【事件の表示】
　特願２００６−５１３６５５号「半導体装置の製造方法および半導体装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年１２月　１日国際公開、ＷＯ２００５／１１４７３０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯 
　本願は、平成１６年５月２０日を国際出願日とする出願であって、平成２２年９月１５日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、平成２３年１月２０日に拒絶査定不服審判の請求がされるとともに、同日付けで手続補正がされたものである。 
　 
２．平成２３年１月２０日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）について
　本件補正は、補正前の特許請求の範囲の請求項１２を削除するものであって、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法（以下「平成１８年改正前特許法」という。）第１７条の２第４項第１号に掲げる請求項の削除を目的とするものに該当する。
　
３．本願発明について 　　　　
（１）本願発明　　　　
　本願の各請求項に係る発明は、平成２３年１月２０日付け手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし１１に記載されたとおりのものであるところ、請求項１は次のとおりである。 
　「【請求項１】
　電極端子を有する中継基板上に半導体素子を搭載する工程と、
　前記中継基板上に形成した前記電極端子を覆い、前記半導体素子が露出するように前記半導体素子から離して耐熱シートを配置する工程と、
　１対の金型で前記中継基板と前記耐熱シートとを挟み込み前記半導体素子の周囲にキャビティを形成する工程と、
　前記キャビティ内にシーリング材を注入して前記中継基板上に搭載した前記半導体素子を前記シーリング材で封止することで、前記耐熱シートを用いてつば状に外方に突出する第１シーリング部を形成するとともに、該第１シーリング部上に第２シーリング部を形成する工程とを有する半導体装置の製造方法。」（以下、請求項１に係る発明を「本願発明」という。）
 
　 
（２）引用刊行物 
　（ア）本願出願日前に頒布された、原査定において引用文献１として引用された刊行物である特開２００１−３２６２３８号公報（以下「引用例１」という。）には、図３２とともに次の技術事項が記載されている。 
　
・「【０００３】図２７及び図２８にはボールグリッドアレイ構造を採用するキャビティダウンタイプの半導体装置を示す。この半導体装置は、樹脂、テープ、セラミックス等の材料に配線回路を形成しかつ中央部に貫通孔を有する基板１と、基板１の表面上に接着層９により接着された金属板や絶縁板等の板１０と、基板１の貫通穴と板１０により生成された凹部分に接着層３により固定された半導体チップ２と、半導体チップ２のボンディングパッドと基板１の裏面上の配線回路端子４との間を接続する例えば金ワイヤ５と、半導体チップ２をモールド封止した樹脂封止部６とを備えて構成されている。樹脂封止部６の側面には、トランスファーモールド封止の際に樹脂注入が行われたレジンゲート痕６Ｇが存在している。基板１の裏面上、すなわち配線回路端子４が配設された同一の裏面上には、配線回路端子４に電気的に接続され、半田ボールにより形成された外部接続端子８が配設されている。」 　　　
・「【０００６】上記図２７及び図２８に示す半導体装置においては、樹脂封止部６が基板１の外部接続端子８と同一の裏面に配設され、かつ基板１の周囲を外部接続端子８で取り囲まれた中央部分に配設されている。このため、基板１の裏面上において外部接続端子（半田ボール）８が形成される領域（この領域は電極パッドが配設されている。）にランナー１６が配設されると、樹脂１４Ａの一部が付着してしまう。この付着した樹脂１４Ａの一部は外部接続端子８の形成工程（ボール搭載工程）において半田ボールの脱落等の不具合を生じることがあるので、以下に説明する図３１乃至図３４に示すいずれかのモールド封止方法が使用されている。」 
　　
・「【０００８】第２のモールド封止方法は、図３２に示すように、上金型１１と下金型１２との間にフィルム等のシート２１を挟み込んだ状態において、樹脂注入を行う方法である。シート２１は、上記金型若しくはプレート２０と同様に、基板１の裏面上の外部接続端子８の形成領域を被覆するようになっているので、外部接続端子８の形成領域の樹脂の付着を防止することができる。」 
 
