（以下、「当審拒絶理由」という。）が通知され、平成２５年３月２５日付けで意見書及び手続補正書が提出されたものである。 
　
第２　本願発明
　本願の特許請求の範囲の請求項１ないし２３に係る発明は、平成２５年３月２５日付け手補正書の特許請求の範囲の請求項１ないし２３に記載された事項により特定されるとおりのものであると認められるところ、請求項１及び８に係る発明は次のとおりである。
　
　「【請求項１】　半導体処理室を含む半導体製造装置内で使用されるガス整流板であって、
　プロセスガスを前記半導体処理室まで送給するための複数の開口部であり、機械加工により穿設された複数の開口部と、
　機械加工によって生じたミクロ欠陥をアニーリングプロセスによって減少したアニーリング処理表面と
　を備え、
　前記アニーリング処理表面は、少なくともＳｉ３Ｎ４およびＳｉＣのうちのいずれか一つを含むセラミックを含む
　ガス整流板。」（以下、「本願発明１」という。）
　
　「【請求項８】　プラズマ処理装置内で使用されるガス整流板を製造する方法であって、
　前記ガス整流板を形成するために材料を機械加工し、少なくともであり複数の開口部を穿設するするステップと、
　前記機械加工により生じたミクロ欠陥を減少するよう、前記ガス整流板の少なくとも一部をアニーリング処理するステップと
　を備え、
　前記ガス整流板の前記材料は、少なくともＳｉ３Ｎ４およびＳｉＣのうちのいずれか一つを含むセラミックである方法。」（以下、「本願発明８」という。）
　なお、上記請求項８の「少なくともであり複数の開口部」は「少なくとも複数の開口部」の誤記であることは明らかなので、以下、「少なくとも複数の開口部」として、検討する。
　
第３　引用文献の記載事項
　当審拒絶理由で引用した本願の優先日前に日本国内又は外国において頒布された刊行物は、以下のとおりである。
　引用文献１：国際公開第９８／１４９８０号
　引用文献２：特開平１１−５４４８８号公報
　引用文献３：特開平１０−１６７８５９号公報
　引用文献４：特開昭６２−７８１７８号公報
　引用文献５：特開昭６０−８１０７６号公報
　
１　引用文献１（国際公開第９８／１４９８０号）
　引用文献１には、図面とともに次の事項が記載されている（特表２００１−５０１３７９号公報（以下、「翻訳文」という。）の記載を、当審による翻訳として援用する。なお。下線は当審で付したものである。他の文献についても同様。）。
　
１ａ　「The invention relates to improvements in a plasma processing chamber and to a method of processing a substrate in the plasma processing chamber such as by plasma etching an oxide layer on a semiconductor wafer.」（第１ページ第５ないし７行：なお、行は各ページの左端に付された数字を参照している。以下、同様。）（訳：本発明は、プラズマ処理チャンバーの改良、及び
半導体ウェハ上の酸化物層をプラズマ・エッチングにより処理する方法等のプラズマ処理チャンバー中で基板を処理する方法
 　 
１ｂ　「FIG. 1 is a cross sectional view of a vacuum processing chamber having a liner, focus ring and gas distribution plate according to the invention;」（第３ページ第１４ないし１５行）（訳：図１は、本発明に係るライナー(ｌｉｎｅｒ)、フォーカスリング(ｆｏｃｕｓ　ｒｉｎｇ)及び
ガス分配プレート(ｇａｓ　ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎ　ｐｌａｔｅ）
　
１ｃ　「The invention provides improvements in reducing particle contamination of substrates such as semiconductor wafers, flat panel display substrates, and the like. The particle reduction can be achieved by utilizing silicon nitride as the material for members adjacent the substrate being processed in the chamber. Such members include non-electrically driven chamber parts such as liners, focus rings, gas distribution plates, and the like. 
