【事件の表示】
　特許第６３６３３０７号発明「フラックス組成物、ソルダペースト組成物及び電子回路基板」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第６３６３３０７号の明細書、特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正明細書、訂正特許請求の範囲のとおり訂正後の請求項〔１〜１２〕について訂正することを認める。
　特許第６３６３３０７号の請求項１に係る特許についての特許異議の申立てを却下する。
　特許第６３６３３０７号の請求項２ないし１２に係る特許を維持する。
【理　由】
第１　手続の経緯
　特許第６３６３３０７号の請求項１〜１２に係る特許（以下、「本件特許」という。）についての出願（特願２０１７−５４９３５９号）は、２０１７年（平成２９年）６月２６日（優先権主張　平成２８年６月２９日、日本国）を国際出願日とするものであって、平成３０年７月６日に特許権の設定登録がなされ、同年７月２５日に特許掲載公報が発行されたものであり、その後の経緯は以下のとおりである。
平成３１年　１月２２日（提出日）　特許異議申立書（全請求項に対して）
　　　　　　　　　　　　　　　　　特許異議申立人　上山みち子
　　　　　　　　　　　　　　　　（以下、「申立人」という。）
　　　　　　　　　　　　　　　　　甲第１〜５号証を添付
　　　同年　２月２１日（提出日）　特許異議申立書の手続補正書
　　　　　　　　　　　　　　　　（方式補正）
令和　１年　５月１５日（発送日）　取消理由通知書
　　　　　　　　　　　　　　　　（起案日）令和１年５月８日
　　　同年　７月１０日（提出日）　訂正請求書及び意見書（特許権者） 
　　　同年　９月２５日（提出日）　意見書（申立人）
　　　　　　　　　　　　　　　　　甲第６号証を添付
　　　同年１１月１８日（発送日）　訂正拒絶理由通知書
　　　　　　　　　　　　　　　　（特許権者の応答無し）
　　　　　　　　　　　　　　　　（起案日）令和１年１１月１３日
令和　２年　１月２８日（発送日）　取消理由通知書（決定の予告）
　　　　　　　　　　　　　　　　（起案日）令和　２年　１月２４日
　　　同年　３月２７日（提出日）　訂正請求書及び意見書（特許権者）
　なお、令和２年３月２７日に提出された特許権者の訂正請求書及び意見書を申立人に対して送付したが応答はなかった。
第２　訂正請求について
　令和１年７月１０日提出の訂正請求に対して、同年１１月１３日起案の訂正拒絶理由が通知されたところ、これに対する応答はなかったので、令和１年７月１０日提出の訂正請求は認容されず、令和２年１月２４日起案の取消理由（決定の予告）が通知され、これに対して同年３月２７日提出の訂正請求書及び意見書が提出されたので、同年３月２７日提出の訂正請求（以下、「本件訂正請求」という。）について検討する。
１．訂正請求の趣旨
　本件訂正請求の趣旨は、特許第６３６３３０７号の明細書、特許請求の範囲を、本件訂正請求書に添付した訂正明細書、訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項１〜１２について訂正することを求める、というものである。
２．訂正事項
　以下の記載で、下線は訂正箇所を示す。
（１）訂正事項１
　訂正前の請求項１を訂正後に削除する。
（２）訂正事項２
　請求項２について、
　訂正前に「前記はんだ合金粉末を構成するはんだ合金の溶融ピーク温度が１３０℃以上１７５℃未満の場合における前記有機酸エステル（Ｄ−１）の減量率（ＴＧ法を用いて測定。昇温温度１０℃／ｍｉｎ、窒素ガス流量２００ｍｌ／ｍｉｎ、サンプル量１０ｍｇ）が１００質量％となる温度は１８０℃以上且つ２２５℃未満であることを特徴とする
請求項１に記載の
　訂正後に「
はんだ合金粉末と混合してソルダペースト組成物を構成するフラックス組成物であって、
（Ａ）ベース樹脂と、（Ｂ）活性剤と、（Ｃ）チクソ剤と、（Ｄ）溶剤とを含み、
  前記溶剤（Ｄ）として（Ｄ−１）カルボキシル基及びヒドロキシル基のいずれをも有さない有機酸エステル（ただし、マレイン酸ジブチルを除く）を含み、
  前記有機酸エステル（Ｄ−１）の減量率（ＴＧ法を用いて測定。昇温温度１０℃／ｍｉｎ、窒素ガス流量２００ｍｌ／ｍｉｎ、サンプル量１０ｍｇ）が１００質量％となる温度は１８０℃以上且つ前記はんだ合金粉末を構成するはんだ合金の溶融ピーク温度＋５０℃以下であり、
  前記有機酸エステル（Ｄ−１）の配合量は前記溶剤（Ｄ）全量に対して１０質量％から１００質量％であり、
  前記はんだ合金粉末を構成するはんだ合金の溶融ピーク温度が１３０℃以上１７５℃未満の場合における前記有機酸エステル（Ｄ−１）の減量率（ＴＧ法を用いて測定。昇温温度１０℃／ｍｉｎ、窒素ガス流量２００ｍｌ／ｍｉｎ、サンプル量１０ｍｇ）が１００質量％となる温度は１８０℃以上且つ２２５℃未満であることを特徴とするフラックス組成物。」と訂正する。
　請求項２を直接または間接的に引用する請求項５、８〜１２も同様に訂正する。
（３）訂正事項３
　請求項３について、
　訂正前に「前記はんだ合金粉末を構成するはんだ合金の溶融ピーク温度が１７５℃以上２０５℃未満の場合における前記有機酸エステル（Ｄ−１）の減量率（ＴＧ法を用いて測定。昇温温度１０℃／ｍｉｎ、窒素ガス流量２００ｍｌ／ｍｉｎ、サンプル量１０ｍｇ）が１００質量％となる温度は１８０℃以上且つ２５５℃未満であることを特徴とする
請求項１に記載の
　訂正後に「
はんだ合金粉末と混合してソルダペースト組成物を構成するフラックス組成物であって、
（Ａ）ベース樹脂と、（Ｂ）活性剤と、（Ｃ）チクソ剤と、（Ｄ）溶剤とを含み、
　前記溶剤（Ｄ）として（Ｄ−１）カルボキシル基及びヒドロキシル基のいずれをも有さない有機酸エステル（ただし、マレイン酸ジブチルを除く）を含み、
　前記有機酸エステル（Ｄ−１）の減量率（ＴＧ法を用いて測定。昇温温度１０℃／ｍｉｎ、窒素ガス流量２００ｍｌ／ｍｉｎ、サンプル量１０ｍｇ）が１００質量％となる温度は１８０℃以上且つ前記はんだ合金粉末を構成するはんだ合金の溶融ピーク温度＋５０℃以下であり、
　前記有機酸エステル（Ｄ−１）の配合量は前記溶剤（Ｄ）全量に対して１０質量％から１００質量％であり、
　前記はんだ合金粉末を構成するはんだ合金の溶融ピーク温度が１７５℃以上２０５℃未満の場合における前記有機酸エステル（Ｄ−１）の減量率（ＴＧ法を用いて測定。昇温温度１０℃／ｍｉｎ、窒素ガス流量２００ｍｌ／ｍｉｎ、サンプル量１０ｍｇ）が１００質量％となる温度は１８０℃以上且つ２５５℃未満であることを特徴とするフラックス組成物。」と訂正する。
　請求項３を直接または間接的に引用する請求項６、８〜１２も同様に訂正する。
（４）訂正事項４
　請求項４について、
　訂正前に「前記はんだ合金粉末を構成するはんだ合金の溶融ピーク温度が２０５℃以上の場合における前記有機酸エステル（Ｄ−１）の減量率（ＴＧ法を用いて測定。昇温温度１０℃／ｍｉｎ、窒素ガス流量２００ｍｌ／ｍｉｎ、サンプル量１０ｍｇ）が１００質量％となる温度は１８０℃以上且つ前記溶融ピーク温度＋５０℃以下であることを特徴とする
請求項１に記載の
　訂正後に「
はんだ合金粉末と混合してソルダペースト組成物を構成するフラックス組成物であって、
（Ａ）ベース樹脂と、（Ｂ）活性剤と、（Ｃ）チクソ剤と、（Ｄ）溶剤とを含み、
　前記溶剤（Ｄ）として（Ｄ−１）カルボキシル基及びヒドロキシル基のいずれをも有さない有機酸エステル（ただし、マレイン酸ブチルを除く）を含み、
　前記有機酸エステル（Ｄ−１）の減量率（ＴＧ法を用いて測定。昇温温度１０℃／ｍｉｎ、窒素ガス流量２００ｍｌ／ｍｉｎ、サンプル量１０ｍｇ）が１００質量％となる温度は１８０℃以上且つ前記はんだ合金粉末を構成するはんだ合金の溶融ピーク温度＋５０℃以下であり、
　前記有機酸エステル（Ｄ−１）の配合量は前記溶剤（Ｄ）全量に対して１０質量％から１００質量％であり、
　前記はんだ合金粉末を構成するはんだ合金の溶融ピーク温度が２０５℃以上の場合における前記有機酸エステル（Ｄ−１）の減量率（ＴＧ法を用いて測定。昇温温度１０℃／ｍｉｎ、窒素ガス流量２００ｍｌ／ｍｉｎ、サンプル量１０ｍｇ）が１００質量％となる温度は１８０℃以上且つ前記溶融ピーク温度＋５０℃以下であることを特徴とするフラックス組成物。」と訂正する。
　請求項４を直接または間接的に引用する請求項７〜１２も同様に訂正する。
（５）訂正事項５
　請求項５〜７について、
　訂正前に「有機酸エステル（Ｄ−１）」の具体例の列挙中に「マレイン酸ジブチル」が記載されているのを、訂正後に同列挙中から「マレイン酸ジブチル」を削除する。
　請求項５〜７を直接または間接的に引用する請求項８〜１２も同様に訂正する。
（６）訂正事項６
　請求項８について、
　訂正前に「
請求項１
請求項２
　請求項８を直接または間接的に引用する請求項９〜１２も同様に訂正する。
（７）訂正事項７
　請求項９について、
　訂正前に「
請求項１
請求項２
　請求項９を直接または間接的に引用する請求項１０〜１２も同様に訂正する。
（８）訂正事項８
　本件特許明細書の【００７０】について、
ア　訂正前に「表１から表４に記載の各成分を混練し、実施例１から３４、及び比較例１から１３に係る各フラックス組成物を得た。次いで当該各フラックス組成物１１質量％と、以下に挙げるはんだ合金粉末８９質量％とを混練し、実施例１から３４、及び比較例１から１３に係る各ソルダペースト組成物を得た。」とあるのを、
　訂正後に「表１から表４に記載の各成分を混練し、実施例１から
１２、１５から
参考例１３、１４
１２、１５から
参考例１３、１４
イ　訂正前に「実施例１から２０及び比較例１から８：Ｓｎ−３Ａｇ−０．５Ｃｕはんだ合金粉末（溶融ピーク温度：２１９℃）」とあるのを、
　　訂正後に「実施例１から
１２、１５から
、参考例１３、１４
（９）訂正事項９
　本件特許明細書の【表１】（【００７１】）について、
　訂正前に「
実施例
実施例
参考例
参考例
（１０）訂正事項１０
　本件特許明細書の【００７６】について、
　訂正前に「・実施例１から２０及び比較例１から８：プリヒートを１７０℃から１８０℃で９０秒間、ピーク温度２３０℃、２２０℃以上が３０秒以下、ピーク温度から２００℃までの冷却速度は３℃から８℃／秒」とあるのを、
　訂正後に「・実施例１から
１２、１５から
、参考例１３、１４
　
（１１）訂正事項１１
　本件特許明細書の【００７８】について、
　訂正前に「・実施例１から２０及び比較例１から８：プリヒートを１７０℃から１９０℃で１１０秒間、ピーク温度２６０℃、２００℃以上が７０秒間及び２２０℃以上が６０秒間、ピーク温度から２００℃までの冷却速度は３℃から８℃／秒」とあるのを、
　訂正後に「・実施例１から
１２、１５から
、参考例１３、１４
（１２）訂正事項１２
　本件特許明細書の【表５】（【００８１】）について、
　訂正前に「
実施例
実施例
参考例
参考例
（１３）訂正事項１３
　本件特許明細書の【００８５】について、
　訂正前に「以上に示す通り、実施例１から３４に係るソルダペースト組成物は、使用するはんだ合金粉末を構成するはんだ合金の溶融ピーク温度に合わせた前記有機酸エステル（Ｄ−１）を使用することにより安定した連続印刷性を確保でき、またリフローはんだ付時のボイド発生を抑制しつつはんだ付後のフラックス残さのべとつきを抑制し得ることが分かる。」とあるのを、
　訂正後に「以上に示す通り、実施例１から
１２、１５から
、参考例１３、１４
３．訂正の可否
（１）訂正事項１について
　訂正事項１は、訂正前の請求項１を削除するものであるから、特許請求の範囲を減縮することを目的とするものであり、願書に添付した明細書又は特許請求の範囲に記載した事項の範囲内の訂正であって新たな技術的事項を追加するものでなく、発明のカテゴリーや対象、目的を変更するものでなく、実質上特許請求の範囲を拡張又は変更するものでもない。
（２）訂正事項２〜４について
ア　訂正事項２は、訂正前の請求項１の全ての記載を訂正後の請求項２へ繰り入れるものだから、訂正前の請求項１を引用していた訂正前の請求項２を、請求項間の引用関係を解消して請求項１を引用しないものとし、独立形式の記載へ改めるための訂正であり、「他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとすること」を目的とするものにあたる。
イ　また、訂正事項２は、上記繰り入れにあたり、訂正前の「（Ｄ−１）カルボキシル基及びヒドロキシル基のいずれをも有さない有機酸エステル」について、訂正後に「（Ｄ−１）カルボキシル基及びヒドロキシル基のいずれをも有さない有機酸エステル
（ただし、マレイン酸ジブチルを除く）
ウ　そして、上記ア、イのことから、訂正事項２は、願書に添付した明細書又は特許請求の範囲に記載した事項の範囲内の訂正であって新たな技術的事項を追加するものでなく、発明のカテゴリーや対象、目的を変更するものでなく、実質上特許請求の範囲を拡張又は変更するものでもない。
エ　訂正事項３、４についても同様である。
（３）訂正事項５について
　訂正事項５は、請求項２を引用する請求項５、請求項３を引用する請求項６、請求項４を引用する請求項７において、訂正後に「マレイン酸ジブチルを除く」こととするもので、これは訂正事項２〜４により「マレイン酸ジブチルを除く」こととなった訂正後の請求項２〜４と記載を整合させるためのものであるから、明瞭でない記載の釈明にあたり、願書に添付した明細書又は特許請求の範囲に記載した事項の範囲内の訂正であって新たな技術的事項を追加するものでなく、発明のカテゴリーや対象、目的を変更するものでなく、実質上特許請求の範囲を拡張又は変更するものでもない。
（４）訂正事項６、７について
　訂正事項６、７は、訂正事項１により訂正後に請求項１が削除されたことに伴い、訂正前の請求項８、９で、訂正前の請求項１を引用請求項としていたものを、訂正後に引用請求項から請求項１を削除することで、記載を整合させるためのものであるから、明瞭でない記載の釈明にあたり、願書に添付した明細書又は特許請求の範囲に記載した事項の範囲内の訂正であって新たな技術的事項を追加するものでなく、発明のカテゴリーや対象、目的を変更するものでなく、実質上特許請求の範囲を拡張又は変更するものでもない。
（５）訂正事項８〜１３について
　訂正事項８〜１３は、訂正事項２〜４において、訂正後の請求項２〜４で「マレイン酸ジブチルを除く」こととされたので、訂正前に「（Ｄ−１）カルボキシル基及びヒドロキシル基のいずれをも有さない有機酸エステル」として「マレイン酸ジブチル」を用いていた「実施例１３」「実施例１４」を「比較例１３」「比較例１４」とすることで記載を整合させるための訂正であるから、明瞭でない記載の釈明にあたり、願書に添付した明細書又は特許請求の範囲に記載した事項の範囲内の訂正であって新たな技術的事項を追加するものでなく、発明のカテゴリーや対象、目的を変更するものでなく、実質上特許請求の範囲を拡張又は変更するものでもない。
（６）一群の請求項について
　本件訂正前の請求項１〜１２について、請求項２〜１２はそれぞれ直接又は間接的に請求項１を引用しているものであり、訂正事項１によって記載が訂正（削除）される請求項１に連動して訂正されるものであるから、本件訂正前の請求項１〜１２は一群の請求項であるところ、本件訂正請求は、上記一群の請求項についてされたものであるから、特許法第１２０条の５第４項の規定に適合する。
　そして、本件訂正請求は、訂正後の請求項〔１〜１２〕を訂正単位として訂正の請求をするものである。
　また、本件訂正請求は、訂正事項８〜１３と関係する請求項を含む一群の請求項の全てを請求の対象とするから、特許法第１２０条の５第９項において準用する同法第１２６条第４項の規定に適合するものである。
（７）独立特許要件について
　本件特許異議申立においては、全ての請求項について特許異議申立の対象とされているので、特許法第１２０条の５第９項で読み替えて準用する同法第１２６条第７項の独立特許要件は課されない。
４．訂正請求の結言
　したがって、本件訂正請求による訂正は、特許法第１２０条の５第２項ただし書き第１、３、４号に掲げる事項を目的とするものであり、かつ、同条第４項及び同条第９項において準用する同法第１２６条第４〜６項の規定に適合するので、訂正後の請求項〔１〜１２〕について訂正を認める。
