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　特願２００７−　４２７２２「高出力半導体レーザー素子」拒絶査定不服審判事件〔平成１９年　９月　６日出願公開、特開２００７−２２７９３０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯  
　本願は、平成１９年２月２２日（パリ条約による優先権主張２００６年２月２２日、韓国）の出願であって、平成２２年４月２７日付け拒絶理由通知に対して、同年９月２９日に手続補正がなされたが、平成２３年３月１０日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年７月１５日に拒絶査定不服審判が請求されると同時に手続補正がなされたものである。  
　　　  
第２　平成２３年７月１５日付け手続補正についての補正却下の決定  
［補正却下の決定の結論］  
　平成２３年７月１５日付け手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。 　 
　　　 　  
［理　由］ 
１　補正内容 　  
（１）本件補正は、特許請求の範囲についてするものであり、その特許請求の範囲の請求項１については、 　  
　本件補正前（平成２２年９月２９日付け手続補正後のもの）に、  
「【請求項１】
　第１及び第２導電型クラッド層と、その間に形成された活性層及び前記第１及び第２導電型クラッド層と前記活性層との間に形成された第１及び第２光ガイド層を含む半導体レーザー素子において、
　前記第１及び第２導電型クラッド層の少なくとも一つは、レーザービームの分布と重畳された少なくとも一部領域が意図的にドープされない光損失抑制領域であり、
　前記光損失抑制領域は、前記活性層並びに前記第１及び第２光ガイド層と共にレーザービーム分布の８０％以上を占める厚さを有し、前記光損失抑制領域の厚さは、約１０〜３００ｎｍであることを特徴とする半導体レーザー素子。」とあったものを、  
　　　　  
「【請求項１】
　第１及び第２導電型クラッド層と、その間に形成された活性層及び前記第１及び第２導電型クラッド層と前記活性層との間に形成された第１及び第２光ガイド層を含む半導体レーザー素子において、
　前記第１及び第２導電型クラッド層のそれぞれは、前記第１及び第２光ガイド層と接する領域からレーザービームの分布と重畳された一部領域が意図的にドープされない第１及び第２光損失抑制領域であり、
　前記第１及び第２光損失抑制領域は、前記活性層並びに前記第１及び第２光ガイド層が形成された面積に対応する面積を有するように形成され、　
　前記第１及び第２光損失抑制領域は、前記活性層並びに前記第１及び第２光ガイド層と共にレーザービーム分布の８０％以上を占める厚さを有し、前記光損失抑制領域の厚さは、約１０〜３００ｎｍであることを特徴とする半導体レーザー素子。」と補正する内容を含むものである。  
　　　　　　 　  
（２）本件補正後の上記（１）の補正内容は、次の内容からなる。  
　ア　本件補正前の請求項１の「前記第１及び第２導電型クラッド層の少なくとも一つは、レーザービームの分布と重畳された少なくとも一部領域が意図的にドープされない光損失抑制領域であり、」を「前記第１及び第２導電型クラッド層のそれぞれは、前記第１及び第２光ガイド層と接する領域からレーザービームの分布と重畳された一部領域が意図的にドープされない第１及び第２光損失抑制領域であり、
　前記第１及び第２光損失抑制領域は、前記活性層並びに前記第１及び第２光ガイド層が形成された面積に対応する面積を有するように形成され、」とする補正。
　
　イ　本件補正前の請求項１の「前記光損失抑制領域は、前記活性層並びに前記第１及び第２光ガイド層と共に」を「前記第１及び第２光損失抑制領域は、前記活性層並びに前記第１及び第２光ガイド層と共に」とする補正。
　　　　 
２　補正目的  
（１）上記「１（２）」の補正内容アは、第１及び第２の導電型クラッド層の両方に光損失抑制領域が形成されていること、及び光損失抑制領域が活性層並びに第１及び第２光ガイド層が形成された面積に対応する面積を有することを特定するものであるから「特許請求の範囲の減縮」を目的とするものであると認められる。  
