【事件の表示】
　特願２００６−　１６９０５「フォトマスク製作に適したクロム層をプラズマエッチングするための方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年　８月１７日出願公開、特開２００６−２１５５５２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１８年１月２５日（パリ条約による優先権主張２００５年１月２７日、米国）の出願であって、平成２３年１１月１６日付けで誤訳訂正書が提出されたが、平成２４年２月１６日に拒絶査定がなされ、これに対し、同年７月３日に拒絶査定に対する審判請求がなされ、同時に手続補正がなされたものである。その後、同年９月２６日に、審判請求人に前置報告書の内容を示し意見を求めるための審尋を行ったところ、同年１２月５日付けで回答書が提出された。
　さらに、当審において平成２５年２月７日にＦＡＸによる求釈明を行ったところ、同年２月２２日付けでＦＡＸによる回答書が提出された。
　
第２　平成２４年７月３日付けの手続補正の補正の却下の決定
［補正の却下の決定の結論］
　　平成２４年７月３日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
１．補正後の請求項に記載された発明
　平成２４年７月３日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）により、本願の特許請求の範囲の請求項１は、特許請求の範囲の減縮を目的として、以下のように補正された。
　「クロム層をエッチングするための方法であって、
　エッチングチャンバにフィルムスタックを提供するステップであって、前記フィルムスタックがパターニングされた層を介して部分的に暴露されたクロム含有層を備えるステップと、
　少なくとも１つのハロゲン含有プロセスガスを処理チャンバに提供するステップと、
　イオンとエッチングラジカルを含む前記プロセスガスからプラズマを前記処理チャンバ内に設けられたイオンラジカルシールドの上に形成するステップと、
　６００ワット未満の複数の電力パルスによって、前記処理チャンバの基板サポート上に配置された基板に対して、エッチングラジカルを前記イオンラジカルシールドに通過させるバイアスを印加するステップと、
　前記イオンラジカルシールドの下の、パターニングされた層を介して暴露された前記クロム含有層をエッチングするステップと、
を備え、
　バイアスを印加するステップが、
　約１０〜約９５パーセントのデューティサイクルによってパルス電力を印加する工程と、
　約１〜約１０ｋＨｚの周波数でパルス電力を印加する工程とを備える、方法。」
　
　そこで、本件補正後の上記請求項１に記載された発明（以下「補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否かについて、以下に検討する。
　
２．引用刊行物 
　
引用文献１：特表２００４−５０３８２９号公報
引用文献２：特開平４−２０６７１９号公報
　
（１）原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先日前に頒布された刊行物である、上記引用文献１には、以下の事項が記載されている。
（１ａ）「【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
従来のエッチングプロセス、例えばウェットエッチングは、等方的にエッチングする傾向があり、その結果、フォトマスク上のパターニングされたメタル層の下にアンダーカット現象が発生する場合がある。アンダーカット現象はフォトマスク上に、一様に間を隔てずに、かつフィーチャが所望の真直で垂直な側壁を持たない、パターニングされたフィーチャを作るので、フィーチャの限界寸法を失することがある。更に、フィーチャの等方性エッチングは高アスペクト比のフィーチャの側壁をオーバーエッチングし、その結果フィーチャの限界寸法を失することもある。メタル層内に所望の限界寸法を持たずに形成されたフィーチャは、そこを通過する光に不利な影響を及ぼし、その後のフォトリトグラフプロセスで、フォトマスクによる望ましいとは言えないパターン加工をもたらす場合がある。
【０００９】
