【事件の表示】
　特願２００８−　４１７８６「窒化物系半導体ウェハ、窒化物系半導体レーザ素子および窒化物系半導体レーザ素子の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２１年　９月　３日出願公開、特開２００９−２００３４１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
　
１　手続の経緯
　本願は、平成２０年２月２２日の出願であって、平成２４年１０月２日付けで拒絶理由が通知され、同年１２月６日に手続補正がなされたが、平成２５年１月１０日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年４月１１日に拒絶査定不服審判請求がなされたものである。
　
２　本願発明
　本願の請求項に係る発明は、平成２４年１２月６日になされた手続補正後の特許請求の範囲の請求項１ないし１１に記載された事項により特定されるものと認められるところ、請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次のとおりのものである。
「導波路形成が困難な第１領域を有する窒化物半導体基板と、
　前記窒化物半導体基板の主面上に形成され、前記第１領域の影響を受けた第２領域と前記第１領域の周辺の領域の影響を受けた導波路形成に適さない第３領域とからなる第４領域を含む窒化物半導体層と、
　前記窒化物半導体層の前記第４領域とは異なる第５領域に形成されたストライプ状の導波路と、
　前記窒化物半導体層上に形成され、前記導波路に電流を供給するための複数の電極層とを備え、
　前記ストライプ状の導波路が非等間隔に配列されることによって、導波路の形成位置が異なる複数種類の半導体レーザ素子を含むように構成され、
　前記半導体レーザ素子の種類を判別するマーカ部を更に備え、
　前記第４領域は、前記ストライプ状の導波路に沿って延びるように複数形成されているとともに、前記複数の第４領域は、前記導波路の延びる方向と交差する方向に所定の間隔を隔てて配列されており、
　互いに隣り合う前記第４領域の間に位置する前記第５領域には、前記導波路が複数形成され、
　前記複数の電極層の少なくとも一部は、平面的に見て、前記導波路に対して非対称となるとともに、その一部が前記第４領域に位置するように形成され、
　前記電極層は、前記複数種類の半導体レーザ素子の種類毎に異なるパターン形状であるとともに平面積の大きさが異なるように形成され、前記導波路に電流を供給するための金属細線が接続される接続領域を有しており、
　前記複数種類の半導体レーザ素子の少なくとも１種類は、前記電極層の接続領域が前記導波路に対して異なる側に配置され、
　前記窒化物半導体基板は、前記第１領域に、転位集中領域と、前記転位集中領域を挟むように前記主面から厚み方向に掘られた複数の凹部を有することを特徴とする、窒化物系半導体ウェハ。」（以下「本願発明」という。）
　
３　刊行物及び引用発明
（１）引用文献１
　原査定の拒絶理由に引用され、本願の出願前に頒布された、特開２００７−２５０６５０号公報（以下「引用文献１」という。）には、以下の記載がある（下線は当審にて付した。）。
ア　「【請求項１】
導電性基板の一主面上に順に積層された第１導電型窒化物半導体層、窒化物半導体の活性層、第２導電型窒化物半導体層、および第２導電型用電極パッドを含みかつ前記活性層に平行な複数のストライプ状導波路構造を含むウエハを形成する工程と
　
前記ウエハから第１型の窒化物半導体レーザ素子チップと第２型の窒化物半導体レーザ素子チップを切り出す工程と
　
前記第１型レーザ素子チップと前記第２型レーザ素子チップを自動画像認識により識別する工程とを含み
　
前記第１型レーザ素子チップと第２型レーザ素子チップとは、それらチップの幅方向に関して前記ストライプ状導波路構造の位置が互いに異なっており、かつ前記基板の前記一主面の面積に対する前記第２導電型用電極パッドの面積比が互いに異なっている
窒化物半導体レーザ素子の製造方法
　
イ　「【発明が解決しようとする課題】
