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　特願２００７−５０２８４７「複合酸化物を含むチャネルを有する半導体デバイス」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年１０月６日国際公開、ＷＯ２００５／０９３８４９、平成１９年１０月１８日国内公表、特表２００７−５２９１１８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯
　本願は、２００５年２月２５日（優先権主張外国庁受理　２００４年３月１２日、アメリカ合衆国）を国際出願日とする特許出願であって、平成２２年６月２日付けの拒絶理由通知に対して同年１２月８日に意見書及び手続補正書が提出されたが、平成２３年４月８日付けで拒絶査定がなされた。
　それに対して、同年８月１１日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに手続補正書が提出され、その後、平成２４年３月２８日付けで審尋がなされ、同年１０月３日に回答書が提出された。
　
第２．補正の却下の決定
【結論】
　平成２３年８月１１日に提出された手続補正書による補正を却下する。
　
【理由】
１．補正の内容
　平成２３年８月１１日に提出された手続補正書による補正（以下「本件補正」という。）は、補正前の特許請求の範囲の請求項１〜５を補正して、補正後の特許請求の範囲の請求項１〜５とするものであり、補正前後の請求項１は、各々次のとおりである。
　
（補正前）
　「【請求項１】
　ドレイン電極（１１２、２１２）；
　ソース電極（１１０、２１０）；
　前記ドレイン電極（１１２、２１２）及び前記ソース電極（１１０、２１０）と接触しているチャネル（１０８、２０８）であって、化学式ＡｘＢｘＣｘＯｘを有する１つ又は複数の化合物を含み、各ＡがＺｎ、Ｃｄから成るグループから選択され、各ＢがＧｅ、Ｓｎ、Ｐｂから成るグループから選択され、各ＣがＺｎ、Ｃｄ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂから成るグループから選択され、各Ｏが酸素原子であり、各ｘが個々独立して０以外の整数をとり、Ａ、Ｂ及びＣがそれぞれ異なる、チャネル（１０８、２０８）；
　ゲート電極（１０４、２０４）；
　前記ゲート電極（１０４、２０４）と前記チャネル（１０８、２０８）との間に配置されたゲート誘電体（１０６、２０６）、
を含んで成る、半導体デバイス（１００、２００、４００）。」
　
（補正後）
　「【請求項１】
　ドレイン電極（１１２、２１２）；
　ソース電極（１１０、２１０）；
　前記ドレイン電極（１１２、２１２）及び前記ソース電極（１１０、２１０）と接触しているチャネル（１０８、２０８）であって、可視スペクトル及び赤外スペクトルの両方において透過性を有し、化学式ＡｘＢｘＣｘＯｘを有する１つ又は複数の化合物を含み、各ＡがＺｎ、Ｃｄから成るグループから選択され、各ＢがＧｅ、Ｓｎ、Ｐｂから成るグループから選択され、各ＣがＺｎ、Ｃｄ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂから成るグループから選択され、各Ｏが酸素原子であり、各ｘが個々独立して０以外の整数をとり、Ａ、Ｂ及びＣがそれぞれ異なる、チャネル（１０８、２０８）；
　ゲート電極（１０４、２０４）；
　前記ゲート電極（１０４、２０４）と前記チャネル（１０８、２０８）との間に配置されたゲート誘電体（１０６、２０６）、
を含んで成る、半導体デバイス（１００、２００、４００）。」
　
２．補正事項の整理
　本件補正による補正事項は、次のとおりである。
　
（補正事項）
　補正前の請求項１の「前記ドレイン電極（１１２、２１２）及び前記ソース電極（１１０、２１０）と接触しているチャネル（１０８、２０８）であって、」と「化学式ＡｘＢｘＣｘＯｘを有する１つ又は複数の化合物を含み、」との間に、「可視スペクトル及び赤外スペクトルの両方において透過性を有し、」を追加して、補正後の請求項１とすること。
　
３．新規事項の追加の有無、及び補正の目的の適否についての検討
