【事件の表示】
　特願２００７−１７１８４６「半導体ウエハ及びデバイス用のボンディング方法及び装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２０年　１月２４日出願公開、特開２００８−　１６８４３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯  
　本願は、平成１９年６月２９日（パリ条約による優先権主張２００６年６月３０日、米国）の出願であって、平成２２年６月９日付けの拒絶理由の通知に応答して同年１１月１１日に手続補正がされたが、平成２３年７月２９日付けで拒絶査定がされ、これに対して同年１２月２日に拒絶査定不服審判が請求され、当審による平成２４年１０月４日付けの拒絶理由の通知に応答して平成２５年４月３日に手続補正がされるとともに意見書が提出されたものである。 
 　  
第２　本願発明の認定 
　本願の請求項３７に係る発明は、平成２５年４月３日に補正された本願の請求項３７に記載された事項によって特定される次のとおりのものと認める。
「発光ダイオードであって、
　活性部と、
　装着部と、
　該活性部及び該装着部の間の接着金属層であって、５０重量％を超えるニッケル及び錫を含み、０重量％を超えるニッケル及び錫以外の金属を含んだ接着金属層とを備えることを特徴とする発光ダイオード。」
  　
第３　引用例の記載事項
　当審による拒絶理由の通知に引用された、本願の優先権主張の日（以下「優先日」という。）前に頒布された刊行物である特開２００６−１４０１８６号公報（以下「引用例」という。）には、次の１ないし４の記載がある。 
１　「【請求項２３】 
　半導体薄膜層を形成する工程と、 
　表面に高融点金属層と、前記高融点金属層上に設けられた低融点金属層とを有する基板を準備するステップと、 
　前記半導体薄膜層を前記基板の低融点金属層上に密着させるステップと、　前記低融点金属層の融点より高く、前記高融点金属層の融点より低く、前記半導体薄膜層の特性に影響を与えない温度にて、前記低融点金属層を溶融させるステップとを有することを特徴とする半導体複合装置の製造方法。 
【請求項２４】 
　前記半導体薄膜層を形成する工程が、前記基板の低融点金属層上に密着する高融点金属層を形成する工程を含むことを特徴とする請求項２３に記載の半導体複合装置の製造方法。」 
 　　 
２　「【００２８】
　本発明による半導体複合装置の製造方法は、
　半導体薄膜層を形成する工程と、
　表面に高融点金属層と、前記高融点金属層上に設けられた低融点金属層とを有する基板を準備するステップと、
　前記半導体薄膜層を前記基板の低融点金属層上に密着させるステップと、
　前記低融点金属層の融点より高く、前記高融点金属層の融点より低く、前記半導体薄膜層の特性に影響を与えない温度にて、前記低融点金属層を溶融させるステップとを有することを特徴とする。
【００２９】
　前記半導体薄膜層を形成する工程が、前記基板の低融点金属層上に密着する高融点金属層を形成する工程を含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００３０】
　高融点金属の上に低融点金属を積層し、この低融点金属の上に半導体薄膜層を乗せて加熱・密接させる。その後、低融点金属と高融点金属とを反応させて、低融点金属と高融点金属との共晶により合金を作る。この合金は、低融点金属よりも融点が高くなるから、接着の際に使用した温度では溶けない。低融点金属の単独層の部分が残留しない。したがって、半導体薄膜の加工工程などで、温度が上昇しても、半導体薄膜とＳｉ基板間の金属層が溶融することはない。したがって、異種基板材料間の接合が容易となる。」 
 
３　「【００３５】
実施の形態１
　図１は、本発明の実施の形態１を模式的に示す。図１では、１０１は、例えば、Ｓｉ基板、１０２は、例えば、Ｃｒ層からなる金属層１である。１０３は、例えば、Ａｕ層からなる金属層２である。金属層１は、金属層２と基板、例えば、Ｓｉ基板の密着性を確保するための密着層である。
