【事件の表示】
　特願２００１−５８１３５３「ＧａＮの発光ダイオードチップおよび発光ダイオードパッケージの製造法」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年１１月　８日国際公開、ＷＯ０１／８４６４０、平成１５年１１月　５日国内公表、特表２００３−５３３０３０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯・本願発明
　本願は、平成１３年３月１６日（パリ条約による優先権主張２０００年４月２６日、同年５月２６日、ドイツ連邦共和国）を国際出願日とする出願であって、平成２３年２月２２日付けで誤訳訂正がなされたところ、同年５月２３日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年９月２２日に拒絶査定不服審判請求がなされると同時に誤訳訂正がなされ、その後、当審において平成２４年７月６日付けで拒絶理由が通知され、同年１０月５日付けで手続補正がなされたものである。
　
　そして、本願の請求項に係る発明は、平成２４年１０月５日付け手続補正による補正後の明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜１１に記載された事項によって特定されるものと認められるところ、その請求項１に係る発明は次のものである。
　
「ｎ型伝導エピタクシー層（４）およびｐ型伝導エピタクシー層（５）を有する、ＧａＮ系の光放出エピタクシー連続層（３）を有する発光ダイオードチップ（１）において、
　発光ダイオードチップ（１）が成長基板を備えておらず、ｐ型伝導エピタクシー層（５）がｎ型伝導エピタクシー層（４）から離反した主要面（９）上に、ダイボンディングが可能な反射性ｐ型接触層（６）を備えており、
　ｎ型伝導エピタクシー層（４）がｐ型伝導エピタクシー層（５）から離反した主要面（８）上に、この主要面の一部分だけを覆うｎ型接触層（７）を備えており、
　発光ダイオードチップ（１）からの光出射がｎ型伝導エピタクシー層（４）の主要面（８）の、ｎ型接触層（７）によって覆われていない自由領域および発光ダイオードチップの側面（１４）を介して行なわれ、
　ｐ型接触層（６）がｐ側（９）に施された透明な第１の層（１５）およびこの第１の層上に施された反射性の第２の層（１６）を有していることを特徴とする、上記発光ダイオードチップ（１）。」（以下「本願発明」という。）
　
　
２　引用刊行物の記載事項
（１）引用刊行物１
　当審における拒絶の理由に引用された、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開２０００−１０１１３９号公報（以下「引用刊行物１」という。）には、図とともに下記の事項が記載されている。
　
　ア　「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体発光素子及びその製造方法並びに半導体発光装置に関する。より具体的には、本発明は、窒化物系半導体を用いた半導体光発光素子に関し、サファイア基板を容易且つ確実に分離することにより高品質の結晶が得られる半導体発光素子及びその製造方法並びに半導体発光装置に関する。」
　
　イ　「【００２９】図１は、本発明の第１の実施の形態にかかる半導体発光素子の製造方法を例示する工程断面図である。…
【００３０】まず、図１（ａ）に示したように、サファイヤ基板１１の上にＭＯＣＶＤ（有機金属気相成長法）によりＧａＮ層１２、ＡｌＧａＮ層１３、ｎ型ＧａＮ層１４を成長する。…
【００３１】ここで、ＡｌＧａＮ層１３のＡｌ組成は３０％前後とし、成長層の全面にクラックが入るように層厚を厚くする。このように欠損部を有したＡｌＧａＮ層１３は、後に詳述するように基板１１を剥離するための「リフトオフ層」として作用する。
