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　特願２００８−５０６５５５「ブテンの二重結合水素異性化」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年１０月２６日国際公開、ＷＯ２００６／１１３１９１、平成２０年　９月１１日国内公表、特表２００８−５３６８４９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、２００６年　４月　７日（パリ条約による優先権主張外国庁受理　２００５年　４月１５日　（ＵＳ）米国）を国際出願日とする出願であって、平成２２年　８月　９日付けの拒絶理由通知に対して、同年１１月１５日に意見書が提出されるとともに手続補正がなされたが、平成２３年　５月　２日付けで拒絶査定がなされ、これに対し同年　８月２５日に審判請求がなされるとともに手続補正がなされ、平成２４年　６月１９日付けで審尋がされ、これに対して同年　９月２４日に回答書が提出されたものである。
　
　
第２　本願発明について
　この出願に係る発明は、平成２３年　８月２５日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし２７に記載された事項により特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明は、以下のとおりのものである。
　
「１−ブテンおよび２−ブテンを含むＣ４ストリームの２−ブテンへの好ましい転化率を得るためのプロセスであって、
　前記Ｃ４ストリームを第一の水素ストリームと混合して、フィードストリームを形成させる工程と、
　第一の水素異性化触媒の存在下に、前記フィードストリームを水素異性化させて、前記１−ブテンの少なくとも一部を２−ブテンに転化させ、水素異性化流出物を生成させる工程と、
　上端及び下端を有する触媒蒸留塔内で前記水素異性化流出物を分離させて、前記上端における１−ブテン混合物、イソブタンおよびイソブチレンを含む塔頂流出物ストリーム、ならびに２−ブテンを含む塔底ストリームを得る工程と、
　前記触媒蒸留塔の前記上端における前記１−ブテン混合物を、第二の水素異性化触媒を使用して水素異性化させて、前記塔底ストリームの中にさらなる２−ブテンを得る工程と、
　を含み、
　前記第二の水素異性化触媒は、反応を分離とともに行うための触媒蒸留構造物の中に配置され、第二の水素異性化触媒を使用する前記水素異性化の工程を排除したとすると１−ブテン濃度が最大になるような前記触媒蒸留塔の上端付近に単一の反応段として配置される、プロセス。」
（以下「本願発明」という。）
　
　なお、上記の手続補正は、請求項１について、その第二の水素異性化触媒が「反応と分離を並行して行うための触媒蒸留構造物」の中に配置されていたものを、「反応を分離とともに行うための触媒蒸留構造物」の中に配置されているものとする補正を含むものである。
　請求人が審判請求書で本補正の根拠として示す段落【００３６】には、デイソブチレナイザー塔内の触媒セクション４１において「残存している１−ブテンを反応させて、１−ブテンと２−ブテンの平衡混合物」とすること、及び「この水素異性化反応で形成された２−ブテンは、デイソブチレナイザー塔の塔内を下向きに移行し、塔底ストリーム４０として排出される」ことが記載されている。この段落は、出願当初の特許請求の範囲の請求項１に対して「反応と分離を並行して行うための触媒蒸留構造物」という構成を追加する平成２２年１１月　５日付けの手続補正と同日付けで提出された意見書での補正の根拠とする箇所と同じ箇所である。そうすると、補正前後の「反応」と「分離」は、いずれも、それぞれ、上に摘記した段落【００３６】における「１−ブテンの反応」及び「２−ブテン」の「下向き」の「移行」による分離、を意味するものといえる。そうすると、補正前の「反応と分離を並行して行うための触媒蒸留構造物」と、補正後の「反応を分離とともに行うための触媒蒸留構造物」とは、表現に若干の相違はあるが、同じ内容を意味するものであることは明らかである。
