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　特願２００６−５２８８３４「プリント配線板及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年１月５日国際公開，ＷＯ２００６／００１５０５〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯の概略
　本願は，平成１７年６月２４日（優先権主張：平成１６年６月２５日，日本国）を国際出願日とする出願であって，平成２３年２月１８日（起案日）付けで拒絶理由が通知され，平成２３年４月１１日付けで意見書の提出及び手続補正がなされ，平成２３年５月６日（起案日）付けで拒絶理由が通知され，平成２３年７月７日付けで意見書の提出及び手続補正がなされたが，平成２３年７月２７日（起案日）付けで拒絶査定がなされた。
　それに対し，平成２３年１０月３１日付けで拒絶査定不服審判が請求され，当審において，平成２４年７月１８日（起案日）付けで拒絶理由が通知され，平成２４年９月２１日付けで意見書の提出及び手続補正がなされたものである。
　なお，平成２３年１０月３１日付けの手続補正は，当審において平成２４年７月１８日付けで決定をもって却下されている。
　
第２　本願発明
　本願の請求項１ないし請求項１２に係る発明は，平成２３年４月１１日付け，平成２３年７月７日付け及び平成２４年９月２１日付けの手続補正により補正された明細書，特許請求の範囲及び図面の記載からみて，その特許請求の範囲の請求項１ないし請求項１２に記載されたとおりのものであるが，そのうち，請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は，次のとおりのものである。
　「【請求項１】
　熱硬化性樹脂からなる第１電気絶縁層と，セラミックス製の高誘電体層を上部電極及び下部電極で挟んだ構造に別途作製された高誘電体キャパシタシートを利用して形成され前記第１電気絶縁層の上面に配置されたコンデンサ部と，該コンデンサ部の上面を覆うように形成された熱硬化性樹脂からなる第２電気絶縁層とを内蔵し，最上面に半導体素子を実装するグランド用パッド及び電源用パッドを備えたプリント配線板であって，
　前記コンデンサ部の上部電極にも下部電極にも接触することなく該コンデンサ部及び前記第２電気絶縁層を上下方向に貫通する上部電極接続部第１部，前記第２電気絶縁層の上面から前記コンデンサ部の上部電極に達する上部電極接続部第２部，及び，前記第２電気絶縁層の上面にて前記上部電極接続部第１部と前記上部電極接続部第２部とを電気的に接続する上部電極接続部第３部を備えた上部電極接続部と，
　前記コンデンサ部の上部電極と接触せず下部電極と接触するように該コンデンサ部及び前記第２電気絶縁層を上下方向に貫通する下部電極接続部と，
　を備え，
　前記上部電極接続部に接続される前記グランド用パッド及び前記電源用パッドの一方のパッドの数に対する上部電極接続部第１部の数の比，及び，前記下部電極接続部に接続される前記グランド用パッド及び前記電源用パッドのもう一方のパッドの数に対する下部電極接続部の数の比が，０．０５〜０．５の範囲内である，
　プリント配線板。」
　
第３　引用例及び引用例に記載された事項
１　引用例
　平成２４年７月１８日（起案日）付けで通知した拒絶理由（理由１）において引用した刊行物は，以下のとおり。
　引用例１：特開２００１−２１０７８９号公報
　引用例２：特開平８−２１３７５８号公報
　引用例３：特開２００３−１９７４６３号公報
　
２　引用例に記載された事項
（１）　引用例１
ア　引用例１には，「コンデンサを内蔵する電子回路及びその製造方法・・・特に，高速高周波数の信号を伝送させる，高品質かつ高信頼性を有する薄膜コンデンサ内蔵電子回路及びその製造方法」（段落【０００１】）に関し，以下の事項が記載されている。
