【事件の表示】
　特願２００６−５４１２５７「レーザによりポリシリコン薄膜をアニールする光学系」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年　６月１６日国際公開，ＷＯ２００５／０５４９４９，平成１９年　５月１７日国内公表，特表２００７−５１２７０８〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　
　本願は，２００４年１１月１２日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００３年１１月２６日，２００４年２月１８日，２００４年７月１日，アメリカ合衆国）を国際出願日とする出願であって，平成２３年９月６日に手続補正がされ，同年１２月２８日付けで拒絶査定がされ，それに対して平成２４年５月１５日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに，同日付けで手続補正がされ，その後同年８月２２日付けで審尋がされ，それに対する回答はなされなかったものである。
　
第２ 補正の却下の決定
　
［補正の却下の決定の結論］
　平成２４年５月１５日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
１ 本件補正の内容
　平成２４年５月１５日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）は，補正前の特許請求の範囲の請求項１〜９を，補正後の特許請求の範囲の請求項１〜９と補正するものであって，補正前後の特許請求の範囲の請求項１は，以下のとおりである。　
　（補正前）
　「被加工物の薄膜における配向又は結晶成長の変換を実行するガス放電レーザ結晶化装置であって：
　パルス間ドーズ制御を用いて高パワー及び高繰り返しレートにおいてレーザ出力光パルスビームを生成するＸｅＦレーザシステムを構成するＭＯＰＡ又はＰＯＰＡ；及び
　前記レーザ出力光パルスビームから伸長された細いパルス化作用ビームを生成する光学系であって，前記細いパルス化作用ビームは短軸線幅を有し，前記光学系は，複数のシリンドリカルレンズの第１列，複数のシリンドリカルレンズの第２列及びフォーカシング光学系を有する短軸ホモジナイザを有する，光学系；
　を有するガス放電レーザ結晶化装置。」
　
　（補正後）
　「被加工物の薄膜における配向又は結晶成長の変換を実行するガス放電レーザ結晶化装置であって：
　パルス間ドーズ制御を用いて高パワー及び高繰り返しレートにおいてレーザ出力光パルスビームを生成するＸｅＦレーザシステムを構成するＭＯＰＡ又はＰＯＰＡ；及び
　　前記レーザ出力光パルスビームから伸長された細いパルス化作用ビームを生成する光学系であって，前記細いパルス化作用ビームは短軸線幅を有し，前記光学系は，複数のシリンドリカルレンズの第１列，複数のシリンドリカルレンズの第２列及びフォーカシング光学系を有する短軸ホモジナイザを有する，光学系；
　を有するガス放電レーザ結晶化装置であり，
　短軸視野光学系の出力に位置付けられた低パワーの交差シリンドリカルレンズの対を用いて，ラインボウ効果の不所望な影響を低減する；
　ガス放電レーザ結晶化装置。」
　　
２ 補正事項の整理
　本件補正のうち，特許請求の範囲についての補正事項を整理すると，以下のとおりである。
　
（補正事項１）
　補正前の請求項１の「ガス放電レーザ結晶化装置。」を，補正後の請求項１の「ガス放電レーザ結晶化装置であり，　短軸視野光学系の出力に位置付けられた低パワーの交差シリンドリカルレンズの対を用いて，ラインボウ効果の不所望な影響を低減する；　ガス放電レーザ結晶化装置。」と補正すること。
　
３ 新規事項の追加の有無及び補正の目的の適否について
（１）新規事項の追加の有無について　
