【事件の表示】
　特願２００５−４９９２３「パターン測定方法、及びパターン測定装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年９月７日出願公開、特開２００６−２３４５８８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　この審判事件に関する出願（以下、「本願」という。）は、平成１７年２月２５日にされた特許出願である。そして、平成２３年３月１８日付けで拒絶査定がされ、同年同月２９日に査定の謄本が送達され、同年８月２３日に拒絶査定不服審判が請求された。
　その後、平成２４年１０月１９日付けで当審により拒絶の理由が通知され、これに対して、同年１２月１７日付け手続補正書により特許請求の範囲についての補正がされるとともに、同日付け意見書が提出された。
　
２．本願に係る発明
　本願の請求項１から６までのそれぞれに係る発明は、特許請求の範囲の請求項１から６までのそれぞれに記載された事項によって特定されるとおりのものである。特に、請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、以下のとおりのものである。
　
「【請求項１】
　試料のパターン画像を取得し、当該画像上の測定対象パターンと、当該パターンの設計データとの間のずれを測定する方法であって、
　前記試料上の測定対象パターンと、当該測定対象パターンに対し、離間した位置に配置された基準パターンとを含む領域の画像を取得し、
　当該測定対象パターンと、当該測定対象パターンから離間した前記基準パターンとを含む設計データの領域の内、当該設計データの基準パターンと前記取得画像の基準パターンとの間でテンプレートマッチングを実行し、
　前記基準パターンから離間した測定対象パターンの一部と、当該一部に対向するパターンの他の部分について、当該テンプレートマッチングの実行によって位置合わせが行われた設計データの線分と、前記測定対象パターンのエッジとの間のずれを測定することを特徴とするパターン測定方法。」
　
３．当審が通知した拒絶の理由
　当審が通知した拒絶の理由は、概略以下のとおりである。
　
「本願の請求項１から６までのそれぞれに係る発明は、いずれも、その出願前に日本国内又は外国において頒布された下記の刊行物に記載された発明に基づいて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　　刊行物１：特開２０００−２３６００７号公報
　　刊行物２：特開２０００−５８４１０号公報
　　刊行物３：特開２００２−３１５２５号公報」
　
４．刊行物に記載された事項
（１）刊行物１（引用発明）
　刊行物１には、以下の記載がある。
　
ア．段落０００１
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、走査電子顕微鏡の自動シーケンスファイル作成方法、走査電子顕微鏡の自動シーケンス方法及び走査電子顕微鏡の自動測長装置に関し、より詳しくは、半導体装置を構成するパターンなどを測長し又は検査するための走査電子顕微鏡の自動シーケンスファイル作成方法、走査電子顕微鏡の自動シーケンス方法及び走査電子顕微鏡の自動測長装置に関する。」
　
イ．段落００２２から００２６まで
「【００２２】…（略）…
（２）上記した課題は、図６〜図１０に例示するように、ＣＡＤデータから設計データｄ０を取り込み、前記設計データｄ０から任意の領域のパターンデータｄ１を取り込み、前記パターンデータｄ１に基づいてパターン輪郭エッジデータｄ２を抽出し、前記パターン輪郭エッジデータｄ２から測長箇所Ａを指定し、前記パターン輪郭エッジデータｄ２から画像認識情報ｄ３を抽出することによりファイルを作成し、前記ファイルを走査電子顕微鏡３に転送し、前記走査電子顕微鏡３の画像表示部３ＣにウェハＷ上の実パターンを表示し、前記画像表示部３Ｃの前記実パターンから実パターンエッジ情報ｄ４を抽出し、前記画像認識情報ｄ３と前記実パターンエッジ情報ｄ４を比較することにより前記画像表示部３Ｃで表示された前記実パターンの位置又は前記設計データｄ０の位置を特定することを特徴とする走査電子顕微鏡の自動シーケンス方法によって解決する。
　【００２３】…（略）…
　【００２４】…（略）…
　【００２５】…（略）…次に、本発明の作用について説明する。
　【００２６】本発明によれば、ＣＡＤデータに格納されている設計データに基づいて測長箇所の指定やテンプレートの作成を行うことにより、走査電子顕微鏡の自動シーケンスファイルを作成するようにした。したがって、自動シーケンスファイルの作成時には、走査電子顕微鏡を使用することがなくなり、その間に走査電子顕微鏡において、測長処理が可能になる。この結果、走査電子顕微鏡の稼働率が高くなる。」
