【事件の表示】
　特願２００９−２４３３３６「高電子移動度トランジスタの製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２２年　１月２８日出願公開、特開２０１０−　２１５８１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成１４年７月２３日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００１年７月２４日，アメリカ合衆国）を国際出願日とする特願２００３−５３５２６０号の一部を，平成２１年１０月２２日に新たな特許出願としたものであって，平成２３年４月４日に手続補正がされ，同年４月１３日付けで拒絶理由が通知され，同年７月２６日に手続補正がされ，同年８月２４日付けで，同年７月２６日にされた手続補正が却下されるとともに拒絶査定がされ，これに対して平成２４年１月４日に拒絶査定に対する審判請求がされるとともに手続補正がされたものである。その後，平成２４年５月２８日付けで審尋がされ，同年８月２９日に回答書が提出されたものである。
　
第２　補正の却下の決定
　
　［補正の却下の決定の結論］
　平成２４年１月４日にされた手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
　
　［理由］
１．本件補正の内容
　本件補正は，特許請求の範囲を補正するものであって，本件補正の前後の特許請求の範囲は，各々以下のとおりである。
　
〈補正前〉
「【請求項１】
　ゲート漏洩のバリアを備えた高電子移動度トランジスタの製造方法であって，
　基板を金属有機化学気相成長反応器中に置く工程と，
　前記基板上に高比抵抗のＧａＮ層を形成するために，原料ガスを前記金属有機化学気相成長反応器の反応チャンバー中に流す工程と，
　前記ＧａＮ層上に，該ＧａＮ層よりも広いバンドギャップを有するＡｌＧａＮバリア半導体層を形成するために，原料ガスを前記反応チャンバー中に流す工程と，
　前記ＡｌＧａＮバリア半導体層上に絶縁層を形成するために原料ガスを前記反応チャンバー中に流す工程であって，前記絶縁層が，ＳｉＮ絶縁層とＡｌＮ絶縁層とからなり，該ＡｌＮ絶縁層が，前記ＡｌＧａＮバリア半導体層と前記ＳｉＮ絶縁層との間に挟まれており，
　前記反応チャンバーを冷却する工程と，
　堆積された層を備える前記基板を前記反応チャンバーから取り出す工程と
　を有することを特徴とする高電子移動度トランジスタの製造方法。
　　【請求項２】
　ゲート漏洩のバリアを備えた高電子移動度トランジスタの製造方法であって，
　高比抵抗のＧａＮ層およびＡｌＧａＮバリア層を有する，前記高電子移動度トランジスタの活性層を基板上に形成する工程と，
　前記基板をスパッタチャンバー中に置く工程と，
　前記スパッタチャンバーの中で前記基板上に絶縁層をスパッタする工程であって，前記絶縁層が，ＳｉＮ絶縁層とＡｌＮ絶縁層とからなり，該ＡｌＮ絶縁層が，前記バリアと前記ＳｉＮ絶縁層との間に挟まれており，
　前記スパッタチャンバーから前記基板を取り出す工程と
　を有することを特徴とする高電子移動度トランジスタの製造方法。」
　
〈補正後〉
「【請求項１】
　ゲート漏洩のバリアを備えた高電子移動度トランジスタの製造方法であって，
　基板を金属有機化学気相成長反応器中に置く工程と，
　前記基板上に高比抵抗のＧａＮ層を形成するために，原料ガスを前記金属有機化学気相成長反応器の反応チャンバー中に流す工程と，
　前記ＧａＮ層上に，該ＧａＮ層よりも広いバンドギャップを有するＡｌＧａＮバリア半導体層を形成するために，原料ガスを前記反応チャンバー中に流す工程と，
　前記ＡｌＧａＮバリア半導体層上に絶縁層を形成するために原料ガスを前記反応チャンバー中に流す工程であって，前記絶縁層が，ＳｉＮ絶縁層とＡｌＮ絶縁層とからなり，該ＡｌＮ絶縁層が，前記ＡｌＧａＮバリア半導体層と前記ＳｉＮ絶縁層との間に挟まれており，前記ＡｌＮ絶縁層が，前記ＳｉＮ絶縁層の成長中に前記ＡｌＧａＮバリア半導体層のドーピングまたは劣化を防止し，
　前記反応チャンバーを冷却する工程と，
　堆積された層を備える前記基板を前記反応チャンバーから取り出す工程と
　を有することを特徴とする高電子移動度トランジスタの製造方法。
　　【請求項２】
　ゲート漏洩のバリアを備えた高電子移動度トランジスタの製造方法であって，
　高比抵抗のＧａＮ層および前記高比抵抗のＧａＮ層上のＡｌＧａＮバリア層を有する，前記高電子移動度トランジスタの活性層を基板上に形成する工程と，
　前記基板をスパッタチャンバー中に置く工程と，
　前記スパッタチャンバーの中で前記基板上に二重絶縁層をスパッタする工程であって，前記二重絶縁層が，ＳｉＮ絶縁層とＡｌＮ絶縁層とからなり，該ＡｌＮ絶縁層が，前記ＡｌＧａＮバリア層と前記ＳｉＮ絶縁層との間に挟まれており，前記ＡｌＮ絶縁層が，前記ＳｉＮ絶縁層の成長中に前記ＡｌＧａＮバリア層のドーピングまたは劣化を防止し，
　前記スパッタチャンバーから前記基板を取り出す工程と
　を有することを特徴とする高電子移動度トランジスタの製造方法。」
　
２．補正内容の整理
　上記補正の内容を整理すると次のとおりとなる。
　
〈補正事項１〉
　補正前の請求項１の「前記ＡｌＧａＮバリア半導体層上に絶縁層を形成するために原料ガスを前記反応チャンバー中に流す工程であって，前記絶縁層が，ＳｉＮ絶縁層とＡｌＮ絶縁層とからなり，該ＡｌＮ絶縁層が，前記ＡｌＧａＮバリア半導体層と前記ＳｉＮ絶縁層との間に挟まれており」を，補正後の請求項１の「前記ＡｌＧａＮバリア半導体層上に絶縁層を形成するために原料ガスを前記反応チャンバー中に流す工程であって，前記絶縁層が，ＳｉＮ絶縁層とＡｌＮ絶縁層とからなり，該ＡｌＮ絶縁層が，前記ＡｌＧａＮバリア半導体層と前記ＳｉＮ絶縁層との間に挟まれており，前記ＡｌＮ絶縁層が，前記ＳｉＮ絶縁層の成長中に前記ＡｌＧａＮバリア半導体層のドーピングまたは劣化を防止し」とすること。
　
〈補正事項２〉
　補正前の請求項２の「高比抵抗のＧａＮ層およびＡｌＧａＮバリア層を有する，前記高電子移動度トランジスタの活性層を基板上に形成する工程」を，補正後の請求項２の「高比抵抗のＧａＮ層および前記高比抵抗のＧａＮ層上のＡｌＧａＮバリア層を有する，前記高電子移動度トランジスタの活性層を基板上に形成する工程」とすること。
　
〈補正事項３〉
　補正前の請求項２の「前記スパッタチャンバーの中で前記基板上に絶縁層をスパッタする工程であって，前記絶縁層が，ＳｉＮ絶縁層とＡｌＮ絶縁層とからなり，該ＡｌＮ絶縁層が，前記バリアと前記ＳｉＮ絶縁層との間に挟まれており」を，補正後の請求項２の「前記スパッタチャンバーの中で前記基板上に二重絶縁層をスパッタする工程であって，前記二重絶縁層が，ＳｉＮ絶縁層とＡｌＮ絶縁層とからなり，該ＡｌＮ絶縁層が，前記ＡｌＧａＮバリア層と前記ＳｉＮ絶縁層との間に挟まれており，前記ＡｌＮ絶縁層が，前記ＳｉＮ絶縁層の成長中に前記ＡｌＧａＮバリア層のドーピングまたは劣化を防止し」とすること。
　
３．補正の目的の適否及び新規事項の追加の有無についての検討
　
〈補正事項１について〉
　補正事項１は，補正前の請求項１に係る発明特定事項である「前記ＡｌＧａＮバリア半導体層上に絶縁層を形成するために原料ガスを前記反応チャンバー中に流す工程」において形成される「前記絶縁層が，ＳｉＮ絶縁層とＡｌＮ絶縁層とからなり，該ＡｌＮ絶縁層が，前記ＡｌＧａＮバリア半導体層と前記ＳｉＮ絶縁層との間に挟まれて」いるものについて，その具体的機能をもって技術的に限定するものであるから，特許法第１７条の２第４項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項をいう。以下同じ。）第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　また，上記補正に係る事項は，本願の願書に最初に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面（以下「当初明細書等」という。）の段落【００４７】〜【００４９】及び図４等に記載されており，当初明細書等の記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものであるから，特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすものである。
