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　特願２００８−２１４５７７「ヘテロ接合太陽電池の製造方法及びヘテロ接合太陽電池」拒絶査定不服審判事件〔平成２２年　３月　４日出願公開、特開２０１０−　５０３５６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
　
１　手続の経緯
　本願は、平成２０年８月２２日を出願日とする出願であって、平成２２年１０月１３日付けで特許法第２９条第２項を理由とする拒絶理由が通知され、同年１２月２４日に手続補正がなされ、平成２３年８月２３日付けで特許法第３６条第４項第１号を理由とする拒絶理由が通知され、同年１０月２８日に（段落【００３９】のみを補正する）手続補正がなされたが、平成２４年５月１４日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年８月２１日に拒絶査定不服審判請求がなされ、同年１０月１日に審判請求書が補正されたものである。
　
２　本願発明
　本願の請求項に係る発明は、平成２２年１２月２４日及び平成２３年１０月２８日になされた手続補正による補正後の明細書及び特許請求の範囲の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし１３に記載された事項により特定されるものと認められるところ、請求項１に係る発明は、次のとおりのものである（以下「本願発明」という。）。
「少なくとも、金属基板と、ｎ型単結晶シリコン層と、ｎ型透明半導体層と、透明保護膜とが積層され、前記透明保護膜側を受光面とするヘテロ接合太陽電池を製造する方法であって、少なくとも、
　金属基板とｎ型単結晶シリコン基板とを用意する工程と、
　前記ｎ型単結晶シリコン基板に水素イオンまたは希ガスイオンの少なくとも一方を注入して、イオン注入層を形成する工程と、
　前記ｎ型単結晶シリコン基板のイオン注入面と、前記金属基板とを、導電性接着剤を介して密着させる工程と、
　前記導電性接着剤を硬化させて導電性接着層とすると共に、前記ｎ型単結晶シリコン基板と前記金属基板とを貼り合わせる工程と、
　前記イオン注入層に、加熱することなく、衝撃を与えて前記ｎ型単結晶シリコン基板を機械的に剥離して、ｎ型単結晶シリコン層とする工程と、
　前記ｎ型単結晶シリコン層上にｎ型透明半導体層を堆積する工程と、
　前記ｎ型透明半導体層上の一部に集電電極を形成する工程と、
　前記集電電極が一部に形成された前記ｎ型透明半導体層上に透明保護膜を形成する工程と
　を含むことを特徴とするヘテロ接合太陽電池の製造方法。」
　
３　刊行物の記載及び引用発明
（１）引用文献の記載及び引用発明
ア　平成２２年１０月１３日付けの拒絶の理由に引用された、本願の出願前に頒布された特開２００３−１７７２３号公報（以下「引用文献」という。）には、以下の記載がある（下線は当審にて付した。以下同じ。）。
（ア）「【請求項１】
半導体結晶基板に対し、その主表面から水素負イオンを注入することにより、深さ方向の水素濃度プロファイルにおいて、前記主表面から深さ５μｍ以上の位置に濃度ピークを有する水素高濃度層を形成した後、該水素高濃度層において前記半導体結晶基板より半導体薄膜を剥離する
【請求項３】
前記半導体結晶基板がシリコン単結晶であ
【請求項５】請求項１ないし４のいずれか１項に記載の方法により
半導体薄膜を製造する工程と、前記半導体薄膜の主表面に電力取出用電極を形成する電極形成工程と、を含む
太陽電池の製造方法。
　
（イ）「【０００１】【発明の属する技術分野】本発明は半導体薄膜の製造方法と、それを用いた太陽電池の製造方法に関する。
【０００２】【従来の技術】太陽電池は、光エネルギーを電力に変換する半導体素子であり、ｐ−ｎ接合形、ｐｉｎ形、ショットキー形などがあるが、ｐ−ｎ接合形が最も広く用いられている。」
　
