【事件の表示】
　特願２０００−５８７２２５「欠陥補正を用いたマスクの修復方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１２年　６月１５日国際公開、ＷＯ００／３４８２８、平成１４年１０月　２日国内公表、特表２００２−５３２７３８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本件審判に係る出願（以下「本願」という）は、平成１１年１２月１日（優先日　１９９８年１２月８日　米国）を国際出願日とする出願であって、出願以後の経緯は以下のとおりである。
　
　平成２１年９月３０日　　　　拒絶理由通知
　平成２２年２月５日　　　　　誤訳訂正
　平成２２年８月１９日　　　　拒絶査定
　平成２２年１２月２４日　　　審判請求
　　　　　　　　　　　　　　　手続補正
　平成２３年９月６日　　　　　審尋
　平成２４年１月１０日　　　　回答書の提出
　平成２４年２月２４日　　　　拒絶理由通知
　平成２４年５月１５日　　　　意見書の提出
　　　　　　　　　　　　　　　手続補正
　　　　　　　　　　　　　　　手続補足書の提出
　
　
　
第２　本願の明細書の特許請求の範囲の記載 
　平成２４年５月１５日付けの手続補正は、本願の明細書の特許請求の範囲を、以下のように補正するものである（下線は補正箇所を示す）。
 　
 「【請求項１】　マスクの欠陥に相当する大きさを測定する工程と、マスク形状の端からのマスクの欠陥の位置を測定する工程と、マスクの欠陥に隣接した吸収材料の部分を除去して吸収材料の下にあるマスクブランクの反射表面を露出させる工程と、それによってマスクの欠陥を光学的に補正する工程を含む、
　超紫外リソグラフィ
用
【請求項２】　反射マスク表面上にある各々の欠陥のマスク形状の端からの位置決めを行う工程と、各欠陥に関連した反射率の乱れの大きさを測定する工程と、マスクの欠陥に隣接した吸収材料の部分を除去してマスクの欠陥を補正する工程を含む、
　表面に１つまたはそれ以上の局所的な反射率の乱れを引き起こす振幅欠陥及び／又は位相欠陥を有する、超紫外リソグラフィ
用
　
　上記補正は、補正前の明細書の特許請求の範囲の請求項１及び２に記載された発明における「超紫外リソグラフィに適した多層被覆反射マスク」を「超紫外リソグラフィ用多層被覆反射マスク」と補正するものであり、所謂新規事項を含まない適正な補正である。
　
　
　
第３　平成２４年２月２４日付け拒絶理由
　当審において平成２４年２月２４日付けで通知した拒絶理由は、本願の明細書及び図面が、特許法第３６条第４項、第６項第１号及び第２号に規定する要件を満たしていないとするものであり、具体的には、以下の指摘を含むものである。
　
（ア）特許法第３６条第６項第２号（明確性違反）について
『２−１．明確性違反について 
　本願は、明細書及び図面の記載が下記の点で不備のため、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。 
 　 
２−１−１．請求項１に係る発明について 
　請求項１の「マスクの欠陥に相当する大きさ」について、請求人は審判請求書等において、 
「しかしながら、段落［００１４］に記載の通り、補正しなければならないのはマスクの欠陥に相当する大きさであり、幾何学的な大きさではないという点が重要であり、欠陥に相当するサイズは、光学領域でのマスク欠陥による乱れの影響により測定されます。」 
と主張している。 
　段落【００１４】の記載及び上記主張から、「マスクの欠陥に相当する大きさ」が、欠陥そのものの幾何学的大きさではなく、それに対応する何らかの量であることは理解できるが、具体的にどのような物理量をいうのか明確でない。また、「２−２−１−２．発明特定事項１について」において後述するように、「マスクの欠陥に相当する大きさ」を測定するための手段も明確でないため、当業者といえども「マスクの欠陥に相当する大きさ」がどのようなものを指すのか特定することができない。 
　よって、請求項１に係る発明は明確でない。 
 　 
　以上のように、請求項１に係る発明は明確でないから、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。』
　
　
（イ）特許法第３６条第４項（実施可能要件違反）について
『２−２．実施可能要件違反について 
　本願は、明細書及び図面の記載が下記の点で不備のため、特許法第３６条第４項に規定する要件を満たしていない。 
 　 
２−２−１．請求項１に係る発明について 
　請求項１の記載（「１．本願発明について」参照）から、本願の請求項１に係る発明は、 
「マスクの欠陥に相当する大きさを測定する工程」（以下「発明特定事項１」という）、 
「マスク形状の端からのマスクの欠陥の位置を測定する工程」（以下「発明特定事項２」という）、 
「マスクの欠陥に隣接した吸収材料の部分を除去して吸収材料の下にあるマスクブランクの反射表面を露出させる工程」（以下「発明特定事項３」という） 