・「先ず，薄膜コンデンサの下地基板として第２の基板１を用意する。本実施例では第２の基板１としてその表面に酸化膜の形成されたシリコンウェハ１１を用いた。」（段落【００２７】）
・「次に，この第２の基板１の上に薄膜コンデンサ２を形成するが，その前の工程として，本実施例では後述の第１の基板３に転写した第２の基板１を剥離する際に必要となる剥離層１２として，Ｃｒ薄膜を良く知られた方法，即ちスパッタリング法を用いて形成する（図１（ａ））。」（段落【００２８】）
・「先ず，第１の接着層１３として，Ｔｉ薄膜を良く知られたスパッタリング法を用いて成膜し，その膜厚を例えば２ｎｍとした。・・・次に，コンデンサの第１の電極層１４として，Ｐｔ薄膜を同様にスパッタリング法を用いて成膜する（図１（ｂ））。」（段落【００３０】）
・「次に，薄膜コンデンサ２の誘電体層１５として，高誘電率を有する金属酸化物薄膜を成膜する（図１（ｃ））。本実施例では，チタン酸バリウムストロンチウム膜を良く知られたスパッタリング法を用いて成膜した。一例として，形成温度は４５０℃，膜厚は２００ｎｍとした。誘電体層１５の材料に関しては，ペロブスカイト型結晶構造を示し，比誘電率の大きい材料であれば上記以外でも構わない。例えば，チタン酸ストロンチウム，マグネシウム酸ニオブ酸鉛，チタン酸バリウム，ジルコン酸チタン酸鉛，タンタル酸ビスマスストロンチウム及びこれらを主成分とする金属酸化物が好適である。また，上記した誘電体材料の形成方法に関しては，スパッタリング法以外の例えば良く知られたＣＶＤ法やＭＯＤ法(Metal Organic Decomposition)，ＰＬＤ法(Physical Laser Deposition)等でも構わないが，いずれの成膜方法においても，結晶化・酸素欠損リカバリーのために３５０℃以上の熱処理工程が必須でなる。
　本実施例では，成膜時の温度を４５０℃に設定し，これによりチタン酸バリウムストロンチウムの結晶化を行ったが，成膜温度を２００℃程度に設定してアモルファスの薄膜を成膜し，その後酸素を含有する雰囲気で，かつ４００℃以上の温度にて昇温速度を非常に高くした加熱処理(Rapid Thermal Annealing; RTAと略す）を行うことにより結晶化を行っても良い。いずれにしても，ペロブスカイト型結晶構造を有する金属酸化物は少なくとも３５０℃以上の熱工程を必ず通す必要がある。
　誘電体成膜工程が完了した後に，第２の電極層１６としてＰｔ薄膜を第１の電極層１４と同一の条件で成膜し，更に第２の接着層１７としてＴｉ薄膜を第１の接着層１３と同一の条件にて成膜し，薄膜コンデンサ２の原形を完成させる（図１（ｄ））。
　最後に，薄膜コンデンサ２が形成された第２の基板１を，酸素を含有する雰囲気にて熱処理を行い，誘電体層１５としての金属酸化物薄膜中の酸素欠損を修復し，コンデンサ特性を向上させる。この時の条件は，一例として５００℃で３０分，酸素１００％雰囲気中とした。
　以上の各工程を経て，第２の基板１上には比誘電率約５００，静電容量約２μＦ／ｃｍ2の薄膜コンデンサ２が形成される。」（段落【００３１】ないし【００３５】）
・「次に，第１の基板３を用意する。本実施例では，ＬＳＩ素子に再配列配線としての電極２１が形成された基板を用いた。従って，上記した第１の基板３に設けた薄膜コンデンサ２を転写する第１の基板３の表面には，電極２１と例えばポリイミドからなる有機絶縁膜２２とが存在している。」（段落【００３６】）
・「このポリイミドからなる有機絶縁膜２２は，上記のチタン酸バリウムストロンチウムの形成温度である４５０℃では容易に熱分解を起こす。従って，従来の技術ではこのＬＳＩ素子の上に直接チタン酸バリウムストロンチウムを誘電体とする薄膜コンデンサ２を形成することは，技術的にも不可能と言わざるを得ない。