　本件補正により補正された部分は、本願の願書に最初に添付した明細書（以下「当初明細書」という。また、本願の願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面を「当初明細書等」という。）の００３１段落に記載されているものと認められるから、本件補正は、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものである。
　したがって、本件補正は、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものであるから、特許法第１７条の２第３項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項をいう。以下同じ。）に規定する要件を満たす。
　また、本件補正は、補正前の請求項１に係る発明の発明特定事項である「チャネル（１０８、２０８）」について技術的限定を加えるものであるから、特許法第１７条の２第４項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項をいう。以下同じ。）第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　したがって、本件補正は、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たす。
　以上のとおりであるから、本件補正は、特許法第１７条の２第３項及び第４項に規定する要件を満たすものである。
　そして、本件補正は、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものであるから、本件補正による補正後の特許請求の範囲に記載されている事項により特定される発明が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否か、すなわち、本件補正がいわゆる独立特許要件を満たすものであるか否かについて、以下において更に検討する。
　
４．独立特許要件についての検討
（１）補正後の発明
　本願の本件補正による補正後の請求項１〜５に係る発明は、本件補正により補正された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜５に記載されている事項により特定されるとおりのものであり、そのうちの請求項１に係る発明（以下「補正発明」という。）は、請求項１に記載されている事項により特定される、上記第２．１．の「（補正後）」の箇所に記載したとおりのものであり、再掲すると次のとおりである。
　
　「【請求項１】
　ドレイン電極（１１２、２１２）；
　ソース電極（１１０、２１０）；
　前記ドレイン電極（１１２、２１２）及び前記ソース電極（１１０、２１０）と接触しているチャネル（１０８、２０８）であって、可視スペクトル及び赤外スペクトルの両方において透過性を有し、化学式ＡｘＢｘＣｘＯｘを有する１つ又は複数の化合物を含み、各ＡがＺｎ、Ｃｄから成るグループから選択され、各ＢがＧｅ、Ｓｎ、Ｐｂから成るグループから選択され、各ＣがＺｎ、Ｃｄ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂから成るグループから選択され、各Ｏが酸素原子であり、各ｘが個々独立して０以外の整数をとり、Ａ、Ｂ及びＣがそれぞれ異なる、チャネル（１０８、２０８）；
　ゲート電極（１０４、２０４）；
　前記ゲート電極（１０４、２０４）と前記チャネル（１０８、２０８）との間に配置されたゲート誘電体（１０６、２０６）、
を含んで成る、半導体デバイス（１００、２００、４００）。」
　
（２）引用刊行物に記載された発明
（２−１）本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布され、原査定の根拠となった拒絶の理由において引用された刊行物である特表平１１−５０５３７７号公報（以下「引用例」という。）には、図１〜１４とともに次の記載がある（ここにおいて、下線は当合議体が付加したものである。）。
　
ａ．「発明の技術分野
　