によって、 
「マスクの欠陥を光学的に補正する工程」（以下「発明特定事項４」という） 
を含むものと認められる。 
 　 
　本願の明細書の発明の詳細な説明が、上記発明特定事項１乃至４を含む請求項１に係る発明を当業者が実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載されたものであるかについて、以下検討する。 
 　 
２−２−１−１．本願の明細書の発明の詳細な説明に記載された事項 
　請求項１に係る発明、特に発明特定事項１乃至４に関して、本願の明細書の発明の詳細な説明には、次の記載がある（下線は当審で付した）。 
 　 
「【００１４】 
本発明では、
振幅及び／又は位相の欠陥に起因する局所的な反射率の乱れは、マスク欠陥近傍のマスクパターン（吸収フィルム）を変更又は修復することにより相殺される
この方法で、欠陥に起因するＥＵＶ放射線の光学領域の局所乱れ（振幅又は位相）が補正される
補正しなければならない変更はマスク欠陥の大きさに対応するが、幾何学的な大きさには対応するものではないという点に注目すべきである
相当するサイズは、光学領域でのマスク欠陥による乱れの影響により測定される
光学領域での影響を決めるのは、マスク欠陥の相当サイズを決定するマスク欠陥の大きさだけではなく、
例えば線等のマスク形状の端からの欠陥の位置にもよる
欠陥により誘起された反射率の乱れの位置と大きさは、リソグラフィプリントのような特徴付け技術により測定される
この情報は、次の光学領域歪み欠陥に隣接する吸収フィルムの補正に使用できる
【００１５】 
本発明の概念を、図３ａ、図３ｂ、図４ａ、図４ｂに図示する。ここで、
補正前（図３ａ、３ｂ）補正後（図４ａ、４ｂ）における
【００１６】 
 図３ｂを参照すると、８０ｎｍの欠陥が約９ｎｍほど吸収線幅を増加する影響を与えるのが分かり、該吸収線幅の増加は重大なリソグラフィ欠陥を構成する。
吸収線材料の近傍部分を除去し、その下の反射マスクブランクを露出させることによって（図４ａ）、欠陥は光学的な相殺により補正され、線幅欠陥は図４ｂの概念図に示すように取り除かれる
 　 
「 
  
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」 
「 
  
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」　
２−２−１−２．発明特定事項１について 
　段落【００１４】の記載（「２−２−１−１．本願の明細書の発明の詳細な説明に記載された事項」参照）から、本願の明細書の発明の詳細な説明には、「マスクの欠陥に相当する大きさを測定する」ための手段に関して、「光学領域でのマスク欠陥による乱れの影響により測定される」点が開示されているといえる。 
　しかしならがら、上記“光学領域でのマスク欠陥による乱れの影響”が具体的にどのような物理量を指すのか、どのような手段により測定（検出）されるものであるのか、明細書全体を参酌しても明確でなく、当業者の技術常識であるとする根拠も見出せない。 
　なお、同段落には「欠陥により誘起された反射率の乱れの位置と大きさは、リソグラフィプリントのような特徴付け技術により測定される」という記載もあるが、当該“欠陥により誘起された反射率の乱れの大きさ”と発明特定事項１における「マスクの欠陥に相当する大きさ」との関係が明確でなく、また、リソグラフィプリントにより形成される露光パターンは、欠陥の大きさのみではなく、欠陥の位置、投影光学系の欠陥等々、リソグラフィ装置のあらゆる誤差要因の影響を積算的に受けるものであるが、そのような露光パターンから欠陥に相当する大きさに対応するもののみを分離して測定（検出）する手段が具体的にどのようなものであるのか、発明の詳細な説明の記載ならびに当業者の技術常識を参酌しても、当業者は理解することができない。 
 　 
　以上のように、請求項１に係る発明において、発明特定事項１をどのようにして実施するのか、当業者であっても理解できない。
　
２−２−１−３．発明特定事項２について 
　段落【００１４】の記載（「２−２−１−１．本願の明細書の発明の詳細な説明に記載された事項」参照）から、本願の明細書の発明の詳細な説明には、「マスク形状の端からのマスクの欠陥の位置を測定する」ことに関して、マスク形状の端からの欠陥の位置によっても光学領域での影響を受けることについては記載されているが、当該“マスク形状の端からの欠陥の位置”をどのようにして測定するかについては、何ら記載がなく、当業者の技術常識であるとする根拠も見出せない。 
　なお、同段落には、「欠陥により誘起された反射率の乱れの位置と大きさは、リソグラフィプリントのような特徴付け技術により測定される」という記載もあるが、当該“欠陥により誘起された反射率の乱れの位置”と発明特定事項２における「マスク形状の端からのマスクの欠陥の位置」との関係が明確でなく、また、リソグラフィプリントにより形成される露光パターンは、欠陥の位置のみではなく、欠陥の大きさ、投影光学系の欠陥等々、リソグラフィ装置のあらゆる誤差要因の影響を積算的に受けるものであるが、そのような露光パターンから欠陥の位置に対応するもののみを分離して測定（検出）する手段が具体的にどのようなものであるのか、発明の詳細な説明の記載ならびに当業者の技術常識を参酌しても、当業者は理解することができない。 