　そこで本実施例では，薄膜コンデンサ２が既に形成された第２の基板１と第１の基板３とを接着し，その後第２の基板１の基板１１（シリコンウエーハ）を除去することによって，薄膜コンデンサ２を第１の基板３に転写する方法を用いて上記した問題を回避するようにした。」（段落【００３７】及び【００３８】）
・「先ず，第２の基板１の薄膜コンデンサ２が形成されている面と，第１の基板３の薄膜コンデンサ２を転写する面を向かい合わせ，その間に耐熱性樹脂から接着剤，例えば有機接着シート２３を設置する（図１（ｅ））。この状態を保持しつつ，例えば平行平板型真空圧着機のチャンバー内に設置し，第１の基板３と第２の基板１とを接着シート２３を介して圧着する（図１（ｆ））。この工程によって，第２の基板１の表面上に形成した薄膜コンデンサ２は，有機接着シート２３を介して第１の基板３と接着される。そしてこの有機接着シート２３は，後に電子回路等の絶縁層となるため，接着性が良好なことに加えて電気特性に優れること（低誘電率，高抵抗率等）が要求される。尚，本実施例では圧着装置として平行平板式を用いたが，これ以外の装置，例えば静水圧式のものを用いても構わない。」（段落【００４０】）
・「その後，第２の基板１の基体であるシリコンウェハ１１を除去する。本実施例では，シリコンウェハ１１と薄膜コンデンサ２との間に設けたＣｒ剥離層１２を良く知られたウェットエッチング法を用いてこのＣｒ剥離層１２を選択的に溶解し，その結果としてシリコンウェハ１１を剥離する方法を適用した。・・・最終的には第２の基板１の基体であるシリコンウエーハ１１と第１の基板３とが分離され，薄膜コンデンサ２は第１の基板３上に残る。このときの薄膜コンデンサ２の積層構造は，第１の基板３の上に，接着シート２３，第２の電極１６，誘電体１５，第１の電極１４の順に積層した構造を示す。
　以上の工程を経て，図１（ｇ）に示すごとく，ペロブスカイト結晶構造を有する特性の良好な薄膜コンデンサ２が，第２の基板３としてのＬＳＩ素子上に転写された。」（段落【００４１】ないし【００４３】）
・「先ず，第１の接着層１３であるＴｉ薄膜と第１の電極層１４であるＰｔ薄膜を，通常のフォトリソグラフィ技術により一括してパターン形成する。次に，誘電体層１５であるチタン酸バリウムストロンチウムを同様に通常のフォトリソグラフィ技術によりパターニングを行う。そして更に同様に，第２の電極層１６であるＰｔ薄膜と第２の接着層であるＴｉ薄膜についてもやはりフォトリソグラフィ技術により一括加工する。（図１（ｈ））。」（段落【００４５】）
・「このようにして薄膜コンデンサ２の基本的なパターンの形成は完了するが，薄膜コンデンサ２をＬＳＩ素子及びＬＳＩ素子を搭載する第１の基板３に電気的に接続し，上記した薄膜コンデンサ２をバイパスコンデンサとして機能させるための工程を施す。」（段落【００４６】）
・「先ず，上記した薄膜コンデンサ２を含む第１の基板３の上に，例えばポリイミド等からなる有機絶縁膜２４を形成する。そして，この有機絶縁膜２４に対してフォトリソグラフィ等を用いてスルーホール２５を形成し，電極層１４，１６の夫々の一部を露出させる（図１（ｉ））。」（段落【００４７】）
・「次に，接着シート２３に対して例えばレーザーアブレーション等の方法を用いてスルーホール２５を形成し，第１の基板３に設けられた電極２１を露出させる（図１（ｊ））。」（段落【００４８】）
・「次に，薄膜コンデンサ２との電気的な接続と半田接続用バンプ形成の二つの目的を持った金属薄膜配線層２６を形成する。その材料には一例としてＮｉを主成分とする合金を，また成膜方法には例えばスパッタリング法を，パターン形成には通常のフォトリソグラフィ法を用いた。このようにして，薄膜コンデンサ内蔵電子回路は完成する（図１（ｋ））。」（段落【００４９】）
