(57)【要約】【課題】２００Ｖ以上の商用電源を動力とする予備加熱部を使用でき、簡便な構成で低コスト化を図ることができる減圧加熱室を提供する。【解決手段】グランド電位に接地された真空チャンバ２９と、真空チャンバ２９の内壁との距離Ｄ１，Ｄ２及び真空チャンバ２９の内部のグランド電位の部材との距離を６ｍｍ以上離間した露出した配線を有し、真空チャンバ２９の内部に配置され、露出した配線を介し２００Ｖ以上の商用電源を供給して基板１００を加熱する予備加熱部２３とを備える。【選択図】      図１
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【実用新案登録請求の範囲】
【請求項１】
グランド電位に接地された真空チャンバと、
前記真空チャンバの内壁との距離及び前記真空チャンバの内部のグランド電位の部材との距離が６ｍｍ以上離間した露出した配線を有し、前記真空チャンバの内部に配置され、前記露出した配線を介し２００Ｖ以上の商用電源を供給して前記基板を予備加熱する予備加熱部とを備え、
前記露出した配線、前記商用電源を導入する電力導入棒、該電力導入棒に接続されたバスバー、前記露出した配線に接続されたランプヒータ、前記露出した配線が接続された端子のそれぞれと、前記真空チャンバの内壁、前記真空チャンバ内に配置された反射板及び水冷パイプのそれぞれとの距離が、それぞれ６ｍｍ以上離間していることを特徴とする減圧加熱室。
【請求項２】
前記請求項１に記載の減圧加熱室と、
前記減圧加熱室の前記真空チャンバと連結した他の真空チャンバを有し、該他の真空チャンバ内において前記基板を処理する処理室
とを備えることを特徴とする真空処理装置。
【請求項３】
前記減圧加熱室が、
前記処理室へ前記基板を搬出する第１の搬送ラインと、
前記第１の搬送ラインの下側に配置され、前記処理室から前記基板を搬入する第２の搬送ライン
とを備えることを特徴とする請求項２に記載の真空処理装置。
【考案の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本考案は、真空処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
真空処理装置の一例として、処理室と減圧加熱室を備え、基板を大気中から減圧加熱室を介して真空の処理室に搬送したり、真空の処理室から減圧加熱室を介して大気中へ搬送する装置が知られている。例えば、減圧加熱室が上下２段の搬送ラインを有し、この搬送ラインにより処理室との間で基板の授受を行うものが知られている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００３】
減圧加熱室内には、基板を加熱するための予備加熱部（ランプヒータ）が設けられている。ランプヒータの電力導入に露出した配線を用いる場合、減圧下において露出した配線とグランド電位に接地された真空チャンバの内壁との間で放電地絡が発生する場合がある。この放電地絡の発生を防止するため、従来は、商用電源電圧２００Ｖから例えば８０Ｖまで降圧（ステップダウン）してランプヒータの動力としていた。このため、従来の真空処理装置はランプヒータの本数に対応するステップダウンを行うコストがかかる。更に、ランプヒータの最大出力は電圧と電流の積で決定されるが、所定の動力を投入しようとすると、従来のロードロック式真空処理装置においては、例えば基板が搬送される位置の上部及び下部の両側にランプヒータを配置する必要があり、複雑な構成となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−９６４９８号公報
【考案の概要】
【考案が解決しようとする課題】
【０００５】
