【事件の表示】
　特願２００５−３５５６８３「半導体装置の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１９年　６月２８日出願公開，特開２００７−１６５３５０〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成１７年１２月９日の出願であって，平成２２年１２月２０日付けで拒絶の理由が通知され，平成２３年２月２５日に意見書と手続補正書が提出され，同年１０月１２日付けで拒絶査定がなされ，平成２４年１月１８日に前記拒絶査定に対する不服審判が請求されるとともに手続補正書が提出され，同年５月２８日付けで審尋がおこなわれ，同年７月２４日に前記審尋に対する回答書が提出されたものである。
　
第２　補正の却下の決定
　
［補正の却下の決定の結論］
　平成２４年１月１８日に提出された手続補正書による補正を却下する。
　
［理　由］
１　補正の内容
　平成２４年１月１８日に提出された手続補正書による補正（以下「本件補正」という。）は，補正前の特許請求の範囲の請求項１−１０を補正して，補正後の請求項１−１０とするとともに明細書を補正するものであり，補正前後の請求項１は，各々次のとおりである。
　
（補正前）
　「半導体基板上に，下部電極と，前記下部電極上に形成された強誘電体膜と，前記強誘電体膜上に形成された上部電極とを有する強誘電体キャパシタを形成する工程と，
　前記半導体基板上及び前記強誘電体キャパシタ上に，第１の絶縁膜を形成する工程と，
　前記第１の絶縁膜上に第１の配線を形成する工程と，
　前記第１の絶縁膜上及び前記第１の配線上に，水素又は水分の拡散を防止する第１のバリア膜を形成する工程と，
　前記第１のバリア膜上に，第２の絶縁膜を形成する工程と，
　前記第２の絶縁膜の表面を平坦化する工程と，
　熱処理炉を用いて熱処理を行うことにより，前記第２の絶縁膜中から水分を除去する工程と，
　Ｎ２Ｏガス又はＮ２ガスを用いて生成されたプラズマ雰囲気中にて熱処理を行うことにより，前記第２の絶縁膜中から水分を除去するとともに，前記第２の絶縁膜の表面を窒化する工程と，
　前記第２の絶縁膜上に，水素又は水分の拡散を防止する平坦な第２のバリア膜を形成する工程と，
　前記第２のバリア膜，前記第２の絶縁膜及び前記第１のバリア膜に，前記第１の配線に達する第１のコンタクトホールを形成する工程と，
　前記第１のコンタクトホール内に第１の導体プラグを埋め込む工程と
　を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。」
　
（補正後）
　「半導体基板上に，下部電極と，前記下部電極上に形成された強誘電体膜と，前記強誘電体膜上に形成された上部電極とを有する強誘電体キャパシタを形成する工程と，
　前記半導体基板上及び前記強誘電体キャパシタ上に，第１の絶縁膜を形成する工程と，
　前記第１の絶縁膜上に第１の配線を形成する工程と，
　前記第１の絶縁膜上及び前記第１の配線上に，水素又は水分の拡散を防止する第１のバリア膜を，前記第１の配線に接するように形成する工程と，
　前記第１のバリア膜上に，第２の絶縁膜を，前記第１のバリア膜に接するように形成する工程と，
　前記第２の絶縁膜の表面を平坦化する工程と，
　熱処理炉を用いて熱処理を行うことにより，前記第２の絶縁膜中から水分を除去する工程と，
　Ｎ２Ｏガス又はＮ２ガスを用いて生成されたプラズマ雰囲気中にて熱処理を行うことにより，前記第２の絶縁膜中から水分を除去するとともに，前記第２の絶縁膜の表面を窒化する工程と，
　前記第２の絶縁膜上に，水素又は水分の拡散を防止する平坦な第２のバリア膜を形成する工程と，
　前記第２のバリア膜，前記第２の絶縁膜及び前記第１のバリア膜に，前記第１の配線に達する第１のコンタクトホールを形成する工程と，
　前記第１のコンタクトホール内に第１の導体プラグを埋め込む工程と
　を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。」
　
２　補正事項の整理
　本件補正の補正事項を整理すると次のとおりである。
　
（１）補正事項１
　補正前の請求項１の「前記第１の絶縁膜上及び前記第１の配線上に，水素又は水分の拡散を防止する第１のバリア膜を形成する工程」，「前記第１のバリア膜上に，第２の絶縁膜を形成する工程」を，それぞれ「前記第１の絶縁膜上及び前記第１の配線上に，水素又は水分の拡散を防止する第１のバリア膜を，前記第１の配線に接するように形成する工程」，「前記第１のバリア膜上に，第２の絶縁膜を，前記第１のバリア膜に接するように形成する工程」として，補正後の請求項１にすること。
　
（２）補正事項２
　補正前の明細書の【００１０】を補正して，補正後の【００１０】にすること。
　
３　新規事項追加の有無，及び，補正の目的の適否についての検討
（１）補正事項１について
　補正事項１により補正された部分は，本願の願書に最初に添付した明細書（以下「当初明細書」という。また，本願の願書に最初に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面を「当初明細書等」という。）等に記載されているものと認められるから，補正事項１は，当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものである。
