【事件の表示】
　特願２０００−２０８４２７「半導体処理システム」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年　２月２７日出願公開、特開２００１−　５７３４４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯
　本願は、平成１２年７月１０日（パリ条約による優先権主張１９９９年７月９日、アメリカ合衆国）の出願であって、平成２２年６月１８日付けの拒絶理由通知に対して、同年８月３１日に手続補正書及び意見書が提出されたが、同年１１月３０日付けで拒絶査定がなされた。
　そして、平成２３年３月１６日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに手続補正書が提出され、その後、平成２４年１月３０日付けで審尋がなされ、同年６月１９日に回答書が提出された。
　
第２．補正却下の決定
　
［補正却下の決定の結論］
　平成２３年３月１６日に提出された手続補正書による補正を却下する。
　
［理由］
１．補正の内容
　平成２３年３月１６日に提出された手続補正書による補正（以下「本件補正」という。）は、補正前の特許請求の範囲の請求項１〜１２を補正して、補正後の特許請求の範囲の請求項１〜１２とするものであり、補正前の請求項１，５，７と補正後の請求項１，５，７は各々次のとおりである。
　
（補正前）
「【請求項１】
半導体処理システムであって、
 　ウィンドウと、処理中に基板が配置される支持体とを有するプロセスチャンバと、
　支持体の側から反対のウィンドウの側に配置され、ウィンドウを通して放射エネルギーを支持体上の基板上に向ける、放射エネルギー源組立体と、
　前記組立体に接続され、前記組立体内の圧力を減少させるように構成された真空ポンプと、
を備える半導体処理システム。」
　
「【請求項５】
基板処理のための装置であって、
　少なくとも１つの壁を有するチャンバと、
　前記チャンバの少なくとも１つの壁にシールされるウィンドウと、
　複数の放射エネルギー源を含み、放射強度のパターンで前記チャンバ内に基板の領域を
放射するように機能する、前記ウィンドウにシールされる熱源の組立体と、
　前記熱源の組立体の圧力を減らすために前記熱源組立体から排気するための手段と、
を備える装置。」
　
「【請求項７】
基板を高速熱処理するためのシステムであって、
　ウィンドウを有するプロセスチャンバと、
　ウィンドウに隣接して前記プロセスチャンバの外に配置され、ウィンドウを通して前記プロセスチャンバ内の基板上へ放射エネルギーを向ける放射エネルギー源及び反射体の組立体と、
　前記組立体から排気して内部の圧力を減らす真空ポンプと、
を備えるシステム。」
　
（補正後）
「【請求項１】　
半導体処理システムであって、
　プレート状のウィンドウ(２０)と、処理中に基板(３０)が配置される支持体（２８）とを有するプロセスチャンバ（１２）と、
　支持体（２８）の側から反対のウィンドウ（２０）の側に配置され、ウィンドウ（２０）を通して放射エネルギーを支持体（２８）上の基板（３０）上に向ける、放射エネルギー源組立体（１６）と、
　前記組立体（１６）に接続され、前記組立体内の圧力を減少させるように構成された真空ポンプ（６８）
と、
を備え、
　前記ウィンドウ（２０）は縁が前記組立体（１６）の壁及び前記プロセスチャンバ（１２）の壁にシールされる、
半導体処理システム。」
　
「【請求項５】
基板処理のための装置であって、
　少なくとも１つの壁を有するチャンバと、
　縁が前記チャンバの少なくとも１つの壁にシールされるプレート状のウィンドウと、
　複数の放射エネルギー源を含み、放射強度のパターンで前記チャンバ内に基板の領域を放射するように機能する、前記ウィンドウの縁が熱源の組立体の壁にシールされることにより、前記ウィンドウにシールされる熱源の組立体と、
　前記熱源の組立体の圧力を減らすために前記熱源組立体から排気するための手段と、
を備える装置。」
　
「【請求項７】
基板を高速熱処理するためのシステムであって、
　プレート状のウィンドウを有するプロセスチャンバと、
　ウィンドウに隣接して前記プロセスチャンバの外に配置され、ウィンドウを通して前記プロセスチャンバ内の基板上へ放射エネルギーを向ける放射エネルギー源及び反射体の組立体と、
　前記組立体から排気して内部の圧力を減らす真空ポンプと、
を備え、
　前記ウィンドウは縁が前記組立体の壁及び前記プロセスチャンバの壁にシールされる、
システム。」
　
２．補正事項の整理
　本件補正による補正事項を整理すると、次のとおりである。
（１）補正事項１
　補正前の請求項１の「ウィンドウ」を、補正後の請求項１の「プレート状のウィンドウ(２０)」に補正すること。
　
（２）補正事項２
　補正前の請求項１において、「前記ウィンドウ（２０）は縁が前記組立体（１６）の壁及び前記プロセスチャンバ（１２）の壁にシールされる」点を追加すること。
