【事件の表示】
　特願２００６−５０８６１５号「多層フォトレジストのドライ現像のための方法及び装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年１１月　４日国際公開、ＷＯ２００４／０９５５５１、平成１８年　９月２８日国内公表、特表２００６−５２２４８０号〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯　
　本願は、２００４年１月２１日（パリ条約による優先権主張２００３年３月３１日、米国、２００３年５月５日、米国、２００３年８月１４日、米国）を国際出願日とする出願であって、平成２２年３月２４日付けで手続補正がなされた後、平成２２年１１月２日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、平成２３年３月９日に拒絶査定不服審判の請求がなされ、同時に手続補正がなされたものである。　
　　　　　
２．平成２３年３月９日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）についての補正の却下の決定　　
　　　　　
［補正の却下の決定の結論］
　平成２３年３月９日付けの手続補正を却下する。　　
［理由］　　
（１）本件補正後の本願発明　　
　本件補正により、明細書の特許請求の範囲の請求項１は、　　
「プラズマ処理システム内で基板上の反射防止膜（ＡＲＣ）をエッチングする方法であって、
　アンモニア（ＮＨ３）及びパッシベーションガスを集合的に含有する１つ以上のガスを含んでいるプロセスガスを導入することと、
　前記プラズマ処理システム内で、前記プロセスガスからプラズマを形成することと、
　前記基板を前記プラズマにさらすこととを具備し、
　前記パッシベーションガスは、Ｃ２Ｈ４、Ｃ２Ｈ２、Ｃ２Ｈ６、Ｃ３Ｈ４、Ｃ３Ｈ６、Ｃ３Ｈ８、Ｃ４Ｈ６、Ｃ４Ｈ８、Ｃ４Ｈ１０、Ｃ５Ｈ８、Ｃ５Ｈ１０、Ｃ６Ｈ６、Ｃ６Ｈ１０及びＣ６Ｈ１２のうちの少なくとも１つを含んでおり、
　前記プロセスガスは、Ｏをガス分子に含む酸素含有ガスを除くガスである、方法。」
と補正された。　　
　　　　　
　本件補正は、本件補正前の請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項である「プロセスガス」について「プロセスガスは、Ｏをガス分子に含む酸素含有ガスを除くガスである」と限定するものであり、この補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２（以下単に「特許法第１７条の２」という。）第４項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とする補正に該当する。　　
　　　　　
　そこで、本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反しないか）について検討する。　　
　　　　　
（２）引用例　　
　原査定の拒絶理由に引用された特開２００１−３４５３８０号公報（以下「引用例１」という。）及び特開２００３−５１４９５号公報（以下「引用例２」という。）には、以下の技術事項が記載されている。（後述する引用発明の認定に関連する箇所に下線を付した。）　　
　　　　　
ａ．引用例１
記載事項ア．
「【請求項３１】所望の形状に表面加工を施された半導体基板上に、第１の低誘電率絶縁膜を形成する工程と、
前記第１の低誘電率絶縁膜上に第２の低誘電率絶縁膜を形成する工程と、
前記第２の低誘電率絶縁膜の上に第１のレジスト膜を形成し、露光・現像処理を施して第１のレジストパターンを形成する工程と、
