【事件の表示】
　特願２０００−６１６０５５「ＳｉＣの除去法」拒絶査定不服審判事件〔平成１２年１１月　９日国際公開，ＷＯ００／６７３０４，平成１４年１２月１７日国内公表，特表２００２−５４３６１０〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，２０００年４月２８日（優先権主張１９９９年５月３日，米国）を国際出願日とする出願であって，平成２２年１０月１８日付けで拒絶の理由が通知され，平成２３年３月２８日に意見書と手続補正書が提出され，同年４月２６日付けで拒絶査定がされ，同年９月８日に前記拒絶査定に対する不服審判が請求されるとともに手続補正書が提出され，平成２４年３月２８日付けで審尋がおこなわれ，同年６月２８日に前記審尋に対する回答書が提出されたものである。
　
第２　補正の却下の決定
　
［補正の却下の決定の結論］
　平成２３年９月８日に提出された手続補正書による補正を却下する。
　
［理　由］
１　補正の内容
　平成２３年９月８日に提出された手続補正書による補正（以下「本件補正」という。）は，補正前の特許請求の範囲の請求項１−２４を補正して，補正後の請求項１−１８とするものであり，補正前後の請求項１は，各々次のとおりである。
　
（補正前）
　「【請求項１】
　温度が６００℃以下であるチャンバー内で，基板に形成されたカーバイド・シリコン層の少なくとも露出された部分を除去するための方法であり，
　前記カーバイド・シリコン層を酸素含有プラズマに曝すことにより，前記カーバイド・シリコン層の前記少なくとも露出された部分を酸化シリコン層に変換し，そして
　前記基板から前記酸化シリコン層を除去するステップからなり，
　前記基板から酸化シリコン層を除去するステップは，基板への，ＨＦベースの湿潤エッチング，ＢＨＦベースの湿潤エッチングおよび，ＨＦ／ＢＨＦベースの湿潤エッチングからなる群の中の一つを適用することにより実行される方法。」
　
（補正後）
　「【請求項１】
　基板に形成されたカーバイド・シリコン層の少なくとも露出された部分を除去するための方法であり，
　温度が６００℃以下であるチャンバー内で，前記カーバイド・シリコン層を酸素含有プラズマに曝すことにより，前記カーバイド・シリコン層の前記少なくとも露出された部分を酸化シリコン層に変換し，そして
　湿潤エッチングにより，前記基板から前記酸化シリコン層を除去するステップからなる方法。」
　
２　補正事項の整理
　本件補正の補正事項を整理すると次のとおりである。
　
（１）補正事項１
　補正前の請求項１の「温度が６００℃以下であるチャンバー内で，基板に形成されたカーバイド・シリコン層の少なくとも露出された部分を除去するための方法であり，前記カーバイド・シリコン層を酸素含有プラズマに曝すことにより，前記カーバイド・シリコン層の前記少なくとも露出された部分を酸化シリコン層に変換し，そして」を，
「基板に形成されたカーバイド・シリコン層の少なくとも露出された部分を除去するための方法であり，温度が６００℃以下であるチャンバー内で，前記カーバイド・シリコン層を酸素含有プラズマに曝すことにより，前記カーバイド・シリコン層の前記少なくとも露出された部分を酸化シリコン層に変換し，そして」と補正して，補正後の請求項１にすること。
　
（２）補正事項２
　補正前の請求項１の「前記基板から前記酸化シリコン層を除去するステップからなり，前記基板から酸化シリコン層を除去するステップは，基板への，ＨＦベースの湿潤エッチング，ＢＨＦベースの湿潤エッチングおよび，ＨＦ／ＢＨＦベースの湿潤エッチングからなる群の中の一つを適用することにより実行される方法。」を，
「湿潤エッチングにより，前記基板から前記酸化シリコン層を除去するステップからなる方法。」と補正して，補正後の請求項１にすること。
　
（３）補正事項３
　補正前の請求項１２の「温度が６００℃以下であるチャンバー内で，半導体層上に少なくとも一つの導電性層を有する表面を持つ基板上に集積回路を形成するための方法であり，少なくとも前記導電性層上にカーバイド・シリコン層を形成し，前記カーバイド・シリコン層上に少なくとも一つの誘電体層を配置し，前記導電性層上に形成された前記カーバイド・シリコン層の一部を露出させるために，前記誘電体層内にこの誘電体を貫通する少なくとも一つの開口を形成し，前記開口内の前記カーバイド・シリコン層の一部を酸素含有プラズマに曝すことにより，前記開口内の前記カーバイド・シリコン層の前記露出された一部を酸化シリコン層に変換し，」を，
