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　特願２００３−１８６３６５「ＨＢＴパワーアンプのためのバイアス制御する集積回路」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　２月　５日出願公開、特開２００４−　４０７９５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１５年６月３０日（パリ条約による優先権主張　２００２年６月２８日（ＵＳ）アメリカ合衆国）の出願であって、平成２３年９月１６日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成２４年１月２７日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、手続補正がなされたものである。
　
２．平成２４年１月２７日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成２４年１月２７日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
２−１．補正後の本願発明
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１は、
「集積回路であって、
　ベースと、エミッタと、コレクタとを有するパワーアンプ（３００）と；　前記パワーアンプ（３００）のベースに供給される電流を制御するバイアス制御回路（３５５）と；
　ベースと、エミッタと、コレクタとを有する基準トランジスタ（３１０）と；
　第１コンデンサ（３８０）と
を備え、
　前記バイアス制御回路（３５５）は、
　第１入力（３５２）と第２入力（３５１）と増幅器出力（３５３）とを有する演算増幅器（３６０）と；
　電源入力（３６７）と制御入力（３６６）と変換器出力（３６９）とを有する電圧−電流変換器（３６８）と；
　第２コンデンサ（３６５）と
を備え、
　前記パワーアンプ（３００）のコレクタは、バッテリ電源（３４０）に接続され、
　前記パワーアンプ（３００）のエミッタは、第１の接地極に接続され、
　前記パワーアンプ（３００）のベースは、前記第１入力（３５２）と前記増幅器出力（３５３）とに接続され、
　前記基準トランジスタ（３１０）のコレクタは、前記第２入力（３５１）と、前記変換器出力（３６９）とに接続され、
　前記基準トランジスタ（３１０）のエミッタは、第２の接地極に接続さ
れ、
　前記基準トランジスタ（３１０）のベースは、前記基準トランジスタ（３１０）のコレクタに接続され、
　前記基準トランジスタ（３１０）のベースは、前記パワーアンプ（３０
０）のベースから隔離され、
　前記バッテリ電源（３４０）は、前記電源入力（３６７）に接続され、
　前記第１入力（３５２）と前記増幅器出力との接続部は、前記第２コンデンサ（３６５）を介して第３の接地極に接続され、
　高周波入力信号（３９０）は、前記第１コンデンサ（３８０）を介して前記パワーアンプ（３００）のベースに注入され、
　電圧制御信号（３５０）は、前記制御入力（３６６）に入力され、
　前記パワーアンプ（３００）のコレクタは、高周波出力を引き出し、
　前記パワーアンプ（３００）のコレクタ電流（３４２）は、前記基準トランジスタ（３１０）のコレクタ電流（３３０）に、前記パワーアンプ（３００）と前記基準トランジスタ（３１０）との寸法差の比率を掛けることを反映するように構成されることを特徴とする、集積回路。」
と補正された。（この記載の事項により特定される発明を以下、「本願補正発明」という。）
　上記補正は、補正前の発明を特定する事項である「パワーアンプ（３０
０）」について、「前記パワーアンプ（３００）のコレクタ電流（３４２）は、前記基準トランジスタ（３１０）のコレクタ電流（３３０）に、前記パワーアンプ（３００）と前記基準トランジスタ（３１０）との寸法差の比率を掛けることを反映する」と限定を行うものであるから、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法（以下、「平成１８年改正前特許法」という。）第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　そこで、本願補正発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
２−２．引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された特開２００２−８４１４２号公報（以
