【事件の表示】
　特願２００８−５２１３２６号「有機発光素子およびその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１９年　１月２５日国際公開、ＷＯ２００７／０１１１３２、平成２１年　１月　８日国内公表、特表２００９−５００８６１号〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯及び本願発明
　本願は、平成１８年７月１４日（パリ条約による優先権主張、平成１７年７月１５日、韓国）を国際出願日とする出願であって、平成２２年１２月８日付けで手続補正がなされ、平成２３年１月１９日付けで拒絶査定がなされ、これに対して平成２３年５月２３日に拒絶査定不服審判の請求がなされ、同時に手続補正がなされたものである。
　
　本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成２３年５月２３日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものである。
　
「陽極と、１層以上の有機物層と、及び陰極とを備えてなる有機発光素子であって、
　前記陽極が、導電層と、及び前記導電層上に位置するｎ−型有機物層を備えてなり、
　前記陽極のｎ−型有機物層のＬＵＭＯエネルギー準位と、前記陽極の導電層のフェルミエネルギー準位とのエネルギー差が４ｅＶ以下であり、
　前記陽極のｎ−型有機物層と、前記陰極との間に位置する有機物層のうちの１層が、前記陽極のｎ−型有機物層とＮＰ接合を形成するｐ−型有機物層であり、
　前記陽極のｎ−型有機物層のＬＵＭＯエネルギー準位と、前記ｐ−型有機物層のＨＯＭＯエネルギー準位とのエネルギー差が１ｅＶ以下であり、
　前記ｐ−型有機物層と前記陰極との間に位置する有機物層のうちの１層以上が、有機物または無機物によってｎ−型ドーピングされたものである、有機発光素子。」
　
２．引用例
　原査定の拒絶理由に引用された国際公開第２００４／０５４３２６号（以下「引用例」という。）には、以下の技術事項が記載されている。（当審による訳文のみを記載し、また、後述する引用発明の認定に関連する箇所に下線を付した。）
　　　　　
記載事項ア．第２０頁第１７行〜第２１頁第１８行
「実施例１
　
ガラス基板
を
インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）でコーティング
　約１００Åのアルミニウム層を
ＩＴＯ層上に
半透明アルミニウム陽極を形成
アルミニウム酸化物層を形成
化学式Ｉａの化合物（ヘキサニトリルヘキサアザトリフェニレンまたはＨＡＴ）の正孔注入層を
アルミニウム酸化物層上に形成
前記正孔注入層上に、正孔移送層を
ＮＰＢを利用して
形成
前記正孔移送層上に、発光層を
Ａｌｑ３を利用して
形成
前記発光層上に、電子移送層を
化学式ＩＩの化合物（２−［４−［（Ｎ−フェニルベンズイミダゾール−２−イル）フェニル−９，１０−ビス（２−ナフチル）アントラセン］を利用して
形成
陰極形成のために、
フッ化リチウム（ＬｉＦ）層を前記電子移送層上に形成した後、
アルミニウム層を追加的に蒸着
　
　　　　　　　　　　　化学式ＩＩ
　
　結果として得られた
有機ＥＬ素子
　
記載事項イ．第２２頁第第１２行〜第２０行
「実施例４
　
ＩＴＯとＮＰＢとの間にアルミニウム及びアルミニウム酸化物層を形成しなかったことを除いては、実施例１と同一な方式で素子を製作した。結果として得られた構造は“ガラス基板／ＩＴＯ（１３００Å）／ＨＡＴ（５００Å）／ＮＰＢ（４００Å）／Ａｌｑ３（３００Å）／化学式ＩＩ（２００Å）／ＬｉＦ（１０Å）／Ａｌ（２５００Å）”であった。
　
　上記記載事項ア．及びイ．の記載内容からして、引用例には、
「ガラス基板上に、ＩＴＯ層、ヘキサニトリルヘキサアザトリフェニレン（ＨＡＴ）よりなる正孔注入層、ＮＰＢよりなる正孔移送層、Ａｌｑ３よりなる発光層、２−［４−［（Ｎ−フェニルベンズイミダゾール−２−イル）フェニル−９，１０−ビス（２−ナフチル）アントラセン］よりなる電子移送層、陰極であるフッ化リチウム（ＬｉＦ）層及びアルミニウム層を順次形成した有機ＥＬ素子。」
の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているといえる。
　
３．対比
　本願発明と引用発明を対比する。
（ａ）引用発明の「有機ＥＬ素子」は、本願発明の「有機発光素子」に相当する。
（ｂ）本願明細書の【００７８】〜【００８３】には、実施例２として、ガラス基板上に、透明陽極としてのＩＴＯ導電層およびＨＡＴよりなるｎ−型有機物層、ＮＰＢよりなるｐ−型正孔輸送層、Ａｌｑ３よりなる発光層、アルカリ金属Ｃｓを０．２％ドーピングした化学式１で示す化合物よりなる電子輸送層、及びアルミニウムよりなる陰極を順次形成した有機発光素子が記載されている。そして、この実施例２では、ＮＰＢよりなるｐ−型正孔輸送層のＨＯＭＯエネルギー準位が約５．４ｅＶであることは記載されているが、ＨＡＴよりなるｎ−型有機物層のＬＵＭＯエネルギー準位及びＩＴＯ導電層のフェルミエネルギー準位の具体的数値は記載されていない。しかし、本願明細書の【００５９】の「例えば、前記導電層は、約３．５〜５．５ｅＶのフェルミエネルギー準位を有する。例示的な導電性物質の例は、……インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）……などがある。」という記載及び本願明細書の【００７７】の「前記ＨＡＴのＬＵＭＯ準位は５．５４〜６．０２ｅＶの値を有すると予測される。」という記載を参酌すると、実施例２の有機発光素子は、本願発明の「前記陽極のｎ−型有機物層のＬＵＭＯエネルギー準位と、前記陽極の導電層のフェルミエネルギー準位とのエネルギー差が４ｅＶ以下」であること及び「前記陽極のｎ−型有機物層のＬＵＭＯエネルギー準位と、前記ｐ−型有機物層のＨＯＭＯエネルギー準位とのエネルギー差が１ｅＶ以下」であることを満たしているといえる。