ドライエッチ処理またはドライエッチングとして周知のプラズマエッチ処理は、ウェットエッチングの代替プロセスを提供し、ウェットエッチングプロセスよりも異方性が高いエッチングを提供する。ドライエッチングプロセスはアンダーカットの生成がより少なく、より真直な側壁およびより平坦な底を持つフォトマスクフィーチャの限界寸法維持を改善することが判明している。従来のドライエッチング処理では、メタン、塩化水素酸等のエッチングガス、酸素等の酸化ガス、およびヘリウム等の不活性ガスのプラズマを用いて基板上に形成されたメタル層をエッチングする。
【００１０】
しかしながら、従来のドライエッチング化学反応は過度のエッチングラジカルを生成する傾向があり、これがメタル層フィーチャのエッチング制御を困難にするとともに、オーバーエッチングまたはメタル層フィーチャの限界寸法の不精確なエッチングをもたらすことが多い。更に、従来のドライエッチング化学反応は、下地材料のエッチング速度に比べて予想より速い速度でフォトレジスト材料を除去する場合がある。フォトレジスト材料を除去する速度が速いほど、メタルフィーチャがエッチングされているときに、パターニングされたフォトレジストフィーチャの側壁から材料を早期に除去する結果となる。パターニングされたフォトレジスト層からフォトレジスト材料を早期に除去すると、パターニングされたフォトレジストフィーチャの限界寸法を失することがあり、それはパターニングされたフォトレジスト層によって画成されたメタル層に形成されるフィーチャの限界寸法を失することに対応することもある。
【００１１】
メタル層に形成されるフィーチャの限界寸法を失すると、通過する光に不利な影響を与え、フォトマスクによってパターニングされた基板内に多数のパターン加工欠陥と、それに引き続くエッチングの欠陥を生じさせる場合がある。高アスペクト比のサブミクロンフィーチャをエッチングする場合に、フォトマスクフィーチャの限界寸法を失すると、不十分なフォトリソグラフィ成績をもたらすことがあり、限界寸法の喪失が著しい場合は、フォトマスクおよび／またはその後にエッチングされたデバイスの不良をもたらすことになる。」
（１ｂ）「【００１９】
図１は、ここで説明するプロセスを実行するために使用可能なＤＰＳ処理チャンバの一実施の形態の概略断面図である。処理チャンバ１０は概ね、円筒形側壁つまりチャンバ本体１２、本体１２上に取り付けられたエネルギー透過ドーム天井１３、およびチャンバ底部１７を有する。誘導原コイル２６はドーム１３の少なくとも一部の周りに配設される。処理チャンバ１０のチャンバ本体１２とチャンバ底部１７は陽極酸化アルミ等のメタルから作られ、ドーム１３はセラミック他の誘電材料等のエネルギー透過材料から作られる。基板支持部材１６が処理チャンバ１０内に配設されて、処理中の基板２０を支持する。支持部材１６は、支持部材１６の少なくとも一部を導電性にするとともにプロセスバイアスカソードとして機能することができる従来型の機械式チャックまたは静電チャックによるものでよい。プラズマゾーン１４はプロセスチャンバ１０、基板支持部材１６およびドーム１３によって画成される。
【００２０】
処理ガスは、支持部材１６の周辺に配設されたガス分配器２２を通って処理チャンバ１０に導入される。プラズマは、誘導原コイル２６に電力を供給してプラズマゾーン１４内に電磁場を発生させるコイル電源２７を用いて、処理ガスから形成される。支持部材１６は内部に配設された電極を有し、この電極は電極電源２８によって電力を与えられて、処理チャンバ１０内に容量性の電場を発生させる。通常、ＲＦ電力が支持部材１６内の電極に与えられる一方で、本体１２は電気的に接地される。容量性電場は支持部材１６の面を横断しており、基板２０の、より垂直に配向された異方性エッチングを提供するために、基板２０に対するより垂直な帯電核種の指向性に影響を及ぼす。
【００２１】
プロセスガスおよびエッチング剤の副生成物は、排気システム３０を介してプロセスチャンバ１０から排出される。排気システム３０を処理チャンバ１０の底部１７に配設してもよいし、処理ガスの除去のために処理チャンバ１０の本体１２内に配設してもよい。処理チャンバ１０内の圧力を制御するためにスロットルバルブ３２が排気ポート３４内に設けられる。光学的エンドポイント測定装置を処理チャンバ１０に接続して、チャンバ内で実行されるプロセスのエンドポイントを決定するようにしてもよい。
