【事件の表示】
　特願２００６−２３５０８５「基板処理装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２０年　３月１３日出願公開、特開２００８−　６０３０２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本件審判に係る出願（以下「本願」という）は、平成１８年８月３１日に出願され、平成２３年４月２５日付けで拒絶理由が通知され、同年７月１１日付けで手続補正がなされるとともに同日付けで意見書が提出されたが、同年９月２８日付けで拒絶査定がなされた。
　本件は、前記拒絶査定を不服として平成２３年１２月２８日に請求された拒絶査定不服審判事件であり、当該請求と同時に手続補正がなされたものである。
　その後、前置報告書の内容について審判請求人の意見を求めるために、平成２４年５月１４日付けで審尋がなされ、同年７月１３日付けで当該審尋に対する回答書が提出された。
　
　
　
第２　平成２３年１２月２８日付け手続補正についての補正の却下の決定
［補正の却下の決定の結論］
　平成２３年１２月２８日付けの手続補正（以下「本件補正」という）を却下する。
　
［理由］
　
１．本件補正前の特許請求の範囲の請求項１の記載
　本件補正前の特許請求の範囲の請求項１の記載は、平成２３年７月１１日付けの手続補正により補正された以下のとおりのものである。
　
「　露光装置に隣接するように配置される基板処理装置であって、
　基板に処理を行う処理部と、
　前記処理部の一端部に隣接するように設けられ、前記処理部と前記露光装置との間で基板の受け渡しを行うための受け渡し部とを備え、
　前記処理部は、前記露光装置による露光処理前の基板の表面に積層される複数の膜をそれぞれ形成する複数の膜形成ユニットを含み、
　前記複数の膜形成ユニットの各々は、
　筐体と、
　前記筐体の内部に設けられ、基板を略水平に保持する基板保持手段と、
　前記筐体の内部に設けられ、前記基板保持手段により保持された基板をその基板に垂直な軸の周りで回転させる回転駆動手段と、
　前記回転駆動手段により回転される基板に塗布液を供給することにより膜を形成する膜形成手段と、
　前記膜形成手段による膜の形成後に基板が前記筐体から搬出されることなく前記基板保持手段により保持された状態で前記回転駆動手段により回転される基板に形成された膜の周縁部の環状領域を除去する除去手段と、
　前記除去手段による膜の周縁部の除去位置を補正する位置補正手段とを備えることを特徴とする基板処理装置。」
　
　
２．本件補正後の特許請求の範囲の請求項１の記載
　本件補正後の特許請求の範囲の請求項１の記載は、以下のとおりのものである（下線は補正箇所を示す）。
　
「　
液浸法により基板に露光処理を行う
　基板に処理を行う処理部と、
　前記処理部の一端部に隣接するように設けられ、前記処理部と前記露光装置との間で基板の受け渡しを行うための受け渡し部とを備え、
　前記処理部は、前記露光装置による露光処理前の基板の表面に積層される複数の膜をそれぞれ形成する複数の膜形成ユニット
と、前記複数の膜形成ユニットに基板を搬入する搬入手段と
　前記複数の膜形成ユニットの各々は、
　筐体と、
　前記筐体の内部に設けられ、基板を略水平に保持する基板保持手段と、
　前記筐体の内部に設けられ、前記基板保持手段により保持された基板をその基板に垂直な軸の周りで回転させる回転駆動手段と、
　前記回転駆動手段により回転される基板に塗布液を供給することにより膜を形成する膜形成手段と、
　前記膜形成手段による膜の形成後に基板が前記筐体から搬出されることなく前記基板保持手段により保持された状態で前記回転駆動手段により回転される基板に形成された膜の周縁部の環状領域を除去する除去手段と、
　前記除去手段による膜の周縁部の除去位置を補正する位置補正手段とを備え、
　各膜形成ユニットの位置補正手段は、前記搬入手段により当該膜形成ユニットに基板が搬入される際の前記搬入手段の位置を検出する搬入位置検出器を含み、
　前記基板処理装置は、前記搬入位置検出器により検出された位置に基づいて前記搬入手段の位置を調整する位置調整手段をさらに備える
　
　
３．本件補正の目的について
　本件補正による特許請求の範囲の請求項１についての補正は、本件補正前の特許請求の範囲の請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項である「露光装置」について、「液浸法により基板に露光処理を行う」ものであると限定し、以下同様に、「処理部」について、「前記複数の膜形成ユニットに基板を搬入する搬入手段」を含むと限定し、「位置補正手段」について、「前記搬入手段により当該膜形成ユニットに基板が搬入される際の前記搬入手段の位置を検出する搬入位置検出器を含み、