　したがって，補正事項１は，当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものであるから，特許法第１７条の２第３項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項をいう。以下同じ。）に規定する要件を満たす。
　また，補正事項１は，補正前の請求項１に係る発明における，「第１の配線」と「第１のバリア膜」，及び，「第１のバリア膜」と「第２の絶縁膜」との位置関係について，それぞれ「接するように形成」するものに限定しようとするものであるから，特許法第１７条の２第４項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項をいう。以下同じ。）第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　したがって，補正事項１は，特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たす。
　
（２）補正事項２について
　補正事項２は，補正事項１と整合するように明細書の記載を修正するものであるから，特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすことは明らかである。
　
（３）新規事項追加の有無，及び，補正の目的の適否についてのまとめ
　以上検討したとおりであるから，本件補正は，特許法第１７条の２第３項及び第４項に規定する要件を満たすものである。
　そして，本件補正は，特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の範囲の減縮を目的とする補正を含むものであるから，本件補正による補正後の特許請求の範囲に記載されている事項により特定される発明が，特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否か，すなわち，本件補正がいわゆる独立特許要件を満たすものであるか否かについて，以下において更に検討する。
　
４　独立特許要件についての検討
（１）補正後の発明
　本件補正による補正後の請求項１−１０に係る発明は，本件補正により補正された明細書，特許請求の範囲及び図面の記載からみて，その特許請求の範囲の請求項１−１０に記載されている事項により特定されるとおりのものであり，そのうちの請求項１に係る発明（以下「本願補正発明１」という。）は，請求項１に記載されている事項により特定される上記「第２　１　補正の内容」の「（補正後）」の箇所に記載したとおりのものであり，再掲すると次のとおりである。
　
「半導体基板上に，下部電極と，前記下部電極上に形成された強誘電体膜と，前記強誘電体膜上に形成された上部電極とを有する強誘電体キャパシタを形成する工程と，
　前記半導体基板上及び前記強誘電体キャパシタ上に，第１の絶縁膜を形成する工程と，
　前記第１の絶縁膜上に第１の配線を形成する工程と，
　前記第１の絶縁膜上及び前記第１の配線上に，水素又は水分の拡散を防止する第１のバリア膜を，前記第１の配線に接するように形成する工程と，
　前記第１のバリア膜上に，第２の絶縁膜を，前記第１のバリア膜に接するように形成する工程と，
　前記第２の絶縁膜の表面を平坦化する工程と，
　熱処理炉を用いて熱処理を行うことにより，前記第２の絶縁膜中から水分を除去する工程と，
　Ｎ２Ｏガス又はＮ２ガスを用いて生成されたプラズマ雰囲気中にて熱処理を行うことにより，前記第２の絶縁膜中から水分を除去するとともに，前記第２の絶縁膜の表面を窒化する工程と，
　前記第２の絶縁膜上に，水素又は水分の拡散を防止する平坦な第２のバリア膜を形成する工程と，
　前記第２のバリア膜，前記第２の絶縁膜及び前記第１のバリア膜に，前記第１の配線に達する第１のコンタクトホールを形成する工程と，
　前記第１のコンタクトホール内に第１の導体プラグを埋め込む工程と
　を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。」
　
（２）引用例とその記載事項，及び，引用発明
　原査定の拒絶の理由に引用され，本願の出願前に頒布された刊行物である下記の引用例１−４には，次の事項が記載されている。（なお，下線は，当合議体において付したものである。以下同じ。）
　
ア　引用例１：国際公開第２００４／０９５５７８号
（１ａ）「（第２の実施形態）
　次に，
本発明の第２の実施形態について説明
半導体装置の構造については，その製造方法と共に説明
　第２の実施形態では，第１の実施形態と同様にして，半導体素子（図示せず）等を半導体基板（図示せず）上に形成した後，図３Ａに示すように，
半導体基板の上方に層間絶縁膜３１を形成
　次に，
層間絶縁膜３１上に，下部電極の原料膜（下部電極膜），強誘電体膜及び上部電極の原料膜（上部電極膜）を順次堆積し，上部電極膜及び強誘電体膜をパターニングすることにより，上部電極３４及び強誘電体容量絶縁膜３３を形成する。次いで，全面にアルミナ膜３５を形成し，アルミナ膜３５及び下部電極膜をパターニングすることにより，下部電極３２を形成
全面にアルミナ膜３６を形成
　その後，
全面に層間絶縁膜３７を形成
