(57)【要約】弾性表面波装置では反射器電極の共通部分とストリップ部分とが部分的に切り込まれ、電極間隔が広げられる。これにより、金属薄膜をエッチングする際に発生する帯電量、帯電量のアンバランスによる影響を小さくし、電極の形状の鈍りをなくすことができ、弾性表面波装置の伝搬損失が低減する。
2003032485.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電基板と、
前記圧電基板上に設けられた櫛形電極と、
前記圧電基板上に設けられた共通部分とストリップ部分とを有する反射器電極と、
を備え、前記反射器電極の前記共通部分と前記ストリップ部分の前記櫛形電極と隣り合う部分にそれぞれ切り込み部が形成された弾性表面波装置。
【請求項２】
前記反射器電極の前記切りこみ部が形成された前記共通部分と前記ストリップ部分とは、隣り合う前記櫛形電極と発生する電位が異なる、請求の範囲第１項に記載の弾性表面波装置。
【請求項３】
前記櫛形電極と前記反射器電極とは、対向する全ての角部が切り込まれている、請求の範囲第１項に記載の弾性表面波装置。
【請求項４】
前記圧電性基板は圧電性基板ウエハから分割され、
前記切りこみ部での切り込む量は前記圧電性基板ウエハの中央部で少なく外周部で多い、請求の範囲第１項に記載の弾性表面波装置。
【請求項５】
前記櫛形電極と前記反射器電極とはドライエッチングで形成された、請求の範囲第１項に記載の弾性表面波装置。
【請求項６】
前記櫛形電極と前記反射器電極とはＡｌよりもエッチングされにくい物質を含む、請求の範囲第１項に記載の弾性表面波装置。
【請求項７】
Ａｌよりもエッチングされにくい前記物質はＡｌよりも質量が大きい、請求の範囲第６項に記載の弾性表面波装置。
【請求項８】
前記櫛形電極と前記反射器電極は膜厚が１５０ｎｍ以上である、請求の範囲第１項に記載の弾性表面波装置。
【請求項９】
前記櫛形電極と前記反射器電極は電極間隔（Ｓ）と膜厚（Ｌ）の比率（Ｓ／Ｌ）が２．５以上である、請求の範囲第１項に記載の弾性表面波装置。
【請求項１０】
前記反射器電極の前記ストリップ部分の長手方向の前記共通部分の切り込み幅は、前記反射器電極の前記共通部分の幅の１／４倍以上１倍以下であり、
前記ストリップ部分の切り込み幅は、前記ストリップ部分の幅の１／２倍以上６倍以下である、請求の範囲第１項に記載の弾性表面波装置。
【請求項１１】
前記櫛形電極は、部分的に切り込まれた切り込み部を有する共通部分を有する、請求の範囲第１項に記載の弾性表面波装置。
【請求項１２】
前記ストリップ部分の幅方向の前記櫛形電極の前記共通部分の切り込み幅は、前記櫛形電極の前記共通部分の幅の１／４倍以上１倍以下である、請求の範囲第１１項に記載の弾性表面波装置。
【請求項１３】
前記ストリップ部分の幅方向の、前記ストリップ部分のうちの前記切り込み部が形成されている部分と前記櫛形電極との最大の間隔は、前記ストリップ部分のうちの前記切りこみ部が形成されていない部分と前記櫛形電極との間隔の１．２倍以上である、請求の範囲第１項に記載の弾性表面波装置。
【請求項１４】
前記切り込み部は段差状である、請求の範囲第１項に記載の弾性表面波装置。
【請求項１５】
前記切り込み部は直線状である、請求の範囲第１項に記載の弾性表面波装置。
【請求項１６】
前記切り込み部は曲線状である、請求の範囲第１項に記載の弾性表面波装置。
【請求項１７】
前記切り込み部は階段状である、請求の範囲第１項に記載の弾性表面波装置。
【請求項１８】
前記切り込み部は、段差状、直線状、曲線状及び階段状のうち少なくとも２つの複数の形状を組み合わせた形状である、請求の範囲第１項に記載の弾性表面波装置。
【請求項１９】
ベース部材と、
圧電基板と、
前記圧電基板上に設けられた櫛形電極と、
前記圧電基板上に設けられた共通部分とストリップ部分とを有する反射器電極と、