【０００９】一般に、窒化物半導体レーザ素子のコストを下げるために、レーザ素子の横幅を５０〜２５０μｍに狭くすることによって、１枚のウエハから作製されるレーザ素子の取れ数を増加させることが望まれる。しかし、窒化物半導体レーザ素子の横幅を狭くすれば、以下に記述する
方法で作製されるレーザ素子
【００１０】特許文献１の特開２００４−３５６４５４号公報では、窒化物半導体層の結晶成長中にクラックが発生することを抑制するために、窒化物半導体基板上において、数百μｍ間隔で
ストライプ状の溝からなる掘込み領域
【００１１】しかし、加工基板上に窒化物半導体層を成長させて積層すれば、その積層の上面において掘込み領域近傍で高さ数μｍの盛り上がりが生じる。したがって、窒化物半導体レーザ素子を作製する際のフォトプロセスの関係から、リッジ状ストライプ構造は、掘込み領域から９０μｍ以上、望ましくは１１０μｍ以上の距離を隔てて形成する必要がある。
【００１２】図１１は、窒化物半導体レーザ素子の共振器端面の形成後（すなわち、
多数のレーザ素子構造を含むウエハ
【００１３】図１１において、前述のように、リッジ状ストライプ１１０２と掘込み領域１１０１との間の距離（Ａ）は、望ましくは１１０μｍ以上に設定する必要がある。したがって、チップ幅を２００μｍに設定するためには、チップの幅方向に関するリッジ状ストライプ１１０２の位置が或る特定のチップにおいて他のチップと異なる位置に設定される。より具体的には、図１１において、レーザ素子チップ（ア）とレーザ素子チップ（イ）とでは、リッジ状ストライプ１１０２の位置がチップの幅方向に関して異なっている。」
　
ウ　「【００１５】まず、レーザ・バーが個々のレーザ素子チップに分割された後に全チップを検査する必要があるが、自動チップ検査機を用いる場合にチップ（ア）のリッジ状ストライプの位置が正常であると設定すれば、チップ（イ）に関しては全数が不良品として判定されてしまうという問題が生ずる。
【００１６】また、チップをステムにマウントする際にステム中心と発光点を一致させる必要があるが、チップ（ア）に比べてチップ（イ）においてはその幅方向に関して発光点位置が異なるので、チップ（イ）に関してはステムに対するチップの相対位置を変えてマウントする必要がある。
【００１７】本発明はこれらの課題を解決するものであり、小さな幅の窒化物半導体レーザ素子を対象に自動チップ検査機や自動マウント装置で処理を行う際に、特定のチップのみを画像認識で自動的に容易に判別することを実現することを可能にする。」
　
エ　「【００３５】（実施例１）図１は、本発明の実施例１によるレーザ・バー状態における窒化物半導体レーザ素子を表わす模式的な平面図である。この図のレーザ・バー１０１において、複数の掘込み領域１０２が形成されている。掘込み領域１０２間には、複数のリッジ状ストライプ１０３が形成されており、それらを覆って複数のｐ側電極パッド１０４が形成されている。そして、図１中の点線は、チップ分割面を表している。
【００３６】本実施例１において、チップ上面の面積（以下、チップ面積と称す）に対するｐ側電極パッド１０４の面積比が、窒化物半導体レーザ素子（ア）の場合と異なって、窒化物半導体レーザ素子（イ）では９０％以下になっている。
【００３７】自動画像認識工程を含む自動チップ検査機において、ｐ側電極パッド１０４の形状によって検査適否を判定するように予め設定して、窒化物半導体レーザ素子（ア）を適品と判断するように設定しておけば、本実施例１の窒化物半導体レーザ素子をその自動チップ検査機にかければ、チップ（ア）のみを取り出してチップ検査を行って、チップ（イ）は形状不適と判断されてチップ検査されずにチップ供給エリアに残されることになる。したがって、従来の窒化物半導体レーザ素子に関するチップ検査の場合のように、レーザ素子の全数がチップ検査にかかって多くが不良品判定されるという不具合が解消され得る。
【００３８】図２は、チップ（イ）のｐ側電極パッドの形状をより詳細に説明するための模式的平面図である。この図においては、窒化物半導体レーザ素子２０１の
チップ幅２０２が
２００μｍ
