(57)【要約】基板１８、陰極２０および陽極２２は、ケーシング１０により画成される空間に収容されており、空間は真空とされている。陰極２０及び陽極２２は、電気絶縁性を有する基板１８の同一面上に設けられ、互いに噛み合う櫛歯形状を呈している。このため、陰極２０と陽極２２とが近接する部分の面積は大きくなることとなり、紫外線の入射により陰極２０から放出された光電子は、真空中を伝わり陽極２２により良好に収集される。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気絶縁性を有する基板と、
光の入射により光電子を放出する陰極と、
前記陰極から放出された光電子を収集する陽極と、
前記基板、前記陰極及び前記陽極を収容する空間を有し、前記空間が真空とされたケーシングと、を備え、
前記陰極及び前記陽極は、前記基板の同一面上に設けられていることを特徴とする光検出センサ。
【請求項２】
前記陰極及び前記陽極は、互いが噛み合うように櫛歯形状を呈していることを特徴とする請求の範囲第１項に記載の光検出センサ。
【請求項３】
前記陽極は、複数設けられていることを特徴とする請求の範囲第１項に記載の光検出センサ。
【請求項４】
前記陰極は、紫外線の入射により光電子を放出することを特徴とする請求の範囲第１項に記載の光検出センサ。
【請求項５】
前記陰極の幅は、前記陽極の幅よりも大きく設定されていることを特徴とする請求の範囲第１項に記載の光検出センサ。
【請求項６】
前記陰極は、放射状に延びるように設けられた複数の基幹陰極部分と、前記基幹陰極部分毎に当該基幹陰極部分と交差するように設けられた分岐陰極部分とを含み、
前記陽極は、隣接する前記基幹陰極部分間に放射状に延びるように設けられた複数の基幹陽極部分と、前記基幹陽極部分毎に当該基幹陽極部分と交差するように設けられた分岐陽極部分とを含み、
前記分岐陰極部分及び前記分岐陽極部分とは、前記放射状方向に見て互いに重なるように配置されていることを特徴とする請求の範囲第１項に記載の光検出センサ。
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は、光検出センサに関する。
背景技術
光検出センサは、光の入射により光電子を放出する陰極と、光電子を収集する陽極とを有し、一般に、陰極が陽極よりも光の入射側に配置されている透過型のものと、陽極が陰極よりも光の入射側に配置されている反射型のものとが存在する。
発明の開示
しかし、上述したような構成の光検出センサでは、一方の電極が他方の電極に対して光の入射側に配置されているので、光検出センサの構造が複雑となっている。
本発明は、上述の点に鑑みてなされたもので、構造を簡素化した光検出センサを提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明に係る光検出センサは、電気絶縁性を有する基板と、光の入射により光電子を放出する陰極と、陰極から放出された光電子を収集する陽極と、基板、陰極及び陽極を収容する空間を有し、空間が真空とされたケーシングと、を備え、陰極及び陽極は、基板の同一面上に設けられていることを特徴としている。
本発明によれば、光の入射により陰極から放出された光電子は、真空中を伝わり陽極に収集される。また、陰極及び陽極は電気絶縁性を有する基板の同一面上に設けられているので、構造を簡素化することができる。
本発明において、陰極及び陽極は、互いが噛み合うように櫛歯形状を呈していることが好ましい。このように構成した場合、陰極及び陽極は互いが噛み合う櫛歯形状を呈しているので、陰極と陽極とが近接する部分の面積は大きくなることとなり、感度を向上させることができる。
また、本発明において、陽極は、複数設けられていることが好ましい。このように構成した場合、陰極から放出された光電子は複数の陽極のうちの近接するものに収集される。このため、光の入射箇所によって、複数の陽極のそれぞれに収集される光電子数が異なることとなる。従って、１次元センサまたは２次元センサを実現することができる。
また、本発明において、陰極は、紫外線の入射により光電子を放出することが好ましい。このように構成した場合、光電子は紫外線の入射により放出されることとなるので、紫外線センサを実現することができる。