本発明は透明材料の２つの接続電極と、透明絶縁層によりチャネル領域から分離された導電材料の透明ゲート電極が設けられた半導体材料の介在透明チャネル領域とを有する透明スイッチング素子が設けられた半導体装置に関するものである
　
ここに云う“透明”とは光が可視光範囲で実質的に吸収されないことを意味するものとする
　
ｂ．「発明の概要
　
この目的のため、本発明は透明材料の２つの接続電極と、透明絶縁層によりチャネル領域から分離された導電材料の透明ゲート電極が設けられた半導体材料の介在透明チャネル領域とを有する透明スイッチング素子が設けられた半導体装置において、前記半導体材料は、伝導帯と２．５ｅＶ以上の電子の価電子帯との間にバンドギャップを有し、塩基性材料の価電子帯または伝導帯に、あるいはこれに隣接する固定不純物エネルギー準位を形成するドーパント原子が設けられた１０ｃｍ
２
／Ｖｓ以上の電荷キャリアの移動度を有する塩基性材料が設けられた縮退半導体材料を具えることを特徴とする。
　
ｃ．「
図１および２は透明材料の２つの接続電極２、３を有するスイッチング素子１と、半導体材料の介在透明チャネル領域４とを設けた透明半導体装置を示す。本例では、接続電極およびチャネル領域は同一半導体材料から造る。接続電極２、３の抵抗値はその幅のみにに起因して比較的低い。チャネル領域４には透明な導電性ゲート電極５を設け、これを透明絶縁層６によってチャネル領域４から分離する。本発明によればチャネル領域４の半導体材料は塩基性材料およびドーパント原子を有する縮退半導体材料を具える。図３は縮退半導体の電子のエネルギー準位１３を示す。塩基性材料は２．５ｅＶ以上の電子の伝導帯１１および価電子帯１２間のバンドギャップ１０を有し、塩基性材料の電荷キャリアの移動度は１０ｃｍ
２
／Ｖｓである。塩基性材料にはドーパント原子を設け、このドーパント原子は塩基性材料の、適用可能なように、価電子帯または伝導帯１２，１１に、またはこれに隣接する固定不純物エネルギー準位１３を形成する。
ドーパント原子濃度は０．００１％乃至０．３％の範囲にすると充分に高い導電度を得ることができる。
　
ｄ．「図１および２の半導体装置は次のように製造することができる。厚さ５０ｎｍの導電性ＳｒＲｕＯ３層５は絶縁単結晶ＳｒＴｉＯ３基板７上にエピタキシヤル堆積により設ける。ＳｒＲｕＯ３はそれ自体透明ではないが、ほぼ６０ｎｍ以下のＳｒＲｕＯ３の極めて薄い層は透明である。このＳｒＲｕＯ３層５上に厚さ０．７μｍのモリブデン層を蒸着する。このモリブデン層はフォトレジストおよびＣＦ４／Ｏ２によるＡｒ補助反応性エッチング（ＲＩＥ）によって既知のようにパターン化する。次いで、パターン化されたモリブデンはＣＨＦ３によるＲＩＥによってＳｒＲｕＯ３層をパターン化するためのマスクとして用いてゲート電極５を形成する。次いで残存するモリブデンはヘキサシアノ鉄酸カリウムによるいわゆる酸化還元エッチング処理によって除去する。
次に、ゲート電極５上および基板７の表面上に透明絶縁層６および半導体材料４を設ける。本例では、ＢａＺｒＯ
２
の厚さ０．２μｍの絶縁層６は６５０℃の温度で、且つ０．２ｍｂａｒの酸素圧でパルスレーザ堆積によって設ける。次いで、０．０３％のＳｎがドープされたＩｎ
２
Ｏ
３
の厚さ０．１μｍの層４を、０．２ｍｂａｒの酸素圧および５０５℃の温度でパルスレーザ堆積によって絶縁層６上および基板７の表面上に既知のように設ける。層４および６は、ゲート電極５に対する導電層の場合と同様に、フォトレジストおよびモリブデン層を用いて再びパターン化する。ゲート電極５に損傷を与えないように限定期間のみエッチングを行う。チャネル領域４および接続電極２は斯様にして形成する。
　
ｅ．「接続電極２に対するゲート電極５の−４Ｖ以下の電圧で、この第１例により製造されたスイッチング素子のチャネル領域は電荷キャリアを完全に空乏化する。従って接続電極２および３間には２００ｋΩ以上の抵抗が得られる。ゲート電極５における零Ｖ以上の電圧で、スイッチング素子が導通状態となり、接続電極２および３間の抵抗値はほぼ１０ｋΩとなる。第１例によるスイッチング素子は種々に変更することができる。これがため、スイッチング素子の電気特性は例えばチャネル領域の寸法または絶縁層の厚さのような幾何学的形状を変更することによって変化させることができる。
