【事件の表示】
　特願２００７−５２７８４２「装置の製造方法および装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年　３月　２日国際公開、ＷＯ２００６／０２３２５５、平成２０年　４月　３日国内公表、特表２００８−５１０３１４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯
　本願は、２００５年　７月２９日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００４年　８月１９日、米国）を国際出願日とする出願であって、平成２３年　１月２５日付けで最初の拒絶理由が通知され、これに対して同年　８月　１日に意見書及び手続補正書が提出されたが、さらに、同年１０月１２日に最後の拒絶理由が通知され、これに対して平成２４年　１月１８日に意見書及び手続補正書が提出されたが、同年　２月　６日付けで平成２４年　１月１８日の手続補正に対して、補正の却下の決定がなされると共に拒絶査定がなされ、これを不服として同年　６月１４日に拒絶査定不服の審判が請求されると共に手続補正書が提出されたものである。
　
２　本願発明
　平成２４年　６月１４日に提出された手続補正書は、平成２３年　８月　１日に提出された手続補正書によって補正された特許請求の範囲の請求項１を削除し、請求項２を新たな請求項１とする補正を含むものであって、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、前記新たな請求項１に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
　
　「【請求項１】
　３．２よりも低い誘電率を有する第一層間絶縁膜層を堆積させることと、
　前記第一層間絶縁膜層上に、３．２よりも低い誘電率を有する第一ハードマスク層を堆積させることと、
　前記第一層間絶縁膜層を露出するべく前記第一ハードマスク層に開口を形成することと、
　前記第一層間絶縁膜層に第一トレンチを形成することと、
　前記第一トレンチに第一導体トレースを堆積させることと、
　前記第一導体トレースと第一ハードマスク層との上に第二層間絶縁膜層を堆積させることと、
　前記第二層間絶縁膜層を貫通し、底部の一部の領域が前記第一導体トレースの端縁を含む一部の領域と接し、かつ、前記底部の他の領域が前記第一ハードマスク層に接する、ランドが形成されていないビアホールを形成することと
　を含み、
　前記第一導体トレースを堆積させる前に、前記第一トレンチに、前記第一トレンチに堆積された材料が前記第一層間絶縁膜層に拡散することを防ぐバリア層を堆積することをさらに備える装置の製造方法。」
　
３　引用刊行物及びその摘記事項
　原査定の拒絶の理由に引用した本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された特開平１０−１５０１０５号公報（以下、「刊行物１」という。）には、「半導体装置及びその製造方法」（発明の名称）に関して、図１及び図２と共に次の事項が記載されている。
　（刊１ア）「【００６９】〔第３の実施の形態〕次に、本発明の第３の実施の形態を説明する。
【００７０】なお、この第３の実施の形態における各構成要素の位置的関係及び製造手順は、図１及び図２で説明した第１の実施の形態と実質的に同じで良いので、ここでは、便宜上、第１の実施の形態と同じ図１及び図２を参照して、この第３の実施の形態を説明する。
【００７１】まず、図１（ａ）に示すように、この第３の実施の形態では、シリコン基板１１上に、層間絶縁膜の一部として、酸化シリコンよりも比誘電率が低い有機低誘電率材料からなる絶縁膜１２を、例えば、８００ｎｍ程度の膜厚に形成する。
【００７２】この有機低誘電率材料としては、次の〔化５〕に一般式を示す
環状フッ素化合物とシロキサンの共重合体（比誘電率κ≒２．４
　
　（刊１イ）「【００９２】次に、図示の如く、この絶縁膜１２の上に、この