【００３６】
　１０４は、例えばＩｎ層からなる低融点金属層であり、１０５は、例えば、ＡｌＧａＡｓ系のヘテロエピタキシャル半導体層からなる半導体薄膜層である。この半導体薄膜層は、一例としては、例えば、ＧａＡｓ／ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ／ＡｌｙＧａ１−ｙＡｓ／ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ／ＧａＡｓである。ここで、ｘ、ｙ、ｚの関係は、１≧ｘ≧０、１≧ｙ≧０、１≧ｚ≧０、ｘ＞ｙ、ｚ＞ｙである。低融点金属層の厚さは、５−１００ｎｍ程度である。
【００３７】
　ここで、高融点金属層としてのＡｕ層１０３と、低融点金属層としてのＩｎ層１０４とが、両者のもともとあった界面１１１付近で互いに反応して、ＡｕｘＩｎｘの１種類又は２種類以上の組成からなる共晶層１２１を形成している。また、Ｉｎ層と半導体薄膜層１０５の界面１１２では、例えば、前記半導体薄膜層１０５のＧａＡｓとＩｎ層が反応して、反応層１２２を形成する。初めにあったＩｎ層１０４は、Ａｕ層１０３や半導体薄膜層１０５と反応し、その全体においてＩｎのみの層が残留していないことが望ましい。高融点金属層の厚さは、５−１００ｎｍ程度である。
【００３８】
　図２は、半導体薄膜層の形態の例を模式的に示している。図２において、２０１は基板、２０３は半導体薄膜層２１１を基板２０１から剥離するための剥離層、２０２は基板２０１の上に半導体エピタキシャル層を形成するためのバッファー層である。半導体薄膜層２１１は、例えば、２０４、２０５、２０６、２０７及び２０８の各層の順に、
ｎ−ＧａＡｓ／ｎ−ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ／ｎ−ＡｌｙＧａ１−ｙＡｓ／ｐ−ＡｌｚＧａ１−ｚＡｓ／ｐ−ＧａＡｓとすることができる。ここで、例えば、ｚ＞ｙ、ｘ＞ｙとすることができる。すなわち、ｎ−ＡｌｙＧａ１−ｙＡｓを活性層（発光層）とする発光ダイオードを形成するダブルヘテロ・エピタキシャル層構造とすることができる。」
　
４　「【００５０】 
実施の形態２ 
　図１５は、実施の形態２を示す。図１５において、８０１は基板、例えばＳｉ基板、８０２は、例えば、Ｃｒ層からなる金属層であり、Ｓｉ基板と金属層の密着性を保持するための密着層である。８０３は、例えば、Ｐｄ層からなる高融点金属層である。８０４は、例えばＩｎ層からなる低融点金属層である。８０５は、例えば、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕからなる金属層であり、半導体薄膜層８０６の接合面とオーミックコンタクトを形成する。８２１は、金属層８０３と金属層８０４とが反応することで形成される共晶層、例えば、ＰｄＩｎ、ＰｄＩｎ３等である。８２２は、前記金属層８０５と前記低融点金属層８０４とが反応してできる反応層である。低融点金属層８０４は、反応後に、低融点の金属単層の領域が残留していない状態が望ましい。ここで説明した形態を備えた素子の具体例としては、例えば実施形態１で説明した素子を挙げることができる。 
【００５１】 
　次に、製作工程を説明する。図１６と図１７は製作工程の概略を示す。図１６において、半導体薄膜片９１０は、半導体薄膜８０６、半導体薄膜８０６を支持する支持体９０１、半導体薄膜８０６の下面に設けた金属層８０５を備えている。半導体薄膜８０６に対する異種材料基板９２０は、例えば、Ｓｉ基板８０１、Ｃｒ層８０２、Ｐｄ層８０３及びＩｎ層８０４から構成される。 
【００５２】 
　図１７は、半導体薄膜片９１０を異種材料基板９２０へ接合し、半導体薄膜８０６の支持体９０１を除去した状態を示す。半導体薄膜片９１０を異種材料基板９２０へ接合した形態で、或いは、半導体薄膜８０６の支持体９０１を除去した状態で加熱し、金属層８０３、金属層８０４、金属層８０５の各界面で反応し、低融点金属層８０４が単層で残留していない状態となるようにする。例えば、Ｐｄ層８０３／Ｉｎ層８０４／Ａｕ／Ｐｔ／Ｔｉ層８０５で構成した場合、１５０℃／０．５時間の加熱を行なう。 
