【事件の表示】
　特願２００５−３６６１４２「ＳＯＩ基板およびＳＯＩ基板の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１９年　７月　５日出願公開、特開２００７−１７３３５４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯 
 　本願は、平成１７年１２月２０日の出願であって、平成２４年　２月１０日付けで拒絶理由が通知され、これに対して、同年　４月１０日に意見書及び手続補正書が提出されたが、同年　７月１０日付けで拒絶査定がなされ、これを不服として、同年１０月１７日に審判請求がなされるとともに、手続補正書が提出されたものである。 
 　 
第２　補正の却下の決定 
 　 
 ［補正の却下の決定の結論］ 
 　平成２４年１０月１７日に提出された手続補正書による手続補正を却下する。 
 　 
 ［理　由］ 
 １　平成２４年１０月１７日に提出された手続補正書による手続補正（以下「本件補正」という。）の内容 
 　本件補正は、平成２４年　４月１０日に提出された手続補正書により補正された（以下「本件補正前の」という。）特許請求の範囲の請求項１を補正しようとする事項を含むものであるが、そのうち請求項１に係る補正は以下のとおりである。 
 　 
 　「【請求項１】
　貼り合せによるＳＯＩ基板の製造方法であって、
　単結晶シリコン基板の一方主面に平均イオン注入深さＬの水素イオン注入層を形成する第１のステップと、
　透明絶縁性基板である石英基板の一方主面及び前記単結晶シリコン基板の一方主面の少なくとも一方に表面処理を施す第２のステップと、
　前記単結晶シリコン基板の一方主面と前記石英基板の一方主面とを密着させる第３のステップと、
　前記単結晶シリコン基板と前記石英基板とを密着させた状態で１００〜３００℃の範囲の温度で加熱して接合処理を施す第４のステップと、
　前記平均イオン注入深さＬに相当する位置の結晶面に沿って単結晶シリコン薄膜を機械的に剥離して前記石英基板上にＳＯＩ層を形成する第５のステップとを備え、
　
前記第１のステップにおける水素イオンのドーズ量は３×１０
１７
ａｔｏｍｓ／ｃｍ
２
以下であり、
　前記単結晶シリコン基板は、ＣＺ法（チョクラルスキー法）または浮遊帯域法（ＦＺ法）で結晶成長させた準完全結晶（ＮＰＣ）単結晶シリコン基板であり、
　前記第２のステップの表面処理は、プラズマ処理及びオゾン処理の少なくとも一方の処理であり、
　前記プラズマ処理は、酸素ガス、水素ガス、アルゴンガス、またはこれらの混合ガス、あるいは水素ガスとヘリウムガスの混合ガスをプラズマ用ガス種として実行され、
　前記オゾン処理は、チャンバ内にガス導入して発生させたプラズマにより雰囲気中の酸素をオゾンに変換させて実行される、
ことを特徴とするＳＯＩ基板の製造方法。」 
 　（なお、上記下線は、補正箇所を示している。以下、下線は当審が引いたものである。） 
 　 
 ２　補正の適否について 
 （１）補正の目的 
 　上記の請求項１に関する補正は、本件補正前の請求項１に、本件補正前の請求項５、６に記載されていた発明特定事項を付加し、これに伴い本件補正前の請求項５，６を削除し、さらに、本願明細書の【００２７】、【００３３】及び【００３５】の記載に基づいて、水素イオンのドーズ量、プラズマ処理およびオゾン処理の条件を限定的に補正しようとするものであり、他に、上記請求項１に関する補正に加えて、本件補正前の請求項２〜４、７及び８を削除している。そして、請求項１に関する各補正事項を詳述すれば、次のとおりである。
　 
 　　ア　第１のステップにおいて、水素イオン注入層を形成する際の水素イオンのドーズ量を本願明細書【００２６】の「本発明においては、単結晶Ｓｉ基板への水素イオンの注入ドーズ量の上限値は３×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ２とされる。」との記載を根拠として、「前記第１のステップにおける水素イオンのドーズ量は３×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ２以下であり、」との限定的な補正をし、（なお、本件補正前の請求項４は、ドーズ量の下限値を限定する本件補正前の請求項２又は３を引用していたので、下限値を特定していない上記補正事項アは、請求項４の発明特定事項を請求項１に付加したものではないので、上記のように明細書の記載を根拠としているものとして判断した。）
