【事件の表示】
　特願２００３−５０２９０６「強化された破壊電圧を有するパワーＭＯＳＦＥＴ」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年１２月１２日国際公開、ＷＯ０２／９９９０９、平成１６年　９月１６日国内公表、特表２００４−５２８７３２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯
　本願は、２００２年６月５日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００１年６月５日、米国）を国際出願とする出願であって、平成２１年６月２日付けの拒絶理由通知に対して、同年９月１日に手続補正書及び意見書が提出されたが、平成２２年９月１４日付けで拒絶査定がなされた。
　そして、平成２３年１月２１日に審判請求がされるとともに手続補正書が提出され、その後、平成２４年１月１８日付けで審尋がなされたが、回答書は提出されなかった。
　
第２．補正却下の決定
　
［補正却下の決定の結論］
　平成２３年１月２１日に提出された手続補正書による補正を却下する。
　
［理由］
１．補正の内容
　平成２３年１月２１日に提出された手続補正書による補正（以下「本件補正」という。）は、特許請求の範囲を補正するものであり、以下のとおりである。
　
〈補正事項ａ〉
　補正前の請求項１の「本体領域とドレイン領域との間に延在し、少なくとも部分的にドレイン領域からソース領域へ電流を誘導するドリフト領域と、」を、補正後の請求項１の「前記本体領域と前記ドレイン領域との間に延在し、少なくとも部分的に前記ドレイン領域から前記ソース領域へ電流を誘導するドリフト領域と、」と補正する。
　
〈補正事項ｂ〉
　補正前の請求項１の「ｑは電子の電荷である、電力用ＭＯＳＦＥＴ。」を、補正後の請求項１の「ｑは電子の電荷であり、
　前記導電領域と前記ドレイン領域との間の距離ｄoxは、ｄox≧ｔoxである、電力用ＭＯＳＦＥＴ。」と補正する。
　
〈補正事項ｃ〉
　補正前の請求項１２の「対向して垂直に延在する溝を半導体ウェハに形成し、」を、補正後の請求項１２の「対向して垂直に延在する溝を前記半導体ウェハに形成し、」と補正する。
　
〈補正事項ｄ〉
　補正前の請求項１２の「ｑは電子の電荷であるＭＯＳＦＥＴの形成方法。」を、補正後の請求項２の「ｑは電子の電荷であり、
　前記導電性材料の最下部と前記誘電性材料の最下部との間の距離ｄoxは、ｄox≧ｔoxである、ＭＯＳＦＥＴの形成方法。」と補正する。
　
〈補正事項ｅ〉
　補正前の請求項２１の「本体領域とドレイン領域との間に延在し、少なくとも部分的にソース領域から前記ドレイン領域へ電流を誘導するドリフト領域と、」を、補正後の請求項２１の「前記本体領域と前記ドレイン領域との間に延在し、少なくとも部分的に前記ソース領域から前記ドレイン領域へ電流を誘導するドリフト領域と、」と補正する。
　
〈補正事項ｆ〉
　補正前の請求項２１の「ｑは電子の電荷である、ＭＯＳＦＥＴ。」を、補正後の請求項２１の「ｑは電子の電荷であり、
　前記導電領域と前記ドレイン領域との間の距離ｄoxは、ｄox≧ｔoxである、ＭＯＳＦＥＴの形成方法。」と補正する。
　
〈補正事項ｇ〉
　補正前の段落【００２１】の「ｑは電子の電子の電荷である。」を、補正後の段落【００２１】の「ｑは電子の電荷である。」と補正する。
　
２．新規事項の追加の有無についての検討
（１）補正事項ａ、ｃ、ｅについて
　補正事項ａ、ｃ、ｅは、補正前の請求項１、１２、２１に記載された「本体領域」、「ドレイン領域」、「ソース領域」、「半導体ウェハ」をそれぞれ「前記本体領域」、「前記ドレイン領域」、「前記ソース領域」、「前記半導体ウェハ」とする補正であるから、本願の願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載された事項の範囲内においてなされたものであることは明らかである。
　したがって、補正事項ａ、ｃ、ｅは、いずれも特許法第１７条の２第３項（平成１４年法律第２４号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項をいう。以下同じ。）に規定する要件を満たしている。
　
（２）補正事項ｂ、ｄ、ｆについて