【００５３】 
　実施の形態２では、半導体薄膜上にオーミックコンタクトを形成する金属層を設け、低融点金属層と接するようにしたので、低融点金属層との反応形成とともに、半導体薄膜面とのコンタクト抵抗を小さくすることができる。【００５４】 
　実施の形態２の変形例を説明する。金属層８０４は、Ｉｎ以外にＳｎ、Ｔｌ、Ｃｅ、Ｂｉであってもよい。また金属層８０４と接する金属層８０３は、Ｐｄ以外にＡｕ、Ａｇ、Ｎｉ、或いは、Ａｕ、Ａｇ、Ｎｉを含む金属層であってもよい。同様に金属層８０５は、Ａｕを含む金属層以外に、Ｐｄ、Ａｇ、Ｎｉ、又はＰｄ、Ａｇ、Ｎｉを含む金属層であってもよい。また、金属層８０５の低融点金属層と接する金属をＩｎ等の低融点金属層で構成してもよい。
【００５５】
　また、本実施の形態では、Ｓｉ基板上に化合物半導体薄膜を設ける具体例で説明したが、基板及び半導体薄膜を構成する材料は、実施の形態の説明で述べた材料に限定されない。Ｓｉ基板は、例えば、ガラス基板、石英基板、サファイア基板などの透明基板、セラミック基板、ブラスチック基板、金属基板など種々の基板を用いることができる。また、半導体薄膜は、ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ系の材料に代えて、ＡｌＧａＩｎＰ／ＧａＡｓ、ＧａＩｎＡｓＰ／ＩｎＰなどの半導体や、ＩｎＧａＮ／ＧａＮなどの窒化物半導体であってもよい。また、その他、Ｓｉなどの半導体材料としてもよい。更に、半導体薄膜が備える半導体素子は、本実施の形態のような素子分離型のＬＥＤでなくとも、選択拡散によって形成したものであってもよい。また、ダブルヘテロ構造のほか、シングルヘテロ構造、ホモ構造であってもよい。発光素子は、ＬＥＤの他、レーザであってもよい。更に、発光素子である必要はなく、例えば、受光素子であってもよいし、その他の半導体素子であってもよい。」 
 　 
５　上記３で言及されている図１は次のものである。
　
６　上記４で言及されている図１５は次のものである。
　
第４　引用発明の認定
１　上記「第３　３」に記載され図１に示された「実施の形態１」は、基板１０１上に、高融点金属層１０３、高融点金属層１０３と低融点金属層１０４との共晶層１２１、半導体薄膜層１０５の順に積層された積層体となっているから、上記「第３　１」の【請求項２３】及び上記「第３　２」の【００２８】に記載された製造方法によって製造される積層体に対応するものと認められる。
　上記「第３　３」の【００３８】の記載によれば、「実施の形態１」の半導体薄膜層１０５は、発光層を有し、発光ダイオードを形成するダブルヘテロ・エピタキシャル層構造とすることができる。
　
２　上記「第３　４」に記載され図１５に示された「実施の形態２」は、基板８０１上に、高融点金属層８０３、高融点金属層８０３と低融点金属層８０４との共晶層８２１、低融点金属層８０４と金属層８０５との反応層８２２、金属層８０５、半導体薄膜層８０６の順に積層された積層体となっているから、上記「第３　１」の【請求項２４】及び上記「第３　２」の【００２９】に記載された製造方法によって製造される積層体に対応するものと認められる。
　上記「第３　４」の【００５０】の末尾の「ここで説明した形態を備えた素子の具体例としては、例えば実施形態１で説明した素子を挙げることができる。」との記載によれば、「実施の形態２」の半導体薄膜層８０６は、「実施の形態１」の半導体薄膜層１０５と同様に、発光層を有し、発光ダイオードを形成するダブルヘテロ・エピタキシャル層構造とすることができるものと認められる。また、上記「第３　４」の【００５５】の記載によれば、「実施の形態２」の半導体薄膜層８０６は、ダブルヘテロ構造のほか、シングルヘテロ構造、ホモ構造のＬＥＤを構成するものであってもよいと認められる。
