【事件の表示】
　特願２００６−１７８３８３「低真空電子光学系画像生成装置および低真空電子光学系画像生成方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２０年　１月１７日出願公開、特開２００８−　１０２６９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１８年６月２８日の出願であって、平成２３年８月２３日付けで拒絶理由が通知され、同年１０月２６日付けで意見書が提出されるとともに、同日付けで手続補正書が提出され、同年１１月２８日付けで拒絶査定がなされた。これに対して、平成２４年２月２４日に拒絶査定に対する審判請求がなされ、同時に手続補正がなされたものである。
　その後、平成２４年７月２０日付けで、審判請求人に前置報告の内容を示し意見を求めるための審尋を行ったところ、同年９月１２日付けで回答書が提出された。
　
第２　平成２４年２月２４日付けの手続補正についての補正の却下の決定
［補正の却下の決定の結論］
　平成２４年２月２４日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
１．補正後の請求項に記載された発明
　平成２４年２月２４日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）により、本願の特許請求の範囲の請求項１は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法（以下単に「特許法」という。）第１７条の２第４項第２号に掲げられた特許請求の範囲の減縮を目的として補正された。
　よって、本件補正後の特許請求の範囲の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）は、本件補正後の特許請求の範囲の請求項１に記載された、次のとおりのものである。
　
「電子光学系で生成したビームを低真空中に配置した試料に照射しつつ平面走査して画像を生成する低真空電子光学系画像生成装置において、
　低真空に保持して試料を試料移動台上に配置すると共に当該試料を前記ビームを細く絞る対物レンズの磁界あるいは対物レンズから漏洩した磁界の中に配置した構造を持つ試料室と、
　前記ビームを前記試料に照射しつつ平面走査したときに放出された２次電子を前記磁界の軸中心の近傍を２次電子検出器の方向に向かって通過する部分に配置する、低真空側と高真空側との間に設けた小さな絞りと、
　前記低真空について、前記試料から放出された２次電子を当該試料室内に配置した２次電子検出器に直接に吸引するときには直流電圧が放電あるいは放電しなくても２次電子検出器の寿命が短くなって印加が困難である、１０−２パスカルから３０パスカルの範囲に調整する手段と、
　前記低真空側には試料から放出された２次電子を前記絞りに向けて加速する加速電極を設けることなく、前記絞りを通過した高真空側に配置し、当該絞りを通過した２次電子を直接に吸引するための、当該絞りを見込める場所かつ対向して配置した、直流電圧を前部あるいは前方に印加した２次電子検出器と
を備えたことを特徴とする低真空電子光学系画像生成装置。」
（なお、「１０−２」は「１０−２」の誤記であると認定した。）
　
　そこで、上記本願補正発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるもであるか否か（特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するか否か）について、以下に検討する。
　
２．引用刊行物
（１）原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願前に頒布された刊行物である、特開２００２−７５２６４号公報（以下「引用文献１」という。）には、以下の事項が記載されている。（下線は、当審が付した。）
　
（ａ）「【０００８】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明に基づく
低真空走査電子顕微鏡は、電子銃から発生し加速された一次電子ビームをコンデンサレンズと対物レンズによって試料上に細く集束すると共に、試料上の一次電子ビームの照射範囲を２次元的に走査し、試料への一次電子ビームの照射によって発生した２次電子を２次電子検出器によって検出し、検出信号に基づいて試料の２次電子像を得るようにした走査電子顕微鏡において、対物レンズとして内側磁極と外側磁極とを備えたセミインレンズタイプの対物レンズを用いて対物レンズの磁場が試料上に及ぶように構成し、
【０００９】請求項１の発明では、
対物レンズとして内側磁極と外側磁極とを備えたセミインレンズタイプの対物レンズを用いて対物レンズの磁場が試料上に及ぶように構成し
