【事件の表示】
　特願２００５−１８６７４０号「半導体パッケージ製造用離型フィルム」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年　２月１６日出願公開、特開２００６−　４９８５０号〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯と本願発明 
　本願は、平成１６年６月２９日（以下「優先日」という。）に出願した特願２００４−１９１２５８号を先の出願として、平成１７年６月２７日に特許法第４１条第１項に規定する優先権の主張を伴う特許出願としたものであって、平成２３年４月２２日付けで拒絶査定され（拒絶査定の謄本発送（送達）日、同月２６日）、これに対して、同年７月１４日に拒絶査定不服審判が請求されたものであり、その後当審において、平成２４年５月３１日付け（謄本発送日、同年６月５日）で拒絶の理由を通知したところ、同年７月３１日付けで意見書および手続補正書が提出されたものである。  
　本願の請求項に係る発明は、上記手続補正書によって補正された特許請求の範囲の請求項１〜４に記載された事項により特定されるとおりのものと認められ、そのうち請求項１は次のとおりである。
　　　 
「【請求項１】　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　基板上に複数搭載された半導体チップの側面周囲を囲むように封止樹脂が充填され、かつそれら半導体チップの上面が前記封止樹脂でモールドされていない露出面とされる半導体パッケージの製造に用いる半導体パッケージ製造用離型フィルムであって、
　延伸ポリエステル樹脂フィルムからなる基材フィルムの少なくとも片面に、厚みが３〜１５μｍのフッ素樹脂からなるフィルムが積層されてなる積層フィルムであることを特徴とする半導体パッケージ製造用離型フィルム。」（以下「本願発明」という。）　　　　   　  
 　　  
２．引用例の記載事項と引用発明  
　これに対して、当審における拒絶の理由に引用された、本願の優先日より前に頒布された刊行物は以下のとおりである。 
［引用刊行物］  
　特開２００１−１６８１１７号公報（以下「引用例１」という。）  
　特開２００２−２５４４８１号公報（以下「引用例２」という。）  
　特開２００１−２５０８３８号公報（以下「引用例３」という。） 
　特開平８−１２５１１２号公報（以下「周知例１」という。）  
　特開平８−２７４２２３号公報（以下「周知例２」という。）
　特開平１０−３３５５７７号公報（以下「周知例３」という。）
　特開２００１−１３８３３８号公報（以下「周知例４」という。）
　特開２００２−６７２４０号公報（以下「周知例５」という。）
　特開平１１−２６２９８９号公報（以下「周知例６」という。）
　特開２００２−６７２４１号公報（以下「周知例７」という。）
　特開２００３−２４６０３５号公報（以下「周知例８」という。）
　特公昭５８−４５９９１号公報（以下「周知例９」という。）
  
（１）上記引用例１には、次の事項（イ〜ヘ）が記載されている。  
イ：「【０００６】
【課題を解決するための手段】・・・本発明の要旨は以下の通りである。
〔１〕  熱可塑性樹脂を含む単層又は多層からなり、以下の（１）〜（４）の要件を満たす半導体素子の封止用離型フィルム。
【０００７】（１）表面層のぬれ指数が３６以下
（２）１７５℃における熱収縮率が３％未満
（３）１７５℃における弾性率が１０〜５００ＭＰａ
（４）離型フィルムの厚さが１０〜３００μｍ
〔２〕  離型フィルムの少なくとも表面層が、（Ａ）フッ素系樹脂、（Ｂ）主としてシンジオタクチック構造を有するスチレン系重合体または（Ｃ）主としてシンジオタクチック構造を有するスチレン系重合体を含む樹脂組成物からなる前記〔１〕に記載の半導体素子の封止用離型フィルム。」（第２頁第２欄第３０〜４８行）  
　
ロ：「【０００８】
【発明の実施の形態】・・・本発明の発明の実施の形態について説明する。