第３　本件発明について
　以上のとおり、本件訂正請求が認められるので、本件特許の請求項１〜１２に係る発明（以下、「本件発明１」〜「本件発明１２」といい、まとめて「本件発明」という。）は、その訂正特許請求の範囲の請求項１〜１２に記載された事項により特定される次のものである。
【請求項１】
（削除）
【請求項２】
  はんだ合金粉末と混合してソルダペースト組成物を構成するフラックス組成物であって、
（Ａ）ベース樹脂と、（Ｂ）活性剤と、（Ｃ）チクソ剤と、（Ｄ）溶剤とを含み、
  前記溶剤（Ｄ）として（Ｄ−１）カルボキシル基及びヒドロキシル基のいずれをも有さない有機酸エステル（ただし、マレイン酸ジブチルを除く）を含み、
  前記有機酸エステル（Ｄ−１）の減量率（ＴＧ法を用いて測定。昇温温度１０℃／ｍｉｎ、窒素ガス流量２００ｍｌ／ｍｉｎ、サンプル量１０ｍｇ）が１００質量％となる温度は１８０℃以上且つ前記はんだ合金粉末を構成するはんだ合金の溶融ピーク温度＋５０℃以下であり、
  前記有機酸エステル（Ｄ−１）の配合量は前記溶剤（Ｄ）全量に対して１０質量％から１００質量％であり、
  前記はんだ合金粉末を構成するはんだ合金の溶融ピーク温度が１３０℃以上１７５℃未満の場合における前記有機酸エステル（Ｄ−１）の減量率（ＴＧ法を用いて測定。昇温温度１０℃／ｍｉｎ、窒素ガス流量２００ｍｌ／ｍｉｎ、サンプル量１０ｍｇ）が１００質量％となる温度は１８０℃以上且つ２２５℃未満であることを特徴とするフラックス組成物。
【請求項３】
　はんだ合金粉末と混合してソルダペースト組成物を構成するフラックス組成物であって、
（Ａ）ベース樹脂と、（Ｂ）活性剤と、（Ｃ）チクソ剤と、（Ｄ）溶剤とを含み、
  前記溶剤（Ｄ）として（Ｄ−１）カルボキシル基及びヒドロキシル基のいずれをも有さない有機酸エステル（ただし、マレイン酸ジブチルを除く）を含み、
  前記有機酸エステル（Ｄ−１）の減量率（ＴＧ法を用いて測定。昇温温度１０℃／ｍｉｎ、窒素ガス流量２００ｍｌ／ｍｉｎ、サンプル量１０ｍｇ）が１００質量％となる温度は１８０℃以上且つ前記はんだ合金粉末を構成するはんだ合金の溶融ピーク温度＋５０℃以下であり、
　前記有機酸エステル（Ｄ−１）の配合量は前記溶剤（Ｄ）全量に対して１０質量％から１００質量％であり、
　前記はんだ合金粉末を構成するはんだ合金の溶融ピーク温度が１７５℃以上２０５℃未満の場合における前記有機酸エステル（Ｄ−１）の減量率（ＴＧ法を用いて測定。昇温温度１０℃／ｍｉｎ、窒素ガス流量２００ｍｌ／ｍｉｎ、サンプル量１０ｍｇ）が１００質量％となる温度は１８０℃以上且つ２５５℃未満であることを特徴とするフラックス組成物。
【請求項４】
　はんだ合金粉末と混合してソルダペースト組成物を構成するフラックス組成物であって、
（Ａ）ベース樹脂と、（Ｂ）活性剤と、（Ｃ）チクソ剤と、（Ｄ）溶剤とを含み、
　前記溶剤（Ｄ）として（Ｄ−１）カルボキシル基及びヒドロキシル基のいずれをも有さない有機酸エステル（ただし、マレイン酸ブチルを除く）を含み、
　前記有機酸エステル（Ｄ−１）の減量率（ＴＧ法を用いて測定。昇温温度１０℃／ｍｉｎ、窒素ガス流量２００ｍｌ／ｍｉｎ、サンプル量１０ｍｇ）が１００質量％となる温度は１８０℃以上且つ前記はんだ合金粉末を構成するはんだ合金の溶融ピーク温度＋５０℃以下であり、
　前記有機酸エステル（Ｄ−１）の配合量は前記溶剤（Ｄ）全量に対して１０質量％から１００質量％であり、
　前記はんだ合金粉末を構成するはんだ合金の溶融ピーク温度が２０５℃以上の場合における前記有機酸エステル（Ｄ−１）の減量率（ＴＧ法を用いて測定。昇温温度１０℃／ｍｉｎ、窒素ガス流量２００ｍｌ／ｍｉｎ、サンプル量１０ｍｇ）が１００質量％となる温度は１８０℃以上且つ前記溶融ピーク温度＋５０℃以下であることを特徴とするフラックス組成物。
【請求項５】
　前記有機酸エステル（Ｄ−１）はアジピン酸ジメチルであることを特徴とする請求項２に記載のフラックス組成物。
【請求項６】
　前記有機酸エステル（Ｄ−１）はアジピン酸ジメチル、アジピン酸ジイソプロピル、セバシン酸ジメチル、アジピン酸ジイソブチル及びセバシン酸ジエチルから選ばれる少なくとも１種であることを特徴とする請求項３に記載のフラックス組成物。
【請求項７】
　前記有機酸エステル（Ｄ−１）はアジピン酸ジメチル、アジピン酸ジイソプロピル、セバシン酸ジメチル、アジピン酸ジイソブチル、セバシン酸ジエチル、セバシン酸ジイソプロピル、セバシン酸ジブチル及びセバシン酸ジオクチルから選ばれる少なくとも１種であることを特徴とする請求項４に記載のフラックス組成物。
【請求項８】
　前記ベース樹脂（Ａ）は（Ａ−１）ロジン系樹脂及び（Ａ−２）合成樹脂の少なくとも一方を含み、
　前記合成樹脂（Ａ−２）はアクリル樹脂、スチレン−マレイン酸樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、フェノキシ樹脂、テルペン樹脂、ポリアルキレンカーボネート及びカルボキシル基を有するロジン系樹脂とダイマー酸誘導体柔軟性アルコール化合物とを脱水縮合してなる誘導体化合物からなる群より選択される少なくとも１種であることを特徴とする請求項２から請求項７のいずれか１項に記載のフラックス組成物。
【請求項９】
　請求項２から請求項８のいずれか１項に記載のフラックス組成物と、はんだ合金粉末とを含むことを特徴とするソルダペースト組成物。
【請求項１０】
　前記はんだ合金粉末はＡｇを２質量％以上３．１質量％以下と、Ｃｕを０質量％超１質量％以下と、Ｓｂを１質量％以上５質量％以下と、Ｂｉを０．５質量％以上４．５質量％以下と、Ｎｉを０．０１質量％以上０．２５質量％以下含み、残部がＳｎからなることを特徴とする請求項９に記載のソルダペースト組成物。
【請求項１１】
　前記はんだ合金粉末は更にＣｏを０．００１質量％以上０．２５質量％以下含むことを特徴とする請求項１０に記載のソルダペースト組成物。
【請求項１２】
　請求項９から請求項１１のいずれか１項に記載のソルダペースト組成物を用いて形成されたはんだ接合体を有することを特徴とする電子回路基板。
第４　異議申立理由の概要
　申立人は、以下の概要の異議申立理由を主張している。 
　＜異議申立理由１＞（新規性・進歩性） 
（１）請求項１、３、４、６〜９、１２に係る発明は、甲第１号証に記載された発明であり、特許法第２９条第１項第３号に該当し特許を受けることができないものだから、同発明に係る特許は取り消されるべきものである。 
（２）請求項１〜１２に係る発明は、甲第１号証に記載された発明に基いて、又は、甲第１号証に記載された発明と、甲第２号証に記載の技術手段又は甲第３、４号証に記載の技術手段に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものだから、同発明に係る特許は取り消されるべきものである。
 
　＜異議申立理由２＞（サポート要件） 
（１）（異議申立書３１頁下から２行〜３４頁下から９行） 
　請求項１に係る発明は、甲第５号証の記載内容と整合しない特定事項を有するから、甲第５号証の記載内容と整合するために当該特定事項が成立するための何らかの別の特定事項を要するはずだが、請求項１に係る発明は当該別の特定事項を有するものではない。 
　したがって、請求項１に係る発明は、発明の詳細な説明に記載されたものであるとはいえず、同発明に係る特許は、特許法第３６条第６項第１号の規定を満たしていない発明に対してされたものであるので、取り消されるべきものである。
　請求項１を引用する請求項２〜１２についても同様である。 
（２）（異議申立書３４頁下から８行〜３５頁１０行） 
　発明の詳細な説明には、課題を解決出来ることが確認できた「（Ｂ）活性剤」の実施例としてただ一つの組合せが記載されているにすぎず、出願時の技術常識に照らしても、発明の詳細な説明に開示された内容を、請求項１に係る発明の範囲にまで拡張ないし一般化できるものとはいえない。
　したがって、請求項１に係る発明は、発明の詳細な説明に記載されたものであるとはいえず、同発明に係る特許は、特許法第３６条第６項第１号の規定を満たしていない発明に対してされたものであるので、取り消されるべきものである。
　請求項１を引用する請求項２〜１２についても同様である。 
（３）（異議申立書３５頁１１行〜４０頁下から２行） 
　発明の詳細な説明からは、本件発明として確認できるのは実施例に記載されている組成についてのものにすぎず、発明の詳細な説明は、請求項１で規定される範囲と得られる効果（性能）との関係の技術的な意味が、特許出願時において、具体的な開示がなくとも当業者に理解できる程度に記載されておらず、また、特許出願時の技術常識を参酌して、本件の特許請求の範囲の各請求項で規定される範囲内であれば、所望の効果が得られると当業者において認識できるものでもない。 
　したがって、請求項１に係る発明は、発明の詳細な説明に記載されたものであるとはいえず、同発明に係る特許は、特許法第３６条第６項第１号の規定を満たしていない発明に対してされたものであるので、取り消されるべきものである。
　請求項１を引用する請求項２〜１２についても同様である。 
　＜証拠方法＞ 
○甲第１号証：特許第４４５８０４３号公報 
○甲第２号証：特開２００３−２２５７９５号公報 
○甲第３号証：国際公開２０１４／１６３１６７号 
○甲第４号証：特許第５７２２３０２号公報 
○甲第５号証：特開２００７−１３６４９１号公報
○甲第６号証：新・注解　特許法〔第２版〕【上巻】、中山信弘ら　編、青林書院、
２０１７年１０月５日第２版第１刷発行、２９２〜２９３頁　 
 
　なお、以下で甲各号証を「甲１」〜「甲６」と記載することがある。 
 
第５　令和１年５月８日付け取消理由及び令和２年１月２４日付け取消理由（決定の予告）
　当審は令和１年５月８日付け取消理由を通知したが、取消理由の概要は次のものである。
Ａ．上記異議申立理由１の（１）
Ｂ．本件発明２、５についての新規性要件違反の取消理由（当審で発見）
Ｃ．上記異議申立理由１の（２）の内の本件発明２，５，８，９，１２のみについて進歩性要件違反の取消理由
Ｄ．異議申立理由２の（２）のみについての取消理由
Ｅ．記載不備についての取消理由（当審で発見）
　当該取消理由に対する令和１年７月１０日提出の訂正請求に対して、令和１年１１月１３日付け訂正拒絶理由が通知されたが応答がなかったため、同訂正請求は認容されず、上記取消理由と同内容の令和２年１月２４日付け取消理由（決定の予告）を通知した。
　これに対して、本件訂正請求がなされ、上記第２のようにこれが認容されたので、当該訂正請求により訂正された上記請求項２〜１２（請求項１は削除）に係る本件発明２〜１２について、以下で、取消理由及び異議申立理由の存否を検討する。
第６　取消理由の判断
１．新規性、進歩性についての判断
　取消理由（決定の予告）で通知された新規性、進歩性に関する上記「第５」の「Ａ」「Ｂ」「Ｃ」は、いずれも甲第１号証に記載の発明を主引例として判断するものであり、取消理由として通知しなかった異議申立理由の進歩性についてのもの（請求項３、４、６、７、１０、１１）も、同様に甲第１号証に記載の発明を主引例として判断するものであるから、ここで両者をまとめて判断する。
１−１．甲第１号証の記載
　甲第１号証には以下の事項が記載されている。 
　（ア）「【発明の開示】 
　本発明は、モジュール基板のように広い印刷面積を有する基板や、ＢＧＡ基板のように微細な印刷面積を有する基板でもボイドの発生が少なく、特に大径ボイドの発生を確実に防止でき、かつ連続印刷性の良いソルダペーストを提供する。」（３頁３３〜３６行） 
　（イ）「そこで、本発明では、ＴＧ曲線での減量率が１５質量％になる温度を目安として採用する。
　ＴＧ曲線は測定条件により変動する。本発明におけるＴＧ測定条件は、昇温速度１０℃／ｍｉｎ、窒素ガス気流３００ｍｌ／ｍｉｎである。 
　本発明は、フラックスと粉末はんだとを混合したソルダペーストに関する。フラックス中に含まれる溶剤は、ＴＧ法による測定（ＴＧ曲線）で減量率が１５質量％になる温度が該粉末はんだの溶融ピーク温度より５℃以上高い溶剤から主に構成される。」（３頁４３〜４９行） 
　（ウ）「つまり、共晶以外のはんだは、一定の溶融温度を示さない。そこで、本発明では、溶融温度の目安として、溶融ピーク温度を採用する。溶融ピーク温度とは、ＤＳＣ（示差走査熱量測定法）チャートにおける昇温時の溶融による吸熱がピークとなる温度であって、固相線温度と液相線温度との間に位置する。」（４頁６〜９行） 
　（エ）「本発明に従って、フラックスの溶剤として、ＴＧ−１５温度がはんだの溶融ピーク温度より５℃以上高温である溶剤を用いると、はんだが溶融するまでに気化する溶剤は、最大でも１５質量％より少なく、溶剤の気化は、ソルダペーストが完全に融解し、はんだがぬれ性を示した後に盛んになる。そのため、溶剤はスムースに溶融はんだから排除され、溶剤によるボイド発生が著しく抑制され、特に大径ボイドの発生を実質的に完全に防止することができる。」（５頁１０〜１５行） 
　（オ）「本発明では、フラックスの溶剤として、ＴＧ−１５温度（ＴＧ曲線において減量率が１０質量％になる時の温度）がはんだの溶融ピーク温度より５℃以上、好ましくは１０℃以上高い、溶剤を使用する。そのような溶剤の具体例を、はんだの溶融ピーク温度のレベルごとに、次に例示する。 
　（１）溶融ピーク温度が２５０℃〜３３０℃の高温はんだ［例えば、Ｓｎ−９５Ｐｂはんだ（固相線温度：３００℃、液相線温度：３１４℃、溶融ピーク温度：３１０℃）］の場合、ＴＧ−１５温度がそれより高い適当な溶剤は植物油および鉱物油から選択することができる。そのような植物油の例としては、ひまわり（サンフラワー）油、オリーブ油、サフラワー（紅花）油、ナタネ油、ダイズ油、コーン油、ツバキ油、ラッカセイ油、エゴマ油、ゴマ油、コメ油、コットン油、パーム油、アボガド油、グレープシード油を挙げることができる。そのような鉱物油の好適な例はハイサーム１００（新日本石油製）である。 
　（２）溶融ピーク温度が１７５℃〜２５０℃未満の中温はんだ［例えば、Ｓｎ−３７Ｐｂはんだ（固相線温度＝液相線温度＝溶融ピーク温度：１８３℃）やＳｎ−３Ａｇ−０．５Ｃｕ鉛フリーはんだ（固相線温度：２１７℃、液相線温度：２２０℃、溶融ピーク温度：２１８℃）］の場合、上記（１）に列挙した植物油および鉱物油も使用することができるが、ＴＧ−１５温度がより低い溶剤も使用可能である。使用可能な追加の溶剤の例として、ハイサーム６８およびハイサーム３２（いずれも新日本石油製）のような鉱物油、さらには流動パラフィン、イソボルニルシクロヘキサノール、セキスイサイザー９０（積水化学工業製の塩化ビニル用可塑剤）、フタル酸ジオクチル、セバシン酸ジオクチル、セバシン酸ジブチル、テトラエチレングリコール、イソヘキサデカノールを挙げることができる。
　（３）溶融ピーク温度が１７５℃未満の低温はんだ［例えば、Ｓｎ−１Ａｇ−５７Ｂｉはんだ（固相線温度：１３８℃、液相線温度：２０４℃、溶融ピーク温度１３９℃）］の場合、上記の（１）および（２）に列挙した溶剤も使用できるが、ＴＧ−１５温度がより低い溶剤も使用可能である。使用可能な追加の溶剤の例として、フタル酸ジブチル、マレイン酸ジブチル、安息香酸ベンジルが挙げられる。
上述したようなＴＧ−１５温度がはんだの溶融ピーク温度より高い溶剤は、１種類のみを使用しても、２種以上を使用してもよい。また、ＴＧ−１５温度がはんだの溶融ピーク温度より低い溶剤も、本発明の効果を著しく損なわない範囲の量、望ましくは溶剤全体の３０質量％以内の量であれば、溶剤の一部として使用することができる。 
　例えば、ＴＧ−１５温度が１５０℃より低い溶剤も、望ましくは溶剤全体の３０質量％以下の量であれば、上記（１）〜（３）のいずれのはんだに対しても使用できる。そのような溶剤の例としては、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル、２−エチル−１，３−ヘキセンジオール、安息香酸ブチルなどが挙げられる。」（６頁４〜３９行） 
　（カ）「【実施例】 
