(57)【要約】支持基板（１）上に、有機ＥＬ素子（２）と封止層（３）を形成する。封止層上面（３１）を撥インク性にして、インクジェット法等でインクを印刷して着色層（４）を形成する。さらに平坦化層（８）を形成した後、封止基板（５）を張り合わせる。予め封止基板（５）に着色層（４）を形成しないので、支持基板（１）と封止基板（５）との貼り合わせに正確な位置合わせが必要でなくなる。また、有機ＥＬ素子（２）と着色層（４）の間を狭くできるので、視野角特性が高くなる。これにより、製造歩留りが高くかつ視野角特性に優れた上取出型の有機ＥＬ表示装置及びその製造方法を提供することができる。
2003069957.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光を発する有機エレクトロルミネッセンス素子と、
前記有機エレクトロルミネッセンス素子を封止する封止層と、
前記封止層の上にある、前記有機エレクトロルミネッセンス素子が発する光を変換する着色層とを備えた、
有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項２】
前記封止層の着色層に接する面の一部分が撥インク性を有し、前記着色層が前記撥インク性以外の部分に形成されている請求の範囲第１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項３】
光を発する有機エレクトロルミネッセンス素子と、
前記有機エレクトロルミネッセンス素子を封止する封止層と、
前記封止層の上にある、前記有機エレクトロルミネッセンス素子が発する光を変換する着色層とを備え、
前記封止層の凹部に前記着色層が形成されている、
有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項４】
前記有機エレクトロルミネッセンス素子の内側の、非開口部分に、隆起部材が設けられ、
前記封止層が、前記非開口部分に前記隆起部材を反映した凸部を有し、前記凹部が前記凸部間の領域である請求の範囲第３項に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項５】
前記有機エレクトロルミネッセンス素子の上の、非開口部分に、隆起部材が設けられ、
前記封止層が、前記非開口部分に前記隆起部材を反映した凸部を有し、前記凹部が前記凸部間の領域である請求の範囲第３項に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項６】
光を発する有機エレクトロルミネッセンス素子と、
前記有機エレクトロルミネッセンス素子を封止する封止層と、
前記封止層の上にある、前記有機エレクトロルミネッセンス素子が発する光を変換する着色層とを備え、
前記着色層が前記封止層の上に形成されたインク受容層に含まれるインク浸透層である、
有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項７】
光を発する有機エレクトロルミネッセンス素子と、
前記有機エレクトロルミネッセンス素子を封止する、紫外線遮蔽材料を含有する封止層と、
前記封止層の上にある、前記有機エレクトロルミネッセンス素子が発する光を変換する着色層とを備えた、
有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項８】
光を発する有機エレクトロルミネッセンス素子と、
前記有機エレクトロルミネッセンス素子を封止する封止層と、
前記封止層の上にある、紫外線反射性多層膜と、
前記多層膜の上にある、前記有機エレクトロルミネッセンス素子が発する光を変換する着色層とを備えた、
有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項９】
光を発する有機エレクトロルミネッセンス素子と、
前記有機エレクトロルミネッセンス素子を封止する封止層と、
前記封止層の上にある、紫外線吸収剤含有ポリマーと、
前記紫外線吸収剤含有ポリマーの上にある、前記有機エレクトロルミネッセンス素子が発する光を変換する着色層とを備えた、
有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項１０】
支持基板の上に、前記有機エレクトロルミネッセンス素子、前記封止層及び前記着色層をこの順序で備え、さらにこれらを封止した請求の範囲第１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項１１】
光を発する有機エレクトロルミネッセンス素子を形成し、
前記有機エレクトロルミネッセンス素子を封止する封止層を形成し、
前記封止層の面の一部分に撥インク性を付与し、
前記撥インク性が付与された部分以外の前記封止層の面にインクを付着させて着色層を形成する、
有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
【請求項１２】
フッ素プラズマ処理を施すことにより、撥インク性を与える請求の範囲第１１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
【請求項１３】
フッ素ポリマー又はシリコーンポリマーを塗布することにより、撥インク性を与える請求の範囲第１１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
【請求項１４】
光を発する有機エレクトロルミネッセンス素子を形成し、
前記有機エレクトロルミネッセンス素子の上の非開口部分に、隆起部材を形成し、
前記隆起部材の上に、前記有機エレクトロルミネッセンス素子を封止する封止層を形成し、
前記封止層の、前記隆起部材を反映させた凸部間に形成された凹部に、着色層を形成する、
有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
【請求項１５】
下部電極の上方の非開口部分に、隆起部材を形成し、
さらに、前記隆起部材の上に、有機発光媒体及び上部電極を形成して、前記下部電極及び前記上部電極の間に前記有機発光媒体を挟持して構成された有機エレクトロルミネッセンス素子を形成し、
前記有機エレクトロルミネッセンス素子の上に、前記有機エレクトロルミネッセンス素子を封止する封止層を形成し、
前記封止層の、前記隆起部材を反映させた凸部間に形成された凹部に、着色層を形成する、
有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
【請求項１６】
光を発する有機エレクトロルミネッセンス素子を形成し、
前記有機エレクトロルミネッセンス素子を封止する、封止層を形成し、
前記封止層の面の非開口部分を選択的に掘削して凹部を形成し、
前記封止層の凹部に、着色層を形成する、
有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
【請求項１７】
光を発する有機エレクトロルミネッセンス素子を形成し、
前記有機エレクトロルミネッセンス素子を封止する封止層を形成し、
前記封止層の非開口部分を井桁状に囲う平面パターンを用いて凹部を形成し、
前記封止層の凹部に、着色層を形成する、
有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
【請求項１８】
光を発する有機エレクトロルミネッセンス素子を形成し、
前記有機エレクトロルミネッセンス素子を封止する封止層を形成し、
前記封止層の上に、インク受容層を形成し、
インク受容層に所定の位置にインクを浸透させて着色層を形成する、
有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
【請求項１９】
インクジェット法により着色層を形成する請求の範囲第１１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
【請求項２０】
光を発する有機エレクトロルミネッセンス素子を形成し、
前記有機エレクトロルミネッセンス素子を封止する、紫外線遮蔽材料を含有する封止層を形成し、
紫外線フォトリソグラフィにより、前記封止層の上に、着色層を形成する、
有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
【請求項２１】
光を発する有機エレクトロルミネッセンス素子を形成し、
前記有機エレクトロルミネッセンス素子を封止する封止層を形成し、
前記封止層上面に、紫外線反射性多層膜を形成し、
紫外線フォトリソグラフィにより、前記多層膜の上に、着色層を形成する、
有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
【請求項２２】
光を発する有機エレクトロルミネッセンス素子を形成し、
前記有機エレクトロルミネッセンス素子を封止する封止層を形成し、
前記封止層上面に、紫外線吸収剤含有ポリマーを塗布し、
紫外線フォトリソグラフィにより、前記紫外線吸収剤含有ポリマーの上に、着色層を形成する、
有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
【請求項２３】
支持基板に、前記有機エレクトロルミネッセンス素子、前記封止層及び前記着色層を形成し、
さらにこの支持基板に対して、封止基板を貼り合わせる請求の範囲第１１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）表示装置及びその製造方法に関し、特に、封止基板側から光を取り出す上取出型の有機エレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法に関する。
背景技術
有機ＥＬ表示装置は、互いに対向する電極間に、有機発光分子を含む有機発光媒体を挟持した有機ＥＬ素子から構成されている。有機ＥＬ素子の両電極間に電圧を印加すると、一方の電極から注入された電子と他方の電極から注入されたホールとが、有機発光媒体中の有機発光層で再結合する。有機発光分子は、再結合エネルギーによりいったん励起状態となり、その後、励起状態から基底状態に戻る。この際に放出されるエネルギーを光として取り出すことにより、有機ＥＬ発光素子は発光する。
