(57)【要約】本発明は５０００以下の重量平均分子量を有するポリマー（Ａ）と、２００００以上の重量平均分子量を有するポリマー（Ｂ）とを含む半導体装置製造のリソグラフィープロセスに用いる反射防止膜形成組成物に関する。該組成物は、ホールやトレンチなどの凹凸のある基板上の段差被覆性に優れ、反射光防止効果が高く、レジスト層とのインターミキシングが起こらず、優れたレジストパターンが得られ、レジストに比較して大きなドライエッチング速度を有するリソグラフィー用反射防止膜を提供する。
2003034152.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
５０００以下の重量平均分子量を有するポリマー（Ａ）と、２００００以上の重量平均分子量を有するポリマー（Ｂ）とを含む半導体装置製造のリソグラフィープロセスに用いる反射防止膜形成組成物。
【請求項２】
ポリマー（Ａ）が、７００〜５０００の重量平均分子量を有するハロゲン化ビスフェノールＡ型樹脂である請求項１に記載の反射防止膜形成組成物。
【請求項３】
ハロゲン化ビスフェノールＡ型樹脂は、少なくとも式（１）：
2003034152.tif 000024
〔式中、Ｘ１はハロゲン原子を表し、ｎ１は、繰り返し単位の数であって、１〜５０の整数を表し、ｎ２及びｎ３はベンゼン環に対する置換基Ｘ１の数であって、それぞれ１〜３の整数を表し、そしてＹは式（２）：
2003034152.tif 000025
（式中、Ｔ１は２価の連結基を表し、Ｐは炭素数６〜１４個の（ｎ４＋１）価の芳香環基を表し、Ｍは電子供与性基を表し、ｎ４はＰに対する置換基Ｍの数であって、０〜３の整数を表し、ｎ４が２又は３の場合、置換基Ｍはそれぞれ同じであっても異っていてもよい。）で表される基を表す。〕で表される重合体からなる請求項２に記載の反射防止膜形成組成物。
【請求項４】
ポリマー（Ａ）が、６００〜５０００の重量平均分子量を有するハロゲン含有ノボラック樹脂である請求項１に記載の反射防止膜形成組成物。
【請求項５】
ハロゲン含有ノボラック樹脂は、少なくとも式（３）：
2003034152.tif 000026
（式中、Ｔ２は２価の連結基を表し、Ｘ２は塩素原子、臭素原子を表し、ｎ５は繰り返し単位の数であり、ｎ６はベンゼン環に対する置換基Ｘ２の数であって、１〜３の整数を表し、Ｐは炭素数６〜１４個の（ｎ７＋１）価の芳香環基を表し、Ｍは電子供与性基を表し、ｎ７は０から３までの整数であり、ｎ７が２〜３の場合、Ｍはそれぞれ同じであっても異っていてもよい。）の繰り返し単位を有する重合体である請求項４に記載の反射防止膜形成組成物。
【請求項６】
ポリマー（Ｂ）が、２００００〜２０００００の重量平均分子量を有するポリアクリル酸エステル又はポリメタクリル酸エステルである請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の反射防止膜形成組成物。
【請求項７】
ポリマー（Ｂ）が、２００００〜２０００００の重量平均分子量を有するポリスチレン又はその誘導体である請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の反射防止膜形成組成物。
【請求項８】
ポリマー（Ａ）を３３．７〜８３．２重量％及びポリマー（Ｂ）を６６．３〜１６．８重量％の割合で含有する、請求項１乃至請求項７のいずれか１項に記載の反射防止膜形成組成物。
【請求項９】
少なくとも２個の架橋形成官能基をもつ架橋剤を更に含む請求項１乃至請求項８のいずれか１項に記載の反射防止膜形成組成物。
【請求項１０】
高さ／直径で示されるアスペクト比が１以上のホールを有する基板にフォトレジストを被覆しリソグラフィープロセスを利用して基板上に画像を転写する方法による半導体装置の製造において使用され、フォトレジストを被覆する前の該基板のホールを部分的に充填するために用いる請求項１乃至請求項９のいずれか１項に記載の反射防止膜形成組成物。
【請求項１１】
基板上のホールへの充填が、該ホール当たりの容積の２０〜８０％である請求項１０に記載の反射防止膜形成組成物。
【請求項１２】
下記（Ｉ）工程、（ＩＩ）工程及び（ＩＩＩ）工程：
（Ｉ）工程：高さ／直径で示されるアスペクト比が１以上のホールを有する基板に、請求項１乃至請求項９のいずれか１項に記載の反射防止膜形成組成物を塗布し、乾燥することにより該基板上のホール容積の２０〜８０％を反射防止膜で充填する工程、
（ＩＩ）工程：レジストを塗布し乾燥する工程、及び
（ＩＩＩ）工程：露光、現像、及びエッチングする工程、
よりなる基板上に画像を転写し集積回路素子を形成する半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は、新規な反射防止膜材料用組成物、さらに詳しくは、ホールやトレンチなどの凹凸のある基板上の塗布制御に優れ、反射光防止効果が高く、レジスト層とのインターミキシングが起こらず、優れたレジストパターンが得られ、レジストに比較して大きなドライエッチング速度を有するリソグラフィー用反射防止膜を提供するものであり、特に近年、半導体デバイスの配線遅延を小さくするために用いられる配線材としてのＣｕ（銅）を導入するためのデュアルダマシンプロセス用反射防止膜に関する。
背景技術
従来から半導体デバイスの製造において、フォトレジスト組成物を用いたリソグラフィーによる微細加工が行われている。前記微細加工はシリコンウェハーの上にフォトレジスト組成物の薄膜を形成し、その上に半導体デバイスのパターンが描かれたマスクパターンを介して紫外線などの活性光線を照射し、現像し、得られたレジストパターンを保護膜としてシリコンウェハーをエッチング処理する加工法である。ところが、近年、半導体デバイスの高集積度化が進み、使用される活性光線もｉ線（３６５ｎｍ）からＫｒＦエキシマレーザー（２４８ｎｍ）、及びＡｒＦエキシマレーザー（１９３ｎｍ）へと短波長化される傾向にある。これに伴い活性光線の基板からの乱反射や定在波の影響が大きな問題であった。そこでフォトレジストと基板の間に反射防止膜（Ｂｏｔｔｏｍ  Ａｎｔｉ−Ｒｅｆｌｅｃｔｉｖｅ  Ｃｏａｔｉｎｇ、ＢＡＲＣ）を設ける方法が広く検討されるようになってきた。
反射防止膜としては、チタン、二酸化チタン、窒化チタン、酸化クロム、カーボン、α−シリコン等の無機反射防止膜と、吸光性物質と高分子化合物とからなる有機反射防止膜が知られている。前者は膜形成に真空蒸着装置、ＣＶＤ装置、スパッタリング装置等の設備を必要とするのに対し、後者は特別の設備を必要としない点で有利とされ数多くの検討が行われている。例えば、米国特許第５９１９５９９号明細書に記載の架橋反応基であるヒドロキシル基と吸光基を同一分子内に有するアクリル樹脂型反射防止膜、米国特許第５６９３６９１号明細書に記載の架橋反応基であるヒドロキシル基と吸光基を同一分子内に有するノボラック樹脂型反射防止膜等が挙げられる。
有機系反射防止膜用材料として望まれる物性としては、光や放射線に対して大きな吸光度を有すること、レジスト層とのインターミキシングが起こらないこと（レジスト溶剤に不溶であること）、塗布時または加熱乾燥時に反射防止膜材料から上塗りレジスト中への低分子拡散物がないこと、レジストに比べて大きなドライエッチング速度を有すること等があり、それらは例えばＰｒｏｃ．ＳＰＩＥ，Ｖｏｌ．３６７８，８００−８０９、Ｖｏｌ．３６７８，１７４−１８５（１９９９）や、Ｐｒｏｃ．ＳＰＩＥ，Ｖｏｌ．２１９５，２２５−２２９（１９９４）にも記載されている。
しかし、０．１３μｍ以下の微細度を持つＬＳＩパターンルールになると、配線遅延がＬＳＩの高速化に与える影響が多くなり、現状のＬＳＩのプロセス技術により、ＬＳＩの高性能化を進展させていくことは、難しくなってきている。配線遅延を小さくするために用いられる材料が配線材Ｃｕと低誘電率の層間絶縁膜である。そして配線材を現在のＡｌ（アルミニウム）からＣｕへ変えるために導入される技術がデュアルダマシンプロセスである。デュアルダマシンプロセスにおいては、従来の配線材Ａｌの基板に比べアスペクト比（凹凸）が大きい基板上に反射防止膜を用いることになる。
デュアルダマシンプロセス用反射防止膜に要求されている物性としては、ホール周辺部の下地基板における反射防止膜の塗布形状を制御することである。ホール周辺部の下地基板における反射防止膜の塗布形状を制御することに関して、以下の２種類の方法、及び反射防止膜がある。
その一つの方法としてフルフィル（Ｆｕｌｌ−ｆｉｌｌ）型があり、反射防止膜がホールを完全に埋め込み、基板を平坦化する方法で反射防止膜を使用することである。これは、ホールに反射防止膜を１００％に近く充填することが望まれる。この方法における利点はリソグラフィ工程に有利である。しかし、欠点としてエッチング工程に不利である。
