【事件の表示】
　特願２００６−５０５７１１「強磁性／反強磁性検知要素を備えた磁気抵抗センサー」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　９月３０日国際公開，ＷＯ２００４／０８３８８１，平成１８年　９月　７日国内公表，特表２００６−５２０５３８〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本件は，平成１６年３月１０日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００３年３月１４日，フランス国，２００３年９月１６日，フランス国）を国際出願日とする出願であって，平成２２年３月２６日付けで拒絶理由が通知され，同年１１月２６日付けで拒絶査定がされ，これに対し，平成２３年３月３０日に審判請求がされるとともに，同日に手続補正がされ，その後，平成２４年１月３０日付けで審尋がされ，同年７月３１日に回答書が提出されたものである。
　
第２　補正の却下の決定
　
［補正の却下の決定の結論］
　平成２３年３月３０日にされた手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
　
［理由］
１．　本件補正の内容
　本件補正は，特許請求の範囲について，補正前の請求項１〜１２を補正後の請求項１〜１１と補正するものであり，補正前の請求項１〜１２及び補正後の請求項１〜１１は以下のとおりである。
　
〈補正前〉
「【請求項１】
　基準要素（２）と分離要素（３）と磁界感知要素（４）との積層体（１）を備え，前記基準要素（２）および前記感知要素（４）は，それぞれ，第１方向および第２方向において第１磁気異方性（５）および第２磁気異方性（６）を有する磁気抵抗磁界センサーにおいて，前記感知要素（４）は強磁性材料層（ＦＭ１）と反強磁性材料層（ＡＦ１）との重畳体を備え，該重畳体は，測定すべき磁界の方向に向いた成分が測定すべき磁界の強度に対して可逆的に変化すると共に調整可能磁界範囲において直線的に変化する磁気モーメントを得るように構成されていることを特徴とする磁気抵抗磁界センサー。
【請求項２】
　前記第１異方性（５）は前記第２異方性（６）に対して垂直であることを特徴とする請求項１に記載のセンサー。
【請求項３】
　前記基準要素（２）は，測定すべき磁界に対して固定された磁化の方向および向き（９）を有する強磁性材料層（ＦＭ２）を備えることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のセンサー。
【請求項４】
　前記基準要素（２）は，強磁性材料層（ＦＭ２）と反強磁性材料層（ＡＦ２）との重畳体を備え，該重畳体は測定すべき磁界に対して固定された磁化の方向および向き（９）を得るように構成されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のセンサー。
【請求項５】
　前記感知要素（２）の反強磁性材料（ＡＦ２）のブロッキング温度は前記基準要素（４）の反強磁性材料（ＡＦ１）のブロッキング温度と異なることを特徴とする請求項４に記載のセンサー。
【請求項６】
　前記感知要素（４）の反強磁性材料層（ＡＦ１）は基板（７）上に配置されていることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項に記載のセンサー。
【請求項７】
　前記基板（７）は前記反強磁性材料（ＡＦ１）が配置される表面の条件を改善するためのものである材料の層（８）を備えることを特徴とする請求項６に記載のセンサー。
【請求項８】
　前記分離要素（３）は導電性材料層（Ｓ）から形成されていることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項に記載のセンサー。
【請求項９】
　前記分離要素（３）は電気絶縁材料層（Ｓ）からなることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項に記載のセンサー。
【請求項１０】
　感度が実質的に温度に影響されないことを特徴とする請求項９に記載のセンサー。
【請求項１１】
　前記分離要素の厚みは，前記基準要素と前記分離要素と前記感知要素との積層体によって構成される磁気トンネル接合のバリア高さによって，当該センサーの電気的感度の温度に対する変化が当該センサーの磁気的感度の温度に対する変化を補償するようになっていることを特徴とする請求項１０に記載のセンサー。
【請求項１２】
　磁界の強度を測定するための請求項１から請求項１１のいずれか１項に記載のセンサーの使用法であって，前記基準要素（２）の異方性方向（５）が測定すべき磁界の方向に平行となるように配置される使用法。」
　
〈補正後〉
「【請求項１】
