【事件の表示】
　特許第６４７９８６３号発明「赤外線カットフィルタ，撮像装置および赤外線カットフィルタの製造方法」の特許異議申立事件について，次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第６４７９８６３号の特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり，訂正後の請求項〔１−３，５−１６，１９〕，〔１７，１８〕，〔２０−２３〕について訂正することを認める。
　特許第６４７９８６３号の請求項１ないし３，５ないし２３に係る特許を維持する。
　特許第６４７９８６３号の請求項４に係る特許に対する特許異議の申立てを却下する。
【理　由】
第１　手続等の経緯
　特許第６４７９８６３号の請求項１〜請求項１９に係る特許（以下，それぞれ「本件特許１」〜「本件特許１９」といい，総称して「本件特許」という。）についての出願は，平成２４年９月６日に出願された特願２０１２−１９５９３７号の一部を新たな特許出願としたものであって，平成３１年２月１５日に特許権の設定の登録がされたものである。
　本件特許について，平成３１年３月６日に特許掲載公報が発行されたところ，発行の日から６月以内である令和元年９月６日に，特許異議申立人　恒川　朱美（以下「特許異議申立人」という。）から，特許異議の申立てがされた（異議２０１９−７００７１３号，以下「本件事件」という。）。
　本件事件についての，その後の手続等の概要は以下のとおりである。
令和元年１２月　３日付け：取消理由通知書
令和２年　２月　５日付け：上申書（特許権者）
令和２年　３月１７日付け：取消理由通知書（決定の予告）
令和２年　５月１９日付け：訂正請求書
令和２年　５月１９日付け：意見書（特許権者）
令和２年　７月２０日付け：意見書（特許異議申立人）
第２　本件訂正請求について
　１　請求の趣旨
　令和２年５月１９日付け訂正請求書による訂正の請求（以下「本件訂正請求」という。）の趣旨は，「特許第６４７９８６３号の特許請求の範囲を，本件訂正請求書に添付した訂正特許請求の範囲のとおり，訂正後の請求項１〜２３について訂正することを求める。」というものである。
　２　訂正の内容
　本件訂正請求において特許権者が求める訂正の内容は，以下のとおりである。なお，下線は訂正箇所を示す。
　(1) 訂正事項１
　特許請求の範囲の請求項１に，
「　透明誘電体基板と，
　前記透明誘電体基板の一方の面上に形成された赤外線を反射する赤外線反射層と，
　前記透明誘電体基板の他方の面上に形成された赤外線を吸収する赤外線吸収層と，
　を備える赤外線カットフィルタであって，
　前記赤外線反射層は，誘電体多層膜から形成され，
　前記赤外線吸収層は，赤外線吸収色素を含有する樹脂から形成され，
　赤外線カットフィルタへの光の入射角が０°から３５°に変化したときのカットオフ波長λＴ５０％のシフト量をΔλＴ５０％として，ΔλＴ５０％＜２５ｎｍであり，
　赤外線カットフィルタへの光の入射角が３５°のときのカットオフ波長λＴ５０％が６０７ｎｍ〜６４７ｎｍであり，
　前記赤外線反射層の透過率が５０％になる波長をλＲＴ５０％ｎｍとし，前記赤外線吸収層の透過率が５０％になる波長をλＡＴ５０％ｎｍとしたときに，λＡＴ５０％＜λＲＴ５０％を満たすように前記赤外線反射層および前記赤外線吸収層が形成されることを特徴とする赤外線カットフィルタ。」
と記載されているのを，
「　透明誘電体基板と，
　前記透明誘電体基板の一方の面上に形成された赤外線を反射する赤外線反射層と，
　前記透明誘電体基板の他方の面上に形成された赤外線を吸収する赤外線吸収層と，
　を備える赤外線カットフィルタであって，
　前記赤外線反射層は，誘電体多層膜から形成され，
　前記赤外線吸収層は，赤外線吸収色素を含有する樹脂から形成され，
　赤外線カットフィルタへの光の入射角が０°から３５°に変化したときのカットオフ波長λＴ５０％のシフト量をΔλＴ５０％として，ΔλＴ５０％＜２５ｎｍであり，
　赤外線カットフィルタへの光の入射角が３５°のときのカットオフ波長λＴ５０％が６０７ｎｍ〜６４
３
　前記赤外線反射層の透過率が５０％になる波長をλＲＴ５０％ｎｍとし，前記赤外線吸収層の透過率が５０％になる波長をλＡＴ５０％ｎｍとしたときに，λＡＴ５０％＜λＲＴ５０％を満たすように前記赤外線反射層および前記赤外線吸収層が形成され
，
　
前記赤外線吸収層の分光透過率曲線が波長７００ｎｍ〜７５０ｎｍに透過率の極小値を有する
に訂正する（請求項１の記載を引用して記載された，請求項２，３，５〜１６及び１９も同様に訂正する。）。
　(2) 訂正事項２
　特許請求の範囲の請求項４を削除する。
　(3) 訂正事項３
　特許請求の範囲の請求項５に「前記透明誘電体基板は，ガラスから形成されることを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の赤外線カットフィルタ。」と記載されているのを，「前記透明誘電体基板は，ガラスから形成されることを特徴とする請求項１から
３
　(4) 訂正事項４
　特許請求の範囲の請求項６に「前記赤外線反射層は，紫外線を反射するよう形成されることを特徴とする請求項１から５のいずれかに記載の赤外線カットフィルタ。」と記載されているのを，「前記赤外線反射層は，紫外線を反射するよう形成されることを特徴とする請求項１から
３および請求項
　(5) 訂正事項５
　特許請求の範囲の請求項７に「前記赤外線吸収層上に保護層をさらに備えることを特徴とする請求項１から６のいずれかに記載の赤外線カットフィルタ。」と記載されているのを，「前記赤外線吸収層上に保護層をさらに備えることを特徴とする請求項１から
３，請求項５および
　(6) 訂正事項６
　特許請求の範囲の請求項１２に「前記透明誘電体基板と前記赤外線吸収層との間にプライマ層をさらに備えることを特徴とする請求項１から１１のいずれかに記載の赤外線カットフィルタ。」と記載されているのを，「前記透明誘電体基板と前記赤外線吸収層との間にプライマ層をさらに備えることを特徴とする請求項１から
３および請求項５から
　(7) 訂正事項７
　特許請求の範囲の請求項１３に「前記赤外線反射層は，前記透明誘電体基板側の面と対向する面が凸面となるように反っていることを特徴とする請求項１から１２のいずれかに記載の赤外線カットフィルタ。」と記載されているのを，「前記赤外線反射層は，前記透明誘電体基板側の面と対向する面が凸面となるように反っていることを特徴とする請求項１から
３および請求項５から
　(8) 訂正事項８
　特許請求の範囲の請求項１４に「前記赤外線吸収色素を含有する樹脂は，ＰＶＢであることを特徴とする請求項１から１３のいずれかに記載の赤外線カットフィルタ。」と記載されているのを，「前記赤外線吸収色素を含有する樹脂は，ＰＶＢであることを特徴とする請求項１から
３および請求項５から
　(9) 訂正事項９
　特許請求の範囲の請求項１５に「前記透明誘電体基板の厚みは，０．１ｍｍ〜０．３ｍｍであることを特徴とする請求項１から１４のいずれかに記載の赤外線カットフィルタ。」と記載されているのを，「前記透明誘電体基板の厚みは，０．１ｍｍ〜０．３ｍｍであることを特徴とする請求項１から
３および請求項５から
　(10)訂正事項１０
　特許請求の範囲の請求項１６に，
「　請求項１から１５のいずれかに記載の赤外線カットフィルタと，
　前記赤外線カットフィルタを透過した光が入射する撮像素子と，
　を備えることを特徴とする撮像装置。」
と記載されているのを，
「　請求項１から
３および請求項５から
　前記赤外線カットフィルタを透過した光が入射する撮像素子と，
　を備えることを特徴とする撮像装置。」
に訂正する。
　(11)訂正事項１１
　特許請求の範囲の請求項１７に，
「　透明誘電体基板を準備するステップと，
　前記透明誘電体基板の一方の面上に赤外線反射層を形成するステップと，
　前記透明誘電体基板の他方の面上に赤外線吸収層を形成するステップと，
　を備える赤外線カットフィルタの製造方法であって，
　前記赤外線反射層は，誘電体多層膜から形成され，
　前記赤外線吸収層は，赤外線吸収色素を含有する樹脂から形成され，
　赤外線カットフィルタへの光の入射角が０°から３５°に変化したときのカットオフ波長λＴ５０％のシフト量をΔλＴ５０％として，ΔλＴ５０％＜２５ｎｍであり，
　赤外線カットフィルタへの光の入射角が３５°のときのカットオフ波長λＴ５０％が６０７ｎｍ〜６４７ｎｍであり，
　前記赤外線反射層の透過率が５０％になる波長をλＲＴ５０％ｎｍとし，前記赤外線吸収層の透過率が５０％になる波長をλＡＴ５０％ｎｍとしたときに，赤外線カットフィルタへの光の入射角が０°において，λＡＴ５０％−λＲＴ５０％≦−１０ｎｍを満たすように前記赤外線反射層および前記赤外線吸収層が形成されることを特徴とする赤外線カットフィルタの製造方法。」
と記載されているのを，
「　透明誘電体基板を準備するステップと，
　前記透明誘電体基板の一方の面上に赤外線反射層を形成するステップと，
　前記透明誘電体基板の他方の面上に赤外線吸収層を形成するステップと，
　を備える赤外線カットフィルタの製造方法であって，
　前記赤外線反射層は，誘電体多層膜から形成され，
　前記赤外線吸収層は，赤外線吸収色素を含有する樹脂から形成され，
　
前記赤外線吸収層の分光透過率曲線における透過率の極小値が波長７００ｎｍ〜７５０ｎｍであり， 
　赤外線カットフィルタへの光の入射角が０°から３５°に変化したときのカットオフ波長λＴ５０％のシフト量をΔλＴ５０％として，ΔλＴ５０％＜２５ｎｍであり，
　赤外線カットフィルタへの光の入射角が３５°のときのカットオフ波長λＴ５０％が６０７ｎｍ〜６４
３
　前記赤外線反射層の透過率が５０％になる波長をλＲＴ５０％ｎｍとし，前記赤外線吸収層の透過率が５０％になる波長をλＡＴ５０％ｎｍとしたときに，赤外線カットフィルタへの光の入射角が０°において，λＡＴ５０％−λＲＴ５０％≦−１０ｎｍを満たすように前記赤外線反射層および前記赤外線吸収層が形成されることを特徴とする赤外線カットフィルタの製造方法。」
に訂正する（請求項１７の記載を引用して記載された，請求項１８も同様に訂正する。）。
　(12)訂正事項１２
　特許請求の範囲に請求項２０を新たに設けて，
「　
透明誘電体基板と，
　
前記透明誘電体基板の一方の面上に形成された赤外線を反射する赤外線反射層と，
　
前記透明誘電体基板の他方の面上に形成された赤外線を吸収する赤外線吸収層と，
　
を備える赤外線カットフィルタであって，
　
前記赤外線反射層は，誘電体多層膜から形成され，
　
前記赤外線吸収層は，赤外線吸収色素を含有する樹脂から形成され，
　
赤外線カットフィルタへの光の入射角が０°から３５°に変化したときのカットオフ波長λＴ５０％のシフト量をΔλＴ５０％として，ΔλＴ５０％＜２５ｎｍであり，
