【事件の表示】
　特願２００８−１１１７５９「透明な基板を有する斜角をつけられたＬＥＤチップ」拒絶査定不服審判事件〔平成２０年１１月　６日出願公開、特開２００８−２７０８１９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯・本願発明
　本願は、平成２０年４月２２日（パリ条約による優先権主張２００７年４月２３日、アメリカ合衆国）の出願であって、平成２３年７月６日付けで手続補正がなされたところ、同年１０月４日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成２４年２月１３日に拒絶査定不服審判請求がなされると同時に手続補正がなされたものである。
　
　そして、本願の請求項に係る発明は、平成２４年２月１３日付け手続補正による補正後の明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜２４に記載された事項によって特定されるものと認められるところ、その請求項１に係る発明は次のものである。
　
「発光ダイオードであって、
　透明な炭化珪素基板と、
　該炭化珪素基板上にＩＩＩ族の窒化物材料系から形成される活性構造と、
　該ダイオードの上側のそれぞれのオーム接触と
　を備えており、
　該炭化珪素基板は、該炭化珪素と該ＩＩＩ族の窒化物との間のインタフェースに対して４５度と７５度との間の角度で斜角を付けられている、発光ダイオード。」（以下「本願発明」という。）
　
　
２　引用刊行物の記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開２００７−１９５６０号公報（以下「引用刊行物」という。）には、図とともに下記の事項が記載されている。
　
（１）「【０００２】
［発明の分野］
  本発明は、マイクロ電子デバイス…に関し、より詳細には、発光ダイオード（以下、「ＬＥＤ」とよぶ）…に関する。」
　
（２）「【００２６】
  図１は、本発明のいくつかの実施形態による発光ダイオードの断面図である。図１に示すように、これらの発光ダイオード１００は、第１及び第２の対向する面１１０ａ及び１１ｂを有し、所定の波長範囲の光放射に対して透明な炭化ケイ素の基板１１０を含む。ダイオード領域１７０は第２の面１１０ｂ上にあり、電圧がダイオード領域に対して、例えば、オーム接点１５０及び１６０に対して加えられると、所定の波長範囲の光放射に対して透明な炭化ケイ素の基板１１０内に所定の波長範囲の光を放射するように構成される。
【００２７】
  さらに図１を参照すると、ダイオード領域１７０は、ｎ型層１２０と、活性領域１３０と、ｐ型層１４０とを含む。オーム接点１５０及び１６０は、ｐ型層１４０及びｎ型層１２０にそれぞれ設けられ、陽極及び陰極をそれぞれ形成する。ｎ型層１２０、活性領域１３０、及び／又はｐ型層１４０を含むダイオード領域１７０は、窒化ガリウムベースの半導体層から構成することが好ましい。これらの半導体層は、窒化インジウムガリウム、及び／又は、窒化アルミニウムインジウムガリウムなどの窒化ガリウムの合金を含む。…」
　
（３）「【００４０】
  ここで図２を参照すると、本発明の実施形態による発光ダイオードの別の実施形態が示されている。図２では、結合領域２２０及び２３０を用いて、ヒートシンクのような取付け支持体２１０の上にフリップチップ式にすなわち上下逆に取り付けられた発光ダイオード２００が示されている。これらの結合領域２２０及び２３０は、はんだのプリフォームを含む。…」
　
（４）「【００４６】
  図４は、本発明の実施形態による他のＬＥＤを図示する。これらのＬＥＤ４００では、アノード接点は、薄い透明なオーム接点４１２及び反射材４１４を始めとする複数の層から成るオーム・反射領域４１０を含む。この薄い透明なオーム接点４１２は、プラチナを含み、好ましくは、光がかなり吸収されることを避けるためにできるだけ薄くする必要がある。…反射材４１４は、約３００Åよりも薄いことが好ましく、アルミニウム及び／又は銀を含むことが好ましい。図４の実施形態は、反射材４１４が薄い透明なオーム接点４１２の全表面積にわたって薄い透明なオーム接点４１２と接触するため、電流の拡散を改良することができる。このため、従来のデバイスの場合のように、電流はアノード接点４１０を通って横方向に移動する必要はない。電流の拡散はこのように向上される。…ニッケル、ニッケル／バナジウム、及び／又は、チタン／タングステンを含む障壁領域１５５を、反射材４１４と結合領域２２０との間、及び、オーム接点１６０と結合領域２３０との間に設けることができる。」
