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　特願２００６−１８６５８１号「部品内蔵配線板、部品内蔵配線板の製造方法。」拒絶査定不服審判事件〔平成２０年１月２４日出願公開、特開２００８−１６６５１号〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１８年７月６日の出願であって、平成２４年２月２９日付けで拒絶査定がなされ（発送日：同年３月６日）、これに対し、平成２４年６月５日に拒絶査定不服審判の請求がなされるとともに、同時に手続補正がなされたものである。 
　そして、当審において、平成２５年２月２２日付けで拒絶の理由が通知され、それに対して平成２５年４月２６日に意見書が提出されたものである。
 
第２　本願発明 
　本願の請求項１ないし２１に係る発明は、平成２３年９月１日付け及び平成２４年６月５日付けの手続補正により補正された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし２１に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、以下のとおりのものである。
「【請求項１】 
　第１の絶縁層と、 
　前記第１の絶縁層に対して積層状に位置する第２の絶縁層と、
　端子である電極を両端に備えた、前記第２の絶縁層に埋め込まれているチップ部品と、
　前記第１の絶縁層と前記第２の絶縁層とに挟まれて設けられた、前記チップ部品の実装用ランドを含む配線パターンと、
　前記チップ部品の前記端子と前記配線パターンの前記実装用ランドとを電気的に接続するために、該端子と該実装用ランドとの間に挟設され電気的導通状態にされている異方性導電性接着部材と、を具備し、
　前記チップ部品の周りに空隙の発生がないように、前記チップ部品が、前記第２の絶縁層に埋め込まれておりかつ前記チップ部品の前記端子が、前記異方性導電性接着部材を介して前記配線パターンの前記実装用ランドに接続されていること
　を特徴とする部品内蔵配線板。」
　
第３　刊行物
１．刊行物１
　当審で通知した拒絶の理由に引用された刊行物である、特開２００４−６３５８３号公報（以下「刊行物１」という。）には、「半導体装置及びその製造方法」に関し、図面（特に、図５〜８）とともに次の事項が記載されている。（下線は当審で付与。以下、同様。）
　
ア　段落【００３９】〜【００５３】
「【００３９】
（第２の実施形態）
以下、本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の製造について説明する。図５は本実施形態に係る半導体装置の製造方法のフローチャートであり、図６、図７及び図８は製造途中の本実施形態に係る半導体装置の垂直断面図である。
【００４０】
本実施形態に係る半導体装置を製造するには、まず絶縁基板の両面に配線パターンを形成した、いわゆる二層板を用意する。この２層板を製造するには、最初に図６（ａ）に示したように銅箔などの導体板６０を用意する。この導体板６０の上に印刷技法を用いて導体バンプ６２，６２…を形成する。
【００４１】
この導体バンプ６２，６２，…の形成方法としては、例えば、バンプ形成部分に貫通孔を設けたマスクスクリーンを導体板６０の上にセットし（ステップ１）、このマスクスクリーンの貫通孔内に導電性ペースト、例えば銀などの金属微粒子をエポキシ樹脂のような液状樹脂中に分散させたペースト状組成物をスキージし、前記マスクスクリーンを剥離することからなる方法が挙げられる（ステップ２）。このようにして図６（ｂ）に示したような略円錐形の導体バンプ６２，６２，…を形成した後、この導体バンプ６２，６２，…を乾燥させ、半硬化する（ステップ３）。
【００４２】
