【事件の表示】
　特願２００７−１７２６８４「プレーナ型アクチュエータ」拒絶査定不服審判事件〔平成２１年　１月１５日出願公開、特開２００９−　　９０６４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１９年６月２９日の出願であって、平成２３年１０月３日付けで拒絶理由が通知され、同年１２月９日に特許請求の範囲、明細書及び図面の補正がなされたが、平成２４年２月７日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年５月１４日に拒絶査定不服審判の請求がなされると同時に特許請求の範囲及び明細書の補正がなされたものである（以下、この平成２４年５月１４日になされた補正を「本件補正」という。）。
　
第２　本件補正についての却下の決定
　１　結論
　本件補正を却下する。
　
　２　理由
（１）補正の内容及び目的
　本件補正は、本願特許請求の範囲の請求項１につき、補正前の
「枠状の固定部と、
　この固定部の内側に、トーションバーを介して回動自在に支持された可動部と、
　前記可動部を駆動する駆動手段と、
　前記トーションバーに配置され互いにほぼ直行する方向に対向する２対の電極を有するピエゾ抵抗素子と、
　前記トーションバー上に形成され前記固定部に形成された電極部に引き回す配線部と、
を備え、
　前記トーションバーは、ｎ型単結晶シリコン材料により構成されるとともに、前記ピエゾ抵抗素子はｐ型領域で形成され、
　前記ピエゾ抵抗素子は、前記トーションバーを構成するｎ型単結晶シリコン材料の（００１）面または（１１０）面における＜１００＞軸に対して±３０°の範囲に、前記ピエゾ抵抗素子の一対の前記電極を結ぶ方向が略平行となるように配置されていることを特徴とするプレーナ型アクチュエータ。」
を、
「枠状の固定部と、
　この固定部の内側に、トーションバーを介して回動自在に支持された可動部と、
　前記可動部を駆動する駆動手段と、
　前記トーションバーに配置され互いにほぼ直行する方向に対向する２対の電極を有するピエゾ抵抗素子と、
　前記トーションバー上に形成され前記固定部に形成された電極部に引き回す配線部と、
を備え、
　前記トーションバーは、ｎ型単結晶シリコン材料により構成されるとともに、前記ピエゾ抵抗素子はｐ型領域で形成され、
　前記ピエゾ抵抗素子は、前記トーションバーを構成するｎ型単結晶シリコン材料の（００１）面または（１１０）面における＜１００＞軸に対して±３０°の範囲に、前記ピエゾ抵抗素子の一対の前記電極を結ぶ方向が略平行となるように配置
され、
　前記ピエゾ抵抗素子は絶縁層を備え、前記配線部の一部は前記ピエゾ抵抗素子に重ねて配置されている
に補正する内容を含むものであって、当該補正の内容は、平成２３年法律第６３号による改正前の特許法（以下「平成２３年改正前特許法」という。）第１７条の２第５項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものと認められる。
　
（２）独立特許要件についての検討
　本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）は、上記（１）において、補正後のものとして記載したとおりのものと認められるところ、本願補正発明が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるかどうかについて検討する。
　
　ア　先願明細書の記載
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願日前の他の特許出願であって本願出願後に出願公開された特願２００６−２２５８３５号（特開２００８−５１９０４号。以下「先願」という。）の願書に最初に添付された明細書、特許請求の範囲又は図面（以下「先願明細書」という。）には、以下の記載がある（下線は、審決で付した。）。
　
「【００１８】
