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　特願２００６−１５８３２９「半導体素子の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１９年１２月２０日出願公開、特開２００７−３２９２３４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯 
　本件出願は、平成１８年６月７日の特許出願であって、平成２２年１０月２５日付けで拒絶の理由が通知され、同年１２月２８日に手続補正がなされ、平成２３年４月２８日付けで拒絶の理由が通知され、同年７月２２日に手続補正がなされ、同年１２月１５日付けで平成２３年７月２２日の手続補正を却下するとともに拒絶査定がされた。
　これに対し、平成２４年３月１２日に本件審判の請求とともに手続補正がなされ、当審において平成２４年８月１４日付けで拒絶理由が通知され、同年１０月１８日に手続補正がなされたものである。 
 　 
２．本願発明
　本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成２４年１０月１８日に補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される以下のとおりと認められる。
　
「半導体ウエハーに素子構造部を形成する形成工程と、
　前記素子構造部が形成された半導体ウエハーの表面に、加熱によって剥離可能な接着テープを介して支持部材を貼り合わせる貼り合わせ工程と、
　前記支持部材が貼り合わせられた状態で、前記半導体ウエハーの前記支持部材が貼り合わせられた面に対して反対側の面から前記半導体ウエハーの表面近傍に達するように、湿式異方性エッチングにより断面形状がＶ字型の分離溝を形成することによって、前記半導体ウエハーをチップ状にほぼ分離可能な状態にする分離工程と、
　前記支持部材の、任意の前記チップに貼り合わされている部分に対して前記チップの大きさに略一致するようにスポットサイズを調整したレーザー光を照射して個別に加熱する加熱工程と、
　前記支持部材の、前記レーザー光が照射された部分と貼り合わせられているチップを吸着して、該チップを前記支持部材から剥離する剥離工程と、
　を含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。」
　
３．刊行物記載の発明
（１）刊行物１
　これに対し、本願出願前に頒布された刊行物であって、当審で通知した拒絶理由に引用された特開２００４−２８１６６０号公報（以下「刊行物１」という。）には、次のように記載されている。 
　
ア．段落０００１
「【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置の製造方法及び製造装置に関する。」
　
イ．段落０００８
「【０００８】
半導体基板１０は、半導体ウエハ（例えばシリコンウエハ）であってもよい。半導体基板１０は、図示しない集積回路を内部に有し、集積回路基板と呼ぶこともできる。集積回路は、半導体基板１０の一方の面側に形成されてもよい。・・・。」
　
ウ．段落００１０
「【００１０】
図２に示すように、研削工程後の半導体基板１１を複数の半導体チップ１２に個片にする。本実施の形態では、切削ツール２４を使用して、半導体基板１１を切削切断する（ダイシング工程）。半導体基板１１は、保持部材３０（ダイシング用保持部材）によって保持され、ステージ３２上で切削切断される。詳しくは、保持部材３０は、ベース基材２６及び粘着材２８を含み、半導体基板１１は、粘着材２８によってベース基材２６に貼り付けられている。・・・。図２に示すように、切削ツール２４の外周部（刃部）は、粘着材２８の一部を切削してもよいが、ベース基材２６を再利用する場合には、ベース基材２６の表面は切削しないほうが好ましい。」
　
エ．段落００１３
「【００１３】