【００２２】
模範的なエッチングプロセス
一般的に、フォトマスクにマスク層を形成するために使用されるクロム等のメタル層が、所望の限界寸法を有するフィーチャを生成するためにエッチングされる。メタル層のエッチングで使用される処理ガスは(i)１つ以上の、水素含有フルオロカーボンガスガス、(ii)酸素含有ガス、および(iii)塩素含有ガスを有する。処理ガスは更に不活性ガスを含んでもよい。水素含有フルオロカーボンガスガスを、パターニングされたフォトレジスト材料およびエッチングされたメタル層に形成されたフィーチャの表面、特には側壁の上のパッシベーション用ポリマー堆積を形成するために使用すると好都合である。パッシベーション用ポリマー堆積はフィーチャの過度なエッチングを防ぐので、所望の限界寸法を持ったフィーチャを生成する。
【００２３】
水素含有フルオロカーボンガスの一般式は、ｘが炭素原子１〜５の整数、ｙが水素原子１〜８の整数、ｚがフッ素原子１〜８の整数であるＣxＨyＦzである。水素含有フルオロカーボンガスガスの例はＣＨＦ3、ＣＨ3Ｆ、ＣＨ2Ｆ2、Ｃ2ＨＦ5、Ｃ2Ｈ4Ｆ2、およびこれらの組合せを有する。メタル層をエッチングする場合、炭素原子１〜２個、水素原子１〜４個、およびフッ素原子１〜５個を有する水素含有フルオロカーボンガスガスを使用してもよい。メタン（ＣＨ4）、エタン（Ｃ2Ｈ6）、およびエテン（Ｃ2Ｈ4）等の非フッ素含有炭化水素ガスをフルオロカーボンガスガスに加え、パッシベーション用ポリマー堆積の形成を更に強化してもよい。
【００２４】
処理ガスの塩素含有ガスは、塩素（Ｃｌ2）、塩化水素酸（ＨＣｌ）、四塩化珪素（ＳｉＣｌ4）、三塩化ホウ素（ＢＣｌ3）、およびこれらの組合せのグループから選択され、メタル層をエッチングする反応性の高いラジカルを供給するために使用される。酸素（Ｏ2）等の酸素含有ガスを処理ガスへ添加することにより、パッシベーション用ポリマー堆積を除去するとともにパッシベーション用ポリマー堆積の形成を最小にするエッチングラジカルのソースを提供する。更に、酸素含有ガスは炭素含有酸素ベースガスと組み合わせることができ、あるいは一酸化炭素（ＣＯ）や二酸化炭素（ＣＯ2）等の炭素含有酸素ベースガスで置換されて、エッチングプロセス中にフィーチャ上のパッシベーション用ポリマー堆積の形成を強化する炭素核種のソースも提供することができる。
【００２５】
また処理ガスは、処理ガスを有するプラズマの一部としてイオン化された場合、フィーチャのエッチング速度を上昇させるスパッタリング核種となる不活性ガスを含んでもよい。プラズマの一部として不活性ガスが存在すれば、処理ガスの解離を高めることができる。不活性ガスの例はアルゴン（Ａｒ）、ヘリウム（Ｈｅ）、ネオン（Ｎｅ）、キセノン（Ｘｅ）、クリプトン（Ｋｒ）、およびそれらの組合せを有し、それらの内、アルゴンとヘリウムが一般的に使用される。
【００２６】
ここで記載した処理ガスを使用してフォトマスク製作プロセス中に基板上へ堆積されたフォトレジスト材料等の材料の熱分解を最小にするために、基板は処理中、約１５０℃以下の温度に維持される。基板温度は一般的に、基板表面のエッチングの間、約５０℃と約１５０℃の間に維持される。約８０℃と約１００℃の間の温度を採用して、基板面上に堆積された材料の最少熱分解でフォトマスクフィーチャをエッチングしてもよい。基板温度は、エッチングプロセス中の重合反応を制限することによってパッシベーション用ポリマー堆積の形成を調節する役目があるとも考えられている。更に、処理チャンバの側壁は約７０℃未満の温度に維持され、ドームは、一貫した処理条件を維持するとともに処理チャンバの表面へのポリマー形成を最小にするために、約８０℃未満の温度に維持される。
【００２７】
一般的に、エッチングプロセス中に処理ガスのプラズマを発生させ、それを維持するため、約７００ワット以下のソースＲＦ電力レベルを誘導原コイルに加える。約２００ワットと約７００ワットの間の電力レベルをエッチングプロセス中に使用してもよい。基板表面をエッチングするのに十分な処理ガスのプラズマを十分に提供する約４００ワットと約５００ワットの間の電力レベルが観察された。基板を約５０℃から約１５０℃の温度に維持するために従来技術のメタルエッチングプロセスと比べて十分に低い電力レベルを提供しつつ、基板に配設された露出メタル層をエッチングするために処理ガスから十分なエッチングラジカルと重合ラジカルを生成する、上記ソースＲＦ電力レベルが観察された。
