(57)【要約】      （修正有）【課題】成形可能な多層シールドフィルムを提供する。【解決手段】多層シールドフィルム１００は、構造化された接着剤層１１０、導電性シールド層１４０、電気的絶縁の熱伝導層１２０、及び導電性接着剤層１３０のうちの１つ又は複数を含んでいる多層を備える。導電性シールド層は、構造化された接着剤層を過ぎて水平方向に延びる。電気的絶縁の熱伝導層は、導電性シールド層と構造化された接着剤層の間に配設され、構造化された接着剤層と同一の広がりを有する。電気的絶縁層は、導電性シールド層と熱伝導層の間に配設され、導電性シールド層と同一の広がりを有する。回路基板２１０に取り付けた電子デバイス２２１、２２２、２２３上に、多層シールドフィルムを、熱、真空、及び圧力のうちの１つ又は複数を適用して配置すると、多層シールドフィルムが電子デバイスに適合し、導電性接着剤層が回路基板に接着して、多層シールドフィルムと回路基板の間を密封する。【選択図】図２
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【実用新案登録請求の範囲】
【請求項１】
構造化された接着剤層と、
前記構造化された接着剤層を過ぎて水平方向に延びる導電性シールド層と、
前記構造化された接着剤層上で、前記導電性シールド層と前記構造化された接着剤層の間に配設され、前記構造化された接着剤層と同一の広がりを有する、電気的絶縁の熱伝導層と、
前記導電性シールド層と前記熱伝導層の間に配設され、前記導電性シールド層と同一の広がりを有する導電性接着剤層と
を備える多層シールドフィルムであって、
当該多層シールドフィルムが、回路基板に取り付けた電子デバイス上に、熱、真空、及び圧力のうちの１つ又は複数を適用して配置されたとき、当該多層シールドフィルムが前記電子デバイスに適合し、前記導電性接着剤層が前記回路基板に接着して、当該多層シールドフィルムと前記回路基板の間を密封するようになっている、多層シールドフィルム。
【請求項２】
前記導電性シールド層が、複数の導電性繊維を備えている導電性の非織布材料を備える、請求項１に記載の多層シールドフィルム。
【請求項３】
前記導電性シールド層の厚さが約３０ミクロン未満である、請求項１に記載の多層シールドフィルム。
【請求項４】
前記熱伝導層にハロゲンがない、請求項１に記載の多層シールドフィルム。
【請求項５】
前記熱伝導層の厚さが約１００ミクロン未満である、請求項１に記載の多層シールドフィルム。
【請求項６】
前記熱伝導層の熱抵抗が約３℃・ｃｍ２／Ｗよりも大きく約５℃・ｃｍ２／Ｗ未満である、請求項１に記載の多層シールドフィルム。
【請求項７】
前記熱伝導層の絶縁破壊電圧が約４ｋＶよりも高い、請求項１に記載の多層シールドフィルム。
【請求項８】
前記導電性接着剤層が導電性粒子を含む、請求項１に記載の多層シールドフィルム。
【請求項９】
前記多層シールドフィルムが、回路基板に取り付けた電子デバイス上に、熱、真空、及び圧力のうちの１つ又は複数を適用して配置されたとき、前記多層シールドフィルムが前記電子デバイスに適合し、前記接着剤層が前記回路基板に接着して、前記多層シールドフィルムと前記回路基板の間を密閉し、前記多層シールドフィルムと前記回路基板の間に画定されたスペースの少なくとも９０％が前記電子デバイスによって占有されている、請求項１に記載の多層シールドフィルム。
【請求項１０】
前記多層シールドフィルムが、回路基板に取り付けた２つの電子デバイス上に配置されたとき、前記２つの電子デバイスの間に画定されたスペースが最大幅ｄ及び最小高さｈを有し、ｈ／ｄが少なくとも３であり、熱、真空及び圧力を適用されたとき、前記多層シールドフィルムが前記２つの電子デバイスに適合し、前記接着剤層が前記回路基板に接着して、前記多層シールドフィルムと前記回路基板の間を密閉し、前記２つの電子デバイスの間に画定されたスペースの少なくとも９０％が前記多層シールドフィルムによって占有されている、請求項１に記載の多層シールドフィルム。
【請求項１１】
前記多層シールドフィルムが、前記２つの電子デバイスの間に画定された前記スペースにおいて前記回路基板と物理的に接触する、請求項１０に記載の多層シールドフィルム。
【請求項１２】
前記多層シールドフィルムが、真空の下で、約９０℃の温度において約２ｋｇ／ｃｍ２の圧力を約６０秒間かけて、回路基板に取り付けた電子デバイス上に配置されたとき、前記多層シールドフィルムが前記電子デバイスに適合し、前記接着剤層が前記回路基板に接着して、前記多層シールドフィルムと前記回路基板の間を密閉する、請求項１に記載の多層シールドフィルム。
【請求項１３】
前記多層シールドフィルムが、約−２０ｄＢ未満のＳ２１アイソレーションを有する、請求項１に記載の多層シールドフィルム。
【請求項１４】
前記多層シールドフィルムが、約−４０ｄＢ未満のＳ２１アイソレーションを有する、請求項１に記載の多層シールドフィルム。
【請求項１５】
前記構造化された接着剤層が、間隔を置いて実質的に平行に配置された複数の接着剤リブを備える、請求項１に記載の多層シールドフィルム。
【請求項１６】
前記構造化された接着剤層の厚さが約３０〜５０ミクロンの範囲内にある、請求項１に記載の多層シールドフィルム。
【請求項１７】
