(57)【要約】本発明は、光情報記録媒体のＲＯＭ情報を連続的に再生しながら、ＲＯＭ情報に関連した新たな情報を、光情報記録媒体のＲＯＭ情報にリンクした位置にＲＡＭ記録するために、位相ピットが形成された基板に光磁気記録膜が形成された光情報記録媒体（４）に対し、光を照射し、前記光情報記録媒体よりの戻り光から、位相ピットにより変調された光強度をＲＯＭ信号として検出すると共に、前記戻り光が前記光磁気記録膜により変調された偏光方向成分の差動振幅をＲＡＭ信号として検出する光ヘッド（５）を備え、前記ＲＯＭ信号をｎ（ｎ＞２）倍速で読み出し、基準速度に変換して出力し、かつ、前記ＲＯＭ情報に関連する入力情報をＲＡＭ情報として、所定のアドレス位置へ、ｎ倍速で記録する。
2003088236.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
位相ピットが形成された基板に光磁気記録膜が形成された光情報記録媒体に対し、光を照射し、且つ前記光情報記録媒体よりの戻り光から、前記位相ピットにより変調された光強度をＲＯＭ信号として検出するとともに、前記戻り光が前記光磁気記録膜により変調された偏光方向成分の差動振幅をＲＡＭ信号として検出する光学ヘッドと、
前記光磁気記録膜への記録のため、情報記録媒体に磁界を印加する磁界印加ユニットと、
少なくとも前記光学ヘッドを前記光情報記録媒体の所望位置にアクセスするためのトラックアクチュエータと、
少なくとも前記検出したＲＯＭ信号を格納する読み取り用バッファメモリと、
前記光磁気記録膜へ書込むべき入力信号を格納する書込み用バッファメモリと、
基準となる情報再生速度Ｖに対して、少なくとも前記ＲＯＭ信号をｎ（ｎ＞２）倍速で読み出し、前記読み取り用バッファメモリに格納した後、前記格納された情報を前記情報再生速度Ｖの速度で出力し、かつ前記入力された情報を前記書込み用バッファメモリに格納した後、前記読み取り用バッファメモリより出力されている間に、前記出力情報と前記入力情報の時間的関係がリンクするように管理されたアドレス位置へ前記光学ヘッドをアクセスし、前記書込み用バッファメモリからの情報を前記ｎ倍速でＲＡＭ信号として記録するためのコントローラとを
有することを特徴とする光学的記憶装置。
【請求項２】
請求の範囲１の光学的記憶装置において、
前記読み取り用バッファメモリは、前記ＲＯＭ信号を格納するＲＯＭ信号読み取り用バッファメモリと、前記ＲＡＭ信号を格納するＲＡＭ信号読み取り用バッファメモリとからなり、
前記両読み取り用バッファメモリからの情報を演算する演算器を更に有するこ
とを特徴とする光学的記憶装置。
【請求項３】
請求の範囲１の光学的記憶装置において、
前記ＲＯＭ信号読み取り用バッファメモリおよびＲＡＭ信号書き込み用バッファメモリのうち少なくとも１つ以上のバッファメモリが、２つの内部バッファメモリとスイッチから構成され、
前記コントローラは、一方の内部バッファメモリの格納量が基準量に達すると、前記スイッチを切り替え、もう一方の内部バッファメモリに格納する
ことを特徴とする光学的記憶装置。
【請求項４】
請求の範囲１の光学的記憶装置において、
前記磁界印加ユニットが、前記光学ヘッドとともに移動し、前記光学ヘッドが光を集光した位置に変調磁界を印加して、オーバーライト記録を行う磁気ヘッドで構成された
ことを特徴とする光学的記憶装置。
【請求項５】
請求の範囲１の光学的記憶装置において、
前記情報の読み出しおよび前記情報の記録をｎ≧４で行う
ことを特徴とする光学的記憶装置。
【請求項６】
請求の範囲１の光学的記憶装置において、
前記コントローラは、前記光学ヘッドの照射パワーを変調させてオーバーライト記録を行う
ことを特徴とする光学的記憶装置。
【請求項７】
請求の範囲１の光学的記憶装置において、
前記コントローラは、前記光情報記録媒体の前記位相ピットによるＲＯＭフォーマットと同一の前記光磁気記録膜のＲＡＭフォーマットで、前記光磁気記録膜の読出し、書込み制御する
ことを特徴とする光学的記憶装置。
【請求項８】
位相ピットが形成された基板に光磁気記録膜が形成された光情報記録媒体に対し、光を照射し、且つ前記光情報記録媒体よりの戻り光から、前記位相ピットにより変調された光強度をＲＯＭ信号として検出するとともに、前記戻り光が前記光磁気記録膜により変調された偏光方向成分の差動振幅をＲＡＭ信号として検出するステップと、
基準となる情報再生速度Ｖに対して、少なくとも前記ＲＯＭ信号をｎ（ｎ＞２）倍速で読み出し、読み取り用バッファメモリに格納した後、前記格納された情報を前記情報再生速度Ｖの速度で出力するステップと、
前記入力された情報を書込み用バッファメモリに格納した後、前記読み取り用バッファメモリより出力されている間に、前記出力情報と前記入力情報の時間的関係がリンクするように管理されたアドレス位置へ光学ヘッドをアクセスし、前記書込み用バッファメモリからの情報を前記ｎ倍速でＲＡＭ信号として前記光情報記録媒体に記録するステップとを
有することを特徴とする光学的記憶媒体の読出し及び書込み方法。
【請求項９】
請求の範囲８の光学的記憶媒体の読出し及び書込み方法において、
前記読出しステップは、前記光情報記録媒体のＲＯＭ信号をＲＯＭ信号読み取り用バッファメモリに格納するステップと、光情報記録媒体の前記ＲＡＭ信号をＲＡＭ信号読み取り用バッファメモリに格納するステップとからなり、
前記出力ステップは、前記両読み取り用バッファメモリからの情報を演算するステップを
更に有することを特徴とする光学的記憶媒体の読出し及び書込み方法。
【請求項１０】
請求の範囲８の光学的記憶媒体の読出し及び書込み方法において、
