【事件の表示】
　特願２００６−１２２１４６「トンネル磁気抵抗効果素子、それを用いた磁気メモリセル及びランダムアクセスメモリ」拒絶査定不服審判事件〔平成１９年１１月　８日出願公開、特開２００７−２９４７３７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯
　本願は，平成１８年４月２６日の出願であって，平成２４年８月２０日に手続補正がなされ，同年１０月１１日付けで拒絶査定がされ，これに対して同年１２月１３日に拒絶査定に対する審判請求がされるとともに，同日に手続補正がされ，その後平成２５年２月１２日付けで審尋がされ，それに対して同年４月５日に回答書が提出されたものである。
　
２　平成２４年１２月１３日の手続補正について
　平成２４年１２月１３日の手続補正（以下「本件補正」という。）は，補正前段落【００１９】の「ここで，ｔ１＜ｔ２を前提とする。ｔ１＞ｔ２の場合は，」を，補正後の段落【００１９】の「ここで，ｔ１＞ｔ２を前提とする。ｔ１＜ｔ２の場合は，」と補正するものであって，これは，本願の願書に最初に添付した明細書の段落【００２１】〜【００２８】及び図４〜７において，ｔ２／ｔ１＜１の範囲のものについて記載されていることから，本件補正は，当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものであり，特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすものである。
　したがって，本件補正は適法になされたものである。
　なお，本件補正は，明細書の誤記の訂正を目的としたものであり，特許請求の範囲については補正されていないものである。
　
３　本願発明
　上記２に記載したとおり，平成２４年１２月１３日の手続補正は，明細書の誤記の訂正を目的としたもののみであるから，本願の請求項１〜１０に係る発明は，明細書，特許請求の範囲及び図面の記載からみて，平成２４年８月２０日の手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１〜１０に記載されている事項により特定されるとおりのものであり，そのうちの請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は，以下のとおりのものである。
　
「絶縁膜と，前記絶縁膜を挟んで設けられた強磁性自由層と強磁性固定層とを有し，
　前記絶縁膜は（１００）配向した岩塩構造のＭｇＯ膜であり，
　前記強磁性自由層は，非磁性導電層を挟んで設けられた第一の強磁性膜と第二の強磁性膜からなり，前記第一の強磁性膜は前記絶縁膜に隣接し，前記第二の強磁性膜と第一の強磁性膜は反強磁性結合しており，
　前記強磁性膜固定層はＣｏとＦｅとＢを含有する体心立方構造の膜を有し，
　前記第一の強磁性膜の厚さｔ１と前記第二の強磁性膜の厚さｔ２の比（ｔ２／ｔ１）が０．４から１．０の範囲にあることを特徴とするトンネル磁気抵抗効果素子。」
　
　なお，「強磁性膜固定層」と「強磁性固定層」とは，同一の層を意味していることは明らかであるから，以下表記上の混乱を避けるため，「強磁性膜固定層」を「強磁性固定層」と読み替えた上で検討を進める。
　
４　引用例の記載及び引用発明
（１）引用例１の記載及び引用発明
　本願の出願前に日本国内において頒布され，原査定の根拠となった拒絶の理由において引用されたJun HAYAKAWA et al., Dependence of Giant Tunnel Magnetoresistance of Sputtered CoFeB/MgO/CoFeB Magnetic Tunnel Junctions on MgO Barrier Thickness and Annealing Temperature, Japanese Journal of Applied Physics, The Japan Society of Applied Physics, ２００５年４月２２日，Vol.44,No.19, p.L587-L589（以下「引用例１」という。）には，「トンネル磁気抵抗効果素子」に関して，Fig.1とともに以下の記載がある（なお，下線は当合議体にて付加したものである。）。
　
　ア「A schematic diagram of the fabricated MTJ devices is shown in Fig.1(a). Multilayer films were deposited using rf magnetron sputtering with a base pressure of 10-9 Torr. 
