【事件の表示】
　特願２００４−２８０８２３「イメージセンサー及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年４月２１日出願公開、特開２００５−１０９４９０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯
　本願は、平成１６年９月２８日（パリ条約による優先権主張　２００３年９月２９日、大韓民国）の特許出願であって、平成２２年６月２９日付けの拒絶理由通知に対して、同年１１月１日に意見書及び手続補正書が提出され、さらに、同年１１月２９日付けの拒絶理由通知に対して平成２３年４月２８日に意見書及び手続補正書が提出されたが、平成２４年１月５日付けで拒絶査定がなされた。
　それに対して、同年５月１１日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに手続補正書が提出され、その後、同年１０月１８日付けで審尋がなされ、平成２５年１月１８日に回答書が提出された。
　
第２．補正の却下の決定
【補正の却下の決定の結論】
　平成２４年５月１１日に提出された手続補正書による補正を却下する。
　
【理由】
１．補正の内容
　平成２４年５月１１日に提出された手続補正書による補正（以下「本件補正」という。）は、補正前の特許請求の範囲の請求項１〜１４を補正して、補正後の特許請求の範囲の請求項１〜１４とするものであり、補正前後の請求項１は、各々次のとおりである。
　
（補正前）
　「【請求項１】
　半導体基板に形成された少なくとも一つのフォトダイオード；
　前記フォトダイオード上に形成されるとともに、異なる密度及び異なる屈折率を有する少なくとも２層の酸化膜で積層され、下部から上部に行くほど層間絶縁膜の屈折率が減少するように、下部より上部の前記酸化膜の密度が低くなる多層の層間絶縁膜；
　前記多層の層間絶縁膜内に形成された遮光膜；
　前記多層の層間絶縁膜上に積層された素子保護膜；
　前記素子保護膜上に順次に積層されたカラーフィルターアレイ及び平坦化膜；及び
　前記平坦化膜上の各カラーフィルターに対向する位置に配列されるマイクロレンズ；を含むことを特徴とするイメージセンサー。」
　
（補正後）
　「【請求項１】
　半導体基板に形成された少なくとも一つのフォトダイオード；
　前記フォトダイオード上に形成されるとともに、異なる密度及び異なる屈折率を有する少なくとも２層の酸化膜で積層され、下部から上部に行くほど層間絶縁膜の屈折率が減少するように、下部より上部の前記酸化膜の密度が低くなる多層の層間絶縁膜であって、蒸着温度及び前記酸化膜に添加する不純物の濃度を調節して、下部より上部の酸化膜の密度を下げる、多層の層間絶縁膜；
　前記多層の層間絶縁膜内に形成された遮光膜；
　前記多層の層間絶縁膜上に積層された素子保護膜；
　前記素子保護膜上に順次に積層されたカラーフィルターアレイ及び平坦化膜；及び
　前記平坦化膜上の各カラーフィルターに対向する位置に配列されるマイクロレンズ；を含むことを特徴とするイメージセンサー。」
　
２．補正事項の整理
　本件補正による補正事項を整理すると、次のとおりである。
　
（１）補正事項１
　補正前の請求項１の「前記フォトダイオード上に形成されるとともに、異なる密度及び異なる屈折率を有する少なくとも２層の酸化膜で積層され、下部から上部に行くほど層間絶縁膜の屈折率が減少するように、下部より上部の前記酸化膜の密度が低くなる多層の層間絶縁膜；」を、「前記フォトダイオード上に形成されるとともに、異なる密度及び異なる屈折率を有する少なくとも２層の酸化膜で積層され、下部から上部に行くほど層間絶縁膜の屈折率が減少するように、下部より上部の前記酸化膜の密度が低くなる多層の層間絶縁膜であって、蒸着温度及び前記酸化膜に添加する不純物の濃度を調節して、下部より上部の酸化膜の密度を下げる、多層の層間絶縁膜；」と補正して、補正後の請求項１とすること。
　
（２）補正事項２
　補正前の請求項６の「蒸着工程と蒸着温度及び前記酸化膜に添加する不純物の濃度を調節して、下部より上部の酸化膜の密度を下げることを特徴とする請求項４または５に記載のイメージセンサー。」を、「蒸着工程をさらに調節して、下部より上部の酸化膜の密度を下げることを特徴とする請求項４に記載のイメージセンサー。」と補正して、補正後の請求項６とすること。
　
（３）補正事項３
　補正前の請求項８の「前記フォトダイオード上に、異なる密度及び異なる屈折率を有する少なくとも２層の酸化膜を積層して、下部から上部に行くほど層間絶縁膜の屈折率が減少するように、下部より上部の前記酸化膜の密度が低くなる多層の層間絶縁膜を形成する段階；」を、「前記フォトダイオード上に、異なる密度及び異なる屈折率を有する少なくとも２層の酸化膜を積層して、下部から上部に行くほど層間絶縁膜の屈折率が減少するように、下部より上部の前記酸化膜の密度が低くなる多層の層間絶縁膜を形成する段階であって、蒸着温度及び前記酸化膜に添加する不純物の濃度を調節して、下部より上部の酸化膜の密度を下げる、多層の層間絶縁膜を形成する段階；」と補正して、補正後の請求項８とすること。
　
（４）補正事項４
　補正前の請求項１３の「蒸着工程と蒸着温度及び前記酸化膜に添加する不純物の濃度を調節して、下部より上部の酸化膜の密度を下げることを特徴とする請求項１１または１２に記載のイメージセンサーの製造方法。」を、「蒸着工程をさらに調節して、下部より上部の酸化膜の密度を下げることを特徴とする請求項１１に記載のイメージセンサーの製造方法。」と補正して、補正後の請求項１３とすること。