下、引用例という。）には、図面とともに以下の記載がなされている。
　
（１）「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、携帯電話等に用いられる高周波電力増幅器に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＧａＡｓ電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）やヘテロ接合バイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）等の化合物デバイスによるパワーモジュールやパワーモノリシックマイクロ波集積回路（ＭＭＩＣ）といった高周波電力増幅器は、低消費電力、低歪みといった点でシリコンによるものに比較して優位であり、携帯電話等の小型移動体無線機器に使用されている。」
　
（２）「【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して説明する。
【００１８】（第１実施形態）図１は、本発明の第１実施形態による高周波電力増幅器の構成図である。
【００１９】図１において、セラミック等の基板１上に、高周波電力増幅素子としてのＨＢＴ２、およびＨＢＴ２の動作点を設定するバイアス回路４の一部分を構成する基準電圧発生回路５が形成された第１の半導体チップ３
と、バイアス回路４の他の部分を構成する差動増幅器６および分圧抵抗８が形成された第２の半導体チップ７とがマウントされている。
【００２０】バイアス回路４において、第１の半導体チップ３上に形成された基準電圧発生回路５から出力され、第２の半導体チップ７上に形成された差動増幅器６の正転入力端子に供給される基準電圧と、差動増幅器６から出力され分圧抵抗１０８により分圧されて差動増幅器６の反転入力端子に供給される電圧とが一致するように、差動増幅器６の出力電圧が制御される。
【００２１】また、基板１上に形成された金属膜パターンとその上にマウントされたチップ部品で構成された、入力マッチング回路９、段間マッチング回路１０、および出力マッチング回路１１が設けられ、それらはＨＢＴ２とボンディングワイヤ等により接続されている。また、ＨＢＴ２には、電源端子１２から段間マッチング回路１０および出力マッチング回路１１を介し
て、直流電流が供給される。この構成により、高周波入力端子１３に入力された高周波信号が増幅され、高周波出力端子１４から、それに接続されたアンテナ等に出力される。」
　
（３）「【００２４】（第２実施形態）図２は、本発明の第２実施形態による高周波電力増幅器の構成図である。なお、第１実施形態と同一の構成要素については同一の符号を付して説明を省略する。
【００２５】図２において、第１の半導体チップ３上には、高周波電力増幅素子としてＨＢＴ２、およびバイアス回路４の一部分を構成するダイオード接続されたＨＢＴ１５が形成されている。第２の半導体チップ７上には、バイアス回路４の他の部分を構成し、電圧バッファとして機能する差動増幅器６とＨＢＴ１５のコレクタ・ベース共通接続部に電流を供給する電流源１６とが形成されている。
【００２６】この構成により、ダイオード接続されたＨＢＴ１５のベース・エミッタ間電圧が、基準電圧として差動増幅器６の正転入力端子に供給される。差動増幅器６の出力端子はそれ自身の反転入力端子とＨＢＴ２のベースに接続されており、これにより、ＨＢＴ２のベースには、ＨＢＴ１５のベース・エミッタ間電圧が供給される。」
　
（４）「【００２９】（第３実施形態）図３は、本発明の第３実施形態による高周波電力増幅器の構成図である。本実施形態は、第２実施形態における電流源１６を電圧制御型電流源１７とし、制御端子１８に印加された外部電圧により制御できるようにしている。」
　
（５）本発明の第３実施形態による高周波電力増幅器の構成図として示された図３には、「高周波電力増幅素子としてのＨＢＴ２」のエミッタが接地され、コレクタが「段間マッチング回路１０」又は「出力マッチング回路１
１」を介して「電源端子１２」に接続されていること、「ダイオード接続されたＨＢＴ１５」のエミッタが接地され、ベースがコレクタに接続されることによりダイオード接続されること、が記載されている。
　
　したがって、引用例には次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているといえる。
　
「携帯電話に用いられる半導体チップにより構成された高周波電力増幅器であって、
　エミッタが接地された入力された高周波電力を増幅するトランジスタと、