 　In plasma etching of substrates, features can be etched into layers of various materials on substrates such as silicon wafers. In such etching processes, a gas distribution plate can be used to control the spacial distribution of gas flow in the volume of the reactor above the plane of the wafer. In the TCP 9100TM plasma etching reactor available from LAM Research Incorporated, the gas distribution plate is a circular plate situated directly below the TCPTM window which is also the vacuum sealing surface at the top of the reactor in a plane above and parallel to the wafer. The gas distribution plate is sealed using an O-ring to a gas distribution ring located at the periphery of the gas distribution plate. The gas distribution ring feeds gas from a source into the volume defined by the gas distribution plate, an inside surface of a window underlying a coil supplying RF energy into the reactor, and the gas distribution ring. The gas distribution plate contains an array of holes of a specified diameter which extend through the plate. The spacial distribution of the holes through the gas distribution plate can be varied to optimize etch uniformity of the layers to be etched, e.g. , a photoresist layer, a silicon dioxide layer and an underlayer material on the wafer. The cross-sectional shape of the gas distribution plate can be varied to manipulate the distribution of RF power into the plasma in the reactor. The gas distribution plate material must be a dielectric to enable coupling of this RF power through the gas distribution plate into the reactor. Further, the material of the gas distribution plate must be highly resistant to chemical sputter-etching in environments such as oxygen or a hydrofluorocarbon gas plasma in order to avoid breakdown and the resultant particle generation associated therewith. Moreover, the material of the gas distribution plate should have low levels of contaminants that might otherwise affect performance of devices on the wafer. 
 　According to the invention, it has surprisingly and unexpectedly been found that silicon nitride provides performance results which far exceed other materials such as aluminum nitride and alumina. In particular, when the gas distribution plate is made of silicon nitride, it is attacked at a much lower rate than a 99.5 % or 99.9% pure alumina gas distribution plate and the silicon nitride gas distribution plate resulted in much lower particle adds (accumulated particles) to the wafers during plasma etching with hydrofluorocarbon gases.」（第４ページ第２行ないし第５ページ第９行）（訳：本発明は、半導体ウェハ、フラット・パネル・ディスプレイ等のような基板のパーティクル汚染を低減することに関する改良を提供する。パーティクルの減少は、チャンバーの中で処理される基板に近接する部材の材料として
