【事件の表示】
　特願２００４−　３１７４９「荷電粒子線による検査装置及びその検査装置を用いたデバイス製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年１２月２４日出願公開、特開２００４−３６３０８５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、特許法第４１条に基づく優先権主張を伴う平成１６年２月９日（優先日：平成１５年５月９日、出願番号：特願２００３−１３２３０４号）の出願であって、平成２４年１月２０日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成２４年４月２４日に拒絶査定に対する審判請求がなされ、同時に手続補正がなされた。
　その後、平成２５年２月１９日付けで、当審により、上記平成２４年４月２４日付けの手続補正についての補正の却下の決定がなされるとともに最後の拒絶理由が通知された。
　これに対して、同年４月１９日付けで意見書及び手続補正書が提出されたものである。
　
第２　平成２５年４月１９日付けの手続補正についての補正の却下の決定
［補正の却下の決定の結論］
　　平成２５年４月１９日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
［理由］
１．補正後の本願発明
　本件補正により、本願の特許請求の範囲の請求項１は、以下とおり、補正前のものから補正後のものに補正された。（下線は当審において付与。以下同じ。）
　
（補正前）
「所定の広さを有する領域を照射する面形状の１次電子ビームを試料に向けて照射する手段と、
　前記１次電子ビームの前記試料へ向けた照射によって前記試料の表面の情報を得た電子を拡大投影してＴＤＩセンサに結像させる手段と、
　前記ＴＤＩセンサに結像された前記電子を画像として合成する手段と、
を備える電子線装置であって、
　前記１次電子ビームを試料に照射する前記手段と、前記ＴＤＩセンサに結像させる前記手段とが、静電レンズで構成された光学系を備え、
　更に、
　前記１次電子ビームと前記電子とを、電界と磁界とを用いる偏向器によって分離する手段と、
　前記１次電子ビームを、前記試料上の帯状部分に順次走査させ、前記帯状部分を走査した後に前記試料をステップ移動させて次の前記帯状部分を走査する手段であって、
隣り合う前記帯状部分の重なり幅が調整可能である手段
　前記試料の目標位置と実際の位置との差分を求め、該差分を相殺するように前記１次電子ビームを偏向させて位置補正を行う手段と、
を備えてなり、
　前記電子を前記ＴＤＩセンサに導く光学系が少なくとも１つのアライナを備え、
　走査する前記手段の走査速度が、画素サイズと前記ＴＤＩセンサのライン周波数との積である
ことを特徴とする電子線装置。」（以下「補正前発明」という。）
　
（補正後）
「所定の広さを有する照射領域を照射する面形状の１次電子ビームを試料に向けて照射する手段と、
　前記１次電子ビームの前記試料へ向けた照射によって前記試料の表面の情報を得た電子を拡大投影してＴＤＩセンサに結像させる手段と、
　前記ＴＤＩセンサに結像された前記電子を画像として合成する手段と、
を備える電子線装置であって、
　前記１次電子ビームを試料に照射する前記手段と、前記ＴＤＩセンサに結像させる前記手段とが、静電レンズで構成された光学系を備え、
　更に、
　前記１次電子ビームと前記電子とを、電界と磁界とを用いる偏向器によって分離する手段と、
　前記試料を前記ＴＤＩセンサの積算方向に移動させることによって前記１次電子ビームに前記試料上の帯状部分を順次走査させ、前記帯状部分を走査した後に前記試料を前記帯状部分の走査方向と直交する方向にステップ移動させて次の前記帯状部分を走査する手段であって、
隣り合う前記帯状部分の重なり幅が生じない間引き検査を行えるよう調整可能である手段