前記格納ステップは、２つのバッファメモリとスイッチで構成されたＲＯＭ信号読み取り用バッファメモリおよびＲＡＭ信号書き込み用バッファメモリのうち少なくとも１つ以上のバッファメモリの、一方の内部バッファメモリの格納量が基準量に達すると、前記スイッチを切り替え、もう一方の内部バッファメモリに格納するステップからなる
ことを特徴とする光学的記憶媒体の読出し及び書込み方法。
【請求項１１】
請求の範囲８の光学的記憶媒体の読出し及び書込み方法において、
前記記録ステップは、前記光学ヘッドとともに移動する磁気ヘッドにより、前記光学ヘッドが光を集光した位置に変調磁界を印加して、オーバーライト記録を行うステップで構成された
ことを特徴とする光学的記憶媒体の読出し及び書込み方法。
【請求項１２】
請求の範囲８の光学的記憶媒体の読出し及び書込み方法において、
前記情報の読み出しおよび前記情報の記録をｎ≧４で行う
ことを特徴とする光学的記憶媒体の読出し及び書込み方法。
【請求項１３】
請求の範囲８の光学的記憶媒体の読出し及び書込み方法において、
前記記録ステップは、前記光学ヘッドの照射パワーを変調させてオーバーライト記録を行うステップからなる
ことを特徴とする光学的記憶媒体の読出し及び書込み方法。
【請求項１４】
請求の範囲８の光学的記憶媒体の読出し及び書込み方法において、
前記光情報記録媒体の前記位相ピットによるＲＯＭフォーマットと同一の前記光磁気記録膜のＲＡＭフォーマットで、前記光磁気記録膜の読出し、書込み制御する
ことを特徴とする光学的記憶媒体の読出し及び書込み方法。
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は、光記録媒体に、光ヘッドにより光学的に記録及び再生を行う光学的記憶装置及び光学的記憶媒体の読出し／書込み方法に関し、特に、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ  Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ）とＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）との両方の機能を持つ光記録媒体を使用し、再生しながら記録を行う光学的記憶装置及び光学的記憶媒体の読出し／書込み方法に関する。
背景技術
情報記録分野の技術の進展は目覚しく、光を利用した光学メモリー、例えば、光磁気ディスクメモリに関して、高密度記録、再生及び高速アクセスの点において研究・開発が積極的に進められている。このような光学ディスクメモリの特徴を生かす研究・開発が進められ、例えば、特開平６−２０２８２０号公報あるいは、テレビジョン学会誌論文Ｖｏｌ．４６，Ｎｏ．１０，ｐｐ１３１９〜１３２４（１９９２）に、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ  Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ）−ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）による同時再生が可能なコンカレントＲＯＭ−ＲＡＭ光ディスク（以降、光情報記録媒体という）が、開示されている。
かかるＲＯＭ−ＲＡＭによる同時再生が可能な光情報記録媒体は、通常の光ディスクメモリの２倍の記憶容量が得られるという他に、磁気ディスクでは不可能であるＲＯＭ−ＲＡＭ同時再生が可能であるという特徴を持つ。
例えば、前述の従来技術では、螺旋状または同心円状に位相ピットが形成された光学的にほぼ透明な基板上に、光磁気記録膜が形成された光情報記録媒体を使用する。そして、光ピックアップから光をほぼ回折限界まで集光させ、光情報記録媒体に照射し、この光情報記録媒体より戻る光から位相ピットにより変調された光強度をＲＯＭ信号として再生するとともに、戻り光から光磁気記録膜により変調された偏光方向成分の差動振幅をＲＡＭ信号として再生する。
更に、この光情報記録媒体に磁界を印加する磁気ヘッドを光ピックアップに設け、光ピックアップからの集光光と磁界の少なくとも一方を変化させて、光磁気記録膜にＲＡＭ信号を記録するものである。
この従来技術では、原理的に、ＲＯＭとＲＡＭの同時再生が、１つの光ピックアップででき、且つＲＯＭを再生しながらＲＡＭに記録が可能である。しかし、実際に、このような優れた機能を生かすには、改善すべき点が種々存在する。
例えば、音楽や映像情報というストリーム情報をＲＯＭ情報として記録した媒体で、ＲＯＭ情報のみや、ＲＯＭ及びＲＡＭ情報を再生しながら、シーケンシャルに入力されるユーザーデータをＲＡＭ記録するという利用方法が望まれる。即ち、ＣＤ（Ｃｏｍｐａｃｔ  Ｄｉｓｋ）のように、ＲＯＭ情報として記録された音楽や映像（風景、地図等）を滞りなく、再生しながら、歌声や解説をＲＡＭ記録する場合や、ＲＯＭ情報とＲＡＭ情報として記録された音楽や映像（風景、地図等）を滞りなく、再生しながら、楽器の演奏音や新規の地図、道路情報をＲＡＭ記録する場合が考えられる。
このような場合に、従来技術だけでは、ＲＯＭを再生しながら、ＲＡＭに記録ができても、再生されたＲＯＭ情報と記録されたＲＡＭ情報とをリンクした所定の関係で、ＲＡＭ情報を記録することが困難である。
又、従来技術では、ＲＯＭとＲＡＭとを同時に再生することはできるが、この同時再生時に、ＲＡＭへの記録ができないという問題が生じる。このように、ユーザーにとって、ＲＯＭ情報或いは既に記録されているＲＡＭ情報を再生しながら、滞ること無く、情報を入力し、光情報記録媒体に記録できることが望まれる。
発明の開示
