【事件の表示】
　特願２００６−　３７７７１「ＳＯＩ基板の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１９年　８月３０日出願公開、特開２００７−２２０７８２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１８年　２月１５日の出願であって、平成２４年　４月１７日付けで拒絶理由が通知され、これに対して、同年　６月２０日に意見書及び手続補正書が提出されたが、同年　７月２６日付けで拒絶査定がなされ、これを不服として、同年１０月３０日に審判請求がなされるとともに、手続補正書が提出されたものである。
　
第２　補正の却下の決定
　
［補正の却下の決定の結論］
　平成２４年１０月３０日に提出された手続補正書による手続補正を却下する。
　
［理　由］
１　平成２４年１０月３０日に提出された手続補正書による手続補正（以下「本件補正」という。）の内容
　本件補正は、平成２４年　６月２０日に提出された手続補正書により補正された（以下「本件補正前の」という。）特許請求の範囲の請求項１、２及び明細書の【００１２】〜【００１６】を補正しようとするものであるが、そのうち請求項１に係る補正は以下のとおりである。
　
　「【請求項１】
　ＳＯＩ基板の製造方法であって、
　単結晶シリコン基板である第１の基板の表面に０．２μｍ以上の膜厚のシリコン酸化膜を形成する第１のステップと、
　前記第１の基板に前記酸化膜を介して水素イオンを注入してイオン注入層を形成する第２のステップと、
　石英基板である第２の基板及び前記第１の基板の少なくとも一方の貼り合わせ面に
プラズマ処理又はオゾン処理の少なくとも一方で
　前記第１の基板の表面と前記第２の基板の表面とを貼り合わせる第４のステップと、
　前記加熱処理後の貼り合せ基板の前記第１の基板からシリコン薄膜を剥離して前記第２の基板の表面上にＳＯＩ層を形成する第５のステップと、を備え
、
　前記第４のステップは、前記貼り合わせ後に、前記第１の基板と前記第２の基板を貼り合わせた状態で、前記第１の基板であるシリコン基板中で水素原子の拡散が顕著には生じない程度の温度である１００〜３００℃で熱処理するサブステップを備え、
　
前記第１のステップの酸化膜形成は、前記単結晶シリコン基板の表面を熱酸化して実行され、
　前記第３のステップは、予め前記石英基板の貼り合わせ面側に埋め込みパターンを形成するサブステップを備えており、前記プラズマ処理は、酸素ガス、水素ガス、アルゴンガス、またはこれらの混合ガス、あるいは水素ガスとヘリウムガスの混合ガスにより高周波プラズマを発生させて実行され、前記オゾン処理は、窒素ガスやアルゴンガスにより高周波プラズマを発生させ、当該プラズマによりチャンバ内雰囲気中の酸素をオゾンに変換させて実行される、
ことを特徴とするＳＯＩ基板の製造方法。」
　（なお、上記下線は、補正箇所を示している。）
　
２　補正の適否について
（１）補正の目的
　上記請求項１の各補正事項は、本件補正前の請求項１に、本件補正前の請求項３〜５に記載されていた発明特定事項を付加し、さらに、本願明細書の【００４７】及び【００４８】の記載に基づいてプラズマ処理およびオゾン処理の条件を明示して、限定的に補正しようとするものである。 
　即ち、
　　ア　本件補正前の請求項３の記載である「【請求項３】前記第３のステップの表面活性化処理は、プラズマ処理又はオゾン処理の少なくとも一方で実行されることを特徴とする請求項１または２に記載のＳＯＩ基板の製造方法。」を根拠として、本件補正前の請求項１の第３のステップの「貼り合わせ面に表面活性化処理を施す」における表面活性化処理の種類について、「貼り合わせ面に
プラズマ処理又はオゾン処理の少なくとも一方で
　　イ　第１のステップについて、本件補正前の請求項４の記載である「【請求項４】前記第１のステップの酸化膜形成は、前記単結晶シリコン基板の表面を熱酸化して実行されることを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載のＳＯＩ基板の製造方法。」を根拠として「
前記第１のステップの酸化膜形成は、前記単結晶シリコン基板の表面を熱酸化して実行され、
　　ウ　第３のステップについて、本件補正前の請求項５の記載である「【請求項５】前記第３のステップは、予め前記石英基板の貼り合わせ面側に埋め込みパターンを形成するサブステップを備えていることを特徴とする請求項１乃至４の何れか１項に記載のＳＯＩ基板の製造方法。」を根拠として、「
前記第３のステップは、予め前記石英基板の貼り合わせ面側に埋め込みパターンを形成するサブステップを備えており、
　　エ　第３のステップについて、更に、本願明細書の「【００４７】 この表面処理をプラズマ処理により実行する場合には、・・（略）・・ここで用いられるプラズマ用ガス種としては、酸素ガス、水素ガス、アルゴンガス、またはこれらの混合ガス、あるいは水素ガスとヘリウムガスの混合ガスなどがある。プラズマ用ガスの導入後、１００Ｗ程度の電力の高周波プラズマを発生させ、プラズマ処理される単結晶Ｓｉ基板および／または石英基板の表面に５〜１０秒程度の処理を施して終了する。
【００４８】表面処理をオゾン処理で実行する場合には、・・（略）・・当該チャンバ内に窒素ガスやアルゴンガスなどのプラズマ用ガスを導入した後に所定の電力の高周波プラズマを発生させ、当該プラズマにより雰囲気中の酸素をオゾンに変換させ、処理される単結晶Ｓｉ基板および／または石英基板の表面に所定の時間の処理が施される。」との記載を根拠として、「
前記第３のステップは、・・前記プラズマ処理は、酸素ガス、水素ガス、アルゴンガス、またはこれらの混合ガス、あるいは水素ガスとヘリウムガスの混合ガスにより高周波プラズマを発生させて実行され、前記オゾン処理は、窒素ガスやアルゴンガスにより高周波プラズマを発生させ、当該プラズマによりチャンバ内雰囲気中の酸素をオゾンに変換させて実行される、
　
　そして、上記各補正事項ア〜ウにおける補正内容は、本件補正前の請求項１、３、４を引用する請求項５を新たな請求項１とし、本件補正前の請求項１、３、４を削除するものであるから、何れも当該補正により新規な事項を導入するものでないことは明らかである。
　また、上記補正事項エにおける補正内容は、上記本件補正前の請求項１、３、４を引用する請求項５を新たな請求項１とした請求項１に、更に、本願明細書の【００４７】及び【００４８】の記載に基づいて、限定的な補正をしようとするものであり、当該補正により新規な事項を導入するものでないことも明らかである。
　
　したがって、上記各補正事項ア〜エは、特許法第１７条の２第３項の規定に該当し、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第１号の請求項の削除及び第２号の特許請求の範囲の減縮を目的としたものに該当する。
　
（２）独立特許要件
　請求項１に関する本件補正は、上記のように特許請求の範囲の減縮を目的とするものが含まれているので、次に、本件補正による補正後の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）が特許出願の際、独立して特許を受けることができるものであるのか否か（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するものであるのか否か）について検討する。
　
　　ア　引用刊行物及びその摘記事項
