(57)【要約】情報の記録・再生のためにスポット状に照射される光のトラッキング用の案内溝を有する基板（１）上に記録層（２）及び光透過層（３）が設けられており、光透過層（３）の側から記録層（２）に対してスポット光を照射して、案内溝内部（Ｇ）に対応する記録層の第１の部分（Ｇ’）および互いに隣接する案内溝間平坦部（Ｌ）に対応する記録層の第２の部分（Ｌ’）の両方に記録を行う。光の波長をλとし、波長λにおける光透過層（３）の屈折率をｎｆとした場合に、記録層（２）の光透過層側の面における第２の部分（Ｌ’）に対する第１の部分（Ｇ’）の深さｄがλ／５．８ｎｆ≦ｄ≦λ／５ｎｆの関係を満足する。記録層（２）は記録後に記録前より反射率が大きくなる。
2003085658.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スポット状に光を照射することで情報の記録・再生がなされ、前記スポット状の光のトラッキング用の案内溝を有する基板上に少なくとも記録層及び光透過層がこの順に設けられており、前記光透過層の側から前記記録層に対してスポット状に前記光を照射して、前記案内溝の内部に対応する前記記録層の第１の部分および互いに隣接する前記案内溝間の平坦部に対応する前記記録層の第２の部分の両方に記録を行う光学的情報記録媒体であって、
前記光の波長をλとし、該波長λにおける前記光透過層の屈折率をｎｆとした場合に、前記記録層の前記光透過層の側の面における前記第２の部分に対する前記第１の部分の深さｄがλ／５．８ｎｆ≦ｄ≦λ／５ｎｆの関係を満足しており、前記記録層は記録を行うことで記録を行う前より反射率が大きくなることを特徴とする光学的情報記録媒体。
【請求項２】
前記深さｄは前記案内溝間平坦部に対する前記案内溝内部の深さと実質上同一であることを特徴とする、請求項１に記載の光学的情報記録媒体。
【請求項３】
前記基板と前記記録層との間には誘電体層が存在することを特徴とする、請求項１に記載の光学的情報記録媒体。
【請求項４】
前記基板と前記誘電体層との間には反射膜が存在することを特徴とする、請求項３に記載の光学的情報記録媒体。
【請求項５】
前記記録層と前記光透過層との間には誘電体層が存在することを特徴とする、請求項１に記載の光学的情報記録媒体。
【請求項６】
スポット状に光を照射することで情報の記録・再生がなされ、前記スポット状の光のトラッキング用の案内溝を有する基板上に少なくとも記録層が設けられており、前記基板の側から前記記録層に対してスポット状に前記光を照射して、前記案内溝の内部に対応する前記記録層の第１の部分および互いに隣接する前記案内溝間の平坦部に対応する前記記録層の第２の部分の両方に記録を行う光学的情報記録媒体であって、
前記光の波長をλとし、該波長λにおける前記基板の屈折率をｎｓとした場合に、前記記録層の前記基板の側の面における前記第１の部分に対する前記第２の部分の深さＤがλ／５．８ｎｓ≦Ｄ≦λ／５ｎｓの関係を満足しており、前記記録層は記録を行うことで記録を行う前より反射率が大きくなることを特徴とする光学的情報記録媒体。
【請求項７】
前記深さＤは前記案内溝間の平坦部に対する前記案内溝の内部の深さと実質上同一であることを特徴とする、請求項６に記載の光学的情報記録媒体。
【請求項８】
前記記録層の前記基板と反対の側には反射膜が存在することを特徴とする、請求項６に記載の光学的情報記録媒体。
【請求項９】
前記基板と前記記録層との間には誘電体層が存在することを特徴とする、請求項６に記載の光学的情報記録媒体。
【請求項１０】
スポット状に光を照射することで情報の記録・再生がなされ、前記スポット状の光のトラッキング用の案内溝を有する基板上に少なくとも記録層が設けられており、前記案内溝の内部に対応する前記記録層の第１の部分および互いに隣接する前記案内溝間の平坦部に対応する前記記録層の第２の部分の両方に記録を行う光学的情報記録媒体であって、
