【事件の表示】
　特願２００６−　４６３５０「電子線照射装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１９年　３月　１日出願公開、特開２００７−　５１９９６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続きの経緯
　本願は、平成１８年２月２３日（パリ条約による優先権主張、２００５年８月１９日、米国）の出願であって、平成２４年６月１２日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年９月１２日に審判請求がなされ、同時に手続補正がなされたものである。その後、平成２５年５月２０日付けで当審による拒絶理由の通知がなされ、それに対して同年７月５日に意見書及び手続補正書が提出された。
　
第２　本願発明
　本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成２５年７月５日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、次のとおりのものと認める。
　「真空状態に保持されたチャンバと、前記チャンバの内部に配設された電子線を発生させ放出する電子放出素子とを備え、前記電子放出素子から放出された前記電子線を被照射物である多孔質のシリコン酸化膜が形成されたウェハに照射する電子線照射装置であって、
　前記電子放出素子が、面状の電子放出面を有し、前記電子線を前記被照射物に面状に照射することが可能な面状電子放出素子であり、
　前記被照射物が、前記チャンバの内部に配設されるとともに、前記チャンバ内における真空中において、前記面状電子放出素子から放出される前記電子線によって、直接、照射されるように構成され、
　前記被照射物の前記チャンバ内における位置決めを行う位置決め手段をさらに備え、
　前記面状電子放出素子が、誘電体で構成されたエミッタ部と、電子を放出するための駆動電圧が印加される第１の電極及び第２の電極と、を有し、前記第１の電極は、前記エミッタ部の第１の面に形成され、前記第２の電極は、前記エミッタ部の第２の面に形成され、少なくとも前記第１の電極は、前記エミッタ部が露出される複数の貫通孔を有し、前記貫通孔の平均径が、０．０１〜１００μｍで、且つ前記貫通孔の平均開孔率が、５〜６０％であり、前記第１の電極のうち、前記貫通孔の周部における前記エミッタ部と対向する面が、前記エミッタ部から離間しており、少なくとも前記エミッタ部の第１の面から前記貫通孔を通じて電子線を放出するように構成された電子線照射装置。」
　
第３　引用刊行物
１．引用文献１
　当審の拒絶理由に引用された、本願の優先日前に頒布された刊行物である、特表２００５−５２４９８３号公報（以下「引用文献１」という。）には、以下の事項が記載されている。
（１）「【０００１】
　[0001]
発明の分野
　[0002]本発明の実施形態は、集積回路の製造に関する。更に詳細には、本発明の実施形態は、基板上に誘電体層を堆積するためのプロセスに関する。」
（２）「【０００５】
・・・
発明の概要
　[0008]本発明の実施形態は、一般的には、基板上に低誘電率膜を堆積する方法に関する。本方法は、化学気相堆積チャンバ内でケイ素、炭素、酸素、水素を備えている低誘電率膜を堆積させること含んでいる。本方法は、更に、低誘電率膜の硬度を高めるのに十分な条件で低誘電率膜を電子ビームに晒すことを含んでいる。」
（３）「【００３４】
　[0044]本明細書に記載される実施形態のいずれにおいても、低誘電率膜が堆積された後、好ましくは電子ビーム（ｅビーム）で膜が処理される。電子ビーム処理の線量は、典型的には約１〜２０キロエレクトロンボルト（ＫeＶ）で約５０〜約２０００マイクロクーロン/平方センチメートル（μｃ/cｍ2）である。ｅビーム処理は、典型的にはほぼ室温から約４５０℃の間の温度で約１〜約１５分間、例えば、約２分間作動させる。好ましくは、ｅビーム処理は、約４００℃で約２分間行われる。一態様においては、ｅビーム処理条件は、４００℃で４.５kＶ、１.５ｍＡ、５００μc/cｍ2を含んでいる。アルゴン又は水素は、電子ビーム処理の間存在してもよい。あらゆるｅビームデバイスを用いることができるが、具体的な一デバイスはアプライドマテリアルズ社から入手できるＥＢＫチャンバである。低誘電率膜が堆積された後に電子ビームで低誘電率膜を処理すると、膜中の有機基の少なくとも一部を揮発し、膜中にボイドを形成する。揮発することができる有機基は、本明細書に記載される前駆物質の有機成分、例えば、炭化水素成分が不飽和炭素-炭素結合を１つ以上有する有機ケイ素化合物、又は本明細書に記載される脂肪族炭化水素の炭化水素成分に由来する。膜中にボイドを形成すると膜の誘電率を低下させると考えられる。好ましくは、高い温度が揮発する有機基を膜の中へ十分に組込むことを防止すると考えられるので、１５０℃より高い温度で膜を堆積しない。
【００３５】