このような発光原理を有する有機ＥＬ素子から構成された有機ＥＬ表示装置は、完全固体素子であり、視認性に優れ、軽量化、薄膜化が図れ、その上、わずか数ボルトという低電圧で駆動させることができる。このため、有機ＥＬ表示装置は、カラーディスプレイとしての利用が期待され、現在盛んに研究されている。
このような有機ＥＬ表示装置は、基板取出型と上取出型との二種類に大別することができる。
ここで、図１２（Ａ）に、基板取出型の有機ＥＬ表示装置の一例を示す。
図１２（Ａ）に示すように、基板取出型の有機ＥＬ表示装置では、支持基板１上に着色層４と薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）６が形成され、さらに、この上に順次、下部電極２２、絶縁部材７、有機発光媒体２１、上部電極２３及び封止層３が積層され、最上面に封止基板５が設けられている。下部電極２２、有機発光媒体２１及び上部電極２３により有機ＥＬ素子２が構成される。矢印は光の取出し方向を示す。
この基板取出型の有機ＥＬ表示装置では、有機発光媒体２１が発した光を着色層４で変換して所望の光を支持基板１側から取り出している。
また、図１２（Ｂ）に、上取出型の有機ＥＬ表示装置の一例を示す。
図１２（Ｂ）に示すように、上取出型の有機ＥＬ表示装置では、支持基板１上にＴＦＴ６と下部電極２２が形成され、さらに、この上に順次、絶縁部材７、有機発光媒体２１、上部電極２３、封止層３、平坦化層８及び着色層４が設けられ、最上面に封止基板５が設けられている。下部電極２２、有機発光媒体２１及び上部電極２３により有機ＥＬ素子２が構成される。矢印は光の取出し方向を示す。
この上取出型の有機ＥＬ表示装置では、有機発光媒体２１が発した光を着色層４で変換して所望の光を封止基板５側から取り出している。
従来の有機ＥＬ表示装置においては、後述するように、製造歩留りが高く製造がより容易であることから、主に、図１２（Ａ）に示した基板取出型が採用されている。
ところが、基板取出型の有機ＥＬ表示装置においては、図１２（Ａ）に示したように、下部電極２２が着色層４上に形成される。このため、下部電極２２に段差を設けて、支持基板１上に直に形成されたＴＦＴ６と接続する必要がある。その結果、下部電極２２が段切れし易くなり、ＴＦＴ６との接続が困難であった。
また、基板取出型では、ＴＦＴ６が形成された部分からは光を取り出すことができないため、画素の開口率（実際に発光する部分が画素中に占める割合）を高くすることが困難であった。
これに対し、上取出型においては、ＴＦＴ６と下部電極２２とを支持基板１上にともに形成することができるので、下部電極２２を平坦化することができる。その結果、下部電極２２の段切れのおそれが少なく、下部電極２２とＴＦＴ６とを容易に接続することができる。また、上取出型においては、開口率がＴＦＴ６の制約を受けないので、開口率を基板取出型よりも高くすることができる。
従って、下部電極２２の段切れの発生を抑制するとともに高い開口率を実現するには、基板取出型よりも上取出型の有機ＥＬ表示装置が望ましい。
しかしながら、基板取出型では、支持基板１の上に、順次、着色層４や有機発光媒体２１を形成できるのに対し、上取出型では、有機発光媒体２１の上側に着色層４を通常のフォトリソグラフィ及びエッチング技術を用いて形成すると、有機発光媒体２１がダメージを受ける可能性が高く、これらの方法で着色層４を形成できなかった。このため、上取出型においては、通常、封止基板側として、封止基板５上に着色層４と平坦化層８を形成し、支持基板側として、支持基板１にＴＦＴ６、有機ＥＬ素子２及び封止層３を形成して、着色層４等が形成された封止基板５と、有機ＥＬ素子２等が形成された支持基板１とを貼り合わせていた。その際、支持基板側と封止基板側とを、マトリクスのドットの位置に正確に位置合わせすることが必要であったが、かかる位置合わせは困難であり、上取出型の有機ＥＬ表示装置は、基板取出型よりも製造歩留りが低かった。
また、基板取出型では、着色層４の直ぐ上に有機ＥＬ素子２を形成できるが、上取出型では、支持基板１と封止基板５を貼り合わせるため、有機ＥＬ素子２と着色層４の間に封止層３と平坦化層８が介在し、これらの層の厚みにより視野角特性が劣るという問題があった。視野角特性とは、視る角度により混色が生じることについての特性である。
本発明は、上記の事情に鑑みてなされたものであり、封止基板側に着色層を形成しないため製造歩留りが高く、かつ視野角特性に優れた有機ＥＬ表示装置及びその製造方法の提供を目的とする。
発明の開示
上記目的の達成を図るため、本発明に係る発明者は、種々の検討及び実験を重ねた結果、上取出型においても、有機発光媒体等にダメージを与えることなく、支持基板側の正確な位置に着色層を形成できれば、封止基板を貼り合わせる際に正確な位置合わせが不要となり、製造歩留りを向上できることに想到した。さらに、封止層の上に直接着色層を形成できれば、着色層と有機ＥＬ素子との間を狭くすることができ視野角特性を向上できることに想到した。
本発明の第１の態様によれば、光を発する有機ＥＬ素子と、有機ＥＬ素子を封止する封止層と、封止層の上にある、有機ＥＬ素子が発する光を変換する着色層とを備えた有機ＥＬ表示装置が提供される。
本発明の第２の態様によれば、第１の態様の有機ＥＬ表示装置において、封止層の着色層に接する面の一部分が撥インク性を有し、着色層が前記撥インク性以外の部分に形成されている有機ＥＬ表示装置が提供される。
本発明の第３の態様によれば、光を発する有機ＥＬ素子と、有機ＥＬ素子を封止する封止層と、封止層の上にある、有機ＥＬ素子が発する光を変換する着色層とを備え、封止層の凹部に前記着色層が形成されている有機ＥＬ表示装置が提供される。
好ましくは、有機ＥＬ素子の内側又は上の、非開口部分に、隆起部材を設けることにより、封止層の非開口部分に隆起部材を反映した凸部を形成し、凸部間の領域に凹部を形成する。
本発明の第４の態様によれば、光を発する有機ＥＬ素子と、有機ＥＬ素子を封止する封止層と、封止層の上にある、有機ＥＬ素子が発する光を変換する着色層とを備え、着色層が封止層の上に形成されたインク受容層に含まれるインク浸透層である有機ＥＬ表示装置が提供される。
本発明の第５の態様によれば、光を発する有機ＥＬ素子と、有機ＥＬ素子を封止する、紫外線遮蔽材料を含有する封止層と、封止層の上にある、有機ＥＬ素子が発する光を変換する着色層とを備えた有機ＥＬ表示装置が提供される。
本発明の第６の態様によれば、光を発する有機ＥＬ素子と、有機ＥＬ素子を封止する封止層と、封止層の上にある、紫外線反射性多層膜と、多層膜の上にある、有機ＥＬ素子が発する光を変換する着色層とを備えた有機ＥＬ表示装置が提供される。
本発明の第７の態様によれば、光を発する有機エレクトロルミネッセンス素子と、有機エレクトロルミネッセンス素子を封止する封止層と、封止層の上にある、紫外線吸収剤含有ポリマーと、紫外線吸収剤含有ポリマーの上にある、有機エレクトロルミネッセンス素子が発する光を変換する着色層とを備えた有機ＥＬ表示装置が提供される。
本発明の第８の態様によれば、上記の第１から第７の態様による有機ＥＬ表示装置において、支持基板の上に、有機ＥＬ素子、封止層及び前記着色層とをこの順序で備え、さらにこれらの上を封止基板で封止する有機ＥＬ表示装置が提供される。
上記の第１から第８の態様によれば、封止層上に着色層が直接形成されており、着色層と有機ＥＬ素子の間に平坦化層が介在しないので、着色層と有機ＥＬ素子の間の距離が狭くなり、視野角特性が改善される。
好ましくは、着色層と有機ＥＬ素子の間の距離は、５μｍ以下であり、より好ましくは、１μｍ以下である。
また、第１から第８の態様によれば、ＴＦＴを設けてアクティブマトリックス駆動としてもよい。
本発明の第９の態様によれば、光を発する有機ＥＬ素子を形成し、有機ＥＬ素子を封止する封止層を形成し、封止層の面の一部分に撥インク性を付与し、撥インク性が付与された部分以外の封止層の面にインクを付着させて着色層を形成する有機ＥＬ表示装置の製造方法が提供される。
好ましくは、フッ素プラズマ処理を施すことにより、撥インク性を与える。
好ましくは、フッ素ポリマー又はシリコーンポリマーを塗布することにより、撥インク性を与える。
封止層の面に、パターン化して撥インク性を与えれば、より選択的に正確に着色層を形成できる。
本発明の第１０の態様によれば、光を発する有機ＥＬ素子を形成し、有機ＥＬ素子の上の非開口部分に、隆起部材を形成し、隆起部材の上に、有機ＥＬ素子を封止する封止層を形成し、封止層の、隆起部材を反映させた凸部間に形成された凹部に、着色層を形成する有機ＥＬ表示装置の製造方法が提供される。
本発明の第１１の態様によれば、下部電極の上方の非開口部分に、隆起部材を形成し、さらに、隆起部材の上に、有機発光媒体及び上部電極を形成して、下部電極及び上部電極の間に有機発光媒体を挟持して構成された有機ＥＬ素子を形成し、有機ＥＬ素子の上に、有機ＥＬ素子を封止する封止層を形成し、封止層の、隆起部材を反映させた凸部間に形成された凹部に、着色層を形成する有機ＥＬ表示装置の製造方法が提供される。
本発明の第１２の態様によれば、光を発する有機ＥＬ素子を形成し、有機ＥＬ素子を封止する、平坦面を有する封止層を形成し、平坦面の非開口部分を選択的に掘削することにより凹部を形成し、封止層の凹部に、着色層を形成する有機ＥＬ表示装置の製造方法が提供される。
本発明の第１３の態様によれば、光を発する有機ＥＬ素子を形成し、有機ＥＬ素子を封止する封止層を形成し、封止層の非開口部分を井桁状に囲う平面パターンを用いて凹部を形成し、封止層の凹部に、着色層を形成する有機ＥＬ表示装置の製造方法が提供される。
上記の第１０から第１３の態様によれば、凹部に着色層を形成するので、色素の流出が少なく、より選択的に正確に着色層を形成できる。
本発明の第１４の態様によれば、光を発する有機ＥＬ素子を形成し、有機ＥＬ素子を封止する封止層を形成し、封止層の上に、インク受容層を形成し、インク受容層に所定の位置にインクを付与して着色層を形成する有機ＥＬ表示装置の製造方法が提供される。