　前記試料の目標位置と実際の位置との差分を求め、該差分を相殺するように前記１次電子ビームを偏向させて位置補正を行う手段と、
を備えてなり、
　前記照射する手段が、前記面形状を、前記試料上の観察領域の面積と前記照射領域の面積とで決まる照射効率が最大になるよう決定することができ、
　前記電子を前記ＴＤＩセンサに導く光学系が少なくとも１つのアライナを備え、
　走査する前記手段の走査速度が、画素サイズと前記ＴＤＩセンサのライン周波数との積であり、前記画素サイズは、前記結像させる手段の投影倍率に応じて前記ＴＤＩセンサの１つの画素のサイズを前記試料上のサイズに換算した値である
ことを特徴とする電子線装置。」（以下「補正後発明」という。）
　
２．判断
　本件補正により、補正前発明に「隣り合う前記帯状部分の重なり幅が調整可能である手段」とあったものが、補正後発明では、「隣り合う前記帯状部分の重なり幅が生じない間引き検査を行えるよう調整可能である手段」に変更された。
　すなわち、「隣り合う帯状部分が重なる」という事項を必須のものとする補正前発明が、本件補正により、「隣り合う帯状部分の重なり幅が生じない」ものへと変更された。
　当該補正が特許請求の範囲の減縮を目的とするものでないことは明らかである。また、当該補正が請求項の削除、誤記の訂正及び明りょうでない記載の釈明のいずれを目的とするものでないことも明らかである。
　以上のとおりであるから、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項に掲げる目的の何れの事項にも該当しないものであり、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する特許法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　よって、補正の却下の決定の結論のとおり決定する。
　
第３　本願発明について 
　平成２５年４月１９日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成２２年８月２３日付けの手続補正で補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定されるとおりのものである。（上記「補正前発明」参照。）
　
１．引用刊行物
　当審の最後の拒絶理由に引用され、本願の優先日前に頒布された刊行物である、特開２００２−２３７２７０号公報（以下「引用文献１」という。）には、以下の事項が記載されている。 
（１ａ）「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電極に電圧を印加して電場を生成し、電子ビームやイオンビーム等の荷電粒子ビームを偏向する荷電粒子ビーム偏向装置と、それを用いて半導体基板や液晶基板等の物体面の観察や欠陥の検査を行う荷電粒子ビーム欠陥検査装置及び方法と半導体素子に関する。」
（１ｂ）「【０００３】従来、電子ビームを用いた荷電粒子ビーム欠陥検査装置として、例えば、特開平１１−１３５０５６号公報などに記載されたものが知られている。図７は、このような従来の荷電粒子ビーム欠陥検査装置を用いた半導体素子の表面状態の検査を概略的に示すものである。荷電粒子ビームとしての電子ビームは、荷電粒子源である電子銃１００で生成され、一次ビームとして、図示されぬ一次光学系により図中矢印（イ）の方向に移送される。一次ビームがウィーンフィルタ２００に入射されると、一次ビームは、図中矢印（ロ）の方向に偏向され、対物光学系３００を通過して半導体素子等の試料４００の表面に照射される。これにより、試料４００から、二次電子、反射電子、後方散乱電子が得られる。二次電子の発生確率が物体表面の物性に依存することから、二次電子が表面検査用の二次ビームとして対物光学系３００とウィーンフィルタ２００により図中矢印（ハ）に示される方向に移送され、二次光学系５００によって検出装置６００の検出面６００ａ上に結像される。」