「半導体層上に少なくとも一つの導電性層を有する表面を持つ基板上に集積回路を形成するための方法であり，少なくとも前記導電性層上にカーバイド・シリコン層を形成し，前記カーバイド・シリコン層上に少なくとも一つの誘電体層を配置し，前記導電性層上に形成された前記カーバイド・シリコン層の一部を露出させるために，前記誘電体層内にこの誘電体を貫通する少なくとも一つの開口を形成し，温度が６００℃以下であるチャンバー内で，前記開口内の前記カーバイド・シリコン層の一部を酸素含有プラズマに曝すことにより，前記開口内の前記カーバイド・シリコン層の前記露出された一部を酸化シリコン層に変換し，」と補正して，補正後の請求項１２にすること。
　
（４）補正事項４
　補正前の請求項１２の「前記開口内の前記酸化シリコン層を除去するステップを含む。」を，
「湿潤エッチングにより，前記開口内の前記酸化シリコン層を除去するステップを含む方法。」と補正して，補正後の請求項１２にすること。
　
（５）補正事項５
　補正前の請求項１９−２４を，削除すること。
　
３　新規事項追加の有無，及び，補正の目的の適否についての検討
（１）補正事項２について
　補正事項２は，補正前の請求項１に係る発明における「前記基板から酸化シリコン層を除去するステップは，基板への，ＨＦベースの湿潤エッチング，ＢＨＦベースの湿潤エッチングおよび，ＨＦ／ＢＨＦベースの湿潤エッチングからなる群の中の一つを適用することにより実行される」という発明特定事項から，「ＨＦベースの湿潤エッチング，ＢＨＦベースの湿潤エッチングおよび，ＨＦ／ＢＨＦベースの湿潤エッチングからなる群の中の一つを適用する」という技術的限定を削除して，その替わりに「湿潤エッチングにより」という技術的限定を付与するものである。
　そして，補正前の発明の「ＨＦベースの湿潤エッチング，ＢＨＦベースの湿潤エッチングおよび，ＨＦ／ＢＨＦベースの湿潤エッチングからなる群の中の一つを適用する」という技術的限定と，補正後の「湿潤エッチングにより」という技術的限定とを比較すると，上記補正事項２は，「湿潤エッチング」の際に使用するエッチング液の種類の限定を解除するものであるから，上記補正事項２が，特許請求の範囲を減縮するものにあたらないことは明らかである。
　そうすると，補正事項２は，特許法第１７条の２第４項（平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項をいう。以下同じ。）第２号に掲げる，特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当しない。また，補正事項２が，特許法第１７条の２第４項に掲げる他のいずれの事項を目的とするものにも該当しないことは明らかである。
　したがって，補正事項２を含む本件補正は，特許法第１７条の２第４項の規定に違反する。
　
４　むすび
　以上のとおり，補正事項２を含む本件補正は，特許法第１７条の２第４項の規定に違反するものである。したがって，本件補正の他の補正事項については検討するまでもなく，本件補正は，特許法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
１　本願発明
　平成２３年９月８日に提出された手続補正書による補正は上記のとおり却下されたので，本願の請求項１−２４に係る発明は，平成２３年３月２８日に提出された手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて，その特許請求の範囲の請求項１−２４に記載されている事項により特定されるとおりのものであるところ，その内，請求項１９に係る発明は，
「少なくとも一つの導電性層を有する表面を持つ基板上の集積回路であって，
　半導体層上に直接に配置された導電性層と，
　前記導電性層の少なくとも一部を露出させるために，貫通している少なくとも一つの開口を有する少なくとも一つの誘電体層と，
　少なくとも前記導電性層上に形成され，かつ，前記誘電体層と前記導電性層との間に，前記導電性層の露出された部分に接近して位置するカーバイド・シリコン層とを備える集積回路。」
　にあるものと認める。
　なお，請求項１９には「前記導電層」と記載されているが，これは「前記導電性層」の誤記と認められるので，本願の請求項１９に係る発明（以下「本願発明１９」という。）を上記のように認定した。
　
２　新規性・進歩性について
（１）引用例とその記載事項，及び，引用発明
　原査定の拒絶の理由に引用され，本願の優先権主張の日前に頒布された刊行物である下記の引用例１には，次の事項が記載されている。（なお，下線は，当合議体において付したものである。以下同じ。）