イ　図１において，図中右方の金属薄膜配線層２６が，薄膜コンデンサ２の第１の電極層１４にも第２の電極層１６にも接触することなく該薄膜コンデンサ２及び有機絶縁膜２４を上下方向に貫通する部分，有機絶縁膜２４の上面から薄膜コンデンサ２の第１の電極層１４に達する部分からなり，さらに，有機絶縁膜２４の上面にて，これら薄膜コンデンサ２及び有機絶縁膜２４を上下方向に貫通する部分と有機絶縁膜２４の上面から薄膜コンデンサ２の第１の電極層１４に達する部分とを電気的に接続する部分，とからなる点が見て取れる。
ウ　以上の記載及び図面の記載からすると，引用例１には以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているといえる。
　
　（引用発明）
　「有機接着シート２３からなる絶縁層と，ペロブスカイト型結晶構造を有する金属酸化物薄膜からなる誘電体層１５を第１の電極層１４及び第２の電極層１６で挟んだ構造に第２の基板１上で別途作製され，第１の基板３に転写された薄膜コンデンサ２と，該薄膜コンデンサ２の上面を覆うように形成された有機絶縁膜２４とを内蔵し，最上面にＬＳＩチップを実装する薄膜コンデンサ内蔵電子回路であって，
　前記薄膜コンデンサ２の第１の電極層１４にも第２の電極層１６にも接触することなく該薄膜コンデンサ２及び前記有機絶縁膜２４を上下方向に貫通する部分，前記有機絶縁膜２４の上面から前記薄膜コンデンサ２の第１の電極層１４に達する部分，及び，前記有機絶縁膜２４の上面にて前記薄膜コンデンサ２及び前記有機絶縁膜２４を上下方向に貫通する部分と前記有機絶縁膜２４の上面から前記薄膜コンデンサ２の第１の電極層１４に達する部分とを電気的に接続する部分を備えた金属薄膜配線層２６と，
　前記薄膜コンデンサ２の第１の電極層１４と接触せず第２の電極層１６と接触するように該薄膜コンデンサ２を上下方向に貫通する金属薄膜配線層２６と，
　を備える，
　薄膜コンデンサ内蔵電子回路。」
　
（２）　引用例２
　引用例２には，「電子配線基板の構造体・・・容量性の資源を持たない基板と一緒に，容量性の構造体を取入れた配線基板の効率的な製作手法と使用に関（し）」（段落【０００１】），以下の事項が記載されている。
・「本発明の第二の面は，積重ねてできる配線基板層の基本的なコア構造体中に，容量性の要素を形成することに関係している。当該発明の基板キャパシタ構造を特に価値あるものにしているものは，（１）薄膜の高誘電率材料の使用に帰因する，格別に大きいキャパシタンス，（２）キャパシタ構造物と表面実装の電子素子との間の接続における，最適な電気的特性，（３）キャパシタ構造を形成するために用いられる製作手順と，他の積重ねてできる基板層の製作に用いられる手順の類似性，そして（４）複数の容量性基板層が，積重ねてできる基板の信号層や電源層に接続されるときの容易性である。キャパシタ構造の積重ねてできる基板層は，高いキャパシタンス，低い抵抗値，低いインダクタンスの構造を持ち，図１２で参考として説明した，デンドリティカルに相互接続された薄い層を積重ねてできる多層基板と共に使用することができる。容量性領域のデカップリング効果は，バイアの配列によって決められてキャパシタンスが分布し，そしてキャパシタンスが，バイアの経路に沿ったいくつかの基板層の厚みより大きくない範囲でのみ，素子の導線から隔てられているという事実において，特に明白である。」（段落【００２０】）
・「キャパシタ構造の基板層の製作手順は，図１３に示すように，溶解ゾルーゲル（ゾルーゲル）混合物２７を使って，ＣＩＣの薄板１と類似の導体の金属薄板２６を覆うことから始まる。薄板２６は，銅の酸化，及びゾルーゲル混合物との反応を避けるために，白金をメッキしたアンバーか，又は白金のフラッシュ・コーティング（ｆｌａｓｈ ｃｏａｔｉｎｇ）で覆われた銅・アンバー・銅であることが望ましい。ゾルーゲル混合物２７は，表面上に約０．００１ミリメートルの公称厚でスピン・コートするか，吹付けるか，その中に浸すか，又は付着させる。混合物２７としては多様な材料が使用でき，・・・一例としては鉛・ランタン・チタン酸塩がある。」（段落【００２１】）
