【事件の表示】
　特願２００７−　１１９９６「有機電界発光表示装置及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１９年　８月　９日出願公開、特開２００７−２００８８７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１９年（２００７年）１月２２日（パリ条約による優先権主張　平成１８年１月２５日　大韓民国、平成１８年３月２７日　大韓民国）を出願日とする特願２００７−１１９９６号であって、平成２１年９月４日付けで拒絶理由が通知され、同年１２月８日付けで意見書が提出されるとともに、同日付けで手続補正がなされ、平成２２年９月１５日付けで拒絶理由が通知され、同年１２月２１日付けで意見書が提出されるとともに、同日付けで手続補正がなされ、平成２３年４月２８日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年９月９日に拒絶査定不服審判の請求がなされ、同時に手続補正がなされたものである。
　その後、当審において平成２４年２月２２日付けで前置報告書の内容について請求人に事前に意見を求める審尋をなし、同年５月２４日付けで回答書が提出された。
　
第２　平成２３年９月９日付けの手続補正についての補正の却下の決定
　
［補正の却下の決定の結論］
　平成２３年９月９日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
　
［理由］
１　本件補正について
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１に係る発明は、平成２２年１２月２１日付けの手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載の、
　
「画素領域及び該画素領域以外の領域である非画素領域を備えた第１基板と、
　前記第１基板を封止する第２基板とを有し、
　前記画素領域には、
　半導体層、ゲート電極、ソース電極及びドレイン電極を含む薄膜トランジスタと、
　前記薄膜トランジスタ上に位置する有機平坦化膜と、
　前記有機平坦化膜上に位置する第１電極と、
　前記第１電極上に位置する画素定義膜と、
　前記第１電極及び前記画素定義膜上に位置し、少なくとも発光層を含む有機膜層と、
　前記有機膜層上に位置する第２電極と、が設けられ、
　前記非画素領域には、
　前記ゲート電極、前記ソース電極、前記ドレイン電極または前記第１電極のうちいずれか１つに接続されたラインであるメタル配線と、
　前記メタル配線に沿って前記メタル配線上に直接的に形成され、前記有機平坦化膜に接することなく位置し、前記第１基板と前記第２基板間を封止するガラスフリットと、が設けられている、ことを特徴とする有機電界発光表示装置。」が　
　
「画素領域及び該画素領域以外の領域である非画素領域を備えた第１基板と、
　前記第１基板を封止する第２基板とを有し、
　前記画素領域には、
　半導体層、ゲート電極、ソース電極及びドレイン電極を含む薄膜トランジスタと、
　前記薄膜トランジスタ上に位置する有機平坦化膜と、
　前記有機平坦化膜上に位置する第１電極と、
　前記第１電極上に位置する画素定義膜と、
　前記第１電極及び前記画素定義膜上に位置し、少なくとも発光層を含む有機膜層と、
　前記有機膜層上に位置する第２電極と、が設けられ、
　前記非画素領域には、
　前記ゲート電極、前記ソース電極、または前記ドレイン電極のうちいずれか１つに接続されたラインであるメタル配線と、
　前記メタル配線に沿って前記メタル配線上に直接的に形成され、前記有機平坦化膜に接することなく位置し、前記第１基板と前記第２基板間を封止するガラスフリットと、が設けられている、ことを特徴とする有機電界発光表示装置。」と補正された。
　
　そして、この補正は、「ラインであるメタル配線」が接続される電極について、補正前の「前記ゲート電極、前記ソース電極、前記ドレイン電極または前記第１電極のうちいずれか１つ」から「前記ゲート電極、前記ソース電極、または前記ドレイン電極のうちいずれか１つ」と減縮する補正事項からなり、特許請求の範囲のいわゆる限定的減縮を目的とする補正であるといえる。
　すなわち、本件補正における請求項１に係る発明の補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法（以下「平成１８年改正前特許法」という。）第１７条の２第４項第２号に掲げる事項を目的とするものである。
　
２　独立特許要件違反についての検討
