【事件の表示】
　特許第６５５９４１０号発明「研磨用組成物」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第６５５９４１０号の特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１〜５、８、９〕、６及び７について訂正することを認める。
　特許第６５５９４１０号の請求項１〜９に係る特許を維持する。
【理　由】
第１　手続の経緯
　特許第６５５９４１０号の請求項１〜９に係る特許についての出願は、平成２６年９月３０日に出願され、令和元年７月２６日にその特許権の設定登録がされ、同年８月１４日に特許掲載公報が発行された。その後、その特許に対し、令和２年１月３１日に特許異議申立人相見彩（以下、単に「申立人」ともいう。）は特許異議の申立てを行い、当審は、同年４月３日付けで取消理由を通知した。この取消理由通知に対して、特許権者は、同年６月１９日に意見書の提出及び訂正の請求を行った。その訂正の請求に対して、同年８月７日に、申立人は意見書を提出した。
　
第２　訂正の可否についての判断
　１　訂正の内容
　本件訂正請求による訂正の内容は、次の訂正事項１〜４のとおりである。なお、訂正前の請求項１〜９について、請求項３〜５、８、９は、それぞれ請求項１を直接または間接的に引用しているものであって、下記訂正事項１によって記載が訂正される請求項１に連動して訂正されるものである。また、請求項３〜５、８、９は、それぞれ請求項２を直接または間接的に引用しているものであって、上記訂正事項２によって記載が訂正される請求項２に連動して訂正されるものである。したがって、訂正前の請求項１〜５、８及び９に対応する訂正後の請求項１〜５、８及び９は、特許法１２０条の５第４項に規定する一群の請求項である。
（１）訂正事項１
　特許請求の範囲の請求項１に
　　「沈降シリカ、ゲル法シリカ、乾燥シリカ、爆発法シリカまたはこれらのシリカを原材料とするシリカ粒子である；
　　を満たすシリカ砥粒Ａを含む、」と記載されているのを
　　「沈降シリカ、ゲル法シリカまたはこれらのシリカを原材料とするシリカ粒子である；
　　を満たすシリカ砥粒Ａを含み、
　　前記砥粒は、さらにコロイダルシリカ砥粒を含み、
　　前記コロイダルシリカ砥粒の平均粒子径は、前記シリカ砥粒Ａの平均粒子径の１．０倍未満である、」に訂正する。
（２）訂正事項２
　特許請求の範囲の請求項２に
　　「沈降シリカ、ゲル法シリカ、乾燥シリカ、爆発法シリカまたはこれらのシリカを原材料とするシリカ粒子である；
　　を満たすシリカ砥粒Ａを含む、」と記載されているのを
　　「沈降シリカ、ゲル法シリカまたはこれらのシリカを原材料とするシリカ粒子である；
　　を満たすシリカ砥粒Ａを含み、
　　前記砥粒は、さらにコロイダルシリカ砥粒を含み、
　　前記コロイダルシリカ砥粒の平均粒子径は、前記シリカ砥粒Ａの平均粒子径の１．０倍未満である、」に訂正する。
（３）訂正事項３
　特許請求の範囲の請求項６に
　　「沈降シリカ、ゲル法シリカ、乾燥シリカ、爆発法シリカまたはこれらの
　シリカを原材料とするシリカ粒子である；
　　を満たすシリカ砥粒Ａを含む、」と記載されているのを
　　「沈降シリカ、ゲル法シリカまたはこれらのシリカを原材料とするシリカ粒子である；
　　を満たすシリカ砥粒Ａを含み、
　　前記砥粒は、さらにコロイダルシリカ砥粒を含み、
　　前記コロイダルシリカ砥粒の平均粒子径は、前記シリカ砥粒Ａの平均粒子径の１．０倍未満である、」に訂正する。
（４）訂正事項４
　特許請求の範囲の請求項７に
　　「沈降シリカ、ゲル法シリカ、乾燥シリカ、爆発法シリカまたはこれらのシリカを原材料とするシリカ粒子である；
　を満たすシリカ砥粒Ａを含む、」と記載されているのを
　　「沈降シリカ、ゲル法シリカまたはこれらのシリカを原材料とするシリカ粒子である；
　を満たすシリカ砥粒Ａを含み、
　前記砥粒は、さらにコロイダルシリカ砥粒を含み、
　前記コロイダルシリカ砥粒の平均粒子径は、前記シリカ砥粒Ａの平均粒子径の１．０倍未満である、」に訂正する。
　２　訂正の目的の適否、新規事項の有無、及び、特許請求の範囲の拡張・変更の存否について
　（１）訂正事項１について
　訂正事項１は、本件明細書の【００１６】の「沈降シリカ、ゲル法シリカ、またはこれらのシリカを原材料とするシリカ粒子を用いることがより好ましい。」という記載に基づき、訂正前の請求項１における「沈降シリカ、ゲル法シリカ、乾燥シリカ、爆発法シリカまたはこれらのシリカ」という択一的記載の要素の中から、「乾燥シリカ、爆発法シリカ」という要素を削除するものである。
　また、訂正事項１は、本件明細書の【００２５】の「ここに開示される研磨用組成物は、本発明の効果を損なわない範囲で、砥粒として、シリカ砥粒Ａとは異なる他の成分（以下、砥粒Ｂともいう。）を含有していてもよい。上記砥粒Ｂの例としては、シリカ以外の材質からなる粒子（以下、非シリカ粒子ともいう。）およびシリカ砥粒Ａと異なるシリカ粒子が挙げられる。」という記載、同【００２６】の「シリカ砥粒Ａと異なるシリカ粒子の例として、コロイダルシリカが挙げられる。」という記載、及び、同【００２８】の「砥粒Ｂの平均粒子径は、シリカ砥粒Ａの平均粒子径の１．０倍未満であることが好ましく」という記載に基づき、訂正前の請求項１に係る研磨用組成物において、シリカ砥粒Ａの平均粒子径の１．０倍未満であるコロイダルシリカ砥粒をさらに含むことを特定するものである。
　そうすると、訂正事項１は、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり、新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
　（２）訂正事項２について
　訂正事項２は、訂正事項１と同様に、訂正前の請求項２における「沈降シリカ、ゲル法シリカ、乾燥シリカ、爆発法シリカまたはこれらのシリカ」という択一的記載の要素の中から、「乾燥シリカ、爆発法シリカ」という要素を削除するものである。
　また、訂正事項２は、訂正前の請求項２に係る研磨用組成物において、シリカ砥粒Ａの平均粒子径の１．０倍未満であるコロイダルシリカ砥粒をさらに含むことを特定するものである．
　そうすると、訂正事事項２は、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり、新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
　（３）訂正事項３について
