【事件の表示】
　特願２００７−５３３６６２「ＭＥＭＳディスプレイ素子をアクチュエートするシステム及び方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年　４月　６日国際公開、ＷＯ２００６／０３６８０３、平成２０年　５月　８日国内公表、特表２００８−５１５００２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯
　本願は、２００５年９月２３日（パリ条約による優先権主張２００４年９月２７日、米国、２００５年９月１６日、米国）を国際出願日とする出願であって、平成１９年５月１８日に翻訳文が提出され、平成１９年１２月１２日及び平成２３年３月８日に手続補正がなされ、平成２３年７月２９日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、平成２３年１２月２日に拒絶査定不服審判が請求されたものである。
　
２　本願発明
　本願の請求項１ないし３３に係る発明は、平成２３年３月８日付け手続補正によって補正された特許請求の範囲、明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし３３に記載された事項により特定されるとおりのものであると認められるところ、その請求項２９に係る発明は次のとおりである。
　
「光を変調する変調手段と、
　１又は複数の予め定めた条件に基づいて、前記変調手段に電圧を印加する印加手段とを備え、
　前記印加手段は、１／Ｔより高い周波数でＡＣ電圧信号を印加するように構成され、Ｔは、前記変調手段を第１のディスプレイ状態から第２のディスプレイ状態へと変化させるための特有の応答時間であるディスプレイ装置。」（以下「本願発明」という。）
　
３　刊行物の記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用された「本願の優先日前に頒布された刊行物である特開２００３−２７９９２９号公報（以下「引用例」という。）」には、図とともに次の事項が記載されている（下線は審決で付した。）。
（１）「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、交流駆動方式のアクティブマトリクス型の液晶表示装置の駆動方法及びその液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、スイッチング素子として薄膜トランジスタ（以下「ＴＦＴ」という）を用いたアクティブマトリクス型の液晶表示装置が広く使用されている。
【０００３】かかる液晶表示装置は、ＴＦＴ基板と対向側基板との一対の基板で液晶層を狭持した構成となっている。ＴＦＴ基板には、相互に並行して延びる複数のゲート線と、それらのゲート線と直交する方向に相互に並行して延びる複数のソース線とが設けられている。また、ゲート線とソース線との各交差部には、それに対応して画素を構成する画素電極が設けられおり、画素電極が全体としてマトリクスを構成している。さらに、各画素電極に対応してＴＦＴが設けられており、ＴＦＴのゲート電極がゲート線に、ソース電極がソース線に、及びドレイン電極が画素電極にそれぞれ接続されている。また、各画素電極に対応してその画素電極に一端が接続された補助容量が設けられており、補助容量は、さらに他端が隣接するゲート線（ＣS −ｏｎ−Ｇａｔｅ型）又は補助容量線（ＣS −ｏｎ−Ｃｏｍｍｏｎ型）に接続されている。一方、対向側基板には、対向共通電極が設けられている。そして、画素電極と対向共通電極との間で液晶容量を形成し、その液晶容量と補助容量とによって画素容量が構成されている。
【０００４】ところで、一般的に、液晶表示装置の応答は遅く、その原因として以下のようなものがある。
