【事件の表示】
　特許第６３６２３８５号発明「基板の製造方法および研磨用組成物」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第６３６２３８５号の明細書及び特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正明細書及び特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１、４〕、〔２、５〕、〔３、６〕について訂正することを認める。
　特許第６３６２３８５号の請求項１〜６に係る特許を維持する。
【理　由】
第１　手続の経緯
　特許第６３６２３８５号（以下、「本件特許」という。）の請求項１〜４に係る特許についての出願は、平成２６年４月４日の出願であって、平成３０年７月６日にその特許権の設定登録（特許公報発行日　平成３０年７月２５日）がされ、平成３１年１月１５日に特許異議申立人相見彩により請求項１〜４に対して特許異議の申立てがされたものである。
　そして、その後の経緯は次のとおりである。
　平成３１年　４月　８日付け　取消理由通知
　令和　元年　６月１０日　　　訂正請求書、意見書の提出（特許権者）
　　　　同年　８月　５日　　　意見書の提出（特許異議申立人）
　　　　同年　８月２０日付け　取消理由通知（決定の予告）
　　　　同年１０月２８日　　　訂正請求書、意見書の提出（特許権者）
　　　　同年１２月　４日　　　意見書の提出（特許異議申立人）
第２　訂正の適否についての判断
１　請求の趣旨、訂正の内容
（１）請求の趣旨
　令和元年１０月２８日に特許権者により行われた、願書に添付した明細書及び特許請求の範囲の訂正（以下、「本件訂正」という。）の請求の趣旨は、特許第６３６２３８５号の明細書、特許請求の範囲を、本訂正請求書（以下、「本件訂正請求書」という。）に添付した訂正明細書、特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項１〜６について訂正することを求める、というものである。
（２）訂正の内容
　本件訂正の内容は、以下ア〜ニのとおりである。
ア　訂正事項１
　特許請求の範囲の請求項１に「研磨パッドをパッドドレッシングする工程（ａ）」と記載されているのを、「
ポリウレタン製でスウェードタイプのノンバフパッドである
、該研磨パッドが研磨装置に装着された状態で
イ　訂正事項２
　特許請求の範囲の請求項１に「前記パッドドレッシングされた研磨パッドおよび研磨液を用いてダミー研磨する工程（ｂ）」と記載されているのを、「前記パッドドレッシングされた研磨パッド
、
、コロイダルシリカ砥粒を含む
ウ　訂正事項３
　特許請求の範囲の請求項１に「研磨対象基板を研磨する工程（ｃ）と；を含み、」と記載されているのを、「研磨対象基板を研磨する工程（ｃ）と；を含
む、基材ディスクの表面にニッケルリンめっき層を有する磁気ディスク基板の製造方法であって、
エ　訂正事項４
　特許請求の範囲の請求項１に「前記研磨液は、コロイダルシリカ砥粒とパッド表面調整剤とを含む」と記載されているのを、「前記研磨液は
、ポリアルキルアリールスルホン酸系化合物、メラミンホルマリン樹脂スルホン酸系化合物、リグニンスルホン酸系化合物、芳香族アミノスルホン酸系化合物、ポリイソプレンスルホン酸およびその塩、ポリビニルスルホン酸およびその塩、ポリアリルスルホン酸およびその塩、ならびに、ポリイソアミレンスルホン酸およびその塩から選択される
を
オ　訂正事項５
　特許請求の範囲の請求項２に「前記工程（ｃ）において前記工程（ｂ）の研磨液を用いる、請求項１に記載の製造方法。」と記載されているのを、「
ポリウレタン製でスウェードタイプのノンバフパッドである研磨パッドを、該研磨パッドが研磨装置に装着された状態でパッドドレッシングする工程（ａ）と、ここで該パッドドレッシングは、該研磨パッドの発泡部分（ポア）が２μｍ以上の平均開口径で表面に現れるまで削りとるように行われる工程である；前記パッドドレッシングされた研磨パッド、および、コロイダルシリカ砥粒を含む研磨液を用いてダミー研磨を行い、前記パッドドレッシング後の該研磨パッド表面に存在する毛羽立った部分を除去する工程（ｂ）と；研磨対象基板を研磨する工程（ｃ）と；を含む、基材ディスクの表面にニッケルリンめっき層を有する磁気ディスク基板の製造方法であって、前記研磨液は、ポリアルキルアリールスルホン酸系化合物、メラミンホルマリン樹脂スルホン酸系化合物、リグニンスルホン酸系化合物、芳香族アミノスルホン酸系化合物、ポリイソプレンスルホン酸およびその塩、ポリビニルスルホン酸およびその塩、ポリアリルスルホン酸およびその塩、ならびに、ポリイソアミレンスルホン酸およびその塩から選択されるパッド表面調整剤を含み、
、基板
カ　訂正事項６
　特許請求の範囲の請求項３に「前記基板は磁気ディスク基板である、請求項１または２に記載の製造方法。」と記載されているのを、「
ポリウレタン製でスウェードタイプのノンバフパッドである研磨パッドを、該研磨パッドが研磨装置に装着された状態でパッドドレッシングする工程（ａ）と、ここで該パッドドレッシング後の該研磨パッドの表面には、平坦に削りとられることによって、気泡が開口してできたポアが多数存在し、毛羽立った部分が存在している；前記パッドドレッシングされた研磨パッド、および、コロイダルシリカ砥粒を含む研磨液を用いてダミー研磨を行い、前記毛羽立った部分を除去する工程（ｂ）と；研磨対象基板を研磨する工程（ｃ）と；を含む、基材ディスクの表面にニッケルリンめっき層を有する
の製造方法であって、前記研磨液は、ポリアルキルアリールスルホン酸系化合物、メラミンホルマリン樹脂スルホン酸系化合物、リグニンスルホン酸系化合物、芳香族アミノスルホン酸系化合物、ポリイソプレンスルホン酸およびその塩、ポリビニルスルホン酸およびその塩、ポリアリルスルホン酸およびその塩、ならびに、ポリイソアミレンスルホン酸およびその塩から選択されるパッド表面調整剤を含む、基板の
キ　訂正事項７
　特許請求の範囲の請求項４に「コロイダルシリカ砥粒と、パッド表面調整剤と、を含む」と記載されているのを、「コロイダルシリカ砥粒と、パッド表面調整剤と、を含
み、前記パッド表面調整剤は、ポリアルキルアリールスルホン酸系化合物、メラミンホルマリン樹脂スルホン酸系化合物、リグニンスルホン酸系化合物、芳香族アミノスルホン酸系化合物、ポリイソプレンスルホン酸およびその塩、ポリビニルスルホン酸およびその塩、ポリアリルスルホン酸およびその塩、ならびに、ポリイソアミレンスルホン酸およびその塩から選択される
ク　訂正事項８
　特許請求の範囲の請求項４に「請求項１〜３のいずれか一項に記載の製造方法」と記載されているのを、「請求項
１
ケ　訂正事項９
　特許請求の範囲に、「請求項
２
み、前記パッド表面調整剤は、ポリアルキルアリールスルホン酸系化合物、メラミンホルマリン樹脂スルホン酸系化合物、リグニンスルホン酸系化合物、芳香族アミノスルホン酸系化合物、ポリイソプレンスルホン酸およびその塩、ポリビニルスルホン酸およびその塩、ポリアリルスルホン酸およびその塩、ならびに、ポリイソアミレンスルホン酸およびその塩から選択される
コ　訂正事項１０
　特許請求の範囲に、「請求項
３
み、前記パッド表面調整剤は、ポリアルキルアリールスルホン酸系化合物、メラミンホルマリン樹脂スルホン酸系化合物、リグニンスルホン酸系化合物、芳香族アミノスルホン酸系化合物、ポリイソプレンスルホン酸およびその塩、ポリビニルスルホン酸およびその塩、ポリアリルスルホン酸およびその塩、ならびに、ポリイソアミレンスルホン酸およびその塩から選択される
サ　訂正事項１１
　発明の名称に「基板の製造方法および研磨用組成物」と記載されているのを、「
基材ディスクの表面にニッケルリンめっき層を有する磁気ディスク
シ　訂正事項１２
　明細書の【０００１】【０００５】にそれぞれ「基板」と記載されているのを、「
基材ディスクの表面にニッケルリンめっき層を有する磁気ディスク
ス　訂正事項１３
　明細書の【０００６】に「本発明によると、基板の製造方法が提供される。この方法は、研磨パッドをパッドドレッシングする工程（ａ）と；前記パッドドレッシングされた研磨パッドおよび研磨液を用いてダミー研磨する工程（ｂ）と；研磨対象基板を研磨する工程（ｃ）と；を含む。そして、前記研磨液は、コロイダルシリカ砥粒とパッド表面調整剤とを含む。」と記載されているのを、「本発明によると、
基材ディスクの表面にニッケルリンめっき層を有する磁気ディスク
ここに開示される技術は、微小うねりの低減がより強く求められている磁気ディスク基板の製造方法に適用される。
ポリウレタン製でスウェードタイプのノンバフパッドである
、該研磨パッドが研磨装置に装着された状態で
、
、コロイダルシリカ砥粒を含む
む、基材ディスクの表面にニッケルリンめっき層を有する磁気ディスク基板の製造方法である。
、ポリアルキルアリールスルホン酸系化合物、メラミンホルマリン樹脂スルホン酸系化合物、リグニンスルホン酸系化合物、芳香族アミノスルホン酸系化合物、ポリイソプレンスルホン酸およびその塩、ポリビニルスルホン酸およびその塩、ポリアリルスルホン酸およびその塩、ならびに、ポリイソアミレンスルホン酸およびその塩から選択される
を
セ　訂正事項１４
　明細書の【０００７】に「ここに開示される技術の好ましい一態様では、前記工程（ｃ）において前記工程（ｂ）の研磨液を用いる。」と記載されているのを、「ここに開示される技術の好ましい一態様では、
基材ディスクの表面にニッケルリンめっき層を有する磁気ディスク基板の製造方法は、ポリウレタン製でスウェードタイプのノンバフパッドである研磨パッドを、該研磨パッドが研磨装置に装着された状態でパッドドレッシングする工程（ａ）と、ここで該パッドドレッシングは、該研磨パッドの発泡部分（ポア）が２μｍ以上の平均開口径で表面に現れるまで削りとるように行われる工程である；前記パッドドレッシングされた研磨パッド、および、コロイダルシリカ砥粒を含む研磨液を用いてダミー研磨を行い、前記パッドドレッシング後の該研磨パッド表面に存在する毛羽立った部分を除去する工程（ｂ）と；研磨対象基板を研磨する工程（ｃ）と；を含む。また、前記研磨液は、ポリアルキルアリールスルホン酸系化合物、メラミンホルマリン樹脂スルホン酸系化合物、リグニンスルホン酸系化合物、芳香族アミノスルホン酸系化合物、ポリイソプレンスルホン酸およびその塩、ポリビニルスルホン酸およびその塩、ポリアリルスルホン酸およびその塩、ならびに、ポリイソアミレンスルホン酸およびその塩から選択されるパッド表面調整剤を含む。そして、
ソ　訂正事項１５
　明細書の【０００８】に「ここに開示される技術は、微小うねりの低減がより強く求められている磁気ディスク基板の製造方法に好ましく適用される。したがって、上記基板は磁気ディスク基板であることが好ましい。」と記載されているのを、「ここに開示される技術は、
ポリウレタン製でスウェードタイプのノンバフパッドである研磨パッドを、該研磨パッドが研磨装置に装着された状態でパッドドレッシングする工程（ａ）と、ここで該パッドドレッシング後の該研磨パッドの表面には、平坦に削りとられることによって、気泡が開口してできたポアが多数存在し、毛羽立った部分が存在している；前記パッドドレッシングされた研磨パッド、および、コロイダルシリカ砥粒を含む研磨液を用いてダミー研磨を行い、前記毛羽立った部分を除去する工程（ｂ）と；研磨対象基板を研磨する工程（ｃ）と；を含む、基材ディスクの表面にニッケルリンめっき層を有する
ここで、前記研磨液は、ポリアルキルアリールスルホン酸系化合物、メラミンホルマリン樹脂スルホン酸系化合物、リグニンスルホン酸系化合物、芳香族アミノスルホン酸系化合物、ポリイソプレンスルホン酸およびその塩、ポリビニルスルホン酸およびその塩、ポリアリルスルホン酸およびその塩、ならびに、ポリイソアミレンスルホン酸およびその塩から選択されるパッド表面調整剤を含む
タ　訂正事項１６
　明細書の【０００９】に「また、この明細書によると、研磨用組成物が提供される。この研磨用組成物は、ここに開示される基板の製造方法において前記工程（ｂ）の研磨液として用いられる。また、この組成物は、コロイダルシリカ砥粒と、パッド表面調整剤と、を含む。」と記載されているのを、「また、この明細書によると、研磨用組成物が提供される。この研磨用組成物は、
上記
そして、前記パッド表面調整剤は、ポリアルキルアリールスルホン酸系化合物、メラミンホルマリン樹脂スルホン酸系化合物、リグニンスルホン酸系化合物、芳香族アミノスルホン酸系化合物、ポリイソプレンスルホン酸およびその塩、ポリビニルスルホン酸およびその塩、ポリアリルスルホン酸およびその塩、ならびに、ポリイソアミレンスルホン酸およびその塩から選択される。
チ　訂正事項１７
　明細書の【００１１】に「＜基板の製造方法＞　ここに開示される技術は、基板を製造する方法を包含する。」と記載されているのを、「＜
磁気ディスク
基材ディスクの表面にニッケルリンめっき層を有する磁気ディスク
ツ　訂正事項１８
　明細書の【００１２】に「（基板）　ここに開示される研磨方法において、被研磨物となる基板は特に限定されない。例えば、磁気ディスク基板や、シリコンウエハ等の半導体基板のように、高精度な表面が要求される各種基板の製造に適用され得る。好ましい適用対象として、基材ディスクの表面にニッケルリンめっき層を有する磁気ディスク基板（Ｎｉ−Ｐ基板）が例示される。」と記載されているのを、「（
磁気ディスク
上記製造
磁気ディスク
、
である。
テ　訂正事項１９
　明細書の【００１３】に「ここに開示される方法に用いられる研磨パッドは、全体が発泡ポリウレタンにより構成されているパッド、発泡ポリウレタンの層が不織布等のパッド基材に支持されたパッド等のポリウレタン製研磨パッドであり得る。研磨パッドは、スウェードタイプのバフパッドであってもよいが、典型的には、表面をバフ加工していないノンバフ状態にある研磨パッド（いわゆるノンバフパッド）を用いることが好ましい。」と記載されているのを、「ここに開示される方法に用いられる研磨パッドは
、
たポ
、
。
ト　訂正事項２０
　明細書の【００１４】に「工程（ａ）において、上記研磨パッドはパッドドレッシング処理される。この工程（ａ）は、典型的には、該研磨パッドが研磨装置に装着された状態で行われる。」と記載されているのを、「工程（ａ）において、上記研磨パッドはパッドドレッシング処理される。この工程（ａ）は
、
ナ　訂正事項２１