同一の広がりを有する前記導電性シールド層と前記導電性接着剤層が、同一の広がりを有する前記構造化された接着剤層と前記電気的絶縁の熱伝導層を過ぎて水平方向に少なくとも約２ｍｍだけ延びる、請求項１に記載の多層シールドフィルム。
【請求項１８】
同一の広がりを有する前記導電性シールド層と前記導電性接着剤層（３）が、同一の広がりを有する前記構造化された接着剤層（１）と前記電気的絶縁の熱伝導層（２）を過ぎて水平方向に約３ｍｍだけ延びる、請求項１に記載の多層シールドフィルム。
【請求項１９】
前記シールが気密シールである、請求項１に記載の多層シールドフィルム。
【請求項２０】
回路基板と、
前記回路基板上に間隔を置いて取り付けられた複数の個別の電子デバイスと、
前記電子デバイスを覆って配設された多層シールドフィルムであって、
構造化された接着剤層と、
前記構造化された接着剤層を過ぎて水平方向に延びる導電性シールド層と、
前記導電性シールド層と前記構造化された接着剤層の間に配設され、前記構造化された接着剤層と同一の広がりを有する、電気的絶縁の熱伝導層と、
前記導電性シールド層と前記熱伝導層の間に配設され、前記導電性シールド層と同一の広がりを有する導電性接着剤層であって、前記多層シールドフィルムが各電子デバイスに対して実質的に適合し、前記接着剤層が前記回路基板に接着して、前記多層シールドフィルムと前記回路基板の間を密封し、前記多層シールドフィルムが、少なくとも２つの近接した電子デバイスの間で前記回路基板に対して物理的に接触する導電性接着剤層とを備えている多層シールドフィルムと
を備える、シールドされた電子システム。
【請求項２１】
前記多層シールドフィルムが、間隔を置いて配置された複数の個別の電子デバイスにおけるそれぞれの対の隣接した電子デバイスの間に画定されたスペースの少なくとも９０％を占有する、請求項２０に記載のシールドされた電子システム。
【請求項２２】
構造化された接着剤層と、
前記構造化された接着剤層を過ぎて水平方向に延びる導電性シールド層と、
前記導電性シールド層と前記構造化された接着剤層の間に配設され、前記構造化された接着剤層と同一の広がりを有する、電気的絶縁の熱伝導層と、
前記導電性シールド層と前記熱伝導層の間に配設され、前記導電性シールド層と同一の広がりを有する導電性接着剤層と
を備える多層シールドフィルムであって、
当該多層シールドフィルムが、熱、真空、及び圧力のうちの１つ又は複数を適用されると、基板に取り付けられた３次元物体の露出した最外表面の少なくとも９０％に対して実質的に適合して接着し、前記３次元物体が、最大幅ｄ及び最小高さｈを有し、ｈ／ｄは少なくとも３であり、前記適合された導電性接着剤層が前記基板に接着して、当該多層シールドフィルムの前記３次元物体に対する整合性を維持する、多層シールドフィルム。
【請求項２３】
前記３次元物体が電子デバイスを備える、請求項２２に記載の多層シールドフィルム。
【考案の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、電磁干渉（ＥＭＩ）をシールドするためのデバイスと、関連する手法及びシステムとに関する。
【背景技術】
【０００２】
電磁干渉（ＥＭＩ）は電子部品の動作に悪影響を及ぼす可能性がある。電子システムをシールドすると、システムの高感度な構成要素に対するＥＭＩの影響を低減することができる。シールドすると、他のシステムの高感度な構成要素に影響を及ぼす可能性がある、電子システムからのＥＭＩの過度の放射も防止することができる。
【考案の概要】
【０００３】
いくつかの実施形態は、構造化された接着剤層、導電性シールド層、電気的絶縁の熱伝導層、及び導電性接着剤層のうちの１つ又は複数を含んでいる多層を備えるシールドフィルムを対象とする。導電性シールド層は、構造化された接着剤層上に配設され、接着剤層を過ぎて水平方向に延びる。電気的絶縁の熱伝導層は、導電性シールド層と構造化された接着剤層の間に配設され、構造化された接着剤層と同一の広がりを有する。電気的絶縁層は、導電性シールド層と熱伝導層の間に配設され、導電性シールド層と同一の広がりを有する。回路基板に取り付けた電子デバイス上に、多層シールドフィルムを、熱、真空、及び圧力のうちの１つ又は複数を適用して配置すると、多層シールドフィルムが電子デバイスに適合（同一形状化）し、接着剤層が回路基板に接着して、多層シールドフィルムと回路基板の間を密封する。
【０００４】
いくつかの実施形態によれば、シールドされた電子システムは、回路基板と、回路基板上に間隔を置いて取り付けられた複数の電子デバイスと、電子デバイスを覆って配設された多層シールドフィルムとを含む。多層シールドフィルムは、構造化された接着剤層と、構造化された接着剤層を過ぎて水平方向に延びる導電性シールド層と、導電性シールド層と構造化された接着剤層の間に配設され、構造化された接着剤層と同一の広がりを有する、電気的絶縁の熱伝導層と、導電性シールド層と熱伝導層の間に配設され、導電性シールド層と同一の広がりを有する電気的絶縁層とのうちの１つ又は複数を含む。多層シールドフィルムは、各電子デバイスに対して実質的に適合する。導電性接着剤層は、回路基板に接着して、多層シールドフィルムと回路基板の間を密封する。多層シールドフィルムは、少なくとも２つの近隣の電子デバイスの間で回路基板に対して物理的に接触する。
【０００５】