　
ウ．段落００３２から００３９まで
「【００３２】…（略）…
（第１の実施の形態）次に、本発明の第１の実施の形態に係る走査電子顕微鏡の自動シーケンスファイル作成装置を用いて自動測長シーケンスファイルを作成する手順を図５のフローチャートに基づいて説明する。
　【００３３】第１に、図５の（ａ）と図６（ａ）に示すように、ホストコンピュータ２は、必要な品種、必要な層の第１の設計データｄ０をＣＡＤシステム１のメモリ部１Ａから引き出し、これを一時保存する。第２に、図５の（ｂ）に示すように任意場所の設計データの取り込みを次のように行う。
　【００３４】即ち、図６（ｂ）に示すように、第１の設計データｄ０に基づいて得られる画像をワークステーション４の画像表示部４ａに表示する。そして、表示させた画像のうち任意の領域Ｒを指定してその領域Ｒ内の第２の設計データｄ１を所定の画像データファイル内に取り込む。具体的には、測長ポイントとなる任意の場所Ｐを画像表示部４ａの画面中央に表示する。この場合、走査電子顕微鏡３で測長を行い且つ画像認識を行う画像倍率と同じ画像倍率で任意の領域Ｒを含む画像を表示させる。そして、その表示の後に、任意の領域Ｒの第２の設計データｄ１を、測長走査電子顕微鏡（ＣＤ−ＳＥＭ）３の視野範囲（Field of View；ＦＯＶ）分の設計データとして画像データファイル内に取り込む。その第２の設計データｄ１にはパターンデータの他に位置情報も含まれている。これは、設計情報にはどの位置でも座標データを持っているから位置情報の取込みは容易である。
　【００３５】第３に、図５の（ｃ）と図７（ａ）に示すように、測長走査電子顕微鏡３のＦＯＶ分の設計データ、即ち第２の設計データｄ１からパターン輪郭エッジ情報ｄ２を抽出する。第２の設計データｄ１は、四角や三角のパターンの集合によって形成された設計データｄ１を有するものであって、パターンエッジ情報ではない。即ち、測長走査電子顕微鏡３の第１の設計データｄ１のうちからパターン輪郭（パターンエッジ）情報を抽出して、パターン輪郭エッジ情報ｄ２を得る。そして、パターン輪郭エッジ情報ｄ２に基づいて、ホストコンピュータ４の画像表示部４ａにパターンエッジ画像を表示させる。
　【００３６】第４に、図５の（ｄ）と図７（ｂ）に示すように、測長対象箇所Ａを指定する。即ち、パターンエッジ画像のうちの測長したい箇所Ａをワークステーション４のキー操作等によって指定して、その測長箇所Ａの座標（ＡＸ１，ＡＹ１）を測長ポイント座標として読み込んでその座標データを画像データファイルに格納する。
　【００３７】第５に、図５の（ｅ）と図７（ｃ）に示すように、テンプレートデータを作成する。即ち、ワークステーション４の画像表示部４ａに表示されたパターンエッジ画像のうち、特徴のあるパターンＰ２を含む範囲をキー操作によって指定し、その範囲を画像認識テンプレートＴとして指定する。そして、画像認識テンプレートＴとなるパターンＰ２の座標（ＡＸ２，ＡＹ２）とこのパターンＰ２を含む範囲をテンプレートパターンエッジ情報ｄ３として画像ファイル内に記録する。
　【００３８】この例では、テンプレートパターンエッジ情報ｄ３は、測長箇所Ａに近い特徴のあるパターンＰ２を含む範囲をテンプレートとしたが、その大きさに制限は無く、例えば、パターン輪郭エッジ情報ｄ２に基づいて表示されるパターンエッジ画像の範囲を全てテンプレートパターンエッジ情報ｄ３としてもよい。なお、この実施形態では、パターン輪郭エッジ情報ｄ２の一部をテンプレートパターンエッジ情報ｄ３と仮定して説明する。
　【００３９】第６に、図５の（ｆ）と図７（ｃ）に示したテンプレートエッジ情報ｄ３を測長走査電子顕微鏡３の画像認識用のテンプレートとして利用し、以下のようにして測長走査電子顕微鏡３の自動測長シーケンスファイルｆ１を作成する。その自動測長シーケンスファイルｆ１の作成はホストコンピュータ２によって図８のフローチャートに従って作成されていく。」
　
エ．段落００４５から００４７まで
「【００４５】そして、測長走査電子顕微鏡３は、自動波長シーケンスファイルｆ１に基づいてグローバルアライメントを行い、移動ステージ３ｆの移動により測長点の座標を表示部３Ｃの視野範囲に移動させる。これにより、図９（ａ）に示すように、測長走査電子顕微鏡３の画像表示部３Ｃの表示画像にはウェハＷ上のテンプレートパターンＴ１が含まれるので、測長走査電子顕微鏡３はテンプレートパターンＴ１から図９（ｂ）に示すようなテンプレートパターンエッジ情報ｄ４を抽出する。
　【００４６】そして、表示画像３Ｃのテンプレートパターンエッジ情報ｄ４と自動測長シーケンスファイルｆ１中のテンプレートパターンエッジ情報ｄ３とを比較する。それらの情報が一致した場合には、自動測長シーケンスファイルｆ１中の第２の設計データｄ１に対応するウェハＷ上の範囲の位置が自動的に特定される。即ち、テンプレートパターンＴ１の位置が決まれば、第２の設計データｄ１の表示位置が決まることになる。
