(57)【要約】樹脂基材の表面にパターン状のめっき層を形成する部分めっき方法である。本発明の部分めっき方法は、樹脂基材表面を酸化処理する工程、酸化処理面に金属原子または金属イオンに配位可能な構造を有する化合物をパターン状に付着させてイニシエータパターンを形成する工程、無電解めっき法によりイニシエータパターン上にめっき層を形成する工程、必要に応じて、めっき層を所望の厚みにまで成長させる工程の各工程を含んでいる。また、本発明は、このような方法により得られた部分めっき樹脂基材、部分めっき方法を利用した多層回路基板の製造方法に関する。
2003072851.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂基材の表面にパターン状のめっき層を形成する部分めっき方法において、
ｉ）樹脂基材表面を酸化処理する工程１、
ｉｉ）樹脂基材表面の酸化処理面に、金属原子または金属イオンに配位可能な構造を有する化合物をパターン状に付着させて、イニシエータパターンを形成する工程２、
ｉｉｉ）無電解めっき法により、イニシエータパターン上にめっき層を形成する工程３、及び
ｉｖ）必要に応じて、さらに無電解めっき法または電解めっき法により、めっき層を所望の厚みにまで成長させる工程４
の各工程を含むことを特徴とする部分めっき方法。
【請求項２】
樹脂基材が、絶縁性樹脂と硬化剤とを含有する硬化性樹脂組成物により形成され、かつ該硬化性樹脂組成物が硬化されたものである請求項１記載の方法。
【請求項３】
絶縁性樹脂が、エポキシ樹脂、マレイミド樹脂、（メタ）アクリル樹脂、ジアリルフタレート樹脂、トリアジン樹脂、脂環式オレフィン重合体、芳香族ポリエーテル重合体、ベンゾシクロブテン重合体、シアネートエステル重合体、液晶ポリマー、及びポリイミド樹脂からなる群より選ばれる少なくとも一種の絶縁性樹脂である請求項２記載の方法。
【請求項４】
絶縁性樹脂が、重量平均分子量１０，０００〜１，０００，０００の脂環式オレフィン重合体である請求項３記載の製造方法。
【請求項５】
工程１における酸化処理が、樹脂基材表面に酸化性化合物を接触させる方法、またはプラズマ処理により行われる請求項１記載の方法。
【請求項６】
工程１において、酸化処理後の樹脂基材表面の表面粗さＲａ（ＪＩＳ  Ｂ−０６０１）が２００ｎｍ以下となるように酸化処理を行う請求項１記載の方法。
【請求項７】
金属原子または金属イオンに配位可能な構造を有する化合物が、アミノ基、チオール基、カルボキシル基、またはシアノ基を有する有機化合物、及び窒素原子、酸素原子、または硫黄原子を有する複素環化合物からなる群より選ばれる少なくとも一種の非共有電子対を有する化合物である請求項１記載の方法。
【請求項８】
金属原子または金属イオンに配位可能な構造を有する化合物が、アミノ基、チオール基、カルボキシル基、若しくはシアノ基を有するイミダゾール類、ピラゾール類、トリアゾール類、またはトリアジン類である請求項７記載の方法。
【請求項９】
パターン状のめっき層が形成された樹脂基材を加熱処理する工程が付加的に配置されている請求項１記載の方法。
【請求項１０】
樹脂基材表面の酸化処理面上に、パターン状に付着した金属原子または金属イオンに配位可能な構造を有する化合物からなるイニシエータパターンを介して、めっき層が形成されている部分めっき樹脂基材。
【請求項１１】
Ｉ）表面に導電体回路が形成された電気絶縁層を有する内層基板の表面に、該導電体回路を覆うように、樹脂基材層を形成する工程（Ｉ）、
ＩＩ）樹脂基材層表面を酸化処理する工程（ＩＩ）、
ＩＩＩ）樹脂基材層表面の酸化処理面に、金属原子または金属イオンに配位可能な構造を有する化合物を導電体回路のパターン状に付着させて、イニシエータパターンを形成する工程（ＩＩＩ）、
ＩＶ）無電解めっき法により、イニシエータパターン上にめっき層を形成する工程（ＩＶ）、及び
Ｖ）必要に応じて、さらに無電解めっき法または電解めっき法により、めっき層を所望の厚みにまで成長させる工程（Ｖ）
の各工程を含むことを特徴とする多層回路基板の製造方法。
【請求項１２】
工程（Ｉ）において、該導電体回路を覆うように、絶縁性樹脂と硬化剤とを含有する硬化性樹脂組成物層を形成し、次いで、該硬化性樹脂組成物を硬化させることにより樹脂基材層を形成する請求項１１記載の製造方法。
【請求項１３】
工程（Ｉ）において、該導電体回路を覆うように、絶縁性樹脂と硬化剤とを含有する硬化性樹脂組成物のフィルムを貼り合わせて硬化性樹脂組成物層を形成し、次いで、該硬化性樹脂組成物を硬化させることにより樹脂基材層を形成する請求項１２記載の製造方法。
【請求項１４】
絶縁性樹脂が、エポキシ樹脂、マレイミド樹脂、（メタ）アクリル樹脂ジアリルフタレート樹脂、トリアジン樹脂、脂環式オレフィン重合体、芳香族ポリエーテル重合体、ベンゾシクロブテン重合体、シアネートエステル重合体、液晶ポリマー、及びポリイミド樹脂からなる群より選ばれる少なくとも一種の絶縁性樹脂である請求項１１記載の製造方法。
【請求項１５】
絶縁性樹脂が、重量平均分子量１０，０００〜１，０００，０００の脂環式オレフィン重合体である請求項１４記載の製造方法。
【請求項１６】
工程（ＩＩ）における酸化処理が、樹脂基材表面に酸化性化合物を接触させる方法、またはプラズマ処理により行われる請求項１１記載の製造方法。
【請求項１７】
工程（ＩＩ）において、酸化処理後の樹脂基材表面の表面粗さＲａ（ＪＩＳ  Ｂ−０６０１）が２００ｎｍ以下となるように酸化処理を行う請求項１１記載の製造方法。
【請求項１８】
金属原子または金属イオンに配位可能な構造を有する化合物が、アミノ基、チオール基、カルボキシル基、またはシアノ基を有する有機化合物、及び窒素原子、酸素原子、または硫黄原子を有する複素環化合物からなる群より選ばれる少なくとも一種の非共有電子対を有する化合物である請求項１１記載の製造方法。
【請求項１９】
パターン状のめっき層が形成された樹脂基材を加熱処理する工程が付加的に配置されている請求項１１記載の製造方法。
【請求項２０】
必要に応じて、工程（Ｉ）から工程（Ｖ）までと同様の工程を繰り返すことにより、内層基板の片面または両面に、導電体回路のパターン状にめっき層が形成された樹脂基材層を所望の段数で形成する請求項１１記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は、樹脂基材表面にパターン状の金属微細線を形成するための部分めっき方法及び部分めっき樹脂基材に関する。また、本発明は、この部分めっき方法によりパターン状の金属微細線（導電体回路）を樹脂基材の表面に形成する方法を利用した多層回路基板の製造方法に関する。
背景技術
半導体デバイス、半導体デバイス実装部品、各種パネル表示装置、ＩＣカード、光デバイス等には、多層回路基板など、表面にパターン状の金属微細線が形成された樹脂基材を有する樹脂部材が用いられている。
導電体回路のパターンなどのパターン状に金属微細線（以下、「金属パターン」と呼ぶことがある）を形成する方法としては、一般に、めっき法が採用されている。めっきによる金属パターンの代表的な形成方法には、（１）樹脂基材の全面に無電解めっきを施した後、その上にめっきレジストを用いてレジストパターンを形成し、該レジストパターンを介して電解めっきにより金属層を成長させ、次いで、レジストを除去し、さらにエッチング処理により不要な無電解めっき部分を除去して、金属パターンを形成する方法（セミアディティブ法）、及び（２）樹脂基材上に無電解めっきを所望のパターン状にめっきして金属パターンを形成し、必要に応じて、その上に電解めっき金属を成長させる方法（フルアディティブ法）がある。
パターンめっき法を利用した後者の方法は、不要な無電解めっき部分を除去する際に用いる薬品等による金属腐食が生じない上、無電解めっき除去工程が不要であることから、生産性に優れる。
パターンめっきに際して、めっき誘発物質からなるイニシエータパターン（「無電解めっき用被膜」ともいう）を樹脂基材の表面に形成し、このイニシエータパターン上にめっきを施すと、金属パターンを容易に得ることができる（例えば、特開平７−２６３８４１号公報）。
めっき誘発物質については、樹脂基材への付着性やパターン形状の改良を目的として多くの検討がなされている。具体的に、めっき誘発物質として、例えば、導電性高分子またはその前駆体と水または極性溶剤との混合物からなる導電性材料（特開２００２−２６０１４号公報）、可溶性パラジウム塩と水溶性の溶剤と水とからなる組成物（特開平７−１３１１３５号公報、特開平７−２４５４６７号公報）、感光性パラジウム高分子キレート化合物を含有する材料（特開２０００−１４７７６２号公報）などが提案されている。
特開平１１−３５０１４９号公報には、めっき誘発物質として、（１）Ｎ−Ｈ結合を持つ低分子量化合物、Ｃ＝Ｃ二重結合を持つ接着性ポリマー、Ｃ＝Ｃ二重結合を持つ多塩基酸、（２）Ｎ−Ｈ結合密度が高い接着性ポリマー、それに相溶性のある低分子量多塩基酸またはＣ＝Ｃ二重結合を持つ一塩基酸、（３）硬化反応でＮ−Ｈ結合を生成する樹脂成分とＣ＝Ｃ二重結合を持つ多塩基酸、（４）硬化反応でＮ−Ｈ結合を生成する樹脂成分と主鎖にＣ＝Ｃ二重結合を持つ接着性ポリマー及びＣ＝Ｃ二重結合を持つ多塩基酸などの各組み合わせからなる樹脂組成物が提案されている。
確かに、このようなめっき誘発物質を用いれば、樹脂基材上に金属パターンを容易に形成することができる。しかし、樹脂基材の実際の使用においては、金属パターンと樹脂基材との間の密着性の改善が重要課題となっている。
この密着性を改善するために、樹脂基材の表面を物理的または化学的方法により、表面粗さＲａが数百ｎｍになるように粗化するのが一般的である。しかし、粗化による表面の荒れは、金属パターンの精度を低下させる上、回路基板の場合には、電気信号にノイズが生じる原因となる。
したがって、樹脂基材の表面を粗化しないでも、樹脂基材と金属パターンとの間に高い密着性が得られる方法の開発が望まれている。
発明の開示
本発明の目的は、樹脂基材に対する金属パターンの密着性に優れた部分めっき樹脂基材を得るための部分めっき方法を提供することにある。
また、本発明の目的は、樹脂基材に対する金属パターンの密着性に優れた部分めっき樹脂基材を提供することにある。
さらに、本発明の目的は、樹脂基材（電気絶縁層）に対する金属パターン（導電体回路）の密着性に優れた多層回路基板の製造方法を提供することにある。
本発明者は、前記課題を解決するために鋭意研究した結果、樹脂基材の表面にパターン状のめっき層を形成する部分めっき方法において、樹脂基材表面を酸化処理した後、酸化処理面に金属原子または金属イオンに配位可能な構造を有する化合物をパターン状に付着させて、イニシエータパターンを形成する方法に想到した。該イニシエータパターンを形成した樹脂基材の表面に、無電解めっき法によりめっきを施すと、該イニシエータパターンの形状どおりに選択的にめっき層が形成され、しかも該めっき層の樹脂基材に対する密着性に優れていることを見出した。
樹脂基材としては、一般に、絶縁性樹脂と硬化剤とを含有する硬化性樹脂組成物により形成され、かつ該硬化性樹脂組成物が硬化されたものが用いられる。樹脂基材表面を酸化処理すると、該樹脂基材表面を荒らすことなく、硬化により樹脂基材表面に形成された脆い層や硬化雰囲気から付着した汚染物質を除去することができる。さらに、樹脂基材表面を酸化処理することによって、樹脂基材表面にパターン状に付着させた金属原子または金属イオンに配位可能な構造を有する化合物からなるイニシエータパターンが効果的に作用し、その上に形成しためっき層と樹脂基材との間の密着性が著しく向上する。本発明は、これらの知見に基づいて完成するに至ったものである。
かくして、本発明によれば、樹脂基材の表面にパターン状のめっき層を形成する部分めっき方法において、
ｉ）樹脂基材表面を酸化処理する工程１、
ｉｉ）樹脂基材表面の酸化処理面に、金属原子または金属イオンに配位可能な構造を有する化合物をパターン状に付着させて、イニシエータパターンを形成する工程２、
ｉｉｉ）無電解めっき法により、イニシエータパターン上にめっき層を形成する工程３、及び