本発明の第１５の態様によれば、光を発する有機ＥＬ素子を形成し、有機ＥＬ素子を封止する、紫外線遮蔽材料を含有する封止層を形成し、紫外線フォトリソグラフィにより、封止層の上に、着色層を形成する有機ＥＬ表示装置の製造方法が提供される。
好ましくは、紫外線遮蔽材料は、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）又はこれらの混合物である。
本発明の第１６の態様によれば、光を発する有機ＥＬ素子を形成し、有機ＥＬ素子を封止する封止層を形成し、封止層上面に、紫外線反射用の多層膜を形成し、紫外線フォトリソグラフィにより、多層膜の上に、着色層を形成する有機ＥＬ表示装置の製造方法が提供される。
本発明の第１７の態様によれば、光を発する有機エレクトロルミネッセンス素子を形成し、有機エレクトロルミネッセンス素子を封止する封止層を形成し、封止層上面に、紫外線吸収剤含有ポリマーを塗布し、紫外線フォトリソグラフィにより、紫外線吸収剤含有ポリマーの上に、着色層を形成する有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法が提供される。
本発明の第１８の態様によれば、上記の第９から第１７の態様による有機ＥＬ表示装置の製造方法において、支持基板に、有機エレクトロルミネッセンス素子、封止層及び着色層を形成し、さらにこの支持基板に対して、封止基板を貼り合わせる有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法が提供される。
上記の第１５及び第１８の態様によれば、フォトリソグラフィを用いてより選択的に正確に着色層を形成できる。
上記の第９から第１８の態様によれば、有機ＥＬ素子にダメージを与えることなく、封止層上に着色層を形成できる。
特に、第１８の態様のように、支持基板と封止基板を貼り合わせて上取出型有機ＥＬ表示装置を製造するとき、正確な位置合わせの必要が無くなり製造歩留まりが高くなる。
また、着色層と有機ＥＬ素子の間に平坦化層を必要としないので、着色層と有機ＥＬ素子の間の距離が狭くなり、視野角特性が改善される。
上記の第９から第１４の態様による有機ＥＬ表示装置の製造方法では、着色層は、好ましくは印刷法、より好ましくはインクジェット法により形成される。
インクジェット法等の印刷法はフォトリソグラフィ法より簡単であるが、高精密パターンが可能である。
発明を実施するための最良の形態
［第一実施形態］
以下、図面を参照して、本発明の第一実施形態に係る有機ＥＬ表示装置及びその製造方法について説明する。
図１は、第一実施形態の有機ＥＬ表示装置の構成を説明するための模式図である。
この図に示すように、この有機ＥＬ表示装置では、支持基板１上にＴＦＴ６と下部電極２２が形成され、さらに、この上に順次、絶縁部材７、有機発光媒体２１、上部電極２３、封止層３、着色層４及び平坦化層８が設けられ、最上面に封止基板５が設けられている。下部電極２２、有機発光媒体２１及び上部電極２３により有機ＥＬ素子２が構成される。矢印は光の取出し方向を示す。
この装置では、下部電極２２と上部電極２３の間に電圧が印加されると、これら電極に挟まれた、有機発光媒体２１が発光し、その光が封止層３を透過して着色層４に達する。着色層４は必要に応じて光を吸収かつ変換してそれぞれ赤、緑、青色の光を発する。これら三色の光が平坦化層８と封止基板５を通して外に取り出される。
ここで、３１は封止層３の上面であり、この面上に着色層４が形成されている。この実施形態において、着色層が形成されている部分を除く上面３１全体が撥インク性である。
次に、図２を用いて、この有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明する。
この製造方法は、支持基板１上にＴＦＴ６を形成する工程、その支持基板１上に有機ＥＬ素子２を形成する工程、有機ＥＬ素子２を封止層３で封止する工程、封止層上面３１の所定部分に撥インク性を与える工程、封止層上面３１に着色層の材料を含むインクを付着させて着色層４を形成する工程、着色層４の上に平坦化層８を形成する工程及び封止基板５を設ける工程からなる。
まず、支持基板１上に、ＴＦＴ６及び有機ＥＬ素子２を形成し、さらに、その上に、封止層３を形成する（図２（Ａ））。ＴＦＴ６、有機ＥＬ素子２及び封止層３は、後述する方法又は従来公知の方法で形成できる。
封止層３の上面３１の一部分に撥インク性を付与する（図２（Ｂ））。撥インク性の付与方法としては、フッ素プラズマ処理を施す方法、フッ素ポリマー又はシリコーンポリマーを塗布する方法、表面フッ素処理法等が挙げられる。
次に、撥インク性を有さない上面３１の部分に着色層４を形成する（（図２（Ｃ））。
本実施形態では、封止層上面３１に、インクジェット法により、所定の位置に、着色層４の材料を含むインクを付着させて着色層４を形成する。
封止層上面３１の撥インク性部分では、インクがはじかれる。従って、インクが撥インク性部分に付着しにくく、所望のパターンを形成して着色層４が形成される。
インクジェット法等の印刷法によって、正確な位置に堆積することができ、高精密パターンの形成が可能となる。
また、このようにして封止層３の上にインクを付着させて着色層４を形成すれば、有機発光媒体２１にダメージを与えることなく着色層４を形成することができる。
以下、従来公知の工程により、平坦化層８を形成し、さらに封止基板５を貼り合わせ、図１に示した構成を得る。
この実施形態では、封止層３の上面の所定部分に撥インク性を付与するが、その際、例えば、互いに同色を発する着色層４を一画素列ずつ設ける場合、撥インク領域を画素列に沿って溝状に設けるのが好ましい。
このようにすれば、三原色の各色の着色層４をそれぞれストライプ状に配置する場合、溝状の撥インク性以外の領域にそれぞれ着色層４を堆積することができるので、各着色層４を正確な位置に容易に設けることができる。
支持基板１側に着色層４が形成されているので、支持基板１側と封止基板５側とを貼り合わせる際に、正確な位置合わせを行う必要がない。このため、上取出型であっても歩留りの向上を図ることができる。
また、着色層４を封止基板５に形成するときには貼り合わせのために平坦化層８を設けたが、この実施形態では、着色層４を封止層３の上に形成しているので、着色層４と有機ＥＬ素子２の間に平坦化層８が介在しないので、距離が小さくなるため、視野角特性が高くなる。
尚、インクジェット法に使用するインクについては後述する。
［第二実施形態］
以下、図面を参照して、本発明の第二実施形態に係る有機ＥＬ表示装置及びその製造方法について説明する。
図３は、第二実施形態の有機ＥＬ表示装置の構成を説明するための模式図である。第一実施形態と同一の構成要素については同じ参照番号を付してその詳細な説明を省略する。
尚、この装置において、２０が開口領域であり、３０が非開口領域である。開口領域２０においてのみ、有機発光媒体２１が下部電極２２と上部電極２３に挟まれているため、有機発光媒体２１が発光し、その光が着色層４を通して外に取り出される。従って、開口領域２０から光は取り出され、非開口領域３０からは光は取り出されない。
第二実施形態では、封止層上面３１の一部が撥インク性を有する代わりに、封止層上面３１のうち、開口領域２０の少なくとも一部分に凹部３２を有し、凹部３２に着色層４を設けている。
また、封止層３の凸部３３と着色層４が平面を形成しているので、平坦化層を省くことができる。
さらに、このような凹部４を設けるため、下部電極２２間に設けられた絶縁部材７の少なくとも一部分上に、隆起部材９が設けられている。そして、封止層上面３１のうち、隆起部材９の直上領域が、この隆起部材９を反映した凸部３３となり、凸部３３どうしの間の領域として凹部３２が形成されている。
隆起部材９は、エポキシ樹脂等の印刷、又は無機物の蒸着等により、形成できる。また、隆起部材９の高さは１μｍ〜１０μｍ程度とするのが好ましい。
尚、ここでは、隆起部材９の断面形状を台形としている。断面形状を台形としたことにより、隆起部材９上に形成される有機発光媒体２１や上部電極２３に段切れが発生することを防止することができる。ただし、本発明においては、封止層３に凹部が形成できれば、隆起部材９の形状は台形に限定されない。
また、例えば、互いに同色を発する着色層４を一画素列ずつ設ける場合、凹部３２を画素列ごとに溝状に設けるのが好ましい。
このようにすれば、三原色の各色の着色層４をそれぞれストライプ状に配置した場合においても、溝状の凹部３２にそれぞれ着色層４を堆積することができるので、各着色層４を正確な位置に容易に設けることができる。
次に、図４を参照して、第二実施形態における有機ＥＬ表示装置の製造方法について説明する。尚、第一実施形態と同一の製造工程についてはその詳細な説明を省略する。
第二実施形態では、有機ＥＬ素子の形成工程において、下部電極２２間に、絶縁部材７を形成した後（図４（Ａ））、絶縁部材の少なくとも一部分上に隆起部材９を形成する（図４（Ｂ））。
続いて、有機発光媒体２１及び上部電極２３を順次に形成する（図４（Ｃ））。有機発光媒体２１及び上部電極２３は、隆起部材９の形状を反映し、隆起部材９の直上の領域に凸部を有する。このようにして、有機ＥＬ素子を形成する。
さらに、封止工程において、上述した第一実施形態と同様にして、封止層３を形成する（図４（Ｄ））。ただし、封止層上面３１には、隆起部材９を反映させた凸部３３が形成される。そして、これら凸部３３どうしの間の領域として凹部３２が形成される。これにより、封止層上面３１のうち、有機発光媒体２１から発した光が透過する開口領域２０に凹部３２を形成することができる。
このように、所望に位置に隆起部材９を形成することにより、封止層上面３１の所望の位置に凹部３２を容易に形成することができる。
次に、着色層形成工程において、封止層上面３１の凹部３２に、インクジェット法により着色層４の材料を含むインクを付着させて着色層４を形成する（図４（Ｅ））。
