【事件の表示】
　特願２００２−５３１４９８「低減された平均自由行程長を有する半導体材料を含む本体を作製する方法およびこの方法を用いて作製された本体」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年　４月　４日国際公開、ＷＯ０２／２７８０２、平成１６年　４月　２日国内公表、特表２００４−５１０３５４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、２００１年８月２７日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２０００年９月２９日、ドイツ連邦共和国）を国際出願とする出願であって、平成２１年７月１４日付けの拒絶理由通知に対して、同年１１月１７日に手続補正書及び意見書が提出されたが、平成２２年６月３０日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年１１月２日に審判請求がされるとともに、手続補正書が提出され、その後、平成２３年１２月８日付けで審尋がなされたが、これに対する回答書は提出されなかったものである。
　
　
第２　平成２２年１１月２日に提出された手続補正書による補正（以下「本件補正」という。）について
　
１　本件補正の内容
　本件補正は、特許請求の範囲を補正するものであり、以下のとおりである。
　
〈補正事項ａ〉
　　・補正前の請求項１の「ドーピングされた半導体材料の本体（１）であって、該本体は、」を、補正後の請求項１の「ドーピングされた半導体材料の本体（１）であって、
　該本体は、」と補正する。
　
〈補正事項ｂ〉
　　・補正前の請求項３の「特に、請求項１または２に記載の本体（１）を作製する方法であって、該方法は、」を、補正後の請求項３の「特に、請求項１または２に記載の本体（１）を作製する方法であって、
　該方法は、」と補正する。
　
２　補正目的の適否
（１）補正事項ａについて
　補正事項ａについての補正は、補正前の請求項１の「ドーピングされた半導体材料の本体（１）であって、該本体は、」を、補正後の請求項１の「ドーピングされた半導体材料の本体（１）であって、
　該本体は、」と段落分けをした補正であり、明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
　
（２）補正事項ｂについて
　補正事項ｂについての補正は、補正前の請求項３の「特に、請求項１または２に記載の本体（１）を作製する方法であって、該方法は、」を、補正後の請求項３の「特に、請求項１または２に記載の本体（１）を作製する方法であって、
　該方法は、」と段落分けをした補正であり、明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
　
　したがって、本件補正は、平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たす。
　また、本件補正が、平成１４年法律第２４号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項の規定する要件を満たすことは、明らかである。
　よって、本件補正は適法になされたものである。
　
　
第３　本願発明に対する判断
１　本願発明
　本願の請求項１〜９に係る発明は、平成２２年１１月２日に提出された手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜９に記載されている事項により特定されるとおりのものであって、そのうちの請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、その請求項１に記載されている事項により特定される次のとおりのものである。
　
【請求項１】
「ドーピングされた半導体材料の本体（１）であって、
　該本体は、
　自由電荷キャリア（ＣＰ）に対する特定の平均自由行程長（λｎ）を有するドーピングされた半導体材料の基板結晶（１０）と、
　該基板結晶（１０）上のドーピングされた半導体材料のエピタキシャル結晶層（２０）であって、該エピタキシャル結晶層は、少なくとも局所的に、該特定の平均自由行程長（λｎ）と比較してより小さい該自由電荷キャリア（ＣＰ）に対する平均自由行程長（λｒ）を有する、エピタキシャル結晶層と
　を有し、該エピタキシャル結晶層は、少なくとも局所的に、該結晶層の成長の間に導入された非ドーピング不純物粒子である散乱源を含む、本体（１）。」
　
２　引用例の記載と引用発明
２−１　引用例の記載
　　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先権主張日前に外国において頒布された刊行物である、米国特許第５１０２８１０号明細書（以下「引用例」という。）には、“METHOD FOR CONTROLLING THE SWITCHING SPEED OF BIPOLAR POWER DEVICES”（発明の名称　翻訳：バイポーラパワーデバイスのスイッチング速度を制御するための方法）に関して、ＦＩＧ．２とともに、次の記載がある（以下の翻訳文に付した下線は、参考のために、当審において付したものである。）。
　
ａ．“FIG. 2 is a schematic representation of an idealized partially processed device, viewed in cross-section formed, in accordance with the present invention. The N+ substrate 10 has upon it an N- epitaxial layer 12 formed by conventional epitaxy processes utilizing, for example, a chemical vapor deposition reactor. Substrate/epitaxial layer interface 14 is formed between regions 10 and 12. Within region 12, above interface 14, is an N+ diffused layer 17. A P+ diffused region 24 is formed in the upper portion of the epitaxial layer 12. 
