【事件の表示】
　特願２０１１−　３８３１１「半導体発光素子及び発光装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２４年　９月１０日出願公開、特開２０１２−１７５０４０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成２３年２月２４日の出願であって、同年１０月１９日付けで拒絶理由が通知され、同年１２月２０日に明細書及び特許請求の範囲の補正がなされたが、平成２４年３月１２日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年６月６日に拒絶査定不服審判の請求がなされると同時に明細書及び特許請求の範囲の補正がなされたものである（以下、この平成２４年６月６日になされた補正を「本件補正」という。）。
　
第２　本件補正についての補正却下の決定
　１　結論
　本件補正を却下する。
　
　２　理由
（１）補正の内容及び目的
　本件補正は、本願特許請求の範囲の請求項１を
「請求項１】
　窒化物半導体を含むｎ型半導体層と、
　窒化物半導体を含むｐ型半導体層と、
　前記ｎ型半導体層と前記ｐ型半導体層との間に設けられた発光層と、
　前記ｐ型半導体層の前記発光層とは反対の側の第１主面において、前記ｐ型半導体層の一部に接するｐ側電極と、
　前記ｎ型半導体層の前記発光層とは反対の側の第２主面において、前記ｎ型半導体層の一部に接するｎ側電極と、
　前記第１主面上において前記ｐ型半導体層に接し、前記ｐ側電極を覆い、平面視において前記ｐ側電極の外側であって前記ｎ側電極と重なる部分を有し、前記ｐ型半導体層との間の接触抵抗が、前記ｐ側電極と前記ｐ型半導体層との間の接触抵抗よりも高く金属の高抵抗層と、
　を備え、
　前記ｎ側電極は、平面視において、前記ｐ側電極よりも外側で前記ｐ側電極の周りに設けられており、
　前記平面視において、前記ｎ側電極と前記ｐ側電極との間の間隔は、０マイクロメートルよりも大きく、１０マイクロメートル以下であることを特徴する半導体発光素子。」
と補正することを含むものであって、本件補正前の特許請求の範囲
「【請求項１】
　窒化物半導体を含むｎ型半導体層と、
　窒化物半導体を含むｐ型半導体層と、
　前記ｎ型半導体層と前記ｐ型半導体層との間に設けられた発光層と、
　前記ｐ型半導体層の前記発光層とは反対の側の第１主面において、前記ｐ型半導体層の一部に接するｐ側電極と、
　前記ｎ型半導体層の前記発光層とは反対の側の第２主面において、前記ｎ型半導体層の一部に接するｎ側電極と、
　を備え、
　前記ｎ側電極は、平面視において、前記ｐ側電極よりも外側で前記ｐ側電極の周りに設けられており、
　前記平面視において、前記ｎ側電極と前記ｐ側電極との間の間隔は、０マイクロメートルよりも大きく、１０マイクロメートル以下であることを特徴する半導体発光素子。
…。
【請求項８】
　前記第１主面上において前記ｐ型半導体層に接し、平面視において前記ｐ側電極の外側の部分を有し、前記ｐ型半導体層との間の電気抵抗が、前記ｐ側電極と前記ｐ型半導体層との間の電気抵抗よりも高い高抵抗層をさらに備えたことを特徴とする請求項１〜７のいずれか１つに記載の半導体発光素子。
　…。」
における請求項１を引用する請求項８の「高抵抗層」について、「前記ｐ側電極を覆い、平面視において前記ｐ側電極の外側であって前記ｎ側電極と重なる部分を有」するものである点及び「前記ｐ型半導体層との間の接触抵抗が、前記ｐ側電極と前記ｐ型半導体層との間の接触抵抗よりも高」い「金属」である点を限定するものであり、平成２３年法律第６３号による改正前の特許法（以下「平成２３年改正前特許法」という。）第１７条の２第５項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものと認められる。
　
（２）独立特許要件についての検討
　本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）は、前記（１）において、補正後の請求項１に記載したとおりのものと認められるところ、本願補正発明が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるかどうかについて検討する。
　
　ア　刊行物の記載
（ア）原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願前に頒布された刊行物である米国特許出願公開第２０１１／００３１５１９号明細書（以下「引用刊行物」という。）には、次の記載がある（訳文をかっこ書で付した。また、その下線は、審決で付した。）
　
「[0052]　Example 1 is concerned with a manufacturing method of a semiconductor light emitting device and semiconductor light emitting devices according to an embodiment. In Example 1, specifically, a semiconductor light emitting device  1  is composed of a light emitting diode.