を備え、前記反射器電極の前記共通部分と前記ストリップ部分の前記櫛形電極と隣り合う部分にそれぞれ切り込み部が形成された、前記ベース部材に配設された弾性表面波装置と、
前記ベース部材と前記弾性表面波装置とを電気的に接続する、バンプとワイヤとのうちの１つと、
前記弾性表面波装置を封止する蓋体と、
を備えた部品。
【請求項２０】
圧電基板ウエハ上に複数の櫛形電極を形成する工程と、
前記圧電基板ウエハ上に、前記櫛形電極と隣り合う部分にそれぞれ切り込み部が形成された共通部分とストリップ部分とをそれぞれ有する複数の反射器電極を形成する工程と、
前記圧電基板ウエハを分割して、前記複数の櫛形電極と前記複数の反射器電極の少なくとも１つをそれぞれ有する複数の弾性表面波装置を得る工程と、を備え、前記切りこみ部での切り込む量は前記複数の弾性表面波装置のうちの前記圧電性基板ウエハの中央部の弾性表面波装置で少なく外周部の弾性表面波装置で多い、弾性表面波装置の製造方法。
【請求項２１】
前記複数の櫛形電極を形成する工程は、前記複数の櫛形電極をドライエッチングにより形成する工程を含み、
前記複数の反射器電極を形成する工程は、前記複数の反射器電極をドライエッチングにより形成する工程を含む、
請求の範囲第２０項に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は通信機器などに用いられる弾性表面波装置およびこれを用いた電子部品に関する。
背景技術
弾性表面波装置の低損失化を実現する従来の方法としては櫛形電極、共通部分からなる電極群の間隔をｎ±１／４波長（ｎは任意の整数）とし、移相器を接続することにより弾性表面波を一方向にのみ伝搬させ変換損失を低減する方法が知られている。
この方法は、表面波が双方向に励振するのを抑制することにより変換損失を低減するのには有効であるが、櫛形電極の励振源である交叉部分が必ずしも同一伝搬路上にないため一部で双方向に伝搬する表面波が発生し、損失が増加する場合がある。
この問題を解決するために、櫛形電極群の電極指と隣接する共通部分の間隔を１／８波長以内とし且つ櫛形電極群の電極指に分岐部分を設けられたり、櫛形電極または反射器電極の共通部分頂角の角部を切除する。
なお、この発明に関連して特開平７−２６３９９４号公報や特開平９−１８６５４３号公報が挙げられる。
図６Ａは従来の弾性表面波装置の平面図、図６Ｂは従来の弾性表面波装置の部分拡大図である。その弾性表面波装置は圧電性基板１と、櫛形電極２と、反射器電極３と、櫛形電極２の共通部分４と、反射器電極３の共通部分５とを備える。これら従来の櫛形電極群では、交叉部分が同一伝搬路上に形成され弾性表面波の伝搬方向を一方向に揃えることができ、伝搬方向の不一致による変換損失を改善することはできる。しかし、隣接する電極間で電極を形成する際に発生する電位差が大きくなると電極の形状が鈍り、弾性表面波エネルギーが外部へ漏れるために伝搬損失が大きくなる。また共通部分頂角の角部を切除することにより電極間の短絡は防止することはできるが、電極指形状の鈍りが残るため弾性表面波エネルギーが外部へ漏れ、伝搬損失が大きくなる。
発明の開示
弾性表面波装置は圧電基板と、圧電基板上に設けられた櫛形電極と、圧電基板上に設けられた共通部分とストリップ部分とを有する反射器電極とを備える。反射器電極の共通部分とストリップ部分の櫛形電極と隣り合う部分にそれぞれ切り込み部が形成される。
その弾性表面波装置およびこれを用いた電子部品は伝搬損失が小さい。
発明を実施するための最良の形態
（実施の形態１）
図１Ａは本発明の実施の形態１における弾性表面波装置の平面図、図１Ｂは図１Ａの弾性表面波装置の領域１Ｂの拡大図である。その弾性表面波装置は圧電性基板１と、櫛形電極２と、反射器電極３と、櫛形電極２の共通部分４と、反射器電極３の共通部分５と、入力端子電極６と、出力端子電極７とを備える。反射器電極には切り込み部８が設けられる。