　[0045]具体的なｅビームチャンバとプロセスの詳細を、更に本明細書に記載する。基板は、真空破壊、又は真空中、即ち、いかなる真空破壊も含まずに搬送することができる。図２は、本発明の実施形態のｅビームチャンバ２００を示す図である。ｅビームチャンバ２００は、真空チャンバ２２０、大面積カソード２２２、フィールドフリー領域２３８に位置するターゲット面２３０、ターゲット面２３０と大面積カソード２２２間に位置するグリッドアノード２２６を含んでいる。ｅビームチャンバ２００は、更に、大面積カソード２２２からグリッドアノード２２６を絶縁する高電圧絶縁体２２４、真空チャンバ２２０の外側に位置するカソードカバー絶縁体２２８、真空チャンバ２２０内部の圧力を制御する可変リークバルブ２３２、大面積カソード２２２に接続される可変高圧電源２２９、グリッドアノード２２６に接続された可変低圧電源２３１を含んでいる。」
（４）「【００３８】
　[0048]動作中、電子ビーム（図示されていない）に晒される基板は、ターゲット面２３０上に載置される。真空チャンバ２２０は、大気圧から約１ｍＴorr〜約２００ｍＴorrの範囲の圧力までポンプで送られる。正確な圧力は、可変量リークバルブ２３２によって制御され、これは約０.１ｍＴorrまで圧力を制御することができる。電子ビームは、一般的には、十分な高電圧で生成され、高圧電源２２９によって大面積カソード２２２に加えられる。電圧は、約-５００ボルト〜約３０,０００ボルト以上の範囲にあってもよい。高圧電源２２９は、ニューヨーク州ヒックビルのＢertanから製造されたＢertanモデル＃ＳＬ３０Ｎ-１２００Ｘ ２５８、又はニューヨーク州ＨauppaugeのＳpellman Ｈigh Ｖoltage Ｅlectron Ｃorp．から製造されたＳpellmanモデル＃ＳＬ３０Ｎ-１２００Ｘ ２５８であってもよい。可変低圧電源２３１は、大面積カソード２２２に加えられた電圧に相対して正のグリッドアノード２２６に電圧を加える。この電圧は、大面積カソード２２２からの電子放出を制御するために用いられる。可変低圧電源２３１は、ペンシルバニア州イーストンのＡcopainから入手できるＡcopianモデル＃１５０ＰＴ１２電源であってもよい。
【００３９】
　[0049]電子放出を開始するために、グリッドアノード２２６とターゲット面３０の間のフィールドフリー領域２３８内ガスはイオン化されなければならず、天然に存在するガンマ線の結果として起こってもよい。電子放出は、高電圧スパークギャップにより真空チャンバ２２０の内部に人工的に開始することができる。一旦この最初のイオン化が起こると、正イオン３４２（図３に示される）がグリッドアノード２２６に加えられた弱い負電圧によって、即ち、約０〜約-２００ボルト程度でグリッドアノード２２６に引きつけられる。大面積カソード２２２とグリッドアノード２２６の間に配置された加速電界領域２３６にこれらの正イオン３４２が進み、大面積カソード２２２に加えられる高電圧の結果として大面積カソード２２２に向かって加速する。大面積カソード２２２にぶつかる際に、これらの高エネルギーイオンは、二次電子３４４を生じ、グリッドアノード２２６と逆に加速する。カソード表面にほぼ垂直進むこれらの電子３４４の一部は、グリッドアノード２２６にぶつかるが、これらの電子３４４の多くはグリッドアノード２２６を通過し、ターゲット面２３０へ進む。グリッドアノード２２６は、好ましくは大面積カソード２２２によって放出された電子の平均自由行程未満の距離に位置する。例えば、グリッドアノード２２６は、好ましくは大面積カソード２２２から約４ｍｍ未満に位置している。グリッドアノード２２６と大面積カソード２２２との間の短い距離のために、全くないか、あっても最小限のイオン化が、グリッドアノード２２６と大面積カソード２２２の間の加速電界領域２３６に起こる。」
（５）「【図２】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
（６）「【図３】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
　
　これらの記載事項を含む引用文献１全体の記載及び当業者の技術常識を総合すれば、引用文献１には、以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
「真空チャンバ（２２０）内に配置されたターゲット面（２３０）上に載置される、上面に低誘電率膜を堆積した基板を電子ビームに晒す装置であって、 
　大面積カソード（２２２）とグリッドアノード（２２６）を有し、大面積カソードから生じた二次電子（３４４）がグリッドアノードを通過し、ターゲット面へ進む構成の装置 。」
　
２．引用文献２
　同じく、当審の拒絶理由に引用された、本願の優先日前に頒布された刊行物である、特開２００５−１４２１３４号公報（以下「引用文献２」という。）には、以下の事項が記載されている。
（１）「【００４１】
