【事件の表示】
　特願２００４−５０３９０９「圧力センサ組立体」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年１１月２０日国際公開、ＷＯ０３／９５９６２、平成１７年　８月１８日国内公表、特表２００５−５２４８４７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
　
１　手続の経緯 
　
　特許出願：　平成１５年４月１７日　 
 （パリ条約による優先権主張外国庁受理平成１４年５月８日米国）
　拒絶査定：　平成２２年７月９日（送達日：同年７月１４日）  
　拒絶査定不服審判の請求：　平成２２年１０月１２日  
　手続補正：　平成２２年１０月１２日  
　拒絶理由通知：　平成２４年４月２日（発送日：同年４月４日） 
 　　　　　　　　　（以下、「当審拒絶理由」という。） 
　手続補正：平成２４年６月２９日（以下、「本件補正」という。）
　意見書：　　平成２４年６月２９日 
 　  
　
 　 
２　本件出願の発明について 
　本件出願の請求項１ないし２７に係る発明は、本件補正によって補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし２７に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、その請求項１に係る発明は次のとおりである。  
　
「プロセス流体の圧力を測定するように構成された圧力センサ組立体において、
　印加された圧力に応答する圧力感知端部（１３０）、および印加された前記圧力を表す出力を提供する電気接点を設けた信号提供端部（１３４）を有し、２つのウェハが互いに接合されてキャパシタンスを形成する細長い圧力センサ（１０２）と、
　第１の側面（１０６）と該第１の側面（１０６）の反対側である第２の側面（１０８）、および該第１の側面（１０６）および第２の側面（１０８）間に延びている開口部（１１０）を有し、前記細長い圧力センサ（１０２）が該開口部（１１０）を貫通して配置されるセンサ取付けブロック（１０４）と、
　前記センサ取付けブロック（１０４）と前記細長い圧力センサ（１０２）との境界を封止するシール（１１２）と、
　前記シールを覆い、かつ前記細長い圧力センサ（１０２）の前記圧力感知端部（１３０）および前記センサ取付けブロック（１０４）の前記開口部（１１０）を通って延びている細長い圧力センサ（１０２）の一部分を受け入れるための部分が少なくとも形成されていて、印加された圧力を圧力センサ（１０２）に伝達するように構成され、腐食性材料と接触することによる前記シール（１１２）の腐食を防止するための保護要素（１２０）とからなり、
　前記保護要素（１２０）が、前記細長い圧力センサ（１０２）の外形に沿って形成され、前記細長い圧力センサ（１０２）の前記圧力感知端部（１３０）の外形に一致する形状に形成されている圧力センサ組立体。」（以下、「本願発明」という。） 
 　 
 　  
３　当審拒絶理由 
　これに対し、本件出願の請求項１に係る発明に対する当審拒絶理由における理由２）の概要は、該発明は、本件出願の優先日前に頒布された刊行物である特表平１１−５０１１２３号公報（発明の名称：圧力センサおよび圧力トランスミッタ、出願人：ローズマウント　インコーポレイテッド、公表日：平成１１年１月２６日、以下、「引用例１」という。）に記載された発明、及び本件出願の優先日前に頒布された刊行物である特開平１１−３１６１６６号公報（発明の名称：半導体圧力センサ、出願人：株式会社日立製作所　外１、公開日：平成１１年１１月１６日、以下、「引用例２」という。）に記載された周知技術に基づいて、その優先日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない、というものである。 
