【事件の表示】
　特願２００５−２８１５６９「光照射式加熱方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１９年　４月１２日出願公開、特開２００７−　９５８８９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１７年　９月２８日の出願であって、平成２３年１２月　６日付けで２回目の最初の拒絶理由が通知され、これに対して平成２４年　２月　９日に意見書及び手続補正書が提出されたが、同年　６月２６日付けで拒絶査定がされ、これを不服として、同年１０月　１日に審判請求がされるとともに手続補正書が提出されたものである。
　
　
第２　平成２４年１０月　１日に提出された手続補正書による補正（以下「本件補正」という。）についての補正の却下の決定
　
［補正の却下の決定の結論］
　本件補正を却下する。
　
［理由］
１　本件補正の内容
　本件補正は、特許請求の範囲及び明細書を補正するものであり、そのうち特許請求の範囲の請求項１の補正の内容については、以下のとおりである。
　
〈補正事項〉
　平成２４年　２月　９日に提出した手続補正書により補正された特許請求の範囲（以下「補正前」という。）の請求項１の「１つ以上の発光部分を有するランプが複数並列に並べられているランプユニットを有し、各発光部分から放出される光の強度を個別に制御可能な光照射式加熱装置」を、補正後の請求項１の「複数のフィラメントからなる複数の発光部分を有し、当該複数の発光部分が略同一軸状に配置されているランプが複数並列に並べられているランプユニットを有し、上記複数のフィラメントはそれぞれ個別の給電装置に接続されていて、上記複数のフィラメントに対し個別の給電装置よりそれぞれ独立に給電することにより各発光部分から放出される光の強度を個別に制御可能な光照射式加熱装置」と補正する。
　
２　補正の目的の適否
　上記補正事項は、本願出願当初の明細書の【００２２】、【００２６】の記載及び図２に基づき、補正前の請求項１の「１つ以上の発光部分を有するランプが複数並列に並べられているランプユニットを有し、各発光部分から放出される光の強度を個別に制御可能な光照射式加熱装置」を、「複数のフィラメントからなる複数の発光部分を有し、当該複数の発光部分が略同一軸状に配置されているランプが複数並列に並べられているランプユニットを有し、上記複数のフィラメントはそれぞれ個別の給電装置に接続されていて、上記複数のフィラメントに対し個別の給電装置よりそれぞれ独立に給電することにより各発光部分から放出される光の強度を個別に制御可能な光照射式加熱装置」と限定的に減縮したものであるから、上記補正事項は、新規事項を追加するものではなく、平成１８年法律５５号改正附則３条１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法１７条の２第４項第２号に規定された特許請求の範囲の減縮を目的とする補正に該当する。
　
　したがって、本件補正は、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たし、また、平成１８年法律５５号改正附則３条１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法１７条の２第４項第２号に規定する要件を満たす。
　　
　そこで、以下、本件補正後の特許請求の範囲の請求項１に記載された発明が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものか（平成１８年法律第５５号改正附則３条１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法１７条の２第５項において準用する同法１２６条５項の規定を満たすか）どうかを検討する。
　
３　独立特許要件を満たすかどうかの検討
（１）本願補正発明
　本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）は、次のとおりである。
　
　「【請求項１】
