【事件の表示】
　特許第６４２２３７０号発明「中空型電子デバイス封止用シート、及び、中空型電子デバイスパッケージの製造方法」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第６４２２３７０号の特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１−２〕、３について訂正することを認める。
　特許第６４２２３７０号の請求項１ないし３に係る特許を維持する。
【理　由】
第１　手続の経緯
　特許第６４２２３７０号の請求項１ないし３に係る特許についての出願は、平成２７年３月３日に出願され、平成３０年１０月２６日にその特許権の設定登録がされ、平成３０年１１月１４日に特許掲載公報が発行された。
　その特許についての本件特許異議の申立ての経緯は、次のとおりである。
令和１年５月１４日　　：特許異議申立人　栗原　喜子（以下、「申立人」という。）による請求項１〜３に係る特許に対する特許異議の申立て
令和１年７月１７日付け：取消理由通知書
令和１年９月１７日　　：特許権者による意見書及び訂正請求書の提出
令和１年１０月３０日　：申立人による意見書の提出
第２　訂正の請求について
１．訂正請求の趣旨
　令和１年９月１７日付け訂正請求書による訂正請求（以下、「本件訂正請求」という。）の趣旨は、「特許第６４２２３７０号の特許請求の範囲を本訂正請求書に添付した訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項１〜３について訂正することを求める。」ものである。
２．訂正の内容
　本件訂正請求による訂正の内容は、以下の（１）ないし（２）のとおりである（下線は訂正箇所を示す。）。
（１）訂正事項１
　特許請求の範囲の請求項１に
「　
無機充填剤を含み、
　前記無機充填剤の平均粒径が０．５〜１０μｍの範囲であり、
　前記無機充填剤が、レーザー回折散乱法により測定した粒度分布において２つのピークを有しており、粒径の大きい側のピークが３〜３０μｍの範囲内にあり、粒径の小さい側のピークが０．１〜１μｍの範囲内にあり、
　を追加する訂正をする（請求項１の記載を引用する請求項２も同様に訂正する）。
（２）訂正事項２
　特許請求の範囲の請求項３に「中空型電子デバイス封止用シートを準備する工程」とあるのを、「
無機充填剤を含み、前記無機充填剤の平均粒径が０．５〜１０μｍの範囲であり、前記無機充填剤が、レーザー回折散乱法により測定した粒度分布において２つのピークを有しており、粒径の大きい側のピークが３〜３０μｍの範囲内にあり、粒径の小さい側のピークが０．１〜１μｍの範囲内にある
３．訂正の適否
（１）一群の請求項について
　訂正前の請求項１〜２について、請求項２は請求項１を引用しているものであって、訂正事項１によって記載が訂正される請求項１に連動して訂正されるものである。したがって、訂正前の請求項１〜２に対応する訂正後の請求項１〜２は、特許法第１２０条の５第４項に規定する一群の請求項である。
（２）訂正事項１について
ア．訂正の目的について
　訂正事項１は、「　
無機充填剤を含み、
　前記無機充填剤の平均粒径が０．５〜１０μｍの範囲であり、
　前記無機充填剤が、レーザー回折散乱法により測定した粒度分布において２つのピークを有しており、粒径の大きい側のピークが３〜３０μｍの範囲内にあり、粒径の小さい側のピークが０．１〜１μｍの範囲内にあり、
　したがって、訂正事項１は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
イ．実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更する訂正であるか否かについて
　上記ア．に示したとおり、訂正事項１は、特許請求の範囲を減縮するものであるから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当せず、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項の規定に適合するものである。
ウ．願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であるか否かについて 
　明細書には、「
封止用シート１１は、無機充填剤を含有する
無機充填剤の平均粒径は
０．５〜１０μｍの範囲のものを用いる
レーザー回折散乱法により測定した粒度分布において、２つのピークを有している
前記２つのピークは
粒径の大きい側のピークが、３〜３０μｍの範囲内にあり、粒径の小さい側のピークが０．１〜１μｍの範囲内にある
　したがって、訂正事項１は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するものである。
エ．小括
　上記ア．ないしウ．のとおり、本件訂正請求による訂正のうち訂正事項１に係る訂正は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる事項を目的とするものであり、かつ、同条第９項で準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合する。
（３）訂正事項２について
ア．訂正の目的について
　訂正事項２は、「
無機充填剤を含み、前記無機充填剤の平均粒径が０．５〜１０μｍの範囲であり、前記無機充填剤が、レーザー回折散乱法により測定した粒度分布において２つのピークを有しており、粒径の大きい側のピークが３〜３０μｍの範囲内にあり、粒径の小さい側のピークが０．１〜１μｍの範囲内にある
　したがって、訂正事項２は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
イ．実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更する訂正であるか否かについて
　上記ア．に示したとおり、訂正事項２は、特許請求の範囲を減縮するものであるから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当せず、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項の規定に適合するものである。
ウ．願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であるか否かについて 
　明細書には、「
封止用シート１１は、無機充填剤を含有する
無機充填剤の平均粒径は
０．５〜１０μｍの範囲のものを用いる
レーザー回折散乱法により測定した粒度分布において、２つのピークを有している
前記２つのピークは
粒径の大きい側のピークが、３〜３０μｍの範囲内にあり、粒径の小さい側のピークが０．１〜１μｍの範囲内にある
　したがって、訂正事項２は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するものである。
エ．小括
　上記ア．ないしウ．のとおり、本件訂正請求による訂正のうち訂正事項２に係る訂正は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる事項を目的とするものであり、かつ、同条第９項で準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合する。
（４）訂正の適否のまとめ
　以上のとおりであるから、本件訂正請求による訂正は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる事項を目的とするものであり、かつ、同条第９項で準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合する。
　したがって、特許請求の範囲を、訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１−２〕、３について訂正することを認める。
第３　訂正後の本件発明
　本件訂正請求により訂正された請求項１ないし３に係る発明（以下、それぞれ「本件発明１」ないし「本件発明３」という。）は、訂正特許請求の範囲の請求項１ないし３に記載された次の事項により特定されるとおりのものである。なお、下線は訂正された箇所を示す。
「【請求項１】
　
無機充填剤を含み、
　前記無機充填剤の平均粒径が０．５〜１０μｍの範囲であり、
　前記無機充填剤が、レーザー回折散乱法により測定した粒度分布において２つのピークを有しており、粒径の大きい側のピークが３〜３０μｍの範囲内にあり、粒径の小さい側のピークが０．１〜１μｍの範囲内にあり、
　下記ステップＡ〜ステップＧの手順により測定される進入量Ｘ１が０μｍ以上５０μｍ以下であり、且つ、進入量Ｙ１から前記進入量Ｘ１を引いた値が６０μｍ以下であることを特徴とする中空型電子デバイス封止用シート。
　下記仕様の１つのダミーチップが樹脂バンプを介してガラス基板に実装されたダミーチップ実装基板を準備するステップＡ、
　縦１ｃｍ、横１ｃｍ、厚さ２２０μｍのサイズの中空型電子デバイス封止用シートのサンプルを準備するステップＢ、
　前記サンプルを、前記ダミーチップ実装基板の前記ダミーチップ上に配置するステップＣ、
　下記埋め込み条件下で、前記ダミーチップを前記サンプルに埋め込むステップＤ、
　前記ステップＤの後、前記ダミーチップと前記ガラス基板との間の中空部への、前記サンプルを構成する樹脂の進入量Ｘ１を測定するステップＥ、
　前記ステップＥの後、１５０℃の熱風乾燥機中に１時間放置し、前記サンプルを熱硬化させて封止体サンプルを得るステップＦ、及び、
　前記封止体サンプルにおける前記中空部への前記樹脂の進入量Ｙ１を測定するステップＧ。
　　＜ダミーチップの仕様＞
　　　チップサイズが縦３ｍｍ、横３ｍｍ、厚さ２００μｍであり、高さ５０μｍの樹脂バンプが形成されている。
　　＜埋め込み条件＞
　　　プレス方法：平板プレス
　　　温度：７５℃
　　　加圧力：３０００ｋＰａ
　　　真空度：１．６ｋＰａ
　　　プレス時間：１分
【請求項２】
　９０℃での粘度が３００ｋＰａ・ｓ以上であることを特徴とする請求項１に記載の中空型電子デバイス封止用シート。
【請求項３】
　電子デバイスがバンプを介して被着体上に固定された積層体を準備する工程と、
　
無機充填剤を含み、前記無機充填剤の平均粒径が０．５〜１０μｍの範囲であり、前記無機充填剤が、レーザー回折散乱法により測定した粒度分布において２つのピークを有しており、粒径の大きい側のピークが３〜３０μｍの範囲内にあり、粒径の小さい側のピークが０．１〜１μｍの範囲内にある
　前記中空型電子デバイス封止用シートを、前記積層体の前記電子デバイス上に配置する工程と、
　熱プレスにより、前記電子デバイスを前記中空型電子デバイス封止用シートに埋め込む工程と、
　前記埋め込む工程の後、前記中空型電子デバイス封止用シートを熱硬化させて封止体を得る工程と
　を含み、
　前記埋め込む工程の後、且つ、前記封止体を得る工程の前の状態における、前記中空型電子デバイス封止用シートを構成する樹脂の、前記電子デバイスと前記被着体との間の中空部への進入量をＸ２、前記封止体を得る工程の後の状態における、前記中空部への前記樹脂の進入量をＹ２としたとき、前記進入量Ｘ２が０μｍ以上５０μｍ以下であり、且つ、前記進入量Ｙ２から前記進入量Ｘ２を引いた値が６０μｍ以下であることを特徴とする中空型電子デバイスパッケージの製造方法。」
第４　取消理由通知に記載した取消理由について
１．取消理由の概要
　訂正前の請求項１ないし３に係る特許に対して、当審が令和１年７月１７日に特許権者に通知した取消理由の要旨は、次のとおりである。
（１）取消理由１（特許法第２９条第１項第３号）
　請求項３に係る発明は、本件特許出願前に日本国内又は外国において頒布された下記の甲第１号証ないし甲第５号証に記載された発明であって、特許法第２９条第１項第３号に該当するから、請求項３に係る特許は、特許法第２９条第１項の規定に違反してされたものである。
（２）取消理由２（特許法第２９条第２項）
　請求項１に係る発明は、本件特許出願前に日本国内又は外国において頒布された下記の甲第１号証ないし甲第５号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。
　また、請求項２に係る発明は、本件特許出願前に日本国内又は外国において頒布された下記の甲第５号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項２に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。
　　　　　　　記
甲第１号証：特開２０１４−２２５６３５号公報
甲第２号証：特開２０１４−２０９５６５号公報
甲第３号証：特開２０１４−２０９５６７号公報
甲第４号証：特開２０１４−２０９５６８号公報
甲第５号証：特開２００６−１９７１４号公報
２．各甲号証の記載
（１）甲第１号証（特開２０１４−２２５６３５号公報）
　甲第１号証には、「中空封止シート及び中空パッケージの製造方法」に関して、以下の事項が図面とともに記載されている（なお、下線は当審で付与した。以下同じ。）。
ア．「【請求項１】
　電子部品を中空封止するための中空封止シートであって、
　樹脂を含み、
　４０℃以上１００℃以下において中空部への樹脂進入性が制御された中空封止シート。」
イ．「【請求項５】
　一又は複数の電子部品を覆うように請求項１〜４のいずれか１項に記載の中空封止シートを該電子部品上に中空部を維持しながら積層する積層工程、及び
　前記中空封止シートを硬化させて封止体を形成する封止体形成工程
　を含む中空パッケージの製造方法。」
ウ．「【００２１】
　中空封止シートを形成する樹脂組成物は、上述のような特性を好適に付与することができ、半導体チップ等の電子部品の樹脂封止に利用可能なものである限り特に限定されない。中でも、中空部付近での樹脂流動を規制し得る規制材料を含むことが好ましい。このような規制材料としては、エラストマーや高粘度エポキシ樹脂、高粘度フェノール樹脂等の高粘度物質や、無機充填剤等のダイラタンシー付与性の微小粒子を好適に用いることができる。
【００２２】
　高粘度物質の粘度としては、樹脂流動の規制の度合いや作業性等を考慮して適宜設定すればよいが、８０℃において２０００Ｐａ・ｓ以上３００００Ｐａ・ｓ以下が好ましく、５０００Ｐａ・ｓ以上２５０００以下がより好ましい。なお、粘度は、ＴＡインスツルメント社製粘弾性測定装置ＡＲＥＳを用いて、パラレルプレート法により測定することができる。より詳細には、ギャップ１００μｍ、回転プレート直径２０ｍｍ、回転速度１０ｓ−１の条件にて、５０℃から２００℃の範囲で粘度を測定し、その際に得られる８０℃での粘度を読み取ることで得られる。」
エ．「【００３９】
　（Ｄ成分）
　無機質充填剤（Ｄ成分）は、特に限定されるものではなく、従来公知の各種充填剤を用いることができ、例えば、石英ガラス、タルク、シリカ（溶融シリカや結晶性シリカ等）、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化珪素、窒化ホウ素の粉末が挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、２種以上併用してもよい。無機充填剤を含むことにより、中空封止シートに中空部付近におけるダイラタンシー様作用をより効率良く付与することができる。
【００４０】
　中でも、エポキシ樹脂組成物の硬化体の熱線膨張係数が低減することにより内部応力を低減し、その結果、電子部品の封止後の中空封止シート１１の反りを抑制できるという点から、シリカ粉末を用いることが好ましく、シリカ粉末の中でも溶融シリカ粉末を用いることがより好ましい。溶融シリカ粉末としては、球状溶融シリカ粉末、破砕溶融シリカ粉末が挙げられるが、流動性という観点から、球状溶融シリカ粉末を用いることが特に好ましい。中でも、平均粒径が５４μｍ以下の範囲のものを用いることが好ましく、０．１〜３０μｍの範囲のものを用いることがより好ましく、０．５〜２０μｍの範囲のものを用いることが特に好ましい。」
オ．「【００６１】
　中空封止シート１１の厚さは特に限定されないが、１００〜２０００μｍであることが好ましい。上記範囲内であると、良好に電子部品を封止することができる。また、樹脂シートを薄型にすることで、発熱量を低減でき、硬化収縮が起こりにくくなる。この結果、パッケージ反り量を低減でき、より信頼性の高い中空パッケージが得られる。」
カ．「【００６３】
　［中空パッケージの製造方法］
　次に、上記中空封止シートを用いる本実施形態に係る
中空パッケージの製造方法
【００６４】
　（ＳＡＷチップ搭載基板準備工程）
　
ＳＡＷチップ搭載基板準備工程では、複数のＳＡＷチップ１３が搭載されたプリント配線基板１２を準備する
ＳＡＷチップ１３とプリント配線基板１２とはバンプ等の突起電極１３ａを介して電気的に接続されている
【００６５】
　（封止工程）
　
封止工程では、ＳＡＷチップ１３を覆うようにプリント配線基板１２へ中空封止シート１１を積層し、ＳＡＷチップ１３を上記中空封止シートで樹脂封止する
【００６６】
　本実施形態では、上記中空封止シート１１を採用することにより、
ＳＡＷチップ１３の被覆にプリント配線基板１２上に貼り付けるだけでＳＡＷチップ１３を埋め込むことができ
熱プレス
により中空封止シート１１をプリント配線基板１２上に積層する
【００６７】
　中空封止シート１１ではエラストマーの微小ドメインが分散しているので、中空部１４への樹脂成分の進入が抑制されており、ＳＡＷチップ１３の作動信頼性や接続信頼性を向上させることができる。
【００６８】
　（封止体形成工程）
　
封止体形成工程では、上記中空封止シートを熱硬化処理して封止体１５を形成する
キ．「【００７６】
［実施例１］
　（中空封止シートの作製）
　以下の成分をミキサーにてブレンドし、２軸混練機により、混練回転数を３００ｒｐｍ、混練処理量を５ｋｇ／ｈｒとし、１１０℃で１０分間溶融混練し、続いてＴダイから押出しすることにより、厚さ２００μｍの中空封止シートを作製した。
【００７７】
　エポキシ樹脂：ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（新日鐵化学（株）製、ＹＳＬＶ−８０ＸＹ（エポキン当量２００ｇ／ｅｑ．軟化点８０℃））　　　　　　　　　３．４部
　フェノール樹脂：ビフェニルアラルキル骨格を有するフェノール樹脂（明和化成社製、ＭＥＨ−７８５１−ＳＳ（水酸基当量２０３ｇ／ｅｑ．、軟化点６７℃））　３．６部
　エラストマー：（三菱レーヨン社製、メタブレンＣ−１３２Ｅ）　　　　　２．３部
　
無機充填剤：球状溶融シリカ（電気化学工業社製、ＦＢ−９４５４ＦＣ）
　シランカップリング剤：エポキシ基含有シランカップリング剤（信越化学工業（株）製、ＫＢＭ−８０３）　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　０．５部
　カーボンブラック（三菱化学（株）製、ＭＡ６００）　　　　　　　　　　０．１部
  難燃剤：（（株）伏見製薬所製、ＦＰ−１００）　　　　　　　　　　　　１．８部
  硬化促進剤：イミダゾール系触媒（四国化成工業社製、２ＰＨＺ−ＰＷ）　０．４部
【００７８】
［実施例２］
　混練処理量を３．５ｋｇ／ｈｒとしたこと以外は、実施例１と同様に中空封止シートを作製した。
【００７９】
［実施例３］
　混練回転数を５００ｒｐｍとしたこと以外は、実施例１と同様に中空封止シートを作製した。
【００８０】
［実施例４］
　混練回転数を１０００ｒｐｍとしたこと以外は、実施例１と同様に中空封止シートを作製した。
【００８１】
［実施例５］
　実施例１と同じ成分を同じ配合量にてメチルエチルケトンとトルエンとの１：１混合溶剤に溶解ないし分散し、固形分４０重量％のワニスを作製した。