もう一つの方法としてパーシャルフィル（Ｐａｒｔｉａｌ−ｆｉｌｌ）型があり、反射防止膜がホールの一部を埋め込み、ホール底部とホールエッジ上部での表層を覆う方法で反射防止膜を使用する方法である。
ここでのホールへの充填率は２０〜８０％に近いことが望まれる。この方法における利点は反射防止膜材料のホールへの充填量が２０〜８０％であるので、１００％近い充填量の場合に比べて反射防止膜をエッチング除去する工程が短時間で行われ半導体生産という点で有利である。しかし、欠点としてはホールを有する基板が完全に平坦化してないために反射防止効果という点でリソグラフィー工程が不利である。しかし、フルフィル型での反射防止膜の使用が主に配線幅０．２μｍ以下の集積度の高い基板部分で使用されるのに対し、パーシャルフィル型での反射防止膜を配線幅０．２μｍ以下の集積度の高い基板部分で使用する為には、他の反射防止膜との併用が必要になってくる場合があるので、通常、配線幅が０．３μｍ以上の集積度の低い基板で使用される。
このパーシャルフィル型で使用される反射防止膜形成材料の要求特性として、一定膜厚で反射防止膜を塗布したときに、以下の性能を有していることが重要である。
（１）ホール中への反射防止膜の充填量が、該ホール当たりの容積に対して２０〜８０％、好ましくは３０〜７０％であること。
（２）ホール中へ充填された反射防止膜に空気のボイドや隙間を有しないこと。
（３）ホールの側壁に反射防止膜が付着しないこと。
（４）ホールエッジ上部が、反射防止膜によって覆われていること。
（５）基板上のホールの粗密に関わらず、反射防止膜の膜厚が一定であること。
（６）レジストポイズングをおこさないこと。
これらの６つの性能をより満足する反射防止膜が必要である。
特に、一定膜厚で反射防止膜を塗布したときに、ホール中で反射防止膜による充填率が２０〜８０％、好ましくは３０〜７０％であること、ホール中に、空気のボイドや隙間を有しないこと、及び基板上のホールの粗密に関わらず、反射防止膜の膜厚が一定である反射防止膜用材料が必要である。
パーシャルフィル型で使用される従来の反射防止膜形成材料を使用した例として、例えば、特開２０００−２９４５０４号公報は、トポグラフィーを有する基体上にフォトレジストレリーフイメージを形成する方法であって、（ａ）約８０００以下の分子量を有するポリマーを含む反射防止組成物の層を基体上に適用し、（ｂ）該反射防止組成物層の上にフォトレジスト組成物の層を適用し、および（ｃ）活性化放射線によりフォトレジスト層を露光し、露光したフォトレジスト層を現像することを含むフォトレジストレリーフイメージを形成する方法を開示している。その中で、好ましい態様として、反射防止組成物がシリコンの局部酸化により形成され、０．８ミクロンの幅および２ミクロンの中間点深さであるスロープ形状を有するステップに対して約０．５以上の平坦度を示す方法であるとしている。しかしながら、上記公報は、パーシャルフィル型で反射防止膜形成材料が使用される場合において重要な点である、反射防止膜を塗布した際のその効果の障害となりやすい空気のボイドや隙間の形成に関しては何ら言及しておらず、また、基板上のホールの粗密に関わらずに反射防止膜の膜厚が一定であるかどうかに関する記載もない。
本発明の目的は、一定膜厚で反射防止膜を塗布したときに、ホール中に、反射防止膜の充填率が２０〜８０％であること、ホール中に、空気のボイドや隙間を有しないこと、及び基板上のホールの粗密に関わらず、反射防止膜の膜厚が一定であり、反射光防止効果が高く、レジスト層とのインターミキシングが起こらず、優れたレジストパターンが得られ、レジストに比較して大きなドライエッチング速度を有するリソグラフィー用反射防止膜を提供すること、及び該反射防止膜形成組成物を用いたレジストパターンの形成法を提供することにある。
すなわち、本発明に開示されるポリマー及びそれを用いた反射防止膜形成組成物は、配線幅が比較的狭いものに適用するために基板上のホールを完全に充填して平坦化して高い反射防止能を求めるために使用するフルフィル型の反射防止膜に適用するよりはむしろ、配線幅が比較的広いものに適用し反射防止能と共に高いドライエッチング速度を求めるために使用するパーシャルフィル型の反射防止膜への適用により適する。
発明の開示
本発明は、第１観点として５０００以下の重量平均分子量を有するポリマー（Ａ）と、２００００以上の重量平均分子量を有するポリマー（Ｂ）とを含む反射防止膜形成組成物、
第２観点として、ポリマー（Ａ）が、７００〜５０００の重量平均分子量を有するハロゲン化ビスフェノールＡ型樹脂である第１観点に記載の反射防止膜形成組成物、
第３観点として、ハロゲン化ビスフェノールＡ型樹脂は、少なくとも式（１）：
2003034152.tif 000003
〔式中、Ｘ１はハロゲン原子を表し、ｎ１は、繰り返し単位の数であって、１〜５０の整数を表し、ｎ２及びｎ３はベンゼン環に対する置換基Ｘ１の数であって、それぞれ１〜３の整数を表し、そしてＹは式（２）：
2003034152.tif 000004
（式中、Ｔ１は２価の連結基を表し、Ｐは炭素数６〜１４個の（ｎ４＋１）価の芳香環基を表し、Ｍは電子供与性基を表し、ｎ４はＰに対する置換基Ｍの数であって、０〜３の整数を表し、ｎ４が２又は３の場合、置換基Ｍはそれぞれ同じであっても異っていてもよい。）で表される基を表す。〕で表される重合体からなる第２観点に記載の反射防止膜形成組成物、
第４観点として、ポリマー（Ａ）が、６００〜５０００の重量平均分子量を有するハロゲン含有ノボラック樹脂である第１観点に記載の反射防止膜形成組成物、
第５観点として、ハロゲン含有ノボラック樹脂は、少なくとも式（３）：
2003034152.tif 000005
（式中、Ｔ２は２価の連結基を表し、Ｘ２は塩素原子、臭素原子を表し、ｎ５は繰り返し単位の数であり、ｎ６はベンゼン環に対する置換基Ｘ２の数であって、１〜３の整数を表し、Ｐは炭素数６〜１４個の（ｎ７＋１）価の芳香環基を表し、Ｍは電子供与性基を表し、ｎ７は０から３までの整数であり、ｎ７が２〜３の場合、Ｍはそれぞれ同じであっても異っていてもよい。）の繰り返し単位を有する重合体である第４観点に記載の反射防止膜形成組成物、
第６観点として、ポリマー（Ｂ）が、２００００〜２０００００の重量平均分子量を有するポリアクリル酸エステル又はポリメタクリル酸エステルである第１観点乃至第５観点のいずれか一つに記載の反射防止膜形成組成物、
第７観点として、ポリマー（Ｂ）が、２００００〜２０００００の重量平均分子量を有するポリスチレン又はその誘導体である第１観点乃至第５観点のいずれか一つに記載の反射防止膜形成組成物、
第８観点として、ポリマー（Ａ）を３３．７〜８３．２重量％及びポリマー（Ｂ）を６６．３〜１６．８重量％の割合で含有する、第１観点乃至第７観点のいずれか一つに記載の反射防止膜形成組成物、
第９観点として、少なくとも２個の架橋形成官能基をもつ架橋剤を更に含む第１観点乃至第８観点のいずれか一つに記載の反射防止膜形成組成物、
第１０観点として、高さ／直径で示されるアスペクト比が１以上のホールを有する基板にフォトレジストを被覆しリソグラフィープロセスを利用して基板上に画像を転写する方法による半導体装置の製造において使用され、フォトレジストを被覆する前の該基板のホールを部分的に充填するために用いる第１観点乃至第９観点のいずれか一つに記載の反射防止膜形成組成物、
第１１観点として、基板上のホールへの充填が、該ホール当たりの容積の２０〜８０％である第１０観点に記載の反射防止膜形成組成物、及び
第１２観点として、下記（Ｉ）工程、（ＩＩ）工程及び（ＩＩＩ）工程：
（Ｉ）工程：高さ／直径で示されるアスペクト比が１以上のホールを有する基板に、第１観点乃至第９観点のいずれか一つに記載の反射防止膜形成組成物を塗布し、乾燥することにより該基板上のホール容積の２０〜８０％を反射防止膜で充填する工程、
（ＩＩ）工程：レジストを塗布し乾燥する工程、及び
（ＩＩＩ）工程：露光、現像、及びエッチングする工程、よりなる基板上に画像を転写し集積回路素子を形成する半導体装置の製造方法である。
本発明は５０００以下の重量平均分子量を有するポリマー（Ａ）と、２００００以上の重量平均分子量を有するポリマー（Ｂ）とを含む半導体装置製造のリソグラフィープロセスに用いる反射防止膜形成組成物である。上記ポリマーは主鎖にハロゲン原子を含有するものを好ましく用いる事が出来る。
本発明の反射防止膜を形成する分子量５０００以下のポリマー（Ａ）は、使用する塗布溶剤、溶液粘度、膜形状などにより変動するが、ノボラック樹脂、ビスフェノールＡ型樹脂、ポリエステル樹脂、及びポリエーテル樹脂などを好ましく用いることができる。
本発明の反射防止膜を形成する分子量２００００以上のポリマー（Ｂ）は、使用する塗布溶剤、溶液粘度、膜形状などにより変動するが、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリビニルフェノール樹脂、及びポリイミド樹脂などを好ましく用いることができる。
