【事件の表示】
　特願２００６−２９７６２１「リソグラフ方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１９年　３月　１日出願公開、特開２００７−　５３４０３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成１２年４月１２日（パリ条約による優先権主張１９９９年４月１６日、米国）に出願した特願２０００−１１１０５１号の一部を平成１８年１１月１日に新たな特許出願としたものであって、平成２３年２月２３日付で拒絶査定がなされ、その後、平成２３年６月３０日に拒絶査定に対する審判請求がなされ、同日付け手続補正書により補正がなされたものである。
　本願請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、本願の特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものである。
「【請求項１】
  (ａ)特定の波長の輻射線を第１のパターンを有するマスクに照射するステップと、
  (ｂ)材料層をその上に有する基板上に形成されたエネルギー感受性材料層に第１のパターンの像を投射するステップと、
  (ｃ)エネルギー感受性材料層中に第１のパターンを形成するために、前記像を現像するステップと、
  (ｄ)下部材料層に第１のパターンを転写するステップと、
  (ｅ)第１のパターン上にエネルギー感受性レジスト材料層を形成するステップと、
  (ｆ)特定の波長の輻射線を第２のパターンを有するマスクに照射するステップと、
　ここで、該波長は、第１のパターンを有するマスクに照射される輻射線の波長と同一であるか又は異なる、
  (ｇ)第２のパターンの像をエネルギー感受性レジスト材料層に投射するステップと、
　ここで、該像は、所望のパターンを画成するために第１のパターンと第２のパターンが協働するように、下部の第１のパターンと位置合せされる、
  (ｈ)第２のパターンをエネルギー感受性材料中に形成するために、前記像を現像するステップと、
  (ｉ)第１及び第２のパターンから所望のパターンを現像するステップとからなり、
　ここで、該所望のパターンは、輻射線の波長のうちの少なくとも一つの波長よりも小さい寸法を有する、
ことを特徴とする製品を製造するためのリソグラフ方法。」
　
　なお、本願発明の「材料層」及び「下部材料層」は、本願明細書の【００１３】等を参照すると、同一ものであると認められる。
　
２．引用刊行物記載の発明
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先権主張の日前である平成５年４月２日に頒布された特開平５−８２４８７号公報（以下「引用刊行物」という。）には、次の事項が記載されている。（後述する引用発明の認定に関連する箇所に下線を付した。）
（１）「
基板上の被エッチング層にコンタクトホールを形成する際に用いるエッチングマスクの形成方法
（２）「【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達成するためになされたエッチングマスクの形成方法である。すなわち、第１の工程で、基板上の被エッチング層上に、スルーホールの側壁の一方側を形成する第１のエッチングマスクを設け、その後第２の工程で、被エッチング層上に、第１のエッチングマスクの一部分にオーバラップする状態にして、スルーホールの側壁の他方側を形成する第２のエッチングマスクを設ける。」（【０００６】）
（３）「【実施例】本発明の実施例を図１に示す形成工程図により説明する。図では、左側にレイアウト図を示し、右側に当該レイアウト図中のスルーホール形成部分の断面図を示す。
　図に示すように第１の工程で、
基板１１の上面に成膜されている被エッチング層１２
の上面に、
窒化シリコン（Ｓｉ
３
Ｎ
４
）層１３を形成する
次いで
Ｓｉ
３
Ｎ
４
