【事件の表示】
　特願２００６−２９１７６２「インプリントリソグラフィー方法及びインプリントリソグラフィー装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１９年１０月　４日出願公開、特開２００７−２５８６６９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１８年１０月２６日（優先権主張平成１８年２月２３日）の出願であって、平成２３年７月１５日付けで拒絶理由が通知され、同年９月２６日付けで意見書が提出されるとともに、同日付けで手続補正書が提出され、同年１１月２２日付けで拒絶査定がなされた。本件は、これに対して、平成２４年２月２９日に拒絶査定に対する審判請求がなされたものである。
　
第２　本願発明について
１．本願発明
　本願の特許請求の範囲の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成２３年９月２６日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。
　
「ＲｎＳｉ（ＯＨ）４−ｎ　（１）
（式（１）中、ＲはＨ又はアルキル基、ｎは０〜３の整数）
　被加工材の表面上の上記一般式（１）のシロキサン成分と有機溶剤との混合溶液に、この混合溶液が液体状態を維持し流動性を有している状態で、凹凸パターンを形成した型を押圧し、型を押圧した状態で混合溶液から有機溶剤を揮発させて、凹凸パターンが転写されたレジスト層を被加工材の表面に形成することを特徴とするインプリントリソグラフィー方法。」
　
２．引用刊行物
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先日前に頒布された刊行物である、特開２００３−１００６０９号公報（以下「引用文献１」という。）には、以下の事項が記載されている。（下線は、当審が付した。）
　
（ａ）「【０００７】
【本発明の実施の態様】本発明をより詳細に説明する。
Ａ．本発明の特徴を図面を参照しながら説明する。
図１は、室温ナノ−インプリント−リソグラフィーの原理を説明するものである。すなわち、パターンＲＰを形成した型（モールド）ＭＯを被加工材料（基板）ＢＰ表面に形成された膜Ｆに型押しし、前記膜を硬化後前記型ＭＯを取り除くことにより型押しパターンＰＰ（膜Ｆの硬化物パターン）が形成され、
シロキサン成分として水素化シルセスキオキサンポリマーを用いる場合には、該ポリマーによる塗布膜を被加工材料表面に形成後、該塗布面を１５０℃以下という低温でプリべーくした後型押しをする
【０００８】Ｂ．
本発明の特徴は、前記被加工材料表面に形成される膜Ｆを形成する材料と該材料の特性を巧みに利用して前記膜Ｆの型押しパターンＰＰ（膜Ｆの硬化物パターン）を前記被加工材料表面に形成する方法にある。すなわち、基本的には膜Ｆを形成する材料としては、従来ＳＯＧ技術において利用されていたものを利用できるが、前記一般式Ａのシロキサン成分〔Ｒ
ｎ
Ｓｉ（ＯＨ）
４−ｎ
〕（但し、Ｒはアルキル基、ｎは０〜３の整数）と、これを溶解する溶媒、メタノール、エタノール、プロパノールなどのアルコール、Ｒ
１
ＣＯＯＲ
２
で表されるエステル類、アセチルアセトンなどのケトン類またはこれらの混合物とからなるものが好ましい。
【０００９】ＳＯＧに使用されているものは、シロキサンの化学構造により、シリカガラス、アルキルシロキサンポリマー、アルキルシルセスキオキサンポリマー（ＭＳＱ）、水素化シルセスキオキサンポリマー（ＨＳＱ）、水素化アルキルシルセスキオキサンポリマー（ＨＯＳＰ）などに分類できる。市販材料としては、