　ア　補正事項１は，補正後の請求項１の「短軸視野光学系の出力に位置付けられた低パワーの交差シリンドリカルレンズの対を用いて，ラインボウ効果の不所望な影響を低減する」ことは，本願の願書に最初に添付した明細書（平成１８年５月２５日付け特許法第１８４条の５第１項の規定による国内書面（以下「国内書面」という）。以下，願書に最初に添付した明細書，願書に最初に添付した図面を，各々「当初明細書」，「当初図面」といい，願書に最初に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面を「当初明細書等」という。）の段落【００４２】に「短軸視野光学系の出力に位置付けられた弱い（低パワーの）交差シリンドリカルレンズの対を用いて，長軸の中心からの距離に従って差動回折する合成“ポテトチップ”レンズを用いることによりラインボウ効果の不所望な影響を低減することを提案している。」と記載されているから，本件補正は当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものである。
　
　イ　したがって，本件補正は，当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものであるから，特許法第１７条の２第３項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項をいう。以下同じ。）に規定する要件を満たすものである。　
　
（２）補正の目的の適否について
　ア　補正事項１についての補正は，「低パワーの交差シリンドリカルレンズ」を既存の「短軸視野光学系の出力に」設けるという，発明を特定するために必要な事項を新たに付加するものである。そして，当該発明を特定するために必要な事項の付加は，特許法第１７条の２第４項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項をいう。以下同じ。）第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当しない。また，当該発明を特定するために必要な事項の付加が，特許法第１７条の２第４項のその余のいずれの号に掲げる事項を目的とするものにも該当しないことは明らかである。
　
　イ　したがって，本件補正は，特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たさないものである。
　
（３）小括
　以上検討したとおりであるから，本件補正は特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たさないものである。
　
４ 独立特許要件について
（１）検討の前提
　上記３（２）において検討したとおり，本件補正は特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たしていないが，仮に，本件補正がこれらの要件を満たすものであり，かつ，本件補正のうちの請求項１についての補正が特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものであるとみなした場合において，補正後の特許請求の範囲に記載されている事項により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否か，すなわち，本件補正がいわゆる独立特許要件を満たすものであるか否かにつき，予備的に検討する。
　
（２）補正発明
　本件補正による補正後の請求項１〜９に係る発明は，本件補正により補正された明細書，特許請求の範囲及び図面の記載からみて，その特許請求の範囲の請求項１〜９に記載されている事項により特定されるとおりのものであり，そのうちの請求項１に係る発明（以下「補正発明」という。）は，請求項１に記載されている事項により特定されるものであり，再掲すると以下のとおりのものである。　
「被加工物の薄膜における配向又は結晶成長の変換を実行するガス放電レーザ結晶化装置であって：
　パルス間ドーズ制御を用いて高パワー及び高繰り返しレートにおいてレーザ出力光パルスビームを生成するＸｅＦレーザシステムを構成するＭＯＰＡ又はＰＯＰＡ；及び