図１Ｂにおいて、電極を切り込む前の櫛形電極２と反射器電極３の間隔は間隔Ｈ０、電極を切り込んだ後の櫛形電極２と反射器電極３との最大の間隔は間隔Ｈ１である。ストリップ部分の長手方向に対して電極を切り込む前の共通部分の幅は幅Ｄ０、共通部分の最大の切り込み幅は幅Ｄ１である。ストリップ部分の長手方向に対してストリップ部分の端部を基準としたストリップ部分の最大の切り込み幅を幅Ｄ２、切り込む前のストリップ部分の幅は幅ｄ０である。
なお、図１Ａは実施の形態１の弾性表面波装置を模式的に示し、電極の長さや電極間の間隔の相対的な関係を示してはいない。
実施の形態１では、反射器電極３の共通部分５において櫛形電極２と対向する角部の一部が直線的に切り込まれ、櫛形電極２に隣接する反射器電極３の最外側のストリップ部分１０の一部が直線的に切り込まれる。したがって櫛形電極２と反射器電極３との間隔が部分的に広がる。これにより金属薄膜をエッチングして電極のパターンを形成する際に発生する隣接する電極の電位が影響して電極の形状が鈍ることを防止し、弾性表面波装置の伝搬損失を低減することができる。
以下に実施の形態１による装置の製造工程について説明する。
ＬｉＴａＯ３などからなるウエハ状の圧電性基板１上にＴｉなどからなる金属を例えばスパッタリングなどの方法により１０ｎｍのＴｉ薄膜を形成する。
次にＴｉ薄膜の上にＡｌなどからなる金属をスパッタリングなどの方法により１００ｎｍのＡｌ薄膜を形成する。
この操作を２回繰り返してＴｉ薄膜とＡｌ薄膜を積層し、最上層にＡｌ薄膜を形成した金属薄膜２２を得る。最終的な金属薄膜２２の膜厚は２２０ｎｍとした。Ａｌ薄膜とＴｉ薄膜の積層順序、膜厚は必要に応じて変えてもかまわない。
次に金属薄膜２２上にレジスト２１を塗布し、所定のフォトマスクを合わせて例えばステッパーなどにより露光、現像し、不要なレジストを除去して所定のパターンを形成する。
次に、例えばドライエッチングなどの方法により、金属薄膜２２に図１Ａに示した電極パターンを形成する。その後、残ったレジストを除去し、ダイシング装置などを用いて切断し、個片の弾性表面波装置１２を得る。これにより圧電性基板ウエハ面内でのエッチング時に発生する電位および熱の影響を低減することができるため、圧電性基板ウエハ面内で電極の形状の鈍りのばらつきを小さくできる。したがって、１つのウエハから得られる複数の弾性表面波装置で伝搬損失のばらつきを小さくすることができる。
電極パターンは図１Ａに示したように、隣接する櫛形電極２と反射器電極３のうち反射器電極３の共通部分５の一部を切り込んだ形状を有し、櫛形電極と対向する共通部分５の４つの角部が切り込まれている。電極の膜厚が２２０ｎｍ、電極間隔（Ｓ）と膜厚（Ｌ）のと比率（Ｓ／Ｌ）は２．７であった。
なお、電極間隔（Ｓ）とは隣接する電極を切り込む前の状態での櫛形電極２と反射器電極３の間隔である。切り込み部での条件は、
Ｈ１／Ｈ０＝１．７、
Ｄ１／Ｄ０＝０．７５、
Ｄ２／ｄ０＝１．５
である。この条件下では電極の形状の鈍りはほとんど起こらなかった。
ところで、電極の形状の鈍りは金属薄膜２２をエッチングする際に以下のメカニズムで発生する。図２Ａ〜２Ｄは電極の形状とエッチングの状態の概念図である。図２Ａと図２Ｂは隣接する電極間で切り込みがない従来の弾性表面波装置を示す。
図２Ａのパターンをドライエッチングでエッチングすると、イオンビーム２３はプラスに帯電したイオンなのでレジスト２１はマイナスに帯電し、金属薄膜２２および圧電性基板１はプラスに帯電する。したがって、エッチングの初期段階ではイオンビーム２３は直進し、ほぼレジスト２１の形状通りに金属薄膜２２がエッチングされるが、エッチングが進むに従って次第に金属薄膜２２および圧電性基板１の帯電量が増大してくる。
