【事件の表示】
　特願２００４−２３５９１０「半導体装置のキャパシタおよびそれを備えるメモリ装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年　３月１０日出願公開、特開２００５−　６４５２２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯
　本願は、平成１６年８月１３日（パリ条約による優先権主張２００３年８月１３日、大韓民国）の出願であって、平成２３年１月７日付けの拒絶理由通知に対して、同年６月２日に意見書及び手続補正書が提出されたが、平成２４年１月１９日付けで拒絶査定がされ、これに対し、同年５月２２日に拒絶査定を不服とする審判請求がされるとともに手続補正書が提出され、同年７月２４日付けの審尋に対して、同年１０月３０日に回答書が提出されたものである。
　
　
第２．補正却下の決定
　
［補正却下の決定の結論］
　平成２４年５月２２日に提出された手続補正書によりなされた手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
　
［理由］
１．本件補正の内容
　本件補正は、特許請求の範囲を補正するものであり、その内容は以下のとおりである。
　
〈補正事項１〉
　本件補正前の請求項１の「これら第１〜第３バンドギャップは互いに異なる大きさである」との発明特定事項を、「これら第１〜第３バンドギャップは、前記誘電膜の漏れ電流を抑制するために、互いに異なる大きさであるとともに、前記第２バンドギャップが前記第１及び第３バンドギャップより小さく設定される」と補正する。
　
〈補正事項２〉
　本件補正前の請求項１０の「これら第１〜第３バンドギャップは互いに異なる大きさである」との発明特定事項を、「これら第１〜第３バンドギャップは、前記誘電膜の漏れ電流を抑制するために、互いに異なる大きさであるとともに、前記第２バンドギャップが前記第１及び第３バンドギャップより小さく設定される」と補正する。
　
２．新規事項の有無
　補正事項１及び２は、本願の願書に最初に添付した明細書の段落【００２４】の「この時、前記第２バンドギャップは、前記第１バンドギャップおよび前記第３バンドギャップより小さいことが望ましい。」との記載、及び、同段落【００４２】の「前記説明で多くの事項が具体的に記載されているが、それらは発明の範囲を限定するものというよりは望ましい実施形態の例示として解釈されねばならない。例えば、本発明が属する技術分野の当業者ならば、第１誘電膜４２および第３誘電膜４６を、バンドギャップが第２誘電膜４４のバンドギャップよりは大きいが、相異なるバンドギャップを持つ誘電膜に代替可能であることが理解できる。」との記載に基づいていると認められるから、補正事項１及び２は本願の願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてなされたものである。
　したがって、本件補正は、本願の願書に最初に添付した明細書又は図面のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入しないものである。
　よって、本件補正は、特許法第１７条の２第３項の規定に適合する。
　
３．補正目的の適否
　特許請求の範囲についてする補正である補正事項１〜５の補正目的について検討する。
（１）補正事項１について
　補正事項１は、本件補正前の「これら第１〜第３バンドギャップは互いに異なる大きさである」との発明特定事項を、「これら第１〜第３バンドギャップは、前記誘電膜の漏れ電流を抑制するために、互いに異なる大きさであるとともに、前記第２バンドギャップが前記第１及び第３バンドギャップより小さく設定される」ことに限定するものである。
　したがって、補正事項１は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項の第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　
（２）補正事項２について