　
３．新規事項の追加の有無、及び補正目的の適否について
（１）補正事項１について
　補正事項１により補正された部分は、本願の願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面（以下「当初明細書等」という。）における特許請求の範囲の請求項６、明細書の００２７段落及び００４８段落並びに図面の図２及び４等に記載されているものと認められるから、補正事項１は、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものである。
　したがって、補正事項１は、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものであるから、特許法第１７条の２第３項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項をいう。以下同じ。）に規定する要件を満たす。
　また、補正事項１は、補正前の請求項１に係る発明の発明特定事項である「多層の層間絶縁膜」に対して技術的限定を加えるものであるから、特許法第１７条の２第４項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項をいう。以下同じ。）第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　したがって、補正事項１は、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たす。
　
（２）補正事項２について
　補正事項２は、補正前の請求項６の記載を、補正事項１と整合するように修正するとともに、補正前の請求項４又は５に係る発明を択一的に引用する発明であった補正前の請求項６に係る発明を、請求項４に係る発明のみを引用する発明に変更するものであるから、当該補正事項２は、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮、及び同第４号に掲げる明瞭でない記載の釈明を目的とするものに該当する。
　したがって、補正事項２は、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たす。
　また、補正事項２が、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすことは明らかである。
　
（３）補正事項３について
　補正事項３により補正された部分は、当初明細書等における特許請求の範囲の請求項６、明細書の００２７段落及び００４８段落並びに図面の図２及び４等に記載されているものと認められるから、補正事項３は、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものである。
　したがって、補正事項３は、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものであるから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たす。
　また、補正事項３は、補正前の請求項８に係る発明の発明特定事項である「多層の層間絶縁膜を形成する段階」に対して技術的限定を加えるものであるから、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　したがって、補正事項３は、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たす。
　
（４）補正事項４について
　補正事項４は、補正前の請求項１３の記載を、補正事項３と整合するように修正するとともに、補正前の請求項１１又は１２に係る発明を択一的に引用する発明であった補正前の請求項１３に係る発明を、請求項１１に係る発明のみを引用する発明に変更するものであるから、当該補正事項４は、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮、及び同第４号に掲げる明瞭でない記載の釈明を目的とするものに該当する。
　したがって、補正事項４は、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たす。
　また、補正事項４が、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすことは明らかである。
　
（５）新規事項の追加の有無、及び補正の目的の適否についてのまとめ
　以上検討したとおりであるから、本件補正は、特許法第１７条の２第３項及び第４項に規定する要件を満たすものである。
　そして、本件補正は、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする補正を含むものであるから、本件補正による補正後の特許請求の範囲に記載されている事項により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否か、すなわち、本件補正がいわゆる独立特許要件を満たすものであるか否かについて、以下において更に検討する。
　
４．独立特許要件について
（１）補正後の発明
　本願の本件補正による補正後の請求項１〜１４に係る発明は、本件補正により補正された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜１４に記載されている事項により特定されるとおりのものであり、そのうちの請求項１に係る発明（以下「補正発明」という。）は、請求項１に記載されている事項により特定される、上記１．の「（補正後）」の箇所に記載したとおりのものであって、再掲すると次のとおりである。