　The depletion region 20 is situated within epitaxial layer 12, below region 24. The lower edge of region 20 is spaced by region 17 from interface 14. Non-conventionally, within depletion region 20, and preferably proximate the center thereof, a germanium containing region 16 is formed by exposing the device to a source of germanium, such as 1% to 10% germanium containing gas, for example, GeH4, as the epitaxial layer is grown. It is beleived preferable to have region 16 proximate the center of depletion region 20 to optimize minority carrier recombination generation in the depletion mode of the diode. 
　Region 16 has silicon/silicon-germanium interfaces 18 proximate which the misfit dislocations are created. The misfit dislocations density per unit length is directly proportional to the germanium content or lattice strain produced at one or more of the interfaces 18. They are formed with substantially uniform distribution along the interfaces.”（第５欄第１８〜４６行）
　翻訳：「図２は、本発明に従って形成された断面図である、理想化され部分的に製造されたデバイスの図的表示である。
Ｎ＋基板１０は、例えば、化学気相成長反応装置のような、従来のエピタキシ工程を利用して形成されたＮ−エピタキシャル層１２をその上に有している。
　
空乏領域２０は、領域２４の下のエピタキシャル層１２の内部に位置する
空乏領域２０の内部に、
ゲルマニウム含有層１６が、エピタキシャル層が成長されるときに、例えば、ＧｅＨ
４
である、１％〜１０％のゲルマニウムを含むガスのような、ゲルマニウム源をデバイスにさらすことにより形成される。
　領域１６は、その近くでミスフィット転位が形成される、シリコン／シリコン−ゲルマニウムの界面１８を有している。単位長あたりのミスフィット転位の密度は、直接、ゲルマニウムの含有量に比例するか、或いは、界面１８の一つ以上で形成される格子歪みに比例する。ミスフィット転位は、前記界面に沿って十分に均一な分布で形成される。」
　
ｂ．“1. A method for controlling the switching speed of bipolar power semiconductor devices of the type comprising a silicon substrate, an epitaxial layer comprising a depletion region and a diffused layer, comprising the step of forming misfit dislocations in the depletion region.”（第７欄第１４〜２０行）
　翻訳：「シリコン基板と、空乏領域と拡散層を含むエピタキシャル層とを含むことを特徴とし、前記空乏領域においてミスフィット転位を形成するステップを含む、バイポーラパワー半導体デバイスのスイッチング速度を制御するための方法。」
　
２−２　引用発明
　引用例のＦＩＧ．２は、上記摘記事項ａの“partially processed device”（部分的に製造されたデバイス）、すなわち、製造途中のデバイスの断面図を示している。
　しかし、上記摘記事項ｂから、完成品であるデバイスも、基板の上に形成された、空乏領域と拡散層を含むエピタキシャル層を有していると認められる。
　したがって、引用例には、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されているといえる。
　
「Ｎ＋基板１０と、
　前記Ｎ＋基板１０の上に形成されたＮ−エピタキシャル層１２と、
　前記エピタキシャル層１２の内部に、前記エピタキシャル層１２が成長されるときに、例えば、ＧｅＨ４である、１％〜１０％のゲルマニウムを含むガスのような、ゲルマニウム源をデバイスにさらすことにより形成されるゲルマニウム含有層１６を有することを特徴とするデバイス。」