層間絶縁膜３７，アルミナ膜３６及び層間絶縁膜３１に，コンタクトホールを形成
コンタクトホール内にＷプラグ３８を埋め込む
眉間絶縁膜３７，アルミナ膜３６及びアルミナ膜３５に，夫々上部電極３４及び下部電極３２まで達するコンタクトホールを形成
層間絶縁膜３７上に，上部電極３４に接続されるＡｌ配線３９，下部電極３２に接続されるＡｌ配線４０，Ｗプラグ３８に接続されるＡｌ配線４１を形成
アルミナ膜４２を形成
その上に層間絶縁膜４３を形成
　次に，
層間絶縁膜４３及びアルミナ膜４２にＡｌ配線４１等まで達するコンタクトホールを形成
このコンククトホール内にＷプラグ４４を埋め込む
層間絶縁膜４３上にＡｌ配線４５を形成
　その後，図３Ｂに示すように，
プラズマＣＶＤ法により，ＴＥＯＳを原料として厚さが２．２μｍ程度のＳｉＯ
２
膜４６を形成
ＣＭＰによりＳｉＯ
２
膜４６を１．０μｍ程度の厚さになるまで研磨して平坦化
Ｎ
２
Ｏを用いたプラズマ処理をＳｉＯ
２
膜４６に対して施すことにより，ＳｉＯ
２
膜４６中に存在する水分を低減する
　続いて，図３Ｃに示すように，
全面にプラズマＣＶＤ法により，ＴＥＯＳを原料として厚さが１００ｎｍ程度のＳｉＯ
２
膜４７を形成
Ｎ
２
Ｏを用いたプラズマ処理をＳｉＯ
２
膜４７に対して施すことにより，ＳｉＯ
２
膜４７中に存在する水分を低減
ＳｉＯ
２
膜４７の上に水分進入防止膜としてアルミナ膜４８を形成
その上にプラズマＣＶＤ法により，ＴＥＯＳを原料として厚さが１００ｎｍ程度のＳｉＯ
２
膜４９を形成
Ｎ
２
Ｏを用いたプラズマ処理をＳｉＯ
２
膜４９に対して施すことにより，ＳｉＯ
２
膜４９中に存在する水分を低減
Ａｌ配線４５まで達するコンタクトホールを形成
このコンタクトホール内にＷプラグ５０を埋め込む
　但し，
ＳｉＯ
２
膜４６をＨＤＰ（高密度プラズマ）ＣＶＤ法により形成し，ＳｉＯ
２
膜４６中にボイド（す）が発生していない場合には，ＣＭＰによる平坦化の後に，必要に応じてＮ
２
Ｏプラズマ処理を行い，ＳｉＯ
２
膜４７を形成することなくＳｉＯ
２
膜４６上に直接アルミナ膜４８を形成してもよい
　次いで，図３Ｄに示すように，ＳｉＯ２膜４９上にＡｌ配線５１を形成する。このとき，図３Ｅに示すように，Ａｌ配線５１と同じ層にワイヤボンディング用のパッド５４も形成する。即ち，ＳｉＯ２膜４９上にＡｌ膜を形成し，これをパターニングすることにより，Ａｌ配線５１及びパッド５４を同じＡｌ膜から形成する。
　その後，図３Ｄ及び図３Ｅに示すように，全面にパッシベーション膜として，高密度プラズマＳｉＯ２膜５２及びＳｉ３Ｎ４膜５３を順次形成する。そして，パッド５４の一部を露出する開口部を高密度プラズマＳｉＯ２膜５２及びＳｉ３Ｎ４膜５３に形成する。
　
このような第２の実施形態によれば，より確実に水分の半導体素子（強誘電体キャパシタ等）への進入を防止することができる
　また，
第２の実施形態で水分進入防止膜として用いているアルミナ膜４８は，水素の拡散を防止する作用をも奏する
　
イ　引用発明
　以上の記載から，引用例１には，引用例１に記載された発明の「第２の実施形態」として，以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　
「（ア）半導体基板の上方に層間絶縁膜３１を形成する工程と，
（イ）層間絶縁膜３１上に，下部電極の原料膜（下部電極膜），強誘電体膜及び上部電極の原料膜（上部電極膜）を順次堆積し，上部電極膜及び強誘電体膜をパターニングすることにより，上部電極３４及び強誘電体容量絶縁膜３３を形成し，全面にアルミナ膜３５を形成し，アルミナ膜３５及び下部電極膜をパターニングすることにより下部電極３２を形成する工程と，
（ウ）全面にアルミナ膜３６を形成する工程と，
（エ）全面に層間絶縁膜３７を形成する工程と，
（オ）層間絶縁膜３７，アルミナ膜３６及び層間絶縁膜３１に，コンタクトホールを形成する工程と，
（カ）このコンタクトホール内にＷプラグ３８を埋め込む工程と，
（キ）眉間絶縁膜３７，アルミナ膜３６及びアルミナ膜３５に，夫々上部電極３４及び下部電極３２まで達するコンタクトホールを形成する工程と，
（ク）層間絶縁膜３７上に，上部電極３４に接続されるＡｌ配線３９，下部電極３２に接続されるＡｌ配線４０，Ｗプラグ３８に接続されるＡｌ配線４１を形成する工程と，
（ケ）全面に，アルミナ膜４２を形成する工程と，
（コ）その上に層間絶縁膜４３を形成する工程と，
（サ）層間絶縁膜４３及びアルミナ膜４２にＡｌ配線４１等まで達するコンタクトホールを形成する工程と，
（シ）このコンククトホール内にＷプラグ４４を埋め込む工程と，
（ス）層間絶縁膜４３上にＡｌ配線４５を形成する工程と，
（セ）プラズマＣＶＤ法により，ＴＥＯＳを原料として厚さが２．２μｍ程度のＳｉＯ２膜４６を形成する工程と，
（ソ）ＣＭＰによりＳｉＯ２膜４６を１．０μｍ程度の厚さになるまで研磨して平坦化する工程と，
（タ）Ｎ２Ｏを用いたプラズマ処理をＳｉＯ２膜４６に対して施すことにより，ＳｉＯ２膜４６中に存在する水分を低減する工程と，
（チ）全面にプラズマＣＶＤ法により，ＴＥＯＳを原料として厚さが１００ｎｍ程度のＳｉＯ２膜４７を形成する工程と，
（ツ）Ｎ２Ｏを用いたプラズマ処理をＳｉＯ２膜４７に対して施すことにより，ＳｉＯ２膜４７中に存在する水分を低減する工程と，