　
〈補正事項２について〉
　補正事項２は，補正前の請求項２の「高比抵抗のＧａＮ層およびＡｌＧａＮバリア層を有する，前記高電子移動度トランジスタの活性層を基板上に形成する工程」における「ＡｌＧａＮバリア層」について，補正後の請求項２において「前記高比抵抗のＧａＮ層上のＡｌＧａＮバリア層」として，「高比抵抗のＧａＮ層」と「ＡｌＧａＮバリア層」との上下関係を明りょうにしたものであるから，特許法第１７条の２第４項第４号に掲げる明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
　また，上記補正に係る事項は，当初明細書等の段落【００４７】〜【００４９】及び図４等に記載されており，当初明細書等の記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものであるから，特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすものである。
　
〈補正事項３について〉
　補正事項３のうち，補正前の請求項２の「前記スパッタチャンバーの中で前記基板上に絶縁層をスパッタする工程であって，前記絶縁層が，ＳｉＮ絶縁層とＡｌＮ絶縁層とからなり，該ＡｌＮ絶縁層が，前記バリアと前記ＳｉＮ絶縁層との間に挟まれており」を，補正後の請求項２の「前記スパッタチャンバーの中で前記基板上に二重絶縁層をスパッタする工程であって，前記二重絶縁層が，ＳｉＮ絶縁層とＡｌＮ絶縁層とからなり，該ＡｌＮ絶縁層が，前記ＡｌＧａＮバリア層と前記ＳｉＮ絶縁層との間に挟まれており」とすることは，補正前の「絶縁層」が「二重絶縁層」であることを明りょうにし，また，補正前の「前記バリア」が「前記ＡｌＧａＮバリア層」であることを明りょうにするものであるから，特許法第１７条の２第４項第４号に掲げる明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
　補正事項３のうち，補正後の請求項２の「前記ＡｌＮ絶縁層が，前記ＳｉＮ絶縁層の成長中に前記ＡｌＧａＮバリア層のドーピングまたは劣化を防止し」を加入することは，補正前の請求項２に係る発明特定事項である「ＡｌＮ絶縁層」について，その具体的機能をもって技術的に限定するものであるから，特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　また，上記補正に係る各事項は，当初明細書等の段落【００４７】〜【００４９】及び図４等に記載されており，当初明細書等の記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものであるから，特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすものである。
　
　上記のとおり，本件補正は，特許法第１７条の２第３項及び第４項に規定する要件を満たすものであり，同法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものを含むから，以下，本件補正後の特許請求の範囲に記載された発明が，特許出願の際独立して特許を受けることができるものか（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定を満たすか）どうかを，補正後の請求項１に係る発明について検討する。
　
４．独立特許要件についての検討
（１）本願補正発明
　本件補正後の請求項１に係る発明は，本件補正後の特許請求の範囲，特許請求の範囲，明細書及び図面の記載から見て，その請求項１に記載された事項により特定される，以下のとおりのものである。（再掲。以下「本願補正発明」という。）
「【請求項１】
　ゲート漏洩のバリアを備えた高電子移動度トランジスタの製造方法であって，
　基板を金属有機化学気相成長反応器中に置く工程と，
　前記基板上に高比抵抗のＧａＮ層を形成するために，原料ガスを前記金属有機化学気相成長反応器の反応チャンバー中に流す工程と，
　前記ＧａＮ層上に，該ＧａＮ層よりも広いバンドギャップを有するＡｌＧａＮバリア半導体層を形成するために，原料ガスを前記反応チャンバー中に流す工程と，
　前記ＡｌＧａＮバリア半導体層上に絶縁層を形成するために原料ガスを前記反応チャンバー中に流す工程であって，前記絶縁層が，ＳｉＮ絶縁層とＡｌＮ絶縁層とからなり，該ＡｌＮ絶縁層が，前記ＡｌＧａＮバリア半導体層と前記ＳｉＮ絶縁層との間に挟まれており，前記ＡｌＮ絶縁層が，前記ＳｉＮ絶縁層の成長中に前記ＡｌＧａＮバリア半導体層のドーピングまたは劣化を防止し，
　前記反応チャンバーを冷却する工程と，
　堆積された層を備える前記基板を前記反応チャンバーから取り出す工程と
　を有することを特徴とする高電子移動度トランジスタの製造方法。」
　
（２）刊行物に記載された発明
ア　引用例１：　Syunji Imanaga and Hiroji Kawai, ‘Novel AlN/GaN insulated gate heterostructure field effect transistor with modulation doping and one-dimensional simulation of charge control’, Journal of Applied Physics, Vol.82, No.11, p.5843-5858, １９９７年１２月，米国
　
　原査定の拒絶の理由において引用され，本願の優先権主張の日前に外国において頒布された刊行物である上記文献（以下「引用例１」という。）には，FIG.1とともに次の記載がある。（日本語訳は当合議体において作成。下線は当合議体において付加。以下同様。）
　
（ア）「In order to investigate the potential of FETs using GaN-type materials, we analyzed in detail charge control in vertical structures of AlN/GaN insulated gate heterostructure FETs with modulation doping.」（５８４３ページ右欄６〜９行）
（日本語訳：GaN系材料を用いたFETの可能性を調査するために，我々は
変調ドーピングされたAlN/ GaNの絶縁ゲートヘテロ構造FETの垂直構造
　
（イ）「The vertical structures under the gate of the FET which were analyzed are shown in Fig. 1. We explain the role of each layer in the structure shown in Fig. 1(c). Layer(1) AlN is the gate insulator or the first barrier layer which prevents the gate leakage current and confines channel electrons. The shaded regions of layers(2) and (4) are the electron supplying layers and are doped n-type. The unshaded regions of layers(2) and (4) are the spacer layers and are undoped. Layer(3) is the channel. Layer(5) is the second barrier layer which confines channel electrons. Layer(6) is the substrate which is assumed to be lightly doped p-type with a doping concentration of NA=1.0×1014cm-3. The typical layer widths and the conduction band discontinuities are shown in Fig. 1.」(５８４３ページ右欄２７行〜５８４４ページ左欄１２行)
