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　特願２００５−１６３６０９「ナノ結晶エレクトロルミネッセンス素子の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年１２月２２日出願公開、特開２００５−３５３５９５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１７年（２００５年）６月３日（パリ条約による優先権主張　平成１６年６月９日　大韓民国）の出願（特願２００５−１６３６０９号）であって、平成２２年６月１８日付けで拒絶理由が通知され、同年９月２２日付けで意見書が提出されるとともに、同日付けで手続補正がなされ、平成２３年６月３０日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年１１月７日に拒絶査定不服審判の請求がなされたものである。
　
第２　本願の請求項１に係る発明
　本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成２２年９月２２日付け手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載されたとおり次のように特定されるものである。
　
「基板上に、正孔を注入するための陽極をパターニングし、その上に高分子正孔輸送層を形成する工程と、
　前記高分子正孔輸送層の上にナノ結晶溶液をコーティングしてナノ結晶発光層を形成する工程と、
　前記ナノ結晶発光層の上に有機物電子輸送層を形成する工程と、
　前記有機物電子輸送層の上に、電子を注入するための陰極を形成する工程と
　を含み、
　感光基を有する物質が配位したナノ結晶を、前記高分子正孔輸送層を損傷しない溶媒中に分散させたナノ結晶溶液を前記高分子正孔輸送層上にコーティングして、
　あるいは、
　感光基のない物質が配位したナノ結晶と感光性物質とを、前記高分子正孔輸送層を損傷させない溶媒に分散させたナノ結晶溶液を前記高分子正孔輸送層上にコーティングして、前記ナノ結晶発光層を形成することを特徴とする、エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。」
　
第３　引用例
１　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先日前に頒布された刊行物である国際公開第０３／０２１６９４号（以下「引用例１」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている。（日本語訳を記載する。なお、下線は当審において付した。）
　
「本発明は、量子ドットを有するエレクトロルミネセント装置に関する。」（明細書第１ページ第１〜２行）
　
「本発明は、図面を基準にして更に詳細に説明される。
　図１に示す
エレクトロルミネセント装置は、透明なガラスプレートのような基板１を有する。正孔処理手段２は基板１の上に配されている。
正孔処理手段２が２つの層を有する場合、基板１の上に配された正孔注入層はインジウムスズ酸化物、スズ酸化物、フッ化物がドープされたスズ酸化物、銀、金、銅、又は３ｅＶ以上のバンドギャップを有するＰ型半導体を有することができる。正孔注入層の上に形成された正孔輸送層は、注入された正孔を正孔輸送層を通じて発光層３に向けて輸送することができる材料を有する。正孔輸送層の構成に使用することができる材料は、ポリ（フェニレンビニレン）（ＰＰＶ）又はポリチオフェン（例えばジオキシチオフェン）のような導電ポリマーを含む。
　
発光層３は正孔処理手段２の上に形成される。発光層３は量子ドットを有する。量子ドットは半導体ナノメータ結晶であり、
　量子ドットはコアシェル構造を有することが可能である。この場合、量子ドットは、電子及び／又は正孔及び／又は励起子が量子ドットのコアに閉じ込められるように、バンドギャップの高いシェル材料（例えばＺｎＳ）でオーバーコートされた発光コア材料（例えばＣｄＳｅ）からなる。
　
量子ドットの表面にはキャッピング分子が備えられる。
