【事件の表示】
　特願２０１０−　３６２３６「薄膜太陽電池および薄膜太陽電池の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２２年　５月２７日出願公開、特開２０１０−１１８６９４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯　
　本願は、平成１８年１０月２７日に出願した特願２００６−２９２６８５号の一部を平成２２年２月２２日に新たな特許出願としたものであって、平成２２年３月１０日付けで手続補正がなされ、平成２４年８月２１日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年１０月２３日付けで拒絶査定不服審判が請求されたものである。
　
２　本願発明
　本願の請求項１ないし７に係る発明は、平成２２年３月１０日付けで補正された特許請求の範囲の請求項１ないし７に記載された事項によりそれぞれ特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明は、平成２２年３月１０日付け補正後の明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載されたとおりの次のものと認める。
　
「透明絶縁基板と、前記透明絶縁基板上に順次積層された、透明電極層と、半導体光電変換層と、裏面電極層と、を含み、
　複数のセルを直列接続するように、前記透明電極層を分離する第１分離溝と、前記半導体光電変換層および前記裏面電極層を分離する第２分離溝と、が設けられ、
　前記裏面電極層上に電流取り出し用の電極が配置されたセルとして、前記透明電極層が前記半導体光電変換層および前記裏面電極層よりも前記第２分離溝の長手方向に直交する方向に突出しており、前記透明電極層と前記裏面電極層との絶縁性確保のための前記第１分離溝が形成されていないセルを備えていることを特徴とする、薄膜太陽電池。」（以下「本願発明」という。）
　
３　刊行物の記載事項
（１）原査定の拒絶の理由に引用された「本願の出願前に頒布された刊行物である特開２００２−１６２６９号公報（以下「引用例１」という。）」には、図とともに以下の事項が記載されている（下線は審決で付した。以下同じ。）。
　ア　「【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、切断方法に関する。より詳細には、本発明は、薄膜薄膜太陽電池パネルを構成する薄膜にレーザビームを照射し、その薄膜を切断する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】太陽光のエネルギを直接電気エネルギに変換する光電変換装置である太陽電池の種類として、各種のものが実用化されている。なかでも、非晶質シリコン系の薄膜太陽電池は、製造のためのコストが小さく大面積化が容易である。そのため、非晶質シリコン系の薄膜太陽電池を使用した屋外用の大面積太陽電池の開発が進められている。薄膜太陽電池パネルの製造においては、
ＣＶＤ
法及びスパッタリング法のような薄膜の堆積工程と、レーザスクライブ法のようなパターンニング工程とが、組み合わせて行われ、所望の構造が形成され
薄膜太陽電池パネルは、通常、１枚の透明絶縁基板に複数の光電変換セルが電気的に直列接続された構造
薄膜太陽電池パネルには、更に、光電変換セルを取り囲むように、外周端部が設けられている
外周端部は、薄膜太陽電池パネルを保持するフレームと接触する部分である。この光電変換セルは、外周端部から電気的に絶縁されている必要がある。外周端部には、フレームと接触するために機械的な力が作用される。その力により、薄膜が損傷して上下の電極膜が電気的にショートして発電能力が大幅に低下する。光電変換セルと外周端部とが電気的に絶縁されていれば、発電能力の低下は起こらない
【０００３】
光電変換セルと外周端部との絶縁を確保するために、レーザビームを用いて薄膜太陽電池パネルを構成する薄膜を切断するレーザビーム加工法が知られている
