【事件の表示】
　特願２００７−５１４４６１「半導体装置の製造方法及び半導体装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年１１月　９日国際公開、ＷＯ２００６／１１７９００〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯
　本願は、２００６年１月１７日（特許法第４１条に基づく優先権主張２００５年４月２６日）を国際出願日とする特許出願であって、平成２３年９月９日付けの拒絶理由通知に対して同年１１月９日に意見書及び手続補正書が提出されたが、平成２４年２月１５日付けで拒絶査定がなされた。
　それに対して、同年５月１６日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに手続補正書が提出され、その後、同年８月２２日付けで審尋がなされ、それに対する回答書は提出されなかった。
　
第２．補正の却下の決定
【結論】
　平成２４年５月１６日に提出された手続補正書による補正を却下する。
　
【理由】
１．補正の内容
　平成２４年５月１６日に提出された手続補正書による補正（以下「本件補正」という。）は、補正前の特許請求の範囲の請求項１〜３９を、補正後の特許請求の範囲の請求項１〜３６と補正するものであり、補正前の請求項２６、及び補正後の請求項２３は各々以下のとおりである。
　なお、補正後の請求項１６における「を特徴とする請求項１５記載の半導体装置。」は、引用する請求項１５が「半導体装置の製造方法」に係る発明であることからしても、また、平成２３年１１月９日に提出された手続補正書による補正により、本願の願書に最初に添付した特許請求の範囲の請求項１７（補正後の請求項１６に対応）の「半導体装置。」を「半導体装置の製造方法。」に補正した経緯があることからしても、「を特徴とする請求項１５記載の半導体装置の製造方法。」の誤記と認められるから、以下においてはそのように読み換える。
　
（補正前）
　「【請求項２６】
絶縁基板上に設けられた単結晶半導体層を有する半導体装置であって、
該半導体装置は、単結晶半導体層の少なくとも片面側に水素含有層を有し、
該単結晶半導体層は、単結晶半導体基板に剥離用物質を注入して形成された剥離層で分離することにより、単結晶半導体基板の一部が絶縁基板上に転写されたものであり、かつ１×１０１９原子／ｃｍ３以上の水素を含有する
ことを特徴とする半導体装置。」
　
（補正後）
　「【請求項２３】
絶縁基板上に設けられた単結晶半導体層を有する半導体装置であって、
該半導体装置は、単結晶半導体層の少なくとも片面側に水素含有層を有し、
該単結晶半導体層は、単結晶半導体基板に剥離用物質を注入して形成された剥離層で分離することにより、単結晶半導体基板の一部が絶縁基板上に転写されたものであり、かつ１×１０１９〜１×１０２１原子／ｃｍ３の水素を含有する
ことを特徴とする半導体装置。」
　
２．補正事項の整理
　本件補正による補正事項を整理すると、次のとおりである。
　
（１）補正事項１
　補正前の請求項１４、２４、２５を削除するとともに、当該削除に伴って補正前の請求項の番号及び引用する請求項の番号を補正すること。
　
（２）補正事項２
　補正前の請求項１の「有すること」を、「有し、該単結晶半導体層は、水素拡散工程後に１×１０１９〜１×１０２１原子／ｃｍ３の水素を含有すること」と補正して、補正後の請求項１とすること。
　
（３）補正事項３
　補正前の請求項２６の「該単結晶半導体層は、単結晶半導体基板に剥離用物質を注入して形成された剥離層で分離することにより、単結晶半導体基板の一部が絶縁基板上に転写されたものであり、かつ１×１０１９原子／ｃｍ３以上の水素を含有する」を、「該単結晶半導体層は、単結晶半導体基板に剥離用物質を注入して形成された剥離層で分離することにより、単結晶半導体基板の一部が絶縁基板上に転写されたものであり、かつ１×１０１９〜１×１０２１原子／ｃｍ３の水素を含有する」と補正して、補正後の請求項２３とすること。
　
（４）補正事項４
　補正前の請求項３９の「請求項１記載の半導体装置の製造方法」を、「請求項４記載の半導体装置の製造方法」と補正して、補正後の請求項３６とすること。
　
３．新規事項追加の有無及び補正の目的についての検討
（１）補正事項１について
　補正事項１は、特許法第１７条の２第４項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項をいう。以下同じ。）第１号に掲げる請求項の削除を目的とするものに該当する。
　したがって、補正事項１は、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たす。
