【事件の表示】
　特願２００７−５４８３０２「Ｃｕ配線を有するＣＭＯＳイメージャ及びそれから高反射性界面を除去する方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年　７月　６日国際公開、ＷＯ２００６／０７１５４０、平成２０年　７月１７日国内公表、特表２００８−５２６０２２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、２００５年１２月１４日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００４年１２月２３日、米国）を国際出願日とする出願であって、平成２４年１月２７日付けの拒絶理由に対して、同年４月１７日に手続補正がなされるとともに、意見書が提出され、同年５月８日付けで拒絶査定がなされ、それに対して、同年８月２０日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同日に手続補正がなされ、その後、同年１０月１８日付けで審尋がなされ、平成２５年１月１８日に回答書が提出されたものである。
　
２．補正の却下の決定
【補正の却下の決定の結論】
　平成２４年８月２０日になされた手続補正を却下する。
　
【理由】
（１）補正の内容
　平成２４年８月２０日になされた手続補正（以下「本件補正」という。）は、補正前の特許請求の範囲の請求項１ないし２４を、補正後の特許請求の範囲の請求項１ないし１４に補正するものであり、そのうちの補正前の請求項２３及び補正後の請求項１３は、以下のとおりである。
　
（補正前）
「【請求項２３】
　ピクセルのアレイを含む画像センサであって、
　入射光を受光するために、前記アレイ中の対応するピクセルの各位置に形成された感光素子を含む半導体基板と、
　その中に形成された第１及び第２のレベルのＣｕメタライゼーションを有する層間誘電体層の積層体であって、前記積層体の第１の層間誘電体層は前記基板の上に形成され、前記メタライゼーションの各々は前記アレイ中の各感光素子の間に形成されたＣｕ金属配線構造体を含む、積層体と、
　前記Ｃｕ金属配線構造体の各々の上に形成されたバリア材料層であって、前記バリア材料の部分が前記アレイの各ピクセルの光路に沿った領域から選択的に除去される、前記バリア材料層と、
　前記アレイ中の前記金属相互接続層と入射光を受光する最上層との間に形成された第２の層間誘電体層と、を備え、
　前記Ｃｕメタライゼーション・レベルは、層間誘電体層のより薄い積層体が光路を短縮して前記アレイ中の各感光素子が受光する光量を増大させることを可能にする、画像センサ。」
　
（補正後）
「【請求項１３】
　ピクセルのアレイを含む画像センサであって、
　入射光を受光するために、前記アレイ中の対応するピクセルの各位置に形成された感光素子を含む半導体基板と、
　その中に形成された第１及び第２のレベルのＣｕメタライゼーションを有するＳｉＯ2の層間誘電体層の積層体であって、前記積層体のＳｉＯ2の第１の層間誘電体層は前記基板の上に形成され、前記メタライゼーションの各々は前記アレイ中の各感光素子の間に形成されたＣｕ金属配線構造体を含む、積層体と、
　前記Ｃｕ金属配線構造体の各々の上に形成されたＳｉＮのバリア材料層であって、前記バリア材料の部分が前記アレイの各ピクセルの光路に沿った領域から選択的に除去される、前記バリア材料層と、
　前記アレイ中の前記金属相互接続層と入射光を受光する最上層との間に形成されたＳｉＯ2の第２の層間誘電体層と、を備え、
　前記ＳｉＮのバリア材料層上に更にＳｉＯＮを形成して前記入射光の反射率を最小にして、前記アレイ中の各感光素子が受光する光量を増大させる、画像センサ。」
　
（２）補正事項の整理
　本件補正のうち、補正前の請求項２３についての補正を整理すると、次のとおりである。
（補正事項ａ）
　補正前の請求項２３の「その中に形成された第１及び第２のレベルのＣｕメタライゼーションを有する層間誘電体層の積層体であって、前記積層体の第１の層間誘電体層は前記基板の上に形成され、前記メタライゼーションの各々は前記アレイ中の各感光素子の間に形成されたＣｕ金属配線構造体を含む、積層体と、」を、補正後の請求項１３の「その中に形成された第１及び第２のレベルのＣｕメタライゼーションを有するＳｉＯ2の層間誘電体層の積層体であって、前記積層体のＳｉＯ2の第１の層間誘電体層は前記基板の上に形成され、前記メタライゼーションの各々は前記アレイ中の各感光素子の間に形成されたＣｕ金属配線構造体を含む、積層体と、」と補正したこと。