前記案内溝と前記案内溝間平坦部との交互配置の形成されていない非記録領域に光を照射した時の反射光量をＩ１とし、同一条件で情報未記録状態の前記案内溝内部に対応する部分及び前記案内溝間平坦部に対応する部分に光を照射した時の反射光量をそれぞれＩ２及びＩ３として、Ｒ＝０．５（Ｉ２＋Ｉ３）／Ｉ１の値が０．５５〜０．７であり、前記記録層は記録を行うことで記録を行う前より反射率が大きくなることを特徴とする光学的情報記録媒体。
【請求項１１】
前記基板と前記記録層との間には誘電体層が存在することを特徴とする、請求項１０に記載の光学的情報記録媒体。
【請求項１２】
前記基板と前記誘電体層との間には反射膜が存在することを特徴とする、請求項１１に記載の光学的情報記録媒体。
【請求項１３】
前記記録層の前記基板と反対の側には誘電体層が存在することを特徴とする、請求項１０に記載の光学的情報記録媒体。
【請求項１４】
前記誘電体層の前記記録層と反対の側には反射膜が存在することを特徴とする、請求項１３に記載の光学的情報記録媒体。
【請求項１５】
請求項１〜１４のいずれかに記載の光学的情報記録媒体の前記記録層の第１の部分及び第２の部分の両方に対してスポット状に波長３９０〜４４０ｎｍの光を開口数０．８〜０．９の対物レンズを用いて照射することで情報の記録・再生を行うことを特徴とする光学的情報記録再生方法。
【請求項１６】
請求項１〜１４のいずれかに記載の光学的情報記録媒体の前記記録層の第１の部分及び第２の部分の両方に対してスポット状に光を照射する光ヘッドを備えており、該光ヘッドは波長３９０〜４４０ｎｍの光を発する半導体レーザと、開口数０．８〜０．９の対物レンズとを有することを特徴とする光学的情報記録再生装置。
【発明の詳細な説明】
技術分野：
本発明は、レーザ光などの光を用いて情報の記録・再生がなされる光学的情報記録媒体更にはそれを用いた光学的情報記録再生方法及び光学的情報記録再生装置に関するものであり、特にトラッキング用案内溝を有する基板の表面上に設けられた記録層に対してトラッキング用案内溝内部に対応する部分及び隣接案内溝間部に対応する部分の両方に情報の記録がなされる光学的情報記録媒体並びにそれを用いた光学的情報記録再生の方法及び装置に関するものである。
背景技術：
レーザ光照射により情報の記録・再生を行うのに使用される光学的情報記録媒体として、ＭＯ（光磁気ディスク）あるいはＣＤ−Ｒ、また、ＣＤ−ＲＷ、ＤＶＤ−Ｒ、ＤＶＤ−ＲＡＭ、ＤＶＤ−ＲＷ等が一般に知られている。光学的情報記録媒体における記録の高密度化のための手段としては、基板面に略円形状に互いに平行に形成されたトラッキング用案内溝（グルーブ）の隣接するもの同士の間の平坦部（ランド）および該案内溝の内部の両方に対応する記録層部分に記録を行う、ランド／グルーブ記録が知られている（特開昭５７−５０３３０号公報、特開平９−７３６６５号公報、特開平９−１９８７１６号公報、特開平１０−６４１２０号公報等）。
また、近年、記録の高密度化の手法として、情報の記録・再生のための装置を構成する光ヘッドの対物レンズのＮＡを０．８５程度にまで高める技術が提案されている。ＮＡを高くすることでレーザ光を集光した際のビーム径を小さくすることができるのでより微小なマークを記録・再生することが可能となる。このようにＮＡを高くした場合には、従来のように０．６−１．２ｍｍ厚の支持基板側からレーザ光を照射するのではなく、光学的情報記録媒体のトラッキング用案内溝の形成された表面に厚さ０．１ｍｍ程度の光透過層を形成し、該光透過層側からレーザ光を照射して情報の記録・再生を行うことができる。
また、レーザ光源の短波長化による記録の高密度化の研究も盛んに行われている。従来ＤＶＤの記録再生で使用されている赤色の半導体レーザに比べて、波長４０５ｎｍ前後の青紫色半導体レーザを使用することで、３倍以上の高記録密度の実現が期待されている。
一方、光学的情報記録媒体の信号品質改善のためには、記録前の記録層の反射率を低くしておき、記録後の記録層の反射率が高くなるようにするＬｏｗ−ｔｏ−ｈｉｇｈ（Ｌ−Ｈ）の記録方式が有効である。これは、記録前の記録層の反射率を低くしておくことにより、変調度を高くすることができるので、従来のＤＶＤ−ＲＡＭやＤＶＤ−ＲＷで用いられている記録後の記録層の反射率が低くなるＨｉｇｈ−ｔｏ−ｌｏｗ（Ｈ−Ｌ）の記録方式に比べて、Ｃ／Ｎを高くすることができるからである。