　以下の実施例は本発明を例示するものであり、本発明を実施例に制限するものではない。実施例中、％は特に指定しない限り質量％である。また、はんだの合金組成の数字は質量％での含有量を意味する。・・・ 
（フラックス）
  フラックスａ〜ｇにおいて、水素添加ヒマシ油はチキソ剤、ジフェニルグアニジン臭化水素酸塩は活性剤である。かっこ内の温度は、各溶剤のＴＧ−１５温度である。
  フラックスａ
    重合ロジン                                            ４０％
    水素添加ヒマシ油                                        ５％
    ジフェニルグアニジン臭化水素酸塩                        ２％
    サフラワー油（３９７℃）                              ４０％
    ジエチレングリコールモノブチルエーテル（１２４℃）    １０％
    安息香酸ブチル（１３０℃）                              ３％
  フラックスｂ
    重合ロジン                                            ４０％
    水素添加ヒマシ油                                        ５％
    ジフェニルグアニジン臭化水素酸塩                        ２％
    ハイサーム３２（鉱物油、２５４℃）                    ４０％
    ジエチレングリコールモノブチルエーテル（１２４℃）    １０％
    安息香酸ブチル（１３０℃）                              ３％
  フラックスｃ
    重合ロジン                                            ４０％
    水素添加ヒマシ油                                        ５％
    ジフェニルグアニジン臭化水素酸塩                        ２％
    流動パラフィン（２６５℃）                            ４０％
    ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル（１４１℃）  １０％
    安息香酸ブチル（１３０℃）                              ３％
  フラックスｄ
    重合ロジン                                            ４０％
    水素添加ヒマシ油                                        ５％
    ジフェニルグアニジン臭化水素酸塩                        ２％
    イソヘキサデカノール（１８６℃）                      ４０％
    ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル（１４１℃）  １０％
    安息香酸ブチル（１３０℃）                              ３％
  フラックスｅ
    重合ロジン                                            ４０％
    水素添加ヒマシ油                                        ５％
    ジフェニルグアニジン臭化水素酸塩                        ２％
    マレイン酸ジブチル（１５５℃）                        ４０％
    ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル（１４１℃）  １０％
    安息香酸ブチル（１３０℃）                              ３％
  フラックスｆ（特開平９−２７７０８１号）
    重合ロジン                                            ５０％
    水素添加ヒマシ油                                        ５％
    ジフェニルグアニジン臭化水素酸塩                        ２％
    １−メチル−４−イソプロピル−１−シクロヘキセン−８−オール（１１２℃）
                                                          ４０％
    安息香酸ブチル（１３０℃）                              ３％
  フラックスｇ（一般的なフラックス）
    重合ロジン                                            ５０％
    水素添加ヒマシ油                                        ５％
    ジフェニルグアニジン臭化水素酸塩                        ２％
    ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル（１４１℃）  ４０％
    安息香酸ブチル（１３０℃）                                ％ 
これらのソルダペーストの連続印刷性およびボイド発生率を下記の試験方法により評価した。試験結果を、フラックス中の主溶剤（最も量の多い溶剤）のＴＧ−１５温度、はんだの溶融ピーク温度、およびそれらの温度差と共に、表２に示す。」（６頁下から６行〜８頁１９行）（当審注：フラックスｇについて「安息香酸ブチル（１３０℃）」の配合量は記載がないが、「３％」であると推定される。） 
　（キ）表２（９頁）
 
　（ク）「・・・従って、現代の小型化した電子機器および電子部品に用いられる微小なパッドでも、実接合面積のばらつきやそれによる接合強度の低下が発生せず、信頼性の高い電子機器および電子部品を作ることが何能となる。 
【産業上の利用可能性】 
　本発明は、ＢＧＡなどモジュール基板のバンプ形成用のソルダペーストとして最適である。・・・」（１０頁９〜１４行） 
 
１−２．甲第１号証に記載された発明 
　ｉ）甲１の記載事項（ア）から、甲１には、ボイドの発生が少なく、特に大径ボイドの発生を防止することを課題とするソルダペーストについて記載されている。 
　ｉｉ）同（イ）〜（エ）から、同課題を解決する手段として、ソルダペーストのフラックス中に含まれる溶剤として、ＴＧ法による測定（ＴＧ曲線：昇温速度１０℃／ｍｉｎ、窒素ガス気流３００ｍｌ／ｍｉｎ）で減量率が１５質量％になる温度（以下、「ＴＧ−１５」と記すことがある。）が、粉末はんだの溶融ピーク温度（ＤＳＣ（示差走査熱量測定法）チャートにおける昇温時の溶融による吸熱がピークとなる温度。以下、「Ｍｐ」と記すことがある。）より５℃以上高い溶剤を主として用いることが記載されている。 
　ｉｉｉ−１）ここで同（カ）には「フラックスａ」〜「フラックスｇ」が記載され、それらの全てで使用される「ジフェニルグアニジン臭化水素酸塩」の次に記載される二つ乃至三つの物質は、上記（オ）の記載から溶剤である。
そして、それら溶剤中で、「カルボキシル基及びヒドロキシル基のいずれをも有さない有機酸エステル」であるのは「安息香酸ブチル」「マレイン酸ジブチル」であり、同有機酸エステルの溶剤全量に対する配合量が「１０質量％から１００質量％」に範囲にあることが明らかなのは「フラックスｅ」のみである。
　ｉｉｉ−２）そこで、ソルダペーストのフラックスとして「フラックスｅ」に着目すると、上記（カ）から、「フラックスｅ」は、「重合ロジン　４０質量％」と、「ジフェニルグアニジン臭化水素酸塩　２質量％」と、「水素添加ヒマシ油　５質量％」と、「ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル　１０質量％」と、「安息香酸ブチル　３質量％」と、「マレイン酸ジブチル　４０質量％」とを含む。 
　そして、「マレイン酸ジブチル」と「安息香酸ブチル」の配合量は、全溶剤である「ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル　１０質量％」「安息香酸ブチル　３質量％」「マレイン酸ジブチル　４０質量％」（記載されている数値はフラックス中の割合）に対して
８１．１質量％（＝１００×（４０＋３）／（１０＋３＋４０））である。
　また、「安息香酸ブチル」のみであれば、同配合量は、５．７％である。
　すなわち、「フラックスｅ」は、「重合ロジン」（「ベースとなる樹脂」）と、「ジフェニルグアニジン臭化水素酸塩」（「活性剤」）と、「水素添加ヒマシ油」（「チキソ剤」）と、「ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル」（「溶剤」）と、別の溶剤である「安息香酸ブチル」と「マレイン酸ジブチル」を含み、「安息香酸ブチル」と「マレイン酸ジブチル」の配合量は溶剤全量に対して８１．１質量％となるが、「安息香酸ブチル」のみでは同配合量は５．７％となるものである。 
　ｉｖ）同（イ）、（カ）及び（キ）の表２と同表の欄外の注「２ＴＧ−１５」から、「フラックスｅ」については、「フラックスｅ」において、主溶剤すなわち最も多く配合されている溶剤である「マレイン酸ジブチル」は「昇温速度１０℃／ｍｉｎ、窒素ガス気流３００ｍｌ／ｍｉｎで減量率が１５質量％になる温度」である「ＴＧ−１５」を有し、それは具体的には「１５５℃」であるが、「ＴＧ−１５」が粉末はんだの溶融ピーク温度より５℃以上高いものであると、同（エ）から、「溶剤によるボイド発生が著しく抑制され、特に大径ボイドの発生を実質的に完全に防止」できるという効果を奏するといえる。
　そして、同効果について、上記（オ）には「ＴＧ−１５温度がはんだの溶融ピーク温度より低い溶剤も、本発明の効果を著しく損なわない範囲の量、望ましくは溶剤全体の３０質量％以内の量であれば、溶剤の一部として使用することができる。」と記載されている。
　これは具体的には、「安息香酸ブチル」の「ＴＧ−１５」は、上記（カ）から「１３０℃」であり、上記（キ）であげられている全ての「粉末はんだ」の「溶融ピーク温度」より低いが、「安息香酸ブチル」は溶剤全体の５．７％だから、「安息香酸ブチル」が「マレイン酸ジブチル」と共に使用されても、「マレイン酸ジブチル」の「ＴＧ−１５」が粉末はんだの溶融ピーク温度より５℃以上高いものであれば、「マレイン酸ジブチル」により、上記効果が奏されるといえる。
　ｖ）そして、本件特許明細書【００７０】の記載から本件発明の実施例で使用されるはんだ合金粉末の溶融ピーク温度は最大でも２４８℃であることを考慮し、同（キ）の表２から、使用する粉末はんだの溶融ピーク温度毎に「フラックスｅ」を用いる場合の「ソルダペースト」について、以下の１）２）３）の３種類に着目する。 
　　１）ペースト番号１９　「粉末はんだＣ：Ｓｎ−３Ａｇ−０．５Ｃｕ　Ｍｐ＝２１８℃」と「フラックスｅ」でなる「ソルダペースト」 
　　２）ペースト番号２６　「粉末はんだＤ：Ｓｎ−１Ａｇ−５７Ｂｉ　Ｍｐ＝１３９℃」と「フラックスｅ」でなる「ソルダペースト」 
　　３）ペースト番号１２　「粉末はんだＢ：Ｓｎ−３７Ｐｂ　Ｍｐ＝１８３℃」と「フラックスｅ」でなる「ソルダペースト」 
　ここで、同（キ）の表２から、１）及び３）の「ソルダペースト」は、「マレイン酸ジブチル」の「ＴＧ−１５」（１５５℃）が、「粉末はんだの溶融ピーク温度より５℃以上高いもの」でないので「大径ボイド数（個）」「ボイド総数（個）」が共に多く、２）の「ソルダペースト」のみが、「マレイン酸ジブチル」の「ＴＧ−１５」（１５５℃）が、「粉末はんだの溶融ピーク温度より５℃以上高いもの」なので、「大径ボイド数（個）」をゼロにでき、「ボイド総数（個）」を少なく出来て、甲第１号証に記載の発明の同（ア）の課題を解決できるものであるが、１）〜３）の「ソルダペースト」が甲第１号証に記載されていることは同表２から把握されるものである。 
　ｖｉ）上記１）２）３）の 「ソルダペースト」で用いるフラックスについて、本件発明２〜４を特定する請求項２〜４の記載に則して整理すると、甲第１号証には、以下に記す引用発明１〜３が記載されていると認められる。 
　　１）「はんだ合金粉末と混合してソルダペーストを構成するフラックス組成物であって、重合ロジンと、ジフェニルグアニジン臭化水素酸塩と、水素添加ヒマシ油と、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテルと、安息香酸ブチルと、マレイン酸ジブチルを含み、 
　前記はんだ合金粉末を構成するはんだ合金の溶融ピーク温度が２１８℃の場合におけるマレイン酸ジブチルの減量率（ＴＧ法を用いて測定。昇温温度１０℃／ｍｉｎ、窒素ガス流量３００ｍｌ／ｍｉｎ）が１５質量％となる温度は１５５℃であり、 
　前記安息香酸ブチルの配合量は前記溶剤全量に対して５．７質量％であるフラックス組成物。」（以下、「引用発明１」という。） 
 
　　２）「はんだ合金粉末と混合してソルダペーストを構成するフラックス組成物であって、重合ロジンと、ジフェニルグアニジン臭化水素酸塩と、水素添加ヒマシ油と、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテルと、安息香酸ブチルと、マレイン酸ジブチルを含み、 
　前記はんだ合金粉末を構成するはんだ合金の溶融ピーク温度が１３９℃の場合におけるマレイン酸ジブチルの減量率（ＴＧ法を用いて測定。昇温温度１０℃／ｍｉｎ、窒素ガス流量３００ｍｌ／ｍｉｎ）が１５質量％となる温度は１５５℃であり、 
　前記安息香酸ブチルの配合量は前記溶剤全量に対して５．７質量％であるフラックス組成物。」（以下、「引用発明２」という。） 
 
　　３）「はんだ合金粉末と混合してソルダペーストを構成するフラックス組成物であって、重合ロジンと、ジフェニルグアニジン臭化水素酸塩と、水素添加ヒマシ油と、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテルと、安息香酸ブチルと、マレイン酸ジブチルを含み、 
　前記はんだ合金粉末を構成するはんだ合金の溶融ピーク温度が１８３℃の場合におけるマレイン酸ジブチルの減量率（ＴＧ法を用いて測定。昇温温度１０℃／ｍｉｎ、窒素ガス流量３００ｍｌ／ｍｉｎ）が１５質量％となる温度は１５５℃であり、 
　前記安息香酸ブチルの配合量は前記溶剤全量に対して５．７質量％であるフラックス組成物。」（以下、「引用発明３」という。）
　以下、用いられる「はんだ合金の溶融ピーク温度」の共通するもの同士で、本件発明と引用発明を対比検討する。　　 
 
１−３．本件発明２について 
（１）本件発明２と引用発明２との対比 
　ｉ）ここで、ソルダペーストにおいて「重合ロジン」がフラックスのベースとなる樹脂であることは技術常識といえ、上記（カ）から、「ジフェニルグアニジン臭化水素酸塩」は「活性剤」であり、「水素添加ヒマシ油」は「チキソ剤」であり、「安息香酸ブチル」と「マレイン酸ジブチル」は「カルボキシル基及びヒドロキシル基のいずれをも有さない有機酸エステル」である溶剤であり、「ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル」は別の溶剤であるといえる。
　すると、引用発明２の「はんだ合金粉末と混合してソルダペーストを構成するフラックス組成物であって、重合ロジンと、ジフェニルグアニジン臭化水素酸塩と、水素添加ヒマシ油と、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテルと、安息香酸ブチルと、マレイン酸ジブチルを含み、」は、本件発明２の「はんだ合金粉末と混合してソルダペースト組成物を構成するフラックス組成物であって、（Ａ）ベース樹脂と、Ｂ）活性剤と、（Ｃ）チクソ剤と、（Ｄ）溶剤とを含み」に相当する。
