【事件の表示】
　特願２００８−５１９８１２「光電子装置およびその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１９年　１月１８日国際公開、ＷＯ２００７／００６３７８、平成２１年　１月　８日国内公表、特表２００９−５００８３４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯
　平成１８年　６月　８日　国際特許出願（外国庁受理　パリ条約による優　　　　　　　　　　　　　先権主張平成１７年７月８日、同年８月１６日　　　　　　　　　　　　　、いずれもドイツ）
　平成２３年　５月１３日　拒絶理由通知（同年５月１７日発送）
　平成２３年　９月２０日　意見書・手続補正書
　平成２３年１２月　１日　拒絶査定（同年１２月６日送達）
　平成２４年　４月　６日　本件審判請求
　
２　本願発明
　本願の請求項１〜１４に係る発明は、平成２３年９月２０日に補正された特許請求の範囲の請求項１〜１４に記載された事項によって特定されるものであるところ、請求項１に係る発明は次のとおりのものである。
「キャリア（１００）に載置される光電子部品（２００）を有する光電子装置であって、
　光学的に透明な二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）よりなる厚さ１００ナノメートル以下の第１の接着層（６００、６０１）が前記キャリア（１００）の表面と光電子部品（２００）の表面との少なくとも一部を覆い、
　カバーまたはシリコーン樹脂よりなる第２の接着層が前記二酸化ケイ素よりなる第１の接着層（６００、６０１）の上に設けられている
　ことを特徴とする光電子装置。」（以下「本願発明」という。）
　
３　引用する刊行物と引用発明
（１）刊行物
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の最先の優先権主張日前に日本国内において頒布された特開２００２−３１４１４３号公報（以下「刊行物」という。）には、図面とともに以下の記載がある（当審注：下線は、引用発明の認定と特に関係する箇所に、当審が付したものである。）。
　
ア　「【請求項１】
開口部を有する樹脂部と、前記開口部の中に配置された第１の半導体発光素子と、前記開口部の中に配置された半導体素子と、前記第１の半導体発光素子と前記半導体素子とを覆うように前記開口部の中に設けられたシリコーン樹脂と、を備え、前記開口部の開口形状は、略楕円形状あるいは略偏平円形状であり、前記シリコーン樹脂の硬度は、ＪＩＳＡ値で５０以上であることを特徴とする発光装置。
　
イ　「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は発光装置に関し、特に、発光特性に優れ、且つ高い信頼性も兼ね備えた発光装置に関する。」
　
ウ　「【００２９】本発明は、かかる課題の認識に基づいてなされたものである。すなわち、その目的は、半導体発光素子を樹脂で封止した発光装置において、信頼性や長期的安定性を大幅に向上させ、複数のチップをコンパクトに搭載できる発光装置を提供することにある。」
　
エ　「【００５４】…
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について説明する。
（第１の実施の形態）まず、本発明の第１の実施の形態として、封止体の材料としてシリコーン樹脂を用い、なお且つチップの配置パターンを工夫した発光装置について説明する。
【００５５】図１は、本発明の第１の実施の形態にかかる発光装置の要部構成を表す模式図である。すなわち、同図（ａ）はその平面図、同図（ｂ）はそのＡ−Ａ線断面図である。
【００５６】本実施形態の発光装置１Ａは、
樹脂ステム１００と、その上にマウントされた半導体発光素子１０６Ａ
【００５７】封止樹脂ステム１００は、リードフレームから形成したリード１０１、１０２と、これと一体的に成形されてなる樹脂部１０３と、を有する。
【００５８】樹脂部１０３は、典型的には、熱可塑性樹脂からなる。熱可塑性樹脂としては、例えば、ナイロン系のもので、不活性な結合基を有するものを用いることができる。