　そこで、次に、本件補正後の特許請求の範囲の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものか（平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反しないか）について検討する。
　
（１）本願補正発明
　本願補正発明は、平成２３年９月９日付けの手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載されている事項により特定されるものである。（上記の「１　本件補正について」の記載参照。）
　
（２）引用例
ア　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開２００５−３０２７０７号公報（以下「引用例１」という。）には、次の事項が記載されている。（なお、下記「イ　引用例１に記載された発明の認定」に直接関与する記載に下線を付した。）
　
「【０００１】
本発明は、電極間に発光性材料を挟み電極間に電流を流すことで発光する素子（
発光素子）を用いて作成された表示装置
　
「【０００６】
そこで本発明では、
有機系
の発光素子
　
「【００２２】
（実施の形態１）
図１の断面図は本発明の発光装置の断面図である。基板１００上に下地絶縁膜１０１が形成されており、その上に半導体層１０２〜１０４が形成されている。下地絶縁膜１０１と半導体層１０２〜１０４はゲート絶縁膜１３３に覆われており、ゲート絶縁膜１３３上には半導体膜１０２〜１０４と一部重なってゲート電極１０５〜１０７が形成されている。ゲート絶縁膜１３３とゲート電極１０５〜１０７は層間絶縁膜１０８で覆われており、層間絶縁膜１０８の上には絶縁膜１０９が成膜されている。
【００２３】
基板１００は薄膜トランジスタや発光素子を保持する為のものである。下地絶縁膜１０１は基板１００から薄膜トランジスタに悪影響を及ぼす物質が拡散するのを抑える為に形成されているため、当該物質の拡散が問題なければ形成する必要はない。半導体層１０２〜１０４、ゲート絶縁膜１３３及びゲート電極１０５〜１０７により薄膜トランジスタが形成されている。薄膜トランジスタは駆動回路などに用いられる駆動回路部１２７に形成されたものと発光素子１２２を駆動する為に画素部１２８に形成されたものがある。駆動回路は本実施の形態のように一体形成しても良いし、画素部と別に形成しても良い。
【００２４】
本実施の形態では、層間絶縁膜１０８はアクリルやポリイミドなどの有機絶縁膜か、シロキサンなど、比較的透水性の高い絶縁膜を用いることを想定している。このような有機絶縁膜を用いると、平坦性を高めることができる。
【００２５】
また、絶縁膜１０９は窒化珪素や酸素を含む窒化珪素、窒素を含む酸化珪素、酸化珪素など透水性の小さい膜で形成する。なお透水性の小さい絶縁膜１０９とは、窒化珪素や酸素を含む窒化珪素、窒素を含む酸化珪素、酸化珪素に限定されるものではなく、層間絶縁膜１０８と比べて透水性が小さければよい。なお、層間絶縁膜１０８とゲート絶縁膜１３３、ゲート電極１０５〜１０７との間には、他の材料よりなる絶縁膜が形成されていても良い。
【００２６】
絶縁膜１０９の上には絶縁膜１０９と層間絶縁膜１０８に形成されたコンタクトホールを介して半導体層１０２〜１０４に電気的に接続する電極（配線）１１０〜１１４が形成されている。半導体層１０２、ゲート絶縁膜１３３、ゲート電極１０５及び電極（配線）１１０、１１１から薄膜トランジスタ１１５が、半導体層１０３、ゲート絶縁膜１３３、ゲート電極１０６及び電極（配線）１１２、１１３から薄膜トランジスタ１１６が形成されている。なお、半導体層１０４、ゲート絶縁膜１３３、ゲート電極１０７及び電極（配線）１１４は薄膜トランジスタ１１７の一部である。なお、薄膜トランジスタ１１５、１１６は発光装置における駆動回路部１２７の薄膜トランジスタの一部を表しており、薄膜トランジスタ１１７は画素部１２８における薄膜トランジスタのうちの一つである。
【００２７】
薄膜トランジスタ１１７の電極１１４に接して、第１の電極１１８が形成されており、その端部を覆うように隔壁１１９が形成されている。隔壁１１９は主にアクリルやポリイミドなどの有機絶縁膜か、シロキサンなど、比較的透水性の高い絶縁材料で形成されることが多い。隔壁１１９は発光膜１２０と直接接しているため、隔壁を介して発光膜１２０に伝わる水分が発光素子１２２の信頼性低下の原因として懸念される。
【００２８】
また、第１の電極１１８に接して発光膜１２０が形成されており、発光膜１２０と隔壁１１９の一部を覆って第２の電極１２１が形成されている。なお、発光素子１２２は第１の電極１１８と第２の電極１２１、及びそれらに挟まれている発光膜１２０を有している。画素部１２８には、このような発光素子１２２がマトリクス状に配置されている。
【００２９】
