【事件の表示】
　特願２００６−５０２３７４「薄膜半導体デバイスおよび薄膜半導体デバイスの製法」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　８月１２日国際公開、ＷＯ２００４／０６８５３６、平成１８年　７月　６日国内公表、特表２００６−５１６８１９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、２００４年１月３０日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００３年１月３０日，南アフリカ共和国）を国際出願日とする出願であって、平成２３年３月２日付けで拒絶理由が通知され、これに対して、同年６月８日に手続補正されたが、同年９月２１日付けで拒絶査定がされたところ、これに対して、平成２４年１月２７付けで拒絶査定不服審判の請求がされるとともに、同日付けで手続補正がされ、その後、同年６月２５日付けで審尋がされ、それに対して同年１２月２５日に回答書が提出されたものである。
　
第２　補正の却下の決定
［補正の却下の決定の結論］
　平成２４年１月２７日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
１　本件補正の内容
　平成２４年１月２７日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）は，補正前の特許請求の範囲の請求項１〜２５を，補正後の特許請求の範囲の請求項１〜２２と補正するものであって，補正前後の特許請求の範囲は，以下のとおりである。
　
　（補正前）
　「【請求項１】
　基材；および
　基材上の層に蒸着された無機材料の多数の薄膜活性層を含み、ここに少なくとも１つの活性層は、基材および基礎をなす活性層の一方に印刷され、ここに少なくとも１つの活性層は、ナノ結晶シリコン粉末およびバイオポリマーを含む担体を含むことを特徴とする薄膜半導体デバイス。
　　【請求項２】
　該基材が、紙シートを含む請求項１記載の薄膜半導体デバイス。
　　【請求項３】
　該担体が、酢酸酪酸セルロースを含む請求項１記載の薄膜半導体デバイス。
…（中略）…
　　【請求項１６】
　直列にて連結された複数の光電池を含み、各光電池は、少なくとも１つの他の光電池に隣接して形成され、少なくとも１つの電池の第３の層がその透明コンタクトを定め、隣接する電池の第１の層を重ねて、その金属コンタクトを定め、それによって隣接する電池を電気的に直列に連結する請求項１１記載の半導体デバイス。
　　【請求項１７】
　電界効果トランジスタの形態である請求項１記載の半導体デバイス。
　　【請求項１８】
　該電解効果トランジスタが、基材上に印刷され、金属のソースおよびドレインコンタクトを定める第１の層、ナノ結晶シリコンを含み、該第１の層に適用される第２の層、および該第２の層上に印刷され、金属のゲートコンタクトを定める第３の層を含むＭＳ−ＦＥＴである請求項１７記載の半導体デバイス。
…（中略）…
　　【請求項２０】
　該電解効果トランジスタが、該基材に印刷され、ゲートコンタクトを定める第１の層、該第１の層に適用され、ナノ結晶シリコンを含む第２の層、および該第２の層に印刷され、金属のソースおよびドレインコンタクトを定める第３の層を含む請求項１７記載の半導体デバイス。
…（後略）…」
　
　（補正後）
　「【請求項１】
　紙シートの基材；および
　基材上の層に蒸着された無機材料の多数の薄膜活性層を含み、ここに少なくとも１つの活性層は、基材および基礎をなす活性層の一方に印刷され、ここに少なくとも１つの活性層は、ナノ結晶シリコン粉末およびバイオポリマーを含む担体を含むことを特徴とする、光電池の形態またはＭＳ−ＦＥＴの形態である薄膜半導体デバイス。
　　【請求項２】
　該担体が、酢酸酪酸セルロースを含む請求項１記載の薄膜半導体デバイス。
…（中略）…
　　【請求項１４】
　直列にて連結された複数の光電池を含み、各光電池は、少なくとも１つの他の光電池に隣接して形成され、各光電池は３つの層を含み、第１の層は該基材上に印刷された金属ベースコンタクトの形態であり、第２の層は第１の層上に印刷され、第３の層は透明なトップコンタクトを含み、かつ、第２の層上に印刷され、個々の電池は、該基材を横切ってストリップとして設けられ、隣接ストリップのトップおよびベースコンタクトを重ねることによって、隣接する電池が電気的に直列に連結する請求項９記載の半導体デバイス。
…（中略）…
　　【請求項１７】
　該ＭＳ−ＦＥＴが、該基材に印刷され、ゲートコンタクトを定める第１の層、該第１の層に適用され、ナノ結晶シリコンを含む第２の層、および該第２の層に印刷され、金属のソースおよびドレインコンタクトを定める第３の層を含む請求項１記載の半導体デバイス。
…（中略）…
　　【請求項１９】