（日本語訳：分析された
FETのゲート下の垂直構造を図１に示
層（1）AlNは，ゲート絶縁膜，すなわちゲートリーク電流を防ぎチャネル電子を閉じ込める第一バリア層である。層（2）及び（4）の網掛けされた領域は電子供給層であり，n型にドープされている。層（2）及び（4）の網掛けされていない領域はスペーサ層であり，ドープされていない。層（3）はチャネルである。層（5）はチャネル電子を閉じ込める第二バリア層である。層（6）は，N
A
=1.0×10
14
cm
-3
のドーピング濃度を有する軽くp型にドープされていると想定される基板である。典型的な層の幅と伝導帯の不連続性を図１に示す
　
（ウ）「FIG. 1. The simulated three vertical structures to obtain the effect of the position of the electron supplying layer to charge control. The structure (a) has the electron supplying layer at the substrate side of the channel. The structure (b) has the electron supplying layer at the surface side of the channel. The structure (c) has the electron supplying layers on both sides of the channel. The hatched regions are the electron supplying layers and are doped n type. The doping concentrations of the electron supplying layers in the cases of (a) and (b) are 4×1019cm-3 and 3×1019 cm-3, respectively. In the case of (c), the doping concentrations of the electron supplying layers at the surface side and at the substrate side are 3×1019 cm-3 and 4×1019 cm-3, respectively.」（FIG.1に付加された説明文）
（日本語訳：電荷制御に対する電子供給層の位置の効果を得るためにシミュレートされた3つの垂直構造。
構造（a）は，チャネルの基板側に電子供給層を持っている。構造（b）は，チャネルの表面側に電子供給層を持っている。
　
（エ）「In such structures as those shown in Fig. 1, Poisson and Schroedinger equations were solved self-consistently for given two-dimensional electron gas (2DEG) concentrations in the system.」（審決注：「Schroedinger」中の「oe」は，oのウムラウトを示す。）（５８４４ページ左欄１９行〜同ページ右欄３行）
（日本語訳:図１に示したこれらのような構造において，システム内の与えられた２次元電子ガス（２ＤＥＧ）濃度について，ポアッソン及びシュレディンガーの方程式を自己無撞着に解いた。）
　
（オ）「V. SUMMARY
We propose a novel AlN/GaN insulated-gate heterostructure field effect transistor (FET) with modulation doping.」（５８５８ページ左欄２２〜２５行）
（日本語訳：Ｖ．要約　我々は，変調ドーピングされたＡｌＮ／ＧａＮ絶縁ゲート絶縁ゲートヘテロ構造電界効果トランジスタ（FET）を提案する。）
　
　ここで，上記（ア）〜（ウ）とともにFIG.1(ｂ)を参照すると，ゲート下の構造として，ゲートから最も離れた側（図上では右端）から順に，GaNから成るバリア層（５），Al0.4GaNからなるアンドープのスペーサ層（４），GaIn0.28Nからなるチャネル層（３），Al0.15GaNからなるアンドープのスペーサ層（２；網掛けなし），Al0.15GaNからなりn型にドープされた電子供給層（２；網掛けあり），及びAlNから成るゲート絶縁膜（１）の各層からなる構造を有する，絶縁ゲートヘテロ構造FETの垂直構造が見て取れる。
　また，上記（ウ）の記載によれば，引用例１のFIG.1(a)に記載されたものがチャネルの基板側に電子供給層を持っていることから，FIG.1（b）に記載されたものは，チャネルの基板とは反対側に電子供給層を持っており，当該基板上に，GaNから成るバリア層（５），Al0.4GaNからなるアンドープのスペーサ層（４），GaIn0.28Nからなるチャネル層（３），Al0.15GaNGaNからなるアンドープのスペーサ層（２；網掛けなし），Al0.15GaNからなりn型にドープされた電子供給層（２；網掛けあり），及びAlNから成るゲート絶縁膜（１）の各層が，この順に設けられていることがわかる。
　さらに，上記各記載及びFIG.1(ｂ)からは，上述の垂直構造を備えた絶縁ゲートヘテロ構造FET自体を把握することができ，AlNから成るゲート絶縁膜（１）上にゲート電極が設けられることは明らかである。
　
　以上を総合すると，引用例１には以下の発明が記載されているものと認められる。（以下「引用発明」という。）
「基板上に設けられた，GaNから成るバリア層，
　該バリア層の上に設けられた，Al0.4GaNからなるアンドープのスペーサ層，
　該スペーサ層の上に設けられた，GaIn0.28Nからなるチャネル層，
　該チャネル層の上に設けられた，Al0.15GaNGaNからなるアンドープのスペーサ層，
　該スペーサ層上に設けられた，Al0.15GaNGaNからなりn型にドープされた電子供給層，
　該電子供給層上に設けられた，AlNから成るゲート絶縁膜，及び
　該ゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極を備える，
　変調ドーピングされたAlN/ GaNの絶縁ゲートヘテロ構造FET。」
　
　イ　引用例２：特開２０００−２５２４５８号公報
　原査定の拒絶の理由において引用され，本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である特開２０００−２５２４５８号公報（以下「引用例２」という。）には，図１及び８とともに次の記載がある。
　
・「【０００４】図８は，従来のＧａＮを用いたＭＩＳＦＥＴの一例を表すものである（Electron Lett., 34 (1998) p.592 参照）。このＭＩＳＦＥＴは，例えば，サファイアよりなる基板１０１の上にＧａＮよりなるバッファ層１０２，不純物を添加していないアルミニウムガリウムナイトライド（undope−ＡｌＧａＮ；undope−は不純物を添加していないことを表す）よりなる下地層１０３およびｎ型ＧａＮよりなるチャネル層としての電子走行層１０４が順次積層され，
電子走行層１０４の上にはアルミニウムナイトライド（ＡｌＮ）よりなる絶縁膜１０５を介して制御電極としてのゲート電極１０６が形成された構造を有している
【０００５】このような構成を有するＭＩＳＦＥＴは，化学的および熱的に安定でかつ高抵抗のＡｌＮよりなる絶縁膜１０５をゲート電極１０６と電子走行層１０４との間に有しているので，Ｓｉ系の金属−酸化膜−半導体電界効果トランジスタ（Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor ；ＭＯＳＦＥＴ）と同様に反転層をチャネルとして動作させることが可能であり，入力振幅を大きくとることができるものと期待されていた（J.Appl.Phys.; 82 (1997) p.5843参照）。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら，