隔壁１１９には画素部１２８の外周を一周して形成された第１の開口部１２９が形成されており、第１の開口部１２９の側面及び底面は第２の電極１２１によって覆われている。なお、本実施の形態のように駆動回路部１２７が同一基板上に形成されている場合は、図１のように当該第１の開口部１２９は駆動回路部１２７と画素部１２８との間の位置に形成する。なお駆動回路が一体形成されていない発光装置であっても本発明を適用することが可能であり、画素部の外周に開口部を設ければよい。」
　
「【００５９】
（実施の形態４）
本実施の形態では図４を用いて本発明の他の実施の形態について説明する。尚、図１及び図３と同じ部分に関しては特に説明を行わないこともある。
【００６０】
本実施の形態では配線５０１〜５０５と画素電極（第１の電極）５０６が異なる層に形成されている場合の例を説明する。本実施の形態では、第１の層間絶縁膜５０７は酸化珪素や窒化珪素、窒素を含む酸化珪素及び酸素を含む窒化珪素などの材料で形成した例を示す。第１の層間絶縁膜５０７は単層でも良いし、複数層であっても良い。これらの材料は透水性が小さいため、外周部が外気に曝されていても水分がほとんど侵入しないことから図３のように第１の層間絶縁膜の端面を透水性の小さい膜で覆わずとも水分は第１の層間絶縁膜５０７にほとんど侵入しない。そのため、図３の絶縁膜４０８に相当する構成は形成しなくても良い。その他の構成に関しては実施の形態３と同様である。
【００６１】
図４（Ａ）は従来の発光装置の断面図である。従来の構成では外部よりシール材５０８を介して侵入した水分は内部雰囲気５０９、隔壁５１０、第２の層間絶縁膜５１１中を移動しながら隔壁５１０より発光膜５１２へ到達し、発光膜５１２の劣化を引き起こす。なお、本実施の形態の場合は第１の層間絶縁膜５０７は透水性が非常に小さい材料で形成させることが前提であるため、第１の層間絶縁膜５０７経由の水分は考慮せずとも良い。
【００６２】
一方、図４（Ｂ）は本発明を適用した発光装置の断面図である。図４（Ｂ）では透水性の高い材料で形成されている第２の層間絶縁膜５１１と隔壁５１０にそれぞれ第１の開口部５１３と第２の開口部５１４が形成され、第２の開口部５１４の底面及び底面は発光素子５１６の第２の電極５１５で覆われている。第１の開口部５１３と第２の開口部５１４は画素部を一周するように形成されており、外部から侵入してきた水分が第２の層間絶縁膜５１１及び隔壁５１０を介して発光膜５１２へ到達する経路を遮断している。
【００６３】
このような構成を採ることによって、外部から水分が侵入することを抑制できる。また、発光膜５１２の劣化を減少させることができるため、発光素子５１６の寿命を延ばすことができ、発光装置の信頼性が向上する。」
　
「【０１７２】
本実施例では図４の構成を有する本発明の実施例について図１８、図１９を参照しながら説明する。図１８には本実施例で作製した本発明の発光装置（実施例６の発光装置、図１８（Ａ））と比較例として作製した発光装置（図１８（Ｂ））の断面図である。
【０１７３】
本発明の実施例である図１８（Ａ）の発光装置は基板３００上に下地絶縁膜３００１が形成され、その上に図４における第１の層間絶縁膜５０７に相当する第１の層間絶縁膜３００２が形成されている。第１の層間絶縁膜３００２上の外周には
配線に相当する導電膜３００３
第２の層間絶縁膜３００５が形成されている。
第２の層間絶縁膜３００５の端部はシール材３０１２よりも内側に形成されている。第２の層間絶縁膜３００５上部には発光素子３０１１の第１の電極３００６が形成され、第２の層間絶縁膜３００５と第１の電極３００６を覆って隔壁３００７が形成されている。
隔壁に形成された第１の電極３００６に対応する開口部の内側端面から第１の電極３００６上を連続して覆って発光層３００９が形成されている。また、発光層３００９、隔壁３００７を覆って発光素子３０１１の第２の電極３０１０が形成されており、
素子基板を、シール材３０１２を用いて対向基板３０１３に固着して得る。
【０１７４】
なお、本実施例では本発明の特徴点である隔壁を厚さ方向に貫通し、その側面が発光素子の第２の電極で覆われている開口部の有意性について検討するため、駆動回路部や画素部のトランジスタを形成していないことからゲート絶縁膜に相当する層は形成されていない。
【０１７５】
また、それぞれの材料については、基板３０００及び対向基板３０１３はガラス基板、下地絶縁膜３００１及び第１の層間絶縁膜３００２は酸化ケイ素、
配線は第１の層間絶縁膜側からチタン、窒化チタン、アルミニウム、チタンの積層
【０１７６】
