(57)【要約】基板の下地膜を形成するときに例えばウェハのスクライブライン上に予め角型の第１の検査パターンを作成しておき、レジストパターンを作成するときに上から見た状態で第１の検査パターンに対して一直線となるように第２の検査パターンを作成しておく。第１、第２の検査パターンを含む領域に光を照射し、反射した回析光に基づいてスペクトルを作成すると、その中には第２の検査パターンの線幅と、両検査パターンのピッチとの情報が含まれる。そこで予め種々の検査パターンに基づくスペクトル群をシミュレーションで作成し、実際のスペクトルと比較することにより、最も近似するスペクトルを選択し、前記線幅とピッチとを推定してレジストパターンの評価を行う。
2003043064.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面にレジストが塗布されて、露光、現像処理がされた基板を検査する検査装置において、
前記基板を載置するための基板載置部と、
基板の下地膜およびレジストに夫々形成された第１の検査パターンおよび第２の検査パターンを含む領域に基板表面側から所定の波長の光を照射する光照射手段と、
この光照射手段から照射され、前記基板の表面部にて反射した光を検知する光検知部と、
光検知部の検知出力に基づいて、第１の検査パターンおよび第２の検査パターンにおける回析光による検査パターン用のスペクトルを作成する手段と、
第１の検査パターンおよび第２の検査パターンの各線幅と第１の検査パターンおよび第２の検査パターンの横方向の互いの位置関係とを種々変えてそれらの組み合わせに夫々対応する比較用のスペクトル群を作成する手段と、
前記比較用のスペクトル群と検査パターン用のスペクトルとを比較して、比較用のスペクトル群の中から検査パターン用のスペクトルに最も近似するものを選択する比較選択手段と、を備え、
選ばれた比較用のスペクトルから、基板に形成されたレジストパターンである第２の検査パターンの線幅と、当該基板における前記横方向の位置関係とを推定することを特徴とする基板検査装置。
【請求項２】
選択された比較用のスペクトルに対応する第２の検査パターンの線幅と前記位置関係と、第２の検査パターンの許容される線幅と許容される前記位置関係とに基づいて、レジストパターンの線幅と、レジストパターン及び下地膜の横方向の互いの位置関係とが適切であるか否かを判断する判断手段を備えたことを特徴とする請求項１記載の基板検査装置。
【請求項３】
第１の検査パターンおよび第２の検査パターンは、各々四角形状に作られており、基板の上方から見て交互に直線上に配列されていることを特徴とする請求項１または２記載の基板検査装置。
【請求項４】
第１の検査パターンおよび第２の検査パターンがＸ方向に直線上に配列された組と、第１の検査パターンおよび第２の検査パターンがＹ方向に直線上に配列された組とが用意され、各組毎に検査パターン用のスペクトルを作成すると共に各組の検査パターン用のスペクトル毎に最も近似する比較用のスペクトルを選択し、これら比較用のスペクトルに基づいて、レジストパターンと下地膜とのＸ方向の互いの位置関係およびＹ方向の互いの位置関係が各々適切であるか否かを判断することを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の基板検査装置。
【請求項５】
第１の検査パターンおよび第２の検査パターンの配列は、等間隔であることを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の基板検査装置。
【請求項６】
第１の検査パターンおよび第２の検査パターンは、基板の有効領域外に形成されることを特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載の基板検査装置。
【請求項７】
第１の検査パターンおよび第２の検査パターンは、各チップにカットされるスクライブラインに形成されることを特徴とする請求項１ないし６のいずれかに記載の基板検査装置。
【請求項８】
前記比較用のスペクトル群を作成する手段は、前記線幅及び位置関係の組に基づいて、シミュレーションにより比較用のスペクトルを作成するシミュレーション手段を備えたことを特徴とする請求項１ないし７のいずれかに記載の基板検査装置。
【請求項９】
第１の検査パターンおよび第２の検査パターンは、各々四角形状に作られており、基板の上方から見て同位置に直線上に配列されていることを特徴とする請求項１または２記載の基板検査装置。
【請求項１０】
複数の基板を収納した基板カセットを載置する載置部と、
基板に対してレジストを塗布する塗布ユニットと、
露光後の基板に対して現像を行う現像ユニットと、
