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　特願２００４−２４３２８１「電界効果型トランジスタ及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年　３月　２日出願公開、特開２００６−　６０１６９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成１６年８月２４日の出願であって，平成２２年１０月２０日付けで拒絶理由が通知され，同年１２月２４日に手続補正がされ，平成２３年１０月６日付けで拒絶査定がされ，これに対して平成２４年１月１７日に審判請求がされるとともに，同日に手続補正がされたものである。その後，平成２４年５月２８日付けで審尋がされ，同年８月３日に回答書が提出されたものである。
　
第２　平成２４年１月１７日にされた手続補正（以下「本件補正」という。）について
　
１．本件補正の内容
　本件補正は，特許請求の範囲について，補正前の請求項１〜３を補正後の請求項１及び２に補正するものであって，以下のとおりである。
〈補正前〉
「　【請求項１】
鎖長ｎ＝４〜２０の長鎖アルキル基を有するＣ６０誘導体からなるｎ型有機半導体層を備え，かつ前記有機半導体層がＣ６０の二次元配列した結晶の膜であることを特徴とする有機電界効果型トランジスタ。
　　【請求項２】基板上に，鎖長ｎ＝４〜２０の長鎖アルキル基を有するＣ６０誘導体からなるｎ型有機半導体層を形成した後，真空中で５０〜２００°Ｃの温度で熱処理することを特徴とする有機電界効果型トランジスタの製造方法。
　　【請求項３】
　Ｃ６０の部位に，前記熱処理により，二次元配列した結晶の膜を形成することを特徴とする請求項２記載の有機電界効果型トランジスタの製造方法。」
　
〈補正後〉
「　【請求項１】
　鎖長ｎ＝４〜２０の長鎖アルキル基を有するＣ６０誘導体からなるｎ型有機半導体層を備え，かつ前記有機半導体層がＣ６０の二次元配列した結晶の膜であることを特徴とする有機電界効果型トランジスタ。
　　【請求項２】
 基板上に，鎖長ｎ＝４〜２０の長鎖アルキル基を有するＣ６０誘導体からなるｎ型有機半導体層を形成した後，真空中で５０〜２００°Ｃの温度で熱処理することにより，Ｃ６０の部位が二次元配列した結晶の膜を形成することを特徴とする有機電界効果型トランジスタの製造方法。」
　
２．補正事項の整理
　上記の補正を整理すると次のとおりとなる。
〈補正事項１〉
　補正前の請求項２を削除する。
　
〈補正事項２〉
　補正前の請求項３の「Ｃ６０の部位に，前記熱処理により，二次元配列した結晶の膜を形成すること」を，補正後の請求項２の「熱処理することにより，Ｃ６０の部位が二次元配列した結晶の膜を形成すること」とするとともに，補正前の請求項３を独立請求項の形式に書き直して補正後の請求項２とすること。
　
３．補正の目的の適否及び新規事項の追加の有無についての検討
　上記補正事項１は，特許法第１７条の２第４項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項をいう。以下同じ。）第１号に掲げる請求項の削除を目的とするものであり，また，当該補正事項が特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすものであることは明らかである。
　
　上記補正事項２は，補正前の「二次元配列した結晶の膜」が，何を「二次元配列」したものであるのか不明確であったものを，補正後の「Ｃ６０の部位が二次元配列した結晶の膜」とし，さらに，補正事項１による補正前の請求項２の削除に伴い補正前の請求項３を独立形式に書き直して，明確なものとしたのであるから，特許法第１７条の２第４項第４号に掲げる明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。また，「Ｃ６０の部位が二次元配列した結晶の膜」は，本願の願書に最初に添付した明細書，特許請求の範囲及び図面（以下「当初明細書等」という。）の段落【００１８】に記載されており，補正事項２は，当初明細書等の記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものであるから，特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすものである。
　