　前記基板処理装置は、前記搬入位置検出器により検出された位置に基づいて前記搬入手段の位置を調整する」ものであると限定するものであり、かつ、本件補正の前後において、発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一であると認められるので、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法（以下「平成１８年改正前特許法」という）第１７条の２第４項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　
　そこで、本件補正後の特許請求の範囲の請求項１に記載した発明（以下「補正発明」という）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか、すなわち平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するかについて以下に検討する。
　
　
４．引用発明
　本願の出願前に頒布され、原査定の拒絶の理由に引用された刊行物である、特開２００１−１１０７１２号公報（以下「引用例」という）には、以下の技術事項が記載されている（後述の引用発明の認定において関連する記載に下線を付した）。
　
『【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体ウエハ等の被処理基板の表面に形成された塗布膜のうち、被処理基板の外縁部に形成された不要な塗布膜を除去するための塗布膜除去装置及び除去方法に関するものである。』
　
『【０００４】ここで、被処理基板にレジスト液を塗布するための方法としてはスピンコーティング法が主に採用されている。このスピンコーティング法は、被処理基板の中心部にレジスト液を滴下した後、この基板を高速で回転させることで、レジスト液を回転遠心力によって基板全体に拡散させ、基板の全面に亘って略均一厚の塗布膜を形成する方法である。
【０００５】しかし、このスピンコーティング法によれば、基板の回路パターン形成に寄与していない外縁部にもレジスト液が塗布されることになる。この部分に付着したレジスト液は後でパーティクルの発生源となる恐れがある。このため、従来の装置では、例えば、レジスト液を塗布した半導体ウエハを露光装置に受け渡す前に周辺露光を施すことで、この不要なレジスト膜を除去するようにしている。ここで周辺露光とは、半導体ウエハの外縁部に付着したレジスト膜が現像時に除去されるように半導体ウエハの外縁部（周辺部）のみを選択露光する手法である。
【０００６】外縁部のレジスト膜を除去する手法としては、他にシンナー等の溶剤（リンス液）を基板の周縁部のみに吹き付けるいわゆるサイドリンスの手法がある。このサイドリンスは、周辺露光と比較すると精度的に劣るものであるが、ＬＣＤの製造においては、半導体デバイスの製造と比較してそれほど高い不要レジスト膜除去精度が要求されないため、コストのかからないサイドリンスが採用されている。一方、半導体デバイス（ＩＣチップ）の製造方法においては、精度の高い周辺露光を採用しているのが現状である。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来の不要塗布膜の除去手法には以下のような解決すべき課題がある。
【０００８】すなわち、周辺露光においては、レジスト種毎にＵＶランプや光学系を取り替える必要がある。ＵＶランプは一般に高価であり、特に、Ａｒｆ帯の波長を安価に生成できる光源は入手が困難である。
【０００９】一方、この周辺露光に代えてサイドリンスにより不要レジスト膜の除去を行うことを考えた場合、リンス液の吐出位置決め精度が低いため、半導体デバイスの製造に適用するには信頼性に劣るということがある。特に、サイドリンスの場合、リンス液の吐出圧の変動が生じやすく、この場合、リンス液の吹き付け位置の再現性が乏しいということがあった。』
　
『【００２６】
【発明の実施の形態】以下、この発明の一実施形態を、図１〜図８を参照して説明する。図１は、この発明の塗布膜除去装置を、半導体ウエハ（以下「ウエハＷ」という）の外縁部に付着した不要なレジスト膜を除去するレジスト膜除去装置に適用した例を示す概略構成図である。また、図２は、この装置を上方から見た平面図である。
【００２７】図１に示すように、
この装置は、カップ１と、このカップ１内でレジスト膜が形成された半導体ウエハＷを保持しこのウエハＷを昇降駆動すると共に回転駆動するウエハ保持機構２と、前記カップ１の上方に配置されウエハＷの外縁部の位置を検出するための検出機構３と、前記カップ１内に保持されたウエハＷの外縁部上に例えばシンナー等のリンス液を吹き付けて不要なレジスト膜を除去する吐出ノズル４とを有する