窒化シリコンを利用することによって達成される。
ガス分配プレート
　基板のプラズマエッチングでは、シリコンウェハのような基板の上の様々な層に特徴（ｆｅａｔｕｒｅｓ）がエッチングにより形成される。そのようなエッチング工程では、ウエハ平面の上のリアクタ（ｒｅａｃｔｏｒ）の体積中におけるガスフローの空間的な分配を制御するために、ガス分配プレートが使用され得る。ラムリサーチ・インコーポレイテッドが提供しているプラズマエッチング反応器ＴＣＰ９１００（商標）では、ガス分配プレートは、ＴＣＰ（商標）窓の直下に配置された環状（ｃｉｒｃｕｌａｒ）のプレートである。この窓はまた、リアクタの上部における真空シーリング面であり、ウェハの上部の該ウェハに平行な平面内に配置されてる。ガス分配プレートは、Ｏリングを使用して、ガス分配プレートの周辺に配置されたガス分配リングにシールされている。
ガス分配リングは、ガスをソースからガス分配プレート、リアクタにＲＦエネルギーを供給するコイルの下の窓の内面、及びガス分配リングによって規定される体積にガスを供給する。ガス分配プレートは、該プレートを貫通した特定の直径の複数の穴からなる配列を含んでいる。
　本発明に関して、窒化シリコンは、窒化アルミニウム及びアルミナのような他の材料を遥かに凌ぐ予測し得ない性能を齎すことが見出された。特に、
ガス分配プレートを窒化シリコンで形成した場合
 　 
１ｄ　「A gas distribution plate, commonly called a showerhead 22, is provided beneath the window 20 and includes a plurality of openings such as circular holes (not shown) for delivering process gas supplied by the gas supply 23 to the processing chamber 10」（第５ページ第２２ないし２５行）（訳：一般にシャワーヘッド２２と呼ばれるガス分配プレートは、窓２０の下に設けられ、ガス供給部２３によって
処理チャンバー１０に供給される処理ガスを分配するための円形の穴(不図示)のような複数の開口を含む。
　
１ｅ　「The process gas can include 10-200sccm CHF3,10-10 sccm C2HF5,and/or 10-100 sccm C2F6.」（第８ページ第１２及び１３行）（訳：
処理ガスには
ＣＨＦ
３
Ｃ
２
ＨＦ
５
Ｃ
２
Ｆ
６
を含め得る。
　
１ｆ　「The liner, focus ring and/or gas distribution plate can be made of various blends of silicon nitride based powder material having a predominant amount of silicon nitride. For instance, the total amount of silicon nitride can be at least 90 wt% , preferably ≧ 95 wt% , and more preferably ≧ 97 wt% . Examples of suitable compositions include (1) 97.37% Si3N4 + 1.66 wt% MgO + 0.97% SiO2 ; (2) 98.366% Si3N4 + 0.908% MgO + 0.726% Al2O3 ; (3) 97.496% Si3N4 + 1.12% MgO+ 0.487% SiO2 + 0.897% Al2O3 ; and (4) 96.639% Si3N4 + 1.331 % MgO + 0.966% SiO2 + 1.064% Al2O3 . The silicon and nitrogen are preferably present in amounts to sufficient achieve a nominal Si3N4 stoichiometry. Such mixtures can be formed into a desired shape, sintered and machined to desired tolerances and/or surface finishes on surfaces such as vacuum sealing surfaces.」（第９ページ第２５行ないし第１０ページ第４行）（訳：ライナー、フォーカス・リング、及び／又は
ガス分配プレートは、窒化シリコンを主成分とする窒化シリコン・ベースの粉末の種々の混合で形成することができる。
Ｓｉ
３
Ｎ
４
Ｓｉ
３
Ｎ
４
Ｓｉ
３
Ｎ
４