　上記のとおり，本件補正は，当初明細書に記載した事項の範囲内においてなされ，特許法第１７条の２第３項に規定された要件を満たすものであり，また，特許法第１７条の２第４項第１号及び第４号に掲げる事項を目的とするものであるから，適法になされたものである。
　
第３　本願発明について
１．本願発明
　上記のとおり，平成２４年１月１７日にされた手続補正は適法になされたものであるから，本願の請求項１及び２に係る発明は，平成２４年１月１７日にされた手続補正より補正された明細書及び図面の記載からみて，その特許請求の範囲の請求項１及び２に記載された事項により特定されるとおりのものであり，そのうち請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は，以下のとおりである。
　
「【請求項１】
　鎖長ｎ＝４〜２０の長鎖アルキル基を有するＣ６０誘導体からなるｎ型有機半導体層を備え，かつ前記有機半導体層がＣ６０の二次元配列した結晶の膜であることを特徴とする有機電界効果型トランジスタ。」
　
２．刊行物に記載された発明
（１）特開２００３−２３８４９０号公報
　原査定の拒絶の理由に引用され，本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である特開２００３−２３８４９０号公報（以下「引用例１」という。）には，図１とともに以下の記載がある。（下線は当審おいて付加。以下同様。）
　
・「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，フラーレン誘導体及びそれを用いた構造体に関する。
【０００２】
【従来の技術】フラーレンは当初Ｃ６０が発見され，Ｃ７０以上の炭素原子数の多いものも発見されて来た。その物性を評価する中で，様々な特性が明らかになって来ており，光導電性等を備えることから，例えば，感光体への応用（特開平９−７３１８０号公報）が提案されるなど，近年新たな機能性材料として注目されつつある。また，フラーレン類は結晶性を有することが知られ，種々の基板上で単結晶化が試みられている。
【０００３】・・・（中略）・・・
【０００４】・・・（中略）・・・
しかしながら
フラーレンの電子的な特性を発揮させる半導体素子などを得るには，基板上で配向性を制御して異方配向性や結晶性の向上した薄膜を形成させる必要があり
　
・「【０００５】フラーレンを化学修飾して機能化し電子デバイスに応用する試みが提案され（特開２０００−３４４７６４号公報），ドナー・アクセプター化合物として，電子デバイス等への応用が示唆されているが，成膜性については上述と同様不十分であると考えられる。
【０００６】・・・（中略）・・・
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上述した系では，配向制御の必要性が低い点では製造容易であるが，低分子液晶を用いた場合には成膜プロセスに工夫が必要で，液晶セル構造が必要となり，ポリマー系ではその点は改善されるが，有機半導体のような薄膜素子に応用する場合，配向制御による電子移動度の向上が必要となり，その点では不十分であり改善が必要であった。
【０００８】本発明は，このような問題を解決し，フラーレンの成膜性を容易にするためにフラーレン含有液晶性誘導体を用いることで溶液成膜による薄膜の配向制御性の向上，電子的機能の向上を達成することができるフラーレン誘導体を提供することを目的としている。」
　
・「【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は，
フラーレンと液晶性官能基とを結合した構造を有するフラーレン誘導体
【００１０】以下，本発明を詳細に説明する。本発明におけるフラーレンと液晶性官能基とを結合した構造を有するフラーレン誘導体は，下記模式図に示すようなものである。
【００１１】
【化１】・・・（略）・・・
【００１２】このフラーレンと液晶性官能基とを結合した構造を有するフラーレン誘導体は，例えばフラーレン類とディスコティック液晶やスメクチック液晶等を反応させて得ることが出来る。
フラーレン類はＣ６０，Ｃ７０，Ｃ７６，Ｃ７８，Ｃ８４等を用いることができるが，結晶性の良い薄膜を得るにはＣ６０またはＣ７０を用いるのが好ましい
【００１３】〜【００１７】　・・・（中略）・・・
【００１８】本発明においては，上述のフラーレン誘導体により薄膜を形成した場合，液晶性官能基間の分子間相互作用によって２次元方向に配向規制されるため，