　補正事項ｂ、ｄ、ｆは、補正前の請求項１、１２、２１のそれぞれに「前記導電領域と前記ドレイン領域との間の距離ｄoxは、ｄox≧ｔoxである」こと、「前記導電性材料の最下部と前記誘電性材料の最下部との間の距離ｄoxは、ｄox≧ｔoxである」こと、「前記導電領域と前記ドレイン領域との間の距離ｄoxは、ｄox≧ｔoxである」ことを追加する補正であるが、これらの補正事項は、本願明細書の段落【００４３】の「前述したように、コラム118 の側壁の酸化物の厚さｔoxはＭＯＳＦＥＴ100 と140 の性能に影響する。１μｍの公称値におけるＢＶdssに対するｔoxの感度の解析が行われ、その結果は図１０に示されている。示されているように２００Ｖを超えるＢＶdssはｄox＞ｔoxの設計では±１０％を超えるｔoxの許容度で実現可能であった。少しだけ劣化した破壊性能を生じるプロセスの簡素化は丁度単一のウェット酸化ステップで実現されることのできるｄox＝ｔox設計の採択により行われることができることに注意すべきである。」なる記載に基づいて行われたものであるから、本願の願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載された事項の範囲内においてなされたものであることは明らかである。
　したがって、補正事項ｂ、ｄ、ｆは、いずれも特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしている。
　
（３）補正事項ｇについて
　補正事項ｇは、補正前の段落【００２１】に記載された「ｑは電子の電子の電荷である。」を「ｑは電子の電荷である。」とする補正であるから、本願の願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載された事項の範囲内においてなされたものであることは明らかである。
　したがって、補正事項ｇは、いずれも特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしている。
　
（４）新規事項の追加の有無についての検討のまとめ
　以上検討したとおり、補正事項ａ〜ｇは、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしているから、補正事項ａ〜ｇを含む本件補正は、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしている。
　
３．補正目的の適否についての検討
　
（１）補正事項ａ、ｃ、ｅについて
　補正事項ａ、ｃ、ｅは、補正前の請求項１、１２、２１に記載された「本体領域」、「ドレイン領域」、「ソース領域」、「半導体ウェハ」をそれぞれ「前記本体領域」、「前記ドレイン領域」、「前記ソース領域」、「前記半導体ウェハ」とする補正であるから、これらの補正は、いずれも特許法第１７条の２第４項（平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項をいう。以下同じ。）第３号に掲げる誤記の訂正を目的とするものに該当する。
　
（２）補正事項ｂ、ｄ、ｆについて
　補正事項ｂは、補正前の請求項１に記載された「電力用ＭＯＳＦＥＴ」が「前記導電領域と前記ドレイン領域との間の距離ｄoxは、ｄox≧ｔoxである」ことを追加する補正であって、補正前の請求項１に記載された発明特定事項である「導電領域」と「ドレイン領域」について、さらにそれらの間の距離を特定しようとする補正することにより、特許請求の範囲を減縮しようとする補正である。
　しかしながら、導電領域とドレイン領域との間の距離ｄoxを特定しようとする補正は、「導電領域」及び「ドレイン領域」という発明特定事項を、概念的により下位の発明特定事項とする補正ではないとともに、補正前の請求項１の発明特定事項のいずれの限定とも認められないので、補正事項ｂについての補正は、特許請求の範囲の減縮（請求項に記載した発明を特定するものであって、その補正前の当該請求項に記載された発明とその補正後の当該請求項に記載される発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一であるものに限る。）を目的とする補正ではない。
　また、補正事項ａは、請求項の削除、誤記の訂正、明りようでない記載の釈明のいずれを目的とする補正にも該当しない。