　　前記レーザ出力光パルスビームから伸長された細いパルス化作用ビームを生成する光学系であって，前記細いパルス化作用ビームは短軸線幅を有し，前記光学系は，複数のシリンドリカルレンズの第１列，複数のシリンドリカルレンズの第２列及びフォーカシング光学系を有する短軸ホモジナイザを有する，光学系；
　を有するガス放電レーザ結晶化装置であり，
　短軸視野光学系の出力に位置付けられた低パワーの交差シリンドリカルレンズの対を用いて，ラインボウ効果の不所望な影響を低減する；
　ガス放電レーザ結晶化装置。」
　
（３）引用例１〜２の記載及び引用発明
　ア　引用例１の記載
本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布され，原査定の根拠となった拒絶の理由において引用された特開平６−１２４９１３号公報（以下「引用例１」という。）には，「レーザ処理方法」（発明の名称）に関して，図１，５とともに以下の記載がある（なお，下線は当合議体にて付加したものである。）。
　
（ア）「【請求項１】  絶縁基板上に，形成されたIV族元素を主成分とし，高エネルギーの不純物イオンを照射された被膜に波長４００ｎｍ以下，
パルス幅５０ｎｓｅｃ以下のパルス状レーザー光を照射することによって半導体を活性化せしめるレーザーアニール方法
【請求項２】  請求項１において，使用されるレーザー光は，ＫｒＦ，ＡｒＦ，ＸｅＣｌもしくは
ＸｅＦ
エキシマーレーザーである
 
（イ）「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は，信頼性および量産性に優れ，ばらつきが小さく，歩留りの高いレーザーアニール方法に関する。特に，本発明は，イオン照射，イオン注入，イオンドーピング等によってダメージを受け，
結晶性が著しく損なわれた被膜のレーザーアニール方法
【０００２】
【従来の技術】近年，半導体素子プロセスの低温化に関して盛んに研究が進められている。その理由の１つは，
ガラス等の絶縁基板上に半導体素子を形成する
 
（ウ）「【００１０】
【実施例】本実施例では，IV族元素からなる膜（半導体膜）中に不純物を導入してＮ型とＰ型の一方を付与し，さらにマスクを用いて前記膜の一部に不純物を導入してその部分にＮ型とＰ型の他方を付与する
。図１には本実施例で使用したレーザーアニール装置の概念図を示す。レーザー光は発振器２で発振され，全反射ミラー５，６を経由して増幅器３で増幅され，さらに全反射ミラー７，８を経由して光学系４に導入される。それまでのレーザー光のビームは３×２ｃｍ
2
 程度の長方形であるが，この光学系４によって長さ１０〜３０ｃｍ，幅０．１〜１ｃｍ程度の細長いビームに加工される。
【００１１】
光学系４の内部の光路は５のように示される
光学系４に入射したレーザー光は，シリンドリカル凹レンズＡ，シリンドリカル凸レンズＢ，横方向のフライアイレンズＣ，縦方向のフライアイレンズＤを通過する。これらフライアイレンズＣ，Ｄを通過することによってレーザー光はそれまでのガウス分布型から矩形分布に変化する
【００１２】本実施例では，図５の距離Ｘ1 ，Ｘ2 を固定し，仮想焦点Ｉ（これはフライアイレンズの曲面の違いによって生ずるようになっている）とミラーＧとの距離Ｘ3 ，と距離Ｘ4 ，Ｘ5 とを調節して，倍率Ｍ，焦点距離Ｆを調整した。すなわち，これらの間には，
Ｍ＝（Ｘ3 ＋Ｘ4 ）／Ｘ5 ，
１／Ｆ＝１／（Ｘ3 ＋Ｘ4 ）＋１／Ｘ5 ，
という関係がある。なお，本実施例では光路全長Ｘ6 は約１．３ｍであった。」
　
イ　引用発明の認定　
　以上を総合すると，引用例１には，以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
　「 結晶性が著しく損なわれた被膜をレーザーアニールするレーザーアニール装置であって，
　パルス状レーザー光は発振器２で発振され，全反射ミラー５，６を経由して増幅器３で増幅されるＸｅＦエキシマレーザであり，
　光学系４によって細長いビームに加工され，
　光学系４の内部には，シリンドリカル凹レンズＡ，シリンドリカル凸レンズＢ，横方向のフライアイレンズＣ，縦方向のフライアイレンズＤを有する，
　レーザーアニール装置」
　