に設定され、長さ２０３（共振器長に相当）が
６００μｍ
設定され
レーザ素子２０１の右辺には、加工基板の掘り込み領域２０４が存在し
リッジ状ストライプ２０５は、右辺から１２０μｍの距離２０８を隔てた位置に形成され
【００３９】
ｐ側電極パッド２０６は、リッジ状ストライプ２０５を覆う第１の領域と、ワイヤボンディングのための第２の領域を含
その第１の領域は
２０μｍ
の幅を有し、共振器の両端面からそれぞれ
２０μｍ
だけ後退させられた長さを有し
電極パッド２０６の第２の領域は、直径８０μｍの円形２０７を含む
一辺８０μｍの正方形
として形成されている
【００４０】チップ（イ）においては、チップ面積に対するｐ側電極パッドの面積比が、チップ（ア）の場合の面積比の９０％以下となるように設定されている。例えば、チップの幅が２００μｍで長さが６００μｍであって、ｐ側電極パッドが幅２０μｍで長さ５６０μｍの第１領域と一辺８０μｍの正方形の第２領域とを含む場合、チップ面積は１２００００μｍ2であって、ｐ側電極パッドの面積は１７６００μｍ2となり、ｐ側電極パッドの面積はチップ面積の約１５％となっている。
【００４１】図３は、チップ（ア）のｐ側電極パッド形状をより詳細に説明するための模式的平面図である。この図においては、窒化物半導体レーザ素子３０１の
チップ幅３０２が
２００μｍ
に設定され、長さ３０３が
６００μｍ
に設定され
リッジ状ストライプ３０４は、チップの左辺から１２０μｍの距離３０６を隔てた位置に形成され
ｐ側電極パッド３０５は、チップ分割面および共振器端面から
２０μｍ
の距離だけ後退させられて形成されてい
【００５０】また、ｐ型ＧａＮコンタクト層８１０からｐ型ＡｌＧａＮクラッド層８０９に到達するまで部分的にエッチングすることによって、幅２μｍのリッジ状ストライプ８１２が形成されている。そして、活性層８０６および光導波層８０５、８０８がクラッド層８０４、８０９に挟まれた光閉じ込め導波路構造を含み、活性層で発生した光はこの導波構造内に閉じ込められてレーザ発振動作を生じる。なお、図８はレーザ素子チップの全幅を表しておらず、リッジ状ストライプ近傍のみを表している。」
　
オ　図１、２、３、８及び１１は以下のものである。
　
カ　上記アないしエを踏まえて、上記オの図１ないし３をみると、以下の点がみてとれる。
ａ　窒化物半導体レーザ素子（ア）と窒化物半導体レーザ素子（イ）とは、リッジ状ストライプ１０３の形成位置が異なっている２種類の窒化物半導体レーザ素子である点。
ｂ　窒化物半導体レーザ素子（ア）と窒化物半導体レーザ素子（ア）の間、及び、窒化物半導体レーザ素子（ア）と窒化物半導体レーザ素子（イ）の間とでリッジ状ストライプ１０３の間隔が異なっている点。
ｃ　窒化物半導体レーザ素子（ア）と窒化物半導体レーザ素子（イ）とでｐ側電極パッド１０４のパターン形状と面積比が異なっている点。
ｄ　窒化物半導体層のリッジ状ストライプ（１０３、２０５）は、掘込み領域（１０２、２０４）から距離２０８を隔てて形成され、掘込み領域（１０２、２０４）から距離２０８までの間の領域は、リッジ状ストライプ（１０３、２０５）に沿って延びるように形成され、また、リッジ状ストライプ（１０３、２０５）の延びる方向と交差する方向に配列される点。
ｅ　複数のｐ側電極パッド（１０４、２０６）は、平面的にみて、リッジ状ストライプ（１０３、２０５）に対して非対称となるように形成され、ｐ側電極パッド（１０４、２０６）の（直径８０μｍの円形２０７を含む一辺８０μｍの正方形として形成されている）第２の領域は、窒化物半導体層の掘込み領域（１０２、２０４）の窒化物半導体層の積層の上面の領域から距離２０８までの領域に位置するように形成される点。
　
キ　上記イによれば、上記オの図１１は、「窒化物半導体レーザ素子の共振器端面の形成後（すなわち、多数のレーザ素子構造を含むウエハをバー状に分割後）であって、個々のチップに分割する直前のバー（以下、レーザ・バーと称す）の上面の一例を示す模式的平面図」であり、また、上記ウによれば、上記オの図１は、「レーザ・バー状態における窒化物半導体レーザ素子を表わす模式的な平面図である」から、ウエハをバー状に分割する前は、ウエハ上に上記オの図１に記載されたレーザ・バーが多数存在しているものであることが理解できる。
