【事件の表示】
　特願２００５−　８６７８７「音波センサ」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年　８月２４日出願公開、特開２００６−２２０６３６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１７年３月２４日にした特許出願であり、先の特許出願である特願２００４−２１９３３０号、特願２００４−２１９３３１号、特願２００５−５６３９号、特願２００５−５６４０号に基づく優先権主張を伴い、優先日は、それぞれ、平成１６年７月２７日、同左、平成１７年１月１２日、同左である。
　本願については、原審において、平成２２年３月８日付けで、明細書、特許請求の範囲及び図面についての補正がなされ（以下、「補正１」という。）、平成２３年２月１７日付け（送達：同年同月２２日）で拒絶査定がなされ、これに対し、同年５月２３日に拒絶査定不服審判が請求されると同時に、明細書及び特許請求の範囲についての補正（以下、「本件補正」という。）がなされた。
　　
２．補正却下の決定
［結論］
　本件補正を却下する。
［理由］
（１）補正の内容
　本件補正は、特許請求の範囲の請求項１を、次のとおりに補正するものである。
（本件補正前）
「音波を送波可能な送波素子および送波素子を駆動する駆動回路を有する送波装置と、
　送波素子から送波され物体で反射された音波を受波するとともに受波した音波を電気信号である受波信号に変換する受波素子を有する受波装置とを備え、　物体までの距離と物体の存在する方位とを検出する音波センサであって、
　受波装置が受波素子を複数個備えるとともに各受波素子が一平面上に、送波素子から送波する音波の波長の０．５倍程度の所定ピッチで配列され、各受波素子で音波を受波した時間の時間差と各受波素子の配置位置とに基づいて受波装置に対する音波の到来方向を求める方位検出手段を備え、
　送波素子は、空気に熱衝撃を与えることにより音波を発生させる音波発生素子からなり、共振特性のＱ値が１程度であり、
　受波素子は、音波の音圧を静電容量の変化に変換する静電容量型のマイクロホンからなることを特徴とする音波センサ。」
（本件補正後）
「音波を送波可能な送波素子および送波素子を駆動する駆動回路を有する送波装置と、
　送波素子から送波され物体で反射された音波を受波するとともに受波した音波を電気信号である受波信号に変換する受波素子を有する受波装置とを備え、　物体までの距離と物体の存在する方位とを検出する音波センサであって、
　受波装置が受波素子を複数個備えるとともに各受波素子が一平面上に、送波素子から送波する音波の波長の０．５倍程度の所定ピッチで配列され、各受波素子で音波を受波した時間の時間差と各受波素子の配置位置とに基づいて受波装置に対する音波の到来方向を求める方位検出手段を備え、
　送波素子は、空気に熱衝撃を与えることにより音波を発生させる音波発生素子からなり、共振特性のＱ値が１程度であり、
　受波素子は、音波の音圧を静電容量の変化に変換する静電容量型のマイクロホンからな
り、共振特性のＱ値が３〜４程度であ
　
　この補正は、請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項である「受波素子」について、「共振特性のＱ値が３〜４程度であ」るとの限定を付加するものであって、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本件補正後の請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるかについて、以下に検討する。
　
（２）引用例に記載の事項・発明
ア　引用例１
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の最先の優先日前に頒布された刊行物である特開２００４−１８０２６２号公報（発明の名称：３次元センサ、出願人：松下電工株式会社、公開日：平成１６年６月２４日、以下「引用例１」という。）には、次の事項が図面とともに記載されている。
（ア）記載事項
（ａ）「【特許請求の範囲】
【請求項１】発熱部の温度変化を媒質の膨張収縮に変換することにより媒質を伝播する粗密波を生成する送波装置と、送波装置から送波され物体で反射された粗密波を受波するとともに受波した粗密波を電気信号である受波信号に変換する受波エレメントを複数個配列した受波装置と、媒質の単発的な圧力変化による粗密波が生じるように送波装置を駆動する送波制御部と、各受波エレメントからの受波信号の遅延時間を調整した後に合成することにより受波エレメントの位置と遅延時間とで決まる受波装置の指向性を制御する指向性制御部と、指向性制御部により設定された受波装置のメインビームの方向において送波装置が粗密波を送波してから受波装置が受波するまでの時間によって物体までの距離を求める３次元位置検出部とを備えることを特徴とする３次元センサ。」
（ｂ）「【００２８】
【発明の実施の形態】