【００８２】
  離型処理を施したＰＥＴフィルム上に、溶剤乾燥後の塗膜の厚さが５０μｍになるようにワニスを塗工し、次いで乾燥条件を１２０℃、３分として塗膜を乾燥させて、厚さ５０μｍの樹脂シートを得た。得られた樹脂シートを、ラミネータを用いて厚み２００μｍになるまで積層し、
厚さ２００μｍの中空封止シートを作製した
ク．「【００９０】
　（パッケージ中空部への樹脂進入性の評価）
　アルミニウム櫛形電極が形成された
以下の仕様のＳＡＷチップを
ガラス基板に実装したＳＡＷチップ実装基板を作製した
【００９１】
　＜ＳＡＷチップ＞
　
チップサイズ：１．４×１．１ｍｍ□（厚さ１５０μｍ）
　
バンプ材質：Ａｕ  高さ３０μｍ
　バンプ数：６バンプ
　チップ数：１００個（１０個×１０個）
【００９２】
　＜ボンディング条件＞
　装置：パナソニック電工（株）製
　ボンディング条件：２００℃、３Ｎ、１ｓｅｃ（超音波出力２Ｗ）
【００９３】
　得られたＳＡＷチップ実装基板上に、
以下に示す加熱加圧条件下、各中空封止シートを真空プレスにより貼付けた
【００９４】
　
＜貼り付け条件＞
　
温度：６０℃
　
加圧力：４ＭＰａ
　
真空度：１．６ｋＰａ
　
プレス時間：１分
【００９５】
　大気圧に開放した後、
熱風乾燥機中、１５０℃、１時間
ＳＡＷチップとガラス基板との間の中空部への樹脂の進入量を測定した。樹脂進入量は、中空封止シートによる封止前にガラス基板側から電子顕微鏡でＳＡＷチップの端部の位置を確認及び記憶しておき、封止後に再度ガラス基板側から電子顕微鏡で観察し、封止前後での観察像を比較して、封止前に確認しておいたＳＡＷチップの端部から中空部へ進入した樹脂の最大到達距離を測定し、これを樹脂進入量とした。樹脂進入量が２０μｍ以下であった場合を「○」、２０μｍを超えていた場合を「×」として評価した。結果を表１に示す。
【表１】
【００９６】
　表１から分かるように、実施例１〜５の中空封止シートは可撓性が良好であった。一方、比較例１〜２ではヒビが生じ可撓性が劣っていた。また、実施例１〜５では、比較例１〜２と比較して金型のスリットへの樹脂進入量が抑制されていた。さらに、
実施例１〜５のＳＡＷチップパッケージでは
中空パッケージを作製可能である
・上記カ．によれば、ＳＡＷチップ搭載基板準備工程は、複数のＳＡＷチップ１３が搭載されたプリント配線基板１２を準備してＳＡＷチップ搭載基板を準備する工程であり、またＳＡＷチップ１３とプリント配線基板１２とはバンプを介して接続されているものである。
・上記カ．、キ．によれば、中空封止シート１１は球状溶融シリカ（電気化学工業社製、ＦＢ−９４５４ＦＣ）である無機充填剤を含むものである。
・上記カ．によれば、封止工程は、中空封止シート１１で、ＳＡＷチップ１３を覆い、熱プレスにより、ＳＡＷチップ１３を中空封止シート１１に積層し樹脂封止する工程である。
・上記カ．によれば、封止工程の後の封止体形成工程は、中空封止シート１１を熱硬化処理して封止体を形成する工程である。
・上記ク．によれば、実施例１〜５において封止体を形成した後に測定したＳＡＷチップ１３の端部から中空部に進入した樹脂進入量は、８μｍから２０μｍの範囲である。
・上記ク．によれば、実施例１〜５のＳＡＷチップパッケージを製造する方法は、中空型ＳＡＷチップパッケージの製造方法である。
　したがって、上記ア．ないしク．の記載事項及び図面の記載を総合勘案すると、甲第１号証には、「中空型ＳＡＷチップパッケージの製造方法」の発明として捉えることができる以下の発明（以下、「甲１Ａ発明」という。）が記載されている。
（甲１Ａ発明）
　「複数のＳＡＷチップ１３がバンプを介してプリント配線基板１２上に接続搭載されたＳＡＷチップ搭載基板を準備する工程と、
　球状溶融シリカ（電気化学工業社製、ＦＢ−９４５４ＦＣ）である無機充填剤を含む中空封止シート１１を準備する工程と、
　前記中空封止シート１１で、前記ＳＡＷチップ搭載基板のＳＡＷチップ１３を覆う工程と、
　熱プレスにより、前記ＳＡＷチップ１３を前記中空封止シート１１に積層し樹脂封止する工程と、
　前記積層し樹脂封止する工程の後、前記中空封止シート１１を熱硬化処理して封止体を形成する工程と
　を含み、
　封止体を形成した後に測定した前記ＳＡＷチップ１３の端部から中空部に進入した樹脂進入量は、８μｍから２０μｍの範囲である
　中空型ＳＡＷチップパッケージの製造方法。」
　また、上記ア．ないしク．の記載事項及び図面の記載を総合勘案すると、甲第１号証には、「中空封止シート１１」の発明として捉えることができる以下の発明（以下、「甲１Ｂ発明」という。）が記載されている。
（甲１Ｂ発明）
　「球状溶融シリカ（電気化学工業社製、ＦＢ−９４５４ＦＣ）である無機充填剤を含み、下記工程１〜６の手順により測定されるＳＡＷチップ１３の端部から中空部に進入した樹脂進入量が８μｍから２０μｍの範囲である中空封止シート１１。
　下記仕様の複数のＳＡＷチップ１３がバンプを介してガラス基板であるプリント配線基板１２上に接続搭載されたＳＡＷチップ搭載基板を準備する工程１、
　厚さ２００μｍの中空封止シート１１を準備する工程２、
　前記中空封止シート１１で、前記ＳＡＷチップ搭載基板のＳＡＷチップ１３を覆う工程３、
　下記貼り付け条件下で、熱プレスにより、前記ＳＡＷチップ１３を前記中空封止シート１１に積層し樹脂封止する工程４、
　前記積層し樹脂封止する工程の後、熱風乾燥機中、１５０℃、１時間の条件で前記中空封止シート１１を熱硬化処理して封止体を形成する工程５、
　封止体を形成した後に測定した前記ＳＡＷチップ１３の端部から中空部に進入した樹脂進入量を測定する工程６。
　＜ＳＡＷチップの仕様＞
　チップサイズ：１．４×１．１ｍｍ□（厚さ１５０μｍ）
　バンプ材質：Ａｕ  高さ３０μｍ
　＜貼り付け条件＞
　温度：６０℃
　加圧力：４ＭＰａ
　真空度：１．６ｋＰａ
　プレス時間：１分」
（２）甲第２号証（特開２０１４−２０９５６５号公報）
　甲第２号証には、「封止シート、封止シートの製造方法及び電子部品パッケージの製造方法」に関して、以下の事項が図面とともに記載されている。
ア．「【請求項１】
　エラストマーのドメインが分散しており、該ドメインの最大径が２０μｍ以下である封止シート。」
イ．【請求項９】
　一又は複数の電子部品を覆うように請求項１〜６のいずれか１項に記載の封止シートを該電子部品上に積層する積層工程、及び
　前記封止シートを硬化させて封止体を形成する封止体形成工程
　を含む電子部品パッケージの製造方法。」
ウ．「【００３５】
　中でも、エポキシ樹脂組成物の硬化体の熱線膨張係数が低減することにより内部応力を低減し、その結果、電子部品の封止後の封止シート１１の反りを抑制できるという点から、シリカ粉末を用いることが好ましく、シリカ粉末の中でも溶融シリカ粉末を用いることがより好ましい。溶融シリカ粉末としては、球状溶融シリカ粉末、破砕溶融シリカ粉末が挙げられるが、流動性という観点から、球状溶融シリカ粉末を用いることが特に好ましい。中でも、平均粒径が５４μｍ以下の範囲のものを用いることが好ましく、０．１〜３０μｍの範囲のものを用いることがより好ましく、０．５〜２０μｍの範囲のものを用いることが特に好ましい。」
エ．「【００５６】
　封止シート１１の厚さは特に限定されないが、１００〜２０００μｍであることが好ましい。上記範囲内であると、良好に電子部品を封止することができる。また、樹脂シートを薄型にすることで、発熱量を低減でき、硬化収縮が起こりにくくなる。この結果、パッケージ反り量を低減でき、より信頼性の高い電子部品パッケージが得られる。」
オ．「【００５８】
　［電子部品パッケージの製造方法］
　次に、上記封止シートを用いる本実施形態に係る
電子部品パッケージの製造方法
本実施形態では、基板上に搭載された電子部品を封止シートにより中空封止して電子部品パッケージを作製する
電子部品としてＳＡＷフィルタを用い
【００５９】
　（ＳＡＷチップ搭載基板準備工程）
　
ＳＡＷチップ搭載基板準備工程では、複数のＳＡＷチップ１３が搭載されたプリント配線基板１２を準備する
ＳＡＷチップ１３とプリント配線基板１２とはバンプ等の突起電極１３ａを介して電気的に接続されている
【００６０】
　（封止工程）
　
封止工程では、ＳＡＷチップ１３を覆うようにプリント配線基板１２へ封止シート１１を積層し、ＳＡＷチップ１３を上記封止シートで樹脂封止する
【００６１】
　本実施形態では、上記封止シート１１を採用することにより、
ＳＡＷチップ１３の被覆にプリント配線基板１２上に貼り付けるだけでＳＡＷチップ１３を埋め込むことができ
熱プレス
により封止シート１１をプリント配線基板１２上に積層することができる
【００６２】
　封止シート１１ではエラストマーの微小ドメインが分散しているので、中空部分１４への樹脂成分の進入が抑制されており、ＳＡＷチップ１４の作動信頼性や接続信頼性を向上させることができる。
【００６３】
　（封止体形成工程）
　
封止体形成工程では、上記封止シートを熱硬化処理して封止体１５を形成する
カ．「【００７１】
［実施例１］
　（封止シートの作製）
　以下の成分をミキサーにてブレンドし、２軸混練機により、混練回転数を３００ｒｐｍ、混練処理量を５ｋｇ／ｈｒとし、１１０℃で１０分間溶融混練し、続いてＴダイから押出しすることにより、厚さ２００μｍの封止シートを作製した。
【００７２】
　エポキシ樹脂：ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（新日鐵化学（株）製、ＹＳＬＶ−８０ＸＹ（エポキン当量２００ｇ／ｅｑ．軟化点８０℃））　　　　　　　　　３．４部
　フェノール樹脂：ビフェニルアラルキル骨格を有するフェノール樹脂（明和化成社製、ＭＥＨ−７８５１−ＳＳ（水酸基当量２０３ｇ／ｅｑ．、軟化点６７℃））　３．６部
　エラストマー：（三菱レーヨン社製、メタブレンＣ−１３２Ｅ）　　　　　２．３部
　
無機充填剤：球状溶融シリカ（電気化学工業社製、ＦＢ−９４５４ＦＣ）
　シランカップリング剤：エポキシ基含有シランカップリング剤（信越化学工業（株）製、ＫＢＭ−８０３）　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　０．５部
　カーボンブラック（三菱化学（株）製、ＭＡ６００）　　　　　　　　　　０．１部
　難燃剤：（（株）伏見製薬所製、ＦＰ−１００）　　　　　　　　　　　　１．８部
　硬化促進剤：イミダゾール系触媒（四国化成工業社製、２ＰＨＺ−ＰＷ）　０．４部
【００７３】
［実施例２］
　混練処理量を３．５ｋｇ／ｈｒとしたこと以外は、実施例１と同様に封止シートを作製した。
【００７４】
［実施例３］
　混練回転数を５００ｒｐｍとしたこと以外は、実施例１と同様に封止シートを作製した。
【００７５】
［実施例４］
　混練回転数を１０００ｒｐｍとしたこと以外は、実施例１と同様に封止シートを作製した。
【００７６】
［実施例５］
　以下の成分をメチルエチルケトンとトルエンとの１：１混合溶剤に溶解ないし分散し、固形分４０重量％のワニスを作製した。
【００７７】
　エポキシ樹脂：ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（新日鐵化学（株）製、ＹＳＬＶ−８０ＸＹ（エポキン当量２００ｇ／ｅｑ．軟化点８０℃））　　　　　　　　　３．４部
　フェノール樹脂：ビフェニルアラルキル骨格を有するフェノール樹脂（明和化成社製、ＭＥＨ−７８５１−ＳＳ（水酸基当量２０３ｇ／ｅｑ．、軟化点６７℃））　３．６部
　エラストマー：（（株）カネカ製、ＳＩＢＳＴＡＲ  １０２Ｔ）　　　　　４．０部
　
無機充填剤：球状溶融シリカ（電気化学工業社製、ＦＢ−９４５４ＦＣ）
　カーボンブラック（三菱化学（株）製、♯２０）　　　　　　　　　　　　０．１部
　難燃剤：（（株）伏見製薬所製、ＦＰ−１００）　　　　　　　　　　　　１．８部
　硬化促進剤：イミダゾール系触媒（四国化成工業社製、２ＰＨＺ−ＰＷ）　０．１部
【００７８】
　離型処理を施したＰＥＴフィルム上に、溶剤乾燥後の塗膜の厚さが５０μｍになるようにワニスを塗工し、次いで乾燥条件を１２０℃、３分として塗膜を乾燥させて、厚さ５０μｍの樹脂シートを得た。得られた樹脂シートを、ラミネータを用いて厚み２００μｍになるまで積層し、
厚さ２００μｍの封止シートを作製した
キ．「【００８３】
　（パッケージ中空部分への樹脂進入性の評価）
　アルミニウム櫛形電極が形成された
以下の仕様のＳＡＷチップを
ガラス基板に実装したＳＡＷチップ実装基板を作製した
【００８４】
　
＜ＳＡＷチップ＞
　
チップサイズ：１．４×１．１ｍｍ□（厚さ１５０μｍ）
　
バンプ材質：Ａｕ  高さ３０μｍ
　バンプ数：６バンプ
　チップ数：１００個（１０個×１０個）
【００８５】
　＜ボンディング条件＞
　装置：パナソニック電工（株）製
　ボンディング条件：２００℃、３Ｎ、１ｓｅｃ（超音波出力２Ｗ）
【００８６】
　得られたＳＡＷチップ実装基板上に、
以下に示す加熱加圧条件下、各封止シートを真空プレスにより貼付けた
【００８７】
　
＜貼り付け条件＞
　
温度：６０℃
　
加圧力：４ＭＰａ
　
真空度：１．６ｋＰａ
　
プレス時間：１分
【００８８】
　大気圧に開放した後、
熱風乾燥機中、１５０℃、１時間
ＳＡＷチップとガラス基板との間の中空部分への樹脂の進入量を測定した。樹脂進入量は、封止シートによる封止前にガラス基板側から電子顕微鏡でＳＡＷチップの端部の位置を確認及び記憶しておき、封止後に再度ガラス基板側から電子顕微鏡で観察し、封止前後での観察像を比較して、封止前に確認しておいたＳＡＷチップの端部から中空部分へ進入した樹脂の最大到達距離を測定し、これを樹脂進入量とした。樹脂進入量が２０μｍ以下であった場合を「○」、２０μｍを超えていた場合を「×」として評価した。結果を表１に示す。
【表１】
【００８９】
　表１から分かるように、実施例１〜５の封止シートは可撓性が良好であった。一方、比較例１〜２ではヒビが生じ可撓性が劣っていた。また、
実施例１〜５では、
ＳＡＷチップパッケージでは、封止シートの樹脂成分の中空部分への進入が抑制されており、高品質の電子部品パッケージを作製可能である
・上記オ．によれば、ＳＡＷチップ搭載基板準備工程は、複数のＳＡＷチップ１３が搭載されたプリント配線基板１２を準備してＳＡＷチップ搭載基板を準備する工程であり、またＳＡＷチップ１３とプリント配線基板１２とはバンプを介して接続されているものである。
・上記オ．によれば、「封止シート１１」はＳＷＡフィルタである電子部品を中空封止するものであるから、「中空封止シート１１」といい得るものである。
・上記オ．、カ．によれば、封止シート１１は球状溶融シリカ（電気化学工業社製、ＦＢ−９４５４ＦＣ）である無機充填剤を含むものである。
・上記オ．によれば、封止工程は、封止シート１１で、ＳＡＷチップ１３を覆い、熱プレスにより、ＳＡＷチップ１３を封止シート１１に積層し樹脂封止する工程である。
・上記オ．によれば、封止工程の後の封止体形成工程は、封止シート１１を熱硬化処理して封止体を形成する工程である。
・上記キ．によれば、実施例１〜５において封止体を形成した後に測定したＳＡＷチップ１３の端部から中空部に進入した樹脂進入量は、８μｍから２０μｍの範囲である。
・上記キ．によれば、実施例１〜５のＳＡＷチップパッケージを製造する方法は、中空型ＳＡＷチップパッケージの製造方法である。
　したがって、上記ア．ないしキ．の記載事項及び図面の記載を総合勘案すると、甲第２号証には、「中空型ＳＡＷチップパッケージの製造方法」の発明として捉えることができる以下の発明（以下、「甲２Ａ発明」という。）が記載されている。
（甲２Ａ発明）
　「複数のＳＡＷチップ１３がバンプを介してプリント配線基板１２上に接続搭載されたＳＡＷチップ搭載基板を準備する工程と、
　球状溶融シリカ（電気化学工業社製、ＦＢ−９４５４ＦＣ）である無機充填剤を含む中空封止シート１１を準備する工程と、
　前記中空封止シート１１で、前記ＳＡＷチップ搭載基板のＳＡＷチップ１３を覆う工程と、
　熱プレスにより、前記ＳＡＷチップ１３を前記中空封止シート１１に積層し樹脂封止する工程と、
　前記積層し樹脂封止する工程の後、前記中空封止シート１１を熱硬化処理して封止体を形成する工程と
　を含み、
　封止体を形成した後に測定した前記ＳＡＷチップ１３の端部から中空部に進入した樹脂進入量は、８μｍから２０μｍの範囲である
　中空型ＳＡＷチップパッケージの製造方法。」
　なお、甲２Ａ発明は甲１Ａ発明と同一である。
　また、上記ア．ないしキ．の記載事項及び図面の記載を総合勘案すると、甲第２号証には、「中空封止シート１１」の発明として捉えることができる以下の発明（以下、「甲２Ｂ発明」という。）が記載されている。
（甲２Ｂ発明）
　「球状溶融シリカ（電気化学工業社製、ＦＢ−９４５４ＦＣ）である無機充填剤を含み、下記工程１〜６の手順により測定されるＳＡＷチップ１３の端部から中空部に進入した樹脂進入量が８μｍから２０μｍの範囲である中空封止シート１１。
　下記仕様の複数のＳＡＷチップ１３がバンプを介してガラス基板であるプリント配線基板１２上に接続搭載されたＳＡＷチップ搭載基板を準備する工程１、
　厚さ２００μｍの中空封止シート１１を準備する工程２、
　前記中空封止シート１１で、前記ＳＡＷチップ搭載基板のＳＡＷチップ１３を覆う工程３、
　下記貼り付け条件下で、熱プレスにより、前記ＳＡＷチップ１３を前記中空封止シート１１に積層し樹脂封止する工程４、
　前記積層し樹脂封止する工程の後、熱風乾燥機中、１５０℃、１時間の条件で前記中空封止シート１１を熱硬化処理して封止体を形成する工程５、
　封止体を形成した後に測定した前記ＳＡＷチップ１３の端部から中空部に進入した樹脂進入量を測定する工程６。
　＜ＳＡＷチップの仕様＞
　チップサイズ：１．４×１．１ｍｍ□（厚さ１５０μｍ）
　バンプ材質：Ａｕ  高さ３０μｍ
　＜貼り付け条件＞
　温度：６０℃
　加圧力：４ＭＰａ
　真空度：１．６ｋＰａ
　プレス時間：１分」
　なお、甲２Ｂ発明は甲１Ｂ発明と同一である。
（３）甲第３号証（特開２０１４−２０９５６７号公報）
　甲第３号証には、「中空封止用樹脂シート及び中空パッケージの製造方法」に関して、以下の事項が図面とともに記載されている。
ア．「【請求項１】
　無機充填剤を７０体積％以上９０体積％以下の含有量で含み、
　レーザー回折散乱法により測定した前記無機充填剤の粒度分布において、１μｍ以上１０μｍ以下の粒径範囲に頻度分布のピークが少なくとも１つ存在し、かつ１０μｍを超えて１００μｍ以下の粒径範囲に頻度分布のピークが少なくとも１つ存在し、
　前記無機充填剤のＢＥＴ比表面積が２ｍ２／ｇ以上５ｍ２／ｇ以下である中空封止用樹脂シート。
【請求項２】
　硬化前の８０℃における動的粘度が５０００Ｐａ・ｓ以上３００００Ｐａ・ｓ以下である請求項１に記載の中空封止用樹脂シート。」
イ．「【請求項５】
　被着体上に配置された１又は複数の電子デバイスを覆うように請求項１〜４のいずれかに記載の中空封止用樹脂シートを前記電子デバイス上に前記被着体と前記電子デバイスとの間の中空部を維持しながら積層する積層工程、及び
　前記中空封止用樹脂シートを硬化させて封止体を形成する封止体形成工程
　を含む中空パッケージの製造方法。」
ウ．「【００３６】
　無機充填剤の平均粒径は５０μｍ以下の範囲のものを用いることが好ましく、０．１〜３０μｍの範囲のものを用いることがより好ましく、０．５〜２０μｍの範囲のものを用いることが特に好ましい。なお、平均粒径は、実施例における粒度分布測定の手順に従いＤ５０として求められる。」
エ．「【００６７】
　樹脂シート１１の厚さは特に限定されないが、１００〜２０００μｍであることが好ましい。上記範囲内であると、良好に電子デバイスを封止することができる。また、樹脂シートを薄型にすることで、発熱量を低減でき、硬化収縮が起こりにくくなる。この結果、パッケージ反り量を低減でき、より信頼性の高い中空パッケージが得られる。」
オ．「【００７０】