このように、封止層上面３１の凹部３２に着色層４の材料を含むインクを堆積するので、インクの流出を防ぐことができる。その結果、着色層４を正確な位置に堆積することができる。
尚、インクジェット法等の印刷法によって、正確な位置に堆積することができ、高精密パターンの形成が可能となる。
また、このようにインクを付着させて着色層４を形成すれば、有機発光媒体２１にダメージを与えることなく着色層４を形成することができる。
つづいて、上述した第一実施形態と同様に、封止基板５を貼り合わせて有機ＥＬ表示装置を得る。
支持基板１側と封止基板５側とを貼り合わせる際に、支持基板１側の凹部３２に着色層４が形成されているので、正確な位置合わせを行う必要がない。このため、上取出型であっても歩留りの向上を図ることができる。
また、着色層４と有機ＥＬ素子２の間に平坦化層が介在しないので、視野角特性が高くなる。
尚、本実施形態では、平坦化層が形成されていないが、封止層の凸部３３と着色層４が平面を形成していないときは、必要に応じ、平坦化層を形成してもよい。
また、本実施形態では、絶縁部材７の上に隆起部材９を形成したが、上部電極２３の上に隆起部材９を形成してもよい。
さらに、凹部を形成するためには、必ずしも隆起部材９を必要とせず、例えば、封止層の上面の一部分を選択的にエッチング等により掘削することにより凹部を形成してもよい。また、着色層を形成する部分を井桁状に囲う平面パターンを用いて、凹部を形成してもよい。
［第三実施形態］
以下、図面を参照して、本発明の第三実施形態に係る有機ＥＬ表示装置及びその製造方法について説明する。
図５は、第三実施形態の有機ＥＬ表示装置の構成を説明するための模式図である。第一実施形態と同一の構成要素については同じ参照番号を付してその詳細な説明を省略する。
第三実施形態では、封止層上面３１の一部分が撥インク性を有する代わりに、封止層３上にインク受容層１０を備えている。インク受容層の所定の位置に着色層４が設けられている。
インク受容層は、インクが浸透する樹脂からなり、印刷法、スピンコート法、塗布法により形成される。その厚みは、０．５μｍ〜２０μｍ程度である。好ましい樹脂としては、ポリビニルアルコール、セルロース系樹脂、アクリレート系樹脂等が挙げられる。
次に、図６を参照して、第三実施形態における有機ＥＬ表示装置の製造方法について説明する。尚、第一実施形態と同一の製造工程についてはその詳細な説明を省略する。
本実施形態では、封止層３を形成した後（図６（Ａ））、封止層３上に、インク受容層１０を形成する（図６（Ｂ））。
次に、着色層形成工程において、インク受容層１０の所定の位置に、インクジェット法等により着色層の材料を含むインクを浸透させて着色層４を形成する（図６（Ｃ））。
浸透したインクの溶媒をとばす等により所定の位置で着色層が形成される。さらに、熱硬化により安定化させることもできる。
尚、インクジェット法等の印刷法によって、正確な位置に堆積することができ、高精密パターンの形成が可能となる。
また、このようにインクを付着させて着色層４を形成すれば、有機発光媒体２１にダメージを与えることなく着色層４を形成することができる。
以下、上述した第一実施形態と同様に、封止基板５を貼り合わせて図５に示した有機ＥＬ表示装置を得る。
支持基板１側と封止基板５側とを貼り合わせる際に、支持基板１側の凹部３２に着色層４が形成されているので、正確な位置合わせを行う必要がない。このため、上取出型であっても歩留りの向上を図ることができる。
また、着色層４と有機ＥＬ素子２の間に平坦化層が介在しないので、着色層４と有機ＥＬ素子２の間が離れすぎず、視野角特性が高くなる。
［第四実施形態］
以下、図面を参照して、本発明の第四実施形態に係る有機ＥＬ表示装置及びその製造方法について説明する。
図７は、第四実施形態の有機ＥＬ表示装置の構成を説明するための模式図である。第一実施形態と同一の構成要素については同じ参照番号を付してその詳細な説明を省略する。
本実施形態では、封止層上面３１の一部分が撥インク性を有する代わりに、封止層３が紫外線遮蔽材料を含有している。
次に、図８を参照して、第四実施形態における有機ＥＬ表示装置の製造方法について説明する。尚、第一実施形態と同一の製造工程についてはその詳細な説明を省略する。
本実施形態では、有機ＥＬ素子２を形成後（図８（Ａ））、封止層３として紫外線遮蔽材料を含有する封止層３を形成する（図８（Ｂ））。
前記紫外線遮蔽材料として、可視光に対して透明性を有するが紫外線を吸収するエネルギーギャップの大きい（２．８ｅＶ以上）半導体等がある。例えば、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、酸化ジルコニウム（ＺｎＯ）又はこれらの組み合わせや、上記酸化物にＡｌ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｇａ、Ｍｇ、Ｃｄ、Ｇｅ等を含有させるのが好ましい。
他にも、防湿性に優れたＡｌＯＮ、ＳｉＯＮ、ＡｌＳｉＯＮ、ＴｉＯＮ、ＴａＯＮ等の酸窒化物に、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｚｎ等を添加した紫外線吸収剤等も好ましい。
次に、着色層形成工程において、本実施形態では、フォトリソグラフィ技術を利用して着色層４を形成する（図８（Ｃ））。フォトリソグラフィ技術を用いれば、正確な位置に着色層４を容易に形成することができる。フォトリソグラフィ技術に用いるための着色層材料については後述する。
ところで、一般に有機発光媒体２１は紫外線によりダメージを受けやすいため、有機発光媒体２１を形成した後は、通常、フォトリソグラフィ技術を用いる工程は回避されてきた。しかし、本実施形態においては、封止層３が紫外線を遮蔽するので、紫外線フォトリソグラフィの際に、有機発光媒体２１等が受けるダメージを軽減することができる。これにより、紫外線フォトリソグラフィにより着色層４を容易に正確な位置に形成することができる。また、耐溶剤性である酸窒化物等の層を設けることにより、フォトリソグラフィ工程で、水、溶媒による損傷を防止できる。
また、封止層３が紫外線遮蔽材料を含む代わりに、例えば、封止層上面に、紫外線反射性多層膜（図示せず）を形成してもよい。
紫外線反射性多層膜の例として、高屈折率層と低屈折率層を交互に設けた多層膜が挙げられる。ここで、高屈折率とは屈折率１．９〜３．０、低屈折率とは１．０〜１．９をいう。また、この膜厚はフォトリソグラフィに用いる紫外線の波長の１／４程度が好ましい。
このように多層膜を形成しておけば、紫外線フォトリソグラフィの際に、紫外線を反射することができるので、有機発光媒体２１等が受けるダメージを軽減することができる。
尚、多層膜の屈折率及び膜厚を調整することにより、容易に紫外線だけを選択的に反射させるとともに、可視光を透過させることができる。
さらに、封止層上面に紫外線吸収剤含有ポリマー（図示せず）を塗布しても同様の効果が得られる。
紫外線吸収剤として、トリアゾール系吸収剤、トリアジン系吸収剤等を含有したポノマーがある。また、この膜厚は０．５〜５μｍ程度が好ましい。
以下、上述した第一実施形態と同様に、平坦化層８を形成し、封止基板５を貼り合わせ、図７に示した有機ＥＬ表示装置を得る。
支持基板１側の正確な位置にフォトリソグラフィにより着色層４が形成されているので、支持基板１側と封止基板５側とを貼り合わせる際に正確な位置合わせを行う必要がない。このため、上取出型であっても歩留りの向上を図ることができる。
また、着色層４と有機ＥＬ素子２の間に平坦化層が介在しないので、視野角特性が高くなる。
上述した実施の形態においては、本発明を特定の条件で構成した例について説明したが、本発明は、種々の変更を行うことができる。例えば、上述した実施の形態においては、ＴＦＴを備えたディスプレイの例について説明したが、本発明は、ＴＦＴを備えていないディスプレイに適用しても好適である。
以下、本実施形態における有機ＥＬ表示装置の各構成部材について説明する。特に記載していない部材は通常の部材を使用できる。
１．支持基板
有機ＥＬ表示装置における支持基板１は、有機ＥＬ素子２等を支持するための部材であり、そのための機械強度や寸法安定性に優れていることが好ましい。
このような支持基板１の材料としては、例えば、ガラス板、金属板、セラミックス板あるいはプラスチック板（例えば、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、塩化ビニル樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、シリコン樹脂、フッ素樹脂）等を挙げることができる。
また、これら材料からなる支持基板１は、有機ＥＬ表示装置内への水分の侵入を防ぐため、さらに、ＳｉＯｘ（０＜ｘ≦２）、ＳｉＯＮ、ＳｉＡｌＯＮ等の無機膜を形成したり、フッ素樹脂を塗布したりして、防湿処理や疎水性処理を施してあることが好ましい。さらに、好ましくは、基板１と下部電極２２の間に無機膜を施す、また、絶縁膜７と基板１の間に無機膜を施すことが好ましい。
特に、有機発光媒体２１への水分の侵入を避けるため、支持基板１における含水率及びガス透過係数を小さくすることが好ましい。具体的には、支持基板１の含水率を０．０００１重量％以下の値とし、かつ、ガス透過係数を１×１０１３ｃｃ・ｃｍ／ｃｍ２・ｓｅｃ．ｃｍＨｇ以下の値とすることが好ましい。
尚、本発明では、支持基板１と反対側、即ち、上部電極側２３からＥＬ発光を取り出すため、支持基板は必ずしも透明性を有する必要はない。
２．有機ＥＬ素子
通常、有機ＥＬ素子２は、有機発光媒体２１と、これを挟持する上部電極２３及び下部電極２２とにより構成されている。以下、有機ＥＬ素子２の各構成要素について、（１）有機発光媒体、（２）上部電極及び（３）下部電極の順に説明する。
（１）有機発光媒体
有機発光媒体２１は、電子と正孔とが再結合してＥＬ発光が可能な有機発光層を含む媒体である。この有機発光媒体２１は、例えば、陽極上に以下の▲１▼〜▲７▼のいずれかに示す各層を積層して構成することができる。
▲１▼有機発光層
▲２▼正孔注入層／有機発光層