（ｂ）「【００１３】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実施の形態を詳細に説明する。図２は、本発明に基づく低真空走査電子顕微鏡の一例を示したもので、２０は走査電子顕微鏡の鏡筒である。鏡筒２０の上部には電子銃室２１が配置されている。電子銃室２１内には、熱電子銃や電界放射型電子銃などの電子銃が設けられている。
【００１４】
電子銃から発生し加速された一次電子ビームＥＢは、コンデンサレンズ２２と対物レンズ２３によって試料室２４内に配置された試料２５上に細く集束される。対物レンズ２３としては、内側磁極２６と外側磁極２７とを備えたセミインレンズ型の対物レンズが用いられている。対物レンズ２３の上部には、一次電子ビームＥＢを偏向するための走査コイル２８が設けられている。
【００１５】
対物レンズ２３の内側磁極２６の底部には、微小開口を有したオリフィス２９が設けられている。このオリフィス２９により、電子銃室２１から対物レンズ２３内部の各空間と、試料室２４内とは差動排気される。すなわち、電子銃室２１や対物レンズ２３上部の空間は、排気管３０を介して拡散ポンプ等により高真空に排気されている。
【００１６】試料室２４には、３つのバルブ３１，３２，３３が設けられているが、バルブ３１は排気管３０との接続のために設けられており、走査電子顕微鏡を低真空で使用する際にはこのバルブは閉じられている。バルブ３２はロータリーポンプ（図示せず）に接続され、バルブ３３はバリアブルリークバルブに接続されている。
このバルブ３２，３３の開閉により、試料室２４内は所望の低真空に維持される。
【００１７】
対物レンズ２３の一部には、開口３４が設けられており、その開口部分には、２次電子検出器３５が設けられている。２次電子検出器３５は、コロナリング３６とシンチレータ３７、および光電子増倍管３８より構成されている。
【００１８】図３はオリフィス２９部分の詳細図である。
オリフィス２９は、オリフィス固定用ガイド４０を介して対物レンズ２３の内側磁極２６の先端部に取り付けられている。オリフィス２９の中心部分には、一次電子ビームを通すための微小開口４１が穿たれている。オリフィス２９の底部には、絶縁層４２を介して加速電極４３が取り付けられている。
【００１９】まず、低真空下における試料２５の像観察について説明する。最初に電子銃室２１から対物レンズ２３内の電子ビーム通過領域を排気管３０を介して、例えば、拡散ポンプで真空排気し、それらの領域の真空度を１×１０−１Ｐａ程度とする。また、試料室２４内部をバルブ３２と３３をオープンにし、バルブ３２を介してロータリーポンプで試料室内を排気すると共に、バルブ３３を介して大気あるいは窒素ガス等を試料室２４内に導入し、
この試料室内の真空度を１０〜３００Ｐａ程度の低真空に維持する。
【００２０】鏡筒２０と試料室２４内部を所望の真空度にした後、電子銃室２１内の電子銃から一次電子ビームを発生し加速させる。一次電子ビームＥＢはコンデンサレンズ２２と対物レンズ２３により試料２５に細く集束される。更に一次電子ビームＥＢは、走査コイル２８によって２次元的に走査される。一次電子ビームＥＢによって試料２５からは２次電子seが発生する。
【００２１】図４は試料から発生した２次電子seの振る舞いを説明するための図であり、
試料２５からの２次電子は、セミインレンズタイプの対物レンズ２３の磁界Ｍにより回転運動が与えられ、光軸上に集められる。光軸上に集められた２次電子は、加速電極４３による電界Ｅ
１
により上方に導かれる。従って、試料２５から発生した２次電子は、効率よく集められ、オリフィス２９の開口を通ってオリフィスの上部に導かれる。
【００２２】
対物レンズ２３内に入った２次電子は
対物レンズ２３内の２次電子は、２次電子検出器のコロナリング３６によって形成される電界Ｅ
３
によって２次電子検出器３５方向に引き寄せられ
【００２３】このように、試料２５から発生した２次電子は、セミインレンズタイプの対物レンズ２３による磁界、加速電極４３による電界、減速電極４による電界、２次電子検出器３５からの電界により、効率よく検出器３５に導かれ、検出される。なお、ワーキングディスタンスが３mm、オリフィス絞りが１５０μm、加速電極電圧が＋１０Ｖ、減速電極電圧が−１０Ｖ、試料から発生する２次電子のエネルギーが３eVの場合、一次電子ビームの加速電圧が１ｋＶでは、試料から発生する２次電子の１００％を対物レンズ内部に配置した２次電子検出器で捕獲することができた。また、一次電子ビームの加速電圧が５ｋＶでは、試料から角度−６０から＋６０°の範囲に放出される２次電子の捕獲が可能であることが確かめられた。
【００２４】なお、加速電極に印加される電圧は、試料の高さ位置や試料室内の圧力によって変化させることが好ましい。これにより、試料から発生した２次電子が効率よく集められ、高い検出効果を得ることができる。図５はこの制御を行うための回路を示しており、加速電極４３には電圧制御装置５１によって制御される加速電極電源５０を介して数Ｖ〜１０Ｖ程度の加速電圧が印加される。電圧制御装置５１には、現在の試料高さ情報と試料室内圧力情報の信号が入力されており、電圧制御装置５１は、予めメモリー５２に記憶されている試料高さ情報と試料室内圧力の信号に応じた最適加速電圧のデータテーブルより、現在の状態に合った最適加速電圧を呼び出し、加速電極電源５０へ送る。