〔半導体素子封止用離型フィルム〕本発明は、熱可塑性樹脂を含む単層又は多層からなり、以下の（１）〜（４）の要件を満たす半導体素子封止用離型フィルムである。
【０００９】（１）表面層のぬれ指数が３６以下
（２）１７５℃における熱収縮率が３％未満
（３）１７５℃における弾性率が１０〜５００ＭＰａ
（４）離型フィルムの厚さが１０〜３００μｍ
以下、各要件について説明する。
【００１０】まず、要件（１）では、・・・表面層のぬれ指数が３６を超えると封止樹脂に対する離型性が悪く、樹脂形成後の離型工程でトラブルが生ずることがある。
【００１１】また要件（２）では、・・・１７５℃における熱収縮率が３％を超えると、半導体素子封止時にフィルムの収縮が大きく、封止樹脂と離型フィルムが剥がれ、またフィルムが金型に付着する不都合が生ずることがある。
【００１２】さらに要件（３）は、１７５℃における弾性率が１０〜５００ＭＰａ、好ましくは、５０〜３００ＭＰａである。１７５℃における弾性率が１０ＭＰａ未満ではフィルムの腰が弱すぎ、封止後金型を開き成形体を取り出す際に取り扱い性が悪くなる。一方、５００ＭＰａを超えると半導体の端子を変形させてしまうことがある。
【００１３】またさらに要件（４）は離型フィルムの厚さが１０〜３００μｍ、好ましくは５０〜１００μｍである必要がある。離型フィルムの厚さが１０μｍ未満では、フィルムの腰が弱く取扱が困難になり、厚さが３００μｍを超えると金型からの熱伝導が悪く成形に長時間を要するため本発明の半導体素子封止用離型フィルムとしては好ましくない。」（第３頁第３欄第１４〜５０行）  
　
ハ：「【００１６】すなわち、単層の離型フィルムにする場合は上記（Ａ）〜（Ｃ）のいずれかの樹脂・・・を用いればよい。また、多層の離型フィルムにする場合は、（Ａ）〜（Ｃ）のうちの２以上を用いるか、又は（Ａ）〜（Ｃ）のいずれか１以上と（Ｄ）それら以外の熱可塑性樹脂とを積層し、表面層（最外層）に（Ａ）〜（Ｃ）のいずれか１以上の樹脂又は樹脂組成物を使用すればよい。」（第３頁第４欄第１７〜２４行）
　
ニ：「【００１７】本発明で用いる（Ａ）〜（Ｃ）の材料と（Ｄ）それら以外の熱可塑性樹脂は、以下のものが挙げられる。
（Ａ）フッ素樹脂
本発明で用いるフッ素樹脂は、フッ素を含むオレフィンの重合体により得られる合成樹脂であり、例えばポリテトラフルオロエチエレン、エチレン−テトラフルオロエチレン共重合体、プロピレン−テトラフルオロエチレン共重合体、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリジクロロジフルオロエチレン、ポリフッ化ビニリデンなどが挙げられる。
【００１８】（Ｂ）主としてシンジオタクチック構造を有するスチレン系重合体
本発明で用いるシンジオタクチック構造を有するスチレン系重合体（以下、ＳＰＳと略称することがある）におけるシンジオタクチック構造とは、立体化学構造がシンジオタクチック構造・・・を有するものであり、そのタクティシティーは同位体炭素による核磁気共鳴法（１３Ｃ−ＮＭＲ）により定量される。・・・
【００１９】・・・特に好ましいスチレン系重合体としては、ポリスチレン、ポリ（ｐ−メチルスチレン）、ポリ（ｍ−メチルスチレン）、ポリ（p−ターシャリープチルスチレン）、ポリ（ｐ−クロロスチレン）、ポリ（ｍ−クロロスチレン）、ポリ（ｐ−フルオロスチレン）、水素化ポリスチレン及びこれらの構造単位を含む共重合体が挙げられる。
　　　　・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
【００２１】（Ｃ）主としてシンジオタクチック構造を有するスチレン系重合体を含む樹脂組成物
本発明で用いる主としてシンジオタクチック構造を有するスチレン系重合体を含む樹脂組成物とは、主としてシンジオタクチック構造を有するスチレン系重合体の他に（Ｃ−１）ゴム状弾性体、（Ｃ−２）シンジオタクチックポリスチレン以外の熱可塑性樹脂及び（Ｃ−３）樹脂組成物用添加剤のうち、少なくとも一成分を配合したものである。」（第３頁第４欄第２５行〜第４頁第５欄第４８行）