　［中空パッケージの製造方法］
　図２Ａ〜２Ｃはそれぞれ、本発明の一実施形態に係る
中空パッケージの製造方法
プリント配線基板１２上に搭載されたＳＡＷチップ１３を樹脂シート１１により中空封止して中空パッケージを作製する
【００７１】
　（ＳＡＷチップ搭載基板準備工程）
　
ＳＡＷチップ搭載基板準備工程では、複数のＳＡＷチップ１３が搭載されたプリント配線基板１２を準備する
ＳＡＷチップ１３とプリント配線基板１２とはバンプなどの突起電極１３ａを介して電気的に接続されている
【００７２】
　（封止工程）
　
封止工程では、ＳＡＷチップ１３を覆うようにプリント配線基板１２へ樹脂シート１１を積層し、ＳＡＷチップ１３を樹脂シート１１で樹脂封止する
【００７３】
  
樹脂シート１１をプリント配線基板１２上に積層する方法
熱プレス
により行うことができる
【００７４】
　（封止体形成工程）
　
封止体形成工程では、樹脂シート１１を熱硬化処理して封止体１５を形成する
カ．「【００８２】
　実施例で使用した成分について説明する。
　エポキシ樹脂：新日鐵化学（株）製のＹＳＬＶ−８０ＸＹ（ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、エポキン当量２００ｇ／ｅｑ．、軟化点８０℃）
　フェノール樹脂：明和化成社製のＭＥＨ−７８５１−ＳＳ（ビフェニルアラルキル骨格を有するフェノール樹脂、水酸基当量２０３ｇ／ｅｑ．、軟化点６７℃）
　熱可塑性樹脂：カネカ社製のＳＩＢＳＴＥＲ  ０７２Ｔ（スチレン−イソブチレン−スチレンブロック共重合体）
　
無機充填剤１：電気化学工業社製のＦＢ−９４５４ＦＣ（溶融球状シリカ、平均粒子径２０μｍ）
　
無機充填剤２：龍森社製のＥＭＩＸ３００（微紛シリカ、比表面積３０ｍ２／ｇ）
　
無機充填剤３：龍森社製のＥＭＩＸ１００（微紛シリカ、比表面積５０ｍ２／ｇ）
　シランカップリング剤：信越化学社製のＫＢＭ−４０３（３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン）
　カーボンブラック：三菱化学社製の＃２０（以下、省略。）」
キ．「【００８３】
　［実施例１〜４及び比較例１〜２］
　
表１に記載の配合比に従い
表１に示す厚さの中空封止用樹脂シートを作製した
【００８４】
　［実施例５］
　
表１に記載の配合比に従い
厚さ２００μｍの中空封止用樹脂シートを作製した
ク．「【００８９】
　（パッケージ中空部への樹脂進入性及び無機充填剤の凝集の評価）
　アルミニウム櫛形電極が形成され
た以下の仕様のＳＡＷチップを
ガラス基板に実装したＳＡＷチップ実装基板を作製した
【００９０】
　
＜ＳＡＷチップ＞
　
チップサイズ：１．２ｍｍ□（厚さ１５０μｍ）
　
バンプ材質（実施例１〜３、５及び比較例１〜２）：Ａｕ（高さ３０μｍ）
　
バンプ材質（実施例４）：半田（鉛フリータイプ）（高さ９０μｍ）
　バンプ数：６バンプ
　チップ数：１００個（１０個×１０個）
【００９１】
  ＜ボンディング条件＞
  装置：パナソニック電工（株）製
  ボンディング条件：２００℃、３Ｎ、１ｓｅｃ、超音波出力２Ｗ
【００９２】
　得られたＳＡＷチップ実装基板上に、
以下に示す加熱加圧条件下、各中空封止シートを真空プレスにより貼付けた
【００９３】
　
＜貼り付け条件＞
　
温度：６０℃
　
加圧力：４ＭＰａ
　
真空度：１．６ｋＰａ
　
プレス時間：１分
【００９４】
　大気圧に開放した後、
熱風乾燥機中、１５０℃、１時間
ＳＡＷチップとガラス基板との間の中空部への樹脂の進入量を測定した。樹脂進入量は、中空封止シートによる封止前にガラス基板側から電子顕微鏡でＳＡＷチップの端部の位置を確認及び記憶しておき、封止後に再度ガラス基板側から電子顕微鏡で観察し、封止前後での観察像を比較して、封止前に確認しておいたＳＡＷチップの端部から中空部へ進入した樹脂の最大到達距離を測定し、これを樹脂進入量とした。樹脂進入量が２０μｍ以下であった場合を「○」、２０μｍを超えていた場合を「×」として評価した。
【００９５】
　また、無機充填剤の凝集に関しては、中空封止シートに凝集物が目視で確認されず、５０倍の顕微鏡観察にて封止時の良好な凹凸追従性が得られた場合を「○」、中空封止用樹脂シートに凝集物が目視で確認され、５０倍の顕微鏡観察にて封止時の良好な凹凸追従性が得られなかった場合を「×」として評価した。なお、凹凸追従性の評価は、作製した封止シートをカッターにて切断し、切断面をビューラー製自動研磨装置にて研磨し、研磨後の切断面を顕微鏡にて観察して、中空封止用樹脂シートと基板ないしチップとの間での空隙の有無を良否の判断の基準とした。樹脂進入性及び凝集の各評価の結果を表１に示す。
【００９６】
【表１】
【００９７】
　表１から分かるように、
実施例１〜５のＳＡＷチップパッケージでは、中空封止シートの樹脂成分の中空部への進入が抑制されており、中空部が拡大しても高品質の中空パッケージを作製可能であることが分かる
・上記オ．によれば、ＳＡＷチップ搭載基板準備工程は、複数のＳＡＷチップ１３が搭載されたプリント配線基板１２を準備してＳＡＷチップ搭載基板を準備する工程であり、またＳＡＷチップ１３とプリント配線基板１２とはバンプを介して接続されているものである。
・上記キ．によれば、「樹脂シート」は「中空封止用」であるから、「樹脂シート１１」は「中空封止用樹脂シート１１」といい得るものである。
・上記カ．、キ．によれば、樹脂シート１１は、電気化学工業社製のＦＢ−９４５４ＦＣ（溶融球状シリカ、平均粒子径２０μｍ）である無機充填剤１と、龍森社製のＥＭＩＸ３００（微紛シリカ）である無機充填剤２と、龍森社製のＥＭＩＸ１００（微紛シリカ）である無機充填剤３とを、８８．０：０：０（実施例１、５）又は８７．０：１．０：０（実施例２）又は８６．０：０：１．０（実施例３）又は８５．０：３．０：０（実施例４）の配合比で配合したものを含むものである。
・上記オ．によれば、封止工程は、樹脂シート１１で、ＳＡＷチップ１３を覆い、熱プレスにより、ＳＡＷチップ１３を樹脂シート１１に積層し樹脂封止する工程である。
・上記オ．によれば、封止工程の後の封止体形成工程は、樹脂シート１１を熱硬化処理して封止体を形成する工程である。
・上記ク．によれば、実施例１〜５において封止体を形成した後に測定したＳＡＷチップ１３の端部から中空部に進入した樹脂進入量は、５μｍから１９μｍの範囲である。
・上記ク．によれば、実施例１〜５のＳＡＷチップパッケージを製造する方法は、中空型ＳＡＷチップパッケージの製造方法である。
　したがって、上記ア．ないしク．の記載事項及び図面の記載を総合勘案すると、甲第３号証には、「中空型ＳＡＷチップパッケージの製造方法」の発明として捉えることができる以下の発明（以下、「甲３Ａ発明」という。）が記載されている。
（甲３Ａ発明）
　「複数のＳＡＷチップ１３がバンプを介してプリント配線基板１２上に接続搭載されたＳＡＷチップ搭載基板を準備する工程と、
　電気化学工業社製のＦＢ−９４５４ＦＣ（溶融球状シリカ、平均粒子径２０μｍ）である無機充填剤１と、龍森社製のＥＭＩＸ３００（微紛シリカ）である無機充填剤２と、龍森社製のＥＭＩＸ１００（微紛シリカ）である無機充填剤３とを、８８．０：０：０又は８７．０：１．０：０又は８６．０：０：１．０又は８５．０：３．０：０の配合比で配合したものを含む中空封止用樹脂シート１１を準備する工程と、
　前記中空封止用樹脂シート１１で、前記ＳＡＷチップ搭載基板のＳＡＷチップ１３を覆う工程と、 
　熱プレスにより、前記ＳＡＷチップ１３を前記中空封止用樹脂シート１１に積層し樹脂封止する工程と、
　前記積層し樹脂封止する工程の後、前記中空封止用樹脂シート１１を熱硬化処理して封止体を形成する工程と
　を含み、
　封止体を形成した後に測定した前記ＳＡＷチップ１３の端部から中空部に進入した樹脂進入量は、５μｍから１９μｍの範囲である
　中空型ＳＡＷチップパッケージの製造方法。」
　また、上記ア．ないしク．の記載事項及び図面の記載を総合勘案すると、甲第３号証には、「中空封止用樹脂シート１１」の発明として捉えることができる以下の発明（以下、「甲３Ｂ発明」という。）が記載されている。
（甲３Ｂ発明）
　「電気化学工業社製のＦＢ−９４５４ＦＣ（溶融球状シリカ、平均粒子径２０μｍ）である無機充填剤１と、龍森社製のＥＭＩＸ３００（微紛シリカ）である無機充填剤２と、龍森社製のＥＭＩＸ１００（微紛シリカ）である無機充填剤３とを、８８．０：０：０又は８７．０：１．０：０又は８６．０：０：１．０又は８５．０：３．０：０の配合比で配合したものを含み、下記工程１〜６の手順により測定されるＳＡＷチップ１３の端部から中空部に進入した樹脂進入量が５μｍから１９μｍの範囲である中空封止用樹脂シート１１。
　下記仕様の複数のＳＡＷチップ１３がバンプを介してガラス基板であるプリント配線基板１２上に接続搭載されたＳＡＷチップ搭載基板を準備する工程１、
　厚さ２００μｍの中空封止用樹脂シート１１を準備する工程２、
　前記中空封止用樹脂シート１１で、前記ＳＡＷチップ搭載基板のＳＡＷチップ１３を覆う工程３、
　下記貼り付け条件下で、熱プレスにより、前記ＳＡＷチップ１３を前記中空封止用樹脂シート１１に積層し樹脂封止する工程４、
　前記積層し樹脂封止する工程の後、熱風乾燥機中、１５０℃、１時間の条件で前記中空封止用樹脂シート１１を熱硬化処理して封止体を形成する工程５、
　封止体を形成した後に測定した前記ＳＡＷチップ１３の端部から中空部に進入した樹脂進入量を測定する工程６。
　＜ＳＡＷチップの仕様＞
　チップサイズ：１．２ｍｍ□（厚さ１５０μｍ）
　バンプ材質：Ａｕ（高さ３０μｍ）又は半田（鉛フリータイプ）（高さ９０μｍ）
　＜貼り付け条件＞
　温度：６０℃
　加圧力：４ＭＰａ
　真空度：１．６ｋＰａ
　プレス時間：１分」
（４）甲第４号証（特開２０１４−２０９５６８号公報）
　甲第４号証には、「中空封止用樹脂シート及び中空パッケージの製造方法」に関して、以下の事項が図面とともに記載されている。
ア．「【請求項１】
　無機充填剤を７０体積％以上９０体積％以下の含有量で含み、
　動的粘弾性測定による６０〜１３０℃での最低溶融粘度が２０００Ｐａ・ｓ以上２００００Ｐａ・ｓ以下であり、
　１５０℃で１時間熱硬化させた後の２０℃における貯蔵弾性率が１ＧＰａ以上２０ＧＰａ以下であり、
　１５０℃で１時間熱硬化させた後のガラス転移温度以下における線膨張係数が５ｐｐｍ／Ｋ以上１５ｐｐｍ／Ｋ以下である中空封止用樹脂シート。
【請求項２】
　被着体上に配置された１又は複数の電子デバイスを覆うように請求項１に記載の中空封止用樹脂シートを前記電子デバイス上に前記被着体と前記電子デバイスとの間の中空部を維持しながら積層する積層工程、及び
　前記中空封止用樹脂シートを硬化させて封止体を形成する封止体形成工程
　を含む中空パッケージの製造方法。」
イ．「【００３６】
　無機充填剤の平均粒径は５０μｍ以下の範囲のものを用いることが好ましく、０．１〜３０μｍの範囲のものを用いることがより好ましく、０．５〜２５μｍの範囲のものを用いることが特に好ましい。なお、平均粒径は、母集団から任意に抽出される試料を用い、レーザー回折散乱式粒度分布測定装置を用いて測定することにより導き出すことができる。」
ウ．「【００６６】
　樹脂シート１１の厚さは特に限定されないが、１００〜２０００μｍであることが好ましい。上記範囲内であると、良好に電子デバイスを封止することができる。また、樹脂シートを薄型にすることで、発熱量を低減でき、硬化収縮が起こりにくくなる。この結果、パッケージ反り量を低減でき、より信頼性の高い中空パッケージが得られる。」
エ．「【００６９】
　［中空パッケージの製造方法］
　図２Ａ〜２Ｃはそれぞれ、本発明の一実施形態に係る
中空パッケージの製造方法
プリント配線基板１２上に搭載されたＳＡＷチップ１３を樹脂シート１１により中空封止して中空パッケージを作製する
【００７０】
　（ＳＡＷチップ搭載基板準備工程）
　
ＳＡＷチップ搭載基板準備工程では、複数のＳＡＷチップ１３が搭載されたプリント配線基板１２を準備する
ＳＡＷチップ１３とプリント配線基板１２とはバンプなどの突起電極１３ａを介して電気的に接続されている
【００７１】
　（封止工程）
　
封止工程では、ＳＡＷチップ１３を覆うようにプリント配線基板１２へ樹脂シート１１を積層し、ＳＡＷチップ１３を樹脂シート１１で樹脂封止する
【００７２】
　
樹脂シート１１をプリント配線基板１２上に積層する方法は
熱プレス
により行うことができる
【００７３】
　（封止体形成工程）
　
封止体形成工程では、樹脂シート１１を熱硬化処理して封止体１５を形成する
オ．「【００８１】
　実施例で使用した成分について説明する。
　エポキシ樹脂１：新日鐵化学（株）製のＹＳＬＶ−８０ＸＹ（ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、エポキン当量２００ｇ／ｅｑ．、軟化点８０℃）
　エポキシ樹脂２：日本化薬社製のＥＰＰＮ−５０１ＨＹ（エポキシ当量１６９ｇ／ｅｑ．、軟化点６０℃）
　フェノール樹脂１：明和化成社製のＭＥＨ−７８５１−ＳＳ（ビフェニルアラルキル骨格を有するフェノール樹脂、水酸基当量２０３ｇ／ｅｑ．、軟化点６７℃）
　フェノール樹脂２：明和化成社製のＭＥＨ−７５００（フェノール当量９７ｇ／ｅｑ．、軟化点１１１℃）
　熱可塑性樹脂：（株）カネカ製のＳＩＢＳＴＥＲ  ０７２Ｔ（スチレン−イソブチレン−スチレンブロック共重合体）
　
無機充填剤１：電気化学工業社製のＦＢ−９４５４ＦＣ（溶融球状シリカ、平均粒子径２０μｍ）
　無機充填剤２：（株）トクヤマ製のＳＥ−４０（溶融球状シリカ、平均粒子径３８μｍ）
　
無機充填剤３：電気化学工業社製のＦＢ−５ＳＤＣ（溶融球状シリカ、平均粒子径５μｍ）
　
無機充填剤４：（株）アドマテックス製のＳＯ−２５Ｒ（溶融球状シリカ、平均粒子径０．５μｍ）
　シランカップリング剤：信越化学社製のＫＢＭ−４０３（３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン）
　カーボンブラック：三菱化学社製の＃２０（以下、省略）」
カ．「【００８２】
　［実施例１〜４及び比較例１〜４］
　
表１に記載の配合比に従い
表１に示す厚さの中空封止用樹脂シートを作製した
【００８３】
　［実施例５］
　
表１に記載の配合比に従い
厚さ２００μｍの中空封止用樹脂シートを作製した
キ．「【００８７】
　（パッケージ中空部への樹脂進入性及びパッケージの反りの評価）
　アルミニウム櫛形電極が形成された
以下の仕様のＳＡＷチップを下記ボンディング条件にて長さ５０ｍｍ×幅５０ｍｍ×厚さ０．５ｍｍのガラス基板に実装したＳＡＷチップ実装基板を作製した
【００８８】
　
＜ＳＡＷチップ＞
　
チップサイズ：１．２ｍｍ□（厚さ１５０μｍ）
　
バンプ材質（実施例１〜３、５及び比較例１〜４）：Ａｕバンプ、高さ３０μｍ
　
バンプ材質（実施例４）：半田（鉛フリータイプ）バンプ、高さ９０μｍ
　バンプ数：６バンプ
　チップ数：１００個（１０個×１０個）
【００８９】
　＜ボンディング条件＞
　装置：パナソニック電工（株）製
　ボンディング条件：２００℃、３Ｎ、１ｓｅｃ、超音波出力２Ｗ
【００９０】
　得られたＳＡＷチップ実装基板上に、
以下に示す加熱加圧条件下、各中空封止用樹脂シートを真空プレスにより貼付けた
【００９１】
　
＜貼り付け条件＞
　
温度：６０℃
　
加圧力：４ＭＰａ
　
真空度：１．６ｋＰａ
　
プレス時間：１分
【００９２】
　大気圧に開放した後、
熱風乾燥機中、１５０℃、１時間
ＳＡＷチップとガラス基板との間の中空部への樹脂の進入量を測定した。樹脂進入量は、中空封止用樹脂シートによる封止前にガラス基板側から電子顕微鏡でＳＡＷチップの端部の位置を確認及び記憶しておき、封止後に再度ガラス基板側から電子顕微鏡で観察し、封止前後での観察像を比較して、封止前に確認しておいたＳＡＷチップの端部から中空部へ進入した樹脂の最大到達距離を測定し、これを樹脂進入量とした。樹脂進入量が２０μｍ以下であった場合を「○」、２０μｍを超えていた場合を「×」として評価した。結果を表１に示す。
【００９３】
　また、常温まで冷却した封止体の最大反り量をレーザー３次元測定装置（ティーテック社製、「ＬＳ−２２０−ＭＴ５０」）を用い、樹脂シート側の表面を走査して計測し、反り量が１ｍｍ以下の場合を「○」、１ｍｍを超えた場合を「×」として評価した。
【００９４】
【表１】
【００９５】
　表１から分かるように、
実施例１〜５のＳＡＷチップパッケージでは、中空封止用樹脂シートの樹脂成分の中空部への進入及び反りが抑制されており、中空部が拡大しても高品質かつ高信頼性の中空パッケージを作製可能であることが分かる
・上記エ．によれば、ＳＡＷチップ搭載基板準備工程は、複数のＳＡＷチップ１３が搭載されたプリント配線基板１２を準備してＳＡＷチップ搭載基板を準備する工程であり、またＳＡＷチップ１３とプリント配線基板１２とはバンプを介して接続されているものである。
・上記カ．によれば、「樹脂シート」は「中空封止用」であるから、「樹脂シート１１」は「中空封止用樹脂シート１１」といい得るものである。
・上記オ．、カ．によれば、実施例３、４の樹脂シート１１は、電気化学工業社製のＦＢ−９４５４ＦＣ（溶融球状シリカ、平均粒子径２０μｍ）である無機充填剤１と、電気化学工業社製のＦＢ−５ＳＤＣ（溶融球状シリカ、平均粒子径５μｍ）である無機充填剤３と、（株）アドマテックス製のＳＯ−２５Ｒ（溶融球状シリカ、平均粒子径０．５μｍ）である無機充填剤４とを５８．０：２５．０：５．０の配合比で配合されたものを含むものである。
・上記エ．によれば、封止工程は、樹脂シート１１で、ＳＡＷチップ１３を覆い、熱プレスにより、ＳＡＷチップ１３を樹脂シート１１に積層し樹脂封止する工程である。
・上記エ．によれば、封止工程の後の封止体形成工程は、樹脂シート１１を熱硬化処理して封止体を形成する工程である。
・上記キ．によれば、実施例３、４において封止体を形成した後に測定したＳＡＷチップ１３の端部から中空部に進入した樹脂進入量は、それぞれ１０μｍ及び１８μｍである。
・上記キ．によれば、実施例３、４のＳＡＷチップパッケージを製造する方法は、中空型ＳＡＷチップパッケージの製造方法である。
　したがって、上記ア．ないしキ．の記載事項及び図面の記載を総合勘案すると、甲第４号証には、「中空型ＳＡＷチップパッケージの製造方法」の発明として捉えることができる以下の発明（以下、「甲４Ａ発明」という。）が記載されている。
（甲４Ａ発明）
　「複数のＳＡＷチップ１３がバンプを介してプリント配線基板１２上に接続搭載されたＳＡＷチップ搭載基板を準備する工程と、
　電気化学工業社製のＦＢ−９４５４ＦＣ（溶融球状シリカ、平均粒子径２０μｍ）である無機充填剤１と、電気化学工業社製のＦＢ−５ＳＤＣ（溶融球状シリカ、平均粒子径５μｍ）である無機充填剤３と、（株）アドマテックス製のＳＯ−２５Ｒ（溶融球状シリカ、平均粒子径０．５μｍ）である無機充填剤４とを、５８．０：２５．０：５．０の配合比で配合したものを含む中空封止用樹脂シート１１を準備する工程と、
　前記中空封止用樹脂シート１１で、前記ＳＡＷチップ搭載基板のＳＡＷチップ１３を覆う工程と、
　熱プレスにより、前記ＳＡＷチップ１３を前記中空封止用樹脂シート１１に積層し樹脂封止する工程と、
　前記積層し樹脂封止する工程の後、前記中空封止用樹脂シート１１を熱硬化処理して封止体を形成する工程と
　を含み、
　封止体を形成した後に測定した前記ＳＡＷチップ１３の端部から中空部に進入した樹脂進入量は、１０μｍ又は１８μｍである
　中空型ＳＡＷチップパッケージの製造方法。」
　なお、甲４Ａ発明は、中空封止用樹脂シート１１が「電気化学工業社製のＦＢ−９４５４ＦＣ（溶融球状シリカ、平均粒子径２０μｍ）である無機充填剤１と、電気化学工業社製のＦＢ−５ＳＤＣ（溶融球状シリカ、平均粒子径５μｍ）である無機充填剤３と、（株）アドマテックス製のＳＯ−２５Ｒ（溶融球状シリカ、平均粒子径０．５μｍ）である無機充填剤４とを、５８．０：２５．０：５．０の配合比で配合したものを含む」点、及び樹脂進入量が「１０μｍ又は１８μｍである」点を除き、甲３Ａ発明と共通している。