図１８（Ｂ）には比較例１として作製した従来の構成を有する発光装置の断面図を示す。図１８（Ｂ）は基板３０００、下地絶縁膜３００１、第１の層間絶縁膜３００２、配線３００３、第２の層間絶縁膜３００５、発光素子３０１１の第１の電極３００６、発光層３００９、シール材３０１２及び対向基板はその形状も材料も図１８（Ａ）と同じである。その他の部分に関しては、材料は同じであるが形状が異なっており、隔壁３５０１はその端部が第２の層間絶縁膜３００５の端部より外側に位置していることは図１８（Ａ）と同じであるが、膜厚方向に貫通する開口部が設けられていない点が異なっている。また図１８（Ｂ）では、発光素子の第２の電極３５０２はその端部が隔壁３５０１の端部より内側に位置している。
【０１７７】
なお、このどちらの発光装置にも乾燥材は使用していない。
【０１７８】
このような２つの発光装置を作製し、温度６５℃、湿度９５％の雰囲気下で同じ時間だけ保存した後、光らせて画素部周辺部の画素の発光の様子を撮影した。図１８（Ａ）に対応する実施例６のパネルの写真を図１９（Ａ）、図１８（Ｂ）に対応する比較例の写真を図１９（Ｂ）に示す。図１９中、緑色に見える部分が発光している部分、緑色の部分の一つ一つが各々１画素に対応する。また、図中画素部と示された位置が、画素が配置される画素部に当たり、図面向かって左側が基板周辺部側、向かって右側が基板内側である。」
　
「【図４】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
　
「【図１８】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
　
イ　引用例１に記載された発明の認定
　【図１８】から、基板３０００が、画素を形成する発光素子３０１１が存在する領域と、シール材３０１２等が存在して上記発光素子が存在しない領域を有すること、及び、シール材３０１２は基板上に配置された導電膜３００３上に直接設けられていることは明らかである。
　上記記載（図面の記載も含む）から、引用例１には、
「画素を形成する発光素子が存在する領域と、シール材等が存在して上記発光素子が存在しない領域を有する基板と、
　上記基板を、シール材を用いて固着して得る対向基板とを備え、
　基板上に、第２の層間絶縁膜が形成され、第２の層間絶縁膜上部には発光素子の第１の電極が形成され、第２の層間絶縁膜と第１の電極を覆って隔壁が形成され、
　隔壁に形成された第１の電極に対応する開口部の内側端面から第１の電極上を連続して覆って有機系の発光層が形成されて、発光層、隔壁を覆って発光素子の第２の電極が形成されており、
　シール材は、基板上に配置された、配線に相当する導電膜上に直接設けられており、配線に相当する導電膜はチタン、窒化チタン、アルミニウム、チタンの積層からなり、
　第２の層間絶縁膜の端部はシール材よりも内側に形成されている、発光素子を用いて作成された表示装置。」の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。
　
ウ　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開平１０−７４５８３号公報（以下「引用例２」という。）には、次の事項が記載されている。（下線は当審において付した。）
　
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は有機ＥＬディスプレイ（Electroluminescent Display）及び有機ＥＬディスプレイの製造方法に関し、更に詳しく言えば、有機ＥＬディスプレイの有機発光体を湿気などから保護する構造や、それを製造する方法の改善に関する。近年、フラットディスプレイパネルとして液晶ディスプレイなどに代えて
有機ＥＬを用いたディスプレイ
　
「【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記装置において、有機ＥＬからなる白色発光体（４）は湿気に弱いので、湿気から遮断する必要がある。そこで第１，第２の透明基板（１，２）の間に白色発光体（４）を封止して、湿気から遮断している。
ガラスからなる第１，第２の透明基板（１，２）は、湿気を通さないが、側面のシール材（６）は樹脂からなるので、どうしても湿気が侵入する恐れがあった。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は上記従来の欠点に鑑み成されたもので、第１の透明基板と、前記第１の透明基板上に形成された陰極と、前記陰極上に形成された有機ＥＬからなる発光体と、前記発光体上に形成された陽極と、前記第１の透明基板に対向配置された第２の透明基板と、少なくとも前記発光体を封止するように前記第１の透明基板と前記第２の透明基板とを接着するシール材を有し、かつ前記シール材は、フリットガラス（低融点ガラス）からなることを特徴とする有機ＥＬディスプレイや、第１の透明基板上に陰極を形成する工程と、前記陰極上に有機ＥＬからなる発光体を形成する工程と、前記発光体上に陽極を形成する工程と、前記第１の透明基板上に、少なくとも前記発光体を取り囲むようにフリットガラスからなるシール材を形成する工程と、前記シール材が形成された前記第１の透明基板上に、第２の透明基板を対向配置して載置する工程と、レーザビームを用いて選択的に前記シール材を加熱して溶融し、前記第１の透明基板と前記第２の透明基板とを接着する工程とを有することを特徴とする有機ＥＬディスプレイの製造方法により、上記課題を解決するものである。