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　特願２００６−１５３３５９号「ＩＶ族半導体ナノ細線の製造方法並びに構造制御方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１９年１２月１３日出願公開、特開２００７−３１９９８８号〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯及び本願発明
　本願は、平成１８年６月１日の出願であって、平成２４年９月１０日付けで手続補正がなされ、同年９月２８日付けで拒絶査定がなされ、これに対して同年１２月２５日に拒絶査定不服審判の請求がなされたものである。
　
　本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成２４年９月１０日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものである。
「基板上にＳｉとＧｅを溶融する触媒金属元素から成るナノサイズの触媒金属微粒子を担持し、この触媒金属微粒子が液体微粒子となる温度において、この触媒金属微粒子の周囲の空間からＳｉ原料ガスとＧｅ原料ガスとの混合原料ガスを供給して上記基板上にＳｉとＧｅの混晶からなるナノ細線を成長し、このナノ細線のＳｉを完全に熱酸化することにより、ＳｉＯ２で被覆されたＧｅナノ細線を作製することを特徴とする、ＩＶ族半導体ナノ細線の製造方法。」
　
２．引用例
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願前に頒布された刊行物である特表２００６−５０１６９０号公報（以下「引用例１」という。）、及び特開２００５−１４２２１７号公報（以下「引用例２」という。）には、以下の技術事項が記載されている。（後述する引用発明の認定に関連する箇所に下線を付した。）
　
ａ．引用例１
記載事項ア．
「【０１３９】
　本発明には、指定された材料パラメータを持つｐチャンネルおよびｎチャンネルナノワイヤ材料の合成が含まれる。特に重要なのは、高正孔移動度材料であることから、ｐチャンネル材料用のＳｉ、Ｇｅ、およびＳｉとＧｅの合金のような材料である。特に、Ｇｅの正孔移動度（〜１，９００ｃｍ２／Ｖ・ｓ）は、すべてバルク形の半導体において最も高い。ｎチャンネル材料にとっても、ＳｉおよびＧｅ材料は重要である。さらに、ＩＩＩ−Ｖ族の材料（例えば、ＩｎＰ：μｅ〜５，０００ｃｍ２／Ｖ・ｓ、ＩｎＡｓ：μｅ〜３０，０００ｃｍ２／Ｖ・ｓ）を含む他の高電子移動度材料は、高電子移動度ＴＦＴ用に使用することができる。マルチ・コア-シェル・ナノワイヤ構造は、超高キャリア移動度用の能動型導電チャンネルからドーパントを分離するための変調ドーピングに使用することができる。また、ナノワイヤ表面は、種々のコア−シェル構造を用いて不動態化することができ、外側ゲート誘電体シェルおよび外周導電ゲートシェルを設けることができる。
【０１４０】
　シリコンナノワイヤ合成は、金ナノ粒子触媒ＣＶＤプロセスを用いて行うことができる。簡単に言うと、
所定の前駆体ガス混合物、Ｈｅ中ＳｉＨ
４
およびＢ
２
Ｈ
６
またはＰＨ
３
を酸化被膜シリコン基板に被着した触媒金粒子上に２０〜５０Ｔｏｒｒの全圧で通せばよい。その際、金ナノ粒子は最高〜４５０°Ｃの温度に加熱する。金ナノ粒子と接触すると同時に、ＳｉＨ
４
／Ｂ
２
Ｈ
６
／ＰＨ
３
は分解し、ケイ素およびホウ素（またはリン）原子が金ナノ粒子中に拡散して、液体合金小滴を生じさせる。小滴がこれらの前駆体で飽和し始めると、Ｓｉ／Ｂ（またはＳｉ／Ｐ）原子が析出し始め、ナノワイヤ成長が開始される。連続的にＳｉＨ
４
およびＢ
２
Ｈ
６
（またはＰＨ
３
）を供給することによって、ナノワイヤ成長はプロセスが終了するまで無限に続く。