【００２８】カップ１は、前記ウエハ保持機構２の周囲を覆うと共に、底部に排液路６が開口しており、レジスト膜除去に用いたリンス液を収集し、この排液路６を通じてカップ１外に排出できるようになっている。また、カップ１の別の位置には、排気路７が設けられており、この排気路７を通じてカップ１内の排気が行われるようになっている。このことで、クリーンルーム内のダウンフローをカップ１内に導入し、カップ１内に下向きの気流を生じさせるように構成されている。
【００２９】前記ウエハ保持機構２は、ウエハＷを保持するスピンチャック９と、このスピンチャック９を回転駆動すると共に昇降駆動するためのスピンチャック駆動機構１０からなる。また、このスピンチャック駆動機構１０は、このスピンチャック駆動機構１０を図に示すＸ方向に沿って高精度に位置決め駆動するアライメント機構１１によって保持されている。このアライメント機構１１は、例えばボールネジ機構１２及びステッピングモータ１３から構成され、このステッピングモータ１３及び図示しないエンコーダは図に１５で示す制御装置に接続されている。』
　
『【００３８】一方、前記検出機構３は、図１に４０で示す進退駆動機構によってウエハＷに対して進退可能に保持されたコ字状のホルダ４１と、このホルダ４１に取りつけられたラインセンサ４２からなる。このラインセンサ４２は、図２に示すように、ウエハＷの直径方向（この図ではＸ方向）に沿って並べられた複数個のＣＣＤセンサ４３から構成されている。
【００３９】この各ＣＣＤセンサ４３からの出力は、前記制御装置１５に入力され、この制御装置１５は各センサ４３の出力値に基いて、ウエハＷの縁部４４の位置を検出されているようになっている。
【００４０】ここで、図２に示すように、センサ４２（４３）とノズル４とを結んだ仮想線Ｌは、前記スピンチャック９の回転中心を通り、且つ、前記アライメント機構１１による駆動方向（図に矢印αで示す）と平行になるように構成されている。前記
制御装置１５は、前記センサ４２の検出に基づいて、前記アライメント機構１１を矢印α方向に作動させることで、前記ウエハＷの縁部とノズル４との相対位置決めを行う
　
『【００４４】まず、この塗布膜除去装置を使用する場合には、図４に示すように、スピンコーターを用いてウエハＷ上にレジスト液を塗布しレジスト膜を形成した後（ステップＳ１）、このウエハＷを加熱（ベーク）することでレジスト膜に含まれる溶剤を揮発させこのレジスト膜を乾燥させる（ステップＳ２）。ついで、ウエハＷをこの実施形態の塗布膜除去装置に受け渡し、ウエハＷ周縁部に付着した不要レジスト膜の除去を行わせる（ステップＳ３）。
【００４５】レジスト液を塗布した直後に外縁部レジスト膜のリンス除去を行うと、リンス液吐出時の衝撃や膨潤等の影響により、残されたレジスト膜の縁部が盛り上がる可能性がある。しかしながら、この実施形態のようにレジスト膜を一度乾燥させてから不要レジスト膜をリンス除去することで、このような不具合が生じることを有効に防止できる。
【００４６】次に、この装置による不要レジスト膜除去工程（ステップＳ３）について図５を参照してさらに詳しく説明する。
【００４７】まず、ウエハＷが装置にロードされる（ステップＳ３−１）。すなわち、図示しないメインアームによりウエハＷが前記カップ１の直上に位置決めされると、図１に破線で示すようにスピンチャック９が上昇し、このウエハＷを受け取り吸着保持する。
【００４８】次に、
ウエハＷがカップ１の上方に位置している状態で、前記検出機構３がウエハＷに向かって前進駆動され
前記ラインセンサ４２を前記ウエハＷの外縁部４４に重なるように位置決めする
【００４９】ついで、
前記スピンチャック９を低速（例えば１００ｒｐｍ）で回転させ、前記ウエハＷの外縁部４４の位置変動を検出する
ウエハＷ外縁部４４の全周に亘る位置変動が検出されたならば、スピンチャック９を停止させる
検出された位置変動は、ウエハＷの回転位相と一緒に図１に示す検出結果格納部４６に格納される
【００５０】
次に、前記検出機構３が後退させられると、図１に示すように前記スピンチャック９が下降駆動され、前記ウエハＷがカップ１内に収納される
【００５１】この時のノズル４の位置は、ウエハＷのサイズに応じた定位置であり、前記スピンチャック９の中心軸を挟んで前記センサ４２と対向する位置である。そして、図２に示すように、前記センサ４２、スピンチャック９の中心及びこのノズル４を結ぶ仮想線Ｌは前記アライメント機構のアライメント方向αと一致している。
【００５２】