前記第１のレジストパターンをマスクとして用いて前記第２の低誘電率絶縁膜に所望のヴィアホールを形成する工程と、
前記ヴィアホールが形成された第２の低誘電率絶縁膜上に、第３の低誘電率絶縁膜および第４の低誘電率絶縁膜を順次形成する工程と、
前記第４の低誘電率絶縁膜の上に第２のレジスト膜を形成し、露光・現像処理を施して第２のレジストパターンを形成する工程と、
前記第２のレジストパターンをマスクとして用いて、前記第３の低誘電率絶縁膜および前記第４の低誘電率絶縁膜に配線用溝を形成する工程と、
前記ヴィアホールが形成された前記第２の低誘電率絶縁膜をマスクとして用いて、前記第１の低誘電率絶縁膜にヴィアホールを形成する工程と、
前記ヴィアホールおよび前記配線用溝に金属を埋め込む工程と、
前記金属を研磨して埋め込み金属配線を形成する工程とを具備し、
前記第１、第２、第３および第４の低誘電率絶縁膜のうち、隣接する２つの低誘電率絶縁膜の材質は異なり、
前記第１の低誘電率絶縁膜および前記第２の低誘電率絶縁膜の少なくとも一方は、前記第１のレジストパターンを形成する際の露光波長に対して反射防止性を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３２】前記第１の低誘電率絶縁膜および第３の低誘電率絶縁膜は、第１および第２のレジストパターンを形成する露光波長に対して反射防止性を有することを特徴とする請求項３１に記載の半導体装置の製造方法。」
　
記載事項イ．
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、積層配線の構造および形成方法に係り、特に
低誘電率層間絶縁膜を用いた多層配線を有する半導体装置およびその製造方法に関する。
　
記載事項ウ．
「【００８６】（実施例ＩＩ−１）図８および図９を参照して、本実施例について説明する。
【００８７】まず、図８（ａ）に示すように、
予め配線構造８１が形成された下地基板８０上に、ポリアリルエーテル樹脂（ＰＡＥ樹脂）とメチルポリシロキサン膜とを塗布法により順次積層して、第１の低誘電率絶縁膜８３と第２の低誘電率絶縁膜８４とを形成する。
【００８８】
ここで、第１の低誘電率絶縁膜８４（当審注：「８３」の誤記と認められる。）を構成するＰＡＥ樹脂は、後の工程でヴィアパターンを形成するフォトレジストマスクの露光波長、例えば、ＡｒＦ露光装置では、１９３ｎｍの波長に対して反射防止性を有している。すなわち、第１の低誘電率絶縁膜８４（当審注：「８３」の誤記と認められる。）は、露光波長に対して所望の屈折率、吸収率を有するように着色されている。
【００８９】
第２の低誘電率絶縁膜８４上には、所望のレジストパターン８５を形成する。
【００９０】次いで、
このレジストパターン８５をマスクとして用いて、Ｃ
４
Ｆ
８
／ＣＯ／Ａｒ／Ｏ
２
などの混合ガス系を用いたＲＩＥにより、図８（ｂ）に示すように第２の低誘電率絶縁膜８４にヴィアホール８６を形成する。その後、レジストパターン８５を除去する。
【００９１】本実施例においては、レジストパターン８５をマスクとして用いて加工されるのは、薄い第２の低誘電率絶縁膜８４のみである。具体的には、この第２の低誘電率絶縁膜８４の膜厚は、５０〜２００ｎｍ程度であるので、レジストパターン８５自体も２００ｎｍ程度の薄さで形成することが可能である。
【００９２】さらに、図８（ｃ）に示すように、
ヴィアホール８６が形成された第２の低誘電率絶縁膜８４上に、ポリアリルエーテル樹脂（ＰＡＥ樹脂）とメチルポリシロキサン膜とを塗布法により順次積層して、第３の低誘電率絶縁膜８７および第４の低誘電率絶縁膜８８を形成する。
【００９３】
第４の低誘電率絶縁膜８８上には、配線溝パターンを有するフォトレジストパターン８９を形成する。上述したように、第３の低誘電率絶縁膜を構成しているＰＡＥ樹脂は、露光波長に対して反射防止性を有している。