　また、補正事項１が特許法第１７条の２第３項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項をいう。以下同じ。）に規定する要件を満たすことは明らかである。
　
（２）補正事項２について
　補正事項２は、補正前の請求項１に係る発明の発明特定事項である「単結晶半導体層」について「水素拡散工程後に１×１０１９〜１×１０２１原子／ｃｍ３の水素を含有する」という技術的限定を加えるものであるから、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　したがって、補正事項２は、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たす。
　また、補正事項２により補正された部分は、本願の願書に最初に添付した明細書（以下「当初明細書」という。また、本願の願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面を「当初明細書等」という。）の００１９段落等に記載されているものと認められるから、補正事項２は、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものである。
　したがって、補正事項２は、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものであるから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たす。
　
（３）補正事項３について
　補正事項３は、補正前の請求項２６に係る発明の発明特定事項である「単結晶半導体層」の「水素」の含有濃度の上限を「〜１×１０２１原子／ｃｍ３」と技術的限定を加えるものであるから、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　したがって、補正事項３は、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たす。
　また、補正事項３により補正された部分は、当初明細書の００２６段落等に記載されているものと認められるから、補正事項３は、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものである。
　したがって、補正事項３は、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものであるから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たす。
　
（４）補正事項４について
　補正事項４によって、補正後の請求項３６は、補正前の請求項３９のように請求項１を直接引用するものではなく、請求項４を介して請求項１を引用するものになった。
　しかしながら、補正後の請求項４、及び請求項３６は、いずれも「水素含有層」の「形成時」の「水素」「含有」濃度範囲のみを特定したものであり、補正後の請求項４で特定される当該濃度範囲は、補正後の請求項３６で特定される当該濃度範囲を包含しているから、請求項４を介して請求項１を引用することに変更しても、補正後の請求項３６に係る発明における当該濃度範囲に変更はない。
　したがって、補正事項４は実質的なものではない。
　また、補正事項４が特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすことは明らかである。
　
（５）補正の目的の適否、及び新規事項の追加の有無についてのまとめ
　以上検討したとおりであるから、本件補正は特許法第１７条の２第３項及び第４項に規定する要件を満たす。
　そして、本件補正は特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする補正を含むものであるから、本件補正による補正後の特許請求の範囲に記載されている事項により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否か、すなわち、本件補正がいわゆる独立特許要件を満たすものであるか否かにつき、以下において更に検討する。
　
４．独立特許要件について
（１）補正後の発明
　本願の本件補正による補正後の請求項１〜３６に係る発明は、本件補正により補正された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜３６に記載されている事項により特定されるとおりのものであり、そのうちの請求項２３に係る発明（以下「補正発明」という。）は、請求項２３に記載されている事項により特定される、上記１．の「（補正後）」の箇所に記載したとおりのものであり、再掲すると次のとおりである。
　
　「【請求項２３】
絶縁基板上に設けられた単結晶半導体層を有する半導体装置であって、
該半導体装置は、単結晶半導体層の少なくとも片面側に水素含有層を有し、