・「ゾルーゲルを使った製法の次の段階は，図１４に大まかに描いているように，公称摂氏７００度に達する温度を伴う，高濃度酸素環境下での高温アニールである。この段階での作業の目的は，金属薄板２６の上に薄い結晶状の薄膜層２９を形成することであり，この層２９の特徴は，低い漏洩電流，及び代表的には５００程度になる格別に高い誘電率である。誘電体層２９に関連する数々の事実は，物理学的にも評価されるものである。第一の事実は，キャパシタンスの値は誘電体の厚みに反比例するので，誘電体層２９の薄膜の特性は，単位面積当たりの高いキャパシタンスをもたらす構造となっている。高いキャパシタンスはまた，キャパシタンスが面積に直接に比例し，積重ねてできる配線基板層の実質的な全表面の上に，この面積を伸ばせるという事実でも得をしている。最後に，キャパシタンスは誘電率に直接比例するので，ゾルーゲルが形成する結晶状の薄膜物質の格別に高い誘電率は，得られるキャパシタンスを更に際立たせられる。」（段落【００２２】）
・「結晶状の薄膜層２９をゾルーゲルを使った製法で形成した後，層２９はその上に３１に大まかに示したように，化学蒸着，スパッタリング，蒸発，又はメッキ付けによって，図１５に図解的に描いたように，電気的に伝導体の物質３２の数ミクロンの厚さの層が付着される。図１５に示された完成された三層の容量性の構造体は，その後基板層の作成過程においてコアの薄板として役立つのであり，その作成過程は，図１から始まって説明された製作手順と類似のものである。キャパシタ基板層のパターン形成は，図１６に描かれている断面を作る作業から始まる。図で示されているように，容量性のコア薄板は，３４と３６の開口部を持つように，フォトリソグラフィカルに処理されるマスク３３によって選択的に覆われる。開口部３４と３６は円形の形をしていることが望ましい。引続いて容量性のコア薄板のエッチングが，望ましくは塩化第二銅と塩酸のような異方性のエッチング液を使って行われる。エッチングが完了しマスク３３が剥取られると，図１７に示すようなコア薄板が現れ，選択した位置３４，及び３６に開口部ができている。」（段落【００２４】）
　
第４　対比及び判断
１（１）　本願発明と引用発明とを，その有する機能に照らし対比すると，引用発明の「薄膜コンデンサ２」はコンデンサ部を形成する部材であるから，その点で本願発明の「高誘電体キャパシタシート」に相当する。
　そして，引用発明の「薄膜コンデンサ２」を構成する「誘電体層１５」，「第１の電極層１４」，「第２の電極層１６」は，本願発明の「高誘電体層」，「上部電極」，「下部電極」に，それぞれ相当するから，本願発明と引用発明とは，「高誘電体層を上部電極及び下部電極で挟んだ構造に別途作製された部材を利用して形成されたコンデンサ部を内蔵し」ている点で一致している。
　また，引用発明の「前記薄膜コンデンサ２の第１の電極層１４にも第２の電極層１６にも接触することなく該薄膜コンデンサ２及び前記有機絶縁膜２４を上下方向に貫通する部分」，「前記有機絶縁膜２４の上面から前記薄膜コンデンサ２の第１の電極層１４に達する部分」及び「前記有機絶縁膜２４の上面にて前記薄膜コンデンサ２及び前記有機絶縁膜２４を上下方向に貫通する部分と前記有機絶縁膜２４の上面から前記薄膜コンデンサ２の第１の電極層１４に達する部分とを電気的に接続する部分」，並びにこれらの部分を備える「金属薄膜配線層２６」は，それぞれ，本願発明の「上部電極接続部第１部」，「上部電極接続部第２部」及び「上部電極接続部第３部」，並びに「上部電極接続部」に相当する。