　
３　上記「第３　２」の【００３０】の記載のとおり、高融点金属の上に低融点金属を積層し、この低融点金属の上に半導体薄膜層を乗せて加熱・密接させることにより、低融点金属と高融点金属とが反応して、低融点金属と高融点金属との共晶により合金を作り、この合金は、低融点金属よりも融点が高く、低融点金属の単独層の部分が残留しない。
　「実施の形態２」における、上記「低融点金属の上に半導体薄膜層を乗せて加熱・密接させる」点について、上記「第３　４」には「【００５２】図１７は、半導体薄膜片９１０を異種材料基板９２０へ接合し、半導体薄膜８０６の支持体９０１を除去した状態を示す。半導体薄膜片９１０を異種材料基板９２０へ接合した形態で、或いは、半導体薄膜８０６の支持体９０１を除去した状態で加熱し」と記載されている。
　「実施の形態２」における、上記「低融点金属の単独層の部分が残留しない」点について、上記「第３　４」の【００５０】には「低融点金属層８０４は、反応後に、低融点の金属単層の領域が残留していない状態が望ましい。」、同【００５２】には「金属層８０３、金属層８０４、金属層８０５の各界面で反応し、低融点金属層８０４が単層で残留していない状態となるようにする。」と記載されている。
　ここで、図１５を見ると、高融点金属層８０３に付された矢印の上部は共晶層８２１の途中まで延びており、その下部は、密着金属層８０２の上面に至っている。してみると、図１５における、共晶層８２１の下面と密着金属層８０２の上面との間にある斜線のハッチングが施された部分は、高融点金属層８０３のうち、低融点金属層８０４と反応して共晶層８２１とはならず、反応せずに残留した部分を示すものと認められる。
　同様に、図１５における、半導体薄膜８０６の下面と反応層８２２の上面との間にある格子のハッチングが施された部分は、金属層８０５のうち、低融点金属層８０４と反応して反応層８２２とはならず、反応せずに残留した部分を示すものと認められる。
　よって、高融点金属層８０３及び金属層８０５は、ともにその全部が反応せずに残留する部分があるか、あってもよいものと認められる。
　
４　上記「第３　４」の【００５４】には、「実施の形態２の変形例」として、低融点金属層８０４がＳｎであってもよいこと、高融点金属層８０３がＮｉであってもよいこと、金属層８０５が、Ａｕを含む金属層以外に、Ｐｄ、Ａｇ、Ｎｉ、又はＰｄ、Ａｇ、Ｎｉを含む金属層であってもよいことが記載されている。
　
５　上記１ないし４によれば、引用例には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「活性層を有しＬＥＤを構成する半導体薄膜層を、基板に接合した積層体であって、
　前記半導体薄膜層は、Ａｕ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｎｉからなる金属層、またはＡｕ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｎｉを含む金属層を有し、
　前記基板は、高融点Ｎｉ層と、前記高融点Ｎｉ層上に設けられた低融点Ｓｎ層とを有し、
　前記低融点Ｓｎ層の上に前記半導体薄膜層を乗せて加熱・密接させることにより、
　前記低融点Ｓｎ層と前記高融点Ｎｉ層とが合金となって共晶層を形成し、
　前記金属層と前記低融点Ｓｎ層とが反応して反応層を形成し、
　前記低融点Ｓｎ層が単層で残留していない状態となっている、
　積層体。」
 　 
第５　対比 
　引用発明と本願発明とを対比する。 
１ 　引用発明の「積層体」は、「活性層を有しＬＥＤを構成する半導体薄膜層」を備えているから、本願発明の「発光ダイオード」に相当する。
　
２　引用発明の「活性層を有しＬＥＤを構成する半導体薄膜層」及び「基板」は、それぞれ、本願発明の「活性部」及び「装着部」に相当する。
　