基板上にフラーレンユニットも整列された秩序性の高い構造体の得ることが可能となる
　
・「【００２３】また，
図１に示すような半導体素子の有機半導体材料として，絶縁層，電極を積層し，さらに本発明のフラーレン誘導体を積層した構造体とすることで，上記のような高配向性によってキャリア移動度の高い有機半導体を得ることが出来る
　
・「【００３４】
【発明の効果】本発明により，新規なフラーレン含有液晶性誘導体を用いることで薄膜の配向制御性の向上，電子的機能の向上を達成することができるフラーレン誘導体を提供することが可能となり，電子デバイス，光導電性素子等に応用可能である。」
　
・「【図面の簡単な説明】
【図１】絶縁ゲート型電界効果トランジスタの基本構造を説明する図である
　
　上記段落【００１２】の記載から，フラーレンとしてＣ６０を用いうることは明らかである。
　また，上記【図面の簡単な説明】における記載から，段落【００２３】に記載された「半導体素子」が絶縁ゲート型電界効果トランジスタであることは明らかである。
　
　以上を総合すると，引用例１には，以下の発明が記載されているものと認められる。（以下「引用発明」という。）
「有機半導体材料を用いた絶縁ゲート型電界効果トランジスタにおいて，前記有機半導体材料として，Ｃ６０フラーレンと液晶性官能基とを結合した構造を有するフラーレン誘導体を積層したものを用いることにより，基板上にフラーレンユニットが整列されて，高配向性によってキャリア移動度の高い有機半導体材料とした，絶縁ゲート型電界効果トランジスタ。」
　
（２）近松真之，花田剛，吉田郵司，谷垣宣孝，八瀬清志，菊池耕一，西川浩之，児玉健，池本薫　「フラーレンのアルキル誘導体の薄膜形成」，第５８回応用物理学会学術講演会講演予稿集，Ｎｏ．３，１１７３ページ，３ａ−ＺＰ−７，（１９９７年１０月）
　原査定の拒絶の理由に引用され，本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である上記文献（以下「引用例２」という。）には，図１〜３とともに以下の記載がある。
　
・「アルキル鎖を側鎖に導入したフラーレン誘導体（Ｃ６０−ｏ−Ｃ１６，Ｃ８およびＣ４（図１））の薄膜形成を行い，吸収スペクトル及びＸ線による構造評価を行った。
　精製した試料をトルエンまたは二硫化炭素を溶媒としてガラス基板上にキャストした。スピンコート膜が非晶質であるのに対して，キャスト膜はＣ１６で３．４ｎｍ，Ｃ８で４．２ｎｍおよびＣ４で２．７ｎｍの周期性が得られた（図２）。これは，アルキル鎖が膜表面に対して斜立した配向を有することを示している（図３）。また，アルキル鎖が短くなるとその凝集力の違いにより，配向性が悪くなった。」
　
３．対比
　本願発明と引用発明とを対比する。
　
・引用発明の「有機半導体材料を用いた絶縁ゲート型電界効果トランジスタ」は，本願発明の「有機電界効果型トランジスタ」に相当する。
　
・引用発明の「有機半導体材料として，Ｃ６０フラーレンと液晶性官能基とを結合した構造を有するフラーレン誘導体を積層したものを用いることにより，基板上にフラーレンユニットが整列されて」いるものにおいて，「フラーレンユニット」がＣ６０の部分を指すことは明らかである。それゆえ，引用発明の「有機半導体材料として，Ｃ６０フラーレンと液晶性官能基とを結合した構造を有するフラーレン誘導体を積層したものを用いることにより，基板上にフラーレンユニットが整列されて」いるものと，本願発明の「鎖長ｎ＝４〜２０の長鎖アルキル基を有するＣ６０誘導体からなるｎ型有機半導体層を備え，かつ前記有機半導体層がＣ６０の二次元配列した結晶の膜」とは，「Ｃ６０誘導体からなる有機半導体層を備え，かつ前記有機半導体層がＣ６０の整列した膜」である点で共通する。
　
　よって，引用発明と本願発明は，次の点で一致する。
「Ｃ６０誘導体からなる有機半導体層を備え，かつ前記有機半導体層がＣ６０の整列した膜であることを特徴とする有機電界効果型トランジスタ。」
　
　一方，両者は以下の各点で相違する。
　
《相違点１》
　本願発明は「鎖長ｎ＝４〜２０の長鎖アルキル基を有するＣ６０誘導体からなるｎ型有機半導体層」を備えるのに対して，引用発明は「有機半導体材料として，Ｃ６０フラーレンと液晶性官能基とを結合した構造を有するフラーレン誘導体を積層したもの」を備えるが，前記「フラーレン誘導体」は「鎖長ｎ＝４〜２０の長鎖アルキル基を有するＣ６０誘導体」ではなく，また，「有機半導体材料」がｎ型であることも明らかでない点。
　
《相違点２》