　そして、補正事項ｄ、ｆについても補正事項ｂと同様である。
　したがって、上記の補正事項ｂ、ｄ、ｆを含む特許請求の範囲についての本件補正は、特許法第１７条の２第４項の規定に違反している。
　
（３）補正事項ｇについて
　補正事項ｇは、補正前の段落【００２１】に記載された「ｑは電子の電子の電荷である。」を「ｑは電子の電荷である。」とする補正であるから、この補正は、特許法第１７条の２第４項第３号に掲げる誤記の訂正を目的とするものに該当する。
　
（４）補正目的の適否についての検討のまとめ
　特許請求の範囲についての上記の補正事項ｂ、ｄ、ｆを含む本件補正は、特許法第１７条の２第４項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
　次に、仮に、本件補正が、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たすものとして、以下、本件補正後の特許請求の範囲に記載された発明が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものか（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項に規定する独立特許要件を満たすか）どうかを、請求項１に係る発明（以下、「本願補正発明」という。）について検討する。
　
４．独立特許要件を満たすかどうかの検討
（１）本願補正発明
　本件補正後の請求項１に係る発明（本願補正発明）は、次のとおりである。
　
【請求項１】
「金属酸化物半導体電界効果電力用トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）において、
　ソース領域と、
　ドレイン領域と、
　ゲートと、
　本体領域と、
　前記本体領域と前記ドレイン領域との間に延在し、少なくとも部分的に前記ドレイン領域から前記ソース領域へ電流を誘導するドリフト領域と、
　絶縁体製の誘電体の壁であって、両側の側面を含み、それら両側面の一方は前記ドリフト領域に接触して延在し、それと反対側の側面は該誘電体の壁の一部によって前記ドレイン領域から絶縁された導電領域に接続されている誘電体の壁とを具備し、前記誘電体の壁の両側の側面の間の前記誘電体の壁を横切る電圧はドリフト領域の自由キャリアを再分布させる電界を生成して前記ドリフト領域と前記本体領域との間の逆方向にバイアスされた半導体接合部の破壊電圧を増加するように前記ドリフト領域中の電界の分布に影響を与え、前記誘電体の壁は厚さｔoxを有して形成され、それによって、以下の関係式が満足され、
　
【数１】
Ｎｄ≒［(εｓｉ・Ｅ02・εｏｘ4/3)/(２・ｑ7/3)］3/7・［ｔox・ｗ］-4/7　
　
　この式で、Ｎdは前記ドリフト領域のドープ剤の濃度であり、２ｗは前記ドリフト領域の幅であり、εoxは前記誘電体の壁の誘電定数であり、εsiは前記ドリフト領域の誘電定数であり、Ｅ0は前記ドリフト領域のなだれ値であり、ｑは電子の電荷であり、
　前記導電領域と前記ドレイン領域との間の距離ｄoxは、ｄox≧ｔoxである、電力用ＭＯＳＦＥＴ。」
　
（なお、上記【数１】の式では、ほぼ同じ値をとるという意味で、二重の波線が使用されているが、この文字が表示できないために、≒で代用している。以下同様。）
　
（２）引用例の表示
　　引用例１：特開２０００−３４９２８８号公報
　
（３）引用例１の記載と引用発明
（３−１）引用例１の記載
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先権主張日前に日本国内において頒布された刊行物である、特開２０００−３４９２８８号公報（以下「引用例１」という。）には、「縦型ＭＯＳＦＥＴ」（発明の名称）に関して、図１、図２とともに、次の記載がある。（ここにおいて、下線は当合議体が付加したものである。以下同様。）
ａ．「【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、高耐圧半導体素子、特にＭＯＳＦＥＴを利用した電力用パワーＭＯＳＦＥＴの構造に関する。
　