３　引用発明における、「『共晶層』、『反応層』、及び、『高融点Ｎｉ層』と『金属層』のうち反応せずに残留した部分」は、「半導体薄膜層」及び「基板」の間にあり、かつ両者を接合する機能を有することは明らかであるから、本願発明の「接着金属層」に相当する。
　
４　してみると、引用発明と本願発明とは、次の＜一致点＞で一致し、次の＜相違点＞で相違する。 
 ＜一致点＞
「発光ダイオードであって、
　活性部と、
　装着部と、
　該活性部及び該装着部の間の接着金属層を備える発光ダイオード。」
 　 
＜相違点＞ 
　本願発明の「接着金属層」は、「５０重量％を超えるニッケル及び錫を含み、０重量％を超えるニッケル及び錫以外の金属を含んだ接着金属層」であるのに対して、引用発明の「接着金属層」は、「５０重量％を超えるニッケル及び錫を含み、０重量％を超えるニッケル及び錫以外の金属を含んだ接着金属層」であるか否か不明である点。 
 　 
第６　判断　 
１　＜相違点＞について検討する。 
　引用発明の「接着金属層」は、「『共晶層』、『反応層』、及び、『高融点Ｎｉ層』と『金属層』のうち反応せずに残留した部分」からなるが、これらは、加熱されて反応する前の「低融点Ｓｎ層」、「高融点Ｎｉ層」及び「金属層」が反応して形成されたもの及び反応せずに残留したものからなる。
　「低融点Ｓｎ層」と「高融点Ｎｉ層」を合わせたものは、１００重量％のニッケル及びＳｎを含む。また、「金属層」は、Ａｕ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｎｉからなるか、Ａｕ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｎｉを含む金属である。よって、「金属層」がＮｉ及びＳｎ以外の金属であるか、Ｎｉ及びＳｎ以外の金属を含む場合は、「低融点Ｓｎ層」と「高融点Ｎｉ層」と「金属層」を合わせたものは、ＮｉとＳｎを含み、かつ０重量％を超えるＮｉ及びＳｎ以外の金属を含んだものとなる。
　一方、引用例には、「【００５３】実施の形態２では、半導体薄膜上にオーミックコンタクトを形成する金属層を設け、低融点金属層と接するようにしたので、低融点金属層との反応形成とともに、半導体薄膜面とのコンタクト抵抗を小さくすることができる。」（上記「第３　４」参照。）とあることから、「金属層」は、低融点金属層と反応してオーミックな接合ができる程度の量の金属を用いればよいといえ、「低融点Ｓｎ層」と「高融点Ｎｉ層」と「金属層」を合わせたもののうち、「金属層」の金属に由来する成分を、例えば５０重量％を超えるほど多くの量の金属を用いないようにすることは、当業者が容易に想到できることである。また、Ａｕ、Ｐｄ、Ａｇは貴金属であり、特にＡｕは高価であるから、「金属層」の金属にＡｕを用いる場合は、必要最小限の量を用いることが、コストの点からは望ましいことは明らかである。
　また、「金属層」は、Ａｕ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｎｉからなるか、またはＡｕ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｎｉを含む金属であるから、Ａｕ、Ｐｄ、Ａｇまたはこれらを含むものにさらにＮｉを含んだものでもよく、Ｎｉを含む場合は、「低融点Ｓｎ層」と「高融点Ｎｉ層」と「金属層」を合わせたもののうち、「金属層」の金属に由来する成分が５０重量％を超えていても、「低融点Ｓｎ層」と「高融点Ｎｉ層」と「金属層」を合わせたもののうち、「金属層」におけるＮｉ以外の金属に由来する成分は５０重量％未満であり得る。また、Ａｕ、Ｐｄ、Ａｇは貴金属であり、Ｎｉよりも高価であることをかんがみれば、「金属層」の金属として、Ａｕ、Ｐｄ、Ａｇだけでなく、Ｎｉを含ませることは、コストの点からは望ましいことは明らかである。