（テ）ＳｉＯ２膜４７の上に水分進入防止膜としてアルミナ膜４８を形成する工程と，
（ト）その上にプラズマＣＶＤ法により，ＴＥＯＳを原料として厚さが１００ｎｍ程度のＳｉＯ２膜４９を形成する工程と，
（ナ）Ｎ２Ｏを用いたプラズマ処理をＳｉＯ２膜４９に対して施すことにより，ＳｉＯ２膜４９中に存在する水分を低減する工程と，
（ニ）Ａｌ配線４５まで達するコンタクトホールを形成する工程と，
（ヌ）このコンタクトホール内にＷプラグ５０を埋め込む工程と，
　を有する半導体装置の製造方法において，
（ネ）前記ＳｉＯ２膜４６をＨＤＰ（高密度プラズマ）ＣＶＤ法により形成し，ＳｉＯ２膜４６中にボイド（す）が発生していない場合には，前記ＣＭＰによる平坦化の後に，必要に応じてＮ２Ｏプラズマ処理を行い，前記ＳｉＯ２膜４７を形成することなく前記ＳｉＯ２膜４６上に直接前記アルミナ膜４８を形成してもよいとする，より確実に水分の半導体素子（強誘電体キャパシタ等）への進入を防止することができる半導体装置の製造方法。」
　
ウ　引用例２：国際公開第２００５／１０６９５７号
（２ａ）「このような第４の実施形態では，
強誘電体キャパシタ１の近傍にアルミナ膜４１を形成
例え外部から水分等が侵入してきたとしても，強誘電体膜１ｂまで到達する前にその拡散を抑制することができる
　
エ　引用例３：特開２００２−１７６１４９号公報
（３ａ）「【請求項１】　半導体基板上に誘電体膜を含む誘電体キャパシタが形成され，上記誘電体キャパシタの上方に層間絶縁膜および金属配線が単層または多層で形成されてなる半導体記憶素子において，
　上記
層間絶縁膜
金属配線の
上面
底面
が水素拡散バリア膜で被覆
　
（３ｂ）「【請求項４】　請求項１に記載の半導体記憶素子において，
　
Ａｌの酸化物
水素拡散バリア膜に用いた
　
（３ｃ）「
層間絶縁膜は
膜中に水素や多量の水分を含んでおり
熱処理工程で，水素が脱離したり，水分が脱離したりする
脱離した水分は，アルミニュウム配線まで拡散するとアルミニュウム配線は容易に酸化され，この酸化過程で多量の水素が発生する
　
（３ｄ）「
この発明の半導体記憶素子では
層間絶縁膜
金属配線の
上面
底面
が
水素拡散バリア膜で被覆
水素拡散バリア膜によって，層間絶縁膜や金属配線を形成する工程で発生する水素が上記誘電体キャパシタに浸入することを防げる
　
（３ｅ）「その後，ＤＣマグネトロンスパッタリング法により，膜厚７００ｎｍの
Ａｌ膜を形成し
Ａｌおよび拡散バリアを加工し
第一金属配線９２が形成される
　次に，第１の実施形態と同様に，
スパッタリング法で拡散バリア膜９３を形成
第三層間絶縁膜９４を形成
拡散バリア膜９５を形成
　
オ　引用例４：特開２００４−２３０８６号公報
（４ａ）「この
ＣＭＰ法による平坦化の際に使用されるスラリー中の水分や，その後の洗浄時に使用される洗浄液中の水分は，第１層間絶縁膜１０表面に付着したりその内部に吸収される
　そこで，
加熱炉（ファーネス）内にシリコン基板１を入れる
　その後，シリコン基板１を加熱炉からプラズマ装置に搬送する。
　そして，図３(a) に示すように，
N
2
O をプラズマ化した雰囲気中で第１層間絶縁膜１０をアニールしてさらに脱ガスする
N
2
O プラズマ処理によれば，第１層間絶縁膜１０内で深く窒素が含まれる
　
（４ｂ）「これにより，第１の層間絶縁膜１０の上には，下部電極１２ａ，誘電体膜１３ａ，上部電極１４ａからなるキャパシタＱが形成されることになる。
　次に，図５(b) に示すように，エンキャップ層１５，キャパシタＱ及び第１層間絶縁膜１０の上に，第２層間絶縁膜１７として膜厚１５００ｎｍ程度のSiO2膜を形成する。第２層間絶縁膜１７の成長は，例えばシラン（SiH4）を用いてＣＶＤ法により形成してもよいし，ＴＥＯＳを用いてプラズマＣＶＤ法により形成してもよい。
　続いて，
ＣＭＰにより第２層間絶縁膜１７の表面を平坦化
ＣＭＰ法による平坦化の際に使用されるスラリー中の水分や，その後の洗浄時に使用される洗浄液中の水分は，第２層間絶縁膜１７表面に付着したりその内部に吸収される
　
そこで，N
2
が導入された加熱炉内で第２層間絶縁膜１７をアニールすることにより，その表面及び内部の水を外部に放出させる
このような脱水処理の後に，図６(a) に示すように，第２の層間絶縁膜１５をN
2
O プラズマに曝して脱水とともに膜質を改善する
これにより，後の工程での加熱と水によるキャパシタＱの劣化が防止される
　
（４ｃ）「
上記した実施形態では，N
2
が導入された加熱炉内で層間絶縁膜１０をアニールした後に，その層間絶縁膜１０をN
2
O プラズマに曝すという２つの工程によって，層間絶縁膜１０を脱水処理している
　次に，脱水処理の効果についての実験結果を示す。
　まず，ＣＶＤ法によりシリコン酸化膜が上に形成されたシリコン基板を複数枚用意する。
　そして，
アニール及びプラズマ処理の双方が施されないシリコン酸化膜を有するシリコン基板を第１の試料
N
2
Oプラズマに曝されただけのシリコン酸化膜を有するシリコン基板を第３の試料
N
2
が導入された加熱炉内でアニールされた後にN
2
O プラズマに曝されたシリコン酸化膜を有するシリコン基板を第５の試料