層１３の上面にレジスト膜１４を成膜する。その後通常の感光・現像工程を行って、
Ｓｉ
３
Ｎ
４
層用エッチングマスク１５を形成する。
その形状は、例えばＬ字形状に形成される。続いて上記Ｓｉ
３
Ｎ
４
層用エッチングマスク１５を用いて、例えば異方性ドライエッチングによって、
第１のエッチングマスク１７を形成する。
第１のエッチングマスク１７の側壁の一部は、Ｌ字形状に形成され、スルーホール２１の側壁の一方側２２を構成する。
上記第１のエッチングマスク１７側の全面を覆う状態に、レジスト膜１８を上記被エッチング層１２上に形成する。次いで通常のホトリソグラフィーによって、
第２のエッチングマスク１９を形成する。この第２のエッチングマスク１９の側壁の一部は、スルーホール２１の側壁の他方側２３を構成する。この側壁の他方側２３は、例えば逆Ｌ字形状に形成される。
第１のエッチングマスク１７のＬ字形状に形成した部分（スルーホールの側壁の一方側２２に対応する部分）と第２のエッチングマスク１９の逆Ｌ字形状に形成した部分（スルーホールの側壁の他方側２３に対応する部分）とによってスルーホール２１が形成される。
スルーホール２１を有するコンタクトホール用エッチングマスク１０が完成する。
（４）「本エッチングマスクの形成方法では、上記の如くに、スルーホール２１が形成されるように第１のエッチングマスク１７に第２のエッチングマスク１９を重ね合わせるので、スルーホール２１の寸法精度は、第１のエッチングマスク１７と第２のエッチングマスク１９との重ね合わせ精度によって決定される。例えば設計ルールが０．５μｍの場合の重ね合わせ精度は通常０．１５μｍ程度なので、
ｇ線ステッパを使用した場合に、
被エッチング層１２におよそ０．１５μｍの径のコンタクトホール（図示せず）を形成することが可能になる。
ｉ線ステッパを用いることにより、０．１μｍ径のスルーホールの形成も可能である。
（５）図１には、【０００８】〜【００１０】に記載された形成工程が図示されている。
　上記引用刊行物の記載内容から、引用刊行物には、
「（Ａ）基板１１の上面に成膜された被エッチング層１２の上面に窒化シリコン層１３を形成し、
（Ｂ）次いで、窒化シリコン層１３上に第１のレジスト膜１４を成膜し、通常の感光・現像工程を行って、Ｌ字形状を有する窒化シリコン層用エッチングマスク１５を形成し、
（Ｃ）次いで、上記エッチングマスク１５を用いて窒化シリコン層１３をエッチングしてスルーホール２１の側壁の一方側２２を構成するＬ字形状を有する第１のエッチングマスク１７を形成し、
（Ｄ）次いで、上記第１のエッチングマスク１７上に第２のレジスト膜１８を形成し、通常のホトリソグラフィーによって、スルーホール２１の側壁の他方側２３を構成する逆Ｌ字形状を有する第２のエッチングマスク１９を形成し、
（Ｅ）上記第１のエッチングマスク１７に上記第２のエッチングマスク１９を重ね合わせて、上記第１のエッチングマスク１７のＬ字形状と上記第２のエッチングマスク１９の逆Ｌ字形状とによって形成されたスルーホール２１を有するコンタクトホール用エッチングマスク１０を用いて、上記被エッチング層１２をエッチングしてコンタクトホールを形成し、該コンタクトホールの径が、上記第１のレジスト膜１４、第２のレジスト膜１８を露光する光の波長がｇ線、ｉ線の場合、それぞれ、０．１５μｍ、０．１μｍの寸法を有する
ホトリソグラフィー方法。」
の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。
　
３．対比
　本願発明と引用発明を対比する。
　引用発明の「基板１１」、「窒化シリコン層１３」、「第１のレジスト膜１４」、「Ｌ字形状」、「第２のレジスト膜１８」、「逆Ｌ字形状」、「コンタクトホール」、「ホトリソグラフィー方法」が、それぞれ、本願発明の「基板」、「材料層」、「エネルギー感受性材料層」、「第１のパターン」、「エネルギー感受性レジスト材料層」、「第２のパターン」、「所望のパターン」、「リソグラフ方法」に相当する。
