【事件の表示】
　特願２００９−２８６４９２「複数の発光セルを有する発光素子」拒絶査定不服審判事件〔平成２２年　３月１８日出願公開、特開２０１０−　６２５９２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯  
　本願は、２００５年１０月２５日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００４年１２月１４日、２００５年１月２９日、韓国）を国際出願日とする特願２００７−５４６５５１号の一部を平成２１年１２月１７日に新たな特許出願としたものであって、平成２２年１月２２日付けで拒絶の理由が通知され、同年４月２３日に手続補正がなされ、さらに、同年６月１６日付けで最後の拒絶の理由が通知され、同年１２月２２日に手続補正がなされたが、該手続補正は平成２３年１月２０日付けで却下されるとともに、同日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年６月１日に拒絶査定不服審判が請求されると同時に手続補正がなされた後、当審において、平成２４年６月４日付けで拒絶の理由（以下「当審拒絶理由」という。）が通知され、同年１２月５日付けで手続補正がなされたものである。
　　 
第２　本願発明 
　本願の請求項に係る発明は、平成２４年１２月５日付けの手続補正書の請求項１ないし１０に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次のとおりのものである。 
　 
「複数の凹部及び凸部を有する基板と、
基板上に形成され、互いに離隔した複数の電極層と、
前記電極層上に位置し、前記電極層により直列に接続された複数の発光セルと、
を含み、
前記複数の発光セルのそれぞれは、凹部に対応する位置に設けられた第２の半導体層及び前記第２の半導体層の一部を取り除いて露出した第１の半導体層を介して前記電極層と電気的に接続され、
前記複数の発光セルの上面は、前記発光セルが形成された
成長基板全体をレーザーまたは研削工程を用いて
前記第１の半導体層はそれぞれ前記複数の電極層と前記基板の凸部において接続され、前記第２の半導体層はそれぞれ前記複数の電極層と前記基板の凹部において接続され、
１つ以上の前記複数の電極層は隣接した前記発光セルの前記第１の半導体層及び前記第２の半導体層を接続し、
交流電源により駆動される
ことを特徴とする発光素子。」（なお、下線は当審で付した。以下同じ。）
　　 
第３　進歩性（特許法第２９条第２項） 
１　引用文献に記載の事項  
（１）当審拒絶理由で引用した、原出願の最先の優先日前に頒布された刊行物である特開２００４−７９７５０号公報（以下「引用文献」という。）には図とともに以下の記載がある。   　
　                        　
　ア　「【請求項１】
電気的導出配線が形成された基板上に前記配線に導通された複数の発光素子が固設され
前記発光素子からの光を取り出す複数の第１の孔を備え、該第１の孔の側面が前記発光素子から該発光素子の周囲に放射された光を前記発光素子の光取り出し方向に反射させる反射鏡となっている光反射ケースが、前記基板上に、前記第１の孔の１つに前記発光素子の１つが臨むように接着されてなる発光装置
前記基板および前記光反射ケースに、前記基板と前記光反射ケースとの位置合わせを行うためのアライメントマークが設けられていることを特徴とする発光装置。」　
　
　イ　「【００２２】
本実施の形態による発光装置は、図１に示すように、交互に形成されたｐ側導出配線１５とｎ側導出配線１６と、アライメントマーク１９とが設けられたアルミニウム基板１１上に、３８０ｎｍ帯の発光ダイオード１２が、該発光ダイオード１２のｐ側電極１３とｎ側電極１４とが形成された面を上方にして、ｐ側電極１３をワイヤ１７によってｐ側導出配線１５に、ｎ側電極１４がワイヤ１８によってｎ側導出配線１６に接続されて、マトリックス状に固設されており、この発光ダイオード１２を備えたアルミニウム基板１１上に、前記発光ダイオード１２を臨む第１の孔２２と基板１１上に設けられたアライメントマーク１９を臨む第２の孔２３とが設けられたシリコン基板２１上にガラス板２４を備えてなる光反射ケース２５が、第１の孔２２の１つに発光ダイオード１２が１つ臨むように接着されてなるものである。ガラス板２４の上下面には発光ダイオードから発せされる光の波長に対して無反射コーティングが施されている。第１の孔２２の側面にはアルミ膜２０が施されており、第１の孔２２の側面が、発光ダイオード１２の周囲から放射された光を光取り出し方向に反射させる反射鏡となっている。」　　 
