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　特願２０１０−１６６９４２「半導体装置の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２２年１０月２１日出願公開、特開２０１０−２３９１６２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯、本願発明
　本願は、平成９年１２月１１日に出願した特願平９−３４１５１６号（以下「原出願」という。）の一部を平成１６年９月６日に新たな特許出願とした特願２００４−２５８３２１号の一部を平成２０年１２月１２日に新たな特許出願とした特願２００８−３１７４０５号の一部を平成２２年７月２６日に新たな特許出願としたものであって、平成２４年３月２６日付けで拒絶査定され、同年７月２日付けで拒絶査定不服審判が請求されたものであり、その後、当審において同年９月４日付けで拒絶理由を通知したところ、同年１１月７日付けで、意見書が提出されるとともに、手続補正がされたものである。
　そして、本願の各請求項に係る発明は、平成２４年１１月７日付け手続補正書によって補正された特許請求の範囲の請求項１〜５に記載された事項により特定されるものと認められるところ、そのうちの請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次のとおりである。
「【請求項１】
　隣り合う二辺の長さが互いに異なる１個の第１半導体素子と、隣り合う二辺の長さが互いに異なる１個の第２半導体素子とを、交差させながら電気的に接合する第１工程と、
　スルーホールを有し、上面から下面に亘って前記スルーホールを介して配線が形成された基板を準備する第２工程と、
　前記基板の上面側に、互いに交差して接合された前記第１及び第２半導体素子を搭載する第３工程と、
　前記第３工程の後に、前記第１半導体素子の電極と前記基板の上面における前記配線とをボンディングワイヤによって接続する第４工程と、
　前記第１及び第２半導体素子と前記ボンディングワイヤとを封止樹脂によって覆う第５工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。」
　　　　　
２．引用文献及びその記載事項
（１）　当審の拒絶の理由に引用され、原出願の出願日前に頒布された刊行物である特開平７−２２１１３５号公報（以下「引用例１」という。）には、図面とともに次の技術的事項が記載されている。
　１−ａ）　「【請求項１】　ふたつの半導体ベアチップの表面にチップ電極パッドを裏返すと一致するような配置になるように形成し、チップ電極同志を導体バンプによって結合し、一方のベアチップの裏面を基板、リ−ドフレ−ム、パッケ−ジ等の担体にダイボンドし、裏面を接着した方のチップの電極パッドと、基板のパッドとはワイヤボンデイングによって結合している事を特徴とする２層構造立体ベアチップＩＣ。」
　１−ｂ）　「【０００２】【従来の技術】ベアチップの実装方法としては、従来ふたつの方法があった。一つは図２に示すように、チップ単体を回路基板、ＩＣパッケ−ジ、リ−ドフレ−ム等の担体に直接ダイボンドする方法である。基板７の上には、ダイボンド用の接着剤８が印刷してある。基板７の上には、ワイヤボンド用のパッド６が蒸着してある。ベアチップ１の裏面を接着剤８にダイボンドする。ベアチップ１の電極パッド１０と、基板７のパッド６が金属ワイヤ５によって接続される。これは最も普通の実装法である。配線パタ−ンが上面になって、チップが基板の上に固定される。ダイボンドの後にワイヤボンドがなされる。図２において、チップ１が回路基板７の上に接着される例を示している。パッケ−ジや、リ−ドフレ−ムの場合でも同様である。」
　１−ｃ）　「【００１０】【作用】本発明は、ふたつのベアチップを互いに導体バンプを用いて対向結合し、さらに一方のチップの裏面を基板にダイボンドしている。下側のチップの電極パッドは、基板のパッドとワイヤによって接続される。ふたつのチップの間に信号の伝達がなされる場合において、チップ間距離がきわめて短くなるので、信号の遅延や歪みが少なくなる。これにより回路の動作を高速化することができる。２つのチップを平行に設けるので、占有面積が半分近くに減少する。高密度実装が可能となる。これにより基板の小型化、装置の小型化が実現される。」
　１−ｄ）　「【００１１】【実施例】図１によって本発明の実施例に係るベアチップ実装構造を説明する。第１チップのパタ−ン面（表面）全体に、チップ接続用のパッド１３を設ける。第２チップにも、裏返しの位置にチップ接続用のパッド１４を設ける。つまり、第１チップ１のパッド１３と、第２チップ２のパッド１４は完全に面対称の配置をしている。第１チップ１のパッド１３の上にバンプ４を形成する。ハンダを印刷してこれを加熱すると、球形になる。これがバンプである。
【００１２】第１チップ１の上に裏返して第２チップを乗せて、パッド１３、１４同志を対向させる。熱圧着などの方法により、ふたつのチップを接着する。これにより２つのチップがバンプによって結合された２層構造体が得られる。この構造体の第１チップ１の底面を基板７のダイボンド用接着剤８に当ててダイボンドする。第１チップの周縁部にはワイヤボンド用電極パッド１０が形成される。基板７にも対応するパッド６が形成されている。電極パッド１０と基板のパッド６がワイヤ５によって接続される。基板７は適当なパッケ−ジに収容される。」