ｂ．「【００１０】例えば６００V 素子ではエピタキシャル膜とイオン注入、および熱処理を６回程度繰り返すことになる。これは非常に大きな製造工程の増加につながり、それだけで全体の製造工程のほぼ半分を占めることになる。すなわち従来の素子と比較して製造コストが２倍近くになるという問題がある。このような問題に鑑み
本発明の目的は、オン抵抗を著しく下げることが可能でしかも製造の容易な縦型ＭＯＳＦＥＴを提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記課題解決のため本発明は、高濃度の第一導電型基板上に形成された低濃度の第一導電型ドリフト領域と、その表面層に選択的に形成された第二導電型ウェル領域と、その第二導電型ウェル領域内に形成された第一導電型ソース領域と、第一導電型ドリフト領域と第一導電型ソース領域とに挟まれた第二導電型ウェル領域の表面上に絶縁膜を介して設けられたゲート電極と、第一導電型ソース領域と第二導電型ウェル領域との表面に共通に接触するソース電極と、第一導電型基板の裏面に設けられたドレイン電極とを有する縦型ＭＯＳＦＥＴにおいて、第二導電型ウェル領域の表面から掘り下げられた第一導電型基板近くに達するトレンチと、そのトレンチ内壁に沿って素子耐圧に耐える厚い絶縁膜を介して設けられた導電体とを備え、その導電体がソース電極と短絡されているものとする。
【００１２】そのようにすれば、トレンチ内壁に沿って設けられた導電体がソース電極と短絡されているので、トレンチ内壁に沿って空乏層が広がり、耐圧を保持することができる。特に、第一導電型ドリフト領域が深さ方向に、例えば式（２）のような所定の濃度勾配をもつものとする。
【００１３】
【数２】
 （数式省略）
ここで
εs ：半導体の誘電率、εox：酸化膜の誘電率、ｑ：素電荷、ｍ：トレンチのメサの部分の幅、ｔox：酸化膜厚、ＢＶ：耐圧、ｄ：トレンチの深さである。
【００１４】そのようにすれば、メサ内部の電界強度が均一化され、、高電圧に耐えるようにすることができる〔S.Mahalingam and B.J.Baliga A Low Forward Drop HighVoltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier with Linearly Graded Doping Profile, Proceedings of 1998 Int. Sym. Power Semiconductor Devices ICs, Kyoto (1998), p.187〕。
【００１５】半導体は、シリコンであっても、炭化珪素であってもよく、炭化珪素であれば、電界強度が約一桁大きいので、トレンチの深さをシリコンの場合の略１／１０にできる。」
　
ｃ．「【００１６】
【発明の実施の形態】［実施例］以下で本発明について、実施例を示しながら詳細に説明する。なお、ここで説明する炭化珪素は良く知られているように、存在する多くの多形の内、主に６Ｈおよび４Ｈと呼ばれるものを対象としている。
【００１７】図１は本発明を実施した縦型ＭＯＳＦＥＴの断面図である。図３の従来の断面図と比較しながら説明する。
ｎ
+
 ドレイン領域１１の上には、ｎドリフト領域１２があり、その表面層に選択的にｐウェル領域１４が形成され、ｐウェル領域１４の内部にｎソース領域１５が形成されている
トレンチ２２が掘り下げられて、絶縁膜２０を介して多結晶シリコン２１が埋め込まれている。ｎドリフト領域１２とｎソース領域１５とに挟まれたｐウェル領域１４の表面上にはゲート絶縁膜１６を介してゲート電極１７が設けられている。
【００１８】図１の本発明の構造においては、耐圧を維持する接合部分はｐｎ接合ではなくＭＯＳ接合となっている。
図１のトレンチ２２を埋め込んだ多結晶シリコン２１はｐウェル領域１４とソース電極１８によって短絡されている。
【００１９】例えば、耐圧クラス１０００ＶのシリコンＭＯＳＦＥＴの場合、トレンチの深さｄは６０μm 、トレンチのメサ幅ｍが１０μm 、絶縁膜２０の厚さｔOXが５μm 、
ｎドリフト領域１２の表面近くでの濃度は１０
15
cm
-3
程度、もっとも深いところでの濃度が２×１０
16
cm
-3
である。
【００２１】表面に、例えばＳｉＯ2 などのマスク材料２３のパターンを形成した後エッチングして、高濃度基板近くに達する深さのトレンチ２２を形成する［同図（ｂ）］。ただし、トレンチ２２は必ずしも高濃度基板に達する必要はない。エッチングはＣＦ4 などを用いたプラズマエッチング、反応性エッチングなどを用いれば良い。