次に図６（ｃ）に示したように、導体バンプ６２，６２，…の上にプリプレグ（絶縁基板前駆体）６４、すなわちガラス繊維マットのような補強材料中にエポキシ樹脂などの絶縁性樹脂を含浸させたものを重ね、更にこのプリプレグ６４の上にもう１枚の銅箔などの導体板６６を重ね合わせ（ステップ４）、この状態でヒートプレス、すなわち加熱下に加圧する（ステップ５）。このヒートプレスすることにより導体バンプ６２，６２，…はプリプレグ６４を貫通して導体板６０と導体板６６との間が電気的に接続されると同時に
プリプレグ６４が硬化して
【００４３】
次いでこの二層型配線基板７０表面の導体板６０，６６にパターニングを施す（ステップ６）。パターニングの方法としては、例えば感光性樹脂を塗布し、マスクパターンを重ねて露光し、現像するフォトリソグラフ法などによりマスキング（図示省略）を形成する。次いでこのマスキングの上からエッチング処理を施す。かくして図６（ｅ）に示すように
配線パターン６０ａ，６６ａ，６６ｂが形成された二層板７０ａ
【００４４】
次いで二層板７０ａの表面配線パターンのうち、図７（ｆ）に示すように、
半導体素子の電極に対応する位置に形成した電極パッド６６ｂ，６６ｂ，…上に銀ペーストバンプ６８，６８，…を形成する
【００４５】
すなわち、バンプ形成部分に貫通孔を設けたマスクスクリーンをセットし（ステップ１）、この貫通孔内に導電性ペースト、例えば銀などの金属微粒子をエポキシ樹脂のような液状樹脂中に分散させたペースト状組成物を充填し、マスクパターン上面からスキージ（ステップ２）し、前記マスクパターンを剥離し、乾燥し加熱して半硬化する（ステップ３）ことからなる方法である。
【００４６】
但し、ここで形成する銀ペーストバンプ６８，６８，…の大きさは、高さが１０〜８０μｍ、底面半径が２０〜５０μｍである。これは後述する半導体素子７４の大きさに対応させるためである。
【００４７】
次にバンプ形成後、銀ペーストバンプ６８，６８，…を硬化させる。然る後に、例えば電解メッキや無電解メッキなどのＮｉメッキ処理を施すことにより、
銀ペーストバンプ６８，６８，…及びその底部の電極パッド６６ｂ表面に
バリアメタル層としてのＮｉ層６９ａを形成
Ｎｉ層６９ａの上からＡｕメッキ処理を施すことによりＡｕ層６９ｂを形成
多層板中間体７０ｄ
【００４８】
次にこうして得られた
多層板中間体７０ｄの銀ペーストバンプ６８，６８，…形成面上に
ＡＣＦ（異方性導電接着剤層）７２を形成し、電極パッド６６ｂ，６６ｂ，…に対して電極板７４ａ，７４ａ，…が対向するように半導体素子７４を位置合わせする
電極パッド６６ｂ，６６ｂ，…と電極板７４ａ，７４ａ，…との間がＡｕ層６９ｂ，Ｎｉ層６９ａ，銀ペーストバンプ６８，ＡＣＦ（異方性導電接着剤層）７２を介して電気的に接合される
半導体素子７４が実装される
半導体素子７４が実装された多層板中間体７０ｅ
【００４９】
一方、前記多層板中間体７０ｅとは別に、バンプ付二層板を形成する。このバンプ付二層板は、本実施形態のステップ１〜５と同様の操作を行って図６（ｄ）に示したような二層板を形成する（ステップ１ａ〜５ａ）。次いでステップ６ａでパターニングを行う。しかる後に二層板の配線パターン上に導体バンプ１６２を形成して図８（ｋ）の８２に示したような
バンプ付二層板８２
【００５０】
更に、前記多層板中間体７０ｅ、バンプ付二層板８２とは別に
コア基板７８
コア基板の中央付近を打ち抜いて
打ち抜きバンプ付きコア基板７８
【００５１】
次にこうして得られた
多層板中間体７０ｅの上面側に、穴あきプリプレグ７６、打ち抜きバンプ付きコア基板７８、プリプレグ８０、及び導体バンプ１６２が貫挿されたバンプ付二層板８２を
重ね合わせる
穴あきプリプレグ７６は例えばガラス繊維のような補強材にエポキシ樹脂のような絶縁性液状熱硬化性樹脂を含浸させたものの半導体素子対応部分を打ち抜いて開口部７６ａを設けたもの
