【事件の表示】
　特願２００６−５２３３８０「金属−炭化珪素オーミックコンタクトの局所的アニーリングおよびそのようにして形成された素子」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年　３月　３日国際公開，ＷＯ２００５／０２０３０８，平成１９年１１月２２日国内公表，特表２００７−５３４１４３〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，２００４年８月１２日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００３年８月１４日，米国）を国際出願日とする出願であって，平成２３年２月３日付けで拒絶理由が通知され，同年８月３１日に手続補正がされ，同年１１月１７日付けで拒絶査定がされ，これに対して，平成２４年３月２２日に審判請求がされるとともに，手続補正がされたものである。
　その後，平成２４年６月２５日付けで審尋がされたが，これに対する回答はされなかったものである。
　
第２　平成２４年３月２２日にされた手続補正（以下「本件補正」という。）について
１　本件補正の内容
　本件補正は，特許請求の範囲を補正するものであり，特許請求の範囲は補正の前後で以下のとおりである。
　
〈補正前〉
「【請求項１】
　炭化珪素（ＳｉＣ）層上にブランケット金属を形成するステップと，
　前記ＳｉＣ層のバンドギャップを超えたエネルギーレベルのレーザー光を照射することによって前記ブランケット金属と前記ＳｉＣ層との第１の界面部をアニーリングして，そこに金属−ＳｉＣ材を形成して約１０ｅ−３ｏｈｍ・ｃｍ２以下の固有コンタクト抵抗のオーミックコンタクトを形成し，かつ前記ブランケット金属と前記ＳｉＣ層との第２の界面部ではアニーリングせずに，前記第２の界面部では前記金属−ＳｉＣ材が形成されないようにするステップと
　を有する半導体素子のオーミックコンタクトを形成する方法。
　　【請求項２】　〜　【請求項５４】　（略）」
　
〈補正後〉
「【請求項１】
　炭化珪素（ＳｉＣ）層上にブランケット金属を形成するステップと，
　前記ＳｉＣ層のバンドギャップを超えたエネルギーレベルのレーザー光を照射することによって前記ブランケット金属と前記ＳｉＣ層との第１の界面部をアニーリングして，そこに金属−ＳｉＣ材を形成して約１０ｅ−３ｏｈｍ・ｃｍ２以下の固有コンタクト抵抗のオーミックコンタクトを形成し，かつ前記ブランケット金属と前記ＳｉＣ層との第２の界面部ではアニーリングせずに，前記第２の界面部では前記金属−ＳｉＣ材が形成されないようにするステップと
　を有する半導体素子のオーミックコンタクトを形成する方法。」
　
２　補正事項の整理
　本件補正について整理すると，次のとおりとなる。
〈補正事項〉
　本件補正前の請求項２〜５４を削除すること。
　
３　補正の目的の適否及び新規事項の追加の有無についての検討
　上記〈補正事項〉は，請求項を削除するものであるから，平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第１号に掲げる請求項の削除を目的とするものである。
　そして，上記〈補正事項〉が，特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすものであることは明らかである。
　
　上記のとおり，本件補正は，特許法第１７条の２第３項に規定された要件を満たすものであり，また，特許法第１７条の２第４項第１号に掲げる事項を目的とするものであるから，適法になされたものである。
　
第３　本願発明について
１　本願発明
　上記のとおり，平成２４年３月２２日にされた手続補正は適法になされたものであるから，本願の請求項１に係る発明は，平成２４年３月２２日にされた手続補正より補正された明細書，特許請求の範囲及び図面の記載からみて，その特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される以下のとおりのものである。（以下「本願発明」という。）
　
「【請求項１】
　炭化珪素（ＳｉＣ）層上にブランケット金属を形成するステップと，
　前記ＳｉＣ層のバンドギャップを超えたエネルギーレベルのレーザー光を照射することによって前記ブランケット金属と前記ＳｉＣ層との第１の界面部をアニーリングして，そこに金属−ＳｉＣ材を形成して約１０ｅ−３ｏｈｍ・ｃｍ２以下の固有コンタクト抵抗のオーミックコンタクトを形成し，かつ前記ブランケット金属と前記ＳｉＣ層との第２の界面部ではアニーリングせずに，前記第２の界面部では前記金属−ＳｉＣ材が形成されないようにするステップと
　を有する半導体素子のオーミックコンタクトを形成する方法。」
　
２　刊行物に記載された発明
