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　特願２００４−３７６３１５「窒化物半導体レーザ素子」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年　７月１３日出願公開、特開２００６−１８６０２５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯・本願発明
　本願は、平成１６年１２月２７日の出願であって、平成２２年１０月１日に手続補正がなされ、平成２３年７月７日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年１０月１１日付けで拒絶査定不服審判請求がなされ、その後、当審において、平成２４年７月１１日付けで拒絶理由が通知され、同年９月１２日付けで手続補正がなされたものである。
　
　そして、本願の請求項に係る発明は、平成２４年９月１２日付け手続補正による補正後の特許請求の範囲の請求項１ないし９に記載された以下の事項によって特定されるものと認められる。
　
「【請求項１】
窒化物半導体基板の主面上に第１導電型の窒化物半導体層と、５％を超えるＩｎを含有する層を有する活性層と、第１導電型とは異なる導電型をした第２導電型の窒化物半導体層と、前記第２導電型の窒化物半導体層にストライプ状のリッジ部とを備えてなる窒化物半導体レーザ素子において、
　前記窒化物半導体基板の主面のうち、少なくとも前記リッジの直下に位置する第１の領域は、基準結晶面に対して傾いたオフ面であり、かつ前記活性層は、Ｉｎを含む井戸層と複数の障壁層を含み、その複数の障壁層のうちの少なくとも１つは、ＧａＮからなり、前記オフ面のオフ角が０．１５°以上０．６°以下であることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。
　【請求項２】
前記活性層において、前記Ｉｎを含む井戸層の上下の障壁層がＧａＮからなる請求項１に記載の窒化物半導体レーザ素子。
　【請求項３】
前記活性層において、前記複数の障壁層が全てＧａＮからなる請求項１に記載の窒化物半導体レーザ素子。
　【請求項４】
前記リッジの長手方向と、前記基準結晶面に対する前記オフ面の最大傾斜方向とが略平行である請求項１〜３のうちのいずれか１つに記載の窒化物半導体レーザ素子。
　【請求項５】
前記基準結晶面は、（０００１）面、（１１−２０）面及び（１−１００）面からなる群から選択された１つの結晶面である請求項１〜４のうちのいずれか１つに記載の窒化物半導体レーザ素子。
　【請求項６】
前記窒化物半導体基板の主面のうちの前記第１の領域を除く第２領域に、第１の領域のオフ面とは異なる結晶成長面を有する請求項１〜５のうちのいずれか１つに記載の窒化物半導体レーザ素子。
　【請求項７】
前記第１の領域のオフ面とは異なる結晶成長面は、（０００−１）面から傾いた第２オフ面である請求項６に記載の窒化物半導体レーザ素子。
　【請求項８】
前記第２オフ面は、互いに平行にストライプ状に形成されている請求項７に記載の窒化物半導体レーザ素子。
　【請求項９】
前記レーザ素子の特性温度Ｔ０が３５０以上である請求項１〜８のうちのいずれか１つに記載の窒化物半導体レーザ素子。」（以下、請求項１に係る発明を「本願発明」という。）
　
　
第２　当審において通知した拒絶の理由
　当審において平成２４年７月１１日付けで通知した拒絶の理由の概要は、次のとおりである。
　
「第１　進歩性（特許法第２９条第２項） 
　この出願の請求項１〜９に係る発明は、その出願前日本国内又は外国において頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
  
