【事件の表示】
　特願２００７−　７０５４８「フォトマスクの製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２０年１０月　２日出願公開、特開２００８−２３３３５５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１９年（２００７年）３月１９日の出願（特願２００７−７０５４８号）であって、平成２３年１０月１１日付けで拒絶理由が通知され、同年１２月１６日付けで意見書が提出されるとともに、同日付けで手続補正がなされ、平成２４年２月２９日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年６月５日に拒絶査定不服審判の請求がなされたものである。
　その後、当審において、同年１１月２０日付けで拒絶理由が通知され、平成２５年１月２８日付けで意見書が提出されるとともに、同日付けで手続補正がなされた。
　
第２　本願の請求項１に係る発明
１　本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成２５年１月２８日付け手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載されたとおり次のように特定されるものである。
　
「半導体集積回路装置の設計データに対し演算を施して描画データを作成する工程と、
　前記半導体集積回路装置の各種パターンの位置精度に応じて、前記描画データを複数のパターンデータに分類して出力する工程と、
　前記分類された前記パターンデータ毎に、適したフォトマスク描画装置を選択する工程と、
　選択された前記フォトマスク描画装置を用いて、前記分類された前記パターンデータに従ってフォトマスク上にパターンを形成する工程と、
を備えた、フォトマスクの製造方法。」
　
２　なお、上記本願発明の下記の特定事項について、平成２５年１月２８日付けの意見書の主張内容から、次のように解釈することができる。
（１）「位置精度」について
　上記意見書の
「例えば第１分類のパターンが製品パターンで、第２分類のパターンがダミーパターンである場合、これらは多少位置ずれしても製品性能に大きく影響しないので、両パターンの位置精度は低くてもよいことになります。他方、第１分類のパターンがメモリパターンで、第２分類のパターンがメモリを駆動するロジックパターンである場合、これらの位置ずれは、信号線の断線につながり、致命的なエラーとなりますので、両パターンの位置精度は高くする必要があります。このように、パターンの種類によって要求される位置精度は異なります。本願発明では、この位置精度に着目し、表２のように各種パターンを分類しています。」（第１ページ下から第１０行〜下から第３行）
の主張内容から、本願発明の「位置精度」は、各パターンに要請される位置ずれの許容精度を意味するものと認められる。
（２）「描画データを複数のパターンデータに分類して出力する」について
　また、上記意見書の
「「描画データ」は、フォトマスク単位のデータであり、複数個のデータを含みます（本願明細書の段落［００３０］参照）。この「描画データ」に含まれる複数のデータを分類したものが「パターンデータ」となります。」（第２ページ第６〜８行）
の主張内容から、本願発明の「描画データを複数のパターンデータに分類して出力する」は、「描画データ」を（当該描画データに含まれる）複数のデータに分割し、その分割された複数のデータを複数の「パターンデータ」のグループに分類することを意味していると解釈することができる。
　
第３　引用例
１　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願前に頒布された刊行物である特開２００１−３１８４５５号公報（以下「引用例１」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている。（下線は当審において付した。）
　
「【０００１】
【発明の属する技術分野】
　本発明は、半導体集積回路装置の製造方法に関し、特に、フォトマスク上やレチクル上に集積回路パタ−ンを形成し、そのフォトマスクおよびレチクルと光投影露光とを用いて形成された集積回路パターンを有する半導体集積回路装置の製造に適用して有効な技術に関するものである。」
　
「【０００８】本発明の目的は、同一の半導体集積回路装置または同一系列の
半導体集積回路装置の製造に用いられる複数枚のマスクに回路パターンを描画する工程において
　
「【００２０】　上記の本発明によれば、
高い寸法精度および位置精度が要求されない回路パターンのフォトリソグラフィ工程においては、第１方式の描画装置を用いて、マスク設計データに近い寸法のエネルギービーム照射のオンオフを繰り返して第１マスク上に第１回路パターンを描画する。また、高い寸法精度および位置精度が要求される回路パターンのフォトリソグラフィ工程においては、第２方式の描画装置を用いて、マスクパターン設計アドレス単位に対応した可変寸法のエネルギービームの照射により第２マスク上に第２回路パターンを描画する。