　してみると、上記の手続補正は、単に記載の明確化を目的とするものであり、新規事項を追加するものでもない。
　
　
第３　原査定の拒絶の理由
　原査定の拒絶の理由は、
　「この出願については、平成２２年　８月　９日付け拒絶理由通知書に記載した理由１によって、拒絶をすべきものです。」
　というものであり、
　その備考欄には、
　「請求項１・・・引用文献：１・・・
　・・・先の拒絶理由にも示したとおり、引用文献１には・・・記載されており・・・示唆されている・・・ことから・・・当業者が自然に行うことであり、格別困難なことではない・・・また・・・最適化することも当業者が通常行っていることである・・・効果について検討しても・・・本願請求項１・・・に係る発明は・・・引用文献１・・・に記載された発明にもとづいて当業者が容易になし得た発明である・・・」
　ことが記載されている。
　してみると、原査定の拒絶の理由とは、本願の請求項１に係る発明すなわち本願発明は、先の引用文献１に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない、という理由を含む。
　そして、その「引用文献１」とは、上記原査定の備考欄の「引用文献等一覧」に「１．］として示された、「米国特許第６６８６５１０号明細書」である。
　
　以下、この理由について検討する。
　
　
第４　当審の判断
　当審は、本願発明は、原査定のとおり、その出願前に日本国内または外国において頒布された刊行物に記載された発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない、と判断する。
　その理由は以下のとおりである。
　
１　刊行物
米国特許第６６８６５１０号明細書（拒絶査定の引用文献１に同じ。以下、「刊行物１」という。）
　
２　刊行物１に記載された事項
　刊行物１は英語で記載されているので、以下の記載事項の摘記については、当審訳にて示す。
　
1a　第１欄第３４行〜第４２行
「本発明は、主としてイソブテン、ｎ−ブテン類、ブタン類及び１，３−ブタジエンを可変量で含有するＣ４炭化水素フラクションから、触媒蒸留によりイソブテンを分離することを含むプロセスを提案する。該触媒蒸留は、イソブテンから分離することのできない１−ブテンを２−ブテンに異性化する。そしてそのプロセスにより、該１，３−ブタジエン及び該ｎ−ブテン類から、例えば重合用原料となる、プロピレンを得ることができる。」
　
1b　第３欄第３５行〜６４行
「第２ステージは、塔での分離を目的とする。塔では、ｎ−ブテン類（つまり、ステージ１の後でも２−ブテンに残留する１−ブテン）の水素異性化が行われ、その結果、ステージ１の後で得られたＣ４フラクションが、塔頂からの、主としてイソブテンを含有するフラクションと、塔底からの、少量の１−ブテン、２−ブテン及びｎ−ブタンを含有するフラクションとして、分離される。このようにして濃縮されたイソブテンには多様な用途がある。２−ブテンのフラクションはメタセシスステージに送られる。