本考案は、このような事情に鑑みてなされたものであって、２００Ｖ以上の商用電源を動力とする予備加熱部を使用でき、簡便な構成で低コスト化を図ることができる減圧加熱室及びその減圧加熱室を用いた真空処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するために、本考案の一態様によれば、（イ）グランド電位に接地された真空チャンバと、（ロ）真空チャンバの内壁との距離及び真空チャンバの内部のグランド電位の部材との距離を６ｍｍ以上離間した露出した配線を有し、真空チャンバの内部に配置され、露出した配線を介し２００Ｖ以上の商用電源を供給して基板を加熱する予備加熱部とを備え、前記真空チャンバ内において、前記露出した配線、前記商用電源を導入する電力導入棒、前記電力導入棒に接続されたバスバー、前記露出した配線に接続されたランプヒータ、前記露出した配線が接続された端子のそれぞれと、前記真空チャンバの内壁、前記真空チャンバ内に配置された反射板及び水冷パイプのそれぞれとの距離が、それぞれ６ｍｍ以上離間している減圧加熱室であることを要旨とする。
【考案の効果】
【０００７】
本考案によれば、２００Ｖ以上の商用電源を動力とする予備加熱部を使用でき、簡便な構成で低コスト化を図ることができる減圧加熱室及びその減圧加熱室を用いた真空処理装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本考案の実施の形態に係る真空処理装置の一例を示す概略図である。
【図２】本考案の実施の形態に係る真空処理装置の減圧加熱室の内部において予備加熱部を下面からみた概略図である。
【図３】本考案の実施の形態に係る真空処理装置の動作方法を説明するための概略図である。
【図４】本考案のその他の実施の形態に係る真空処理装置の一例を示す概略図である。
【図５】本考案のその他の実施の形態に係る真空処理装置の動作方法を説明するための概略図である。
【図６】比較例に係る真空処理装置を示す概略図である。
【考案を実施するための形態】
【０００９】
次に、図面を参照して、本考案の実施の形態を説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。ただし、図面は模式的なものであり、厚みと平面寸法との関係、各層の厚みの比率等は現実のものとは異なることに留意すべきである。したがって、具体的な厚みや寸法は以下の説明を参酌して判断すべきものである。又、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることは勿論である。又、以下に示す実施の形態は、本考案の技術的思想を具体化するための装置や方法を例示するものであって、本考案の技術的思想は、構成部品の材質、形状、構造、配置等を下記のものに特定するものでない。本考案の技術的思想は、実用新案登録請求の範囲に記載された技術的範囲内において、種々の変更を加えることができる。
【００１０】
（真空処理装置）
本考案の実施の形態に係る真空処理装置は、図１に示すように、基板１００に対して成膜やエッチング等の処理を行う処理室１と、予備加熱部２３を上部に有し、予備加熱部２３により加熱された基板１００を処理室１に搬入し、処理後の基板１００を処理室１から搬出する減圧加熱室２を備える。減圧加熱室２は、第１の真空チャンバ２９を有し、処理室１は、第１の真空チャンバ２９に連結された第２の真空チャンバ（他の真空チャンバ）２８を有する。第１の真空チャンバ２９及び第２の真空チャンバ２８は、それぞれグランド電位に接地されている。
【００１１】
予備加熱部２３は、図２に示すように、第１の真空チャンバ２９の内壁との距離Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３，Ｄ４が６ｍｍ以上離間して、第１の真空チャンバ２９の上部に配置され、２００Ｖの単層商用電源が供給されることにより基板１００を加熱する。減圧加熱室２は、ロードロック室及びアンロードロック室を兼ねており、大気開放と真空密閉を切り替え可能である。図１に示すように、第１の真空チャンバ２９の外部に通じる側（図１において右側）はゲートバルブ５で大気と遮断され、第２の真空チャンバ（他の真空チャンバ）側（図１において左側）は、ゲートバルブ４を介して第２の真空チャンバと連結し、ゲートバルブ４を閉じることにより第２の真空チャンバとは分離可能に構成されている。予備加熱部２３は、室外の加熱電源２６に接続されている。処理室１には真空排気用バルブ１３を介して真空ポンプ２５が接続され、減圧加熱室２には真空排気用バルブ１６を介して真空ポンプ２４が接続されている。真空ポンプ２４，２５としては、ターボ分子ポンプ、クライオポンプ又はメカニカルポンプ等が使用可能である。