【００３２】次に、図１（ｂ）に示したように、ｎ型ＧａＮ層１５を８０μｍ前後の層厚に成長し、さらに、半導体レーザの要部となるダブルヘテロ構造などを含む多層構造部１６を成長する。…
【００３３】次に、図１（ｃ）に示したように、基板１１を剥離する。具体的には、フォトリソグラフィ法などを用いて半導体レーザのメサストライフ部などを形成した後、レーザの多層構造部１６を下にして治具１７にワックスなどで貼り付ける。そして、基板１１の側面または裏面に対して治具をあてて刷動させるなどの方法により応力を加えることで、簡単に基板１１を剥離することができる。ここで、剥離は、「リフトオフ層」すなわちＡｌＧａＮ層１３の前後の界面付近において生ずる。
【００３４】基板１１を剥離したら、図１（ｄ）に示したように、ｐ側電極１８とｎ側電極１９を形成する。さらに、へき開によりレーザ端面を形成してチップ化する。」
　
　ウ　「【００４５】図４は、本実施形態により作製した半導体レーザを例示する概略断面図である。図中１５は、ハイドライドＶＰＥ成長によるｎ型ＧａＮコンタクト層（Ｓｉドープ、ドーピング濃度１×１０１８ｃｍ−３）であり、…サファイア基板上に成長した後に剥離して新たな基板として用いられるものである。また、図中２４は、ｎ型Ａｌ０．０８Ｇａ０．９２Ｎクラッド層（Ｓｉドープ、１×１０１８ｃｍ−３、層厚０．８μｍ）、２５はＧａＮ光導波層、２６は多重量子井戸構造（ＭＱＷ）からなる活性層部、２７はＧａＮ光導波層（Ｍｇドープ、１×１０１９ｃｍ−３、０．１μｍ）である。
【００４６】ここで、活性層部２６のＭＱＷの井戸層は３ｎｍ厚のＩｎ０．１５Ｇａ０．８５Ｎ層からなり、バリア層は厚さ６ｎｍのＩｎ０．０２Ｇａ０．９８Ｎからなる。また、井戸層は５層である。また、活性層部２６は、ＭＱＷとｐ型光導波層２７との間に、層厚２ｎｍのｐ型Ａｌ０．２０Ｇａ０．８０Ｎキャップ層を有する。
【００４７】さらに、図中２８はｐ型Ａｌ０．０８Ｇａ０．９２Ｎクラッド層（Ｍｇドープ、５×１０１９ｃｍ−３、０．８μｍ）、３０はｐ型ＧａＮコンタクト層（Ｍｇドープ、８×１０１９ｃｍ−３、０．５μｍ）であり、最上部はＭｇを２×１０２０ｃｍ−３まで高濃度化した。２９はｎ型ＩｎＧａＮからなる電流狭窄層、３１はＰｔ／Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕをこの順に積層したｐ側電極、３２はｎ側電極である。紙面に対して平行方向に設けられる端面のレーザミラーは、へき開により形成する。」
　
　エ　「【００５５】本実施形態は、発光ダイオードの製造にも適用することができる。図５は、図４と同様な製造方法により作製した発光ダイオードを表す概略断面図である。同図中１５はハイドライドＶＰＥ法によるｎ型ＧａＮコンタクト層（Ｓｉドープ、１×１０１８ｃｍ−３）、３４はｎ型Ａｌ０．０８Ｇａ０．９２Ｎクラッド層（Ｓｉドープ、１×１０１８ｃｍ−３、０．３μｍ）、３５は多重量子井戸構造（ＭＱＷ）活性層である。ここでＭＱＷの井戸層は３ｎｍ厚のＩｎ０．３５Ｇａ０．６５Ｎ層からなり、バリヤ層は厚さ６ｎｍのＩｎ０．０２Ｇａ０．０８Ｎから構成される。井戸層は３層である。
【００５６】また、３６はｐ型Ａｌ０．０８Ｇａ０．９２Ｎクラッド層（Ｍｇドープ、５×１０１９ｃｍ−３、０．１μｍ）、３７はｐ型ＧａＮコンタクト層（Ｍｇドープ、８×１０１９ｃｍ−３、０．１μｍ）であり、最上部はＭｇを２×１０２０ｃｍ−３まで高濃度化した。また、３８はＰｔ／Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕからなるｐ側電極、３９はｎ側電極、４０はチップキャリヤである。
【００５７】本具体例によれば、ｐ側電極３８を光反射層として作用させることができ、また全面コンタクトを取ることが可能で、光取り出し効率の向上と動作電圧の低減が可能である。また、ｐ側とｎ側の電極をそれぞれチップの上下に設けることができるので、サファイア基板の上に形成した従来の窒化物系ＬＥＤよりもチップサイズを小型化できる。」