いくつかの実施形態が包含している多層シールドフィルムは、構造化された接着剤層と、構造化された接着剤層を過ぎて水平方向に延びる導電性シールド層と、導電性シールド層と構造化された接着剤層の間に配設され、構造化された接着剤層と同一の広がりを有する、電気的絶縁の熱伝導層と、導電性シールド層と熱伝導層の間に配設され、導電性シールド層と同一の広がりを有する電気的絶縁層とのうちの１つ又は複数を含む。多層シールドフィルムは、熱、真空、及び圧力のうちの１つ又は複数を適用されると、基板に取り付けられた３次元物体の露出した最外表面の少なくとも９０％に対して実質的に適合して接着する。３次元物体は、最大幅ｄ及び最小高さｈを有し、ｈ／ｄは少なくとも３である。適合された導電性接着剤層が基板に接着して、多層シールドフィルムの３次元物体に対する整合性を維持する。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１Ａ】多層シールドフィルムの、いくつかの実施形態によって１つ又は複数の物体に適合される前の断面図である。
【図１Ｂ】図１Ａの多層シールドフィルムの底面図である。
【図２】電子システムの電子部品に適合した後の図１Ａ及び図１Ｂの多層シールドフィルムを含む、シールドされた電子システムを示す断面図である。
【図３】従来のファラデー型ＥＭＩシールドを示す断面図である。
【図４Ａ】電子デバイスが取り付けられている回路基板を備える半組立部品に対して、多層シールドフィルムを、いくつかの実施形態によって適合させるプロセスを示す図である。
【図４Ｂ】電子デバイスが取り付けられている回路基板を備える半組立部品に対して、多層シールドフィルムを、いくつかの実施形態によって適合させるプロセスを示す図である。
【考案を実施するための形態】
【０００７】
これらの図は、必ずしも原寸に比例するものではない。図に使用されている類似の番号は類似の構成要素を指す。しかしながら、所与の図の中の構成要素を指すために番号を使用することは、別の図において同じ番号を付けられた構成要素を限定するようには意図されていないことが理解されよう。
【０００８】
本明細書で説明される実施形態は、電磁干渉（ＥＭＩ）の放射及び／又は電磁干渉（ＥＭＩ）に対する過敏性がある、回路基板に取り付けられた電子デバイスなどの基板上の物体の表面にわたって適合して配設されるように設計された多層シールドフィルムに関する。多層シールドフィルムは、電子デバイスを覆って適合して配設され、回路基板に対して密閉されたとき、電子デバイスに到達するＥＭＩを低減する働き、及び／又は電子デバイスによる多層シールドフィルムを越えるＥＭＩの放射を低減する働きをする、ファラデー型シールドとして役立つ。
【０００９】
図１Ａは、多層シールドフィルム１００の、いくつかの実施形態によって構成要素を覆って配置される前の断面図であり、図１Ｂはその底面図である。シールドフィルム１００は構造化された接着剤層１１０を含む。導電性シールド層１４０は、構造化された接着剤層１１０を過ぎて水平方向に延びる。電気的絶縁の熱伝導層１２０は、導電性シールド層１４０と構造化された接着剤層１１０の間で、構造化された接着剤層１１０上に配設されている。電気的絶縁の熱伝導層１２０は、いくつかの実施形態では、構造化された接着剤層１１０と同一の広がりを有していてもよい。導電性接着剤層１３０は、導電性シールド層１４０と同一の広がりを有し、導電性シールド層１４０と電気的絶縁の熱伝導層１２０の間に配設されている。
【００１０】
いくつかの実施形態では、導電性シールド層１４０が備える不織層は、複数の導電性繊維を備える。たとえば、導電性繊維は、金属層でコーティングされたポリエステル繊維でもよい。金属層は、たとえばスパッタリングなどの真空蒸着プロセスによってファイバ上に堆積され得る。或いは、導電性シールド層は導電性織布材料でもよい。様々な実施形態において、導電性シールド層１４０は、約３０ミクロン未満の厚さを有し得る。同一の広がりを有する導電性シールド層１４０と導電性接着剤層１３０の厚さは、ともに、たとえば約５０ミクロン未満でもよく、約４０ミクロン未満でもよく、さらには約３０ミクロン未満でもよい。
【００１１】
電気的絶縁の熱伝導層１２０は、たとえば約８０ミクロン又は約５０ミクロンといった約１００ミクロン未満の厚さを有することができ、比較的小さい熱抵抗及び比較的高い絶縁破壊電圧を有する。いくつかの実施形態では、熱伝導層１２０の熱抵抗は、たとえばＡＳＴＭ５４７０に従って測定したとき、約３℃・ｃｍ２／Ｗよりも大きく、約５℃・ｃｍ２／Ｗ未満である。いくつかの実施形態では、熱伝導層の絶縁破壊電圧は約４ｋＶよりも高いものであり得る。熱伝導層１２０は「ハロゲンなしの」材料で製作され得、これは、熱伝導層１２０の中にハロゲンが含有されないこと、或いは自然な量及び／又は微量のハロゲンしか含まれないことを意味する。多層シールドフィルム１００は、たとえば約−２０ｄＢ未満、さらには約−４０ｄＢ未満のＳ２１アイソレーションを有し得る。
【００１２】
構造化された接着剤層１１０は、熱伝導層１２０と同一の広がりを有し得て、熱伝導層１２０の第１の表面１２１に隣接し得る。構造化された接着剤層１１０が含み得る接着材のパターンは、熱伝導層１２０の第１の表面１２１の領域のすべてではなくいくらかを覆う。たとえば、図１Ａ及び図１Ｂに示されるように、構造化された接着剤層１１０が備え得る、間隔を置いて実質的に平行に配置された複数の接着材のリブ１１１は、接着材を含まないか又は単位面積に含まれる接着材がリブよりもより少ない隙間１１２によって分離されている。構造化された接着剤層１１０の接着材のこのパターンは、以下でより詳細に論じられるように、多層シールドフィルムの再配置を可能にする。いくつかの実施形態では、構造化された接着剤層１１０の厚さは、約３０ミクロン〜約５０ミクロンの間の範囲内にあり得る。