ｉｖ）必要に応じて、さらに無電解めっき法または電解めっき法により、めっき層を所望の厚みにまで成長させる工程４
の各工程を含むことを特徴とする部分めっき方法が提供される。
また、本発明によれば、樹脂基材表面の酸化処理面上に、パターン状に付着した金属原子または金属イオンに配位可能な構造を有する化合物からなるイニシエータパターンを介して、めっき層が形成されている部分めっき樹脂基材が提供される。
さらに、本発明によれば、
Ｉ）表面に導電体回路が形成された電気絶縁層を有する内層基板の表面に、該導電体回路を覆うように、樹脂基材層を形成する工程（Ｉ）、
ＩＩ）樹脂基材層表面を酸化処理する工程（ＩＩ）、
ＩＩＩ）樹脂基材層表面の酸化処理面に、金属原子または金属イオンに配位可能な構造を有する化合物を導電体回路のパターン状に付着させて、イニシエータパターンを形成する工程（ＩＩＩ）、
ＩＶ）無電解めっき法により、イニシエータパターン上にめっき層を形成する工程（ＩＶ）、及び
Ｖ）必要に応じて、さらに無電解めっき法または電解めっき法により、めっき層を所望の厚みにまで成長させる工程（Ｖ）
の各工程を含むことを特徴とする多層回路基板の製造方法が提供される。
発明を実施するための最良の形態
１．部分めっき方法
本発明の部分めっき方法は、以下の工程を有する。
工程１：樹脂基材表面を酸化処理する工程、
工程２：樹脂基材表面の酸化処理面に、金属原子または金属イオンに配位可能な構造を有する化合物をパターン状に付着させて、イニシエータパターンを形成する工程、
工程３：無電解めっき法により、イニシエータパターン上にめっき層を形成する工程、及び
工程４：必要に応じて、さらに無電解めっき法または電解めっき法により、めっき層を所望の厚みにまで成長させる工程。
＜工程１＞：
工程１において、樹脂基材の表面を酸化処理する。工程１において使用する樹脂基材は、絶縁性樹脂により形成されたフィルム状、シート状、板状、円筒状、球状などの任意の形状を有するものである。樹脂基材は、好ましくは、絶縁性樹脂と硬化剤とを含有する硬化性樹脂組成物により形成され、かつ該硬化性樹脂組成物が硬化されたものである。
（１）絶縁性樹脂：
本発明で樹脂基材を形成するために使用する絶縁性樹脂は、電気絶縁性を有するものであればよく、特に制限されないが、その具体例として、エポキシ樹脂、マレイミド樹脂、（メタ）アクリル樹脂、ジアリルフタレート樹脂、トリアジン樹脂、脂環式オレフィン重合体、芳香族ポリエーテル重合体、ベンゾシクロブテン重合体、シアネートエステル重合体、ポリイミド樹脂などが挙げられる。
これらの絶縁性樹脂の中でも、脂環式オレフィン重合体、芳香族ポリエーテル重合体、ベンゾシクロブテン重合体、シアネートエステル重合体、及びポリイミド樹脂が好ましく、脂環式オレフィン重合体がより好ましい。
絶縁性樹脂として、液晶ポリマーを用いることもできる。液晶ポリマーとしては、芳香族または脂肪族ジヒドロキシ化合物の重合体、芳香族または脂肪族ジカルボン酸の重合体、芳香族ヒドロキシカルボン酸の重合体、芳香族ジアミン、芳香族ヒドロキシアミンまたは芳香族アミノカルボン酸の重合体などを例示することができる。
絶縁性樹脂の重量平均分子量（Ｍｗ）に格別な制限はないが、絶縁性樹脂が脂環式オレフィン重合体などの絶縁性重合体である場合、好ましくは１０，０００〜１，０００，０００、より好ましくは３０，０００〜７０，０００、特に好ましくは５０，０００〜５００，０００である。無電解めっきを行う際、その前処理による樹脂基材表面の粗化が抑制される点から、重量平均分子量１０，０００〜１，０００，０００の絶縁性重合体が、硬化性樹脂組成物に含まれる絶縁性樹脂成分中、好ましくは２０重量％以上、より好ましくは３０〜１００重量％の割合で存在するのが望ましい。
重量平均分子量が１０，０００〜１，０００，０００の範囲内にある絶縁性重合体以外の絶縁性樹脂として、重量平均分子量が該範囲の下限未満の絶縁性樹脂や重量平均分子量が該範囲の上限を超過する絶縁性重合体を併用することも可能である。
本発明において、重量平均分子量は、ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィ（ＧＰＣ）により測定されるポリスチレンまたはポリイソプレン換算の重量平均分子量である。
脂環式オレフィン重合体とは、脂環式構造を有する不飽和炭化水素重合体である。脂環式構造としては、シクロアルカン構造やシクロアルケン構造などがあるが、機械的強度や耐熱性などの観点から、シクロアルカン構造であることが好ましい。脂環式構造としては、単環、多環（縮合多環、橋架け環、これらの組み合わせ多環など）のいずれであってもよい。脂環式構造を構成する炭素原子数に格別の制限はないが、通常４〜３０個、好ましくは５〜２０個、より好ましくは５〜１５個の範囲であり、それによって、機械的強度、耐熱性、成形性などの諸特性が高度にバランスされる。本発明で使用される脂環式オレフィン重合体は、硬化剤との組み合わせで熱硬化性を示すものが好ましい。
脂環式オレフィン重合体としては、極性基を有するものが好ましい。極性基としては、ヒドロキシル基、カルボキシル基、アルコキシル基、エポキシ基、グリシジル基、オキシカルボニル基、カルボニル基、アミノ基、エステル基、カルボン酸無水物基などが挙げられる。これらの中でも、特に、カルボキシル基及びカルボン酸無水物基が好適である。
脂環式オレフィン重合体は、例えば、（１）脂環式オレフィンを付加重合または開環重合し、そして、必要に応じて、得られた重合体中の不飽和結合部分を水素化する方法、（２）芳香族オレフィンを付加重合し、得られた重合体の芳香環部分を水素化する方法によって得ることができる。
極性基を有する脂環式オレフィン重合体は、例えば、（１）脂環式オレフィン重合体に極性基を変性反応により導入する方法、（２）極性基を含有する単量体を共重合成分として共重合する方法、（３）エステル基などの極性基を含有する単量体を共重合成分として共重合した後、共重合体中のエステル基などの極性基を加水分解する方法などによって得ることができる。
脂環式オレフィン重合体を得るために使用される脂環式オレフィンとしては、ビシクロ［２．２．１］−ヘプト−２−エン（慣用名「ノルボルネン」）、５−メチル−ビシクロ［２．２．１］−ヘプト−２−エン、５，５−ジメチル−ビシクロ［２．２．１］−ヘプト−２−エン、５−エチル−ビシクロ［２．２．１］−ヘプト−２−エン、５−ブチル−ビシクロ［２．２．１］−ヘプト−２−エン、５−ヘキシル−ビシクロ［２．２．１］−ヘプト−２−エン、５−オクチル−ビシクロ［２．２．１］−ヘプト−２−エン、５−オクタデシル−ビシクロ［２．２．１］−ヘプト−２−エン、５−エチリデン−ビシクロ［２．２．１］−ヘプト−２−エン、５−メチリデン−ビシクロ［２．２．１］−ヘプト−２−エン、５−ビニル−ビシクロ［２．２．１］−ヘプト−２−エン、５−プロペニル−ビシクロ［２．２．１］−ヘプト−２−エン、５−メトキシ−カルボニル−ビシクロ［２．２．１］−ヘプト−２−エン、５−シアノ−ビシクロ［２．２．１］−ヘプト−２−エン、５−メチル−５−メトキシカルボニル−ビシクロ［２．２．１］−ヘプト−２−エン、５−エトキシカルボニル−ビシクロ［２．２．１］−ヘプト−２−エン、ビシクロ［２．２．１］−ヘプト−５−エニル−２−メチルプロピオネイト、ビシクロ［２．２．１］−ヘプト−５−エニル−２−メチルオクタネイト、ビシクロ［２．２．１］−ヘプト−２−エン−５，６−ジカルボン酸無水物、５−ヒドロキシメチルビシクロ［２．２．１］−ヘプト−２−エン、５，６−ジ（ヒドロキシメチル）−ビシクロ［２．２．１］−ヘプト−２−エン、５−ヒドロキシ−ｉ−プロピルビシクロ［２．２．１］−ヘプト−２−エン、５，６−ジカルボキシ−ビシクロ［２．２．１］−ヘプト−２−エン、ビシクロ［２．２．１］−ヘプト−２−エン−５，６−ジカルボン酸イミド、５−シクロペンチル−ビシクロ［２．２．１］−ヘプト−２−エン、５−シクロヘキシル−ビシクロ［２．２．１］−ヘプト−２−エン、５−シクロヘキセニル−ビシクロ［２．２．１］−ヘプト−２−エン、５−フェニル−ビシクロ［２．２．１］−ヘプト−２−エン、トリシクロ［４．３．０．１２，５］デカ−３，７−ジエン（慣用名「ジシクロペンタジエン」）、トリシクロ［４．３．０．１２，５］デカ−３−エン、トリシクロ［４．４．０．１２，５］ウンデカ−３，７−ジエン、トリシクロ［４．４．０．１２，５］ウンデカ−３，８−ジエン、トリシクロ［４．４．０．１２，５］ウンデカ−３−エン、テトラシクロ［７．４．０．１１０，１３．０２，７］−トリデカ−２，４，６−１１−テトラエン（別名「１，４−メタノ−１，４，４ａ，９ａ−テトラヒドロフルオレン」）、テトラシクロ［８．４．０．１１１，１４．０３，８］−テトラデカ−３，５，７，１２，１１−テトラエン（別名「１，４−メタノ−１，４，４ａ，５，１０，１０ａ−ヘキサヒドロアントラセン」）、テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］−ドデカ−３−エン（慣用名「テトラシクロドデセン」）、８−メチル−テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］−ドデカ−３−エン、８−エチル−テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］−ドデカ−３−エン、８−メチリデン−テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］−ドデカ−３−エン、８−エチリデン−テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］−ドデカ−３−エン、８−ビニル−テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］−ドデカ−３−エン、８−プロペニル−テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］−ドデカ−３−エン、８−メトキシカルボニル−テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］−ドデカ−３−エン、８−メチル−８−メトキシカルボニル−テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］−ドデカ−３−エン、８−ヒドロキシメチル−テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］−ドデカ−３−エン、８−カルボキシ−テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］−ドデカ−３−エン、８−シクロペンチル−テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］−ドデカ−３−エン、８−シクロヘキシル−テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］−ドデカ−３−エン、８−シクロヘキセニル−テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］−ドデカ−３−エン、８−フェニル−テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］−ドデカ−３−エン、ペンタシクロ［６．５．１．１３，６．０２，７．０９，１３］ペンタデカ−３，１０−ジエン、ペンタシクロ［７．４．０．１３，６．１１０，１３．０２，７］−ペンタデカ−４，１１−ジエンのごときノルボルネン系単量体；シクロブテン、シクロペンテン、シクロヘキセン、３，４−ジメチルシクロペンテン、３−メチルシクロヘキセン、２−（２−メチルブチル）−１−シクロヘキセン、シクロオクテン、３ａ，５，６，７ａ−テトラヒドロ−４，７−メタノ−１Ｈ−インデン、シクロヘプテンのごとき単環のシクロアルケン；ビニルシクロヘキセンやビニルシクロヘキサンのごときビニル系脂環式炭化水素系単量体；シクロペンタジエン、シクロヘキサジエンのごとき脂環式共役ジエン系モノマー；などが挙げられる。
