【事件の表示】
　特願２００４−５２４６７８「テープ基板上の超伝導材料のための方法および装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年２月５日国際公開、ＷＯ２００４／０１２２７８、平成１７年１１月１０日国内公表、特表２００５−５３４１５７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１５年７月２３日（パリ条約による優先権主張　２００２年７月２６日　（ＵＳ）アメリカ合衆国）を国際出願日とする出願であって、平成１７年３月２２日付けで手続補正がされ、平成２１年７月１６日付けで拒絶理由が通知され、平成２２年１月２８日付けで手続補正がされ、同年５月７日付けで拒絶査定がされ、この査定を不服として、同年９月２１日に審判請求がされるとともに手続補正がされたものである。
　その後、当審において、平成２４年２月１６日付けの補正の却下の決定とともに拒絶理由が通知され、これに対して、同年８月２１日付けで意見書の提出がなされている。
　
第２　本願発明
　平成２２年９月２１日付け手続補正は却下されたので、本願の明細書、特許請求の範囲及び図面は、平成２２年１月２８日付けの手続補正により補正されたとおりのものであり、その発明は、特許請求の範囲の請求項１〜１０に記載された事項により特定されたとおりのもの（以下、それぞれ「本願発明１」〜「本願発明１０」という。）と認める。
　
第３　当審拒絶理由について
　平成２４年２月１６日付けの当審拒絶理由は、次の＜理由１＞〜＜理由４＞に示すとおりである。
　
＜理由１＞
　平成１７年３月２２日付けでした手続補正は、下記の点で国際出願日における国際特許出願の明細書若しくは図面（図面の中の説明に限る）の翻訳文、国際出願日における国際特許出願の請求の範囲の翻訳文（特許協力条約第１９条（１）の規定に基づく補正後の請求の範囲の翻訳文が提出された場合にあっては、当該翻訳文）又は国際出願日における国際特許出願の図面（図面の中の説明を除く）（以下、翻訳文等という）に記載した事項の範囲内においてしたものでないから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしていない（同法第１８４条の１２第２項参照）。
　
　　　　　　　　　　　　　　　　　記
　翻訳文等には、超伝導体材料の層の長さを少なくとも１０メートルとするステップに関しては記載されておらず、当該長さの特定は当業者にとって自明とはいえないから、本願発明８〜１０は、新たな技術的事項を追加するものであって、当該補正を含む平成１７年３月２２付けでした手続補正は、翻訳文等に記載した事項の範囲内においてしたものでない。
　
　なお、当該補正がなされた明細書、特許請求の範囲又は図面における請求項８〜１０に記載した事項は、願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内にないから、本願発明８〜１０については審査を行っていない。
　
＜理由２＞
　本願発明１、５〜７は、その出願前に日本国内又は外国において、頒布された下記の引用文献１に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。
　
＜理由３＞
　本願発明１〜７は、その出願前に日本国内又は外国において頒布された下記の引用文献１〜７に記載された発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　　　　　　　　　　　　　　　　　記
　引用文献１：特開平５−４３３９６号公報
　引用文献２：特開平６−２９３５９６号公報
　引用文献３：特開平６−６８７２８号公報
　引用文献４：特開平５−４４０４３号公報
　引用文献５：特開平９−５２７０１号公報
　引用文献６：特開２００１−３１９５３５号公報
　引用文献７：特開２００２−２０３４３９号公報
　
・備考：
　引用文献１の段落番号０００２、０００３、００１３〜００１５、００１７、００１８、００２９、００３２の欄、図６の基板１、ロール１５Ａ、チャンバ１２、供給口１３、１４、ヒータ２０、２１、ロール１５Ｂ、仕切部材２２、中間層合成部Ａ、ＳＣ層合成部Ｂ、中間層２、２ａ、ＳＣ層（酸化物超電導層）３、３ａ及びそれらの関連する記載によれば、以下の発明（以下、「引用発明１」という。）が記載されているといえる。
　
「テープ状基板１で酸化物超伝導体を形成するための製造装置であって、
　前記テープ状基板１を繰り出すためのロール１５Ａと、
　前記ロール１５Ａから前記テープ状基板１を受け取り、前記テープ状基板１上にＳＣ層（酸化物超電導層）を形成するＳＣ層合成部Ｂと、
　酸化物超電導体を形成するように反応できる化学蒸着法（ＣＶＤ法）の原料を前記ＳＣ層合成部Ｂ内に注入するための供給口と、
　前記ＳＣ層合成部ＢからＳＣ層を有する前記テープ状基板１を巻き取るロール１５Ｂとを含む、製造装置において、
　前記ＳＣ層合成部Ｂを含むチャンバ１２が、
　前記テープ状基板１を所定の温度まで加熱する光を用いたヒータを含み、
　前記テープ状基板１上に中間層を形成するように動作する別の中間層合成部Ａをチャンバ１２に含み、前記中間層が、酸化物超伝導層との結晶整合性に優れたMgOやSrTiO3から選択される材料を含む製造装置。」
　