【００２５】以上本発明の実施の形態を説明したが、本発明はこの実施の形態に限定されない。例えば、減速電極を設けたが、この減速電極は本発明にとって必須の構成要素ではなく、この電極を設けなくともよい。また、２次電子検出器の位置は対物レンズの中間部分であったが、対物レンズの上部に２次電子検出器を配置してもよい。更に、図２においてバルブ３１をオープンとし、バルブ３２と３３をクローズにすれば、高真空走査電子顕微鏡として使用することができる。」
（ｃ）「
」
（ｄ）「
」
（ｅ）「
」
　上記記載事項（ｃ）及び（ｄ）から、「オリフィス２９」は「対物レンズ２３」と「試料室２４」との間に設けられている構成を読み取ることができる。
　
　すると、上記引用文献１の記載事項から、引用文献１には、以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。
「電子銃から発生し加速された一次電子ビームＥＢをコンデンサレンズ２２と対物レンズ２３によって試料室２４内に配置された試料２５上に細く集束すると共に、試料２５上の一次電子ビームＥＢの照射範囲を２次元的に走査し、試料２５への一次電子ビームＥＢの照射によって発生した２次電子seを２次電子検出器３５によって検出し、検出信号に基づいて試料２５の２次電子像を得るようにした低真空走査電子顕微鏡において、
　対物レンズ２３は内側磁極２５と外側磁極２７とを備えて対物レンズ２３の磁場が試料２５上に及ぶように構成したセミインレンズタイプの対物レンズであり、
　対物レンズ２３の一部には、開口３４が設けられており、その開口３４にはコロナリング３６、シンチレータ３７及び光電子増倍管３８より構成された２次電子検出器３５が設けられ、
  対物レンズ２３と試料室２４との間に微小開口４１を有したオリフィス２９が設けられ、オリフィス２９の底部には加速電極４３が取り付けられ、試料２５からの２次電子seは対物レンズ２３の磁界Ｍにより回転運動が与えられ、光軸上に集められ、加速電極４３により上方に導かれ、オリフィス２９の微小開口４１を通ってオリフィス２９の上部に導かれ、対物レンズ２３内に入った２次電子seはコロナリング３６によって形成される電界Ｅ３によって２次電子検出器３５方向に引き寄せられ、
　電子銃室２１から対物レンズ２３内部は排気管３０を介して高真空に維持され、試料室２４内はバルブ３２と３３の開閉により１０〜３００Ｐａの低真空に維持される低真空走査電子顕微鏡。」
　
（２）平成２４年７月２０日付けの審尋で引用され、本願の出願前に頒布された刊行物である、特開平９−３０４０４０号公報（以下「引用文献２」という。）には、以下の事項が記載されている。（下線は、当審が付した。）
（ａ）「【０００８】
【発明の実施の形態】図１は本発明によるパターン検査装置のブロック図である。電子銃１で発生した電子ビーム２を電子レンズ３で集束し、偏向コイル４で走査して、被検査物５に照射する。被検査物５から放出される反射電子あるいは二次電子を検出器６で検出する。検出器６で得た走査電子像信号をＡ／Ｄコンバータ７でデジタル画像信号に変換する。この検出画像と予めメモリ８に記憶しておいた良品画像とを、画像処理装置９で比較して不一致部分を欠陥として検出する。
被検査物５は、ＸＹステージ１０に搭載され、ＸＹステージの移動と電子ビーム２の走査により、被検査物５のパターン全面を検出する。
試料室１３は、真空ポンプ１４で排気する。真空計１５の指示により、コントローラ１６がリークバルブ１７を制御して、一定の低真空度に保つ。被検査物５の雰囲気は低真空であるため、電子ビーム２の照射でも帯電することが無い。
【０００９】
図２はパターン検査装置のパターン検出部のブロック図である。高真空室２１は、ターボ分子ポンプ２２と油回転ポンプ２３により高真空（例えば、１０
〜
３
Ｐａ以下）に保たれている。
電子ビーム２の照射により被検査物５から放出された二次電子や反射電子２８は、中間室３３内の電子線検出器２９で検出する。
電子線検出器２９の前面近くに、電極３０を配置して、正電位を印加すると、二次電子が収集されて、二次電子像が得られる。
【００１０】一方、試料室１３は、油回転ポンプ３１で真空引きされている。真空計１５で、試料室１３の真空度を監視し、目標真空度より真空度が高ければ、リークバルブ１７を開き、低ければ、閉じることで、試料室の真空度を所定の値（例えば、０．１〜１０２Ｐａ）に制御する。試料室１３と高真空室２１との間には、オリフィス群３２を置き、差動排気を行う。さらに、対物レンズ２６の下面と被検査物５との空隙を最小とすることで、オリフィスの効果を持たせ、
中間室３３も高真空に保つ。中間室３３を高真空にすることで、電極３０に高電位を印加することができ、二次電子の検出が可能となった。もし、中間室の真空度が低いと、放電のため、電極に高電位を印加できない。