　
 　 
４　引用例１記載の事項・引用発明 
（１）記載事項 
　引用例１には、次の事項（ａ）ないし（ｄ）が図面とともに記載されている。
　
（ａ）「【特許請求の範囲】 
１．プロセス制御ループに圧力を送信するための、プロセス制御システム内の圧力トランスミッタであって、 
　情報をループに送信するためにループに接続されるインターフェース回路（Ｉ／Ｏ）と、 
　圧力に関する信号を受信し、これに応答して圧力情報を前記ループに送信するように前記インターフェース回路を制御する補償回路と、 　
　前記インターフェース回路および補償回路を収容するトランスミッタハウジングと、 
　取り付け部材料で作られたハウジング内の取り付け部と、 
　前記インターフェース回路および補償回路を取り付け部から絶縁する、ハウジング内のプロセス障壁と、 
　前記取り付け部の材料とは異なる脆性の耐腐蝕性材料で事実上作られ、近い方の端部で取り付け部に結合され、そこを貫通する通路を有する長手方向部材と、
　前記長手方向部材の遠い方の端部にあってプロセス流体に浸され、プロセス流体圧力に応答して変形する圧力応答部分と、 
　前記圧力応答部分に結合され、前記長手方向部材の通路およびプロセス障壁のフィードスルーを通して前記補償回路に電気的に接続されたセンサとを具備し、 
　前記センサおよび電気的接続は前記長手方向部材によってプロセス流体から隔離されたトランスミッタ。」（第２頁第１行〜２１行） 
 　 
（ｂ）「 好ましい実施例の詳細な説明 
　図１はトランスミッタ本体５２と、センサ本体５４およびフランジ５５を有する圧力トランスミッタ５０を示す。センサ本体５４はプロセス流体の絶対圧Ｐ１およびＰ２をそれぞれ測定する圧力センサ７０Ａ、７０Ｂを含む。トランスミッタ本体５２は、４−２０mA電流ループのような２線プロセス制御ループを介して圧力Ｐ１、Ｐ２に関する情報を送信するトランスミッタ（Ｉ／Ｏ）回路６０を含む。回路基板５７はセンサ回路基板５８をセンサ７０Ａ、７０Ｂに接続し、圧力Ｐ１、Ｐ２に関する電気信号を受信する。センサ回路基板５８上の回路はこれらの信号をデジタル化して処理し、圧力情報をデータバス６２を用 いてトランスミッタ回路６０に伝送する。インサート６７Ａ、６７Ｂがセンサ７０Ａ、７０Ｂを支持する。プロセス障壁７１が空洞７５を形成し、インサート６７Ａ、６７Ｂに不具合を生じたときに圧力Ｐ１、Ｐ２がセンサ本体５４から漏れるのを防止する。空洞７５は真空にされるか、または不活性ガスを充填される。 
フィードスルー７３Ａ、７３Ｂ、７３Ｃが回路基板５７、５８間の障壁を貫通する電気的通路を提供する。 
　図２はセンサ７０Ａを支持するインサート６７Ａの切断斜視図である。ある実施例ではインサート６７Ａはアルミナである。さらにセンサ７０Ａはハウジング５４に比べて小さく、熱的変動を減らすようにセンサ７０Ｂに比較的近接して配置され、これによって精度が改善される。このことは、センサの熱的時定数がハウジングの熱的時定数よりも遥かに小さく感知素子内の温度勾配を最小にすることによって達成される。 
　図３には本発明の１実施例によるセンサ７０Ａを示す。センサ７０Ａはそれらの間に空洞７６を形成する上部基板７２と下部基板７４を含む。図３には感知空洞の偏向構造の全長Ｌ、厚みＴ、幅Ｗ、空洞の最小幅ｗ、および印加圧力Ｐによる偏向ｙが示される。」（第１０頁第１６行〜第１１頁第１２行） 
 　 
（ｃ）「 図１４および１５はアルミナインサート３１４を保持する中央殻（シェル）３１２を含むセンサ本体３１０を示す。センサ２００Ａおよび２００Ｂは、ASICチップ３１６をも支持しているアルミナインサート３１４内に装填される。ASICチップ３１６は回路基板５７と同じ機能を果たす。溝３１８はインサート３１４およびセンサ２００Ａ、２００Ｂに対するストレス分離を提供する。プロセス障壁３２０は殻３１２を遮蔽し、プロセス流体に対する第２の障壁を形成する。殻３１２内の空洞３２２は真空にされるか不活性ガスを充満される。 