　補正事項１と同じ理由により、補正事項２は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項の第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　
（３）補正目的の適否のまとめ
　以上から、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たす。
　
４．独立特許要件
　以上のとおり、本件補正は、前記特許請求の範囲の減縮を目的としている。
　そこで、次に、本件補正後の特許請求の範囲に記載されている事項により特定される発明が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものかどうかを、その請求項１に係る発明について検討する。
　
（１）補正発明
　本件補正後の請求項１に係る発明（以下「補正発明」という。）は、平成２４年５月２２日に提出された手続補正書によって補正された特許請求の範囲の請求項１に記載される、次のとおりのものである。
　
「下部電極と、
　前記下部電極の上に形成された複数のバンドギャップを持つ誘電膜と、
　前記誘電膜の上に形成された上部電極と、を含み、
　前記誘電膜は、
　前記下部電極の上に形成された、第１バンドギャップを持つ第１誘電膜と、
　前記第１誘電膜の上に形成された、第２バンドギャップを持つ第２誘電膜と、
　前記第２誘電膜の上に形成された、第３バンドギャップを持つ第３誘電膜と、を含み、
これら第１〜第３バンドギャップは、前記誘電膜の漏れ電流を抑制するために、互いに異なる大きさであるとともに、前記第２バンドギャップが前記第１及び第３バンドギャップより小さく設定される、ことを特徴とする半導体装置のキャパシタ。」
　
（２）引用例の記載と引用発明
（２−１）引用例１の記載
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先権主張の日前に国内で頒布された刊行物である、特開平０５−０１３７０６号公報（以下「引用例１」という。）には、「半導体装置」（発明の名称）に関して、図１〜４とともに、次の記載がある（下線は、参考のため、当審において付したもの。以下、他の刊行物についても同様である。）。
　
　　ア　産業上の利用分野
ａ．「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置に係り、特に
ＤＲＡＭ等におけるキャパシタ構造に関する
　
　　イ　発明の背景
ｂ．「【０００２】
【従来の技術】半導体装置の１つに、キャパシタとトランジスタとを組み合わせて情報の記憶動作を行うＤＲＡＭ（Dynamic Random Access read write Memory ）がある。
　……（中略）……
【０００４】しかしながら、今後のより一層のキャパシタ占有面積の微細化に伴うキャパシタの大容量化に対応するにはさらに誘電率の大きい材料を用いる必要がある。このような要請から、誘電率が酸化シリコン膜に比べて約７倍程度も大きい材料である酸化タンタル膜を絶縁膜として用いることが検討されている。
　……（中略）……
【０００６】例えば、酸化タンタルのバンドギャップは約４．７ｅＶと小さいため、リーク電流が大きいことが問題となっており、このようなリーク電流を抑制するために、例えば下地シリコンと酸化タンタルとの界面に、よりバンドギャップの大きい酸化シリコン膜や窒化シリコン膜を設ける方法が提案されている。
【０００７】しかしながら、膜厚の制限があるなかで、誘電率の小さい酸化シリコンや窒化シリコンを介在させるということは、その分、キャパシタ容量の低下を招くことになってしまう。
【０００８】このように、十分なキャパシタ容量を確保しつつリーク電流の抑制をはかることは極めて困難な問題となっている。」
　
ｃ．「【００１０】本発明は、前記実情に鑑みてなされたもので、占有面積の縮小化にもかかわらず、十分なキャパシタ容量を確保することができ、信頼性の高いキャパシタを提供することを目的とする。」
　
　　ウ　課題を解決するための手段
ｄ．「【００１１】
【課題を解決するための手段】そこで本発明は、
第１の電極と、２の電極と、これらの電極間に挟持されたキャパシタ絶縁膜
