【事件の表示】
　特願２００８−５２６９３２「Ｓｉ含有膜を成膜する連続的成膜処理方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１９年　２月２２日国際公開、ＷＯ２００７／０２１３８５、平成２１年　２月　５日国内公表、特表２００９−５０５４１９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
［１］手続の経緯
　本願は、２００６年７月３日（パリ条約による優先権主張　２００５年８月１８日）を国際出願日とする出願であって、平成２４年４月１７日付けで拒絶理由通知がなされ、同年６月２２日付けで意見書および手続補正書が提出され、同年８月２８日付けで拒絶査定がなされ、同年１２月４日付けで拒絶査定不服の審判請求がなされるとともに、同日付けで手続補正書が提出され、平成２５年２月４日付けで当審による審尋がなされ、同年４月５日付けで回答書が提出されたものである。
　
［２］平成２４年１２月４日付け手続補正についての補正却下の決定
＜結論＞
　平成２４年１２月４日付け手続補正（以下、「本件補正」という。）を却下する。
＜理由＞
（１）補正の内容
　本件補正は、特許請求の範囲の請求項１を、下記の通りとする補正を含むものである。
（補正前）
「【請求項１】
　処理チャンバ内に基板を供する基板提供工程；
　前記基板を塩素化されたシランガスに曝露することによって塩素化されたＳｉ膜を成膜する成膜工程；及び
　前記塩素化されたＳｉ膜をドライエッチングして、前記塩素化されたＳｉ膜から塩素を解放することで、前記Ｓｉ膜の塩素含有量を減少させるドライエッチング工程；
　を有する、基板処理方法。」
　
（補正後）
「【請求項１】
　処理チャンバ内に基板を供する基板提供工程；
　前記基板を塩素化されたシランガスに曝露することによって塩素化されたＳｉ膜を成膜する成膜工程
であって、前記塩素化されたシランガスが、ＳｉＣｌ
４
、ＳｉＨＣｌ
３
、ＳｉＨ
２
Ｃｌ
２
、若しくはＳｉ
２
Ｃｌ
６
又はこれら２以上を混合したものを有する、工程
　及び
　前記塩素化されたＳｉ膜をドライエッチングして、前記塩素化されたＳｉ膜から塩素を解放することで、前記Ｓｉ膜の塩素含有量を減少させるドライエッチング工程；
　を有する、基板処理方法。」（下線部が、補正箇所である。）
　
（２）補正の目的
　上記補正は、補正前の請求項１に、請求項５に記載された事項を追加したもの、すなわち、「塩素化されたシランガス」について、特定のガスに限定するとともに、請求項５を削除するものであり、特許請求の範囲の減縮および請求項の削除を目的とするものに該当する。
　
（３）独立特許要件
　上記補正後の本願請求項１に係る発明（以下、「本願補正発明」という。） が、特許出願の際独立して特許を受けられるものかどうかを検討する。
（３−１）引用刊行物の記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用された、本出願の優先日前に日本国内において頒布された特開平６−１９６４２２号公報（以下、「引用刊行物」という。）には、以下の事項が記載されている。
（ａ）「【請求項１】真空排気手段を備えた成長槽と、該成長槽にＳｉＣｌ２を導入するジクロルシラン分解セルと、前記成長槽に還元性気体を導入する還元性気体導入セルとを備え、前記ジクロルシラン分解セルは、ジクロルシランをセル内に導入するジクロルシラン導入管と、該導入管に接続し、ジクロルシランを熱分解する熱分解管とを備えてなることを特徴とする半導体結晶成長装置。
……
【請求項３】請求項１に記載した半導体結晶成長装置を用いたＳｉ単結晶の超高真空中エピタキシャル成長法（ＵＨＶ−ＣＶＤ）であって、成長槽内の基板上にＳｉＣｌ２と還元性気体を交互に供給することを特徴とするＳｉ単結晶成長方法。」（第２頁第１欄第２−１８行）
　
（ｂ）「【従来の技術】メモリーに代表されるＳｉデバイスでは、高速化および高集積化のため、個々のデバイスの微細化が要求される。……