また、チャネル領域４の半導体材料に対し、ドーパント原子を設けた非遷移金属の他の共有結合酸化物を用いることもできる。これら金属の酸化物およびその混合物は１０ｃｍ
２
／Ｖｓ以上の移動度および２．５ｅＶ以上のバンドギャップを有する。例えば、Ｇａ
２
Ｏ
３
，Ｂｉ
２
Ｏ
３
，ＳｎＯ
２
，ＺｎＯ，Ｓｂ
２
Ｏ
３
，ＰｂＯ，ＧｅＯ
２
またはＩｎ
２
Ｏ
３
，これら酸化物の混合物，またはＧａＩｎＯ
３
，ＺｎＧａ
２
Ｏ
４
，またはＣｄＧａ
２
Ｏ
４
のようなこれら酸化物から形成された化合物を用いることができる。
　
ｆ．「
図４は本発明スイッチング素子１の第２実施例を示す。
　次いで、０．２ｍｂａｒのＯ２圧且つ５０５℃の温度でパルスレーザ堆積により既知のように強誘電層６上および基板７の表面上に０．０３％のＳｂがドープされたＳｎＯ２の厚さ０．１μｍの層４を設ける。ゲート電極５に対する導電層の場合と同様に、これら層４および６はフォトレジストおよびモリブデン層を用いて再びパターン化する。ゲート電極５に損傷を与えないように限定された期間のみエッチングを行う。次いで、モリブデン損傷を再び除去する
。斯くしてチャネル領域４を形成する。次に、その表面にＳｂが１．５％ドープされたＳｎＯ
２
の厚さ０．５μｍの導電層を設ける。この層をフォトレジストおよびモリブデン層によりパターン化してゲート電極に対する導電層の場合と同様に導電性接続電極２および３を形成する
　
（２−２）ここにおいて、上記（２−１）ｃ．及びｄ．並びに図１及び２の記載から、引用例の図１及び２に記載された「スイッチング素子１」における「透明チャネル領域４」と「２つの接続電極２、３」とは電気的に接続されていることが明らかである。
　したがって、引用例には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
　「透明材料の２つの接続電極２、３、
　前記２つの接続電極２、３と電気的に接続された半導体材料の透明チャネル領域４であって、前記半導体材料は、例えば、Ｇａ２Ｏ３，Ｂｉ２Ｏ３，ＳｎＯ２，ＺｎＯ，Ｓｂ２Ｏ３，ＰｂＯ，ＧｅＯ２又はＩｎ２Ｏ３，これら酸化物の混合物，又はＧａＩｎＯ３，ＺｎＧａ２Ｏ４，又はＣｄＧａ２Ｏ４のようなこれら酸化物から形成された化合物を用いたものであり、１０ｃｍ２／Ｖｓ以上の移動度及び２．５ｅＶ以上のバンドギャップを有する透明チャネル領域４、
　前記透明チャネル領域４に設けられた透明な導電性ゲート電極５、
　前記導電性ゲート電極５を前記透明チャネル領域４から分離する透明絶縁層６、
　を備え、
　透明とは光が可視光範囲で実質的に吸収されないことを意味するものであるスイッチング素子１。」
　
（３）補正発明と引用発明との対比
（３−１）引用発明の「透明材料の２つの接続電極２、３」のうちの一方が、補正発明の「ドレイン電極（１１２、２１２）」に相当し、他方が、補正発明の「ソース電極（１１０、２１０）」に相当する。
　
（３−２）引用発明の「透明チャネル領域４」は、補正発明の「チャネル（１０８、２０８）」に相当する。
　また、引用発明の「透明チャネル領域４」と補正発明の「チャネル（１０８、２０８）」とは、「『前記ドレイン電極（１１２、２１２）及び前記ソース電極（１１０、２１０）』と電気的に接続されたもの」である点で一致する。
　さらに、引用発明の「透明チャネル領域４」は、「光が可視光範囲で実質的に吸収されないことを意味するものである」から、引用発明の「透明チャネル領域４」と補正発明の「チャネル（１０８、２０８）」とは、「『可視スペクトル』『において透過性を有』」するものである点で一致する。
　
（３−３）引用発明の「前記透明チャネル領域４に設けられた透明な導電性ゲート電極５」は、補正発明の「ゲート電極（１０４、２０４）」に相当し、引用発明の「前記導電性ゲート電極５を前記透明チャネル領域４から分離する透明絶縁層６」は、補正発明の「前記ゲート電極（１０４、２０４）と前記チャネル（１０８、２０８）との間に配置されたゲート誘電体（１０６、２０６）」に相当する。
　また、引用発明の「スイッチング素子１」は、「透明チャネル領域４」に「半導体材料」を用いているから、補正発明の「半導体デバイス（１００、２００、４００）」に相当する。
　
（３−４）したがって、補正発明と引用発明とは、
　「ドレイン電極（１１２、２１２）；