　本願発明１〜７と引用発明１とを対比すると、引用発明１の「テープ状基板１」、「酸化物超伝導体」、「製造装置」、「ロール１５Ａ」、「ＳＣ層」、「ＳＣ層合成部Ｂ」、「反応できる化学蒸着法（ＣＶＤ法）の原料」、「ロール１５Ｂ」、「所定の温度まで加熱する光を用いたヒータ」、「中間層」及び「結晶整合性に優れたMgOやSrTiO3から選択される材料」は、それぞれ、本願発明１〜７の「テープ基板」、「超伝導体ワイア」、「システム」、「第１リール」、「超伝導体材料の層」、「１つの堆積チャンバ」、「反応できる１つまたは複数のプリカーサ材料」、「第２リール」、「所定の温度まで加熱するランプ」、「バッファ層」及び「CeO2、YSZ、Y2O3-ZrO2、Gd2O3、Eu2O3、Yb2O3、RuO2、LaSrCoO3、MgO、SiN、BaCeO2、NiO、Sr2O3、SrTiO3、およびBaSrTiO3からなる群から選択される材料」に相当し、本願発明１〜７の「ディスペンサ」及び「配給ヘッド」は、プリカーサ材料を供給するためのものといえるから、引用発明１の「供給口」は、本願発明１〜７の「ディスペンサ」及び「配給ヘッド」の役割を担っているものといえる。そして、引用発明１は、堆積チャンバとなるチャンバ１２外に「ロール１５Ａ」及び「ロール１５Ｂ」を設けたものであるから、「テープ基板を少なくとも１つの内に入れるための入力開口と、前記テープ基板を堆積チャンバから出すための出力開口」とを有しているものと認められる。
　
ア）本願発明１、５〜７について
　本願発明１、５〜７と引用発明１とを対比すると、両者は相違点ａで相違し、それ以外の点で一致する。
（相違点ａ）
　本願発明１、５〜７は、配給ヘッドがテープ基板上に前記プリカーサ材料の層流を提供するものであるのに対して、引用発明１はどのような状態で原料が提供されているのか不明である点
　
　相違点ａについて検討すると、引用文献１には、ＣＶＤ法の原料を層流状態で供給することは明記されていないものの、乱流状態で原料を供給することも記載されていないし、引用文献４又は５に記載されているように、ＣＶＤ法の原料の供給を特定の方向になるように供給すること（すなわち、層流）は技術常識であるから、引用発明１においても、原料は供給口から層流状態で供給されていると認められるから、当該相違点ａは実質的な相違点とはいえない。
　したがって、本願発明１、５〜７は、引用文献１に記載された発明である。
　また、仮に、相違点ａが実質的な相違点であったとしても、引用発明１において、引用文献４又は５に記載されているように、原料の供給を特定の方向になるように供給することは、当業者にとって格別の事項ではない。
　
イ）本願発明２、３について
　本願発明２、３と引用発明１とを対比すると、両者は相違点ａ、ｂで相違し、それ以外の点で一致する。
（相違点ｂ）
　本願発明２、３は、「テープ基板からオイル・ベースの汚染物質を除去する予備洗浄ステージ」又は「少なくとも１つの堆積チャンバに供給する前に、前記テープ基板に処理をほどこす初期化ステージ」を含んでいるのに対して、引用発明１はテープ基板のリールからリールへの一連の工程において、そのような前処理をしていない点
　
　相違点ａについては上記アで述べたとおりであり、相違点ｂについて検討すると、テープ基板のリールからリールへの一連の工程において、ＣＶＤ法による材料の堆積に先だち、テープ基板からオイル・ベースの汚染物質を除去する工程を設けること（引用文献２及び３参照）や、何らかの前処理を行うこと（引用文献４参照）によって、ひずみや欠陥を減少させることは、本願出願前における周知技術である。
　そうすると、引用発明１において、ひずみや欠陥を減らすために、当該周知技術を採用することは、当業者が容易に想到することである。
　
ウ）本願発明４について
　本願発明４と引用発明１とを対比すると、両者は相違点ａ、ｃで相違し、それ以外の点で一致する。
（相違点ｃ）
　本願発明４は、「少なくとも１つの堆積チャンバが、前記テープ基板を支持する少なくとも１つの支持部を含」んでいるのに対して、引用発明１は、そのような支持部を有しているかどうか不明である点
　
　相違点ａについては上記アで述べたとおりであり、相違点ｃについて検討すると、引用文献５、６に記載されているように、堆積チャンバであるリアクタにテープ基板の支持部を設けることは、発明の具体化の際に、当業者が通常採用する技術的事項であるから、引用発明１において、堆積チャンバにテープ基板の支持部を設けることは、当業者が容易に想到することである。
　
エ）補足
　上記ア〜ウにおいて、ＣＶＤ法及び酸化物超伝導体の層構成について、引用文献６及び７に記載の内容も参照されたい。
　
＜理由４＞
　本件出願は、特許請求の範囲の記載が下記の点で不備のため、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。
　
　　　　　　　　　　　　　　　　　記
（１）請求項１〜７に記載の「テープ基板」、「第１リール」、「堆積チャンバ」、「第２リール」、「オイル・ベース」、「入力開口」及び「出力開口」は、明細書の「テープ」、「繰り出しリール」、「反応チャンバ」、「巻き取り」、「潤滑油」、「テープポート６０５」及び「テープポート６０６」との対応関係が不明確である。
（２）請求項１に記載の「ディスペンサ」と「配給ヘッド」は対応関係が不明確であり、「ディスペンサ」は明細書を参照しても技術的内容が不明である。
（３）請求項３に記載の「初期化ステージ」における「処理」は、どのような事項であるのか不明確である。また、請求項２に記載の「予備洗浄」処理も含むかどうか不明である。
　
第４　補足
　請求人は、平成２４年８月２１日付け意見書において、平成２４年２月１６日付けの補正の却下の決定は違法ではないことを認め、同日付けの拒絶理由に対しては、拒絶理由を解消するための手続補正書を提出しないし、不服とする意見はないものとしている。
　
第５　当審の判断
　上記第３で示した当審拒絶理由は妥当なものと認められるから、本願は、この拒絶理由によって拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。