これらの技術を組み合わせること、すなわち、信号品質の高いＬ−Ｈ方式の光学的情報記録媒体に対して、青紫色半導体レーザ等の短波長光源及び高ＮＡの光ヘッドを用いてランド／グルーブ記録を行うことで、飛躍的に記録密度を増大させることが考えられる。
ところで、ランド／グルーブ記録を行う際の大きな技術的課題の一つは、隣接トラックからの信号の漏れ込み、いわゆるクロストークである。記録密度を増大させるためにトラッキング用案内溝のピッチを小さくすると、隣接トラックに記録された情報からのクロストーク成分が大きくなるため、目的とするトラック（自己トラック）で正確に情報を再生することが困難となる。
発明の開示：
本発明の目的の１つは、短波長光源や高ＮＡの光ヘッドを用いた場合にも隣接トラックからのクロストークの抑制された高密度のランド／グルーブ記録が可能な、信号品質の高いＬ−Ｈ方式の光学的情報記録媒体を提供することにある。
また、本発明の他の目的は、そのような光学的情報記録媒体を用いて光学的情報の記録再生を行う方法及び装置を提供することにある。
本発明によれば、以上の如き目的を達成するものとして、
スポット状に光を照射することで情報の記録・再生がなされ、前記スポット状の光のトラッキング用の案内溝を有する基板上に少なくとも記録層及び光透過層がこの順に設けられており、前記光透過層の側から前記記録層に対してスポット状に前記光を照射して、前記案内溝の内部に対応する前記記録層の第１の部分および互いに隣接する前記案内溝間の平坦部に対応する前記記録層の第２の部分の両方に記録を行う光学的情報記録媒体であって、
前記光の波長をλとし、該波長λにおける前記光透過層の屈折率をｎｆとした場合に、前記記録層の前記光透過層の側の面における前記第２の部分に対する前記第１の部分の深さｄがλ／５．８ｎｆ≦ｄ≦λ／５ｎｆの関係を満足しており、前記記録層は記録を行うことで記録を行う前より反射率が大きくなることを特徴とする光学的情報記録媒体、
が提供される。
本発明の一態様においては、前記深さｄは前記案内溝間平坦部に対する前記案内溝内部の深さと実質上同一である。本発明の一態様においては、前記基板と前記記録層との間には誘電体層が存在する。本発明の一態様においては、前記基板と前記誘電体層との間には反射膜が存在する。本発明の一態様においては、前記記録層と前記光透過層との間には誘電体層が存在する。
また、本発明によれば、以上の如き目的を達成するものとして、
スポット状に光を照射することで情報の記録・再生がなされ、前記スポット状の光のトラッキング用の案内溝を有する基板上に少なくとも記録層が設けられており、前記基板の側から前記記録層に対してスポット状に前記光を照射して、前記案内溝の内部に対応する前記記録層の第１の部分および互いに隣接する前記案内溝間の平坦部に対応する前記記録層の第２の部分の両方に記録を行う光学的情報記録媒体であって、
前記光の波長をλとし、該波長λにおける前記基板の屈折率をｎｓとした場合に、前記記録層の前記基板の側の面における前記第１の部分に対する前記第２の部分の深さＤがλ／５．８ｎｓ≦Ｄ≦λ／５ｎｓの関係を満足しており、前記記録層は記録を行うことで記録を行う前より反射率が大きくなることを特徴とする光学的情報記録媒体、
が提供される。
本発明の一態様においては、前記深さＤは前記案内溝間の平坦部に対する前記案内溝の内部の深さと実質上同一である。本発明の一態様においては、前記記録層の前記基板と反対の側には反射膜が存在する。本発明の一態様においては、前記基板と前記記録層との間には誘電体層が存在する。
また、本発明によれば、以上の如き目的を達成するものとして、
スポット状に光を照射することで情報の記録・再生がなされ、前記スポット状の光のトラッキング用の案内溝を有する基板上に少なくとも記録層が設けられており、前記案内溝の内部に対応する前記記録層の第１の部分および互いに隣接する前記案内溝間の平坦部に対応する前記記録層の第２の部分の両方に記録を行う光学的情報記録媒体であって、