【００５９】熱可塑性樹脂としては、例えば、液晶ポリマ（ＬＣＰ）、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ：熱可塑性プラスチック）、シンジオタクチックポリスチレン（ＳＰＳ：結晶性ポリスチレン）などの高耐熱性樹脂を用いることができる。また、樹脂部１０３の外形の平面形状は、例えば、２．０ｍｍ×２．０ｍｍ〜６．０ｍｍ×６．０ｍｍ程度の略正方形、または２．０ｍｍ×３．０ｍｍ〜５．０ｍｍ×７．０ｍｍ程度の略長方形などとすることができる。
【００６０】リード１０１、１０２は、それぞれの一端が近接対向するように配置されている。リード１０１、１０２の他端は、互いに反対方向に延在し、樹脂部１０３から外部に導出されている。
【００６１】樹脂部１０３には開口部１０５が設けられ、半導体発光素子１０６Ａ及びダイオード１０６Ｂは、その底面にマウントされている。開口部１０５の平面形状は、図示した如く略楕円形あるいは略偏平円形である。そして、素子１０６Ａ、１０６Ｂを取り囲む樹脂部１０３の内壁面は光取り出し方向に向けて傾斜し、光を反射する反射面１０４として作用する。
【００６２】図１に例示した本実施形態の発光装置は、（１）封止体１１１の材料、（２）開口部１０５の形状、（３）開口部１０５の中のリードやチップの配置、に特徴を有する。
【００６３】まず、封止体１１１の材料について説明する。本発明においては、
開口部１０５内に充填された封止体１１１として、
「シリコーン樹脂」を用いている。
【００６４】すなわち、シリコーン樹脂は、エポキシ樹脂と比較すると、脆性が低く、クラックが生じにくい。また、本発明において用いるシリコーン樹脂は、熱可塑性樹脂などからなる樹脂部１０３との付着強度も強く、耐湿性が高く温度ストレスによるクラックや剥離も少ない。また、シリコーン樹脂を充填することにより周囲の温度変化による発光素子１０６ＡおよびＡｕワイヤ１０９に対する樹脂ストレスを著しく軽減させることができる。さらに、シリコーン樹脂は、エポキシ樹脂と比べると、発光素子１０６Ａなどから照射される光に対する耐光性も強い。
【００６５】本発明者は、この観点からさらに検討を進めた結果、シリコーン樹脂の中でも、硬度が高い「ゴム状」のシリコーン樹脂を用いると優れた結果が得られることを見出した。すなわち、シリコーン樹脂としては、通常は、ＪＩＳ規格の硬度であるＪＩＳＡ硬度値がおよそ３０〜４０のものが広く知られている。これは、「ゲル状」に近い物性を有し、物理的に柔らかいものである。以下、このシリコーン樹脂を「ゲル状シリコーン樹脂」と称する。
【００６６】これに対して、「ゴム状シリコーン樹脂」は、ＪＩＳＡ硬度がおよそ５０〜９０の範囲にある。ちなみに、従来の発光装置の封止体材料として広く用いられているエポキシ樹脂は、ＪＩＳＡ硬度がおよそ９５前後である。
【００６７】本発明者は、「ゴム状シリコーン樹脂」と「ゲル状シリコーン樹脂」とを独自に比較検討した結果、以下の知見を得た。
【００６８】（１）図１に例示したような発光装置は、所定領域に半田が被覆された実装基板に対して、リード１０１、１０２の外部に突出した部分（「アウターリード」などと称される）を固定する際に、「リフロー」などと称される半田溶融の工程を経ることが多い。しかし、ゲル状シリコーン樹脂の場合、加熱すると軟化し、樹脂部１０３との界面において剥離などが生ずる場合があった。
【００６９】これに対して、ゴム状シリコーン樹脂の場合は、このような現象は見られず、１１０℃を越える条件においても、発光装置が安定した動作を示した。
【００７０】（２）ゲル状シリコーン樹脂は柔らかいため、発光素子１０６Ａやワイア１０９Ａ、１０９Ｂなどに与えるストレスは小さい反面、外力に対して弱いという欠点を有する。すなわち、図１に例示したような発光装置は、例えば「表面実装型」のランプとして用いられ、アセンブリ装置により実装基板などにマウントされることが多い。この際に、アセンブリ装置の吸着コレットが封止体１１１の表面に圧接される場合が多い。ＪＩＳＡ硬度が３０〜４０のゲル状シリコーン樹脂を用いた場合には、吸着コレットを押し当てることにより、封止体１１１が変形し、これに伴ってワイア１０９Ａ（１０９Ｂ）が変形、断線したり、発光素子１０６Ａ（ダイオード１０９Ｂ）にストレスが与えられる場合がある。