　量子ドットへの電子注入を生じさせるために、機能ユニットとして電子輸送部分を有する少なくとも１つのキャッピング分子が量子ドットの表面にリンクされる。電子輸送部分は、オキサジアゾール、オキサジアゾール誘導体、オキサゾール、オキサゾール誘導体、イソオキサゾール、イソオキサゾール誘導体、チアゾール、チアゾール誘導体、イソチアゾール、イソチアゾール誘導体、チアジアゾール、チアジアゾール誘導体、１，２，３−トリアゾール、１，２，３−トリアゾール誘導体、１，３，５−トリアジン、１，３，５−トリアジン誘導体、キノキサリン、キノキサリン誘導体、ピロールオリゴマー、ピロールポリマー、フェニレンビニレンオリゴマー、フェニレンビニレンポリマー、ビニルカルバゾールオリゴマー、ビニルカルバゾールポリマー、フルオレンオリゴマー、フルオレンポリマー、フェニレンエチンオリゴマー、フェニレンエチンポリマー、フェニレンオリゴマー、フェニレンポリマー、チオフェンオリゴマー、チオフェンポリマー、アセチレンポリマー又はアセチレンオリゴマーを有することができる。オリゴマー又はポリマーの一つ以上の炭素原子を置換することもできる。好ましくは、このような機能ユニットを有するキャッピング分子は、オキサジアゾールユニット、１，２，３−トリアゾールユニット、又はフルオレンユニットを有する。
　量子ドットへの励起子注入を生じさせるために、機能ユニットとして励起子輸送部分を有する少なくとも１つのキャッピング分子は、量子ドットの表面にリンクされる。励起子輸送部分は、フルオレンオリゴマー、フルオレンポリマー、フェニレンビニレンオリゴマー、フェニレンビニレンポリマー、ペリレン、ペリレン誘導体、クマリン、クマリン誘導体、フェノキザゾン、フェノキザゾン誘導体、９，９’−スピロビフルオレンオリゴマー、９，９’−スピロビフルオレンポリマー、フェニレンポリマー、フェニレンオリゴマー、４−ジシアンメチレン−２−メチル−６−（ｐ−ジメチルアミノスチリル）−４Ｈ−ピラン（ＤＣＭ）、４−ジシアンメチレン−２−メチル−６−（ｐ−ジメチルアミノスチリル）−４Ｈ−ピラン誘導体、ローダミン、ローダミン誘導体、オキサジン、オキサジン誘導体、オキサゾール、オキサゾール誘導体、スチリル、スチリル誘導体、有機金属錯体、スチルベン、スチルベン誘導体、フラビン、フラビン誘導体、フルオレセイン、フルオレセイン誘導体、ピロメテン、ピロメテン誘導体、又は他の色素を有することができる。オリゴマー又はポリマーの一つ以上の炭素原子を置換することもできる。好ましくは、このような機能ユニットを有するキャッピング分子は、フェノキザゾンユニット、又は４−ジシアンメチレン−２−メチル−６−（ｐ−ジメチルアミノスチリル）−４Ｈ−ピランユニットを有する。
　量子ドットを安定させる（例えば凝集を防ぐ）ために、
パッシベーション分子を量子ドットの表面にリンクすることもできる。
　
機能ユニットを有するキャッピング分子又は非芳香族炭化水素部分を有する分子は、結合ユニットを通じて量子ドットの表面にリンクされる。
　その他に、
このような機能ユニットを有するキャッピング分子は、結合ユニットと機能ユニットとを相互接続するスペーサユニットを有することができる。スペーサユニットは、約１個から２０個、より好ましくは約１個から約１０個の炭素原子を含む、直鎖状、分岐状、又は環状の炭化水素鎖のような有機部分を有することができる。炭化水素鎖の一つ以上の炭素原子を置換することもできる。炭化水素鎖は、１つ以上の不飽和度（即ち、一つ以上の二重結合又は三重結合）を更に含むことができる。
　量子ドットは、マトリックス中に埋め込まれる。このマトリックスは有機材料（最もありそうなのは、ポリイミドのような高分子有機材料）を有することができる。この材料は、ＺｎＳのような無機材料を有することもできる。
　
電子処理手段４は発光層３の上に配される。
　
電子処理手段４が２つの層を含む場合、発光層３の上に配された電子輸送層は、注入された電子を電子輸送層を通じて発光層３に向けて輸送することができる材料を有することができる。電子輸送層の構成に使用することができる材料は、ポリピロール、ポリフルオレン、フェニレンビニレンポリマー、又はポリチオフェンのような導電ポリマーを含む。