　
（５）「【００４７】
  本発明の他の実施形態によるＬＥＤを図５に示す。ＬＥＤ５００のこれらの実施形態は、基板１１０’の少なくともいくつかの側壁１１０ｃを傾斜させる、すなわち斜めにすることによって、ＬＥＤからの光の抽出を向上させることができる。傾斜した側壁１１０ｃに当たる光の入射角は、一般に、傾斜しない場合よりも直角に近いので、基板１１０’に反射されて戻る光は少ない。このため、デバイス全体の効率を向上させることができる光を基板１１０’から抽出できることになる。…」
　
（６）上記（２）〜（５）に照らして図５をみると、
　ア　図５に示された「ＬＥＤ５００」は、「基板１１０’」の「（傾斜した）側壁１１０ｃ」の設けられていない側の面上に、「ｎ型層１２０」、「活性領域１３０」、「ｐ型層１４０」が順に積層され、前記「ｐ型層１４０」の上には、「（薄い透明なオーム接点４１２及び反射材４１４を始めとする複数の層から成る）オーム・反射領域４１０」、「（ニッケル、ニッケル／バナジウム、及び／又は、チタン／タングステンを含む）障壁領域１５５」が順に設けられ、また、前記「ｎ型層１２０」上の「活性領域１３０」、「ｐ型層１４０」が形成されていない領域には、「オーム接点１６０」、「（前記障壁領域１５５とは異なる）障壁領域１５５」が順に設けられていること、
　イ　同「ＬＥＤ５００」は、はんだのプリフォームを含む結合領域２２０及び２３０を用いて、ヒートシンクのような取付け支持体２１０の上にフリップチップ式にすなわち上下逆に取り付けられること、
がみてとれる。
　
（７）上記（２）及び（５）に照らして、
　ア　図５に示された「ＬＥＤ５００」の「基板１１０’」は、「（所定の波長範囲の光放射に対して透明な）炭化ケイ素」であってもよいと理解することができる。また、
　イ　図５に示された「ＬＥＤ５００」の「ｎ型層１２０」、「活性領域１３０」及び「ｐ型層１４０」を含む「ダイオード領域」は、窒化ガリウムベースの半導体層から構成されるものであるといえる。
　
　上記の記載を総合すると、引用刊行物には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　
「基板１１０’の少なくともいくつかの側壁１１０ｃを傾斜させる、すなわち斜めにすることによって、ＬＥＤからの光の抽出を向上させることができるＬＥＤ５００であって、
　前記基板１１０’の傾斜した側壁１１０ｃの設けられていない側の面上に、ｎ型層１２０、活性領域１３０、ｐ型層１４０が順に積層され、前記ｐ型層１４０の上には、薄い透明なオーム接点４１２及び反射材４１４を始めとする複数の層から成るオーム・反射領域４１０、ニッケル、ニッケル／バナジウム、及び／又は、チタン／タングステンを含む障壁領域１５５が順に設けられ、また、前記ｎ型層１２０上の活性領域１３０、ｐ型層１４０が形成されていない領域には、オーム接点１６０、前記障壁領域１５５とは異なる障壁領域１５５が順に設けられており、
　前記基板１１０’は、所定の波長範囲の光放射に対して透明な炭化ケイ素であってもよく、
　前記ｎ型層１２０、活性領域１３０及びｐ型層１４０を含むダイオード領域は、窒化ガリウムベースの半導体層から構成され、
　はんだのプリフォームを含む結合領域２２０及び２３０を用いて、ヒートシンクのような取付け支持体２１０の上にフリップチップ式にすなわち上下逆に取り付けられる、ＬＥＤ５００。」
　
　
３　対比
　本願発明と引用発明を対比する。
（１）引用発明の「ＬＥＤ５００」は、「基板１１０’の傾斜した側壁１１０ｃの設けられていない側の面上に、ｎ型層１２０、活性領域１３０、ｐ型層１４０が順に積層され、前記ｐ型層１４０の上には、薄い透明なオーム接点４１２及び反射材４１４を始めとする複数の層から成るオーム・反射領域４１０…が…設けられ、また、前記ｎ型層１２０上の活性領域１３０、ｐ型層１４０が形成されていない領域には、オーム接点１６０…が…設けられて」なるものであって、「前記基板１１０’は、所定の波長範囲の光放射に対して透明な炭化ケイ素であってもよく」、「前記ｎ型層１２０、活性領域１３０及びｐ型層１４０を含むダイオード領域は、窒化ガリウムベースの半導体層から構成され」ているから、