　本願発明は「有機半導体層がＣ６０の二次元配列した結晶の膜である」が，引用発明は「基板上にフラーレンユニットが整列されて」はいるものの，「Ｃ６０の二次元配列した結晶の膜」であることまでは明らかでない点。
　
４．判断
　上記各相違点について検討する。
《相違点１について》
　引用発明は，Ｃ６０フラーレン誘導体の配向性を高めキャリアの移動度を向上させて，電界効果トランジスタを構成したものである。
　一方，引用例２には，「アルキル鎖を側鎖に導入したフラーレン誘導体（Ｃ６０−ｏ−Ｃ１６，Ｃ８およびＣ４（図１））」を用いて薄膜を形成したこと，及び当該薄膜においては，「アルキル鎖が膜表面に対して斜立した配向を有することを示している（図３）」ことが記載されている。ここで，「Ｃ６０−ｏ−Ｃ１６，Ｃ８およびＣ４」との記載，及び図１の記載から，当該アルキル鎖の長さが１６，８または４のもの，すなわち，「鎖長ｎ＝４〜２０の長鎖アルキル基を有するＣ６０誘導体」に該当するものが記載されているといえる。また，上記「アルキル鎖が膜表面に対して斜立した配向を有する」との記載とともに引用例２の図３を参照すると，アルキル鎖を側鎖に導入したフラーレン誘導体が規則正しく配向していることがわかる。
　そして，以下の周知例１及び周知例２に示されているように，引用発明に係る「Ｃ６０フラーレンと液晶性官能基とを結合した構造を有するフラーレン誘導体」に限らず，一般に，Ｃ６０フラーレンの誘導体を有機半導体として用いて電界効果トランジスタを構成することは，従来より周知の技術である。さらに，引用例２に記載された「鎖長ｎ＝４〜２０の長鎖アルキル基を有するＣ６０誘導体」に該当するものは，「アルキル鎖が膜表面に対して斜立した配向を有する」との記載から，引用例１の「【０００４】・・・（中略）・・・しかしながらフラーレンの電子的な特性を発揮させる半導体素子などを得るには，基板上で配向性を制御して異方配向性や結晶性の向上した薄膜を形成させる必要があり」及び「【００２３】・・・（中略）・・・上記のような高配向性によってキャリア移動度の高い有機半導体を得ることが出来る。」との記載に照らして，キャリア移動度の高い有機半導体となることは，当業者が容易に予測できたことである。
　また，以下の周知例２に示されているように，Ｃ６０フラーレンをｎ型半導体として用いることは，従来より周知の技術である。
　それゆえ，引用発明に係る，「基板上にフラーレンユニットが整列されて，高配向性によってキャリア移動度の高い有機半導体材料とした，絶縁ゲート型電界効果トランジスタ」における有機半導体材料として，引用発明における「Ｃ６０フラーレンと液晶性官能基とを結合した構造を有するフラーレン誘導体を積層したもの」に代えて，上記引用例２に記載された「アルキル鎖を側鎖に導入したフラーレン誘導体（Ｃ６０−ｏ−Ｃ１６，Ｃ８およびＣ４（図１））」を用いて，相違点１に係る「鎖長ｎ＝４〜２０の長鎖アルキル基を有するＣ６０誘導体からなるｎ型有機半導体層」を備えるものとすることは，当業者が適宜になし得たことである。
　よって，相違点１は，当業者が適宜になし得た範囲に含まれる程度のものである。
　
周知例１：　特開２００４−１５８７１０号公報
　原査定の拒絶の理由に引用され，本願の出願日前に日本国内において頒布された刊行物である特開２００４−１５８７１０号公報には以下の記載がある。
・「【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は，エレクトロニクス，フォトニクス，バイオエレクトロニクス等において好適に用いられる有機半導体薄膜及び有機半導体素子に関する。また，低コスト且つ容易な有機半導体薄膜の製造方法に関する。」
・「【００２２】
このような有機半導体素子は，前述のような高いキャリア移動度を有する有機半導体薄膜を備えているので電子特性が優れている。
以下に，本発明の有機半導体薄膜及びその製造方法並びに有機半導体素子について詳細に説明する。
〔結晶性低分子有機半導体化合物について〕
本発明における結晶性低分子有機半導体化合物としては，縮合多環芳香族化合物，共役系低分子化合物等を利用することができる。具体的には，
　・・・（中略）・・・
【００２３】
さらに，・・・（中略）・・・，フラーレン（Ｃ６０，Ｃ７０等）等があげられる。
【００２４】
　・・・（中略）・・・
【００２５】