　
電子注入層は、先に記載された電子輸送層に電子を注入することができるＮ−ｄｏｐｅｄ半導体又はどのような金属も有することができる。
　エレクトロルミネセント装置が逆の構造を示すことも可能である。この構造では、電子処理手段４が基板１の上に配され、発光層３が電子処理手段４の上に配され、正孔処理手段２が発光層３の上に配される。」（明細書第３ページ第１４行〜第７ページ第４行）
　
２　引用例１に記載された発明の認定
　引用例１において、基板１、正孔処理手段２、発光層３及び電子処理手段４の各層が積層されてエレクトロルミネセント装置が製造されることが、エレクトロルミネセント装置の「製造方法」を示すものといえる。よって、上記記載を総合すれば、引用例１には、
「透明なガラスプレートのような基板１を有し、
　基板１の上に正孔処理手段２が配され、
　正孔処理手段２は、基板１の上に配されたインジウムスズ酸化物、スズ酸化物、フッ化物がドープされたスズ酸化物、銀、金、銅、又は３ｅＶ以上のバンドギャップを有するＰ型半導体を有する正孔注入層と、
　正孔注入層の上に形成されたポリ（フェニレンビニレン）（ＰＰＶ）又はポリチオフェン（例えばジオキシチオフェン）のような導電ポリマーを含む正孔輸送層とからなり、
　正孔処理手段２の上に半導体ナノメータ結晶である量子ドットを有する発光層３が形成され、
　発光層３の上に電子処理手段４が配され、
　電子処理手段４は、発光層３の上に配されたポリピロール、ポリフルオレン、フェニレンビニレンポリマー、又はポリチオフェンのような導電ポリマーを含む電子輸送層と、
　電子輸送層上に形成され、Ｎ−ｄｏｐｅｄ半導体又は金属を有する電子注入層からなり、
　発光層３の量子ドットの表面にはキャッピング分子、パッシベーション分子が備えられ、　機能ユニットを有するキャッピング分子は、結合ユニットを通じて量子ドットの表面にリンクされ、
　このような機能ユニットを有するキャッピング分子は、結合ユニットと機能ユニットとを相互接続するスペーサユニットを有し、
　スペーサユニットは、約１個から２０個、より好ましくは約１個から約１０個の炭素原子を含む、直鎖状、分岐状、又は環状の炭化水素鎖のような有機部分を有し、炭化水素鎖は、１つ以上の不飽和度（即ち、一つ以上の二重結合又は三重結合）を更に含むエレクトロルミネセント装置の製造方法。」の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。
　
３　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開２００１−２７９２４０号公報（以下「引用例２」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている。（下線は当審において付した。）
　
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光電子デバイス、光通信デバイス、光スイッチデバイス等に用いられる光学材料、発光材料、非線形光学材料などへの適用可能な発光体粒子それを用いた発光デバイスに関する。」
　
「【００３４】
　以下、本発明の構成について詳細に説明する。
【００３５】ここではまず、特に、発光体として半導体微粒子を用いる場合について説明する。具体的には元素の周期律表第II一VI族元素化合物半導体超微粒子を取り上げるが、本発明の半導体超微粒子はこれらに限られるものではなく酸化物半導体超微粒子や第III−Ｖ族化合物半導体超微粒子、第IV−VI族化合物半導体超微粒子にも適用できることは明らかであり、また光吸収において直接遷移型半導体については特に有効である。
【００３６】なお、II−VI族元素化合物としては、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＺｎＳｅ、ＣｄＴｅ、ＺｎＯ、ＺｎＳ、ＺｎＴｅ、ＨｇＳ、ＨｇＳｅ等が挙げられ、IV一VI族化合物としては、ＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＩｎＳｂ、ＧａＳｂ等が挙げられ、IV−VI族化合物の例として、ＰｂＳ、ＰｂＳｅ、ＳｎＴｅ等が挙げられる。」