１、ハネウエル社製のものとして、シリカガラスとして第１世代無機ＳＯＧ（無機ＳＯＧ−１という）、ＨＳＱとして第２世代無機ＳＯＧ（無機ＳＯＧ−２という）（Ｔ−１１／Ｔ−１２／Ｔ−１４）、アルキルシロキサンポリマーとして第１世代有機ＳＯＧ（有機ＳＯＧ−１という）、ＭＳＱ（Ｔ−１８）とＨＯＳＰ（Ｔ−２４）として第２世代有機ＳＯＧ（有機ＳＯＧ−２という）などがある。
２、東京応化株式会社製のものとして、ＯＣＤ  Ｔ−２  Ｓｉ−５９００−ＳＧなどのＯＣＤシリーズを挙げることができる。これらには、、更に添加剤（ガラス質形成剤、有機バインダーなど）を加えて変性調製（変形）も可能である。
３．ダウコーニング社製のものとして、ＨＳＱである商品名ＦＯＸを挙げるこことができる。これは、Ｈ２（ＳｉＯ）３の籠型構造高分子であり、このポリマーを使用した場合は、低温プリベーク後、型押しすることにより該被加工材料表面に微細ＳｉＯ２パターンを形成することができる。因みに、ＳＯＧとは、これらの溶液と形成される膜の総称である。
【００１０】
調製された溶液は、被加工材料ＢＰ表面に塗布後、溶剤の蒸発、加水分解（hydrolytic polycondensation）による硬化前に、型押しされ、硬化後に型を取り除いて型押しパターンＰＰ（膜Ｆの硬化物パターン）を形成し、これをＣＦ
４
ＲＩＥしてレジストとして有用なエッチング後パターン（レジスト）Ｒが形成される。また、シロキサン成分として、水素化シルセスキオキサンポリマーである前記ダウコーニング社製の商品名ＦＯＸを用いた場合には、低温プリベーク後、型押しすることにより該被加工材料表面に微細ＳｉＯ
２
パターンを形成することができる。
【００１１】
【実施例】実施例１
ＳＯＧ組成： オルガノシリカ〔Ｓｉ（ＯＨ）４＋Ｒ１ＣＯＯＲ２〕（Ｒ１、Ｒ２はアルキル基である。）の５．９％アルコール溶液（東京応化（株）製、ＯＣＤ５９００）を用いた。　
１、Ｓｉ基板表面に０．１μｍ厚に前記ＳＯＧをスピンコートした。　
２、型板を、乾燥、硬化処理する前の前記ＳＯＧコート基板に約２５ｋｇｆ／ｃｍ２の圧力で１０分間プレスした。（前記プレス処理は、空気中の水分との加水分解により硬化するため、ＳＯＧ膜が乾燥する前、すなわちスピンコート後１０分以内に行うのが好ましい）
３、前記プレス後型板をステップモーターにより取り除くという工程よなる本発明の室温ナノ−インプリント−リソグラフィー（ＮＩＰ）法によりＳＯＧパターンを形成する。
Ａ、先ず、２００ｎｍ×１００ｎｍ角、深さ２００ｎｍのドットパターンをを持つ型を、室温ＮＩＬ法により前記ＳＯＧコート基板にプレスして、型押しパターンＰＰを形成した。得られたパターンを原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）により観察したところ高精度のパターンが前記ＳＯＧコート基板上に再現されていることが分かった。
Ｂ、２００ｎｍのライン幅および２μｍピッチを持つ格子型を、Ａ、と同様に前記ＳＯＧコート基板に型押して、型押しパターンＰＰを形成した。得られたパターンを走査顕微鏡（ＳＥＭ）により観察した。深さ７０ｎｍのプレスに対し残留深さは３０ｎｍでありことが確認された。
【００１２】実施例２（比較例１）
ＰＭＭＡ（比較例）を使用した前記ＮＩＬ（ＰＭＭＡの場合は、型押しの際変形可能な温度、９０℃〜１７０℃まで加熱した。）法によりパターンを形成した。ＰＭＭＡの場合には型板の劣化（型へのＰＭＭＡの残留による）は３回の後に型板表面に観察された。これに対して、ＳＯＧ（実施例２）を使用したＮＩＬ法では、型板の劣化は１０回の後においても観察されなかった。本発明のＮＩＬ法においては、１０回繰返した後のＳｉ型板を光学顕微鏡観察したところ、ＳＯＧが型板に付着することが全く無いことが確認されている。このような特性は、ＳＯＧを用いた室温ＮＩＬプロセスによってもたらされたものである。
【００１３】実施例３