（ア）原査定の拒絶の理由に引用文献１として引用され、本願出願前に日本国内において頒布された刊行物である特開２００５−１５８９３５号公報（以下「刊行物１」という。）には、「電気光学装置用基板、電気光学装置用基板の製造方法、電気光学装置および電子機器」（発明の名称）に関して、図６とともに次の技術事項が記載されている。
　なお、引用した記載事項における下線は当審で引いたものである。以下同じ。
　
（刊１ア）「【００５２】
　＜
アクティブマトリクス基板の製造方法
　以下、本発明に係る半導体装置の製造方法を含むアクティブマトリクス基板の製造方法を、図面を参照して説明する。本実施形態では、先の実施形態の液晶装置に備えられたＴＦＴアレイ基板（アクティブマトリクス基板）１０を製造する工程を、図６から図８に示す断面工程図により詳細に説明する。
【００５３】
　まず、図６（Ａ）に示すように、
ガラスや石英等からなる基板本体１０Ａ
　
（刊１イ）「【００５４】
　次いで、このように処理された基板本体１０Ａの表面上の全面に遮光膜１１ａを形成する。
遮光膜１１ａは、・・（略）・・公知のフォトリソグラフィ技術を用いて所定平面形状にパターン形成される
【００５５】
　次に、図６（Ｂ）に示すように、
遮光膜１１ａを形成した基板本体１０Ａの表面上に、スパッタリング法、ＣＶＤ法などにより、下層側絶縁膜１２ａと、保護層１２ｂと、下層側絶縁膜１２ｃ１及び上層側絶縁膜１２ｃ２からなる２層構造の上層側絶縁膜１２ｃ３を形成する
　このとき、遮光膜１１ａを形成した領域上には、上層側絶縁膜１２ｃ３の表面にて前記遮光膜１１ａに倣う凸部が形成されている。・・（略）・・
【００５６】
　
絶縁膜１２ａ、１２ｃ１、１２ｃ２の構成材料としては、酸化シリコンや、・・（略）・・などの高絶縁性ガラス等
【００５７】
　次に、図６（Ｃ）に示すように、上層側絶縁膜１２ｃ３の表面をＣＭＰ（化学的機械研磨）法などの方法を用いて研磨することで、前記遮光膜１１ａに倣う凸部を除去して表面を平坦化する。・・（略）・・」
　
（刊１ウ）「【００５８】
　次に、図６（Ｄ）に示すように、上記工程を経た基板本体１０Ａと、
別途用意した単結晶シリコン基板との貼り合わせを行う
貼り合わせに用いる単結晶シリコン基板としては、単結晶シリコン層１と、その一面側に形成された酸化膜１２ｃ４とからなる
単結晶シリコン層１中には、例えば、加速電圧１００ｋｅＶ、ドーズ量１０×１０
１６
／ｃｍ
２
にて水素イオンが注入されている
酸化膜１２ｃ４は、単結晶シリコン基板１の単結晶シリコン層を５０ｎｍ〜８００ｎｍ程度酸化することにより形成する
貼り合わせ工程は、前記単結晶シリコン基板と基板本体１０Ａとを接触させた状態にて３００℃〜３５０℃程度で２時間熱処理することにより２枚の基板を直接貼り合わせる方法を採用できる
【００５９】
　
また、貼り合わせ強度をさらに高めるために、熱処理温度を上げて４５０℃程度とする方法も適用できるが、石英などからなる基板本体１０Ａの熱膨張係数と単結晶シリコン基板１の熱膨張係数との間には大きな差があるため、このまま加熱すると単結晶シリコン層にクラックなどの欠陥が発生し、製造されるＴＦＴアレイ基板１０の品質が劣化するおそれがある
　
（刊エ）「【００６０】
　
次に、貼り合わせた単結晶シリコン層１を部分的に剥離する。この単結晶シリコン層の剥離は、単結晶シリコン層１中に導入された水素イオンによって、単結晶シリコン層１の貼り合わせ絶縁膜１２ｃ側の表面近傍にてシリコンの結合が分断される作用を利用する
貼り合わせた単結晶シリコン層１が、部分的に基板本体１０Ａから分離し、基板本体１０Ａの表面上には約２００ｎｍ±５ｎｍ程度の単結晶シリコン層が得られる。
　
（刊１オ）図６には、アクティブマトリクス基板１０を製造する工程が示されており、そのうち図６（Ｄ）からは、【００５８】の記載を参照すれば、貼り合わせ界面Ｓを境界として、貼り合わせ界面Ｓの上側に、界面Ｓ側を酸化膜１２ｃ４とした単結晶シリコン基板１が配置され、貼り合わせ界面Ｓの下側に、界面Ｓ側を上層絶縁膜１２ｃ３とし、他の絶縁膜及びパターン化された遮光幕１１ａを介した基体本体１０Ａが配置されていることが看取できる。
　
　上記（刊１ア）〜（刊１オ）を整理すると、刊行物１には、
  「アクティブマトリクス基板の製造方法であって、
　単結晶シリコン基板として、単結晶シリコン層１と、その一面側に酸化膜１２ｃ４が形成され、
　前記酸化膜１２ｃ４は、単結晶シリコン層を５０ｎｍ〜８００ｎｍ程度酸化することにより形成し、
　前記単結晶シリコン層１中には、水素イオンが注入されているものであり、
　ガラスや石英等からなる基板本体１０Ａを用意し、
　前記単結晶シリコン基板と前記基板本体１０Ａとを接触させた状態にて３００℃〜３５０℃程度で２時間熱処理することにより２枚の基板を直接貼り合わせる貼り合わせ工程を有し、  　
  次に、貼り合わせた単結晶シリコン層１を部分的に基板本体１０Ａから分離し、基板本体１０Ａの表面上に単結晶シリコン層を形成する工程を備え、
　前記酸化膜１２ｃ４の形成は、単結晶シリコン層を酸化することにより形成し
　前記基板本体１０Ａは、基板本体１０Ａの表面上に遮光膜１１ａを公知のフォトリソグラフィ技術を用いて所定平面形状にパターン形成され、遮光膜１１ａを形成した基板本体１０Ａの表面上に、スパッタリング法、ＣＶＤ法などにより、下層側絶縁膜１２ａと、保護層１２ｂと、下層側絶縁膜１２ｃ１及び上層側絶縁膜１２ｃ２からなる２層構造の上層側絶縁膜１２ｃ３を形成し、上層側絶縁膜１２ｃ３の表面をＣＭＰ（化学的機械研磨）法などの方法を用いて研磨することで、前記遮光膜１１ａに倣う凸部を除去して表面を平坦化したものであり、
　前記貼り合わせ工程において、貼り合わせ界面Ｓを境界として、貼り合わせ界面Ｓの上側に、界面Ｓ側を酸化膜１２ｃ４とした単結晶シリコン基板１が配置され、貼り合わせ界面Ｓの下側に、界面Ｓ側を上層絶縁膜１２ｃ３とし、他の絶縁膜及びパターン化された遮光幕１１ａを介した支持基板１０Ａが配置される、
アクティブマトリクス基板の製造方法。」（以下「刊行物１発明」という。）が開示されている。
　
（イ）原査定の拒絶の理由に引用文献２として引用され、本願出願前に日本国内において頒布された刊行物である特開２００５−１４２５２４号公報（以下「刊行物２」という。）には、「半導体ウエハの接着前表面処理」（発明の名称）に関して、次の技術事項が記載されている。
　
（刊２ア）「【請求項１１】
　ドナーウエハに起因する半導体材料の層を剥離するプロセスであって、
　（ａ）薄い層の厚みにほぼ対応する前記ドナーウエハの所定深さに脆化領域を形成する工程と、
　（ｂ）ブラッシングにより、前記ドナーウエハ且つ又は受入れウエハの表面を活性化させる工程と、
　（ｃ）前記活性化された（複数の）表面において前記ドナーウエハと受入れウエハとを接着させる工程と、
　（ｄ）前記ドナーウエハから前記受入れウエハに接着された薄い層を剥離するためにエネルギを前記脆化領域に供給する工程とを備えたことを特徴とするプロセス。
【請求項１２】
　工程（ａ）は、前記脆弱領域の深さにほぼ等しい深さに原子種を注入する・・（略）・・一つを用いて行われることを特徴とする請求項１１に記載の層を剥離するプロセス。
　　・・（略）・・
【請求項１５】
　工程（ａ）と工程（ｂ）との間に少なくとも一回の表面洗浄且つ又は
活性化工程
・・（略）・・
【請求項２０】
　
プラズマ処理による表面活性化工程が工程（ａ）と工程（ｂ）との間に行われる
