【事件の表示】
　特願２００６−２６１５０２「赤外線センサ」拒絶査定不服審判事件〔平成２０年４月１０日出願公開，特開２００８−８２７９０〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成１８年９月２６日を出願日とする出願であって，平成２３年６月９日付けで拒絶理由が通知され，同年８月１２日付けで手続補正がなされたが，平成２４年１月２３日付で拒絶査定がされた。これに対し，同年５月１日に拒絶査定不服の審判請求がされるとともに，同日付で手続補正（以下，「本件補正」という。）がなされ，平成２５年３月１３日付けで審尋がなされ，同年５月２０日に回答書が請求人より提出されたものである。
　
第２　本件補正についての補正却下の決定
　
［補正却下の決定の結論］
　本件補正を却下する。
　
［理由］
１　補正後の請求項１に係る発明
　本件補正により，特許請求の範囲の請求項１は，
「【請求項１】
　熱絶縁用の空洞を有するベース基板の一表面側で平面視において空洞の内周線の内側に位置する赤外線受光部が前記一表面に沿って形成された複数の梁部を介してベース基板に支持された赤外線センサであって、ベース基板が
単結晶のシリコン基板
シリコン基板
シリコン酸化膜からなる
料の
感熱材料は、単結晶シリコンに不純物をドーピングした熱電材料である
　
２　補正事項について
（１）補正事項１
　ベース基板について，補正前の「半導体基板」から「単結晶のシリコン基板」に補正した点について，補正前の明細書の【００２５】に「単結晶のシリコン基板からなる半導体基板１０ａ」との記載があることから，「半導体基板」を「単結晶のシリコン基板」に限定したものである。
（２）補正事項２
　補正前の「絶縁層」を「シリコン酸化膜からなる絶縁層」に補正した点は，「絶縁層」を限定したものである。
（３）補正事項３
　補正前の「梁部が感熱材料もしくは配線材料のみにより形成」から「梁部が感熱材料のみにより形成」に補正した点は，「感熱材料もしくは配線材料」を「感熱材料」に限定したものである。
（４）補正事項４
　「感熱材料は、単結晶シリコンに不純物をドーピングした熱電材料である」を追加する補正をした点は，感熱材料を「単結晶シリコンに不純物をドーピングした熱電材料」に限定したものである。
　してみると，上記補正事項（１）〜（４）による補正は，いずれも補正前の発明特定事項を限定するものであるから，請求項１についての本件補正は，平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで，本件補正後の前記請求項１に記載された発明（以下，「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
３　引用刊行物及びその記載事項
（１）本願の出願前に頒布され，原査定の拒絶の理由に引用された刊行物である特開平１１−５１７６２号公報（以下，「引用例１」という。）には，図面とともに，次の事項が記載されている。なお，以下において下線は当審において付与したものである。
　
（１−ア）「【０１１６】（第４の実施形態）図４は本発明の第４の実施形態に係わる赤外線固体撮像装置の単位画素部構造を説明するための模式図であり、
シリコン基板１上に酸化シリコン膜２の一部を犠牲層としてエッチングして形成した中空構造８上にｐ型ポリシリコン膜３とｎ型ポリシリコン膜４とを温接点コンタクトホール６−１を介して、例えばアルミニウム等の温接点コンタクト金属７−１により接続したサーモパイル型の赤外線固体撮像値
【０１１７】図４の（ａ）は単位画素構造の平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ′に沿った断面構造図である。
【０１１８】また、図４における冷接点は冷接点コンタクト６−２を介して
熱電対材料であるポリシリコン膜３，４
【０１１９】図４の構造においては、
入射した赤外線は温接点金属７−１の温度を上昇させる
【０１２０】ここで、図４においては、従来構造として示した図１２と比較して、温接点金属７−１の熱容量Ｃ及び温接点−冷接点間の熱コンダクタンスＧが大幅に低減されている。
【０１２１】図４の構造においては、