（１ｃ）「【０００４】ところで、二次ビームは、二次光学系５００の加工精度、組立誤差等から、例えば図中点線で示されるように理想的な光軸からずれ、ある角度を有して二次光学系５００から射出される。そこで、二次光学系５００の終端側の検出装置６００に臨む位置に、荷電粒子ビーム偏向装置７００を設けて、図中矢印（ニ）の方向への軌道修正が行われる。二次光学系５００内の射出瞳から荷電粒子ビーム偏向装置７００までの距離ｄは、装置にもよるが、例えば３０ｍｍ程度であり、荷電粒子ビーム偏向装置７００から検出面６００ａまでの距離Ｌは、例えば、５００ｍｍ程度である。仮に荷電粒子ビーム偏向装置７００による二次ビームの軌道修正を行わないとすると、光軸上で結像すべき像が、例えば検出面６００ａの光軸から１０ｍｍ程ずれた所に結像される。この場合、荷電粒子ビーム偏向装置７００は、二次ビームにおよそ２０ｍｒａｄ程の偏向を与えて、光軸上で結像するように二次ビームの軌道を修正する。図８には、荷電粒子ビーム偏向装置７００が光軸方向から見た状態で示されている。図において荷電粒子ビーム偏向装置７００は、円周上に等間隔に配列された８個の電極７１１〜７１８と、電極７１１〜７１８に電圧をそれぞれ印加する図示されぬ電圧印加装置を有している。二次ビームとしての電子ビームを例えば図中矢印（ホ）の方向に偏向する場合には、先ず、互いに隣り合う２個の電極７１１，７１２に所定の正の電圧Ｖを印加し、電極７１１，７１２に前記円周の中心を挟んで対向配置される互いに隣り合う２個の電極７１５，７１６に電圧Ｖと絶対値を等しい負の電圧−Ｖをそれぞれ印加し、電極７１１，７１２から電極７１５，７１６に向う電場を生成する。そして、電圧Ｖ及び電圧−Ｖが印加される４個の電極７１１，７１２，７１５，７１６に隣り合う他の残りの４個の電極７１３，７１４，７１７，７１８に、電圧Ｖ及び電圧−Ｖを所定比率ｔだけ低減した電圧、すなわち、電極７１３，７１８に電圧ｔ×Ｖを、電極７１４，７１７に電圧−ｔ×Ｖをそれぞれ印加して前記荷電粒子ビームを偏向する電場を一様にする。図には、このように生成された電場の等電位線が示されている。ｔの値は偏向する方向によって適宜選択されるが、矢印（ホ）の方向に偏向する場合、約０．４程度の値が選ばれる。一般に、円周上に配置された大きさを持たない理想的な点状の複数の電極に電圧を印加し、円周内にできるかぎり一様な電場を発生させるには、円周の中心から電極に向う方向と荷電粒子ビームを偏向させる方向とがなす角の余弦に比例した電圧を印加すればよいので、電極７１１〜７１８に印加される電圧は、荷電粒子ビームが偏向される方向に応じて適宜最適な値が選択される。
【０００５】また、検出装置６００には、検査効率を上げ、スループットの向上を図る目的で、例えば、特開平１０−１９７４６２号公報などに記載されたＴＤＩ（Time-Delay-Integration；時間遅延積分型）アレイＣＣＤ（以後ＴＤＩセンサと称する）が用いられる。このＴＤＩセンサは、ラインスキャンＣＣＤに比べて高解度の画像を短時間で撮像することができるという特徴を有している。ラインスキャンＣＣＤの場合、試料表面に電子ビームを集束させて輝度を高くして照射し、かつ、その照射位置をスキャンすることで撮像が行われる。短時間で撮像を行うためには電子ビームの電流を増加させてさらに輝度を増加させなければならないが、電子ビームのエネルギーが低いためクーロン力によりビームが発散して解像度が低下するという問題を生じる。このため、ラインスキャンＣＣＤを用いると、自ずと撮像時間の短縮には限界が伴い、しかも、試料の撮像領域への搬送、及び撮像領域からの取出しの途中の時間は撮像には用いられないという時間の無駄も存在している。これに対して、ＴＤＩセンサの場合、後述するように、試料を搬送しながら撮像ができるため撮像時間に無駄がなく、試料表面を一様に電子ビームによって照射することから、試料表面を電子ビームでスキャンする時間を省くことができ、かつ、輝度も抑えられてクーロン力によるビームの発散等の問題も生じない。」