　ｎ−ブテン類の水素異性化反応を行う上記の塔は、内側にまたは外側に、一つまたは複数の、ステージ１で使われたのと同じのタイプの触媒フィードストックを有する。本発明のプロセスで用いられる、ｎ−ブテン類を水素異性化するための塔は、どのようなタイプのものでもよい。望ましくは、触媒を有する少なくとも１つのゾーンが配置される。１つまたは複数の触媒ゾーンを構成する触媒の機械的配置に際しては、その触媒ゾーンを挟んで存在する２つの分離ゾーン間の蒸気や液体の流通を邪魔する程度を可能なかぎり小さいものとするのがよい。触媒は、例えば、多孔板や格子の上に簿層として設けたものであったり、袋に入れて吊したものであったり、又は袋に入れてその袋を支持板上に載せたものであったりなど、それ自体の機械的挙動を保証するものであればいずれでもよく、また、当業者に公知の他のいかなる手法で配置されていてもよい。あるいは、触媒は、塔内に配置し、液相の上向きフローのみが通過するようにしてもよい。触媒はまた、触媒充填の形で配置されるなど、既知の他の導入法であってもよい。触媒ゾーンを挟み込む分離ゾーンは棚段でも充填でもよい。」
　
1c　第５欄第１９行〜第４６行
「本発明はまた、上記したようなプロセスを実行するために使用される装置（Fig.1に図示する）に関係するものである。
　それは、以下のように構成されている。
　ゾーン１は、選択的水素化及び１−ブテンを２−ブテンに異性化するための構成。少なくとも１つの手段１で変換される予定のフラクションを導入し、少なくとも１つの手段３で流出物を導出し、少なくとも１つの手段２で水素を導入する。本ゾーンは少なくとも１つの触媒床を有する。その触媒は、好適には、ニッケル、パラジウム及びプラチナからなる群から選ばれる少なくとも１つの金属が、基質上に担持されたものである。
　ゾーン２は、分離するための構成。塔はｎ−ブテン類（ステージ１の後でも２−ブテンに残存する１−ブテン）を水素異性化するものであり、少なくとも１つの手段３でゾーン１からの流出物を導入し、少なくとも１つの手段５でイソブテンを導出し、少なくとも１つの手段４で２−ブテン及びｎ−ブタンを導出する。
　ゾーン３は、メタセシスするための構成で、少なくとも１つの触媒、好ましくは酸化レニウム塩基が基質に担持されたもの、を有する。少なくとも１つの手段６でゾーン２からの流出物を導入し、少なくとも１つの手段７でエチレンを導入し、少なくとも１つの手段８でプロピレンを導出する。」
　
1d　第６欄第１６行〜２６行
「第２ステージでは、水素異性化されたＣ４フラクションが、ｎ−ブテン類（ステージ１の後でも２−ブテンに残留する１−ブテン）の水素異性化を行う塔において分離される。この塔は１３０段で、フィードは９０段で導入される。第１ステージで使われたのと同じ触媒が搭載された３連結リアクターは、段数１０−１１、２５−２６及び３９−４０の位置で、入口及び出口が塔に直結される。還流速度及び温度は、塔頂部でほぼ純粋なイソブテン流が得られるように調整された。」
　
1e　第７欄〜第１０欄
「表２
［表２の読み方］
N°de flux＝フロー番号
Charge C4＝Ｃ４フィードストック
Charge Hydro-Isomerization＝水素異性化フィードストック
・・・
Tete colonne catalytique Isobutene＝イソブテン触媒塔の塔頂
Pied colonne catalytique Isobutene＝イソブテン触媒塔の塔底
・・・」
　
1f　第９欄特許請求の範囲
「１．オレフィンＣ４フラクションを、高純度のイソブテン及びプロピレンに変換するプロセスであって、該フラクションはジオレフィン類、１−ブテン、２−ブテン、イソブテン及びアセチレン系不純物を含み、そして該プロセスは以下の一連のステージを含むもの
　（１）オレフィンＣ４フラクションに対して触媒存在下で選択的水素化を行ってジオレフィン類及びアセチレン系不純物を水素化するとともに１−ブテンを２−ブテンに異性化し、熱力学平衡に基づく構成比率でのｎ−ブテン類と、イソブテンを含み、実際上ジオレフィン類やアセチレン系物質は含まない、水素化流出物を得るステージ；
　（２）ステージ（１）からの流出物を蒸留分離してイソブテンを含む塔頂フラクションと、２−ブテン及びブタンを含む塔底フラクションを得るステージ；
　（３）ステージ（２）からの塔底フラクションを、触媒存在下で、エチレンと共にメタセシスして、プロピレンを含有するメタセシス流出物を得るステージ；