基板に対してレジストを塗布する前または後、あるいは基板に対して現像を行う前または後に加熱及び冷却を行うための熱系ユニットと、
前記載置部、塗布ユニット、現像ユニット及び熱系ユニットの間で基板を搬送する搬送手段と、を備えた塗布現像装置において、
請求項１ないし９のいずれかの基板検査装置を設けたことを特徴とする塗布・現像装置。
【請求項１１】
表面にレジストが塗布されて、露光、現像処理がされた基板を検査する検査方法において、
前記基板を載置するための基板載置部に基板を搬入する工程と、
次いで、この基板の下地膜およびレジストに夫々形成された第１の検査パターンおよび第２の検査パターンを含む領域に基板表面側から所定の波長の光を照射し、その反射した光を光検知部で検知する工程と、
前記光検知部の検知出力に基づいて、第１の検査パターンおよび第２の検査パターンにおける回析光による検査パターン用のスペクトルを作成する工程と、
予め第１の検査パターンおよび第２の検査パターンの各線幅と第１の検査パターンおよび第２の検査パターンの横方向の互いの位置関係とを種々変えてそれらの組み合わせに夫々対応して作成した比較用のスペクトル群と、前記検査パターン用のスペクトルと、を比較して、比較用のスペクトル群の中から検査パターン用のスペクトルに最も近似するものを選択する工程と、
選ばれた比較用のスペクトルから、基板に形成されたレジストパターンである第２の検査パターンの線幅と、当該基板における前記横方向の位置関係とを推定する工程と、を備えたことを特徴とする基板検査方法。
【請求項１２】
選択された比較用のスペクトルに対応する第２の検査パターンの線幅と前記位置関係と、第２の検査パターンの許容される線幅と許容される前記位置関係とに基づいて、レジストパターンの線幅と、レジストパターン及び下地膜の横方向の互いの位置関係とが適切であるか否かを判断する工程を備えたことを特徴とする請求項１１記載の基板検査方法。
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は、例えば基板上に形成されたレジストパターンを検査する基板検査装置、この検査装置を備えた塗布・現像装置及び基板検査方法に関する。
背景技術
従来、半導体製造工程の一つであるフォトレジスト工程においては、例えば半導体ウェハ（以下ウェハＷという）表面にレジストを塗布し、レジストを所定のパターンで露光し、現像してレジストパターンを形成している。このような処理は、一般にレジストの塗布・現像を行う塗布・現像装置に、露光装置を接続したシステムを用いて行われる。
前記基板処理においては、レジストパターンの線幅が予定されている線幅であること、及びレジストパターンが形成される表面部の膜（レジストパターンを用いてこれからエッチングが行われる薄膜）の下地の膜（下地膜）に既に形成されているパターンに対してレジストパターンのＸ、Ｙ方向のレジストパターンが予定通りに形成されていることが必要である。このため従来では、例えば塗布・現像装置とは別個に設けられていたスタンドアローンタイプの検査装置を用いてレジストパターンについて線幅、下地膜との横方向の位置関係（オーバレイ）を検査している。線幅の検査は走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を備えた検査ユニットにて、電子線を基板表面に当て、その反射出力を解析して行っていた。またオーバレイは回析格子を設けた光学系を備えた検査ユニットにて、例えば図１７（ａ）に示すように下地膜とレジスト膜に夫々大小の角型の検査用パターン１（１ａ、１ｂ）を作り、光源をスキャンしながら照射して反射強度を解析し、図１７（ｂ）に示すように、小さい検査用パターン１ａの投影が大きい検査用パターン１ｂの中に収まっているか否かを調べ、オーバレイを検査していた。
しかしながら、上述した手法では以下の様な課題がある。即ち、検査項目によって複数の検査ユニットで処理を行っているため、各ユニット間の搬送時間も含め、検査に要する時間が長く、スループットの低下の要因の一つになっており、また検査装置の占有面積（フットプリント）も大きい。そしてレジストパターンの不良が発生すると、その後に続く基板についても同様の不良パターンが発生するおそれが大きいので、できるだけ早く検査を行うことが要請されている。
発明の開示
本発明はこのような事情に基づきなされたものであり、その目的は検査に要する時間を短縮し、検査装置の占有領域を小さくすることのできる技術を提供することにある。
本発明の基板検査装置は、表面にレジストが塗布されて、露光、現像処理がされた基板を検査する検査装置において、
前記基板を載置するための基板載置部と、
基板の下地膜およびレジストに夫々形成された第１の検査パターンおよび第２の検査パターンを含む領域に基板表面側から所定の波長の光を照射する光照射手段と、