　さらに，引用発明における「薄膜コンデンサ内蔵電子回路」は本願発明の「プリント配線板」に相当し，以下同様に，「有機接着シート２３からなる絶縁層」は「第１電気絶縁層」に，「有機絶縁膜２４」は「第２電気絶縁層」に，「前記薄膜コンデンサ２の第１の電極層１４と接触せず第２の電極層１６と接触するように該薄膜コンデンサ２を上下方向に貫通する金属薄膜配線層２６」は「下部電極接続部」に，それぞれ相当する。
　
（２）　そうすると，本願発明と引用発明とは，以下の点で一致し，相違する。
　（一致点）
　「第１電気絶縁層と，高誘電体層を上部電極及び下部電極で挟んだ構造に別途作製された部材を利用して形成され前記第１電気絶縁層の上面に配置されたコンデンサ部と，該コンデンサ部の上面を覆うように形成された第２電気絶縁層とを内蔵し，最上面に半導体素子を実装するプリント配線板であって，
　前記コンデンサ部の上部電極にも下部電極にも接触することなく該コンデンサ部及び前記第２電気絶縁層を上下方向に貫通する上部電極接続部第１部，前記第２電気絶縁層の上面から前記コンデンサ部の上部電極に達する上部電極接続部第２部，及び，前記第２電気絶縁層の上面にて前記上部電極接続部第１部と前記上部電極接続部第２部とを電気的に接続する上部電極接続部第３部を備えた上部電極接続部と，
　前記コンデンサ部の上部電極と接触せず下部電極と接触するように該コンデンサ部及び前記第２電気絶縁層を上下方向に貫通する下部電極接続部と，
　を備える，
　プリント配線板。」である点
　（相違点１）
　本願発明は「セラミックス製の高誘電体層を上部電極及び下部電極で挟んだ構造に別途作成された高誘電体キャパシタシート」を利用して「コンデンサ部」を形成したものであるのに対し，引用発明は，例えばスパッタリング法により成膜した「ペロブスカイト型結晶構造を有する金属酸化物薄膜からなる誘電体層１５」を「第１の電極層１４及び第２の電極層１６で挟んだ構造」のものを第２の基板１上に形成し，それを第１の基板３の上に転写した「薄膜コンデンサ２」を利用してコンデンサ部を形成したものである点
　（相違点２）
　本願発明は「最上面に半導体素子を実装するグランド用パッド及び電源用パッドを備え」，「前記上部電極接続部に接続される前記グランド用パッド及び前記電源用パッドの一方のパッドの数に対する上部電極接続部第１部の数の比，及び，前記下部電極接続部に接続される前記グランド用パッド及び前記電源用パッドのもう一方のパッドの数に対する下部電極接続部の数の比が，０．０５〜０．５の範囲内である」のに対し，引用発明においては実装するための具体的構成が明らかでなく，その実装するための具体的構成の数と金属薄膜配線層２６の数に関し特定されていない点
　（相違点３）
　本願発明の「第１電気絶縁層」及び「第２電気絶縁層」は，熱硬化性樹脂からなるのに対し，引用発明においては，「有機接着シート２３からなる絶縁層」及び「有機絶縁膜２４」は熱硬化性樹脂からなるものか明らかでない点
　
２（１）　相違点１について
　まず，上記相違点１について検討する。
　引用発明における「薄膜コンデンサ２」は，その機能や構造からして，「高誘電体キャパシタシート」ということもできる。「誘電体層１５」も，ペロブスカイト型結晶構造を有する金属酸化物が含有されていれば足り，例示された材料は代表的なセラミックス材料であるから，セラミックス製の「誘電体層１５」とすることは，当業者が適宜になし得ることである。その場合，得られた「薄膜コンデンサ２」は本願発明における「高誘電体キャパシタシート」に相当し，これを利用して形成されたコンデンサは，本願発明の「コンデンサ部」と相違しない。
　また，引用例２には，電極間にセラミックス製の誘電体層を形成し，シート状のコンデンサを作製する点が記載されている（上記第３・２（２））。