【０００４】公知のその薄膜太陽電池パネルの製造方法（以下、「第１の公知の薄膜太陽電池パネルの製造方法」という。）では、図２１に示されているように、
透明基板５０１の上に順に形成された透明電極層５０２、半導体層５０３、及び裏面電極層５０４に、透明基板５０１側からレーザビーム５０５が入射される。これにより、透明電極層５０２、半導体層５０３、及び裏面電極層５０４を貫通する分離溝５０６が形成され、光電変換セル部５００と外周端部５１０との間の絶縁が確保される
【０００５】光電変換セル部５００と外周端部５１０との間には、絶縁がとられていなければならない。従って、光電変換セル部５００の透明電極層５０２ａと外周端部５１０の透明電極層５０２ｂとの間、及び、光電変換セル部５００の裏面電極層５０４ａと外周端部５１０の裏面電極層５０４ｂとは絶縁されていなければならない。
【０００６】
更に、光電変換セル部５００の透明電極層５０２ａと裏面電極層５０４ａとは短絡してはならない
薄膜太陽電池の正極及び負極である透明電極層５０２ａと裏面電極層５０４ａとが短絡していると、薄膜太陽電池の機能が損なわれるから
【０００７】しかし、第１の公知の薄膜太陽電池パネルの製造方法は、
透明電極層５０２を構成する物質がレーザビームのエネルギにより蒸発して飛散する際に、分離溝５０６の内壁５０６ａに付着し、透明電極層５０２ａと裏面電極層５０４ａの間を短絡するという問題がある
【０００８】公開特許公報（特開平１１−１８６５７３）には、
かかる問題を解決する
【０００９】第２の公知の
薄膜太陽電池パネルの製造方法では、まず、
透明基板５１１上に、透明電極層５１２が堆積され
【００１０】
続いて、
ガラス基板５１１側から透明電極５１２にレーザ光５１３が入射され、透明電極層５１２に透明電極層分離溝５１４が形成され
【００１１】
続いて、
半導体層５１５と裏面電極層５１６とが順次堆積される。半導体層５１５と裏面電極層５１６とが順次形成された後、公知のレーザパターニングが実施され、複数の光電変換セルが薄膜太陽電池パネル全面に形成され
【００１２】
続いて、
レーザ光５１７が入射されて半導体層５１５と裏面電極層５１６とが切断され、分離溝５１８が形成される。分離溝５１６により、外周端部と光電変換セルとが絶縁され
レーザ光５１７の光強度は、透明電極層５１２に損傷を与えることのない程度に選ばれている。透明電極層５１２を蒸発させるのに必要な単位面積あたりのレーザエネルギは、半導体層５１５のそれの１０倍程度である。従って、レーザ光５１７が、半導体層５１５のみを蒸発させるだけのエネルギを有するレーザ光であれば、透明電極層５１２に損傷が与えられることはない
このとき、裏面電極層５１６は、半導体層５１５が蒸発する際に、その半導体層から生ずるガスのガス圧力で除去される
【００１３】しかし、第２の公知の薄膜太陽電池パネルの製造方法は、以下に述べられているような問題点があった。
【００１４】
半導体層５１５と裏面電極層５１６を切断する分離溝は、透明電極層５１２を切断する分離溝の上に形成されなければならない
　
　イ　図２２ないし図２５の記載から、半導体層及び裏面電極層の分離溝５１８は、透明電極層分離溝５１４をすっぽり覆う大きなものであり、前記透明電極層分離溝５１４の上に形成することにより、透明電極層、半導体層及び裏面電極層を貫通する分離溝を完成するものであることが見て取れる。
　また、図１のセル分離溝５を参照すると、レーザスクライブ法のような公知のレーザパターニング工程により光電変換セル部を電気的に直列接続された複数のものに分離する部分はセル分離溝というべきものであることがわかる。
　
　ウ　上記ア及びイから、引用例１には次の発明が記載されているものと認められる。