該単結晶半導体層は、単結晶半導体基板に剥離用物質を注入して形成された剥離層で分離することにより、単結晶半導体基板の一部が絶縁基板上に転写されたものであり、かつ１×１０１９〜１×１０２１原子／ｃｍ３の水素を含有する
ことを特徴とする半導体装置。」
　
（２）引用例に記載された発明
（２−１）本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布され、原査定の根拠となった拒絶の理由において引用された刊行物である特開２００５−２６４７２号公報（「以下「引用例１」という。）には、図１〜３とともに、次の記載がある（ここにおいて、下線は当合議体にて付加したものである。以下同じ。）。
　
ａ．「【特許請求の範囲】
【請求項１】
単結晶シリコン基板上に形成された単結晶シリコン薄膜デバイスを絶縁基板上に転写することで、絶縁基板上に単結晶シリコン薄膜デバイスが形成されている半導体装置の製造方法において
単結晶シリコン薄膜デバイス転写前の単結晶シリコン基板に、水素イオン注入面を形成する第１の工程と
前記単結晶シリコン薄膜デバイスを絶縁基板に転写後に、前記水素イオン注入面で単結晶シリコン基板の不要部分を剥離させる第２の工程と
絶縁基板に転写された単結晶シリコン薄膜デバイスにおける上記剥離面に酸化膜を形成する第３の工程と
前記酸化膜を除去する第４の工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法
　
ｂ．「【００３２】
本実施の形態の半導体装置２０は、図３（ｉ）に示すように、絶縁基板２上に、ＳｉＯ
２
（酸化Ｓｉ）膜３、多結晶Ｓｉからなる非単結晶Ｓｉ薄膜５’を含むＭＯＳ型の非単結晶Ｓｉ薄膜トランジスタ１ａ、単結晶Ｓｉ薄膜１４ａを備えたＭＯＳ型の単結晶Ｓｉ薄膜トランジスタ（単結晶シリコン薄膜デバイス）１６ａ、金属配線２２を備えている
【００３３】
絶縁基板２は、光透過性非晶質材料のガラスであるコーニング社のｃｏｄｅ１７３７（アルカリ土類−アルミノ硼珪酸ガラス）が用いられている。光透過性非晶質基板を用いることで、本実施の形態の半導体装置２０は、例えば、液晶表示装置等に好適となる。なお、ｃｏｄｅ１７３７の歪点は６００℃程度である。
【００３４】
ＳｉＯ２膜３は、絶縁基板２の表面全体に、膜厚約５０ｎｍで形成されている。
【００３５】
非単結晶Ｓｉ薄膜５’を含むＭＯＳ型の非単結晶Ｓｉ薄膜トランジスタ１ａは、層間絶縁膜としてのＳｉＯ２膜４上に、非単結晶Ｓｉ薄膜５’、ゲート絶縁膜としてのＳｉＯ２膜７、ゲート電極６を備えている。
【００３６】
ゲート電極６は、多結晶ＳｉとＷシリサイドとから形成されているが、多結晶Ｓｉ、他のシリサイドあるいはポリサイド等から形成されていてもよい。
【００３７】
一方、単結晶Ｓｉ薄膜１４ａを含むＭＯＳ型の単結晶Ｓｉ薄膜トランジスタ１６ａは、ゲート電極１２を有する平坦化層、ゲート絶縁膜としてのＳｉＯ２膜１３、単結晶Ｓｉ薄膜１４ａとを備えている。
【００３８】
また、この単結晶Ｓｉ薄膜トランジスタ１６ａは、絶縁基板２に接合される前に単結晶Ｓｉ基板上で形成され、ゲート電極１２となる部分は、ゲート絶縁膜１３、単結晶Ｓｉ薄膜１４ａを含んだ状態で、絶縁基板２上に接合される。よって、単結晶Ｓｉ基板上でゲート電極形成やソース・ドレインの不純物イオン注入を行う方が、絶縁基板２上に形成した単結晶Ｓｉ薄膜を形成後、薄膜トランジスタを形成するよりも、単結晶Ｓｉ薄膜への微細加工を容易に行うことができる。」
　
ｃ．「【００５２】
ここで、半導体装置２０の製造方法について説明すれば以下のとおりである。
【００５３】
本実施の形態の半導体装置２０の製造方法では、薄膜化すれば単結晶Ｓｉ薄膜トランジスタ１６ａとなる部分を別途作り込んだ単結晶Ｓｉ基板（単結晶シリコン基板）１０ａを形成し、この単結晶Ｓｉ薄膜トランジスタ１６ａを単結晶Ｓｉ基板１０ａから絶縁基板２上に転写している
【００５４】
先ずは、
単結晶Ｓｉ薄膜トランジスタ１６ａを作り込んだ単結晶Ｓｉ基板１０ａの製造方法について、図２（ａ）〜図２（ｅ）を参照して説明する
【００５５】
最初に、図２（ａ）に示すように、通常の洗浄法（ＲＣＡ洗浄など）により洗浄された単結晶シリコンウエハ１に対し、ゲート絶縁膜１３を熱酸化法により形成する。このとき、ゲート絶縁膜１３の厚さは３〜５０ｎｍとする。酸化法としては、パイロ酸化法あるいは、ＨＣｌ酸化法などが使用できる。
【００５６】
次に、図２（ｂ）に示すように、例えば多結晶ＳｉとＷシリサイドとからなるゲート電極層をゲート絶縁膜１３上にスパッタ法などにより成膜（厚さ２００〜３００ｎｍ程度）し、成膜したゲート電極層を通常のフォトリソプロセスによりパターニングすることによってゲート電極１２を形成する。ゲート電極１２の線幅は、ＩＣ・ＬＳＩプロセスラインにおいて行うため、線幅０．５μｍ程度は容易に達成できる。