　  
（２）上記「１（２）」の補正内容イは、上記アの特定に伴い、形成される光損失抑制領域が２つとなることから、その呼称を「第１及び第２光損失抑制領域」としたものであり、「特許請求の範囲の減縮」を目的とするものであると認められる。 
　　　 
（３）よって、本件補正後の請求項１についての補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる「特許請求の範囲の減縮」を目的とするものであると認め得るものであることから、本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）について、これが特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）否かを、以下に検討する。  
　　　　　　　　　　　  
３　独立特許要件  
（１）本願補正発明  
　本願補正発明を再掲すると、以下のとおりのものである。  
「第１及び第２導電型クラッド層と、その間に形成された活性層及び前記第１及び第２導電型クラッド層と前記活性層との間に形成された第１及び第２光ガイド層を含む半導体レーザー素子において、
　前記第１及び第２導電型クラッド層のそれぞれは、前記第１及び第２光ガイド層と接する領域からレーザービームの分布と重畳された一部領域が意図的にドープされない第１及び第２光損失抑制領域であり、
　前記第１及び第２光損失抑制領域は、前記活性層並びに前記第１及び第２光ガイド層が形成された面積に対応する面積を有するように形成され、
　前記第１及び第２光損失抑制領域は、前記活性層並びに前記第１及び第２光ガイド層と共にレーザービーム分布の８０％以上を占める厚さを有し、前記光損失抑制領域の厚さは、約１０〜３００ｎｍであることを特徴とする半導体レーザー素子。」　 
　　　  
（２）引用文献に記載の事項  
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開２００２−２９９７６２号公報（以下「引用文献」という。）には図とともに以下の事項が記載されている。  
　 　  
　ア　【請求項３】  活性層と該活性層の両側に形成された光ガイド層からなるコアをｎ型クラッド層とｐ型クラッド層とで挟み込む構造を有する窒化物半導体素子において、
前記ｐ型クラッド層は少なくともコアに隣接する側から第１のｐ型クラッド層と第２のｐ型クラッド層を有すると共に、該第１のｐ型クラッド層は第２のｐ型クラッド層よりもｐ型不純物の濃度が低く、かつ、前記ｎ型クラッド層が少なくともコアに隣接する側から第１のｎ型クラッド層と第２のｎ型クラッド層を有し、第１のｎ型クラッド層は第２のｎ型クラッド層よりもｎ型不純物濃度が低いことを特徴とする窒化物半導体素子。  　
【請求項４】  前記第１及び第２のｎ型クラッド層はＡｌｘＧａ１−ｘＮ（０．０３≦ｘ＜０．１５）及びｎ型不純物を有するＧａＮを積層した多層膜である請求項１又は請求項３に記載の窒化物半導体素子。
  　
　・・・（略）・・・
  　
【請求項７】  前記第１のｎ型クラッド層における単一層の膜厚が１００Å以下であり、かつ、前記第１のｎ型クラッド層の総膜厚が０．０５〜０．４５μｍである請求項４乃至請求項６に記載の窒化物半導体素子。
【請求項８】  前記両ｐ型クラッド層はＡｌｙＧａ１−ｙＮ（０＜ｙ≦１）及びｐ型不純物を有するＧａＮを積層した多層膜である請求項２又は請求項３に記載の窒化物半導体素子。
　
　・・・（略）・・・
  　
【請求項１０】  前記第１のｐ型クラッド層におけるＭｇドープ量が１×１０１９／ｃｍ３以下である請求項９に記載の窒化物半導体素子。
【請求項１１】  前記第１のｐ型クラッド層における単一層の膜厚が１００Å以下であり、かつ、前記第１のｐ型クラッド層の総膜厚が０．０５〜０．４５μｍである請求項８乃至請求項１０に記載の窒化物半導体素子。
　　　