芳香族オレフィンとしては、スチレン、α−メチルスチレン、ジビニルベンゼンなどが挙げられる。
脂環式オレフィン及び／または芳香族オレフィンは、それぞれ単独で、あるいは２種以上を組み合わせて用いることができる。
脂環式オレフィン重合体は、脂環式オレフィン及び／または芳香族オレフィンと、これら共重合可能な単量体とを共重合して得られるものであってもよい。
脂環式オレフィンまたは芳香族オレフィンと共重合可能な単量体としては、エチレン；プロピレン、１−ブテン、１−ペンテン、１−ヘキセン、３−メチル−１−ブテン、３−メチル−１−ペンテン、３−エチル−１−ペンテン、４−メチル−１−ペンテン、４−メチル−１−ヘキセン、４，４−ジメチル−１−ヘキセン、４，４−ジメチル−１−ペンテン、４−エチル−１−ヘキセン、３−エチル−１−ヘキセン、１−オクテン、１−デセン、１−ドデセン、１−テトラデセン、１−ヘキサデセン、１−オクタデセン、１−エイコセンなどの炭素数３〜２０のα−オレフィン；１，４−ヘキサジエン、４−メチル−１，４−ヘキサジエン、５−メチル−１，４−ヘキサジエン、１，７−オクタジエンなどの非共役ジエン；等が挙げられる。これらの単量体は、それぞれ単独で、あるいは２種以上を組み合わせて使用することができる。
脂環式オレフィンや芳香族オレフィンの重合方法、及び必要に応じて行われる水素添加の方法は、格別な制限はなく、公知の方法に従って行うことができる。
脂環式オレフィン重合体の具体例としては、（１）ノルボルネン系単量体の開環重合体及びその水素添加物、（２）ノルボルネン系単量体の付加重合体、（３）ノルボルネン系単量体とビニル化合物との付加重合体、（４）単環シクロアルケン重合体、（５）脂環式共役ジエン重合体、（６）ビニル系脂環式炭化水素重合体及びその水素添加物、（７）芳香族オレフィン重合体の芳香環の水素添加物などが挙げられる。これらの中でも、ノルボルネン系単量体の開環重合体及びその水素添加物、ノルボルネン系単量体の付加重合体、ノルボルネン系単量体とビニル化合物との付加重合体、芳香族オレフィン重合体の芳香環の水素添加物が好ましく、ノルボルネン系単量体の開環重合体の水素添加物が特に好ましい。
これらの脂環式オレフィン重合体は、それぞれ単独で、あるいは２種以上を組み合わせて用いることができる。また、前記した通り、脂環式オレフィン重合体は、極性基を有するものが好ましい。
脂環式オレフィン重合体の中でも、特に好ましいノルボルネン系単量体の開環重合体及びその水素添加物は、その構造の違いから、ＣｎＨ２ｎで表されるオレフィンを共重合して得られるポリオレフィン樹脂とは異種のポリマーに分類されるものである。
脂環式オレフィン重合体の重量平均分子量を調整する方法は、常法に従えばよく、例えば、チタン系またはタングステン系触媒を用いた脂環式オレフィンの開環重合に際して、ビニル化合物またはジエン化合物のような分子量調整剤を、単量体全量に対して０．１〜１０モル％程度を添加する方法が挙げられる。このとき、分子量調整剤の量を少な目に用いると、比較的高い重量平均分子量を持つ重合体が得られ、多めに用いると、比較的低い重量平均分子量を持つ重合体が得られる。
分子量調整剤として用いるビニル化合物としては、１−ブテン、１−ペンテン、１−ヘキセン、１−オクテンなどのα−オレフィン化合物；スチレン、ビニルトルエンなどのスチレン化合物；エチルビニルエーテル、イソブチルビニルエーテル、アリルグリシジルエーテルなどのエーテル化合物；アリルクロライドなどのハロゲン含有ビニル化合物；酢酸アリル、アリルアルコール、グリシジルメタクリレートなどの酸素含有ビニル化合物；アクリルアミドなどの窒素含有ビニル化合物；などが挙げられる。
分子量調整剤として用いるジエン化合物としては、１，４−ペンタジエン、１，５−ヘキサジエン、１，６−ヘプタジエン、２−メチル−１，４−ペンタジエン、２，５−ジメチル−１，５−ヘキサジエンなどの非共役ジエン化合物；１，３−ブタジエン、２−メチル−１，３−ブタジエン、２，３−ジメチル−１，３−ブタジエン、１，３−ペンタジエン、１，３−ヘキサジエンなどの共役ジエン化合物；が挙げられる。
脂環式オレフィン重合体のガラス転移温度は、使用目的に応じて適宜選択できるが、通常５０℃以上、好ましくは７０℃以上、より好ましくは１００℃以上、最も好ましくは１２５℃以上である。
（２）硬化剤：
本発明に用いる硬化剤は、格別な限定はなく、例えば、イオン性硬化剤、ラジカル性硬化剤、イオン性とラジカル性とを兼ね備えた硬化剤などが用いられる。硬化剤の具体例としては、例えば、１−アリル−３，５−ジグリシジルイソシアヌレート、１，３−ジアリル−５−グリシジルイソシアヌレートのごときアリル基とエポキシ基とを含有するハロゲン不含のイソシアヌレート系硬化剤などの窒素系硬化剤；ビスフェノールＡビス（エチレングリコールグリシジルエーテル）エーテル、ビスフェノールＡビス（ジエチレングリコールグリシジルエーテル）エーテル、ビスフェノールＡビス（トリエチレングリコールグリシジルエーテル）エーテル、ビスフェノールＡビス（プロピレングリコールグリシジルエーテル）エーテルなどのビスフェノールＡ系グリシジルエーテル型エポキシ化合物のようなグリシジルエーテル型エポキシ化合物、脂環式エポキシ化合物、グリシジルエステル型エポキシ化合物などの多価エポキシ化合物；酸無水物やジカルボン酸化合物などのジカルボン酸誘導体；ジオール化合物、トリオール化合物、多価フェノール化合物などのポリオール化合物；などが挙げられる。
これらの硬化剤の中でも、多価エポキシ化合物が好ましく、特に耐クラック性を高める観点からグリシジルエーテル型エポキシ化合物が好ましい。硬化剤の使用割合は、絶縁性樹脂の種類や硬化剤の種類などによって変化するが、絶縁性樹脂１００重量部に対して、通常、０．１〜６０重量部、好ましくは０．５〜５０重量部程度である。
（３）硬化促進剤及び硬化助剤：
脂環式オレフィン重合体などの絶縁性樹脂と硬化剤との間の硬化反応を促進させるために、硬化促進剤や硬化助剤を使用することができる。硬化剤が、例えば多価エポキシ化合物の場合には、硬化促進剤として第３級アミン系化合物や三フッ化ホウ素錯化合物などが好適である。なかでも、第３級アミン系化合物を使用すると、微細配線（微細な導体パターン）に対する積層性、絶縁抵抗性、耐熱性、耐薬品性が向上する。
第３級アミン系化合物の具体例としては、ベンジルジメチルアミン、トリエタノールアミン、トリエチルアミン、トリブチルアミン、トリベンジルアミン、ジメチルホルムアミドなどの鎖状３級アミン化合物；ピラゾール類、ピリジン類、ピラジン類、ピリミジン類、インダゾール類、キノリン類、イソキノリン類、イミダゾール類、トリアゾール類などの化合物が挙げられる。これらの中でも、イミダゾール類、特に置換基を有する置換イミダゾール化合物が好ましい。
置換イミダゾール化合物の具体例としては、２−エチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、ビス−２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−メチル−２−エチルイミダゾール、２−イソプロピルイミダゾール、２，４−ジメチルイミダゾール、２−ヘプタデシルイミダゾールなどのアルキル置換イミダゾール化合物；２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール，１−ベンジル−２−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−エチルイミダゾール、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール、ベンズイミダゾール、２−エチル−４−メチル−１−（２′−シアノエチル）イミダゾール、２−エチル−４−メチル−１−［２′−（３″，５″−ジアミノトリアジニル）エチル］イミダゾールなどのアリール基やアラルキル基などの環構造を含有する炭化水素基で置換されたイミダゾール化合物などが挙げられる。これらの中でも、環構造含有の置換基を有するイミダゾールが脂環式オレフィン重合体などの絶縁性樹脂との相溶性の観点から好ましく、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾールが特に好ましい。
硬化促進剤は、単独で、あるいは２種以上を組み合わせて用いられる。硬化促進剤の配合量は、使用目的に応じて適宜選択されるが、絶縁性重合体１００重量部に対して、通常０．００１〜３０重量部、好ましくは０．０１〜１０重量部、より好ましくは０．０３〜５重量部である。
硬化助剤としては、例えば、キノンジオキシム、ベンゾキノンジオキシム、ｐ−ニトロソフェノール等のオキシム・ニトロソ系硬化助剤；Ｎ，Ｎ−ｍ−フェニレンビスマレイミド等のマレイミド系硬化助剤；ジアリルフタレート、トリアリルシアヌレート、トリアリルイソシアヌレート等のアリル系硬化助剤；エチレングリコールジメタクリレート、トリメチロールプロパントリメタクリレート等のメタクリレート系硬化助剤；ビニルトルエン、エチルビニルベンゼン、ジビニルベンゼンなどのビニル系硬化助剤；１−ベンジル−２−フェニルイミダゾールなどの第３級アミン系化合物等が挙げられる。この他、アリル基を有する硬化剤に対して硬化助剤として機能する過酸化物を用いることもできる。
（４）その他の成分：
本発明に係る硬化性樹脂組成物には、所望に応じて、その他の成分を配合することができる。例えば、ビアホールやスルーホールなどの孔を形成するときに使用されるレーザ光線の波長領域に吸収を持っ化合物を配合することができる。炭酸ガスレーザを用いる場合は、例えば、シリカが用いられ、紫外線レーザ（例えぱ、ＵＶ−ＹＡＧレーザなど）を用いる場合は、紫外線吸収剤が用いられる。レーザ光線の波長領域に吸収を持つ化合物を配合すると、レーザによる孔形成が容易で、スミアの発生も少なくなる。
紫外線吸収剤の具体例としては、フェニルサリシレート、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルサリシレート、ｐ−オクチルフェニルサリシレートなどのサリチル酸系化合物；２，４−ジヒドロキシベンゾフェノン、２−ヒドロキシ−４−メトキシベンゾフェノン、２−ヒドロキシ−４−オクトキシベンゾフェノン、２−ヒドロキシ−４−ドデシルオキシベンゾフェノン、２，２′−ジヒドロキシ−４−メトキシベンゾフェノン、２，２′−ジヒドロキシ−４，４′−ジメトキシベンゾフェノン、２−ヒドロキシ−４−メトキシ−５−スルホベンゾフェノン、ビス（２−ヒドロキシ−４−メトキシベンゾイルフェニル）メタンなどのベンゾフェノン系化合物；２−（２′−ヒドロキシ−５′−メチルフェニル）ベンゾトリアゾール、２−（２′−ヒドロキシ−５′−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ベンゾトリアゾール、２−（２′−ヒドロキシ−３′，５′−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−５−クロロベンゾトリアゾール、２−（２′−ヒドロキシ−３′，５′−ジ−ｔｅｒｔ−アミルフェニル）ベンゾトリアゾール、２−［２′−ヒドロキシ−３′−（３″，４″，５″，６″−テトラヒドロフタルイミドメチル）−５′−メチルフェニル］ベンゾトリアゾール、２，２−メチレンビス［４−（１，１，３，３−テトラメチルブチル）−６−（２Ｈ−ベンゾトリアゾール−２−イル）フェノール］、２−［２−ヒドロキシ−３，５−ビス（α，α−ジメチルベンジル）フェニル］ベンゾトリアゾールなどのベンゾトリアゾール系化合物；２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル−３′，５′−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４′−ヒドロキシベンゾエートなどのベンゾエート系化合物；２−エチルヘキシル−２−シアノ−３，３′−ジフェニルアクリレート、エチル−２−シアノ−３，３’−ジフェニルアクリレートなどのシアノアクリレート系化合物；ビス（２，２，６，６−テトラメチルピペリジニル４）セバケートなどのヒンダードアミン系化合物；ニッケルビス（オクチルフェニル）サルファイド、［２，２′−チオビス（４−ｔｅｒｔ−オクチルフェノラート）］−ｎ−ブチルアミンニッケルなどの有機金属化合物、酸化亜鉛、酸化すず、酸化チタン、炭酸カルシウム、シリカ、クレーなどの無機化合物などが挙げられる。これらの中でも、ベンゾトリアゾール系化合物が、環構造含有重合体との相溶性や加熱硬化時の安定性に優れる点から好ましい。
