【事件の表示】
　特願２００１−５８２８３６「半導体装置および半導体装置の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年１１月１５日国際公開、ＷＯ０１／８６７１８、平成１５年１１月　５日国内公表、特表２００３−５３３０４８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯、本願発明
　本願は、２００１年４月２３日（優先権主張２０００年５月１１日（ＥＰ））を国際出願日とする出願であって、平成２３年１２月１９日付けで拒絶査定がされ、これに対し、平成２４年４月２０日に拒絶査定に対する不服の審判が請求されたものである。
　　　　　
　そして、本願の各請求項に係る発明は、平成２３年３月２日付け手続補正書によって補正された特許請求の範囲の請求項１〜１２に記載された事項により特定されるものと認められるところ、そのうちの請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次のとおりである。
「【請求項１】
　接続導体が設けられた１つまたはそれ以上の接触領域を有する１つまたはそれ以上の半導体要素が設けられた半導体ボディを備え、
　前記半導体ボディは第１の導体パターンが設けられた絶縁基板の一方の面に取り付けられ、第１の導体パターンには接続導体が接続されており、第１の導体パターンは絶縁基板の他方の面に配置された第２の導体パターンに電気的に接続され、第２の導体パターンには接触バンプが設けられた半導体装置であって、
　当該半導体装置には、１つまたはそれ以上のヒューズと電子部品とが設けられており、該電子部品の特性は前記ヒューズによって調節されることができ、該電子部品は半導体ボディの部分を形成し、前記ヒューズは前記絶縁基板上の前記第２の導体パターンに形成されていることを特徴とする半導体装置。」
　　　　　
２．引用文献及びその記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願優先日前に頒布された刊行物である特開２０００−４９２５０号公報（以下「引用例１」という。）には、図面とともに次の技術的事項が記載されている。
　　　　　
　ａ）　「【請求項１】  半導体回路が形成された半導体チップと、
前記半導体チップの表面に形成された第１のボンディングパッドと、
前記半導体チップ上に形成された第１の絶縁基板と、
前記第１の絶縁基板上に形成された配線層と、
前記第１の絶縁基板上及び前記配線層上に形成された第２の絶縁基板と、
前記第２の絶縁基板が開口され、前記配線層の表面の一部が露出された第１の領域と、
前記第１の領域と前記第１のボンディングパッドとを接続するワイヤと、
前記第２の絶縁基板が開口され、前記配線層の表面の一部が露出された第２の領域と、
前記第２の絶縁基板が開口され、前記配線層の表面の一部が露出された第３の領域と、
を具備することを特徴とする半導体装置。」
　　　　　
　ｂ）　「【請求項５】  前記半導体チップ上に形成され、基準レベルに接続された第２のボンディングパッドと、
前記第２のボンディングパッドにワイヤにより接続された第１の配線層と、
前記半導体チップ上に形成された冗長回路と、
前記冗長回路の入力ノードが接続された第３のボンディングパッドと、
前記第３のボンディングパッドにワイヤにより接続された第２の配線層と、
前記第１の配線層と前記第２の配線層との間に設けられ、前記第１、第２の配線層間を切断可能なヒューズ手段と、
を具備することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１つに記載の半導体装置。」
　　　　　
　ｃ）　「【００５１】次に、この発明の第３の実施の形態の半導体装置について説明する。図５（ａ）は、第３の実施の形態のパッケージの構成を示す平面図である。図５（ｂ）は、平面図中の前記パッケージをＡ−Ａ′で切断したときの断面図である。図５に示すパッケージは、チップのセンター付近に、半導体回路の端子であるパッドを配置したセンタパッドデバイスである。
【００５２】図５に示すように、半導体回路が形成されたチップ６２のセンター付近には、半導体回路の端子であるパッド６４が配置されている。チップ６２上には、インターポーザと呼ばれる有機系基板６６が形成されており、この有機系基板６６には前記パッド６４を露出するために矩形状に除去された開口部６８が形成されている。