ついで、前記検出結果格納部４６に格納された検出結果に基づいて前記アライメント機構１１を作動させ、前記ノズル４とウエハＷの相対位置決めを行いつつ周縁部の不要レジスト膜のリンス除去を行う
【００５３】このようにアライメント機構１１を制御しながら、前記ポンプ１７を作動させることでウエハＷの全周に亘って不要レジスト膜の除去を行うことができる（ステップＳ３−７）。なお、前記制御装置１５は、前記ポンプ１７のステッピングモータ３６を一定速で作動させることで、リンス液をウエハＷの全周に亘って一定の圧力且つ一定の速度で吹き付けるようにする。』
　
『【００５７】第１に、ウエハＷとスピンチャック９とがオフセットしている場合であっても、ウエハＷの所定半径より外側にある不要な周縁部レジスト膜を高精度に除去することが可能になる。従来のサイドリンス方式によれば、吐出位置精度が低いため、特にウエハには不適であったが、この実施形態によれば、検出機構３（センサ４２）による検出結果に基づいてノズル４の位置制御するようにしたから、このような欠点が解消される。このため、半導体デバイスの製造工程にもサイドリンスが適用可能になる。』
　
『【００５９】なお、この
塗布膜除去装置は
塗布現像処理システムに適用される
【００６０】図６に示すように、この
塗布現像処理システムは
ウエハＷに対しレジスト液塗布及び現像のプロセス処理を行なうプロセス処理部６１と、レジスト液が塗布されたウエハＷを図示しない露光装置に受け渡すインタフェース部６２とを備えている
　
『【００６１】前記カセット部６０には、カセットＣＲを位置決め保持するための４つの突起部７０ａと、この突起部７０ａによって保持されたカセット内からウエハＷを取り出す第１のサブアーム機構７１とが設けられている。このサブアーム機構７１は、ウエハＷを取り出したならば、θ方向に回転して向きを変え、このウエハＷを
前記プロセス処理部６１に設けられたメインアーム機構７２
　
『【００６８】冷却処理された
ウエハＷは、前記メインアーム機構７２によって
レジスト液塗布装置（ＣＯＴ）に対向位置決めされ、搬入される
　
『【００７０】
前記レジスト液塗布装置（ＣＯＴ）から取り出されたウエハＷは、先ず、プリベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）に挿入され、レジスト液から溶剤（シンナー）を飛ばして乾燥される
【００７１】
また、このプリベーキングユニットはレジスト液塗布装置（ＣＯＴ）と別に設置しても良いし、レジスト液塗布装置内に設置されていても良い
【００７２】
次に、このウエハＷは
前記インタフェース部６２に設けられた第２のサブアーム機構６４に受け渡される
【００７３】
ウエハＷを受け取った第２のサブアーム機構６４は、受け取ったウエハＷを順次この実施形態のレジスト膜除去装置６７に受け渡す
　
『【００７４】外縁部レジスト膜が除去されたウエハＷは、第２のサブアーム機構６４によって順次カセットＣＲ内に収納される。次に露光装置からのウエハリクエスト要求信号を受け取るとＣＲ内に収納された順にサブアーム機構６４によりウエハを一枚づつ受け渡す。露光後は、処理完了信号を受け取り露光機よりウエハを受け取る。』
　
『
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　』
　
『
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　』
　
（ア）上記段落【００６０】の記載内容から、引用例に記載の塗布現像処理システムは、ウエハＷを露光装置に受け渡すインターフェース部６２を備えているのであるから、当該塗布現像処理システムは露光装置に隣接するように配置されるものであると認められる。
　
（イ）上記図６の記載内容から、インターフェース部６２は、プロセス処理部６１の一端部に隣接するように設けられていると認められる。
　
（ウ）上記図６の記載内容から、プロセス処理部６１は、レジスト液塗布装置（ＣＯＴ）を含むものであると認められる。
　
　上記各事項及び上記記載内容を含む引用例全体の記載並びに当業者の技術常識から、引用例には、以下の発明が記載されていると認められる。
　
「　露光装置に隣接するように配置される塗布現像処理システムであって、
　ウエハＷに対しレジスト塗布及び現像のプロセス処理を行うプロセス処理部６１と、
　前記プロセス処理部６１の一端部に隣接するように設けられ、レジスト液が塗布されたウエハＷを露光装置に受け渡すインタフェース部６２とを備え、
　前記プロセス処理部６１は、レジスト液塗布装置（ＣＯＴ）と、メインアーム機構７２とを含み、該メインアーム機構７２は、ウエハＷをレジスト塗布装置（ＣＯＴ）に対向位置決めし搬入するものであり、