　また、上記ア．ないしキ．の記載事項及び図面の記載を総合勘案すると、甲第４号証には、「中空封止用樹脂シート１１」の発明として捉えることができる以下の発明（以下、「甲４Ｂ発明」という。）が記載されている。
（甲４Ｂ発明）
　「電気化学工業社製のＦＢ−９４５４ＦＣ（溶融球状シリカ、平均粒子径２０μｍ）である無機充填剤１と、電気化学工業社製のＦＢ−５ＳＤＣ（溶融球状シリカ、平均粒子径５μｍ）である無機充填剤３と、（株）アドマテックス製のＳＯ−２５Ｒ（溶融球状シリカ、平均粒子径０．５μｍ）である無機充填剤４とを、５８．０：２５．０：５．０の配合比で配合したものを含み、下記工程１〜６の手順により測定されるＳＡＷチップ１３の端部から中空部に進入した樹脂進入量が１０μｍ又は１８μｍである中空封止用樹脂シート１１。
　下記仕様の複数のＳＡＷチップ１３がバンプを介してガラス基板であるプリント配線基板１２上に接続搭載されたＳＡＷチップ搭載基板を準備する工程１、
　厚さ２００μｍの中空封止用樹脂シート１１を準備する工程２、
　前記中空封止用樹脂シート１１で、前記ＳＡＷチップ搭載基板のＳＡＷチップ１３を覆う工程３、
　下記貼り付け条件下で、熱プレスにより、前記ＳＡＷチップ１３を前記中空封止用樹脂シート１１に積層し樹脂封止する工程４、
　前記積層し樹脂封止する工程の後、熱風乾燥機中、１５０℃、１時間の条件で前記中空封止用樹脂シート１１を熱硬化処理して封止体を形成する工程５、
　封止体を形成した後に測定した前記ＳＡＷチップ１３の端部から中空部に進入した樹脂進入量を測定する工程６。
　＜ＳＡＷチップの仕様＞
　チップサイズ：１．２ｍｍ□（厚さ１５０μｍ）
　バンプ材質：Ａｕバンプ、高さ３０μｍ又は半田（鉛フリータイプ）バンプ、高さ９０μｍ
　＜貼り付け条件＞
　温度：６０℃
　加圧力：４ＭＰａ
　真空度：１．６ｋＰａ
　プレス時間：１分」
（５）甲第５号証（特開２００６−１９７１４号公報）
　甲第５号証には、「電子部品の製造方法」に関して、以下の事項が図面とともに記載されている。
ア．「【請求項１】
配線基板上に、前記配線基板との間に空隙を設けて対面載置した複数の配列された機能素子を、前記複数の配列された機能素子を覆うように前記配線基板上に配置されたゲル状硬化性樹脂シートを加熱硬化させて、前記配線基板と前記機能素子との間を中空に保ちつつ、一括樹脂封止する電子部品の製造方法であって、少なくとも、以下の工程（ａ）、（ｂ）、（ｃ）及び（ｄ）を有することを特徴とする電子部品の製造方法：
（ａ）配線基板上に前記配線基板との間に空隙を設けて対面載置した複数の配列された機能素子を覆うように、前記配線基板上にゲル状硬化性樹脂シートを配置する工程、
（ｂ）前記複数の配列された機能素子がその内部に含まれている前記ゲル状硬化性樹脂シートと前記配線基板とで囲まれた閉空間領域を、真空にする工程、
（ｃ）前記閉空間領域を真空に維持しつつ、熱ロールで前記ゲル状硬化性樹脂シートを硬化温度未満に加熱し流動させながら封止樹脂表面を平坦に成形する工程、及び、
（ｄ）前記ゲル状硬化性樹脂シートを硬化温度に加熱して硬化させる工程。」
イ．「【請求項４】
前記工程（ａ）を真空プレスにより行い、真空中でゲル状硬化性樹脂シートを前記配線基板上に配置することにより前記工程（ｂ）を達成する請求項２又は３記載の方法。」
ウ．「【請求項１４】
前記機能素子は、弾性表面波デバイスである請求項１〜１３のいずれか記載の製造方法。
【請求項１５】
前記弾性表面波デバイスは、弾性表面波チップの弾性表面波電極が形成された電極面と、前記配線基板とが対面して配置され、前記電極と前記配線基板上の配線パターンとがバンプで接続されており、かつ、前記チップと前記配線基板とが前記バンプの高さの分だけ隔てられたものであり、前記電極面と前記配線基板との間が中空に樹脂封止される請求項１４記載の製造方法。」
エ．「【０００８】
　本発明の製造方法においては、
配線基板上に機能素子チップの活性面を配線パターンと対面させて載置したものを、配線パターンと活性面とを接触しないようにするために、空隙を設けて、保護樹脂で封止されてなる電子部品が製造される
機能素子としては
弾性表面波チップ
が挙げられる。活性面とは
弾性表面波電極
が形成されている面である
　本発明の製造方法は、上記製造方法における一括樹脂封止工程に好適に適用されるものであって、上述の（ａ）〜（ｄ）の４工程を必須の工程とする。以下、これらの各工程を説明する。」
オ．「【００３０】
　形成された本発明に使用する上記ゲル状硬化性樹脂シートの厚さは、配線基板上にバンプで接続された機能素子、例えば、弾性表面波チップを覆い、熱ロールすることにより封止樹脂層を形成することができ、好ましくは該封止樹脂表面を平坦になるようにできる点から、上記配線基板と上記機能素子との間の間隔と上記機能素子の厚みとの和の１倍以上２倍以下の厚さ、さらには１．５倍以下であるのが、好ましい。実際の上記ゲル状硬化性樹脂シートの厚さとしては、弾性表面波チップの厚さが一般に２００〜４００μｍ、バンプの高さが一般に２０〜８０μｍであるから、２２０〜９６０μｍ、さらには２２０〜７２０μｍであるのが好ましい。」
カ．「【００３７】
　上記ゲル状硬化性樹脂シートは、低ガラス転移温度、低線膨張率であることが、硬化物を低応力化（低ソリ化）することができるので好ましく、さらに、原料を高純度化したものであることが、不純物イオンが少なく、弾性表面波チップ表面の汚染を防ぐことができるので好ましく、さらに、ゲル状硬化性樹脂シートの弾性率（２５℃）が１０３〜１０９Ｐａ、さらには１０４〜１０８Ｐａで、硬化時の溶融粘度が１０〜１０５Ｐａ・ｓ、さらには１０３〜１０４Ｐａ・ｓであることが、
熱ロールすることにより、封止樹脂層形成前のデバイスに弾性表面波電極面と配線パターンが形成された面とがバンプの高さのぶん隔てられた部分が中空構造を保つように封止樹脂層を形成する
【００３８】
　上述のように、上記ゲル状硬化性樹脂シートにおいては、低ガラス転移温度であるか、及び／又は、低線膨張率であることが、硬化物を低応力化（低ソリ化）するうえで好ましい。低ガラス転移温度としては、ゲル状硬化性樹脂シートの硬化物のＴｇが１００℃以下が好ましく、さらには６０℃以下であることがより好ましい。また低ソリ化・流動性調整・電子部品の高信頼化等のために低熱膨張率を得るためには、ゲル状硬化性樹脂シートは無機フィラー（例えば溶融シリカなど）を好ましくは５０重量％以上、より好ましくは７５重量％以上、さらに好ましくは８０重量％以上含有している。フィラーを高充填したシートの場合は、熱膨張率が低くなり低ソリ化できるので、信頼性を考慮するとＴｇは高い方が好ましく、例えば１００℃以上が好ましく、より好ましくは１５０℃以上であるが、これに限定されるものではなく、用途に応じて調整可能である。」
キ．「【００５１】
実施例１〜５及び比較例１〜２
　
表１の配合でワニスを作成し
ゲル状エポキシ樹脂シート（軟化点５０℃）を形成した
【００５２】
　得られたシートの軟化温度（℃）、軟化時の弾性率（Ｐａ）、軟化時の動的複素粘度（Ｐａ・ｓ）を測定した。また、硬化物（１５０℃、３時間、オーブン硬化）のＴｇ（℃）、線膨張係数（ｐｐｍ）、曲げ弾性率（２５℃、１５０℃；ＧＰａ）を測定した。
測定方法：
　軟化温度、弾性率、粘度：ＡＲＥＳ粘弾性測定装置（ＴＡ）、動的粘弾性測定（Ｔｅｍｐ  Ｒａｍｐ、周波数１ＨＺ、Ｒａｍｐ  Ｒａｔｅ２．５℃／ｍｉｎ）
曲げ弾性率：ＤＭＡ６１００（ＳＥＩＫＯ）、動的粘弾性測定（Ｔｅｍｐ  Ｒａｍｐ、周波数１Ｈｚ、Ｒａｍｐ  Ｒａｔｅ２℃／ｍｉｎ）
線膨張係数：ＴＭＡ１２０C（ＳＥＩＫＯ）、（Ｒａｍｐ  Ｒａｔｅ２．５℃／ｍｉｎ）
【００５３】
　
得られたシートを適当な大きさに切断したものを、２００μｍ×３０ｍｍ×５０ｍｍのガラエポ基板上に、高さ５０μｍのバンプで接続された４００μｍ×２ｍｍ×２ｍｍのダミーチップを７行７列に２ｍｍ間隔で４９個形成した保護層形成前のデバイスの上に、一番外側配列のチップから２ｍｍ外側までをカバーするようにのせた
【００５４】
　実施例１では、配合１で得られたシートをデバイスに真空ラミネーター（２５℃、５秒間、シートタックを利用してシート外周部を基板に貼付け）で真空ラミネートした。
実施例２では、配合１で得られたシートをのたせデバイスを、５０℃、１０秒間、０．１ＭＰａで真空プレスしてプリフォームした
【００５５】
　実施例３〜５では、配合２及び配合３（実施例３）、配合２及び配合４（実施例４）又は配合３及び配合４（実施例５）を、それぞれ、１枚ずつ２枚をラミネートした。上記実施例３〜５でシートを２枚積層する方法としては、加熱することが可能な２本のローラーを備えたラミネーター(自社製)を用いて行った。ラミネートする温度は１００℃で行った。
【００５６】
　なお、表１中の略号は以下のとおりである。
ＬＳＡＣ６００６：旭化成エポキシ（株）製、変性（プロピレンオキサイド付加）エポキシ樹脂、エポキシ当量２５０ｇ／ｅｑ
ＤＡＬ−ＢＰＦＤ：本州化学工業（株）製、ジアリルビスフェノールＦ
ＨＸ３０８８：旭化成エポキシ（株）製、変性イミダゾール、活性温度約８０℃
Ｆ３０１：日本ゼオン（株）製、アクリルパウダー、粒径２μｍ、軟化温度８０〜１００℃のポリメチルメタクリレート
ＦＢ２０１Ｓ：電気化学工業（株）製、充填用シリカ
Ａ１８７：日本ユニカー（株）製、エポキシシラン
ＩＸＥ６００：東亞合成（株）製、ビスマスアンチモン、イオンキャッチャー
ＲＹ２００：日本アエロジル（株）製、微粉シリカ、揺変性発現剤
ＲＥ３０４Ｓ：日本化薬(株)製、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、エポキシ当量１７０ｇ／ｅｑ
ＥＬＭ１００：住友化学(株)製、アミノエポキシ樹脂、エポキシ当量１０５ｇ／ｅｑ
ＥＰＰＮ-５０２Ｈ：日本化薬(株)、多官能エポキシ樹脂、エポキシ当量１７０ｇ／ｅｑ
ＭＥＨ７５００：明和化成(株)、多官能フェノール、フェノール当量１０５ｇ／ｅｑ
２Ｐ４ＭＨＺ：四国化成工業(株)、変性イミダゾール
【００５７】
【表１】
【００５８】
評価方法
チップ下樹脂侵入：
熱ロール工程後の（製造した）樹脂封止デバイス（ダミーデバイス）の
チップ下部への樹脂侵入の有無を顕微鏡で観察し、下記基準で評価した
　
◎：チップ端部からの樹脂侵入が１０μｍ以下
　
○：チップ端部からの樹脂侵入が２０μｍ以下
　
×：チップ端部からの樹脂侵入が２０μｍをこえる。
ボイド：熱ロール工程後の（製造した）樹脂封止デバイス（ダミーデバイス）の基板とチップとを強制的に剥離させ、チップ端部のボイドの有無を顕微鏡で観察し、下記基準で評価した。
　ボイド少ない：チップ端部からのボイドが５０μｍ以下
　外周部にボイド：チップ端部からのボイドが５０μｍをこえる。
硬化後の状態：
熱ロール工程後の樹脂封止デバイスをオーブン中で硬化し
チップ下部への樹脂侵入の有無
を顕微鏡で観察し、下記基準で評価した
　
良好：熱ロール後と比較し侵入
の変化が小さかった
　ボイド：チップ下のエアーが膨張しボイドが発生した。
結果を表２に示した。
【００５９】
【表２】
【００６０】
　
上記実施例１〜２から、本発明の製造方法によると、チップ下樹脂侵入がなく、ボイドも少ない封止が達成されており、実施例３〜５から、複数枚のラミネートにより、チップ下樹脂侵入が一層良好であり、従来方法に相当する比較例１及び２の欠点を克服できたことが示された
【００６１】
  本発明は、従来の中空モールド電子部品製造方法の欠点を克服し、より高い歩留りで製造が可能となり、
ゲル状硬化性樹脂シートを利用した電子部品の製造方法
・上記キ．によれば、保護層形成前のデバイスは、基板上にバンプで接続された複数のダミーチップを形成したものである。
・上記キ．によれば、基板上にバンプで接続された複数のダミーチップを形成したデバイスを準備して、樹脂シートにより樹脂封止を行うものである。そして、上記エ．によれば、樹脂封止される機能素子として、活性面を有する弾性表面波チップが挙げられるのであるから、実際に「活性面を有する弾性表面波チップ」を樹脂封止して「弾性表面波チップパッケージ」を製造する際に、「ダミーチップ」に代えて「活性面を有する弾性表面波チップ」を用いることは当然のことである。
・上記キ．によれば、ゲル状硬化性樹脂シートは、電気化学工業（株）製、充填用シリカであるＦＢ２０１Ｓを含むものである。
・上記キ．によれば、準備した樹脂シートを、準備した保護層形成前のデバイスの上に、チップをカバーするようにのせている。
・上記キ．によれば、実施例２は、シートをデバイスにのせたものを真空プレス＋熱ロールすることにより、樹脂封止デバイスが得られる。
・上記カ．によれば、熱ロールすることにより、中空構造を保つように封止樹脂層が形成される。
・上記キ．によれば、熱ロール工程後の樹脂封止デバイスをオーブン中で硬化している。
・上記キ．によれば、チップ下樹脂進入が「○」である実施例２は、熱ロール工程後のチップ端部からの樹脂侵入が１０μｍをこえて２０μｍ以下であるものである。また、硬化後の状態が「良好」である実施例２は、硬化後のチップ下部への樹脂侵入の変化が熱ロール後と比較して小さいものである。
　したがって、上記ア．ないしキ．の記載事項を総合勘案すると、甲第５号証には、「弾性表面波チップパッケージの製造方法」の発明として捉えることができる以下の発明（以下、「甲５Ａ発明」という。）が記載されている。
（甲５Ａ発明）
　「基板上にバンプで接続された活性面を有する複数の弾性表面波チップを形成したデバイスを準備する工程と、
　電気化学工業（株）製、充填用シリカであるＦＢ２０１Ｓを含むゲル状硬化性樹脂シートを準備する工程と、
　前記樹脂シートを、前記デバイスの上に、チップをカバーするようにのせる工程と、
　前記樹脂シートをデバイスにのせたものを真空プレス＋熱ロールすることにより、中空構造を保つように封止樹脂層が形成された樹脂封止デバイスを得る工程と、
　熱ロール工程後の樹脂封止デバイスをオーブン中で硬化する工程と
　を含み、
　熱ロール工程後のチップ端部からの樹脂侵入が１０μｍをこえて２０μｍ以下で、かつ、硬化後のチップ下部への樹脂侵入の変化が熱ロール後と比較して小さい
　弾性表面波チップパッケージの製造方法。」
　また、上記ア．ないしキ．の記載事項を総合勘案すると、甲第５号証には、「ゲル状硬化性樹脂シート」の発明として捉えることができる以下の発明（以下、「甲５Ｂ発明」という。）が記載されている。
（甲５Ｂ発明）
　「電気化学工業（株）製、充填用シリカであるＦＢ２０１Ｓを含み、下記の工程１〜７の手順により評価される熱ロール工程後にチップ下に侵入する樹脂が１０μｍをこえて２０μｍ以下であり、且つ、硬化後のチップ下部への樹脂侵入の変化が熱ロール後と比較して小さいゲル状硬化性樹脂シート。
　基板上に高さ５０μｍのバンプで接続された４００μｍ×２ｍｍ×２ｍｍの複数のダミーチップを形成したデバイスを準備する工程１、
　ゲル状硬化性樹脂シートを適当な大きさに切断したものを準備する工程２、
　適当な大きさに切断したゲル状硬化性樹脂シートを、前記デバイスの上に、チップをカバーするようにのせる工程３、
　前記樹脂シートをデバイスにのせたものを真空プレス＋熱ロールすることにより、中空構造を保つように封止樹脂層が形成された樹脂封止デバイスを得る工程４、
　熱ロール工程後のチップ端部からの樹脂侵入を評価する工程５、
　熱ロール工程後の樹脂封止デバイスをオーブン中で硬化する工程６、及び、
　前記熱硬化処理後のチップ下部への樹脂侵入の変化を評価する工程７。」
３．当審の判断
（１）取消理由１（特許法第２９条第１項第３号）について
ア．本件発明３と甲１Ａ発明との対比
　本件発明３と甲１Ａ発明とを対比する。
（ア）甲１Ａ発明の「ＳＡＷチップ１３」は、本件発明３の「電子デバイス」に相当する。また、甲１Ａ発明の「プリント配線基板１２」は、その上に「複数のＳＡＷチップ１３がバンプを介して」「接続搭載され」るものであるから、本件発明３の「被着体」に相当する。さらに、甲１Ａ発明の「ＳＡＷチップ搭載基板」は、「複数のＳＡＷチップ１３がバンプを介してプリント配線基板１２上に接続搭載された」ものであるから、本件発明３の「積層体」に相当する。
　したがって、甲１Ａ発明の「複数のＳＡＷチップ１３がバンプを介してプリント配線基板１２上に接続搭載されたＳＡＷチップ搭載基板を準備する工程」は、本件発明３の「電子デバイスがバンプを介して被着体上に固定された積層体を準備する工程」に相当する。
（イ）甲１Ａ発明の「中空封止シート１１」は、「ＳＡＷチップ１３を」「樹脂封止する」ものであるから、本件発明３の「中空型電子デバイス封止用シート」に相当する。
　したがって、甲１Ａ発明の「球状溶融シリカ（電気化学工業社製、ＦＢ−９４５４ＦＣ）である無機充填剤を含む中空封止シート１１を準備する工程」と、本件発明３の「無機充填剤を含み、前記無機充填剤の平均粒径が０．５〜１０μｍの範囲であり、前記無機充填剤が、レーザー回折散乱法により測定した粒度分布において２つのピークを有しており、粒径の大きい側のピークが３〜３０μｍの範囲内にあり、粒径の小さい側のピークが０．１〜１μｍの範囲内にある中空型電子デバイス封止用シートを準備する工程」とは、「無機充填剤を含む中空型電子デバイス封止用シートを準備する工程」である点において共通する。
　ただし、甲１Ａ発明において、無機充填剤として含まれるのは、「球状溶融シリカ（電気化学工業社製、ＦＢ−９４５４ＦＣ）」のみであるから、「レーザー回折散乱法により測定した粒度分布において２つのピークを有している」ものではなく、したがって、「粒径の大きい側のピークが３〜３０μｍの範囲内にあり、粒径の小さい側のピークが０．１〜１μｍの範囲内にある」ものでもない。
　また、甲第３号証の段落【００８２】や甲第４号証の段落【００８１】に「電気化学工業社製のＦＢ−９４５４ＦＣ（溶融球状シリカ、平均粒子径２０μｍ）」と記載されていることを考慮すると、甲１Ａ発明の「ＦＢ−９４５４ＦＣ」の平均粒径は２０μｍ程度であると認められるから、「無機充填剤の平均粒径が０．５〜１０μｍの範囲である」ともいえない。
　よって、中空型電子デバイス封止用シートが含む「無機充填剤」について、本件発明３は「前記無機充填剤の平均粒径が０．５〜１０μｍの範囲であり、前記無機充填剤が、レーザー回折散乱法により測定した粒度分布において２つのピークを有しており、粒径の大きい側のピークが３〜３０μｍの範囲内にあり、粒径の小さい側のピークが０．１〜１μｍの範囲内にある」のに対し、甲１Ａ発明ではその旨の特定がなされていない点で相違する。
（ウ）甲１Ａ発明の「前記中空封止シート１１で、前記ＳＡＷチップ搭載基板のＳＡＷチップ１３を覆う工程」は、本件発明３の「前記中空型電子デバイス封止用シートを、前記積層体の前記電子デバイス上に配置する工程」に相当する。
（エ）甲１Ａ発明の「熱プレスにより、前記ＳＡＷチップ１３を前記中空封止シート１１に積層し樹脂封止する工程」により、ＳＡＷチップ１３が中空封止シート１１に「埋め込」まれることは明らかである。
　したがって、甲１Ａ発明の「熱プレスにより、前記ＳＡＷチップ１３を前記中空封止シート１１に積層し樹脂封止する工程」は、本件発明３の「熱プレスにより、前記電子デバイスを前記中空型電子デバイス封止用シートに埋め込む工程」に相当する。
（オ）甲１Ａ発明の「前記積層し樹脂封止する工程の後、前記中空封止シート１１を熱硬化処理して封止体を形成する工程」は、本件発明３の「前記埋め込む工程の後、前記中空型電子デバイス封止用シートを熱硬化させて封止体を得る工程」に相当する。
（カ）甲１Ａ発明の「封止体を形成した後に測定した前記ＳＡＷチップ１３の端部から中空部に進入した樹脂進入量」は、本件発明３の「前記封止体を得る工程の後の状態における、前記中空部への前記樹脂の進入量」である「Ｙ２」に相当する。
