【事件の表示】
　特願２００８−５３２５８４「電流拡大層を有するオプトエレクトロニクス半導体構造素子」拒絶査定不服審判事件〔平成１９年　８月　９日国際公開、ＷＯ２００７／０８７７６９、平成２１年　３月１２日国内公表、特表２００９−５１０７３８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
　　
第１　手続の経緯　　
　本願は、２００６年９月１４日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００５年９月２７日、ドイツ）を国際出願日とする出願（国際出願番号：ＰＣＴ／ＤＥ２００６／００１６１７）であって、平成２３年８月５日付けで拒絶の理由が通知され、同年１１月８日に手続補正がなされたが、平成２４年４月２４日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年８月２１日に拒絶査定不服審判請求がなされたものである。　
　　
第２　本願発明について　　
　本願の請求項に係る発明は、平成２３年１１月８日に補正された特許請求の範囲１ないし１５に記載された事項によって特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という）は、次のとおりである。　　
「オプトエレクトロニクス半導体構造素子であって、半導体本体（１０）および少なくとも所々に半導体本体（１０）上に施こされている電流拡大層（３）を有し、前記電流拡大層（３）は、透明の導電性金属酸化物層（２）を形成する金属（１）を含有し、前記電流拡大層において、前記半導体本体（１０）に対向する側から前記半導体本体（１０）から離反した側に向かって、前記半導体本体に対する距離が増大するにつれて、金属（１）の濃度（ｘ）は減少し、酸素の濃度は増大し、前記電流拡大層のうち前記半導体本体（１０）に対向する側は前記金属から成り、前記電流拡大層のうち前記半導体本体（１０）から離反した側は金属酸化物から成ることを特徴とする、オプトエレクトロニクス半導体構造素子。」　　              
　　　
第３　刊行物及び引用発明　　
　
　１　刊行物１　　
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開２００５−２４４１２８号公報（以下「刊行物１」という。）には、以下の記載がある（下線は当審で付した）。　　
　
　（１）「【０００６】 以上の目的を達成するために本発明の半導体発光素子は、第１の元素Ａを含む半導体層が表面に位置する半導体積層構造を備える。この半導体発光素子は、半導体層の表面に、少なくとも亜鉛、インジウム、スズ及びマグネシウムよりなる群から選択された少なくとも一種の元素Ｃを含む酸化物よりなる導電性酸化物膜と、第２の元素Ｂを含む酸化物膜とを有する。導電性酸化物膜は、第２の元素Ｂを含む酸化物膜との界面近傍における膜中酸素濃度を、導電性酸化物膜の他の部分の膜中酸素濃度よりも高くしている。」
　　
　（２）「【００１１】 導電性酸化物膜としては、・・・なかでも、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）膜が好ましい。これらＩＴＯ膜等は、当該分野で通常用いられている透光性を有する膜であり、上述した半導体層に対して良好なオーミック接続を形成し、導電性酸化物膜に投入された電流を膜全体に拡散させ、さらに半導体層に均一に拡散させることができる膜である。・・・導電性酸化物膜は、半導体層上に形成され、さらに後述する酸化物膜との間に形成されており、酸化物膜との界面近傍における膜中酸素濃度が、導電性酸化物膜の他の部分、例えば導電性酸化物膜の厚み方向の中央部分や半導体層との界面近傍の膜中酸素濃度よりも低い。換言すると、酸化物膜との界面側において、これに隣接する領域、つまり導電性酸化物膜の内部であって、半導体層側から酸化物膜側にかけて膜中酸素濃度から増加する傾向の膜中酸素濃度を有している。」　　
　　
　（３）「【００１２】導電性酸化物膜は、膜中酸素濃度が半導体層側に低い膜と酸化物膜側に高い膜との２層としても良く、また膜中酸素濃度が半導体層側から酸化物膜側にかけて段階的に高くなる多層膜としてもよいが、
単一の膜で膜中酸素濃度が高い領域と低い領域とを有するような導電性酸化物膜
図２（ａ）は連続的に酸素濃度に濃度勾配がある場合
　　
　（４）「【００１５】具体的には、スパッタ法により導電性酸化物膜、例えばＩＴＯ膜を成膜する際に、スパッタガスとして酸素分圧の小さいガス又は
ゼロのガスから
徐々に酸素分圧を増加させ
　
　２　刊行物２　　
　同じく、特開２００２−３１４１３２号公報（以下「刊行物２」という。）には、以下の記載がある。　
　　
　（１）【００１０】現在、この解決策の一つとして、図４に示すように、エピタキシャル層（上部クラッド層２５）とＩＴＯ膜（金属酸化物系透明導電性膜３３）からなるｐｎ界面に、金属薄膜３２を挿入することによって、小さな抵抗でｐｎ接合に電流を流す方法がある。