　
・引用例１：特開平７−４５６１４号公報
（１ａ）「【請求項１】　イオン注入によって下層配線材料層の表層部をアモルファス化した後，上記下層配線材料層上に反射防止膜を成膜し，該反射防止膜とこの上に形成された絶縁膜とを選択的にエッチングして接続孔を開口することを特徴とする半導体装置の製造方法。」（【特許請求の範囲】）
　
（１ｂ）「【従来の技術】
　
ＶＬＳＩ，ＵＬＳＩ等にみられるように半導体装置
　
（１ｃ）「なお，
本発明の半導体の製造方法において
反射防止膜として用いられるものとしては
ＳｉＣ膜
　
（１ｄ）「実施例１
　本実施例は，Ａｌ−１％Ｓｉ層の表層部をアモルファス化しておき，このＡｌ−１％Ｓｉ層上に成膜されるＴｉＮ膜の配向を抑制することによって，このＴｉＮ膜の除去を容易にするものである。
　図１を参照しながら，本実施例の工程を説明する。先ず，図１（ａ）に示されるように，
単結晶シリコン（１００）基板（図示せず。）上に形成された，（１１１）配向を有するＡｌ−１％Ｓｉ層１
　なお，注入するイオンの質量によっても異なるが，一般に結晶性材料層の表層部をアモルファス化するためには，１×１０15個／ｃｍ2 程度のドース量が必要である。
　次に，図１（ｂ）に示すように，上記表層部がアモルファス化した
Ａｌ−１％Ｓｉ層１上に，ＴｉＮ膜２を従来公知のＣＶＤ法により成膜
　さらに，図１（ｃ）に示すように，上記
ＴｉＮ膜２が成膜された上に，ＰＳＧよりなる層間絶縁膜３を形成
　そして，上述のようにしてレジスト・パターン４が形成されたウェハに対して，反応性イオン・エッチング（ＲＩＥ）を行った。このＲＩＥにはエッチング・ガスとしてフルオロカーボン系化合物を主体とするガスを用いた。
　この
ＲＩＥによって，レジスト・パターン４の開口部４ａを介して，層間絶縁膜３及びＴｉＮ膜２がエッチングされ，図１（ｄ）に示すように，ビアホール５が形成
　
（１ｅ）引用例１の第１図は，引用例１に記載された発明の半導体装置の製造方法の一例をその工程順に従って示す模式的断面図であって，上記摘記（１ａ）−（１ｄ）の記載を参酌すれば，同図（ｄ）から，Ａｌ−１％Ｓｉ層１の一部を露出させるために，貫通しているビアホール５をエッチングして開口した層間絶縁膜３とＴｉＮ膜２とを備えた半導体装置において，前記ＴｉＮ膜２が，前記Ａｌ−１％Ｓｉ層１上に形成され，かつ，前記層間絶縁膜３と前記Ａｌ−１％Ｓｉ層１との間に，前記Ａｌ−１％Ｓｉ層１の露出された部分に接近して位置することを読み取ることができる。
　
　したがって，引用例１の上記摘記（１ａ）−（１ｅ）を総合勘案すれば，引用例１には，以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「単結晶シリコン基板上に形成されたＡｌ−１％Ｓｉ層１と，
　前記Ａｌ−１％Ｓｉ層１上に成膜したＴｉＮ膜２と，
　前記ＴｉＮ膜２上に形成したＰＳＧよりなる層間絶縁膜３と，
　エッチング・ガスとしてフルオロカーボン系化合物を主体とするガスを用いた反応性イオン・エッチング（ＲＩＥ）によって，レジスト・パターン４の開口部４ａを介して，層間絶縁膜３及びＴｉＮ膜２をエッチングして形成したビアホール５とを備えた半導体装置であって，
　前記ＴｉＮ膜２が，前記Ａｌ−１％Ｓｉ層１上に形成され，かつ，前記層間絶縁膜３と前記Ａｌ−１％Ｓｉ層１との間に，前記Ａｌ−１％Ｓｉ層１の露出された部分に接近して位置するものである半導体装置。」
　
（２）対比
ア　引用発明の「Ａｌ−１％Ｓｉ層１」，「単結晶シリコン基板」は，それぞれ，本願発明１９の「少なくとも一つの導電性層」，「基板」に相当する。また，引用例１の上記摘記（１ｂ）の「ＶＬＳＩ，ＵＬＳＩ等にみられるように半導体装置」との記載に照らして，引用発明の「半導体装置」が，「ＬＳＩ」，すなわち「集積回路」を含んでいることは明らかである。したがって，引用発明の『「単結晶シリコン基板上に形成されたＡｌ−１％Ｓｉ層１と」「を備えた半導体装置」』は，本願発明１９の「少なくとも一つの導電性層を有する表面を持つ基板上の集積回路」に相当する。
　
イ　引用発明と，本願発明１９とは，いずれも「配置された導電性層」を有する点で一致する。
　
ウ　引用発明の「層間絶縁膜３」，「ビアホール５」は，それぞれ本願発明１９の「少なくとも一つの誘電体層」，「導電性層の少なくとも一部を露出させるために，貫通している少なくとも一つの開口」に相当する。
　