これらの要求を実現する手段として超高真空中の気相成長法（ＵＨＶ−ＣＶＤ）が開発された（B.S.Meyerson, E.Ganin, D.A.Smith and T.N.Nguyen, ジャーナル・オブ・エレクトロケミカル・ソサエティ，第133巻，1232ページ，1986年）。ＵＨＶ−ＣＶＤはシラン（ＳｉＨ４）、ジシラン（Ｓｉ２Ｈ６）を原料ガスとし、超高真空下で成長を行うものであり、６００℃程度の低温成長、および選択成長が可能であるなどの特徴を有する。……
　……
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】シランおよびジシランは基板表面で解離し、Ｓｉ原子となって成長に寄与する。しかしこれらのガスは表面での付着係数が小さく、解離効率が悪いという問題点があった。このため供給した原料ガスの一部しか成長に寄与せず、原料利用効率が極めて低い。付着係数を増すためにあらかじめ原料ガスを分解させて基板上に供給することが考えられるが、分解により生じるＳｉ原子の蒸気圧が低いため基板上に供給することが困難であった。さらに選択成長が実現される成長条件が狭いなどの問題点もあった。本発明は、以上述べたような従来の事情に対処してなされたもので、Ｓｉ単結晶のＵＨＶ−ＣＶＤ成長において、実用的な成長速度と原子層レベルの膜厚制御性を実現する半導体結晶成長装置および成長法を提供することを目的とする。」（第２頁第１欄第２４行−第２欄第８行）
　
（ｃ）「【作用】ＳｉＣｌ２分子は極性が強く、解離することなく表面ダングリングボンドに吸着する。このためシランやジシランに比べ付着係数が高い。Ｃｌ原子は原子状水素などの還元性気体により表面から脱離する。Ｃｌは原子状水素によりＨＣｌとして容易に脱離することが報告されており（C.C.Cheng, S.R.Lucas, H.Gutlebe,W.J.Choyke and J.T.Yates.Jr, ジャーナル・オブ・アメリカン・ケミカル・ソサエティ，第114巻，1249ページ，1992年）、結果としてシランやジシランを原料としたＵＨＶ−ＣＶＤと比較して高成長速度が実現される。さらに、ＳｉＣｌ２はジクロルシラン（ＳｉＨ２Ｃｌ２）のクラッキングにより効率よく生成されるため、従来のＵＨＶ−ＣＶＤ成長装置との整合性にも優れている。還元性の気体がない場合、Ｃｌは７００℃まで安定にＳｉ表面に吸着する。Ｃｌ終端された表面に対してはＳｉＣｌ２は吸着しないため、表面でのＳｉＣｌ２吸着量はＣｌ被覆率が１分子層に達した時点で飽和する。したがって、ＳｉＣｌ２と還元性気体を交互に供給することにより、供給サイクルあたりの成長速度はＳｉＣｌ２供給量によらず飽和する。これにより、原子層レベルで成長を制御することが可能となる。
【０００７】
【実施例】以下、本発明の実施例について詳細に説明する。図２は本発明によるジクロルシラン分解セルの構成図である。ジクロルシランは導入管１０により分解セルに導入され、タンタル製ヒーター１１により加熱された熱分解管１２の中でＳｉＣｌ２とＨ２に分解する。熱分解管１２はｐＢＮまたは石英製であり、分解効率を上げるためフィン１３が設けられている。図１は本発明による半導体結晶成長装置の構成図である。ＳｉＣｌ２ガスはジクロルシラン分解セル２０により供給される。ジクロルシランの流量は１〜１０ｓｃｃｍとした。還元性ガスとしてはＡｓＨ３または原子状水素を用いた。これらのガスは還元ガス供給セル２１より成長槽２２内に導入される。」
（第２頁第２欄第２７行−第３頁第３欄第１１行）
　
（ｄ）「【０００９】図４はＳｉＣｌ２と水素を交互に基板上に供給したときの、ジクロルシラン供給時間と成長速度との関係を示す図である。基板温度は６００℃、ジクロルシラン分解セル温度は８００℃、分解セルに供給するジクロルシラン流量および水素ガス流量はそれぞれ５ｓｃｃｍ、１０ｓｃｃｍとした。この図よりジクロルシラン供給時間が４秒以上では、成長速度は１サイクルあたり０．５原子層で飽和することがわかる。この現象は次のように理解される。即ち、ＳｉＣｌ２はＳｉ表面でＳｉＣｌとＣｌに解離吸着することが知られており、解離したＣｌは基板のＳｉとＳｉ−Ｃｌ結合を形成する。これらのＳｉ−Ｃｌ結合は極めて安定であり、またＣｌ終端された表面にはＳｉＣｌ２は吸着しない。したがってＳｉ表面にＳｉＣｌ２を供給した場合、０．５原子層分のＳｉＣｌ２吸着により表面は全てＣｌで被覆される。この後還元性ガスが供給されると、表面のＣｌが脱離し、結果としてＳｉＣｌ２流量によらず０．５原子層分のＳｉが堆積する。この現象を利用すれば、原料供給量によらず原子層レベルでＳｉの膜厚を制御することが可能となり、大面積基板に対し高均一成長が実現される。」（第３頁第３欄