絶縁膜１２を構成する有機低誘電率材料とは異なる有機低誘電率材料からなる有機低誘電率膜１３
有機低誘電率膜１３としては、既述した〔化１〕のポリアリールエーテルを用いる
　
　（刊１ウ）「【００９５】次に、図示の如く、この有機低誘電率膜１３の上に、上述した
絶縁膜１２と同様の有機低誘電率材料からなる絶縁膜１４
【００９６】次に、この
絶縁膜１４の上に、上述した有機低誘電率膜１３と同様の有機低誘電率材料からなる有機低誘電率膜１５
　
　（刊１エ）「【００９７】次に、図１（ｂ）に示すように、
有機低誘電率膜１５の上にフォトレジスト（図示省略）を形成
フォトレジストに所望の配線パターンの開口を形成した後、その開口の形成されたフォトレジストをエッチングマスクとして用いて
有機低誘電率膜１５と絶縁膜１４に、フォトレジストの開口パターンに対応したパターンの溝１６を形成する
【００９８】この時、例えば、ポリアリールエーテルからなる
有機低誘電率膜１３が
絶縁膜１４に比較して、エッチングレートがかなり低いため、即ち、絶縁膜１４のエッチング時に有機低誘電率膜１３が実質的にエッチング耐性を有するため、この有機低誘電率膜１３をエッチングストッパーとして用いて、この溝形成のためのエッチングを簡便に制御することができる
・・（略）・・
【０１０１】なお、上述のエッチング時、環状フッ素化合物とシロキサンの共重合体からなる
絶縁膜１４の上に設けたやはりポリアリールエーテルからなる有機低誘電率膜１５を最初にエッチングしなければならない
【０１０５】・・（略）・・
絶縁膜１４のようにエッチングを目的とした膜には、フッ素を多く含有した有機材料を用い、一方、有機低誘電率膜１３のようにエッチングストッパーとして用いる膜には、フッ素を殆ど含有しない有機材料を用いるのが好ましい
【０１０６】また、既述したように、
フッ素を含有することで膜の比誘電率が低下するので、エッチングを目的とした比較的厚く形成する膜にフッ素を多く含有した有機材料を用いることは、層間絶縁膜全体の比誘電率を下げるという目的からも好都合である
　
　（刊１オ）「【０１０７】次に、図１（ｃ）に示すように、いわゆるダマシン法により、
溝１６内に配線層１７を形成
溝１６内を埋め込むように、例えば、Ａｌ−Ｃｕ合金等のＡｌ系合金又はＣｕ
　
　（刊１カ）「【０１０９】次に、図２（ａ）に示すように、
有機低誘電率膜１５上及び配線層１７上の全面に、上述した下地絶縁膜１２及び絶縁膜１４と同様の有機低誘電率材料からなる絶縁膜１８を、例えば、８００ｎｍ程度の膜厚に形成
　
　（刊１キ）「【０１１０】次に、図２（ｂ）に示すように、
絶縁膜１８の上にレジスト膜（図示省略）を形成し、フォトリソグラフィーによりそのレジスト膜をパターニングして、配線層１７に対する接続孔（ビアホール）を形成する領域上のレジスト膜の部分に開口を形成
レジスト膜をエッチングマスクとして用いて、絶縁膜１８をエッチングし、図示の如く、絶縁膜１８に配線層１７に達する接続孔１９を形成
【０１１１】この時、本実施の形態では、配線層１７間の絶縁膜の最上層に、例えば、環状フッ素化合物とシロキサンの共重合体からなる絶縁膜１８のエッチング時にエッチング耐性を有する、例えば、ポリアリールエーテルからなる有機低誘電率膜１５を設けている。従って、図示の如く、
フォトリソグラフィーによる接続孔１９の位置が多少ずれた場合でも、そのエッチング時に有機低誘電率膜１５がエッチングストッパーとして機能するので、接続孔１９が配線層１７間の絶縁膜中にまで達して形成されることが無い
　
（刊１ク）「【０１１２】次に、図２（ｃ）に示すように、
接続孔１９内を
導電材料からなるプラグ２０により埋め込む
　
（刊１ケ）「【００２６】この有機低誘電率膜１３には、次の〔化１〕に一般式を示す
ポリアリールエーテル（比誘電率κ≒２．８
　
（刊１コ）前記（刊１キ）、（刊１ク）の記載を参照すれば、図１（ｃ）から、有機低誘電率膜１５表面と配線層１７の頂部表面とが面一となっていることが看取でき、また、前記（刊ケ）の記載を参照すれば、絶縁膜１８が面一となっている有機低誘電率膜１５表面と配線層１７の頂部表面の上に配置されていることが看取できる。