【００１３】
導電性シールド層１４０と熱伝導層１２０の間に導電性接着剤層１３０が配設されている。いくつかの実施形態では、導電性接着剤層１２０の導電率は、たとえば金属粒子、金属被覆粒子、及び／又は導電性接着剤層１３０の中の他の導電性粒子といった導電性粒子から少なくとも部分的にもたらされる。
【００１４】
図１Ａ及び図１Ｂに示されるように、導電性接着剤層１３０は導電性シールド層１４０と同一の広がりを有する。電気的絶縁の熱伝導層１２０は、構造化された接着剤層１１０と同一の広がりを有する。同一の広がりを有する導電性接着剤層１３０と導電性シールド層１４０は、同一の広がりを有する、電気的絶縁の熱伝導層１２０と構造化された接着剤層１１０を過ぎて、多層シールドフィルム１００の周辺領域１０１において、少なくとも約２ｍｍの距離ｘだけ水平方向に延びる。いくつかの実施形態では、ｘはたとえば約３ｍｍでもよい。
【００１５】
図２は、上記で説明された多層シールドフィルム１００を含むシールドされた電子システム２００を示す断面図である。シールドされた電子システム２００は、たとえば複数の３次元物体（たとえば電子デバイス２２１、２２２、２２３）が取り付けられている回路基板２１０といった基板を備える。図２に示されている多層シールドフィルム１００は、回路基板２１０に取り付けられた電子デバイス２２１、２２２、２２３に適合した後のものである。多層シールドフィルム１００は、電子デバイス２２１、２２２、２２３に対して実質的に適合する。導電性接着剤層１３０は、多層シールドフィルム１００の周辺領域１０１のまわりで回路基板２１０に接着して、ファラデー型シールドに類似のシールド構造を形成する。導電性接着剤層１３０は、多層シールドフィルム１００の周辺領域１０１に沿って、多層シールドフィルム１００と回路基板２１０の間の気密シールであり得るシールを形成する。
【００１６】
熱、真空、及び圧力のうちの１つ又は複数が電子システム２００に適用されると、多層シールドフィルム１００は、デバイス２２１、２２２、２２３及び回路基板２１０に対して実質的に適合する。多層シールドフィルム１００は、導電性接着剤層１３０が回路基板２１０に接着して多層シールドフィルム１００と回路基板２１０の間を密封するように、回路基板２１０に取り付けられた１つ又は複数の電子デバイス２２１、２２２、２２３及び回路基板２１０に対して適合する。いくつかの実装形態では、シールは気密シールである。いくつかの実施形態では、多層シールドフィルムと回路基板の間に画定されたスペースの少なくとも７０％、少なくとも８０％、少なくとも９０％、さらには少なくとも９５％が、１つ又は複数の電子デバイスによって占有されている。
【００１７】
デバイス２２１、２２２、２２３のうちの１つ又は複数の最外表面に、構造化された接着剤層１１０が配設されて、多層シールドフィルム１００を、デバイス２２１、２２２、２２３のうちの少なくともいくつかの最外表面のうちの少なくともいくつかに対して接着する。いくつかの実施形態では、たとえば電子デバイス２２１、２２２、２２３といった回路基板２１０上の３次元物体のうちの１つ又は複数が最大幅ｄ１及び最小高さｈ１を有し、ｄ１及びｈ１は同一であり得、又はデバイスごとに変化し得る。いくつかの実装形態では、比ｈ１／ｄ１は、少なくとも２、少なくとも３、又は少なくとも４である。多層シールドフィルム１００は、デバイス２２１、２２２、２２３のうちの１つ又は複数の露出した最外表面の少なくとも７０％、少なくとも８０％、少なくとも９０％、さらには少なくとも９５％に対して、適合すること及び／又は接着することができる。適合された導電性接着剤層１３０が基板２１０に接着して、多層シールドフィルム１００の１つ又は複数のデバイス２２１、２２２、２２３に対する整合性を維持する。
【００１８】
回路基板２１０に取り付けられた近隣のデバイスの間にはスペースがある。破線のボックス２３１は近隣のデバイス２２１と２２２の間のスペースを示し、破線のボックス２３２は近隣のデバイス２２２と２２３の間のスペースを示す。多層シールドフィルム１００は、近隣のデバイス２２１、２２２、２２３のうちの少なくともいくつかの間のスペース２３１、２３２において、回路基板２１０に接触し得る。スペース２３１に関して示されるように、デバイス間の各々のスペース２３１、２３２が最大幅ｄ２及び最小高さｈ２を有し、ｄ２とｈ２は実質的に同一であり得、又はスペースごとに変化し得る。いくつかの実施形態では、シールドされた電子システムのスペースのうちの１つ又は複数における比ｈ２／ｄ２は、少なくとも２、又は少なくとも３、又は少なくとも４である。いくつかの実施形態では、多層シールドフィルム１００がデバイス２２１、２２２、２２３に適合するとき、近隣のデバイス間に画定された１つ又は複数のスペースの少なくとも７０％、少なくとも８０％、少なくとも９０％の、さらには少なくとも９５％が多層シールドフィルム１００によって占有されている。
【００１９】