この光照射手段から照射され、前記基板の表面部にて反射した光を検知する光検知部と、
光検知部の検知出力に基づいて、第１の検査パターンおよび第２の検査パターンにおける回析光による検査パターン用のスペクトルを作成する手段と、
第１の検査パターンおよび第２の検査パターンの各線幅と第１の検査パターンおよび第２の検査パターンの横方向の互いの位置関係とを種々変えてそれらの組み合わせに夫々対応する比較用のスペクトル群を作成する手段と、
前記比較用のスペクトル群と検査パターン用のスペクトルとを比較して、比較用のスペクトル群の中から検査パターン用のスペクトルに最も近似するものを選択する比較選択手段と、を備え、
選ばれた比較用のスペクトルから、基板に形成されたレジストパターンである第２の検査パターンの線幅と、当該基板における前記横方向の位置関係とを推定することを特徴とする。
本発明は、より具体的には例えば次のように構成される。例えば選択された比較用のスペクトルに対応する第２の検査パターンの線幅と前記位置関係と、第２の検査パターンの許容される線幅と許容される前記位置関係とに基づいて、レジストパターンの線幅と、レジストパターン及び下地膜の横方向の互いの位置関係とが適切であるか否かを判断する判断手段が設けられる。前記第１の検査パターンおよび第２の検査パターンは、例えば各々四角形状に作られており、基板の上方から見て交互に直線上に配列される。あるいは、第１の検査パターンおよび第２の検査パターンは、例えば各々四角形状に作られており、基板の上方から見て同位置に直線上に配列される。これらの検査パターンはＸ方向に直線上に配列された組と、第１の検査パターンおよび第２の検査パターンがＹ方向に直線上に配列された組とが用意され、各組毎に検査パターン用のスペクトルを作成すると共に各組の検査パターン用のスペクトル毎に最も近似する比較用のスペクトルを選択し、これら比較用のスペクトルに基づいて、レジストパターンと下地膜とのＸ方向の互いの位置関係およびＹ方向の互いの位置関係が各々適切であるか否かを判断するようにしても良い。
前記第１の検査パターンおよび第２の検査パターンの配列は、例えば等間隔に配列され、例えば、基板の有効領域外であり、各チップにカットされるスクライブラインに形成される。また前記比較用のスペクトル群を作成する手段は、前記線幅及び位置関係の組に基づいて、シミュレーションにより比較用のスペクトルを作成するシミュレーション手段を備えた構成としても良い。
また他の構成として、複数の基板を収納した基板カセットを載置する載置部と、基板に対してレジストを塗布する塗布ユニットと、露光後の基板に対して現像を行う現像ユニットと、基板に対してレジストを塗布する前または後、あるいは基板に対して現像を行う前または後に加熱及び冷却を行うための熱系ユニットと、前記載置部、塗布ユニット、現像ユニット及び熱系ユニットの間で基板を搬送する搬送手段と、を備えた塗布・現像装置に上述の基板検査装置を設けた構成としても良い。
本発明の基板検査装置によれば、単一の検査装置にて、検査パターンに所定の波長の光を照射し、その反射光を検知して得られた検査パターン用のスペクトルと、種々の形状のパターン対応した比較用のスペクトル群とを比較選択することにより、単一の検査工程でレジストパターンの線幅と下地膜との重なり具合を同時に検査することができる。このため検査に要する時間を短縮でき、検査装置の占有面積を小さくすることができる。
本発明の基板検査方法は、表面にレジストが塗布されて、露光、現像処理がされた基板を検査する検査方法において、
前記基板を載置するための基板載置部に基板を搬入する工程と、
次いで、この基板の下地膜およびレジストに夫々形成された第１の検査パターンおよび第２の検査パターンを含む領域に基板表面側から所定の波長の光を照射し、その反射した光を光検知部で検知する工程と、
前記光検知部の検知出力に基づいて、第１の検査パターンおよび第２の検査パターンにおける回析光による検査パターン用のスペクトルを作成する工程と、
予め第１の検査パターンおよび第２の検査パターンの各線幅と第１の検査パターンおよび第２の検査パターンの横方向の互いの位置関係とを種々変えてそれらの組み合わせに夫々対応して作成した比較用のスペクトル群と、前記検査パターン用のスペクトルと、を比較して、比較用のスペクトル群の中から検査パターン用のスペクトルに最も近似するものを選択する工程と、
選ばれた比較用のスペクトルから、基板に形成されたレジストパターンである第２の検査パターンの線幅と、当該基板における前記横方向の位置関係とを推定する工程と、を備えたことを特徴とする。