　訂正事項３は、訂正事項１と同様に、訂正前の請求項６における「沈降シリカ、ゲル法シリカ、乾燥シリカ、爆発法シリカまたはこれらのシリカ」という択一的記載の要素の中から、「乾燥シリカ、爆発法シリカ」という要素を削除するものである。
　また、訂正事項３は、訂正前の請求項６に係る研磨用組成物の製造方法において、シリカ砥粒Ａの平均粒子径の１．０倍未満であるコロイダルシリカ砥粒をさらに含むことを特定するものである。
　そうすると、訂正事項３は、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり、新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
　（４）訂正事項４について
　訂正事項４は、訂正事項１と同様に、訂正前の請求項７における「沈降シリカ、ゲル法シリカ、乾燥シリカ、爆発法シリカまたはこれらのシリカ」という択一的記載の要素の中から、「乾燥シリカ、爆発法シリカ」という要素を削除するものである。
　また、訂正事項４は、訂正前の請求項７に係る研磨用組成物の製造方法において、シリカ砥粒Ａの平均粒子径の１．０倍未満であるコロイダルシリカ砥粒をさらに含むことを特定するものである。
　そうすると、訂正事項４は、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり、新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
　（５）小括
　上記のとおり、訂正事項１〜４に係る訂正は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる事項を目的とするものであり、かつ、同条第９項で準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合する。
　したがって、特許請求の範囲を、訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１〜５、８、９〕、６及び７について訂正することを認める。
　
第３　訂正後の本件発明
　本件訂正請求により訂正された請求項１〜９に係る発明（以下、「本件発明１」〜「本件発明９」などといい、まとめて「本件発明」という。）は、訂正特許請求の範囲の請求項１〜９に記載された次の事項により特定されるとおりのものである。
「【請求項１】
　仕上げ研磨工程の前工程で用いられる研磨用組成物であって、
　砥粒、酸および水を含み、
　前記砥粒は、以下の条件：
　比表面積が２ｍ２／ｇ以上６０ｍ２／ｇ以下である；
　平均粒子径が１５０ｎｍ以上１５０００ｎｍ以下である；および
　沈降シリカ、ゲル法シリカまたはこれらのシリカを原材料とするシリカ粒子である；
　を満たすシリカ砥粒Ａを含み、
　前記砥粒は、さらにコロイダルシリカ砥粒を含み、
　前記コロイダルシリカ砥粒の平均粒子径は、前記シリカ砥粒Ａの平均粒子径の１．０倍未満である、研磨用組成物。
【請求項２】
　ニッケルリンめっきが施されたディスク基板の研磨に用いられる研磨用組成物であって、
　砥粒、酸および水を含み、
　前記砥粒は、以下の条件：
　比表面積が２ｍ２／ｇ以上６０ｍ２／ｇ以下である；
　平均粒子径が１５０ｎｍ以上１５０００ｎｍ以下である；および
　沈降シリカ、ゲル法シリカまたはこれらのシリカを原材料とするシリカ粒子である；
　を満たすシリカ砥粒Ａを含み、
　前記砥粒は、さらにコロイダルシリカ砥粒を含み、
　前記コロイダルシリカ砥粒の平均粒子径は、前記シリカ砥粒Ａの平均粒子径の１．０倍未満である、研磨用組成物。
　【請求項３】
　前記シリカ砥粒Ａの比表面積は、１０ｍ２／ｇ以上６０ｍ２／ｇ以下である、請求項１または２に記載の研磨用組成物。
　【請求項４】
　前記シリカ砥粒Ａの平均粒子径は、１５０ｎｍ以上７０００ｎｍ以下である、請求項１から３のいずれか一項に記載の研磨用組成物。
　【請求項５】
　さらに酸化剤を含有する、請求項１から４のいずれか一項に記載の研磨用組成物。
　【請求項６】
　仕上げ研磨工程の前工程で用いられる研磨用組成物を製造する方法であって、
　前記製造方法は、砥粒、酸および水を混合することを包含し、
　ここで、前記砥粒は、以下の条件：
　　比表面積が２ｍ２／ｇ以上６０ｍ２／ｇ以下である；
　平均粒子径が１５０ｎｍ以上１５０００ｎｍ以下である；および
　沈降シリカ、ゲル法シリカまたはこれらのシリカを原材料とするシリカ粒子である；
　を満たすシリカ砥粒Ａを含み、
　前記砥粒は、さらにコロイダルシリカ砥粒を含み、
　前記コロイダルシリカ砥粒の平均粒子径は、前記シリカ砥粒Ａの平均粒子径の１．０倍未満である、研磨用組成物の製造方法。
【請求項７】
　ニッケルリンめっきが施されたディスク基板の研磨に用いられる研磨用組成物を製造する方法であって、
　前記製造方法は、砥粒、酸および水を混合することを包含し、
　ここで、前記砥粒は、以下の条件：
　　比表面積が２ｍ２／ｇ以上６０ｍ２／ｇ以下である；
　平均粒子径が１５０ｎｍ以上１５０００ｎｍ以下である；および
　沈降シリカ、ゲル法シリカまたはこれらのシリカを原材料とするシリカ粒子である；
　を満たすシリカ砥粒Ａを含み、
　前記砥粒は、さらにコロイダルシリカ砥粒を含み、
　前記コロイダルシリカ砥粒の平均粒子径は、前記シリカ砥粒Ａの平均粒子径の１．０倍未満である、研磨用組成物の製造方法。
【請求項８】
　基板の製造方法であって、
　前記基板の原材料である研磨対象物に請求項１から５のいずれか一項に記載の研磨用組成物を供給して該研磨対象物を研磨する研磨工程Ａを包含し、
　前記研磨工程Ａの後に、コロイダルシリカ砥粒を含む研磨用組成物を前記研磨対象物に供給して該研磨対象物を研磨する仕上げ研磨工程をさらに含む、基板製造方法。
　【請求項９】
　ニッケルリンめっきが施されたディスク基板の製造方法であって、
　前記基板の原材料である研磨対象物に請求項１から５のいずれか一項に記載の研磨用組成物を供給して該研磨対象物を研磨する研磨工程Ａを包含する、基板製造方法。」
　
第４　取消理由の概要
　１　訂正前の請求項１〜９に係る特許に対して、当審が令和２年４月３日付けで特許権者に通知した取消理由の概要は、次の（１）〜（３）のとおりであり、理由１、２において引用された引用文献は下記「２」のとおりである（申立人の提出した甲各号証は、「甲１」などという。）。
　（１）理由１（新規性）
