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　特願２００７−　２８６１７「ＧａＮ系ＬＥＤチップ」拒絶査定不服審判事件〔平成２０年　８月２１日出願公開、特開２００８−１９３００６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
　
１　手続の経緯
　本願は、平成１９年２月７日の出願であって、平成２４年１月１９日付けで手続補正がなされたが、同年８月３０日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年１０月１５日に拒絶査定不服審判請求がなされたものである。
　
２　本願発明
　本願の請求項に係る発明は、平成２４年１月１９日付け手続補正後の特許請求の範囲の請求項１ないし１１に記載された事項により特定されるものであるところ、請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次のとおりのものである。
「導電性基板と、該導電性基板の一方の面上に積層された第１導電型層、発光層および第２導電型層を含む複数のＧａＮ系半導体層と、を含む透光性の板状体を備え、前記板状体は底面および上面を有し、前記板状体の上面側を発光観測面とするＧａＮ系ＬＥＤチップにおいて、
　前記板状体の底面上には、２個以上の底面側パッド電極が形成され、
　前記板状体の上面上には、ひとつ以上の上面側パッド電極が形成され、
　前記底面側パッド電極が発光層側パッド電極であり、前記上面側パッド電極が基板側パッド電極であり、
　前記板状体の面積に対する前記底面側パッド電極の総面積の比率である第１面積比と、前記板状体の面積に対する前記上面側パッド電極の総面積の比率である第２面積比とが、いずれも５０％未満である、ことを特徴とするＧａＮ系ＬＥＤチップ。」
　
３　刊行物及び引用発明
（１）引用文献
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願前に頒布された刊行物である、特開平１１−３１７５４６号公報（以下「引用文献」という。）には、以下の記載がある（下線は、当審にて付した。）。
ア　「【請求項９】
第１導電型半導体基板と、この第１導電型半導体基板の第１の主面上に設けられ有機金属気相成長法又はＭＢＥ法を用いて順に形成された第１導電型半導体層、発光層および第２導電型半導体層を有する半導体積層構造と、前記第１導電型半導体基板側の第２の主面上に形成された第１の電極と、前記第２導電型半導体層の上に形成された第２の電極と、を少なくとも備えた半導体発光素子と、この半導体発光素子を導通搭載するリードフレームまたは基板等の搭載面とを備えた半導体発光装置であって、前記第１導電型半導体基板側が主光取出し面側であって、前記半導体積層構造側が前記搭載面側となる姿勢として、前記半導体発光素子を前記搭載面に搭載した
半導体発光装置。」
　
イ　「【００１０】半導体発光素子２２は、例えばＧａＰ系，ＧａＡｓＰ系の場合は、ｎ型半導体基板２２ａが用いられ、その上にｎ型半導体層２２ｂ及びｐ型半導体層２２ｃがエピタキシャル成長により順次積層形成される。発光層は、ｐ−ｎ接合域２２ｄである。ｎ型半導体基板２２ａは導電性であって、その下面には複数のドット形状のｎ電極２２ａ−１が形成され、ｐ型半導体層２２ｃの上面には中央に１つドット形状のｐ電極２２ｂ−１が形成され、このｐ電極２２ｂ−１にワイヤ２３がボンディングされている。・・・
【００１６】【発明が解決しようとする課題】・・・
【００１９】ここで、光の取り出しについて生じる問題点は次のとおりである。・・・
【００２２】また、ｐ−ｎ接合域２２ｄから下に向かう光は、マウント部２１ｂを反射面としておけばこの部分から主光取出し面側に反射させることができる。ところが、ｎ型半導体基板２２ａの下面には複数の金属のｎ電極２２ａ−１があり、半導体層とこの電極との界面は合金層が形成されており、この合金層は光を吸収するため、これらのｎ電極２２ａ−１が占める面積に比例して光の吸収量が多くなる。」
　
ウ　「【００４１】図１は本発明の半導体発光装置の要部を示す拡大図である。図示の例は、図７及び図８に示したＬＥＤランプのリードフレームのリード２１ａのマウント部２１ｂに発光素子を搭載したものとして示す。
【００４２】図１において、発光素子１は、ＧａＰ系，ＧａＡｓＰ系，ＧａＮ系の化合物半導体を利用したもので、透明のｎ型半導体基板２に透明または光透過性のｎ型半導体層３とｐ型半導体層４とを積層し、これらによるｐ−ｎ接合域を発光層５としたものである。すなわち、ｎ型半導体基板２はｎ型半導体層３の積層面を第１の主面とするとともに、図示の姿勢において上面を第２の主面としてこの第２の主面の表面にドット形式の１個のｎ電極２ａを形成し、ｐ型半導体層４の表面には複数のｐ電極４ａを同様にドット形式のものとして形成している。そして、図８で示した従来構造のものを上下反転させて、ｎ型半導体基板２が上側であって発光層５がその下側となる姿勢としてマウント部２１ｂの上に搭載するものとし、これにより発光層５を下側に偏らせた配置とすることができる。」