【００７１】これに対して、ＪＩＳＡ硬度が５０〜９０のゴム状シリコーン樹脂を用いた場合には、発光装置の選別やアセンブリ時における選別装置やアセンブリ装置によるシリコーン樹脂の変形を防止できる。
【００７２】以上（１）及び（２）に説明したように、シリコーン樹脂の中でも、ゴム状シリコーン樹脂を用いることにより、発光特性、信頼性、機械的強度などをさらに改善できる。
【００７３】シリコーン樹脂の硬度を上げる方法のひとつとしては、チクソ性付与剤を添加する方法を挙げることができる。
【００７４】また、
シリコーン樹脂を充填する
【００７５】以上説明した知見に基づいて本発明者が行った一実施例によれば、硬化前の粘度が１０００ｃｐで硬化後のＪＩＳＡ硬度値が７０のゴム状シリコーン樹脂を用いて図１の発光装置を試作し、−４０℃〜＋１１０℃の温度範囲で温度サイクル試験を実施したところ、１５００サイクルでも、シリコーン樹脂からなる封止体１１１のクラックや剥離、発光素子１０６Ａ（ダイオード１０９Ｂ）の割れや剥離、ワイア１０９Ａ（１０９Ｂ）の断線などの問題は全く生じなかった。なお、この温度サイクル試験は、本願出願時においてさらに継続中である。
【００７６】これに対して、エポキシ樹脂を用いた発光装置も試作し、同様の評価を行った結果、７００サイクル前後でエポキシ樹脂にクラックが生じた。すなわち、シリコーン樹脂を用いたものは、エポキシ樹脂を用いたものと比較して、大幅に信頼性が向上していることが確認できた。
【００７７】本発明者はさらに、シリコーン樹脂とエポキシ樹脂を用いた場合について、それぞれ半導体発光素子に負荷される応力について定量的な解析を行った。
【００７８】この解析においては、パッケージの樹脂部１０３に深さ０．９ｍｍで直径２．４ｍｍの円形の開口を設け、その底部に半導体発光素子１０６をマウントし、ＪＩＳＡ硬度７０のシリコーン樹脂を充填した発光装置を対象とした。また、比較例として、同様の構成にエポキシ樹脂を充填したものを対象とした。いずれの発光装置においても、半導体発光素子のサイズは、２００μｍ×２００μｍで厚みが１５０μｍとした。
【００７９】そして、この発光装置を２４０℃に昇温した状態で、半導体発光素子の上面（光出射面）の四隅端部（Ａ点）と下面（マウント面）の四隅端部（Ｂ点）において発光素子に負荷される応力を解析した。その結果を以下に示す。
樹脂　　　　　　弾性率（MPa）　　２４０℃における応力（MPa）
　　　　　　　　　　　　　　　　　Ａ点　　　　　　Ｂ点
エポキシ樹脂　　２３７２　　　　　３．５×１０−６　１．１×１０−６シリコーン樹脂　４８　　　　　　　１．７×１０−６　７．８×１０−７ここで、２４０℃という温度は、発光装置を実装基板などに半田リフローにより固定する際に負荷されうるピーク温度である。このように発光装置を昇温すると、樹脂の熱膨張に応じた応力が発光素子に負荷される。
【００８０】エポキシ樹脂において生ずる、３．５×１０−６という応力レベル、本発明者が行った信頼性試験の統計によれば、−４０℃〜＋１１０℃の温度範囲で温度サイクル試験を実施した時に、約１０００サイクル未満でワイアの断線が生ずるレベルである。
【００８１】これに対して、シリコーン樹脂の場合、発光素子に負荷される応力は、エポキシ樹脂の場合の応力の半分程度である。このように応力が少ない結果として、発光装置において樹脂のクラックや発光素子の剥離あるいはワイアの変形や断線などか抑制され、１５００サイクルの温度サイクルにおいても、故障が皆無であるという、極めて高い信頼性が得られたものと考えられる。
【００８２】以上詳述したように、シリコーン樹脂、特にゴム状シリコーン樹脂を用いることにより、従来のエポキシ樹脂に生じることがあった、クラックや剥離、あるいはワイアの断線などの可能性を低減することができることが確認された。
【００８３】ところで、シリコーン樹脂を用いると、半導体発光素子１０６から放出される光あるいは発光装置の外部から侵入する光に対する耐久性も改善されるという効果も得られる。すなわち、エポキシ樹脂の場合、光の照射により変色が生じ、当初は透明であっても、長期間の使用のより光透過率が低下するという問題があった。