【００９４】次いで、
このレジストパターン８９をマスクとして用いて、図９（ａ）に示すような配線用溝９０をＲＩＥにより第４の低誘電率絶縁膜８８に形成する。
【００９５】その後、
配線用溝９０が形成された第４の低誘電率絶縁膜８８をマスクとして用いて、第３の低誘電率絶縁膜８７に配線用溝９０をＲＩＥにより形成し、さらに、ヴィアホール８６が形成された第２の低誘電率絶縁膜８４をマスクとして用いて、第１の低誘電率絶縁膜８３にヴィアホール８６をＲＩＥにより形成する。ここでのエッチングガスとしては、Ｏ
２
／Ｎ
２
の混合ガス系を用いて、第１および第３の低誘電率絶縁膜８３および８７の加工と同時に、フォトレジストマスク８９を剥離した。
【００９６】さらに、金属を配線用溝９０およびヴィアホール８６に埋め込んだ後、ＣＭＰにより平坦化することによって、図９（ｃ）に示すような１層分に対応する層間構造９１が形成される。
【００９７】以上説明したように、本実施例においては、着色された低誘電率絶縁膜を用いるので、レジストパターンを形成するための反射防止膜を形成する必要がない。このため、工程を短縮化することができる。しかも、レジストパターンをマスクとして加工される材料は、薄い低誘電率絶縁膜のみであるので、レジストマスク自体も薄膜化することができる。」
　
記載事項エ．
「【０１０２】また、
第１および第３の低誘電率絶縁膜であるＰＡＥ樹脂のエッチングガスとしては、Ｎ
２
／Ｏ
２
ガスの混合ガスを用いたが、Ｏ
２
、Ｎ
２
、Ｈ
２
、ＣＨ
４
、ＳＯ
２
、およびＮＨ
３
から選択された少なくとも２種類のガスが含まれているガス系であれば、同様の効果が得られる。
　
記載事項オ．
【図８】本発明の半導体装置の製造方法を表わす工程断面図。
　
　
記載事項カ．
【図９】本発明の半導体装置の製造方法を表わす工程断面図。
　
　
　記載事項ア．〜カ．の記載内容からして、引用例１には、
「予め配線構造８１が形成された下地基板８０上に、ポリアリルエーテル樹脂（ＰＡＥ樹脂）の第１の低誘電率絶縁膜８３とメチルポリシロキサンの第２の低誘電率絶縁膜８４とを形成し、第１の低誘電率絶縁膜８３を構成するＰＡＥ樹脂は、後の工程でヴィアパターンを形成するフォトレジストマスクの露光波長に対して反射防止性を有するように着色されており、第２の低誘電率絶縁膜８４上には、所望のレジストパターン８５を形成し、このレジストパターン８５をマスクとして用いて、ＲＩＥにより第２の低誘電率絶縁膜８４にヴィアホール８６を形成し、その後、レジストパターン８５を除去し、ヴィアホール８６が形成された第２の低誘電率絶縁膜８４上に、露光波長に対して反射防止性を有しているポリアリルエーテル樹脂（ＰＡＥ樹脂）の第３の低誘電率絶縁膜８７とメチルポリシロキサンの第４の低誘電率絶縁膜８８を形成し、第４の低誘電率絶縁膜８８上には、配線溝パターンを有するフォトレジストパターン８９を形成し、このレジストパターン８９をマスクとして用いて、配線用溝９０をＲＩＥにより第４の低誘電率絶縁膜８８に形成し、配線用溝９０が形成された第４の低誘電率絶縁膜８８をマスクとして用いて、第３の低誘電率絶縁膜８７に配線用溝９０をＲＩＥにより形成し、ヴィアホール８６が形成された第２の低誘電率絶縁膜８４をマスクとして用いて、第１の低誘電率絶縁膜８３にヴィアホール８６をＲＩＥにより形成する、低誘電率層間絶縁膜を用いた多層配線を有する半導体装置の製造方法において、第１および第３の低誘電率絶縁膜であるＰＡＥ樹脂のエッチングガスとしてＯ２、Ｎ２、Ｈ２、ＣＨ４、ＳＯ２、およびＮＨ３から選択された少なくとも２種類のガスが含まれているガス系を用いる、第３の低誘電率絶縁膜８７に配線用溝９０を、第１の低誘電率絶縁膜８３にヴィアホール８６をＲＩＥにより形成する方法。」