その中でも、上記ポリマーとしてハロゲン含有ノボラック樹脂及び／又はその誘導体、並びにアクリル樹脂及び／又はその誘導体からなることが特に好ましい。
得られた反射防止膜中のポリマーの重量割合は、分子量５０００以下のポリマー（Ａ）が３３．７〜８３．２重量％と、分子量２００００以上のポリマー（Ｂ）が１６．８〜６６．３重量％であり、好ましくは分子量５０００以下のポリマー（Ａ）が５０．０〜７５．０重量％と、分子量２００００以上のポリマー（Ｂ）が２５．０〜５０．０重量％である。
本発明の反射防止膜形成組成物は、上記ポリマーと溶媒を含有し、更に架橋剤、その他の添加剤等を含有し得るものである。本発明の反射防止膜形成組成物の固形分は、０．１〜５０重量％である。そして、上記ポリマーの含有量としては、全組成物１００重量部に対して０．１〜５０重量部、好ましくは１〜３０重量部である。
本発明におけるポリマーは、ランダム共重合体、ブロック共重合体あるいはグラフト共重合体のいずれであってもよい。本発明の反射防止膜を形成するポリマーは、ラジカル重合、アニオン重合、カチオン重合などの方法により合成することができる。その形態は溶液重合、懸濁重合、乳化重合、塊状重合など種々の方法が可能である。
ポリマー（Ａ）は、例えば７００〜５０００の重量平均分子量を有するハロゲン化ビスフェノールＡ型樹脂を用いることができる。
ハロゲン化ビスフェノールＡ型樹脂は、少なくとも式（１）で表される重合体が好ましい。
ハロゲン化ビスフェノールＡ型樹脂は、ハロゲン化ビスフェノールＡとエピクロロヒドリンとの重縮合により合成することができる。ハロゲン化ビスフェノールＡは、例えばテトラブロモビスフェノールＡ、テトラクロロビスフェノールＡが挙げられ、市販品としてはハロゲン含有量が４６〜５２％、エポキシ当量３３０〜７００ｇ／ｅｑのものを容易に入手することができる。
ハロゲン化ビスフェノールＡ型樹脂の末端にはエポキシ基があり、そのエポキシ基の少なくとも一方にエポキシ基と反応する化合物を反応させることができる。
このハロゲン化ビスフェノールＡ型樹脂の末端の構造としては、吸光部分を有する式（２）の構造であることが好ましい。
また、式（１）中、Ｘ１は臭素原子、塩素原子等のハロゲン原子を表す。ｎ１は、繰り返し単位の数を示し、１〜５０、好ましくは１〜１０である。ｎ２、及びｎ３はベンゼン環に対するハロゲン原子の置換数を示し、ｎ２及びｎ３はそれぞれ１〜３の数であるが、好ましくはｎ２及びｎ３は２である。
また式（２）中、Ｐは炭素数６〜１４個の（ｎ４＋１）価の芳香環基を表す。例えばベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環等の吸光性基を例示することができる。
また、Ｍは電子供与性基を表す。Ｍは−ＯＨ、−ＯＲ２、−Ｒ２、−Ｎ（Ｒ３）（Ｒ４）又は−ＳＲ４等の置換基が例示され、Ｒ２は炭素数１〜２０個の炭化水素基を表し、Ｒ３、Ｒ４は各々同一であっても異っていてもよく、水素原子又は炭素数１〜２０個の炭化水素基を表す。上記Ｍは例えば、メチル基、エチル基、ブチル基、水酸基、メトキシ基、エトキシ基、アリル基、ビニル基及びアミノ基等が例示される。ｎ４はＰに対するＭの置換数を示す。ｎ４は０から３までの整数である。ｎ４が２〜３の場合、Ｍはそれぞれ同じであっても異っていてもよい。
ハロゲン化ビスフェノールＡ型樹脂の両末端にあるエポキシ基のうち少なくとも一方のエポキシ基は、芳香族有機酸、芳香族アミン、芳香族アルコール等の芳香族系化合物と反応することにより、式（１）のＹにおいて式（２）の構造をとることが必要である。これらの芳香族系化合物としては、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環等の芳香族環にカルボキシル基、スルホン酸基、アミノ基、水酸基等の官能基が１種又は２種以上置換した構造の化合物を用いることができる。これらは紫外部に吸光性を有する芳香族系化合物であり、例えば安息香酸、ベンゼンスルホン酸、アニリン、ベンジルアミン、フェノール、ナフタレンカルボン酸、ナフチル酢酸、ナフタレンスルホン酸、ナフチルアミン、ナフトール、アントラセンカルボン酸、アントラセンスルホン酸、アミノアントラセン、ヒドロキシアントラセン、及びそれらの誘導体が挙げられる。これらの芳香族系化合物とハロゲン化ビスフェノールＡ型樹脂を反応させ、Ｙの部分が式（２）で表される構造をとる際に、２価の連結基である（Ｔ１）は、−Ｏ−ＣＯ−、−ＳＯ２−Ｏ−、−ＮＨ−、−Ｏ−、等の構造を示す。
上記芳香族系化合物の中でも特に、９−アントラセンカルボン酸が好ましく、９−アントラセンカルボン酸を用いた場合には式（２）において（Ｔ１）は−Ｏ−ＣＯ−を示し、（Ｐ）はアントリル基を示す。
ハロゲン化ビスフェノールＡ型樹脂の両末端にあるエポキシ基のうち一方のエポキシ基は、脂肪族有機酸、脂肪族アルコール、脂肪族アミン又は水と反応することができる。これらが反応する事により式（４）：
2003034152.tif 000006
においてＹが式（６）：
2003034152.tif 000007
の構造が得られる。式（６）においてＺはＲＣＯＯ−、ＲＯ−、ＲＮＨ−、ＨＯ−等の置換基である。但し、Ｒは置換されても良い炭化水素基を示す。
そして、反応条件によってはハロゲン化ビスフェノールＡ型樹脂の両末端にあるエポキシ基のうち一方のエポキシ基は未反応の状態で存在することも考えられる。その場合は、式（４）においてＹは式（５）：
2003034152.tif 000008
の構造となる。
従って、本発明に用いられるハロゲン化ビスフェノールＡ型樹脂は式（４）において、両末端のＹは式（２）、式（５）及び式（６）の構造を有する。これらＹにおいて、式（２）：式（５）：式（６）の値を、式（２）、式（５）及び式（６）の繰り返し単位の総モル数を１とした場合における各々の繰り返し単位のモル数で示すと、０．５〜１．０：０〜０．５：０〜０．５の範囲、好ましくは０．８〜１．０：０〜０．２：０〜０．２の範囲である。
本発明に用いられるハロゲン化ビスフェノールＡ型樹脂は、両末端のエポキシ基が９−アントラセンカルボン酸と反応する事によって得られる式（７）：
2003034152.tif 000009
の構造を有する樹脂が好ましい。
また、同様に式（８）：
2003034152.tif 000010
の構造を有する樹脂も使用することができる。
上記のハロゲン化ビスフェノールＡ型樹脂の構造中で水酸基は架橋剤中の架橋形成官能基と反応する事により、反射防止膜中で架橋構造を形成することができる。
ハロゲン化ビスフェノールＡ型樹脂の末端に存在するエポキシ基に吸光性を有する芳香族系化合物を反応させることにより、少なくとも一つのＹが式（２）の構造をとることは必須である。そして両末端のＹが式（２）の構造をとる場合、一つのＹが式（２）であり他方のＹが式（５）である場合、及び一つのＹが式（２）であり他方のＹが式（６）である場合が存在する。
本発明では原子量の大きなハロゲン原子、特に臭素原子を含有することにより反射防止膜を形成した際に高いドライエッチング速度を有するが、反射防止膜形成材料の単位重量当たりの吸光基の割合を多くする為に、ハロゲン化ビスフェノールＡ型樹脂中でＹの部分が式（２）である割合は多い方が好ましい。
ハロゲン化ビスフェノールＡ型樹脂はテトラブロモビスフェノールＡ等のハロゲン化ビスフェノールＡと、エピクロルヒドリン等のクロロメチルオキシランとの重合により得られる。
また、ポリマー（Ａ）は、例えば７００〜５０００の重量平均分子量を有するハロゲン含有ノボラック樹脂を用いることもできる。
上記のハロゲン含有ノボラック樹脂は、少なくとも式（３）の繰り返し単位を有する重合体である。
上記ハロゲン含有ノボラック樹脂は、式（３）に、更に式（９）：
2003034152.tif 000011
及び、式（１０）：
2003034152.tif 000012
（式中、Ｘ２は塩素原子、臭素原子を表し、ｎ６はベンゼン環に対する置換基Ｘ２の数を示し、ｎ６は１〜３の整数であり、ＺはＲＣＯＯ−、ＲＯ−、ＲＮＨ−、ＨＯ−等の置換基を表し、ｎ８、ｎ９及びｎ５は、式（３）、（９）及び（１０）の繰り返し単位の総モル数を１とした場合の各々の繰り返し単位のモル数を表し、ｎ８、ｎ９及びｎ５の和は１であり、ｎ８は０〜０．８、ｎ９は０〜０．８、及びｎ５は０．２〜１．０である。）の繰り返し単位を追加することができる。
上記のハロゲン含有ノボラック樹脂は、式（９）で示されるエポキシ基を持ったハロゲン含有ノボラック樹脂を準備し、これにエポキシ基と反応する化合物を付加反応させて式（３）及び式（１０）の繰り返し単位を有する部分に変換する方法により容易に製造する事が出来る。このときエポキシ基と反応する化合物を少なくとも１種類使用することにより式（３）及び式（１０）の繰り返し単位を有する樹脂が生成する。