　紙シートの基材に無機材料の多数の薄膜活性層を蒸着することを含み、ここに少なくとも１つの活性層が、基材および基礎をなす活性層の一方に印刷され、ここに少なくとも１つの活性層が、ナノ結晶シリコン粉末およびバイオポリマーを含む担体を含むことを特徴とする、光電池の形態またはＭＳ−ＦＥＴの形態である薄膜半導体デバイスの製法。
…（後略）…」
　　
２ 補正事項の整理
　本件補正の補正事項を整理すると，以下のとおりである。
　
　（補正事項１）
　補正前の請求項１，２２の「基材」を，補正後の請求項１，１９の「紙シートの基材」と補正すること。
　
　（補正事項２）
　補正前の請求項１，２２の「薄膜半導体デバイス」を，補正後の請求項１，１９の「，光電池の形態またはＭＳ−ＦＥＴの形態である薄膜半導体デバイス」と補正すること。
　
　（補正事項３）
　補正前の請求項２を削除し，それに伴って，請求項の番号及び引用する請求項の番号修正すること。　　
　
　（補正事項４）
　補正前の請求項１０を削除し，それに伴って，請求項の番号及び引用する請求項の番号修正すること。
　
　（補正事項５）
　補正前の請求項１６の「各光電池は、少なくとも１つの他の光電池に隣接して形成され、少なくとも１つの電池の第３の層がその透明コンタクトを定め、隣接する電池の第１の層を重ねて、その金属コンタクトを定め、それによって隣接する電池を」を，補正後の請求項１４の「各光電池は、少なくとも１つの他の光電池に隣接して形成され、各光電池は３つの層を含み、第１の層は該基材上に印刷された金属ベースコンタクトの形態であり、第２の層は第１の層上に印刷され、第３の層は透明なトップコンタクトを含み、かつ、第２の層上に印刷され、個々の電池は、該基材を横切ってストリップとして設けられ、隣接ストリップのトップおよびベースコンタクトを重ねることによって、隣接する電池が」と補正し，引用する請求項の番号を修正すること。
　
　（補正事項６）
　補正前の請求項１７を削除し，それに伴って，請求項の番号及び引用する請求項の番号修正すること。
　
　（補正事項７）
　補正前の請求項１８の「電界効果トランジスタ」を，補正後の請求項１５の「ＭＳ−ＦＥＴ」と補正すること。
　
３ 新規事項の追加の有無及び補正の目的の適否について
（１）補正事項１について
　「基材」を「紙シートの基材」と補正することは，本願の願書に最初に添付した明細書（以下，願書に最初に添付した明細書，願書に最初に添付した図面を，各々「当初明細書」，「当初図面」といい，願書に最初に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面を「当初明細書等」という。）において，段落【００２７】に「紙シートの基材１０」と記載されているから，当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものである。
　したがって，補正事項１は，当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものであるから，特許法第１７条の２第３項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項をいう。以下同じ。）に規定する要件を満たすものである。　
　補正事項１は，補正前の請求項１に係る発明の発明特定事項である「基材」に対して，「紙シート」であるという材料に関する技術的限定を加えるものであるから，特許法第１７条の２第４項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項をいう。以下同じ。）第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　
（２）補正事項２について
　「薄膜半導体デバイス」を「光電池の形態又はＭＳ−ＦＥＴの形態である薄膜半導体デバイス」と補正することは，当初明細書等において，段落【００２４】に「トップゲートＭＳ−ＦＥＴ」が，また段落【００３１】に「光電池」が記載されているから，当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものである。
　したがって，補正事項２は，特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすものである。　
　また，補正事項２は，補正前の請求項１に係る発明の発明特定事項である「薄膜半導体デバイス」に対して，「光電池」または「ＭＳ−ＦＥＴ」であるという「デバイス」の種類に関する技術的限定を加えるものであるから，特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　
（３）補正事項３，４，６について
　補正事項３，４，６は，補正前の請求項の削除とそれに伴うものであるから，補正事項３，４，６は，特許法第１７条の２第４項第１号に掲げる請求項の削除を目的とするものに該当し，当然特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすものである。　
　
（４）補正事項５について
