(57)【要約】 【課題】ウエハ全体の配線空間を有効に利用でき、ウエハの使用効率が向上されるとともに、工程の産出量も大幅に向上されるダイパッケージ構造を提供する。【解決手段】少なくとも、複数のダイパッドが備えられるダイと、配線凹槽が設けられる絶縁層と、ソルダレジスト材である高分子ポリマー樹脂と、複数の金属接点を有する金属層と、から構成される。上記ダイ上に配線を成長させる時、まず、上記高分子ポリマー樹脂の表面に、フォトレジストを利用して、露出現像し、上記ダイと上記絶縁層に、上記予めに設定した配線凹槽を形成し、そして、上記配線凹槽に、導電金属質を埋め込んで、上記金属層と各金属接点を形成し、これにより、各金属接点が、上記高分子ポリマー樹脂に接続され、また、撓み可能に、上記ダイ上のダイパッドに電気的に接続され、上記のように、上記ダイパッケージ構造が構成される。【選択図】図１
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【実用新案登録請求の範囲】
【請求項１】
複数のダイパッドが備えられるダイと、
上記ダイ上に覆われ、上記ダイ上と上記絶縁層との間に配線凹槽が設けられ、少なくとも一つの配線凹槽に、一つのダイパッドが含まれる絶縁層と、
上記絶縁層の表面に塗布され、上記配線凹槽の所定の部分を覆う高分子ポリマー樹脂と、
上記のダイパッド上や上記配線凹槽に形成され、複数の金属接点を含み、各金属接点が、上記高分子ポリマー樹脂に接続されて、上記ダイのダイパッドに電気的に接続される金属層と、
が備えられる、
ことを特徴とするダイパッケージ構造。
【請求項２】
上記高分子ポリマー樹脂は、ソルダレジスト材であることを特徴とする請求項１に記載のダイパッケージ構造。
【請求項３】
上記金属層は、まず、フォトレジストで露光して上記配線凹槽を現像し、また、上記配線凹槽に導電金属質を埋め込むように形成されることを特徴とする請求項１に記載のダイパッケージ構造。
【請求項４】
上記金属層は、スパッタリングや化学気相成長法、スパッタリングと電気メッキ、或いは化学気相成長法と電気メッキにより、上記配線凹槽に上記導電金属質を埋め込むことからなることを特徴とする請求項３に記載のダイパッケージ構造。
【考案の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本考案は、ダイパッケージ構造に関し、特に、配線を成長することにより、ダイ（Ｄｉｅ）上の各金属接点（Ｍｅｔａｌ  Ｐａｄ）を、撓み可能に、ダイパッド（Ｄｉｅ  Ｐａｄ）と高分子ポリマー樹脂（Ｓｏｌｄｅｒ  Ｍａｓｋ）に接続して、ウエハ（Ｗａｆｅｒ）全体の配線空間を有効に利用できるダイパッケージ構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来のウエハ上にソルダレジスト層を設置する方法は、鋼版印刷等により、ソルダレジスト層を上記ウエハのダイ上に塗布する。その中、一部の外層配線を露出して電気的に接続するため、穿孔により、そのダイ上に垂直に凹み域を形成して、また、その上に、一層のコーティングを張り付き、また、上記コーティングにおいて、上記凹み域上に、ウィンドーがあり、上記ウィンドーから金属を注入して、露出する配線層を作製する。しかしながら、上記コーティングが、上記ダイに貼り付けられる時、やむを得ず、アラインメントのばらつきが発生し、即ち、ウィンドーの位置に、所定の凹み域に対してずれが発生し、作製したウエハが、より高い不産出量になり、品質が悪い問題があり、また、その凹み域が、垂直に穿孔することにより形成されるため、各配線接点同士により上記ウエハの配線空間を多く占用し、上記ウエハの使用効率が低減される。そのため、一般の従来のものは、実用的とはいえない。
【０００３】
本考案者は、上記欠点を解消するため、慎重に研究し、また、学理を活用して、有効に上記欠点を解消でき、設計が合理である本考案を提案する。
【考案の概要】
【考案が解決しようとする課題】
【０００４】
本考案の主な目的は、ウエハ全体の配線空間を有効に利用でき、ウエハの使用効率を向上するとともに、作製の産出量を大幅に向上できるダイパッケージ構造を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本考案は、上記の目的を達成するため、少なくとも、複数のダイパッドが備えられるダイと、配線凹槽が設けられる絶縁層（Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ  Ｌａｙｅｒ）と、ソルダレジスト材とする高分子ポリマー樹脂と、複数の金属接点を有する金属層（Ｍｅｔａｌ  Ｌａｙｅｒ）と、から構成されるダイパッケージ構造である。まず、上記のウエハから分割されたダイは、その上に、上記絶縁層が覆われ、また、上記絶縁層上に、表面実装技術（Ｓｕｒｆａｃｅ  Ｍｏｕｎｔ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ、  ＳＭＴ）により、高分子ポリマー樹脂が塗布される。上記ダイ上に、配線を成長させる時、まず、上記高分子ポリマー樹脂の表面に、フォトレジストを利用して、露出現像し、上記ダイと上記絶縁層に、上記予めに設定した配線凹槽を形成し、そして、上記配線凹槽に、導電金属質を埋め込んで、上記金属層と各金属接点を形成し、これにより、各金属接点が、上記高分子ポリマー樹脂に接続され、また、撓み可能に、上記ダイ上のダイパッドに電気的に接続され、上記のように、上記ダイパッケージ構造が構成される。