　
（刊２イ）「【００１３】
　この化学処理の後、
２枚のウエハが接触された時に両者を拘束する力を高めるために、接着すべき表面の少なくとも一つがプラズマに晒され
　
（刊２ウ）「【００５１】
　ドライ洗浄は・・（略）・・
【００５３】
　特に、
プラズマ処理（３）は、特に、その後の接着が加熱処理を伴う又は加熱処理が続いて行われる場合に、ウエハ１０の接着表面を活性化する
【００５４】
　従って、
酸素、窒素、アルゴン又は他のガスによりプラズマに表面を晒す
【００５５】
　この目的のための
装置は、当初、容量結合を伴う反応イオン・エッチング（ＲＩＥ）又は誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）
【００５９】
　実際、プラズマによる結合活性化は、通常、ＲＣＡ洗浄等の先行化学洗浄に続いて、
数秒から数分表面をプラズマに晒す
　
（刊２エ）「【０１１５】
  水素イオン等の原子種を所定量と所定エネルギで注入する。
・・（略）・・
【０１１７】
  脆化領域が原子種注入により形成される場合は、接着後に加熱処理が効果的に施される。
【０１１８】
　接着表面間にＳｉ−Ｏ−Ｓｉ鎖の共有結合を形成して結合鎖を増強させるために、例えば、約５００°Ｃの温度で加熱処理又はアニールが実行される。」
　
（刊２オ）「【０１４１】
　図５は、縦軸に平方メートル毎の結合エネルギ（ジュール）の測定結果を示す。
【０１４２】
　コラム５はブラッシング後に測定した結合エネルギを示す。
【０１４３】
　コラム６はいかなるブラッシングも行わないで測定した結合エネルギを示す。
・・（略）・・
【０１５４】
  例２：図６を参照して、本出願人は、２枚のウエハの表面をプラズマ処理し、その後、結局ブラッシングし、その後、接触させ、そして最終的に加熱処理を行った後に、２枚のウエハ間の結合エネルギをいくつか測定した。
・・（略）・・
【０１５７】
  そしてウエハを約１００ｍＴの圧力のアルゴン雰囲気内でプラズマ処理した。
【０１５８】
  プラズマ処理後、あるウエハはブラッシングし、他はブラッシングしなかった。・・（略）・・
【０１６０】
　ブラッシングの追加工程の後、シリコンウエハのサンプルを酸化したウエハと接触させて接着させた。
【０１６１】
  このようにして得られた構造を約２００°Ｃで約２時間アニールした。
・・（略）・・
【０１６４】
　図６を参照すると、測定結果がグラフで示されており、縦軸が平方メートルでの結合エネルギ（ミリジュール）で、そして、横軸がプラズマ処理中に用いた無線周波数（ＲＦ）の電力である。・・（略）・・
【０１６７】
　曲線７はプラズマ処理と接着工程の間にブラッシングを導入した場合の結合エネルギの測定値を表している。
【０１６８】
　曲線８はプラズマ処理と接着工程の間にブラッシングを導入しなかった場合の結合エネルギの測定値を表している。
・・（略）・・
【０１７３】
　この場合、
プラズマ処理が接着すべき表面を活性化させるのに最も良い処理の一つである
ＬＪ
ｍＪ
　
　（刊２カ）上記（刊２オ）で摘記した図５及び図６の説明を参酌すれば、図５からは、ブラッシングしない場合６の結合エネルギーが０．４２Ｊ／ｍ２程度即ち４２０ｍＪ／ｍ２程度であり、ブラッシングをした場合５の結合エネルギーが０．５Ｊ／ｍ２程度即ち５００ｍＪ／ｍ２程度であること、また、図６からは、プラズマ処理のみを行った場合８の結合エネルギーが４００〜９００ｍＪ／ｍ２程度であり、さらにブラッシングを行った場合７の結合エネルギーが１０００〜１４００ｍＪ／ｍ２程度であることが看取できる。
　
　
イ　当審の判断
（ア）対比
　本願補正発明と刊行物１発明とを対比すると、
　　ａ　刊行物１発明の「単結晶シリコン基板」及び「酸化膜」は、それぞれ本願補正発明の「単結晶シリコン基板である第１の基板」及び「シリコン酸化膜」に相当する。
　　ｂ　刊行物１発明の「アクティブマトリクス基板」は、「単結晶シリコン層１と、その一面側に酸化膜１２ｃ４が形成され」た「単結晶シリコン基板」と「ガラスや石英等からなる基板本体１０Ａ」の「絶縁膜」側とを「直接貼り合わせる貼り合わせ」、その後「貼り合わせた単結晶シリコン層１を部分的に基板本体１０Ａから分離し」た基板であり、「ガラスや石英等からなる基板本体１０Ａ」、「絶縁膜」及び「酸化膜」が積層されたその表面に、単結晶シリコン層が形成されている基板となっているから、本願補正発明の「ＳＯＩ基板」に相当する。
　　ｃ　刊行物１発明の「酸化膜１２ｃ４は、単結晶シリコン層を５０ｎｍ〜８００ｎｍ程度酸化することにより形成し」は、単結晶シリコン層を５０ｎｍ〜８００ｎｍ、即ち０．０５〜０．８μｍ程度酸化することにより酸化膜を形成することであるから、刊行物１発明の「単結晶シリコン基板として、単結晶シリコン層１と、その一面側に酸化膜１２ｃ４が形成され、」「前記酸化膜１２ｃ４は、単結晶シリコン層を５０ｎｍ〜８００ｎｍ程度酸化することにより形成し、」は、本願補正発明の「単結晶シリコン基板である第１の基板の表面に０．２μｍ以上の膜厚のシリコン酸化膜を形成する第１のステップ」に相当する。
　また、刊行物１発明の「酸化膜１２ｃ４の形成は、単結晶シリコン層を酸化することにより形成し」と、本願補正発明の「前記第１のステップの酸化膜形成は、前記単結晶シリコン基板の表面を熱酸化して実行され、」とは、共に、「前記第１のステップの酸化膜形成は、前記単結晶シリコン基板を酸化して実行」される点において一致している。
　　ｄ　刊行物１発明の「単結晶シリコン基板として、単結晶シリコン層１と、その一面側に酸化膜１２ｃ４が形成され、」「前記単結晶シリコン層１中には、水素イオンが注入されている」工程と、本願補正発明の「第１の基板に前記酸化膜を介して水素イオンを注入してイオン注入層を形成する第２のステップ」とは、共に、「第１の基板に水素イオンを注入してイオン注入層を形成する第２のステップ」である点で一致する。
　　ｅ　刊行物１発明の「ガラスや石英等からなる基板本体１０Ａ」は、本願補正発明の「石英基板」に相当し、刊行物１発明の「基板本体１０Ａ」には、「基板本体１０Ａの表面上に遮光膜１１ａを公知のフォトリソグラフィ技術を用いて所定平面形状にパターン形成され、遮光膜１１ａを形成した基板本体１０Ａの表面上に、スパッタリング法、ＣＶＤ法などにより、下層側絶縁膜１２ａと、保護層１２ｂと、下層側絶縁膜１２ｃ１及び上層側絶縁膜１２ｃ２からなる２層構造の上層側絶縁膜１２ｃ３を形成し、上層側絶縁膜１２ｃ３の表面をＣＭＰ（化学的機械研磨）法などの方法を用いて研磨することで、前記遮光膜１１ａに倣う凸部を除去して表面を平坦化した」工程により、所定平面形状のパターンが、基本本体１０Ａと積層された絶縁膜との間に埋め込まれた状態となっていることは明らかであるから、刊行物１発明の「所定平面形状にパターン形成され」た「遮光膜１１ａ」は、本願補正発明の「埋め込みパターン」に相当する。
　刊行物１発明における貼り合わせ工程においては、「貼り合わせ界面Ｓを境界として、貼り合わせ界面Ｓの上側に、界面Ｓ側を酸化膜１２ｃ４とした単結晶シリコン基板１が配置され、貼り合わせ界面Ｓの下側に、界面Ｓ側を上層絶縁膜１２ｃ３とし、他の絶縁膜及びパターン化された遮光幕１１ａを介した支持基板１０Ａが配置される」のであるから、刊行物１発明においても、本願補正発明の「予め前記石英基板の貼り合わせ面側に埋め込みパターンを形成するサブステップ」を備えていることは明らかである。