エ　引用発明の「ＴｉＮ膜２」は，「Ａｌ−１％Ｓｉ層１上に形成され，かつ，前記層間絶縁膜３と前記Ａｌ−１％Ｓｉ層１との間に，前記Ａｌ−１％Ｓｉ層１の露出された部分に接近して位置する」ものであるから，引用発明と本願発明１９とは，いずれも「少なくとも前記導電性層上に形成され，かつ，前記誘電体層と前記導電性層との間に，前記導電性層の露出された部分に接近して位置する層」を備える点で一致する。
　
　そうすると，本願発明１９と引用発明との一致点と相違点は，次のとおりである。
　
＜一致点＞
「少なくとも一つの導電性層を有する表面を持つ基板上の集積回路であって，
　配置された導電性層と，
　前記導電性層の少なくとも一部を露出させるために，貫通している少なくとも一つの開口を有する少なくとも一つの誘電体層と，
　少なくとも前記導電性層上に形成され，かつ，前記誘電体層と前記導電性層との間に，前記導電性層の露出された部分に接近して位置する層とを備える集積回路。」
　
＜相違点＞
・相違点１：本願発明１９の導電性層が，「半導体層上に直接に」配置されているのに対して，引用発明では，「単結晶シリコン基板上に形成」されている点。
　
・相違点２：「少なくとも前記導電性層上に形成され，かつ，前記誘電体層と前記導電性層との間に，前記導電性層の露出された部分に接近して位置する」層が，本願発明１９では「カーバイド・シリコン層」であるのに対して，引用発明では「ＴｉＮ膜」である点。
　
（３）相違点についての判断
・相違点１について
　「単結晶シリコン」は，半導体といえるから，引用発明の「単結晶シリコン基板」は，本願発明１９の「半導体層」に相当する。そして，引用例の上記摘記（１ｄ）の「先ず，図１（ａ）に示されるように，単結晶シリコン（１００）基板（図示せず。）上に形成された，（１１１）配向を有するＡｌ−１％Ｓｉ層１」との記載に照らして，Ａｌ−１％Ｓｉ層１は，単結晶シリコン基板上に直接に配置されているものと認められる。そうすると，引用発明と本願発明１９は，いずれも「半導体層上に直接に配置された導電性層」を備える点で一致するといえるから，上記相違点１は実質的なものではない。
　
　仮に，上記相違点１が実質的なものであったとしても，配線材料層が「半導体層上に直接に配置」されることは，前記配線材料層が，当該「半導体層」との電気的な接続を確保するために必要なことであり，下記の周知例１−３にも記載されているように周知の構造であるから，引用発明の「Ａｌ−１％Ｓｉ層１」を，「半導体層上に直接に配置された」ものとすることは，当業者が適宜なし得た設計事項であり，この点に進歩性は認められない。
　
・周知例１：特開平６−１４０３８４号公報
（周１ａ）「ｂ．多層配線構造を有する半導体装置の製造
　本発明の半導体装置の製造は以下の様に行った。図１に示すように，まずコレクタ領域Ｃ，ベース領域Ｂおよびエミッタ領域Ｅからなる半導体素子が形成されている半導体基板（１）の表面に，ＣＶＤ法（化学気相成長法）により，例えば二酸化シリコン膜（２）を形成させた。次いで電極引出し部分となる所定部分を，通常のホトリソグラフィープロセスによりエッチンング除去し，二酸化シリコン膜にビアホール（窓）（３）を設け，前記エミッタ領域およびベース領域の一部を露出させた。さらに前記ビアホール上にアルミニウム配線層をスパッタリング法により形成させ，ホトリソグラフィープロセスを行い，下層配線層（４）を形成させた。この配線層は１μｍの厚さと０．５〜５μｍの幅を有するものであった。」（【００１５】）
　
（周１ｂ）図１は，周知例１に記載された下層配線層を有する半導体装置の断面図であって，上記摘記（周１ａ）の記載を参酌すれば，同図から，半導体層であるということができるエミッタ領域Ｅおよびベース領域Ｂ上に直接に配置された下層配線層（４）を備えた半導体装置の構造を読み取ることができる。
　
・周知例２：特開昭６３−１２０４４０号公報
（周２ａ）「第１図は，本発明の一実施例によるバイポーラＬＳＩの断面図である。
　第１図に示すように，本実施例によるバイポーラＬＳＩにおいては，例えばｐ型シリコン基板のような半導体基板１の表面に例えばｎ＋型の埋め込み層２が設けられ，この半導体基板１上に例えばｎ型シリコンのエピタキシャル層３が設けられている。このエピタキシャル層３の所定部分には例えばＳｉＯ２膜のようなフィールド絶縁膜４が設けられ，これにより素子間分離及び素子内の分離が行われている。このフィールド絶縁膜４の下方には，例えばｐ＋型のチャネルストッパ領域５が設けられている。このフィールド絶縁膜４で囲まれたエピタキシャル層３中には，例えばｐ型のベース領域６が設けられ，このベース領域６中に例えばｎ＋型のエミッタ領域７が設けられている。なお，前記ベース領域６の下方におけるエピタキシャル層３によりコレクタ領域が構成されている。また，符号８は，埋め込み層２と接続されている例えばｎ＋型のコレクタ取り出し領域である。さらに，符号９は，フィールド絶縁膜４に連なってエビタキシャル層３の表面に設けられた例えばＳｉＯ２膜のような絶縁膜であって，この絶縁膜９には，前記ベース領域６，前記エミッタ領域７及び前記コレクタ取り出し領域８に対応してそれぞれ開口９ａ〜９ｃが設けられている。