従って、本発明の目的は、光記憶媒体のＲＯＭ情報を連続的に再生しながら、ＲＯＭ情報に関連した新たな情報を、光記憶媒体のＲＯＭ情報にリンクした位置にＲＡＭ記録するための光学的記憶装置及び光学的記憶媒体の読出し／書込み方法を提供することを目的とする。
又、本発明の他の目的は、光記憶媒体のＲＯＭ情報とＲＡＭ情報を連続的に再生しながら、新たな情報を、光記憶媒体にＲＡＭ記録するための光学的記憶装置及び光学的記憶媒体の読出し／書込み方法を提供することを目的とする。
更に、本発明の別の目的は、光記憶媒体のストリーム情報を連続的に再生しながら、新たなストリーム情報を光記憶媒体にＲＡＭ記録するための光学的記憶装置及び光学的記憶媒体の読出し／書込み方法を提供することを目的とする。
上述した問題点を解決するため、本発明の光学的記憶装置は、位相ピットが形成された基板に光磁気記録膜が形成された光情報記録媒体に対し、光を照射し、且つ前記光情報記録媒体よりの戻り光から、前記位相ピットにより変調された光強度をＲＯＭ信号として検出するとともに、前記戻り光が前記光磁気記録膜により変調された偏光方向成分の差動振幅をＲＡＭ信号として検出する光学ヘッドと、前記光磁気記録膜への記録のため、情報記録媒体に磁界を印加する磁界印加ユニットと、少なくとも前記光学ヘッドを前記光情報記録媒体の所望位置にアクセスするためのトラックアクチュエータとを有する。更に、記憶装置は、少なくとも前記検出したＲＯＭ信号を格納する読み取り用バッファメモリと、前記光磁気記録膜へ書込むべき入力信号を格納する書込み用バッファメモリと、基準となる情報再生速度Ｖに対して、少なくとも前記ＲＯＭ信号をｎ（ｎ＞２）倍速で読み出し、前記読み取り用バッファメモリに格納した後、前記格納された情報を前記情報再生速度Ｖの速度で出力し、かつ前記入力された情報を前記書込み用バッファメモリに格納した後、前記読み取り用バッファメモリより出力されている間に、前記出力情報と前記入力情報の時間的関係がリンクするように管理されたアドレス位置へ前記光学ヘッドをアクセスし、前記書込み用バッファメモリからの情報を前記ｎ倍速でＲＡＭ信号として記録するためのコントローラとを有する。
又、本発明では、好ましくは、前記読み取り用バッファメモリは、前記ＲＯＭ信号を格納するＲＯＭ信号読み取り用バッファメモリと、前記ＲＡＭ信号を格納するＲＡＭ信号読み取り用バッファメモリとからなり、前記両読み取り用バッファメモリからの情報を演算する演算器を更に有する。
更に、本発明では、好ましくは、前記ＲＯＭ信号読み取り用バッファメモリおよびＲＡＭ信号書き込み用バッファメモリのうち少なくとも１つ以上のバッファメモリが、２つの内部バッファメモリとスイッチから構成され、前記コントローラは、一方の内部バッファメモリの格納量が基準量に達すると、前記スイッチを切り替え、もう一方の内部バッファメモリに格納する。
更に、本発明では、好ましくは、前記磁界印加ユニットが、前記光学ヘッドとともに移動し、前記光学ヘッドが光を集光した位置に変調磁界を印加して、オーバーライト記録を行う磁気ヘッドで構成される。
更に、本発明では、好ましくは、前記情報の読み出しおよび前記情報の記録をｎ≧４で行う。
更に、本発明では、好ましくは、前記コントローラは、前記光学ヘッドの照射パワーを変調させてオーバーライト記録を行う。
更に、本発明では、好ましくは、前記コントローラは、前記光情報記録媒体の前記位相ピットによるＲＯＭフォーマットと同一の前記光磁気記録膜のＲＡＭフォーマットで、前記光磁気記録膜の読出し、書込み制御する。
本発明では、ＲＯＭ信号とＲＡＭ信号を同時に高速に読み出し、該読み出した情報をバッファメモリに格納するとともに、基準速度でバッファメモリより情報を再生する。さらに、ＲＯＭ情報とリンクユーザーからの入力情報をバッファメモリに格納し、高速でＲＡＭ信号として記録する。
より具体的には、前記ＲＯＭ信号およびＲＡＭ信号を、ｎ＞２の正の数とする時ｎ倍速で読み出すとともに、前記ＲＡＭ信号への記録をｎ倍速で行うことにより解決できる。ＲＯＭおよびＲＡＭ信号の読み出し、ＲＡＭ信号への記録までには、実際には、光ピックアップを所望の位置へアクセスさせる必要があり、ｎ≧４とすることで、バッファメモリを大きくせずに解決できる。
また、本発明では一定の平均パワーの光を照射しながら、磁界変調方式でＲＡＭ信号を消去動作無しにダイレクトに記録することでスムースな情報の記録再生が実現できる。また、ＲＡＭの光磁気記録膜を光変調オーバーライト用にすることで、光ディスク媒体最上面に凹凸のあるレーベルが形成されたディスクにおいても情報の記録が可能となる。
発明を実施するための最良の形態
以下、本発明の実施の形態を、ＲＯＭ−ＲＡＭ光デイスク、光デイスクドライブ、読出し／書込み制御機構、他の実施の形態の順で説明する。
［ＲＯＭ−ＲＡＭ光デイスク］
図１は、本発明の一実施の形態におけるＲＯＭ−ＲＡＭ光記録媒体の平面図、図２は、その断面図、図３は、そのユーザー領域の正面図、図４は、そのＲＯＭ信号及びＲＡＭ信号の関係図、図５は、本発明の他の実施の形態のＲＯＭ−ＲＡＭ光記録媒体の断面図である。
図１以下の説明では、ＲＯＭ−ＲＡＭ光記録媒体として、ＲＯＭ−ＲＡＭ光磁気デイスク（ＭＯ）を例に説明する。図１に示すように、ＩＳＯ規格の光磁気デイスク４は、円盤形状をなしており、最内周に、リードイン領域１が、最外周に、リードアウト領域２が、その間に、ユーザーエリア３が設けられている。
リードイン領域１及びリードアウト領域２は、ポリカーボネイト基板にデイスクの凹凸により形成された位相ピットで構成されるＲＯＭ情報であり、デイスクの仕様等の情報が記録される。これを読むことにより記録再生の条件を制御している。このＲＯＭ情報となる位相ピットの光学的深さ（ピット深さ）は、再生時の光強度変調が最大になるように設定されている。一般には７０％以上の変調度（平坦部光強度に対する位相ピット部の光強度の変化の割合）に設定されている。