　
ク　上記アないしキによれば、引用文献１には次の発明が記載されていると認められる。
「導電性基板の一主面上に順に積層された第１導電型窒化物半導体層、窒化物半導体の活性層、第２導電型窒化物半導体層、および第２導電型用電極パッドを含みかつ前記活性層に平行な複数のストライプ状導波路構造を含むウエハを形成する工程と、
　前記ウエハから第１型の窒化物半導体レーザ素子チップと第２型の窒化物半導体レーザ素子チップを切り出す工程と、
　前記第１型レーザ素子チップと前記第２型レーザ素子チップを自動画像認識により識別する工程とを含み、
　前記第１型レーザ素子チップと第２型レーザ素子チップとは、それらチップの幅方向に関して前記ストライプ状導波路構造の位置が互いに異なっており、かつ前記基板の前記一主面の面積に対する前記第２導電型用電極パッドの面積比が互いに異なっている窒化物半導体レーザ素子の製造方法で作製される、
　前記第１型レーザ素子チップは、チップ幅３０２が２００μｍに設定され、長さ３０３が６００μｍに設定され、リッジ状ストライプ３０４は、チップの左辺から１２０μｍの距離３０６を隔てた位置に形成され、ｐ側電極パッド３０５は、チップ分割面および共振器端面から２０μｍの距離だけ後退させられて形成されていて、
　前記第２型レーザ素子チップは、多数の、チップ幅２０２が２００μｍに設定され、長さ２０３（共振器長に相当）が６００μｍに設定され、レーザ素子２０１の右辺には、加工基板の掘り込み領域２０４が存在し、リッジ状ストライプ２０５は、右辺から１２０μｍの距離２０８を隔てた位置に形成され、ｐ側電極パッド２０６は、リッジ状ストライプ２０５を覆う第１の領域と、ワイヤボンディングのための第２の領域を含み、その第１の領域は２０μｍの幅を有し、共振器の両端面からそれぞれ２０μｍだけ後退させられた長さを有し、前記ｐ側電極パッド２０６の第２の領域は、直径８０μｍの円形２０７を含む一辺８０μｍの正方形として形成されている
　窒化物半導体レーザ素子構造、を含むウエハ。」（以下「引用発明」という。）
　
（２）引用文献２
　原査定の拒絶の理由に引用した、本願の出願前に頒布された、特開２００４−９５８５９号公報（以下「引用文献２」という。）には、以下の記載がある。
ア　「【００１７】半導体層部１の上面の電極パターン３は、その共振器長方向Ａ側の両端がそれぞれ半導体層部１の一対のへき開面４、５に一致しており、さらにチップ幅方向Ｂ側の一側縁には直角三角形のマーカ６が等ピッチで複数（この場合４個）鋸歯状に形成されている。一方、電極パターン３のチップ幅方向Ｂ側の他側縁はストレート形に形成されている。なお、電極パターン３のチップ幅方向Ｂの全幅Ｗ１は、チップ幅Ｗより小さい例えば１７０μｍとされている。
【００１８】マーカ６は、その共振器長方向Ａの全長Ｍ１が例えば１００μｍに設定され、チップ幅方向Ｂの最大長さＮ１が例えば４０μｍに設定されており、その比は５：２である。また、マーカ６の前記全長Ｍ１は、共振器長Ｌ／４に、かつマーカ６のピッチＰ１と等しく設定されている。
【００１９】このように構成された実施の形態１の
半導体レーザ
マーカ６を
配置
識別す
機種
　
イ　「【００２０】次に、実施の形態１の半導体レーザの製造方法について説明する。
実施の形態１の
半導体レーザの製造方法
半導体ウエハ１０の上面に
電極パターン３′を
チップ幅方向Ｂに所定チップ幅Ｗ間隔
で複数列形成
チップ幅方向Ｂ側の一側縁に
複数個のマーカ６が形成され
【００２１】続いて、
ウエハ切断工程において、
半導体ウエハ１０を、
マーカピッチ
切断して複数本の半導体バー（レーザバー）１１を得る
　
ウ　上記ア及びイによれば、引用文献２には次の技術が記載されていると認められる。
「半導体ウエハの上面に、電極パターンをチップ幅方向に所定チップ幅間隔で複数列形成し、チップ幅方向側の一側縁に複数個のマーカが形成され、ウエハ切断工程において、半導体ウエハを、マーカピッチで切断して複数本の半導体バー（レーザバー）を得る半導体レーザの製造方法において、マーカにより半導体レーザの機種を識別する技術。」
