【事件の表示】
　特願２００６−　　１８０２号「半導体装置の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１９年　７月１９日出願公開、特開２００７−１８４４２６号〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成１８年１月６日の出願であって、平成２３年７月１日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成２３年９月２６日に不服審判の請求がなされるとともに同時に手続補正がなされたものである。その後、前置審査において拒絶理由の通知がなされ、それに対して応答されなかったものである。
　そして、本願の各請求項に係る発明は、平成２３年９月２６日付けの手続補正に係る特許請求の範囲の請求項１〜６に記載された事項によって特定されるものと認められ、そのうち、請求項１に係る本願発明は、次のとおりである。
　
「第１の基板に半導体素子が実装された構造を有する半導体装置の製造方法であって、
　前記半導体素子が実装された前記第１の基板と、当該第１の基板と異なる材料よりなる第２の基板とを接合して当該半導体素子を封止する第１の工程と、
　前記第１の基板に前記第２の基板との接合面と反対側の面から第１の溝部を形成する第２の工程と、
　前記第１の溝部と対向するように、前記第２の基板に前記第１の基板との接合面と反対側の面から第２の溝部を形成し、対向する前記第１の溝部と前記第２の溝部との間に接続部を残す第３の工程と、
　前記接続部をへき開することにより、前記第１の基板と前記第２の基板を個片化する第４の工程と、を有し、
　前記第２の工程及び前記第３の工程において、前記第１の溝部及び前記第２の溝部を形成する際に、前記第１の基板と前記第２の基板のうち溝部を形成しない方の基板の外側に、樹脂材料よりなるテープである支持体を貼付し、
　前記第４の工程において、前記テープを引っ張って伸ばすことにより、前記接続部をへき開することを特徴とする半導体装置の製造方法。」（以下「本願発明」という）
　
２．当審（前置審査）での拒絶理由の概要と引用された文献及びその開示事項
　
（１）拒絶理由の概要
　この拒絶理由通知は、最初の拒絶理由通知に対する応答時の補正によって通知することが必要になった拒絶理由のみを通知するものである。
　そして、この出願の請求項１〜６に係る発明は、その出願前に日本国内又は外国において、頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　
　   　　　　　　　 引　用　文　献　等　一　覧
刊行物１.特開２００４−０３１４９８号公報
刊行物２.特表２００５−５３４０４８号公報
刊行物３.国際公開第２００５／０４５９２５号
刊行物４.特開平１０−２６１８０８号公報
刊行物５.特開昭６０−０５５６４０号公報
刊行物６.特開２００２−０９３７５１号公報
刊行物７.特開２００５−２６０１５４号公報
　
（２）本願の出願前に頒布された刊行物２である特表２００５−５３４０４８号公報（以下「引用例１」という）には、図面とともに次のア〜ウの事項が記載されている。なお、下線部は当審において付与したものである。
　（ア）「【請求項５６】
  マイクロミラーアレイの形成方法であって、
  第１基板を設けるステップ、
  第２基板を設けるステップ、
  前記第１基板又は前記第２基板の上に複数の
マイクロミラー素子
  大気圧よりも低い圧力で前記第１基板及び第２基板を互いに接合させて一の基板アセンブリを形成するステップ、及び
  前記基板アセンブリを個々のダイに単体化し、その際各ダイは接合済みの第１及び第２基板部分から構成され、前記第１基板部分と第２基板部分との間には
大気圧よりも低い圧力環境に置かれたマイクロミラー素子
を含む方法。
　　　　　　・・・中略・・・
【請求項６４】
  前記
第２基板は誘電体ウェハ又は半導体ウェハ
　
　（イ）「【００２５】
  ２枚のウェハを互いに接合させるために、スペーサをシール剤の中に混入させる（ステップ３８）。通常、半球状又はロッド状のスペーサをこれらのウェハの間に分散配置することでセルギャップの制御を可能にし、セルギャップを均一にし、
ミラー偏向を可能にするための空間を形成する。
封止するＭＥＭＳ構造のタイプ
　
　（ウ）「【００２９】
  一旦、これらのウェハを互いに接合させて一つの
ウェハアセンブリ
　これらのスクライブレーンはガラス基板スクライブに一致していても、又はガラス基板スクライブから一様にずれていてもよい。次にこれらの部品をアレイから、両方の基板の上のスクライブを穿孔することにより分離する。自動ブレーキング（ｂｒｅａｋｉｎｇ：分割）は、市販のギロチン式切断装置又は支点（ｆｕｌｃｒｕｍ）を利用する分割装置により行なう。
これらの部品は手を使って分離することもできる。