フィードスルー３２４はASICから回路基板３２６への電気接続の通路を提供する。図３に示した構造は、センサ本体３１０に殻３１２を溶接する前にセンサ組み立て体がテストされることを可能にする。高温の処理（センサをアルミナインサートにロー付けするような）は、センサ組み立て体をハウジングに取り付ける前に行なわれることができる。」（第１９頁第１４行〜２６行） 
 　 
（ｄ）「 図１６Ａ〜１６Ｇは本発明の１特徴を備えた圧力センサの断面図である。１６Ａ図はすべての内角が９０度である方形（短形）構造を示す。図１６Ｂはすべての内角が６０度である６角形センサ構造を示す。２つの内角が６０度、他の２つの内角が３０度である菱形構造が図１６Ｃに示される。図１６Ｄはすべての内角が６０度である三角形構造を示す。図１６Ａ〜Ｄに示した構造は、サファイア結晶の面に沿ったものであるので、サファイアに適した構造である。図１６Ｅは、矩形部分３４４に丸形部分３４２が結合され、矩形部分３４４には空洞３４６が形成されたセンサ３４０を示す。図１６Ｆは空洞が丸形部分内に形成された他の型の実施例を示す。図１６Ｇに示すような、両方とも丸形であるような種々の変形が可能である。丸形断面は、丸い孔にきっちりと適合し、丸いＯ−リングで封止されることができる点で望ましい。それらは方形基板をダイアモンド研磨車で加工して作られる。 
　図１７Ａ、１７Ｂはコンデンサ電極の形状の例を示す図である。僅かな間隙を有する容量式圧力センサでは、電極の不安定性が誤差の原因となる。残留応力が圧力センサ構造を反らせる。さらに電極表面の寸法変化が前記間隙の寸法ｔを変化させる。このような変化は、対向表面の酸化、還元、または原子のマイグレーションによって惹起されることがある。図１７Ａ、１７Ｂはこの問題の解決手法の例を示すもので、コンデンサ電極がストリップ状に分割され、全体としては一体の電極と事実上等しい容量を持つようにされている。例えば、もし基板が間隙部の１０倍の誘電率を有するとすれば、間隔は間隙寸法の約１０倍であり、幅は前記間隙寸法よりも小さくすることができる。これにより、センサ構造を反らせる原因となる材料の量が減少する。
　さらに大部分の電束が電極の背後から現れるようにストリップを構成することができる。電極の背後はサファイアと接触しているので表面効果から保護され、例え内側表面の寸法が変化したとしても安定した静電容量を示すであろう。図１７Ａ、１７Ｂは電極の背面から出る電束の量を増加させる構造の２つの例を示している。この実施例の変形としては、各電極の上に配置されてこれらを遮蔽する保護電極（２９８）を設けることがある。これらの電極は互いに隔離されているが、それらの相対的寸法および間隔の故に連続のコンデンサ電極と等価である。 
　ある実施例では、コンデンサ電極は基板の表面にインプラントされる。これは、電極を保護し、かつ容量の経年変化の大きさを減少させることにより、電極に安定性を与える。サファイア基板は２００ＫeVのエネルギレベルで、Ｖイオンによって濃度１×１０18イオン／cm2にドープされる。これはサファイアの非常に高い抵抗を約１５Ω／sqまで変化させる。インプラント処理は殆どのＶイオンを本来のサファイア表面の下約１０００オングストロームのところに集中させる。インプラントされた電極３００の例が図１７Ｂに仮想線で示される。」（第２０頁下から１２行〜第２１頁第２７行）
 　 
 （２）引用発明　 
　引用例１に記載された圧力センサは、一端がプロセス流体に浸されてその圧力を測定し、また他端側で回路基板と接続されているものである。したがって当然、該圧力センサは、印加された圧力に応答する圧力感知端部、および印加された前記圧力を表す出力を提供する電気接点を設けた何らかの信号提供端部を有しているものである。