　
エ　「【００５５】図３は図１の例におけるｎ電極２ａ及び図２の例におけるｎ電極２ａ及びｐ電極４ａの好適な例を示す平面図である。
【００５６】図３の例におけるｎまたはｐの電極２ａ，４ａは、その平面形状が円形であって直径を１０μｍ以上でかつ１５０μｍ以下としたものである。・・・
【００５８】このようなｎ電極２ａ及びｐ電極４ａの形状や大きさとすることによって、発光層であるｐ−ｎ接合域への十分な電流注入が行えるとともに、発光層からの光の取り出しを妨げる面積を最小限にとどめることができる。」
　
オ　図１及び図３（ａ）は、次のものである。
　
（２）引用発明
　上記（１）によれば、引用文献には次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「第１導電型半導体基板と、この第１導電型半導体基板の第１の主面上に設けられ有機金属気相成長法又はＭＢＥ法を用いて順に形成された第１導電型半導体層、発光層および第２導電型半導体層を有する半導体積層構造と、前記第１導電型半導体基板側の第２の主面上に形成された第１の電極と、前記第２導電型半導体層の上に形成された第２の電極と、を少なくとも備えた半導体発光素子と、この半導体発光素子を導通搭載するリードフレームまたは基板等の搭載面とを備えた半導体発光装置であって、前記第１導電型半導体基板側が主光取出し面側であって、前記半導体積層構造側が前記搭載面側となる姿勢として、前記半導体発光素子を前記搭載面に搭載した半導体発光装置。」
　
４　対比・判断
（１）本願発明と引用発明を対比する。
ア　引用発明の「半導体発光装置」は、「第１導電型半導体基板と、この第１導電型半導体基板の第１の主面上に設けられ」、「順に形成された第１導電型半導体層、発光層および第２導電型半導体層を有する」ものであるところ、上記（１）ウによれば、「ＧａＮ系の化合物半導体を利用したもので、透明のｎ型半導体基板２に透明または光透過性のｎ型半導体層３とｐ型半導体層４とを積層し、これらによるｐ−ｎ接合域を発光層５としたものであ」って、「第１導電型半導体基板」、「第１導電型半導体層」及び「第２導電型半導体層」はそれぞれ「ｎ型半導体基板２」、「ｎ型半導体層３」及び「ｐ型半導体層４」に対応するから、引用発明の「半導体発光装置」は、「ＧａＮ系の化合物半導体を利用した透明の第１導電型半導体基板」及び「この第１導電型半導体基板の第１の主面上に設けられ、順に形成された第１導電型半導体層、発光層および第２導電型半導体層を有するＧａＮ系の化合物半導体を利用した透明の半導体積層構造」を備える。
　そうすると、引用発明は、本願発明の「導電性基板と、該導電性基板の一方の面上に積層された第１導電型層、発光層および第２導電型層を含む複数のＧａＮ系半導体層と、を含む透光性の板状体を備え」る点で一致する。
　
イ　引用発明の「半導体発光装置」は、「前記第１導電型半導体基板側の第２の主面上に形成された第１の電極と、前記第２導電型半導体層の上に形成された第２の電極と、を少なくとも備えた半導体発光素子」を備え、「前記第１導電型半導体基板側が主光取出し面側であ」るところ、上記（１）ウによれば、「上面を第２の主面としてこの第２の主面の表面にドット形式の１個のｎ電極２ａを形成し、ｐ型半導体層４の表面には複数のｐ電極４ａを同様にドット形式のものとして形成している」から、引用発明の「半導体発光装置」の「第１導電型半導体基板」及び「半導体積層構造」は第１の主面と第２の主面を有し、第１導電型半導体基板側の第２の主面側が主光取出し面側とし、第２の主面上に形成されたドット形式の１個の第１の電極と、第１の主面側である第２導電型半導体層の上に形成された複数のドット形式の第２の電極を備える。
　そうすると、引用発明の「第１の主面」側、「第２の主面」側、「第２の電極」及び「第１の電極」は、本願発明の「底面」、「上面」、「底面側パッド電極」及び「上面側パッド電極」に相当するから、引用発明は、本願発明の「板状体は底面および上面を有し、前記板状体の上面側を発光観測面とする」ものにおいて、「前記板状体の底面上には、２個以上の底面側パッド電極が形成され、前記板状体の上面上には、ひとつの上面側パッド電極が形成され、前記底面側パッド電極が発光層側パッド電極であり、前記上面側パッド電極が基板側パッド電極であ」る点で一致する。
　
ウ　引用発明の「半導体発光装置」は、上記（１）ウによれば、「ＬＥＤランプのリードフレームのリード２１ａのマウント部２１ｂに発光素子を搭載したもの」であって、発光素子は、「ＧａＮ系の化合物半導体を利用したもので」あるから、ＧａＮ系の化合物半導体を利用したＬＥＤランプといえる。
