【事件の表示】
　特願２００６−　４５３４３「成膜装置および発光素子の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１９年　９月　６日出願公開、特開２００７−２２７０８６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続きの経緯
　本願は、平成１８年２月２２日の出願であって、平成２４年２月１４日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年５月２１日に拒絶査定に対する審判請求がなされ、同時に手続補正がなされたものである。
　その後、前置報告書の内容について、審判請求人の意見を求めるために平成２４年１１月６日付けで審尋がなされたが、当該審尋に対する回答書は提出されなかった。
　
第２　本願発明
１．本願発明
　本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成２４年５月２１日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、次のとおりのものと認める。
「被処理基板を保持する保持台を内部に備えた処理容器と、
　有機層と該有機層に電圧を印加する電極との間に形成される仕事関数調整層である金属を含む層の、前記金属を含む成膜原料を蒸発または昇華させて気体原料を生成する、前記処理容器の外部に設置された気体原料生成部と、
　前記処理容器内に前記気体原料を供給する気体原料供給部と、
　前記気体原料を前記気体原料生成部から前記気体原料供給部に輸送する輸送路と、を有し、
　前記気体原料生成部にはキャリアガス供給ラインが接続され、前記気体原料生成部で生成された気体原料は、キャリアガスととともに前記輸送路中を輸送され、前記気体原料供給部から前記処理容器内に供給され、前記被処理基板上の発光層を含む有機層上に金属を含む層を形成するように構成されていることを特徴とする成膜装置。」
　
２．刊行物に記載された発明
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願前に頒布された刊行物である、特表２００３−５２５３４９号公報（以下「引用例１」という。）には、以下の記載がある。
　
（１）「【０００１】
　　【発明の属する技術分野】
　本発明は、少なくとも一つの液体または固体の少なくとも１つの反応ガスおよび必要な場合は少なくともさらに一つの室温でガス状の反応ガス用の初期物質を使用して、１つまたは多くの被膜を反応室に配置される少なくとも一つの基板に作成する方法に関するものである。」
（２）「【００１２】
　さらに本発明による方法では、ガス導入装置に供給されるガスの体積流を調整し特に制御する。ガス導入装置は少なくとも一つの搬送ガスおよび／または掃気ガスの導入に使用することができる。
　　　【００１３】
　少なくとも一つの基板に被膜を形成する本発明による方法は、ＣＶＤ、ＭＯＣＶＤまたはＯＶＰＤ法（凝着被膜形成）に使用され、特に酸化材料のグループに属する例えばＢａＳｒＴｉＯ３、ＰｂＺｒＴｉＯ３、ＳｒＢｉ２Ｔａ２Ｏ９のようなペロブスカイト、または被膜ペロブスカイトの製作、または有機被膜の製作、特に「小さな分子」および例えばＯＬＥＤまたは太陽電池のような薄い被膜部品の重合体に使用される。」
（３）「【００３０】
　　【発明の実施の形態】
　ここで図式的に概略を図示した反応炉は壁３１の形状をした反応炉周壁を備えている。この反応炉周壁３１によって反応炉の底部３２は囲まれる。例えば円筒状の構造を有する底部３２に１つまたは多くの基板２の保持体である支持体１４が置かれる。支持体１４は下側から加熱器１６によって加熱される。加熱器１６の代わりに支持体１４を例えば室温に保持するため冷却器を設けることもでき、これによって支持体１４の上に置かれる基板２に凝縮による被膜を形成することができる。
　　　【００３１】
　底部３２または支持体１４の上側に外部に対しガス気密に閉じられた空間１があり、反応室１を形成する。反応室１では支持体１４の上側に配置されたガス導入装置８にガス４、５、６が供給される。これらのガスは反応ガスか反応ガスを含むもので、例えば支持体上に凝縮することができる。別の方法ではこれらのガスはガス相で、または好ましくは基板表面で化学的に互いに反応し、基板表面２は反応生成物によって被膜が形成される。被膜形成は結晶の成長が含まれる。被膜の成長は殆ど多結晶によって行なわれる。特別の場合は被膜の成長は単結晶で行なわれる。