  　　　　　記　（引用刊行物については引用刊行物一覧参照） 
　
　（１）請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）に対して 
　引用刊行物１〜４ 
　備考； 
　引用刊行物１には、 
「（０００１）面から任意の方向に０．４〜０．８°の範囲の比較的小さいオフ角を有するｎ型ＧａＮ基板１０上に、ｎ型ＧａＮ層１０２、ｎ型Ｉｎ０．０７Ｇａ０．９３Ｎクラック防止層１０３、ｎ型Ａｌ０．１Ｇａ０．９Ｎクラッド層１０４、ｎ型ＧａＮ光ガイド層１０５、Ｉｎ０．１Ｇａ０．９Ｎ井戸層とＩｎ０．０１Ｇａ０．９９Ｎ障壁層から成る活性層１０６、ｐ型Ａｌ０．２Ｇａ０．８Ｎキャリアブロック層１０７、ｐ型ＧａＮ光ガイド層１０８、ｐ型Ａｌ０．１Ｇａ０．９Ｎクラッド層１０９およびｐ型ＧａＮコンタクト層を順次成長させ、レーザ光導波領域１４であるリッジストライプ部を、ｐ型クラッド層１０９の途中または下端までをストライプ状の部分を残してエッチングすることにより形成する、半導体レーザ素子。」 
の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。 
　しかるところ、本願発明と引用発明とを対比すると、両者は、 
「窒化物半導体基板の主面上に第１導電型の窒化物半導体層と、Ｉｎを含有する活性層と、第１導電型とは異なる導電型をした第２導電型の窒化物半導体層と、前記第２導電型の窒化物半導体層にストライプ状のリッジ部とを備えてなる窒化物半導体レーザ素子において、 
　前記窒化物半導体基板の主面のうち、少なくとも前記リッジの直下に位置する第１の領域は、基準結晶面に対して傾いたオフ面であり、かつ前記活性層は、Ｉｎを含む井戸層と複数の障壁層を含み、前記オフ面のオフ角が０．１５°以上０．６°以下であることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。」 
の点で一致し、以下の点において相違する。 
　 
　・複数の障壁層のうちの少なくとも１つが、本願発明では、ＧａＮからなるのに対し、引用発明では、ＩｎＧａＮ（Ｉｎ０．０１Ｇａ０．９９Ｎ）からなる点（以下「相違点」という。） 
 　 
　上記相違点につき検討するに、（０００１）面からオフ角を有するＧａＮ基板の上に、井戸層と障壁層とを有する活性層を設けた窒化物半導体レーザ素子において、該障壁層をＧａＮで構成するものは本願出願前に周知であるから（必要なら、引用刊行物２〜４参照。）、引用発明において、「障壁層」をＧａＮからなるものとしてなして、上記相違点に係る本願発明の構成となすことは当業者が容易になし得ることである。 
…略…
　
　　　　　　　　　　　引　用　刊　行　物　一　覧 
　１　特開２００４−１４６４２０号公報（特に、【００２８】〜【００８２】、図１〜３参照。） 
　２　特開２００３−６０３１８号公報（【００３２】〜【００３９】、【００６４】〜【００７１】、図２、図４参照。） 
　３　特開２００２−３１４２０５号公報（【００３９】〜【００５７】、図１参照。） 
　４　特開２００２−１６０００号公報（【００４６】〜【００６８】、図１、図３、図４参照。） 
　 
　 
第２　記載不備（特許法第３６条第４項第１号） 
　この出願は、発明の詳細な説明の記載が、下記の点で特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない。 
　
　 　　　　　　　　　　　　　　　記 
　
　本願発明の「窒化物半導体レーザ素子」は、「（窒化物半導体基板主面の）オフ面のオフ角が０．１５°以上０．６°以下である」ものであるところ、本願明細書には、当該「オフ角」を「０．１５°以上０．６°以下」と規定したことに関し、以下の記載がある。 