　符号１０１〜１０４は，例えばＡｌ膜から成る一層目の配線であり，このうち配線１０１は前記開口９ａを通じてベース領域６に，配線１０２は開口９ｂを通じてエミッタ領域７に，配線１０３は開口９ｃを通じてコレクタ取り出し領域８にそれぞれ接続されている。」（第２頁右上欄第２０行−同頁右下欄１１行）
　
（周２ｂ）第１図は，周知例２に記載された発明の一実施例によるバイポーラＬＳＩの断面図であって，上記摘記（周２ａ）の記載を参酌すれば，同図から，半導体層であるということができるベース領域６，エミッタ領域７，及び，ｎ＋型のコレクタ取り出し領域８上に直接に配置されたＡｌ膜から成る一層目の配線１０１〜１０３を備えたバイポーラＬＳＩの構造を読み取ることができる。
　
・周知例３：特開昭５６−１２６９４４号公報
（周３ａ）「ＬＳＩ，超ＬＳＩ等の半導体素子表面に多層配線を形成するに際し，半導体基板表面に下層の配線体を選択的に形成した後，該配線体間に所謂リフトオフ法により該配線と略等厚の絶縁層を形成して半導体基板表面を平坦とし，その上に上層の配線体を形成する方法が開発されている。
　第１図はその方法を説明するための要部断面図であって，ＰＮ接合（あるいはショットキーバリア接触等）が形成された半導体基板（又は層）１表面に該ＰＮ接合の一方の領域の一部を表出して二酸化シリコン（ＳｉＯ２）等からなる絶縁膜２が形成された状態において，先ず同図（ａ）に示すように半導体基板上にアルミニューム（Ａｌ）層３を被着し，その上にホトレジスト膜４を選択的に形成する。次いで該ホトレジスト膜４をマスクとして前記アルミニューム層３を選択的に除去して同図（ｂ）に示すようにアルミニウムよりなる配線体３’を形成する。」（第１頁左下欄第１７行−同頁右下欄第１３行）
　
（周３ｂ）第１図は，周知例３に記載された平坦な表面を有する配線体層の従来の製造方法を示す要部断面図であって，上記摘記（周３ａ）の記載を参酌すれば，同図（ｄ）から，半導体層であるということができるＰＮ接合の一方の領域の一部上に直接に配置されたアルミニウムよりなる配線体３’を備えた半導体装置の構造を読み取ることができる。
　
・相違点２について
　引用例１の上記摘記（１ｃ）の「なお，本発明の半導体の製造方法において，反射防止膜として用いられるものとしては，ＴｉＮ膜，ＴｉＯＮ膜，ＳｉＯＮ膜，ＳｉＣ膜，多結晶シリコン膜等が挙げられる。」との記載に照らして，引用例１には，反射防止膜として，ＴｉＮ膜を用いるほかに，ＳｉＣ膜を用いることが示されている。すなわち，引用例１には，引用発明のＴｉＮ膜に替えて，ＳｉＣ膜を用いた発明が開示されているものと認められるから，上記相違点２は実質的なものではない。
　
　仮に，上記相違点２が実質的なものであったとしても，引用例１の上記摘記（１ｃ）の前記記載に基づいて，引用発明のＴｉＮ膜を，ＳｉＣ膜に変更して，上記相違点２について本願発明１９の構成とすることは容易である。また，このような構成としたことによる効果も，格別のものとは認められない。
　
　なお，出願人は，平成２３年３月２８日に提出した意見書において，
「６．拒絶理由通知書の理由３と理由４について
（１）本願発明
　本願発明の方法は，新請求項１に記載するように，「前記基板から酸化シリコン層を除去するステップは，基板への，ＨＦベースの湿潤エッチング，ＢＨＦベースの湿潤エッチングおよび，ＨＦ／ＢＨＦベースの湿潤エッチングからなる群の中の一つを適用することにより実行される」という特徴Ａを有します。
　又，本願発明の方法は，新請求項１２に記載されるように，「少なくとも前記導電性層上にカーバイド・シリコン層を形成し，
　前記カーバイド・シリコン層上に少なくとも一つの誘電体層を配置し，
　前記導電性層上に形成された前記カーバイド・シリコン層の一部を露出させるために，前記誘電体層内にこの誘電体を貫通する少なくとも一つの開口を形成し，
　前記開口内の前記カーバイド・シリコン層の一部を酸素含有プラズマに曝すことにより，前記開口内の前記カーバイド・シリコン層の前記露出された一部を酸化シリコン層に変換し，