【０００６】
以下、図面を参照しながら、本考案の特徴や技術内容について、詳しく説明するが、それらの図面等は、参考や説明のためであり、本考案は、それによって制限されることが無い。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本考案の構造概念図
【考案を実施するための形態】
【０００８】
図１は、本考案の構造概念図である。図のように、本考案は、ダイパッケージ構造であり、少なくとも、ダイ（Ｄｉｅ）１１と、絶縁層（Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ  Ｌａｙｅｒ）１２と、高分子ポリマー樹脂（Ｓｏｌｄｅｒ  Ｍａｓｋ）１３と、金属層（Ｍｅｔａｌ  Ｌａｙｅｒ）１４と、から構成され、有効に、ウエハ全体の配線空間を利用でき、ウエハの使用効率が向上され、工程の産出量が大幅に向上される。
【０００９】
上記ダイ１１は、複数のダイパッド（Ｄｉｅ  Ｐａｄ）１１１が備えられる。
【００１０】
上記絶縁層１２は、上記ダイ１１上に覆われ、また、上記ダイ１１上と上記絶縁層１２内に配線凹槽１２１が設けられ、少なくとも一つの配線凹槽１２１内に、一つのダイパッド１１１が含まれる。
【００１１】
上記高分子ポリマー樹脂１３は、ソルダレジスト材で、上記絶縁層１２表面に塗布され、また、上記配線凹槽１２１の所定の部分を覆う。
【００１２】
上記金属層１４は、上記ダイパッド１１１上や上記些配線凹槽１２１中に形成され、また、複数の金属接点（Ｍｅｔａｌ  Ｐａｄ）１４１が含まれ、各金属接点１４１は、上記高分子ポリマー樹脂１３に接続され、また、上記ダイ１１のダイパッド１１１に電気的に接続される。以上の構造により、新規のダイパッケージ構造１が構成される。
【００１３】
本考案によれば、上記の、ウエハから分割されたダイ１１は、その上に、上記絶縁層１２がスピンコーティングされ、上記絶縁層１２上に、表面実装技術（Ｓｕｒｆａｃｅ  Ｍｏｕｎｔ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ、  ＳＭＴ）により塗布された高分子ポリマー樹脂１３がある。上記ダイ１１に配線を成長させる時、まず、上記高分子ポリマー樹脂１３の表面に、フォトレジストで、露光現像して、上記ダイ１１と上記絶縁層１２中に、上記の予めに設定された配線凹槽１２１が形成され、また、上記配線凹槽１２１内において、スパッタリングや化学気相成長法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、  ＣＶＤ）、スパッタリングと電気メッキ、或いは化学気相成長法と電気メッキにより、導電金属質を埋め込み、上記金属層１４と複数の金属接点１４１が形成され、各金属接点１４１が、上記高分子ポリマー樹脂１３に接続され、また、上記ダイ１１上のダイパッド１１１に電気的に接続され、これにより、本考案に係るダイパッケージ構造１が完成される。
【００１４】
また、上記金属層１４は、上記化学気相成長法を利用して、時間を長くすることにより、厚さが比較的に大きい金属層が実現できる。
【００１５】
本考案による配線を成長することにより、ダイ上の各金属接点は、撓み可能にのダイパッドと高分子ポリマー樹脂に接続されるため、ウエハ全体の配線空間を有効に利用でき、ウエハの使用効率が向上されるとともに、工程の産出量も大幅に向上される。
【００１６】
以上のように、本考案は、ダイパッケージ構造であり、有効に状来の諸欠点を解消でき、配線を成長させることにより、ダイ上の各金属接点が、撓み可能のダイパッドと高分子ポリマー樹脂に接続されるため、ウエハ全体の配線空間を有効に利用でき、ウエハの使用効率が向上されるとともに、工程の産出量も大幅に向上され、そのため、本考案は、より進歩的かつより実用的で、法に従って実用新案登録を出願する。
【００１７】
以上は、ただ、本考案のより良い実施例であり、本考案は、それによって制限されることが無く、本考案に係わる実用新案登録請求の範囲や明細書の内容に基づいて行った等価の変更や修正は、全てが、本考案の実用新案登録録請求の範囲内に含まれる。
【符号の説明】
【００１８】
１      ダイパッケージ構造
１１    ダイ
１１１  ダイパッド
１２    絶縁層
１２１  配線凹槽
１３    高分子ポリマー樹脂
１４    金属層
１４１  金属接点
【図１】
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