【０００５】上記のようなＴＦＴをスイッチング素子とする典型的なアクティブマトリクス方式の液晶表示装置は、ゲート線を介してゲート電極にゲート信号が送られることにより画素電極に接続されたＴＦＴが選択状態とされ、その際、ソース線を介してソース電極にソース信号が送られることにより、ソース電極に繋がったドレイン電極を介して画素電極に電荷が書き込まれ、そして、それによって画素容量（＝液晶容量＋補助容量）に所定量の電荷が充電され、液晶層の液晶分子を所望の配向状態にさせて表示を行うようにしたものである。なお、補助容量は、液晶容量に充電された電荷量が保持されるようにする機能を果たす。また、液晶層を直流電圧で駆動するとその寿命が短くなること等のため、ソース電極からのソース信号の送信は、液晶層が交流電圧で駆動されるように充電の度にその極性が反転するように行われる（フレーム反転）。
【０００６】このとき、画素容量に充電された電荷量は、理想的には、次にＴＦＴが選択状態となるまで変化しないことが望まれる。ここで、電荷量Ｑ、画素容量ＣPixel 、（＝液晶容量ＣLC ＋補助容量ＣS ）、液晶容量に印加される電圧ＶLC 、すなわち、ソース信号の電位から対向電極の電位を引いた電位差ＶS とし、対向電極を接地しているとすると下記関係式が成立する、Ｑ＝ＣPixel ・ＶS 一方、例えば、ノーマリーホワイトのＴＮモードの場合、白表示から黒表示に応答させようとすると、液晶分子の誘電率が増加することになる。つまり、ＣPixel （白）＜ＣPixel （黒）となる。よって、白表示状態において、黒表示状態を示すはずの所定の電圧を画素容量に印加しても、液晶分子の誘電率が増加するために実際に画素容量に印加される電圧が所定の電圧よりも低下してしまい（以下この現象を「電圧変動」という）、黒表示状態になりえないこととなる。但し、何度かこの電圧の印加（充電）を繰り返すといずれ黒表示状態に到達する。従って、この過程のために、液晶分子の応答が見かけ上遅くなる。なお、この電圧変動は、原理上あらゆる階調間応答、すなわち、動画表示において発生し、従って、あらゆる階調間応答が電圧変動により遅くなっているということになる。
・・・（中略）・・・
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】本出願は、動画を表示するときの応答性に優れる新規な交流駆動方式のアクティブマトリクス型の液晶表示装置の駆動方法及びその液晶表示装置を提供することを目的とする。」
　
（２）「【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は、補助容量の他端の電位から対向電極の電位を引いた電位差が繰り返し大小変化するものとすると共に、その電位差が画素電極への電荷の書き込み時と同じときに画素電極と対向電極との間に印加される第１の電圧の絶対値が、その電位差が画素電極への電荷の書き込み時と異なるときに画素電極と対向電極との間に印加される第２の電圧の絶対値以下となるようにしたものである。
【００１２】具体的には、本発明は、相互に並行に延びるように設けられゲート信号が順次送られる複数のゲート線と、該複数のゲート線が延びる方向と角度をなす方向に相互に並行に延びるように設けられソース信号が送られる複数のソース線と、該ゲート線と該ソース線との各交差部に対応して設けられてマトリクスを構成し各々がスイッチング素子を有する複数の画素電極と、該複数の画素電極の各々に対応して設けられ該対応した画素電極に一端が接続された複数の補助容量と、を有する素子側基板と、上記素子側基板に対向するように設けられ対向電極を有する対向側基板と、上記素子側基板と上記対向側基板との間に狭持されるように設けられ液晶分子を含有してなる液晶層と、を備え、上記ゲート線より上記スイッチング素子にゲート信号が送られて選択状態となったときに、上記ソース線より該スイッチング素子に対応した画素電極にソース信号が送られることにより該画素電極に電荷が書き込まれて該画素電極と上記対向電極との間に形成される液晶容量及びそれに対応した補