【００５７】
ゲート電極１２をパターニングした後、図２（ｃ）に示すように、ソース・ドレイン部となる箇所に自己整合的にリンや、ホウ素を注入し、１０００℃程度の熱処理により活性化させる。場合によっては、ＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ  Ｄｏｐｅｄ  Ｄｒａｉｎ）などを形成する。
【００５８】
その後、図２（ｄ）に示すように、層間絶縁膜１６を３００ｎｍ程度形成し、該層間絶縁膜１６をＣＭＰ法により平坦化する。さらに、
図２（ｅ）に示すように、水素イオン注入を行い、水素イオン注入面１５を形成する（第１の工程）。
これらの転写デバイス搭載シリコンウエハは、単結晶Ｓｉ薄膜トランジスタ１６ａを絶縁基板２に転写するため、所望のサイズに切り出されて単結晶Ｓｉ基板１０ａとされる
【００５９】
次に、半導体装置２０の製造方法について、図３（ａ）〜図３（ｉ）ならびに図１を参照して説明する。
【００６０】
先ず、図３（ａ）に示すように、絶縁基板２の表面全体にＴＥＯＳとＯ２との混合ガスを用いて、プラズマＣＶＤによって、膜厚約１００ｎｍのＳｉＯ２膜３を堆積する。ＳｉＯ２膜３の形成により、ガラス基板などからなる絶縁基板２は、表面の濡れ性が確保される。
【００６１】
次に、
図３（ｂ）に示すように、絶縁基板２および切断した単結晶Ｓｉ基板１０ａの両基板をＳＣ−１洗浄し活性化した後、単結晶Ｓｉ基板１０ａの水素イオン注入面１５側を所定の位置にアライメントし、室温で密着させて接合する
【００６２】〜【００６７】略
【００６８】
単結晶Ｓｉ基板１０ａと絶縁基板２との貼り合わせ後は、水素イオン注入面１５の温度を単結晶Ｓｉ基板１０ａから水素が離脱する温度以上（４００℃〜６００℃、ここでは、約５５０℃）まで昇温する。これにより、図３（ｃ）に示すように、単結晶Ｓｉ基板１０ａの不要部分１１を、水素イオン注入面１５を境に劈開剥離することができる（第２の工程）
【００６９】〜【００７０】略
【００７１】
続いて、剥離されて絶縁基板２上に残った単結晶Ｓｉ薄膜１４ａの不要部分をエッチング除去し、単結晶Ｓｉを島状に加工する。
【００７２】
ここで、図１で示したように、単結晶Ｓｉ基板１０ａの不要部分１１が剥離されて絶縁基板２上に残った単結晶Ｓｉ薄膜トランジスタ１６ａの表面（剥離面）１６ｂは、水素イオン注入による損傷を受けている。例えば、格子欠陥や不対電子を有するＳｉ原子等の損傷層（図示しない）が生じている。
【００７３】
この剥離面１６ｂに上記損傷層が形成されたままでは、上述したように、ＭＯＳ型の単結晶Ｓｉ薄膜トランジスタ１６ａがデプレッション型特性を示したり、バックゲート側にエネルギー準位が存在するため、移動度の低下やＳ係数の増加を招くこととなる。すなわち、良好なトランジスタ特性が得られない
【００７４】
損傷層をプラズマエッチングで直接除去することも考えられるが、その処理自体を行うことで単結晶Ｓｉ薄膜１４ａに別の損傷を加えることとなる。また、単結晶Ｓｉ薄膜１４ａの膜厚を均一にすることは困難である。
【００７５】
本実施の形態では、図１で示されるように、損傷層を除去するために、まず、剥離面１６ｂを酸化して酸化膜（酸化珪素膜）１６ｃを形成する（第３の工程）
【００７６】
そこで、高圧水蒸気を用いて酸化する方法（高圧水蒸気酸化法）が好ましい。高圧水蒸気酸化法については、例えば特開２００２−２６１２９０号公報（公開日２００２年９月１３日）に開示されている。高圧水蒸気酸化法は、従来の酸化処理に要する温度よりも低い温度（例えば６００℃程度）でも高い酸化能力を有しており、絶縁基板２としてガラス等の光透過性非晶質基板を用いている場合に好適な酸化方法である。言い換えると、高圧水蒸気酸化法は、酸化処理温度として比較的低い温度（例えば６００℃程度）においても酸化能力が高いため、低い歪点（例えば、６００℃以上）を有するガラス等の光透過性非晶質基板を絶縁基板２として用いることができ、絶縁基板２の選択の幅が広がる好ましい酸化方法である。
【００７７】
また、高圧水蒸気酸化法に限らず、剥離面１６ｂに酸化膜１６ｃを形成する場合において、剥離面１６ｂの全面に対する酸化膜１６ｃの成長速度は一定であるため、酸化膜１６ｃの膜厚の制御が容易であり、かつ、その膜厚を均一にすることができる。
【００７８】
本実施の形態では、例えば、６００℃、２ＭＰａの飽和水蒸気雰囲気中で１５０分間酸化処理を行うことで、剥離面１６ｂに深さ２０ｎｍ分の酸化膜１６ｃを形成することができる。深さ２０ｎｍは、水素イオン注入による格子欠陥等の損傷層の深さを充分に含んでいる。
【００７９】
次に、この酸化膜１６ｃを除去する（第４の工程）。
【００８０】〜【００８１】略
【００８２】