本実施形態に示す３次元センサは、図１に示すように、媒質の単発的な圧力変化による粗密波を送波する送波装置１０と、粗密波が物体Ｏｂで反射された反射波を受波する受波装置２０とを備え、送波装置１０により粗密波を送波してから受波装置２０が反射波を受波するまでの時間により物体Ｏｂまでの距離を求めることができる。また、受波装置２０は指向性を制御可能であって、受波装置２０のメインビームの方向が物体Ｏｂを検知する方向になる。つまり、受波装置２０のメインビームの方向において物体Ｏｂまでの距離を求めることにより、物体Ｏｂの３次元位置を知ることが可能になっている。
【００２９】
送波装置１０は、図２に示すように、基本的には特許文献２に記載された圧力波発生装置と同様の構成を有するものであって、単結晶シリコンからなる基板１０ａに、多孔質シリコン（ナノ結晶シリコン）からなる熱絶縁層１０ｂを介して薄膜の発熱部１０ｃを積層した構成を有する。この構造の送波装置１０は半導体製造プロセスにより形成される。発熱部１０ｃは熱絶縁層１０ｂの表面に沿って形成され、本実施形態では４本の直線部分を並設するとともに隣り合う直線部分の端部同士を連結して形成した１本の電路によって発熱部１０ｃが形成されている。発熱部１０ｃの両端間に通電して発熱部１０ｃに温度変化を生じさせると、発熱部１０ｃに接触する媒質（空気）に温度変化が生じる。発熱部１０ｃに接触している媒質は、発熱部１０ｃの温度上昇時には膨張し発熱部１０ｃの温度下降時には収縮するから、発熱部１０ｃの通電を適宜に制御することによって媒質を膨張収縮させることができ媒質を伝播する粗密波を生成することになる。
【００３０】
基板１０ａにおける単位体積当たりの熱容量と熱伝導率との積は熱絶縁層１０ｂにおける単位体積当たりの熱容量と熱伝導率との積よりも大きくしてある。基板１０ａおよび熱絶縁層１０ｂのそれぞれについて求められる積の比は１００以上（好ましくは４００以上）になるように材料が選択される。たとえば、基板１０ａの材料である単結晶シリコンは単位体積当たりの熱容量が１．６７、熱伝導率が１６８であり、熱絶縁層１０ｂの材料である多孔質シリコンは単位体積当たりの熱容量が０．７、熱伝導率が１であって、上述した熱容量と熱伝導率との積の比は０．７／２８０．６≒１／４０９になる。このような設定によって、基板１０ａは熱絶縁層１０ｂからの熱を効率よく受け取って熱絶縁層１０ｂの熱を逃がすことができ、熱絶縁層１０ｂの存在によって送波装置１０の発熱部１０ｃの温度変化を媒質に効率よく伝達しながらも、発熱部１０ｃからの熱が熱絶縁層１０ｂに蓄積されるのを防止することができる。また、基板１０ａは熱絶縁層１０ｂからの放熱を促す機能を持っている。
【００３１】
発熱部１０ｃの通電制御は図１に示す送波制御部１１が行う。送波制御部１１は、発熱部１０ｃに対して図３（ａ）に示すようなベル形の波形の電圧を間欠的に印加することができるように、電圧印加のタイミングを決定するタイミング制御部１１ａと、タイミング制御部１１ａにより指示された送波タイミングで上述した波形の信号を生成する信号源１１ｂと、信号源１１ｂで生成した信号を電圧増幅する増幅器１１ｃとを備える。また、発熱部１０ｃに対する１回の通電時間は１〜１００ｎｓの範囲で設定されている。したがって、発熱部１０ｃに接触している媒質には、発熱部１０ｃの通電時間に相当する圧力変化が生じ、この圧力変化が粗密波として媒質中を伝播されるのである。上述のように、発熱部１０ｃに印加される電圧の波形がベル形（正弦波形の下限値から下限値までの１サイクルに相当する波形）であるから、発熱部１０ｃに接触している媒質には単発的な圧力変化が生じ、この圧力変化により生じる粗密波が媒質を伝播される。このような粗密波は、連続した波ではなく媒質中を孤立波として伝播するから、エネルギがあまり分散せず遠方まで伝播することになる。【００３２】
発熱部１０ｃに印加する電圧は上述のようなベル形の波形以外に、図４に示すような矩形波パルスとしてもよい。矩形波パルスはオン期間ａがオフ期間ｂよりも短くなるように設定する。望ましくはオン期間ａのオフ期間ｂに対する割合（ａ／ｂ）を１０％以下にする。ここで、印加電圧を変えずにａ／ｂのみを大きくした場合と比較すれば、粗密波の圧力（印加電圧に依存する）は変えずに発熱部１０ｃで消費される平均電力を小さくすることができる。」
（ｃ）「【００３５】
受波装置２０は、図６に示すように、複数個の受波エレメント２１を一平面上に２次元的に配列したものであって、受波エレメント２１は、たとえばマトリクス状（図６はマトリクス状の例を示している）、千鳥格子状、同心円状などに配列される。図７（ａ）は１つの円周上に受波エレメント２１を配列した例を示し、図７（ｂ）は中心を共通に持ち異なる直径を有した２個の円周上に受波エレメント２１を配列した例を示している。図７（ｂ）は２個の円周であるが３個以上の円周上に受波エレメント２１を配列することも可能である。このように円周上に受波エレメント２１を配列すると、中心部分には受波エレメント２１を配列しないから、後述する指向性の制御を同程度に行うとすれば、マトリクス状に配列する場合に比較して受波エレメント２１の個数を削減することができる。また、２個の円周上に受波エレメント２１を配列すれば、１つの円周上に受波エレメント２１を配列している場合よりも受波エレメント２１の個数が多くなり指向性を鋭くすることができる。その結果、サイドローブを低減することが可能である。ここに、受波装置２０の指向性を高めるには、受波エレメント２１の配列ピッチが粗密波の波長の２分の１を越えないようにすることも有効である。つまり、一般に複数個の受波エレメント２１を配列して受波装置２０の指向性を鋭くするには、受波エレメント２１の配列ピッチを扱う波長に比べて小さくする必要があり、配列ピッチの限界値は扱う波長の２分の１になることが知られているから、受波エレメント２１の配列ピッチが粗密波の波長の２分の１を越えないように設定しているのである。