助容量に電荷が充電されるように構成された交流駆動方式のアクティブマトリクス型の液晶表示装置の駆動方法であって、上記補助容量の他端の電位から上記対向電極の電位を引いた電位差が繰り返し大小変化すると共に、該電位差が上記画素電極への電荷の書き込み時と同じときに上記画素電極と上記対向電極との間に印加される第１の電圧の絶対値が、該電位差が該画素電極への電荷の書き込み時と異なるときに該画素電極と該対向電極との間に印加される第２の電圧の絶対値以下となるように、上記ソース信号、上記補助容量の他端及び上記対向電極のそれぞれの電位を設定することを特徴とする。
【００１３】上記のようにすれば、補助容量の他端の電位から対向電極の電位を引いた電位差が繰り返し大小変化し、その電位差が画素電極への電荷の書き込み時と同じときに画素電極と対向電極との間に印加される第１の電圧の絶対値が、その電位差が画素電極への電荷の書き込み時と異なるときに画素電極と対向電極との間に印加される第２の電圧の絶対値以下となるようにしており、例えば、一の階調を表示する場合、液晶容量の変化のない一の階調の静止画を表示するときには、液晶容量に実質的に印加される電圧は、一の階調の液晶容量に対応した第１及び第２の電圧間の所定電圧となる一方、液晶容量の変化のある他の階調から一の階調へと動画を表示するときには、液晶容量に実質的に印加される第１及び第２の電圧間の所定電圧は、液晶容量の変化に伴って第２の電圧が変化するために変化し、最終的に一の階調の静止画を表示するときに液晶容量に実質的に印加される所定電圧へ収束する、すなわち、同一階調を表示する場合でも、静止画を表示するときと動画を表示するときとで液晶容量に実質的に印加される電圧が異なるものとなり、その電圧の差により電荷の移動が促進され、液晶分子の応答を加速させることができるので、表示の階調を変化させて動画を表示するときの応答性を優れたものとすることができる。」
　
（３）「【００５２】（実施形態１）
＜液晶表示装置の構成＞図１及び２は、本発明の実施形態１に係る液晶表示装置１００を示す。
【００５３】この
液晶表示装置１００
ＴＦＴ基板（素子側基板）１１０と、ＴＦＴ基板１１０に対向して設けられた対向側基板と、それらの両基板で狭持されるように設けられた液晶層と、を備え
【００５４】
ＴＦＴ基板１１０には、
基板本体内側に、相互に並行に延びる複数のゲート線１１１が設けられ、
ゲート線１１１と絶縁体を介して層を異にしてゲート線１１１が延びる方向に直交する方向に相互に並行に延びる複数のソース線１１２が設けられ、
それらと絶縁体を介して層を異にしてゲート線１１１とソース線１１２との各交差部に対応し相互に隣接する一対のゲート線１１１及び一対のソース線１１２で囲まれた領域に
透明電極からなる略矩形の画素電極１１４が設けられ
複数の画素電極１１４は、全体としてマトリクスを構成し
各画素電極１１４は、対応するゲート線１１１とソース線１１２との交差部に近い角部にスイッチング素子としてのＴＦＴ１１３を有し
各ＴＦＴ１１３は、そのゲート電極１１３ａ、ソース電極１１３ｂ及びドレイン電極１１３ｃがそれぞれ対応したゲート線１１１、ソース線１１２及び画素電極１１４に接続され
ゲート線１１１と同じ層には、各ゲート線１１１間にゲート線１１１と並行して延びる補助容量線１１５が設けられ
画素電極１１４と
補助容量線１１５との間で狭持された絶縁体により、一端が画素電極１１４に接続され且つ他端が補助容量線１１５に接続された補助容量Ｃ
S
 が構成され
各ゲート線１１１間に設けられた補助容量線１１５は、全てが１つに結線され
【００５５】
対向側基板には、
基板本体の内側に、ＩＴＯ等の透明電極からなる対向共通電極（対向電極）１２１が設けられ
【００５６】液晶層には、誘電性のネマチック液晶等の液晶分子が含まれている。
【００５７】このような構成の液晶表示装置１００は、スイッチング素子としてＴＦＴ１１３を有する各画素電極１１４に対応して１つの画素が規定される
