【事件の表示】
　特願２００８−５００３７６「半導体光増幅装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１９年　８月２３日国際公開、ＷＯ２００７／０９４０６３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
　
１　手続の経緯
　本願は、平成１８年２月１６日の出願であって、平成２３年１１月１７日付けで拒絶理由が通知され、平成２４年１月２０日に手続補正がなされたが、同年３月１５日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年６月２５日に拒絶査定不服審判請求がなされたものである。
　
２　本願発明
　本願の請求項に係る発明は、平成２４年１月２０日付け手続補正による補正後の明細書及び特許請求の範囲の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし９に記載された事項により特定されるものと認められるところ、請求項１に係る発明は、次のとおりのものである。
「半導体基板と、
　前記半導体基板の上方に設けられた活性層と
　を含み、
　前記活性層の光入射端面及び光出射端面における反射による光の共振を抑制して、前記光入射端面から入射した入射信号光を増幅して前記光出射端面から出射信号光として出射し、前記出射信号光が受ける利得が前記入射信号光の偏波状態に依らずに一定とされた半導体光増幅装置であって、
　前記半導体基板は、ＩｎＰを材料としてなるとともに、
　前記活性層は、ＧａＩｎＮＡｓを材料とし、ＧａＩｎＮＡｓの全体に対するＮの組成比が０．１％以上０．８％以下の範囲内の値であって、Ｇａ1-xＩｎxＮＡｓとした場合に、０．３２≦ｘ≦０．５４であるとともに、０．１％以上１．５％以下の範囲内の伸張歪が導入されてなることを特徴とする半導体光増幅装置。」（以下「本願発明」という。）
　
３　刊行物の記載
（１）原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願前に頒布された特開２００１−５３３９２号公報（以下「引用文献１」という。）には、以下の記載がある（下線は当審にて付した。）。
ア　「【請求項１】
膜厚が２０ｎｍ〜９０ｎｍであり、伸張歪が導入された歪バルク活性層と
前記歪バルク活性層を挟むように設けられたクラッド層と
前記歪バルク活性層の光入射端面及び光出射端面での反射による光の共振を抑制する共振抑制手段とを有し
前記入射端面から入射した入射信号光を増幅して前記光出射端面から出射信号光として出射し、前記出射信号光が受ける利得が前記入射信号光の偏波状態によらずにほぼ一定であ
【請求項２】請求項１記載の偏波無依存型半導体光増幅器において、
前記歪バルク活性層は、歪量が−０．１０％〜−０．６０％である
偏波無依存型半導体光増幅器。
　
イ　「【０００５】このような各種の光増幅器のうち、半導体光増幅器（ＳＯＡ：SemiconductorOptical　Amplifier）は、小型且つ低消費電力であり、また、偏波無依存となるように設計できるので、波長多重通信システムに用いる損失補償用光増幅器として期待されている。
【０００６】従来より、このような
光ファイバ通信で用いられる波長帯
に対応した偏波無依存型半導体光増幅器
　
ウ　「【００２０】しかし、このように大きな伸張歪を用いた場合には、量子効果と伸張歪効果が共に利得ピーク波長を短波長化し、さらに、注入電流の増加によるバンドフィリング効果により利得ピーク波長が短波長化するために、波長１．５５μｍ付近で必要な利得を得るためには、障壁層に伸張歪を加えて障壁層での電子−ライトホール遷移を利用したり、井戸層の層厚を厚くして量子効果による短波長化を抑える等の制限が加わるため、大きなファイバ結合飽和光出力を得るための構造設計に対して自由度がずっと小さくなるという問題がある。」
　
エ　「【００３３】本発明は、伸張歪を導入したバルク結晶からなる歪バルク活性層３を有し、光入射端面７と光出射端面８との間における反射による光の共振を抑制し、