（ウ）「【００２０】【発明の実施の形態】以下、本発明について半導体結晶基板として、シリコン単結晶ウェーハを用いる場合を例に挙げて説明するが、本発明はシリコン単結晶に限定されず、例えば、シリコン多結晶やＧａＡｓなどの化合物半導体結晶基板にも適用することができる。・・・
【００２２】上記のような水素負イオンビームの照射により、図１（ｂ）に示すように、シリコン単結晶ウェーハの照射側の主表面から一定深さの位置に、水素高濃度層が形成される。この水素高濃度層は、ウェーハの深さ方向の水素濃度プロファイルを測定したときに、表面からの深さｄが５μｍ以上、望ましくは１０μｍ以上の位置に水素濃度のピーク位置が生ずるように形成される。このようなピーク位置にて水素高濃度層を形成するためには、必要なピーク位置深さｄに応じた注入エネルギーを設定して水素負イオンを注入することが必要である。」
　
（エ）「【００２４】水素負イオンの注入が終了すれば、図１（ｃ）に示すように、形成された水素高濃度層にて水素注入後ウェーハを、剥離ウェーハ（半導体薄膜）と残留ウェーハとに分離する。この分離（剥離）は、例えば水素負イオン注入のドーズ量を１×１０１６ions／cm２以上とすれば、該イオン注入後に４００〜６００℃の温度で熱処理することによって行なうことができる。また、およそ１．５×１０１７ions／cm２以上であれば、熱処理を加えなくても剥離を生じさせることができる。」
　
（オ）「【００２８】また、太陽電池用として用いるためには、図２に示すように、ウェーハ中にｐ−ｎ接合を形成する必要がある。例えば、ｐ型のシリコンウェーハを用いる場合には、その表層部にｎ型ドーパントを予め拡散させてｎ型層を形成してから水素負イオン注入を行ってもよいし、水素負イオン注入後、剥離ウェーハを分離してから、その剥離ウェーハにドーパント拡散を行なってｎ型層を形成しても、いずれでもよい。
【００２９】分離後の剥離ウェーハは、例えば支持基板に接着し、その剥離面におけるミクロな凹凸の平坦化や、イオン注入によるダメージ除去のため、必要に応じて該剥離面の表層部を、機械研磨あるいは酸やアルカリ水溶液によるエッチング（化学研磨）により、例えば厚さ数ｎｍ〜数１００ｎｍ程度除去する。その後、図２に示すように、得られた剥離ウェーハ１の各主表面に、カソード電極４４、アノード電極４５、あるいは反射防止膜４７等を形成すれば、太陽電池が得られる。・・・
【００３１】また、太陽電池に使用する場合は、剥離ウェーハの裏面（剥離面とは反対側の面）にも電極を形成しなければならないが、この場合、ハンドリング性の向上を兼ねた手法として、以下のような方法を採用することもできる。すなわち、図１０（ａ）に示すように、金属アルミニウムもしくはアルミニウム合金からなるＡｌ系金属基板を用意し、（ｂ）に示すように、これを水素注入後ウェーハの剥離ウェーハとなる側の主表面に、剥離ウェーハを分離前の状態にて密着・積層する。そして、（ｃ）に示すように、その状態で分離のための熱処理を行なう。これにより、剥離ウェーハの分離と、Ａｌ系金属基板と剥離ウェーハとの接合とを同時に行なうことができる。熱処理温度は４００〜６００℃とすることができ、望ましくはＡｌ−Ｓｉの二元共晶温度（約５７７℃）よりも低温で行なうこと、さらに望ましくは共晶温度直下（例えば５６７℃〜５７６℃）で行なうのがよい。（ｄ）に示すように、Ａｌ系金属基板はカソード電極として使用可能であり、他方、剥離ウェーハの受光面となる側の主表面にアノード電極を形成すれば、太陽電池として使用可能である。なお、図中に一点鎖線で示すように、水素注入後ウェーハの剥離ウェーハとなる側の主表面に、予めＡｌ蒸着層などの接合金属層を形成しておき、これにＡｌ系金属基板を接合するようにしてもよい。」
　
（カ）図１０は次のものである。
　
（キ）上記（オ）の記載を踏まえて上記（カ）の図１０（ｄ）をみると、剥離ウェーハの受光面となる側の主表面の一部にアノード電極を形成することがみてとれる。
　