　
４　対比・判断
（１）本願発明と引用発明を対比する。
ア　引用発明の「導電性基板」、「一主面」、「『（第２導電型用）電極パッド』及び『ｐ側電極パッド２０６』」、「『（ストライプ状）導波路構造』及び『リッジ状ストライプ２０５』」、「『（第１型の）窒化物半導体レーザ素子チップ』、『（第２型の）窒化物半導体レーザ素子チップ』及び『レーザ素子２０１』」及び「（窒化物半導体レーザ素子の製造方法で作製される多数の窒化物半導体レーザ素子構造を含む）ウエハ」は、本願発明の「窒化物半導体基板」、「主面」、「電極層」、「（ストライプ状の）導波路」、「（複数種類の）半導体レーザ素子」及び「（窒化物系半導体）ウェハ」にそれぞれ相当する。
　
イ　引用発明のレーザ素子の「掘り込み領域２０４」は、上記３（１）イによれば、「隣り合う掘込み領域間には、必然的に丘部が形成される。このような加工を施した基板（以下、加工基板と称す）上に窒化物半導体層を成長させて積層することによって、その積層内のクラック発生を防止できると共に、丘部上方において積層の表面平坦性が一定の範囲で改善され得る」ものであるとされているから、引用発明の導電性基板における「掘り込み領域２０４」は、リッジ状ストライプ２０５を設けるのが困難な領域であると認められる。
　そうすると、引用発明の導電性基板は、レーザ素子２０１の右辺には、加工基板の掘り込み領域２０４が存在していて、当該領域はリッジ状ストライプ２０５を設けるのが困難な領域であるから、引用発明の導電性基板は、本願発明の「窒化物半導体基板」有する「導波路形成が困難な第１領域」を有する。
　
ウ（ア）引用文献１には、上記３（１）イのとおり、以下の記載がある。
「【００１１】しかし、加工基板上に窒化物半導体層を成長させて積層すれば、その積層の上面において掘込み領域近傍で高さ数μｍの盛り上がりが生じる。したがって、窒化物半導体レーザ素子を作製する際のフォトプロセスの関係から、リッジ状ストライプ構造は、掘込み領域から９０μｍ以上、望ましくは１１０μｍ以上の距離を隔てて形成する必要がある。」
　
（イ）上記のとおり、引用文献１には、掘込み領域近傍で盛り上がりが生じるので、掘込み領域から９０μｍ以上、望ましくは１１０μｍ以上の距離を隔ててリッジ状ストライプ構造を形成する必要があることが記載されており、引用発明においても、掘込み領域２０４が存在する右辺から１２０μｍ隔ててリッジ状ストライプ２０５が形成されるところである。
　そして、上記でいう、掘込み領域から９０μｍまでの領域は、掘込み領域近傍で生じる盛り上がりの影響を受けたリッジ状ストライプ構造、すなわち導波路形成に適さない領域ということができる。
　ここで、掘込み領域近傍で生じる盛り上がりの影響とは、掘込み領域の周辺の領域の影響ということができるから、引用発明において、掘込み領域から９０μｍまでの領域は、掘込み領域の周辺の領域の影響を受けた導波路形成に適さない領域ということができ、本願発明の「第３領域」に相当する。
　
（ウ）しかるところ、引用発明における「ｐ側電極パッド２０６」の第２の領域は、リッジ状ストライプ２０５を覆う第１の領域からレーザ素子２０１の右辺に向かって形成され、一辺８０μｍの正方形とされるから、少なくともレーザ素子２０１の右辺から４０μｍ（１２０μｍ−８０μｍ）隔てた位置、すなわち第３領域まで形成されることになる。
　すなわち、引用発明は、上記でいうところの本願発明の「第３領域」にｐ側電極パッド２０６の第２の領域が形成されるものであるといえる。
　
エ　引用発明の「第２導電型用電極パッド」は、上記３（１）エによれば、「複数のリッジ状ストライプ１０３が形成されており、それらを覆って複数のｐ側電極パッド１０４が形成されている」ものであって、ｐ側電極パッド１０４が電流を供給するためのものであることは明らかであるから、本願発明の「窒化物半導体層上に形成され、前記導波路に電流を供給するための複数の電極層」に相当する。
　
