【事件の表示】
　特願２００７−５５４７５５「半導体装置及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１９年　７月２６日国際公開、ＷＯ２００７／０８３３５４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯
　本願は，２００６年１月１７日を国際出願日とする出願であって，平成２３年８月２日付けで拒絶の理由が通知され，これに対して，同年１０月７日に意見書と手続補正書が提出され，平成２４年６月８日付けで拒絶査定がなされ，その後，同年９月７日に拒絶査定不服審判が請求されたものである。
　
２　本願発明
　本願の請求項１−１０に係る発明は，平成２３年１０月７日に提出された手続補正書によって補正された特許請求の範囲の請求項１−１０に記載されている事項により特定されるとおりのものと認められるところ，その請求項１に係る発明（以下「本願発明１」という。）は，次のとおりである。
「【請求項１】
　基板上に形成された半導体層と，前記半導体層上に形成された絶縁膜と，前記絶縁膜上に形成された配線とを有する半導体装置であって，
　前記配線の下の少なくとも前記半導体層に空洞部が形成されており，
　前記空洞部内に，前記絶縁膜を支持する支持部を更に有し，
　前記支持部は，前記配線の直下に設けられている
　ことを特徴とする半導体装置。」
　
３　引用例とその記載事項，及び，引用発明
　原査定の拒絶の理由に引用され，本願の国際出願日前に頒布された刊行物である下記の引用例１，引用例２には，次の事項が記載されている。（なお，下線は，当合議体において付したものである。以下同じ。）
　
・引用例１：特開平２−１４３４４６号公報
（１ａ）「特許請求の範囲
　絶縁物を介して隣接あるいは重なり合う配線が形成される半導体装置において，前記隣接し合うかあるいは重なり合う配線の間が中空または他の領域の絶縁層より誘電率が小さい絶縁物が充填されていることを特徴とする半導体装置。」（第１頁左下欄第４−９行）
　
（１ｂ）「〔産業上の利用分野〕
　本発明は半導体装置に関し，特に浮遊容量の少ない配線構造に関する。
〔従来の技術〕
　従来，半導体装置は，その集積度が高くなる程，配線間に寄生する浮遊容量が増加し，このため，装置の誤動作や速度の低下等の種々の問題が生ずる。従って，半導体装置の設計段階で，異なった層間絶縁層間で交叉あるいは重なり合う配線間の部分では，層間絶縁膜を厚くしたり，あるいは，この部分を中空にしてエアブリッジにしたりして，寄生浮遊容量を低減する場合があったが，同じ絶縁層間の浮遊容量の低減に関しては，特別な手段がとられていなかった。
〔発明が解決しようとする課題〕
　しかしながら，近年，半導体装置の集積度が高くなるとともに高速化が進み，この浮遊容量が速度に対する影響が大きくなり，集積度が高くなることにより，配線長が長く，配線間隔が小さくなった結果，配線間の浮遊容量はむしろ大きくなる傾向がある。従って，この浮遊容量を減少させることは重要な課題である。
　本発明の目的は，浮遊容量の小さくて済む配線構造をもつ半導体装置を提供することにある。
〔課題を解決するための手段〕
　本発明の半導体装置は，絶縁物を介して隣接あるいは重なり合う配線が形成される半導体装置において，前記隣接し合うかあるいは重なり合う配線の間が中空または他の領域の絶縁層より誘電率が小さい絶縁物が充填されていることを備え構成される。」（第１頁左下欄第１１行−第２頁左上欄第５行）
　
（１ｃ）「〔実施例〕
　次に，本発明について図面を参照して説明する。
　第１図（ａ）及び（ｂ）は本発明による第１の実施例を示す半導体装置の部分平面図及びＡＡ断面図である。この半導体装置は，シリコン基板１の絶縁膜４の上に隣接し合う配線２ａ，２ｂ及び２ｃが形成されている。また，配線２ａ，２ｂ及び２ｃの真下の絶縁膜４及びシリコン基板１の一部は削り取られ，空間３ａ，３ｂ及び３ｃが形成されている。
　この空間は絶縁膜４と配線とを組合せたマスクでエッチング加工して得られるが，基板がＧａＡｓ半絶縁性基板であれば，これを省くことも可能である。このように，隣接する配線間に空間を設けることによって，比誘電率が１２程度と高いシリコン層が除かれるので，この配線２ａ，２ｂ及び２ｃによる配線間の浮遊容量は数分の一に減少する。」（第２頁左上欄第６行−同頁右上欄第３行）
