【事件の表示】
　特願２００４−３３６９６８「半導体装置の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年　６月　８日出願公開、特開２００６−１４７８９７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯
　本願は、平成１６年１１月２２日を出願日とする出願であって、平成２２年１２月１０日付けの拒絶理由通知に対して、平成２３年３月１４日に手続補正書及び意見書が提出されたが、同年５月２３日付けで拒絶査定がされ、これに対し、同年９月２９日に審判請求がされたものである。
　
第２．本願発明に対する判断
１．本願の請求項１に係る発明は、平成２３年３月１４日に提出された手続補正書により補正された請求項１に記載された、次のとおりのものである（以下「本願発明」という。）。
　
【請求項１】
「基板上にニッケル−イリジウム合金層を堆積させる工程と、
　前記基板に熱処理を施し、前記基板表面あるいは該基板上のシリコン物質と前記ニッケル−イリジウム合金層を反応させる工程と、
　を有し、前記基板上にイリジウム含有のニッケルモノシリサイド層を形成するものであり、
　前記ニッケル−イリジウム合金層は、ニッケル−イリジウム合金から成る金属ターゲットのスパッタリングにより行うことで、イリジウムが原子レベルで合金内に均一に混じり合った固溶体になって堆積し、
　前記ニッケル−イリジウム合金層中のイリジウムの含有量は、０．１ａｔ．％〜５ａｔ．％の範囲にあることを特徴とする半導体装置の製造方法。」
　
２．引用例の表示
　　引用例１：国際公開第２００４／００１８２６号
　　引用例２：特開２００２−３６７９２９号公報
　
３．引用例１の記載、引用発明と、引用例２の記載
（１）原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願日前に日本国内において頒布された刊行物である国際公開第２００４／００１８２６号（以下「引用例１」という。）には、「半導体プロセスにシリサイドコンタクトを使用する方法」（発明の名称の当合議体訳）に関して、図３とともに、次の記載がある（ここにおいて、下線は当合議体が付加したものである。以下同様。）。
　
ａ．「Commonly used salicide materials include TiSi 2 , CoSi 2 , and NiSi. Although NiSi provides some advantages over TiSi 2  and CoSi 2 , such as lower silicon consumption during silicidation, it is not widely used because of the difficulty in forming NiSi rather than the higher resistivity nickel di- silicide, NiSi 2 . Even though back end of line (BEOL) temperatures below 500℃ can now be achieved, forming NiSi without significant amounts of NiSi 2  remains a challenge, since formation of NiSi 2  has been seen at temperatures as low as about 450℃. Therefore, a method which favors the formation of NiSi and disfavors the formation of NiSi 2  is desirable.」（第１頁第２３〜２９行。）（当合議体訳：一般に使用されているサリサイド材料は、ＴｉＳｉ２、ＣｏＳｉ２およびＮｉＳｉを含んでいる。
ＮｉＳｉは
シリサイド化の間におけるシリコン消費が少ないことのような利点をいくつか有するが、より高抵抗のニッケルジシリサイド、ＮｉＳｉ
２
を形成するよりもＮｉＳｉを形成する方が難しいため、広くは使用されていない。
バックエンド工程の温度を５００℃以下とすることができたとしても、約４５０℃くらいの低温でＮｉＳｉ
２
が形成されることが確認されているので、著しい量のＮｉＳｉ
２
の生成を伴わずにＮｉＳｉを形成するという課題は依然として残っている。したがって、ＮｉＳｉを形成し易くし、ＮｉＳｉ
２
を形成しにくくする方法が望まれている。
　
ｂ．「According to an embodiment of the invention, a method for forming silicide contact regions on active device regions such as transistor source, drain, and gate regions favors the formation of a first silicide and disfavors the formation of a second silicide.」（第２頁第２〜４行。）（当合議体訳：本発明の実施形態の一例によれば、トランジスタのソース、ドレインおよびゲート領域のような活性デバイス領域上にシリサイドコンタクト領域を形成する方法は、
第１シリサイドを形成し易く、第２シリサイドを形成しにくい。
　
ｃ．「Embodiments of the current invention provide for formation of a first silicide, such as NiSi, without the formation of significant amounts of a second silicide, such as NiSi 2 .」（第４頁第２２〜２３行。）（当合議体訳：本発明の実施形態は、
著しい量のＮｉＳｉ
２
のような第２シリサイドの生成を伴わず、ＮｉＳｉのような第１シリサイドを形成する
　
ｄ．「According to another embodiment of the invention, Figure 3 shows a wafer 10 including a substrate 100. Similar to the embodiment shown in Figure 1, substrate 100 is a crystalline silicon substrate, which may be doped p-type or n-type. 」（第８頁第７〜９行。）（当合議体訳：本発明の他の実施形態によると、図３は、基板１００を含むウェーハ１０を示す。図１で示された実施形態と同様に、
基板１００は、ｐ型またはｎ型にドープされ得る結晶性のシリコン基板である
　
ｅ．「A layer 160 is deposited (details below) over the surface of wafer 10. Layer 160 includes a metal capable of forming a silicide and an additional material. The metal may be capable of forming a first silicide and a second silicide, and the additional material may be soluble in the first silicide but not the second silicide.