　
ホ：「【００３６】（Ｄ）（Ａ）〜（Ｃ）以外の熱可塑性樹脂
本発明の半導体素子の封止用離型フィルムに用いる（Ａ）〜（Ｃ）以外の熱可塑性樹脂としては、特に制限はないが、例えば、ポリエチレンテレフタレ−ト、ポリエチレンナフタレ−ト、ポリイミド（ナイロン）、ポリ（４−メチルペンテン−１）などの樹脂が挙げられる。これらの（Ａ）〜（Ｃ）以外の熱可塑性樹脂は、離型フィルムの表面層ではなく、内部層として用いるのが好ましい。
【００３７】次に、上記の様にして得られた樹脂や樹脂組成物を用いて本発明の半導体素子の封止用離型フィルムの製造方法については、特に制限はないが、例えば、キャスト成形、インフレーション成形、あるいは二軸延伸成形によって製造すればよい。この場合、弾性率を本発明の範囲に調製するために、延伸倍率を調製すること好ましい場合がある。また、熱収縮率を調製するために熱処理を施してもよい。」（第６頁第９欄第１８〜３４行）
　
ヘ：「【００４０】通常、半導体の製造工程は、半導体素子形成、突起電極（バンプ）形成、樹脂封止、突起電極露出、分離の各工程を要するが、この中の樹脂封止は基盤装着、樹脂層形成、離型の工程からなっており、この樹脂封止工程の代表例を図を用いて説明する。
【００４１】図１・・・において、１は上型、２ａ，２ｂは下型、３は半導体基盤、４は突起電極（バンプ）、５は封止樹脂、６ａ，６ｂは半導体素子の離型フィルムである。但し６ｂの離型フィルムは必ずしも必要ではない。　　・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
【００４２】上記の半導体素子封止用金型を用いて、次のように樹脂封止工程が行われる。・・・図１は基盤装着工程が終了した状態を示している。
【００４３】次いで、樹脂層形成工程に入る。上型１は下方に、下型側体２ｂに接触するまで移動する。それにともなって半導体素子の封止用離型フィルム６ａも下降し、封止樹脂５を圧縮する。下型基体２ａは移動せず、上型１は下型側体２ｂと共にさらに下降する。したがって、封止樹脂５は押し広げられて基盤３の外周に進んでゆき、半導体基盤３全体が樹脂により封止される。その後、金型内は加熱され、封止樹脂５は硬化する。樹脂層が形成された状態では、半導体素子の封止用離型フィルム６ａは、封止樹脂５を圧接するとともに、基板３の表面にある突起電極４の先端がのめり込んだ状態になっている。
【００４４】次いで、離型工程が行われる。・・・その後の突起電極露出工程、分離の各工程に進む。これらは公知の方法で行えばよい。
【００４５】なお、上記の例では離型フィルムを上型１の下面にのみ配置したが、さらに下型基体２ａと半導体基盤３との間にも離型フィルム６ｂを配置してもよい。これにより、半導体素子の封止用離型フィルム６ａとともに樹脂層が形成された半導体基盤３が下型基体２ａから離脱する工程がより容易になる効果がある。」（第６頁第９欄第４８行〜同第１０欄第４９行）
 　　  
［引用例１に記載されている発明］  
　上記のイ〜ヘ及び図１の記載を総合すると、引用例１には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。  
　「熱可塑性樹脂を含む単層又は多層からなり、以下の（１）〜（４）の要件を満たす半導体素子の封止用離型フィルムであって、
（１）表面層のぬれ指数が３６以下
（２）１７５℃における熱収縮率が３％未満
（３）１７５℃における弾性率が１０〜５００ＭＰａ
（４）離型フィルムの厚さが１０〜３００μｍ