の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　
ｂ．引用例２
記載事項キ．
「【請求項１】半導体素子の製造方法において、
所定工程が完了された基板上に被エッチング層を形成する第１ステップと、
前記被エッチング層上に低誘電率の犠牲膜およびハードマスクを順に形成する第２ステップと、
前記ハードマスク上に非反射膜およびフッ化アルゴンリソグラフィを利用して、フォトレジストパターンを順に形成する第３ステップと、
前記非反射膜および前記ハードマスクを選択的にエッチングして、前記ハードマスクエッチングの際にフォトレジストパターンを同時に除去する第４ステップと、
前記ハードマスクをマスクにして前記低誘電率の犠牲膜および被エッチング層をエッチングして、前記基板表面を露出させるコンタクト孔を形成する第５ステップと、
前記ハードマスクおよび低誘電率の犠牲膜を除去する第６ステップとを含んでなるコンタクト孔の形成方法。」
　
記載事項ク．
「【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体装置の製造方法に関し、特に、半導体装置におけるコンタクト孔の形成方法に関するものであって、低誘電率の犠牲膜を利用したフッ化アルゴン（ＡｒＦ）リソグラフィによるセルフアラインコンタクト孔の形成方法に関する。」
　
記載事項ケ．
「【００２６】また、低誘電率の犠牲膜３２は、ＦＬＡＲＥ（米国　Ａｌｌｉｅｄ　Ｓｉｇｎａｌ　Ｉｎｃ．により製造販売される商標名）、ＳＩＬＫ（米国　Ｄｏｗ　Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｃｏｍｐａｎｙ　により製造販売される商標名）、ＶＥＬＯＸ（米国　Ｓｃｈｕｍａｃｈｅｒ　Ｃｏ．により製造販売される商標名）、ＢＣＢ（ベンゾシクロブテン、ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ）、ＣＹＴＯＰ（日本国の旭硝子（株）により製造販売される商標名）もしくは　ＦＬＯＷＦＩＬＬ（米国　ＰＭＴ−Ｅｌｅｃｔｒｏｔｅｃｈ　社により製造販売される商標名）などの低誘電率の有機物質、またはＳｉＣなどを利用し、ハードマスク３３は、５ｎｍ（５０Å）〜１００ｎｍ（１０００Å）の厚さの酸化膜系列の物質膜を用いる。それらの誘電体膜の比誘電率は、概ね２〜３程度である。」
　
記載事項コ．
「【００３５】次いで、図３に示すように、パターンがリソグラフィ処理されたハードマスク３３をマスクにして低誘電率の犠牲膜３２をエッチングすることによって、被エッチング層３１の表面を露出させる。具体的には、低誘電率の犠牲膜３２をエッチングする時、ハードマスク３３に対して高いエッチング選択比を有するように、Ｏ２、ＮＯ２、ＮＯ、ＣＯ、ＣＯ２、ＳＯ２またはＯ２などを単独または適切に混合したガスを主ガスとしてプラズマエッチングを行うが、エッチング時にエッチング断面を改善するため、ＮＨ３、Ｎ２Ｈ２、Ｃ２Ｈ２またはＣ２Ｈ４などを適切に混合する。」
　
記載事項サ．
【図３】この発明の一実施例に係る半導体素子のコンタクト形成工程を示す断面図
　
　
（３）対比　　
　本願補正発明と引用発明を対比する。　　
（ａ）引用発明の「予め配線構造８１が形成された下地基板８０」は、本願補正発明の「基板」に相当する。
　引用発明の「下地基板８０上に」「形成」された「フォトレジストマスクの露光波長に対して反射防止性を有するように着色されて」いる「ポリアリルエーテル樹脂（ＰＡＥ樹脂）の第１の低誘電率絶縁膜８３」及び「露光波長に対して反射防止性を有しているポリアリルエーテル樹脂（ＰＡＥ樹脂）の第３の低誘電率絶縁膜８７」は、本願補正発明の「基板上の反射防止膜（ＡＲＣ）」に相当する。