　
記載事項イ．
「【０１７６】
　シリコンナノワイヤの成長は、さらに性能を改善するよう最適化することができる。よりキャリア移動度が必要な場合は、より高移動度のＳｉＧｅ合金材料を開発することができる。具体的には、Ｓｉ１−ｘＧｅｘおよびＧｅナノワイヤを製造することができる。
ＳｉＨ
４
とＧｅＨ
４
の混合物またはＧｅＨ
４
を反応物質源とし、Ｂ
２
Ｈ
６
またはＰＨ
３
をドーパント源とする混合物金コロイド触媒化学気相成長法を用いて、Ｓｉ
１−ｘ
Ｇｅ
ｘ
またはＧｅナノワイヤを成長させることができる。
【０１７７】
　シリコンナノワイヤ表面不動態化およびゲート誘電体のためのＳｉ／ＳｉＯ２コア−シェル構造は既に開発されている。
直接熱酸化またはＳｉＯ
２
のシリコンナノワイヤへのＣＶＤ蒸着によってこのシェル構造作り出すことができる。Ｓｉ
１−ｘ
Ｇｅ
ｘ
またはＧｅナノワイヤの場合、Ｓｉ／ＳｉＯ
２
コア−シェル構造の経験を活用することができる。
Ｓｉ
１−ｘ
Ｇｅ
ｘ
ナノワイヤの直接酸化は、混合ＳｉＯ
２
／ＧｅＯ
２
を生成し、これは多くの捕捉状態を持つ傾向がある。
　
　上記記載事項アの【０１４０】に「所定の前駆体ガス混合物、Ｈｅ中ＳｉＨ４およびＢ２Ｈ６またはＰＨ３を酸化被膜シリコン基板に被着した触媒金粒子上に２０〜５０Ｔｏｒｒの全圧で通せばよい。その際、金ナノ粒子は最高〜４５０°Ｃの温度に加熱する。金ナノ粒子と接触すると同時に、ＳｉＨ４／Ｂ２Ｈ６／ＰＨ３は分解し、ケイ素およびホウ素（またはリン）原子が金ナノ粒子中に拡散して、液体合金小滴を生じさせる。小滴がこれらの前駆体で飽和し始めると、Ｓｉ／Ｂ（またはＳｉ／Ｐ）原子が析出し始め、ナノワイヤ成長が開始される。連続的にＳｉＨ４およびＢ２Ｈ６（またはＰＨ３）を供給することによって、ナノワイヤ成長はプロセスが終了するまで無限に続く。」と記載され、上記記載事項イの【０１７６】に「シリコンナノワイヤ成長についての経験を梃子として利用することによって、高品質ＳｉｘＧｅ１−ｘまたはＧｅナノワイヤを、その成長条件を最適化して、達成することができる」と記載されていることからして、前駆体ガス混合物として「ＳｉＨ４とＧｅＨ４」を用いた場合には、「ＳｉおよびＧｅ原子が金ナノ粒子中に拡散して液体合金小滴を生じ、小滴が前駆体で飽和し始めるとＳｉおよびＧｅ原子が析出し始めナノワイヤ成長が開始され、連続的に前駆体ガス混合物ＳｉＨ４とＧｅＨ４を供給することによって、Ｓｉ１−ｘＧｅｘナノワイヤを成長させ」ることとなることは明らかである。
　そうすると、引用例１には、
「酸化被膜シリコン基板に金ナノ粒子を被着し、この金ナノ粒子を加熱し、前駆体ガス混合物ＳｉＨ４とＧｅＨ４を金ナノ粒子上に通すと、ＳｉおよびＧｅ原子が金ナノ粒子中に拡散して液体合金小滴を生じ、小滴が前駆体で飽和し始めるとＳｉおよびＧｅ原子が析出し始めナノワイヤ成長が開始され、連続的に前駆体ガス混合物ＳｉＨ４とＧｅＨ４を供給することによって、Ｓｉ１−ｘＧｅｘナノワイヤを成長させ、得られたＳｉ１−ｘＧｅｘナノワイヤの直接熱酸化により混合ＳｉＯ２／ＧｅＯ２を生成してナノワイヤのコアーシェル構造を得るナノワイヤの製造方法。」
の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているといえる。
　
ｂ．引用例２
記載事項ウ．
「【００１５】
　図１は、本発明の一実施形態に係わる素子形成用基板の製造工程を示す断面図であり、絶縁膜上単結晶歪みＧｅ薄膜層を含む半導体基板を示している。
【００１６】
　まず、図１（ａ）に示すように、Ｓｉ基板１１上にＳｉＯ2 等の絶縁膜１２を形成し、その上にＳｉ薄膜層１３を形成したＳＯＩ基板１０を用意する。
【００１７】
　次いで、図１（ｂ）に示すように、この絶縁膜上Ｓｉ薄膜層１３上に、例えばＣＶＤ法によりＳｉ１−ｘＧｅｘ を膜厚ｄi（ｎｍ）、Ｇｅ組成ｘi で結晶成長させ、ＳｉＧｅ層１５を形成する。本実施形態においては、ｄi ＝４０ｎｍ，ｘi ＝０．１５とした。