及び
　（４）メタセシス流出物からプロピレンを分離するステージ；
ここで、ステージ（２）は蒸留塔で行われ、その蒸留塔は、ステージ（１）で異性化されずに残った１−ブテンの２−ブテンへの水素異性化をも行うものであり、実質的に純粋なイソブテンを塔頂フラクションとして供給する
２．・・・
１９．請求項１のプロセスにおいて、ステージ（２）で同時に行われる１−ブテンの水素異性化が、触媒たるアルミナ担持パラジウム及び硫黄の存在下で行われるもの
２０．・・・」
　
1g　図１
「
」
　
３　刊行物１に記載された発明
　刊行物１の摘記1fには、請求項１９として、請求項１に記載のオレフィンＣ４フラクションに対する、「ステージ（１）」での触媒存在下での選択的水素化及び異性化、及び「ステージ（２）」での蒸留分離、を含むプロセスにおいて、ステージ（２）がさらに、触媒存在下での水素異性化を行うものであることが記載されている。
　上記ステージ（１）に導入する「オレフィンＣ４フラクション」は、「イソブテン、ｎ−ブテン類、ブタン類及び１，３−ブタジエンを可変量で含有するＣ４炭化水素フラクション」（摘記1a）である。
　上記ステージ（１）に「オレフィンＣ４フラクション」を導入するに際しては、Fig.1（摘記1g）において「１」の流れに「２」の流れが合流したものを装置「
１
１
１
　上記ステージ（２）は、イソブテンと２−ブテンとの蒸留分離とともに、１−ブテンの水素異性化を、塔で行うものであり（摘記1d）、それは「触媒蒸留」（摘記1a）として記載されているので、ステージ（２）は「触媒蒸留塔」で行われることが記載されているといえる。
　上記ステージ（２）の「１−ブテンの水素異性化」（摘記1d）は、「ステージ１の後でも２−ブテンに残留する１−ブテン」の水素異性化（摘記1b）であり、それにより２−ブテンを得るものであることは明らかである。
　また、ステージ（２）の「イソブテンを含む塔頂フラクション」の内容として、具体例を参照すると、イソブテン及びイソブタンを含んでいる（摘記1e、フロー＃５）。
　
　そうすると、刊行物１には、
　「ジオレフィン類、１−ブテン、２−ブテン、イソブテン及びアセチレン系不純物を含むオレフィンＣ４フラクションについて、以下の一連のステージを行うプロセスであって、
　前記オレフィンＣ４フラクション及び水素を混合した流れを生成したのち、
　（１）上記オレフィンＣ４フラクション及び水素を混合した流れに対して、触媒存在下で選択的水素化を行ってジオレフィン類及びアセチレン系不純物を水素化するとともに１−ブテンを２−ブテンに異性化し、熱力学平衡に基づく構成比率でのｎ−ブテン類と、イソブテンを含み、実際上ジオレフィン類やアセチレン系物質は含まない、水素化流出物を得るステージ；
　（２）触媒蒸留塔にて、ステージ（１）からの流出物を蒸留分離してイソブタン及びイソブテンを含む塔頂フラクションと２−ブテン及びブタンを含む塔底フラクションとを得るステージであって、同時に、ステージ１の後でも残留する１−ブテンの水素異性化による２−ブテンの生成が、触媒たるアルミナ担持パラジウム及び硫黄の存在下で行われるステージ；」
の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されているといえる。
　　
４　対比
　本願発明と引用発明とを対比する。
　引用発明の「ジオレフィン類、１−ブテン、２−ブテン、イソブテン及びアセチレン系不純物を含むオレフィンＣ４フラクション」は、本願発明の「１−ブテンおよび２−ブテンを含むＣ４ストリーム」に相当する。
　引用発明のプロセスは、第１のステージにおいて１−ブテンを２−ブテンに水素異性化したうえで、第２のステージにおいて、することを含んでいるので、本願発明の「２−ブテンへの好ましい転化率を得るためのプロセス」であるといえる。