　
（補正事項ｂ）
　補正前の請求項２３の「前記Ｃｕ金属配線構造体の各々の上に形成されたバリア材料層であって、前記バリア材料の部分が前記アレイの各ピクセルの光路に沿った領域から選択的に除去される、前記バリア材料層と、」を、補正後の請求項１３の「前記Ｃｕ金属配線構造体の各々の上に形成されたＳｉＮのバリア材料層であって、前記バリア材料の部分が前記アレイの各ピクセルの光路に沿った領域から選択的に除去される、前記バリア材料層と、」と補正したこと。
　
（補正事項ｃ）
　補正前の請求項２３の「前記アレイ中の前記金属相互接続層と入射光を受光する最上層との間に形成された第２の層間誘電体層と、」を、補正後の請求項１３の「前記アレイ中の前記金属相互接続層と入射光を受光する最上層との間に形成されたＳｉＯ2の第２の層間誘電体層と、」と補正したこと。
　
（補正事項ｄ）
　補正前の請求項２３の「前記Ｃｕメタライゼーション・レベルは、層間誘電体層のより薄い積層体が光路を短縮して前記アレイ中の各感光素子が受光する光量を増大させることを可能にする、」を、補正後の請求項１３の「前記ＳｉＮのバリア材料層上に更にＳｉＯＮを形成して前記入射光の反射率を最小にして、前記アレイ中の各感光素子が受光する光量を増大させる、」と補正したこと。
　
（３）新規事項の追加の有無についての検討
（３−１）補正事項ａについて
　補正事項ａは、補正前の請求項２３に係る発明の発明特定事項である「Ｃｕメタライゼーションを有する層間誘電体層」及び「第１の層間誘電体層」について、共に「ＳｉＯ2の」と限定的に減縮する補正であり、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項（以下「特許法第１７条の２第４項」という。）第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そして、この補正は、本願の願書に最初に添付した明細書の段落【００２０】の記載に基づく補正であり、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項（以下「特許法第１７条の２第３項」という。）に規定された新規事項の追加禁止の要件を満たしている。
　
（３−２）補正事項ｂについて
　補正事項ｂは、補正前の請求項２３に係る発明の発明特定事項である「バリア材料層」について、「ＳｉＮの」と限定的に減縮する補正であり、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そして、この補正は、本願の願書に最初に添付した明細書の段落【００２０】の記載に基づく補正であり、特許法第１７条の２第３項に規定された新規事項の追加禁止の要件を満たしている。
　
（３−３）補正事項ｃについて
　補正事項ｃは、補正前の請求項２３に係る発明の発明特定事項である「第２の層間誘電体層」について、「ＳｉＯ2の」と限定的に減縮する補正であり、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そして、この補正は、本願の願書に最初に添付した明細書の段落【００２０】の記載に基づく補正であり、特許法第１７条の２第３項に規定された新規事項の追加禁止の要件を満たしている。
　
（３−４）補正事項ｄについて
　補正事項ｄは、補正前の請求項２３に係る発明の発明特定事項である「前記アレイ中の各感光素子が受光する光量を増大させる」ことについて、「前記Ｃｕメタライゼーション・レベルは、層間誘電体層のより薄い積層体が光路を短縮して」という事項を、「前記ＳｉＮのバリア材料層上に更にＳｉＯＮを形成して前記入射光の反射率を最小にして」という事項に補正するものであって、補正前の請求項２３に係る発明の発明特定事項を限定するものでないから、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものには該当しない。また、補正事項ｄが、特許法第１７条の２第４項のその他のいずれの号に掲げる事項を目的とするものにも該当しないことは明らかである