　
　For example, the metal may be nickel, and the material may be soluble in NiSi but not in NiSi 2 , so that the formation of NiSi 2  is energetically disfavored, allowing for more reliable production of NiSi contacts. The additional material may be Ge, Ti, Re, Ta, N, V, Ir, Cr, Zr, or other appropriate material.
　
　Layer 160 may be formed by a number of methods. For example, layer 160 may be deposited using a vapor deposition process. Vapor deposition includes, but is not limited to evaporation, physical vapor deposition, and laser ablation. According to an embodiment of the invention, layer 160 is deposited by physical vapor deposition using a sputter target. The sputter target comprises the metal and the additional material in the proportions to be used to prevent formation of NiSi 2 . The proportion of additional material in the sputter target is large enough to be effective, yet not so large that the additional material separates out of the solid solution. For example, where the metal is nickel and where the additional material chosen from the group Ge, Ti, Re, Ta, N, V, Ir, Cr, Ta, and Zr, the proportion of additional material may be less than about 15 at.%, or between about 5 at.% and about 15 at.%.
　
　To deposit layer 160, wafer 10 is introduced into a sputter chamber. Material is conventionally sputtered from the sputter target and forms layer 160 on wafer 10. After layer 160 is formed on wafer 10, the temperature of wafer 10 is increased to form a silicide by the reaction of silicon with one or more metallic constituents of layer 160.」（第８頁第１６行〜第９頁第９行。）（当合議体訳： 層１６０は、（以下に詳細に説明するように）ウェーハ１０の表面上に堆積される。
層１６０は、シリサイドを形成できる金属および追加の材料を含む。この金属は、第１シリサイドおよび第２シリサイドを形成することができ、追加の材料は、第１シリサイド中に溶解するが、第２シリサイド中に溶解しないものとすることができる。
　
　
より信頼できるＮｉＳｉコンタクトを製造できるようにすべく、ＮｉＳｉ
の形成がエネルギー的に不利になるように、例えば、この金属をニッケルとして、この材料がＮｉＳｉに溶解するがＮｉＳｉ
２
に溶解しないようにすることができる。この追加の材料は、Ｇｅ、Ｔｉ、Ｒｅ、Ｔａ、Ｎ、Ｖ、Ｉｒ、Ｃｒ、Ｚｒまたは他の適当な材料とすることができる。
　
　層１６０は、様々な方法によって形成することができる。例えば、層１６０は気相成長プロセスを使用して堆積してもよい。気相成長には、蒸発、物理気相成長およびレーザ・アブレーションが含まれるが、これらのものに限られない。本発明の実施形態の一つによれば、
層１６０は、スパッタ・ターゲットを使用する物理気相成長によって堆積される。このスパッタ・ターゲットは、ＮｉＳｉ
２
の形成を妨げるような割合で、金属および追加の材料を含む。スパッタ・ターゲット中の追加の材料の割合は、十分有効である程度には多いが、追加の材料が固溶体から分離してしまうほどには多くない。例えば、金属がニッケルであり、追加の材料がＧｅ、Ｔｉ、Ｒｅ、Ｔａ、Ｎ、Ｖ、Ｉｒ、ＣｒおよびＺｒからなる群から選択される場合に、この追加の材料の割合は、約１５ａｔ．％未満、または約５ａｔ．％から約１０ａｔ．％の間とすることができる。
　
　層１６０を堆積すべく、ウェーハ１０はスパッタ・チャンバに導かれる。従来から行われているように、材料はスパッタ・ターゲットからスパッタリングされ、ウェーハ１０上に層１６０を形成する。層１６０がウェーハ１０上に形成された後、
シリコンを層１６０の１つ以上の金属成分と反応させることによってシリサイドを形成すべく、ウェーハ１０の温度を上昇させる。
　
ｆ．「The silicidation process is described more fully below.