　
（１ｄ）「第２（ａ）及び（ｂ）は本発明による第２の実施例を示す半導体装置の部分平面図及びＢＢ断面図である。この実施例は，配線間のシリコン基板は除かれているが，配線直下のシリコン基板はそのまま残してある。この構造の場合の浮遊容量の減少効果は，第１の実施例より少ないが，配線の機械的な保持力が大きく，しかも，この配線上に第２の絶縁膜を形成したときの被膜性に優れた利点がある。」（第２頁右上欄第４−１２行）
　
（１ｅ）「〔発明の効果〕
　以上説明したように本発明は，隣接した配線間または配線真下の下地層を除去し，その部分を中空とするか，または下地層より誘電率の小さい物質を埋込むことにより，配線間の浮遊容量を低減できる半導体装置が得られるという効果がある。」（第２頁左下欄第５−１０行））
　
（１ｆ）第１図（ａ）及び（ｂ）は，引用例１の特許請求の範囲に記載された事項によって特定される発明による第１の実施例を示す半導体装置の部分平面図及びＡＡ断面図であって，引用例１の上記摘記（１ａ）−（１ｅ）の記載を参酌すれば，
　同図（ａ）から，
（ａ）図面上の上から下に延長し，その後図面上の左方向に略直角に曲がり，更に図面上の左方向に延長する，隣接し合う配線２ａ及び２ｂと，
（ｂ）図面上の左上に位置する配線２ｃであって，前記配線２ｃの右側端部と下側端部が，前記配線２ｂの左側端部及び上側端部と隣接する配線２ｃと，
（ｃ）前記配線２ａ及び２ｂの下方に，シリコン基板１の表面の一部を削り取って形成された，前記配線２ａ及び２ｂの延長方向に連なる，空間３ｂ，空間３ａ及び空間３ｃと，
　を有する半導体装置において，
（ｄ）前記空間３ｂの図面上の下側端部が，シリコン基板１の一部を介在させて前記空間３ａの図面上の上側端部と隣接し，かつ，前記空間３ａの図面上の左斜め下側端部が，シリコン基板１の一部を介在させて前記空間３ｃの図面上の右斜め上側端部に隣接する半導体装置の構造。
　を読み取ることができる。
　
　また，同図（ｂ）から，
（ｅ）シリコン基板１と，
（ｆ）前記シリコン基板上に形成された絶縁膜４と，
（ｇ）前記絶縁膜４上に形成された配線２ａ，２ｂ及び２ｃと，
　を有する半導体装置において，
（ｈ）前記配線２ａ，２ｂの下，及び，前記配線２ｃの図面上の右側端部の下の前記シリコン基板１の表面の一部に，空間３ａが形成された半導体装置の構造。
　を読み取ることができる。
　
（１ｇ）第２図（ａ）及び（ｂ）は，引用例１の特許請求の範囲に記載された事項によって特定される発明による第２の実施例を示す半導体装置の部分平面図及びＢＢ断面図であって，引用例１の上記摘記（１ａ）−（１ｅ）の記載を参酌すれば，
　同図（ａ）から，
（ａ）図面上の上から下に延長し，その後図面上の左方向に略直角に曲がり，更に図面上の左方向に延長する，隣接し合う配線２ａ及び２ｂと，
（ｂ）図面上の左上に位置する配線２ｃであって，前記配線２ｃの右側端部と下側端部が，前記配線２ｂの左側端部及び上側端部と隣接する配線２ｃと，
（ｃ）前記配線２ａ，２ｂ及び２cの各配線間のシリコン基板１の表面の一部が除かれて形成された空間３ｄ及び空間３ｅと，
　を有する半導体装置の構造。
　を読み取ることができる。
　
　また，同図（ｂ）から，
（ｄ）シリコン基板１と，
（ｅ）前記シリコン基板上に形成された絶縁膜４と，
（ｆ）前記絶縁膜４上に形成された配線２ａ，２ｂ及び２ｃと，
　を有する半導体装置において，
（ｇ）前記配線２ａ，２ｂ及び２ｃの配線間のシリコン基板１の表面の一部が除かれて，空間３ｅ及び空間３ｄが形成されるとともに，前記配線２ａ，２ｂ及び２ｃの直下のシリコン基板１はそのまま残し，
（ｈ）前記空間３ｅ，空間３ｄ及び前記配線２ａ，２ｂ，２ｃ上に第２の絶縁膜５が形成された半導体装置の構造。
　を読み取ることができる。
　
　引用発明
　引用例１の上記摘記（１ａ）−（１ｇ）の記載を総合勘案すれば，引用例１には，第１の実施例及び第２の実施例として次の各発明（以下「引用発明１」及び「引用発明２」という。）が，それぞれ記載されているものと認められる。
　
・引用発明１