　N2が導入された加熱炉内でのアニール条件は，第２の試料，第４の試料，第５の試料ともに同じであり，６５０℃で常圧にした。また，N2O プラズマに曝す条件は，第３の試料，第４の試料，第５の試料ともに同じであり，上記した第１層間絶縁膜１０への条件と同じにした。
　そして，
第１〜第５の試料に対して昇温脱離ガス分析（ＴＤＳ）法によりシリコン酸化膜からの脱水量を調べた
　図９によれば，
第１の試料においてN
2
アニール処理，N
2
O プラズマ処理の双方とも施されないシリコン酸化膜からの脱ガス量が最も多かった
　また，第２の試料においてN2アニール処理だけが施されたシリコン酸化膜は脱水量が減ったものの，第１の試料に比べてピーク値で１／４程度減ったに過ぎない。
　
第３の試料においてN
2
O プラズマ処理だけが施されたシリコン酸化膜は，第１の試料に比べて脱水量がピーク値で３／４程度減っていて効果が大きかった
　第４の試料においてN2O プラズマ処理後にN2アニール処理が施されたシリコン酸化膜は，脱水量が第３の試料と同じ程度になっていた。
　ところが，第４の試料について行われたN2O プラズマ処理とN2アニール処理との処理の順を逆にした
第５の試料では，シリコン酸化膜からの脱水量が第１の試料に比べてピーク値が約１／９となり，第３及び第４の試料に比べて半分以下になった
　なお，特に図示しないが，N2O プラズマ処理だけがなされたシリコン酸化膜からのＴＤＳ分析による脱水量は，N2アニールプラズマ処理されたシリコン酸化膜からの脱水量よりも少なくなっている。
　
以上のことから，第５の試料のシリコン酸化膜に施された処理によって，シリコン酸化膜からの脱水量を最も少なくすることができることがわかる
N
2
アニール処理後にN
2
O プラズマ処理を施すことがシリコン酸化膜から出る水分の量が最も少なくすることを示している
　
（３）本願補正発明１と引用発明との対比
ア　引用発明の「下部電極３２」，「強誘電体容量絶縁膜３３」及び「上部電極３４」は，それぞれ，本願補正発明１の「下部電極」，「下部電極上に形成された強誘電体膜」及び「強誘電体膜上に形成された上部電極」に相当する。そうすると，引用発明の「下部電極３２」，「強誘電体容量絶縁膜３３」及び「上部電極３４」は，本願補正発明１の「強誘電体キャパシタ」に相当する素子を構成しているものと認められる。
　
イ　一方，引用発明は，半導体基板の上方に層間絶縁膜３１を形成し，次いで，前記層間絶縁膜３１上に，下部電極の原料膜を堆積することから，引用発明の「強誘電体キャパシタ」は，「半導体基板の上方に位置する層間絶縁膜３１上に」形成されているといえるところ，本願補正発明１の強誘電体キャパシタは，「半導体基板上に」形成されると特定されている。
　
ウ　ところで，一般に，「○○上に□□を形成する」と記載されている場合に，前記「上に」という用語を用いて規定することによって特定しようとする意味内容としては，（ａ）□□の位置が，単に○○の位置に比べて高いという状態，すなわち，□□と○○との間に他の部材の介在を許容する構造を意味している場合と，（ｂ）□□が○○の表面に位置するという状態，すなわち，□□と○○とが接していることを要する構造を意味している場合の，二種類の場合があることは周知の事項である。
　
エ　そこで，本願補正発明１において用いられている前記「上に」という用語が，前記二種類の内のいずれの意味内容を備えたものであるかについて検討する。
　
オ　本願補正発明１は，以下の発明特定事項を備えた発明である。
（ａ）「半導体基板上に」「強誘電体キャパシタを形成する」
（ｂ）「半導体基板上及び前記強誘電体キャパシタ上に」「第１の絶縁膜を形成する」
（ｃ）「第１のバリア膜に接するように形成」された「第２の絶縁膜上に」「平坦な第２のバリア膜を形成する」
　
カ　一方，本願の明細書の【００３６】以降，及び，本願の図３−図１７には，本発明の一実施形態として，以下の構成を備えた半導体装置の製造方法が説明されている。
（ａ−１）半導体基板１０上に，ＳｉＯＮ膜２５とシリコン酸化膜２６及びシリコン酸化膜３４を順次積層し，その上に強誘電体キャパシタ４２の下部電極３６を形成する。
（ｂ−１）強誘電体キャパシタ４２を形成した後に，強誘電体膜３８及び上部電極４０の上面及び側面を覆うようにバリア膜４４を形成し，バリア膜４４により覆われた強誘電体キャパシタ４２上及びシリコン酸化膜３４上にバリア膜４６を形成し，前記バリア膜４６上にシリコン酸化膜よりなる層間絶縁膜４８を形成する。
（ｃ−１）バリア膜５８に接するように形成されたシリコン酸化膜６０上に，シリコン酸化膜６１を形成し，前記シリコン酸化膜６１上にバリア膜６２を形成する。
　
キ　そうすると，本願補正発明１の一実施形態である半導体装置の製造方法の説明において，本願補正発明１の「上に」の具体的な態様として，前記「上に」の前後に記載された各部材の間に，他の部材を介在させた構成（例えば，「半導体基板上に」，「ＳｉＯＮ膜２５」，「シリコン酸化膜２６」及び「シリコン酸化膜３４」を介して，「強誘電体キャパシタを形成する」構成）が示されていることが認められるから，本願補正発明１における前記「上に」という用語は，上記（ａ）の「□□の位置が，単に○○の位置に比べて高いという状態，すなわち，□□と○○との間に他の部材の介在を許容する構造」という意味内容を備えたものであると解することが相当といえる。
　