　引用発明の「オレフィンＣ４フラクション及び水素を混合した流れを生成」することは、本願発明の「Ｃ４ストリームを第一の水素ストリームと混合して、フィードストリームを形成させる工程」に相当する。
　引用発明の第１のステージは、「オレフィンＣ４フラクション及び水素を混合した流れに対して、触媒存在下で」「１−ブテンを２−ブテンに異性化し、熱力学平衡に基づく構成比率でのｎ−ブテン類」を含む「水素化流出物を得る」工程を含むものであるので、この第１のステージは、本願発明の「第一の水素異性化触媒の存在下に、前記フィードストリームを水素異性化させて、前記１−ブテンの少なくとも一部を２−ブテンに転化させ、水素異性化流出物を生成させる工程」に相当する。
　引用発明の第２のステージの「触媒蒸留塔」は、「塔」であるので上端及び下端を有することは明らかである。そうすると、引用発明の第２のステージは、「触媒蒸留塔にて、ステージ（１）からの流出物を蒸留分離して」「イソブタン及びイソブテンを含む塔頂フラクションと２−ブテン」「を含む塔底フラクション」を得る工程を含むものであるので、この第２のステージは、本願発明の「上端及び下端を有する触媒蒸留塔内で前記水素異性化流出物を分離させて、前記上端における１−ブテン混合物、イソブタンおよびイソブチレンを含む塔頂流出物ストリーム、ならびに２−ブテンを含む塔底ストリームを得る工程」に該塔する工程を有する。
　また、引用発明の第２のステージで同時に行われる「１−ブテンの水素異性化による２−ブテンの生成」で生成された「２−ブテン」は、触媒蒸留塔の「塔底ストリーム」に、１−ブテン由来の２−ブテンをさらに増やすことになる。そうすると、引用発明の第２のステージにおいて同時に行われる「１−ブテンの水素異性化による２−ブテンの生成が、触媒」の「存在下で行われるステージ」は、本願発明の「１−ブテン混合物を、第二の水素異性化触媒を使用して水素異性化させて、前記塔底ストリームの中にさらなる２−ブテンを得る工程」に相当する。
　
　そうすると、両者は、
「１−ブテンおよび２−ブテンを含むＣ４ストリームの２−ブテンへの好ましい転化率を得るためのプロセスであって、
　前記Ｃ４ストリームを第一の水素ストリームと混合して、フィードストリームを形成させる工程と、
　第一の水素異性化触媒の存在下に、前記フィードストリームを水素異性化させて、前記１−ブテンの少なくとも一部を２−ブテンに転化させ、水素異性化流出物を生成させる工程と、
　上端及び下端を有する触媒蒸留塔内で前記水素異性化流出物を分離させて、イソブタンおよびイソブチレンを含む塔頂流出物ストリーム、ならびに２−ブテンを含む塔底ストリームを得る工程と、
　前記触媒蒸留塔の１−ブテン混合物を、第二の水素異性化触媒を使用して水素異性化させて、前記塔底ストリームの中にさらなる２−ブテンを得る工程と、
　を含む、プロセス。」
である点において一致し、以下の点で相違している。
　
（相違点）本願発明は、触媒蒸留塔内で水素異性化流出物を分離させて「上端における１−ブテン混合物」を得たうえで、「第二の水素異性化触媒は、反応を分離とともに行うための触媒蒸留構造物の中に配置され、第二の水素異性化触媒を使用する前記水素異性化の工程を排除したとすると１−ブテン濃度が最大になるような前記触媒蒸留塔の上端付近に単一の反応段として配置される」ことを規定するのに対し、引用発明はそのようなことを規定していない点
　
５　判断
（１）相違点について
　引用発明の第２のステージでの水素異性化に関して、刊行物１の記載を検討する。
　第２のステージでの水素異性化は、「ｎ−ブテン類（つまり、ステージ１の後でも２−ブテンに残留する１−ブテン）の水素異性化」を目的としたものであり、そのような残留１−ブテンの水素異性化により得た２−ブテンは、「塔底から」「分離」される「フラクション」となる（摘記1b）。
