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　特願２００７−１８６７７６「フラットパネルディテクター」拒絶査定不服審判事件〔平成２１年　２月　５日出願公開、特開２００９−　２５０７５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１９年７月１８日の出願であって、平成２２年８月１７日付けで拒絶理由が通知され、同年１０月１９日付けで意見書が提出されるとともに、同日付けで手続補正書が提出され、同年１２月２１日付けで拒絶査定がなされた。これに対して、平成２３年４月７日に拒絶査定に対する審判請求がなされ、同時に手続補正がなされたものである。
　その後、前置審査において、同年６月２４日付けで拒絶理由が通知され、同年８月２４日付けで意見書が提出されるとともに、同日付で手続補正書が提出され、平成２４年３月３０日付けで前置報告がなされ、平成２４年６月１５日付けで、審判請求人に前置報告の内容を示し意見を求めるための審尋を行ったところ、同年８月２０日付けで回答書が提出された。
　さらにその後、同年１０月３日付けで当審において拒絶理由（最後）を通知したところ、同年１２月１０日付けで意見書が提出されるとともに、同日付けで手続補正書が提出された。
　
第２　本願発明について
１．本願発明
　平成２４年１２月１０日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）により、本願の本件補正前の請求項１、２及び３をこの順に引用する請求項４が、新たな請求項１として、引用形式請求項を独立形式請求項に換えて、以下のように補正された。（なお、本件補正後の特許請求の範囲は請求項１のみであるから、本件補正による特許請求の範囲についてする補正は、特許法第１７条の２第５項第１号に掲げる第３６条第５項に規定する請求項の削除を目的とするものであると認める。）
　すると、本願の特許請求の範囲の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、本件補正により補正された、本願の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。
　
「放射線透過性のポリイミド樹脂基板と、前記ポリイミド樹脂基板に放射線が照射されることにより光を発するＴｌを含むＣｓＩ蛍光体層と、前記ポリイミド樹脂基板と前記蛍光体層との間に形成され前記蛍光体層からの光を反射する反射層とを有し、
　前記反射層が２層以上の誘電体多層膜の、金属反射膜に比べ高反射コーティングにより構成されており、且つ、４００〜７００ｎｍの光を選択的に反射する
放射線用シンチレータパネル
を用いたことを特徴とするフラットパネルディテクター。」
　
２．引用刊行物
　当審で通知した拒絶の理由に引用され、本願の出願前に頒布された刊行物である、国際公開第０２／２３２１９号（以下「引用文献１」という。）には、以下の事項が記載されている。（下線は当審が付した。）
　
（ａ）「発明を実施するための最良の形態
　以下、添付図面を参照して本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。説明の理解を容易にするため、各図面において同一の構成要素に対しては可能な限り同一の参照番号を附し、重複する説明は省略する。
　図１は、本発明に係るシンチレータパネルの第１の実施形態を示す縦断面図である。
シンチレータパネル１は、耐熱性を有する放射線透過基板としてのパイレックスガラス基板５と、パイレックスガラス基板５上に形成された誘電体多層膜ミラー６と、誘電体多層膜ミラー６上に形成された剥離防止層としてのポリイミド層７と、ポリイミド層７上に形成され、パイレックスガラス基板５に入射され誘電体多層膜ミラー６及び剥離防止層７を通過した放射線３０を光に変換して発生させるシンチレータ１０とを備えている。
誘電体多層膜ミラー６には、例えば、互いに光屈折率が異なるＴｉＯ
２
とＳｉＯ
２
とが交互に複数回繰り返して積層された多層膜が使用され、シンチレータ１０で発生した光を反射し増幅する光反射膜として作用する。シンチレータ１０には例えば、ＴｌドープのＣｓＩが使用される。
　柱状結晶が複数林立した構造を有するシンチレータを形成する場合、シンチレータを固定支持する基体が必要となるが、本実施形態では、シンチレータ１０を固定支持する基体としてパイレックスガラス基板５が使用されている。撮像素子を基体としてシンチレータ１０を形成することも可能であるが、この場合、撮像素子は、シンチレータ１０を形成する際、さらには誘電体多層膜ミラー６を形成する際に熱を繰り返し受けることになり、ダメージが与えられる結果となる。本実施形態では、シンチレータ１０はパイレックスガラス基板５に対して形成されるため、このような不具合は解消されている。また、このパイレックスガラス基板５は耐熱性を有するため３００℃近い高温での蒸着が可能で、これにより、誘電体多層膜ミラー６は反射率の高い状態に形成することが可能となっている。