　前記トランジスタの動作点を設定するためのバイアス回路とを備え、
　前記トランジスタのコレクタには、電源端子から直流電流が供給され、
　前記バイアス回路は、
　エミッタが接地され、ベースがコレクタに接続されることによりダイオード接続されたトランジスタと、
　前記ダイオード接続されたトランジスタのコレクタ・ベース共通接続部に電流を供給する電流源と、
　電圧バッファとして機能する差動増幅器とを備え、
　前記ダイオード接続されたトランジスタのベース・エミッタ間電圧が、基準電圧として差動増幅器の正転入力端子に供給され、
　前記差動増幅器の出力端子はそれ自身の反転入力端子と前記トランジスタのベースに接続されており、これにより、前記トランジスタのベースには、前記ダイオード接続されたトランジスタのベース・エミッタ間電圧が供給され、
　前記電流源は、外部から印加される電圧により電流値が制御される電圧制御型電流源であることを特徴とする高周波電力増幅器。」
　
２−３．対比
　引用発明の「入力された高周波電力を増幅するトランジスタ」は、エミッタが接地されており、「前記パワーアンプ（３００）のエミッタは、第１の接地極に接続され」とする本願補正発明の「パワーアンプ（３００）」に対応する。
　引用発明の「入力された高周波電力を増幅するトランジスタ」は、コレクタに電源端子から直流電流が供給されるので、本願補正発明の「パワーアンプ（３００）」が「前記パワーアンプ（３００）のコレクタは、バッテリ電源（３４０）に接続され」とすることと、コレクタは電源に接続されとする点で共通する。
　引用発明の「バイアス回路」は、「入力された高周波電力を増幅するトランジスタ」の動作点を設定するためのものであるから、「パワーアンプ（３００）」のベースに供給される電流を制御する機能の点で、本願補正発明の「バイアス制御回路（３５５）」と共通する。
　引用発明の「エミッタが接地され、ベースがコレクタに接続されることによりダイオード接続されたトランジスタ」は、本願補正発明の「前記基準トランジスタ（３１０）のエミッタは、第２の接地極に接続され」及び「前記基準トランジスタ（３１０）のベースは、前記基準トランジスタ（３１０）のコレクタに接続され」とする「ベースと、エミッタと、コレクタとを有する基準トランジスタ（３１０）」に対応する。
　引用発明の「電流源」は、前記「ダイオード接続されたトランジスタ」のコレクタ・ベース共通接続部に電流を供給するもので、外部から印加される電圧により電流値が制御される電圧制御型電流源であるから、「電圧制御信号（３５０）」が入力される「制御入力（３６６）」と、「基準トランジスタ（３１０）」のコレクタに接続される「変換器出力（３６９）」とを有する本願補正発明の「電圧−電流変換器（３６８）」と共通する。
　引用発明の「差動増幅器」は、その出力端子がそれ自身の反転入力端子と本願補正発明の「パワーアンプ（３００）」に対応する「入力された高周波電力を増幅するトランジスタ」のベースに接続されており、本願補正発明の「前記パワーアンプ（３００）のベースは、前記第１入力（３５２）と前記増幅器出力（３５３）とに接続され」とする「第１入力（３５２）と第２入力（３５１）と増幅器出力（３５３）とを有する演算増幅器（３６０）」に対応する。
　引用発明は「前記ダイオード接続されたトランジスタのベース・エミッタ間電圧が、基準電圧として差動増幅器の正転入力端子に供給され」及び「前記差動増幅器の出力端子はそれ自身の反転入力端子と前記トランジスタの
ベースに接続されており、これにより、前記トランジスタのベースには、前記ダイオード接続されたトランジスタのベース・エミッタ間電圧が供給さ
れ」とされるもので、「電圧バッファとして機能する差動増幅器とを備え」とあるように「差動増幅器」が電圧バッファとして機能するので、本願補正発明が「前記基準トランジスタ（３１０）のベースは、前記パワーアンプ
（３００）のベースから隔離され」とするのと同様に、「ダイオード接続されたトランジスタ」のベースは「入力された高周波電力を増幅するトランジスタ」のベースから隔離されているといえる。
　引用発明の図３に示された「高周波電力増幅器」の実施例は、「入力された高周波電力を増幅するトランジスタ」を２つ有する２段増幅を行うものであるが、いずれの「入力された高周波電力を増幅するトランジスタ」のベースにも、「入力マッチング回路９」又は、「入力マッチング回路９」に前段の「入力された高周波電力を増幅するトランジスタ」及び「段間マッチング回路１０」を介して、「高周波入力端子１３」の信号が入力されるものであり、いずれの「入力された高周波電力を増幅するトランジスタ」のコレクタからの増幅された高周波電力も、「段間マッチング回路１０」及び後段の