　
３　対比
３−１　本願発明と引用発明との対比
　次に、本願発明と引用発明とを対比する。
　　ア　引用発明の「Ｎ＋基板１０」は、本願発明の「ドーピングされた半導体材料の基板結晶（１０）」に対応している。
　また、引用発明の「Ｎ＋基板１０」は、その原子構造に応じた、キャリアとなる電子の特定の平均自由行程長を有することは明らかであり、本願明細書にも、その段落【００３１】に「基板結晶１０のドーピングされた半導体材料は、例えば、ｎ型ドーピングされ、例えば、大部分が電子である、自由電荷キャリアＣＰの特定の平均自由行程長を有する。」と記載されている。
　したがって、引用発明の「Ｎ＋基板１０」は、本願発明の「自由電荷キャリア（ＣＰ）に対する特定の平均自由行程長（λｎ）を有するドーピングされた半導体材料の基板結晶（１０）」に相当する。
　
　　イ　引用発明の「前記Ｎ＋基板１０の上に形成されたＮ−エピタキシャル層１２」と、本願発明の「該基板結晶（１０）上のドーピングされた半導体材料のエピタキシャル結晶層（２０）であって、該エピタキシャル結晶層は、少なくとも局所的に、該特定の平均自由行程長（λｎ）と比較してより小さい該自由電荷キャリア（ＣＰ）に対する平均自由行程長（λｒ）を有する」とともに「少なくとも局所的に、該結晶層の成長の間に導入された非ドーピング不純物粒子である散乱源を含む」「エピタキシャル結晶層」とは、基板結晶（１０）上のドーピングされた半導体材料のエピタキシャル結晶層（２０）である点で共通する。
　
　　ウ　引用発明の「Ｎ＋基板１０」と「前記Ｎ＋基板１０の上に形成されたＮ−エピタキシャル層１２」とを併せ持つ「デバイス」は、本願発明の「ドーピングされた半導体材料の本体（１）」に相当する。
　
３−２　一致点及び相違点
　そうすると、本願発明と引用発明の一致点と相違点は、次のとおりとなる。
　
《一致点》
「ドーピングされた半導体材料の本体（１）であって、
　該本体は、
　自由電荷キャリア（ＣＰ）に対する特定の平均自由行程長（λｎ）を有するドーピングされた半導体材料の基板結晶（１０）と、
　該基板結晶（１０）上のドーピングされた半導体材料のエピタキシャル結晶層（２０）と
　を有する本体（１）。」
　
《相違点》
　本願発明の「エピタキシャル結晶層」は、「少なくとも局所的に、該特定の平均自由行程長（λｎ）と比較してより小さい該自由電荷キャリア（ＣＰ）に対する平均自由行程長（λｒ）を有する」とともに「少なくとも局所的に、該結晶層の成長の間に導入された非ドーピング不純物粒子である散乱源を含む」のに対して、引用発明は「前記Ｎ＋基板１０の上に形成されたＮ−エピタキシャル層１２」を有するものの、「前記エピタキシャル層１２」の自由電荷キャリア（ＣＰ）に対する平均自由行程長が不明であり、また、「前記エピタキシャル層１２」が、成長の間に導入された非ドーピング不純物粒子である散乱源を含むかどうか、不明である点。
　
４　相違点についての判断
　　ア　引用発明は、「前記エピタキシャル層１２の内部に、前記エピタキシャル層１２が成長されるときに、例えば、ＧｅＨ４である、１％〜１０％のゲルマニウムを含むガスのような、ゲルマニウム源をデバイスにさらすことにより形成されるゲルマニウム含有層１６」を有している。
　
　　イ　「２−１　引用例の記載」のａの「領域１６は……シリコン／シリコン−ゲルマニウムの界面１８を有している。」との記載から、「前記エピタキシャル層１２」の主たる材料はシリコンであることは明らかである。
　そして、引用発明の「ゲルマニウム含有層１６」は、引用発明の「前記エピタキシャル層１２」の主たる材料であるシリコンに、「ゲルマニウム」を「含有」させた層であり、「前記エピタキシャル層１２が成長されるとき」に「ゲルマニウム源をデバイスにさらすことにより形成される」層であるので、当該「ゲルマニウム含有層１６」中に含有された「ゲルマニウム」原子は、当該「ゲルマニウム含有層１６」中に原子として存在すると認められ、したがって、本願発明の「結晶層の成長の間に導入された非ドーピング不純物粒子」に相当する。
　
　以上は、本願明細書に、「結晶層内の散乱源は、好適には、非ドーピング不純物粒子を結晶層の中に導入することによって、好適には、結晶層をこの層へ成長させる間に、非ドーピング不純物粒子を添加することによって生成される。」（段落【００３７】）、「結晶層２０を成長させるために、例えば、液相エピタキシ、気相エピタキシおよび／または分子線エピタキシが用いられ得る。」（段落【００３９】）、「結晶層２０の成長中に、結晶層２０中に散乱源２１’を生成するために、提供される非ドーピング不純物粒子２１」（段落【００４４】）、「本体１の具体的な例において、それぞれシリコンを含む基板結晶１０および結晶層２０が生成され、散乱源２１’は、ゲルマニウム原子および／または炭素原子の形態の不純物粒子２１によって規定される。」（段落【００４５】）と記載されている、すなわち、結晶層２０をエピタキシャル成長させるときに、非ドーピング不純物粒子２１の材料としてゲルマニウム原子または炭素原子を提供すれば、ゲルマニウム原子または炭素原子の形態での不純物粒子２１が導入された結晶層２０を形成できる、ということが記載されていることからも明らかである。