　明細書の【００２０】を削除する。
ニ　訂正事項２２
　明細書の【００３４】に「パッド表面調整剤としては、研磨液中において上記の機能を発揮し得るものであればよく、その限りにおいて特に制限はない。パッド表面調整剤としては、例えばスルホン酸系化合物等の有機化合物から選択され得る。なお、ここでいうスルホン酸系化合物の概念には、スルホン酸系化合物およびその塩が包含される。具体的には、ナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、メチルナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、アントラセンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、ベンゼンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物等のポリアルキルアリールスルホン酸系化合物；メラミンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物等のメラミンホルマリン樹脂スルホン酸系化合物；リグニンスルホン酸、変成リグニンスルホン酸等のリグニンスルホン酸系化合物；アミノアリールスルホン酸−フェノール−ホルムアルデヒド縮合物等の芳香族アミノスルホン酸系化合物；その他、ポリイソプレンスルホン酸、ポリビニルスルホン酸、ポリアリルスルホン酸、ポリイソアミレンスルホン酸等のスルホン酸系化合物、その塩（例えばナトリウム塩、カリウム塩等のアルカリ金属塩）等から選択され得る。」と記載されているのを、「パッド表面調整剤
は
る。
、
；ポ
、および
から
る
２　請求項１〜請求項６に係る訂正について
（１）一群の請求項について
　訂正前の請求項２〜４は、それぞれ請求項１を引用し、請求項１の訂正に連動して訂正されるものであるから、訂正前の請求項１〜４は、特許法第１２０条の５第４項に規定する一群の請求項である。
　そして、訂正事項１〜２２は、一群の請求項１〜４についてされたものであるから、特許法第１２０条の５第４項及び同条第９項で準用する同法第１２６条第４項の規定に適合する。
（２）訂正の目的の適否、新規事項の追加の有無、特許請求の範囲の拡張・変更の存否、独立特許要件について
ア　訂正事項１について
（ア）訂正の目的の適否について
　訂正前の請求項１の「研磨パッドをパッドドレッシングする工程（ａ）」と記載されているのを、「
ポリウレタン製でスウェードタイプのノンバフパッドである
、該研磨パッドが研磨装置に装着された状態で
（イ）新規事項の追加の有無について
　訂正事項１により訂正された事項は、明細書の段落００１４、００６６に記載されている。
　よって、訂正事項１は、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第５項の規定に適合するものである。
（ウ）特許請求の範囲の拡張又は変更の存否について
　訂正事項１は、訂正前の請求項１に記載された発明のカテゴリーや対象、目的を変更するものではない。
　よって、訂正事項１は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当せず、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第６項の規定に適合するものである。
イ　訂正事項２、４について
（ア）訂正の目的の適否について
　訂正前の請求項１の「前記パッドドレッシングされた研磨パッドおよび研磨液を用いてダミー研磨する工程（ｂ）」及び「前記研磨液は、コロイダルシリカ砥粒とパッド表面調整剤とを含む」と記載されているのを、「前記パッドドレッシングされた研磨パッド
、
、コロイダルシリカ砥粒を含む
、ポリアルキルアリールスルホン酸系化合物、メラミンホルマリン樹脂スルホン酸系化合物、リグニンスルホン酸系化合物、芳香族アミノスルホン酸系化合物、ポリイソプレンスルホン酸およびその塩、ポリビニルスルホン酸およびその塩、ポリアリルスルホン酸およびその塩、ならびに、ポリイソアミレンスルホン酸およびその塩から選択される
を
（イ）新規事項の追加の有無について
　訂正事項２及び４により訂正された事項は、明細書の段落００３４に記載されている。
　よって、訂正事項２及び４は、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第５項の規定に適合するものである。
（ウ）特許請求の範囲の拡張又は変更の存否について
　訂正事項２及び４は、訂正前の請求項１に記載された発明のカテゴリーや対象、目的を変更するものではない。
　よって、訂正事項２及び４は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当せず、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第６項の規定に適合するものである。
ウ　訂正事項３について
（ア）訂正の目的の適否について
　訂正事項３は、訂正前の請求項１に係る発明である「基板の製造方法」における「基板」を、「
基材ディスクの表面にニッケルリンめっき層を有する磁気ディスク基板
（イ）新規事項の追加の有無について
　訂正事項３により訂正された事項は、明細書の段落００１２に記載されている。
　よって、訂正事項３は、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第５項の規定に適合するものである。
（ウ）特許請求の範囲の拡張又は変更の存否について
　訂正事項３は、訂正前の請求項１に記載された発明のカテゴリーや対象、目的を変更するものではない。
　よって、訂正事項３は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当せず、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第６項の規定に適合するものである。
エ　訂正事項５について
（ア）訂正の目的の適否について
　訂正事項５は、訂正前の請求項２の記載が訂正前の請求項１の記載を引用する記載であったものを、当該引用関係を解消し、独立形式請求項に改めるものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第４号に規定する「他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとすること」を目的とするものである。
　また、訂正事項５は、訂正前に引用していた訂正前の請求項１に「研磨パッドをパッドドレッシングする工程（ａ）と；前記パッドドレッシングされた研磨パッドおよび研磨液を用いてダミー研磨する工程（ｂ）と；研磨対象基板を研磨する工程（ｃ）と；を含み、前記研磨液は、コロイダルシリカ砥粒とパッド表面調整剤とを含む」と記載されていたのを、「
ポリウレタン製でスウェードタイプのノンバフパッドである
、該研磨パッドが研磨装置に装着された状態で
、ここで該パッドドレッシングは、該研磨パッドの発泡部分（ポア）が２μｍ以上の平均開口径で表面に現れるまで削りとるように行われる工程である
、
、コロイダルシリカ砥粒を含む
を行い、前記パッドドレッシング後の該研磨パッド表面に存在する毛羽立った部分を除去
む、基材ディスクの表面にニッケルリンめっき層を有する磁気ディスク基板の製造方法であって、
ポリアルキルアリールスルホン酸系化合物、メランホルマリン樹脂スルホン酸系化合物、リグニンスルホン酸系化合物、芳香族アミノスルホン酸系化合物、ポリイソプレンスルホン酸およびその塩、ポリビニルスルホン酸およびその塩、ポリアリルスルホン酸およびその塩、ならびに、ポリイソアミレンスルホン酸およびその塩から選択される
み
（イ）新規事項の追加の有無について
　訂正事項５により訂正された事項は、明細書の段落００１２、００１４、００１６、００３３、００３４、００６６に記載されている。
　よって、訂正事項５は、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第５項の規定に適合するものである。
（ウ）特許請求の範囲の拡張又は変更の存否について
　訂正事項５は、訂正前の請求項２に記載された発明のカテゴリーや対象、目的を変更するものではない。
　よって、訂正事項５は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当せず、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第６項の規定に適合するものである。
オ　訂正事項６について
（ア）訂正の目的の適否について
　訂正事項６は、訂正前の請求項２の記載が訂正前の請求項１の記載を引用する記載であったものを、当該引用関係を解消し、独立形式請求項に改めるものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第４号に規定する「他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとすること」を目的とするものである。
　また、訂正事項６は、訂正前に引用していた訂正前の請求項１に「研磨パッドをパッドドレッシングする工程（ａ）と；前記パッドドレッシングされた研磨パッドおよび研磨液を用いてダミー研磨する工程（ｂ）と；研磨対象基板を研磨する工程（ｃ）と；を含み、前記研磨液は、コロイダルシリカ砥粒とパッド表面調整剤とを含む」と記載され、かつ、訂正前の請求項３に「前記基板は磁気ディスク基板である」と記載されていたのを、「
ポリウレタン製でスウェードタイプのノンバフパッドである
、該研磨パッドが研磨装置に装着された状態で
、ここで該パッドドレッシング後の該研磨パッドの表面には、平坦に削りとられることによって、気泡が開口してできたポアが多数存在し、毛羽立った部分が存在している
、
、コロイダルシリカ砥粒を含む
を行い、前記毛羽立った部分を除去
む、基材ディスクの表面にニッケルリンめっき層を有する
の製造方法であって、
ポリアルキルアリールスルホン酸系化合物、メラミンホルマリン樹脂スルホン酸系化合物、リグニンスルホン酸系化合物、芳香族アミノスルホン酸系化合物、ポリイソプレンスルホン酸およびその塩、ポリビニルスルホン酸およびその塩、ポリアリルスルホン酸およびその塩、ならびに、ポリイソアミレンスルホン酸およびその塩から選択される
（イ）新規事項の追加の有無について
　訂正事項６により訂正された事項は、明細書の段落０００１２、００１４、００３３、００３４、００６６に記載されている。
　よって、訂正事項６は、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第５項の規定に適合するものである。
（ウ）特許請求の範囲の拡張又は変更の存否について
　訂正事項６は、訂正前の請求項３に記載された発明のカテゴリーや対象、目的を変更するものではない。
　よって、訂正事項６は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当せず、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第６項の規定に適合するものである。
カ　訂正事項７について
（ア）訂正の目的の適否について
　訂正前の請求項４に「コロイダルシリカ砥粒と、パッド表面調整剤と、を含む」と記載されているのを、「コロイダルシリカ砥粒と、パッド表面調整剤と、を含
み、前記パッド表面調整剤は、ポリアルキルアリールスルホン酸系化合物、メラミンホルマリン樹脂スルホン酸系化合物、リグニンスルホン酸系化合物、芳香族アミノスルホン酸系化合物、ポリイソプレンスルホン酸およびその塩、ポリビニルスルホン酸およびその塩、ポリアリルスルホン酸およびその塩、ならびに、ポリイソアミレンスルホン酸およびその塩から選択される
（イ）新規事項の追加の有無について
　訂正事項７により訂正された事項は、明細書の段落００３４に記載されている。
　よって、訂正事項７は、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第５項の規定に適合するものである。
（ウ）特許請求の範囲の拡張又は変更の存否について
　訂正事項７は、訂正前の請求項４に記載された発明のカテゴリーや対象、目的を変更するものではない。
　よって、訂正事項７は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当せず、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第６項の規定に適合するものである。
キ　訂正事項８について
（ア）訂正の目的の適否について
　訂正事項８は、訂正前の請求項４の記載が訂正前の請求項１〜３のいずれか一項の記載を引用する記載であったものを、請求項１のみの記載を引用するものとする訂正であるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
（イ）新規事項の追加の有無について
　訂正事項８は、上記（ア）のとおり何ら実質的な内容の変更をともなうものではないから、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第５項の規定に適合するものである。
（ウ）特許請求の範囲の拡張又は変更の存否について
　訂正事項８は、訂正前の請求項４に記載された発明のカテゴリーや対象、目的を変更するものではない。
　よって、訂正事項８は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当せず、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第６項の規定に適合するものである。
ク　訂正事項９、訂正事項１０について
（ア）訂正の目的の適否について
　訂正事項９及び１０は、訂正前の請求項４の記載が訂正前の請求項１〜３のいずれか一項の記載を引用する記載であったものを、一の請求項のみの記載を引用するものとする訂正であるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
（イ）新規事項の追加の有無について