「入力された高周波電力を増幅するトランジスタ」を介するか、又は直接
「出力マッチング回路１１」を介して「高周波出力端子１４」から出力されるものであるから、引用発明の「入力された高周波電力を増幅するトランジスタ」は、本願補正発明の「高周波入力信号（３９０）」が「パワーアンプ（３００）」のベースに注入される点、及び「パワーアンプ（３００）」のコレクタが高周波出力を引き出す点と共通する。
　引用発明は「半導体チップにより構成された高周波電力増幅器」であるから、集積回路といえる。
　したがって、本願補正発明と引用発明とを対比すると、次の点で一致す
る。
　
「集積回路であって、
　ベースと、エミッタと、コレクタとを有するパワーアンプと；
　前記パワーアンプのベースに供給される電流を制御するバイアス制御回路と；
　ベースと、エミッタと、コレクタとを有する基準トランジスタと；
を備え、
　前記バイアス制御回路は、
　第１入力と第２入力と増幅器出力とを有する演算増幅器と；
　制御入力と変換器出力とを有する電圧−電流変換器と；
を備え、
　前記パワーアンプのコレクタは、電源に接続され、
　前記パワーアンプのエミッタは、第１の接地極に接続され、
　前記パワーアンプのベースは、前記第１入力と前記増幅器出力とに接続され、
　前記基準トランジスタのコレクタは、前記第２入力と、前記変換器出力とに接続され、
　前記基準トランジスタのエミッタは、第２の接地極に接続され、
　前記基準トランジスタのベースは、前記基準トランジスタのコレクタに接続され、
　前記基準トランジスタのベースは、前記パワーアンプのベースから隔離され、
　高周波入力信号は、前記パワーアンプ（３００）のベースに注入され、
　電圧制御信号は、前記制御入力に入力され、
　前記パワーアンプのコレクタは、高周波出力を引き出すように構成されることを特徴とする、集積回路。」
　
　また次の点で相違する。
　
　相違点１
　本願補正発明は「第１コンデンサ（３８０）」を備え、「高周波入力信号（３９０）は、前記第１コンデンサ（３８０）を介して前記パワーアンプ
（３００）のベースに注入され」とするものであるのに対して、引用発明は「第１コンデンサ」に関する特定がない点。
　
　相違点２
　本願補正発明は「第２コンデンサ（３６５）」を備え、「前記第１入力
（３５２）と前記増幅器出力との接続部は、前記第２コンデンサ（３６５）を介して第３の接地極に接続され」とするものであるのに対して、引用発明は「第２コンデンサ」に関する特定がない点。
　
　相違点３
　本願補正発明は「電圧−電流変換器（３６８）」の「電源入力（３６
７）」及び「パワーアンプ（３００）」のコレクタは、「バッテリ電源（３４０）」に接続されているのに対して、引用発明は「電源入力（３６７）」についての特定はなく、電源端子から直流電流が供給されるものではある
が、電源がバッテリ電源とは特定されていない点。
　
　相違点４
　本願補正発明は「前記パワーアンプ（３００）のコレクタ電流（３４２）は、前記基準トランジスタ（３１０）のコレクタ電流（３３０）に、前記パワーアンプ（３００）と前記基準トランジスタ（３１０）との寸法差の比率を掛けることを反映するように構成されること」とするものであるが、引用発明はコレクタ電流とトランジスタの寸法差の比率の関係について特定のない点。
　
２−４．相違点に対する判断
　相違点１及び２について
　本願補正発明の「第１コンデンサ（３８０）」及び「第２コンデンサ（３６５）」のようなコンデンサを備えることは周知技術にすぎない。（例えば拒絶査定で示された特開２００１−３２６５４３号公報の図１の「Ｃｃ」、「Ｃｓ」）
　
　相違点３について
　引用発明は「携帯電話に用いられる半導体チップにより構成された高周波電力増幅器」であるから、電源がバッテリ電源であるのは明らかであり、その「電源端子」にはバッテリ電源が接続されているものと解するのが自然である。
　引用発明の「電流源」には、それに対応する本願補正発明の「電圧−電流変換器（３６８）」が有する「電源入力（３６７）」に相当するものが明示されていないが、何らかの電源を必要とすることは当然であり、引用発明の図３に示された「高周波電力増幅器」の実施例には、電源に関して「電源端子１２」以外に電源を供給するものが示されていないので、この「電源端子１２」から電源が供給されるものと解するのが自然であるし、そのようにして不都合な点もない。
　したがって、引用発明の「電流源」に、本願補正発明の「電圧−電流変換器（３６８）」の「電源入力（３６７）」に相当する入力、及び「入力された高周波電力を増幅するトランジスタ」のコレクタを、バッテリ電源に接続することに格別の点はない。