　ｉｉ）本件発明２の「有機酸エステル」は「カルボキシル基及びヒドロキシル基のいずれをも有さない有機酸エステル（ただし、マレイン酸ジブチルを除く）」であるから、引用発明２の「マレイン酸ジブチルと安息香酸ブチル」の内の「安息香酸ブチル」が、本件発明２の「カルボキシル基及びヒドロキシル基のいずれをも有さない有機酸エステル（ただし、マレイン酸ジブチルを除く）」に相当する。 
　ｉｉｉ）引用発明２の対象とする「はんだ合金粉末を構成するはんだ合金の溶融ピーク温度が１３９℃」だから、これは本件発明２の「はんだ合金粉末を構成するはんだ合金の溶融ピーク温度が１３０℃以上１７５℃未満」に包含される。
　ｉｖ）すると、本件発明２と引用発明２とは、 
「はんだ合金粉末と混合してソルダペースト組成物を構成するフラックス組成物であって、 
（Ａ）ベース樹脂と、（Ｂ）活性剤と、（Ｃ）チクソ剤と、（Ｄ）溶剤とを含み、
　前記溶剤（Ｄ）として（Ｄ−１）カルボキシル基及びヒドロキシル基のいずれをも有さない有機酸エステルである安息香酸ブチルを含み、はんだ合金粉末を構成するはんだ合金の溶融ピーク温度が１３０℃以上１７５℃未満である、 フラックス組成物。」である点で一致し、次の点で相違する。 
　＜相違点１＞溶剤（Ｄ）として、本件発明２では「マレイン酸ジブチル」を含まないが、引用発明２では「マレイン酸ジブチル」を含む点。
　＜相違点２＞本件発明２では「前記有機酸エステル（Ｄ−１）の減量率（ＴＧ法を用いて測定。昇温温度１０℃／ｍｉｎ、窒素ガス流量２００ｍｌ／ｍｉｎ、サンプル量１０ｍｇ）が１００質量％となる温度は１８０℃以上且つ前記はんだ合金粉末を構成するはんだ合金の溶融ピーク温度＋５０℃以下」であるのに対して、引用発明２では、「有機酸エステル（Ｄ−１）」にあたる「安息香酸ブチル」において「減量率（ＴＧ法を用いて測定。昇温温度１０℃／ｍｉｎ、窒素ガス流量２００ｍｌ／ｍｉｎ、サンプル量１０ｍｇ）が１００質量％となる温度は１８０℃以上且つ前記はんだ合金粉末を構成するはんだ合金の溶融ピーク温度＋５０℃以下」であるのか、不明な点。
　＜相違点３＞「前記溶剤（Ｄ）全量に対して」の「有機酸エステル（Ｄ−１）の配合量」について、本件発明１では「１０質量％から１００質量％である」のに対して、引用発明２では「有機酸エステル（Ｄ−１）」にあたる「安息香酸ブチル」が「５．７質量％」である点。 
　＜相違点４＞「はんだ合金粉末を構成するはんだ合金の溶融ピーク温度が１３０℃以上１７５℃未満の場合」において、本件発明２では、「前記有機酸エステル（Ｄ−１）の減量率（ＴＧ法を用いて測定。昇温温度１０℃／ｍｉｎ、窒素ガス流量２００ｍｌ／ｍｉｎ、サンプル量１０ｍｇ）が１００質量％となる温度は１８０℃以上且つ２２５℃未満である」のに対して、引用発明２では「マレイン酸ジブチルの減量率（ＴＧ法を用いて測定。昇温温度１０℃／ｍｉｎ、窒素ガス流量３００ｍｌ／ｍｉｎ）が１５質量％となる温度は１５５℃」である点。
（２）相違点の検討 
　事案に鑑み相違点１について検討する。
　上記「１−２．ｉｖ）」での検討から、引用発明２で用いる「フラックスｅ」において、主溶剤すなわち最も多く配合されている溶剤である「マレイン酸ジブチル」の「昇温速度１０℃／ｍｉｎ、窒素ガス気流３００ｍｌ／ｍｉｎで減量率が１５質量％になる温度」（「ＴＧ−１５」）が粉末はんだの溶融ピーク温度より５℃以上高いものであると、上記（エ）から、「溶剤によるボイド発生が著しく抑制され、特に大径ボイドの発生を実質的に完全に防止」できるという効果を奏するものである。
　すると、引用発明２は、「マレイン酸ジブチル」がフラックス組成物から除去されると上記効果を奏することができないものとなるので、「マレイン酸ジブチル」は当該効果を奏するために引用発明２において必須の成分といえる。
　したがって、引用発明２において、「マレイン酸ジブチル」を除外することには阻害要因があるといえ、相違点１に係る特定事項は容易に想到できない。
　なお、他の甲各号証には、以下に記載するように、上記阻害要因を緩和できるような記載や示唆は見いだせない。
ア　甲第２号証の記載
　甲第２号証には、「ハンダペースト」の「長期の保存」のために「吸湿性」のある「チキソトロピック剤の含有率を減じて吸湿性を抑制」するために、「二塩基酸の一価アルコールエステル」を「ハンダペースト」の「フラックス」に含ませることが記載され、「二塩基酸の一価アルコールエステル」として本件発明の「カルボキシル基及びヒドロキシル基のいずれをも有さない有機酸エステル（ただし、マレイン酸ジブチルを除く）」に相当する物質が記載されている。（【請求項１】【請求項７】【００１３】【００１４】）
　しかし、引用発明２（ボイドの発生防止）と甲第２号証に記載の技術手段（長期保存）とは課題が相違するから、引用発明に甲第２号証に記載の技術手段を適用する動機付けに欠け、適用できるとしても、引用発明において上記阻害要因を緩和できるものとはいえない。
イ　甲第３号証の記載
　甲第３号証には、「厳しい温度サイクル」に「長期間耐えられるだけでなく」「縁石への乗り上げや前の車との衝突などで発生する外部からの力に対しても長期間耐える事が可能なはんだ合金」を得るために、はんだ合金元素として「Ｂｉ」「Ｓｂ」を添加することが記載されている。（［００１１］［００１３］）
　したがって、甲第３号証に記載の技術手段ははんだ合金に関するものだから、「フラックス」の成分に関する引用発明２の上記阻害要因の検討に資することはできない。
ウ　甲第４号証の記載
　甲第４号証には、「はんだ付けの際に実装品の熱損傷を防ぐ」ために「はんだ付け温度を低減する」に際し、「鉛フリーはんだ合金」に「Ｂｉを添加すればよいが、Ｂｉを大量に添加すると、はんだが非常に脆くなる」ので、その添加量を調整することが記載されている。（【０００５】【０００８】）
　したがって、甲第４号証に記載の技術手段ははんだ合金に関するものだから、「フラックス」の成分に関する引用発明２の上記阻害要因の検討に資することはできない。
エ　甲第５号証の記載
　甲第５号証は記載不備の指摘のために引用された文献であるが検討しておく。
　甲第５号証には、「水添ロジン（ロジン系樹脂）」「ジフェニルグアニジン臭化水素酸塩（活性剤）」「アジピン酸（活性剤）」「水添ヒマシ油（チクソ剤）」「エチレングリコールモノブチルエーテル（溶剤）」「マロン酸ジメチル」からなるソルダペーストのフラックスが記載されており、この構成は本件発明の「はんだ合金粉末と混合してソルダペースト組成物を構成するフラックス組成物であって、（Ａ）ベース樹脂と、（Ｂ）活性剤と、（Ｃ）チクソ剤と、（Ｄ）溶剤とを含み、前記溶剤（Ｄ）として（Ｄ−１）カルボキシル基及びヒドロキシル基のいずれをも有さない有機酸エステル（ただし、マレイン酸ジブチルを除く）を含」むものにあたり、ボイドの発生を低減する事を課題としている。（【０００８】【００１８】）
　しかしながら、甲第５号証には、「有機酸エステル」の「ＴＧ法」に関する「減量率」についての記載も示唆もなく、「マレイン酸ジブチル」についての記載もない。
　したがって、引用発明２に甲第５号証に記載の技術手段を適用できたとしても、引用発明において上記阻害要因を緩和できるものとはいえない。
オ　甲第６号証について
　甲第６号証は、意見書等で主張された効果の参酌について記載されたもので、技術的内容は記載がない。
（３）本件発明２についての結言 
　以上から、他の相違点について検討するまでもなく、本件発明２は、引用発明２と同一発明とはいえないし、また、引用発明２に基づいて、又は、引用発明２と甲第３〜６号証の記載に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものともいえない。 
 
１−４．本件発明３について
（１）本件発明３と本件発明２の関係、及び、引用発明３と引用発明２の関係
　本件発明３と本件発明２とは、「はんだ合金の溶融ピーク温度」（以下、「Ｍｐ」と記すことがある。）と「減量率（ＴＧ法を用いて測定。昇温温度１０℃／ｍｉｎ、窒素ガス流量２００ｍｌ／ｍｉｎ、サンプル量１０ｍｇ）が１００質量％となる温度」（以下、「ＴＧ−１００」と記すことがある。）について、前者が「１７５℃≦Ｍｐ＜２０５℃」で「１８０℃≦（ＴＧ−１００）＜２５５℃」であるのに対して、後者は「１３０℃≦Ｍｐ＜１７５℃」で「１８０℃≦（ＴＧ−１００）＜２２５℃」である点のみで異なり、その余の点で一致する。
　また、引用発明３と引用発明２とは、「（ＴＧ−１５）＝１５５℃」となるときのＭｐについて、前者が「Ｍｐ＝１８３℃」であるのに対して、後者は「Ｍｐ＝１３９℃」である点のみで異なり、その余の点で一致する。　
 
（２）本件発明３と引用発明３との対比
　上記（１）と「１−３．（１）」の検討を踏まえると、本件発明３と引用発明３とは、 
「はんだ合金粉末と混合してソルダペースト組成物を構成するフラックス組成物であって、 
（Ａ）ベース樹脂と、（Ｂ）活性剤と、（Ｃ）チクソ剤と、（Ｄ）溶剤とを含み、
　前記溶剤（Ｄ）として（Ｄ−１）カルボキシル基及びヒドロキシル基のいずれをも有さない有機酸エステルである安息香酸ブチルを含み、はんだ合金粉末を構成するはんだ合金の溶融ピーク温度が１７５℃以上２０５℃未満である、 フラックス組成物。」である点で一致し、次の点で相違する。 
　＜相違点１＊＞溶剤（Ｄ）として、本件発明３では「マレイン酸ジブチル」を含まないが、引用発明３では「マレイン酸ジブチル」を含む点。
　＜相違点２＊＞本件発明３では「前記有機酸エステル（Ｄ−１）の減量率（ＴＧ法を用いて測定。昇温温度１０℃／ｍｉｎ、窒素ガス流量２００ｍｌ／ｍｉｎ、サンプル量１０ｍｇ）が１００質量％となる温度は１８０℃以上且つ前記はんだ合金粉末を構成するはんだ合金の溶融ピーク温度＋５０℃以下」であるのに対して、引用発明３では、「有機酸エステル（Ｄ−１）」にあたる「安息香酸ブチル」において「減量率（ＴＧ法を用いて測定。昇温温度１０℃／ｍｉｎ、窒素ガス流量２００ｍｌ／ｍｉｎ、サンプル量１０ｍｇ）が１００質量％となる温度は１８０℃以上且つ前記はんだ合金粉末を構成するはんだ合金の溶融ピーク温度＋５０℃以下」であるのか、不明な点。
　＜相違点３＊＞「前記溶剤（Ｄ）全量に対して」の「有機酸エステル（Ｄ−１）の配合量」について、本件発明３では「１０質量％から１００質量％である」のに対して、引用発明３では「有機酸エステル（Ｄ−１）」にあたる「安息香酸ブチル」が「５．７質量％」である点。 
　＜相違点４＊＞「はんだ合金粉末を構成するはんだ合金の溶融ピーク温度が１７５℃以上２０５℃未満の場合」において、本件発明３では、「前記有機酸エステル（Ｄ−１）の減量率（ＴＧ法を用いて測定。昇温温度１０℃／ｍｉｎ、窒素ガス流量２００ｍｌ／ｍｉｎ、サンプル量１０ｍｇ）が１００質量％となる温度は１８０℃以上且つ２５５℃未満である」のに対して、引用発明３では「マレイン酸ジブチルの減量率（ＴＧ法を用いて測定。昇温温度１０℃／ｍｉｎ、窒素ガス流量３００ｍｌ／ｍｉｎ）が１５質量％となる温度は１５５℃」である点。
（３）相違点の検討
　相違点１＊は、上記「１−３（１）」の相違点１と同じなので、「１−３（２）相違点の検討」を援用する。
　引用発明３において、相違点１＊に係る特定事項とすることは容易に想到できない。
（４）本件発明３についての結言
　以上から、他の相違点について検討するまでもなく、本件発明３は、引用発明３と同一発明とはいえないし、また、引用発明３に基づいて、又は、引用発明３と甲第３〜６号証の記載に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものともいえない。
１−５．本件発明４について 
（１）本件発明４と本件発明２の関係、及び、引用発明１と引用発明２の関係
　本件発明４と本件発明２とは、前者が「２０５℃≦Ｍｐ」で「１８０℃≦（ＴＧ−１００）＜Ｍｐ＋５０℃」であるのに対して、後者は「１３０℃≦Ｍｐ＜１７５℃」で「１８０℃≦（ＴＧ−１００）＜２２５℃」である点のみで異なり、その余の点で一致する。
　また、引用発明１と引用発明２とは、「（ＴＧ−１５）＝１５５℃」となるときのＭｐについて、前者が「Ｍｐ＝２１８℃」であるのに対して、後者は「Ｍｐ＝１３９℃」である点のみで異なり、その余の点で一致する。
（２）本件発明４と引用発明１との対比
　上記（１）と「１−３．（１）」の検討を踏まえると、本件発明４と引用発明１とは、
「はんだ合金粉末と混合してソルダペースト組成物を構成するフラックス組成物であって、 
（Ａ）ベース樹脂と、（Ｂ）活性剤と、（Ｃ）チクソ剤と、（Ｄ）溶剤とを含み、
　前記溶剤（Ｄ）として（Ｄ−１）カルボキシル基及びヒドロキシル基のいずれをも有さない有機酸エステルである安息香酸ブチルを含み、はんだ合金粉末を構成するはんだ合金の溶融ピーク温度が２０５℃以上である、 フラックス組成物。」である点で一致し、次の点で相違する。 
　＜相違点１※＞溶剤（Ｄ）として、本件発明４では「マレイン酸ジブチル」を含まないが、引用発明１では「マレイン酸ジブチル」を含む点。
　＜相違点２※＞本件発明４では「前記有機酸エステル（Ｄ−１）の減量率（ＴＧ法を用いて測定。昇温温度１０℃／ｍｉｎ、窒素ガス流量２００ｍｌ／ｍｉｎ、サンプル量１０ｍｇ）が１００質量％となる温度は１８０℃以上且つ前記はんだ合金粉末を構成するはんだ合金の溶融ピーク温度＋５０℃以下」であるのに対して、引用発明１では、「有機酸エステル（Ｄ−１）」にあたる「安息香酸ブチル」において「減量率（ＴＧ法を用いて測定。昇温温度１０℃／ｍｉｎ、窒素ガス流量２００ｍｌ／ｍｉｎ、サンプル量１０ｍｇ）が１００質量％となる温度は１８０℃以上且つ前記はんだ合金粉末を構成するはんだ合金の溶融ピーク温度＋５０℃以下」であるのか、不明な点。
　＜相違点３※＞「前記溶剤（Ｄ）全量に対して」の「有機酸エステル（Ｄ−１）の配合量」について、本件発明４では「１０質量％から１００質量％である」のに対して、引用発明１では「有機酸エステル（Ｄ−１）」にあたる「安息香酸ブチル」が「５．７質量％」である点。 
　＜相違点４※＞「はんだ合金粉末を構成するはんだ合金の溶融ピーク温度が２０５℃以上の場合」において、本件発明４では、「前記有機酸エステル（Ｄ−１）の減量率（ＴＧ法を用いて測定。昇温温度１０℃／ｍｉｎ、窒素ガス流量２００ｍｌ／ｍｉｎ、サンプル量１０ｍｇ）が１００質量％となる温度は１８０℃以上且つ前記溶融ピーク＋５０℃以下である」のに対して、引用発明１では「マレイン酸ジブチルの減量率（ＴＧ法を用いて測定。昇温温度１０℃／ｍｉｎ、窒素ガス流量３００ｍｌ／ｍｉｎ）が１５質量％となる温度は１５５℃」である点。
（３）相違点の検討
　相違点１※は、上記「１−３（１）」の相違点１と同じなので、「１−３（２）相違点の検討」を援用する。
　引用発明１において、相違点１※に係る特定事項とすることは容易に想到できない。
（４）本件発明４についての結言
　以上から、他の相違点について検討するまでもなく、本件発明４は、引用発明１と同一発明とはいえないし、また、引用発明１に基づいて、又は、引用発明１と甲第３〜６号証の記載に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものともいえない。
１−６．異議申立理由及び当審取消理由の新規性、進歩性についての結言
　また、本件発明５〜１２は、いずれも本件発明２〜４を直接又は間接的に引用した上で、本件発明２〜４をさらに特定するものであるから、本件発明２〜４と同様である。
　以上から、本件発明３、４、６〜９、１２は甲第１号証に記載された発明ではなく、本件発明２〜１２は甲第１号証に記載された発明及び甲第２〜６号証に記載の技術手段に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものでもない。
　
２．記載不備について
　取消理由で通知した記載不備の理由は、上記「第５」でみたように、「Ｄ．異議申立理由２の（２）」及び「Ｅ．記載不備についての取消理由（当審で発見）」の二つであり、これらについて判断する。
２−１．Ｄ．異議申立理由２の（２）について
（１）申立人の主張の概要
　発明の詳細な説明には、課題を解決出来ることが確認できた「（Ｂ）活性剤」についての実施例がただ一つ（全実施例、全比較例を通じて「マロン酸０．５％」「コハク酸０．５％」「スベリン酸１．５％」「ピコリン酸１．０％」「２−ブロモヘキサン１．５％」を全て用いた組合せの場合のみ）記載されているにすぎず、出願時の技術常識に照らしても、発明の詳細な説明に開示された内容を、本件発明の範囲にまで拡張ないし一般化できるものとはいえない。 