　基準要素（２）と分離要素（３）と磁界感知要素（４）との積層体（１）を備え，前記基準要素（２）および前記感知要素（４）は，それぞれ，第１方向および第２方向において第１磁気異方性（５）および第２磁気異方性（６）を有する磁気抵抗磁界センサーにおいて，前記感知要素（４）は強磁性材料層（ＦＭ１）と反強磁性材料層（ＡＦ１）との重畳体を備え，該重畳体は，測定すべき磁界の方向に向いた成分が測定すべき磁界の強度に対して可逆的に変化すると共に調整可能磁界範囲において直線的に変化する磁気モーメントを得るように構成され，前記積層体（１）は，前記感知要素（４）の磁化方向（１０）が前記基準要素（２）の磁化方向に対して変化し，かつ計測すべき磁界の強度に関連して前記積層体（１）の電気抵抗の変化を誘起するように，計測すべき磁界の影響下にあることを特徴とする磁気抵抗磁界センサー。
　【請求項２】
　前記第１異方性（５）は前記第２異方性（６）に対して垂直であることを特徴とする請求項１に記載のセンサー。
　【請求項３】
　前記基準要素（２）は，測定すべき磁界に対して固定された磁化の方向および向き（９）を有する強磁性材料層（ＦＭ２）を備えることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のセンサー。
　【請求項４】
　前記基準要素（２）は，強磁性材料層（ＦＭ２）と反強磁性材料層（ＡＦ２）との重畳体を備え，該重畳体は測定すべき磁界に対して固定された磁化の方向および向き（９）を得るように構成されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のセンサー。
　【請求項５】
　前記基準要素（２）の反強磁性材料層（ＡＦ２）のブロッキング温度は前記感知要素（４）の反強磁性材料層（ＡＦ１）のブロッキング温度と異なることを特徴とする請求項４に記載のセンサー。
　【請求項６】
　前記感知要素（４）の反強磁性材料層（ＡＦ１）は基板（７）上に配置されていることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項に記載のセンサー。
　【請求項７】
　前記基板（７）は前記反強磁性材料層（ＡＦ１）が配置される表面の条件を改善するためのものである材料の層（８）を備えることを特徴とする請求項６に記載のセンサー。
　【請求項８】
　前記分離要素（３）は導電性材料層（Ｓ）から形成されていることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項に記載のセンサー。
　【請求項９】
　前記分離要素（３）は電気絶縁材料層（Ｓ）からなることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項に記載のセンサー。
　【請求項１０】
　前記センサーの感度が実質的に温度に依存しないことを特徴とする請求項９に記載のセンサー。
　【請求項１１】
　前記分離要素の厚みは，前記基準要素と前記分離要素と前記感知要素との積層体によって構成される磁気トンネル接合のバリア高さによって，当該センサーの電気的感度の温度に対する変化が当該センサーの磁気的感度の温度に対する変化を補償するようになっていることを特徴とする請求項１０に記載のセンサー。」
　
２．　補正内容の整理
　本件補正の内容を整理すると以下のとおりとなる。
〈補正事項１〉
　補正前の請求項１の「構成されていることを特徴とする磁気抵抗磁界センサー。」を，補正後の「構成され，前記積層体（１）は，前記感知要素（４）の磁化方向（１０）が前記基準要素（２）の磁化方向に対して変化し，かつ計測すべき磁界の強度に関連して前記積層体（１）の電気抵抗の変化を誘起するように，計測すべき磁界の影響下にあることを特徴とする磁気抵抗磁界センサー。」と補正すること。
　
〈補正事項２〉
　補正前の請求項５の「前記感知要素（２）の反強磁性材料（ＡＦ２）のブロッキング温度は前記基準要素（４）の反強磁性材料（ＡＦ１）のブロッキング温度と異なる」を，補正後の請求項５の「前記基準要素（２）の反強磁性材料層（ＡＦ２）のブロッキング温度は前記感知要素（４）の反強磁性材料層（ＡＦ１）のブロッキング温度と異なる」と補正すること。
　
〈補正事項３〉
　補正前の請求項１０の「感度が実質的に温度に影響されないことを特徴とする」を，補正後の請求項１０の「前記センサーの感度が実質的に温度に依存しない」と補正すること。
　
〈補正事項４〉
　補正前の請求項１２を削除すること。
　
３．補正事項についての検討
（１）新規事項の追加及び補正の目的の適否について