 　　イ　単結晶シリコン基板ついて、本件補正前の請求項５の「前記単結晶シリコン基板は、ＣＺ法（チョクラルスキー法）または浮遊帯域法（ＦＺ法）で結晶成長させた準完全結晶（ＮＰＣ）単結晶シリコン基板」との記載を根拠として「前記単結晶シリコン基板は、ＣＺ法（チョクラルスキー法）または浮遊帯域法（ＦＺ法）で結晶成長させた準完全結晶（ＮＰＣ）単結晶シリコン基板であり、」との構成を付加し、 
 　　ウ　第２のステップの表面処理について、本件補正前の請求項６の「前記第２のステップの表面処理は、プラズマ処理及びオゾン処理の少なくとも一方の処理である」を根拠として、「前記第２のステップの表面処理は、プラズマ処理及びオゾン処理の少なくとも一方の処理であり、」との構成を付加し、 
 　　エ　プラズマ処理について、更に、本願明細書【００３３】の「この表面処理をプラズマ処理により実行する場合には、・・（略）・・なお、ここで用いられるプラズマ用ガス種としては、単結晶Ｓｉ基板の表面処理用として、酸素ガス、水素ガス、アルゴンガス、またはこれらの混合ガス、あるいは水素ガスとヘリウムガスの混合ガスなどがあり、単結晶Ｓｉ基板の表面状態や目的などにより適宜変更され得る。」との記載を根拠として、「前記プラズマ処理は、酸素ガス、水素ガス、アルゴンガス、またはこれらの混合ガス、あるいは水素ガスとヘリウムガスの混合ガスをプラズマ用ガス種として実行され、」との限定的な補正をし、 
 　  オ　オゾン処理について、更に、本願明細書【００３５】の「 表面処理をオゾン処理で実行する場合には、・・（略）・・チャンバ内に窒素ガスやアルゴンガスなどのプラズマ用ガスを導入した後に所定の電力の高周波プラズマを発生させ、当該プラズマにより雰囲気中の酸素をオゾンに変換させ、処理される単結晶Ｓｉ基板および／または透明絶縁性基板の表面に所定の時間の処理が施される。」との記載を根拠として、「前記オゾン処理は、チャンバ内にガス導入して発生させたプラズマにより雰囲気中の酸素をオゾンに変換させて実行される、」との限定的な補正をしようとするものである。　
　したがって、上記請求項１に関する各補正事項ア〜オは、新規事項を追加するものではないことは明らかであるから、本件補正は、特許法第１７条の２第３項の規定に該当し、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第１号の請求項の削除及び第２号の特許請求の範囲の減縮を目的としたものに該当する。
 　 
 （２）独立特許要件 
 　次に、本件補正による補正後の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）が特許出願の際、独立して特許を受けることができるものであるのか否か（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するものであるのか否か）について検討する。 
 　 
 　　ア　引用刊行物及びその摘記事項 
 （ア）原査定の拒絶の理由で引用文献１として引用され、本願出願前に日本国内において頒布された刊行物である特表２００４−５０３１１１号公報（以下「刊行物１」という。）には、「材料ブロックを切り取るための方法ならびに薄膜の形成方法」（発明の名称）に関して、図１とともに次の技術事項が記載されている。 
 　 
 （刊１ア）「【０００１】【発明の属する技術分野】・・（略）・・
【０００２】
自立性のまたは支持基板と一体化された薄膜は、
マイクロエレクトロニクスやオプトエレクトロニクスやマイクロメカニクスといった分野において、広く使用されている。よって、本発明は、これら分野に応用することができる。特に、素子や集積回路の製造に応用することができる
　
（刊１イ）「【００３７】【発明の実施の形態】・・（略）・・
【００４０】
図１Ａは、基板（１０）を示している。
基板（１０）は、
均質である
材料ブロックから構成され
半導性の
材料からなるインゴットまたはプレート
ブロックが半導体プレートである場合には、これは、例えばシリコン基板とすることができる
【００４１】
例えば１００ｋｅＶというエネルギーでもってかつ
７×１０
１６
Ｈ
＋
／ｃｍ
２
という程度の照射量でもって水素のイオン打込を行うことにより、基板内に脆弱化ゾーン（１２）を形成する
脆弱化ゾーンは、不純物の打込が行われた基板表面に対して平行な平面にほぼ沿って延在している
【００４２】
図１Ｂは、
薄膜（１４）の表層面を、ターゲット基板と称される
第２基板（２０）上へと、取り付けた様子