　このことを踏まえると、前記記載（ａ）ないし（ｄ）より、引用例１には次の発明が記載されているものと認められる。 
 　 
「プロセス流体の圧力を測定するよう構成された圧力トランスミッタにおいて、
　印加された圧力に応答する圧力感知端部、および印加された前記圧力を表す出力を提供する電気接点を設けた信号提供端部を有し、２つのサファイア基板が接合されて容量を形成する細長い圧力センサと、
　第１の側面と該第１の側面の反対側である第２の側面、および該第１の側面および第２の側面間に延びている開口部を有し、前記細長い圧力センサが該開口部を貫通して配置されるインサートと、 
　前記インサートと前記細長い圧力センサとの境界を封止するロー付け部と、
　からなる圧力トランスミッタ。」（以下「引用発明」という。） 　 
 
　
５　対比 
　本願発明と引用発明とを対比する。 
　
　引用発明の「プロセス流体の圧力を測定するよう構成された圧力トランスミッタ」は、本願発明の「プロセス流体の圧力を測定するように構成された圧力センサ組立体」に相当する。また同様に、引用発明の「２つのサファイア基板が接合されて容量を形成する細長い圧力センサ」は、本願発明の「２つのウェハが互いに接合されてキャパシタンスを形成する細長い圧力センサ」に、引用発明の「第１の側面と該第１の側面の反対側である第２の側面、および該第１の側面および第２の側面間に延びている開口部を有し、前記細長い圧力センサが該開口部を貫通して配置されるインサート」は、本願発明の「第１の側面（１０６）と該第１の側面（１０６）の反対側である第２の側面（１０８）、および該第１の側面（１０６）および第２の側面（１０８）間に延びている開口部（１１０）を有し、前記細長い圧力センサ（１０２）が該開口部（１１０）を貫通して配置されるセンサ取付けブロック（１０４）」に、引用発明の「前記インサートと前記細長い圧力センサとの境界を封止するロー付け部」は、本願発明の「前記センサ取付けブロック（１０４）と前記細長い圧力センサ（１０２）との境界を封止するシール（１１２）」に、それぞれ相当する。
　  
　してみると、両者の一致点、相違点は次のとおりである。 
 　 
（一致点） 
「プロセス流体の圧力を測定するように構成された圧力センサ組立体において、
　印加された圧力に応答する圧力感知端部、および印加された前記圧力を表す出力を提供する電気接点を設けた信号提供端部を有し、２つのウェハが互いに接合されてキャパシタンスを形成する細長い圧力センサと、
　第１の側面と該第１の側面の反対側である第２の側面、および該第１の側面および第２の側面間に延びている開口部を有し、前記細長い圧力センサが該開口部を貫通して配置されるセンサ取付けブロックと、
　前記センサ取付けブロックと前記細長い圧力センサとの境界を封止するシールとからなる圧力センサ組立体。」
 　 
（相違点） 
 本願発明が、
「前記シールを覆い、かつ前記細長い圧力センサ（１０２）の前記圧力感知端部（１３０）および前記センサ取付けブロック（１０４）の前記開口部（１１０）を通って延びている細長い圧力センサ（１０２）の一部分を受け入れるための部分が少なくとも形成されていて、印加された圧力を圧力センサ（１０２）に伝達するように構成され、腐食性材料と接触することによる前記シール（１１２）の腐食を防止するための保護要素（１２０）」を備え、
「前記保護要素（１２０）が、前記細長い圧力センサ（１０２）の外形に沿って形成され、前記細長い圧力センサ（１０２）の前記圧力感知端部（１３０）の外形に一致する形状に形成されている」のに対し、引用発明ではそのような構成がとられていない点。 
 　 
　
６　判断
　上記の相違点について検討する。 
　引用例２に、 
 　 