　複数のフィラメントからなる複数の発光部分を有し、当該複数の発光部分が略同一軸状に配置されているランプが複数並列に並べられているランプユニットを有し、上記複数のフィラメントはそれぞれ個別の給電装置に接続されていて、上記複数のフィラメントに対し個別の給電装置よりそれぞれ独立に給電することにより各発光部分から放出される光の強度を個別に制御可能な光照射式加熱装置を用いて、被処理物に光照射することにより被処理物を加熱する光照射式加熱方法であって、
　事前に被処理物の場所的物理特性分布、もしくは、上記発光部分と被処理物との間の空間における原料分子の場所的物理的特性分布を計測し、
その計測値に基づいて、光加熱処理後被処理物に所望の物理特性を付与するのに必要な被処理物上での光強度分布パターンを求め、
　この光強度パターンに応じて、上記１つ以上の発光部分から放出される個々の光強度を事前に求め、
　この求めた結果に対応させて、各発光部分から放出される光の強度を個別に制御して被処理物に光照射を行う
ことを特徴とする光照射式加熱方法。」
　
（２）原査定で引用された引用文献の表示
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献１〜９うち、引用文献６、引用文献９は、以下のとおり。
　　引用文献６：特開平６−１７７０５６号公報
　　引用文献９：特開平４−２８６３１９号公報
　
（３）引用刊行物の記載事項
　　ア　刊行物１の記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用文献６として引用された、本願の出願の日前に日本国内において頒布された刊行物である、特開平６−１７７０５６号公報（以下「刊行物１」という。）には、「ガス処理装置」（発明の名称）に関して、図５とともに、次の記載がある。
　
（刊１ア）「【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ガス処理装置、特に、
被処理物を所定の温度に加熱して、処理ガスによって所望のガス処理を施すガス処理技術に関し
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造工程において、プラズマＣＶＤ装置によって、ウエハ上に酸化膜や窒化膜および金属膜が生成される場合、膜生成に必要なエネルギーを得るためにウエハを所望の温度に加熱する必要がある。
【０００３】・・（略）・・
【０００４】他方、このような成膜工程においては、
生成した膜の均一性や反射率、異物、不純物濃度といった膜の質が重要視されている。そして、これらの膜質はウエハの温度と密接な関係があることが知られている
ウエハの温度分布を全体にわたって制御することは、非常に重要な事項になる
　
（刊１イ）「【０００６】
【発明が解決しようとする課題】・・（略）・・
【０００８】○２　
円形ヒータによってウエハの温度分布を全体にわたって均一に加熱するための制御はきわめて困難になり、ウエハの温度分布が不均一になる。このため、ウエハに形成された膜質が低下する
【０００９】○３　
ガス流量が一定であっても処理室内の状態変化により、ウエハの中央部と周辺部とにおいてガスの流れが異なるため、ウエハ内において膜質が低下する
　
（刊１ウ）「【００１６】
【実施例】図１は本発明の一実施例であるプラズマＣＶＤ装置を示す正面断面図である。・・（略）・・
【００２２】本実施例において、
ヒータ２２はサセプタ７の第１ゾーン
第１の分割ヒータである内側ヒータ２２ａ
第２ゾーン
第２の分割ヒータである外側ヒータ２２ｂ
【００３１】以上のようにして
プラズマシリコン酸化膜の形成処理が終了した後、ウエハ１は
膜厚測定装置２５に搬送される。膜厚測定装置２５はウエハ１に形成されたシリコン酸化膜２６の厚さを測定し、その測定データをコントローラ２３に送信する
【００３２】
コントローラ２３は膜厚測定装置２５から送られて来た膜厚データに基づいて、ウエハ１内における酸化膜２６の膜厚の均一性を求める。この膜厚の均一性が悪い場合には、コントローラ２３は膜厚分布を改善するための温度分布を求めるとともに、この温度分布が得られるように内側ヒータ２２ａおよび外側ヒータ２２ｂの加熱出力を制御する
【００３５】そして、
次回のウエハ１についてのプラズマシリコン酸化膜２６の形成処理に際して、内側ヒータ２２ａおよび外側ヒータ２２ｂがこのように制御される
ウエハ１上に生成されるプラズマシリコン酸化膜２６の膜厚分布は全体にわたって均一になる
　
(刊１エ)「【００４７】図５は本発明の実施例３であるプラズマＣＶＤ装置を示す図であり、・・（略）・・