　前記開口内の前記酸化シリコン層を除去するステップを含む」という特徴Ｂを有します。本願発明では，上記特徴Ｂにおいて，明細書段落５７と図４に示すように，カーバイド・シリコン層４５が，エッチング停止層又はバリア層として機能するので，誘電体層４４を，カーバイド・シリコン層４５に向けて選択的にエッチングできます。
（２）引例
　これに対し，引例１と引例２は，以下に説明するように，夫々，本願発明の上記特徴ＡとＢを全く開示しません。
ａ）引例１
　引例１のＳｉＯ２膜の除去は，本願発明の現請求項１２における乾式エッチングに相当するとの審査官殿の御認定に基づき，引例１は，現請求項１２から乾式エッチングを削除して，湿潤エッチングのみに限定した本願発明の上記特徴Ａを全く開示しないものと思考します。
ｂ）引例２
　引例２の明細書段落２１乃至２８と図１に示すように，ＴｉＮ膜２（本願発明のカーバイド・シリコン層４５に相当）は，本願発明と異なり，エッチング停止層又はバリア層として機能しないので，層間絶縁膜３（本願発明の誘電体層４４に相当）とＴｉＮ膜２は一緒に１ステップで除去されます（段落２８参照）。よって，引例２は，本願発明の上記特徴Ｂを全く開示しないものと思考します。」
　として，本願の新規性・進歩性を主張する。
　しかしながら，「前記基板から酸化シリコン層を除去するステップは，基板への，ＨＦベースの湿潤エッチング，ＢＨＦベースの湿潤エッチングおよび，ＨＦ／ＢＨＦベースの湿潤エッチングからなる群の中の一つを適用することにより実行される」という特徴Ａ，及び，「少なくとも前記導電性層上にカーバイド・シリコン層を形成し，前記カーバイド・シリコン層上に少なくとも一つの誘電体層を配置し，前記導電性層上に形成された前記カーバイド・シリコン層の一部を露出させるために，前記誘電体層内にこの誘電体を貫通する少なくとも一つの開口を形成し，前記開口内の前記カーバイド・シリコン層の一部を酸素含有プラズマに曝すことにより，前記開口内の前記カーバイド・シリコン層の前記露出された一部を酸化シリコン層に変換し，前記開口内の前記酸化シリコン層を除去するステップを含む」という特徴Ｂは，いずれも請求項１９に係る発明が備える特徴であるとは認められないから，出願人の前記主張は請求項の記載に基づかない主張であって，採用することはできない。
　
（４）まとめ
　以上のとおり，本願発明１９は，引用例１に記載された発明である。また，仮に引用例１に記載された発明であると認めることができないとしても，本願発明１９は，上記引用例１に記載された発明と周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
３　サポート要件について
（１）原査定の理由
　原査定の拒絶の理由の概要は，次のとおりである。
「【２】この出願は，特許請求の範囲の記載が下記の点で，特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない。
　　　　　　　　　　　　　　　　　記
　発明の詳細な説明には，６００℃またはそれ以下の温度でないと熱処理が行えない，相互接続構造および予め金属化した誘電体(ＰＭＤ)構造において，ＳｉＣ層を除去するという解決すべき課題が記載されている（段落【０００６】参照）。
　そして，チャンバー内の温度が６００℃以下の当該チャンバー内で，カーバイドシリコン層を酸素含有プラズマに曝すことにより，前記カーバイドシリコン層を酸化シリコン層に変換し，前記酸化シリコン層を除去する半導体装置の製造方法が記載されていることから（段落【００１１】〜【００１９】参照），該手段をもって，上記課題を解決していると認められる。
　請求項１−４及び１２−１９と，発明の詳細な説明の記載を対比すると，請求項１−４及び１２−１９に係る発明には，チャンバー内の温度が６００℃より高い温度の当該チャンバー内で，カーバイドシリコン層を酸素含有プラズマに曝すような，上記課題を解決しているとはいえない態様も含まれると解される。
　さらに，請求項２０−２５と，発明の詳細な説明の記載を対比すると，請求項２０−２５に係る発明には，カーバイドシリコン層を酸素含有プラズマに曝さずに，熱酸化処理によって，カーバイドシリコン層を除去するような，上記課題を解決しているとはいえない態様も含まれると解される。
　したがって，請求項１−４及び１２−２５には，発明の詳細な説明に記載された，発明の課題を解決するための手段が反映されておらず，請求項１−４及び１２−２５に係る発明は，発明の詳細な説明に記載した範囲を超えることとなる。