　また、補正前の請求項２３に係る発明の発明特定事項である「前記Ｃｕ金属配線構造体の各々の上に形成されたバリア材料層であって、前記バリア材料の部分が前記アレイの各ピクセルの光路に沿った領域から選択的に除去される、前記バリア材料層」という構成からみて、補正前の請求項２３に係る発明は、本件明細書の第２の実施形態（図３）、別の第２の実施形態（図４）、第３の実施形態（図５）、別の第３の実施形態（図６）、第４の実施形態（図７）別の第４の実施形態（図８）、第５の実施形態（図９）、別の第５の実施形態（図１０）、第６の実施形態（図１１）、または、別の第６の実施形態（図１２）に記載された発明を特定するものであるところ、当該実施形態に関する明細書の記載である段落【００２１】ないし【００３０】には、「ＳｉＮのバリア材料層上に更にＳｉＯＮを形成して」「入射光の反射率を最小に」することについては、記載も示唆もされていない。
　したがって、補正事項ｄは、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入しないものではなく、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてしたものとはいえないから、特許法第１７条の２第３項の規定に違反するものである。
　
（４）補正の却下の決定についてのむすび
　以上、検討したとおりであるから、他の補正事項について検討するまでもなく、本件補正は、特許法第１７条の２第３項及び第４項の規定に違反するものであり、特許法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 
　
３．本願発明
　平成２４年８月２０日になされた手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし２４に係る発明は、平成２４年４月１７日になされた手続補正により補正された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし２４に記載されている事項により特定されるとおりのものであって、そのうちの請求項２３に係る発明（以下「本願発明」という。）は、その特許請求の範囲の請求項２３に記載されている事項により特定される上記２．（１）の補正前の請求項２３として記載したとおりのものである。
　
４．引用刊行物に記載された発明
（１）原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された特開２００３−３０３９４８号公報（以下「引用刊行物」という。）には、以下の事項が記載されている。なお、下線は、当審において付与したものである（以下、同じ。）。
　
「【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体基板に光電変換素子やその読み出し回路を設けたＣＭＯＳ型イメージセンサ等の固体撮像素子に関し、特にその配線材料に銅を用いた固体撮像素子及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＭＯＳプロセスの微細化技術の進展に伴い、ＣＭＯＳ型イメージセンサが再び注目されている。
ＣＭＯＳ型イメージセンサの特徴としては、多数の光電変換素子で構成される撮像画素領域と、その周辺のロジック回路部及びメモリ回路部を同一プロセスで形成可能であるため、比較的、同一チップへの高集積化が可能であるが、いかに撮像素子としての画質性能を損なわずに多機能の回路を混載していくかが課題となっている。
【０００３】そして、
微細化されたＭＯＳプロセスの１つの鍵となる技術として、素子の配線材料に、従来のアルミニウム配線に代えて銅配線を用いることが提案されている。すなわち、銅は、アルミニウムよりも抵抗率が小さいため、配線ピッチを小さくできる。
「【００１１】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述のような従来例において、銅の拡散を防止するための保護膜が、接続孔の開口部では除去されるものの、それ以外の部分では残ってしまうことになる。また、接続孔を開口するためのハードマスクも同様に、接続孔の開口部では除去されるものの、それ以外の部分では残ってしまうことになる。しかしながら、
このように多層配線層において、余分な拡散防止膜やハードマスクが光電変換素子の上層の残ると、その分、光の透過経路における配線層の膜厚が大きくなったり、光の透過率が低下することになり、光電変換素子に対する受光効率が悪くなり、感度の低下等を招くという問題がある。
【００１２】
そこで本発明の目的は、銅配線を用いた場合に必要となる拡散防止膜やハードマスク層によって生じる光電変換素子への入射光の減衰を防止でき、感度や画質等の特性を向上できる固体撮像素子及びその製造方法を提供することにある。