アクティブマトリクス型の
ゲート線１１１よりＴＦＴ１１３にゲート信号が送られて選択状態となったときに、ソース線１１２よりそのＴＦＴ１１３に対応した画素電極１１４にソース信号が送られることにより画素電極１１４に電荷が書き込まれ、
画素電極１１４と対向共通電極１２１との間に形成される液晶容量Ｃ
LC
及び補助容量Ｃ
S
 
に電荷が充電され
、その液晶容量Ｃ
LC
 への充電量を操作して液晶層の液晶分子の配向状態を調整し、それによって光の透過度を制御して表示を行うようにした
　
（４）「【００５８】＜液晶表示装置の駆動方法１＞この液晶表示装置１００の第１の駆動方法について説明する。
【００５９】図３（ａ）は、ソース線１１２の電位ＶS 、補助容量線１１５の電位ＶCS 及び対向共通電極１２１の電位Ｖcom のそれぞれの波形を示す。図３（ｂ）は、第Ｎ行〜第Ｎ＋３行の各ゲート線１１１の電位のそれぞれの波形を示す。図３（ｃ）は、第Ｎ行〜第Ｎ＋３行の各行の画素における画素電極１１４と対向共通電極１２１との間に印加される電圧のそれぞれの波形を示す。
【００６０】第１の駆動方法では、前提として、ゲート電極１１３ａとドレイン電極１１３ｃとの間の寄生容量を無視し、
対向共通電極１２１が接地され
【００６１】図３（ｂ）に示すように、第Ｎ行〜第Ｎ＋３行のゲート線１１１にはゲート信号が順次送られる。ゲート信号が送られたとき、その行のＴＦＴ１１３は全てオン状態となって選択状態となり、それによってソース電極１１３ｂとドレイン電極１１３ｃとが導通される。
【００６２】図３（ａ）に示すように、
ソース信号の電位Ｖ
S
 は交流の矩形波を構成
ＴＦＴ１１３がオン状態となってソース電極１１３ｂとドレイン電極１１３ｃとが導通された際には、
画素電極１１４と対向共通電極１２１との間にはソース信号の電位Ｖ
S
 に等しい信号電圧が印加され、その信号電圧の極性と同じ極性の電荷が画素電極１１４に書き込まれ
画素電極１１４への電荷の書き込みは、フレーム毎に異なる極性の電荷が書き込まれるようにソース信号の制御がなされ
交流駆動方式
ゲート線１１１の延びる方向に配列した画素電極１１４には全て同一極性の電荷が書き込まれる一方、ソース線１１２の延びる方向に配列した画素電極１１４には極性の異なる電荷が交互に書き込まれ
Ｈライン反転駆動方式
【００６３】図３（ａ）に示すように、
補助容量線１１５の電位Ｖ
CS
 、すなわち、補助容量Ｃ
S
 の他端の電位は、中心電位が０Ｖ
で且つ振幅がΔ（Δ＞０）であるソース信号の電位とは逆相の交流の矩形波を構成
従って、補助容量線１１５の電位Ｖ
CS
 から対向共通電極１２１の電位Ｖ
com
 を引いた電位差は、＋Δと−Δとの間を大小変化する交流の矩形波の信号電圧
この電位差の信号電圧の周波数は、ソース信号の周波数と同一
かかる周波数は、液晶層の液晶分子が応答不能なもの
【００６４】画素電極１１４にある電荷が書き込まれてから次の電荷が書き込まれるまでの動作について図５を参照しながら説明する。
【００６５】画素電極１１４への電荷の書き込み時及びそれと同じ状態となったとき、すなわち、補助容量ＣSの他端の電位（補助容量線１１５の電位ＶCS ）が画素電極１１４への電荷の書き込み時と同じものとなったとき（プラス極性の書き込みのときには−Δ、マイナス極性の書き込みのときには＋Δ）、ドレイン電極１１３ｃの電荷量Ｑd は次の関係式（７）
【００６６】
・・・（中略）・・・
【００６７】で表される。なお、複合符号の上側は画素電極１１４へのプラス極性の電荷の書き込みのとき、下側は画素電極１１４へのマイナス極性の書き込みのときにそれぞれ対応する（以下同じ）。
【００６８】一方、画素電極１１４への電荷の書き込み後、それと異なる状態となったとき、すなわち、補助容量ＣS の他端の電位（補助容量線１１５の電位ＶCS ）が画素電極１１４への電荷の書き込み時と異なるものとなったとき（プラス極性の書き込みのときにはΔ、マイナス極性の書き込みのときには−Δ）、ドレイン電極１１３ｃの電荷量Ｑd ’は下記関係式（８）