　
　In some embodiments of the invention, silicidation is performed using a single rapid thermal anneal (RTA) step. During the RTA, the temperature of the wafer is raised to a temperature sufficient to form the desired silicide; for example to form NiSi. In other embodiments, a two step process is performed.
　
　An embodiment of a two-step silicidation process for forming NiSi contact regions is as follows. During a first RTA, the temperature is raised to between about 320 ℃ and about 450℃, for a time of about 5 seconds to about 60 seconds. A di-nickel silicide Ni 2 Si is formed during the first RTA, at a temperature low enough that silicon does not diffuse up spacers such as spacers 140 of Figure 1 and Figure 3, which may cause short circuits in the device. After the first RTA, a selective etch is performed which removes unreacted metallization (for example, portions of metal layer 150 of Figure 1 or layer 160 of Figure 3 disposed above spacers 140, oxide regions 110, and other non-silicon regions of wafer 10). A second RTA is then performed, during which the temperature is raised to between about 400 ℃ and about 550 ℃, for a time of about 5 seconds to about 60 seconds. The low resistance NiSi phase is formed during the second RTA.」（第９頁第９〜２４行。）（当合議体訳：シリサイド化プロセスについては、以下により詳細に記載する。
　
  本発明のいくつかの実施形態においては、単一のＲＴＡ（rapid thermal anneal ）ステップを使用して、シリサイド化を実行する。ＲＴＡの間、所望のシリサイド、例えば
ＮｉＳｉを形成するのに十分な温度までウェーハの温度を上昇させる。
　
  ＮｉＳｉコンタクト領域を形成する２ステップシリサイド化プロセスの実施形態の一例は、以下のとおりである。
第１ＲＴＡの間、約５秒から約６０秒の間、その温度を約３２０℃から約４５０℃の間にまで上昇させる。
この第１ＲＴＡの間にジニッケルシリサイドＮｉ
２
Ｓｉが形成される。
その後、第２ＲＴＡを実行する。この間、約５秒から約６０秒の間、その温度を約４００℃から約５５０℃の間にまで上昇させる。この第２ＲＴＡの間、低抵抗のＮｉＳｉ相が形成される。
　
（２）引用発明
　上記摘記事項を総合すれば、引用例１には、他の実施形態として、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。
　
「ウエーハ１０の表面上に、ニッケルと、追加の材料としてＧｅ、Ｔｉ、Ｒｅ、Ｔａ、Ｎ、Ｖ、Ｉｒ、ＣｒおよびＺｒからなる群から選択される元素を含む層１６０を堆積させる工程と、
　前記ウエーハの温度を上昇させることにより、前記ウエーハのシリコンと前記層１６０の１つ以上の金属成分とを反応させることにより、シリサイドを形成する工程と、
　を有し、前記ウエーハ１０上に、前記追加の材料を含有するＮｉＳｉを形成するものであり、