【００８４】この現象は、光の波長が短いほど顕著となり、例えば、紫外線が照射された場合には、当初は透明なエポキシ樹脂が変色し、黄色から茶褐色さらには黒色になる。その結果として、光の取り出し効率が大幅に低下するという問題が生ずることがある。このような紫外線は、発光装置の外部から侵入する場合もある。
【００８５】これに対して、本発明者は、独自の試作検討の結果、シリコーン樹脂を用いると極めて良好な結果が得られることを知得した。すなわち、シリコーン樹脂を用いた場合、紫外線などの短波長光を長期間照射しても、変色などの劣化は殆ど生じない。その結果として、耐光性あるいは耐候性に優れた発光装置を実現できる。
【００８６】なお、図１に例示した発光装置において、樹脂部１０３に、光反射性を付与することもできる。例えば、樹脂部１０３を、６５重量％以上の熱可塑性樹脂と充填量３５重量％以下の充填剤とにより形成する。そして、充填剤が、酸化チタニウム（ＴｉＯ２）、酸化シリコン、酸化アルミニウム、シリカ、アルミナ等の高反射性の材料を含有し、例えば、酸化チタニウムの含有量を１０〜１５重量％とする。このように光を反射させる拡散材を添加した樹脂部により反射面１０４を構成することにより、素子１０６からの光を上方に反射し、発光装置の高輝度が実現できる。また、反射面１０４の形状を回転放物線形状などとすると、さらに高出力、高品質の発光装置を提供できる。…」
　
オ　「【０１２７】
図６は、図１あるいは図６に例示した構成において用いることができる半導体発光素子の構造を模式的に表す断面図
同図に例示した発光素子１０６Ａ（あるいは１０６Ｃ）は、導電性基板１２１上に、バッファ層１２２、ｎ型コンタクト層１２３、発光層１２４、ｐ型クラッド層１２５、ｐ型コンタクト層１２６が順次形成されている
【０１２８】発光層１２４は、例えば、バリア層とウエル層とを交互に積層した量子井戸（Quantum Well：ＱＷ）構造を有するものとすることができる。
【０１２９】また、導電性基板１２１は、例えば、ｎ型半導体からなるものとすることができる。各層の材料は、例えば、III-Ｖ族系化合物半導体、II-IV 族系化合物半導体、IV-VI族系化合物半導体などをはじめとした各種の材料を用いることが可能である。
【０１３０】基板１２１の裏面側には、ｎ側電極１２７が設けられている。一方、
ｐ型コンタクト層１２６上には、透光性のｐ側電極１２８
が設けられている。
素子の表面は、ＳｉＯ
２
からなる保護膜１３０により覆われている。
【０１３１】このような発光素子１０６Ａ（１０６Ｃ）のｎ側電極１２７とｐ側電極１２８に電圧を印加すると、発光層１２４において発生した光が表面１３１から放出される。そして、その発光波長は、発光層の材料や膜厚を調節することにより、広範な範囲で調節することが可能である。」
　
（２）引用発明
　上記「（１）ア」の記載より、刊行物には、
「開口部を有する樹脂部と、前記開口部の中に配置された第１の半導体発光素子と、前記開口部の中に配置された半導体素子と、前記第１の半導体発光素子と前記半導体素子とを覆うように前記開口部の中に設けられたシリコーン樹脂と、を備え、前記開口部の開口形状は、略楕円形状あるいは略偏平円形状であり、前記シリコーン樹脂の硬度は、ＪＩＳＡ値で５０以上である発光装置。」
が記載されている。
　ここで、上記「（１）エ」に記載された第１の実施形態は、上記「（１）ア」に記載された【請求項１】の発光装置の実施形態であるから、第１の実施形態に記載された「半導体発光素子１０６Ａ」は、【請求項１】の「第１の半導体発光素子」に相当する。
　また、（第１の実施形態）の【００５６】には、半導体発光素子１０６Ａは、樹脂ステム１００の上にマウントされていることが記載されている。そして、「開口部の中に設けられたシリコーン樹脂」は（第１の実施形態）の【００６３】、【００７４】の記載より、開口部内に充填されたものである。