[0053]　As shown in schematic sectional views of  FIGS. 1A and 1B , the semiconductor light emitting device  1  of Example 1 is provided with:
[0054]　(A) a laminated structure (light emitting part)  20  constituted of a first compound semiconductor layer  21  having a first conductivity type (specifically, an n-type in Example 1); an active layer  23  formed on the first compound semiconductor layer  21  and made of a compound semiconductor layer; and a second compound semiconductor layer  22  formed on the active layer  23  and having a second conductivity type (specifically, a p-type in Example 1) different from the first conductivity type,
[0055]　(B) a first electrode (n-side electrode)  40  electrically connected to the first compound semiconductor layer  21 , and
[0056]　(C) a second electrode (p-side electrode)  30  formed on the second compound semiconductor layer  22 .
[0057]　Here, the second electrode  30  is constituted of:
[0058]　a second electrode structure  33  constituted of a first layer  31  containing silver and a second layer  32  containing aluminum from the side of the second compound semiconductor layer  22 , and
[0059]　a nickel layer  35  formed on a top surface and a side surface of the second electrode structure  33 .
[0060]　FIG. 1B  shows a state in which the semiconductor light emitting device shown in  FIG. 1A  is installed on a supporting substrate  50 .
[0061]　A region  34 a containing zinc is further included between the top surface and the side surface of the second electrode structure  33  and the nickel layer  35 . Alternatively, the nickel layer  35  is formed by deposition of a zinc layer  34  on the second electrode structure  33  on the basis of a zincate treatment on the second electrode structure  33  and a subsequent electroless nickel plating treatment.
[0062]
… 