【００２８】
一般的に、約２００ワット以下のバイアス電力も、基板の表面に対してエッチングラジカルの指向性を高めるために基板に加えられる。例えば約５ワットと約４０ワットの間の、５０ワット未満のバイアス電力がエッチングプロセスで通常使用される。エッチングプロセス中にエッチングラジカルの十分な指向性を提供する、約５ワットと２０ワットの間のバイアスが観察された。
【００２９】
低下させた電力レベルおよび基板温度で処理ガスのプラズマを発生させると、フィーチャを過度にエッチングすることなくメタル層の露光された部分を除去して所望の限界寸法を生成すると考えられている。また、低下させた電力レベルおよび基板温度はフォトレジストの劣化を防ぎ、フォトレジスト材料内に画成されたフィーチャの限界寸法を実質的に有するフィーチャをメタル層に生成するとも考えられている。
【００３０】
以下の記載では、フォトマスク製作におけるクロム等のメタル層をエッチングするプロセスシーケンスの一実施の形態を説明するが、そのエッチングガスを使用して、半導体とフォトマスク製造で基板上に形成される他のメタル層をエッチングすることが検討されている。
【００３１】
図２は、エッチングプロセスの１つのプロセスシーケンスの一実施の形態のフローチャートである。フローチャートは説明を目的としたもので、本発明の特徴の範囲を制限すると見なすものではない。通常は光学的品質の石英や珪化モリブデン等のシリコンベース材料を有する基板が、ステップ２１０で、図１のＤＰＳ処理チャンバ１０等の処理チャンバに供給される。そしてステップ２２０で、通常はクロムである不透明の共形メタル層を基板上に堆積させることによって、基板が処理される。
【００３２】
ステップ２３０で、メタル層に形成されるフィーチャの寸法は、共形メタル層を露出させるために第一のフォトレジスト材料を堆積およびパターンエッチングすることによってパターン加工される。フォトマスク製作に使用されるフォトレジスト材料は通常、低温のフォトマスク材料であり、本明細書では約２５０℃未満の温度で熱劣化するフォトマスク材料として定義される。次にステップ２４０では、下地の基板を露出させるために共形メタル層をエッチングすることによって、フィーチャが基板に形成される。そして残っているフォトレジスト材料が除去される。
【００３３】
その後、シリコンベース材料をエッチングするために基板を更に処理してもよい。第二のフォトレジスト材料を堆積およびパターンエッチングして（ステップ２５０）基板を露出させ、基板のシリコンベース材料にエッチングのための準備がなされる。次に基板はＤＰＳ処理チャンバへ移送され、そこで、フルオロカーボンガスを有する処理ガスが処理チャンバへ導入されてプラズマが生成されるので、基板の露出されたシリコンベース材料がエッチングされる（ステップ２６０）。基板のシリコンベース材料のエッチングについては、本発明の特徴に矛盾しない範囲での引用によって本明細書に盛り込まれる同時係属中の特許出願（出願第０９／６２５，３１３号、発明の名称「フォトマスクをエッチングする方法および装置」、２０００年７月２５日出願）の中で十分に説明されている。
【００３４】
図３Ａ〜３Ｅはエッチングステップ前のフォトマスク構成を図示するとともに、図２で述べたプロセスも図示する。通常は光学的品質の石英材料３１０で作られる基板３００が処理チャンバへ導入される。図３Ａで示すように、クロムで作られたメタル層３２０が石英材料３１０上に堆積される。クロム層を、当該技術分野で周知の従来方法、例えば物理蒸着（ＰＶＤ）や化学的気相成長（ＣＶＤ）の各技法によって堆積させてもよい。クロム層３２０は通常、約１００と約２００ナノメートル（ｎｍ）の間の厚さまで堆積されるが、層の深さはメーカーの要件と、基板またはメタル層の材料の組成に基づいて変更してもよい。
【００３５】