前記キャパシタ絶縁膜が、異なる禁制帯幅を有する２種類以上の金属酸化膜の積層体で構成されている
【００１２】また、本発明は、第１の電極と、２の電極と、これらの電極間に挟持されたキャパシタ絶縁膜とを備えたキャパシタを具備した半導体装置において、
前記キャパシタ絶縁膜が、第１の金属酸化膜とこの第１の金属酸化膜の両側に形成された第２の金属酸化膜とを有する積層体からなり、前記第２の金属酸化膜の禁制帯幅が前記第１の金属酸化膜の禁制帯幅よりも大きい
　
ｅ．「【００１３】
【作用】上記構成によれば、金属酸化膜をキャパシタ絶縁膜として用いたキャパシタにおいて、リーク電流を抑制することが可能となる。
　……（中略）……
【００１５】これは、以下に示すような作用による。
【００１６】一般に、高い誘電率を有する物質ほど禁制帯幅は小さくなる。そして禁制帯幅が小さくなるほど、電圧印加時に大きなリーク電流が流れ、絶縁体としての性能が低下することになる。
【００１７】これは、電極すなわち導電体と絶縁膜との間のエネルギ−障壁高さが小さくなることによる。
【００１８】しかしながら、電荷を保持することを目的としたキャパシタの場合には、絶縁性に優れると同時に高容量である必要がある。従って絶縁膜の材質としては誘電率の高い材料を用い、しかも膜厚はできるだけ薄くするのが望ましい。
【００１９】このような要請を満たすためには、導電体と絶縁膜との間のエネルギ−障壁高さを大きくとりながら膜全体としては誘電率が大きいという相矛盾した要請を満たす必要がある。
【００２０】このような要請に基づいて、酸化タンタル膜と酸化チタン膜の場合について考えてみる。
【００２１】酸化タンタル膜と
酸化チタン膜の禁制帯幅は
３ｅＶである。
【００２２】このように酸化タンタル膜に比べて酸化チタン膜は、禁制帯幅は小さいものの誘電率ははるかに大きい。従って、キャパシタ絶縁膜をこれら酸化タンタル膜と酸化チタン膜との積層構造にして、電極側、特に電荷が注入される側に禁制帯幅の大きい酸化タンタル膜を配することによってリーク電流を抑制する一方、誘電率の大きい酸化チタンを積層することによって膜全体としての平均的な誘電率を高めることができる。」
　
ｆ．「【００２３】
望ましくは、禁制帯幅の小さい金属酸化物膜の両側を禁制帯幅の大きい金属酸化物膜で挟むようにすれば、リーク電流を抑制する一方、誘電率の大きい金属酸化物膜を積層することによって膜全体としての平均的な誘電率を高めることができる
【００２４】このようにして、高いキャパシタ容量を有しかつ、電荷保持能力の高いキャパシタを得ることができる。」
　
　　エ　実施例
ｇ．「【００２９】こののち、図１ (c)に示すように、全面に膜厚８０nmの第２のｎ+ 多結晶シリコン膜８を堆積した後、フォトリソ法および化学的ドライエッチング法（等方性エッチング）により、パターニングし、さらにこの上層にチタンシリサイド膜９を例えば２０〜３０nm形成し、さらにその上に
ＣＶＤ法により選択的に膜厚１００nmの第１のタングステン膜１０からなるキャパシタ下部電極を形成する。この後、ＣＶＤ法によりキャパシタ絶縁膜となる第１の酸化タンタル膜１１を例えば５nmの膜厚で，酸化チタン膜１２を例えば膜厚１５nmで，第２の酸化タンタル膜１３を例えば膜厚５nmで順次形成する
【００３０】そして最後に、図１(d) に示すように、
キャパシタ上部電極として膜厚１００nmの第２のタングステン膜１４を全面に形成した
　……（中略）……
【００３２】これらの比較からも、本発明実施例のＤＲＡＭはリークが大幅に低減されていることがわかる。
【００３３】図３(a) および(b) は本発明実施例のキャパシタ絶縁膜と従来例のキャパシタ絶縁膜のバンド構造の比較図である。
【００３４】このようにして形成されたＤＲＡＭによれば、キャパシタが、リーク電流が少なく、キャパシタ容量が大きく、電荷保持量の大きいもので構成されているため、誤動作が少なく信頼性の高いＤＲＡＭを得ることができる。」
　
ｈ．「【００３６】また、図４に示すように、前記実施例における多結晶シリコン膜８の上に直接、
キャパシタ絶縁膜として
さらに酸化ジルコニウム膜−酸化チタン膜−酸化ハフニウム膜の３層構造膜