【００４８】
本実施例３が前記実施例１と異なる点は、ウエハを加熱するためのヒータとして内側ランプヒータ２９ａおよび外側ランプヒータ２９ｂが設備されており、かつ、これらランプヒータ２９ａ、２９ｂがコントローラ２３によって制御されるように構成されている点にある
【００４９】本実施例３においては、前記実施例１と同様の作用および効果が奏される。さらに、本実施例３によれば、
ヒータを分割し易く、かつ、各別に制御し易いという特有の効果が得られる
【００５０】以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【００５１】例えば、
ヒータは
前後左右
に分割してもよい
【００５５】以上の説明では主として本発明者によってなされた発明をその背景となった利用分野である
プラズマＣＶＤ装置に適用した場合について説明したが、それに限定されるものではなく、減圧ＣＶＤ装置や常圧ＣＶＤ装置・・（略）・・等の加熱下でガスが使用された処理が実施されるガス処理装置全般に適用することができる
　
（刊１オ）図５には、実施例３であるプラズマＣＶＤ装置の（ａ）正面断面図、（ｂ）ランプヒータ部分を示す平面断面図が示されており、上記（ａ）からは、ランプヒータがウエハ（被処理物）１の下方に、下部電極（サセプタ）を介して配置されていること、また上記（ｂ）からは、内外２重の同心円の各円上にそれぞれ複数のランプヒータが配置されていることが看取できる。
　
　上記（刊１ア）〜（刊１オ）によれば、刊行物１には、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されているといえる。
　「ウエハ（被処理物）を加熱するためのヒータとして、内外２重の同心円をそれぞれ第１ゾーン及び第２ゾーンとして、それぞれのゾーンに複数のランプヒータを内側ヒータ２２ａおよび外側ヒータ２２ｂとして配置し、コントローラによって、それぞれのゾーン毎に加熱出力を制御する方法において、
　プラズマシリコン酸化膜の形成処理が終了した後、膜厚測定装置２５によって、ウエハ（被処理物）に形成されたプラズマシリコン酸化膜２６の厚さを測定し、その測定データをコントローラ２３に送信し、　
　コントローラ２３は膜厚測定装置２５から送られて来た膜厚データに基づいて、ウエハ（被処理物）内におけるプラズマシリコン酸化膜２６の膜厚の均一性を求め、この膜厚の均一性が悪い場合には、コントローラ２３は膜厚分布を改善するための温度分布を求め、
　次回のウエハ（被処理物）への膜形成処理に際して、この温度分布が得られるように内側ヒータ２２ａおよび外側ヒータ２２ｂの加熱出力を制御する方法。」
　
　　イ　刊行物２の記載
　原査定の拒絶の理由に周知例として引用された、本願の優先権主張日前に日本国内において頒布された刊行物である、特開平４−２８６３１９号公報（以下「刊行物２」という。）には、「ハロゲンランプ及び熱処理炉」（発明の名称）に関して、図１〜３とともに、次の記載がある。
　
（刊２ア）「【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記従来のハロゲンランプＣにおいては、１本のタングステン線Ｗがその全長にわたってフィラメント状に形成されて全体が発熱部分となされているため、タングステン線Ｗに駆動電流Ｉを流して発熱させたとき、管１１の温度分布はその長手方向においてほぼ均一となる。従って、図５及び図６で示す従来のランプアニール装置の場合、このハロゲンランプＣを、その長手方向を、ウェハ１４の挿入方向、即ち
炉本体１５の前後方向に対して直角にした状態で、多数配列して構成しているため、炉本体１５の前後間（炉口と炉奥間）に関する温度分布の調整については、各ハロゲンランプＣを１本ずつ調整することで可能となるが、炉本体１５の左右間の温度分布については調整できないという欠点がある
【０００５】従って、
ウェハ１４に対し熱処理を行う場合、ウェハ１４面内における温度分布を均一にすることができず、局部的な過熱現象が生じ、ウェハ１４上に形成されるデバイスの歩留りの低下並びに特性の劣化を引き起こすという不都合がある
　
（刊２イ）「【００１２】
【実施例】・・（略）・・
【００１３】・・（略）・・各タングステン線Ｗ１，Ｗ２及びＷ３は、
螺旋状（フィラメント状）に形成された発熱部ａと直線状の非発熱部ｂ