図３Ｂによれば、基板３００は次に別の処理チャンバへ移送され、そこで、デュポン社DuPont de Nemours Chemical Company製の「ＲＩＳＴＯＮ」等のフォトレジスト材料３３０の層が、約２００と６００ｎｍの間の厚さまでクロム層３２０上に堆積される。フォトレジスト材料３３０は次に、従来のレーザーまたは電子ビームパターン加工装置を使用してパターンエッチングされ、クロム層３２０に形成されるフィーチャの寸法を画成するために使用されるフィーチャ３２５を形成する。
【００３６】
次に基板３００は、上記ＤＰＳ処理チャンバ１０等のエッチングチャンバへ移送され、クロム層３２０が、当該技術分野で周知のメタルエッチング技法を用いて、または開発されることになる新しいメタルエッチング技術によってエッチングされ、図３Ｃに示すように、下地の石英材料３１０を露出させるフィーチャ３３５を形成する。
【００３７】
ここに記載の水素含有フルオロカーボンガスガスを使用して基板上のメタル層をエッチングする処理例は以下の通りである。基板を支持部材１６の上に配置し、処理ガスがチャンバへ導入され、クロム層３２０をエッチングするためにプラズマが生成される。
【００３８】
処理ガスは１つ以上の水素含有フルオロカーボンガス、酸素含有ガス、塩素含有ガス、および不活性ガスを有する。処理ガスは、約５０ｓｃｃｍと約３００ｓｃｃｍの間の流量で処理チャンバへ導入される。例えば、約１００ｓｃｃｍの流量をエッチングプロセス中に用いてもよい。水素含有フルオロカーボンガスガスは、例えば、ＣＨＦ3、ＣＨ3Ｆ、ＣＨ2Ｆ2、Ｃ2ＨＦ5、Ｃ2Ｈ4Ｆ2、およびそれらの組合せを有し、約１ｓｃｃｍ〜約１５ｓｃｃｍの流量で処理チャンバへ導入される。約２ｓｃｃｍ〜約７ｓｃｃｍの流量で水素含有フルオロカーボンガスガスを処理チャンバに供給してもよい。酸素含有ガスは、例えば、酸素を有し約１０ｓｃｃｍ〜約１００ｓｃｃｍの間の流量で処理チャンバへ導入される。酸素含有ガスを、約１０ｓｃｃｍ〜約５０ｓｃｃｍの流量でチャンバへ導入してもよい。塩素含有ガス、例えば塩素は、約３０ｓｃｃｍ〜約１５０ｓｃｃｍの流量で処理チャンバへ導入される。塩素含有ガスを、約４０ｓｃｃｍ〜約１００ｓｃｃｍの流量で処理チャンバへ導入してもよい。不活性ガス、例えばヘリウムは、約３０ｓｃｃｍ〜約１００ｓｃｃｍの流量で処理チャンバへ導入される。不活性ガスを、約６０ｓｃｃｍ〜約８０ｓｃｃｍの流量で処理チャンバへ導入してもよい。
【００３９】
一般的に、処理チャンバ圧力は約２ミリＴｏｒｒ〜約２５ミリＴｏｒｒに維持される。エッチングプロセス中は、約１０ミリＴｏｒｒ〜約２０ミリＴｏｒｒのチャンバ圧力を維持してもよい。処理ガスを構成する化合物の実際の流量は、処理チャンバの容積と、要求されるエッチングの所望量に依存する。従って、ここで説明する特徴は上記流量に限定されない。
【００４０】
約２００ワット〜約７００ワットのソースＲＦ電力を誘導原コイルに加えて、エッチングプロセス中に処理ガスのプラズマを発生させるとともにこれを保持する。約５ワット〜約４０ワットのバイアス電力を基板支持体に加える。実際のソースＲＦ電力とバイアス電力のレベルは、必要なプロセス制御と、エッチングされる構造のタイプに依存する。例えば、最新のフォトエッチマスクでは、エッチングする必要があるフィーチャが小さいほど、エッチングプロセスの間中、より高度な制御を行う必要がある。より高度な制御、すなわち、必要なより高精度のエッチングプロセスは一般的に、電力レベルを制御する−通常は電力レベルを低下させる−ことでよりゆっくりしたエッチングを与えることにより実行されて、実現可能な度合のエッチングに到達する。従って、処理パラメータ、例えばここで記載した電力レベルが本発明の特徴の範囲を限定すると見なされたり解釈されたりするものではない。エッチングプロセス中、基板温度は約５０℃〜約１５０℃に維持される。更に処理チャンバ１０の側壁１５は約７０℃未満の温度に維持され、ドームは約８０℃未満の温度に維持される。」
（１ｃ）「【図１】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
（１ｄ）「【図２】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
　
　これらの記載事項を含む引用文献１全体の記載及び当業者の技術常識を総合すれば、引用文献１には、以下の発明が記載されている。