The MTJ films with synthetic pin layers were formed on SiO
2
/Si substrates. The order of the film layers was as follows, starting from the substrate side; Ta(5)/Ru(50)/Ta(5)/NiFe(5)/MnIr(10)/CoFe(2)/Ru(0.8)/CoFeB(3)/MgO/CoFeB(3)/Ta(5)/Ru(5). The numbers in parentheses indicate the thickness in nm of the layers, and the thickness of the MgO barrier was varied from 1.15 to 2.4 nm. We use CoFe to represent a Co
90
Fe
10
 alloy and CoFeB to represent a Co
40
Fe
40
B
20
 alloy.
（当審訳：作成されたトンネル磁気抵抗効果素子の概観図を図１（ａ）に示す。多層膜はベース圧力10-9 Torrのｒｆマグネトロンスパッタリングにより形成される。
 人工ピン止め層を有するトンネル磁気抵抗効果接合層は，SiO
2
/Si基板上に作成される。基板側から各層の順序は以下のとおりである。Ta(5)/Ru(50)/Ta(5)/NiFe(5)/MnIr(10)/CoFe(2)/Ru(0.8)/CoFeB(3)/MgO/CoFeB(3)/Ta(5)/Ru(5) 括弧内の数字は各層のｎｍの厚さを示しており，MgO障壁層は1.15〜 2.4ｎｍである。CoFeは，Co
90
Fe
10
 合金を，CoFeBは，Co
40
Fe
40
B
20
 合金を示している
　
　イ「An atomic force microscopy(AFM)image of the surface of a 
Ta/Ru/Ta underlayer
（当審訳：原子間力顕微鏡による
下地層Ta/Ru/Ta
　
　ウ「Second, the 
MgO barrier has NaCl structure that is highly (001) oriented 
（当審訳：２番目は，
ＭｇＯ障壁層は，００１面に高配向のＮａＣｌ構造を有しており，
　
　エ　以上を総合すると，引用例１には，以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
　「SiO2/Si基板上に基板側から順にTa(5)/Ru(50)/Ta(5)/NiFe(5)/MnIr(10)/CoFe(2)/Ru(0.8)/CoFeB(3)/MgO/CoFeB(3)/Ta(5)/Ru(5)と作成され，
ＭｇＯ障壁層は，００１面に高配向のＮａＣｌ構造を有するトンネル磁気抵抗効果素子。」　
　
（２）引用例２の記載
　本願の出願前に日本国内において頒布され，原査定の根拠となった拒絶の理由において引用された特表２００５−５３９３７６号公報（以下「引用例２」という。）には，「磁気デバイス用アモルファス合金」（発明の名称）に関して，図２とともに以下の記載がある。
　
　ア「【００２３】
  第２電極積層構造２１８は，強磁性自由層２２８及び保護コンタクト層２３０を含む。強磁性自由層２２８の磁気モーメントは交換結合によって固定または固着されることがないので，印加磁界の下で自由に回転することができる。本発明の最適な実施形態では，