　前記レジスト液塗布装置（ＣＯＴ）から取り出されたウエハＷは、先ず、プリベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）に挿入され、レジスト液から溶剤（シンナー）を飛ばして乾燥され、次に、このウエハＷは前記インタフェース部６２に設けられた第２のサブアーム機構６４に受け渡され、ウエハＷを受け取った第２のサブアーム機構６４は、受け取ったウエハＷをレジスト膜除去装置６７に受け渡し、
　前記プリベーキングユニットはレジスト液塗布装置（ＣＯＴ）内に設置されているものであり、
　前記レジスト膜除去装置６７は、
　カップ１と、
　このカップ１内でレジスト膜が形成された半導体ウエハＷを保持しこのウエハＷを昇降駆動すると共に回転駆動するウエハ保持機構２と、
　前記カップ１の上方に配置されウエハＷの外縁部の位置を検出するための検出機構３と、
　前記カップ１内に保持されたウエハＷの外縁部上に例えばシンナー等のリンス液を吹き付けて不要なレジスト膜を除去する吐出ノズル４とを有し、
　ウエハＷがカップ１の上方に位置している状態で、前記検出機構３がウエハＷに向かって前進駆動され、前記ラインセンサ４２を前記ウエハＷの外縁部４４に重なるように位置決めし、前記スピンチャック９を低速（例えば１００ｒｐｍ）で回転させ、前記ウエハＷの外縁部４４の位置変動を検出し、ウエハＷ外縁部４４の全周に亘る位置変動が検出されたならば、スピンチャック９を停止させ、検出された位置変動は、ウエハＷの回転位相と一緒に検出結果格納部４６に格納され、次に、前記検出機構３が後退させられると、前記スピンチャック９が下降駆動され、前記ウエハＷがカップ１内に収納され、ついで、前記検出結果格納部４６に格納された検出結果に基づいて、制御装置１５によりアライメント機構１１を作動させ、前記ノズル４とウエハＷの相対位置決めを行いつつ周縁部の不要レジスト膜のリンス除去を行う、
　塗布現像処理システム。」
（以下「引用発明」という）
　
　
５．対比
　補正発明と引用発明とを対比する。
　
（ア）引用発明の「露光装置に隣接するように配置される塗布現像処理システム」と補正発明の「液浸法により基板に露光処理を行う露光装置に隣接するように配置される基板処理装置」とは、“基板に露光処理を行う露光装置に隣接するように配置される基板処理装置”である点で一致する。
　
（イ）引用発明の「ウエハＷ」は補正発明の「基板」に相当するから、引用発明の「ウエハＷに対しレジスト塗布及び現像のプロセス処理を行うプロセス処理部６１」は、補正発明の「基板に処理を行う処理部」に相当する。
　
（ウ）引用発明の「プロセス処理部６１の一端部に隣接するように設けられ、レジスト液が塗布されたウエハＷを露光装置に受け渡すインタフェース部６２」は、補正発明の「前記処理部の一端部に隣接するように設けられ、前記処理部と前記露光装置との間で基板の受け渡しを行うための受け渡し部」に相当する。
　
（エ）引用発明の「レジスト液塗布装置（ＣＯＴ）」がレジスト膜を形成するものであること、及び、当該レジスト膜の形成が露光処理前のウエハＷの表面に積層されることは明らかであるので、引用発明の「レジスト液塗布装置（ＣＯＴ）」は、補正発明の「膜形成ユニット」に相当する。また、引用発明の「メインアーム機構７２」は、「ウエハＷをレジスト塗布装置（ＣＯＴ）に対向位置決めし搬入する」ものであるから、補正発明の「膜形成ユニットに基板を搬入する搬入手段」に相当する。
　よって、引用発明の「プロセス処理部６１」が「レジスト塗布装置（ＣＯＴ）」と「メインアーム機構７２」を含んでいることと、補正発明の「処理部」が「前記露光装置による露光処理前の基板の表面に積層される複数の膜をそれぞれ形成する複数の膜形成ユニット」を含んでいることとは、“処理部は、前記露光装置による露光処理前の基板の表面に積層される膜を形成する膜形成ユニットと、前記膜形成ユニットに基板を搬入する搬入手段とを含”んでいる点で一致する。
　
（オ）引用発明の「レジスト塗布装置（ＣＯＴ）」がレジスト膜を形成するものであることは明らかであるので、引用発明の「レジスト塗布装置（ＣＯＴ）」は、補正発明の「基板に塗布液を供給することにより膜を形成する膜形成手段」に相当する構成を備えていると認められる。
　
（カ）引用発明の「ウエハＷを保持」する「ウエハ保持機構２」は、補正発明の「基板を略水平に保持する基板保持手段」に相当する。
　引用発明の「ウエハＷを」「回転駆動する」「ウエハ保持機構２」は、補正発明の「前記基板保持手段により保持された基板をその基板に垂直な軸の周りで回転させる回転駆動手段」に相当する。