このように、水素イオン注入による損傷層を含む領域を酸化させて酸化膜１６ｃを形成し、形成された酸化膜１６ｃを除去することで、格子欠陥等のない均質な表面を形成させ、単結晶Ｓｉ薄膜１４ａの膜厚を均一にすることができる。これにより、絶縁基板２上に膜厚５０ｎｍの単結晶Ｓｉ薄膜１４ａによるＭＯＳＴＦＴの一部が形成される。」
　
（２−２）したがって、引用例１には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
　「絶縁基板２上に、単結晶Ｓｉ薄膜１４ａを備えたＭＯＳ型の単結晶Ｓｉ薄膜トランジスタ１６ａを有する半導体装置２０であって、
　単結晶Ｓｉ薄膜１４ａは、単結晶Ｓｉ薄膜トランジスタ１６ａを作り込んだ単結晶Ｓｉ基板１０ａに水素イオン注入で形成された水素イオン注入面１５を境に劈開することで、単結晶Ｓｉ基板１０ａの不要部分１１を剥離して、絶縁基板２上に転写されたものであり、
　剥離後の単結晶Ｓｉ薄膜トランジスタ１６ａの表面（剥離面）１６ｂを酸化して酸化膜１６ｃを形成後、当該酸化膜１６ｃを除去することで、水素イオン注入によって生じた、格子欠陥や不対電子を有するＳｉ原子等の損傷層を除去した
ことを特徴とする半導体装置。」
　
（２−３）本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布され、原査定の根拠となった拒絶の理由において引用された刊行物である特開平６−７７４８４号公報（「以下「引用例２」という。）には、次の記載がある。
　
　ａ．「【０００３】こうして作られた多結晶Ｓｉ膜を所望の形状、サイズにエッチングした後に、絶縁膜や多結晶Ｓｉ膜やメタル膜を形成してパタ−ニングする。そして
通常ＴＦＴ形成工程の最後に、多結晶Ｓｉ膜とゲ−ト絶縁膜界面付近に存在するダングリングボンド（１０
19
〜１０
22
ｃｍ
-3
）を水素で埋めて終端化させる水素化が行われている。この水素化により、電界効果移動度の増加や閾値電圧の低減等のトランジスタ特性を向上させている
【０００４】従来、水素化の方法はプラズマ水素化又はＳｉＮ膜による水素化が行われて来た。プラズマ水素化はプラズマ化学気相成長（ＰＣＶＤ）装置内で２００〜４００℃で水素プラズマ下にＴＦＴを晒して水素化する方法であり、
ＳｉＮ膜による水素化は、パッシベ−ション膜として水素を多く含むＳｉＮ膜を成膜し、この膜中の水素を３００〜４５０℃程度の熱により拡散させて水素化を行う方法である
　
（２−４）本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布され、原査定の根拠となった拒絶の理由において引用された刊行物である特開平１１−１１１９８９号公報（「以下「引用例３」という。）には、図７とともに、次の記載がある。
　
ａ．「【０００７】
【発明が解決しようとする課題】レーザーアニール法によって結晶化された多結晶シリコン膜５は、結晶欠陥が多いため、膜内を移動する電子が捕捉され易く、トランジスタの活性領域とするには好ましくない。そこで、一旦形成した
多結晶シリコン層５上に、水素イオンを多量に含む絶縁膜を形成し、その絶縁膜と共に窒素雰囲気でアニールすることによって結晶欠陥を水素イオンで埋めるようにしている
【０００８】
水素イオンを多量に含む絶縁膜としては、窒化シリコン膜が知られている
従って、水素イオンの供給源としては、窒化シリコン膜が用いられる
　
ｂ．「【００２９】
酸化シリコン膜２７及び窒化シリコン膜２８を形成した後、窒素雰囲気中で加熱し、窒化シリコン膜２８内に含まれる水素イオンを多結晶シリコン膜２５へ導入する
窒化シリコン膜２８内に含まれる水素イオンは、窒化シリコン膜２８の膜厚に応じて薄く形成された酸化シリコン膜２７を通して多結晶シリコン層２５へ導入されるため、多結晶シリコン層２５で必要な量が確実に供給される。これにより、多結晶シリコン層２５内の結晶欠陥が水素イオンで埋められる
　
（３）補正発明と引用発明との対比
（３−１）引用発明の「絶縁基板２」、「単結晶Ｓｉ薄膜１４ａ」は、各々補正発明の「絶縁基板」、「単結晶半導体層」に相当する。
　よって、引用発明の「絶縁基板２上に、単結晶Ｓｉ薄膜１４ａを備えたＭＯＳ型の単結晶Ｓｉ薄膜トランジスタ１６ａを有する半導体装置２０」は、補正発明の「絶縁基板上に設けられた単結晶半導体層を有する半導体装置」に相当する。
　
（３−２）引用発明の「単結晶Ｓｉ基板１０ａ」、「単結晶Ｓｉ基板１０ａに水素イオン注入で形成された水素イオン注入面１５」、「水素イオン注入面１５を境に劈開すること」は、各々補正発明の「単結晶半導体基板」、「単結晶半導体基板に剥離用物質を注入して形成された剥離層」、「剥離層で分離すること」に相当する。
　また、引用発明の「単結晶Ｓｉ薄膜１４ａ」は、「単結晶Ｓｉ基板１０ａの不要部分１１を剥離して、絶縁基板２上に転写されたもの」であるから、「単結晶Ｓｉ基板１０ａ」から「不要部分１１」が取り除かれた残りの部分、すなわち「単結晶Ｓｉ基板１０ａ」の一部が「絶縁基板２上に転写されたもの」である。