第２基板（２０）は、例えば、通常は石英と称される溶融石英から形成された基板とする
【００４３】
基板（２０）に対しての層（１４）の接着は、分子接着によって直接的に行う
【００４４】
接合すべき２つの基板の面どうしの間において直接的に分子接着を行う場合には、基板は、例えば、接合面を親水性とすることを意図した化学的クリーニング処理を受ける
接合面どうしを接触させた後には、可能であれば、両基板に対して、接着力を強化することを意図した第１熱処理を施すことができる。この熱処理は、例えば、３００℃で２時間という程度の熱供給量で行われる
【００４５】
図１Ｃは、基板（１０）内における分離開始ゾーン（３０）の形成を示している。分離開始ゾーン（３０）は、基板（１０）のうちの、図面上において側方面をなす外面（３２）を起点として、脆弱化ゾーン（１２）のところにまで、延在している。分離開始ゾーンは、図面上においては矢印（３４）によって模式的に示されているような様々な手段により、誘発することができる。このような手段は、
脆弱化ゾーンの高さ位置における、水や他の流体の注入や、あるいは、ブレード等のツールの挿入、とすることができる
・・（略）・・
【００５２】
図１Ｄは、
薄膜（１４）と、基板のバルク部（１６）と、の間の最終的分離ステージ
分離は、圧力という形態においてあるいは剪断力や引剥し力といったような引っ張り力という形態において機械的力を印加することにより
【００５３】
以上により、
ターゲット基板（２０）の表面に薄膜（１４）を有して形成された構造が得られる
・・（略）・・
【００５５】
図１Ａ〜図１Ｄに示された方法によれば、例えば、・・（略）・・また、
この方法を実施することによって、ＳＯＩ（シリコン・オン・インシュレータ）タイプの基板を得ることもできる
 　 
 　上記（刊１ア）、（刊１イ）を整理すると、刊行物１には、 
　「マイクロエレクトロニクスやオプトエレクトロニクスやマイクロメカニクスといった分野における素子や集積回路の製造方法であって、ＳＯＩ（シリコン・オン・インシュレータ）タイプの基板を得る方法において、
　半導体プレートからなるシリコン基板（１０）に、水素のイオン打込を行うことにより、基板内に、不純物の打込が行われた基板表面に対して平行な平面にほぼ沿って延在している脆弱化ゾーン（１２）を形成することで、基板（１０）において、薄膜（１４）と、バルク部（１６）と、を規定し
　基板（１０）接合すべき２つの基板である基板（１０）の薄膜（１４）の表層面とターゲット基板と称される溶融石英から形成された第２基板（２０）の接合面と、の面どうしの間において直接的に分子接着を行う際に、基板に接合面を親水性とすることを意図した化学的クリーニング処理を行い、
　前記薄膜（１４）の表層面を、ターゲット基板と称される溶融石英から形成された第２基板（２０）上へ取り付け、接合面どうしを接触させることで、接合すべき２つの基板の面どうしの間において直接的に分子接着を行い、
　当該接合面どうしを接触させた後に、両基板に対して、接着力を強化することを意図した第１熱処理を施し、この熱処理は、３００℃で２時間という程度の熱供給量で行い、
　薄膜（１４）と、基板のバルク部（１６）と、の間の分離は、圧力という形態においてあるいは剪断力や引剥し力といったような引っ張り力という形態において機械的力を印加することにより、あるいはこれに代えてあるいはこれに加えて、熱処理を行う工程を備え、
　前記脆弱化ゾーン（１２）を形成する際の、水素イオンの照射量は、７×１０１６Ｈ＋／ｃｍ２という程度である、
ターゲット基板（２０）の表面に薄膜（１４）を有して形成された構造を得る方法。」（以下「刊行物１発明」という。）が開示されている。 
 　 
（イ）原査定の拒絶の理由に引用文献２として引用され、本願出願前に日本国内又は外国において頒布された刊行物である国際公開第０３／０４９１８９号（以下「刊行物２」という。）には、「貼り合わせウエーハおよび貼り合わせウエーハの製造方法」（発明の名称）に関して、次の技術事項が記載されている。 
 　 
（刊２ア）「次に、工程（ｅ）は、イオン注入層４を境界として剥離することによって、剥離ウェーハ５とＳＯＩウェーハ６（シリコン単結晶層７（ＳＯＩ層）＋埋め込み酸化膜３＋第２シリコン単結晶ウェーハ２）に分離する剥離熱処理工程であり、・・（略）・・前記
常温での密着工程において密着する面の表面処理（プラズマ処理）により密着強度を高めたりすることによって、機械的な剥離が可能となり、工程（ｅ）における剥離熱処理は必ずしも必要とはされない
　
（刊２イ）「
チョクラルスキー法により作成された