　本件発明１〜９は、本件特許出願前に日本国内又は外国において、頒布された下記の引用文献に記載された発明であって、特許法第２９条第１項第３号に該当するから、請求項１〜９に係る特許は、特許法第２９条第１項の規定に違反してされたものであり、請求項１〜９に係る特許は、取り消されるべきものである。　
　（２）理由２（進歩性）
　本件発明１〜９は、本件特許出願前に日本国内又は外国において、頒布された下記２の引用文献に記載された発明に基いて、本件特許出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１〜９に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであり、取り消されるべきものである。
　（３）理由３（サポート要件）
　砥粒として、乾燥シリカ及び爆発法シリカを含む本件の特許請求の範囲の請求項１〜９の記載は、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしておらず、請求項１〜９に係る特許は、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであり、取り消されるべきものである。
　２　引用文献　
　甲１：特開２０１４−０２９７５４号公報　
　甲３：赤崎忠行、福永登志一、「ゲル法シリカの特徴と応用」、東ソー研究・技術報告、東ソー株式会社、平成１３年１２月３１日、Ｖｏｌ　４５、６５〜６９頁　
　甲６：小林昭、河西敏雄、超精密生産技術体系（第１巻　基本技術）、株式会社フジ・テクノシステム、１９９５年１０月２２日、初版第１刷、４１２〜４１４頁
　
第５　取消理由通知に記載した取消理由の理由１、２についての当審の判断
　１　引用文献の記載
　（１）甲１の記載
　甲１には、「磁気ディスク基板の製造方法」（発明の名称）について、次の記載がある（下線は当審が付与した。）。
「【特許請求の範囲】
【請求項１】
　（１）シリカ粒子Ａ及び水を含有する研磨液組成物Ａを被研磨基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び／又は前記被研磨基板を動かして前記研磨対象面を研磨する工程；
　（２）工程（１）で得られた基板を洗浄する工程；及び、
　（３）シリカ粒子Ｂ及び水を含有する研磨液組成物Ｂを工程（２）で得られた基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び／又は前記被研磨基板を動かして前記研磨対象面を研磨する工程；
を有し、
　前記工程（１）と（３）は別の研磨機で行い、
　前記シリカ粒子Ａは、電子顕微鏡観察で得られる粒子の絶対最大長の平均が８０〜５００ｎｍであり、前記絶対最大長を直径とする円の面積ｂを電子顕微鏡観察で得られる該粒子の投影面積ａで除して１００を乗じた面積比（ｂ／ａ×１００）の平均が１１０〜２００％であり、
　前記シリカ粒子Ａが、前記面積比（ｂ／ａ×１００）が１１０〜２００％であるシリカ粒子を、全シリカ粒子Ａに対して５０質量％以上含有する、磁気ディスク基板の製造方法。
・・・（略）・・・
【請求項５】
　シリカ粒子Ａが水ガラス法で製造されたシリカ粒子である、請求項１から４のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法。
・・・（略）・・・
【請求項８】
　シリカ粒子Ａが下記粒子Ａ１及び粒子Ａ２を含み、Ａ１／Ａ２の質量比率が５／９５〜９５／５の範囲にあり、シリカ粒子Ａにおける前記粒子Ａ１及びＡ２の合計量が８０質量％以上である、請求項１から７のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法。
　Ａ１）粒径が５倍以上異なる２種以上の粒子が凝集、融着した粒子
　Ａ２）粒径が１．５倍以内の２種以上の粒子が凝集、融着した粒子」
「【技術分野】
【０００１】
　本発明は、磁気ディスク基板の製造方法及び
磁気ディスク基板の研磨方法
「【００１１】
そこで、本発明は、粗研磨と仕上げ研磨の総研磨時間が短縮でき、かつ、アルミナ粒子を用いたときよりも基板への残留砥粒（突起欠陥）を大幅に低減できる磁気ディスク基板の製造方法を提供する。」
「【発明の効果】
【００１４】
　本発明の製造方法は、アルミナ粒子を使用しないから粗研磨後及び仕上げ研磨後の突起欠陥を大幅に低減できる。また、本発明の製造方法によれば、
粗研磨と仕上げ研磨の総研磨時間が短縮できる
基板品質が向上した磁気ディスク基板を生産性よく製造できる
「【００１７】
　本発明の製造方法によって
粗研磨において少ない研磨量で突起欠陥の除去と長波長うねりの低減ができる
「【００２１】
［磁気ディスク基板の製造方法］
　一般に、磁気ディスクは、精研削工程を経たガラス基板やＮｉ−Ｐメッキ工程を経たアルミニウム合金基板を、粗研磨工程及び仕上げ研磨工程にて研磨した後、記録部形成工程にて磁気ディスク化することにより製造される。本発明は、一態様において、下記（１）
〜（３）の工程を有する磁気ディスク基板の製造方法に関する。
　（１）シリカ粒子Ａ及び水を含有する研磨液組成物Ａを被研磨基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び／又は前記被研磨基板を動かして前記研磨対象面を研磨する工程。
　（２）工程（１）で得られた基板を洗浄する工程。
　（３）シリカ粒子Ｂ及び水を含有する研磨液組成物Ｂを工程（２）で得られた基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び／又は前記被研磨基板を動かして前記研磨対象面を研磨する工程。
【００２２】
［工程（１）：粗研磨工程］
　工程（１）は、シリカ粒子Ａ及び水を含む研磨液組成物Ａを被研磨基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び／又は前記被研磨基板を動かして前記研磨対象面を研磨する工程である。工程（１）で使用される研磨機としては、特に限定されず、磁気ディスク基板研磨用の公知の研磨機が使用できる。
【００２３】
［工程（１）：被研磨基板］
　工程（１）で粗研磨される被研磨基板は、磁気ディスク基板又は磁気ディスク基板に用いられる基板であり、例えば、Ｎｉ−Ｐメッキされたアルミニウム合金基板や、珪酸ガラス、アルミノ珪酸ガラス、結晶化ガラス、強化ガラス等のガラス基板が挙げられる。中でも、本発明で使用される被研磨基板としては、Ｎｉ−Ｐメッキされたアルミニウム合金基板が好ましい。上記被研磨基板の形状には特に制限はなく、例えば、ディスク状、プレート状、スラブ状、プリズム状等の平面部を有する形状や、レンズ等の曲面部を有する形状であればよい。中でも、ディスク状の被研磨基板が適している。ディスク状の被研磨基板の場合、その外径は例えば２〜９５ｍｍ程度であり、その厚みは例えば０．５〜２ｍｍ程度である。