「【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明による固体撮像素子およびその製造方法の実施の形態例について説明する。
【００１９】図１〜図９は、本発明の実施の形態例によるＭＯＳプロセスの各工程を示す断面図である。なお、以下の説明では、半導体基板中に入射した光を信号電荷に変換することを目的する箇所（すなわち光電変換素子の受光面）を光電変換領域とし、また、それ以外の部分、例えば、ロジック回路、アナログ回路、メモリ回路等の各素子を配置した領域を非光電変換領域として説明する。まず、
図１（Ａ）では、シリコン基板３００の非光電変換領域３００Ｂの少なくとも一部に所定のＭＯＳトランジスタを形成し、光電変換領域３００Ａに光電変換素子としてのフォトダイオード３０４を形成する。
【００２０】次いで、光電変換領域３００Ａ側でシリコン基板３００の上面からイオン注入等を行うことによってフォトダイオード３０４を形成するが、フォトダイオード３０４の構造は図では省略している。なお、フォトダイオードは埋め込み型であってもよい。そして、
その上層に第１層間絶縁膜３０５を形成することにより、下地ＭＯＳトランジスタ領域を形成する。
【００２１】次いで、
図１（Ｂ）に示すように、ＭＯＳトランジスタの各領域に対応して接続孔をパターンニングし、エッチングすることで、接続孔を開口する。そして、開口された接続孔に、例えばバリアメタルと電極材料を埋め込むことで、接続部３０５Ａ、３０５Ｂを形成する。
図１（Ｃ）に示すように、第１配線間絶縁膜３０６を形成する。
図２（Ｄ）に示すように、第１配線間絶縁膜３０６をパターンニングとエッチングによって加工し、後の銅配線となる部分に第１配線溝３０６Ａを開口する。
【００２２】次いで、
図２（Ｅ）に示すように、バリアメタル及び銅の層を成膜して第１配線溝３０６Ａに埋め込み、図３（Ｆ）に示すように、ＣＭＰにより余剰な銅及びバリアメタルを研磨することで、バリアメタル及び銅による第１配線層３０６Ｂを形成する。
図３（Ｇ）に示すように、第１配線層３０６Ｂの上層に銅配線を保護するための拡散防止膜３０７を成膜することにより、第１配線層３０６Ｂ及び第１接続部３０５Ａ、３０５Ｂが完成される。
【００２３】次いで、
図４（Ｈ）に示すように、非光電変換領域３００Ｂ側にレジストマスク３１８をパターンニングし、図４（Ｉ）に示すように、このレジストマスク３１８をマスクとして光電変換領域３００Ａ側の拡散防止膜３０７をエッチングにより除去する。
なお、拡散防止膜３０７を除去する領域は、光電変換領域３００Ａ全体でなくともよく、フォトダイオードの受光量域だけを選択的に除去するようにしてもよい。
図５（Ｊ）に示すように第２層間絶縁膜３０８を成膜し、次いで、接続孔のエッチングストッパ用のハードマスク層３０９を成膜する。
【００２４】次いで、
図５（Ｋ）に示すように、ハードマスク層３０９の第２接続孔３０９Ａとなる箇所にパターンニングし、エッチングすることで、ハードマスク層３０９を完成する。
図では省略しているが、拡散防止膜３０７の場合と同様に、非光電変換領域３００Ｂ側にレジストマスクをパターンニングし、このレジストマスクをマスクとして光電変換領域３００Ａ側のハードマスク層３０９をエッチングにより除去する。
なお、ハードマスク層３０９を除去する領域は、光電変換領域３００Ａ全体でなくともよく、フォトダイオードの受光量域だけを選択的に除去するようにしてもよい。
【００２５】次いで、
図６（Ｌ）に示すように、第２配線間絶縁膜３１０を成膜する。
図６（Ｍ）に示すように、第２配線を形成するためのレジストマスク３１１をパターンニングし、次に、図７（Ｎ）に示すように、パターン３１１をマスクとして第２配線間絶縁膜３１０をエッチングし、次いで、接続孔３０９Ａが開口されたハードマスク層３０９をマスクとして、第２層間絶縁膜３０８、拡散防止膜３０７をエッチングすることで、接続孔３０８Ａと配線溝３１０Ａを形成する。
【００２６】次いで、
図８（Ｐ）に示すように、バリアメタル、配線電極材料を成膜することにより、接続部３０８Ｂと配線３１０Ｂを形成する。
研磨により余剰なバリアメタルと配線電極材料を除去する。次に、図８（Ｑ）に示すように、拡散防止膜３１２を成膜する。
図９（Ｒ）に示すように、拡散防止膜３０７の場合と同様に、非光電変換領域３００Ｂ側にレジストマスク３１３をパターンニングし、図９（Ｓ）に示すように、このレジストマスク３１３をマスクとして光電変換領域３００Ａ側の拡散防止膜３１２をエッチングにより除去する。