　多層の離型フィルムにする場合は、離型フィルムの少なくとも表面層が、（Ａ）ポリテトラフルオロエチエレン、エチレン−テトラフルオロエチレン共重合体等のフッ素系樹脂、（Ｂ）主としてシンジオタクチック構造を有するスチレン系重合体または（Ｃ）主としてシンジオタクチック構造を有するスチレン系重合体を含む樹脂組成物のうちの２以上、又は（Ａ）〜（Ｃ）のいずれかとされ、内部層として用いるのが好ましい樹脂として、（Ｄ）それら以外の熱可塑性樹脂（ポリエチレンテレフタレ−ト、ポリエチレンナフタレ−ト、ポリイミド、ポリ（４−メチルペンテン−１）など）から選択した樹脂組成物をキャスト成形、インフレーション成形、あるいは二軸延伸成形によって成形して、これらの層を積層し、
　半導体素子封止用金型を用いる樹脂封止工程では、離型フィルム６ａを上型１の下面に配置するほか、下型基体２ａと半導体基盤３との間にも離型フィルム６ｂを配置する半導体素子の封止用離型フィルム。」 
 　  
（２）上記の引用例２及び周知例１〜３には、いずれも樹脂モールド後の半導体チップの一部が樹脂でモールドされていない露出面を有する樹脂モールドパッケージ（チップ露出方式パッケージ）が示されており、特に、引用例２には、次の事項（ト）が記載されている。
　
ト：「【００１７】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。図１は、本実施の形態の樹脂モールド金型及びそれを用いた樹脂モールドパッケージの製造方法を示す概略断面図で、図１（ａ）は金型クランプ前の状態、図１（ｂ）は金型クランプ時の状態を示している。また、図２は図１（ｂ）の部分拡大図である。本実施の形態で対象としている樹脂モールドパッケージは、半導体チップの大きさとほぼ同等の小型かつ薄型のパッケージであって、さらに半導体チップの一面が樹脂モールドされていない露出面を有するチップ露出方式の樹脂モールドパッケージである。・・・
【００１８】まず、図１（ａ）に示すように、下金型４に載置する半導体チップ１を搭載した基板２の構成について説明すると、回路パターンが形成されたシート状の基板２上に、あらかじめ複数の半導体チップ１を配列して搭載する。この搭載は、半導体チップ１の表面側に設けられた電極パッドと基板２の回路パターンに設けられた接続端子とをフェイスダウン方式で接続することによって行う。また、基板２上における半導体チップ１の配列は、１列に９個並べた半導体チップ１を２列設け、計１８個を一枚の基板２上に縦横等間隔に配列したものを用いている。
【００１９】また、上金型３にはキャビティフローティング方式を採用し、金型クランプ時に半導体チップ１にかかる圧力を逃がすためにバネ６によって上下に可動するフローティングブロック５ａを設け、このフローティングブロック５ａの下面には本発明の特徴である凸状突起８が形成されている。・・・このような構造を有する上金型３と下金型４の間にリリースフィルム７を供給し、次いで半導体チップ１を搭載した基板２を下金型４に載置する。この際、パッケージ方向によってリリースフィルムは７は下金型４にも張り付けてもよいが、ここでは上金型にのみ用いた場合について説明する。
【００２０】・・・次いで、図１（ｂ）に示すように、上金型３と下金型４との間に配置されたリリースフィルム７で半導体チップ１の露出面１４（基板側と反対面）を被覆した状態で金型クランプを行う。図２の部分拡大図に示すように、リリースフィルム７は、まず凸状突起８によって樹脂モールド表面積が増加したことにより全体が引き延ばされ、従来技術において半導体チップ１上で発生していた弛みや半導体チップ１の周囲に発生していたシワがなくなった状態で半導体チップ１を被覆することができる。
【００２１】金型クランプ終了後、この空間部２３に樹脂１０を注入する。樹脂１０は、１８０℃付近まで加熱した金型で軟化され、図１（ｂ）に示すように射出シリンダ１１によって加圧され、カル９、ランナー１３を経て基板２上の半導体チップ１の周囲に充填されるが、半導体チップ１の露出面１４はリリースフィルム７で被覆されているため樹脂１０の侵入が阻止され、樹脂バリの発生は起こらない。また、半導体チップ１の周囲に発生していたリリースフィルム７のシワがなくなるので樹脂未充填部分がなくなり、外観不良もなくなる。