　
　「【請求項１】
　半導体基板に形成された少なくとも一つのフォトダイオード；
　前記フォトダイオード上に形成されるとともに、異なる密度及び異なる屈折率を有する少なくとも２層の酸化膜で積層され、下部から上部に行くほど層間絶縁膜の屈折率が減少するように、下部より上部の前記酸化膜の密度が低くなる多層の層間絶縁膜であって、蒸着温度及び前記酸化膜に添加する不純物の濃度を調節して、下部より上部の酸化膜の密度を下げる、多層の層間絶縁膜；
　前記多層の層間絶縁膜内に形成された遮光膜；
　前記多層の層間絶縁膜上に積層された素子保護膜；
　前記素子保護膜上に順次に積層されたカラーフィルターアレイ及び平坦化膜；及び
　前記平坦化膜上の各カラーフィルターに対向する位置に配列されるマイクロレンズ；を含むことを特徴とするイメージセンサー。」
　
（２）引用刊行物に記載された発明
（２−１）本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布され、原査定の根拠となった拒絶の理由において引用された刊行物である特開平４−３４３４７０号公報（以下「引用例」という。）には、図１〜３とともに次の記載がある（ここにおいて、下線は当合議体が付加したものである。）。
　
ａ．「【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は固体撮像装置に関し、特に撮像装置の高感化に関するものである
【０００２】
【従来の技術】一般に固体撮像装置は半導体基板主面に光電変換部および信号読み出し部を有しているため、有効な光電変換領域としてわずか３０〜５０％程度しか利用できない。この欠点を解決する手段として固体撮像装置上に透明なレンズを配置し、入射光を光電変換部に集光する方法が提案されている（特願昭５６−１０３９９，特願昭５７−２２９０３９）。また具体的に固体撮像装置上に凸レンズアレーを形成する方法は本願発明者によって“Ａ　Ｈｉｇｈ　Ｐｈｏｔｏｓｅｎｓｉｔｉｖｉｔｙ　ＩＬ−ＣＣＤ　Ｉｍａｇｅ　Ｓｅｎｓｏｒ　ｗｉｔｈＭｏｎｏｌｉｔｈｉｃ　Ｒｅｓｉｎ　Ｌｅｎｓ　Ａｒｒａｙ”と題してＰｒｏｃｅｅｄｉｎｇ　ｏｆ　ｔｈｅ　ＩＥＥＥ　Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ　ＥｌｅｃｔｒｏｎＤｅｖｉｃｅ　Ｍｅｅｔｉｎｇ，ｐｐ．４９７−５００．Ｄｅｃｅｍｂｅｒ１９８３．で発表された。
【０００３】
次に上記の従来例について説明す。図３は通常のインターライン方式ＣＣＤの断面を模式的に示したもので半導体基板１０の主面には例えばフォトダイオードからなる光電変換領域１１が配置されている。
また、ＣＣＤレジスタおよびトランスファゲート領域は、例えば、Ａｌのような光を通さない層１３で遮光されている。１４は例えばカゼイン，ゼラチンのような可染色性樹脂層で、フォトリソグラフィの技術を用いて例えば赤１５，緑１６，青１７の染料を染め分けた色フィルターを模式的に示したものである。樹脂層１８は樹脂レンズアレー１９に入射した光２０を有効に光電変換領域１１へ集光させるように焦点距離を調整する役目をしている
　
ｂ．「【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このような従来の構造では固体撮像装置を用いたカメラレンズの絞りが開放に近ずくと斜め入射の光成分が多くなり破線２１のように光電変換領域に集光できない成分が増加し、光電感度の向上率が低下する欠点があった。すなわち光電感度の絞り依存性があった
【０００５】
本発明は上述した欠点をなくした高感度な固体撮像装置を提供するものである
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明の固体撮像装置は、同一半導体基板上にモザイク状に形成された光電変換素子群に対応して、この主面に色フィルタアレーが形成されており、さらにこの色フィルタアレー上に異る屈折率をもつ複数の樹脂層が積層されており、前記樹脂の積層上に感光性樹脂を用いて前記光電変換素子に入射光を集光させるためのレンズが形成されていることを特徴とする固体撮像装置が得られる
【０００７】
前記複数の樹脂層の屈折率を下層から順に小さくすれば斜め入射の光は各層間で屈折し光電変換部主面に対して垂直な光線に近づく
　
ｃ．「【０００８】
【実施例】次に本発明について図面を用いて説明する。
【０００９】
図１は本発明の一実施例の固体撮像装置の断面図で、図３の従来例に対応している。また従来例と同一機能部は同一記号で示してある。すなわち、１０は半導体基板でその主面には例えばフォトダイオードから成る光電変換領域１１，ＣＣＤレジスタ１２，遮膜１３が形成されている。１４は色フィルタアレーを形成する染色性樹脂で赤１５，緑１６，青１７の色フィルターが作られている。従来例と異る点は入射光２０を有効に光電変換領域１１へ集光させる焦点距離調整用の樹脂層が異る屈折率をもつ第１の樹脂層２２と第２樹脂層２３の積層で構成されていることにある
【００１０】次に本実施例の機能について説明する。
【００１１】第１の樹脂層２２の屈折率ｎ１を第２の樹脂層２３の屈折率ｎ２より小さい材料を用いれば、樹脂層２２，２３の境界２４で斜め入射光は屈折する。例えば斜め入射光２５はレンズ１９で屈折する。もし樹脂層が第１の樹脂層２２だけで構成されている場合、この斜め入射光は光電変換部１１に集光せず遮光膜１３上の点２６に達する。しかしながら本実施例のように第１の樹脂層２２の屈折率より大きい第２の樹脂層２３を設けることにより、斜め入射光２５は樹脂層の境界２４で屈折し、矢印２７のように光電変換領域１１に集光される。