強磁性自由層２２８もまた，おおよその原子量％で７１．２％のＣｏ，８．８％のＦｅ及び２０％のＢのコバルト（Ｃｏ），鉄（Ｆｅ）及びボロン（Ｂ）から成る合金から形成される。この組成はボロン添加されたＣｏＦｅ合金であり，（Ｃｏ
８９
Ｆｅ
１１
）
８０
Ｂ
２０
と表わすことができる
【００２４】
  
特に，２つのＣｏＦｅＢ層に挟まれるルテニウム（Ｒｕ）またはロジウム（Ｒｈ）のような遷移金属を含むＳＡＦ自由層は，２つの磁性層間の反強磁性結合を強めることができる。
種々の自由層に有用である
　
５　対比
　以下に，本願発明と引用発明とを対比する。
（１）　引用発明のトンネル磁気抵抗効果素子の一部の「Ta(5)/Ru(50)/Ta(5)/NiFe(5)/MnIr(10)/CoFe(2)/Ru(0.8)/CoFeB(3)/MgO/CoFeB(3)/Ta(5)/Ru(5)」という積層構造において，「Ta(5)/Ru(50)/Ta(5)」が下地層であり，「NiFe(5)/MnIr(10)/CoFe(2)/Ru(0.8)/CoFeB(3)」が強磁性層／反強磁性層／強磁性層／非磁性層／強磁性層を積層して形成した人工ピン止め層であり，これが「強磁性固定層」に，「MgO」が「絶縁層」に，「CoFeB(3)」が「強磁性自由層」にそれぞれ対応していることは，当業者にとって明らかであるから，引用発明は，絶縁層を挟んで，強磁性自由層と強磁性固定層が設けられていることが分かる。
　そうすると，「SiO2/Si基板上に基板側からTa(5)/Ru(50)/Ta(5)/NiFe(5)/MnIr(10)/CoFe(2)/Ru(0.8)/CoFeB(3)/MgO/CoFeB(3)/Ta(5)/Ru(5)と作成され」る引用発明と，本願発明とは，「絶縁膜と，前記絶縁膜を挟んで設けられた強磁性自由層と強磁性固定層とを有」する構成を含んでいる点で一致する。
　
（２）　引用発明の「ＭｇＯ」の「ＮａＣｌ構造」は，本願発明の「岩塩構造」に相当する。そして，ＮａＣｌ構造においては，その対称性から，００１方向は，１００方向と同じであることも明らかである。
　そうすると，引用発明の「００１面に高配向のＮａＣｌ構造を有する」「ＭｇＯ障壁層」は，本願発明の「絶縁膜は（１００）配向した岩塩構造のＭｇＯ膜」に相当する。
　
（３）引用発明の強磁性体「ＣｏＦｅＢ」は，「Co40Fe40B20 合金」であり，本願明細書中の段落【００１５】の「ＣｏＦｅＢの組成比は，体心立方格子が安定となるＣｏ組成が４０〜６０ａｔｍ％，Ｂ組成が１０〜３０ａｔｍ％の間とすることが望ましい。」なる記載を参酌すると，引用発明の強磁性体「ＣｏＦｅＢ」はこの組成の範囲に入ることから，体心立方構造を有しているものであることは明らかである。
　
（４）　したがって，本願発明と引用発明とは，
　
＜一致点＞
　「絶縁膜と，前記絶縁膜を挟んで設けられた強磁性自由層と強磁性固定層とを有し，
　前記絶縁膜は（１００）配向した岩塩構造のＭｇＯ膜であり，
　前記強磁性固定層はＣｏとＦｅとＢを含有する体心立方構造の膜を有していることを特徴とするトンネル磁気抵抗効果素子。」
　である点で一致し，以下の点で相違する。
　
＜相違点１＞
　本願発明は「強磁性自由層は，非磁性導電層を挟んで設けられた第一の強磁性膜と第二の強磁性膜からなり，前記第一の強磁性膜は前記絶縁膜に隣接し，前記第二の強磁性膜と第一の強磁性膜は反強磁性結合」されているのに対し，引用発明は強磁性自由層が単層である点。
　
＜相違点２＞ 