ＡｌＮよりなる絶縁膜１０５を用いた従来のＭＩＳＦＥＴでは，ゲート電極１０６に電圧を印加すると電荷が絶縁膜１０５を通過してしまい，ゲート電極１０６と電子走行層１０４との間のリーク電流を少なく押さえることが難しいという問題があった。そのため，ＭＩＳＦＥＴが有する本来の性能を十分に得ることができなかった
【０００７】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので，その目的は，絶縁膜を通過するリーク電流を少なくすることができる半導体素子を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明による半導体素子は，チャネル層と制御電極との間に絶縁膜を備えると共に，チャネル層は，ＩＩＩ族元素であるガリウム，アルミニウム，ホウ素およびインジウムからなる群のうちの少なくとも１種と，Ｖ族元素である窒素，リンおよびヒ素からなる群のうちの少なくとも窒素とを含む窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体よりなるものであって，絶縁膜は多層膜により構成されている。
【０００９】（略）
【００１０】
本発明による半導体素子では，絶縁膜が多層膜により構成されているので，制御電極に電圧が印加されても，絶縁膜を通過するリーク電流が抑制される
　
・「【００１２】
【発明の実施の形態】以下，本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。
【００１３】（第１の実施の形態）図１は，本発明の第１の実施の形態に係る半導体素子であるＦＥＴの断面構成を表すものである。このＦＥＴは，例えば，基板１１の一面に，バッファ層１２を介して下地層１３，電子供給層１４およびチャネル層としての電子走行層１５が順次積層された構成を有している。
【００１４】（略）
【００１５】下地層１３は，例えば，厚さが２μｍであり，不純物を添加しないundope−Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ｎの結晶により構成されている。電子供給層１４は，例えば，厚さが５ｎｍであり，Ｓｉなどのｎ型不純物が添加されたｎ型Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ｎの結晶により構成されている。この電子供給層１４の不純物濃度は，例えば，２×１０19／ｃｍ3 程度となっている。電子走行層１５は，例えば，厚さが１５ｎｍであり，Ｓｉなどのｎ型不純物が添加されたｎ型ＧａＮの結晶により構成されている。この電子走行層１５の不純物濃度は，例えば，２×１０19／ｃｍ3 程度となっている。
【００１６】なお，電子走行層１５の不純物濃度と厚さとをそれぞれ制御することにより，または，後述するゲート電極１７を構成する金属の種類を変えてゲート電極１７の仕事関数値を変えることにより，ゲート閾値電圧を適宜に調節することができる。すなわち，不純物濃度を高くすればノルマルオン（デプレッションモード；depletion mode）となり，不純物濃度を低くすればノルマルオフ（エンハンスメントモード；enhancement mode）となる。ちなみに，本実施の形態ではデプレッションモードとなっている。
【００１７】
電子走行層１５の基板１１と反対側には，例えば，絶縁膜１６を介して制御電極としてのゲート電極１７が形成されている。この絶縁膜１６は電子走行層１５とゲート電極１７との間において積層された多層膜により構成されており，例えば，電子走行層１５の側に設けられた第１の絶縁膜１６ａと，第１の絶縁膜１６ａとゲート電極１７との間に設けられた第２の絶縁膜１６ｂとを含んでいる
【００１８】
第１の絶縁膜１６ａは，例えば，厚さが６ｎｍであり，ＩＩＩ族元素としてアルミニウム（Ａｌ）を少なくとも含む窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体により構成されている。具体的には，例えば，不純物を添加しないundope−ＡｌＮまたはundope−ＡｌＧａＮなどにより構成されている
【００１９】
第２の絶縁膜１６ｂは，例えば，厚さが１０ｎｍであり，アルミニウムを少なくとも含む窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体以外の絶縁体により構成されている。具体的には，
窒化ケイ素（Ｓｉ
3
 Ｎ
4
 ）
により構成されている。
第２の絶縁膜１６ｂを設けているのは，第２の絶縁膜１６ｂにより絶縁膜１６を通過するリーク電流を抑制するためである
【００２０】ゲート電極１７は，例えば，絶縁膜１６の側からニッケル（Ｎｉ）層および金（Ａｕ）層を順次積層した構成を有しており，絶縁膜１６とは非オーミック接触状態となっている。
【００２１】電子走行層１５の基板１１と反対側には，また，例えば，ゲート電極１７を間に挟むように第１の絶縁膜１６ａを介してソース電極１８とドレイン電極１９とが離間してそれぞれ設けられている。但し，
これらソース電極１８およびドレイン電極１９は電子走行層１５に直接設けられていてもよい。
　
・「【００２２】このような構成を有するＦＥＴは，次のようにして製造することができる。
【００２３】まず，例えば，サファイアよりなるｃ面の基板１１を用意し，水素（Ｈ2 ）ガス雰囲気中において１０５０℃でクリーニングする。次いで，
基板１１の一面に，例えば，ＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemical Vapor Deposition ）法により温度を５５０℃に下げて原料ガスを供給しつつ，undope−Ａｌ
0.15
Ｇａ
0.85
Ｎよりなるバッファ層１２を成長させる。続いて，このバッファ層１２の上に，例えば，同じくＭＯＣＶＤ法により温度を９９０℃に上げて原料ガスを供給しつつ，undope−Ａｌ
0.15
Ｇａ
0.85
Ｎよりなる下地層１３，ｎ型Ａｌ
0.15
Ｇａ
0.85
Ｎよりなる電子供給層１４，ｎ型ＧａＮよりなる電子走行層１５を順次成長させる。そののち，電子走行層１５の上に，例えば，同じくＭＯＣＶＤ法により温度を１０００℃に上げて原料ガスを供給しつつ，undope−ＡｌＮあるいはundope−ＡｌＧａＮよりなる第１の絶縁膜１６ａを成長させる
【００２４】なお，ＭＯＣＶＤにおける原料ガスには，例えば，ガリウムの原料としてトリメチルガリウム（Ｇａ（ＣＨ3 ）3 ；ＴＭＧ），アルミニウムの原料としてトリメチルアルミニウム（Ａｌ（ＣＨ3 ）3 ；ＴＭＡ），窒素の原料としてアンモニア（ＮＨ3 ）およびｎ型不純物の原料としてシラン（ＳｉＨ4 ）をそれぞれ用いる。各ガスの流量は，例えば，ＴＭＧが４０μｍｏｌ／ｍｉｎ，ＴＭＡが１０μｍｏｌ／ｍｉｎ，アンモニアが０．４ｍｏｌ／ｍｉｎおよびシランが約０．０１〜０．１μｍｏｌ／ｍｉｎである。また，原料ガスと共に，キャリアガスとして例えば８リットル／ｍｉｎの水素ガスと８リットル／ｍｉｎの窒素（Ｎ2 ）ガスを流す。成長圧力は例えば２５０Ｔｏｒｒである。
【００２５】このようにして第１の絶縁膜１６ａを成長させたのち，この第１の絶縁膜１６ａの上に，例えば，プラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition ）法によりＳｉＯ2 などの絶縁体よりなる第２の絶縁膜１６ｂを形成する。第２の絶縁膜１６ｂを形成したのち，例えば，反応性イオンエッチング（Reactive Ion Etching；ＲＩＥ）法により，ソース電極１８およびドレイン電極１９の各形成領域にそれぞれ対応して第２の絶縁膜１６ｂを選択的に除去し，第１の絶縁膜１６ａを露出させる。
【００２６】第１の絶縁膜１６ａを選択的に除去したのち，露出させた第１の絶縁膜１６ａの上に，例えば，チタン層，アルミニウム層，白金層および金層を順次蒸着し，熱処理により合金化を行い，ソース電極１８およびドレイン電極１９をそれぞれ形成する。そののち，ソース電極１８とドレイン電極１９との間の第２の絶縁膜１６ｂの上に，例えば，ニッケル層および金層を順次蒸着してゲート電極１７を形成する。これにより，図１に示したＦＥＴが形成される。」
　