また選択された比較用のスペクトルに対応する第２の検査パターンの線幅と前記位置関係と、第２の検査パターンの許容される線幅と許容される前記位置関係とに基づいて、レジストパターンの線幅と、レジストパターン及び下地膜の横方向の互いの位置関係とが適切であるか否かを判断する工程を備えた構成としても良い。
発明を実施するための最良の形態
本発明の実施の形態を説明するにあたり、検査の原理について図１、図２を用いて説明する。検査は被検査基板に形成された、例えば図１に示すように下地膜２０に形成されている第１の検査パターン２と、表面部の膜３０の表面に形成されるレジストパターンである第２の検査パターン３とで構成される検査パターンに対して行われ、第２の検査パターン３の線幅ｘと、両検査パターン（２、３）の横方向の互いの位置関係（ピッチｄ）が検査の項目となる。検査としては、先ず図２（ａ）に示すように特定の波長の単色光Ｌ１を入射して、反射光である回析光Ｌ２を検知し、図２（ｂ）に示すように波長λと光強度Ｉとの関係を示す検査パターン用のスペクトルＳが得られる。
本発明の検査手法は、前記スペクトルＳに前記線幅ｘ及び第１の検査パターン２の側壁面と第２の検査パターンの側壁面（上から見たときに前記側壁面と対向する側壁面）との横方向の互いの離間距離などの情報が含まれていることに着目したものである。この場合、第２の検査パターンの線幅と前記離間距離により、両検査パターン（２、３）の中心線の横方向の互いの位置関係であるピッチｄを求めることができるので、結局ピッチｄも前記スペクトルＳに情報として含まれることになるが、前記スペクトルＳから直接パターン形状を特定するのではなく、図２（ｃ）に示すように種々の線幅ｘ１、ｘ２、…ｘｎと横方向の位置関係（ピッチ）ｄ１、ｄ２、…ｄｎとが組み合わされたパターン形状に対応する複数の比較用のスペクトル群Ｓ１〜Ｓｎのデータベース４を予めシミュレーションにて作成しておき、検査パターン用のスペクトルＳと比較用のスペクトル群Ｓ１〜Ｓｎとを比較して、図２（ｄ）に示すようにスペクトル群Ｓ１〜Ｓｎの中から検査パターンに対応するスペクトルＳと同一か最も近似したスペクトルＳｋを選択するようにしている。
続いてスペクトル群Ｓ１〜Ｓｎの中から選択された比較用のスペクトルＳｋに対応する線幅ｘｋ、ピッチｄｋは既に分かっているので、図２（ｅ）に示すようにこの線幅ｘｋ、ピッチｄｋが、第２の検査パターン３の線幅ｘ（＝ｘｋ）、両検査パターン２、３のピッチｄ（＝ｄｋ）であると推定する。そしてこの線幅ｘｋと、予定とする検査パターン３の線幅ｘ０（理想データ）との差によって線幅精度が求められ、またピッチｄｋと予定とするピッチｄ０（理想データ）との差によって下地膜に対するレジストパターンの横方向の位置（オーバレイ）精度が求められる。
基板の検査手法について図３〜図６を用いて更に詳述する。先ず被検査基板、例えば半導体ウェハ（以下ウェハＷ）表面において、図３に示すように有効領域であるチップ形成領域５の範囲外にある最終的に不要となる部位、例えばスクライブライン５１（縦横に配列されるチップ間の領域であってダイヤモンドカッター等でカットする部位）の領域内に検査対象とする検査パターン２，３を形成する。
前記検査パターンは、例えば図３中の点線部の詳細図である図４に示すように、予めウェハＷの下地膜２０に第１の検査パターン２（２ａ、２ｂ、２ｃ）を形成しておき、次いで表面部の膜３０にレジストが塗布されたウェハＷに対して、第２の検査パターン３（３ａ、３ｂ）に対応するパターンを含む露光マスクを用いて露光し、現像処理を施して第２の検査パターン３を形成する。これらの検査パターン（２，３）は、例えば平面形状が縦横２μｍ×５μｍの四角形状のパターンを下地膜とレジストとに交互にかつ上方から見て一直線上に等間隔のピッチｄ、例えば５μｍピッチに位置するように形成される。ここで検査対象とする第２の検査パターン３の線幅ｘはパターンの配列方向（Ｘ方向）の線幅ｘである。またＸ方向のオーバレイとＹ方向のオーバレイとを検査するために、Ｘ方向に向かって配列されるパターンとＹ方向に向かって配列されるパターンとの２組の検査パターンを形成するのが好ましい。
続いて図５（ａ）に模式的に示すように、前記第１の検査パターン２と第２の検査パターン３が配列されている領域をカバーできる大きさの照射領域（図中点線部）を有する単色光、例えばヘリウム−ネオンレーザーから分光した特定の波長の光を、例えば図５（ｂ）に示すような反射型で入射し、その反射光である回析光を検出することにより、図６に示すように波長λと光強度Ｉの関係を示す検査パターン用のスペクトルＳが得られる。この検査パターン用のスペクトルＳには検査パターンの形状、例えば線幅ｘ、ピッチｄに夫々対応した波形が表れ、例えば検査パターンの線幅ｘが変わればその線幅ｘに、ピッチｄが変わればそのピッチｄに対応した波形となる。
