【事件の表示】
　特願２００８−５０４９８６「電子部品モジュール」拒絶査定不服審判事件〔平成１９年　９月２０日国際公開、ＷＯ２００７／１０５３６１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
【１】手続の経緯
　本願は、平成１９（２００７）年３月５日（優先権主張　平成１８（２００６）年３月８日、日本国）を国際出願日とする出願であって、平成２４年５月２１日付けで拒絶理由が通知され、これに対し、同年７月２６日付けで意見書及び手続補正書が提出され、同年８月１４日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年１１月２１日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同日付けで手続補正がなされたものである。
　その後、平成２５年２月２０日付けで審判請求人に前置報告書の内容を示し意見を求めるための審尋を行ったところ、同年４月２６日に回答がなされたものである。
　
【２】平成２４年１１月２１日付けの手続補正についての補正の却下の決定
［補正の却下の決定の結論］
　平成２４年１１月２１日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）を却下する。
　
［理由］
［１］補正後の本願発明
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１は、以下のように補正された。
「第１の主面と、前記第１の主面とは反対側の第２の主面とを有するセラミックス基板と、前記セラミックス基板の前記第１の主面に接合され
、銅またはアルミニウムを主成分とする
、銅またはアルミニウムを主成分とする
　前記第１および第２の金属板の少なくとも一方にろう材層を介して接合され、少なくとも１２５℃で動作可能な電子部品とを具備し、
　前記ろう材層は、前記電子部品の使用温度より高く、かつ５７５〜７３０℃の範囲の融点を有する
Ａｇ−Ｃｕ系ろう材またはＡｌ系ろう材
　前記第２の金属板の厚さに対する前記第１の金属板の厚さの比は５０％以上２００％以下の範囲であることを特徴とする電子部品モジュール。」
　
　上記補正は、本願の請求項１に係る発明の「第１の金属板」及び「第２の金属板」について、「銅またはアルミニウムを主成分とする」ものに限定するものであり、また、同じく「ろう材」について、「Ａｇ−Ｃｕ系ろう材またはＡｌ系ろう材」に限定するものであり、特許請求の範囲の減縮を目的とする。
　そこで、本件補正後の前記請求項１に係る発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）否かについて、以下検討する。
　
［２］引用刊行物
　
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願優先日前に頒布された、特開２００４−９５６７０号公報（以下、「刊行物」という。）には、図面とともに、以下の事項が記載されている。
　
（ア）
「本発明は、半導体装置に関し、特にＳｉＣ製半導体素子を用いた半導体装置に関する。」（段落【０００１】）
　
（イ）
「（３）ＳｉＣ製ダイオードの高耐熱性能によって（ＳｉＣは理論的には６００℃以上でも動作可能）、Ｓｉ製ダイオードを用いた場合の耐熱温度１５０℃と比べ高温耐熱性が向上するので、冷却機構を簡素化することが可能となり、また素子チップ装着の自由度が高くなる。」（段落【００１１】）
　
（ウ）
「第７の実施の形態における半導体装置７は、絶縁性の多結晶ＳｉＣセラミックス基板の両面に銅板などによる配線パターンを貼り付けた回路基板７１（ＳｉＣ基板と称する）の片面にＳｉＣ製ダイオードチップ４５を接合し、・・・半導体チップを実装していない面をパッケージ７５を構成する金属ベース７７に接合したものである。」（段落【０１０９】）
　
（エ）
「ＳｉＣ基板７１へのＳｉＣ製ダイオードチップ４５の実装は、高温ハンダを用いることで、いっそう耐熱性の向上を図ることができる。」（段落【０１１４】）
　
（オ）