【００６９】
・・・（中略）・・・
【００７０】で表される。ここで、ＶS ’は、補助容量ＣS の他端の電位（補助容量線１１５の電位ＶCS ）が画素電極１１４への電荷の書き込み時と異なるものとなったときの画素電極１１４の電位であり、また、ＶCS ’は、そのときの補助容量線１１５の電位ＶCS である。
【００７１】電荷の漏れがないものとすれば、Ｑd ＝Ｑd ’とすることができるので、これより、下記関係式（９）
【００７２】
・・・（中略）・・・
【００７３】が導かれる。
【００７４】対向共通電極１２１は接地されているので、ＶS 及びＶS ’は、画素電極１１４と対向共通電極１２１との間に印加される電圧に等しいと考えることができる。従って、画素電極１１４にプラス極性又はマイナス極性の電荷が書き込まれた後には、補助容量線１１５の電位ＶCS が画素電極１１４への電荷書き込み時と同じときに（プラス極性の書き込みのときには−Δ、マイナス極性の書き込みのときには＋Δ）、画素電極１１４と対向共通電極１２１との間にＶS の電圧（第１の電圧）が印加される一方、補助容量線１１５の電位ＶCS が画素電極１１４への電荷書き込み時と異なるときに（プラス極性の書き込みのときにはΔ、マイナス極性の書き込みのときには−Δ）、画素電極１１４と対向共通電極１２１との間にＶS ’（第２の電圧）の電圧が印加される。つまり、画素電極１１４と対向共通電極１２１との間に印加される電圧が１水平期間毎にＶS とＶS ’とに交互に変化することとなる。
【００７５】ここで、図６及び表１に透過率と電圧との関係の一例を示す。透過率が０の場合、ＶS とＶS ’とは絶対値が等しく且つ極性が逆となるが、透過率が０よりも高い場合、プラス極性の書き込みではＶS ＜ＶS ’となる一方、マイナス書き込みではＶS ＞ＶS ’となる。従って、第１の電圧であるＶS の絶対値が第２の電圧であるＶS ’の絶対値以下となるということができる。
【表１】
・・・（中略）・・・
【００７６】図３（ｃ）に示すように、第Ｎ行及び第Ｎ＋２行における画素電極１１４と対向共通電極１２１との間にはプラス極性のＶS 及びＶS ’が交互に印加される一方、第Ｎ＋１行及び第Ｎ＋３行における画素電極１１４と対向共通電極１２１との間にはマイナス極性のＶS及びＶS ’が交互に印加され、前者にＶS が印加されるときと後者にＶS ’が印加されるときとは一致しており、同様に、前者にＶS ’が印加されるときと後者にＶS が印加されるときも一致している。これは、相互に隣接した画素電極１１４のそれぞれに極性の異なる電荷が充電されていても、すべての補助信号線１１５が結線されており、どの補助容量ＣS の他端も同一の電位とされることによるものである。
【００７７】実際に液晶層に印加される電圧ＶLC は、それらの実効値を考えればよいので、下記関係式（１０）
【００７８】
・・・（中略）・・・
【００７９】が成立し、これに関係式（９）を代入してＶS について求めると、下記関係式（１１）
【００８０】
・・・（中略）・・・
【００８１】が導かれる。
【００８２】次に、表示の階調を変化させない静止画を表示する場合（液晶容量がＣLC1 のまま維持される場合）と、表示の階調を変化させる動画を表示する場合（液晶容量がＣLC0 からＣLC1 変化する場合）と、について説明する。
【００８３】画素電極１１４への電荷の書き込み時及びそれと同じ状態となったとき、すなわち、補助容量ＣSの他端の電位（補助容量線１１５の電位ＶCS ）が画素電極１１４への電荷の書き込み時と同じものとなったときの画素電極１１４と対向共通電極１２１との間に印加される電圧ＶS1 は、画素電極１１４への電荷の書き込み時のソース信号の信号電圧に等しいので、いずれの場合においても、下記関係式（１２）
【００８４】
・・・（中略）・・・
【００８５】に示すものとなる。