　したがって、本件発明は、発明の詳細な説明に記載されたものであるとはいえず、同発明に係る特許は、特許法第３６条第６項第１号の規定を満たしていない発明に対してされたものであるので、取り消されるべきものである。
（２）当審の判断
　本件発明は、リフローはんだ付時のボイド発生を抑制しつつはんだ付後のフラックス残さのべとつきを抑制し得るフラックス組成物を得ることを課題とし（【０００９】）、その解決手段として、活性剤が溶剤中で電離して有機酸イオン（ＲＣＯＯ−）やハロゲン化物イオンが発生しても、それらが溶媒和しないように、有機酸エステル（Ｄ−１）は上記カルボキシル基及びヒドロキシル基のいずれをも有さないので、活性剤がはんだ合金粉末と反応せず、リフロー加熱まで活性が保たれるもの（【００５０】）とするものであることが記載され、それゆえ、「（Ｂ）活性剤」はそのような性質を有するものである必要があるといえるし、本件特許明細書【００３９】〜【００４３】にはそのような性質を持つ種々の活性剤について記載されているといえる。
　そうであれば、課題を解決するための機序は明らかであり、当該機序に従い得る種々の活性剤の具体例も記されているのだから、実験により課題が解決できることが確認できた事例が一つしか記載されていないとしても、当業者であれば、実験例で効果が確認されていなくても、本件発明の活性剤であれば課題を解決できることを十分に認識し得るといえる。
　それゆえ、本件発明は特許法第３６条第６項第１号の規定を満たすものである。
２−２．Ｅ．記載不備についての取消理由（当審で発見）について
　本取消理由は、本件特許公報記載の請求項１に係る発明において、使用されるはんだ合金について何ら特定がないところ、技術常識に照らして、同発明があらゆるはんだ合金（溶融ピーク温度）に対して課題を解決できるものとは認められないので、出願時の技術常識に照らして、同請求項１に係る発明の範囲まで、発明の詳細な説明に開示された内容を拡張ないし一般化できるとはいえず、請求項１の記載は、特許を受けようとする発明が発明の詳細な説明に記載されたものでないとするものであったところ、上記した本件訂正請求により請求項１が削除されたため、本取消理由の対象となる請求項がなくなったので、本取消理由は解消されたものである。
第７　取消理由として通知しなかった異議申立理由の判断
　取消理由として通知しなかった上記「第４」の＜異議申立理由２＞（１）（３）について判断する。
１．「第４」の＜異議申立理由２＞（１）について
（１）申立人の主張の概要
　甲第５号証の「ソルダペースト組成物」のフラックスは本件発明の「フラックス組成物」に相当し、「低分子二塩基酸ジアルキルエステル系化合物」は本件発明の「（Ｄ−１）カルボキシル基及びヒドロキシル基のいずれをも有さない有機酸エステル（ただし、マレイン酸ジブチルを除く）」にあたるといえる。
　そして、甲第５号証には、「ボイドの発生を減少」させる「ソルダペースト組成物」が記載され、同組成物のフラックスにおいて、「低分子二塩基酸ジアルキルエステル系化合物」の添加量は「０．１％以上１０．０％以下、特に０．３％〜１％が好ましい。添加量０．１％未満ではソルダペーストへ添加した効果が見られず、添加量１０．０％以上では、はんだ付性が悪くなる。」（【００１４】）ことが記載されている。
　すると、甲第５号証で「低分子二塩基酸ジアルキルエステル系化合物」は「添加量１０．０％以上」は添加できないから、本件発明でも同様であるはずなのに、本件特許明細書【００５５】から本件発明では「（Ｄ−１）カルボキシル基及びヒドロキシル基のいずれをも有さない有機酸エステル（ただし、マレイン酸ジブチルを除く）」をフラックス組成物全量に対して６５質量％まで添加できるとされているから、「１０．０％」を超える添加の可能な理由が別途存在するはずだが、請求項の記載からはそれは特定されておらず、当該理由の特定されない本件発明は明細書の記載により裏付けられているものとは言えない。
　したがって、本件発明は、発明の詳細な説明に記載されたものであるとはいえず、同発明に係る特許は、特許法第３６条第６項第１号の規定を満たしていない発明に対してされたものであるので、取り消されるべきものである。
（２）当審の判断
　本件発明は「リフローはんだ付時のボイド発生を抑制しつつはんだ付後のフラックス残さのべとつきを抑制し得るフラックス組成物及びソルダペースト組成物を提供する」（【０００９】）ことを課題とし、（Ａ）ベース樹脂として「ロジン系樹脂」（【００２５】）を、（Ｂ）活性剤として「マロン酸」「コハク酸」等（【００４０】）を、（Ｃ）チクソ剤として「水素添加ヒマシ油」「飽和脂肪酸アミド」「オキシ脂肪酸類」等（【００４８】）を、（Ｄ）溶剤として「ブチルカルビトール」等（【００４９】）を、溶剤（Ｄ）として（Ｄ−１）カルボキシル基及びヒドロキシル基のいずれをも有さない有機酸エステルを含むものである。
　これに対して、甲５に記載の発明は「はんだ付部におけるボイドの発生を減少」（【０００１】）することを課題とし、「樹脂成分」として「ロジン系樹脂」（【００１１】）を、「活性剤」として「マロン酸」「コハク酸」等（【００１２】）を、「チキソ剤」として「水素添加ヒマシ油」「脂肪酸アマイド類」「オキシ脂肪酸類」等（【００１３】）を、「溶剤」として「ブチルカルビトール」等（【００４９】）を、「低分子二塩基酸ジアルキルエステル系化合物」（【００１４】）を含むものである。
　ここで、本件発明の「（Ｄ−１）カルボキシル基及びヒドロキシル基のいずれをも有さない有機酸エステル（ただし、マレイン酸ジブチルを除く）」は「低分子二塩基酸ジアルキルエステル系化合物」を含むといえるから、本件発明と甲５に記載の発明とは「フラックス組成物」として類似するものといえる。
　しかしながら、本件発明は、少なくとも「有機酸エステル（Ｄ−１）」について「有機酸エステル（Ｄ−１）の減量率（ＴＧ法を用いて測定。昇温温度１０℃／ｍｉｎ、窒素ガス流量２００ｍｌ／ｍｉｎ、サンプル量１０ｍｇ）が１００質量％となる温度は１８０℃以上且つ前記はんだ合金粉末を構成するはんだ合金の溶融ピーク温度＋５０℃以下であ」るという特定事項を別途有するものであり、この点は甲５に記載も示唆もない。
　すると、本件発明は、「有機酸エステル（Ｄ−１）」について、「カルボキシル基及びヒドロキシル基のいずれをも有さない」こととは別に、上記特定事項も有するものであるから、甲５に前者に関する含有量の規定があるからといって、それとは別に後者の特定事項も合わせて有する本件発明の「有機酸エステル（Ｄ−１）」が、甲５の前者に関する含有量の規定があてはまらなければならないという必然性は認められない。
したがって、本件発明はサポート要件に適合しないとはいえず、特許法第３６条第６項第１号の規定を満たすものである。
２．「第４」の＜異議申立理由２＞（３）について
（１）申立人の主張の概要
　本件特許明細書の実施例では、同じフラックス組成物であっても溶融ピーク温度の異なるはんだ合金を用いたり、溶剤の比率を若干変化させたりするだけで試験結果が変わることが示されているが、このような相違が本件発明を満たすあらゆる材料で発生するとまでは言えない。あらゆるフラックス組成物で、実施例で確認できているような効果の差が発生することまでは実施例で示されておらず、当業者は所望の効果が得られるとまで認識できない。
　すなわち、本件特許明細書で確認できるのは実施例に記載されている組成にすぎず、本件特許明細書の記載は、特許請求の範囲の各請求項で規定される範囲と得られる効果（性能）との関係の技術的な意味が、特許出願時において、具体的な開示がなくとも当業者に理解できる程度に記載されておらず、また、特許出願時の技術常識を参酌して、本件の特許請求の範囲の各請求項で規定される範囲内であれば、所望の効果が得られると当業者において認識できるものでもない。
　したがって、本件発明は、発明の詳細な説明に記載されたものであるとはいえず、本件発明に係る特許は、特許法第３６条第６項第１号の規定を満たしていない発明に対してされたものであるので、取り消されるべきものである。
（２）当審の判断
　本件発明の課題は、リフローはんだ付時のボイド発生を抑制しつつはんだ付後のフラックス残さのべとつきを抑制し得るフラックス組成物を得ること（【０００９】）であり、その解決手段として、活性剤が溶剤中で電離して有機酸イオン（ＲＣＯＯ−）やハロゲン化物イオンが発生しても、それらが溶媒和しないように、有機酸エステル（Ｄ−１）は上記カルボキシル基及びヒドロキシル基のいずれをも有さないので、活性剤がはんだ合金粉末と反応せず、リフロー加熱まで活性が保たれるもの（【００５０】）とするものであるという本件発明の機序は本件特許明細書において明らかにされており、さらに、はんだ合金の溶融ピーク温度と有機酸エステル（Ｄ−１）のＴＧ法での減量率との関係（【００５２】〜【００５４】）も明らかにされている。
　そして本件の特許請求の範囲の各請求項には、上記機序とはんだ合金の溶融ピーク温度と有機酸エステル（Ｄ−１）のＴＧ法での減量率との関係が記載されており、その技術的意味は十分に理解される特定となっている。
　そうであれば、実施例として記載されているのが、上記機序に従ういくつかの例にすぎず、請求項に記載の範囲を過不足なく示すものでないとしても、本件特許明細書に記載の上記機序等に従うものであれば本件発明の課題を解決できることは明らかであり、本件発明が本件特許明細書に記載されていないとはいえない。
　それゆえ、本件発明は特許法第３６条第６項第１号の規定を満たすものである。
第８　むすび
　以上のとおりであるから、当審の取消理由及び特許異議申立理由によっては、本件請求項２〜１２に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に請求項２〜１２に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　そして、訂正により請求項１が削除されたため、請求項１に係る特許に対する特許異議の申立てについては、対象となる請求項が存在しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
令和２年９月１４日（２０２０．９．１４）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
フラックス組成物、ソルダペースト組成物及び電子回路基板
　【技術分野】
　【０００１】
　本発明はフラックス組成物、ソルダペースト組成物及びこれを用いて形成されたはんだ接合体を有する電子回路基板に関する。
　【０００２】
　従来、プリント配線板やシリコンウエハといった基板上に形成される電子回路に電子部品を接合するには、フラックスとはんだ合金粉末とを混合したソルダペースト組成物を基板上に印刷し、所定の位置に電子部品を搭載してこれをリフロー炉等の加熱ではんだ接合部を形成する方法が汎用的に用いられている（以下、この方法を「リフローはんだ付法」という。）。
　リフローはんだ付法は、予め決まった形で成形されたはんだを用いたはんだ付法と比較し、形成されたはんだ接合部にボイドが発生しやすいという欠点がある。このボイドの発生の主な原因は、ソルダペースト組成物に含まれるはんだ合金粉末が溶融し凝集する際にフラックス組成物に含まれる成分、特に揮発性の溶剤が速やかに凝集するはんだから排出されないことにある。
　【０００３】
　近年の電子部品の小型化に伴うパッドの微細化や電子部品の高機能化による発熱量の増加により、それまでは許容されていたボイドが部品の放熱阻害や接合信頼性の低下に影響を及ぼすようになっている。例えば、３．２ｍｍ×１．６ｍｍサイズのチップ部品において、その電極下に直径２００μｍのボイドが２箇所発生した場合と直径３００μｍのボイドが２箇所発生した場合、ボイドが無い場合と比べてそのはんだ接合部の接合寿命はそれぞれ０．８５倍、０．６３倍低下することが報告されている。このようにはんだ接合部におけるボイドの発生は電子機器や電子部品の信頼性を著しく損なう虞がある。
　【０００４】
　このようなボイドの低減方法として、従来、使用するフラックス組成物に適正量の活性剤を配合し、はんだ溶融時の流動性を向上してはんだ内部に発生したガスを排出する方法が用いられていた。しかしこのような活性剤ははんだ合金粉末とフラックス組成物とを混合した時点から反応が開始し、ソルダペースト組成物の使用段階には既にその活性力がある程度消費された状態にある。従ってこの場合、特に前述のような微細化パッドを有する電子部品においてははんだ付け時の十分なぬれ性を確保することが難しく、凝集するはんだからのガスの排出は難くなる。
　【０００５】
　これを解決する方法として、はんだ合金粉末との反応による活性力の消費分に相当する活性剤を予めフラックス組成物に配合して高活性とし、はんだ溶融時の流動性を向上する方法が挙げられる。しかし高活性のために活性剤を増量すればはんだ付後に基板上に残留するフラックス残さの絶縁性が低下するため、これにより部品端子間の短絡が起こる虞がある。
　【０００６】
　また上述のボイドの発生を低減する他の方法として、加熱中のプリヒートの段階で完全に揮発してしまう溶剤をフラックス組成物に配合する方法が挙げられる。通常、溶剤はソルダペースト組成物を適正な粘度に調整し、その印刷性を高めるために用いられる。そのため、基板上へのソルダペースト組成物の印刷が完了すれば、溶剤は不要な成分となる。
　しかし、このような揮発し易い溶剤を用いる場合、ソルダペースト組成物がメタルマスク上で乾燥し易くなるために連続印刷の過程で増粘し、メタルマスクの開口部詰まり及び印刷抜け不良を引き起こす虞がある。
　【０００７】
　更にはリフローはんだ付におけるボイドの発生を低減させる他の方法として、フラックスに含有される溶剤の７０質量％以上をＴＧ法による測定で減量率が１５質量％になる温度（ＴＧ−１５温度）がはんだの溶融ピーク温度より５℃以上高温になる溶剤を用いたソルダペーストが提案されている（特許文献１参照）。当該溶剤は、はんだが溶融するまでに気化する量が最大でも１５質量％より少ない。そのためソルダペーストが完全に溶融しはんだがぬれ性を示した後にその気化が盛んとなるため、溶剤は溶融はんだから排出され易く、よってボイドの発生が抑制されるものである。
　しかしこのような溶剤は、リフロー加熱中に一部しか溶剤が気化しない場合や実質的に全く気化しない場合、溶剤以外の気化しなかったフラックス成分（例：樹脂、チクソ剤、活性剤等）と共にフラックス残さとしてはんだ接合部周辺に残留してしまう。溶剤が含まれたフラックス残さはべたつく性質を有するため大気中の埃や塵が付着し易い。このような埃等の付着したフラックス残さは絶縁性が低下するため、その信頼性を著しく損なう虞がある。
　なお、フラックス残さははんだ付後に洗浄剤による洗浄で除去することもできる。しかし近年ではコスト面、環境面等の観点から無洗浄タイプのソルダペースト組成物が広く使用されており、ボイド発生を抑制しつつフラックス残さのべたつきを抑制し得るソルダペースト組成物の重要性はますます高まっている。
　【先行技術文献】
　【特許文献】
　【０００８】
　【特許文献１】　特許第４４５８０４３号公報
　【発明の概要】
　【発明が解決しようとする課題】
　【０００９】
　本発明は上記課題を解決するものであり、特にリフローはんだ付時のボイド発生を抑制しつつはんだ付後のフラックス残さのべとつきを抑制し得るフラックス組成物及びソルダペースト組成物を提供することをその目的とする。
　【課題を解決するための手段】
　【００１０】
　（１）本発明のフラックス組成物は、はんだ合金粉末と混合してソルダペースト組成物を構成するものであり、（Ａ）ベース樹脂と、（Ｂ）活性剤と、（Ｃ）チクソ剤と、（Ｄ）溶剤とを含み、前記溶剤（Ｄ）として（Ｄ−１）カルボキシル基及びヒドロキシル基のいずれをも有さない有機酸エステルを含み、前記有機酸エステル（Ｄ−１）の減量率（ＴＧ法を用いて測定）が１００質量％となる温度は１８０℃以上且つ前記はんだ合金粉末を構成するはんだ合金の溶融ピーク温度＋５０℃以下であり、前記有機酸エステル（Ｄ−１）の配合量は前記溶剤（Ｄ）全量に対して１０質量％から１００質量％であることをその特徴とする。