　イ　【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は窒化物半導体（たとえばＢ、Ａｓ、Ｐを含有するＩｎｙＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ、０≦ｘ、０≦ｙ、ｘ＋ｙ≦１）よりなる素子に関し、特に、高速変調時の応答速度が良く、ＲＩＮ特性が優れているレーザ素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】今日、窒化物半導体を用いた半導体レーザは、ＤＶＤなど、大容量・高密度の情報記録・再生が可能な光ディスクシステムへの利用に対する要求が高まりを見せている。このため、窒化物半導体を用いた半導体レーザ素子は、研究が盛んになされている。また、窒化物半導体を用いた半導体レーザ素子は、紫外域から赤色に至るまで、幅広く可視光域での発振が可能と考えられ、その応用範囲は、上記光ディスクシステムの光源にとどまらず、レーザプリンタ、光ネットワークなどの光源など、多岐にわたるものと期待されている。
　
　ウ　【０００８】
【発明が解決しようとする課題】通常のクラッド層は均一に不純物をドープしているため活性層と活性層の両側に形成された光ガイド層からなるコアから光が浸みだし、クラッド層の自由キャリアにより吸収損失が起こる。これは、キャリアに光があたり、キャリアが光のエネルギーを吸収し、キャリアが励起される。励起されたキャリアは非発光再結合するか、ＬＥＤ光として発光しレーザ光のノイズになる。よって、光の内部損失が起こっていたと考えられる。
【０００９】本願発明は、ｎ型クラッド層とｐ型クラッド層を共に２つに大別し、両クラッド層のコアに隣接する側に不純物ドープ量の少ない領域をもうけることでクラッド層での自由キャリア損失を減少させることより光の内部損失が減少する。これにより閾値電流Ithが小さくなり（Iopを一定とする場合、Iop／Ithは大きくなる）、緩和振動周波数Froは高くなる（緩和振動周期は短くなる）。
  　
　エ　【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明における窒化物半導体素子は、活性層と該活性層の両側に形成された光ガイド層からなるコアをｎ型クラッド層とｐ型クラッド層とで挟み込む構造を有する窒化物半導体素子において、・・・・（略）・・・・
更には、前記ｐ型クラッド層は少なくともコアに隣接する側から第１のｐ型クラッド層と第２のｐ型クラッド層を有すると共に、該第１のｐ型クラッド層は第２のｐ型クラッド層よりもｐ型不純物の濃度が低く、かつ、前記ｎ型クラッド層が少なくともコアに隣接する側から第１のｎ型クラッド層と第２のｎ型クラッド層を有し、第１のｎ型クラッド層は第２のｎ型クラッド層よりもｎ型不純物濃度が低いことを特徴とする。この場合、第１の両クラッド層はアンドープであっても良い。これによりコアに隣接するクラッド層での自由キャリア吸収損失が減少するため、閾値電流が小さくなる。これに伴い、緩和振動周波数は高くなるため、高速変調時の応答速度が上がり、ＲＩＮ特性が向上する。　
              　　
　オ　【００１３】さらに、本発明における窒化物半導体レーザ素子は、前記第１のｎ型クラッド層における単一層の膜厚が１００Å以下であり、かつ、前記第１のｎ型クラッド層の総膜厚が０．０５〜０．４５μｍである。コアからの距離がこの範囲で光の漏れが生じているため、この範囲に不純物ドープ量の少ない領域をもうけることでクラッド層での自由キャリア吸収損失が減少するため、閾値電流が小さくなる。これに伴い、緩和振動周波数は高くなるため、高速変調時の応答速度が上がり、ＲＩＮ特性が向上する。また単一膜厚が１００Å以下であると窒化物半導体の結晶構造が超格子構造になると考えられ、Ａｌを含んでいるにも関わらずＡｌの結晶構造における影響を抑制することにより、クラックの発生を防止でき、結晶性を良好にすることができる。　
    　