　
（３）補正事項３
   補正前の請求項１の「基板」、「支持体」、「反対のウィンドウ」、「プロセスチャンバ」、「放射エネルギー源組立体」、及び「真空ポンプ」を、それぞれ補正後の請求項１の「基板(３０)」、「支持体（２８）」、「反対のウィンドウ（２０）」、「プロセスチャンバ（１２）」、「放射エネルギー源組立体（１６）」、及び「真空ポンプ（６８）」に補正すること。
　
（４）補正事項４
　補正前の請求項５の「前記チャンバの少なくとも１つの壁にシールされる」を、補正後の請求項５の「縁が前記チャンバの少なくとも１つの壁にシールされる」に補正すること。
　
（５）補正事項５
　補正前の請求項５の「ウィンドウ」を、補正後の請求項１の「プレート状のウィンドウ」に補正すること。
　
（６）補正事項６
　補正前の請求項５の「前記ウィンドウにシールされる熱源の組立体と」を、補正後の請求項５の「前記ウィンドウの縁が熱源の組立体の壁にシールされることにより、前記ウィンドウにシールされる熱源の組立体と」に補正すること。
　
（７）補正事項７
　補正前の請求項７の「ウィンドウ」を、補正後の請求項７の「プレート状のウィンドウ」に補正すること。
　
（８）補正事項８
　補正前の請求項７において、「前記ウィンドウは縁が前記組立体の壁及び前記プロセスチャンバの壁にシールされる」点を追加すること。
　
３．新規事項の追加の有無についての検討
（１）補正事項１、５、７について
（１−１）補正事項１、５、７により、補正前の請求項１、５、７に記載された「ウィンドウ」が、「プレート状」である点で限定する補正が、本願の願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面（以下「当初明細書等」という。また、本願の願書に最初に添付した明細書、図面を、各々「当初明細書」、「当初図面」という。）に記載された事項の範囲内においてなされたものであるか否かについて検討する。
　
（１−２）当初明細書等において「プレート状のウィンドウ」に関連すると認められる記載として、次の箇所をあげることができる。（ここにおいて、下線は当審が付与したものである。以下同じ。）
　
「【請求項９】  前記
ウィンドウがクォーツプレートである
　
「【００１１】このシステムは、プロセスチャンバから排気するための第２の真空ポンプを更に有していてもよい。プロセスチャンバウィンドウは、厚さおよそ４ミリメートルの
クォーツ板
　
（１−３）したがって、補正前の請求項１、５、７の「ウィンドウ」を「プレート状のウィンドウ」とする補正は、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものであるから、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものである。
　
　したがって、補正事項１、５、７は、特許法第１７条の２第３項（平成１４年法律第２４号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項をいう。以下同じ。）に規定する要件を満たす。
　
（２）補正事項２、８について
（２−１）補正事項２、８により、補正前の請求項１において、「前記ウィンドウ（２０）は縁が前記組立体（１６）の壁及び前記プロセスチャンバ（１２）の壁にシールされる」点を、補正前の請求項７において、「前記ウィンドウは縁が前記組立体の壁及び前記プロセスチャンバの壁にシールされる」点をそれぞれ追加する補正が、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものであるか否かについて検討する。
　
（２−２）当初明細書等において「前記ウィンドウ（２０）は縁が前記組立体（１６）の壁及び前記プロセスチャンバ（１２）の壁にシールされる」点、又は「前記ウィンドウは縁が前記組立体の壁及び前記プロセスチャンバの壁にシールされる」点に関連すると認められる記載として、次の箇所をあげることができる。
　
「【００２０】
ウィンドウ２０は、主本体１８の上側の端部の上に配置される。Ｏリング３４がウィンドウと主本体の間に配置され、これらのインタフェースに気密性のシールを提供する。
【００２１】
ランプヘッド組立体１６は、ウィンドウ２０の上方に配置される。Ｏリング３５がウィンドウとランプヘッドの間に配置され、これらのインタフェースに気密性のシールを提供する。
　
　また、図１を参照すると、ウィンドウ２０の縁が、ランプヘッド組立体１６の壁と主本体１８の壁の間に位置しており、上記ウィンドウ２０の縁が、Ｏリング３５，３４を介して、上記ランプヘッド組立体１６の壁と上記主本体１８の壁にシールされることが、示されている。
　