[0071]　In Example 1, the first electrode  40  is formed on the surface of the first compound semiconductor layer  21  on the opposite side to the surface coming into contact with the active layer  23 . Also, the compound semiconductor constituting each of the first compound semiconductor layer  21 , the active layer  23  and the second compound semiconductor layer  22  is constituted of AlXGaYIn1-X-YN (0≦X≦1, 0≦Y≦1 and 0 (X+Y)≦1), and more specifically a GaN based compound semiconductor. That is, the first compound semiconductor layer  21  is made of GaN doped with Si (GaN:Si); and the active layer  23  is made of an InGaN layer (well layer) and a GaN layer (barrier layer) and has a multiple quantum well structure. Also, the second compound semiconductor layer  22  is made of GaN doped with Mg (GaN:Mg). The light emitting part is constituted of the laminated structure  20  in which the first compound semiconductor layer  21 , the active layer  23  and the second compound semiconductor layer  22  are laminated. Furthermore, the first electrode  40  is made of a metal laminated film having a Ti/Pt/Au structure; each of the Ti film and the Pt film has a thickness of, for example, 50 nm; and the Au film has a thickness of, for example, 2 μm. Light from the active layer  23  is outgone outside via the first compound semiconductor layer  21 . The size of the light emitting diode, specifically, an area of the active layer  23  is 4×10-10 m2.」
　
（［００５２］ 実施例１は、半導体発光素子の製造方法、実施態様に係る半導体発光素子に関する。実施例１における半導体発光素子１は、具体的には、発光ダイオードから成る。
［００５３］　
図１Ａ及び１Ｂに模式的な断面図を示す
半導体発光素子１
［００５４］　（Ａ）
第１導電型（具体的には、実施例１にあっては、ｎ型）を有する第１化合物半導体層２１、第１化合物半導体層２１上に形成され、化合物半導体層から成る活性層２３、及び、活性層２３上に形成され、第１導電型とは異なる第２導電型（具体的には、実施例１にあっては、ｐ型）を有する第２化合物半導体層２２から構成された積層構造体（発光部）２０
［００５５］  （Ｂ）
第１化合物半導体層２１に電気的に接続された第１電極（ｎ側電極）４０
［００５６］  （Ｃ）
第２化合物半導体層２２上に形成された第２電極（ｐ側電極）３０、を備えている
［００５７］　ここで、第２電極３０は、
［００５８］  第２化合物半導体層側から、銀を含む第１層３１、及び、アルミニウムを含む第２層３２から構成された第２電極構造体３３、並びに、
［００５９］  第２電極構造体３３の頂面及び側面上に形成されたニッケル層３５、から構成されている。
［００６０］　図１Ｂは、図１Ａに示した半導体発光素子を支持基板に取り付けた状態を示している。
［００６１］  第２電極構造体３３の頂面及び側面とニッケル層３５との間には、更に、亜鉛を有する領域３４ａが含まれる。あるいは、ニッケル層３５は、第２電極構造体３３へのジンケート処理に基づく第２電極構造体３３上における亜鉛層３４の析出、並びに、それに引く続く無電解ニッケルメッキ処理によって形成される。
「００６２」
　…。
［００７１］  実施例１において、第１電極４０は、第１化合物半導体層２１の活性層２３と接する面とは反対側の面に形成されている。また、
第１化合物半導体層２１、活性層２３、及び、第２化合物半導体層２２を構成する化合物半導体は
ＧａＮ系化合物半導体から構成され
第１化合物半導体層２１を介して活性層２３からの光が外部に出射され
発光ダイオードの大きさ、具体的には、活性層２３の面積は、４×１０
-10
ｍ
2
である
　