　
　オ　上記エの「本実施形態は、発光ダイオードの製造にも適用することができる。図５は、図４と同様な製造方法により作製した発光ダイオードを表す概略断面図である。」（【００５５】）との記載を踏まえて、上記イ及びウの記載に照らすと、上記エに記載され、図５に示された「発光ダイオード」は、「サファイヤ基板１１の上にＭＯＣＶＤ（有機金属気相成長法）によりＧａＮ層１２、ＡｌＧａＮ層１３、ｎ型ＧａＮ層１４を成長」させ、次に、「ｎ型ＧａＮ（コンタクト）層１５を成長」させ、さらに、「ダブルヘテロ構造などを含む多層構造部１６を成長」させ、次に、「基板１１を剥離」し、基板１１を剥離したら、「ｐ側電極１８とｎ側電極１９を形成する」ものである、といえる。
　
　カ　上記エ及びオに照らして、図５をみると、
　（ア）図５に示された「発光ダイオード」は、「ｎ型ＧａＮコンタクト層１５」上に、「ｎ型Ａｌ０．０８Ｇａ０．９２Ｎクラッド層３４」、「多重量子井戸構造（ＭＱＷ）活性層３５」、「ｐ型Ａｌ０．０８Ｇａ０．９２Ｎクラッド層３６」、「ｐ型ＧａＮコンタクト層３７」が順に成長され、該「ｐ型ＧａＮコンタクト層３７」上には「Ｐｔ／Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕからなるｐ側電極３８」が形成され、前記「ｎ型ＧａＮコンタクト層１５」下には「ｎ側電極３９」が形成されること、
　（イ）前記「発光ダイオード」は、前記「ｐ側電極３８」を下にして、「チップキャリア４０」上に載置され、前記「ｐ側電極３８」を介して「チップキャリア４０」と全面コンタクトが取られること、
を理解できる。
　
　キ　上記エに照らして図５をみると、「ｎ側電極３９」は、「ｎ型ＧａＮコンタクト層１５」の面の一部分に形成されること、がみてとれる。
　
　上記ア〜キの記載を総合すると、引用刊行物１には、次の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されていると認められる。
　
「サファイヤ基板１１の上にＭＯＣＶＤ（有機金属気相成長法）によりＧａＮ層１２、ＡｌＧａＮ層１３、ｎ型ＧａＮ層１４を成長させ、次に、ｎ型ＧａＮコンタクト層１５を成長させ、さらに、ダブルヘテロ構造などを含む多層構造部１６を成長させ、次に、基板１１を剥離し、基板１１を剥離したら、ｐ側電極１８とｎ側電極１９を形成する発光ダイオードであって、
　前記発光ダイオードは、ｎ型ＧａＮコンタクト層１５上に、ｎ型Ａｌ０．０８Ｇａ０．９２Ｎクラッド層３４、多重量子井戸構造（ＭＱＷ）活性層３５、ｐ型Ａｌ０．０８Ｇａ０．９２Ｎクラッド層３６、ｐ型ＧａＮコンタクト層３７が順に成長され、該ｐ型ＧａＮコンタクト層３７上にはＰｔ／Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕからなるｐ側電極３８が形成され、前記ｎ型ＧａＮコンタクト層１５下にはｎ側電極３９が形成され、前記ｎ側電極３９は、ｎ型ＧａＮコンタクト層１５の面の一部分に形成され、
　前記発光ダイオードは、前記ｐ側電極３８を下にして、チップキャリア４０上に載置され、前記ｐ側電極３８を介してチップキャリア４０と全面コンタクトが取られ、
　前記ｐ側電極３８を光反射層として作用させることができる、発光ダイオード。」
　
（２）引用刊行物２
　当審における拒絶の理由に引用された、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開平１１−１９１６４１号公報（以下「引用刊行物２」という。）には、図とともに下記の事項が記載されている。
　
　ア　「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、たとえば青色発光ダイオード等の光デバイスに利用される窒化ガリウム系化合物を利用したフリップチップ型の半導体発光装置に係り、特にＰ側電極からの反射光を効率よく回収して光取り出し面から発光させるようにした半導体発光素子と半導体発光装置…に関する。」