本明細書で説明された成形可能な多層シールドフィルム１００は、図３に示された従来型の成形不能なファラデー型シールド３００と比較して、回路基板２１０の頂面２０１とシールドフィルム１００の頂面１０２の間により薄いプロファイルｈをもたらす。携帯電話及び／又は他の手持ち型デバイスなどのデバイスがより小さくより薄くなるとき、本明細書で説明された成形可能な多層シールドのより薄いプロファイルは、そのようなデバイスに使用される電子システムの外形寸法及び／又は厚さを低減するのに有用である。
【００２０】
図３に示される従来のファラデー型シールド３００は、電子デバイス３２１、３２２、３２３の表面とシールド表面の底部の間の隙間、及び／又は電子デバイス３２１、３２２、３２３の間の隙間を生み出す。これらの隙間は、電子デバイス３２１、３２２、３２３に近接した空気を捕捉して、電子デバイス３２１、３２２、３２３からの熱伝導を低下させる。それと対照的に、適合する多層シールドフィルムがデバイス２２１、２２２、２２３の最外表面及び回路基板に適合して、電子デバイス２２１、２２２、２２３とシールドフィルム１００の間及び／又は近隣の電子デバイスの間の、エアギャップと捕捉される熱とを低減する。さらに、電気的絶縁の熱伝導層１３０は、電子デバイス２２１、２２２、２２３が発生した熱を、導電性シールド層１４０（これも熱伝導性である）へ導く。したがって、電子デバイス２２１、２２２、２２３からの熱が、電気的絶縁の熱伝導層１３０及び導電性シールド層１４０を介して、より容易に放散される。いくつかの実施形態では、導電性シールド層１４０は、熱を、多層シールドフィルムの周辺領域１０１の下に延びる回路基板２１０上の金属層へ搬送する。回路基板２１０上の金属層は、電子デバイス２２１、２２２、２２３によって発生されて導電性シールド層１４０及び導電性接着剤層１３０によって金属層へ搬送される熱を放散する付加的な熱放散表面として役立ち得る。
【００２１】
多層シールドフィルムは、熱、圧力、及び真空のうちの少なくとも１つを使用して、回路基板に取り付けられた電子デバイスなどの３次元物体の外面に適合され得る。図４Ａ及び図４Ｂは、電子デバイスが取り付けられている回路基板を備える半組立部品４２０に対して、多層シールドフィルム４１０を適合させるプロセスを示す。図４Ａは、多層フィルム４１０が半組立部品４２０の回路基板及び電子部品に適合される前の、多層フィルム４１０及び半組立部品４２０を示す。多層フィルム４１０は、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）キャリアフィルム４３０に取り付けられており、図４Ａでは半組立部品４２０の上に配設して示されている。
【００２２】
多層フィルム４１０は、回路基板及び電子デバイス上に配置されている。多層フィルム４１０は、熱、真空、及び／又は圧力を適用される前に、構造化された接着剤層のリブが回路基板上に取り付けられた電子部品と接触するとき、電子デバイス及び回路基板上に再配置され得る。多層フィルム４１０の構造化された接着剤層は、多層フィルム４１０を電子デバイスに対してわずかに接着するが、より完全に接着する前に、多層フィルム４１０が必要に応じて再配置されることを許容する。
【００２３】
多層シールドフィルム４１０は、熱、真空、及び圧力のうちの１つ又は複数によって回路基板４２０に適合される。たとえばいくつかの実装形態では、多層シールドフィルム４１０は、多層シールドフィルム４１０及び半組立部品４２０に真空を適用し、約９０℃の温度に加熱して、約２ｋｇ／ｃｍ２の圧力を約６０秒間かけることによって半組立部品４２０に適合されるが、他の設定が使用されてもよい。多層シールドフィルム４１０は、回路基板上の電子部品の外面と、回路基板自体とに適合する。導電性接着剤が回路基板の表面と接触する、多層フィルムの縁端部が、回路基板に接着して、たとえば多層シールドフィルム４１０と回路基板の間の気密シールといったシールを形成する。多層シールドフィルムの構造化された接着剤が、熱、圧力、及び／又は真空を適用された後にしっかりと接着する。図４Ｂは、熱、真空、及び圧力を適用された後に、回路基板及び構成要素を備える半組立部品４２０に適合して接着された多層シールドフィルム４１０を含んでいる電子システムを示す。
【００２４】
本明細書で説明された項目は以下のものを含む。
【００２５】
項目１
構造化された接着剤層と、
構造化された接着剤層を過ぎて水平方向に延びる導電性シールド層と、
構造化された接着剤層上で、導電性シールド層と構造化された接着剤層の間に配設され、構造化された接着剤層と同一の広がりを有する、電気的絶縁の熱伝導層と、
導電性シールド層と熱伝導層の間に配設され、導電性シールド層と同一の広がりを有する導電性接着剤層とを備える多層シールドフィルムであって、多層シールドフィルムが、回路基板に取り付けた電子デバイス上に、熱、真空、及び圧力のうちの１つ又は複数を適用して配置されたとき、多層シールドフィルムが電子デバイスに適合し、導電性接着剤層が回路基板に接着して、多層シールドフィルムと回路基板の間を密封する、多層シールドフィルム。
【００２６】
項目２
導電性シールド層が、複数の導電性繊維を備えている導電性の非織布材料を備える、項目１に記載の多層シールドフィルム。
【００２７】
項目３
導電性シールド層の厚さが約３０ミクロン未満である、項目１又は２に記載の多層シールドフィルム。
【００２８】
項目４