一方、検査パターン用のスペクトルＳと比較をするための比較用のスペクトル群Ｓ１〜Ｓｎを想定し、このスペクトル群Ｓ１〜Ｓｎのデータベース４を作成するためのシミュレーションを、コンピュータシステムを用いて行う。先ず比較用のスペクトルを想定するための仮想モデルを設定する。この仮想モデルは検査の対象とされるパターンの線幅ｘ、ピッチｄだけでなく、例えばレジスト膜厚、レジスト膜質、下地膜の膜厚、下地膜の膜質等のパラメータ値（具体的な数値）を設定することにより行う。この場合、仮想モデルをより具体的に設定するために、パターンの線幅ｘについては、例えば図７に示すようにパターン上段の線幅ｘＴ、パターン中段の線幅ｘＭ、パターン下段の線幅ｘＢも設定可能な構成とするのが好ましい。
続いて設定された仮想モデルのパターンに対して、実際に単色光を入射すれば得られるであろうスペクトルの波形をシミュレーションにより想定する。このシミュレーションは、例えば以下の手法に基づいて行われるが、予め実験にて、実際の形状が既知のパターンに対して照射して得られたスペクトルを用いて補正を加えるようにしても良い。光を反射型で入射する場合は、上述のしたように波長λと光強度Ｉとの関係が検出される。そこで例えば分散式を用いて波長λと光強度Ｉとの関係を導くことによりスペクトルの波形が想定され、スペクトルＳ１が得られる。更にこの仮想モデルのパラメータのうち、ピッチｄ、線幅ｘ（パターン上段の線幅ｘＴ、パターン中段の線幅ｘＭ、パターン下段の線幅ｘＢ）を、検査パターンに応じて、１０〜５００ｎｍの範囲で、例えば１３０ｎｍ間隔、１５０ｎｍ間隔で夫々変化させ、それらの種々の組み合わせに対応した比較用のスペクトル群Ｓ２、Ｓ３、…Ｓｎも同様の手法にて作成することにより、多数の比較用のスペクトル群Ｓ１〜Ｓｎが得られる。
続いて検査パターン用のスペクトルＳと比較用のスペクトル群Ｓ１〜Ｓｎの波形とを比較、例えば部分的最小二乗法、多変数解析アルゴリズム、最少二乗平均誤差解析などの数学的手法を用いて両スペクトルの波形をフィッティングさせる。その結果、比較用のスペクトル群Ｓ１〜Ｓｎの中から検査パターン用のスペクトルＳと同一か最も近似したスペクトルＳｋが選択される。なおフィッティングはスペクトル全体の波形に対して行っても良く、線幅ｘとピッチｄに対応する部位に対して行っても良い。
選択された比較用のスペクトルＳｋは線幅ｘｋとピッチｄｋが既に分かっているので、検査用のパターンの線幅ｘとピッチｄは、夫々この線幅ｘｋとピッチｄｋと推定される。即ち第２の検査パターンであるレジストパターンの線幅およびピッチｄｋの結果からレジストパターンと下地膜との横方向の位置関係（オーバレイ）が推定される。更に予定とするパターンの線幅ｘ０、ピッチｄ０（理想データ）との差（ズレ）によってレジストパターンの線幅精度及びオーバレイ精度が求められる。その結果はウェハＷ全体の線幅精度、オーバレイ精度と把握され、予め決められている規格の範囲内であるかを見て合格品であるか否か判定される。
続いて本発明に係る検査装置の実施の形態について図８〜図１０を用いて説明する。この検査装置は、筐体６１の中に設けられたウェハＷの載置部である載置台６２と、載置台６２上のウェハＷに対して光を照射しかつ反射光を検出する光学系７と、検出した信号の処理などを行う制御部８とを備えている。前記載置台６２はウェハＷを水平に支持して駆動機構６３により上下移動および回転可能に構成されている。
前記光学系７は図９に示すように、光源７０例えばキセノンランプの光から特定の波長の光に分光するための回析格子７１と光学フィルター７２、および光を集光しウェハＷに入射するためのレンズ７３からなる照射手段と、ウェハＷにて反射した光を検知するホトダイオード７４と増幅器７５からなる検知手段とで構成されている。この場合ウェハＷ表面の任意の部位に照射できるように移動可能なプローブ７６内に前記光学フィルター７２、レンズ７３およびホトダイオード７４が設けられ、筺体６１の外に備えられた外ユニット７７に光源７０、増幅器７５が設けられており、光ファイバ７８を介して夫々接続された構成である。
また制御部８は実際にはＣＰＵ、メモリ、プログラム等で構成されたコンピュータシステムであるが、ここでは図１０に示すような機能別の構成要素に分けて説明する。８０は仮想モデルのパラメータを入力するためのキーボードやタッチパネルなどの入力部、８１は比較用のスペクトル作成プログラムを格納した記憶部８１である。８２は検査パターン用のスペクトル作成プログラム８３と、検査パターン用のスペクトルＳと比較用のスペクトル群Ｓ１〜Ｓｎとを比較、選択するための比較、選択プログラム８４と、推定された線幅とオーバレイから合格品であるか否かを判定するための判定プログラム８５とを記憶する記憶部８２である。８６はＣＰＵ、８７は作成された比較用のスペクトル群Ｓ１〜Ｓｎを格納する記憶部８７である。８８は作成された検査パターン用のスペクトルＳを格納する記憶部、８９は選択されたスペクトルＳｋのパラメータと理想データとを格納する記憶部である。なおＢはバスあり、このバスＢには既述の光学系７が接続される。