・「【００６１】加えてまた，上記各実施の形態では，ＦＥＴの構成について具体的に例を挙げて説明したが，本発明は，他の構成を有するＦＥＴについても同様に適用される。例えば，上記各実施の形態では，デプレッションモードの場合について具体的に説明したが，本発明は，エンハンスメントモードの場合についても同様に適用される。その場合，ゲート電極１９に正の電圧を加えると電子走行層１５内に電荷が誘起されてドレイン電流が流れることを除き，または電子走行層１５と絶縁膜１６，２６，３６，４６との界面の電子走行層１５側内に電荷が誘起され反転層が形成されてドレイン電流が流れることを除き，デプレッションモードと同様である。」
　
　上記各記載から，引用例２には，ＧａＮを用いたＭＩＳＦＥＴにおいて，ＡｌＮよりなる絶縁膜上にゲート電極を設けた従来のものでは，ゲート電極に電圧を印加すると電荷が前記絶縁膜を通過してしまい，ゲート電極と電子走行層との間のリーク電流を少なく押さえることが難しいという問題があり，これを解決するために，ＡｌＮ及びその上のＳｉ3Ｎ4からなる多層絶縁膜上にゲート電極を設けることにより，リーク電流を抑制することが記載されている。また，上記段落【００２３】の記載から，ＧａＮを用いたＭＩＳＦＥＴであって，ＡｌＮ及びその上のＳｉ3Ｎ4からなる多層絶縁膜上にゲート電極を設けたものの製造にあたり，ＭＯＣＶＤ法により，Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ｎよりなる電子供給層１４，ｎ型ＧａＮよりなる電子走行層１５，及びundope−ＡｌＮあるいはundope−ＡｌＧａＮよりなる第１の絶縁膜１６ａを順次成長させることも記載されている。
　
（３）対比
　引用発明は，「変調ドーピングされたAlN/ GaNの絶縁ゲートヘテロ構造FET」の発明であって，製造方法の発明ではない。しかしながら，上記第２　４．（２）ア（オ）に摘記したとおり，引用例１においては，「変調ドーピングされたＡｌＮ／ＧａＮ絶縁ゲート絶縁ゲートヘテロ構造電界効果トランジスタ（FET）」が提案されているのであり，当該「変調ドーピングされたAlN/ GaNの絶縁ゲートヘテロ構造FET」を製造し，それを使用することが当然に想定されているといえる。そして，引用発明に係る「変調ドーピングされたAlN/ GaNの絶縁ゲートヘテロ構造FET」は，基板上に，GaNから成るバリア層（５），Al0.4GaNからなるアンドープのスペーサ層（４），GaIn0.28Nからなるチャネル層（３），Al0.15GaNGaNからなるアンドープのスペーサ層（２；網掛けなし），Al0.15GaNGaNからなりn型にドープされた電子供給層（２；網掛けあり），及びAlNから成るゲート絶縁膜（１）の各層を，この順に成長させることによって製造されることは明らかである。すなわち，引用発明において，当該スペーサ層，チャネル層，スペーサ層，電子供給，及びゲート絶縁膜の各層を設けることは，当該各層を順次形成することに等しいといえる。
　そうすると，本願補正発明と引用発明とを対比すると次のとおりとなる。
　
・引用発明における，「基板上に設けられた，GaNから成るバリア層，　該バリア層の上に設けられた，Al0.4GaNからなるアンドープのスペーサ層，　該スペーサ層の上に設けられた，GaIn0.28Nからなるチャネル層」を簡略に記載すると，基板−バリア層−アンドープのスペーサ層−チャネル層の順に形成されており，「GaIn0.28Nからなるチャネル層」も基板上に形成されるものである。それゆえ，引用発明における「基板上に設けられた，GaNから成るバリア層，　該バリア層の上に設けられた，Al0.4GaNからなるアンドープのスペーサ層，」「GaIn0.28Nからなるチャネル層」を「該スペーサ層の上に設け」ることと，本願補正発明の「基板上に高比抵抗のＧａＮ層を形成するために，原料ガスを前記金属有機化学気相成長反応器の反応チャンバー中に流す工程」とは，「基板上にIII族窒化物の半導体材料から成る半導体層を形成する工程」である点で共通する。
　
・引用発明の「該チャネル層の上に設けられた，Al0.15GaNからなるアンドープのスペーサ層」及び「該スペーサ層上に設けられた，Al0.15GaNからなりn型にドープされた電子供給層」は，「アンドープ」であるか「n型にドープされた」ものであるかの差異はあるものの，ともにAl0.15GaNすなわち同じ組成比のAlGaNからなる半導体層であるところ，当該半導体層は，引用例１の図１に示された伝導帯の不連続性から，「チャネル層」に対して高い伝導帯レベルを有し，「チャネル層」を流れる電子に対してバリアを構成することは明らかである。また，「Al0.15GaN」が，引用発明における「GaIn0.28Nからなるチャネル層」を構成する「GaIn0.28N」よりもバンドギャップが広いことは明らかである。それゆえ，引用発明の「Al0.15GaNからなるアンドープのスペーサ層」及び「該スペーサ層上に設けられた，Al0.15GaNからなりn型にドープされた電子供給層」を併せたものを「該チャネル層の上に設け」ることと，本願補正発明の「前記ＧａＮ層上に，該ＧａＮ層よりも広いバンドギャップを有するＡｌＧａＮバリア半導体層を形成するために，原料ガスを前記反応チャンバー中に流す工程」とは，「前記III族窒化物の半導体材料から成る半導体層上に，該半導体層よりも広いバンドギャップを有するＡｌＧａＮバリア半導体層を形成する工程」である点で共通する。
　
・引用発明の「AlNから成るゲート絶縁膜」を「該電子供給層上に設け」ることと，本願補正発明の「前記ＡｌＧａＮバリア半導体層上に絶縁層を形成するために原料ガスを前記反応チャンバー中に流す工程であって，前記絶縁層が，ＳｉＮ絶縁層とＡｌＮ絶縁層とからなり，該ＡｌＮ絶縁層が，前記ＡｌＧａＮバリア半導体層と前記ＳｉＮ絶縁層との間に挟まれており，前記ＡｌＮ絶縁層が，前記ＳｉＮ絶縁層の成長中に前記ＡｌＧａＮバリア半導体層のドーピングまたは劣化を防止」するものとは，「前記ＡｌＧａＮバリア半導体層上にＡｌＮ絶縁層を含む絶縁層を形成する工程」である点で共通する。
　
・引用発明における「AlNから成るゲート絶縁膜」は，上記第２　４．（２）ア（イ）に摘記したとおり「ゲートリーク電流を防ぎチャネル電子を閉じ込める第一バリア層である」から，本願補正発明の「ゲート漏洩のバリア」に対応するものといえる。それゆえ，引用発明において，スペーサ層，チャネル層，スペーサ層，電子供給，及びゲート絶縁膜の各層を設けて「変調ドーピングされたAlN/ GaNの絶縁ゲートヘテロ構造FET」とすることと，本願補正発明の「ゲート漏洩のバリアを備えた高電子移動度トランジスタの製造方法」とは，「ゲート漏洩のバリアを備えたトランジスタの製造方法」である点で共通する。
　
　したがって，引用発明と本願補正発明とは，
「ゲート漏洩のバリアを備えたトランジスタの製造方法であって，
　基板上にIII族窒化物の半導体材料から成る半導体層を形成する工程と，
　前記III族窒化物の半導体材料から成る半導体層上に，該半導体層よりも広いバンドギャップを有するＡｌＧａＮバリア半導体層を形成する工程と，
　前記ＡｌＧａＮバリア半導体層上にＡｌＮ絶縁層を含む絶縁層を形成する工程と
　を有することを特徴とするトランジスタの製造方法。」
である点で一致する。
　
　一方，両者は，以下の各点で相違する。
　
《相違点１》
　本願補正発明は「ゲート漏洩のバリアを備えた高電子移動度トランジスタの製造方法」であるのに対し，引用発明は「ゲート漏洩のバリアを備えたトランジスタの製造方法」に対応するものではあるものの，「高電子移動度トランジスタの製造方法」であることは明らかでない点。
　
《相違点２》
　本願補正発明は「基板を金属有機化学気相成長反応器中に置く工程と，　前記基板上に高比抵抗のＧａＮ層を形成するために，原料ガスを前記金属有機化学気相成長反応器の反応チャンバー中に流す工程」を備えるが，引用発明は「基板上にIII族窒化物の半導体材料から成る半導体層を形成する工程」に対応する構成を有するとはいえるものの，「基板を金属有機化学気相成長反応器中に置く工程」と，「前記基板上に高比抵抗のＧａＮ層を形成するために，原料ガスを前記金属有機化学気相成長反応器の反応チャンバー中に流す工程」は備えない点。
　
《相違点３》
　本願補正発明は「前記ＧａＮ層上に，該ＧａＮ層よりも広いバンドギャップを有するＡｌＧａＮバリア半導体層を形成するために，原料ガスを前記反応チャンバー中に流す工程」を備えるが，引用発明は「前記III族窒化物の半導体材料から成る半導体層上に，該半導体層よりも広いバンドギャップを有するＡｌＧａＮバリア半導体層を形成する工程」に対応する構成を備えるとはいえるものの，本願補正発明に係る上記構成は備えない点。