圧電性基板１、金属薄膜２２、イオンビーム２３はともにプラスに帯電しているため、イオンビーム２３は金属薄膜２２および圧電性基板１のプラス電荷により反発力を受けて直進し難くなり、途中で進行方向が曲がり金属薄膜２２の側面に衝突するようになる。このような状態になるとイオンビーム２３が金属薄膜２２の側面に衝突してサイドエッチングが起こる。これにより金属薄膜２２側面の原子がイオンビーム２３によりはじき飛ばされ、そのうち一部は金属薄膜２２の端部や圧電性基板１上に再付着する。このような現象が連続して起こることにより金属薄膜２２の側面および圧電性基板上に金属薄膜２２の成分が堆積し、一見して電極が鈍ったような形状になる。このような状態でさらにドライエッチングを継続すると、レジスト２１の一部がイオンビーム２３によりはじき飛ばされ電極の形状の鈍った部分２４の表面に炭化したレジスト２１の成分が付着する。
このような状態になると電極の形状の鈍った部分２４を通して表面波の伝搬エネルギーが外部に漏れ、伝搬損失が大きくなると共に極端な場合は隣接する電極間がショートし、弾性表面波装置の特性を著しく劣化させる。
このような現象を避けるために実施の形態１では、反射器電極３の共通部分５において櫛形電極２と対向する角部の一部が直線的に切り込まれるとともに、反射器電極３において櫛形電極２に隣接する最外側のストリップ部分の一部が直線的に切り込まれる。したがって櫛形電極２と反射器電極３との間隔が部分的に広げられる。
このような形状により、櫛形電極２と反射器電極３の電極の間隔が従来の弾性表面波装置より広いので、金属薄膜２２での帯電による影響が小さくなりイオンビーム２３の曲がる程度が小さくなり、サイドエッチングが起こり難くなる。したがって共通部分およびストリップ部分の形状の鈍りの発生を抑制できる。
特に共通部分の角部の電極間隔を広くすることにより共通部分間の短絡を抑制することができ、反射器電極３のストリップ部分１０と櫛形電極２の交叉部分９の間隔を広くすることにより弾性表面波の伝搬エネルギーの漏れを小さくすることができ、伝搬損失を小さくすることができる。
櫛形電極２と反射器電極３との間隔は狭く、それに接して電極のない広い領域が設けられる。このように狭い領域と広い領域が接する部分では、これらの領域を同時に形成するエッチング工程においてイオンビームが広い領域のエッチングに大半が使用されてしまい、狭い領域のエッチングにはイオンビームが十分供給されにくい。特に狭い領域と広い領域の接する部分では狭い領域がエッチングされにくい。
エッチングされにくい領域は共通部分からストリップ部分の一部にまで及ぶので、共通部分の電極間隔を広げただけでは電極の間の短絡は抑制できるが弾性表面波伝搬エネルギーの漏洩は防止できない。
これを防止するために、ストリップ部分の間隔を広くすることによりエッチング工程でイオンビームが狭い領域に供給されやすくなり、エッチングが十分に進みエッチング不足領域がなくなるため弾性表面波の伝搬エネルギーの漏れを小さくすることができ、伝搬損失を小さくすることができる。
また、例えば金属薄膜２２および圧電性基板１の帯電量が同じであったとしても隣接する電極すなわち櫛形電極２と反射器電極３の間隔を広げることにより金属薄膜２２に帯電した電荷の相互作用は相対的に小さくすることができる。したがって、イオンビーム２３の曲がる程度を小さくし、電極の形状の鈍り２４の発生を抑制することができる。
また、ドライエッチングにより金属薄膜２２および圧電性基板１全体が少なからず帯電するが、帯電量の大きさ以外に局部的な帯電量のアンバランスによってもイオンビーム２３の飛ぶ方向が影響される。すなわち、櫛形電極２の対向する交叉部分９では帯電する電荷量の差異は小さく帯電量のバランスが比較的取れているが、共通部分４と交叉部分９では電極面積も異なることから共通部分４と交叉部分９との間で帯電量に差異が発生し易くなる。
また、反射器電極３についても同様に、反射器電極３のストリップ部分１０と共通部分５との間で帯電量に差異が発生し易くなる。帯電する電荷は全てプラスでありイオンビームと同じ極性であるため、帯電量にアンバランスがあると帯電量の多い方からよりビームは強い反発力を受ける。したがってイオンビームは反対方向へより大きく曲げられ、サイドエッチングが進行し、電極の形状の鈍りが顕著になる。