【００１１】偏向走査コイル群２７による電子ビームの走査では、大面積の被検査物のパターンを全面検出できないため、ＸＹステージ１０の移動と併用して、パターン全面を検出する。
【００１２】
図３はパターン検査装置のパターン検出部の他のブロック図である。図２との違いは、対物レンズ２６であり、それのみを説明する。中間室３３と試料室１３との差動排気を行うため、対物レンズの下磁路にオリフィス３４を設けた。
【００１３】図４はパターン検査装置の欠陥判定処理部のブロック図である。電子ビーム２の照射により被検査物５から放出された二次電子あるいは、反射電子を検出器６で検出する。検出器６からの検出画像信号をＡＤコンバータ７でデジタル画像信号に変換する。ＸＹステージ１０はドライバー４３で駆動され、被検査物の任意の場所のパターンを検出できる。
【００１４】被検査物が例えば、半導体ウエハであると、一つのチップエリアを単位とした繰返しパターンである。そこで、まず、一つの単位の繰返しパターンを検出し、その領域のデジタル画像信号をメモリ８に格納しておく。次に、残りの領域を検出し、そのデジタル画像信号をメモリ８に格納しておいた画像信号と、位置合せ回路４１で位置合せをし、比較回路４２で濃淡画像比較し、不一致部を欠陥と判定する。
【００１５】図５はパターン検査装置の欠陥判定処理部の他のブロック図である。電子ビーム２の照射により被検査物５から放出された二次電子あるいは、反射電子を検出器６で検出する。検出器６からの検出画像信号をＡＤコンバータ７でデジタル画像信号に変換する。ＸＹステージ１０はドライバー４３で駆動され、被検査物の任意の場所のパターンを検出できる。
【００１６】被検査物が例えば、ガラスマスクあるいは、Ｘ線露光用マスクであると、検出画像を二値化することで、容易にパターンを顕在化できる。そこで、ＡＤコンバータ７の出力信号を二値化回路５１で二値化し、二値画像信号とする。一方、マスクパターンを作成する設計データ５２をもとに、理想二値パターンを作成し、メモリ８に格納しておく。二値化回路５１の出力である検出二値画像信号とメモリ８から読みだした良品二値パターン信号を位置合せ回路４１で位置合せし、比較回路４２で二値画像比較し、不一致部を欠陥と判定する。」
（ｂ）「
」
（ｃ）「
」
　上記記載事項を含む引用文献２の全記載事項中に、試料室１３内に二次電子を加速するための電圧を付加する電極を設けるという記載はない。
　
（３）原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願前に頒布された刊行物である、特開２００５−１４９７３３号公報（以下「引用文献３」という。）には、以下の事項が記載されている。（下線は、当審が付した。）
（ａ）「【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
　以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。
【００１５】
　
図１は、本発明における走査電子顕微鏡を示す概略構成図である。同図において、１は走査電子顕微鏡であり、この走査電子顕微鏡１は、内部に試料１０が配置される試料室２と、試料室２の上部に配置された鏡筒３とを備える。
【００１６】
　
鏡筒３は、電子銃（電子ビーム源）４、集束レンズ５、走査コイル６、及び対物レンズ７を備えている。
【００１７】
　試料１０に電子ビーム２０が照射される際には、試料室２の内部空間及び鏡筒３の内部空間は真空引きされることとなる。鏡筒３を構成する電子銃４の内部空間は排気管２１により真空引きされる。また、集束レンズ５と走査コイル６との間の空間は排気管２２により真空引きされる。さらに、走査コイル６と対物レンズ７が配置される空間は排気管２３により真空引きされる。そして、試料室２の内部空間は排気管２４により真空引きされる。
【００１８】
　このように、鏡筒３内で区分けされた各内部空間及び試料室２の内部空間はそれぞれ異なる排気管により真空引きされるようになっている。
【００１９】
　ここで、対物レンズ７は励磁コイル７ａを備えたセミインレンズ型の構成をしており、この対物レンズ７の内側磁極１２及び外側磁極１３は試料室２内に配置された試料１０に対向するように位置している。これにより、対物レンズ７により発生した磁場は試料１０上まで到達するようになっている。
【００２０】
　そして、
内側磁極１２及び外側磁極１３の先端部、すなわち対物レンズ７における試料１０との対向部にはオリフィス（仕切板）３１が設けられている。このオリフィスは、鏡筒３内の内部空間と試料室２内の内部空間とを仕切って区分けするためのものである。
【００２１】
　試料１０は、試料室２内において、試料ステージ１１に載置されている。この試料ステージ１１には、図示しない電圧印加手段が接続されている。これにより、試料１０には、試料ステージ１１を介して電圧印加手段によって所定の負電圧が印加される。なお、試料１０の上方に位置する対物レンズ７は接地電位とされている。
【００２２】
　