イ　上記アによれば、引用文献には、次の発明が記載されているものと認められる（以下「引用発明」という。）。
「半導体結晶基板に対し、その主表面から水素負イオンを注入することにより、深さ方向の水素濃度プロファイルにおいて、前記主表面から深さ５μｍ以上の位置に濃度ピークを有する水素高濃度層を形成した後、該水素高濃度層において前記半導体結晶基板より半導体薄膜を剥離するものであって、前記半導体結晶基板がシリコン単結晶である半導体薄膜を製造する工程と、前記半導体薄膜の主表面に電力取出用電極を形成する電極形成工程と、を含む太陽電池の製造方法。」
　
４　対比・判断
（１）本願発明と引用発明を対比する。
ア　引用発明は、「半導体結晶基板に対し、その主表面から水素負イオンを注入することにより、深さ方向の水素濃度プロファイルにおいて、前記主表面から深さ５μｍ以上の位置に濃度ピークを有する水素高濃度層を形成」するものであるから、シリコン単結晶である剥離ウェーハに水素負イオンを注入して、水素負イオンを注入した層である水素高濃度層を形成する工程を備える。
　したがって、引用発明は、本願発明の「ｎ型単結晶シリコン基板に水素イオンまたは希ガスイオンの少なくとも一方を注入して、イオン注入層を形成する工程」に関して、「単結晶シリコン基板に水素イオンを注入して、イオン注入層を形成する工程」を含む点で一致する。
　
イ　引用発明は「水素高濃度層を形成した後、該水素高濃度層において前記半導体結晶基板より半導体薄膜を剥離するものであ」るから、「水素高濃度層において半導体結晶基板を剥離して、半導体薄膜とする工程」を備える。
　したがって、引用発明は、本願発明の「イオン注入層に、加熱することなく、衝撃を与えて前記ｎ型単結晶シリコン基板を機械的に剥離して、ｎ型単結晶シリコン層とする工程」に関して、「イオン注入層において単結晶シリコン基板を剥離して、単結晶シリコン層とする工程」を含む点で一致する。
　
ウ　引用発明は「半導体薄膜の主表面に電力取出用電極を形成する電極形成工程」を含むから、本願発明の「ｎ型透明半導体層上の一部に集電電極を形成する工程」に関して、「集電電極を形成する工程」を含む点で一致する。
　
エ　引用発明は「太陽電池の製造方法」であるところ、本願発明は「ヘテロ接合太陽電池の製造方法」であるから、引用発明は、本願発明と「太陽電池の製造方法」である点で一致する。
　
オ　以上によれば、両者は、
「太陽電池を製造する方法であって、
　単結晶シリコン基板に水素イオンを注入して、イオン注入層を形成する工程と、
　前記イオン注入層において単結晶シリコン基板を剥離して、単結晶シリコン層とする工程と
　集電電極を形成する工程を含む太陽電池の製造方法。」
である点で一致し、以下の点で相違する。
　
　本願発明は、「少なくとも、金属基板と、ｎ型単結晶シリコン層と、ｎ型透明半導体層と、透明保護膜とが積層され、前記透明保護膜側を受光面とするヘテロ接合太陽電池」を製造する方法であって、「金属基板とｎ型単結晶シリコン基板とを用意する工程」と、「前記ｎ型単結晶シリコン基板のイオン注入面と、前記金属基板とを、導電性接着剤を介して密着させる工程と、前記導電性接着剤を硬化させて導電性接着層とすると共に、前記ｎ型単結晶シリコン基板と前記金属基板とを貼り合わせる工程と、前記イオン注入層に、加熱することなく、衝撃を与えて前記ｎ型単結晶シリコン基板を機械的に剥離して、ｎ型単結晶シリコン層とする工程と、前記ｎ型単結晶シリコン層上にｎ型透明半導体層を堆積する工程と、前記ｎ型透明半導体層上の一部に集電電極を形成する工程と、前記集電電極が一部に形成された前記ｎ型透明半導体層上に透明保護膜を形成する工程とを含む」のに対して、
　引用発明は、
（ア）半導体結晶基板がシリコン単結晶である半導体薄膜の主表面に電力取出用電極を形成する太陽電池の製造方法であるが、シリコン単結晶である半導体結晶基板と半導体薄膜が「ｎ型」であるか明らかではなく、さらに「ｎ型透明半導体層」が積層される工程を含む「ヘテロ接合」太陽電池の製造方法であるか明らかではなく（以下「相違点１」という。）、