　
アクチュエータ
基体２と、この基体２を支持する支持基板３とを有し
　
基体２は、１対の第１の質量部（駆動部）２１、２２と、１対の支持部２３、２４と、第２の質量部（可動部）２５と、１対の第１の弾性部２６、２７と、１対の第２の弾性部２８、２９と、１対の電極３２、３３とを備えている
【００１９】
　このようなアクチュエータ１にあっては、
１対の電極３２、３３に電圧を印加することにより、第１の質量部２１、２２と電極３２、３３との間に静電引力を生じさせ、１対の第１の弾性部２６、２７を捩れ変形させながら１対の第１の質量部２１、２２を回動させ、これに伴って、１対の第２の弾性部２８、２９を捩れ変形させながら第２の質量部２５を回動させる
【００２０】
　１対の第１の質量部２１、２２は、それぞれ、板状をなし、互いにほぼ同一寸法でほぼ同一形状をなしている。
　また、第１の質量部２１の平面視にて回動中心軸Ｘに直角な方向での両端部（回動中心軸Ｘからの遠位側の両端部）には、櫛歯状をなす櫛歯状電極部２１１、２１２が設けられている。これと同様に、第１の質量部２２の平面視にて回動中心軸Ｘに直角な方向での両端部（回動中心軸Ｘからの遠位側の両端部）には、櫛歯状をなす櫛歯状電極部２２１、２２２が設けられている。
【００２１】
　また、１対の質量部２１、２２の間には、第２の質量部２５が設けられており、１対の質量部２１、２２は、図１における平面視にて、第２の質量部２５を中心として、ほぼ左右対称となるように設けられている。
　第２の質量部２５は、板状をなし、その板面に光反射部２５１が設けられている。これにより、アクチュエータ１を光スキャナ、光アッテネータ、光スイッチなどの光学デバイスに適用することができる。
【００２２】
　このような第１の質量部２１、２２および第２の質量部２５にあっては、
第１の質量部２１が第１の弾性部２６を介して支持部２３に支持され、第２の質量部２５が第２の弾性部２８を介して第１の質量部２１に支持され
これと同様に、第１の質量部２２が第１の弾性部２７を介して支持部２４に支持され、第２の質量部２５が第２の弾性部２９を介して第１の質量部２１、２２に支持され
【００２３】
　
支持部２３、２４は、それぞれ、支持基板３上に固定されて
支持部２３上には、図示しない絶縁層を介して、後述するピエゾ抵抗素子４１に接続された端子４１６〜４１９が設けられている
　一方、
支持部２４上には、図示しない絶縁層を介して、後述するピエゾ抵抗素子４２に接続された端子４２６〜４２９が設けられている
【００２４】
　第１の弾性部２６は、第１の質量部２１を支持部２３に対して回動可能とするように、第１の質量部２１と支持部２３とを連結している。これと同様に、第１の弾性部２７は、第１の質量部２２を支持部２４に対して回動可能とするように、第１の質量部２２と支持部２４とを連結している。
　第２の弾性部２８は、第２の質量部２５を第１の質量部２１に対して回動可能とするように、第２の質量部２５と第１の質量部２１とを連結している。これと同様に、第２の弾性部２９は、第２の質量部２５を第１の質量部２２に対して回動可能とするように、第２の質量部２５と第１の質量部２２とを連結している。
【００２５】
　各第１の弾性部２６、２７および各第２の弾性部２８、２９は、同軸的に設けられており、これらを回動中心軸（回転軸）Ｘとして、第１の質量部２１、２２が支持部２３、２４に対して、また、第２の質量部２５が第１の質量部２１、２２に対して回動可能となっている。
　このように、基体２は、第１の質量部２１、２２と第１の弾性部２６、２７とで構成された第１の振動系と、第２の質量部２５と第２の弾性部２８、２９とで構成された第２の振動系とを有する。すなわち、基体２は、第１の振動系および第２の振動系からなる２自由度振動系を有する。
【００２６】