【００３６】
ところで、本実施形態では、図８に示すように、受波装置２０を送波装置１０と同じ基板１０ａの上に形成してあり、受波装置２０にも送波装置１０と同様に半導体製造プロセスによって製造可能なものを用いている。つまり、受波エレメント２１は、粗密波を受波して変位する受圧部と、受圧部の変位を電気量に変換するピエゾ素子とを備える構造を有している。この種の受波エレメント２１としては、図９に示すように、基板１０ａの一部に形成した窓孔２１ａを覆うダイアフラム型の状の受圧部２１ｂを設け、受圧部２１ｂにピエゾ素子２１ｃを積層した形のもの、あるいは図１０に示すように、基板１０ａの一部に形成した窓孔２１ａの一辺において基板１０ａに連続するカンチレバー型の受圧部２１ｂを設け、窓孔２１ａの周部と受圧部２１ｂとを連結している部位に拡散抵抗からなるピエゾ素子（ピエゾ抵抗素子）２１ｃを形成したものなどが知られている。ダイアフラム型の受圧部２１ｂを備える受波エレメント２１に用いるピエゾ素子２１ｃとしては、ＰＺＴ、ＺｎＯなどの材料が用いられる。
【００３７】
上述のように送波装置１０と受波装置２０との基板１０ａを共用し、しかも両者を半導体製造プロセスにより製造可能としているから、送波装置１０と受波装置２０とを一括して製造することができ製造工程が容易になるのであって、大量生産に適した構成になる。また、基板１０ａには単結晶シリコンを用いているから、他の部品を集積回路として基板１０ａに形成することが可能であり、後述する回路部を送波装置１０および受波装置２０とともに基板１０ａ上に形成することで小型化が可能になる。なお、上述した構成の送波装置１０は機械的振動がほとんど発生しないから、受波装置２０とともに１枚の基板１０ａに形成しても送波装置１０の駆動に伴う受波装置２０への影響が比較的少なく、このことによって送波装置１０と受波装置２０とを１枚の基板１０ａに設けることが可能になっている。」
（ｄ）「【００３８】
受波装置２０を構成する各受波エレメント２１は媒質の圧力変化を受けると電気信号である受波信号を出力する。各受波エレメント２１に対応する受波信号は、指向性制御部２２に入力され、指向性制御部２２に設けた増幅器２２ａでそれぞれ増幅された後に、遅延時間が可変である複数個の遅延回路２２ｂにそれぞれ入力されて適宜に遅延され、さらに遅延後の受波信号が合成器２２ｃにより合成される。各遅延回路２２ｂの遅延時間を適宜に設定することによって受波エレメント２１の位置との関係で受波装置２０のメインビームの方向を制御することができる。この種の技術は、アンテナ分野においてフェイズドアレイとして知られている。いま、受波装置２０で平面波を受波するとすれば、各遅延回路２２ｂの遅延時間が等しいときには、メインビームの方向は受波エレメント２１を配列した平面の法線方向になる。また、図１１に示すように、受波エレメント２１を配列した平面の法線方向Ｎに対して角度φで傾斜する方向をメインビームの方向に設定するには、受波エレメント２１を配列した平面に対して角度φで傾斜した平面波の１つの波面Ｗｓが各受波エレメント２１に到達するときの時間差を考慮し、平面波の１つの波面Ｗｓに対応する受波信号が各遅延回路２２ｂから出力されるタイミングを一致させるように、各受波エレメント２１に対応する遅延回路２２ｂの遅延時間を設定する。合成器２２ｃは各遅延回路２２ｂの出力を加算する加算器であって、遅延回路２２ｂから受波信号が出力されるタイミングが一致しているときに合成器２２ｃの出力振幅が最大になる。このように遅延時間２２ｂから受波信号が出力されるタイミングの一致するような平面波の到来方向が、受波装置２０のメインビームの方向になる。言い換えると、受波エレメント２１を配列している位置に応じて遅延回路２２ｂの遅延時間を調節することによって、受波装置２０の指向性を制御することができ、受波装置２０のメインビームの方向（最大感度の方向）を制御することができる。
【００３９】
指向性制御部２２の出力は遅延回路２２ｂにより設定された特定方向の受波信号に相当しており、この受波信号を３次元位置検出部２３に入力することによって物体Ｏｂまでの距離を求める。物体Ｏｂまでの距離は送波装置１０から粗密波を送波した後に受波装置２０によって反射波が受波されるまでの時間と媒質（空気）中の粗密波の伝播速度とによって求める。本実施形態で用いる粗密波の伝播速度は音速と同程度であって略一定であるから、送波から受波までの時間が分かれば物体Ｏｂまでの距離を求めることができる。３次元位置検出部２３は、合成器２２ｃから出力された受波信号のうち粗密波の送波タイミングに合わせて設定した受波ゲート期間に得られた受波信号のみを通過させる受波ゲート回路２３ａを備える。受波ゲート回路２３ａはタイミング制御回路１１ａからの受波ゲート信号が発生している期間にのみ受波信号を通過させるように構成されている。つまり、送波装置１０からの粗密波の送波に伴う振動が受波装置２０に回り込む可能性があり、また受波装置２０において多重反射などによる反射波を受波する可能性もあるから、受波ゲート回路２３ａによって、送波直後における受波装置２０の出力を除去するとともに送波から所定時間が経過した後の受波装置２０の出力も除去しているのである。つまり、受波ゲート回路２３ａは受波信号から不要成分を除去するフィルタとして機能する。