　図１０には、「絶縁性の多結晶ＳｉＣセラミックス基板の両面（第１の主面及び第２の主面）に銅板を貼り付けた回路基板７１と、前記回路基板７１の少なくとも一方にＳｉＣ製ダイオードチップ４５を接合したもの」が記載されている。
　
　上記記載事項（ア）〜（オ）、図面の記載並びに当業者の技術常識によれば、上記刊行物には、以下の発明が記載されていると認められる。
　
「第１の主面と、前記第１の主面とは反対側の第２の主面とを有する、絶縁性の多結晶ＳｉＣセラミックス基板と、前記絶縁性の多結晶ＳｉＣセラミックス基板の前記第１の主面に接合される第１の銅板と、前記絶縁性の多結晶ＳｉＣセラミックス基板の前記第２の主面に接合される第２の銅板とを備える回路基板７１と、
　前記第１および第２の銅板の少なくとも一方に高温ハンダ層を介して接合され、６００℃以上でも動作可能なＳｉＣ製ダイオードチップ４５とを具備した、
　半導体装置。」（以下、「引用発明」という。）
　
［３］対比
　本願補正発明と引用発明とを対比すると、その機能及び作用からみて、引用発明の「絶縁性の多結晶ＳｉＣセラミックス基板」、「第１の銅板」、「第２の銅板」、「第１および第２の銅板」、「回路基板７１」、「半導体装置」は、それぞれ、本願補正発明の「セラミックス基板」、「銅またはアルミニウムを主成分とする第１の金属板」、「銅またはアルミニウムを主成分とする第２の金属板」、「第１および第２の金属板」、「回路基板」、「電子部品モジュール」に相当する。
　また、引用発明の「高温ハンダ層」と本願補正発明の「ろう材層」は、「ろう接材層」である点で共通している。
　さらに、引用発明の「６００℃以上でも動作可能なＳｉＣ製ダイオードチップ４５」は、本願補正発明の「少なくとも１２５℃で動作可能な電子部品」に含まれる。
　
　そうすると、両者は、
「第１の主面と、前記第１の主面とは反対側の第２の主面とを有するセラミックス基板と、前記セラミックス基板の前記第１の主面に接合される、銅またはアルミニウムを主成分とする第１の金属板と、前記セラミックス基板の前記第２の主面に接合され、銅またはアルミニウムを主成分とする第２の金属板とを備える回路基板と、
　前記第１および第２の金属板の少なくとも一方にろう接材層を介して接合され、少なくとも１２５℃で動作可能な電子部品とを具備した、
　電子部品モジュール。」
の点で一致し、次の点で相違している。
　
〈相違点１〉
　「ろう接材層」について、本願補正発明が「ろう材層」であって、「電子部品の使用温度より高く、かつ５７５〜７３０℃の範囲の融点を有するＡｇ−Ｃｕ系ろう材またはＡｌ系ろう材からな」るのに対し、引用発明ではそのような「ろう材層」を有していない点。
　
〈相違点２〉
　「金属板の厚さ」について、本願補正発明では、「第２の金属板の厚さに対する第１の金属板の厚さの比は５０％以上２００％以下の範囲である」のに対し、引用発明では、その点が不明である点。
　
［４］判断
（１）相違点１について
　引用発明では、銅板（金属板）に接合される電子部品として、「ＳｉＣ製ダイオードチップ４５」を用いている。
　また、ＳｉＣ半導体素子は３００℃以上の高温で稼働することは従来周知である（必要であれば、原査定の拒絶の理由に引用された特開２００５−３２８３３号公報【０００２】【００７９】等参照）。
　そして、回路基板からＳｉＣ半導体素子が稼働中にはがれ落ちることがないように、回路基板とＳｉＣ半導体素子とを接合するろう接材は、少なくともＳｉＣ半導体素子の稼働温度（使用温度）より高い融点を有するものが採用されることは自明ともいえる。
　一方、回路基板等に用いられるろう材として、５７５〜７３０℃の範囲の融点を有するＡｇ−Ｃｕ系ろう材またはＡｌ系ろう材は従来周知である（必要であれば、Ａｇ−Ｃｕ系ろう材については、特開昭６２−８１２９０号公報（表−１実施例３〜５）、Ａｌ系ろう材については、国際公開第２００３／０９０２７７号（明細書５頁１９行〜６頁２行）等参照）。
　してみると、回路基板とＳｉＣ半導体素子とを接合するろう接材として、ＳｉＣ半導体素子の稼働温度（使用温度）を鑑み、高温の５７５〜７３０℃の範囲の融点を有するものを採用することは、当業者ならば必要に応じて適宜選択し得るものであり、そのろう接材として、Ａｇ−Ｃｕ系ろう材またはＡｌ系ろう材を採用することは周知技術に基づき容易に想到し得るものである。