「シリコン基板と，前記シリコン基板上に形成された絶縁膜と，前記絶縁膜上に形成された配線とを有する半導体装置であって，
　前記配線の下には，前記配線の延長方向に連なるように，空間３ａ，空間３ｂ及び空間３ｃが，前記シリコン基板の表面の一部を削り取って形成されている
　半導体装置。」
　
・引用発明２
「シリコン基板と，前記シリコン基板上に形成された絶縁膜と，前記絶縁膜上に形成された配線とを有する半導体装置であって，
　前記配線間のシリコン基板の表面の一部が除かれて，空間が形成されるとともに，前記配線の直下のシリコン基板はそのまま残し，
　前記空間及び前記配線上に第２の絶縁膜が形成されている
　半導体装置。」
　
・引用例２：特開平６−３１０６１２号公報
（２ａ）「【請求項１】半導体基板上に層間絶縁膜を被着し，コンタクトホールを形成し，配線層材料を被着し，パターニングして配線層を構成する，あるいは，上記工程を繰り返して複数層の配線を構成する配線構造において，
　配線層材料をパターニングした後，配線層より低い位置に存在する層間絶縁膜の一部または全部を除去して構成することを特徴とする半導体集積回路の配線の製造方法。
【請求項２】請求項１において，層間膜除去後，上記配線層を支える構造を持つ半導体集積回路の配線の製造方法。」（【特許請求の範囲】）
　
（２ｂ）「【請求項１１】請求項２に記載の，前記配線層を基板に固定する支柱構造。」（【特許請求の範囲】）
　
（２ｃ）「【従来の技術】公知例
　１：　「ＣＭＯＳ超ＬＳＩの設計」菅野卓雄編　培風館(1989)　p.136〜p.137
　２：　「日経マイクロデバイス」'93.2　p.48-58
　半導体集積回路の動作速度を決める主な因子は，トランジスタの電流駆動力，駆動する容量，及び，電気抵抗の三つである。特に，大規模な論理回路では，容量の一部である配線容量による遅延の割合が大きくなるため，動作速度向上に向けて，配線容量の低減が重要になる。」（【０００２】）
　
（２ｄ）「本発明の目的は，複雑なプロセス技術を極力使わずに，配線容量を小さくして動作速度の改善を行うことのできる半導体集積回路の配線構造及びその製造方法を提供することにある。また，特に，配線容量の周辺成分を低減して，容量の低減を図ることにある。
　本発明の第二の目的は，高速動作可能な配線構造において，物理的に強固で信頼性の高い構造及びその製造方法を提供することにある。」（【００１０】−【００１１】）
　
（２ｅ）「また，層間膜除去の後にも配線層を支持する支柱構造により，配線層にストレスが加わることによる電気特性の変化が抑制される。また，この支柱構造による寄生容量は，支柱構造の面積を配線層の長さに依存して最適化することにより，抑えることができる。」（【００３６】）
　
（２ｆ）「【実施例】図１により第一の実施例を説明する。図１（ａ）は，本発明を用いて構成した配線構造の断面図であり，図１左側ＭＯＳトランジスタのドレイン４と次段の右側ＭＯＳトランジスタのゲート６を接続したものである。本発明構造の従来構造との違いは，配線の全部あるいは一部が空中に浮いた構造を持つことである。本構造を構築するポイントは，まず，従来構造（図２）のように層間膜１０を被着し，コンタクトホールを形成し，その上に配線層材料７を被着し，パターニングした後，新たに層間膜を除去する工程を加えることである。本実施例では，配線層下側の層間膜も除去し，層間膜の実効的な誘電率を，真空のそれとほぼ等しくして，従来に比べて，７５％程度の配線容量低減を可能にするものである。この容量改善は，配線層膜厚が大きくなり，配線層容量周辺成分の大きい，サブミクロンの配線構造において，層間膜厚を厚くするだけでは，ほぼ，達成不可能なものである。
　また，本実施例では，配線層の周囲に構成した絶縁膜８により，配線層同士，あるいは配線層と基板が，接触するのを防ぐと共に，腐食による信頼性低下を抑制している。この絶縁膜は，化学蒸着ＣＶＤ(Chemical Vapor Deposition）を用いて形成することによって，配線層の上側だけでなく，側面，裏面にも被着し，有効な絶縁構造となる。