　「各光電池は、少なくとも１つの他の光電池に隣接して形成され、各光電池は３つの層を含み、第１の層は該基材上に印刷された金属ベースコンタクトの形態であり、第２の層は第１の層上に印刷され、第３の層は透明なトップコンタクトを含み、かつ、第２の層上に印刷され、個々の電池は、該基材を横切ってストリップとして設けられ、隣接ストリップのトップおよびベースコンタクトを重ねることによって、隣接する電池が電気的に直列に連結する」ことは，当初明細書等において，段落【００３１】及び図３に記載されているから，当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものである。
　したがって，補正事項５は，特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすものである。
　また，補正事項５は，補正前の請求項１６に係る発明の発明特定事項である「光電池」の構造に対して，第２の層が第１の層の上に，第３の層がトップコンタクトで第２の層の上に印刷されて形成され，基材を横切ってストリップとして設けられると技術的に限定を加えるものであるから，特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　
（５）小括
　以上検討したとおりであるから，本件補正は特許法第１７条の２第３項及び第４項に規定する要件を満たすものである。
　そして，本件補正は，特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる事項を目的とするものに該当する補正を含むものであるから，本件補正による補正後の特許請求の範囲に記載されている事項により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否かにつき，以下において更に検討する。
　
４ 独立特許要件について
　
（１）補正発明
　本件補正による補正後の請求項１〜２２に係る発明は，本件補正により補正された明細書，特許請求の範囲及び図面の記載からみて，その特許請求の範囲の請求項１〜２２に記載されている事項により特定されるとおりのものであり，そのうちの請求項１に係る発明（以下「補正発明」という。）は，請求項１に記載されている事項により特定される，以下のとおりのものである。
「紙シートの基材；および
　基材上の層に蒸着された無機材料の多数の薄膜活性層を含み、ここに少なくとも１つの活性層は、基材および基礎をなす活性層の一方に印刷され、ここに少なくとも１つの活性層は、ナノ結晶シリコン粉末およびバイオポリマーを含む担体を含むことを特徴とする、光電池の形態またはＭＳ−ＦＥＴの形態である薄膜半導体デバイス。」
　
（２）引用例に記載された発明
　本願の優先権主張の日前に外国において頒布され，原査定の根拠となった拒絶の理由において引用された国際公開第２００２／４５１８３号（以下「引用例」という。）には，図３Ａ〜３Ｄとともに以下の記載がある（なお，下線は当合議体にて付加したものである。）。
　
（ア）「In der vorliegenden Erfindung kann jedes bekannte 
anorganische halbleitende Material
Silizium
 
Die Partikelgroesse des hier verwendeten anorganischen halbleitenden Materials betraegt im allgemeinen zwischen 100μm und 10 nm, vorzugsweise zwischen 50μm und 0,1 μm order 0,05 μm. Allerdings ist die Partikelgroesse nicht auf diesen Berich begrenzt
 
Der Gehalt (Fuellgrad) des anorganischen halbleitenden Material in den halbleitenden Schichten des Substrats betraegt jeweils ca. 20 bis ca. 90 Vol.-%, vorzugsweise ungefaehr 30 bis ungefaehr 70 Vol.-%, bezogen auf das Gesamtvolumen der halbleitenden Schicht.」（公報明細書４ページ２４行〜５ページ２４行）
(訳：本発明において、各公知の
無機半導体材料
ケイ素
　
ここで用いられる無機半導体材料の粒度は、通常、１００μｍ〜１０ｎｍ、好適には、５０μｍ〜０．１μｍまたは０．０５μｍである。しかしながら、この粒度は、この範囲に限定されない
　基板の半導体層における無機半導体材料の含有量（占有度）は、半導体層の体積全体に対して、それぞれ、約２０〜約９０体積パーセント、好適には、約３０〜約７０体積パーセントである。）
　