続いて前記検査装置を用いた検査の工程について説明する。先ず図１１のステップＳ１に示すように、検査を行う前に予め仮想モデルに設定されたパラメータ値である第１の検査パターン２の線幅、第１の検査パターン２及び第２の検査パターン３の離間距離（横方向の位置関係）を入力部８０から入力し、前記プログラム８１により、そのパラメータ値に対応する比較用のスペクトルＳ１を作成する。そしてこれらパラメータ値を種々変えて、比較用のスペクトル群Ｓ１〜Ｓｎが作成され、記憶部８７に格納される。比較用のスペクトル群Ｓ１〜Ｓｎは、例えば２０〜５０万個作成される。
次いでステップＳ２に示すように、既に第１の検査パターン２が形成されたウェハＷに対してレジストを塗布した後、回路パターンと第２の検査パターン３とを含むパターンに対応する形状の露光マスクを用いて露光し、現像処理を施してウェハＷ表面に第２の検査パターン３を含むレジストパターンを形成する。このウェハＷはステップＳ３に示すように図示しない移送アームにより回転載置台６２に載置され、ウェハＷ表面に形成された第１の検査パターン２および第２の検査パターン３からなる検査用パターンに対応する位置にプローブ７６が水平移動し、更に下降して、ウェハＷ表面から所定の高さ位置、例えば１〜２０ｍｍの高さに設定される。
続いて光源７０から発した光は回析格子７１と光学フィルタ７２を介して、例えば３００ｎｍ〜７００ｎｍの範囲内で設定される特定波長λの光となり、レンズ７３を介して集光され、ウェハＷに対して真上から照射される。その反射光である回析光はホトダイオード７４に検知され、増幅器７５を介して検査パターン用スペクトルＳを作成するためのデータとして制御部８に取り込まれ、プログラム８３により検査パターン用のスペクトルＳが作成され記憶部８８に格納される。
更にステップＳ４に示すように検査パターン用のスペクトルＳは、比較、選択プログラム８４により、記憶部８７内の比較用のスペクトル群Ｓ１〜Ｓｎと比較され、検査パターン用のスペクトルＳと同一または最も近似した比較用のスペクトルＳｋが選択されて記憶部８９に格納される。この比較用のスペクトルＳｋの線幅ｘｋとピッチｄｋが検査パターンの線幅ｘとピッチｄであると推定される。
一方記憶部８９には、予定とするパターンの線幅ｘ０、ピッチｄ０（理想データ）が書き込まれ、ステップＳ５に示すように、判定プログラム８５により、推定された線幅ｘｋとｘ０とが比較されると共に、ピッチｄｋとｄ０とが比較され、その差（ズレ）の程度が、予め決められている規格（許容範囲）内に収まっているか否かにより合格品であるか否か判定される。ここで１組の検査パターン、例えばＸ方向に配列された検査パターンの判定がされると、続いてＹ方向に配列された検査パターンについて同様の手法により検査が行われる。
上述の実施の形態によれば、光を照射して得られる検査パターン用のスペクトルＳに基づいてレジストパターンの線幅と、下地膜に対するレジストパターンの横方向の位置関係（オーバレイ）とを同時に検査することができ、このため検査にかかる時間を短縮できる。また単一の検査装置で構成されることより、検査装置の占有面積を小さくできる効果が得られる。また付加的な効果であるが、従来線幅の検査を行っていたＳＥＭとの測定の精度を実験により比較すると、ＳＥＭの測定再現精度が２〜３ｎｍに対し、上述の手法は０．８ｎｍであったことより、測定の精度が向上したことを確認している。
本発明の他の実施の形態として、ウェハＷ表面に形成するＸ方向およびＹ方向に配列される検査パターンは、図１２（ａ）に示すように十文字に配列しても良く、あるいは図１２（ｂ）に示すようにＬ字に配列しても良い。この場合Ｘ方向とＹ方向の双方の検査パターン全体に対して照射することにより、両方のパラメータの組み合わせが１つの検査用のスペクトルＳに含まれる。このためＸ方向とＹ方向について同時に検査を行うことができ、検査に要する時間を更に短縮することができる。
また光を照射する手法は、上述の反射型の入射に限られず、図１３に示すようにエリプソ型の斜入射としても良い。この様な構成の場合、光を検査パターンに照射することにより、線幅ｘとピッチｄの両方の情報が含まれてた波長λと光の位相変化（ｃｏｓΔ）の関係、及び波長λと光強度変化（ｔａｎψ）の関係のうち少なくとも一方の結果が得られる。またエリプソ型の斜入射においてもＸ方向とＹ方向に配列される２組の検査パターンのうち、１組の照射が終了されると、ウェハＷを９０度回転させ、他方の検査パターンに照射を行うことにより、Ｘ方向及びＹ方向についての検査パターンの線幅ｘ、ピッチｄを特定することができる。このため上述の場合と同様の効果が得られる。