　また，本実施例では，浮いた配線を支えるために，層間膜を部分的に残した支柱構造１１を構成している。配線層の強度が十分である場合，あるいは，工程短縮による低コスト化を重視する場合には，この支柱構造はなくてもよい。図１（ｂ）は，図１（ａ）のレイアウト図である。従来のレイアウト図との違いは，４３の支柱構造を持つことのみである。なお，４１はコンタクトホール，４２は活性領域，４４はＭＯＳトランジスタのゲート，４５は配線層である。支柱４３の領域の面積は，配線長に比べると非常に小さいので，この部分による容量増加はほとんど無視できる。また，支柱の構成に必要な寸法精度は，他の工程と比べるとゆるいので，リソグラフィー工程を複雑にするものではない。」（【００４７】−【００４９】）
　
４　本願発明１と引用発明１との対比
（１）引用発明１のシリコン基板は，半導体材料であると解されるから，引用発明１の「シリコン基板」を有する半導体装置と，本願発明１の「基板上に形成された半導体層」を有する半導体装置とは，いずれも，「少なくとも表面近傍が半導体材料で構成されている板状部材」を有する半導体装置である点で一致する。
　
（２）引用発明１の「空間」は，本願発明１の「空洞」に相当する。
　
（３）そうすると，本願発明１と引用発明１の一致点と相違点は，次のとおりといえる。
　
＜一致点＞
「少なくとも表面近傍が半導体材料で構成されている板状部材と，前記板状部材の表面近傍の半導体材料上に形成された絶縁膜と，前記絶縁膜上に形成された配線とを有する半導体装置であって，
　前記配線の下の少なくとも前記半導体材料の領域に空洞部が形成されている半導体装置。」
　
＜相違点＞　 
・相違点１：本願発明１が，「基板上に形成された半導体層」上に絶縁膜と配線とを有し，前記「半導体層」に空洞部が形成された半導体装置であるのに対して，引用発明１は，「シリコン基板」上に絶縁膜と配線とを有し，前記「シリコン基板」に空間が形成された半導体装置である点。
　
・相違点２：本願発明１は，「前記空洞部内に，前記絶縁膜を支持する支持部を更に有し，前記支持部は，前記配線の直下に設けられている」ものであるのに対して，引用発明１には，「支持部」との部材名が記載されていない点。
　
５　本願発明１と引用発明１との対比における相違点についての判断
（１）相違点１について
　シリコン基板の「シリコン」が半導体材料であることは当業者にとって明らかであるから，引用発明１のシリコン基板は，全体が半導体材料で形成されている板状部材であるといえる。
　一方，下記の周知例１−２の記載からも明らかなように，「基板上に形成された半導体層」上に絶縁膜と配線とを形成した半導体装置の構造は周知なものである。
　してみれば，引用発明１の半導体装置において，絶縁膜と配線とが形成される「少なくとも表面近傍が半導体材料で構成されている板状部材」として，板状部材の全体が半導体材料で形成されている「シリコン基板」を用いることに替えて，「基板上に形成された半導体層」を有する板状部材を用いることは，当業者が適宜なし得たことと認められる。
　そして，このように，「基板上に形成された半導体層」上に絶縁膜と配線とを形成した場合には，前記配線の下の空洞部は，少なくとも前記半導体層に形成されることとなるものと認められる。
　
　すなわち，引用文献１の上記摘記（１ｂ）の「〔発明が解決しようとする課題〕しかしながら，近年，半導体装置の集積度が高くなるとともに高速化が進み，この浮遊容量が速度に対する影響が大きくなり，集積度が高くなることにより，配線長が長く，配線間隔が小さくなった結果，配線間の浮遊容量はむしろ大きくなる傾向がある。従って，この浮遊容量を減少させることは重要な課題である。本発明の目的は，浮遊容量の小さくて済む配線構造をもつ半導体装置を提供することにある。」とする発明が解決しようとする課題，及び，上記摘記（１ｅ）の「〔発明の効果〕以上説明したように本発明は，隣接した配線間または配線真下の下地層を除去し，その部分を中空とするか，または下地層より誘電率の小さい物質を埋込むことにより，配線間の浮遊容量を低減できる半導体装置が得られるという効果がある。」との発明の効果の記載に照らして，引用発明１は，隣接した配線間または配線真下の下地層を除去することによって配線間の浮遊容量を低減すること，を特徴とする発明であると解される。
　
　したがって，引用発明１において，上記相違点１について本願発明１の構成を採用することは当業者にとって容易である。また，このような構成を採用したことによる効果も当業者が予測し得た範囲内のものである。