　さらに、【０１２７】〜【０１３０】の記載を踏まえて図６をみると、半導体発光素子１０６Ａの構造は、導電性基板上にバッファ層、ｎ型コンタクト層、発光層、ｐ型クラッド層、ｐ型コンタクト層が順次形成され、ｐ型コンタクト層上に透光性のｐ側電極が設けられ、ＳｉＯ２からなる保護膜１３０により覆われた構造である。
　してみると、刊行物には、以下の発明が記載されている。
「開口部を有する樹脂部と、前記開口部の中に配置された第１の半導体発光素子と、前記開口部の中に配置された半導体素子と、前記第１の半導体発光素子と前記半導体素子とを覆うように前記開口部内に充填されたシリコーン樹脂と、を備え、
　前記第１の半導体発光素子は、樹脂ステムの上にマウントされており、
　前記第１の半導体発光素子の構造は、導電性基板上にバッファ層、ｎ型コンタクト層、発光層、ｐ型クラッド層、ｐ型コンタクト層が順次形成され、ｐ型コンタクト層上に透光性のｐ側電極が設けられ、ＳｉＯ２からなる保護膜により覆われた構造であり、
　前記開口部の開口形状は、略楕円形状あるいは略偏平円形状であり、前記シリコーン樹脂の硬度は、ＪＩＳＡ値で５０以上である発光装置。」（以下「引用発明」という。）
　
４　対比
ア　本願発明の「キャリア（１００）に載置される光電子部品（２００）を有する光電子装置」と、引用発明の「…開口部の中に配置された第１の半導体発光素子と、…を備え、前記第１の半導体発光素子は、樹脂ステムの上にマウントされて」いる「発光装置」を対比する。
　引用発明の「第１の半導体発光素子」は本願発明の「光電子部品（２００）」に相当し、引用発明の「発光装置」は本願発明の「光電子装置」に相当する。
　次に、本願発明の「キャリア（１００）」は、「光電子部品（２００）」を載置する部材であるところ、本願の発明の詳細な説明には、「【００２７】キャリア１００の幾何学的な形や材料は、上記の構成に限るものではない。キャリアは、ＦＲ４の回路基板、金属またはセラミックであってもよい。【００２８】同様に、キャリアはプラスチック材料（熱可塑性または熱硬化性）であってもよい。また、同様に、プラスチックによって周囲を固められた、いわゆるリードフレーム（薄型の金属）を使ってもよい。」との記載がある。そうすると、引用発明における「第１の半導体発光素子」を「マウント」する「樹脂ステム」は、本願発明の「キャリア（１００）」に相当する。
　以上のことから、引用発明の「…開口部の中に配置された第１の半導体発光素子と、…を備え、前記第１の半導体発光素子は、樹脂ステムの上にマウントされて」いる「発光装置」は、本願発明の「キャリア（１００）に載置される光電子部品（２００）を有する光電子装置」に相当する。
　
イ　本願発明の「光学的に透明な二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）よりなる厚さ１００ナノメートル以下の第１の接着層（６００、６０１）が前記キャリア（１００）の表面と光電子部品（２００）の表面との少なくとも一部を覆」うことと、引用発明の「前記第１の半導体発光素子の構造は、導電性基板上にバッファ層、ｎ型コンタクト層、発光層、ｐ型クラッド層、ｐ型コンタクト層が順次形成され、ｐ型コンタクト層上に透光性のｐ側電極が設けられ、ＳｉＯ２からなる保護膜により覆われた構造であ」ることを対比する。
　引用発明の「ＳｉＯ２」は本願発明の「二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）」に相当するから、引用発明の「ＳｉＯ２からなる保護膜」と、本願発明の「二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）よりなる…第１の接着層」は、「二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）よりなる層」の点で一致する。そうすると、本願発明の「光学的に透明な二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）よりなる厚さ１００ナノメートル以下の第１の接着層（６００、６０１）が前記キャリア（１００）の表面と光電子部品（２００）の表面との少なくとも一部を覆」うことと、引用発明の「前記第１の半導体発光素子の構造は、導電性基板上にバッファ層、ｎ型コンタクト層、発光層、ｐ型クラッド層、ｐ型コンタクト層が順次形成され、ｐ型コンタクト層上に透光性のｐ側電極が設けられ、ＳｉＯ２からなる保護膜により覆われた構造であ」ることは、「二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）よりなる層が光電子部品（２００）の表面の少なくとも一部を覆」う点で一致する。