【００２４】
［工程（１）：研磨液組成物Ａ］
　本明細書において、研磨液組成物Ａとは、前記工程（１）の粗研磨に使用される研磨液組成物である。研磨液組成物Ａは、水、及び、突起欠陥低減の観点から砥粒としてシリカ粒子Ａを含有する。また、研磨液組成物Ａは、突起欠陥低減の観点からアルミナ砥粒を含まないことが好ましい。本明細書において「アルミナ砥粒を含まない」とは、一又は複数の実施形態において、アルミナ粒子を含まないこと、実質的にアルミナ粒子を含まないこと、砥粒として機能する量のアルミナ粒子を含まないこと、又は、研磨結果に影響を与える量のアルミナ粒子を含まないこと、を含みうる。具体的なアルミナ粒子の含有量は、特に限定されるわけではないが、５質量％以下が好ましく、２質量％以下がより好ましく、１質量％以下がさらに好ましく、実質的に０％であることがさらにより好ましい。
【００２５】
［工程（１）：シリカ粒子Ａ］
　研磨液組成物Ａは、突起欠陥低減の観点から砥粒としてシリカ粒子Ａを含有する。一又は複数の実施形態において、研磨液組成物Ａに含まれるシリカ粒子をシリカ粒子Ａという。シリカ粒子Ａのシリカとしては、コロイダルシリカ、フュームドシリカ、表面修飾したシリカ等が挙げられる。粗研磨時の長波長うねり低減の観点、粗研磨と仕上げ研磨の総研磨時間短縮の観点及び仕上げ研磨時の長波長うねりと突起欠陥低減の観点から、コロイダルシリカが好ましく、下記のパラメータを満たす特定の形状をもったコロイダルシリカがより好ましい。また、シリカ粒子Ａは、粗研磨時の長波長うねり低減の観点、粗研磨と仕上げ研磨の総研磨時間短縮の観点及び仕上げ研磨時の長波長うねりと突起欠陥低減の観点から、火炎溶融法やゾルゲル法で製造されたものでなく、水ガラス法で製造されたシリカ粒子であることが好ましい。
【００２６】
［工程（１）：シリカ粒子Ａの平均粒子径（Ｄ５０）］
　本発明のシリカ粒子Ａの平均粒子径（Ｄ５０）は、レーザー光散乱法で測定した体積平均粒子径（Ｄ５０）である。シリカ粒子Ａの平均粒子径（Ｄ５０）は、粗研磨時の長波長うねり低減の観点、粗研磨と仕上げ研磨の総研磨時間短縮の観点及び仕上げ研磨時の長波長うねりと突起欠陥低減の観点から、５０ｎｍ以上が好ましく、より好ましくは６０ｎｍ以上、さらに好ましくは１００ｎｍ以上、さらにより好ましくは１１０ｎｍ以上である。シリカ粒子Ａの平均粒子径（Ｄ５０）は、同様の観点から、５００ｎｍ以下が好ましく、より好ましくは４００ｎｍ以下、さらに好ましくは３００ｎｍ以下、さらにより好ましくは２００ｎｍ以下、さらにより好ましくは１５０ｎｍ以下である。また、シリカ粒子Ａの平均粒子径（Ｄ５０）は、同様の観点から、好ましくは５０〜５００ｎｍであり、より好ましくは６０〜４００ｎｍ、さらに好ましくは１００〜３００ｎｍ、さらにより好ましくは１１０〜２００ｎｍ、さらにより好ましくは１１０〜１５０ｎｍである。シリカ粒子の平均粒子径（Ｄ５０）が前記範囲内であると、研磨切削時の物理研磨力が強く、効果的に長波長うねりが低減されると考えられる。また、粗研磨と仕上げ研磨の総研磨時間短縮の観点及び長波長うねり低減の観点から、シリカ粒子Ａの平均粒子径（Ｄ５０）は５０ｎｍ以上が好ましく、より好ましくは６０ｎｍ以上、さらに好ましくは６５ｎｍ以上、さらにより好ましくは７０ｎｍ以上である。同様の観点から、５００ｎｍ以下が好ましく、より好ましくは４００ｎｍ以下、さらに好ましくは３００ｎｍ以下、さらにより好ましくは２００ｎｍ以下、さらにより好ましくは１８０ｎｍ以下である。また、シリカ粒子Ａの平均粒子径（Ｄ５０）は、同様の観点から、好ましくは５０〜５００ｎｍであり、より好ましくは６０〜４００ｎｍ、さらに好ましくは６５〜３００ｎｍ、さらにより好ましくは７０〜２００ｎｍ、さらにより好ましくは７０〜１８０ｎｍである。また、シリカ粒子Ａの平均粒子径（Ｄ５０）は粗研磨後の長波長うねりを低減する観点及び仕上げ研磨後の突起欠陥及び長波長うねりの低減の観点から、５０ｎｍ以上が好ましく、より好ましくは６０ｎｍ以上、さらに好ましくは６５ｎｍ以上である。同様の観点から、５００ｎｍ以下が好ましく、より好ましくは３００ｎｍ以下、さらに好ましくは７３ｎｍ以下である。また、シリカ粒子Ａの平均粒子径（Ｄ５０）は、同様の観点から、好ましくは５０〜５００ｎｍであり、より好ましくは６０〜３００ｎｍ、さらに好ましくは６５〜７３ｎｍである。なお、平均粒子径（Ｄ５０）は、実施例に記載の方法により求めることができる。」
「【００３２】
［工程（１）：シリカ粒子ＡのＢＥＴ比表面積］
　シリカ粒子ＡのＢＥＴ比表面積は、粗研磨時の長波長うねり低減の観点、粗研磨と仕上げ研磨の総研磨時間短縮の観点及び仕上げ研磨時の長波長うねりと突起欠陥低減の観点から、１０〜２００ｍ２／ｇが好ましく、より好ましくは２０〜１００ｍ２／ｇ、さらに好ましくは３０〜８０ｍ２／ｇである。」
「【００３９】
［工程（１）：研磨液組成物Ａ中の酸］
　研磨液組成物Ａは、研磨速度の向上の観点から、酸を含有することが好ましい。研磨液組成物Ａにおける酸の使用は、酸及び又はその塩の使用を含む。使用される酸としては、硝酸、硫酸、亜硫酸、過硫酸、塩酸、過塩素酸、リン酸、ホスホン酸、ホスフィン酸、ピロリン酸、トリポリリン酸、アミド硫酸等の無機酸、２−アミノエチルホスホン酸、１−ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸、アミノトリ（メチレンホスホン酸）、エチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）、ジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）、エタン−１，１，−ジホスホン酸、エタン−１，１，２−トリホスホン酸、エタン−１−ヒドロキシ−１，１，２−トリホスホン酸、エタン−１，２−ジカルボキシ−１，２−ジホスホン酸、メタンヒドロキシホスホン酸、２−ホスホノブタン−１，２−ジカルボン酸、１−ホスホノブタン−２，３，４−トリカルボン酸、α−メチルホスホノコハク酸等の有機ホスホン酸、グルタミン酸、ピコリン酸、アスパラギン酸等のアミノカルボン酸、クエン酸、酒石酸、シュウ酸、ニトロ酢酸、マレイン酸、オキサロ酢酸等のカルボン酸等が挙げられる。中でも、粗研磨時の長波長うねり低減の観点、粗研磨と仕上げ研磨の総研磨時間短縮の観点及び仕上げ研磨時の長波長うねりと突起欠陥低減の観点から、リン酸、硫酸、クエン酸、酒石酸、マレイン酸、１−ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸、アミノトリ（メチレンホスホン酸）、エチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）、ジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）及びそれらの塩がより好ましく、硫酸、１−ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸、アミノトリ（メチレンホスホン酸）及びそれらの塩がさらに好ましく、硫酸がさらにより好ましい。」
