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　特願２００６−１０３２４６「垂直構造３族窒化物発光素子およびその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年１０月２６日出願公開、特開２００６−２９５１６２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
　
　１　手続の経緯
　
　本願は、平成１８年４月４日（パリ条約による優先権主張　２００５年４月７日、大韓民国）に特許出願したものであって、平成２１年９月１８日に手続補正がなされたが、平成２２年６月８日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年１０月１５日に拒絶査定不服審判の請求がなされるとともに、同時に手続補正がなされた後、当審において、平成２４年３月２２日付けで拒絶理由が通知されたものである。
　
　２　本願発明
　
　本願の請求項に係る発明は、平成２２年１０月１５日になされた手続補正後の特許請求の範囲の請求項１ないし９に記載された事項により特定されるものと認められるところ、請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次のとおりのものである。
　
「母基板上面に凸凹パターンを形成する段階と、 
　凸凹パターンが形成された上記母基板上面にアンドープＧａＮ層を形成する段階と、
　上記アンドープＧａＮ層上にｎ-ドープＡｌｘＧａｙＩｎ(１-ｘ-ｙ)Ｎ(０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１)層を形成する段階と、
　上記ｎ-ドープＡｌｘＧａｙＩｎ(１-ｘ-ｙ)Ｎ(０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１)層上に活性層を形成する段階と、
　上記活性層上にｐ型クラッド層を形成する段階と、
　上記ｐ型クラッド層上に導電性基板を形成する段階と、
　上記アンドープＧａＮ層に形成された凸凹パターンを露出させるよう上記母基板を除去する段階及び
　上記アンドープＧａＮ層の露出面の一部領域上に上記アンドープＧａＮ層と接触するｎ側電極を形成する段階を含み、
　上記母基板上面に凸凹パターンを形成する時、上記母基板上面のうちｎ側電極に相応する領域には凸凹パターンを形成しないことを特徴とする垂直構造３族窒化物発光素子の製造方法。」
　
　３　当審において平成２４年３月２２日付けで通知した拒絶の理由
　
　当審において平成２４年３月２２日付けで通知した拒絶の理由は、以下のとおりのものである。
　
「本件出願は、明細書及び図面の記載が下記の点で不備のため、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない。 
 　 
 　　　　　　　　　　　　　　　　　記 
 　 
　本件出願の発明の詳細な説明の記載は、発明を実施するために必要な事項と考えられる下記１．〜３．等の点について、当業者が理解できる程度に記載したものとはいえない。
　
１．本願請求項１の「凸凹パターンが形成された上記母基板上面にアンドープＧａＮ層を形成する段階」について、凸凹パターン上にアンドープＧａＮ層を形成しようとすると、アンドープＧａｎ層に結晶欠陥が生じる等の困難が予想されるところ、具体的にどのようにすれば、凸凹パターン１５３を有する母基板１５１上面にアンドープＧａＮ層１１１を成長させることができるのか、そのように形成されたアンドープＧａＮ層１１１がどのようなものであるのか。 
 　 
２．本願請求項１の「上記アンドープＧａＮ層に形成された凸凹パターンを露出させるよう上記母基板を除去する段階」について、母基板に凸凹パターンがあるために除去工程には困難が伴うことが予想されるところ、どのような工程によって、母基板を除去し、図１２及び図１３に示されるような、アンドープＧａＮ層１１１表面に形成された凸凹パターン１２１が得られるのか。明細書の【００５３】には、「例えばレーザービームを利用したレーザーリフトオフ(ｌａｓｅｒ　ｌｉｆｔ-ｏｆｆ)工程により除去されることが可能である。」と記載されているが、レーザーリフトオフとは、どの部材のどの個所にどのような処理を行うのか。 
 　 