このようなことから櫛形電極２の共通部分４と反射器電極３の共通部分５の間で帯電量に差異を生じ易く、電極の形状の鈍りが発生し易くなる。また対向する電極間隔が同じであっても、共通部分間で形状の鈍りが起こりやすく電極間の短絡の原因となる。
このことから、隣接する共通部分の一部を切り込み、相互の電極間隔を広げることにより帯電量のアンバランスの影響を低減し、イオンビームの曲がりを少なくして直進性を高めることにより電極の形状の鈍りを抑制することができる。
なお、櫛形電極２の共通部分４と反射器電極３の共通部分５とを比較すると、面積の関係から櫛形電極２の共通部分４の方が帯電量が大きく、形状の鈍りが大きくなる傾向がある。
また、櫛形電極２の共通部分４を切り込んでも、反射器電極３の共通部分５を切り込んでも、櫛形電極２及び反射器電極３の両方の共通部分４，５を切り込んでも同様の効果が得られる。特に櫛形電極２の共通部分４を切り込むと中心周波数が変動する場合があるため、反射器電極３の共通部分５を切り込む方が弾性表面波装置の特性に与える影響を小さくすることができる。
また、本実施の形態では図１Ａに示したように、櫛形電極２と反射器電極３が対向する共通部分５の４箇所を切り込んだが、１箇所以上を切り込むことにより弾性表面波装置の伝搬損失を低減することができる。
さらに、隣接する共通部分の全ての角部を切り込むことにより伝搬損失の低減効果を最も大きくすることができる。
次にこうして得られた弾性表面波装置１２を用いた電子部品を説明する。
図３は弾性表面波装置１２を用いた電子部品の断面図である。その電子部品はベース部材１１と、弾性表面波装置１２と、バンプ１３と、弾性表面波装置１２のパッド電極１４と、引き出し電極１５と、端子電極１６と、蓋体１７と、接着部材１８とを備える。
弾性表面波装置１２上のパッド電極１４に金などからなるバンプ１３を形成する。次に、予め引き出し電極１５および端子電極１６を設けたベース部材１１に、バンプ１３を形成した弾性表面波装置１２をバンプ１３が引き出し電極１５と接触するようにフェイスダウン状態で配設し、超音波などによりバンプ１３をベース部材１１に接合、実装する。その後、封止装置などを用いて、弾性表面波装置１２を実装したベース部材１１と、予め半田などの接着部材１８を担持させた蓋体１７を、接着部材１８側がベース部材１１と対向するように配設し、加熱することにより接合、封止し、電子部品を得る。
なお、上述した方法以外に、必要に応じて他の方法例えばワイヤーボンディングなどで弾性表面波装置１２を実装してもかまわないし、接着部材１８として金または金を含むろう材、メッキなどを用いてもかまわない。
弾性表面波装置では電極がドライエッチングのように荷電イオンや荷電粒子などを用いて形成される場合、これらの電荷により電極がサイドエッチングの影響を受け易くなる。しかし、隣接する電極間隔を広くすることにより単位長さ当たりの帯電量を小さくすることができる。したがってイオンビーム２３の曲がりを少なくし、電極へのサイドエッチングを少なくすることができるため、弾性表面波装置の伝搬損失を低減する効果が大きい。
また、電極の膜厚が大きい程サイドエッチングを受ける領域が広くなるので、荷電イオン、粒子などの電荷により電極がサイドエッチングの影響を受け易くなる。しかし、隣接する電極間隔を広くすることにより単位長さ当たりの帯電量を小さくすることができる。したがってイオンビーム２３の曲がりを少なくし、電極へのサイドエッチングを少なくすることができるため、弾性表面波装置の伝搬損失を低減する効果が大きい。
本実施の形態１では電極膜厚が２２０ｎｍであり、隣接する電極の切り込み部は、
Ｈ１／Ｈ０＝１．７、
Ｄ１／Ｄ０＝０．７５、
Ｄ２／ｄ０＝１．５
である。電極の膜厚が厚くなるほどＨ１／Ｈ０およびＤ１／Ｄ０の値を大きくする必要がある。また、電極膜厚が１５０ｎｍ未満の薄い場合はサイドエッチングの影響は小さい。