「【００４３】
［工程（１）：研磨液組成物Ａ中の酸化剤］
　前記研磨液組成物Ａは、粗研磨時の長波長うねり低減の観点、粗研磨と仕上げ研磨の総研磨時間短縮の観点及び仕上げ研磨時の長波長うねりと突起欠陥低減の観点から、酸化剤を含有することが好ましい。酸化剤としては、研磨速度及び残留アルミナ低減の観点から、過酸化物、過マンガン酸又はその塩、クロム酸又はその塩、ペルオキソ酸又はその塩、酸素酸又はその塩、硝酸類、硫酸類等が挙げられる。これらの中でも、過酸化水素、硝酸鉄（ＩＩＩ）、過酢酸、ペルオキソ二硫酸アンモニウム、硫酸鉄（ＩＩＩ）及び硫酸アンモニウム鉄（ＩＩＩ）等が好ましく、研磨速度向上の観点、表面に金属イオンが付着せず汎用に使用され安価であるという観点から、過酸化水素がより好ましい。これらの酸化剤は、単独で又は２種以上を混合して使用してもよい。」
「【００７１】
［工程（３）：仕上げ研磨工程］
　工程（３）は、シリカ粒子及び水を含有する研磨液組成物Ｂを工程（２）で得られた基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び／又は前記被研磨基板を動かして前記研磨対象面を研磨する工程である。工程（３）で使用される研磨機は、粗研磨と仕上げ研磨の総研磨時間短縮の観点、研磨後の長波長うねりを低減する観点、突起欠陥低減の観点、及び、その他の表面欠陥を効率よく低減するため粗研磨とポア径の異なるパッドを使用する観点から、工程（１）で用いた研磨機とは別の研磨機である。工程（３）で使用される研磨液組成物Ｂの供給速度、研磨液組成物Ｂを研磨機へ供給する方法は、前述した研磨液組成物Ａの場合と同様とすることができる。
【００７２】
　本発明の磁気ディスク基板の製造方法は、工程（１）の粗研磨工程、工程（２）の洗浄工程、及び、工程（３）の仕上げ研磨工程を含むことにより、粗研磨と仕上げ研磨の総研磨時間が短縮され、粗研磨後の長波長うねり及び突起欠陥が低減され、仕上げ研磨後の長波長うねり及び突起欠陥が低減された基板を効率的に製造することができる。
【００７３】
［工程（３）：研磨液組成物Ｂ］
　工程（３）で使用される研磨液組成物Ｂは、仕上げ研磨後の長波長うねりと突起欠陥低減突起欠陥低減の観点から砥粒としてシリカ粒子（シリカ粒子Ｂ）を含有する。使用されるシリカ粒子Ｂは、粗研磨と仕上げ研磨の総研磨時間短縮の観点、並びに、仕上げ研磨後の長波長うねり及び突起欠陥を低減する観点から、好ましくはコロイダルシリカである。また、研磨液組成物Ｂは、粗研磨と仕上げ研磨の総研磨時間短縮の観点、並びに、仕上げ研磨後の長波長うねり及び突起欠陥を低減する観点から、アルミナ砥粒を含まないことが好ましい。」
　（２）甲３の記載
「２．湿式法シリカの製造方法
　表１にその代表的な商品とメーカーを示す。また概略製造工程フローを図１に示す。
湿式法シリカは沈降（沈澱）法シリカとゲル法シリカに類別されるが、一般的にケイ酸ナトリウムと鉱酸（通常は硫酸）の中和反応によりシリカが合成される。」（６５頁左欄１５〜２０行）
「（１）沈降法シリカ
比較的高温，アルカリ性のｐＨ領域で反応を進める。その結果、シリカ一次粒子の成長が早く進行し、一次粒子がフロック状に凝集し沈降する事から、沈降法シリカと呼ばれる。」（６６頁左欄１〜５行）
「（２）ゲル法シリカ
ー般的にシリカゲルとも表現されるが、乾燥剤やクロマトグラフィー充填剤等に利用されている粒状ものと区別する意味で、本稿では微粒子フィラーとして利用されているものをゲル法シリカと表現する。
生成の過程は図２のＤの経路をたどる。ケイ酸ナトリウムと鉱酸（通常は硫酸）の中和反応を酸性のｐＨ領域で進行させる事により、一次粒子の成長を抑えた状態で凝集を起こす。この時、凝集体が形成する３次元網目構造により、反応液全体は一魂のゲルとなる。」（６６頁右欄４〜８行）
　（３）甲６の記載
「２．現在使用されている研磨スラリーの分類
２．１　シリカ系研磨スラリー（ＳｉＯ２）
２．１．１　ケイ酸ナトリウム（水ガラス）を原料とするもの
ＮａＳｉＯ３＋Ｈ２Ｏ→ＳｉＯ２＋ＮａＯ→凝集体→沈降→乾燥粉体
　　　　　　↓　　　　　　　　　　　　　　　↓
　　　　イオン交換　　　　　　　　　　　沈降性シリカ
　　　　　　↓
　　核ゾル（＝５ｎｍ）→粒子成長→濃縮→コロイダルシリカ
　　　　　　　　　（１０〜１００ｎｍ）　　　　（狭義）
　出発物質がケイ酸ナトリウムであることから，比較的安価にＳｉＯ２粒子を得ることができる。」（４１２頁左欄２１〜３３行）
　３　甲１に記載された発明（甲１発明）
　甲１には、「磁気ディスク基板の製造方法及び磁気ディスク基板の研磨方法」（【０００１】）について記載されているところ、【００２１】には、「一般に、磁気ディスクは、精研削工程を経たガラス基板やＮｉ−Ｐメッキ工程を経たアルミニウム合金基板を、粗研磨工程及び仕上げ研磨工程にて研磨した後、記録部形成工程にて磁気ディスク化することにより製造される。」と記載されており、甲１に記載された「磁気ディスク基板」には、「ガラス基板やＮｉ−Ｐメッキ工程を経たアルミニウム合金基板」が含まれるといえる。
　また、【００２１】には、「（１）シリカ粒子Ａ及び水を含有する研磨液組成物Ａを被研磨基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び／又は前記被研磨基板を動かして前記研磨対象面を研磨する工程」（以下、単に「工程（１）」ともいう。）が記載され、【００２２】には、「工程（１）」は「粗研磨工程」であることが記載され、【００２５】には、「シリカ粒子Ａ」は、コロイダルシリカ、フュームドシリカ、表面修飾したシリカ等であって、水ガラス法で製造されたシリカ粒子であることが好ましいことが記載されている。