　ウ　引用例２の記載
　本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布され，原査定の根拠となった拒絶の理由において引用された特開２００２−３５３５４５号公報（以下「引用例２」という。）には，「注入同期式又はＭＯＰＡ方式のレーザ装置」（発明の名称）に関して，図１とともに以下の記載がある。
　
（ア）「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，注入同期式又は
ＭＯＰＡ方式のレーザ装置
ＭＯＰＡ方式のレーザ装置において，オシレータと増幅器とを同期させるための技術
　
（イ）「【０００３】又，
エキシマレーザ装置をリソグラフィ用光源として用いる
【０００４】図１８に，従来技術に係る，放電励起式フッ素分子レーザ装置をオシレータとして用いた注入同期式フッ素分子レーザ装置の構成を示す。図１８において，オシレータ１１Ａは，フッ素及びネオン（Ｎｅ）を含むレーザガスを封入するオシレータチャンバ１２Ａを備えている。オシレータチャンバ１２Ａの所定位置には，一対のオシレータ電極１４Ａ，１５Ａが対向して配置されている。オシレータ１１Ａは，オシレータ電圧ＶＡを出力するオシレータ充電器４２Ａを備えている。また，このオシレータ電圧ＶＡをパルス圧縮してオシレータ電極１４Ａ，１５Ａ間に転送し，パルス放電を起こすオシレータ放電回路４３Ａを備えている。また，増幅器１１Ｂは，内部に一対の増幅電極１４Ｂ，１５Ｂを対向して配置し，レーザガスを封入した増幅チャンバ１２Ｂを備えている。さらに，増幅電圧ＶＢを出力する増幅充電器４２Ｂと，この増幅電圧ＶＢをパルス圧縮して増幅電極１４Ｂ，１５Ｂ間に転送し，パルス放電を起こす増幅放電回路４３Ｂとを備えている。オシレータ電圧ＶＡ及び増幅電圧ＶＢを総称して，充電電圧ＶＡ，ＶＢと言う。
【０００５】
ステッパ等の露光機２５から，レーザコントローラにトリガ信号Ｇが出力されると，オシレータ電極１４Ａ，１５Ａ間に放電が起きてレーザガスが励起され，パルス状のシードレーザ光２１Ａが発生する
　
（ウ）「【００２２】狭帯域化ユニット３０内で狭帯域化されたシードレーザ光２１Ａは，中心波長λｃを有するシードレーザ光２１Ａとして，前方（図１中紙面の右方）へ出射する。
シードレーザ光２１Ａの一部は，ビームスプリッタ２２Ａで取り出され，レーザモニタ３４Ａに入射する。レーザモニタ３４Ａは，シードレーザ光２１Ａの出力
をモニタリングして，レーザコントローラ２９に出力している。
また，レーザコントローラ２９は，モニタリングしたパルス出力に基づき，オシレータ充電器４２Ａに指令信号を出力してオシレータ電圧ＶＡを変化させ，シードレーザ光２１Ａのパルス出力が所望の出力となるように制御している。これを，エネルギー一定制御と言う。エネルギー一定制御は，増幅器に対しても同様に，出射レーザ光２１Ｂのパルス出力が所望の出力となるように行なっている
【００２３】
オシレータ１１Ａを出射したシードレーザ光２１Ａは，増幅器１１Ｂに入射する。
増幅器１１Ｂに入射する。増幅充電器４２Ｂは，増幅放電回路４３Ｂに増幅電圧ＶＢを印加する。増幅電圧ＶＢは，補正回路３１及び遅延回路４４によって補正されたトリガ信号Ｇ３に基づき，増幅放電回路４３Ｂでパルス圧縮されて，増幅電極１４Ｂ，１５Ｂ間にパルス状に印加される。これにより，シードレーザ光２１Ａと同期して増幅放電が起き，シードレーザ光２１Ａは，有孔凹面鏡３６と凸面鏡３７との間で反射される間に増幅される。その結果，シードレーザ光２１Ａは，波長特性を保ったままパルス出力を増幅され，出射レーザ光２１Ｂとして，凸面鏡３７の周囲から出射する
　
（４）対比
　以下に，補正発明と引用発明とを対比する。
　ア　まず，「ＸｅＦ」等の「エキシマレーザ」は，ＸｅＦ等のガスの放電によりパルスのレーザ発振するものであることは，当該技術分野において周知である。
　そして，薄膜に対してレーザーアニールすることにより，結晶成長が図られることも当業者にとって明らかであるから，引用発明の「ＸｅＦエキシマレーザ」を用いて「結晶性が著しく損なわれた被膜をレーザーアニールするレーザーアニール装置」は，補正発明の「被加工物の薄膜における配向又は結晶成長の変換を実行するガス放電レーザ結晶化装置」に相当する。