　
（イ）金属基板とｎ型単結晶シリコン層を積層するものであって、金属基板とｎ型単結晶シリコン基板とを用意する工程と、前記ｎ型単結晶シリコン基板のイオン注入面と前記金属基板とを、導電性接着剤を介して密着させる工程と、前記導電性接着剤を硬化させて導電性接着層とすると共に前記ｎ型単結晶シリコン基板と前記金属基板とを貼り合わせる工程を含むものであるか明らかではなく（以下「相違点２」という。）
　
（ウ）「電力取出用電極を形成する電極形成工程」が、透明保護膜が積層され、透明保護膜側を受光面とし、ｎ型透明半導体層上の一部に集電電極を形成する工程と、前記集電電極が一部に形成された前記ｎ型透明半導体層上に透明保護膜を形成する工程であるのか明らかではなく（以下「相違点３」という。）
　
（エ）「水素高濃度層を形成した後、該水素高濃度層において前記半導体結晶基板より半導体薄膜を剥離する」工程が、水素高濃度層において半導体結晶基板より半導体薄膜を剥離するに際して、水素高濃度層に、加熱することなく、衝撃を与えて半導体結晶基板を機械的に剥離して半導体薄膜とするものであるか明らかではない点（以下「相違点４」という。）。
　
（２）判断
ア　上記相違点１について検討する。
　引用発明は、「半導体結晶基板がシリコン単結晶である半導体薄膜を製造する工程と、前記半導体薄膜の主表面に電力取出用電極を形成する電極形成工程と、を含む太陽電池の製造方法」であるところ、上記３（１）ア（オ）によれば、発明を実施して「太陽電池として用いるために」は、シリコン単結晶である半導体薄膜にさらに適宜の工程を付加する「必要がある」ものである。
　しかるところ、シリコンの半導体薄膜に透明半導体層を積層することで太陽電池となすヘテロ接合太陽電池は従来周知のものである（例えば、特開昭６３−１７７４７５号公報の「基板５１の上の半導体５２・・・の上に・・・ＳｎＯ２（５６）によるヘテロ接合を設けた・・・太陽電池。」（７頁右下欄１４行〜８頁左上欄２行及び８頁左下欄７〜１０行）、特開昭５０−３４１８３号公報の「ｎ型シリコン多結晶膜上に、酸化錫を付着させた・・・シリコン膜状太陽電池。」（特許請求の範囲）、特開平７−２７７７２１号公報の「多結晶シリコン薄膜・・・上に酸化インジウム錫（ＩＴＯ）を・・・蒸着した・・・光起電力装置。」（５頁８欄４０〜４９行）、及び、請求人が提示した、「太陽光発電」　森北出版株式会社　高橋清他著　１９８０年１２月１０日　第１版第２刷　ｐ．１６６〜１６８　の「シリコン基板上に、ＳｎＯ２・・・などの半導体層を形成したヘテロ接合・・・ＳｎＯ２−Ｓｉ型では・・・電力用太陽電池として実用化される可能性が出てきた。・・・ＳｎＯ２−Ｓｉｎｎ接合」（特に１６６頁１７〜２８行）との記載参照）ことに照らして、「半導体結晶基板がシリコン単結晶である半導体薄膜を製造する工程」の後、（ＳｎＯ２あるいは酸化インジウム錫（ＩＴＯ）等の）透明半導体を積層する工程を付加して、ヘテロ接合太陽電池とすることに格別の困難は認められない。
　そして、その際に、ＳｎＯ２あるいは酸化インジウム錫（ＩＴＯ）が一般にｎ型半導体として作用することに照らして、シリコン単結晶ウェーハ及び剥離ウェーハをｎ型となすことも、ヘテロ接合太陽電池として発明を実施するに際して、当業者が考慮すべき事項である。
　そうすると、引用発明の太陽電池の製造方法における太陽電池として、周知のヘテロ接合構造の太陽電池を採用し、本願発明における上記相違点１の構成とすることは、当業者が容易になし得ることである。　
　
イ　上記相違点２について検討する。　
　上記３（１）ア（オ）によれば、支持基板として「金属アルミニウムもしくはアルミニウム合金からなるＡｌ系金属基板を用意」し、「これを水素注入後ウェーハの剥離ウェーハとなる側の主表面に、剥離ウェーハを分離前の状態にて密着・積層する」と記載されているから、引用文献には、金属基板とシリコン単結晶である半導体結晶基板とを用意する工程と、金属基板とシリコン単結晶である半導体結晶基板の水素（負イオン）注入後ウェーハの剥離ウェーハとなる側の主表面と金属基板とを密着させる工程が記載されている。