　そして、【００２６】には、「シリカ粒子Ａ」のレーザー光散乱法で測定した体積平均粒子径（Ｄ５０）は、５０ｎｍ以上が好ましく、５００ｎｍ以下が好ましいことが記載されている。
　また、【００３２】には、「シリカ粒子Ａ」のＢＥＴ比表面積は、１０〜２００ｍ２／ｇであることが好ましいことが記載されている。
　さらに、【００３９】には、「研磨液組成物Ａ」は、酸を含有することが好ましいことが記載されている。
　そうすると、甲１には、次の発明（以下、「甲１発明」という。）が記載されていると認められる。
（甲１発明）
「ガラス基板やＮｉ−Ｐメッキ工程を経たアルミニウム合金基板の粗研磨工程に用いられるシリカ粒子Ａ、酸及び水を含有する研磨液組成物Ａであって、
シリカ粒子Ａのレーザー光散乱法で測定した体積平均粒子径（Ｄ５０）は、５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下であり、
シリカ粒子ＡのＢＥＴ比表面積は、１０〜２００ｍ２／ｇであり、
シリカ粒子Ａは、コロイダルシリカ、フュームドシリカ、表面修飾したシリカ、水ガラス法で製造されたシリカ粒子等である研磨液組成物Ａ」
　３　対比・判断
　（１）本件発明１について
　本件発明１と甲１発明とを対比する。
　甲１発明の「粗研磨工程」、「酸」、「水」及び「研磨液組成物Ａ」は、本件発明１の「仕上げ研磨工程の前工程」、「酸」、「水」及び「研磨用組成物」にそれぞれ相当する。
　本件発明１の「砥粒」と、甲１発明の「シリカ粒子Ａ」は、いずれも「砥粒」である点で共通し、比表面積及び平均粒子径の範囲は、一部重複する。
　また、本件発明１においては、シリカ粒子Ａの「比表面積」及び「平均粒子径」の測定方法については特定されておらず、それぞれ、甲１に記載されたものと差異は見出せない。
　そうすると、本件発明１と甲１発明とは、
「仕上げ研磨工程の前工程で用いられる研磨用組成物であって、
　砥粒、酸および水を含み、
　前記砥粒は、以下の条件：
　比表面積が２ｍ２／ｇ以上６０ｍ２／ｇ以下である；および
　平均粒子径が１５０ｎｍ以上１５０００ｎｍ以下である；
　を満たすシリカ砥粒Ａを含む、研磨用組成物。」である点で一致し、次の点で相違が認められる。
［相違点１］
　シリカ砥粒Ａについて、本件発明１は、「沈降シリカ、ゲル法シリカ、またはこれらのシリカを原材料とするシリカ粒子である」のに対し、甲１発明の「シリカ粒子」は、「コロイダルシリカ、フュームドシリカ、表面修飾したシリカ、水ガラス法で製造されたシリカ粒子等であ」る点。
［相違点２］
　シリカ砥粒Ａの比表面積について、本件発明１は、「２ｍ２／ｇ以上６０ｍ２／ｇ以下」であるのに対し、甲１発明の「シリカ粒子」の比表面積は、「１０〜２００ｍ２／ｇ」である点。
［相違点３］
　シリカ砥粒Ａの平均粒子径について、本件発明１は、「１５０ｎｍ以上１５０００ｎｍ以下」であるのに対し、甲１発明の「シリカ粒子」の平均粒子径は、「５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下」である点。
［相違点４］
　砥粒について、本件発明１は、「さらにコロイダルシリカ砥粒を含み、前記コロイダルシリカ砥粒の平均粒子径は、前記シリカ砥粒Ａの平均粒子径の１．０倍未満である」のに対し、甲１発明は、そのような規定はされていない点。
　ここで、事案に鑑み、まず、相違点４について判断する。
［相違点４について］
　甲１発明において、砥粒は「シリカ粒子Ａ」のみであるところ、「シリカ粒子Ａ」に加えて、さらに、別の「コロイダルシリカ砥粒」を含ませることについては、甲１には記載も示唆もない。
　そして、甲１発明において、「シリカ粒子Ａ」に加えて、別の「コロイダルシリカ砥粒」を含ませた場合に、甲１発明の「研磨液組成物Ａ」がどのような特性を有するものとなるのかは、当業者にとって明らかではないことから、甲１発明において、「シリカ粒子Ａ」に加えて、さらに、別の「コロイダルシリカ砥粒」を含ませる動機付けは見出すことができない。
　なお、申立人は、令和２年８月７日付けの意見書において、甲１の請求項８を引用して、コロイダルシリカを用いることは、当業者において適宜選択可能である旨主張しているので、念のため、該請求項８の記載について検討する。
　該請求項８には、「シリカ粒子Ａが下記粒子Ａ１及び粒子Ａ２を含み、Ａ１／Ａ２の質量比率が５／９５〜９５／５の範囲にあり、シリカ粒子Ａにおける前記粒子Ａ１及びＡ２の合計量が８０質量％以上である、請求項１から７のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法。
　Ａ１）粒径が５倍以上異なる２種以上の粒子が凝集、融着した粒子
　Ａ２）粒径が１．５倍以内の２種以上の粒子が凝集、融着した粒子」と記載されていることから、甲１発明の「シリカ粒子Ａ」は、「Ａ１）粒径が５倍以上異なる２種以上の粒子が凝集、融着した粒子」（以下、「Ａ１粒子」という。）及び「Ａ２）粒径が１．５倍以内の２種以上の粒子が凝集、融着した粒子」（以下、「Ａ２粒子」という。）を含むことになるところ、いずれの粒子も同じシリカ粒子であるから、一方を「フュームドシリカ、表面修飾したシリカ、水ガラス法で製造されたシリカ粒子」であって、他方をそれとは異なる「コロイダルシリカ」とすることを当業者が容易に想到しえることであるということはできない。
　また、仮に、「シリカ粒子Ａ」がコロイダルシリカであれば、いずれか一方の粒子は、本件発明１における「シリカ砥粒Ａ」に相当するものであって、他方の粒子は、本件発明１における「コロイダルシリカ砥粒」に相当するものであるということはできるとしても、「Ａ１粒子」と「Ａ２粒子」のそれぞれの平均粒子径は不明であるから、「コロイダルシリカ砥粒の平均粒子径は、前記シリカ砥粒Ａの平均粒子径の１．０倍未満」という、上記相違点４に係る本件発明１の発明特定事項を当業者が容易に想到し得るものである、ということはできない。
　そして、本件発明１は、上記相違点４に係る本件発明１の発明特定事項を備えることで、すなわち、「シリカ粒子Ａ」に加えて、「コロイダルシリカ砥粒」を含むことで、【００３２】に記載されるような「高い研磨レートを実現しつつ、研磨対象面の面精度を向上させる効果（例えば、長波長うねりの抑制効果、表面粗さの低減効果等）が好適に発揮される」という、甲１発明からは当業者が予測しえない格別顕著な作用効果を奏するものであり、そのような作用効果は実施例において確認されているものである。
