【事件の表示】
　特願２００８−１６０３０４「窒化物半導体発光ダイオード素子およびその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２２年　１月　７日出願公開、特開２０１０−　　３８０４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成２０年６月１９日の出願であって、平成２４年５月９日付けで手続補正書が提出され、同年７月３１日付けで拒絶の査定（以下「原査定」という。）がなされ、これに対し、同年９月１４日に拒絶査定に対する審判請求がなされたものである。
　
２．本願発明
　本願の請求項１に係る発明は、上記の平成２４年５月９日付けの手続補正によって補正された特許請求の範囲、明細書、及び図面の記載からみて、特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものと認める（以下「本願発明」という。）。 
「ｎ型窒化物半導体層と、
　ｐ型窒化物半導体層と、
　前記ｎ型窒化物半導体層と前記ｐ型窒化物半導体層との間に設置された窒化物半導体活性層とを含み、
　前記窒化物半導体活性層に対して前記ｐ型窒化物半導体層側に、
　酸化インジウム錫を含有する第１の透明電極層と、
　酸化錫を含有する第２の透明電極層とを有し、
　前記第１の透明電極層は、前記第２の透明電極層よりも前記ｐ型窒化物半導体層側に設置されており、
　前記第１の透明電極層の厚さは４０ｎｍ以下であり、
　前記第２の透明電極層は、アンチモンを含有する、窒化物半導体発光ダイオード素子。」
　
３．引用例
（１）引用例１
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願前である平成１９年６月１４日に頒布された「特開２００７−１４９９６６号公報 」（以下「引用例１」という。）には、次の事項が記載されている。（なお、下線は審決で付した。以下、同じ。）
・「以下、本発明に係る
半導体発光素子
＜第一の実施形態＞」（段落【０００９】）
・「図１は、本発明に係る発光素子の第一の実施形態を示す断面図である。
本発明の
発光素子１
サファイヤ基板２の一方の面にＧａＮバッファ層３を介してＳｉをドーパントとするｎ型ＧａＮコンタクト層４が設けられ、このｎ型ＧａＮコンタクト層４を介してＳｉをドーパントとするｎ型ＡｌＧａＮクラッド層５
が設けられる。そして、このｎ型ＡｌＧａＮ層５を介してＩｎＧａＮとＧａＮの多重量子井戸（ＭＱＷ）構造となる発光部６、発光部６を介してｐ型ドーパントであるＭｇを含むｐ型ＡｌＧａＮクラッド層７
、ｐ型ＡｌＧａＮ層７を介して、同じくＭｇをドーパントとするｐ型ＧａＮコンタクト層８、ＩＴＯ膜９、ＦＴＯ膜１０の順に積層されてなる透明導電体１１が設けられている
・「ここで本発明では、前記透明導電体１１が、真空蒸着法により形成された最下層と、該最下層上にスプレー熱分解法により形成された上層とから構成され、該上層のうち少なくとも１層は、前記最下層よりも耐熱性が高いことを特徴とする。
　前記最下層は、例えば、
スズ添加インジウム（ＩＴＯ）膜
　前記上層は、例えば、
フッ素添加酸化スズ（ＦＴＯ）膜
・「＜実施例５〜実施例７＞
　実施例５〜実施例７では、透明導電体において、
膜厚を
１０ｎｍ
ＩＴＯ膜を形成し
　このようにして作製した発光において、透明導電体の熱処理前後における接触抵抗変化を表５に示す。これにより、ＩＴＯ膜の膜厚は５ｎｍ以上とする必要があると考えられる。」（段落【００５７】）
　これらの記載事項を総合すると、引用例１には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　「サファイヤ基板２の一方の面にＧａＮバッファ層３を介してＳｉをドーパントとするｎ型ＧａＮコンタクト層４が設けられ、このｎ型ＧａＮコンタクト層４を介してＳｉをドーパントとするｎ型ＡｌＧａＮクラッド層５が設けられ、そして、このｎ型ＡｌＧａＮ層５を介してＩｎＧａＮとＧａＮの多重量子井戸（ＭＱＷ）構造となる発光部６、発光部６を介してｐ型ドーパントであるＭｇを含むｐ型ＡｌＧａＮクラッド層７、ｐ型ＡｌＧａＮ層７を介して、同じくＭｇをドーパントとするｐ型ＧａＮコンタクト層８、膜厚を１０ｎｍに形成したスズ添加インジウム（ＩＴＯ）膜９、フッ素添加酸化スズ（ＦＴＯ）膜１０の順に積層されてなる透明導電体１１が設けられている半導体発光素子。」
　
４．対比
　そこで、本願発明と引用発明とを対比すると、