発熱部ａが一方の電極２ａ側に
発熱部ａが中央部分に
発熱部ａが他方の電極２ｂ側に
ハロゲンランプＡは、夫々発熱部ａの位置が異なる３本のタングステン線Ｗ
１
，Ｗ
２
及びＷ
３
を筒状管１内に封入して構成されている
【００１５】
各タングステン線Ｗ
１
，Ｗ
２
及びＷ
３
に流す電流Ｉを制御する方法
例えば、
各タングステン線Ｗ
１
，Ｗ
２
及びＷ
３
の各端子φ１，φ２及びφ３に、対応する可変抵抗器Ｒ
１
，Ｒ
２
及びＲ
３
を接続し、電源４から供給される駆動電流Ｉを夫々可変抵抗器Ｒ
１
，Ｒ
２
及びＲ
３
で制御すればよい
【００１８】・・（略）・・尚、図３において、
８は熱処理用ガスを炉本体７に供給するためのガス導入口である
【００１９】上述の如く、本例の熱処理炉Ｂによれば、
筒状管１内に夫々発熱部ａの位置が異なる３本のタングステン線Ｗ
１
，Ｗ
２
及びＷ
３
が封入されて、筒状管１の長手方向に沿う温度分布が調整可能に構成されたハロゲンランプＡを、炉本体７の前後方向に多数配列するようにしたので、炉本体７の前後間並びに炉本体７の左右間の温度分布が容易に調整でき、ウェハ６面内における温度分布を均一にすることができる
　
　
（４）対比
　　ア　本願補正発明と引用発明との対比
　　（ア）引用発明の「ランプヒータ」は、発光した光を照射することにより加熱を行うものであるから、発光部を有していることは明らかであり、引用発明の「ウエハを加熱するためのヒータとして、内外２重の同心円をそれぞれ第１ゾーン及び第２ゾーンとして、それぞれのゾーンに複数のランプヒータを内側ヒータ２２ａおよび外側ヒータ２２ｂとして配置し」と、本願補正発明の「複数のフィラメントからなる複数の発光部分を有し、当該複数の発光部分が略同一軸状に配置されているランプが複数並列に並べられているランプユニットを有し」とは、「発光部を有するランプが複数並べられているランプユニットを有し」の点で一致する。
　　（イ）引用発明の「内側ヒータ２２ａおよび外側ヒータ２２ｂとして配置」された「複数のランプヒータ」は、「コントローラによって、それぞれのゾーン毎に加熱出力を制御」されるのであるから、引用発明の「複数のランプヒータ」及び「コントローラ」と、本願補正発明の「上記複数のフィラメントはそれぞれ個別の給電装置に接続されていて、上記複数のフィラメントに対し個別の給電装置よりそれぞれ独立に給電することにより各発光部分から放出される光の強度を個別に制御可能な光照射式加熱装置」とは、「発光部分から放出される光の強度を制御可能な光照射式加熱装置」である点で一致する。
　　（ウ）引用発明は、「ウエハ（被処理物）を加熱するためのヒータとして」サセプタを介してはいるものの、ランプヒータを用いていることから、当該ランプヒータの発光部からの光照射により「ウエハ（被処理物）」が加熱されているものである。したがって、引用発明の「ウエハを加熱するためのヒータ」を「コントローラによって、それぞれのゾーン毎に加熱出力を制御する方法」と、本願補正発明の「被処理物に光照射することにより被処理物を加熱する光照射式加熱方法」とは、「光照射することにより被処理物を加熱する光照射式加熱方法」である点で一致する。
　　（エ）引用発明は、「膜厚分布」は、ウエハ（被処理物）上に形成されたプラズマシリコン酸化膜の膜形成処理終了後に測定されたものであり、ウエハ（被処理物）上の膜厚の分布、即ち、場所に依存する膜厚の状態を調べていることは明らかである。更に、刊行物１の（刊１ア）の【０００４】には、「生成した膜の均一性や反射率、異物、不純物濃度といった膜の質が重要視されている」旨説明されており、「膜の均一性」としての「膜厚の均一性」が膜の質として重要視されていること、同（刊１イ）の【０００９】には、「ガス流量が一定であっても処理室内の状態変化により、ウエハの中央部と周辺部とにおいてガスの流れが異なるため、ウエハ内において膜質が低下する。」こと即ち、処理室内におけるガスの状態により、ウエハ内の膜質が低下することも説明されている。したがって、刊行物１には、処理室内におけるガスの状態によって膜質としての膜厚分布が均一性が悪い場合に、処理した結果の膜厚分布を測定し、その後「膜厚分布を改善するための温度分布を求め、次回のウエハ（被処理物）への膜形成処理に際して、この温度分布が得られるように」ランプヒータの制御を行っているものである。