【００５２】
次いで、この状態で多層板中間体７０ｅ、穴あきプリプレグ７６、開口部７８ａを有する打ち抜きバンプ付きコア基板７８、プリプレグ８０、及びバンプ付二層板８２を
ヒートプレスにかけて加熱下に加圧する
多層板中間体８４が形成される
【００５３】 
以上説明したように、本実施形態に係る
半導体装置８６では、コア基板として穴あき型のコア基板を用いているので、厚さの大きい半導体素子７４を内蔵させることができる
　
　上記記載事項及び図示内容を総合して、多層板中間体８４について、本願発明の記載ぶりに則って整理すると、引用例１には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。
　
「硬化したプリプレグ６４の上面に配線パターン６６ａ及び電極パッド６６ｂが形成された二層板７０ａと、
　上記二層板７０ａから得られる多層板中間体７０ｅの上面側に重ね合わせる、穴あきプリプレグ７６、打ち抜きバンプ付きコア基板７８、プリプレグ８０、及び導体バンプ１６２が貫挿されたバンプ付二層板８２から成る層と、
　電極板７４ａを備えた、上記層に埋め込まれている半導体素子７４と、
　Ａｕ層６９ｂ，Ｎｉ層６９ａ，銀ペーストバンプ６８，ＡＣＦ（異方性導電接着剤層）７２、を具備し、
　電極パッド６６ｂと電極板７４ａとの間がＡｕ層６９ｂ，Ｎｉ層６９ａ，銀ペーストバンプ６８，ＡＣＦ（異方性導電接着剤層）７２を介して電気的に接合される
　多層板中間体８４。」
　
２．刊行物２
　同じく、引用された刊行物である、特開２００６−１２０８２９号公報（以下「刊行物２」という。）には、「電子部品内蔵基板及びその製造方法とこれを用いた電子部品内蔵モジュール」に関し、図面（特に、図１）とともに次の事項が記載されている。
　 
イ　段落【０００１】
「本発明は、
電子部品が埋設された電子部品内蔵基板
　
ウ　段落【０００８】
「また、下層配線基板、中間配線基板、上層配線基板を用い、各基板間に未硬化状態のプリプレグを挟んだ構成で半導体素子を内蔵しているものであるが、プリプレグから導出される樹脂の量は限られているので、中間配線基板の１つのくり抜き部分に２つ以上の素子を内蔵することはできない。なぜなら、２つ以上の半導体素子又はチップ部品を中間配線基板の１つのくり抜き部分に内蔵する場合は、素子同士により形成される空間も存在し、樹脂が供給されるべき体積が大きくなるためである。従って、
加熱・加圧後に素子周辺には樹脂未充填の空間が残ることになり、この空間部に配線基板や樹脂からのアウトガスが溜まり易い、空間内に結露を生じ易い等の問題があり、長期間の使用によって不良を引き起こす場合がある
　
エ　段落【００１８】 
「次に、図１（ｂ）に示すように、
配線基板１０１上の所定の位置に、はんだ１０９を用いて電子部品１０８ａ、１０８ｂを実装
電子部品１０８ａ、１０８ｂは
抵抗、コンデンサ、インダクタ、振動子及びフィルタなどの面実装型部品である受動部品
　
オ　段落【００２６】
「また、プリプレグは織布或いは不織布と未硬化状態の熱硬化性樹脂の混合シートであるが、このプリプレグは加熱・加圧することにより、プリプレグから軟化した熱硬化性樹脂が流れ出し、加熱・加圧終了後には初期の厚みより必ず薄くなる。このため、この厚みの減少分を予め考慮して、複数枚使用しているプリプレグ内の織布或いは不織布の総厚を基準にして設計すれば、積層後でも第２の絶縁層１２２が電子部品１０８ａ、１０８ｂに接触することを未然に防止することが可能である。そして、更には、
プリプレグを複数枚使用することにより、加熱・加圧時にプリプレグから流出する熱硬化性樹脂１２４の量を十分に確保することができるため、複数の電子部品１０８ａ、１０８ｂが存在する場合にできる空間１２１内の隙間を、熱硬化性樹脂１２４で充填させることが可能となる
　
３．刊行物３