【００１８】
　次いで、図１（ｃ）に示すように、基板を酸化雰囲気中で熱酸化させる。該過程において、Ｓｉ薄膜層１３及びＳｉＧｅ層１５内のＳｉのみを酸化させてＳｉ酸化膜１６を形成するが、その際にＧｅは酸化膜１６より排除されてＳｉＧｅ層１５内に蓄積される。従って、ＳｉＧｅ層１５内のＧｅ組成が上昇する。ここで、ＳｉＧｅ層１５内のＧｅ組成が６０％以下では、酸化温度或いは加熱温度が１０００℃以上である過程を含むことが望ましい。これは、ＳｉＧｅ層１５内のＧｅ組成が均一化され転位の発生を抑制する効果と、酸化時間を短縮する効果を得るためである。また、Ｇｅ組成の上昇に伴って温度を低下させる必要があり、最終的にはＧｅの融解温度９３７℃以下で酸化させなくてはならない。」
　
記載事項エ．
「【００２２】
　このように本実施形態においては、濃縮酸化法によりＳｉＧｅからＧｅを形成するに際し、最初は１０００℃以上の温度とし、最終的に９００℃の温度にて酸化を行う。かくしてＳｉＧｅ層１５内のＧｅは濃縮され、図１（ｄ）に示すように、最終的に純粋な絶縁膜上単結晶Ｇｅ薄膜層１４（膜厚ｄf ）が得られる。」
　
３．対比
　本願発明と引用発明を対比する。
（ａ）引用発明の「酸化被膜シリコン基板」、「金ナノ粒子」、「被着」、「前駆体ガス混合物ＳｉＨ４とＧｅＨ４」、「Ｓｉ１−ｘＧｅｘナノワイヤ」は、それぞれ本願発明の「基板」、「ナノサイズの触媒金属微粒子」、「担持」、「Ｓｉ原料ガスとＧｅ原料ガスとの混合原料ガス」、「ＳｉとＧｅの混晶からなるナノ細線」に相当する。
　また、引用発明の「金ナノ粒子」は「加熱」して「前駆体ガス混合物ＳｉＨ４とＧｅＨ４を金ナノ粒子上に通すと、ＳｉおよびＧｅ原子が金ナノ粒子中に拡散して液体合金小滴を生じ」るのであるから「加熱」により「金ナノ粒子」が液体微粒子となり、ＳｉおよびＧｅを溶融していることは明らかである。
　また、引用発明の「前駆体ガス混合物ＳｉＨ４とＧｅＨ４を金ナノ粒子上に通すと、ＳｉおよびＧｅ原子が金ナノ粒子中に拡散して液体合金小滴を生じ、小滴が前駆体で飽和し始めるとＳｉおよびＧｅ原子が析出し始めナノワイヤ成長が開始され、連続的に前駆体ガス混合物ＳｉＨ４とＧｅＨ４を供給することによって、Ｓｉ１−ｘＧｅｘナノワイヤを成長させ」ることは、本願発明の「触媒金属微粒子の周囲の空間からＳｉ原料ガスとＧｅ原料ガスとの混合原料ガスを供給して上記基板上にＳｉとＧｅの混晶からなるナノ細線を成長」させることに相当する。
　そうすると、引用発明の「酸化被膜シリコン基板に金ナノ粒子を被着し、この金ナノ粒子を加熱し、前駆体ガス混合物ＳｉＨ４とＧｅＨ４を金ナノ粒子上に通すと、ＳｉおよびＧｅ原子が金ナノ粒子中に拡散して液体合金小滴を生じ、小滴が前駆体で飽和し始めるとＳｉおよびＧｅ原子が析出し始めナノワイヤ成長が開始され、連続的に前駆体ガス混合物ＳｉＨ４とＧｅＨ４を供給することによって、Ｓｉ１−ｘＧｅｘナノワイヤを成長させ」ることは、本願発明の「基板上にＳｉとＧｅを溶融する触媒金属元素から成るナノサイズの触媒金属微粒子を担持し、この触媒金属微粒子が液体微粒子となる温度において、この触媒金属微粒子の周囲の空間からＳｉ原料ガスとＧｅ原料ガスとの混合原料ガスを供給して上記基板上にＳｉとＧｅの混晶からなるナノ細線を成長」させることに相当するといえる。
　
（ｂ）引用発明の「得られたＳｉ１−ｘＧｅｘナノワイヤの直接熱酸化により混合ＳｉＯ２／ＧｅＯ２を生成してナノワイヤのコアーシェル構造を得る」ことと、本願発明の「このナノ細線のＳｉを完全に熱酸化することにより、ＳｉＯ２で被覆されたＧｅナノ細線を作製する」ことは、「このナノ細線を熱酸化することによりコアーシェル構造を有するナノ細線を作製する」点で共通している。
　
（ｃ）引用発明の「ナノワイヤの製造方法」は、本願発明の「ＩＶ族半導体ナノ細線の製造方法」に相当する。