　したがって、刊行物１発明の「所定平面形状にパターン形成され」た「遮光膜１１ａ」、各種「絶縁膜」及び「保護膜」を、その上面に積層した「基板本体１０Ａ」は、本願補正発明の「第２の基板」に相当し、そして、刊行物１発明の貼り合わせ工程の前に埋め込みパターンを形成した石英基板を用意することが必要であるから、刊行物１発明の「ガラスや石英等からなる基板本体１０Ａを用意し」は、本願補正発明の「石英基板である第２の基板及び前記第１の基板の少なくとも一方の貼り合わせ面に
プラズマ処理又はオゾン処理の少なくとも一方で
　　ｆ　刊行物１発明の「単結晶シリコン基板と前記基板本体１０Ａとを接触させた状態にて３００℃〜３５０℃程度で２時間熱処理することにより２枚の基板を直接貼り合わせる貼り合わせ工程」は、上記摘記事項（刊１オ）を参照すれば、「遮光膜１１ａ」、各種「絶縁膜」及び「保護膜」を、その上面に積層した「基板本体１０Ａ」の上層側絶縁膜の表面側と「単結晶シリコン基板」の酸化膜側の表面とを貼り付けるものであるから、本願補正発明の「第１の基板の表面と前記第２の基板の表面とを貼り合わせる第４のステップ」に相当する。
　　ｇ　刊行物１発明は、基板本体１０Ａと単結晶シリコン層とが、貼り付け工程において、基板本体１０Ａに積層した上層側絶縁膜と単結晶シリコン層と連続的に積層されている酸化膜を介して貼り付けられて、３００℃〜３５０℃程度で２時間熱処理した状態から、「貼り合わせた単結晶シリコン層１を部分的に基板本体１０Ａから分離し、基板本体１０Ａの表面上に単結晶シリコン層を形成」するものであり、これによってＳＯＩ構造を形成していることは明らかであるから、刊行物１発明の「貼り合わせた単結晶シリコン層１を部分的に基板本体１０Ａから分離し、基板本体１０Ａの表面上に単結晶シリコン層を形成する工程」は、本願補正発明の「加熱処理後の貼り合せ基板の前記第１の基板からシリコン薄膜を剥離して前記第２の基板の表面上にＳＯＩ層を形成する第５のステップ」に相当する。
　　ｈ　刊行物１発明の「単結晶シリコン基板と前記基板本体１０Ａとを接触させた状態にて３００℃〜３５０℃程度で２時間熱処理することにより２枚の基板を直接貼り合わせる貼り合わせ工程」と、本願補正発明の「第４のステップは、前記貼り合わせ後に、前記第１の基板と前記第２の基板を貼り合わせた状態で、前記第１の基板であるシリコン基板中で水素原子の拡散が顕著には生じない程度の温度である１００〜３００℃で熱処理するサブステップを備え」とは、「第４のステップは、前記第１の基板と前記第２の基板を貼り合わせた状態で、３００℃で熱処理するサブステップを備え」の点で一致する。
　
　そうすると、上記ａ〜ｈの点を参酌すれば両者は、
　「ＳＯＩ基板の製造方法であって、
　単結晶シリコン基板である第１の基板の表面に０．２μｍ以上の膜厚のシリコン酸化膜を形成する第１のステップと、
　前記第１の基板に水素イオンを注入してイオン注入層を形成する第２のステップと、
　石英基板である第２の基板を用意する第３のステップと、
　前記第１の基板の表面と前記第２の基板の表面とを貼り合わせる第４のステップと、
　前記加熱処理後の貼り合せ基板の前記第１の基板からシリコン薄膜を剥離して前記第２の基板の表面上にＳＯＩ層を形成する第５のステップと、を備え、　　
　前記第４のステップは、前記貼り合わせ後に、前記第１の基板と前記第２の基板を貼り合わせた状態で、３００℃で熱処理するサブステップを備え、
　前記第１のステップの酸化膜形成は、前記単結晶シリコン基板を酸化して実行され、
　予め前記石英基板の貼り合わせ面側に埋め込みパターンを形成するサブステップを備えている、ＳＯＩ基板の製造方法。」
の点で一致するものの、次の点で相違する。
　
＊相違点１：本願補正発明が、「単結晶シリコン基板の表面を熱酸化して」形成された「酸化膜を介して」イオン注入をしているのに対して、刊行物１発明は酸化膜の形成方法および酸化膜の形成と水素イオン注入との順番が特定されていない点。
　
＊相違点２：本願補正発明が、「石英基板である第２の基板及び前記第１の基板の少なくとも一方の貼り合わせ面にプラズマ処理又はオゾン処理の少なくとも一方で表面活性化処理を施す第３のステップ」であって、「前記第３のステップは、予め前記石英基板の貼り合わせ面側に埋め込みパターンを形成するサブステップを備えており、前記プラズマ処理は、酸素ガス、水素ガス、アルゴンガス、またはこれらの混合ガス、あるいは水素ガスとヘリウムガスの混合ガスにより高周波プラズマを発生させて実行され、前記オゾン処理は、窒素ガスやアルゴンガスにより高周波プラズマを発生させ、当該プラズマによりチャンバ内雰囲気中の酸素をオゾンに変換させて実行される」のに対して、刊行物１発明では、「石英基板である第２の基板を用意する第３のステップ」において、「予め前記石英基板の貼り合わせ面側に埋め込みパターンを形成するサブステップ」を備えているものの、その他の第３のステップの工程を有していない点。
　
＊相違点３：本願補正発明は、第４のステップにおいて、「貼り合わせ後に、前記第１の基板と前記第２の基板を貼り合わせた状態で、前記第１の基板であるシリコン基板中で水素原子の拡散が顕著には生じない程度の温度である１００〜３００℃で熱処理するサブステップを備え」ているのに対して、刊行物１発明は、「単結晶シリコン基板と前記基板本体１０Ａとを接触させた状態にて３００℃〜３５０℃程度で２時間熱処理することにより２枚の基板を直接貼り合わせる貼り合わせ工程」である点。
　
（イ）判断
　ここで、上記各相違点１〜３について検討する。
　　　ａ　相違点１について
　周知のＳＯＩ基板の製造方法において、基板同士の貼り付け前に、単結晶シリコン基板の表面に熱酸化による熱酸化層を形成し、その後、分離層としての水素イオン注入をすることは、下記の刊行物３、６に記載のように周知の技術事項にすぎない。
　一方、刊行物１発明における、酸化方法及び酸化とイオン注入との手順については、特定の方法に限定されているものではなく、通常の方法を適用すればよいことは明らかである。
　したがって、刊行物１発明において、刊行物３、６に記載されている周知の技術事項を適用することで、上記相違点１に係る構成とする事は当業者が容易に想到し得た事項である。
　＜周知事項に係る記載＞
　＊刊行物３：特開２００３−２４３６６８号公報
　「【００５６】貼り合わせに用いる単結晶シリコン基板１２０は、厚さ３００μｍであり、その
表面をあらかじめ０．０５〜０．８μｍ程度酸化して酸化膜層９３を形成
熱酸化で形成
　「【００５９】（第２の構成例）図１０及び図１１はＳＯＱ基板の第２の構成例を示す図である。・・（略）・・図９（ｅ）で示すパターニングされた遮光層付きの支持基板表面を平坦化する工程までは、前述の第１の構成例と全く同一である。図１０（ａ）は、貼り合わせに用いる単結晶シリコン基板である。この単結晶シリコン基板１２０は、厚さ６００μｍであり、その
表面をあらかじめ０．０５〜０．８μｍ程度酸化し、酸化膜層９３を形成
次に図１０（ｂ）に示すように、単結晶シリコン基板１２０に水素イオン１１４を注入する
　
　＊刊行物６：特開２０００−３６５８３号公報
　「【０２６６】（実施例４）ＣＺ法により作製した第１の
単結晶Ｓｉ基板
【０２６８】さらに、
基板表面に熱酸化により２００ｎｍのＳｉＯ
２
層を形成
表面のＳｉＯ
２
層を通してＨ
＋
を４０ｋｅＶで５×１０
１６
ｃｍ
−２
イオンを注入した
　　
　　　ｂ　相違点２について