ク　してみれば，引用発明の，「強誘電体キャパシタ」が「半導体基板の上方に位置する層間絶縁膜３１上に」形成されている構成は，本願補正発明１の，強誘電体キャパシタが「半導体基板上に」形成されるとする構成に相当するものといえるから，本願補正発明１と引用発明とは，いずれも「半導体基板上に，下部電極と，前記下部電極上に形成された強誘電体膜と，前記強誘電体膜上に形成された上部電極とを有する強誘電体キャパシタを形成する工程」を有する点で一致する。
　
ケ　引用発明の「層間絶縁膜４３」，「Ａｌ配線４５」，「ＳｉＯ２膜４６」，「ＣＭＰによりＳｉＯ２膜４６を１，０μｍ程度の厚さになるまで研磨して平坦化」，『「水分進入防止膜」として形成される「アルミナ膜４８」』，「Ａｌ配線４５まで達するコンタクトホール」，及び「Ｗプラグ５０」は，
　それぞれ，本願補正発明１の『「半導体基板上及び前記強誘電体キャパシタ上に」形成する「第１の絶縁膜」』，「第１の配線」，「第２の絶縁膜」，「第２の絶縁膜の表面を平坦化」，「水素又は水分の拡散を防止する平坦な第２のバリア膜」，「第１の配線に達する第１のコンタクトホール」，及び「第１の導体プラグ」に相当する。
　
コ　引用発明は「Ｎ２Ｏを用いたプラズマ処理をＳｉＯ２膜４６に対して施すことにより，ＳｉＯ２膜４６中に存在する水分を低減する工程」を有するところ，前記「Ｎ２Ｏを用いたプラズマ処理をＳｉＯ２膜４６に対して施すこと」により，「ＳｉＯ２膜４６」の表面が窒化されることは明らかであるから，本願補正発明１と引用発明とは，いずれも「Ｎ２Ｏガス又はＮ２ガスを用いて生成されたプラズマ雰囲気中にて熱処理を行うことにより，前記第２の絶縁膜中から水分を除去するとともに，前記第２の絶縁膜の表面を窒化する工程」を有する点で一致する。
　
　上記ア−コの対応関係によれば，本願補正発明１と引用発明との一致点及び相違点は，次のとおりである。
　
＜一致点＞
　「半導体基板上に，下部電極と，前記下部電極上に形成された強誘電体膜と，前記強誘電体膜上に形成された上部電極とを有する強誘電体キャパシタを形成する工程と，
　前記半導体基板上及び前記強誘電体キャパシタ上に，第１の絶縁膜を形成する工程と，
　前記第１の絶縁膜上に第１の配線を形成する工程と，
　第２の絶縁膜を形成する工程と，
　前記第２の絶縁膜の表面を平坦化する工程と，
　Ｎ２Ｏガス又はＮ２ガスを用いて生成されたプラズマ雰囲気中にて熱処理を行うことにより，前記第２の絶縁膜中から水分を除去するとともに，前記第２の絶縁膜の表面を窒化する工程と，
　前記第２の絶縁膜上に，水素又は水分の拡散を防止する平坦な第２のバリア膜を形成する工程と，
　前記第２のバリア膜及び前記第２の絶縁膜に，前記第１の配線に達する第１のコンタクトホールを形成する工程と，
　前記第１のコンタクトホール内に第１の導体プラグを埋め込む工程と
　を有する半導体装置の製造方法。」
　
＜相違点＞
・相違点１：本願補正発明１が「『「第１の配線に接するように形成する」「水素又は水分の拡散を防止する第１のバリア膜』，」を有し，「第２の絶縁膜」が「前記第１のバリア膜に接するように形成」されているのに対して，引用発明では，「ＳｉＯ２膜４６」が「Ａｌ配線４５」に接するように形成されている点。
　
・相違点２：本願補正発明１が「熱処理炉を用いて熱処理を行うことにより，前記第２の絶縁膜中から水分を除去する工程」を有するのに対して，引用発明では，このような特定がなされていない点。
　
（４）相違点についての判断
・相違点１について
ア　引用例２の上記摘記（２ａ），引用例３の上記摘記（３ａ）−（３ｅ）の記載からも明らかなように，強誘電体膜まで水分等が到達する前にその拡散を抑制するために，強誘電体キャパシタの近傍の層間絶縁膜，金属配線の上面，底面をＡｌの酸化物等のバリア膜で被覆することは周知の事項といえる。
　
イ　そうすると，「より確実に水分の半導体素子（強誘電体キャパシタ等）への進入を防止することができる半導体装置の製造方法」である引用発明において，更に確実に水分の半導体素子（強誘電体キャパシタ等）への進入を防止することを目的として，強誘電体キャパシタの近傍の層間絶縁膜，金属配線である引用発明の層間絶縁膜４３上及びＡｌ配線４５上に，アルミナ膜を，前記Ａｌ配線４５に接するように形成することで，引用発明のＳｉＯ２膜４６を，前記Ａｌ配線４５に接するように形成した前記アルミナ膜上に，前記アルミナ膜に接するように形成して，引用発明において，上記相違点１について本願補正発明１の構成となすことは当業者が容易に想到し得たことである。また，このような構成を採用したことによる効果は当業者が予測する範囲内のものである。
　
・相違点２について
ア　引用例４の上記摘記（４ｂ）の「ＣＭＰにより第２層間絶縁膜１７の表面を平坦化する。このＣＭＰ法による平坦化の際に使用されるスラリー中の水分や，その後の洗浄時に使用される洗浄液中の水分は，第２層間絶縁膜１７表面に付着したりその内部に吸収される。」及び「そこで，N2が導入された加熱炉内で第２層間絶縁膜１７をアニールすることにより，その表面及び内部の水を外部に放出させる。このような脱水処理の後に，図６(a) に示すように，第２の層間絶縁膜１５をN2O プラズマに曝して脱水とともに膜質を改善する。これにより，後の工程での加熱と水によるキャパシタＱの劣化が防止される。」との記載から，当業者であれば以下の事項を把握することができるものといえる。