　また、引用発明では、「（Ａ）基板１１の上面に成膜された被エッチング層１２の上面に窒化シリコン層１３を形成し、（Ｂ）次いで、窒化シリコン層１３上に第１のレジスト膜１４を成膜し、通常の感光・現像工程を行って、Ｌ字形状を有する窒化シリコン層１３用エッチングマスク１５を形成」するが、「通常の感光・現像工程」とは、パターンを有するマスクに光を照射し、そのパターンの像をレジスト膜に投射して露光し、その像を現像する工程を意味することは、当業者には明かであるから、引用発明は、本願発明の「(ａ)特定の波長の輻射線を第１のパターンを有するマスクに照射するステップ」、「(ｂ’)材料層を有する基板上に形成されたエネルギー感受性材料層に第１のパターンの像を投射するステップ」及び「(ｃ)エネルギー感受性材料層中に第１のパターンを形成するために、前記像を現像するステップ」を有することは明かである。
　また、引用発明は、「（Ｃ）次いで、上記エッチングマスク１５を用いて窒化シリコン層１３をエッチングしてスルーホール２１の側壁の一方側２２を構成するＬ字形状を有する第１のエッチングマスク１７を形成」するものであり、この「上記エッチングマスク１５を用いて窒化シリコン層１３をエッチングしてスルーホール２１の側壁の一方側２２を構成するＬ字形状を有する第１のエッチングマスク１７を形成」することは、「エッチングマスク１５」の「Ｌ字形状」を「窒化シリコン層１３」に転写することであることが当業者には明かであるから、引用発明は、本願発明の「(ｄ)下部材料層に第１のパターンを転写するステップ」を有することは明かである。
　また、引用発明は、「（Ｄ）次いで、上記第１のエッチングマスク１７上に第２のレジスト膜１８を形成し、通常のホトリソグラフィーによって、スルーホール２１の側壁の他方側２３を構成する逆Ｌ字形状を有する第２のエッチングマスク１９を形成」するものであり、「通常のホトリソグラフィー」とは、パターンを有するマスクに光を照射し、そのパターンの像をレジスト膜に投射して露光し、その像を現像する工程を意味すること、及び、「（Ｅ）上記第１のエッチングマスク１７に上記第２のエッチングマスク１９を重ね合わせて、上記第１のエッチングマスク１７のＬ字形状と上記第２のエッチングマスク１９の逆Ｌ字形状とによって形成されたスルーホール２１を有する」ことが、「Ｌ字形状」と「逆Ｌ字形状」が協働するように「第１のエッチングマスク１７」と「第２のエッチングマスク１９」が位置合わせされることを意味すること、及び、「（Ｂ）・・第１のレジスト膜１４を成膜し、通常の感光・現像工程を行って」に使用される露光光の波長と「（Ｄ）・・第２のレジスト膜１８を形成し、通常のホトリソグラフィーによって」に使用される露光光の波長が同一であるか又は異なることが、当業者には明かであるから、引用発明は、本願発明の「(ｅ)第１のパターン上にエネルギー感受性レジスト材料層を形成するステップと、(ｆ)特定の波長の輻射線を第２のパターンを有するマスクに照射するステップと、ここで、該波長は、第１のパターンを有するマスクに照射される輻射線の波長と同一であるか又は異なる、(ｇ)第２のパターンの像をエネルギー感受性レジスト材料層に投射するステップと、ここで、該像は、所望のパターンを画成するために第１のパターンと第２のパターンが協働するように、下部の第１のパターンと位置合せされる、 (ｈ)第２のパターンをエネルギー感受性材料中に形成するために、前記像を現像するステップ」を有することは明かである。
　また、引用発明は、「上記第１のエッチングマスク１７に上記第２のエッチングマスク１９を重ね合わせて、上記第１のエッチングマスク１７のＬ字形状と上記第２のエッチングマスク１９の逆Ｌ字形状とによって形成されたスルーホール２１を有するコンタクトホール用エッチングマスク１０を用いて、上記被エッチング層１２をエッチングしてコンタクトホールを形成し、該コンタクトホールの径が、上記第１のレジスト膜１４、第２のレジスト膜１８を露光する光の波長がｇ線、ｉ線の場合、それぞれ、０．１５μｍ、０．１μｍの寸法を有する」ものであるが、ｇ線の波長が０．４３６μｍ、ｉ線の波長が０．３６５μｍであることを考慮すれば、引用発明は、本願発明の「(ｉ)第１及び第２のパターンから所望のパターンを現像するステップとからなり、ここで、該所望のパターンは、輻射線の波長のうちの少なくとも一つの波長よりも小さい寸法を有する」を有することは明かである。