【００８６】しかしながら、画素電極１１４への電荷の書き込み後、それと異なる状態となったとき、すなわち、補助容量ＣS の他端の電位（補助容量線１１５の電位ＶCS ）が画素電極１１４への電荷の書き込み時と異なるものとなったときの画素電極１１４と対向共通電極１２１との間に印加される電圧は、それぞれの場合で異なるものとなる。
【００８７】静止画を表示する場合（液晶容量がＣLC1のまま維持される場合）では、画素電極１１４と対向共通電極１２１との間に印加される電圧ＶS11 ’は、下記関係式（１３）
【００８８】
・・・（中略）・・・
【００８９】に示すものとなる。
【００９０】一方、動画を表示する場合（液晶容量がＣLC0 からＣLC1 に変化する場合）では、画素電極１１４と対向共通電極１２１との間に印加される電圧ＶS11 ’は、下記関係式（１４）
【００９１】
・・・（中略）・・・
【００９２】に示すものとなる。
【００９３】このことは、
Ｖ
S
 とＶ
S
 ’との差
が動画を表示する場合にはＣ
LC
 の変化に伴って変化する
【００９４】そして、静止画を表示する場合、液晶容量ＣLC に印加される電圧の実効値ＶLC11 は、下記関係式（１５）
【００９５】
・・・（中略）・・・
【００９６】に示すものとなる。
【００９７】一方、動画を表示する場合、液晶容量ＣLCに印加される電圧の実効値ＶLC01 は、下記関係式（１６）
【００９８】
・・・（中略）・・・
【００９９】に示すものとなる。
【０１００】従って、下記関係式（１７）
【０１０１】
・・・（中略）・・・
【０１０２】が成立する。つまり、
静止画を表示する場合と動画を表示する場合とで液晶容量Ｃ
LC
 に印加される実効電圧が異なることとなる
電圧の差
により、
液晶分子の応答を加速させ
動画を表示するときの応答性を優れたものとする
【０１０３】以上より、
Δを調整することで、動画を表示する場合にＶ
LC01
 をＶ
LC11
 よりも大きくも
その効果を最大にするためには
Δを
Δ
max
 にすればよい
液晶容量Ｃ
LC
 の最小値Ｃ
LC_min
 
Δ
max
 は、下記関係式（１８）
【数２４】
　　
【０１０５】で表される。ここで、
Ｖ
LC_min
 はＣ
LC_min
に対応して印加すべき電圧
【０１０６】このとき、関係式（１８）を関係式（１１）に代入して求められるＶS の最小値ＶS_min は、下記関係式（１９）
【０１０７】
・・・（中略）・・・
【０１０８】のようになる。すなわち、これは、ノーマリーブラックモードの場合にはいわゆる黒電圧、ノーマリーホワイトモードの場合にはいわゆる白電圧を表すものである。」
　
（５）「【０１５４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、同一階調を表示する場合でも、静止画を表示するときと動画を表示するときとで液晶容量に実質的に印加される電圧が異なるものとなり、その電圧の差により液晶分子の応答を加速させることができるので、表示の階調を変化させて動画を表示したときの応答性を優れたものとすることができる。」
　
（６）上記（１）ないし（５）から、引用例には、
「ＴＦＴ基板１１０と、ＴＦＴ基板１１０に対向して設けられた対向側基板と、それらの両基板で狭持されるように設けられた液晶層と、を備え、
　ＴＦＴ基板１１０には、基板本体内側に、相互に並行に延びる複数のゲート線１１１が設けられ、該ゲート線１１１と絶縁体を介して層を異にしてゲート線１１１が延びる方向に直交する方向に相互に並行に延びる複数のソース線１１２が設けられ、さらに、それらと絶縁体を介して層を異にしてゲート線１１１とソース線１１２との各交差部に対応し相互に隣接する一対のゲート線１１１及び一対のソース線１１２で囲まれた領域に透明電極からなる略矩形の画素電極１１４が設けられており、
　複数の画素電極１１４が、全体としてマトリクスを構成し、