【００１２】
図２は本発明の第２の実施例の断面図を示す。第１の実施例と異る点はレンズ１９の焦点距離調整の樹脂層が多層（４層）になっている事である。第１の樹脂層２２，第２の樹脂層２３の上に、第３，第４の樹脂層２７，２８が積層され、その最上面にレンズ１９が形成されている。最下層の第１の樹脂層から上層にゆくに従って屈折率の小さな樹脂を選ぶことにより斜め入射光３０は各樹脂層の境界で屈折し光電変換領域１１に集光される
　
ｄ．「【００１３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は固体撮像装置にレンズアレーを形成する際、焦点距離を調整する樹脂層を多層に積層し、且つ、各樹脂層の屈折率を下層から上層に向けて除々に小さくなるように樹脂を選択することにより、従来問題となった光電感度の絞り依存性がない固体撮像装置が得られる。」
　
（２−２）ここにおいて、００１２段落及び図２に記載された「本発明の第２の実施例」に係る固体撮像装置（以下「引用例の固体撮像装置」という。）に注目すると、０００９段落及び００１２段落の記載及び図２の記載から、引用例の固体撮像装置においては、「半導体基板１０」の主面に「フォトダイオードから成る光電変換領域１１」が形成され、当該「フォトダイオードから成る光電変換領域１１」上に「『色フィルタアレー』『１４』」が形成されていること、及び「フォトダイオードから成る光電変換領域１１」が形成されていない「半導体基板１０」の主面上に「遮膜１３」が形成されていることが明らかである。
　また、０００９段落及び００１２段落の記載及び図２の記載から、引用例の固体撮像装置においては、「『色フィルタアレー』『１４』」上に、下層から上層に行くにしたがって屈折率の小さな第１〜４の樹脂層が積層されて構成された「焦点距離調整の樹脂層」が形成されていることが明らかである。
　さらに、０００９段落及び００１２段落の記載及び図２の記載から、引用例の固体撮像装置においては、「焦点距離調整の樹脂層」上の各「色フィルタ」に対向する位置に「マイクロレンズ」が形成されていることも明らかである。
　
（２−３）以上を総合すると、引用例には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
　「半導体基板１０の主面に形成されたフォトダイオードからなる光電変換領域１１、
　前記フォトダイオードから成る光電変換領域１１上に形成された色フィルタアレー１４、
　前記フォトダイオードから成る光電変換領域１１が形成されていない前記半導体基板１０の主面上に形成された遮膜１３、
　前記色フィルタアレー１４上に形成され、下層から上層に行くにしたがって屈折率の小さな第１〜４の樹脂層が積層されて構成された焦点距離調整の樹脂層、
　前記焦点距離調整の樹脂層上の各色フィルタに対向する位置に形成されたマイクロレンズ、
　を備えた固体撮像装置。」
　
（３）補正発明と引用発明との対比
（３−１）補正発明と引用発明とを対比する。
　引用発明の「半導体基板１０」が、補正発明の「半導体基板」に相当することは明らかであるから、補正発明と引用発明とは、「半導体基板に形成された少なくとも一つのフォトダイオード」を含む点で一致する。
　
（３−２）引用発明は、「色フィルタアレー１４」が「前記フォトダイオードから成る光電変換領域１１」上に形成され、「前記色フィルタアレー１４」上に「焦点距離調整の樹脂層」が形成される構成となっているから、引用発明の「焦点距離調整の樹脂層」が、「前記フォトダイオード」の上方に形成されていることは明らかである。
　したがって、引用発明の「前記色フィルタアレー１４上に形成され、下層から上層に行くにしたがって屈折率の小さな第１〜４の樹脂層が積層されて構成された焦点距離調整の樹脂層」と、補正発明の「前記フォトダイオード上に形成されるとともに、異なる密度及び異なる屈折率を有する少なくとも２層の酸化膜で積層され、下部から上部に行くほど層間絶縁膜の屈折率が減少するように、下部より上部の前記酸化膜の密度が低くなる多層の層間絶縁膜であって、蒸着温度及び前記酸化膜に添加する不純物の濃度を調節して、下部より上部の酸化膜の密度を下げる、多層の層間絶縁膜」とは、「『前記フォトダイオード』の上方に『形成されるとともに、』『異なる屈折率を有する少なくとも２層の』透光性の『膜で積層され、下部から上部に行くほど』透光性の『膜の屈折率が減少する』『多層の』透光性の『膜』」である点で一致する。
　
（３−３）引用発明の「前記フォトダイオードから成る光電変換領域１１が形成されていない前記半導体基板１０の主面上に形成された遮膜１３」と、補正発明の「前記多層の層間絶縁膜内に形成された遮光膜」とは、「『半導体基板』の上方に『形成された遮光膜』」である点で一致する。
　
（３−４）引用発明の「前記フォトダイオードから成る光電変換領域１１上に形成された色フィルタアレー１４」と、補正発明の「前記素子保護膜上に順次に積層されたカラーフィルターアレイ」とは、「『半導体基板』の上方に形成された『カラーフィルターアレイ』」である点で一致する。
　
（３−５）引用発明の「前記焦点距離調整の樹脂層上の各色フィルタに対向する位置に形成されたマイクロレンズ」と、補正発明の「前記平坦化膜上の各カラーフィルターに対向する位置に配列されるマイクロレンズ」とは、「各カラーフィルターに対向する位置に配列されるマイクロレンズ」である点で一致する。