リードイン領域１とリードアウト領域２の間に光磁気記録膜がスパッタ装置により成膜されているユーザーエリア３が設けられている。このユーザーエリア３には、ユーザーが自由に情報を記録／再生できる。
このユーザーエリア３を、ＲＯＭとＲＡＭとの機能を持たせるための光磁気デイスク４の構造は、ポリカーボネイト基板４Ａ上に、窒化珪素、酸化タンタル等を材料とした第１誘電体層４Ｂ、ＴｂＦｅＣｏのような希土類と遷移金属のアモルファス合金からなる光磁気記録層４Ｃ、第１誘電体層４Ｂと同じ材料からなる第２誘電体層４Ｄ、ＡｌＴｉ、Ａｕ等の金属からなる反射層４Ｅおよび紫外線硬化型樹脂を用いた保護コート層４Ｆの構成が一般的である。
図２及び図３に示すように、ＲＯＭ機能は、デイスク４に凸凹に形成した位相ピットＰＰで付与し、ＲＡＭ機能は、光磁気記録層４Ｃで付与する。光磁気記録層４Ｃへの記録は、光磁気記録層４Ｃにレーザ光を加熱し、磁化反転を助け、信号磁界に対応して磁化の方向を反転させて、光磁気信号ＯＭＭの記録を行う。これにより、ＲＡＭ情報の記録が可能である。
光磁気記録層４Ｃの記録情報の読出しは、記録層４Ｃに弱いレーザ光を当てることにより、レーザ光の偏光面が、記録層４Ｃの磁化の向きに応じて極カー効果により変わり、この時の反射光の偏光成分の強弱により、信号の有無を判断する。これにより、ＲＡＭ情報の読出が可能である。この読出しにおいて、反射光は、ＲＯＭを構成する位相ピットＰＰにより変調されるため、ＲＯＭ情報の読出しも同時にできる。
かかる構造の光情報記録媒体において、図３及び図４に示すように、ＲＯＭ情報は、平坦な基板上に形成された凸凹による位相ピットＰＰにより固定記録され、ＲＡＭ情報は、位相ピットＰＰ列上に光磁気記録層にＭＯ信号ＯＭＭとして記録される。なお、図３における半径方向のＡ−Ｂ線方向の断面が図２に一致する。
即ち、１つの光ピックアップにより、ＲＯＭとＲＡＭの同時再生が可能であり、且つ磁界変調方式の光磁気記録を採用すれば、ＲＡＭへの書込みと、ＲＯＭの再生が同時に可能である。
図５は、光変調記録に適した他の光磁気デイスクの断面図である。図２の光磁気デイスクの断面構成に比し、最上面に、レーベル層４Ｇが設けられ、光磁気記録層４は、初期化層４Ｃ１，スイッチ層４Ｃ２，記録層４Ｃ３，中間層４Ｃ４，再生層４Ｃ５で構成される。
図２の一実施の形態では、磁界変調記録方式によりダイレクトオーバーライトによりＲＡＭ情報の記録を行っている。一方、図５の実施の形態では、光変調記録方式によりＲＡＭ情報の記録を行う。民生用の光情報記録媒体においては、図５に示すように、商品のタイトル、内容に関連する情報をディスプレイするためのレーベル４Ｇが印刷されていることが多い。このようなレーベル４Ｇは、一般に数十μｍの凹凸があり、磁界変調記録する際には，磁気ヘッドとのスペーシングが問題となる。そこで、図５に示す光変調オーバーライト用の媒体を用いて記録を行う。
［光デイスクドライブ］
次に、本発明にかかわる光デイスクドライブを説明する。図６は、本発明の一実施の形態の光デイスクドライブの全体ブロック図、図７は、図６のドライブの光学系の構成図、図８は、図６のドライブの信号処理系のブロック図、図９は、図７及び図８のデイテクタの配置図、図１０は、デイテクタの出力と生成信号の関係図、図１１は、光デイスクドライブの各モードの説明図である。
図６に示すように、モーター１８は、光情報記録媒体（ＭＯデイスク）４を回転する。通常、ＭＯデイスク４は、リムーバブルな媒体であり、図示しないドライブの挿入口から挿入される。光ピックアップ５は、この光情報記録媒体４を挟むように配置された磁気ヘッド３５と光学ヘッド７とを有する。
光ピックアップ５は、ボールネジ送り機構等のトラックアクチュエータ６により移動し、光情報記録媒体４の半径方向の任意の位置へアクセスが可能である。又、光学ヘッド７のレーザーダイオードＬＤを駆動するＬＤドライバ３１と、光ピックアップ５の磁気ヘッド３５を駆動する磁気ヘッドドライバ３４とが設けられる。アクセス用サーボコントローラ１５−２は、光学ヘッド７からの出力により、トラックアクチュエータ６と、モーター１８と、光学ヘッド７のフォーカスアクチュエータ１９をサーボ制御する。コントローラ１５−１は、ＬＤドライバ３１、磁気ヘッドドライバ３４、アクセス用サーボコントローラ１５−２を稼動させて、情報の記録再生を行う。
光学ヘッド７の詳細を、図７で説明する。レーザーダイオードＬＤからの拡散光は、３ビームトラッキング用回折格子１０と、ビームスプリッター１１を介して、コリメータレンズ３９により平行光となり、ミラー４０で反射後、対物レンズ１６により光情報記録媒体４上にほぼ回折限界まで集光される。
このビームスプリッター１１に入射する光の一部は、ビームスプリッター１１により反射され、集光レンズ１２を介してＡＰＣ（Ａｕｔｏ  Ｐｏｗｅｒ  Ｃｏｎｔｒｏｌ）デイテクタ１３に集光される。
又、光情報記録媒体４より反射された光は、再び対物レンズ１６を介し、ミラー４０で反射後、コリメートレンズ３９により収束光となり、ビームスプリッター１１に再度入射する。ビームスプリッター１１に再度入射した光の一部は、レーザーダイオードＬＤ側へ戻り、残りの光は、ビームスプリッター１１により反射され、３ビームウオラストンプリズム２６、円筒面レンズ２１を介して、反射光デイテクタ２５上に集光される。
反射光デイテクタ２５の形状、配置を説明する。反射光デイテクタ２５は、入射光が３ビームであることから、図９に示すように、４分割デイテクタ２２−１と、その上下に配置されたＭＯ信号デイテクタ２０と、その左右に配置されたトラックエラー検出用デイテクタ２２−２、２２−３とで構成される。