温接点金属７−１をヒートシンクであるシリコン基板１との間に存在する中空構造８により熱分離するための支持材が、熱電対材料であるポリシリコン膜３，４自身からなっている
【０１２２】また、図４の構造においては、温接点金属７−１の熱容量は温接点金属７−１及び熱電対材料であるポリシリコン膜３，４の一部のみから決定される。
即ち、図４の構造においては、従来例で示される支持材の存在による熱コンダクタンスＧ及び熱容量Ｃの増加が発生しないために、従来構造よりも高感度の赤外線固体撮像が可能となる
（なお，【０１１６】記載の「サーモパイル型の赤外線固体撮像
値
装置
　
（１−イ）「【０１３０】次に、図４及び図５の構造を得るための製造工程について、図５を例に図６で説明するが、熱電変換手段と関係の無い、信号読み出し手段の製造工程については省略する。
【０１３１】まず、図６（ａ）に示すように、
シリコン基板１上にシリコン酸化膜２を１μｍ形成する。
【０１３２】次いで、図６（ｂ）に示すように、熱電対材料としてｐ型ポリシリコン膜３を所望の形状に形成する。例えば、アンドープのポリシリコン膜をＬＰ−ＣＶＤ法により５０ｎｍ堆積し、
ｐ型不純物としてボロンを
イオン注入し
【０１３３】なお、図６には示していないが、
ｎ型ポリシリコン膜４もｐ型ポリシリコン膜３と同様の工程で形成可能であり、イオン注入の不純物をｎ型不純物
　
（１−ウ）図４(ａ)，（ｂ）（下図参照）には，酸化シリコン膜２が形成されたシリコン基板１の一表面側で平面視において中空構造８の内周線の内側に温接点金属７−１が位置されており，そして，温接点金属７−１がその一表面側に沿って形成されたポリシリコン膜３，４を介してシリコン基板１上の酸化シリコン膜２に支持されていることが記載されている。
　これらの記載事項を総合すると，引用例１には，以下の発明が記載されていると認められる。
「シリコン基板１上に形成された酸化シリコン膜２の一部を犠牲層としてエッチングして，シリコン基板１上に形成した中空構造８と，温接点金属７−１をヒートシンクであるシリコン基板１との間に存在する中空構造８により熱分離するための支持材と，を有するサーモパイル型赤外線固体撮像装置において，酸化シリコン膜２が形成されたシリコン基板１の一表面側で平面視において中空構造８の内周線の内側に温接点金属７−１が位置されており，そして，温接点金属７−１が，その一表面側に沿って形成された該支持材を介して，シリコン基板１上の酸化シリコン膜２に支持されており，該支持材が，不純物をイオン注入した熱電対材料であるポリシリコン膜３，４自身からなっていることを特徴とするサーモパイル型の赤外線固体撮像装置。」（以下，「引用発明」という。）
　
（２）本願の出願前に頒布され，原査定時に周知技術として記載された刊行物である特開２００６−１７０９３７号公報（以下，「周知例１」という。）には，サーモパイル型赤外線センサについて，【図１】（ｂ）として以下の図面が記載されている。
　
（３）本願の出願前に頒布され，原査定時に周知技術として記載された刊行物である特開２００３−１６６８７６号公報（以下，「周知例２」という。）には，サーモパイル型赤外線センサについて，【図１】（ｂ）として以下の図面が記載されている。
　
（４）本願の出願前に頒布され，原査定時に周知技術として記載された刊行物である特開２００３−１３３６０２号公報（以下，「周知例３」という。）には，サーモパイル型赤外線センサについて，【図５】として以下の図面が記載されている。
　
　
４　対比・判断
（１）対比
　本願補正発明と引用発明とを対比する。
ア　引用発明における「シリコン基板１」及び「酸化シリコン膜２」は，本願補正発明における「シリコン基板」及び「シリコン酸化膜からなる絶縁層」に相当しており，「酸化シリコン膜２」は「シリコン基板１」の一表面上に形成されるものであるから，「シリコン基板１」と「酸化シリコン膜２」とで構成されるものは，本願補正発明における「ベース基板」に対応するものである。