　そして，引用発明における「薄膜コンデンサ２」を内蔵するに当たり，引用例１に記載された方法に限定されないことは，別途に作製されたコンデンサを利用するといった引用発明の技術的本旨に照らし明らかであって，引用例２に記載されたような別途作製されたシート状のコンデンサを利用することは当業者にとって格別困難なことではない。
　そうすると，引用発明に引用例２に記載された事項を適用し，相違点１に係る本願発明の発明特定事項とすることは，当業者が容易になし得ることである。
　
（２）　相違点２について
ア　引用例３には，半導体素子を実装するためにパッドを備える点（特に，段落【０００５】及び【００２６】参照。）が記載されており，引用発明においてこのようなパッドを備えることは，当業者が適宜になし得る事項である。
　ところで，特開２００１−３２６２９３号公報には，実装されるＩＣチップに接続されるビアの数に対し，コンデンサ部の電極に接続されるビアの数を少なくすることにより，コンデンサ部の静電容量を大きくすることができること，インダクタンスや抵抗を小さくすることできることが記載され（特に，段落【００８７】ないし【０１０７】参照。），特開２００１−４４５９１号公報にも，同様の構造により，インダクタンスや抵抗を小さくすることできることが記載されている（特に，段落【００２４】参照。）。
　このように，実装される半導体素子に接続されるビアの数に対し，コンデンサ部の電極に接続されるビアの数を少なくすること，それにより，コンデンサ部の静電容量を大きくすることができること，インダクタンスや抵抗を小さくすることできることが，従来より広く知られ，コンデンサ部の電極に接続されるビアの数によりコンデンサ部の性能を調整することが周知の技術であったことがわかる。
　そうすると，引用発明において半導体素子を実装するためにパッドを備える場合に，このような周知の技術を適用し，接続されるパッドの数に対し，「前記薄膜コンデンサ２の第１の電極層１４にも第２の電極層１６にも接触することなく該薄膜コンデンサ２及び前記有機絶縁膜２４を上下方向に貫通する部分」（上部電極接続部第１部）の数や，「前記薄膜コンデンサ２の第１の電極層１４と接触せず第２の電極層１６と接触するように該薄膜コンデンサ２を上下方向に貫通する金属薄膜配線層２６」（下部電極接続部）の数を少なくすることは，当業者にとって格別困難なことではない。
　そして，上記特開２００１−３２６２９３号公報には，具体的に，実装される半導体素子に接続されるビアの数に対し，コンデンサ部の電極に接続されるビアの数を９分の１に減らすこと（段落【０１０７】参照。）が記載されているから，引用発明においてその程度に減らすこと，すなわち，請求項１において特定する数の比の範囲内のものとすることは，当業者が容易になし得ることである。
　本願明細書の記載（２７頁ないし２９頁）からすると，請求項１において特定する数の比は，所定のヒートサイクル試験の後の同時スイッチング試験の結果の基づいて，好適な範囲として特定されたものと認められるが，ヒートサイクル試験自体通常の評価試験であり，引用発明の用途に照らして，スイッチング試験を行うことは合理的といえるから，このような評価試験に基づいて，コンデンサ部の電極に接続されるビアの数を調整することも，当業者にとって格別困難なことではなく，請求項１に特定された範囲内の比に設定することも，発明の具体化において適宜に行える事項である。
イ　この点に関し，請求人は，
・本願発明は，上部電極接続部に接続されるグランド用パッド及び電源用パッドの一方のパッドの数に対する上部電極接続部第１部の数の比，及び，下部電極接続部に接続されるグランド用パッド及び電源用パッドのもう一方のパッドの数に対する下部電極接続部の数の比が，０．０５〜０．５の範囲内である点で，この点について記載も示唆もない引用例１〜３に記載の発明と相違するため，引用例１〜３を組み合わせたとしても，本願発明に容易に想到することはできない。