また、電極の膜厚が同じであっても隣接する電極間隔が狭くなるほど隣接する電極の帯電による影響を受けやすくなり、電極のサイドエッチングが起こりやすくなり伝搬損失が大きくなる傾向がある。このため電極膜厚に対応した電極間隔を設ける必要がある。本実施の形態１では、電極膜厚は２２０ｎｍ、電極間隔（Ｓ）と膜厚（Ｌ）の比率（Ｓ／Ｌ）が２．７であった。Ｓ／Ｌが大きいほどサイドエッチングが起こり難く伝搬損失を小さくすることができ、電極膜厚が１５０ｎｍ以上の場合Ｓ／Ｌを２．５以上にすることによりサイドエッチングが起こりにくく伝搬損失を小さくすることができ、Ｓ／Ｌが２．５未満ではサイドエッチングが起こり易く伝搬損失が大きくなる。
このように、隣接する電極の切り込み部の条件および電極の間隔は電極膜厚を考慮して決める必要がある。
また、電極の材質がエッチングされにくい材質である程荷電イオン、粒子などの電荷により電極がサイドアタックされたとしてもエッチングされにくくなると共に、隣接する電極間隔を広くすることにより電極のサイドエッチングの影響をさらに受けにくくすることができるため、弾性表面波装置の伝搬損失をさらに小さくすることができる。
ドライエッチングの場合、荷電イオンビームを金属薄膜２２に照射し、イオンを金属薄膜２２に衝突させてはじき飛ばすことにより金属薄膜２２をエッチングする。したがって、金属薄膜２２の質量が大きければ大きいほど金属薄膜２２を構成する原子をはじき飛ばすのに必要なエネルギーが大きくなる。このため、質量の大きな元素で金属薄膜２２を構成することによりイオンビームが金属薄膜２２に照射されてもサイドエッチングされにくくなる。
弾性表面波装置の電極の材料としてはＡｌが一般的に用いられることから、Ａｌよりも質量が大きな元素、例えばＴｉなどにより電極を構成することにより、電極のサイドエッチングを抑制することができる。ただし、質量の大きな元素のみで電極を構成すると、弾性表面波装置の中心周波数が低周波数のみに限定されてしまう。したがって質量の軽い元素と質量の重い元素を積層して組み合わせることにより、中心周波数を合わせながらかつサイドエッチングされにくくするのが有効である。
切り込み部の条件は、
Ｈ１／Ｈ０＝１．７、
Ｄ１／Ｄ０＝０．７５、
Ｄ２／ｄ０＝１．５
であった。したし電極の形状の鈍りを抑制するためにはＨ１／Ｈ０および／またはＤ１／Ｄ０が大きい、すなわち隣接する電極間隔を広いほど電極の形状の鈍りは抑制され、弾性表面波装置の伝搬損失を小さくすることができる。ただし、その効果は、
Ｈ１／Ｈ０≧１．２、
および／または
１／４≦Ｄ１／Ｄ０≦１、かつ１／２≦Ｄ２／ｄ０≦６
の場合に有効であった。
また、反射器電極３の共通部分５を切り込む場合はＨ１／Ｈ０はかなり大きな値まで効果があり、Ｈ１／Ｈ０＝１０でも弾性表面波装置の伝搬損失を小さくすることができる。
Ｈ１／Ｈ０が１．２以下の場合やＤ１／Ｄ０が１／４未満の場合、Ｄ２／ｄ０が１／２未満の場合には伝搬損失の大きな低減効果は見られなかった。
また、Ｄ２／ｄ０が６を越えると弾性表面波の主たる伝搬領域まで切り込むことになり、弾性表面波の伝搬バランスが崩れ伝搬損失が大きくなる。
また、Ｈ１／Ｈ０、Ｄ１／Ｄ０、Ｄ２／ｄ０は１つだけが極端に大きな値であっても効果は小さく、Ｈ１／Ｈ０、Ｄ１／Ｄ０、Ｄ２／ｄ０の全ての値のバランスをとることが必要である。
特に反射器電極３のストリップ部分１０を切り込むことにより弾性表面波の主たる伝搬領域で伝搬エネルギーの漏洩を抑制し、弾性表面波装置の伝搬損失を小さくすることができる。
また、金属薄膜２２をドライエッチングにより電極パターンを形成する場合、設備上の問題からイオンビーム２３が圧電性基板１の集合体であるウエハ上に万遍なく同じ条件で照射することは困難である。すなわち、ウエハの中央部ではイオンビーム２３がウエハに対してほぼ垂直に照射されるのに対し、ウエハの周辺部分では当初よりイオンビーム２３がウエハに対して垂直からずれたある角度を持って照射されることになる。