　
「【００４８】本発明に用いられる発光体の配位子は、超分岐構造のみから構成されていても、超分岐構造の任意の位置（例えばフォーカルポイント末端、分岐末端、超分岐構造中）に任意の化学構造を含有していても構わない。かかる任意の化学構造とは、例えばアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルキレン鎖、アルコキシ基、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコ−ル等のポリエーテル鎖、ポリジメチルシロキサン等のシロキサン鎖等の脂肪族構造、フェニル基、ナフチル基、ピリジル基、フェニレン基等の芳香環、ハロゲン原子、リン原子、水酸基、アミノ基、メルカプト基、カルボキシル基、エステル基、アミド基、アンモニウム、ホスホニウム等のオニウム陽イオン等が挙げられる。本発明に用いられる配位子のうち、超分岐構造を有する配位子が最低１つ含まれるのが望ましいが、発光体含有ナノカプセルの非擬集仲葎損なわない限りにおいて任意の配位子を併用しても構わない。」
　
「【００７４】このようにして製造された発光体含有ナノカプセル粒子を含む溶液をキャストしフィルムなどにすることも可能であり、また溶媒をエバポレーションや減圧蒸留などの方法により取り除き、そのまま材料として用いてもよい。
【００７５】また得られた溶液に分散材料の媒体として下記のポリマー成分を溶解して所望の分散材料を形成してもよい。かかる分散材料を調製する方法としては、得られたナノカプセル含有溶液やその濃縮液に溶解する媒体材料を溶解させ、溶媒を除去しながら目的の形態を得る方法や、濃縮液や粉体に媒体材料と相溶するもう一つの溶媒を混合し、溶媒を除去しながら目的の形態を得る方法等が挙げられる。これらの分散材料はさらに圧縮したり、溶融させたり、また
溶液の状態でスピンコーティング等コーティングして被覆層としたり、
【００７６】さらには樹状構造化合物の置換基として酸に不安定な基を導入しておくことにより得られた発光ナノカプセル自体にパターニング特性を付与することも可能である。この場合、いわゆる化学増幅型レジストと同様の組成化合物の適用が可能である。
【００７７】分散材料の媒体としてポリマーを用いる場合は素子の用途に応じてポリマーを選択すればよく、特に制限はないがフィルムやファイバー等の形態にした場合の光学材料としての用途のためには、透明性を有し、成形し易いポリマーであることが望ましい。
【００７８】具体的な好ましい例としてはポリメチルメタクリレート、ポリエチルメタクリレート、ポリ（２−ヒドロキシエチル）メタクリレート、ポリカーボネイト、ポリスチレン、ポリエステル、ポリエチレンテレフタレート、ポリ塩化ピニル、ポリアクリロニトリル、塩化ビニルと酢酸ビニルの共重合ポリマー、スチレンとアクリロニトリルの共重合ポリマー、ポリイミド、ポリアミド、これらのブロックコポリマー、または混合物などが挙げられる。また、
光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂を用いることもできる。
　
第４　本願発明と引用発明の対比
１　ここで、本願発明と引用発明を対比する。
（１）引用発明の「基板１」、「インジウムスズ酸化物、スズ酸化物、フッ化物がドープされたスズ酸化物、銀、金、銅、又は３ｅＶ以上のバンドギャップを有するＰ型半導体を有する正孔注入層」及び「ポリ（フェニレンビニレン）（ＰＰＶ）又はポリチオフェン（例えばジオキシチオフェン）のような導電ポリマーを含む正孔輸送層」が、それぞれ、本願発明の「基板」、「正孔を注入するための陽極」及び「高分子正孔輸送層」に相当するから、引用発明の「透明なガラスプレートのような基板１を有し、基板１の上に正孔処理手段２が配され、正孔処理手段２は、基板１の上に配されたインジウムスズ酸化物、スズ酸化物、フッ化物がドープされたスズ酸化物、銀、金、銅、又は３ｅＶ以上のバンドギャップを有するＰ型半導体を有する正孔注入層と、正孔注入層の上に形成されたポリ（フェニレンビニレン）（ＰＰＶ）又はポリチオフェン（例えばジオキシチオフェン）のような導電ポリマーを含む正孔輸送層とから」なること（工程）が、本願発明の「基板上に、正孔を注入するための陽極をパターニングし、その上に高分子正孔輸送層を形成する工程」に相当する。