前記ダウコーニング社製のＳＯＧであるＨＳＱを用い、本発明によるＮＩＬ法を行った。先ず、Ｓｉ基板表面に０．３μｍの厚さにＨＳＱをスピンコートした（塗布工程）。次いで、１５０℃以下の温度である５０℃でプリベークした後、型（ＳｉＯ２／Ｓｉで作られた）とＳＯＧ塗布基板とを、２５ｋｇｆ／ｃｍ２の圧力で１０分間プレスした（型押し工程）。型を取り除いた後ＣＦ４ＲＩＥ（ガスを用いた化学反応イオンエッチング）を用いて加圧した部分の残留ＨＧＳを除去した（レジストＲの形成工程）。その後、Ｓｉ基板を前記ＨＳＱレジストを用いてＣＦ４ガスを用いたＲＩＥ反応性イオンエッチングをした。ＨＳＱを用いた場合の２００ｎｍのライン幅および０．４μｍピッチを持つ格子パターンの再現性を、表面走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）像および透過像を観察することにより観察した。高精度の型押しパターンＰＰ（膜Ｆの硬化物パターン）が前記ＨＳＱコートＳｉ基板上に形成されていることが観察された。２５０ｎｍの深さにプレスした後の残留深度が５０ｎｍであった。
【００１４】実施例４
実施例３と同様にＨＳＱを用いて、幅０．７５μｍ、ピッチ３μｍの矩形パターンを実施例３と同様の室温ＮＩＬ法条件で型押しした。実施例３と同様の観察により、高精度の型押しパターンＰＰ（膜Ｆの硬化物パターン）が前記ＨＳＱコートＳｉ基板上に形成されていることが観察された。また、前記ＨＳＱパターンの複製を、リフトオフ法およびＲＩＥプロセスにより、Ａｕ金属パターンおよびＳｉ基板に再現できることも確認された。これらのことから、ＨＳＱも本発明の室温ＮＩＬ法の材料として有用であることが分かった。また、型押しを、プレス圧４．５ＭＰａ、または４．０ＭＰａ、プレス時間１分でも所望の微細ＳｉＯ２パターンを形成することも可能であることを確認している。」
　
（ｂ）「
　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 」
　
　上記記載事項（ａ）に記載された「型押し」工程中に「調整された溶液」中の「溶媒」が蒸発することは、当業者には自明であるから、上記引用文献１の記載事項から、引用文献１には、以下の発明が記載されている。
　
「ＲｎＳｉ（ＯＨ）４−ｎ　 一般式Ａ
　（但し、Ｒはアルキル基、ｎは０〜３の整数）
　前記一般式Ａのシロキサン成分と、これを溶解する溶媒とからなる調整された溶液を、被加工材料ＢＰ表面に塗布後、溶媒の蒸発、加水分解による硬化前に型押しし、または、シロキサン成分として水素化シルセスキオキサンポリマーを用いた場合には、低温プリベーク後、型押しして、型押し工程中に調整された溶液中の溶媒を蒸発させ、型押しパターンＰＰを形成する室温ナノ−インプリント−リソグラフィー方法。」（以下「引用発明」という。）
　
３．対比・判断
（１）本願発明と引用発明との対比
（ａ）引用発明の「ＲｎＳｉ（ＯＨ）４−ｎ　 一般式Ａ　（但し、Ｒはアルキル基、ｎは０〜３の整数）　前記一般式Ａのシロキサン成分と、これを溶解する溶媒とからなる調整された溶液」は、本願発明の「ＲｎＳｉ（ＯＨ）４−ｎ　（１）　（式（１）中、ＲはＨ又はアルキル基、ｎは０〜３の整数）　被加工材の表面上の上記一般式（１）のシロキサン成分と有機溶剤との混合溶液」に相当する。
　
（ｂ）引用発明の「型押し」が本願発明の「凹凸パターンを形成した型を押圧」することに相当する。