　前記ニッケルと前記追加の材料を含む層１６０は、ニッケルと追加の材料を含むターゲットをスパッタリングすることにより堆積され、
　前記
スパッタ・ターゲット中の前記追加の材料の割合は、約１５ａｔ．％未満、または約５ａｔ．％から約１０ａｔ．％の間にあることを特徴とする半導体装置の製造方法。
　
（３）原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願日前に日本国内において頒布された刊行物である特開２００２−３６７９２９号公報（以下「引用例２」という。）には、「超浅接合形成部において用いられるイリジウムを含む熱安定性の高いニッケルシリサイドおよびその製造方法」（発明の名称）に関して、次の記載がある。
　
ａ．「【０００５】超浅接合形成部に用いる場合、チタンシリサイドおよびコバルトシリサイドよりもニッケルシリサイドの方が適している。なぜならば、コバルト（Ｃｏ）は、ＣｏＳｉ2を形成するために１Åあたり３．６４ÅのＳｉを必要とするのに対し、ニッケルモノシリサイド（ＮｉＳｉ）は１Åのニッケル（Ｎｉ）あたり１．８３オングストローム（Å）のＳｉしか消費しないからである。しかし、
ＮｉＳｉは、温度が７００℃よりも高くなると安定性を失う。詳細には、ＮｉＳｉは、Ｓｉとさらに反応してＮｉＳｉ
2
に変化し、温度が高くなると、塊状化して、膜内に島状部を孤立させる。将来において用いられる高度集積回路（ＩＣ）によるプロセスでは高温状態が避けられないため、８００℃以上の温度においてもシリサイドの安定性を保持するような、超浅接合形成部上にシリサイドを形成する方法を確立することが重要となっている。
　
ｂ．「【００４１】ここで、シリサイド膜の熱安定性について説明する。高温での処理が必要な用途の場合、ニッケルシリサイド膜の熱安定性を向上させることが必要である。安定性を向上させるための１つのアプローチとしては、ニッケルジシリサイド（ＮｉＳｉ2）の変態温度を上昇させるアプローチがある。
ニッケルシリサイド（ＮｉＳｉ）に不純物を付加し、この不純物のシリサイドの構造がＮｉＳｉの構造と類似している場合、これらのシリサイドは相互溶性の固溶体を形成し得ることが予想される。
【００４２】本願発明者らは、複数の不純物について研究を行ってきた。詳細には、
研究対象とした複数の不純物を挙げると、白金（Ｐｔ）、イリジウム（Ｉｒ）およびパラジウム（Ｐｄ）が挙げられる。これらの材料のモノシリサイドの結晶構造はそれぞれ、ニッケルモノシリサイドの結晶構造（すなわち、ＭｎＰ斜方晶系）と同じである。これらのシリサイドとニッケルモノシリサイドとの間の格子不整合も極めて小さい。
【００４３】
【表１】
化合物　　結晶構造　　　　　格子常数（Å）
　　　　　　　　　　　　　　ａ　　　　　　ｂ　　　　　　ｃ
ＮｉＳｉ　斜方晶系、ＭｎＰ　５．２３３　　３．２５８　　５．６５９　
ＰｔＳｉ　斜方晶系、ＭｎＰ　５．９３２　　５．５９５　　３．６０３　
ＩｒＳｉ　斜方晶系、ＭｎＰ　５．５５７９　３．２２１３　６．２６７３
ＰｄＳｉ　斜方晶系、ＭｎＰ　５．５９９　　３．３８１　　６．１３３　
」
　
ｃ．「【００４４】図５は、７オングストロームの
白金膜
温度が７５０℃を越えると、シート抵抗は上昇
　
ｄ．「【００４７】図８は、１５オングストロームの
イリジウム膜
温度が９００℃を超えても、膜の安定性は維持されていた。
【００４８】図９は、
７オングストローム
イリジウム膜
シート抵抗が少し上昇した
　
ｅ．「【００５０】本願発明者らは、ニッケル／シリコン界面にパラジウムを付加した場合についても研究した。本願発明者らの観察結果によれば、
パラジウムの場合、ＩｒまたはＰｔをニッケル／シリコン界面に付加した場合と比較して、ニッケルシリサイド膜の安定性を向上させる効果はそれほど無かった
　
ｆ．「【００５８】上述したように、
ニッケルシリサイドにＰｔまたはＩｒを付加すると、ニッケルシリサイドの安定性が顕著に増す。
上記の図に示すように、イリジウム中間層を設けることによって、温度が８００度になっても、接合部の完全性を維持できた。しかし、白金を付加すると、Ｎ＋／Ｐ接合部中のリークが顕著な量になることが観察された。従って、本発明の中間層材料としてはイリジウムが好ましい。
　
４．対比
（１）次に、本願発明と引用発明とを対比する。
ア．引用発明において、「ウエーハ１０の表面上」は、本願発明の「基板上」に相当する。
　
イ．引用発明の「ニッケルと、追加の材料としてＧｅ、Ｔｉ、Ｒｅ、Ｔａ、Ｎ、Ｖ、Ｉｒ、ＣｒおよびＺｒからなる群から選択される元素を含む層１６０」と、本願発明の「ニッケル−イリジウム合金層」とは、「ニッケル合金層」である点で共通する。