　【００１１】
　（２）上記（１）に記載の構成にあって、前記はんだ合金粉末を構成するはんだ合金の溶融ピーク温度が１３０℃以上１７５℃未満の場合における前記有機酸エステル（Ｄ−１）の減量率（ＴＧ法を用いて測定）が１００質量％となる温度は１８０℃以上且つ２２５℃未満であることをその特徴とする。
　【００１２】
　（３）上記（１）に記載の構成にあって、前記はんだ合金粉末を構成するはんだ合金の溶融ピーク温度が１７５℃以上２００℃未満の場合における前記有機酸エステル（Ｄ−１）の減量率（ＴＧ法を用いて測定）が１００質量％となる温度は１８０℃以上且つ２５０℃未満であることをその特徴とする。
　【００１３】
　（４）上記（１）に記載の構成にあって、前記はんだ合金粉末を構成するはんだ合金の溶融ピーク温度が２００℃以上の場合における前記有機酸エステル（Ｄ−１）の減量率（ＴＧ法を用いて測定）が１００質量％となる温度は１８０℃以上且つ前記溶融ピーク温度＋５０℃以下であることをその特徴とする。
　【００１４】
　（５）上記（２）に記載の構成にあって、前記有機酸エステル（Ｄ−１）はアジピン酸ジメチル及びマレイン酸ジブチルの少なくとも一方であることをその特徴とする。
　【００１５】
　（６）上記（３）に記載の構成にあって、前記有機酸エステル（Ｄ−１）はアジピン酸ジ
メチル、アジピン酸ジイソプロピル、マレイン酸ジブチル、セバシン酸ジメチル、アジピン酸ジイソブチル及びセバシン酸ジエチルから選ばれる少なくとも１種であることをその特徴とする。
　【００１６】
　（７）上記（４）に記載の構成にあって、前記有機酸エステル（Ｄ−１）はアジピン酸ジメチル、アジピン酸ジイソプロピル、マレイン酸ジブチル、セバシン酸ジメチル、アジピン酸ジイソブチル、セバシン酸ジエチル、セバシン酸ジイソプロピル、セバシン酸ジブチル及びセバシン酸ジオクチルから選ばれる少なくとも１種であることをその特徴とする。
　【００１７】
　（８）上記（１）から（７）のいずれか１に記載の構成にあって、前記ベース樹脂（Ａ）は（Ａ−１）ロジン系樹脂及び（Ａ−２）合成樹脂の少なくとも一方を含み、前記合成樹脂（Ａ−２）はアクリル樹脂、スチレン−マレイン酸樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、フェノキシ樹脂、テルペン樹脂、ポリアルキレンカーボネート及びカルボキシル基を有するロジン系樹脂とダイマー酸誘導体柔軟性アルコール化合物とを脱水縮合してなる誘導体化合物からなる群より選択される少なくとも１種であることをその特徴とする。
　【００１８】
　（９）本発明のソルダペースト組成物は、上記（１）から（８）のいずれか１に記載のフラックス組成物と、はんだ合金粉末とを含むことをその特徴とする。
　【００１９】
　（１０）上記（９）に記載の構成にあって、前記はんだ合金粉末はＡｇを２質量％以上３．１質量％以下と、Ｃｕを０質量％超１質量％以下と、Ｓｂを１質量％以上５質量％以下と、Ｂｉを０．５質量％以上４．５質量％以下と、Ｎｉを０．０１質量％以上０．２５質量％以下含み、残部がＳｎからなることをその特徴とする。
　【００２０】
　（１１）上記（１０）に記載の構成にあって、前記はんだ合金粉末は更にＣｏを０．００１質量％以上０．２５質量％以下含むことをその特徴とする。
　【００２１】
　（１２）本発明の電子回路基板は、上記（９）から（１１）のいずれか１に記載のソルダペースト組成物を用いて形成されたはんだ接合体を有することをその特徴とする。
　【発明の効果】
　【００２２】
　本発明によれば、特にリフローはんだ付時のボイド発生を抑制しつつはんだ付後のフラックス残さのべとつきを抑制し得るフラックス組成物及びソルダペースト組成物を提供することができる。
　【発明を実施するための形態】
　【００２３】
　本発明のフラックス組成物、ソルダペースト組成物及び電子回路基板の一実施形態を以下に詳述する。なお、本発明がこれらの実施形態に限定されないのはもとよりである。
　【００２４】
　（１）フラックス組成物
　本実施形態のフラックス組成物は、（Ａ）ベース樹脂と、（Ｂ）活性剤と、（Ｃ）チクソ剤と、（Ｄ）溶剤とを含む。
　【００２５】
　（Ａ）ベース樹脂
　前記ベース樹脂（Ａ）としては、例えば（Ａ−１）ロジン系樹脂及び（Ａ−２）合成樹脂の少なくとも一方を用いることが好ましい。
　【００２６】
　前記ロジン系樹脂（Ａ−１）としては、例えばトール油ロジン、ガムロジン、ウッドロジン等のロジン；ロジンを重合化、水添化、不均一化、アクリル化、マレイン化、エステ
ル化若しくはフェノール付加反応等を行ったロジン誘導体；これらロジンまたはロジン誘導体と不飽和カルボン酸（アクリル酸、メタクリル酸、無水マレイン酸、フマル酸等）とをディールス・アルダー反応させて得られる変性ロジン樹脂等が挙げられる。これらの中でも特に変性ロジン樹脂が好ましく用いられ、アクリル酸を反応させて水素添加した水添アクリル酸変性ロジン樹脂が特に好ましく用いられる。なおこれらは１種単独でまたは複数種を混合して用いてもよい。
　【００２７】
　なお前記ロジン系樹脂（Ａ−１）の酸価は１４０ｍｇＫＯＨ／ｇから３５０ｍｇＫＯＨ／ｇであることが好ましく、その重量平均分子量は２００Ｍｗから１，０００Ｍｗであることが好ましい。
　【００２８】
　前記合成樹脂（Ａ−２）としては、例えばアクリル樹脂、スチレン−マレイン酸樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、フェノキシ樹脂、テルペン樹脂、ポリアルキレンカーボネート及びカルボキシル基を有するロジン系樹脂とダイマー酸誘導体柔軟性アルコール化合物とを脱水縮合してなる誘導体化合物が挙げられる。なおこれらは１種単独でまたは複数種を混合して用いてもよい。
　【００２９】
　前記アクリル樹脂は、例えば炭素数１から２０のアルキル基を有する（メタ）アクリレートを単重合、または当該アクリレートを主成分とするモノマーを共重合することにより得られる。このようなアクリル樹脂の中でも、特にメタクリル酸と炭素鎖が直鎖状である炭素数２から２０の飽和アルキル基を２つ有するモノマーを含むモノマー類とを重合して得られるアクリル樹脂が好ましく用いられる。なお当該アクリル樹脂は、１種単独でまたは複数種を混合して用いてもよい。
　【００３０】
　前記エポキシ樹脂としては、その末端に反応性のエポキシ基を有する熱硬化型の樹脂であればいずれも使用することができ、例えばビスフェノールＡ型、ビスフェノールＦ型、ビスフェノールＳ型、ビフェニル型、ナフタレン型、クレゾールノボラック型、フェノールノボラック型、臭素化ビスフェノールＡ型、水添ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＡＦ型、フルオレン型、グリシジルエーテル型、グリシジルエステル型、グリシジルアミン型、脂環型エポキシ樹脂等が挙げられる。なおこれらは１種単独でまたは複数種を混合して用いてもよい。
　【００３１】
　前記ウレタン樹脂としては、例えば１分子中に複数のイソシアネート基を有する化合物と１分子中に２つ以上のヒドロキシル基を有するポリオール化合物を反応させて得られるものであればいずれも使用することができ、その中でも特に脂肪族成分、芳香族成分を含むポリウレタン樹脂が好ましく用いられる。なお当該ウレタン樹脂は１種単独でまたは複数種を混合して用いてもよい。
　【００３２】
　前記ポリエステル樹脂としては、例えばポリエチレンテレフタレート、ポリトリメチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリブチレンナフタレート等が挙げられる。なおこれらは１種単独でまたは複数種を混合して用いてもよい。
　【００３３】
　前記フェノキシ樹脂としては、例えばビスフェノールＡ型フェノキシ樹脂、ビスフェノールＦ型フェノキシ樹脂等が挙げられる。なおこれらは１種単独でまたは複数種を混合して用いてもよい。
　【００３４】
　前記ポリアルキレンカーボネートとしては、例えば、ポリエチレンカーボネート、ポリプロピレンカーボネート、ポリブテンカーボネート、ポリイソブテンカーボネート、ポリペンテンカーボネート、ポリヘキセンカーボネート、ポリシクロペンテンカーボネート、
ポリシクロヘキセンカーボネート、ポリシクロヘプテンカーボネート、ポリシクロオクテンカーボネート、ポリリモネンカーボネート等をポリプロピレンカーボネート、ポリブチレンカーボネート等が挙げられる。なおこれらは１種単独でまたは複数種を混合して用いてもよい。
　【００３５】
　前記カルボキシル基を有するロジン系樹脂とダイマー酸誘導体柔軟性アルコール化合物とを脱水縮合してなる誘導体化合物（以下、「ロジン誘導体化合物」という。）について、先ずカルボキシル基を有するロジン系樹脂としては、例えばトール油ロジン、ガムロジン、ウッドロジン等のロジン；水添ロジン、重合ロジン、不均一化ロジン、アクリル酸変性ロジン、マレイン酸変性ロジン等のロジン誘導体等が挙げられ、これら以外にもカルボキシル基を有するロジンであれば使用することができる。またこれらは１種単独でまたは複数種を混合して用いてもよい。
　次に前記ダイマー酸誘導体柔軟性アルコール化合物としては、例えばダイマージオール、ポリエステルポリオール、ポリエステルダイマージオールのようなダイマー酸から誘導される化合物であって、その末端にアルコール基を有するもの等が挙げられ、例えばＰＲＩＰＯＬ２０３３、ＰＲＩＰＬＡＳＴ３１９７、ＰＲＩＰＬＡＳＴ１８３８（以上、クローダジャパン（株）製）等を用いることができる。
　前記ロジン誘導体化合物は、前記カルボキシル基を有するロジン系樹脂と前記ダイマー酸誘導体柔軟性アルコール化合物とを脱水縮合することにより得られる。この脱水縮合の方法としては一般的に用いられる方法を使用することができる。また、前記カルボキシル基を有するロジン系樹脂と前記ダイマー酸誘導体柔軟性アルコール化合物とを脱水縮合する際の好ましい重量比率は、それぞれ２５：７５から７５：２５である。
　【００３６】
　前記合成樹脂（Ａ−２）の酸価は０ｍｇＫＯＨ／ｇから１５０ｍｇＫＯＨ／ｇであることが好ましく、その重量平均分子量は１，０００Ｍｗから３０，０００Ｍｗであることが好ましい
　【００３７】
　また前記ベース樹脂（Ａ）の配合量は、フラックス組成物全量に対して１０質量％以上６０質量％以下であることが好ましく、３０質量％以上５５質量％以下であることがより好ましい。
　前記ロジン系樹脂（Ａ−１）を単独で用いる場合、その配合量はフラックス組成物全量に対して１０質量％以上５０質量％以下であることが好ましく、１５質量％以上４５質量％以下であることが更に好ましい。ロジン系樹脂（Ａ−１）の配合量をこの範囲とすることで、良好なはんだ付性及び適度なフラックス残さ量とすることができる。
　また前記合成樹脂（Ａ−２）を単独で用いる場合、その配合量はフラックス組成物全量に対して１０質量％以上６０質量％以下であることが好ましく、１５質量％以上５０質量％以下であることがより好ましい。
　【００３８】
　更に前記ロジン系樹脂（Ａ−１）と前記合成樹脂（Ａ−２）とを併用する場合、その配合比率は２０：８０から５０：５０であることが好ましく、２５：７５から４０：６０であることがより好ましい。
　【００３９】
　（Ｂ）活性剤
　前記活性剤（Ｂ）としては、例えばカルボン酸類、ハロゲンを含む化合物等が挙げられる。これらは１種単独でまたは複数種を混合して用いてもよい。
　【００４０】
　前記カルボン酸類としては、例えばモノカルボン酸、ジカルボン酸等並びにその他の有機酸が挙げられる。
　前記モノカルボン酸としては、例えばプロピオン酸、酪酸、吉草酸、カプロン酸、エナント酸、カプリン酸、ラウリル酸、ミリスチン酸、ペンタデシル酸、パルミチン酸、マル
ガリン酸、ステアリン酸、ツベルクロステアリン酸、アラキジン酸、ベヘン酸、リグノセリン酸、グリコール酸等が挙げられる。
　ジカルボン酸としては、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、スベリン酸、アゼライン酸、セバシン酸、フマル酸、マレイン酸、酒石酸、ジグリコール酸等が挙げられる。
　また前記その他の有機酸としては、ダイマー酸、レブリン酸、乳酸、アクリル酸、安息香酸、サリチル酸、アニス酸、クエン酸、ピコリン酸等が挙げられる。
　なおこれらは１種単独でまたは複数種を混合して用いてもよい。
　【００４１】
　前記ハロゲンを含む化合物としては、例えば非解離性のハロゲン化合物（非解離型活性剤）、解離性のハロゲン化合物（解離型活性剤）が挙げられる。
　前記非解離型活性剤としては、ハロゲン原子が共有結合により結合した非塩系の有機化合物が挙げられ、例えば塩素化物、臭素化物、ヨウ素化物、フッ化物のように塩素、臭素、ヨウ素、フッ素の各単独元素の共有結合による化合物でもよく、またこの２以上の異なるハロゲン原子を共有結合で結合する化合物でもよい。当該化合物は水性溶媒に対する溶解性を向上させるために、例えばハロゲン化アルコールのように水酸基等の極性基を有することが好ましい。当該ハロゲン化アルコールとしては、例えば２，３−ジブロモプロパノール、２，３−ジブロモブタンジオール、１，４−ジブロモ−２−ブタノール、トリブロモネオペンチルアルコール等の臭素化アルコール；１，３−ジクロロ−２−プロパノール、１，４−ジクロロ−２−ブタノール等の塩素化アルコール；３−フルオロカテコール等のフッ素化アルコール；その他のこれらに類する化合物が挙げられる。
　【００４２】
　また前記解離型活性剤としては、例えばアミン、イミダゾール等の塩基の塩化水素酸塩及び臭化水素酸塩が挙げられる。塩化水素酸及び臭化水素酸の塩の一例としては、メチルアミン、ジメチルアミン、トリメチルアミン、エチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、ｎ−プロピルアミン、ジ−ｎ−プロピルアミン、トリ−ｎ−プロピルアミン、イソプロピルアミン、ジイソプロピルアミン、ブチルアミン、ジブチルアミン、トリブチルアミン、シクロヘキシルアミン、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン等の比較的炭素数の小さいアミン；イミダゾール、２−メチルイミダゾール、２−エチルイミダゾール、２−メチル−４−メチルイミダゾール、２−メチル−４−エチルイミダゾール、２−エチル−４−エチルイミダゾール、２−プロピルイミダゾール、２−プロピル−４−プロピルイミダゾール等の塩化水素酸塩及び臭化水素酸塩等が挙げられる。これらは１種単独でまたは複数種を混合して用いてもよい。
　【００４３】
　前記活性剤（Ｂ）の配合量は、フラックス組成物全量に対して０．１質量％以上３０質量％以上であることが好ましく、２質量％以上２５質量％以下であることがより好ましい。
　【００４４】
　前記活性剤（Ｂ）に使用される前記カルボン酸類の配合量は、フラックス組成物全量に対して１質量％以上２５質量％以下であることが好ましく、５質量％以上１５質量％以下であることがより好ましい。カルボン酸類の配合量をこの範囲とすることで、ソルダボール発生抑制及び良好なフラックス組成物の絶縁性を発揮することができる。
　【００４５】
　また前記活性剤（Ｂ）に使用される前記非解離型活性剤の配合量は、フラックス組成物全量に対して０．１質量％以上５質量％以下であることが好ましく、０．５質量％以上３質量％以下であることがより好ましい。
　【００４６】
　次に前記活性剤（Ｂ）に使用される前記解離型活性剤の配合量は、フラックス組成物全量に対して０．１質量％以上３質量％以下であることが好ましく、０．３質量％以上１．５質量％以下であることがより好ましい。
　【００４７】
　更に前記解離型活性剤として前記アミン及びイミダゾールをそれぞれ単体で用いる場合、その配合量はそれぞれ０．１質量％以上５質量％以下であることが好ましく、０．５質量％以上３質量％以下であることがより好ましい。
　【００４８】
　（Ｃ）チクソ剤
　前記チクソ剤（Ｃ）としては、例えば水素添加ヒマシ油、飽和脂肪酸アミド、飽和脂肪酸ビスアミド類、オキシ脂肪酸類、ジベンジリデンソルビトール類等が挙げられる。これらは１種単独でまたは複数種を混合して用いてもよい。