【００５３】さらに、有機系基板６６上には、図５に示すような配線７０が形成される。この配線７０は、パッド６４の近傍に、ワイヤをボンディングするためのボンディング用領域７０ａを有する。配線７０は、さらにチップ６２の周辺側に、バンプを形成するための領域７０ｂと、良品の選別や各種特性の測定などの動作測定時に外部の端子を接続するために用いられる検査用領域７０ｃとからなる領域を有している。
　・・・（中略）・・・　
【００５７】前記パッド６４と前記ボンディング用領域７０ａとの間には、これらを接続するワイヤ７４がボンディングされる。そして、ワイヤ７４がボンディングされた開口部６８付近には、ワイヤ７４及びチップ６２表面を覆い封止して保護するための絶縁膜７６、例えば、一般的にモールド樹脂が形成されている。さらに、配線７０の領域７０ｂには、外部のプリント基板などに接続するためのハンダや金（Ａｕ）などからなるバンプ７８が、前述したように、バンプ７８の存在しない検査用領域７０ｃが確保されるように形成されている。
【００５８】次に、チップ上に形成されている冗長回路について説明する。チップ６２上には、クロック信号のタイミングを調整するための信号を出力する冗長回路、この冗長回路を利用してクロック信号のタイミング調整を行う遅延回路、データを処理し出力する出力回路、外部から供給されるクロック信号から内部クロック信号を発生する内部クロック発生回路が形成されている。
【００５９】図６は、冗長回路とこの冗長回路の出力を利用してデータを処理する回路ブロックの構成を示す図である。チップ６２には、図６に示すように、ヒューズ回路８０と選択回路８２からなる冗長回路、内部クロック発生回路８４、遅延回路８６、出力回路８８が形成されている。ヒューズ回路８０は、ｎ（＝１，２，３，…，ｎ）個のヒューズを有し、このヒューズの切断の有無によりｎビットのレジスタ情報を選択回路８２に出力する。選択回路８２は、前記レジスタ情報を受け取り、このレジスタ情報に応じて遅延時間を選択するための選択信号を出力する。
【００６０】内部クロック発生回路８４は、外部からのクロック信号（外部クロック）を受け取り、この半導体回路内で用いる内部クロック信号ＣＬＫを発生する。遅延回路８６は、前記選択信号と内部クロック信号ＣＬＫを受け取り、選択信号に応じて内部クロック信号ＣＬＫの遅延時間を設定する。そして、内部クロック信号ＣＬＫを遅延し、タイミングを調整したクロック信号ＴＣＬＫを生成する。出力回路８８は、データＤＡとクロック信号ＴＣＬＫを受け取り、このクロック信号ＴＣＬＫのタイミングに合わせてデータＤＡを処理し、データＱＡを出力する。
【００６１】次に、前記回路ブロックの構成について説明する。図７は、ヒューズ回路８０の構成を示す回路図である。接地電圧ＧＮＤが供給される配線９２と、ｎ個の配線９４−１〜９４−ｎとの間には、ヒューズ９６−１〜９６−ｎがそれぞれ設けられている。ｎは１，２，３，…，ｎを示す。ｎ個の配線９４−１〜９４−ｎは、ｎ個のｎチャネルトランジスタＴＲ１の電流経路の一端にそれぞれ接続され、これらｎチャネルトランジスタＴＲ１の電流経路の他端はｐチャネルトランジスタＴＲ２の電流経路の一端に接続される。これらのｐチャネルトランジスタＴＲ２の電流経路の他端には電源電圧ＶDDが供給される。
　・・・（中略）・・・　
【００６３】なお、図５には接地電圧ＧＮＤが供給される配線９２、配線９４−１、９４−２、及びこれらの間に設けられたヒューズ９６−１、９６−２を示している。前記ヒューズ９６−１、９６−２は、配線パターンの幅を通常の配線幅より細いパターンとし、この細いパターン上の有機系基板７２を除去したものであり、状況に応じて前記細いパターンをレーザ等により切断できるようになっている。」
　　　　　
　ｄ）　「【００９２】このとき、パッケージの特性を測定した結果、プロセスのばらつきなどにより、例えばデバイスの出力時間がクロック信号ＴＣＬＫに対して遅いことがわかった場合、ヒューズ９６−１〜９６−ｎのうち、その結果に応じて予め切断するように設定されたヒューズを切断する。これにより、遅延回路８６における内部クロック信号ＣＬＫの遅延時間を調整でき、適正なクロック信号ＴＣＬＫに設定することができる。この結果、パッケージ実装時の特性を改善することができる。