 　 
 「【００２１】 
…略… 」 
 「【００２８】 
…略…」 
 　 
　本願明細書の上記記載によれば、本願発明において、「（窒化物半導体基板主面の）オフ面のオフ角」を「０．１５°以上０．６°以下」と規定したことの技術上の意義は、「活性層におけるＩｎ組成晶が５％を越える窒化物半導体層の組成分布を均一化する」点にあるものと認められる。 
　しかしながら、本願発明において、前記「オフ面のオフ角」を、具体的に「０．１５°以上０．６°以下」と規定する根拠となった図６のグラフは、その前提となる具体的数値条件（例えば、オフ角の値、Ｉｎ組成晶の値、その他活性層を構成する井戸層及び障壁層の膜厚の値等）が全く明らかにされていないものであるから、当業者は、そのように、前提となる具体的数値条件が全く明らかにされていない図６のグラフを根拠に、何故「（窒化物半導体基板主面の）オフ面のオフ角」を「０．１５°以上０．６°以下」と具体的に規定することができるのかを全く理解することができない。すなわち、当業者は、本願発明において、「（窒化物半導体基板主面の）オフ面のオフ角」の値を、具体的に「０．１５°以上０．６°以下」と規定することの技術上の意義を全く理解することができない。　
　したがって、本願発明は、発明の技術上の意義が理解できないものであって、本願明細書の発明の詳細な説明は、本願発明の技術的意義を当業者が理解できる程度に記載したものということはできないから、特許法第３６条第４項第１号の経済産業省令（特許法施行規則第２４条の２）で定めるところにより記載されたものであるということはできない。」
　
　
第３　進歩性（特許法第２９条第２項）について
１　引用刊行物の記載事項
　本願の出願前に頒布された、当審における拒絶の理由に引用した刊行物である特開２００４−１４６４２０号公報（以下「引用刊行物」という。）には、図とともに下記の事項が記載されている。
　
（１）「【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、窒化物半導体レーザ素子、その製造方法および窒化物半導体レーザ素子を光源として備える半導体光学装置に関し、特に、窒化物半導体を基板として用いる窒化物半導体レーザ素子に関する。」
　
（２）「【００２８】
【発明の実施の形態】
＜実施の形態１＞
図１（ａ）は本発明における実施の形態１の半導体レーザ素子１を示す断面模式図であり、光出射方向から見た図である。また、図１（ｂ）は半導体レーザ素子１を上面側から見た（上面図）模式図である。ここで、図１（ａ）は、図１（ｂ）の点線での断面図である。図１（ａ）において、１０はｎ型ＧａＮ基板であり、基板１０中には、転位集中領域１１が存在し、転位集中領域１１以外の部分は低転位領域１２となっている。
…
【００３０】
基板１０上には、窒化物半導体層（エピタキシャル成長層）１３が形成されている。窒化物半導体層１３中には、レーザ光導波領域１４が設けられている。また、窒化物半導体層１３上面および基板１０下面には、電極１５、１６がそれぞれ形成されている。
…
【００３４】
以下に、本実施の形態の半導体レーザ素子１の製造方法について解説しつつ、さらに詳しくその構造についても説明する。
【００３５】
（ＧａＮ基板の作製方法）
まず、ｎ型ＧａＮ基板１０の結晶成長方法の概略を述べる。
…
【００４２】
支持基体２１上に、ＨＶＰＥ法により、ｎ型ＧａＮ層２２を、ファセット面｛１１−２２｝面２３が成長中の表面に主として表出するように成長させる。
…
【００４５】
支持基体２１としては２インチ（１１１）ＧａＡｓウェハーを用いた。
…
【００４８】
このような成長モードを保ったまま、さらにＧａＮ結晶の形成を続けることで、基体２１上に高さ３０ｍｍのインゴットを作製した。…