　 
　上記記載事項及び図３２から、次のことが明らかである。 
・上金型１１と下金型１２との間にフィルム等のシート２１を挟み込んだ状態において、半導体チップ２の周囲にキャビティを形成して樹脂注入を行うモールド封止方法により、シート２１は上記金型若しくはプレート２０と同様に、基板１の裏面上の外部接続端子８の形成領域を被覆するようになっており、注入された樹脂はシート２１を用いて半導体チップ２をモールド封止する樹脂封止部６を形成している半導体装置の製造方法。 
　
・ 半導体装置の製造方法は、電極パッドを有する基板１上に半導体チップ２を搭載する工程と、基板１上に形成した前記電極パッドを覆い、前記半導体チップ２が露出するように前記半導体チップ２から離してシート２１を配置する工程と、上金型１１と下金型１２で前記基板１と前記シート２１とを挟み込み前記半導体チップ２の周囲にキャビティを形成する工程と、キャビティ内に樹脂を注入して前記基板１上に搭載した前記半導体チップ２を樹脂で封止することで、シート２１を用いて樹脂封止部６を形成する工程とからなる。
　 
　上記記載事項及び図３２の記載事項を総合すると、引用例１には、次の発明（以下「引用発明」という。）が実質的に記載されていると認められる。 
　「電極パッドを有する基板１上に半導体チップ２を搭載する工程と、
　前記基板１上に形成した前記電極パッドを覆い、前記半導体チップ２が露出するように前記半導体チップ２から離してシート２１を配置する工程と、
　上金型１１と下金型１２で前記基板１と前記シート２１とを挟み込み前記半導体チップ２の周囲にキャビティを形成する工程と、
　前記キャビティ内に樹脂を注入して前記基板１上に搭載した前記半導体チップ２を前記注入樹脂で封止することで、シート２１を用いて樹脂封止部６を形成する工程とを有する半導体装置の製造方法。」 
　
　（イ）同じく、原査定において周知例として引用された刊行物である実願昭５４−０７５６６４号（実開昭５５−１７５２４９号）のマイクロフィルムの第３図、特開平１１−０２６６５２号公報の図３、及び、特開２００２−１３４６６１号公報の図１−４から、以下の技術事項が明らかである。　
　
・半導体装置の製造方法において、半導体チップを封止する封止樹脂の肉厚を中央部より外側を薄くして、つば部を形成している工程を有している点（以下「周知の技術｝という。）　 
　
（３）対比 
　本願発明と引用発明とを比較すると、本願発明も引用発明もトランスファーモールド法により半導体チップを封止する「半導体装置の製造方法」であるから、引用発明の「半導体装置の製造方法」は本願発明の「半導体装置の製造方法」に相当する。
　以下同様に、「電極パッド」は「電極端子」に、「基板１」は「中継基板」に、「半導体チップ２」は「半導体素子」に、「シート２１」は「耐熱シート」に、「上金型１１と下金型１２」は「１対の金型」に、「樹脂封止部６」は「シーリング材」に相当する。 
　また、引用発明の「シート２１を用いて樹脂封止部６を形成する工程」と本願発明の「耐熱シートを用いてつば状に外方に突出する第１シーリング部を形成するとともに、該第１シーリング部上に第２シーリング部を形成する工程」とは、ともに「耐熱シートを用いてシーリング部を形成する工程」で共通する。 
 
　すると、両者は本願発明の表現によると次の点で一致する。 
（一致点） 
　「電極端子を有する中継基板上に半導体素子を搭載する工程と、
　前記中継基板上に形成した前記電極端子を覆い、前記半導体素子が露出するように前記半導体素子から離して耐熱シートを配置する工程と、
　１対の金型で前記中継基板と前記耐熱シートとを挟み込み前記半導体素子の周囲にキャビティを形成する工程と、
　前記キャビティ内にシーリング材を注入して前記中継基板上に搭載した前記半導体素子を前記シーリング材で封止することで、前記耐熱シートを用いてシーリング部を形成する工程とを有する半導体装置の製造方法。」 
　 
　一方で、両者は、次の点で相違する。 
（相違点） 
　耐熱シートを用いてシーリング部を形成する工程として、本願発明が「つば状に外方に突出する第１シーリング部を形成するとともに、該第１シーリング部上に第２シーリング部を形成する工程」であるのに対して、引用発明は「（半導体チップ２を）注入樹脂で封止することで、樹脂封止部６を形成する工程」としている点。 
　 
（４）相違点についての判断 
　上記の周知例には「半導体装置の製造方法において、半導体チップを封止する封止樹脂の肉厚を中央部より外側を薄くして、つば部を形成している工程を有している」点（上記の「周知の技術」参照）が記載されている。
　ここで、封止樹脂の外側の肉薄のつば部は本願発明の「つば状に外方に突出する第１シーリング部」に相当し、封止樹脂の中央部に形成された肉厚部は本願発明の「第１シーリング部上に第２シーリング部を形成する」に相当しているから、「半導体装置の製造方法において、封止樹脂をつば状に外方に突出する第１シーリング部及び該第１シーリング部上に第２シーリング部が形成された形状とする工程を有している」点は、本願出願前の周知の技術に過ぎないものであるといえる。
　 
　そうすると、引用発明の「（半導体チップ２を）注入樹脂で封止することで、樹脂封止部６を形成する工程」に、上記の周知の技術を適用して、本願発明の上記相違点に係る「つば状に外方に突出する第１シーリング部を形成するとともに、該第１シーリング部上に第２シーリング部を形成する工程をを有している」構成とすることは、当業者であれば容易に想到し得たものということができる。 
　そして、本願発明により得られる作用効果も、引用発明及び周知の技術から当業者であれば予測できる範囲のものであって、格別とはいえない。 
　
　したがって、本願発明は、引用発明及び周知の技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。 
　 
（５）むすび 
　以上のとおりであるから、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。  
　そうすると、このような特許を受けることができない発明を包含する本願は、本願の他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、拒絶されるべきものである。  
　よって、結論のとおり審決する。