　よって、相違点１に係る技術的事項は、引用発明および周知技術に基づき容易になし得るものである。
　
（２）相違点２について
　セラミックス基板の両面に接合される第１および第２の金属板の厚さについて、「第２の金属板の厚さに対する第１の金属板の厚さの比は５０％以上２００％以下の範囲である」ものは従来周知である（必要であれば、原査定の拒絶の理由に引用された特開２００２−３４３９１１号公報、特開２００３−１７６２７号公報等参照）。
　してみると、セラミックス基板の両面に接合される第１および第２の金属板の厚さの比は、電子部品モジュールの接合性や熱影響等に鑑み適宜選択し得るところ、５０％以上２００％以下の範囲とすることは、周知技術に基づき当業者ならば容易になし得るものであり、格別の顕著性はないものといえる。
　
　そして、本願補正発明により得られる作用効果も、引用発明及び周知技術から当業者であれば予測し得る範囲のものであって格別なものとはいえない。
　したがって、本願補正発明は、引用発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
　なお、審判請求人は、回答書の補正案において「Ａｌ系ろう材」を「Ａｌを９０質量％以上含有するＡｌ系ろう材」にの限定する旨言及しているが、「Ａｌを９０質量％以上含有するＡｌ系ろう材」自体は従来周知（必要であれば、前掲国際公開第２００３／０９０２７７号（明細書５頁１９行〜６頁２行）等参照）であり、顕著性はないので、審判請求人に補正案のとおりに補正する用意があるとしても、当審よりさらなる通知をすべき特別な事情を見出すことはできない。
　
［５］むすび
　以上のとおり、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　よって、上記［補正の却下の決定の結論］のとおり、決定する。
　
【３】本願発明について
［１］本願発明
　平成２４年１１月２１日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成２４年７月２６日付けの手続補正書によって補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。
　
（本願発明）
「第１の主面と、前記第１の主面とは反対側の第２の主面とを有するセラミックス基板と、前記セラミックス基板の前記第１の主面に接合された第１の金属板と、前記セラミックス基板の前記第２の主面に接合された第２の金属板とを備える回路基板と、
　前記第１および第２の金属板の少なくとも一方にろう材層を介して接合され、少なくとも１２５℃で動作可能な電子部品とを具備し、
　前記ろう材層は、前記電子部品の使用温度より高く、かつ５７５〜７３０℃の範囲の融点を有するろう材からなり、
　前記第２の金属板の厚さに対する前記第１の金属板の厚さの比は５０％以上２００％以下の範囲であることを特徴とする電子部品モジュール。」
　
［２］引用刊行物
　原査定の拒絶の理由に引用された上記刊行物の記載事項は、前記【２】［２］に記載したとおりである。
　
［３］対比・判断
　本願発明は、前記【２】で検討した本願補正発明の「第１の金属板」及び「第２の金属板」について、「銅またはアルミニウムを主成分とする」という限定をなくすものであり、また、同じく「ろう材」について、「Ａｇ−Ｃｕ系ろう材またはＡｌ系ろう材」とする限定をなくすものである。
　そうすると、本願発明の発明特定事項を全て含み、さらに構成要件を限定したものに相当する本願補正発明が、前記【２】［４］に記載したとおり、引用発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、引用発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
［４］むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、本願の他の請求項に係る発明を検討するまでもなく、本願は拒絶をすべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。