　そのための触媒の配置としては、摘記1bにおいて、塔の「内側にまたは外側に、一つまたは複数」あってよいこと、「望ましくは触媒を有する少なくとも１つのゾーンが配置される」こと、「１つまたは複数の触媒ゾーンを構成する触媒の機械的配置については」と記載されていることなどから、刊行物１には、上記水素異性化のための触媒が、塔の内部に、一つの触媒ゾーンとして、配置し得ることを示唆する記載があるといえる。
　刊行物１にはさらに、その「触媒ゾーン」の触媒の形態について、「多孔板や格子の上に簿層として設けたもの」であったり「袋に入れてその袋を支持板上に載せたもの」であってよいことなどが例示され、「触媒充填の形」とは区別して記載されている。
　加えて、その「触媒ゾーン」は、「触媒ゾーンを挟んで存在する２つの分離ゾーン間の蒸気や液体の流通を邪魔する程度を可能なかぎり小さいものとするのがよい」という設計思想からみて、２つの分離ゾーンの間の蒸気や液体の流路中に存在するものと認める。
　また、その分離ゾーンは「棚段でも充填でもよい」とされていることから、分離ゾーンとして「棚段」式を含むものである。
　そうすると、刊行物１には、引用発明の水素異性化のための触媒が、触媒蒸留塔の内部の、２つの棚段式の分離ゾーン間の、蒸気や液体の流路中に、１つの触媒ゾーンとして存在し、それは「多孔板や格子の上に簿層として設けたもの」であったり「袋に入れてその袋を支持板上に載せたもの」として、配置し得ることについて、示唆があるといえる。このような触媒ゾーンは、本願発明でいう「反応を分離とともに行うための触媒蒸留構造物の中に配置された反応段」として設置されることを含むことは当業者に明らかである。
　してみると、引用発明の触媒を、「反応を分離とともに行うための触媒蒸留構造物の中に配置された反応段」として設置することは、刊行物１の記載を参照した当業者であれば容易になし得たものである。
　反応段の数は必要に応じて調整するのが通常であり、「単一の反応段」として配置することは当業者であれば適宜なし得る事項である。
　反応段の触媒蒸留塔内の位置については、反応に好適な箇所に設置するのが通常であるから、反応原料たる１−ブテンの濃度の高いであろう位置に設置することは、当業者であれば当然に考える事項である。そして、刊行物１の具体例（摘記1d）を参照すると、「１３０段」の塔において、「９０段」でフィードされ、１−ブテンから２−ブテンへの水素異性化を行いつつ、塔頂からはイソブテンを含む流出物、塔底からは２−ブタンを含む流出物を得ようとしているときに、水素異性化触媒を搭載した３連結リアクターは「段数１０−１１、２５−２６及び３９−４０の位置」に配置されている。これは、全「１３０段」の上端付近での配置を含むものである。
　以上より、触媒蒸留塔内で「上端」付近に「１−ブテン混合物」が存在すること、及び、水素異性化触媒を有する反応段を、「水素異性化の工程を排除したとすると１−ブテン濃度が最大になるような」「触媒蒸留等の上端付近」に配置することは、当業者であれば適宜なし得る事項である。
　以上のとおりであるから、引用発明において、触媒蒸留塔内で水素異性化流出物を分離させて「上端における１−ブテン混合物」を得ること、及び「第二の水素異性化触媒は、反応を分離とともに行うための触媒蒸留構造物の中に配置され、第二の水素異性化触媒を使用する前記水素異性化の工程を排除したとすると１−ブテン濃度が最大になるような前記触媒蒸留塔の上端付近に単一の反応段として配置される」ようにすることは、当業者であれば容易になし得たものである。
　
（２）効果について