【００４０】
受波ゲート回路２３ａを通過した受波信号は波形整形回路２３ｂに入力される。波形整形回路２３ｂでは、コンパレータなどを用いて、信号レベルが規定した閾値以下である受波信号を除去するとともに受波信号に対応した矩形波に波形整形する。波形整形回路２３ｂから出力される矩形波は距離演算部２３ｃに入力され、距離演算部２３ｃでは、タイミング制御部１０ａによって設定された粗密波の送波時点と波形整形回路２３ｂから矩形波が出力された時点との時間差を用いて物体Ｏｂまでの距離を求める。ここに、受波装置２０と距離演算部２３ｃとの間には遅延回路２２ｂが設けられているから、距離演算部２３ｃでは遅延回路２２ｂによる遅延時間を除去して距離を演算する。
【００４１】
したがって、受波装置２０の受波エレメント２１の位置と、指向性制御部２２に設けた遅延回路２２ｂの遅延時間との関係によって決まる受波装置２０のメインビームの方向において、物体Ｏｂまでの距離を距離演算部２３ｃで求めることができ、距離と方向とによって物体Ｏｂの３次元の位置を特定することが可能になる。ここにおいて、遅延回路２２ｂの遅延時間は３次元位置検出部２３に設けた方向指示部２３ｄにより設定され、方向指示部２３ｄにより設定された方向と距離演算部２３ｃで求めた距離とを位置演算部２３ｅに入力することによって、物体Ｏｂの３次元位置を位置演算部２３ｅにおいて特定するようになっている。
【００４２】
要するに、送波装置１０には図３（ａ）のような波形の電圧が発熱部１０ｃに印加され、受波装置２０で受波した粗密波（反射波）に応じて指向性制御部２２からは図３（ｃ）のような受波信号が出力される。受波ゲート回路２３ａでは、受波ゲート信号により図３（ｂ）のように受波信号の通過可能な期間Ｔｇが設置されているから、期間Ｔｇ内に発生した受波信号のみが波形整形回路２３ｂに入力され、適宜のレベルでスライスされることにより、図３（ｄ）のように矩形波に波形整形される。ところで、物体Ｏｂまでの距離を求めるには、送波装置１０を駆動する図３（ａ）の信号と波形整形回路２３ｂから出力される図３（ｄ）の信号との時間を求める必要がある。ここに、送波装置１０を駆動する電圧波形が上述のようにベル形であるから、時間計測の起点を電圧波形のピークとするのが望ましい。一方、波形整形回路２３ｂの出力は矩形波であるから、粗密波の伝播時間に相当する時間を計測するには矩形波の立ち上がりと立ち下がりとの間の中央の時刻を求める必要がある。そこで、時間計測の起点から矩形波の立ち上がりまでの時間Ｔｄと、矩形波の立ち上がりから立ち下がりまでの時間Ｔｅの２分の１とを加算することによって、粗密波の伝播時間とし、この時間（Ｔｄ＋Ｔｅ／２）を用いるとともに遅延回路２２ｂでの遅延時間を考慮して物体Ｏｂまでの距離を求める。
【００４３】
本実施形態では、３次元空間における任意の位置に存在する物体Ｏｂの位置を特定するために、受波装置２０のメインビームの方向を時間経過とともに変化させている。つまり、所望の検知領域内で受波装置２０のメインビームの方向を走査するように、遅延回路２２ｂの遅延時間を時間経過に伴って変化させている。受波装置２０のメインビームの方向の走査は送波装置１０からの粗密波の送波のタイミングに同期させてあり、方向指示部２３ｄには距離演算部２３ｃと同様に粗密波の送波タイミングに同期した同期信号が入力される。したがって、受波装置２０では設定された検知領域内でメインビームを走査することになり、検知領域内の任意の位置に存在する物体Ｏｂを検知することが可能になる。」
（ｅ）「【００５３】
上述のように受波信号をグループ化することができれば、１つのグループ内での各受波信号の時間差を記憶しておき、送波装置１０からの粗密波の次の送波時には、いずれかのグループについて記憶した時間差をなくすように遅延回路２２ｂの遅延時間を調節しておけば、図１９（ａ）（ｂ）のように受波信号の１つのグループについては遅延回路２２ｂから出力する時刻を一致させることができる。このような受波信号を合成器２２ｃで加算すれば、他の受波信号とのレベル差が大きい出力を得ることができるから、波形整形回路２３ｂにおいて適宜の閾値を用いて他の受波信号を除去すれば、各一方の物体Ｏｂ１，Ｏｂ２に関する受波信号のみを抽出することができ、当該物体Ｏｂ１，Ｏｂ２について距離を求めることができる。また、遅延回路２２ｂにおいて設定した時間差は受波装置２０のメインビームの方向を反映しているから、距離を求めた物体Ｏｂ１，Ｏｂ２が存在する方向を知ることができる。なお、図１９（ａ）は物体Ｏｂ２に対応する受波信号について遅延回路２２ｂから出力する時刻を一致させた場合を示し、図１９（ｂ）は物体Ｏｂ１に対応する受波信号について遅延回路２２ｂから出力する時刻を一致させた場合を示している。」　
　
（イ）引用例に記載された発明
　記載事項（ａ）ないし（ｅ）、及び図１，２，３，６，９，１１，１９（ａ），１９（ｂ）の記載内容を総合すると、引用例１には次の発明が記載されているものと認められる。ここで、送波装置１０と送波制御部１１とを併せて、「送波部」と呼ぶこととする。