【００１１】しかし、エピタキシャル層とＩＴＯ膜からなるｐｎ界面に金属薄膜を挿入する方法を用いた場合、(1) ＭＯＶＰＥ成長による半導体層のエピタキシャル成長、(2) 真空蒸着法又はスパッタリング法による金属薄膜形成、(3) 塗布法又はスパッタリング法又はスプレー法によるＩＴＯ膜形成というように３種の工程が必要になる。本発明が解決しようとずる課題は、この工程の簡略化である。
　
　（２）「【００２８】さらに、上記金属酸化物系透明導電性膜７の下に配置される金属薄膜６としては、このような金属酸化物系透明導電性膜７中に含まれる金属元素を主成分とする金属薄膜を用いることもでき、これにより上記逆バイアス状態の回避作用を達成させることができる。」　　
　　
　３　引用発明 　　
　　　　　     　
　前記１（１）〜（３）の記載によれば、刊行物１には、次の発明が記載されていると認められる。　　
「第１の元素Ａを含む半導体層が表面に位置する半導体積層構造を備える半導体発光素子であって、前記半導体層の表面に、少なくとも亜鉛、インジウム、スズ及びマグネシウムよりなる群から選択された少なくとも一種の元素Ｃを含む酸化物よりなる導電性酸化物膜と、第２の元素Ｂを含む酸化物膜とを有し、前記導電性酸化物膜は、第２の元素Ｂを含む酸化物膜との界面近傍における膜中酸素濃度が、前記導電性酸化物膜の他の部分の膜中酸素濃度よりも高くなる、連続的に濃度勾配がある半導体発光素子において、前記導電性酸化物は透光性を有する酸化インジウムスズ膜である、半導体発光素子。」（以下「引用発明」という。）　　
　　　　
第４　対比　　               
　　
　本願発明と引用発明とを対比する。　
　　  
　１　引用発明の「半導体発光素子」及び「半導体層」は、それぞれ本願発明の「オプトエレクトロニクス半導体構造素子」及び「半導体本体」に相当する。　　
　　
　２　引用発明の「透光性を有する酸化インジウムスズ膜である導電性酸化物」は、本願発明の「透明の導電性金属酸化物膜」に相当するとともに、前記第３、１（２）「導電性酸化物膜に投入された電流を膜全体に拡散させ、さらに半導体層に均一に拡散させることができる」との記載に照らして、本願発明の「電流拡大層」に相当すると認められる。
　よって、引用発明は、本願発明の「前記電流拡大層は、透明の導電性金属酸化物層を形成する金属を含有し」との構成を備えていると認められる。　　　
　３　前記第３、１（２）の「導電性酸化物膜は、半導体層上に形成され、さらに後述する酸化物膜との間に形成されており」との記載に照らして、「導電性酸化物膜」は「半導体層」と「酸化物膜」の間にあり、「導電性酸化物膜」の「酸化物膜側」は、本願発明の「半導体本体から離反した側」に相当すると認められる。　
　そして、引用発明は「導電性酸化物膜の膜中酸素濃度が半導体層側から酸化物膜側にかけて高くなる」ものであるところ、金属酸化物において酸素濃度が高くなれば金属濃度が減少することは自明であるから、引用発明は、本願発明の「金属の濃度（ｘ）は減少し」との構成を備える。　
　
　４　以上によれば、本願発明と引用発明は、「オプトエレクトロニクス半導体構造素子であって、半導体本体および少なくとも所々に半導体本体上に施こされている電流拡大層を有し、前記電流拡大層は、透明の導電性金属酸化物層を形成する金属を含有し、前記電流拡大層において、前記半導体本体に対向する側から前記半導体本体から離反した側に向かって、前記半導体本体に対する距離が増大するにつれて、金属の濃度は減少し、酸素の濃度は増大し、前記電流拡大層のうち前記半導体本体から離反した側は金属酸化物から成る、オプトエレクトロニクス半導体構造素子。」である点で一致し、本願発明は「電流拡大層のうち半導体本体に対向する側は金属から成」るのに対し、引用発明は「電流拡大層のうち半導体本体に対向する側は」金属であるか否か不明である点で相違しているものと認められる（以下「相違点」という。）。    
　　　                            
第５　判断　　  
　　　          
　１　前記第３，２（１）のとおり、刊行物２には、エピタキシャル層とＩＴＯ膜の界面においてスパッタリング法により金属薄膜を形成すること、同（２）のとおり、金属薄膜は金属酸化物系透明導電性膜に含まれる金属元素を主成分とするものでよいことが記載されるところ、前記第３，１（４）の「スパッタ法により導電性酸化物膜、例えばＩＴＯ膜を成膜する際に、スパッタガスとして酸素分圧の小さいガス又は
ゼロのガスから
徐々に酸素分圧を増加させ
　してみれば、引用発明において、「電流拡大層のうち半導体本体に対向する側は金属から成る」ものとする、相違点に係る本願発明の構成とするところは、当業者が容易に想到し得たことである。　
　したがって、本願発明は、当業者が引用発明及び刊行物２に記載された事項に基づいて容易に発明をすることができたものと認められる。　
　　           
　２　むすび　　
　以上のとおり、本願発明は、当業者が引用発明及び刊行物２に記載された事項に基づいて容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。　　
　　
　よって、結論のとおり審決する。