熱伝導層にハロゲンがない、項目１〜３のいずれか一項目に記載の多層シールドフィルム。
【００２９】
項目５
熱伝導層の厚さが約１００ミクロン未満である、項目１〜４のいずれか一項目に記載の多層シールドフィルム。
【００３０】
項目６
熱伝導層の熱抵抗が約３℃・ｃｍ２／Ｗよりも大きく約５℃・ｃｍ２／Ｗ未満である、項目１〜５のいずれか一項目に記載の多層シールドフィルム。
【００３１】
項目７
熱伝導層の絶縁破壊電圧が約４ｋＶよりも高い、項目１〜６のいずれか一項目に記載の多層シールドフィルム。
【００３２】
項目８
導電性接着剤層が導電性粒子を含む、項目１〜７のいずれか一項目に記載の多層シールドフィルム。
【００３３】
項目９
多層シールドフィルムが、回路基板に取り付けた電子デバイス上に、熱、真空、及び圧力のうちの１つ又は複数を適用して配置されたとき、多層シールドフィルムが電子デバイスに適合し、接着剤層が回路基板に接着して、多層シールドフィルムと回路基板の間を密閉し、多層シールドフィルムと回路基板の間に画定されたスペースの少なくとも９０％が電子デバイスによって占有されている、項目１〜８のいずれか一項目に記載の多層シールドフィルム。
【００３４】
項目１０
多層シールドフィルムが、回路基板に取り付けた２つの電子デバイス上に配置されたとき、２つの電子デバイスの間に画定されたスペースが最大幅ｄ及び最小高さｈを有し、ｈ／ｄが少なくとも３であり、熱、真空及び圧力を適用されたとき、多層シールドフィルムが２つの電子デバイスに適合し、接着剤層が回路基板に接着して、多層シールドフィルムと回路基板の間を密閉し、２つの電子デバイスの間に画定されたスペースの少なくとも９０％が多層シールドフィルムによって占有されている、項目１〜８のいずれか一項目に記載の多層シールドフィルム。
【００３５】
項目１１
多層シールドフィルムが、２つの電子デバイスの間に画定されたスペースにおいて回路基板と物理的に接触する、項目１０に記載の多層シールドフィルム。
【００３６】
項目１２
多層シールドフィルムが、真空の下で、約９０℃の温度において約２ｋｇ／ｃｍ２の圧力を約６０秒間かけて、回路基板に取り付けた電子デバイス上に配置されたとき、多層シールドフィルムが電子デバイスに適合し、接着剤層が回路基板に接着して、多層シールドフィルムと回路基板の間を密閉する、項目１〜１１のいずれか一項目に記載の多層シールドフィルム。
【００３７】
項目１３
多層シールドフィルムが、約−２０ｄＢ未満のＳ２１アイソレーションを有する、項目１〜１２のいずれか一項目に記載の多層シールドフィルム。
【００３８】
項目１４
多層シールドフィルムが、約−４０ｄＢ未満のＳ２１アイソレーションを有する、項目１〜１３のいずれか一項目に記載の多層シールドフィルム。
【００３９】
項目１５
構造化された接着剤層が、間隔を置いて実質的に平行に配置された複数の接着剤リブを備える、項目１〜１４のいずれか一項目に記載の多層シールドフィルム。
【００４０】
項目１６
構造化された接着剤層の厚さが約３０〜５０ミクロンの範囲内にある、項目１〜１５のいずれか一項目に記載の多層シールドフィルム。
【００４１】
項目１７
同一の広がりを有する導電性シールド層と導電性接着剤層が、同一の広がりを有する構造化された接着剤層と電気的絶縁の熱伝導層を過ぎて水平方向に少なくとも約２ｍｍだけ延びる、項目１〜１６のいずれか一項目に記載の多層シールドフィルム。
【００４２】
項目１８
同一の広がりを有する導電性シールド層と導電性接着剤層（３）が、同一の広がりを有する構造化された接着剤層（１）と電気的絶縁の熱伝導層（２）を過ぎて水平方向に約３ｍｍだけ延びる、項目１〜１７のいずれか一項目に記載の多層シールドフィルム。
【００４３】
項目１９
シールが気密シールである、項目１〜１８のいずれか一項目に記載の多層シールドフィルム。
【００４４】
項目２０
回路基板と、
回路基板上に間隔を置いて取り付けられた複数の個別の電子デバイスと、
電子デバイスを覆って配設された多層シールドフィルムであって、
構造化された接着剤層と、
構造化された接着剤層を過ぎて水平方向に延びる導電性シールド層と、
導電性シールド層と構造化された接着剤層の間に配設され、構造化された接着剤層と同一の広がりを有する、電気的絶縁の熱伝導層と、
導電性シールド層と熱伝導層の間に配設され、導電性シールド層と同一の広がりを有する導電性接着剤層であって、多層シールドフィルムが各電子デバイスに対して実質的に適合し、接着剤層が回路基板に接着して、シールドフィルムと回路基板の間を密封し、多層シールドフィルムが、少なくとも２つの近接した電子デバイスの間で回路基板に対して物理的に接触する導電性接着剤層とを備えている多層シールドフィルムとを備える、シールドされた電子システム。
【００４５】
項目２１
多層シールドフィルムが、間隔を置いて配置された複数の個別の電子デバイスにおけるそれぞれの対の隣接した電子デバイスの間に画定されたスペースの少なくとも９０％を占有する、項目２０に記載のシールドされた電子システム。
【００４６】
項目２２
構造化された接着剤層と、
構造化された接着剤層を過ぎて水平方向に延びる導電性シールド層と、
導電性シールド層と構造化された接着剤層の間に配設され、構造化された接着剤層と同一の広がりを有する、電気的絶縁の熱伝導層と、