・本願発明は，上述した比を０．０５〜０．５の範囲内としたことにより，ヒートサイクル試験を繰り返したあとの誤動作の発生を防止することができるという，引用例１〜３には得られない有利な効果が得られます。すなわち，本願の表１をみると，実施例１２−１４の評価試験３（明細書２８頁２７行〜２９頁５行参照）の結果は，１０００サイクル後も実装したＩＣチップの誤動作は無しとなっており，上述した比が０．０５〜０．５の範囲内の場合に，予測できないほど顕著な効果が得られている。
と主張している。
　しかし，上述のとおり，実装される半導体素子に接続されるビアの数に対し，コンデンサ部の電極に接続されるビアの数を少なくすること，それにより，コンデンサ部の静電容量を大きくすることができること，インダクタンスや抵抗を小さくすることできることが，従来より広く知られ，コンデンサ部の電極に接続されるビアの数によりコンデンサ部の性能を調整することが周知の技術であったことからすれば，引用発明において，接続されるパッドの数に対し，上部電極接続部第１部の数や下部電極接続部の数を少なくすることは，格別困難ではなく，９分の１程度に減らすことも，当業者にとって容易である。
　そして，上述のとおり，引用発明において，ヒートサイクル試験及びスイッチング試験のような評価試験に基づいて，コンデンサ部の電極に接続されるビアの数を調整することも格別困難ではないから，請求項１に特定された範囲内の数の比に設定することも，発明の具体化において適宜に行えるものである。金属薄膜配線層２６がコンデンサ部を貫通する部位における誘電体層１５と有機絶縁膜２４との熱膨張差や，一部の金属薄膜配線層２６の劣化による残りの金属薄膜配線層２６のカバー範囲への影響などにより，好適な範囲が存することも，その構造に照らせば当業者が容易に理解できるものであって，その効果も，予測し得るものである。
　よって，請求人の主張は採用することができない。
ウ　以上の点を総合すると，引用発明において，相違点２に係る本願発明の発明特定事項とすることは，当業者が容易になし得ることである。
　
（３）　相違点３について
　引用発明の「絶縁層」を形成する「有機接着性シート２３」及び「有機絶縁膜２４」が「熱硬化性樹脂」であるかは明らかでないが，熱硬化性樹脂により絶縁層を構成することは通常行われていることであって，格別困難なことではない。
　そうすると，引用発明において，相違点３に係る本願発明の発明特定事項とすることは，当業者が容易になし得ることである。
　
（４）　上記相違点１ないし相違点３について総合的に検討しても，引用発明に引用例２及び引用例３に記載された事項並びに上記周知の技術を適用し，上記相違点１ないし相違点３に係る本願発明の発明特定事項とすることは，当業者が容易に想到できたものである。
　そして，本願発明の奏する効果をみても，引用発明，引用例２及び引用例３に記載された事項並びに上記周知の技術から予測し得る範囲内のものであって，格別ではない。
　
３　以上総合すると，本願発明は，引用発明，引用例２及び引用例３に記載された事項並びに上記周知の技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
第５　むすび
　以上のとおり，本願発明（請求項１に係る発明）は，引用発明，引用例２及び引用例３に記載された事項並びに上記周知の技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法２９条２項の規定により，特許を受けることができない。
　そして，本願の請求項１に係る発明が特許を受けることができない以上，本願の請求項２ないし請求項１２に係る発明について検討するまでもなく，本願は拒絶すべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。