紫外線吸収剤の量は、絶縁性重合体１００重量部に対して、通常０．１〜３０重量部、好ましくは１〜１０重量部である。
このほか、難燃剤、軟質重合体、耐熱安定剤、耐候安定剤、老化防止剤、レベリング剤、帯電防止剤、スリップ剤、アンチブロッキング剤、防曇剤、滑剤、染料、顔料、天然油、合成油、ワックス、乳剤、充填剤などをその他の成分として用いることができる。その配合割合は、本発明の目的を損ねない範囲で適宜選択される。
（５）樹脂基材：
絶縁性樹脂と硬化剤とを含有する硬化性樹脂組成物を用いて、所望の形状の樹脂基材を形成する。例えば、樹脂基材がフィルム状である場合、硬化性樹脂組成物を溶液キャスト法や溶融キャスト法などにより、未硬化若しくは半硬化のフィルムに形成し、次いで、加熱硬化させる方法によりフィルム状の樹脂基材を形成することができる。他の形状の樹脂基材も同様の方法により形成することができる。
樹脂基材は、内層基板などの他の基材や支持体上に形成してもよい。この場合、他の基材や支持体上に、溶液キャスト法や溶融キャスト法などにより硬化性樹脂組成物層を形成し、次いで、硬化性樹脂組成物を硬化させる方法が好ましい。硬化性樹脂組成物層は、未硬化の状態であるか、あるいは該層を形成する際に受ける様々な熱履歴によって部分的に硬化して、半硬化の状態になっている。
未硬化の硬化性樹脂組成物層とは、該樹脂組成物層を構成する絶縁性樹脂が溶解可能な溶剤に、実質的に樹脂組成物層の全部が溶解可能な状態のものを意味している。半硬化の硬化性樹脂組成物層とは、加熱によって更に硬化しうる程度に部分的に硬化された状態のものを意味している。半硬化の硬化性樹脂組成物層は、好ましくは、該樹脂組成物層を構成している絶縁性樹脂が溶解可能な溶剤に一部が溶解する状態のものであるか、あるいは、該溶剤中に樹脂組成物層を２４時間浸漬した時の体積の膨潤率が、浸漬前の２００％以上のものである。
硬化性樹脂組成物の硬化は、一般に、硬化性樹脂組成物により形成された未硬化若しくは半硬化の樹脂基材を加熱することにより行う。硬化条件は、絶縁性樹脂及び硬化剤の種類などに応じて適宜選択されるが、硬化温度は、通常３０〜４００℃、好ましくは７０〜３００℃、より好ましくは１００〜２００℃であり、硬化時間は、通常０．１〜５時間、好ましくは０．５〜３時間である。加熱の方法は、特に制限されず、例えば、オーブンなどを用いる方法などが挙げられる。
（６）酸化処理：
樹脂基材表面を酸化処理する方法には、格別な制限はないが、樹脂基材表面を荒らさないことから、酸化性化合物の溶液を用いる方法や気体媒質を用いる方法など、樹脂基材表面に化学物質を接触させる方法が望ましい。
酸化性化合物としては、無機過酸化物や有機過酸化物など、酸化能を有する公知の酸化性化合物が使用できる。無機過酸化物としては、過マンガン酸塩、無水クロム酸、重クロム酸塩、クロム酸塩、過硫酸塩、活性二酸化マンガン、四酸化オスミウム、過酸化水素、過よう素酸塩、オゾンなどが挙げられる。有機過酸化物としては、ジクミルパーオキサイド、オクタノイルパーオキサイド、ｍ−クロロ過安息香酸、過酢酸などが挙げられる。
酸化性化合物を用いて樹脂基材表面を酸化処理する方法には、格別な制限はなく、例えば、酸化性化合物を、必要に応じてこれらを溶解可能な媒質に溶解して液状とした後、硬化後の樹脂基材と接触させる方法などが挙げられる。酸化性化合物を溶解するのに用いる媒体としては、中性水、ＮａＯＨ水溶液などのアルカリ水溶液、硫酸水溶液などの酸性水溶液、エーテルや石油エーテルなどの中性有機溶媒、アセトンやメタノールなどの極性有機溶剤が例示される。
酸化性化合物を樹脂基材表面に接触させる方法には、格別な制限はなく、例えば、樹脂基材を酸化性化合物溶液に浸漬するディップ法、基材の表面に表面張力を利用して酸化性化合物溶液を乗せる液盛り法、酸化性化合物溶液を基材に噴霧するスプレー法など如何なる方法であってもよい。
これらの酸化性化合物を樹脂基材表面に接触させる温度や時間は、過酸化物の濃度や種類、接触方法などを考慮して、任意に設定すればよく、処理温度が通常１０〜２５０℃、好ましくは２０〜１８０℃で、処理時間が０．５〜６０分間、好ましくは１〜３０分間である。処理温度や処理時間が上記各範囲の下限未満では、酸化処理による効果が不十分となり、その上に形成したイニシエータパターンによるめっき層の密着性改善効果が低下する。この範囲の上限を超えると樹脂基材表面が脆くなったり、表面の平滑性が損なわれる場合がある。また、前記処理条件を採用することにより、硬化性樹脂組成物の硬化によって生じた樹脂基材表面の脆い層や硬化雰囲気から接触した汚染物質を除去することができる。
酸化性化合物を樹脂基材表面に接触させた後、酸化性化合物を除去するため、通常、樹脂基材を水で洗浄する。水だけでは洗浄しきれない物質が樹脂基材に付着している場合、該物質を溶解可能な洗浄液で更に洗浄したり、他の化合物と接触させて水に可溶な物質にしてから水で洗浄することもできる。例えば、過マンガン酸カリウム水溶液や過マンガン酸ナトリウム水溶液などのアルカリ性水溶液を樹脂基材と接触させた場合は、発生した二酸化マンガンの皮膜を除去する目的で、硫酸ヒドロキシアミンと硫酸との混合液などの酸性水溶液により中和還元処理を行うことが好ましい。
気体媒質を用いて酸化処理する方法としては、逆スパッタリング（すなわち、通常のスパッタリングの電極を入れ替えて行うプラズマ酸化処理）やコロナ放電など、媒質をラジカル化やイオン化させることが可能な公知のプラズマ処理が挙げられる。気体媒質としては、大気、酸素、窒素、アルゴン、水、二硫化炭素、四塩化炭素などが例示される。媒質が処理温度雰囲気で液状の場合には、減圧下にて気化した後、酸化処理を行う。媒質が処理温度雰囲気にて気体の場合は、ラジカル化やイオン化が可能な圧力に加圧した後、酸化処理を行う。プラズマを樹脂基材表面に接触させる温度や時間は、ガスの種類や流量などを考慮して、任意に設定すればよく、処理温度が通常１０〜２５０℃、好ましくは２０〜１８０℃で、処理時間が通常０．５〜６０分間、好ましくは１〜３０分間である。
このような方法により酸化処理された樹脂基材の表面粗さＲａは、通常２００ｎｍ以下、好ましくは１００ｎｍ以下、より好ましくは８０ｎｍ以下である。表面粗さＲａは、ＪＩＳ−Ｂ−０６０１の規定されている規格に基づいて算出される算術平均粗さである。
＜工程２＞：
工程２では、樹脂基材表面の酸化処理面に、金属原子または金属イオンに配位可能な構造を有する化合物をパターン状に付着させて、イニシエータパターンを形成する。
金属原子または金属イオンに配位可能な構造を有する化合物（以下、「配位構造含有化合物」と略記することがある）は、特に制限されず、アミノ基、チオール基、カルボキシル基、シアノ基など金属原子または金属イオンに配位可能な官能基を有する化合物；金属原子や金属イオンとの配位能を有する複素環化合物；などの非共有電子対を有する化合物が例示される。
これらの中でも窒素原子、酸素原子、または硫黄原子を含有する複素環化合物が好ましく、窒素原子を含有する複素環化合物がより好ましい。これらの複素環化合物は、更に金属原子または金属イオンに配位可能な官能基を有するものであってもよい。金属原子または金属イオンに配位可能な官能基をも有する複素環化合物は、より高い金属パターン密着性を与える点で好ましい。
酸素原子、硫黄原子または窒素原子を含有する複素環化合物としては、ピロール類、ピロリン類、ピロリジン類、ピラゾール類、ピラゾリン類、ピラゾリジン類、イミダゾール類、イミダゾリン類、トリアゾール類、テトラゾール類、ピリジン類、ピペリジン類、ピリダジン類、ピリミジン類、ピラジン類、ピペラジン類、トリアジン類、テトラジン類、インドール類、イソインドール類、インダゾール類、プリン類、ノルハルマン類、ペリミジン類、キノリン類、イソキノリン類、シノリン類、キノサリン類、キナゾリン類、ナフチリジン類、プテリジン類、カルバゾール類、アクリジン類、フェナジン類、フェナントリジン類、フェナントロリン類、フラン類、ジオキソラン類、ピラン類、ジオキサン類、ベンゾフラン類、イソベンゾフラン類、コルマリン類、ジベンゾフラン類、フラボン類、トリチアン類、チオフェン類、ベンゾチオフェン類、イソベンゾチオフェン類、ジチイン類、チアントレン類、チエノチオフェン類、オキサゾール類、イソオキサゾール類、オキサジアゾール類、オキサジン類、モルフォリン類、チアゾール類、イソチアゾール類、チアジアゾール類、チアジン類、フェノチアジン類などが挙げられる。
これらの中でも、樹脂基材とめっき層との間の密着性の観点から、以下の化合物が好ましい。
（１）イミダゾール類：
イミダゾール；２−メルカプトイミダゾール、２−メルカプトメチルベンゾイミダゾール、２−（２−メルカプトエチル）−ベンゾイミダゾール、２−メルカプト−４−アザベンゾイミダゾール等のチオール基を有するイミダゾール類；イミダゾール−４−ジチオカルボン酸、２−メチルイミダゾール−４−ジチオカルボン酸、２−エチルイミダゾール−４−ジチオカルボン酸、２−イソプロピルイミダゾール−４−ジチオカルボン酸、２−ｎ−ブチルイミダゾール−４−ジチオカルボン酸、２−フェニルイミダゾール−４−ジチオカルボン酸、４−メチルイミダゾール−５−ジチオカルボン酸、２−フェニル−４−メチルイミダゾール−５−ジチオカルボン酸、２−エチルイミダゾール−４−ジチオカルボン酸、２−ｎ−ウンデシルイミダゾール−４−ジチオカルボン酸などのイミダゾールジチオカルボン酸；イミダゾール−２−カルボン酸、イミダゾール−４−カルボン酸、２−メチルイミダゾール−４−カルボン酸、２−フェニルイミダゾール−４−カルボン酸、２−メチル−４−メチルイミダゾール−５−カルボン酸、２−（２−カルボキシエチル）−ベンゾイミダゾール、イミダゾール−２−カルボキシアミド等のカルボキシル基を有するイミダゾール類；１−（２−アミノエチル）−２−メチルイミダゾール、１−（２−アミノエチル）−２−エチルイミダゾール、２−アミノイミダゾールサルフェート、２−（２−アミノエチル）−ベンゾイミダゾールなどのアミノ基を有するイミダゾール類；２−シアノイミダゾール、４−シアノイミダゾール、４−メチル−５−シアノイミダゾール、２−メチル−５−シアノイミダゾール、２−フェニル−５−シアノイミダゾール、４−シアノメチルイミダゾール、１−（２−シアノエチル）−２−エチルイミダゾール、１−（２−シアノエチル）−２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−（２−シアノエチル）−２−ｎ−ウンデシルイミダゾール、１−（２−シアノエチル）−２−フェニルイミダゾールなどのシアノ基を有するイミダゾール類；２−メチルイミダゾール、２−エチルイミダゾール、２−イソプロピルイミダゾール、２−ｎ−プロピルイミダゾール、２−ｎ−ブチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−ｎ−ウンデシルイミダゾール、２−ｎ−ヘプタデシルイミダゾール、１，２−ジメチルイミダゾール、１−メチル−２−エチルイミダゾール、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−エチルイミダゾール、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール、４−メチルイミダゾール、２，４−ジメチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−ｎ−ブチル−４−メチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、１−メチルイミダゾール、２−ｎ−ブチル−４−クロロ−５−ホルミルイミダゾール、２−ホルミルイミダゾール、４−ホルミルイミダゾール、２−メチル−４−ホルミルイミダゾール、２−ｎ−ブチル−４−ホルミルイミダゾール、２−フェニル−４−ホルミルイミダゾール、４−メチル−５−ホルミルイミダゾール、２−エチル−４−メチル−５−ホルミルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ホルミルイミダゾール、２−メチル−４，５−ジホルミルイミダゾール、２−エチル−４，５−ジホルミルイミダゾール、２−イソプロピル−４，５−ジホルミルイミダゾール、２−ｎ−プロピル−４，５−ジホルミルイミダゾール、２−ｎ−ブチル−４，５−ジホルミルイミダゾール、２−ｎ−ウンデシル−４，５−ジホルミルイミダゾール、２−ニトロイミダゾール、１−｛２−ヒドロキシ−３−（３−トリメトキシシリルプロピルオキシ）｝プロピルイミダゾール、４−ヒドロキシメチルイミダゾールハイドロクロライド、２−ヒドロキシメチルイミダゾールハイドロクロライド、２−メチル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール、２−エチル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール、２−イソプロピル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール、２−ｎ−プロピル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール、２−ｎ−ブチル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール、２−ｎ−ウンデシル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール、ベンゾイミダゾール、ベンゾイミダゾール、２−ヒドロキシメチルベンゾイミダゾール、２−クロロメチルベンゾイミダゾール、１−｛３−（３−トリメトキシシリルプロピルオキシ）｝プロピルイミダゾール、４−チオカルバモイルイミダゾール、２−メチル−４−チオカルバモイルイミダゾール、４−メチル−５−チオカルバモイルイミダゾール、２−エチル−４−メチル−５−チオカルバモイルイミダゾール、２−フェニル−４−チオカルバモイルイミダゾール、２−（２′−メチルイミダゾリル−４′）−ベンゾイミダゾール、２−（２′−フェニルイミダゾリル−４′）−ベンゾイミダゾール、４−アザベンゾイミダゾール、２−ヒドロキシ−４−アザベンゾイミダゾール、２−ヒドロキシメチル−４−アザベンゾイミダゾールのその他の基を有するイミダゾール類；等。
（２）ピラゾール類：
ピラゾール；４−カルボキシメチルピラゾール、５−カルボキシメチルピラゾール、１−メチル−４−カルボキシメチルピラゾール、１−イソプロピル−４−カルボキシメチルピラゾール、１−ベンジル−４−カルボキシメチルピラゾール、１−メチル−５−カルボキシメチルピラゾール、１−イソプロピル−５−カルボキシメチルピラゾール、１−ベンジル−５−カルボキシメチルピラゾール、１，３−ジメチル−４−カルボキシメチルピラゾール、１−イソプロピル−３−メチル−４−カルボキシメチルピラゾール、１−ベンジル−３−メチル−４−カルボキシメチルピラゾール、１，３−ジメチル−５−カルボキシメチルピラゾール、１−イソプロピル−３−メチル−５−カルボキシメチルピラゾール、１−ベンジル−３−メチル−５−カルボキシメチルピラゾール、１，５−ジメチル−４−カルボキシメチルピラゾール、１−メチル−４−カルボキシメチル−５−ヒドロキシピラゾール、１−メチル−４−クロロ−５−カルボキシメチルピラゾール、１−メチル−４，５−ジカルボキシメチルピラゾール、１−メチル−４−アシノ−５−カルボキシメチルピラゾール、１−メチル−４−カルボキシメチル−５−クロロピラゾール、１−イソプロピル−４−カルボキシメチル−５−メチルピラゾール、１−イソプロピル−４−カルボキシメチル−５−ヒドロキシピラゾール、１−イソプロピル−４−クロロ−５−カルボキシメチルピラゾール、１−イソプロピル−４，５−ジカルボキシメチルピラゾール、１−イソプロピル−４−ジカルボキシメチル−５−クロロピラゾール、１−ベンジル−４−カルボキシメチル−５−ヒドロキシピラゾール、１−ベンジル−４−カルボキシメチル−５−メチルピラゾール、１−ベンジル−４−クロロ−５−カルボキシメチルピラゾール、１−ベンジル−４，５−ジカルボキシメチルピラゾール、１−ベンジル−４−カルボキシメチル−５−クロロピラゾール、３−メチル−４−カルボキシメチル−５−ヒドロキシピラゾール、３，５−ジメチル−４−カルボキシメチルピラゾール、３−メチル−４−クロロ−５−カルボキシメチルピラゾール、３−メチル−４，５−ジカルボキシメチルピラゾール、３−メチル−４−ジカルボキシメチル−５−クロロピラゾール、１，３，５−トリメチル−４−カルボキシメチルピラゾール、１−ベンジル−３，５−ジメチル−４−カルボキシメチルピラゾール、１，３−ジメチル−４−カルボキシメチル−５−ヒドロキシピラゾール、１，３−ジメチル−４−クロロ−５−カルボキシメチルピラゾール、１，３−ジメチル−４，５−ジカルボキシメチルピラゾールなどのカルボキシル基を有するピラゾール類；４−シアノピラゾール、１−メチル−４−シアノピラゾール、１−イソプロピル−４−シアノピラゾール、１−ベンジル−４−シアノピラゾール、１，３−ジメチル−４−シアノピラゾール、１−イソプロピル−３−メチル−４−シアノピラゾール、１−ベンジル−３−メチル−４−シアノピラゾール、１，５−ジメチル−４−シアノピラゾール、１−イソプロピル−４−シアノ−５−メチルピラゾール、１−イソプロピル−４−シアノ−５−ヒドロキシピラゾール、１−イソプロピル−４−シアノ−５−クロロピラゾール、１−ベンジル−４−シアノ−５−メチルピラゾール、１−ベンジル−４−シアノ−５−ヒドロキシピラゾール、１−ベンジル−４−シアノ−５−クロロピラゾール、３，５−ジメチル−４−シアノピラゾール、３−メチル−４−シアノ−５−ヒドロキシピラゾール、３−メチル−４−シアノ−５−クロロピラゾール、１，３，５−トリメチル−４−シアノピラゾール、１−ベンジル−３，５−ジメチル−４−シアノピラゾール、１，３−ジメチル−４−シアノ−５−ヒドロキシピラゾールなどのシアノ基を有するピラゾール類；５−アミノピラゾール、１−メチル−５−アミノピラゾール、１−イソプロピル−５−アミノピラゾール、１−ベンジル−５−アミノピラゾール、１，３−ジメチル−５−アミノピラゾール、１−イソプロピル−３−メチル−５−アミノピラゾール、１−ベンジル−３−メチル−５−アミノピラゾール、１−メチル−４−クロロ−５−アミノピラゾール、１−メチル−４−アシノ−５−アミノピラゾール、１−イソプロピル−４−クロロ−５−アミノピラゾール、３−メチル−４−クロロ−５−アミノピラゾール、１−ベンジル−４−クロロ−５−アミノピラゾール、１，３−ジメチル−４−クロロ−５−アミノピラゾールなどのアミノ基を有するピラゾール類；１−メチル−４−カルボキシメチル−５−アミノピラゾール、１−イソプロピル−４−カルボキシメチル−５−アミノピラゾール、１−ベンジル−４−カルボキシメチル−５−アミノピラゾール、３−メチル−４−カルボキシメチル−５−アミノピラゾール、１，３−ジメチル−４−カルボキシメチル−５−アミノピラゾール、１−イソプロピル−４−シアノ−５−アミノピラゾール、１−ベンジル−４−シアノ−５−アミノピラゾール、３−メチル−４−シアノ−５−アミノピラゾール、１，３−ジメチル−４−シアノ−５−アミノピラゾール、１−イソプロピル−４−シアノ−５−カルボキシメチルピラゾール、１−ベンジル−４−シアノ−５−カルボキシメチルピラゾール、３−メチル−４−シアノ−５−カルボキシメチルピラゾール、１，３−ジメチル−４−シアノ−５−カルボキシメチルピラゾールなどのアミノ基、カルボキシル基又はシアノ基のいずれかを２以上有するピラゾール類；１−メチルピラゾール、１−イソプロピルピラゾール、１−ベンジルピラゾール、３−メチルピラゾール、５−メチルピラゾール、１，３−ジメチルピラゾール、４−クロロピラゾール、５−ヒドロキシピラゾール、５−クロロピラゾール、１−メチル−４−クロロピラゾール、１−イソプロピル−４−クロロピラゾール、１，５−ジメチルピラゾール、１−メチル−５−ヒドロキシピラゾール、１−メチル−５−クロロピラゾール、１−イソプロピル−５−メチルピラゾール、１−イソプロピル−５−ヒドロキシピラゾール、１−イソプロピル−５−クロロピラゾール、１−ベンジル−５−メチルピラゾール、１−ベンジル−５−ヒドロキシピラゾール、１−ベンジル−５−クロロピラゾール、１，３−ジメチル−４−クロロピラゾール、１−ベンジル−３−メチル−４−クロロピラゾール、１，３，５−トリメチルピラゾール、１，３−ジメチル−５−ヒドロキシピラゾール、１，３−ジメチル−５−クロロピラゾール、１−イソプロピル−３−メチル−５−ヒドロキシピラゾール、１−ベンジル−３，５−ジメチルピラゾール、１−ベンジル−３−メチル−５−エチルピラゾール、１−メチル−４−アシノ−５−ヒドロキシピラゾール、１−メチル−４，５−ジクロロピラゾール、１−メチル−４−アシノ−５−クロロピラゾール、１−イソプロピル−４−クロロ−５−メチルピラゾール、１−イソプロピル−４−クロロ−５−ヒドロキシピラゾール、１−イソプロピル−４，５−ジクロロピラゾール、１−ベンジル−４−クロロ−５−メチルピラゾール、１−ベンジル−４−クロロ−５−ヒドロキシピラゾール、１−ベンジル−４，５−ジクロロピラゾール、３，５−ジメチル−４−クロロピラゾール、３−メチル−４−クロロ−５−ヒドロキシピラゾール、３−メチル−４，５−ジクロロピラゾール、１，３，５−トリメチル−４−クロロピラゾール、１−イソプロピル−３，５−ジメチル−４−クロロピラゾール、１，３−ジメチル−４−クロロ−５−ヒドロキシピラゾールなどのその他の基を有するピラゾール類；等。
（３）トリアゾール類：
１，２，４−トリアゾール；１−アミノ−１，２，４−トリアゾール、２−アミノ−１，２，４−トリアゾール、１，２−ジアミノ−１，２，４−トリアゾール、１−アミノ−２−ヒドロキシ−１，２，４−トリアゾール、２，５−ジアミノ−１，２，４−トリアゾール、２−アミノ−５−ヒドロキシ−１，２，４−トリアゾール、１，２，５−トリアミノ−１，２，４−トリアゾール、１，２−ジアミノ−５−ヒドロキシ−１，２，４−トリアゾールなどのアミノ基を有するトリアゾール類；１−メルカプト−１，２，４−トリアゾール、２−メルカプト−１，２，４−トリアゾールなどのチオール基を有するトリアゾール類；１−アミノ−２−メルカプト−１，２，４−トリアゾール、１−メルカプト−２−アミノ−１，２，４−トリアゾール、２−アミノ−５−メルカプト−１，２，４−トリアゾール、１，２−ジアミノ−５−メルカプトトリアゾール、１−メルカプト−２，５−ジアミノ−１，２，４−トリアゾール、１−メルカプト−２−アミノ−５−メルカプト−１，２，４−トリアゾール、１−メルカプト−２−アミノ−５−ヒドロキシ−１，２，４−トリアゾール、１，５−ジメルカプト−２−アミノ−１，２，４−トリアゾール、３−アミノ−１，２，４−トリアゾール−５−カルボン酸などのアミノ基、チオール基又はカルボキシル基のいずれかを２以上を有するトリアゾール類；２−ヒドロキシ−１，２，４−トリアゾールなどのその他の基を有するトリアゾール類；等。
（４）トリアジン類：
２−アミノトリアジン、２，４−ジアミノトリアジン、２，４−ジアミノ−６−［６−〔２−（２メチル−１−イミダゾリル）エチル〕トリアジン］などのアミノ基を有するトリアジン類；２−アニリノ−４，６−ジメルカプト−ｓ−トリアジン、２−モルホリル−４，６−ジメルカプト−ｓ−トリアジン、２−モノラウリル−４，６−ジメルカプト−ｓ−トリアジン、２，４，６−トリメルカプト−ｓ−トリアジン、２，４，６−トリメルカプト−ｓ−トリアジン−モノソデイウムソルト、２，４，６−トリメルカプト−ｓ−トリアジン−トリソデイウムソルトなどのチオール基を有するトリアジン類；２−ジブチルアミノ−４，６−ジメルカプト−ｓ−トリアジンなどのアミノ基とチオール基とを有するトリアジン類；等。