　このような２自由度振動系は、図２および図３に示すように、基体２の全体の厚さよりも薄く形成されているとともに、基体２の上部に位置している。換言すれば、基体２には、基体２の全体の厚さよりも薄い部分が形成されており、この薄い部分に異形孔が形成されることにより、第１の質量部２１、２２と第２の質量部２５と第１の弾性部２６、２７と第２の弾性部２８、２９とが形成されている。
【００２７】
　本実施形態では、前記薄肉部の上面が支持部２３、２４の上面と同一面上に位置することにより、前記薄い部分の下方には、各質量部２１、２２、２５の回動のための空間（凹部）３０が形成されている。
　このような
基体２は、後述するように、ｐ型シリコン単結晶基板またはｎ型シリコン単結晶基板を加工することにより形成されたものである
すなわち、第１の質量部２１、２２と、第２の質量部２５と、支持部２３、２４と、第１の弾性部２６、２７と、第２の弾性部２８、２９とは、ｐ型シリコン単結晶基板またはｎ型シリコン単結晶基板を加工することにより一体的に形成されたものである
【００２８】
　そして、基体２が（００１）面のｐ型シリコン単結晶基板を加工することにより形成されたものである場合、第１の弾性部２６、２７および第２の弾性部２８、２９は、それぞれ、（００１）面のｐ型シリコン単結晶基板の＜１１０＞方向に沿って延在している。一方、
基体２が（００１）面のｎ型シリコン単結晶基板を加工することにより形成されたものである場合
第１の弾性部２６、２７および第２の弾性部２８、２９は、（００１）面のｎ型シリコン単結晶基板の＜１００＞方向または＜０１０＞方向に沿って延在している
【００２９】
　なお、基体２は、ＳＯＩ基板等の積層構造を有する基板から、第１の質量部２１、２２と、第２の質量部２５と、支持部２３、２４と、第１の弾性部２６、２７と、第２の弾性部２８、２９と、電極３２、３３とを形成したものであってもよい。その際、第１の質量部２１、２２と、第２の質量部２５と、支持部２３、２４の一部と、第１の弾性部２６、２７と、第２の弾性部２８、２９とが一体的となるように、これらを積層構造の基板の１つの層で構成するのが好ましい。
【００３０】
　前述した
第２の弾性部２８の上面には
ピエゾ抵抗素子４１
が
設けられて
第２の弾性部２９の上面には、ピエゾ抵抗素子４２
が
設けられ
【００３１】
　より具体的には、ピエゾ抵抗素子４１は、第２の質量部２５の平面視にて、回動中心軸Ｘ方向における第２の弾性部２８の中央部に設けられている。
　この
ピエゾ抵抗素子４１は、
第２の弾性部２８の本体部２８１上に設けられた
ｐ型の不純物の拡散あるいはイオン注入により形成された抵抗領域４１１と、抵抗領域４１１上に回動中心軸Ｘ方向に並接された１対の入力電極４１２、４１３と、抵抗領域４１１上に回動中心軸Ｘに対し直角な方向に並接された１対の出力電極４１４、４１５とを有して
【００３２】
　
抵抗領域４１１は
基体２がｎ型シリコン単結晶基板を加工することにより形成されたものである場合、第２の弾性部２８表面にボロンなどの不純物をドーピングすることにより形成されたｐ型シリコン単結晶（ｐ型抵抗領域）である
【００３３】
　したがって、第２の弾性部２８は、その本体部２８１および抵抗領域４１１のうち、一方がｐ型のシリコンで構成され、他方がｎ型のシリコンで構成され、本体部２８１と抵抗領域４１１との間には、ｐｎ接合が形成されている。
　そして、基体２が（００１）面のｐ型シリコン単結晶基板を加工することにより形成されたものである場合、抵抗領域４１１の＜１１０＞方向（すなわち、回動中心軸Ｘ方向）に沿って、第２の弾性部２８が延在している。一方、基体２が（００１）面のｎ型シリコン単結晶基板を加工することにより形成されたものである場合、抵抗領域４１１の＜１００＞方向または＜０１０＞方向（すなわち、回動中心軸Ｘ方向）に沿って、第２の弾性部２８が延在している。
【００３４】
　このような結晶方位に沿って第２の弾性部２８が延在していると、第２の弾性部２８の捩れ変形により抵抗領域４１１にせん断応力が生じたとき、抵抗領域４１１の比抵抗値の変化率を最も大きくすることができる。」、
「【００４２】