　同じく、引用された刊行物である、特開２００３−１９７８４９号公報（以下「刊行物３」という。）には、「部品内蔵モジュールとその製造方法」に関し、図面（特に、図１）とともに次の事項が記載されている。
　
カ　段落【００１０】
「【発明の実施の形態】本発明は、電気絶縁層と、前記電気絶縁層の両主平面の配線パターン及び配線基板から選ばれる少なくとも一つの配線と、前記配線間を接続するビアを含み、前記
電気絶縁層の内部に、電子部品及び半導体から選ばれる少なくとも一つの部品が埋め込まれた部品内蔵モジュール
部品を埋め込むとは、前記電気絶縁層の内部に完全に埋没させることをいう
　
キ　段落【００１７】
「また、前記
電子部品がディスクリート部品
ディスクリート部品とは、例えばインダクタンス、キャパシタンス、抵抗等の汎用のチップ部品
　
ク　段落【００３３】〜【００３４】
「
電子部品１０４は、例えば、コンデンサ、インダクタ、抵抗（ＬＣＲ）等のチップ部品
【００３４】
半田１０５は、配線パターン１０２に電子部品１０４を実装するために用いる
本実施の形態では半田を用いたが、導電性接着剤等を用いてもよい
　
ケ　段落【００４１】
「配線パターン２０８，２１０とその間を接続するインナービア２０９を有する
両面配線基板２１１上の配線パターン２０８に電子部品２０４を実装する方法としては、半田２０５による半田実装（クリーム半田の印刷や半田ボール）の他、導電性接着剤、たとえば、金、銀、銅、銀−パラジウム合金などを熱硬化性樹脂で混練したものも使用できる
封止樹脂を注入してもよい。封止樹脂の注入によって、後の工程で電子部品２０４を電気絶縁層２０１に埋設する際に、隙間ができることを防止することができる
　
４．刊行物４
　同じく、引用された刊行物である、特開２００６−１１４６２１号公報（以下「刊行物４」という。）には、「部品内蔵配線板、部品内蔵配線板の製造方法」に関し、図面（特に、図３、図６、図７）とともに次の事項が記載されている。
　
コ　段落【００３４】〜【００４０】
「次に、本発明の別の実施形態に係る
部品内蔵配線板
【００３５】
　その構成として、この
部品内蔵配線板は
配線層３４
導電性バンプ（第２の導電体）４０
チップ部品（電気／電子部品）４１
【００３６】
　絶縁層３２およびその上下面に位置する配線層３５、３６の部分は、コア板の部分であり、このコア板は、スルーホール導電体４２により配線層３５、３６間の電気的導通が得られるように構成されている。また、内蔵されたチップ部品４１に相当する位置部分が開口部となっており、より厚さの厚いチップ部品４１を内蔵するための空間を提供する。絶縁層３２の厚さは例えば３００μｍであり、例えばガラスエポキシ樹脂のようなリジッドな素材である。配線層３５、３６は、厚さ例えば１８μｍの金属（銅）配線パターンである。
【００３７】
　絶縁層３１、これを貫通する導電性バンプ３８、導電性バンプ３８に導通する下面の配線層３４、絶縁層３１内に埋め込み設けられた導電性バンプ４０、および、
導電性バンプ４０により配線層３４に電気的導通するチップ部品４１の部分は、上記コア板に積層された下側のビルドアップ部分である
【００３８】
　
絶縁層３１、３３は、内蔵されたチップ部品４１のための、絶縁層３２の開口部、および絶縁層３２のスルーホール導電体４２内部の空間を埋めるように変形進入しており内部に空隙となる空間は存在しない
【００３９】
　
導電性バンプ３８、３９は、すでに説明したような導電性組成物からなり
【００４０】
　
導電性バンプ４０は、導電性バンプ３８、３９と同じ組成材料からなり、
チップ部品４１は、絶縁層３１、３３内に埋め込み設けられており、その端子が導電性バンプ４０を介して配線層３４に電気的に接続されている
　
サ　段落【００５０】