「ＣＶＤ法及びスパッタリング法のような薄膜の堆積工程と、レーザスクライブ法のようなパターンニング工程とが、組み合わせて行われ、１枚の透明絶縁基板にセル分離溝で分離された複数の光電変換セル部が電気的に直列接続された構造が形成され、更に、光電変換セル部を取り囲むように、薄膜太陽電池パネルを保持するフレームと接触する部分である外周端部が設けられ、該外周端部には、フレームと接触するために機械的な力が作用され、その力により薄膜が損傷して上下の電極膜が電気的にショートして発電能力が大幅に低下することがあるので、前記光電変換セル部は、前記外周端部から電気的に絶縁し、発電能力の低下が起こらないようにした構造の薄膜太陽電池パネルであって、
　前記透明絶縁基板の上に順に形成された透明電極層、半導体層及び裏面電極層に、透明絶縁基板側からレーザビームを入射することにより、薄膜太陽電池パネルを構成する薄膜を切断して、透明電極層、半導体層及び裏面電極層を貫通する分離溝を形成して前記光電変換セル部と前記外周端部との絶縁を確保した薄膜太陽電池パネルにおいて、
　薄膜太陽電池の正極及び負極である透明電極層と裏面電極層とが短絡していると、薄膜太陽電池の機能が損なわれるから、光電変換セル部の透明電極層と裏面電極層とは短絡してはならないところ、透明電極層を構成する物質がレーザビームのエネルギにより蒸発して飛散する際に、分離溝の内壁に付着し、透明電極層と裏面電極層の間を短絡するという問題があるので、
　かかる問題を解決するために、まず、透明絶縁基板上に、透明電極層が堆積され、続いて、透明絶縁基板側から透明電極層にレーザ光を入射し、透明電極層に透明電極層分離溝を形成し、続いて、半導体層と裏面電極層とを順次堆積し、半導体層と裏面電極層とが順次形成された後、公知のレーザパターニングを実施し、セル分離溝で分離された複数の光電変換セルを薄膜太陽電池パネル全面に形成し、続いて、透明電極層を蒸発させるのに必要な単位面積あたりのレーザエネルギは半導体層のそれの１０倍程度であるので、レーザ光が半導体層のみを蒸発させるだけのエネルギを有するレーザ光であれば透明電極層に損傷が与えられることはないから、レーザ光の光強度を透明電極層に損傷を与えることのない程度に選んで、前記透明電極層分離溝の上にレーザ光を入射させて半導体層を蒸発させ、この蒸発の際にその半導体層から生ずるガスのガス圧力で裏面電極層を除去し、半導体層と裏面電極層とを切断して前記透明電極層分離溝をすっぽり覆う大きな半導体層及び裏面電極層の分離溝を前記透明電極層分離溝の上に形成して前記貫通する分離溝を完成し、完成した貫通する分離溝によって外周端部と光電変換セル部とを絶縁することにより、透明電極層を構成する物質がレーザビームのエネルギにより蒸発して飛散する際に、貫通する分離溝の内壁に付着して透明電極層と裏面電極層の間を短絡することがないようにした、薄膜太陽電池パネル。」（以下「引用発明１」という。）
　
（２）原査定の拒絶の理由に引用された「本願の出願前に頒布された刊行物である特開２００２−３１４１０４号公報（以下「引用例２」という。）」には、図とともに以下の事項が記載されている。
　ア　「【請求項１】　
光透過性絶縁基板と、
透明導電膜、光電変換層および裏面電極層を有する、前記基板上に設けられた積層構造物と、
前記積層構造物の前記裏面電極層上に設けられたバスバーとを備え、
前記バスバーが、導電性ペーストを介して前記裏面電極層に結合されてい
薄膜太陽電池。
　
　イ　「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜太陽電池およびその製造方法に関し、特に、裏面電極層の厚みを必要最小限にすることができる薄膜太陽電池およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】太陽光エネルギーを有効利用するため、図５に示すような集積型薄膜太陽電池が従来技術として存在する。この薄膜太陽電池では、ガラス等の
光透過性絶縁基板１上に
透明導電膜２が形成され、その上に
光電変換層３が形成され、その上に裏面電極層４
が形成され
透明導電膜２、光電変換層３および裏面電極層４からなる積層体が、直列
に接続されて集積型薄膜太陽電池が構成され
【０００３】この薄膜太陽電池の出力は、
左右両端に分かれた正および負の電極部分から取り出され
右端には、取り出し電極として透明導電膜２が延長された領域が設けられており、当該領域は裏面電極層４と電気的に接続されている