また、本発明において、陰極の幅は、陽極の幅よりも大きく設定されていることが好ましい。このように構成した場合、陰極の面積が相対的に大きくなり、光電子の放出量を増やすことができ、感度を向上させることができる。
また、本発明において、陰極は、放射状に延びるように設けられた複数の基幹陰極部分と、基幹陰極部分毎に当該基幹陰極部分と交差するように設けられた分岐陰極部分とを含み、陽極は、隣接する基幹陰極部分間に放射状に延びるように設けられた複数の基幹陽極部分と、基幹陽極部分毎に当該基幹陽極部分と交差するように設けられた分岐陽極部分とを含み、分岐陰極部分及び分岐陽極部分とは、放射状方向に見て互いに重なるように配置されていることが好ましい。このように構成した場合、陰極（基幹陰極部分及び分岐陰極部分）から放出された光電子は複数の基幹陽極部分及び分岐陽極部分のうちの近接するものに収集される。このため、光の入射箇所によって、複数の陽極のそれぞれに収集される光電子数が異なることとなる。従って、光の入射位置を概ね知ることができ、２次元センサを実現することができる。
発明を実施するための最良の形態
以下、図面を参照しながら本発明による光検出センサの好適な実施形態について詳細に説明する。なお、説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には、同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。本実施形態においては、本発明を、紫外線を検出する紫外線センサに適用した例を示している。
まず、図１〜図３に基づいて、本実施形態に係る紫外線センサを説明する。図１は、本実施形態に係る紫外線センサ及び計測回路の構成図であり、図２は、本実施形態に係る紫外線センサを示す斜視図であり、図３は、本実施形態に係る紫外線センサの内部を示す斜視図である。なお、図１では、紫外線センサの内部の構成を明らかにするために紫外線センサのみを断面図として図示している。
紫外線センサ２は、ケーシング１０と基板１８とを有している。ケーシング１０は、紫外線を透過する弗化マグネシウム製の入射窓１２と、円形のベース部１４と、入射窓１２及びベース部１４により両端が塞がれる円筒形状の壁部１６とを有する。入射窓１２、ベース部１４及び壁部１６により画成される空間は、排気されて真空とされている。ここでの真空とは、放出された光電子により、ケーシング１０内に含まれるガスがイオン化されない程度の状態であり、真空度が１０Ｐａ以下の状態である。例えば、真空度１０−２Ｐａ程度、または、さらに排気して真空度１０−２Ｐａよりも真空度を高めた状態である。また、例えば、窒素、ヘリウム、ネオン、アルゴン等の不活性ガスが含まれている場合には、真空度が１Ｐａ程度の状態でもよい。
基板１８は、電気絶縁性を有している。基板１８は、サファイア、チッカアルミニウム、チッカガリウム、フッ化カルシウム、フッ化マグネシウム、フッ化アルミニウム、水晶、ニオブ酸リチウム、ニオブ酸タンタルからなる群から選択された単結晶、多結晶あるいは非晶質状のイオン性結合固体、又はこれらの粉末の焼結体であってもよい。また、シリコン等の半導体、あるいはアルミニウム等の金属の表面に電気絶縁化処理を施したものであってもよい。
基板１８は、紫外線の入射側から見たときの形状が、例えば、正方形状となっている。基板１８が正方形状の場合、面積は１００ｍｍ２（＝１０ｍｍ×１０ｍｍ）であり、厚みは０．５ｍｍ程度である。このような基板１８は、円形のベース部１４の中央に溶接され固定されており、ケーシング１０の空間に収容されている。
基板１８には、紫外線の入射側の面上に、紫外線の入射により光電子を放出する陰極２０と、陰極２０から放出された光電子を収集する陽極２２とが設けられている。陰極２０及び陽極２２は、櫛歯形状を呈している。すなわち、陰極２０及び陽極２２は、第一部分２４，２８と、第一部分２４，２８から同方向に延びる複数の第二部分２６，３０とを有する形状とされている。なお、第一部分２４，２８及び第二部分２６，３０は、紫外線の入射側から見たときの形状が矩形となっている。また、図３に示す陰極２０及び陽極２２の各第二部分２６，３０の数は、「３」となっている。