対物レンズ７の内部には第１の２次電子検出素子３４と第２の２次電子検出素子１６とが配置されている。第１の２次電子検出素子３４は、対物レンズ７における電子ビーム通過空間９内に配置されており、支持部１９ａにより支持されている。
【００２３】
　また、第２の２次電子検出素子１６は、対物レンズ７の両磁極１２，１３に形成された開口部１４の内部に配置されている。この開口部１４は、対物レンズ７の電子ビーム通過空間９に面するように形成されている。第２の２次電子検出素子１６は、２次電子を検出して光を発するシンチレータからなる。このシンチレータ（第２の２次電子検出素子）１６の周囲にはコロナリング１５が配置されている。このコロナリング１５には正電圧が印加され、２次電子をシンチレータ１６に集める作用を備える。２次電子の検出に応じてシンチレータ１６が発した光は、光電子増倍管１７によって電気信号に変換される。これらシンチレータ１６、コロナリング１５、及び光電子増倍管１７により第２の２次電子検出器１８が構成されている。
【００２４】
　次に、図２を参照して、本発明における走査電子顕微鏡を用いた試料観察における動作について説明する。ここで、図２は、図１に示した走査電子顕微鏡の要部拡大図である。
【００２５】
　電子ビーム２０は、走査コイル６及び対物レンズ７を含む電子光学系により制御されて試料室２内に配置された試料１０に照射される。試料１０に電子ビーム２０が照射される際には、
鏡筒３の内部空間の真空度は、例えば１×１０
−１
Ｐａ程度の高真空となっている。
【００２６】
　このとき、対物レンズ７の収差の影響を小さくするために試料１０に照射される電子ビーム２０のエネルギーを高くしても、試料１０に印加された負電圧により電子ビーム２０は試料１０の直前で減速することとなり、得られる試料像の分解能が向上する。
【００２７】
　
電子ビーム２０の照射により試料１０から発生した２次電子３０は、対物レンズ３からの磁場により捕獲されて上昇する。
【００２８】
　ここで、
試料室２の内部空間の真空度が１０〜３００Ｐａ程度の低真空の場合には
【００２９】
　なお、電子ビーム２０の照射時に当該電子ビーム２０がオリフィス３１を通過できるようにするために、オリフィス３１には孔３２が形成されている。そして、鏡筒３の内部空間と試料室２の内部空間との間には圧力差が存在するが、オリフィス３１の孔３２によって差動排気されるようになっている。
【００３０】
　試料１０に印加された負電圧による加速場によって上方に加速された２次電子３０は、オリフィス３１に形成された孔３２を通過する。
【００３１】
　対物レンズ７の電子ビーム通過空間９には第１の２次電子検出素子３４が配置されており、この第１の２次電子検出素子３４には電子ビーム２０が通過するための電子ビーム通過孔３５が形成されている。第１の２次電子検出素子としては、試料１０への印加電圧が−２ｋＶ〜−３ｋＶ程度のときにはＰＮ接合を用いた半導体検出素子またはシンチレータとなる。また、試料への印加電圧が低い場合には、第１の２次電子検出素子としてＭＣＰ（マイクロチャネルプレート）を用いることができる。
【００３２】
　なお、この第１の検出素子３５は、対物レンズ７の電子ビーム通過空間９内であって、対物レンズ７の磁場の拘束が切れてなくなる位置に配置されることが好ましい。
【００３３】
　オリフィス３１の孔３２を通過した２次電子３０は、第１の２次電子検出素子３５により検出されることとなる。
【００３４】
　このように、試料室２の内部空間が低真空の場合において、試料１０から発生した２次電子３０は、試料１０への負の印加電圧により加速されることとなり、残留ガスに衝突しても多くの２次電子が対物レンズ７に設けられたオリフィス３１の孔３２を通過することができる。よって、対物レンズ７の電子ビーム通過空間９内に配置された第１の２次電子検出素子３４により、２次電子３０を効率良く検出することができる。」
（ｂ）「
」
（ｃ）「
」
　上記記載事項（ｂ）及び（ｃ）から、第１の２次電子検出素子３４はオリフィス３１の上方で、電子ビーム２０の軸の周囲に配置されている構成を読み取ることができる。
　
３．対比
（１）本願補正発明と引用発明との対比
（ａ）引用発明において、「試料室２４内は、」「低真空に維持される」構成であるから、引用発明の「電子銃から発生し加速された一次電子ビームＥＢをコンデンサレンズ２２と対物レンズ２３によって試料室２４内に配置された試料２５上に細く集束すると共に、試料２５上の一次電子ビームＥＢの照射範囲を２次元的に走査し、試料２５への一次電子ビームＥＢの照射によって発生した２次電子を２次電子検出器３５によって検出し、検出信号に基づいて試料２５の２次電子像を得るようにした低真空走査電子顕微鏡」は、本願発明の「電子光学系で生成したビームを低真空中に配置した試料に照射しつつ平面走査して画像を生成する低真空電子光学系画像生成装置」に相当する。