シリコン単結晶インゴットをスライスして
第１シリコン単結晶ウェーハ（ＳＯＩ層となるウェーハ）とした
　
（ウ）原査定の拒絶の理由に引用文献３として引用され、本願出願前に日本国内又は外国において頒布された刊行物である国際公開第２００５／０２７２１４号（以下「刊行物３」という。）には、「積層基板の洗浄方法及び基板の貼り合わせ方法並びに貼り合せウェーハの製造方法」（発明の名称）に関して、次の技術事項が記載されている。 
 　 
（刊３ア）「［００６３］次に、図４（ｅ）に示すように、保護層１３の表面とベースウェーハ１５の表面とをシリコン酸化膜１６を介して室温にて密着させる。前述のようにベースウェーハ１５が石英等の絶縁性ウェーハであれば、保護層１３とベースウェーハ１５を直接密着させてもよい。・・（略）・・
［００６５］　なお、図４（ｅ）に示す保護層１３の表面とベースウェーハ１５の表面とを密着させる工程の前処理として、
両ウェーハの密着に供される面をプラズマ処理することにより密着強度を高めれば、密着後の剥離熱処理を行うことなくイオン注入層１４で機械的に剥離することも可能である
　 
　 
 イ　当審の判断 
 （ア）対比 
 　本願補正発明と刊行物１発明とを対比すると、 
　　ａ　刊行物１発明の「ＳＯＩ（シリコン・オン・インシュレータ）タイプの基板」は、本願補正発明の「ＳＯＩ基板」に相当し、刊行物１発明の前記「ＳＯＩ（シリコン・オン・インシュレータ）タイプの基板」は、「半導体プレートからなるシリコン基板（１０）に」、「溶融石英から形成された第２基板（２０）」を取り付け接合し、その後、前記基板（１０）の「薄膜（１４）と、基板のバルク部（１６）と、の間の分離」を行うことによって得る基板であるから、本願補正発明の「貼り合わせによるＳＯＩ基板」に相当する。
　　ｂ　刊行物１発明の「半導体プレートからなるシリコン基板（１０）」と、本願補正発明の「単結晶シリコン基板」とは、共に、「シリコン基板」である点で一致している。
　　ｃ　刊行物１発明の「半導体プレートからなるシリコン基板（１０）」に、「水素のイオン打込を行うことにより、基板内に、不純物の打込が行われた基板表面に対して平行な平面にほぼ沿って延在している脆弱化ゾーン（１２）」は、本願補正発明の「平均イオン注入深さＬの水素イオン注入層を形成する第１のステップ」に相当する。 
　　ｄ　刊行物１発明の「ターゲット基板と称される溶融石英から形成された第２基板（２０）」と、本願補正発明の「透明絶縁性基板である石英基板」とは、共に「石英基板」である点で一致している。 
　そして、刊行物１発明の「直接的に分子接着を行う際に、基板に接合面を親水性とすることを意図した化学的クリーニング処理」は、「基板」同士の接着の前に、「基板」の表面に対して行う「表面処理」であることは明らかであり、一方、本願補正発明の「石英基板の一方主面及び前記シリコン基板の一方主面の少なくとも一方に表面処理を施す第２のステップ」も、基板を密着させる第３ステップの前に行われるものである。
　したがって、刊行物１発明の「基板（１０）接合すべき２つの基板である基板（１０）の薄膜（１４）の表層面とターゲット基板と称される溶融石英から形成された第２基板（２０）の接合面と、の面どうしの間において直接的に分子接着を行う際に、基板に接合面を親水性とすることを意図した化学的クリーニング処理を行い」と、本願補正発明の「透明絶縁性基板である石英基板の一方主面及び前記シリコン基板の一方主面の少なくとも一方に表面処理を施す第２のステップ」とは、「石英基板の一方主面及び前記シリコン基板の一方主面の少なくとも一方に表面処理を施す第２のステップ」である点で一致している。
　　ｅ　刊行物１発明の「前記薄膜（１４）の表層面を、ターゲット基板と称される溶融石英から形成された第２基板（２０）上へ取り付け、接合面どうしを接触させることで、接合すべき２つの基板の面どうしの間において直接的に分子接着を行」う工程は、本願補正発明の「シリコン基板の一方主面と前記石英基板の一方主面とを密着させる第３のステップ」に相当し、
　　ｆ　刊行物１発明の「当該接合面どうしを接触させた後に、両基板に対して、接着力を強化することを意図した第１熱処理を施し、この熱処理は、３００℃で２時間という程度の熱供給量で行」う工程は、本願補正発明の「シリコン基板と前記石英基板とを密着させた状態で１００〜３００℃の範囲の温度で加熱して接合処理を施す第４のステップ」に相当する。