前記案内溝と前記案内溝間平坦部との交互配置の形成されていない非記録領域に光を照射した時の反射光量をＩ１とし、同一条件で情報未記録状態の前記案内溝内部に対応する部分及び前記案内溝間平坦部に対応する部分に光を照射した時の反射光量をそれぞれＩ２及びＩ３として、Ｒ＝０．５（Ｉ２＋Ｉ３）／Ｉ１の値が０．５５〜０．７であり、前記記録層は記録を行うことで記録を行う前より反射率が大きくなることを特徴とする光学的情報記録媒体、
が提供される。
本発明の一態様においては、前記基板と前記記録層との間には誘電体層が存在し、該基板と前記誘電体層との間には反射膜が存在してもよい。
本発明の一態様においては、前記記録層の前記基板と反対の側には誘電体層が存在し、該誘電体層の前記記録層と反対の側には反射膜が存在してもよい。
更に、本発明によれば、以上の如き目的を達成するものとして、
上記の光学的情報記録媒体の前記記録層の第１の部分及び第２の部分の両方に対してスポット状に波長３９０〜４４０ｎｍの光を開口数０．８〜０．９の対物レンズを用いて照射することで情報の記録・再生を行うことを特徴とする光学的情報記録再生方法、
が提供される。
更に、本発明によれば、以上の如き目的を達成するものとして、
上記の光学的情報記録媒体の前記記録層の第１の部分及び第２の部分の両方に対してスポット状に光を照射する光ヘッドを備えており、該光ヘッドは波長３９０〜４４０ｎｍの光を発する半導体レーザと、開口数０．８〜０．９の対物レンズとを有することを特徴とする光学的情報記録再生装置、
が提供される。
溝深さを変化させることで、ランド／グルーブ記録におけるクロストークが変化することは従来から良く知られている。本発明者は、Ｌ−Ｈ記録方式ではＨ−Ｌ記録方式に比べてクロストークを低減できる溝深さが異なることを見いだした。図６に溝深さとクロストークとの関係を示す。図６において、横軸は、レーザ光の波長をλとし、記録層に対してレーザ光が入射する側に存在する光透過層または基板の屈折率をｎとして、溝深さをλ／（ａ・ｎ）で表した場合のａの値を示しており、縦軸はクロストーク信号の振幅を示している。ａが小さいほど溝深さが深くなることに相当する。図６に示すように、クロストークを低減できる溝深さはＨ−Ｌ方式に比べてＬ−Ｈ方式の方が深くなる。しかしながら、溝深さを深くしていくと、基板のノイズが顕著に増加するようになるため、クロストークは抑制できても、目的とするトラック（自己トラック）での信号品質が低下してしまい、高密度記録を行うことができなくなる。溝深さを上記の適切な範囲に選ぶこと、即ち図６におけるａの値を５〜５．８の範囲内に設定することで、高密度記録に必要な自己トラックの信号品質を確保しつつ、隣接トラックからのクロストークを抑制し、記録容量を増加させることが可能となる。
発明を実施するための最良の形態：
以下、本発明の実施の形態を、図面を参照しながら説明する。
図１は本発明にかかる光学的情報記録媒体の一実施形態を示す部分拡大断面図である。厚さ１．２ｍｍ前後の円板状の支持基板１の表面（上面）には、基板中心の周りに略円形状に延びたトラッキング用案内溝が形成されており、互いに隣接する案内溝の間には平坦部（ランド）Ｌが形成されている。トラッキング用案内溝の内部（底部）を特にグルーブＧとする。ランドＬに対するグルーブＧの深さ（溝深さ）はＤである。ランドＬの幅とグルーブＧの幅とは典型的にはほぼ同等であり、好ましくは誤差１０％以内である。また、グルーブＧの配列ピッチは、例えば０．５〜１．２μｍである。
基板１の上面上には誘電体層４が形成されており、該誘電体層４上には光学的情報の記録される記録層２が形成されており、該記録層２上には誘電体層５が形成されており、該誘電体層５上には屈折率ｎｆの光透過層３が形成されている。光透過層３側からレーザ光ＬＢを照射して、記録層２に対する情報の記録・再生が行われる。基板１には、ポリカーボネート（ＰＣ）やアルミニウム（Ａｌ）などの材料を用いることができる。光透過層２は、厚さ０．１ｍｍ程度であり、ＰＣのフィルムを紫外線硬化樹脂等により接着したものでもよく、また、厚さ０．１ｍｍ程度の紫外線硬化樹脂からなる層でもよい。ＰＣのフィルムを接着した場合には、ＰＣフィルムの厚さが紫外線硬化樹脂接着層の厚さに比べて非常に大きいので、光透過層３の屈折率ｎｆとしてＰＣフィルムの屈折率を用いることができる。