【００４９】
このインゴットを、スライサーによりスライス切断加工して薄片（ｎ型ＧａＮ基板）を得た。薄片を研磨加工して、表面が平坦な２インチ（約５ｃｍ）径、厚さ３５０μｍのｎ型ＧａＮ基板１０を得た。エピタキシャル成長を行うための表面は鏡面研磨仕上げとした。なお、この表面は、ほぼ（０００１）面としたが、上にエピタキシャル成長される窒化物半導体１３層のモフォロジーが平坦で良好になるためには、（０００１）面から任意の方向に０．２〜１°の範囲の、比較的小さいオフ角度を有していることが望ましく、特に表面の平坦性が最小になるようにするためには、０．４〜０．８°の範囲とすることが好ましかった。
…
【００５９】
（窒化物半導体層のエピタキシャル成長）
次に、ｎ型ＧａＮ基板１０上に窒化物半導体層１３等を形成して半導体レーザ素子１を作製する方法について、図３を参照して解説する。
【００６０】
ＭＯＣＶＤ装置を用いて、Ｖ族原料のＮＨ３とＩＩＩ族原料のＴＭＧａ（トリメチルガリウム）またはＴＥＧａ（トリエチルガリウム）に、ドーパント原料としてのＳｉＨ４を加え、ｎ型ＧａＮ基板１０に、基板温度１０５０℃で、膜厚３μｍのｎ型ＧａＮ層１０２を形成した。次いで、８００℃の基板温度で、上記原料にＩＩＩ族原料としてのＴＭＩｎ（トリメチルインジウム）を加え、ｎ型Ｉｎ０．０７Ｇａ０．９３Ｎクラック防止層１０３を４０ｎｍ成長させた。次に、基板温度を１０５０℃に上げ、ＴＭＡｌ（トリメチルアルミニウム）またはＴＥＡｌ（トリエチルアルミニウム）のＩＩＩ族原料も用いて、１．２μｍ厚のｎ型Ａｌ０．１Ｇａ０．９Ｎクラッド層１０４を成長させた。ｎ型不純物としてＳｉを５×１０１７／ｃｍ３〜１×１０１９／ｃｍ３添加した。続いて、ｎ型ＧａＮ光ガイド層１０５（Ｓｉ不純物濃度１×１０１６〜１×１０１８／ｃｍ３）を０．１μｍ成長させた。
【００６１】
その後、基板温度を７５０℃に下げ、３周期の、厚さ４ｎｍのＩｎ０．１Ｇａ０．９Ｎ井戸層と厚さ８ｎｍのＩｎ０．０１Ｇａ０．９９Ｎ障壁層から成る活性層（多重量子井戸構造）１０６を、障壁層／井戸層／障壁層／井戸層／障壁層／井戸層／障壁層の順序で成長させた。その際、障壁層または障壁層と井戸層の両方にＳｉＨ４（Ｓｉ不純物濃度は１×１０１６〜１×１０１８／ｃｍ３）を添加した。
…
【００６３】
次に、基板温度を再び１０５０℃まで上昇させて、厚さ２０ｎｍのｐ型Ａｌ０．２Ｇａ０．８Ｎキャリアブロック層１０７、０．１μｍのｐ型ＧａＮ光ガイド層１０８、０．５μｍのｐ型Ａｌ０．１Ｇａ０．９Ｎクラッド層１０９、および０．１μｍのｐ型ＧａＮコンタクト層１１０を順次成長させた。
…
【００７６】
続いて、窒化物半導体層１３の各層がｎ型ＧａＮ基板１０上に形成されたエピウェハーを、ＭＯＣＶＤ装置から取り出して、窒化物半導体レーザ素子チップに加工するプロセス工程を説明する。
【００７７】
（素子化プロセス）
レーザ光導波領域１４であるリッジストライプ部を、ｎ型ＧａＮ基板１０に対して、図１を用いて説明した所要の位置に形成する。これは、エピウェハー表面側より、ｐ型クラッド層１０９の途中または下端までを、ストライプ状の部分を残してエッチングすることにより行う。…その後、リッジストライプ部以外の部分に絶縁膜１１３を形成した。ここで、絶縁膜１１３としてはＡｌＧａＮを用いた。エッチングされずに残ったｐ型ＧａＮコンタクト層１１０は露出しているので、この部分および絶縁膜１１３上に、ｐ電極１１２をＰｄ／Ｍｏ／Ａｕの順序で蒸着して形成した。
…
【００７９】
…ｎ電極１１１は、基板の裏側にＨｆ／Ａｌの順序で形成した。…
【００８０】
最後に、エピウェハーを、リッジストライプ方向に対して垂直方向に劈開し、共振器長６００μｍのファブリ・ペロー共振器を作製した。