　　ｇ　刊行物１発明の「薄膜（１４）と、基板のバルク部（１６）と、の間の分離は、圧力という形態においてあるいは剪断力や引剥し力といったような引っ張り力という形態において機械的力を印加することにより、あるいはこれに代えてあるいはこれに加えて、熱処理を行う」工程は、「表層薄膜（１４）と、バルク部（１６）と、を規定」する、「基板表面に対して平行な平面にほぼ沿って延在している脆弱化ゾーン（１２）」において行われるので、本願補正発明の「前記平均イオン注入深さＬに相当する位置に沿ってシリコン薄膜を機械的に剥離して前記石英基板上にＳＯＩ層を形成する第５のステップ」である点で一致する。
　　ｈ　刊行物１発明の「前記脆弱化ゾーン（１２）を形成する際の、水素イオンの照射量は、７×１０１６Ｈ＋／ｃｍ２という程度である」は、本願補正発明の「第１のステップにおける水素イオンのドーズ量は３×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ２以下である」に相当する。 
　
 　そうすると、上記ａ〜ｈの点を参酌すれば両者は、 
 　「貼り合せによるＳＯＩ基板の製造方法であって、
　シリコン基板の一方主面に平均イオン注入深さＬの水素イオン注入層を形成する第１のステップと、
　石英基板の一方主面及び前記シリコン基板の一方主面の少なくとも一方に表面処理を施す第２のステップと、
　前記シリコン基板の一方主面と前記石英基板の一方主面とを密着させる第３のステップと、
　前記シリコン基板と前記石英基板とを密着させた状態で１００〜３００℃の範囲の温度で加熱して接合処理を施す第４のステップと、
　前記平均イオン注入深さＬに相当する位置に沿ってシリコン薄膜を機械的に剥離して前記石英基板上にＳＯＩ層を形成する第５のステップとを備え、
　前記第１のステップにおける水素イオンのドーズ量は３×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ２以下である、
ＳＯＩ基板の製造方法。」 
 の点で一致するものの、次の点で相違する。 
 　 
 ＊相違点１：シリコン基板に関して、本願補正発明が「単結晶シリコン基板」であって、「前記単結晶シリコン基板は、ＣＺ法（チョクラルスキー法）または浮遊帯域法（ＦＺ法）で結晶成長させた準完全結晶（ＮＰＣ）単結晶シリコン基板」であるのに対して、刊行物１発明の「半導体プレートからなるシリコン基板（１０）」は、そのような特定がなされていない点。 
 　 
 ＊相違点２：石英基板が、本願補正発明では「透明絶縁性基板」であるのに対して、刊行物１発明では、「溶融石英」であり、「透明絶縁性基板」であるのか否か特定されていない点。 
 　 
 ＊相違点３：本願補正発明は、第２ステップの表面処理が、「プラズマ処理及びオゾン処理の少なくとも一方の処理」であり、「前記プラズマ処理は、酸素ガス、水素ガス、アルゴンガス、またはこれらの混合ガス、あるいは水素ガスとヘリウムガスの混合ガスをプラズマ用ガス種として実行され、前記オゾン処理は、チャンバ内にガス導入して発生させたプラズマにより雰囲気中の酸素をオゾンに変換させて実行される」のに対して、刊行物１発明は、「基板に接合面を親水性とすることを意図した化学的クリーニング処理を行」うものの、具体的な処理方法が記載されていない点。 
 　 
 （イ）判断 
 　ここで、上記各相違点１〜３について検討する。 
 　　　ａ　相違点１について 
 　貼り付けＳＯＩ基板の製造方法において、ＣＺ法（チョクラルスキー法）により成長させたシリコン単結晶から切り出したウェハーをＳＯＩ層となる基板に用いることは、刊行物２の上記摘記事項（刊２イ）、下記の周知例１、２に記載されているよう周知の技術事項である。
　一方、刊行物１発明は、「マイクロエレクトロニクスやオプトエレクトロニクスやマイクロメカニクスといった分野における素子や集積回路」に用いる「ＳＯＩタイプの基板」を製造する発明であり、刊行物１発明における「半導体プレートからなるシリコン基板（１０）」を「溶融石英」に接合後、分離処理を行った後の「溶融石英」であるターゲット基板（２０）の表面に接合されている「薄膜（１４）」がＳＯＩ層であることは明らかである。
　してみると、素子や集積回路を製造する際には、通常、前記ＳＯＩ層或いはその上層に、「素子や集積回路」を製造するものであるから、上記周知技術により、刊行物１発明の「薄膜（１４）」（ＳＯＩ層）を単結晶とすべく「半導体プレートからなるシリコン基板（１０）」を、ＣＺ法により製造された「準完全結晶（ＮＰＣ）単結晶シリコン基板」とすることは、当業者ならば容易に想到し得たものである。
　
 　＜周知事項に係る記載＞ 