（イ）そして、引用刊行物の図１Ａには、半導体発光素子１の断面図が示され、第１化合物半導体層２１、活性層２３及び第２化合物半導体層２２がこの順に積層され、第１化合物半導体層２１の両端側に第１電極（ｎ側電極）４０が設けられ、第２化合物半導体層２２の中央部に第２電極（ｐ側電極）３０が設けられている様子が示され、同図から、第２電極（ｐ側電極）３０は、左右方向において第１電極（ｎ側電極）４０に重なっていないことが見てとれる。
　
（ウ）また、図１Ｂには、図１Ａに示した半導体発光素子が支持基板に取り付けられ、第１化合物半導体層２１を介して活性層２３からの光が外部に出射される様子が矢印及び符号３７、３８、５０、５１が付された部材とともに示されており、これらの部材は、引用刊行物の［００９１］によれば、それぞれ、insulating layer  37 、 connecting layer  38、supporting substrate  50、adhesive layer  51、すなわち、それぞれ、絶縁層３７、接続層３８、支持基板５０、接着層５１とされていることが認められる。
　
（エ）図１Ａ及び図１Ｂは、それぞれ、次のものである。
　
　イ　引用発明
　上記ア（ア）及び（イ）によれば、引用刊行物には、
「第１導電型（具体的には、ｎ型）を有する第１化合物半導体層２１、第１化合物半導体層２１上に形成され、化合物半導体層から成る活性層２３、及び、活性層２３上に形成され、第１導電型とは異なる第２導電型（具体的には、ｐ型）を有する第２化合物半導体層２２から構成された積層構造体（発光部）２０、
　第１化合物半導体層２１に電気的に接続された第１電極（ｎ側電極）４０、
　第２化合物半導体層２２上に形成された第２電極（ｐ側電極）３０、
を備えている半導体発光素子であって、
　第１化合物半導体層２１、活性層２３、及び、第２化合物半導体層２２を構成する化合物半導体は、ＧａＮ系化合物半導体から構成されており、
　第１電極（ｎ側電極）４０は、断面図において、第１化合物半導体層２１の両端側に配置され、
　第２電極（ｐ側電極）３０は、断面図の左右方向において第１電極（ｎ側電極）４０に重ならないように、第２化合物半導体層２２の中央部に配置されており、
　第１化合物半導体層２１を介して活性層２３からの光が外部に出射され、
　発光ダイオードの大きさ、具体的には、活性層２３の面積は、４×１０-10ｍ2である半導体発光素子」（以下「引用発明」という。）
が記載されているものと認められる。
　
　ウ　対比
　本願補正発明と引用発明を対比する。
　
（ア）引用発明の「第１化合物半導体層２１」は、「第１導電型（具体的には、ｎ型）」であり、「ＧａＮ系化合物半導体から構成されて」いるから、本願補正発明の「窒化物半導体を含むｎ型半導体層」といえる。
　
（イ）引用発明の「第２化合物半導体層２２」は、「第１導電型とは異なる第２導電型（具体的には、ｐ型）」であり、「ＧａＮ系化合物半導体から構成されて」いるから、本願補正発明の「窒化物半導体を含むｐ型半導体層」といえる。
　
（ウ）引用発明において、「活性層２３」は「第１化合物半導体層２１上に形成され」、また、「活性層２３上に」「第２化合物半導体層２２」が形成され、「活性層２３からの光」が外部に出射されるから、引用発明の「活性層２３」は、本願補正発明の「前記ｎ型半導体層と前記ｐ型半導体層との間に設けられた発光層」といえる。
　
（エ）引用発明の「第２電極（ｐ側電極）３０」は、「（活性層２３側でない）第２化合物半導体層２２上に形成され」、「（その全面ではなく）中央部に配置され」ているから、本願補正発明の「前記ｐ型半導体層の前記発光層とは反対の側の第１主面において、前記ｐ型半導体層の一部に接するｐ側電極」といえる。
　
（オ）引用発明の「第１電極（ｎ側電極）４０」は、「第１化合物半導体層２１に（活性層２３側でない側で）電気的に接続され」、「（その全面ではなく）両端側に配置され」ているから、本願補正発明の「前記ｎ型半導体層の前記発光層とは反対の側の第２主面において、前記ｎ型半導体層の一部に接するｎ側電極」といえる。
　
（カ）以上によれば、本願補正発明と引用発明とは、
「窒化物半導体を含むｎ型半導体層と、
　窒化物半導体を含むｐ型半導体層と、
　前記ｎ型半導体層と前記ｐ型半導体層との間に設けられた発光層と、
　前記ｐ型半導体層の前記発光層とは反対の側の第１主面において、前記ｐ型半導体層の一部に接するｐ側電極と、
　前記ｎ型半導体層の前記発光層とは反対の側の第２主面において、前記ｎ型半導体層の一部に接するｎ側電極と、　　
　を備える半導体発光素子」である点で一致し、
　
　ａ　本願補正発明は、「前記第１主面上において前記ｐ型半導体層に接し、前記ｐ側電極を覆い、平面視において前記ｐ側電極の外側であって前記ｎ側電極と重なる部分を有し、前記ｐ型半導体層との間の接触抵抗が、前記ｐ側電極と前記ｐ型半導体層との間の接触抵抗よりも高く金属の高抵抗層」を備えるものであるのに対し、引用発明は、このような「金属の高抵抗層」を備えるものでない点（以下「相違点１」という。）、