酸化ハフニウム膜−酸化チタン膜−酸化ジルコニウム膜の３層構造膜等も有効である。
【００３７】さらにまた、前記実施例では、キャパシタ絶縁膜として酸化タンタル膜／酸化チタン膜／酸化タンタル膜の３層膜を用いたが、２層膜あるいは４層以上の積層膜を用いてもよい。さらに、キャパシタ絶縁膜の材料としても、酸化タンタルと酸化チタンとの組み合わせに限定されることなく、酸化タンタル膜（ＴａＯ２ ）とチタン酸ストロンチウム膜（ＳｒＴｉＯ３ ），イットリウム酸化膜（Ｙ２ Ｏ３ ）とチタン酸鉛（ＰｂＴｉＯ３ ）などの組み合わせ、など、適宜選択可能である。  加えてこれらの実施例では、積層キャパシタ構造のＤＲＡＭについて説明したが、トレンチ構造のＤＲＡＭに対しても適用可能であることはいうまでもない」
　
（２−２）引用発明
　前記「（２−１）引用例１の記載」のａ〜ｈの記載を総合すれば、引用例１には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているといえる。
　
「キャパシタ下部電極と、
　キャパシタ上部電極と、
　前記キャパシタ下部電極と前記キャパシタ上部電極との間に挟持され、異なる禁制帯幅を有する２種類以上の金属酸化膜の積層体で構成されているキャパシタ絶縁膜と、を備え、
　前記キャパシタ絶縁膜は、
　第１の金属酸化膜と、この第１の金属酸化膜の両側に形成された第２及び第３の金属酸化膜とを有する積層体からなり、前記第２及び第３の金属酸化膜の禁制帯幅が前記第１の金属酸化膜の禁制帯幅よりも大きくすることで、
　リーク電流を抑制する一方で、前記キャパシタ絶縁膜全体としての平均的な誘電率を高めたことを特徴とするＤＲＡＭにおけるキャパシタ。」
　
（３）対比
（３−１）補正発明と引用発明との対比
　補正発明と引用発明とを対比する。
　
　　ア　引用発明の「キャパシタ下部電極」は、補正発明の「下部電極」に相当する。
　引用発明においては、前記「キャパシタ下部電極」、「前記キャパシタ下部電極と前記キャパシタ上部電極との間に挟持され、異なる禁制帯幅を有する２種類以上の金属酸化膜の積層体で構成されているキャパシタ絶縁膜」及び「キャパシタ上部電極」の順番で積層されている。そして、引用発明の「禁制帯幅」が、補正発明の「バンドギャップ」に相当する。また、引用発明の「金属酸化膜」が誘電膜であることは、自明である。
　したがって、引用発明の「前記キャパシタ下部電極と前記キャパシタ上部電極との間に挟持され、異なる禁制帯幅を有する２種類以上の金属酸化膜の積層体で構成されているキャパシタ絶縁膜」及び「キャパシタ上部電極」は、それぞれ、補正発明の「前記下部電極の上に形成された複数のバンドギャップを持つ誘電膜」及び「前記誘電膜の上に形成された上部電極」に相当する。
　
　　イ　引用発明の「前記キャパシタ絶縁膜」は、「第１の金属酸化膜と、この第１の金属酸化膜の両側に形成された第２及び第３の金属酸化膜とを有する積層体から」なり、「前記第２及び第３の金属酸化膜の禁制帯幅が前記第１の金属酸化膜の禁制帯幅よりも大き」いものである。
　してみれば、引用発明の「前記キャパシタ絶縁膜」は、「第２の金属酸化膜」、「第１の金属酸化膜」、「第３の金属酸化膜」の順番で「積層」されていると解されるとともに、前記「第２の金属酸化膜」、前記「第１の金属酸化膜」、前記「第３の金属酸化膜」は、それぞれ、所定の「禁制帯幅」を有していると認められる。そして、引用発明の「禁制帯幅」が、補正発明の「バンドギャップ」に相当することは、技術常識である。
　そうすると、引用発明の「第２の金属酸化膜」は、「キャパシタ下部電極」の上に「積層」されているから、補正発明の「前記下部電極の上に形成された、第１バンドギャップを持つ第１誘電膜」に相当する。
　また、引用発明の「第１の金属酸化膜」は、補正発明の「前記第１誘電膜の上に形成された、第２バンドギャップを持つ第２誘電膜」に相当する。
　そして、引用発明の「第３の金属酸化膜」は、補正発明の「前記第２誘電膜の上に形成された、第３バンドギャップを持つ第３誘電膜」に相当する。
　