　【００４７】次に、ウェハＷ上でのテンプレートの座標（ＡＸ２，ＡＹ２）から測長ポイント（ＡＸ１，ＡＹ１）にビーム照射点を移動したり或いは移動ステージ３ｆを移動させて測長箇所Ａ０の測長を行う。この測長は、自動波長シーケンスファイルｆ１内のアルゴリズム、ビームスキャン範囲のデータに基づいて行われる。
…略…」
　
　ここで、前記ウ．の記載と、図５から７までに示された事項とを照らし合わせると、「第２の設計データｄ１」は、「第１の設計データｄ０」のうち、「任意の領域Ｒ」に対応する部分であり（段落００３４、図６（ｂ））、その「第２の設計データｄ１」から「パターン輪郭エッジ情報ｄ２」が抽出される（段落００３５、図７（ａ））。そして、その「パターン輪郭エッジ情報ｄ２」に基づいて表示された「パターンエッジ画像」のうち、測長したい箇所が「測長箇所Ａ」に指定される（段落００３６、図７（ｂ））。また、同じ「パターンエッジ画像」のうち、「特徴のあるパターンＰ２」を含む範囲が「画像認識テンプレートＴ」として指定され、それが「テンプレートパターンエッジ情報ｄ３」として記録される（段落００３７、図７（ｃ））。
　したがって、「第２の設計データｄ１」は、「測長箇所Ａ」と「特徴のあるパターンＰ２」とを含む設計データの領域である。
　また、「測長箇所Ａに近い特徴のあるパターンＰ２を含む範囲をテンプレートとした」という記載（段落００３８）から、「測長箇所Ａ」と「パターンＰ２」とは、互いに離間している。
　
　次に、前記エ．の記載（特に段落００４５及び００４７）と、図９（ａ）に示された事項とを照らし合わせると、「測長箇所Ａ０」を測長走査電子顕微鏡の表示部の視野範囲に移動させることにより、「テンプレートパターンＴ１」が表示画像に含まれる。すなわち、表示画像には、「測長箇所Ａ０」と「テンプレートパターンＴ１」とが含まれる。
　このことは、以下に述べるように、前記ウ．の記載からも明らかである。すなわち、「第２の設計データｄ１」は、「測長箇所Ａ」と「特徴のあるパターンＰ２」とを含む設計データの領域であり、かつ、「第１の設計データｄ０」のうち、「任意の領域Ｒ」に対応する部分であるから、「任意の領域Ｒ」には、「測長箇所Ａ」と「特徴のあるパターンＰ２」とが存在する。一方、「走査電子顕微鏡３で測長を行い且つ画像認識を行う画像倍率と同じ画像倍率で任意の領域Ｒを含む画像を表示させる。そして、その表示の後に、任意の領域Ｒの第２の設計データｄ１を、測長走査電子顕微鏡（ＣＤ−ＳＥＭ）３の視野範囲（Field of View；ＦＯＶ）分の設計データとして画像データファイル内に取り込む。」（段落００３４）という記載から明らかなように、「任意の領域Ｒ」は測長走査電子顕微鏡の視野範囲に相当する。測長走査電子顕微鏡は、その視野範囲の画像を表示部に表示するから、表示画像には、「第２の設計データｄ１」の「測長箇所Ａ」及び「特徴のあるパターンＰ２を含む画像認識テンプレートＴ」に対応する実パターン、すなわち、「測長箇所Ａ０」及び「テンプレートパターンＴ１」が含まれる。
　前述のとおり、設計データである「測長箇所Ａ」と「パターンＰ２」とは、互いに離間しているから、「測長箇所Ａ」に対応する実パターンである「測長箇所Ａ０」と「特徴のあるパターンＰ２を含む画像認識テンプレートＴ」に対応する実パターンである「テンプレートパターンＴ１」とは、同じく互いに離間している。
　
　以上のことを踏まえて、前記ア．からエ．までの記載と、図５から７までに示された事項とを総合すると、刊行物１には、以下の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。
　
「走査電子顕微鏡３の画像表示部３ＣにウェハＷ上の実パターンを表示し、前記ウェハＷ上の測長箇所Ａ０の測長を行う測長方法であって、
　前記ウェハＷ上の前記測長箇所Ａ０と、当該測長箇所Ａ０に対し、離間した位置に配置されたテンプレートパターンＴ１とを含む実パターンを表示し、
　測長箇所Ａと、当該測長箇所Ａから離間した特徴のあるパターンＰ２とを含む設計データの領域である第２の設計データｄ１のうち、前記パターンＰ２を含む範囲を画像認識テンプレートＴに指定してテンプレートパターンエッジ情報ｄ３として記録し、当該テンプレートパターンエッジ情報ｄ３と、前記テンプレートパターンＴ１から抽出したテンプレートパターンエッジ情報ｄ４とを比較して、両者が一致する位置を求め、
　前記テンプレートパターンＴ１の位置に基づいて位置が特定される前記ウェハＷ上の前記測長箇所Ａ０の測長を行う方法。」
　
（２）刊行物２及び３（周知技術）
ア．刊行物２
　刊行物２には、以下の記載がある。