　
赤外線カットフィルタへの光の入射角が３５°のときのカットオフ波長λＴ５０％が６０７ｎｍ〜６４７ｎｍであり，
　
前記赤外線反射層の透過率が５０％になる波長をλＲＴ５０％ｎｍとし，前記赤外線吸収層の透過率が５０％になる波長をλＡＴ５０％ｎｍとしたときに，λＡＴ５０％＜λＲＴ５０％を満たすように前記赤外線反射層および前記赤外線吸収層が形成され，
　
前記赤外線吸収層上に保護層をさらに備え，
　
前記保護層上に可視光線の反射を防止する反射防止層をさらに備えることを特徴とする赤外線カットフィルタ。
とする。
　(13)訂正事項１３
　特許請求の範囲に請求項２１を新たに設けて，
「　
前記反射防止層は，紫外線の透過を防止する機能を有することを特徴とする請求項２０に記載の赤外線カットフィルタ。
とする。
　(14)訂正事項１４
　特許請求の範囲に請求項２２を新たに設けて，
「　
透明誘電体基板と，
　
前記透明誘電体基板の一方の面上に形成された赤外線を反射する赤外線反射層と，
　
前記透明誘電体基板の他方の面上に形成された赤外線を吸収する赤外線吸収層と，
　
を備える赤外線カットフィルタであって，
　
前記赤外線反射層は，誘電体多層膜から形成され，
　
前記赤外線吸収層は，赤外線吸収色素を含有する樹脂から形成され，
　
赤外線カットフィルタへの光の入射角が０°から３５°に変化したときのカットオフ波長λＴ５０％のシフト量をΔλＴ５０％として，ΔλＴ５０％＜２５ｎｍであり，
　
赤外線カットフィルタへの光の入射角が３５°のときのカットオフ波長λＴ５０％が６０７ｎｍ〜６４７ｎｍであり，
　
前記赤外線反射層の透過率が５０％になる波長をλＲＴ５０％ｎｍとし，前記赤外線吸収層の透過率が５０％になる波長をλＡＴ５０％ｎｍとしたときに，λＡＴ５０％＜λＲＴ５０％を満たすように前記赤外線反射層および前記赤外線吸収層が形成され，
　
前記赤外線反射層は，前記透明誘電体基板側の面と対向する面が凸面となるように反っていことを特徴とする赤外線カットフィルタ。
とする。
　(15)訂正事項１５
　特許請求の範囲に請求項２３を新たに設けて，
「　
請求項２０から２２のいずれかに記載の赤外線カットフィルタと，
　
前記赤外線カットフィルタを透過した光が入射する撮像素子と，
　
を備えることを特徴とする撮像装置。
とする。
　３　訂正の適否
　本件訂正請求による訂正後の一群の請求項は，〔１−３，５−１６，１９〕，〔１７，１８〕，〔２０−２３〕である。また，特許権者から，別の訂正単位とする求めがされた。
　そこで，以下，本件訂正請求による訂正後の一群の請求項ごとに，訂正の適否を判断する。
　(1) 訂正後の請求項１〜３，５〜１６及び１９について
　ア　訂正事項１による訂正について
　訂正事項１による訂正は，請求項１に記載された「赤外線カットフィルタへの光の入射角が３５°のときのカットオフ波長λＴ５０％」を「６０７ｎｍ〜６４７ｎｍ」から「６０７ｎｍ〜６４３ｎｍ」に限定するとともに，請求項１に記載された「赤外線吸収層」を，「分光透過率曲線が波長７００ｎｍ〜７５０ｎｍに透過率の極小値を有する」ものに限定する訂正である。また，この点は，請求項１の記載を引用して記載された，請求項２，３，５〜１６及び１９についてみても，同じである。
　そうしてみると，訂正事項１による訂正は，特許法１２０条の５第２項ただし書１号に掲げる事項（特許請求の範囲の減縮）を目的とする訂正に該当する。
　さらに，本件特許の明細書の実施例２（【００４６】〜【００５３】，【図５】，【図７】，【図１０】，【図１３】及び【図２２】）並びに【００５５】の記載からは，「赤外線カットフィルタへの光の入射角が３５°のときのカットオフ波長λＴ５０％」の上限値（特許請求の範囲の請求項１に記載されたものと有効数字を揃えたもの）として，「６４３ｎｍ」を導き出すことができる。加えて，本件特許の訂正前の特許請求の範囲の請求項４には，「前記赤外線吸収層の分光透過率曲線は，波長７００ｎｍ〜７５０ｎｍに透過率の極小値を有することを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の赤外線カットフィルタ。」と記載されている。
　そうしてみると，訂正事項１による訂正は，当業者によって，明細書又は図面のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において，新たな技術的事項を導入しないものであるから，訂正事項１による訂正は，願書に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内においてした訂正である。
　そして，訂正事項１による訂正によって，訂正前の特許請求の範囲には含まれないこととされた発明が訂正後の特許請求の範囲に含まれることとならないことは明らかであるから，訂正事項１による訂正は，実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更する訂正に該当しない。
　イ　訂正事項２による訂正について
　訂正事項２による訂正は，特許請求の範囲の請求項４を削除する訂正である。
　そうしてみると，訂正事項２による訂正は，特許法１２０条の５第２項ただし書１号に掲げる事項（特許請求の範囲の減縮）を目的とする訂正に該当する。また，訂正事項２による訂正が，願書に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内においてした訂正であること，及び実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更する訂正に該当しないことは，明らかである。
　ウ　訂正事項３による訂正について
　訂正事項３による訂正は，訂正事項２による訂正により請求項４が削除されたことに伴い，訂正後の請求項５が，削除された請求項４を引用する記載となることを回避する訂正である。また，この点は，請求項５の記載を引用して記載された請求項６〜１６及び１９についてみても，同じである。
　そうしてみると，訂正事項３による訂正は，特許法１２０条の５第２項ただし書３号に掲げる事項（明瞭でない記載の釈明）を目的とする訂正に該当する。また，訂正事項３による訂正が，願書に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内においてしたものであること，及び実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更するものではないことは，明らかである。
　エ　訂正事項４〜１０による訂正について
　訂正事項３による訂正と同様に，訂正事項４〜１０による訂正も，特許法１２０条の５第２項ただし書３号に掲げる事項（明瞭でない記載の釈明）を目的とする訂正に該当する。また，訂正事項４〜１０による訂正が，願書に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内においてした訂正であること，及び実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更する訂正に該当しないことは，明らかである。
　オ　小括
　訂正後の請求項１〜３，５〜１６及び１９についてした訂正（訂正事項１〜訂正事項１０による訂正）は，特許法１２０条の５第２項ただし書，同法同条９項において準用する同法１２６条５項及び６項の規定に適合する。
　(2) 訂正後の請求項１７及び１８について
　ア　訂正事項１１による訂正について
　訂正事項１１による訂正についての判断は，訂正事項１による訂正についての判断と同様である。
　訂正事項１１による訂正は，特許法１２０条の５第２項ただし書１号に掲げる事項（特許請求の範囲の減縮）を目的とする訂正に該当する。また，訂正事項１１による訂正は，願書に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内においてしたものであるとともに，実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更するものではない。
　イ　小括
　訂正後の請求項１７及び１８についてした訂正（訂正事項１１による訂正）は，特許法１２０条の５第２項ただし書，同法同条９項において準用する同法１２６条５項及び６項の規定に適合する。
　(3) 訂正後の請求項２０〜請求項２３について
　ア　訂正事項１２による訂正について
　訂正事項１２による訂正は，以下[A]及び[B]の要件を満たす請求項１０を，新たな請求項２０に記載する訂正である。
[A]請求項７〜請求項９のうちいずれか一項の記載を引用して記載された請求項１０のうち，請求項７を引用して記載されたものである。
[B]上記[A]で述べた請求項７が，請求項１〜請求項６のうちいずれか一項の記載を引用して記載された請求項７のうち，請求項１の記載を引用して記載されたものである。
　また，新たな請求項２０（上記[A]及び[B]の要件を満たす請求項１０）は，訂正後の請求項１０に重複して記載されていない。
　そうしてみると，訂正事項１２による訂正は，特許法第１２０条の５第２項ただし書４号に掲げる事項（他の請求項の記載を引用して記載された請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとすること）を目的とする訂正に該当する。また，訂正事項１２による訂正が，願書に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内においてした訂正であること，及び実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更する訂正に該当しないことは，明らかである。
　イ　訂正事項１３による訂正について
　訂正事項１３による訂正は，前記ア[A]及び[B]の要件を満たす請求項１０の記載を引用して記載された請求項１１を，訂正後の請求項２０の記載を引用して新たな請求項２１に記載する訂正である。また，新たな請求項２１は，訂正後の請求項１１に，重複して記載されていない。
　そうしてみると，訂正事項１３による訂正は，特許法第１２０条の５第２項ただし書４号に掲げる事項（他の請求項の記載を引用して記載された請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとすること）を目的とする訂正に該当する。また，訂正事項１３による訂正が，願書に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内においてした訂正であること，及び実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更する訂正に該当しないことは，明らかである。