　本願発明は「第一の強磁性膜の厚さｔ１と前記第二の強磁性膜の厚さｔ２の比（ｔ２／ｔ１）が０．４から１．０の範囲にある」を有しているのに対し，引用発明は強磁性自由層が単層であるためこの点が特定されていない点。
　
６　判断 
（１）相違点１について 
　引用例２には，ルテニウム（Ｒｕ）またはロジウム（Ｒｈ）のような遷移金属を挟んで２層のＣｏＦｅＢの強磁性層による複合反強磁性（ＳＡＦ）自由層は，２つの磁性層間の反強磁性結合を強めるものであり，また種々の自由層に有用であることが示唆されている。また，強磁性自由層として，ＳＡＦ自由層を用いることは，例えば以下の周知例１，２に記載されているように周知の技術事項である。
　引用例２に記載の発明と引用発明とは，トンネル磁気抵抗効果素子という技術分野が共通し，また上記周知の技術事項も勘案すると，引用発明において，強磁性自由層を，引用例２に記載の非磁性層を挟んで強磁性膜が互いに反強磁性結合する強磁性自由層とすることは，当業者が容易になし得たことといえる。
　
　ア　周知例１：特開２００６−５４４５８号公報
　本願の出願前に日本国内において頒布された特開２００６−５４４５８号公報（以下「周知例１」という。）には，以下の記載がある。
　
・「【００２４】
  前記固定層パターン４０′及び前記
自由層パターン４４′はそれぞれ単一強磁性層（ａ  ｓｉｎｇｌｅ  ｆｅｒｒｏｍａｇｎｅｔｉｃ  ｌａｙｅｒ）または合成反強磁性層（ｓｙｎｔｈｅｔｉｃ  ａｎｔｉ−ｆｅｒｒｏｍａｇｎｅｔｉｃ  ｌａｙｅｒ；ＳＡＦ  ｌａｙｅｒ）であっても良い。前記合成反強磁性層（ＳＡＦ  ｌａｙｅｒ）は下部強磁性層、上部強磁性層及びこれらの間に介在された反強磁性カップリングスペーサ層（ａｎｔｉ−ｆｅｒｒｏｍａｇｎｅｔｉｃ  ｃｏｕｐｌｉｎｇ  ｓｐａｃｅｒ  ｌａｙｅｒ）を含む。前記反強磁性カップリングスペーサ層としてルテニウム層（Ｒｕｔｈｅｎｉｕｍ  ｌａｙｅｒ）が広く用いられる
　
　イ　周知例２：特開２００１−１５６３５７号公報
　本願の出願前に日本国内において頒布された特開２００１−１５６３５７号公報（以下「周知例２」という。）には，以下の記載がある。
　
・「【００５６】上記の
強磁性二重トンネル接合素子を構成する反強磁性結合した磁気記録層は強磁性層と非磁性金属層とを交互に積層することによって容易に作製できる
【００５７】したがって、
反強磁性結合した磁気記録層の例としては、（ａ）強磁性層／非磁性層／強磁性層
　
（２）相違点２について
　強磁性自由層として，非磁性層を挟んだ２つの強磁性膜を用い，それぞれの強磁性膜の厚さの比の値として，１程度の値は，以下の周知例３，４等にも記載されているようにごく普通の値である。
　また，本願の明細書の記載を見ても，第１の強磁性膜の厚さｔ１や，第一及び第二の強磁性膜の磁化の大きさ（Ｍ１，Ｍ２）によって，熱安定性を高め，反転電流を減少させるｔ２／ｔ１の比の最適の値の範囲が大きく変化していることが分かる。そうすると，本願発明において，最適化のパラメータとして第一の強磁性膜の厚さｔ１と前記第二の強磁性膜の厚さｔ２の比（ｔ２／ｔ１）を０．４から１．０の範囲と限定したことのみにより，格別の効果を奏しているとは認められず，技術的な臨界的意義も認められない。
　なお，強磁性膜の厚さを薄くすればするほど，磁化反転の電流が下がることは，例えば以下の周知例５〜６等にも記載されているように一般的に知られている技術事項であり，また，強磁性膜の厚さを厚くすれば，熱安定性が増すことも，周知例５〜７等に記載されているように一般的に知られている技術事項である。そうすると，磁化反転の電流を下げるためには強磁性膜を薄くすればよく，熱安定性を上げるためには強磁性膜を厚くすればよいことから，強磁性膜の厚さについて何らかの最適な範囲があることは，当業者にとって自明なことであり，強磁性膜の厚さの比の好適化を図ることは，当業者の通常の創作能力の範囲内であるといえる。