オ　引用発明は、上記３（１）カによれば、「窒化物半導体レーザ素子（ア）と窒化物半導体レーザ素子（ア）の間、及び、窒化物半導体レーザ素子（ア）と窒化物半導体レーザ素子（イ）の間とでリッジ状ストライプ１０３の間隔が異なってい」て、「窒化物半導体レーザ素子（ア）と窒化物半導体レーザ素子（イ）とは、リッジ状ストライプ１０３の間隔が異なっている２種類の窒化物半導体レーザ素子である」から、引用発明のリッジ状ストライプ１０３は非等間隔に配列され、また、リッジ状ストライプ１０３の形成位置が異なる窒化物半導体レーザ素子（ア）と窒化物半導体レーザ素子（イ）の２種類の窒化物半導体レーザ素子を含むように構成されていると認められる。
　そうすると、引用発明は、本願発明の「ストライプ状の導波路が非等間隔に配列されることによって、導波路の形成位置が異なる複数種類の半導体レーザ素子を含むように構成され」る点を備える。
　
カ　「窒化物半導体層のリッジ状ストライプ（１０３、２０５）」は、上記３（１）カによれば、「掘込み領域（１０２、２０４）から距離２０８を隔てて形成され、掘込み領域（１０２、２０４）から距離２０８までの間の領域は、リッジ状ストライプ（１０３、２０５）に沿って延びるように形成され、また、リッジ状ストライプ（１０３、２０５）の延びる方向と交差する方向に配列され」ている。
　しかるところ、上記３（１）キによれば、「ウエハをバー状に分割する前は、ウエハ上に図１及び２ないし図１１のものが多数存在している」から、引用発明の「窒化物半導体層のストライプ状の溝からなる掘込み領域の積層の上面の領域から１２０μｍの距離までの領域」（上述のとおり本願発明の「第４領域」に相当。以下「当該領域」という。）は、リッジ状ストライプ（１０３、２０５）に沿って延びるように形成されたものであり、ウエハ上には当該領域が複数形成されることが理解できる。
　そうすると、複数形成される当該領域は、リッジ状ストライプ（１０３、２０５）の延びる方向と交差する方向にバー状に分割する前のウエハ上に図１ないし図１１に記載された単位で、所定の間隔を隔てて配列されることとなる。
　また、上記３（１）オの図１からは、互いに隣り合う当該領域の間に位置する、当該領域とは異なる領域（上述のとおり本願発明の「第５領域」に相当）には、リッジ状ストライプ（１０３、２０５）が複数形成されていることがみてとれる。
　そうすると、引用発明は、本願発明の「前記第４領域は、前記ストライプ状の導波路に沿って延びるように複数形成されているとともに、前記複数の第４領域は、前記導波路の延びる方向と交差する方向に所定の間隔を隔てて配列されており、互いに隣り合う前記第４領域の間に位置する前記第５領域には、前記導波路が複数形成され」るとの構成を備える。
　
キ　引用発明は、「ｐ側電極パッド２０６は、リッジ状ストライプ２０５を覆う第１の領域と、ワイヤボンディングのための第２の領域を含み、その第１の領域は２０μｍの幅を有し、共振器の両端面からそれぞれ２０μｍだけ後退させられた長さを有し、前記ｐ側電極パッド２０６の第２の領域は、直径８０μｍの円形２０７を含む一辺８０μｍの正方形として形成されている」ものであって、上記３（１）カによれば、「窒化物半導体レーザ素子（ア）と窒化物半導体レーザ素子（イ）とでｐ側電極パッド１０４のパターン形状と面積比が異なっている」ことに照らして、引用発明の「前記電極層は、前記複数種類の半導体レーザ素子の種類毎に異なるパターン形状であるとともに平面積の大きさが異なるように形成され、前記導波路に電流を供給するための金属細線が接続される接続領域を有して」いるとの構成を備える。
　さらに、上記３（１）カによれば、「複数のｐ側電極パッド（１０４、２０６）」は、「平面的にみて、リッジ状ストライプ（１０３、２０５）に対して非対称となるように形成され、ｐ側電極パッド（１０４、２０６）の第２の領域は、直径８０μｍの円形２０７を含む一辺８０μｍの正方形として形成されている）は、窒化物半導体層のストライプ状の溝からなる掘込み領域の積層の上面の領域から距離２０８までの領域に位置するように形成される」から、引用発明は、本願発明の「前記複数の電極層の少なくとも一部は、平面的に見て、前記導波路に対して非対称となるとともに、その一部が前記第４領域に位置するように形成され」るとの構成を備える。