【００１２】
図２に示すように、予備加熱部２３は、複数のランプヒータ（内部エレメント）３４１、３４２，…，３５０と、第１の真空チャンバ２９の壁面を貫通し、２００Ｖの商用電源の電力を導入する電力導入棒（図示省略）と、電力導入棒に接続され複数のランプヒータ３４１〜３５０のそれぞれに電力を分割する第１のバスバー３２及び第２のバスバー３１と、第１のバスバー３２に接続され、複数のランプヒータ３４１〜３５０のそれぞれの一方の端部（図２において下方の端部）に給電する複数の第１の端子３０１〜３１０と、第２のバスバー３１に接続され、複数のランプヒータ３４１〜３５０のそれぞれの他方の端部（図２において上方の端部）に給電する複数の第２の端子３１１〜３２０と、複数の第１の端子３０１〜３１０のそれぞれと複数のランプヒータ３４１〜３５０のそれぞれの一方の端部とをそれぞれ接続する第１の露出配線３２１〜３３０と、複数の第２の端子３１１〜３２０のそれぞれと複数のランプヒータ３４１〜３５０のそれぞれの他方の端部とをそれぞれ接続する第２の露出配線３３１〜３４０を含む。第１の露出配線３２１〜３３０及び第２の露出配線３３１〜３４０は、それぞれ真空中に電力供給配線の金属表面が露出している。
【００１３】
更に、複数のランプヒータ３４１〜３５０と第１の真空チャンバ２９の内壁との間には、図２に示すように、反射板３３が配置されている。図示を省略しているが、反射板３３と第１の真空チャンバ２９の内壁との間には、第１の真空チャンバ２９内の温度を適宜冷却するための水冷パイプ（図示省略）等のグランド電位に接地された部材も、更に備えられている。
【００１４】
図２に示すように、予備加熱部２３の第１の露出配線３２１〜３３０と第１の真空チャンバ２９の内壁との距離Ｄ３，Ｄ４、及び第２の露出配線３３１〜３４０と第１の真空チャンバ２９の内壁との距離Ｄ１，Ｄ２がそれぞれ６ｍｍ以上離間して配置される。厳密には、距離Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３，Ｄ４の定義には、反射板３３及び水冷パイプ等のグランド電位に接地された部材との距離が含まれる。これにより、第１の露出配線３２１〜３３０及び第２の露出配線３３１〜３４０と、グランド電位に接地された第１の真空チャンバ２９の内壁との間の放電地絡の発生を防止することができる。更に、予備加熱部２３の電力導入棒、第１のバスバー３２、第２のバスバー３１、ランプヒータ３４１〜３５０、第１の端子３０１〜３１０及び第２の端子３１１〜３２０等の２００Ｖの商用電源が供給される部分と、第１の真空チャンバ２９の内壁、反射板３３及び水冷パイプ等のグランド電位に接地された部材との間を、それぞれ６ｍｍ以上離間して配置することにより、予備加熱部２３の放電地絡の発生を防止することができる。
【００１５】
図１に示した減圧加熱室２は、上段の第１の搬送ライン２１及び下段の第２の搬送ライン２２を有する。第１の搬送ライン２１は、外部から基板１００を搬入し処理室１に搬出する。第１の搬送ライン２１は、搬送ローラ２１１，２１２，２１３，２１４を備える。第１の搬送ライン２１は、その搬送面が水平状態で固定されている。第２の搬送ライン２２は、処理室１から基板１００を搬入し外部へ搬出する。第２の搬送ライン２２は、搬送ローラ２２１，２２２，２２３，２２４を備える。第２の搬送ライン２２は、例えば搬送ローラ２２１の回転軸を回転中心として、その搬送面を右肩下がりに水平レベルに対して所定の角度で傾斜するように揺動可能である。
【００１６】
処理室１は、第１の真空チャンバ２９にゲートバルブ４を介して連結された第２の真空チャンバ（他の真空チャンバ）２８を有し、第２の真空チャンバ（他の真空チャンバ）２８には真空排気用バルブ１３及びガス導入用バルブ１４が接続されている。第２の真空チャンバ２８は、所定のガス圧力下での処理、例えばプラズマＣＶＤ、プラズマエッチング、スパッタリング等のプラズマ処理を行う。プラズマ処理を行う場合で説明すれば、第２の真空チャンバ２８内には、ＲＦ電極１２と、処理室用搬送ライン１１が配置されている。ＲＦ電極１２は、室外のＲＦ電源１５に接続されている。