　
　なお，前記『「シリコン基板」を用いることに替えて，「基板上に形成された半導体層」を有する板状部材を用いること』は，半導体装置の絶縁膜と配線とを形成する板状部材の下部構造を変更するだけであり，前記発明の特徴と密接に関係する，前記「隣接した配線間または配線真下の下地層」が位置する，板状部材の上部構造に影響を与えないことは明らかといえるから，引用発明１の「シリコン基板」を「基板上に形成された半導体層」を有する板状部材に替えることに，阻害事由があるとは認められない。
　
・周知例１：特開昭５３−３０８３号公報
（周１ａ）「特許請求の範囲
　半導体基板の一主面上に形成された半導体層上を被覆する絶縁膜の開孔部とその周辺領域上に一種類以上の金属からなる金属膜を有し，該金属膜をその側面を含んで被覆するアルミニウム配線層を有することを特徴とする半導体装置。」（第１欄左下欄第４−９行）
　
　上記記載から，上記周知例１には，半導体基板である基板上に形成された半導体層と，前記半導体層上に形成された絶縁膜と，前記絶縁膜上に形成された配線層を有する半導体装置が，記載されているものと認められる。
　
・周知例２：特開２００５−１５８９３６号公報
（周２ａ）「(第１実施形態)
　図１(Ａ)および図１(Ｂ)を参照して，この発明の調整インピーダンス素子を含む半導体装置を第１実施形態として説明する。なお，図１(Ｂ)は，図１(Ａ)におけるＸ−Ｘ´線断面を示す図である。
　この第１実施形態の半導体装置の製造方法を説明する。まず，Ｐ型の半導体基板１の表面に，素子分離のためのＰ型埋め込み拡散層２を形成する。ついで，Ｐ型の半導体基板１の表面全面にＮ型エピタキシャル層３を形成し，Ｎ型エピタキシャル層３の表面から，上記Ｐ型埋め込み拡散層２に対応する部分に，Ｐ型分離拡散層４を形成する。これによって，Ｎ型のエピタキシャル層３は複数に電気的に分割され，それぞれのＮ型エピタキシャル層３の島３ａ,３ｂ,３ｃに能動素子であるトランジスタや，または受動素子である拡散抵抗，容量が形成されることとなる。
　このＮ型エピタキシャル層３の島３ａ〜３ｃのうちの１つ島３ｂに，調整インピーダンス素子として調整抵抗素子１８が形成される。この調整抵抗素子１８は，一例としてオペアンプ(図示せず)のフィードバック抵抗をなす。
　上記Ｐ型分離拡散層４を形成したのち，Ｎ型エピタキシャル層３の表面にイオン注入などによって高抵抗なＰ型拡散層９が形成される。この高抵抗なＰ型拡散層９が調整用インピーダンス体としての調整用抵抗体６をなす。
　そして，このＰ型拡散層９には，比較的不純物濃度が高い(低抵抗な)Ｐ型拡散層５ａ,５ｂ,５ｃ,５ｄが形成される。
　さらに，Ｎ型エピタキシャル層３の表面には保護膜となるＳｉＯ２膜７などが形成され，上記Ｐ型拡散層５ａ,５ｂ,５ｃ,５ｄに対応する箇所にコンタクト窓７ａ,７ｂ,７ｃ,７ｄを形成し，スパッタ法などで第１電極１１と第２電極１２が形成され，図１(Ｂ)に示す構造が得られる。この第１電極１１と第２電極１２はメタル配線としたが，ポリシリコンからなる配線であってもよい。」（【００４７】−【００５２】）
　
　上記記載から，上記周知例２には，Ｐ型の半導体基板１である基板上に形成されたＮ型エピタキシャル層３である半導体層と，前記半導体層上に形成された保護膜となるＳｉＯ２膜７である絶縁膜と，前記絶縁膜上に形成されたメタル配線を有する半導体装置が，記載されているものと認められる。
　
（２）相違点２について 
　本願発明１にあたる請求項１に係る発明を引用する本願の請求項３は「【請求項３】請求項１記載の半導体装置において，前記
支持部は
空洞部を分割する壁状の支持部である
　また，本願明細書の【０１８０】−【０１９４】には，本発明の第９実施形態として，以下の記載がある。
「［第９実施形態］
　
本発明の第９実施形態による半導体装置
　まず，本実施形態による半導体装置の構造について図３０及び図３１を用いて説明する。図３１（ａ）は図３０のＢ−Ｂ′線断面図，図３１（ｂ）は図３０のＣ−Ｃ′線断面図である。
　本実施形態による半導体装置の基本的構成は，第２実施形態による半導体装置とほぼ同様である。
本実施形態による半導体装置は，空洞部４６の天井が