左端には、取り出し電極として、単位セルの透明導電膜２が延長された領域が設けられ
各取り出し電極には、はんだメッキ７が施された銅箔等の金属箔からなる導電体６が、バスバー８として設け
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】図５に示す薄膜太陽電池を製造する際、
取り出し電極を形成する
透明導電膜２を基板１上に形成した後、取り出し電極となる左右両端の領域をマスクで被って、光電変換層３および裏面電極層４を形成する方法
全面に光電変換層３および裏面電極層４を形成し、必要な部分を化学的エッチングで除去する方法
【０００５】通常、薄膜太陽電池は、結晶系の太陽電池と比較して、エネルギー変換効率が劣る。そのため、薄膜太陽電池では、基板一枚あたりの発電面積をなるべく増加させる必要がある。しかし、
上述したマスクで被う方法では、マスクで被って、プラズマＣＶＤ等で光電変換層３を形成すると、マスク近傍で膜厚が薄くなり、その結果、透明導電膜２と裏面電極層４との間が短絡して、その単位セルの電圧が十分得られなくなったり、あるいは、光の吸収量が少なくなり、電流値が他の単位セルの電流値より低くくなり得る。これらのことは、薄膜太陽電池の出力を落とす原因になる
発電に寄与しない非発電領域の面積が増加し、基板一枚あたりの発電面積が減少し、出力が低下
光電変換層３および裏面電極層４を化学的エッチングで部分的に除去する方法では、裏面電極層４のエッチングしたい領域以外の部分に、選択したエッチング液ではエッチングされないレジスト膜等を精度良くマスク等を用いて塗布する工程がさらに必要になる。この工程の増加は、設備等のコストを押し上げ、したがって太陽電池の製造コストを上昇させ得る
【０００６】
上述したような問題を解決するために
取り出し電極として裏面電極層４が使用されている
右端には、取り出し電極として、裏面電極層４が延長された領域が設けられ
左端にも、取り出し電極として裏面電極層４が延長された領域が設け
透明導電膜２と電気的に接続されている
バスバー８は、延長された裏面電極層４に取り付けら
【０００７】図６に示すような太陽電池の構造において、裏面電極層４を構成する金属膜の厚みは２００ｎｍ程度あれば、太陽電池の特性は十分なものになるはずである。しかし、図６に示すような薄膜太陽電池を製造する場合、
裏面電極層４の金属膜とバスバー８との密着性およびそれらの結合の信頼性がはんだ食われによって低下するを防ぐために、裏面電極層４の金属膜をかなり厚くする必要がある。たとえば、５００ｎｍ以上の厚みを有する金属膜を、裏面電極層４のためにスッパタリング等によって全面的に形成する必要がある。
コストアップの一因となる。
【０００８】裏面電極層４を成膜するのに、一般的にスパッタ法が用いられる。厚い金属膜をスパッタ法によって形成する場合、ターゲットの交換頻度はあがり、生産能力にも影響を与える。さらに、厚い裏面電極層４の形成には時間がかかり、
スループットが悪くなるという問題も生じる
【０００９】本発明の
目的は、上記のような問題点を解決し、製造コストが抑えられた、信頼性の高い薄膜太陽電池を提供する
【００１０】本発明のさらなる目的は、発電領域の広い薄膜太陽電池を提供するのに有用な技術を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明者は、図６に示す薄膜太陽電池の
裏面電極層にバスバーを接着させる際、導電性ペーストを使用することにより、裏面電極層をそれほど厚くしなくとも確実な接着を行うことができることを見出し、
　
　ウ　「【００２５】
【実施例】実施例１
図１に示す構造の薄膜太陽電池を作製した。光透過性絶縁基板１として厚さ４．０ｍｍ程度のガラス基板を使用し、ガラス基板上に、透明導電膜２として、熱ＣＶＤ法でＳｎＯ2（酸化錫）を成膜した。