　そうすると、引用発明の「（ＧａＮ系の化合物半導体を利用したＬＥＤランプである）半導体発光装置」は、本願発明の「ＧａＮ系ＬＥＤチップ」に相当する。
　以上によれば両者は、
「導電性基板と、該導電性基板の一方の面上に積層された第１導電型層、発光層および第２導電型層を含む複数のＧａＮ系半導体層と、を含む透光性の板状体を備え、前記板状体は底面および上面を有し、前記板状体の上面側を発光観測面とするＧａＮ系ＬＥＤチップにおいて、
　前記板状体の底面上には、２個以上の底面側パッド電極が形成され、
　前記板状体の上面上には、ひとつの上面側パッド電極が形成され、
　前記底面側パッド電極が発光層側パッド電極であり、前記上面側パッド電極が基板側パッド電極であるＧａＮ系ＬＥＤチップ。」
である点で一致し、以下の点で相違する。
　
　本願発明では、「板状体の面積に対する前記底面側パッド電極の総面積の比率である第１面積比と、前記板状体の面積に対する前記上面側パッド電極の総面積の比率である第２面積比とが、いずれも５０％未満である」のに対して、引用発明は、具体的な「第１導電型半導体基板（透明のｎ型半導体基板）」及び「半導体層積層構造」の面積に対するｎ電極ないしｐ電極の総面積の比率である面積比が明らかではない点（以下「相違点」という。）。
　
（２）判断
　上記相違点について検討する。
　引用発明の「ｎ電極」及び「ｐ電極」に関して、引用発明では、上記３（１）イによれば、「発明が解決しようとする課題」として、「ｎ型半導体基板２２ａの下面には複数の金属のｎ電極２２ａ−１があり、半導体層とこの電極との界面は合金層が形成されており、この合金層は光を吸収するため、これらのｎ電極２２ａ−１が占める面積に比例して光の吸収量が多くなる」ことが「光の取り出しについて生じる問題点」であるとされ、上記３（１）エによれば、「発光層であるｐ−ｎ接合域への十分な電流注入が行えるとともに、発光層からの光の取り出しを妨げる面積を最小限にとどめることができる」ような「ｎ電極２ａ及びｐ電極４ａの形状や大きさ」とすることで上記課題を解決するものであるとされている。
　そうすると、引用発明は、「ｎ電極が占める面積に比例して光の吸収量が多くなる」から、「発光層からの光の取り出しを妨げる面積を最小限にとどめることができる」ような「ｎ電極」及び「ｐ電極」の形状や大きさとすればよく、その具体的な大きさは、発明を実施するに際して、当業者が「発光層であるｐ−ｎ接合域への十分な電流注入が行えるとともに、発光層からの光の取り出しを妨げる面積を最小限にとどめることができる」範囲で適宜定めるべきものである。
　そして、その際に、第１導電型半導体基板（透明のｎ型半導体基板）及び半導体層積層構造の面積に対するｎ電極ないしｐ電極の総面積の比率である面積比を５０％未満とすることに格別の困難性はなく、また、このような面積比とすることによる効果は、当業者が予測し得る程度のものである。
　したがって、引用発明において、第１導電型半導体基板（透明のｎ型半導体基板）及び半導体層積層構造の面積に対するｎ電極ないしｐ電極の総面積の比率である面積比を適宜（５０％未満）のものとなし、本願発明における上記相違点の構成とすることは、当業者が容易になし得たことである。
　
（３）請求人の主張について
　請求人は、平成２４年１０月１５日付けの審判請求書において、
「（ア）板状体（導電性基板と、該導電性基板の一方の面上に積層された第１導電型層、発光層および第２導電型層を含む複数のＧａＮ系半導体層と、を含む透光性の板状体）の底面（発光観測面とは反対側の面）上に形成された底面側パッド電極の総面積が、該板状体の面積の５０％以下である。・・・
　上記（ア）の構成によって底面側パッド電極による光吸収が抑制されるので、本願発明に係るＧａＮ系ＬＥＤチップは発光出力に優れたものとなります（本願明細書の段落［００１１］）。・・・引用文献１（特開平１１−３１７５４６号公報）の段落００４２で言及されている発光素子（図１に記載された「発光素子１」）は、本願発明の・・・（ア）の構成を備えていません。
　このような引用文献１からは、底面側パッド電極の総面積は減らしつつも、その数は２個以上確保するという、本願発明の技術思想を読み取ることができません。」と主張する。
　しかしながら、引用発明の底面側パッド電極（ｐ電極）の数は、引用文献の記載によれば、複数であるから２個以上であって、その上で「発光層からの光の取り出しを妨げる面積を最小限にとどめることができる」範囲で当業者が適宜定めるものであるから、引用発明は請求人主張に係る「本願発明の技術思想」を備えるものといえる。
　
５　むすび
　以上の検討によれば、本願発明は、引用発明及び引用文献の記載に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができないものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。