図８及び図１０により、再生信号を説明する。図８に示すように、ＦＥＳ（Ｆｏｃｕｓ  Ｅｒｒｏｒ  Ｓｉｇｎａｌ）再生回路２３は、光電変換された４分割フォトディテクタ２２の出力Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄにより、図１０に示す非点収差法によるフォーカスエラー検出（ＦＥＳ）を行う。即ち、
ＦＥＳ＝（Ａ＋Ｃ）−（Ｂ＋Ｄ）／（Ａ＋Ｂ＋Ｃ＋Ｄ）
同時に，プッシュプル法によるＴＥＳ生成回路２４で，トラック検出デイテクタ２２−２、２２−３の出力Ｅ，Ｆから、図１０の演算式で、トラックエラー検出（ＴＥＳ）を行う。
ＴＥＳ＝（Ｅ−Ｆ）／（Ｅ＋Ｆ）
これらの計算により求められたフォーカスエラー信号（ＦＥＳ）及びトラックエラー信号（ＴＥＳ）は、フォーカス方向及びトラック方向の位置誤差信号として、メインコントローラ１５（図６では、アクセス用サーボコントローラ１５−２）に入力される。尚、図８では、アクセス用サーボコントローラ１５−２とコントローラ１５−１を一体のメインコントローラ１５で示してある。
一方、記録情報検出系において、光情報記録媒体４上の光磁気記録の磁化の向きによって変わる反射レーザ光の偏光特性が、光強度に変換される。すなわち、３ビームウォラストン２６において、偏光検波により偏光方向が互いに直交する二つのビームに分離し、円筒面レンズ２１を通して２分割フォトディテクタ２０に入射し、それぞれ光電変換される。
２分割フォトディテクタ２０で光電変換された２つの電気信号Ｇ，Ｈは、図１０の演算式に従い、加算アンプ２９で加算され、第１のＲＯＭ信号（ＲＯＭ１＝Ｇ＋Ｈ）となり、同時に、減算アンプ３０で減算され、ＲＡＭ読みだし（ＭＯ）信号（ＲＡＭ＝Ｇ−Ｈ）となり、それぞれメインコントローラ１５に入力される。
図８において、メインコントローラ１５には、ＡＰＣ用フォトディテクタ１３に入射した半導体レーザダイオードＬＤの反射光が光電変換され、アンプ１４を通して第２のＲＯＭ信号（ＲＯＭ２）として入力する。
さらに、先に説明したように、メインコントローラ１５には、加算アンプ２９の出力である第１のＲＯＭ信号（ＲＯＭ１）、差動アンプ３０の出力であるＲＡＭ信号（ＲＡＭ）、ＦＥＳ生成回路２３からのフォーカスエラー信号（ＦＥＳ）、ＴＥＳ生成回路２４からのトラックエラー信号（ＴＥＳ）が入力する。
また、メインコントローラ１５には、データ源３２との間でインタフェース回路３３を通して記録用データ及び読出データが入出力される。
メインコントローラ１５に入力される第１のＲＯＭ信号（ＲＯＭ１＝Ｇ＋Ｈ）、第２のＲＯＭ信号（ＲＯＭ２＝Ｉ）及び、ＲＡＭ信号（ＲＡＭ＝Ｇ−Ｈ）は、各モード即ち、ＲＯＭ及びＲＡＭ同時再生時、ＲＯＭのみ再生時及び、磁界変調及び光変調ＲＡＭ記録（ＷＲＩＴＥ）時に対応して検出し使用される。
図１１は、各モードでの上記ＲＯＭ１（＝Ｇ＋Ｈ）、ＲＯＭ２（＝Ｉ）及び、ＲＡＭ（Ｇ−Ｈ）の検出の組合せを示す図である。メインコントローラ１５は、各モードに応じて、ＬＤドライバ３１にコマンド信号を生成する。ＬＤドライバ３１は、コマンド信号に従い、ＲＯＭ及びＲＡＭ再生時には、第１のＲＯＭ信号（ＲＯＭ１＝Ｇ＋Ｈ）に応じて，半導体レーザダイオードＬＤの発光パワーを負帰還制御し、ＲＡＭ記録時には、第２のＲＯＭ信号（ＲＯＭ２＝Ｉ）に応じて半導体レーザダイオードＬＤの発光パワーを負帰還制御する。
光磁気（ＲＡＭ）記録時は、データソース３２からのデータがインタフェース３３を通してメインコントローラ１５に入力される（図８参照）。メインコントローラ１５は、磁界変調記録方式を用いる場合に、この入力データを、磁気ヘッドドライバ３４に供給する。磁気ヘッドドライバ３４は、磁気ヘッド３５を駆動し、記録データに対応して磁界を変調する。この際、メインコントローラ１５において、記録時を指示する信号がＬＤドライバ３１に送られ、ＬＤドライバ３１は第２のＲＯＭ信号（ＲＯＭ２＝Ｉ）に応じて、記録に最適なレーザーパワーになるように半導体レーザダイオードＬＤの発光を負帰還制御する。
又、光変調記録方式を用いる場合に、この入力データを、ＬＤドライバ３１に送り、レーザダイオードＬＤを光変調駆動する。この際、メインコントローラ１５において、記録時を指示する信号がＬＤドライバ３１に送られ、ＬＤドライバ３１は第２のＲＯＭ信号（ＲＯＭ２＝Ｉ）に応じて、記録に最適なレーザーパワーになるように半導体レーザダイオードＬＤの発光を負帰還制御する。
尚、フォーカシングエラー信号は非点収差法、トラッキングエラー信号は３ビーム法により検出し、ＭＯ信号は偏光成分の差動検出信号から検出している例で説明したが、前記した光学系は本発明の実施例で使用するものであり、フォーカシングエラー検出方法としては、ナイフエッジ法、スポットサイズ位置検出法などでも、何ら問題無い。また、トラッキングエラー検出法はプッシュプル法、位相差法などを用いても何ら問題無い。
又、メインコントローラ１５（図６では、サーボコントローラ１５−２）は、検出したフォーカスエラー信号ＦＥＳに応じて、フォーカスアクチュエータ１９を駆動し、光ビームを合焦点制御する。メインコントローラ１５（図６では、サーボコントローラ１５−２）は、検出したトラックエラー信号ＴＥＳに応じて、トラックアクチュエータ６を駆動し、光ビームをシーク及びトラック追従制御する。
ここで、レーザーパワー調整には、デイテクタ２５のＧ＋Ｈまたはデイテクタ１３のＩの信号を用いる。図１１に示すように、ＲＯＭ信号とＲＡＭ信号を同時に再生する場合には、ＲＡＭ読出し信号（＝Ｇ−Ｈ）が、前記光情報記録媒体４の位相ピット変調からのクロストークを受けないように、Ｇ＋Ｈの信号が一定となるようにレーザーパワーを制御する。光変調記録時には、ＲＯＭの検出は行わない。