「検知領域に粗密波を送波する送波装置１０及び粗密波が間欠的に送波されるように送波装置１０を駆動する送波制御部１１を有する送波部と、
　送波装置１０から送波され検知領域内に存在する物体で反射された粗密波を受波するとともに受波した粗密波を電気信号である受波信号に変換する受波エレメント２１を有する受波装置２０とを備え、前記物体までの距離と前記物体の存在する方位とを求める３次元センサであって、
　受波装置２０が受波エレメント２１を複数個備えるとともに各受波エレメント２１が一平面上に、前記送波装置から送波される粗密波の波長の２分の１を越えないピッチで配列され、
　送波装置１０が粗密波を送波してから当該粗密波が各受波エレメント２１に受波されるまでの時間と各受波エレメント２１の配列位置に基づいて前記物体の存在する方位とを求める指向性制御部２２とを備え、
　送波装置１０は、送波制御部１１に電気的に接続され通電時に発熱する発熱部１０ｃを有し、発熱部への通電に伴う発熱部１０ｃの温度変化によって発熱部１０ｃに接触している媒質を膨張収縮させることで粗密波を発生させるものであり、
　各受波エレメント２１は、ピエゾ素子２１ｃである、３次元センサ。」（以下、「引用例１に記載された発明」という。）
　
イ　引用例２
　同じく、原査定の拒絶の理由に引用され、本願最先の優先日前に頒布された刊行物である特開昭６２−１４９２９９号公報（発明の名称：アレイ型超音波トランスデユ−サ、出願人、工業技術院長、公開日：昭和６２年７月３日、以下「引用例２」という。）には、次の事項が図面とともに記載されている。
（ア）記載事項
（ａ）「（産業上の利用分野）
　本発明は、ロボットや各種産業機器に装備し、比較的近い距離にある対象物体との間の距離を測定したり、あるいは対象物の大きさや形状を認識したりするための新しい超音波トランスデユーサの構造に関するものである。」（１頁左下欄１２〜１７行）
（ｂ）「従来、この種の空中超音波トランスデユーサとしてＰＺＴ等の圧電体の共振を利用したものや静電容量型のトランスデユーサが市販されている。静電容量型のトランスデユーサの中で最も良く知られているのはコンデンサスピーカやコンデンサマイクロホン等の音響機器であり、これらは周波数帯域は低く可聴音波領域であるが、電気音響変換機器の代表である。第６図はコンデンサスピーカの動作原理及び構造を示す模式断面図である。電極６０３の周辺部に絶縁体６０５でできた枠を設け、その上に高分子フィルム６０２を張りつける。フィルム６０２の上面には、アルミあるいは金等の導体の蒸着膜が形成されており、フィルム表面が等電位になるように作られている。そのフィルム面上の金属膜はアース電極６０１と接着されアース電位となる。裏面の金属電極６０３に直流バイアス電圧が加えられ、フィルムが金属電極に引きつけられ、更に交流信号を加えることにより、フィルムが振動し音波が空中に発せられる。マイクロホンの場合は、空中を伝播してきた音波によりフィルムが振動し、その容量変化を検出するため、第６図で交流信号印加の代りに増幅器を設ければよい。」（２頁左上欄３行〜右上欄４行）
（ｃ）「（発明が解決しようとする問題点）
　上述した従来技術の第１及び第２の静電型トランスデユーサは構造が簡単である利点を有するがこれらのトランスデユーサを用いて、超音波を電子・走査することは、従来全く考慮されていなかった。また第３の例の場合は素子のアレイ化あるいは集積化にはすぐれた方法であると考えられるが、超音波素子が共振型であるために、位相まで考慮する必要のある電子走査型超音波トランスデユーサを作るためには、すべての素子エレメントを同一の共振周波数で駆動できるように精度良く、片持梁を作る必要があり、このため素子の分留りが悪くなる。また素子の共振の鋭さを示すＱ値が大きいため、振動子の振動が減衰しにくく、近距離の反射音波の測定ができなかった。本発明の目的は上記の従来の欠点を除去し、電子走査するのに適したアレイ型超音波トランスデユーサの新規な構造を提供することである。」（２頁右下欄６行〜３頁左上欄３行）
（ｄ）「（問題点を解決するための手段）
　本発明は、静電型超音波トランスデユーサに於いて、振動フィルム上に形成された可動電極もしくは可動電極に相対している固定電極の少なくとも一方を分割し、アレイ化したことを特徴とするアレイ型超音波トランスデユーサである。
（作用）
　本発明のアレイ型超音波トランスデユーサは、原理的には、静電容量型超音波トランスデュニサであるため、周波数特性が平坦である。その結果信号源に忠実な音波を発信あるいは受信が可能である。また従来このような静電容量型超音波トランスデユーサをアレイ化する場合、電極間でフィルムが完全に固定されていなければ一つの電極に加えられた信号により振動したフィルムは隣接する電極方向にも超音波が伝播し、各エレメント間のクロストークのために超音波の電子走査は、不可能であると考えられていた。しかしながら、本発明者がはじめて見出した電極を分割するという単純な構造のみで、クロストークがほとんどなく超音波が電子走査できるということが判明した。また圧電体の振動周波数は通常１００ｋＨｚ〜ＩＭＨｚ程度であり、空気中の超音波としては減衰が激しく、その点でも静電型トランスデユーサは有利である。」（３頁左上欄４行〜右上欄８行）