　ソース電極（１１０、２１０）；
　前記ドレイン電極（１１２、２１２）及び前記ソース電極（１１０、２１０）と電気的に接続されたチャネル（１０８、２０８）であって、可視スペクトルにおいて透過性を有するチャネル（１０８、２０８）；
　ゲート電極（１０４、２０４）；
　前記ゲート電極（１０４、２０４）と前記チャネル（１０８、２０８）との間に配置されたゲート誘電体（１０６、２０６）、
を含んで成る、半導体デバイス（１００、２００、４００）。」
　
　である点で一致し、次の点で相違する。
　
（相違点１）
　補正発明は、「チャネル（１０８、２０８）」が、「前記ドレイン電極（１１２、２１２）及び前記ソース電極（１１０、２１０）と接触している」のに対して、引用発明は、「透明チャネル領域４」が、「透明材料の２つの接続電極２、３」と接触していることが特定されていない点。
　
（相違点２）
　補正発明は、「チャネル（１０８、２０８）」が、「可視スペクトル及び赤外スペクトルの両方において透過性を有」するのに対して、引用発明は、「透明チャネル領域４」が、「可視光範囲で実質的に吸収されない」（可視スペクトルにおいて透過性を有する）ものの、赤外スペクトルにおいて透過性を有することは特定されていない点。
　
（相違点３）
　補正発明は、「チャネル（１０８、２０８）」が、「化学式ＡｘＢｘＣｘＯｘを有する１つ又は複数の化合物を含み、各ＡがＺｎ、Ｃｄから成るグループから選択され、各ＢがＧｅ、Ｓｎ、Ｐｂから成るグループから選択され、各ＣがＺｎ、Ｃｄ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂから成るグループから選択され、各Ｏが酸素原子であり、各ｘが個々独立して０以外の整数をとり、Ａ、Ｂ及びＣがそれぞれ異なる」ものであるのに対して、引用発明は、「透明チャネル領域４」が、「例えば、Ｇａ２Ｏ３，Ｂｉ２Ｏ３，ＳｎＯ２，ＺｎＯ，Ｓｂ２Ｏ３，ＰｂＯ，ＧｅＯ２又はＩｎ２Ｏ３，これら酸化物の混合物，又はＧａＩｎＯ３，ＺｎＧａ２Ｏ４，又はＣｄＧａ２Ｏ４のようなこれら酸化物から形成された化合物を用いたものであ」る点。
　
（４）相違点についての当審の判断
（４−１）相違点１について
（４−１−１）引用発明の「透明チャネル領域４」は、「前記２つの接続電極２、３と電気的に接続された」ものであるから、引用発明の「透明チャネル領域４」と「２つの接続電極２、３」とが電気的に接触していることは自明である。
　また、引用例における上記（２）（２−１）ｃ．及びｄ．並びに図１及び２の記載等から、引用発明の「透明チャネル領域４」が、「透明材料の２つの接続電極２、３」と空間的にも接触していることは明らかである。
　したがって、引用発明も補正発明と同様に、「チャネル（１０８、２０８）」が、「前記ドレイン電極（１１２、２１２）及び前記ソース電極（１１０、２１０）と接触している」ものと認められるから、相違点１は実質的なものではない。
　
（４−１−２）相違点１については以上のとおりであるが、仮に、補正発明の「前記ドレイン電極（１１２、２１２）及び前記ソース電極（１１０、２１０）と接触しているチャネル（１０８、２０８）」が、「『前記ドレイン電極（１１２、２１２）及び前記ソース電極（１１０、２１０）』とは別に設けられ（一体ではなく）、それらの電極と接触している『チャネル（１０８、２０８）』」を意味するものであり、相違点１が実質的なものであった場合についても一応検討すると、引用例の上記（２）（２−１）ｆ．及び図４には、「第２実施例」として、「透明材料の２つの接続電極２、３」とは別に設けられ、それらの電極と接触している「透明チャネル領域４」が記載されているから、当該記載に基づけば、引用発明において、補正発明のように、「前記ドレイン電極（１１２、２１２）及び前記ソース電極（１１０、２１０）」とは別に設けられ（一体ではなく）、それらの電極と接触している「チャネル（１０８、２０８）」を設ける構成とすることは、当業者が適宜なし得たことである。
　したがって、たとえ相違点１が実質的なものであったとしても、当該相違点１は、当業者が適宜なし得た範囲に含まれる程度のものである。
　
（４−２）相違点２について