　また、誘電体多層膜は耐腐食性に優れるため、金属膜のようにシンチレータ１０と反応して腐食するということがない。金属膜の場合の腐食は、シンチレータパネル内部に侵入した水分を介してＣｓＩ中のＴｌが金属膜を侵すと考えられ、水分をパネル内部に入り込ませないように構造を工夫する必要があったが、本実施形態では耐腐食性の強い誘電体多層膜ミラー６を使用しているため、この必要性がなくなっている。　
　さらに、誘電体多層膜ミラー６とシンチレータ１０との間には剥離防止層としてのポリイミド層７が設けられているため、シンチレータ１０の厚みを増すと（特に４００μｍ以上）発生する虞のあるシンチレータ１０の誘電体多層膜６からの剥離が防止されている。
　次に、このシンチレータパネル１の製造工程について述べる。まず、放射線透過基板５として２０ｃｍ角０．５ｍｍ厚のパイレックスガラス基板５を準備する（図２Ａ参照）。し、このパイレックス基板５上にＴｉＯ２６１、６３…６４１及びＳｉＯ２６２、６４…６４２を真空蒸着法で交互に繰り返し積層し（図２Ｂ、図２Ｃ参照）、合計４２層（合計約４μｍ）からなる誘電体多層膜ミラー６を成膜する（図２Ｄ参照）。各膜厚を制御することで誘電体多層膜ミラー６全体として所定の波長域に対して所定の反射率を確保することが可能である。
　放射線透過基板５としては、パイレックスガラス基板の他、アモルファスカーボン板あるいはアルミニウム板でもよい。アルミニウム板の場合は、ガラスビーズ（＃１５００）を用いてサンドブラスト処理を施し、アルミニウム表面の圧延筋を取り除いた後、誘電体多層膜ミラー６を成膜する。誘電体多層膜ミラー６上には、剥離防止層７として透明度の高いポリイミド層（例　日産化学製　型名RN-812）をスピンコートで硬化後、膜厚で１μｍコートする（図２Ｅ参照）。その後、ポリイミド層７上に、シンチレータ１０として厚さ３００μｍのＣｓＩの柱状結晶を蒸着法により形成する（図２Ｆ参照）。そして、ＣｓＩ表面の異物、異常成長部を平坦にするため、ＣｓＩ表面にガラス板を載せ、１気圧の力で圧力をかける。最後に、ＣＶＤ法により、保護膜として厚さ１０μｍのポリパラキシリレン膜１２を形成して全体を覆い、図１に示されるシンチレータパネル１が形成される。
　なお、３０ｃｍ角以上の大面積を有するシンチレータパネル１を形成する場合には、形成するポリイミド層７の厚さを１μｍとし、コートする方法としてスクリーン印刷法を採用する。また、大型化に伴い輝度を向上させるためシンチレータ１０の厚さも５００μｍとする。
　図３は、本発明に係る放射線イメージセンサ２の縦断面図である。
この放射線イメージセンサ２は、図１に示されたシンチレータパネル１のシンチレータ１０に対して、撮像素子２０を対向配置した状態で組み合わせることで構成されている。
（ｂ）「
　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 」
（ｃ）「
　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 」
（ｄ）「
　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 」
　
　すると、上記引用文献１の記載事項から、引用文献１には、以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。
　
「耐熱性を有する放射線透過基板としてのパイレックスガラス基板５と、パイレックスガラス基板５上に互いに光屈折率が異なるＴｉＯ２とＳｉＯ２とが交互に複数回繰り返して積層された誘電体多層膜ミラー６と、誘電体多層膜ミラー６上に形成された剥離防止層としてのポリイミド層７と、ポリイミド層７上に形成され、パイレックスガラス基板５に入射され誘電体多層膜ミラー６及び剥離防止層７を通過した放射線３０を光に変換して発生させるＴｌドープのＣｓＩを使用したシンチレータ１０とを備えたシンチレータパネル１のシンチレータ１０に対して、撮像素子２０を対向配置した状態で組み合わせることで構成された放射線イメージセンサ２。」
　
３．対比
（１）本願発明と引用発明との対比
（ａ）引用発明の「耐熱性を有する放射線透過基板としてのパイレックスガラス基板５」と、本願発明の「放射線透過性のポリイミド樹脂基板」とは、「放射線透過性の基板」である点で一致する。
（ｂ）引用発明の「パイレックスガラス基板５に入射され誘電体多層膜ミラー６及び剥離防止層７を通過した放射線３０を光に変換して発生させるＴlドープのＣｓＩを使用したシンチレータ１０」と、本願発明の「前記ポリイミド樹脂基板に放射線が照射されることにより光を発するＴｌを含むＣｓＩ蛍光体層」とは、「基板に放射線が照射されることにより光を発するＴｌを含むＣｓＩ蛍光体層」である点で一致する。