　訂正事項９及び１０は、上記（ア）のとおり何ら実質的な内容の変更をともなうものではないから、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第５項の規定に適合するものである。
（ウ）特許請求の範囲の拡張又は変更の存否について
　訂正事項９及び１０は、訂正前の請求項４に記載された発明のカテゴリーや対象、目的を変更するものではない。
　よって、訂正事項９及び１０は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当せず、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第６項の規定に適合するものである。
ケ　訂正事項１１、１２、１７、１８について
（ア）訂正の目的の適否について
　訂正事項１１、１２、１７及び１８は、上記訂正事項３に係る訂正に伴い特許請求の範囲の記載と明細書の記載の整合を図るための訂正であるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第３号に規定する明瞭でない記載の釈明を目的とするものである。
（イ）新規事項の追加の有無について
　訂正事項１１、１２、１７及び１８により訂正された事項は、上記ウ（イ）と同じく、明細書の段落００１２に記載されている。
　よって、訂正事項１１、１２、１７及び１８は、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第５項の規定に適合するものである。
（ウ）特許請求の範囲の拡張又は変更の存否について
　訂正事項１１、１２、１７及び１８は、上記ウ（ウ）と同じく、訂正前の請求項１に記載された発明のカテゴリーや対象、目的を変更するものではない。
　よって、訂正事項１１、１２、１７及び１８は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当せず、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第６項の規定に適合するものである。
コ　訂正事項１３〜１６について
（ア）訂正の目的の適否について
　訂正事項１３〜１６は、上記訂正事項１〜７に係る訂正に伴い特許請求の範囲の記載と明細書の記載の整合を図るための訂正であるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第３号に規定する明瞭でない記載の釈明を目的とするものである。
（イ）新規事項の追加の有無について
　訂正事項１３〜１６により訂正された事項は、上記ア〜カの各（イ）と同じく、明細書の段落００１２、００１４、００１６、００３３、００３４、００６６に記載されている。
　よって、訂正事項１３〜１６は、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第５項の規定に適合するものである。
（ウ）特許請求の範囲の拡張又は変更の存否について
　訂正事項１３〜１６は、上記ア〜カの各（ウ）と同じく、訂正前の請求項１〜３に記載された発明のカテゴリーや対象、目的を変更するものではない。
　よって、訂正事項１３〜１６は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当せず、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第６項の規定に適合するものである。
サ　訂正事項１９〜２１について
（ア）訂正の目的の適否について
　訂正事項１９〜２１は、上記訂正事項１に係る訂正に伴い特許請求の範囲の記載と明細書の記載の整合を図るための訂正であるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第３号に規定する明瞭でない記載の釈明を目的とするものである。
（イ）新規事項の追加の有無について
　訂正事項１９〜２１により訂正された事項は、上記ア（イ）と同じく、明細書の段落００１４、００６６に記載されている。
　よって、訂正事項１９〜２１は、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第５項の規定に適合するものである。
（ウ）特許請求の範囲の拡張又は変更の存否について
　訂正事項１９〜２１は、上記ア（ウ）と同じく、訂正前の請求項１に記載された発明のカテゴリーや対象、目的を変更するものではない。
　よって、訂正事項１９〜２１は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当せず、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第６項の規定に適合するものである。
シ　訂正事項２２について
（ア）訂正の目的の適否について
　訂正事項２２は、上記訂正事項４に係る訂正に伴い特許請求の範囲の記載と明細書の記載の整合を図るための訂正であるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第３号に規定する明瞭でない記載の釈明を目的とするものである。
（イ）新規事項の追加の有無について
　訂正事項２２により訂正された事項は、上記イ（イ）と同じく、明細書の段落００３４に記載されている。
　よって、訂正事項２２は、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第５項の規定に適合するものである。
（ウ）特許請求の範囲の拡張又は変更の存否について
　訂正事項２２は、上記イ（ウ）と同じく、訂正前の請求項１に記載された発明のカテゴリーや対象、目的を変更するものではない。
　よって、訂正事項２２は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当せず、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第６項の規定に適合するものである。
ス　独立特許要件について
　本件特許異議申立事件においては、全ての請求項について特許異議の申立てがされているから、訂正事項１〜２２に関して、特許法第１２０条の５第９項で読み替えて準用する特許法第１２６条第７項の独立特許要件は課されない。
３　小括
　上記２のとおり、訂正事項１〜２２に係る訂正は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号、第３号及び第４号に規定する事項を目的とするものであり、かつ、同条第４項並びに同条第９項で準用する同法第１２６条第４項、第５項及び第６項の規定に適合する。
　したがって、明細書及び特許請求の範囲を、本件訂正請求書に添付された訂正明細書及び特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１〜６〕について訂正することを認める。
第３　特許異議の申立てについて
１　本件発明
　本件訂正請求により訂正された請求項１〜６に係る発明（以下「本件発明１」〜「本件発明６」という。）は、訂正特許請求の範囲の請求項１〜６に記載された次の事項により特定されるとおりのものである。
　ここで、本件発明１〜６の各構成には、（Ａ）〜（Ｈ）の符号を当審において付した。以下、構成Ａ〜構成Ｈと称する。
（本件発明１）
【請求項１】
（Ａ）ポリウレタン製でスウェードタイプのノンバフパッドである研磨パッドを、該研磨パッドが研磨装置に装着された状態でパッドドレッシングする工程（ａ）と；
（Ｂ）前記パッドドレッシングされた研磨パッド、および、コロイダルシリカ砥粒を含む研磨液を用いてダミー研磨する工程（ｂ）と；
（Ｃ）研磨対象基板を研磨する工程（ｃ）と；
（Ｄ）を含む、基材ディスクの表面にニッケルリンめっき層を有する磁気ディスク基板の製造方法であって、
（Ｅ）前記研磨液は、ポリアルキルアリールスルホン酸系化合物、メラミンホルマリン樹脂スルホン酸系化合物、リグニンスルホン酸系化合物、芳香族アミノスルホン酸系化合物、ポリイソプレンスルホン酸およびその塩、ポリビニルスルホン酸およびその塩、ポリアリルスルホン酸およびその塩、ならびに、ポリイソアミレンスルホン酸およびその塩から選択されるパッド表面調整剤を含む、
（Ｄ）基板の製造方法。
（本件発明２）
【請求項２】
（Ａ）ポリウレタン製でスウェードタイプのノンバフパッドである研磨パッドを、該研磨パッドが研磨装置に装着された状態でパッドドレッシングする工程（ａ）と、
（Ａ１）ここで該パッドドレッシングは、該研磨パッドの発泡部分（ポア）が２μｍ以上の平均開口径で表面に現れるまで削りとるように行われる工程である；
（Ｂ）前記パッドドレッシングされた研磨パッド、および、コロイダルシリカ砥粒を含む研磨液を用いてダミー研磨を行い、
（Ｂ１）前記パッドドレッシング後の該研磨パッド表面に存在する毛羽立った部分を除去する
（Ｂ）工程（ｂ）と；
（Ｃ）研磨対象基板を研磨する工程（ｃ）と；
（Ｄ）を含む、基材ディスクの表面にニッケルリンめっき層を有する磁気ディスク基板の製造方法であって、
（Ｅ）前記研磨液は、ポリアルキルアリールスルホン酸系化合物、メラミンホルマリン樹脂スルホン酸系化合物、リグニンスルホン酸系化合物、芳香族アミノスルホン酸系化合物、ポリイソプレンスルホン酸およびその塩、ポリビニルスルホン酸およびその塩、ポリアリルスルホン酸およびその塩、ならびに、ポリイソアミレンスルホン酸およびその塩から選択されるパッド表面調整剤を含み、
（Ｆ）前記工程（ｃ）において前記工程（ｂ）の研磨液を用いる、
（Ｄ）基板の製造方法。
（本件発明３）
【請求項３】
（Ａ）ポリウレタン製でスウェードタイプのノンバフパッドである研磨パッドを、該研磨パッドが研磨装置に装着された状態でパッドドレッシングする工程（ａ）と、
（Ａ２）ここで該パッドドレッシング後の該研磨パッドの表面には、平坦に削りとられることによって、気泡が開口してできたポアが多数存在し、毛羽立った部分が存在している；
（Ｂ）前記パッドドレッシングされた研磨パッド、および、コロイダルシリカ砥粒を含む研磨液を用いてダミー研磨を行い、
（Ｂ２）前記毛羽立った部分を除去する
（Ｂ）工程（ｂ）と；
（Ｃ）研磨対象基板を研磨する工程（ｃ）と；
（Ｄ）を含む、基材ディスクの表面にニッケルリンめっき層を有する磁気ディスク基板の製造方法であって、
（Ｅ）前記研磨液は、ポリアルキルアリールスルホン酸系化合物、メラミンホルマリン樹脂スルホン酸系化合物、リグニンスルホン酸系化合物、芳香族アミノスルホン酸系化合物、ポリイソプレンスルホン酸およびその塩、ポリビニルスルホン酸およびその塩、ポリアリルスルホン酸およびその塩、ならびに、ポリイソアミレンスルホン酸およびその塩から選択されるパッド表面調整剤を含む、
（Ｄ）基板の製造方法。
（本件発明４）
【請求項４】
（Ｇ１）請求項１に記載の製造方法において前記工程（ｂ）の研磨液として用いられる研磨用組成物であって、
（Ｈ）コロイダルシリカ砥粒と、パッド表面調整剤と、を含み、
（Ｅ１）前記パッド表面調整剤は、ポリアルキルアリールスルホン酸系化合物、メラミンホルマリン樹脂スルホン酸系化合物、リグニンスルホン酸系化合物、芳香族アミノスルホン酸系化合物、ポリイソプレンスルホン酸およびその塩、ポリビニルスルホン酸およびその塩、ポリアリルスルホン酸およびその塩、ならびに、ポリイソアミレンスルホン酸およびその塩から選択される、
（Ｇ１）研磨用組成物。
（本件発明５）
【請求項５】
（Ｇ２）請求項２に記載の製造方法において前記工程（ｂ）の研磨液として用いられる研磨用組成物であって、
（Ｈ）コロイダルシリカ砥粒と、パッド表面調整剤と、を含み、
（Ｅ１）前記パッド表面調整剤は、ポリアルキルアリールスルホン酸系化合物、メラミンホルマリン樹脂スルホン酸系化合物、リグニンスルホン酸系化合物、芳香族アミノスルホン酸系化合物、ポリイソプレンスルホン酸およびその塩、ポリビニルスルホン酸およびその塩、ポリアリルスルホン酸およびその塩、ならびに、ポリイソアミレンスルホン酸およびその塩から選択される、
（Ｇ２）研磨用組成物。
（本件発明６）
【請求項６】
（Ｇ３）請求項３に記載の製造方法において前記工程（ｂ）の研磨液として用いられる研磨用組成物であって、
（Ｈ）コロイダルシリカ砥粒と、パッド表面調整剤と、を含み、
（Ｅ１）前記パッド表面調整剤は、ポリアルキルアリールスルホン酸系化合物、メラミンホルマリン樹脂スルホン酸系化合物、リグニンスルホン酸系化合物、芳香族アミノスルホン酸系化合物、ポリイソプレンスルホン酸およびその塩、ポリビニルスルホン酸およびその塩、ポリアリルスルホン酸およびその塩、ならびに、ポリイソアミレンスルホン酸およびその塩から選択される、
（Ｇ３）研磨用組成物。
２　取消理由（決定の予告）の概要
　令和元年８月２０日付けで特許権者に通知した取消理由（決定の予告）の要旨は、次のとおりである。
（進歩性（特許法第２９条第２項））
　令和元年６月１０日付けの訂正の請求により訂正された特許請求の範囲の請求項１、２、４に係る発明は、甲第５号証又は甲第６号証に記載の発明及び甲第１号証に記載の周知技術に基づき、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　よって、請求項１、２、４に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであり、取り消されるべきものである。
　甲第１号証：米国特許出願公開第２００８／０１４６１２９号明細書
　甲第５号証：特開２０１２−１３５８６３号公報
　甲第６号証：特開２０１０−１３５０５２号公報
３　取消理由（決定の予告）において採用しなかった特許異議申立理由
　上記取消理由（決定の予告）において採用しなかった特許異議申立理由は、以下のとおりである。
（明確性（特許法第３６条第６項第２号））
　特許請求の範囲の請求項１〜４における「パッド表面調整剤」がいかなる化学物質であるのか不明である。
　よって、請求項１〜４に係る特許は、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであり、取り消されるべきものである。
４　甲号証について
（１）甲第６号証について
ア　甲第６号証の記載事項
　甲第６号証には、次の記載がある。なお、以下の下線は当審で付したものである。
「【００１９】
　本発明の研磨剤組成物は、
シリカ
界面活性剤
を含有する研磨剤組成物
「【００３０】
　本研磨剤組成物に含まれる