　　　【００３２】
　ガス導入装置８は反応炉のカバー１９の空洞に設けられる。この反応炉のカバー１９は図示しない加熱器または同様に図示しない冷却器によって事前設定された温度に保持される。ガス導入装置８は反応炉のカバー１９との表面の接触はない。むしろ反応炉のカバー１９とガス導入装置８の外表面の間の空間２０がガスで掃気される。図１または図７にはこのための掃気ガス配管３３が示され、これによって掃気ガス２３を供給することができる。掃気ガスは反応室１に存在するプロセスガスに応じて選定される。これは不活性ガスであることか好ましい。ＭＯＣＶＤプロセスの場合は窒素または窒素と水素の混合物である。しかし水素であってもよい。例えば最初に説明した酸化プロセスのような別のプロセスの場合は希ガスの混合物、例えばヘリウムとアルゴンの混合物とすることができる。互いに極端に異なる熱伝導特性を備えたガスの混合物が好ましく、両方のガスの混合の割合を調整することによって反応炉のカバー１９からガス導入装置８の熱の移動を調整することができる。熱の移動を熱伝導により確実に実施するため、空間２０を適応する圧力に調節しなれればならない。反応室１のプロセス圧力がこの圧力より低いと、空間２０は反応室１から絶縁される。これはガス気密または絞りの役目を果たす絶縁体２９によって行なわれるので、ガスは空間２０から反応室に流れることができる。空間２０は幾つかの専用のガス排出配管を備えている。反応室の半径方向の外側にあるガス排出配管は図示していない。
　　　【００３３】
　反応ガス４、５、６をガス貯蔵装置からガス導入装置８に供給する供給配管２１、２２が空間２０を貫通する。ガス３、４は蒸気の形態で供給される液状の初期物質４’、３’であってもよい。初期物質３’、４’は、反応ガス３、４に昇華する子建てであってもよい。固体材料３’または液体４’は、図１に図式的に示される容器７に保管される。容器７から出たガス３、４は配管２１を経て反応室のカバー１９を通りガス導入装置８に供給される。配管２１には追加的に搬送ガスまたは掃気ガス１３が送り込まれる。
　　　【００３４】
　図９に図示した実施例において、液体の初期物質は温度調整される蒸発器３８に供給される。初期物質はここで既知の方法によって表面接触または好ましくは温度の高い搬送ガスからの熱の供給によって蒸発され、ガス配管２１を経て反応炉に供給される。この実施例で初期物質が入っている容器７は加熱されないことが好ましい。」
（４）「【００３６】
　ガス導入装置８の説明を図２を参照して実施する。ガス導入装置８は円板状のカバー板１７を備え、そのなかに中心から縁に対して多くの星形に走るダクト２４、２５が配置される。ダクト２４は配管２１によって接続され、これによって反応ガス３、４が上部室９の外周に導かれる。ダクト２５を通って供給配管２２によって供給された反応ガス５は室９の下側にある室１０の周辺部に流れる。空間９、１０はガス気密されて互いに分離され緩衝体積を形成する。両方の緩衝体積９、１０の分離は、中間板１８によって行なわれカバー板１７と同様に金属から製作することができる。中間板１８およびカバー板１７は，熱を伝導する橋状体２６によって互いに結合される。橋状体２６を除去するとカバー板１７から中間板１８への熱移動は緩衝体積９に供給される反応ガス３、４、または追加の搬送ガスまたは掃気ガス１３およびガス導入装置８の外周部の熱伝導によって行われる。カバー板１７はほとんど空間２０を介しての熱伝導によって加熱されたり冷却されたりする。」
（５）「【図１】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
（６）「【図２】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
（７）「【図９】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
（８）図９からは、容器７及び蒸発器３８が反応炉の外部に設置されていることがわかる。
（９）図９からは、搬送ガス１３が配管によって蒸発器３８に供給されていることがわかる。
　
　上記各記載を含む引用例１全体の記載及び当業者の技術常識を総合的に勘案すると、引用例１には、以下の発明が記載されているものと認められる。
　