また，これらの化合物の誘導体を用いることもできる。すなわち，前記化合物にアルキル基，アルコキシル基，ハロゲン基，ケトン基，エステル基，エーテル基，アミノ基，ヒドロキシル基，ベンジル基，ベンゾイル基，フェニル基，ナフチル基等の置換基を導入した誘導体や，前記化合物のキノン誘導体等である。なお，これらの化合物及び誘導体は，単独で用いてもよいし２種以上を混合して用いてもよい。」
・「【００５５】
　・・・（中略）・・・
〔有機半導体素子について〕
このような有機半導体薄膜を用いることにより，エレクトロニクス，フォトニクス，バイオエレクトロニクス等の分野において有益な半導体素子を製造することができる。
【００５６】
このような半導体素子の例としては，ダイオード，トランジスタ，薄膜トランジスタ，メモリ，フォトダイオード，発光ダイオード，発光トランジスタ，ガスセンサー，バイオセンサー，血液センサー，免疫センサー，人工網膜，味覚センサー等があげられる。
トランジスタ及び薄膜トランジスタは，アクティブマトリックス駆動方式ディスプレイ，液晶ディスプレイ，分散型液晶ディスプレイ，電気泳動型ディスプレイ，粒子回転型表示素子，エレクトロクロミックディスプレイ，有機発光ディスプレイ，電子ペーパー等の種々の表示素子に利用可能である。
【００５７】
トランジスタ及び薄膜トランジスタは，これらの表示素子において表示画素のスイッチング用トランジスタ，信号ドライバー回路素子，メモリ回路素子，信号処理回路素子等に利用される。
半導体素子がトランジスタである場合には，その素子構造としては，例えば，基板／ゲート電極／絶縁体層（誘電体層）／ソース電極・ドレイン電極／半導体層という構造，基板／半導体層／ソース電極・ドレイン電極／絶縁体層（誘電体層）／ゲート電極という構造，基板／ソース電極（又はドレイン電極）／半導体層＋絶縁体層（誘電体層）＋ゲート電極／ドレイン電極（又はソース電極）という構造等があげられる。このとき，ソース電極，ドレイン電極，ゲート電極は，それぞれ複数設けてもよい。また，複数の半導体層を同一平面内に設けてもよいし，積層して設けてもよい。
【００５８】
トランジスタの構成としては，ＭＯＳ（メタル−酸化物（絶縁体層）−半導体）型及びバイポーラ型のいずれでも採用可能である。」
　
　ここで，「ＭＯＳ型」のトランジスタが，絶縁ゲート型電界効果トランジスタを指すことは明らかである。
　
周知例２：　特開２００３−２５８１６４号公報
　本願の出願日前に日本国内において頒布された刊行物である特開２００３−２５８１６４号公報には以下の記載がある。
・「【０００５】これらフラーレンやカーボンナノチューブ等は，ｎ型半導体特性を有するものを容易に作製することができる点で有用であり，また，これを半導体材料として用いて有機電子デバイスを構成すると，小型化の要求に応え得るものとして，さらに，これら材料の各種優れた特性を生かしたものとして，注目されている。特にフラーレン，とりわけＣ６０フラーレンは，電子デバイスとしての良質な特性が見出されており，太陽電池，発光ダイオード（ＬＥＤ），電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）などに代表される従来デバイスへの応用，分子エレクトロニクス，量子エレクトロニクスとして具現化され始めた次世代デバイスへの応用が期待されている。」
・「【０００９】また，Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ  Ｌｅｔｔｅｒｓ，  １９９６  ｖｏｌ．６８  １１０８では，ｎ型のＣ６０フラーレンを用いたＦＥＴと，ｐ型のチオフェンを用いたＦＥＴとを積層して，バイポーラーＦＥＴを作製する技術が開示されている。当該技術においても，Ｃ６０フラーレンを用いたＦＥＴは大気の影響が大きいため，チオフェンを用いたＦＥＴの方を外層に配置して，Ｃ６０フラーレンを用いたＦＥＴを大気中に晒さないように工夫している。」
　
《相違点２について》
　引用例２には，前述のとおり，「鎖長ｎ＝４〜２０の長鎖アルキル基を有するＣ６０誘導体」に該当するものが「アルキル鎖が膜表面に対して斜立した配向を有」して，アルキル鎖を側鎖に導入したフラーレン誘導体が規則正しく配向し，また，Ｃ６０フラーレンの部分が，紙面に平行な方向に規則正しく配列していることが見て取れるものの，「Ｃ６０の二次元配列した結晶の膜」であることまでは明らかではない。