　
（刊１サ）前記（刊１キ）、（刊１ク）の記載を参照すれば、図２（ｂ）から、接続孔１９が、絶縁膜１８を貫通しており、当該接続孔１９の底部の一部の領域が配線層１７の頂部表面の一部の領域と接し、かつ、前記底部の他の領域が有機低誘電率膜１５表面の一部領域に、それぞれ直接接していることが看取でき、また、図２（ｃ）からは、図２（ｂ）の接続孔１９に導電材料からなるプラグ２０が埋め込まれ、前記接続孔１９の底部領域が接している配線層１７の頂部表面の一部の領域及び有機低誘電率膜１５表面の一部領域と直接接していることが看取できる。　
　
４　刊行物１に記載された発明
　上記摘記事項（刊１ア）〜（刊１サ）を整理すると、刊行物１には、次の発明（以下、「刊行物１発明」という。）が記載されている。
　
　「シリコン基板１１上に、層間絶縁膜の一部として、有機低誘電率材料である、環状フッ素化合物とシロキサンの共重合体（比誘電率κ≒２．４）からなる絶縁膜１２を形成し、
　　この絶縁膜１２の上に、この絶縁膜１２を構成する有機低誘電率材料とは異なる有機低誘電率材料である、ポリアリールエーテル（比誘電率κ≒２．８）からなる有機低誘電率膜１３を形成し、
　　次に、前記有機低誘電率膜１３の上に、上述した絶縁膜１２と同様の有機低誘電率材料からなる絶縁膜１４を形成し、
　　次に、前記絶縁膜１４の上に、上述した有機低誘電率膜１３と同様の有機低誘電率材料からなる有機低誘電率膜１５を形成し、
　　有機低誘電率膜１５の上にフォトレジストを形成し、このフォトレジストに所望の配線パターンの開口を形成した後、その開口の形成されたフォトレジストをエッチングマスクとして用いて、前記絶縁膜１４の上に設けた有機低誘電率膜１５を最初にエッチングして、有機低誘電率膜１５と絶縁膜１４に、フォトレジストの開口パターンに対応したパターンの溝１６を形成し、
　　次に、溝１６内を埋め込むように、Ａｌ系合金又はＣｕ等を主成分とする配線材料を全面に形成し、その後、溝１６内に配線層１７を形成すると共に溝１６内以外の部分の配線材料を除去し、
　　次に、有機低誘電率膜１５上及び配線層１７上の全面に、地絶縁膜１２及び絶縁膜１４と同様の有機低誘電率材料からなる絶縁膜１８を形成し、　
　　次に、絶縁膜１８の上にレジスト膜を形成し、フォトリソグラフィーによりそのレジスト膜をパターニングして、配線層１７に対する接続孔（ビアホール）を形成する領域上のレジスト膜の部分に開口を形成し、しかる後、そのレジスト膜をエッチングマスクとして用いて、絶縁膜１８をエッチングして、前記絶縁膜１８を貫通する接続孔１９を形成し、その際、前記接続孔１９の底部の一部の領域が配線層１７の頂部表面の一部の領域と直接接し、かつ、前記底部の他の領域が有機低誘電率膜１５表面の一部領域に直接接するように、前記配線層１７に達する前記接続孔１９を位置が多少ずれてエッチングされ、かつ、前記有機低誘電率膜１５がエッチングストッパーとして機能することで、接続孔１９が配線層１７間の絶縁膜中にまで達して形成されることが無いエッチングであり、
　　その後、前記接続孔１９内にポリシリコンやタングステン（Ｗ）等の導電材料からなるプラグ２０を埋め込み、エッチバック法やＣＭＰ法により、接続孔１９内以外の部分の導電材料を除去する、
半導体装置の製造方法。」
　
５　当審の判断（対比・判断）
　（１）本願発明と刊行物１発明とを対比すると、以下のとおりである。
　　ア　刊行物１発明において、絶縁膜１２として例示されている有機低誘電率材料の比誘電率は、κ≒２．４であるから、絶縁膜１２と同様の材料からなる絶縁膜１４も比誘電率がκ≒２．４であることは明らかである。そして、刊行物１発明における「比誘電率」と本願発明における「誘電率」とは実質的に同じものであり、また、絶縁膜１４は層間絶縁膜であるから、刊行物１発明の「絶縁膜１２と同様の有機低誘電率材料からなる絶縁膜１４を形成し」は、本願発明の「３．２よりも低い誘電率を有する第一層間絶縁膜層を堆積させること」に相当する。