　ウ　訂正事項１４による訂正について
　訂正事項１４による訂正は，請求項１〜請求項１２のうちいずれか一項の記載を引用して記載された請求項１３のうち，請求項１の記載を引用して記載された請求項１３を，新たな請求項２２に記載する訂正である。また，新たな請求項２２は，訂正後の請求項１３に，重複して記載されていない。
　そうしてみると，訂正事項１４による訂正は，特許法第１２０条の５第２項ただし書４号に掲げる事項（他の請求項の記載を引用して記載された請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとすること）を目的とする訂正に該当する。また，訂正事項１４による訂正が，願書に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内においてした訂正であること，及び実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更する訂正に該当しないことは，明らかである。
　エ　訂正事項１５による訂正について
　訂正事項１５による訂正は，請求項１〜請求項１５のうちいずれか一項の記載を引用して記載された請求項１６のうち，以下[D]〜[F]のいずれかに該当する請求項１６を，訂正後の請求項２１〜２２の記載を引用して新たな請求項２３に記載する訂正である。
[D]前記ア[A]及び[B]の要件を満たす請求項１０
[E]上記[D]で述べた請求項１０を引用して記載された請求項１１
[F]請求項１〜請求項１２のうちいずれか一項の記載を引用して記載された請求項１３のうち，請求項１の記載を引用して記載された請求項１３
　また，訂正事項１２〜訂正事項１４による訂正により，上記[D]で述べた請求項１０〜上記[F]で述べた請求項１３は，それぞれ，訂正後の請求項２１〜請求項２３に記載されることとなる。加えて，新たな請求項２３は，訂正後の請求項１６に，重複して記載されていない。
　そうしてみると，訂正事項１５による訂正は，特許法第１２０条の５第２項ただし書４号に掲げる事項（他の請求項の記載を引用して記載された請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとすること）を目的とする訂正に該当する。また，訂正事項１５による訂正が，願書に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内においてした訂正であること，及び実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更する訂正に該当しないことは，明らかである。
　オ　小括
　訂正後の請求項２０〜２３についてした訂正（訂正事項１２〜訂正事項１５による訂正）は，特許法１２０条の５第２項ただし書，同法同条９項において準用する同法１２６条５項及び６項の規定に適合する。
　４　まとめ
　以上のとおりであるから，本件訂正請求による訂正は，全て，特許法１２０条の５第２項ただし書，同法同条９項において準用する同法１２６条５項及び６項の規定に適合する。
　よって，結論に記載のとおり，特許第６４７９８６３号の特許請求の範囲を，訂正請求書に添付した訂正特許請求の範囲のとおり，訂正後の請求項〔１−３，５−１６，１９〕，〔１７，１８〕，〔２０−２３〕について訂正することを認める。
第３　本件特許発明
　本件特許の請求項１〜請求項３及び請求項５〜請求項２３に係る発明（以下，請求項の番号とともに「本件特許発明１」などという。）は，特許請求の範囲の請求項１〜請求項３及び請求項５〜請求項２３に記載された事項によって特定されるとおりの，下記のものである。なお，本件訂正請求により，請求項４は削除されている。
　　　　　　　　　　　　　　　　　記
【請求項１】
　透明誘電体基板と，
　前記透明誘電体基板の一方の面上に形成された赤外線を反射する赤外線反射層と，
　前記透明誘電体基板の他方の面上に形成された赤外線を吸収する赤外線吸収層と，
　を備える赤外線カットフィルタであって，
　前記赤外線反射層は，誘電体多層膜から形成され，
　前記赤外線吸収層は，赤外線吸収色素を含有する樹脂から形成され，
　赤外線カットフィルタへの光の入射角が０°から３５°に変化したときのカットオフ波長λＴ５０％のシフト量をΔλＴ５０％として，ΔλＴ５０％＜２５ｎｍであり，
　赤外線カットフィルタへの光の入射角が３５°のときのカットオフ波長λＴ５０％が６０７ｎｍ〜６４３ｎｍであり，
　前記赤外線反射層の透過率が５０％になる波長をλＲＴ５０％ｎｍとし，前記赤外線吸収層の透過率が５０％になる波長をλＡＴ５０％ｎｍとしたときに，λＡＴ５０％＜λＲＴ５０％を満たすように前記赤外線反射層および前記赤外線吸収層が形成され，
　前記赤外線吸収層の分光透過率曲線が波長７００ｎｍ〜７５０ｎｍに透過率の極小値を有することを特徴とする赤外線カットフィルタ。
【請求項２】
　赤外線カットフィルタへの光の入射角が０°において，λＡＴ５０％−λＲＴ５０％≦−１０ｎｍを満たすように前記赤外線反射層および前記赤外線吸収層が形成されることを特徴とする請求項１に記載の赤外線カットフィルタ。
【請求項３】
　さらに，赤外線カットフィルタへの光の入射角が０°において，−５０ｎｍ≦λＡＴ５０％−λＲＴ５０％を満たすように前記赤外線反射層および前記赤外線吸収層が形成されることを特徴とする請求項２に記載の赤外線カットフィルタ。
【請求項５】
　前記透明誘電体基板は，ガラスから形成されることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の赤外線カットフィルタ。
【請求項６】
　前記赤外線反射層は，紫外線を反射するよう形成されることを特徴とする請求項１から３および請求項５のいずれかに記載の赤外線カットフィルタ。
【請求項７】
　前記赤外線吸収層上に保護層をさらに備えることを特徴とする請求項１から３，請求項５および６のいずれかに記載の赤外線カットフィルタ。
【請求項８】
　前記保護層は，可視光線の反射を防止する機能を有することを特徴とする請求項７に記載の赤外線カットフィルタ。
【請求項９】
　前記保護層は，紫外線の透過を防止する機能を有することを特徴とする請求項７または８に記載の赤外線カットフィルタ。
【請求項１０】
　前記保護層上に可視光線の反射を防止する反射防止層をさらに備えることを特徴とする請求項７から９のいずれかに記載の赤外線カットフィルタ。
【請求項１１】
　前記反射防止層は，紫外線の透過を防止する機能を有することを特徴とする請求項１０に記載の赤外線カットフィルタ。
【請求項１２】
　前記透明誘電体基板と前記赤外線吸収層との間にプライマ層をさらに備えることを特徴とする請求項１から３および請求項５から１１のいずれかに記載の赤外線カットフィルタ。
【請求項１３】
　前記赤外線反射層は，前記透明誘電体基板側の面と対向する面が凸面となるように反っていることを特徴とする請求項１から３および請求項５から１２のいずれかに記載の赤外線カットフィルタ。
【請求項１４】
　前記赤外線吸収色素を含有する樹脂は，ＰＶＢであることを特徴とする請求項１から３および請求項５から１３のいずれかに記載の赤外線カットフィルタ。
【請求項１５】
　前記透明誘電体基板の厚みは，０．１ｍｍ〜０．３ｍｍであることを特徴とする請求項１から３および請求項５から１４のいずれかに記載の赤外線カットフィルタ。
【請求項１６】
　請求項１から３および請求項５から１５のいずれかに記載の赤外線カットフィルタと，
　前記赤外線カットフィルタを透過した光が入射する撮像素子と，
　を備えることを特徴とする撮像装置。
【請求項１７】
　透明誘電体基板を準備するステップと，
　前記透明誘電体基板の一方の面上に赤外線反射層を形成するステップと，
　前記透明誘電体基板の他方の面上に赤外線吸収層を形成するステップと，
　を備える赤外線カットフィルタの製造方法であって，
　前記赤外線反射層は，誘電体多層膜から形成され，
　前記赤外線吸収層は，赤外線吸収色素を含有する樹脂から形成され，
　前記赤外線吸収層の分光透過率曲線における透過率の極小値が波長７００ｎｍ〜７５０ｎｍであり， 
　赤外線カットフィルタへの光の入射角が０°から３５°に変化したときのカットオフ波長λＴ５０％のシフト量をΔλＴ５０％として，ΔλＴ５０％＜２５ｎｍであり，
　赤外線カットフィルタへの光の入射角が３５°のときのカットオフ波長λＴ５０％が６０７ｎｍ〜６４３ｎｍであり，
　前記赤外線反射層の透過率が５０％になる波長をλＲＴ５０％ｎｍとし，前記赤外線吸収層の透過率が５０％になる波長をλＡＴ５０％ｎｍとしたときに，赤外線カットフィルタへの光の入射角が０°において，λＡＴ５０％−λＲＴ５０％≦−１０ｎｍを満たすように前記赤外線反射層および前記赤外線吸収層が形成されることを特徴とする赤外線カットフィルタの製造方法。
【請求項１８】
　さらに，赤外線カットフィルタへの光の入射角が０°において，−５０ｎｍ≦λＡＴ５０％−λＲＴ５０％を満たすように前記赤外線反射層および前記赤外線吸収層が形成されることを特徴とする請求項１７に記載の赤外線カットフィルタの製造方法。
【請求項１９】
　請求項１４に記載の赤外線カットフィルタの製造方法であって，
　透明誘電体基板を準備するステップと，
　前記透明誘電体基板の一方の面上に赤外線反射層を形成するステップと，
　シアニン系化合物，ジインモニウム系化合物，フタロシアニン系化合物およびアゾ系化合物から選択される赤外線吸収色素をＰＶＢに添加して，赤外線吸収色素を含む液体状のＰＶＢ樹脂を調合するステップと，
　前記液体状のＰＶＢ樹脂を，フローコート装置によって前記透明誘電体基板の他方の面上に塗布し，乾燥させるステップと，
　を含むことを特徴とする赤外線カットフィルタの製造方法。
【請求項２０】
　透明誘電体基板と，
　前記透明誘電体基板の一方の面上に形成された赤外線を反射する赤外線反射層と，
　前記透明誘電体基板の他方の面上に形成された赤外線を吸収する赤外線吸収層と，
　を備える赤外線カットフィルタであって，
　前記赤外線反射層は，誘電体多層膜から形成され，
　前記赤外線吸収層は，赤外線吸収色素を含有する樹脂から形成され，
　赤外線カットフィルタへの光の入射角が０°から３５°に変化したときのカットオフ波長λＴ５０％のシフト量をΔλＴ５０％として，ΔλＴ５０％＜２５ｎｍであり，
　赤外線カットフィルタへの光の入射角が３５°のときのカットオフ波長λＴ５０％が６０７ｎｍ〜６４７ｎｍであり，
　前記赤外線反射層の透過率が５０％になる波長をλＲＴ５０％ｎｍとし，前記赤外線吸収層の透過率が５０％になる波長をλＡＴ５０％ｎｍとしたときに，λＡＴ５０％＜λＲＴ５０％を満たすように前記赤外線反射層および前記赤外線吸収層が形成され，
　前記赤外線吸収層上に保護層をさらに備え，