【００２２】
この基板のトレンチ２２内壁にＣＶＤ法により絶縁膜２０を形成し
【００２３】均一濃度のｎドリフト領域をもつシリコンＭＯＳＦＥＴの場合、１０００Ｖ耐圧クラスのためにはｎドリフト領域の不純物濃度は２×１０14cm-3程度である［D.A.Grand, and J.Gowar, Power MOSFETs-Theory and Applications, John Wiley  Sons, Inc参照］のに比べて、本発明のＭＯＳＦＥＴでは、濃度が１〜２桁高くなっているので、オン抵抗が１／２０程度に低減される。
【００２４】また、図３のｐｎ接合はｎドリフト領域２およびｐ仕切り領域３からなっており、その厚さを耐圧に合わせて大きくする必要がある。例えば６００Ｖでは６０μｍ、１０００Ｖでは１００μｍ程度必要である。そしてその構造を製造するため、先に述べたように１０μｍづつエピタキシャル成長を繰り返すとすると１０回の繰り返し工程が必要になり、製造コストが大幅に増大する。本発明の構造を用いれば、エピタキシャル成長、イオン注入、熱処理の工程を繰り返す高価な製造工程を使用せずに、高耐圧で低いオン抵抗を実現することができる。」
　
ｄ．図面の記載
・図１を参照すると、「ｎドリフト領域１２と多結晶シリコン２１の間の距離」は絶縁膜２０のうちトレンチ側壁部の厚さに相当するものとなっており、「多結晶シリコン２１とｎ+ ドレイン領域１１の間の距離」は、絶縁膜２０のうちトレンチ底面部の厚さに、該底面部の下方にあるドリフト領域１２の厚さを加えたものとなっていることが、示されている。
　
ｅ．本願補正発明の「距離ｄox」と「距離ｔox」に相当する値ついて
　引用例１の段落【００２２】によれば、絶縁膜２０はＣＶＤ法によってトレンチ２２内壁に形成されるものであるから、絶縁膜２０のトレンチ側壁部の厚さと、絶縁膜２０のトレンチ底面部の厚さはほぼ同じになっているものと認められる。
  上記ｄ．の記載事項と、上記段落【００２０】の記載を総合すると、
本願補正発明の「距離ｄox」に対応する「多結晶シリコン２１とｎ+ ドレイン領域１１の間の距離」（以下、「ｄ１」という。）は、トレンチ底面部の下方にあるドリフト領域１２の厚さの分だけ、本願補正発明の「距離ｔox」に対応する「ｎドリフト領域１２と多結晶シリコン２１の間の距離」である「絶縁膜２０のトレンチ側壁部の厚さ」（以下、「ｔ２」という。）よりも厚いものとなっている。
　
（３−２）引用発明
　上記ａ．〜ｅ．によれば、引用例１には、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
「 電力用パワーＭＯＳＦＥＴにおいて、ｎソース領域１５と、
ｎ+ ドレイン領域１１と、
ゲート電極１７と、
ｐウェル領域１４と、
ｐウェル領域１４とｎ+ ドレイン領域１１との間に延在するｎドリフト領域１２と、
前記ｎドリフト領域１２の表面から掘り下げられたトレンチ２２と、前記トレンチの内壁に沿って素子耐圧に耐える厚い絶縁膜２０を介して設けられた多結晶シリコン２１とを備え、前記多結晶シリコン２１がソース電極１８と短絡されており、
　前記多結晶シリコン２１と前記ｎ+ ドレイン領域１１の間の距離ｄ１と、絶縁膜２０の側壁部の厚さｔ２は、ｄ１＞ｔ２である、電力用パワーＭＯＳＦＥＴ」
　
（４）対比
（４−１）次に、本願補正発明と引用発明とを対比する。
ア．引用発明の「電力用パワーＭＯＳＦＥＴ」は、本願補正発明の「金属酸化物半導体電界効果電力用トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）」及び「電力用パワーＭＯＳＦＥＴ」に相当し、あと同様に、「ｎソース領域１５」は「ソース領域」に、「ｎ+ ドレイン領域１１」は「ドレイン領域」に、「ゲート電極１７」は「ゲート」に、「ｐウェル領域１４」は「本体領域」にそれぞれ相当している。
　
イ．引用発明の「ｐウェル領域１４とｎ+ ドレイン領域１１との間に延在するｎドリフト領域１２」は、該「ドリフト領域１２」においてドレイン領域１１からソース領域１５へ電流を誘導していることは明らかだから、本願補正発明の「前記本体領域と前記ドレイン領域との間に延在し、少なくとも部分的に前記ドレイン領域から前記ソース領域へ電流を誘導するドリフト領域」に相当している。