【００９３】なお、前述のようにバンプ形成前に良品の選別や各種特性の測定を実施すれば、バンプ形成後の検査工程を省略できるため、検査工程によってバンプ７８が接触傷などのダメージを受けるのを低減できる。
【００９４】また、ウェハ状態でウェハ径と同じインターポーザを貼り付け、ワイヤを接続して樹脂封入する製造工程を経るパッケージでは、通常のウェハ評価手法と測定装置を用いて検査できるため、検査工程のスループットが上がり、かつ最終的な製品としてのデバイス特性も測定できる。
【００９５】なお、バンプ形成後に検査工程を実施する場合においても、測定専用に設けた検査用領域７０ｃを使用することにより、形成されたバンプ７８へのダメージを低減することができる。
【００９６】以上説明したようにこの第３の実施の形態によれば、外部接続用のバンプが形成される領域に損傷を与えずに、パッケージの信頼性を損なうことなく、パッケージのデバイス特性を容易に測定することができる。さらに、パッケージの最終的な特性を測定した結果に応じて、冗長回路により特性を調整できるのでパッケージの歩留まりを向上させることができる。
【００９７】なお、この第３の実施の形態では、チップのセンター付近に、半導体回路の端子であるパッドを配置したセンタパッドデバイスを例に取り説明したが、これに限るわけではなく、チップの周辺付近にパッドを配置したデバイスにも本発明を適用することが可能である。また、第１の実施の形態に対して、前記冗長回路を付加してもよい。冗長回路を付加すれば、測定した結果に応じて、冗長回路により特性を調整できるので第１の実施の形態のパッケージの歩留まりを向上させることができる。」
　　　　　
　上記の記載事項及び図面の記載を総合すると、引用例１には次の発明（以下「引用発明」という。）が実質的に記載されていると認められる。
　「半導体回路が形成されたチップ６２のセンター付近には、半導体回路の端子であるパッド６４が配置され、
　チップ６２上には、有機系基板６６が形成されており、さらに、有機系基板６６上には、配線７０が形成され、この配線７０は、パッド６４の近傍に、ワイヤをボンディングするためのボンディング用領域７０ａを有し、さらにチップ６２の周辺側に、バンプを形成するための領域７０ｂを有し、
　パッド６４と前記ボンディング用領域７０ａとの間には、これらを接続するワイヤ７４がボンディングされ、
　配線７０の領域７０ｂには、バンプ７８が形成され、
　チップ６２には、ヒューズ回路８０と選択回路８２からなる冗長回路、内部クロック発生回路８４、遅延回路８６、出力回路８８が形成され、
　ヒューズ回路８０は、ｎ（＝１，２，３，…，ｎ）個のヒューズを有し、このヒューズの切断の有無によりｎビットのレジスタ情報を選択回路８２に出力し、
　選択回路８２は、前記レジスタ情報を受け取り、このレジスタ情報に応じて遅延時間を選択するための選択信号を出力し、
　遅延回路８６は、前記選択信号と内部クロック信号ＣＬＫを受け取り、選択信号に応じて内部クロック信号ＣＬＫの遅延時間を設定し、タイミングを調整したクロック信号ＴＣＬＫを生成し、
　ヒューズ９６−１、９６−２は、配線パターンの幅を通常の配線幅より細いパターンとした、半導体装置。」
　　　　　
３．対比
　本願発明と引用発明とを対比する。
　引用発明の「ワイヤ７４」は、本願発明の「接続導体」に相当する。
　以下、同様に「パッド６４」は「接触領域」に、「チップ６２」は「半導体ボディ」に、「バンプ７８」は「接触バンプ」に、「有機系基板６６」は「絶縁基板」に、「選択回路８２」及び「遅延回路８６」を構成するものは「電子部品」に、それぞれ相当する。
　引用発明の「チップ６２」は、内部に半導体回路が形成されているから、引用発明は本願発明の「半導体要素が設けられた半導体ボディ」を備えた「半導体装置」の構成を備えているといえる。
　引用発明では、ヒューズを備えたヒューズ回路８０と選択回路８２からなる冗長回路により遅延回路８６は遅延時間を設定し、タイミングを調整したクロック信号ＴＣＬＫを出力するから、引用発明は本願発明の「電子部品の特性は前記ヒューズによって調節される」の構成を備えているといえる。
　引用発明では、有機系基板６６上に配線７０が形成され、配線７０の領域７０ｂにバンプ７８が形成されているから、引用発明は有機系基板６６上に配線及びバンプが設けられているといえる。