　引用発明の「前記カップ１内に保持されたウエハＷの外縁部上に例えばシンナー等のリンス液を吹き付けて不要なレジスト膜を除去する吐出ノズル４」は、補正発明の「前記基板保持手段により保持された状態で前記回転駆動手段により回転される基板に形成された膜の周縁部の環状領域を除去する除去手段」に相当する。
　
（キ）引用発明は、「前記カップ１の上方に配置されウエハＷの外縁部の位置を検出するための検出機構３」の検出結果に基づき、「制御装置１５」により、ウエハＷとノズル４との相対位置決めを行い、吐出ノズル４によりレジスト膜を除去するものであるから、補正発明の「前記除去手段による膜の周縁部の除去位置を補正する位置補正手段」に相当する構成を備えていると認められる。
　
　したがって、補正発明と引用発明とは、
「　基板に露光処理を行う露光装置に隣接するように配置される基板処理装置であって、
　基板に処理を行う処理部と、
　前記処理部の一端部に隣接するように設けられ、前記処理部と前記露光装置との間で基板の受け渡しを行うための受け渡し部とを備え、
　前記処理部は、前記露光装置による露光処理前の基板の表面に積層される膜を形成する膜形成ユニットと、前記膜形成ユニットに基板を搬入する搬入手段とを含み、
　前記膜形成ユニットは、
　前記回転駆動手段により回転される基板に塗布液を供給することにより膜を形成する膜形成手段を備え、
　基板を略水平に保持する基板保持手段と、
　前記基板保持手段により保持された基板をその基板に垂直な軸の周りで回転させる回転駆動手段と、
　前記基板保持手段により保持された状態で前記回転駆動手段により回転される基板に形成された膜の周縁部の環状領域を除去する除去手段と、
　前記除去手段による膜の周縁部の除去位置を補正する位置補正手段とを備えた、
　基板処理装置。」
である点で一致し、以下の点で相違する。
　
（相違点１）
　露光装置が、補正発明では「液浸法により基板に露光処理を行う」ものと特定されているのに対し、引用発明ではそのような特定がない点。
　
（相違点２）
　膜形成ユニットが、補正発明では複数存在し、複数の膜をそれぞれ形成するのに対し、引用発明では「レジスト液塗布装置（ＣＯＴ）」の他に膜形成ユニットに相当する構成を有しない点。
　
（相違点３）
　補正発明では、「複数の膜形成ユニットの各々」が「筐体」を備え、膜の周縁部の環状領域の除去を、「前記膜形成手段による膜の形成後に基板が前記筐体から搬出されることなく前記基板保持手段により保持された状態で」行っているのに対し、引用発明では、「レジスト液塗布装置（ＣＯＴ）」が筐体を備えているのか不明であり、不要なレジスト膜の除去を、「レジスト膜除去装置６７」で行っている点。また、それに付随して、基板保持手段、回転駆動手段が、補正発明では「筐体」内に設けられ、かつ、除去手段が「膜形成ユニット」に備えられているのに対し、引用発明ではそれらが「レジスト膜除去装置６７」に備えられている点。
　
（相違点４）
　位置補正手段が、補正発明では「前記搬入手段により当該膜形成ユニットに基板が搬入される際の前記搬入手段の位置を検出する搬入位置検出器を含み、
　前記基板処理装置は、前記搬入位置検出器により検出された位置に基づいて前記搬入手段の位置を調整する」ものであるのに対し、引用発明では、「ウエハＷがカップ１の上方に位置している状態で、前記検出機構３がウエハＷに向かって前進駆動され、前記ラインセンサ４２を前記ウエハＷの外縁部４４に重なるように位置決めし、前記スピンチャック９を低速（例えば１００ｒｐｍ）で回転させ、前記ウエハＷの外縁部４４の位置変動を検出し、ウエハＷ外縁部４４の全周に亘る位置変動が検出されたならば、スピンチャック９を停止させ、検出された位置変動は、ウエハＷの回転位相と一緒に検出結果格納部４６に格納され、次に、前記検出機構３が後退させられると、前記スピンチャック９が下降駆動され、前記ウエハＷがカップ１内に収納され、ついで、前記検出結果格納部４６に格納された検出結果に基づいて、制御装置１５によりアライメント機構１１を作動させ、前記ノズル４とウエハＷの相対位置決めを行」うものである点。
　
　
６．判断
６−１．相違点１について
　露光パターンの微細化を可能とする露光方法として、液浸法は周知である（例えば、本願の明細書の段落【０００６】においても挙げられている、国際公開第９９／４９５０４号パンフレット参照）。
　引用発明の露光装置においても露光パターンの微細化が求められることは、特段の明記が無くとも、当然に内在する課題であると認められる。
　よって、引用発明において、露光方法として上記周知の液浸法を採用することは、当業者であれば容易に想到し得るものである。また、当該採用することに、阻害要因も認められない。
　したがって、相違点１に係る補正発明の構成を得ることは、当業者であれば容易になし得たものである。