…
【００８２】
以上のようにして図１および図３に示す窒化物半導体レーザ素子１のチップを作製した。」
　
　よって、これらの記載を総合すると、引用刊行物には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　
「表面が、（０００１）面から任意の方向に０．２〜１°の範囲の、比較的小さいオフ角度を有していることが望ましく、特に表面の平坦性が最小になるようにするためには、０．４〜０．８°の範囲とすることが好ましいｎ型ＧａＮ基板１０上に、
　ｎ型ＧａＮ層１０２を形成し、
　次いで、ｎ型Ｉｎ０．０７Ｇａ０．９３Ｎクラック防止層１０３を成長させ、
　次に、ｎ型Ａｌ０．１Ｇａ０．９Ｎクラッド層１０４を成長させ、
　続いて、ｎ型ＧａＮ光ガイド層１０５を成長させ、
　その後、３周期の、厚さ４ｎｍのＩｎ０．１Ｇａ０．９Ｎ井戸層と厚さ８ｎｍのＩｎ０．０１Ｇａ０．９９Ｎ障壁層から成る活性層（多重量子井戸構造）１０６を、障壁層／井戸層／障壁層／井戸層／障壁層／井戸層／障壁層の順序で成長させ、
　次に、ｐ型Ａｌ０．２Ｇａ０．８Ｎキャリアブロック層１０７、ｐ型ＧａＮ光ガイド層１０８、ｐ型Ａｌ０．１Ｇａ０．９Ｎクラッド層１０９、およびｐ型ＧａＮコンタクト層１１０を順次成長させ、
　続いて、窒化物半導体層１３の各層がｎ型ＧａＮ基板１０上に形成されたエピウェハーを、ＭＯＣＶＤ装置から取り出し、
　エピウェハー表面側より、ｐ型クラッド層１０９の途中または下端までを、ストライプ状の部分を残してエッチングすることにより、レーザ光導波領域１４であるリッジストライプ部を、ｎ型ＧａＮ基板１０に対して所要の位置に形成し、
　その後、リッジストライプ部以外の部分に絶縁膜１１３を形成し、
　エッチングされずに残ったｐ型ＧａＮコンタクト層１１０は露出しているので、この部分および絶縁膜１１３上に、ｐ電極１１２をＰｄ／Ｍｏ／Ａｕの順序で蒸着して形成し、
　ｎ電極１１１は、基板の裏側にＨｆ／Ａｌの順序で形成し、
　最後に、エピウェハーを、リッジストライプ方向に対して垂直方向に劈開して作製された、窒化物半導体レーザ素子１のチップ。」
　
２　対比
　本願発明と引用発明を対比する。
　
（１）引用発明の「窒化物半導体レーザ素子１のチップ」は、「…ｎ型ＧａＮ基板１０上に、ｎ型ＧａＮ層１０２を形成し、次いで、ｎ型Ｉｎ０．０７Ｇａ０．９３Ｎクラック防止層１０３を成長させ、次に、ｎ型Ａｌ０．１Ｇａ０．９Ｎクラッド層１０４を成長させ、続いて、ｎ型ＧａＮ光ガイド層１０５を成長させ、その後、３周期の、厚さ４ｎｍのＩｎ０．１Ｇａ０．９Ｎ井戸層と厚さ８ｎｍのＩｎ０．０１Ｇａ０．９９Ｎ障壁層から成る活性層（多重量子井戸構造）１０６を、障壁層／井戸層／障壁層／井戸層／障壁層／井戸層／障壁層の順序で成長させ、次に、ｐ型Ａｌ０．２Ｇａ０．８Ｎキャリアブロック層１０７、ｐ型ＧａＮ光ガイド層１０８、ｐ型Ａｌ０．１Ｇａ０．９Ｎクラッド層１０９、およびｐ型ＧａＮコンタクト層１１０を順次成長させ、続いて、窒化物半導体層１３の各層がｎ型ＧａＮ基板１０上に形成されたエピウェハーを、ＭＯＣＶＤ装置から取り出し、エピウェハー表面側より、ｐ型クラッド層１０９の途中または下端までを、ストライプ状の部分を残してエッチングすることにより、レーザ光導波領域１４であるリッジストライプ部を、ｎ型ＧａＮ基板１０に対して所要の位置に形成」するものであって、「活性層（多重量子井戸構造）１０６」は、「Ｉｎ０．１Ｇａ０．９Ｎ井戸層」を有し、５％を超えるＩｎを含有する層を有するものといえるから、