（ｅ）「（実施例）
　以下本発明を実施例にもとづいて説明する。第１図（ａ）、（ｂ）は第１の実施例を説明するための上面及び断面模式図である。シリコン基板１０１上にシリコン酸化膜１０２を厚さ１０００Å形成し、アルミニウム膜を真空蒸着法により厚さ約５０００Å形成し、加工し、分割電極１０３を形成する。この電極の幅の大きさ、ピッチ、数等は、駆動する周波数により必要とする指向性及び走査角度によって決まるが、本実施例の場合、１つの電極の幅が０．６３ｍｍ長さ２０ｍｍでピッチ１ｍｍで３２個アレイ化した。チップサイズは、３５ｍｍ×２５ｍｍである。次に約５００Åの厚さのアルミニウムが片側表面全面に蒸着された１２μｍ厚さのポリエステル膜の裏面を適度な張力をもたせて、シリコン基板に張りつけ、チップの両端で固定する。この際、分離された電極間の露出した酸化膜部１０７の部分で膜を接着しても良いが、静電力でひきつけられるのでわざわざ接着しなくてもよく、極めて簡単な工程でアレイ化超音波エレメントが構成できる。次にチップをパッケージにマウントし、電極用パッド１０６とパッケージのパッドをボンディングワイヤで結線し、フィルム面上の結線は、導電性テープで行った。このようにして得られたアレイ型超音波トランスデユーサの各電極に第２図に示すようにプログラマブルな遅延回路２０３、２００Ｖの直流バイアス回路２０５、交流信号発生器２０４を結線し、振幅１０Ｖｐ−ｐで５０ｋＨｚのサイン波を５発ずつ入力し、超音波を所定の方向に発信した。第３図に示すように３０１試料を中央に設置し、半径３０ｃｍの円弧上をブリューエル・アンド・ケア社（Ｂｒｕｅｌ＆Ｋｊａｅｒ）のマイクロホン３０２を回転し、各方向での指向特性を測定した。第４図（ａ）は全素子を同位相で発信した場合、第４図（ｂ）は、隣接電極間の位相遅れを０．６４μｓｅｃごとにした場合、第４図（ｃ）は１．５９μｓｅｃごとにした場合で、それぞれ０°、１３°、３３°の方向に超音波が放射されており、これは１ｍｍ間隔で点音源が８２個並んだ場合の計算値と極めて良く一致している。」（３頁右上欄９行〜右下欄６行）
（ｆ）「（発明の効果）
　以上説明したように、本発明の構造によるアレイ型超音波トランスデユーサは極めて簡単な工程で、作製することができ、歩留りが向上した。また、空中での電子走査による超音波走査を行うことができた。本実施例では、超音波の発信実験を示したが、交流信号発生器の代わりに受信用増幅器を設けることにより、斜め方向からの超音波も受信できることは言うまでもない。また時間的位相をずらしながら送信、受信を行うことにより超音波の電子走査による２次元像を得ることも可能である。また本素子の実施例では直流バイアス電圧を加えたが、予じめ帯電処理の施されたエレクトレット膜を用いることにより、直流バイアス回路をなくし、自己バイアスとすることもできる。」（４頁左上欄１０行〜右上欄４行）
　
（イ）引用例に記載された技術事項
　上記記載（ａ）ないし（ｆ）及び第１図ないし第８図より、引用例２には、次の技術事項が記載されているものと認める。
「アレイ化した静電容量型超音波トランスデューサを超音波発振器や超音波受信器として用いることにより、該トランスデューサの機械的共振に係るＱ値が小さく、その周波数特性が平坦であることから、該トランスデューサの振動の減衰を大きくして、近距離の対象物体までの距離や形状を測定できるようにすること。」（以下、「引用例２に記載された技術事項」という。）
　
（３）対比
　本願補正発明と、引用例１に記載された発明とを、主たる構成要素毎に対比する。
ア  まず、引用例１に記載された発明における「粗密波」、「検知領域に粗密波を送波する送波装置１０」、「粗密波が間欠的に送波される」、「送波装置１０」、「送波制御部１１」、「送波部」、「検知領域内に存在する物体」、「受波エレメント２１」、「受波装置２０」、「求める」、「３次元センサ」、「送波装置１０が粗密波を送波してから当該粗密波が受波エレメント２１に受波されるまでの時間」、「配列位置」、「物体の存在する方位」、「指向性制御部２２」、及び「送波制御部１１に電気的に接続され通電時に発熱する発熱部１０ｃを有し、発熱部への通電に伴う発熱部１０ｃの温度変化によって発熱部１０ｃに接触している媒質を膨張収縮させることで粗密波を発生させるもの」は、本願補正発明における「音波」、「音波を送波可能な送波素子」、「送波素子を駆動する」、「送波素子」、「駆動回路」、「送波装置」、「物体」、「受波素子」、「受波装置」、「検出する」、「音波センサ」、「各受波素子で音波を受波した時間の時間差」、「配置位置」、「受波装置に対する音波の到来方向」、「方位検出手段」、及び「空気に熱衝撃を与えることにより音波を発生させる音波発生素子」に、それぞれ相当する。
・引用例１に記載された発明における「送波装置から送波される粗密波の波長の２分の１を越えないピッチ」も、本願補正発明における「送波素子から送波する音波の波長の０．５倍程度の所定ピッチ」も共に「送波素子から送波する音波の波長の０．５倍を越えないピッチ」で共通する。
・引用例１に記載された発明における「ピエゾ素子２１ｃ」も、本願補正発明における「静電容量型のマイクロホン」も共に「電気機械変換素子」である点で共通する。