　ＳＯＩ基板の形成に際して、２枚の基板を貼り合わせる前に、少なくとも一方の基板の貼り合わせる側の表面に、酸素ガス等によるプラズマ表面活性化処理を行うことで、活性化処理を行わない場合よりも低い温度で同程度の接合強度を得ることは、刊行物２及び下記の刊行物４〜６に記載されているように周知の技術事項にすぎない。
　また、上記プラズマによる表面活性化処理は、接合強度を上げることになるから、石英基板と単結晶シリコン基板との貼り付けのように熱膨張係数の相違する基板の組み合わせに前記活性化処理を行うことが適していることも、刊行物４及び刊行物５の下記記載にも記載されているように周知の事項であるから、石英からなる基板本体と単結晶シリコン基板とを用いた刊行物１発明においても、刊行物２及び刊行物４〜６に記載の周知事項を採用して、上記相違点２に係る構成とする事は当業者が容易に想到し得た事項である。
　
　＜周知事項に係る記載＞
　＊刊行物４：特開平７−２４９７４９号公報
　・「【０００５】ＳｉＯ２とＳｉＯ２を従来よりも強い結合力で貼り合わせた例として、
石英基板と表面が酸化されたシリコン基板を貼り合わせる方法
ＳｉＯ
２
の表面を酸素のＲＦプラズマ中に晒し
酸素イオンプラズマをＳｉＯ
２
表面に衝突させ、そのエネルギーでＳｉＯ
２
を活性化させるという方法
活性化したＳｉＯ
２
同士を貼り合わせると、活性化しないで貼り合わせたものに比べて数倍の結合力が発生し、言い替えれば、同じ結合力を得るのにかなり低温の熱処理で済むということ
熱膨張係数の異なる組み合わせの場合に適している
　
　＊刊行物５：T. Suni et al., “Effects of Plasma Activation on Hydrophilic Bonding of Si and SiO2”Journal of Electromechanical Society .Vol.149,No.6(2002),pp. G348-G351（なお、当該刊行物５は、上記刊行物２において従来技術として引用されている文献である。））
　・「Direct bonding of hydrophilic silicon wafers can be applied to the fabrication of silicon-on-insulator(SOI) structures and advanced microelectromechanical and optical devices.・・・・
In the case of materials with different thermal expansion coefficients excessive stresses may arise in the bonded wafer pair. Therefore, it is mandatory to find a low-temperature bonding process that results in strong bonding at temperature below 400℃.　It has been reported that strong hydrophilic bonding with Si can be achieved at a low annealing temperature(400℃)by exposing the wafers to a low pressure plasma prior to the bonding.
熱膨張係数が異なる材料の場合、過度の応力が貼り付けられたウエハー間に引き起こされる。それ故、４００℃以下の温度で強い貼り付けとなるような低い温度での貼り付け工程を見つけねばならない。　貼り付けの前に低圧プラズマにウエハーを照射させることにより、シリコンにおける強い親水性貼り付けが、低温アニーリング温度（＜４００℃）で達成できた
　・「Experimenntal
　・・・・Prior to bonding, the wafers were activated in a reactive ion etcher(RIE,Electrotech) using argon,oxygen, or nitrogen plasma. ・・・・The bonding was carried out either in air or in vacuum usually at room temperature or in some cases at 150℃. The bonded wafer pairs were annealed for 2 h at 100℃. After this first annealing step the wafers were cut into rectangular slices using a dicing saw. The diced samples were annealed for 2-100 h at 100-500℃. The surface energies of the diced samples were measured in air using the crack-opening method.・・・・」(G348頁右欄「実験」：当審訳　貼り付けに先立って、アルゴン、酸素又は窒素プラズマを用いた反応性イオンエッチャー（ＲＩＥ、電気工学）によって、活性化された。・・・・貼り付けは、大気或いは真空中で、室温或いは場合によっては１５０℃を用いて実行された。貼り付けられたウエハー対は、１００℃で２ｈアニールされた。この最初のアニール・ステップの後に、ウエハーは、ダイシングソーを用いて長方形に切断された。切断されたサンプルは、１００−５００℃で２−１００ｈアニールされた。切断されたサンプルの表面エネルギーが大気中でクラック・オープニング法を用いて測定された。)
　・G349頁左欄の図１（ａ）には、Ｎ２プラズマ、Ｏ２プラズマ及びＡｒプラズマを用いた場合に、アニーリング温度が１００〜４００℃において、表面エネルギーが１０００〜２５００強（ｍＪ／ｍ２）であることが示されている。
  　
　＊刊行物６：特開２０００−３６５８３号公報
　・「【０１０１】
（貼り合わせ）
石英基板
【０１０４】多層構造体１８の形成は、
第１の基板１０と第２の基板１５を室温で貼り合わせる
【０１０５】
室温で重ね合せる前に、窒素や酸素プラズマで表面を活性化処理
次工程の貼り合わせ強度を強める熱処理をより低温化出来る
【０１０６】
貼り合わせ強度を高め、第１の基板と第２の基板を密着させたい場合
貼り合わせ後に熱処理（以下、「第１の熱処理」という。）を行なうこともまた好ましい
この熱処理は、室温以上５００℃以下で、より好ましくは室温以上４００℃以下で行なう低温熱処理であることが望まれる
　・「【０１１１】
（分離）
熱処理
４００℃以上、６００℃以下
【０１２２】多層構造体１８の
分離方法として、高水圧等のジェット流を利用することもまた好ましい
【０１２３】イオン注入層（分離層１４）での分離を行なうために、高圧の水流をノズルから噴射するいわゆるウォーター・ジェット法を用いてもよい。・・（略）・・
」【０１２６】なお、
ジェット流で分離する場合には、多層構造体１８の温度は、−２００℃から４５０℃の範囲内で行なう。好ましくは、室温以上３５０℃以下
　・「【０２６６】（実施例４）ＣＺ法により作製した
第１の単結晶Ｓｉ基板
【０２６８】さらに、
基板表面に熱酸化により２００ｎｍのＳｉＯ
２
層を形成
表面のＳｉＯ２層を通してＨ
＋
を・・（略）・・イオンを注入
【０２６９】各
基板のＳｉＯ
２