式（３）の繰り返し単位は吸光性物質を結合した部分であり、式（９）の樹脂に吸光性物質を付加反応させて式（３）の繰り返し単位を得る。この吸光性物質としては、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、ピレン環にカルボキシル基、スルホン酸基、アミノ基、水酸基等の官能基が１種又は２種以上置換したものが挙げられる。また、これらは更に−ＯＲ２、−Ｎ（Ｒ３）（Ｒ４）又は−ＳＲ４（ここで、Ｒ２は炭素数１〜２０個の炭化水素基を表し、Ｒ３、Ｒ４は各々同一であっても異っていてもよく、水素原子又は炭素数１〜２０個の炭化水素基を表す。）で置換されていてもよい。
これら吸光性物質が式（９）のエポキシ基と反応した際に、２価の連結基である（Ｔ２）は、−Ｏ−ＣＯ−、−ＳＯ２−Ｏ−、−ＮＨ−、−Ｏ−等の構造を示す。
そしてこの吸光性物質はカルボキシル基又はカルボキシル基に変換しうる官能基を有し、式（９）のエポキシ基と反応し連結されることが好ましい。このカルボキシル基又はカルボキシル基に変換しうる官能基が、式（９）の樹脂に存在するエポキシ基に付加し、式（３）の繰り返し単位を有する樹脂が生成する。特に好ましい吸光性物質としては、９−アントラセンカルボン酸を挙げることができ、式（１１）：
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（ただし、ｎ１０、ｎ１１及びｎ１２は、樹脂を構成する繰り返し単位の総モル数を１とした場合の各々の繰り返し単位のモル数を示し、ｎ１０、ｎ１１及びｎ１２の和は１である。ｎ１０は０〜０．８、ｎ１１は０〜０．８かつｎ１２は０．２〜１．０であり、ｎ６はベンゼン環に対する臭素原子の置換数を示し、１〜３の整数である。）で示される樹脂が得られる。
９−アントラセンカルボン酸を用いた場合には、式（３）の構造において（Ｔ２）は−Ｏ−ＣＯ−を示し、（Ｐ）はアントリル基を示す。
式（９）の繰り返し単位を有する樹脂に、カルボキシル基又はカルボキシル基に変換しうる官能基を有する吸光性物質が付加反応し、式（３）の繰り返し単位を有する樹脂が生成する。この時、式（９）の繰り返し単位を有する樹脂の残存するエポキシ基が加水分解を起こし、水酸基が付加した式（１０）（Ｚ＝−ＯＨ）の繰り返し単位を生成させることもできる。
また、式（３）及び式（１０）の繰り返し単位は架橋反応基（水酸基）を結合した部分でもある。
式（３）及び式（１０）の繰り返し単位は、光吸光性をもたらす構造単位であると共に、架橋剤との架橋反応速度を制御するものである。すなわち、繰り返し単位の総モル数を１とした場合の式（３）及び式（１０）の各々の繰り返し単位のモル数を変化させる事により、架橋反応速度が制御できる。
式（３）、式（９）及び式（１０）において、式（３）、式（９）及び式（１０）の繰り返し単位の総モル数を１とした場合の各々の繰り返し単位のモル数で示すと、ｎ８：ｎ９：ｎ５＝０〜０．８：０〜０．８：０．２〜１のモル比、好ましくはｎ８：ｎ９：ｎ５＝０〜０．２：０〜０．２：０．８〜１のモル比、更に好ましくはｎ８：ｎ９：ｎ５＝０〜０．１：０〜０．１：０．９〜１のモル比に含有し、ｎ８＋ｎ９＋ｎ５＝１となる構造を有する。
式（１１）においても、樹脂を構成する繰り返し単位の総モル数を１とした場合の、各々の繰り返し単位のモル数で示すと、ｎ１０：ｎ１１：ｎ１２＝０〜０．８：０〜０．８：０．２〜１のモル比、好ましくはｎ１０：ｎ１１：ｎ１２＝０〜０．２：０〜０．２：０．８〜１のモル比、更に好ましくはｎ１０：ｎ１１：ｎ１２＝０〜０．１：０〜０．１：０．９〜１のモル比に含有し、ｎ１０＋ｎ１１＋ｎ１２＝１となる構造を有する。
式（９）で示されるエポキシ基を持ったハロゲン含有ノボラック樹脂に吸光性物質を付加反応させるため、式（３）の繰り返し単位は必須であるが、吸光性物質が式（９）のエポキシ基の全てに渡って付加反応した場合は式（９）の繰り返し単位はゼロである。式（３）、式（９）及び式（１０）からなる構造単位は、式（３）、式（９）及び式（１０）の繰り返し単位の総モル数を１とした場合の、即ち生成した樹脂を構成する各モノマーの繰り返し単位の総モル数を１とした場合の各々の繰り返し単位の占める割合で表される。
本発明では原子量の大きなハロゲン原子、特に臭素原子を含有する樹脂を使用する為に、それら樹脂を含む反射防止膜形成材料を塗布した際に、反射防止膜形成材料の単位重量当たりの吸光基の割合を多くする為には、式（３）の繰り返し単位を構造中に多く含有させる必要がある。
式（９）の樹脂のエポキシ基の全部又は一部に、吸光性物質のみを付加させて式（３）の繰り返し単位に変換した式（１２）の樹脂を好ましく用いることができる。
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（式中、Ｘ２は塩素原子、臭素原子を表し、ｎ６はベンゼン環に対する置換基Ｘ２の置換数を示し、ｎ６は１〜３の整数であり、Ｐは炭素数６〜１４個の（ｎ７＋１）価の芳香環基を表し、Ｍは電子供与性基を表し、ｎ７は０から３までの整数であり、ｎ７が２〜３の場合、Ｍはそれぞれ同じであっても異っていても良く、ｎ１３及びｎ１４は、樹脂を構成するモノマーの繰り返し単位の総モル数を１とした場合の、各々のモノマーの繰り返し単位のモル数を示す。ｎ１３及びｎ１４の和は１であり、ｎ１３は０〜０．８、及びｎ１４は０．２〜１．０である。）
また、式（１２）の樹脂において、加水分解が発生しない条件で製造する事によって得られる式（１３）の樹脂を好ましく用いる事が出来る。
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ｎ８、ｎ９及びｎ５は、生成樹脂中に占める、式（９）、式（１０）及び式（３）の各々の繰り返し単位の割合であり、−式（９）の繰り返し単位−式（１０）の繰り返し単位−式（３）の繰り返し単位−からなる構造で存在するだけでなく、−式（９）の繰り返し単位−式（３）の繰り返し単位−式（１０）の繰り返し単位−からなる構造、−式（９）の繰り返し単位−式（３）の繰り返し単位−式（３）の繰り返し単位−式（１０）の繰り返し単位−からなる構造、−式（９）の繰り返し単位−式（３）の繰り返し単位−からなる構造、−式（９）の繰り返し単位−式（３）の繰り返し単位−式（３）の繰り返し単位−からなる構造など任意の組み合わせのものが可能であるが、全樹脂中でｎ８：ｎ９：ｎ５＝０〜０．８：０〜０．８：０．２〜１のモル比に存在すれば、如何なる構造も許容される。
上記式（３）の樹脂は、プロピレングリコールモノメチルエーテル、或いはプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等の溶媒中で式（９）の樹脂と吸光性物質を、ベンジルトリエチルアンモニウムクロリド、或いはテトラメチルアンモニウムヒドロキシド等の触媒を用いて、１００〜１３０℃、常圧、１２〜４８時間の反応を行う事により合成される。
本発明に用いられるポリマー（Ｂ）は２００００以上の重量平均分子量を有するものである。ポリマー（Ｂ）には上記Ｐに相当する吸光性物質を結合させることができる。例えばグリシジル基を有する構造単位に上記Ｐに相当する吸光性物質を付加反応させて吸光部位を有するポリマー（Ｂ）とすることができる。しかし、ポリマー（Ｂ）は必ずしも吸光部位を有する必要はない。
ポリマー（Ｂ）は、水酸基等の架橋形成官能基を有する必要があり、水酸基を有するモノマーの重合や、反応により水酸基を生成する官能基を有するモノマーを重合する事により得られる。
ポリマー（Ｂ）は、例えば２００００〜２０００００の重量平均分子量を有するアクリル酸エステル又はメタクリル酸エステルを用いることができる。
ポリマー（Ｂ）としてのポリ（メタ）アクリル酸エステルとしては、例えばヒドロキシアルキル基を有するポリ（メタ）アクリル酸エステルや、エポキシ基を有するポリ（メタ）アクリル酸エステルを用いることができる。
例えば、ヒドロキシメチルメタクリレート、ヒドロキシエチルメタクリレート、ヒドロキシプロピルメタクリレート、ヒドロキシブチルメタクリレート、ヒドロキシペンチルメタクリレート、ヒドロキシフェニルメタクリレート、ヒドロキシプロピルアクリレート、グリシジルアクリレート、グリシジルメタクリレート等を単独で重合させることや、これらの２種以上のモノマーを共重合させることで得られる。
また本発明に用いられるポリマー（Ｂ）は、例えば２００００〜２０００００の重量平均分子量を有するポリスチレン又はその誘導体が挙げられる。これら樹脂中には架橋剤と架橋結合を形成できる水酸基等の官能基を有するポリヒドロキシスチレン等を用いることができる。