Ｓｉ
３
Ｎ
４
焼結して機械により所望の公差を持たせたり
　
１ｇ　「The gas distribution plate can include any desired hole pattern.」（第１０ページ第５行）（訳：
このガス分配プレートには、所望の穴のパターンを形成することができる。
　
１ｈ　「FIG. 5 shows a gas distribution plate according to the invention having 31 holes with 0.025 inch diameters. The hole pattern includes a center hole, 4 holes on a 2 inch diameter, 6 holes on a 4 inch diameter, 8 holes on a 6 inch diameter and 12 holes on an 8 inch diameter. The plate also includes a thicker outer edge thereof as shown in FIG. 6. Further, the surface of the plate facing the overlying window includes a pattern of rectangular grooves therein which distribute process gas to the gas outlets shown in FIG. 5. As shown in FIG. 7, 6 radially extending grooves are provided which are each 0.015 inch deep and 0.35 inch wide.」（第１０ページ第１３ないし２０行）（訳：図５は、本
発明に係るガス分配プレートであり
３１個の穴を有する。
更に、上部に配置される窓に対向する面は、長方形の溝のパターンを有し、これによって処理ガスが第５図に示すガス排出口に分配される。
　
２　引用文献２（特開平１１−５４４８８号公報）
　引用文献２には、図面とともに次の事項が記載されている。
　
２ａ　「
反応ガス整流用の小径孔を有する電極板
　
２ｂ　「前記電極板の材質が、シリコン、カーボン、アルミニウム、
炭化けい素
　
２ｃ　「【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマ装置、特には
半導体デバイス製造工程のプラズマエッチング装置に使用されるプラズマエッチング用電極板に関する
　
２ｄ　「本発明の電極板をプラズマドライエッチング用として図１に基づいて説明すると、
電極板１には、反応室内に向けて多数の小径孔３、４が穿設され
　
２ｅ　「図２は、
この電極板１がプラズマドライエッチング装置２０にセットされた状態を表しており
電極板１の小径孔で整流され
噴出
　
２ｆ　「この
電極板の小径孔は、超音波加工、放電加工、レーザ加工、或はダイヤモンドドリル加工によって穿設すれば
　
２ｇ　「次に、この素材をマシニングセンターに取り付け、電極板の中心から１００ｍｍφの内周領域内に、外径０．５５ｍｍの
単結晶ダイヤモンドツールを用いてピッチ間隔７ｍｍで１５８孔をダイヤ加工した。
　
２ｈ　「このようにして製造した電極板を図２に示したようなプラズマドライエッチング装置に取り付け、小径孔より
ＣＦ
４
ガスを噴出させ
エッチングを行った。
　
３　引用文献３（特開平１０−１６７８５９号公報）
　引用文献３には、図面とともに次の事項が記載されている。
　
３ａ　「【従来の技術】
半導体製造装置中においては
　
３ｂ　「そこで、本発明者は、焼結体の表面に対して少なくとも
研削加工を施すことによって所定形状の加工品を得た後に、この加工品を熱処理することを想到し
パーティクルの発生が著しく抑制される
　　
３ｃ　「本発明に従って、
加工品を熱処理することによって
パーティクル発生の原因となるようなマイクロクラック
　
３ｄ　「なお、炭化珪素焼結体または窒化珪素焼結体を熱処理することによって、焼結体の機械的強度を向上させるという発明は公知である（
特開昭６０−８１０７６号公報
　
３ｅ　「また、本発明のセラミックス部品を、ダミーウエハー、シャドーリング、高周波プラズマを発生させるためのチューブ、高周波プラズマを発生させるためのドーム、高周波透過窓、赤外線透過窓、半導体ウエハーを支持するためのリフトピン、シャワー板に対して適用できる。また、前記の能動型装置を半導体製造装置内の所定箇所に保持するためのアームを例示できる。」（段落【００２９】）
　
４　引用文献４（特開昭６２−７８１７８号公報）
　引用文献４には、図面とともに次の事項が記載されている。
　
４ａ　「１．
炭化珪素焼結体を所定形状に加工した後に、
炭化珪素焼結体加工品を加熱し、加工によって低下した機械的強度を向上させる
　
４ｂ　「本発明は炭化珪素焼結体加工品の非酸化性雰囲気下における加熱のアニーリングによる強度回復方法に関し、特に本発明は
炭化珪素焼結体を加工することによって低下した機械的強度をアニーリングにより炭化珪素焼結体加工品の強度回復を図る方法に関する。
　
４ｃ　「ところで、
セラミックス焼結体は
切削加工又は研磨加工などの機械的又は熱的衝撃により微細な加工キズやマイクロクラックが生じ、そのため機械的強度が加工前のセラミックス焼結体の強度に比し１〜６割位低下することが知られている。