　　イ　刊行物１発明において、有機低誘電率膜１３として例示されている有機低誘電率材料の比誘電率は、κ≒２．８であるから、有機低誘電率膜１３と同様の材料からなる有機低誘電率膜１５も比誘電率がκ≒２．８であることは明らかである。したがって、刊行物１発明の「有機低誘電率膜１３と同様の有機低誘電率材料からなる有機低誘電率膜１５を形成し」と、本願発明の「３．２よりも低い誘電率を有する第一ハードマスク層を堆積させること」とは、共に、「３．２よりも低い誘電率を有する層を堆積させること」である点で一致する。
　　ウ　刊行物１発明の「前記絶縁膜１４の上に設けた有機低誘電率膜１５を最初にエッチングし」は、これによって、その下層の絶縁膜１４を露出することになるから、上記ア、イを参照すれば、刊行物１発明の「前記絶縁膜１４の上に設けた有機低誘電率膜１５を最初にエッチングし」と、本願発明の「前記第一層間絶縁膜層を露出するべく前記第一ハードマスク層に開口を形成することと」とは、共に、「前記第一層間絶縁膜層を露出するべく前記層に開口を形成すること」である点で一致する。
　　エ　上記アを参照すれば、刊行物１発明の「絶縁膜１４」「に、フォトレジストの開口パターンに対応したパターンの溝１６を形成し」は、本願発明の「前記第一層間絶縁膜層に第一トレンチを形成すること」に相当する。
　　オ　上記エを参照すれば、刊行物１発明の「溝１６内を埋め込むように、Ａｌ系合金又はＣｕ等を主成分とする配線材料を全面に形成し、その後、溝１６内に配線層１７を形成すると共に溝１６内以外の部分の配線材料を除去し」は、本願発明の「前記第一トレンチに第一導体トレースを堆積させること」に相当する。
　　カ　絶縁膜１８は、層間絶縁膜であるから、上記イ〜オを参照すれば、刊行物１発明の「有機低誘電率膜１５上及び配線層１７上の全面に、絶縁膜１２及び絶縁膜１４と同様の有機低誘電率材料からなる絶縁膜１８を形成し」と、本願発明の「前記第一導体トレースと第一ハードマスク層との上に第二層間絶縁膜層を堆積させること」とは、共に、「前記第一導体トレースと層との上に第二層間絶縁膜層を堆積させること」である点で一致してる。
　　キ　上記イ〜オを参照すれば、刊行物１発明は、「接続孔１９の底部の一部の領域が配線層１７の頂部表面の一部の領域と直接接し、かつ、前記底部の他の領域が有機低誘電率膜１５表面の一部領域に直接接」していることから、溝１６内のＡｌ系合金又はＣｕ等からなる配線層１７と接続孔１９内に埋め込まれたポリシリコンやタングステン（Ｗ）等の導電材料からなるプラグ２０とは、ランドを介さずに直接接続されていることは明らかである。　したがって、刊行物１発明の「絶縁膜１８の上にレジスト膜を形成し、フォトリソグラフィーによりそのレジスト膜をパターニングして、配線層１７に対する接続孔（ビアホール）を形成する領域上のレジスト膜の部分に開口を形成し、しかる後、そのレジスト膜をエッチングマスクとして用いて、絶縁膜１８をエッチングして、前記絶縁膜１８を貫通する接続孔１９を形成し、その際、前記接続孔１９の底部の一部の領域が配線層１７の頂部表面の一部の領域と直接接し、かつ、前記底部の他の領域が有機低誘電率膜１５表面の一部領域に直接接するように、前記配線層１７に達する前記接続孔１９を位置が多少ずれてエッチングされ、かつ、前記有機低誘電率膜１５がエッチングストッパーとして機能することで、接続孔１９が配線層１７間の絶縁膜中にまで達して形成されることが無いエッチング」は、本願発明の「前記第二層間絶縁膜層を貫通し、底部の一部の領域が前記第一導体トレースの端縁を含む一部の領域と接し、かつ、前記底部の他の領域が前記層に接する、ランドが形成されていないビアホールを形成すること」に相当する。
　
　そこで、上記ア〜キの事項を考慮すると、両者は、
　「３．２よりも低い誘電率を有する第一層間絶縁膜層を堆積させることと、
　前記第一層間絶縁膜層上に、３．２よりも低い誘電率を有する層を堆積させることと、
　前記第一層間絶縁膜層を露出するべく前記層に開口を形成することと、
　前記第一層間絶縁膜層に第一トレンチを形成することと、
　前記第一トレンチに第一導体トレースを堆積させることと、