また、引用発明の「シロキサン成分として水素化シルセスキオキサンポリマーを用いた場合には、低温プリベーク後、型押し」することにおいて、「低温プリベーク後、型押し」するときに、「調整された溶液」が硬化する前であることは当業者には自明であり、本願発明の「この混合溶液が液体状態を維持し流動性を有している状態」が「混合溶液」が塗布後、硬化する前のもの（本願の明細書の段落【００３２】〜【００３７】に記載された「インプリントリソグラフィの工法」）を含むことから、引用発明の「被加工材料ＢＰ表面に塗布後、溶剤の蒸発、加水分解による硬化前に型押しし、または、シロキサン成分として水素化シルセスキオキサンポリマーを用いた場合には、低温プリベーク後、型押しして、型押し工程中に調整された溶液中の溶媒を蒸発させ」ることと、本願発明の「この混合溶液が、凹凸パターンを形成した型を押圧し、型を押圧した状態で混合溶液から有機溶剤を揮発させ」ることとは、「この混合溶液が塗布後、硬化する前に、凹凸パターンを形成した型を押圧し、型を押圧した状態で混合溶液から有機溶剤を揮発させ」ることで一致する。
　
（ｃ）引用発明の「型押しパターンＰＰを形成する」ことは、本願発明の「凹凸パターンが転写されたレジスト層を被加工材の表面に形成すること」に相当する。
　
（ｄ）引用発明の「室温ナノ−インプリント−リソグラフィー方法」は、本願発明の「インプリントリソグラフィー方法」に相当する。
　
（２）一致点
　してみると、両者は、
「ＲｎＳｉ（ＯＨ）４−ｎ　（１）
（式（１）中、ＲはＨ又はアルキル基、ｎは０〜３の整数）
　被加工材の表面上の上記一般式（１）のシロキサン成分と有機溶剤との混合溶液に、この混合溶液が塗布後、硬化する前に、凹凸パターンを形成した型を押圧し、型を押圧した状態で混合溶液から有機溶剤を揮発させて、凹凸パターンが転写されたレジスト層を被加工材の表面に形成することを特徴とするインプリントリソグラフィー方法。」
で一致し、次の点で相違する。
　
（３）相違点
　本願発明は、「この混合溶液が液体状態を維持し流動性を有している状態で」、型を押圧するのに対して、引用発明は、「調整された溶液」の「硬化前に」型押しするものであって、型押しするときの「調整された溶液」が、液体状態を維持し流動性を有している状態であるか否かが不明である点。
　
（４）判断
　まず、上記相違点について検討する。
　インプリントリソグラフィにおいて、溶液を塗布して形成した層に型を押圧するときに、溶液の粘度を最適な粘度に調整して型を押圧することは、特開平５−８０５３０号公報（段落【００２３】参照）に示されるように技術常識であり、また、最適な粘度として、層の流動性が確保できる程度に設定することが、国際公開第２００４／１１４３８２号（明細書第１３頁第９〜１７行参照）に記載されるように周知技術であるから、「調整された溶液」の「硬化前に」型押しする引用発明において、「調整された溶液」を最適な粘度に調整して、型押しのときに液体状態を維持し流動性を有するような状態とすることは、当業者が容易になし得ることである。
　次に、本願発明が奏し得るとする、低い圧力で転写することができる、正確な形状で転写することができるという効果について検討する。
　引用文献１の段落【００１１】、【００１３】、【００１４】を参照すると、引用発明では、実施例の転写圧として、２５ｋｇｆ／ｃｍ２（≒２．４５ＭＰａ）、４．５ＭＰａ、４．０ＭＰａという、本願発明が奏し得るとする数ＭＰａから２０ＭＰａ程度以下の低い圧力（本願の明細書段落【００３７】参照）と同等の数値が挙げられており、また、引用発明では、実施例において高精度なパターンが形成されていることから、本願発明が奏し得る上記効果は、引用発明が奏し得るものであって格別なものではない。
　
　したがって、本願発明は、引用発明、周知技術及び技術常識に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
４．むすび
　以上のとおり、本願発明は引用発明、周知技術及び技術常識に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、本願の他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　よって結論のとおり審決する。