記録層２としては、レーザ光照射により光学的な反射率や位相が変化する材料、例えば、ＧｅＳｂＴｅ等の公知の相変化型の記録材料や公知のフォトリフラクティブ材料等を用いることができる。記録層２は基板１の表面のランド−グルーブ形状に対応した凹凸形状を有しており、基板グルーブＧに対応する部分（即ち第１の部分）Ｇ’及び基板ランドＬに対応する部分（即ち第２の部分）Ｌ’が形成されている。記録層２の上面において、ランド対応部分Ｌ’に対するグルーブ対応部分Ｇ’の深さ（溝深さ）はｄである。典型的には、記録層２の厚さはランド対応部分Ｌ’とグルーブ対応部分Ｇ’とで同一であり、さらに誘電体層４，５のそれぞれの厚さも同様にランドに対応する部分とグルーブに対応する部分とで同一であるので、上記溝深さｄはほぼＤに等しい。ここで、溝深さｄは、照射レーザ光の波長をλとして、λ／５．８ｎｆ≦ｄ≦λ／５ｎｆが成り立つように選ばれている。記録層２の厚さは、例えば１０〜３０ｎｍ好ましくは１０〜２０ｎｍである。誘電体層４，５は、保護層としての機能の外に、これらを含めた層構成（誘電体層４，５の厚さを含む）を適宜設定することでＬ−Ｈ記録方式の記録媒体を実現することに資するという機能をも有する。
必要に応じて、基板１の上面には誘電体層４との間に反射膜としての金属層を付与してもよい。
情報の記録・再生は、記録層２のグルーブ対応部分Ｇ’及びランド対応部分Ｌ’の両方に対して、Ｌ−Ｈ記録方式で行われる。Ｌ−Ｈ記録方式の実現のためには、各層及びそれらの膜厚その他の層構成を公知の設計方法に従って適宜設定する。
図２は、以上のような光学的情報記録媒体に対する情報記録再生の方法及び装置の実施形態の説明のための模式図である。光学的情報記録媒体１０は、その中心を通る上下方向の回転中心の周りで回転する。記録媒体１０の上方には、記録再生装置を構成する光ヘッド２０が配置されている。光ヘッド２０において、光源としての半導体レーザ２１から発せられるレーザ光はコリメートレンズ２２及び対物レンズ２３を経て記録媒体１０の記録層２のグルーブ対応部分Ｇ’またはランド対応部分Ｌ’にスポット状に照射される。記録媒体１０からの反射光は、対物レンズ２３及びビームスプリッタ２４を経て光検出系２５へと到達する。該光検出系２５により再生信号やトラッキング信号などが得られる。半導体レーザ２１から照射されるレーザ光の波長λは、例えば３９０〜６８０ｎｍ、好ましくは３９０〜４４０ｎｍである。対物レンズ２３としては、開口数（ＮＡ）の大きな例えば０．６〜０．９、好ましくは０．８〜０．９のものを使用する。
なお、本発明は、光透過層３の側からレーザ光を照射するものに限定されず、基板１の側からレーザ光を照射するものであってもよい。この場合には、基板１として光透過性ものものを用いる。上記のように典型的には誘電体層４の厚さはランドＬに対応する部分とグルーブＧに対応する部分とで同一であるので、記録層２の下面において、グルーブ対応部分Ｇ’に対するランド対応部分Ｌ’の深さ（溝深さ）はほぼＤである。溝深さＤは、照射レーザ光の波長をλとし、基板１の屈折率をｎｓとして、λ／５．８ｎｓ≦Ｄ≦λ／５ｎｓが成り立つように選ばれる。また、反射層を形成する場合には、記録層２の上側に誘電体層５を介して配置される。この場合も、情報の記録・再生は、記録層２のグルーブ対応部分Ｇ’及びランド対応部分Ｌ’の両方に対して、Ｌ−Ｈ記録方式で行われる。
次に、本発明の更に別の実施形態につき説明する。上記実施形態では溝深さと光透過層または基板の屈折率との関係を特定しているが、本実施形態では記録媒体の複数の所定箇所での照射光の反射光量の関係を特定する。これによっても、良好なジッタ特性の記録再生を行うことが可能である。