　また、前述した
ピエゾ抵抗素子４１と同様に、ピエゾ抵抗素子４２も、
第２の弾性部２９上に設けられた
抵抗領域４２１と、抵抗領域４２１上に回動中心軸Ｘ方向に並接された１対の入力電極４２２、４２３と、抵抗領域４２１上に回動中心軸Ｘに対し直角な方向に並接された１対の出力電極４２４、４２５とを有して
【００４３】
　
抵抗領域４２１は、第２の弾性部２９表面に不純物をドーピングすることにより形成されたものである。したがって、第２の弾性部２８と同様に、第２の弾性部２９も、その本体部２９１および抵抗領域４２１のうち、一方がｐ型のシリコンで構成され、他方がｎ型のシリコンで構成され、本体部２９１と抵抗領域４２１との間には、ｐｎ接合が形成されている
【００４４】
　また、基体２が（００１）面のｐ型シリコン単結晶基板を加工することにより形成されたものである場合、抵抗領域４２１の＜１１０＞方向（すなわち、回動中心軸Ｘ方向）に沿って、第２の弾性部２９が延在している。一方、基体２が（００１）面のｎ型シリコン単結晶基板を加工することにより形成されたものである場合、抵抗領域４２１の＜１００＞方向または＜０１０＞方向（すなわち、回動中心軸Ｘ方向）に沿って、第２の弾性部２９が延在している。
【００４５】
　このような結晶方位に沿って第２の弾性部２９が延在していると、第２の弾性部２９の捩れ変形により抵抗領域４２１にせん断応力が生じたとき、前述した抵抗領域４１１と同様に、抵抗領域４２１の比抵抗値の変化率を最も大きくすることができる。」、 
「【００５１】
　このようなピエゾ抵抗素子４１、４２において、抵抗領域４１１、４２１中の不純物濃度は、それぞれ、特に限定されないが、例えば、１．０×１０１８〜１．０×１０２０ｃｍ−３であるのが好ましい。また、本実施形態では、図示しないが、図２にて
基体２の上面には、入力電極４１２、４１３および出力電極４１４、４１５上を除き、シリコン酸化膜や樹脂膜などの絶縁層が形成され、この絶縁層上に金属製の端子４１６〜４１９、４２６〜４２９や金属製の配線が形成されている
　
　図１、図２及び図５は以下のものである。
　イ　先願発明
　先願明細書には、「基体２は、…ｐ型シリコン単結晶基板またはｎ型シリコン単結晶基板…により形成されたものである」（【００２７】）と記載されており、基体２が「ｎ型シリコン単結晶基板」で形成されたものについてみると、先願明細書には、次の発明が記載されているものと認められる。
　
「基体２と、この基体２を支持する支持基板３とを有しているアクチュエータであって、
　基体２は、１対の第１の質量部（駆動部）２１、２２と、１対の支持部２３、２４と、第２の質量部（可動部）２５と、１対の第１の弾性部２６、２７と、１対の第２の弾性部２８、２９と、１対の電極３２、３３とを備えており、
　第１の質量部（駆動部）２１、２２が第１の弾性部２６、２７を介して支持部２３、２４に支持され、第２の質量部２５が第２の弾性部２８、２９を介して第１の質量部２１、２２に支持され、支持部２３、２４は、支持基板３上に固定されており、支持部２３上には、絶縁層を介して端子４１６〜４１９、４２６〜４２９が設けられており、
　１対の電極３２、３３に電圧を印加することにより、第１の質量部２１、２２と電極３２、３３との間に静電引力を生じさせ、第１の弾性部２６、２７を捩れ変形させながら第１の質量部２１、２２を回動させ、これに伴って、第２の弾性部２８、２９を捩れ変形させながら第２の質量部２５を回動させるものであり、
　基体２は、ｎ型シリコン単結晶基板を加工することにより形成されたもの、すなわち、第１の質量部２１、２２と、第２の質量部２５と、支持部２３、２４と、第１の弾性部２６、２７と、第２の弾性部２８、２９は、ｎ型シリコン単結晶基板を加工することにより一体的に形成されたものであり、第１の弾性部２６、２７及び第２の弾性部２８、２９は、（００１）面のｎ型シリコン単結晶基板の＜１００＞方向に沿って延在しており、