本実施の形態では、粘着材２８は、いわゆる自己剥離型の粘着材である。詳しくは、粘着材２８は、所定のエネルギーが加えられることによって、被着体から自ら剥がれる性質を有する。言い換えれば、粘着材２８は、エネルギーが加えられると粘着力を失う性質を有する。・・・。なお、光エネルギー（例えばレーザ光（ＹＡＧレーザ光））である場合、粘着材２８は、光熱変換層を有してもよい。これによれば、粘着材２８は、光熱変換層によって光を吸収し発熱するので、熱エネルギーが供給された場合と同様の作用効果を発揮する。」
　
オ．段落００２１〜００２２
「【００２１】
次に、所定位置に位置決めされた少なくとも１つ（図３では１つ）の半導体チップ１２の範囲に、エネルギー４４を供給する。図３に示すように、光エネルギー（紫外光）を照射してもよい。詳しくは、ガイド部４６が上昇し、ガイド部４６によって規制された照射領域に、光エネルギーを照射する。光エネルギーを、ベース基材２６を透過させて粘着材２８に照射してもよい。図３に示す例では、粘着材２８の一部（ベース基材２６の第１のエリア２７に設けられた部分）に、光エネルギーを照射する。本実施の形態で使用する粘着材２８は、自己剥離型の粘着材であるので、エネルギー４４の供給によって次第に粘着力を失う。・・・。その後、エネルギー４４の供給量が一定値以上になると、粘着材２８の粘着力がゼロ（又はほぼゼロ）になり、半導体チップ１２は粘着材２８に接着されなくなり、ベース基材２６に単に載せられた状態になる。その間、位置決めした半導体チップ１２を除く範囲には、エネルギー４４を供給しない。
【００２２】
図４に示すように、エネルギー供給範囲の半導体チップ１２を吸着ツール５０で上方から吸着する。・・・。こうして、半導体チップ１２をベース基材２６から取り出す。これによれば、エネルギー供給範囲の半導体チップ１２は、粘着材２８との接着力がゼロ又は低下しているので、吸着ツール５０による吸着を円滑に行うことができる。・・・。」
　
カ．段落００２６
「【００２６】
本実施の形態の変形例として、切削切断工程で使用する保持部材３０を、研削工程で使用してもよい。その場合、複数の保持部材３０を用意して、研削工程から切削切断工程に移行するときに、保持部材３０を貼り換えてもよい。あるいは、同一の保持部材３０を連続して使用してもよい。同一の保持部材３０を使用する場合、切削ツール２４は、半導体基板１０の集積回路側とは反対側の面から、切削切断することになる。」
　
　段落００２６の変形例によれば、「切削ツール２４は、半導体基板１０の集積回路側とは反対側の面から、切削切断する」こととなり、この場合、半導体基板１０の「集積回路側の面」が粘着材２８によってベース基材２６に貼り付けられることになる。
　これらを、図面を参照しつつ、技術常識を踏まえ、本願発明に照らして整理する。
　刊行物１には、次の発明（以下「刊行物１発明」という。）が記載されていると認められる。 
　
「半導体ウエハ１１に集積回路を形成する形成工程と、
　前記集積回路が形成された半導体ウエハ１１の表面に、熱エネルギー４４によって粘着力を失う粘着剤２８を介してベース基材２６を貼り合わせる貼り合わせ工程と、
　前記ベース基材２６が貼り合わせられた状態で、前記半導体ウエハ１１の前記ベース基材２６が貼り合わせられた面に対して反対側の面から前記半導体ウエハ１１の表面に達するように、切削ツール２４により切断切削することによって、前記半導体ウエハ１１を半導体チップ１２にする分離工程と、
　前記ベース基材２６の、任意の前記半導体チップ１２に貼り合わされている部分に対してレーザ光を照射して個別に加熱する加熱工程と、
　前記ベース基材２６の、前記レーザ光が照射された部分と貼り合わせられている半導体チップ１２を吸着して、該半導体チップ１２を前記ベース基材２６から剥離する剥離工程と、
　を含む半導体装置の製造方法。」
 　 
（２）刊行物２
　同じく特開２００５−５１００７号公報（以下「刊行物２」という。）には、次のように記載されている。 
　
ア．要約
「【課題】  基板をチップ化する際に，半導体装置に異物を付着させたり基板上の半導体装置の数を減らすことなく，安全に基板を分割する。