【００１７】
処理室用搬送ライン１１は、搬送ローラ１１１，１１２，１１３，１１４を備える。処理室用搬送ライン１１は、例えば搬送ローラ１１１の回転軸を回転中心として、その搬送面を右肩下がりに水平レベルに対して所定の角度で傾斜するように揺動可能である。
【００１８】
制御装置１００は、例えば中央演算処理装置（ＣＰＵ）である。制御装置１００は、ゲートバルブ４，５、処理室用搬送ライン１１、第１の搬送ライン２１及び第２の搬送ライン２２等を制御することにより、基板１００を処理室１内に連続的に搬送し、処理済の基板１００を処理室１から搬出する。基板１００の搬送速度、搬送間隔等は適宜調整可能である。
【００１９】
基板１００は、半導体装置や太陽電池等を製造する場合にはシリコン（Ｓｉ）等の半導体基板等である。又、液晶表示装置を製造する場合にはガラス基板等が、光記録媒体を製造する場合にはポリカーボネイト等の樹脂基板等が、基板１００として用いられても良い。勿論これらのガラス基板や樹脂基板上には工程の進行に応じて種々の薄膜が形成されうる。
【００２０】
（真空処理装置の動作方法）
次に、本考案の実施の形態に係る真空処理装置の動作方法の一例を、図１〜図３を用いて説明する。
【００２１】
（イ）図１に示すように、ゲートバルブ５を開け、減圧加熱室２の第１の搬送ライン２１により、第１の真空チャンバ２９がグランド電位に接地された減圧加熱室２内に外部から基板１００を取り込む。ゲートバルブ５を閉じ、第１の真空チャンバ２９内を減圧排気した後、加熱電源２６からの２００Ｖの商用電源を動力として図２に示した第１の露出配線３２１〜３３０及び第２の露出配線３３１〜３４０を介して予備加熱部２３により基板１００を加熱する。この際、予備加熱部２３の第１の露出配線３２１〜３３０及び第２の露出配線３３１〜３４０等と、第１の真空チャンバ２９の内壁等のグランド電位に接地された部材との距離Ｄ１，Ｄ２等が６ｍｍ以上離間しているので（図１では、図面の奥になるので図示を省略しているが、予備加熱部２３の第１の露出配線３２１〜３３０と第１の真空チャンバ２９の内壁との距離Ｄ３，Ｄ４も６ｍｍ以上離間していることは勿論である。）、放電地絡の発生を防止できる。
【００２２】
（ロ）ゲートバルブ４を開けた後、加熱された基板１００を処理室１に搬送する。この際、第１の搬送ライン２１及び処理室用搬送ライン１１の搬送面を同一水平レベルに維持した状態で、第１の搬送ライン２１から処理室用搬送ライン１１へ基板１００を移動する。ゲートバルブ４を閉じ、第２の真空チャンバ２８の内部を所定の到達圧力まで真空排気し、更に処理ガス等の導入により処理圧力まで圧力調整をし、第２の真空チャンバ２８の内部において基板１００に対して所定の処理が施される。
【００２３】
（ハ）基板１００に対する処理が終了すると、ゲートバルブ４を開け、図３に示すように、処理室用搬送ライン１１の搬送面を、搬送ローラ１１１の回転軸Ａ１を回転中心として、右肩下がりに水平レベルに対して所定の角度θ１で傾斜させる。また、第２の搬送ライン２２の搬送面を、搬送ローラ２２１の回転軸Ａ２を回転中心として、右肩下がりに角度θ１と同じ角度θ２で水平レベルに対して傾斜させ、処理室用搬送ライン１１及び第２の搬送ライン２２の搬送面を一致させる。この状態で処理済みの基板１００を処理室用搬送ライン１１から第２の搬送ライン２２が受け取る。その後、ゲートバルブ４を閉じ、処理室用搬送ライン１１及び第２の搬送ライン２２の搬送面を水平状態にそれぞれ戻す。
【００２４】
（ニ）減圧加熱室２を大気圧に戻した後、ゲートバルブ５を開け、第２の搬送ライン２２により基板１００を外部へ搬出する。同時に、外部から新たな基板１０１を第１の搬送ライン２１により減圧加熱室２内に搬入する。以降、新たな基板１０１に対して同様の搬送動作及び処理がなされる。
【００２５】