　
（３−６）引用発明の「固体撮像装置」が、補正発明の「イメージセンサー」に相当することは明らかである。
　
（３−７）したがって、補正発明と引用発明とは、
　
　「半導体基板に形成された少なくとも一つのフォトダイオード；
　前記フォトダイオードの上方に形成されるとともに、異なる屈折率を有する少なくとも２層の透光性の膜で積層され、下部から上部に行くほど透光性の膜の屈折率が減少する多層の透光性の膜；
　前記半導体基板の上方に形成された遮光膜；
　前記半導体基板の上方に形成されたカラーフィルターアレイ；及び
　各カラーフィルターに対向する位置に配列されるマイクロレンズ；を含むことを特徴とするイメージセンサー。」
　
　である点で一致し、次の点で相違する。
　
（相違点１）
　「前記フォトダイオードの上方に形成されるとともに、異なる屈折率を有する少なくとも２層の透光性の膜で積層され、下部から上部に行くほど透光性の膜の屈折率が減少する多層の透光性の膜」についての相違点であって、補正発明は、当該「多層の透光性の膜」が、「異なる密度」を有する「酸化膜」で構成され、「下部より上部の前記酸化膜の密度が低くなる多層の層間絶縁膜であって、蒸着温度及び前記酸化膜に添加する不純物の濃度を調節して、下部より上部の酸化膜の密度を下げる」ものであるのに対して、引用発明は、当該「多層の透光性の膜」が「第１〜４の樹脂層」で構成され、「下部より上部の前記酸化膜の密度が低くなる多層の層間絶縁膜であって、蒸着温度及び前記酸化膜に添加する不純物の濃度を調節して、下部より上部の酸化膜の密度を下げる」ものであることが特定されていない点。
　
（相違点２）
　「フォトダイオード」上に設けられる各要素の配置についての相違点であり、補正発明は、「前記フォトダイオード上」に形成された「多層の層間絶縁膜」、「前記多層の層間絶縁膜内に形成された遮光膜」、「前記多層の層間絶縁膜上に積層された素子保護膜」、「前記素子保護膜上に順次に積層されたカラーフィルターアレイ及び平坦化膜」及び「前記平坦化膜上の各カラーフィルターに対向する位置に配列されるマイクロレンズ」を備える構成となっているのに対して、引用発明は、「素子保護膜」及び「平坦化膜」を備えておらず、また、「第１〜４の樹脂層が積層されて構成された焦点距離調整の樹脂層」、「遮膜１３」、「色フィルタアレー１４」及び「マイクロレンズ」の配置も補正発明とは異なる点。
　
（４）相違点についての当審の判断
（４−１）相違点１について
（４−１−１）一般に、イメージセンサにおいて、光を屈折させるための膜として、シリコン酸化膜から成る層間絶縁膜を用いることは、例えば、本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である周知例１及び２にも記載されているように、当業者における周知技術であるところ、蒸着温度や添加する不純物を変化させることにより屈折率の異なるシリコン酸化膜が得られること、及びシリコン酸化膜の密度と屈折率とが正の相関関係を有することは、例えば、前者については、本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である周知例１及び３〜５にも記載されているように、後者については、周知例３及び４にも記載されているように、いずれも当業者における技術常識である。
　
ａ．周知例１：特開平１１−２７４４４３号公報
　周知例１には、図１及び２とともに次の記載がある。
　
　「【００１４】
【発明の実施の形態】［第１の実施形態］図１に本発明による第１の実施形態の概略断面図を示す。図の固体撮像装置において、１０はｐ型、又はｎ型の半導体基板、１１は半導体基板１０内に形成した光電変換素子で、例えば基板１０と反対導電型の領域であり、基板１０との間でＰＮダイオードが形成される。
また、１２は光電変換素子１１及びその余の半導体基板１０上に形成した表面保護層、１３はその余の半導体基板１０の表面保護層上に形成し光電変換素子１１の光電荷を転送等する導電膜、１４は導電膜１３上と表面保護膜１２上に形成する第１の層間膜、１５は第１の層間膜１４上の凹レンズを形成する第２の層間膜、１６は透明高分子樹脂からなる樹脂層、１７は光電変換素子１１の上方で樹脂層１６上に形成される凸型マイクロレンズである。
（途中略）
【００１６】また、図２（ｂ）に示すように構成された固体撮像装置の場合の各屈折率の関係を、
Ｎ１＜Ｎ２，Ｎ３
Ｎ３＜Ｎ４
Ｎ４＜Ｎ５
とすることにより、第１の層間膜１４間に存在する障害物２０、例えば導電膜１３を回避して入射した光線を光電変換素子１１に集光することができる。
ここで、第１の層間膜をＳｉＯＦとし、第２の層間膜をＴＥＯＳ（Tetra-Ethyl-Ortho-Silicate）−ＳｉＯ
２
とすることで上記条件を満足する。ＳｉＯ
２
よりも屈折率の低いＳｉＯＦの層間膜材を積層することで、より効果の高いマイクロレンズを形成することができる
【００１７】
さらに、上記図２（ａ），（ｂ）において、第１及び第２の層間膜を共にＴＥＯＳ（Tetra-Ethyl-Ortho-Silicate）−ＳｉＯ
２
で形成し、互いに密度が異ならせることも可能である
　
　ここにおいて、「ＳｉＯＦの層間膜材」が、ＳｉＯ２にＦ（フッ素）を添加した層間膜材料、すなわち、不純物としてフッ素を加えたシリコン酸化膜からなる層間膜材料を意味することは当業者の技術常識であるから、周知例１には、光を屈折するための膜として、不純物としてフッ素を加えたシリコン酸化膜及びＴＥＯＳシリコン酸化膜から成る層間膜（層間絶縁膜）を用いることが記載されているものと認められる。