　以上説明したように、本発明に係る電子放出素子によれば、高い電界集中を容易に発生させることができ、しかも、電子放出箇所を多くすることができ、電子放出について高出力、高効率を図ることができ、低電圧駆動（低消費電力）も可能となる。」
（２）「【００４４】
　先ず、本実施の形態に係る電子放出装置は、ディスプレイとしての用途のほか、電子線照射装置、光源、ＬＥＤの代替用途、電子部品製造装置、電子回路部品に適用することができる。
【００４５】
　電子線照射装置における電子線は、現在普及している紫外線照射装置における紫外線に比べ、高エネルギーで吸収性能に優れる。適用例としては、半導体装置では、ウェハーを重ねる際における絶縁膜を固化する用途、印刷の乾燥では、印刷インキをむらなく硬化する用途や、医療機器をパッケージに入れたまま殺菌する用途等がある。」
（３）「【００５０】
　先ず、第１の実施の形態に係る電子放出素子１０Ａは、図１に示すように、誘電体で構成された板状のエミッタ部（エミッタとなる物質）１２と、該エミッタ部１２の第１の面（例えば上面）に形成された第１の電極（例えば上部電極）１４と、エミッタ部１２の第２の面（例えば下面）に形成された第２の電極（例えば下部電極）１６と、上部電極１４と下部電極１６との間に、駆動電圧Ｖａを印加するパルス発生源１８とを有する。
【００５１】
　上部電極１４は、エミッタ部１２が露出される複数の貫通部２０を有する。特に、エミッタ部１２の表面は、誘電体の粒界による凹凸２２が形成されており、上部電極１４の貫通部２０は、前記誘電体の粒界における凹部２４に対応した部分に形成されている。図１の例では、１つの凹部２４に対応して１つの貫通部２０が形成される場合を示しているが、複数の凹部２４に対応して１つの貫通部２０が形成される場合もある。エミッタ部１２を構成する誘電体の粒径は、０．１μｍ〜１０μｍが好ましく、さらに好ましくは２μｍ〜７μｍである。図１の例では、誘電体の粒径を３μｍとしている。
【００５２】
　さらに、この第１の実施の形態では、図２に示すように、上部電極１４のうち、貫通部２０の周部２６におけるエミッタ部１２と対向する面２６ａが、エミッタ部１２から離間している。つまり、上部電極１４のうち、貫通部２０の周部２６におけるエミッタ部１２と対向する面２６ａとエミッタ部１２との間にギャップ２８が形成され、上部電極１４における貫通部２０の周部２６が庇状（フランジ状）に形成された形となっている。」
（４）「【００５４】
　さらに、この第１の実施の形態では、貫通部２０の形状、特に、図３に示すように、上面から見た形状は孔３２の形状であって、例えば円形状、楕円形状、トラック状のように、曲線部分を含むものや、四角形や三角形のように多角形状のものがある。図３の例では、孔３２の形状として円形状の場合を示している。
【００５５】
　この場合、孔３２の平均径は、０．１μｍ以上、１０μｍ以下としている。この平均径は、孔３２の中心を通るそれぞれ異なる複数の線分の長さの平均を示す。」
（５）「【００９３】
　なお、孔３２の平均径が０．１μｍ未満の場合、電子を蓄積する領域が狭くなり、放出される電子の量が少なくなる。もちろん、孔３２を多数設けることも考えられるが、困難性を伴い、製造コストが高くなるという懸念がある。孔３２の平均径が１０μｍを超えると、エミッタ部１２の前記貫通部２０から露出した部分のうち、電子放出に寄与する部分（第２の部分）４２の割合（占有率）が小さくなり、電子の放出効率が低下する。」
（６）「【図１】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
（７）「【図２】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
（８）「【図３】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
　
第４　対比・判断
１．対比
　本願発明と、引用発明を比較する。
（１）引用発明の「真空チャンバ」、「電子ビーム」、「大面積カソードとグリッドアノード」、「基板」及び「電子ビームに晒す装置」は、それぞれ本願発明の「真空状態に保持されたチャンバ」、「電子線」、「電子線を発生させ放出する電子放出素子」、「被照射物」及び「電子線照射装置」に相当する。
（２）引用発明の「大面積カソードとグリッドアノード」が「面状の電子放出面を有し、電子線を被照射物に面状に照射することが可能」であることは自明であり、また、引用発明が、真空チャンバ内における真空中において、大面積カソードとグリッドアノードから放出される電子線によって、基板が直接照射されるように構成されていることも自明である。
（３）引用発明において、ターゲット面上に基板を載置する際に位置決めを行う必要があることは当業者の技術常識であり、引用発明が基板の位置決め手段を備えることは自明である。
　
　したがって両者は、