　よって，請求項１−４及び１２−２５に係る発明は，発明の詳細な説明に記載したものではない。」
　
（２）当審の判断
ア　本願の明細書には以下の記載がある。
（本ａ）「EP-A-0845803の文献は，結晶性ＳｉＣフイルムの保護表面の除去を開示している。最初にトップ層に欠陥が導入され，その後，典型的に１１００℃にて熱酸化処理により，典型的な
そのトップ層は酸化シリコン層に変換される。アクティブなデバイスは既に限定されており，それゆえ，限られた熱処理，つまり６００℃またはそれ以下のみが適用されるので，この処理は相互接続構造および予め金属化した誘電体(ＰＭＤ)構造での使用に適さない。更には，相互接続構造におけるほとんどの金属特性は典型的におよそ４００℃を超える温度に対応しないが，テＰＭＤ構造におけるシリカ層もまた６５０℃を超える温度に対応しない。」（【０００６】）
　
（本ｂ）「この発明の態様では，基板に形成されたカーバイドシリコン層の少なくとも露出された部分を除去するための方法が開示され，
　前記カーバイドシリコン層を酸素含有プラズマに曝すことにより，前記カーバイドシリコン層の前記少なくとも露出された部分を酸化シリコン層に変換し，
　前記基板から前記酸化シリコン層を除去するステップからなる。
　前記露出された部分は，それに限定されないが，開口内の露出された部分または少なくとも層の露出された部分である。
　この方法は，元の位置へ適用できる。その基板は，それに限定されないが，部分的に処理されるか，元のウエハーまたは，ＳｉまたはＧａ，Ａｓ，またはＧｅのような半導体材料のスライスまたは，ガラスのスライスのような絶縁材料または導電性材料である。前記基板は，パターン化された導電層を含むことができる。特に，前記基板が部分的に処理されたウエハーまたはスライスの場合，少なくとも，アクティブおよび／又はパッシィブのデバイは，既に形成されており，および／又は，少なくともこれらのデバイスを相互接続する構造が形成される。
　この開示の目的のために，反応性イオンエッチング(ＲＩＥ)プラズマまたは化学蒸着(ＣＶＤ)プラズマまたはプラズマの残光のような通常のプラズマとしてプラズマが理解される。前記カーバイド・シリコン層を酸素含有プラズマへ曝すことにより，種を含む酸素にエネルギーが与えられ，その結果，カーバイド・シリコンは少なくとも部分的に酸化シリコンに変換される。このエネルギーは，例えば熱エネルギーまたは例えばイオンのフォーマット化による運動エネルギーである。
　この発明の１実施例では，この発明の第１の実施態様で述べたような方法が開示されており，前記変換ステップおよび前記除去ステップは，前記カーバイド・シリコン層が実質的に除去されるまで実質的に数回繰返される。
　この発明の実施例では，カーバイド・シリコン層から酸化シリコン層への変換は，カーバイド・シリコン層を酸素含有反応性イオンエッチング(ＲＩＥ)プラズマに曝すことにより実行され得る。特に，カーバイド・シリコン層を含む基板は，プラズマエッチングツールの与圧されたチャンバー内に導入される。その圧力は，３Torr以下で，好ましくは１mTorrと１Torr間である。前記チャンバー内の温度は，３００℃またはそれ以下，または好ましくは１００℃以下である。この温度は，−２０℃から１００℃の範囲内である。好ましくは，前記温度は，およそ室温である。ＲＩＥのプラズマのエネルギーは，イオンの種が形成されるように，１eVから500eVの範囲である。
　別の実施例では，カーバイド・シリコン層の一部から酸化シリコン層への変換は，そのカーバイド・シリコン層を酸素含有ＣＶＤプラズマへ曝すことにより実行できる。カーバイド・シリコン層を含む基板は，化学的蒸着ツールの与圧チャンバー内に導入される。その気圧は，それに限定されないが，５Torrより大きく，例えば１０Torrである。その温度は，２５０℃から５５０℃の範囲内であり，好ましくは３５０℃から５００℃の範囲内である。
　この発明の更に別の発明では，カーバイド・シリコン層の一部から酸化シリコン層への変換は，そのカーバイド・シリコン層を酸素含有プラズマの残光へ曝すことにより実行できる。特に，カーバイド・シリコン層を含む基板は，プラズマエッチングツールの与圧されたチャンバー内に導入される。前記プラズマの残光は，それに限定されないが，０．０２Torrから３Torr間であり，好ましくは０．７５Torrと１．２５Torr間であり，例えば，０．８５Torrまたは１．１Torrである。物質を含む酸素の流れは，１０００Sccm以下であり，好ましくはこれに限定されないが，およそ４０００Sccmである。