歪バルク活性層３のバンド・ギャップ波長とほぼ等しい波長の信号光９を光入射端面７から入射し、歪バルク活性層３に電流注入して誘導放出効果により信号光９を増幅
　
オ　「【００６８】まず、
ｎ型ＩｎＰ基板１１上に、ＭＯＣＶＤ（有機金属気相成長）法を用いて、
歪量が−０．１９〜−０．３０％
のＩｎＧａＡｓＰ歪バルク活性層１４
を
堆積させる
　
カ　引用発明
　上記アないしオによれば、引用文献１には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
「膜厚が２０ｎｍ〜９０ｎｍであり、伸張歪が導入された歪バルク活性層と、
　前記歪バルク活性層を挟むように設けられたクラッド層と、
　前記歪バルク活性層の光入射端面及び光出射端面での反射による光の共振を抑制する共振抑制手段とを有し、
　前記入射端面から入射した入射信号光を増幅して前記光出射端面から出射信号光として出射し、前記出射信号光が受ける利得が前記入射信号光の偏波状態によらずにほぼ一定であり、
　前記歪バルク活性層は、歪量が−０．１０％〜−０．６０％である偏波無依存型半導体光増幅器であって、
　前記歪バルク活性層のバンド・ギャップ波長とほぼ等しい波長の信号光を光入射端面から入射し、前記歪バルク活性層に電流注入して誘導放出効果により信号光を増幅し、光出射端面から増幅した信号光を出射するものであり、
　前記歪バルク活性層は、ｎ型ＩｎＰ基板上に、ＭＯＣＶＤ（有機金属気相成長）法を用いて、歪量が−０．１９〜−０．３０％のＩｎＧａＡｓＰ歪バルク活性層を堆積させてなるものであり、
　光ファイバ通信で用いられる波長帯に対応した偏波無依存型半導体光増幅器。」
　
（２）原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願前に頒布された特開２００４−２８１６５６号公報（以下「引用文献２」という。）には、以下の記載がある。
ア　「【０００２】【従来の技術】
半導体光増幅器
ＳＯＡ
【０００５】本従来例では活性層として、半導体レーザで良く使用される多重量子井戸（ＭＱＷ）と比較して
偏光無依存化
　
イ　「【００４７】【発明の実施の形態】
はじめに、光アンプに要求される一般的な性能やＳＯＡの長所となる性能（
偏光依存性
を著しく悪化することなく
　
ウ　「【００７５】
次に、本実施形態の利得クランプ型ＳＯＡの断面構造について、図１の（ｂ）〜（ｄ）を参照して説明する。
　【００７６】
ＩｎＰ基板２０の基板面上
には活性層２５が形成されており、
【００７７】
活性層
引っ張り歪を有するＩｎＧａＡｓよりなる活性層
　
ウ　「【０１５１】
なお、以上の説明では、
光通信用途向け
ＳＯＡ
半導体材料系
ＩｎＡｌＡｓやＧａＩｎＮＡｓ
で作製することが可能である
　
エ　引用文献２に記載の技術
　上記イの「偏光依存性が著しく悪化しない」は、上記アの「偏光無依存化」と同じ事項を意味するものと認められるから、上記アないしウによれば、引用文献２には、次の技術（以下「引用文献２に記載の技術」という。）が記載されているものと認められる。
　
「ＩｎＰ基板面上に、引っ張り歪を有するＩｎＧａＡｓよりなる偏光無依存化した活性層を形成した光通信用途向けＳＯＡ（半導体光増幅器）の半導体材料系（ＩｎＧａＡｓ）を、ＩｎＡｌＡｓやＧａＩｎＮＡｓで作製することが可能である。」
　
４　対比・判断
（１）本願発明と引用発明とを対比する。
　引用発明の「（ｎ型ＩｎＰ）基板」、「『（ｎ型ＩｎＰ基板上に、ＭＯＣＶＤ（有機金属気相成長）法を用いて順次堆積させる、歪量が−０．１９〜−０．３０％のＩｎＧａＡｓＰ）歪バルク活性層』及び『（歪量が−０．１０％〜−０．６０％である、伸張歪が導入された）歪バルク活性層』」、「前記歪バルク活性層の光入射端面及び光出射端面での反射による光の共振を抑制する共振抑制手段とを有し、前記入射端面から入射した入射信号光を増幅して前記光出射端面から出射信号光として出射し、前記出射信号光が受ける利得が前記入射信号光の偏波状態によらずにほぼ一定であり」及び「偏波無依存型半導体光増幅器」は、本願発明の「（ＩｎＰを材料としてなる）半導体基板」、「『（半導体基板の上方に設けられた伸張歪が導入されてなる）活性層』及び『（０．１％以上１．５％以下の範囲内の伸張歪が導入されてなる）活性層』」、「活性層の光入射端面及び光出射端面における反射による光の共振を抑制して、前記光入射端面から入射した入射信号光を増幅して前記光出射端面から出射信号光として出射し、前記出射信号光が受ける利得が前記入射信号光の偏波状態に依らずに一定とされた」及び「半導体光増幅装置」にそれぞれ相当する。