「【００４２】保護膜２１となるコーティング材は、無機あるいは有機材料で構成されており、特には蒸着、ディップ、塗布などにより低融点ガラス部１６を覆う。本実施例の保護膜２１としては、耐腐食性に優れ且つ耐熱性，絶縁性を有するものを使用し、例えば、フッ素ゴム、ポリイミド樹脂等がある。」 
 　 
「【００５２】図４に本発明の第２実施例を示す。図４では、半導体圧力センサのうち図１の実施例と異なる箇所に絞って図示したもので、図中、第１実施例の符号と同一のものは同一或いは共通する要素を示す。 
 【００５３】本実施例のうち第１実施例と異なる点は、耐腐食性の保護膜２１を低融点ガラス１６のほかに、感圧素子部（第１，第２のシリコン基板１，２），ガラス台座４，ステム１２にかけて被測定媒体に曝される面に被覆したことにある。 
 【００５４】本実施例によれば、保護膜２１の存在によって低融点ガラス１６の耐腐食を向上させるほかに、下記の点で有利である。 
 【００５５】ハウジングの仕切り壁３１・ステム１２間の溶接部２０、ステム１２・ガラス台座４間の接合部（低融点ガラス１６）、ガラス台座４・第２のシリコン基板２間の陽極接合部、第２のシリコン基板２・第１のシリコン基板１間の接合部には、僅かではあるが被測定媒体に接触する界面が存在する。被測定媒体が腐食性の場合、ここの界面から腐食が始まり易いが、本実施例によれば、これらの界面部に耐腐食性保護膜２１をコーティングすることによって、実質的な界面を少なくし、より一層の耐腐食性を高める効果が得られる。」  　 
　と記載されているように、腐食性物質に対してセンサによる挿入測定をおこなう際に、耐腐食性の向上を目的として、必要に応じてセンサ部や接合部を含む領域を保護膜（保護要素）で直接被覆することは周知技術に過ぎない。 
　引用発明においても、その圧力感知端部やロー付け部（接合部）が、測定対象となるプロセス流体に直接接触するように配置されているものであるから、そのような直接接触する部分が腐食しないように保護する必要のあることは明らかである。よって、引用発明においても、測定対象となるプロセス流体の特性に応じ、センサの圧力感知端部やロー付け部分（接合部）等を適宜保護膜で直接被覆する程度のことは、上記周知技術を踏まえて、当業者が容易になし得たものである。また、保護膜を直接被覆するものであるから、本願発明のように、必然的に、保護膜（保護要素）が「圧力センサへの印加圧力を伝達するように構成され」ることとなるし、「圧力センサの外形に一致する形状に形成され」ることとなる。 
　したがって、本願発明は引用発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明し得たものといえる。 
　
 　 
７　請求人の主張について 
 　審判請求人は、前記意見書において、概略、以下のように主張しているので、検討する。 
　
（１）請求人の主張の概要 
「引例２に記載されている保護膜２１は、シールを覆い、細長い圧力センサの圧力感知端部およびセンサ取付けブロックの開口部を通って延びている圧力センサの一部分を受け入れるための部分が形成されている保護要素とは異なりますし、細長い圧力センサの外形に沿って形成され、細長い圧力センサの圧力感知端部の外形に一致する形状に形成されてもいません。
　・・・確かに、引例１に記載の発明は、センサ取付けブロックと、細長い圧力センサと、シールとを有していますが、引例２記載の発明は、細長い圧力センサを有していませんし、細長い圧力センサとセンサ取付けブロックに相当するガラス台座とのシールも有していません。引例２記載の発明は、センサ１００とは直接接触していない台座受部１２とガラス台座４との間にシールとしての低融点ガラス１６が配置されています。したがって、この低融点ガラス１６はセンサ取付け部と細長い圧力センサとの境界を封止するシールでないことは明らかです。