　第２の弾性部２８、２９の上面には、ピエゾ抵抗素子４１、４２が設けられており、
　ピエゾ抵抗素子４１、４２は、第２の弾性部２８、２９の本体部２８１、２９１上に設けられたｐ型の不純物の拡散あるいはイオン注入により形成された抵抗領域４１１、４２１と、抵抗領域４１１、４２１上に回動中心軸方向に並接された１対の入力電極４１２、４１３ないし４２２、４２３と、抵抗領域４１１、４２１上に回動中心軸に対し直角な方向に並接された１対の出力電極４１４、４１５ないし４２４、４２５とを有しており、
　基体２の上面には、入力電極４１２、４１３及び出力電極４１４、４１５上を除き、シリコン酸化膜や樹脂膜などの絶縁層が形成され、この絶縁層上に金属製の端子４１６〜４１９、４２６〜４２９や金属製の配線が形成され、端子４１６〜４１９、４２６〜４２９がピエゾ抵抗素子４１、４２に接続されたアクチュエータ。」（以下「先願発明」という。）
　
　ウ　対比
　本願補正発明と先願発明を対比する。
　
（ア）先願発明の「基体２と、この基体２を支持する支持基板３」は、本願補正発明の「枠状の固定部」といえる。
　
（イ）先願発明は、「第２の質量部２５が第２の弾性部２８、２９を介して第１の質量部２１、２２に支持され」、「第２の弾性部２８、２９を捩れ変形させながら第２の質量部２５を回動させるもの」であるから、先願発明の「第２の弾性部２８、２９」及び「第２の質量部２５」がそれぞれ本願補正発明の「トーションバー」及び「可動部」に相当するところであり、本願補正発明と同様に「固定部の内側に、トーションバーを介して回動自在に支持された可動部」を備えるものといえる。
　
（ウ）先願発明は、「１対の電極３２、３３に電圧を印加することにより、第１の質量部２１、２２と電極３２、３３との間に静電引力を生じさせ、第１の弾性部２６、２７を捩れ変形させながら第１の質量部２１、２２を回動させ、これに伴って、第２の弾性部２８、２９を捩れ変形させながら第２の質量部２５を回動させるもの」であるから、本願補正発明と同様に「前記可動部を駆動する駆動手段」を備えるものであることは明らかである。
　
（エ）先願発明は、「第２の弾性部２８、２９の上面には、ピエゾ抵抗素子４１、４２が設けられており、ピエゾ抵抗素子４１、４２は、…抵抗領域４１１、４２１上に回動中心軸方向に並接された１対の入力電極４１２、４１３ないし４２２、４２３と、抵抗領域４１１、４２１上に回動中心軸に対し直角な方向に並接された１対の出力電極４１４、４１５ないし４２４、４２５とを有しており」というものであって、先願発明の「『１対の入力電極４１２、４１３ないし４２２、４２３』と『１対の出力電極４１４、４１５ないし４２４、４２５』」及び「ピエゾ抵抗素子４１、４２」がそれぞれ本願補正発明の「互いにほぼ直行する方向に対向する２対の電極」及び「ピエゾ抵抗素子」に相当するところであるから、本願補正発明と同様に「前記トーションバーに配置され互いにほぼ直行する方向に対向する２対の電極を有するピエゾ抵抗素子」を備えるものといえる。
　
（オ）先願発明において、「（支持基板３上に固定されている）支持部２３上」には、「絶縁層を介して端子４１６〜４１９、４２６〜４２９」が設けられており、先願発明の「金属製の端子４１６〜４１９、４２６〜４２９」は、本願補正発明の「前記固定部に形成された電極部」に相当する。
　また、先願発明は、「端子４１６〜４１９、４２６〜４２９がピエゾ抵抗素子４１、４２に接続された」ものであるところ、この接続は、「（絶縁層上に形成された）金属製の配線」により、「（第２の弾性部２８、２９の上面に設けられたピエゾ抵抗素子４１、４２の）入力電極４１２、４１３ないし４２２、４２３及び出力電極４１４、４１５ないし４２４、４２５」に対してなされるものと認められるから、前記「（絶縁層上に形成された）金属製の配線」は、先願発明の「第２の弾性部２８、２９の上面」に設けられるものと認められる。
　以上によれば、先願発明は、本願補正発明と同様に「前記トーションバー上に形成され前記固定部に形成された電極部に引き回す配線部」を備えるものといえる。