　「処理中の基板（２０）を支持する基板支持部材（１６）が処理チャンバ（１０）内に配設され、基板支持部材の少なくとも一部を導電性にするとともにプロセスバイアスカソードとして機能することができ、
　シリコンベース材料を有する基板が処理チャンバに供給されるステップ（２１０）と、クロム層を基板上に堆積させるステップ（２２０）と、
　クロム層のエッチングで使用される、(i)１つ以上の、水素含有フルオロカーボンガスガス、(ii)酸素含有ガス、および(iii)塩素含有ガスを有する処理ガスを供給するステップを有し、
　エッチングプロセス中に処理ガスのプラズマを発生させ、それを維持するため、約２００ワットと約７００ワットの間のＲＦ電力レベルを誘導原コイルに加え、
　約２００ワット以下のバイアス電力も、基板の表面に対してエッチングラジカルの指向性を高めるために基板に加えられる、
基板上のクロム層をエッチングする方法。」（以下「引用発明」という。）
　
（２）同じく原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先日前に頒布された刊行物である、上記引用文献２には、以下の事項が記載されている。
（２ａ）特許請求の範囲
「（１）所定の処理ガスをプラズマ化し、該プラズマを処理室に設けられた被処理基板に作用させて処理を行う基板処理装置において、
　前記プラズマ中のイオンを除去した後、前記被処理基板に作用させるよう構成したことを特徴とする基板処理装置。」
（２ｂ）第２頁左下欄１５行〜右下欄１行
「本発明の基板処理装置では、・・・このプラズマを処理室に輸送して、イオントラップを介して被処理基板に作用させる。したがって、被処理基板には主としてラジカルのみが作用し、イオンによるダメージを与えることがなく・・・」
（２ｃ）第３頁左上欄１行〜左下欄８行
「第１図に示すように、基板処理装置１には、上面に載置された被処理基板である半導体ウエハ２を、例えば静電チャック等により保持可能に構成されたウエハ載置台３が設けられており、このウエハ載置台３は、直径例えば２００ｍｍの中空円筒形状の処理室４内に収容されている。また、このウエハ載置台３は昇降装置３ａにより上下動可能に構成されている。なお、ウエハ載置台３は、図示しない加熱装置を備えている。
　この処理室４の上部には、処理室４より細径の中空円筒形状に形成されたプラズマ生成部５が設けられている。すなわち、処理室４の上部には、処理室４より細径例えば直径４０ｍｍとされた石英製の円管６が接続されており、この石英製の円管６の外側には、絶縁性のスペーサ７により、上下に分割される如く、一対の電極８ａ、８ｂが巻回されている。これらの電極８ａ、８ｂは、一方例えば電極８ａが整合回路９を介して高周波電源１０に接続されており、他方例えば電極８ｂが接地されている。また、円管６の上部には、ガス供給配管１１が接続されており、このガス供給配管１１は、気体流量調整器１２を介して処理ガス供給源１３に接続されている。
　・・・
　さらに、処理室４とプラズマ生成部５との間には、イオントラップ１８が設けられている。このイオントラップ１８は、導電性材料例えばアルミニウム板１８ａに多数の細孔１８ｂ（例えば直径０．２〜０．５ｍｍ）を設け、接地電位に接続して構成されている。そして、プラズマ生成部５で生成されたプラズマ中のイオンはイオントラップ１８に捕捉され、電気的に中性のラジカルのみが半導体ウエハ２に作用するよう構成されている。なお、イオントラップ１８は、メッシュ状の電極等から構成しても良い。」
　
３．対比 
　補正発明と引用発明を対比する。
（１）引用発明の「クロム層をエッチングする方法」は、補正発明の「クロム層をエッチングするための方法」に相当する。
　同様に「処理チャンバ」、「(i)１つ以上の、水素含有フルオロカーボンガスガス、(ii)酸素含有ガス、および(iii)塩素含有ガスを有する処理ガス」、「プラズマ」、「基板支持部材」及び「エッチングラジカル」は、それぞれ「エッチングチャンバ」又は「処理チャンバ」、「少なくとも１つのハロゲン含有プロセスガス」、「プラズマ」、「基板サポート」及び「エッチングラジカル」に相当する。
（２）引用発明の「クロム層」が「堆積」した「シリコンベース材料を有する基板」は、補正発明の「クロム含有層を備える」「フィルムスタック」又は「基板」に相当する。