▲３▼有機発光層／電子注入層
▲４▼正孔注入層／有機発光層／電子注入層
▲５▼有機半導体層／有機発光層
▲６▼有機半導体層／電子障壁層／有機発光層
▲７▼正孔注入層／有機発光層／付着改善層
尚、上記▲１▼〜▲７▼の構成のうち、▲４▼の構成が、より高い発光輝度が得られ、耐久性にも優れているので特に好ましい。
以下、▲１▼有機発光媒体の構成材料、及び、▲２▼有機発光媒体の厚さについて順に説明する。
▲１▼有機発光媒体の構成材料
以下、有機発光媒体２１の構成要素例について、（ｉ）有機発光層、（ｉｉ）正孔注入層、（ｉｉｉ）電子注入層及び（ｉｖ）付着改善層の順に説明する。
（ｉ）有機発光層
有機発光媒体２１における有機発光層の発光材料としては、例えば、ｐ−クオーターフェニル誘導体、ｐ−クィンクフェニル誘導体、ベンゾジアゾール系化合物、ベンゾイミダゾール系化合物、ベンゾオキサゾール系化合物、金属キレート化オキシノイド化合物、オキサジアゾール系化合物、スチリルベンゼン系化合物、ジスチリルピラジン誘導体、ブタジエン系化合物、ナフタルイミド化合物、ペリレン誘導体、アルダジン誘導体、ピラジリン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、ピロロピロール誘導体、スチリルアミン誘導体、クマリン系化合物、芳香族ジメチリディン系化合物、８−キノリノール誘導体を配位子とする金属錯体、ポリフェニル系化合物等の一種単独又は二種以上の組合せが挙げられる。
また、これら有機発光材料のうち、芳香族ジメチリディン系化合物が好ましい。例えば、４，４−ビス（２，２−ジ−ｔ−ブチルフェニルビニル）ビフェニル（ＤＴＢＰＢＢｉと略記する。）や４，４−ビス（２，２−ジフェニルビニル）ビフェニル（ＤＰＶＢｉと略記する。）及びこれらの誘導体がより好ましい。
さらに、ジスチリルアリーレン骨格等を有する有機発光材料をホスト材料とし、当該ホスト材料に、ドーパントとしての青色から赤色までの強い蛍光色素、例えばクマリン系材料、あるいはスチリルアミン系蛍光色素をドープした材料を併用することも好適である。より具体的にはホスト材料として、上述したＤＰＶＢｉ等を用い、ドーパントとして、Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノスチリルベンゼン（ＤＰＡＶＢと略記する。）等を用いることが好ましい。
（ｉｉ）正孔注入層
また、有機発光媒体２１における正孔注入層には、１×１０４〜１×１０６Ｖ／ｃｍの範囲の電圧を印加した場合に測定される正孔移動度が１×１０−６ｃｍ２／Ｖ・秒以上であって、イオン化エネルギーが５．５ｅＶ以下である化合物を使用することが好ましい。このような正孔注入層を設けることにより、有機発光層への正孔注入が良好となり、高い発光輝度が得られたり、あるいは、低電圧駆動が可能となる。
このような正孔注入層の構成材料としては、具体的に、ポルフィリン化合物、芳香族第三級アミン化合物、スチルアミン化合物、芳香族ジメチリディン系化合物、縮合芳香族環化合物、例えば、４，４−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（ＮＰＤと略記する。）や、４，４´，４４´´−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン（ＭＴＤＡＴＡと略記する。）等の有機化合物が上げられる。
また、正孔注入層の構成材料として、ｐ型−Ｓｉやｐ型−ＳｉＣ等の無機化合物を使用することも好ましい。
尚、上述した正孔注入層と、陽極層との間、あるいは、上述した正孔注入層と、有機発光層との間に、導電率が１×１０−１０Ｓ／ｃｍ以上の有機半導体層を設けることも好ましい。このような有機半導体層を設けることにより、さらに有機発光層への正孔注入がより良好となる。
（ｉｉｉ）電子注入層
また、有機発光媒体２１における電子注入層には、１×１０４〜１×１０６Ｖ／ｃｍの範囲の電圧を印加した場合に測定される電子移動度が１×１０−６ｃｍ２／Ｖ・秒以上であって、イオン化エネルギーが５．５ｅＶを超える化合物を使用することが好ましい。このような電子注入層を設けることにより、有機発光層への電子注入が良好となり、高い発光輝度が得られたり、あるいは、低電圧駆動が可能となる。
このような電子注入層の構成材料としては、具体的に、８−ヒドロキシキノリンの金属錯体、例えば、Ａｌキレート：Ａｌｑ、又はその誘導体、あるいは、オキサジアゾール誘導体が挙げられる。
（ｉｖ）付着改善層
また、有機発光媒体２１における付着改善層は、このような電子注入層の一形態とみなすことができる。即ち、電子注入層のうち、特に陰極との接着性が良好な材料からなる層であり、８−ヒドロキシキノリンの金属錯体又はその誘導体等から構成することが好ましい。
尚、上述した電子注入層に接して、導電率が１×１０−１０Ｓ／ｃｍ以上の有機半導体層を設けることも好ましい。このような有機半導体層を設けることにより、さらに有機発光層への電子注入性が良好となる。
▲２▼有機発光媒体の厚さ
有機発光媒体２１の厚さについては特に制限はないが、例えば、厚さを５ｎｍ〜５μｍの範囲内の値とすることが好ましい。その理由は、有機発光媒体２１の厚さが５ｎｍ未満となると、発光輝度や耐久性が低下する場合があり、一方、有機発光媒体の厚さが５μｍを超えると、印加電圧の値が高くなるためである。従って、有機発光媒体２１の厚さを１０ｎｍ〜３μｍの範囲内の値とすることがより好ましく、２０ｎｍ〜１μｍの範囲内の値とすることがさらに好ましい。
（２）上部電極
本実施形態では、上部電極２３は、表示領域全面にわたって連続して設けられている。
上部電極２３は、有機ＥＬ素子２の構成に応じて、陽極層又は陰極層に該当する。陽極層に該当する場合には、正孔の注入を容易にするため、仕事関数の大きい材料、例えば、４．０ｅＶ以上の材料を使用することが好ましい。また、陰極層に該当する場合、電子の注入を容易にするため、仕事関数の構成材料、例えば４．０ｅＶ未満の材料を使用することが好ましい。
また、上取出型の有機ＥＬ表示装置では上部電極２３を介して光を取り出すため、上部電極２３は透明性を有する必要がある。従って、上部電極２３が陽極層に該当する場合、例えば、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、インジウム銅酸化物（ＣｕＩｎＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化アンチモン（Ｓｂ２Ｏ３、Ｓｂ２Ｏ４、Ｓｂ２Ｏ５）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）等の一種単独、又は、二種以上の組合せが挙げられる。
尚、透明性を損なわない範囲で上部電極２３の低抵抗化を図るため、Ｐｔ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｒ、Ｔａ、Ａｌ等の金属を一種単独、又は、二種以上組合せて上部電極の画素の周辺部に設ける層とすることが好ましい。
また、上部電極２３として、光透過性金属膜、非縮体の半導体、有機導電体、半導性炭素化合物等からなる群から選択される少なくとも一つの構成材料から選択することができる。例えば、有機導電体としては、導電性共役ポリマー、酸化剤添加ポリマー、還元剤添加ポリマー、酸化剤添加低分子又は還元剤添加低分子であることが好ましい。
尚、有機導電体に添加する酸化剤としては、ルイス酸、例えば塩化鉄、塩化アンチモン、塩化アルミニウム等が挙げられる。また、同様に、有機導電体に添加する還元剤としては、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、アルカリ化合物、アルカリ土類化合物又は希土類等が挙げられる。さらに、導電性共役ポリマーとしてはポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体、ルイス酸添加アミン化合物等が挙げられる。
また、非縮体の半導体としては、例えば、酸化物、窒化物又はカルコゲナイド化合物であることが好ましい。
また、炭化化合物としては、例えば、非晶質Ｃ、グラファイト又はダイヤモンドライクＣであることが好ましい。
さらに、無機半導体としては、例えば、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＳＳｅ、ＭｇＳ、ＭｇＳＳｅ、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ又はＣｄＳＳｅであることが好ましい。
上部電極２３の厚さは、面抵抗等を考慮して定めることが好ましい。例えば、上部電極２３の厚さを５０ｎｍ〜５０００ｎｍの範囲内の値とするのが好ましく、より好ましくは１００ｎｍ以上の値とするのがよい。この理由は、上部電極２３の厚さをこのような範囲内の値とすることにより、均一な厚さ分布や、ＥＬ発光４において６０％以上の光透過率が得られるとともに、上部電極２３の面抵抗を１５Ω／□以下の値、より好ましくは、１０Ω／□以下の値とすることができるためである。
（３）下部電極
本実施形態では、下部電極２２は、画素ごとに、平面パターンで個別に分離配置されている。
下部電極２２は、有機ＥＬ表示装置の構成に応じて、陰極層又は陽極層に該当する。陰極層に該当する場合、電子の注入を容易にするため、仕事関数の小さい材料、例えば、４．０ｅＶ未満の金属、合金、電気導電性化合物又はこれらの混合物あるいは含有物を使用することが好ましい。
そのような材料としては、例えば、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、セシウム、マグネシウム、リチウム、マグネシウム−銀合金、アルミニウム、酸化アルミニウム、アルミニウム−リチウム合金、インジウム、希土類金属、これら金属と有機発光媒体材料との混合物、及び、これらの金属と電子注入層材料との混合物等からなる電極材料を一種単独、又は、二種以上組み合わせて使用することが好ましい。