壁状支持部９２によって支持されている
　図３０に示すように，グランド線５４に挟まれた
信号線５２の下には，複数の空洞部４６が，信号線５２に沿って配列して形成されている
　図３１（ａ）及び図３１（ｂ）に示すように，ＳＩ−ＩｎＰ基板１４上には，ｉ−ＩｎＡｌＡｓ層よりなるバッファ層１６が形成されている。
　バッファ層１６上には，ＢＣＢよりなる絶縁膜３６が形成されている。
　空洞部４６は，図３１（ａ）に示すように，ＳＩ−ＩｎＰ基板１４と，バッファ層１６と，絶縁膜３６とに，ＳＩ−ＩｎＰ基板１４の上部から絶縁膜３６の下部にわたって設けられている。
　
隣接する空洞部４６の間は，図３１（ｂ）に示すように，ＳＩ−ＩｎＰ基板１４の上部，バッファ層１６，及び絶縁膜３６が壁状に形成された壁状支持部９２となっている
信号線５２の下に信号線５２に沿って形成された空洞部４７が，この空洞部４７内の壁状支持部９２により複数の空洞部４６に分割されている
壁状支持部９２により，空洞部４７，すなわち複数の空洞部４６の天井となっている絶縁膜３６が支持されている
　図３１（ａ）及び図３１（ｂ）に示すように，
壁状支持部９２により支持された絶縁膜３６上には，信号線５２が形成されている
　信号線５２の両側の絶縁膜３６上には，信号線５２に沿って延在するグランド線５４が対称に形成されている。
　こうして，配線領域１２において，信号線５２とグランド線５４とにより構成されるコプレーナ型の配線が形成されている。
　このようなコプレーナ型の配線に対して，空洞部４６は，図３０及び図３１（ａ）に示すように，グランド線５４に挟まれた信号線５２の下に，信号線５２よりも広い幅で形成されている。
　また，グランド線５４と信号線５２との間の絶縁膜３６には，空洞部４６に達する開口部５６が形成されている。
　
本実施形態による半導体装置は，信号線５２の下に，ＳＩ−ＩｎＰ基板１４，バッファ層１６，及び絶縁膜３６に形成された複数の空洞部４６を有し，隣接する空洞部４６の間の壁状支持部９２によって空洞部４６の天井となっている絶縁膜３６が支持されていることに主たる特徴がある
　本実施形態による半導体装置では，信号線５２の下に複数の空洞部４６が形成されているため，伝送される高周波信号に発生する誘電体損失を低減し，高周波信号の減衰を抑制することができる。さらに，壁状支持部９２により空洞部４６の天井が支持され，空洞部４６の機械的強度が確保されているため，空洞部４６が潰れるのを防止することができる。したがって，機械的強度に対する信頼性を確保しつつ，半導体装置の高周波特性を向上することができる。」
　
　一方，引用例１の上記摘記（１ｆ）には，以下の事項が示されている。
「（ｃ）前記配線２ａ及び２ｂの下方に，シリコン基板１の表面の一部を削り取って形成された，前記配線２ａ及び２ｂの延長方向に連なる，空間３ｂ，空間３ａ及び空間３ｃと，
　を有する半導体装置において，
（ｄ）前記空間３ｂの図面上の下側端部が，前記空間３ａの図面上の上側端部と隣接し，かつ，前記空間３ａの図面上の左斜め下側端部が，前記空間３ｃの図面上の右斜め上側端部に隣接する半導体装置の構造。」
　
　そうすると，引用発明１の「前記配線２ａ及び２ｂの下方に，シリコン基板１の表面の一部を削り取って形成された，前記配線２ａ及び２ｂの延長方向に連なる，空間３ｂ，空間３ａ及び空間３ｃ」は，上記本願明細書に記載された第９実施形態に係る半導体装置の『「信号線５２の下に」「信号線５２に沿って配列して形成され」た「複数の空洞部４６」』に相当するものと認められる。
　また，引用発明１の空間３ｂと空間３ａとの間の，前記空間３ｂの図面上の下側端部と前記空間３ａの図面上の上側端部とに挟まれた，シリコン基板の表面の一部が削り取られていない領域，及び，空間３ａと空間３ｃとの間の，前記空間３ａの図面上の左斜め下側端部と前記空間３ｃの図面上の右斜め上側端部とに挟まれた，シリコン基板の表面の一部が削り取られていない領域は，いずれも，前記第９実施形態に係る半導体装置の『「隣接する空洞部４６の間」の「壁状支持部９２」』に相当すると認められる。