【解決手段】  複数の半導体装置２を形成したシリコン基板１をチップ５ごとに分割するにあたり，まずシリコン基板１にドライエッチングによって溝４を形成する。その後溝４に沿ってシリコン基板１を割ることによって，半導体装置４ごとにシリコン基板１を分割する。従来のようにダイシングソーを用いることなく，シリコン基板を好適に分割することができる。」
　
イ．段落００１３
「【００１３】
　・・・。また溝の形状は，底部がＶ字型のものが好ましい。」
　
ウ．段落００２５
「【００２５】
　なおチップ化用の溝２３の深さは，基板厚さの半分である必要は無く，基板レベルでのハンドリングを容易にするため浅く設定しても良く，またチップ切り離しを容易とするため深く設定しても良く，・・・。」
　
　これらを、「好ましい例」を採用し、技術常識を踏まえ整理すると、刊行物２には、次の事項（以下「刊行物２事項」という。）が記載されていると認められる。
「シリコン基板１に、ドライエッチングによって、チップ切り離しを容易とするため底部が深く設定されたＶ字型の溝４を形成し、溝４に沿ってシリコン基板１を割ることによって，シリコン基板１を分割する方法。」
 
（３）刊行物３
　同じく特開２００５−３２２６８３号公報（以下「刊行物３」という。）には、次のように記載されている。 
　
ア．段落０００１
「【０００１】
　本発明は、支持シートと、支持シート上に接着され、多数のＩＣチップを有するダイシング済みのウエハとを備えたシート付ウエハの製造方法および製造装置に関する。」
　
イ．段落００４８
「【００４８】
　その後、ＵＶ源３７ｃからＵＶ光９を放射する。ＵＶ源３７ｃから放射されたＵＶ光９は、ＵＶ光案内通路３７ｂによりＵＶ光スポット照射部３７ａまで導かれる。ＵＶ光スポット照射部３７ａはその出射口がシート付円盤状ウエハ１５ａに対面するように配置されている。これにより、ＵＶ光スポット照射部３７ａは、直下に配置されているシート付円盤状ウエハ１０ａの円盤状ウエハ１５ａの外周部分１７に対応する部分にＵＶ光９を照射する。このとき、ＵＶ光スポット照射部３７ａにより、ＵＶ光９はダイシング済ウエハ１個分にスポット照射される。」
　
ウ．段落００６８
「【００６８】
　・・・。支持シート１１として熱発泡剥離シートを用いるとともに、上述したＵＶ光源３７に代え、レーザー光９を放射するレーザー源３７ｃと、シート付円盤状ウエハ１０ａの支持シート（熱発泡剥離シート）１１側に配置され、レーザー源３７ｃから放射されたレーザー光９をシート付円盤状ウエハ１０ａにスポット照射するレーザー光スポット照射部３７ａと、レーザー源３７ｃからレーザー光スポット照射部３７ａへレーザー光９を案内するレーザー光案内通路３７ｂとを有したレーザー光源３７を用いて、上述したようにしてシート付ウエハ１０を製造してもよい。」
　
　これらを、技術常識を踏まえ整理すると、刊行物３には、次の事項（以下「刊行物３事項」という。）が記載されていると認められる。
「熱発泡剥離シートからなる支持シート上に接着され、多数のＩＣチップを有するダイシング済みのウエハとを備えたシート付ウエハの製造方法において、支持シートの、ダイシング済ウエハ１個分にレーザー光９をスポット照射するもの。」
　
４．対比・判断 
　刊行物１発明の「半導体ウエハ１１」は本願発明の「半導体ウエハー」に相当し、同様に「集積回路」は「素子構造部」に、「熱エネルギー４４によって粘着力を失う粘着剤２８」は「加熱によって剥離可能な接着テープ」に、「ベース基材２６」は「支持部材」に、「半導体チップ１２」は「チップ」に、「半導体装置の製造方法」は「半導体素子の製造方法」に、相当する。
　刊行物１発明の「半導体ウエハ１１の表面に達するように、切削ツール２４により切断切削することによって、前記半導体ウエハ１１を半導体チップ１２にする」と、本願発明の「半導体ウエハーの表面近傍に達するように、湿式異方性エッチングにより断面形状がＶ字型の分離溝を形成することによって、前記半導体ウエハーをチップ状にほぼ分離可能な状態にする」とは、「少なくとも半導体ウエハーの表面付近に達するように、分離溝を形成することによって、前記半導体ウエハーをチップ状に分離可能な状態にする」限りにおいて一致する。