　各画素電極１１４は、対応するゲート線１１１とソース線１１２との交差部に近い角部にスイッチング素子としてのＴＦＴ１１３を有し、
　各ＴＦＴ１１３は、そのゲート電極１１３ａ、ソース電極１１３ｂ及びドレイン電極１１３ｃがそれぞれ対応したゲート線１１１、ソース線１１２及び画素電極１１４に接続され、
　ゲート線１１１と同じ層には、各ゲート線１１１間にゲート線１１１と並行して延びる補助容量線１１５が設けられ、
　画素電極１１４と補助容量線１１５との間で絶縁体が狭持されることにより、一端が画素電極１１４に接続され且つ他端が補助容量線１１５に接続された補助容量ＣS が構成され、
　各ゲート線１１１間に設けられた補助容量線１１５は、全てが１つに結線されており、
　対向側基板には、基板本体の内側に、ＩＴＯ等の透明電極からなる対向共通電極１２１が設けられ、対向共通電極１２１は接地されており、
　ゲート線１１１よりＴＦＴ１１３にゲート信号が送られて選択状態となったときに、ソース線１１２よりそのＴＦＴ１１３に対応した画素電極１１４にソース信号が送られることにより、画素電極１１４に電荷が書き込まれ、画素容量、すなわち、画素電極１１４と対向共通電極１２１との間に形成される液晶容量ＣLC及び前記補助容量ＣS に、電荷が充電され、その際の液晶容量ＣLC への充電量を操作し、液晶層の液晶分子の配向状態を調整することによって、光の透過度を制御して表示を行うように構成されており、
　駆動方法として、
　ソース信号の電位ＶS が交流の矩形波とされ、ＴＦＴ１１３がオン状態となってソース電極１１３ｂとドレイン電極１１３ｃとが導通された際には、画素電極１１４と対向共通電極１２１との間にはソース信号の電位ＶS に等しい信号電圧が印加され、その信号電圧の極性と同じ極性の電荷が画素電極１１４に書き込まれ、ゲート線１１１の延びる方向に配列した画素電極１１４には全て同一極性の電荷が書き込まれる一方、ソース線１１２の延びる方向に配列した画素電極１１４には極性の異なる電荷が交互に書き込まれるＨライン反転駆動方式と、
　フレーム毎に異なる極性の電荷が各画素電極１１４へ書き込まれるようにソース信号の制御がなされる交流駆動方式と
を採用したアクティブマトリクス型の液晶表示装置１００において、
　補助容量線１１５の電位ＶCS から接地された対向共通電極１２１の電位Ｖcom を引いた電位差、すなわち、補助容量ＣS の他端の電位である補助容量線１１５の電位ＶCS を、ソース信号の電位とは逆相で、中心電位が０Ｖで振幅がΔ（Δ＞０）の交流の矩形波、すなわち、＋Δと−Δとの間を大小変化し、その周波数がソース信号の周波数と同一で、液晶層の液晶分子が応答不能な周波数である交流の矩形波となる信号電圧とするとともに、上記振幅Δを下記関係式（１８）を満たすΔmax に設定することにより、動画を表示する場合の液晶容量ＣLC に印加される実効電圧と静止画を表示する場合の液晶容量ＣLC に印加される実効電圧との間に、動画を表示する場合に液晶容量ＣLC が変化することに起因する差を生じさせ、かつ、当該実効電圧の差を、動画を表示する場合の液晶分子の応答を最も加速させ、その応答性を最も優れたものとするような値とした、
　液晶表示装置１００。
　　
　　ただし、ＣS は補助容量
　　　　　　ＣLC_min は液晶容量ＣLC の最小値
　　　　　　ＶLC_min はＣLC_minに対応して印加すべき電圧」の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
４　対比・判断
　本願発明と引用発明とを対比する。