　引用発明では、ヒューズ９６−１、９６−２は配線パターンの幅を通常幅より細いパターンとしたものであって、この配線パターンの配線は有機系基板６６上に形成されたものであるから、ヒューズは有機系基板６６上の配線に形成されているといえ、したがって引用発明は本願発明の「ヒューズは絶縁基板上に形成」の構成を備えているといえる。
　　　　　
　以上のことから、本願発明と引用発明とは次の点で一致する。
　「接続導体が設けられた１つまたはそれ以上の接触領域を有する１つまたはそれ以上の半導体要素が設けられた半導体ボディを備え、
　接触バンプが設けられた半導体装置であって、
　当該半導体装置には、１つまたはそれ以上のヒューズと電子部品とが設けられており、該電子部品の特性は前記ヒューズによって調節されることができ、該電子部品は半導体ボディの部分を形成し、前記ヒューズは絶縁基板上に形成されている半導体装置。」
　　　　　
　一方で、両者は次の点で相違する。
［相違点１］
　絶縁基板と導体パターンに関して、本願発明では「半導体ボディは第１の導体パターンが設けられた絶縁基板の一方の面に取り付けられ、第１の導体パターンには接続導体が接続されており、第１の導体パターンは絶縁基板の他方の面に配置された第２の導体パターンに電気的に接続され、第２の導体パターンには接触バンプが設けられ」ているのに対して、引用発明では有機系基板６６上に配線及びバンプが設けられている点。
　　　　　
［相違点２］
　ヒューズの形成に関して、本願発明では「ヒューズは絶縁基板上の第２の導体パターン」に形成されているのに対して、引用発明ではヒューズは有機系基板６６上の配線に形成されている点。
　　　　　
４．判断
　上記相違点について検討する。
［相違点１］について
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願優先日前に頒布された刊行物である特開平１１−１６３２１７号公報（以下「引用例２」という。特に段落【０００７】〜【００１１】及び図２を参照。）には、回路基板５（本願発明の「絶縁基板」に相当。）の半導体チップ１０（本願発明の「半導体ボディ」に相当。）を搭載する面にボンディングワイヤ２０（本願発明の「接続導体」に相当。）がボンディングされるボンディングパッド２２（本願発明の「第１の導体パターン」に相当。）を設け、外部接続端子１２（本願発明の「接触バンプ」に相当。）を接合する面にランド２４（本願発明の「第２の導体パターン」に相当。）が設けられており、また、ボンディングパッド２２とランド２４とは、回路基板５の一方の面と他方の面に形成され、ビア１８（本願発明の第１の導体パターンと第２の導体パターンとを「電気的に接続」するものに相当。）により接続されたものが記載されている。
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願優先日前に頒布された刊行物である特開平１１−１５４７１７号公報（以下「引用例３」という。特に段落【０００６】、【００６０】〜【００６５】及び図１を参照。）には、半導体チップ２９（本願発明の「半導体ボディ」に相当。）は、樹脂基板１１（本願発明の「絶縁基板」に相当。）の上面側に設けられ、接続電極１９（本願発明の「第１の導体パターン」に相当。）とボンディングワイヤ３１（本願発明の「接続導体」に相当。）で電気的に接続されており、また、樹脂基板１１の下面側のパッド電極２１（本願発明の「第２の導体パターン」に相当。）に半田バンプ３５（本願発明の「接触バンプ」に相当。）を有しており、接続電極１９とパッド電極２１とはスルーホール１３（本願発明の第１の導体パターンと第２の導体パターンとを「電気的に接続」するものに相当。）を介して電気的に接続されたものが記載されている。