　
　相違点４について
　カレントミラー回路を構成する各トランジスタのコレクタ電流が、そのトランジスタの寸法の比率に応じたものとなることは、当業者の技術常識であり、各トランジスタのベースが演算増幅器で隔離されたカレントミラー回路といえる引用発明の「入力された高周波電力を増幅するトランジスタ」及び「ダイオード接続されたトランジスタ」のコレクタ電流が、そのトランジスタの寸法の比率に応じたものとなることは、回路構成に基づく当然の帰結にすぎず、引用発明と同様に各トランジスタのベースが演算増幅器で隔離されたカレントミラー回路といえる本願補正発明が「前記パワーアンプ（３０
０）のコレクタ電流（３４２）は、前記基準トランジスタ（３１０）のコレクタ電流（３３０）に、前記パワーアンプ（３００）と前記基準トランジスタ（３１０）との寸法差の比率を掛けることを反映するように構成されること」と変わりはない。
　
　以上のとおり、各相違点に格別の点はなく、本願補正発明は、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
２−５．むすび
　したがって、本件補正は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、特許法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
３．本願発明について
　平成２４年１月２７日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明
（以下、同項記載の発明を「本願発明」という。）は、平成２３年１月２８日付けの手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。
　
「集積回路であって、
　ベースと、エミッタと、コレクタとを有するパワーアンプ（３００）と；
　前記パワーアンプ（３００）のベースに供給される電流を制御するバイアス制御回路（３５５）と；
　ベースと、エミッタと、コレクタとを有する基準トランジスタ（３１０）と；
　第１コンデンサ（３８０）と
を備え、
　前記バイアス制御回路（３５５）は、
　第１入力（３５２）と第２入力（３５１）と増幅器出力（３５３）とを有する演算増幅器（３６０）と；
　電源入力（３６７）と制御入力（３６６）と変換器出力（３６９）とを有する電圧−電流変換器（３６８）と；
　第２コンデンサ（３６５）と
を備え、
　前記パワーアンプ（３００）のコレクタは、バッテリ電源（３４０）に接続され、
　前記パワーアンプ（３００）のエミッタは、第１の接地極に接続され、
　前記パワーアンプ（３００）のベースは、前記第１入力（３５２）と前記増幅器出力（３５３）とに接続され、
　前記基準トランジスタ（３１０）のコレクタは、前記第２入力（３５１）と、前記変換器出力（３６９）とに接続され、
　前記基準トランジスタ（３１０）のエミッタは、第２の接地極に接続さ
れ、
　前記基準トランジスタ（３１０）のベースは、前記基準トランジスタ（３１０）のコレクタに接続され、
　前記基準トランジスタ（３１０）のベースは、前記パワーアンプ（３０
０）のベースから隔離され、
　前記バッテリ電源（３４０）は、前記電源入力（３６７）に接続され、
　前記第１入力（３５２）と前記増幅器出力との接続部は、前記第２コンデンサ（３６５）を介して第３の接地極に接続され、
　高周波入力信号（３９０）は、前記第１コンデンサ（３８０）を介して前記パワーアンプ（３００）のベースに注入され、
　電圧制御信号（３５０）は、前記制御入力（３６６）に入力され、
　前記パワーアンプ（３００）のコレクタは、高周波出力を引き出すように構成されることを特徴とする、集積回路。」
　
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例の記載事項は、前記のとおりである。
　そして、本願発明は、「前記パワーアンプ（３００）のコレクタ電流（３４２）は、前記基準トランジスタ（３１０）のコレクタ電流（３３０）に、前記パワーアンプ（３００）と前記基準トランジスタ（３１０）との寸法差の比率を掛けることを反映する」との特定がないものであるから、本願補正発明と同様、引用発明に基づき当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　以上のとおり、本願発明は、引用発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。