このように、本考案の実施の形態に係る真空処理装置によれば、予備加熱部２３とグランド電位に接地された第１の真空チャンバ２９との距離Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３，Ｄ４、及び予備加熱部２３とグランド電位に接地された部材との距離が６ｍｍ以上離間しているため、予備加熱部２３の放電地絡の発生を防止できる。したがって、２００Ｖの商用電源を動力とする予備加熱部２３を使用できる。よって、商用電源電圧を２００Ｖから８０Ｖにステップダウン（降圧）した場合と比較して、ランプヒータ３４１〜３５０のそれぞれの出力を大きくとることができるので、同じ出力でヒータに使用するランプの本数を１／２．３に削減することができる。更に、ランプヒータ３４１〜３５０に対応する数の２００Ｖから８０Ｖへのステップダウンも不要となるので、低コスト化が図れる。更に、予備加熱部２３で充分な加熱を行うことができ、例えば減圧加熱室２の下側に補助用の加熱部（ヒータ）を配置しなくてすむこととなり、メンテナンスが簡便となる。
【００２６】
（比較例）
ここで、比較例として、予備加熱部に商用電源の２００Ｖから８０Ｖに電圧を降圧して用いる真空処理装置を説明する。
【００２７】
比較例に係る真空処理装置は、処理室１ａ及び減圧加熱室２ａを備える。処理室１ａの真空チャンバ４０には、真空ポンプ４３及びガス導入用バルブ４４が接続されている。処理室１ａは、真空チャンバ４０内に配置された搬送ローラ４１１，４１２，４１３，４１４からなる処理室用搬送ライン４１を備える。
【００２８】
減圧加熱室２ａの真空チャンバ５０には真空ポンプ５４が接続されている。減圧加熱室２ａは、真空チャンバ５０内の上部に配置された基板１００を加熱するための第１の予備加熱部５３と、上段の第１の搬送ライン５１及び下段の第２の搬送ライン５２と、第１の搬送ライン５１及び第２の搬送ライン５２の間に配置された第２の予備加熱部５７を備える。第１の搬送ライン５１は、搬送ローラ５１１，５１２，５１３，５１４を備え、第２の搬送ライン５２は、搬送ローラ５２１，５２２，５２３，５２４を備える。比較例では、第１の予備加熱部５３として２００Ｖの商用電源を動力とするものを用いることができないので、第２の予備加熱部５７が所定の加熱を行うために配置されている。
【００２９】
次に、比較例に係る真空処理装置の動作を図６を用いて説明する。
【００３０】
（イ）図６に示すように、減圧加熱室２ａの真空チャンバ４０内に、水平状態の第１の搬送ライン５１で基板１００が搬送される。減圧加熱室２ａの真空チャンバ４０内を減圧排気した後、第１及び第２の予備加熱部５３，５７により基板１００を加熱する。加熱された基板１００は処理室１に搬送される。この際、第１の搬送ライン５１及び処理室用搬送ライン４１が左肩下がりに傾斜し、搬送面を互いに一致させる。この状態で第１の搬送ライン５１から処理室用搬送ライン４１へ基板１００が搬送される。その後、第１の搬送ライン５１及び処理室用搬送ライン４１の搬送面は水平状態に戻される。処理室１において所定の処理が行われる。
【００３１】
（ロ）その後、処理済みの基板１００を減圧加熱室２ａに搬送する。この際、処理室用搬送ライン４１及び第２の搬送ライン５２が右肩下がりに傾斜し、搬送面を一致させる。この状態で処理室用搬送ライン４１から第２の搬送ライン５２へ基板１００が移動される。その後、処理室用搬送ライン４１及び第２の搬送ライン５２の搬送面は水平状態に戻される。減圧加熱室２ａを大気圧に戻した後、基板１００を減圧加熱室２ａの外部へ搬出する。同時に、外部から新たな基板１００を第１の搬送ライン５１に搬入する。
【００３２】
比較例に対して、本考案の実施の形態に係る真空処理装置によれば、２００Ｖの商用電源を動力とする予備加熱部２３を使用できるので、図６に示すような第１の搬送ライン２１と第２の搬送ライン２２との間の第２の予備加熱部５７が不要となる。よって、第１の搬送ライン２１と第２の搬送ライン２２との間隔を狭くすることができ、装置を小型化できる。更に、第１の搬送ライン２１では傾斜機能が不要となり、シンプルで低コストの構成とすることができる。
【００３３】
（変形例）