　
（ア）段落００１２から００１５まで
「【００１２】〔実施形態　１〕図３は、本発明の一実施形態に係る走査型電子顕微鏡の構成および表示画面の説明図である。図３分図（ａ）に示される本発明に係る走査型電子顕微鏡は、電子源３０１から発生した電子線３０２をレンズ系３０３で集束し、電子線３０２を偏向系３０４により偏向させ、観察対象である被加工基板３０５上を二次元的に走査する。該二次元的走査は、被加工基板３０５上を左から右に水平走査し、この水平走査を一定間隔で垂直に移動させる垂直走査を組み合わせる二次元走査方式で行われている。前記電子線３０２は加速電極（図示せず）により、例えば２ｋＶに加速されている。
　【００１３】電子線の加速電圧は、減速電極（図示せず）により減速されていても差し支えない。被加工基板３０５は移動機構を有するステージ系３０６上に載置されており、電子線３０２の偏向領域以上の領域の観察を可能となっている。被加工基板３０５は、一般にシリコン等の半導体基板に、例えばレジストパターンが形成されたものである。但し、上記のようなシリコン等の半導体基板にレジストパターンに限定されないことはいうまでもなく、半導体基板上の金属パターン、絶縁物パターン等その種類に制限はない。
　【００１４】被加工基板３０５は、カセット３０７を介して図示しない搬送ラインを通じて出し入れされる。そして、電子線照射に伴って、被加工基板３０５上に形成されたパターンから発生する二次電子および／もしくは反射電子を、検出系３０８で捕獲する。ここで検出系３０８は、例えば公知のシンチレータ・ホトマル方式の二次電子検出器もしくは半導体検出器を用いる。
　【００１５】さらに、検出した二次電子および／もしくは反射電子を電気信号に変換した後に、該変換後の信号を画像データ信号に変換する処理を信号処理系３０９で行われる。この処理では、偏向系３０４での走査速度に同期させて画像データ信号を生成させる。そして、処理された画像データ信号を表示系３１０において画像として表示することにより、被加工基板３０５上のパターン形状を表示することができる。」
　
（イ）段落００１８から００２４まで
「【００１８】…（略）…そして、表示系３０１の画面には、図３分図（ｂ）に示すように、加工されるべき参照パターン３１５が、観察された観察パターン３１６に重ね合わされて表示可能である。
　【００１９】ここで、参照パターン３１５とは、前記した如く、「設計データ、露光条件、現像条件に基づいて計算される加工パターンのシュミレーション結果もしくは設計データそのもの」である。すなわち、予測される加工形態である。または、後述のように、観察される観察パターンの許容範囲を示す領域に対して用いる場合もある。
　【００２０】ここでは、図４に示すフローチャートに従い、本走査型電子顕微鏡を用いた測定について説明する。図４は、図１の走査型電子顕微鏡を用いた測定フローチャートである。まず、試料（被加工基板）を走査型電子顕微鏡に装填して測定を開始する。以下のステップ１からステップ７までの各種の検出，表示および演算等は、演算制御系３１１により制御され実行されるものである。ステップ１において、試料上の測定すべきパターン箇所を特定する。この特定は、予め走査型電子顕微鏡の図示しない記憶部に測定箇所を登録しておき、前記演算制御系３１１から自動的に特定してもよく、また測定者が画面から手動により特定してもよい。
　【００２１】ステップ２において、試料上のパターン像の観察を実行する。すなわち、検出系３０８で検出し、表示系３１０で表示させる。ここでは、例えば、通常のＫｒＦエキシマレーザ露光により形成された図３分図（ｂ）に示すようなレジストパターンの幅測定を行う場合とする。…（略）…
　【００２２】次に、ステップ３において、参照パターンデータを表示するかどうか、すなわち、観察された観察パターン像３１６と表示させた前記参照パターン像３１５を比較するか否かを使用者は選択する。比較する場合を選択した場合には、参照パターン像３１５を表示する。…（略）…
　【００２３】走査型電子顕微鏡には、個別の記憶装置が備えられ、設計パターン、露光条件、現像条件から通常のシミュレーションによって求められる加工予測形状（ＣＡＤデータ）の情報が格納されている。これらは、観察パターン像と参照パターン像とを比較し、その良否を判断する判断パラメータとして用いられる。また、走査型電子顕微鏡は、ネットワークに接続されて、外部のデータベースに、上記個別の記憶装置と同様のデータが格納されており、ネットワークを介して該データを受取り参照することができる。ステップ３において比較することを選択した場合、ステップ４において、観察パターン像と参照すべき加工予測形状を画面上に表示する。ステップ５において、例えば、図３分図（ｂ）に示すように、参照パターン像３１５と観察パターン像３１６とを重ね合わせることが可能となるので、簡単、且つ正確に比較することができる。ここで、参照パターン像３１５は、マウス、トラックボール等の手段によるポインティングデバイスで移動可能であり、画面上で任意の位置に動かせる。上記判断パラメータもマウス、トラックボール等の手段によるポインティングデバイスで選択できる。