「図６に示すような配置で各配線板素材１、２、３を積層配置してプレス機で加圧・加熱する。これにより、プリプレグ３１Ａ、３３Ａが完全に硬化し全体が積層・一体化する。このとき、加熱により得られるプリプレグ３１Ａ、３３Ａの流動性により、チップ部品４１の周りの空間にはプリプレグ３１Ａ、３３Ａが変形進入し空隙は発生しない。また、配線層３５、３６は、導電性バンプ３８、３９にそれぞれ電気的に接続される。この積層工程の後、上下両面の金属箔３４Ａ、３７Ａを周知のフォトリソグラフィを利用して所定にパターニングし、図３に示すような部品内蔵配線板を得ることができる。なお、金属箔３４Ａのパターニングは、当然ながら、内蔵されたチップ部品４１の両端子に接続される配線層３４のパターンが分離するように行う。」
　
シ　段落【００５２】〜【００５３】
「次に、本発明のさらに別の実施形態に係る
部品内蔵配線板
【００５３】
　この部品内蔵配線板は、図３に示した部品内蔵配線板と構成として似ており、違いは、
配線層３４に代わり、絶縁層７１およびその上下面の配線層７２、７３が設けられ
　
５．刊行物５
　同じく、引用された刊行物である、特開平３−１０９７９５号公報（以下「刊行物５」という。）には、「電子部品の実装方法」に関し、図面（特に、第１図（ａ）、第１図（ｂ）、第３図（ａ）、第３図（ｂ）、第４図（ａ）、第４図（ｂ）、第５図）とともに次の事項が記載されている。
　
ス　第２ページ右上欄第９行〜右下欄第５行
「（ホ）実施例
＜実施例１＞
　この発明の第１の実施例を第１図に基づいて以下に説明する。
　この実施例では、
接合材料として異方性導電接着剤を用いている
　第１図（ｂ）は、
チップ状の電子部品４を熱圧着する
電子部品電極４ａは、異方性導電接着剤３により配線導体２と電気的に接続する
　上記異方性導電接着剤３には、例えば積水ファインケミカル株式会社製異方性導電インクＵ１−０３を使用する。この異方性導電インクＵ１−０３は圧力１５ｋｇ／ｃｍ２以上、温度１４０°Ｃ以上で熱圧着を行うことができるので、電子部品４や基板１に加わる温度は、はんだを用いる場合よりも十分低くすることが可能となる。
　なお、
異方性導電接着剤３を塗布するかわりに、異方性導電膜を基板に貼着
　
６．刊行物６
　同じく、引用された刊行物である、特開２００１−３５８４３７号公報（以下「刊行物６」という。）には、「半導体装置の実装方法」に関し、図面（特に、図１）とともに次の事項が記載されている。
　
セ　段落【００１２】〜【００１３】
「【発明の実施の形態】図１は、本発明の一実施形態に係るマザーボード（実装用回路基板）への実装形態を示す要部の断面図である。マザーボード１１には、集積回路を構成するため、各種電子部品、半導体パッケージ等が実装される。その際、
チップ抵抗素子１２やチップコンデンサ１３
導電パターンＰＴＮの端子と異方性導電膜ＡＣＦを介して接続している
【００１３】異方性導電膜ＡＣＦ（ＡＣＦ：Anisotropic Conductive Film）は、フィルム状のエポキシ樹脂中に導電性粒子が分散されており、導電性粒子を挟み込む所定の導通部分だけその間隙が導電性粒子の粒形以下になることで導通状態が得られ、他は絶縁状態となる特性を有する。すなわち、
ＡＣＦは、上記各外部端子ＴＭＬとマザーボード側の対応するパターンの端子の間を含む対向領域に設けられ、挟み込まれた部分で電気的接続が達成される
　
第４　対比
　本願発明と引用発明とを対比すると、その構造、機能からみて、
引用発明の「二層板７０ａ」は、本願発明の「第１の絶縁層」に相当し、以下同様に、
「穴あきプリプレグ７６、打ち抜きバンプ付きコア基板７８、プリプレグ８０、及び導体バンプ１６２が貫挿されたバンプ付二層板８２から成る層」は「第２の絶縁層」に、
「多層板中間体８４」は「部品内蔵配線板」に、それぞれ相当する。 