　
４ｄ　「すなわち、本発明は炭化珪素焼結体の加工の際に生ずる表面加工キズ又は
マイクロクラックなどが原因で低下した機械的強度を非酸化性雰囲気下のアニーリングといういわば再焼成に近似した条件で再加熱し、ＳｉＣ粒子の拡散などにより表面加工キズやマイクロクラックなどを緩和ないし消滅させて機械的強度の向上による回復を図ることを目的とする
　
５　引用文献５（特開昭６０−８１０７６号公報）
　引用文献５には、図面とともに次の事項が記載されている。
　
５ａ　「１．
セラミツクスを所定の加熱温度で３０分以上保持する
２．
炭化硅素よりなるセラミツクス
３．
窒化硅素よりなるセラミツクス
　
５ｂ　「従来、たとえば
炭化硅素もしくは窒化硅素よりなるセラミツクスが機械加工などの後加工を受けた結果、材料表面にキズ、クラックなどの表面欠陥が発生した場合、材料の機械的強度が低下し、
 　 
５ｃ　「本発明は上記に鑑みてなしたもので、
セラミツクスの材料表面にキズ、クラツクなどの表面欠陥があつてもこれを消失させて機械的強度を向上させるセラミツクスの機械的強度向上法を提供する
　
５ｄ　「
表面に１５０μｍ程度の微細なクラツクを有する
　
　上記１ａないし５ｄの記載事項を、以下、「摘記事項１ａ」ないし「摘記事項５ｄ」という。
　
第４　引用文献に記載された発明
１　引用文献１に記載された発明
（１）引用文献１の摘記事項１ａ及び１ｂの記載によると、引用文献１には、プラズマ処理チャンバー内で使用されるガス分配プレート(ｇａｓ　ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎ　ｐｌａｔｅ）が記載されている。
（２）引用文献１の摘記事項１ｃ、１ｄ及び１ｈの記載によると、引用文献１には、ガス分配プレートは、処理ガスをプラズマ処理チャンバーまで供給するための複数の開口を備えることが記載されている。
（３）引用文献１の摘記事項１ｄ及び１ｇの記載によると、引用文献１には、ガス分配プレートは、形成された複数の開口を備えることが記載されている。
（４）引用文献１の摘記事項１ｃ及び１ｆの記載によると、引用文献１には、ガス分配プレートは、Ｓｉ３Ｎ４を主成分とする窒化シリコンベースの粉末の種々の混合で形成されることが記載されている。
　したがって、引用文献１には、次の発明が記載されていると認める。
　
　「プラズマ処理チャンバー内で使用されるガス分配プレートであって、
　処理ガスを前記プラズマ処理チャンバーまで供給するための複数の開口であり、形成された複数の開口と、
　Ｓｉ３Ｎ４を主成分とする窒化シリコンベースの粉末の種々の混合で形成された
　ガス分配プレート。」（以下、「引用発明１」という。）
　
２　引用文献２に記載された発明
（１）引用文献２の摘記事項２ａ、２ｃ及び２ｄの記載によると、引用文献２には、反応室を含む半導体デバイス製造工程のプラズマエッチング装置内で使用される反応ガス整流用の小径孔を有する電極板が記載されている。
（２）引用文献２の摘記事項２ａ及び２ｄの記載によると、引用文献２には、反応ガス整流用の小径孔を有する電極板は、反応ガスを反応室に噴出するための多数の小径孔を備えることが記載されている。
（３）引用文献２の摘記事項２ｄ、２ｆ及び２ｇの記載によると、引用文献２には、超音波加工、放電加工、レーザ加工、或はダイヤモンドドリル加工によって穿設された多数の小径孔が記載されている。
（４）引用文献２の摘記事項２ｂの記載によると、引用文献２には、反応ガス整流用の小径孔を有する電極板は、材質が炭化けい素であることが記載されている。
　したがって、引用文献２には、次の発明が記載されていると認める。
　
　「反応室を含むプラズマエッチング装置内で使用される反応ガス整流用の小径孔を有する電極板であって、
　反応ガスを前記反応室に噴出するための多数の小径孔であり、超音波加工、放電加工、レーザ加工、或はダイヤモンドドリル加工によって穿設された多数の小径孔と、
　材質は、炭化けい素である
　反応ガス整流用の小径孔を有する電極板。」（以下、「引用発明２ａ」という。）
　
　「プラズマエッチング装置内で使用される反応ガス整流用の小径孔を有する電極板を製造する方法であって、
　前記反応ガス整流用の小径孔を有する電極板を形成するために材質を超音波加工、放電加工、レーザ加工、或はダイヤモンドドリル加工し、多数の小径孔を穿設するステップと、
　を備え、
　前記反応ガス整流用の小径孔を有する電極板の前記材質は、炭化けい素である方法。」（以下、「引用発明２ｂ」という。）
　
第５　本願発明１と引用発明１との対比・判断
１　対比
　本願発明１と引用発明１を対比する。
（１）引用発明１における「プラズマ処理チャンバー」は、本願発明１における「半導体処理室」及び「半導体製造装置」に相当する。
（２）本願における「ガス整流板」は、原文では「gas distribution plate」と表記されており、本願明細書の段落【００２１】に「ガス整流板２００と真空板２０６との間には複数の整流溝部２０８が設けられている。各整流溝部２０８は、ガス供給管２１０から供給されて外周マニホールド２１２内に収集されたプロセスガスを、開口部２０２に分岐・供給する。一実施例では、各整流溝部２０８は、ガス整流板２００の背面２０７内に機械加工により形成される。」と記載されているように、その具体的な構成は、ガスを開口部に分配するための溝を有する板である。他方、引用文献１の摘記事項１ｇに記載されているように、引用文献１における「gas distribution plate」（訳：ガス分配プレート）も、ガスを開口部に分配するための溝を有する板である。したがって、引用発明１における「ガス分配プレート」は、本願発明１における「ガス整流板」に相当する。