　上記〈補正事項１〉は，補正前の請求項１に係る発明の発明特定事項である「積層体（１）」の具体的な動作について，「前記感知要素（４）の磁化方向（１０）が前記基準要素（２）の磁化方向に対して変化し，かつ計測すべき磁界の強度に関連して前記積層体（１）の電気抵抗の変化を誘起するように，計測すべき磁界の影響下にある」として，限定的に減縮するものであるから，特許法第１７条の２第４項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項をいう。以下同じ。）第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。また，当該補正は，本願の願書に最初に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面（以下「当初明細書等」という。）の記載の範囲内でなされたことは明らかであるから，特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすものである。
　
　上記〈補正事項２〉は，補正前の請求項５における誤記を訂正して，補正後の請求項５が引用する補正後の請求項４との整合を図るものであるから，特許法第１７条の２第４項第３号に掲げる誤記の訂正を目的とするものである。また，当該補正は，当初明細書等の記載の範囲内でなされたことは明らかであるから，特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすものである。
　
　上記〈補正事項３〉は，補正前の請求項１０の「感度」及び「影響されない」を，それぞれ補正後の請求項１０の「前記センサーの感度」及び「依存しない」と明りょうにするものであるから，特許法第１７条の２第４項第４号に掲げる明りようでない記載の釈明を目的とするものである。また，当該補正は，当初明細書等の記載の範囲内でなされたことは明らかであるから，特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすものである。
　
　上記〈補正事項４〉は，補正前の請求項１２を削除するものであるから，特許法第１７条の２第４項第１号に掲げる請求項の削除を目的とするものである。
　
（２）まとめ
　上記のとおり，本件補正は当初明細書等に記載した事項の範囲内においてなされ，特許法第１７条の２第３項に規定された要件を満たすものであるところ，本件補正は，特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものを含むから，以下，本件補正後の特許請求の範囲に記載されている事項により特定される発明が，特許出願の際独立して特許を受けることができるものか（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項に規定する独立特許要件を満たすか）どうかを，補正後の請求項１に係る発明について検討する。
　
４．　独立特許要件についての検討
（１）本願補正発明
　本件補正後の請求項１に係る発明は，本件補正後の特許請求の範囲の請求項１に記載されている事項により特定される，以下のとおりものである。（以下「本願補正発明」という。）
「【請求項１】
　基準要素（２）と分離要素（３）と磁界感知要素（４）との積層体（１）を備え，前記基準要素（２）および前記感知要素（４）は，それぞれ，第１方向および第２方向において第１磁気異方性（５）および第２磁気異方性（６）を有する磁気抵抗磁界センサーにおいて，前記感知要素（４）は強磁性材料層（ＦＭ１）と反強磁性材料層（ＡＦ１）との重畳体を備え，該重畳体は，測定すべき磁界の方向に向いた成分が測定すべき磁界の強度に対して可逆的に変化すると共に調整可能磁界範囲において直線的に変化する磁気モーメントを得るように構成され，前記積層体（１）は，前記感知要素（４）の磁化方向（１０）が前記基準要素（２）の磁化方向に対して変化し，かつ計測すべき磁界の強度に関連して前記積層体（１）の電気抵抗の変化を誘起するように，計測すべき磁界の影響下にあることを特徴とする磁気抵抗磁界センサー。」
　
（２）刊行物に記載された発明
・特開平１１−１３４６２０号公報
　原査定の拒絶の理由に引用され，本願の優先日前に日本国内において頒布された刊行物である特開平１１−１３４６２０号公報（以下「引用例」という。）には，図１及び図４とともに，以下の記載がある。（下線は当審において付加。以下同様。）
　
・「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，高密度磁気ディスク装置における再生用磁気ヘッドや高密度磁気メモリ（ＭＲＡＭ）に適した磁気抵抗効果素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】
強磁性トンネル接合素子は二つの強磁性層の間に数ｎｍ厚の薄い絶縁体からなるトンネルバリア層を挟んだ構造を持つ。この素子では強磁性層間に一定の電流を流した状態で強磁性層面内に外部磁界を印加した場合，両磁性層の磁化の相対角度に応じて抵抗値が変化する磁気抵抗効果現象が現れる。この磁化の向きが平行である場合には抵抗値は最小となり，反平行である場合には抵抗値が最大となる
【０００３】　（略）