　　ウ　引用発明の「キャパシタ」は「リーク電流を抑制」しているが、この「リーク電流」は、引用発明の「キャパシタ絶縁膜」の「リーク電流」を指すことは、「（２−１）引用例１の記載」における「ウ　課題を解決するための手段」の「ｅ」で摘記した「キャパシタ絶縁膜をこれら酸化タンタル膜と酸化チタン膜との積層構造にして、電極側、特に電荷が注入される側に禁制帯幅の大きい酸化タンタル膜を配することによってリーク電流を抑制する」との記載から明らかである。
　そして、引用発明は、「前記第２及び第３の金属酸化膜の禁制帯幅が前記第１の金属酸化膜の禁制帯幅よりも大きくする」ことで「リーク電流を抑制する一方で、前記キャパシタ絶縁膜全体としての平均的な誘電率を高め」ている。すなわち、引用発明が、「前記第２及び第３の金属酸化膜の禁制帯幅」を「前記第１の金属酸化膜の禁制帯幅よりも大きく」したのは、前記「キャパシタ絶縁膜」の「リーク電流を抑制」するとともに、「前記キャパシタ絶縁膜全体としての平均的な誘電率を高め」るためである。
　したがって、引用発明において、前記「第２の金属酸化膜」、「第１の金属酸化膜」、「第３の金属酸化膜」それぞれの前記所定の「禁制帯幅」を、「前記第２及び第３の金属酸化膜の禁制帯幅が前記第１の金属酸化膜の禁制帯幅よりも大きくする」ことで「リーク電流を抑制する」ことと、補正発明の「これら第１〜第３バンドギャップは、前記誘電膜の漏れ電流を抑制するために、互いに異なる大きさであるとともに、前記第２バンドギャップが前記第１及び第３バンドギャップより小さく設定される」こととは、これら第１〜第３バンドギャップは、前記誘電膜の漏れ電流を抑制するために、前記第２バンドギャップが前記第１及び第３バンドギャップより小さく設定される点で共通する。
　
　　エ　そして、引用発明の「ＤＲＡＭ」は、補正発明の「半導体装置」に相当する。
　
（３−２）一致点及び相違点
　そうすると、補正発明と引用発明の一致点と相違点は、次のとおりとなる。
　
《一致点》
「下部電極と、
　前記下部電極の上に形成された複数のバンドギャップを持つ誘電膜と、
　前記誘電膜の上に形成された上部電極と、を含み、
　前記誘電膜は、
　前記下部電極の上に形成された、第１バンドギャップを持つ第１誘電膜と、
　前記第１誘電膜の上に形成された、第２バンドギャップを持つ第２誘電膜と、
　前記第２誘電膜の上に形成された、第３バンドギャップを持つ第３誘電膜と、を含み、
これら第１〜第３バンドギャップは、前記誘電膜の漏れ電流を抑制するために、前記第２バンドギャップが前記第１及び第３バンドギャップより小さく設定される、ことを特徴とする半導体装置のキャパシタ。」
　
《相違点》
　補正発明の「第１〜第３バンドギャップ」が「互いに異なる大きさである」のに対して、引用発明は、「前記第２及び第３の金属酸化膜の禁制帯幅が前記第１の金属酸化膜の禁制帯幅よりも大き」いものの、「前記第２及び第３の金属酸化膜の禁制帯幅」が異なる大きさであるかどうかは不明である点。
　
（４）相違点についての判断
　　ア　引用例１には、「（２−１）引用例１の記載」における「エ　実施例」の「ｇ」で摘記したように、「第１の金属酸化膜と、この第１の金属酸化膜の両側に形成された第２及び第３の金属酸化膜とを有する積層体からなり、前記第２及び第３の金属酸化膜の禁制帯幅が前記第１の金属酸化膜の禁制帯幅よりも大きく」した「キャパシタ絶縁膜」として、「第１の酸化タンタル膜１１」、「酸化チタン膜１２」及び「第２の酸化タンタル膜１３」を積層したものが、最初の「実施例」として示されている。
　しかしながら、引用例１には、前記「エ　実施例」の「ｈ」で摘記したように、キャパシタ絶縁膜として「酸化ジルコニウム膜−酸化チタン膜−酸化ハフニウム膜の３層構造膜、酸化ハフニウム膜−酸化チタン膜−酸化ハフニウム膜の３層構造膜、酸化ハフニウム膜−酸化チタン膜−酸化ジルコニウム膜の３層構造膜等も有効である。」とも記載されている。
　
　　イ　してみれば、引用発明の「第１の金属酸化膜と、この第１の金属酸化膜の両側に形成された第２及び第３の金属酸化膜とを有する積層体からなり、前記第２及び第３の金属酸化膜の禁制帯幅が前記第１の金属酸化膜の禁制帯幅よりも大きく」した「キャパシタ絶縁膜」として、前記のように「有効である」と記載されたものの中から、前記「酸化ジルコニウム膜−酸化チタン膜−酸化ハフニウム膜の３層構造膜」ないし「酸化ハフニウム膜−酸化チタン膜−酸化ジルコニウム膜の３層構造膜」を選択することは、引用例１に接した者であれば、当然、適宜になし得たものと認められる。