　したがって，引用発明における「酸化シリコン膜２が形成されたシリコン基板１の一表面側で平面視において中空構造８の内周線の内側に温接点金属７−１が位置されており，そして，温接点金属７−１が，その一表面側に沿って形成された該支持材を介して，シリコン基板１上の酸化シリコン膜２に支持されており」は，上記「ベース基板」との用語を用いて記載すると「ベース基板の一表面側で平面視において中空構造８の内周線の内側に温接点金属７−１が位置されており，そして，温接点金属７−１が，その一表面側に沿って形成された該支持材を介して，ベース基板に支持されており」となる。
　
イ　引用発明における「支持材」，「熱電対材料」，「イオン注入」及び「赤外線固体撮像装置」は，本願補正発明における「梁部」，「熱電材料」，「ドーピング」及び「赤外線センサ」に相当している。
　
ウ　引用発明における「中空構造８」は，温接点金属７−１とヒートシンクであるシリコン基板１とを熱分離するためのものであるから，本願補正発明における「熱絶縁用の空洞」に他ならない。
　
エ　引用発明の「温接点金属７−１」は，赤外線が入射して温度が上昇する部分であるから，本願補正発明における「赤外線受光部」に相当する。
　
オ　引用発明の支持材は，ポリシリコン膜３とポリシリコン膜４の２つあるから，本願補正発明の「複数の」梁部に相当する。
　
　してみれば，本願補正発明と引用発明とは，
（一致点）
「熱絶縁用の空洞を有するベース基板の一表面側で平面視において空洞の内周線の内側に位置する赤外線受光部が前記一表面に沿って形成された複数の梁部を介してベース基板に支持された赤外線センサであって，ベース基板がシリコン基板と当該シリコン基板の一表面上のシリコン酸化膜からなる絶縁層とで構成されて，梁部が感熱材料のみにより形成されてなり，感熱材料はシリコンに不純物をドーピングした熱電材料である赤外線センサ。」
の点で一致し，以下の点で相違する。
　
（相違点１）
　本願補正発明では，シリコン基板が「単結晶」であり、熱電材料とすべく不純物をドーピングするシリコンが「単結晶」シリコンであるのに対し，引用発明のシリコン基板が「単結晶」であるかどうか不明であり，不純物をドーピングするシリコンが「ポリ」シリコンである点。
　
（相違点２）
　本願補正発明では，空洞について「前記絶縁層と前記シリコン基板とに跨って前記空洞が形成され」ているのに対し，引用発明における「中空構造８」が，そのような形態になっていない点。
　
（２）当審の判断
（相違点１）について
　サーモパイル型の赤外線センサにおいて，シリコン基板を「単結晶」とし，熱電材料とすべく不純物をドーピングするシリコンを「単結晶」シリコンとすることは，例えば，特開２００５−２２１２３８号公報（【００４９】，【００６２】及び【００６３】参照），特開平３−２３６２８８号公報（特許請求の範囲，４頁左下欄１５行〜右下欄５行参照），特開平４−９８８８３号公報（１頁右欄１９行〜２頁右下欄４行参照）にも記載されているように，本出願前周知のことであり，これにより，周辺回路を集積化できる，熱抵抗が大きくなり赤外線検出感度を高くできる，低価格化できる，熱起電力を高めるすなわち感度を高める，という効果が得られることも上記公報の指摘箇所に記載されている。
　してみれば，引用発明においても，サーモパイル型の赤外線センサとしてこれらの効果がある方が好ましいことは明らかであるから，引用発明のシリコン基板を「単結晶」のシリコン基板とし，不純物をドーピングするシリコンを「ポリ」シリコンに替えて「単結晶」シリコンとすることは当業者が容易になし得ることである。
　
（相違点２）について
　本願補正発明の「前記絶縁層と前記シリコン基板とに跨って前記空洞が形成され」との記載は出願当初の明細書にはなく，補正された明細書にもどのような形態のことを特定しているのか説明されていないが，本願に添付している【図１】（ｂ）に記載されているように，空洞が絶縁層１１を貫通し，さらにシリコン基板１０ａの上側が凹んで形成されているという意味を含んでいることは明らかである。
　一方，引用例１の摘記事項（１−ウ）である図４（ｂ）を参照するに，引用発明の中空構造８は，絶縁層である酸化シリコン膜２を貫通しているが，シリコン基板１の上側が凹んでいない。しかしながら，周知例１〜３に記載されているように，サーモパイル型赤外線センサにおいて，中空構造部（周知例１では「空洞５００」，周知例２では「凹部８」，周知例３では「空洞部１３」）が絶縁層を貫通するだけでなく，シリコン基板の上側を凹ませて設けることにより，シリコン基板と赤外線受光部（周知例１では「赤外線吸収膜１００」，周知例２では「赤外線検知部４」，周知例３では「赤外線吸収膜２７」）との間の距離を十分にとり，両者の熱分離を図ることは本出願前周知のことである。