　ア　引用発明の「ｎ型ＧａＮ基板１０」、「『ｎ型ＧａＮ層１０２』、『ｎ型Ｉｎ０．０７Ｇａ０．９３Ｎクラック防止層１０３』、『ｎ型Ａｌ０．１Ｇａ０．９Ｎクラッド層１０４』及び『ｎ型ＧａＮ光ガイド層１０５』」、「活性層（多重量子井戸構造）１０６」、「『ｐ型Ａｌ０．２Ｇａ０．８Ｎキャリアブロック層１０７』、『ｐ型ＧａＮ光ガイド層１０８』、『ｐ型Ａｌ０．１Ｇａ０．９Ｎクラッド層１０９』及び『ｐ型ＧａＮコンタクト層１１０』」、「（エピウェハー表面側より、ｐ型クラッド層１０９の途中または下端までを、ストライプ状の部分を残してエッチングすることにより形成され、レーザ光導波領域１４である）リッジストライプ部」及び「窒化物半導体レーザ素子１のチップ」は、それぞれ、本願発明の「窒化物半導体基板」、「第１導電型の窒化物半導体層」、「（５％を超えるＩｎを含有する層を有する）活性層」、「第１導電型とは異なる導電型をした第２導電型の窒化物半導体層」、「（前記第２導電型の窒化物半導体層のストライプ状の）リッジ（部）」及び「窒化物半導体レーザ素子」に相当し、
　イ　引用発明は、本願発明の「窒化物半導体基板の主面上に第１導電型の窒化物半導体層と、５％を超えるＩｎを含有する層を有する活性層と、第１導電型とは異なる導電型をした第２導電型の窒化物半導体層と、前記第２導電型の窒化物半導体層にストライプ状のリッジ部とを備えてなる」との事項を備える。
　
（２）引用発明は、「表面が、（０００１）面から任意の方向に０．２〜１°の範囲の、比較的小さいオフ角度を有していることが望ましく、特に表面の平坦性が最小になるようにするためには、０．４〜０．８°の範囲とすることが好ましいｎ型ＧａＮ基板１０上に、ｎ型ＧａＮ層１０２…、ｎ型Ｉｎ０．０７Ｇａ０．９３Ｎクラック防止層１０３…、ｎ型Ａｌ０．１Ｇａ０．９Ｎクラッド層１０４…、ｎ型ＧａＮ光ガイド層１０５を成長させ、その後、…活性層（多重量子井戸構造）１０６を…成長させ、次に、ｐ型Ａｌ０．２Ｇａ０．８Ｎキャリアブロック層１０７、ｐ型ＧａＮ光ガイド層１０８、ｐ型Ａｌ０．１Ｇａ０．９Ｎクラッド層１０９、およびｐ型ＧａＮコンタクト層１１０を順次成長させ、続いて、…エピウェハー表面側より、ｐ型クラッド層１０９の途中または下端までを、ストライプ状の部分を残してエッチングすることにより、レーザ光導波領域１４であるリッジストライプ部を、ｎ型ＧａＮ基板１０に対して所要の位置に形成」するものであり、「ｎ型ＧａＮ基板１０」の表面は、（０００１）面から任意の方向に０．４〜０．８°の範囲の「オフ角度」を有しているものであるから、
　ア　引用発明は、本願発明の「前記窒化物半導体基板の主面のうち、少なくとも前記リッジの直下に位置する第１の領域は、基準結晶面に対して傾いたオフ面であり」との事項を備え、
　イ　引用発明の「『（ｎ型ＧａＮ基板１０』の表面が（０００１）面から任意の方向に０．４〜０．８°の範囲の『オフ角度』を有し」との事項は、オフ面のオフ角が０．４〜０．６°である部分において、本願発明の「オフ面のオフ角が０．１５°以上０．６°以下である」との事項と一致する。
　
（３）引用発明は、「３周期の、厚さ４ｎｍのＩｎ０．１Ｇａ０．９Ｎ井戸層と厚さ８ｎｍのＩｎ０．０１Ｇａ０．９９Ｎ障壁層から成る活性層（多重量子井戸構造）１０６を、障壁層／井戸層／障壁層／井戸層／障壁層／井戸層／障壁層の順序で成長させ」るものであるから、
　ア　引用発明の「Ｉｎ０．１Ｇａ０．９Ｎ井戸層」及び「（３周期の）Ｉｎ０．０１Ｇａ０．９９Ｎ障壁層」は、それぞれ、本願発明１の「Ｉｎを含む井戸層」及び「（複数の）障壁層」に相当し、
　イ　引用発明は、本願発明の「前記活性層は、Ｉｎを含む井戸層と複数の障壁層を含み」との事項を備える。
　
　したがって、両者は、　  
「窒化物半導体基板の主面上に第１導電型の窒化物半導体層と、５％を超えるＩｎを含有する層を有する活性層と、第１導電型とは異なる導電型をした第２導電型の窒化物半導体層と、前記第２導電型の窒化物半導体層にストライプ状のリッジ部とを備えてなる窒化物半導体レーザ素子において、