第４１行−第４欄第１５行）
　
（３−２）引用刊行物記載の発明
　成長槽内において、基板上にＳｉ単結晶を成長させる際、成長槽内に基板を供する工程があることは明らかである。
　よって、上記記載事項によれば、引用刊行物には、
「真空排気手段を備えた成長槽内に基板を供する基板供給工程；
前記基板をＳｉＣｌ２ガスに曝露することによって、ＳｉＣｌ２の層を吸着させる工程；
及び
　前記ＳｉＣｌ２の層表面に原子状水素などの還元性ガスを供給し、前記ＳｉＣｌ２の層からＣｌ原子を脱離させて、前記ＳｉＣｌ２の層からＣｌ含有量を減少させる工程；
　を有するＳｉ単結晶成長方法。」（以下、「引用発明」という。）が記載されているものと認める。
　
（３−３）対比・判断　　
　本願補正発明と引用発明を対比すると、引用発明における「真空排気手段を備えた成長槽」、「ＳｉＣｌ２の層」、「吸着させる工程」、「Ｃｌ原子を脱離させる」、「Ｓｉ単結晶成長方法」は、本願補正発明の「処理チャンバ」、「塩素化されたＳｉ膜」、「成膜する成膜工程」、「塩素を解放する」、「基板処理方法」に相当する。
　
　よって、両者は、
「処理チャンバ内に基板を供する基板提供工程；
　前記基板に塩素化されたＳｉ膜を成膜する成膜工程；
　及び
　前記塩素化されたＳｉ膜から塩素を解放することで、前記Ｓｉ膜の塩素含有量を減少させる工程；
　を有する、基板処理方法。」である点で一致し、以下の点で相違する。
　
 （相違点１）
　塩素化されたＳｉ膜が、本願補正発明では、「塩素化されたシランガスに曝露することによって」「成膜」され、「前記塩素化されたシランガスが、ＳｉＣｌ４、ＳｉＨＣｌ３、ＳｉＨ２Ｃｌ２、若しくはＳｉ２Ｃｌ６又はこれら２以上を混合したものを有する」のに対して、 引用発明では、「ジクロルシラン（ＳｉＨ２Ｃｌ２）を分解して生成したＳｉＣｌ２に曝露することにより」、形成される点。
　
 （相違点２）
　塩素化されたＳｉ膜から塩素を解放することで、前記Ｓｉ膜の塩素含有量を減少させる工程が、本願補正発明では、「塩素化されたＳｉ膜をドライエッチング」して行われるのに対して、引用発明では、「ＳｉＣｌ２の層表面に原子状水素などの還元性ガスを供給し」て行われる点。
　
  上記各相違点について検討する。
・（相違点１）について
　引用発明は、熱分解セルにおいて予め「ジクロルシラン（ＳｉＨ２Ｃｌ２）を分解して生成したＳｉＣｌ２ガス」を基板表面に曝露するものであるが、ジクロルシラン（ＳｉＨ２Ｃｌ２）のような塩素化されたシランガスを基板表面に供給し吸着させた後、基板温度を高めてこれを分解させる手法も、本願優先日前周知のものであるから（例えば、下記周知例参照）、引用発明において、該手法を適用し、該相違点１に係る構成とすることは当業者が所望に応じ適宜なしえたことである。
　
 周知例：特開平２−１０２５２０号公報
 「〔実施例〕
　以下、本発明の一実施例をシリコン（Ｓｉ）のエピタキシャル成長を例として、第１図により説明する。……次にＨ２ガス中に化合物ガスとして例えばジクロルシラン（ＳｉＨ２Ｃｌ２）などのソースガスを約０．１ｍｏｌ％の濃度で１分間供給する。……
……表面には（ｂ）に示すように単分子（ｍｏｎｏｌａｙｅｒ）のソースガス吸着層４が形成される。次いで、ウエハ１の加熱温度を約８００℃に高めて約１５分間保持する。この昇温及び保持の工程で吸着層４のソースガスの分解が速進され、……。」（第２頁右下欄第３行−第３頁左上欄第３行）
　
・（相違点２）について