　すなわち，引用発明１は，配線２ａ及び２ｂの延長方向に沿って形成された空間が，この空間内の『「空間３ｂと空間３ａとの間」及び「空間３ａと空間３ｃとの間」の「シリコン基板の表面の一部が削り取られていない領域」』により，複数の空間３ｂ，空間３ａ及び空間３ｃに分割された構造を備えた半導体装置に係る発明であると理解をすることができる。
　そして，前記第９実施形態に係る半導体装置が，本願発明１で規定する範囲に含まれる半導体装置であることは明らかであるから，引用発明１の，「空間３ｂと空間３ａとの間」及び「空間３ａと空間３ｃとの間」の「シリコン基板の表面の一部が削り取られていない領域」は，それぞれ，本願発明１の「支持部」に相当するものと認められる。
　
　したがって，引用発明１は，「前記空洞部内に，前記絶縁膜を支持する支持部を更に有し，前記支持部は，前記配線の直下に設けられている」といえるから，上記相違点２は実質的なものとは認められない。
　
６　引用発明１を主引用発明とした場合の，本願発明１の進歩性についての判断のむすび 
　以上のとおり，本願発明１は，引用例１に記載された発明と周知技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
７　本願発明１と引用発明２との対比
（１）引用発明２のシリコン基板は，半導体材料であると解されるから，引用発明１の「シリコン基板」を有する半導体装置と，本願発明１の「基板上に形成された半導体層」を有する半導体装置とは，いずれも，「少なくとも表面近傍が半導体材料で構成されている板状部材」を有する半導体装置である点で一致する。
　
（２）引用発明２の『「前記配線間のシリコン基板の表面の一部が除かれて，空間が形成」された際に，そのまま残された「前記配線の直下のシリコン基板」』は，本願発明１の『「前記配線の直下に設けられている」「支持部」』に相当する。
　
（３）そうすると，本願発明１と引用発明２の一致点と相違点は，次のとおりといえる。
　
＜一致点＞
「少なくとも表面近傍が半導体材料で構成されている板状部材と，前記板状部材の表面近傍の半導体材料上に形成された絶縁膜と，前記絶縁膜上に形成された配線とを有する半導体装置であって，
　前記絶縁膜を支持する支持部を有し，
　前記支持部は，前記配線の直下に設けられている
　ことを特徴とする半導体装置。」
　
＜相違点＞　 
・相違点１：本願発明１が，「基板上に形成された半導体層」上に絶縁膜と配線とを有し，前記「半導体層」に空洞部が形成された半導体装置であるのに対して，引用発明２は，「シリコン基板」上に絶縁膜と配線とを有し，前記「シリコン基板」に空間が形成された半導体装置である点。
　
・相違点２：本願発明１は，「空洞部」内に，絶縁膜を支持する支持部を有するものであるのに対して，引用発明２は，「空間」内に，絶縁膜を支持する，除かれずにそのまま残された配線の直下のシリコン基板を有し，当該「空間」上に第２の絶縁膜が形成されているものである点。
　
・相違点３：本願発明１は，配線の下の少なくとも半導体層に空洞部が形成されているのに対して，引用発明２には，そのような構成が示されていない点。
　
８　本願発明１と引用発明２との対比における相違点についての判断
・相違点１について
　前記「５　本願発明１と引用発明１との対比における相違点についての判断　（１）相違点１について」で検討したように，半導体装置において，絶縁膜と配線とを形成する部材として，部材全体が半導体材料で形成された「シリコン基板」を用いることに替えて，「基板上に形成された半導体層」を有する板状部材を用いることは，当業者が適宜なし得たことと認められる。
　したがって，引用発明２において，上記相違点１について本願発明１の構成を採用することは当業者にとって容易である。また，このような構成を採用したことによる効果も当業者が予測し得た範囲内のものである。
　
・相違点２について
　引用例１の上記摘記（１ａ）の「特許請求の範囲　絶縁物を介して隣接あるいは重なり合う配線が形成される半導体装置において，前記隣接し合うかあるいは重なり合う
配線の間が中空または他の領域の絶縁層より誘電率が小さい絶縁物が充填
配線の間が中空または他の領域の絶縁層より誘電率が小さい絶縁物が充填