（キ）甲１Ａ発明の「中空型ＳＡＷチップパッケージの製造方法」は、本件発明３の「中空型電子デバイスパッケージの製造方法」に相当する。
　してみれば、本件発明３と甲１Ａ発明との一致点及び相違点は、次のとおりである。
＜一致点＞
　「　電子デバイスがバンプを介して被着体上に固定された積層体を準備する工程と、
　無機充填剤を含む中空型電子デバイス封止用シートを準備する工程と、
　前記中空型電子デバイス封止用シートを、前記積層体の前記電子デバイス上に配置する工程と、
　熱プレスにより、前記電子デバイスを前記中空型電子デバイス封止用シートに埋め込む工程と、
　前記埋め込む工程の後、前記中空型電子デバイス封止用シートを熱硬化させて封止体を得る工程と
　を含む中空型電子デバイスパッケージの製造方法。」
＜相違点１＞
　中空型電子デバイス封止用シートが含む「無機充填剤」について、本件発明３は「前記無機充填剤の平均粒径が０．５〜１０μｍの範囲であり、前記無機充填剤が、レーザー回折散乱法により測定した粒度分布において２つのピークを有しており、粒径の大きい側のピークが３〜３０μｍの範囲内にあり、粒径の小さい側のピークが０．１〜１μｍの範囲内にある」のに対し、甲１Ａ発明ではその旨の特定がなされていない点。
＜相違点２＞
　樹脂の「進入量」について、本件発明３は「前記埋め込む工程の後、且つ、前記封止体を得る工程の前の状態における、前記中空型電子デバイス封止用シートを構成する樹脂の、前記電子デバイスと前記被着体との間の中空部への進入量をＸ２、前記封止体を得る工程の後の状態における、前記中空部への前記樹脂の進入量をＹ２としたとき、前記進入量Ｘ２が０μｍ以上５０μｍ以下であり、且つ、前記進入量Ｙ２から前記進入量Ｘ２を引いた値が６０μｍ以下である」のに対し、甲１Ａ発明ではその旨の特定がなされていない点。
　したがって、本件発明３は上記相違点１及び２において甲１Ａ発明と相違するから、本件発明３が甲１Ａ発明であるということはできない。
イ．本件発明３と甲２Ａ発明との対比
　上記「２．（２）」で説示したとおり、甲２Ａ発明は甲１Ａ発明と同一である。したがって、本件発明３と甲１Ａ発明との対比において上記ア．で説示した内容を踏まえて、本件発明３と甲２Ａ発明とを対比すると、本件発明３と甲２Ａ発明とは、上記ア．に記載した＜一致点＞で一致し、以下の点で相違する。
＜相違点３＞
　中空型電子デバイス封止用シートが含む「無機充填剤」について、本件発明３は「前記無機充填剤の平均粒径が０．５〜１０μｍの範囲であり、前記無機充填剤が、レーザー回折散乱法により測定した粒度分布において２つのピークを有しており、粒径の大きい側のピークが３〜３０μｍの範囲内にあり、粒径の小さい側のピークが０．１〜１μｍの範囲内にある」のに対し、甲２Ａ発明ではその旨の特定がなされていない点。
＜相違点４＞
　樹脂の「進入量」について、本件発明３は「前記埋め込む工程の後、且つ、前記封止体を得る工程の前の状態における、前記中空型電子デバイス封止用シートを構成する樹脂の、前記電子デバイスと前記被着体との間の中空部への進入量をＸ２、前記封止体を得る工程の後の状態における、前記中空部への前記樹脂の進入量をＹ２としたとき、前記進入量Ｘ２が０μｍ以上５０μｍ以下であり、且つ、前記進入量Ｙ２から前記進入量Ｘ２を引いた値が６０μｍ以下である」のに対し、甲２Ａ発明ではその旨の特定がなされていない点。
　したがって、本件発明３は上記相違点３及び４において甲２Ａ発明と相違するから、本件発明３が甲２Ａ発明であるということはできない。
ウ．本件発明３と甲３Ａ発明との対比
　本件発明３と甲３Ａ発明とを対比する。
（ア）甲３Ａ発明の「ＳＡＷチップ１３」は、本件発明３の「電子デバイス」に相当する。また、甲３Ａ発明の「プリント配線基板１２」は、その上に「複数のＳＡＷチップ１３がバンプを介して」「接続搭載され」るものであるから、本件発明３Ａの「被着体」に相当する。さらに、甲３Ａ発明の「ＳＡＷチップ搭載基板」は、「複数のＳＡＷチップ１３がバンプを介してプリント配線基板１２上に接続搭載された」ものであるから、本件発明３の「積層体」に相当する。
　したがって、甲３Ａ発明の「複数のＳＡＷチップ１３がバンプを介してプリント配線基板１２上に接続搭載されたＳＡＷチップ搭載基板を準備する工程」は、本件発明３の「電子デバイスがバンプを介して被着体上に固定された積層体を準備する工程」に相当する。
（イ）甲３Ａ発明の「中空封止用樹脂シート１１」は、ＳＡＷチップ１３を樹脂封止するものであるから、本件発明３の「中空型電子デバイス封止用シート」に相当する。
　したがって、甲３Ａ発明の「　電気化学工業社製のＦＢ−９４５４ＦＣ（溶融球状シリカ、平均粒子径２０μｍ）である無機充填剤１と、龍森社製のＥＭＩＸ３００（微紛シリカ）である無機充填剤２と、龍森社製のＥＭＩＸ１００（微紛シリカ）である無機充填剤３とを、８８．０：０：０又は８７．０：１．０：０又は８６．０：０：１．０又は８５．０：３．０：０の配合比で配合したものを含む中空封止用樹脂シート１１を準備する工程」と、本件発明３の「無機充填剤を含み、前記無機充填剤の平均粒径が０．５〜１０μｍの範囲であり、前記無機充填剤が、レーザー回折散乱法により測定した粒度分布において２つのピークを有しており、粒径の大きい側のピークが３〜３０μｍの範囲内にあり、粒径の小さい側のピークが０．１〜１μｍの範囲内にある中空型電子デバイス封止用シートを準備する工程」とは、「無機充填剤を含む中空型電子デバイス封止用シートを準備する工程」である点において共通する。
　ただし、甲３Ａ発明において、無機充填剤として含まれるのは、「電気化学工業社製のＦＢ−９４５４ＦＣ（溶融球状シリカ、平均粒子径２０μｍ）である無機充填剤１と、龍森社製のＥＭＩＸ３００（微紛シリカ）である無機充填剤２と、龍森社製のＥＭＩＸ１００（微紛シリカ）である無機充填剤３とを、８８．０：０：０又は８７．０：１．０：０又は８６．０：０：１．０又は８５．０：３．０：０の配合比で配合されたもの」である。
　まず、配合比が「８８．０：０：０」である場合、無機充填剤の平均粒径は２０μｍとなるから、「無機充填剤の平均粒径が０．５〜１０μｍの範囲である」ものではなく、「レーザー回折散乱法により測定した粒度分布において２つのピークを有している」ものでもなく、したがって、「粒径の大きい側のピークが３〜３０μｍの範囲内にあり、粒径の小さい側のピークが０．１〜１μｍの範囲内にある」ものでもない。また、配合比が「８７．０：１．０：０」、「８６．０：０：１．０」、又は「８５．０：３．０：０」である場合、無機充填剤２及び無機充填剤３の平均粒径が不明であるため無機充填剤全体としての平均粒径が明らかでない上に、いずれの配合比においても、無機充填剤２又は無機充填剤３が配合される割合は、平均粒径が２０μｍである無機充填剤１と比べて非常に小さいものである。そして、無機充填剤１に対して微量の無機充填剤２又は無機充填剤３を含むことが、無機充填剤全体としての平均粒径を２０μｍから大きく変えるものとは認められないから、「無機充填剤の平均粒径が０．５〜１０μｍの範囲である」とはいえない。
　よって、中空型電子デバイス封止用シートが含む「無機充填剤」について、本件発明３は「前記無機充填剤の平均粒径が０．５〜１０μｍの範囲であり、前記無機充填剤が、レーザー回折散乱法により測定した粒度分布において２つのピークを有しており、粒径の大きい側のピークが３〜３０μｍの範囲内にあり、粒径の小さい側のピークが０．１〜１μｍの範囲内にある」のに対し、甲３Ａ発明ではその旨の特定がなされていない点で相違する。
（ウ）甲３Ａ発明の「前記中空封止用樹脂シート１１で、前記ＳＡＷチップ搭載基板のＳＡＷチップ１３を覆う工程」は、本件発明３の「前記中空型電子デバイス封止用シートを、前記積層体の前記電子デバイス上に配置する工程」に相当する。
（エ）甲３Ａ発明の「熱プレスにより、前記ＳＡＷチップ１３を前記中空封止用樹脂シート１１に積層し樹脂封止する工程」により、ＳＡＷチップ１３が中空封止用樹脂シート１１に「埋め込」まれることは明らかである。
　したがって、甲３Ａ発明の「熱プレスにより、前記ＳＡＷチップ１３を前記中空封止用樹脂シート１１に積層し樹脂封止する工程」は、本件発明３の「熱プレスにより、前記電子デバイスを前記中空型電子デバイス封止用シートに埋め込む工程」に相当する。
（オ）甲３Ａ発明の「前記積層し樹脂封止する工程の後、前記中空封止用樹脂シート１１を熱硬化処理して封止体を形成する工程」は、本件発明３の「前記埋め込む工程の後、前記中空型電子デバイス封止用シートを熱硬化させて封止体を得る工程」に相当する。
（カ）甲３Ａ発明の「封止体を形成した後に測定した前記ＳＡＷチップ１３の端部から中空部に進入した樹脂進入量」は、本件発明３の「前記封止体を得る工程の後の状態における、前記中空部への前記樹脂の進入量」である「Ｙ２」に相当する。
（キ）甲３Ａ発明の「中空型ＳＡＷチップパッケージの製造方法」は、本件発明３の「中空型電子デバイスパッケージの製造方法」に相当する。
　してみれば、本件発明３と甲３Ａ発明との一致点及び相違点は、次のとおりである。
＜一致点＞
　「　電子デバイスがバンプを介して被着体上に固定された積層体を準備する工程と、
　無機充填剤を含む中空型電子デバイス封止用シートを準備する工程と、
　前記中空型電子デバイス封止用シートを、前記積層体の前記電子デバイス上に配置する工程と、
　熱プレスにより、前記電子デバイスを前記中空型電子デバイス封止用シートに埋め込む工程と、
　前記埋め込む工程の後、前記中空型電子デバイス封止用シートを熱硬化させて封止体を得る工程と
　を含む中空型電子デバイスパッケージの製造方法。」
＜相違点５＞
　中空型電子デバイス封止用シートが含む「無機充填剤」について、本件発明３は「前記無機充填剤の平均粒径が０．５〜１０μｍの範囲であり、前記無機充填剤が、レーザー回折散乱法により測定した粒度分布において２つのピークを有しており、粒径の大きい側のピークが３〜３０μｍの範囲内にあり、粒径の小さい側のピークが０．１〜１μｍの範囲内にある」のに対し、甲３Ａ発明ではその旨の特定がなされていない点。
＜相違点６＞
　樹脂の「進入量」について、本件発明３は「前記埋め込む工程の後、且つ、前記封止体を得る工程の前の状態における、前記中空型電子デバイス封止用シートを構成する樹脂の、前記電子デバイスと前記被着体との間の中空部への進入量をＸ２、前記封止体を得る工程の後の状態における、前記中空部への前記樹脂の進入量をＹ２としたとき、前記進入量Ｘ２が０μｍ以上５０μｍ以下であり、且つ、前記進入量Ｙ２から前記進入量Ｘ２を引いた値が６０μｍ以下である」のに対し、甲３Ａ発明ではその旨の特定がなされていない点。
　したがって、本件発明３は上記相違点５及び６において甲３Ａ発明と相違するから、本件発明３が甲３Ａ発明であるということはできない。
エ．本件発明３と甲４Ａ発明との対比
　本件発明３と甲４Ａ発明とを対比する。
　甲４Ａ発明の無機充填剤は、「電気化学工業社製のＦＢ−９４５４ＦＣ（溶融球状シリカ、平均粒子径２０μｍ）である無機充填剤１と、電気化学工業社製のＦＢ−５ＳＤＣ（溶融球状シリカ、平均粒子径５μｍ）である無機充填剤３と、（株）アドマテックス製のＳＯ−２５Ｒ（溶融球状シリカ、平均粒子径０．５μｍ）である無機充填剤４」という、平均粒径の異なる３種類の無機充填剤が配合されたものであるから、粒度分布において「３つのピーク」を有するものと認められる。そうすると、甲４Ａ発明の無機充填剤は、「レーザー回折散乱法により測定した粒度分布において２つのピークを有している」ものではない。
　よって、中空型電子デバイス封止用シートが含む「無機充填剤」について、本件発明３は「前記無機充填剤の平均粒径が０．５〜１０μｍの範囲であり、前記無機充填剤が、レーザー回折散乱法により測定した粒度分布において２つのピークを有しており、粒径の大きい側のピークが３〜３０μｍの範囲内にあり、粒径の小さい側のピークが０．１〜１μｍの範囲内にある」のに対し、甲４Ａ発明ではその旨の特定がなされていない点で相違する。
　さらに、本件発明３と甲３Ａ発明との対比において上記ウ．で説示した内容も踏まえると、本件発明３と甲４Ａ発明とは、上記ウ．に記載した＜一致点＞で一致し、以下の点で相違する。
＜相違点７＞
　中空型電子デバイス封止用シートが含む「無機充填剤」について、本件発明３は「前記無機充填剤の平均粒径が０．５〜１０μｍの範囲であり、前記無機充填剤が、レーザー回折散乱法により測定した粒度分布において２つのピークを有しており、粒径の大きい側のピークが３〜３０μｍの範囲内にあり、粒径の小さい側のピークが０．１〜１μｍの範囲内にある」のに対し、甲４Ａ発明ではその旨の特定がなされていない点。
＜相違点８＞
　本件発明３は「前記埋め込む工程の後、且つ、前記封止体を得る工程の前の状態における、前記中空型電子デバイス封止用シートを構成する樹脂の、前記電子デバイスと前記被着体との間の中空部への進入量をＸ２、前記封止体を得る工程の後の状態における、前記中空部への前記樹脂の進入量をＹ２としたとき、前記進入量Ｘ２が０μｍ以上５０μｍ以下であり、且つ、前記進入量Ｙ２から前記進入量Ｘ２を引いた値が６０μｍ以下である」のに対し、甲４Ａ発明ではその旨の特定がなされていない点。
　したがって、本件発明３は上記相違点７及び８において甲４Ａ発明と相違するから、本件発明３が甲４Ａ発明であるということはできない。
オ．本件発明３と甲５Ａ発明との対比
　本件発明３と甲５Ａ発明とを対比する。
（ア）甲５Ａ発明の「弾性表面波チップ」は、本件発明３の「電子デバイス」に相当する。また、甲５Ａ発明の「基板」は、その上に「バンプで接続された活性面を有する複数の弾性表面波チップを形成」するものであるから、本件発明３の「被着体」に相当する。さらに、甲５Ａ発明の「デバイス」は、「基板上にバンプで接続された活性面を有する複数の弾性表面波チップを形成した」ものであり、「基板」と「弾性表面波チップ」が積層されたものであるから、本件発明３の「積層体」に相当する。
　したがって、甲５Ａ発明の「基板上にバンプで接続された活性面を有する複数の弾性表面波チップを形成したデバイスを準備する工程」は、本件発明３の「電子デバイスがバンプを介して被着体上に固定された積層体を準備する工程」に相当する。
（イ）甲５Ａ発明の「ゲル状硬化性樹脂シート」は、中空構造を保つように封止樹脂層を形成するものであるから、本件発明３の「中空型電子デバイス封止用シート」に相当する。
　したがって、甲５Ａ発明の「電気化学工業（株）製、充填用シリカであるＦＢ２０１Ｓを含むゲル状硬化性樹脂シートを準備する工程」と、本件発明３の「無機充填剤を含み、前記無機充填剤の平均粒径が０．５〜１０μｍの範囲であり、前記無機充填剤が、レーザー回折散乱法により測定した粒度分布において２つのピークを有しており、粒径の大きい側のピークが３〜３０μｍの範囲内にあり、粒径の小さい側のピークが０．１〜１μｍの範囲内にある中空型電子デバイス封止用シートを準備する工程」とは、「無機充填剤を含む中空型電子デバイス封止用シートを準備する工程」である点において共通する。
　ただし、甲５Ａ発明の無機充填剤は、「電気化学工業（株）製、充填用シリカであるＦＢ２０１Ｓ」であるから、「レーザー回折散乱法により測定した粒度分布において２つのピークを有している」ものではなく、したがって、「粒径の大きい側のピークが３〜３０μｍの範囲内にあり、粒径の小さい側のピークが０．１〜１μｍの範囲内にある」ものでもない。
　また、特許権者が令和１年９月１７日提出の意見書において証拠として提示した乙第２号証（特開２００４−０１１７３４号公報）の段落【００５５】に「シリカＦＢ２０１Ｓ…溶融シリカ（平均粒径１４μｍ）、電気化学工業社製」と記載されていることを考慮すると、甲５Ａ発明の「ＦＢ２０１Ｓ」の平均粒径は１４μｍ程度であると認められるから、「無機充填剤の平均粒径が０．５〜１０μｍの範囲である」ともいえない。
　よって、中空型電子デバイス封止用シートが含む「無機充填剤」について、本件発明３は「前記無機充填剤の平均粒径が０．５〜１０μｍの範囲であり、前記無機充填剤が、レーザー回折散乱法により測定した粒度分布において２つのピークを有しており、粒径の大きい側のピークが３〜３０μｍの範囲内にあり、粒径の小さい側のピークが０．１〜１μｍの範囲内にある」のに対し、甲５Ａ発明ではその旨の特定がなされていない点で相違する。
（ウ）甲５Ａ発明の「前記樹脂シートを、前記デバイスの上に、チップをカバーするようにのせる工程」は、本件発明３の「前記中空型電子デバイス封止用シートを、前記積層体の前記電子デバイス上に配置する工程」に相当する。
（エ）甲５Ａ発明の「真空プレス＋熱ロール」は、本件発明３の「熱プレス」に相当する。また、甲５Ａ発明の「前記樹脂シートをデバイスにのせたものを真空プレス＋熱ロールすることにより、中空構造を保つように封止樹脂層が形成された樹脂封止デバイスを得る工程」により、弾性表面波チップが樹脂シートに「埋め込」まれることは明らかである。
　したがって、甲５Ａ発明の「前記樹脂シートをデバイスにのせたものを真空プレス＋熱ロールすることにより、中空構造を保つように封止樹脂層が形成された樹脂封止デバイスを得る工程」は、本件発明３の「熱プレスにより、前記電子デバイスを前記中空型電子デバイス封止用シートに埋め込む工程」に相当する。
（オ）甲５Ａ発明の「熱ロール工程後の樹脂封止デバイスをオーブン中で硬化する工程」により、樹脂シートが熱硬化して封止体が得られることは明らかである。
　したがって、甲５Ａ発明の「熱ロール工程後の樹脂封止デバイスをオーブン中で硬化する工程」は、本件発明３の「前記埋め込む工程の後、前記中空型電子デバイス封止用シートを熱硬化させて封止体を得る工程」に相当する。
（カ）甲５Ａ発明の「熱ロール工程後のチップ端部からの樹脂侵入が１０μｍをこえて２０μｍ以下」であることは、本件発明３の「前記埋め込む工程の後、且つ、前記封止体を得る工程の前の状態における、前記中空型電子デバイス封止用シートを構成する樹脂の、前記電子デバイスと前記被着体との間の中空部への進入量をＸ２」「としたとき、前記進入量Ｘ２が０μｍ以上５０μｍ以下」であることに相当する。
（キ）甲５Ａ発明の「硬化後のチップ下部への樹脂侵入の変化」は、本件発明３の「前記埋め込む工程の後、且つ、前記封止体を得る工程の前の状態における、前記中空型電子デバイス封止用シートを構成する樹脂の、前記電子デバイスと前記被着体との間の中空部への進入量をＸ２、前記封止体を得る工程の後の状態における、前記中空部への前記樹脂の進入量をＹ２としたとき」「前記進入量Ｙ２から前記進入量Ｘ２を引いた値」に相当する。
　そして、甲５Ａ発明は、「硬化後のチップ下部への樹脂侵入の変化が熱ロール後と比較して小さい」ものであり、「熱ロール後」の樹脂進入量は「１０μｍをこえて２０μｍ以下」であるから、「硬化後のチップ下部への樹脂侵入の変化」は、「２０μｍ」よりも小さいことは明らかである。
　したがって、甲５Ａ発明の「硬化後のチップ下部への樹脂侵入の変化が熱ロール後と比較して小さい」ことは、本件発明３の「前記進入量Ｙ２から前記進入量Ｘ２を引いた値が６０μｍ以下である」ことに相当する。
（ク）甲５Ａ発明の「弾性表面波チップパッケージ」は「中空構造」であるから、甲５Ａ発明の「弾性表面波チップパッケージの製造方法」は、本件発明３の「中空型電子デバイスパッケージの製造方法」に相当する。
　してみれば、本件発明３と甲５Ａ発明との一致点及び相違点は、次のとおりである。
＜一致点＞
　「　電子デバイスがバンプを介して被着体上に固定された積層体を準備する工程と、
　無機充填剤を含む中空型電子デバイス封止用シートを準備する工程と、
　前記中空型電子デバイス封止用シートを、前記積層体の前記電子デバイス上に配置する工程と、
　熱プレスにより、前記電子デバイスを前記中空型電子デバイス封止用シートに埋め込む工程と、
　前記埋め込む工程の後、前記中空型電子デバイス封止用シートを熱硬化させて封止体を得る工程と
　を含み、