尚、本発明では、上部電極２３の側から発光と取り出すので、下部電極２２の材料については必ずしも透明性を有する必要はない。むしろ、一つの好ましい形態として、光吸収性の導電材料から形成するとよい。このように構成すれば、有機ＥＬ表示装置の表示コントラストをより向上させることができる。また、その場合の好ましい光吸収性の導電材料としては、半導性の炭素材料、有色性の有機化合物、又は、前述した還元剤及び酸化剤の組合せの他、有色性の導電性酸化物（例えば、ＶＯＸ、ＭｏＯＸ、ＷＯＸ等の遷移金属酸化物）が挙げられる。
下部電極２２の厚さについても、上部電極２３と同様に特に制限されるものではないが、例えば、１０ｎｍ〜１０００ｎｍの範囲内の値とするのが好ましく、より好ましくは１０〜２００ｎｍの範囲内の値とするとよい。
３．絶縁部材
本実施形態の有機ＥＬ表示装置における絶縁部材７（電気絶縁膜）は、有機ＥＬ素子２の近傍又は周辺に設けられる。そして、絶縁部材７は、有機ＥＬ表示装置全体としての高精細化、有機ＥＬ素子２の下部電極２２と上部電極２３との短絡防止に用いられる。また、ＴＦＴ６により有機ＥＬ素子２を駆動する場合、絶縁部材７は、ＴＦＴ６を保護したり、有機ＥＬ素子２の下部電極２２を平坦面に成膜するための下地としても用いられる。
従って、絶縁部材７は、必要に応じて隔壁、スペーサ、リブ、平坦化膜等と称する場合があり、本発明では、それらを包含するものとする。
本実施形態では、画素ごとに分離配置して設けられた下部電極どうしの間を埋めるように、絶縁部材７を設けている。即ち、絶縁部材７は、画素どうしの境界に沿って設けられている。
絶縁部材７の材料としては、通常、アクリル樹脂、ポリカーボネイト樹脂、ポリイミド樹脂、フッ素化ポリイミド樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、メラミン樹脂、環状ポリオレフィン、ノボラック樹脂、ポリケイ皮酸ビニル、環化ゴム、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリスチレン、フェノール樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、マレイン酸樹脂、ポリアミド樹脂等が挙げられる。
また、絶縁部材７を無機酸化物から構成する場合、好ましい無機酸化物として、酸化ケイ素（ＳｉＯ２又はＳｉＯＸ）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３又はＡｌＯＸ）、酸化チタン（ＴｉＯ３又はＴｉＯＸ）、酸化イットリウム（Ｙ２Ｏ３又はＹＯＸ）、酸化ゲルマニウム（ＧｅＯ２又はＧｅＯＸ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化カルシウム（ＣａＯ）、ホウ酸（Ｂ２Ｏ３）、酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）、酸化バリウム（ＢａＯ）、酸化鉛（ＰｂＯ）、ジルコニア（ＺｒＯ２）、酸化ナトリウム（Ｎａ２Ｏ）、酸化リチウム（Ｌｉ２Ｏ）、酸化カリウム（Ｋ２Ｏ）等を挙げることができる。また、組み合わせてもよい。
尚、上記の無機化合物中のｘは、１≦ｘ≦３の範囲内の値である。
また、絶縁部材７に耐熱性が要求される場合には、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、フッ素化ポリイミド、環状オレフィン、エポキシ樹脂、無機酸化物を使用することが好ましい。
尚、これら絶縁部材７は、有機質の場合、感光性基を導入してフォトリソグラフィー法で所望のパターンに加工するか、印刷手法によって所望のパターンに形成することができる。
絶縁部材７の厚さは、表示の精細度、有機ＥＬ素子と組み合わせられる他の部材の凹凸にもよるが、好ましくは、１０ｎｍ〜１ｍｍの範囲内の値とすることが好ましい。その理由は、このように構成することにより、ＴＦＴ等の凹凸を十分に平坦化できるためである。
従って、絶縁部材７の厚さを、例えば１００ｎｍ〜１００μｍの範囲内の値とすることが好ましく、より好ましくは１００ｎｍ〜１０μｍの範囲内の値とするのがよい。
４．薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）
図９は、ＴＦＴを含む電気スイッチ接続構造を示す回路図であり、図１０は、ＴＦＴを含む電気スイッチ接続構造を示す平面透視図である。
図９の回路図が示すように、ＴＦＴ６には、ＸＹマトリックス状に配設された複数（ｎ本、ｎは、例えば１〜１、０００の範囲内の値）の走査電極線（Ｙｊ〜Ｙｊ＋ｎ）５０と信号電極線（Ｘｉ〜Ｘｉ＋ｎ）５１が電気接続されており、さらに、この信号電極線５１に対して平行に設けられた共通電極線（Ｃｉ〜Ｃｉ＋ｎ）５２が、ＴＦＴ６に電気接続してある。
そして、これらの電極線５０、５１、５２が、ＴＦＴ６に電気接続されており、コンデンサー５７とともに、有機ＥＬ素子２を駆動させるための電気スイッチを構成していることが好ましい。即ち、かかる電気スイッチは、走査電極線５０及び信号電極線５１等に電気接続されているとともに、例えば、１個以上の第１のトランジスタ（以下、Ｔｒ１と称する場合がある。）５５と、第２のトランジスタ（以下、Ｔｒ２と称する場合がある。）５６と、コンデンサー５７とから構成してあることが好ましい。
尚、第１のトランジスタ５５は、発光画素を選択する機能を有し、第２のトランジスタ５６は、有機ＥＬ素子を駆動する機能を有していることが好ましい。
また、第１のトランジスタ（Ｔｒ１）５５及び第２のトランジスタ（Ｔｒ２）５６の活性層は、ｎ型にドーピングされた半導体領域及びドーピングされていない半導体領域から構成されており、ｎ＋／ｉ／ｎ＋と表すことができる。
そして、ｎ型にドーピングされた半導体領域が、それぞれソース及びドレインとなり、ドーピングされていない半導体領域の上方にゲート酸化膜を介して設けられたゲートとともに、全体として、トランジスタ５５、５６を構成することになる。
尚、活性層において、ｎ型にドーピングされた半導体領域を、ｎ型の代わりにｐ型にドーピングして、ｐ＋／ｉ／ｐ＋とした構成であっても良い。また、第１のトランジスタ（Ｔｒ１）５５及び第２のトランジスタ（Ｔｒ２）５６の活性層は、ポリシリコン等の無機半導体や、チオフェンオリゴマー、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）等の有機半導体から構成してあることが好ましい。特に、ポリシリコンは、アモルファスＳｉ（α−Ｓｉ）に比べて、通電に対し充分な安定性を示すことから、好ましい材料である。
ＴＦＴ６のドレインと、有機ＥＬ素子２の下部電極２２とが、絶縁部材７に設けられた導電無機酸化物からなるコンタクトホールを介して電気的に接続されている。
ＴＦＴ６は、図９に示す回路図のように、第１のトランジスタ（Ｔｒ１）５５及び第２のトランジスタ（Ｔｒ２）５６を含んでいるととともに、電気スイッチを構成していることが好ましい。
即ち、このように電気スイッチを構成することにより、ＸＹマトリックスの電極を介して走査信号パルス及び信号パルスを入力し、スイッチ動作を行わせることにより、有機ＥＬ素子２を駆動させることができる。
より具体的に言えば、電気スイッチにより、有機ＥＬ素子２を発光させたり、あるいは発光を停止させることにより、画像表示を行うことが可能である。
このように電気スイッチによって有機ＥＬ素子２を駆動させるに際し、走査電極線（ゲート線と称する場合がある。）（Ｙｊ〜Ｙｊ＋ｎ）５０を介して伝達される走査パルスと、信号電極線（Ｘｉ〜Ｘｉ＋ｎ）５１を介して伝達される走査パルスによって、所望の第１のトランジスタ（Ｔｒ１）５５が選択され、共通電極線（Ｃｉ〜Ｃｉ＋ｎ）５２と第１のトランジスタ（Ｔｒ１）５５のソースとの間に形成してあるコンデンサー５７に所定の電荷が充電されることになる。
これにより第２のトランジスタ（Ｔｒ２）５６のゲート電圧が一定値となり、第２のトランジスタ（Ｔｒ２）５６はＯＮ状態となる。そして、このＯＮ状態において、次にゲートパルスが伝達されるまでゲート電圧がホールドされるため、第２のトランジスタ（Ｔｒ２）５６のドレインに接続されている有機ＥＬ素子２の下部電極２２に電流を供給しつづけることになる。
従って、供給された電流により、有機ＥＬ素子２を駆動することが可能になり、有機ＥＬ素子２の駆動電圧を大幅に低下させるとともに、発光効率が向上し、しかも、消費電力を低減することができるようになる。
５．封止層
封止層３の材料としては、透明樹脂、封止液及び透明無機物が挙げられる。
封止層３を構成する材料として用いることができる透明樹脂としては、ポリフェニルメタクリレート、ポリエチレンテレフタレート、ポリ−ｏ−クロロスチレン、ポリ−ｏ−ナフチルメタクリレート、ポリビニルナフタレン、ポリビニルカルバゾール、フルオレン骨格含有ポリエステル等が挙げられる。
また、封止層３の材料に透明樹脂を用いる場合、これを紫外線硬化型樹脂や、可視光硬化型樹脂、熱硬化型樹脂又はそれらを用いた接着剤から構成することも好ましい。これらの具体例としては、ラックストラックＬＣＲ０２７８や、０２４２Ｄ（いずれも東亜合成（株）製）、ＴＢ３１０２（エポキシ系：スリーボンド（株）製）、ベネフィックスＶＬ（アクリル系：アーデル（株）製）等の市販品が挙げられる。
また、封止層３を構成する材料として用いることができる透明無機物としては、ＳｉＯ２、ＳｉＯｘ、ＳｉＯｘＮｙ、Ｓｉ３Ｎ４、Ａｌ２Ｏ３、ＡｌＯｘＮｙ、ＴｉＯ２、ＴｉＯｘ、ＳｉＡｌＯｘＮｙ、ＴｉＡｌＯｘ、ＴｉＡｌＯｘＮｙ、ＳｉＴｉＯｘ、ＳｉＴｉＯｘＮｙ等が挙げられる。
尚、封止層３の材料に透明無機物を用いる場合には、有機ＥＬ素子２を劣化させないように、低温（１００℃以下）で、成膜速度を遅くして成膜するのが好ましく、具体的にはスパッタリング、蒸着、ＣＶＤ等の方法が好ましい。
また、これらの透明無機物は、非晶質（アモルファス）であることが、水分、酸素、低分子モノマー、等の遮断効果が高く、有機ＥＬ素子２の劣化を制御するので好ましい。
また、封止層３を構成する材料として用いることができる封止液としては、フッ素化炭化水素、フッ素化オレフィンのオリゴマー等が挙げられる。