　ｂ　本願補正発明は、「前記ｎ側電極は、平面視において、前記ｐ側電極よりも外側で前記ｐ側電極の周りに設けられており、
　前記平面視において、前記ｎ側電極と前記ｐ側電極との間の間隔は、０マイクロメートルよりも大きく、１０マイクロメートル以下である」のに対し、引用刊行物には平面視の記載がなく、引用発明がこのようなものであるか不明である点（以下「相違点２」という。）　
で相違するものと認められる。
　
　エ　判断
（ア）まず、相違点２について検討する。
　断面図において、一方の電極が一方の面の中央部に配置され、他方の電極が他方の面の両端側に配置されて示される半導体発光素子の場合、その平面視は、半導体発光素子の形状がほぼ正方形であり、一方の電極が一方の面の中央部に配置され、他方の電極は、他方の面の周囲に沿う形状で配置されるのものであるのが通例である（この点、必要ならば、例えば、実開平６−６６０４３号において、図１の断面図で中央部に配置される電極１４及び両端側に配置される電極１２がそれぞれ、図３の底面図に正方形の中央の１３ａ及び図２の平面図に正方形の周辺の１２として図示されている点、特開平９−８３４６号公報において、図１（ａ）の断面図で中央部に配置される下部電極９及び両端側に配置される上部電極８がそれぞれ、図１（ｂ）に正方形の中央部の下部電極９及び周辺の上部電極８として図示されている点、特開２００５−２６３９５号公報において、図１（ａ）の断面図で両端側に配置されている電極１１１が、図１（ｂ）の平面図において正方形の周囲に沿った形状の電極１１１として図示されている点を参照されたい。）から、引用発明の半導体発光素子についても、その平面視は、素子の形状が略正方形であり、第２電極（ｐ側電極）３０が中央部に配置され、第１電極（ｎ側電極）４０が第２電極（ｐ側電極）３０に重なることなく、正方形の素子の周辺に沿って配置されているものと推認され、これを左右する事情は認められない。
　したがって、引用発明は、本願補正発明と同様に「前記ｎ側電極は、平面視において、前記ｐ側電極よりも外側で前記ｐ側電極の周りに設けられて」いるものといえる。
　また、引用発明は、「発光ダイオードの大きさ、具体的には、活性層２３の面積」が「４×１０-10ｍ2」であるから、その一辺の大きさ、すなわち、引用刊行物図１Ａにおける左右方向の素子の長さは、２×１０-５ｍ、すなわち、２０マイクロメータであると認められる。
　してみると、引用発明における第１電極（ｎ側電極）４０と第２電極（ｐ側電極）３０との間の平面視における間隔が「０マイクロメートルよりも大きく、１０マイクロメートル以下であること」は明らかである。
　以上のとおりであるから、相違点２は、本願補正発明と引用発明の実質的な相違とはいえない。
　
（イ）相違点１について検討する。
　
　ａ　引用発明は、「第１化合物半導体層２１を介して活性層２３からの光が外部に出射され」るものである。
　すなわち、第１電極（ｎ側電極）４０が設けられた面が出射面となり、第２電極（ｐ側電極）３０が設けられた面は、その裏面となるものである。
　一方、半導体発光素子において、発光層から裏面に向かう光についてもそれを外部に取り出せるように、裏面に設けられた半導体層との電気的接続のための電極を覆って、裏面の全面に反射金属を設けることは、当該技術分野における周知の技術事項であるから（この点、必要ならば、例えば、特開２００７−８１０１１号公報の図１におけるオーミック電極７ａを覆って〔主光取り出し面Ｓの反対側の面である〕裏面の全面に設けられている反射電極７ｂ、あるいは、図３におけるオーミック電極１２ａを覆って裏面全面に設けられている反射電極１２ｂ、また、図５におけるオーミック電極１６ａを覆って裏面全面に設けられている反射電極１６ｂ、特開平７−２７３３６８号公報の【０００４】で説明される図５（ｂ）におけるオーム性電極８を覆って〔光取り出し面６の反対側の面である〕裏面の全面に設けられている高反射率の金属蒸着膜１０、特開２００５−２６３９５号公報の図１及び２におけるオーミック電極１１１を覆って裏面の全面に設けられている金属層１１３を参照されたい。）、引用発明に当該周知技術を適用することは、当業者が容易に想到し得るところである。そして、この際、高反射率の金属層が引用発明における第２電極（ｐ側電極）３０を覆って、第２化合物半導体層２２の全面に設けられることになるものと認められるところ、この金属層は、本願補正発明のごとく「前記第１主面上において前記ｐ型半導体層に接し、前記ｐ側電極を覆い、平面視において前記ｐ側電極の外側であって前記ｎ側電極と重なる部分を有」するものとなるし、また、この金属層は、反射のために設けられるものであるから、半導体層との電気的接続のために設けられた電極である引用発明の「第２電極（ｐ側電極）３０」に比べれば、その第２化合物半導体層２２に対する接触抵抗が高いものとなることは当然であって、本願補正発明のごとく「前記ｐ型半導体層との間の接触抵抗が、前記ｐ側電極と前記ｐ型半導体層との間の接触抵抗よりも高」いものとなり、結局、相違点１に係る本願補正発明の特定事項が導かれるものと認められる。