【００２６】次に、ＩＲレーザーを用いて短冊状に分離するように透明導電膜２のパターニングを行った。この後、基板を純水で洗浄し、プラズマＣＶＤ法により、光電変換層３である水素化非晶質シリコン膜を形成した。光電変換層３は、ｐ型アモルファスシリコン、ｉ型アモルファスシリコンおよびｎ型アモルファスシリコンからなり、それらの厚みの合計は１００ｎｍ〜６００ｎｍ程度である。次に、光電変換層３をレーザーによりパターニングした。この際、レーザーによる透明導電膜２へのダメージを避けるため、レーザーには、透明導電膜２の透過性の良いＳＨＧ　ＹＡＧレーザー等を使用する。
【００２７】次に、マグネトロンスパッタ法により、裏面電極層４であるＺｎＯ（酸化亜鉛）／Ａｇ（銀）を成膜した。この時、金属膜である銀の厚みを、１００ｎｍ、１５０ｎｍ、２００ｎｍ、３００ｎｍ、５００ｎｍ、１０００ｎｍとした。その後、裏面電極層４をレーザーを用いてパターニングした。この際、光電変換層３のパターニングと同様に、レーザーによる透明導電膜２へのダメージを避けるため、レーザーには、透明導電膜２の透過性の良いＳＨＧ　ＹＡＧレーザー等を使用する。
【００２８】次に、導電性ペースト５として、銀ペーストを１０μｍの厚みで塗布した。この時、導電性ペースト５として、銀ペーストの代わりに、モリブデンペーストあるいはカーボンペースト等を使用してもよい。導電性ペースト５は、必要な厚さや精度に応じて、スクリーン印刷、オフセット印刷、マスクを用いた機械的塗布あるいは手塗り等によって塗布することができる。
【００２９】次に、バスバー８として、Ｓｎ−Ｐｂ共晶はんだメッキ７を施した銅箔を用いた。バスバー８を、導電性ペースト５を塗布した部分に配置し、パルスヒーターにより、裏面電極層４に接着させた。導電体６として、銅箔を用いたが、銀箔あるいは金箔等でも良い。コストを考慮すると、安価な銅箔が好ましい。
【００３０】図２は、図１に示す構造の薄膜太陽電池を薄膜側（ガラス面の反対側）からみた様子を示している。薄膜太陽電池１０の両サイドに、細長いバスバー８がそれぞれ配置されている。本実施例において、基板１のサイズは、６５０ｍｍ×４５０ｍｍであり、その長辺に沿ってバスバー８が導電性ペーストを介して裏面電極層の表面に接着されている。塗布された導電性ペーストの部分は、バスバー８に沿って、約８ｃｍのピッチで複数形成される。塗布された各導電性ペーストの長さは約１ｃｍである。塗布された導電性ペーストの様子を図３に拡大して示す。塗布された導電性ペースト５が、所定の間隔で、バスバー８に沿って、裏面電極層４上に配置されているのがわかる。配置をわかりやすくするため、導電性ペースト５がバスバー８からはみだすように描いたが、導電性ペースト５はバスバー８からはみだしていなくともよい。導電性ペースト５は、裏面電極層４上において、等間隔に配置された複数の箇所に付与することができる。図３に示すように、ガラスからなる基板１上には、透明導電膜２、光電変換層４および裏面電極層４が順に積層され、集積化されている。バスバー８は、集積方向に平行に配置される。
【００３１】このようにして得られた薄膜太陽電池について、ＡＭ１．５ソーラーシミュレーターを用いて電流−電圧特性を測定し、太陽電池としての性能を評価した。銀の膜厚が５００ｎｍ時のエネルギー変換効率を１（基準）とし、銀の膜厚に対してエネルギー変換効率の相対値をプロットしたものを図４に示す。
【００３２】図４より、銀の膜厚が２００ｎｍ以上であれば、太陽電池のエネルギー変換効率に影響を与えないことがわかる。コスト面およびプロセスの安定性を考慮すると、銀の膜厚を２５０ｎｍから３５０ｎｍ程度にするのが好ましい。」
　
　エ　「【００４４】
【発明の効果】薄膜太陽電池の製造において、
バスバーを裏面電極層に接着する際、導電性ペーストを使用すれば、裏面電極層のはんだ溶食を食い止めることができ、裏面電極層を構成する金属膜の厚みを必要最小限にすることができる。これにより、スループットの短縮およびコストの低減を図ることが可能になる
　
　オ　図５、図６及び図１の記載から、透明導電膜２、光電変換層３および裏面電極層４からなる積層体が直列に接続するように、集積型薄膜太陽電池に設けられている、前記透明導電膜２を分離する第１分離溝と、前記光電変換層３および前記裏面電極層４を分離する第２分離溝と、が見て取れる。