　一方、本願補正発明における「発光部分と被処理物との間の空間における原料分子の場所的物理的特性分布を計測し、
その計測値に基づいて、光加熱処理後被処理物に所望の物理特性を付与するのに必要な被処理物上での光強度分布パターンを求め」との発明特定事項を実施するための具体的な構成として、本願明細書には、
　
　「【００１４】
　また、半導体ウエハ表面に加熱により膜形成を行う場合、膜原料である原料ガスを半導体ウエハ表面に流しながら、光照射して半導体ウエハを加熱することにより膜形成を行う。このとき、半導体ウエハ表面上における
原料ガスのガス流分布は均一ではない
被処理物の温度が均一になるように加熱し成膜処理を行うと、半導体ウエハ上に生成される膜の組成や膜厚に場所的な分布が生じる
【００１８】
（３）本発明の第３の加熱方法においては、
発光部分と被処理物との間の空間における原料分子の場所的物理的特性分布を計測し、その計測値に基づいて
所望の物理的特性を付与するのに必要な被処理物上での光強度分布パターンを求め
　上記発光部分と被処理物との間の空間における
原料分子の場所的物理的特性分布は、例えば成膜反応ガスのガス分布であり
ガス分布は、試験用被処理物の表面内に生成した膜の膜厚分布を測定することにより求め、この膜厚分布に基づき、光加熱処理後被処理物表面内に生成される膜厚分布を均一にするのに必要な被処理物上での光強度分布パターンを設定する
「【００５３】・・（略）・・上記した
成膜反応ガスのガス分布は
場所的物理的特性分布
場所的物理的特性分布であり、これは上記した膜厚分布に対応する
【００５６】
　ステップＳ５１、ステップＳ６１で求めた膜厚分布及び成膜速度の温度依存性から、
被処理物表面内に生成される膜の膜厚分布を均一にするための被処理物上での光強度分布パターンを求める
　この光強度分布パターンは、結果的に、半導体ウエハ表面上における原料ガスの均一ではないガス流分布に対応するパターンとなる。・・（略）・・」
　
と説明されており、「発光部分と被処理物との間の空間における原料分子の場所的物理的特性分布」が、例えば「成膜反応ガスのガス分布」である、また、「
原料分子の場所的物理的特性分布を、・・（略）・・膜厚分布を測定することにより推定し
成膜反応ガスのガス分布は
場所的物理的特性分布
場所的物理的特性分布であり、これは上記した膜厚分布に対応する
この膜厚分布に基づき、光加熱処理後被処理物表面内に生成される膜厚分布を均一にするのに必要な被処理物上での光強度分布パターンを設定する
　したがって、引用発明の「プラズマシリコン酸化膜の形成処理が終了した後、膜厚測定装置２５によって、ウエハ（被処理物）に形成されたプラズマシリコン酸化膜２６の厚さを測定し、その測定データをコントローラ２３に送信し、コントローラ２３は膜厚測定装置２５から送られて来た膜厚データに基づいて、ウエハ（被処理物）内におけるプラズマシリコン酸化膜２６の膜厚の均一性を求め、この膜厚の均一性が悪い場合には、コントローラ２３は膜厚分布を改善するための温度分布を求め、」は、本願補正発明の「事前に」「上記発光部分と被処理物との間の空間における原料分子の場所的物理的特性分布を計測し、その計測値に基づいて、光加熱処理後被処理物に所望の物理特性を付与するのに必要な被処理物上での光強度分布パターンを求め」に相当する。
　　（オ）引用発明において、ランプヒータの加熱出力を制御することは、ランプヒータの光強度を制御するものであるから、複数のランプヒータの加熱出力を制御することは、ランプヒータの光強度パターンを制御することになる。
　したがって、引用発明における「この温度分布が得られるように内側ヒータ２２ａおよび外側ヒータ２２ｂの加熱出力を制御する」と、本願補正発明における「光強度パターンに応じて、上記１つ以上の発光部分から放出される個々の光強度を事前に求め、この求めた結果に対応させて、各発光部分から放出される光の強度を個別に制御して被処理物に光照射を行う光強度パターンに応じて、上記１つ以上の発光部分から放出される個々の光強度を事前に求め、この求めた結果に対応させて、各発光部分から放出される光の強度を個別に制御して被処理物に光照射を行う」とは、「この光強度パターンに応じて、発光部分から放出される光強度を事前に求め、この求めた結果に対応させて、発光部分から放出される光の強度を制御して光照射を行う」点で一致する。
　
　　イ　一致点及び相違点