これらのなかでも、アミノ基、チオール基、カルボキシル基、若しくはシアノ基を有するイミダゾール類、ピラゾール類、トリアゾール類、またはトリアジン類が好ましい。
好ましい配位構造含有化合物の具体例としては、イミダゾール、２−メチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−メルカプトメチルベンゾイミダゾール、２−エチルイミダゾール−４−ジチオカルボン酸、２−メチルイミダゾール−４−カルボン酸、１−（２−アミノエチル）−２−メチルイミダゾール、１−（２−シアノエチル）−２−メチルイミダゾール、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール、ベンゾイミダゾール、２−エチル−４−チオカルバモイルイミダゾール等のイミダゾール類；ピラゾール、３−アミノ−４−シアノ−ピラゾール等のピラゾール類；１，２，４−トリアゾール、２−アミノ−１，２，４−トリアゾール、１，２−ジアミノ−１，２，４−トリアゾール、１−メルカプト−１，２，４−トリアゾール等のトリアゾール類；２−アミノトリアジン、２，４−ジアミノ−６−（６−（２−（２メチル−１−イミダゾリル）エチル）トリアジン２，４，６−トリメルカプト−ｓ−トリアジン−トリソデイウムソルト等のトリアジン類；などが挙げられる。
イニシエータパターンを形成する好ましい方法としては、配位構造含有化合物を樹脂基材の表面に直接パターン状に付着させる方法が挙げられる。付着方法としては、液体を噴霧突出させるインクジェット方式、マスクを介して印刷するスクリーン印刷方式、直接液体を塗布するディスペンサ塗布方式など、公知の付着方法が例示される。付着操作は、１回でもよいが、必要に応じて２回以上を繰り返し行ってもよい。
付着に際しては、配位構造含有化合物を水または有機溶剤に溶かして溶液にして用いるのが一般的であるが、使用温度において該化合物が液体であり、それ自体で樹脂基材の表面に付着させる操作に支障がない場合は、特に溶剤に溶解せずに、そのまま用いることも可能である。配位構造含有化合物を溶解する溶剤は、樹脂基材が溶解しないものであり、かつ配位構造含有化合物を溶解するものであれば格別な制限はなく、付着方法に適切な水や各種有機溶剤を選択すればよい。
配位構造含有化合物を溶剤に溶解して用いる場合、該溶剤の具体例としては、水；テトラヒドロフランなどのエーテル類；エタノールやイソプロパノールなどのアルコール類；アセトンなどのケトン類；エチルセロソルブアセテートなどのセロソルブ類；など極性溶剤、及びこれらの混合物が挙げられる。配位構造含有化合物溶液中の配位構造含有化合物の濃度は、特に制限されないが、操作性の観点から、通常０．００１〜７０重量％、好ましくは０．０１〜５０重量％である。
インクジェト方式やスクリーン印刷方式では、繰り返しの作業性を確保するために、揮発性の低い極性溶剤や沸点の高い（９０℃以上）溶剤を用いるのが好ましい。
また、付着方法に応じた粘度を得るため、配位構造含有化合物やその溶液に、チキソトロピー性を付与する目的で、アエロジルなどの増粘剤等を添加してもよい。
付着に際しての温度は、配位構造含有化合物や溶剤の沸点、融点、操作性、生産性などを考慮して任意に選択することができるが、通常１０〜１００℃、好ましくは１５〜６５℃である。
配位構造含有化合物を樹脂基材の表面に付着させた後、過剰な配位構造含有化合物を除去する目的で、樹脂基材の表面を水洗したり、窒素などの不活性ガスを吹きかけたり、通常３０〜１８０℃、好ましくは５０〜１５０℃で１分以上、より好ましくは５〜１２０分間、オーブン中で乾燥させるなどの後処理を行ってもよい。
配位構造含有化合物は、樹脂基材表面の酸化処理面に浸透して、樹脂基材と無電解めっき層との間の界面密着性を高める作用を果す。
＜工程３＞：
工程３では、無電解めっき法により、樹脂基材表面のイニシエータパターン上に選択的にめっき層を形成する。
無電解めっき法によりめっきを行う場合、樹脂基材上に、銀、パラジウム、亜鉛、コバルトなどの触媒を付着させ、かつ活性化させるのが一般的である。めっき触媒は、樹脂基材表面に形成されたイニシエータパターン上に付着する。めっき触媒の付着と触媒の活性化方法は、特に制限されず、例えば、必要に応じて過マンガン酸カリウム水溶液や過マンガン酸ナトリウム水溶液などのアルカリ性水溶液を樹脂基材と接触させた後、硫酸ヒドロキシアミンと硫酸との混合液などの酸性水溶液により中和還元処理し、次いで、銀、パラジウム、亜鉛、コバルトなどの金属化合物やこれらの塩若しくは錯体を、水またはアルコール若しくはクロロホルムなどの有機溶剤に０．００１〜１０重量％の濃度で溶解した液（必要に応じて、酸、アルカリ、錯化剤、還元剤などを含有していてもよい）に浸漬した後、金属を還元する方法などが挙げられる。
樹脂基材表面のイニシエータパターンにより多くの触媒が吸着されるが、導電体回路となるパターン状めっき層の精度を高めるために、イニシエータパターンのない部分に吸着した触媒を除去することが望ましい。不要な触媒の除去は、通常、触媒付与後や触媒の活性化後に水洗する方法により行う。
重量平均分子量が１０，０００〜１，０００，０００の脂環式オレフィン重合体などの絶縁性重合体を含有する硬化性樹脂組成物を用いて樹脂基材を形成すると、めっき層を形成する前の触媒吸着処理での粗化が高度に抑制される。
このようにして、樹脂基材のイニシエータパターン上に活性化された触媒を付与し、次いで、無電解めっき液と接触させて、無電解めっきを行う。
無電解めっきに用いる無電解めっき液としては、格別制限されないが、公知の自己触媒型の無電解めっき液を用いることが好ましい。無電解めっき液としては、例えば、次亜リン酸アンモニウムまたは次亜リン酸、水素化硼素アンモニウムやヒドラジン、ホルマリンなどを還元剤とする無電解銅めっき液、次亜リン酸ナトリウムを還元剤とする無電解ニッケル−リンめっき液、ジメチルアミンボランを還元剤とする無電解ニッケル−ホウ素めっき液、無電解パラジウムめっき液、次亜リン酸ナトリウムを還元剤とする無電解パラジウム−リンめっき液、無電解金めっき液、無電解銀めっき液、次亜リン酸ナトリウムを還元剤とする無電解ニッケル−コバルト−リンめっき液等の無電解めっき液を用いることができる。
無電解めっき後、樹脂基材の表面を防錆剤と接触させて、防錆処理をすることができる。
＜工程４＞：
工程４では、必要に応じて、さらに無電解めっき法または電解めっき法により、めっき層を所望の厚みにまで成長させる。パターン状のめっき層は、一般に、導電体回路として使用されるため、導電体回路に求められる厚みにまでめっき層を成長させることが好ましい。
工程３及び必要に応じて行われる工程４でのめっき層の厚み（合計厚み）は、必要に応じて適宜定めることができるが、通常０．５〜１００μｍ、好ましくは１〜７０μｍ、特に好ましくは２〜５０μｍである。工程３でのめっき層と工程４でのめっき層は、金属種がそれぞれ同一でも異なっていてもよい。前述の防錆処理は、工程４が配置されている場合には、通常、工程４の後に行う。
＜付加的工程＞：
無電解めっき法により樹脂基材上にパターン状のめっき層を形成した後、樹脂基材とめっき層との間の密着性を向上させるため、オーブンなどを用いて樹脂基材を５０〜３５０℃、好ましくは８０〜２５０℃で、０．１〜１０時間、好ましくは０．１〜５時間、加熱処理することが好ましい。
この加熱処理に際して、窒素やアルゴンなどの不活性ガス雰囲気下で加熱することが好ましい。さらに、必要に応じて、加熱処理時に、プレス板などで樹脂基材を加圧してもよい。
上述のような各工程を経て、樹脂基材表面にパターン状のめっき層を有する部分めっき樹脂基材を得ることができる。
２．部分めっき樹脂基材
本発明の部分めっき樹脂基材は、樹脂基材表面の酸化処理面上に、パターン状に付着した金属原子または金属イオンに配位可能な構造を有する化合物からなるイニシエータパターンを介して、めっき層が形成されている部分めっき樹脂基材である。
このような部分めっき樹脂基材は、前述の部分めっき方法を採用することにより製造することができる。部分めっき樹脂基材は、単独で使用してもよいが、通常は、他の基材などと複合化して多層回路基板などの樹脂部材の形態で用いられる。
３．多層回路基板の製造方法
本発明の多層基板の製造方法は、以下の工程を含んでいる。
工程（Ｉ）：表面に導電体回路が形成された電気絶縁層を有する内層基板の表面に、該導電体回路を覆うように、樹脂基材層を形成する工程、
工程（ＩＩ）：樹脂基材層表面を酸化処理する工程、
工程（ＩＩＩ）：樹脂基材層表面の酸化処理面に、金属原子または金属イオンに配位可能な構造を有する化合物を導電体回路のパターン状に付着させて、イニシエータパターンを形成する工程、
工程（ＩＶ）：無電解めっき法により、イニシエータパターン上にめっき層を形成する工程、及び
工程（Ｖ）：必要に応じて、さらに無電解めっき法または電解めっき法により、めっき層を所望の厚みにまで成長させる工程。
＜工程（Ｉ）＞
工程（Ｉ）では、表面に導電体回路が形成された電気絶縁層を有する内層基板の表面に、該導電体回路を覆うように、樹脂基材層を形成する。
（１）内層基板：
本発明の工程（Ｉ）で用いる内層基板は、表面に導電体回路が形成された内層基板である。内層基板は、電気絶縁層の表面に導電体回路が形成されたものであるが、通常は、電気絶縁層の両面に導電体回路が形成された構造を有しており、多層回路基板のコアとされる。
内層基板の具体例としては、プリント配線基板、シリコンウェハ基板などが挙げられる。内層基板は、導電体回路の他、スルーホールなどの様々な構造を有することができる。電気絶縁層は、単層であってもよいが、樹脂を含浸したガラスクロス（プリプレグ）を積層してなる積層板であってもよい。内層基板は、部分的に積層化されたものでもよい。
内層基板の厚みは、好ましくは５０μｍ〜２ｍｍ、より好ましくは６０μｍ〜１．６ｍｍ、さらに好ましくは１００μｍ〜１ｍｍである。
内層基板としては、図１に示すように、電気絶縁層１の両面に導電体回路２，２′が形成されたものが好ましい。できあがった多層回路基板ができるだけ上下対称となるようにすることにより、基板の反りを最小限にすることができ、はんだ付け作業においても反りの影響を少なくすることができる。
内層基板を構成する電気絶縁層は、電気絶縁性を有する絶縁性樹脂を主成分とする樹脂組成物を用いて形成することが好ましい。絶縁性樹脂としては、特に制限されず、例えば、脂環式オレフィン重合体、エポキシ樹脂、マレイミド樹脂、（メタ）アクリル樹脂、ジアリルフタレート樹脂、トリアジン樹脂、芳香族ポリエーテル重合体、シアネートエステル重合体、ポリイミド樹脂などが挙げられる。通常は、これらの絶縁性樹脂と硬化剤とを含有する硬化性樹脂組成物を用いて樹脂基材を形成し、硬化して、電気絶縁層を作製する。内層基板は、ガラス繊維や樹脂繊維などを強度向上のために含有させたものであってもよい。内層基板を構成する導電体回路層の材料は、通常、導電性金属である。
（２）樹脂基材層：
内層基板の表面に、導電体回路を覆うように、樹脂基材層を形成する。樹脂基材層としては、絶縁性樹脂と硬化剤とを含有する硬化性樹脂組成物層を硬化させたものが好ましい。内層基板の両面に樹脂基材層を形成する場合には、図２に示すように、内層基板の電気絶縁層１の両面において、各導電体回路２，２′を覆うように、硬化性樹脂組成物層を形成する。
該硬化性樹脂組成物層を形成した段階では、硬化性樹脂組成物は、未硬化または半硬化の状態で存在している。内層基板の表面に熱硬化性樹脂組成物層を形成する方法は、制限されないが、内層基板の導電体回路と接するように、絶縁性重合体と硬化剤とを含有する硬化性樹脂組成物のフィルム（シートを含む）を貼り合わせて該樹脂組成物層を形成する方法（方法１）や、内層基板の表面に絶縁性重合体と硬化剤とを含有する硬化性樹脂組成物の溶液を塗布し、乾燥させて、未硬化または半硬化の樹脂組成物層を形成する方法（方法２）が好ましい。
硬化性樹脂組成物層を硬化して得られる樹脂基材層上に形成するめっき層との密着性の面内での均一性が高い点から、硬化性樹脂組成物のフィルムを用いる方法１によって硬化性樹脂組成物層を形成することがより好ましい。