研磨材の砥粒であるシリカ
コロイダルシリカ
「【００３４】
　本発明の研磨剤組成物は、磁気ディスク基板の研磨に用いることができる。研磨される
磁気ディスク基板
アルミニウムのディスク（以下、アルミディスクという）
【００３５】
　この場合に、この
研磨パッドに本発明の研磨剤組成物を供給しながら、
研磨パッドを押し付けて研磨を行う。研磨パッドは、ウレタンタイプ、スウェードタイプ、不織布タイプ、その他いずれのタイプも使用することができる。
「【００３８】
（実施例１〜３９、比較例１〜２０）
　シリカ、分子中に繰り返し単位と、スルホン酸基とを有し、さらに繰り返し単位の主鎖中に芳香族基を有する陰イオン界面活性剤、酸、過酸化水素、純水を混合、攪拌し、表１および表２に示す組成からなる研磨剤組成物を得た。分子中に繰り返し単位と、スルホン酸基とを有し、さらに繰り返し単位の主鎖中に芳香族基を有する陰イオン
界面活性剤として、ナフタレンスルホン酸ナトリウムホルムアルデヒド縮合物
メチルナフタレンスルホン酸ナトリウムホルムアルデヒド縮合物
リグニンスルホン酸ナトリウム
ナフタレンスルホン酸系化合物
芳香族アミノスルホン酸系化合物
「【００４２】
（研磨装置および研磨条件）
  表１においては、
基板としてＮｉＰ無電解メッキした
アルミディスク
イ　甲６発明
　以上より、甲第６号証には、次の発明（以下、「甲６発明」という。）が記載されている。
（甲６発明）
　研磨パッドに研磨材の砥粒であるコロイダルシリカと、ナフタレンスルホン酸ナトリウムホルムアルデヒド縮合物、メチルナフタレンスルホン酸ナトリウムホルムアルデヒド縮合物、リグニンスルホン酸ナトリウム、ナフタレンスルホン酸系化合物又は芳香族アミノスルホン酸系化合物とを含有する研磨剤組成物を供給しながら、ＮｉＰメッキしたアルミニウムの磁気ディスク基板に研磨パッドを押し付けて研磨を行う方法であって、
　前記研磨パッドは、ウレタンタイプ、スウェードタイプ、不織布タイプ、その他いずれのタイプも使用することができる方法。
（２）甲第５号証について
ア　甲第５号証の記載事項
　甲第５号証には、次の記載がある。
「【０００８】
　本発明は一態様において、
研磨材、水溶性重合体
を含有する研磨液組成物
【０００９】
　本発明はその他の態様において、本発明の
研磨液組成物を被研磨基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び／又は前記被研磨基板を動かして研磨する工程を含む、基板の製造方法
「【００３８】
　［研磨材］
　本発明の研磨液組成物に使用される
研磨材
コロイダルシリカ
「【００６５】
　［研磨パッド］
　
本発明で使用される研磨パッドとしては、特に制限はなく、スエードタイプ、不織布タイプ、ポリウレタン独立発泡タイプ、又はこれらを積層した二層タイプ等の研磨パッドを使用することができるが、研磨速度の観点から、スエードタイプの研磨パッドが好ましい。
【００６６】
　研磨パッドの表面部材の平均開孔径は、スクラッチ低減及びパッド寿命の観点から、５０μｍ以下が好ましく、より好ましくは４５μｍ以下、さらに好ましくは４０μｍ以下、さらにより好ましくは３５μｍ以下である。パッドの研磨液保持性の観点から、開孔で研磨液を保持し液切れを起こさないようにするために、平均開孔径は０．０１μｍ以上が好ましく、より好ましくは０．１μｍ以上、さらに好ましくは１μｍ以上、さらにより好ましくは１０μｍ以上である。また、研磨パッドの開孔径の最大値は、研磨速度維持の観点から、１００μｍ以下が好ましく、より好ましくは７０μｍ以下、さらに好ましくは６０μｍ以下、特に好ましくは５０μｍ以下である。」
「【００７０】
  ［被研磨基板］
  本発明において好適に使用される被研磨基板の材質としては、例えばシリコン、アルミニウム、ニッケル、タングステン、銅、タンタル、チタン等の金属若しくは半金属、又はこれらの合金や、ガラス、ガラス状カーボン、アモルファスカーボン等のガラス状物質や、アルミナ、二酸化珪素、窒化珪素、窒化タンタル、炭化チタン等のセラミック材料や、ポリイミド樹脂等の樹脂等が挙げられる。中でも、アルミニウム、ニッケル、タングステン、銅等の金属や、これらの金属を主成分とする合金を含有する被研磨基板、ガラス基板が好適である。中でも、Ｎｉ−Ｐメッキされたアルミニウム合金基板や、アルミノシリケートガラス基板に適しており、
Ｎｉ−Ｐメッキされたアルミニウム合金基板
【００７１】
　また、本発明によれば、研磨後の基板表面のスクラッチに加えて、研磨後の基板表面のうねりが低減された基板を提供できるため、高度の表面平滑性が要求される磁気ディスク基板、とりわけ垂直磁気記録方式の
磁気ディスク基板
「【００８２】
［比較対象化合物］
  
上記水溶性重合体の比較対象として以下の化合物を用いた。
・
ナフタレンスルホン酸ナトリウムホルムアルデヒド縮合物
（商品名：バニオールHDP-100、日本製紙ケミカル社製）
・
リグニンスルホン酸ナトリウム
（商品名：パールレックスNP、日本製紙ケミカル社製）
・
ナフタレンスルホン酸系化合物
（商品名：フローリックPSR110、フローリック社製）
・
芳香族アミノスルホン酸系化合物
（商品名：フローリックSF200S、フローリック社製）
・アクリル酸/アクリルアミドー２−メチルプロパンスルホン酸共重合体ナトリウム塩（ＡＡ−ＡＭＰＳ）(表面張力：63.0 mN/m)（モル比９０／１０、重量平均分子量２０００、東亜合成社製）
・ポリスチレン/ポリスチレンスルホン酸共重合体ナトリウム塩（Ｓｔ−ＳＳ）(表面張力：57.3 mN/m)（モル比８０／２０、重量平均分子量８０００、花王社製）」
イ　甲第５号証に記載の技術的事項
　上記アに摘記した記載から、甲第５号証には、以下（ア）、（イ）の技術的事項が記載されているものと認められる。
（ア）段落０００８、０００９、００３８、００７１、００８２の記載によれば、「研磨材であるコロイダルシリカと、ナフタレンスルホン酸ナトリウムホルムアルデヒド縮合物、リグニンスルホン酸ナトリウム、ナフタレンスルホン酸系化合物又は芳香族アミノスルホン酸系化合物を含有する研磨液組成物を、磁気ディスク基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び／又は前記磁気ディスク基板を動かして研磨する工程を含む、磁気ディスク基板の製造方法。」が記載されている。
（イ）Ｎｉ−Ｐメッキされたアルミニウム基板は、特開平７−２４００２５号公報（特許異議申立人が令和元年８月５日付け意見書で提示した参考資料）の段落００２１に記載されているように磁気ディスク基板として周知であることから、上記（１−２−１）の段落００７０の「Ｎｉ−Ｐメッキされたアルミニウム合金基板」は、段落００７１の磁気ディスク基板として用いられるものと認められる。
ウ　甲５発明
　上記イより、甲第５号証には、次の発明（以下、「甲５発明」という。）が記載されている。
（甲５発明）
　研磨材であるコロイダルシリカと、ナフタレンスルホン酸ナトリウムホルムアルデヒド縮合物、リグニンスルホン酸ナトリウム、ナフタレンスルホン酸系化合物又は芳香族アミノスルホン酸系化合物とを含有する研磨液組成物を、Ｎｉ−Ｐメッキされたアルミニウム合金基板である磁気ディスク基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び／又は前記磁気ディスク基板を動かして研磨する工程を含む、Ｎｉ−Ｐメッキされたアルミニウム合金基板である磁気ディスク基板の製造方法であって、
　研磨パッドとしては、特に制限はなく、スエードタイプ、不織布タイプ、ポリウレタン独立発泡タイプ、又はこれらを積層した二層タイプ等の研磨パッドを使用することができるが、研磨速度の観点から、スエードタイプの研磨パッドが好ましい方法。
（３）甲第１号証について
ア　甲第１号証の記載事項
　甲第１号証には、次の記載がある。
[0006] 
Currently,
after first affixing them to the platens of a polishing tool
break-in process
includes
dressing the pads and
running “dummy” wafers 
Dummy wafers are
processed under the same conditions which polishing of actual production wafers takes place.
（仮訳）
［０００６］
現状では、
研磨パッドは、最初に研磨パッドを研磨機の取付盤に取り付けた後、通常は「調整」を行う。通常の調整プロセスは研磨パッドの性能の安定性を改善するために、パッドのダイヤモンドドレッシング及び／又は「ダミー」ウェハの動作を大抵含む。ダミーウェハは、大抵、実際の製品ウェハの研磨が行われるのと同じ条件で処理される。
イ　甲第１号証に記載の周知技術
　上記アの摘記部分は、「Currently,」（仮訳：「現状では、」）との記載からすれば、出願当時の従来技術を説明したものと認められるから、同摘記部分に記載された技術は、周知技術であると認められる。
　ここで、同摘記部分の『「ダミー」ウェハの動作』がダミー研磨のことを意味していることは、当業者に明らかな事項である。
　以上から、甲第１号証の同摘記部分に記載された次の技術は、周知技術（以下、「甲１周知技術」という。）であると認められる。
（甲１周知技術）
　最初に研磨パッドを研磨機の取付盤に取り付けた後、研磨パッドのドレッシング、及び、実際の製品ウェハの研磨が行われるのと同じ条件で処理されるダミー研磨を含む調整プロセスを行う技術。
５　当審の判断
（１）甲６発明を主引例とした場合
（１−１）本件発明１について
（１−１−１）対比
　本件発明１と甲６発明とを対比する。
　甲６発明の「ＮｉＰメッキしたアルミニウムの磁気ディスク基板に研磨パッドを押し付けて研磨を行う方法」は、本件発明１の構成Ｃ及の「研磨対象基板を研磨する工程（ｃ）」を含む構成Ｄの「基材ディスクの表面にニッケルリンめっき層を有する磁気ディスク基板の製造方法」に相当する。
　すると、本件発明と甲６発明との間の一致点及び相違点は次のとおりである。
（一致点）
（Ｃ）研磨対象基板を研磨する工程（ｃ）と；
（Ｄ）を含む、基材ディスクの表面にニッケルリンめっき層を有する磁気ディスク基板の製造方法。
（相違点１）
　基材ディスクの表面にニッケルリンめっき層を有する磁気ディスク基板の製造方法について、本件発明１は、構成Ａの「ポリウレタン製でスウェードタイプのノンバフパッドである研磨パッドを、該研磨パッドが研磨装置に装着された状態でパッドドレッシングする工程（ａ）」を備えるのに対し、甲６発明は、スウェードタイプの研磨パッドを用いるものではあるものの、パッドドレッシングに係る構成を備えることが特定されていない点。
（相違点２）
　基材ディスクの表面にニッケルリンめっき層を有する磁気ディスク基板の製造方法について、本件発明１は、「パッドドレッシングされた研磨パッド、および、コロイダルシリカ砥粒を含む研磨液を用いてダミー研磨する工程（ｂ）」（構成Ｂ）を備え、さらに前記ダミー研磨に用いられる研磨液が、「ポリアルキルアリールスルホン酸系化合物、メラミンホルマリン樹脂スルホン酸系化合物、リグニンスルホン酸系化合物、芳香族アミノスルホン酸系化合物、ポリイソプレンスルホン酸およびその塩、ポリビニルスルホン酸およびその塩、ポリアリルスルホン酸およびその塩、ならびに、ポリイソアミレンスルホン酸およびその塩から選択されるパッド表面調整剤を含む」（構成Ｅ）ものであるのに対し、甲６発明は、「研磨パッドに研磨材の砥粒であるコロイダルシリカと、ナフタレンスルホン酸ナトリウムホルムアルデヒド縮合物、メチルナフタレンスルホン酸ナトリウムホルムアルデヒド縮合物、リグニンスルホン酸ナトリウム、ナフタレンスルホン酸系化合物又は芳香族アミノスルホン酸系化合物とを含有する研磨剤組成物を供給しながら、研磨を行う」ものである点。
（１−１−２）判断
　上記相違点のうち、まず相違点１について検討する。
　上記４（３）イのとおり、最初に研磨パッドを研磨機の取付盤に取り付けた後、研磨パッドのドレッシングを含む調整プロセスを行うことは、周知技術である。前記「研磨パッドを研磨機の取付盤に取り付けた後」は、本件発明１の「研磨パッドが研磨装置に装着された状態」に相当する。
　ここで、一般に、基板の研磨技術が各種基板を共通的に対象とするものであることは、甲第５号証の段落００７０に「被研磨基板の材質としては、例えばシリコン、アルミニウム、ニッケル、タングステン、銅、タンタル、チタン等の金属若しくは半金属、又はこれらの合金や、ガラス、ガラス状カーボン、アモルファスカーボン等のガラス状物質や、アルミナ、二酸化珪素、窒化珪素、窒化タンタル、炭化チタン等のセラミック材料や、ポリイミド樹脂等の樹脂等が挙げられる。」と記載され、また、特許異議申立人により甲第７号証として提示された特開２００５−１０１９号公報の段落００５６にも「研磨液組成物が対象とする基板の材質は、例えば、シリコン、アルミニウム、ニッケル、タングステン、銅、タンタル、チタン等の金属又は半金属およびこれらの合金、及びガラス、ガラス状カーボン、アモルファスカーボン等のガラス状物質、アルミナ、二酸化珪素、窒化珪素、窒化タンタル、炭化チタン等のセラミック材料、ポリイミド樹脂等の樹脂等が挙げられる。」と記載されているように、当業者に周知の事項といえる。
　すると、甲１周知技術についても各種基板が対象とされうるものとして、各種基板に適用を試みることは、当業者が容易に想到しうることである。よって、スウェードタイプの研磨パッドを用いた甲６発明において、当該周知技術を適用することにより、スウェードタイプの研磨パッドを、該研磨パッドが研磨装置に装着された状態でパッドドレッシングする工程を備えるようにすることは、当業者が容易に想到しうることである。
　しかしながら、甲６発明の「ＮｉＰメッキしたアルミニウムの磁気ディスク基板」を研磨対象とする研磨パッドとして「ノンバフパッド」を使用することについては、上記甲第６号証、甲第５号証、甲第１号証、及び、特許異議申立人が提出したその他の証拠及び文献である甲第２号証：特開２００８−８７０９９号公報、甲第３号証：特開２００５−１９９４２７号公報、甲第４号証：特開２００７−８１１４５号公報、甲第７号証：特開２００５−１０１９号公報、甲第８号証：特開２００５−１５３０５３号公報、甲第９号証：特開２０１０−１７９４３１号公報、参考文献：特開平７−２４００２５号公報のいずれにも記載されていない。