　
ウ　本願発明の「カバーまたはシリコーン樹脂よりなる第２の接着層が前記二酸化ケイ素よりなる第１の接着層（６００、６０１）の上に設けられている」ことと、引用発明の「前記第１の半導体発光素子…を覆うように前記開口部内に充填されたシリコーン樹脂と、を備え」、「前記第１の半導体発光素子の構造は、導電性基板上にバッファ層、ｎ型コンタクト層、発光層、ｐ型クラッド層、ｐ型コンタクト層が順次形成され、ｐ型コンタクト層上に透光性のｐ側電極が設けられ、ＳｉＯ２からなる保護膜により覆われた構造であ」ることを対比する。
　はじめに、本願発明の「カバー」が有する技術上の意義について検討する。本願の発明の詳細な説明には、「【０００２】ＣＯＢ（Chip on Board：チップオンボード）技術によって作製されるＬＥＤモジュールは、多くの場合、エポキシ樹脂から構成されるカバー樹脂によって密閉される。」との記載、「【００１５】…。カバー樹脂３００は、液体状態で塗られて、それから固まる。」との記載、「【００３４】ディスペンシング手法を用いることによって、液体シリコンが、カバー樹脂３００の形に堆積（塗布）される。」との記載がある。前記記載より、「カバー」は、密閉する機能を有するものであり、例えば、液体シリコンを堆積して固めたものと解される。
　一方、引用発明の「シリコーン樹脂」は、「第１の半導体発光素子」を覆うように開口部内に充填されており、第１の半導体発光素子を密閉する機能を有する。そして、引用発明の「シリコーン樹脂」は、「ＳｉＯ２からなる保護膜１３０により覆われ」ている構造の「第１の半導体発光素子」を覆うことから、「シリコーン樹脂」は「ＳｉＯ２からなる保護膜１３０」の上に設けられていると言える。
　してみると、両者は、「カバーが前記二酸化ケイ素よりなる層の上に設けられている」点で一致する。
　
エ　以上のことから、本願発明と引用発明は、
「キャリアに載置される光電子部品を有する光電子装置であって、
　光学的に透明な二酸化ケイ素よりなる厚さ１００ナノメートル以下の第１の接着層が光電子部品の表面の少なくとも一部を覆い、
　カバーが前記二酸化ケイ素よりなる第１の接着層の上に設けられている
　光電子装置。」
の点で一致し、以下の点で相違する。
　
相違点：二酸化ケイ素よりなる層が、本願発明では、（１）「光学的に透明」であり、（２）「厚さ１００ナノメートル以下」の、（３）「接着層」であるのに対し、引用発明では、そのような層であるのか否か不明である点。
　
５　判断
　以下、上記相違点について検討する。
（１）「光学的に透明」の点について
　引用発明の「第１の半導体発光素子」は、第１の半導体発光素子の透光性のＰ側電極が「ＳｉＯ２からなる保護膜」により覆われているところ、「第１の半導体発光素子」が放出する光は、「ＳｉＯ２からなる保護膜」を通って外部に放出されるから、「ＳｉＯ２からなる保護膜」も光が通過する膜であり、光学的に透明であると解される。したがって、二酸化ケイ素よりなる層が「光学的に透明」である点は、実質的な相違点ではない。
　
（２）「厚さ１００ナノメートル以下」の点について
　半導体発光素子の表面を覆う「ＳｉＯ２からなる保護膜」を１００ｎｍの厚さで形成することは、例えば、拒絶査定で引用された特開２００５−１５９２７８号公報（【００６７】には、ＳｉＯ２からなる保護膜をｐ電極の上に０．１μｍの膜厚で形成することが記載されている。）、あるいは、特開平１０−３４１０３９号公報（【００３３】には、二酸化珪素保護膜を１００ｎｍ程度に形成することが記載されている。）に記載されるよう周知技術である。してみると、１００ｎｍを含む範囲である「厚さ１００ナノメートル以下」の膜厚とすることに格別の困難性は無い。
　