ポリマー（Ｂ）では、それら以外のモノマーを共重合することも可能であり、これにより架橋反応速度、ドライエッチング速度、反射率等の微調整が行える。このような共重合モノマーとしては以下のものが挙げられる。例えば、アクリル酸、メタクリル酸、マレイン酸、フマル酸、アクリル酸エステル類、アクリルアミド類、メタクリル酸エステル類、メタクリルアミド類、アリル化合物、ビニルエーテル類、ビニルエステル類、スチレン類、クロトン酸エステル類などから選ばれる付加重合性不飽和結合を１個有する化合物である。
アクリル酸エステル類としては、例えばアルキル基の炭素原子数が１〜１０のアルキルアクリレートが挙げられる。
メタクリル酸エステル類としては、例えばアルキル基の炭素原子数が１〜１０のアルキルメタクリレートが挙げられる。
アクリルアミド類としては、アクリルアミドや、Ｎ−アルキルアクリルアミド、Ｎ−アリールアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジアルキルアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−アリールアクリルアミド、Ｎ−メチル−Ｎ−フェニルアクリルアミド、Ｎ−２−アセトアミドエチル−Ｎ−アセチルアクリルアミドなどが挙げられる。
メタクリルアミド類としては、例えばメタクリルアミド、Ｎ−アルキルメタクリルアミド、Ｎ−アリールメタクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジアルキルメタクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジアリールメタクリルアミド、Ｎ−メチル−Ｎ−フェニルメタクリルアミド、Ｎ−エチル−Ｎ−フェニルメタクリルアミドなどが挙げられる。
ビニルエーテル類としては、例えばアルキルビニルエーテル、ビニルアリールエーテルが挙げられる。
ビニルエステル類としては、例えばビニルブチレート、ビニルイソブチレート、ビニルトリメチルアセテートが挙げられる。
スチレン類としては、例えばスチレン、アルキルスチレン、アルコキシスチレン、ハロゲン化スチレン、カルボキシスチレンが挙げられる。
クロトン酸エステル類としては、例えばクロトン酸ブチル、クロトン酸ヘキシル、グリセリンモノクロトネート等のクロトン酸アルキルが挙げられる。
また、イタコン酸ジアルキル類、マレイン酸あるいはフマール酸のジアルキルエステル類又はモノアルキルエステル類、マレイミド、アクリロニトリル、メタクリロニトリル、マレイロニトリル等が挙げられる。その他、一般的には付加重合性不飽和化合物であれば用いる事が出来る。
本発明の反射防止膜形成組成物は、少なくとも２個の架橋形成官能基をもつ架橋剤を含有する事ができる。その架橋剤としては、メラミン系、置換尿素系、エポキシ基を含有するポリマー系等が挙げられる。好ましくは、メトキシメチル化グリコールウリル、またはメトキシメチル化メラミンなどの化合物であり、特に好ましくは、テトラメトキシメチルグリコールウリル、またはヘキサメトキシメチルメラミンである。架橋剤の添加量は、使用する塗布溶剤、使用する下地基板、要求される溶液粘度、要求される膜形状などにより変動するが、全組成物１００重量部に対して０．００１〜２０重量部、好ましくは０．０１〜１０重量部、さらに好ましくは０．１〜５．０重量部である。
本発明の反射防止膜組成物では架橋反応を促進するための触媒として、ｐ−トルエンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、ピリジニウムｐ−トルエンスルホン酸、サリチル酸、スルホサリチル酸、クエン酸、安息香酸、ヒドロキシ安息香酸等の酸性化合物又は／及び、２，４，４，６−テトラブロモシクロヘキサジエノン、ベンゾイントシラート、２−ニトロベンジルトシラート等の熱酸発生剤を配合する事が出来る。配合量は全固形分１００重量部当たり、０．０２〜１０重量部、好ましくは０．０４〜５重量部である。
本発明の反射防止膜形成組成物には、上記以外に必要に応じて更なる吸光剤、レオロジー調整剤、接着補助剤、界面活性剤などを添加することができる。
更なる吸光剤としては例えば、「工業用色素の技術と市場」（ＣＭＣ出版）や「染料便覧」（有機合成化学協会編）に記載の市販の吸光剤、例えば、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｓｐｅｒｓｅ  Ｙｅｌｌｏｗ１，３，４，５，７，８，１３，２３，３１，４９，５０，５１，５４，６０，６４，６６，６８，７９，８２，８８，９０，９３，１０２，１１４及び１２４；Ｃ．Ｉ．Ｄ  ｉｓｐｅｒｓｅ  Ｏｒａｎｇｅ１，５，１３，２５，２９，３０，３１，４４，５７，７２及び７３；Ｃ．Ｉ．Ｄｉｓｐｅｒｓｅ  Ｒｅｄ１，５，７，１３，１７，１９，４３，５０，５４，５８，６５，７２，７３，８８，１１７，１３７，１４３，１９９及び２１０；Ｃ．Ｉ．Ｄｉｓｐｅｒｓｅ  Ｖｉｏｌｅｔ４３；Ｃ．Ｉ．Ｄｉｓｐｅｒｓｅ  Ｂｌｕｅ  ９６；Ｃ．Ｉ．Ｆｌｕｏｒｅｓｃｅｎｔ  Ｂｒｉｇｈｔｅｎｉｎｇ  Ａｇｅｎｔ  １１２，１３５及び１６３；Ｃ．Ｉ．Ｓｏｌｖｅｎｔ  Ｏｒｅｎｇｅ２及び４５；Ｃ．Ｉ．Ｓｏｌｖｅｎｔ  Ｒｅｄ１，３，８，２３，２４，２５，２７及び４９；Ｃ．Ｉ．Ｐｉｇｍｅｎｔ  Ｇｒｅｅｎ１０；Ｃ．Ｉ．Ｐｉｇｍｅｎｔ  Ｂｒｏｗｎ２等を好適に用いることができる。上記吸光剤は通常、全組成物１００重量部に対して１０重量部以下、好ましくは５重量部以下の割合で配合される。
レオロジー調整剤は、主に反射防止膜形成組成物の流動性を向上させ、特にベーク工程において、ホール内部への反射防止膜形成組成物の充填性を高めるための目的で添加される。具体例としては、ジメチルフタレート、ジエチルフタレート、ジイソブチルフタレート、ジヘキシルフタレート、ブチルイソデシルフタレート等のフタル酸誘導体、ジノーマルブチルアジペート、ジイソブチルアジペート、ジイソオクチルアジペート、オクチルデシルアジペート等のアジピン酸誘導体、ジノーマルブチルマレート、ジエチルマレート、ジノニルマレート等のマレイン酸誘導体、メチルオレート、ブチルオレート、テトラヒドロフルフリルオレート等のオレイン酸誘導体、またはノーマルブチルステアレート、グリセリルステアレート等のステアリン酸誘導体を挙げることができる。これらのレオロジー調整剤は、リソグラフィー用反射防止膜の全組成物１００重量部に対して通常３０重量部未満の割合で配合される。
接着補助剤は、主に基板あるいはレジストと反射防止膜形成組成物の密着性を向上させ、特に現像においてレジストが剥離しないようにするための目的で添加される。具体例としては、トリメチルクロロシラン、ジメチルビニルクロロシラン、メチルジフエニルクロロシラン、クロロメチルジメチルクロロシラン等のクロロシラン類、トリメチルメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、メチルジメトキシシラン、ジメチルビニルエトキシシラン、ジフエニルジメトキシシラン、フエニルトリエトキシシラン等のアルコキシシラン類、ヘキサメチルジシラザン、Ｎ，Ｎ’−ビス（トリメチルシリル）ウレア、ジメチルトリメチルシリルアミン、トリメチルシリルイミダゾール等のシラザン類、ビニルトリクロロシラン、γ−クロロプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン等のシラン類、ベンゾトリアゾール、ベンズイミダゾール、インダゾール、イミダゾール、２−メルカプトベンズイミダゾール、２−メルカプトベンゾチアゾール、２−メルカプトベンゾオキサゾール、ウラゾール、チオウラシル、メルカプトイミダゾール、メルカプトピリミジン等の複素環状化合物や、１，１−ジメチルウレア、１，３−ジメチルウレア等の尿素、またはチオ尿素化合物を挙げることができる。これらの接着補助剤は、リソグラフィー用反射防止膜の全組成物１００重量部に対して通常５重量部未満、好ましくは２重量部未満の割合で配合される。