　カ　【００１６】さらに、本発明における窒化物半導体レーザ素子は、前記第１のｐ型クラッド層における単一層の膜厚が１００Å以下であり、かつ、前記第１のｎ（当審注：「ｐ」の誤記であることは明らかである。）型クラッド層の総膜厚が０．０５〜０．４５μｍであることを特徴とする。これは、ｎ型クラッド層の場合と同様、コアからの距離がこの範囲で光の漏れが生じているため、この範囲に不純物ドープ量の少ない領域をもうけることでクラッド層での自由キャリア吸収損失が減少するため、閾値電流が小さくなる。これに伴い、緩和振動周波数は高くなるため、高速変調時の応答速度が上がり、ＲＩＮ特性が向上する。また単一膜厚が１００Å以下であると結晶構造が超格子構造となり、Ａｌを含んでいるにも関わらず、クラックの発生を防止でき、結晶性を良好にすることができる。　
          　　　　 
（３）引用文献に記載された発明 
　ア　引用文献の上記（２）イの記載に照らせば、引用文献には「窒化物半導体を用いた半導体レーザ素子」について記載されていることになる。
　
　イ　引用文献の上記（２）ウの「【０００９】本願発明は、ｎ型クラッド層とｐ型クラッド層を共に２つに大別し、両クラッド層のコアに隣接する側に不純物ドープ量の少ない領域をもうけることでクラッド層での自由キャリア損失を減少させることより光の内部損失が減少する。」との記載及び上記（２）エの「この場合、第１の両クラッド層はアンドープであっても良い。」との記載に照らせば、
　「第１のｐ型クラッド層」及び「第１のｎ型クラッド層」はアンドープであり、「光の内部損失を減少させる領域」ということになる。
　
　ウ　上記記載を総合すると、引用文献には次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。　　  
　  
「活性層と活性層の両側に形成された光ガイド層からなるコアを、ｎ型クラッド層とｐ型クラッド層とで挟み込む構造を有する窒化物半導体を用いた半導体レーザ素子であって、
　ｐ型クラッド層は、
　少なくともコアに隣接する側から第１のｐ型クラッド層と第２のｐ型クラッド層を有すると共に、第１のｐ型クラッド層はアンドープであり、
　かつ、
　ｎ型クラッド層は、
　少なくともコアに隣接する側から第１のｎ型クラッド層と第２のｎ型クラッド層を有すると共に、第１のｎ型クラッド層はアンドープであり、
　第１のｐ型クラッド層及び第１のｎ型クラッド層は光の内部損失を減少させる領域であり、
　第１のｎ型クラッド層の総膜厚が０．０５〜０．４５μｍ、
　第１のｐ型クラッド層の総膜厚が０．０５〜０．４５μｍである、
　窒化物半導体を用いた半導体レーザ素子。」　
　       　　　
（４）対比  
　本願補正発明と引用発明とを対比する。  
　ア　引用発明の「活性層」は本願補正発明の「活性層」に相当し、同様に、
　「活性層の両側に形成された光ガイド層」は「第１及び第２光ガイド層」に、
　「ｎ型クラッド層とｐ型クラッド層」は「第１及び第２導電型クラッド層」に、
　「コア」は「活性層並びに第１及び第２光ガイド層」に、
　「半導体レーザ素子」は「半導体レーザ素子」に、
　「アンドープ」は「意図的にドープされない」に、
　「総膜厚」は「厚さ」に、それぞれ、相当する。
    　
　イ　引用文献の上記（２）ウの「【０００９】本願発明は、ｎ型クラッド層とｐ型クラッド層を共に２つに大別し、両クラッド層のコアに隣接する側に不純物ドープ量の少ない領域をもうけることでクラッド層での自由キャリア損失を減少させることより光の内部損失が減少する。」との記載及び上記（２）オの「【００１３】さらに、本発明における窒化物半導体レーザ素子は、前記第１のｎ型クラッド層における単一層の膜厚が１００Å以下であり、かつ、前記第１のｎ型クラッド層の総膜厚が０．０５〜０．４５μｍである。コアからの距離がこの範囲で光の漏れが生じているため、・・・閾値電流が小さくなる。」との記載に照らせば、
　引用発明の「第１及び第２導電型クラッド層（ｎ型クラッド層とｐ型クラッド層）」には、コアから光が漏れている領域、つまり、レーザービームの分布と重畳された領域が存在し、その領域をアンドープとした「第１のｐ型クラッド層及び第１のｎ型クラッド層」とすることで、光の内部損失を減少させていることになる。　
　してみると、引用発明の「第１のｐ型クラッド層及び第１のｎ型クラッド層」は本願補正発明の「光損失抑制領域」に相当する。
　