それぞれが櫛歯形状とされた陰極２０及び陽極２２は、陰極２０の第二部分２６が陽極２２の第二部分３０の間に入り込むように設けられ、互いに噛み合うように配置されている。すなわち、陰極２０及び陽極２２は、陰極２０及び陽極２２の第一部分２４，２８が伸びる方向（矩形の長い方の辺が延びる方向）から見て、互いの第二部分２６，３０が重なるように配置されている。このため、陰極２０及び陽極２２の第二部分２６，３０は近接することとなる。例えば、近接する部分（重なる部分）の面積は４９ｍｍ２（＝７ｍｍ×７ｍｍ）である。
また、陰極２０及び陽極２２の第二部分２６，３０の幅（第一部分２４，２８が伸びる方向の長さ）は２０μｍであり、陰極２０の第二部分２６と陽極２２の第二部分３０との間の距離（第一部分２４，２８が伸びる方向での距離）は４０μｍにされている。
陰極２０は、ボンディングワイヤ３２ａにより一方のリードピン３４ａの一端に接続され、陽極２２は、ボンディングワイヤ３２ｂにより他方のリードピン３４ｂの一端に接続されている。２本のリードピン３４ａ，３４ｂは、ガラス融着部３８ａ，３８ｂを貫通している。ガラス融着部３８ａ，３８ｂは、ベース部１４を貫通する２つのピン孔３６ａ，３６ｂ内に挿入されている。このため、２本のリードピン３４ａ，３４ｂは、ガラス融着部３８ａ，３８ｂを介してベース部１４に固定されている。
なお、陰極２０は、一層又は二層構造となっている。陰極２０は、不純物添加させて半導体化させたダイヤモンドやチッカガリウムを含む半導体等の基板に対する密着性が良好な材料の場合には、一層で良いが、金等の基板との密着性が比較的に良くない材料の場合には、高融点材料を第一層として形成した後に第二層を形成したものが用いられる。
二層構造の場合、基板１８側の第一層は、チタン、クロムまたはニッケルなどの高融点材料であり、レーザアブレーション法、スパッタ法または蒸着法などにより形成されている。これにより、陰極２０は基板１８にしっかりと固着される。また、入射窓１２側の第２層は、紫外線の入射により光電子を放出する材料である金、銀、銅またはアルミニウム等の金属或いは、半導体化ダイヤモンドや半導体化チッカアルミニウムなどの半導体で形成されている。このような陰極２０は、例えば、第１層の厚さが２０ｎｍであり、第２層の厚さが１５０ｎｍである。陽極２２は、陰極２０と同じ材料等で形成されてもよいし、そうでなくともよい。また、陰極２０及び陽極２２は、光リソグラフィ法によって形成されてもよいし、金属又は半導体薄膜を基板に形成した後にレーザ加工などによって、薄膜を除去する方法で、形成されてもよい。
２本のリードピン３４ａ，３４ｂの他端は、紫外線センサ２からの光電流を測定するための測定回路４と接続されている。測定回路４は、負荷抵抗Ｒ、電源４０、電流制限抵抗Ｒ０ヽコンデンサＣ及び電圧計４２を有している。
一方のリードピン３４ａの他端は、負荷抵抗Ｒの一端に接続され、負荷抵抗Ｒの他端は、電源４０の負極に接続されている。電源４０の正極は、電流制限抵抗Ｒ０の一端に接続され、電流制限抵抗Ｒ０の他端は、他方のリードピン３４ｂの他端に接続されている。また、測定回路４には、電源４０及び電流制限抵抗Ｒ０と並列にコンデンサＣが設けられ、負荷抵抗Ｒと並列に電圧計４２が設けられている。例えば、電流制限抵抗Ｒ０は１ＭΩであり、コンデンサＣは０．１μＦであり、電源４０は＋５〜１００Ｖの範囲で電圧値を調整可能になっている。
このような測定回路４では、電源４０からの電圧の値を所定の値に設定することで、紫外線検出が可能となる。紫外線の入射量の計測は、負荷抵抗Ｒの両端の電圧変化を電圧計４２で測定することでなされる。
ここで、電源電圧値は、１０Ｖ以上とすることが好ましい。以下、図４及び図５を参照して、電源電圧値による光電流の依存性を説明する。図４は、紫外線センサ２に紫外線を照射した時の負荷抵抗Ｒに流れる光電流を示すグラフであり、図５は、図４に示される光電流のピークを示すグラフである。