ア　Y. Ota, Y. Ikeda, M. Kitabatake, 'Laser Alloying for Ohmic Contacts on SiC at Room Temperature', Materials Science Forum, Vols.264-268, pp.783-786  (1998) スイス
　原査定の拒絶の理由に引用され，本願の優先日前に外国において頒布された刊行物である上記文献（以下「引用例１」という。）には，Fig. 1とともに以下の記載がある。（日本語訳は当合議体において作成。下線は当合議体において付加。以下同様。）
（ア）
「Abtract. A novel alloying technique to form ohmic contacts on SiC using a high power YAG pulse laser in room temperature atomosphere is described for the first time. Very low contact resistivity of 4 X 10-5Ω・cm2 has been achieved on n-type (4.2X1018cm-3) 6H-SiC with Ti metal. A lateral Schottky diode fabricated by the new method demonstrates excellent electrical properties.」（１ページ「Abstract」欄）
（日本語訳：　要約　SiC上にオーミックコンタクトを形成する新しい合金化技術であって，室温環境で高出力YAGレーザを用いるものが初めて記述される。
非常に低い4 X 10
-5
Ω・cm
2
という接触抵抗がn型(4.2X10
18
cm
-3
)6H-SiCとTi金属において達成された
この新しい方法で製造された横型ショットキダイオードは，卓越した電気的特性を示した。
　
（イ）
「 Figure 1 explains the new pulse laser alloying technique. The laser excited by the light source is shaped by an optical slit installed in line and irradiates the sample on X-Y stage. The wavelength, the pulse width and the power density of the YAG laser used in this study are 1.06μm, 8nsec and 30J/cm2, respectively. The laser wavelength is fairly longer than the bandgap of SiC, so that the metal layers on SiC substrate are selectively heated and alloyed. The feature further enables selective alloying with laser irradiations from a mirror-polished back surface of a SiC substrate.」（１ページ「2. Method and Experiment」欄１〜６行）
（日本語訳：　図１にこの新しいパルスレーザ合金化技術を示す。
光源によって励起されたレーザは直線状に配置された光学スリットによって整形され，X-Yステージ上の試料を照射する。YAGレーザの波長，パルス幅，及びパワー密度は，それぞれ，1.06μm, 8nsec 及び 30J/cm
2
である。レーザ波長はSiCのバンドギャップよりもかなり長いので，SiC基板上の金属層が選択的に加熱され，合金化される。
　
（ウ）
「 Using this laser system, we investigated ohmic contact properties of various metals, Ti, Ni, Pt, and Au, on n-type 6H-SiC epitaxial later on n-type 6H-SiC (Si-face) substrate. The carrirer density and the thickness of the epitaxial layer were 4.2X1018 cm-3 and 5μm, respectively. All metals were formed by vacuum evaporation and had a thickness of 0.2μm. The surface morphology for each metal was evaluated with optical microscopy and the contact resistivity was measured with the transmission line method (TLM) of 100μm square size electorodes with distances of 5/10/20/40 μm.」（２ページ１〜６行）