導電性シールド層と熱伝導層の間に配設され、導電性シールド層と同一の広がりを有する導電性接着剤層とを備える多層シールドフィルムであって、多層シールドフィルムが、熱、真空、及び圧力のうちの１つ又は複数を適用されると、基板に取り付けられた３次元物体の露出した最外表面の少なくとも９０％に対して実質的に適合して接着し、３次元物体が、最大幅ｄ及び最小高さｈを有し、ｈ／ｄは少なくとも３であり、適合された導電性接着剤層が基板に接着して、多層シールドフィルムの３次元物体に対する整合性を維持する、多層シールドフィルム。
【００４７】
項目２３
３次元物体が電子デバイスを備える、項目２２に記載の多層シールドフィルム。
【００４８】
当業者には、上記で論じた実施形態の様々な修正形態及び改変形態が明白なはずであり、本開示は本明細書で説明された例示的実施形態に限定されないことを理解されたい。別様に示されなければ、開示された１つの実施形態の機能が、他のすべての開示された実施形態に適用され得ると想定されたい。
【符号の説明】
【００４９】
１００  多層シールドフィルム
１０１  多層シールドフィルムの周辺領域
１１０  構造化された接着剤層
１１１  接着材のリブ
１１２  隙間
１２０  熱伝導層
１２１  熱伝導層１２０の第１の表面
１３０  導電性接着剤層
１４０  導電性シールド層
２００  電子システム
２０１  回路基板２１０の頂面
２１０  回路基板
２２１  電子デバイス
２２２  電子デバイス
２２３  電子デバイス
２３１  デバイス間のスペース
２３２  デバイス間のスペース
３００  従来型の成形不能なファラデー型シールド
３２１  電子デバイス
３２２  電子デバイス
３２３  電子デバイス
４１０  多層シールドフィルム
４２０  半組立部品
４３０  ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）キャリアフィルム
【図１Ａ】
0003211022.tif 000003
【図１Ｂ】
0003211022.tif 000004
【図２】
0003211022.tif 000005
【図３】
0003211022.tif 000006
【図４Ａ】
0003211022.tif 000007
【図４Ｂ】
0003211022.tif 000008
【手続補正書】
【提出日】平成29年4月12日(2017.4.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
熱、真空、及び圧力のうちの１つ又は複数が電子システム２００に適用されると、多層シールドフィルム１００は、デバイス２２１、２２２、２２３及び回路基板２１０に対して実質的に適合する。多層シールドフィルム１００は、導電性接着剤層１３０が回路基板２１０に接着して多層シールドフィルム１００と回路基板２１０の間を密封するように、回路基板２１０に取り付けられた１つ又は複数の電子デバイス２２１、２２２、２２３及び回路基板２１０に対して適合する。いくつかの実装形態では、前記密封は気密シールで行われる。いくつかの実施形態では、多層シールドフィルムと回路基板の間に画定されたスペースの少なくとも７０％、少なくとも８０％、少なくとも９０％、さらには少なくとも９５％が、１つ又は複数の電子デバイスによって占有されている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
項目１９
前記密封は気密シールで行われる、項目１〜１８のいずれか一項目に記載の多層シールドフィルム。
【手続補正３】
【補正対象書類名】実用新案登録請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【実用新案登録請求の範囲】
【請求項１】
構造化された接着剤層と、
前記構造化された接着剤層を過ぎて水平方向に延びる導電性シールド層と、
前記構造化された接着剤層上で、前記導電性シールド層と前記構造化された接着剤層の間に配設され、前記構造化された接着剤層と同一の広がりを有する、電気的絶縁の熱伝導層と、
前記導電性シールド層と前記熱伝導層の間に配設され、前記導電性シールド層と同一の広がりを有する導電性接着剤層と
を備える多層シールドフィルムであって、
当該多層シールドフィルムが、回路基板に取り付けた電子デバイス上に、熱、真空、及び圧力のうちの１つ又は複数を適用して配置されたとき、当該多層シールドフィルムが前記電子デバイスに適合し、前記導電性接着剤層が前記回路基板に接着して、当該多層シールドフィルムと前記回路基板の間を密封するようになっている、多層シールドフィルム。
【請求項２】
前記導電性シールド層が、複数の導電性繊維を備えている導電性の非織布材料を備える、請求項１に記載の多層シールドフィルム。
【請求項３】
前記導電性シールド層の厚さが約３０ミクロン未満である、請求項１に記載の多層シールドフィルム。
【請求項４】
前記熱伝導層にハロゲンがない、請求項１に記載の多層シールドフィルム。
【請求項５】
前記熱伝導層の厚さが約１００ミクロン未満である、請求項１に記載の多層シールドフィルム。
【請求項６】
前記熱伝導層の熱抵抗が約３℃・ｃｍ２／Ｗよりも大きく約５℃・ｃｍ２／Ｗ未満である、請求項１に記載の多層シールドフィルム。
【請求項７】
前記熱伝導層の絶縁破壊電圧が約４ｋＶよりも高い、請求項１に記載の多層シールドフィルム。
【請求項８】