（２−３）したがって、補正前の請求項１、７に対して、「ウィンドウは縁が前記組立体の壁及び前記プロセスチャンバの壁にシールされる」という事項を追加する補正は、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものであるから、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものである。
　
　したがって、補正事項２、８は、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たす。
　
（３）補正事項３について
　補正事項３は、補正前の請求項１に係る発明の各発明特定事項について、図面上の対応する符号を参考として記入するという形式的な補正であるから、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものであることが明らかである。
　したがって、補正事項３は特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たす。
　
（４）補正事項４について
　補正事項４により、補正前の請求項５に記載された「チャンバの少なくとも１つの壁にシールされる」ウィンドウについて、ウィンドウのシールされる箇所が該ウインドウの「縁」である点を限定する補正については、上記（２）で検討したと同様の理由により、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものである。
　したがって、補正事項４は特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たす。
　
（５）補正事項６について
　 補正事項６により、補正前の請求項５に記載された「前記ウィンドウにシールされる熱源の組立体」において、熱源の組立体とウィンドウのシールされる箇所が、該熱源の組立体の「壁」と該ウインドウの「縁」である点を限定する補正については、上記（２）で検討したと同様の理由により、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものである。
　したがって、補正事項６は特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たす。
　
（６）新規事項の追加の有無についての検討のまとめ
　以上検討したとおり、補正事項１〜８は、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしているから、補正事項１〜８を含む本件補正は、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしている。
　
４．補正目的の適否についての検討
（１）補正事項１、５、７について
　補正事項１、５、７は、補正前の請求項１、５、７に係る発明の発明特定事項である「ウィンドウ」を、補正後の請求項１、７の「プレート状のウィンドウ」とする補正であり、ウィンドウの形状がプレート状であることを追加することによって、特許請求の範囲の減縮をしようとする補正である。
　したがって、補正事項１、５、７は、いずれも特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当するから、特許法第１７条の２第４項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項をいう。以下同じ。）に規定する要件を満たしている。
　
（２）補正事項２、８について
　補正事項２、８は、補正前の請求項１、７のそれぞれに「前記ウィンドウ（２０）は縁が前記組立体（１６）の壁及び前記プロセスチャンバ（１２）の壁にシールされる」点、及び「前記ウィンドウは縁が前記組立体の壁及び前記プロセスチャンバの壁にシールされる」点を追加する補正であり、補正前の請求項１、７に係る発明の発明特定事項である「ウィンドウ」、「組立体」及び「プロセスチャンバ」について、更に前記「ウィンドウ」の「縁」が前記「組立体」の「壁」及び前記「プロセスチャンバ」の「壁」に「シールされる」ものであることを特定することによって、特許請求の範囲の減縮をしようとする補正である。
　したがって、補正事項２、８は、いずれも特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当するから、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たしている。
　
（３）補正事項３について
　補正事項３は、特許法第１７条の２第４項第４号に掲げる明りょうでない記載の釈明を目的とするものに該当するから、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たしている。
　
（４）補正事項４について
　補正事項４は、補正前の請求項５に係る発明の発明特定事項である「チャンバの少なくとも１つの壁にシールされる」ウィンドウについて、ウインドウのシールされる箇所が該ウィンドウの「縁」である点を限定することによって、特許請求の範囲の減縮をしようとする補正である。