　前記埋め込む工程の後、且つ、前記封止体を得る工程の前の状態における、前記中空型電子デバイス封止用シートを構成する樹脂の、前記電子デバイスと前記被着体との間の中空部への進入量をＸ２、前記封止体を得る工程の後の状態における、前記中空部への前記樹脂の進入量をＹ２としたとき、前記進入量Ｘ２が０μｍ以上５０μｍ以下であり、且つ、前記進入量Ｙ２から前記進入量Ｘ２を引いた値が６０μｍ以下である中空型電子デバイスパッケージの製造方法。」
＜相違点９＞
　中空型電子デバイス封止用シートが含む「無機充填剤」について、本件発明３は「前記無機充填剤の平均粒径が０．５〜１０μｍの範囲であり、前記無機充填剤が、レーザー回折散乱法により測定した粒度分布において２つのピークを有しており、粒径の大きい側のピークが３〜３０μｍの範囲内にあり、粒径の小さい側のピークが０．１〜１μｍの範囲内にある」のに対し、甲５Ａ発明ではその旨の特定がなされていない点。
　したがって、本件発明３は上記相違点９において甲５Ａ発明と相違するから、本件発明３が甲５Ａ発明であるということはできない。
カ．まとめ
　以上のとおり、請求項３に係る発明が甲第１号証ないし甲第５号証に記載された発明であるということはできないから、請求項３に係る特許は、特許法第２９条第１項の規定に違反してされたものであるということはできない。
（２）取消理由２（特許法第２９条第２項）について
ア．本件発明１について
（ア）甲第１号証を主引例とした場合
　本件発明３と甲１Ａ発明との対比において上記「（１）ア．」で説示した内容を踏まえて、本件発明１と甲１Ｂ発明とを対比すると、本件発明１と甲１Ｂ発明との一致点及び相違点は、次のとおりである。
＜一致点＞
　「　無機充填剤を含み、
　下記ステップＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｆ、Ｇの手順により測定される進入量が所定の条件を満たす中空型電子デバイス封止用シート。
　ダミーチップがバンプを介してガラス基板に実装されたダミーチップ実装基板を準備するステップＡ、
　中空型電子デバイス封止用シートのサンプルを準備するステップＢ、
　前記サンプルを、前記ダミーチップ実装基板の前記ダミーチップ上に配置するステップＣ、
　下記埋め込み条件下で、前記ダミーチップを前記サンプルに埋め込むステップＤ、
　前記ステップＤの後、１５０℃の熱風乾燥機中に１時間放置し、前記サンプルを熱硬化させて封止体サンプルを得るステップＦ、及び、
　前記封止体サンプルにおける前記中空部への前記樹脂の進入量Ｙ１を測定するステップＧ。
　　＜埋め込み条件＞
　　　真空度：１．６ｋＰａ
　　　プレス時間：１分」
＜相違点１０＞
　中空型電子デバイス封止用シートが含む「無機充填剤」について、本件発明１は「前記無機充填剤の平均粒径が０．５〜１０μｍの範囲であり、前記無機充填剤が、レーザー回折散乱法により測定した粒度分布において２つのピークを有しており、粒径の大きい側のピークが３〜３０μｍの範囲内にあり、粒径の小さい側のピークが０．１〜１μｍの範囲内にあ」るのに対し、甲１Ｂ発明ではその旨の特定がなされていない点。
＜相違点１１＞
　本件発明１は、ステップＦの前でステップＤの後に、「前記ダミーチップと前記ガラス基板との間の中空部への、前記サンプルを構成する樹脂の進入量Ｘ１を測定するステップＥ」を備え、「測定される進入量Ｘ１が０μｍ以上５０μｍ以下であり、且つ、進入量Ｙ１から前記進入量Ｘ１を引いた値が６０μｍ以下である」のに対し、甲１Ｂ発明ではその旨の特定がなされていない点。
＜相違点１２＞
　本件発明１は、「１つの」ダミーチップがガラス基板に実装されているのに対し、甲１Ｂ発明では「複数の」チップをガラス基板に実装している点。
＜相違点１３＞
　本件発明１は、ダミーチップが「樹脂」バンプを介してガラス基板に実装されているのに対し、甲１Ｂ発明ではバンプが「樹脂」である旨の特定がなされていない点。
＜相違点１４＞
　本件発明１は、中空型電子デバイス封止用シートのサイズが「縦１ｃｍ、横１ｃｍ、厚さ２２０μｍのサイズ」であるのに対し、甲１Ｂ発明ではその旨の特定がなされていない点。
＜相違点１５＞
　本件発明１は、「ダミーチップの仕様」が「チップサイズが縦３ｍｍ、横３ｍｍ、厚さ２００μｍであり、高さ５０μｍの樹脂バンプが形成されている」ものであるのに対し、甲１Ｂ発明ではその旨の特定がなされていない点。
＜相違点１６＞
　ステップＤにおける「埋め込み条件」について、本件発明１は「プレス方法：平板プレス」「温度：７５℃」「加圧力：３０００ｋＰａ」であるのに対し、甲１Ｂ発明ではその旨の特定がなされていない点。
　事案に鑑みて、まず相違点１０について検討する。
　甲第１号証〜甲第５号証のいずれにも、中空型電子デバイス封止用シートに含まれる無機充填剤として、「前記無機充填剤の平均粒径が０．５〜１０μｍの範囲であり、前記無機充填剤が、レーザー回折散乱法により測定した粒度分布において２つのピークを有しており、粒径の大きい側のピークが３〜３０μｍの範囲内にあり、粒径の小さい側のピークが０．１〜１μｍの範囲内にある」ものを用いるという技術事項は記載されていない。また、「第５　１．（２）」及び「第５　２．（４）」で後述するとおり、申立人が令和１年１０月３０日提出の意見書において証拠として提出した参考資料１〜１０や、特許異議申立書において証拠として提出した甲第６号証及び甲第７号証にも、上記技術事項は記載されておらず、上記技術事項が周知技術であるとも認められない。
　したがって、甲１Ｂ発明において、無機充填剤として、「球状溶融シリカ（電気化学工業社製、ＦＢ−９４５４ＦＣ）」に代えて、相違点１０に係る本件発明１の「前記無機充填剤の平均粒径が０．５〜１０μｍの範囲であり、前記無機充填剤が、レーザー回折散乱法により測定した粒度分布において２つのピークを有しており、粒径の大きい側のピークが３〜３０μｍの範囲内にあり、粒径の小さい側のピークが０．１〜１μｍの範囲内にある」ものを用いることが、当業者にとって容易であるとはいえない。
　よって、相違点１１ないし１６について検討するまでもなく、本件発明１が、甲１Ｂ発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるということはできない。
（イ）甲第２号証を主引例とした場合
　上記「２．（２）」で説示したとおり、甲２Ｂ発明は甲１Ｂ発明と同一である。したがって、本件発明１と甲１Ｂ発明との対比において上記（ア）で説示した内容を踏まえて、本件発明１と甲２Ｂ発明とを対比すると、本件発明１と甲２Ｂ発明とは、上記（ア）に記載した＜一致点＞で一致し、以下の点で相違する。
＜相違点１７＞
　中空型電子デバイス封止用シートが含む「無機充填剤」について、本件発明１は「前記無機充填剤の平均粒径が０．５〜１０μｍの範囲であり、前記無機充填剤が、レーザー回折散乱法により測定した粒度分布において２つのピークを有しており、粒径の大きい側のピークが３〜３０μｍの範囲内にあり、粒径の小さい側のピークが０．１〜１μｍの範囲内にあ」るのに対し、甲２Ｂ発明ではその旨の特定がなされていない点。
＜相違点１８＞
　本件発明１は、ステップＦの前でステップＤの後に、「前記ダミーチップと前記ガラス基板との間の中空部への、前記サンプルを構成する樹脂の進入量Ｘ１を測定するステップＥ」を備え、「測定される進入量Ｘ１が０μｍ以上５０μｍ以下であり、且つ、進入量Ｙ１から前記進入量Ｘ１を引いた値が６０μｍ以下である」のに対し、甲２Ｂ発明ではその旨の特定がなされていない点。
＜相違点１９＞
　本件発明１は、「１つの」ダミーチップがガラス基板に実装されているのに対し、甲２Ｂ発明では「複数の」チップをガラス基板に実装している点。
＜相違点２０＞
　本件発明１は、ダミーチップが「樹脂」バンプを介してガラス基板に実装されているのに対し、甲２Ｂ発明ではバンプが「樹脂」である旨の特定がなされていない点。
＜相違点２１＞
　本件発明１は、中空型電子デバイス封止用シートのサイズが「縦１ｃｍ、横１ｃｍ、厚さ２２０μｍのサイズ」であるのに対し、甲２Ｂ発明ではその旨の特定がなされていない点。
＜相違点２２＞
　本件発明１は、「ダミーチップの仕様」が「チップサイズが縦３ｍｍ、横３ｍｍ、厚さ２００μｍであり、高さ５０μｍの樹脂バンプが形成されている」ものであるのに対し、甲２Ｂ発明ではその旨の特定がなされていない点。
＜相違点２３＞
　ステップＤにおける「埋め込み条件」について、本件発明１は「プレス方法：平板プレス」「温度：７５℃」「加圧力：３０００ｋＰａ」であるのに対し、甲２Ｂ発明ではその旨の特定がなされていない点。
　そして、相違点１７に係る事項は、上記（ア）の相違点１０の検討と同様の理由で、甲２Ｂ発明に基づいて、当業者が容易に想到し得る事項ではない。
　よって、相違点１８ないし２３について検討するまでもなく、本件発明１が、甲２Ｂ発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるということはできない。
（ウ）甲第３号証を主引例とした場合
　本件発明３と甲３Ａ発明との対比において上記「（１）ウ．」で説示した内容を踏まえて、本件発明１と甲３Ｂ発明とを対比すると、本件発明１と甲３Ｂ発明との一致点及び相違点は、次のとおりである。
＜一致点＞
　「　無機充填剤を含み、
　下記ステップＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｆ、Ｇの手順により測定される進入量が所定の条件を満たす中空型電子デバイス封止用シート。
　ダミーチップがバンプを介してガラス基板に実装されたダミーチップ実装基板を準備するステップＡ、
　中空型電子デバイス封止用シートのサンプルを準備するステップＢ、
　前記サンプルを、前記ダミーチップ実装基板の前記ダミーチップ上に配置するステップＣ、
　下記埋め込み条件下で、前記ダミーチップを前記サンプルに埋め込むステップＤ、
　前記ステップＤの後、１５０℃の熱風乾燥機中に１時間放置し、前記サンプルを熱硬化させて封止体サンプルを得るステップＦ、及び、
　前記封止体サンプルにおける前記中空部への前記樹脂の進入量Ｙ１を測定するステップＧ。
　　＜埋め込み条件＞
　　　真空度：１．６ｋＰａ
　　　プレス時間：１分」
＜相違点２４＞
　中空型電子デバイス封止用シートが含む「無機充填剤」について、本件発明１は「前記無機充填剤の平均粒径が０．５〜１０μｍの範囲であり、前記無機充填剤が、レーザー回折散乱法により測定した粒度分布において２つのピークを有しており、粒径の大きい側のピークが３〜３０μｍの範囲内にあり、粒径の小さい側のピークが０．１〜１μｍの範囲内にあ」るのに対し、甲３Ｂ発明ではその旨の特定がなされていない点。
＜相違点２５＞
　本件発明１は、ステップＦの前でステップＤの後に、「前記ダミーチップと前記ガラス基板との間の中空部への、前記サンプルを構成する樹脂の進入量Ｘ１を測定するステップＥ」を備え、「測定される進入量Ｘ１が０μｍ以上５０μｍ以下であり、且つ、進入量Ｙ１から前記進入量Ｘ１を引いた値が６０μｍ以下であ」るのに対し、甲３Ｂ発明ではその旨の特定がなされていない点。
＜相違点２６＞
　本件発明１は、「１つの」ダミーチップがガラス基板に実装されているのに対し、甲３Ｂ発明では「複数の」チップをガラス基板に実装している点。
＜相違点２７＞
　本件発明１は、ダミーチップが「樹脂」バンプを介してガラス基板に実装されているのに対し、甲３Ｂ発明ではバンプが「樹脂」である旨の特定がなされていない点。
＜相違点２８＞
　本件発明１は、中空型電子デバイス封止用シートのサイズが「縦１ｃｍ、横１ｃｍ、厚さ２２０μｍのサイズ」であるのに対し、甲３Ｂ発明ではその旨の特定がなされていない点。
＜相違点２９＞
　本件発明１は、「ダミーチップの仕様」が「チップサイズが縦３ｍｍ、横３ｍｍ、厚さ２００μｍであり、高さ５０μｍの樹脂バンプが形成されている」ものであるのに対し、甲３Ｂ発明ではその旨の特定がなされていない点。
＜相違点３０＞
　ステップＤにおける「埋め込み条件」について、本件発明１は「プレス方法：平板プレス」「温度：７５℃」「加圧力：３０００ｋＰａ」であるのに対し、甲３Ｂ発明ではその旨の特定がなされていない点。
　事案に鑑みて、まず相違点２４について検討する。
　上記（ア）の相違点１０の検討で説示したように、甲第１号証〜甲第７号証、参考資料１〜１０のいずれにも、中空型電子デバイス封止用シートに含まれる無機充填剤として、「前記無機充填剤の平均粒径が０．５〜１０μｍの範囲であり、前記無機充填剤が、レーザー回折散乱法により測定した粒度分布において２つのピークを有しており、粒径の大きい側のピークが３〜３０μｍの範囲内にあり、粒径の小さい側のピークが０．１〜１μｍの範囲内にある」ものを用いるという技術事項は記載されておらず、上記技術事項が周知技術であるとも認められない。
　したがって、甲３Ｂ発明において、無機充填剤として、「電気化学工業社製のＦＢ−９４５４ＦＣ（溶融球状シリカ、平均粒子径２０μｍ）である無機充填剤１と、龍森社製のＥＭＩＸ３００（微紛シリカ）である無機充填剤２と、龍森社製のＥＭＩＸ１００（微紛シリカ）である無機充填剤３とを、８８．０：０：０又は８７．０：１．０：０又は８６．０：０：１．０又は８５．０：３．０：０の配合比で配合したもの」に代えて、相違点２４に係る本件発明１の「前記無機充填剤の平均粒径が０．５〜１０μｍの範囲であり、前記無機充填剤が、レーザー回折散乱法により測定した粒度分布において２つのピークを有しており、粒径の大きい側のピークが３〜３０μｍの範囲内にあり、粒径の小さい側のピークが０．１〜１μｍの範囲内にある」ものを用いることが、当業者にとって容易であるとはいえない。
　よって、相違点２５ないし３０について検討するまでもなく、本件発明１が、甲３Ｂ発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるということはできない。
（エ）甲第４号証を主引例とした場合
　本件発明３と甲４Ａ発明との対比において上記「（１）エ．」で説示した内容を踏まえて、本件発明１と甲４Ｂ発明とを対比すると、本件発明１と甲４Ｂ発明との一致点及び相違点は、次のとおりである。
＜一致点＞
　「　無機充填剤を含み、
　下記ステップＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｆ、Ｇの手順により測定される進入量が所定の条件を満たす中空型電子デバイス封止用シート。
　ダミーチップがバンプを介してガラス基板に実装されたダミーチップ実装基板を準備するステップＡ、
　中空型電子デバイス封止用シートのサンプルを準備するステップＢ、
　前記サンプルを、前記ダミーチップ実装基板の前記ダミーチップ上に配置するステップＣ、
　下記埋め込み条件下で、前記ダミーチップを前記サンプルに埋め込むステップＤ、
　前記ステップＤの後、１５０℃の熱風乾燥機中に１時間放置し、前記サンプルを熱硬化させて封止体サンプルを得るステップＦ、及び、
　前記封止体サンプルにおける前記中空部への前記樹脂の進入量Ｙ１を測定するステップＧ。
　　＜埋め込み条件＞
　　　真空度：１．６ｋＰａ
　　　プレス時間：１分」
＜相違点３１＞
　中空型電子デバイス封止用シートが含む「無機充填剤」について、本件発明１は「前記無機充填剤の平均粒径が０．５〜１０μｍの範囲であり、前記無機充填剤が、レーザー回折散乱法により測定した粒度分布において２つのピークを有しており、粒径の大きい側のピークが３〜３０μｍの範囲内にあり、粒径の小さい側のピークが０．１〜１μｍの範囲内にあ」るのに対し、甲４Ｂ発明ではその旨の特定がなされていない点。
＜相違点３２＞
　本件発明１は、ステップＦの前でステップＤの後に、「前記ダミーチップと前記ガラス基板との間の中空部への、前記サンプルを構成する樹脂の進入量Ｘ１を測定するステップＥ」を備え、「測定される進入量Ｘ１が０μｍ以上５０μｍ以下であり、且つ、進入量Ｙ１から前記進入量Ｘ１を引いた値が６０μｍ以下である」のに対し、甲４Ｂ発明ではその旨の特定がなされていない点。
＜相違点３３＞
　本件発明１は、「１つの」ダミーチップがガラス基板に実装されているのに対し、甲４Ｂ発明では「複数の」チップをガラス基板に実装している点。
＜相違点３４＞
　本件発明１は、ダミーチップが「樹脂」バンプを介してガラス基板に実装されているのに対し、甲４Ｂ発明ではバンプが「樹脂」である旨の特定がなされていない点。
＜相違点３５＞
　本件発明１は、中空型電子デバイス封止用シートのサイズが「縦１ｃｍ、横１ｃｍ、厚さ２２０μｍのサイズ」であるのに対し、甲４Ｂ発明ではその旨の特定がなされていない点。
＜相違点３６＞
　本件発明１は、「ダミーチップの仕様」が「チップサイズが縦３ｍｍ、横３ｍｍ、厚さ２００μｍであり、高さ５０μｍの樹脂バンプが形成されている」ものであるのに対し、甲４Ｂ発明ではその旨の特定がなされていない点。
＜相違点３７＞
　ステップＤにおける「埋め込み条件」について、本件発明１は「プレス方法：平板プレス」「温度：７５℃」「加圧力：３０００ｋＰａ」であるのに対し、甲４Ｂ発明ではその旨の特定がなされていない点。
　事案に鑑みて、まず相違点３１について検討する。
　上記（ア）の相違点１０の検討で説示したように、甲第１号証〜甲第７号証、参考資料１〜１０のいずれにも、中空型電子デバイス封止用シートに含まれる無機充填剤として、「前記無機充填剤の平均粒径が０．５〜１０μｍの範囲であり、前記無機充填剤が、レーザー回折散乱法により測定した粒度分布において２つのピークを有しており、粒径の大きい側のピークが３〜３０μｍの範囲内にあり、粒径の小さい側のピークが０．１〜１μｍの範囲内にある」ものを用いるという技術事項は記載されておらず、上記技術事項が周知技術であるとも認められない。
　したがって、甲４Ｂ発明において、無機充填剤として、「電気化学工業社製のＦＢ−９４５４ＦＣ（溶融球状シリカ、平均粒子径２０μｍ）である無機充填剤１と、電気化学工業社製のＦＢ−５ＳＤＣ（溶融球状シリカ、平均粒子径５μｍ）である無機充填剤３と、（株）アドマテックス製のＳＯ−２５Ｒ（溶融球状シリカ、平均粒子径０．５μｍ）である無機充填剤４とを、５８．０：２５．０：５．０の配合比で配合したもの」に代えて、相違点３１に係る本件発明１の「前記無機充填剤の平均粒径が０．５〜１０μｍの範囲であり、前記無機充填剤が、レーザー回折散乱法により測定した粒度分布において２つのピークを有しており、粒径の大きい側のピークが３〜３０μｍの範囲内にあり、粒径の小さい側のピークが０．１〜１μｍの範囲内にある」ものを用いることが、当業者にとって容易であるとはいえない。
　よって、相違点３２ないし３７について検討するまでもなく、本件発明１が、甲４Ｂ発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるということはできない。
（オ）甲第５号証を主引例とした場合
　本件発明３と甲５Ａ発明との対比において上記「（１）オ．」で説示した内容を踏まえて、本件発明１と甲５Ｂ発明とを対比すると、本件発明１と甲５Ｂ発明との一致点及び相違点は、次のとおりである。
＜一致点＞
　「　無機充填剤を含み、
　下記ステップＡ〜ステップＧの手順により測定される進入量Ｘ１が０μｍ以上５０μｍ以下であり、且つ、進入量Ｙ１から前記進入量Ｘ１を引いた値が６０μｍ以下である中空型電子デバイス封止用シート。
　ダミーチップがバンプを介して基板に実装されたダミーチップ実装基板を準備するステップＡ、
　中空型電子デバイス封止用シートのサンプルを準備するステップＢ、
　前記サンプルを、前記ダミーチップ実装基板の前記ダミーチップ上に配置するステップＣ、
　前記ダミーチップを前記サンプルに埋め込むステップＤ、
　前記ステップＤの後、前記ダミーチップと前記基板との間の中空部への、前記サンプルを構成する樹脂の進入量Ｘ１を測定するステップＥ、
　前記ステップＥの後、前記サンプルを熱硬化させて封止体サンプルを得るステップＦ、及び、
　前記封止体サンプルにおける前記中空部への前記樹脂の進入量Ｙ１を測定するステップＧ。」
＜相違点３８＞