　そして、この本願明細書に記載された実施例２の有機発光素子と引用発明とでは、引用発明の電子移送層における２−［４−［（Ｎ−フェニルベンズイミダゾール−２−イル）フェニル−９，１０−ビス（２−ナフチル）アントラセン］（本願明細書に記載された実施例２の有機発光素子の電子輸送層における化学式１で示す化合物に相当）にアルカリ金属Ｃｓが０．２％ドーピングされていない点、及び引用発明の陰極がフッ化リチウム（ＬｉＦ）層及びアルミニウム層の２層からなるのに対し、本願明細書に記載された実施例２の有機発光素子の陰極はアルミニウム（１層）からなる点で相違しているだけである。そうすると、その他の積層構造及び各層の使用材料は全く同じであるから、引用発明の「ＩＴＯ層」及び「ヘキサニトリルヘキサアザトリフェニレン（ＨＡＴ）よりなる正孔注入層」は、本願発明の「導電層と、及び前記導電層上に位置するｎ−型有機物層を備えて」いる「陽極」に、引用発明の「ＮＰＢよりなる正孔移送層」は、本願発明の「前記陽極のｎ−型有機物層と、前記陰極との間に位置する有機物層のうちの１層」であり「前記陽極のｎ−型有機物層とＮＰ接合を形成するｐ−型有機物層」に、引用発明の「Ａｌｑ３よりなる発光層」及び「２−［４−［（Ｎ−フェニルベンズイミダゾール−２−イル）フェニル−９，１０−ビス（２−ナフチル）アントラセン］よりなる電子移送層」は、本願発明の「前記ｐ−型有機物層と前記陰極との間に位置する」「１層以上」の「有機物層」に、引用発明の「陰極であるフッ化リチウム（ＬｉＦ）層及びアルミニウム層」は、本願発明の「陰極」に、それぞれ相当し、さらに、引用発明は本願発明の「前記陽極のｎ−型有機物層のＬＵＭＯエネルギー準位と、前記陽極の導電層のフェルミエネルギー準位とのエネルギー差が４ｅＶ以下であり、」「前記陽極のｎ−型有機物層のＬＵＭＯエネルギー準位と、前記ｐ−型有機物層のＨＯＭＯエネルギー準位とのエネルギー差が１ｅＶ以下であ」る点も満たしているといわざるを得ない。
　
　上記（ａ）、（ｂ）に記載したことからして、本願発明と引用発明は、
「陽極と、１層以上の有機物層と、及び陰極とを備えてなる有機発光素子であって、前記陽極が、導電層と、及び前記導電層上に位置するｎ−型有機物層を備えてなり、前記陽極のｎ−型有機物層のＬＵＭＯエネルギー準位と、前記陽極の導電層のフェルミエネルギー準位とのエネルギー差が４ｅＶ以下であり、前記陽極のｎ−型有機物層と、前記陰極との間に位置する有機物層のうちの１層が、前記陽極のｎ−型有機物層とＮＰ接合を形成するｐ−型有機物層であり、前記陽極のｎ−型有機物層のＬＵＭＯエネルギー準位と、前記ｐ−型有機物層のＨＯＭＯエネルギー準位とのエネルギー差が１ｅＶ以下であり、前記ｐ−型有機物層と前記陰極との間に１層以上の有機物層を有する、有機発光素子。」
である点で一致し、次の点で相違する。
　
［相違点］
　前記ｐ−型有機物層と前記陰極との間に位置する有機物層のうちの１層以上が、本願発明では、有機物または無機物によってｎ−型ドーピングされたものであるのに対して、引用発明では、有機物または無機物によってｎ−型ドーピングされたものではない点。
　
４．当審の判断
　上記相違点について検討する。
　有機発光素子の分野において、電荷キャリアの密度を高める等の目的で、電子輸送性有機物層を有機物または無機物によってｎ−ドーピングすることは、例えば特開２００５−６３９６０号公報（段落【０００４】等参照）、欧州特許出願公開第０４９８９７９号明細書（第４頁４１行〜４６行、第６頁３１行〜３４行、第８頁２６行〜第９頁２１行等参照）にも記載されているように周知技術であり、電荷キャリアの密度を高める等の目的で、引用発明の電子移送層に上記周知技術を適用して上記相違点に係る本願発明の発明特定事項とすることは当業者であれば容易になし得ることである。
　
　そして、本願発明の効果も、引用発明及び上記周知技術から予測し得る範囲内のものであり、格別のものとは認め難い。
　
　したがって、本願発明は、引用発明及び上記周知技術明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
５．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用発明及び上記周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、その余の請求項に係る発明について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。