　【００２４】また、観察パターン像３１６の輪郭部分を自動的に抽出し、例えば、その図形の一次モーメントから求まる重心を決定する。そして、参照パターン像３１５の一次モーメントから求まる重心を、前記観察パターン像３１６の一次モーメントから求まる重心に重ねることにより、該参照パターン像３１５と該観察パターン像３１６を自動的に重ねる演算を行ってもよい。これにより、望ましい加工形状と観察パターン像の比較が可能となり、該加工パターン形成のプロセスの良否を判断できる。…（略）…」
　
（ウ）段落００６６
「【００６６】
【発明の効果】以上、詳細に説明した如く、本発明の構成によれば、微細な半導体装置を形成するにあたり、加工装置のプロセス条件を簡便に評価することに好適な走査型荷電粒子応用装置、それを用いた半導体装置製造方法を提供することができ、加工精度が高い半導体装置の製造方法を実現すること、ならびに半導体装置の生産性を高めることに大きな効果がある。また、本発明の構成によれば、走査型荷電粒子応用装置では、加工パターンの寸法測定にあたり、画面中の二次元方向の寸法を測定し、また、所望のパターンと形成後のパターンを視覚的に比較し、両者の差を定量的に評価し、プロセス条件の調整の基礎データを収集し、さらに、加工パターンを含む被加工基板の評価結果は、被加工基板の加工プロセス工程にフィードバックし、製造工程の自動化を図り、高精度な加工の実現し、生産性の向上に寄与する走査型荷電粒子応用装置を提供する。」
　
イ．刊行物３
　刊行物３には、以下の記載がある。
　
（ア）段落００１３及び００１４
「【００１３】図１は、本発明による半導体ウエハのパターン形状評価装置の実施の形態の一例を示すブロック図である。パターン形状評価装置１は、ステージ２の上にセットされた半導体ウエハ３上にＣＡＤデータに基づいて形成されたパターン（図示せず）の形状が該ＣＡＤデータに従ってどの程度正確に形成されているかの仕上がり具合を評価するための装置である。
　【００１４】符号４で示されるのは半導体ウエハ３のパターンのうち評価対象となる対象パターンを指定するための指定データを入力する入力装置であり、入力装置４によって入力された指定データＤＡはＣＡＤナビゲーション装置５に送られる。ＣＡＤナビゲーション装置５は、パターン観察装置６の観察視野を指定データＤＡによって指定された半導体ウエハ３上の対象パターンに位置合わせして、パターン観察装置６から対象パターンのＳＥＭ画像データを得るためのものであり、マイクロコンピュータを含んで成る公知のコンピュータ装置に所定のナビゲーションプログラムをセットして成っている。ＣＡＤナビゲーション装置５はこのナビゲーションプログラムに従って動作し、これにより半導体ウエハ３上に形成されている対象パターンを高倍率に拡大して観察するのに必要なパターン観察装置６の観察視野の自動位置合わせが高精度にて行われるようになっている。」
　
（イ）段落００２４から００２８まで
「【００２４】ＣＡＤナビゲーション装置５は、以上のようにしてパターン観察装置６の観察視野を半導体ウエハ３のパターンのうちの対象パターンに正確に位置合わせした後、倍率設定信号Ｓ３によりパターン観察装置６の観察倍率を所要の高倍率に設定し、この状態にて対象パターンのＳＥＭ画像データＤＢＬをパターン観察装置６から出力させ、ＳＥＭ画像データＤＢＬをＳＥＭ画像線分抽出部８に送る。
　【００２５】ＳＥＭ画像線分抽出部８に入力されたＳＥＭ画像データＤＢＬは、ここで、ＳＥＭ画像データＤＢＬによって示される対象パターンの線分抽出処理が実行され、対象パターンの線分データであるＳＥＭ線分データＤＣが出力される。
　【００２６】ＣＡＤナビゲーション装置５は、また、メモリＭ１内に格納されているＣＡＤデータを読み出し、このＣＡＤデータに基づいて対象パターンに対応するＣＡＤ線分データＤＤを演算し、出力する。ＳＥＭ線分データＤＣとＣＡＤ線分データＤＤとは評価演算部９に入力され、ここで対象パターンを２次元的に評価するための２次元評価処理が実行される。
　【００２７】図３には、評価演算部９の構成がブロック図に示されている。評価演算部９は、ＣＡＤ線分データＤＤとＳＥＭ線分データＤＣとを受け取ってＣＡＤ線分とＳＥＭ線分との重ね合わせ処理を行う線分重ね処理部９１と、線分重ね処理部９１からの重ね合わせデータＳ９１に基づき、対象パターンの端点、幅、隣のパターンとの間隔を評価項目として、各項目について重ねずれ距離を演算する重ねずれ距離演算部９２とを有している。