［読出し／書込み機構］
上述の基本的なＲＯＭ−ＲＡＭ同時読出し機構に加えて、本発明では、ＲＯＭ／ＲＡＭ再生とリンクしたＲＡＭ記録機構が設けられている。
図１２は、本発明の読出し／書込み機構のブロック図、図１３は、その記録／再生処理の説明図、図１４は、デイスクにおけるＲＯＭ及びＲＡＭのクラスター配置図、図１５は、ＲＡＭ信号とＲＯＭ信号との説明図、図１６は、磁界変調記録方式の説明図である。
図１２において、図６及び図８で示したものと同一のものは、同一の記号で示してある。即ち、図６で示した光ピックアップ５、ＬＤドライバ３１、磁気ヘッドドライバ３４、アクセス用サーボコントローラ１５−２、メインコントローラ１５−１の構成に加え、エンコーダー５０、デコーダー５２、５４、演算器５６、バッファメモリ５１、５３、５５を有する。
エンコーダー５０は、外部入力データを、後述する光磁気（ＲＡＭ）記録に適したＮＲＺＩ信号にエンコードする。ＲＡＭ記録バッファー５１は、入力データの速度変換バッファーであり、入力データの転送速度Ｖのｎ倍の速度に変換する。
ＲＯＭ信号デコーダー５２は、光ピックアップ５で読み出したＲＯＭ信号（ＥＦＭ信号）を出力信号にデコードする。ＲＯＭ再生バッファー５３は、出力データの速度変換バッファーであり、出力データの転送速度ｎＶの１／ｎ倍の速度に変換する。
ＲＡＭ信号デコーダー５５は、光ピックアップ５で読み出した後述する光磁気（ＲＡＭ）記録に適したＮＲＺＩ信号をデコードする。ＲＡＭ再生バッファー５５は、出力データの速度変換バッファーであり、出力データの転送速度ｎＶの１／ｎ倍の速度に変換する。演算器５６は、例えば、ミキシング回路で構成され、読み出されたＲＯＭ信号とＲＡＭ信号を演算して、外部に出力する。
各バッファメモリ５１、５３、５５は、２つのバッファメモリ５、６、１、２、３、４に細分化され、一方のメモリが基準量に達すると、他方に切り替わるスイッチ回路ＳＷ１，ＳＷ２，ＳＷ３，ＳＷ４，ＳＷ５，ＳＷ６を有している。バッファメモリの内部構造として細分化されていなくても、バッファメモリの内容が先入れ先出しとすることは可能であるが、構成が複雑となる。
バッファーに記録できるメモリの量は、任意に取ることができるが、本実施例では，図１４に示すように、ＲＯＭ部、ＲＡＭ部ともＣＤＲＯＭフォーマットとし、ＲＯＭとＲＡＭのブロックアドレス位置を便宜上一緒にした。実際の記録再生を行う基本単位はブロック単位で可能あり、本実施例では、１ブロック９８ＣＤフレームに対して、５ブロックを記録再生の基本単位である１クラスターと定義した。
１クラスターの大きさとしては、大きすぎると膨大なバッファメモリが必要となり、小さすぎると光情報記録媒体４が１回転する間に読み書きする量が小さくなり、相対的にアクセス時間の割合が大きくなる。そこで、本実施例では、アクセス時間とのバランスも考えて、５ブロックを１クラスターとした。
図１３には，ｎ＝４、即ち４倍速とした場合のメインコントローラ１５−１が行うＲＯＭ−ＲＡＭ記録再生処理を示す。外部出力対応クラスター位置と、外部入力対応クラスター位置と、光ピックアップ５のクラスター位置と、光ピックアップ５の状態（読取、アクセス、書込み）と、ＲＯＭ再生バッファ５３、ＲＡＭ再生バッファ５５、ＲＡＭ記録バッファ５１の格納データ量とを示す。各バッファメモリは、内部構造として２分化されたバッファメモリを持ち、一方が１クラスター分に達するともう一方のバッファメモリに格納される仕組みになっている。
コントローラ１５−１は、基準となる情報再生速度Ｖに対して、光情報記憶媒体４を回転するモータ１８をｎ（ここでは、４）倍速で回転し、光ピックアップ５で、光情報記録媒体４のＲＯＭ信号及びＲＡＭ信号を，再生速度Ｖのｎ倍速で読み出し、ＲＯＭ信号読み取り用のバッファメモリ５３，ＲＡＭ信号読み取り用のバッファメモリ５５に格納する。そして、コントローラ１５−１は、バッファメモリ５３、５５に格納された情報を再生速度Ｖの速度で読出し、演算器５６へ出力し、出力インターフェースより外部出力する。
コントローラ１５−１は、入力インターフェースより速度Ｖで入力された情報をＲＡＭ信号書き込み用バッファメモリ５１に格納する。そして、このＲＯＭ信号のバッファメモリ５３、５５より出力される情報が無くなるまでの間（再生終了までの間）に、光ピックアップ５を、出力情報と入力情報の時間的関係がほぼ一致するように管理されたＲＡＭアドレス位置へアクセスし、ＲＡＭ信号書き込み用バッファメモリ５１からの情報を再生速度Ｖのｎ倍速で，光情報記録媒体４に、ＲＡＭ信号として記録する。
このＲＯＭ信号読み取り用バッファメモリ５３、ＲＡＭ信号読み取り用のバッファメモリ５５およびＲＡＭ信号書き込み用のバッファメモリ５１の内部構造が、２つの内部バッファメモリとスイッチから構成され、一方の内部バッファメモリが基準量に達するとスイッチが切り替わり、もう一方の内部バッファメモリに格納される。このため、途切れなく、ＲＯＭ，ＲＡＭデータを再生しながら、ＲＡＭ記録が可能となる。
又、ＲＯＭ信号読み取り用バッファメモリ５３からの情報と，ＲＡＭ信号読み取り用のバッファメモリ５５からの情報を演算する演算器５６を使用して、ミキシング処理して出力できる。
これにより、１倍速でリンクした情報を出力および入力しながら、記録、再生が滞ることなく行うことができる。基本的には、ｎ＞２において、実現できるが、光ピックアップのアクセスに使える時間が、小数点以下の倍速の時間で行う必要があり、記録、再生速度は４倍速以上であることが望ましい。