　
（カ）先願発明において、「第２の弾性部２８、２９」は、「ｎ型シリコン単結晶基板を加工することにより一体的に形成された」ものであり、また、「ピエゾ抵抗素子４１、４２」は、「第２の弾性部２８、２９の本体部２８１、２９１上に設けられたｐ型の不純物の拡散あるいはイオン注入により形成された抵抗領域４１１、４２１」を有するものであるから、先願発明は、本願補正発明と同様に「前記トーションバーは、ｎ型単結晶シリコン材料により構成されるとともに、前記ピエゾ抵抗素子はｐ型領域で形成され」たものといえる。
　
（キ）先願発明において、「第２の弾性部２８、２９」は、「（００１）面のｎ型シリコン単結晶基板の＜１００＞方向に沿って延在」しており、「（第２の弾性部２８、２９の上面に設けられた）ピエゾ抵抗素子４１、４２」の「１対の入力電極４１２、４１３ないし４２２、４２３」は、「回動中心軸方向に並接され」ているから、先願発明は、本願補正発明と同様に「前記ピエゾ抵抗素子は、前記トーションバーを構成するｎ型単結晶シリコン材料の（００１）面または（１１０）面における＜１００＞軸に対して±３０°の範囲に、前記ピエゾ抵抗素子の一対の前記電極を結ぶ方向が略平行となるように配置され」たものといえる。
　
（ク）先願発明も、本願補正発明と同様に「プレーナ型アクチュエータ」といえるものである。
　
（ケ）先願発明において、「基体２の上面には、入力電極４１２、４１３および出力電極４１４、４１５上を除き、シリコン酸化膜や樹脂膜などの絶縁層が形成され」ているから、先願発明のピエゾ抵抗素子４１の抵抗領域４１１の電極以外の部分は、絶縁層によって覆われているものと認められるところであり、先願発明の「ピエゾ抵抗素子４１」が本願補正発明の「ピエゾ抵抗素子」と同様に「絶縁層を備え」るものであることは明らかである。
　ここで、本願補正発明は、「前記配線部の一部は前記ピエゾ抵抗素子に重ねて配置されている」ものであるところ、先願発明の前記「（絶縁層上に形成された）金属製の配線」の一部が先願発明の「ピエゾ抵抗素子４１」に重ねて配置されているかについては、先願明細書に明確な記載がない。
　
（コ）以上によれば、本願補正発明と先願発明とは、
「枠状の固定部と、
　この固定部の内側に、トーションバーを介して回動自在に支持された可動部と、
　前記可動部を駆動する駆動手段と、
　前記トーションバーに配置され互いにほぼ直行する方向に対向する２対の電極を有するピエゾ抵抗素子と、
　前記トーションバー上に形成され前記固定部に形成された電極部に引き回す配線部と、
を備え、
　前記トーションバーは、ｎ型単結晶シリコン材料により構成されるとともに、前記ピエゾ抵抗素子はｐ型領域で形成され、
　前記ピエゾ抵抗素子は、前記トーションバーを構成するｎ型単結晶シリコン材料の（００１）面または（１１０）面における＜１００＞軸に対して±３０°の範囲に、前記ピエゾ抵抗素子の一対の前記電極を結ぶ方向が略平行となるように配置され、
　前記ピエゾ抵抗素子は絶縁層を備えているプレーナ型アクチュエータ」
である点で一致し、
「本願補正発明では、『前記配線部の一部は前記ピエゾ抵抗素子に重ねて配置されている』ものであるのに対して、先願発明では、『（絶縁層上に形成された）金属製の配線』の一部が『ピエゾ抵抗素子４１』に重ねて配置されているか明らかでない点」
でひとまず相違すると認められる。
　
　エ　判断
（ア）先願発明における前記「（絶縁層上に形成された）金属製の配線」は、現実問題としては幅を有するものであるところ、図５のごとく、抵抗領域４１１の外側のような狭い領域に複数の配線を設けると、配線の幅が狭くなり、その抵抗が大きくなることが当業者に明らかであるから、当該配線をピエゾ抵抗素子４１に重ならないように設けることは、特段の事情がない限り想定しがたい。