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下で、本発明の実施形態に係る有機ＥＬディスプレイについて図面を参照しながら説明する。なお、図２は本実施形態に係る有機ＥＬディスプレイの構造を説明する上面図であって、図１は図２のＸ−Ｘ線断面図である。このディスプレイは、図１，図２に示すように、ガラスからなる第１，第２の透明基板（１１，１２），MgInなどからなる陰極（１３），有機ＥＬなどからなる白色発光体（１４），ＩＴＯ膜などからなる陽極（１５）及び低融点のフリットガラスからなるシール材（１６）から構成されている。なお、図２では白色発光体（１４）の図示を省略している。
【０００９】第１の透明基板（１１）上には、陰極（１３）がストライプ状に配置され、表示領域の陰極（３）の上には白色発光体（１４）が形成されている。また、白色発光体（１４）上には、陰極（１３），白色発光体（１４）と直交するように配置された陽極（１５）が形成されており、これらはマトリクス状に配置されている。
【００１０】この
第１の透明基板（１１）上に、第２の透明基板（１２）が対向配置され、両者はシール材（１６）で接着されている。このシール材（１６）は、上述のようにフリットガラスからなる
　
（３）本願補正発明と引用発明との対比
ア　対比
　本願補正発明と引用発明とを対比する。
　引用発明の「画素を形成する発光素子が存在する領域」及び「シール材等が存在して上記発光素子が存在しない領域」が、それぞれ、本願補正発明の「画素領域」及び「該画素領域以外の領域である非画素領域」に相当するから、引用発明の「画素を形成する発光素子が存在する領域と、シール材等が存在して上記発光素子が存在しない領域を有する基板」が、本願補正発明の「画素領域及び該画素領域以外の領域である非画素領域を備えた第１基板」に相当する。
　
　引用発明の「上記基板を、シール材を用いて固着して得る対向基板」が、本願補正発明の「前記第１基板を封止する第２基板」に相当する。
　
　技術常識を踏まえると、引用発明の「第２の層間絶縁膜」、「第１の電極」、「隔壁」、「有機系の発光層」及び「第２の電極」が、それぞれ、本願補正発明の「有機平坦化膜」、「第１電極」、「画素定義膜」、「少なくとも発光層を含む有機膜層」及び「第２電極」に相当するから、引用発明の「基板上に、第２の層間絶縁膜が形成され、第２の層間絶縁膜上部には発光素子の第１の電極が形成され、第２の層間絶縁膜と第１の電極を覆って隔壁が形成され、隔壁に形成された第１の電極に対応する開口部の内側端面から第１の電極上を連続して覆って有機系の発光層が形成されて、発光層、隔壁を覆って発光素子の第２の電極が形成され」ることが、本願補正発明の「前記画素領域には」、「有機平坦化膜と、前記有機平坦化膜上に位置する第１電極と、前記第１電極上に位置する画素定義膜と、前記第１電極及び前記画素定義膜上に位置し、少なくとも発光層を含む有機膜層と、前記有機膜層上に位置する第２電極と、が設けられ」ることに相当する。
　
　引用発明の「チタン、窒化チタン、アルミニウム、チタンの積層から」なる「配線に相当する導電膜」と、本願補正発明の「前記ゲート電極、前記ソース電極、または前記ドレイン電極のうちいずれか１つに接続されたラインであるメタル配線」とは、「ラインであるメタル配線」である点で一致する。また、引用発明の「シール材」と、本願補正発明の「ガラスフリット」とは、「封止材」である点で一致するから、引用発明の「第２の層間絶縁膜の端部はシール材よりも内側に形成されている」ことと、本願補正発明の「ガラスフリット」が「前記有機平坦化膜に接することなく位置」することとは、「封止材」が「有機平坦化膜に接することなく位置」する点で一致する。よって、引用発明の「基板を、シール材を用いて固着して得る対向基板とを備え」、「シール材は、基板上に配置された、配線に相当する導電膜上に直接設けられており、配線に相当する導電膜はチタン、窒化チタン、アルミニウム、チタンの積層からなり、第２の層間絶縁膜の端部はシール材よりも内側に形成されている」ことと、本願補正発明の「前記非画素領域には、前記ゲート電極、前記ソース電極、または前記ドレイン電極のうちいずれか１つに接続されたラインであるメタル配線と、前記メタル配線に沿って前記メタル配線上に直接的に形成され、前記有機平坦化膜に接することなく位置し、前記第１基板と前記第２基板間を封止するガラスフリットと、が設けられている」こととは、「非画素領域には、ラインであるメタル配線と、前記メタル配線に沿って前記メタル配線上に直接的に形成され、有機平坦化膜に接することなく位置し、第１基板と第２基板間を封止する封止材と、が設けられている」点で一致する。