 　 
　以上のように、請求項１に係る発明において、発明特定事項２をどのようにして実施するのか、当業者であっても理解できない。 
 　 
２−２−１−４．判断 
　段落【００１４】乃至【００１６】及び図３、４の記載（「２−２−１−１．本願の明細書の発明の詳細な説明に記載された事項」参照）から、発明特定事項３及び発明特定事項４は、マスクの欠陥に相当する大きさと、マスク形状の端からのマスクの欠陥の位置とに基づいて、マスクの欠陥に隣接した吸収材料の部分を除去する、すなわち、欠陥に相当する大きさ及びマスク形状端からの位置に基づいて、吸収材料を除去する範囲を決定することにより、マスクの欠陥（による影響）を光学的に相殺させて補正することを特定していると認められる。 
　しかしながら、「２−２−１−２．発明特定事項１について」及び「２−２−１−３．発明特定事項２について」で述べたように、マスクの欠陥に相当する大きさ及びマスク形状の端からのマスクの欠陥の位置をどのようにして測定するのか、当業者といえども理解できないのであるから、マスクの欠陥（による影響）を光学的に相殺させるために、どれだけの範囲の吸収材料を除去すればよいのか、当業者であっても決定できない。 
 　 
　したがって、本願の明細書の発明の詳細な説明は、上記発明特定事項１乃至４を含む請求項１に係る発明を当業者が実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載されたものであるとはいえない。 
 　 
２−２−１−５．請求項１についてのむすび 
　以上のように、本願の明細書の発明の詳細な説明は、請求項１に係る発明を当業者が実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載されたものであるとはいえないから、特許法第３６条第４項に規定する要件を満たしていない。』
　
　
　
第４　審判請求人の主張
　平成２４年２月２４日付けで通知した拒絶理由に対して、審判請求人は、平成２４年５月１５日付けで提出した意見書において、同日付けの手続補正による補正（「第２　本願の明細書の特許請求の範囲の記載」参照）及び同日付けで提出した手続補足書の記載に基づいて、以下のように主張している。
　
『　・
　　・
（省略）
　　・
　　・ 
ＩＩＩ．上記＜明確性違反＞について
　本願の明細書の段落［００１３］には、「ＥＵＶＬマスク製造の仕様書によれば、マスクブランクは本質的に欠陥が無い（８０ｎｍ以上の大きさの欠陥が０．０１欠陥数／ｃｍ２以下）ことが要求され」ることが開示されております。そして、本願発明の特徴は、総ての欠陥が光学領域の振幅及び／又は位相に悪影響を及ぼすとは限らないという認識によるので、本願の明細書の段落［００１４］に記載のように、補正しなければならないのは、マスクの欠陥に相当する大きさであり、幾何学的な大きさではなく、また、マスクの欠陥に相当する大きさは、光学領域でのマスク欠陥による乱れの影響により測定されます。また、マスクの欠陥に相当する大きさは、マスク上の吸収線に対する欠陥の位置にも依存します。
　「相当する大きさ」との用語は、広く用いられている用語ではないようですが、当業者にとってはなじみのある用語です。例えば、「相当する大きさ」との用語は、１９９５年１月３１日に発行された富士通株式会社が譲受人である「エキシマレーザ加工方法及び装置」と題する米国特許第５，３８６，４３０号でも用いられております。この特許には、エキシマレーザを照射して樹脂フィルムにビアホールを形成する技術が記載されており、樹脂の分解の間に引き起こされた光の放出を検知します。代表的には、図１に示すように、また、実施例１（コラム７及び８）に説明するように、マスク４を、樹脂フィルム３、銅フィルム２及びガラス基板１からなる組立体の上に配置します。マスクと樹脂の間には、０．４μｍのギャップ３６が存在します。マスクは、直径４０μｍの孔パターンを有します（コラム７の５７行目参照）。組立体をステージ２０によって動かすと、レーザ１１が樹脂に直径５０μｍの孔を形成します（コラム７の４９行目参照）。
　また、米国特許第５，３８６，４３０号の実施例６には、「例えば、図４，７，９に示すようなエキシマレーザ加工装置（即ち、相当サイズミラーマスク法）を、所望の直径の孔を所望のテーパ角で確実に形成するのに使用できる」ことが記載されております（コラム１１の３４〜４１行目参照）。該実施例は、同じマスクを用いてもギャップ距離を変化させることで、樹脂中に異なるサイズの孔を形成できることを示しております（コラム１２の４３〜４９行目参照）。