　
《相違点４》
　本願補正発明は「前記ＡｌＧａＮバリア半導体層上に絶縁層を形成するために原料ガスを前記反応チャンバー中に流す工程であって，前記絶縁層が，ＳｉＮ絶縁層とＡｌＮ絶縁層とからなり，該ＡｌＮ絶縁層が，前記ＡｌＧａＮバリア半導体層と前記ＳｉＮ絶縁層との間に挟まれており，前記ＡｌＮ絶縁層が，前記ＳｉＮ絶縁層の成長中に前記ＡｌＧａＮバリア半導体層のドーピングまたは劣化を防止」するものを備えるが，引用発明は，「前記ＡｌＧａＮバリア半導体層上にＡｌＮ絶縁層を含む絶縁層を形成する工程」に対応する構成を備えるとはいえるものの，本願補正発明に係る上記構成は備えない点。
　
《相違点５》
　本願補正発明は「前記反応チャンバーを冷却する工程」及び「堆積された層を備える前記基板を前記反応チャンバーから取り出す工程」とを備えるが，引用発明は前記各工程を備えない点。
　
（４）当審の判断
《相違点１について》
　前記第２　４．（２）ア（エ）に摘記した「図１に示したこれらのような構造において，システム内の与えられた２次元電子ガス（２ＤＥＧ）濃度について，ポアッソン及びシュレディンガーの方程式を自己無撞着に解いた」との記載から，引用例１において図１に示された（ａ）〜（ｃ）の各構造が，２次元電子ガス（２ＤＥＧ）が形成されるものとして構成されていることがわかる。そして，一般に，２次元電子ガス（２ＤＥＧ）を形成するために電子を供給する層が「電子供給層」とされ，また「電子供給層」よりも伝導帯が低い層の「電子供給層」側に２次元電子ガス（２ＤＥＧ）が形成されるものであるから，引用発明において「GaIn0.28Nからなるチャネル層」の「Al0.15GaNからなりn型にドープされた電子供給層」側に２次元電子ガス（２ＤＥＧ）が形成されることは当業者に明らかなことである。そして，前記周知例１にも記載されているように，チャネル層に２次元電子ガス（２ＤＥＧ）を形成して動作するトランジスタをＨＥＭＴ，すなわち「高電子移動度トランジスタ」と呼ぶことは普通になされることである。
　そうすると，引用発明に係る「変調ドーピングされたAlN/ GaNの絶縁ゲートヘテロ構造FET」は「高電子移動度トランジスタ」であるということができ，引用発明は「ゲート漏洩のバリアを備えた高電子移動度トランジスタの製造方法」に対応するものということができる。
　よって，相違点１は実質的な相違点ではなく，仮にそうでないとしても，当業者が適宜になし得た範囲に含まれる程度のものである。
　
《相違点２について》
　前記第２　４．（２）イに摘記した引用例２の段落【００２２】〜【００２４】に記載されているほか，以下の周知例１にも記載されているように，ＧａＮ，ＡｌＧａＮ及びＡｌＮなどのIII族窒化物の半導体材料から成る半導体層により構成される素子を，ＭＯＣＶＤ法，すなわち有機金属気相成長法により形成することは，従来より周知の技術であり，また，ＭＯＣＶＤ法によって半導体層を成長させるにあたり，成長装置のリアクタ，すなわち反応器の反応チャンバーの中に基板をおき，当該反応チャンバー中に原料ガスを流すことも，以下の周知例２にも記載されているように従来より周知の技術である。
　
周知例１：　特開平１１−２６１０５２号公報
　原査定の拒絶の理由において引用され，本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である特開平１１−２６１０５２号公報には，図１とともに次の記載がある。
・「【００１０】
【発明の実施の形態】以下，本発明のＨＥＭＴにつき，その基本構造を示す図１に基づいて詳細に説明する。本発明のＨＥＭＴは，半絶縁性基板１の上に，バッファ層２，下部ｉ型半導体層３，ｎ型半導体層４，上部ｉ型半導体層５から成る積層構造Ａが形成され，上部ｉ型半導体層５の上には，絶縁層６を介してゲート電極Ｇが装荷され，また，低抵抗ｎ型半導体層７ａ，７ｂを介してソース電極Ｓ，ドレイン電極Ｄがそれぞれ装荷された構造になっている。
【００１１】ここで，ソース電極Ｓ，ドレイン電極Ｇは，それぞれ，低抵抗のｎ型半導体層７ａ，７ｂを介して上部ｉ型半導体層５に装荷されているので，
電子のチャネルとして機能する上部ｉ型半導体層６（審決注：「上部ｉ型半導体層５」の誤記と認める。）
本発明のＨＥＭＴに積層構造Ａは，ＧａＮ系化合物半導体に対してＭＯＣＶＤ法やＭＯＭＢＥ法など公知のエピタキシャル成長法を適用することにより，半絶縁性基板１の上に所定組成の半導体層を成膜していくことによって製造することができる
【００１２】・・・（中略）・・・
【００１３】下部ｉ型半導体層３，
上部ｉ型半導体層５を構成するＧａＮ系化合物半導体としては
これらのうち，ｉ型ＧａＮは好適である
　
周知例２：　特開２００１−７７４１５号公報
　原査定の拒絶の理由において引用され，本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である特開２００１−７７４１５号公報には，図１〜３とともに次の記載がある。
・「【００２８】まず，
図２を参照して，本発明の製造方法において成長装置として使用した公知のＭＯＣＶＤ装置の概略について，説明する
【００２９】
図２の装置構成では，ＧａＮ系化合物半導体層を結晶成長させるための（０００１）面を有する基板２０１（サファイア基板）が，炭素からなるサセプタ２０２の上に配置されている。サセプタ２０２の内部には，同じく炭素からなる抵抗加熱式のヒータ（図示せず）が配置されている。熱電対を用いてヒータに流れる電流を制御することにより，基板２０１の温度を制御することができる。これらの基板２０１及びサセプタ２０２は，石英からなる二重のリアクタ２０３に収容されている
【００３０】
基板２０１の上に結晶成長されるＧａＮ系化合物半導体結晶のＶ族原料及びIII族原料は，キャリアガス（Ｈ
2
或いはＮ
2
）と混合された混合ガス２１０として，原料入口２０４よりリアクタ２０３に導入され，排気ガス出口２０５より排出される。Ｖ族原料としては，アンモニア（ＮＨ
3
）２０６を使用し，III族原料としては，トリメチルガリウム（ＴＭＧ）２０７ａ，トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）２０７ｂ，及びトリメチルインジウム（ＴＭＩ）２０７ｃを窒素ガス或いは水素ガスでバブリングして使用した。ｎ型のドーピング原料としては，ＳｉＨ
4
２０９を使用し，ｐ型のドーピング原料としては，ビスシクロペンタジエニルマグネシウム（Ｃｐ
2
Ｍｇ）２０７ｄを使用した
【００３１】次に，上述のＭＯＣＶＤ装置を用いて，ＧａＮ系化合物半導体発光ダイオードを形成する結晶成長手順について，図１及び図３を参照して以下に説明する。図１は，発光層近傍の半導体層の成長における結晶成長温度と各原料ガスの供給量とを示すタイミングチャートである。図３は，形成されるＧａＮ系化合物半導体発光ダイオード３００の構成を模式的に示す概略断面図である。
【００３２】
まず，（０００１）面を有するサファイア基板３０１を洗浄して，ＭＯＣＶＤ装置の内部（図２における参照番号２０１の位置）に，設置する
【００３３】その後，ＴＭＧの供給を停止して，温度を約１０５０℃まで昇温する。その後，
再びＴＭＧを約５０μｍｏｌ／ｍｉｎで供給するとともに，ｎ型ドーピング原料としてＳｉＨ
4
ガスを約１０ｎｍｏｌ／ｍｉｎで供給して，ｎ型ＧａＮ層３０３を約４μｍの厚さで成長させる
【００３４】
　・・・（中略）・・・
【００４２】上記のＩｎＧａＮ発光層３０６の成長後に，昇華防止層成長期間１０６（図１）に示すように，
ＴＭＧを１０μｍｏｌ／ｍｉｎ，ＴＭＡを５μｍｏｌ／ｍｉｎ，及びｐ型ドーピング原料としてＣｐ
2
Ｍｇを供給して，ｐ型ＡｌＧａＮ層３０７を約３０ｎｍの厚さで成長させる
【００４３】その後，昇温期間１０８（図１）において，ＴＭＧ，ＴＭＡ，及びＣｐ2Ｍｇの供給を停止して，基板温度を再び約１０５０℃まで昇温する。基板の昇温後，ｐ型ＧａＮ層成長期間１０５（図１）に示すように，ＴＭＧを５０μｍｏｌ／ｍｉｎ，及びＣｐ2Ｍｇを供給し，ｐ型ＧａＮコンタクト層３１０を約０．５μｍの厚さで成長させる。
成長終了後，ＴＭＧとＣｐ
2
Ｍｇの供給を停止し，基板加熱を終了する