  　
　ウ　「【００３７】
次に、本発明の第２の実施の形態による発光装置について説明する。
その断面図を図４に示す。なお、図には一発光領域の断面図についてのみ記載している
【００３８】
本実施の形態による発光装置は、
発光ダイオード４２のｐ側電極４３およびｎ側電極４４が、それぞれｐ側導出配線１５およびｎ側導出配線１６にハンダ２７により接着されているも
発光ダイオード４２はｐ側電極４３がコンタクト層上全面に形成されているものである。また、ｎ側電極４４とハンダ２７との間に電極段差を解消するため金メッキ３７が施されている
【００３９】
本実施の形態による発光装置は、電極側、つまり発光層に近い側をアルミニウム基板１１に接着しているため、効率良く放熱を行うことができる。またさらに、図５に示すように、アルミニウム基板１１にヒートシンク３９をシリコングリース等の熱電導性接着剤３８を用いて設けることにより、さらに放熱を良くすることができ、高い信頼性と電気的特性を得ることができる。
」　　
　　　　　　　
　エ　「【００４３】
次に、
本発明の発光装置をカラー感熱プリンターの定着器の光源として用いた場合の一実施形態
【００４４】
図７に示すように、
複数の発光ダイオード１２が紙の幅に亘って主走査方向Ｘに、ｐ側電極１３およびｎ側電極１４が電気的導出配線５５にワイヤ５６によって直列接続され
　　　
　オ　図１は、以下のものである。
  　
　カ　図２は、以下のものである。
　　　　
　キ　図４は、以下のものである。
  　
　ク　図７は、以下のものである。
　　　　　　　　　 
（２）引用文献の記載から認定できる発明 
　ア　上記（１）アの記載に照らせば、
　引用文献には、　       　
　「電気的導出配線が形成された基板上に配線に導通された複数の発光素子が固設され、
　発光素子からの光を取り出す複数の第１の孔を備え、第１の孔の側面が発光素子から発光素子の周囲に放射された光を発光素子の光取り出し方向に反射させる反射鏡となっている光反射ケースが、基板上に、第１の孔の１つに発光素子の１つが臨むように接着されてなる発光装置。」が記載されているものと認められる。
  　
　イ　上記（１）ウの「その断面図を図４に示す。なお、図には
一発光領域
　第２の実施の形態である図４に示された発光素子は、図２（ａ）に示された発光素子と同じように、図１に示された基板１１上に多数配置されることで、上記アの「発光装置」を構成していることが理解できる。
　
　ウ　上記（１）エの記載を踏まえて、図７を見ると、
　カラー感熱プリンターの定着器の光源として用いた場合の一実施形態において、
　複数の発光素子が直列接続されていることが把握できる。
      　
　エ　また、図４より、
　発光素子のｐ側電極４３及びｎ側電極４４が、基板上に形成されたｐ側導出配線１５及びｎ側導出配線１６にハンダ２７によりフリップチップ接続され、ｎ側電極４４とハンダ２７との間に電極段差を解消するため金メッキ３７が施されていることが、把握できる。   　
　　　
　オ　上記記載から、引用文献には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。 
 　　                　
　「電気的導出配線が形成された基板上に配線に導通された複数の発光素子が固設され、
　発光素子からの光を取り出す複数の第１の孔を備え、第１の孔の側面が発光素子から発光素子の周囲に放射された光を発光素子の光取り出し方向に反射させる反射鏡となっている光反射ケースが、基板上に、第１の孔の１つに発光素子の１つが臨むように接着されてなる発光装置であって、
　複数の発光素子が直列接続され、
　発光素子のｐ側電極及びｎ側電極が、基板上に形成されたｐ側導出配線及びｎ側導出配線にハンダによりフリップチップ接続され、ｎ側電極とハンダとの間に電極段差を解消するため金メッキが施された、
　発光装置。」　
　　　　　　　　　 　
３　対比・判断  
（１）本願発明と引用発明とを対比する。  
　ア　引用発明の「基板」は本願発明の「基板」に相当し、同様に、
「電気的導出配線」、「配線」及び「ｐ側導出配線及びｎ側導出配線」は「電極層」に、
「発光素子」は「発光セル」に、 　
「発光装置」は「発光素子」に、それぞれ、相当する。
　        　
　イ　上記アに照らせば、
　引用発明と本願発明とは「基板と、
基板上に形成され、互いに離隔した複数の電極層と、
前記電極層上に位置し、前記電極層により直列に接続された複数の発光セルと、
を含む」点で共通する。　
  　