　前記保護層上に可視光線の反射を防止する反射防止層をさらに備えることを特徴とする赤外線カットフィルタ。
【請求項２１】
　前記反射防止層は，紫外線の透過を防止する機能を有することを特徴とする請求項２０に記載の赤外線カットフィルタ。
【請求項２２】
　透明誘電体基板と，
　前記透明誘電体基板の一方の面上に形成された赤外線を反射する赤外線反射層と，
　前記透明誘電体基板の他方の面上に形成された赤外線を吸収する赤外線吸収層と，
　を備える赤外線カットフィルタであって，
　前記赤外線反射層は，誘電体多層膜から形成され，
　前記赤外線吸収層は，赤外線吸収色素を含有する樹脂から形成され，
　赤外線カットフィルタへの光の入射角が０°から３５°に変化したときのカットオフ波長λＴ５０％のシフト量をΔλＴ５０％として，ΔλＴ５０％＜２５ｎｍであり，
　赤外線カットフィルタへの光の入射角が３５°のときのカットオフ波長λＴ５０％が６０７ｎｍ〜６４７ｎｍであり，
　前記赤外線反射層の透過率が５０％になる波長をλＲＴ５０％ｎｍとし，前記赤外線吸収層の透過率が５０％になる波長をλＡＴ５０％ｎｍとしたときに，λＡＴ５０％＜λＲＴ５０％を満たすように前記赤外線反射層および前記赤外線吸収層が形成され，
　前記赤外線反射層は，前記透明誘電体基板側の面と対向する面が凸面となるように反っていることを特徴とする赤外線カットフィルタ。
【請求項２３】
　請求項２０から２２のいずれかに記載の赤外線カットフィルタと，
　前記赤外線カットフィルタを透過した光が入射する撮像素子と，
　を備えることを特徴とする撮像装置。
第４　当合議体が通知した取消しの理由
　（新規性，進歩性）本件特許の請求項１〜３，５及び１６〜１８に係る発明は，本件出願前に日本国内又は外国において頒布された刊行物（甲１）に記載された発明であるから，特許法２９条１項３号に該当し，特許を受けることができない。また，本件特許の請求項１〜３，５〜９，１２及び１５〜１８に係る発明は，本件出願前に日本国内又は外国において頒布された刊行物（甲１）に記載された発明に基づいて，本件出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下「当業者」という。）が容易に発明をすることができたものであるから，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない。
甲１：特開２０１２−１０３３４０号公報
参考文献１：「ＡＢＳ６７０Ｔ」，[online]，[令和元年１１月２２日検索]，インターネット＜URL:https://exciton.luxottica.com/media/productattach/Datasheet/06705.pdf＞
参考文献２：（欠番）
参考文献３：特開２０１１−１０１０８９号公報
参考文献４：特開２００９−１５４４８９号公報
参考文献５：特開２００８−１０８８０９号公報
参考文献６：国際公開第２０１１／１５８６３５号明細書
参考文献７：特開２００８−７０８２７号公報
第５　当合議体の判断
　１　甲１の記載及び甲１発明
　(1) 甲１の記載
　本件特許の出願前に頒布された刊行物である甲１には，以下の記載がある。なお，下線は当合議体が付したものであり，引用発明の認定や判断等に活用した箇所を示す。
　ア　「【技術分野】
【０００１】
　本発明は，近赤外線カットフィルターに関する。詳しくは，本発明は，
十分な視野角とハンダリフロー耐熱性を合わせ持ち，特にＣＣＤ，ＣＭＯＳ等の固体撮像素子用視感度補正フィルターとして好適に用いることができる近赤外線カットフィルター
【背景技術】
【０００２】
…(省略)…
【０００５】
　しかしながら，
ガラス基板に屈折率の異なる金属酸化物を交互に積層した近赤外線カットフィルターは，垂直入射光と斜め入射光に対して，それぞれ光学特性が異なるといった視野角に劣るものであった。
…(省略)…
【０００６】
　本出願人は，特開２００５−３３８３９５号公報（特許文献２）にてノルボルネン系樹脂製基板と近赤外線反射膜を有する近赤外線カットフィルターを提案している。特許文献２に記載された近赤外線カットフィルターは，近赤外線カット能，耐吸湿性，耐衝撃性に優れ，薄肉化も可能であるが，十分な視野角の値をとることはできず，熱可塑性樹脂を基板として用いているために耐熱性に劣り，ハンダリフロー工程には使用できない場合があった。」
　イ　「【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
　本発明は，視野角が広く，さらに，近赤外線カット能に優れ，更にハンダリフロー工程での使用に適した耐熱性を有する，特にＣＣＤ，ＣＭＯＳ等の固体撮像装置に好適に用いることができる近赤外線カットフィルターを得ることを目的とする。さらに，前記近赤外線カットフィルターを具備する固体撮像素子および固体撮像装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
　本発明の近赤外線カットフィルターは，ガラス基板の少なくとも片面に樹脂層を有する積層板を含み，透過率が下記（Ａ）〜（Ｄ）を満たす。
　（Ａ）波長４３０〜５８０ｎｍの範囲において，近赤外線カットフィルターの垂直方向から測定した場合の透過率の平均値が７５％以上。
　（Ｂ）波長８００〜１０００ｎｍの範囲において，近赤外線カットフィルターの垂直方向から測定した場合の透過率の平均値が２０％以下。
　
（Ｃ）８００ｎｍ以下の波長領域において，近赤外線カットフィルターの垂直方向から測定した場合の透過率が７０％となる最も長い波長（Ｘａ）と，波長５８０ｎｍ以上の波長領域において，近赤外線カットフィルターの垂直方向から測定した場合の透過率が３０％となる最も短い波長（Ｘｂ）との差の絶対値｜Ｘａ−Ｘｂ｜が７５ｎｍ未満。
　（Ｄ）波長５６０〜８００ｎｍの範囲において，近赤外線カットフィルターの垂直方向から測定した場合の透過率が５０％となる波長の値（Ｙａ）と，近赤外線カットフィルターの垂直方向に対して３０°の角度から測定した場合の透過率が５０％となる波長の値（Ｙｂ）の差の絶対値｜Ｙａ−Ｙｂ｜が１５ｎｍ未満。
…(省略)…
【００１５】
　本発明の近赤外線カットフィルターは，前記樹脂層のガラス基板が積層された面の反対側の面に，可視光用反射防止層が形成されていることが好ましい。
…(省略)…
【発明の効果】
【００１６】
　本発明の近赤外線カットフィルターは，視野角が広く，近赤外線カット能に優れ，更にハンダリフロー工程を有する製造法に適用するのに十分な耐熱性を有する。」
　ウ　「【発明を実施するための形態】
【００１８】
　以下，本発明について具体的に説明する。
【００１９】
　〔近赤外線カットフィルター〕
　本発明の近赤外線カットフィルターは，ガラス基板の少なくとも片面に樹脂層を有する積層板を含み，その光線透過率が上記（Ａ）〜（Ｄ）を満たすことを特徴とする。
…(省略)…
【００２３】
　上記（Ｄ）波長５６０〜８００ｎｍの範囲において，近赤外線カットフィルターの垂直方向から測定した場合の透過率が５０％となる波長の値（Ｙａ），および波長５６０〜８００ｎｍの範囲において，垂直方向に対して３０°の角度から測定した場合の透過率が５０％となる波長の値（Ｙｂ）の差の絶対値｜Ｙａ−Ｙｂ｜が１５ｎｍ未満であり，より好ましくは１３ｎｍ以下，特に好ましくは１０ｎｍ以下であることが好ましい。
【００２４】
　ＹａとＹｂの差の絶対値が上記の範囲にあると，光の透過特性の角度依存性が小さな近赤外線カットフィルターを得ることができ，結果的にＣＣＤ，ＣＭＯＳ等の撮像素子へと入射する光の角度依存性が小さくなり，撮影された画像の色の再現性に優れることとなる。
…(省略)…
【００２６】
　《積層板》
　上記積層板は，ガラス基板の少なくとも片面に樹脂層を有する。
…(省略)…
【００２７】
　前記積層板のλmaxは，好ましくは６４０〜７７０（ｎｍ），より好ましくは６６０〜７２０（ｎｍ）の範囲にある。前記λmaxを上記波長範囲に有することで，近赤外光に感度を有するＣＭＯＳ等に入射される光の波長範囲が限定されるため，ＣＭＯＳ等により撮像された画像の色が，実際に目視で観察される色合いにより近いものとなる。
…(省略)…
【００２９】
　≪ガラス基板≫
　本発明に用いられるガラス基板としては，主成分として，珪酸塩を含む基板であれば，特に限定されるものではなく，結晶構造を有する石英ガラス基板等が挙げられる。
…(省略)…
【００３０】
　ガラス基板の厚みは，好ましくは３０〜１０００μｍ，さらに好ましくは５０〜７５０μｍ，特に好ましくは５０〜７００μｍである。ガラス基板の厚みが３０μｍより薄い場合には，ガラス基板そのものが割れやすくなってしまうため，ハンドリングが極めて困難となる場合がある。また，ガラス基板の厚みが１０００μｍより厚い場合には，近赤外線カットフィルターの薄膜化という本来の目的が達成できなくなってしまう場合がある。
…(省略)…
【００３２】
　≪樹脂層≫
　本発明に用いられる樹脂層は，ハンダリフロー工程に適用可能な耐熱性を有する樹脂と，吸収極大を波長６００〜８００ｎｍの間に有する近赤外線吸収剤を含むことが好ましい。
【００３３】
　＜耐熱性を有する樹脂＞
　前記耐熱性を有する樹脂としては，ポリイミド系樹脂，ポリエチレンナフタレート系樹脂，ポリエーテルスルホン系樹脂，ポリエーテル系樹脂（ポリエーテルケトン系樹脂，ポリエーテルニトリル系樹脂），ポリカーボネート，ポリアリレート，および環状オレフィン系樹脂等を挙げることができる。これらの樹脂は１種単独でも，２種以上を混合して用いても良い。
【００３４】
　耐熱性を有する樹脂は，ガラス転移温度（Ｔｇ）が，好ましくは２２０〜３８０℃，さらに好ましくは２４０〜３６０℃，特に好ましくは２５０〜３５０℃であることがハンダリフロー工程に対する耐性の面で望ましい。
…(省略)…
【００５１】
　＜近赤外線吸収剤＞
　本発明の近赤外線カットフィルターに用いることができる近赤外線吸収剤は，（ｉｖ）大気中で熱重量分析にて測定した５％重量減少温度が，好ましくは２５０℃以上であり，更に好ましくは２６０℃以上，特に好ましくは２７０℃以上である。重量減少温度が前記条件を満たすことで，高温条件下でも分解することなく，ハンダリフロー工程での使用に十分な熱性が確保され，安定した品質の近赤外線カットフィルターを提供することができる。
【００５２】
　また本発明に用いられる近赤外線吸収剤は，波長６００〜８００ｎｍに吸収極大があることが好ましく，さらに好ましくは６４０〜７７０（ｎｍ），特に好ましくは６６０〜７２０（ｎｍ）の範囲に吸収極大を有することが望ましい。
…(省略)…
【００５５】
　前記近赤外線吸収剤の市販品としては，具体的には，たとえば，Ｌｕｍｏｇｅｎ　ＩＲ７６５，Ｌｕｍｏｇｅｎ　ＩＲ７８８（ＢＡＳＦ製）；ＡＢＳ６４３，ＡＢＳ６５４，ＡＢＳ６６７，