このため、ウエハの周辺部の電極はイオンビーム２３により斜めに照射されやすくなるためサイドエッチングされやすく、ウエハの温度が高くなり、エッチングが促進されることから電極の形状の鈍りが発生し易くなる傾向がある。
この現象に対処するために、ウエハの中央部よりもウエハの周辺部にある弾性表面波素子の隣接する電極間隔をより大きくする。これにより、ウエハの周辺部の電極がイオンビーム２３により斜めに照射されても、単位長さ当たりの帯電量を小さくすることができるためイオンビーム２３の曲がりを少なくし、電極へのサイドエッチングを少なくすることができる。
なお、本実施の形態１では隣接する電極が直線的に切り込まれたが、電極が段差状、曲線的、または階段状に切り込まれても同様の効果が得られる。また、隣接する電極が部分的に切り込まれるのであれば上記以外のどのような形状で切り込まれてもよい。
以上に示したように、本実施の形態１によれば、反射器電極３の共通部分５の一部とストリップ部分１０の一部とが切り込まれて、特に共通部分およびストリップ部分の電極間隔が広げられる。これにより、金属薄膜をエッチングして電極パターンを形成する際に発生する、隣接する電極の帯電量および帯電量のアンバランスによる影響を低減し、電極の形状の鈍りを小さくできる。したがって、弾性表面波装置の伝搬損失を低減することができる。
（実施の形態２）
図４は本発明の実施の形態２における弾性表面波装置の部分的拡大図である。
図４において、実施の形態１の図１Ｂで説明したものと同一のものについては同一番号を付し、詳細な説明は省略する。なお、図４は電極パターンの構成を模式的に示したものであり、それぞれの寸法の相対的な関係を示したものではない。
本実施の形態２では、弾性表面波装置の隣接する電極を切り込む場所と形状が実施の形態１のそれらと異なり、その他については実施の形態１と同様である。
実施の形態２においては反射器電極３の共通部分５の一部およびストリップ部分１０の一部を直線的に切り込んだのに加えて、櫛形電極２の共通部分４の一部を段差状に切り込む。このような構成にすることにより、隣接する櫛形電極２の共通部分４と反射器電極３の共通部分５の間隔を、一方の電極のみを切り込んだ場合に比べさらに間隔を広げることができる。したがって単位長さ当たりの帯電量をさらに小さくすることができるので、イオンビーム２３の曲がりを少なくすると共に帯電量のアンバランスの影響が低減する。よって電極へのサイドエッチングを少なくすることができるため、電極の形状の鈍りを抑制し弾性表面波装置の伝搬損失を低減することができる。
なお、本実施の形態２では反射器電極３の共通部分５の一部およびストリップ部分１０の一部は直線的および段差状に切り込まれたが、これらは曲線的または階段状に切り込まれても同様の効果が得られる。また、共通部分５の一部とストリップ部分１０の一部とを部分的に切り込むのであれば上記以外のどのような形状で切り込まれてもよい。
以上に示したように、本実施の形態２によれば、反射器電極３の共通部分５の一部およびストリップ部分１０の一部を直線的に切り込んだのに加えて、櫛形電極２の共通部分４の一部を段差状に切り込まれる。これにより、隣接する電極間隔がさらに広がり、帯電量の影響及び帯電量のアンバランスの影響を小さくすることができるため、電極の形状の鈍りをさらに小さくし、弾性表面波装置の伝搬損失をさらに小さくすることができる。
（実施の形態３）
図５は本発明の実施の形態３における弾性表面波装置の部分拡大図である。図５において、実施の形態１の図１Ｂで説明したものと同一のものについては同一番号を付し、詳細な説明は省略する。なお、図５は電極パターンの構成を模式的に示したものであり、それぞれの寸法の相対的な関係を示したものではない。
本実施の形態３では、弾性表面波装置の隣接する電極を切り込む場所及び切り込む形状が実施の形態１のそれらとは異なり、その他については実施の形態１と同様である。実施の形態３においては共通部分５の一部を段差状に切り込むと共に直線的に切り込み、さらにストリップ部分１０の一部を直線的に切り込んだのに加えて、櫛形電極２の共通部分４の一部を段差状に切り込むと共に曲線的に切り込み、複数の切り込む形状が組み合わされる。