　また前記増粘剤の配合量は、フラックス全量に対して１質量％以上１５質量％以下であることが好ましく、３質量％以上１０質量％以下であることがより好ましい。
　【００４９】
　（Ｄ）溶剤
　前記溶剤（Ｄ）としては、例えばイソプロピルアルコール、エタノール、アセトン、トルエン、キシレン、酢酸エチル、エチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、ヘキシルジグリコール、（２−エチルヘキシル）ジグリコール、フェニルグリコール、ブチルカルビトール、オクタンジオール、αテルピネオール、βテルピネオール、テトラエチレングリコールジメチルエーテル、トリメリット酸トリス（２−エチルヘキシル）、セバシン酸ビスイソプロピル等を使用することができる。これらは１種単独でまたは複数種を混合して用いてもよい。
　【００５０】
　本実施形態のフラックス組成物においては、前記溶剤（Ｄ）として（Ｄ−１）カルボキシル基及びヒドロキシル基のいずれをも有さない有機酸エステルを含むことが好ましい。
　フラックス組成物に用いられる溶剤としては、カルボキシル基及びヒドロキシル基のいずれかを含む成分を用いるのが一般的である。フラックス組成物の成分のうち活性剤はこのような溶剤に溶解するに際して電離し、これにより負電荷を有する有機酸イオン（ＲＣＯＯ−）やハロゲン化物イオンが発生する。上記カルボキシル基及びヒドロキシル基はこのイオンの周囲に配向され易く、その結果これらが溶媒和され、はんだ合金粉末と溶剤との反応が起こる。
　しかし前記有機酸エステル（Ｄ−１）は上記カルボキシル基及びヒドロキシル基のいずれをも有さないため、本実施形態のフラックス組成物においては活性剤（Ｂ）から電離したイオンに配向し易い官能基がなく、よってこれらは溶媒和され難い。そのため、本実施形態のフラックス組成物を用いたソルダペースト組成物は、非加熱の保管状態におけるはんだ合金粉末と活性剤との反応を抑制し得る。
　このように前記有機酸エステル（Ｄ−１）を含むフラックス組成物はソルダペースト組成物の保管中におけるはんだ合金粉末と活性剤（Ｂ）との反応を抑制し得るため、活性剤（Ｂ）の活性度や配合量を調整せずともその活性力は残存され、はんだ付け時における良好なぬれ性を確保し、ボイドの発生を抑制することができる。
　なお、仮に基板上に形成されたフラックス残さに前記有機酸エステル（Ｄ−１）が残存したとしても、当該有機酸エステル（Ｄ−１）は上述の通りカルボキシル基及びヒドロキシル基のいずれをも有さないためにフラックス残さの吸湿性を抑制し得るため、そのフラックス残さの絶縁性には影響を及ぼし難いと考えられる。
　【００５１】
　また前記有機酸エステル（Ｄ−１）の減量率（ＴＧ法を用いて測定。具体的には、熱重量測定−示唆熱分析装置を用いてＴＧ曲線を測定し、これにより減量率を算出する。以下同じ。）が１００質量％となる温度は１８０℃以上且つ前記はんだ合金を構成するはんだ合金の溶融ピーク温度＋５０℃以下であることが好ましい。このような有機酸エステル（Ｄ−１）は基板上に形成されるフラックス残さのべたつきを抑制し得るため、当該フラックス残さに良好な絶縁性を付与することができる。
　即ち、ソルダペースト組成物の一般的なリフロー加熱条件は、本加熱のピーク温度をは
んだの溶融ピーク温度より更に１０℃から５０℃高い温度になるように設定することが多い。
　本発明者等は鋭意研究の結果、フラックス組成物に前記溶剤（Ｄ）として１８０℃以上且つ使用するはんだ合金の溶融ピーク温度より５０℃以内の高い温度で減量率が１００質量％となる前記有機酸エステル（Ｄ−１）を配合することにより、印刷時におけるメタルマスク上での乾燥が発生し難くなり、安定した連続印刷性を確保でき、また上記リフロー加熱条件でのボイド発生を抑制しつつ、更に形成されたフラックス残さのべたつきを抑制し得ることが分かった。
　【００５２】
　例えば混合に用いるはんだ合金粉末のはんだ合金のピーク温度が１３０℃以上１７５℃未満の場合においては、前記有機酸エステル（Ｄ−１）として、その減量率の１００質量％となる温度が１８０℃以上且つ２２５℃未満であるものが好ましく用いられる。このような有機酸エステル（Ｄ−１）としては、例えばアジピン酸ジメチル、マレイン酸ジブチル等が挙げられる。これらは１種単独でまたは複数種を混合して用いてもよい。
　【００５３】
　また例えば混合に用いるはんだ合金粉末のはんだ合金のピーク温度が１７５℃以上２００℃未満の場合においては、前記有機酸エステル（Ｄ−１）として、その減量率の１００質量％となる温度が１８０℃以上且つ２５０℃未満であるものが好ましく用いられる。このような有機酸エステル（Ｄ−１）としては、例えばアジピン酸ジメチル、アジピン酸ジイソプロピル、マレイン酸ジブチル、セバシン酸ジメチル、アジピン酸ジイソブチル、セバシン酸ジエチル等が挙げられる。これらは１種単独でまたは複数種を混合して用いてもよい。
　【００５４】
　更に例えば混合に用いるはんだ合金粉末のはんだ合金のピーク温度が２０５℃以上の場合においては、前記有機酸エステル（Ｄ−１）として、その減量率の１００質量％となる温度が１８０℃以上であり、且つ前記はんだ合金を構成するはんだ合金の溶融ピーク温度＋５０℃以下であるものが好ましく用いられる。このような有機酸エステル（Ｄ−１）としては、例えばアジピン酸ジメチル、アジピン酸ジイソプロピル、マレイン酸ジブチル、セバシン酸ジメチル、アジピン酸ジイソブチル、セバシン酸ジエチル、セバシン酸ジイソプロピル、セバシン酸ジブチル、セバシン酸シオクチル等が挙げられる。これらは１種単独でまたは複数種を混合して用いてもよい。
　【００５５】
　前記溶剤（Ｄ）の配合量は、フラックス組成物全量に対して２０質量％以上６５質量％以下であることが好ましい。より好ましいその配合量は２０質量％以上６０質量％以下であり、特に好ましい配合量は２５質量％以上５０質量％以下である。
　また前記有機酸エステル（Ｄ−１）の配合量は、前記溶剤（Ｄ）全量に対して１０質量％から１００質量％であることが好ましい。
　【００５６】
　更に本実施形態のフラックス組成物には、必要に応じて添加剤を配合することができる。前記添加剤としては、例えば酸化防止剤、消泡剤、界面活性剤、つや消し剤等が挙げられる。これらは１種単独でまたは複数種を混合して用いてもよい。
　なお前記添加剤の配合量は、フラックス全量に対して０．５質量％以上２０質量％以下であることが好ましく、１質量％以上１５質量％以下であることがより好ましい。
　【００５７】
　（２）ソルダペースト組成物
　本実施形態のソルダペースト組成物は、上記フラックス組成物とはんだ合金粉末とを混合することにより得られる。
　前記はんだ合金粉末としては、有鉛／無鉛いずれのはんだ合金粉末であっても使用することができる。即ち本実施形態のソルダペースト組成物は、使用するはんだ合金粉末の成分を問わず、その溶融ピーク温度に適した前記有機酸エステル（Ｄ−１）を使用すること
により、リフローはんだ付時のボイド発生を抑制しつつはんだ付後のフラックス残さのべとつきを抑制することができる。
　【００５８】
　なお、前記はんだ合金粉末に用いることのできる合金の例示としては、Ｓｎ及びＰｂを含む合金、Ｓｎ及びＰｂ並びにＡｇ、Ｂｉ及びＩｎの少なくとも１種を含む合金、Ｓｎ及びＡｇを含む合金、Ｓｎ及びＣｕを含む合金、Ｓｎ、Ａｇ及びＣｕを含む合金、Ｓｎ及びＢｉを含む合金等が挙げられる。またこれら以外にも、例えばＳｎ、Ｐｂ、Ａｇ、Ｂｉ、Ｉｎ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｓｂ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｇｅ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｐ等を適宜組合せたはんだ合金粉末を使用することができる。なお、上記に挙げた元素以外であってもその組合せに使用することは可能である。
　なお、これらの中でも特にＳｂ、Ａｇ及びＣｕを含むはんだ合金粉末、例えばＳｎ−Ａｇ系合金はんだ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系はんだ合金、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ−Ｂｉ−Ｓｂ系はんだ合金の粉末が好ましく用いられる。
　【００５９】
　また、これらの中でも特に以下に挙げる合金組成のはんだ合金粉末を用いると、形成されるはんだ接合部の亀裂進展抑制効果を向上させることができる。
　即ち、前記はんだ合金粉末は、Ａｇを１質量％以上３．１質量％以下と、Ｃｕを０質量％超１質量％以下と、Ｓｂを１質量％以上５質量％以下と、Ｂｉを０．５質量％以上４．５質量％以下と、Ｎｉを０．０１質量％以上０．２５質量％以下含み、残部がＳｎからなることが好ましい。
　【００６０】
　なお、Ａｇのより好ましい含有量は２質量％以上３．１質量％以下であり、Ｃｕのより好ましい含有量は０．５質量％以上１質量％以下であり、Ｓｂのより好ましい含有量は２質量％以上４質量％以下であり、Ｂｉのより好ましい含有量は３．１質量％以上４．５質量％であり、Ｎｉのより好ましい含有量は０．０１質量％以上０．１５質量％以下である。
　【００６１】
　また前記はんだ合金粉末は更にＣｏを０．００１質量％以上０．２５質量％以下含むことが好ましい。より好ましいＣｏの含有量は０．００１質量％以上０．１５質量％以下である。
　【００６２】
　このようなはんだ合金粉末を使用することにより、本実施形態に係るソルダぺースト組成物を用いて形成されたはんだ接合部は、寒暖の差が激しく振動が負荷されるような過酷な環境下においてもはんだ接合部の亀裂進展を抑制できる。また更にＮｉ／Ｐｄ／ＡｕめっきやＮｉ／Ａｕめっきがなされていない電子部品を用いてはんだ接合をした場合においても、はんだ接合部と電子部品の下面電極の界面付近における亀裂進展を抑制することができる。
　【００６３】
　前記はんだ合金粉末の配合量は、ソルダペースト組成物全量に対して６５質量％から９５質量％であることが好ましい。より好ましいその配合量は８５質量％から９３質量％であり、特に好ましい配合量は８７質量％から９２質量％である。
　前記はんだ合金粉末の配合量が６５質量％未満の場合には、得られるソルダペースト組成物を用いた場合に充分なはんだ接合が形成されにくくなる傾向にある。他方前記はんだ合金粉末の含有量が９５質量％を超える場合にはバインダとしてのフラックス組成物が足りないため、フラックス組成物とはんだ合金粉末とを混合しにくくなる傾向にある。
　【００６４】
　また前記はんだ合金粉末の粒子径は１μｍ以上４０μｍ以下であることが好ましく、５μｍ以上３５μｍ以下であることがより好ましく、１０μｍ以上３０μｍ以下であることが特に好ましい。
　【００６５】
　本実施形態のソルダペースト組成物は、はんだ合金粉末のはんだ合金の溶融ピーク温度に適した前記有機酸エステル（Ｄ−１）を配合したフラックス組成物を使用することにより、リフローはんだ付時のボイド発生を抑制しつつはんだ付後のフラックス残さのべとつきを抑制することができる。
　【００６６】
　（３）電子回路基板
　本実施形態の電子回路基板は、上記ソルダペースト組成物を用いて形成されるはんだ接合部とフラックス残さ（本明細書においては、はんだ接合部とフラックス残さとを併せて「はんだ接合体」という。）を有することが好ましい。当該電子回路基板は、例えば基板上の所定の位置に電極及びソルダレジスト膜を形成し、所定のパターンを有するマスクを用いて本実施形態のソルダペースト組成物を印刷し、当該パターンに適合する電子部品を所定の位置に搭載し、これをリフローすることにより作製される。
　このようにして作製された電子回路基板は、前記電極上にはんだ接合部が形成され、当該はんだ接合部は当該電極と電子部品とを電気的に接合する。そして前記基板上には、少なくともはんだ接合部に接着するようにフラックス残さが付着している。
　【００６７】
　本実施形態の電子回路基板は上記ソルダペースト組成物を用いてそのはんだ接合部及びフラックス残さが形成されているため、はんだ接合部にはボイドが発生し難く、且つフラックス残さのべとつき難いものとすることができる。またはんだ合金粉末の合金組成を特定の元素及び含有量とすることにより、はんだ接合部の亀裂進展抑制効果を向上することもできる。
　【実施例】
　【００６８】
　以下、実施例及び比較例を挙げて本発明を詳述する。なお、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
　【００６９】
＜合成樹脂の作成＞
　撹拌機、還流管、及び窒素導入管とを備えた５００ｍｌの４つ口フラスコにジエチレングリコールモノヘキシルエーテル２００ｇを仕込み、これを１１０℃に加熱した。
　またメタクリル酸１０質量％、２−エチルヘキシルメタクリレート５１質量％、ラウリルアクリレート３９質量％を混合したもの３００ｇにアゾ系ラジカル開始剤としてジメチル２，２’−アゾビス（２−メチルプロピオネート）（製品名：Ｖ−６０１、和光純薬（株）製）を０．２質量％から５質量％を加えてこれを溶解させ、溶液を作製した。
　次いで当該溶液を上記４つ口フラスコに１．５時間かけて滴下したものを１１０℃で１時間撹拌した後に反応を終了させ、実施例に用いる合成樹脂（Ａ−２）を得た。なお、当該合成樹脂（Ａ−２）の重量平均分子量は７，８００Ｍｗ、酸価は４０ｍｇＫＯＨ／ｇ、ガラス転移温度は−４７℃であった。
　【００７０】
＜ソルダペースト組成物の作製＞
　表１から表４に記載の各成分を混練し、実施例１から
１２、１５から
参考例１３、１４、
１２、１５から
参考例１３、１４、
　また合成樹脂（Ａ−２）については上述の手順で作製したソルベント状の樹脂をエバポレーターを用いて溶剤を揮発させた上で使用している。そのため、表１から表４に記載の合成樹脂（Ａ−２）の数値は、溶剤を揮発させた固形分のみを表す。
　なお、各実施例及び比較例において使用したはんだ合金粉末は以下の通りである。
　実施例１から
１２、１５から
、参考例１３、１４
　実施例２１及び２２並びに比較例９：Ｓｎ−１０Ｓｂ（溶融ピーク温度：２４８℃）
　実施例２３及び２４並びに比較例１０及び１１：Ｓｎ−５８Ｂｉ（溶融ピーク温度：１３９℃）
　実施例２５から２８及び比較例１２：Ｓｎ−３．５Ａｇ−０．５Ｂｉ−８Ｉｎ（溶融ピーク温度：２０２℃）
・実施例２９及び３０：Ｓｎ−３Ａｇ−０．７Ｃｕ−３．５Ｂｉ−３Ｓｂ−０．０４Ｎｉ−０．０１Ｃｏ（溶融ピーク温度：２２３℃）
・実施例３１及び３２：Ｓｎ−３Ａｇ−０．５Ｃｕ−４．５Ｂｉ−３Ｓｂ−０．０３Ｎｉ（溶融ピーク温度：２２２℃）
・実施例３３及び３４：Ｓｎ−３Ａｇ−０．５Ｃｕ−３Ｂｉ−２Ｓｂ−０．０３Ｎｉ（溶融ピーク温度：２２３℃）
・比較例１３：Ｓｎ−０．５Ａｇ−０．５Ｃｕ−３Ｂｉ−２Ｓｂ−０．０４Ｎｉ（溶融ピーク温度：２２８℃）
　各有機酸エステル（Ｄ−１）成分について熱重量測定−示唆熱分析装置（製品名：ＳＴＡ７２００ＲＶ、（株）日立ハイテクサイエンス製）を用い、ＴＧ曲線での減量率が１００質量％になる温度を測定し、表１から４の成分名と併せて記載した。なお、その測定条件は、昇温速度を１０℃／ｍｉｎ、窒素ガス流量を２００ｍｌ／ｍｉｎとし、サンプル量を１０ｍｇとした。
　【００７１】
　【表１】
　【００７２】
　【表２】
　【００７３】
　【表３】
　【００７４】
　【表４】
※１　荒川化学工業（株）製　水添酸変性ロジン
※２　日本化成（株）製　脂肪酸ビスアマイド
※３　ＢＡＳＦジャパン（株）製　ヒンダードフェノール系酸化防止剤
　【００７５】
＜印刷回復性試験＞
　１００ピン０．５ｍｍピッチのＢＧＡを実装できるパターンを有するソルダレジストと電極（直径０．２５ｍｍ）を備えたガラスエポキシ基板と、前記パターンと同じパターンを有する厚さ１２０μｍのメタルマスクを用意した。
　次いで、当該メタルマスクを用いて前記基板上に各ソルダペースト組成物を印刷した。
なおこの印刷は、１種のソルダペースト組成物につき、６枚の前記基板を用いて連続印刷する方法により行った。