　このように、米国特許第５，３８６，４３０号は、特定の寸法を有する形状（特徴事項）が、異なる寸法（相当する大きさ）を有する対応する形状（特徴事項）を生み出せることを示しております。特に、透過型マスク中のレーザが通過する４０μｍの孔は、マスクと樹脂の間の距離、レーザの角度等のプロセス条件に応じて、樹脂フィルムに異なるサイズを有する孔を生成させることができます。なお、樹脂中の相当する大きさは、実験的に決定することができます。米国特許第５，３８６，４３０号は、透過型マスクを対象としておりますが、同様の原理は、反射リソグラフィックタイプのマスクにも適用可能で、投影されるマスク中の形状（特徴事項）の大きさは、光学領域でのマスク欠陥による乱れの影響により測定されます（本願の明細書の段落［００１４］参照）。
　従って、本願の請求項１に規定のように、吸収材料がパターン付けされた反射マスクブランクを提示された場合、当業者は、本願の明細書の開示を参酌して、マスクの欠陥に相当する大きさを容易に測定することができます。また、当業者は、該相当する大きさが特定のマスクが使用される操作条件に依存することを理解できます。
　同様に、本願の請求項２に規定のように、多層被覆反射マスクを提示された場合、当業者は、本願の明細書の開示を参酌して、最初に、欠陥の位置決めを行い、次に、「欠陥に関連した反射率の乱れの大きさ」を測定することができます。また、請求項１の場合と同様に、当業者は、この大きさが多層被覆反射マスクが使用される操作条件に依存することを理解できます。
　以上のように、当業者であれば、（１）「マスクの欠陥に相当する大きさ」を特定できるため、本願の請求項１に係る発明は明確であり、また、（２）「欠陥に関連した反射率の乱れの大きさ」を特定できるため、本願の請求項２に係る発明は明確であるものと考えます。
　
ＩＶ．上記＜実施可能要件違反＞について
　上述のように、本願発明の特徴は、総ての欠陥が、光学領域の振幅及び／又は位相に悪影響を及ぼすとは限らないという認識によるので、補正しなければならないのは、幾何学的な大きさではなく、マスクの欠陥に相当する大きさであり、また、マスクの欠陥に相当する大きさは、光学領域でのマスク欠陥による乱れの影響により測定されます。また、マスクの欠陥に相当する大きさは、マスク上の吸収線に対する欠陥の位置にも依存します。
　また、本願の請求項１に規定のように、吸収材料がパターン付けされた反射マスクブランクを提示された場合、当業者は、本願の明細書の開示を参酌して、マスクの欠陥に相当する大きさを容易に測定することができ、該相当する大きさが特定のマスクが使用される操作条件に依存することを理解できます。
　同様に、本願の請求項２に規定のように、多層被覆反射マスクを提示された場合、当業者は、本願の明細書の開示を参酌して、最初に、欠陥の位置決めを行い、次に、「欠陥に関連した反射率の乱れの大きさ」を測定することができ、この大きさが多層被覆反射マスクが使用される操作条件に依存することを理解できます。
　更に、反射リソグラフィックマスク上の欠陥の量及び／又は大きさは、容認可能なエラーのレベルに依存します。例えば、上述のように、ＥＵＶＬマスクの製造に関して、仕様書は、マスクブランクは本質的に欠陥が無い（８０ｎｍ以上の大きさの欠陥が０．０１欠陥数／ｃｍ2以下である）ことを要求します。この基準で操作する場合、例えば、当業者は、本願の明細書に記載の手法を実行して、請求項１及び２に規定の本願発明を実施することができます。但し、当業者は、欠陥を有するいかなる特定のリソグラフィックマスクも、マスクを修復する請求項１及び２の工程が、マスク上の欠陥の特定の寸法及び位置だけでなく、マスクが使用される操作条件にも依存することを知っており、結局のところ、欠陥を補正するために除去する吸収材料の部分は、マスクが使用される操作条件に依存します。
　従って、（１）当業者であれば、本願の明細書の開示を参酌して、マスクの欠陥に相当する大きさ及びマスク形状の端からのマスクの欠陥の位置を測定して、どれだけの範囲の吸収材料を除去すればよいのか決定できるため、本願の明細書の発明の詳細な説明は、請求項１に係る発明を当業者が実施できる程度に記載されており、また、（２）当業者であれば、本願の明細書の開示を参酌して、欠陥のマスク形状の端からの位置決め及び欠陥に関連した反射率の乱れの大きさの測定して、どれだけの範囲の吸収材料を除去すればよいのか決定できるため、本願の明細書の発明の詳細な説明は、請求項２に係る発明を当業者が実施できる程度に記載されているものと考えます。
　　・
　　・
（省略）
　　・
　　・　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　』
　
　ここで、請求人が引用している米国特許第５，３８６，４３０号（平成２４年５月１５日付け手続補足書）の実施例１及び６並びに図１、４、７、９の記載は以下のとおりである。
　なお、括弧［］内は、当該米国特許に関連する特許ファミリーである日本語公開公報（特開平０６−０８７０８７号公報）の記載を元にした翻訳文である。
　
『Example 1
  FIG. 4 is a view explaining Example 1.