図４は、各電源電圧値（５Ｖ，１０Ｖ，２０Ｖ，４０Ｖ）に対する光電流の値の時間変化を示している。図４において、横軸は時刻（ｎｓ）を示し、縦軸は光電流の値（任意単位）を示している。図４に示すように、電源電圧値が１０Ｖ（曲線１０１）、２０Ｖ（曲線１０２）及び４０Ｖ（曲線１０３）の場合、時刻１０ｎｓのときに光電流の値が最大値となっている。これに対し、電源電圧値が５Ｖ（曲線１００）の場合、時刻５ｎｓのときに光電流の値が最大値となっている。このように、電源電圧値が５Ｖの場合には、時刻５ｎｓから時刻１５ｎｓの間で光電子がうまく収集されていないことがわかる。
図５は、電源電圧値に対する光電流のピークの値を示している。図５において、横軸は電圧値（Ｖ）を示し、縦軸は光電流のピークの値（任意単位）を示している。図５に示すように、電圧値が１０〜４０Ｖの区間では、電圧値を上昇させるとピークの値は比較的なだらかに上昇する。これに対し、電圧値が０〜１０Ｖの区間では、電圧値を上昇させるとピークの値は電圧値が１０〜４０Ｖの区間よりも急激に上昇する。このように図５から、電源電圧値が１０Ｖ以上では、電源４０の電圧値によらず安定して紫外線の入射量を計測することが可能となっていることがわかる。
以上のような構成を有する紫外線センサ２において、入射窓１２を介して紫外線が入射し櫛歯形状の陰極２０に到達すると、光電子が陰極２０から真空中へ放出される。真空中に放出された光電子は、基板１８の同一面上で陰極２０と噛み合うように櫛歯形状とされている陽極２２に収集される。
このように、本実施形態に係る紫外線センサ２では、陰極２０及び陽極２２は絶縁性を有する基板１８の同一面上に設けられているので、構造を簡素化することができる。
また、紫外線の入射により陰極２０から放出された光電子は、真空中を伝わり陽極２２に収集される。このとき、陰極２０及び陽極２２は互いが噛み合う櫛歯形状とされているので、陰極２０と陽極２２とが近接する部分の面積は大きくなることとなり、感度を向上させることができる。
また、本実施形態に係る紫外線センサ２では、光電子は紫外線の入射により放出されることとなるので、紫外線センサを実現することができる。
また、本実施形態に係る紫外線センサ２では、陰極２０から放出された光電子は近接した陽極２２に直ぐに捕集されるために、光電子が入射窓１２に付着して印加電界に影響を与えてしまうという事態が発生し難くなる。このため、基板１８を入射窓１２に近接して設置でき、透過型光電管と同様に受光面の位置を分かり易くし、利便性を向上させることができる。
なお、陰極２０及び陽極２２を金属電極とし、当該金属電極の材料を金、銀、白金、タンタル、モリブデン、タングステン、ニクロム、ニッケル等の化学的に安定な材料とすることで、光リソグラフィー等の電極形成工程における表面酸化、変質を防ぐことができる。また、短波長の強い光が照射された場合におけるケーシング１０内の残留酸素あるいは残留化学物質による変質も防ぐことができる。この結果、強い紫外・真空紫外光の光電子検出を高信頼性にて行うことができる。
上記実施形態に係る紫外線センサ２に用いられる陰極２０及び陽極２２には、種々の変形が考えられる。以下、各変形例について説明する。
図６は、紫外線センサ２に用いられる陰極２０及び陽極２２の第１変形例の構成図である。図３に示す陰極２０及び陽極２２は基板１８上に１組だけ設けられていたが、第１変形例では、図６に示すように陰極２０及び陽極２２が複数組（４組）設けられている。
陰極２０及び陽極２２のそれぞれ形状は、図６に示すものと同じとされている。各組の陰極２０及び陽極２２は、図６に示すものと同じように噛み合って設けられている。複数の陰極２０は、矩形の第一部分２８が延びる方向（矩形の長い方の辺が延びる方向）に沿って配列されている。複数の陽極２２も複数の陰極２０と同様に配列されている。すなわち、噛み合うようにされている複数組の陰極２０及び陽極２２は、一方向に配列されている。
以上のような陰極２０及び陽極２２を有する紫外線センサ２において、入射窓１２を介して紫外線が入射し櫛歯形状の陰極２０に到達すると、光電子が陰極２０から真空中へ放出される。真空中に放出された光電子は、最も近接する陽極２２に収集される。
このように、本変形例に係る紫外線センサ２では、陽極２２が複数設けられているので、放出された光電子は複数の陽極２２のうちの近接するものに収集される。このため、紫外線の入射箇所によって、複数の陽極２２のそれぞれに収集される光電子数が異なることとなる。また、陽極２２は、一方向に配列されている。従って、１次元センサを実現することができる。