　また、上記アでの検討を踏まえれば、シリコン単結晶である半導体結晶基板はｎ型シリコン単結晶である半導体結晶基板であってもよいところ、ｎ型シリコン単結晶である半導体結晶基板と金属基板を合わせるに際して、金属基板の種類に応じて適宜の接着剤で密着・積層し硬化させることは慣用手段であって、その際に、上記３（１）ア（オ）によれば、「Ａｌ系金属基板はカソード電極として使用可能であ」ることに照らして、接着剤は導電性であることが望ましく、周知の導電性接着剤を採用して本願発明における上記相違点２の構成とすることは、当業者が容易になし得ることである。
　
ウ　上記相違点３について検討する。
　引用文献には、「反射防止膜４７」に関して、上記３（１）ア（オ）によれば、「得られた剥離ウェーハ１の各主表面に、カソード電極４４、アノード電極４５、あるいは反射防止膜４７等を形成す」ると記載され、上記アノード電極４５は、「剥離ウェーハの受光面となる側の主表面に」形成されることに照らして、上記反射防止膜４７は受光面に設けられるものであり、また、透明膜といえる。
　ここで、太陽電池に透明な反射防止性の保護膜を設けることは常套手段であるから、引用発明の反射防止膜を、反射防止とともに保護機能を有する本願発明における上記相違点３の構成とすることは、当業者が必要に応じて適宜なし得る程度のことである。
　
エ　上記相違点４について検討する。
　引用発明は、上記３（１）ア（エ）によれば、「水素負イオン注入のドーズ量がおよそ１．５×１０１７ions／cm２以上であれば、熱処理を加えなくても剥離を生じさせることができる」ものであるから、熱処理を加えなくても、水素負イオン注入のドーズ量がおよそ１．５×１０１７ions／cm２以上であれば、「剥離を生じさせることができる」ところ、物を分離する際に衝撃を与えることは慣用的手段であるから、引用発明において、半導体結晶基板より半導体薄膜を剥離するに際して衝撃を与え、本願発明における上記相違点４の構成とすることは、当業者が必要に応じて適宜なし得る程度のことである。
　
（３）請求人の主張について
　請求人は、平成２２年１２月２４日提出の意見書において、
「引用文献１に記載の発明で用いられている半導体とは、・・・非単結晶半導体であり、本願発明の単結晶シリコンとは異なります。」、「引用文献２・・・は、本願発明のように光変換層に単結晶シリコンを用いたものとは異なります。」、「引用文献３・・・は、・・・本願発明のように光変換層に単結晶シリコンを用いたものとは異なります。このように、引用文献１〜３に記載されているものは、単結晶シリコンを用いたものではありません。」及び「引用文献５・・・に記載されているのは、シリコン単結晶ウェーハにイオン注入により水素高濃度層を形成し、これによりＡｌ系金属基板等に転写するものです。したがって、引用文献・・・５の単結晶シリコンの転写方法（剥離方法、分離方法）は、単結晶以外の半導体を用いている引用文献１〜３には適用できないか、仮に適用したとしても、本願発明の、金属基板上にｎ型単結晶シリコン層を形成し、これをｎ型透明半導体層とともに太陽電池の構成とすることまでを導くことはできません。」と主張する。
　また、平成２５年５月１０日提出のファクシミリによる応対においても、本願発明はｎ−ｎ型ヘテロ接合であることを必須の構成要件とする点で引用発明と相違する旨主張する。
　しかしながら、上記（２）での検討に照らして、上記主張は採用できない。
　
５　むすび
　以上の検討によれば、本願発明は、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができないものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。