（１ｄ）「【０００６】ここで、検出装置６００とＴＤＩセンサによる撮像について図９及び図１０を用いて説明する。図９は、検出装置６００を示す図である。検出面６００ａ上に結像される二次ビームとしての電子ビームは、第１のＭＣＰ（Micro-Channel-Plate）６０１に入射され、第１のＭＣＰ６０１と第２のＭＣＰ６０２内を通過するうちにその電流量が増幅され、蛍光面６０３に衝突する。その際、第１のＭＣＰ６０１の入り口の電位は、電子ビームがＭＣＰの検出効率を最大にするエネルギーを持つように調整される。第１のＭＣＰ６０１と第２のＭＣＰ６０２の間には電子を増幅させるための電圧が印加され、第２のＭＣＰ６０２と蛍光面６０３との間には第２のＭＣＰ６０２から射出される電子ビームのクーロン力による発散と解像度の低下を抑えるために、さらに加速用の電圧が印加されている。蛍光面６０３では、電子が光子に変換され、その出力画像はＦＯＰ（Fiber-Optic-Plate）６０４を介してＴＤＩセンサを搭載したカメラ６０５に照射される。ここで、ＦＯＰ６０４は、蛍光面６０３での画像サイズとカメラ６０５の撮像サイズを合わせるように画像を縮小するように構成されている。図１０は、ＴＤＩセンサのブロック図である。ＴＤＩセンサは、図中Ｘ方向にＣ（１），Ｃ（２）・・・Ｃ（Ｍ−１），Ｃ（Ｍ）のＭ個並んだライン状のＣＣＤ画素列が、図中Ｙ方向にＲＯＷ（１），ＲＯＷ（２）・・・ＲＯＷ（Ｎ−１），ＲＯＷ（Ｎ）のＮ個並べられて構成されている。各ＣＣＤ画素列上の蓄積電荷は、外部から供給される１垂直クロック信号により、一度にＹ方向へＣＣＤ１画素分だけ転送されるようになっている。試料４００を移動させ、ある時点でＲＯＷ（１）上に結像された試料４００の画像が、試料４００の移動とともにＹ方向に１画素列分だけ移動すると、それと同期して垂直クロック信号が与えられ、ＲＯＷ（１）に撮像されたＭ個のライン画像は、ＲＯＷ（２）に転送される。そこで同じ画像を撮像し続けるので、蓄積される画像の電荷は２倍になる。続けて画像が垂直方向にさらに１画素分移動し、同期クロック信号が与えられると、蓄積画像はＲＯＷ（３）に転送され、そこで画像電荷を３倍になるまで蓄積する。以下順々に、画像の移動に追随してＲＯＷ（Ｎ）まで電荷の転送と撮像を繰り返し終わると、Ｎ倍の画像電荷を蓄積した結果が水平レジスタからシリアルに画像データとして取り出される。以上説明した動作が、各画素列ＲＯＷ（１）〜ＲＯＷ（Ｎ）で同時に行われ、２次元の画像（Ｍ画素×Ｎ画素）を垂直方向に送りながら、１画素で蓄積される画像電荷のＮ倍になるまで蓄積された画像電荷が１ラインずつ同期して取り出される。こうして、ＴＤＩセンサを用いた検出装置６００の場合、試料４００が搬送されながら同時に撮像が行われ、高解度の画像が短時間で撮像される。」
（１ｅ）「【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、検出装置にＴＤＩセンサを用いると、ただちに以下のような困難な問題に直面する。すなわち、試料上のある物点の検出面上での像点が、試料の移動に倣って検出面上で正確に移動しなければ、画像電荷が正確に蓄積されず解像度が低下するという問題である。より具体的に、上述の例を用いて説明すれば以下のようになる。画像電荷を正確に蓄積するためには、画素列ＲＯＷ（ｋ）のｌ番目の画素Ｃ（ｌ）に蓄積されている画像電荷は、Ｙ方向へのｍ回の転送によってＲＯＷ（ｋ＋ｍ）のｌ番目の画素Ｃ（ｌ）に正確に移行されなければならないと同時に、検出面６００ａ上で試料４００の画像も正確にＹ方向に移動しなければならない。