（３）引用発明１における「処理ガス」は、本願発明１における「プロセスガス」に相当し、以下、同様に、「供給」は「送給」に、「開口」は「開口部」に、それぞれ、相当する。
（４）本願発明１における「機械加工により穿設」は形成の下位概念に当たるから、引用発明１における「形成された」と本願発明１における「機械加工により穿設された」は、「形成された」という限りにおいて一致する。
（５）引用発明１における「Ｓｉ３Ｎ４を主成分とする窒化シリコンベースの粉末の種々の混合で形成された」「ガス分配プレート」は、「ガス分配プレート」の表面が少なくともＳｉ３Ｎ４を含むセラミックを含むことは明らかであるから、引用発明１における「Ｓｉ３Ｎ４を主成分とする窒化シリコンベースの粉末の種々の混合で形成された」は、本願発明１における「表面は、少なくともＳｉ３Ｎ４およびＳｉＣのうちのいずれか一つを含むセラミックを含む」に相当する。
　よって、本願発明１と引用発明１は、以下の点で一致する。
　
　「半導体処理室を含む半導体製造装置内で使用されるガス整流板であって、
　プロセスガスを前記半導体処理室まで送給するための複数の開口部であり、形成された複数の開口部と、
　を備え、
　表面は、少なくともＳｉ３Ｎ４およびＳｉＣのうちのいずれか一つを含むセラミックを含む
　ガス整流板。」
　
　そして、以下の点で相違する
　
＜相違点１＞
　本願発明１は、ガス整流板の複数の開口部を、機械加工により穿設し、機械加工によって生じたミクロ欠陥をアニーリングプロセスによって減少したアニーリング処理表面を備えているのに対し、引用発明１は、そのような加工方法及び処理が特定されていない点。
　
２　相違点１についての判断
（１）引用文献２の摘記事項２ａ、２ｆ及び２ｇに記載されているように、ガス整流板の複数の開口部を機械加工により穿設することは周知である（以下、「周知技術１」という。）。
　また、引用文献４の摘記事項４ａないし４ｄ及び引用文献５の摘記事項５ａないし５ｄに記載されているように、Ｓｉ３Ｎ４又はＳｉＣよりなるセラミックを機械加工した際に生じたキズやマイクロクラックなどの表面欠陥が機械的強度を低下させるという問題があり、該問題を解決するために、該キズやマイクロクラックなどの表面欠陥をアニーリングによって緩和ないし消滅させて機械的強度を向上させることも周知である（以下、「周知技術２」という。）。
　ところで、上記のとおり、引用文献４の摘記事項４ａないし４ｄ及び引用文献５の摘記事項５ａないし５ｄには、Ｓｉ３Ｎ４又はＳｉＣよりなるセラミックを機械加工すると、マイクロクラックが生じることが記載され、引用文献３の摘記事項３ａないし３ｃには、エッチングガスとしてハロゲン系腐食性ガスを使用する半導体製造装置の用途に使用される製品において、マイクロクラックがパーティクル発生の原因になること、加えて、研削加工を施したことによって発生したマイクロクラックを熱処理により消滅させることが記載されている。
　他方、引用発明１における「ガス分配プレート」は、引用文献１の摘記事項１ａ及び１ｅに記載されているように、エッチングガスとしてハロゲン系腐食性ガスを使用する半導体製造装置の用途に使用される製品であり、引用文献１の摘記事項１ｃ及び１ｆに記載されているように、Ｓｉ３Ｎ４を含むセラミックを機械加工したものであるから、ガス分配プレートにマイクロクラックが生じ、それがパーティクル発生の原因となることは明らかである。
　したがって、引用発明１において、ガス整流板の複数の開口部を設けるために周知技術１を適用し、パーティクル発生の原因となるマイクロクラックを消滅させるために、周知技術２を適用して、相違点１に係る本願発明１の発明特定事項を採用することは、当業者であれば容易に想到し得たことである。
　
（２）また、引用発明１は、Ｓｉ３Ｎ４を含むセラミックを機械加工したものであるから、機械加工後の機械的強度を向上させる必要があることは明らかなものであり、引用文献４及び５に記載された周知技術２と、セラミックの機械加工後の機械的強度の向上を必要とする分野のものであるという点で共通するものである。
　したがって、引用発明１において、ガス整流板の複数の開口部を設けるために周知技術１を適用し、セラミックの機械加工後の機械的強度を向上させるために周知技術２を適用して、相違点１に係る本願発明１の発明特定事項を採用することは、当業者であれば容易に想到し得たことである。
　
（３）そして、引用発明１並びに周知技術１及び２からみて、本願発明１により、格別顕著な効果を奏するともいえない。
　
　なお、請求人は、平成２５年３月２５日付け意見書において、「周知技術文献４は、炭化ケイ素焼結体加工品の強度回復方法にかかるものであり、ガスタービン部品、高温熱交換器などを想定した技術です。ガス整流版分野の加工とは何ら関係がありません。周知技術文献５は、同様に炭化ケイ素よりなるセラミック部品の加工に関し、やはりターボチャージャの部品などに適用されている例が開示されているに過ぎません。