  In FIG. 4, a copper (Cu) film 2 having a thickness of 2 μm was deposited on a glass substrate 1 by sputtering. On the top thereof, a polyimide film (Hitachi Kasei PIX-3500) was coated as a resin film 3 of a thickness of 40μm. On the top thereof was placed a mask 4 at a gap of 0.4 mm. The assembly was affixed on an XY- stage 20. The stage was repeatedly moved in a zigzag manner and the laser 11 fired through the mirror 12 and the lenses 13 and 14 to form holes of a diameter of 50 μm in a 3 cm square region at a longitudinal and lateral pitch of 0.25 mm.
  The processing conditions were as shown below:
  Oscillation wavelength of laser: 248 nm (KrF)
  Output: 300 mJ/pulse (pulse width 16 ns)
  Repetition frequency of pulse: 200 Hz
  Mask: Synthetic quartz substrate 4A on which is formed dielectric multilayer film 4B having pattern of holes of diameter of 40 μm
  Exposure intensity: 1.0 J/cm2 per pulse
  Speed of travel in X-direction (main scanning direction): 40 mm/s (stroke 35 mm)
  Steps in Y-direction (secondary scanning direction: 2 mm×18 steps
  The ablation processing was performed under the above conditions and the light emission during the processing was received by a photodetector 17 through a lens 15 and a color filter 16 capable of passing visible light of 500 to 700 nm. The average output over time was measured by a power meter 19 through an integration circuit 18.
  The mask was transparent to visible light, and therefore, in was possible to monitor the light emission. The amount of light received in the first and second scanning was 300 μW, but fell to 220 μW in the third scan and became less than 10 μW in the fourth scan. Therefore, no fifth scan was performed and the processing was ended.
  The processed holes were examined and as a result it was confirmed that all were formed as complete via holes and there was no damage to the underlying Cu film.』（第７欄第３８行乃至第８欄第１３行）
［実施例１
　図４は実施例１の説明図である。図４において、スパッタによりガラス基板１上に厚さ２μｍの銅（Ｃｕ）膜２を被着し、その上に厚さ４０μｍの樹脂膜３としてポリイミド膜（日立化成  ＰＩＸ−３５００）を被覆した。この上にマスク４を０．４mmの間隔をおいて重ね、Ｘ−Ｙステージ２０上に固定し、ステージを千鳥状に繰り返し、走査しながら、レーザ１１をミラー１２及びレンズ１３，１４を介してあて、３cm角の領域に直径５０μｍの孔を縦横０．２５mmのピッチで形成した。
　以下に加工条件を示す。
　レーザの発振波長：２４８nm（ＫｒＦ）
　出力：３００mJ／パルス（パルス幅１６ns）
　パルスの繰り返し周波数：２００Hz
　マスク：合成石英基板４Ａ上に直径４０μｍの孔パターンを有する誘電体多層膜４Ｂを形成したもの。
　露光強度：１パルス当たり１．０Ｊ／cm2　Ｘ方向（主走査方向）移動速度：４０mm／ｓ（ストローク３５mm）
　Ｙ方向（副走査方向）ステップ：２mm×１８段
　上記条件でアブレーション加工を行い、加工中の発光を、レンズ１５及び５００〜７００nmの可視光を透過するカラーフィルタ１６を通してフォトディテクタ１７で受け、積分回路１８を通してパワーメータ１９で時間平均出力を測定した。
　マスクが可視光に対して透明であるため、発光をモニタすることができる。１回目、２回目の走査のときの受光量は３００μＷであったが、３回目の走査では２２０μＷに低下し、４回目では１０μＷ以下となった。そこで５回目の走査は行わず加工終了とした。
　加工した孔を観察した結果、すべてが完全な貫通孔に形成され、下地Ｃｕ膜の損傷がないことを確認した。］
　
『Example 6
  The excimer laser processing apparatus (i.e., an equivalent size mirror mask method) such as shown in FIGS. 4, 7, and 9 can be used to reliably form holes of a desired diameter at a desired taper angle, one of the goals of formation of via holes for interlayer connection in a polymer by an excimer laser in accordance with the trend toward diverser types of packaging and miniaturization of patterns. The apparatus requires, however, provision of a gap 36 (FIG. 4) of 0.1 to 1 mm between the processing surface 3 and the mask 4 to allow the ablation gas to escape. However, when a mask having a pattern of holes having a size of 5 to 50 μm diameter was used for the exposure and the relationship between the size of the gap and the shape of the holes formed was examined, since the degree of beam parallelness of an excimer beam cannot always be good, the diameter of the openings becomes larger than the diameter of the holes of the mask, the size of the gap 36 increases, the shape of the openings becomes oblate, and at the same time, the