図１１（ａ）に示すような観察領域中点Ｐ１に位置する試料４００上のある物点が、図１１（ｂ）に示すような検出面６００ａ上の点Ｐ１’に結像されると、試料４００上のこの物点が結像される像点は、図１１（ａ）中矢印で示されるｙ方向への試料４００の４００’への移動とともに、理想的には、検出面上におけるＹ方向の１画素に対応する幅をｐとして、例えば点Ｐ１よりＹ方向にｍ×ｐだけ移動した点まで移動するはずである。そして、ＲＯＷ（ｋ）からＲＯＷ（ｋ＋ｍ）の間の画素Ｃ（ｌ）において画像電荷が蓄積されるはずである。・・・」
（１ｆ）「【００３０】次に、チャンバー３内の構成について説明する。チャンバー３の内部には、試料４を載置した状態でＸＹ平面内で移動自在に構成されたＸＹステージ３８が配置されている。ＸＹステージ３８上の一端には、Ｌ字型の移動鏡３９が取り付けられ、移動鏡３９の鏡面に対向した位置にレーザ干渉計４０が配置されている。図１では簡略化して示しているが、移動鏡３９は、Ｘ軸に垂直な反射面を有する平面鏡、及びＹ軸に垂直な反射面を有する平面鏡より構成されている。また、レーザ干渉計４０は、Ｘ軸に沿って移動鏡３９にレーザビームを照射するＸ軸用のレーザ干渉計、及びＹ軸に沿って移動鏡３９にレーザビームを照射する２個のＹ軸用のレーザ干渉計から構成され、Ｘ軸用の１個のレーザ干渉計とＹ軸用の１個のレーザ干渉計により、ＸＹステージ３８のＸ座標とＹ座標が計測され、また、Ｙ軸用の２個のレーザ干渉計の計測値の差により、ＸＹステージ３８のＸＹ平面内における回転角が計測されるようになっている。レーザ干渉計４０の計測結果は、主制御系５に出力され、主制御系５は、この計測結果に基づいて駆動装置４１に対して制御信号を出力し、ＸＹステージ３８のＸＹ平面内における位置を制御しながら、表面状態の検査のために試料４をＹ軸正方向に移動させる。主制御系５は、さらに、送光系３７ａ及び受光系３７ｂからなるＺセンサに制御信号を出力し、試料４のＺ軸方向における位置座標を計測する。図示は省略しているが、Ｚ軸方向における位置座標を計測に基づきＸＹステージ３８以外に試料４のＺ軸方向の位置を変化させるＺステージや、試料４の物体面のＸＹ平面に対する傾斜を制御するチルトステージを設けることが好ましい。」
（１ｇ）「【図１０】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
（１ｈ）上記摘記事項（１ｆ）及び図１０からＸ方向とＹ方向が互いに直角方向であることがわかる。
　
　これらの記載事項を含む引用文献１全体の記載及び当業者の技術常識を総合すれば、引用文献１には、以下の発明が記載されている。
　「一次ビームがウィーンフィルタ（２００）に入射され、偏向され、対物光学系（３００）を通過して半導体素子等の試料（４００）の表面に照射されることにより、試料から、二次電子が得られ、二次電子が表面検査用の二次ビームとして対物光学系とウィーンフィルタにより移送され、二次光学系（５００）によってＴＤＩセンサが用いられた検出装置（６００）の検出面（６００ａ）上に結像されるものであって、
　試料を載置した状態でＸＹ平面内で移動自在に構成されたＸＹステージ（３８）が配置されており、
　Ｘ軸用のレーザ干渉計及びＹ軸用のレーザ干渉計から構成されるレーザ干渉計（４０）を有し、Ｘ軸用の１個のレーザ干渉計とＹ軸用の１個のレーザ干渉計により、ＸＹステージのＸ座標とＹ座標が計測され、
　ＴＤＩセンサは、Ｘ方向にＣ（１），Ｃ（２）・・・Ｃ（Ｍ−１），Ｃ（Ｍ）のＭ個並んだライン状のＣＣＤ画素列が、Ｘ方向と直角方向のＹ方向にＲＯＷ（１），ＲＯＷ（２）・・・ＲＯＷ（Ｎ−１），ＲＯＷ（Ｎ）のＮ個並べられて構成されており、