　
　イ　「【００４５】以下に、本発明の実施の形態の具体例を図面を参照しながら説明する。図１は本発明の第１の実施の形態によるＧａＮ系化合物半導体発光素子の概要であって、…。
【００４６】図１の（ａ）及び（ｂ）において、発光素子１は、絶縁性の透明なサファイア基板１ａの表面に複数の半導体薄膜層を従来周知の有機金属気相成長法によって成膜したものである。この薄膜の積層体は、たとえば下から順にＧａＮバッファ層１ｂ，ｎ型ＧａＮ層１ｃ，ＩｎＧａＮ活性層１ｄ，ｐ型ＡｌＧａＮ層１ｅ及びｐ型ＧａＮ層１ｆとしたものであり、ダブルヘテロ構造または量子井戸構造となっている。
【００４７】ｎ型ＧａＮ層１ｃの一つのコーナー部の上面はエッチングによって段差状に除去され、この除去された部分にｎ側電極２を蒸着法によって形成している。また、エッチングによる切除部分を除いた最上層のｐ型ＧａＮ層１ｆの上面には、ｐ側電極３が同様に蒸着法によって形成されている。…
【００４８】図２は発光素子１を備えた半導体発光装置の概略図である。リードフレーム６の上端に形成されたマウント部６ａには、静電気保護用のＳｉダイオード素子７をサブマウント素子として搭載して、これを適切なＡｇペーストによって接着固定している。そして、このＳｉダイオード素子７の上面に、図１の（ｂ）に示した発光素子１を上下反転した姿勢として配置している。」
　
　ウ　「【００５１】…本発明では、ｐ側電極３からの反射効率を上げるためにその材料をｐ型ＧａＮ層１ｆに接触するコンタクト層３ａとしてＮｉやＣｏまたはＳｂを５０ｎｍの膜厚で形成し、その上に反射層３ｂとして青色及び緑色の光に対して反射率の高い銀白色系金属のＡｌまたはＺｎを１．５μｍの膜厚で積層している。ここで、コンタクト層３ａを薄くする理由は、ｐ型ＧａＮ層に対して良好なオーミックコンタクトをとるためと、それに用いられる金属は、青色や緑色の光に対して反射率が必ずしも良好ではないために、光の大部分が透過できる薄さにするためで、その上に積層された反射率の高い反射層３ｂで光を反射する構成にしている。また、この反射層３ｂは、光が透過できないように十分な膜厚にする必要がある。これにより、ｐ側電極３に向かう光を効率よく反射させることができる。…」
　
　上記ア〜ウの記載を総合すると、引用刊行物２には、次の発明（以下「引用発明２」という。）が記載されていると認められる。
　
「絶縁性の透明なサファイア基板１ａの表面に、下から順にＧａＮバッファ層１ｂ，ｎ型ＧａＮ層１ｃ，ＩｎＧａＮ活性層１ｄ，ｐ型ＡｌＧａＮ層１ｅ及びｐ型ＧａＮ層１ｆからなる複数の半導体薄膜層を有機金属気相成長法によって成膜し、ｎ型ＧａＮ層１ｃの一つのコーナー部の上面はエッチングによって段差状に除去され、この除去された部分にｎ側電極２を蒸着法によって形成し、エッチングによる切除部分を除いた最上層のｐ型ＧａＮ層１ｆの上面には、ｐ側電極３が同様に蒸着法によって形成されてなり、リードフレーム６の上端に形成されたマウント部６ａに搭載された静電気保護用のＳｉダイオード素子７の上面に上下反転した姿勢として配置される発光素子１であって、
　ｐ側電極３からの反射効率を上げるためにその材料をｐ型ＧａＮ層１ｆに接触するコンタクト層３ａとしてＮｉやＣｏまたはＳｂを５０ｎｍの膜厚で形成し、その上に反射層３ｂとして青色及び緑色の光に対して反射率の高い銀白色系金属のＡｌまたはＺｎを１．５μｍの膜厚で積層し、ここで、コンタクト層３ａを薄くする理由は、ｐ型ＧａＮ層に対して良好なオーミックコンタクトをとるためと、それに用いられる金属は、青色や緑色の光に対して反射率が必ずしも良好ではないために、光の大部分が透過できる薄さにするためである、発光素子１。」
　
　
３　対比
　本願発明と引用発明１を対比する。