【００４４】
基板温度がほぼ室温になれば，上記により作製された基板を結晶成長装置から取りだし
　
　また，上記周知例１の段落【００１１】及び【００１３】に記載されているように，高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）のチャネル層としてｉ型ＧａＮ，すなわち，高比抵抗のＧａＮから成る半導体層を用いることも従来より周知の技術である。
　したがって，引用発明について，チャネル層を構成する材料を，「GaIn0.28N」に代えて高比抵抗のＧａＮとするとともに，引用発明に係る「変調ドーピングされたAlN/ GaNの絶縁ゲートヘテロ構造FET」を構成するIII族窒化物からなる各層を，有機金属気相成長法により形成すべく，「基板を金属有機化学気相成長反応器中に置」き，「前記基板上に高比抵抗のＧａＮ層を形成するために，原料ガスを前記金属有機化学気相成長反応器の反応チャンバー中に流す工程」を備えて，相違点２に係る構成を備えるようにすることは，当業者が適宜になし得たことである。
　よって，相違点２は，当業者が適宜になし得た範囲に含まれる程度のものである。
　
《相違点３について》
　上記《相違点２について》において述べたとおり，チャネル層を構成する材料を，「GaIn0.28N」に代えて高比抵抗のＧａＮとすることは当業者が適宜になし得たことであるところ，本願補正発明の「ＡｌＧａＮバリア半導体層」に対応する，引用発明の「Al0.15GaNからなるアンドープのスペーサ層」及び「該スペーサ層上に設けられた，Al0.15GaNからなりn型にドープされた電子供給層」を併せたものが，「ＧａＮ層よりも広いバンドギャップを有」し，また，「ＧａＮ」よりも高い伝導帯レベルを有し，電子に対してバリアを構成することは明らかである。それゆえ，チャネル層を構成する材料を，「GaIn0.28N」に代えて高比抵抗のＧａＮとすることに伴い，「前記ＧａＮ層上に，該ＧａＮ層よりも広いバンドギャップを有するＡｌＧａＮバリア半導体層を形成する」ことはおのずと得られる構成である。
　また，上記《相違点２について》において述べたとおり，ＧａＮ，ＡｌＧａＮ及びＡｌＮなどのIII族窒化物の半導体材料から成る半導体層により構成される素子を，ＭＯＣＶＤ法，すなわち有機金属気相成長法により形成することは，従来より周知の技術であるところ，前記III族窒化物の半導体材料から成る複数の半導体層からなる積層構造を，ＭＯＣＶＤ法の成長装置のリアクタ，すなわち反応器の反応チャンバーの中に基板をおいたまま，当該反応チャンバー中に種々の原料ガスを流すことにより形成することも，前記周知例２に記載されているように，従来より周知の技術である。
　それゆえ，引用発明について，チャネル層を構成する材料を，「GaIn0.28N」に代えて高比抵抗のＧａＮとしてＭＯＣＶＤ法により形成するとともに，引き続いて，ＭＯＣＶＤ法の成長装置のリアクタ，すなわち反応器の反応チャンバーの中に基板をおいたまま，該ＧａＮ層よりも広いバンドギャップを有するＡｌＧａＮバリア半導体層を形成するために，原料ガスを前記反応チャンバー中に流すことは，当業者が適宜になし得たことである。
　よって，相違点３は，当業者が適宜になし得た範囲に含まれる程度のものである。
　
《相違点４について》
　引用発明は，「電子供給層上に設けられた，AlNから成るゲート絶縁膜，及び　該ゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極を備える」ところ，「AlNから成るゲート絶縁膜」は，引用例１に記載されているように，「AlNは，ゲート絶縁膜，すなわちゲートリーク電流を防」ぐために設けられているものである。ところが，引用例２には，ＡｌＮよりなる絶縁膜上にゲート電極を設けたものでは，ゲート電極に電圧を印加すると電荷が前記絶縁膜を通過してしまい，ゲート電極と電子走行層との間のリーク電流を少なく押さえることが難しいという問題があることが記載されているから，引用発明において，ゲートリーク電流をより確実に低減すべく，「AlNから成るゲート絶縁膜」に代えて，引用例２に記載された，ＡｌＮ及びその上のＳｉ3Ｎ4からなる多層絶縁膜上にゲート電極を設けることにより，リーク電流を抑制する技術を採用することは，当業者が容易になし得たことといえる。そして，引用例２に記載された，ＡｌＮ及びその上のＳｉ3Ｎ4からなる多層絶縁膜を採用することに伴い，Ｓｉ3Ｎ4の形成時には，ＡｌＮが表面に存在することにより，ＡｌＮ層よりも下の構造への，成膜環境からの物質の混入が抑えられ，これに伴う劣化が少なくなることは自明なことである。ここで，「Ｓｉ3Ｎ4」は「ＳｉＮ」とも略記されるものである。また，ＡｌＮ層がリーク電流を抑制するバリアとなることは明らかである。
　そして，上記《相違点３について》において述べたとおり，III族窒化物の半導体材料から成る複数の半導体層からなる積層構造を，ＭＯＣＶＤ法の成長装置のリアクタ，すなわち反応器の反応チャンバーの中に基板をおいたまま，当該反応チャンバー中に種々の原料ガスを流すことにより形成することは，従来より周知の技術であるところ，ＭＯＣＶＤ装置において，半導体層の成長に引き続き連続してＳｉＮ（窒化シリコン膜）を形成することも，以下の周知例３及び４にも記載されているように，従来より周知の技術である。　
　
周知例３：　特開平７−２８３１４０号公報
　原査定の拒絶の理由において引用され，本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である特開平７−２８３１４０号公報には，図１とともに次の記載がある。
・「【０００７】
【実施例】以下に本発明の実施例を挙げ，図面を用いてさらに詳細に説明する。
＜実施例１＞
図１に，本発明の活性原子供給装置の構成の一例を示す。本実施例に示す活性原子供給装置は，石英ガラス管１中にプラズマを閉じ込め，プラズマ領域２で生成する活性原子は，ガス流に同伴して反応容器９へ供給される
・「【０００９】＜実施例３＞
本発明の活性原子の供給制御方法により，活性窒素原子を生成させ，これを反応容器に供給して，窒化ガリウム半導体薄膜を成長させた。
窒素原料は窒素ガス，ガリウム原料はトリエチルガリウム，キャリアガスとして水素ガス，プラズマ制御用の不活性ガスとしてアルゴンを用いた。そして，窒化ガリウム半導体の結晶成長は，以下の手順で行った。ＧａＡｓ基板またはサファイア基板を反応容器内の基板支持台に載置し，キャリアガスとアルゴンガスを供給する
・「【００１４】＜実施例８＞本実施例では，
本発明の活性原子供給装置により活性窒素原子と，シランガスとを反応容器に併せて供給することにより窒化シリコン絶縁膜を作製した
本実施例において，反応容器を一定の圧力に保ったまま，窒化シリコン絶縁膜の作製の開始または停止が可能であった
本発明の活性原子供給装置は容易に結晶成長装置に組み込むことが可能であるため，結晶成長を終了した基板を大気中に取り出すことなく，引き続き同じ反応容器で絶縁膜の形成を行うことができる
　ここで，上記段落【０００９】に記載のとおり，窒化ガリウム半導体薄膜が，キャリアガスとともにガリウム原料としてトリエチルガリウムが供給されることから，有機金属気相成長（ＭＯＣＶＤ）法により成長されているといえ，また，その成長の後に，段落【００１４】に記載されているように，結晶成長を終了した基板を大気中に取り出すことなく，引き続き同じ反応容器で，窒化シリコン絶縁膜の形成を行うことができることは明らかである。
　
周知例４：　特開平１０−１８９５６２号公報
　本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である特開平１０−１８９５６２号公報には，図１〜３とともに次の記載がある。
・「【００３０】（第一実施形態）図１〜図３を用いて，本発明の第一実施形態に係わる化合物半導体装置及びその製造方法を説明する。図１は，第一実施形態において，化合物半導体装置の製造に用いる製造装置の簡略構成図である。
【００３１】同図に示すように，本製造装置は供給口と排出口を有する密閉可能な成長室１０を備えている。排出口には，図示しないが成長室１０内を真空排気できるよう排気ポンプが接続されていることが多い。成長室１０内には，ヒータを内蔵した基板台１１が備えられ，基板２１はこの基板台１１上に設置される。
