【事件の表示】
　特願２００７−１５７３６０「溝ゲート型ＳｉＣ半導体装置の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２０年１２月２５日出願公開，特開２００８−３１１４０６〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯
　本願は，平成１９年６月１４日の出願であって，平成２４年８月１０日付けで拒絶の理由が通知され，同年８月２９日に意見書が提出されたが，同年１１月７日付けで拒絶査定がされ，これに対して同年１２月１２日に拒絶査定に対する審判請求がされたものである。
　
２ 本願発明
　本願の請求項１に係る発明は，願書に最初に添付された明細書，特許請求の範囲及び図面の記載からみて，その特許請求の範囲の請求項１に記載されている事項により特定される以下のとおりのものである。
　「六方晶ＳｉＣの（０００１）Ｓｉ面に形成した溝ゲート型ＳｉＣ半導体装置の製造方法において，
　ゲート絶縁膜を形成する処理が，下記の工程：
　ＳｉＣ基板のＳｉ面に形成した溝の底面および側面を含む上記ＳｉＣ基板面に，堆積法によりＳｉＯ２層を形成する工程，および
　１０００〜１３００℃での熱酸化により上記ＳｉＯ２層を成長させることにより，上記ゲート絶縁膜を形成する工程
を含むことを特徴とする溝ゲート型ＳｉＣ半導体装置の製造方法。」
　
３　引用例に記載された発明
　（１）本願の出願前に日本国内において頒布され，原査定の根拠となった拒絶の理由において引用された特開平１１−３３０４６４号公報（以下「引用例」という。）には，「炭化珪素半導体装置及びその製造方法」（発明の名称）に関して，図１〜５とともに以下の記載がある（なお，下線は当合議体にて付加したものである。）。
　
　ア　「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，
炭化珪素半導体装置及びその製造方法
　
　イ　「【００２０】次に，図１に示す縦型パワーＭＯＳＦＥＴの
製造工程
〔図２（ａ）に示す工程〕まず，
ｎ型４Ｈまたは６Ｈまたは３Ｃ−ＳｉＣ基板，すなわちｎ
+
 型半導体基板１を用意する。ここで，ｎ
+
 型半導体基板１はその厚さが４００μｍであり，主表面１ａが（０００１）Ｓｉ面，又は，（１１２−０）ａ面である。
  
　ウ　「【００３１】〔図４（ａ）に示す工程〕ＬＴＯ膜２２を除去した後，基板の上に
ウェット酸化（Ｈ
2
 ＋Ｏ
2
 によるパイロジェニック法を含む）によりゲート酸化膜７を形成する。このとき，雰囲気温度は１０８０℃とする。
熱酸化によってゲート酸化膜７を形成しても窒化珪素（ＳｉＮ）が形成される可能性が極めて小さくなる
　
　エ　「【００４２】また，上記実施形態では，表面チャネル層５をエピタキシャル成長によって形成したものを示したが，エピタキシャル成長ではなく，ｐ型ベース領域３ａ，３ｂに元素の周期表に示される第１５族の元素のうち窒素以外のものをイオン注入することで形成してもよい。また，上記実施形態では，プレーナ型のＭＯＳＦＥＴにおいて，元素の周期表に示す第１５族の元素のうちＮ（窒素）以外のものをドーパントとして，ソース領域４ａ，４ｂ及び表面チャネル層５を形成するものを示したが，いわゆる
溝ゲート型のＭＯＳＦＥＴやラテラルＭＯＳＦＥＴに適用してもよい
【００４３】
図５に溝ゲート型のＭＯＳＦＥＴを示す
基板２４表面から
溝２７が形成されており
溝２７内にゲート酸化膜２９
が形成されており