（１）引用発明１は、「サファイヤ基板１１の上にＭＯＣＶＤ（有機金属気相成長法）によりＧａＮ層１２、ＡｌＧａＮ層１３、ｎ型ＧａＮ層１４を成長させ、次に、ｎ型ＧａＮコンタクト層１５を成長させ、さらに、ダブルヘテロ構造などを含む多層構造部１６を成長させ、次に、基板１１を剥離…する発光ダイオードであって、前記発光ダイオードは、ｎ型ＧａＮコンタクト層１５上に、ｎ型Ａｌ０．０８Ｇａ０．９２Ｎクラッド層３４、多重量子井戸構造（ＭＱＷ）活性層３５、ｐ型Ａｌ０．０８Ｇａ０．９２Ｎクラッド層３６、ｐ型ＧａＮコンタクト層３７が順に成長され」るものであるから、
　ア　引用発明１の「『ｎ型ＧａＮコンタクト層１５』及び『ｎ型Ａｌ０．０８Ｇａ０．９２Ｎクラッド層３４』」、「『ｐ型Ａｌ０．０８Ｇａ０．９２Ｎクラッド層３６』及び『ｐ型ＧａＮコンタクト層３７』」、「『ｎ型ＧａＮコンタクト層１５』、『ｎ型Ａｌ０．０８Ｇａ０．９２Ｎクラッド層３４』、『多重量子井戸構造（ＭＱＷ）活性層３５』、『ｐ型Ａｌ０．０８Ｇａ０．９２Ｎクラッド層３６』及び『ｐ型ＧａＮコンタクト層３７』」及び「発光ダイオード」は、それぞれ、本願発明の「ｎ型伝導エピタクシー層」、「ｐ型伝導エピタクシー層」、「（ｎ型伝導エピタクシー層およびｐ型伝導エピタクシー層を有する）ＧａＮ系の光放出エピタクシー連続層」及び「発光ダイオードチップ」に相当し、
　イ　引用発明１は、本願発明の「ｎ型伝導エピタクシー層およびｐ型伝導エピタクシー層を有する、ＧａＮ系の光放出エピタクシー連続層を有する発光ダイオードチップにおいて」との事項、及び、「発光ダイオードチップが成長基板を備えておらず」との事項を備える。
　
（２）引用発明１は、「ｐ型ＧａＮコンタクト層３７上にはＰｔ／Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕからなるｐ側電極３８が形成され」、「前記ｐ側電極３８を光反射層として作用させることができる」ものであるから、
　ア　引用発明１の「（Ｐｔ／Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕからなる）ｐ側電極３８」と、本願発明の「（ｐ側に施された透明な第１の層およびこの第１の層上に施された反射性の第２の層を有している）反射性ｐ型接触層」とは、ともに「反射性ｐ型接触層」である点で一致し、
　イ　引用発明１の「『ｐ側電極３８』が『ｐ型ＧａＮコンタクト層３７』上に形成され」との事項と、本願発明の「ｐ型伝導エピタクシー層がｎ型伝導エピタクシー層から離反した主要面上に、ダイボンディングが可能な反射性ｐ型接触層を備えており」との事項とは、「ｐ型伝導エピタクシー層がｎ型伝導エピタクシー層から離反した主要面上に、反射性ｐ型接触層を備えており」との点で一致する。
　
（３）引用発明１は、「ｎ型ＧａＮコンタクト層１５下にはｎ側電極３９が形成され、前記ｎ側電極３９は、ｎ型ＧａＮコンタクト層１５の面の一部分に形成され」ているから、
　ア　引用発明１の「ｎ側電極３９」は、本願発明の「（ｎ型伝導エピタクシー層の、ｐ型伝導エピタクシー層から離反した主要面の一部だけを覆う）ｎ型接触層」に相当し、
　イ　引用発明１は、本願発明の「ｎ型伝導エピタクシー層がｐ型伝導エピタクシー層から離反した主要面上に、この主要面の一部分だけを覆うｎ型接触層を備えており」との事項を備える。
　
（４）引用発明１の「発光ダイオード」は、その光出射が、「『ｎ型ＧａＮコンタクト層１５』及び『ｎ型Ａｌ０．０８Ｇａ０．９２Ｎクラッド層３４』」の、「ｎ側電極３９」によって覆われていない領域、及び、「発光ダイオード」の側面を介して行われるといえることは明らかであるから、引用発明１は、本願発明の「発光ダイオードチップからの光出射がｎ型伝導エピタクシー層の主要面の、ｎ型接触層によって覆われていない自由領域および発光ダイオードチップの側面を介して行なわれ」との事項を備える。
　