　以上から，引用発明において，強磁性自由層を積層構造とし，その第一の強磁性膜の厚さｔ１と前記第二の強磁性膜の厚さｔ２の比（ｔ２／ｔ１）の最適な範囲として，０．４から１．０とすることは，当業者が適宜なし得たことといえ，相違点２に係る本願発明の構成は，当業者が適宜なし得た範囲に含まれるものである。
　
　ア　周知例３：特開２００６−１０８３１６号公報
　本願の出願前に日本国内において頒布された特開２００６−１０８３１６号公報（以下「周知例３」という。）には，図２とともに以下の記載がある。
　
・「【００７２】
（実施例１）
  厚さ０．５７５ｍｍのシリコン基板上に，厚さ２μｍの熱酸化膜を形成し，その上に図２に示した構成の記憶素子３を形成した。
  具体的には，図２に示した構成の記憶素子３において，各層の材料及び膜厚を，下地膜１１を膜厚３ｎｍのＴａ膜，反強磁性層１２，２０を膜厚２０ｎｍのＰｔＭｎ膜，第１の磁化固定層３１を構成する強磁性層１３を膜厚５ｎｍのＣｏＦｅ膜，トンネル絶縁層となる絶縁層１４を膜厚０．５ｎｍのＡｌ膜を酸化した酸化アルミニウム膜，積層フェリ構造の記憶層３２を構成する
強磁性層１５，１７を膜厚２ｎｍのＣｏＦｅ膜，積層フェリ構造の記憶層３２を構成する非磁性層１６を膜厚３．６ｎｍのＲｕ膜
  上記膜構成で，ＰｔＭｎ膜の組成はＰｔ５０Ｍｎ５０（原子％），ＣｏＦｅ膜の組成はＣｏ９０Ｆｅ１０(原子％)，ＮｉＦｅ膜の組成はＮｉ８０Ｆｅ２０（原子％）とした。
  酸化アルミニウム膜から成る絶縁層１６以外の各層は，ＤＣマグネトロンスパッタ法を用いて成膜した。
  酸化アルミニウム（Ａｌ−Ｏｘ）膜から成る絶縁層１６は，まず金属Ａｌ膜をＤＣスパッタ法により０．５ｎｍ堆積させて，その後に酸素／アルゴンの流量比を１：１とし，チャンバーガス圧を１０Ｔｏｒｒとして，自然酸化法により金属Ａｌ層を酸化させた。酸化時間は１０分とした。
  さらに，記憶素子３の各層を成膜した後に，磁場中熱処理炉で，１０ｋＯｅ・２７０℃・４時間の熱処理を行い，反強磁性層１２，２０のＰｔＭｎ膜の規則化熱処理を行った。」
　
　イ　周知例４：特開２００３−１５２２３９号公報
　本願の出願前に日本国内において頒布された特開２００３−１５２２３９号公報（以下「周知例４」という。）には，以下の記載がある。
　
・「【００４６】
【実施例】…（中略）…
（実施例１）図５に示すように，本発明による第１実施例のボトム型スピンバルブ膜１００を作成した。ここで，図５は，図３に示す構造に適用可能なスピンバルブ膜１００の拡大断面図である。下部シールド兼下部電極層５２上に，下層から上層に順に，厚さ５ｎｍのＴａと厚さ２ｎｍのＮｉＦｅからなる下地層１０２，厚さ１５ｎｍのＰｄＰｔＭｎからなる交換結合層１０４，厚さ３ｎｍのＣｏＦｅＢからなるピン強磁性層１０６，厚さ４ｎｍのＣｕからなる非磁性中間層１０８，厚さ５ｎｍのフリー強磁性層１２０，厚さ１ｎｍのＣｕと厚さ１０ｎｍのＡｕからなる電極１１０とを積層した。
【００４７】
フリー強磁性層１２０は，厚さ１．５ｎｍのＣｏＦｅＢからなる強磁性金属層としての第１のフリー強磁性層１２２，厚さ２ｎｍのＣｕからなる非磁性金属層１２４，厚さ１．５ｎｍのＣｏＦｅＢからなる強磁性金属層としての第２のフリー強磁性層１２６とを有する
（実施例２）…（後略）…」
