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　特願２００９−１９１６１４「基板、特に半導体ウェハの加工」拒絶査定不服審判事件〔平成２２年　１月２１日出願公開、特開２０１０−　１６３９２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、２００２年１０月１日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００１年１０月１日、アイルランド、２００２年４月２６日、アイルランド）を国際出願日とする特願２００３−５３２２４９号に係る出願の一部を、平成２１年８月２１日に新たな出願としたものであって、その主な手続の経緯は、以下のとおりである。
　平成２１年　９月１６日　手続補正書提出
　平成２４年　１月１０日　拒絶理由通知
　平成２４年　４月１６日　意見書及び手続補正書提出
　平成２４年１０月１２日　拒絶査定
　平成２５年　２月１４日　審判請求
　
２．本願発明
　本願の請求項１ないし１９に係る発明は、平成２４年４月１６日付け手続補正書によって補正された特許請求の範囲の請求項１ないし１９に記載された事項により特定されるとおりのものと認めるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）の記載は以下のとおりである。
「　【請求項１】
　半導体ウェハに、メタライズされたビアを形成する方法であって、
(ａ)可視または紫外放射を発するレーザで、前記半導体ウェハの第１の面内に、前記半導体ウェハの全深さには満たない、前記第１の面から所定の深さのブラインドビアの加工が、レーザ加工前、レーザ加工中及びレーザ加工後の少なくともいずれかにおいて、反応ガス、及び、パッシブガスの少なくとも一方を用いて、非雰囲気制御ガス環境(non-ambient controlled gas)で行われるステップと、
(ｂ)前記ブラインドビアに金属を充填するステップと、
(ｃ)続いて、ラッピング及び研磨による機械的除去、化学的エッチング、プラズマエッチングおよびレーザアブレーションのうちの一つを用いて、前記第１の面に対向する、前記半導体ウェハの第２の面から、材料を、前記第１の面からの深さが所定のところまで除去し、前記ビアの金属の部分を前記第２の面に露出させるステップと、を有し、
　パッシブガスは、アルゴン及びヘリウムの一方を用い、
　反応ガスは、クロロフルオロカーボン基ガス及びハロカーボン基ガスの少なくとも一方を用いる
方法。」
　
３．刊行物の記載事項及び刊行物記載の発明
　原査定において通知した平成２４年１月１０日付け拒絶理由通知書で引用した、本願優先日前に頒布された刊行物である特開２００１−８５３６３号公報（以下、「刊行物」という。）には、以下の技術的事項及び発明が記載されている。
　
（１）段落【０００１】
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造方法に関し、詳しくは各半導体装置エリア毎に配線パターン等の形成および組立ての実施されたウェハを分割することにより、個々の半導体装置を製造する方法に関するものである。」
　
（２）段落【００１７】ないし【００２０】
「【００１７】・・・（中略）・・・積層型半導体装置を製造するには、先ず、上述した半導体装置１０の製造方法と同じく、ウェハ１’における各半導体装置エリア１Ａ’に、それぞれ配線パターン(図示せず)および電極パッド２’(図７参照)を形成する。
【００１８】この後、図１(ａ)および図７に示す如く、ウェハ１’において電極パッド２’が形成されている面(デバイス面)１ａ’側から、ウェハ１’における各半導体装置エリア１Ａ’に、レーザ加工、エッチング、スタンピング、ドリル加工等の加工方法により、所定深さのスルーホール用の孔(盲孔)１ｈ’を形成する。
【００１９】・・・（中略）・・・
【００２０】次いで、ウェハ１’に形成した各孔１ｈ’に、導電性樹脂、ワイヤー、クリームメタル等の導電体１ｍ’を充填する。なお、上記各孔１ｈ’に導電体１ｍ’を充填する方法としては、ボンダーによるワイヤー突き刺し、導電性樹脂の塗布、スピンコート、印刷、スパッタリング等を採用し得る。」
　
（３）段落【００２４】ないし【００２６】
「【００２４】上述した如く、ウェハ１’に支持体Ｈを取り付けた後、前記ウェハ１’において電極パッド２’が形成されていない面１ｂ’を、図６(ｅ)に示す如くツールＴを用いて所定寸法、詳しくはウェハ１’の肉厚が半導体チップ１ｃ’の厚さになるまで研削／研磨(バックグラインド)する。
【００２５】・・・（中略）・・・
【００２６】また、上述の如くウェハ１’に形成された孔１ｈｓ’は、半導体チップ１ｃ’の肉厚と同寸法以上の深さに形成されているため、ウェハ１’の面１ｂ’をツールＴによって所定寸法だけ研削／研磨することで、図１(ｅ)に示す如く孔１ｈ’に充填された導電体１ｍ’がウェハ１’の面１ｂ’から露出することとなる。」
　
（４）図６の図示
　図６（ａ）には、孔１ｈ’がウェハ１’を貫通していないこと、すなわち孔１ｈ’の深さがウェハ１’の全深さには満たないことの図示がある。
　
（５）刊行物記載の発明