　
　引用発明の「発光素子を用いて作成された表示装置」が、本願補正発明の「有機電界発光表示装置」に相当する。
　
イ　一致点
　よって、本願補正発明と引用発明は、
「画素領域及び該画素領域以外の領域である非画素領域を備えた第１基板と、
　前記第１基板を封止する第２基板とを有し、
　前記画素領域には、
　有機平坦化膜と、
　前記有機平坦化膜上に位置する第１電極と、
　前記第１電極上に位置する画素定義膜と、
　前記第１電極及び前記画素定義膜上に位置し、少なくとも発光層を含む有機膜層と、
　前記有機膜層上に位置する第２電極と、が設けられ、
　前記非画素領域には、
　ラインであるメタル配線と、
　前記メタル配線に沿って前記メタル配線上に直接的に形成され、前記有機平坦化膜に接することなく位置し、前記第１基板と前記第２基板間を封止する封止材と、が設けられている有機電界発光表示装置。」の発明である点で一致し、次の各点で相違する。
　
ウ　相違点
（ア）相違点１
　ラインであるメタル配線について、本願補正発明は、「ゲート電極、ソース電極またはドレイン電極のうちいずれか１つに接続され」るのに対し、引用発明の導電膜については、その点の明記がない点。
　
（イ）相違点２
　第１基板と第２基板間を封止する封止材が、本願補正発明においては、「ガラスフリット」であるのに対して、引用発明においては、その点の特定がない点。
　
（ウ）相違点３
　本願補正発明においては、「有機平坦化膜」、「第１電極」、「画素定義膜」、「有機膜層」及び「第２電極」に対応する位置に、「半導体層、ゲート電極、ソース電極及びドレイン電極を含む薄膜トランジスタ」が設けられているのに対して、引用発明においては、その点の特定がない点。
　
（４）当審の判断
ア　上記各相違点について検討する。
（ア）相違点１について
　引用発明においては、導電膜が「ゲート電極、ソース電極またはドレイン電極のうちいずれか１つ」に直接的に又は間接的に接続されるものであるか否かの明確な特定はないが、仮に、引用発明においては導電膜が「ゲート電極、ソース電極またはドレイン電極のうちいずれか１つ」に直接的に又は間接的に接続されるものではないとしても、「ゲート電極、ソース電極またはドレイン電極のうちいずれか１つ」に直接的に又は間接的に接続されるものを引用発明の導電膜として採用することは、回路構造上の要請等に応じて当業者が適宜設定し得る事項に過ぎない。
　さらに、引用発明の導電膜（本願補正発明の「ラインであるメタル配線」に相当）が、「ゲート電極、ソース電極またはドレイン電極のうちいずれか１つに接続され」るものであるか否かは、引用発明の封止に関連する技術に何らの影響（作用効果）を及ぼすものではない。
　以上の点を踏まえると、相違点１については、当業者が必要に応じて適宜設定し得る設計的事項に過ぎず、相違点１に係る本願補正発明の発明特定事項によって発明の進歩性が生じるものではない。
　
（イ）相違点２について
　有機ＥＬを用いたディスプレイにおいて、対向配置される透明基板間をフリットガラスからなるシール部材で封止すること、及び、樹脂のシール部材では湿気が侵入するのに対してフリットガラスからなるシールは湿気を通さないことは、引用例２にも記載されている周知技術である。
　引用発明においても、発光素子が湿気に弱く、シール材によって密封空間内への湿気の侵入を防止することは自明の技術課題であるといえるから、当該技術課題を解決すべく、上記の周知技術を採用し、シール材をフリットガラスからなるものとすることは、当業者が容易に想到し得たことである。
　
（ウ）相違点３について
　引用例１の【０１７２】には「本実施例では図４の構成を有する本発明の実施例について図１８、図１９を参照しながら説明する。」と記載されていることから、引用発明のもととなった引用例１の【図１８】に記載された実施例は、【図４】と共通部分を有するものであるところ、【図４】には、発光素子がＴＦＴで駆動されているもの、すなわち、「有機平坦化膜」、「第１電極」、「画素定義膜」、「有機膜層」及び「第２電極」に対応する位置に、「半導体層、ゲート電極、ソース電極及びドレイン電極を含む薄膜トランジスタ」が設けられているものが記載され、また、発光素子がＴＦＴで駆動すること自体は周知の技術であるといえる。