　
ウ．引用発明において、「ウエーハの温度を上昇させる」ことは、本願発明の「基板に熱処理を施」すことに相当する。
　
エ．引用発明において、「前記ウエーハのシリコンと前記層１６０の１つ以上の金属成分とを反応させることにより、シリサイドを形成する」ことは、本願発明の「前記基板表面あるいは該基板上のシリコン物質と前記ニッケル」「合金層を反応させる」ことに相当する。
　
オ．引用例１において、ニッケルモノシリサイド（ＮｉＳｉ）とニッケルジシリサイド（ＮｉＳｉ２）は区別して記載されているから、引用発明の「ＮｉＳｉ」は本願発明の「ニッケルモノシリサイド」に相当しており、したがって、引用発明において、「前記ウエーハ１０上に」「ＮｉＳｉを形成する」ことは、本願発明の「前記基板上に」「ニッケルモノシリサイド層を形成する」ことに相当する。
　
カ．引用発明において、「ニッケル」「を含む層１６０」が「ニッケル」「を含むターゲットをスパッタリングすることにより堆積」することは、本願発明において、「ニッケル」「合金層」が「ニッケル」「合金から成る金属ターゲットのスパッタリング」により「堆積」されることに相当する。
　
（２）そうすると、本願発明と引用発明の一致点及び相違点は、次のとおりとなる。
　
《一致点》
「基板上にニッケル合金層を堆積させる工程と、
　前記基板に熱処理を施し、前記基板表面あるいは該基板上のシリコン物質と前記ニッケル合金層を反応させる工程と、
　を有し、前記基板上にニッケルモノシリサイド層を形成するものであり、
　前記ニッケル合金層は、ニッケル合金から成る金属ターゲットのスパッタリングにより行うことで、堆積、
　する半導体装置の製造方法。」
　
《相違点》
《相違点１》
　「ニッケル合金層」について、本願発明においては、「ニッケル−イリジウム合金層」であるのに対して、引用発明においては、「ニッケルと、追加の材料としてＧｅ、Ｔｉ、Ｒｅ、Ｔａ、Ｎ、Ｖ、Ｉｒ、ＣｒおよびＺｒからなる群から選択される元素を含む層１６０」であって、「追加の材料」の中には、イリジウム（Ｉｒ）が含まれるものの、イリジウムに限定されていない点。
　
《相違点２》
　「ニッケル合金層」について、本願発明においては、「イリジウムが原子レベルで合金内に均一に混じり合った固溶体になって堆積」しているが、引用発明においては、「ニッケルと、追加の材料としてＧｅ、Ｔｉ、Ｒｅ、Ｔａ、Ｎ、Ｖ、Ｉｒ、ＣｒおよびＺｒからなる群から選択される元素を含む層１６０」において、ニッケルと追加の材料である各元素がどのように混じり合っているかが特定されていない点。
　
《相違点３》
　「金属ターゲット」について、本願発明においては、「ニッケル−イリジウム合金から成る」のに対して、引用発明においては、「ターゲット」が、ニッケル以外に、「追加の材料」として「Ｇｅ、Ｔｉ、Ｒｅ、Ｔａ、Ｎ、Ｖ、Ｉｒ、ＣｒおよびＺｒからなる群から選択される元素」を含んでおり、上記「追加の材料」にはイリジウム（Ｉｒ）が含まれるものの、イリジウムに限定されていない点。
　
《相違点４》
　本願発明において、「前記ニッケル−イリジウム合金層中のイリジウムの含有量は、０．１ａｔ．％〜５ａｔ．％の範囲にある」のに対して、引用発明において、「前記スパッタ・ターゲット中の前記追加の材料の割合は、約１５ａｔ．％未満、または約５ａｔ．％から約１０ａｔ．％の間にある」点。
　
５．当審の判断
（１）相違点１についての第１の検討
　引用例２には、摘記した上記ｂ．ｃ．ｄ．ｅ．によれば、ニッケルモノシリサイド（ＮｉＳｉ）に不純物を付加することにより、ニッケルモノシリサイド膜が高温のためにニッケルジシリサイド（ＮｉＳｉ２）となることを防止し、熱的安定性を向上させることができこと、また、研究対象として選ばれた白金、イリジウム、パラジウムの不純物中では、温度上昇に対するシート抵抗の安定性、温度上昇に対する接合部リークの安定性の観点から、特にイリジウムが優れていることが記載されている。
　したがって、引用発明は、高抵抗のニッケルジシリサイドではなく、ニッケルモノシリサイドを安定に製造するために、ニッケルシリサイドに、Ｇｅ、Ｔｉ、Ｒｅ、Ｔａ、Ｎ、Ｖ、Ｉｒ、ＣｒおよびＺｒからなる群から選択される元素を含ませるものであるが、引用例２の上記記載を考慮して、上記元素のうち特に特性の優れたイリジウム（Ｉｒ）を選択して、ニッケルシリサイドに含有させるようにすることは当業者が容易になし得たことである。
　
（２）相違点２についての検討