（イ）「Als Substratmaterial (Traegermaterial) zur Herstellung elektrischer Schaltungen und Bauteile kann in der vorliegenden Erfindung prinzipiell jedes Material eingesetzt werden, auf dem eine halbleitende Schicht dauerhaft aufgebracht werden kann. Beispiele geeigneter 
Substratmaterialien sind Isolatoren wie Papier,
（訳：電気回路およびコンポーネントを製作する基板材料（支持体材料）として、本発明において、原理的に、半導体層が永久的に設けられ得る、すべての材料が用いられ得る。
適切な基板材料の例は、紙
絶縁体
　
（ウ）「Unter Verwendung der hier beschriebenen halbleitenden Materialien und Substrate ist es Mouglich, jedes beliebige elektrische Bauelement bzw. jede beliebige Schaltung herzustellen. Beispiele von solchen Bauelemente sind 
Transistoren
Solarzellen
（訳：ここで記載された半導体材料および基板を使用して、あらゆる任意の電気素子およびあらゆる任意の回路を製作することが可能である。そのような素子の例は、
トランジスタ
ソーラセル
　　
（エ）「
Eine solche druckbare Zusammensetzung kann dabei ausschliesslich aus einem schmelzbaren Matrixmaterial und darin dispergierten anorganischen halbleitenden Partikeln bestehen.
（訳：
このような印刷可能な組成物は、ここで、溶融可能なマトリックス材料およびその中に分散された無機半導体粒子のみを含み
　
（オ）「
Organische Matrixmaterialien kounnen
in dispergierter Form vorliegen
（訳：
有機マトリックス材料
分散された形態にて存在し得る。）
　
（カ）「Fuer das Auftragen auf das Substratmaterial wird 
die in Schritt(b) hergestellte Suspension vorzugsweise in eine geeignete Druck- oder Spruehvorrichtung ueberfuehrt. 
 Vorzugsweise werden hier Druckverfahren wie Tampon- Sieb-, Schablonen- oder gaengige Tintenestrahldruckverfahren verwendet, da insbesondere mit letztgenannten probemlos eine Auflousong von mindestens 1200 dpi (20μm) erzielt werden kann, welche fuer die oben genannten Einsatzzwecke von erfindungsgemaess aufgedrucketen Schaltungen ausreicht.
 
Ein weitere Druckverfahren, das ebenfalls in der vorliegenden Erfindung eingesetzt werden kann, ist der Offsetdruck.
 （訳：基板材料に付与するために、
工程（ｂ）において生成された懸濁液は、好適には、適切な印刷デバイスまたは噴霧デバイスの中に移送される
　好適には、ここで、パッド印刷法（Ｔａｍｐｏｎｄｒｕｃｋｖｅｒｆａｈｒｅｎ）、スクリーン印刷法（Ｓｉｅｂｄｒｕｃｋｖｅｒｆａｈｒｅｎ）、ステンシル印刷法（Ｓｃｈａｂｌｏｎｅｎｄｒｕｃｋｖｅｒｆａｈｒｅｎ）または一般的なインクジェット印刷法が用いられる。なぜなら、特に、これらの方法を用いることによって、少なくとも１２００ｄｐｉ（２０μｍ）の解像度が問題なく達成され得、これは、本発明による印刷された回路の上述の用途のために十分である。
　
本発明にてさらに用いられ得る印刷法は、オフセット印刷であ
　
（キ）「Ausfuehrungsbeispiel 3
 Dieses Beispiel zeigt einen Metall-Oxid-Halbleiter-Feldelektronentransistor (MOSFET) gemaess Figur 3.