　
　ウ　周知例５：特開２００５−１５０４８２号公報
　本願の出願前に日本国内において頒布された特開２００５−１５０４８２号公報（以下「周知例５」という。）には，以下の記載がある。
　
・「【００１６】
  また，
記憶セルの厚みを低減すれば，反転電流と電流密度は共に減少する
【００１７】
  以上のような
記憶セルの面内サイズ又は膜厚の減少
体積Ｖを減少させる
熱揺らぎ耐性（Ｋ
U
Ｖ／ｋ
B
Ｔ）を低下させる
反転電流はメモリセル体積にほぼ比例するため，体積を一桁減らせば反転電流も一桁低減でき
　
　エ　周知例６：特開２００６−８０３８５号公報
　本願の出願前に日本国内において頒布された特開２００６−８０３８５号公報（以下「周知例６」という。）には，以下の記載がある。
　
・「【００２３】
  
スピン注入により記憶層の磁化の向きを反転させるために必要となる電流（反転電流）Ｉｃは，大まかには，記憶層の体積
に比例
  一方，
熱ゆらぎに対する情報保持特性は，記憶層の体積及び磁気異方性エネルギーが大きいほど良好になる
  従って，熱に対する情報保持特性を維持しながら記録電流を下げるには，飽和磁束密度と制動定数を下げ，磁気異方性エネルギーと分極率を上げればよい。」
　
　オ　周知例７：特開２００２−１５１７５８号公報
　本願の出願前に日本国内において頒布された特開２００２−１５１７５８号公報（以下「周知例７」という。）には，以下の記載がある。
　
・「【００１４】磁気ディスク装置において，
熱揺らぎに対して安定となる目安は，磁気記録媒体の結晶粒の体積をＶ，媒体材料の異方性エネルギー定数をＫuとすると，
  
 Ku ・V /  k・T  80                          (1)
である
1)式を満足するためには，自由層の体積Vを大きくする必要がある。ところが，前述のように強磁性トンネル磁気抵抗効果膜は小サイズ化が必要であることから，自由層の面積 S は小さくなるので，ある体積 V を確保するためには膜厚 t を厚くする必要がある。しかし，膜厚 t を厚くすると，自由層の飽和磁化 M
s
 との積である磁化量 M
s
・t が大きくなるので，磁界に対する感度が鈍くなる
【００１５】熱揺らぎ安定性を確保しつつ，なおかつ磁界感度を向上させるためには，同じ体積 V で自由層の磁化量 Ms・t を小さく保つことが必要であり，これは，自由層が強磁性層と中間層の多層構造からなり，中間層を介して隣接する強磁性層の磁化を反強磁性的に配列させることにより実現できる。このとき，(1)式は，自由層の平均の異方性磁界を Hk ，平均の飽和磁化を Ms，自由層を構成する各強磁性層の体積の和を Vferro とすると，
    Hk・Ms・Vferro / 2  80・k・T                  (2)
ここで，k：ボルツマン定数，T：強磁性トンネル磁気抵抗効果素子の温度と書き換えることができる。」
　
（３）判断についてのまとめ 
　以上検討したとおり，本願発明は，当業者における周知の技術事項を勘案することにより，引用発明及び引用例２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
　
７　むすび 
　以上のとおり，本願の請求項１に係る発明は特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから，他の請求項に係る発明について検討するまでもなく，本願は拒絶をすべきものである。 
　
　よって，結論のとおり審決する。