【００４４】このような構成を有する溝ゲート型のＭＯＳＦＥＴの場合には，溝２７内に形成されたゲート絶縁膜２９の下部に配置される表面チャネル層２８について，元素の周期表に示される第１５族の元素のうち，窒素以外のもののみをドーピングして形成するようにすればよい。また，図６にラテラルＭＯＳＦＥＴを示す。ラテラルＭＯＳＦＥＴには，例えばｐ型半導体基板１０１を基板として用いている。この基板１０１の所定領域には，イオン注入等によって表面チャネル層１０２が形成されており，この表面チャネル層１０２の両側にはソース層１０３，ドレイン層１０４が形成されている。また，表面チャネル層１０２上にはゲート酸化膜１０５を介してゲート電極が備えられている。
【００４５】このように構成されたラテラルＭＯＳＦＥＴの場合には，ゲート酸化膜１０５の下部に配置される表面チャネル層１０２について，元素の周期表に示される第１５族の元素のうち，窒素以外のもののみをドーピングして形成するようにすればよい。また，
ゲート酸化膜７の形成は，気相成長法により酸化膜を堆積形成したのち熱酸化することで，堆積させた酸化膜と炭化珪素との界面に熱酸化膜を形成することで行ってもよい。
　
＜引用発明の認定＞　
ここにおいて，段落【００４２】の「溝ゲート型のＭＯＳＦＥＴやラテラルＭＯＳＦＥＴに適用してもよい。」という記載を参酌しつつ，以上の記載を総合すると，引用例には，図５の実施例に対応した以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
「４Ｈまたは６ＨのＳｉＣ基板の主表面の（０００１）Ｓｉ面から溝２７が形成された溝ゲート型のＭＯＳＦＥＴの製造方法において，
　ゲート酸化膜２９の形成は，
溝２７内に気相成長法により酸化膜を堆積形成する工程，および
堆積させた酸化膜と炭化珪素との界面に熱酸化膜を形成する工程
を含む溝ゲート型のＭＯＳＦＥＴの製造方法。」
　
４　対比
（１）　以下に，本願発明と引用発明とを対比する。
　
（２）　引用発明の「４Ｈまたは６ＨのＳｉＣ基板」は，本願発明の「六方晶ＳｉＣ」「基板」に相当し，引用発明の「ＳｉＣ基板の主表面の（０００１）Ｓｉ面から溝２７が形成された溝ゲート型のＭＯＳＦＥＴ」は，本願発明の「ＳｉＣの（０００１）Ｓｉ面に形成した溝ゲート型ＳｉＣ半導体装置」に相当する。
　
（３）　引用発明の「ゲート酸化膜２９」は，本願発明の「ゲート絶縁膜」に相当する。
　
（４）　引用発明の「溝２７内」は，本願発明の「ＳｉＣ基板のＳｉ面に形成した溝の底面および側面」に相当し，引用発明の「気相成長法」は，本願発明の「堆積法」のうちの１つであり，引用発明の「堆積形成」される「酸化膜」は，ＳｉＣ基板上の酸化膜であって，ＳｉＯ２であることは明らかであるから，引用発明の「気相成長法により酸化膜を堆積形成」する工程は，本願発明の「堆積法によりＳｉＯ２層を形成する工程」に相当する。
　また，引用発明の気相成長法によれば，溝２７内のみならずＳｉＣ基板全面に酸化膜が形成されることは当業者にとって明らかである。
　したがって，引用発明の「溝２７内に気相成長法により酸化膜を堆積形成する工程」は，本願発明の「ＳｉＣ基板のＳｉ面に形成した溝の底面および側面を含む上記ＳｉＣ基板面に，堆積法によりＳｉＯ２層を形成する工程」に相当する。
　
（５）　引用発明の「堆積させた酸化膜と炭化珪素との界面に熱酸化膜を形成する工程」は，本願発明の「熱酸化により」「ＳｉＯ２層を成長させることにより，」「ゲート絶縁膜を形成する工程」に相当する。
　
＜一致点＞
　したがって，本願発明と引用発明とは，
　「六方晶ＳｉＣの（０００１）Ｓｉ面に形成した溝ゲート型ＳｉＣ半導体装置の製造方法において，
　ゲート絶縁膜を形成する処理が，下記の工程：
　ＳｉＣ基板のＳｉ面に形成した溝の底面および側面を含む上記ＳｉＣ基板面に，堆積法によりＳｉＯ２層を形成する工程，および
　熱酸化により上記ＳｉＯ２層を成長させることにより，上記ゲート絶縁膜を形成する工程
を含むことを特徴とする溝ゲート型ＳｉＣ半導体装置の製造方法。」
　である点で一致し，以下の点で相違する。
　
＜相違点＞