本考案の実施の形態では、図１に示すように、第１の搬送ライン２１が水平状態に固定され、第２の搬送ライン２２が傾斜可能に揺動する場合を説明したが、変形例として、図４に示すように、第１の搬送ライン２１ｘが傾斜可能に揺動し、第２の搬送ライン２２ｘが水平状態に固定された場合を説明する。
【００３４】
本考案の実施の形態の変形例において、減圧加熱室２内の予備加熱部２３とグランド電位に接地された真空チャンバの内壁との距離Ｄ１，Ｄ２が６ｍｍ以上離間している。第１の搬送ライン２１ｘは、搬送ローラ２３１，２３２，２３３，２３４を備える。第１の搬送ライン２１ｘは、その搬送面を右肩上がりに傾斜するように揺動可能である。第２の搬送ライン２２ｘは、搬送ローラ２４１，２４２，２４３，２４４を備える。第２の搬送ライン２２ｘは、その搬送面が水平状態で固定されている。処理室１内の処理室用搬送ライン１１ｘは、搬送ローラ１２１，１２２，１２３，１２４を備える。処理室用搬送ライン１１ｘは、その搬送面を右肩上がりに傾斜するように揺動可能である。他の構成は、本考案の第１の実施の形態に係る真空処理装置と実質的に同様であるので、重複した説明を省略する。
【００３５】
本考案の実施の形態の変形例に係る真空処理方法では、図５に示すように、減圧加熱室２から処理室１へ基板１００を搬送する際には、処理室用搬送ライン１１ｘの搬送面を、搬送ローラ１２１の回転軸Ａ３を回転中心として、右肩上がりに水平レベルに対して所定の角度θ３で傾斜させる。また、第１の搬送ライン２１ｘの搬送面を、搬送ローラ２３１の回転軸Ａ４を回転中心として右肩上がりに角度θ３と同じ角度θ４で水平レベルに対して傾斜させ、第１の搬送ライン２１ｘ及び処理室用搬送ライン１１ｘの搬送面を互いに一致させる。この状態で、基板１００が第１の搬送ライン２１ｘから処理室用搬送ライン１１ｘへ移動される。また、処理済みの基板１００を処理室１から減圧加熱室２へ搬送する際には、処理室用搬送ライン１１ｘ及び第２の搬送ライン２２ｘの搬送面を同一水平レベルを維持した状態で、基板１００を処理室用搬送ライン１１ｘから第２の搬送ライン２２ｘへ移動する。
【００３６】
本考案の実施の形態の変形例によれば、本考案の実施の形態と同様に、予備加熱部２３とグランド電位に接地された第１の真空チャンバ２９との距離Ｄ１，Ｄ２及び予備加熱部２３とグランド電位に接地された部材との距離が６ｍｍ以上離間しているため、予備加熱部２３の放電地絡の発生を防止できる。よって、２００Ｖの商用電源を動力とする予備加熱部２３を使用でき、シンプルで低コストな構成とすることができる。
【００３７】
（その他の実施の形態）
上記のように、本考案は上記の実施の形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面は本考案を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、本考案の実施形態及び運用技術が明らかとなろう。
【００３８】
例えば、上記の実施の形態では、日本国の商用電源電圧である２００Ｖを動力源とする場合を例示したが、台湾、香港、イタリア、ポーランド、ルーマニア等であれば２２０Ｖでも良く、アメリカ、オーストラリア、フランス、ドイツ等であれば２３０Ｖでも良く、カナダであれば３４７Ｖとしても良く、その国の商用電源の規格により適宜変更可能である。
【００３９】
本考案の実施の形態に係る真空処理装置としては、ＲＦ電極１２を有するプラズマ処理装置について例示的に説明したが、プラズマ処理装置に限定されるものではない。例えば、太陽電池の反射防止膜の形成、薄膜太陽電池の薄膜形成、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）薄膜形成、半導体薄膜形成等の基板の表面に成膜を行う成膜装置、熱酸化装置、イオン注入装置、不純物拡散装置、熱真空装置又はスパッタリング装置等の種々の真空装置に適用可能である。
【００４０】
また、上記の実施形態では、搬送対象として基板１００を説明したが、基板１００の代わりに、基板１００を載置し搬送する搬送トレイ（基板ホルダ）を搬送しても良い。搬送トレイとしては、カーボン等の熱伝導性の良好な材料が使用可能である。搬送トレイの表面は、例えば炭化珪素（ＳｉＣ）等の被膜でコーティングされていても良い。搬送トレイの基板載置面のサイズは特に限定されず、載置する基板数も特に限定されない。