（ｂ）引用発明において、「試料２５」は「試料室２４内に配置された」構成であり、「試料室２４内は」「低真空に維持される」ものであるから、引用発明の「対物レンズ２３は内側磁極と外側磁極とを備えて対物レンズ２３の磁場が試料２５上に及ぶように構成したセミインレンズタイプの対物レンズであ」る構成は、本願補正発明の「低真空に保持して試料を」「配置すると共に当該試料を前記ビームを細く絞る対物レンズの磁界あるいは対物レンズから漏洩した磁界の中に配置した構造を持つ試料室」である構成に相当する。
（ｃ）引用発明の「対物レンズ２３と試料室２４との間に微小開口４１を有したオリフィス２９が設けられ」た構成において、「電子銃室２１から対物レンズ２３内部は」「高真空に維持され」、「試料室２４内は」「低真空に維持され」ていることから、引用発明の「対物レンズ２３と試料室２４との間に微小開口４１を有したオリフィス２９が設けられ」「試料２５からの２次電子seは対物レンズ２３の磁界Ｍにより回転運動が与えられ、光軸上に集められ、加速電極４３により上方に導かれ、オリフィス２９の微小開口４１を通ってオリフィスの上部に導かれ」る構成は、本願補正発明の「前記ビームを前記試料に照射しつつ平面走査したときに放出された２次電子を前記磁界の軸中心の近傍を２次電子検出器の方向に向かって通過する部分に配置する、低真空側と高真空側との間に設けた小さな絞りと」「を備えた」構成に相当する。
（ｄ）引用発明の「試料室２４内は、バルブ３２と３３の開閉により１０〜３００Ｐａの低真空に維持される」構成は、本願補正発明の「前記低真空について」「１０−２パスカルから３０パスカルの範囲に調整する手段と」「を備えた」構成に相当する。
（ｅ）引用発明における「対物レンズ２３内に入った２次電子seはコロナリング３６によって形成される電界Ｅ３によって２次電子検出器３５方向に引き寄せられ」ることは、「コロナリング３６」が「２次電子検出器３５」の前方に「２次電子se」を引き寄せるための直流電圧を印加することであることは明らかである。
　また、引用発明における「対物レンズ２３の一部には、開口３４が設けられており、その開口３４にはコロナリング３６、シンチレータ３７及び光電子増倍管３８より構成された２次電子検出器３５が設けられ」る構成は、「コロナリング３６、シンチレータ３７及び光電子増倍管３８より構成された２次電子検出器３５」が、「高真空に維持され」た「対物レンズ２３内部」に設けられた構成であることは明らかである。
　すると、引用発明の「対物レンズ２３の一部には、開口３４が設けられており、その開口３４にはコロナリング３６、シンチレータ３７及び光電子増倍管３８より構成された２次電子検出器３５が設けられ」「対物レンズ２３内に入った２次電子seはコロナリング３６によって形成される電界Ｅ３によって２次電子検出器３５方向に引き寄せられ」る構成と、本願補正発明の「前記絞りを通過した高真空側に配置し、当該絞りを通過した２次電子を直接に吸引するための、当該絞りを見込める場所かつ対向して配置した、直流電圧を前部あるいは前方に印加した２次電子検出器とを備えた」構成は、「前記絞りを通過した高真空側に配置し、当該絞りを通過した２次電子を直接に吸引するための、直流電圧を前部あるいは前方に印加した２次電子検出器とを備えた」構成で一致する。
　
（２）一致点
　してみると、両者は、
「電子光学系で生成したビームを低真空中に配置した試料に照射しつつ平面走査して画像を生成する低真空電子光学系画像生成装置において、
　低真空に保持して試料を配置すると共に当該試料を前記ビームを細く絞る対物レンズの磁界あるいは対物レンズから漏洩した磁界の中に配置した構造を持つ試料室と、
　前記ビームを前記試料に照射しつつ平面走査したときに放出された２次電子を前記磁界の軸中心の近傍を２次電子検出器の方向に向かって通過する部分に配置する、低真空側と高真空側との間に設けた小さな絞りと、
　前記低真空について、１０−２パスカルから３０パスカルの範囲に調整する手段と、
　前記絞りを通過した高真空側に配置し、当該絞りを通過した２次電子を直接に吸引するための、直流電圧を前部あるいは前方に印加した２次電子検出器と
を備えたことを特徴とする低真空電子光学系画像生成装置。」
で一致し、次の各点で相違する。
　
（３）相違点
（イ）本願補正発明では、「試料を試料移動台上に配置する」のに対して、引用発明ではそのような特定がない点。
（ロ）低真空について調整される圧力が、本願補正発明では、「前記試料から放出された２次電子を当該試料室内に配置した２次電子検出器に直接に吸引するときには直流電圧が放電あるいは放電しなくても２次電子検出器の寿命が短くなって印加が困難である、１０−２パスカルから３０パスカルの範囲」であるのに対して、引用発明では、単に、「１０〜３００Ｐａ」である点。
（ハ）本願補正発明では、「前記低真空側には試料から放出された２次電子を前記絞りに向けて加速する加速電極を設け」ていないのに対して、引用発明では「オリフィス２９の底部には加速電極４３が取り付けられ」「試料２５からの２次電子seは」「加速電極４３により上方に導かれ、オリフィス２９の微小開口４１を通ってオリフィスの上部に導かれ」る構成である点。