　当該連続印刷を行った後、メタルマスク上にある各ソルダペースト組成物を２５℃−５０％の環境下で１時間放置した。
　その後、このメタルマスク上にある各ソルダペースト組成物を前記基板上に印刷した。なおこの印刷は、１種のソルダペースト組成物につき、１０枚の前記基板を用いて連続印刷する方法により行った。
　当該連続印刷を行った前記基板について、印刷順５番目から１０番目までの直径０．２５ｍｍの電極部におけるその転写体積率を画像検査機（製品名：ａｓｐｉｒｅ２、（株）コーヨンテクノロジー製）を用いて測定し、以下の基準で評価した。その結果を表５から表８に表す。
　◎：転写体積率３５％以下の個数が０個
　○：転写体積率３５％以下の個数が１個以上１０個以下
　△：転写体積率３５％以下の個数が１１個以上５０個以下
　×：転写体積率３５％以下の個数が５１個以上
　【００７６】
＜フラックス残さ粘着性試験＞
　直径６ｍｍサイズのパターンを有するソルダレジストと銅ランドを有するガラスエポキシ基板と、前記パターンと同じパターンを有する厚さ１５０μｍのメタルマスクを用意した。次いで当該メタルマスクを用いて前記ガラスエポキシ基板に各ソルダペースト組成物を印刷し、これらをリフロー炉（製品名：ＴＮＰ−５３８ＥＭ、（株）タムラ製作所製）を用いて加熱し、各試験基板を作製した。なお、リフロー条件は印刷した各ソルダペースト組成物に用いたはんだ合金粉末の組成により異なる。その条件は以下の通りである。なお、いずれにおいてもリフロー炉内の酸素濃度は１５００±５００ｐｐｍである。
・実施例１から
１２、１５から
、参考例１３、１４
・実施例２１及び２２並びに比較例９：プリヒートを１８０℃から２００℃で９０秒間、ピーク温度２６５℃、２５０℃以上が３０秒以下、ピーク温度から２３５℃までの冷却速度は３℃から８℃／秒
・実施例２３及び２４並びに比較例１０及び１１：プリヒートを１００℃から１１０℃で９０秒間、ピーク温度１６０℃、１５０℃以上が３０秒以下、ピーク温度から１２０℃までの冷却速度は３℃から８℃／秒
・実施例２５から２８及び比較例１２：プリヒートを１５０℃から１７０℃で９０秒間、ピーク温度２２０℃、２１０℃以上が３０秒以下、ピーク温度から１９０℃までの冷却速度は３℃から８℃／秒
・実施例２９から３４：プリヒートを１７０℃から１８０℃で９０秒間、ピーク温度２３０℃、２２０℃以上が３０秒以下、ピーク温度から２００℃までの冷却速度は３℃から８℃／秒
・比較例１３：プリヒートを１７０℃から１８０℃で９０秒間、ピーク温度２４０℃、２３０℃以上が３０秒以下、ピーク温度から２００℃までの冷却速度は３℃から８℃／秒
　そして各試験基板を室温にて２時間放置した後、直径６ｍｍパターンにはんだ付された各試験基板上に形成されたフラックス残さに直径３００μｍのはんだボールを振りかけ、これを各試験基板の側面が地面と並行となるようにして机に叩きつけ衝撃を与えた。その後、各試験基板上のフラックス残さに付着したはんだボール数をカウントし、以下の基準で評価した。その結果を表５から表８に表す。
　◎：はんだボールの付着個数が０個
　○：はんだボールの付着個数が１個以上１０個以下
　△：はんだボールの付着個数が１１個以上３０個以下
　×：はんだボールの付着個数が３１個以上
　【００７７】
＜連続ローリングペーストの作製＞
　各ソルダペースト組成物について、ポリウレタンゴム製スキージ（硬度９０）を用いて、スキージ角度６０°、印刷タクト３０秒、及びストローク３００ｍｍ、環境２５℃−５０％Ｒ．Ｈ．の条件下で４時間、連続的にスキージングを行った。なお、試料投入量は５００ｇであった。このようにして得られた連続スキージング後の各ソルダペースト組成物を以下「連続ローリングペースト」という。
　【００７８】
＜ソルダボール試験＞
　ガラスエポキシ基板と、２．０ｍｍ×１．２ｍｍのサイズのチップ部品を用意した。当該ガラスエポキシ基板上に前記チップ部品に対応するソルダレジストと電極（１．２５ｍｍ×１．０ｍｍ）とを形成し、これと同じパターンを有する厚さ１５０μｍのメタルマスクを用いて前記ガラスエポキシ基板上に各ソルダペースト組成物と各連続ローリングペーストとをそれぞれ印刷し、チップ部品を搭載した。次いで各ガラスエポキシ基板をリフロー炉（製品名：ＴＮＰ−５３８ＥＭ、（株）タムラ製作所製）で加熱し、各試験基板を作製した。なお、リフロー条件は、印刷した各ソルダペースト組成物・各連続ローリングペーストに用いたはんだ合金粉末の組成により異なる。その条件は以下の通りである。なお、いずれにおいてもリフロー炉内の酸素濃度は１５００±５００ｐｐｍである。
・実施例１から
１２、１５から
、参考例１３、１４
・実施例２１及び２２並びに比較例９：プリヒートを１８０℃から２１０℃で１１０秒間、ピーク温度２９０℃、２３０℃以上が７０秒間及び２５０℃以上が６０秒間、ピーク温度から２３５℃までの冷却速度は３℃から８℃／秒
・実施例２３及び２４並びに比較例１０及び比較例１１：プリヒートを１００℃から１２０℃で１１０秒間、ピーク温度２１０℃、１３０℃以上が７０秒間及び１５０℃以上が６０秒間、ピーク温度から１５０℃までの冷却速度は３℃から８℃／秒
・実施例２５から２８及び比較例１２：プリヒートを１５０℃から１８０℃で１１０秒間、ピーク温度２５０℃、１９０℃以上が７０秒間及び２１０℃以上が６０秒間、ピーク温度から１９０℃までの冷却速度は３℃から８℃／秒
・実施例２９から３４：プリヒートを１７０℃から１９０℃で１１０秒間、ピーク温度２６０℃、２００℃以上が７０秒間及び２２０℃以上が６０秒間、ピーク温度から２００℃までの冷却速度は３℃から８℃／秒
・比較例１３：プリヒートを１７０℃から１９０℃で１１０秒間、ピーク温度２６０℃、２００℃以上が７０秒間及び２２０℃以上が６０秒間、ピーク温度から２００℃までの冷却速度は３℃から８℃／秒
　前記各試験基板をＸ線透過装置（製品名：ＳＭＸ−１６０Ｅ、（株）島津製作所製）を用いて観察し、チップ部品の周辺及びその下面に発生したソルダボール数とその径をカウントし、以下のように評価した。その結果を表５から表８に表す。
　◎：２．０ｍｍ×１．２ｍｍチップ抵抗１０個あたりに発生したボール数が０個
　○：２．０ｍｍ×１．２ｍｍチップ抵抗１０個あたりに発生したボール数が１個以上５個以下
　△：２．０ｍｍ×１．２ｍｍチップ抵抗１０個あたりに発生したボール数が６個以上１０個以下
　×：２．０ｍｍ×１．２ｍｍチップ抵抗１０個あたりに発生したボール数が１１個以上
　【００７９】
＜ボイド試験＞
　ソルダボール試験と同じ条件にて各試験基板を作製し、その表面状態をＸ線透過装置（製品名：ＳＭＸ−１６０Ｅ、（株）島津製作所製）で観察し、はんだ接合部が形成されている領域に占めるボイドの総面積の割合（ボイドの面積率）を測定した。なおボイドの発
生状況は各試験基板中２０箇所のランドにおけるボイドの面積率の最大値を求め、以下のように評価した。その結果を表５から表８に表す。
　◎：ボイドの面積率の最大値が１０％以下
　○：ボイドの面積率の最大値が１０％超１３％以下
　△：ボイドの面積率の最大値が１３％超２０％以下
　×：ボイドの面積率の最大値が２０％超
　【００８０】
＜亀裂進展抑制試験＞
　３．２ｍｍ×１．６ｍｍのサイズのチップ部品（Ｎｉ／Ｓｎめっき）と、当該サイズのチップ部品を実装できるパターンを有するソルダレジストおよび前記チップ部品を接続する電極（１．６ｍｍ×１．２ｍｍ）とを備えたガラスエポキシ基板と、同パターンを有する厚さ１５０μｍのメタルマスクを用意した。
　前記ガラスエポキシ基板上に前記メタルマスクを用いて各ソルダペースト組成物を印刷し、それぞれ前記チップ部品を搭載した。
　その後、リフロー炉（製品名：ＴＮＰ−５３８ＥＭ、（株）タムラ製作所製）を用いて前記各ガラスエポキシ基板を加熱してそれぞれに前記ガラスエポキシ基板と前記チップ部品とを電気的に接合するはんだ接合部を形成し、前記チップ部品を実装した。この際のリフロー条件は、プリヒートを１７０℃から１９０℃で１１０秒間、ピーク温度を２４５℃とし、２００℃以上の時間が６５秒間、２２０℃以上の時間が４５秒間、ピーク温度から２００℃までの冷却速度を３℃から８℃／秒とし、酸素濃度は１５００±５００ｐｐｍに設定した。
　次に、−４０℃（３０分間）から１２５℃（３０分間）の条件に設定した冷熱衝撃試験装置（製品名：ＥＳ−７６ＬＭＳ、日立アプライアンス（株）製）を用い、冷熱衝撃サイクルを１，０００、１，５００、２，０００、２，５００、３，０００サイクル繰り返す環境下に前記各ガラスエポキシ基板をそれぞれ曝した後これを取り出し、各試験基板を作製した。
　次いで各試験基板の対象部分を切り出し、これをエポキシ樹脂（製品名：エポマウント（主剤および硬化剤）、リファインテック（株）製）を用いて封止した。更に湿式研磨機（製品名：ＴｅｇｒａＰｏｌ−２５、丸本ストルアス（株）、製）を用いて各試験基板に実装された前記チップ部品の中央断面が分かるような状態とし、形成されたはんだ接合部に発生した亀裂がはんだ接合部を完全に横断して破断に至っているか否かを走査電子顕微鏡（製品名：ＴＭ−１０００、（株）日立ハイテクノロジーズ製）を用いて観察し、以下の基準にて評価した。その結果を表５から表８に表す。なお、各冷熱衝撃サイクルにおける評価チップ数は１０個とした。
　◎◎：３，０００サイクルまではんだ接合部を完全に横断する亀裂が発生しない
　◎：２，５０１から３，０００サイクルの間ではんだ接合部を完全に横断する亀裂が発生
　○：２，００１から２，５００サイクルの間ではんだ接合部を完全に横断する亀裂が発生
　△：２，０００サイクル以下ではんだ接合部を完全に横断する亀裂が発生
　【００８１】
　【表５】
　【００８２】
　【表６】
　【００８３】
　【表７】
　【００８４】
　【表８】
　【００８５】
　以上に示す通り、実施例１から
１２、１５から
、参考例１３、１４
　Ｉｎを含有するはんだ合金粉末を用いた実施例２５から２８は、Ｉｎ添加の効果により、良好な亀裂進展抑制効果を発揮することができる。
　またはんだ合金粉末の合金組成を特定の元素及び含有量とした実施例２９から３４においては、ソルダボール及びボイドの発生を十分に抑制でき、またＩｎを添加せずとも、Ｉｎ含有はんだ合金粉末を用いた場合と同等以上の亀裂進展抑制効果を発揮できることが分
かる。このようなソルダペースト組成物は、特に車載用電子回路基板といった寒暖差が激しく且つ高い信頼性の求められる電子回路基板にも好適に用いることができる。
　なお、表１から表４の有機酸エステル（Ｄ−１）のうちセバシン酸ジオクチルについては、これに使用したはんだ合金粉末の溶融ピーク温度が２９５℃未満であったため良好な結果とならなかったが、溶融ピーク温度が２９５℃以上のはんだ合金粉末を用いる場合には、その減量率（ＴＧ法を用いて測定）が１００質量％となる温度が前記溶融ピーク温度＋５０℃以下となり、安定した連続印刷性、リフローはんだ付時のボイド発生の抑制及びフラックス残さのべとつき抑制効果を奏し得るものである。
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】（削除）
　【請求項２】
　
はんだ合金粉末と混合してソルダペースト組成物を構成するフラックス組成物であって、
　
（Ａ）ベース樹脂と、（Ｂ）活性剤と、（Ｃ）チクソ剤と、（Ｄ）溶剤とを含み、
　
前記溶剤（Ｄ）として（Ｄ−１）カルボキシル基及びヒドロキシル基のいずれをも有さない有機酸エステル（ただし、マレイン酸ジブチルを除く）を含み、
　
前記有機酸エステル（Ｄ−１）の減量率（ＴＧ法を用いて測定。昇温温度１０℃／ｍｉｎ、窒素ガス流量２００ｍｌ／ｍｉｎ、サンプル量１０ｍｇ）が１００質量％となる温度は１８０℃以上且つ前記はんだ合金粉末を構成するはんだ合金の溶融ピーク温度＋５０℃以下であり、
　
前記有機酸エステル（Ｄ−１）の配合量は前記溶剤（Ｄ）全量に対して１０質量％から１００質量％であり、
　前記はんだ合金粉末を構成するはんだ合金の溶融ピーク温度が１３０℃以上１７５℃未満の場合における前記有機酸エステル（Ｄ−１）の減量率（ＴＧ法を用いて測定。昇温温度１０℃／ｍｉｎ、窒素ガス流量２００ｍｌ／ｍｉｎ、サンプル量１０ｍｇ）が１００質量％となる温度は１８０℃以上且つ２２５℃未満であることを特徴とす
るフ
　【請求項３】
　
はんだ合金粉末と混合してソルダペースト組成物を構成するフラックス組成物であって、
　
（Ａ）ベース樹脂と、（Ｂ）活性剤と、（Ｃ）チクソ剤と、（Ｄ）溶剤とを含み、
　
前記溶剤（Ｄ）として（Ｄ−１）カルボキシル基及びヒドロキシル基のいずれをも有さない有機酸エステル（ただし、マレイン酸ジブチルを除く）を含み、
　
前記有機酸エステル（Ｄ−１）の減量率（ＴＧ法を用いて測定。昇温温度１０℃／ｍｉｎ、窒素ガス流量２００ｍｌ／ｍｉｎ、サンプル量１０ｍｇ）が１００質量％となる温度は１８０℃以上且つ前記はんだ合金粉末を構成するはんだ合金の溶融ピーク温度＋５０℃以下であり、
　
前記有機酸エステル（Ｄ−１）の配合量は前記溶剤（Ｄ）全量に対して１０質量％から１００質量％であり、
　前記はんだ合金粉末を構成するはんだ合金の溶融ピーク温度が１７５℃以上２０５℃未満の場合における前記有機酸エステル（Ｄ−１）の減量率（ＴＧ法を用いて測定。昇温温度１０℃／ｍｉｎ、窒素ガス流量２００ｍｌ／ｍｉｎ、サンプル量１０ｍｇ）が１００質量％となる温度は１８０℃以上且つ２５５℃未満であることを特徴とす
るフ
　【請求項４】
　
はんだ合金粉末と混合してソルダペースト組成物を構成するフラックス組成物であって、
　
（Ａ）ベース樹脂と、（Ｂ）活性剤と、（Ｃ）チクソ剤と、（Ｄ）溶剤とを含み、
　
前記溶剤（Ｄ）として（Ｄ−１）カルボキシル基及びヒドロキシル基のいずれをも有さない有機酸エステル（ただし、マレイン酸ジブチルを除く）を含み、
　
前記有機酸エステル（Ｄ−１）の減量率（ＴＧ法を用いて測定。昇温温度１０℃／ｍｉｎ、窒素ガス流量２００ｍｌ／ｍｉｎ、サンプル量１０ｍｇ）が１００質量％となる温度は１８０℃以上且つ前記はんだ合金粉末を構成するはんだ合金の溶融ピーク温度＋５０℃以下であり、
　
前記有機酸エステル（Ｄ−１）の配合量は前記溶剤（Ｄ）全量に対して１０質量％から１００質量％であり、
　前記はんだ合金粉末を構成するはんだ合金の溶融ピーク温度が２０５℃以上の場合における前記有機酸エステル（Ｄ−１）の減量率（ＴＧ法を用いて測定。昇温温度１０℃／ｍｉｎ、窒素ガス流量２００ｍｌ／ｍｉｎ、サンプル量１０ｍｇ）が１００質量％となる温度は１８０℃以上且つ前記溶融ピーク温度＋５０℃以下であることを特徴とす
るフ
　【請求項５】
　前記有機酸エステル（Ｄ−１）はアジピン酸ジメチ
ルで
　【請求項６】
　前記有機酸エステル（Ｄ−１）はアジピン酸ジメチル、アジピン酸ジイソプロピル
、セ
　【請求項７】
　前記有機酸エステル（Ｄ−１）はアジピン酸ジメチル、アジピン酸ジイソプロピル
、セ
　【請求項８】
　前記ベース樹脂（Ａ）は（Ａ−１）ロジン系樹脂及び（Ａ−２）合成樹脂の少なくとも一方を含み、
　前記合成樹脂（Ａ−２）はアクリル樹脂、スチレン−マレイン酸樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、フェノキシ樹脂、テルペン樹脂、ポリアルキレンカーボネート及びカルボキシル基を有するロジン系樹脂とダイマー酸誘導体柔軟性アルコール化合物とを脱水縮合してなる誘導体化合物からなる群より選択される少なくとも１種であることを特徴とする請求項２から請求項７のいずれか１項に記載のフラックス組成物。
　【請求項９】
　請求項
２
　【請求項１０】
　前記はんだ合金粉末はＡｇを２質量％以上３．１質量％以下と、Ｃｕを０質量％超１質量％以下と、Ｓｂを１質量％以上５質量％以下と、Ｂｉを０．５質量％以上４．５質量％以下と、Ｎｉを０．０１質量％以上０．２５質量％以下含み、残部がＳｎからなることを特徴とする請求項９に記載のソルダペースト組成物。
　【請求項１１】
　前記はんだ合金粉末は更にＣｏを０．００１質量％以上０．２５質量％以下含むことを特徴とする請求項１０に記載のソルダペースト組成物。
　【請求項１２】
　請求項９から請求項１１のいずれか１項に記載のソルダペースト組成物を用いて形成されたはんだ接合体を有することを特徴とする電子回路基板。