　各ＣＣＤ画素列上の蓄積電荷は、外部から供給される１垂直クロック信号により、一度にＹ方向へＣＣＤ１画素分だけ転送されるようになっており、試料を移動させ、ある時点でＲＯＷ（１）上に結像された試料の画像が、試料の移動とともにＹ方向に１画素列分だけ移動すると、それと同期して垂直クロック信号が与えられ、ＲＯＷ（１）に撮像されたＭ個のライン画像は、ＲＯＷ（２）に転送され、そこで同じ画像を撮像し続けるので、蓄積される画像の電荷は２倍になり、
　以下順々に、画像の移動に追随してＲＯＷ（Ｎ）まで電荷の転送と撮像を繰り返し終わると、Ｎ倍の画像電荷を蓄積した結果が水平レジスタからシリアルに画像データとして取り出され、以上の動作が、各画素列ＲＯＷ（１）〜ＲＯＷ（Ｎ）で同時に行われ、２次元の画像（Ｍ画素×Ｎ画素）を垂直方向に送りながら、１画素で蓄積される画像電荷のＮ倍になるまで蓄積された画像電荷が１ラインずつ同期して取り出され、
　画像電荷を正確に蓄積するために、画素列ＲＯＷ（ｋ）のｌ番目の画素Ｃ（ｌ）に蓄積されている画像電荷は、Ｙ方向へのｍ回の転送によってＲＯＷ（ｋ＋ｍ）のｌ番目の画素Ｃ（ｌ）に正確に移行さる同時に、検出面上で試料の画像も正確にＹ方向に移動させるために、
　検出面上におけるＹ方向の１画素に対応する幅をｐとして、点Ｐ１よりＹ方向にｍ×ｐだけ移動した点まで試料を移動するように構成した、
電子ビームを用いた荷電粒子ビーム欠陥検査装置。」（以下「引用発明」という。）
　
３．対比 
　本願発明と引用発明を対比する。
（１）引用発明の「一次ビーム」、「試料」、「試料の表面に照射」、「表面検査用の二次ビーム」、「ＴＤＩセンサ」及び「電子ビームを用いた荷電粒子ビーム欠陥検査装置」は、それぞれ本願発明の「１次電子ビーム」、「試料」、「試料へ向けた照射」、「試料の表面の情報を得た電子」、「ＴＤＩセンサ」及び「電子線装置」に相当する。
　同様に、「対物光学系とウィーンフィルタ」と「二次光学系」は「静電レンズで構成された光学系を備え」た「前記ＴＤＩセンサに結像させる前記手段」に相当する。
　ここで、引用発明がデータを画像データとして取り出すことから「ＴＤＩセンサに結像された電子を画像として合成する手段」を有することは明らかである。
（２）引用発明の「対物光学系とウィーンフィルタ」は本願発明の「静電レンズで構成された光学系を備え」る「前記１次電子ビームを試料に照射する前記手段」と「前記１次電子ビームと前記電子を、電界と磁界とを用いる偏向器によって分離する手段」に相当する。
（３）引用発明の「ＴＤＩセンサは、Ｘ方向にＣ（１），Ｃ（２）・・・Ｃ（Ｍ−１），Ｃ（Ｍ）のＭ個並んだライン状のＣＣＤ画素列が、Ｘ方向と直角方向のＹ方向にＲＯＷ（１），ＲＯＷ（２）・・・ＲＯＷ（Ｎ−１），ＲＯＷ（Ｎ）のＮ個並べられて構成されており、各ＣＣＤ画素列上の蓄積電荷は、外部から供給される１垂直クロック信号により、一度にＹ方向へＣＣＤ１画素分だけ転送されるようになっており、試料を移動させ、ある時点でＲＯＷ（１）上に結像された試料の画像が、試料の移動とともにＹ方向に１画素列分だけ移動すると、それと同期して垂直クロック信号が与えられ、ＲＯＷ（１）に撮像されたＭ個のライン画像は、ＲＯＷ（２）に転送され、そこで同じ画像を撮像し続けるので、蓄積される画像の電荷は２倍になり、以下順々に、画像の移動に追随してＲＯＷ（Ｎ）まで電荷の転送と撮像を繰り返し終わると、Ｎ倍の画像電荷を蓄積した結果が水平レジスタからシリアルに画像データとして取り出され、以上の動作が、各画素列ＲＯＷ（１）〜ＲＯＷ（Ｎ）で同時に行われ、２次元の画像（Ｍ画素×Ｎ画素）を垂直方向に送りながら、１画素で蓄積される画像電荷のＮ倍になるまで蓄積された画像電荷が１ラインずつ同期して取り出され」る構成と本願発明の「走査手段」は、ともに、「１次電子ビームに前記試料上の部分を順次走査させ、前記部分を走査した後に前記試料を前記部分の走査方向と直交する方向にステップ移動させて次の前記部分を走査する走査手段」である点で共通する。