（ニ）本願補正発明では、「２次電子検出器」を「当該絞りを見込める場所かつ対向して配置した」のに対して、引用発明では、「対物レンズ２３の一部には、開口３４が設けられており、その開口３４に」「２次電子検出器３５が設けられ」た点。
　
 ４．判断
（１）上記相違点（イ）について検討する。
　走査電子顕微鏡一般において、試料を試料移動台上に配置することは周知である（上記引用文献２の「被検査物５」を「ＸＹステージ１０」に搭載する旨の記載（段落【０００８】等）参照）から、引用発明において「試料２５」を試料移動台上に配置することは、当業者が適宜行うことにすぎない。
　
（２）上記相違点（ロ）について検討する。
　本願補正発明における「前記試料から放出された２次電子を当該試料室内に配置した２次電子検出器に直接に吸引するときには直流電圧が放電あるいは放電しなくても２次電子検出器の寿命が短くなって印加が困難である」という事項は、本願の明細書段落【００１２】の記載を参照すると、従来の２次電子検出器を試料室内に配置した構成において、試料室を１０−２パスカルから３０パスカルの範囲の低真空に設定したときに発生する問題を述べたものにすぎないから、この従来の構成の問題は「前記低真空について」「１０−２パスカルから３０パスカルの範囲に調整する手段」という物の構成を何ら限定するものではないこと、すなわち、「低真空電子光学系画像生成装置」という物に係る発明の構成を何ら限定するものではないことは明らかである。
　したがって、上記相違点（ロ）は実質的な相違点ではない。
　
（３）上記相違点（ハ）について検討する。
　引用発明の「加速電極４３」について、当業者であれば、引用文献１の全記載を総合すると、低真空に維持された「試料室２４」内に「２次電子se」を導くための高電圧を印加すると放電現象が発生して像の観察が不可能となってしまう（段落【０００６】等参照）ところ、「試料２５」から発生した「２次電子se」をより効率よく集めて高い検出効果を得るために、「試料室２４」内に数Ｖ〜１０Ｖ程度という極めて低い電圧を印加する「加速電極４３」を設ける（段落【００２４】等参照）という技術事項が理解され、さらに、「試料２５」から発生した「２次電子se」は元々「オリフィス２９」に向かう（図２〜４における上向きの）速度を有しており、また、「２次電子検出器３５」は「２次電子se」を引き寄せるための「コロナリング３６」を有していることを考慮すれば、「試料室２４」内に数Ｖ〜１０Ｖ程度の極めて低い電圧を印加する「加速電極４３」を設ける構成は、「２次電子se」をより効率よく集めて高い検出効果を得るための付加的な構成であると解することができる。
　また、上記「２．」「（２）」で摘記した記載事項から、引用文献２には、低真空に保たれた試料室１３内の被検査物５から放出された二次電子を高真空に保たれた中間室３３内の電子線検出器２９で検出するパターン検査装置において、試料室１３内に直流電圧を印加する電極を配置することなく、中間室３３内の電子線検出器２９の前面近くに正電位を印加する電極を配置するという技術事項が記載されている。
　すると、引用発明において、付加的な構成である「オリフィス２９の底部には加速電極４３が取り付けられ」「試料２５からの２次電子seは」「加速電極４３により上方に導かれ、オリフィス２９の微小開口４１を通ってオリフィスの上部に導かれ」る構成を取り除いて、上記相違点（ハ）に係る発明特定事項を得ることは当業者が容易に想到し得ることである。
　そして、引用発明の「加速電極４３」は、設けることによって２次電子の検出をより効率よく行えるという当業者には自明の長所があるが構成が複雑になるという当業者には自明の短所がある、逆に、設けないことによって構成が簡単になるという当業者には自明の長所があるが２次電子の検出をより効率よく行えなくなるという当業者には自明の短所がある、すなわち、トレードオフの関係にある当業者には自明の長所短所を有するものであり、本願補正発明の「前記低真空側には試料から放出された２次電子を前記絞りに向けて加速する加速電極を設けること」のない構成に、上記トレードオフの関係にある当業者には自明の長所以上の格別な効果も認められない。
　
（４）上記相違点（ニ）について検討する。
　上記「２．」「（３）」で摘記した記載事項から、引用文献３には、低真空とされた試料室２内の試料１０から発生した２次電子３０を高真空とされた鏡筒３内の対物レンズ７の内部に配置された第１の２次電子検出素子３４で検出する走査電子顕微鏡において、第１の２次電子検出素子３４は、鏡筒３内の内部空間と試料室２内の内部空間とを仕切って区分けするオリフィス３１の上方で、電子ビーム２０の軸の周囲に配置するという技術事項が記載されている。
　そして、上記引用文献３に記載された技術事項は、本願補正発明の「当該絞りを見込める場所かつ対向して配置した」「２次電子検出器とを備えた」構成に相当する。
　すると、引用発明に、上記引用文献３に記載された技術事項を適用して、上記相違点（ニ）に係る発明特定事項を得ることは当業者が容易に想到し得ることである。