【０００４】強磁性トンネル接合素子を磁気ヘッドや磁気メモリなどのデバイスに適用するためには，トンネルバリア層を挟んだ強磁性層の，一方の強磁性層の磁化方向は外部磁界により容易に反転し（フリー磁性層），残りの強磁性層の磁化方向は容易には反転しない（固定磁性層）ようにする必要がある。このため，磁性材料としてはＮｉＦｅ等の軟磁性材料を用い，反強磁性層により固定磁性層の磁化方向を固定する方法が一般的に採られている。図５に示した従来例では，下部電極のＮｉＦｅからなる固定磁性層をＦｅＭｎ反強磁性層により固定している。
【０００５】　（略）
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】高密度磁気ディスク装置における再生用磁気ヘッドや高密度磁気メモリ（ＭＲＡＭ）に強磁性トンネル接合素子を応用する場合，素子寸法は数μｍ以下になる。これは，高密度に対応するために，記録面積を小さくする必要があるためである。この場合，磁性層の端部から磁区が発生するため外部磁界の測定時に磁区が移動し，再生ノイズが発生する。
【０００７】本発明は，このような問題点を解決すべくなされたもので，磁界測定時のノイズの小さい強磁性トンネル接合素子センサを提供することを目的とする。」
　
・「【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明の強磁性トンネル接合素子センサは，順に積層された第一の反強磁性層，フリー磁性層，トンネルバリア層，固定磁性層，第二の反強磁性層を有し，前記フリー磁性層は全面が前記第一の反強磁性層と密着しており，前記第一の反強磁性層の交換結合磁界により前記フリー磁性層の磁気異方性がトラック幅方向に向き，前記第二の反強磁性層の交換結合磁界により固定磁性層の磁気異方性がＭＲ高さ方向に向くことを特徴とする
【０００９】
本発明において，ＭＲ高さ方向とは積層構造の面と平行方向であって測定する外部磁界の方向をいい，トラック幅方向とは，積層構造面と平行方向であって外部磁界と垂直方向を言う
【００１０】このような強磁性トンネル接合素子センサを製造するには，順に積層された第一の反強磁性層，フリー磁性層，トンネルバリア層，固定磁性層，第二の反強磁性層を積層する工程と，磁界をＭＲ高さ方向に印可しながら，第二の反強磁性層のブロッキング温度ＴB2以上の温度で熱処理する工程と，磁界をトラック幅方向に印可し，第一の反強磁性層のブロッキング温度ＴB1以上の温度で熱処理する工程を含む製造方法によって製造することができる。
【００１１】ここでブロッキング温度とは交換結合磁界が発生する上限の温度である。
【００１２】
磁界測定時のノイズの発生を抑制するためには，外部磁界によりフリー磁性層の磁化方向を連続的に変化させる必要がある。このためにはフリー磁性層を単磁区化し，磁気異方性方向を測定対象である外部磁界に対して直交させることが有効である。これは，磁気抵抗効果センサーのノイズは，外部磁界により磁化方向を変化させるフリー磁性層の磁気異方性方向と相関があるためである。つまり，異方性方向がＭＲ高さ方向の場合，異方性方向と外部磁界方向は平行であり，磁化方向の動きは不連続な磁区移動モードでありヒステリシスを発生する。異方性方向がトラック幅方向の場合，異方性方向と外部磁界方向は直交し，磁化方向の動きは連続的な磁化回転モードであり，ヒステリシスを発生しない
【００１３】
そこで本発明では，第一の反強磁性層をフリー磁性層の全面に接触させることで，フリー磁性層に成膜中の磁界により誘起させる誘導磁気異方性より大きな交換結合磁界をフリー磁性層に直接作用させることにより，フリー磁性層を単磁区化し，磁気異方性方向を測定対象である外部磁界に対して直交させることが出来る。このとき，ＭＲ高さ方向に外部磁界が印可されたとき，フリー磁性層の磁化変化は磁化回転モードであり，低ノイズで磁界を測定することができる
【００１４】
固定層の異方性方向を回転させず所期の方向に向けたまま，フリー磁性層の異方性方向をそれと直交させる
　
・「【００２０】
【発明の実施の形態】本発明の第一の実施形態を図１に示す。この強磁性トンネル接合素子センサは，
基板１１上に形成された下電極１２，下地層１３の上に，適当な大きさ形状にパターン化された第１の反強磁性層１４，フリー磁性層１５を積層し，トンネルバリア層１６，固定磁性層１７，第２の反強磁性層１８が積層された構造である
【００２１】
この強磁性トンネル接合素子センサのトラック幅方向はＸ方向であり，ＭＲ高さ方向はＹ方向である。外部磁界はＹ方向である
【００２２】下地層１３には，Ａｌ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｙ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ａｇ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｒｅ，Ｐｔ，Ａｕ，Ｐｂからなる群より選ばれる金属，これらの金属からなる合金，またはこれらの金属または合金から構成される二層膜を用いることができる。