　
　ｂ　請求人は、平成２５年１月２１日提出の回答書の（４）において、上記ａの周知例における構成は、本願補正発明における構成とは、導電型が逆である旨指摘するが、引用発明は、本願補正発明と同じ導電型であって、引用発明に上記周知技術を適用することにより相違点１に係る本願補正発明の特定事項が導かれることは上記ａのとおりであるから、請求人の主張は、上記ａの判断を左右するものではない。
　
（ウ）本願補正発明において奏される効果についてみても、格別顕著なものは認められない。
　請求人は、上記回答書の（４）（５）において、相違点１に係る本願補正発明の特定事項に基づく効果について主張するが、明細書の記載に基づかない主張であるし、本願補正発明において、引用発明及び周知技術から当業者が予測し得る域を超える程の格別顕著な効果が奏されるものとは認められない。
　
（エ）以上によれば、本願補正発明は、引用発明において、光の取り出し面と反対側の面である第２電極（ｐ側電極）３０が設けられた面に上記周知技術を適用することにより、当業者が容易に発明できたものと認められる。
　
（３）補正却下の決定のむすび
　以上のとおりであって、本願補正発明は、引用発明に周知技術を適用することにより、当業者が容易に発明できたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　よって、本件補正は、平成２３年改正前特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであって、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。　
　
第３　本願発明について
　１　本願発明
　本件補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成２３年１２月２０日に補正された特許請求の範囲の請求項１ないし１０に記載された事項によって特定されるものであるところ、その請求項１を引用する請求項８に係る発明（以下「本願発明」という。前記第２、１における、本件補正前の特許請求の範囲を参照。）について、特許を受けることができるものであるか検討する。
　
　２　刊行物の記載及び引用発明
　前記第２、２（２）ア及びイのとおりである。
　
　３　対比
（１）本願発明は、本願補正発明において、前記第２、２（２）ウ（カ）ａにおいて、相違点１に係る事項として指摘した発明特定事項を「前記第１主面上において前記ｐ型半導体層に接し、平面視において前記ｐ側電極の外側の部分を有し、前記ｐ型半導体層との間の電気抵抗が、前記ｐ側電極と前記ｐ型半導体層との間の電気抵抗よりも高い高抵抗層」としたものに相当する。
　
（２）前記第２、（２）ウ及びエ（ア）での検討に照らせば、本願発明の上記発明特定事項以外の点について、本願発明と引用発明の間に格別の相違はないものと認められる。
　
（３）したがって、本願発明と引用発明とは、
「本願発明は、『前記第１主面上において前記ｐ型半導体層に接し、平面視において前記ｐ側電極の外側の部分を有し、前記ｐ型半導体層との間の電気抵抗が、前記ｐ側電極と前記ｐ型半導体層との間の電気抵抗よりも高い高抵抗層』を備えるものであるのに対し、引用発明は、このような「高抵抗層」を備えるものでない点」（以下「相違点３」という。）
で相違し、その余の点において一致するものと認められる。
　
　４　判断
　引用刊行物には、前記第２、２（２）ア（ウ）のとおり、図１Ｂに、図１Ａの半導体発光素子（引用発明に対応するものと認められる。）が支持基板に取り付けられた状態が示されており、これによれば、絶縁層３７は、第２電極（ｐ側電極）３０の外側において第２化合物半導体層２２に接しており、また、絶縁層であるからその抵抗が高いものであることは明らかであって、結局、引用刊行物に記載された「絶縁層３７」は、本願発明の「前記第１主面上において前記ｐ型半導体層に接し、平面視において前記ｐ側電極の外側の部分を有し、前記ｐ型半導体層との間の電気抵抗が、前記ｐ側電極と前記ｐ型半導体層との間の電気抵抗よりも高い高抵抗層」に相当するものと認められる。
　すなわち、引用刊行物には、引用発明において、相違点３に係る本願補正発明の特定事項を備えるものとすることが記載されているものと認められる。
　したがって、本願発明は、当業者が引用発明及び引用刊行物に記載された事項に基づいて容易に発明をすることができたものと認められる。
　
５　むすび
　以上のとおり、本願発明は、当業者が引用発明及び引用刊行物に記載された事項に基づいて容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。