　以上のことから、他の相違点について検討するまでもなく、本件発明１は、甲１発明であるとはいえないし、甲１発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである、ともいえない。
（２）本件発明２について
　本件発明２は、本件発明１において、ニッケルリンめっきが施されたディスク基板の研磨に用いられる研磨用組成物である点が特定されたものであるところ、本件発明１と同様な理由から、本件発明２は、甲１発明であるとはいえないし、甲１発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである、ともいえない。
　（３）本件発明３について　
　本件発明３は、本件発明１、２において、シリカ砥粒Ａの比表面積は、１０ｍ２／ｇ以上６０ｍ２／ｇ以下である点が特定されたものであるところ、本件発明１と同様な理由から、本件発明３は、甲１発明であるとはいえないし、甲１発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである、ともいえない。
　（４）本件発明４について　
　本件発明４は、本件発明１〜３において、シリカ砥粒Ａの平均粒子径は、１５０ｎｍ以上７０００ｎｍ以下である点が特定されたものであるところ、本件発明１と同様な理由から、本件発明４は、甲１発明であるとはいえないし、甲１発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである、ともいえない。
　（５）本件発明５について　
　本件発明５は、本件発明１〜４において、酸化剤を含有する点が特定されたものであるところ、本件発明１と同様な理由から、本件発明５は、甲１発明であるとはいえないし、甲１発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである、ともいえない。
　（６）本件発明６、７について
　本件発明６、７は、本件発明１の形式を、単に製造方法としたものであるから、本件発明１と同様な理由から、本件発明６、７は、甲１発明であるとはいえないし、甲１発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである、ともいえない。
　（７）本件発明８について　
　本件発明８は、本件発明１〜５において、研磨工程Ａの後に、コロイダルシリカ砥粒を含む研磨用組成物を研磨対象物に供給して該研磨対象物を研磨する仕上げ研磨工程をさらに含む点が特定されたものであるところ、本件発明１と同様な理由から、本件発明８は、甲１発明であるとはいえないし、甲１発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである、ともいえない。
　（８）本件発明９について　
　本件発明９は、本件発明１〜５において、ニッケルリンめっきが施されたディスク基板の製造方法としたものであるところ、これは、ニッケルリンめっきが施されたディスク基板の研磨に用いられる研磨用組成物である本件発明２の形式を、単に製造方法としたものに過ぎないことから、本件発明１と同様な理由から、本件発明９は、甲１発明であるとはいえないし、甲１発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである、ともいえない。
第６　取消理由通知に記載した取消理由の理由３（サポート要件）についての当審の判断
　訂正によって、砥粒から乾燥シリカ、爆発法シリカは除かれたことにより、上記理由３は解消した。
　
第７　取消理由通知において採用しなかった特許異議申立理由について
　１　申立人は、甲２（特開２００２−１８００３４号公報）を主たる引用例として、本件発明１〜９は、甲２に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである旨主張しているので、甲２を主たる引用例とした場合について、本件発明１〜９の進歩性（特許法第２９条第２項）について検討することとする。
　２　甲２の記載
　甲２には次の記載がある。
「【特許請求の範囲】
【請求項１】　体積換算の９５％累積平均径（Ｄ９５）と体積換算の５０％累積平均径（Ｄ５０）の比（Ｄ９５／Ｄ５０）の値が、１．２から３．０の範囲にあることを特徴とする研磨材スラリー。」
「【請求項３】　研磨材の主成分が、酸化セリウム、酸化珪素、酸化鉄、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化クロム、酸化マンガン、炭化珪素、ダイヤモンドからなる群のうち少なくとも一つであることを特徴とする請求項１または２に記載の研磨材スラリー。」
「【請求項１５】　溶媒が水、炭素数１〜１０の１価アルコール類、グリコール類、炭素数１〜１０の多価アルコール、ジメチルスルホキシド、ジメチルホルムアミド、テトラヒドロフランおよびジオキサンからなる群から選ばれた少なくとも１つであることを特徴とする請求項１から１４のいずれか一項に記載の研磨材スラリー。」
「【００５５】本発明の研磨材スラリーは、一般に使用する基板には制限されないが、好ましくは、光学レンズ用ガラス基板、光ディスクや磁気ディスク用ガラス基板、プラズマディスプレー用ガラス基板、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）型ＬＣＤやねじれネマチック（ＴＮ）型ＬＣＤなどの液晶用ガラス基板、液晶テレビ用カラーフィルター、ＬＳＩフォトマスク用等のガラス基板などの、各種光学、エレクトロニクス関連ガラス材料や一般のガラス製品等の仕上げ研磨に用いられる。」
　３　甲２に記載された発明（甲２発明）
　甲２の請求項１を引用する請求項３を引用する請求項１５には、次の発明（以下、「甲２発明」という。）が記載されていると認められる。
「体積換算の９５％累積平均径（Ｄ９５）と体積換算の５０％累積平均径（Ｄ５０）の比（Ｄ９５／Ｄ５０）の値が、１．２から３．０の範囲にあり、
　研磨材の主成分が、酸化セリウム、酸化珪素、酸化鉄、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化クロム、酸化マンガン、炭化珪素、ダイヤモンドからなる群のうち少なくとも一つであり、
　溶媒が水、炭素数１〜１０の１価アルコール類、グリコール類、炭素数１〜１０の多価アルコール、ジメチルスルホキシド、ジメチルホルムアミド、テトラヒドロフランおよびジオキサンからなる群から選ばれた少なくとも１つである研磨材スラリー。」
　４　対比・判断
　本件発明１と甲２発明とを対比する。