このような構成にすることにより、隣接する櫛形電極２の共通部分４と反射器電極３の共通部分５の間隔を一方の電極のみを切り込んだ場合に比べさらに間隔を広げることができる。さらに、切り込む形状を複数組み合わせることにより例えば電極パターン設計上パターン配置に余裕のない場合でも様々な形状に電極を切り込むことができるため、どのような電極パターン配置でも単位長さ当たりの帯電量を小さくすることができる。したがってイオンビーム２３の曲がりを少なくすると共に、帯電量のアンバランスの影響が低減する。よって電極へのサイドエッチングを少なくすることができるため、電極の形状の鈍りを抑制し弾性表面波装置の伝搬損失を低減することができる。
なお、本実施の形態３では共通部分およびストリップ部分の一部が段差状と直線的な組み合わせおよび段差状と曲線的な組み合わせでそれぞれ切りこまれた。これに加えて段差状、直線的、曲線的、階段状のうちの複数の形状を組み合わせて電極が切り込まれても同様の効果が得られる。また、隣接する電極を部分的に切り込むのであれば上記以外のどのような形状で電極が切り込まれてもよい。
以上に示したように、本実施の形態３によれば、反射器電極３の共通部分５の一部を段差状に切り込むと共に直線的に切り込み、さらにストリップ部分１０を直線的に切り込んだのに加えて、櫛形電極２の共通部分４の一部を段差状に切り込むと共に曲線的に切り込む。すなわち切り込む形状を複数組み合わせることにより、電極パターン設計上パターン配置に余裕のない場合でも隣接する電極間隔をさらに広げることができ、帯電量の影響及び帯電量のアンバランスの影響を小さくすることができるた。したがって電極パターン設計上パターン配置に余裕のない場合でも隣接する電極間隔を広げることができるため、どのような電極パターンにおいても電極の形状の鈍りをさらに小さくし、弾性表面波装置の伝搬損失をさらに小さくすることができる。
産業上の利用可能性
本発明によれば、櫛形電極と隣接する反射器電極の共通部分とストリップ部分とが部分的に切り込まれて電極間隔が広げられる。これにより、金属薄膜をエッチングして電極パターンを形成する際に発生する、隣接する電極の帯電量および帯電量のアンバランスによる影響を低減し、電極の形状の鈍りを小さくできる。したがって弾性表面波装置の伝搬損失を低減することができる。
【図面の簡単な説明】
図１Ａは本発明の実施の形態１における弾性表面波装置の平面図である。
図１Ｂは実施の形態１における弾性表面波装置の部分的拡大図である。
図２Ａは従来の弾性表面波装置の部分的拡大図である。
図２Ｂは図２Ａの弾性表面波装置の線２Ｂ−２Ｂにおける断面図である。
図２Ｃは実施の形態１における弾性表面波装置の部分的拡大図である。
図２Ｄは図２Ｃの弾性表面波装置の線２Ｄ−２Ｄにおける断面図である。
図３は実施の形態１における電子部品の断面図である。
図４は本発明の実施の形態２における弾性表面波装置の部分的拡大図である。
図５は本発明の実施の形態３における弾性表面波装置の部分的拡大図である。
図６Ａは従来の弾性表面波装置の平面図である。
図６Ｂは従来の弾性表面波装置の部分的拡大図である。
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【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図２Ｃ】
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【図２Ｄ】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【国際調査報告】
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