　【００２８】重ねずれ距離演算部９２からは各評価項目についての評価演算結果を数値として示した評価結果データＳ９２が出力され、評価値演算部９３に入力される。メモリＭ２には、数値として入力されてくる評価結果データＳ９２を５段階で評価するためのずれ量評価値テーブルが格納されており、評価演算部９においては、入力された数値をこのずれ量評価値テーブルを参照することにより、対象パターンの各評価項目についてその仕上がり具合を５段階評価し、この評価結果を示す評価値データＤＥを出力する構成となっている。」
　
ウ．周知技術
　前記ア．（ア）から（ウ）までの記載を総合すると、刊行物２には、走査型電子顕微鏡によって得られた、観察対象である被加工半導体基板上のパターン形状と、加工されるべき参照パターンである設計データとを画面に表示し、両者を比較してそれらの差を定量的に評価することが記載されている。
　前記イ．（ア）及び（イ）の記載を総合すると、刊行物３には、半導体ウエハ上にＣＡＤデータに基づいて形成されたパターンのＳＥＭ画像データと、前記ＣＡＤデータとを比較して、両者のずれを評価することが記載されている。
　そうすると、刊行物２及び３のいずれにも、「走査電子顕微鏡によって取得した半導体基板上の測定対象パターン画像を、当該測定対象パターン画像の元になる設計データと比較して、両者のずれを測定する」という技術が記載されているということができるから、この技術は、本願の出願前に当業者に周知である。
　
５．対比
　本願発明と引用発明とを比較すると、以下のとおりである。
　
　引用発明の「ウェハＷ」は、本願発明の「試料」に相当し、引用発明の「走査電子顕微鏡３の画像表示部３ＣにウェハＷ上の実パターンを表示し」は、「ウェハＷ上の実パターン」の画像を取得していることが前提であるから、本願発明の「試料のパターン画像を取得し」に相当する。
　引用発明の「ウェハＷ上の測長箇所Ａ０」と、本願発明の「画像上の測定対象パターン」とは、「測定対象」である点で共通し、引用発明の「測長を行う測長方法」と、本願発明の「ずれを測定する方法」とは、「測定する方法」である点で共通するから、引用発明の「前記ウェハＷ上の測長箇所Ａ０の測長を行う測長方法」と、本願発明の「当該画像上の測定対象パターンと、当該パターンの設計データとの間のずれを測定する方法」とは、「測定対象を測定する方法」である点で共通する。
　したがって、引用発明の「走査電子顕微鏡３の画像表示部３ＣにウェハＷ上の実パターンを表示し、前記ウェハＷ上の測長箇所Ａ０の測長を行う測長方法」と、本願発明の「試料のパターン画像を取得し、当該画像上の測定対象パターンと、当該パターンの設計データとの間のずれを測定する方法」とは、全体として、「試料のパターン画像を取得し、測定対象を測定する方法」である点で共通する。
　
　引用発明の「前記ウェハＷ上の前記測長箇所Ａ０」と、本願発明の「前記試料上の測定対象パターン」とは、「試料上の測定対象」である点で共通する。また、引用発明の「離間した位置に配置されたテンプレートパターンＴ１」及び「実パターン」は、それぞれ、本願発明の「離間した位置に配置された基準パターン」及び「領域」に相当する。
　したがって、引用発明の「前記ウェハＷ上の前記測長箇所Ａ０と、当該測長箇所Ａ０に対し、離間した位置に配置されたテンプレートパターンＴ１とを含む実パターンを表示し」と、本願発明の「前記試料上の測定対象パターンと、当該測定対象パターンに対し、離間した位置に配置された基準パターンとを含む領域の画像を取得し」とは、全体として、「前記試料上の測定対象と、当該測定対象に対し、離間した位置に配置された基準パターンとを含む領域の画像を取得し」である点で共通する。
　
　本願発明の「当該測定対象パターンと、当該測定対象パターンから離間した前記基準パターンとを含む設計データの領域」における「当該測定対象パターン」及び「前記基準パターン」は、「試料上」の「測定対象パターン」及び「基準パターン」ではなく、それらに対応する「設計データ」を意味していることが明らかである。そうすると、引用発明の「測長箇所Ａ」と、本願発明の「測定対象パターン」とは、「測定対象」である点で共通する。引用発明の「離間した特徴のあるパターンＰ２」及び「設計データの領域である第２の設計データｄ１」は、それぞれ、本願発明の「離間した前記基準パターン」及び「設計データの領域」に相当する。
　引用発明の「前記パターンＰ２を含む範囲を画像認識テンプレートＴに指定してテンプレートパターンエッジ情報ｄ３として記録し、当該テンプレートパターンエッジ情報ｄ３と、前記テンプレートパターンＴ１から抽出したテンプレートパターンエッジ情報ｄ４とを比較して、両者が一致する位置を求め」は、本願発明の「当該設計データの基準パターンと前記取得画像の基準パターンとの間でテンプレートマッチングを実行し」に相当する。