　
　上記（ａ）〜（ｃ）で述べたことからして、本願発明と引用発明は、
「基板上にＳｉとＧｅを溶融する触媒金属元素から成るナノサイズの触媒金属微粒子を担持し、この触媒金属微粒子が液体微粒子となる温度において、この触媒金属微粒子の周囲の空間からＳｉ原料ガスとＧｅ原料ガスとの混合原料ガスを供給して上記基板上にＳｉとＧｅの混晶からなるナノ細線を成長し、このナノ細線を熱酸化することによりコアーシェル構造を有するナノ細線を作製する、ＩＶ族半導体ナノ細線の製造方法。」
である点で一致し、次の点で相違する。
　
［相違点］
　本願発明は、ナノ細線のＳｉを完全に熱酸化することにより、ＳｉＯ２で被覆されたＧｅナノ細線を作製するのに対して、引用発明は、Ｓｉ１−ｘＧｅｘナノワイヤの直接熱酸化により混合ＳｉＯ２／ＧｅＯ２を生成してナノワイヤのコアーシェル構造を得るものである点。
　
４．当審の判断
　上記相違点について検討する。
　引用例２には、「基板を酸化雰囲気中で熱酸化させる。該過程において、……ＳｉＧｅ層１５内のＳｉのみを酸化させてＳｉ酸化膜１６を形成するが、その際にＧｅは酸化膜１６より排除されてＳｉＧｅ層１５内に蓄積される。従って、ＳｉＧｅ層１５内のＧｅ組成が上昇する。」（【００１８】参照）、「濃縮酸化法によりＳｉＧｅからＧｅを形成するに際し、最初は１０００℃以上の温度とし、最終的に９００℃の温度にて酸化を行う。かくしてＳｉＧｅ層１５内のＧｅは濃縮され、……最終的に純粋な絶縁膜上単結晶Ｇｅ薄膜層１４（膜厚ｄf ）が得られる。」（【００２２】参照）と記載されている。また、引用例１には、「Ｓｉ１−ｘＧｅｘまたはＧｅナノワイヤの場合、Ｓｉ／ＳｉＯ２コア−シェル構造の経験を活用することができる。」（【０１７７】参照）とＧｅナノワイヤのコア−シェル構造を得ることについても記載されており、引用例１の【０１７７】に直接熱酸化によりシリコンナノワイヤにＳｉＯ２のシェル構造が作り出されることが記載されているように、酸化処理した場合に表面側に酸化膜によるシェル構造が作り出されることも自明なことであるから、引用発明はＳｉ１−ｘＧｅｘナノワイヤに関するものではあるものの、引用例２に接した当業者であれば、引用発明における直接熱酸化に代えて引用例２に記載された濃縮酸化法を採用することで引用発明のＳｉ１−ｘＧｅｘナノワイヤ中のＳｉのみを酸化させＧｅを濃縮するようにしてＳｉＯ２のシェル構造を有するＧｅナノワイヤを得るようにすることは当業者であれば容易に想到し得ることである。また、引用例１に「その結果えられる材料は、種々の顕微鏡法（例えば、ＳＥＭ、ＴＥＭなど）によって十分に特性評価し細かく分析することができ、また電気輸送特性も十分に試験して、最適化することができる。」（【０１７６】参照）、「結果として得られる材料は、ＴＥＭによって徹底的に分析される。ＳｉＧｅ／ＳｉＯ２ナノワイヤの電子特性は、ＦＥＴ構造で試験することができる。」（【０１７７】参照）と記載されているように、得られたナノワイヤは種々の顕微鏡法（例えば、ＳＥＭ、ＴＥＭなど）によって十分に特性評価し細かく分析して確認できるのであるから、引用例２に記載された濃縮酸化法による温度等の条件を最適化させて、Ｓｉを完全に熱酸化させるようにすることは当業者であれば格別困難なくなし得ることであるといわざるを得ない。
　したがって、上記相違点に係る本願発明の発明特定事項を得ることは当業者であれば容易になし得ることである。
　
　また、本願発明の効果も、引用発明及び引用例１、２の記載事項から予測し得る範囲内のものであり、格別のものとは認め難い。
　
５．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用発明及び引用例１、２の記載事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。