　中空型電子デバイス封止用シートが含む「無機充填剤」について、本件発明１は「前記無機充填剤の平均粒径が０．５〜１０μｍの範囲であり、前記無機充填剤が、レーザー回折散乱法により測定した粒度分布において２つのピークを有しており、粒径の大きい側のピークが３〜３０μｍの範囲内にあり、粒径の小さい側のピークが０．１〜１μｍの範囲内にあ」るのに対し、甲５Ｂ発明ではその旨の特定がなされていない点。
＜相違点３９＞
　本件発明１は、「１つの」ダミーチップが基板に実装されているのに対し、甲５Ｂ発明では「複数の」チップをガラス基板に実装している点。
＜相違点４０＞
　本件発明１は、ダミーチップが「樹脂」バンプを介して基板に実装されているのに対し、甲５Ｂ発明ではバンプが「樹脂」である旨の特定がなされていない点。
＜相違点４１＞
　本件発明１は、ダミーチップが実装される基板が「ガラス基板」であるのに対し、甲５Ｂ発明ではその旨の特定がなされていない点。
＜相違点４２＞
　本件発明１は、ダミーチップの仕様の「チップサイズが縦３ｍｍ、横３ｍｍ、厚さ２００μｍであり、高さ５０μｍの樹脂バンプが形成されている」ものであるのに対し、甲５Ｂ発明ではその旨の特定がなされていない点。
＜相違点４３＞
　本件発明１は、中空型電子デバイス封止用シートのサイズが「縦１ｃｍ、横１ｃｍ、厚さ２２０μｍのサイズ」であるのに対し、甲５Ｂ発明ではその旨の特定がなされていない点。
＜相違点４４＞
　ステップＤにおける「埋め込み条件」について、本件発明１は「プレス方法：平板プレス」「温度：７５℃」「加圧力：３０００ｋＰａ」「真空度：１．６ｋＰａ」「プレス時間：１分」であるのに対し、甲５Ｂ発明ではその旨の特定がなされていない点。
＜相違点４５＞
　ステップＦにおける「熱硬化」について、本件発明１は「１５０℃の熱風乾燥機中に１時間放置」するのに対し、甲５Ｂ発明ではその旨の特定がなされていない点。
　事案に鑑みて、まず相違点３８について検討する。
　上記（ア）の相違点１０の検討で説示したように、甲第１号証〜甲第７号証、参考資料１〜１０のいずれにも、中空型電子デバイス封止用シートに含まれる無機充填剤として、「前記無機充填剤の平均粒径が０．５〜１０μｍの範囲であり、前記無機充填剤が、レーザー回折散乱法により測定した粒度分布において２つのピークを有しており、粒径の大きい側のピークが３〜３０μｍの範囲内にあり、粒径の小さい側のピークが０．１〜１μｍの範囲内にある」ものを用いるという技術事項は記載されておらず、上記技術事項が周知技術であるとも認められない。
　したがって、甲５Ｂ発明において、無機充填剤として、「電気化学工業（株）製、充填用シリカであるＦＢ２０１Ｓ」に代えて、相違点３８に係る本件発明１の「前記無機充填剤の平均粒径が０．５〜１０μｍの範囲であり、前記無機充填剤が、レーザー回折散乱法により測定した粒度分布において２つのピークを有しており、粒径の大きい側のピークが３〜３０μｍの範囲内にあり、粒径の小さい側のピークが０．１〜１μｍの範囲内にある」ものを用いることが、当業者にとって容易であるとはいえない。
　よって、相違点３９ないし４５について検討するまでもなく、本件発明１が、甲５Ｂ発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるということはできない。
（カ）まとめ
　以上のとおり、請求項１に係る発明が、甲第１号証ないし甲第５号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるということはできないから、請求項１に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであるということはできない。
イ．本件発明２について
　本件発明２は本件発明１の発明特定事項を全て含むものであるから、上記「ア．（オ）」で述べたのと同様の理由で、本件発明２が、甲５Ｂ発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるということはできない。
　したがって、請求項２に係る発明が、甲第５号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるということはできないから、請求項２に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであるということはできない。
第５　申立人の意見及び取消理由通知において採用しなかった特許異議申立理由について
１．特許権者による訂正請求書の提出に対する申立人の意見について
（１）特許法第３６条第６項第２号について
　申立人は、令和１年１０月３０日提出の意見書において、本件明細書の段落【００５５】には、平均粒径及び粒度分布の測定法について、封止用シートを大気雰囲気下、７００℃で２時間強熱し灰化させたものを測定することが記載されており、無機充填剤といえども、大気雰囲気下、７００℃で２時間強熱させると、凝集等を起こすことが知られており（下記参考資料１〜３）、無機充填剤が凝集等を起こすと、その粒子径分布は変化するものであると認められるから、無機充填剤の平均粒径等について、封止用シートに含有されている状態の値であるのか、それとも、大気雰囲気下、７００℃で２時間強熱させたものであるのか、測定条件を特定していない本件発明１ないし３は不明確である旨主張している。
　　　　　　　記
参考資料１：特開２０１２−１４０２８９号公報
参考資料２：特開２０１４−００９１４０号公報
参考資料３：特開２００８−１６８３５４号公報
　上記主張について検討する。
　本件発明１の「中空型電子デバイス封止用シート」は、無機充填剤やそれ以外の有機成分を含む「シート」として形成されたものである。そして、技術常識を勘案すると、「中空型電子デバイス封止用シート」自体に対してレーザー回折散乱法を行っても、粒度分布を測定できないことは明らかであるから、無機充填剤の粒度分布をレーザー回折散乱法により測定するためには、強熱や灰化といった処理を行ってから測定する必要があることは自明のことである。
　したがって、請求項１の「レーザー回折散乱法により測定した粒度分布」との記載が、「中空型電子デバイス封止用シート」自体に対してレーザー回折散乱法により測定した粒度分布を意味するものではなく（すなわち、必ずしも封止用シートに含有されている状態の粒度分布を意味するものではなく）、「中空型電子デバイス封止用シート」に対して強熱や灰化といった処理を行ってレーザー回折散乱法により粒度分布が測定できる状態にした後における粒度分布を意味することは明らかである。
　また、本件発明２、３についても、同様のことがいえる。
　よって、本件発明１ないし３において、無機充填剤の平均粒径等について、封止用シートに含有されている状態の値であるのか否かが不明確であるとの申立人の主張を採用することはできない。
（２）特許法第２９条第２項について
　申立人は、令和１年１０月３０日提出の意見書において、証拠として上記参考資料１〜３とともに下記参考資料４〜１０を提出し、本件発明１ないし３は、本件特許の出願前に頒布された刊行物に記載された事項から依然として当業者が容易に想到することができたものである旨主張している。
　　　　　　　記
参考資料４：特開２００８−１９５７５２号公報
参考資料５：国際公開第９８／０１５５９７号
参考資料６：佐々木英男、「フィラー活用辞典」、初版、株式会社大成社、平成６年（１９９４年）５月３１日、ｐ２００−２０６
参考資料７：特開２０１４−２０９５６６号公報
参考資料８：特開２００４−３３１７２８号公報
参考資料９：特開２００９−０９１３８９号公報
参考資料１０：特開２００８−２８５５９３号公報
　上記主張について検討する。
　参考資料４の【請求項２】、段落【００４６】、【００６５】、【００６６】、【００７８】、【表１】には、電子素子封止用樹脂被覆無機粉末組成物において、比較的大径粒子と小径粒子とを組み合わせて併用すると、無機材料の優れた耐湿性、高弾性率等の特性をパッケージに与えることができることが記載されている。しかしながら、参考資料４におけるいずれの実施例においても、３種類以上の無機粉末を組み合わせており、かつ平均粒子径が３０μｍである「球状溶融シリカ粉末Ａ」を主成分としているから、無機充填剤として、「前記無機充填剤の平均粒径が０．５〜１０μｍの範囲であり、前記無機充填剤が、レーザー回折散乱法により測定した粒度分布において２つのピークを有しており、粒径の大きい側のピークが３〜３０μｍの範囲内にあり、粒径の小さい側のピークが０．１〜１μｍの範囲内にある」もの（以下、「本件無機充填剤」という。）を用いることは記載されていない。
　また、参考資料５の第４１頁第１４行目−第２１行目には、電子部品を封止するための封止用材料において、無機充填剤の配合量は、吸湿性の低減、線膨張係数の低減等の観点から、５０体積％以上、８０体積％以下とすることが好ましいことが記載されているものの、無機充填剤として本件無機充填剤を用いることは記載されていない。
　また、参考資料６の２．１．１や２．１．２には、半導体素子等の電子部品を封止するための封止材において、低吸湿化が大きな課題となっていること、及び封止材と半導体素子との熱膨張係数の差を少なくすることが重要であることが記載されているものの、無機充填剤として本件無機充填剤を用いることは記載されていない。
　また、参考資料７の段落【０００９】、【００７９】、【００８０】、【００８９】、【表１】には、実施例３、４の中空封止用樹脂シートとして、電気化学工業社製のＦＢ−９４５４ＦＣ（溶融球状シリカ、平均粒子径２０μｍ）である無機充填剤１と、電気化学工業社製のＦＢ−５ＳＤＣ（溶融球状シリカ、平均粒子径５μｍ）である無機充填剤３と、（株）アドマテックス社製のＳＯ−２５Ｒ（溶融球状シリカ、平均粒子径０．５μｍ）である無機充填剤４とを、５８．０：２５．０：５．０の配合比で配合した無機充填剤を用いることが記載されている。しかしながら、参考資料７の上記実施例３、４は３種類の無機充填剤を配合したものであり、かつ平均粒子径が２０μｍである「無機充填剤１」を主成分としたものであるから、参考資料７には、無機充填剤として本件無機充填剤を用いることは記載されていない。
　また、参考資料８の段落【００２４】には、実施例１において、樹脂ワニスに、ＦＢ−４８（球状シリカ、平均粒径１６μｍ、電気化学社製）２４０ｇとＳＯ−Ｃ２（微粒子球状シリカ、平均粒計０．５μｍ、アドマテックス社製）４０ｇ、ＨＳ‐１００（カーボンブラック、電気化学社製）３ｇを加えて混合したものから電子部品被覆用接着性フィルムを得ることが記載されているものの、無機充填剤の平均粒径が０．５〜１０μｍの範囲であることは記載されていないから、無機充填剤として本件無機充填剤を用いることは記載されていない。
　また、参考資料９の段落【００４１】には、バンプ高さ５０μｍの表面弾性波素子を中空封止すること、参考資料１０の段落【００４３】には、バンプ高さ３０μｍのＳＡＷフィルターチップを中空封止することが記載されているものの、いずれにも無機充填剤として本件無機充填剤を用いることは記載されていない。
　さらに、参考資料１の段落【００２５】、参考資料２の段落【００１３】、参考資料３の段落【００２９】には、無機フィラーの凝集に関する記載があるものの、無機充填剤として本件無機充填剤を用いることは記載されていない。
　以上のとおりであるから、参考資料１〜１０のいずれにも、中空型電子デバイス封止用シートに含まれる無機充填剤として、「前記無機充填剤の平均粒径が０．５〜１０μｍの範囲であり、前記無機充填剤が、レーザー回折散乱法により測定した粒度分布において２つのピークを有しており、粒径の大きい側のピークが３〜３０μｍの範囲内にあり、粒径の小さい側のピークが０．１〜１μｍの範囲内にある」ものを用いるという技術事項は記載されておらず、上記技術事項が周知技術であるとも認められない。
　したがって、甲第１号証〜第５号証のいずれを主引例としても、上記「第４　３．（２）ア．（ア）ないし（オ）」での説示と同様の理由で、無機充填剤として、「前記無機充填剤の平均粒径が０．５〜１０μｍの範囲であり、前記無機充填剤が、レーザー回折散乱法により測定した粒度分布において２つのピークを有しており、粒径の大きい側のピークが３〜３０μｍの範囲内にあり、粒径の小さい側のピークが０．１〜１μｍの範囲内にある」ものを用いることが、当業者にとって容易であるとはいえない。
　以上のとおりであるから、申立人の主張を採用することができない。
２．取消理由通知において採用しなかった特許異議申立理由について
（１）特許異議申立理由の概要
ア．申立理由１（特許法第２９条第１項第３号）
　申立人は、請求項１ないし３に係る発明は、下記の甲第１号証ないし甲第６号証に記載された発明であって、特許法第２９条第１項第３号に該当するから、請求項１ないし３に係る特許は、特許法第２９条第１項の規定に違反してされたものである旨主張している。
イ．申立理由２（特許法第２９条第２項）
　申立人は、請求項１ないし３に係る発明は、下記の甲第１号証ないし甲第７号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１ないし３に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである旨主張している。
ウ．申立理由３（特許法第３６条第４項第１号）
　申立人は、本件特許明細書等には、中空型電子デバイス封止用シートに用いることができる原料等の記載はなされているが、何をどの程度配合すればＸ１、又はＹ２（当審注：Ｙ１の誤記と認められる）に効くのか等、何ら記載も示唆もなされておらず、そのような状況において、上記Ｘ１とＹ１からＸ１を引いた値を特定した中空型電子デバイス封止用シートを製造するには、当業者に期待しうる程度を越える試行錯誤を必要とするものであるから、請求項１ないし２に係る特許は、明細書の記載が不備のため、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである旨主張している。
　また申立人は、封止用シートの材料構成と粘度をどのように調整すれば、Ｘ２及びＹ２が大きくなるのか、又は小さくなるのか不明な状況において、材料構成等を調整しつつ、熱プレス条件等の製造条件を調整することは、当業者に期待しうる程度を越える試行錯誤を必要とするものであるから、請求項３に係る特許は、明細書の記載が不備のため、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである旨主張している。
　　　　　　　記
甲第１号証：特開２０１４−２２５６３５号公報
甲第２号証：特開２０１４−２０９５６５号公報
甲第３号証：特開２０１４−２０９５６７号公報
甲第４号証：特開２０１４−２０９５６８号公報
甲第５号証：特開２００６−１９７１４号公報
甲第６号証：特開２００４−１２９０９２号公報
甲第７号証：特開２００７−０７３５５４号公報
（２）甲第６号証について
　取消理由通知において採用しなかった甲第６号証の【請求項１】、段落【００１５】、【００１６】、【００１８】、【００２０】、図５、６の記載事項を総合勘案すると、甲第６号証には、「表面実装型ＳＡＷデバイスの製造方法」の発明として捉えることができる以下の発明（以下、「甲６Ａ発明」という。）が記載されている。
（甲６Ａ発明）
　「絶縁基板、該絶縁基板の底部に配置した表面実装用の外部電極、及び該絶縁基板の上部に配置され且つ前記外部電極と導通した配線パターン、を備えた実装基板と、圧電基板、該圧電基板の一面に形成したＩＤＴ電極、及び前記配線パターンと導体バンプを介して接続される接続パッド、を備えたＳＡＷチップと、前記ＳＡＷチップをフェイスダウン状態で実装基板上にフリップチップ実装した状態でＳＡＷチップ外面から実装基板上面にかけて被覆形成されることにより前記ＩＤＴ電極と前記実装基板との間に気密空間を形成する封止樹脂と、を備えた表面実装型ＳＡＷデバイスの製造方法において、
前記配線パターンと前記接続パッドとを前記導体バンプを介して接続することにより前記実装基板上にＳＡＷチップをフリップチップ実装するフリップチップ実装工程と、
前記ＳＡＷチップ上面にＳＡＷチップ上面よりも面積が大きい樹脂シートを載置して該実装基板の一端から他端へ向けて樹脂シートを軟化又は溶融させながら樹脂シートを加圧することにより前記気密空間を確保しながらＳＡＷチップ外面を樹脂にて覆うラミネート工程と、
前記樹脂にて外面をラミネートしたＳＡＷチップを加圧しながら加熱することにより、前記気密空間内の気体の膨張を抑制しながら該樹脂を硬化させるプレス成形工程と、
プレス成形工程を経たＳＡＷデバイスを、樹脂が完全に硬化する温度・時間にて加熱する後硬化工程と、を備え、
ラミネート工程、プレス成形工程、後硬化工程から成る樹脂封止工程を実施する際に、使用する樹脂シートの肉厚を適切な値に設定したことにより、ＳＡＷチップ間の谷間に充填された軟化樹脂をＳＡＷチップ裾部にまで確実に行き渡らせて気密空間を確実に形成すると共に、加熱による気密空間の拡大による封止樹脂の変形を防止することができる、表面実装型ＳＡＷデバイスの製造方法。」
　また甲第６号証には、「樹脂シート」の発明として捉えることができる以下の発明（以下、「甲６Ｂ発明」という。）が記載されている。
（甲６Ｂ発明）
　「絶縁基板、該絶縁基板の底部に配置した表面実装用の外部電極、及び該絶縁基板の上部に配置され且つ前記外部電極と導通した配線パターン、を備えた実装基板と、圧電基板、該圧電基板の一面に形成したＩＤＴ電極、及び前記配線パターンと導体バンプを介して接続される接続パッド、を備えたＳＡＷチップと、前記ＳＡＷチップをフェイスダウン状態で実装基板上にフリップチップ実装した状態でＳＡＷチップ外面から実装基板上面にかけて被覆形成されることにより前記ＩＤＴ電極と前記実装基板との間に気密空間を形成する封止樹脂と、を備え、以下の工程１〜４により製造され、ラミネート工程２、プレス成形工程３、後硬化工程４から成る樹脂封止工程を実施する際に、使用する樹脂シートの肉厚を適切な値に設定したことにより、ＳＡＷチップ間の谷間に充填された軟化樹脂をＳＡＷチップ裾部にまで確実に行き渡らせて気密空間を確実に形成すると共に、加熱による気密空間の拡大による封止樹脂の変形を防止することができる、表面実装型ＳＡＷデバイスを製造するために用いられる樹脂シート。
前記配線パターンと前記接続パッドとを前記導体バンプを介して接続することにより前記実装基板上にＳＡＷチップをフリップチップ実装するフリップチップ実装工程１、
前記ＳＡＷチップ上面にＳＡＷチップ上面よりも面積が大きい樹脂シートを載置して該実装基板の一端から他端へ向けて樹脂シートを軟化又は溶融させながら樹脂シートを加圧することにより前記気密空間を確保しながらＳＡＷチップ外面を樹脂にて覆うラミネート工程２、
前記樹脂にて外面をラミネートしたＳＡＷチップを加圧しながら加熱することにより、前記気密空間内の気体の膨張を抑制しながら該樹脂を硬化させるプレス成形工程３、
プレス成形工程を経たＳＡＷデバイスを、樹脂が完全に硬化する温度・時間にて加熱する後硬化工程４。」
（３）申立理由１（特許法第２９条第１項第３号）について
ア．本件発明３について
　本件発明３と甲６Ａ発明とを対比する。
（ア）甲６Ａ発明の「ＳＡＷチップ」、「実装基板」、「樹脂シート」、「表面実装型ＳＡＷデバイス」は、それぞれ本件発明３の「電子デバイス」、「被着体」、「中空型電子デバイス封止用シート」、「中空型電子デバイスパッケージ」に相当する。また、甲６Ａ発明の「前記ＳＡＷチップをフェイスダウン状態で実装基板上にフリップチップ実装した状態」における「ＳＡＷチップ」と「実装基板」とからなる構成は、本件発明３の「積層体」に相当する。
（イ）甲６Ａ発明の「前記配線パターンと前記接続パッドとを前記導体バンプを介して接続することにより前記実装基板上にＳＡＷチップをフリップチップ実装するフリップチップ実装工程」は、本件発明３の「電子デバイスがバンプを介して被着体上に固定された積層体を準備する工程」に相当する。