　また、図６及び図１の記載から、前記第１分離溝が形成されていない、裏面電極層４上に取り出し電極が配置された右端の単位セルが見て取れる。
　
　カ　上記アないしオから、引用例２には、次の発明が記載されているものと認められる。
「光透過性絶縁基板上に透明導電膜が形成され、その上に光電変換層が形成され、その上に裏面電極層が形成され、透明導電膜、光電変換層および裏面電極層からなる積層体が、直列に接続するように、前記透明導電膜を分離する第１分離溝と、前記光電変換層および前記裏面電極層を分離する第２分離溝と、が設けられている集積型薄膜太陽電池において、
　左右両端に分かれた正及び負の電極部分から出力を取り出すために、右端の取り出し電極として、裏面電極層と電気的に接続されている透明導電膜が延長された領域を設け、左端の取り出し電極として、単位セルの透明導電膜が延長された領域を設け、各取り出し電極に、はんだメッキが施された銅箔等の金属箔からなる導電体をバスバーとして設けた従来のものでは、
　透明導電膜を光透過性絶縁基板上に形成した後、取り出し電極となる左右両端の領域をマスクで被って、光電変換層および裏面電極層を形成する方法で取り出し電極を形成する第１方法では、マスクで被って、プラズマＣＶＤ等で光電変換層を形成すると、マスク近傍で膜厚が薄くなり、その結果、透明導電膜と裏面電極層との間が短絡して、その単位セルの電圧が十分得られなくなったり、あるいは、光の吸収量が少なくなり、電流値が他の単位セルの電流値より低くくなり得るので、薄膜太陽電池の出力を落とす原因になり、また、発電に寄与しない非発電領域の面積が増加し、基板一枚あたりの発電面積が減少し、出力が低下し、
　全面に光電変換層および裏面電極層を形成し、必要な部分を化学的エッチングで除去する第２方法では、裏面電極層のエッチングしたい領域以外の部分に、選択したエッチング液ではエッチングされないレジスト膜等を精度良くマスク等を用いて塗布する工程がさらに必要になり、設備等のコストを押し上げ、したがって太陽電池の製造コストを上昇させるので、
　このような問題を解決するために、取り出し電極として裏面電極層を使用し、右端の取り出し電極として、裏面電極層を延長した領域を設け、左端の取り出し電極として裏面電極層を延長した、透明導電膜と電気的に接続されている領域を設け、前記バスバーを延長した裏面電極層に取り付けたものでは、裏面電極層の金属膜とバスバーとの密着性及びそれらの結合の信頼性がはんだ食われによって低下するを防ぐために、かなり厚い、たとえば、５００ｎｍ以上の厚みを有する金属膜を、裏面電極層のためにスッパタリング等によって全面的に形成する必要があり、コストアップの一因となり、スループットが悪くなるという問題も生じるので、
　このような問題点を解決し、製造コストが抑えられた、信頼性の高い薄膜太陽電池を提供することを目的とし、裏面電極層にバスバーを接着させる際、導電性ペーストを使用し、前記バスバーを導電性ペーストを介して前記裏面電極層に結合することにより、裏面電極層のはんだ溶食を食い止めることができ、裏面電極層を構成する金属膜の厚みをそれほど厚くしなくとも確実な接着を行うことができるようにすることができ、これにより、スループットの短縮およびコストの低減を図った薄膜太陽電池であって、
　前記裏面電極層上に取り出し電極が配置された単位セルとして、前記第１分離溝が形成されていない単位セルを備えている薄膜太陽電池。」（以下「引用発明２」という。）
　
４　対比
　本願発明と引用発明１を対比する。
（１）引用発明１において、電気的に直列接続された構造の複数の光電変換セル部に分離するセル分離溝は、透明電極層をセル毎に分離する透明電極層のセル分離溝と、半導体層及び裏面電極層をセル毎に分離する裏面電極層側のセル分離溝とからなることが当業者に自明であるから、引用発明１の「透明絶縁基板」、「透明電極層」、「半導体層」、「裏面電極層」、「光電変換セル部」、「透明電極層をセル毎に分離する透明電極層のセル分離溝」、「半導体層及び裏面電極層をセル毎に分離する裏面電極層側のセル分離溝」及び「薄膜太陽電池パネル」は、それぞれ、本願発明の「透明絶縁基板」、「透明電極層」、「半導体光電変換層」、「裏面電極層」、「セル」、「前記透明電極層を分離する第１分離溝」、「前記半導体光電変換層および前記裏面電極層を分離する第２分離溝」及び「薄膜太陽電池」に相当する。