　また、引用発明の「配線パターン６６ａ及び電極パッド６６ｂ」は、その機能とともに、「二層板７０ａ」と「穴あきプリプレグ７６、打ち抜きバンプ付きコア基板７８、プリプレグ８０、及び導体バンプ１６２が貫挿されたバンプ付二層板８２から成る層」とに挟まれて設けられていることを考慮すると、引用発明の「配線パターン６６ａ及び電極パッド６６ｂ」は、本願発明の「配線パターン」に相当し、「電極パッド６６ｂ」は「実装用ランド」に相当する。
　そして、引用発明の「電極板７４ａを備えた」「半導体素子７４」と本願発明の「端子である電極を両端に備えた」「チップ部品」とは、ともに「端子を備えた」「電子部品」といえ、また、引用発明の「Ａｕ層６９ｂ，Ｎｉ層６９ａ，銀ペーストバンプ６８，ＡＣＦ（異方性導電接着剤層）７２」と本願発明の「異方性導電性接着部材」は、ともに「導通部材」ということができる。
　
　よって、本願発明の用語に倣って整理すると、本願発明と引用発明とは、
［一致点］
「第１の絶縁層と、
　前記第１の絶縁層に対して積層状に位置する第２の絶縁層と、
　端子を備えた、前記第２の絶縁層に埋め込まれている電子部品と、
　前記第１の絶縁層と前記第２の絶縁層とに挟まれて設けられた、前記電子部品の実装用ランドを含む配線パターンと、
　前記電子部品の前記端子と前記配線パターンの前記実装用ランドとを電気的に接続するために、該端子と該実装用ランドとの間に挟設され電気的導通状態にされている導通部材と、を具備し、
　前記電子部品が、前記第２の絶縁層に埋め込まれておりかつ前記電子部品の前記端子が、前記導通部材を介して前記配線パターンの前記実装用ランドに接続されている
　部品内蔵配線板。」 
である点で一致し、次の点で相違する。
　
［相違点１］ 
　第２の絶縁層に埋め込まれている電子部品に関し、本願発明では、端子である電極を両端に備えたチップ部品であるとともに、チップ部品の端子が、異方性導電性接着部材を介して配線パターンの実装用ランドに接続されるのに対して、引用発明では、電極板７４ａを備えた半導体素子７４であるとともに、電極パッド６６ｂと電極板７４ａとの間がＡｕ層６９ｂ，Ｎｉ層６９ａ，銀ペーストバンプ６８，ＡＣＦ（異方性導電接着剤層）７２を介して電気的に接合される点。
　
［相違点２］ 
　電子部品の埋め込みの態様に関し、本願発明では、チップ部品の周りに空隙の発生がないように、前記チップ部品が、前記第２の絶縁層に埋め込まれているのに対して、引用発明では、半導体素子７４が層に埋め込まれているものの、半導体素子７４の周りに空隙の発生がないようになっているか否か不明な点。
　
第５　当審の判断
（１）相違点１について
　部品内蔵配線板に埋め込む電子部品は、当業者が必要に応じて適宜選択しているところ、その電子部品として端子である電極を両端に備えたチップ部品を用いることは、本願出願前に周知の技術である（例えば、刊行物２の記載事項エ及び図１（電子部品１０８ａ）、刊行物３の記載事項キ、ク及び図１（電子部品１０４，２０４，３０４）、刊行物４の記載事項コ及び図３（チップ部品４１）並びに記載事項シ及び図７（チップ部品４１）を参照）。
　また、チップ部品の端子と配線パターンの実装用ランドとを電気的に接続する手段としては各種のものがあり、例えば、半田によるもの（刊行物２の記載事項エ及び図１（はんだ１０９）、刊行物３の記載事項ク及び図１（半田１０５，２０５，３０５）を参照。）導電性組成物によるもの（刊行物３の記載事項ク、ケ、刊行物４の記載事項コ及び図３（導電性バンプ４０）、刊行物５の記載事項ス、第１図（ａ）及び第１図（ｂ）（異方性導電接着剤３）、刊行物６の記載事項セ及び図１（異方性導電膜ＡＣＦ）を参照。）が、特に区別無く採用されており（刊行物３の記載事項ク及びケを参照。）、かつ、部品内蔵配線板に埋め込むチップ部品の接続にも導電性接着部材が採用されるものである（刊行物３の記載事項ク及びケ、刊行物４の記載事項コを参照。）ことから、引用発明の半導体素子７４に代えて、端子である電極を両端に備えたチップ部品を用いるとともに、その端子と電極の接続に異方性導電性接着部材を採用して、上記相違点１に係る構成とすることは、周知の技術に基づいて当業者が容易に想到し得たことである。