　よって、引用発明の「単結晶Ｓｉ薄膜１４ａは、単結晶Ｓｉ薄膜トランジスタ１６ａを作り込んだ単結晶Ｓｉ基板１０ａに水素イオン注入で形成された水素イオン注入面１５を境に劈開することで、単結晶Ｓｉ基板１０ａの不要部分１１を剥離して、絶縁基板２上に転写されたものであ」ることは、補正発明の「該単結晶半導体層は、単結晶半導体基板に剥離用物質を注入して形成された剥離層で分離することにより、単結晶半導体基板の一部が絶縁基板上に転写されたものであ」ることに相当する。
　
（３−３）したがって、補正発明と引用発明とは、
　「絶縁基板上に設けられた単結晶半導体層を有する半導体装置であって、
該単結晶半導体層は、単結晶半導体基板に剥離用物質を注入して形成された剥離層で分離することにより、単結晶半導体基板の一部が絶縁基板上に転写されたものである
ことを特徴とする半導体装置。」
　である点で一致し、次の点で相違する。
　
（相違点１）
　補正発明の「半導体装置」は「単結晶半導体層の少なくとも片面側に水素含有層を有」するのに対し、引用発明の「半導体装置２０」は「単結晶Ｓｉ薄膜１４ａ」の少なくとも片面側に水素含有層を有しない点。
　
（相違点２）
　補正発明の「単結晶半導体層」は、「１×１０１９〜１×１０２１原子／ｃｍ３の水素を含有する」のに対し、引用発明の「単結晶Ｓｉ薄膜１４ａ」は、そのような特定がなされていない点。
　
（４）相違点についての当審の判断
（４−１）相違点１について
　引用発明は、水素イオン注入によって単結晶Ｓｉ薄膜１４ａに生じた、格子欠陥や不対電子を有するＳｉ原子等の損傷に起因するトランジスタ特性の劣化を防止するために、上記損傷を除去したものである。
　一方、一般に、シリコン層に存在する格子欠陥や、不対電子を有するＳｉ原子、すなわちダングリングボンドを有するＳｉ原子に対して、水素化処理を行うことで、結晶欠陥を水素で埋めたり、ダングリングボンドを水素で終端する技術、及びそのため手法として、水素を多量に含む窒化シリコン膜をシリコン層に近接して設け、拡散により水素化処理を行う技術は、例えば、引用例２、引用例３、及び下記周知例１に記載されているように当業者において周知技術である。
　そうすると、引用発明において、格子欠陥や不対電子を有するＳｉ原子等の損傷をより完全に除去するために、上記周知技術を付加し、又は、引用発明の損傷除去手法に代えて、上記周知技術を適用し、水素を多量に含む窒化シリコン膜を単結晶Ｓｉ薄膜１４ａに近接して設けて、拡散により単結晶Ｓｉ薄膜１４ａの水素化処理を行うことは、当業者が容易になし得たことである。すなわち、引用発明において、補正発明のように、「単結晶半導体層の少なくとも片面側に水素含有層を有」する半導体装置とすることは、当業者が容易になし得たことである。
　よって、上記相違点１は、周知技術を勘案することにより、当業者が容易になし得た範囲に含まれる程度のものである。
　
ａ．周知例１：特開平７−７４１６７号公報
　上記周知例１には、次の記載がある。
　
　「【０００２】
【従来の技術】従来から、半導体装置の微細化及び高集積化に伴い、半導体装置のゲート長が短くなってきている。このゲート長が短くなると、同じ書き込み電圧でも書き込み時のゲートの電界が極めて高くなり、そこを通るキャリアが高いエネルギーを得て、衝突電離が起こるようになる。これは、ホットキャリア現象と呼ばれ、ＭＯＳ（Metal Oxide Semiconductor ）トランジスタの特性劣化を引き起こしていた。
【０００３】そこで、『 IEEE Trans. Electron Devices ED VOL.27, No.8, p1359〜1376 (August 1980 ) ；アイ・イー・イー・イー、トランザクション  エレクトロンディバイスズ  イー・ディー、２７巻、ナンバー８、第１３５９〜１３７６頁（１９８０年８月）』に、ソース領域及びドレイン領域の端部での空乏層内の電界を弱めることで、ホットキャリア現象を抑制するＬＤＤ構造を備えたＭＯＳ型トランジスタが紹介されている。
【０００４】このＬＤＤ構造を備えたＭＯＳトランジスタは、以下の方法で形成される。
シリコン基板（半導体基板）
【０００５】〜【０００７】略
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前記ＭＯＳ型半導体装置は、ゲート酸化膜中に存在する水素の量が少ないと、半導体基板表面（半導体基板とゲート酸化膜との界面）に存在するダングリングボンド（未結合手）を完全に終端することができず、トランジスタの作動中に、この終端していないダングリングボンドに電子がトラップされ、しきい値電圧がばらつくという問題があった
【０００９】