図１３では、光ピックアップ５が位置ｎのＲＯＭ及びＲＡＭのクラスターを読出し、バッファ１、３に格納し、読み取り後、クラスター位置ｎに対応する再生信号を外部に出力する。この出力中に、クラスター位置ｎに続く、クラスター位置ｎ＋１を４倍速で読み取り、バッファ２、４に格納される。このバッファ１の再生信号の出力に対応して、入力データが、バッファ５に入力される。バッファ１の再生信号の出力が終了した時点で、バッファ１の再生信号に対応する入力データをＲＡＭのクラスター位置ｎに記録する。
この時、クラスター位置ｎ，ｎ＋１の読み取りは終了しているため、光ピックアップ５の位置は、ｎ＋１である。したがって、バッファ１の再生信号の出力が終了する前に、位置ｎから、回転待ちやトラックジャンプして、書込みのため、光ピックアップ５を位置ｎにアクセスし、入力クラスターを書込む。この書込みの間は、バッファ２の再生信号が出力されているため、再生信号は途切れない。
クラスター位置ｎの書込みが終了すると、回転待ち等のアクセスを行い、光ピックアップ５を位置ｎ＋２に位置付け、同様に、光ピックアップ５が位置ｎ＋２のＲＯＭ及びＲＡＭのクラスターを読出し、バッファ１、３に格納する。以下、同様にして、読出し、再生、書込みシーケンスを実行する。
このように、リード／リード／アクセス／ライト／アクセスのシーケンスを行い、４倍速で、ＲＯＭ−ＲＡＭを同時再生しながら、ＲＡＭへのオーバーライトが実現できる。例えば、カーナビゲーション機器において、ＲＯＭに地図情報を、ＲＡＭに対応する道路情報を記録し、これらを同時再生しながら、新たな道路情報を対応する位置にオーバーライトするという利用形態が実現できる。
図１６のように、光照射強度を変調せず、印加磁界強度を変調する磁界変調記録方式による記録を行う場合について考察する。図１５に例として示すようにＲＯＭ信号の記録に使用された変調方式がＥＦＭ（Ｅｉｇｈｔ  ｔｏ  Ｆｏｕｒｔｅｅｎ  Ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ）であり、光磁気記録しようとするＲＡＭデータの変調方式をＮＲＺＩ（ＮｏｎＲｅｔｕｒｎ−ｔｏ−Ｚｅｒｏ  ｃｈａｎｇｅ−ｏｎ−Ｏｎｅｓ  ｒｅｃｏｒｄｉｎｇ）と想定する。
この時、図１５に示すように元のデータのビット長Ｔに対して、最短マークをＴｍｉｎ、ウインドウマージン幅をＴｗとすると、ＮＲＺＩ（図１１Ａ）ではＴｍｉｎ＝Ｔ、Ｔｗ＝Ｔ，ＥＦＭ（図１１Ｂ）ではＴｍｉｎ＝１．４１Ｔ、Ｔｗ＝０．４７Ｔとなる。
ＲＡＭ信号では、磁界変調書込み信号の周波数特性の制限もあり、ウインドウマージン幅Ｔｗが大きく、最短マークＴｍｉｎが長い構成が適している。一方、ＲＯＭ信号では、最短マークＴｍｉｎが長いＥＦＭ方式が適している。したがって、本発明においてはＲＡＭ信号とＲＯＭ信号に対し、それぞれに適した、異なる記録変調方式を使用することが好ましい。
さらに、前述の磁界変調方式では、半導体レーザダイオードＬＤの照射パワーを一定にして磁界を反転させることにより情報の記録を行っている。これに対し、半導体レーザダイオードＬＤをパルスで発光させ、更に信号に対応して印加磁界を変化させることもできる。これにより、半導体レーザダイオードＬＤを連続発光させて記録を行う場合に較べ、記録マークの矢羽形状が緩和される。したがって、矢羽形状の記録マークの緩和により、再生信号の特性が改善できる。
［他の実施の形態］
図１７は、本発明の光情報記録媒体の他のクラスター配置図である。図１４の例では、ＲＯＭ部、ＲＡＭ部ともＣＤＲＯＭフォーマットとし、ＲＯＭとＲＡＭのブロックアドレス位置を便宜上一緒にした。図１７の例では、クラスターの物理的配置を、ＲＯＭ，ＲＡＭでずらしている。このようにしても、図１３の処理と同様に、クラスターアドレス位置を一致させる再生、記録が可能である。尚、媒体の製造段階で、クラスター位置は、ＲＯＭとＲＡＭとで物理的、論理的に一致していることが、ファイル管理の上で望ましい。しかし、物理的に接近していても良い。但し、ファイル管理上、論理的な位置関係を、一致させる必要がある。
図１８は、図２に示した光変調オーバーライト用の媒体を用いて記録を行う場合の印加磁界と光照射強度の説明図である。本発明では、信号の出力と入力は同時であるが、図１３のように、光記憶媒体の光読み取りと書込みはタイミングがずれているため、図１８に示すように、一定磁界を印加のもと光照射強度を変調させてＲＡＭ信号の記録を行うこともできる。磁界はＡＣ変調させないため、光情報記録媒体と十分なスペースを有した状態で配置できる。
図１９は、本発明の光学的記憶装置における他の読取／書込み機構のブロック図であり、図２０は、これに使用するＱチャンネルの説明図、図２１は、図１９の音声、アドレスデータの流れの説明図である。
図１９において、図１２で示したものと同一のものは、同一の記号で示してある。即ち、図１２で示した光ピックアップ５、ＬＤドライバ３１、磁気ヘッドドライバ３４、アクセス用サーボコントローラ１５−２、メインコントローラ１５−１、エンコーダー５０、デコーダー５２、５４、演算器５６、バッファメモリ５１、５３、５５の構成に加え、ＣＤオーデイオで利用されている時間情報を持つＱチャンネル機能を設ける。
具体的には、エンコーダー５０は、Ｑチャンネル対応のものとする。又、出力側に、遅延回路５７、５８と、Ｑチャンネル比較器５９を設ける。即ち、ＲＯＭとＲＡＭのアドレスリンクの方法として、音楽ＣＤで利用されているＱチャンネルを利用する。
図２０に示すように、音楽用ＣＤでは、９８フレーム（５ブロック）に対し、９８フレームのデータエリアに設けられたＱチャンネルデータ（サブコード）によって９８フレームのアドレス情報が、分、秒、フレーム番号により制御される。