【００２３】第１，第２の反強磁性層は，Ｆｅ−Ｍｎ（鉄−マンガン）合金，Ｎｉ−Ｍｎ（ニッケル−マンガン）合金，Ｐｔ−Ｍｎ（白金−マンガン）合金，Ｉｒ−Ｍｎ（イリジウム−マンガン）合金，Ｒｕ−Ｍｎ（ルテニウム−マンガン）合金，Ｒｈ−Ｍｎ合金，Ｃｒ−Ａｌ（クロム−アルミ）合金のいずれかを用いるか，もしくはこれらの金属（合金）の二種類以上からなる合金を用いることができる。それらは二層膜として用いても良い。
【００２４】フリー磁性層と固定磁性層の材料としては，Ｆｅ，ＣｏおよびＮｉからなる群より選ばれた金属，またはこれらの金属を含む合金を用いることができる。例えば，ＮｉＦｅ，ＮｉＦｅＣｏ，ＣｏＺｒ系材料，ＦｅＣｏＢ，センダスト，窒化鉄系材料，ＦｅＣｏ等を用いることができる。フリー磁性層と固定磁性層の材料は同一であっても異なっていてもよい。
【００２５】フリー磁性層および固定磁性層には，ＭＲ比を高めるために，非磁性層に隣接する面に１ｎｍ程度の薄いＣｏ膜，ＣｏＦｅ膜を設けても良い。
【００２６】トンネルバリア層は，Ａｌ，Ｍｇおよび，ランタノイドに属する金属の酸化膜を用いることができる。
【００２７】電極層は，Ａｌ，Ｐｔ等を用いることができる。」
　
・「【００３２】
【実施例】以下に実施例を示して本発明をさらに詳細に説明する。
【００３３】（実施例１）図４（ａ）に示すよう，まず表面を熱酸化したＳｉ基板４１上に５０ｎｍ厚のＡｌ膜からなる下電極４２，５ｎｍ厚のＴａの下地層４３を形成した。
【００３４】次に，第一の反強磁性層４４としてＦｅ−Ｍｎ（５ｎｍ），フリー磁性層４５としてＮｉＦｅ（１０ｎｍ），２ｎｍ厚のＡｌ膜からなる導電層４６を連続してスパッタ成膜する。このときの成膜方法として，ｄｃマグネトロンスパッタ法により，スパッタガスはＡｒとし，ガス圧０．３Ｐａ，投入パワーは３５Ｗでおこなった。次に，スパッタ装置内に純酸素を導入し，酸素圧力を２０ｍＴｏｒｒ〜２００Ｔｏｒｒの範囲で１０分間保持して，Ａｌ導電層表面を酸化してトンネルバリア層４７を形成する。酸素を排気してバックグランド圧力に到達した後，固定磁性層４８としてＣｏＦｅ（１０ｎｍ）および第二の反強磁性層４９としてＮｉＭｎ（３０ｎｍ）を順次積層した。このときの成膜方法として，ｄｃマグネトロンスパッタ法により，スパッタガスはＡｒとし，ガス圧０．３Ｐａ，投入パワーは３５Ｗでおこなった。
【００３５】次に，通常のフォトリソグラフィ技術とイオンミリング技術を用いて接合構成層の全層を下部配線形状に加工した（図４（ｂ））。第二の反強磁性層４９上に接合寸法を規定するためのレジストパターン５０を形成し，第一の反強磁性層４４までイオンミリングする（図４（ｃ））。このレジストを残したまま３００ｎｍ厚のＡｌ2 Ｏ3 膜からなる絶縁層５１を電子ビーム蒸着した後，レジストのリフトオフを行う（図４（ｄ））。次に，上部配線を形成するためのレジストパターン５２を形成した後（図４（ｅ）），第２の反強磁性層４９と上部配線５３間の電気的な接触を得るために露出した試料表面の逆スパッタクリーニングを行う。引き続き，２００ｎｍ厚のＡｌ膜からなる上部配線層を蒸着し，最後にレジストをリフトオフすることによって上部配線５３を形成し，強磁性トンネル接合素子を完成させる（図４（ｆ））。
【００３６】次に，
固定磁性層の着磁工程として２７０℃，磁界はＭＲ高さ方向に３ＫＯｅで５時間磁界中熱処理した。次にフリー磁性層の着磁工程として１５０℃で，磁界はトラック幅方向に５０Ｏｅで１分磁界中熱処理した
【００３７】
この強磁性トンネル接合素子センサを用いて，外部磁界と抵抗変化の関係（Ｒ−Ｈ曲線）を調べたところヒステリシスのない正常なＭＲ曲線が得られている
【００３８】なお，フリー磁性層の着磁工程を行わない場合，ヒステリシスが大きなＭＲ曲線になり，磁界センサーとしての応用は出来ない。」
　
　ここで，上記段落【０００８】〜【０００９】の記載によれば，「前記フリー磁性層は全面が前記第一の反強磁性層と密着しており，前記第一の反強磁性層の交換結合磁界により前記フリー磁性層の磁気異方性がトラック幅方向に向」いており，「前記第二の反強磁性層の交換結合磁界により固定磁性層の磁気異方性がＭＲ高さ方向に向」いているところ，「ＭＲ高さ方向とは積層構造の面と平行方向であって測定する外部磁界の方向をいい，トラック幅方向とは，積層構造面と平行方向であって外部磁界と垂直方向」である。それゆえ，上記段落【００２０】〜【００２７】に記載された「発明の実施の形態」についても，「第１の反強磁性層１４」及び「フリー磁性層１５」の磁気異方性方向は「積層構造面と平行方向であって外部磁界と垂直方向」であり，「固定磁性層１７」及び「第２の反強磁性層１８の磁気異方性方向は「積層構造の面と平行方向であって測定する外部磁界の方向」であることは明らかであり，このことから，固定層の磁気異方性方向とフリー磁性層の磁気異方性方向とが直交していることも明らかである。