　ウ　引用発明の「発光セル（発光素子）」の「ｐ側電極側の半導体層」が本願発明の「第２の半導体層」に相当し、「ｎ側電極側の半導体層」が本願発明の「第２の半導体層の一部を取り除いて露出した第１の半導体層」に相当することは、当業者にとって明らかであるから、
　引用発明と本願発明とは「前記複数の発光セルのそれぞれは、第２の半導体層及び前記第２の半導体層の一部を取り除いて露出した第１の半導体層を介して前記電極層と電気的に接続され」る点で共通する。
          　
　エ　上記ウに照らせば、
　引用発明と本願発明とは「前記第１の半導体層はそれぞれ前記複数の電極層と接続され、前記第２の半導体層はそれぞれ前記複数の電極層と接続され」る点で共通する。
  　
　オ　引用発明では、基板上にフリップチップ接続された発光素子が直列接続されていることに照らせば、
　引用発明は、本願発明の「１つ以上の前記複数の電極層は隣接した前記発光セルの前記第１の半導体層及び前記第２の半導体層を接続し」との構成を備えている。　　                    　
　　　  　　　　
（２）一致点 
　本願発明と引用発明とは以下の点で一致する。  
　＜一致点＞  
　「基板と、
基板上に形成され、互いに離隔した複数の電極層と、
前記電極層上に位置し、前記電極層により直列に接続された複数の発光セルと、
を含み、
前記複数の発光セルのそれぞれは、第２の半導体層及び前記第２の半導体層の一部を取り除いて露出した第１の半導体層を介して前記電極層と電気的に接続され、
前記複数の発光セルの上面は、それぞれ分離されており、
前記第１の半導体層はそれぞれ前記複数の電極層と接続され、前記第２の半導体層はそれぞれ前記複数の電極層と接続され、
１つ以上の前記複数の電極層は隣接した前記発光セルの前記第１の半導体層及び前記第２の半導体層を接続し、
電源により駆動される、発光素子。」　
　　　　　　　　　 
（３）相違点 
　本願発明と引用発明とは、以下の点で相違する。  
　＜相違点１＞ 
　基板と発光セルの関係に関し、
　本願発明は、基板が「複数の凹部及び凸部を有する」ものであって、発光セルの第２半導体層が「凹部に対応する位置に設けられた」ものであり、半導体層の接続が「前記第１の半導体層はそれぞれ前記複数の電極層と前記基板の凸部において接続され、前記第２の半導体層はそれぞれ前記複数の電極層と前記基板の凹部において接続され」るのに対して、
　引用発明は、基板が凹部及び凸部を有しておらず、半導体層と電極層の接続する位置が凹部と凸部ではない点。
　　　
　＜相違点２＞
　発光セルの上面の分離手段に関し、
　本願発明は、「前記発光セルが形成された成長基板全体をレーザーまたは研削工程を用いて前記発光セルから分離することによりそれぞれ分離され」るのに対して、
　引用発明は、発光セルが形成された成長基板全体をレーザーまたは研削工程を用いて発光セルから分離することによりそれぞれ分離されるものであるか否か不明である点。
                            　
　＜相違点３＞
　電源に関し、
　本願発明は、「交流電源」であるのに対して、
　引用発明は、交流であるか否か不明である点。   　
　　　   　    　　　  
４　判断 
（１）上記＜相違点１＞について検討する。 
　ア　基板上面に段差を形成し、段差の低い部分の電極層と段差の高い部分の電極層に発光素子をフリップチップ接続することで電極段差を解消した取付け構造は、原出願の最先の優先日時点で周知である（例えば、     
（ア）特開２００４−２７４０５７号公報の【０００８】ないし【００１３】、【００２１】、【００３２】、【００４１】、図２及び図６を参照。
　
　ａ　【０００８】ないし【００１３】には、段差を補償するために、ソルダ層（４４ａ、４４ｂ）の厚さを相違させると、ボンディング状態が変動する等の問題が発生することが記載されている。
　
　ｂ　【００２１】には、単一工程により同時に生成され、その化学的構成比がほぼ同一になるので、ほぼ同じ溶融特性を示すことが記載されている。
　　
　ｃ　【００３２】には、基板の段差面の高低差をｐ型電極とｎ型電極の高低差と同一にすることが好ましいことが記載されている。
         　
　ｄ　図２は、以下のものである（従来のマウント状態）。　　
　　
　ｅ　図４は、以下のものである（なお、理解し易いように、基板２１０が下側となるように、上下を反転した。）。　
      　　
　ｆ　図６Ｄは、以下のものである（段差面を形成した基板２１０）。
　　　　
（イ）特開平９−２２３８４６号公報の【００２７】ないし【００２９】及び図３を参照。
　
　ａ　【００２７】には、支持体１の厚さが、負極電極１２に対応する部位と、正電極１３に対応する部位とで異なるようにすることで、チップを水平にすることが記載されている。