　
６−２．相違点２について
　露光装置において、レジスト膜以外の膜を基板上に形成するための膜形成手段（膜形成ユニット）を備えることは周知である（例えば、特開２００１−１９６２９１号公報の段落【０００３】、【０００５】等参照）。
　引用発明において、当該レジスト膜以外の膜を基板上に形成するための膜形成手段を備える構成を採用することに、阻害要因は認められない。
　よって、引用発明において、必要に応じて上記レジスト膜以外の膜を基板上に形成するための膜形成手段を有する構成を採用することにより、相違点２に係る補正発明の構成を得ることは、当業者であれば容易になし得たものである。
　
６−３．相違点３について
６−３−１．「筐体」について
　補正発明は、
「前記
膜形成手段による膜の形成後に基板が前記筐体から搬出されることなく
ものであるから、膜の形成と膜の周縁部の除去とにおいて、基板は同じ筐体内に配置されていると認められる。
　一方、本願の明細書の実施例の記載（特に段落【００８４】、【００８６】、図１、２参照）では、レジストカバー膜を形成するための塗布ユニットＣＯＶ（補正発明の「膜形成ユニット」に相当）はレジストカバー膜処理ブロック１３に配置され、除去ノズル２２０（補正発明の「除去手段」に相当）を備えていると認められる除去ユニットＲＥＭはレジストカバー膜除去ブロック１４に配置されており、膜の形成と膜の周縁部の除去とにおいて、基板は異なるブロックに配置されることになる。よって、どの範囲の構成を指して“筐体”としているのか明確でない。また、本願の出願当初の特許請求の範囲、明細書及び図面には、「筐体」についての記載はない。
　したがって、補正発明の「筐体」とは、「膜形成ユニット」に備えられる何らかの構造体を意味する程度のものと認定するほかない。
　そうすると、一般的に膜形成ユニットは何らかの構造体を備えるものであるから、引用発明においても、「レジスト液塗布装置（ＣＯＴ）」（補正発明の「膜形成ユニット」に相当）が補正発明の「筐体」に相当する構成を有していることは明らかであり、この点は実質的な相違点ではない。
　
６−３−２．膜の周辺部の除去について
　露光装置において、基板上に形成された膜の周縁部の環状領域の除去を、当該膜を形成した装置から搬出されることなく、膜を形成する際の保持手段に保持された状態で行う構成は、周知である（例えば、特開２００６−９３４０９号公報の段落【００３２】乃至【００３５】、【００４２】、図４等参照）。
　引用発明において、装置の簡素化等の必要に応じて当該周知の構成を採用し、膜の周縁部の環状領域の除去を、レジスト液塗布装置（ＣＯＴ）から搬出することなく、膜を形成する際の保持手段に保持された状態で行う構成とすることは、当業者であれば容易に想到できたものである。その際、ウエハ保持機構２（補正発明の「基板保持手段」及び「回転駆動手段」に相当）を「レジスト液塗布装置（ＣＯＴ）」（補正発明の「膜形成ユニット」に相当）が備える何らかの構造体（補正発明の「筐体」に相当）の内部に設け、かつ、吐出ノズル４（補正発明の「除去手段」に相当）を「レジスト液塗布装置（ＣＯＴ）」（補正発明の「膜形成ユニット」に相当）に備えることに、何ら困難性は認められない。
　
　なお、請求人である出願人は、平成２３年７月１１日付け提出の意見書において、引用例に記載のものでは、レジスト膜が形成されたウエハＷが、スピンチャックからプリベーキングユニットに搬送され、その後、プリベーキングユニットによる加熱処理後のウエハＷがレジスト膜除去装置装置６７に搬送されるから、ウエハＷの搬送経路が長くなる点を主張する。
　しかしながら、引用例の段落【００４４】、【００４５】等の記載から、上記プリベーキングは、溶剤を乾燥させる程度に加熱すればよいのであるから、必ずしもスピンチャックからウエハＷを取り外す必要はなく、よって、引用発明において、膜を形成する際の保持手段に保持された状態で（プリベーキングし、さらに）膜の周縁部の除去を行う構成とすることにより、ウエハＷの搬送経路を長くすることなく処理することが可能であり、当該作用効果は、当業者が予測し得ない格別なものとはいえない。また、同様の理由により、引用発明が膜形成後にプリベーキングを行っていることは、膜形成手段からウエハＷを搬出することなく膜を形成する際の保持手段に保持された状態で（プリベーキングし、さらに）膜の周縁部の除去を行う上記周知の構成を採用することの阻害要因とまではいえない。
　
６−３−３．相違点３についてのまとめ
　以上のとおり、相違点３に補正発明の構成を得ることは、当業者であれば容易になし得たものである。
　
６−４．相違点４について