（ウ）「中空型電子デバイス封止用シート」について、本件発明３は「無機充填剤を含み、前記無機充填剤の平均粒径が０．５〜１０μｍの範囲であり、前記無機充填剤が、レーザー回折散乱法により測定した粒度分布において２つのピークを有しており、粒径の大きい側のピークが３〜３０μｍの範囲内にあり、粒径の小さい側のピークが０．１〜１μｍの範囲内にある」のに対し、甲６Ａ発明では「無機充填剤を含」むとの特定はなされておらず、したがって、「前記無機充填剤の平均粒径が０．５〜１０μｍの範囲であり、前記無機充填剤が、レーザー回折散乱法により測定した粒度分布において２つのピークを有しており、粒径の大きい側のピークが３〜３０μｍの範囲内にあり、粒径の小さい側のピークが０．１〜１μｍの範囲内にある」との特定もなされていない。
（エ）甲６Ａ発明の「前記ＳＡＷチップ上面にＳＡＷチップ上面よりも面積が大きい樹脂シートを載置」することは、本件発明３の「中空型電子デバイス封止用シートを準備する工程」と「前記中空型電子デバイス封止用シートを、前記積層体の前記電子デバイス上に配置する工程」に相当する。
（オ）甲６Ａ発明の「該実装基板の一端から他端へ向けて樹脂シートを軟化又は溶融させながら樹脂シートを加圧することにより前記気密空間を確保しながらＳＡＷチップ外面を樹脂にて覆うラミネート工程」は、本件発明３の「熱プレスにより、前記電子デバイスを前記中空型電子デバイス封止用シートに埋め込む工程」に相当する。
（カ）甲６Ａ発明の「前記樹脂にて外面をラミネートしたＳＡＷチップを加圧しながら加熱することにより、前記気密空間内の気体の膨張を抑制しながら該樹脂を硬化させるプレス成形工程と、プレス成形工程を経たＳＡＷデバイスを、樹脂が完全に硬化する温度・時間にて加熱する後硬化工程」は、「前記埋め込む工程の後、前記中空型電子デバイス封止用シートを熱硬化させて封止体を得る工程」に相当する。
　してみれば、本件発明３と甲６Ａ発明との一致点及び相違点は、次のとおりである。
＜一致点＞
　「　電子デバイスがバンプを介して被着体上に固定された積層体を準備する工程と、
　中空型電子デバイス封止用シートを準備する工程と、
　前記中空型電子デバイス封止用シートを、前記積層体の前記電子デバイス上に配置する工程と、
　熱プレスにより、前記電子デバイスを前記中空型電子デバイス封止用シートに埋め込む工程と、
　前記埋め込む工程の後、前記中空型電子デバイス封止用シートを熱硬化させて封止体を得る工程と
　を含む中空型電子デバイスパッケージの製造方法。」
＜相違点４６＞
　「中空型電子デバイス封止用シート」について、本件発明３は「無機充填剤を含み、前記無機充填剤の平均粒径が０．５〜１０μｍの範囲であり、前記無機充填剤が、レーザー回折散乱法により測定した粒度分布において２つのピークを有しており、粒径の大きい側のピークが３〜３０μｍの範囲内にあり、粒径の小さい側のピークが０．１〜１μｍの範囲内にある」のに対し、甲６Ａ発明では「無機充填剤を含」むとの特定はなされておらず、したがって、「前記無機充填剤の平均粒径が０．５〜１０μｍの範囲であり、前記無機充填剤が、レーザー回折散乱法により測定した粒度分布において２つのピークを有しており、粒径の大きい側のピークが３〜３０μｍの範囲内にあり、粒径の小さい側のピークが０．１〜１μｍの範囲内にある」との特定もなされていない点。
＜相違点４７＞
　本件発明３は、「前記埋め込む工程の後、且つ、前記封止体を得る工程の前の状態における、前記中空型電子デバイス封止用シートを構成する樹脂の、前記電子デバイスと前記被着体との間の中空部への進入量をＸ２、前記封止体を得る工程の後の状態における、前記中空部への前記樹脂の進入量をＹ２としたとき、前記進入量Ｘ２が０μｍ以上５０μｍ以下であり、且つ、前記進入量Ｙ２から前記進入量Ｘ２を引いた値が６０μｍ以下である」のに対し、甲６Ａ発明ではその旨の特定がなされていない点。
　したがって、本件発明３は上記相違点４６及び４７において甲６Ａ発明と相違するから、本件発明３が甲６Ａ発明であるということはできない。
　よって、請求項３に係る発明が甲第６号証に記載された発明であるということはできないから、請求項３に係る特許は、特許法第２９条第１項の規定に違反してされたものであるということはできない。
イ．本件発明１について
　本件発明３と甲６Ａ発明との対比において上記ア．で説示した内容を踏まえて、本件発明１と甲６Ｂ発明とを対比すると、本件発明１と甲６Ｂ発明との一致点及び相違点は、次のとおりである。
＜一致点＞
　「　下記ステップＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｆの手順がなされる中空型電子デバイス封止用シート。
　チップがバンプを介してガラス基板に実装されたチップ実装基板を準備するステップＡ、
　中空型電子デバイス封止用シートを準備するステップＢ、
　前記中空型電子デバイス封止用シートを、前記チップ実装基板の前記チップ上に配置するステップＣ、
　前記チップを前記中空型電子デバイス封止用シートに埋め込むステップＤ、
　前記ステップＤの後、前記中空型電子デバイス封止用シートを熱硬化させて封止体を得るステップＦ。」
＜相違点４８＞
　「中空型電子デバイス封止用シート」について、本件発明１は「無機充填剤を含み、前記無機充填剤の平均粒径が０．５〜１０μｍの範囲であり、前記無機充填剤が、レーザー回折散乱法により測定した粒度分布において２つのピークを有しており、粒径の大きい側のピークが３〜３０μｍの範囲内にあり、粒径の小さい側のピークが０．１〜１μｍの範囲内にあ」るのに対し、甲６Ｂ発明では「無機充填剤を含」むとの特定はなされておらず、したがって、「前記無機充填剤の平均粒径が０．５〜１０μｍの範囲であり、前記無機充填剤が、レーザー回折散乱法により測定した粒度分布において２つのピークを有しており、粒径の大きい側のピークが３〜３０μｍの範囲内にあり、粒径の小さい側のピークが０．１〜１μｍの範囲内にある」との特定もなされていない点。
＜相違点４９＞
　本件発明１は、「前記ステップＤの後、前記ダミーチップと前記ガラス基板との間の中空部への、前記サンプルを構成する樹脂の進入量Ｘ１を測定するステップＥ」及び「前記封止体サンプルにおける前記中空部への前記樹脂の進入量Ｙ１を測定するステップＧ」を備え、それにより「測定される進入量Ｘ１が０μｍ以上５０μｍ以下であり、且つ、進入量Ｙ１から前記進入量Ｘ１を引いた値が６０μｍ以下である」のに対し、甲６Ｂ発明ではその旨の特定がなされていない点。
＜相違点５０＞
　基板に実装される「チップ」について、本件発明１は、「チップサイズが縦３ｍｍ、横３ｍｍ、厚さ２００μｍであり、高さ５０μｍの樹脂バンプが形成されている」「１つの」「ダミー」チップであるのに対し、甲６Ｂ発明ではその旨の特定がなされていない点。
＜相違点５１＞
　本件発明１は、チップが「樹脂」バンプを介して基板に実装されているのに対し、甲６Ｂ発明ではバンプが「樹脂」である旨の特定がなされていない点。
＜相違点５２＞
　本件発明１は、チップが実装される基板が「ガラス基板」であるのに対し、甲６Ｂ発明ではその旨の特定がなされていない点。
＜相違点５３＞
　本件発明１は、チップ上に配置されるのが「縦１ｃｍ、横１ｃｍ、厚さ２２０μｍのサイズの」中空型電子デバイス封止用シートの「サンプル」であるのに対し、甲６Ｂ発明ではその旨の特定がなされていない点。
＜相違点５４＞
　ステップＤにおける「埋め込み条件」について、本件発明１は「プレス方法：平板プレス」「温度：７５℃」「加圧力：３０００ｋＰａ」「真空度：１．６ｋＰａ」「プレス時間：１分」であるのに対し、甲６Ｂ発明ではその旨の特定がなされていない点。
＜相違点５５＞
　ステップＦにおける「熱硬化」について、本件発明１は「１５０℃の熱風乾燥機中に１時間放置」するのに対し、甲６Ｂ発明ではその旨の特定がなされていない点。
　したがって、本件発明１は上記相違点４８ないし５５において甲６Ｂ発明と相違するから、本件発明１が甲６Ｂ発明であるということはできない。
　また、上記「第４　３．（２）ア．（ア）ないし（オ）」で説示したとおり、本件発明１は、相違点１０ないし１６において甲１Ｂ発明と相違し、相違点１７ないし２３において甲２Ｂ発明と相違し、相違点２４ないし３０において甲３Ｂ発明と相違し、相違点３１ないし３７において甲４Ｂ発明と相違し、相違点３８ないし４５において甲５Ｂ発明と相違するから、本件発明１が甲１Ｂ発明ないし甲５Ｂ発明であるということはできない。
　よって、請求項１に係る発明が甲第１号証ないし甲第６号証に記載された発明であるということはできないから、請求項１に係る特許は、特許法第２９条第１項の規定に違反してされたものであるということはできない。
ウ．本件発明２について
　本件発明２は本件発明１の発明特定事項を全て含むものであるから、上記イ．で述べたのと同様の理由で、本件発明２が甲１Ｂ発明ないし甲６Ｂ発明であるということはできない。
　よって、請求項２に係る発明が甲第１号証ないし甲第６号証に記載された発明であるということはできないから、請求項２に係る特許は、特許法第２９条第１項の規定に違反してされたものであるということはできない。
（４）申立理由２（特許法第２９条第２項）について
ア．本件発明３について
（ア）甲第６号証を主引例とした場合
　本件発明３と甲６Ａ発明とを対比すると、本件発明３と甲６Ａ発明とは、上記「（３）ア．」に記載した＜一致点＞で相違し、＜相違点４６＞及び＜相違点４７＞で相違する。
　事案に鑑みて、まず上記相違点４６について検討する。
　甲第１号証〜甲第５号証のいずれにも、中空型電子デバイス封止用シートに含まれる無機充填剤として、「前記無機充填剤の平均粒径が０．５〜１０μｍの範囲であり、前記無機充填剤が、レーザー回折散乱法により測定した粒度分布において２つのピークを有しており、粒径の大きい側のピークが３〜３０μｍの範囲内にあり、粒径の小さい側のピークが０．１〜１μｍの範囲内にある」ものを用いるという技術事項は記載されていない。また、甲第７号証の【請求項１】、段落【００１５】、【００２２】には、熱硬化樹脂によって中空封止された樹脂封止デバイスにおいて、前記熱硬化樹脂は、過熱してから熱硬化反応が起こる１００℃になるまでの間に低粘度になり流動化し易くなることが記載されているものの、上記技術事項は記載されていない。
　したがって、甲６Ａ発明において、相違点４６に係る本件発明３の「無機充填剤を含み、前記無機充填剤の平均粒径が０．５〜１０μｍの範囲であり、前記無機充填剤が、レーザー回折散乱法により測定した粒度分布において２つのピークを有しており、粒径の大きい側のピークが３〜３０μｍの範囲内にあり、粒径の小さい側のピークが０．１〜１μｍの範囲内にある」ものとすることが、当業者にとって容易であるとはいえない。
　よって、相違点４７について検討するまでもなく、本件発明３が、甲６Ａ発明、甲第１号証〜甲第５号証及び甲第７号証に記載された技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるということはできない。
（イ）甲第１号証ないし甲第５号証を主引例とした場合
　上記「第４　３．（１）ア．ないしオ．」で説示したとおり、本件発明３は、「相違点１及び２」において甲１Ａ発明と相違し、「相違点３及び４」において甲２Ａ発明と相違し、「相違点５及び６」において甲３Ａ発明と相違し、「相違点７及び８」において甲４Ａ発明と相違し、「相違点９」において甲５Ａ発明と相違するものである。そして、「相違点１」、「相違点３」、「相違点５」、「相違点７」、「相違点９」に係る事項については、上記「第４　３．（２）ア．（ア）ないし（オ）」のそれぞれ「相違点１０」、「相違点１７」、「相違点２４」、「相違点３１」、「相違点３８」の検討と同様の理由で、当業者が容易に想到し得る事項ではない。
　したがって、甲第１号証ないし甲第５号証のいずれを主引例とした場合にも、本件発明３が甲第１号証ないし甲第７号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるということはできない。
イ．本件発明１について
　本件発明１と甲６Ｂ発明とを対比すると、本件発明１と甲６Ｂ発明とは、上記「（３）イ．」に記載した＜一致点＞で相違し、＜相違点４８＞ないし＜相違点５５＞で相違する。
　そして、相違点４８に係る事項は、上記ア．の相違点４６の検討と同様の理由で、甲６Ｂ発明に基づいて、当業者が容易に想到し得る事項ではない。
　よって、相違点４９ないし５５について検討するまでもなく、本件発明１が、甲６Ｂ発明、甲第１号証〜甲第５号証及び甲第７号証に記載された技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるということはできない。
ウ．本件発明２について
　本件発明２は本件発明１の発明特定事項を全て含むものである。
　したがって、上記イ．で述べたのと同様の理由で、本件発明２が、甲６Ｂ発明、甲第１号証〜甲第５号証及び甲第７号証に記載された技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるということはできない。
　また、上記「第４　３．（２）ア．（ア）ないし（オ）」で述べたのと同様の理由で、甲第１号証ないし甲第４号証のいずれを主引例とした場合にも、本件発明２が甲第１号証ないし甲第７号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるということはできない。
エ．まとめ
　以上のとおり、請求項１ないし３に係る発明が甲第１号証ないし甲第７号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるということはできないから、請求項１ないし３に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであるということはできない。
（５）申立理由３（特許法第３６条第４項第１号）について
　本件発明１、２の「ステップＡ〜ステップＧの手順により測定される測定される進入量Ｘ１が０μｍ以上５０μｍ以下であり、且つ、進入量Ｙ１から前記進入量Ｘ１を引いた値が６０μｍ以下である」「中空型電子デバイス封止用シート」、及び本件発明３の「前記埋め込む工程の後、且つ、前記封止体を得る工程の前の状態における、前記中空型電子デバイス封止用シートを構成する樹脂の、前記電子デバイスと前記被着体との間の中空部への進入量をＸ２、前記封止体を得る工程の後の状態における、前記中空部への前記樹脂の進入量をＹ２としたとき、前記進入量Ｘ２が０μｍ以上５０μｍ以下であり、且つ、前記進入量Ｙ２から前記進入量Ｘ２を引いた値が６０μｍ以下である」「中空型電子デバイスパッケージ」について、発明の詳細な説明の段落【００８９】〜【０１００】、【表１】には、実施例１〜３で用いられる電子デバイス封止用シートの成分、樹脂及び無機充填剤の配合比、シート厚み等が具体的に記載されている。
　よって、当業者は、発明の詳細な説明の上記実施例１〜３に関する記載にしたがって、本件発明１、２の「中空型電子デバイス封止用シート」及び本件発明３の「中空型電子デバイスパッケージ」を作ることができる。
　また、【表１】に記載されているように、シートの粘度に応じて樹脂進入量が変わることは当然のことであり、また無機充填剤の粒径やその配合比によって粘度が変わることは明らかであるから、【表１】に開示された条件から、粘度が大きく変わらないようにしつつ無機充填剤の粒径や配合比等を適宜変更し、「ステップＡ〜ステップＧの手順により測定される測定される進入量Ｘ１が０μｍ以上５０μｍ以下であり、且つ、進入量Ｙ１から前記進入量Ｘ１を引いた値が６０μｍ以下である中空型電子デバイス封止用シート」及び「進入量Ｘ２が０μｍ以上５０μｍ以下であり、且つ、進入量Ｙ２から前記進入量Ｘ２を引いた値が６０μｍ以下である中空型電子デバイスパッケージ」を作ること（すなわち、実施例１〜３「以外」の中空型電子デバイス封止用シート及び中空型電子デバイスパッケージを作ること）が、当業者に期待しうる程度を越える試行錯誤を必要とするものであるとはいえない。
　以上のとおりであるから、請求項１ないし３に係る特許は、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであるということはできない。
第６　むすび
　以上のとおりであるから、取消理由通知に記載した取消理由及び特許異議申立書に記載した特許異議申立理由によっては、本件請求項１ないし３に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件請求項１ないし３に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
令和１年１２月１７日（２０１９．１２．１７）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】
　
無機充填剤を含み、
　
前記無機充填剤の平均粒径が０．５〜１０μｍの範囲であり、
　
前記無機充填剤が、レーザー回折散乱法により測定した粒度分布において２つのピークを有しており、粒径の大きい側のピークが３〜３０μｍの範囲内にあり、粒径の小さい側のピークが０．１〜１μｍの範囲内にあり、
　下記ステップＡ〜ステップＧの手順により測定される進入量Ｘ１が０μｍ以上５０μｍ以下であり、且つ、進入量Ｙ１から前記進入量Ｘ１を引いた値が６０μｍ以下であることを特徴とする中空型電子デバイス封止用シート。
　下記仕様の１つのダミーチップが樹脂バンプを介してガラス基板に実装されたダミーチップ実装基板を準備するステップＡ、
　縦１ｃｍ、横１ｃｍ、厚さ２２０μｍのサイズの中空型電子デバイス封止用シートのサンプルを準備するステップＢ、
　前記サンプルを、前記ダミーチップ実装基板の前記ダミーチップ上に配置するステップＣ、
　下記埋め込み条件下で、前記ダミーチップを前記サンプルに埋め込むステップＤ、
　前記ステップＤの後、前記ダミーチップと前記ガラス基板との間の中空部への、前記サンプルを構成する樹脂の進入量Ｘ１を測定するステップＥ、
　前記ステップＥの後、１５０℃の熱風乾燥機中に１時間放置し、前記サンプルを熱硬化させて封止体サンプルを得るステップＦ、及び、
　前記封止体サンプルにおける前記中空部への前記樹脂の進入量Ｙ１を測定するステップＧ。
　＜ダミーチップの仕様＞
　チップサイズが縦３ｍｍ、横３ｍｍ、厚さ２００μｍであり、高さ５０μｍの樹脂バンプが形成されている。
　＜埋め込み条件＞
　プレス方法：平板プレス
　温度：７５℃
　加圧力：３０００ｋＰａ
　真空度：１．６ｋＰａ
　プレス時間：１分
　【請求項２】
　９０℃での粘度が３００ｋＰａ・ｓ以上であることを特徴とする請求項１に記載の中空型電子デバイス封止用シート。
　【請求項３】
　電子デバイスがバンプを介して被着体上に固定された積層体を準備する工程と、
　
無機充填剤を含み、前記無機充填剤の平均粒径が０．５〜１０μｍの範囲であり、前記無機充填剤が、レーザー回折散乱法により測定した粒度分布において２つのピークを有しており、粒径の大きい側のピークが３〜３０μｍの範囲内にあり、粒径の小さい側のピークが０．１〜１μｍの範囲内にある
　前記中空型電子デバイス封止用シートを、前記積層体の前記電子デバイス上に配置する工程と、
　熱プレスにより、前記電子デバイスを前記中空型電子デバイス封止用シートに埋め込む工程と、
　前記埋め込む工程の後、前記中空型電子デバイス封止用シートを熱硬化させて封止体を得る工程と
　を含み、
　前記埋め込む工程の後、且つ、前記封止体を得る工程の前の状態における、前記中空型電子デバイス封止用シートを構成する樹脂の、前記電子デバイスと前記被着体との間の中空部への進入量をＸ２、前記封止体を得る工程の後の状態における、前記中空部への前記樹脂の進入量をＹ２としたとき、前記進入量Ｘ２が０μｍ以上５０μｍ以下であり、且つ、前記進入量Ｙ２から前記進入量Ｘ２を引いた値が６０μｍ以下であることを特徴とする中空型電子デバイスパッケージの製造方法。