　　　　　
　上記の記載事項及び図面の記載を総合すると、引用例１には次の発明（以下「引用発明」という。）が実質的に記載されていると認められる。
　「第１チップのパタ−ン面（表面）全体に、チップ接続用のパッド１３を設け、第２チップにも、裏返しの位置にチップ接続用のパッド１４を設け、第１チップ１のパッド１３の上にバンプ４を形成し、ハンダを印刷してこれを加熱すると、球形になり、これがバンプとなり、
　第１チップ１の上に裏返して第２チップを乗せて、パッド１３、１４同志を対向させ、熱圧着などの方法により、ふたつのチップを接着し、これにより２つのチップがバンプによって結合された２層構造体が得られ、この構造体の第１チップ１の底面を基板７のダイボンド用接着剤８に当ててダイボンドし、第１チップの周縁部にはワイヤボンド用電極パッド１０が形成され、基板７にも対応するパッド６が形成され、電極パッド１０と基板のパッド６がワイヤ５によって接続される、２層構造立体ベアチップＩＣ。」
　　　　　
（２）　当審の拒絶の理由に引用され、原出願の出願日前に頒布された刊行物である特開昭５３−３９０６８号公報（以下「引用例２」という。）には、図面とともに次の技術的事項が記載されている。
　２−ａ）　「３．長方形の半導体ペレツトが交叉するように球状電極を介して多重に重ねられてなることを特徴とする半導体装置。」（第１ページ左下欄第１０〜１２行）
　２−ｂ）　「実施例　３　　第４図は本発明の他の実施例の半導体装置で、支持基板上に半導体ペレツトを複数固定し、その上面に他の半導体ペレツトを設けた例である。
　この半導体装置は、周辺にそつてリード２が多数植設されたステム１の上面に長方形の半導体ペレツト３を素子（電極）形成面を上にして複数個（３個）並べ底面でろう材又は金−シリコン共晶合金層を介して固定し、その上面に交叉するように他の長方形状の半導体ペレツト５を重ねて球状電極を介して接続してある。この例において前記実施例と同様の理由で高密度化した集積度の高い半導体装置が得られる。また、交叉して重ねられた下側の半導体ペレツトのあいている部分に電極パツドを設けることができステム上の外部リードとのワイヤ接続が容易となる。」（第２ページ左下欄第１３行〜右下欄第８行）
　　　　　
（３）　当審の拒絶の理由に引用され、原出願の出願日前に頒布された刊行物である特開平２−３１２２６５号公報（以下「引用例３」という。）には、図面とともに次の技術的事項が記載されている。
　３−ａ）　「〔作用〕　この発明においては、積層された各半導体素子に各電極部が露出しており、対応する各内部リードにワイヤボンディングされる。こうして、複数の半導体素子が１個のパッケージに小さい占有面積で装着され、配線基板上での集積度が高められる。
〔実施例〕　第１図（ａ）及び（ｂ）は、この発明の一実施例による半導体装置の平面図及び正面断面図であり、ふたは除いて示す。図において、１１は複数（図では４個）の半導体素子で、図は半導体記憶素子の場合を示し、長方形にされており、両短辺側に複数宛の電極部１２が形成されている。各半導体素子１１は相互の電極部１２が重ならず露出するように、円周方向に順次ずらし（図では４５°度宛）積層している。」（第２ページ左上欄第１６行〜右上欄第１２行）
　３−ｂ）　「第２図はこの発明の第２の実施例による半導体装置の平面図で、ふたは除いて示す。同一平面上に下層の半導体素子１１を複数個（図では２個）並置し、上層の複数個（図では２個）並置した半導体素子１１を円周方向に９０°ずらし、下層上に接着している。セラミックなどからなるパッケージ２０には内部に素子取付け部２０ａが形成されており、この取付け部２０ａを囲い多数の内部リード１４が配設されている。
　パッケージ２０の素子取付け部２０ａに下層の半導体素子１１を接合している。各層の露出された各電極部１２と対応する各内部リード１４とを、それぞれ金属細線１６でワイヤボンディングする。」（第２ページ左下欄第７〜１９行）
　３−ｃ）　「〔発明の効果〕　以上のように、この発明によれば、複数の半導体素子を、相互の複数の電極部が露出するように積層し、この積層された複数の半導体素子をパッケージに収納し、各半導体素子の各電極部とパッケージに設けた各内部リードとをワイヤボンディングしたので、装着した半導体素子の数量の割にパッケージの占有面積が増大せず、配線基板への集積度が高められる。」（第３ページ右上欄第７〜１５行）
　　　　　
３．対比
　本願発明と引用発明とを対比する。
　引用発明の「第１チップ」は、本願発明の「１個の第１半導体素子」に相当する。
　以下、同様に「第２チップ」は「１個の第２半導体素子」に、「基板７」は「基板」に、それぞれ相当する。
　引用発明では、基板７にパッド６が形成されているところ、このパッドは何らかの配線を通じて他の所に電気的に接続されていることは明らかであるから、引用発明は、本願発明における「配線が形成された基板」との要件を備えるといえる。
　引用発明では、「第１チップ１の上に裏返して第２チップを乗せて、パッド１３、１４同志を対向させ、熱圧着などの方法により、ふたつのチップを接着し、これにより２つのチップがバンプによって結合された２層構造体が得られ」るようにしているから、引用発明は、本願発明における「１個の第１半導体素子と、１個の第２半導体素子とを、電気的に接合する第１工程」との要件を備えるといえる。