　一般に、半導体材料に光を照射した場合において、光のエネルギーが、半導体材料のバンドギャップに相当するエネルギーよりも小さい場合には、光が半導体材料に実質的に吸収されないこと、すなわち、半導体材料が光に対して透明なことは、当業者における技術常識である。
　また、赤外光が可視光よりも低いエネルギーを有するものであることも当業者の技術常識であるから、可視光に対して透明な半導体材料であれば（可視スペクトルにおいて透過性を有する半導体材料であれば）、赤外光に対しても透明であること（赤外スペクトルにおいて透過性を有すること）は、当業者にとって明らかである。
　したがって、可視スペクトルにおいて透過性を有する引用発明の「透明チャネル領域４」が、赤外スペクトルにおいても透過性を有すること、すなわち、引用発明の「透明チャネル領域４」は、補正発明の「チャネル（１０８、２０８）」と同様に、「可視スペクトル及び赤外スペクトルの両方において透過性を有し」ていることは明らかである。
　実際、引用発明の「透明チャネル領域４」の「半導体材料」は、「２．５ｅＶ以上のバンドギャップ」を有しているものであるところ、「２．５ｅＶ」を、光の波長に換算すると、以下の式から、バンドギャップ波長λｇは約５００ｎｍとなる。
　
　λｇ＝ｈｃ／２．５ｅ＝４．９６０×１０−７（ｍ）＝４９６ｎｍ
　　ｈ（プランク定数）＝６．６２６×１０−３４（Ｊ・ｓ）
　　ｅ（電気素量）＝１．６０２×１０−１９（Ｃ）
　　ｃ（光速）＝２．９９８×１０８（ｍ／ｓ）
　
　一方、赤外線の波長は、７００ｎｍ程度以上であるから、このような点からみても、引用発明の「透明チャネル領域４」の「半導体材料」が赤外線に対して透過性を有していることが明らかである。
　以上、検討したとおり、引用発明も、補正発明と同様に、「チャネル（１０８、２０８）」が、「可視スペクトル及び赤外スペクトルの両方において透過性を有」するものであるから、相違点２は存在しない。
　
（４−３）相違点３について
（４−３−１）引用発明の「透明チャネル領域４」の半導体材料は、「例えば、Ｇａ２Ｏ３，Ｂｉ２Ｏ３，ＳｎＯ２，ＺｎＯ，Ｓｂ２Ｏ３，ＰｂＯ，ＧｅＯ２又はＩｎ２Ｏ３，これら酸化物の混合物，又はＧａＩｎＯ３，ＺｎＧａ２Ｏ４，又はＣｄＧａ２Ｏ４のようなこれら酸化物から形成された化合物を用いたもの」であるから、引用発明に接した当業者にとって、Ｇａ２Ｏ３，Ｂｉ２Ｏ３，ＳｎＯ２，ＺｎＯ，Ｓｂ２Ｏ３，ＰｂＯ，ＧｅＯ２又はＩｎ２Ｏ３の中から２つ以上を選択して、化合物を形成して「半導体材料」を実現することには格別の困難性がないことは明らかであり、その一例として、補正発明の「化学式ＡｘＢｘＣｘＯｘを有する１つ又は複数の化合物を含み、各ＡがＺｎ、Ｃｄから成るグループから選択され、各ＢがＧｅ、Ｓｎ、Ｐｂから成るグループから選択され、各ＣがＺｎ、Ｃｄ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂから成るグループから選択され、各Ｏが酸素原子であり、各ｘが個々独立して０以外の整数をとり、Ａ、Ｂ及びＣがそれぞれ異なる」という条件に含まれる、「ＺｎＯ」、「ＳｎＯ２」及び「ＰｂＯ」を用いて形成された化合物により「半導体材料」を実現することにも格別の困難性がないことは明らかである。
　
（４−３−２）そして、本願の明細書及び図面全体の記載からみて、補正発明において、「チャネル（１０８、２０８）」を、「化学式ＡｘＢｘＣｘＯｘを有する１つ又は複数の化合物を含み、各ＡがＺｎ、Ｃｄから成るグループから選択され、各ＢがＧｅ、Ｓｎ、Ｐｂから成るグループから選択され、各ＣがＺｎ、Ｃｄ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂから成るグループから選択され、各Ｏが酸素原子であり、各ｘが個々独立して０以外の整数をとり、Ａ、Ｂ及びＣがそれぞれ異なる」ものとすることの効果は、可視スペクトル及び赤外スペクトルの両方における透過性が得られること（以下「効果１」という。）、及び高移動度が得られること（以下「効果２」という。）であると認められるが、効果１については、上記（４−２）において検討したとおり、引用発明においても奏されており、また、効果２についても、引用発明の「透明チャネル領域４」は、「１０ｃｍ２／Ｖｓ以上の移動度」を有しており、引用発明においても効果２が奏されているものと認められる。