　そして、引用発明の「第３の低誘電率絶縁膜８７」に形成される「配線用溝９０」及び「第１の低誘電率絶縁膜８３」に形成される「ヴィアホール８６」は「ＲＩＥ」により形成されるが、「ＲＩＥ」とは反応性イオンエッチング（リアクティブイオンエッチング）のことであり、反応室内でエッチングガスをプラズマ化してエッチングを行うもの、すなわちプラズマ処理システム内でエッチングするものであることは明らかである。
　そうすると、引用発明の「第３の低誘電率絶縁膜８７に配線用溝９０を、第１の低誘電率絶縁膜８３にヴィアホール８６をＲＩＥにより形成する方法」は、本願補正発明の「プラズマ処理システム内で基板上の反射防止膜（ＡＲＣ）をエッチングする方法」に相当するといえる。
　
（ｂ）引用発明は、第１および第３の低誘電率絶縁膜であるＰＡＥ樹脂のエッチングガスとして「ＮＨ３」が含まれ、かつＮＨ３以外の「Ｏ２、Ｎ２、Ｈ２、ＣＨ４、ＳＯ２」から選択された少なくとも１種類のガスが含まれているガス系を用いる態様を包含しており、この引用発明の「ＮＨ３」が含まれ、かつＮＨ３以外の「Ｏ２、Ｎ２、Ｈ２、ＣＨ４、ＳＯ２」から選択された少なくとも１種類のガスが含まれているガス系を用いることと、本願補正発明の「アンモニア（ＮＨ３）及びパッシベーションガスを集合的に含有する１つ以上のガスを含んでいるプロセスガスを導入する」ことでは、「アンモニア（ＮＨ３）及びその他のガスを含有する１つ以上のガスを含んでいるプロセスガスを導入する」点で共通する。
　そして、上記（ａ）で検討したように、引用発明の「ＲＩＥ」とは反応性イオンエッチング（リアクティブイオンエッチング）のことであり、反応室内でエッチングガスをプラズマ化してエッチングを行うもの、すなわちプラズマ処理システム内でエッチングするものであることは明らかであり、エッチングの際に下地基板がプラズマにさらされることも明らかであるから、引用発明の「第３の低誘電率絶縁膜８７に配線用溝９０を、第１の低誘電率絶縁膜８３にヴィアホール８６をＲＩＥにより形成する」ことは、本願補正発明の「前記プラズマ処理システム内で、前記プロセスガスからプラズマを形成することと、前記基板を前記プラズマにさらすこと」に相当する。
　
　上記（ａ）、（ｂ）に記載したことからして、本願補正発明と引用発明は、
「プラズマ処理システム内で基板上の反射防止膜（ＡＲＣ）をエッチングする方法であって、アンモニア（ＮＨ３）及びその他のガスを含有する１つ以上のガスを含んでいるプロセスガスを導入することと、前記プラズマ処理システム内で、前記プロセスガスからプラズマを形成することと、前記基板を前記プラズマにさらすこととを具備する方法。」
である点で一致し、次の点で相違する。　　
　　　　　
相違点
　アンモニア（ＮＨ３）及びその他のガスを含有する１つ以上のガスを含んでいるプロセスガスが、本願補正発明は、パッシベーションガスを含有しており、前記パッシベーションガスは、Ｃ２Ｈ４、Ｃ２Ｈ２、Ｃ２Ｈ６、Ｃ３Ｈ４、Ｃ３Ｈ６、Ｃ３Ｈ８、Ｃ４Ｈ６、Ｃ４Ｈ８、Ｃ４Ｈ１０、Ｃ５Ｈ８、Ｃ５Ｈ１０、Ｃ６Ｈ６、Ｃ６Ｈ１０及びＣ６Ｈ１２のうちの少なくとも１つを含んでおり、前記プロセスガスは、Ｏをガス分子に含む酸素含有ガスを除くガスであるのに対して、引用発明は、パッシベーションガスを含有しているのかどうかが明確でなく、Ｏをガス分子に含む酸素含有ガスを除くガスであるのかどうかも明確でない点。
　　　　
（４）当審の判断　　
　上記相違点について検討する。　　