図１９に示すように、コントローラ１５からＲＡＭへの記録時には、入力データは、エンコーダ５０でＱチャンネルコードが付加される。詳細には、図２１に示すように、音声データは、Ａ／Ｄ変換器６０でアナログ／デジタル変換された後、エンコーダ６１でエンコードされる。これとともに、タイマー等の時計から得られるアドレス情報（Ｑチャンネル）は、エンコーダ６２でエンコードされる。両者は、マルチプレクサ６３で結合された後、ＥＦＭ変調（同期信号を付加）される。
コントローラよりＲＡＭへの記録時には、光ピックアップ５をＱチャンネルコードより指定されたフレーム位置までアクセスして、光ディスク４に記録する。
再生時には、コントローラ１５−１よりＲＯＭとＲＡＭのアドレスとのリンクをとるように遅延回路５７、５８を調整する。即ち、デコーダ５２、５４では、光ディスク４からのＲＯＭ、ＲＡＭ信号を同期検出／ＥＦＭ復調回路６５で復調し、タイミング検出回路６６で、音声とアドレス（Ｑチャンネル）に分離する。分離された音声とアドレスは、各々デコーダ６７、６８でデコードされ、アドレス情報（Ｑチャンネル）を出力する。デコードされた音声信号は、Ｄ／Ａコンバータ６９で、アナログ音声信号に変換され、バッファ５３又は５５に入力される。
コントローラ１５−１は、このＱチャンネルデータをＱチャンネル比較器５９に送り、ＲＯＭ信号とＲＡＭ信号の遅延時間を各遅延回路５７、５８で調整し、演算器５６に出力する。
これにより、光デイスク４で、ＲＯＭ信号とＲＡＭ信号の格納位置がずれても、ＲＯＭ信号とＲＡＭ信号の時間関係が一致するよう出力側で調整できる。このように、ＲＯＭ−ＲＡＭを同時再生しながら、ＲＡＭへのオーバーライトが実現できる。
このように、位相ピットを有する透明基板上に光磁気記録膜を含む多層膜を成膜した光情報記録媒体は、（１）ＲＯＭとＲＡＭの同時再生が１つの光ピックアップで可能である、（２）ＲＯＭを再生しながら、ＲＡＭに記録できる、という２つの特徴がある。
本発明は、ｎ倍速同時再生とバッファメモリを用いた間欠記録を付加したため、例えば、カラオケを聞きながら、自分の歌声をリンクした位置に記録し、再びカラオケの音楽と一緒に再生できるという利用形態が可能である。
又、音楽、動画、ナビゲーションシステム等ストリーム情報を出力しながら、新しい情報を追加していくようなシステムにおいて、ストリーム情報が途切れることなく、情報を記録および再生することができる。
更に、単なるＲＯＭ再生とＲＡＭ記録との組み合わせでは、例えば、地図情報においては、予め追加更新した情報に関するアドレス情報等を記録したファイルを読み込んだ上で、ＲＯＭ情報に対応するＲＡＭ情報位置にアクセスして情報の再生、記録を行う必要があり、非常に速いアクセス速度、転送速度が要求される。
本発明によればＲＯＭとＲＡＭのアドレスの対応がほぼ１：１にとれるため、ＲＯＭとＲＡＭの情報のリンクを示すファイルの読み込みが不要となり、ストリーム情報の記録再生に適している。
又、読出しバッファと書込みバッファを個別に記載しているが、１つのバッファ内の領域を、読出し用と書込み用に分割しても構成できる。更に、演算器は、個別の回路である必要はなく、コントローラが行うプログラムであってもよい。
産業上の利用可能性
ＲＯＭ−ＲＡＭ同時再生可能な光記憶媒体に、ｎ倍速同時再生とバッファメモリを用いた間欠記録を付加したため、１枚の光情報記録媒体を用いて基準速度で情報を出力しながら、基準速度で入力されている情報を滞ることなくリンクして記録できる。
又、１枚の光情報記録媒体を用いて、ＲＯＭ信号とＲＯＭ信号にリンクしたＲＡＭ信号を演算した信号を出力できる。
更に、入出力の同期のため、大容量のバッファを設けることもなく、比較的小容量のバッファで実現でき、装置コストを大幅に上げないで実現できる。
【図面の簡単な説明】
図１は、本発明の一実施の形態に使用される光情報記録媒体の一例として光磁気ディスクの平面図である。
図２は、図１に示すＲＯＭ−ＲＡＭ光磁気デイスクメモリの断面構成図である。
図３は、図２の構造の光情報記録媒体におけるＲＯＭ情報とＲＡＭ情報の記録状態を説明する平面図である。
図４は、図２の構造の光情報記録媒体におけるＲＯＭ情報とＲＡＭ情報の記録状態を説明する斜視図である。
図５は、本発明の他の実施の形態の光情報記録媒体の断面構成図である。
図６は、本発明の光学的記憶装置の一実施例の構成の全体ブロック図である。
図７は、図６の光ピックアップの光学系の詳細図である。
図８は、図６の部分詳細ブロック図である。
図９は、図７及び図８の光デイテクタの配置図である。
図１０は、図９の光デイテクタの出力と、その出力に基づくフォーカスエラー（ＦＥＳ）検出、トラックエラー（ＴＥＳ）検出、ＭＯ信号及びＬＤフィードバック信号との関係を説明する図である。
図１１は、図６及び図８のメインコントローラにおける再生、記録各モードでのＲＯＭ及びＲＡＭの検出の組合せを示す図である。
図１２は、図６のリード／ライト系の構成図である。
図１３は、図１２のリード／ライト動作のタイムチャート図である。
図１４は、図１２のデイスクのクラスター配置図である。
図１５は、図１２のＲＡＭ及びＲＯＭ信号の変調方式を示す図である。
図１６は、図１２の記録における磁界変調記録方式を説明する図である。
図１７は、図１２のデイスクの他のクラスター配置図である。
図１８は、図１２の他の記録における光変調オーバーライト記録方式の説明図である。
図１９は、本発明のリード／ライト系の他の実施の形態のブロック図である。
図２０は、図１９の動作を説明するためのＣＤ用Ｑチャネルのデータ構成図である。
図２１は、図１９のＱチャネルデータのリード／ライトの流れの説明図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【国際調査報告】
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