ＡＢＳ６７０Ｔ
ＩＲＡ７３５（Ｅｘｃｉｔｏｎ製）
ＳＤＡ３５９８
ＳＤＡ３９２２
Ｈ．Ｗ．ＳＡＮＤＳ製
　
これらの近赤外線吸収剤は，１種単独で用いてもよいし，２種以上を併用してもよい。
【００５６】
　本発明において，前記近赤外線吸収剤の使用量は所望の特性に応じて適宜選択されるが，本発明に用いる樹脂１００重量％に対して，通常０．０１〜１０．０重量％，好ましくは０．０１〜８．０重量％，さらに好ましくは０．０１〜５．０重量％である。
　
近赤外線吸収剤の使用量が上記範囲内にあると，吸収波長の入射角依存性が小さく，近赤外線カット能，４３０〜５８０ｎｍの範囲における透過率および強度に優れた近赤外線カットフィルターを得ることができる。
【００５７】
　近赤外線吸収剤の使用量が上記範囲より多いと，近赤外線吸収剤の特性がより強く表れる近赤外線カットフィルターを得ることができる場合もあるが，４３０〜５８０ｎｍの範囲における透過率が所望の値より低下する恐れや，樹脂層や近赤外線カットフィルターとして強度が低下する恐れがあり，
近赤外線吸収剤の使用量が上記範囲より少ないと，４３０〜５８０ｎｍの範囲における透過率が高い近赤外線カットフィルターを得ることができる場合もあるが，近赤外線吸収剤の特性が表れにくく，吸収波長の入射角依存性が小さな近赤外線カットフィルターを得ることが困難になる場合がある。
【００５８】
　＜樹脂層の光学特性＞
　本発明の樹脂層は，（ｉ）吸収極大波長（以下「λmax」ともいう）を６００〜８００（ｎｍ）の間に有し，好ましくは６４０〜７７０（ｎｍ），より好ましくは６６０〜７２０（ｎｍ）に有する。前記λmaxを上記波長範囲に有することで，近赤外光に感度を有するＣＭＯＳに入射される光の波長範囲が限定されるため，ＣＭＯＳ等により撮像された画像の色が，実際に目視で観察される色合いにより近いものとなる。
【００５９】
　〈その他の成分〉
　前記樹脂層には，本発明の効果を損なわない範囲において，さらに，酸化防止剤，紫外線吸収剤および界面活性剤等のその他の成分を添加することができる。
…(省略)…
【００８４】
　≪硬化層≫
　前記樹脂層とガラス基板は，互いに化学的な組成，および熱線膨張率が異なるため，樹脂層とガラス基板との間に硬化層を設けて，それらの十分な密着性を確保することが好ましい。
…(省略)…
【０１０６】
　≪誘電体多層膜≫
　本発明に用いられる誘電体多層膜は，近赤外線を反射および／または吸収する能力を有する膜である。本発明において，誘電体多層膜は前記積層板の片面に設けてもよいし，両面に設けてもよい。片面に設ける場合には，製造コストや製造容易性に優れ，両面に設ける場合には，高い強度を有し，ソリの生じにくい近赤外線カットフィルターを得ることができる。
…(省略)…
【０１０８】
　あるいは，近赤外域に吸収を有する貴金属膜を近赤外線カットフィルターの可視光の透過率に影響のないよう，厚みと層数を考慮して用いることも好ましい。
　誘電体多層膜としては具体的には，高屈折率材料層と低屈折率材料層とを交互に積層した構成を好適に用いることができる。
…(省略)…
【０１１１】
　前記積層板に誘電体多層膜を形成する方法としては，特に制限はないが，例えば，ＣＶＤ法，スパッタ法，真空蒸着法などにより，高屈折率材料層と低屈折率材料層とを交互に積層した誘電体多層膜を形成し，これを前記積層板に接着剤で張り合わせる方法，前記積層板上に，直接，ＣＶＤ法，スパッタ法，真空蒸着法などにより，高屈折率材料層と低屈折率材料層とを交互に積層した誘電体多層膜を形成する方法を挙げることができる。
【０１１２】
　これら高屈折率材料層および低屈折率材料層の各層の厚みは，通常，遮断しようとする赤外線波長λ（ｎｍ）の０．１λ〜０．５λの厚みである。厚みが上記範囲外になると，屈折率（ｎ）と膜厚（ｄ）との積（ｎ×ｄ）がλ／４で算出される光学的膜厚と大きく異なって反射・屈折の光学的特性の関係が崩れてしまい，特定波長の遮断・透過をコントロールしにくい傾向にある。
【０１１３】
　また，誘電体多層膜における積層数は，好ましくは５〜５０層であり，より好ましくは１０〜４５層である。
…(省略)…
【０１１４】
…(省略)…前記誘電体多層膜を前記積層板の両面に設ける場合には，可視光反射防止層を設けなくてもよく，前記積層板の片面に前記誘電体多層膜を設ける場合には，該積層板の誘電体多層膜が積層された面と反対側の表面に形成することが好ましい。
…(省略)…
【０１１８】
　〔近赤外線カットフィルターの用途〕
　これら本発明で得られる近赤外線カットフィルターは，入射角依存性が小さく，優れた近赤外線カット能をする。したがってカメラモジュールのＣＣＤやＣＭＯＳなどの固体撮像素子用視感度補正用として有用である。
…(省略)…
【０１１９】
　本発明の近赤外線カットフィルターは特に
入射角依存性が小さいため，一般に，レンズ，カバーガラス，ＣＭＯＳ等から構成されるカメラモジュールの任意の位置に組み込むことが可能
　エ　「【実施例】
【０１２０】
…(省略)…
【０１２２】
　
波長別透過率特性
　
波長３５０〜１２００ｎｍの範囲の波長別の光線透過率を日立分光光度計Ｕ−４１００（日立製作所社製）を用いて測定した。
…(省略)…
【０１２６】
　
外観評価
　
下記実施例，比較例で得られた近赤外線カットフィルターの外観を，反りや歪みが全く見られない場合を［◎］，若干の反りがあるものの実際の使用に支障がない場合を［○］，反りや歪みがひどく，実際の使用が困難な場合を［×］として評価した。
…(省略)…
【０１３４】
　(硬化性組成物の調製)
　＜調製例１＞　《硬化性組成物溶液（Ｇ−１）の調製》
　ジペンタエリスリトールペンタアクリレートとジペンタエリスリトールヘキサアクリレートとの混合物(商品名：ＫＡＹＡＲＡＤ ＤＰＨＡ(日本化薬（株）製))２０重量部，９，９−ビス[４−（２−アクリロイルオキシエトキシ)フェニル]フルオレン３０重量部，メタクリル酸２０重量部，メタクリル酸グリシジル３０重量部，３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン３重量部，１−ヒドロキシシクロヘキシルベンゾフェノン（商品名：ＩＲＧＡＣＵＲＥ１８４，チバ・スペシャリティ・ケミカル(株)製)５重量部およびサンエイドＳＩ−１１０主剤(三新化学工業（株）製)１重量部を混合し，固形分濃度が５０ｗｔ％になるようにジエチレングリコールエチルメチルエーテルに溶解した後，孔径０．２μｍのミリポアフィルタでろ過し，硬化性組成物溶液（Ｇ−１）を調製した。
…(省略)…
【０１３９】
　(近赤外線吸収剤入り樹脂溶液の調製)
　＜調製例６＞　樹脂溶液（Ｄ−１）の調製
　合成例２で得られたポリエーテル系樹脂（Ｐ−１）に
近赤外線吸収剤ＡＢＳ６７０Ｔ（Ｅｘｃｉｔｏｎ社製）
これらを混合した後，孔径５μｍのミリポアフィルタでろ過して樹脂溶液(Ｄ−１)を得た。
…(省略)…
【０１４４】
　＜調製例１１＞　
樹脂溶液（Ｄ−６）
　合成例２で得られたポリエーテル系樹脂（Ｐ−１）に
近赤外線吸収剤Ｌｕｍｏｇｅｎ
ＩＲ７６５(ＢＡＳＦ社製)
これらを混合した後，孔径５μｍのミリポアフィルタでろ過して樹脂溶液(Ｄ−６)を得た。
…(省略)…
【０１６０】
　(積層板の作成)
　＜積層板作製例１＞　積層板（Ｋ−１）の作製
　
７００μｍの厚みを有するガラス基板に
硬化性組成物溶液
をスピンコートで塗布した後，ホットプレート上８０℃で２分間加熱し溶剤を揮発除去し，硬化層を形成し
この際，該硬化層の膜厚が０．８μｍ程度となるようにスピンコーターの塗布条件を調整し
次に，該硬化層上に，スピンコーターを用いて調製例６で得られた樹脂溶液
を長波長側半値が６４６ｎｍとなるような条件で塗布し，ホットプレート上８０℃で５分間加熱し，溶剤を揮発除去し，樹脂層を形成し
次いで，ガラス面側からコンベア式露光機を用いて露光(露光量１Ｊ/ｃｍ２，照度２００ｍＷ)し，その後オーブン中２３０℃で２０分間焼成して積層板
を得
…(省略)…
【０１７２】
　＜積層板作製例１２＞　積層板Ｋ−１２の作製
　５０μｍの厚みを有するガラス基板に調製例２で得られた硬化性組成物溶液（Ｇ−２）をスリットコートで塗布した後，ホットプレート上８０℃で２分間加熱し，溶剤を揮発除去し，硬化層を形成した。この際，硬化層の膜厚が１．０μｍ程度となるようにスリットコーターの塗布条件を調整した。次に，
ガラス基板の硬化層上に，スリットコーターを用いて調製例１１で得られた樹脂溶液(Ｄ−６)を長波長側半値が６４６ｎｍとなるような条件で塗布し，ホットプレート上８０℃で５分間加熱し，溶剤を揮発除去した。
…(省略)…
【０１８１】
　上記で得られた積層板（Ｋ−１）〜（Ｋ−１８），積層板（Ｒ−１）および積層板（Ｒ−２）における，樹脂層の膜厚，ガラス基板に対する樹脂層の密着性，およびこれら積層板の吸収極大波長を測定した。結果を下記表１のそれぞれ対応する，実施例Ｋ'−１〜Ｋ'−１８，実施例Ｒ'−１および実施例Ｒ'−２の欄に示す。
　なお，樹脂層の膜厚は，触針式膜厚計を用いて測定し，積層板の吸収極大波長は分光光度計を用いて測定した。
【０１８２】
　＜近赤外線カットフィルター作成例＞
　
積層板
のガラス基板上に，蒸着温度２００℃で近赤外線を反射する
誘電体多層膜
〔シリカ（ＳｉＯ２：膜厚２０〜２５０ｎｍ）層とチタニア（ＴｉＯ２：膜厚７０〜１３０ｎｍ）層とが交互に積層されてなるもの，積層数４４〕を形成し
近赤外線カットフィルター
【０１８３】
　＜実施例Ｋ'−１〜１８，比較例Ｒ’−１〜２＞
　得られた近赤外線カットフィルターＫ'−１〜１８，及びＲ'−１〜２について光学特性評価，リフローテスト，密着性評価および外観評価を行った。結果について，下記表１にまとめる。なお，表中Ｘａは８００ｎｍ以下の波長領域において，近赤外線カットフィルターの垂直方向から測定した場合の透過率が７０％となる最も長い波長，Ｘｂは波長５８０ｎｍ以上の波長領域において，近赤外線カットフィルターの垂直方向から測定した場合の透過率が３０％となる最も短い波長，
Ｙａ
垂直方向から測定した場合の波長５６０〜８００ｎｍの範囲において透過率が５０％となる波長の値
Ｙｂ
垂直方向に対して３０°の角度から測定した場合の波長５６０〜８００ｎｍの範囲において透過率が５０％となる波長の値
【０１８４】
【表１】
                              
【産業上の利用可能性】
【０１８５】
　本発明の近赤外線カットフィルターは，デジタルスチルカメラ，携帯電話用カメラ，デジタルビデオカメラ，ＰＣカメラ，監視カメラ，自動車用カメラ，携帯情報端末，パソコン，ビデオゲーム，医療機器，ＵＳＢメモリー，携帯ゲーム機，指紋認証システム，デジタルミュージックプレーヤー，玩具ロボット，およびおもちゃ等に好適に用いることができる。さらに，自動車や建物などのガラス等に装着される熱線カットフィルターなどとしても好適に用いることができる。」