【００２２】・・・次いで金型を開き、図４の断面図に示すように、露出面１４を有する複数の半導体チップ１が基板２上に一括して樹脂１０でモールドされた一括樹脂モールドパッケージ１８ａを取り出す。・・・次に、図５の断面図に示すように、取り出した一括樹脂モールドパッケージ１８ａの基板２の裏面（半導体チップ１が搭載された反対面）に電極端子となる半田ボール２２をマウントする。・・・
【００２３】次に、図６の断面図に示すように、・・・半導体チップ１の周囲をモールドしている樹脂１０を溝１２に沿って基板２とともにダイシングし、図７の断面図に示すように、個々のチップ露出方式による個別樹脂モールドパッケージ１９ａができ上がる。」（第４頁第６欄第２３行〜第５頁第８欄第２０行）
　
（３）上記の引用例３には、「半導体樹脂封止用離型フィルム」に関して、「基材フィルムと該基材フィルムよりも低圧縮弾性率の補助層との複合体フィルム」であり（【０００８】）、上記の基材フィルムとしては、ポリイミド、アラミド、ポリエ−テルケトン、ポリエ−テルサルホン等のプラスチックフィルム、銅、ステンレス、アルミニウム等の金属箔を使用し、また、上記の補助層には、ポリテトラフルオロエチレンの使用が最適で、補助層の厚みは、「通常５〜５０μｍ、好ましくは１０〜３０μｍとされる（５μｍ未満では、シ−ル性保証が困難になり、５０μｍを越えると、封止前の端子間に所定の空間を確保し難い）」とする記載（【００１４】〜【００１７】参照）があるほか、「【００１９】本発明に係る、基材フィルムと補助層との複合体フィルムからなる離型フィルムは、通常、接着や融着等による貼り合わせ、コ−ティング等による塗り重ね、フィルムの同時溶融押出し融着により製造できる。」とする記載もある。
　
（４）なお、上記の周知例４〜９のいずれにも、離型用のフィルムやシートの素材として、フッ素樹脂と、ポリエチレンテレフタレート等のポリエステル樹脂フィルムを採用する旨の記載があり、周知例４（【０００８】【００１２】参照）では、「支持フィルムとしては、・・・ポリエステルフィルムが、熱的特性、機械的特性、価格などの面から好ましい。」「フッ素樹脂としては、例えばテトラフロロエチレン（PTFE）・・・が挙げられる。・・・フッ素樹脂フィルムの厚みは、１〜50μm、好ましくは２〜30μm、最も好ましくは３〜20μmである」とされ、周知例５（【００１０】【００１４】参照）にも、同様の記載がある。
　更に、周知例６（【０００１】【００１４】参照）では、ＯＨＰフィルムやセラミックシート等の成形用キャリアフィルム（離形フィルム）に関して、「本発明においてポリエステルフィルムは二軸延伸フィルムであることが好ましい。」とされ、周知例７（【請求項１】【請求項４】参照）、及び周知例８（【請求項１】【請求項６】参照）には、「延伸されたポリエステルフィルム」に、フッ素樹脂から成るフィルムを積層されてなる積層フィルムをキャリアフィルムとし、フッ素樹脂からなるフィルムの厚みを「２〜１０μm」とする旨の記載がある。また、周知例８（【０００３】参照）には、「フッ素樹脂は一般に高価であるので、フィルムを薄くすることが経済上好ましいが、あまり薄くすると取り扱い性が悪い。」とする記載もある。 
　そして、基材フィルム（または支持フィルム）の引張弾性率に関して、周知例４（【０００９】参照）では「フィルム製造における機械方向（フィルム流れ方向）に直角な方向、の引張弾性率が、９８０〜６，８６０Ｎ／mm２、好ましくは２，９４０〜５，８８０Ｎ／mm２、より好ましくは３，４３０〜５，３９０Ｎ／mm２」とされ、周知例５（【００１１】参照）にも同様の記載があり、周知例７（【００１４】参照）、周知例８（【００１６】参照）では「横方向引張り弾性率5000N／mm２」とされている。  
 　  
３．発明の対比  
（１）本願発明と引用発明を対比すると、引用発明でいう「半導体素子の封止用離型フィルム」、「内部層」は、本願発明でいう「半導体パッケージ製造用離型フィルム」、「基材フィルム」に相当し、また、引用発明で、離型フィルムの表面層とされる「（Ａ）フッ素系樹脂、（Ｂ）主としてシンジオタクチック構造を有するスチレン系重合体または（Ｃ）主としてシンジオタクチック構造を有するスチレン系重合体を含む樹脂組成物」は、本願発明でいう「フッ素樹脂からなるフィルム」と同様に、離型性の表面材料層といえるものである。