　
　したがって、両者は、
「半導体基板と、
　前記半導体基板の上方に設けられた活性層と
　を含み、
　前記活性層の光入射端面及び光出射端面における反射による光の共振を抑制して、前記光入射端面から入射した入射信号光を増幅して前記光出射端面から出射信号光として出射し、前記出射信号光が受ける利得が前記入射信号光の偏波状態に依らずに一定とされた半導体光増幅装置であって、
　前記半導体基板は、ＩｎＰを材料としてなるとともに、
　前記活性層は、伸張歪が導入されてなる半導体光増幅装置。」
である点で一致し、
　
　本願発明の「活性層」は、「ＧａＩｎＮＡｓを材料とし、ＧａＩｎＮＡｓの全体に対するＮの組成比が０．１％以上０．８％以下の範囲内の値であって、Ｇａ1-xＩｎxＮＡｓとした場合に、０．３２≦ｘ≦０．５４であるとともに、０．１％以上１．５％以下の範囲内の伸張歪が導入されてなる」のに対して、引用発明の「歪バルク活性層」は、「歪量が−０．１９〜−０．３０％」の「ＩｎＧａＡｓＰ活性層」である点（以下「相違点」という）で相違する。
　
（２）上記相違点について検討する。
ア　引用発明の偏波無依存型半導体光増幅器は、「ＩｎＰ基板」上に堆積させてなる「歪バルク活性層」が「ＩｎＧａＡｓＰ活性層」であるところ、上記３（２）エのとおり、引用文献２には、「ＩｎＰ基板面上に、引っ張り歪を有するＩｎＧａＡｓよりなる偏光無依存化した活性層を形成した光通信用途向けＳＯＡ（半導体光増幅器）の半導体材料系（ＩｎＧａＡｓ）を、ＩｎＡｌＡｓやＧａＩｎＮＡｓで作製することが可能である」技術が記載されているから、引用文献２の記載に接した当業者は、引用発明の「活性層」をＧａＩｎＮＡｓで作製することが可能であると理解できる。
　
イ　そうすると、引用発明の「活性層」をＧａＩｎＮＡｓで作製することは当業者が容易に想到し得たことである。また、その際、ＧａとＩｎの組成比、Ｎの含有量を具体的にどのようなものとするかは、設計上当然定められるべき事項である。
　
ウ　しかるところ、ＩｎＰ基板上でＩｎＧａＮＡｓを井戸層（活性層）として用いると、ＩｎＰ基板上でＩｎＧａＡｓＰを井戸層（活性層）として用いた場合より発光（発振）波長を長くできることが従来周知の事項であった。
（必要ならば、特開２００４−１１９８１４号公報　特に段落【０００２】「光通信用・・・の半導体レーザは、ＩｎＰ基板上に成長したＩｎＧａＡｓＰ系材料で構成されている。」及び段落【００２０】「波長の長い電磁波を用いる必要があるため、・・・制約条件の元で上記波長の発光が可能となるのはＧａＩｎＮＡｓを井戸層に用いた場合ということになる。・・・ＩｎＰ基板上に作製した・・・。」との記載、及び、
　特開２０００−２５２５８８号公報　特に段落【００３４】〜【００３５】「ＩｎＰ基板・・・従来では、ＩｎＧａＡｓ（Ｐ）層を活性層として用いた場合、歪を導入してもレーザ光の発振波長は２．２μｍが限界であったが、Ｖ族原子であるＡｓの一部をＮで置き換えることにより・・・レーザ光の発振波長を２．２μｍ以上とすることができ・・・ＩｎＧａＮＡｓ活性層のバンドギャップは、０〜２ｅＶ程度の範囲までカバーすることが可能である。」との記載　参照）
　してみると、上記アのように、引用発明の「活性層」にＩｎＧａＮＡｓを用いた場合は、ＩｎＧａＡｓＰを用いた場合より発光（発振）波長を長くできることは、当業者が予測し得たことである。
　
