【事件の表示】
　特願２００６−１７８０１１「半導体基板への液浸リソグラフィ方法および液浸リソグラフィプロセスで用いる処理装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１９年　１月１８日出願公開、特開２００７−　１３１６３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　
　本願は、平成１８年６月２８日（パリ条約による優先権主張　平成１７年６月３０日　米国）の出願であって、平成２１年６月１５日付けで拒絶理由が通知され、平成２２年３月１１日付けで拒絶査定がなされ、これに対して同年７月１４日に拒絶査定不服審判の請求がなされると同時に手続補正がなされたものである。
　その後、前置報告書の内容について、審判請求人に意見を求めるために平成２３年５月１１日付けで審尋がなされ、同年８月９日付けで当該審尋に対する回答書が提出された。
　
　
　
２．本願発明
　
　平成２２年７月１４日付け手続補正は特許請求の範囲の補正を含むものであるが、その請求項１については何ら補正がなされていないから、本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という）は、平成２２年７月１４日付け手続補正書に記載された以下のとおりのものと認める。
　
「　半導体基板の表面上にレジスト層を供給するステップと、
　露光中に流体を利用する液浸リソグラフィ露光装置を用いて、前記レジスト層を露光するステップと、
　前記流体のいかなる残留部をも除去するために、露光後と露光後ベークの前に、超臨界二酸化炭素液，界面活性剤液，脱イオン洗浄水または酸性洗浄溶液の中の一乃至複数を利用して、前記レジスト層を処理するステップと、
　前記レジスト層に露光後ベークを行なうステップと、
　露光したレジスト層を現像するステップと、からなることを特徴とする半導体基板への液浸リソグラフィ方法。」
　
　
　
３．引用発明
　
３−１．刊行物の記載事項
　
　本願の優先日前に頒布された刊行物であり、原査定の拒絶の理由に引用された、国際公開第２００５／０２４３２５号（以下「引用例」という）には、以下の技術事項が記載されている（当審注：関連する日本語公開公報（特表２００７−５０４６４６号）を基に当審で行った邦訳を付した）（後述の「３−２．引用発明の認定」において引用した邦訳文の記載に下線を付した）。
　
記載事項ａ．請求項１
「　
フォトリソグラフィを使用して基板上の放射線感光性材料の薄膜にパターンを転写する方法
  前記薄膜を液浸リソグラフィシステムの放射線源で露光することと、
  前記基板から浸漬液を取り除くように、前記液浸リソグラフィシステムの前記露光した後に前記基板を乾燥させることとを具備する方法。」
　
記載事項ｂ．［００２５］
「　本発明の実施形態は、添付の図面を参照し、以下で詳細に記載される。本出願に係る実施形態として、電子デバイス製造のための
半導体基板のような基板の上の薄膜にパターンを形成する
　
記載事項ｃ．［００３２］
「  トラックシステム１０（１１０，２１０）は、放射線感光性材料の薄膜にパターンを形成するために利用される複数のユニットを含むことができる。トラックシステム１０（１１０，２１０）は、１００ｍｍ、２００ｍｍ、３００ｍｍ、およびそれを越える基板サイズを処理するために構成されることができる。さらに、トラックシステム１０は、２４８ｎｍレジスト、１９３ｎｍレジスト、１５７ｎｍレジスト、ＥＵＶレジスト、（上部（Ｔｏｐ）／底部（ｂｏｔｔｏｍ））反射防止コーティング（ａｎｔｉ−ｒｅｆｌｅｃｔｉｖｅ  ｃｏａｔｉｎｇｓ）（ＴＡＲＣ／ＢＡＲＣ）、およびトップコートを処理するために構成されることができる。トラックシステム１０（１１０，２１０）内の複数のユニットは、膜コーティングユニットと、アプリケーション後ベーキング（ｐｏｓｔ  ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ  ｂａｋｅ：ＰＡＢ）ユニットと、
露光後ベーキング（ｐｏｓｔ−  ｅｘｐｏｓｕｒｅ  ｂａｋｅ：ＰＥＢ）ユニット
　
記載事項ｄ．［００３８］−［００４２］
「　ここで図５を参照すると、基板上の薄膜をパターニングする方法は、記載されている。図５の方法は、図１〜４に関して記載されたどのシステムによっても実行されることがあり得る。方法は、
放射線感光性材料の薄膜を基板上に形成する
 ５２０において、
放射線感光性材料の薄膜は
液浸リソグラフィシステム内でパターンに露光される
  ５３０において、
放射線露光後
乾燥流体は
浸漬液を置換するために、薄膜の表面上に注入されることができる
乾燥流体は
液体状態であり得る
乾燥流体は、例えば、イソプロピルアルコールのようなアルコールを含むことができる
乾燥流体は、薄膜の表面から浸漬液を取り除く際の補助に利用されることができる
　５４０において、
薄膜は
ＰＥＢユニット内で熱的に処理されることができる
　５５０において、
薄膜は
現像されることができる
　
　
３−２．引用発明の認定
　
　記載事項ｄの記載内容から、薄膜の形成、薄膜の露光、薄膜への乾燥流体の注入、薄膜の露光後ベーキングユニット内での処理、及び、薄膜の現像は、時系列的にこの順序で行われていることが理解できる。
　上記事項並びに記載事項ａ乃至記載事項ｄの記載内容から、引用例には、
　
「　放射線感光性材料の薄膜を半導体基板上に形成した後、
　放射線感光性材料の薄膜は、液浸リソグラフィシステム内でパターンに露光され、