イ　してみると、両者の一致点、相違点は、以下のとおりである。
（一致点）
「音波を送波可能な送波素子および送波素子を駆動する駆動回路を有する送波装置と、
　送波素子から送波され物体で反射された音波を受波するとともに受波した音波を電気信号である受波信号に変換する受波素子を有する受波装置とを備え、　物体までの距離と物体の存在する方位とを検出する音波センサであって、
　受波装置が受波素子を複数個備えるとともに各受波素子が一平面上に、送波素子から送波する音波の波長の０．５倍を越えない程度の所定ピッチで配列され、
　各受波素子で音波を受波した時間の時間差と各受波素子の配置位置とに基づいて受波装置に対する音波の到来方向を求める方位検出手段を備え、
　送波素子は、空気に熱衝撃を与えることにより音波を発生させる音波発生素子からなり、受波素子は、電気機械変換素子である音波センサ。」
（相違点）
・相違点１：送波素子に関し、
　本願補正発明では、「共振特性のＱ値が１程度であり、」としているのに対し、引用例１に記載された発明では、この点が必ずしも明らかでない点。
・相違点２：受波素子が、
　本願補正発明では、「音波の音圧を静電容量の変化に変換する静電容量型のマイクロホンからなり、共振特性のＱ値が３〜４程度である」としているのに対し、引用例１に記載された発明では、「ピエゾ素子２１ｃ」であり、共振特性のＱ値については、明らかでない点。
・相違点３：受波素子の配列ピッチが、
　本願補正発明では、「送波素子からの音波の波長の０．５倍程度」としているのに対し、引用例１に記載された発明では、「送波装置から送波される粗密波の波長の２分の１を越えない」とあるように、送波される音波の波長の０．５倍を超えないものとしている点。　
　
（４）判断
ア　相違点１について
　引用例１に記載された発明に、「送波装置１０は、送波制御部１１に電気的に接続され通電時に発熱する発熱部１０ｃを有し、発熱部への通電に伴う発熱部１０ｃの温度変化によって発熱部１０ｃに接触している媒質を膨張収縮させることで粗密波を発生させるものであり、」とあるように、引用例１に記載された発明に係る送波装置１０は、いわゆる熱励起式の音波発生素子からなるものであり、その音波発生方式は、本願補正発明に係る送波素子と同じである。
　そして、この種の送波装置（送波素子）の周波数特性は、固有の共振周波数を持たず、比較的平坦なものである。
　この点については、例えば、引用例１において参照している特開平１１−３００２７４号公報（発明の名称：圧力波発生装置、出願人：科学技術振興事業団）における以下の記載を参照のこと。
「【０００３】このような機械的振動を利用する従来の超音波発生装置は、外部からの振動や外気圧の変動の影響を受けやすく、また固有の共振周波数をもつために、発生する超音波の周波数範囲を広くとることが困難であった。また集積回路技術がなじまないため、振動発生素子は単品でしか製造できず、回路のコンパクト化が困難であった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、外からの振動や外気圧の変動の影響を受けにくく、広い周波数範囲で安定に超音波などの圧力波を発生することができ、かつ集積回路技術を適用しての製造が容易な圧力波発生装置を提供するものである。・・・
【００４１】
【発明の効果】本発明の圧力波発生装置は、従来の超音波発生装置のような機械的な振動発生手段を用いずに音波を発生させるため、外部からの振動や外気圧の変動の影響を受けにくく、また超音波の発生周波数の範囲を広くとることが可能である。」
　
　してみると、引用例１に記載された発明における送波装置１０の周波数特性も比較的平坦であるものと認められ、これは、共振の鋭さを表すＱ値で言うと小さい値であることに対応する（ちなみに、周波数特性が完全に平坦である場合のＱ値は零である。）。また、この種の熱励起式送波素子のＱ値が小さいものである点については、本願明細書における「【００５０】ところで、図４に示した熱励起式の音波発生素子からなる送波素子１０は共振特性のＱ値が１程度であり、・・・」との説明とも合致している。
　本願補正発明においては、Ｑ値を１程度としているが、１程度としたことの意義についての記載も本願明細書には一切なく、格別の臨界的意義は認められず、どの程度の値とするかは、測定目的である角度分解能といった測定精度に応じて、適宜定められるべき設計的事項である。
　
イ　相違点２について　
　まず、アレイ化した静電容量型超音波トランスデューサを超音波発振器や超音波受信器として用いることにより、該トランスデューサの機械的共振に係るＱ値が小さく、その周波数特性が平坦であることから、該トランスデューサの振動の減衰を大きくして、近距離の対象物体までの距離や形状を測定できるようにすることは、前記「（２）イ」で説示したように引用例２に記載された技術事項として公知である。
　そして、引用例１に記載された発明も、引用例２に記載された技術事項も、共に、距離センサという同一の技術分野に属し、しかも、超音波を対象物に送信して、対象物からの反射波を受信するまでの時間により対象物までの距離を測定するという測定手法も同じである。