層表面と別に用意した溶融石英基板（第２の基板）の表面をプラズマ処理
重ね合わせ、接触させた
　
　　　ｃ　相違点３について
　　（ａ）刊行物１発明における貼り付け工程での熱処理は、「単結晶シリコン基板と前記基板本体１０Ａとを接触させた状態にて３００℃〜３５０℃程度で２時間熱処理することにより２枚の基板を直接貼り合わせる」ものである。
　　（ｂ）ところで、膨張係数の異なる基板同士を貼り合わせル際に、プラズマ等による活性化処理を行うことが周知であり、刊行物１発明において、当該周知技術を適用することが容易であることは、上記相違点２における検討のとおりである。また、上記周知のプラズマ等による活性化処理を貼り付けの前処理として行った場合には、強度が活性化処理を行わない場合に比べ向上しているので、室温あるい１５０℃等の低温で貼り付けを行い、その後、１００〜４００℃程度の低温でアニーリングすることが行われることは刊行物５，６に記載されている用に周知の事項であり、再掲すると以下のとおりである。
　＜刊行物５、６の記載事項の再掲＞
　＊刊行物５
　　「The bonding was carried out either in air or in vacuum usually at room temperature or in some cases at 150℃. 」、
　　「It has been reported that strong hydrophilic bonding with Si can be achieved 
at a low annealing temperature(400℃)by exposing the wafers to a low pressure plasma prior to the bonding
　　「The bonded wafer pairs were 
annealed for 2h at 100℃
nnealed for 2-100 h at 100-500℃
　＊刊行物６
　「【０１０５】室温で重ね合せる前に、窒素や酸素プラズマで表面を活性化処理」
　「【０１０６】貼り合わせ強度を高め、・・・たい場合には、貼り合わせる途中、あるいは
貼り合わせ後に熱処理
室温以上４００℃以下で行なう低温熱処理
　
　　（ｃ）してみると、刊行物１発明は、貼り付け工程として「単結晶シリコン基板と前記基板本体１０Ａとを接触させた状態にて３００℃〜３５０℃程度で２時間熱処理」を行うものであるが、当該貼り付け工程において、上記相違点２での検討のように、周知技術としての基板同士の貼り付けの前処理としてプラズマ等による活性化処理を行った場合には、上記周知の活性化処理の場合において行われているように、室温或いは１５０℃等の低温で貼り付けを行い、その後、室温〜４００℃程度の低温である「３００℃〜３５０℃程度」での熱処理を行うこと或いは「３００℃程度」よりも低い温度で熱処理を行うことは当業者ならば容易に想到し得た事項である。
　
　（ｄ）ところで、本願補正発明においては、「１００〜３００℃で熱処理する」ことに関して、「第１の基板であるシリコン基板中で水素原子の拡散が顕著には生じない程度の温度である」ことが特定されている。
　そこで、当該発明特定事項について、その技術的意義を本願明細書の記載から、検討すると、関連する記載は以下のとおりである。
　　・「【００４３】
　上述したように、SmartCut法でＳＯＩ基板を作製する際には、シリコン基板の貼り合せ面側に水素イオンを注入して「水素ブリスタ」と呼ばれる「気泡」を高密度で発生させ、
比較的高温の熱処理により生じる「水素ブリスタ」の「気泡成長」を利用してシリコン薄膜を熱剥離している
「気泡成長」は水素原子の拡散現象に他ならないから、高ドーズ条件で形成されることとなる極めて高密度の「気泡」が「成長」する過程においては水素原子の拡散が顕著に生じていることとなる
【００４４】
　したがって、本発明のように
シリコン薄膜を低温剥離する場合には、当該剥離処理工程中での水素原子の拡散は著しく抑制されることとなるため、高いドーズ量の水素イオン注入を施したとしてもＳＯＩ層の表面荒れを生じさせることはない
高々３００℃程度の低温熱処理でシリコン薄膜の剥離を実行する限り
でのドーズ量での表面荒れは認められなかった
　
　　・「【００５０】
　なお、図４（Ｅ）の
貼り合わせ工程に続いて、単結晶シリコン基板１０と石英基板２０とを貼り合わせた状態で１００〜３００℃で熱処理するサブステップ
単結晶シリコン基板１０に形成された酸化膜１１と石英基板２０との接合強度を高めるという効果を得ることを主な目的とする
【００５１】
　この
熱処理温度が３００℃以下に設定されている主な理由は、単結晶シリコンと石英との熱膨張係数差と当該熱膨張係数差に起因する歪量、およびこの歪量と単結晶シリコン基板１０ならびに石英基板２０の厚みを考慮したことによる
厚みが概ね同程度である場合
大きな差異があるため
３２０〜３５０℃を超える温度で熱処理を施した場合には、両基板間の剛性差に起因して、熱歪によるクラックや接合面における剥離などが生じたり、極端な場合には単結晶シリコン基板や石英基板が割れてしまうということが生じ得る。このような観点から、熱処理温度の上限を３００℃と選択している
【００５２】
　なお、この熱処理には、
水素イオンの注入量によって
熱応力を生じさせて
化学結合を弱化させるという副次的な効果も期待
　
　　・「【００５４】
　イオン注入層１２内の平均イオン注入深さＬに対応する領域に局在する「微小気泡層」には不対結合手をもつＳｉ原子や高密度のＳｉ−Ｈ結合が発生して原子結合状態は局所的に脆弱化された状態にあるから、この状態の
イオン注入層１２に上述した基板間熱膨張係数差に起因する応力が付加されると、もともと脆弱な状態の化学結合は容易に切断されることとなってイオン注入層１２内のシリコン原子の化学結合は著しく弱化することとなる
３００℃以下という温度はシリコン結晶中での水素原子の拡散が顕著には生じない程度の低温であるから、従来法で問題とされていたＳＯＩ層の表面荒れが生じることもない
　
　　（ｅ）上記記載のように、本願明細書の【００４３】及び【００４４】には、「シリコン結晶中での水素原子の拡散」について説明されているものの、「「水素ブリスタ」の「気泡成長」を利用してシリコン薄膜を熱剥離」を行う場合、即ち、本願補正発明における「前記
加熱処理後の貼り合せ基板
薄膜を剥離して
剥離工程において
高々３００℃程度の低温熱処理でシリコン薄膜の剥離
シリコン薄膜を低温剥離する場合には、当該剥離処理工程中での水素原子の拡散は著しく抑制されることとなる
　また、本願明細書の【００５０】〜【００５２】には、本願補正発明の上記第４のステップのサブステップについて説明したものであるが、「貼り合わせ工程に続いて、単結晶シリコン基板１０と石英基板２０とを貼り合わせた状態で１００〜３００℃で熱処理するサブステップ」を設けた目的として、「接合強度を高める」為の工程であることが説明されており、この工程において、熱処理の温度を「１００〜３００℃」の範囲として設定したことの理由として、「３２０〜３５０℃を超える温度で熱処理を施した場合には、両基板間の剛性差に起因して、熱歪によるクラックや接合面における剥離などが生じたり、極端な場合には単結晶シリコン基板や石英基板が割れてしまうということが生じ得る」ことから、「
単結晶シリコンと石英との熱膨張係数差と当該熱膨張係数差に起因する歪量、およびこの歪量と単結晶シリコン基板１０ならびに石英基板２０の厚みを考慮し」て、「熱処理温度の上限を３００℃と選択している