　(2) 甲１発明
　甲１の【０１６０】には，「積層板Ｋ−１」の作製例が記載され，【０１８２】には，「積層板Ｋ−１」を用いた「近赤外線カットフィルターＫ’−１」の作製例が記載されている。また，【０１８３】及び【０１８４】【表１】には，その光学特性等の評価結果が記載され，【０００１】には，その用途が記載されている。
　そうしてみると，甲１には，「近赤外線カットフィルター」として，次の発明が記載されている（以下「甲１発明」という。）。なお，【０１６０】に記載の「硬化性組成物溶液（Ｇ−１）」及び「樹脂溶液（Ｄ−１）」は，それぞれ，【０１３４】及び【０１３９】に記載のものであるが，事案に鑑みて，それぞれ，「硬化性組成物溶液」及び「近赤外線吸収剤ＡＢＳ６７０Ｔ（Ｅｘｃｉｔｏｎ社製）を含む樹脂溶液」と略記する。
「　十分な視野角とハンダリフロー耐熱性を合わせ持ち，特にＣＣＤ，ＣＭＯＳ等の固体撮像素子用視感度補正フィルターとして好適に用いることができる近赤外線カットフィルターであって，
　７００μｍの厚みを有するガラス基板に硬化性組成物溶液をスピンコートで塗布した後，ホットプレート上８０℃で２分間加熱し溶剤を揮発除去し，硬化層を形成し，この際，該硬化層の膜厚が０．８μｍ程度となるようにスピンコーターの塗布条件を調整し，次に，硬化層上に，スピンコーターを用いて近赤外線吸収剤ＡＢＳ６７０Ｔ（Ｅｘｃｉｔｏｎ社製）を含む樹脂溶液を長波長側半値が６４６ｎｍとなるような条件で塗布し，ホットプレート上８０℃で５分間加熱し，溶剤を揮発除去し，樹脂層を形成し，次いで，ガラス面側からコンベア式露光機を用いて露光（露光量１Ｊ/ｃｍ２，照度２００ｍＷ）し，その後オーブン中２３０℃で２０分間焼成して積層板を得，ここで，積層板の樹脂層膜厚は４．０μｍ，吸収極大波長は６８１ｎｍであり，
　積層板のガラス基板上に，蒸着温度２００℃で近赤外線を反射する誘電体多層膜〔シリカ（ＳｉＯ２：膜厚２０〜２５０ｎｍ）層とチタニア（ＴｉＯ２：膜厚７０〜１３０ｎｍ）層とが交互に積層されてなるもの，積層数４４〕を形成して得た，
　４３０〜５８０ｎｍにおける透過率の平均値が８５％，８００〜１０００ｎｍにおける透過率の平均値が１％以下，垂直方向から測定した場合の波長５６０〜８００ｎｍの範囲において透過率が５０％となる波長の値Ｙａと垂直方向に対して３０°の角度から測定した場合の波長５６０〜８００ｎｍの範囲において透過率が５０％となる波長の値Ｙｂとの差の絶対値｜Ｙａ−Ｙｂ｜が５ｎｍである，近赤外線カットフィルター。」
　２　対比及び判断
　(1) 対比
　本件特許発明１と甲１発明を対比すると，以下のとおりとなる。
　ア　赤外線カットフィルタ
　甲１発明の「近赤外線カットフィルター」は，「８００〜１０００ｎｍにおける透過率の平均値が１％以下」である。
　そうしてみると，甲１発明の「近赤外線カットフィルター」は，本件特許発明１の「赤外線カットフィルタ」に相当する。
　イ　透明誘電体基板
　甲１発明の「近赤外線カットフィルター」は，「７００μｍの厚みを有するガラス基板に…硬化層を形成し」，「次に，硬化層上に…樹脂層を形成し」，「次いで，…露光…焼成して積層板を得」，「積層板のガラス基板上に…誘電体多層膜…を形成して得た」ものである。
　上記の製造工程からみて，甲１発明の「ガラス基板」は，「近赤外線カットフィルター」における基板ということができる。また，ガラスが透明であり，誘電体であることは技術常識である。
　そうしてみると，甲１発明の「ガラス基板」は，本件特許発明１の「透明誘電体基板」に相当する。
　ウ　赤外線吸収層
　甲１発明の「近赤外線カットフィルター」は，「７００μｍの厚みを有するガラス基板に…硬化層を形成し」，「次に，硬化層上に，スピンコーターを用いて近赤外線吸収剤ＡＢＳ６７０Ｔ（Ｅｘｃｉｔｏｎ社製）を含む樹脂溶液を長波長側半値が６４６ｎｍとなるような条件で塗布し，ホットプレート上８０℃で５分間加熱し，溶剤を揮発除去し，樹脂層を形成し，次いで，ガラス面側からコンベア式露光機を用いて露光（露光量１Ｊ/ｃｍ２，照度２００ｍＷ）し，その後オーブン中２３０℃で２０分間焼成して積層板を得」，「積層板のガラス基板上に…誘電体多層膜…を形成して得た」ものである。
　上記の構成からみて，甲１発明の「近赤外線カットフィルター」は，「ガラス基板」の，（誘電体多層膜が形成された面に対し）他方の面上に形成された「近赤外線吸収剤ＡＢＳ６７０Ｔ（Ｅｘｃｉｔｏｎ社製）を含む」「樹脂層」を備える。
　そうしてみると，甲１発明の「樹脂層」は，本件特許発明１の「前記透明誘電体基板の他方の面上に形成された赤外線を吸収する」とされる，「赤外線吸収層」に相当する。
（当合議体注：甲１発明の「近赤外線吸収剤ＡＢＳ６７０Ｔ（Ｅｘｃｉｔｏｎ社製）」の光吸収特性は，参考文献１に記載のとおり，波長６５０〜７００ｎｍの範囲に吸収ピークを有する。そして，この波長は，通常の意味でいう「赤外線」の範囲外ともいえる。しかしながら，本件特許の明細書の【００３７】には，波長４００ｎｍ〜６００ｎｍが可視領域であると理解できる記載があり，また，【００３４】には，６００〜７００ｎｍに赤外線カットフィルタのカットオフ波長が設定されると理解できる記載がある。そこで，甲１発明でいう「近赤外線」も，本件特許発明１でいう「赤外線」の範囲に含まれると理解し，以上のとおり対比する。）
　エ　赤外線反射層
　甲１発明の「近赤外線カットフィルター」は，「積層板のガラス基板上に，蒸着温度２００℃で近赤外線を反射する誘電体多層膜〔シリカ（ＳｉＯ２：膜厚２０〜２５０ｎｍ）層とチタニア（ＴｉＯ２：膜厚７０〜１３０ｎｍ）層とが交互に積層されてなるもの，積層数４４〕を形成して得た」ものである。
　上記の構成からみて，甲１発明の「近赤外線カットフィルター」は，「ガラス基板」の一方の面上に形成された「近赤外線を反射する誘電体多層膜」を備える。また，前記イで述べた製造工程からみて，甲１発明の「誘電体多層膜」は，「かさなりをなすものの１つ」（広辞苑６版），すなわち「層」といえる。さらに，甲１発明の「近赤外線カットフィルター」の「８００〜１０００ｎｍにおける透過率の平均値が１％以下」という特性が，この「誘電体多層膜」によってもたらされていることは，技術的にみて明らかである。
　そうしてみると，甲１発明の「誘電体多層膜」は，本件特許発明１の「前記透明誘電体基板の一方の面上に形成された赤外線を反射する」とされる，「赤外線反射層」に相当する。
　オ　赤外線反射層及び赤外線吸収層の材料
　前記ウ及びエで述べた構成からみて，甲１発明の「誘電体多層膜」及び「樹脂層」は，それぞれ，本件特許発明１における，「前記赤外線反射層は，誘電体多層膜から形成され」及び「前記赤外線吸収層は，赤外線吸収色素を含有する樹脂から形成され」という要件を満たす。
　カ　赤外線カットフィルタ
　前記イ〜エからみて，甲１発明の「近赤外線カットフィルター」は，本件特許発明１の「赤外線カットフィルタ」における，「透明誘電体基板と」，「赤外線反射層と」，「赤外線吸収層と」，「を備える」という要件を満たす。
　(2) 一致点及び相違点
　ア　一致点
　本件特許発明１と甲１発明は，次の構成で一致する。
「　透明誘電体基板と，
　前記透明誘電体基板の一方の面上に形成された赤外線を反射する赤外線反射層と，
　前記透明誘電体基板の他方の面上に形成された赤外線を吸収する赤外線吸収層と，
　を備える赤外線カットフィルタであって，
　前記赤外線反射層は，誘電体多層膜から形成され，
　前記赤外線吸収層は，赤外線吸収色素を含有する樹脂から形成された，
　赤外線カットフィルタ。」
　イ　相違点
　本件特許発明１と甲１発明は，次の点で，相違する。
（相違点１）
　「赤外線カットフィルタ」が，本件特許発明１は，「光の入射角が０°から３５°に変化したときのカットオフ波長λＴ５０％のシフト量をΔλＴ５０％として，ΔλＴ５０％＜２５ｎｍであり」，「光の入射角が３５°のときのカットオフ波長λＴ５０％が６０７ｎｍ〜６４３ｎｍであり」，「前記赤外線反射層の透過率が５０％になる波長をλＲＴ５０％ｎｍとし，前記赤外線吸収層の透過率が５０％になる波長をλＡＴ５０％ｎｍとしたときに，λＡＴ５０％＜λＲＴ５０％を満たすように前記赤外線反射層および前記赤外線吸収層が形成され」ているのに対して，甲１発明は，これらが明らかではなく，また，「赤外線吸収層」が，本件特許発明１は，「分光透過率曲線が波長７００ｎｍ〜７５０ｎｍに透過率の極小値を有する」のに対して，甲１発明は，この要件を満たさない点。
（当合議体注：甲１の【０１８４】の【表１】に記載された吸収極大波長は，６８１ｎｍである。）
　(3) 新規性についての判断
　本件特許発明１と甲１発明は，相違点１において相違する。
　したがって，本件特許発明１は，甲１に記載された発明であるということができない。
　(4) 進歩性についての判断
　甲１発明の「近赤外線吸収剤ＡＢＳ６７０Ｔ（Ｅｘｃｉｔｏｎ社製）」は，甲１の【００５５】に「近赤外線吸収剤の市販品」として列挙されたものの一つである。
　そうしてみると，当業者が，甲１発明の「近赤外線吸収剤ＡＢＳ６７０Ｔ（Ｅｘｃｉｔｏｎ社製）」を，甲１の【００５５】に記載されたものや，【００５１】及び【００５２】に記載された要件を満たす公知の近赤外線吸収剤に替えてみることは，当業者における通常の創意工夫の範囲内の事項である。そして，甲１の【００５５】には，「ＩＲＡ７３５」（Ｅｘｃｉｔｏｎ製），「ＳＤＡ３５９８」及び「ＳＤＡ３９２２」（Ｈ．Ｗ．ＳＡＮＤＳ製）のように，「分光透過率曲線が波長７００ｎｍ〜７５０ｎｍに透過率の極小値を有する」ものも，幾つか挙げられている。
　例えば，「ＩＲＡ７３５」の分光透過率曲線は，以下のとおりである（当合議体注：インターネット＜URL:https://exciton.luxottica.com/media/productattach/Datasheet/07350.pdf＞から取得した。）。
 
　しかしながら，甲１発明の「近赤外線カットフィルター」は，誘電体多層膜に起因する光の透過特性（透過率が５０％となる波長）の角度依存性が，「近赤外線吸収剤ＡＢＳ６７０Ｔ（Ｅｘｃｉｔｏｎ社製）」の光の吸収特性により隠蔽され，「５ｎｍ」という小さな値となるまで抑えられているものである（当合議体注：この点は，甲１の【０００５】，【００５６】及び【００５７】の記載からも確認される事項である。）。そして，仮に，甲１発明の「近赤外線吸収剤ＡＢＳ６７０Ｔ（Ｅｘｃｉｔｏｎ社製）」を「ＩＲＡ７３５」に替えてしまうと，上記の隠蔽ができなくなり，「入射角依存性が小さいため，一般に，レンズ，カバーガラス，ＣＭＯＳ等から構成されるカメラモジュールの任意の位置に組み込むことが可能」（【０１１９】）ではなくなってしまう。