なお、１次元センサを実現するためには、複数の陽極２２のそれぞれに収集される光電子数が異なることが重要である。このため、陰極２０は、それぞれの第一部分２８を連結して一体化したものであってもよい。また、陰極２０を一体化した場合には、複数の陰極２０を基板１８上に設けた場合に比べ、リードピンやボンディングワイヤの数を減らすことができる。
図７は、紫外線センサ２に用いられる陰極２０及び陽極２２の第２変形例の構成図である。第２変形例では、図７に示すように、陰極４４及び陽極４６の形状が、図３に示す陰極２０及び陽極２２の形状と異なっている。また、陽極４６の数も異なっている。第２変形例での陽極４６の数は３以上（図７では陽極４６の数は８）である。
陰極４４は、基板１８上に並べられた複数の第一部分４８ａ，４８ｂと、これら第一部分４８ａ，４８ｂを接続する第二部分５０と、第二部分５０と交差する複数の第三部分５２とを有する。より詳しくは、陰極４４は、基板１８上に平行に並べられた２つの第一部分４８ａ，４８ｂと、これら第一部分４８ａ，４８ｂと直交する第二部分５０と、第二部分５０と直交する７つの第三部分５２とを有する。ここで、複数の第一部分４８ａ，４８ｂ、第二部分５０及び複数の第三部分５２のそれぞれは、紫外線の入射側から見たときの形状が矩形となっている。
各陽極４６は、第一部分５４と、第一部分５４から同方向に延びる２つの第二部分５６とを有する略コの字形状を呈し、複数の第三部分５２の１つを２つの第二部分５６で挟むようにして噛み合うようになっている。なお、陽極４６の第一部分５４及び第二部分５６は、紫外線の入射側から見たときの形状が矩形となっている。
また、陽極４６は、陰極４４の第二部分５０の両側に設けられている。ここで設けられる陽極４６の数は、第二部分５０の一側に１以上（図７では４）、他側に２以上（図７では４）である。すなわち、複数の陽極４６は基板１８の面上において２次元状に配列されていることとなる。
ここで、陰極４４は、図３に示す陰極２０の第一部分２４から延びる第二部分２６が第一部分２４の両側方向に延びたような形状をしており、櫛歯形状のひとつと言える。また、各陽極４６は、図３に示す陽極２２の第一部分２８から２つの第二部分３０が延びたような形状をしており、櫛歯形状のひとつと言える。
以上のような陰極４４及び陽極４６を有する紫外線センサ２において、入射窓１２を介して紫外線が入射し櫛歯形状の陰極４４に到達すると、光電子が陰極４４から真空中へ放出される。真空中に放出された光電子は、最も近接する陽極４６に収集される。
このように、本変形例に係る紫外線センサ２では、陰極４４が複数設けられているので、放出された光電子は複数の陰極４４のうちの近接するものに収集される。このため、紫外線の入射箇所によって、複数の陰極４４のそれぞれに収集される光電子数が異なることとなる。また、陽極２２は、２次元状に配列されている。従って、２次元センサを実現することができる。
図８は、紫外線センサ２に用いられる陰極２０及び陽極２２の第３変形例の構成図である。第３変形例では、図８に示すように、陰極４４及び陽極４６の形状が、図３に示す陰極２０及び陽極２２の形状と異なっている。
陰極２０の第二部分２６の幅が、陽極２２の第二部分３０の幅よりも大きく設定されている。このように、陰極２０の第二部分２６の幅を陽極２２の第二部分３０の幅よりも大きく設定することにより、陰極２０の面積が相対的に大きくなり、光電子の放出量を増やすことができる。この結果、紫外線センサ２の感度を向上させることができる。
図９は、紫外線センサ２に用いられる陰極２０及び陽極２２の第４変形例の構成図である。第４変形例では、図９に示すように、陰極６０及び陽極６２の形状が、図３に示す陰極２０及び陽極２２の形状と異なっている。
陰極６０は、放射状に延びるように設けられた複数の基幹陰極部分６４と、基幹陰極部分６４毎に当該基幹陰極部分６４と交差（例えば、直交）するように設けられた分岐陰極部分６６とを含んでいる。１つの基幹陰極部分６４には、ボンディングワイヤを接続するための幅広部６４ａが形成されている。本変形例において、基幹陰極部分６４は、等角度間隔（９０°間隔）で４つ設けられている。また、分岐陰極部分６６は、基幹陰極部分６４毎に２つずつ設けられている。