　すなわち，引用例１の特許請求の範囲に記載された発明において，前記「中空」と，前記「他の領域の絶縁層より誘電率が小さい絶縁物が充填」とは，置き換えることが可能な選択肢として規定されているものと解されるから，引用例１は，前記「第２の実施例」の構造を備えた半導体装置において，前記「第２の絶縁膜」が形成されない構造を採用する場合があることを示唆しているものと認められる。
　そして，前記「第２の絶縁膜」が形成されない場合には，「空間３ｄ及び空間３ｅ」は，本願発明１の「空洞」に相当するものと認められる。
　したがって，引用発明２において，第２の絶縁膜を設けずに，配線間のシリコン基板の表面の一部が除かれて形成された空間を「空洞」のまま維持すること，すなわち，引用発明２の，「空間」内に，配線の直下のシリコン基板を絶縁膜を支持するように残すことは，当業者にとって容易である。
　したがって，引用発明２において，上記相違点２について本願発明１の構成を採用することは当業者にとって容易である。また，このような構成を採用したことによる効果も当業者が予測し得た範囲内のものである。
　
・相違点３について
　引用例１の上記摘記（１ｄ）の「第２（ａ）及び（ｂ）は本発明による第２の実施例を示す半導体装置の部分平面図及びＢＢ断面図である。この実施例は，配線間のシリコン基板は除かれているが，配線直下のシリコン基板はそのまま残してある。この構造の場合の浮遊容量の減少効果は，第１の実施例より少ないが，配線の機械的な保持力が大きく」との記載から，「配線間のシリコン基板は除かれているが，配線直下のシリコン基板はそのまま残し」た構造を備えた，引用発明２の半導体装置が，上記摘記（１ｃ）に記載された「第１の実施例」の「配線２ａ，２ｂ及び２ｃの真下の絶縁膜４及びシリコン基板１の一部は削り取られ，空間３ａ，３ｂ及び３ｃが形成されている」構造を備えた半導体装置と比べて，配線の機械的な保持力が大きいという利点を備える反面，浮遊容量の減少効果が少ないという欠点を有することは，当業者であれば直ちに理解し得たものといえる。
　
　一方，引用例２の上記摘記（２ｃ）の「特に，大規模な論理回路では，容量の一部である配線容量による遅延の割合が大きくなるため，動作速度向上に向けて，
配線容量の低減が重要
本発明の目的は
配線容量を小さくして動作速度の改善を行う
物理的に強固で信頼性の高い構造
　そして，引用例２の上記摘記（２ａ）の「配線層材料をパターニングした後，配線層より低い位置に存在する
層間絶縁膜の一部または全部を除去
配線層を支える構造を持つ
　
　そうすると，引用発明２と，引用例２に記載された発明は，いずれも，半導体装置の配線容量の低減を課題とした発明である点で，共通する技術分野に属するものと認められ，同引用例２には，半導体集積回路の配線容量を低減するために配線層下側の層間膜を除去する際に，層間膜を部分的に残して支柱構造を構成して，浮いた配線を支える構造を採用した場合には，支柱の領域の面積は，配線長に比べると非常に小さいので，この部分による容量増加はほとんど無視できることが示されているのであるから，前記浮遊容量の減少効果が少ないという欠点を有する引用発明２において，前記欠点を解決するために，前記引用例２に記載された発明を適用して，配線直下にそのまま残してあるシリコン基板の一部を除去して，配線の下の少なくとも半導体層に空洞部を形成し，前記配線直下にそのまま残してあるシリコン基板の一部除去で部分的に残された部分を支柱構造となし，配線容量を低減することは当業者が容易に想到し得たことである。
　すなわち，引用発明２において，上記相違点３について本願発明１の構成を採用することは当業者にとって容易である。また，このような構成を採用したことによる効果も当業者が予測し得た範囲内のものである。
　
９　引用発明２を主引用発明とした場合の，本願発明１の進歩性についての判断のむすび 
　以上のとおり，本願発明１は，引用例１に記載された発明と周知技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
１０　むすび
　本願の請求項１に記載された発明は，引用例１に記載された発明と周知技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって，本願の他の請求項に係る発明については検討するまでもなく，本願は拒絶をすべきものである。
　
　よって，結論のとおり審決する。