　
ク　引用発明の窒化物半導体レーザ素子（イ）は、「チップ幅２０２が２００μｍに設定され・・・リッジ状ストライプ２０５は、右辺から１２０μｍの距離２０８を隔てた位置に形成され、ｐ側電極パッド２０６は、リッジ状ストライプ２０５を覆う第１の領域と、ワイヤボンディングのための第２の領域を含み、その第１の領域は２０μｍの幅を有し、共振器の両端面からそれぞれ２０μｍだけ後退させられた長さを有し、前記ｐ側電極パッド２０６の第２の領域は、直径８０μｍの円形２０７を含む一辺８０μｍの正方形として形成されている」から、ｐ側電極パッド２０６の第２の領域はリッジ状ストライプ２０５の右辺側に設けられるものであるところ、引用発明の窒化物半導体レーザ素子（ア）は、ワイヤボンディングのための領域が明らかではないが、チップ幅３０２が２００μｍに設定され、長さ３０３が６００μｍに設定され、リッジ状ストライプ３０４は、チップの左辺から１２０μｍの距離３０６を隔てた位置に形成されるものであることを踏まえて、上記３（１）オの図３を平面視すると、リッジ状ストライプ２０５からみて左辺側のｐ側電極パッドの領域よりも幅の広い、リッジ状ストライプ２０５からみて右辺側に位置するｐ側電極パッドの領域にワイヤボンディングのための領域が配置されるものと理解でき、これを、あえて狭いリッジ状ストライプ２０５からみて左辺側とする合理的な理由はないから、引用発明の窒化物半導体レーザ素子（ア）のワイヤボンディングのための領域は窒化物半導体レーザ素子（イ）のワイヤボンディングのための領域とリッジ状ストライプに対して異なる側に位置しているものであるということができる。
　したがって、引用発明は、本願発明の「前記複数種類の半導体レーザ素子の少なくとも１種類は、前記電極層の接続領域が前記導波路に対して異なる側に配置され」るとの構成を備える。
　
ケ　以上によれば両者は、
「導波路形成が困難な第１領域を有する窒化物半導体基板と、
　前記窒化物半導体基板の主面上に形成され、前記第１領域の影響を受けた第２領域と前記第１領域の周辺の領域の影響を受けた導波路形成に適さない第３領域とからなる第４領域を含む窒化物半導体層と、
　前記窒化物半導体層の前記第４領域とは異なる第５領域に形成されたストライプ状の導波路と、
　前記窒化物半導体層上に形成され、前記導波路に電流を供給するための複数の電極層とを備え、
　前記ストライプ状の導波路が非等間隔に配列されることによって、導波路の形成位置が異なる複数種類の半導体レーザ素子を含むように構成され、
　前記第４領域は、前記ストライプ状の導波路に沿って延びるように複数形成されているとともに、前記複数の第４領域は、前記導波路の延びる方向と交差する方向に所定の間隔を隔てて配列されており、
　互いに隣り合う前記第４領域の間に位置する前記第５領域には、前記導波路が複数形成され、
　前記複数の電極層の少なくとも一部は、平面的に見て、前記導波路に対して非対称となるとともに、その一部が前記第４領域に位置するように形成され、
　前記電極層は、前記複数種類の半導体レーザ素子の種類毎に異なるパターン形状であるとともに平面積の大きさが異なるように形成され、前記導波路に電流を供給するための金属細線が接続される接続領域を有しており、
　前記複数種類の半導体レーザ素子の少なくとも１種類は、前記電極層の接続領域が前記導波路に対して異なる側に配置される窒化物系半導体ウェハ。」
である点で一致し、以下の点で相違する。
　
（ア）本願発明の「（窒化物系半導体）ウェハ」は、「半導体レーザ素子の種類を判別するマーカ部を更に備え」るのに対し、引用発明の「（窒化物半導体レーザ素子の製造方法で作製されるレーザ素子が多数存在する）ウエハ」が、このようなマーカを更に備えるか明らかではない点（以下「相違点１」という。）、及び、
　
（イ）本願発明の「窒化物半導体基板」は、「第１領域に、転位集中領域と、前記転位集中領域を挟むように前記主面から厚み方向に掘られた複数の凹部を有する」のに対し、引用発明の窒化物半導体層のストライプ状の溝からなる掘込み領域がこのようなものであるのか明らかではない点（以下「相違点２」という。）。