　してみると、引用発明の「接着金属層」を構成する「低融点Ｓｎ層」と「高融点Ｎｉ層」と「金属層」のうちの「金属層」を、「低融点Ｓｎ層」と「高融点Ｎｉ層」と「金属層」を合わせたもののうち、「金属層」におけるＮｉとＳｎ以外の金属に由来する成分が５０重量％未満となるようにする、すなわち、引用発明において、「接着金属層」を、「５０重量％を超えるニッケル及び錫を含み、０重量％を超えるニッケル及び錫以外の金属を含んだ接着金属層」として、本願発明の＜相違点＞に係る構成を備えることは、当業者が、設計事項の範囲内で、適宜なし得たことと認められる。
　また、該構成を備えることによる効果は、当業者が予測し得る程度のものと認められる。
　したがって、本願発明は、当業者が、引用発明に基づいて容易に発明できたものと認められる。 
 　 
２　請求人の主張について
　請求人は、平成２５年４月３日に提出した意見書において、次の主張をしている。
「また、本発明は、
（１）　従来のように高価な金を高濃度に含有することなく、
（２）　中間層の融点よりも高いが、外側層の融点よりも低い温度で、加熱を行うことを特徴とする。
（３）　該加熱する操作により、中間層のほぼ全てが、外側金属層の部分と反応する。従って、十分な量の未反応錫が加熱工程後に残存しないため、続く処理操作に対応する加熱するステップを、前ステップで未反応の中間層の溶融温度よりも高い温度で行うことができる。
　一方、引用文献には、上記した本発明の特徴が開示も示唆もされていない。特に引用文献には、
（４）　金属層としてＳｎ／Ｎｉを用いてもよいと記載されているが、これら金属材料を５０重量％を超える量にし、ニッケル及び錫以外の金属を０重量％を超える量にすること、かつ、
（５）　３層構造の中間層は、加熱ステップ中にいずれかの外側層との反応だけで消費される量より多いが中間層の金属の機能反応超過を双方の外側層にもたらす量よりは少ない量の金属を包含するように金属の量を設定する点について、
　開示も示唆もされていない。」（同意見書４頁９ないし１９行。分節符号（１）ないし（５）は審決にて付した。）
　
　しかしながら、上記分節（１）ないし（５）について、対応する番号（１）ないし（５）を付して以下各々検討すると、
（１）　引用発明は、高価な金でなく、Ｎｉからなる高融点Ｎｉ層、Ｓｎからなる低融点Ｓｎ層、金ではなくＰｄ、Ａｇ、Ｎｉからなる金属、またはＰｄ、Ａｇ、Ｎｉを含む金属でもよい金属層を用いるものであり、
　
（２）　引用例には、「低融点金属層の融点より高く、高融点金属層の融点より低く、半導体薄膜層の特性に影響を与えない温度にて、前記低融点金属層を溶融させるステップとを有すること」が記載されており（上記「第３　１」の【請求項２３】及び「第３　２」の【００２８】参照。）、
　
（３）　引用例には、「低融点金属と高融点金属とを反応させて、低融点金属と高融点金属との共晶により合金を作る。この合金は、低融点金属よりも融点が高くなるから、接着の際に使用した温度では溶けない。低融点金属の単独層の部分が残留しない。したがって、半導体薄膜の加工工程などで、温度が上昇しても、半導体薄膜とＳｉ基板間の金属層が溶融することはない。」と記載されており（上記「第３　２」の【００３０】参照。）、
　
（４）　引用例に記載された「実施の形態１」は金属層としてＳｎとＮｉのみを用いるものであるが、「実施の形態２」に基づいて認定した引用発明は、金属層としてＳｎとＮｉだけでなく、ＳｎとＮｉ以外の金属を用い得るものであり、かつ引用発明に用いる金属材料を、ＳｎとＮｉが５０重量％超、ニッケル及び錫以外の金属が０重量％超とすることが、当業者の適宜なし得たことであることは、上記１で検討したとおりであり、
　
（５）　引用例には、「金属層８０３、金属層８０４、金属層８０５の各界面で反応し、低融点金属層８０４が単層で残留していない状態となるようにする。」と記載されている（上記「第３　４」の【００５２】参照。）。
　
　よって、請求人の上記主張は採用できない。
　
第７　むすび
　以上のとおり、本願発明は、当業者が、引用発明に基づいて容易に発明できたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。