（２）したがって、本願発明と引用発明との一致点及び相違点は次のとおりと認められる。  
　［一致点］「半導体パッケージの製造に用いる半導体パッケージ製造用離型フィルムであって、
　基材フィルムの少なくとも片面に、離型性の表面材料層が積層されてなる積層フィルムである半導体パッケージ製造用離型フィルム。」である点。  
　
　［相違点１］　本願発明では、「基板上に複数搭載された半導体チップの側面周囲を囲むように封止樹脂が充填され、かつそれら半導体チップの上面が前記封止樹脂でモールドされていない露出面とされる」半導体パッケージとしているのに対して、引用発明では「下型基体２ａと半導体基盤３との間にも離型フィルム６ｂを配置する」とはしているものの、「基板上に複数搭載された半導体チップの側面周囲を囲むように封止樹脂が充填され」ることについては言及がなく、また、離型フィルム６ｂの配置が、「半導体チップの一部が樹脂でモールドされていない露出面を有する」半導体パッケージを製造するためのものであることについても明確な言及がない点。  
　
　［相違点２］　本願発明は、基材フィルムに関して「延伸ポリエステル樹脂フィルム」からなるとし、離型性の表面材料層に関して「厚みが３〜１５μｍのフッ素樹脂からなるフィルム」としている。これに対し、引用発明では、内部層に関して、「（Ｄ）それら以外の熱可塑性樹脂（ポリエチレンテレフタレ−ト、ポリエチレンナフタレ−ト、ポリイミド、ポリ（４−メチルペンテン−１）など）から選択した樹脂組成物」が好ましいとしてはいるものの、（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）の樹脂組成物の使用にも明確には否定しておらず、更に「二軸延伸成形」にとどまらず、キャスト成形やインフレーション成形にも言及しており、また、離型性の表面材料層に関しても、「（Ａ）フッ素系樹脂」（フッ素樹脂）のみではなく、その他に（Ｂ）、（Ｃ）の樹脂組成物も挙げており、また、「離型フィルムの厚さが１０〜３００μｍ」としているが、離型性の表面材料層の厚みや当該材料層を「フィルム」とすることについての言及はない点。  
 　  
４．当審の判断  
（１）上記の相違点１について検討すると、  
　上記のとおり、引用例２には、本願発明でいう「基板上に複数搭載された半導体チップの側面周囲を囲むように封止樹脂が充填され、かつそれら半導体チップの上面が前記封止樹脂でモールドされていない露出面とされる」半導体パッケージに相当するものが開示されると共に、当該半導体パッケージの製造工程において、「リリースフィルム７で半導体チップ１の露出面１４（基板側と反対面）を被覆した状態で金型クランプを行う」旨が記載されている。そして、本願の明細書（【０００９】参照）でも、上記の引用例２を本願の発明の背景技術を説明する特許文献の一つに挙げているように、上記のようなチップ露出方式のパッケージは普通に知られているものであり、また、引用発明のように、「下型基体２ａと半導体基盤３との間にも離型フィルム６ｂを配置する」構成をとれば、半導体基盤３の、離型フィルム６ｂと接している面は露出面になるとみることも不可能ではないから、引用発明における離型フィルム６ｂを、上記相違点１で指摘した、本願発明におけるのと同様のチップ露出方式のパッケージの製造に用いるものとすることは、当業者にとって、格別想到し難い事項とはいえない。（なお、本審決において引用するものではないが、基板上に複数搭載された半導体チップの側面周囲を囲むように封止樹脂が充填される態様の半導体パッケージを開示する文献として、特開２００３−１３３３５１号公報、特開２００４−７４７１３号公報があることを付記しておく。）
　
（２）上記の相違点２について検討すると、