　また、引用例１の【００５９】には「本実施の形態では図４を用いて本発明の他の実施の形態について説明する。尚、図１及び図３と同じ部分に関しては特に説明を行わないこともある。」と記載されていることから、【図４】に記載の実施形態は、基本的に【図１】及び【図３】に記載された実施形態と共通するものであり、変更点のみが引用例１において説明されているものと認められる。そして、引用例１の【図１】の実施形態に関して【００２３】には「薄膜トランジスタは駆動回路などに用いられる駆動回路部１２７に形成されたものと発光素子１２２を駆動する為に画素部１２８に形成されたものがある。駆動回路は本実施の形態のように一体形成しても良いし、画素部と別に形成しても良い。」と記載され、また、【００２９】には「なお、本実施の形態のように駆動回路部１２７が同一基板上に形成されている場合は、図１のように当該第１の開口部１２９は駆動回路部１２７と画素部１２８との間の位置に形成する。なお駆動回路が一体形成されていない発光装置であっても本発明を適用することが可能であり、画素部の外周に開口部を設ければよい。」と記載されているから、【図４】の実施形態のものにおいても、駆動回路を画素部とは別体で、画素部が形成された基板とは別の基板上、すなわち、内部雰囲気５０９の外に形成したものも想定することができ、また、そのように想定することに阻害要因は認められない。
　ここで、引用例１の【０１７４】の記載から、【図１８】（Ａ）に記載されたものは、【図４】に記載された実施形例について「隔壁を厚さ方向に貫通し、その側面が発光素子の第２の電極で覆われている開口部の有意性について検討するため、駆動回路部や画素部のトランジスタを形成していない」ものとなっているが、トランジスタを形成しない理由が単に「開口部の有意性について検討するため」であることからして、上記の「開口部の有意性について検討する」ことは勘案せずに、トランジスタを形成することについては【図４】に記載された実施形態と同様とすることに阻害要因はない。
　要するに、【図４】の実施形態として、上記の「駆動回路を画素部とは別体で、内部雰囲気５０９の外に形成したもの」を想定し、それに対してトランジスタを【図４】に記載されたもののように形成することに阻害要因は認められず、そして、その場合、トランジスタの形成が、引用発明の「第２の層間絶縁膜の端部はシール材よりも内側に形成されている」という発明特定事項（すなわち、本願補正発明の「第１基板と前記第２基板間を封止する」ガラスフリット（封止材）が「前記有機平坦化膜に接することなく位置」することに対応する発明特定事項）に影響を与えるものではないことは明らかである。
　すなわち、引用発明に、発光素子をＴＦＴで駆動するという上記周知技術を適用し、上記相違点３に係る本願補正発明の発明特定事項を得ることは、当業者が容易に想到し得たことである。
　
イ　本願補正発明の奏する作用効果
　そして、本願補正発明によってもたらされる効果は、引用発明及び周知技術から当業者が予測し得る程度のものである。
　
　本願補正発明の作用効果について、請求人は、審判請求書において、
「本願請求項１の発明では、あえてガラスフリットをメタル配線上に直接的に形成しております。そして、ガラスフリットをメタル配線に沿ってメタル配線上に直接的に形成することで接着力を向上させています。なお、接着力が向上するのは、ガラスフリットの成分のうちのレーザを吸収する成分である金属酸化物が金属との結合力を高めるためです。」
と主張し、また、平成２４年５月２４日付けで提出された回答書において、
「出願当初明細書の段落〔００３９〕には、本願発明のガラスフリットは、充填物または添加物として、遷移金属、クロム（Ｃｒ）、鉄（Ｆｅ）、マンガン（Ｍｎ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）及びバナジウムを含むことができる旨が記載されております。したがって、ガラスフリットの金属酸化物が配線の金属との結合力を高めるという効果は、本願明細書の記載から明確に把握されるものと思料されます。そして、ガラスフリットの金属酸化物が配線の金属との結合力を高めるという効果は、引用文献の発明と比較して有利な効果であると認められるべきであります。」
と主張する。