　前記第一導体トレースと層との上に第二層間絶縁膜層を堆積させることと、
　前記第二層間絶縁膜層を貫通し、底部の一部の領域が前記第一導体トレースの端縁を含む一部の領域と接し、かつ、前記底部の他の領域が前記層に接する、ランドが形成されていないビアホールを形成することとを
　含む装置の製造方法。」
の点で一致し、次の点で相違する。
　
　相違点１：第一層間絶縁膜層上に設ける層として、本願発明は、「第一ハードマスク層を堆積させ」、第一トレンチを形成しているのに対して、刊行物１発明は、絶縁膜１４上に「有機低誘電率膜１５」を形成し、パターン化したフォトレジストと最初にエッチングした「有機低誘電率膜１５」を用いて、絶縁膜１４に溝１６を形成している点。
　
　相違点２：本願発明は、「第一導体トレースを堆積させる前に、前記第一トレンチに、前記第一トレンチに堆積された材料が前記第一層間絶縁膜層に拡散することを防ぐバリア層を堆積することを」備えているのに対して、刊行物１発明は、そのような工程を有していない点。
　
　（２）そこで、上記相違点１、２について、次に検討する。
　
　　ア　相違点１について
　フォトレジストにより膜をパターン化し、その後、フォトレジストを除去してパターン化された膜をハードマスクとして用いるエッチングの技術分野において、当該ハードマスクの材料として、ＳｉＮ、ＳｉＯＣＮ等の無機材料ばかりではなく、ハードマスクが積層体中に埋め込まれる際の積層体全体の誘電率を低く抑えるために、低誘電率の有機絶縁膜を用いることも、下記の周知例１〜３に記載されているように周知の事項である。
　一方、刊行物１発明の溝１６の形成に関して、刊行物１の摘記事項（刊１エ）の【００９８】には、「ポリアリールエーテルからなる有機低誘電率膜１３が、絶縁膜１４に比較して、エッチングレートがかなり低いため、即ち、絶縁膜１４のエッチング時に有機低誘電率膜１３が実質的にエッチング耐性を有するため、この
有機低誘電率膜１３をエッチングストッパーとして用い
有機低誘電率膜１３と同じ材料である有機低誘電率膜１５を、絶縁膜１４よりも先にエッチングする
　してみると、有機低誘電率膜１５も絶縁膜１４に対して、エッチングストッパとして機能する有機低誘電率膜１３と同程度のエッチング比を有しているのであるから、絶縁膜１４における溝１６の形成に際して、上記周知の方法を採用することで、有機低誘電率膜１５のエッチング後、フォトレジストを除去してハードマスクとして用いることは当業者にとって容易に想到し得た事項である。
　
 ＜周知例の記載事項＞
　　周知例１：国際公開２００４／０４１９７２号
　「Regarding hard mask 22 in the integration process flow illustrated by Figure 4, it is permeable to the effluents of the thermally degradable polymer 20 upon degradation, and is mechanically strong enough to withstand the planarization (Figure 4G) and thermal degradation (Figure 4H) processes. Hard mask examples include organic materials (including but not limited to Honeywell GX-3TM material, Polyimides[1] , SiLKTM), inorganic materials (including but not limited to SiCN, SiON, SiO２[1], FSG, SiN[1], SiOCN, silicon carbide), or inorganic-organic hybrid materials (including but not limited to Honeywell HOSPTM material, Honeywell