　
　そうすると、本願発明と刊行物１発明とは、以下の点で一致する。 
「半導体ウエハーに素子構造部を形成する形成工程と、
　前記素子構造部が形成された半導体ウエハーの表面に、加熱によって剥離可能な接着テープを介して支持部材を貼り合わせる貼り合わせ工程と、
　前記支持部材が貼り合わせられた状態で、前記半導体ウエハーの前記支持部材が貼り合わせられた面に対して反対側の面から少なくとも前記半導体ウエハーの表面付近に達するように、分離溝を形成することによって、前記半導体ウエハーをチップ状に分離可能な状態にする分離工程と、
　前記支持部材の、任意の前記チップに貼り合わされている部分に対してレーザー光を照射して個別に加熱する加熱工程と、
　前記支持部材の、前記レーザー光が照射された部分と貼り合わせられているチップを吸着して、該チップを前記支持部材から剥離する剥離工程と、
　を含む半導体素子の製造方法。」 
 　 
　そして、以下の点で相違する。
　相違点１：分離工程について、本願発明では「表面近傍に達するように」「湿式異方性エッチングにより断面形状がＶ字型の分離溝を形成」することによって「チップ状にほぼ分離可能な状態にする」が、刊行物１発明では「表面に達するように」「切削ツール２４により切断切削」することによって「半導体チップ１２にする」点。
　相違点２：加熱工程について、本願発明ではレーザ光を「チップの大きさに略一致するようにスポットサイズを調整」しているが、刊行物１発明では明らかでない点。
　
　相違点１について検討する。
　刊行物２事項は、上記のとおりであり、異物の付着防止のため、切削による分割に代え、ドライエッチングにより、底部が深く設定された溝を設けることによる分割としたものである。
　刊行物１発明においても、異物付着は望ましくないから、刊行物１発明に刊行物２事項を適用することは、必要に応じてなしうる事項にすぎない。
　刊行物２事項は、ドライエッチングであるが、半導体製造において、エッチングにはドライエッチングと湿式エッチングがあり、湿式エッチングはエッチング速度が高いこと、湿式エッチングに異方性エッチングがあることは技術常識である（半導体用語大辞典編集委員会編「半導体用語大辞典」日刊工業新聞社、１９９９年３月２０日第１版の２６０ページ「エッチング」、２４６ページ「ウエットエッチング」、２３９ページ「異方性エッチング」の項目）。
　また、刊行物２事項の「溝」は「底部がＶ字型」であるが、湿式エッチングとすることに伴い、エッチングが容易な「断面形状がＶ字型」とすることは設計的事項にすぎない。
　よって、刊行物２事項の適用にあたり、必要に応じて「湿式異方性エッチング」とし、「断面形状がＶ字型」の溝とし、「チップ状にほぼ分離可能な状態にする」ことにより、相違点１に係るものとすることに困難性は認められない。
　請求人は、意見書で「湿式異方性エッチングにより断面形状がＶ字型の分離溝を形成」する点を主張するが、上記のとおり、技術常識の適用の範囲にすぎないから、請求人の主張は採用できない。
　
　相違点２について検討する。
　刊行物３事項は、上記のとおり、レーザー光の照射、すなわち加熱工程において、「ダイシング済ウエハ１個分にレーザー光９をスポット照射するもの」であるから、「チップの大きさに略一致するようにスポットサイズを調整」しているものと言える。
　そして、これにより精度の良い、無駄のないレーザー光の照射が可能となるから、刊行物１発明に刊行物３事項を適用し、相違点２に係るものとすることに困難性は認められない。
　
　また、これら相違点を総合勘案しても、格別の技術的意義が生じるとは認められない。
　
５．むすび 
　本願発明は、刊行物１発明、刊行物２事項、刊行物３事項、及び技術常識に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものであるから、結論のとおり審決する。