　
　イ　引用発明の「パルス状レーザー光は発振器２で発振され」「増幅器３で増幅されるＸｅＦエキシマレーザ」は，補正発明の「レーザ出力光パルスビームを生成するＸｅＦレーザシステムを構成するＭＯＰＡ又はＰＯＰＡ」と，レーザ発振器とそのレーザ光を増幅する増幅器を有するレーザ出力光パルスビームを生成するＸｅＦレーザシステムという点で共通する。
　
　ウ　引用発明は「パルス状レーザー光」が「光学系４によって細長いビームに加工され」ていることから，引用発明の「光学系４」は，補正発明の「前記レーザ出力光パルスビームから伸長された細いパルス化作用ビームを生成する光学系」に相当する。
　
　エ　引用発明の「光学系４の内部には，シリンドリカル凹レンズＡ，シリンドリカル凸レンズＢ，横方向のフライアイレンズＣ，縦方向のフライアイレンズＤを有」しており，図５の側面図を参照すると，「横方向のフライアイレンズＣ」が短軸方向に複数のシリンドリカルレンズを並べたものであることが分かる。また，「フライアイレンズ」が複数の光源の像を造り光源の均一化を図る機能を有していることは周知の事項であり，光源の均一化を図る「ホモジナイザ」と同じ機能を有しているものである。
　そうすると，引用発明の「横方向のフライアイレンズＣ」は，補正発明の「短軸ホモジナイザ」の「複数のシリンドリカルレンズの第１列」に相当する。
　
（一致点）
　「被加工物の薄膜における配向又は結晶成長の変換を実行するガス放電レーザ結晶化装置であって：
　レーザ発振器とそれを増幅する増幅器を有する，レーザ出力光パルスビームを生成するＸｅＦレーザシステム；及び
　前記レーザ出力光パルスビームから伸長された細いパルス化作用ビームを生成する光学系であって，前記光学系は，複数のシリンドリカルレンズの第１列を有する短軸ホモジナイザを有する，光学系；
　を有するガス放電レーザ結晶化装置。」
　である点で一致し，以下の点で相違する。
　
（相違点１）
　補正発明は，「パルス間ドーズ制御を用いて高パワー及び高繰り返しレートにおいてレーザ出力光パルスビームを生成するＸｅＦレーザシステムを構成するＭＯＰＡ又はＰＯＰＡ」であるのに対し，引用発明は，この点が特定されていない点。
　
（相違点２） 
　補正発明は，光学系の「短軸ホモジナイザ」が「複数のシリンドリカルレンズの第１列，複数のシリンドリカルレンズの第２列及びフォーカシング光学系を有」しているのに対して，引用発明は，「複数のシリンドリカルレンズの第１列」は有しているものの，それ以外の構成について特定されていない点。
　
（相違点３） 
　補正発明は，「短軸視野光学系の出力に位置付けられた低パワーの交差シリンドリカルレンズの対を用いて，ラインボウ効果の不所望な影響を低減する」構成を備えているのに対し，引用発明は，そのような構成を備えていない点。
　
（５）判断 
　ア　相違点１について
（ア）　引用例２には，オシレータと増幅器の光パルスの出力をモニターして出力制御を行っているＭＯＰＡ方式のエキシマレーザ装置が記載されている。また，そのパワー（出力），光パルスの繰り返しレートは，アニールに必要とされるパワーから当業者が適宜設定しうるものといえる。
（イ）　引用発明も，引用例２に記載の発明もどちらも半導体製造装置におけるエキシマレーザという分野が関連し，レーザ発振器とその光パルスを増幅器で増幅する機能も共通するから，引用発明におけるレーザシステムにおいて，引用例２に記載の光パルスの出力制御を行っているＭＯＰＡ方式のエキシマレーザ装置を適用し，そのパワー，繰り返しレートを必要とされる高パワー，高繰り返しレートとすることは当業者ならば容易になし得たことである。
　
　イ　相違点２について
（ア）　一般に，「複数のシリンドリカルレンズの第１列，複数のシリンドリカルレンズの第２列及びフォーカシング光学系を有」した「短軸ホモジナイザ」は，例えば，以下の周知例１に「半導体製造工程におけるアニール工程で用いられるレーザ装置の光学系において，所定の間隔で離間して配置された一対の短軸用シリンドリカルレンズアレイ１０，第１の短軸用結像レンズ１２を有し，短軸方向の光強度分布がほぼ均一化する短軸用ホモジナイザ１１」等と記載されているように周知の技術である。