　
　なお、「２−１　引用例の記載」のｂの「シリコン基板と、空乏領域と拡散層を含むエピタキシャル層とを含むことを特徴とし、前記空乏領域においてミスフィット転位を形成するステップを含む、バイポーラパワー半導体デバイス」との記載から、引用発明の「Ｎ＋基板１０」の主たる材料も、シリコンである。そして、当該「Ｎ＋基板１０」には、ドナーとなる不純物原子ドーピングされていることは当然である。
　
　　ウ　さて、一般に、「半導体材料」における「自由電荷キャリア」の「平均自由行程長」とは、「自由電荷キャリア」が、「半導体材料」を構成する原子を散乱源とする散乱で妨害されること無く進むことのできる距離の平均値のことを言う。
　したがって、「半導体材料」に導入される不純物原子が多いほど、前記「平均自由行程長」は小さくなると認められる。
　そして、前記「半導体材料」に導入される不純物原子が、ドーパントである原子であれ、ドーパントでない原子であれ、前記「半導体材料」内を走行する「自由電荷キャリア」の散乱源になることは、明らかである。
　
　　エ　してみれば、引用発明の「Ｎ＋基板１０」にドーピングされたドナーとなる不純物原子は、当該「Ｎ＋基板１０」を走行する「自由電荷キャリア」の散乱源になることは、明らかである。
　また、引用発明の「エピタキシャル層１２が成長されるとき」に「ゲルマニウム含有層１６」中に導入された「ゲルマニウム」原子は、「エピタキシャル層１２」の主たる材料であるシリコンからみれば不純物原子であると認められるから、前記「ゲルマニウム含有層１６」を走行する「自由電荷キャリア」の散乱源になることも、明らかである。
　
　　オ　そうすると、引用発明の「前記エピタキシャル層１２の内部に、前記エピタキシャル層１２が成長されるときに、例えば、ＧｅＨ４である、１％〜１０％のゲルマニウムを含むガスのような、ゲルマニウム源をデバイスにさらすことにより形成されるゲルマニウム含有層１６を有する」ことは、本願発明の「該エピタキシャル結晶層は、少なくとも局所的に、該結晶層の成長の間に導入された非ドーピング不純物粒子である散乱源を含む」ことに相当する。
　
　　カ　そして、引用発明の「ゲルマニウム含有層１６」は、「前記エピタキシャル層１２が成長されるときに」、上記イのように、シリコンを主たる材料とする原材料中に「例えば、ＧｅＨ４である、１％〜１０％のゲルマニウムを含む」、「ガスのような、ゲルマニウム源をデバイスにさらすことにより形成される」ものである。
　したがって、「エピタキシャル」成長で形成された後の前記「ゲルマニウム含有層１６」には、「１％〜１０％のゲルマニウム」原子が導入されているものと認められる。
　一方、Ｎ＋基板に含まれるドーパントの濃度は、１０１８〜１０１９(／ｃｍ３)程度であることは技術常識であるから、引用発明の「Ｎ＋基板１０」にも、１０１８〜１０１９(／ｃｍ３)程度の濃度でドーピングされたドナーとなる不純物原子が導入されているものと認められる。
　
　　キ　したがって、共にシリコンをベースに形成されている、引用発明の「Ｎ＋基板１０」と「ゲルマニウム含有層１６」において、導入されている散乱源である不純物原子の数は、前記「Ｎ＋基板１０」より前記「ゲルマニウム含有層１６」のほうが多いことは、明らかである。
　よって、ウの検討から、引用発明の「Ｎ＋基板１０」における自由電荷キャリアに対する特定の平均自由行程長よりも、より多くの散乱源が存在する、引用発明の「ゲルマニウム含有層１６」における自由電荷キャリアに対する平均自由行程長のほうが小さいと認められる。
　
　　ク　以上のとおりであるから、「Ｎ＋基板１０」と「エピタキシャル層１２の内部に、前記エピタキシャル層１２が成長されるときに、例えば、ＧｅＨ４である、１％〜１０％のゲルマニウムを含むガスのような、ゲルマニウム源をデバイスにさらすことにより形成されるゲルマニウム含有層１６」を有する引用発明の「デバイス」においては、前記「ゲルマニウム含有層１６」は、「前記エピタキシャル層１２が成長されるとき」に導入された、ドーパントではないが散乱源である「ゲルマニウム」原子を含んでおり、前記「Ｎ＋基板１０」における自由電荷キャリアに対する特定の平均自由行程長と比較してより小さい自由電荷キャリアに対する平均自由行程長を有するものと認められる。
　
　したがって、引用発明と本願発明との相違点は、実質的な相異点ではない。
　
５　小括
　そうすると、結局、引用発明と本願発明とは実質的に同一の発明であるということに帰着する。
　したがって、本願発明は、引用例に記載された発明である。
　
　
第４　結言 
　以上のとおり、本願発明は、引用例に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号の規定に該当し、特許を受けることができない。
　したがって、本願は、他の請求項について検討するまでもなく、拒絶すべきものである。
　
 　よって、結論のとおり審決する。