　ウ　上記イを踏まえると、
　引用発明と本願補正発明とは「第１及び第２導電型クラッド層（ｎ型クラッド層とｐ型クラッド層）のそれぞれは、第１及び第２光ガイド層（活性層の両側に形成された光ガイド層）と接する領域からレーザービームの分布と重畳された一部領域が意図的にドープされない（アンドープ）光損失抑制領域（第１のｐ型クラッド層及び第１のｎ型クラッド層）である」点で一致する。
　  　
　エ　また、上記ウを踏まえると、
　引用発明の「第１及び第２光損失抑制領域（第１のｐ型クラッド層及び第１のｎ型クラッド層」は「活性層並びに第１及び第２光ガイド層（コア）」と共にレーザービーム分布の所定割合を占める厚さを有していることは、当業者にとって明らかである。   　
　　
　オ　引用発明は「第１のｎ型クラッド層の総膜厚が０．０５〜０．４５μｍ、第１のｐ型クラッド層の総膜厚が０．０５〜０．４５μｍである」から、引用発明と本願補正発明とは「光損失抑制領域の厚さは、所定範囲の値である」点で共通する。
　         　
　カ　してみると、本願補正発明と引用発明とは以下の点で一致する。  
　＜一致点＞  
「第１及び第２導電型クラッド層と、その間に形成された活性層及び前記第１及び第２導電型クラッド層と前記活性層との間に形成された第１及び第２光ガイド層を含む半導体レーザー素子において、
　前記第１及び第２導電型クラッド層のそれぞれは、前記第１及び第２光ガイド層と接する領域からレーザービームの分布と重畳された一部領域が意図的にドープされない第１及び第２光損失抑制領域であり、
　前記第１及び第２光損失抑制領域は、
　前記活性層並びに前記第１及び第２光ガイド層と共にレーザービーム分布の所定割合を占める厚さを有し、
　前記光損失抑制領域の厚さは、
　所定範囲の値である、半導体レーザー素子。」　
  　
　キ　一方で、本願補正発明と引用発明とは、以下の点で相違する。  
　＜相違点１＞ 　  
　第１及び第２光損失抑制領域の面積に関し
　本願補正発明が「前記活性層並びに前記第１及び第２光ガイド層が形成された面積に対応する面積を有するように形成され」ているのに対して、
　引用発明では、そのような面積であるのか否か不明である点。
  　
　＜相違点２＞ 　  
　所定割合に関し
　本願補正発明が「８０％以上」であるのに対して、
　引用発明では、不明である点。
　 
　＜相違点３＞  
　所定範囲の値に関し
　本願補正発明が「約１０〜３００ｎｍ」であるのに対して、
　引用発明では「５０〜４５０ｎｍ」である点。
　　　
（５）判断 　  
　ア　上記＜相違点１＞について検討する。  
（ア）活性層並びに第１及び第２光ガイド層の形成された両側全面を、第１導電型クラッド層と第２導電型クラッド層とで挟み込む構造を有する半導体レーザ素子は、本願の優先日前に周知である（例えば、
　Ａ　特開平１０−３０３５００号公報の図１を参照。　
　Ｂ　特開平９−１８６３９７号公報の図１を参照。　
　Ｃ　特開平９−８３０８６号公報の図１を参照。　
　Ｄ　特開昭６２−５５９８５号公報の第１図（ａ）を参照。
　以下「周知技術」という。）。
  　
（イ）してみれば、引用発明を、「活性層並びに第１及び第２光ガイド層（コア）」の両側全面を、第１導電型クラッド層と第２導電型クラッド層（ｎ型クラッド層とｐ型クラッド層）とで挟み込んだものとして構成することは、当業者が上記周知技術に基づいて容易になし得たことである。
　
（ウ）そして、上記（イ）のようにした引用発明では、第１及び第２光損失抑制領域は「活性層並びに第１及び第２光ガイド層（コア）」の面積に対応する面積を有するように形成されることになる。
　
（エ）以上の検討によれば、引用発明において、上記＜相違点１＞に係る本願補正発明の構成を採用することは、当業者が上記周知技術に基づいて容易になし得たことである。
  　
　イ　上記＜相違点２＞及び＜相違点３＞について検討する。  