（４）引用発明の「画像電荷を正確に蓄積するために、画素列ＲＯＷ（ｋ）のｌ番目の画素Ｃ（ｌ）に蓄積されている画像電荷は、Ｙ方向へのｍ回の転送によってＲＯＷ（ｋ＋ｍ）のｌ番目の画素Ｃ（ｌ）に正確に移行さる同時に、検出面上で試料の画像も正確にＹ方向に移動させるために、検出面上におけるＹ方向の１画素に対応する幅をｐとして、点Ｐ１よりＹ方向にｍ×ｐだけ移動した点まで試料を移動するように構成した」構成は、本願発明の「前記電子を前記ＴＤＩセンサに導く光学系が少なくとも１つのアライナを備え、前記走査手段の走査速度が、前記ＴＤＩセンサ上の画素の画素サイズと前記ＴＤＩセンサのライン周波数との積であ」る構成に相当する。
　
　以上のことより、両者は、 
　「１次電子ビームを試料に向けて照射する手段と、
　前記１次電子ビームの前記試料へ向けた照射によって前記試料の表面の情報を得た電子をＴＤＩセンサに結像させる手段と、
　前記ＴＤＩセンサに結像された前記電子を画像として合成する手段と、
を備える電子線装置であって、
　前記１次電子ビームを試料に照射する前記手段と、前記ＴＤＩセンサに結像させる前記手段とが、静電レンズで構成された光学系を備え、
　更に、
　前記１次電子ビームと前記電子とを、電界と磁界とを用いる偏向器によって分離する手段と、
　前記１次電子ビームに前記試料上の部分を順次走査させ、前記部分を走査した後に前記試料を前記部分の走査方向と直交する方向にステップ移動させて次の前記部分を走査する走査手段を備えてなり、
　前記電子を前記ＴＤＩセンサに導く光学系が少なくとも１つのアライナを備え、
　前記走査手段の走査速度が、前記ＴＤＩセンサ上の画素の画素サイズと前記ＴＤＩセンサのライン周波数との積である電子線装置。」
の点で一致し、次の各点で相違している。
　
（相違点１）
　本願発明は、１次電子ビームが「所定の広さを有する領域を照射する面形状」であって、走査手段が「隣り合う前記帯状部分の重なり幅が調整可能である手段と、前記試料の目標位置と実際の位置との差分を求め、該差分を相殺するように前記１次電子ビームを偏向させて位置補正を行う手段とを備えて」いるのに対して、引用発明は１次ビームの形状及び走査手段の具体的構成が不明な点。
（相違点２）
　本願発明は試料の表面の情報を得た電子を「拡大投影して」いるのに対して、引用発明が拡大投影しているかどうか不明な点。
　
４．判断 
　上記各相違点について検討する。
（相違点１について）
　当該技術分野において、１次電子ビームを所定の広さを有する領域を照射する面形状とし、走査手段に隣り合う前記帯状部分の重なり幅が調整可能である手段と、前記試料の目標位置と実際の位置との差分を求め、該差分を相殺するように前記１次電子ビームを偏向させて位置補正を行う手段を備えることは、ごく普通に行われている周知技術（原査定の拒絶の理由に引用された国際公開第０２／４５１５３号参照）であって、引用発明に当該周知技術を適用することに格別の技術的困難性も阻害要因もない。
　してみると、引用発明に上記相違点１に係る構成を採用することは、当業者が容易に成しうる事項である。
（相違点２について）
　引用発明が「静電レンズで構成された光学系を備え」た「ＴＤＩセンサに結像させる手段」を有していることを考慮すれば、引用発明において試料の表面の情報を得た電子を拡大投影することは、その必要に応じて当業者が適宜採用しうる事項である。
　
　そして、本願発明全体の効果も、引用発明及び周知技術から当業者が予測し得る範囲のものであって格別なものではない。
　
４．むすび 
　以上のとおり、本願発明は、引用発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、本願の他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は、拒絶されるべきものである。 
　よって、結論のとおり審決する。