　したがって、補正事項４は、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当するから、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たしている。
　
（５）補正事項６について
　補正事項６は、補正前の請求項５に係る発明の発明特定事項である「前記ウィンドウにシールされる熱源の組立体」について、「ウィンドウ」及び「熱源の組立体」のシールされる箇所が、前記「ウインドウ」の「縁」と前記「熱源の組立体」の「壁」である点を限定することによって、特許請求の範囲の減縮をしようとする補正である。
　したがって、補正事項６は、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当するから、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たしている。
　
（６）補正目的の適否についての検討のまとめ
　以上検討したとおり、補正事項１〜８は、いずれも特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たしているから、本件補正は、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たしている。
　
　本件補正は、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする補正を含むものであるから、本件補正による補正後の特許請求の範囲に記載されている事項により特定される発明が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものか（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項に規定する独立特許要件を満たすか）否かをさらに検討する。
　
５．独立特許要件についての検討
（１）本願補正発明
　本件補正による補正後の請求項１〜１２に係る発明は、本件補正により補正された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜１２に記載されている事項により特定されるとおりのものであり、そのうちの請求項１に係る発明（本願補正発明）は、請求項１に記載されている事項により特定される、上記１．に補正後の請求項１として記載したとおりのものであり、再掲すると次のとおりである。
　
「【請求項１】　
半導体処理システムであって、
　プレート状のウィンドウ(２０)と、処理中に基板(３０)が配置される支持体（２８）とを有するプロセスチャンバ（１２）と、
　支持体（２８）の側から反対のウィンドウ（２０）の側に配置され、ウィンドウ（２０）を通して放射エネルギーを支持体（２８）上の基板（３０）上に向ける、放射エネルギー源組立体（１６）と、
　前記組立体（１６）に接続され、前記組立体内の圧力を減少させるように構成された真空ポンプ（６８）
と、
を備え、
　前記ウィンドウ（２０）は縁が前記組立体（１６）の壁及び前記プロセスチャンバ（１２）の壁にシールされる、
半導体処理システム。」
　
（２）引用例の表示
　　引用例１：特開平８−２６４４７２号公報
　
（３）引用刊行物に記載された発明
（３−１）引用例１の記載
ア．原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先権主張日前に日本国内において頒布された刊行物である、特開平８−２６４４７２号公報（以下「引用例１」という。）には、「半導体装置の製造方法及び半導体製造装置」（発明の名称）に関して、図３〜図６とともに、次の記載がある。
　
ａ．「【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するために、本発明者等は、種々実験検討の結果、
基板処理室の隔壁を形成する石英ガラスを、
保護隔壁で覆うと共に、石英ガラス隔壁と保護隔壁とによって形成される空間領域に、真空層
を形成すればよいと云う重要な知見を得た。
【０００８】本発明は、このような知見に基づいて成されたものであり、上記目的は、少なくとも
石英ガラス等の透光性隔壁を有する基板処理室と
エネルギ線照射下で反応ガスを試料基板表面に接触させて試料基板表面を改質する手段とを有して成る半導体製造装置
少なくとも排気手段を有する保護隔壁を配設
　
ｂ．「【００１１】
エネルギ線の照射手段としては、透光性隔壁と保護隔壁とによって形成される空間領域に例えば赤外線ランプ、紫外線ランプ等の処理目的に応じた周知の光源を配設する
　
ｃ．「【００３８】（２）半導体装置の製造方法の例