 　＊周知例１：特開２００４−１５３０８１号公報 
　「【０００１】【発明の属する技術分野】本発明はＳＯＩウェーハに関し、さらに詳しくは、シリコン活性層が薄く形成されている場合であっても電気的信頼性が極めて高いＳＯＩウェーハ、及びそのようなＳＯＩウエーハの製造方法に関する。」
　「【０００２】【従来の技術】従来、デバイス用基板として、支持基板上にシリコン活性層（ＳＯＩ層）が形成されたＳＯＩウエーハが広く利用されている。・・（略）・・なお、
絶縁性の支持基板を用い、これにボンドウエーハを直接、すなわち酸化膜を介さずに貼り合わせる
　「【００１５】【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため、本発明によれば、少なくとも
支持基板上にシリコン活性層が形成されたＳＯＩウエーハ
シリコン活性層が、チョクラルスキー法により育成されたシリコン単結晶
 　 
 　＊周知例２：特開２０００−３６５８３号公報 
　「【００３８】次に、前記第１の基板内部に水素等のイオン注入を行ない、
第１の基板内部の所望の位置に分離層
【００３９】そして、前記第１の基板と第２の基板とを前記一主表面が内側に位置するよう
貼り合わせ
分離層を利用して分離する
・・（略）・・
【００５７】
（第１の基板）第１の基板としては、バルクシリコンウエハ、特にＣＺシリコンウエハを用い
【０１０１】（貼り合わせ）
第１の基板１０と貼り合わせる第２の基板１５
石英基板やガラス基板のような光透過性基板
　
　
　　　ｂ　相違点２について
　　溶融石英は、天然の水晶等を溶融し固化した絶縁性のガラスであり、光学用途に用いられることはよく知られたことである。
　ところで、刊行物１発明の用途は、「マイクロエレクトロニクスやオプトエレクトロニクスやマイクロメカニクスといった分野における素子や集積回路」であり、光学的用途も含まれており、当該技術分野において、ＳＯＩ基板の製造に用いる石英基板として、特段の要請がない限りわざわざ失透した石英基板を用いないことは明らかであり、例えば、周知例２の下記記載のように透明な石英基板を用いることが慣用的に行われているものである。
　したがって、刊行物１発明における「溶融石英から形成された第２基板（２０）」は、「透明絶縁性基板」であるか、少なくとも、「透明絶縁性基板」とすることは当業者ならば容易に想到し得た事項である。
　
　＜周知事項に係る記載＞ 
　＊周知例２：特開２０００−３６５８３号公報 
　「【０１０１】（貼り合わせ）
第１の基板１０と貼り合わせる第２の基板１５
石英基板やガラス基板のような光透過性基板
　「【０２６９】各基板のＳｉＯ２ 層表面と別に用意した
溶融石英基板（第２の基板）
【０２７１】
すなわち、透明な石英基板上に０．２μｍの厚みを持った単結晶Ｓｉ層が形成できた
　
　
　　　ｃ　相違点３について 
　　（ａ）ＳＯＩ基板の形成に際して、２枚の基板を貼り合わせる前に、少なくとも一方の基板の貼り合わせる側の表面に、プラズマ処理を行うことで、接合強度を向上させ、その結果、その後の分離工程において機械的な手段による分離を行うことが可能になることは、刊行物２、３の上記各摘記事項（刊２ア）、（刊３ア）に、また、プラズマ処理として酸素プラズマを用いることも下記周知例２〜４に記載されているように周知の技術事項にすぎない。
 
  　＜周知事項に係る記載＞ 
　＊周知例２：特開２０００−３６５８３号公報 
　「【０１０５】室温で
重ね合せる前に、窒素や酸素プラズマで表面を活性化処理
次工程の貼り合わせ強度を強める熱処理をより低温化出来る
【０１０６】貼り合わせ強度を高め、第１の基板と第２の基板を密着させたい場合には、貼り合わせる途中、あるいは貼り合わせ後に熱処理（以下、「第１の熱処理」という。）を行なうこともまた好ましいものである。この熱処理は、室温以上５００℃以下で、より好ましくは室温以上４００℃以下で行なう低温熱処理であることが望まれる。　 
 　 
　＊周知例３：特開２００５−２９４８００号公報
　「【背景技術】【０００２】 従来、Ｓｉとガラス、ＳｉＯ２・・（略）・・のウエハー接合において、
酸素プラズマを使用して表面を親水化処理し、水素結合させ、アニーリングにより強固に接合させる
　
　＊周知例４：国際公開第２００５／２９５７６号
　「In particular, 