「壁の形状をした反応炉周壁（３１）によって円筒状の構造を有する底部（３２）が囲まれる構造の反応炉内の底部に、１つまたは多くの基板（２）の保持体である支持体（１４）が置かれ、
　液体（４’）が反応炉の外部に設置された容器（７）に保管され、
　液体の初期物質は反応炉の外部に設置された蒸発器（３８）に供給され、初期物質はここで蒸発され、ガス配管（２１）を経て反応炉に供給されるとともに、
　搬送ガス（１３）が配管によって蒸発器（３８）に供給されている構成の、
ＯＶＰＤ法（凝着被膜形成）に使用され、ＯＬＥＤのような薄い被膜部品の重合体に使用される
装置。」（以下「引用発明」という。）
　
３．対比・判断
　本願発明と引用発明を対比する。
（１）引用発明の「基板」、「支持体」及び「反応炉」は、それぞれ本願発明の「被処理基板」、「保持台」及び「処理容器」に相当する。
（２）引用発明の「液体の初期物質」が本願発明の「成膜原料」に相当し、同「初期物質」が「蒸発され」たものが同「成膜原料を蒸発させて」「生成」した「気体原料」に相当する。
　したがって、引用発明の「反応炉の外部に設置された蒸発器」は本願発明の「処理容器の外部に設置された気体原料生成部」に相当する。
（３）引用発明の「ガス配管」は本願発明の「輸送路」に相当する。同様に「搬送ガスが配管によって蒸発器に供給されている構成」は「気体原料生成部にはキャリアガス供給ラインが接続され」た構成に相当する。
　したがって、引用発明が本願発明の「気体原料生成部で生成された気体原料は、キャリアガスととともに輸送路中を輸送され、気体原料供給部から処理容器内に供給され」る構成に相当する構成を有することは明らかである。
（４）引用発明の「ＯＶＰＤ法（凝着被膜形成）に使用され、ＯＬＥＤのような薄い被膜部品の重合体に使用される装置」は本願発明の成膜装置と「被処理基板上に層を形成するように構成されている成膜装置」で共通する。
　
　してみると両者は、
「被処理基板を保持する保持台を内部に備えた処理容器と、
　成膜原料を蒸発させて気体原料を生成する、前記処理容器の外部に設置された気体原料生成部と、
　前記処理容器内に前記気体原料を供給する気体原料供給部と、
　前記気体原料を前記気体原料生成部から前記気体原料供給部に輸送する輸送路と、を有し、
　前記気体原料生成部にはキャリアガス供給ラインが接続され、前記気体原料生成部で生成された気体原料は、キャリアガスととともに前記輸送路中を輸送され、前記気体原料供給部から前記処理容器内に供給され、前記被処理基板上に層を形成するように構成されていることを特徴とする成膜装置。」
の点で一致し、以下の点で相違している。
　
（相違点）
　本願発明は、成膜原料が「有機層と該有機層に電圧を印加する電極との間に形成される仕事関数調整層である金属を含む層の金属を含む」原料であって、被処理基板上に形成する層が「発光層を含む有機層上に金属を含む層」であるのに対して、引用発明は「ＯＬＥＤのような薄い被膜部品の重合体」を成膜する原料ではあるものの、その具体的構成が不明な点。
　
　上記相違点について検討する。
　ＯＬＥＤ等の有機発光層を有する素子において、「有機層と該有機層に電圧を印加する電極との間に、金属を含む層で形成される仕事関数調整層」を蒸着によって形成することは、ごく普通に行われている周知技術（原査定の拒絶の理由に引用された特開２００６−４０７８４号公報、段落【００４６】の電子輸送層、電子注入層等参照）であり、しかも、引用発明はＯＬＥＤのような薄い被膜部品の重合体に使用されるものであるから、引用発明を当該仕事関数調整層の形成に用いることに、格別の技術的困難性も阻害要因もない。
　してみると、引用発明に上記相違点に係る構成を採用することは、当業者が容易になしうる事項である。
　
　また、本願発明の作用・効果も引用発明及び周知技術から当業者が予測し得る範囲のものであって格別なものではない。
　
　したがって、本願発明は、引用発明及び周知技術に基づき当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
第３　むすび
　以上のとおりであるから、本願の他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願発明は特許を受けることができない。
　したがって、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。