（日本語訳：　このレーザシステムを使用して，ｎ型6H-SiC (Si面)基板上のｎ型6H-SiCエピタキシャル層上の，種々の金属，Ti，Ni，Pt，とAu，についてオーミック接触特性について調査した。エピタキシャル層のキャリア濃度と厚さは，それぞれ，4.2X1018 cm-3 と 5μmである。
すべての金属は真空蒸着によって形成され，その厚さは0.2μmである。
　
　ここで，Fig.1を見ると，SiC上に「ohmic」，「Schottky」区画された各領域とそれらの周囲の領域が示され，SiC上の「Ohmic」と区画された領域の４隅に矢印が向けられていることが看取できる。したがって，「Ohmic」と区画された領域に，光学スリットによって整形されたYAGパルスレーザ光が選択的に照射されて，オーミック接触が形成され，前記「Ohmic」と区画された領域以外には該パルスレーザ光は照射されておらず，オーミック接触が形成されていないことがわかる。
　
　以上を総合すると，引用例には以下の発明が記載されているものと認められる。（以下「引用発明」という。）
「横型ショットキダイオードのオーミックコンタクトを形成する方法であって，
　ｎ型6H-SiC (Si面)基板上のｎ型6H-SiCエピタキシャル層上に，真空蒸着によって金属を形成し，
　波長1.06μmYAGパルスレーザ光を光学スリットによって整形し，
　前記ｎ型6H-SiCエピタキシャル層上の区画された領域において，前記光学スリットによって整形されたYAGパルスレーザ光が選択的に照射され，SiC基板上の金属層が選択的に加熱され，合金化されて，4 X 10-5Ω・cm2という接触抵抗のオーミック接触が形成され，
　前記ｎ型6H-SiCエピタキシャル層上の区画された領域以外には，前記YAGパルスレーザ光は照射されておらず，オーミック接触が形成されていない，
　SiC上にオーミックコンタクトを形成する方法。」
　
３　対比
　本願発明と引用発明とを対比する。
　
・引用発明の「ｎ型6H-SiC (Si面)基板上のｎ型6H-SiCエピタキシャル層上に，真空蒸着によって金属を形成」することと，本願発明の「炭化珪素（ＳｉＣ）層上にブランケット金属を形成するステップ」とは，「炭化珪素（ＳｉＣ）層上に金属を形成するステップ」である点で共通する。
　
・引用発明の「前記ｎ型6H-SiCエピタキシャル層上の区画された領域において，前記光学スリットによって整形されたYAGパルスレーザ光が選択的に照射され，SiC基板上の金属層が選択的に加熱され，合金化され」ることにおいて，「前記ｎ型6H-SiCエピタキシャル層上の区画された領域」に「ｎ型6H-SiCエピタキシャル層」と「金属」との界面が存在するから，当該界面が，本願発明の「第１の界面部」に相当する。また，引用発明の「SiC基板上の金属層が選択的に加熱」され，金属層の加熱に伴い，前記「前記ｎ型6H-SiCエピタキシャル層上の区画された領域」における「ｎ型6H-SiCエピタキシャル層」と「金属」との界面もまた加熱されることは明らかであるから，当該加熱は，本願発明の「第１の界面部をアニーリング」することに相当する。そして，引用発明の「合金化」によって，本願発明の「金属−ＳｉＣ材」に相当するものが形成されることも明らかである。また，引用発明における「4 X 10-5Ω・cm2という接触抵抗のオーミック接触が形成され」ることは，本願発明の「約１０ｅ−３ｏｈｍ・ｃｍ２以下の固有コンタクト抵抗のオーミックコンタクトを形成」することに相当する。
　よって，引用発明の「前記ｎ型6H-SiCエピタキシャル層上の区画された領域において，前記光学スリットによって整形されたYAGパルスレーザ光が選択的に照射され，SiC基板上の金属層が選択的に加熱され，合金化されて，4 X 10-5Ω・cm2という接触抵抗のオーミック接触が形成され」ることと，本願発明の「前記ＳｉＣ層のバンドギャップを超えたエネルギーレベルのレーザー光を照射することによって前記ブランケット金属と前記ＳｉＣ層との第１の界面部をアニーリングして，そこに金属−ＳｉＣ材を形成して約１０ｅ−３ｏｈｍ・ｃｍ２以下の固有コンタクト抵抗のオーミックコンタクトを形成」することとは，「前記ＳｉＣ層にレーザー光を照射することによって前記金属と前記ＳｉＣ層との第１の界面部をアニーリングして，そこに金属−ＳｉＣ材を形成して約１０ｅ−３ｏｈｍ・ｃｍ２以下の固有コンタクト抵抗のオーミックコンタクトを形成」する点で共通する。