一方、ゲート酸化膜中に存在する水素の量が多すぎると、半導体基板表面に存在するダングリングボンドを水素により完全に終端した後にも、ゲート酸化膜中に過剰の水素が残留してしまう。そして、この残留した水素が、トランジスタの作動中に発生する高エネルギーを持ったキャリアと反応して半導体基板中の界面準位を増加させ、ホットキャリア寿命（ホットキャリア耐性）を低下させるという問題があった
【００１０】そして、特に、
保護膜の最上層にプラズマ−シリコン窒化膜を形成した場合、当該プラズマ−シリコン窒化膜中に多量に存在している水素が、ゲート酸化膜中に供給され、この過剰の水素が、トランジスタの作動中に発生する高エネルギーを持ったキャリアと反応して、半導体基板中の界面準位を増加させ、ホットキャリア寿命を低下させるという報告が、『IEEE ED vol.28 p83〜94 (1918) ；アイ・イー・イー・イー、イー・ディー、２８巻、第８３〜９４頁（１９８１年）』において、Fair and Sunによって行われている
【００１１】
本発明は、このような従来の問題点を解決することを課題とするものであり、ゲート酸化膜中に存在する水素量を最適な値にすることで、半導体基板とゲート酸化膜との界面に存在するダングリングボンドを完全に終端させると共に、過剰な水素が存在することを防止し、優れた電気特性を備え且つホットキャリア寿命が向上した半導体装置を製造する方法を提供することを目的とする
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】この目的を達成するために、本発明は、保護膜の最上層がシリコン窒化膜からなる半導体装置の製造方法において、前記シリコン窒化膜を形成する前に、雰囲気ガスとして、水素と窒素からなり、且つ当該水素を５体積％以上（すなわち、窒素が９５体積％未満）且つ水素を２０体積％以下（すなわち、窒素が８０体積％を越える）の範囲で含む混合ガスを用い、３５０℃以上、４５０℃以下の温度で、１０分以上、１３０分以下の熱処理を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法を提供するものである。
【００１３】
【作用】本発明に係る半導体装置の製造方法は、
シリコン窒化膜を形成する前に、雰囲気ガスとして、水素と窒素からなり、且つ、当該水素を５体積％以上（すなわち、窒素が９５体積％未満）且つ、水素を２０体積％以下（すなわち、窒素が８０体積％を越える）の範囲で含む混合ガスを用い、３５０℃以上、４５０℃以下の温度で、１０分以上、１３０分以下の熱処理を行うため、半導体基板とゲート酸化膜との界面に存在するダングリングボンドは、その後形成される保護膜の最上層としてのシリコン窒化膜中に含有される水素と合わせて、完全に終端されると共に、ゲート酸化膜中に余分な水素が存在することが防止される
　
　したがって、上記周知例１には、トランジスタ特性を向上させるために、水素化処理を行うことで、シリコン基板に存在するダングリングボンドを水素で終端する技術、及び水素化の手法として、シリコン基板上に保護膜として水素を多量に含むシリコン窒化膜を形成する技術が記載されているものと認められる。
　また、ダングリングボンドを完全に終端させるとともに、過剰な水素が存在することを防止することで、優れた電気特性を備え且つホットキャリア寿命が向上した半導体装置が得られることも記載されているものと認められる。
　
（４−２）相違点２について
　上記（４−１）で検討したとおり、引用発明において、格子欠陥や不対電子を有するＳｉ原子等の損傷を除去するために、水素を多量に含む窒化シリコン膜を「単結晶Ｓｉ薄膜１４ａ」に近接して設け、拡散により「単結晶Ｓｉ薄膜１４ａ」の水素化処理を行うことは、当業者が容易になし得たことである。
　ここで、「単結晶Ｓｉ薄膜１４ａ」に対する水素化処理の程度は、損傷の除去という目的達成に必要な量とすることは、当然のことである。
　一方で、過剰に水素が導入されることによって、素子特性が劣化することは、例えば、上記周知例１、及び下記周知例２に記載されているように当業者において周知の事項である。
　したがって、引用発明において、水素化処理後の「単結晶Ｓｉ薄膜１４ａ」の水素濃度をどの程度にするのかということは、損傷の程度に応じて、当業者が適宜最適化又は好適化し得たことである。
　また、例えば、下記周知例３に記載されているように、ダングリングボンドを終端する際の水素濃度として、「１×１０１９〜１×１０２１原子／ｃｍ３」に含まれる範囲の値とすることは、当業者において普通に行われていることである。
　したがって、引用発明において、「単結晶Ｓｉ薄膜１４ａ」の水素濃度を、補正発明のように、「１×１０１９〜１×１０２１原子／ｃｍ３」とすることに、格別の困難性はない。
　よって、上記相違点２は、周知の事項を勘案することにより、当業者が容易になし得た範囲に含まれる程度のものである。
　 
ａ．周知例２：特開平２−７２６６９号公報
　上記周知例２には、次の記載がある。
　
　「［発明が解決しようとする課題］