it has been found that after hydrogen ion implantation, the surface of an implanted silicon wafer has a high hydrogen concentration, e.g., a high hydrogen ion concentration.
The hydrogen termination at the Si surface inhibits the bonding process
The strong bond formed during the process
　Quantitatively, it has been found that in the absence of a hydrogen reduction treatment, only about 10% of the glass wafer is covered with a Si film and even in the covered area, the Si film tends to be non-uniform. However, 
when the hydrogen concenfration at the surface of the Si is reduced by an oxidizing treatment, a uniform Si film becomes attached to the glass wafer over its entire surface
　Various approaches can be used to reduce the hydrogen concenfration on the surface of an implanted wafer. 
Preferred approaches involve a mild oxidation treatment of the surface, such as, treatment of the wafer with an oxygen plasma
Treatment with an oxygen plasma is the preferred approach
hydrogen terminated surface groups oxidize to hydroxyl groups, which in turn makes the surface of the silicon wafer hydrophilic. The treatment is preferably carried out at room temperature for the oxygen plasma
水素イオン注入後、イオン注入されたシリコンウエハの表面は高い水素濃度、例えば高い水素イオン濃度を有することがわかった。Ｓｉ表面における水素終端は接合形成プロセスを阻害し
本プロセス中に形成される強い結合
　定量的には、水素低減処理を行わないと、ガラスウエハの約１０％しかＳｉ膜で覆われず、覆われている領域であってもＳｉ膜は均一にならない傾向がある。しかし、
Ｓｉ表面の水素濃度が酸化処理によって低減されると、ガラスウエハの全表面にわたって一様なＳｉ膜がガラスウエハに張り合わされるようになる
　イオン注入されたウエハの表面上の水素濃度を低減するために様々な方法を用いることができる。
好ましい手法には、酸素プラズマによるウエハの処理
酸素プラズマによる処理が好ましい手法
水素終端表面基が酸化されて水酸基になり、続いて水酸基がシリコン表面を親水性にすると考えられる。この処理は、酸素プラズマについては室温で行われることが好まし
　
　　（ｂ）そして、刊行物１発明は、「接合すべき２つの基板の面どうしの間において直接的に分子接着を行う際に、基板に接合面を親水性とすることを意図した化学的クリーニング処理を行」うこと、即ち化学的クリーニング処理により基板表面を親水性にすることが特定されており、酸素プラズマによるプラズマ処理も、シリコン基板表面上の水素終端を酸素プラズマの酸化により水酸基とする事で表面を親水性にし、それにより接合強度を向上させていることは、上記(ア)より明らかである。
　
　　（ｃ）したがって、刊行物１発明における「基板の接合面を親水性とする化学的クリーニング処理」として、当該周知の酸素プラズマによるプラズマ処理を採用することは当業者にとって容易に想到し得た事項である。
　
　　（ｄ）なお、本願補正発明の「石英基板の一方主面及び前記シリコン基板の一方主面の少なくとも一方に表面処理を施す第２のステップ」は、本願明細書【００３２】の「単結晶Ｓｉ基板１０と透明絶縁性基板２０のそれぞれの接合面に、
表面清浄化や表面活性化などを目的