（３）「接着層」の点について
　「二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）よりなる…第１の接着層」に関し、本願の明細書には以下の記載がある（当審注：下線は、当審が付したものである。）。
ア「【００１９】
このような構造の概要が図４に示されている。レンズの内部に、反応樹脂（接着剤）３１０の充填される空洞が形成されるのが望ましい。蛍光材３１１は、この反応樹脂３１０の内部に分散されている。
【００２０】
二酸化ケイ素よりなる接着層は、使用される材料に対するシリコンの接着力の改善のために使用される。原則として、層堆積のためのすべての既知の方法を使用することができる。
接着層は、数ｎｍ（１０−９ｍ）の厚さを有するのが望ましい。
【００２２】
これに相当するプロセスコントロールを用いて、
これらの層は、プラスチック（キャリアに対するコーティングやはんだ材）の表面上、金属（電気接続、キャリアまたはキャリアの一部）の表面上、ＬＥＤダイスの表面上、さらに、載置されたレンズ（ポリアクリレートのようなプラスチック、ＰＭＭＡまたはＣＯＣ、ガラス）の表面上、に堆積される。
　
イ「【００２３】
以下に、例証として、本発明による実施形態の測定値を示す。図５において、そのようなモジュールの図面が例示されている。
ＬＥＤダイス２００は、キャリア１００の上で使用される。
接着層６００（大きく例示）が完全な表面上に堆積される。この接着層は、例えば二酸化ケイ素層であればよい
【００２４】
ＬＥＤダイス２００の上に反応樹脂３１０は堆積される
反応樹脂３１０は、例えばシリコンをベースとする
接着力を提供する層が、シリコン材とＬＥＤダイス２００またはキャリア１００の間に形成される
…
【００３２】
同様に、図６ａおよび図６ｂに示すモジュールのテストにおいて、良い結果が得られる。図６ａはＣＯＢバージョンを示し、図６ｂはＳＭＴバージョンを示す。接着層６００は、前記した例のように、完全な表面上に堆積されるのが望ましい。すなわち、キャリア１００の上、ＬＥＤダイス２００の上、そして、適用できるなら接着結合ワイヤ４１０の上である。このように、側面を含む光電子装置の完全な一番上の面は、接着層で覆われる。
【００３３】
あるいは、
接着層６００は、キャリア１００とＬＥＤダイス２００のうちの１つだけの上で、または、その部分的な領域の上だけに存在してもかまわない。
【００３４】
ディスペンシング手法を用いることによって、液体シリコンが、カバー樹脂３００の形に堆積（塗布）される。…」
　
　上記ア【００２０】の記載より、二酸化ケイ素よりなる層は、使用される材料に対するシリコーンの接着力の改善のために使用されるものであり、その形成方法として、すべての既知の方法が使用できることが理解できる。
　また、上記イの記載より、接着層６００（二酸化ケイ素層）をＬＥＤダイス２００の表面上に堆積し、ＬＥＤダイス２００の上にシリコンをベースとする反応樹脂３００を堆積することにより、接着力を提供する層（二酸化ケイ素層）をシリコン剤とＬＥＤダイス２００間に形成していることが理解できる。
　一方、引用発明は、第１の半導体発光素子がＳｉＯ２からなる保護層により覆われており、前記ＳｉＯ２からなる保護層の上にシリコーン樹脂を備えるものであるところ、引用発明の前記ＳｉＯ２からなる保護層は、第１の半導体発光素子とシリコーン樹脂の間に形成されており、本願明細書の記載に照らせば、接着力を提供する層として機能するものと解される。
　そうすると、二酸化ケイ素よりなる層が接着層である点は、実質的な相違点ではない。
　
（４）効果について
　そして、本願発明が奏する作用効果は、引用発明と周知技術に基づいて当業者が容易に予測しうる程度のものである。　
　
（５）まとめ
　したがって、本願発明は、引用発明と周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。　
　
６　むすび　
　以上のとおり、本願発明は、引用発明と周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。　
　よって、結論のとおり審決する。