taper angle also becomes larger (see FIG. 10). Further, it was learned that no particular correlation exists between the intensity of the laser light and the taper angle (see FIG. 11). From these results, it may be necessary to control the gap in units of 0.1 mm so as to make holes of a desired diameter at a desired taper angle, in a film to be processed having a certain thickness. However, in the past the practice had been to place a spacer 106 having a certain thickness, of 0.5 mm or 1 mm, between the mask 4 and the film 3 to form the gap. Therefore, fine adjustment was difficult and, further, the spacers had to be changed one by one depending on the requirements on the via holes or the film to be processed.
  However, in this Example, as shown in FIG. 12, use was made of an apparatus integrally comprising a work station 37 on which the material 3 to be processed is placed and screws 39, on which are mounted a mask 4, comprised of a transparent support substrate on which a dielectric multilayer film is selectively formed, and micrometer calipers 38. The distance from the surface of the film to be processed 3 to the surface of the mask 4 was measured as follows: First, the mask 4 was raised by the screws 39 to open up the distance between the mask 4 and the work station 37. The material to be processed, having a resin film 3 on its surface, was placed on the work station 37. Next, the mask 4 was lowered until lightly contacting the surface of the material to be processed. That was used as the reference point (i.e., zero point). The mask was then gradually raised while viewing the micrometer calipers 38 and stopped when a suitable position was reached.
Using the above method, a glass substrate 2 on which a polyimide film (Hitachi Kasei PIX-3500, thickness of 30 μm) was formed as a resin film 3, was processed by the exposure system shown in FIGS. 4, 7, and 9 to form holes at a longitudinal and lateral pitch of 0.25 mm in a 3 cm square region.
  The processing conditions were as shown below:
  Laser oscillator: Lumonics EX-700
  Oscillation wavelength: 248 nm (KrF)
  Output: 300 mJ/pulse (pulse width 16 ns)
  Exposure intensity: 1.0 J/cm2 per pulse
  Number of irradiation pulses: 200 pulses/shot
  Reduction rate: 4:1
  The most suitable conditions for making via holes for interlayer connection having an opening diameter of 50 μm and a taper angle of 10°were studied, whereupon it was learned that use should be made of a mask with 40 μm hole diameters and the gap between the mask and film should be made 0.3 mm. Therefore, use was made of the apparatus of FIG. 12, use was made of a mask of the diameter of the conditions sought, the gap was set, and then the processing was performed. As a result, the opening diameter of the via holes formed was 40 μm and the taper angle was 12°.--that is, the requirements could substantially be met.
  According to the above Example 6, the adjustment of the gap provided between the processed material 3 and the mask 4 is performed by a screw mechanism 39 comprised of the support plate on which the processed material is placed and the mask. Therefore, it is possible to form via holes having a desired shape easily and reliably.
  As explained above, according to a first aspect of the present invention, in ablation processing by an excimer laser, the required sufficient laser irradiation can be performed even in the face of fluctuations, in laser output, deterioration of the optical components, or differences in thickness of the processed article. Therefore, it is possible to prevent defective connections of the via holes due to incomplete processing or damage to the underlying electrode films.