　してみれば，引用発明においても，中空構造８は温接点金属７−１（すなわち赤外線受光部）とシリコン基板１との熱分離をするためのものであり，熱分離という点においては両者間の距離を十分にとる方が好ましいことは明らかであるから，上記周知技術を鑑みて，中空構造８を，絶縁層である酸化シリコン膜２を貫通させるだけでなく，シリコン基板１の上側を凹ませて形成することは当業者が容易になし得ることである。
　
（本願補正発明の効果について）
　本願明細書で本願補正発明の効果を，
「【発明の効果】
【００２０】
　請求項１の発明は、従来に比べて梁部の熱コンダクタンスを小さくすることができ、高感度化を図れるという効果がある。」と記載している。
　しかしながら，当該効果は，引用例１の摘記事項（１−ア）に記載されている「即ち、図４の構造においては、従来例で示される支持材の存在による熱コンダクタンスＧ及び熱容量Ｃの増加が発生しないために、従来構造よりも高感度の赤外線固体撮像が可能となる。」との効果に他ならなず，何ら格別のものではない。
　
　したがって，本願補正発明は，引用発明及び周知技術に基いて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法２９条２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
５　まとめ
　以上のとおり，本件補正は，平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであり，同法１５９条１項において読み替えて準用する同法５３条１項の規定により却下されるべきものである。　
　
　
第３　本願発明について
　
１　本願発明
　本件補正は上記のとおり却下されることとなるので，本願の請求項に係る発明は，平成２３年８月１２日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１〜６に記載された事項により特定されるものであるところ，その請求項１に係る発明（以下，「本願発明」という。）は，次のとおりのものである。
「【請求項１】
　熱絶縁用の空洞を有するベース基板の一表面側で平面視において空洞の内周線の内側に位置する赤外線受光部が前記一表面に沿って形成された複数の梁部を介してベース基板に支持された赤外線センサであって、ベース基板が半導体基板と当該半導体基板の一表面上の絶縁層とで構成されて前記絶縁層と前記半導体基板とに跨って前記空洞が形成され、梁部が感熱材料もしくは配線材料のみにより形成されてなることを特徴とする赤外線センサ。」
　
２　引用刊行物及びその記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用された刊行物である上記引用例１，原査定時に周知技術として記載された上記周知例１〜３の記載事項は，上記「第２」「３　引用刊行物及びその記載事項」に記載したとおりである。
　
３　対比・判断
　上記「第２」「２　補正事項について」に記載したとおり，本願補正発明は，本願発明にさらに限定事項を追加したものであるから，本願発明は，本願補正発明から限定事項を省いた発明といえる。その本願補正発明が，前記「第２」「４　対比・判断」に記載したとおり，引用発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明することができたものである以上，本願発明も同様の理由により，当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
第４　むすび
　以上のとおり，本願発明は，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから，その余の請求項に係る発明について言及するまでもなく，本願は拒絶されるべきものである。
　
　よって，結論のとおり，審決する。