　
　　ウ　ここで、「第１の金属酸化膜」である前記「酸化チタン膜」が、３ｅＶのバンドギャップを持つ膜であることは、前記「（２−１）引用例１の記載」における「ウ　課題を解決するための手段」の「ｅ」で、「酸化タンタル膜と酸化チタン膜の禁制帯幅はそれぞれ約４．６ｅＶ，３ｅＶである。」と摘記したとおりである。
　一方、「第２」ないし「第３」の「金属酸化膜」である前記「酸化ハフニウム膜」が、５．６８ｅＶのバンドギャップを持つ膜であることは、以下の周知例１に記載されるように、周知の事項である。
　また、「第２」ないし「第３」の「金属酸化膜」である前記「酸化ジルコニウム膜」が、実験データから決定される値では、５．７８〜７．０９ｅＶのバンドギャップを持つ膜であることも、以下の周知例２に記載されるように、周知の事項である。
　
　　エ　してみれば、引用発明の「第１の金属酸化膜と、この第１の金属酸化膜の両側に形成された第２及び第３の金属酸化膜とを有する積層体からなり、前記第２及び第３の金属酸化膜の禁制帯幅が前記第１の金属酸化膜の禁制帯幅よりも大きく」した「キャパシタ絶縁膜」において、「第１の金属酸化膜」として「酸化チタン膜」を選択し、「第２及び第３の金属酸化膜」の一方に「酸化ハフニウム膜」を選択し、他方に「酸化ジルコニウム膜」を選択することで、「前記第２及び第３の金属酸化膜」及び「第１の金属酸化膜」の「禁制帯幅」を互いに異なるものとすることは、引用例１に接した当業者であれば、適宜になし得たものと認められる。
　
　　オ　周知例１：B.H.Lee et al.,“Thermal stability and electrical characteristics of ultrathin hafnium oxide gate dielectric reoxidized with rapid thermal annealing”,Applied Physics Letters,American Institute of Physics,2000.04.03,Vol.76,No.14,pp.1926〜1928
　
ａ．“Thus, HfO2 and ZrO2 are attractive since they are thermodynamically stable in contact with Si. HfO2, especially,has many desirable properties such as high dielectric constant (〜30), high heat of formation ( 271 kcal/mol)3 and relatively large band gap (5.68 eV).4”（第１９２６頁左欄第１８〜２２行、訳：したがって、HfO2 やZrO2 は、シリコンとのコンタクトが熱力学的に安定であるため、魅力的である。特に、
HfO
2
 は
比較的に大きいバンドギャップ(5.68 eV)という、多くの望ましい性質を有している
　
　　カ　周知例２：R.H.French et al.,“Experimental and theoretical determination of the electronic structure and optical properties of three phases of ZrO２”,Physical Review B,The American Physical Society,1994.02.15,Vol.49,No.8,pp.5133〜5142
　
ａ．“TABLE III. Direct band-gap energy (eV) of ZrO２ determined from experimental and theoretical data.”（第５１３６頁右欄のTABLE IIIの表題、訳：表３　実験データ及び理論上のデータから決定されるZrO２のバンドギャップ値）
　