　よって、甲６発明のＮｉＰメッキしたアルミニウムの磁気ディスク基板に用いる研磨パッドとしてノンバフパッドを使用することは、当業者であっても容易に想到しうるものとはいえない。
　また、令和元年１０月２８日に提出された意見書に添付された実験成績証明書によれば、バフパッドを使用した場合には、本件特許明細書の実施例で示されているノンバフパッドを使用した場合と比べて有意な微小うねり低減効果は認められなかったことが示されている。よって、仮に、甲６発明のＮｉＰメッキしたアルミニウムの磁気ディスク基板を研磨対象とする研磨パッドとしてノンバフパッドを使用することに想到し得たとしても、その結果として、バフパッドを使用した場合と比べて改善された微小うねり低減効果が得られるという格別顕著な効果を得られることを、当業者が予測し得たとは認められない。
　したがって、本件発明１は、その他の相違点である相違点２について検討するまでもなく、当業者であっても甲６発明及び周知技術に基づいて容易に発明をすることができたものとはいえない。
（１−２）本件発明２〜６について
　本件発明２〜６も、上記相違点１に係る構成である構成Ａを備えるものであるから、上記（１−１）と同じ理由により、甲６発明及び周知技術から当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
（２）甲５発明を主引例とした場合
（２−１）本件発明１について
（２−１−１）対比
　本件発明１と甲５発明とを対比する。
　甲５発明の、「研磨液組成物を、Ｎｉ−Ｐメッキされたアルミニウム合金基板である磁気ディスク基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び／又は前記磁気ディスク基板を動かして研磨する工程」を含む「Ｎｉ−Ｐメッキされたアルミニウム合金基板である磁気ディスク基板の製造方法」は、本件特許発明１の、「研磨対象基板を研磨する工程（ｃ）」を含む「基材ディスクの表面にニッケルリンめっき層を有する磁気ディスク基板の製造方法」に相当する。
　すると、本件発明と甲５発明との間の一致点及び相違点は次のとおりである。
（一致点）
（Ｃ）研磨対象基板を研磨する工程（ｃ）と；
（Ｄ）を含む、基材ディスクの表面にニッケルリンめっき層を有する磁気ディスク基板の製造方法。
（相違点３）
　基材ディスクの表面にニッケルリンめっき層を有する磁気ディスク基板の製造方法について、本件発明１は、構成Ａの「ポリウレタン製でスウェードタイプのノンバフパッドである研磨パッドを、該研磨パッドが研磨装置に装着された状態でパッドドレッシングする工程（ａ）」を備えるのに対し、甲５発明は、スウェードタイプの研磨パッドを用いるものではあるものの、パッドドレッシングに係る構成を備えることが特定されていない点。
（相違点４）
　基材ディスクの表面にニッケルリンめっき層を有する磁気ディスク基板の製造方法について、本件発明１は、「パッドドレッシングされた研磨パッド、および、コロイダルシリカ砥粒を含む研磨液を用いてダミー研磨する工程（ｂ）」（構成Ｂ）を備え、さらに前記ダミー研磨に用いられる研磨液が、「ポリアルキルアリールスルホン酸系化合物、メラミンホルマリン樹脂スルホン酸系化合物、リグニンスルホン酸系化合物、芳香族アミノスルホン酸系化合物、ポリイソプレンスルホン酸およびその塩、ポリビニルスルホン酸およびその塩、ポリアリルスルホン酸およびその塩、ならびに、ポリイソアミレンスルホン酸およびその塩から選択されるパッド表面調整剤を含む」（構成Ｅ）ものであるのに対し、甲５発明は、「研磨材であるコロイダルシリカと、ナフタレンスルホン酸ナトリウムホルムアルデヒド縮合物、リグニンスルホン酸ナトリウム、ナフタレンスルホン酸系化合物又は芳香族アミノスルホン酸系化合物とを含有する研磨液組成物」を「基板の研磨対象面に供給」して「研磨する」ものである点。
（２−１−２）判断
　上記相違点のうち、まず相違点３について検討する。
　上記（１−１−２）のとおり、甲１周知技術についても各種基板が対象とされうるものとして、各種基板に適用を試みることは、当業者が容易に想到しうることである。よって、スウェードタイプの研磨パッドを用いた甲５発明において、当該周知技術を適用することにより、スウェードタイプの研磨パッドを、該研磨パッドが研磨装置に装着された状態でパッドドレッシングする工程を備えるようにすることは、当業者が容易に想到しうることである。
　しかしながら、甲５発明の「Ｎｉ−Ｐメッキされたアルミニウム合金基板である磁気ディスク基板」を研磨対象とする研磨パッドとして「ノンバフパッド」を使用することについては、上記甲第５号証、甲第６号証、甲第１号証、及び、特許異議申立人が提出したその他の証拠及び文献である甲第２号証、甲第３号証、甲第４号証、甲第７号証、甲第８号証、甲第９号証、参考文献のいずれにも記載されていない。
　よって、甲５発明のＮｉ−Ｐメッキされたアルミニウム合金基板である磁気ディスク基板に用いる研磨パッドとしてノンバフパッドを使用することは、当業者であっても容易に想到しうるものとはいえない。
　また、令和元年１０月２８日に提出された意見書に添付された実験成績証明書については、上記（１−１−２）のとおりであるから、仮に、甲５発明のＮｉ−Ｐメッキされたアルミニウム合金基板である磁気ディスク基板を研磨対象とする研磨パッドとしてノンバフパッドを使用することに想到し得たとしても、その結果として、バフパッドを使用した場合と比べて改善された微小うねり低減効果が得られるという格別顕著な効果を得られることを、当業者が予測し得たとは認められない。
　したがって、本件発明１は、その他の相違点である相違点４について検討するまでもなく、当業者であっても甲５発明及び周知技術に基づいて容易に発明をすることができたものとはいえない。
（２−２）本件発明２〜６について
　本件発明２〜６も、上記相違点３に係る構成である構成Ａを備えるものであるから、上記（２−１）と同じ理由により、甲５発明及び周知技術から当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
６　取消理由（決定の予告）において採用しなかった特許異議申立理由について
　特許異議申立人は、特許異議申立書において上記３の主張を行っている。
　しかしながら、いかなる化学物質であるのか不明であると主張されていた「パッド表面調整剤」は、本件訂正によって「ポリアルキルアリールスルホン酸系化合物、メラミンホルマリン樹脂スルホン酸系化合物、リグニンスルホン酸系化合物、芳香族アミノスルホン酸系化合物、ポリイソプレンスルホン酸およびその塩、ポリビニルスルホン酸およびその塩、ポリアリルスルホン酸およびその塩、ならびに、ポリイソアミレンスルホン酸およびその塩から選択される」ものであることが特定されたことにより、化学物質が明確となった。
　したがって、特許請求の範囲の記載は、特許法第３６条第６項第２号の要件を満たすものであるから、特許異議申立人の当該主張は、採用することができない。
第４　むすび
　以上のとおりであるから、令和元年８月２０日付けで特許権者に通知した取消理由（決定の予告）に記載した取消理由及び特許異議申立書に記載された特許異議申立理由によっては、本件訂正請求により訂正された訂正後の請求項１〜６に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件訂正請求により訂正された訂正後の請求項１〜６に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
令和１年１２月２７日（２０１９．１２．２７）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
基材ディスクの表面にニッケルリンめっき層を有する磁気ディスク
　【技術分野】
　【０００１】
　本発明は、
基材ディスクの表面にニッケルリンめっき層を有する磁気ディスク
　【背景技術】
　【０００２】
　磁気ディスク基板や半導体基板など高精度な表面が要求される基板の製造プロセスには、一般に、研磨パッドを用いて被研磨物を研磨する工程が含まれる。このような研磨工程は、通常、例えばコロイダルシリカ等の砥粒を含む研磨用組成物（研磨スラリー）を被研磨物に供給して行われる。研磨パッドとしては、典型的には、パッドドレッシングにより所望の表面（研磨面）に調整したものが好ましく利用されている。この種の研磨パッドは、さらにダミー研磨により該表面を安定化した後、研磨対象である基板の研磨に利用される。コロイダルシリカ砥粒を含む研磨スラリーと研磨パッドの使用を開示する技術文献としては特許文献１〜５が挙げられる。ダミー研磨に関連する技術文献としては特許文献６が挙げられる。
　【先行技術文献】
　【特許文献】
　【０００３】
　【特許文献１】特開２０１４−２９７５３号公報
　【特許文献２】国際公開第２０１３／００２２８１号
　【特許文献３】特開２０１３−３１９１４号公報
　【特許文献４】国際公開第２０１０／０５３２０６号
　【特許文献５】特開２０１０−１３５０５２号公報
　【特許文献６】特開２００４−３５８５８４号公報
　【発明の概要】
　【発明が解決しようとする課題】
　【０００４】
　研磨パッドの表面状態は基板表面に転写され得ることから、基板表面のさらなる高精度化のためには、パッド表面の平滑化が欠かせない。特に、微小うねりが低減した基板表面を実現するためには、パッド表面をより平滑化させることが重要である。しかし、例えば上述のパッドドレッシング処理等によって良好に調整されたパッド表面の状態（平滑性、毛羽立ち等）は通常、その後の研磨にともない経時的に変化してしまう。良好な表面状態を維持することは難しく、そのため、微小うねりのコントロールには限度があった。
　【０００５】
　このような状況下、本発明者らは、微小うねりを低減し得る有用な手段を見つけるために、研磨パッドのパッドドレッシング工程、ダミー研磨工程、本研磨工程と分けて段階的に要因を解析した結果、コロイダルシリカ砥粒を含む研磨液を用いる研磨において、研磨中にコロイダルシリカがパッド表面に吸着して、シリカコーティングともいうべき硬質薄膜となって、基板表面のうねり低減を阻害していることを知得した。この知見に基づき、さらに検討を進めた結果、コロイダルシリカのパッド表面への吸着を制限し得る手段を見出し、本発明を完成するに至った。すなわち、本発明は、微小うねりを低減し得る
、基材ディスクの表面にニッケルリンめっき層を有する磁気ディスク
　【課題を解決するための手段】
　【０００６】
　本発明によると、
基材ディスクの表面にニッケルリンめっき層を有する磁気ディスク
ここに開示される技術は、微小うねりの低減がより強く求められている磁気ディスク基板の製造方法に適用される。
ポリウレタン製でスウェードタイプのノンバフパッドである
、該研磨パッドが研磨装置に装着された状態で
、
、コロイダルシリカ砥粒を含む
む、基材ディスクの表面にニッケルリンめっき層を有する磁気ディスク基板の製造方法である。
、ポリアルキルアリールスルホン酸系化合物、メラミンホルマリン樹脂スルホン酸系化合物、リグニンスルホン酸系化合物、芳香族アミノスルホン酸系化合物、ポリイソプレンスルホン酸およびその塩、ポリビニルスルホン酸およびその塩、ポリアリルスルホン酸およびその塩、ならびに、ポリイソアミレンスルホン酸およびその塩から選択される
を
　かかる構成によると、ダミー研磨工程（ｂ）において研磨液中のパッド表面調整剤がコロイダルシリカのパッド表面への吸着を阻止する。これにより、研磨対象基板を研磨する工程（ｃ）においてもパッド表面は良好な状態に維持され、基板表面の微小うねりは低減する。
　【０００７】
　ここに開示される技術の好ましい一態様では、
基材ディスクの表面にニッケルリンめっき層を有する磁気ディスク基板の製造方法は、ポリウレタン製でスウェードタイプのノンバフパッドである研磨パッドを、該研磨パッドが研磨装置に装着された状態でパッドドレッシングする工程（ａ）と、ここで該パッドドレッシングは、該研磨パッドの発泡部分（ポア）が２μｍ以上の平均開口径で表面に現れるまで削りとるように行われる工程である；前記パッドドレッシングされた研磨パッド、および、コロイダルシリカ砥粒を含む研磨液を用いてダミー研磨を行い、前記パッドドレッシング後の該研磨パッド表面に存在する毛羽立った部分を除去する工程（ｂ）と；研磨対象基板を研磨する工程（ｃ）と；を含む。また、前記研磨液は、ポリアルキルアリールスルホン酸系化合物、メラミンホルマリン樹脂スルホン酸系化合物、リグニンスルホン酸系化合物、芳香族アミノスルホン酸系化合物、ポリイソプレンスルホン酸およびその塩、ポリビニルスルホン酸およびその塩、ポリアリルスルホン酸およびその塩、ならびに、ポリイソアミレンスルホン酸およびその塩から選択されるパッド表面調整剤を含む。そして、
　【０００８】
　ここに開示される技術は、
ポリウレタン製でスウェードタイプのノンバフパッドである研磨パッドを、該研磨パッドが研磨装置に装着された状態でパッドドレッシングする工程（ａ）と、ここで該パッドドレッシング後の該研磨パッドの表面には、平坦に削りとられることによって、気泡が開口してできたポアが多数存在し、毛羽立った部分が存在している；前記パッドドレッシングされた研磨パッド、および、コロイダルシリカ砥粒を含む研磨液を用いてダミー研磨を行い、前記毛羽立った部分を除去する工程（ｂ）と；研磨対象基板を研磨する工程（ｃ）と；を含む、基材ディスクの表面にニッケルリンめっき層を有する
ここで、前記研磨液は、ポリアルキルアリールスルホン酸系化合物、メラミンホルマリン樹脂スルホン酸系化合物、リグニンスルホン酸系化合物、芳香族アミノスルホン酸系化合物、ポリイソプレンスルホン酸およびその塩、ポリビニルスルホン酸およびその塩、ポリアリルスルホン酸およびその塩、ならびに、ポリイソアミレンスルホン酸およびその塩から選択されるパッド表面調整剤を含む
　【０００９】
　また、この明細書によると、研磨用組成物が提供される。この研磨用組成物は、
上記
そして、前記パッド表面調整剤は、ポリアルキルアリールスルホン酸系化合物、メラミンホルマリン樹脂スルホン酸系化合物、リグニンスルホン酸系化合物、芳香族アミノスルホン酸系化合物、ポリイソプレンスルホン酸およびその塩、ポリビニルスルホン酸およびその塩、ポリアリルスルホン酸およびその塩、ならびに、ポリイソアミレンスルホン酸およびその塩から選択される。