　したがって，甲１発明の「近赤外線カットフィルター」に求められる入射角依存性が小さいという透過率特性を前提とすれば，甲１発明の「近赤外線吸収剤ＡＢＳ６７０Ｔ（Ｅｘｃｉｔｏｎ社製）」を「ＩＲＡ７３５」に替えることには，阻害要因があるといえる（「ＳＤＡ３５９８」及び「ＳＤＡ３９２２」についても，同様である。）。
　ところで，甲１発明の「近赤外線カットフィルター」の透過率特性を，例えば，カットオフ波長が７００ｎｍ程度となるように設計変更する場合においては，「近赤外線吸収剤ＡＢＳ６７０Ｔ（Ｅｘｃｉｔｏｎ社製）」に替えて「ＩＲＡ７３５」が採用されるべきである。
　しかしながら，この場合においては，相違点１に係る本件特許発明１の，「光の入射角が３５°のときのカットオフ波長λＴ５０％が６０７ｎｍ〜６４３ｎｍであり」という要件を満たすことができなくなる。
　したがって，仮に，このような設計変更をしても，本件特許発明１の構成に到ることはない。
（当合議体注：特許異議申立人は，相違点１に係る本件特許発明１の，「光の入射角が３５°のときのカットオフ波長λＴ５０％が６０７ｎｍ〜６４３ｎｍ」という要件，及び「分光透過率曲線が波長７００ｎｍ〜７５０ｎｍに透過率の極小値を有する」という要件の２つを両立し得る赤外線吸収色素を示していない。また，甲１の【００１０】に記載された要件（Ｃ）及び【００５５】に列挙された赤外線吸収剤からみて，甲１発明の「近赤外線カットフィルター」は，比較的狭い光吸収半値幅を持つ赤外線色素を用いることにより，比較的急峻なカットオフ特性を具備するように設計されたものと理解される。このような甲１発明と，上記２つの要件を満たす本件特許発明１の「赤外線カットフィルタ」とは，設計思想の段階から相違すると考えられる。）
　さらに進んで検討すると，甲１の【００５５】には，「これらの近赤外線吸収剤は，１種単独で用いてもよいし，２種以上を併用してもよい。」と記載されている。しかしながら，甲１の【０１８４】の【表１】の実施例Ｋ’−１の評価結果（既に優れたものである）に接した当業者が，甲１発明において「ＩＲＡ７３５」を併用することを動機付けられるとはいえない。かえって，「ＩＲＡ７３５」の分光透過率曲線（上記）からみて，甲１発明において「ＩＲＡ７３５」を併用すると，「４３０〜５８０ｎｍにおける透過率の平均値が８５％」よりも低下すると懸念される。
　以上のとおりであるから，本件特許発明１は，甲１発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　(5) 特許異議申立人の主張について
　特許異議申立人は，令和２年７月２０日付け意見書（以下「意見書」という。）において，塗布膜では，膜厚を調整して塗布する（膜厚を大きくする）ことで，半値波長を６４６ｎｍに合わせることは技術的に可能であるとして，甲１の【０１４４】及び【０１７２】に記載の赤外線吸収色素「Ｌｕｍｏｇｅｎ　ＩＲ７６５（ＢＡＳＦ社製）」の例を挙げつつ，当業者であれば，「ＩＲＡ７３５」を使用して，光の入射角が３５°のときのカットオフ波長λＴ５０％を６０７ｎｍ〜６４３ｎｍの範囲内に収めることも容易になし得ると主張する（意見書５〜６頁）。
　しかしながら，「Ｌｕｍｏｇｅｎ　ＩＲ７６５（ＢＡＳＦ社製）」を用いた樹脂層（積層板）の吸収極大波長は「７６９ｎｍ」（甲１の【０１８４】の【表１】の実施例Ｋ’−１２）であるから，相違点１に係る本件特許発明１の，「分光透過率曲線が波長７００ｎｍ〜７５０ｎｍに透過率の極小値を有する」という要件を満たさない。また，甲１発明の「近赤外線吸収剤ＡＢＳ６７０Ｔ（Ｅｘｃｉｔｏｎ社製）」に替えて「ＩＲＡ７３５」を採用しつつ，膜厚を厚くすれば（厚さ当たりの使用量を増やせば），光の入射角が３５°のときのカットオフ波長λＴ５０％を６０７ｎｍ〜６４３ｎｍの範囲内に収めることも，技術的に（理論上は）不可能ではない。しかしながら，この場合には，「ＩＲＡ７３５」の分光透過率曲線（前記）からみて，「４３０〜５８０ｎｍにおける透過率の平均値」が極めて悪化し，「固体撮像素子用視感度補正フィルターとして好適に用いることができる」ものではなくなると認められる。
　したがって，特許異議申立人が主張するような設計変更は，技術的に（理論上は）可能であるとしても，当業者が実際に行うものであるとはいえない。
　(6) 小括
　本件特許発明１は，甲１に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるということができない。
　３　意見書で追加された新たな特許異議申立ての理由について
　特許異議申立人は，分光透過率曲線の極小値を確認する場合，測定ピッチ等の測定条件の違いによって極小値が変動するとして，本件特許の発明の詳細な説明の記載は，当業者が本件特許発明１の実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載したものであるということができないから，特許法３６条４項１号に規定する要件を満たしていないと主張する。
　しかしながら，請求項１には，「前記赤外線吸収層の分光透過率曲線が波長７００ｎｍ〜７５０ｎｍに透過率の極小値を有する」と記載されている。したがって，本件特許発明１における分光透過率曲線の極小値が，少なくとも，これを峻別できる程度の精度で測定すべきものであることは明らかである（当合議体注：甲１の【０１２２】及び【０１８４】の【表１】の記載からも明らかなとおり，市販の機器で容易に測定可能な精度である。）。
　なお，当業者が，本件特許発明１の「赤外線カットフィルタ」を，本件特許の発明の詳細な説明の記載から読み取ることができ，作ることができ，かつ，使用することができることは，明らかである。
　したがって，特許異議申立人の主張が，新たな取消しの理由であり採用できるか否かについて検討するまでもなく，特許異議申立人が主張する特許異議申立ての理由によっては，本件特許発明１を取り消すことはできない。
　４　他の請求項に係る発明について
　(1) 本件特許発明２，３，５〜１６及び１９について
　本件特許発明２，３，５〜１６及び１９は，本件特許発明１の構成に対して，さらに他の発明特定事項を付加したものである。
　そうしてみると，本件特許発明１の場合と同じ理由により，これら発明も，甲１に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるということはできない。
　(2) 本件特許発明１７及び１８について
　本件特許発明１７及び１８は，「前記赤外線吸収層の分光透過率曲線における透過率の極小値が波長７００ｎｍ〜７５０ｎｍ」及び「赤外線カットフィルタへの光の入射角が３５°のときのカットオフ波長λＴ５０％が６０７ｎｍ〜６４３ｎｍ」という構成を具備する。
　そうしてみると，本件特許発明１の場合と同じ理由により，これら発明も，甲１に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるということはできない。
　(3) 本件特許発明２０及び２１について
　ア　本件特許発明２０について
　本件特許発明２０と甲１発明を対比すると，両者は，少なくとも次の相違点で相違する。
（相違点２）
　「赤外線カットフィルタ」が，本件特許発明２０は，「前記赤外線吸収層上に保護層をさらに備え」，「前記保護層上に可視光線の反射を防止する反射防止層をさらに備える」のに対して，甲１発明は，この構成を具備しない点。
　相違点２について検討すると，甲１の【０１１４】には，「前記誘電体多層膜を前記積層板の両面に設ける場合には，可視光反射防止層を設けなくてもよく」と記載されている。また，誘電体多層膜が，甲１発明の「樹脂層」（本件特許発明２０でいう赤外線吸収層）との関係において，「可視光反射防止層」かつ「保護層」として機能することは，技術的にみて明らかである。
　このような甲１の記載に接した当業者が，甲１発明の「樹脂層」の上に保護層を設け，さらに保護層上に反射防止層を設ける構成に到るとはいえない。
　本件特許発明２０は，甲１に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるということができない。
　イ　本件特許発明２１について
　本件特許発明２１は，本件特許発明２０の構成に対してさらに他の発明特定事項を付加したものである。
　そうしてみると，本件特許発明２０の場合と同じ理由により，本件特許発明２１も，甲１に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるということはできない。
　(4) 本件特許発明２２について
　本件特許発明２２と甲１発明を対比すると，両者は，少なくとも次の相違点で相違する。
（相違点３）
　「赤外線カットフィルタ」が，本件特許発明２２は，「前記赤外線反射層は，前記透明誘電体基板側の面と対向する面が凸面となるように反っている」という構成を具備するのに対して，甲１発明は，この構成を具備すると特定されたものではない点。
　相違点３について検討すると，甲１の【０１２６】の下線部の記載及び【０１８４】の【表１】の「外観」の評価結果が「◎」であることからみて，甲１発明の「近赤外線カットフィルター」は，反りが全く見られないように作製されたものである。
　このような甲１の記載及び甲１発明の構成に接した当業者が，甲１発明において相違点３に係る本件特許発明２２の構成を採用することには，阻害要因がある。
　本件特許発明２２は，甲１に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるということができない。
　(5) 本件特許発明２３について
　本件特許発明２３は，本件特許発明２０又は本件特許発明２２の構成に対して，さらに他の発明特定事項を付加したものである。
　そうしてみると，本件特許発明２０又は本件特許発明２２の場合と同じ理由により，本件特許発明２３も，甲１に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるということはできない。
　５　取消しの理由において採用しなかった特許異議申立ての理由について
　(1) ３６条４項１号の特許異議申立ての理由について
　特許異議申立人は，当業者が，どのような層構造を有する誘電体多層膜と，どのような種類及び厚みの赤外線吸収層とを組み合わせるかについて，過度の試行錯誤を要することを理由として，本件出願の発明の詳細な説明の記載は，特許法３６条４項１号に規定する要件を満たしていないと主張する。