【００３２】成長室１０の供給口には，配管を通じてキャリヤガスであるＮ2の供給源１２とＨ2の供給源１３，成長層の原料ガスとなるトリメチルガリウム（ＴＭＧ），トリメチルインジウム（ＴＭＩ），トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）およびＮＨ3それぞれの供給源１４〜１７，さらに各成長層のドーピングガスとなるシクロペンタジエニルマグネシウム（Ｃｐ2Ｍｇ）の供給源１８とＳｉＨ4の供給源１９がそれぞれ接続されている。各供給源は流量調整のためマスフローメータとバルブを介して共通する配管に接続されている。
【００３３】第一実施形態では，
基板としてサファイア基板を用い，この基板上にＭＯＣＶＤ法を用いて窒化ガリウム系の各成長層をエピタキシャル成長させ，さらに保護薄膜として誘電体薄膜であるＳｉＮ
x
膜を成長させた場合について説明する
【００３４】図１に示すように，サファイア基板２１（図２（Ａ））を，成長室１０内に載置し，キャリヤガスとして用いるＮ2およびＨ2を流しながら成膜に必要な温度８００℃〜１３００℃まで基板を昇温する。以下，各成長層の形成中は，継続してＮ2とＨ2のキャリヤガスを流し，反応ガスとドーピングガスは，形成する成長層の種類に応じて供給停止操作を使い分ける。なお，圧力条件は成長層および保護薄膜いずれを形成する際も常圧とする。
【００３５】まず
反応ガス源としてＴＭＧとＮＨ
3 
ガスを用いてＧａＮバッファー層２３（図２（Ｂ））を形成する。次に，反応ガス源としてＴＭＧ，ＮＨ
3 
ガス，ｎ型のドーピングガス源としてＳｉＨ
4
を用いてｎ−ＧａＮ層２５（図２（Ｃ））を形成する。さらに，反応ガスとしてＴＭＧ，ＴＭＩ，ＮＨ
3 
を用い，ノンドープのＩｎＧａＮ活性層２７（図２（Ｄ））を成長させる。この後，ＴＭＡ，ＴＭＧ，ＮＨ
3 
ガスを反応ガス源として用い，Ｃｐ
2 
Ｍｇをｐ型ドーピングガス源として用いてｐ−ＡｌＧａＮ層２９（図３（Ａ））を形成し，引き続きＴＭＧとＮＨ
3
ガスおよび流量を増やしたＣｐ
2 
Ｍｇを用い，ｐ
+
−ＧａＮコンタクト層３１（図３（Ｂ））を成長させる
【００３６】
この成長層最表面のｐ
+ 
−ＧａＮコンタクト層３１の形成が終了したら，反応ガスとして用いたＴＭＧとドーピングガスであるＣｐ
2
Ｍｇの供給を止め，代わりに上記成長層形成においてｎ型ドーピングガス源として用いたＳｉＨ
4
ガスの供給を開始する
【００３７】
即ち，サファイア基板２１の上に複数層の成長層２３〜３１が積載された半導体装置を成長室１０内に載置したまま，基板温度は成長層２３〜３１の成長終了時の温度である８００℃〜１３００℃を維持し，キャリヤガスであるＮ
2
とＨ
2
，および反応ガスとして用いたＮＨ
3
ガスを流した状態でＳｉＨ
4 
ガスが成長室１０内に供給される。ＳｉＨ
4 
ガスとＮＨ
3 
ガスが反応し，最上層であるｐ
+ 
−ＧａＮコンタクト層３１の表面にＳｉＮ
x
膜（誘電体薄膜）３３を連続成長できる
　
　それゆえ，引用発明について，ＡｌＧａＮバリア半導体層上にＡｌＮ絶縁層を形成することに続けて，さらにＳｉＮ絶縁膜を形成すべく，ＭＯＣＶＤ法の成長装置のリアクタ，すなわち反応器の反応チャンバーの中に基板をおいたまま，当該反応チャンバー中に種々の原料ガスを流して，相違点４に係る「ＡｌＧａＮバリア半導体層上に絶縁層を形成するために原料ガスを前記反応チャンバー中に流す工程であって，前記絶縁層が，ＳｉＮ絶縁層とＡｌＮ絶縁層とからなり，該ＡｌＮ絶縁層が，前記ＡｌＧａＮバリア半導体層と前記ＳｉＮ絶縁層との間に挟まれており，前記ＡｌＮ絶縁層が，前記ＳｉＮ絶縁層の成長中に前記ＡｌＧａＮバリア半導体層のドーピングまたは劣化を防止」するものとすることは，当業者が適宜になし得たことである。
　よって，相違点４は，当業者が適宜になし得た範囲に含まれる程度のものである。
　
《相違点５について》
　前記《相違点２について》〜《相違点４について》において述べたとおり，ＧａＮ，ＡｌＧａＮ及びＡｌＮなどのIII族窒化物の半導体材料から成る層構造を有機金属気相成長法により形成し，また，引き続いて，反応器の反応チャンバーにおいてＳｉＮ絶縁層を形成することは当業者が適宜になし得たことであるところ，当該各形成工程が終了した後に，前記反応チャンバーを冷却し，前記各層が堆積された基板を前記反応チャンバーから取り出すことは，前記周知例２の段落【００４３】〜【００４４】にも記載されているように，当然になされることである。それゆえ，引用発明について，相違点５に係る，「前記反応チャンバーを冷却する工程」及び「堆積された層を備える前記基板を前記反応チャンバーから取り出す工程」とを備えるようにすることは，当業者が適宜になし得たことである。
　よって，相違点５は，当業者が適宜になし得た範囲に含まれる程度のものである。
　
（５）小括
　以上のとおりであるから，本願補正発明は，周知技術を勘案して，引用発明及び引用例２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり，特許法第２９条第２項の規定により，特許を受けることができない。
　よって，本願補正発明は，特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
５．むすび
　したがって，本件補正は，平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので，同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
１．本願発明
　平成２４年１月４日にされた手続補正は上記のとおり却下され，また，平成２３年７月２６日にされた手続補正は，同年８月２４日付けで却下されているので，本願の請求項１に係る発明は，同年４月４日にされた手続補正により補正された特許請求の範囲，明細書及び図面の記載から見て，その請求項１に記載された事項により特定される以下のとおりのものである。（以下「本願発明」という。）
「【請求項１】
　ゲート漏洩のバリアを備えた高電子移動度トランジスタの製造方法であって，
　基板を金属有機化学気相成長反応器中に置く工程と，
　前記基板上に高比抵抗のＧａＮ層を形成するために，原料ガスを前記金属有機化学気相成長反応器の反応チャンバー中に流す工程と，
　前記ＧａＮ層上に，該ＧａＮ層よりも広いバンドギャップを有するＡｌＧａＮバリア半導体層を形成するために，原料ガスを前記反応チャンバー中に流す工程と，
　前記ＡｌＧａＮバリア半導体層上に絶縁層を形成するために原料ガスを前記反応チャンバー中に流す工程であって，前記絶縁層が，ＳｉＮ絶縁層とＡｌＮ絶縁層とからなり，該ＡｌＮ絶縁層が，前記ＡｌＧａＮバリア半導体層と前記ＳｉＮ絶縁層との間に挟まれており，
　前記反応チャンバーを冷却する工程と，
　堆積された層を備える前記基板を前記反応チャンバーから取り出す工程と
　を有することを特徴とする高電子移動度トランジスタの製造方法。」
　
２．引用発明
　引用発明は，前記第２　４．「（２）刊行物に記載された発明」に記載したとおりのものである。
　
３．対比・判断
　前記第２「１．本件補正の内容」〜第２「３．補正の目的の適否及び新規事項の追加の有無についての検討」において記載したように，本願補正発明は，本件補正前の請求項１（本願発明）について前記〈補正事項１〉に係る限定を付したものである。言い換えると，本願発明は，本願補正発明から前記限定を除いたものである。
　そうすると，本願発明の構成要件をすべて含み，これをより限定したものである本願補正発明が，前記第２の４．「（３）補正発明と引用発明との対比」〜第２の４．「（５）小括」において検討したとおり，周知技術を勘案して，引用発明及び引用例２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，本願発明も同様の理由により，当業者が容易に発明をすることができたものである。
　よって，本願発明は特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
第４　むすび
　以上のとおりであるから，本願は，他の請求項に係る発明について検討するまでもなく，拒絶すべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。