（ア）引用発明の「第１及び第２光損失抑制領域（第１のｐ型クラッド層及び第１のｎ型クラッド層）」は、光の内部損失を減少するために、レーザービームの分布と重畳されたアンドープの領域であるから、レーザービームの分布が「第１及び第２光損失抑制領域（第１のｐ型クラッド層及び第１のｎ型クラッド層）」を超えて、外側のアンドープでない領域にまで広がらないように、つまり、「第１及び第２光損失抑制領域（第１のｐ型クラッド層及び第１のｎ型クラッド層）」の厚さ（総膜厚）を「活性層並びに第１及び第２光ガイド層（コア）」と共にレーザービーム分布の大部分を占めるように設定することは、抵抗率の上昇や光損失の程度などを勘案して、当業者が実施に際して適宜設定すべき設計上の事項である。        　
　       　
（イ）また、本願補正発明において、レーザービーム分布に占める割合を「８０％以上」及び「第１及び第２光損失抑制領域（第１のｐ型クラッド層及び第１のｎ型クラッド層）」の厚さ（総膜厚）を「約１０〜３００ｎｍ」としたことによる効果に格別のものは認められない。　
　　
（ウ）以上の検討によれば、引用発明において、上記＜相違点２＞及び＜相違点３＞に係る本願補正発明の構成を採用することは、当業者が適宜なし得たことである。
　　 
　ウ　また、本願補正発明の奏する効果は、当業者が引用発明及び周知技術から予測し得る範囲内のものである。　　  
　　　　　　　　　　  
（６）独立特許要件についてのまとめ 　  
　本件補正発明は、当業者が引用発明及び周知技術に基づいて容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。 
　　　　　 　 　 
（７）平成２４年３月１３日付けの回答書における補正案について
　ア　補正案は、本願補正発明に「第２導電型コンタクト層」、「第２導電型コンタクト層上に形成された絶縁性物質からなる電流遮断層」、「第１及び第２電極」及び「共振器領域の長さ１ｍｍ以上」等を発明特定事項として追加するものである。
　
　イ　しかしながら、引用発明において、上記アに記載された発明特定事項を備えることは、当業者が上記周知技術に基づいて容易になし得たことである。
               
　ちなみに、特開平１０−３０３５００号公報の【０００９】には、クラッド領域の導波領域との接合部で全くドーピングを行わないこと、【００１４】には、光損失が低いために２ミリメートル以上の長さを有するように作製できること等が記載されている。
　また、特開平９−８３０８６号公報の【００４０】には、共振器長さを１
ｍｍとした実施例が記載されている。
　　
４　補正却下の決定のむすび 　  
　上記「３」のとおり、本願補正発明は特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反する。  
　したがって、本件補正は、同法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 　  
　  
第３　本願発明  
１　本願発明  
　本件補正は上記のとおり却下されたため、本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、前記「第２　１（１）」にて本件補正前の請求項１として記載したとおりのものである。  
　　　 　  
２　引用文献  
　原査定の拒絶の理由で引用された引用文献及びその記載事項は、前記「第２　３（２）」に記載したとおりである。  
　　　　　　　　　　  
３　対比・判断  
　本願補正発明は、前記「第２　２（１）ないし（３）」に記載したとおり、本願発明を限定したものに相当する。 　  
　そうすると、本願発明の構成要件を全て含み、さらに限定を付加したものに相当する本願補正発明が前記「第２　３」で検討したとおり、当業者が引用発明及び周知技術に基づいて容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も同様の理由により、当業者が引用発明に基づいて容易に発明をすることができたものである。  
　　　　 　  
４　むすび  
　以上のとおり、本願発明は、当業者が引用文献に記載された発明に基づいて容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
　よって、結論のとおり審決する。