３．本願請求項１の「アンドープＧａＮ層」について、明細書の【００３８】には、「アンドープＧａＮ層１１１は電流を拡散させる特性を有しているため、ｎ側電極１２３から印加される電圧によって発生される電流を側方向に広く拡散させることとなる。」と記載されている。「アンドープＧａＮ層」は、単に抵抗を増大させるだけとも考えられるところ、なぜ電流を拡散させる特性を有し、ｎ側電極１２３から印加される電圧によって発生される電流を側方向に広く拡散させることとなるのか。 
 　 
　したがって、発明の詳細な説明の記載は、当業者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載したものであるとはいえない。」
　
　４　当審の判断
　
（１）本願発明の「凸凹パターンが形成された上記母基板上面にアンドープＧａＮ層を形成する段階」について
　
ア　本願明細書の発明の詳細な説明及び図面には、本願発明の「凸凹パターンが形成された上記母基板上面にアンドープＧａＮ層を形成する段階」との特定事項に関し、
　
「【００３５】
　後述する通り、上記凸凹パターン１２１は、他の基板(例えば、 サファイア 基板)に形成された凸凹パターンがアンドープＧａＮ層１１１に転写(ｔｒａｎｓｆｅｒ)されることによって作られる。従って、上記凸凹パターン１２１は非常に正確な寸法で規則的に形成されることが可能である。充分な散乱効果を得るため、凸凹パターン１２１の間隔と幅そして高さは２０ｎｍないし１００μｍの範囲にあることが好ましい。」、
　
「【００４９】
　次に、図６を参照すると、上記凸凹パターン１５３が形成された母基板１５１上面にアンドープＧａＮ層１１１、ｎ-ドープＡｌｘＧａｙＩｎ(１-ｘ-ｙ)Ｎ層１０９、活性層１０７及びｐ型クラッド層１０５を順次に成長させる。これに伴い、ｎ型クラッド層１１０、活性層１０７及びｐ型クラッド層１０５からなる発光構造物が形成される。凸凹パターン１５３を有する母基板１５１上面にアンドープＧａＮ層１１１を成長させることにより、上記凸凹パターン１５３は母基板１５１と接するアンドープＧａＮ層１１１表面上に転写される。これに伴い、アンドープＧａＮ層１１１の下面にも凸凹パターン(図９の図面符号１２１参照)が形成される。
【００５０】
　アンドープＧａＮ層１１１に形成された凸凹パターン１２１の間隔と幅そして高さは、母基板１５１に形成された凸凹パターン１５３の間隔および幅そして高さと実質的に同じになる。図５及び図１１を参照して既に説明した通り‘ｎ側電極に相応する領域(図１１のＡ領域)'には母基板１５１の凸凹パターン１５３が形成されていないため、その領域ではアンドープＧａＮ層１１１の凸凹パターン１２１も形成されなくなる。」
　
との記載があり、該記載以上に、本願発明の上記特定事項を具体的に説明する記載はない。
　
イ　しかるに、本願発明のように、凸凹パターン上にアンドープＧａＮ層を形成しようとすると、アンドープＧａｎ層に結晶欠陥が生じる等の問題が予想されるところであり、本願明細書の上記アの記載を見ても、具体的にどのようにすれば、凸凹パターン１５３を有する母基板１５１上面にアンドープＧａＮ層１１１を成長させるのか、また、形成されたアンドープＧａＮ層１１１がどのようなものであるのか不明であり、本願の発明の詳細な説明は、当業者が本願発明の実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載したものとはいえない。
　
ウ　請求人は、平成２４年６月２７日付け意見書において、
　
「これについて、出願時の技術常識に鑑みて具体的に説明しますと、一般に、半導体成長用基板上に発光構造物を成長させるためには、バッファ層としてアンドープ半導体層を形成します。例えば、半導体成長用基板として利用されるサファイア基板と、その上面に積層されるGaNからなる半導体層との格子定数の差異を緩和し、GaN層の結晶性を増大させるためには、アンドープGaNを使用することができます。このとき、アンドープGaNは500から600℃の低温で数十から数百Åの厚さに成長させて形成します。このように、本発明において母基板上にアンドープGaN層を形成する場合、工程の序盤に低温で成長させてバッファ層を形成し、その後、高温で成長させる方法を使用すると、アンドープGaN層に結晶欠陥が生じることを防止することができます。また、母基板151が凸凹パターン153を有する場合も、アンドープGaN層に結晶欠陥が生じることを防止することができます。