　基板を搬入する手段の搬入位置に基づいて基板の位置合わせを行う構成も周知である（例えば、特開２００４−２４７５４８号公報の段落【００５３】乃至【００５６】、図１等参照）。
　また、引用発明においても補正発明においても、最終的には、膜の周縁部の環状領域を除去する除去手段（本願の実施例における除去ノズル２２０、引用例の実施例における吐出ノズル４）と基板との相対的な位置合わせを行うものであると認められる。
　してみれば、当該相対的な位置合わせを行う手段として、引用発明のように、基板自体の位置の検出結果に基づいて行うか、補正発明のように、基板を搬入する手段の搬入位置に基づいて搬入手段の位置を調整することにより行うかは、当業者が適宜設計することに過ぎない。
　したがって、引用発明において、吐出ノズル４（補正発明の「除去手段」に相当）とウエハＷ（補正発明の「基板」に相当）との相対的な位置あわせを行うために、メインアーム機構７２（補正発明の「搬入手段」に相当）の搬入位置を検出し、該検出された位置に基づいてメインアーム機構７２の位置を調整する構成とすることにより、相違点４に係る補正発明の構成を得ることは、当業者であれば容易になし得たものである。
　
　なお、請求人は、平成２４年７月１３日付け提出の回答書において、
『（ｂ）しかしながら、引用文献８（特開２００４−２４７５４８号公報）に記載された技術は、ローディングポジションに位置したときの搬入アーム５０上のマーク５０ａ，５０ｂの位置情報が検出されることにより、そのローディングポジション近傍におけるウェハの位置情報を認識するものであり（段落００６０）、審査官殿が述べられる「
基板を載置部に載置するとき
と主張する。
　既に述べたように、搬入手段の搬入位置に基づき基板の位置を調整することは周知の技術事項である（例えば、上記特開２００４−２４７５４８号公報の段落【００５６】参照）。また、“基板を載置部に載置するとき”を殊更に強調するが、補正発明においては、搬入手段の搬入位置に基づいて搬入手段の位置を調整することが特定されているに過ぎず、当該主張は、補正発明に基づくものとはいえない。
　よって、請求人の上記主張は採用できない。
　
６−５．効果について
　補正発明全体の効果も、引用発明及び周知技術から当業者が予測し得る範囲のものに過ぎず、格別なものとはいえない。
　
　
７．補正の却下の決定のむすび
　以上のとおり、補正発明は、引用発明及び周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　したがって、本件補正は、平成１８年改正前特許法１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであり、特許法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
  
　
　
第３　本願発明について
１．本願発明
　本件補正は「第２」のとおり却下されたので、本願の特許請求の範囲の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という）は、平成２３年１２月２８日付け手続補正により補正されたとおりのものである（「第２」「１．」参照）。
　
　
２．引用発明
　引用例及びその記載事項は、「第２」の「４．」に記載したとおりである。
　
　
３．対比・判断
　「第２」「３．」に記載したように、補正発明は、本願発明において、「露光装置」について「液浸法により基板に露光処理を行う」ものであるとの限定事項、「処理部」について「前記複数の膜形成ユニットに基板を搬入する搬入手段」を含むとの限定事項、及び、「位置補正手段」について「前記搬入手段により当該膜形成ユニットに基板が搬入される際の前記搬入手段の位置を検出する搬入位置検出器を含み、
　前記基板処理装置は、前記搬入位置検出器により検出された位置に基づいて前記搬入手段の位置を調整する」ものであるとの限定事項を付加したものである。
　そうすると、本願発明の構成要件を全て含み、更に他の要件を付加した補
正発明が、「第２」「６．」で述べた理由により、引用発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も同様の理由により、引用発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　
４．本願発明についてのむすび
　以上のとおり、本願発明は、引用発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受ける事ができない。
　
　したがって、その余の請求項に係る発明に論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。