　
・引用発明の「前記ｎ型6H-SiCエピタキシャル層上の区画された領域以外には，前記YAGパルスレーザ光は照射されておらず，オーミック接触が形成されていない」ことと，本願発明の「かつ前記ブランケット金属と前記ＳｉＣ層との第２の界面部ではアニーリングせずに，前記第２の界面部では前記金属−ＳｉＣ材が形成されないようにするステップ」とは，「かつ前記金属と前記ＳｉＣ層との第２の界面部ではアニーリングせずに，前記第２の界面部では前記金属−ＳｉＣ材が形成されないようにするステップ」である点で共通する。
　
・引用発明の「横型ショットキダイオードのオーミックコンタクトを形成する方法」は，本願発明の「半導体素子のオーミックコンタクトを形成する方法」に相当する。
　
　よって，引用発明と本願発明は，次の点で一致する。
「炭化珪素（ＳｉＣ）層上に金属を形成するステップと，
　前記ＳｉＣ層にレーザー光を照射することによって前記金属と前記ＳｉＣ層との第１の界面部をアニーリングして，そこに金属−ＳｉＣ材を形成して約１０ｅ−３ｏｈｍ・ｃｍ２以下の固有コンタクト抵抗のオーミックコンタクトを形成し，かつ前記金属と前記ＳｉＣ層との第２の界面部ではアニーリングせずに，前記第２の界面部では前記金属−ＳｉＣ材が形成されないようにするステップと
　を有する半導体素子のオーミックコンタクトを形成する方法。」
　
　一方，両者は以下の各点で相違する。
　
《相違点１》
　本願発明は，「炭化珪素（ＳｉＣ）層上にブランケット金属を形成するステップ」を備え，「前記ブランケット金属と前記ＳｉＣ層との第１の界面部をアニーリングし」，「前記ブランケット金属と前記ＳｉＣ層との第２の界面部ではアニーリング」しないものであるのに対して，引用発明は，「炭化珪素（ＳｉＣ）層上に金属を形成するステップ」を備え，「前記金属と前記ＳｉＣ層との第１の界面部をアニーリングし」，「前記金属と前記ＳｉＣ層との第２の界面部ではアニーリング」しないことに対応する構成を備えるものの，引用発明において形成される「金属」が，本願発明に係る「ブランケット金属」であることは明らかでない点。
　
《相違点２》
　本願発明は「前記ＳｉＣ層のバンドギャップを超えたエネルギーレベルのレーザー光を照射する」のに対して，引用発明は「レーザー光を照射する」ものの，当該レーザ光は「波長1.06μmYAGパルスレーザ光」であって，「ＳｉＣ層のバンドギャップを超えたエネルギーレベルのレーザー光」ではない点。
　
４　判断
　上記各相違点について検討する。
《相違点１について》
　引用発明においては，「真空蒸着によって金属を形成」しているが，マスク等を用いた選択成長を行わせることについて何ら言及されておらず，また，「Ohmic」領域については，レーザの照射域で設定されているものである。一方，半導体素子の製造方法において，真空蒸着によって金属を形成する際には，金属を形成する対象物の全面に蒸着させる，すなわちブランケット金属として形成させることは普通に行われることであるから，引用発明においても，「真空蒸着によって金属を形成」するに際して「ブランケット金属」が形成されているということができる。
　仮にそうでないとしても，以下の周知例１，２に示されるように，金属を形成する対象物の全面に付着させる，すなわちブランケット金属を形成することは，従来より周知の技術であるから，引用発明において，「真空蒸着によって金属を形成」するに際して「ブランケット金属」を形成して，本願発明に係る，「炭化珪素（ＳｉＣ）層上にブランケット金属を形成するステップ」を備え，「前記ブランケット金属と前記ＳｉＣ層との第１の界面部をアニーリングし」，「前記ブランケット金属と前記ＳｉＣ層との第２の界面部ではアニーリング」しない構成を備えることは，当業者が適宜になし得たことである。
　よって，相違点１は，実質的な相違点でなく，仮にそうではないとしても，当業者が適宜になし得た範囲に含まれる程度のものである。
　
周知例１：　特開２００２−２６３４１号公報
　原査定の拒絶の理由に引用され，本願の優先日前に日本国内において頒布された刊行物である特開２００２−２６３４１号公報（以下「周知例１」という。）には，図１とともに以下の記載がある。
・「【００１９】以下，図１（ａ）〜図１（ｃ）を参照して，本実施形態の製造工程について説明する。
【００２０】まず，図１（ａ）に示すように，ｎ+ −ＳｉＣ基板１上にｎ- −ＳｉＣ層２を層状に形成した後，ｎ- −ＳｉＣ層２の表面を加工して凹凸を形成する。続いて，ｎ+ −ＳｉＣ基板１の裏面にカソード電極３を蒸着等によって形成した後，カソード電極３がｎ+ −ＳｉＣ基板１に対してオーミック特性を示すようにシンターを施す。
その後，凹凸が形成されたｎ