ｂ．TABLE IIIの、２行目には実験データから決定されるバンドギャップの値として、6.1、5.78、5.83の値が記載され、３行目には実験データから決定されるバンドギャップの値として、7.08、6.62、7.09の値が記載されている、
　
（５）回答書の主張について
　　ア　なお、審判請求人は、平成２４年１０月３０日に提出した回答書において、
ａ．「当該引用文献１には、本願発明に示される『第１〜第３バンドギャップは、誘電膜の漏れ電流を抑制するために、互いに異なる大きさであるとともに、第２バンドギャップが第１及び第３バンドギャップより小さく設定される』との考え方は特に示されていない、と思量致します。」、
ｂ．「（偶然に）本願発明に一致する構成があるかも知れませんが、この引用文献１には上記以外に種々の積層体が例示されています。」、
ｃ．「数ある積層体の中から、誘電膜の漏れ電流を抑制するという目的のために、特に、『第１〜第３バンドギャップは、互いに異なる大きさであるとともに、第２バンドギャップが第１及び第３バンドギャップより小さく設定される』という構成条件を見い出し、かつ特定したものが本願発明であります。」、
と主張している。
　
　　イ　前記ａの主張のとおり、引用例１には、前記「第１〜第３バンドギャップは、誘電膜の漏れ電流を抑制するために、互いに異なる大きさであるとともに、第２バンドギャップが第１及び第３バンドギャップより小さく設定される」との考え方を示す、明示の記載はない。
　しかしながら、引用例１に接した当業者であれば、前記「第１〜第３バンドギャップは、誘電膜の漏れ電流を抑制するために、互いに異なる大きさであるとともに、第２バンドギャップが第１及び第３バンドギャップより小さく設定される」ことを、適宜なし得たことは、前記「（４）相違点についての判断」で指摘したとおりである。
　したがって、前記ａ、ｂの主張は、当を得ていない。
　
　　ウ　ところで、本願明細書には、段落【００２４】には「第１誘電膜４２は第１バンドギャップを持ち、第２誘電膜４４は第２バンドギャップを持ち、第３誘電膜４６は第３バンドギャップを持つ。この時、前記第２バンドギャップは、前記第１バンドギャップおよび前記第３バンドギャップより小さいことが望ましい。そして、前記第１および第３バンドギャップは、同一であることが望ましい。」と記載され、段落【００４２】に「前記説明で多くの事項が具体的に記載されているが、それらは発明の範囲を限定するものというよりは望ましい実施形態の例示として解釈されねばならない。例えば、本発明が属する技術分野の当業者ならば、第１誘電膜４２および第３誘電膜４６を、バンドギャップが第２誘電膜４４のバンドギャップよりは大きいが、相異なるバンドギャップを持つ誘電膜に代替可能であることが理解できる。」と記載されている。
　すなわち、「前記第２バンドギャップは、前記第１バンドギャップおよび前記第３バンドギャップより小さい」という条件を満たすことが、先ず「望ましい」のであって、その条件の中では、「前記第１および第３バンドギャップは、同一であることが望ましい」ことが本願明細書には記載されている。しかし、後者の「望ましい」条件である「前記第１および第３バンドギャップは、同一であること」が何故「望ましい」のかは、本願明細書には記載されていない。
　そして、それぞれ「前記第１および第３バンドギャップ」を持つ「第１誘電膜４２および第３誘電膜４６」は、上記のように「前記第１および第３バンドギャップは、同一であることが望ましい」ものの、「バンドギャップが第２誘電膜４４のバンドギャップよりは大きいが、相異なるバンドギャップを持つ誘電膜に代替可能である」ことが、本願明細書には記載されている。
　
　　エ　したがって、「数ある積層体の中から、誘電膜の漏れ電流を抑制するという目的のために、特に、「第１〜第３バンドギャップは、互いに異なる大きさであるとともに、第２バンドギャップが第１及び第３バンドギャップより小さく設定される」という構成条件を見い出し、かつ特定したものが本願発明であるという、前記ｃの主張は、本願明細書の記載に基づくものでなく、当を得ていない。
　