　しかし、従来の様に、結晶化率の小さい非単結晶半導体薄膜を用いた薄膜トランジスタに水素プラズマ処理を行っても、その効果は小さかった。例えば、前記欠陥を終端化するためには、非晶質シリコン膜では約１０ａｔｏｍｉｃ％の水素が必要である。多結晶シリコン膜の場合でも、結晶性の悪い膜では数ａｔｏｍｉｃ％の水素を導入する必要がある。」（第２ページ左上欄第６〜１４行）
　「多量の水素を導入すると結晶粒界ばかりでなく結晶領域にまでも水素が打ち込まれ、逆に欠陥を生じさせる可能性が考えられる。さらに、過剰の水素は素子特性の安定性あるいは信頼性に悪影響を及ぼすことが考えられる。以上のことより、膜に導入される水素量はできる限り少ない方がよい。」（第２ページ右上欄第１１〜１６行）
　
　したがって、上記周知例２には、非単結晶半導体薄膜の欠陥を終端化するために水素を導入する必要があるものの、大量の水素を導入すると、欠陥を生じさせる可能性が考えられ、さらに、過剰の水素が薄膜トランジスタの特性の安定性や信頼性に悪影響を及ぼすことが考えられるから、膜に導入される水素量はできる限り少ない方がよいことが記載されているものと認められる。
　
ｂ．周知例３：特開２０００−１２５５０号公報
　上記周知例３には、次の記載がある。
　
　「【要約】
【課題】半導体基板の結晶界面のダングリングボンドを重水素で効率よく終端することによって、半導体基板の界面準位密度とそれに起因する諸特性の初期値ならびに経時安定性の両方が改善する半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半
導体基板の結晶界面に重水素が偏析しており、結晶界面の半導体原子のダングリングボンドが重水素により終端されている。半導体基板(1)上に半導体素子を形成する第１の工程と、重水素Ｄ(5)を組成に含むアンモニアガスまたはシラン系ガスを材料ガスの一部としてＣＶＤ装置により半導体素子上に窒化シリコン膜を形成する第２の工程と、半導体基板を３００℃以上に加熱する第３の工程により半導体装置(6)を製造する。重水素の濃度は、面密度で１０
13
atoms/cm
2
以上、体積密度で１０
20
atoms/cm
3
以上が好ましい
　
（４−３）相違点についての判断のまとめ
　補正発明と引用発明との相違点については以上のとおりであるから、補正発明は、周知技術を勘案することにより、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（５）独立特許要件についてのまとめ
　以上検討したとおり、補正発明は、引用発明に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　したがって、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項をいう。以下同じ。）の規定に適合しない。
　
５．補正の却下の決定のむすび
　以上検討したとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないものであるから、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３．本願発明について
　平成２４年５月１６日に提出された手続補正書による補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜３９に係る発明は、平成２３年１１月９日に提出された手続補正書により補正された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜３９に載されている事項により特定されるとおりのものであり、そのうちの請求項２６に係る発明（以下「本願発明」という。）は、請求項２６に記載されている事項により特定される、上記第２．１．の「（補正前）」の箇所に記載したとおりのものである。
　一方、原査定の根拠となった拒絶の理由において引用された特開２００５−２６４７２号公報（引用例１）には、上記第２．４．（２）に記載したとおりの事項、及び発明（引用発明）が記載されているものと認められる。
　そして、本願発明に対して技術的限定を加えた発明である補正発明は、上記第２．４．において検討したとおり、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も当然に、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　したがって、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
第４．むすび
　以上のとおりであるから、他の請求項について検討するまでもなく、本願は拒絶をすべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。