　上記「（３）対比」、「（ｂ）」で述べたように、引用発明は、第１および第３の低誘電率絶縁膜であるＰＡＥ樹脂のエッチングガスとして「ＮＨ３」が含まれ、かつＮＨ３以外の「Ｏ２、Ｎ２、Ｈ２、ＣＨ４、ＳＯ２」から選択された少なくとも１種類のガスが含まれているガス系を用いる態様を包含している。そして、ＮＨ３以外のガスとしてＯをガス分子に含まないＮ２、Ｈ２、ＣＨ４を選択することは当業者が適宜なし得ることである。また、引用例２には、半導体素子の製造方法において、低誘電率の有機物質からなる犠牲膜をエッチングする時に、エッチング断面を改善するため、主ガスにＣ２Ｈ２やＣ２Ｈ４などを適切に混合することが記載（記載事項ケ．及びコ．参照）されており、しかも、引用発明と引用例２に記載された発明は、いずれも有機物質からなる低誘電率の膜をエッチングする点で技術的に共通するものである。そして、引用発明に引用例２に記載されるエッチング断面を改善する技術を適用することに格別の阻害要因はないから、引用発明のプロセスガスにＣ２Ｈ２またはＣ２Ｈ４などを混合する技術を適用することは当業者であれば容易になし得ることである。したがって、上記相違点に係る本願補正発明の発明特定事項を得ることは当業者であれば容易になし得ることである。
　
　また、本願補正発明の効果も、引用発明、引用例２に記載された発明から予測し得る範囲内のものであり、格別のものとは認め難い。
　　　　　
　よって、本願補正発明は、引用発明及び引用例２に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　　　　　
（５）むすび　　
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　　　　　
３．本願発明について　　
　平成２３年３月９日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明は、平成２２年３月２４日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された以下のとおりのものである。（以下同項記載の発明を「本願発明」という。）
　　　　　
「プラズマ処理システム内で基板上の反射防止膜（ＡＲＣ）をエッチングする方法であって、
　アンモニア（ＮＨ３）及びパッシベーションガスを集合的に含有する１つ以上のガスを含んでいるプロセスガスを導入することと、
　前記プラズマ処理システム内で、前記プロセスガスからプラズマを形成することと、
　前記基板を前記プラズマにさらすこととを具備し、
　前記パッシベーションガスは、Ｃ２Ｈ４、Ｃ２Ｈ２、Ｃ２Ｈ６、Ｃ３Ｈ４、Ｃ３Ｈ６、Ｃ３Ｈ８、Ｃ４Ｈ６、Ｃ４Ｈ８、Ｃ４Ｈ１０、Ｃ５Ｈ８、Ｃ５Ｈ１０、Ｃ６Ｈ６、Ｃ６Ｈ１０及びＣ６Ｈ１２のうちの少なくとも１つを含んでいる方法。」
　
４．引用例　　
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例１、２の記載事項は、上記「２．」「（２）」に記載したとおりである。
　　　　　
５．対比・判断　　
　本願発明は、上記「２．」で検討した本願補正発明から「プロセスガス」の限定事項である「プロセスガスは、Ｏをガス分子に含む酸素含有ガスを除くガスである」という事項を省いたものである。　　
　そうすると、本願発明の発明特定事項を全て含み、さらに限定したものに相当する本願補正発明が、上記「２．」「（４）」に記載したとおり、引用発明及び引用例２に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、引用発明及び引用例２に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　　　　　
６．むすび　　
　以上のとおり、本願発明は、引用発明及び引用例２に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。