後工程での機械的剥離や機械研磨に十分耐え得るレベルの接合強度を得ることができる
　 
 　ｄ　独立特許要件の判断の結論 
 　したがって、本願補正発明は、刊行物１に記載された発明、並びに、刊行物２、３及び周知例１〜４に記載された周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。 
 　 
 （３）補正の適否のまとめ 
 　よって、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 
 　 
 　 
 第３　本願発明について　 
 １　本願発明 
 　平成２４年１０月１７日提出の手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜８に係る発明は、本件補正前の特許請求の範囲の請求項１〜８に記載されたとおりのものであるところ、請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、請求項１に記載された次のとおりのものである。 
 　「【請求項１】 
 　　貼り合せによるＳＯＩ基板の製造方法であって、
　単結晶シリコン基板の一方主面に平均イオン注入深さＬの水素イオン注入層を形成する第１のステップと、
　透明絶縁性基板である石英基板の一方主面及び前記単結晶シリコン基板の一方主面の少なくとも一方に表面処理を施す第２のステップと、
　前記単結晶シリコン基板の一方主面と前記石英基板の一方主面とを密着させる第３のステップと、
　前記単結晶シリコン基板と前記石英基板とを密着させた状態で１００〜３００℃の範囲の温度で加熱して接合処理を施す第４のステップと、
　前記平均イオン注入深さＬに相当する位置の結晶面に沿って単結晶シリコン薄膜を機械的に剥離して前記石英基板上にＳＯＩ層を形成する第５のステップとを備えていることを特徴とするＳＯＩ基板の製造方法。」 
 　 
 ２　引用刊行物及びその摘記事項 
　原査定の拒絶の理由に引用された本願出願前に頒布された刊行物１〜３の摘記事項及び刊行物１発明は、上記「第２［理　由］２（２）ア　引用刊行物及びその摘記事項」に記載されたとおりである。 また、周知例１〜４の摘記事項は、「第２［理　由］２（２）イ（イ）判断」に記載されたとおりである。
 　 
 ３　対比・判断 
　本願発明は、前記「第２［理　由］２（２）イ　当審の判断」で検討した本願補正発明において、
　「前記第１のステップにおける水素イオンのドーズ量は３×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ２以下であり、       　
　前記単結晶シリコン基板は、ＣＺ法（チョクラルスキー法）または浮遊帯域法（ＦＺ法）で結晶成長させた準完全結晶（ＮＰＣ）単結晶シリコン基板であり、   　　
　前記第２のステップの表面処理は、プラズマ処理及びオゾン処理の少なくとも一方の処理であり、    　　
　前記プラズマ処理は、酸素ガス、水素ガス、アルゴンガス、またはこれらの混合ガス、あるいは水素ガスとヘリウムガスの混合ガスをプラズマ用ガス種として実行され、   　
　前記オゾン処理は、チャンバ内にガス導入して発生させたプラズマにより雰囲気中の酸素をオゾンに変換させて実行される、」
との限定事項が削除されたものである。 
 　 
　そうすると、本願発明の構成要件をすべて含み、これをより限定したものである本願補正発明が、前記「第２［理　由］２（２）イ　当審の判断」において検討したとおり、刊行物１に記載された発明、並びに、刊行物２、３及び周知例１〜４に記載された周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、刊行物１に記載された発明、並びに、刊行物２、３及び周知例１〜４に記載された周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。 
 　 
 ４　むすび  
 　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、刊行物１に記載された発明、並びに、刊行物２、３及び周知例１〜４に記載された周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、本願の請求項２〜８に係る発明については検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。 
 　 
 　よって、結論のとおり審決する。