なお、拡散防止膜３１２を除去する領域は、光電変換領域３００Ａ全体でなくともよく、フォトダイオードの受光量域だけを選択的に除去するようにしてもよい。この後、以上のデュアルダマシンプロセス（図５（Ｊ）〜図９（Ｓ））を所望の回数だけ繰り返すことにより、多層配線を形成する。
【００２７】以上のように、本例では、
光電変換領域３００Ａで、拡散防止膜３０７、３１２やハードマスク３０９を除去した層構造とすることにより、光学特性に優れた個体撮像素子を形成できる。
　
（２）段落【００１９】の「・・・まず、図１（Ａ）では、シリコン基板３００の非光電変換領域３００Ｂの少なくとも一部に所定のＭＯＳトランジスタを形成し、光電変換領域３００Ａに光電変換素子としてのフォトダイオード３０４を形成する。・・・」という記載を参照すると、図１（Ａ）からは、
「シリコン基板３００の非光電変換領域３００Ｂの少なくとも一部に形成されたＭＯＳトランジスタと、
　前記シリコン基板３００の光電変換領域３００Ａに形成された光電変換素子としてのフォトダイオード３０４」
という構成が見て取れる。
　
（３）段落【００２０】の「・・・そして、その上層に第１層間絶縁膜３０５を形成することにより、下地ＭＯＳトランジスタ領域を形成する。・・・」及び段落【００２１】の「次いで、図１（Ｂ）に示すように、ＭＯＳトランジスタの各領域に対応して接続孔をパターンニングし、エッチングすることで、接続孔を開口する。そして、開口された接続孔に、例えばバリアメタルと電極材料を埋め込むことで、接続部３０５Ａ、３０５Ｂを形成する。・・・」という記載を参照すると、図１（Ｂ）からは、
「シリコン基板３００の上に形成された第１層間絶縁膜３０５と、
　前記第１層間絶縁膜３０５に形成された接続孔に埋め込まれ、バリアメタル及び電極材料からなる接続部３０５Ａ、３０５Ｂ」
という構成が見て取れる。
　
（４）段落【００２１】の「・・・次いで、図１（Ｃ）に示すように、第１配線間絶縁膜３０６を形成する。・・・次いで、図２（Ｄ）に示すように、第１配線間絶縁膜３０６をパターンニングとエッチングによって加工し、後の銅配線となる部分に第１配線溝３０６Ａを開口する。」及び段落【００２２】の「次いで、図２（Ｅ）に示すように、バリアメタル及び銅の層を成膜して第１配線溝３０６Ａに埋め込み、図３（Ｆ）に示すように、ＣＭＰにより余剰な銅及びバリアメタルを研磨することで、バリアメタル及び銅による第１配線層３０６Ｂを形成する。・・・」という記載を参照すると、図３（Ｆ）からは、
「第１層間絶縁膜３０５の上に形成された第１配線間絶縁膜３０６と、
　前記第１配線間絶縁膜３０６内に形成され、銅及びバリアメタルからなる第１配線層３０６Ｂ」
という構成が見て取れる。
　
（５）段落【００２２】の「・・・次いで、図３（Ｇ）に示すように、第１配線層３０６Ｂの上層に銅配線を保護するための拡散防止膜３０７を成膜することにより、第１配線層３０６Ｂ及び第１接続部３０５Ａ、３０５Ｂが完成される。・・・」、段落【００２３】の「次いで、図４（Ｈ）に示すように、非光電変換領域３００Ｂ側にレジストマスク３１８をパターンニングし、図４（Ｉ）に示すように、このレジストマスク３１８をマスクとして光電変換領域３００Ａ側の拡散防止膜３０７をエッチングにより除去する。次にアッシング等によりレジストマスク３１８を除去する。なお、拡散防止膜３０７を除去する領域は、光電変換領域３００Ａ全体でなくともよく、フォトダイオードの受光量域だけを選択的に除去するようにしてもよい。次いで、図５（Ｊ）に示すように第２層間絶縁膜３０８を成膜し、次いで、接続孔のエッチングストッパ用のハードマスク層３０９を成膜する。・・・」、段落【００２４】の「次いで、図５（Ｋ）に示すように、ハードマスク層３０９の第２接続孔３０９Ａとなる箇所にパターンニングし、エッチングすることで、ハードマスク層３０９を完成する。次いで、図では省略しているが、拡散防止膜３０７の場合と同様に、非光電変換領域３００Ｂ側にレジストマスクをパターンニングし、このレジストマスクをマスクとして光電変換領域３００Ａ側のハードマスク層３０９をエッチングにより除去する。次にアッシング等によりレジストマスクを除去する。なお、ハードマスク層３０９を除去する領域は、光電変換領域３００Ａ全体でなくともよく、フォトダイオードの受光量域だけを選択的に除去するようにしてもよい。・・・」、段落【００２５】の「次いで、図６（Ｌ）に示すように、第２配線間絶縁膜３１０を成膜する。