具体的には、本実施形態では、記録媒体１０の図１に示されているようなランド−グルーブの交互配置の構造が形成されている情報記録領域と同等の層構成を有し但し該ランド−グルーブの交互配置がなく光ビームスポット径に比べて十分に広い領域で一様な平坦部の形成されている非記録領域（たとえば情報記録領域に対して径方向に内側または外側に位置する領域）の記録層にレーザ光をスポット照射した時の反射光量をＩ１とし、同一条件で情報未記録状態の情報記録領域の記録層のグルーブ対応部分及びランド対応部分にレーザ光をスポット照射した時の反射光量をそれぞれＩ２及びＩ３として、Ｒ＝０．５（Ｉ２＋Ｉ３）／Ｉ１の値が０．５５〜０．７であることが良好なジッタ特性を実現する上で有効であることが判明した。Ｒは好ましくは０．６〜０．７である。
ここでは、情報記録領域の反射光量としてグルーブ対応部分からの反射光量とランド対応部分からの反射光量との平均値を採用している。その理由は、主としてグルーブとランドとで幅が相違する場合があることを考慮したためである。ランド／グルーブ記録の場合にはグルーブとランドとで幅が同一でＩ２及びＩ３の値がほぼ等しいのが典型的であるが、製造誤差などによりグルーブとランドとで幅が相違してＩ２及びＩ３の値が相違する場合もあり、そのような場合に対処するものである。
本実施形態によれば、溝深さと光透過層や基板の屈折率との関係に代えて測定が簡便な複数の箇所における反射光量同士の関係を規定することで、同様な作用効果を発揮することができる。
以下、実施例により、本発明をさらに説明する。
（実施例１）
基板として厚さ１．１ｍｍのディスク状ＰＣ基板を用い、Ａｌ反射膜を１００ｎｍ、ＺｎＳ−ＳｉＯ２誘電体層を４０ｎｍ、ＧｅＳｂＴｅ記録層を１５ｎｍ、ＺｎＳ−ＳｉＯ２誘電体層を１００ｎｍ、順にそれぞれスパッタリングにより積層し、記録媒体（ディスク）を得た。なお、ＰＣ基板として、案内溝のピッチ０．５６μｍ、案内溝の深さ３５ｎｍ〜５５ｎｍのものを使用した。さらに、厚さ０．１ｍｍのＰＣフィルムを紫外線硬化樹脂により接着した。ＰＣフィルムの波長４００ｎｍにおける屈折率（ｎｆ）は１．６であった。
上記ディスクを初期化した（結晶化させた）のち、線速５．１ｍ／ｓで回転させ、波長（λ）４００ｎｍのレーザ光源、ＮＡ＝０．８５の対物レンズを備えた光ヘッドを用いて、基板と反対の側からレーザ光を照射して、Ｌ−Ｈ記録方式で０．１１６μｍ／ｂｉｔの線密度条件でランド／グルーブ記録を行ってジッタを測定した。ディスクの反射率は記録前（情報未記録状態）が６％、記録後（情報既記録状態）が２０％であった。
ジッタの測定結果を図３に示す。図３には、隣接トラックにデータが記録されていない場合（Ｘ．Ｔ．無しと表記）のジッタ、および、隣接トラックにデータが記録されている場合（Ｘ．Ｔ．有りと表記）のジッタの両方を示している。隣接トラックに記録がなくクロストークが無い場合の自己トラックにおけるジッタは溝深さが浅いほど良好であり、５０ｎｍより深くなると基板に起因したノイズが増加するために、顕著に自己トラックにおけるジッタが劣化してしまう。一方隣接トラックにも記録を行った場合には、溝深さが４３ｎｍより浅い場合にはクロストークの影響によりジッタが顕著に劣化してしまう。溝深さを４３〜５０ｎｍの範囲、すなわち、λ／５．８ｎｆ以上λ／５ｎｆ以下の範囲に設定することにより、クロストークを含めて良好なジッタ特性を得ることが可能である。
（比較例１）
基板として厚さ１．１ｍｍのディスク状ＰＣ基板を用い、Ａｌ反射膜を１００ｎｍ、ＺｎＳ−ＳｉＯ２誘電体層を１５ｎｍ、ＧｅＳｂＴｅ記録層を１５ｎｍ、ＺｎＳ−ＳｉＯ２誘電体層を４５ｎｍ、順にそれぞれスパッタリングにより積層し、記録媒体（ディスク）を得た。なお、ＰＣ基板として、案内溝のピッチ０．５６μｍ、案内溝の深さが３５ｎｍ〜５５ｎｍのものを使用した。さらに、厚さ０．１ｍｍのＰＣフィルムを紫外線硬化樹脂により接着した。ＰＣフィルムの波長４００ｎｍにおける屈折率は１．６であった。
上記ディスクを初期化した（結晶化させた）のち、線速５．１ｍ／ｓで回転させ、波長４００ｎｍのレーザ光源、ＮＡ＝０．８５の対物レンズを備えた光ヘッドを用いて、基板と反対の側からレーザ光を照射して、Ｈ−Ｌ記録方式で０．１１６μｍ／ｂｉｔの線密度条件でランド／グルーブ記録を行ってジッタを測定した。ディスクの反射率は記録前が１８％、記録後が２％であった。