　ここで、先願発明においては、上記ウ（ケ）のとおり、ピエゾ抵抗素子４１の抵抗領域４１１の電極以外の部分は、絶縁層によって覆われているから、この絶縁層を介して、ピエゾ抵抗素子４１に重ねて配線を形成し得ることは当業者に明らかな事項である（例えば、特開２００６−１２６１９０号公報の図１〜３及び図６には、絶縁層である酸化層１７を介して、ピエゾ抵抗体２２に重ねて、配線となる導電層２６を配置したものが示されているところである。）。
　してみると、先願発明において、前記「金属製の配線」を絶縁層上に形成するに当たって、抵抗値が高くならないようにその幅を確保すべく、ピエゾ抵抗素子４１に重なるように形成することは、先願発明の実施に際して普通に採用される事項というべきである。
　
（イ）なお、先願明細書の図５では、入力電極４１２、４１３および出力電極４１４、４１５から電源及び検知器１１に接続される配線がピエゾ抵抗素子４１の抵抗領域４１１の外側において引き回されて図示されているが、この配線は、幅を有さない「線」として記載されており、電源や検知器１１に対する電気的な接続関係を表すための、いわゆる電気回路における信号線として示されているにすぎないものと認められる。
　そして、上記（ア）のとおり、当該配線をピエゾ抵抗素子４１に重ならないように設けることは、特段の事情がない限り想定しがたいことに照らせば、図５において、配線が抵抗領域４１１の外側において引き回されているからといって、直ちに、先願発明における前記「（絶縁層上に形成された）金属製の配線」が抵抗領域４１１の外側において形成されているとは認められない。
　
（ウ）以上の検討によれば、本願補正発明の「前記配線部の一部は前記ピエゾ抵抗素子に重ねて配置されている」との事項は、先願発明の実施に際して当業者が普通に採用する設計的事項を特定したにとどまるものというべきであって、当該事項をもって、先願発明と技術的思想すなわち発明としての実質上の差異を生じる相違点とはいえない。
　したがって、本願補正発明の「プレーナ型アクチュエータ」と先願発明の「アクチュエータ」とは、実質的に同一の発明である。
　
（３）補正却下の決定についてのむすび
　以上のとおり、本願補正発明は、先願明細書に記載された発明と同一である。しかも、本願補正発明の発明者が先願に係る上記発明をした者と同一の者ではなく、また、本願の出願の時にその出願人が先願の出願人と同一の者でもないから、本願補正発明は、特許法第２９条の２の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　よって、本件補正は、平成２３年特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。　
　
第３　本願発明について
　１　本願発明
　本件補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成２３年１２月９日に補正された特許請求の範囲の請求項１ないし７に記載された事項によって特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、前記第２、２（１）において、補正前のものとして示したとおりのものである。
　
　２　判断
　本願発明は、本願補正発明から「前記ピエゾ抵抗素子は絶縁層を備え、前記配線部の一部は前記ピエゾ抵抗素子に重ねて配置され、」との事項を除いたものである。
　そして、当該事項を備えた本願補正発明が先願明細書に記載された発明と同一であることは、前記第２、２（２）で検討したとおりであるから、本願発明が先願明細書に記載された発明と同一であることは明らかである。
　
　３　むすび
　以上のとおり、本願発明は、先願明細書に記載された発明と同一である。しかも、本願発明の発明者が先願に係る上記発明をした者と同一の者ではなく、また、本願の出願の時にその出願人が先願の出願人と同一の者でもないから、本願発明は、特許法第２９条の２の規定により、特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。