 
Bei dem MOSFET 30 gemaess Figur 3A sind auf einem Substratmaterial 31 zwei Schichten 32 und 33 aus einem nleiatenden pulverfourmigen Halbleitermaterial, das in einem inertem Matrixmaterial dispergiert ist, sowie eine Schicht 34 aus in einem inertem Matrixmaterial eingebetteten p-leitendem Halbleitermaterial aufgetragen.
（訳：実施例３
本実施例は、図３による金属−酸化物−半導体−電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）を示す。
　
図３ＡによるＭＯＳＦＥＴ３０において、基板材料３１上に、２つの層３２および３３が設けられる。２つの層３２および３３は、ｎ導電型のパウダー形状半導体材料を含み、この半導体材料は、不活性マトリックス材料内で分散される。層３４は、不活性マトリックス材料内に埋め込まれたｐ導電型半導体材料を含む
　
（ク）FIG3Aには，基板材料３１上にパウダー状半導体材料が不活性マトリックス材料内で分散された層３２，３３，３４が設けられたものが記載されている。
　
＜引用発明の認定＞　
　以上を総合すると，引用例１には，以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものとみとめられる。　 
 　
「基板材料は紙で，基板材料上に，ケイ素のパウダー形状半導体材料が不活性マトリックス材料内で分散された層３２，３３，３４を印刷により設け，
　ケイ素のパウダー形状半導体材料である無機半導体材料の粒度は、通常、１００μｍ〜１０ｎｍ、好適には、５０μｍ〜０．１μｍまたは０．０５μｍであることを特徴とする
　ソーラセルまたはＭＯＳＦＥＴ。」
　 
（３）対比・判断 
　ア　対比  
　（ア）引用発明の基材の材料としての「紙」は，補正発明の「紙シート」に相当する。
　引用発明の「ケイ素のパウダー形状半導体材料」は「無機半導体材料」であるから，引用発明の「ケイ素のパウダー形状半導体材料が不活性マトリックス材料内で分散された層３２，３３，３４」は，補正発明の「無機材料の多数の薄膜活性層」に相当する。
　
　（イ）次に，補正発明の「基材上の層に蒸着され」がどのような意味であるかを検討する。本願に対応する国際特許公開２００４／６８５３６号の明細書４ページ１４行〜１８行には，「Any reference herein to 
printing 
deposition
「印刷」
蒸着
　
　（ウ）上記（ア）（イ）から，引用発明の「基板材料は紙で，基板材料上に，ケイ素のパウダー形状半導体材料が不活性マトリックス材料内で分散された層３２，３３，３４を印刷により設け」ることは，補正発明の「紙シートの基材；および基材上の層に蒸着された無機材料の多数の薄膜活性層を含む」ことに相当する。
　
　（エ）次に，補正発明の「基材および基礎をなす活性層の一方に印刷され」がどのような意味であるか検討する。本願に対応する国際特許公開２００４／６８５３６号の当初の請求項１の記載を参照すると，「printed onto one of the substrate and an underlying active layer」（当審訳：基板と下の活性層のうちの１つの上に印刷された）と記載されていることから，「基材」と下の活性層のうち何れか一方の上に印刷されたと解すべきである。
　そして，引用発明の「基板材料上に，パウダー形状半導体材料が不活性マトリックス材料内で分散された層３２，３３，３４を印刷により設け」ることは，基板材料上に補正発明の「ここに少なくとも１つの活性層は、基材および基礎をなす活性層の一方に印刷され」ることにも相当している。
　
　（オ）引用発明の「粒度は、通常、１００μｍ〜１０ｎｍ、好適には、５０μｍ〜０．１μｍまたは０．０５μｍである」，「ケイ素のパウダー形状半導体材料である無機半導体材料」は，補正発明の「ナノ結晶シリコン粉末」に相当する。
　