　甲２発明の「研磨材」、「水」及び「研磨材スラリー」は、本件発明１の「砥粒」、「水」及び「研磨用組成物」に相当する。
　そうすると、本件発明１と甲２発明とは、
「研磨用組成物であって、
　砥粒、および水を含む研磨用組成物。」である点で一致し、次の点で相違が認められる。
［相違点２−１］
　研磨用組成物の用途について、本件発明１は「仕上げ研磨工程の前工程で用いられる」のに対し、甲２発明の研磨材スラリーの用途は規定されていない点。
［相違点２−２］
　研磨用組成物に含まれる成分について、本件発明１は「酸」を含むのに対し、甲２発明の研磨材スラリーに酸が含まれることは規定されていない点。
［相違点２−３］
　砥粒について、本件発明１では「比表面積が２ｍ２／ｇ以上６０ｍ２／ｇ以下である；平均粒子径が１５０ｎｍ以上１５０００ｎｍ以下である；および沈降シリカ、ゲル法シリカまたはこれらのシリカを原材料とするシリカ粒子である砥粒Ａ」を含み、「さらにコロイダルシリカ砥粒を含み、前記コロイダルシリカ砥粒の平均粒子径は、前記シリカ砥粒Ａの平均粒子径の１．０倍未満である」のに対し、甲２発明の研磨材は、「酸化セリウム、酸化珪素、酸化鉄、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化クロム、酸化マンガン、炭化珪素、ダイヤモンドからなる群のうち少なくとも一つ」である点。
　ここで、事案に鑑み、まず、相違点２−３について検討する。
　甲２には、本件発明１における「砥粒Ａ」及び「コロイダルシリカ」を研磨材として用いることについては、いずれも記載も示唆もなく、甲２発明の研磨材として、上記「砥粒Ａ」及び「コロイダルシリカ」を用いる動機付けは見出せない。
　また、申立人は甲２発明及び甲１の記載に基づく進歩性を主張しているところ、仮に、甲１に「砥粒Ａ」に関する記載があるとしても、上記第５で検討したように、甲１には、本件発明１における「コロイダルシリカ」については記載も示唆もないのであるから、相違点２−３に係る本件発明１の特定事項は、甲２発明及び甲１の記載に基づいて、当業者が容易に想到することができたものである、とはいえない。
　したがって、他の相違点について検討するまでもなく、本件発明１は、甲２発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができものである、とすることはできない。
　本件発明２〜９についても同様に、甲２発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができものである、とすることはできない。
第８　むすび
　以上のとおりであるから、取消理由通知に記載した取消理由及び特許異議申立書に記載した特許異議申立理由によっては、本件請求項１〜９に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件請求項１〜９に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
令和２年９月３０日（２０２０．９．３０）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】
　仕上げ研磨工程の前工程で用いられる研磨用組成物であって、
　砥粒、酸および水を含み、
　前記砥粒は、以下の条件：
　比表面積が２ｍ２／ｇ以上６０ｍ２／ｇ以下である；
　平均粒子径が１５０ｎｍ以上１５０００ｎｍ以下である；および
　沈降シリカ、ゲル法シリ
カま
　を満たすシリカ砥粒Ａを含
み、
　
前記砥粒は、さらにコロイダルシリカ砥粒を含み、
　
前記コロイダルシリカ砥粒の平均粒子径は、前記シリカ砥粒Ａの平均粒子径の１．０倍未満である、
　【請求項２】
　ニッケルリンめっきが施されたディスク基板の研磨に用いられる研磨用組成物であって、
　砥粒、酸および水を含み、
　前記砥粒は、以下の条件：
　比表面積が２ｍ２／ｇ以上６０ｍ２／ｇ以下である；
　平均粒子径が１５０ｎｍ以上１５０００ｎｍ以下である；および
　沈降シリカ、ゲル法シリ
カま
　を満たすシリカ砥粒Ａを含
み、
　
前記砥粒は、さらにコロイダルシリカ砥粒を含み、
　
前記コロイダルシリカ砥粒の平均粒子径は、前記シリカ砥粒Ａの平均粒子径の１．０倍未満である、
　【請求項３】
　前記シリカ砥粒Ａの比表面積は、１０ｍ２／ｇ以上６０ｍ２／ｇ以下である、請求項１または２に記載の研磨用組成物。
　【請求項４】
　前記シリカ砥粒Ａの平均粒子径は、１５０ｎｍ以上７０００ｎｍ以下である、請求項１から３のいずれか一項に記載の研磨用組成物。
　【請求項５】
　さらに酸化剤を含有する、請求項１から４のいずれか一項に記載の研磨用組成物。
　【請求項６】
　仕上げ研磨工程の前工程で用いられる研磨用組成物を製造する方法であって、
　前記製造方法は、砥粒、酸および水を混合することを包含し、
　ここで、前記砥粒は、以下の条件：
　比表面積が２ｍ２／ｇ以上６０ｍ２／ｇ以下である；
　平均粒子径が１５０ｎｍ以上１５０００ｎｍ以下である；および
　沈降シリカ、ゲル法シリ
カま
　を満たすシリカ砥粒Ａを含
み、
　
前記砥粒は、さらにコロイダルシリカ砥粒を含み、
　
前記コロイダルシリカ砥粒の平均粒子径は、前記シリカ砥粒Ａの平均粒子径の１．０倍未満である、
　【請求項７】
　ニッケルリンめっきが施されたディスク基板の研磨に用いられる研磨用組成物を製造する方法であって、
　前記製造方法は、砥粒、酸および水を混合することを包含し、
　ここで、前記砥粒は、以下の条件：
　比表面積が２ｍ２／ｇ以上６０ｍ２／ｇ以下である；
　平均粒子径が１５０ｎｍ以上１５０００ｎｍ以下である；および
　沈降シリカ、ゲル法シリ
カま
　を満たすシリカ砥粒Ａを含
み、
　
前記砥粒は、さらにコロイダルシリカ砥粒を含み、
　
前記コロイダルシリカ砥粒の平均粒子径は、前記シリカ砥粒Ａの平均粒子径の１．０倍未満である、
　【請求項８】
　基板の製造方法であって、
　前記基板の原材料である研磨対象物に請求項１から５のいずれか一項に記載の研磨用組成物を供給して該研磨対象物を研磨する研磨工程Ａを包含し、
　前記研磨工程Ａの後に、コロイダルシリカ砥粒を含む研磨用組成物を前記研磨対象物に供給して該研磨対象物を研磨する仕上げ研磨工程をさらに含む、基板製造方法。
　【請求項９】
　ニッケルリンめっきが施されたディスク基板の製造方法であって、
　前記基板の原材料である研磨対象物に請求項１から５のいずれか一項に記載の研磨用組成物を供給して該研磨対象物を研磨する研磨工程Ａを包含する、基板製造方法。