　しかしながら，引用例２の図２（ピーク高さが低い部分において「×４０」として，拡大された回折パターンが併記されている。）に示された「キャスト膜のＸ線回折パターン」は，本願の図５に示された実施例１（Ｃ６０ＭＣ１２）に係るＸ線回折パターンと同様に，鋭い回折ピークを有するものである。そして，本願明細書には，「【００１８】　図５に，C60誘導体層９（C60MC12）のX線回折図を示す。鋭い回折ピークが観測されたことから，C60誘導体層９（C60MC12）は，結晶性の膜であることが明らかになった。　ブラックの式より算出された面間隔は，2.3nmである。この結果とC60MC12の分子構造より，C60部位が面内で二次元配列化しているものと考えられる。」と記載され，本願の図５に記載された回折パターン及び分子構造から，「C60部位が面内で二次元配列化しているもの」とされているところ，上記のとおり，引用例２に記載された回折パターンも本願の図５と同様のものであり，また，分子構造についても本願発明に係る「鎖長ｎ＝４〜２０の長鎖アルキル基を有するＣ６０誘導体」である点で共通するものであるから，引用例２に記載されたものも，同様に，「有機半導体層がＣ６０の二次元配列した結晶の膜である」というべきである。
　さらに，本願明細書の段落【０００８】において参照され，本願の出願日前に日本国内において頒布された刊行物である，「”Studies on Structures and Properties of Long Alkyl Chain-linked C60 Cast Films” 近松真之博士学位論文（2001年　東京都立大学）」には，以下の記載がある。（日本語訳は当審において作成。）
　
・「In this chapter, the author described preparation and characterization of long alkyl chain-linked C60 cast films.
　・・・（中略）・・・
As a result, it was found that C60 moieties form two-dimensional arrangement of the square lattice (a=10.1Å, γ=90°) and pack densely in all the cast films.
　・・・（後略）・・・」（第４５ページ）
（日本語訳：
　本章において，著者は，長鎖アルキルがリンクされたＣ６０のキャストフィルムの作成及び特性について述べた。
　・・・（中略）・・・
結果として，Ｃ６０の部分が二次元配列の正方格子（a=10.1Å, γ=90°）を構成し，すべてのキャストフィルムにおいて密に詰まっていることがわかった。
　・・・（後略）・・・）
　
　そうすると，引用例２に記載された「鎖長ｎ＝４〜２０の長鎖アルキル基を有するＣ６０誘導体」の薄膜においては，「Ｃ６０の二次元配列した結晶の膜」となるものであり，また，そのことは新たな知見とはいえないものである。
　
　上記《相違点１について》において述べたように，引用発明に係る，「基板上にフラーレンユニットが整列されて，高配向性によってキャリア移動度の高い有機半導体材料とした，絶縁ゲート型電界効果トランジスタ」における有機半導体材料として，引用発明における「Ｃ６０フラーレンと液晶性官能基とを結合した構造を有するフラーレン誘導体を積層したもの」に代えて，上記引用例２に記載された「アルキル鎖を側鎖に導入したフラーレン誘導体（Ｃ６０−ｏ−Ｃ１６，Ｃ８およびＣ４（図１））」を用いて，相違点１に係る「鎖長ｎ＝４〜２０の長鎖アルキル基を有するＣ６０誘導体からなるｎ型有機半導体層」を備えるものとすることは，当業者が適宜になし得たことであるところ，上記引用例２に記載された「アルキル鎖を側鎖に導入したフラーレン誘導体（Ｃ６０−ｏ−Ｃ１６，Ｃ８およびＣ４（図１））」は，上述のとおり，その「有機半導体層がＣ６０の二次元配列した結晶の膜である」ものといえるから，相違点２は，引用例２に記載された「アルキル鎖を側鎖に導入したフラーレン誘導体（Ｃ６０−ｏ−Ｃ１６，Ｃ８およびＣ４（図１））」を用いることに伴い，おのずと備わる構成である。
　よって，相違点２は，当業者が適宜になし得た範囲に含まれる程度のものである。
　
５．まとめ
　以上検討したとおり，本願発明は，周知技術を勘案して，引用発明及び引用例２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
第４　むすび
　以上のとおりであるから，他の請求項について検討するまでもなく，本願は拒絶すべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。