この実施例では、紫外線照射によるＣＶＤ法により、Ｓｉウェハ上にシリコン酸化膜を成膜する基板処理について示すものである。反応ガスとしてモノシランガス（ＳｉＨ4）と笑気ガス（Ｎ2Ｏ）とを用い、Ｓｉウェハ温度を１５０℃とし、低圧水銀ランプ９１からの紫外線１８５ｎｍによりウェハ４上にシリコン酸化膜を形成した。なお、
チャンバ内を排気系６により１０
-1
Ｐａに減圧したので、チャンバ隔壁１と保護隔壁８とにより囲まれた空間領域も、排気口１４から排気して、ほぼ１０
-1
Ｐａに減圧した。
【００３９】図３、図４の構成では、
Ｓｉウェハ４は支持台５上に点接触で保持され
　
ｄ．「【００４１】〈実施例３〉この例は、実施例１に示した装置と同様の目的で構成された半導体製造装置であるが、装置構成はかなり変形されている。以下、図５及び図６にしたがって具体的に説明する。
【００４２】
図５は、装置の要部を示した縦断面図、図６は図５の線分Ｃ−Ｃ´にて切断した横断面図である。
基板処理室の主要部を
光源９に対向する透光性隔壁１ａと温度計測窓１ｂに限って石英ガラスを使用し、基板処理室のその他の部分はステンレス製の容器２により形成した
【００４３】図５において、
１ａは光源９からの赤外線を透過する石英ガラス隔壁
であり、
ステンレス製の容器２とＯリング３、３´によって真空シールされている。８３は
ステンレス製の保護隔壁であり、半導体ウェハ４に対向する隔壁の内面には、金コートを施したアルミ合金製の反射ミラー８ａが設けられ、この反射ミラー８ａとチャンバ１ａとで囲まれた空間領域には光源９として複数本の長形の加熱用ランプ（赤外線ランプ）が取り付けられランプハウスを構成している。
【００４４】１ｂは温度測定用の石英窓であり、ステンレス製の容器２とＯリング１０´によってシールされている。そして石英窓１ｂの外部には保護隔壁８３と同様に、水冷ジャケット８１を有するステンレス製の保護隔壁８４が設けられている。
保護隔壁８３、
には、それぞれ不活性ガス導入口１３と排気口１４とが設けられ
いずれもＯリング１０、１０´を介して容器２に着脱自在に取付けられている
【００４５】このようにして、石英ガラス製の赤外線透過用隔壁１ａ及び温度測定用窓１ｂを外気から遮断し、ガス導入口１３から窒素またはアルゴン（Ａｒ）などの不活性ガスを噴出することにより、赤外線透過用隔壁１ａ、温度測定用窓１ｂを冷却し、さらにランプ９を冷却することができる。また同時に、作業性および安全性を向上できる。」
　
ｅ．「【００４６】ここで、
保護隔壁
８３に囲まれた空間領域は、
排気口１４から真空排気してチャンバ内圧力と等しくしたり、任意に圧力をコントロールすることができるので、チャンバ隔壁の一部を構成する石英ガラス１ａ、１ｂに圧力差による応力が生じない。したがって、石英ガラスに外力が加わらないことから機械的な損傷が免れると共に、Ｏリング３
による石英ガラス１ａ
と容器隔壁２とのシール部は高い気密性が保たれる。
【００４７】温度測定用窓１ｂを保護する保護隔壁８４は、金属のみならずセラミックスでも良い。さらに、保護隔壁８４は、温度測定用窓１ｂ以外にも必要に応じてチャンバ隔壁に設ける半導体製造装置の内部観察用窓（ビューイングポート）の保護隔壁にも適用できる。さらにまた、この種の保護隔壁は半導体製造装置の石英または石英以外のガラス部材の外部からの衝撃に対する保護カバーとしても使用できることは言うまでもない。」
　
ｆ．図５、６を参照すると、基板処理室に搬送された半導体ウェハ４は支持台５上に保持されており、また、石英ガラス隔壁１ａの縁がステンレス製容器２の壁とＯリング３を介してシールされていることが、示されている。
　
イ．石英ガラス隔壁の形状について
　図５、６を用いて説明されている実施例３について、発明の詳細な説明には、石英ガラス隔壁１ａの形状がいかなるものか明記されていないが、装置の縦断面図である図５と、図５の線分Ｃ−Ｃ’にて切断した横断面図である図６によれば、いずれの図においても石英ガラス隔壁１ａは平坦な形状を有するものとして記載されているので、上記石英ガラス隔壁１ａはプレート状をなしているものと認められる。
　
（３−２）引用発明
　上記（３−１）のア．とイ．を総合すれば、引用例１には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
「半導体製造装置であって、
　プレート状の石英ガラス隔壁１ａと、処理中に半導体ウェハ４が保持される支持台５とを有するステンレス製の容器２と、
　支持台５の側から反対の石英ガラス隔壁１ａの側に配置され、前記石英ガラス隔壁１ａを通して赤外線を支持台５上の半導体ウェハ４上に向ける、保護隔壁８３内に複数本の加熱用ランプ９が取り付けられたランプハウスと、
　前記保護隔壁８３によって囲まれた空間領域を真空排気することによって、チャンバ内圧力と等しくなるよう圧力をコントロールするための、前記ランプハウスの保護隔壁８３に設けられた排気口１４と、
　を備え、前記石英ガラス隔壁１ａは縁がステンレス製の容器２の壁にシールされる、