  Further, according to the second aspect of the present invention, it is possible to monitor the processing point by the light emission of the polymer ablation, and therefore, it is possible to inspect for defects in processing at the same time as the processing. Therefore, it is possible to substantially eliminate a separate inspection step.』（第１１欄第３２行乃至第１２欄第６５行）
［実施例６
　例えば図４，７，９に示すような、エキシマレーザ加工装置（等倍ミラーマスク法）は、実装の多種少量化、パターンの微細化に対応するためのエキシマレーザによるポリマーへの層間接続ビア穴形成の課題の１つである、所望の直径の穴を所望のテーパ角で確実にあけるのに使用できるが、この装置には、加工面３とマスク４との間にアブレーションガスを逃すために０．１〜１mmのギャップ３６が設けてある。しかし、５〜５０μｍ径の穴パターンを形成したマスクを用いて露光し、ギャップの大きさと形成した穴の形状の関係について検討したところ、主にエキシマレーザのビーム平行度が常に良いとはいえないために、ギャップ３６が大きくなるに従って開口部の穴径がマスクの穴径より拡がっていき、形も偏平になってしまうこと、同時にテーパ角も大きくなることなどが分かった（図１０）。またレーザ光の光強度とテーパ角との間には特に相関関係のないことも分かった（図１１）。これらの結果から、ある膜厚を持った被加工膜に所望の直径の穴を所望のテーパ角であけるには０．１mm単位でギャップを制御する必要があるといえるが、従来は０．５mmとか１mmといった一定の厚さを持ったスペーサをマスク４と膜３の間にかませギャップとしているため、微妙な調整が困難であるうえ、ビア穴への要求や被加工膜により一々取替えなければならない問題があった。
　然るに本例では図１２に示すように、被加工材料を設置するワークステーション３７と透明な支持基板上に誘電体多層膜を選択的に形成したマスク４を測微器３８を取り付けたねじ３９で一体化した装置を用い、被加工膜３の表面からマスク面４までの距離を次の通り決定する。即ち、まず、ねじ３９でマスク４を上げてマスク４とワークステーション３７の間を広く開け、ワークステーション３７の上に樹脂膜３を表面に有する被加工材料を設置する。次にマスク４を被加工材料表面と軽く接するまで下げてそこを基準（０点）とする。そして測微器を見ながらねじを徐々に上げていき、適当な位置にきたらそこで止める。
　上記方法で、ガラス基板２上に樹脂膜３としてポリイミド膜（日立化成  ＰＩＸ−３５００  膜厚３０μｍ）を形成したものを図４，７，９のような露光系で加工し、３cm角の領域に縦横０．２５mmのピッチで形成した。
　加工条件は以下に示す通りである。
　レーザ発振機：ルモニクス  ＥＸ−７００
　発振波長：２４８nm（ＫｒＦ）
　出力：３００mJ／パルス（パルス幅１６ns）
　露光強度：１パルス当たり１．０Ｊ／cm2　照射パルス数：１回当たり２００パルス
　縮小率：４：１
　上記条件で開口部穴径５０μｍ、テーパ角１０度の層間接続用のビア穴をあけるために、最も適当な条件を検討したところ、４０μｍの穴径のマスクを使用し、マスクと膜のギャップは０．３mmとすればよいことが判った。そこで図１２の装置を用いて、求められた条件の穴径のマスクを使用し、ギャップを設定して加工した。その結果、形成されたビア穴の開口部径は４０μｍ、テーパ角は１２度と、ほぼ要求を満たすことができた。
　前記実施例６によれば、被加工材料とマスクの間に設けるギャップの調整を被加工材料を設置する支持板とマスクとを一体化するねじ状のもので行い、それによって所望の形状を持つビア穴を容易に、かつ確実に形成することができる。
　以上説明したように本発明の第一の態様によれば、エキシマレーザによるアブレーション加工において、レーザの出力変動や光学部品の劣化や加工対象の膜厚のバラツキがあっても必要十分なレーザ照射が行えるようになり、加工の未完によるビアの接続不良と下地電極膜の損傷を防止することができる。また、本発明の第二の態様によれば、加工ポイントをポリマーアブレーションの発光によってモニタしながら加工できるので、加工と同時に加工不良の検査をできるので、検査工程を実質上不要にできるという効果がある。］
　
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第５　検討・判断
１．特許法第３６条第６項第２号（明確性違反）について
　本願の請求項１に記載された発明が、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件に適合するか否か、すなわち、発明が明確であるか否かについて、以下に検討する。
　
　請求人は、平成２４年５月１５日付けで提出した意見書において、米国特許第５，３８６，４３０号（特に実施例６）を挙げて、本願の請求項１に記載された発明の「相当する大きさ」との用語は、当業者であれば理解できるものであると主張していると認められる。