　
（２）引用発明１の「透明電極層」、「半導体光電変換層（半導体層）」及び「裏面電極層」は、「透明絶縁基板」の上に順に形成されたものであるから、本願発明の「透明電極層」、「半導体光電変換層」及び「裏面電極層」と、「透明絶縁基板上に順次積層された」点で一致する。
　
（３）引用発明１において、電気的に直列接続された構造の複数の「セル（光電変換セル部）」に分離するセル分離溝は、「前記透明電極層を分離する第１分離溝（透明電極層をセル毎に分離する透明電極層のセル分離溝）」と、「前記半導体光電変換層および前記裏面電極層を分離する第２分離溝（半導体層及び裏面電極層をセル毎に分離する裏面電極層側のセル分離溝）」とからなるから、引用発明１の「薄膜太陽電池（薄膜太陽電池パネル）」と本願発明の「薄膜太陽電池」とは、「複数のセルを直列接続するように、前記透明電極層を分離する第１分離溝と、前記半導体光電変換層および前記裏面電極層を分離する第２分離溝と、が設けられ」ている点で一致する。
　
（４）引用発明１において、電流取り出し用の電極が配置されること、及び、電流取り出し用の電極が配置される「セル（光電変換セル部）」は、「薄膜太陽電池（薄膜太陽電池パネル）」の電気的に直列接続された複数の「セル」のうちの両端の「セル」であることが当業者に自明であり、引用発明１において、両端の「セル」は、貫通する分離溝によって外周端部と絶縁されているから、電流取り出し用の電極が配置される「セル」の外周端部に隣接する３辺は貫通する分離溝に面していることになる。
　そして、引用発明１において、貫通する分離溝は、「半導体光電変換層（半導体層）」と「裏面電極層」とを切断して透明電極層分離溝をすっぽり覆う大きな半導体層及び裏面電極層の分離溝を前記透明電極層分離溝の上に形成して完成したものであるから、電流取り出し用の電極が配置される「セル」の外周端部に隣接する３辺の「透明電極層」は、「半導体光電変換層」及び「裏面電極層」よりも「前記半導体光電変換層および前記裏面電極層を分離する第２分離溝（半導体層及び裏面電極層をセル毎に分離する裏面電極層側のセル分離溝）」の長手方向に直交する方向に突出しているといえる。
　したがって、引用発明１の「薄膜太陽電池」と本願発明の「薄膜太陽電池」とは、「電流取り出し用の電極が配置されたセルとして、前記透明電極層が前記半導体光電変換層および前記裏面電極層よりも前記第２分離溝の長手方向に直交する方向に突出して」いる点で一致する。
　
（５）上記（１）ないし（４）から、本願発明と引用発明１とは、
「透明絶縁基板と、前記透明絶縁基板上に順次積層された、透明電極層と、半導体光電変換層と、裏面電極層と、を含み、
　複数のセルを直列接続するように、前記透明電極層を分離する第１分離溝と、前記半導体光電変換層および前記裏面電極層を分離する第２分離溝と、が設けられ、
　電流取り出し用の電極が配置されたセルとして、前記透明電極層が前記半導体光電変換層および前記裏面電極層よりも前記第２分離溝の長手方向に直交する方向に突出している、薄膜太陽電池。」である点で一致し、次の点で相違する。
　
相違点１：
　前記電流取り出し用の電極のセルへの配置箇所が、本願発明では、前記裏面電極層上であるのに対して、引用発明１では、前記裏面電極層上であるかどうか不明である点。
　
相違点２：
　前記電流取り出し用の電極が配置されたセルとして、
　本願発明では、前記透明電極層と前記裏面電極層との絶縁性確保のための前記第１分離溝が形成されていないセルを備えているのに対して、
　引用発明１では、前記第１分離溝が形成されていないセルを備えているかどうか不明である点。
　
５　判断
　上記相違点１ないし２について検討する。