【００３０】
  
分離は、ガラススクライブ加工及びシリコン基板の部分切削によっても行なうことができる。
　
ウェハの切削はシリコンの裏面から行ない、
  別の方法として、
ガラス基板及びシリコン基板の両方を部品分離の前に一部だけ切削することができる。
ガラスをその厚さの５０％〜９５％の深さまで切削する。シリコン基板を切削し、部品を上述のように分離する。
　
　《引用発明》
　上記引用例１の記載事項（ア）〜（ウ）及び図に示された内容を総合すると、引用例１には、以下の発明が記載されていると認められる。 
　
「ガラス基板に素子が実装された構造を有するウェハアセンブリの製造方法であって、
　前記素子が実装された前記ガラス基板と、当該ガラス基板と異なる材料よりなるシリコン基板とを接合して当該素子を封止する第１の工程と、
　ガラス基板及びシリコン基板の両方を部品分離の前に一部だけ切削することができ、ガラスをその厚さの５０％〜９５％の深さまで切削し、シリコン基板を切削し、
　これらの部品は手を使って分離するウェハアセンブリの製造方法」（以下「引用発明」という）
　　
（３）本願の出願前に頒布された刊行物５である特開昭６０−５５６４０号公報（以下「引用例２」という）は、へき開により、基板を分割する発明で、図面とともに次の（エ）の事項が記載されている。
　
　（エ）「そして今度は裏面側をエキスパンド用のシート(5)に貼着、保持し第２図(c)に示すように表面側のシート(1)をはがす。そして同図(d)の如く、切断溝(4)(4)…に対応した表面の箇所に、ダイヤモンドカッタ等でスクイブ線(6)(6)…を設ける。」〈２頁右上欄７行ないし１１行〉
　
　上記記載（エ）と第２図(d)からみて、引用例２には「スクイブ線(6)（溝部）を形成しない方の基板(2)の外側に、エキスパンド用のシート(5)（樹脂材料よりなるテープである支持体）を貼付する」態様（以下「引用例２の記載事項」という）が示されている。
　
（４）本願の出願前に頒布された刊行物７である特開２００５−２６０１５４号公報（以下「引用例３」という）には、図面とともに次の（オ）の事項が記載されている。
　
　（オ）「【００５１】
  劈開工程は、図８に示すように、先ずウェーハＷを吸着テーブル７１上に吸着せずに載置し、第２のフレームＦ２をフレームクランパ７１Ａに吸着保持する。次いで吸着テーブル７１を上昇させ、エキスパンドシートＥＳを放射状に引き伸ばす。これによりウェーハＷのハーフカットダイシングによって切り残された部分が劈開されるとともに、個々のチップ間隔が拡大される（ステップＳ２５）。」
　
　上記記載（オ）と【図８】からみて、引用例３には「テープを引っ張って伸ばすことにより、接続部をへき開する」態様（以下「引用例３の記載事項」という）が示されているといえる。
　
（５）本願の出願前に頒布された刊行物１である特開２００４−３１４９８号公報（以下「引用例４」という）には、図面とともに次の（カ）、（キ）の事項が記載されている。
　（カ）「【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板表面に複数の固体撮像素子を形成する工程と、
前記固体撮像素子の各受光領域に対向して空隙をもつように、前記半導体基板表面に透光性部材を接合する工程と、
前記接合する工程の前または後に、前記半導体基板上の各固体撮像素子を分離する分離領域およびその周辺部に、前記半導体基板を貫通し内壁を導体化された貫通溝を形成する工程と、
前記接合工程で得られた接合体を、各固体撮像素子の側壁に、前記内壁を導体化された貫通溝の一部で構成された側壁配線部を残すように、前記分離領域で、固体撮像素子ごとに分離する工程とを含むことを特徴とする固体撮像素子の製造方法。」
　
　（キ）「【００１９】
この固体撮像素子１００は、ｎ型のシリコン基板１０１ａ表面に形成されたｐウェル１０１ｂ内に、チャンネルストッパ２８を形成し、このチャネルストッパを挟んでフォトダイオード１４と電荷転送素子３３とを形成してなるものである。《以下略》」
　
　上記記載（カ）、（キ）からみて、引用例４には「基板に、実装され、分離される素子が半導体素子である」（以下「引用例４の記載事項」という）ことが示されている。
　
３．対比   
　本願発明と引用発明とを対比すると、
　引用発明の「ガラス基板」は、本願発明の「第１の基板」に相当する。　以下同様に、「ウェハアセンブリ」は「半導体装置」に、「シリコン基板」は「第２の基板」に相当する。
　引用発明の「素子」は導電部分がなく「半導体素子」とはいえないが、両者は「素子」として概念で共通している。
　
　また、引用発明の「ガラス基板及びシリコン基板の両方を部品分離の前に一部だけ切削することができ、ガラスをその厚さの５０％〜９５％の深さまで切削し、シリコン基板を切削し、」に関しては、「第１の基板」（ガラス基板）と「第２の基板」（シリコン基板）は、分離前は接合されており、溝部を形成する切削は、当然両基板の接合面と反対側から行われることは明らかである。