　また、周知例１には、フッ素という不純物を添加することにより異なる（低い）屈折率のシリコン酸化膜を得ること、及びシリコン酸化膜の密度を異ならせることにより異なる屈折率のシリコン酸化膜を得ることが記載されているものと認められる。
　
ｂ．周知例２：特開２００１−１５６２７９号公報
　周知例２には、図２とともに次の記載がある。
　
　「【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、固体撮像素子に関し、特に、その分光感度特性を改善した固体撮像素子およびその製造方法に関する
　「【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を、図２を参照して、具体的に説明する。ここでの固体撮像素子は、
半導体基板１上に光電変換素子２を形成し、その上部にシリコン酸化膜からなる第１の絶縁膜３と、第１の絶縁膜とは光の屈折率が異なるシリコン窒化膜からなる第２の絶縁膜４を備えている。
【００１０】そして、本発明の第１の実施の形態としては、これら絶縁膜３、４の層間に、第３の絶縁膜５を設ける。この絶縁膜５は、その光の屈折率が、シリコン酸化膜（第１の絶縁膜）の光の屈折率からシリコン窒化膜（第２の絶縁膜）の光の屈折利率へと連続的に変化する領域を構成している。」
　
　ここにおいて、「第１の絶縁膜３」等の絶縁膜が層間絶縁膜として機能していることは図２から明らかであるから、周知例２には、固体撮像装置（イメージセンサー）において、光を屈折させるための膜として、シリコン酸化膜からなる層間絶縁膜を用いることが記載されているものと認められる。
　
ｃ．周知例３：特開平６−３１０５０４号公報
　周知例３には、図１及び２とともに次の記載がある。
　
　「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置などに用いる絶縁膜の構造およびその製造方法に関するものである。」
　「【００１２】
【実施例】
図１は本発明の絶縁膜の構造の一実施例を示す断面図である。この実施例では、基板１上に膜厚３００ｎｍで屈折率が１．４２の二酸化珪素膜２と、膜厚２００ｎｍで屈折率が１．４５の二酸化珪素膜３、膜厚２００ｎｍの屈折率が１．４２の二酸化珪素膜４が積層されている
【００１３】
絶縁膜の密度Ｐは組成一定という条件が満たされる場合屈折率ｎとの間に次の関係が成立する。（Ｋは比例定数）
Ｐ＝Ｋ（ｎ−１）
グラッドストーン−デイルの式（Ｇｌａｄｓｔｏｎｅ−Ｄａｌｅ　ｅｑｕａｔｉｏｎ）（Ｊ．Ｈ．Ｇｌａｄｓｔｏｎｅ　ａｎｄ　Ｔ．Ｐ．Ｄａｌｅ）、トランザクション　オブ　ロイヤル　ソサエティ（Ｔｒａｎｓ．　Ｒｏｙ．　Ｓｏｃ．Ｌｏｎｄｏｎ）１５３、３１７、３３７（１８６３）。
【００１４】
従って、屈折率１．４５の二酸化珪素膜３を高密度膜、屈折率１．４２のそれ２、４は低密度膜といえる
【００１５】図１の絶縁膜の構造は、例えば、図２に示す方法によって製造する。
【００１６】
まず、図２（ａ）に示しているように基板１上に、モノシランガス（ＳｉＨ
４
）と酸素ガス（Ｏ
２
）を原料として、窒素をキャリアガスとして、常圧で、基板温度４５０℃の条件で、Ｏ
２
／ＳｉＨ
４
流量比を１０として、基板１上に屈折率１．４２の二酸化珪素膜を膜厚３００ｎｍ堆積とした。連続して、Ｏ
２
／ＳｉＨ
４
流量比のみを、１０から０．３に変化させて、他は同じ条件で、膜厚２００ｎｍの二酸化珪素膜３（屈折率１．４５）を堆積した。さらに連続して、流量比を再び０．３から１０に変化させ、他は同じ条件で、屈折率１．４２の二酸化珪素膜を膜厚２００ｎｍだけ堆積して、図２（ａ）に示している本発明の絶縁膜の構造の例が完成する
　
　上記記載並びに図１及び２の記載から、周知例３には、製造方法を異ならせることにより、異なる密度及び屈折率のシリコン酸化膜を得ることが記載されているものと認められる。
　また、周知例３には、二酸化珪素膜（シリコン酸化膜）等の絶縁膜の密度Ｐと屈折率ｎとの関係が「Ｐ＝Ｋ（ｎ−１）」で表されること、すなわち、絶縁膜の密度と屈折率とが正の相関関係を有することが古くから知られていたことも記載されているものと認められる。
　
ｄ．周知例４：特開平６−１４８４４６号公報
　周知例４には、次の記載がある。
　
　「【０００９】以下本発明を詳細に説明する。
本発明においては、真空蒸着によりＳｉＯ
２
膜を基板に形成する条件を変えることにより、形成されるＳｉＯ
２
膜の密度、ひいては屈折率を制御するものである。真空蒸着で形成されるＳｉＯ
２
膜の性質を支配する主な因子として蒸着速度、蒸着圧力、基板温度が挙げられる。ＳｉＯ
２
の真空蒸着では、一般に蒸着圧力は１×１０
-3
〜１×１０
-5
Ｔｏｒｒの範囲に設定されるが、蒸着圧力が低いほど緻密で高密度、高屈折率の膜が形成される。また、蒸着速度は毎秒１〜６０オングストローム程度の範囲で実施され、蒸着速度が速いほど緻密な膜が形成される。さらに、基板温度は室温〜３００℃程度の範囲に設定され、基板温度が高いほど緻密な膜が形成される
　
　上記記載から、周知例４には、ＳｉＯ２膜（シリコン酸化膜）を形成するに際し、基板温度（蒸着温度）が高いほど、緻密で高屈折率の膜が得られること（逆に言えば、蒸着温度が低いほど、密度が低く低屈折率の膜が得られること）が記載されているものと認められる。
　
ｅ．周知例５：特開平１−２６９９０３号公報
　周知例５には、第１図とともに次の記載がある。
　
　「第１図は本発明の一実施例を切断して示す斜視図である。