本発明の反射防止膜形成組成物には、ピンホールやストレーション等の発生がなく、表面むらに対する塗布性をさらに向上させるために、界面活性剤を配合することができる。界面活性剤としては、例えばポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンセチルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル等のポリオキシエチレンアルキルエーテル類、ポリオキシエチレンオクチルフエノールエーテル、ポリオキシエチレンノニルフエノールエーテル等のポリオキシエチレンアルキルアリルエーテル類、ポリオキシエチレン・ポリオキシプロピレンブロツクコポリマー類、ソルビタンモノラウレート、ソルビタンモノパルミテート、ソルビタンモノステアレート、ソルビタンモノオレエート、ソルビタントリオレエート、ソルビタントリステアレート等のソルビタン脂肪酸エステル類、ポリオキシエチレンソルビタンモノラウレート、ポリオキシエチレンソルビタンモノパルミテート、ポリオキシエチレンソルビタンモノステアレート、ポリオキシエチレンソルビタントリオレエート、ポリオキシエチレンソルビタントリステアレート等のポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル類等のノニオン系界面活性剤、エフトツプＥＦ３０１、ＥＦ３０３、ＥＦ３５２（（株）トーケムプロダクツ製）、メガフアツクＲ０８、Ｒ３０、ＬＳ−１４（大日本インキ化学（株）製）、フロラードＦＣ４３０、ＦＣ４３１（住友スリーエム（株）製）、アサヒガードＡＧ７１０、サーフロンＳ−３８２、ＳＣ１０１、ＳＣ１０２、ＳＣ１０３、ＳＣ１０４、ＳＣ１０５、ＳＣ１０６（旭硝子（株）製）等のフッ素系界面活性剤、オルガノシロキサンポリマーＫＰ３４１（信越化学工業（株）製）等を挙げることができる。これらの界面活性剤の配合量は、本発明の全組成物１００重量部当たり通常１重量部以下、好ましくは０．５重量部以下である。これらの界面活性剤は単独で添加してもよいし、また２種以上の組合せで添加することもできる。
本発明で、上記樹脂を溶解させる溶剤としては、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールプロピルエーテルアセテート、トルエン、キシレン、メチルエチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、２−ヒドロキシプロピオン酸エチル、２−ヒドロキシ−２−メチルプロピオン酸エチル、エトキシ酢酸エチル、ヒドロキシ酢酸エチル、２−ヒドロキシ−３−メチルブタン酸メチル、３−メトキシプロピオン酸メチル、３−メトキシプロピオン酸エチル、３−エトキシプロピオン酸エチル、３−エトキシプロピオン酸メチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、乳酸エチル、乳酸ブチル、等を用いることができる。これらの有機溶剤は単独で、または２種以上の組合せで使用される。
さらに、プロピレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテルアセテート等の高沸点溶剤を混合して使用することができる。これらの溶剤の中でプロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、乳酸エチル、乳酸ブチル、及びシクロヘキサノンがレベリング性の向上に対して好ましい。
本発明における反射防止膜の上層に塗布されるレジストとしてはネガ型、ポジ型いずれも使用でき、ノボラック樹脂と１，２−ナフトキノンジアジドスルホン酸エステルとからなるポジ型レジスト、光酸発生剤と酸により分解してアルカリ溶解速度を上昇させる基を有するバインダーからなる化学増幅型レジスト、アルカリ可溶性バインダーと光酸発生剤と酸により分解してレジストのアルカリ溶解速度を上昇させる低分子化合物からなる化学増幅型レジスト、光酸発生剤と酸により分解してアルカリ溶解速度を上昇させる基を有するバインダーと酸により分解してレジストのアルカリ溶解速度を上昇させる低分子化合物からなる化学増幅型レジストなどがあり、例えば、シプレー社製、商品名ＡＰＥＸ−Ｅが挙げられる。
本発明の反射防止膜形成組成物を使用して形成したリソグラフィー用反射防止膜を有するポジ型フォトレジストの現像液としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア水等の無機アルカリ類、エチルアミン、ｎ−プロピルアミン等の第一アミン類、ジエチルアミン、ジ−ｎ−ブチルアミン等の第二アミン類、トリエチルアミン、メチルジエチルアミン等の第三アミン類、ジメチルエタノールアミン、トリエタノールアミン等のアルコールアミン類、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、コリン等の第４級アンモニウム塩、ピロール、ピペリジン等の環状アミン類、等のアルカリ類の水溶液を使用することができる。さらに、上記アルカリ類の水溶液にイソプロピルアルコール等のアルコール類、ノニオン系等の界面活性剤を適当量添加して使用することもできる。これらの中で好ましい現像液は第四級アンモニウム塩、さらに好ましくはテトラメチルアンモニウムヒドロキシド及びコリンである。
本発明の反射防止材料を使用した半導体装置の製造方法は、下記（Ｉ）工程、（ＩＩ）工程及び（ＩＩＩ）工程：
（Ｉ）工程：高さ／直径で示されるアスペクト比が１以上のホールを有する基板に、上記の反射防止膜形成組成物を塗布し、乾燥することにより該基板上のホール容積の２０〜８０％、好ましくは３０〜７０％を反射防止膜で充填する工程、
（ＩＩ）工程：レジストを塗布し乾燥する工程、及び
（ＩＩＩ）工程：露光、現像、及びエッチングする工程、よりなる基板上に画像を転写し集積回路素子を形成する工程よりなる。反射防止膜組成物の塗布後ベークする条件としては８０〜２５０℃で１〜１２０分間である。
上述したように、本発明の反射防止膜形成材料は、高さ／直径で示されるアスペクト比が１以上、通常は１〜５０のアスペクト比のホールを有する基板にフォトレジストを被覆しリソグラフィープロセスを利用して基板上に画像を転写する方法による半導体装置の製造において使用され、フォトレジストを被覆する前の該基板のホールを部分的に充填するために用いることができる。
また、本発明の反射防止膜形成組成物は、架橋反応基であるヒドロキシル基の近傍に比較的大きな原子体積を持つハロゲンを付加させることにより、架橋反応速度を制御できる。ハロゲン原子の代わりに、架橋反応速度を小さくする芳香族炭化水素を架橋反応基の近傍に付加した反射防止膜形成組成物の場合は、レジストに比較して大きなドライエッチング速度を得ることは困難である。上記のハロゲン含有樹脂を用いた反射防止膜形成組成物は、架橋反応速度を適度に抑制でき、高い平坦化性が得られると同時に、組成物中の炭素原子の濃度を小さくすることができるため、レジストに比較して大きなドライエッチング速度を得ることができる特性を有している。
また、本発明の反射防止膜形成組成物は、吸光部が高分子樹脂側鎖に連結しているため加熱乾燥時にレジスト中への拡散物がなく、またその吸光部は十分に大きな吸光係数を有しているため反射光防止効果が高く、さらに吸光部に含まれる芳香環等の環状炭素の含有率（重量分率）が小さいため吸光度を高めるべく吸光部の添加量を多くしてもドライエッチング速度の低下が少ない。
さらに、本発明の反射防止膜形成組成物は、プロセス条件によっては、光の反射を防止する機能と、更には基板とレジストとの相互作用の防止或いはレジストに用いられる材料又はレジストへの露光時に生成する物質の基板への悪作用を防ぐ機能とを有する膜として使用可能である。
なお、本発明の反射防止膜の塗布性をより平坦化性の優れた膜として用いる場合には、光吸収性ポリマーのガラス転移温度（Ｔｇ）を少し低くして、ベーグ時に幾分流動が起こり、完全に固まった後ではレジスト溶剤に対し不溶となるようにする方法が挙げられる。このためには、光吸収性ポリマーの熱による架橋機能を少し減らすことが考えられる。このような平坦化の機能を達成するには、光吸収性ポリマーの重合度、組成物中での光吸収性ポリマーの濃度、繰り返し単位、繰り返し単位の置換基の選択、及びコモノマーの選択、添加成分の選択など種々の方法が考えられる。
発明を実施するための最良の形態
以下、実施例をもって本発明をさらに詳細に述べる。
合成例１
ハロゲン含有ノボラックエポキシ樹脂（日本化薬（株）製、商品名ＢＲＥＮ−３０４）を準備した。重量平均分子量は９００、構造は式（１４）で示される。
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上記ハロゲン含有ノボラックエポキシ樹脂１００．０ｇをプロピレングリコールモノメチルエーテル２５１．３ｇに溶解させた後、９−アントラセンカルボン酸６７．６ｇとベンジルトリエチルアンモニウムクロリド１．０５ｇを添加した。１００℃で２４時間反応させた。得られたポリマーのＧＰＣ分析を行ったところ、標準ポリスチレン換算にて重量平均分子量は１９００であった。得られた樹脂の構造は式（１５）で示される。
2003034152.tif 000017
式（１５）において、全ポリマー中でｎ８：ｎ５のモル比は、５：９５である。そして、ｎ６の値は、１．７であった。
合成例２
メタクリル酸グリシジルエステルモノマー２６ｇと、ヒドロキシプロピルメタクリレート５７ｇをプロピレングリコールモノメチルエーテル３３１ｇに溶解させた後、反応液中に窒素を３０分ながした。その反応液を７０℃に保ちながら重合開始剤としてアゾビスイソブチロニトリルＡＩＢＮ０．８ｇと、連鎖移動剤として１−ドデカンチオール０．３ｇを添加し、窒素雰囲気下で撹拌した。２４時間撹拌後、重合停止剤として４−メトキシフェノール０．１ｇを添加した。得られた樹脂のＧＰＣ分析を行ったところ、標準ポリスチレン換算にて重量平均分子量は３６４００であった。溶液中の固形分は２０％であった。