　また，上記段落【００２０】〜【００２７】に記載された「発明の実施の形態」についても，上記段落【００１２】に記載されたように，「フリー磁性層の磁気異方性方向」と「外部磁界方向は直交し，磁化方向の動きは連続的な磁化回転モードであり，ヒステリシスを発生しない」ことも明らかである。
　
　したがって，引用例には次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
「基板１１上に形成された下電極１２，下地層１３の上に，適当な大きさ形状にパターン化された第１の反強磁性層１４，フリー磁性層１５を積層し，トンネルバリア層１６，固定磁性層１７，第２の反強磁性層１８が積層された構造を有する強磁性トンネル接合素子センサであって，
　第１の反強磁性層１４及びフリー磁性層１５の磁気異方性方向は，積層構造面と平行方向であって外部磁界と垂直方向であり，固定磁性層１７及び第２の反強磁性層１８の磁気異方性方向は，積層構造の面と平行方向であって測定する外部磁界の方向であることにより，固定層の磁気異方性方向とフリー磁性層の磁気異方性方向とが直交しており，
　外部磁界によりフリー磁性層の磁化方向は連続的に変化して，ヒステリシスを発生しないものであり，
　フリー磁性層１５及び固定磁性層１７の磁化の相対角度に応じて，前記積層された構造の抵抗値が変化するものである，
　強磁性トンネル接合素子センサ。」
　
（３）本願補正発明と引用発明との対比
ア　「磁化」とは，単位体積あたりの磁気モーメントを指す用語であるから，引用発明及び本願補正発明において，「磁化方向」とは磁気モーメントの方向を指すものであって，「磁化方向」が変化することは磁気モーメントが変化することを意味するといえる。
　
イ　引用発明において，積層された「第１の反強磁性層１４」及び「フリー磁性層１５」「の磁気異方性方向は，積層構造面と平行方向であって外部磁界と垂直方向であり」，「外部磁界によりフリー磁性層の磁化方向は連続的に変化して，ヒステリシスを発生しないものであ」る。ここで，「ヒステリシスを発生しない」とは可逆的であることを意味する。また，「フリー磁性層の磁化方向」が「外部磁界」「により」「連続的に変化」する際に，当該外部磁界方向に向いた成分が生ずることは明らかである。それゆえ，引用発明の「第１の反強磁性層１４」及び「フリー磁性層１５」を併せたものと，
本願補正発明の，「第２方向において」「第２磁気異方性（６）を有する」「磁界感知要素（４）」であって，「強磁性材料層（ＦＭ１）と反強磁性材料層（ＡＦ１）との重畳体を備え，該重畳体は，測定すべき磁界の方向に向いた成分が測定すべき磁界の強度に対して可逆的に変化すると共に調整可能磁界範囲において直線的に変化する磁気モーメントを得るように構成され」たものとは，「第２方向において」「第２磁気異方性（６）を有する」「磁界感知要素（４）」であって，「強磁性材料層（ＦＭ１）と反強磁性材料層（ＡＦ１）との重畳体を備え，該重畳体は，測定すべき磁界の方向に向いた成分が測定すべき磁界の強度に対して可逆的に変化する磁気モーメントを得るように構成され」たものである点で共通する。
　
ウ　引用発明における「固定磁性層１７」は，その磁気異方性方向が「フリー磁性層の磁気異方性方向とが直交して」いるから，引用発明において積層された「固定磁性層１７」及び「第２の反強磁性層１８」を併せたものは，本願補正発明における「基準要素（２）」であって，「第１方向」「において第１磁気異方性（５）」を有するものに相当する。
　
エ　引用発明における「トンネルバリア層１６」は，本願補正発明の「分離要素（３）」に相当する。
　
オ　上記イで述べたとおり，引用発明の「第１の反強磁性層１４」及び「フリー磁性層１５」を併せたものと，本願補正発明の「磁界感知要素（４）」とは，その構成自体については完全には一致しない。しかしながら，引用発明の「第１の反強磁性層１４」及び「フリー磁性層１５」を併せたものは，「外部磁界によりフリー磁性層の磁化方向は連続的に変化して，」「フリー磁性層１５及び固定磁性層１７の磁化の相対角度に応じて，前記積層された構造の抵抗値が変化するものである」から，本願補正発明の「磁界感知要素（４）」であって「前記感知要素（４）の磁化方向（１０）が前記基準要素（２）の磁化方向に対して変化し，かつ計測すべき磁界の強度に関連して前記積層体（１）の電気抵抗の変化を誘起するように，計測すべき磁界の影響下にある」ものである点については一致する。