（ｃ）引用発明の「パイレックスガラス基板５上に互いに光屈折率が異なるＴｉＯ２とＳｉＯ２とが交互に複数回繰り返して積層された誘電体多層膜ミラー６」は、「シンチレータ１０」が「誘電体多層膜ミラー６上に形成された剥離防止層としてのポリイミド層７と、ポリイミド層７上に形成され」ていることから、「パイレックスガラス基板５」と「シンチレータ１０」との間に形成されていることは明らかであるから、引用発明の「パイレックスガラス基板５上に互いに光屈折率が異なるＴｉＯ２とＳｉＯ２とが交互に複数回繰り返して積層された誘電体多層膜ミラー６」と、本願発明の「前記ポリイミド樹脂基板と前記蛍光体層との間に形成され前記蛍光体層からの光を反射する反射層とを有し、前記反射層が２層以上の誘電体多層膜」である構成とは、「基板と蛍光体層との間に形成され蛍光体層からの光を反射する反射層とを有し、前記反射層が２層以上の誘電体多層膜」である構成である点で一致する。
（ｄ）引用発明の「シンチレータパネル１のシンチレータ１０に対して、撮像素子２０を対向配置した状態で組み合わせることで構成された放射線イメージセンサ２」は、本願発明の「放射線用シンチレータパネルを用いた」「フラットパネルディテクター」に相当する。
　
（２）一致点
　してみると、両者は、
「放射線透過性の基板と、基板に放射線が照射されることにより光を発するＴｌを含むＣｓＩ蛍光体層と、基板と蛍光体層との間に形成され蛍光体層からの光を反射する反射層とを有し、
　前記反射層が２層以上の誘電体多層膜である
放射線用シンチレータパネル
を用いたフラットパネルディテクター。」
で一致し、次の各点で相違する。
　
（３）相違点
（イ）「放射線透過性の基板」が、本願発明では「ポリイミド樹脂基板」であるのに対して、引用発明では「パイレックスガラス基板５」である点。
（ロ）「反射層」が、本願発明では「金属反射膜に比べ高反射コーティングにより構成されて」いるのに対して、引用発明ではそのような特定がない点。
（ハ）「反射層」が、本願発明では「４００〜７００ｎｍの光を選択的に反射する」のに対して、引用発明ではそのような特定がない点。
　
４．判断
（１）上記相違点（イ）について検討する。
　放射線用シンチレータパネルにおいて、基板の材料として、ポリイミド樹脂、パイレックスガラスを含む耐熱ガラスを使用することは、いずれも、特開２００６−３３７１８４号公報（特に、段落【００１９】参照）、特開２００４−３９５５号公報（特に、段落【００３３】参照）に基板の材料として例示されているように周知技術であるから、引用発明の「パイレックスガラス基板５」をポリイミド樹脂基板とすることは、当業者が容易になし得ることである。
　
（２）上記相違点（ロ）について検討する。
　誘電体多層膜を１００％に近い高い反射率を有するように形成できることは技術常識であり、また、引用発明において「誘電体多層膜ミラー６」の反射率は高い方が好ましいことは自明であるから、引用発明の「誘電体多層膜ミラー６」を金属反射膜に比べ高反射とするよう形成することは、当業者が容易になし得ることである。
　
（３）上記相違点（ハ）について検討する。
　誘電体多層膜は反射する光の波長領域を種々設計できるものであるところ、引用発明の「誘電体多層膜ミラー６」は「シンチレータ１０」から発生される光を反射するためのものであるから、「誘電体多層膜ミラー６」の反射光の波長領域を設計する際、「シンチレータ１０」から放射される光の波長領域の光を選択的に反射するように設計することは、当業者であれば当然に行うことにすぎない。 
　そして、「ＴｌドープのＣｓＩを使用したシンチレータ１０」を備える引用発明の「誘電体多層膜反射ミラー６」において、ＴｌドープのＣｓＩの放射光が５５０ｎｍ付近を最大発光波長とする３５０〜７００ｎｍ程度の領域の波長の光であること、及び、本願発明の４００ｎｍという下限値に臨界的意味がないことを考慮すれば、引用発明の「誘電体多層膜ミラー６」を４００〜７００ｎｍの波長領域の光を選択的に反射するように設計することは当業者が容易になし得ることである。 
　
　そして、本願発明が奏し得る効果は、引用発明、周知技術及び技術常識から当業者が予測し得る程度のものである。
　
　すると、本願発明は、引用発明、周知技術及び技術常識に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
５．むすび
　したがって、本願発明は、引用発明、周知技術及び技術常識に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、本願は拒絶されるべきものである。
　よって結論のとおり審決する。