得られた樹脂の構造は式（１６）に相当するメタクリル酸グリシジルエステルとヒドロキシプロピルメタクリレートとの共重合体であり、ｍ：ｎ＝３５：６５のモル比であった。
2003034152.tif 000018
上記の得られた樹脂６．４ｇを有する反応液６４ｇに、９−アントラセンカルボン酸６．８ｇとベンジルトリエチルアンモニウムクロリド０．１９ｇを添加した後、１０５℃で２４時間反応させた。得られたポリマーのＧＰＣ分析を行ったところ、標準ポリスチレン換算にて重量平均分子量は５３０００であった。得られた樹脂の構造は式（１７）で示された。
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合成例３
プロピレングリコール中に２０重量％の固形分濃度でｐ−ヒドロキシスチレンモノマーが溶解したポリマー溶液（ランカスター（ＬＡＮＣＡＳＴＥＲ）社製）３００ｇを反応液とした。その反応液中に窒素を３０分ながした。反応液を７０℃に保ちながら重合開始剤としてアゾビスイソブチロニトリルＡＩＢＮ０．１ｇを添加し、窒素雰囲気下で撹拌した。反応物は蒸留水１リットル中に再沈することにより得られた沈降物を濾過し、乾燥することにより粉体として得た。得られたポリマーのＧＰＣ分析を行ったところ、標準ポリスチレン換算にて重量平均分子量は２１０００であった。得られたポリマーの構造は式（１８）に相当するポリｐ−ビニルフェノールあった。
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合成例４
臭素化ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（東都化成（株）製品、商品名ＹＤＢ−４００）を準備した。重量平均分子量は１２００、構造は式（１９）で示される。
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上記臭素化ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂６０．０ｇをプロピレングリコールモノメチルエーテル１３７．０ｇに溶解させた後、９−アントラセンカルボン酸３１．５ｇとベンジルトリエチルアンモニウムクロリド１．１ｇを添加した。１００℃で２４時間反応させた。得られたポリマーのＧＰＣ分析を行ったところ、標準ポリスチレン換算にて重量平均分子量は１７００であった。得られた樹脂の構造は式（２０）で示された。
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実施例１
上記合成例１で得たノボラック樹脂１３．６ｇを有する溶液３５．０ｇに、上記合成例２で得たアクリル樹脂６．８ｇを有する溶液３３．９ｇ、架橋剤としてヘキサメトキシメチルメラミン４．５ｇと、硬化剤としてピリジニウムｐ−トルエンスルホン酸０．１３８ｇ、界面活性剤としてＲ−３０（大日本インキ化学工業株式会社製）の０．３０ｇを混合し、溶媒の乳酸エチル２９２．２ｇ、プロピレングリコールモノメチルエーテル１３７．６ｇ、及びシクロヘキサノン５３．１ｇに溶解させ４．５％溶液とした後、孔径０．１０μｍのポリエチレン製ミクロフィルターを用いて濾過し、その後、孔径０．０５μｍのポリエチレン製ミクロフィルターを用いて濾過して反射防止膜形成組成物を調製した。この溶液をスピナーを用い、シリコンウェハー上に塗布した。ホットプレート上で２０５℃１分間加熱し、反射防止膜（膜厚０．０８０μｍ）を形成した。
得られた反射防止膜のポリマーは、重量平均分子量５０００以下のノボラック樹脂６６．７重量％と、重量平均分子量２００００以上のアクリル樹脂３３．３重量％から成る割合であった。この反射防止膜を分光エリプソメーターで測定した結果、２４８ｎｍでの屈折率ｎは１．６１であり、光学吸収係数ｋは０．５１であった。
実施例２
上記合成例４で得たビスフェノールＡ型樹脂１３．６ｇを有する溶液３５．０ｇに、上記合成例２で得たアクリル樹脂６．８ｇを有する溶液３３．９ｇ、架橋剤としてヘキサメトキシメチルメラミン４．５ｇと、硬化剤としてピリジニウムｐ−トルエンスルホン酸０．１３８ｇ、界面活性剤としてＲ−３０の０．３０ｇを混合し、溶媒の乳酸エチル２９２．２ｇ、プロピレングリコールモノメチルエーテル１３７．６ｇ、及びシクロヘキサノン５３．１ｇに溶解させ４．５％溶液とした後、孔径０．１０μｍのポリエチレン製ミクロフィルターを用いて濾過し、その後、孔径０．０５μｍのポリエチレン製ミクロフィルターを用いて濾過して反射防止膜形成組成物を調製した。この溶液をスピナーを用い、シリコンウェハー上に塗布した。ホットプレート上で２０５℃１分間加熱し、反射防止膜（膜厚０．０８０μｍ）を形成した。
得られた反射防止膜のポリマーは、重量平均分子量５０００以下のビスフェノールＡ型樹脂６６．７重量％と、重量平均分子量２００００以上のアクリル樹脂３３．３重量％から成る割合であった。この反射防止膜を分光エリプソメーターで測定した結果、２４８ｎｍでの屈折率ｎは１．５９であり、光学吸収係数ｋは０．４９であった。
実施例３
上記合成例１で得たノボラック樹脂１３．６ｇを有する溶液３５．０ｇに、上記合成例３で得たポリビニルフェノール樹脂６．７ｇを有する溶液３３．３ｇ、架橋剤としてヘキサメトキシメチルメラミン４．５ｇと、硬化剤としてピリジニウムｐ−トルエンスルホン酸０．１３８ｇ、界面活性剤としてＲ−３０の０．３０ｇを混合し、溶媒の乳酸エチル２９２．２ｇ、プロピレングリコールモノメチルエーテル１３７．６ｇ、及びシクロヘキサノン５３．１ｇに溶解させ４．５％溶液とした後、孔径０．１０μｍのポリエチレン製ミクロフィルターを用いて濾過し、その後、孔径０．０５μｍのポリエチレン製ミクロフィルターを用いて濾過して反射防止膜形成組成物を調製した。この溶液をスピナーを用い、シリコンウェハー上に塗布した。ホットプレート上で２０５℃１分間加熱し、反射防止膜（膜厚０．０８０μｍ）を形成した。
得られた反射防止膜のポリマーは、重量平均分子量５０００以下のノボラック樹脂６６．７重量％と、重量平均分子量２００００以上のポリビニルフェノール樹脂３３．３重量％から成る。この反射防止膜を分光エリプソメーターで測定した結果、２４８ｎｍでの屈折率ｎは１．５４であり、光学吸収係数ｋは０．３５であった。
実施例４
上記合成例４で得たビスフェノールＡ型樹脂１３．６ｇを有する溶液３５．０ｇに、上記合成例３で得たポリビニルフェノール樹脂６．７ｇを有する溶液３３．３ｇ、架橋剤としてヘキサメトキシメチルメラミン４．５ｇと、硬化剤としてピリジニウムｐ−トルエンスルホン酸０．１３８ｇ、界面活性剤としてＲ−３０の０．３０ｇを混合し、溶媒の乳酸エチル２９２．２ｇ、プロピレングリコールモノメチルエーテル１３７．６ｇ、及びシクロヘキサノン５３．１ｇに溶解させ４．５％溶液とした後、孔径０．１０μｍのポリエチレン製ミクロフィルターを用いて濾過し、その後、孔径０．０５μｍのポリエチレン製ミクロフィルターを用いて濾過して反射防止膜形成組成物を調製した。この溶液をスピナーを用い、シリコンウェハー上に塗布した。ホットプレート上で２０５℃１分間加熱し、反射防止膜（膜厚０．０８０μｍ）を形成した。
得られた反射防止膜のポリマーは、重量平均分子量５０００以下のビスフェノールＡ型樹脂６６．７重量％と、重量平均分子量２００００以上のポリビニルフェノール樹脂３３．３重量％から成る割合であった。この反射防止膜を分光エリプソメーターで測定した結果、２４８ｎｍでの屈折率ｎは１．５１であり、光学吸収係数ｋは０．３１であった。
比較例１
上記合成例１で得た樹脂１１．９ｇを有する溶液２９．７ｇに、架橋剤としてヘキサメトキシメチルメラミン２．７６ｇと、硬化剤としてピリジニウムｐ−トルエンスルホン酸０．１９３ｇ、界面活性剤としてＲ−３０の０．０６０ｇを混合し、溶媒の乳酸エチル９９．８ｇ、乳酸ブチル４２．８ｇ、プロピレングリコールモノメチルエーテル６７．８ｇ、及びシクロヘキサノン５７．０ｇに溶解させ５．０％溶液とした後、孔径０．１０μｍのポリエチレン製ミクロフィルターを用いて濾過し、その後、孔径０．０５μｍのポリエチレン製ミクロフィルターを用いて濾過して反射防止膜形成組成物を調製した。この溶液をスピナーを用い、シリコンウェハー上に塗布した。ホットプレート上で２０５℃１分間加熱し、反射防止膜（膜厚０．０８０μｍ）を形成した。
得られた反射防止膜のポリマーは、重量平均分子量５０００以下のノボラック樹脂１００％から成るものであった。この反射防止膜を分光エリプソメーターで測定した結果、２４８ｎｍでの屈折率ｎは１．６５であり、光学吸収係数ｋは０．５３であった。