　　オ　なお、引用例１には、前記「（４）相違点についての判断」の「ア」で指摘したとおり、「第１の金属酸化膜と、この第１の金属酸化膜の両側に形成された第２及び第３の金属酸化膜とを有する積層体からなり、前記第２及び第３の金属酸化膜の禁制帯幅が前記第１の金属酸化膜の禁制帯幅よりも大きく」した「キャパシタ絶縁膜」として、「前記第２及び第３の金属酸化膜の禁制帯幅」が同一である「第１の酸化タンタル膜１１」、「酸化チタン膜１２」及び「第２の酸化タンタル膜１３」を積層した「キャパシタ絶縁膜」が最初の「実施例」として示されるとともに、「酸化ジルコニウム膜−酸化チタン膜−酸化ハフニウム膜の３層構造膜」等も「有効である」という、本願明細書の前記ウの記載と同趣旨の記載が存在している。
　
（６）独立特許要件の検討のまとめ
　以上のとおり、前記相違点は、周知の事項を参酌すれば、引用例１に記載の発明から当業者が容易に想到し得た範囲に含まれる程度のものである。
　したがって、補正発明は、周知の事項を参酌すれば、引用例１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
５．小括
　以上のとおりであるから、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
　
第３．本願発明について
１．本願発明
　以上のとおり、本件補正（平成２４年５月２２日に提出された手続補正書による手続補正）は却下されたので、本願の請求項１〜１８に係る発明は、平成２３年６月２日に提出された手続補正書によって補正された明細書、特許請求の範囲又は図面の記載からみて、その請求項１〜１８に記載されたとおりのものであり、そのうち、請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次のとおりである。
　
「下部電極と、
　前記下部電極の上に形成された複数のバンドギャップを持つ誘電膜と、
　前記誘電膜の上に形成された上部電極と、を含み、
　前記誘電膜は、
　前記下部電極の上に形成された、第１バンドギャップを持つ第１誘電膜と、
　前記第１誘電膜の上に形成された、第２バンドギャップを持つ第２誘電膜と、
　前記第２誘電膜の上に形成された、第３バンドギャップを持つ第３誘電膜と、を含み、
これら第１〜第３バンドギャップは互いに異なる大きさであることを特徴とする半導体装置のキャパシタ。」
　
２．引用例の記載と引用発明
　引用例１の記載については、前記「第２．補正却下の決定」の「４．独立特許要件」の「（２）引用例の記載と引用発明」において、それぞれ、「（２−１）引用例１の記載」で摘記したとおりであり、引用発明については、同「（２−２）引用発明」において認定したとおりである。
　
３．対比・判断
　前記「第２．補正却下の決定」の「３．補正目的の適否」における「（１）補正事項１について」で検討したように、本件補正後の請求項１に係る発明（すなわち、補正発明）は、本件補正前の請求項１に係る発明（すなわち、本願発明）に対し、「これら第１〜第３バンドギャップ」は、単に「互いに異なる大きさである」のではなく、「前記誘電膜の漏れ電流を抑制するために、互いに異なる大きさであるとともに、前記第２バンドギャップが前記第１及び第３バンドギャップより小さく設定される」ものであることを限定したものである。
　逆に言えば、本願発明は、補正発明から、上記の限定をなくしたものである。
　そうすると、本願発明の構成要件をすべて含み、これをより限定したものである補正発明が、前記「第２．補正却下の決定」の「４．独立特許要件」において検討したとおり、周知の事項を参酌すれば、引用例１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、周知の事項を参酌すれば、引用例１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　
第４．結言
　以上のとおり、本願発明は、周知の事項を参酌すれば、引用例１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
　したがって、他の請求項について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　
 　よって、結論のとおり審決する。