多層配線層１は石英ガラス基板２上に設けられた厚さ数十ミクロンのＳｉＯ
２
（二酸化ケイ素）で形成されている。多層配線層１には、光絶縁部４中に光伝送部３が直径１０μｍ、ピッチ３０μｍで形成さるれ（審決注：「形成され」の誤記）、必要に応じて曲部が設けられている
　
光伝送部３と光絶縁部４は、ＳｉＯ
２
中に含まれる不純物濃度による光の屈折率の違いにより分けられ、光伝送部３の方が光絶縁部４より屈折率が大きくなるようにＳｉＯ
２
中の不純物濃度を調整してある。
　
　上記記載から、周知例５には、不純物濃度を調整することにより、ＳｉＯ２からなる多層配線層（シリコン酸化膜）の屈折率を変化させることが記載されているものと認められる。
　
（４−１−２）したがって、上に述べたような技術常識を参酌すれば、引用発明の「下層から上層に行くにしたがって屈折率の小さな第１〜４の樹脂層が積層されて構成された焦点距離調整の樹脂層」に換えて、蒸着温度や添加する不純物を変化させることにより形成した、下部から上部に行くほど密度及び屈折率の低いシリコン酸化膜から構成される多層の層間絶縁膜とすること、すなわち、補正発明のように、「多層の膜」が、「異なる密度」を有する「酸化膜」で構成され、「下部より上部の前記酸化膜の密度が低くなる多層の層間絶縁膜であって、蒸着温度及び前記酸化膜に添加する不純物の濃度を調節して、下部より上部の酸化膜の密度を下げる」ものとすることは、当業者が適宜なし得たことであり、また、そのようにすることにより、当業者の予測を超えた効果が奏されているとも認められない。
　よって、相違点１は、当業者が容易になし得た範囲に含まれる程度のものである。
　
（４−２）相違点２について
（４−２−１）上記（４−１）において検討したとおり、引用発明の「下層から上層に行くにしたがって屈折率の小さな第１〜４の樹脂層が積層されて構成された焦点距離調整の樹脂層」に換えて、下部から上部に行くほど屈折率の低いシリコン酸化膜から構成される多層の層間絶縁膜とすることは、当業者が容易になし得たことである。
　また、一般に、イメージセンサを構成するに当たり、層間絶縁膜、遮光膜、カラーフィルタアレイ及びマイクロレンズをどのような順番で配置するかということ、また、素子保護膜や平坦化膜等の付随物を設けるか設けないかということは、当該イメージセンサの用途やコスト、さらには他に製造する集積回路装置とのプロセスの共通化等の種々の観点を考慮して当業者が適宜選択し得る設計的事項であり、例えば、フォトダイオード上に層間絶縁膜を設けること、層間絶縁膜内に遮光膜を配置すること、カラーフィルタ上に平坦化膜を設けること、及び平坦化膜上の各カラーフィルタに対向する位置にマイクロレンズを配列することは、本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である周知例６に記載されているように、また、層間絶縁膜上に保護膜を設けることは、周知例７に記載されているように、いずれも当業者において普通に行われてきている周知技術である。
　
ａ．周知例６：特開２０００−２２８５１３号公報
　周知例６には、図３とともに次の記載がある。
　
　「【０００８】図３は、従来のカラーイメージセンサの断面図である。
【０００９】
図３に示すように、従来のカラーイメージセンサは多数のピクセルユニットを備え、各ピクセルユニットはそれぞれフォトダイオードを備えている。また、フォトダイオード１０２ａ、１０２ｂ及び１０２ｃは、カラーイメージセンサにおいて形成されている。非感光性領域(non-photosensing regions)１０３は、フォトダイオード１０２ａ、１０２ｂ及び１０２ｃ間に形成される。層間絶縁層１０５ａは、フォトダイオード１０２ａ、１０２ｂ及び１０２ｃ及び非感光性領域１０３上に形成される。遮光層１０４は、非感光性領域１０３に入射される光を遮蔽するために層間絶縁層１０５ａ上に形成される。また、層間絶縁層１０５ｂは、遮光層１０４を覆うようにして形成される
【００１０】
さらに、レッド(赤色)、グリーン(緑色)及びブルー(青色)フィルタ１０６ａ、１０６ｂ及び１０６ｃは、層間絶縁層１０５ｂ上に形成される。さらに、バッファ層１０７が、レッド、グリーン及びブルーフィルタ１０６ａ、１０６ｂ及び１０６ｃの上部の平坦化及び光の透過度を改善させるためにレッド、グリーン及びブルーフィルタ１０６ａ、１０６ｂ及び１０６ｃ上に形成される
【００１１】
フォトダイオード１０２ａは、物体からの光を吸収して、マイクロレンズ１０８ａ及びレッドフィルタ１０６ａを通過した光からの光電荷を集積する。フォトダイオード１０２ｂは、物体からの光を吸収して、マイクロレンズ１０８ｂ及びグリーンフィルタ１０６ｂを通過した光からの光電荷を集積する
　
　ここにおいて、００１０段落の「バッファ層１０７が、レッド、グリーン及びブルーフィルタ１０６ａ、１０６ｂ及び１０６ｃの上部の平坦化及び光の透過度を改善させるためにレッド、グリーン及びブルーフィルタ１０６ａ、１０６ｂ及び１０６ｃ上に形成される。」という記載から、「バッファ層１０７」が平坦化膜として機能していることは明らかである。
　したがって、上記記載及び図３の記載から、周知例６には、カラーイメージセンサにおいて、フォトダイオード１０２ａ〜１０２ｃ上に２層の層間絶縁層１０５ａ及び１０５ｂを設けること、これらの層間絶縁層内に遮光層１０４を配置すること、カラーフィルタ１０６ａ〜１０６ｃ上に平坦化膜を設けること、及び平坦化膜上の各カラーフィルタ１０６ａ〜１０６ｃに対向する位置にマイクロレンズ１０８ａ〜１０８ｃを配列することが記載されているものと認められる。