　（カ）引用発明の「ソーラセル」は，補正発明の「光電池」に相当し，引用発明の「ＭＯＳＦＥＴ」と，補正発明の「ＭＳ−ＦＥＴ」とは，「ＦＥＴ」という点で一致し，補正発明は「光電池の形態またはＭＳ−ＦＥＴの形態」と択一的な選択となっていることから，引用発明の「ソーラセルまたはＭＯＳＦＥＴ」は，補正発明の「光電池の形態またはＦＥＴの形態である薄膜半導体デバイス」と「光電池の形態である薄膜半導体デバイス」という点で一致する。
 
（一致点）　  
　以上から，補正発明と引用発明とは， 
「紙シートの基材；および
　基材上の層に蒸着された無機材料の多数の薄膜活性層を含み、ここに少なくとも１つの活性層は、基材および基礎をなす活性層の一方に印刷され、ここに少なくとも１つの活性層は、ナノ結晶シリコン粉末を含む担体を含むことを特徴とする、光電池の形態である薄膜半導体デバイス。」 
　である点で一致し，以下の点で相違する。  
　 
（相違点）  
本願発明は，活性層が「バイオポリマーを含む担体を含んで」いるのに対して，引用発明は，この点が特定されていない点。 
　 
　イ　判断 
（相違点について） 
　まず，補正発明でいうところの「バイオポリマー」について検討する。そもそも「バイオポリマー」とは，生体を構成する高分子物質の総称のことであることは当業者の技術常識であり，本願明細書段落【００２２】においては，バイオポリマーとして酢酸酪酸セルロース（ＣＡＢ）が例示されている。
　そして，半導体粒子をバインダー樹脂で結着することにより半導体層形成するときのバインダー樹脂として酢酸セルロースを用いることが以下の周知例１に，導電性粒子をバインダー樹脂で結着するときのバインダー樹脂として酢酪酸セルロースを用いることが周知例２に記載されているように，セルロース系ポリマー等の生体を構成する高分子物質，すなわちバイオポリマーをバインダーとして用いることは当該技術分野において周知の技術である。　そうすると，引用発明において，上記周知の技術を勘案し，活性層にバイオポリマーを含む担体を含むものとすることは当業者が適宜なし得たことである。
　 
　（ア）　周知例：特開２００２−１００７５９号公報 
　周知例１には，図１とともに以下の記載がある。 
　ａ　「【０００６】すなわち、本発明は、少なくとも
半導体性物質粒子とバインダー樹脂とからなる半導体層を有する半導体素子
半導体性物質粒子とバインダー樹脂と溶媒からなる樹脂ペーストを基材上に塗布または印刷することにより半導体層を形成する
　 
　ｂ　「【０００９】半導体粒子を結着するためのバインダー樹脂としては、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン、ポリフッ化ビニリデン、ポリ酢酸ビニル、ポリビニルアルコール、ポリビニルアセタール、ポリビニルブチラール、ポリアクリロニトリル、ポリオレフィン、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリフェニレンオキサイド、ポリスルホン、飽和ポリエステル、ポリアセタール、ポリアミド、ポリブタジエン、
酢酸セルロース
　 
　（イ）　周知例２：特開２００１−１９６１６６号公報 
　周知例２には，以下の記載がある。 
「【００３１】ドーピング物質の昇華もしくは熱移行を妨げない
バインダ樹脂としては
酢酪酸セルロース
【００３２】転写層２２は、上記したように、ドーピング物質単独を真空蒸着等により真空成膜して、またはドーピング物質とバインダ樹脂とを、溶剤もしくは希釈剤を用いて、溶解もしくは分散し、シート状基材２１上に塗付もしくは印刷して、転写層を形成する。カラー画像出力用の昇華転写シートと同様、異なるドーピング物質を与える複数の区域を同一のシート状基材２１上に繰り返し並べて形成しておくとよい。またシート状基材２１の転写層２２のない側には、スリップ剤を塗布しておくとよい。
【００３３】上記の転写シート２０を、その転写層２２側が、基板１１上の発光材料を主体として構成された薄膜１３に接するようにして重ね、熱転写プリンタのサーマルヘッド３０により、転写シート２０の背面よりドット状の加熱し、加熱部において、ドーピング物質を薄膜１３中に昇華もしくは熱移行させるか、または
バインダ樹脂ごと溶融させて薄膜１３上に転移させる