エ　また、本願発明の「ＧａＩｎＮＡｓの全体に対するＮの組成比」、「Ｇａ1-xＩｎxＮＡｓとした場合」の「ｘ」、及び、「伸張歪」の数値範囲に関して、本願明細書には、「【００２３】また、本発明では、上述した測定結果から、活性層について、ＧａＩｎＮＡｓの全体に対する窒素組成比を０．１％以上０．８％以下の範囲内の値に調節するとともに、伸張歪量を０．１％以上１．５％以下の範囲内の値に調節する。この場合、伸張歪量とＧａＩｎＮＡｓのＩｎ組成比（Ｇａ1-xＩｎxＮＡｓ，０＜ｘ＜１とした場合の、ｘの割合）とは対応しており、窒素組成比０．８％で０．１％の伸張歪量を得るにはＩｎ組成比を０．５４に調節し、窒素組成比０．１％で１．５％の伸張歪量を得るにはＩｎ組成比を０．３２に調節すれば良い。即ち本発明では、活性層の材料をＧａ1-xＩｎxＮＡｓ，０．３２≦ｘ≦０．５４とする。
【００２４】ここで、伸張歪量が１．５％より大きいとＰＬ波長の十分な長波化が困難となり、伸張歪量が０．１％より小さいと偏波無依存化が困難となる。また、窒素組成比が０．８％より大きいと結晶成長が困難となり、窒素組成比が０．１より小さいとＰＬ波長の十分な長波化が困難となる。・・・
【００３３】ＧａＩｎＮＡｓに導入する伸張歪は、ＧａＩｎＮＡｓの格子定数がｎ型ＩｎＰバッファ層１２の格子定数よりも小さくなるように、Ｇａ組成比とＩｎ組成比とを調整して活性層１４を形成することにより得られる。本実施形態では、伸張歪量を０．１％以上１．５％以下の値が適正範囲であり、例えば０．２５％の伸張歪量（即ち−０．２５％の歪量）に調節する。従って、ここで用いるＧａＩｎＮＡｓをＧａ1-xＩｎxＮＡｓとすれば、０．３２≦ｘ≦０．５４が適正範囲であり、ここでは０．２５％の伸張歪量に対応すべくＩｎ組成比（ｘ）を０．５１に調節する。更に、ＧａＩｎＮＡｓの全体に対する窒素（Ｎ）の組成比は、０．１％以上０．８％以下が適正範囲であり、例えば０．８％に調節する」との記載がある。
　これらの記載に照らして、本願発明の「ＧａＩｎＮＡｓの全体に対するＮの組成比」、「Ｇａ1-xＩｎxＮＡｓとした場合」の「ｘ」、及び、「伸張歪」の数値は、設計上適宜な範囲に定められたものと認められ、これら数値範囲ついて、設計的事項の域を超える格別の技術的意義があるものとは認められない。
　
オ　そして、引用発明の「活性層」に「ＧａＩｎＮＡｓ」を適用するに際して、上記アのように、ＧａとＩｎの組成比、及び、Ｎの含有量を具体的に定める必要があるところ、本願発明のように、「ＧａＩｎＮＡｓの全体に対するＮの組成比」を「０．１％以上０．８％以下の範囲内の値」とし、「Ｇａ1-xＩｎxＮＡｓとした場合に、０．３２≦ｘ≦０．５４」とし、「伸張歪」を「０．１％以上１．５％以下の範囲内」とすることに格別の困難があるものとは認められない。
　
カ　上記アないしオによれば、引用発明において本願発明の上記相違点の構成となすことは、当業者が容易になし得たことというべきである。
　
５．請求人の主張について
　請求人は、平成２４年６月２５日付けの、審判請求書において、
「本願発明では、活性層の材料をＧａＩｎＮＡｓとし、その全体に対するＮ組成比、Ｉｎ組成比及びＧａ組成比、及び活性層に導入される伸張歪の値のそれぞれを上記のように厳格に規定し、これら全ての規定を同時に満たす構成を採ります。この厳格に限定された構成により、・・・顕著な効果を奏することができるのです。・・・
　本願発明は、飽くまで「Ｃ帯及びＬ帯、特にＬ帯において偏波無依存化及び高飽和光出力化の双方を満たすと同時に高利得を得る」ことを指向して、これを指向するからこそ、活性層の材料をＧａＩｎＮＡｓとし、その全体に対するＮ組成比、Ｉｎ組成比及びＧａ組成比、及び活性層に導入される伸張歪の値のそれぞれを上記のように厳格に規定し、これら全ての規定を同時に満たす構成を採るのです。」と主張している。
　しかしながら、上記４（２）ウでの検討に照らして、請求人の上記主張は採用できない。
　
６　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用文献１に記載された発明及び引用文献２に記載された技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。