　ア　引用発明の「ＬＥＤ５００」、「（所定の波長範囲の光放射に対して透明な炭化ケイ素であってもよい）基板１１０’」、「（ｎ型層１２０、活性領域１３０及びｐ型層１４０を含む）ダイオード領域」及び「『オーム・反射領域４１０』、『オーム接点１６０』」は、それぞれ、本願発明の「発光ダイオード」、「透明な炭化珪素基板」、「該炭化珪素基板上にＩＩＩ族の窒化物材料系から形成される活性構造」及び「該ダイオードの上側のそれぞれのオーム接触」に相当し、
　イ　引用発明は、本願発明の「発光ダイオードであって、透明な炭化珪素基板と、該炭化珪素基板上にＩＩＩ族の窒化物材料系から形成される活性構造と、該ダイオードの上側のそれぞれのオーム接触とを備えており」との事項を備える。
　
（２）引用発明の「ＬＥＤ５００」は、「基板１１０’の少なくともいくつかの側壁１１０ｃを傾斜させる、すなわち斜めにすることによって、ＬＥＤからの光の抽出を向上させることができ」、「前記基板１１０’の傾斜した側壁１１０ｃの設けられていない側の面上に、ｎ型層１２０、活性領域１３０、ｐ型層１４０が順に積層され」てなるものであるから、引用発明の「『基板１１０’の少なくともいくつかの側壁１１０ｃを傾斜させ』、『前記基板１１０’の傾斜した側壁１１０ｃの設けられていない側の面上に、ｎ型層１２０、活性領域１３０、ｐ型層１４０が順に積層され』」との事項と、本願発明の「該炭化珪素基板は、該炭化珪素と該ＩＩＩ族の窒化物との間のインタフェースに対して４５度と７５度との間の角度で斜角を付けられている」との事項とは、「該炭化珪素基板は、該炭化珪素と該ＩＩＩ族の窒化物との間のインタフェースに対して所定の角度で斜角を付けられている」との点で一致する。
　
　よって、本願発明と引用発明とは、
「発光ダイオードであって、
　透明な炭化珪素基板と、
　該炭化珪素基板上にＩＩＩ族の窒化物材料系から形成される活性構造と、
　該ダイオードの上側のそれぞれのオーム接触と
　を備えており、
　該炭化珪素基板は、該炭化珪素と該ＩＩＩ族の窒化物との間のインタフェースに対して所定の角度で斜角を付けられている、発光ダイオード。」
の点で一致し、以下の点で相違するものと認められる。  
 　  
　炭化珪素基板の、炭化珪素とＩＩＩ族の窒化物との間のインタフェースに対して付けられている斜角の角度が、本願発明では、４５度と７５度との間であるのに対し、引用発明では、その具体的な値が不明である点（以下「相違点」という。）。
　
　
４　判断
　上記相違点につき検討する。
　引用発明において、「基板１１０’」の「（傾斜された…）側壁１１０」の傾斜角の値を、具体的にどの程度のものとするかは、当業者が当該引用発明を実施する上で設計上定めるべき事項である。しかるところ、炭化ケイ素からなる基板上にＩＩＩ族窒化物からなる発光層を設けるとともに、前記基板の該発光層が設けられていない面側に、前記発光層との界面に対して４５°あるいは１０°〜８０°程度の角度をなす傾斜面を設ける発光ダイオードは、本願の優先日時点で周知であった（必要なら、特開２００３−２３１７６号公報（【００３５】、図１）、特開２００４−１３４８０３号公報（【０００２】、【００１０】〜【００１６】、図１、図２、図３、図９）参照。）ことに照らせば、引用発明において、「基板１１０’」の「側壁１１０」の傾斜角の値を、上記相違点に係る本願発明の構成となすことに格別の困難性は認められない。
　
　また、本願発明の奏する効果が、引用発明及び上記周知技術から当業者が予測困難な程の格別顕著なものということはできない。
　
　したがって、本願発明は、引用刊行物に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　
５　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用刊行物に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。