　
（２）引用発明の「半導体ナノメータ結晶である量子ドットを有する発光層３」が、本願発明の「ナノ結晶発光層」に相当するから、引用発明の「正孔処理手段２の上に半導体ナノメータ結晶である量子ドットを有する発光層３が形成され」ること（工程）と、本願発明の「前記高分子正孔輸送層の上にナノ結晶溶液をコーティングしてナノ結晶発光層を形成する工程」とは、「高分子正孔輸送層の上にナノ結晶発光層を形成する工程」である点で一致する。
　
（３）引用発明の「ポリピロール、ポリフルオレン、フェニレンビニレンポリマー、又はポリチオフェンのような導電ポリマーを含む電子輸送層」及び「電子輸送層上に形成され、Ｎ−ｄｏｐｅｄ半導体又は金属を有する電子注入層」が、それぞれ、本願発明の「有機物電子輸送層」及び「電子を注入するための陰極」に相当するから、引用発明の「発光層３の上に電子処理手段４が配され、電子処理手段４は、発光層３の上に配されたポリピロール、ポリフルオレン、フェニレンビニレンポリマー、又はポリチオフェンのような導電ポリマーを含む電子輸送層と、電子輸送層上に形成され、Ｎ−ｄｏｐｅｄ半導体又は金属を有する電子注入層から」なること（工程）が、本願発明の「ナノ結晶発光層の上に有機物電子輸送層を形成する工程」及び「有機物電子輸送層の上に、電子を注入するための陰極を形成する工程」に相当する。
　
（４）引用発明の「キャッピング分子」、「パッシベーション分子」、「結合ユニット」及び「スペーサユニット」は、いずれも、「感光基を有する物質」あるいは「感光基のない物質」のいずれかであることは当然であるから、引用発明の「正孔処理手段２の上に半導体ナノメータ結晶である量子ドットを有する発光層３が形成され」、「発光層３の量子ドットの表面にはキャッピング分子、パッシベーション分子が備えられ、　機能ユニットを有するキャッピング分子は、結合ユニットを通じて量子ドットの表面にリンクされ、このような機能ユニットを有するキャッピング分子は、結合ユニットと機能ユニットとを相互接続するスペーサユニットを有し、スペーサユニットは、約１個から２０個、より好ましくは約１個から約１０個の炭素原子を含む、直鎖状、分岐状、又は環状の炭化水素鎖のような有機部分を有し、炭化水素鎖は、１つ以上の不飽和度（即ち、一つ以上の二重結合又は三重結合）を更に含む」ことと、本願発明の「感光基を有する物質が配位したナノ結晶を、前記高分子正孔輸送層を損傷しない溶媒中に分散させたナノ結晶溶液を前記高分子正孔輸送層上にコーティングして、あるいは、感光基のない物質が配位したナノ結晶と感光性物質とを、前記高分子正孔輸送層を損傷させない溶媒に分散させたナノ結晶溶液を前記高分子正孔輸送層上にコーティングして、前記ナノ結晶発光層を形成する」こととは、「感光基を有する物質あるいは感光基のない物質」が配位した「ナノ結晶」を「高分子正孔輸送層上」に配置して「ナノ結晶発光層を形成する」ことで一致する。
　
（５）引用発明の「エレクトロルミネセント装置の製造方法」が、本願発明の「エレクトロルミネッセンス素子の製造方法」に相当する。
　
２　一致点
　したがって、本願発明と引用発明とは、
「基板上に、正孔を注入するための陽極をパターニングし、その上に高分子正孔輸送層を形成する工程と、
　前記高分子正孔輸送層の上にナノ結晶発光層を形成する工程と、
　前記ナノ結晶発光層の上に有機物電子輸送層を形成する工程と、
　前記有機物電子輸送層の上に、電子を注入するための陰極を形成する工程と
　を含み、
　感光基を有する物質あるいは感光基のない物質が配位したナノ結晶を、高分子正孔輸送層上に配置して、ナノ結晶発光層を形成するエレクトロルミネッセンス素子の製造方法。」の発明である点で一致し、次の各点で相違する。
　
３　相違点
（１）相違点１
　高分子正孔輸送層の上へナノ結晶発光層を形成する工程に関して、本願発明においては「ナノ結晶溶液をコーティング」して形成するものであり、また、上記「ナノ結晶溶液」の溶媒が「高分子正孔輸送層を損傷しない溶媒」であるのに対し、引用発明においては、その点の特定がない点。