　
　上記米国特許の明細書の記載について検討する。
　
　米国特許第５，３８６，４３０号の実施例６の記載（前記翻訳文参照）から、当該実施例の発明は、マスクを加工面に近接させて露光する、所謂近接露光に関するものであり、露光光として用いられているレーザーの平行度がよくないことに起因して、マスクと加工面のギャップが変動すると、加工面に形成される開口の穴径がマスクの穴径よりも大きくなってしまうことから、当該ギャップを０．１ｍｍ単位で制御する必要があることを開示するものである。してみれば、マスクのパターンの穴の径と同程度の径の穴を加工面に投影する、すなわち、等倍で投影することを意図した発明であると認められる。よって、当該実施例の発明における「an equivalent size mirror mask method」は、“等倍ミラーマスク法”と解釈すべきものであり、請求人が主張する、“相当サイズミラーマスク法”とはいえない（なお、上記翻訳文の基礎とした日本語公開公報においても同様の表記である）。また、同じ理由から、当該実施例の発明は、請求人が主張するような、“同じマスクを用いてもギャップ距離を変化させることで、樹脂中に異なるサイズの孔を形成できることを示すもの”や“特定の寸法を有する形状（特徴事項）が、異なる寸法（相当する大きさ）を有する対応する形状（特徴事項）を生み出せることを示すもの”とはいえない。
　米国特許第５，３８６，４３０号のその他の実施例の発明においても、“相当する大きさ”について何ら開示されていない。
　
　このように、米国特許第５，３８６，４３０号は、本願の請求項１に記載された発明の「マスクの欠陥に相当する大きさ」について説明するものではない。
　また、その他の主張を勘案しても、本願の請求項１に記載された発明の「マスクの欠陥に相当する大きさ」が、当業者であれば理解できるものであるとする理由は見出せない。
　
　よって、本願の請求項１に記載された発明における「マスク欠陥に相当する大きさ」が、具体的にどのような物理量をいうのか、依然として明確でない。
　
　以上のとおり、平成２４年５月１５日付けで提出した意見書、同日付けの手続補正による補正及び同日付けで提出した手続補足書の記載を参酌しても、請求項１に記載された発明は、明確でない。
　
　
２．実施可能要件違反について
　本願の明細書の発明の詳細な説明の記載が、特許法第３６条第４項に規定する要件に適合するか、すなわち、請求項１に記載された発明を当業者が実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載されたものか否かについて、以下に検討する。
　
２−１．「マスクの欠陥に相当する大きさを測定する工程」について
　平成２４年５月１５日付け意見書においては、“光学領域でのマスク欠陥による乱れの影響”が具体的にどのような物理量を指すのか、どのような手段により測定（検出）されるものであるのか、及び、それによりどのようにして“マスクの欠陥に相当する大きさ”を算出するのかについて、何ら説明されていない。
　よって、依然として「マスクの欠陥に相当する大きさを測定する工程」をどのようにして実施するのか、当業者であっても理解することはできない。
　
２−２．「欠陥の位置を測定する工程」について
　平成２４年５月１５日付け意見書においては、“マスク形状の端からのマスクの欠陥の位置”をどのようにして測定するかについては、何ら説明されていない。
　よって、依然として「マスク形状の端からのマスクの欠陥の位置を測定する工程」をどのようにして実施するのか、当業者であっても理解することはできない。
　
２−３．「補正する工程」について
　平成２４年５月１５日付け意見書においては、マスクの欠陥（による影響）を光学的に相殺させるために、どれだけの範囲の吸収材料を除去すればよいのかを決定することについては、何ら説明されていない。
　よって、依然として「マスクの欠陥に隣接した吸収材料の部分を除去して吸収材料の下にあるマスクブランクの反射表面を露出させる工程」によって、「マスクの欠陥を光学的に補正する工程」をどのようにして実施するのか、当業者であっても理解することはできない。
　
２−４．実施可能要件についてのむすび
　以上のように、平成２４年５月１５日付けで提出された意見書を参酌しても、本願の明細書の発明の詳細な説明は、請求項１に記載された発明を当業者が実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載されたものであるとはいえない。
　
　
　
第６　むすび
　以上のとおり、本願の請求項１に記載された発明は明確でないから、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。
　また、本願の明細書の発明の詳細な説明は、請求項１に記載された発明を当業者が実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載されたものであるとはいえないから、特許法第３６条第４項に規定する要件を満たしていない。
　
　したがって、本願は拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。