半導体製造装置。」
　
（４）対比
（４−１）次に、本願補正発明と引用発明とを対比する。
ア．引用発明の「半導体製造装置」は、半導体ウェハに加熱用ランプから赤外線を照射して改質等の処理を行う装置であるから、本願補正発明の「半導体処理システム」に相当している。
　
イ．引用発明の「プレート状の石英ガラス隔壁１ａ」は、本願補正発明の「プレート状のウィンドウ（２０）」に相当し、以下同様に、「半導体ウェハ４」は「基板(３０)」に、「支持台５」は「支持体（２８）」に、「ステンレス製の容器２」は「プロセスチャンバ（１２）」に、それぞれ相当している。
　
ウ．引用発明の「保護隔壁８３内に複数本の加熱用ランプ９が取り付けられたランプハウス」は、本願補正発明の「ウィンドウ（２０）」に相当する「石英ガラス隔壁１ａ」の、本願補正発明の「支持体（２８）」に相当する「支持台５」の側とは反対側に配置されており、前記「石英ガラス隔壁１ａ」を通して、本願補正発明の「放射エネルギー」に相当する「赤外線」を、本願補正発明の「基板（３０）」に相当する「半導体ウェハ４」上に向けるものであるから、本願補正発明の「放射エネルギー組立体（１６）」に相当している。
　
エ．引用発明の「保護隔壁８３によって囲まれた空間領域」の圧力とは、本願補正発明の「組立体内の圧力」に相当しており、引用発明において、チャンバが排気系６により減圧されるものであることを考慮すると、引用発明の「前記保護隔壁８３によって囲まれた空間領域を真空排気することによって、チャンバ内圧力と等しくなるよう圧力をコントロールする」ことは、本願補正発明の「組立体内の圧力を減少させる」ことに相当している。
　
オ．引用発明の「前記石英ガラス隔壁１ａは縁がステンレス製の容器２にシールされる」ことは、本願補正発明の「前記ウィンドウ（２０）は縁が前記プロセスチャンバ（１２）の壁にシールされる」ことに相当している。
　
（４−２）そうすると、本願補正発明と引用発明の一致点と相違点は、次のとおりとなる。
　
《一致点》
「半導体処理システムであって、
　プレート状のウィンドウ(２０)と、処理中に基板(３０)が配置される支持体（２８）とを有するプロセスチャンバ（１２）と、
　支持体（２８）の側から反対のウィンドウ（２０）の側に配置され、ウィンドウ（２０）を通して放射エネルギーを支持体（２８）上の基板（３０）上に向ける、放射エネルギー源組立体（１６）と、
を備え、
　前記ウィンドウ（２０）は縁が前記プロセスチャンバ（１２）の壁にシールされる、
半導体処理システム。」
　
《相違点》
《相違点１》
　本願補正発明は、「前記組立体内の圧力を減少させる」ために「組立体（１６）に接続され」た「真空ポンプ（６８）」を備えるのに対して、引用発明は、本願補正発明の「組立体内の圧力を減少させる」ことに相当して「保護隔壁８３によって囲まれた空間領域を真空排気」しているものの、ランプハウスの保護隔壁８３に排気口１４を備えているのみであって、ランプハウスに真空ポンプが接続されていない点。
　
《相違点２》
　本願補正発明は、ウィンドウ（２０）がプロセスチャンバ（１２）の壁のみならず、組立体（１６）の壁にもシールされるものであるのに対して、引用発明は、本願補正発明のウィンドウに相当する石英ガラス隔壁１ａが、本願補正発明のプロセスチャンバ（１２）に相当するステンレス製の容器２の壁にシールされているのみであり、本願補正発明の組立体１６に相当するランプハウスの壁にシールされるものではない点。
　
（５）相違点１、２についての当審の判断
（５−１）相違点１について
　排気口から真空排気を行うために、該排気口に真空ポンプを接続することは周知の技術事項であるから、引用発明において、ランプハウスの保護隔壁８３に設けられた排気口１４に真空ポンプを接続すること、すなわち、ランプハウスに真空ポンプを接続することは、当業者が容易になし得たことである。
　
（５−２）相違点２について
ア．ランプを用いて半導体基板に熱処理を行う半導体処理装置において、半導体基板を処理するチャンバと、ランプを収容する放射エネルギー組立体との間に、石英からなるウィンドウを設けるにあたり、前記ウィンドウの縁部を前記チャンバの壁及び放射エネルギー組立体の壁にシールすることは、本願の優先権主張日前に日本国内において頒布された刊行物である下記周知例１〜３に記載されているように、当業者によって普通に行われている周知の技術事項である。
　
ａ．周知例１：特開平９−３２６３６６号公報
　上記周知例１には、図１〜図３とともに次の記載がある。
　
「【００１２】
【発明の実施の形態】図１はこの発明にかかる一の実施の形態である基板処理装置１の断面を示す図であり、図２は図１中のＡで示される部分の拡大図である。
【００１３】