　上記の審判請求書においては、ガラスフリットの成分である金属酸化物と金属の結合力により接着力が向上すると主張しているのに対して、回答書においては、出願当初明細書の段落〔００３９〕を引用していることからして、ガラスフリットの充填物または添加物である金属酸化物によって接着力が向上すると主張しており、上記の両主張は、その主旨を異にするものであるといえるものの、両者は、ガラスフリットにおける「金属酸化物」が接着力向上に寄与しているとする点においては共通している。しかしながら、本願補正発明には、ガラスフリットが「金属酸化物」を含むものであることは特定されておらず、上記の審判請求書における主張及び回答書における主張は、いずれも、請求項の記載に基づくものでない。また、本願明細書の発明の詳細な説明においては、ガラスフリットにおける「金属酸化物」が接着力向上に寄与することは、どこにも記載されておらず、また、「金属酸化物」が接着力にどの程度の寄与するかについてのデータ（作用効果を裏付けるデータ）も何等示されていないことから、そのような作用効果の主張を認めることはできない。
　なお、本願明細書の【００７６】には「この第２実施形態では、前記第１実施形態の前記ガラスフリット４３０とは異なって、前記ガラスフリット６３０の幅は、前記メタル配線５６０ｄの幅と同一であるか、又は狭く形成される。これは、前記ガラスフリット６３０による基板５００と封止基板６２０との接着力を考慮したもので、ガラスフリット６３０が前記メタル配線５６０ｄ上に接着された構造とすることで、接着力を向上させることができるからである。」と記載されているが、これは、第２実施形態の第１実施形態と比較した場合の効果（接着力の向上）を述べたもので、樹脂のシール材を用いた場合の接着力と比較して接着力が向上するというものではないから、ここで述べられている接着力の向上という効果は引用発明と比較した場合の有利な効果ということができず、ましてや、引用発明に対してシール材をフリットガラスとするという周知技術を採用したことにともなって初めて生じた当業者の予測を超える作用効果ということもできない。
　以上のとおりであるから、本願補正発明の作用効果は、格別のものということはできず、引用発明及び周知技術から当業者が予測し得る程度のものに過ぎないから、上記の請求人の主張は、採用することができない。
　
ウ　まとめ
　以上のとおり、本願補正発明は、引用発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
３　むすび
　したがって、本願補正発明は特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるということができないから、本件補正は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであり、同法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
 第３　本願発明について
１　本願発明
　平成２３年９月９日付けの手続補正は、上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成２２年１２月２１日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定されるとおりのものである。（上記「第２　平成２３年９月９日付けの手続補正についての補正の却下の決定」の「１　本件補正について」の記載参照。）
　
２　引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例の記載事項及び引用発明については、上記「第２　平成２３年９月９日付けの手続補正についての補正の却下の決定」の「２　独立特許要件違反についての検討」の「（２）引用例」に記載したとおりである。
　
３　対比・判断
　上記「第２　平成２３年９月９日付けの手続補正についての補正の却下の決定」の「１　本件補正について」に記載したように、本願発明に対して、「ラインであるメタル配線」が接続される電極について、補正前の「前記ゲート電極、前記ソース電極、前記ドレイン電極または前記第１電極のうちいずれか１つ」から「前記ゲート電極、前記ソース電極、または前記ドレイン電極のうちいずれか１つ」と減縮したものが本願補正発明である。
　そうすると、本願発明の発明特定事項をすべて含み、本願発明をさらに減縮したものに相当する本願補正発明が、上記「第２　平成２３年９月９日付けの手続補正についての補正の却下の決定」の「２　独立特許要件違反についての検討」の「（３）本願補正発明と引用発明との対比」及び「（４）当審の判断」において記載したとおり、引用発明及び周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様に、引用発明及び周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用発明及び周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、その余の請求項に係る発明について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。