HOSP BEStTM material, Honeywell NanoglassTM material from Spin -On; and CoralTM, Black DiamondTM, AuroraTM, OrionTM from CVD) without or with certain porosity to facilitate the outgassing upon the degradation of a thermally degradable polymer. In addition, the inter-layer dielectric may be selected from the above list of materials.」（５３頁２６行〜５４頁７行、当審訳：図４によって図示される集積化方法におけるハードマスク２２に関しては、それは劣化による熱劣化性ポリマー２０の流出物に浸透可能であり、平坦化（図４Ｇ）および熱劣化（図４Ｈ）処理に耐えるのに十分なほど機械的に強い。ハードマスクの例としては、有機材料（ハネウェルＧＸ−３ＴＭ材料、ポリイミド（１）、ＳｉＬＫＴＭを含むがこれらに限定されない）、無機材料（ＳｉＣＮ、ＳｉＯＮ、ＳｉＯ２（１）、ＦＳＧ、ＳｉＮ（１）、ＳｉＯＣＮ、炭化珪素を含むがこれらに限定されない）、または無機−有機ハイブリッド材料（ハネウェルＨＯＳＰＴＭ材料、ハネウェルＨＯＳＰ  ＢＥＳｔＴＭ材料、スピン−オンからのハネウェルＮａｎｏｇｌａｓｓＴＭ材料、およびＣＶＤからのＣｏｒａｌＴＭ、Ｂｌａｃｋ  ＤｉａｍｏｎｄＴＭ、ＡｕｒｏｒａＴＭ、ＯｒｉｏｎＴＭを含むがこれらに限定されない）であって、熱劣化性ポリマーの劣化によるガス抜けを促進するためにある程度の空隙率を持つかまたは持たない材料が挙げられる。さらに、層間誘電体層は上に列挙の材料から選択されてもよい。）
　
　　周知例２：特開２００３−１３３４１１号公報
　「【０００４】・・（略）・・半導体基板（図示せず）上の層間絶縁膜２０１上に第１シリコン窒化膜２０２、低誘電率膜２０３、第２シリコン窒化膜２０４、シリコン酸化膜２０５が化学気相成長（ＣＶＤ）法等で積層して堆積される。そしてフォトリソグラフィー技術でレジストマスク２０６が形成され、これをエッチングマスクにしたドライエッチング技術でもってシリコン酸化膜２０５がエッチングされるパターニングされる。
【０００５】次に、図１９（ｂ）に示すように、レジストマスク２０６が除去され、上記
パターニングされたシリコン酸化膜２０５をハードマスク
【０００８】そこで、特開２０００−２９４６３３号公報では、
配線溝底のエッチングストッパー層やハードマスクとして有機絶縁膜を用いる構造
　
　　周知例３：特開２０００−２９４６３３号公報
　「【００２４】上記第１の絶縁膜１３上には第１の有機絶縁膜１４が形成されている。この
第１の有機絶縁膜１４は、一例として、ポリアリールエーテルと総称される有機ポリマーで形成されている。このポリアリールエーテルには、例えばアライドシグナル社製のＦＬＡＲＥ、ダウケミカル社製のＳｉＬＫ、シューマッカー社製のＶＥＬＯＸ等がある
【００２５】上記第１の有機絶縁膜１４上には層間絶縁膜１２の上層部分となる第２の絶縁膜１５が形成されている。・・（略）・・」
  「【００３８】また、第１の絶縁膜１３と第２の絶縁膜１５との間に第１の有機絶縁膜１４を形成したことから、この
第１の有機絶縁膜１４は第１の絶縁膜１３に接続孔３２を形成する際にエッチングマスクとして機能する
エッチングマスクとして機能する膜を有機絶縁膜で形成しているので、従来の窒化シリコン膜からなるエッチングマスクよりも比誘電率を低減することが可能となり、層間絶縁膜１２の全体の実効的な比誘電率の上昇が小さくなる
　
　
　　イ　相違点２について
　層間絶縁膜に溝形成をした後、導電性材料を埋め込み、配線層を形成する技術分野において、銅などの導電性材料の拡散を防ぐためにバリア層を設けることは、下記周知例２〜４の記載事項のように導電性材料と層間絶縁膜の材料とに応じて適宜設ける周知の技術事項である。