【００４１】
また、図１では第１の搬送ライン２１、第２の搬送ライン２２及び処理室用搬送ライン１１として、４つの搬送ローラ２１１〜２１４、搬送ローラ２２１〜２２４、搬送ローラ１１１〜１１４をそれぞれ示したが、第１の搬送ライン２１、第２の搬送ライン２２及び処理室用搬送ライン１１のそれぞれの搬送ローラの数は特に限定されない。また、第１の搬送ライン２１、第２の搬送ライン２２及び処理室用搬送ライン１１が傾斜するときの回転軸は特に限定されない。また、所定の角度θ１〜θ４は装置の種類に応じて適宜設定すればよく、特に限定されない。
【００４２】
また、図２では予備加熱部２３の１０本のランプヒータ３４１〜３５０を示したが、ランプヒータの数は特に限定されない。ランプヒータに対応する端子の数や配線の数も特に限定されない。
【００４３】
このように、本考案はここでは記載していない様々な実施の形態等を含むことは勿論である。したがって、本考案の技術的範囲は上記の説明から妥当な実用新案登録請求の範囲に係る考案特定事項によってのみ定められるものである。
【符号の説明】
【００４４】
１…処理室
２…減圧加熱室
４，５…ゲートバルブ
１１，１１ｘ…処理室用搬送ライン
１２…ＲＦ電極
１３，１６…真空排気用バルブ
１４…ガス導入用バルブ
１５…ＲＦ電源
２１，２１ｘ…第１の搬送ライン
２２，２２ｘ…第２の搬送ライン
２３…予備加熱部
２４，２５…真空ポンプ
２６…加熱電源
２８…他の真空チャンバ（第２の真空チャンバ）
２９…真空チャンバ（第１の真空チャンバ）
３１，３２…バスバー
３３…反射板
１００…制御装置
１１１〜１１４，１２１〜１２４，２１１〜２１４，２２１〜２２４，２３１〜２３４，２４１〜２４４…搬送ローラ
３０１〜３１０…第１の端子
３１１〜３２０…第２の端子
３２１〜３３０…第１の露出配線
３３１〜３４０…第２の露出配線
３４１〜３５０…ランプヒータ
【図１】
0003153667.tif 000003
【図２】
0003153667.tif 000004
【図３】
0003153667.tif 000005
【図４】
0003153667.tif 000006
【図５】
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【図６】
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【手続補正書】
【提出日】平成21年7月14日(2009.7.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】実用新案登録請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【実用新案登録請求の範囲】
【請求項１】
グランド電位に接地された真空チャンバと、
前記真空チャンバの内壁との距離及び前記真空チャンバの内部のグランド電位の部材との距離が６ｍｍ以上離間した露出した配線を有し、前記真空チャンバの内部に配置され、前記露出した配線を介し２００Ｖ以上の商用電源を供給して基板を予備加熱する予備加熱部とを備え、
前記露出した配線、前記商用電源を導入する電力導入棒、該電力導入棒に接続されたバスバー、前記露出した配線に接続されたランプヒータ、前記露出した配線が接続された端子のそれぞれと、前記真空チャンバの内壁、前記真空チャンバ内に配置された反射板及び水冷パイプのそれぞれとの距離が、それぞれ６ｍｍ以上離間していることを特徴とする減圧加熱室。
【請求項２】
前記請求項１に記載の減圧加熱室と、
前記減圧加熱室の前記真空チャンバと連結した他の真空チャンバを有し、該他の真空チャンバ内において前記基板を処理する処理室
とを備えることを特徴とする真空処理装置。
【請求項３】
前記減圧加熱室が、
前記処理室へ前記基板を搬出する第１の搬送ラインと、
前記第１の搬送ラインの下側に配置され、前記処理室から前記基板を搬入する第２の搬送ライン
とを備えることを特徴とする請求項２に記載の真空処理装置。