この装置１は、ランプ２からの光を基板９に短時間照射し、基板９の温度を急激に昇降させることによりアニール処理を行うＲＴＰ（Rapid Thermal Processing)装置であり、大きく分けて外郭を構成するチャンバ本体部１１、蓋部１２、および、チャンバ本体部１１と蓋部１２との間に設けられてチャンバ本体部１１とともに基板９の処理が施される空間（処理空間）ＳＰを形成する円盤状の石英窓３とから構成される。
蓋部１２には、加熱手段であるランプ２が取り付けられる
【００１４】また、図２に示すように、
チャンバ本体部１１と石英窓３との間には応力集中を緩和して石英窓３の破損を防止するとともに処理空間ＳＰの気密性の保持を目的として緩衝密閉部材であるＯリングが設けられており、蓋部１２と石英窓３との間には石英窓３の破損防止を目的とするリング状の緩衝性のある樹脂シートとしてポリイミドフィルムが設けられている。
　
「【００１９】この基板処理装置１では、
図２に示すようにチャンバ本体部１１と蓋部１２との間に挟まれるように石英窓３が配置されている。また、石英窓３とチャンバ本体部１１との間には緩衝密閉部材であるＯリング４１が設けられており、石英窓３と蓋部１２との間にはＯリングではなく応力集中の緩和を目的とするポリイミドフィルム４２が設けられている。
　
　以上、周知例１の記載事項を総合すると、ランプ２の光を基板９に照射してアニールを行うＲＴＰ装置１において、チャンバ本体部１１と、ランプ２を収容する蓋部１２との間に、挟むように石英窓３を配置するとともに、前記石英窓３の縁を前記チャンバ本体部１１の壁及び蓋部１２の壁にシールすることが記載されている。
　
ｂ．周知例２：特開平７−２４５２７４号公報
　上記周知例２には、図１とともに次の記載がある。
　
「【００１４】
図１は
熱処理装置を示す断面図である。この熱処理装置１は被処理体である例えば半導体ウエハＷを収容して
熱処理を施すための処理室２を備えている。この処理室２は耐熱性を有する例えばステンレススチール製の縦型円筒状の胴部３と、この胴部３の上部開口端３ａに前記ウエハＷに臨んで設けられた光透過材４からなる光透過窓５と、
胴部３の上方には光透過窓５の光透過材４を通して処理室２内のウエハＷを光照射により加熱する光源としてフィラメントランプである複数のハロゲンランプ７が配設されている。
　
「【００１９】一方、
前記光透過窓５の光透過材４は耐熱性及び光透過性を有する材料例えば透明な石英により円形の平板状に形成されている
外側の光透過材４ａは胴部３の上部開口端３ａにＯリング２４及び取付部材２５を介して気密に取付けられている。
　
「【００２２】
前記胴部３の上部開口端３ａにはこれを覆うように凹面状の反射鏡２９が取付けられ、この反射鏡２９の内側に前記光源としてのハロゲンランプ７が配設されている。
反射鏡２９の外側は断熱空間３０を介して例えばステンレススチール製の外板３１で覆われ
　
　以上、周知例２の記載事項を総合すると、ハロゲンランプ７の光をウエハＷに照射して熱処理を行う熱処理装置１において、胴部３と、ハロゲンランプ７を収容する反射鏡２９及び外板３１との間に、石英からなる平板状の光透過窓５を配置するとともに、前記光透過窓５の縁を前記胴部３の壁及び取付部材２５にシールすることが記載されている。
　なお、前記反射鏡２９、外板３１及び取付部材２５は、全体として、本願発明の「放射エネルギー源組立体」に相当するものと認められるので、光透過窓５の縁部は、反射鏡２９、外板３１及び取付部材２５から構成される「放射エネルギー源組立体」の壁にシールされているということができる。
　
ｃ．周知例３：特開平２−７７１１９号公報
　上記周知例３には、第１図、第２図とともに次の記載がある。
　
「被処理物が収納され且つ処理される
チャンバ１０は、天板１２、周壁を形成する上枠１４及び下枠１６、並びにプラテン１８からなる。
組立て状態において各部材間にはＯリングが組込まれ、チャンバ１０内には完全な気密空間が形成される。
　
「
天板１２はステンレス鋼で形成された中空体からなり
天板１２にはハロゲンランプ系の多数の赤外線ランプ２６が配備され、これらはインコヒーレントな加熱用光源を形成する。
　
上枠１４はステンレス鋼で形成された中空体からなり
上枠１４の中央開口の内面３２は蒸着により金メツキがなされ、鏡面状となっている。
　
下枠１６はステンレス鋼で形成された中空体からなり
　
上枠１４と下枠１６との間には、石英ウィンド板２２が介設される。ウィンド板２２は加熱に有効な波長の光線のみを通過させる役割を果たす。本実施例においては、ウィンド板２２は組立て時に下枠１６の段部４４に嵌込まれ、且つ上枠１４の下面で押さえ込まれるようになっている。
　
「基板７０が第１図中に実線で示される所定位置に配置された状態において、チャンバＩＯ内が所定の雰囲気に変更され、続いて赤外線ランプ２６が照射され、基板７０の加熱が行われる。
基板７０の上面は主に、ウィンド板２２を通過した、赤外線ランプ２６からの直接光線或いは天板１２若しくは上枠の内面３２で反射された光線により照射されて加熱される。
　
「４．図面の簡単な説明
　第１図は本発明方法の実施例を説明するためのアニール装置説明図」（第５頁左上欄第１７〜１９行）