・・・次いで、図６（Ｍ）に示すように、第２配線を形成するためのレジストマスク３１１をパターンニングし、次に、図７（Ｎ）に示すように、パターン３１１をマスクとして第２配線間絶縁膜３１０をエッチングし、次いで、接続孔３０９Ａが開口されたハードマスク層３０９をマスクとして、第２層間絶縁膜３０８、拡散防止膜３０７をエッチングすることで、接続孔３０８Ａと配線溝３１０Ａを形成する。この後、図７（Ｏ）に示すように、レジストマスク３１１をアッシングと洗浄により除去する。」及び段落【００２６】の「次いで、図８（Ｐ）に示すように、バリアメタル、配線電極材料を成膜することにより、接続部３０８Ｂと配線３１０Ｂを形成する。バリアメタルとしては窒化タンタル等を用い、配線電極材料には銅を用いるが、それらに限らない。次いで、研磨により余剰なバリアメタルと配線電極材料を除去する。次に、図８（Ｑ）に示すように、拡散防止膜３１２を成膜する。・・・この後、図９（Ｒ）に示すように、拡散防止膜３０７の場合と同様に、非光電変換領域３００Ｂ側にレジストマスク３１３をパターンニングし、図９（Ｓ）に示すように、このレジストマスク３１３をマスクとして光電変換領域３００Ａ側の拡散防止膜３１２をエッチングにより除去する。次にアッシング等によりレジストマスク３１３を除去する。なお、拡散防止膜３１２を除去する領域は、光電変換領域３００Ａ全体でなくともよく、フォトダイオードの受光量域だけを選択的に除去するようにしてもよい。この後、以上のデュアルダマシンプロセス（図５（Ｊ）〜図９（Ｓ））を所望の回数だけ繰り返すことにより、多層配線を形成する。」という記載を参照すると、図９（Ｓ）からは、
「第１配線間絶縁膜３０６の上に形成され、フォトダイオードの受光量域の部分が選択的に除去された拡散防止膜３０７と、
　前記第１配線間絶縁膜３０６及び前記拡散防止膜３０７の上に形成された第２層間絶縁膜３０８と、
　前記第２層間絶縁膜３０８に形成された接続孔３０８Ａに埋め込まれ、バリアメタル及び銅からなる接続部３０８Ｂと、
　第２層間絶縁膜３０８の上に形成され、フォトダイオードの受光量域の部分が選択的に除去されたハードマスク層３０９と、
  前記第２層間絶縁膜３０８及び前記ハードマスク３０９の上に形成された第２配線間絶縁膜３１０と、
　前記第２配線間絶縁膜３１０に形成された配線溝３１０Ａに埋め込まれ、バリアメタル及び銅からなる配線３１０Ｂと、
　前記第２配線間絶縁膜３１０の上に形成され、フォトダイオードの受光量域の部分が選択的に除去された拡散防止膜３１２」
という構成が見て取れる。
　
（６）そうすると、引用刊行物には、以下の発明（以下「刊行物発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
 「シリコン基板３００の非光電変換領域３００Ｂの少なくとも一部に形成されたＭＯＳトランジスタと、
　前記シリコン基板３００の光電変換領域３００Ａに形成された光電変換素子としてのフォトダイオード３０４と、
　前記シリコン基板３００の上に形成された第１層間絶縁膜３０５と、
　前記第１層間絶縁膜３０５に形成された接続孔に埋め込まれ、バリアメタル及び電極材料からなる接続部３０５Ａ、３０５Ｂと、
　前記第１層間絶縁膜３０５の上に形成された第１配線間絶縁膜３０６と、
　前記第１配線間絶縁膜３０６内に形成され、銅及びバリアメタルからなる第１配線層３０６Ｂと、
　前記第１配線間絶縁膜３０６の上に形成され、前記フォトダイオードの受光量域の部分が選択的に除去された拡散防止膜３０７と、
　前記第１配線間絶縁膜３０６及び前記拡散防止膜３０７の上に形成された第２層間絶縁膜３０８と、
　前記第２層間絶縁膜３０８に形成された接続孔３０８Ａに埋め込まれ、バリアメタル及び銅からなる接続部３０８Ｂと、
　前記第２層間絶縁膜３０８の上に形成され、フォトダイオードの受光量域の部分が選択的に除去されたハードマスク層３０９と、
  前記第２層間絶縁膜３０８及び前記ハードマスク３０９の上に形成された第２配線間絶縁膜３１０と、
　前記第２配線間絶縁膜３１０に形成された配線溝３１０Ａに埋め込まれ、バリアメタル及び銅からなる配線３１０Ｂと、
　前記第２配線間絶縁膜３１０の上に形成され、フォトダイオードの受光量域の部分が選択的に除去された拡散防止膜３１２と
　を備えた固体撮像素子。」
　
５．対比
（１）刊行物発明の「光電変換領域３００Ａ」は、本願発明の「ピクセル」に相当する。そして、刊行物発明の「光電変換領域３００Ａに」「光電変換素子としてのフォトダイオード３０４」が「形成された」「シリコン基板３００」は、本願発明の「入射光を受光するために、」「ピクセルの各位置に形成された感光素子を含む半導体基板」に相当する。