-
 −ＳｉＣ層２上にアノード電極４を形成する。アノード電極４の材料としては，ＳｉＣより熱伝導率の低い金属，例えばＴｉ，Ｎｉ又はＭｏ，或いは，前記金属群の内の少なくとも２種類からなる積層膜又は合金膜等を用いる
【００２１】次に，図１（ｂ）に示すように，
ｎ
-
 −ＳｉＣ層２の凸部に対応する領域上のアノード電極４に選択的にレーザを照射することにより，図１（ｃ）に示すように，合金領域５がアノード電極４とｎ
-
 −ＳｉＣ層２との間の領域に選択的に形成される
【００２２】次に，本実施形態に係る半導体装置の素子特性を説明する。アノード電極４とｎ- −ＳｉＣ層２とが直接接触している部分はショットキー接合となっており，ショットキー障壁が高いために接触抵抗が高い。一方，
合金領域５とｎ
-
 −ＳｉＣ層２との界面は，レーザ照射効果により障壁の高さが低減されており，低い接触抵抗が得られている
　
　ここで，上記段落【００１９】の記載とともに図１（ａ）を参照すると，アノード電極４は，凹凸が形成されたｎ- −ＳｉＣ層２上の全面に形成されていることが見て取れる。
　
周知例２：　特開平８−２６４４６８号公報
　本願の優先日前に日本国内において頒布された刊行物である特開平８−２６４４６８号公報（以下「周知例２」という。）には，図８とともに以下の記載がある。
・「【００４６】（３）　第３の実施例
図８は本発明の第３の実施例による電極形成方法を示す図である。
図８の（ａ）に示すように，ｎ型またはｐ型のＳｉＣ基板１上に電極材料層７を堆積させた後，室温でＳｉＣ基板１上の電極材料層７の表面にエキシマレーザ光３をパルス状に照射する。その結果，図８の（ｂ）に示すように，電極材料層７下のＳｉＣ基板１にシンター層またはシリサイド層８が形成される。このようにして形成されたシンターまたはシリサイド電極においてはオーミック特性が得られる
・「【００４８】例えば，ｎ型電極を形成する場合には，電極材料層７としてＳｉＣ基板１上にＮｉ，Ｔｉ，Ｗ，Ｔａ等の金属の単一層，これらのいずれかと他の材料との合金層（例えば，ＡｕＴａ），あるいはこれらのいずれかと他の材料との積層膜を形成する。・・・（後略）・・・」
　
　ここで，上記記載とともに図８を参照すると，ｐ型のＳｉＣ基板１上の全面に電極材料層７が堆積されていることが見て取れる。
　
《相違点２について》
　引用発明において，オーミック接触が形成される領域に照射されるレーザ光は，「波長1.06μmYAGパルスレーザ光」であって，「ＳｉＣ層のバンドギャップを超えたエネルギーレベルのレーザー光」ではないが，ＳｉＣ上に金属層を形成し，これにレーザ光を照射してオーミック電極を形成するに際し，照射するレーザ光として，ＫｒＦエキシマレーザ光を用いることは，上記周知例１及び２にも示されているように，周知の技術である。ここで，ＫｒＦエキシマレーザ光は，波長２４８ｎｍであり，ＳｉＣのバンドギャップ幅（引用発明に係る６Ｈ−ＳｉＣの場合，バンドギャップ幅は約３．０２ｅＶであり，これを波長に換算すると約４１１ｎｍである。）を超えたエネルギレベルを有するものである。
　
　上記周知例１には，更に次の記載がある
・「【００４０】また，上述した第１〜第４の実施形態において，
レーザには，スポットサイズφが０．５〜２０μｍで，パワーが０．５〜５Ｊ／ｃｍ
2 
であるＫｒＦエキシマレーザ等を用いることが好ましい
　
　上記周知例２には，更に次の記載がある。
・「【００５３】第１および第２の実施例と同様に，
エキシマレーザ１４として波長２４８ｎｍのＫｒＦエキシマレーザを用い，反応室１０内のＳｉＣ基板１上の電極材料層７ａ，７ｂにエネルギー密度２Ｊ／ｃｍ
2 
でエキシマレーザ光３を照射した
　
　そして，上記各周知例に記載されているように，ＫｒＦエキシマレーザ光を用いることにより，パワー（エネルギー密度）を高々５Ｊ／ｃｍ２程度にすることができ，引用例１に記載された「30J/cm2」よりも大幅に下がることで光学系へのダメージを少なくできるから，引用発明において，「波長1.06μmYAGパルスレーザ光」に代えて，上記周知の波長２４８ｎｍのＫｒＦエキシマレーザを用いて，本願発明に係る「前記ＳｉＣ層のバンドギャップを超えたエネルギーレベルのレーザー光を照射する」構成を備えるようにすることは，当業者が適宜になし得たことといえる。
　よって，相違点２は，当業者が適宜になし得た範囲に含まれる程度のものである。
　
５　まとめ
　以上検討したとおり，本願発明は，周知技術を勘案して，引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
第４　むすび
　以上のとおりであるから，本願は拒絶すべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。