（ａ）層間絶縁膜の平坦化にＣＭＰを使用した際に，水分が層間絶縁膜の表面に付着したりその内部に吸収されること。
（ｂ）後の工程での加熱と水によるキャパシタＱの劣化を防止するために，前記水分が表面に付着したりその内部に吸収された層間絶縁膜を，N2が導入された加熱炉内でアニールして，その表面及び内部の水を外部に放出させ，このような脱水処理の後に，層間絶縁膜をN2O プラズマに曝して脱水とともに膜質を改善すること。
　
イ　一方，引用発明は「ＣＭＰによりＳｉＯ２膜４６を１．０μｍ程度の厚さになるまで研磨して平坦化する工程」を有する「より確実に水分の半導体素子（強誘電体キャパシタ等）への進入を防止することができる半導体装置の製造方法」である。
　
ウ　そうすると，引用例４に接した当業者であれば，引用発明の，ＣＭＰによって平坦化されるＳｉＯ２膜４６の表面及び内部に水分が付着ないし吸収されることに思い至るといえるところ，引用発明は「より確実に水分の半導体素子（強誘電体キャパシタ等）への進入を防止することができる半導体装置の製造方法」であり，水分の存在が望ましくない点で，引用例４の「後の工程での加熱と水によるキャパシタＱの劣化を防止する」ことと解決しようとする課題を共通するものといえるから，引用発明に引用例４に記載された前記「前記水分が表面に付着したりその内部に吸収された層間絶縁膜を，N2が導入された加熱炉内でアニールして，その表面及び内部の水を外部に放出させ，このような脱水処理の後に，層間絶縁膜をN2O プラズマに曝して脱水とともに膜質を改善する」工程を適用すること，すなわち，引用発明の「（タ）Ｎ２Ｏを用いたプラズマ処理をＳｉＯ２膜４６に対して施すことにより，ＳｉＯ２膜４６中に存在する水分を低減する工程」に，より一層の水分の低減を目的として，前記「Ｎ２Ｏを用いたプラズマ処理」に先立つ，引用例４に記載された，「N2が導入された加熱炉内でアニールして，その表面及び内部の水を外部に放出させ」る工程を付加して，上記相違点２について，本願補正発明１の構成となすことは当業者が容易になし得たことである。また，このような構成を採用したことによる効果は，引用例４の上記摘記（４ａ），（４ｃ）等の記載に照らして，当業者が予測する範囲内のものである。
　
　なお，審判請求人は，平成２４年７月２４日に提出した回答書において，「しかしながら，請求項１−１０に係る本願発明は，強誘電体キャパシタを埋め込むように第１の絶縁膜を形成するものです。引用文献１の層間絶縁膜４３は，強誘電体キャパシタを埋め込むように形成されるものではありません。従って，引用文献１の層間絶縁膜４３は，請求項１−１０に係る本願発明の第１の絶縁膜に対応するものではありません。・・・（省略）・・・従いまして，当業者といえども引用文献１−４に基づいて請求項１−１０に係る本願発明を容易に為し得るものではありません。」と主張するので，この点について検討する。
　本願の補正後の請求項１には，「第１の絶縁膜」について，「前記半導体基板上及び前記強誘電体キャパシタ上に，第１の絶縁膜を形成する」，「前記第１の絶縁膜上に第１の配線を形成する」及び「前記第１の絶縁膜上及び前記第１の配線上に，水素又は水分の拡散を防止する第１のバリア膜を，前記第１の配線に接するように形成する」ことが特定されている。
　しかしながら，当該請求項１においては，強誘電体キャパシタを「埋め込むように」第１の絶縁膜を形成することは特定されていない。
　また，本願補正発明１の「強誘電体キャパシタ上に，第１の絶縁膜を形成する」における「上に」の用語は，上記「（３）本願補正発明１と引用発明との対比」のウ−キにおいて検討したように，第１の絶縁膜の位置が，単に強誘電体キャパシタの位置に比べて高いという状態，すなわち，第１の絶縁膜と強誘電体キャパシタとの間に他の部材の介在を許容する構造を意味しているものと解されるから，本願の明細書または図面の記載，及び，本願の出願時の技術常識等を参酌しても，請求項１の前記「強誘電体キャパシタ上に，第１の絶縁膜を形成する」を，「強誘電体キャパシタを埋め込むように第１の絶縁膜を形成する」と限定して解することはできない。
　そうすると，審判請求人の前記主張は請求項の記載に基づかない主張であるから採用することはできない。
　
　また，仮に，本願補正発明１の「強誘電体キャパシタ上に，第１の絶縁膜を形成する」を「強誘電体キャパシタを埋め込むように第１の絶縁膜を形成する」と限定して解したとしても，以下の理由によって，本願補正発明１に進歩性を認めることはできない。
　すなわち，引用発明の「層間絶縁膜３７」が，強誘電体キャパシタを埋め込むように形成されていることから，引用発明の「層間絶縁膜３７」が，本願補正発明１の「第１の絶縁膜」に相当する。
　この場合，引用発明の「Ａｌ配線４１」，「アルミナ膜４２」，「層間絶縁膜４３」及び「アルミナ膜４８」は，それぞれ，本願補正発明１の「第１の配線」，「第１のバリア膜」，「第２の絶縁膜」及び「第２のバリア膜」に相当することになり，引用発明と本願補正発明１との相違点は次のようになる。
・相違点３：本願補正発明１では，第２の絶縁膜の表面を平坦化し，熱処理炉を用いて熱処理を行い，Ｎ２Ｏガス又はＮ２ガスを用いて生成されたプラズマ雰囲気中にて熱処理を行うのに対して，引用発明では，層間絶縁膜４３ではなく，前記層間絶縁膜４３の上に形成されたＳｉＯ２膜４６に対して，表面を平坦化し，Ｎ２Ｏガス又はＮ２ガスを用いて生成されたプラズマ雰囲気中にて熱処理を行うものである点。