比較例２
上記合成例２で得た樹脂２．０ｇを有する反応液１０ｇに、架橋剤としてヘキサメトキシメチルメラミン０．２６４ｇと、硬化剤としてｐ−トルエンスルホン酸０．０１０ｇを混合し、溶媒のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート１４．４８ｇ、及びプロピレングリコールモノメチルエーテル２５．７７ｇに溶解させ４．５％溶液とした後、孔径０．１０μｍのポリエチレン製ミクロフィルターを用いて濾過し、その後、孔径０．０５μｍのポリエチレン製ミクロフィルターを用いて濾過して反射防止膜形成組成物を調製した。この溶液をスピナーを用い、シリコンウェハー上に塗布した。ホットプレート上で２０５℃１分間加熱し、反射防止膜（膜厚０．０８０μｍ）を形成した。
得られた反射防止膜のポリマーは、重量平均分子量２００００以上のアクリル樹脂１００％から成るものであった。この反射防止膜を分光エリプソメーターで測定した結果、２４８ｎｍでの屈折率ｎは１．５０であり、光学吸収係数ｋは０．４８であった。
比較例３
上記合成例１で得たノボラック樹脂６．１ｇを有する溶液１５．０ｇに、上記合成例２で得たアクリル樹脂１４．２ｇを有する溶液７１．０ｇ、架橋剤としてヘキサメトキシメチルメラミン４．５ｇと、硬化剤としてピリジニウムｐ−トルエンスルホン酸０．１３８ｇ、界面活性剤としてＲ−３０の０．３０ｇを混合し、溶媒の乳酸エチル２９２．２ｇ、プロピレングリコールモノメチルエーテル１２２．６ｇ、及びシクロヘキサノン５３．１ｇに溶解させ４．５％溶液とした後、孔径０．１０μｍのポリエチレン製ミクロフィルターを用いて濾過し、その後、孔径０．０５μｍのポリエチレン製ミクロフィルターを用いて濾過して反射防止膜形成組成物を調製した。この溶液をスピナーを用い、シリコンウェハー上に塗布した。ホットプレート上で２０５℃１分間加熱し、反射防止膜（膜厚０．０８０μｍ）を形成した。
得られた反射防止膜のポリマーは、重量平均分子量５０００以下のノボラック樹脂３０重量％と、重量平均分子量２００００以上のアクリル樹脂７０重量％から成るものであった。この反射防止膜を分光エリプソメーターで測定した結果、２４８ｎｍでの屈折率ｎは１．６１であり、光学吸収係数ｋは０．５１であった。
比較例４
上記合成例１で得たノボラック樹脂１８．０ｇを有する溶液４５．０ｇに、上記合成例２で得たアクリル樹脂２．９３ｇを有する溶液１４．７ｇ、架橋剤としてヘキサメトキシメチルメラミン４．５ｇと、硬化剤としてピリジニウムｐ−トルエンスルホン酸０．１３８ｇ、界面活性剤としてＲ−３０の０．３０ｇを混合し、溶媒の乳酸エチル２９２．２ｇ、プロピレングリコールモノメチルエーテル１４６．６ｇ、及びシクロヘキサノン５３．１ｇに溶解させ４．５％溶液とした後、孔径０．１０μｍのポリエチレン製ミクロフィルターを用いて濾過し、その後、孔径０．０５μｍのポリエチレン製ミクロフィルターを用いて濾過して反射防止膜形成組成物を調製した。この溶液をスピナーを用い、シリコンウェハー上に塗布した。ホットプレート上で２０５℃１分間加熱し、反射防止膜（膜厚０．０８０μｍ）を形成した。
得られた反射防止膜のポリマーは、重量平均分子量５０００以下のノボラック樹脂８６．０重量％と、重量平均分子量２００００以上のアクリル樹脂１４．０重量％から成るものであった。この反射防止膜を分光エリプソメーターで測定した結果、２４８ｎｍでの屈折率ｎは１．６１であり、光学吸収係数ｋは０．５１であった。
実施例１〜４、及び比較例１〜４で得た溶液をスピナーにより、シリコンウェハー上に塗布した。ホットプレート上で２０５℃１分間加熱し、反射防止膜（膜厚０．０８０μｍ）を形成した。この反射防止膜をレジストに使用する溶剤、例えば乳酸エチル、並びにプロピレングリコールモノメチルエーテルに浸漬し、その溶剤に不溶であることを確認した。
実施例１〜４、及び比較例１〜４で得た溶液をスピナーにより、シリコンウェハー上に塗布した。ホットプレート上で２０５℃１分間加熱し、反射防止膜（膜厚０．０８０μｍ）を形成し、その膜厚を測定した。このリソグラフィー用反射防止膜の上層に、市販のレジスト溶液（シプレー社製、商品名ＡＰＥＸ−Ｅ等）をスピナーにより塗布した。ホットプレート上で９０℃１分間加熱し、レジストを露光後、ポストイクスポージャベークを９０℃１．５分間行った。レジストを現像させた後、反射防止膜の膜厚を測定し、実施例１〜４、及び比較例１〜４で得たリソグラフィー用反射防止膜とレジスト層とのインターミキシングが起こらないことを確認した。
上記で得られた反射防止膜形成組成物の溶液をスピナーを用い、ホール（直径０．２０μｍ、深さ１．０μｍ）を有するシリコンウェハー上に塗布した。ホットプレート上で２０５℃１分間加熱し、反射防止膜（膜厚約０．０８０μｍ）を形成した。走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて、上記の反射防止膜を塗布したホールを有するシリコンウェハー基板の断面形状を観察することにより、反射防止膜のホール基板塗布性を評価した。
ホール基板の塗布性は、以下に示す項目について評価を行った。
試験番号（１）はホール中における反射防止膜の充填率（容積％）の試験である。評価基準は３０〜７０％の範囲にある場合を◎、２０〜３０％及び７０〜８０％の範囲にある場合を○、それ以外の範囲（即ち、上記範囲に収束しない場合：０〜２０％及び８０〜１００％）の場合を×で示した。
試験番号（２）はホール中に、空気のボイドや隙間の確認である。評価基準はボイドや隙間がない場合は◎、ボイドや隙間がある場合は×で示した。
試験番号（３）はホールの側壁に付着した反射防止膜の膜厚の測定である。評価基準は２０ｎｍ以下である場合は◎、２０〜４０ｎｍ以下である場合は○、４０ｎｍ以上である場合は×で示した。
試験番号（４）はホールエッジ上部における反射防止膜の膜厚の測定である。評価基準は４０ｎｍ以上の場合は◎、２０〜４０ｎｍの場合は○、２０ｎｍ以下の場合は×で示した。
試験番号（５）は基板上のホールのＤＥＮＳＥ部と、ＩＳＯ部間における反射防止膜の膜厚差の測定である。評価基準は４０ｎｍ以下の場合が◎、４０〜６０ｎｍの場合が○、６０ｎｍ以上の場合が×で示した。
充填率は、次式に従い求めた。基板上のホールを、完全に平坦化できたときの充填率は１００％である。
充填率＝〔１−（ホール中心部での反射防止膜の凹み深さａ）／（ホールの深さｂ）〕×１００
使用した基板は図１に示すようなホールのＩｓｏとＤｅｎｓｅパターンを有するシリコンウェハー基板である。Ｉｓｏパターンは、ホール中心から隣のホール中心までの間隔が、当該ホールの直径の３倍であるパターンである。また、Ｄｅｎｓｅパターンは、ホール中心から隣のホール中心までの間隔が、当該ホールの直径の１倍であるパターンである。ホールの深さは１．０μｍであり、ホールの直径は０．２０μｍである。
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試験番号１について、比較例１、及び比較例４は、充填率（容積％）８０〜１００％であり、比較例２、及び比較例３は、充填率（容積％）２０〜３０％であった。
実施例１〜４は、比較例１〜４に比べより要求特性を満たすことが明らかになった。これは、比較例１〜４の反射防止膜形成組成物に比べて、実施例１〜４の反射防止膜形成組成物のベースポリマーが、分子量が５０００以下の高分子と、分子量が２００００以上の高分子とを特定の比率で有する混合ポリマーであるためである。
本発明は、ホール基板上の塗布性制御を目的とした反射防止膜を形成する為の組成物である。得られた反射防止膜は、基板の反射防止効果だけでなく、エッチング工程やアッシング工程におけるホール底の材料保護に有効である。
本発明により、ホールやトレンチなどを有する凹凸の有る基板上の段差被覆性に優れ、レジスト層と比較して大きなドライエッチング速度を有し、反射光防止効果が高く、更にレジスト層とのインターミキシングが起こらず、加熱乾燥時にレジスト中への拡散物がなく、高解像力およびレジスト膜厚依存性に優れた反射防止膜材料用組成物を得ることができ、かつ優れたレジストパターン形成方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
図１はホールを有する基板に反射防止膜形成組成物を塗布した状態の断面図である。ａはホール中心での反射防止膜の凹み深さ（μｍ）である。また、ｂは使用した基板における当初のホールの深さ（μｍ）である。
【図１】
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【国際調査報告】
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