　このとき、アンドープGaN層は半導体層に対して不純物ドーピング工程を別途に行わないものであっても、半導体層に本来存在していた水準の不純物濃度、例えば、窒化ガリウム半導体をMOCVDを利用して成長させると、ドーパントとして使用されるSi等が意図しなくても約1014〜1018/cm3の水準に含むようにすることができます。
　従って、このような技術常識を考慮すると、請求項１の「凸凹パターンが形成された母基板上面にアンドープGaN層を形成する段階」について、凹凸パターン153を有する母基板上面151にアンドープGaN層111を成長させる方法、また、どのようなアンドープGaN層111が形成されるかは、発明の詳細に当業者が理解できる程度に記載されていることは明らかです。」
　
と主張する。
　しかし、本願発明において、「母基板上にアンドープGaN層を形成する場合、工程の序盤に低温で成長させてバッファ層を形成し、その後、高温で成長させる方法を使用する」ことは、本願明細書に記載されていないし、母基板に凸凹パターンが形成される場合において、バッファ層を形成することにより、結晶欠陥が生じることを防止できると認めるに足る根拠も示されていないから、上記主張は、採用の限りでない。
　
（２）本願発明の「上記アンドープＧａＮ層に形成された凸凹パターンを露出させるよう上記母基板を除去する段階」について
　
ア　本願明細書の発明の詳細な説明及び図面には、本願発明の「上記アンドープＧａＮ層に形成された凸凹パターンを露出させるよう上記母基板を除去する段階」との特定事項に関し、
　
「【００５３】
　次に、図９を参照すると、母基板１５１を発光構造物から分離、除去する。母基板１５１は例えばレーザービームを利用したレーザーリフトオフ(ｌａｓｅｒ  ｌｉｆｔ-ｏｆｆ)工程により除去されることが可能である。これに伴い、図９に図示された通りアンドープＧａＮ層１１１の下面に形成された凸凹パターン１２１が現れることとなる。」、
　
「【００５９】
　次に、図１５に図示された通り母基板１５１を分離、除去する。これに伴い、アンドープＧａＮ層１１１に形成された凸凹パターンが現れることとなる。・・・」
　
との記載があり、該記載以上に、本願発明の上記特定事項を具体的に説明する記載はない。
　
イ　しかるに、本願発明においては、母基板に凸凹パターンがあるために、母基板１５１を発光構造物から分離、除去するには困難が伴うことが予想されるところであり、本願明細書の上記アの記載を見ても、どのような工程によって、母基板を除去し、図１２及び図１３に示されるような、アンドープＧａＮ層１１１表面に形成された凸凹パターン１２１が得られるのか、また、レーザーリフトオフとは、どの部材のどの個所にどのような処理を行うのか不明であり、本願の発明の詳細な説明は、当業者が本願発明の実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載したものとはいえない。
　
ウ　請求人は、平成２４年６月２７日付け意見書において、
　
「これについて、出願時の技術常識に鑑みて検討すると、窒化物系発光素子を製造するとき、基板と窒化物系発光素子との分離工程を行うにあたり、窒化物系発光構造物のクラック(crack)発生等を最小限にするため、基板と窒化物系発光構造物との界面にレーザー(laser)を照射して分離させるレーザーリフトオフ(LLO)方法が主に使用されます。このようなレーザーリフトオフ(LLO)方法は、母基板にレーザービームを照射して母基板と発光構造物とを分離するものです。
　このとき、レーザーリフトオフ(LLO)を利用して母基板と発光構造物とを分離する過程において、発光構造物にクラック(crack)が発生しない限度内でレーザービームのエネルギーを高めたり、レーザービームを何度かにわたって照射すると、アンドープGaN層及び凸凹パターンが形成された母基板を容易に除去することができます。
　このような技術常識を考慮すると、請求項１の「上記アンドープGaN層に形成された凸凹パターンを露出させるよう上記母基板を除去する段階」について、母基板を除去してアンドープGaN層111表面に形成された凹凸パターン121を得る方法、また、レーザーリフトオフはどの部材のどの個所にどのような処理を行うのかは、発明の詳細に当業者が理解できる程度に記載されていることは明らかです。」
　