　してみると、これらの周知技術文献から、本願各請求項記載の発明が有する課題を解決するために適用可能な周知技術を抽出する作業には、上記判決が指摘した合理的な根拠を欠いていると言うべきです。」と主張する（当審注：周知技術文献４及び５は、それぞれ、引用文献４及び５のことである。）。しかし、引用文献３の摘記事項３ａないし３ｅに記載されているように、引用文献３は半導体製造装置に使用するセラミック部品に関するものであり、該引用文献３に公知文献として引用文献５が挙げられていることから（摘記事項３ｄ参照。）、引用文献４及び５に記載されたようなセラミック部品に関する技術は、半導体製造装置に使用するセラミック部品に関する技術分野においても、周知のものである。また、引用文献４及び５に記載された技術は、何れも、ガスタービン部品、高温熱交換器やターボチャージャの製造に特有の問題の解決を課題とするものではなく、セラミックを機械加工した場合に生じる機械的強度を低下させるという問題を解決することを課題とするものであり、ガスタービン部品、高温熱交換器やターボチャージャは用途の一例として挙げられたものにすぎないから、引用文献４又は５に記載された技術を周知技術２として認定することが許されないものではない。したがって、請求人の上記主張は採用できない。
　
３　小括
　以上のとおり、本願発明１は、引用発明１並びに周知技術１及び２に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
第６　本願発明１と引用発明２ａとの対比・判断
１　対比
　本願発明１と引用発明２ａを対比する。
　引用発明２ａにおける「反応室」は、本願発明１における「半導体処理室」に相当し、以下、同様に「プラズマエッチング装置」は「半導体製造装置」に、「反応ガス整流用の小径孔を有する電極板」は「ガス整流板」に、「反応ガス」は「プロセスガス」に、「チャンバーに噴出」は「半導体処理室まで送給」に、「多数」は「複数」に、「小径孔」は「開口部」に、「超音波加工、放電加工、レーザ加工、或はダイヤモンドドリル加工」は「機械加工」に、それぞれ、相当する。
　引用発明２ａにおける「材質は、炭化けい素である」「反応ガス整流用の小径孔を有する電極板」は、「反応ガス整流用の小径孔を有する電極板」の表面が少なくとも炭化けい素を含むセラミックを含むことは明らかであるから、引用発明２ａにおける「材質は、炭化けい素である」は、本願発明１における「表面は、少なくともＳｉ３Ｎ４およびＳｉＣのうちのいずれか一つを含むセラミックを含む」に相当する。
　したがって、本願発明１と引用発明２ａは、以下の点で一致する。
　
　「半導体処理室を含む半導体製造装置内で使用されるガス整流板であって、
　プロセスガスを前記半導体処理室まで送給するための複数の開口部であり、機械加工により穿設された複数の開口部と、
　を備え、
　表面は、少なくともＳｉ３Ｎ４およびＳｉＣのうちのいずれか一つを含むセラミックを含む
　ガス整流板。」
　
　そして、以下の点で相違する
　
＜相違点２＞
　本願発明１は、機械加工によって生じたミクロ欠陥をアニーリングプロセスによって減少したアニーリング処理表面を備えているのに対し、引用発明２ａは、そのような処理面が特定されていない点。
　
２　相違点２についての判断
（１）上記「第４　本願発明１と引用発明１との対比・判断」の「２　相違点１についての判断（１）」で、周知技術２として示したとおり、Ｓｉ３Ｎ４又はＳｉＣよりなるセラミックを機械加工した際に生じたキズやマイクロクラックなどの表面欠陥が機械的強度を低下させるという問題があり、該問題を解決するために、該キズやマイクロクラックなどの表面欠陥をアニーリングによって緩和ないし消滅させて機械的強度を向上させることは周知である。
　また、上記「第４　本願発明１と引用発明１との対比・判断」の「２　相違点１についての判断（１）」で示したとおり、引用文献４の摘記事項４ａないし４ｄ及び引用文献５の摘記事項５ａないし５ｄには、Ｓｉ３Ｎ４又はＳｉＣよりなるセラミックを機械加工すると、マイクロクラックが生じることが記載され、引用文献３の摘記事項３ａないし３ｃには、エッチングガスとしてハロゲン系腐食性ガスを使用する半導体製造装置の用途に使用される製品において、マイクロクラックがパーティクル発生の原因になること、加えて、研削加工を施したことによって発生したマイクロクラックを熱処理により消滅させることが記載されている。
　他方、引用発明２ａにおける「反応ガス整流用の小径孔を有する電極板」は、引用文献２の摘記事項２ｃ及び２ｈに記載されているように、エッチングガスとしてハロゲン系腐食性ガスを使用する半導体製造装置の用途に使用される製品であり、炭化けい素を機械加工したものであるから、電極板にマイクロクラックが生じ、それがパーティクル発生の原因となることは明らかである。
　したがって、引用発明２ａにおいて、パーティクル発生の原因となるマイクロクラックを消滅させるために、周知技術２を適用して、相違点２に係る本願発明１の発明特定事項を採用することは、当業者であれば容易に想到し得たことである。
　
（２）また、引用発明２ａは、炭化けい素、即ちＳｉＣを機械加工するものであるから、機械加工後の機械的強度を向上させる必要があることは明らかなものであり、引用文献４及び５に記載された周知技術２と、セラミックの機械加工後の機械的強度の向上を必要とする分野のものであるという点で共通するものである。
　したがって、引用発明２ａにおいて、機械加工後の機械的強度を向上させるために、周知技術２を適用し、相違点２に係る本願発明１の発明特定事項を採用することは、当業者であれば容易に想到し得たことである。
　