　ここで、引用発明のクロム層が「パターニングされた層を介して部分的に暴露された」層であること及びプラズマがイオンを含むことは、ともに当業者の技術常識に照らして自明である。
（３）これらのことより、引用発明が補正発明の「エッチングチャンバにフィルムスタックを提供するステップであって、前記フィルムスタックがパターニングされた層を介して部分的に暴露されたクロム含有層を備えるステップ」、「少なくとも１つのハロゲン含有プロセスガスを処理チャンバに提供するステップ」、「イオンとエッチングラジカルを含む前記プロセスガスからプラズマを」「形成するステップ」及び「パターニングされた層を介して暴露された前記クロム含有層をエッチングするステップ」に相当するステップを有することは明らかである。
（４）引用発明の「約２００ワット以下のバイアス電力も、基板の表面に対してエッチングラジカルの指向性を高めるために基板に加えられる」ことと、補正発明の「バイアスを印加するステップ」は、ともに「６００ワット未満の電力によって、前記処理チャンバの基板サポート上に配置された基板に対して、エッチングラジカルを指向させるバイアスを印加するステップ」である点で共通する。
　
　してみると両者は、 
　「クロム層をエッチングするための方法であって、
　エッチングチャンバにフィルムスタックを提供するステップであって、前記フィルムスタックがパターニングされた層を介して部分的に暴露されたクロム含有層を備えるステップと、
　少なくとも１つのハロゲン含有プロセスガスを処理チャンバに提供するステップと、
　イオンとエッチングラジカルを含む前記プロセスガスからプラズマを形成するステップと、
　６００ワット未満の電力によって、前記処理チャンバの基板サポート上に配置された基板に対して、エッチングラジカルを指向させるバイアスを印加するステップと、
　パターニングされた層を介して暴露された前記クロム含有層をエッチングするステップと、
を備える、方法。」
の点で一致し、次の各点で相違している。
　
（相違点１）
　補正発明が処理チャンバ内に「イオンラジカルシールド」を設け、プラズマがイオンラジカルシールドの上に形成され、エッチングラジカルを前記イオンラジカルシールドに通過させ、クロム含有層がイオンラジカルシールドの下にあるのに対して、引用発明は、そのようなイオンラジカルシールドを有さない点。
（相違点２）
　補正発明では、バイアスが複数の電力パルスであって、バイアスを印加するステップが、約１０〜約９５パーセントのデューティサイクルによってパルス電力を印加する工程と、約１〜約１０ｋＨｚの周波数でパルス電力を印加する工程とを備えるのに対して、引用発明では、どのようなバイアスを印加するのか不明な点。
　
４．判断 
　上記各相違点について検討する。
　
（相違点１について）
　引用文献２には、イオントラップによりプラズマ中のイオンを除去し、被処理基板に主としてラジカルのみが作用するエッチングを行う発明（以下「引用発明２」という。）が記載されている。
　引用発明２の「イオントラップ」は、補正発明の「イオンラジカルシールド」に相当する。
　引用発明は、エッチングラジカルによるエッチングを行うものであるから、引用発明に引用発明２のイオントラップを付加することに、格別の技術的困難性も阻害要因もない。
　その場合、引用発明が「プラズマがイオントラップ（イオンラジカルシールド）の上に形成され、エッチングラジカルを前記イオントラップ（イオンラジカルシールド）に通過させ、クロム含有層がイオントラップ（イオンラジカルシールド）の下にある」ようになることは、自明である。
　してみると、引用発明及び引用発明２に基づいて、上記相違点１に係る構成を得ることは、当業者が容易になしうる事項である。
　なお、請求人は上記ＦＡＸによる回答書（「第１　手続の経緯」参照）で、「イオンラジカルシールドは、引用発明２のイオントラップとは異なる」旨主張している。
　しかしながら、請求人の上記主張の根拠となる上記回答書の「イオンラジカルシールドは、空中に浮いており、プラズマにより自己帯電され、エッチング表面でのラジカルに対する制御された割合のイオンを生成しています。イオンは自己帯電に基づいてはじかれます。」との主張は、本願明細書の段落【００３８】の「イオンラジカルシールド１２７がある実施形態において、プラズマからの電子はプレート１３１にぶつかって、イオンラジカルシールド１２７の表面上に電位を形成する。この電位はプラズマにあるイオンを引き付けて、アパーチャ１２９から下部プロセス容積１８２に通過するイオン数を制限する。プラズマの中性ラジカルはイオンラジカルシールド１２７のアパーチャ１２９から下部プロセス容積１８０に通過する。」の記載と明らかに矛盾している。