　
　そして、本願補正発明が奏し得る効果は、引用発明、引用文献２に記載された技術事項、引用文献３に記載された技術事項及び周知技術から当業者が予測し得る範囲のものであって格別なものではない。
　
　したがって、本願補正発明は、引用発明、引用文献２に記載された技術事項、引用文献３に記載された技術事項及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
５．小括
  以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
１．本願発明
　平成２４年２月２４日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の特許請求の範囲の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成２３年１０月２６日付けの手続補正により補正された、本願の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。
「電子光学系で生成したビームを低真空中に配置した試料に照射しつつ平面走査して画像を生成する低真空電子光学系画像生成装置において、
　低真空に保持して試料を試料移動台上に配置すると共に当該試料を前記ビームを細く絞る対物レンズの磁界あるいは対物レンズから漏洩した磁界の中に配置した構造を持つ試料室と、
　前記ビームを前記試料に照射しつつ平面走査したときに放出された２次電子を前記磁界の軸中心の近傍を２次電子検出器の方向に向かって通過する部分に配置する、低真空側と高真空側との間に設けた小さな絞りと、
　前記低真空について、前記試料から放出された２次電子を当該試料室内に配置した２次電子検出器に直接に吸引するときに直流電圧が放電あるいは放電しなくても２次電子検出器の寿命が短くなって印加が困難である、１０−２パスカルから３０パスカルの範囲に調整する手段と、
　前記絞りを通過した高真空側に配置し、当該絞りを通過した２次電子を直接に吸引するための直流電圧を前部あるいは前方に印加した２次電子検出器と
を備えたことを特徴とする低真空電子光学系画像生成装置。」
　
２．引用刊行物
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願前に頒布された刊行物である、上記引用文献１の記載内容及び引用発明は、上記「第２」「［理由］」「２．」「（１）」に記載したとおりである。
　
３．対比・判断
　本願発明は、上記「第２」で検討した本願補正発明から「前記低真空側には試料から放出された２次電子を前記絞りに向けて加速する加速電極を設けることなく」及び「当該絞りを見込める場所かつ対向して配置した」が削除されたものである。そして、この「前記低真空側には試料から放出された２次電子を前記絞りに向けて加速する加速電極を設けることなく」及び「当該絞りを見込める場所かつ対向して配置した」は、それぞれ、上記「第２」「［理由］」「３．」「（３）」に記載した相違点（ハ）及び（ニ）に対応する。
　すると、本願発明と引用発明は、
「電子光学系で生成したビームを低真空中に配置した試料に照射しつつ平面走査して画像を生成する低真空電子光学系画像生成装置において、
　低真空に保持して試料を配置すると共に当該試料を前記ビームを細く絞る対物レンズの磁界あるいは対物レンズから漏洩した磁界の中に配置した構造を持つ試料室と、
　前記ビームを前記試料に照射しつつ平面走査したときに放出された２次電子を前記磁界の軸中心の近傍を２次電子検出器の方向に向かって通過する部分に配置する、低真空側と高真空側との間に設けた小さな絞りと、
　前記低真空について、前記試料から放出された２次電子を当該試料室内に配置した２次電子検出器に直接に吸引するときに直流電圧が放電あるいは放電しなくても２次電子検出器の寿命が短くなって印加が困難である、１０−２パスカルから３０パスカルの範囲に調整する手段と、
　前記絞りを通過した高真空側に配置し、当該絞りを通過した２次電子を直接に吸引するための直流電圧を前部あるいは前方に印加した２次電子検出器と
を備えたことを特徴とする低真空電子光学系画像生成装置。」
で一致し、上記「第２」「［理由］」「３．」「（３）」に記載した相違点（イ）及び（ロ）で相違する。
　そして、上記相違点（イ）及び（ロ）については上記「第２」「［理由］」「４．」の「（３）」及び「（４）」で検討したとおりである。
　また、本願発明が奏し得る効果は、引用発明及び周知技術から当業者が予測し得る範囲のものであって格別なものではない。
　
　したがって、本願発明は、引用発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
第４　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、本願の他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。