尚、芳香族環含有化合物、フルオレン骨格含有化合物、臭素含有化合物又はイオウ含有化合物、さらに、高屈折率の化合物、例えば、アルコキシチタン等の金属化合物（ジメトキシチタンや、ジエトキシチタン）、アルコキシチタン等を添加して屈折率を調整してもよい。
また、封止層３の厚さについては特に制限はないが、例えば、厚さを１０ｎｍ〜１ｍｍとすることが好ましい。
この理由は、封止層３の厚さが１０ｎｍ未満となると、水分や酸素の透過量が大きくなる場合があり、一方、封止層３の厚さが１ｍｍを超えると、全体として膜厚が厚くなり溝型化できない場合があるためである。
また、このような理由から、封止層３の厚さを１０ｎｍ〜１００μｍとすることがより好ましい。
６．着色層
本発明の着色層４は、▲１▼カラーフィルタ単独の場合、▲２▼蛍光媒体単独の場合、又は、▲３▼カラーフィルタと蛍光媒体とを組み合わせた場合の三通りの場合を含む。
上記▲１▼〜▲３▼のうち、▲３▼カラーフィルタと蛍光媒体とを組み合わせが、三原色の各色を発光させるにあたり、低電力で輝度の向上を図ることができ、さらに、表示の色バランスの向上を図ることもできるので特に好適である。
例えば、有機ＥＬ素子２で青色の光を発光する場合、青色画素では、青色カラーフィルタのみを設け、緑色の画素では、青色光を緑色光に変換する蛍光媒体と緑色カラーフィルタとを設け、さらに、赤色の画素では、青色光を赤色に変換する蛍光媒体と赤色カラーフィルタとを組み合わせて設けるとよい。
以下、カラーフィルタ及び蛍光媒体の構成等についてそれぞれ説明する。
（１）カラーフィルタ
カラーフィルタは光を分解又はカットして色調整又はコントラストを向上させる機能を有する。
カラーフィルタの材料としては、例えば、下記色素又は、当該色素をバインダー樹脂中に溶解又は分散させた固体状態のものを挙げることができる。
赤色（Ｒ）色素：
ペリレン系顔料、レーキ顔料、アゾ系顔料、キナクリドン系顔料、アントラキノン系顔料、アントラセン系顔料、イソインドリン系顔料、イソインドリノン系顔料等の単品及び少なくとも二種類以上の混合物が使用可能である。
緑色（Ｇ）色素：
ハロゲン多置換フタロシアニン系顔料、ハロゲン多置換銅フタロシアニン系顔料、トリフェルメタン系塩基性染料、イソインドリン系顔料、イソインドリノン系顔料等の単品及び少なくとも二種類以上の混合物が使用可能である。
青色（Ｂ）色素：
銅フタロシアニン系顔料、インダンスロン系顔料、インドフェノール系顔料、シアニン系顔料、ジオキサジン系顔料等の単品及び少なくとも二種類以上の混合物が使用可能である。
カラーフィルタの材料のバインダー樹脂としては、透明な（可視光領域における透過率５０％以上）材料を使用することが好ましい。例えば、ポリメチルメタクリレート、ポリアクリレート、ポリカーボネート、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、ヒドロキシエチルセルロース、カルボキシメチルセルロース等の透明樹脂（高分子）等が挙げられ、これらの１種又は２種以上の混合使用が可能である。
また、カラーフィルタの形成にインクジェット法等の印刷法を用いる場合には、透明樹脂を用いた印刷インキ（メジウム）を使用することができる。例えば、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、メラミン樹脂、フェノール樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、マレイン酸樹脂、ポリアミド樹脂のモノマー、オリゴマー、ポリマーからなる組成物、また、ポリメチルメタクリレート、ポリアクリレート、ポリカーボネート、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、ヒドロキシエチルセルロース、カルボキシメチルセルロース等の透明樹脂を、１種又は２種以上用いることができる。
また、必要により、液体溶剤を用いることができる。液体溶剤の例として、水、メタノール、エタノール、イソプロパノール等のアルコール又はそれらの混合物が挙げられる。
色素、樹脂、溶剤の濃度は、着色層の機能とインクジェット法への適用の観点から適宜選択される。好ましくは、色素が０．１〜３重量％、樹脂が２〜５０重量％である。
カラーフィルタの形成にフォトリソグラフィー法を用いる場合は、感光性樹脂を使用することが好ましい。例えば、アクリル酸系、メタクリル酸系、ポリケイ皮酸ビニル系、環化ゴム系等の反応性ビニル基を有する光硬化型レジスト材料等が挙げられ、これらの１種又は２種以上の混合使用が可能である。
蛍光媒体が蛍光色素とこのような樹脂からなるときは、蛍光色素と樹脂と適当な溶剤とを混合、分散又は可溶化させて液状物とし、この液状物をスピンコート、ロールコート、キャスト法等の方法で成膜し、その後、フォトリソグラフィ法で所望の蛍光媒体のパターンにパターニングしたり、スクリーン印刷等の方法で所望のパターンにパターニングして、蛍光媒体を形成するのが好ましい。
カラーフィルタの厚さは、特に制限されるものではないが、例えば、１０ｎｍ〜１，０００μｍとすることが好ましく、０．５μｍ〜５００μｍとすることがより好ましく、１μｍ〜１００μｍとすることがさらに好ましい。
（２）蛍光媒体
蛍光媒体は、有機ＥＬ素子２の発光を吸収して、より長波長の蛍光を発光する機能を有する。
各蛍光媒体は、有機ＥＬ素子２の発光領域、例えば上部電極２３と下部電極２２との交差部分の位置に対応して配置してあることが好ましい。上部電極２３と下部電極２２との交差部分における有機発光層が発光すると、その光を各蛍光媒体が受光して、異なる色（波長）の発光を外部に取り出すことが可能になる。
蛍光媒体の構成材料は特に制限されるものではないが、例えば、蛍光色素及び樹脂、又は蛍光色素のみからなり、蛍光色素及び樹脂は、蛍光色素を顔料樹脂及び／又はバインダー樹脂中に溶解又は分散させた固形状態のものを挙げることができる。
具体的な蛍光色素について説明すると、有機ＥＬ素子２における近紫外光から紫色の発光を青色発光に変換する蛍光色素としては、１，４−ビス（２−メチルスチリル）ベンゼン（以下Ｂｉｓ−ＭＢＳ）、トランス−４，４′−ジフェニルスチルベン（以下ＤＰＳ）等のスチルベン系色素、７−ヒドロキシ−４−メチルクマリン（以下クマリン４）等のクマリン系色素を挙げることができる。
また、有機ＥＬ素子２における青色、青緑色又は白色の発光を緑色発光に変換する場合の蛍光色素については、例えば、２，３，５，６−１Ｈ，４Ｈ−テトラヒドロ−８−トリフロルメチルキノリジノ（９，９ａ，１−ｇｈ）クマリン（以下クマリン１５３）、３−（２′−ベンゾチアゾリル）−７−ジエチルアミノクマリン（以下クマリン６）、３−（２′−ベンズイミダゾリル）−７−Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノクマリン（以下クマリン７）等のクマリン色素、その他クマリン色素系染料であるベーシックイエロー５１、また、ソルベントイエロー１１、ソルベントイエロー１１６等のナフタルイミド色素を挙げることができる。
また、有機ＥＬ素子２における青色から緑色までの発光、又は白色の発光を、橙色から赤色までの発光に変換する場合の蛍光色素については、例えば、４−ジシアノメチレン−２−メチル−６−（ｐ−ジメチルアミノスチルリル）−４Ｈ−ピラン（以下ＤＣＭ）等のシアニン系色素、１−エチル−２−（４−（ｐ−ジメチルアミノフェニル）−１，３−ブタジエニル）−ピリジニウム−パークロレート（以下ピリジン１）等のピリジン系色素、ローダミンＢ、ローダミン６Ｇ等のローダミン系色素、その他にオキサジン系色素等が挙げられる。
さらに、各種染料（直接染料、酸性染料、塩基性染料、分散染料等）も蛍光性があれば蛍光色素として選択することが可能である。
また、蛍光色素をポリメタクリル酸エステル、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル酢酸ビニル共重合体、アルキッド樹脂、芳香族スルホンアミド樹脂、ユリア樹脂、メラニン樹脂、ベンゾグアナミン樹脂等の顔料樹脂中にあらかじめ練り込んで顔料化したものでもよい。
バインダー樹脂については、カラーフィルタと同様のバインダー樹脂を使用できる。
また、蛍光媒体の形成方法も、カラーフィルタと同様の形成方法を使用できる。
蛍光媒体の厚さは、特に制限されるものではないが、例えば、１０ｎｍ〜１，０００μｍとすることが好ましく、０．１μｍ〜５００μｍとすることがより好ましく、５μｍ〜１００μｍとすることがさらに好ましい。
７．平坦化層
平坦化層８についての説明は封止層３と同様である。
８．封止基板
封止基板５は、有機発光媒体内部への水分侵入を防止するために、少なくとも有機ＥＬ表示装置の発光領域を覆うように設けることが好ましい。
このような封止基板５としては、支持基板１と同種の材料を用いることができる。特に、水分や酸素の遮断効果の高いガラス板又はセラミックス基板を用いることができる。また、封止基板５の形態についても、特に制限されるものでなく、例えば、板状やキャップ状とすることが好ましい。そして、例えば、板状とした場合、その厚さを、０．０１〜５ｍｍの範囲内の値とすることが好ましい。
さらに、封止基板５は、支持基板１の一部に溝等を設けておき、それに圧入して固定することも好ましいし、あるいは、光硬化型の接着剤等を用いて、支持基板１の一部に固定することも好ましい。
実施例
実施例１
１．ＴＦＴ基板の作製
図１１（ａ）〜（ｉ）は、ポリシリコンＴＦＴの形成工程を示す図である。このポリシリコンＴＦＴを含む電気スイッチ接続構造を示す回路図は図９と同様であり、平面透視図は図１０と同様である。