　その他にも、例えば本願優先日前に頒布された刊行物である特開平７−２８３３３６号公報（特に図５を参照。）には、従来の技術として、チップ（本願発明の「半導体ボディ」に相当。）が絶縁性基材（本願発明の「絶縁基板」に相当。）に搭載され、チップと上方ボンディング面のワイヤボンドパッド（本願発明の「第１の導体パターン」に相当。）とがワイヤ（本願発明の「接続導体」に相当。）により接続され、下方はんだ付け面（本願発明の「第２の導体パターン」に相当。）には、はんだパッド（本願発明の「接触バンプ」に相当。）が設けられたものが記載されており、また、同じく本願優先日前に頒布された刊行物である米国特許第５２１６２７８号明細書（特にＦＩＧ．１〜３を参照。）には、electronic component 18（本願発明の「半導体ボディ」に相当。）が carrier substrate 12（本願発明の「絶縁基板」に相当。）に設けられており、bonding pads 28 と first wiring layer 30 （本願発明の「第１の導体パターン」に相当。）とが electrical connections 22（本願発明の「接続導体」に相当。）により接続されており、second wiring layer 33 （本願発明の「第２の導体パターン」に相当。）に solder balls 26（本願発明の「接触バンプ」に相当。）を設けたものが記載されている。
　このように、「半導体ボディは第１の導体パターンが設けられた絶縁基板の一方の面に取り付けられ、第１の導体パターンには接続導体が接続されており、第１の導体パターンは絶縁基板の他方の面に配置された第２の導体パターンに電気的に接続され、第２の導体パターンには接触バンプが設けられ」たものは、本願優先日前に周知の技術である。
　そして、半導体チップを基板に搭載するに際して、引用発明のようなセンタパッドデバイスと前記の周知の技術とが互いに置き換えられることは、例えば前記の特開平７−２８３３３６号公報（図１、２が引用発明のセンタパッドデバイスに、図５が前記周知の技術に対応。）、本願優先日前に頒布された刊行物である特開平８−１４８５２６号公報（図４が引用発明のセンタパッドデバイスに、図６及び段落【０００５】〜【０００９】に記載の前記米国特許第５２１６２７８号明細書記載のものが前記周知の技術に対応。）、及び、本願優先日前に頒布された刊行物である特開平１０−１２７６５号公報（図８〜１３が引用発明のセンタパッドデバイスに、図１（Ｂ）が前記周知の技術に対応。）の記載からも理解されるように、当業者であれば明らかな事項であるところ、引用例１の段落【００９７】（引用例１の前記の記載事項ｄを参照。）には、センタパッドデバイスに限るわけではなく、チップの周辺にパッドを配置したデバイスにも適用することが可能である旨が記載されているから、引用発明を前記周知の技術に適用することにより、本願発明の上記相違点１に係る構成とすることは、当業者が容易になし得たものといえる。
　　　　　
［相違点２］について
　引用例１の段落【００９６】（引用例１の前記の記載事項ｄを参照。）には、パッケージの最終的な特性を測定した結果に応じて、冗長回路により特性を調整できる旨が記載されているところ、このようにパッケージの特性を調整するためには、ヒューズはパッケージにおける樹脂で覆われない場所に設けられている必要がある。
　一方、前記の周知の技術では、基板のチップ側は樹脂封止されるから（例えば引用例２の図１及び引用例３の図１を参照。）、引用発明を前記周知の技術に適用した場合において、ヒューズを設けるに際して、その場所を基板のチップとは反対側とすることは当業者であれば適宜行う設計事項であるといえる。
　したがって、引用発明において、前記の「［相違点１］について」で記載したように引用発明を前記周知の技術に適用した際に、ヒューズをチップとは反対側に設けることにより結果的に「ヒューズは前記絶縁基板上の前記第２の導体パターン」に形成することは、適宜行う設計事項である。
　　　　　　
　そして、本願発明により得られる作用効果も、引用発明及び周知の技術から当業者であれば予測できる程度のものであって、格別のものとはいえない。 
　以上のことから、本願発明は、引用発明及び周知の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。  
　　　　　
５．むすび  
　以上のとおり、本願発明（請求項１に係る発明）は、引用発明及び周知の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、他の請求項に係る発明については検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。 
　よって、原査定は妥当であり、結論のとおり審決する。