　後者における「ｎ型ＧａＮコンタクト層４及びｎ型ＡｌＧａＮクラッド層５」は、その構造、機能、作用等からみて、前者における「ｎ型窒化物半導体層」に相当し、以下同様に、「ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層７及びｐ型ＧａＮコンタクト層８」は「ｐ型窒化物半導体層」に、「ＩｎＧａＮとＧａＮの多重量子井戸（ＭＱＷ）構造となる発光部６」は「窒化物半導体活性層」に、「スズ添加インジウム（ＩＴＯ）膜９」は「酸化インジウム錫を含有する第１の透明電極層」に、「フッ素添加酸化スズ（ＦＴＯ）膜１０」は「酸化錫を含有する第２の透明電極層」に、「半導体発光素子」は「窒化物半導体発光ダイオード素子」に、それぞれ相当する。
　また、後者の「ＩｎＧａＮとＧａＮの多重量子井戸（ＭＱＷ）構造となる発光部６（窒化物半導体活性層）」は、ｎ型ＧａＮコンタクト層４及びｎ型ＡｌＧａＮクラッド層５を介して発光部６、発光部６を介して、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層７及びｐ型ＧａＮコンタクト層８を設けているから、「ｎ型ＧａＮコンタクト層４及びｎ型ＡｌＧａＮクラッド層５（ｎ型窒化物半導体層）とｐ型ＡｌＧａＮクラッド層７及びｐ型ＧａＮコンタクト層８（ｐ型窒化物半導体層）との間に設置された」といえる。
　また、後者の「スズ添加インジウム（ＩＴＯ）膜９、フッ素添加酸化スズ（ＦＴＯ）膜１０」は、発光部６を介してｐ型ＡｌＧａＮクラッド層７及びｐ型ＧａＮコンタクト層８、スズ添加インジウム（ＩＴＯ）膜９、フッ素添加酸化スズ（ＦＴＯ）膜１０の順に積層されてなるから、「ＩｎＧａＮとＧａＮの多重量子井戸（ＭＱＷ）構造となる発光部６（窒化物半導体活性層）に対してｐ型ＡｌＧａＮクラッド層７及びｐ型ＧａＮコンタクト層８（ｐ型窒化物半導体層）側に有している」といえ、また「スズ添加インジウム（ＩＴＯ）膜９（第１の透明電極層）は、フッ素添加酸化スズ（ＦＴＯ）膜１０（第２の透明電極層）よりもｐ型ＡｌＧａＮクラッド層７及びｐ型ＧａＮコンタクト層８（ｐ型窒化物半導体層）側に設置されている」といえる。
　したがって、両者は、
「ｎ型窒化物半導体層と、
　ｐ型窒化物半導体層と、
　前記ｎ型窒化物半導体層と前記ｐ型窒化物半導体層との間に設置された窒化物半導体活性層とを含み、
　前記窒化物半導体活性層に対して前記ｐ型窒化物半導体層側に、
　酸化インジウム錫を含有する第１の透明電極層と、
　酸化錫を含有する第２の透明電極層とを有し、
　前記第１の透明電極層は、前記第２の透明電極層よりも前記ｐ型窒化物半導体層側に設置されており、
　前記第１の透明電極層の厚さは１０ｎｍである、
　窒化物半導体発光ダイオード素子。」
　の点で一致し、以下の点で相違している。
［相違点１］
　第１の透明電極層の厚さに関して、本願発明は、「４０ｎｍ以下」であるのに対して、引用発明は、「１０ｎｍ」である点。
［相違点２］
　第２の透明電極層に関して、本願発明は、「アンチモンを含有する」のに対して、引用発明は、アンチモンを含有するか否か明らかでない点。
　
５．当審の判断
　上記相違点について以下検討する。
（１）相違点１について
　引用発明のスズ添加インジウム（ＩＴＯ）膜９（第１の透明電極層）の厚さは、「１０ｎｍ」であるから、本願発明の第１の透明電極層の厚さである「４０ｎｍ以下」に包含されることから、上記相違点１は実質的な相違点ではない。
　
（２）相違点２について
　一般に半導体発光素子において、その透明電極層の材料として、アンチモンを含有する酸化錫を用いることは、本願出願前に周知の技術事項（例えば、特開２００８−７８１６９号公報の【請求項１】、段落【００３７】、特開２００５−２６８６０１号公報の段落【００２２】、及び特開２００７−５８１３号公報の【請求項１３】、段落【００３３】参照。）である。
　また、一般に透明電極層において、その材料として、アンチモンを含有する酸化錫を用いることにより、抵抗率が小さくなることは、本願出願前に技術常識（例えば、特開２００５−１３５８０２号公報の段落【００１８】、特開２００１−１７２０５２号公報の段落【００２６】、及び特開２０００−７７３５８号公報の段落【００５１】参照。）である。
　そして、引用発明と上記周知の技術事項とは、共に半導体発光素子という技術分野に属し、透明電極として共通の機能、作用を有するから、引用発明に上記周知の技術事項を適用することは、当業者が容易に想到し得るものである。
　したがって、引用発明において、上記技術常識に照らし、上記周知の技術事項を適用することにより、相違点２に係る本願発明の発明特定事項とすることは、当業者が容易に想到し得るものである。
　
　そして、本願発明における全体の発明特定事項によって奏される効果も、引用発明、上記周知の技術事項、及び上記技術常識から当業者が予測し得る範囲内のものである。
　
（３）むすび
　したがって，本願発明は、引用発明、上記周知の技術事項、及び上記技術常識に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。