　放射線露光後、乾燥流体は、浸漬液を置換するために、薄膜の表面上に注入され、乾燥流体は液体状態であり、例えば、イソプロピルアルコールのようなアルコールであり、薄膜の表面から浸漬液を取り除く際の補助に利用され、
　その後、露光後ベーキングユニット内で熱的に処理され、
　続いて、薄膜は現像される、
　液浸フォトリソグラフィを使用して半導体基板上の放射線感光性材料の薄膜にパターンを転写する方法。」
　
（以下「引用発明」という）が記載されていると認められる。
　
　
　
４．対比
　
　本願発明と引用発明を対比する。
　
　引用発明の「放射線感光性材料の薄膜を半導体基板上に形成」する工程は、本願発明の「半導体基板の表面上にレジスト層を供給するステップ」に相当する。
　引用発明の「放射線感光性材料の薄膜は、液浸リソグラフィシステム内でパターンに露光され」る工程は、本願発明の「露光中に流体を利用する液浸リソグラフィ露光装置を用いて、前記レジスト層を露光するステップ」に相当する。
　引用発明において、「放射線露光後」かつ「露光後ベーキング」の前に行われる、「乾燥流体は、浸漬液を置換するために、薄膜の表面上に注入され、乾燥流体は液体状態であり、例えば、イソプロピルアルコールのようなアルコールであり、薄膜の表面から浸漬液を取り除く際の補助に利用され」る工程と、本願発明の「前記流体のいかなる残留部をも除去するために、露光後と露光後ベークの前に、超臨界二酸化炭素液，界面活性剤液，脱イオン洗浄水または酸性洗浄溶液の中の一乃至複数を利用して、前記レジスト層を処理するステップ」とは、「前記流体を除去するために、露光後と露光後ベークの前に、液体を利用して、前記レジスト層を処理するステップ」である点で一致する。
　引用発明の「露光後ベーキングユニット内で熱的に処理され」る工程は、本願発明の「前記レジスト層に露光後ベークを行うステップ」に相当する。
　引用発明の「薄膜は現像される」工程は、本願発明の「露光したレジスト層を現像するステップ」に相当する。
　引用発明の「液浸フォトリソグラフィを使用して半導体基板上の放射線感光性材料の薄膜にパターンを転写する方法」は、本願発明の「半導体基板への液浸リソグラフィ方法」に相当する。
　
　したがって、本願発明と引用発明とは、
　
「　半導体基板の表面上にレジスト層を供給するステップと、
　露光中に流体を利用する液浸リソグラフィ露光装置を用いて、前記レジスト層を露光するステップと、
　前記流体を除去するために、露光後と露光後ベークの前に、液体を利用して、前記レジスト層を処理するステップと、
　前記レジスト層に露光後ベークを行なうステップと、
　露光したレジスト層を現像するステップと、からなることを特徴とする半導体基板への液浸リソグラフィ方法。」
　
である点で一致し、以下の点で相違する。
　
（相違点１）
　本願発明では、（レジスト層を処理する）“液体”が「超臨界二酸化炭素液，界面活性剤液，脱イオン洗浄水または酸性洗浄溶液の中の一乃至複数」であるのに対し、引用発明では、（薄膜の表面上に注入される）“液体”が「イソプロピルアルコールのようなアルコールであ」る点。
　
（相違点２）
　本願発明では、「（液体を利用して）前記レジスト層を処理するステップ」が「前記流体のいかなる残留部をも除去するために」行われるのに対し、引用発明では、「乾燥流体」が「薄膜の表面上に注入され」る工程が「浸漬液を置換」し「薄膜の表面から浸漬液を取り除く際の補助に利用され」るために行われている点。
　
　
５．当審の判断
　
５−１．相違点１について
　
　引用発明の「乾燥流体」は、液体であり、かつ、「浸漬液を置換」して「薄膜の表面から浸漬液を取り除く」ものであるから、引用発明の「乾燥流体」は、「薄膜の表面」を“洗浄しつつ乾燥している”ものであると認められる。
　一般に、半導体基板を洗浄する液体として、超臨界二酸化炭素を用いることは、本願の優先日前に周知である（例えば、原査定の拒絶の理由においても示された、特開２００５−０８１３０２号公報（【０００３】乃至【００１３】参照））。
　してみれば、引用発明において、薄膜の表面を洗浄する液体として、「イソプロピルアルコール」に替えて、「超臨界二酸化炭素」を採用することにより、上記相違点に係る本願発明の構成を得ることは、当業者であれば容易に想到し得ることである。
　
５−２．相違点２について
　
　本願明細書（特に、解決しようとする課題（【０００５】乃至【０００６】）の記載内容を参酌するに、本願発明において、“（液体を利用して、レジスト層を処理するステップが）「前記流体のいかなる残留部をも除去するために」行われる”とは、レジスト層の表面から、液浸リソグラフィに利用される流体、及び、該流体に溶解したレジストからの溶解性物質を共に除去することを表しているといえる。
　一方、引用発明では、乾燥流体（イソプロピルアルコール）は、「浸漬液を置換」し「浸漬液を取り除く」ために「薄膜の表面上に注入され」るものであるので、薄膜から浸漬液に溶解性物質が溶解している場合には、浸漬液だけでなく、該浸漬液に溶解した溶解性物質をも除去することになるものといえる。
　してみれば、上記相違点２は実質的な相違点ではない。
　
　
６．本願発明の効果について
　
　本願発明による効果は、引用発明及び周知技術から当業者が予測し得る範囲のものに過ぎない。
　
　
　
６．むすび
　
　以上のとおり、本願発明は、引用発明及び周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　したがって、本願は拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。