　本願発明の効果は、本願明細書に「デイソブチレナイザーの中で単一の触媒段を使用することによって、固定床だけでその後に慣用されるＤｅＩＢ塔がある場合よりもｎ−ブテンの回収率が高くなる」（段落0072）こととして記載される。これは、「デイソブチレナイザーの中で単一の触媒段を使用する」実施例２Ａ、２Ｂ（固定床及びＤｅＩＢ塔の単一段に触媒あり）と、「固定床だけでその後に慣用されるＤｅＩＢ塔がある場合」の比較例２（固定床のみに触媒あり、ＤｅＩＢ塔での触媒不存在）とを対比した結果であり、固定床での水素異性化後にＤｅＩＢ塔でも水素異性化を行うことで、「ｎ−ブテンの回収率」すなわち塔底フラクションとしての１−ブテン及び２−ブテンの合計量が向上するという結果に基づくものである。なお、本願明細書で他に示される具体例である比較実施例１（比較例）は、先行する固定床での水素異性化はなくＤｅＩＢ塔でのみ水素異性化を行ったものである。
　これに対して、引用発明は、固定床での水素異性化後に、依然として残存する１−ブテンについて脱イソブチレン機能を含む触媒蒸留塔で２−ブテンへの水素異性化を行っていることから、触媒蒸留塔に触媒が存在しない場合と比して、塔底フラクションとして回収される２−ブテン量を向上させることを目的とし達成できたものであることは明らかである。
　してみると、本願発明の効果は、引用発明から予測可能な事項であって格別ではない。
　
５　まとめ
　よって、本願発明は、刊行物１に記載された発明に基いて当業者が容易に想到し得たものである。
　
６　請求人の主張について
　審判請求書（９頁）において、請求人は、「引用文献１」（刊行物１）について、『引用文献１は、「１つ以上の反応ゾーン」を開示し（引用文献１の第３欄第４５〜６７行参照）、「１つの反応ゾーン」とは、蒸留カラム反応器の全体的に上部における「複数の反応段」を意味します。引用文献１における「複数の反応ゾーン」の開示は、無限の範囲を意味し、あるいは、所望の結果を達成するために可能な無限の数の反応ゾーンを意味します』との認識を示す。
　しかし、刊行物１にはその「１つの反応ゾーン」が「複数の反応段」を意
味するとは定義されておらず、請求人の上記箇所の主張は、根拠を欠くものである。
　審判請求書（１０頁）において請求人はさらに、『１−ブテンを２−ブテンに転化する反応の平衡において、２−ブテンの生成が強く優先されます。当業者であれば、２−ブテンを分離するために必要な分留エネルギを減少するために、触媒を分留塔の底部付近に配置することを優先すると思われます。分留塔の頂部において２−ブテンを分離するために必要な分留エネルギを減少することによって、さらなる２−ブテンが塔底ストリームにおいて回収されると考えると思われます』と主張する。
　確かに、分留エネルギーに着目した場合には、触媒段についてそのような配置があり得るかもしれない。しかし、上記４（１）で指摘したように、刊行物１の具体例（摘記1d）は、Ｃ４フラクションを原料とし、最初に水素異性化を行った後のフラクションを、さらに触媒蒸留に付して塔底から２−ブテンを回収する場合において、触媒蒸留塔における水素異性化触媒は、触媒蒸留塔の全１３０段のうち、段数１０−１１、２５−２６及び３９−４０の位置の蒸気や液相と接触するように配置されており、これは、塔頂部付近を含む塔の上部での配置といえる。そうすると、刊行物１を参照した当業者は、Ｃ４フラクションを原料とし、最初に水素異性化を行った後のフラクションを、さらに触媒蒸留に付して塔底から２−ブテンを回収する場合の、触媒蒸留塔における水素異性化触媒の配置箇所は、分留塔の頂部付近と考えるのが通常であり、「触媒を分留塔の底部付近に配置することを優先する」とまではいえない。
　よって、請求人の主張は、結論を左右しない。
　
　
第６　むすび
　以上のとおり、本願発明は特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、その余の発明について検討するまでもなく、本願は拒絶をすべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。