　
（２）刊行物発明の「銅」「からなる第１配線層３０６Ｂ」及び「銅からなる配線３１０Ｂ」は、本願発明の「第１及び第２のレベルのＣｕメタライゼーション」に相当する。そして、刊行物発明の「第１層間絶縁膜３０５」、「第１配線間絶縁膜３０６」、「銅」「からなる第１配線層３０６Ｂ」、「第２層間絶縁膜３０８」、「第２配線間絶縁膜３１０」及び「銅からなる配線３１０Ｂ」は、全体として、本願発明の「第１及び第２のレベルのＣｕメタライゼーションを有する層間誘電体層の積層体」に相当する。
　
（３）刊行物発明の「シリコン基板３００の上に形成された第１層間絶縁膜３０５」は、本願発明の「基板の上に形成され」た「第１の層間誘電体層」に相当する。
　
（４）刊行物発明の「銅」「からなる第１配線層３０６Ｂ」及び「銅からなる配線３１０Ｂ」は、併せて本願発明の「Ｃｕ金属配線構造体」に相当する。
　
（５）刊行物発明の「フォトダイオードの受光量域の部分」は、本願発明の「ピクセルの光路に沿った領域」に相当するから、刊行物発明の「フォトダイオードの受光量域の部分が選択的に除去された拡散防止膜３０７」及び「フォトダイオードの受光量域の部分が選択的に除去された拡散防止膜３１２」と、本願発明の「バリア材料の部分が」「アレイの各ピクセルの光路に沿った領域から選択的に除去される、」「バリア材料層」とは、「バリア材料の部分が」「ピクセルの光路に沿った領域から選択的に除去される、」「バリア材料層」という点で共通する。
　
（６）刊行物発明の「固体撮像素子」は、本願発明の「画像センサ」に相当する。
　
（７）そうすると、本願発明と刊行物発明とは、
「ピクセルを含む画像センサであって、
　入射光を受光するために、前記ピクセルの各位置に形成された感光素子を含む半導体基板と、
　その中に形成された第１及び第２のレベルのＣｕメタライゼーションを有する層間誘電体層の積層体であって、前記積層体の第１の層間誘電体層は前記基板の上に形成された積層体と、
　Ｃｕ金属配線構造体の各々の上に形成されたバリア材料層であって、前記バリア材料の部分が前記ピクセルの光路に沿った領域から選択的に除去される、前記バリア材料層と、
　を備えた画像センサ。」
である点で一致し、次の５点で相違する。
　
（相違点１）本願発明の「画像センサ」は、「ピクセルのアレイを含む」のに対して、刊行物発明の「固体撮像素子」が、「光電変換領域３００Ａ」の「アレイ」を含んでいるかどうかが特定されていない点。
　
（相違点２）本願発明では、「メタライゼーションの各々は」「アレイ中の各感光素子の間に形成されたＣｕ金属配線構造体を含む」のに対して、刊行物発明では、そのような特定がなされていない点。
　
（相違点３）本願発明では、「バリア材料の部分が」「アレイの各ピクセルの光路に沿った領域から選択的に除去される」のに対して、刊行物発明では、上記相違点１において述べように、「アレイ」について特定されていない点。
　
（相違点４）本願発明では、「アレイ中の
前記
　
（相違点５）本願発明では、「Ｃｕメタライゼーション・レベルは、層間誘電体層のより薄い積層体が光路を短縮して」「アレイ中の各感光素子が受光する光量を増大させることを可能にする」のに対して、刊行物発明では、そのような特定がなされていない点。
　
６．判断
　以下、相違点について、以下、検討する。
（１）相違点１及び３について
　引用刊行物に、「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、
半導体基板に光電変換素子やその読み出し回路を設けたＣＭＯＳ型イメージセンサ等の固体撮像素子
【０００２】
【従来の技術】・・・
ＣＭＯＳ型イメージセンサの特徴としては、多数の光電変換素子で構成される撮像画素領域
　また、刊行物発明において、「アレイ中」の「フォトダイオードの受光量域の部分が選択的に除去された拡散防止膜３０７」及び「アレイ中」の「フォトダイオードの受光量域の部分が選択的に除去された拡散防止膜３１２」を有する構成となっているものと認められ、仮にそうとまでは言えないとしても、「アレイ中」の「フォトダイオードの受光量域の部分が選択的に除去された拡散防止膜３０７」及び「アレイ中」の「フォトダイオードの受光量域の部分が選択的に除去された拡散防止膜３１２」とすることにより、本願発明のように、「バリア材料の部分が」「アレイの各ピクセルの光路に沿った領域から選択的に除去される」構成とすることは、当業者が必要に応じて、適宜なし得たことと認められる。