陽極６２は、隣接する基幹陰極部分６４間に放射状に延びるように設けられた複数の基幹陽極部分６８と、基幹陽極部分６８毎に当該基幹陽極部分６８と交差（例えば、４５°にて交差）するように設けられた分岐陽極部分７０とを含んでいる。各基幹陽極部分６８には、ボンディングワイヤを接続するための幅広部６８ａが形成されている。本変形例において、基幹陽極部分６８は、隣接する２つの基幹陰極部分６４に対して等角度間隔（４５°間隔）となるように、４つ設けられている。また、分岐陽極部分７０は、基幹陽極部分６８毎に４つずつ設けられている。
分岐陰極部分６６の幅は、分岐陽極部分７０の幅よりも大きく設定されている。また、分岐陰極部分６６及び分岐陽極部分７０とは、放射状方向に見て互いに重なるように配置されている。すなわち、分岐陰極部分６６及び分岐陽極部分７０とは、一対の分岐陰極部分６６が１つの分岐陽極部分７０を挟むように、また、一対の分岐陽極部分７０が１つの分岐陰極部分６６を挟むように、配置されている。
このように、本変形例に係る紫外線センサ２では、ことが好ましい。このように構成した場合、陰極６０（基幹陰極部分６４及び分岐陰極部分６６）から真空中に放出された光電子は複数の基幹陽極部分６８及び分岐陽極部分７０のうちの近接するものに収集される。このため、紫外線の入射箇所によって、複数の陽極６２（複数の基幹陽極部分６８及び分岐陽極部分７０）のそれぞれに収集される光電子数が異なることとなる。従って、紫外線の入射位置を概ね知ることができ、２次元センサを実現することができる。
図１０は、紫外線センサ２に用いられる陰極２０及び陽極２２の第５変形例の構成図である。第５変形例では、図１０に示すように、分岐陰極部分６６及び分岐陽極部分７０の形状が、図９に示す分岐陰極部分６６及び分岐陽極部分７０の形状と異なっている。
第５変形例においては、分岐陰極部分６６及び分岐陽極部分７０は、円弧形状を呈している。本変形例においても、上述した第４変形例と同じく、紫外線の入射位置を概ね知ることができ、２次元センサを実現することができる。
なお、本発明は、上述した実施形態及び変形例に限定されるものではない。例えば、基板１８は、全体が絶縁性を有するものであってもよいし、陽極２２，４６及び陰極２０，４４を設ける面として絶縁層（薄膜など）を基板１８に積層したものであってもよい。
また、陰極２０の表面は清浄化処理されることが好ましい。この場合、陰極２０上の堆積物等が除去されるので、紫外線を良好に陰極２０に入射させることができる。また、清浄化処理後の陰極２０に汚物が付着しないようにするために、ケーシング１０の空間に水素などを封入し加熱処理して清浄度を高めておき、その後排気することがさらに好ましい。
また、基幹陽極部分６８及び分岐陽極部分７０の数も、上述した変形例に限られるものではない。
産業上の利用可能性
本発明は、紫外線センサに利用できる。
【図面の簡単な説明】
図１は、本実施形態に係る紫外線センサ及び測定回路の構成図である。
図２は、本実施形態に係る紫外線センサを示す斜視図である。
図３は、本実施形態に係る紫外線センサの内部を示す斜視図である。
図４は、本実施形態の紫外線センサに紫外線を照射した時に、負荷抵抗に流れる光電流の値を示すグラフである。
図５は、図４に示す光電流のピークの値を示すグラフである。
図６は、本実施形態に係る紫外線センサの陰極及び陽極の第１変形例の構成図である。
図７は、本実施形態に係る紫外線センサの陰極及び陽極の第２変形例の構成図である。
図８は、本実施形態に係る紫外線センサの陰極及び陽極の第３変形例の構成図である。
図９は、本実施形態に係る紫外線センサの陰極及び陽極の第４変形例の構成図である。
図１０は、本実施形態に係る紫外線センサの陰極及び陽極の第５変形例の構成図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【国際調査報告】
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2003087739.tif 000014
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