図１４に本発明の他の実施の形態を示しており、図１４（ａ）は、検査パターンを上方から見たものであり、図１４（ｂ）は側面から見たものである。（ａ）に示すように、第１の検査パターン２と第２の検査パターン３とが上方から見て同位置に配置されている。すなわち、図１４（ｂ）に示すように、第１の検査パターン２と第２の検査パターンとが、基板の表面に垂直な方向で重なって配置されている。このような検査パターンであっても、上記実施の形態と同様に、この図１４に示す検査パターン用のスペクトルを比較用のスペクトルと比較して、検査パターンの線幅とピッチを推定することができる。
次に基板の塗布・現像装置に上述の検査装置を組み込んだ実施の形態について図１５及び図１６を参照しながら説明する。図１５及び図１６中、９１は例えば２５枚のウェハＷが収納されたカセットＣを搬入出するためのカセットステーションであり、このカセットステーション９１には前記カセットＣを載置する載置部９１ａと、カセットＣからウェハＷを取り出し、移送するための移送アームＭ１とが設けられている。カセットステーション９１の奥側には、例えばカセットステーション９１から奥を見て例えば右側には塗布・現像系のユニットＵ１が、左側、手前側、奥側には熱系（加熱・冷却系）のユニット等を多段に積み重ねた棚ユニットＵ２，Ｕ３，Ｕ４が夫々配置されていると共に、塗布・現像系ユニットＵ１と棚ユニットＵ２，Ｕ３，Ｕ４との間でウェハＷの受け渡しを行うための搬送アームＭＡが設けられている。但し図１６では便宜上移送アームＭ１、ユニットＵ２及び搬送アームＭＡは描いていない。なおこの例では移送アームＭ１と搬送アームＭＡとにより、カセットＣ、各ユニットＵ１〜Ｕ４の間でウェハＷを搬送する搬送手段が構成される。
塗布・現像系のユニットＵ１においては、例えば上段には２個の上述の現像装置を備えた現像ユニット９２が、下段には２個の塗布装置を備えた塗布ユニット９３が設けられている。棚ユニットＵ２，Ｕ３，Ｕ４においては、熱処理部である加熱ユニットや冷却ユニットのほか、ウェハの受け渡しユニットや疎水化処理ユニット等が上下に割り当てされている。
この搬送アームＭＡや塗布・現像系ユニットＵ１等が設けられている部分を処理ブロックと呼ぶことにすると、当該処理ブロックはインターフェイスユニット９４を介して露光ブロック９５と接続されている。インターフェイスユニット９４はウェハＷの受け渡し手段９６により前記処理ブロックと露光ブロック９５との間でウェハＷの受け渡しを行うものである。
また塗布、現像処理を終えたウェハＷに対して、既述の検査を行うための検査装置１００、例えば図７に示すような検査装置は、カセットステーション９１に対して隣接している検査ステーション９７に設けられており、例えば３個の検査装置１００が上下に積み重ねられた構成である。これら検査装置１００にウェハＷを搬入するための補助アームＭ２が回転および昇降移動可能に構成されている。また補助アームＭ２と移送アームＭ１とが夫々ウェハＷを搬入出可能なように両側が開口し、その内部にウェハＷが例えば２５枚保持できる棚を備えた中間載置台９８が設けられており、この中間載置台９８を介して検査ステーション９７とカセットステーション９１との間でウェハＷの受け渡しがされる。
前記装置のウェハの流れについて説明すると、先ず外部から既に第１の検査パターン２が形成されたウェハＷが収納されたウェハカセットＣが載置部９１ａに載置され、移送アームＭ１によりカセットＣ内からウェハＷが取り出され、加熱・冷却ユニットＵ３の棚の一つである受け渡し台を介して搬送アームＭＡに受け渡される。次いでユニットＵ３の一の棚の処理部内にて疎水化処理が行われた後、塗布ユニット９２にてレジスト液が塗布され、レジスト膜が形成される。
レジスト膜が塗布されたウェハＷは加熱ユニットで加熱された後、ユニットＵ４のインターフェースユニット９４の受け渡し手段９６と受渡し可能な冷却ユニットに搬送され、処理後にインターフェイスユニット９４，受け渡し手段９６を介して露光装置９５に送られ、ここで回路パターンと第２の検査パターン３とを含むパターンに対応するマスクを介して露光が行われる。露光処理後のウェハを受け渡し手段９６で受け取り、ユニットＵ４の受け渡しユニットを介して処理ブロックのウェハ搬送アームＭＡに渡す。なお露光処理の際、ウェハＷの熱伸縮によりオーバレイの精度が低下するのを抑えるため、インターフェイスユニット９４と露光装置９５内の温度を略同一に保持するのが好ましい。