　引用発明では、「構造体の第１チップ１の底面を基板７のダイボンド用接着剤８に当ててダイボンド」しているので、引用発明は、本願発明における「基板を準備する第２工程」及び「基板の上面側に、接合された前記第１及び第２半導体素子を搭載する第３工程」との要件を備えるといえる。
　引用発明では、「第１チップの周縁部にはワイヤボンド用電極パッド１０が形成され、基板７にも対応するパッド６が形成され、電極パッド１０と基板のパッド６がワイヤ５によって接続される」ものであり、このワイヤ５による接続は２層の構造体のダイボンド後に行われることは明らかであるから、引用発明は、本願発明における「第３工程の後に、前記第１半導体素子の電極と前記基板の上面における前記配線とをボンディングワイヤによって接続する第４工程」との要件を備えるといえる。
　また、引用発明は、第１チップと第２チップとを接着して２層構造体を得て、この構造体を基板にダイボンドするものであるから、実質的に「半導体装置の製造方法」に関する要件を備えるといえる。
　以上のことから、本願発明と引用発明とは次の点で一致する。
「１個の第１半導体素子と、１個の第２半導体素子とを、電気的に接合する第１工程と、
　配線が形成された基板を準備する第２工程と、
　前記基板の上面側に、前記第１及び第２半導体素子を搭載する第３工程と、
　前記第３工程の後に、前記第１半導体素子の電極と前記基板の上面における前記配線とをボンディングワイヤによって接続する第４工程と、を有する半導体装置の製造方法。」
　　　　　
　一方で、両者は次の点で相違する。
［相違点１］
　本願発明では、第１半導体素子及び第２半導体素子は「隣り合う二辺の長さが互いに異」なっており、その接合する第１工程では「互いに交差して接合」しているのに対して、引用発明では、第１チップ及び第２チップの、各々の隣り合う二辺の長さは明らかではなく、また、接合してはいるものの、互いに交差しているかどうか明らかではない点。
　　　　　
［相違点２］
　配線が形成された基板に関して、本願発明では「スルーホールを有し、上面から下面に亘って前記スルーホールを介して配線が形成された基板」であるのに対して、引用発明では、基板の具体的な配線について特定されていない点。
　　　　　
［相違点３］
　本願発明では、「第１及び第２半導体素子と前記ボンディングワイヤとを封止樹脂によって覆う第５工程とを有する」のに対して、引用発明では、封止樹脂によって覆うことについて特定されていない点。
　　　　　
４．判断
　上記相違点について検討する。
［相違点１］について
　引用例２には長方形の半導体ペレットを交叉するように重ねることが記載されており、また、引用例３には長方形の半導体素子を円周方向にずらして積層することが記載されている。
　すると、引用発明において、第１チップ及び第２チップを長方形（本願発明の「隣り合う二辺の長さが互いに異なる」に相当。）とし、第１チップの上に第２チップを乗せる際に、交叉または円周方向にずらすこと（本願発明の「互いに交叉」に相当。）により、本願発明の上記相違点１に係る構成とすることは、当業者が容易になし得たものといえる。
　　　　　
［相違点２］について
　基板にスルーホールを介して配線を形成することは、例えば当審の拒絶の理由に引用され、原出願の出願日前に頒布された刊行物である特開平９−１６２３１９号公報（図１及び図３を参照。）に記載されているように慣用技術である。
　すると、引用発明において基板にスルーホールを設け、スルーホールを介して配線を形成することにより、本願発明の上記相違点２に係る構成とすることは、当業者が容易になし得たものといえる。
　　　　　
［相違点３］について
　半導体素子とボンディングワイヤとを封止樹脂によって覆うことは、例えば当審の拒絶の理由に引用され、原出願の出願日前に頒布された刊行物である、特開平９−１６２３１９号公報（図１及び図３を参照。）及び特開昭６２−２３２１３３号公報（第１〜４図を参照。）に記載されているように慣用技術である。
　すると、引用発明において第１半導体素子、第２半導体素子及びボンディングワイヤを封止樹脂によって覆うことにより、本願発明の上記相違点３に係る構成とすることは、当業者が容易になし得たものといえる。
　　　　　　
　そして、本願発明により得られる作用効果も、引用発明及び引用例２、３記載の事項並びに慣用技術から当業者であれば予測できる程度のものであって、格別のものとはいえない。 
　以上のことから、本願発明は、引用発明及び引用例２、３記載の事項並びに慣用技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。  
　　　　　
５．むすび  
　以上のとおり、本願発明（請求項１に係る発明）は、引用発明及び引用例２、３記載の事項並びに慣用技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、他の請求項に係る発明については検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。 
　よって、結論のとおり審決する。