まず、１１２ｍｍ×１４３ｍｍ×１．１ｍｍのガラス基板１（ＯＡ２ガラス、日本電気硝子（株）製）上に、減圧ＣＶＤ（Ｌｏｗ  Ｐｒｅｓｓｕｒｅ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、ＬＰＣＶＤ）等の手法により、α−Ｓｉ層４０を積層した（図１１（ａ））。次に、ＫｒＦ（２４８ｎｍ）レーザ等のエキシマーレーザをα−Ｓｉ層４０に照射して、アニール結晶化を行い、ポリシリコンとした（図１１（ｂ））。このポリシリコンを、フォトリソグラフィにより、アイランド状にパターン化した（図１１（ｃ））。得られたアイランド化ポリシリコン４１及び基板１の表面に、絶縁ゲート材料４２を化学蒸着（ＣＶＤ）等により積層して、ゲート酸化物絶縁層４２とした（図１１（ｄ））。次に、ゲート電極４３を、蒸着又はスパッタリングで成膜して形成し（図１１（ｅ））、ゲート電極４３をパターニングするとともに、陽極酸化を行った（図１１（ｆ）〜（ｈ））。さらに、イオンドーピング（イオン注入）により、ドーピング領域を形成し、それにより活性層を形成して、ソース４５及びドレイン４７とし、ポリシリコンＴＦＴを形成した（図１１（ｉ））。この際、ゲート電極４３（及び図１０の走査電極５０、コンデンサー５７の底部電極）をＡｌ、ＴＦＴのソース４５及びドレイン４７をｎ＋型とした。
次に、得られた活性層上に、層間絶縁膜（ＳｉＯ２）を５００ｎｍの膜厚でＣＲＣＶＤ法にて形成した後、信号電極線５１及び共通電極線５２、コンデンサ上部電極（Ａｌ）の形成と、第２のトランジスタ（Ｔｒ２）５６のソース電極と共通電極との連結、第１のトランジスタ（Ｔｒ１）５５のドレインと信号電極との連結を行った（図９、図１０）。各ＴＦＴと各電極の連結は、適宜、層間絶縁膜ＳｉＯ２を弗酸によるウエットエッチングにより開口して行った。
次に、ＣｒとＩＴＯを順次、スパッタリングにより、それぞれ２０００Å、１３００Åで成膜した。この基板上にポジ型レジスト（ＨＰＲ２０４：富士フィルムアーチ製）をスピンコートし、９０μｍ×３２０μｍのドット状のパターンになるようなフォトマスクを介して、紫外線露光し、ＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムヒドロキシド）の現像液で現像し、１３０℃でベークし、レジストパターンを得た。
次に、４７％臭化水素酸からなるＩＴＯエッチャントにて、露出している部分のＩＴＯをエッチングし、次に硝酸セリウムアンモニウム／過塩素酸水溶液（ＨＣＥ：長瀬産業製）にて、Ｃｒをエッチングした。次に、レジストを、エタノールアミンを主成分とする剥離液（Ｎ３０３：長瀬産業製）で処理して、Ｃｒ／ＩＴＯパターン（下部電極：陽極）を得た。
この際、Ｔｒ２５６と下部電極２２が開口部５９を介して接続された（図１０）。
次に、第二の層間絶縁膜として、ネガ型レジスト（Ｖ２５９ＢＫ：新日鉄化学社製）をスピンコートし、紫外線露光し、ＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムヒドロキシド）の現像液で現像した。次に、１８０℃でベークして、Ｃｒ／ＩＴＯのエッジを被覆した（ＩＴＯの開口部が７０μｍ×２００μｍ）有機膜の層間絶縁膜を形成した（図示せず）。
２．有機ＥＬ素子の作製
このようにして得られた層間絶縁膜付き基板を純水及びイソプロピルアルコール中で超音波洗浄し、Ａｉｒブローにて乾燥後、ＵＶ洗浄した。
次に、ＴＦＴ基板を、有機蒸着装置（日本真空技術製）に移動し、基板ホルダーを基板に固定した。モリブデン製抵抗加熱ボートに、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−〔１，１’−ビフェニル〕−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ）を２００ｍｇ入れ、さらに、別のモリブデン製抵抗加熱ボートに、４，４’−ビス（２，２’−ジフェニルビニル）ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）を２００ｍｇ入れ、さらに、別のモリブデン製抵抗加熱ボートに下記に示す化合物（Ａ）を入れ、真空槽を１×１０−４Ｐａまで減圧した。その後、ＴＰＤ入りボートを２１５〜２２０℃まで加熱し、ＴＰＤを蒸着速度０．１〜０．３ｎｍ／秒で透明支持基板上に蒸着して、膜厚６０ｎｍの正孔注入輸送層を成膜した。このときの基板温度は室温であった。次に、これを取り出すことなく、この正孔注入輸送層の上に、ＤＰＶＢｉの入ったボートを加熱して、第一発光層として４０ｎｍ積層蒸着した。このとき、同時に化合物（Ａ）のボートを加熱し、第一発光層に化合物（Ａ）を３．０モル％の割合で含有させた。その後、真空槽を大気圧に戻し、新たにモリブデン製抵抗加熱ボートに８−ヒドロキシキノリン・アルミニウム錯体（Ａｌｑ）を２００ｍｇ入れ、さらに、別のモリブデン製抵抗加熱ボートにルブレン（アルドリッチ社製）を入れ、再度、真空槽を１×１０−４Ｐａまで減圧した。次いで、Ａｌｑ入りのボートを加熱し、第二発光層として、２０ｎｍ成膜した。このとき、同時にルブレンの入ったボートも加熱し、ルブレンを０．５モル％の割合で、第二発光層に含有させた。
次に、基板をスパッタリング槽に移動し、陰極の取出し電極としてＩＺＯを、成膜速度０．１〜０．３ｎｍ／秒で、膜厚２００ｎｍとし、有機ＥＬ素子を作製した。
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３．封止層の作製
封止層として、有機ＥＬ素子の上部電極上に透明無機膜としてＳｉＯｘＮｙ（Ｏ／Ｏ＋Ｎ＝５０％：Ａｔｏｍｉｃ  ｒａｔｉｏ）を低温ＣＶＤにより１μｍの厚さで成膜した。これにより有機ＥＬ素子基板を得た。
４．封止層表面への撥インク性の付与
上記の有機ＥＬ素子基板の封止層に９０μｍ開口、２４０μｍギャップのマスクを貼付け、その後、低温プラズマ放電装置内にセットした。ＳＦ４を２．６５体積％だけ含むＨｅ混合ガスを、低温プラズマ放電装置内に導入し、大気圧にて処理周波数２９００Ｈｚ、処理電流８ｍＡの条件で１分間放電処理を行った。放電処理後、マスクを除去し、開口部に相当する部分の水接触角を計測したところ、１１０°であった。
５．カラーフィルタ用インクの作製
重量比：エチレングリコール１０％、ジエチレングリコール１５％、下記Ｒ，Ｇ，Ｂ顔料４％、スチレン−マレイン酸樹脂の０．６％モノエタノールアミン塩（平均分子量３万、酸価３００）、水７０．４％
赤色顔料：Ｃ．Ｉ．ピグメントレッド１６８とＣ．Ｉ．ピグメントオレンジ３６を２３：８の重量比で混合した顔料
緑色顔料：Ｃ．Ｉ．ピグメントグリーン３６とＣ．Ｉ．ピグメントイエロー８３を１５：４の重量比で混合した顔料
青色顔料：Ｃ．Ｉ．ピグメントブルー６０とＣ．Ｉ．ピグメントバイオレット２３を９：３の重量比で混合した顔料
尚、上記顔料は、顔料粒径が０．０１〜０．４μｍの範囲の粒子が全粒子の約９０％になるようにサンドミルで分散後、１μｍのフィルターでろ過後用いた。
６．カラーフィルタの積層
熱エネルギーによりインクを発泡させ、吐出させるインクジェット記録装置により、下記のインク組成からなるインクを用いてＲ，Ｇ，Ｂの３色からなるインクドットを形成した。さらに、８０℃で２０分間、さらに１８０℃で１時間乾燥して、顔料微粒子層を形成した。膜厚は０．４μｍであった。次に、このＲ，Ｇ，Ｂの３色の顔料微粒子層上に透明保護膜として、アクリル系熱硬化型樹脂（Ｖ２５９ＰＨ：新日鉄化学製）をカラーフィルタ層の上にスピンコートし、１８０℃でベークして平坦化層（膜厚１２μｍ）を形成して、有機ＥＬ表示装置を得た。
７．有機ＥＬ表示装置の特性
得られた有機ＥＬ表示装置の下部電極（ＩＴＯ／Ｃｒ）と上部電極（ＩＺＯ）にＤＣ９．５Ｖの電圧を印加（下部電極：（＋）、上部電極：（−））したところ、各電極の交差部分が発光し、全体では白く発光していた。色彩色差計（ＣＳ１００、ミノルタ製）で測定したところ、輝度は２３．７ｃｄ／ｍ２で、ＣＩＥ色度座標は、（０．２８，０．３０）であった。斜めから表示画面を観察しても、色のにじみがなく、良好な表示であることを確認した。
産業上の利用可能性
以上、詳細に説明したように、本発明によれば、上取出型においても有機発光媒体等にダメージを与えることなく、支持基板側の正確な位置に着色層を形成できるので、封止基板を貼り合わせる際に正確な位置合わせが不要となり、製造歩留りを向上させることができる。
また、支持基板側の封止層上に直接又は近接して着色層を設けるので、上取出型であっても有機ＥＬ素子の発光媒体から着色層までの距離を短くすることができる。その結果、視野角特性の向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
図１は、第一実施形態の有機ＥＬ表示装置の構成を説明するための模式図である。
図２（Ａ）〜（Ｃ）は、第一実施形態の有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明するための断面工程図である。
図３は、第二実施形態の有機ＥＬ表示装置の構成を説明するための模式図である。
図４（Ａ）〜（Ｅ）は、第二実施形態の有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明するための断面工程図である。
図５は、第三実施形態の有機ＥＬ表示装置の構成を説明するための模式図である。
図６（Ａ）〜（Ｃ）は、第三実施形態の有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明する他面の断面工程図である。
図７は、第四実施形態の有機ＥＬ表示装置の構成を説明するための模式図である。
図８（Ａ）〜（Ｃ）は、第四実施形態の有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明するための断面工程図である。
図９は、ＴＦＴを含む電気スイッチ接続構造を示す回路図である。
図１０は、ＴＦＴを含む電気スイッチ接続構造を示す平面透視図である。
図１１は、ポリシリコンＴＦＴの形成工程を示す図である。
図１２（Ａ）は、基板取出型の有機ＥＬ表示装置の構成を示す模式図であり、図１２（Ｂ）は、上取出型の有機ＥＬ表示装置の構成を示す模式図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【国際調査報告】
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