　「ドライエッチング工程」につき、本願明細書（【００２９】）には、「工程２１０では、ドライエッチング処理が実行されることで、塩素化されたＳｉ膜４３０の塩素含有量が減少する。ドライエッチング処理は、塩素化されたＳｉ膜４３０から塩素を脱離させることで、Ｓｉ膜４３０の塩素含有量を有効に減少させる。ドライエッチング処理は、Ｆ２、Ｃｌ２、Ｈ２、ＨＣｌ、若しくはＨ、又はこれら２以上を混合させたものを有するエッチングガスに曝露することによって実行されて良い。」と記載されており、これによれば、本願補正発明における「ドライエッチング工程」とは、塩素化されたＳｉ膜を、Ｈ２、Ｈ等を有するガスに曝すことにより行われるものと解され、引用発明における「ＳｉＣｌ２の層表面に原子状水素などの還元性ガスを供給」するものと相違せず、この点は実質的な相違点とはいえない。
　
　そして、本願補正発明が、引用刊行物の記載および周知技術からは予想しえない格別の効果を奏するものとも認められない。
　よって、本願補正発明は、引用刊行物に記載された発明および周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（３−４）まとめ
　したがって、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
［３］本願発明
　上記［２］のとおり、平成２４年１２月４日付け手続補正は却下されたので、本願請求項１に係る発明は、平成２４年６月２２日付け手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載されたとおりのものである（上記［２］（１））。
　
［４］引用刊行物記載の発明
　原査定の拒絶の理由に引用され、本出願の優先日前に日本国内において頒布された特開平６−１９６４２２号公報（以下、「引用刊行物」という。）には、上記［２］（３）（３−１）のとおりの事項、および［２］（３）（３−２）のとおりの発明（「引用発明」）が記載されている。
　
［５］対比・判断
　本願発明と引用発明とを対比すると、両者は、
「処理チャンバ内に基板を供する基板提供工程；
　前記基板に塩素化されたＳｉ膜を成膜する成膜工程；及び
　前記塩素化されたＳｉ膜から塩素を解放することで、前記Ｓｉ膜の塩素含有量を減少させる工程；
　を有する、基板処理方法。」である点で一致し、以下の点で相違する。
（相違点３）
　塩素化されたＳｉ膜が、本願発明では、「塩素化されたシランガスに曝露することによって」「成膜」されるのに対して、 引用発明では、「ジクロルシラン（ＳｉＨ２Ｃｌ２）を分解して生成したＳｉＣｌ２ガスに曝露することにより」、形成される点。
　
（相違点４）
　塩素化されたＳｉ膜から塩素を解放することで、前記Ｓｉ膜の塩素含有量を減少させる工程が、本願発明では、「塩素化されたＳｉ膜をドライエッチング」して行われるのに対して、引用発明では、「ＳｉＣｌ２の層表面に原子状水素などの還元性ガスを供給し」て行われる点（上記［２］（３）（３−３）における、本願補正発明と引用発明との相違点２に相当）。
　
　そこで、上記相違点について検討する。
・（相違点３）について
　上記［２］（３）（３−３）で述べたとおり、ジクロルシラン（ＳｉＨ２Ｃｌ２）のような塩素化されたシランガスを基板表面に供給し吸着させた後、基板温度を高めてこれを分解させる手法も、本願優先日前周知のものであるから、引用発明において該手法を適用し、相違点３に係る構成とすることは当業者が所望に応じ適宜なしえたことである。
　
・（相違点４）について
　この点については、上記［２］（３）（３−３）で述べたとおり、実質的な相違点とはいえないものである。
　
　そして、本願発明が、引用刊行物の記載および周知技術からは予想しえない格別の効果を奏するものとも認められない。
　よって、本願発明は、引用刊行物に記載された発明および周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
［６］むすび
　以上のとおりであるから、本願請求項１に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができないものである。
　したがって、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。