　したがって、請求人の上記主張に基づく回答書の内容は採用できない。
（相違点２について）
　基板に対してバイアス電力を印加するエッチング方法において、プラズマ発生電源を用いてバイアス電力を生成し、そのようなバイアス電力として「約１０〜約９５パーセントのデューティサイクルを有する約１〜約１０ｋＨｚの周波数」のパルス電力を用いることは、ごく普通に行われている周知技術（特開２００３−２８２５４７号公報参照）である。
　引用発明はプラズマ発生電源としてＲＦ電力を用いており、該電力に変えて上記の周知のパルス電力を用いることにより、上記相違点２に係る構成を採用することは、当業者が容易になしうる事項である。
　
　そして、補正発明全体の効果も、引用発明、引用発明２及び周知技術から当業者が予測し得る範囲のものであって格別なものではない。
　
　したがって、補正発明は、引用発明、引用発明２及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
５．小括 
　以上のとおり、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項の規定において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 
　よって、上記［補正の却下の決定の結論］のとおり、決定する。
 　
第３　本願発明について 
　平成２４年７月３日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の特許請求の範囲の請求項１に係る発明は、平成２３年１１月１６日付けの誤訳訂正書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。
「クロム層をエッチングするための方法であって、
　エッチングチャンバにフィルムスタックを提供するステップであって、前記フィルムスタックがパターニングされた層を介して部分的に暴露されたクロム含有層を備えるステップと、
　少なくとも１つのハロゲン含有プロセスガスを処理チャンバに提供するステップと、
　イオンとエッチングラジカルを含む前記プロセスガスからプラズマを前記処理チャンバ内に設けられたイオンラジカルシールドの上に形成するステップと、
　６００ワット未満の複数の電力パルスによって、前記処理チャンバの基板サポート上に配置された基板に対して、エッチングラジカルに前記イオンラジカルシールドを通過させるバイアスを印加するステップと、
　前記イオンラジカルシールドの下の、パターニングされた層を介して暴露された前記クロム含有層をエッチングするステップと、
を備える、方法。」（以下「本願発明」という。）
　
１．引用刊行物
　原査定に引用され、本願の優先日前に頒布された刊行物及びその記載内容は、前記「第２」の「２．」に記載したとおりである。
　
２．対比
　本願発明は、前記「第２」で検討した補正発明から、「バイアスを印加するステップが、
　約１０〜約９５パーセントのデューティサイクルによってパルス電力を印加する工程と、約１〜約１０ｋＨｚの周波数でパルス電力を印加する工程とを備える、」という構成を削除したものである。
　そうすると、本願発明の発明特定事項をすべて含み、更に限定したものに相当する補正発明が、前記「第２」の「４．」に記載したとおり、引用発明、引用発明２及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、引用発明、引用発明２及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
第５　むすび 
　以上のとおり、本願発明は、引用発明、引用発明２及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は、拒絶されるべきものである。 
　よって、結論のとおり審決する。