　したがって、引用発明の「測長箇所Ａと、当該測長箇所Ａから離間した特徴のあるパターンＰ２とを含む設計データの領域である第２の設計データｄ１のうち、前記パターンＰ２を含む範囲を画像認識テンプレートＴに指定してテンプレートパターンエッジ情報ｄ３として記録し、当該テンプレートパターンエッジ情報ｄ３と、前記テンプレートパターンＴ１から抽出したテンプレートパターンエッジ情報ｄ４とを比較して、両者が一致する位置を求め」と、本願発明の「当該測定対象パターンと、当該測定対象パターンから離間した前記基準パターンとを含む設計データの領域の内、当該設計データの基準パターンと前記取得画像の基準パターンとの間でテンプレートマッチングを実行し」とは、全体として、「測定対象と、当該測定対象から離間した基準パターンとを含む設計データの領域の内、当該設計データの基準パターンと前記取得画像の基準パターンとの間でテンプレートマッチングを実行し」である点で共通する。
　
　引用発明の「前記テンプレートパターンＴ１の位置に基づいて位置が特定される前記ウェハＷ上の前記測長箇所Ａ０の測長を行う」と、本願発明の「前記基準パターンから離間した測定対象パターンの一部と、当該一部に対向するパターンの他の部分について、当該テンプレートマッチングの実行によって位置合わせが行われた設計データの線分と、前記測定対象パターンのエッジとの間のずれを測定する」とは、「テンプレートマッチングの実行によって位置合わせが行われた測定対象について、測定を行う」点で共通する。
　
　以上のことをまとめると、本願発明と引用発明とは、
　
「試料のパターン画像を取得し、測定対象を測定する方法であって、
　前記試料上の測定対象と、当該測定対象に対し、離間した位置に配置された基準パターンとを含む領域の画像を取得し、
　測定対象と、当該測定対象から離間した基準パターンとを含む設計データの領域の内、当該設計データの基準パターンと前記取得画像の基準パターンとの間でテンプレートマッチングを実行し、
　前記テンプレートマッチングの実行によって位置合わせが行われた前記測定対象について、測定を行う測定方法。」
　
である点で一致し、以下の点で相違する。
　
（相違点）
　本願発明では、「測定対象」が「画像上の測定対象パターン」であり、「測定」が「設計データとの間のずれ」の測定、特に「基準パターンから離間した測定対象パターンの一部と、当該一部に対向するパターンの他の部分について、…設計データの線分と、前記測定対象パターンのエッジとの間のずれ」の測定であるのに対し、引用発明では、「測定対象」が「ウェハＷ上の測長箇所Ａ０」であり、「測定」が「測長」である点。
　
６．判断
　刊行物１の「本発明は、…半導体装置を構成するパターンなどを測長し又は検査するための走査電子顕微鏡の自動シーケンスファイル作成方法、走査電子顕微鏡の自動シーケンス方法及び走査電子顕微鏡の自動測長装置に関する。」という記載（段落０００１、前記４．（１）ア．）から、引用発明における「測長」は、「検査」の一例である。したがって、引用発明は、「測長」だけでなく、各種の「検査」に適用可能であることが、当業者には明らかである。
　一方、前記４．（２）ウ．で述べたとおり、「走査電子顕微鏡によって取得した半導体基板上の測定対象パターン画像を、当該測定対象パターン画像の元になる設計データと比較して、両者のずれを測定する」という技術は、本願の出願前に当業者に周知である。そして、この周知の技術は、刊行物２の段落００２４（前記４．（２）ア．（イ））に記載されているように、「加工パターン形成のプロセスの良否を判断」するのに用いられ、また、刊行物３の段落００１３（前記４．（２）イ．（ア））に記載されているように、「パターン（図示せず）の形状が該ＣＡＤデータに従ってどの程度正確に形成されているかの仕上がり具合を評価」するのに用いられるから、検査のための技術である。
　さらに、引用発明と周知技術とを比較すると、両者は、走査電子顕微鏡によって取得した半導体基板上の測定対象パターン画像（ウェハＷ上の実パターンの画像）と、当該測定対象パターン画像の元になる設計データとを利用した測定方法である点で共通している。
　そうすると、引用発明において、「ウェハＷ上の測長箇所Ａ０」を対象にした「測長」に代えて、「画像上の測定対象パターン」を対象にした「設計データとの間のずれ」の測定を行うようにすることは、前記周知の技術に基づき、当業者が容易に思い付くことである。測定すべき「設計データとの間のずれ」を、「基準パターンから離間した測定対象パターンの一部と、当該一部に対向するパターンの他の部分について、…設計データの線分と、前記測定対象パターンのエッジとの間のずれ」に特定することは、当業者が適宜決定し得る事項にすぎない。