　また、副次的な効果として、「熱膨張係数差に起因する熱応力を生じさせてイオン注入層１２内のシリコン原子の化学結合を弱化させるという副次的な効果も期待できる」旨説明されてある程度の熱応力を発生させることが期待されているものの、過度になる場合として、【００５４】では、「 イオン注入層１２に上述した基板間熱膨張係数差に起因する応力が付加されると、もともと脆弱な状態の化学結合は容易に切断されることとなってイオン注入層１２内のシリコン原子の化学結合は
著しく弱化する
３００℃以下という温度はシリコン結晶中での水素原子の拡散が顕著には生じない程度の低温である
　
　　（ｆ）したがって、「高々３００℃程度の低温熱処理でシリコン薄膜の剥離を実行する限り」、「シリコン薄膜を低温剥離する場合には、当該剥離処理工程中での水素原子の拡散は著しく抑制されることとなる」（【００４４】）及び「３００℃以下という温度はシリコン結晶中での水素原子の拡散が顕著には生じない程度の低温である」（【００５４】）との上記明細書の記載からすれば、「３００℃程度或いは３００℃以下」の温度が、本願補正発明における「第１の基板であるシリコン基板中で水素原子の拡散が顕著には生じない程度の温度」自体を実質的に意味することは明らかである。
　
　　（ｇ）してみると、刊行物１発明における貼り合わせ工程での熱処理温度は、３００℃〜３５０℃程度としており、３００℃での熱処理を含んでいるのであるから、刊行物１発明における熱処理も３００℃で行う場合には、本願補正発明における「第１の基板であるシリコン基板中で水素原子の拡散が顕著には生じない程度の温度」であることは明らかである。
　また、上記刊行物１発明の熱処理の温度範囲は、刊行物１の【００５９】の「貼り合わせ強度を
さらに高める
熱膨張係数との間には大きな差がある
このまま加熱すると単結晶シリコン層にクラックなどの欠陥が発生し、製造されるＴＦＴアレイ基板１０の品質が劣化する
　加えて、上記（ｃ）で検討したように、周知の活性化処理を行った場合において設定される熱処理温度は、「室温〜４００℃程度の低温である「３００℃〜３５０℃程度」での熱処理を行うこと
或いは「３００℃程度」よりも低い温度で熱処理を行う
　
　ｄ　独立特許要件の判断の結論
　したがって、本願補正発明は、刊行物１に記載された発明及び刊行物２〜６に記載された周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
（３）補正の適否のまとめ
　よって、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
　
第３　本願発明について　
１　本願発明
　平成２４年１０月３０日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜５に係る発明は、本件補正前の特許請求の範囲の請求項１〜５に記載されたとおりのものであるところ、請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、請求項１に記載された次のとおりのものである。
　「【請求項１】
　ＳＯＩ基板の製造方法であって、
　単結晶シリコン基板である第１の基板の表面に０．２μｍ以上の膜厚のシリコン酸化膜を形成する第１のステップと、
　前記第１の基板に前記酸化膜を介して水素イオンを注入してイオン注入層を形成する第２のステップと、
　石英基板である第２の基板及び前記第１の基板の少なくとも一方の貼り合わせ面に表面活性化処理を施す第３のステップと、
　前記第１の基板の表面と前記第２の基板の表面とを貼り合わせる第４のステップと、
　前記加熱処理後の貼り合せ基板の前記第１の基板からシリコン薄膜を剥離して前記第２の基板の表面上にＳＯＩ層を形成する第５のステップと、を備え、　　
　前記第４のステップは、前記貼り合わせ後に、前記第１の基板と前記第２の基板を貼り合わせた状態で、前記第１の基板であるシリコン基板中で水素原子の拡散が顕著には生じない程度の温度である１００〜３００℃で熱処理するサブステップを備えている、ことを特徴とするＳＯＩ基板の製造方法。」
　
２　原審の拒絶の理由の概要
　原審の拒絶の理由の概要は、「引用文献２の段落番号００５１〜００５４に、第１の基板と第２の基板を貼り合わせる際に、プラズマ処理又はオゾン処理により表面活性化処理を行うことが記載されており、引用文献１記載の発明において、・・第１の基板と第２の基板を貼り合わせる際に、プラズマ処理又はオゾン処理により表面活性化処理を行うことは、当業者にとって容易である。」として、「請求項１〜５に係る発明は引用文献１，２に基づいて当業者が容易に発明し得たものである。」としたものである。
　そして、上記の引用文献１及び２は、上記「第２［理由］２（２）引用刊行物及びその摘記事項」に記載された刊行物１及び２である。
　
３　引用刊行物及びその摘記事項
　原査定の拒絶の理由に引用された本願出願前に頒布された刊行物１及び２の摘記事項及び刊行物１発明は、上記「第２　２　（２）ア　引用刊行物及びその摘記事項」に記載されたとおりである。
　
４　対比・判断
（ア）対比
　本願発明は、前記「第２　２　（２）イ　当審の判断」で検討した本願補正発明において、表面活性化処理について「プラズマ処理又はオゾン処理の少なくとも一方で」で施され、「前記プラズマ処理は、酸素ガス、水素ガス、アルゴンガス、またはこれらの混合ガス、あるいは水素ガスとヘリウムガスの混合ガスにより高周波プラズマを発生させて実行され、前記オゾン処理は、窒素ガスやアルゴンガスにより高周波プラズマを発生させ、当該プラズマによりチャンバ内雰囲気中の酸素をオゾンに変換させて実行される、」との限定的事項、酸化膜形成についての「前記第１のステップの酸化膜形成は、前記単結晶シリコン基板の表面を熱酸化して実行され、」との限定的事項、及び、石英基板についての「前記第３のステップは、予め前記石英基板の貼り合わせ面側に埋め込みパターンを形成するサブステップを備えており」との限定事項の各限定事項が削除されたものである。
　
　そうすると、本願発明の構成要件を全て含み、さらに他の構成要件を付加したものに相当する本願補正発明と刊行物１発明との対比を行った前記「第２　２　（２）イ　当審の判断（ア）対比ａ〜ｈ」に記載した点を踏まえると、本願発明と刊行物１発明とは、
　「ＳＯＩ基板の製造方法であって、
　単結晶シリコン基板である第１の基板の表面に０．２μｍ以上の膜厚のシリコン酸化膜を形成する第１のステップと、
　前記第１の基板に水素イオンを注入してイオン注入層を形成する第２のステップと、
　石英基板である第２の基板を用意する第３のステップと、
　前記第１の基板の表面と前記第２の基板の表面とを貼り合わせる第４のステップと、
　前記加熱処理後の貼り合せ基板の前記第１の基板からシリコン薄膜を剥離して前記第２の基板の表面上にＳＯＩ層を形成する第５のステップと、を備え、　　
　前記第４のステップは、前記貼り合わせ後に、前記第１の基板と前記第２の基板を貼り合わせた状態で、前記第１の基板であるシリコン基板中で水素原子の拡散が顕著には生じない程度の温度である１００〜３００℃で熱処理するサブステップを備えている、ＳＯＩ基板の製造方法。」
の点で一致するものの、次の点で相違する。
　
＊相違点４：本願補正発明が、「単結晶シリコン基板の表面を熱酸化して」形成された「酸化膜を介して」イオン注入をしているのに対して、刊行物１発明は酸化膜膜の形成方法および酸化膜の形成と水素イオン注入との順番が特定されていない点。