　したがって、補正発明において、「チャネル（１０８、２０８）」を、「化学式ＡｘＢｘＣｘＯｘを有する１つ又は複数の化合物を含み、各ＡがＺｎ、Ｃｄから成るグループから選択され、各ＢがＧｅ、Ｓｎ、Ｐｂから成るグループから選択され、各ＣがＺｎ、Ｃｄ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂから成るグループから選択され、各Ｏが酸素原子であり、各ｘが個々独立して０以外の整数をとり、Ａ、Ｂ及びＣがそれぞれ異なる」ものとすることにより、当業者の予測を超える格別の効果が奏せられるとは認められない。
　
（４−３−３）したがって、引用発明において、「透明チャネル領域４」を、補正発明のように、「化学式ＡｘＢｘＣｘＯｘを有する１つ又は複数の化合物を含み、各ＡがＺｎ、Ｃｄから成るグループから選択され、各ＢがＧｅ、Ｓｎ、Ｐｂから成るグループから選択され、各ＣがＺｎ、Ｃｄ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂから成るグループから選択され、各Ｏが酸素原子であり、各ｘが個々独立して０以外の整数をとり、Ａ、Ｂ及びＣがそれぞれ異なる」ものとすることは、当業者が容易になし得たことであるから、相違点３は、当業者が容易になし得た範囲に含まれる程度のものである。
　
（４−４）判断についてのまとめ
　相違点１〜３については、以上のとおりであるから、補正発明は、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　したがって、補正発明は、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
（５）独立特許要件についてのまとめ
　本件補正は、補正後の特許請求の範囲の請求項１に記載されている事項により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項をいう。以下同じ。）の規定に適合しない。
　
５．補正の却下の決定のむすび
　以上検討したとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないものであるから、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３．本願発明について
　平成２３年８月１１日に提出された手続補正書による補正は前記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜５に係る発明は、平成２２年１２月８日に提出された手続補正書により補正された明細書、特許請求に範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜５に記載されている事項により特定されるとおりのものであり、そのうちの請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、請求項１に記載されている事項により特定される、前記第２．１．の「（補正前）」の箇所に記載したとおりのものである。
　一方、本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布され、原査定の根拠となった拒絶の理由において引用された刊行物である特表平１１−５０５３７７号公報（引用例）には、前記第２．４．（２）に記載したとおりの事項及び発明（引用発明）が記載されているものと認められる。
　そして、本願発明に対して技術的限定を加えた発明である補正発明は、上記第２．４．において検討したとおり、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も当然に、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。　
　したがって、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
第４．むすび
　以上のとおりであるから、他の請求項について検討するまでもなく、本願は拒絶をすべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。