　よって、引用例１に記載された発明の受波エレメント２１として、ピエゾ素子に代えて引用例２に記載された技術事項である、機械的共振に係るＱ値が小さく、その周波数特性が平坦であるアレイ化した静電容量型超音波トランスデューサを採用することで、本願補正発明の如く、音波の音圧を静電容量の変化に変換する静電容量型のマイクロホンであて、そのＱ値が低いものを用いるようにすることは、当業者ならば容易に想到し得たことである。
　本願補正発明においては、Ｑ値を３〜４程度としているが、その値としたことの意義についての記載は本願明細書には一切なく、格別の臨界的意義は認められず、どの程度の値とするかは、上記アで説示したと同様に、測定目的である角度分解能といった測定精度に応じて、適宜定められるべき設計的事項である。　
　　
ウ　相違点３について
　受波素子の配列ピッチについて、本願補正発明は、「送波素子からの音波の波長の０．５倍程度」としており、０．５倍を若干下回る配列ピッチを包含しているから、この点において、引用例１に記載された発明の波長の０．５倍を越えない配列ピッチとは、相違することにはならない。
　また、引用例１には、「【００３５】・・・一般に複数個の受波エレメント２１を配列して受波装置２０の指向性を鋭くするには、受波エレメント２１の配列ピッチを扱う波長に比べて小さくする必要があり、配列ピッチの限界値は扱う波長の２分の１になることが知られているから、受波エレメント２１の配列ピッチが粗密波の波長の２分の１を越えないように設定しているのである。」（前記「（２）ア（ア）（ｄ）」を参照のこと。）と記載されているから、指向性を高くするべく、配列ピッチについてはその限界値である送波される波長の０．５倍を選択することも、当業者ならば容易に想到し得たことであるともいえる。
　
エ　そして、本願補正発明の作用効果も、引用例１に記載された発明や引用例２に記載された技術事項から当業者が予測可能なものであって格別のものではない。
　
オ　まとめ
　したがって、本願補正発明は、引用例１に記載された発明、引用例２に記載された技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、同法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
（５）むすび
　以上のとおり、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
３．本願発明について
　本件補正は前記のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし４に係る発明は、補正１によって補正された特許請求の範囲の請求項１ないし４に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、その請求項１に係る発明は次のとおりである。
「【請求項１】
　音波を送波可能な送波素子および送波素子を駆動する駆動回路を有する送波装置と、
　送波素子から送波され物体で反射された音波を受波するとともに受波した音波を電気信号である受波信号に変換する受波素子を有する受波装置とを備え、
　物体までの距離と物体の存在する方位とを検出する音波センサであって、
　受波装置が受波素子を複数個備えるとともに各受波素子が一平面上に、送波素子から送波する音波の波長の０．５倍程度の所定ピッチで配列され、各受波素子で音波を受波した時間の時間差と各受波素子の配置位置とに基づいて受波装置に対する音波の到来方向を求める方位検出手段を備え、
　送波素子は、空気に熱衝撃を与えることにより音波を発生させる音波発生素子からなり、共振特性のＱ値が１程度であり、
　受波素子は、音波の音圧を静電容量の変化に変換する静電容量型のマイクロホンからなることを特徴とする音波センサ。」（以下、「本願発明」という。）
　
（１）引用例に記載の事項・発明
　原査定の拒絶の理由に引用された発明や技術事項は、前記「２．（２）引用例に記載の事項・発明」に記載したとおりである。
　
（２）対比・判断
　本願発明は、前記「２．（１）補正の内容」で検討した本願補正発明から、「受波素子」についての限定事項である「共振特性のＱ値が３〜４程度であ」る、との発明特定事項を省いたものである。
　そうすると、本願発明の発明特定事項をすべて含み、さらに他の発明特定事項を付加したものに相当する本願補正発明が、前記「２．（３）対比、（４）判断」に記載したとおり、引用例１に記載された発明及び引用例２に記載された技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も同様の理由により、引用例１に記載された発明及び引用例２に記載された技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（３）むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例１に記載された発明及び引用例２に記載された技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、同法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、他の請求項に係る発明について審理するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。