（１）引用発明の「光」、「透過度を制御」、「『画素電極１１４』、『対向共通電極１２１』、『液晶層』、『補助容量ＣS 』」、「『補助容量線１１５の電位ＶCS から接地された対向共通電極１２１の電位Ｖcom を引いた電位差、すなわち、補助容量ＣS の他端の電位である補助容量線１１５の電位ＶCS を、ソース信号の電位とは逆相で、中心電位が０Ｖで振幅がΔ（Δ＞０）の交流の矩形波、すなわち、＋Δと−Δとの間を大小変化し、その周波数がソース信号の周波数と同一で、液晶層の液晶分子が応答不能な周波数である交流の矩形波となる信号電圧とする』手段」、「ソース信号の周波数と同一で、液晶層の液晶分子が応答不能な周波数」、「交流の矩形波となる信号電圧」及び「液晶表示装置１００」は、それぞれ、本願発明の「光」、「変調」、「変調手段」、「変調手段に電圧を印加する印加手段」、「１／Ｔ（Ｔは、前記変調手段を第１のディスプレイ状態から第２のディスプレイ状態へと変化させるための特有の応答時間である）より高い周波数」、「『電圧』、『ＡＣ電圧信号』」及び「ディスプレイ装置」に相当する。
　
（２）引用発明の「変調手段に電圧を印加する印加手段」は、補助容量線１１５の電位ＶCS から接地された対向共通電極１２１の電位Ｖcom を引いた電位差、すなわち、補助容量ＣS の他端の電位である補助容量線１１５の電位ＶCS を、ソース信号の電位とは逆相で、中心電位が０Ｖで振幅がΔ（Δ＞０）の交流の矩形波、すなわち、＋Δと−Δとの間を大小変化し、その周波数が「１／Ｔ（Ｔは、前記変調手段を第１のディスプレイ状態から第２のディスプレイ状態へと変化させるための特有の応答時間である）より高い周波数（ソース信号の周波数と同一で、液晶層の液晶分子が応答不能な周波数）」である「ＡＣ電圧信号（交流の矩形波となる信号電圧）」とする手段であるから、本願発明の「変調手段に電圧を印加する印加手段」と、「１／Ｔより高い周波数でＡＣ電圧信号を印加するように構成され、Ｔは、前記変調手段を第１のディスプレイ状態から第２のディスプレイ状態へと変化させるための特有の応答時間である」点で一致する。
　
（３）引用発明において、「変調手段に電圧を印加する印加手段」が、補助容量線１１５の電位ＶCS から接地された対向共通電極１２１の電位Ｖcom を引いた電位差、すなわち、補助容量ＣS の他端の電位である補助容量線１１５の電位ＶCS を、ソース信号の電位とは逆相で、中心電位が０Ｖで振幅がΔ（Δ＞０）の交流の矩形波、すなわち、＋Δと−Δとの間を大小変化し、その周波数が「１／Ｔ（Ｔは、前記変調手段を第１のディスプレイ状態から第２のディスプレイ状態へと変化させるための特有の応答時間である）より高い周波数」である「ＡＣ電圧信号」とするには、少なくとも「ディスプレイ装置」の電源がオンにされている必要がある。
　してみると、引用発明において、前記「ＡＣ電圧信号」を印加することは、少なくとも「ディスプレイ装置」の電源がオンされていることを条件に行われることであるといえ、ここで、「ディスプレイ装置の電源がオンされ」ることは、本願発明の「１又は複数の予め定めた条件」の「１の予め定めた条件」又は「複数の予め定めた条件の１つ」に相当する。
　したがって、引用発明の「ＡＣ電圧信号を印加することは、少なくともディスプレイ装置の電源がオンされていることを条件に行われる」ことは、本願発明の「１又は複数の予め定めた条件に基づいて、前記変調手段に電圧を印加する」に相当する。
　
（４）上記（１）ないし（３）から、本願発明と引用発明とは、
「光を変調する変調手段と、
　１又は複数の予め定めた条件に基づいて、前記変調手段に電圧を印加する印加手段とを備え、
　前記印加手段は、１／Ｔより高い周波数でＡＣ電圧信号を印加するように構成され、Ｔは、前記変調手段を第１のディスプレイ状態から第２のディスプレイ状態へと変化させるための特有の応答時間であるディスプレイ装置。」である点で一致し、相違するところはない。
　したがって、本願発明は引用例に記載された発明である。
　
５　むすび 
　本願発明は、本願の出願前に頒布された刊行物である引用例に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号の規定に該当し、特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。