　【発明を実施するための形態】
　【００１０】
　以下、本発明の好適な実施形態を説明する。なお、本明細書において特に言及している事項以外の事柄であって本発明の実施に必要な事柄は、当該分野における従来技術に基づく当業者の設計事項として把握され得る。本発明は、本明細書に開示されている内容と当該分野における技術常識とに基づいて実施することができる。
　【００１１】
　＜
磁気ディスク
　ここに開示される技術は、
基材ディスクの表面にニッケルリンめっき層を有する磁気ディスク
　【００１２】
　（
磁気ディスク
　
上記製造
磁気ディスク
、
である。
　【００１３】
　（研磨パッド）
　ここに開示される方法に用いられる研磨パッドは
、
たポ
、
。
　【００１４】
　（工程（ａ））
　工程（ａ）において、上記研磨パッドはパッドドレッシング処理される。この工程（ａ）は
、
　【００１５】
　パッドドレッシングは、公知の材料や条件を適用して行うことができる。好ましい一態様では、パッドドレッシングは、研磨装置の定盤に固定されている研磨パッドに対し、ステンレススチール等の金属からなる基材の表面に電着または焼結によりダイヤモンド粉末を固定させたパッドコンディショナー（パッドドレッサーとも呼ぶ。）を用いて、研磨パッドの表層を削りとる処理（典型的にはダイヤモンドドレッシング処理）であり得る。パッドコンディショナーとしては、例えば特開２００３−１１７８２３号公報に記載されているパッドコンディショナーが挙げられる。
　【００１６】
　パッドドレッシングは、典型的には、上記研磨パッドの表層を、２μｍ以上削りとるか、あるいは研磨パッドの発泡部分（ポア）が２μｍ以上（通常は５μｍ以上４０μｍ以下）の平均開口径で表面に現れるまで削りとるように行われる。平均開口径が例えば４０μｍより大きいと、研磨パッドと基板との接触部分に圧力集中が起こりやすくなり、研磨基板表面の微小うねりが増大してしまう場合がある。
　なお、研磨パッド表面の平均開口径は、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真の画像解析によって求められる。具体的には、写真１枚当たりポアが１０〜１５０個観察されるように倍率を調整し、５０個以上のポアの開口径を測定し、その平均値を採用すればよい。上記平均開口径は、例えば１５０μｍ×２５０μｍの区画内に存在するポアの平均開口径であり得る。
　【００１７】
　パッドドレッシングは、例えば１〜１．５Ｌ／分程度のレートで水を供給して行うとよい。水の供給量は、研磨パッド表面の単位面積（ｍ２）当たり３．５〜５．５Ｌ／分・ｍ２とすることが好ましい。パッドドレッシングの後、パッドの削り屑を除去するために、高圧ジェットまたはブラシドレス等で洗浄を行ってもよい。
　【００１８】
　パッドドレッシングは、条件（ａ）：平均開口径（μｍ）×ポア数（個）／写真面積（μｍ２）≦０．４；を満たすように行うことが好ましい。上記条件（ａ）を満たさない場合、研磨パッドの表面状態よりも、パッド形状の影響を受けやすくなり、微小うねり低減効果が十分発揮されない場合がある。
　【００１９】
　また、パッドドレッシングは、条件（ｂ）：ポア密度が３．０×１０−３（個／μｍ２）以上である；を満たすように行うことが好ましい。上記条件（ｂ）を満たさない場合、研磨パッドの表面状態よりも、パッド形状の影響を受けやすくなり、微小うねり低減効果が十分発揮されない場合がある。なお、ポア密度は、上述のＳＥＭ写真の画像解析によって求められる。特に好ましい一態様では、パッドドレッシングは、上記条件（ａ）および（ｂ）を満たすように行われる。
　【００２０】
（削除）
　【００２１】
　（工程（ｂ））
　上記工程（ａ）を行った後、パッドドレッシングされた研磨パッドおよび研磨液を用いてダミー研磨を行う（工程（ｂ））。具体的には、工程（ｂ）は、研磨装置にダミー基板をセットして、該研磨装置に研磨液を供給して、上記工程（ａ）を経た研磨パッドによりダミー基板を研磨する工程である。上記研磨は常法により行えばよい。例えば、工程（ａ）を経た研磨パッドが装着された研磨装置にダミー基板をセットし、該研磨装置の研磨パッドを通じて上記ダミー基板の表面（被研磨面）に研磨液を供給する。典型的には、上記研磨液を連続的に供給しつつ、ダミー基板の表面に研磨パッドを押しつけて両者を相対的に移動（例えば回転移動）させる。ダミー基板としては、被研磨物となる基板と同種のものを別途用意し、これをダミー基板として用いればよい。研磨液については後述する。研磨液の供給速度は特に限定されないが、ダミー基板１枚当たり毎分３〜１５ｍＬ供給されることが好ましい。
　【００２２】
　工程（ｂ）の時間は、特に限定されず、通常は所定の研磨レートが安定して得られるまで行われる。工程（ｂ）は少なくとも２０分以上（より好ましくは６０分以上）行うことが好ましい。ダミー研磨は通常、５分以上２０分以下程度の時間内で行われる研磨を５回以上（好ましくは１０回以上）繰り返す工程であり得る。ダミー研磨時の温度は特に限定されないが、２０〜３５℃とすることが好ましい。
　【００２３】
　（工程（ｃ））
　ここに開示される方法は、研磨対象基板を研磨する工程（ｃ）をさらに含む。具体的には、工程（ｂ）が終了すると、必要に応じて洗浄を行う等した後、ダミー基板を取り外し、研磨対象である基板を研磨装置にセットする。そして、研磨装置に研磨液を供給して、上記研磨パッドにより基板を研磨する。上記研磨は常法により行えばよい。例えば、上記研磨パッドが装着された研磨装置に研磨対象（被研磨物）としての基板をセットし、該研磨装置の研磨パッドを通じて上記被研磨物の表面（被研磨面）に研磨液を供給する。典型的には、上記研磨液を連続的に供給しつつ、被研磨物の表面に研磨パッドを押しつけて両者を相対的に移動（例えば回転移動）させる。かかる研磨工程を経て被研磨物の研磨が完了する。その後、必要に応じて洗浄、乾燥等を行うことで、基板は製造され得る。
　【００２４】
　工程（ｃ）に使用される研磨液としては、基板の研磨に使用され得る各種研磨液を使用すればよく特に制限はない。上記研磨液は、典型的には、少なくとも砥粒および水を含む。研磨装置に供給される研磨液は、当初の研磨用組成物に濃度調整（例えば希釈）やｐＨ調整等の操作を加えて調製された研磨液であり得る。あるいは、当初の研磨用組成物をそのまま研磨液として用いてもよい。工程（ｃ）に使用される研磨液として、工程（ｂ）の研磨液と異なる組成の研磨液を用いてもよいが、微小うねり低減の観点から、工程（ｃ）に使用される研磨液として、工程（ｂ）の研磨液と同種の研磨液を用いることが好ましい。
　【００２５】
　＜研磨用組成物＞
　次に、工程（ｂ）に使用される研磨液（以下、研磨用組成物ともいう。）について説明する。この研磨液は、好ましくはさらに工程（ｃ）に使用されるものであり得る。
　【００２６】
　ここに開示される技術において使用される研磨用組成物は、コロイダルシリカ砥粒と、パッド表面調整剤と、を含む。この研磨液はまた、典型的には水を含む。水としては、イオン交換水（脱イオン水）、蒸留水、純水等を用いることができる。
　【００２７】
　（砥粒）
　ここに開示される研磨用組成物は、コロイダルシリカ砥粒の１種または２種以上を含む。コロイダルシリカ砥粒の平均一次粒子径は、典型的には５ｎｍ以上、好ましくは１０ｎｍ以上である。平均一次粒子径の増大によって、より高い研磨レートが実現され得る。上記砥粒の平均一次粒子径の上限は特に限定されない。より平滑性の高い表面を得る観点から、平均一次粒子径は、典型的には３００ｎｍ以下、好ましくは１００ｎｍ以下、より好ましくは６０ｎｍ以下、さらに好ましくは３０ｎｍ以下である。例えば、一次研磨を終えたＮｉ−Ｐ基板を研磨する用途向けの研磨用組成物において、上記の平均一次粒子径を有する砥粒を好ましく採用し得る。小径のコロイダルシリカ砥粒はよりパッド表面に堆積しやすいと考えられることから、小径（例えば平均一次粒子径３０ｎｍ以下）のコロイダルシリカ砥粒を含む態様において、後述のパッド表面調整剤を使用することの効果はよりよく発揮され得る。
　【００２８】
　なお、砥粒の平均一次粒子径は、例えば、ＢＥＴ法により測定される比表面積Ｓ（ｍ２／ｇ）から平均一次粒子径（ｎｍ）＝２７２７／Ｓの式により算出することができる。砥粒の比表面積の測定は、例えば、マイクロメリテックス社製の表面積測定装置、商品名「Ｆｌｏｗ　Ｓｏｒｂ　ＩＩ　２３００」を用いて行うことができる。
　【００２９】
　研磨用組成物中におけるコロイダルシリカ砥粒の平均二次粒子径は、典型的には１０ｎｍ以上であり、通常は２０ｎｍ超、好ましくは３０ｎｍ超、より好ましくは４０ｎｍ超、さらに好ましくは５０ｎｍ超である。平均二次粒子径の増大によって、より高い研磨レートが実現され得る。上記砥粒の平均二次粒子径の上限は特に限定されず、例えば１μｍ以下であり得る。分散安定性等の観点から、平均二次粒子径は、通常は５００ｎｍ以下が適当であり、好ましくは２００ｎｍ以下、より好ましくは１５０ｎｍ以下、さらに好ましくは１１０ｎｍ以下、特に好ましくは７０ｎｍ以下である。さらに高品位の表面を得る観点から、平均二次粒子径は、例えば５５ｎｍ以下であってもよい。
　【００３０】
　この明細書において、砥粒の平均二次粒子径とは、超音波方式で測定される粒度分布における体積基準の平均粒子径（ｍｅａｎ　ｐａｒｔｉｃｌｅ　ｄｉａｍｅｔｅｒ）をいう。平均二次粒子径は、例えば、日本ルフト社製の超音波方式粒度分布・ゼータ電位測定装置（商品名「ＤＴ−１２００」）を用いて測定することができる。
　【００３１】
　研磨用組成物中におけるコロイダルシリカ砥粒の含有量（すなわちコロイダルシリカ砥粒の濃度）は、特に制限されない。上記コロイダルシリカ砥粒の濃度は、例えば３０重量％以下とすることができ、通常は２０重量％以下が好ましく、１５重量％以下がより好ましく、１０重量％以下がさらに好ましい。また、上記砥粒の濃度は、１重量％以上であることが好ましく、より好ましくは３重量％以上である。砥粒濃度が低すぎると、物理的な研磨作用が小さくなり、研磨速度が低下するため、実用上好ましくない場合がある。上記砥粒濃度は、被研磨物に供給される研磨液の砥粒濃度にも好ましく適用され得る。
　【００３２】
　なお、ここに開示される研磨用組成物は、本発明の効果を損なわない範囲内で、コロイダルシリカ砥粒以外の砥粒を含有してもよい。コロイダルシリカ砥粒以外の砥粒としては、例えばヒュームドシリカ砥粒、沈降性シリカ砥粒等のシリカ砥粒や、アルミナ砥粒、チタニア砥粒、ジルコニア砥粒、セリア砥粒等の金属酸化物砥粒、ポリアクリル酸等の樹脂砥粒等の非シリカ砥粒の１種または２種以上を使用することができる。これらコロイダルシリカ砥粒以外の砥粒の含有量は、コロイダルシリカ砥粒の含有量の１００重量％（すなわち同量）未満であることが適当であり、好ましくは５０重量％以下（例えば３０重量％以下、典型的には１０重量％以下）である。ここに開示される技術は、コロイダルシリカ砥粒以外の砥粒を実質的に含まない態様で実施することができる。
　【００３３】
　（パッド表面調整剤）
　ここに開示される研磨用組成物は、パッド表面調整剤を含むことによって特徴づけられる。研磨用組成物がパッド表面調整剤を含むことによって、基板の微小うねりは低減される。その理由を明らかにする必要はないが、例えば次のことが推察される。パッドドレッシング後の研磨パッドの表面は、平坦に削りとられることによって、気泡が開口してできたポアが多数存在し、毛羽立った部分（ナップ）も存在している状態となっている。このような表面状態の研磨パッドに対しダミー研磨を行うことで、毛羽立った部分（ナップ）は除去され、上記表面状態は整えられる。これにより、研磨パッド表面は、基板表面を均一にかつ好適なレートで研磨するうえで好ましい状態となり、微小うねりを低減するうえでも望ましい状態になると考えられる。上記のような表面状態を表面全体において均一に維持しながらパッド表面が摩耗し除去されていけば、微小うねりの低減は理想的に実現され得ると考えられる。しかし、コロイダルシリカ砥粒を用いる態様では、コロイダルシリカが研磨中にパッド表面に吸着して、シリカコーティングともいうべき硬質薄膜となり、これがパッド表面を微細なレベルで不均一な状態にしていることが判明した。より具体的には、通常であれば研磨において除去されていくべき部分が上記硬質被膜で覆われるために均一に除去されずポアを覆うように残存していると推察される。実際に、コロイダルシリカ砥粒を用いた従来の研磨後のパッド表面では、ポア開口の減少が認められており、上記推察を支持している。ここに開示されるパッド表面調整剤は、コロイダルシリカの吸着を阻止するようにパッド表面の状態を良好に調整するものである。具体的には、パッドドレッシングに続くダミー研磨工程において、コロイダルシリカのパッド表面への吸着を阻止し、シリカコーティングの発生を抑制することで、パッド表面の微細な不均一化を防止し、微小うねり低減の実現に寄与する。
　【００３４】
　パッド表面調整剤
は
る。
、
；ポ
、および
）か
る
　【００３５】
　パッド表面調整剤の分子量は特に限定されないが、コロイダルシリカのパッド表面への吸着を十分に阻止する観点から、凡そ４００以上（例えば１０００以上、典型的には１５００以上）であることが好ましく、３０万以下であることが適当であり、好ましくは５万以下（例えば９０００以下、典型的には５０００以下）である。なお、この明細書において分子量とは、構造式から求められる分子量または重量平均分子量（標準ポリスチレン基準）を指す。
　【００３６】
　パッド表面調整剤の含有量は、コロイダルシリカのパッド表面への吸着を十分に阻止する観点から、０．００１重量％以上とすることが適当であり、好ましくは０．００５重量％以上、より好ましくは０．０１重量％以上、さらに好ましくは０．０２重量％以上である。また、上記と同様の理由から、上記含有量は１０重量％以下とすることが適当であり、好ましくは５重量％以下、例えば１重量％以下である。
　【００３７】
　（分散剤）
　研磨用組成物は、分散安定性向上等の目的で、水溶性ポリマー（典型的にはアニオン性水溶性ポリマー）等の分散剤を含んでもよい。分散剤としては、例えばポリスチレンスルホン酸およびその塩等が挙げられる。上記ポリスチレンスルホン酸系化合物の塩としては、ナトリウム塩、カリウム塩等のアルカリ金属塩が好ましい。分散剤の他の例として、ポリアクリル酸およびその塩（例えば、ナトリウム塩等のアルカリ金属塩）等が挙げられる。分散剤を使用することで、パッド表面調整剤の効果がよりよく発揮され得る。