（３）硬化性樹脂組成物フィルム：
方法１において使用する硬化性樹脂組成物のフィルムは、通常、硬化性樹脂組成物を溶液キャスト法または溶融キャスト法により成形したものである。溶液キャスト法によりフィルムを成形する場合は、絶縁性樹脂と硬化剤とを含有する有機溶剤の溶液（ワニス）を支持体上に塗布した後、有機溶剤を乾燥除去する。
溶液キャスト法に使用する支持体として、樹脂フィルム（キャリアフィルム）や金属箔などが挙げられる。キャリアフィルムとしては、熱可塑性樹脂フィルムが好ましく、具体的には、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリカーボネイトフィルム、ポリアリレートフィルム、ナイロンフィルムなどが挙げられる。これらキャリアフィルムのなかでも、耐熱性、耐薬品性、積層後の剥離性などの観点からポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルムなどのポリエステルフィルムが好ましい。
支持体の金属箔としては、例えば、銅箔、アルミニウム箔、ニッケル箔、クロム箔、金箔、銀箔などが挙げられる。これらの中でも、電解銅箔や圧延銅箔が低コストのため好適である。支持体の厚さは、特に制限されないが、作業性等の観点から、通常１〜１５０μｍ、好ましくは２〜１００μｍ、より好ましくは３〜５０μｍである。
ワニスを得る方法に格別な制限はなく、例えば、硬化性樹脂組成物を構成する各成分と有機溶剤とを混合することにより得られる。各成分の混合方法は、常法に従えばよく、例えば、攪拌子とマグネチックスターラーを使用した攪拌、高速ホモジナイザー、ディスパージョン、遊星攪拌機、二軸攪拌機、ボールミル、三本ロールなどを使用した方法などで行うことができる。これらを混合する際の温度は、硬化剤による反応が作業性に影響を及ぼさない範囲であり、さらには安全性の点から混合時に使用する有機溶剤の沸点以下が好ましい。
有機溶剤としては、例えば、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、トリメチルベンゼンなどの芳香族炭化水素系有機溶剤；ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−ヘプタンなどの脂肪族炭化水素系有機溶剤；シクロペンタン、シクロヘキサンなどの脂環式炭化水素系有機溶剤；クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼンなどのハロゲン化炭化水素系有機溶剤；メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノンなどのケトン系有機溶剤などを挙げることができる。これらの有機溶剤は、それぞれ単独で、あるいは２種以上を組み合わせて用いることができる。
これら有機溶剤の中でも、微細配線（導電体回路）への埋め込み性に優れ、気泡等を生じさせないものとして、芳香族炭化水素系有機溶剤や脂環式炭化水素系有機溶剤のような非極性有機溶剤と、ケトン系有機溶剤のような極性有機溶剤とを混合した混合有機溶剤が好ましい。これらの非極性有機溶剤と極性有機溶剤との混合比は適宜選択できるが、重量比で、通常５：９５〜９５：５、好ましくは１０：９０〜９０：１０、より好ましくは２０：８０〜８０：２０の範囲である。
有機溶剤の使用量は、厚みの制御や平坦性向上などの目的に応じて適宜選択されるが、ワニスの固形分濃度が、通常５〜７０重量％、好ましくは１０〜６５重量％、より好ましくは２０〜６０重量％になる範囲である。
塗布方法として、デイップコート、ロールコート、カーテンコート、ダイコート、スリットコートなどの方法が挙げられる。有機溶剤の除去乾燥の条件は、有機溶剤の種類により適宜選択される。乾燥温度は、通常２０〜３００℃、好ましくは３０〜２００℃である。乾燥時間は、通常３０秒間〜１時間、好ましくは１〜３０分間である。
硬化性樹脂組成物フィルムの厚みは、通常０．１〜１５０μｍ、好ましくは０．５〜１００μｍ、より好ましくは１〜８０μｍである。硬化性樹脂組成物フィルムを単独で得たい場合には、支持体上にフィルムを形成した後、支持体から剥離する。
（４）樹脂基材層の形成：
工程（Ｉ）において、この硬化性樹脂組成物フィルムを内層基板の表面に貼り合わせるには、通常、支持体付きのフィルムを導電体回路に接するように重ね合わせ、加圧ラミネータ、プレス、真空ラミネータ、真空プレス、ロールラミネータなどの加圧機を使用し加熱圧着して、内層基板表面とフィルムとの界面に実質的に空隙が存在しないように両者を結合させる。加熱圧着は、微細配線への埋め込み性を向上させ、気泡等の発生を抑えるために真空下で行うのが好ましい。加熱圧着時の温度は、通常３０〜２５０℃、好ましくは７０〜２００℃であり、圧着力は、通常１０ｋＰａ〜２０ＭＰａ、好ましくは１００ｋＰａ〜１０ＭＰａであり、圧着時間は、通常３０秒間〜５時間、好ましくは１分間〜３時間である。加熱圧着時には、通常、１００ｋＰａ〜１Ｐａ、好ましくは４０ｋＰａ〜１０Ｐａに雰囲気を減圧する。
硬化性樹脂組成物フィルムを用いて硬化性樹脂組成物層を形成する場合、導電体回路が形成された内層基板との間の密着力を向上させるために、硬化性樹脂組成物フィルムを貼り合わせる前に、導電体回路が形成された内層基板の表面を前処理することが好ましい。前処理法としては、（１）アルカリ性亜塩素酸ナトリウム水溶液や過マンガン酸等を内層基板表面に接触させて表面を粗化する方法、（２）アルカリ性過硫酸カリウム水溶液、硫化カリウム−塩化アンモニウム水溶液等により表面を酸化した後に還元する方法、（３）内層基板の導電体回路部分にめっきを析出させ、粗化する方法、（４）内層基板の表面にチオール化合物やシラン化合物などによりプライマー層を形成する方法等が挙げられる。
これらの前処理法の中でも、２−ジ−ｎ−ブチルアミノ−４，６−ジメルカプト−ｓ−トリアジンなどのチオール化合物を用いたプライマー層形成法は、導電体回路が銅により形成されている場合に、銅の腐食がなく、かつ高い密着性が得られる点で好適である。
内層基板に貼り合わせる硬化性樹脂組成物フィルムは２枚以上であってもよく、例えば、樹脂基材層の平坦性を向上させる目的や、樹脂基材層の厚みを増す目的で、硬化性樹脂組成物フィルムが貼り合わせられた内層基板に、当該フィルムと接するように別のフィルムを貼り合わせてもよい。内層基板に複数のフィルムを貼り合わせて、フィルムを積層する場合、次の工程（ＩＩ）で酸化処理を行うには、最後に積層したフィルムの表面となる。
塗布法によって硬化性樹脂組成物層を形成する場合には、硬化性樹脂組成物のワニスを、内層基板上に直接塗布し乾燥すればよい。塗布や乾燥の方法及び条件などは、硬化性樹脂組成物のフィルムを形成する場合と同様でよい。
樹脂基材層は、硬化性樹脂組成物層を硬化したものであることが好ましい。硬化性樹脂組成物層を硬化させるには、未硬化若しくは半硬化の硬化性樹脂組成物層を加熱することにより行う。硬化条件は、絶縁性樹脂及び硬化剤の種類などに応じて適宜選択されるが、硬化温度は、通常３０〜４００℃、好ましくは７０〜３００℃、より好ましくは１００〜２００℃であり、硬化時間は、通常０．１〜５時間、好ましくは０．５〜３時間である。加熱の方法は、特に制限されず、例えば、オーブンなどを用いる方法などが挙げられる。
内層基板上に形成された樹脂基材層は、新たな電気絶縁層となり、樹脂基材層上に形成されるパターン状のめっき層は、新たな導電体回路となる。
（５）ビアホールの形成：
多層回路基板を形成するには、内層基板の導電体回路と、その上に形成される新たな電気絶縁層（樹脂基材層）上の導電体回路（パターン状めっき層）との間を導通させることなどを目的として、ビアホールを形成する。
ビアホールを樹脂基材層に形成する方法としては、フォトリソグラフィ技術により、硬化前の硬化性樹脂組成物層にビアホールのパターンを形成するためのマスキングをしてレジストを光硬化させた後、光硬化されなかった部分を除去する方法がある。この場合、ビアホールの形成後に、硬化性樹脂組成物を硬化させる。
硬化性樹脂組成物を硬化した後に樹脂基材層にビアホール用開口を形成するには、ドリル、レーザ、プラズマエッチング等の物理的処理法を採用する。樹脂基材層の特性を低下させず、より微細なビアホールを形成することができるという観点から、炭酸ガスレーザ、エキシマレーザ、ＵＶ−ＹＡＧレーザ等のレーザによる方法が好ましい。
＜工程（ＩＩ）＞
工程（ＩＩ）において、樹脂基材層の表面を酸化処理する。酸化処理の方法は、前述の部分めっき方法におけるのと同様の方法を採用することができる。ビアホールを形成した場合には、ビアホールの内壁面も酸化処理を行う。
＜工程（ＩＩＩ）＞
工程（ＩＩＩ）において、樹脂基材層表面の酸化処理面に、金属原子または金属イオンに配位可能な構造を有する化合物（配位構造含有化合物）をパターン状に付着させて、イニシエータパターンを形成する。パターンの形状は、所望の導電体回路の形状とする。このイニシエーションパターンの形成方法は、前述の部分めっき方法におけるのと同様の方法を採用することができる。ビアホールを形成する場合には、ビアホールの内壁面にも配位構造含有化合物を付着させることが望ましい。
＜工程（ＩＶ）＞
工程（ＩＶ）では、無電解めっき法により、樹脂基材層のイニシエータパターン上に選択的にめっき層を形成する。無電解めっき法によるめっき層の形成方法は、前述の部分めっき方法におけるのと同様の方法を採用することができる。ビアホールを形成する場合には、ビアホールの内壁面にもめっき層を形成する。
＜工程（Ｖ）＞
工程（Ｖ）では、必要に応じて、さらに無電解めっき法または電解めっき法により、工程（ＩＶ）で形成されためっき層を所望の厚みにまで成長させる。この方法についても、前述の部分めっき方法におけるのと同様の方法を採用することができる。
多層回路基板の製造方法について、図面を参照しながら説明する。図１は、電気絶縁層１の両面に導電体回路２，２′が形成された内層基板の一例の断面図である。図２は、内層基板１表面の導電体回路２，２′を覆うように、樹脂基材層３，３′を形成する工程の一例を示す断面図である。図３は、樹脂基材層３，３′にビアホール４，４′を形成する工程の一例を示す断面図である。
図４は、樹脂基材層３，３′の表面を酸化処理する工程の一例を示す断面図である。図４では、説明のために、酸化処理面５，５′を層状として示しているが、実際には、樹脂基材層の表面部分が酸化処理されているだけであり、層状となっているわけではない。
図５は、酸化処理面５，５′に、金属原子または金属イオンに配位可能な構造を有する化合物（配位構造含有化合物）を導電体回路のパターン状に付着させて、イニシエータパターン６，６′を形成する工程を示す断面図である。図５では、説明のために、イニシエータパターン６，６′を厚みのある層状として示している。図６は、イニシエータパターン６，６′上にめっき層７，７′を形成する工程の一例を示す断面図である。
図１乃至図６には、両面に導電体回路を有する内層基板を用いて、その両面に樹脂基材層を形成し、さらに該樹脂基材層の上にパターン状のめっき層（新たな導電体回路）を形成する方法が示されているが、必要に応じて、内層基板の片面だけに樹脂基材層とめっき層を形成してもよい。
また、必要に応じて、工程（Ｉ）から工程（Ｖ）までと同様の工程を繰り返すことにより、内層基板の片面または両面に、導電体回路のパターン状にめっき層が形成された樹脂基材層を所望の段数で形成することができる。多層プリント配線板などの多層回路基板では、通常、３層以上の「電気絶縁層／導電体回路」層を有しており、なかには７０層を超えるものも知られている。本発明の製造方法によれば、所望の段数（層数）の「樹脂基材層／パターン状めっき層」を形成することができる。樹脂基材層は、電気絶縁層であり、パターン状めっき層は、導電体回路である。
本発明の方法により得られた部分めっき樹脂基材や、部分めっき層を有する樹脂基材層を備えた多層回路基板などの樹脂部材は、例えば、半導体デバイス実装部品、各種パネル表示装置、ＩＣカード、光デバイスに用いられるプリント配線基板として用いることができる。