　以上の記載事項を、技術常識をふまえて本願発明の記載に沿って整理すると、刊行物には、以下の発明（以下、「刊行物記載の発明」という。）が開示されていると認める。
「ウェハ１’に、クリームメタルの導電体１ｍ’が充填された孔１ｈ’を形成する方法であって、
（ａ）レーザで、ウェハ１’のデバイス面１ａ’内に、ウェハ１’の全深さには満たない、前記デバイス面１ａ’から所定の深さの孔１ｈ’の加工が、行われるステップと、
（ｂ）前記孔１ｈ’にクリームメタルの導電体１ｍ’を充填するステップと、
（ｃ）続いて、ツールＴによる研削／研磨を用いて、前記デバイス面１ａ’に対向する、前記ウェハ１’の面１ｂ’から、材料を、前記デバイス面１ａ’からの深さが所定のところまで除去し、前記孔１ｈ’のクリームメタルの導電体１ｍ’を前記面１ｂ’から露出させるステップと、を有する、
方法。」
　
４．対比
　本願発明と、刊行物記載の発明とを対比すると、刊行物記載の発明の「ウェハ１’」が本願発明の「半導体ウェハ」に相当することは明らかであって、以下同様に、「クリームメタルの導電体１ｍ’が充填された孔１ｈ’」が「メタライズされたビア」に相当し、「ウェハ１’のデバイス面１ａ’」が「半導体ウェハの第１の面」に相当し、「孔１ｈ’」が「ブラインドビア」ないしは「ビア」に相当し、「クリームメタルの導電体１ｍ’」が「金属」に相当し、「ツールＴによる研削／研磨」が「ラッピング及び研磨による機械的除去」に相当し、「ウェハ１’の面１ｂ’」が「半導体ウェハの第２の面」に相当する。
　以上から、本願発明と刊行物記載の発明との一致点及び相違点は、以下のとおりである。
　
＜一致点＞
「半導体ウェハに、メタライズされたビアを形成する方法であって、
(ａ)レーザで、前記半導体ウェハの第１の面内に、前記半導体ウェハの全深さには満たない、前記第１の面から所定の深さのブラインドビアの加工が、行われるステップと、
(ｂ)前記ブラインドビアに金属を充填するステップと、
(ｃ)続いて、ラッピング及び研磨による機械的除去を用いて、前記第１の面に対向する、前記半導体ウェハの第２の面から、材料を、前記第１の面からの深さが所定のところまで除去し、前記ビアの金属の部分を前記第２の面に露出させるステップと、を有する、
方法。」である点。
　
＜相違点１＞
　本願発明のレーザは、「可視または紫外放射を発するレーザ」であるのに対して、刊行物記載の発明のレーザは、どのようなレーザであるのか不明である点。
　
＜相違点２＞
　本願発明のブラインドビアの加工は、「レーザ加工前、レーザ加工中及びレーザ加工後の少なくともいずれかにおいて、反応ガス、及び、パッシブガスの少なくとも一方を用いて、非雰囲気制御ガス環境(non-ambient controlled gas)で行われ」るうえに、「パッシブガスは、アルゴン及びヘリウムの一方を用い、反応ガスは、クロロフルオロカーボン基ガス及びハロカーボン基ガスの少なくとも一方を用いる」ものであるのに対して、刊行物記載の発明の孔１ｈ’の加工は、反応ガスやパッシブガスを用いるかどうか不明である点。
　
５．相違点についての検討及び判断
（１）相違点１について
　可視または紫外放射を発するレーザが存在することは、改めて例示するまでもない周知の技術的事項であるし、レーザ加工に用いるレーザとして、どのような波長のレーザを用いるかは、それぞれのレーザが有する特徴に応じて、当業者が適宜に選択すべき事項である。
　したがって、刊行物記載の発明のレーザとして「可視または紫外放射を発するレーザ」を選択したことは、当業者にとって容易に想到できた事項である。
　
（２）相違点２について
　レーザを用いて加工を行う際に、加工箇所の酸化を防止するように、レーザ加工中に加工箇所へアルゴンガスを供給することは、原査定において通知した上記の拒絶理由通知書で引用した、特開平４−３６４０８８号公報の段落【００１２】及び【００１６】ないし【００１７】や、同じく引用した特開平７−３１４１６９号公報の段落【００２０】ないし【００２１】に示すように、周知の技術的事項である。
　また、アルゴンガスは、雰囲気、すなわち空気や大気ではないし、空気や大気を構成する主要なガスでもないから、アルゴンガスが供給される環境は、非雰囲気制御ガス環境であるといえる。
　そして、刊行物記載の発明の孔１ｈ’の加工はレーザ加工により行われるものであって、当該レーザ加工において加工箇所の酸化という課題を内在しているといえるから、刊行物記載の発明の孔１ｈ’の加工に周知の技術的事項を適用することは、当業者が当然に試みることといえる。
　したがって、刊行物記載の発明の孔１ｈ’の加工を、レーザ加工中において、パッシブガスを用いて非雰囲気制御ガス環境で行い、パッシブガスはアルゴンを用いるように選択することは、当業者にとって格別に困難な事項とはいえない。
　
（３）作用効果について
　本願発明が奏する作用や効果は、刊行物記載の発明や、周知の技術的事項が奏する作用や効果を超えるものとはいえない。
　
６．むすび
　以上のとおりであるから、本願の請求項１に係る発明は、上記刊行物記載の発明、及び周知の技術的事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。