　前記窒化物半導体基板の主面のうち、少なくとも前記リッジの直下に位置する第１の領域は、基準結晶面に対して傾いたオフ面であり、かつ前記活性層は、Ｉｎを含む井戸層と複数の障壁層を含み、前記オフ面のオフ角が０．１５°以上０．６°以下である窒化物半導体レーザ素子。」
である点で一致し、次の点で相違する。　  
 　 
　本願発明は、活性層の複数の障壁層のうちの少なくとも１つが、ＧａＮからなるのに対し、引用発明は、複数の障壁層のいずれもが、Ｉｎ０．０１Ｇａ０．９９Ｎからなり、ＧａＮではない点（以下「相違点」という。）。
　
４　当審の判断
　上記相違点につき検討する。
　
　（０００１）面からオフ角を有するＧａＮ基板上に、井戸層と障壁層とを含む活性層を設けた窒化物半導体レーザ素子において、該障壁層をＧａＮで構成するものは本願出願時点で周知であるから（例えば、特開２００２−１６０００号公報（【００４６】〜【００６９】、図１、図２、図４参照。）、特開２００１−１７６８２３号公報（【００２５】〜【００３０】、図１参照。）、特開２００３−６０３１８号公報（【００３５】、図２参照。））、引用発明において、当該周知技術を適用し、その「（Ｉｎ０．０１Ｇａ０．９９Ｎからなる）障壁層」を「ＧａＮ」で構成して、上記相違点に係る本願発明の構成となすことは、当業者が容易になし得ることである。
　
　なお、請求人は、平成２４年９月１２日付け意見書（４．（１））において、「引用発明の障壁層をＧａＮにすることが当業者であれば容易に想到し得たというためには、刊行物１（審決注：「引用刊行物」）において、障壁層をＧａＮにする動機付けとなり得る記載や示唆が必要であ」る旨主張するが、引用刊行物自体に障壁層をＧａＮにする動機付けとなり得る記載や示唆がなくても、上述のとおり、（０００１）面からオフ角を有するＧａＮ基板上に、井戸層と障壁層とを含む活性層を設けた窒化物半導体レーザ素子において、該障壁層をＧａＮで構成するものは本願出願時点で周知であったのであるから、引用発明に当該周知技術を適用すること自体が、当業者にとって格別困難なことであったとは認められない。
　
　したがって、本願発明は、引用刊行物に記載された発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
５　小括
　以上のとおり、本願発明は、引用刊行物に記載された発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　
第４　記載不備（特許法第３６条第４項第１号）について
１　本願明細書の記載
　当審において平成２４年７月１１日付けで通知した拒絶の理由（上記第２参照。）において、記載不備に関して指摘した事項につき、本願明細書及び図面（以下「本願明細書等」という。）には、以下の記載がある。
　
（１）「【００２０】
　本発明の窒化物半導体レーザ素子において、前記窒化物半導体基板の主面におけるオフ角は、０．１０°以上０．７°以下であることが好ましい。この範囲でオフ角であると、波長が３６５ｎｍ以下の紫外領域から５００ｎｍ以上の長波長領域に至る範囲で素子特性を向上させることができる。
　【００２１】
　また、前記オフ角を０．１５°以上０．６°以下とすれば、活性層におけるＩｎ組成晶が５％を越える窒化物半導体層の組成分布を均一化することができる。マイクロＰＬでリッジ、又はチップ内を観察したときに、上記に示す範囲でオフ角を有する窒化物半導体基板上に成長させた窒化物半導体層内の活性層のＩｎ組成のゆらぎは抑制されている（図６）。又、オフ角を有さない窒化物半導体基板上に成長させた窒化物半導体層内の活性層のＩｎの組成ゆらぎは大きい（図７）。これは、リッジのストライプ方向に対して垂直方向に活性層の平面領域である１００μｍ〜４００μｍを測定したものである。」