　しかしながら，半導体装置において，配線層の層数は設計事項といえるから，引用発明において，Ａｌ配線４５及びＳｉＯ２膜４６からなる配線層を除き，層間絶縁膜４３の上にアルミナ膜４８を形成することは当業者が適宜なし得たことである。そして，その際に，層間絶縁膜４３に対して，前記除かれたＳｉＯ２膜４６に対して行われていた前記処理を施すこと，すなわち，層間絶縁膜４３の表面を平坦化し，熱処理等を行うことに格別の困難は認められない。
　あるいは，引用発明において，Ａｌ配線４５及びＳｉＯ２膜４６からなる配線層を除くことができない場合においても，引用発明が「より確実に水分の半導体素子（強誘電体キャパシタ等）への進入を防止することができる半導体装置の製造方法」に係る発明であることから，更に確実に水分の半導体素子（強誘電体キャパシタ等）への進入を防止するために，引用発明の層間絶縁膜４３についても，ＳｉＯ２膜４６に施すものと同様の表面の平坦化と熱処理を行い，さらに，その表面にアルミナ膜を配して，引例発明が，更に確実に水分の半導体素子（強誘電体キャパシタ等）への進入を防止することができるものとなすことは当業者が適宜なし得たことである。
　したがって，審判請求人の主張するように本願補正発明１を解したとしても，本願補正発明１の進歩性を認めることができない。
　
（５）判断についてのまとめ
　相違点１−２については，以上のとおりであるから，本願補正発明１は，上記引用例１−４に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。したがって，本願補正発明１は，特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
５　補正の却下の決定のむすび
　したがって，本件補正は，平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので，同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
１　本願発明
　平成２４年１月１８日に提出された手続補正書による補正を上記のとおり却下したので，本願の請求項１−１０に係る発明は，平成２３年２月２５日に提出された手続補正書により補正された明細書，特許請求の範囲及び図面の記載からみて，その特許請求の範囲の請求項１−１０に記載されている事項により特定されるとおりのものであるところ，そのうち，請求項１に係る発明（以下「本願発明１」という。）は，次のとおりであると認める。
　
「半導体基板上に，下部電極と，前記下部電極上に形成された強誘電体膜と，前記強誘電体膜上に形成された上部電極とを有する強誘電体キャパシタを形成する工程と，
　前記半導体基板上及び前記強誘電体キャパシタ上に，第１の絶縁膜を形成する工程と，
　前記第１の絶縁膜上に第１の配線を形成する工程と，
　前記第１の絶縁膜上及び前記第１の配線上に，水素又は水分の拡散を防止する第１のバリア膜を形成する工程と，
　前記第１のバリア膜上に，第２の絶縁膜を形成する工程と，
　前記第２の絶縁膜の表面を平坦化する工程と，
　熱処理炉を用いて熱処理を行うことにより，前記第２の絶縁膜中から水分を除去する工程と，
　Ｎ２Ｏガス又はＮ２ガスを用いて生成されたプラズマ雰囲気中にて熱処理を行うことにより，前記第２の絶縁膜中から水分を除去するとともに，前記第２の絶縁膜の表面を窒化する工程と，
　前記第２の絶縁膜上に，水素又は水分の拡散を防止する平坦な第２のバリア膜を形成する工程と，
　前記第２のバリア膜，前記第２の絶縁膜及び前記第１のバリア膜に，前記第１の配線に達する第１のコンタクトホールを形成する工程と，
　前記第１のコンタクトホール内に第１の導体プラグを埋め込む工程と
　を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。」
　
２　進歩性について
（１）引用例及びその記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用され，本願の出願前に頒布された刊行物である引用例１−４に記載されている事項は，上記「第２　４　（２）引用例とその記載事項，及び，引用発明」の項で指摘したとおりである。
　
（２）当審の判断
　本願発明１を特定するに必要な事項を全て含み，さらに具体的に特定したものに相当する本願補正発明１が，前記「第２　４　（４）相違点についての判断」に記載したとおり，引用例１−４に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，本願発明１も同様に，引用例１−４に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。 
　
第４　むすび 
　以上のとおり，本願の請求項１に係る発明は，引用例１−４に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。したがって，本願の他の請求項に係る発明については検討するまでもなく，本願は拒絶をすべきものである。
　
　よって，結論のとおり審決する。