　
　以上、周知例３の記載事項を総合すると、赤外線ランプ２６の光を基板７０に照射してアニールを行うアニール装置において、下枠１６と、赤外線ランプ２６を収容する天板１２及び上枠１４との間に、石英ウインド板２２を配置するとともに、前記石英ウインド板２２の縁を前記下枠１６の段部４４及び上枠１４の下面にシールすることが記載されている。
　なお、赤外線ランプ２６を収容する前記天板１２及び上枠１４は、全体として、本願発明の「放射エネルギー源組立体」に相当するものと認められるので、石英ウインド板２２の縁部は、天板１２及び上枠１４から構成される「放射エネルギー源組立体」の壁にシールされているということができる。
　
イ．引用発明において、ランプハウスを構成する保護隔壁８３と石英ガラス隔壁１ａによって囲まれた空間領域を密閉空間として任意の圧力を維持するために、保護隔壁８３はＯリング１０を介してステンレス製の容器２の壁にシールされているものであるが、保護隔壁８３を石英ガラス隔壁１ａにシールされるようにすることは、上記周知例１〜３にも記載されているように、当業者が適宜なし得た設計的な事項である。
　
（５−３）判断についてのまとめ
　以上、検討したとおり、本願補正発明は、周知の技術事項を勘案することにより、引用発明から当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
（６）独立特許要件についてのまとめ
　したがって、本件補正は、補正後の特許請求の範囲の請求項１に記載されている事項により特定される発明が、特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項をいう。以下同じ。）の規定に適合しない。
　
６．補正却下の決定のむすび
　以上、検討したとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないものであるから、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により、却下すべきものである。
　
第３．本願発明について
１．本願発明
　以上のとおり、本件補正（平成２３年３月１６日に提出された手続補正書による補正）は却下されたので、本願の請求項１〜１２に係る発明は、平成２２年８月３１日に提出された手続補正書により補正された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜１２に記載されている事項により特定されるとおりのものであり、そのうち、請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、請求項１に記載されている事項により特定される、上記第２．１．に補正前の請求項１として記載したとおりのものであり、再掲すると次のとおりである。
　
「【請求項１】
　半導体処理システムであって、
 　ウィンドウと、処理中に基板が配置される支持体とを有するプロセスチャンバと、
　支持体の側から反対のウィンドウの側に配置され、ウィンドウを通して放射エネルギーを支持体上の基板上に向ける、放射エネルギー源組立体と、
　前記組立体に接続され、前記組立体内の圧力を減少させるように構成された真空ポンプと、
を備える半導体処理システム。」
　
２．引用刊行物に記載された発明
　引用例１の記載、引用発明、及び周知例１〜３に記載された技術事項については、前記第２．５．（３）の（３−１）、（３−２）と、前記第２．５．（５）の（５−２）において認定したとおりである。
　
３．対比・判断 
　前記第２．２．（１）〜（３）と前記第２．４．（１）〜（２）で検討したように、本願補正発明は、本件補正前の発明（本願発明）の「ウィンドウ」を「プレート状のウィンドウ(２０)」と限定し、本件補正前の発明（本願発明）に「前記ウィンドウ（２０）は縁が前記組立体（１６）の壁及び前記プロセスチャンバ（１２）の壁にシールされる」点を追加して限定したものである。逆に言えば、本件補正前の発明（本願発明）は、本願補正発明から、上記の限定を省いたものである。　
　そうすると、本願発明の構成要件をすべて含み、これをより限定したものである本願補正発明が、前記第２．５．において検討したとおり、周知の技術事項を勘案することにより、引用発明から当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も同様の理由により、当業者が容易に発明をすることができたものである。 
　
第４．結言 
　以上のとおり、本願発明は、周知の技術事項を勘案することにより、引用発明から当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
　したがって、他の請求項について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。