　
＊相違点５：本願補正発明が、「石英基板である第２の基板及び前記第１の基板の少なくとも一方の貼り合わせ面に表面活性化処理を施す第３のステップ」を有しているのに対して、刊行物１発明では、そのような表面活性化処理を施すことが特定されていない点。
　
＊相違点６：本願補正発明は、第４のステップにおいて、「貼り合わせ後に、前記第１の基板と前記第２の基板を貼り合わせた状態で、前記第１の基板であるシリコン基板中で水素原子の拡散が顕著には生じない程度の温度である１００〜３００℃で熱処理するサブステップを備え」ているのに対して、刊行物１発明は、「単結晶シリコン基板と前記基板本体１０Ａとを接触させた状態にて３００℃〜３５０℃程度で２時間熱処理することにより２枚の基板を直接貼り合わせる貼り合わせ工程」である点。
　
（イ）判断
　ここで、上記各相違点４〜６について検討する。
　　ａ　相違点４について
　相違点４は、本願補正発明と刊行物１発明の対比における相違点１と同じであり、上記「第２　２　（２）イ　当審の判断（イ）判断　ａ　相違点１について」での検討と同様の理由により、刊行物１発明において、刊行物３、６に記載されている周知の技術事項を適用することで、上記相違点４に係る構成とする事は当業者が容易に想到し得た事項である。
　なお、刊行物３、６の摘記事項は、「第２　２　（２）イ　当審の判断（イ）判断　ａ＜周知事項に係る記載＞」に摘記したとおりである。
　
　ｂ　相違点５について
　（ａ）刊行物２には、ブラッシングによる表面活性化処理が記載されていると共に、刊行物２の摘記事項（刊２イ）の【００１３】には、従来技術に関する論文を提示し「２枚のウエハが接触された時に両者を拘束する力を高めるために、接着すべき表面の少なくとも一つがプラズマに晒され、これにより両者が接触」すると説明をし、摘記事項（刊２オ）の【０１７３】で、「プラズマ処理が接着すべき表面を活性化させるのに最も良い処理の一つである」として、ブラッシングのみならず、プラズマ処理が、表面を活性化させる処理であること、また、両者を組み合わせることで非常に高い結合エネルギーが得られることを説明しており、２枚のウエハの貼り付けの前処理として、プラズマ処理或いはプラズマ処理とブラッシング処理とを組み合わせた表面活性化処理を行うことが開示されている。
  そして、刊行物１発明が、石英基板と単結晶シリコン基板とを貼り付ける技術分野に属するものであり、貼り合わせ強度を上げるために単純に熱処理温度を上げると熱膨張係数差により欠陥乃至は品質劣化が生じるとの課題を有していることが、刊行物１の【００５９】に記載されている。
　したがって、刊行物１発明においても、貼り合わせ強度を上げたいとの課題を有しているのであるから、貼り合わせ強度を上げるために、貼り合わせの前に表面活性化処理を行う刊行物２に記載された技術を採用することは当業者ならば容易に想到し得たものである。
　
　（ｂ）加えて、上記刊行物２の摘記事項（刊２イ）の【００１３】で提示されている論文は、本審決において挙げている刊行物５と同一のものであり、「第２　２　（２）イ　当審の判断（イ）判断　ｂ　相違点２について」及び同「ｃ　相違点３について」での検討で摘示したように「熱膨張係数が異なる材料の場合、過度の応力が貼り付けられたウエハー間に引き起こされる。それ故、４００℃以下の温度で強い貼り付けとなるような低い温度での貼り付け工程を見つけねばならない。貼り付けの前に低圧プラズマにウエハーを照射させることにより、シリコンにおける強い親水性貼り付けが、低温アニーリング温度（＜４００℃）で達成できたこと」、「貼り付けは、大気或いは真空中で、室温或いは場合によっては１５０℃を用いて実行された。貼り付けられたウエハー対は、１００℃で２ｈアニールされた。この最初のアニール・ステップの後に、ウエハーは、ダイシングソーを用いて長方形に切断された。切断されたサンプルは、１００−５００℃で２−１００ｈアニールされた。」こと、「Ｎ２プラズマ、Ｏ２プラズマ及びＡｒプラズマを用いた場合にアニーリング温度が１００〜４００℃において、表面エネルギーが１０００〜２５００強（ｍＪ／ｍ２）であること」が開示されており、また、「第２　２　（２）イ　当審の判断（イ）判断　ｂ　相違点２について」で挙げた刊行物４とその摘記事項にもあるように、石英基板と単結晶シリコン基板との貼り付けのように熱膨張係数の相違する基板の組み合わせに表面活性処理を行うことが適していることは、周知の事項である。
　したがって、当該周知事項によっても、刊行物１発明に刊行物２に記載された表面活性化処理を適用することは当業者にとって容易に想到し得たものである。
　
　　ｃ　相違点６について
　（ａ）本願発明の「１００〜３００℃」での熱処理温度と、刊行物１発明における「３００℃〜３５０℃程度」の熱処理温度とは、３００℃の点で一致している。
　（ｂ）また、上記「ｂ　相違点５について（ｂ）」での検討のように、刊行物４、５に記載の周知の技術を参酌すれば、貼り合わせ工程において、基板同士の貼り合わせの前処理としてプラズマ等による活性化処理を行った場合には、上記周知の活性化処理の場合において行われているように、室温で貼り合わせ、その後、室温〜４００℃程度の低温である「３００℃〜３５０℃程度」での熱処理を行うこと或いは「３００℃程度」よりも低い温度で熱処理を行うことは当業者ならば容易に想到し得た事項である。
　（ｃ）そして、本願発明における「第１の基板であるシリコン基板中で水素原子の拡散が顕著には生じない程度の温度」との点については、上記「第２　２　（２）イ　当審の判断（イ）判断　ｃ　相違点３について」の（ｅ）〜（ｇ）で検討したように、「３００℃程度或いは３００℃以下」の温度を実質的に意味しているものである。
　そして、上記（ｂ）のように、刊行物１発明における貼り合わせ工程での熱処理温度は、３００℃〜３５０℃程度としており、３００℃での熱処理を含んでいるのであるから、刊行物１発明における熱処理も３００℃で行う場合には、本願発明における「第１の基板であるシリコン基板中で水素原子の拡散が顕著には生じない程度の温度」であることは明らかである。
　また、刊行物１発明における「３００℃〜３５０℃程度」の熱処理は、その下限値についても３００℃というその温度自体に臨界的な技術的意味を有しているのではなく熱膨張係数差と必要な強度に応じて設定し得るものであるから、適宜３００℃以下とし得ることも当業者にとって明らかであり、更に、上記（ｂ）のように、刊行物１発明において周知の活性化処理を行った場合において設定される熱処理温度は、「室温〜４００℃程度の低温である「３００℃〜３５０℃程度」での熱処理を行うこと
或いは「３００℃程度」よりも低い温度で熱処理を行う
　したがって、刊行物１発明において、刊行物２に記載された発明及び刊行物３〜６に記載された周知事項から、上記相違点６に係る構成を適用することは当業者ならば容易に想到し得た事項である。
　
　
５　むすび 
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、刊行物１、２に記載された発明及び刊行物３〜６に記載された周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、本願の請求項２〜５に係る発明については検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。