（３）そして、引用発明２ａ及び周知技術２からみて、本願発明１により、格別顕著な効果を奏するともいえない。
　
３　小括
　以上のとおり、本願発明１は、引用発明２ａ及び周知技術２に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
第７　本願発明８と引用発明２ｂとの対比・判断
１　対比
　本願発明８と引用発明２ｂを対比する。
　引用発明２ｂにおける「プラズマエッチング装置」は、本願発明８における「プラズマ処理装置」に相当し、以下、同様に、「反応ガス整流用の小径孔を有する電極板」は「ガス整流板」に、「材質」は「材料」に、「超音波加工、放電加工、レーザ加工、或はダイヤモンドドリル加工」は「機械加工」に、「多数」は「複数」に、「小径孔」は「開口部」に、「材質は、炭化けい素である」は「材料は、少なくともＳｉ３Ｎ４およびＳｉＣのうちのいずれか一つを含むセラミックである」に、それぞれ、相当する。
　したがって、本願発明８と引用発明２ｂは、以下の点で一致する。
　
　「プラズマ処理装置内で使用されるガス整流板を製造する方法であって、
　前記ガス整流板を形成するために材料を機械加工し、少なくとも複数の開口部を穿設するするステップと、
　を備え、
　前記ガス整流板の前記材料は、少なくともＳｉ３Ｎ４およびＳｉＣのうちのいずれか一つを含むセラミックである方法。」
　
　そして、以下の点で相違する
　
＜相違点３＞
　本願発明８は、機械加工により生じたミクロ欠陥を減少するよう、前記ガス整流板の少なくとも一部をアニーリング処理するステップを備えているのに対し、引用発明２ｂは、そのようなステップを備えていない点。
　
２　相違点３についての判断
（１）上記「第４　本願発明１と引用発明１との対比・判断」の「２　相違点１についての判断（１）」で、周知技術２として示したとおり、Ｓｉ３Ｎ４又はＳｉＣよりなるセラミックを機械加工した際に生じたキズやマイクロクラックなどの表面欠陥が機械的強度を低下させるという問題があり、該問題を解決するために、該キズやマイクロクラックなどの表面欠陥をアニーリングによって緩和ないし消滅させて機械的強度を向上させることは周知である。
　また、上記「第４　本願発明１と引用発明１との対比・判断」の「２　相違点１についての判断（１）」で示したとおり、引用文献４の摘記事項４ａないし４ｄ及び引用文献５の摘記事項５ａないし５ｄには、Ｓｉ３Ｎ４又はＳｉＣよりなるセラミックを機械加工すると、マイクロクラックが生じることが記載され、引用文献３の摘記事項３ａないし３ｃには、エッチングガスとしてハロゲン系腐食性ガスを使用する半導体製造装置の用途に使用される製品において、マイクロクラックがパーティクル発生の原因になること、加えて、研削加工を施したことによって発生したマイクロクラックを熱処理により消滅させることが記載されている。 
　他方、引用発明２ｂにおける「反応ガス整流用の小径孔を有する電極板」は、引用文献２の摘記事項２ｃ及び２ｈに記載されているように、エッチングガスとしてハロゲン系腐食性ガスを使用する半導体製造装置の用途に使用される製品であり、炭化けい素を機械加工したものであるから、電極板にマイクロクラックが生じ、それがパーティクル発生の原因となることは明らかである。
　したがって、引用発明２ｂにおいて、パーティクル発生の原因となるマイクロクラックを消滅させるために、周知技術２を適用して、相違点３に係る本願発明８の発明特定事項を採用することは、当業者であれば容易に想到し得たことである。
　
（２）また、引用発明２ｂは、炭化けい素、即ちＳｉＣを機械加工するものであるから、機械加工後の機械的強度を向上させる必要があることは明らかなものであり、引用文献４及び５に記載された周知技術２と、セラミックの機械加工後の機械的強度の向上を必要とする分野のものであるという点で共通するものである。
　したがって、引用発明２ｂにおいて、機械加工後の機械的強度を向上させるために、周知技術２を適用し、相違点３に係る本願発明８の発明特定事項を採用することは、当業者であれば容易に想到し得たことである。
　
（３）そして、引用発明２ｂ及び周知技術２からみて、本願発明８により、格別顕著な効果を奏するともいえない。
　
３　小括
　以上のとおり、本願発明８は、引用発明２ｂ及び周知技術２に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
第８　むすび 
　上記「第５」のとおり、本願発明１、即ち請求項１に係る発明は、引用発明１、即ち引用文献１に記載された発明並びに周知技術１及び２に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　また、上記「第６」のとおり、本願発明１、即ち請求項１に係る発明は、引用発明２ａ、即ち引用文献２に記載された発明及び周知技術２に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　さらに、上記「第７」のとおり、本願発明８、即ち請求項８に係る発明は、引用発明２ｂ、即ち引用文献２に記載された発明及び周知技術２に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本願は、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、拒絶されるべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。