　それゆえ，引用発明に係る「基板１１上に形成された下電極１２，下地層１３の上に，適当な大きさ形状にパターン化された第１の反強磁性層１４，フリー磁性層１５を積層し，トンネルバリア層１６，固定磁性層１７，第２の反強磁性層１８が積層された構造を有する強磁性トンネル接合素子センサ」であって「外部磁界によりフリー磁性層の磁化方向は連続的に変化して，」「フリー磁性層１５及び固定磁性層１７の磁化の相対角度に応じて，前記積層された構造の抵抗値が変化するものである」ものは，本願補正発明の「基準要素（２）と分離要素（３）と磁界感知要素（４）との積層体（１）を備え，」「前記積層体（１）は，前記感知要素（４）の磁化方向（１０）が前記基準要素（２）の磁化方向に対して変化し，かつ計測すべき磁界の強度に関連して前記積層体（１）の電気抵抗の変化を誘起するように，計測すべき磁界の影響下にあることを特徴とする磁気抵抗磁界センサー」に相当するといえる。
　
　以上を総合すると，引用発明と本願補正発明とは以下の点で一致する。
　
「基準要素（２）と分離要素（３）と磁界感知要素（４）との積層体（１）を備え，前記基準要素（２）および前記感知要素（４）は，それぞれ，第１方向および第２方向において第１磁気異方性（５）および第２磁気異方性（６）を有する磁気抵抗磁界センサーにおいて，前記感知要素（４）は強磁性材料層（ＦＭ１）と反強磁性材料層（ＡＦ１）との重畳体を備え，該重畳体は，測定すべき磁界の方向に向いた成分が測定すべき磁界の強度に対して可逆的に変化する磁気モーメントを得るように構成され，前記積層体（１）は，前記感知要素（４）の磁化方向（１０）が前記基準要素（２）の磁化方向に対して変化し，かつ計測すべき磁界の強度に関連して前記積層体（１）の電気抵抗の変化を誘起するように，計測すべき磁界の影響下にあることを特徴とする磁気抵抗磁界センサー。」
　
　一方，両者は以下の点で相違する。
　
《相違点》
　本願補正発明においては，「前記感知要素（４）は強磁性材料層（ＦＭ１）と反強磁性材料層（ＡＦ１）との重畳体を備え，該重畳体は，測定すべき磁界の方向に向いた成分が測定すべき磁界の強度に対して可逆的に変化すると共に調整可能磁界範囲において直線的に変化する磁気モーメントを得るように構成され」ているのに対して，引用発明においては「磁界感知要素（４）は強磁性材料層（ＦＭ１）と反強磁性材料層（ＡＦ１）との重畳体を備え，該重畳体は，測定すべき磁界の方向に向いた成分が測定すべき磁界の強度に対して可逆的に変化する磁気モーメントを得るように構成され」たものに対応する構成を有するものの，「調整可能磁界範囲において直線的に変化する」ことまでは明らかでない点。
　
（４）当審の判断
　上記相違点について検討する。
　
　一般に，磁気抵抗効果素子において，検知すべき外部磁界の変化に対して磁界を検知する層の磁化方向が直線的に変化し，それに伴い，磁気抵抗効果素子の抵抗が直線的に増減することは，以下の周知例１にも記載されているように，従来より周知の事項である。
　
・周知例１：　特開２００２−９２８２９号公報
　本願の優先日前に日本国内において頒布された刊行物である特開２００２−９２８２９号公報には次の記載がある。
「【０００５】
【従来の技術】現在，磁気ヘッドにはスピンバルブＧＭＲ効果を利用したスピンバルブ磁気抵抗センサが広く用いられている。スピンバルブ構造の磁気抵抗センサでは，
フリー強磁性層（フリー層）の磁化方向が記録媒体からの信号磁界により変化し，ピンド強磁性層（ピンド層）の磁化方向との相対角が変化することにより，磁気抵抗センサの抵抗が変化する
【０００６】この磁気抵抗センサを磁気ヘッドに用いる場合には，ピンド層の磁化方向を磁気抵抗素子の素子高さ方向に固定し，
外部磁界が印加されていない状態におけるフリー層の磁化方向を，ピンド層と直交する素子幅方向に一般的に設計する
【０００７】これにより，
磁気抵抗センサの抵抗を，磁気記録媒体からの信号磁界方向がピンド層の磁化方向と平行か反平行かにより，直線的に増減させることができる。このような直線的な抵抗変化は，磁気ディスク装置の信号処理を容易にする
　
　ここで，「外部磁界が印加されていない状態におけるフリー層の磁化方向を，ピンド層と直交する素子幅方向に一般的に設計」（段落【０００６】）され，「信号磁界方向がピンド層の磁化方向と平行か反平行」（段落【０００７】）として，外部磁界すなわち信号磁界によって「フリー強磁性層（フリー層）の磁化方向が記録媒体からの信号磁界により変化」することは明らかである。
　そして，「フリー強磁性層（フリー層）の磁化方向が記録媒体からの信号磁界により変化し，ピンド強磁性層（ピンド層）の磁化方向との相対角が変化することにより，磁気抵抗センサの抵抗が変化する」ところ，「磁気抵抗センサの抵抗を，」「直線的に増減させることができる」のであるから，フリー強磁性層（フリー層）の磁化方向（すなわち磁気モーメント）もまた直線的に変化するものであることは明らかである。
　
　また，一般に，磁気抵抗効果素子において，検出すべき磁界強度に応じて磁気抵抗効果素子の構造を最適化することは，以下の周知例２にも記載されているように，従来より周知の技術である。
　
・周知例２：　特開平１１−３８１１０号公報