「真空状態に保持されたチャンバと、前記チャンバの内部に配設された電子線を発生させ放出する電子放出素子とを備え、前記電子放出素子から放出された前記電子線を被照射物に照射する電子線照射装置であって、
 　前記電子放出素子が、面状の電子放出面を有し、前記電子線を前記被照射物に面状に照射することが可能な面状電子放出素子であり、
 　前記被照射物が、前記チャンバの内部に配設されるとともに、前記チャンバ内における真空中において、前記面状電子放出素子から放出される前記電子線によって、直接、照射されるように構成され、
 　前記被照射物の前記チャンバ内における位置決めを行う位置決め手段をさらに備える、
 電子線照射装置 。」
の点で一致し、以下の各点で相違している。
　
（相違点１）
　被照射物が、本願発明では「多孔質のシリコン酸化膜が形成されたウェハ」であるのに対して、引用発明では「上面に低誘電率膜を堆積した基板」である点。
（相違点２）
　電子放出素子が、本願発明では「誘電体で構成されたエミッタ部と、電子を放出するための駆動電圧が印加される第１の電極及び第２の電極と、を有し、前記第１の電極は、前記エミッタ部の第１の面に形成され、前記第２の電極は、前記エミッタ部の第２の面に形成され、少なくとも前記第１の電極は、前記エミッタ部が露出される複数の貫通孔を有し、前記貫通孔の平均径が、０．０１〜１００μｍで、且つ前記貫通孔の平均開孔率が、５〜６０％であり、前記第１の電極のうち、前記貫通孔の周部における前記エミッタ部と対向する面が、前記エミッタ部から離間しており、少なくとも前記エミッタ部の第１の面から前記貫通孔を通じて電子線を放出するように構成された」のに対して、引用発明では「大面積カソードとグリッドアノード」で構成されている点。
　
２．判断
　上記各相違点について検討する。
（相違点１について）
　引用発明は集積回路の製造に関するものであり、特に基板上の低誘電率膜の硬度を高める発明である（上記摘記事項１．（１）、（２）参照）。また、本願の優先日時点において、集積回路基板として「多孔質のシリコン酸化膜が形成されたウェハ」は周知のものであって、しかも当該基板を、膜の硬度を高めるために電子線照射に晒すこともよく知られた周知技術である（特開２００５−６４５１６号公報参照）。これらのことを考慮すれば、引用発明の「上面に低誘電率膜を堆積した基板」として「多孔質のシリコン酸化膜が形成されたウェハ」を選択することにより、上記相違点１に係る構成を採用することは当業者が容易になしうる事項である。
（相違点２について）
　上記引用文献２の記載事項（上記摘記事項２．参照）及び当業者の技術常識を総合すれば、上記引用文献２には、
 「誘電体で構成されたエミッタ部と、電子を放出するための駆動電圧が印加される第１の電極及び第２の電極と、を有し、前記第１の電極は、前記エミッタ部の第１の面に形成され、前記第２の電極は、前記エミッタ部の第２の面に形成され、少なくとも前記第１の電極は、前記エミッタ部が露出される複数の貫通孔を有し、前記貫通孔の平均径が０．１μｍ以上、１０μｍ以下であり、前記第１の電極のうち、前記貫通孔の周部における前記エミッタ部と対向する面が、前記エミッタ部から離間しており、少なくとも前記エミッタ部の第１の面から前記貫通孔を通じて電子線を放出するように構成された電子放出素子。」（以下「引用２発明」という。）が記載されている。 
　引用発明の電子放出素子として、大面積カソードとグリッドアノードに代えて公知の上記引用２発明の電子放出素子を用いることに格別の技術的困難性も阻害要因もない。
　そして、引用２発明の「貫通孔の平均径が０．１μｍ以上、１０μｍ以下であり」という事項と本願発明の「貫通孔の平均径が、０．０１〜１００μｍ」という事項は、引用２発明の範囲で一致している。
　また、その平均開孔率をどの程度に設定するかは、必要な電子流の大きさや密度、放出効率や製造コスト等の種々の要因を総合的に勘案して当業者が適宜決定しうる事項である。
　しかも、引用文献２の各図面を含む全体の記載を参酌すると、引用２発明の当該平均開孔率を５〜６０％とすることに、格別の困難性も阻害要因も見当たらない。
　さらに、本願明細書又は図面の記載を参酌しても、平均開孔率が５〜６０％であることが、従来のものと比べて格別のものであるとする根拠もない。
　してみると、引用発明に引用２発明を適用し、上記相違点２に係る構成を採用することは、当業者が容易になしうる事項である。
　
（作用・効果）
　そして、本願発明の作用・効果も、引用発明、引用２発明及び周知技術に基き、当業者が予測しうる範囲のものであって、格別なものではない。
　
　したがって、本願発明は、引用発明、引用２発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
第５　むすび 
　以上のとおり、本願発明は、引用発明、引用２発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は、拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。