　
ｂ．周知例７：特開２００２−１２５２３９号公報
　周知例７には、図７及び９とともに次の記載がある。
　
　「【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、被写体像を撮像する撮像装置に関する
【０００２】
【従来の技術】従来の光電変換部を有する画素を２次元状に配列した固体撮像素子の構成の一例を図７に示す。同図において、１０１は、フォトダイオード等の光電変換部を有する画素であり、この画素を２次元状に配列することのよって、被写体像を撮像する画素領域１００を形成している。」
　「【０００６】
一般的に、図９に示すように固体撮像素子の高感度化を実現さるために画素個々に対応したマイクロレンズが用いられる。マイクロレンズが形成された固体撮像素子の単位画素の断面構造を図中に示す。単位画素は３００（図７の一つの画素１０１に対応）で示される。単位画素は、光電変換部３０１、絶縁層３０２、配線層３０３、３０４、遮光層３０５、保護膜３０６、平坦化層３０７、３０９、カラーフィルタ層３０８、マイクロレンズ３１０から成っている。ａがレンズ径であり、ｂがレンズ厚である
　
　ここにおいて、「絶縁層３０２」が層間絶縁膜として機能していることは明らかである。
　したがって、上記記載及び図９の記載から、周知例７には、被写体像を撮像する撮像装置、すなわちイメージセンサにおいて、層間絶縁膜上に保護膜３０６を設けることが記載されているものと認められる。
　
（４−２−２）したがって、引用発明に接した当業者であれば、引用発明の「下層から上層に行くにしたがって屈折率の小さな第１〜４の樹脂層が積層されて構成された焦点距離調整の樹脂層」に換えて、下部から上部に行くほど屈折率の低いシリコン酸化膜から構成される多層の層間絶縁膜とするに際して、補正発明のように、「前記フォトダイオード上」に形成された「多層の層間絶縁膜」、「前記多層の層間絶縁膜内に形成された遮光膜」、「前記多層の層間絶縁膜上に積層された素子保護膜」、「前記素子保護膜上に順次に積層されたカラーフィルターアレイ及び平坦化膜」及び「前記平坦化膜上の各カラーフィルターに対向する位置に配列されるマイクロレンズ」を備える構成とすることは、適宜なし得たことであり、また、そのようにすることにより、当業者の予測を超えた効果が奏されているとも認められない。
　よって、相違点２は、当業者が容易になし得た範囲に含まれる程度のものである。
　
（４−３）相違点についての判断のまとめ
　補正発明と引用発明との相違点１及び２については以上のとおりであるから、補正発明は、周知技術を勘案することにより引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（５）独立特許要件についてのまとめ
　以上検討したとおり、補正発明は、周知技術を勘案することにより引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　したがって、本件補正は、補正後の特許請求の範囲の請求項１に記載されている事項により特定される発明が、特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項をいう。以下同じ。）の規定に適合しない。
　
５．補正の却下の決定のむすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないものであるから、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３．本願発明について
　平成２４年５月１１日に提出された手続補正書による補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜１４に係る発明は、平成２３年４月２８日に提出された手続補正書により補正された明細書、特許請求に範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜１４に記載されている事項により特定されるとおりのものであり、そのうちの請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、請求項１に記載されている事項により特定される、上記第２．１．の「（補正前）」の箇所に記載したとおりのものである。
　一方、本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布され、原査定の根拠となった拒絶の理由において引用された刊行物である特開平４−３４３４７０号公報（引用例）には、各々上記第２．４．（２）に記載したとおりの事項及び発明（引用発明）が記載されているものと認められる。
　そして、本願発明に対して技術的事項を加えた発明である補正発明は、上記第２．４．において検討したとおり、周知技術を勘案することにより引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も当然に、周知技術を勘案することにより引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　したがって、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
第４．むすび
　以上のとおりであるから、他の請求項について検討するまでもなく、本願は拒絶をすべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。