　
　なお、請求人は、「図１４では対照的に、『受動素子』が異方性導電性接着部材で実装されているというような特段の構成は開示されず、同文献段落００６３に『・・・配線パターン１４１上にコンデンサーや抵抗体などの受動素子が実装され、絶縁性基板１２５、１２１、１２３内に埋設されている。』と記載があるのみであります。そして、図１４の図示から判断するに、基板内蔵された符号２３２、符号２３３の受動素子は、はんだで表面実装されていると見るのが至極妥当であります。同文献のこの対照的記載から、『半導体素子』のように受動素子とは異なる特段の端子構造、配置の場合にあっては、異方性導電接着剤層を用いると利点（同文献段落００３３）があるのでこれを採用する、と読み取れるものと思料しますが、他方で、同文献は、端子の構造、配置が異なる受動素子（チップ部品）に対しては、このような利点を得ることができないのでそのような実装は採用しない（あり得ない）、ということを示していると考えられます。」（意見書１８ページ１〜１２行）と主張する。しかしながら、図１４における受動素子の実装については明細書に何ら記載されておらず、上記のとおり基板に埋設される受動素子の接続には、もちろん、半田も用いられるが、導電性組成物も用いられるのであって、刊行物１の当該記載は異方性導電接着剤層を用いる実装を採用しないということを示すものではない。
　
（２）相違点２について
　電子部品を埋設した部品内蔵配線板において、埋め込みに空間が残ると不都合が生じることから電子部品を完全に埋設しようとすることは周知の課題であり（刊行物２の記載事項ウ及びオ、刊行物３の記載事項カ及びケ、刊行物４の記載事項コ）、引用発明においても半導体素子７４の周りに空隙の発生がないようにすることは、当業者が当然に考慮すべき設計上の事項であり、相違点２に係る構成とすることは、周知の課題に基づいて当業者が容易に想到し得たことである。
　
　なお、請求人は「現行の指摘では、『引用発明１においても、加熱により得られる穴あきプリプレグ７６及びプリプレグ８０の流動性により、半導体素子７４が第２の層に埋め込まれるものと認められる』となっていますので、同意できるものではありません。」（意見書１９ページ３〜６行）と主張するが、拒絶の理由では引用発明１において、半導体素子７４が穴あきプリプレグ７６及びプリプレグ８０の流動性により第２の層に埋め込まれるものであることを述べているのであって、その際に空隙の発生がないことまで述べているのではない。そして、空隙の発生がないようにすることは、当業者が当然に考慮すべき事項であるから容易であるとの判断を示しているのであって、請求人は拒絶の理由を誤解している。
　
（３）作用効果について
　本願発明が奏する作用効果は、引用発明及び刊行物２ないし６に記載された事項から当業者が予測できる程度のものである。
 　 
（４）むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用発明及び刊行物２ないし６に記載された事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
第６　まとめ
　以上のとおり、本願発明（請求項１に係る発明）は、引用発明、刊行物２ないし６に記載された事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本願は他の請求項について検討するまでもなく、拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。