　
　ｂ　図３は、以下のものである。
　
（ウ）特開平９−１８１３９４号公報の【０００３】ないし【０００６】、【００１０】ないし【００１２】、図１及び図３を参照。
  　
　ａ　【０００３】ないし【０００６】には、フラットな面を有するヒートシンクにダイレクトボンディングすると、電極間の距離が短くなりショートする等の問題があることが記載されている。
　
　ｂ　図３は、以下のものである（従来の取付け状態）。　
  　
　ｃ　図１は、以下のものである（段差のあるヒートシンク４０）。
　以下「周知技術１」という。）。　
　　　
　イ　上記周知技術１に照らせば、
　引用発明において、電極段差を解消するための「金メッキ」に代えて、基板上面に段差を形成し、段差の低い部分の電極層と段差の高い部分の電極層に発光セル（発光素子）をフリップチップ接続することは、当業者が適宜なし得たことである。
　その結果、引用発明の「発光セル（発光素子）」の第２の半導体層は「段差の低い部分（本願発明の「凹部」に相当する。）」に対応し、個々の発光セルのｐ側電極及びｎ側電極は、それぞれ、「段差の低い部分に位置する電極層（本願発明の「凹部」に相当する。）」と「段差の高い部分に位置する電極層（本願発明の「凸部」に相当する。）」で接続されることになる。
　　                                   　
　ウ　以上の検討によれば、引用発明において、上記＜相違点１＞に係る本願発明の構成を採用することは、当業者が上記周知技術１に基づいて適宜なし得たことである。      　
  　  　
（２）上記＜相違点２＞について検討する。 　
　ア　引用発明の「発光セル（発光素子）」をどのようにして製造するかは、当業者が引用発明を実施する際に適宜決めるべき事項であるところ、成長基板にレーザ光を照射することで成長基板と発光セルを分離する手段が、原出願の最先の優先日時点で周知であることに照らせば（例えば、
（ア）特開２００４−１２８１８７号公報の【００９６】ないし【０１０４】及び図１６を参照。
　     　
　ａ　【００９６】ないし【０１０４】には、サファイア基板１の側からレーザ光を照射して発光ダイオードを選択的に剥離することが記載されている。    　
　   　
　ｂ　図１６は、以下のものである。
　　
（イ）特開２００３−５１６１１号公報の【００４６】ないし【００５０】及び図５を参照。
     　
　ａ　【００１９】ないし【００２９】には、成長基板の裏面からレーザ光を照射することで、成長基板を分離することが記載されている。　
　
　ｂ　図２は、以下のものである。　
　以下「周知技術２」という。）、引明の「発光セル（発光素子）」の製造に際して、発光セルの上面が、発光セルが形成された成長基板全体をレーザーを用いて発光セルから分離することによりそれぞれ分離されるようになすことは、当業者が適宜なし得たことである。
　
　イ　以上の検討によれば、引用発明において、上記＜相違点２＞に係る本願発明の構成を採用することは、当業者が上記周知技術２に基づいて適宜なし得たことである。      　
  　  　
（３）上記＜相違点３＞について検討する。 
　ア　複数の発光セルを直列接続して交流駆動させた発光装置は、原出願の最先の優先日時点で周知である（例えば、
（ア）特開２００４−３２００２４号公報の図４を参照。
（イ）特開２００４−６５８２号公報の図２を参照。
　以下「周知技術３」という。）。         　
               　　
　イ　上記周知技術３に照らせば、      　
　引用発明の「発光セル（発光素子）」を交流駆動させることは、当業者が適宜なし得たことである。
　
　ウ　以上の検討によれば、引用発明において、上記＜相違点３＞に係る本願発明の構成を採用することは、当業者が上記周知技術３に基づいて適宜なし得たことである。      
　　　
（４）効果
　本願発明の奏する効果は、当業者が引用発明及び周知技術１ないし３から予測し得る範囲内のものである。　　  　　　 　 
　 　　 
４　進歩性についてのまとめ　　 　 
　以上のとおり、本願発明は、当業者が引用文献に記載された発明及び周知技術１ないし３に基づいて容易に発明をすることができたものである。　
　　    　
第４　むすび
　以上のとおり、本願発明は、当業者が引用文献に記載された発明及び周知技術１ないし３に基づいて容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 　 　　
  　　　　　　　　　　　　　　　　　
　よって、結論のとおり審決する。