（１）上記３（２）に記載したとおり、引用例２には引用発明２（上記３（２）カ参照。）が記載されている。
　引用発明２は、「光透過性絶縁基板上に透明導電膜が形成され、その上に光電変換層が形成され、その上に裏面電極層が形成され、透明導電膜、光電変換層および裏面電極層からなる積層体が、直列に接続するように、前記透明導電膜を分離する第１分離溝と、前記光電変換層および前記裏面電極層を分離する第２分離溝と、が設けられている集積型薄膜太陽電池において、左右両端に分かれた正及び負の電極部分から出力を取り出すために、右端の取り出し電極として、裏面電極層と電気的に接続されている透明導電膜が延長された領域を設け、左端の取り出し電極として、単位セルの透明導電膜が延長された領域を設け、各取り出し電極に、はんだメッキが施された銅箔等の金属箔からなる導電体をバスバーとして設けた従来のものの問題を解決するために、取り出し電極として裏面電極層を使用し、且つ、製造コストが抑えられた、信頼性の高い薄膜太陽電池を提供することを目的とし、裏面電極層にバスバーを接着させる際、導電性ペーストを使用し、前記バスバーを導電性ペーストを介して前記裏面電極層に結合することにより、裏面電極層のはんだ溶食を食い止めることができ、裏面電極層を構成する金属膜の厚みをそれほど厚くしなくとも確実な接着を行うことができるようにすることができ、これにより、スループットの短縮およびコストの低減を図った薄膜太陽電池であって、前記裏面電極層上に取り出し電極が配置された単位セルとして、前記第１分離溝が形成されていない単位セルを備えている薄膜太陽電池。」であるといえる。
　
（２）引用発明１では、電流取り出し用の電極の「セル（光電変換セル部）」への配置箇所や複数の「セル」における「第１分離溝（透明電極層をセル毎に分離する透明電極層のセル分離溝）」の形成箇所などは不明であるところ、引用発明２のようにすれば、引用発明２の従来のものの問題を解決し、且つ、製造コストが抑えられた、信頼性の高い薄膜太陽電池を提供することができるのであるから、引用発明１において、引用発明２と同様の目的で、バスバーを導電性ペーストを介して前記裏面電極層に結合し、前記裏面電極層上に取り出し電極を配置し、前記裏面電極層上に取り出し電極が配置された「セル」として、前記「第１分離溝」が形成されていない「セル」を備えるようにすることは、当業者が引用発明２に基づいて容易になし得た程度のことである。
　そして、仮に、引用例２の図６及び図１の裏面電極層４上に取り出し電極が配置された右端の単位セルに第１分離溝が形成されているとすると、その単位セルにおいて、該第１分離溝により分離された内側の透明電極膜２と裏面電極層４との間には、外側の透明電極膜２と裏面電極層４が端面で短絡しても該第１分離溝により絶縁性が確保されることになるから、この単位セルに第１分離溝があったとすると、該第１分離溝は前記透明電極膜２と前記裏面電極層４との絶縁性確保のためのものといえる。
　したがって、引用発明１において、バスバーを導電性ペーストを介して前記裏面電極層に結合し、前記裏面電極層上に取り出し電極を配置し、前記裏面電極層上に取り出し電極が配置された「セル」として、前記「第１分離溝」が形成されていない「セル」を備えるようにすることは、引用発明１において、上記相違点１及び２に係る本願発明の構成となすことに相当する。
　したがって、引用発明１において、上記相違点１及び２に係る本願発明の構成となすことは、当業者が引用発明２に基づいて容易になし得た程度のことである。
　
（３）効果について
　本願発明の奏する効果は、引用発明１の奏する効果及び引用発明２の奏する効果から当業者が予測することができた程度のものである。
　
（４）まとめ
　したがって、本願発明は、当業者が引用例１に記載された発明及び引用例２に記載された発明に基づいて容易に発明をすることができたものである。
　
６　むすび
　本願発明は、以上のとおり、当業者が引用例１に記載された発明及び引用例２に記載された発明に基づいて容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。