　【００３８】
　上記水溶性ポリマーの分子量は、分散安定性向上効果を十分に発揮する観点から、凡そ１万以上（例えば５万超）であることが適当である。上記分子量の上限は特に限定されないが、凡そ８０万以下（例えば６０万以下、典型的には３０万以下）程度であり得る。
　【００３９】
　分散剤を含む態様の研磨用組成物では、分散剤の含有量を、例えば０．００１重量％以上とすることが適当である。上記含有量は、研磨後の表面の平滑性等の観点から、好ましくは０．００５重量％以上、より好ましくは０．０１重量％以上、さらに好ましくは０．０２重量％以上である。また、上記含有量は通常、１０重量％以下とすることが適当であり、好ましくは５重量％以下、例えば１重量％以下である。
　【００４０】
　（アニオン性界面活性剤）
　ここに開示される研磨用組成物は、アニオン性界面活性剤を含んでもよい。上記アニオン性界面活性剤は、典型的には分散剤と比べて比較的低分子量の化合物である。アニオン性界面活性剤の具体例としては、ラウリル硫酸ナトリウム、ラウリル硫酸アンモニウム、ポリオキシエチレンアルキルエーテル硫酸ナトリウム、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル硫酸アンモニウム、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル硫酸ナトリウム等が挙げられる。
　【００４１】
　アニオン性界面活性剤を含む態様の研磨用組成物では、アニオン性界面活性剤の含有量を、例えば０．００１重量％以上とすることが適当である。上記含有量は、研磨後の表面の平滑性等の観点から、好ましくは０．００５重量％以上、より好ましくは０．０１重量％以上、さらに好ましくは０．０２重量％以上である。また、上記含有量は通常、１０重量％以下とすることが適当であり、好ましくは５重量％以下、例えば１重量％以下である。
　【００４２】
　（酸または塩）
　研磨用組成物は、砥粒および水の他に、研磨促進剤として、酸または塩を含有することが好ましい。ここで、酸または塩を含むとは、酸および塩の少なくとも一方を含むことを指し、酸を含み塩を含まない態様、塩を含み酸を含まない態様、および酸と塩の両方を含む態様、のいずれをも包含する意味である。
　【００４３】
　酸の例としては、無機酸や有機酸（例えば、炭素原子数が１〜１０程度の有機カルボン酸、有機ホスホン酸、有機スルホン酸等）が挙げられるが、これらに限定されない。酸は、１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。
　無機酸の具体例としては、硝酸、硫酸、塩酸、リン酸、次亜リン酸、ホスホン酸、ホウ酸等が挙げられる。
　有機酸の具体例としては、クエン酸、マレイン酸、リンゴ酸、グリコール酸、コハク酸、イタコン酸、マロン酸、イミノ二酢酸、グルコン酸、乳酸、マンデル酸、酒石酸、クロトン酸、ニコチン酸、酢酸、アジピン酸、ギ酸、シュウ酸、プロピオン酸、吉草酸、カプロン酸、カプリル酸、カプリン酸、シクロヘキサンカルボン酸、フェニル酢酸、安息香酸、クロトン酸、メタクリル酸、グルタル酸、フマル酸、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、グリコール酸、タルトロン酸、グリセリン酸、ヒドロキシ酪酸、ヒドロキシ酢酸、ヒドロキシ安息香酸、サリチル酸、イソクエン酸、メチレンコハク酸、没食子酸、アスコルビン酸、ニトロ酢酸、オキサロ酢酸、グリシン、アラニン、グルタミン酸、アスパラギン酸、ニコチン酸、ピコリン酸、メチルアシッドホスフェート、エチルアシッドホスフェート、エチルグリコールアシッドホスフェート、イソプロピルアシッドホスフェート、フィチン酸、１−ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸、アミノトリ（メチレンホスホン酸）、エチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）、ジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）、エタン−１，１−ジホスホン酸、エタン−１，１，２−トリホスホン酸、エタン−１−ヒドロキシ−１，１−ジホスホン酸、エタンヒドロキシ−１，１，２−トリホスホン酸、エタン−１，２−ジカルボキシ−１，２−ジホスホン酸、メタンヒドロキシホスホン酸、２−ホスホノブタン−１，２−ジカルボン酸、１−ホスホノブタン−２，３，４−トリカルボン酸、α−メチルホスホノコハク酸、アミノポリ（メチレンホスホン酸）、メタンスルホン酸、エタンスルホン酸、アミノエタンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、ｐ−トルエンスルホン酸、２−ナフタレンスルホン酸等が挙げられる。
　【００４４】
　塩の例としては、上述した無機酸または有機酸の金属塩、例えばリチウム塩、ナトリウム塩、カリウム塩等のアルカリ金属塩；上述した無機酸または有機酸のアンモニウム塩、例えばテトラメチルアンモニウム塩、テトラエチルアンモニウム塩等の第四級アンモニウム塩；上述した無機酸または有機酸のアルカノールアミン塩、例えばモノエタノールアミン塩、ジエタノールアミン塩、トリエタノールアミン塩；等が挙げられる。
　上述した無機酸または有機酸の金属塩の具体例としては、リン酸三カリウム、リン酸水素二カリウム、リン酸二水素カリウム、リン酸三ナトリウム、リン酸水素二ナトリウム、リン酸二水素ナトリウム等のアルカリ金属リン酸塩およびアルカリ金属リン酸水素塩；等が挙げられる。
　その他、塩の例としては、グルタミン酸二酢酸のアルカリ金属塩（例えばリチウム塩、ナトリウム塩、カリウム塩等。以下同じ。）、ジエチレントリアミン五酢酸のアルカリ金属塩、ヒドロキシエチルエチレンジアミン三酢酸のアルカリ金属塩、トリエチレンテトラミン六酢酸のアルカリ金属塩；等が挙げられる。例えば、Ｌ−グルタミン酸二酢酸四ナトリウムを好ましく使用し得る。塩は、１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。
　【００４５】
　ここに開示される技術は、リン酸を有する酸または塩を含む研磨液を用いる態様で好ましく実施され得る。パッド表面調整剤は、リン酸を介したコロイダルシリカの凝集を抑制し、パッド表面へのコロイダルシリカの吸着を好適に阻止し得る。なお、ここに開示される技術は、硫酸、有機ホスホン酸（例えば１−ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸）の少なくとも１種（例えば両方）を実質的に含まない態様でも好ましく実施することができる。
　【００４６】
　このような酸または塩は、典型的には後述する酸化剤と合わせて用いられることにより、研磨促進剤として効果的に作用し得る。研磨効率の観点から好ましい酸として、メタンスルホン酸、硫酸、硝酸、リン酸、フィチン酸、１−ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸等が例示される。なかでも好ましい酸として、メタンスルホン酸、クエン酸およびリン酸が挙げられる。研磨効率の観点から好ましい塩として、リン酸塩やリン酸水素塩、グルタミン酸二酢酸のアルカリ金属塩、ジエチレントリアミン五酢酸のアルカリ金属塩、ヒドロキシエチルエチレンジアミン三酢酸のアルカリ金属塩、トリエチレンテトラミン六酢酸のアルカリ金属塩等が挙げられる。
　【００４７】
　研磨用組成物中に酸または塩を含む場合、その含有量は、０．１重量％以上であることが好ましく、より好ましくは０．５重量％以上である。酸または塩の含有量が少なすぎると、研磨速度が低下し、実用上好ましくない場合がある。また、研磨用組成物中に酸または塩を含む場合、その含有量は、１０重量％以下であることが好ましく、より好ましくは５重量％以下である。酸または塩の含有量が多すぎると、研磨対象物の表面精度が悪くなり、実用上好ましくない場合がある。
　【００４８】
　（酸化剤）
　ここに開示される研磨用組成物は、砥粒および水の他に、研磨促進剤として、酸化剤を含有することが好ましい。酸化剤の例としては、過酸化物、硝酸またはその塩、ペルオキソ酸またはその塩、過マンガン酸またはその塩、クロム酸またはその塩、酸素酸またはその塩、金属塩類、硫酸類等が挙げられるが、これらに限定されない。酸化剤は、１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。酸化剤の具体例としては、過酸化水素、過酸化ナトリウム、過酸化バリウム、硝酸、硝酸鉄、硝酸アルミニウム、硝酸アンモニウム、ペルオキソ二硫酸、ペルオキソ二硫酸アンモニウム、ペルオキソ二硫酸金属塩、ペルオキソリン酸、ペルオキソ硫酸、ペルオキソホウ酸ナトリウム、過ギ酸、過酢酸、過安息香酸、過フタル酸、次亜臭素酸、次亜ヨウ素酸、塩素酸、臭素酸、ヨウ素酸、過ヨウ素酸、過塩素酸、次亜塩素酸、次亜塩素酸ナトリウム、次亜塩素酸カルシウム、過マンガン酸カリウム、クロム酸金属塩、重クロム酸金属塩、塩化鉄、硫酸鉄、クエン酸鉄、硫酸アンモニウム鉄等が挙げられる。好ましい酸化剤として、過酸化水素、硝酸鉄、ペルオキソ二硫酸および硝酸が例示される。少なくとも過酸化水素を含むことが好ましく、過酸化水素からなることがより好ましい。
　【００４９】
　研磨用組成物中に酸化剤を含む場合、その含有量は、０．１重量％以上であることが好ましく、より好ましくは０．３重量％以上である。酸化剤の含有量が少なすぎると、研磨対象物を酸化する速度が遅くなり、研磨速度が低下するため、実用上好ましくない場合がある。また、研磨用組成物中に酸化剤を含む場合、その含有量は、３重量％以下であることが好ましく、より好ましくは１．５重量％以下である。酸化剤の含有量が多すぎると、研磨対象物の表面精度が悪くなったり、コストの点等から実用上好ましくない場合がある。
　【００５０】
　（塩基性化合物）
　研磨用組成物には、塩基性化合物を含有させることができる。ここで塩基性化合物とは、研磨用組成物に添加されることによって該組成物のｐＨを上昇させる機能を有する化合物を指す。例えば、アルカリ金属の水酸化物、第四級アンモニウムまたはその塩、アンモニア、アミン、リン酸塩やリン酸水素塩、有機酸塩等が挙げられる。塩基性化合物は、１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。
　【００５１】
　アルカリ金属の水酸化物の具体例としては、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム等が挙げられる。
　第四級アンモニウムまたはその塩の具体例としては、水酸化テトラメチルアンモニウム、水酸化テトラエチルアンモニウム、水酸化テトラブチルアンモニウム等の水酸化第四級アンモニウムが挙げられる。
　アミンの具体例としては、メチルアミン、ジメチルアミン、トリメチルアミン、エチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、エチレンジアミン、モノエタノールアミン、Ｎ−（β−アミノエチル）エタノールアミン、ヘキサメチレンジアミン、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、無水ピペラジン、ピペラジン六水和物、１−（２−アミノエチル）ピペラジン、Ｎ−メチルピペラジン、グアニジン、イミダゾールやトリアゾール等のアゾール類、等が挙げられる。
　リン酸塩やリン酸水素塩の具体例としては、リン酸三カリウム、リン酸水素二カリウム、リン酸二水素カリウム、リン酸三ナトリウム、リン酸水素二ナトリウム、リン酸二水素ナトリウム等のアルカリ金属塩、リン酸アンモニウム、リン酸水素二アンモニウム、リン酸二水素アンモニウム等のアンモニウム塩が挙げられる。
　【００５２】
　（イオン強度）
　特に限定するものではないが、好ましい一態様に係る研磨用組成物は、砥粒含有量が６重量％となる濃度におけるイオン強度が０．１５０ｍｏｌ／Ｌ以下であり得る。イオン強度が０．１５０ｍｏｌ／Ｌ以下である研磨用組成物は、コロイダルシリカの分散安定性に優れる傾向がある。かかる観点から、イオン強度が０．１１０ｍｏｌ／Ｌ未満である研磨用組成物がさらに好ましい。イオン強度の下限は特に限定されず、研磨用組成物を所望のｐＨに調整できればよい。研磨速度の向上の観点から、通常は、イオン強度が０．０１ｍｏｌ／Ｌ以上であることが好ましく、０．０２ｍｏｌ／Ｌ以上であることがより好ましく、０．０３ｍｏｌ／Ｌ以上であることがさらに好ましい。
　【００５３】
　本明細書中においてイオン強度とは、研磨用組成物の砥粒含有量が６重量％となる濃度において、該研磨用組成物中の全てのイオンについて下記式（１）により算出される値をいう。目的とする研磨用組成物の砥粒含有量が６重量％とは異なる場合には、水の量を増減することにより砥粒含有量６重量％に濃度調整した場合における研磨用組成物についてイオン強度を算出する。
　【００５４】
　【数１】
　【００５５】
　ここで、式（１）中のＩは、イオン強度［ｍｏｌ／Ｌ］を表す。ｍｉは、各イオンのモル濃度［ｍｏｌ／Ｌ］を表す。ｚｉは、各イオンの電荷（価数）を表す。各イオンのモル濃度は、イオン強度の算出に係る研磨用組成物のｐＨ域において解離する（イオン化する）各物質のイオン量（割合）から算出される。例えば、砥粒含有量６重量％に調製された研磨用組成物中に１ｍｏｌ／Ｌの濃度で含まれる物質Ａが、そのｐＨ域において５０％しかイオン化しない場合、イオン強度に反映させるモル濃度は０．５ｍｏｌ／Ｌとなる。
　【００５６】
　イオン強度の算出に係る研磨用組成物（すなわち、砥粒含有量が６重量％となるように必要に応じて濃度調整を行った研磨用組成物）のｐＨ域で解離している各物質のイオン量（割合）は、各物質の解離定数（電離定数、酸解離定数）によって求めることができる。
　例えば、研磨用組成物中でＡ−とＨ＋に解離する物質ＡＨの酸解離定数がｐＫａであり、上記物質ＡＨが研磨用組成物中に１．０ｍｏｌ／Ｌ含まれており、その研磨用組成物のｐＨが３である場合には、Ａ−の濃度ｍＡは、（１０−ｐＫａ×１．０［ｍｏｌ／Ｌ］）／１．０×１０−３の式で求められる。