と主張するが、上記主張は、一般的なレーザーリフトオフについて説明するにとどまり、アンドープＧａＮ層に形成された凸凹パターンを露出させるよう母基板を除去する具体的な手法を明らかにするものではないから、採用の限りでない。
　
（３）本願発明の「アンドープＧａＮ層」が奏する作用効果について
　
ア　本願明細書の発明の詳細な説明及び図面には、本願発明の「アンドープＧａＮ層」が奏する作用効果に関し、
　
「【００３８】
　本実施形態によると、垂直構造発光素子１００はｎ-ドープＡｌｘＧａｙＩｎ(１-ｘ-ｙ)Ｎ層１０９とｎ側電極１２３との間にアンドープＧａＮ層１１１を含んでいる。このようにｎ側電極１２３の下にアンドープＧａＮ層１１１を位置させることで、従来問題になっていたｎ側電極１２３の下での電流集中現象を防止することが可能である。すなわち、アンドープＧａＮ層１１１は電流を拡散させる特性を有しているため、ｎ側電極１２３から印加される電圧によって発生される電流を側方向に広く拡散させることとなる。これに伴い、発光素子１００の動作電圧(Ｖｆ)が減少され、ＥＳＤ(Ｅｌｅｃｔｒｏｓｔａｔｉｃ  Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ:静電気放電)特性が向上され、素子の寿命が改善される。」
　
との記載があり、該記載以上に、上記作用効果を具体的に説明する記載はない。
　
イ　上記アによれば、本願明細書において、本願発明の「アンドープＧａＮ層」は、電流を拡散させる特性を有しているため、ｎ側電極１２３から印加される電圧によって発生される電流を側方向に広く拡散させるとされていることが認められる。
　
ウ　しかし、上記イのように、本願発明の「アンドープＧａＮ層」が、なぜ、電流を拡散させる特性を有しており、ｎ側電極１２３から印加される電圧によって発生される電流を側方向に広く拡散させるのか不明であり、本願の発明の詳細な説明は、当業者が、本願発明において「アンドープＧａＮ層」を形成することの技術上の意義を理解するために必要な事項を記載したものとはいえない。
　
エ　請求人は、平成２４年６月２７日付け意見書において、
　
「これについて出願時の技術常識に鑑みて検討すると、アンドープGaN層は半導体層に不純物ドーピング工程を別途に行わないものであっても、半導体層に本来存在していた水準の不純物濃度、例えば、窒化ガリウム半導体をMOCVDを利用して成長させると、ドーパントとして使用されるSi等が意図しなくても約1014〜1018/cm3の水準に含まれたものであることができます。よって、n側電極123下に形成されたアンドープGaN層111は、その下部に形成されたn-ドープAlxGayIn(1-x-y)N層109に比べて高い抵抗を有しますが、一定の電気伝導性を有するようになります。
　アンドープGaN層111なしに直接n-ドープAlxGayIn(1-x-y)N層109の上部にn側電極123が形成される場合には、n側電極123に外部から電気信号が印加されると、電流が電極の下部領域に集中する現象が発生します。
　しかし、アンドープGaN層111の上部に形成されたn側電極123に外部から電気信号が印加されると、比較的抵抗が高いアンドープGaN層によって電流が電極の下部領域に集中しないため、それ以外の領域に電流が拡散できます。
　以上の技術常識の内容を踏まえると、請求項１の「アンドープGaN層」はなぜ電流を拡散させる特性を有し、n側電極123から印加される電圧によって発生される電流を側方面に広く拡散させることとなるのかは、発明の詳細に当業者が理解できる程度に記載されていることは明らかです。」
  
と主張するが、なぜ「比較的抵抗が高いアンドープGaN層によって電流が電極の下部領域に集中しないため、それ以外の領域に電流が拡散でき」るのか不明であるから、上記主張は、採用することができない。
　
（４）まとめ
　
　上記（１）ないし（３）のとおり、本願の発明の詳細な説明は、経済産業省令（特許法施行規則第２４条の２）で定めるところにより、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載したものとはいえず、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない。
　
　５　むすび
　
　以上のとおり、本願は、発明の詳細な説明の記載が、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない。
　
　よって、結論のとおり、審決する。