　前記チャンバー内の温度は好ましくは６００℃またはそれ以下である。この温度は，１００から６００℃の範囲内であり，また，２００から４００℃の範囲内であり，又，２００から３００℃の範囲内である。この温度は好ましくは，これに限定されないが，およそ２３０℃である。」（【００１１】−【００１９】）
　
イ　特許法第３６条第６項第１号は，請求項に係る発明が，発明の詳細な説明に記載した範囲を超えるものであってはならないことを規定するものであって，発明の詳細な説明に記載していない発明について特許請求の範囲に記載することになれば，公開していない発明について権利を請求することになるため，同号の規定は，これを防止するためのものと解される。そして，特許請求の範囲の記載が第３６条第６項第１号に適合するかの判断は，請求項に係る発明と，発明の詳細な説明に発明として記載したものとを対比・検討することにより行うべきといえる。
　
ウ　そこで，本願の発明の詳細な説明の記載を検討すると，上記摘記（本ａ）−（本ｂ）の記載に照らして，本願の発明の詳細な説明から把握できる発明の課題は，最初にトップ層に欠陥が導入され，その後，典型的には１１００℃の熱酸化処理により，前記トップ層を酸化シリコン層に変換し，その後，前記酸化シリコン層を除去することで，ＳｉＣフィルムの表面を除去する方法が文献において知られているが，アクティブなデバイスが既に形成されている場合には，熱処理温度が６００℃またはそれ以下のみが適用されるように限られるので，１１００℃の熱酸化処理を含む前記のようなＳｉＣの除去方法は，相互接続構造および予め金属化した誘電体(ＰＭＤ)構造での使用に適さないことであると認められる。
　
エ　そして，発明の詳細な説明の記載からは，前記課題を解決する手段として，「チャンバー内の温度は好ましくは６００℃またはそれ以下」で，「カーバイドシリコン層を酸素含有プラズマに曝すことにより，前記カーバイドシリコン層の前記少なくとも露出された部分を酸化シリコン層に変換」することを含むもののみが把握できる。
　
オ　一方，請求項１９には，「カーバイド・シリコン層」については，「少なくとも前記導電性層上に形成され，かつ，前記誘電体層と前記導電性層との間に，前記導電性層の露出された部分に接近して位置するカーバイド・シリコン層」としか規定されていない。
　そうすると，請求項１９は，前記カーバイド・シリコン層を，本願明細書において従来から知られていた技術として開示されている，前記１１００℃の熱酸化処理を含む方法で「少なくとも前記導電性層上に形成され，かつ，前記誘電体層と前記導電性層との間に，前記導電性層の露出された部分に接近して位置する」ように形成したものをも含むように特許を請求しようとするものと認められる。
　また，あるいは，請求項１９は，カーバイド・シリコン層を，例えば，成膜段階において，「少なくとも前記導電性層上に形成され，かつ，前記誘電体層と前記導電性層との間に，前記導電性層の露出された部分に接近して位置する」ように
選択的に
　しかしながら，出願時の技術常識を考慮しても，カーバイド・シリコン層が，１１００℃の熱酸化処理を含む方法で除去された場合，あるいは，カーバイド・シリコン層が
選択的に
　すなわち，請求項１９には，発明の詳細な説明に記載された，発明の課題を解決するための手段が反映されていないため，本願は，発明の詳細な説明に記載した範囲を超えて特許を請求するものである。
　
（３）まとめ
　以上のとおり，請求項１９に係る発明は，発明の詳細な説明に記載したものではない。
　
第４　むすび 
　以上のとおり，本願の請求項１９に係る発明は，引用例１に記載された発明であるから，特許法第２９条第１項第３号に該当し，特許を受けることができない。仮に，本願の請求項１９に係る発明が，引用例１に記載された発明であると認めることができないとしても，本願の請求項１９に係る発明は，引用例１に記載された発明と周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　また，本願の請求項１９に係る発明は，発明の詳細な説明に記載したものではないから，本願は，特許請求の範囲の記載が，特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない。
　したがって，本願の他の請求項に係る発明については検討するまでもなく，本願は拒絶をすべきものである。
　
　よって，結論のとおり審決する。