　そして、刊行物１発明は、「溝１６内を埋め込むように、Ａｌ系合金又はＣｕ等を主成分とする配線材料を全面に形成」するものであり、導電性材料としてＣｕを用いることが例示されていることから、刊行物１発明においても、Ｃｕの拡散を防止するための周知のバリア層を設けることは、当業者ならば容易に想到し得た事項である。
　
　＜周知例の記載事項＞
　　周知例２：特開２００３−１３３４１１号公報
　「【０００５】・・（略）・・低誘電率膜２０３、第１シリコン窒化膜２０２がドライエッチングされる。このようにして
配線溝２０７が形成され
【０００６】次に、図１９（ｃ）に示すように、全面に
バリア膜２０８が窒化タンタル（ＴａＮ）等で形成され、上記配線溝を埋め込むようにメッキ法等でＣｕ膜２０９が形成される
　　
　　周知例３：特開２０００−２９４６３３号公報
  「【００３３】そして上記第２の有機絶縁膜１６から第２の絶縁膜１５にかけて配線溝３１が形成され、第１の有機絶縁膜１４から第１の絶縁膜１３にかけて接続孔３２が形成されている。
【００３４】上記
配線溝３１および上記接続孔３２の各内壁には、窒化タンタル等のバリアメタル層３３が形成されている。さらに配線溝３１内にバリアメタル層３３を介して金属からなる配線３４が形成され、接続孔３２内にバリアメタル層３３を介して金属からなるプラグ３５が形成されている
銅からなり
　
　　周知例４：米国特許公開第２００４／０１１９１６３号明細書
　　（原審の最後の拒絶理由通知における引用文献１）
 「[0028]　As shown in  FIG. 5, a  blanket barrier layer  510  is formed on the dielectric layer  310 , so as to line the trench  410  and via  420 . In an alternative embodiment, where the optional hard mask  430 , depicted in  FIG. 4 b , is used, the blanket barrier layer is formed on the optional hard mask  430 , as well as in the via  420  and trench  410  so as to line them. The barrier layer  510  is used to prevent copper from diffusing into the dielectric material, as is well known. For this purpose, approximately 200 Å of tantalum or tantalum nitride may be used for barrier layer  510 .」（段落番号［００２８］　当審訳：図５には、ブランケットバリア層５１０が、トレンチ４１０及びビア４２０に線状になるように誘電体層３１０の上に形成されている事が示されている。他の実施例においては、図４ｂで示された付加的なハードマスク４３０が用いられているところでは、ブランケットバリアー層が付加的なハードマスク４３０の上に、ビア４２０及びトレンチ４１０におけるのと同じように形成される。バリア層５１０は、よく知られているように、銅が誘電体材料の中に拡散されるのを防ぐために用いられる。この目的のために、２００Å程度のタンタル或いは窒化タンタルがバリア層５１０に用いられる。）
　
　
６　むすび　
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、刊行物１に記載された発明及び周知の技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、本願の請求項２〜１５に係る発明については検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。