　
ウ．引用発明の「絶縁膜２０」は、引用発明の電力用パワーＭＯＳＦＥＴにおいて、当該「絶縁膜２０」の一方の側面が「ドリフト領域１２」に接触して延在しており、反対の側面がドレイン領域１１から絶縁された「多結晶シリコン２１」に接続されているから、本願補正発明の「誘電体の壁」に相当している。
　
エ．引用発明の「前記多結晶シリコン２１と前記ｎ+ ドレイン領域１１の間の距離ｄ１」と「絶縁膜２０の側壁部の厚さｔ２」は、それぞれ本願補正発明の「前記導電領域と前記ドレイン領域との間の距離ｄox」と「前記誘電体の壁は厚さｔox」に相当しており、また、引用発明の「ｄ１＞ｔ２」は本願補正発明の「ｄox≧ｔox」に相当している。
　
（４−２）そうすると、本願補正発明と引用発明の一致点と相違点は、次のとおりとなる。
　
《一致点》
「金属酸化物半導体電界効果電力用トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）において、
　ソース領域と、
　ドレイン領域と、
　ゲートと、
　本体領域と、
　前記本体領域と前記ドレイン領域との間に延在し、少なくとも部分的に前記ドレイン領域から前記ソース領域へ電流を誘導するドリフト領域と、
　絶縁体製の誘電体の壁であって、両側の側面を含み、それら両側面の一方は前記ドリフト領域に接触して延在し、それと反対側の側面は該誘電体の壁の一部によって前記ドレイン領域から絶縁された導電領域に接続されている誘電体の壁とを具備し、前記誘電体の壁は厚さｔoxを有して形成され
　前記導電領域と前記ドレイン領域との間の距離ｄoxは、ｄox≧ｔoxである、電力用ＭＯＳＦＥＴ。」
　
《相違点》
《相違点１》
　本願補正発明は、「前記誘電体の壁の両側の側面の間の前記誘電体の壁を横切る電圧はドリフト領域の自由キャリアを再分布させる電界を生成して前記ドリフト領域と前記本体領域との間の逆方向にバイアスされた半導体接合部の破壊電圧を増加するように前記ドリフト領域中の電界の分布に影響を与え」るのに対して、引用発明は、本願補正発明の導電領域に相当する多結晶シリコン２１に印加される電圧が絶縁膜２０を横切ってｎドリフト領域１２にどのような影響を与えるか不明である点。
　
《相違点２》
　本願補正発明は、「【数１】
  Ｎｄ≒［(εｓｉ・Ｅ02・εｏｘ4/3)/(２・ｑ7/3)］3/7・［ｔox・ｗ］-4/7  」
なる関係式によって、「ドリフト領域のドープ剤の濃度Ｎd」、「誘電体の壁の厚さｔox　」、及び「ドリフト領域の半分の幅ｗ」の３つの設計パラメータの関係を規定しているのに対して、引用発明では、上記の関係は規定されていない点。
　
（５）相違点１、２についての判断
（５−１）相違点１について
　引用発明に対応する図１の実施例では、ソース電極１８に電気的に接続された多結晶シリコン２１が、絶縁膜２０を介してｎドリフト領域１２に隣接しているのに対して、本願補正発明に対応する図２Ａの実施形態では、ソースに電気的に接続された導電領域１２０が、誘電体１１８の壁を介してドリフト領域１０４に隣接しており、この点について両者は同じ構造を有しているから、引用発明において、多結晶シリコン２１にソースから電圧を印加される場合に、ｎドリフト領域に対して与える電気的な影響は、本願補正発明において、導電領域にソースから電圧を印加される場合に、ドリフト領域に対して与える電気的な影響と同じになっているものと認められる。
　したがって、引用発明においても、本願補正発明と同様に、「前記誘電体の壁の両側の側面の間の前記誘電体の壁を横切る電圧はドリフト領域の自由キャリアを再分布させる電界を生成して前記ドリフト領域と前記本体領域との間の逆方向にバイアスされた半導体接合部の破壊電圧を増加するように前記ドリフト領域中の電界の分布に影響を与え」ているものと認められる。
　よって、相違点１については、本願補正発明と引用発明との実質的な相違点とはなっていない。
　
（５−２）相違点２について
　本願補正発明において、【数１】の関係式によって特定された上記３つの設計パラメータである、「ドリフト領域のドープ剤の濃度Ｎd」、「誘電体の壁の厚さｔox　」及び「ドリフト領域の半分の幅ｗ」の関係は、電力用ＭＯＳＦＥＴに必要とされる耐圧特性に応じて、当業者が適宜選択し得る設計事項にすぎず、上記【数１】の関係で特定される上記３つの設計パラメータが実際にとる値は、当業者が通常用いるものにすぎない。