　よって、本願発明と引用発明１とは、
「ｎ型伝導エピタクシー層およびｐ型伝導エピタクシー層を有する、ＧａＮ系の光放出エピタクシー連続層を有する発光ダイオードチップにおいて、
　発光ダイオードチップが成長基板を備えておらず、ｐ型伝導エピタクシー層がｎ型伝導エピタクシー層から離反した主要面上に、反射性ｐ型接触層を備えており、
　ｎ型伝導エピタクシー層がｐ型伝導エピタクシー層から離反した主要面上に、この主要面の一部分だけを覆うｎ型接触層を備えており、
　発光ダイオードチップからの光出射がｎ型伝導エピタクシー層の主要面の、ｎ型接触層によって覆われていない自由領域および発光ダイオードチップの側面を介して行なわれる、上記発光ダイオードチップ。」
の点で一致し、以下の点で相違するものと認められる。  
 　  
　反射性ｐ型接触層が、本願発明では、ｐ側に施された透明な第１の層およびこの第１の層上に施された反射性の第２の層を有しており、ダイボンディングが可能なものであるのに対し、引用発明１では、Ｐｔ／Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕからなるものである点（以下「相違点」という。）。
　
　
４　判断
　上記相違点につき検討する。
　引用発明１の「発光ダイオード」は、その「ｐ側電極３８」を光反射層ととして作用できるものであるところ、上記２（２）によれば、引用刊行物２には、引用発明２が記載され、「ｐ型ＧａＮ層１ｆ」の上面に「（光反射性の）ｐ側電極３」を形成した「発光素子１」において、前記「ｐ側電極３」からの反射効率を上げるために、当該「ｐ側電極３」を、「（ｐ型ＧａＮ層１ｆに接触し、光の大部分が透過できる薄さ（５０ｎｍ）で形成したＮｉやＣｏまたはＳｂからなる）コンタクト層３ａ」と、その上に積層された「（青色及び緑色の光に対して反射率の高い銀白色系金属のＡｌまたはＺｎからなる）反射層３ｂ」とで形成する発明が示されているから、引用発明１において、「ｐ側電極３８」の反射効率を上げるために、「（Ｐｔ／Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕからなる）ｐ側電極３８」に代えて、「（光の大部分が透過できる薄さで形成したＮｉ等からなる）コンタクト層３ａ」と、その上に積層された「（青色及び緑色の光に対して反射率の高い銀白色系金属のＡｌからなる）反射層３ｂ」とで形成したｐ側電極を用いることは、当業者が容易になし得ることである。
　また、Ａｌ電極を有する発光ダイオードを、当該Ａｌ電極でダイボンディングすることは、本願の優先日時点で周知であったことに照らせば（必要なら、特開平４−１６３９７３号公報（２頁左下欄２行〜同頁右下欄下から６行、第１図）、特開平７−３０１５３号公報（【００１５】〜【００２３】、図１、図２）、特開平８−２５５９２６号公報（【００２２】〜【００２９】、図１、図２）参照。）、上述のように、引用発明１において、その「ｐ側電極３８」を、「（光の大部分が透過できる薄さの）コンタクト層３ａ」と「（青色及び緑色の光に対して反射率の高いＡｌからなる）反射層３ｂ」とで形成した当該「（Ａｌが積層された）ｐ側電極３８」が、ダイボンディング可能なものであるといえることは当業者において明らかである。
　
　また、本願発明の奏する効果が、引用発明１、引用発明２及び上記周知の事項から当業者が予測困難な程の格別顕著なものということはできない。
　
　したがって、本願発明は、引用刊行物１、２に記載された発明及び周知の事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　
５　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用刊行物１、２に記載された発明及び周知の事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。