　
（イ）　したがって，引用発明において，光強度分布を均一化する短軸ホモジナイザとして，複数のシリンドリカルレンズの第１列，複数のシリンドリカルレンズの第２列及びフォーカシング光学系を設けることは，当業者が容易になし得たことである。
　
（ウ）　周知例１の記載
　本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された特開平１１−２８３９３３号公報（以下「周知例１」という。）には，「レーザ照射装置，非単結晶半導体膜の製造方法及び液晶表示装置の製造方法」（発明の名称）に関して，図１とともに以下の記載がある。
　
　ａ「【００３５】テレスコープ６から出射した
レーザ光Ｌは長軸用ホモジナイザ７で長軸方向の光強度分布がほぼ均一化されたのち，この長軸用ホモジナイザ７を構成する長軸用結像レンズ８で長軸方向が結像されるようになっている。長軸用ホモジナイザ７は一対の長軸用シリンドリカルレンズアレイ９を所定の間隔で離間させて配置してなる
【００３６】長軸用結像レンズ８から出射したレーザ光Ｌは，
一対の短軸用シリンドリカルレンズアレイ１０が所定の間隔で離間して配置された短軸用ホモジナイザ１１で短軸方向の光強度分布がほぼ均一化されてから，この短軸用ホモジナイザ１１を構成する第１の短軸用結像レンズ１２で短軸方向が結像されて短軸用フィールドレンズ１３に入射する
【００３７】つまり，レーザ発振器１から出力されたレーザ光Ｌは，
長軸用ホモジナイザ７と短軸用ホモジナイザ１１との長軸用結像レンズ８およびで第１の短軸用結像レンズ１２で図３（ａ）に示すようにビーム形状が長部と短部をもつ矩形状に成形されるとともに，光強度分布は同図（ｂ）に示すようにビーム形状における長手方向の両端部を除く部分がエネルギーＡで示す光強度へとほぼ均一化
【００３８】短軸用結像フィールドレンズ１３から出射するレーザ光Ｌは第３の反射ミラー１４で反射して第２の短軸用結像レンズ１５で結像されながら成形手段を構成する第１のスリット１６で所定形状，この実施の形態では上述した細長い矩形状のビーム形状の一部として長手方向の両端部分が除去されてアニールなどを行う処理室１７に入射する。具体的には，図３（ｂ）にＥで示す光強度分布がなだらかに減少する両端部分，つまり光強度分布が均一化されたエネルギーＡの部分をわずかに含む両端部のＥの部分（エッジ部）が第１のスリット１６によって除去されて処理室１７に入射する。このＥの部分は，被処理物（ガラス基板）１９への照射には用いられない。すなわちアニール処理には用いられない。」
　
　ウ　相違点３について
（ア）　半導体製造工程におけるアニール工程で用いられるレーザ装置の光学系において，短軸視野光学系の出力側に交差シリンドリカルレンズの対を設けることにより結像が向上させることは，例えば以下の周知例２に記載されているように周知の技術である。
　
（イ）　そして，結像が向上することは，ラインボウ効果の不所望な影響等が低減されるということは当業者にとって明らかである。
　
（ウ）　また，品質の良い半導体装置を製造するために，レーザ照射系のアニール装置のおいて，光学系の結像を良くしようとすることは，当業者にとって周知の課題である。
　
（エ）　以上から，引用発明において，周知の結像を向上させるという周知の課題を解決するために，上記周知の技術を勘案し，交差シリンドリカルレンズを設けることは，当業者が容易になし得たことである。
　
（オ）　また，そのレンズの曲率，すなわちパワーについては当業者が適宜設定し得たものである。
　
（カ）　周知例２の記載
　本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された特開２００１−７５０４３号公報（以下「周知例２」という。）には，「精密可変型長尺ビーム光学系」（発明の名称）に関して，図１とともに以下の記載がある。
　
　ａ　「【０００２】