　
（５−３）判断についてのまとめ
　以上のとおり、本願補正発明は、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
（６）独立特許要件についてのまとめ
　したがって、本件補正は、補正後の特許請求の範囲の請求項１に記載されている事項により特定される発明が、特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項をいう。以下同じ。）の規定に適合しない。
　
５．補正却下の決定のむすび
　以上の次第で、本件補正は、特許法第１７条の２第４項の規定に違反しており、また、仮に、同法第１７条の２第４項の規定される要件をみたすものであったとしても、同法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により、却下すべきものである。
　
第３．本願発明
１．以上のとおり、本件補正（平成２３年１月２１日に提出された手続補正書による補正）は却下されたので、本願の請求項１〜２３に係る発明は、平成２１年９月１日に提出された手続補正書の請求項１〜２３に記載されている事項により特定されるとおりのものであり、そのうち、請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次のとおりである。
　
【請求項１】
「金属酸化物半導体電界効果電力用トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）において、
ソース領域と、
ドレイン領域と、
ゲートと、
本体領域と、
本体領域とドレイン領域との間に延在し、少なくとも部分的にドレイン領域からソース領域へ電流を誘導するドリフト領域と、
絶縁体製の誘電体の壁であって、両面の側面を含み、それらの両側面の一方は前記ドリフト領域に接触して延在し、それと反対側の側面は該誘電体の壁の一部によって前記ドレイン領域から絶縁された導電領域に接続されている誘電体の壁とを具備し、前記誘電体の壁の両側の側面の間の前記誘電体の壁を横切る電圧はドリフト領域の自由キャリアを再分布させる電界を生成して前記ドリフト領域と前記本体領域との間の逆方向にバイアスされた半導体接合部の破壊電圧を増加するように前記ドリフト領域中の電界の分布に影響を与え、前記誘電体の壁は厚さｔoxを有して形成され、それによって、以下の関係式が満足され、
　
【数１】
 Ｎｄ≒［(εｓｉ・Ｅ02・εｏｘ4/3)/(２・ｑ7/3)］3/7・［ｔox・ｗ］-4/7　
　
この式で、Ｎdは前記ドリフト領域のドープ剤の濃度であり、２ｗは前記ドリフト領域の幅であり、εoxは前記誘電体の壁の誘電定数であり、εsiは前記ドリフト領域の誘電定数であり、Ｅ0は前記ドリフト領域のなだれ値であり、ｑは電子の電荷である、電力用ＭＯＳＦＥＴ。」
　
２．引用例の記載と引用発明
　引用例の記載、引用発明、については、前記第２．４．（３）の（３−１）と（３−２）において認定したとおりである。
　
３．対比・判断 
　前記第２．１．の〈補正事項ｂ〉と３．（２）で検討したように、本願補正発明は、本件補正前の発明（本願発明）の「電力用ＭＯＳＦＥＴ」が「前記導電領域と前記ドレイン領域との間の距離ｄoxは、ｄox≧ｔoxである」点で限定しようとしたものである。逆に言えば、本件補正前の発明（本願発明）は、本願補正発明から、上記の限定を省いたものである。　
　そうすると、本願発明の構成要件をすべて含み、これをより限定したものである本願補正発明が、前記第２．４において検討したとおり、引用発明に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も同様の理由により、引用発明に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。 
　
第４．結言 
　以上のとおり、本願発明は、引用発明に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
　したがって、他の請求項について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。