　しかしながら，当業者ならば，本件特許発明１〜３及び５〜２３を，本件特許の発明の詳細な説明の記載から読み取ることができる。また，本件出願前の当業者ならば，誘電体多層膜の設計手法及び赤外線吸収色素の種類（吸収波長等）を，技術常識として心得ている。そして，本件特許の明細書の【０００５】，【００４６】及び【００４７】の記載に接した当業者ならば，誘電体多層膜の入射角依存性を隠蔽することができるような種類の赤外線吸収色素を，必要量だけ用いることにより，本件特許発明１〜３，５〜１５及び２０〜２２の赤外線カットフィルタ，並びに，本件特許発明１６及び２３の撮像装置を作ることができ，また，使用することができる。同様に，当業者ならば，本件特許発明１７〜１９の製造方法により，赤外線カットフィルタを生産することができる。
　(2) 甲２を主引用例とした２９条２項の特許異議申立ての理由について
　特許異議申立人は，甲２（特開２０１１−１０００８４号公報）を主引用例とした特許異議申立ての理由も主張しているので，以下，検討する。
　甲２に記載された「近赤外線カットフィルター」は，「透明樹脂製基板」に，「吸収極大が波長６００〜８００ｎｍであり，かつ，波長４３０〜８００ｎｍの波長領域において，透過率が７０％となる吸収極大以下で最も長い波長（Ａａ）と，波長５８０ｎｍ以上の波長領域において，透過率が３０％となる最も短い波長（Ａｂ）との差の絶対値が７５ｎｍ未満である少なくとも１種の吸収剤を含むことを特徴とする」（【００４２】）ものである。そして，このような「近赤外線カットフィルター」に基づいて，本件特許発明１等が具備する「前記透明誘電体基板の他方の面上に形成された赤外線を吸収する赤外線吸収層」の構成に到るためには，「透明樹脂製基板」に別途「赤外線吸収層」を設ける（製造工程を増やす）必要がある。
　しかしながら，甲２はもちろん，特許異議申立人が提出した他の証拠においても，当業者が，上記の製造工程を増やすような変更を行うべき動機付けが，記載も示唆もされていない。
　したがって，本件特許発明１〜３及び５〜２３は，甲２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
第６　まとめ
　本件特許１〜３及び５〜２３は，取消理由通知書（決定の予告）に記載した取消しの理由及び特許異議申立書に記載された特許異議申立ての理由によっては，取り消すことができない。
　また，他に本件特許１〜３及び５〜２３を取り消すべき理由を発見しない。
　そして，本件訂正請求により，請求項４は削除されたから，本件特許４についての特許異議の申立ての対象は存在しないこととなった。したがって，本件特許４についての特許異議の申立ては，特許法１２０条の８第１項で準用する同法１３５条の規定により却下する。
　よって，結論のとおり決定する。
【異議決定日】
令和２年８月２８日（２０２０．８．２８）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】
　透明誘電体基板と、
　前記透明誘電体基板の一方の面上に形成された赤外線を反射する赤外線反射層と、
　前記透明誘電体基板の他方の面上に形成された赤外線を吸収する赤外線吸収層と、
　を備える赤外線カットフィルタであって、
　前記赤外線反射層は、誘電体多層膜から形成され、
　前記赤外線吸収層は、赤外線吸収色素を含有する樹脂から形成され、
　赤外線カットフィルタへの光の入射角が０°から３５°に変化したときのカットオフ波長λＴ５０％のシフト量をΔλＴ５０％として、ΔλＴ５０％＜２５ｎｍであり、
　赤外線カットフィルタへの光の入射角が３５°のときのカットオフ波長λＴ５０％が６０７ｎｍ〜６４
３
　前記赤外線反射層の透過率が５０％になる波長をλＲＴ５０％ｎｍとし、前記赤外線吸収層の透過率が５０％になる波長をλＡＴ５０％ｎｍとしたときに、λＡＴ５０％＜λＲＴ５０％を満たすように前記赤外線反射層および前記赤外線吸収層が形成され
、
　
前記赤外線吸収層の分光透過率曲線が波長７００ｎｍ〜７５０ｎｍに透過率の極小値を有する
　【請求項２】
　赤外線カットフィルタへの光の入射角が０°において、λＡＴ５０％−λＲＴ５０％≦−１０ｎｍを満たすように前記赤外線反射層および前記赤外線吸収層が形成されることを特徴とする請求項１に記載の赤外線カットフィルタ。
　【請求項３】
　さらに、赤外線カットフィルタへの光の入射角が０°において、−５０ｎｍ≦λＡＴ５０％−λＲＴ５０％を満たすように前記赤外線反射層および前記赤外線吸収層が形成されることを特徴とする請求項２に記載の赤外線カットフィルタ。
　【請求項４】
　（削除）
　【請求項５】
　前記透明誘電体基板は、ガラスから形成されることを特徴とする請求項１から
３
　【請求項６】
　前記赤外線反射層は、紫外線を反射するよう形成されることを特徴とする請求項１から
３および請求項
　【請求項７】
　前記赤外線吸収層上に保護層をさらに備えることを特徴とする請求項１から
３、請求項５および
　【請求項８】
　前記保護層は、可視光線の反射を防止する機能を有することを特徴とする請求項７に記載の赤外線カットフィルタ。
　【請求項９】
　前記保護層は、紫外線の透過を防止する機能を有することを特徴とする請求項７または８に記載の赤外線カットフィルタ。
　【請求項１０】
　前記保護層上に可視光線の反射を防止する反射防止層をさらに備えることを特徴とする請求項７から９のいずれかに記載の赤外線カットフィルタ。
　【請求項１１】
　前記反射防止層は、紫外線の透過を防止する機能を有することを特徴とする請求項１０に記載の赤外線カットフィルタ。
　【請求項１２】
　前記透明誘電体基板と前記赤外線吸収層との間にプライマ層をさらに備えることを特徴とする請求項１から
３および請求項５から
　【請求項１３】
　前記赤外線反射層は、前記透明誘電体基板側の面と対向する面が凸面となるように反っていることを特徴とする請求項１から
３および請求項５から
　【請求項１４】
　前記赤外線吸収色素を含有する樹脂は、ＰＶＢであることを特徴とする請求項１から
３および請求項５から
　【請求項１５】
　前記透明誘電体基板の厚みは、０．１ｍｍ〜０．３ｍｍであることを特徴とする請求項１から
３および請求項５から
　【請求項１６】
　請求項１から
３および請求項５から
　前記赤外線カットフィルタを透過した光が入射する撮像素子と、
　を備えることを特徴とする撮像装置。
　【請求項１７】
　透明誘電体基板を準備するステップと、
　前記透明誘電体基板の一方の面上に赤外線反射層を形成するステップと、
　前記透明誘電体基板の他方の面上に赤外線吸収層を形成するステップと、
　を備える赤外線カットフィルタの製造方法であって、
　前記赤外線反射層は、誘電体多層膜から形成され、
　前記赤外線吸収層は、赤外線吸収色素を含有する樹脂から形成され、
　
前記赤外線吸収層の分光透過率曲線における透過率の極小値が波長７００ｎｍ〜７５０ｎｍであり、
　赤外線カットフィルタへの光の入射角が０°から３５°に変化したときのカットオフ波長λＴ５０％のシフト量をΔλＴ５０％として、ΔλＴ５０％＜２５ｎｍであり、
　赤外線カットフィルタへの光の入射角が３５°のときのカットオフ波長λＴ５０％が６０７ｎｍ〜６４
３
　前記赤外線反射層の透過率が５０％になる波長をλＲＴ５０％ｎｍとし、前記赤外線吸収層の透過率が５０％になる波長をλＡＴ５０％ｎｍとしたときに、赤外線カットフィルタへの光の入射角が０°において、λＡＴ５０％−λＲＴ５０％≦−１０ｎｍを満たすように前記赤外線反射層および前記赤外線吸収層が形成されることを特徴とする赤外線カットフィルタの製造方法。
　【請求項１８】
　さらに、赤外線カットフィルタへの光の入射角が０°において、−５０ｎｍ≦λＡＴ５０％−λＲＴ５０％を満たすように前記赤外線反射層および前記赤外線吸収層が形成されることを特徴とする請求項１７に記載の赤外線カットフィルタの製造方法。
　【請求項１９】
　請求項１４に記載の赤外線カットフィルタの製造方法であって、
　透明誘電体基板を準備するステップと、
　前記透明誘電体基板の一方の面上に赤外線反射層を形成するステップと、
　シアニン系化合物、ジインモニウム系化合物、フタロシアニン系化合物およびアゾ系化合物から選択される赤外線吸収色素をＰＶＢに添加して、赤外線吸収色素を含む液体状のＰＶＢ樹脂を調合するステップと、
　前記液体状のＰＶＢ樹脂を、フローコート装置によって前記透明誘電体基板の他方の面上に塗布し、乾燥させるステップと、
　を含むことを特徴とする赤外線カットフィルタの製造方法。
　【請求項２０】
　
透明誘電体基板と、
　
前記透明誘電体基板の一方の面上に形成された赤外線を反射する赤外線反射層と、
　
前記透明誘電体基板の他方の面上に形成された赤外線を吸収する赤外線吸収層と、
　
を備える赤外線カットフィルタであって、
　
前記赤外線反射層は、誘電体多層膜から形成され、
　
前記赤外線吸収層は、赤外線吸収色素を含有する樹脂から形成され、
　
赤外線カットフィルタへの光の入射角が０°から３５°に変化したときのカットオフ波長λＴ５０％のシフト量をΔλＴ５０％として、ΔλＴ５０％＜２５ｎｍであり、
　
赤外線カットフィルタへの光の入射角が３５°のときのカットオフ波長λＴ５０％が６０７ｎｍ〜６４７ｎｍであり、
　
前記赤外線反射層の透過率が５０％になる波長をλＲＴ５０％ｎｍとし、前記赤外線吸収層の透過率が５０％になる波長をλＡＴ５０％ｎｍとしたときに、λＡＴ５０％≦λＲＴ５０％を満たすように前記赤外線反射層および前記赤外線吸収層が形成され、
　
前記赤外線吸収層上に保護層をさらに備え、
　
前記保護層上に可視光線の反射を防止する反射防止層をさらに備えることを特徴とする赤外線カットフィルタ。
　【請求項２１】
　
前記反射防止層は、紫外線の透過を防止する機能を有することを特徴とする請求項２０に記載の赤外線カットフィルタ。
　【請求項２２】
　
透明誘電体基板と、
　
前記透明誘電体基板の一方の面上に形成された赤外線を反射する赤外線反射層と、
　
前記透明誘電体基板の他方の面上に形成された赤外線を吸収する赤外線吸収層と、
　
を備える赤外線カットフィルタであって、
　
前記赤外線反射層は、誘電体多層膜から形成され、
　
前記赤外線吸収層は、赤外線吸収色素を含有する樹脂から形成され、
　
赤外線カットフィルタへの光の入射角が０°から３５°に変化したときのカットオフ波長λＴ５０％のシフト量をΔλＴ５０％として、ΔλＴ５０％＜２５ｎｍであり、
　
赤外線カットフィルタへの光の入射角が３５°のときのカットオフ波長λＴ５０％が６０７ｎｍ〜６４７ｎｍであり、
　
前記赤外線反射層の透過率が５０％になる波長をλＲＴ５０％ｎｍとし、前記赤外線吸収層の透過率が５０％になる波長をλＡＴ５０％ｎｍとしたときに、λＡＴ５０％≦λＲＴ５０％を満たすように前記赤外線反射層および前記赤外線吸収層が形成され、
　
前記赤外線反射層は、前記透明誘電体基板側の面と対向する面が凸面となるように反っていることを特徴とする赤外線カットフィルタ。
　【請求項２３】
　
請求項２０から２２のいずれかに記載の赤外線カットフィルタと、
　
前記赤外線カットフィルタを透過した光が入射する撮像素子と、
　
を備えることを特徴とする撮像装置。