実施例
以下に、実施例及び比較例を挙げて本発明を具体的に説明する。なお、実施例中の「部」及び「％」は、特に断りのない限り重量基準である。
本実施例において行った評価方法は、以下のとおりである。
（１）分子量〔重量平均分子量（Ｍｗ）、数平均分子量（Ｍｎ）〕：
トルエンを溶剤とするゲル・パーミエーション・クロマトグラフィ（ＧＰＣ）によるポリスチレン換算値として測定した。
（２）水素化率及び（無水）マレイン酸残基含有率：
水素添加前の重合体中の不飽和結合のモル数に対する水素添加率（水素化率）及び重合体中の総モノマー単位数に対する（無水）マレイン酸残基のモル数の割合（カルボキシル基含有率）は、１Ｈ−ＮＭＲスペクトルにより測定した。
（３）ガラス移転温度（Ｔｇ）：
示差走査熱量法（ＤＳＣ法）により測定した。
（４）樹脂表面の粗さ：
原子間力顕微鏡（Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔ製、Ｎａｎｏｓｃｏｐｅ  ３ａ）にて、Ｓｉ単結晶短冊型カンチレバー（バネ定数＝２０Ｎ／ｍ、長さ１２５μｍ）を使用し、大気中タッピングモードで表面平均粗さＲａを測定して評価した。Ｒａは、ＪＩＳ−Ｂ−０６０１に定める算術平均粗さである。
（５）パターン密着性の評価：
ＪＩＳ−Ｃ−５０１２−８．５に定めるめっき密着性の評価パターンを最外層に形成した多層回路基板を、温度２５℃、相対湿度６５％の雰囲気に２４時間放置した後、ＪＩＳ−Ｃ−５０１２−８．５に準じてめっき密着性の試験を実施し、めっき層の剥離や浮きの発生を目視にて観察した。剥離や浮きが観察されないものを「良」、剥離や浮きが観察されるものを「不良」とした。
（６）パターニング性の評価：
配線幅３０μｍ、配線間距離３０μｍ、配線長５ｃｍで１００本の配線パターンを形成し、光学顕微鏡にて観察し、１００本の配線パターンがいずれも形状に乱れの無いものを「優」、形状に、浮きなどの乱れはわずかにあるが、剥がれのような欠損の無いものを「良」、欠損のあるものを「不良」として評価した。
［実施例１］
１．樹脂基材層の形成工程：
８−エチル−テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］−ドデカ−３−エンを開環重合し、次いで、得られた開環重合体の水素添加反応を行い、数平均分子量（Ｍｎ）＝３１，２００、重量平均分子量（Ｍｗ）＝５５，８００、Ｔｇ＝約１４０℃の水素化重合体を得た。得られたポリマーの水素化率は、９９％以上であった。
得られた重合体１００部、無水マレイン酸４０部、及びジクミルパーオキシド５部をｔ−ブチルベンゼン２５０部に溶解し、１４０℃で６時間反応を行った。得られた反応生成物溶液を１０００部のイソプロピルアルコール中に注ぎ、反応生成物を凝固させマレイン酸変性水素化重合体を得た。この変性水素化重合体を１００℃で２０時間真空乾燥した。この変性水素化重合体の分子量は、Ｍｎ＝３３，２００、Ｍｗ＝６８，３００で、Ｔｇ＝１７０℃であった。（無水）マレイン酸残基含有率は、２５モル％であった。
前記変性水素化重合体１００部、ビスフェノールＡビス（プロピレングリコールグリシジルエーテル）エーテル４０部、２−［２−ヒドロキシ−３，５−ビス（α，α−ジメチルベンジル）フェニル］ベンゾトリアゾール５部、及び１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール０．１部を、キシレン２１５部及びシクロペンタノン５４部からなる混合溶剤に溶解させて、硬化性樹脂組成物のワニスを得た。
該ワニスを、ダイコーターを用いて、３００ｍｍ角の厚さ４０μｍのポリエチレンナフタレートフィルム（キャリアフィルム）上に塗工し、その後、窒素オーブン中、１２０℃で１０分間乾燥し、硬化性樹脂組成物層の厚みが３５μｍのキャリアフィルム付きドライフィルムを得た。
一方、２−ジ−ｎ−ブチルアミノ−４，６−ジメルカプト−ｓ−トリアジンの０．１％イソプロピルアルコール溶液を調製し、この溶液に、配線幅及び配線間距離が５０μｍ、導体厚みが１８μｍで表面がマイクロエッチング処理された導体層を両面に有する内層基板（ガラスフィラー及びハロゲン不含エポキシ樹脂を含有するワニスをガラスクロスに含浸させて得られた両面銅張り基板から得られたもの）を２５℃で１分間浸漬し、次いで、９０℃で１５分間、窒素置換されたオーブン中で乾燥させてプライマー層を形成させた。
前述の内層基板の両面に、前記のキャリアフィルム付きドライフィルムを、硬化性樹脂組成物フィルム面が内側となるようにして貼り合わせた。これを、一次プレスとして、耐熱ゴム製プレス板を上下に備えた真空ラミネータを用いて、２００Ｐａに減圧し、温度１１０℃、圧力０．５ＭＰａで６０秒間加熱圧着した。次いで、二次プレスとして、金属製プレス板で覆われた耐熱ゴム製プレス板を上下に備えた真空ラミネータを用いて、２００Ｐａに減圧し、温度１４０℃、圧力１．０ＭＰａで６０秒間、加熱圧着して硬化性樹脂組成物フィルムを積層した。
硬化性樹脂組成物フィルムを積層した内層基板からキャリアフィルムのポリエチレンナフタレートフィルムのみを剥がした。樹脂基材層の表面粗さを測定したところ、Ｒａ＝１４ｎｍであった。
硬化性樹脂組成物フィルムを積層した内層基板を１７０℃の窒素オーブン中に６０分間放置して、硬化性樹脂組成物を硬化させて、内層基板上に樹脂基材層（電気絶縁層）が形成された積層板を得た。
得られた積層板の、樹脂基材層（電気絶縁層）部分に、ＵＶ−ＹＡＧレーザ第３高調波を用いて直径３０μｍの層間接続のビアホールを形成し、ビアホール付き多層基板を得た。
２．酸化処理工程：
上述のビアホールつき多層基板を、過マンガン酸濃度６０ｇ／リットル、水酸化ナトリウム濃度２８ｇ／リットルになるように調整した８０℃の水溶液に１５分間揺動浸漬し、樹脂基材層表面を酸化処理した。次いで、多層基板を水槽に１分間揺動浸漬し、さらに別の水槽に１分間揺動浸漬することにより、多層基板を水洗した。続いて、硫酸ヒドロキシルアミン濃度１７０ｇ／リットル、硫酸８０ｇ／リットルになるように調整した２５℃の水溶液に、基板を５分間浸漬し、中和還元処理をした後、水洗を行い、そして、窒素を吹き付けて水を除去した。
３．イニシエータパターン形成工程：
前記多層基板の樹脂基材層表面にイニシエータパターンを形成するため、配位構造含有化合物として１−（２−アミノエチル）−２−メチルイミダゾールの０．３％水溶液を、インクジェット装置を用いて所望の配線パターンに描画した。これを９０℃の窒素オーブン中に３０分間放置し、乾燥させた。
４．無電解めっき工程：
めっき触媒付与のため、表面にイニシエータパターンを有する乾燥した多層基板を、アクチベータＭＡＴ−１−Ａ（上村工業株式会社製）が２００ｍｌ／リットル、アクチベータＭＡＴ−１−Ｂ（上村工業株式会社製）が３０ｍｌ／リットル、水酸化ナトリウムが１ｇ／リットルになるように調整した６０℃のＰｄ塩含有めっき触媒溶液に５分間浸漬した。次いで、触媒活性化のため、上述と同じ方法で多層基板を水洗した後、レデューサーＭＲＤ−２−Ａ（上村工業株式会社製）が１８ｍｌ／リットル、レデューサーＭＲＤ−２−Ｃ（上村工業株式会社製）が６０ｍｌ／リットルになるように調整した溶液に３５℃で５分間浸漬し、めっき触媒を還元処理した。このようにしてめっき触媒を吸着させ、得られた多層基板の最外絶縁層表面の粗さを評価したところ、パターンを描画した部分の表面粗さＲａ＝４１ｎｍで、パターンを描画していない部分のＲａ＝４０ｎｍであった。
このようにして得られた多層基板を、スルカップＰＲＸ−１−Ａ（上村工業株式会社製）が１５０ｍｌ／リットル、スルカップＰＲＸ−１−Ｂ（上村工業株式会社製）が１００ｍｌ／リットル、スルカップＰＲＸ−１−Ｃ（上村工業株式会社製）が２０ｍｌ／リットルになるように調整した２５℃の無電解めっき液に、空気を吹き込みながら、１５分間浸漬して無電解めっき処理を行い、上述と同様に水洗して、所望のパターン状にめっき層（金属パターン）が形成された多層基板を得た。めっき層の厚みは、０．７μｍであった。
５．めっき層の成長工程：
次いで、めっき層（金属パターン）の厚みを増大させるために、前記多層基板を、スルカップＥＬＣ−ＳＰ−Ａ（上村工業株式会社製）が８０ｍｌ／リットル、スルカップＥＬＣ−ＳＰ−Ｂ（上村工業株式会社製）が２０ｍｌ／リットル、スルカップＥＬＣ−ＳＰ−Ｃ（上村工業株式会社製）が８０ｍｌ／リットル、スルカップＥＬＣ−ＳＰ−Ｄ（上村工業株式会社製）が２０ｍｌ／リットルになるように調整した６０℃の高速無電解めっき液に、空気を吹き込みながら、５時間浸漬して無電解めっき処理を施し、厚さ１８μｍの先に形成しためっき層の上にさらにめっき層を重ねて成長させた。さらに、上述と同様に水洗して、所望のパターン状にめっき層（金属パターン）が形成された多層基板を得た。めっき層の合計厚みは、１８μｍであった。次いで、多層基板を、ＡＴ−２１（上村工業株式会社製）が１０ｍｌ／リットルになるよう調整した防錆溶液に２５℃、１分間浸漬し、さらに上述と同じ方法で水洗した後、乾燥し、防錆処理を施した。
６．加熱処理工程：
この防錆処理が施された多層基板を、窒素雰囲気のオーブン中にて１７０℃で３０分間放置して、加熱処理を行い、金属パターンを両面に有する多層回路基板を得た。得られた多層回路基板のパターンが無い部分の樹脂基材層表面の粗さを評価したところＲａ＝４６ｎｍであった。得られた多層回路基板の密着性及びパターニング性を評価したところ、密着性は、「良好」で、パターンニング性は、「優」であった。
［比較例１］
過マンガン酸を用いた酸化処理をしなかったこと以外は、実施例１と同様にして多層回路基板を得た。
めっき触媒の付与後、無電解めっき前の樹脂基材層（最外電気絶縁層）表面の粗さを評価したところ、パターンを描画してある部分のＲａ＝２９ｎｍで、パターンを描画していない部分のＲａ＝２４ｎｍであった。
得られた多層回路基板のパターンが無い部分の絶縁層表面の粗さを評価したところ、Ｒａ＝３０ｎｍであった。得られた多層回路基板の密着性及びパターニング性を評価したところ、パターンニング性は、「優」であったが、密着性は、「不良」であった。
実施例１と比較例１との対比結果から、イニシエータパターンを形成する前に、樹脂基材表面を酸化処理すると、めっき層の密着性が顕著に向上することがわかる。本発明の部分めっき法及び多層回路基板の製造方法は、樹脂基材表面を粗化する必要がなく、金属パターンとの界面にある樹脂基材の表面粗さが小さい。このため、本発明の方法は、粗化された樹脂基材を用いることの問題点が指摘されている多層回路基板の製造に適している。
産業上の利用可能性
本発明によれば、樹脂基材に対する金属パターンの密着性に優れた部分めっき樹脂基材を得るための部分めっき方法が提供される。また、本発明によれば、樹脂基材に対する金属パターンの密着性に優れた部分めっき樹脂基材が提供される。さらに、本発明によれば、樹脂基材（電気絶縁層）に対する金属パターン（導電体回路）の密着性に優れた多層回路基板の製造方法が提供される。
本発明の方法により得られた部分めっき樹脂基材や、部分めっき層を有する樹脂基材層を備えた多層回路基板などの樹脂部材は、半導体デバイス実装部品、各種パネル表示装置、ＩＣカード、光デバイスに用いられるプリント配線基板として好適である。
【図面の簡単な説明】
図１は、本発明で使用する内層基板の一例の断面図である。
図２は、内層基板表面の導電体回路を覆うように樹脂基材層を形成する工程の一例を示す断面図である。
図３は、ビアホール形成工程の一例を示す断面図である。
図４は、樹脂基材層表面を酸化処理する工程の一例を示す断面図である。
図５は、酸化処理面に、金属原子または金属イオンに配位可能な構造を有する化合物を導電体回路のパターン状に付着させて、イニシエータパターンを形成する工程を示す断面図である。
図６は、イニシエータパターン上にめっき層を形成する工程の一例を示す断面図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【国際調査報告】
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