　
（２）相違点２
　「感光基を有する物質あるいは感光基のない物質」が配位した「ナノ結晶」を「高分子正孔輸送層上に配置」することについて、本願発明においては、「感光基を有する物質が配位したナノ結晶」を高分子正孔輸送層上に配置するか、あるいは、「感光基のない物質が配位したナノ結晶と感光性物質と」を高分子正孔輸送層上に配置するのに対して、引用発明においてはその点について明確でない点。
　
第５　当審の判断
１　相違点の検討
（１）相違点１について
　引用例２の【００３５】、【００３６】及び【００４８】の記載から引用例２の発光体含有ナノカプセルが本願発明の「ナノ結晶」に相当するから、引用例２には、ナノ結晶発光層の形成に関して「溶液の状態でスピンコーティング等コーティングして」形成することが記載されている。そして、発光素子における積層構造の形成において、溶液をコーティングすることによって積層する際に、溶液の溶媒として、下の層を損傷（溶解）させない溶媒を用いることは、例えば、特開平１０−７７４６７号公報（【００２２】）、特開２００１−１８９１９３号公報（【００１６】）等に記載されているように周知の技術である。
　よって、引用発明においても、高分子正孔輸送層の上へナノ結晶発光層を形成する工程において、引用例２に記載された発明を適用して、「ナノ結晶溶液をコーティング」して形成するようにし、その際に溶液の溶媒として、上記周知技術を参酌して、下の層である高分子正孔輸送層を損傷（溶解）させない溶媒を選択して、上記相違点１に係る本願発明の発明特定事項を得ることに格別の困難性は認められない。
　
（２）相違点２について
　引用発明には、ナノ結晶の量子ドット表面にリンクする分子として、キャッピング分子、パッシベーション分子が例示され、また、キャッピング分子はスペーサユニットを有し、そして、それらの中でも特に「スペーサユニット」は、不飽和度（即ち、一つ以上の二重結合又は三重結合）を含むものも特定されていることからして、引用発明は「感光基を有する物質が配位したナノ結晶」を高分子正孔輸送層上に配置するものを含んでいる蓋然性が高い。そして、その場合は、相違点２は実質的な相違点とはならない。
　なお、仮に、引用発明が、「感光基を有する物質が配位したナノ結晶」を高分子正孔輸送層上に配置するものを含んでいないとしても、発光素子における積層構造の形成において、発光層を、架橋して不溶化する、すなわち、光硬化また熱硬化させることは周知の技術（例えば、上記の特開平１０−７７４６７号公報（【００２２】）、引用例２の【００７８】、特開２００４−１１９３９３号公報（【００５４】）参照）であり、そして、光硬化する際に架橋する手法として、分子に感光性基を導入して光架橋するか、あるいは、感光性基のない分子に感光性物質を添加して光架橋することは周知の技術（上記周知例に記載されたものが、分子に感光性基を導入して光架橋するか、あるいは、感光性基のない分子に感光性物質を添加して光架橋するか、のいずれかにより、光硬化したものであることは明らかである。）であることから、引用発明において、上記の周知技術を採用し、「感光基を有する物質が配位したナノ結晶」を高分子正孔輸送層上に配置するか、あるいは、「感光基のない物質が配位したナノ結晶と感光性物質と」を高分子正孔輸送層上に配置するとして、上記相違点２に係る本願発明の発明特定事項を得ることは当業者が容易に想到し得たことである。
　
２　そして、本願発明によってもたらされる効果は、引用発明、引用例２に記載された発明及び周知技術から当業者が予測し得る程度のものである。
　
３　まとめ
　したがって、本願発明は、引用発明、引用例２に記載された発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
第６　結言
　以上のとおり、本願発明は、引用発明、引用例２に記載された発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、その余の請求項に係る発明について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。