　引用例２には、摘記した上記ｂ．の段落【００４１】に「ニッケルシリサイド（ＮｉＳｉ）に不純物を付加し、この不純物のシリサイドの構造がＮｉＳｉの構造と類似している場合、これらのシリサイドは相互溶性の固溶体を形成し得ることが予想される。」と記載され、同じく段落【００４２】には、「表１」を根拠にして、「研究対象とした複数の不純物を挙げると、白金（Ｐｔ）、イリジウム（Ｉｒ）およびパラジウム（Ｐｄ）が挙げられる。これらの材料のモノシリサイドの結晶構造はそれぞれ、ニッケルモノシリサイドの結晶構造（すなわち、ＭｎＰ斜方晶系）と同じである。これらのシリサイドとニッケルモノシリサイドとの間の格子不整合も極めて小さい。」と記載されており、ニッケルシリサイドとイリジウムシリサイドは結晶構造が類似していることから、ニッケルシリサイドに付加されたイリジウムは相互溶性の固溶体を形成することが示唆されている。そして、相互溶性の固溶体中では、イリジウムは均一に混じり合っているものと認められる。
　すると、引用発明において、追加する材料としてイリジウムを選択した場合には、イリジウムを含有したニッケルモノシリサイドとなるから、このようなイリジウム含有のシリサイドは、引用例２の上記示唆のとおり、原子レベルで均一に混じり合った固溶体となっているものと認められる。
　
（３）相違点３についての検討
　相違点１について検討したように、熱的に安定なニッケルモノシリサイドを形成するためにイリジウムを含有させるのであるから、そのようなシリサイドを形成するための金属ターゲットとして、堆積する合金層と同じ組成の金属ターゲットを使用してスパッタリングを行うことは当業者が容易に想到し得たことである。
　
（４）相違点４についての検討
　引用発明において、「スパッタ・ターゲット中の前記追加の材料の割合」が「約１５ａｔ．％未満、または約５ａｔ．％から約１０ａｔ．％の間」と特定されている理由は、引用例１で摘記した上記ｅ．の記載「このスパッタ・ターゲットは、ＮｉＳｉ２の形成を妨げるような割合で、金属および追加の材料を含む。スパッタ・ターゲット中の追加の材料の割合は、十分有効である程度には多いが、追加の材料が固溶体から分離してしまうほどには多くない。」のとおりであり、高温時に高抵抗のＮｉＳｉ２相の形成を妨げるために十分な割合の「追加の材料」が必要であると同時に、固溶体から分離してしまうほどには多くない割合にする必要があるからである。
　そして、引用例１には、「追加の材料」の下限が「約５ａｔ．％」と記載されていると同時に「約１５ａｔ．％未満」とも記載されているから、５ａｔ．％以下の割合とすることを否定しているわけではない。また、５ａｔ．％以下の割合となるように追加の材料を付加したとしても、高温時に、ＮｉＳｉ２相の形成を妨げ、ＮｉＳｉ相を維持する能力を有しているものと認められる。
　この点について、例えば、引用例２の摘記した上記ｄ．の段落【００４７】、【００４８】によれば、イリジウム膜を１５Åの半分以下の７Åにしても、高温におけるシート抵抗の上昇が少し認められるものの、高温での膜の安定性は維持されると記載されていることから、イリジウムの割合が少し低下したとしても、膜の抵抗値や高温での安定性が急激に変化することはないものと認められる。
　したがって、スパッタ・ターゲットの中の追加の材料の割合を５ａｔ．％以下の適当な値とすることは、形成するニッケルモノシリサイドに必要とされる高温での膜の安定性に応じて当業者が適宜選択し得ることである。
　そして、「追加の材料」の割合が「５ａｔ．％以下」であるスパッタ・ターゲットを利用してスパッタを行えば、ウエーハ１０の表面上に堆積される層１６０内における「追加の材料」の割合も同程度の値となるものと認められる。
　したがって、引用発明において、「ニッケルと」「追加の材料を含む層１６０」における「追加の材料」であるイリジウムの割合を、ＮｉＳｉ２相の形成を妨げる効果の認められる範囲で、５ａｔ．％以下の値とすること、すなわち、０．１ａｔ．％〜５ａｔ．％の範囲とすることは、当業者が適宜なし得たことである。
　
（５）したがって、上記（１）〜（４）で検討したとおり、引用発明において、上記相違点１〜４に係る構成とすることは、当業者が容易に想到し得たものである。
　
第３．結言 
　以上のとおり、本願発明は、引用発明及び引用例２に記載された事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
　したがって、本願は、他の請求項について検討するまでもなく、拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。