【００３４】熱転写プリンタのように、入力された文字情報、画像情報に応じて、ドット状に加熱できるものを使用することにより、入力情報を適宜に変更すれば、所望のパターン状にドーピング物質を転移させることが出来る。また、異なるドーピング物質を、所定の大きさで、所定の配列、例えば、ストライプ状、モザイク状、もしくは三角形配列等に配列することができる。
【００３５】転写シートを用いて薄膜１３にドーピング物質の転写を行なっただけでは、転写されたドーピング物質が偏在して、効果を発揮しないため、転写後に、加熱することにより、拡散を行なわせることが必要である。拡散は、取り扱う素材にもよるが、例えば、温度４０〜６０℃で３０分〜５時間程度保持することにより行なわせるとよい。
【００３６】
エレクトロルミネッセント層１３は、上記した発光層のほか、正孔注入層（またはバッファー層）、正孔輸送層、電子注入層（またはバッファー層）、および電子輸送層から選択した一層以上を伴なっていてもよい。これらの層には、適当な有機または無機の添加剤を加えることができ、正孔輸送性、電子輸送性、もしくは発光色の調整を行なうことができる。
　
（４）判断についてのまとめ 
　以上検討したとおり，補正発明は，周知の技術を勘案し，引用例に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができない。 
　
（５）独立特許要件についてのまとめ
　本件補正は，補正後の特許請求の範囲により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものではないから，特許法第１７条の２第５項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項をいう。以下同じ。）において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないものである。 
　
５　補正の却下の決定についてのむすび 
　以上のとおり，本件補正は，特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないものであるから，特許法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。 
　
第３　本願発明 
　本件補正は上記のとおり却下されたので，本願の請求項１〜２５に係る発明は，出願当初の明細書，特許請求の範囲及び図面の記載からみて，その特許請求の範囲の請求項１〜２５に記載された事項により特定されるとおりのものであり，そのうちの請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は再掲すると，請求項１に記載された事項により特定される以下のとおりのものである。
「【請求項１】
　基材；および
　基材上の層に蒸着された無機材料の多数の薄膜活性層を含み、ここに少なくとも１つの活性層は、基材および基礎をなす活性層の一方に印刷され、ここに少なくとも１つの活性層は、ナノ結晶シリコン粉末およびバイオポリマーを含む担体を含むことを特徴とする薄膜半導体デバイス。」
　
第４　引用例に記載された発明 
　引用例には，上記第２，４（２）に記載したとおり，引用発明が記載されている。 
　
第５　判断 
　本願発明は，補正発明から，上記第２，２に記載した補正事項１，２についての補正によりなされた技術的限定を省いたものである。　 
　そうすると第２，４（４）において検討したとおり，補正発明は，周知の技術を勘案し，引用例に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，補正発明から技術的限定を省いた本願発明についても，当然に，引用例に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　したがって，本願発明は特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
第６　むすび 
　以上のとおり，本願の請求項１に係る発明は特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから，他の請求項に係る発明について検討するまでもなく，本願は拒絶をすべきものである。 
　
　よって，結論のとおり審決する。