ジッタの測定結果を図４に示す。隣接トラックに記録のない自己トラックにおけるジッタは溝深さが浅いほど良好であり、５０ｎｍより深くなると顕著に自己トラックにおけるジッタが劣化してしまう。一方隣接トラックにも記録を行った場合には、溝深さが３７ｎｍより浅い場合にはクロストークの影響によりジッタが顕著に劣化してしまい、また、溝深さが４３ｎｍより深い場合にもクロストークの影響によるジッタの増加が無視できなくなる。
この比較例１と上記実施例１との比較（図３と図４との比較）から分かるように、Ｈ−Ｌ記録方式とＬ−Ｈ記録方式とでは好適な溝深さが異なっており、しかもＬ−Ｈ記録方式の方がジッタを一層低減し得ていることが分かる。
（実施例２）
基板として厚さ１．１ｍｍのディスク状ＰＣ基板を用い、Ａｌ反射膜を１００ｎｍ、ＺｎＳ−ＳｉＯ２誘電体層を４５ｎｍ、ＧｅＳｂＴｅ記録層を１３ｎｍ、ＺｎＳ−ＳｉＯ２誘電体層を１１０ｎｍを順にそれぞれスパッタリングにより積層し、記録媒体（ディスク）を得た。なお、ＰＣ基板として、案内溝のピッチ０．６μｍ、案内溝の深さが３８ｎｍ〜６０ｎｍのものを使用した。さらに、厚さ０．１ｍｍのＰＣフィルムを紫外線硬化樹脂により接着した。ＰＣフィルムの波長４３２ｎｍにおける屈折率は１．６であった。
上記ディスクを初期化した（結晶化させた）のち、線速５．１ｍ／ｓで回転させ、波長（λ）４３２ｎｍのレーザ光源、ＮＡ＝０．８５の対物レンズを備えた光ヘッドを用いて、基板と反対の側からレーザ光を照射して、Ｌ−Ｈ記録方式で０．１２５μｍ／ｂｉｔの線密度条件でランド／グルーブ記録及びを行ってジッタを測定した。ディスクの反射率は記録前が５％、記録後が２１％であった。
ジッタの測定結果を図５に示す。隣接トラックに記録のない自己トラックにおけるジッタは溝深さが浅いほど良好であり、５４ｎｍより深くなると顕著に自己トラックにおけるジッタが劣化してしまう。一方隣接トラックにも記録を行った場合には、溝深さが４６ｎｍより浅い場合にはクロストークの影響によりジッタが顕著に劣化してしまう。溝深さを４６〜５４ｎｍの範囲、すなわち、λ／５．８６ｎｆ以上λ／５ｎｆ以下の範囲に設定することにより、クロストークを含めて良好なジッタ特性を得ることが可能である。
（実施例３）
基板として厚さ１．１ｍｍのＰＣ基板を用い、Ａｌ反射膜を１００ｎｍ、ＺｎＳ−ＳｉＯ２誘電体層を６５ｎｍ、ＧｅＳｂＴｅ記録層を１３ｎｍ、ＺｎＳ−ＳｉＯ２誘電体層を１５０ｎｍ、順にそれぞれスパッタリングにより積層し、記録媒体（ディスク）を得た。なお、ＰＣ基板として、案内溝のピッチ１．０μｍ、案内溝の深さが６２ｎｍ〜９８ｎｍのものを使用した。さらに、厚さ０．１ｍｍのＰＣフィルムを紫外線硬化樹脂により接着した。ＰＣフィルムの波長６６０ｎｍにおける屈折率は１．５８であった。
上記ディスクを初期化した（結晶化させた）のち、線速５．１ｍ／ｓで回転させ、波長（λ）６６０ｎｍのレーザ光源、ＮＡ＝０．８５の対物レンズを備えた光ヘッドを用いて、基板と反対の側からレーザ光を照射して、Ｌ−Ｈ記録方式で０．２１μｍ／ｂｉｔの線密度条件でランド／グルーブ記録を行ってジッタを測定した。ディスクの反射率は記録前が６％、記録後が２５％であった。
実施例１および実施例２と同様に、クロストークを含めてジッタ特性が良好となる溝深さを調べた結果、溝深さが７２〜８３ｎｍの範囲、すなわち、λ／５．８ｎｆ以上λ／５ｎｆ以下の範囲に設定することにより、クロストークを含めて良好なジッタ特性を得ることが可能であることが分かった。
（実施例４）
基板として厚さ０．６ｍｍのＰＣ基板を用い、ＺｎＳ−ＳｉＯ２誘電体層を１００ｎｍ、ＧｅＳｂＴｅ記録層を１５ｎｍ、ＺｎＳ−ＳｉＯ２誘電体層を４０ｎｍ、Ａｌ反射膜を１００ｎｍを順にそれぞれスパッタリングにより積層し、記録媒体（ディスク）を得た。Ａｌ反射膜形成後、何も成膜されていないダミーの０．６ｍｍのＰＣ基板と紫外線硬化樹脂により貼りあわせを行った後、評価を行った。なお、ＰＣ基板として、案内溝のピッチ０．７μｍ、案内溝の深さが３５ｎｍ〜５５ｎｍのものを使用した。ＰＣ基板の波長４００ｎｍにおける屈折率（ｎｓ）は１．６であった。