【従来の技術】
ビームホモジナイザーは，アモルファスシリコンのレーザアニーリングに代表される用途に用いられる
　
　ｂ　「【００１３】
【発明の実施の形態】〔第１実施形態〕
図１は，本発明に係る第１実施形態のビーム整形光学系の構造を説明する図である。図１（ａ）は，線条ビームの長軸方向（すなわち長尺方向）に関する図であり，図１（ｂ）は，線条ビームの短軸方向（すなわち幅方向）に関する図である
　
　ｃ　「【００１７】長軸側コンデンサレンズ系３０は，長軸方向の断面に曲率を有し光源側に凸のシリンドリカルレンズからなる第１群レンズ３１と，
長軸方向の断面に曲率を有し像側に凸のシリンドリカルレンズからなる第２群レンズ３２とから構成される
【００１８】短軸側コンデンサレンズ系４０は，短軸方向の断面に曲率を有し光源側に凸のシリンドリカルレンズからなる。この短軸側コンデンサレンズ系４０は，短軸側シリンダアレイ群２０によって形成された複数の２次光源を短軸マスク６０上で重ね合わせる働きを有する。
【００１９】イメージングレンズ５０は
，短軸方向の断面に曲率を有するシリンドリカルレンズからなる。このイメージングレンズ５０は，短軸側コンデンサレンズ系４０によって短軸マスク６０上に重ね合わされた光源像を被照射面ＩＳ上に縮小投影する働きを有する
　
　ｄ　「【００２１】以下，図１のビームホモジナイザによる結像について説明する。この線条ビームホモジナイザに入射した光ビームは，まず長軸側シリンダアレイ群１０により長軸断面で分割される。分割された光ビームは，第１群レンズ３１に入射し，その後に配置されている第２群レンズ３２とセットで被照射面ＩＳ上に重ね合わせられ，ここに均一ビームを形成する。第１群レンズ３１を通った光ビームは，短軸側シリンダアレイ群２０に入射し，短軸断面で分割される。短軸側シリンダアレイ群２０を経た光ビームは，短軸コンデンサレンズ系４０に入射し，短軸マスク６０のマスク面上で短軸断面に関してのみ均一ビームを形成する。すなわちマスク面が短軸断面における２次光源の重ね合わせ面となり，ここに均一ビームが形成される。なお，このマスク面は，長軸断面における重ね合わせ面となっていないため，長軸方向については均一ビームが形成されていない。短軸マスク６０は，均一である範囲のみ透過し，裾野部分の均一ではない部分を遮光して短軸マスク６０の像側にビームが届くのを防止する。短軸マスク６０を通った光ビームは，第２群レンズ３２に入射し，長軸断面の主光線が光軸に対し平行となって出射する。第２群レンズ３２から出射した光ビームは，その後イメージングレンズ５０を通過して被照射面ＩＳ上で均一ビームを形成する。この際，長軸断面で２次光源が完全に重ね合わされるだけでなく，短軸断面でも，イメージングレンズ５０によって短軸マスク６０の縮小投影像が形成される。ここで，イメージングレンズ５０はシリンドリカルレンズであり，このシリンドリカルレンズを通過する光ビームの長軸断面はテレセントリックとなっている。
よって，既に説明したように，イメージングレンズ５０を通過する主光線を光軸ＯＡに平行にすることができ，長軸方向に沿った短軸断面の結像について像面湾曲が発生しない
【００２２】
図２は，参考のための図であり，図１のビームホモジナイザから第２群レンズ３２を除いた場合に発生する像面湾曲を説明する図である
【００２３】しかしながら，
上記実施形態のビームホモジナイザでは，長軸断面で像側テレセントリックとなっており，イメージングレンズ５０を通過する主光線が光軸ＯＡに平行となっているので，短軸断面の結像については像面湾曲が発生しない
　
　ｅ　図１を参照すると，長軸方向の断面に曲率を有し凸のシリンドリカルレンズ３２と短軸方向の断面に曲率を有するシリンドリカルレンズであるイメージングレンズ５０が被照射面ＩＳに最も近いところに形成されていることが見てとれる。また，それぞれのシリンドリカルレンズの曲率を有する断面が交差していることも分かる。
　
　ｆ　図２を参照すると，シリンドリカルレンズ３２を設けることにより，結像が良くなっていることが分かる。
　
　エ　判断についてのまとめ 