　このように、引例１記載の発明と引例２記載の発明とは全く構成が異なるセンサおよびセンサの支持構造を有しているので、引例１に細長いセンサとシールとが記載されているからといって、該引例１記載の発明とは構成が全く異なる引例２記載の発明における保護膜を引例１記載の発明に適用して、圧力センサの外形に一致する形状に形成することが当然であるとはいえません。構成が異なる二つの形式の圧力センサの一方の構成を他方の構成と組み合わせることが当然であったとはいえないからです。
　仮に、引例２記載の保護膜を引例１記載の保護要素として採用することができたとしても、引例２記載の発明は、上述のように、圧力センサの外形に沿って形成され、圧力センサの圧力感知端部の外形に一致する形状に形成されてはいませんから、結局は、本願発明に相当し得ません。」 
 　 
（２）検討
　審判請求人は意見書において、
「引例１記載の発明と引例２記載の発明とは全く構成が異なるセンサおよびセンサの支持構造を有している」ので、
「該引例１記載の発明とは構成が全く異なる引例２記載の発明における保護膜を引例１記載の発明に適用して、圧力センサの外形に一致する形状に形成することが当然であるとはいえません。構成が異なる二つの形式の圧力センサの一方の構成を他方の構成と組み合わせることが当然であったとはいえないからです。」と主張している。
　しかしながら、引用例２において、
「ハウジングの仕切り壁３１・ステム１２間の溶接部２０、ステム１２・ガラス台座４間の接合部（低融点ガラス１６）、ガラス台座４・第２のシリコン基板２間の陽極接合部、第２のシリコン基板２・第１のシリコン基板１間の接合部には、僅かではあるが被測定媒体に接触する界面が存在する。被測定媒体が腐食性の場合、ここの界面から腐食が始まり易いが、本実施例によれば、これらの界面部に耐腐食性保護膜２１をコーティングすることによって、実質的な界面を少なくし、より一層の耐腐食性を高める効果が得られる。」
と記載されているように、流体中に挿入して圧力を測定する圧力センサにおいて、その接合部における腐食を防止するという課題、及びその対策として
「蒸着、ディップ、塗布など」によって、
「耐腐食性の保護膜２１を低融点ガラス１６のほかに、感圧素子部（第１，第２のシリコン基板１，２），ガラス台座４，ステム１２にかけて被測定媒体に曝される面に被覆」することが開示されているように、特に腐食を防止するために、蒸着、ディップ、塗布などの手段によって接合部とセンサ部を含む領域に耐腐食性保護膜を形成することは、前記「６　判断」で説示したとおり、周知技術である。
　引用発明における「前記インサートと前記細長い圧力センサとの境界を封止するロー付け部」が、上記周知技術の対象とされるべき、界面を有する接合部に該当する程度のことは、当業者にとって自明のことに過ぎないから、引用発明への上記周知技術の適用は当業者が容易に想到し得たものであるし、その際にセンサの外形等の相違が該適用を妨げる要因とならないことも明らかである。
　審判請求人は「構成が異なる二つの形式の圧力センサの一方の構成を他方の構成と組み合わせることが当然であったとはいえないからです。」とも主張しているが、そもそも保護膜は圧力センサ自体の構成とは言えないものであるし、単に圧力センサの形状が異なることが、保護膜形成の動機付けを妨げる理由となるとも認められない。
　そして、引用発明において「蒸着、ディップ、塗布など」によって保護膜を形成した場合、その保護膜が「圧力センサの外形に一致する形状」となることも、前記「６　判断」で説示したとおりである。
　
　したがって、審判請求人の主張は採用できない。 
 　 
 　 
８　むすび 
　以上のとおり、本願発明は、引用発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
　したがって、他の請求項に係る発明について審理するまでもなく、本件出願は当審拒絶理由によって拒絶すべきものである。 
　
　よって、結論のとおり審決する。