上記ディスクを初期化した（結晶化させた）のち、線速５．１ｍ／ｓで回転させ、波長（λ）４００ｎｍのレーザ光源、ＮＡ＝０．６５の対物レンズを備えた光ヘッドを用いて、基板の側からレーザ光を照射して、Ｌ−Ｈ記録方式で０．１５２μｍ／ｂｉｔの線密度条件でランド／グルーブ記録を行ってジッタを測定した。ディスクの反射率は記録前が６％、記録後が２０％であった。
ジッタを測定した結果、実施例１と同様に、溝深さを４３〜５０ｎｍの範囲、すなわち、λ／５．８ｎｓ以上λ／５ｎｓ以下の範囲に設定することにより、クロストークを含めて良好なジッタ特性を得ることが可能であった。
以下の表１に、以上の実施例１〜４の結果をまとめた。
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表１から分かるように、いずれの波長においても溝深さをλ／５．８ｎｆ（又はλ／５．８ｎｓ）以上λ／５ｎｆ（又はλ／５ｎｓ）以下の範囲内とすることで、クロストークを含めて良好なジッタ特性が得られる。
（実施例５）
実施例４で用いた光ディスクについて、実施例４で用いた光ヘッドを使用して上記Ｉ１，Ｉ２，Ｉ３を測定し、Ｒ＝０．５（Ｉ２＋Ｉ３）／Ｉ１の値を算出し、これとジッタとの関係を調べたところ、表２に示す結果が得られた。尚、ジッタは、各ディスクの記録層のランド対応部分及びグルーブ対応部分の隣接する７つの全てに記録を行って、その中央のランド対応部分及びグルーブ対応部分で計測したものの平均をとったものである。
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表２に示すように、Ｒが０．５５から０．７までの範囲において良好な特性が得られ、特に０．６から０．７までの範囲において最も良好な特性が得られた。
更に、実施例１〜実施例３で用いた光ディスクについても同様に、それぞれの実施例で用いた光ヘッドを使用してＩ１，Ｉ２，Ｉ３を測定し、Ｒ＝０．５（Ｉ２＋Ｉ３）／Ｉ１の値を算出し、これとジッタとの関係を調べたところ、良好なジッタ特性の光ディスクでは、Ｒの値が０．５５〜０．７の範囲内にあることが確認された。
すなわち、光ヘッドの対物レンズのＮＡ及びレーザ光波長あるいは記録層の厚さ又は光透過層や基板の屈折率が種々の値をとるものについて、Ｌ−Ｈ記録方式の光学的情報記録媒体では、Ｒが０．５５から０．７までの範囲において良好な特性が得られることが分かった。
尚、本実施例ではランド幅とグルーブ幅とが同一であったが、ランド幅とグルーブ幅とが１０％程度異なる場合について同様の測定を行ったところ、Ｒの好適範囲について同様な結果が得られた。
（比較例２）
実施例４と同一のＰＣ基板を用いてＨ−Ｌ記録方式の光学的情報記録媒体を作製し、実施例４と同一の光ヘッドを用いて、Ｒとジッタとの関係を調べた。その結果、ジッタが良好となるＲの範囲は０．７〜０．８であり、Ｌ−Ｈ記録方式のものとは好適なＲの範囲が異なることが確認された。また、好適範囲内のＲの時のジッタの値も実施例５のものに比べて大きかった。
従って、記録の高密度化のためにはＬ−Ｈ記録方式が適していることが確認された。
産業上の利用可能性：
以上説明したように、本発明によれば、信号品質の高いＬ−Ｈ方式の光学的情報記録媒体に対して、高ＮＡ光ヘッドを用いて高い記録密度でランド／グルーブ記録を行うことが可能となる。
【図面の簡単な説明】
図１は、本発明にかかる光学的情報記録媒体の部分拡大断面図である。
図２は、本発明にかかる光学的情報記録媒体に対する情報記録再生の方法及び装置の説明のための模式図である。
図３は、本発明にかかる光学的情報記録媒体のジッタ特性の一例を示す図である。
図４は、記録後に反射率が低くなる光学的情報記録媒体のジッタ特性の一例を示す図である。
図５は、本発明にかかる光学的情報記録媒体のジッタ特性の一例を示す図である。
図６は、光学的情報記録媒体の溝深さとクロストークとの関係を示す図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【国際調査報告】
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