　
（２）判断
ア　上記相違点１について検討する。
　引用発明は、第１型レーザ素子チップと第２型レーザ素子チップとは、「基板の前記一主面の面積に対する前記第２導電型用電極パッドの面積比が互いに異なっている」ことで、「前記第１型レーザ素子チップと前記第２型レーザ素子チップを自動画像認識により識別する」ものであるが、識別手段を二重にして確実性を高めることは常套手段であるところ、引用発明において、さらに識別を確実にするために、引用文献２に記載の技術のような従来周知の半導体レーザの機種を識別するマーカを更に配置することに格別の困難性はないから、引用発明に引用文献２に記載の技術である半導体レーザの機種を識別するマーカを更に配置して、本願発明における上記相違点１の構成とすることは、当業者が必要に応じて適宜なし得ることである。
　
イ　上記相違点２について検討する。
　引用発明の掘込み領域は、「ストライプ状の溝からなる掘込み領域」であるとされるところ、どのような溝か明らかではないが、上記３（１）イによれば、【発明が解決しようとする課題】として「特開２００４−３５６４５４号公報では、窒化物半導体層の結晶成長中にクラックが発生することを抑制するために、窒化物半導体基板上において、数百μｍ間隔でストライプ状の溝からなる掘込み領域を形成している。」とされ、当該特開２００４−３５６４５４号公報にも記載されているように、「ストライプ状の溝からなる掘込み領域」として、１本の溝からなる掘込み領域、及び、２本の溝からなる掘込み領域のいずれも従来周知の構成であって、２本の溝を形成すれば、２本の溝の間に転位集中領域が形成されることも従来周知のことである。
　したがって、「ストライプ状の溝からなる掘込み領域」の溝を１本とするかあるいは２本とするかは設計的事項であるから、引用発明において、掘込み領域の溝を２本となし、本願発明における上記相違点２の構成とすることは、当業者が容易になし得たことである。
　
（３）請求人の主張について
　請求人は、平成２５年４月１１日付けの審判請求書において、
「引用文献１の図１、図１１では、掘り込み領域（１０１、１１０１）から離れた位置にｐ側パッド電極（１０４、１１０３）が形成されています。
　これらの図面では間隔が狭く見えますが、図１の一部の詳細が図２に示されており、ｐ側パッド電極２０６は掘り込み領域２０４から離れています。
　また、掘り込み領域２０４とその周辺において、「導波路形成に適さない領域」がどこなのか不明です。ｐ側パッド電極２０６の一部が「導波路形成に適さない領域」に位置するかどうかも不明です。」（審判請求書４頁４〜１０行）、及び、「図２のパッド電極の右側にリッジ状ストライプがない状態が図示されたに過ぎず、当該領域が導波路形成に適する領域か適さない領域かが判断される記載はございません。つまり、引用文献１からは、本願のような第４領域と第５領域が存在する事を示す記載はなく、これをもって本願を想到することはできません。
　以上のように、引用文献１には掘り込み領域２０４に関する記載はありますが、その周辺の「導波路形成に適さない領域」と「導波路形成に適した領域」を区別する記載は一切ございません。つまり、引用文献１の図１、図１１の単純な図示のみを持って本願発明を動機付けることはできません。」（審判請求書６頁４〜１２行）と主張している。
　しかしながら、引用文献１の掘り込み領域２０４の周辺において、「導波路形成に適さない領域」と「導波路形成に適した領域」を区別する旨の記載があることは、上記（１）ウのとおりであるから、請求人の上記主張は、上記（２）の判断を左右するものではない。
　
５　むすび
　以上の検討によれば、本願発明は、引用発明及び引用文献２に記載の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができないものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。