　そして、両基板とも一部だけ切削し１００％切削しないのであるから、接続部が残るものである。
　
　このことから、上記引用発明の「ガラス基板及びシリコン基板の両方を部品分離の前に一部だけ切削することができ、ガラスをその厚さの５０％〜９５％の深さまで切削し、シリコン基板を切削し、」の部分は、本願発明の「前記第１の基板に前記第２の基板との接合面と反対側の面から第１の溝部を形成する第２の工程と、前記第１の溝部と対向するように、前記第２の基板に前記第１の基板との接合面と反対側の面から第２の溝部を形成し、対向する前記第１の溝部と前記第２の溝部との間に接続部を残す第３の工程」に相当することになる。
　
　さらに、引用発明の「これらの部品は手を使って分離することもできる。」に関しては、切削後に残された接続部を手を使って分離することであるから、当然「へき開すること」になり、本願発明の「前記接続部をへき開することにより、前記第１の基板と前記第２の基板を個片化する第４の工程」に相当している。　
　
　上記の事項を考慮すると、両者は次の点で一致し、
「第１の基板に素子が実装された構造を有する装置の製造方法であって、
　前記素子が実装された前記第１の基板と、当該第１の基板と異なる材料よりなる第２の基板とを接合して当該素子を封止する第１の工程と、
　前記第１の基板に前記第２の基板との接合面と反対側の面から第１の溝部を形成する第２の工程と、　　　　　　　　　　　
　前記第１の溝部と対向するように、前記第２の基板に前記第１の基板との接合面と反対側の面から第２の溝部を形成し、対向する前記第１の溝部と前記第２の溝部との間に接続部を残す第３の工程と、
　前記接続部をへき開することにより、前記第１の基板と前記第２の基板を個片化する第４の工程と、を有する装置の製造方法。」
　
　以下の点で相違する。
ａ：本願発明は「前記第２の工程及び前記第３の工程において、前記第１の溝部及び前記第２の溝部を形成する際に、前記第１の基板と前記第２の基板のうち溝部を形成しない方の基板の外側に、樹脂材料よりなるテープである支持体を貼付し」ているのに対して、引用発明にはそのような言及がない点。
　
ｂ：本願発明では「前記第４の工程において、前記テープを引っ張って伸ばすことにより、前記接続部をへき開する」のに対して、引用発明にはそのような言及がない点。
　
ｃ：本願発明では、実装される「素子」が「半導体素子」であるのに対して、引用発明では「素子」である点。
　
４．当審の判断
　ａの相違点に関して、
上記引用例２には「スクイブ線(6)（溝部）を形成しない方の基板(2)の外側に、エキスパンド用のシート(5)（樹脂材料よりなるテープである支持体）を貼付する」（引用例２の記載事項参照）ことが記載されている。
　このことは、基板接続部のへき開前に溝部を形成する際、「溝部を形成しない方の基板の外側に、樹脂材料よりなるテープである支持体を貼付する」ことを示しており、当該分野で周知の技術であるから、引用発明においても、溝部を形成する際、溝部を形成しない方の基板の外側に、樹脂材料よりなるテープである支持体を貼付して本願発明のように構成することは当業者であれば容易になしうる程度の事項と認められる。
　
　ｂの相違点に関して、
上記引用例３には「テープを引っ張って伸ばすことにより、接続部をへき開する」（引用例３の記載事項参照）ことが記載されており、これは「テープを引っ張って伸ばすことにより、接続部をへき開する」ことを開示している。このことは当該分野において周知の技術でもあるから、引用発明においても、テープを引っ張って伸ばすことにより、接続部をへき開することは当業者であれば容易に設計しうる程度の事項と認められる。
　
　ｃの相違点に関して、
上記引用例４に「基板に、実装され、分離される素子が半導体素子である（引用例４の記載事項参照）ことが示されているように、基板に実装・分離される素子として半導体素子は一般的に周知な事項であり、「素子」として「半導体素子」とすることは、当業者であれば容易に設計しうる程度の事項と認められる。
　
　したがって、本願発明（本願請求項１に係る本願発明）は、引用発明及び引用例２ないし４に記載された事項と周知技術から、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
５．むすび
　以上のとおりであるから、本願発明は、引用発明及び引用例２ないし４に記載された事項と周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条２項の規定により特許を受けることはできない。
　そうすると、このような特許を受けることができない発明を包含する本願は、本願の他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。