　そうすると、両者は、
「  (ａ)特定の波長の輻射線を第１のパターンを有するマスクに照射するステップと、
  (ｂ’)材料層を有する基板上に形成されたエネルギー感受性材料層に第１のパターンの像を投射するステップと、
  (ｃ)エネルギー感受性材料層中に第１のパターンを形成するために、前記像を現像するステップと、
  (ｄ)下部材料層に第１のパターンを転写するステップと、
  (ｅ)第１のパターン上にエネルギー感受性レジスト材料層を形成するステップと、
  (ｆ)特定の波長の輻射線を第２のパターンを有するマスクに照射するステップと、
　ここで、該波長は、第１のパターンを有するマスクに照射される輻射線の波長と同一であるか又は異なる、
  (ｇ)第２のパターンの像をエネルギー感受性レジスト材料層に投射するステップと、
　ここで、該像は、所望のパターンを画成するために第１のパターンと第２のパターンが協働するように、下部の第１のパターンと位置合せされる、
  (ｈ)第２のパターンをエネルギー感受性材料中に形成するために、前記像を現像するステップと、
  (ｉ)第１及び第２のパターンから所望のパターンを現像するステップとからなり、
　ここで、該所望のパターンは、輻射線の波長のうちの少なくとも一つの波長よりも小さい寸法を有する、
ことを特徴とする製品を製造するためのリソグラフ方法。」
において一致し、
　所望のパターンを形成する対象が、本願発明では「材料層をその上に有する基板」であるのに対して、引用発明では「基板１１の上面に成膜された被エッチング層１２」である点（相違点）で相違する。
　
４．当審の判断
　上記相違点について検討する。
　一般に半導体デバイスやリソグラフ用マスクを製造するためのリソグラフ方法において、所望のパターンを形成する対象としては、基板自体はもちろん、基板の上に形成された様々な種類の層がその対象となることは当業者には技術常識である。また、引用発明において、「被エッチング層１２」ではなく、「基板１１」自体に所望のパターンを形成するべく、「基板１１」の上に「窒化シリコン層１３」を形成することに阻害要因はない。してみると、引用発明において、「基板１１」の上に「窒化シリコン層１３」を形成し、本願発明のように構成することは当業者には容易である。
　さらに、本願発明が奏し得る効果は、引用発明が奏し得る効果から予測ができる程度のものである。
　したがって、本願発明は、引用発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
※補正案について
　出願人は、平成２４年５月２４日付け回答書において、補正案を提示している。この補正案による請求項１は、補正案前の請求項１の記載から「(ｄ)下部材料層に第１のパターンを転写するステップと、」を削除し、「(ｅ)・・(ｉ)・・有する」を「(ｄ)・・(ｈ)・・有し」と補正し、新たに「(ｉ)単一層である下部材料層に前記所望のパターンを完全に転写するステップと、」を追加したものである。
　この請求項１についての補正案は、特許法第１７条の２第４項の各号に掲げるいずれの事項を目的とするものにも該当せず、同法第１７条の２第４項の規定に違反するものであるから、仮に手続補正書として提出されたとしても、同法第５３条第１項の規定により却下すべきものであるので、新規性・進歩性等の特許要件についての検討は行っていない。
　
５．むすび
　　したがって、本願発明は特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって結論のとおり審決する。