この後ウェハＷは加熱ユニットで所定温度に加熱され、しかる後冷却ユニットで所定温度に冷却され、続いて現像ユニット９３に送られて現像処理され、レジストパターンと第２の検査パターン３が形成される。しかる後検査を行うウェハＷは移送アームＭ１により中間載置台９８に搬入され、補助アームＭ２を介して検査装置に設けられた載置台６２に載置され、上述の検査を終えると補助アームＭ２により搬出され、中間載置台９８を介して移送アームＭ１によりカセットＣ内に戻される。合格したものは次工程であるエッチング工程に送られるが、不合格となったものは表面のレジストが取り除かれた後、再度塗布・現像装置の載置部９１ａにセットされ、同様の工程を経てレジストパターンが形成される。不合格になったウェハＷを収めるカセットを予め載置部９１にセットしておき、検査結果により分別するようにしても良い。
このような実施の形態の場合、既述と同様の効果が得られるたけでなく、検査工程をウェハＷのフォトレジスト工程中に一体化させたことより、塗布・現像装置と検査装置間の搬送、不合格品の分別にかかる時間を短縮することができる。このため検査時間が更に短縮されスループットの低下が抑えられる。
更に本発明において検査は上述の線幅とオーバレイに限られず、レジストパターンである第２の検査パターンの膜厚を検査項目に含めても良い。つまり線幅、ピッチに加えて第２の検査パターンの膜厚のパラメータ値を種々変えて、それらの組み合わせに夫々対応する比較用のスペクトル群Ｓ１〜Ｓｎを作成し、検査パターン用のスペクトルＳと上述の場合と同様に比較、選択を行い検査パターンの線幅、ピッチおよびレジスト膜厚を特定する。この場合、線幅、オーバレイ、レジスト膜厚の検査を単一の検査装置および単一の工程で行うことができ、検査に要する時間の短縮と検査装置の占有面積の縮小化ができる。また本発明は、被処理基板に半導体ウェハ以外の基板、例えばＬＣＤ基板、フォトマスク用レチクル基板の検査にも適用できる。
産業上の利用可能性
以上のように本発明によれば、単一の基板検査装置で、単一の検査工程を行うことによりレジストパターンの線幅と下地膜との横方向の位置関係（オーバレイ）を検査することができる。このため基板検査に要する時間を短縮でき、基板検査装置の占有領域を小さくすることができる。
【図面の簡単な説明】
図１は本発明に係る検査装置の検査手法を示す説明図である。
図２は、本発明に係る検査装置の検査手法を示す説明図である。
図３は、本発明に係る検査装置の検査手法を示す説明図である。
図４は、本発明に係る検査装置の検査手法を示す説明図である。
図５は、本発明に係る検査装置の検査手法を示す説明図である。
図６は、本発明に係る検査装置の検査手法を示す説明図である。
図７は、本発明に係る検査装置の検査手法を示す説明図である。
図８は、本発明に係る検査装置の実施の形態を示す概略図である。
図９は、本発明に係る検査装置の実施の形態の光学系を示す概略図である。
図１０は、本発明に係る検査装置の実施の形態の制御部を示す説明図である。
図１１は、本発明に係る検査装置の検査の工程を示す工程図である。
図１２は、本発明に係る検査装置の他の実施の形態を示す説明図である。
図１３は、本発明に係る検査装置の他の実施の形態を示す説明図である。
図１４は、本発明に係る検査装置の他の実施の形態を示す説明図である。
図１５は、前記検査装置を組み込んだ塗布・現像装置の一例を示す平面図である。
図１６は、前記検査装置を組み込んだ塗布・現像装置の一例を示す斜視図である。
図１７は、従来の検査装置の検査手法を示す説明図である。
【図１】
2003043064.tif 000003
【図２】
2003043064.tif 000004
【図３】
2003043064.tif 000005
【図４】
2003043064.tif 000006
【図５】
2003043064.tif 000007
【図６】
2003043064.tif 000008
【図７】
2003043064.tif 000009
【図８】
2003043064.tif 000010
【図９】
2003043064.tif 000011
【図１０】
2003043064.tif 000012
【図１１】
2003043064.tif 000013
【図１２】
2003043064.tif 000014
【図１３】
2003043064.tif 000015
【図１４】
2003043064.tif 000016
【図１５】
2003043064.tif 000017
【図１６】
2003043064.tif 000018
【図１７】
2003043064.tif 000019
【国際調査報告】
2003043064.tif 000020
2003043064.tif 000021
2003043064.tif 000022
2003043064.tif 000023