　上記「ア（ア）」〜「ア（オ）」から、本願補正発明と引用発明の一致点と相違点は、次のとおりとなる。
　
　　（ア）　一致点
　「発光部を有するランプが複数並べられているランプユニットを有し、発光部分から放出される光の強度を制御可能な光照射式加熱装置を用いて、光照射することにより被処理物を加熱する光照射式加熱方法であって、
　事前に被処理物の場所的物理特性分布、もしくは、上記発光部分と被処理物との間の空間における原料分子の場所的物理的特性分布を計測し、
　その計測値に基づいて、光加熱処理後被処理物に所望の物理特性を付与するのに必要な被処理物上での光強度分布パターンを求め、
　この光強度パターンに応じて、発光部分から放出される光強度を事前に求め、
　この求めた結果に対応させて、発光部分から放出される光の強度を制御して光照射を行う
ことを特徴とする光照射式加熱方法。」
　
　　（イ）　相違点
　　　ａ　相違点１
　本願補正発明は、「
複数のフィラメントからなる複数の発光部分を有し、当該複数の発光部分が略同一軸状に配置されているランプが複数並列に並べられている
複数のフィラメントはそれぞれ個別の給電装置に接続されていて、上記複数のフィラメントに対し個別の給電装置よりそれぞれ独立に給電することにより各発光部分から放出される光の強度を個別に制御可能
個々の
各
個別
　　　ｂ　相違点２
　本願補正発明は、「
被処理物
　
　（５）相違点１、２についての判断
　　ア　相違点２について
　　刊行物１の記載事項（刊１エ）の【００５５】には、「
プラズマＣＶＤ装置に適用した場合について説明したが、それに限定されるものではなく、減圧ＣＶＤ装置や常圧ＣＶＤ装置、スパッタリング装置、ドライエッチング装置等の加熱下でガスが使用された処理が実施されるガス処理装置全般に適用することができる
　半導体製造において、被処理物としてのウェーハ等を加熱するに際して、線状或いは点状のランプを光に直接或いは実質的に被処理物に光を照射する事が可能な透明な部材（石英等）を介して光を照射すること等、光に不透明なサセプタを介さずに光により被処理物を加熱すること、その際に各ランプ等を制御して、前後左右における温度分布を調整したいとの課題は例えば刊行物２の上記記載事項及び下記周知例１〜３の下記に示す記載のように周知の事項であり、半導体製造装置としての処理ガスを供給して成膜を行う熱処理装置或いはＣＶＤ装置においても、ウェーハ全面に対して高精度な温度制御をしたいとの課題も、下記周知例１〜２の下記記載に示されているように周知の事項である。
　
　＜周知事項を示す刊行物の記載＞
　周知例１：特開２０００−３６４６９号公報
　「【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、例えばランプアニール装置などのように、
熱処理炉内に基板を収容し、熱処理炉内へ処理ガスを供給するなどして、熱処理炉内の基板を光照射等によって加熱することにより
成膜などの熱処理を施す基板熱処理装置
　「【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来のランプアニール装置では、放射温度計により測定された基板Ｗの温度に基づいて
コントローラにより複数本のランプヒータ５を一律に制御して、基板Ｗの温度が所定温度となるように調節していた
　「【００１３】それぞれの加熱ユニット８ａ〜８ｆは、
ランプヒータの、１つもしくは複数の単位素線（コイル）部から構成されている
単純化して解り易くするために、ヒータ群が４本のランプヒータから構成された場合を例示
それぞれのランプヒータ９、１２は、２つの単位素線部１０、１１および３つの単位素線部１３、１４、１５を備えている
【００１４】
ランプヒータ９、１２の単位素線部１０、１１、１３〜１５に対するスイッチング動作を行うサイリスタ１６ａ〜１６ｆ
【００１５】・・（略）・・温度コントローラによりそれぞれの加熱区域Ａ〜Ｆごとに個別に各サイリスタ１６ａ〜１６ｆへのゲート電流が調節される。そして、各加熱区域Ａ〜Ｆに対応した各加熱ユニット８ａ〜８ｆを構成するランプヒータ９、１２の単位素線部１０、１３；１１、１５；１４への電力供給が、加熱ユニット８ａ〜８ｆごとに個別にそれぞれ制御される。・・（略）・・
【００１６】・・さらに、
加熱区域の分割数や平面的な分割の仕方も、図示例のものに限定されず、種々に設計し得る
　
　周知例２：特開２００２−２０８４６６号公報
　「【０００４】・・（略）・・点光源ハロゲンランプ１はウェーハ７の全面に散在するよう配置され
ウェーハ７の各部毎における細かい温度制御が可能
　「【０００７】・・（略）・・従来の線光源ハロゲンランプ９はフィラメント４がウェーハ７の加熱面と平行に設けられる。そして、このフィラメント４から射出された光は、直接・・（略）・・
ウェーハ７の加熱面を照射する
　「【００２６】以上より、本実施の形態１に係るハロゲンランプ２０は、該フィラメント２３が加熱時においてウェーハの加熱面に対して平行となるため、熱損失を少なくして加熱効率を高めることができる。また、フィラメント２３は短い直線状とされるため、後述するようにハロゲンランプ２０をウェーハの全面に多数散在させ該
ランプ毎に出力を調整することによって、加熱対象とするウェーハの温度を部分毎に制御する
　「【００４７】・・（略）・・
［
実施の形態４］従来よりＣＶＤ装置等といった半導体製造装置
　
　周知例３：特開２００２−２０３８０４号公報
　「【０００１】【発明の属する技術分野】本発明は、・・（略）・・熱処理制御方法に関する。本発明は、例えば、メモリやＩＣなどの半導体装置の製造に適した・・（略）・・
急速熱化学気相成長（ＲＴＣＶＤ）
　「【００１９】・・（略）・・前記複数のダブルエンドランプの任意を組み合わせからなる照度分布特性とに基づいて、前記被処理体が均一に昇温するように前記ダブルエンドランプの出力を制御する。・・（略）・・「複数のダブルエンドランプの任意を組み合わせからなる照度分布特性」とは、
各ランプの照度分布特性を任意に組み合わせた合成された照度分布特性
被処理体を複数の領域（ゾーン）に分けた場合のゾーン毎の温度制御を可能にする
前記ダブルエンドランプを部分的に点灯したり、全てのランプを点灯するが（異なるパワーの電源に接続することによって）その出力を部分的に変更したりする等任意の制御を採用することができる
　「【００５１】・・（略）・・、そ
れぞれの電極部１３２には同一の図示しない電源
各電極部１３２には異なる電圧を印加可能な複数の電源が接続されてもよい
　
　なお、本願明細書の【００２７】には、石英窓４を介してランプユニットと被処理物とが対向していることが図示されている図１について、「すなわち、加熱装置１００において、第１ランプユニット１０・・（略）・・から
放出される光は、直接
被処理物６に照射される
　
　してみると、引用発明１の加熱出力を制御する方法は、プラズマＣＶＤ装置のみに限定さるものではなく、「
加熱下でガスが使用された処理が実施されるガス処理装置全般に適用することができ
　　
　　イ　相違点１について
　　刊行物１の上記記載(刊１エ)の【００５１】によれば、ウエハ全面における膜厚分布を一定にするために調整される加熱領域としては、引用発明の内外２重の同心円状に限らず、「前後左右や放射状等に分割してもよい」ことが説明されている。また、各領域の大きさ並びにこれに対応する発光部分の大きさ及び数についても、例えば、刊行物２（図２）及び周知例１（図３）、周知例２（図１６）のように、前後左右（縦横）において細かく発光部分を制御しているように、必要とされる温度制御の精度に応じて適宜設定すればよいことも明らかである。
　そして、同一の線状ランプ内に複数のフィラメントをその発光部分が略同軸状になるように配置し、各発光部を個別のサイリスタに接続して個別に制御することは、上記周知例１に記載のように周知の事項であり、当該サイリスタは、各フィラメントに供給する電力をそれぞれ生成しているので、別個の給電装置を形成しているものと認められる。
　また、複数のランプの電極に対して必要とされるランプの電極毎に設ける給電装置として電源自体を設けることも、上記周知例３の【００５１】の記載にもあるように適宜設定する設計事項の範囲の事項にすぎない。
　してみると、引用発明において、必要とされる温度制御の範囲に応じて、適宜周知例１に記載のような個別に制御される複数のフィラメントを略同軸に配置したランプを、周知例１、２のように並列配置し、各フィラメントに個別の給電装置を接続して各フィラメントを個別に制御することで、上記相違点１に係る構成とすることは、当業者ならば容易に想到し得たものである。
　
　（６）まとめ