　本願発明は絶縁膜を熱酸化で形成する温度が「１０００〜１３００℃」であるのに対し，引用発明は温度が特定されていない点。
　
５　判断 
（１）相違点について 
　ア　３（１）ウによれば，引用例の図２〜４にかかる実施の形態においては，パイロジェニック法を含むウェット酸化が，雰囲気温度１０８０℃にて行われていることが分かる。ここで，パイロジェニック法を含むウェット酸化が熱酸化であることは，当業者にとって明らかであり，また，引用例の図２〜４に係る実施の形態の酸化温度である１０８０℃は，本願発明の熱酸化の温度の「１０００〜１３００℃」の範囲に含まれる。さらに，ＳｉＣの熱酸化の温度として１０００〜１３００℃程度の温度範囲は，例えば周知例１にも記載されているように，ごく一般的に用いられる温度範囲でもある。
　したがって，引用発明において，気相成長法により酸化膜を堆積形成したのちの熱酸化を「１０００〜１３００℃」で行うことは，当業者ならば容易になし得たことである。
　
（ア）　周知例１：特開２００６−２１６９１８号公報
　本願の出願前に日本国内において頒布された特開２００６−２１６９１８号公報には，以下の記載がある。
　
　ａ　「【００３３】
  ここで、上記（Ａ）、（Ｂ）の方法が、ＳｉＣを熱酸化させない理由について説明する。
ＳｉＣは
（０００１）面では、約９００℃以上の温度で熱酸化が始まることになる。
実用上成膜速度の関係から
ＳｉＯ
２
膜（酸化膜）を形成するために、通常は１１００〜１２００℃の高温が用いられる。
　
（２）審判請求人の主張について　
　ア　なお，審判請求人は審判請求書において，六方晶ＳｉＣ半導体においては，熱酸化による酸化速度が溝の底面〔（０００１）Ｓｉ面〕に対して側面〔（１１−２０）面，（１−１００）面〕ではほぼ５倍と大差があり，酸化膜厚さが異なるという問題に対し，本願発明は，堆積法による酸化膜厚と熱酸化膜による酸化膜厚とを補完させることにより，溝の側面と底面の酸化膜の厚さを均一化が図れるという効果を奏しているものであり，当該効果は引用例の記載からは予期し得ないものである旨主張する。
　
　イ　しかしながら，一般に，熱酸化による酸化膜の形成において，結晶面方位によって酸化速度が異なることは，当業者における技術常識であり，また，堆積法により酸化膜を形成した後に熱酸化膜を形成することにより，酸化膜厚さが均一になることも，例えば以下の周知例２に記載されているように，当業者において知られていた事項であるから，請求人が主張する作用効果は，当業者が予測可能なものに過ぎない。
　
（ア）　周知例２：国際公開第２００５／１０１５１８号
　本願の出願前に外国において頒布された国際公開第２００５／１０１５１８号には，以下の記載がある。
　
　ａ　「[0052]　このことから，トレンチゲート構造の場合には，Ｓｉ基板が露出した状態で熱酸化を行う場合酸化速度が速いために
トレンチ内壁の様々な面方位による熱酸化膜の局所的な薄膜化が発生する。
[0053]　したがって，
トレンチゲート構造の半導体装置を製造する場合には，ＨＴＯの膜厚にも依るが，トレンチに熱酸化膜を形成した後にＨＴＯを形成するよりも，トレンチにＨＴＯを形成した後にこのＨＴＯとＳｉ基板の界面に熱酸化膜を形成した方が，膜厚の均一性が良く，また信頼性の高いゲート絶縁膜を形成することができる
　
（２）まとめ 
　以上検討したとおり，本願発明は，当業者における周知の技術を勘案することにより，引用例に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
６ むすび 
　以上のとおり，本願の請求項１に係る発明は特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから，本願は拒絶をすべきものである。 
　
　よって，結論のとおり審決する。