　本願の優先日前に日本国内において頒布された刊行物である特開平１１−３８１１０号公報には次の記載がある。
　
「【００３５】巨大磁気抵抗効果膜としては，（強磁性体／非磁性導電体）構造のアンチフェロ（結合）型，（高保磁力強磁性体／非磁性導電体／低保磁力強磁性体）構造の誘導フェリ（非結合）型，（半強磁性体／強磁性体／非磁性導電体／強磁性体）構造のスピンバルブ型，Ｃｏ／Ａｇ系統の非固溶系グラニュラー型に大別される。
【００３６】これらの各巨大磁気抵抗効果膜は，その構造や組成により，検出可能な磁界強度，すなわち，磁気抵抗効果の飽和磁界強度が大きく異なる。例えば，（Ｆｅ／Ｃｒ）系アンチフェロ型では１０ＫＯｅ以上，（ＣｏＮｉＦｅ／Ｃｕ）系アンチフェロ型では，０．１Ｏｅから１ＫＯｅ，（ＮｉＦｅ／Ｃｕ／Ｃｏ／Ｃｕ）系誘導フェリ型では，５Ｏｅから２０Ｏｅ程度，（ＦｅＭｎ／ＮｉＦｅ／Ｃｕ／ＮｉＦｅ）系スピンバルブ型では，数Ｏｅ，そして，グラニュラー型では１００Ｏｅから５ＫＯｅ程度までの磁界検出が可能である。磁界感度は，最大磁気抵抗変化率を飽和磁界強度で割り算したものであり，最大磁気抵抗変化率が大きくても，飽和磁界が大きい場合には磁界感度は悪い。反対に，最大磁気抵抗変化率が小さくても，飽和磁界が非常に小さい場合には磁界感度は良い。
このため，検出すべき磁界強度により最高の磁界感度が得られるように，上記の各種の巨大磁気抵抗効果膜から，基本系を選択し，さらに組成系の変更や細かな構造を最適化して用いる
　
　そうすると，引用発明において，検出すべき磁界強度に応じて磁気抵抗効果素子の構造を最適化し，相違点に係る「調整可能磁界範囲」を設定することは当業者が適宜になし得たことであり，その結果，当該「調整可能磁界範囲」において，磁気モーメントが「直線的に変化する」ことは，普通に得られる特性であるといえる。
　したがって，相違点は，当業者が適宜になし得た事項の範囲内に含まれる程度のものである。
　
（５）小括
　以上のとおりであるから，本願補正発明は，引用発明及び従来周知の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により，特許を受けることができない。
　よって，本願補正発明は，特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
４．むすび
　したがって，本件補正は，平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する特許法第１２６条第５項の規定に適合しないので，同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
１．平成２３年３月３０日にされた手続補正は，上記のとおり却下されたので，本願の請求項１に係る発明は，本願の願書に最初に添付した明細書，特許請求の範囲及び図面から見て，その請求項１に記載された事項により特定される以下のとおりのものである。（以下「本願発明」という。）
「【請求項１】
　基準要素（２）と分離要素（３）と磁界感知要素（４）との積層体（１）を備え，前記基準要素（２）および前記感知要素（４）は，それぞれ，第１方向および第２方向において第１磁気異方性（５）および第２磁気異方性（６）を有する磁気抵抗磁界センサーにおいて，前記感知要素（４）は強磁性材料層（ＦＭ１）と反強磁性材料層（ＡＦ１）との重畳体を備え，該重畳体は，測定すべき磁界の方向に向いた成分が測定すべき磁界の強度に対して可逆的に変化すると共に調整可能磁界範囲において直線的に変化する磁気モーメントを得るように構成されていることを特徴とする磁気抵抗磁界センサー。」
　
２．　引用発明
　引用発明は，前記第２の４．「（２）刊行物に記載された発明」に記載したとおりのものである。
　
３．対比・判断
　前記第２「１．本件補正の内容」〜第２「２．補正内容の整理」において記したように，本願補正発明は，本件補正前の請求項１（本願発明）について前記〈補正事項１〉に係る限定を付したものである。言い換えると，本願発明は，本願補正発明から前記限定を除いたものである。
　そうすると，本願発明の構成要件をすべて含み，これをより限定したものである本願補正発明が，前記第２の４．「（３）本願補正発明と引用発明との対比」〜第２の４．「（５）小括」において検討したとおり，引用発明及び従来周知の技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，本願発明も当然に，当業者が容易に発明をすることができたものである。
　よって，本願発明は特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
第４　むすび
　以上のとおりであるから，本願は，他の請求項について検討するまでもなく，拒絶すべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。