　上記の周知例４〜９に示されているように、離型フィルムや離型シートにおいて、ポリエチレンテレフタレート等のポリエステル樹脂は、機械的特性や価格などの面から好ましいとして、基材フィルム（支持フィルム）の素材として採用されることが多く、また、周知例６〜８でも言及されているように、延伸フィルムとすることも普通の手法といえる。また、同じく上記の周知例４〜９に示されるように、フッ素樹脂は、離型性材料の最も代表的なものであって、このフッ素樹脂のフィルムの厚みに関して、周知例４、５では「最も好ましくは３〜20μm」、周知例７、８では「２〜１０μm」とする記載がある。
　尤も、上記の周知例４〜９では、離型フィルムや離型シートを「基板上に複数搭載された半導体チップの側面周囲を囲むように封止樹脂が充填され、かつそれら半導体チップの上面が前記封止樹脂でモールドされていない露出面とされる半導体パッケージの製造に用いる」ことについての言及はないけれども、ポリエステルフィルムが熱的特性や機械的特性、価格などの面から好ましく、また、フッ素樹脂は一般に高価であるために機能を損なわない範囲で可及的に薄くしようと考えること（周知例４、５、周知例８参照）は、離型フィルムの用途を問わず、ほぼ一般的にいえる事項である上に、引用発明においても、離型性の表面材料層として「（Ａ）フッ素樹脂」を筆頭に挙げ、また、「内部層＜基材フィルム＞として用いるのが好ましい」とされる「（Ａ）〜（Ｃ）以外の熱可塑性樹脂」としては「ポリエチレンテレフタレ−ト」を筆頭に挙げているほか、引用発明に関連して、「弾性率を本発明の範囲に調製するために、延伸倍率を調製すること好ましい場合がある」（記載事項ホ）としていることを考慮すれば、引用発明及び上記の周知例４〜９の記載事項に基づいて、上記の相違点２で指摘した本願発明の構成に到ることは、当業者にとって、格別困難であるとは認められない。
　
（３）更に、上記の相違点１及び２で指摘した構成を併せ備える本願発明の奏する作用効果について検討しても、引用発明並びに上記の各引用例及び周知例で指摘されている事項を超えるものではなく、当業者が予測し得た範囲内のものである。
　したがって、本願発明は、引用発明並びに上記の各引用例及び周知例の記載事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものといえる。
　 
５．請求人の主張について
　請求人は当審で通知した拒絶理由に対する平成２４年７月３１日付けの意見書において、「引用例１のように、１つの半導体チップの一面を露出させるのに使用する離型フィルムと、引用例２のように、基板上の複数の半導体チップのそれぞれの上面を露出させるのに使用する離型フィルムとは、充填される封止樹脂によって離型フィルムにかかる負荷も全く異なり、離型フィルムに要求される特性も全く異なります。」との主張をしている。
　しかし、離型フィルムにかかる単位面積あたりの負荷について考えると、引用例１の場合と引用例２の場合とで、格別の相違があると断定するべき合理的な理由は想定し難いし、また、本願の明細書（【００３４】〜【００４３】参照）においても、同一の実施例の離型フィルム（ＰまたはＱ）を、図２に示す一つの半導体チップを樹脂封止する場合と、図３に示す複数の半導体チップを同時に樹脂封止する場合とで共通して用いており、特に図３に示す樹脂封止に用いた場合に優れた効果が期待できるとはしていない上に、上記の離型フィルムにかかる負荷や、当該フィルムに要求される特性が全く異なる旨の指摘は、（願書に最初に添付された）明細書等では全く言及がなかったことを考慮すると、請求人の上記主張は妥当なものとはいえない。
　
６．むすび  
　以上のことから、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、このような特許を受けることができない発明を包含する本願は、他の請求項について検討するまでもなく拒絶されるべきものである。  
　よって、結論のとおり審決する。