前記導電性接着剤層が導電性粒子を含む、請求項１に記載の多層シールドフィルム。
【請求項９】
前記多層シールドフィルムが、回路基板に取り付けた電子デバイス上に、熱、真空、及び圧力のうちの１つ又は複数を適用して配置されたとき、前記多層シールドフィルムが前記電子デバイスに適合し、前記接着剤層が前記回路基板に接着して、前記多層シールドフィルムと前記回路基板の間を密閉し、前記多層シールドフィルムと前記回路基板の間に画定されたスペースの少なくとも９０％が前記電子デバイスによって占有されている、請求項１に記載の多層シールドフィルム。
【請求項１０】
前記多層シールドフィルムが、回路基板に取り付けた２つの電子デバイス上に配置されたとき、前記２つの電子デバイスの間に画定されたスペースが最大幅ｄ及び最小高さｈを有し、ｈ／ｄが少なくとも３であり、熱、真空及び圧力を適用されたとき、前記多層シールドフィルムが前記２つの電子デバイスに適合し、前記接着剤層が前記回路基板に接着して、前記多層シールドフィルムと前記回路基板の間を密閉し、前記２つの電子デバイスの間に画定されたスペースの少なくとも９０％が前記多層シールドフィルムによって占有されている、請求項１に記載の多層シールドフィルム。
【請求項１１】
前記多層シールドフィルムが、前記２つの電子デバイスの間に画定された前記スペースにおいて前記回路基板と物理的に接触する、請求項１０に記載の多層シールドフィルム。
【請求項１２】
前記多層シールドフィルムが、真空の下で、約９０℃の温度において約２ｋｇ／ｃｍ２の圧力を約６０秒間かけて、回路基板に取り付けた電子デバイス上に配置されたとき、前記多層シールドフィルムが前記電子デバイスに適合し、前記接着剤層が前記回路基板に接着して、前記多層シールドフィルムと前記回路基板の間を密閉する、請求項１に記載の多層シールドフィルム。
【請求項１３】
前記多層シールドフィルムが、約−２０ｄＢ未満のＳ２１アイソレーションを有する、請求項１に記載の多層シールドフィルム。
【請求項１４】
前記多層シールドフィルムが、約−４０ｄＢ未満のＳ２１アイソレーションを有する、請求項１に記載の多層シールドフィルム。
【請求項１５】
前記構造化された接着剤層が、間隔を置いて実質的に平行に配置された複数の接着剤リブを備える、請求項１に記載の多層シールドフィルム。
【請求項１６】
前記構造化された接着剤層の厚さが約３０〜５０ミクロンの範囲内にある、請求項１に記載の多層シールドフィルム。
【請求項１７】
同一の広がりを有する前記導電性シールド層と前記導電性接着剤層が、同一の広がりを有する前記構造化された接着剤層と前記電気的絶縁の熱伝導層を過ぎて水平方向に少なくとも約２ｍｍだけ延びる、請求項１に記載の多層シールドフィルム。
【請求項１８】
同一の広がりを有する前記導電性シールド層と前記導電性接着剤層（３）が、同一の広がりを有する前記構造化された接着剤層（１）と前記電気的絶縁の熱伝導層（２）を過ぎて水平方向に約３ｍｍだけ延びる、請求項１に記載の多層シールドフィルム。
【請求項１９】
前記密封が気密シールで行われる、請求項１に記載の多層シールドフィルム。
【請求項２０】
回路基板と、
前記回路基板上に間隔を置いて取り付けられた複数の個別の電子デバイスと、
前記電子デバイスを覆って配設された多層シールドフィルムであって、
構造化された接着剤層と、
前記構造化された接着剤層を過ぎて水平方向に延びる導電性シールド層と、
前記導電性シールド層と前記構造化された接着剤層の間に配設され、前記構造化された接着剤層と同一の広がりを有する、電気的絶縁の熱伝導層と、
前記導電性シールド層と前記熱伝導層の間に配設され、前記導電性シールド層と同一の広がりを有する導電性接着剤層であって、前記多層シールドフィルムが各電子デバイスに対して実質的に適合し、前記接着剤層が前記回路基板に接着して、前記多層シールドフィルムと前記回路基板の間を密封し、前記多層シールドフィルムが、少なくとも２つの近接した電子デバイスの間で前記回路基板に対して物理的に接触する導電性接着剤層とを備えている多層シールドフィルムと
を備える、シールドされた電子システム。
【請求項２１】
前記多層シールドフィルムが、間隔を置いて配置された複数の個別の電子デバイスにおけるそれぞれの対の隣接した電子デバイスの間に画定されたスペースの少なくとも９０％を占有する、請求項２０に記載のシールドされた電子システム。
【請求項２２】
構造化された接着剤層と、
前記構造化された接着剤層を過ぎて水平方向に延びる導電性シールド層と、
前記導電性シールド層と前記構造化された接着剤層の間に配設され、前記構造化された接着剤層と同一の広がりを有する、電気的絶縁の熱伝導層と、
前記導電性シールド層と前記熱伝導層の間に配設され、前記導電性シールド層と同一の広がりを有する導電性接着剤層と
を備える多層シールドフィルムであって、
当該多層シールドフィルムが、熱、真空、及び圧力のうちの１つ又は複数を適用されると、基板に取り付けられた３次元物体の露出した最外表面の少なくとも９０％に対して実質的に適合して接着し、前記３次元物体が、最大幅ｄ及び最小高さｈを有し、ｈ／ｄは少なくとも３であり、前記適合された導電性接着剤層が前記基板に接着して、当該多層シールドフィルムの前記３次元物体に対する整合性を維持する、多層シールドフィルム。
【請求項２３】
前記３次元物体が電子デバイスを備える、請求項２２に記載の多層シールドフィルム。