　研磨用組成物に塩を添加する場合には、その塩のカウンターイオンのモル濃度によってイオン強度を算出する。例えば、研磨用組成物中でＡ−とＢ＋に解離する物質ＡＢについては、研磨用組成物中ＡＨまたはＢＯＨについては、分けてイオン強度を算出する。
　また、研磨用組成物中で一段階以上の多段階の解離をする物質を含む研磨用組成物においては、それぞれの段階で解離しているイオンについてイオン強度を求める。
　なお、イオン強度の算出は、研磨用組成物の温度が２５℃である場合について行うものとする。
　【００５７】
　研磨用組成物のイオン強度は、例えば、該組成物に含まれるイオン性化合物の種類および使用量（濃度）により調節することができる。上記イオン性化合物としては、上述した研磨促進剤や塩基性化合物として機能する化合物を利用し得る。これら以外のイオン性化合物を用いてイオン強度を調節してもよい。
　【００５８】
　（その他の成分）
　研磨用組成物は、本発明の効果が著しく妨げられない範囲で、キレート剤や防腐剤等の、研磨用組成物（典型的には、Ｎｉ−Ｐ基板等のような磁気ディスク基板の研磨に用いられる研磨用組成物）に用いられ得る公知の添加剤を、必要に応じてさらに含有してもよい。
　【００５９】
　キレート剤の例としては、アミノカルボン酸系キレート剤および有機ホスホン酸系キレート剤が挙げられる。アミノカルボン酸系キレート剤の例には、エチレンジアミン四酢酸、エチレンジアミン四酢酸ナトリウム、ニトリロ三酢酸、ニトリロ三酢酸ナトリウム、ニトリロ三酢酸アンモニウム、ヒドロキシエチルエチレンジアミン三酢酸、ヒドロキシエチルエチレンジアミン三酢酸ナトリウム、ジエチレントリアミン五酢酸、ジエチレントリアミン五酢酸ナトリウム、トリエチレンテトラミン六酢酸およびトリエチレンテトラミン六酢酸ナトリウムが含まれる。有機ホスホン酸系キレート剤の例には、２−アミノエチルホスホン酸、１−ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸、アミノトリ（メチレンホスホン酸）、エチレンジアミンテトラキス（メチレンホスホン酸）、ジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）、エタン−１，１−ジホスホン酸、エタン−１，１，２−トリホスホン酸、エタン−１−ヒドロキシ−１，１−ジホスホン酸、エタン−１−ヒドロキシ−１，１，２−トリホスホン酸、エタン−１，２−ジカルボキシ−１，２−ジホスホン酸、メタンヒドロキシホスホン酸、２−ホスホノブタン−１，２−ジカルボン酸、１−ホスホノブタン−２，３，４−トリカルボン酸およびα−メチルホスホノコハク酸が含まれる。これらのうち有機ホスホン酸系キレート剤がより好ましく、なかでも好ましいものとしてエチレンジアミンテトラキス（メチレンホスホン酸）およびジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）が挙げられる。特に好ましいキレート剤として、エチレンジアミンテトラキス（メチレンホスホン酸）が挙げられる。
　【００６０】
　上述のような研磨用組成物は、典型的には該研磨用組成物を含む研磨液の形態で被研磨物（例えば磁気ディスク基板）に供給されて、該被研磨物の研磨に用いられる。上記研磨液は、例えば、研磨用組成物を希釈して調製されたものであり得る。あるいは、研磨用組成物をそのまま研磨液として使用してもよい。すなわち、ここに開示される技術における研磨用組成物の概念には、被研磨物に供給される研磨液（ワーキングスラリー）と、希釈して研磨液として用いられる濃縮液との双方が包含される。
　【００６１】
　研磨用組成物は、被研磨物に供給される前には濃縮された形態（濃縮液の形態）であってもよい。かかる濃縮液の形態の研磨用組成物は、製造、流通、保存等の際における利便性やコスト低減等の観点から有利である。濃縮倍率は、例えば１．５倍〜５０倍程度とすることができる。濃縮液の貯蔵安定性等の観点から、通常は、２倍〜２０倍（典型的には２倍〜１０倍）程度の濃縮倍率が適当である。
　このように濃縮液の形態にある研磨用組成物は、所望のタイミングで希釈して研磨液を調製し、その研磨液を被研磨物に供給する態様で好適に使用することができる。
　【００６２】
　研磨用組成物のｐＨは特に限定されない。例えば、研磨レートや表面平滑性等の観点から、ｐＨ４以下が好ましく、ｐＨ３以下がより好ましい。研磨液において上記ｐＨが実現されるように、必要に応じて有機酸、無機酸等のｐＨ調整剤を含有させることができる。上記ｐＨは、例えば、Ｎｉ−Ｐの研磨に用いられる研磨液に好ましく適用され得る。
　【００６３】
　以下、本発明に関するいくつかの実施例を説明するが、本発明をかかる実施例に示すものに限定することを意図したものではない。なお、以下の説明において「部」および「％」は、特に断りがない限り重量基準である。
　【００６４】
　＜実施例および比較例＞
　（研磨液の調製）
　砥粒、パッド表面調整剤、酸または塩、塩基性化合物、３１％過酸化水素水およびイオン交換水を混合して、表１に示す組成および性質を有する研磨液１〜８を調製した。酸または塩、塩基性化合物の使用量は、研磨液のイオン強度を見ながら適宜調整した。表１中、「−」は不使用を意味する。また、ＧＬＤＡ４ＮａはＬ−グルタミン酸二酢酸四ナトリウムの略称である。
　【００６５】
　【表１】
　【００６６】
　（パッドドレッシング）
　研磨パッドとして、ポリウレタン製でスウェードタイプのノンバフパッドを用意した。上記研磨パッドのサイズは、外径６４０ｍｍ、内径２３２ｍｍのドーナツ盤状であり、したがって研磨面の面積は２７９２ｃｍ２である。上記研磨パッド２枚を、両面研磨装置（スピードファム社製「９Ｂ−５Ｐ」）の上定盤と下定盤に各１枚ずつ固定した。ダイヤモンドドレッサーを２枚／キャリア×５キャリア（計１０枚）装填し、１〜１．５Ｌ／分のレートでイオン交換水を供給しながら、研磨パッドの研磨面に対してパッドドレッシングを行った。
　【００６７】
　（ダミー研磨）
　次いで、上記研磨パッドが引き続き定盤に固定された状態で、該研磨パッドの研磨面に高圧ジェット水流を吹き付けて洗浄した。そして、上記両面研磨装置にダミー基板をセットし、表２に示す研磨液を用いて下記の条件でダミー研磨を行った。
　ダミー基板としては、表面に無電解ニッケルリンめっき層を備えた直径３．５インチ（約９５ｍｍ）、厚さ１．２７ｍｍのハードディスク用アルミニウム基板を用いた。
　［ダミー研磨条件］
　研磨荷重：１２０ｇ／ｃｍ２
　基板装填枚数：２枚／キャリア×４キャリア（計８枚）
　下定盤回転数：６０ｒｐｍ
　研磨液の供給レート：８３ｍＬ／分
　研磨時間：５分
　研磨回数：１２回
　【００６８】
　（研磨対象基板の研磨：本研磨）
　ダミー研磨終了後、ダミー基板を取り外し、研磨対象基板をセットした。研磨対象基板としては、表面に無電解ニッケルリンめっき層を備えた直径３．５インチ（約９５ｍｍ）、厚さ１．２７ｍｍのハードディスク用アルミニウム基板を、Ｓｃｈｍｉｔｔ　Ｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔ　Ｓｙｓｔｅｍ社製レーザースキャン式表面粗さ計「ＴＭＳ−３０００ＷＲＣ」により測定される表面粗さ（算術平均粗さ（Ｒａ））の値が６Åとなるように予備研磨したものを使用した。表２に示す研磨液を用いて下記の条件で研磨対象基板を研磨した。
　［研磨条件］
　研磨荷重：１２０ｇ／ｃｍ２
　基板装填枚数：２枚／キャリア×４キャリア（計８枚）
　下定盤回転数：６０ｒｐｍ
　研磨液の供給レート：８３ｍＬ／分
　研磨時間：５分
　【００６９】
　＜評価＞
　［毛羽立ち］
　パッドドレッシングを終えた後の研磨パッド表面およびダミー研磨を終えた後の研磨パッド表面について、ＳＥＭで観察を行い、以下の２水準で評価した。結果を表２に示す。
　○：パッドドレッシング後に存在していたパッド表面の毛羽立ちが、ダミー研磨後には除去されていた。
　×：パッドドレッシング後に存在していたパッド表面の毛羽立ちが、ダミー研磨後にも除去されていなかった。
　【００７０】
　［ポア開口率］
　研磨対象基板の研磨を終えた後の研磨パッド表面につき、ＳＥＭで観察を行い、以下の２水準で評価した。結果を表２に示す。
　○：パッド表面に十分数のポアが認められた。すなわち気泡が十分に開口していた。
　×：パッド表面のポアが塞がれており、開口状態は十分でなく、表面がコロイダルシリカによって覆われていた。
　【００７１】
　［微小うねり］
　各実施例および各比較例に係る基板（研磨後の研磨対象基板）２枚の表裏、計４面につき、非接触表面形状測定機（商品名「ＮｅｗＶｉｅｗ」、Ｚｙｇｏ社製）を用いて、レンズ倍率２．５倍、ズーム倍率０．５倍、バンドパスフィルターを８０〜５００μｍの条件で微小うねりを測定した。研磨後の基板の中心から径方向外側に３７ｍｍの位置に対し、９０°ずつ４ヵ所を測定し、その平均値を微小うねり値（Å）として求めた。結果を表２に示す。
　【００７２】
　【表２】
　【００７３】
　表２に示されるように、ダミー研磨工程で用いるダミー研磨用組成物として、コロイダルシリカ砥粒を含む研磨液にパッド表面調整剤を含ませたものを用いた実施例１〜５では、パッド表面は十分に開口し、基板表面の微小うねりを有意に低減することができた。一方、ダミー研磨工程で用いるダミー研磨用組成物として、パッド表面調整剤を含まない研磨液を用いた比較例１〜４、パッド表面調整剤の機能を持たない分散剤を含む研磨液を用いた比較例５、６では、パッド表面の毛羽立ちは除去されず、パッド表面は十分に開口せず、実施例１〜５と比べて微小うねりは高い値を示した。これらの結果から、コロイダルシリカ砥粒を含む研磨液にパッド表面調整剤を含ませた研磨液を、ダミー研磨工程で用いるダミー研磨用組成物として用いることで、微小うねりを低減し得ることがわかる。
　【００７４】
　以上、本発明の具体例を詳細に説明したが、これらは例示にすぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】
　
ポリウレタン製でスウェードタイプのノンバフパッドである
、該研磨パッドが研磨装置に装着された状態で
　前記パッドドレッシングされた研磨パッド
、
、コロイダルシリカ砥粒を含む
　研磨対象基板を研磨する工程（ｃ）と；
を含
む、基材ディスクの表面にニッケルリンめっき層を有する磁気ディスク基板の製造方法であって、
　前記研磨液は
、ポリアルキルアリールスルホン酸系化合物、メラミンホルマリン樹脂スルホン酸系化合物、リグニンスルホン酸系化合物、芳香族アミノスルホン酸系化合物、ポリイソプレンスルホン酸およびその塩、ポリビニルスルホン酸およびその塩、ポリアリルスルホン酸およびその塩、ならびに、ポリイソアミレンスルホン酸およびその塩から選択される
を
　【請求項２】
　
ポリウレタン製でスウェードタイプのノンバフパッドである研磨パッドを、該研磨パッドが研磨装置に装着された状態でパッドドレッシングする工程（ａ）と、ここで該パッドドレッシングは、該研磨パッドの発泡部分（ポア）が２μｍ以上の平均開口径で表面に現れるまで削りとるように行われる工程である；
　
前記パッドドレッシングされた研磨パッド、および、コロイダルシリカ砥粒を含む研磨液を用いてダミー研磨を行い、前記パッドドレッシング後の該研磨パッド表面に存在する毛羽立った部分を除去する工程（ｂ）と；
　
研磨対象基板を研磨する工程（ｃ）と；
を含む、基材ディスクの表面にニッケルリンめっき層を有する磁気ディスク基板の製造方法であって、
　
前記研磨液は、ポリアルキルアリールスルホン酸系化合物、メラミンホルマリン樹脂スルホン酸系化合物、リグニンスルホン酸系化合物、芳香族アミノスルホン酸系化合物、ポリイソプレンスルホン酸およびその塩、ポリビニルスルホン酸およびその塩、ポリアリルスルホン酸およびその塩、ならびに、ポリイソアミレンスルホン酸およびその塩から選択されるパッド表面調整剤を含み、
　前記工程（ｃ）において前記工程（ｂ）の研磨液を用いる
、基板
　【請求項３】
　
ポリウレタン製でスウェードタイプのノンバフパッドである研磨パッドを、該研磨パッドが研磨装置に装着された状態でパッドドレッシングする工程（ａ）と、ここで該パッドドレッシング後の該研磨パッドの表面には、平坦に削りとられることによって、気泡が開口してできたポアが多数存在し、毛羽立った部分が存在している；
　
前記パッドドレッシングされた研磨パッド、および、コロイダルシリカ砥粒を含む研磨液を用いてダミー研磨を行い、前記毛羽立った部分を除去する工程（ｂ）と；
　
研磨対象基板を研磨する工程（ｃ）と；
を含む、基材ディスクの表面にニッケルリンめっき層を有する
の製造方法であって、
　
前記研磨液は、ポリアルキルアリールスルホン酸系化合物、メラミンホルマリン樹脂スルホン酸系化合物、リグニンスルホン酸系化合物、芳香族アミノスルホン酸系化合物、ポリイソプレンスルホン酸およびその塩、ポリビニルスルホン酸およびその塩、ポリアリルスルホン酸およびその塩、ならびに、ポリイソアミレンスルホン酸およびその塩から選択されるパッド表面調整剤を含む、基板の
　【請求項４】
　請求項
１
　コロイダルシリカ砥粒と、パッド表面調整剤と、を含
み、
　
前記パッド表面調整剤は、ポリアルキルアリールスルホン酸系化合物、メラミンホルマリン樹脂スルホン酸系化合物、リグニンスルホン酸系化合物、芳香族アミノスルホン酸系化合物、ポリイソプレンスルホン酸およびその塩、ポリビニルスルホン酸およびその塩、ポリアリルスルホン酸およびその塩、ならびに、ポリイソアミレンスルホン酸およびその塩から選択される
　【請求項５】
　請求項
２
　コロイダルシリカ砥粒と、パッド表面調整剤と、を含
み、
　
前記パッド表面調整剤は、ポリアルキルアリールスルホン酸系化合物、メラミンホルマリン樹脂スルホン酸系化合物、リグニンスルホン酸系化合物、芳香族アミノスルホン酸系化合物、ポリイソプレンスルホン酸およびその塩、ポリビニルスルホン酸およびその塩、ポリアリルスルホン酸およびその塩、ならびに、ポリイソアミレンスルホン酸およびその塩から選択される
　【請求項６】
　請求項
３
　コロイダルシリカ砥粒と、パッド表面調整剤と、を含
み、
　
前記パッド表面調整剤は、ポリアルキルアリールスルホン酸系化合物、メラミンホルマリン樹脂スルホン酸系化合物、リグニンスルホン酸系化合物、芳香族アミノスルホン酸系化合物、ポリイソプレンスルホン酸およびその塩、ポリビニルスルホン酸およびその塩、ポリアリルスルホン酸およびその塩、ならびに、ポリイソアミレンスルホン酸およびその塩から選択される