　以上検討したとおり，補正発明は，引用例１〜４に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができない。 
　
（６）独立特許要件についてのまとめ
　本件補正は，補正後の特許請求の範囲により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものではないから，特許法第１７条の２第５項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項をいう。以下同じ。）において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないものである。 
　
５　補正の却下の決定についてのむすび 
　上記３において検討したとおり，本件補正は特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たしていない。
　また，仮に，本件補正がこれらの要件を満たすものであり，かつ，本件補正のうちの請求項１についての補正が特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものであるとみなしたとしても，上記４において検討したとおり，本件補正は，補正後の特許請求の範囲により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものではないから，特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないものである。 
　以上のとおり，本件補正は，特許法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。 
　
第３　本願発明 
　
　本件補正は上記のとおり却下されたので，本願の請求項１〜９に係る発明は，平成２３年９月６日付けの手続補正により補正された明細書及び図面の記載からみて，その特許請求の範囲１〜９に記載されている事項により特定されるとおりのものであり，そのうちの請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は，請求項１に記載されている事項により特定されるのものであり，再掲すると以下のとおりのものである。
　
「被加工物の薄膜における配向又は結晶成長の変換を実行するガス放電レーザ結晶化装置であって：
　パルス間ドーズ制御を用いて高パワー及び高繰り返しレートにおいてレーザ出力光パルスビームを生成するＸｅＦレーザシステムを構成するＭＯＰＡ又はＰＯＰＡ；及び
　前記レーザ出力光パルスビームから伸長された細いパルス化作用ビームを生成する光学系であって，前記細いパルス化作用ビームは短軸線幅を有し，前記光学系は，複数のシリンドリカルレンズの第１列，複数のシリンドリカルレンズの第２列及びフォーカシング光学系を有する短軸ホモジナイザを有する，光学系；
　を有するガス放電レーザ結晶化装置。」
　
第４　引用例に記載された発明 
　
　引用例１には，上記第２，４（３）イに記載したとおりの発明が記載されており，引用例２には第２，４（３）ウの記載がある。
　
第５　対比・判断 
　
　本願発明と，引用発明とを対比すると，第２，４（４）（一致点）に記載した点で一致し，第２，４（４）（相違点１），（相違点２）の点で相違する。
　しかしながら，（相違点１）（相違点２）の点は，それぞれ第２，４（５）ア，イで検討したとおり，引用例２に記載の発明及び周知の技術を勘案し，当業者が容易になし得た範囲に含まれるものである。
　以上から，本願発明は，周知の技術を勘案し，引用発明及び引用例２に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
第６　むすび 
　
　以上のとおり，本願の請求項１に係る発明は特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから，他の請求項に係る発明について検討するまでもなく，本願は拒絶をすべきものである。 
　
　よって，結論のとおり審決する。