　
７．請求人の主張について
　意見書の「（３）上記刊行物と本願発明の違いについて」において、請求人は、次のように主張している。
　
「上記補正にて、より明らかにしたように、本願発明では測定対象パターンと基準パターンの双方が含まれる取得画像と、測定対象パターンと基準パターンの双方が含まれる設計データとの間で、設計データの基準パターンと取得画像の基準パターンを対象とするマッチングを行っております。刊行物１乃至３にはこのような構成は開示も示唆もされておりません。
　例えば、刊行物１の段落００４７に「次に、ウェハＷ上でのテンプレートの座標（ＡＸ２，ＡＹ２）から測長ポイント（ＡＸ１，ＡＹ１）にビーム照射点を移動したり或いは移動ステージ３ｆを移動させて測長箇所Ａ０の測長を行う。」と説明されているように、テンプレートマッチング用の画像とは別に測長用のビーム照射を行うことが説明されております。すなわち、本願発明のように測定対象パターンと基準パターンの双方が含まれる画像を取得しているわけではなく、テンプレートマッチング用の画像と、測長用の画像を別々に取得することが開示されているに過ぎません。」
　
　しかし、前記４．（１）で述べたとおり、引用発明は、「前記ウェハＷ上の前記測長箇所Ａ０と、当該測長箇所Ａ０に対し、離間した位置に配置されたテンプレートパターンＴ１とを含む実パターンを表示し」ているから、測定対象パターンと基準パターンの双方が含まれる画像を取得している。また、この画像と、「測長箇所Ａと、当該測長箇所Ａから離間した特徴のあるパターンＰ２とを含む設計データの領域である第２の設計データｄ１」との間で、「前記パターンＰ２を含む範囲を画像認識テンプレートＴに指定してテンプレートパターンエッジ情報ｄ３として記録し、当該テンプレートパターンエッジ情報ｄ３と、前記テンプレートパターンＴ１から抽出したテンプレートパターンエッジ情報ｄ４とを比較して、両者が一致する位置を求め」ているから、測定対象パターンと基準パターンの双方が含まれる画像と、測定対象パターンと基準パターンの双方が含まれる設計データとの間で、設計データの基準パターンと取得画像の基準パターンを対象とするマッチングを行っている。
　請求人の主張は、採用することができない。
　
　請求人はまた、次のように主張している。
　
「また、刊行物２、３に「測定箇所と当該測定箇所の元となる設計データとの比較を行い、両者のずれを測定するようにすること」が開示されていることを根拠に、刊行物１との組み合わせが容易であるかのようなご指摘を頂いておりますが、これは違います。上述したように刊行物２、３にも、測定対象パターンと基準パターンの双方が含まれる取得画像と、測定対象パターンと基準パターンの双方が含まれる設計データとの間で、設計データの基準パターンと取得画像の基準パターンを対象とするマッチングを行うことについての開示、示唆がありません。
　基準パターンを用意することなく、測定対象パターンだけで設計データと取得画像の位置合わせを行うと、パターンのコーナーの丸まりや局所的な変形は評価することができるかもしれませんが、パターンのずれを評価することができません。むしろ両者の比較のためにパターン間で位置合わせを行うと、ずれを消してしまうことになり、設計データに対する実画像上での測定対象パターンのずれを評価することができなくなります。」
　
　請求人が主張するとおり、刊行物２及び３には、測定対象パターンと基準パターンの双方が含まれる取得画像と、測定対象パターンと基準パターンの双方が含まれる設計データとの間で、設計データの基準パターンと取得画像の基準パターンを対象とするマッチングを行うことについての開示や示唆はない。また、基準パターンを用意せずに位置合わせを行うと、パターンのずれを評価できないことも、請求人の主張のとおりである。
　しかし、前記６．で述べたとおり、引用発明は、「測長」だけでなく、各種の「検査」に適用可能であることが、当業者には明らかであるから、刊行物２及び３に開示や示唆がないからといって、引用発明において、「ウェハＷ上の測長箇所Ａ０」を対象にした「測長」を、「画像上の測定対象パターン」を対象にした「設計データとの間のずれ」の測定に変更することが、当業者にとって困難になるとは認められない。また、そのような変更の結果、基準パターンを用いた位置合わせが行われることは、明らかである。
　
８．むすび
　以上に検討したとおり、本願発明は、刊行物１に記載された発明（引用発明）と周知技術とに基づき、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、他の請求項に係る発明について審理するまでもなく、本願は拒絶をすべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。