　よって、相違点１及び３は、実質的なものではなく、また、仮に実質的なものであったとしても、当業者が容易になし得た範囲に含まれる程度のものである。
　
（２）相違点２について
　引用刊行物の「【００１１】
【発明が解決しようとする課題】・・・このように多層配線層において、余分な拡散防止膜やハードマスクが光電変換素子の上層の残ると、その分、光の透過経路における配線層の膜厚が大きくなったり、光の透過率が低下することになり、光電変換素子に対する受光効率が悪くなり、感度の低下等を招くという問題がある。」及び「【００２７】以上のように、本例では、光電変換領域３００Ａで、拡散防止膜３０７、３１２やハードマスク３０９を除去した層構造とすることにより、光学特性に優れた個体撮像素子を形成できる。・・・」という記載からは、刊行物発明において、「フォトダイオード３０４」が形成された「光電変換領域３００Ａ」の上方には、「第１層間絶縁膜３０５」、「第１配線間絶縁膜３０６」、「第２層間絶縁膜３０８」及び「第２配線間絶縁膜３１０」以外の光の透過率が低下するような層、すなわち、「第１配線層３０６Ｂ」あるいは「配線３１０Ｂ」などは形成されていないものと考えられ、「光電変換領域３００Ａ」の「アレイ」を含む「固体撮像素子」（上記「（１）相違点１について」を参照）である刊行物発明において、そのような構成を具体化する際に、該「第１配線層３０６Ｂ」あるいは「配線３１０Ｂ」を、「アレイ」中の「フォトダイオード３０４」の間に形成することにより、本願発明のように、「メタライゼーションの各々は」「アレイ中の各感光素子の間に形成されたＣｕ金属配線構造体を含む」構成とすることは、当業者が必要に応じて、適宜なし得たことと認められる。
　よって、相違点２は、当業者が容易になし得た範囲に含まれる程度のものである。
　
（３）相違点４について
　本願発明には、「前記金属相互接続層」に対応する文言が存在せず、実施形態を参照すると、該「金属相互配線層」は、「Ｃｕ金属配線構造体」の誤記であると認められるので、以後、そのように読み替えて検討する。
　一般に、固体撮像素子において、多層配線構造の最上層配線を覆う層間絶縁層が形成され、さらに、入射光を受光する最上層には、素子全体を保護するためのパッシベーション層が形成されていることは、当業者にとって技術常識とも言えることであり、刊行物発明である固体撮像素子も、「アレイ」中（上記「相違点１について」を参照）の「銅」「からなる第１配線層３０６Ｂ」及び「銅からなる配線３１０Ｂ」と入射光を受光する最上層との間に形成された層間絶縁層を含んでいるものと認められ、仮にそうとまでは言えないとしても、「アレイ」中（上記「相違点１について」を参照）の「銅」「からなる第１配線層３０６Ｂ」及び「銅からなる配線３１０Ｂ」と入射光を受光する最上層との間に形成された層間絶縁層を含む構成とすることは、当業者が必要に応じて、適宜なし得たことと認められる。
　よって、相違点４は、実質的なものではなく、また、仮に実質的なものであったとしても、当業者が容易になし得た範囲に含まれる程度のものである。
　
（４）相違点５について
　一般に、配線材料として抵抗率の低い銅を使用することにより、素子の微細化が図れることは、例えば、引用刊行物に、「【０００３】そして、微細化されたＭＯＳプロセスの１つの鍵となる技術として、素子の配線材料に、従来のアルミニウム配線に代えて銅配線を用いることが提案されている。すなわち、
銅は、アルミニウムよりも抵抗率が小さいため、配線ピッチを小さくできる。
　そして、引用刊行物の「【００１１】
【発明が解決しようとする課題】・・・このように多層配線層において、余分な拡散防止膜やハードマスクが光電変換素子の上層の残ると、その分、
光の透過経路における配線層の膜厚が大きくなったり、光の透過率が低下することになり、光電変換素子に対する受光効率が悪くなり、感度の低下等を招く
　よって、相違点５は、当業者が容易になし得た範囲に含まれる程度のものである。
　
（５）以上検討したとおり、本願発明と刊行物発明との相違点は、いずれも実質的なものでないか、当業者が容易になし得た範囲に含まれる程度のものにすぎず、本願発明は、引用刊行物に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
７．むすび
　以上のとおりであるから、本願は、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、拒絶をすべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。