　
（２）「【００２８】
　さらに、窒化物半導体基板では、その製造方法に起因して、所定の幅のオフ面が第１の主面に互いに平行に形成されているものもあるが、そのような基板を用いる場合、窒化物半導体基板の第１の主面のうち、少なくともリッジの直下に位置する第１の領域が基準結晶面に対して傾いたオフ面となっていればよい。この構成では、リッジの長手方向をオフ面の長手方向と一致させ、基準結晶面に対するオフ面の最大傾斜方向とがリッジが形成される方向を略一致させることが好ましい。また、オフ面の基準結晶面に対するオフ角は、０．０２°以上５°以下、好ましくは０．１°以上０．７°以下、更に好ましくは０．１５°以上０．６°以下である。」
　
（３）「【０１００】
…
【図６】実施の形態１の窒化物半導体レーザ素子のマイクロＰＬ測定データである。
【図７】従来の窒化物半導体レーザ素子のマイクロＰＬ測定データである。
…」
　
２　当審の判断
　上記１（１）〜（３）によれば、本願発明において、「（窒化物半導体基板の主面の）オフ面のオフ角」を「０．１５°以上０．６°以下」と規定したことの技術上の意義は、「活性層におけるＩｎ組成晶が５％を越える窒化物半導体層の組成分布を均一化する」点にあるものと認められる。 
　しかしながら、本願明細書等には、本願発明において、前記「オフ面のオフ角」の値を、「０．１５°以上０．６°以下」との具体的数値範囲で規定することができた根拠については、何ら説明がされてはおらず、当業者は、本願明細書等を見ても、本願発明において、「（窒化物半導体基板主面の）オフ面のオフ角」の値を、何故、「０．１５°以上０．６°以下」との具体的数値範囲で規定することができたのかを全く理解することができない。すなわち、本願発明は、前記「オフ面のオフ角」の値を、「０．１５°以上０．６°以下」との具体的数値範囲で規定することの技術上の意義が全く理解できないものである。
　また、本願明細書等には、図６に、「活性層のＩｎ組成のゆらぎ」が「抑制され」た、本願発明の一例として、「マイクロＰＬ測定データ」が示されてはいるが、当該「測定データ」は、その前提となる具体的数値条件（例えば、オフ角の値、Ｉｎ組成晶の値、その他活性層を構成する井戸層及び障壁層の膜厚の値等）が全く明らかにされていないものであるから、当業者は、そのような具体的数値条件が全く明らかにされていない図６の「測定データ」を見ても、何故「（窒化物半導体基板主面の）オフ面のオフ角」の値を、「０．１５°以上０．６°以下」との具体的数値範囲に規定することができるのかを全く理解することができない。
　よって、本願発明は、発明の技術上の意義が理解できないものであって、本願明細書の発明の詳細な説明は、本願発明の技術的意義を当業者が理解できる程度に記載したものということはできないから、特許法第３６条第４項第１号の経済産業省令（特許法施行規則第２４条の２）で定めるところにより記載されたものであるということはできない。　
　
３　小括
　以上のとおり、本願明細書の発明の詳細な説明は、本願発明の技術的意義を当業者が理解できる程度に記載したものということはできないから、特許法第３６条第４項第１号の経済産業省令（特許法施行規則第２４条の２）で定めるところにより記載されたものであるということはできない。
　
　
第５　むすび
　上記第３及び第４のとおり、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、また、本願明細書の発明の詳細な説明は、特許法第３６条第４項第１項に規定する要件を満たしていないものである。
　
　
　よって、結論のとおり審決する。