　以上のとおり、引用発明において、上記相違点１〜３に係る構成を採用することは、当業者が容易に想到できたものであり、本願補正発明は、刊行物１に記載された発明及び刊行物２、周知例１〜３に記載された周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条２項の規定により特許を受けることができないものである。
　
４　補正の却下の決定の結論
　よって、本件補正は、特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから、平成１８年法律５５号改正附則３条１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法１７条の２第５項において準用する同法１２６条５項の規定に違反するので、同法１５９条１項において読み替えて準用する同法５３条１項の規定により、却下すべきものである。
　
　
第３　本願発明
１　上記「第２」補正の却下の決定での検討のとおり、平成２４年１０月　１日に提出された手続補正書による本件補正は却下されたので、本願の請求項１〜６に係る発明は、平成２４年　２月　９日に提出された手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１〜６に記載されたとおりのものであり、そのうち、請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次のとおりである。
　
　「【請求項１】
１つ以上の発光部分を有するランプが複数並列に並べられているランプユニットを有し、
各発光部分から放出される光の強度を個別に制御可能な光照射式加熱装置を用いて、被処理物に光照射することにより被処理物を加熱する光照射式加熱方法であって、
事前に被処理物の場所的物理特性分布、もしくは、上記発光部分と被処理物との間の空間における原料分子の場所的物理的特性分布を計測し、
その計測値に基づいて、光加熱処理後被処理物に所望の物理特性を付与するのに必要な被処理物上での光強度分布パターンを求め、
この光強度パターンに応じて、上記１つ以上の発光部分から放出される個々の光強度を事前に求め、
この求めた結果に対応させて、各発光部分から放出される光の強度を個別に制御して被処理物に光照射を行う
ことを特徴とする光照射式加熱方法。」
　
２　引用刊行物の記載事項
　刊行物１の記載事項及び引用発明、並びに刊行物２、周知例１〜３の記載事項については、前記「第２　３　（３）ア」、「第２　３　（３）イ」及び「第２　３　（５）ア＜周知事項を示す刊行物の記載＞」のとおりである。
　
３　対比・判断 
　本願発明は、本願補正発明における「複数のフィラメントからなる複数の発光部分を有し、当該複数の発光部分が略同一軸状に配置されているランプが複数並列に並べられているランプユニットを有し、上記複数のフィラメントはそれぞれ個別の給電装置に接続されていて、上記複数のフィラメントに対し個別の給電装置よりそれぞれ独立に給電することにより各発光部分から放出される光の強度を個別に制御可能な光照射式加熱装置」との発明特定事項を、「１つ以上の発光部分を有するランプが複数並列に並べられているランプユニットを有し、各発光部分から放出される光の強度を個別に制御可能な光照射式加熱装置」として、ランプユニットに関する限定的な構成を一部削除したものである。
　そうすると、本願発明の構成要件をすべて含み、これをより限定したものである本願補正発明が、前記「第２　３」において検討したとおり、刊行物１に記載された発明及び刊行物２及び周知例１〜３に記載された周知事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、刊行物１に記載された発明及び刊行物２及び周知例１〜３に記載された周知事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。　
　
第４　結言 
　以上のとおり、本願発明は、刊行物１に記載された発明及び刊行物２及び周知例１〜３に記載された周知事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条２項の規定により、特許を受けることができない。
　したがって、本願は、他の請求項について検討するまでもなく、拒絶すべきものである。
　
 　よって、結論のとおり審決する。