　
「【００２８】また、上記の本発明によれば、高い寸法精度および位置精度が要求される回路パターンのフォトリソグラフィ工程においては、第２方式の描画装置を用いて、マスクパターン設計アドレス単位に対応した可変寸法のエネルギービームの照射により第２マスク上に第２回路パターンを描画する。また、斜めパターンまたは特殊形状パターンを含み、上記した高い寸法精度および位置精度が要求される回路パターン以外の第３回路パターンを第３マスク上に描画するフォトリソグラフィ工程においては、第３方式の描画装置を用いて第３マスク上に第３回路パターンを描画する。そのため、一つの半導体集積回路装置または同一系列の半導体集積回路装置の製造工程中の露光工程に用いられるマスク（マスクセット）を効率よく製造することが可能となる。」
　
「【００３１】（実施の形態１）本発明者は、マスクに描画される回路パターンの微細化および高集積化に伴い、同一の半導体集積回路装置または同一系列の半導体集積回路装置の製造に用いる複数枚のマスク（マスクセット）を効率よく製造することを目的として、次のような観点で解決手段を検討した。
【００３２】その一つは、マスクに描画する回路パターンごとに描画に用いる電子線描画装置を選択する、すなわち描画する回路パターンに対応してラスタ方式またはベクタ方式の電子線描画装置を使い分ける方法である。描画する回路パターンに対応してラスタ方式またはベクタ方式の電子線描画装置を使い分けることにより、各々の電子線描画装置が不得手とする回路パターンの描画を各々の電子線描画装置が補い合うことができるので、マスクの製造効率を向上させることが可能となる。この場合、ラスタ方式およびベクタ方式の電子線描画装置を使い分けるためのマスク設計データの作成に課題があるが、その具体的な解決手段は後ほど詳細に説明する。そして、マスクの製造効率を向上させることができるので、マスクの製造コスト上昇の抑制を図ることが可能となる。
【００３３】本発明者が検討した二点目の解決手段は、複数の回路パターンを半導体ウェハ上に重ねて露光する際の位置合わせ等に必要な補正を、マスクデータ作成時に行う方法である。従来、その補正は電子線描画装置のマスクステージ上で行われていたが、位置合わせ等に必要な補正量も考慮してマスクデータを作成することにより、マスクステージ上での補正を低減することができる。マスクステージ上での補正を低減することができるので、マスクの製造効率を向上させることが可能となる。そして、マスクの製造効率を向上させることができるので、マスクの製造コスト上昇の抑制を図ることが可能となる。」
　
「【００３６】本実施の形態１は、たとえば同一種類の半導体集積回路装置または同一系列の半導体集積回路装置用のマスクパターン設計アドレス単位を、半導体集積回路装置の製造工程別に変えたものである。ここで、マスクパターン設計アドレス単位とは、図１に示す設計グリッド１（実線で示す四角形パターン１個）に相当するものである。また、描画グリッド２とは、破線で示す四角形パターン１個に相当するものである。
【００３７】まず、図２に、本実施の形態１におけるマスクの設計工程から回路パターンの半導体ウェハ（半導体基板）への転写工程までの流れを示す。
【００３８】
マスク設計データは、回路パターンの配置図と描画図とに分けられ、描画図はＬＳＩ設計の標準データ形式のストリームフォーマット（Stream Format；ＳＦ）データ形式で記録される。これら回路パターンの配置図と描画図は、実際に電子線描画装置で使えるようにデータ変換される。ＳＦデータ形式で記録された描画図は、第一種電子線描画装置（第一種ＥＢ（第１方式の描画装置））用データと第二種電子線描画装置（第二種ＥＢ（第２方式の描画装置））用データとに分けられ、それぞれの電子線描画装置に対応したマスク描画データへ変換される。
【００３９】本実施の形態１において、第一種ＥＢは、たとえば拡散層（半導体領域）形成の際の不純物注入時に用いられるフォトレジスト膜を形成するためのマスク（第１マスク）に回路パターン（ラフパターン（第１回路パターン））を描画する。つまり、たとえばＭＩＳＦＥＴ（Metal Insulator Semiconductor Field Effect Transistor）のゲート電極や半導体集積回路装置が有する配線などの加工など、高い寸法精度が要求される箇所に比べて精度の要求されない箇所を形成する際のフォトレジスト膜を形成するためのマスクに回路パターンを描画するのに用いられる。
【００４０】第一種ＥＢによるマスクへの回路パターンの描画は、図１に示したマスク設計データに近い寸法（描画グリッド２）のエネルギービーム照射のオンオフを繰り返すこと（所定のエネルギービームサイズのオンオフ照射）により行われる。この第一種ＥＢのエネルギービームは、その寸法を変えることができないため、高い寸法精度が要求される箇所（ファインパターン）の描画には向かないが、後述する第二種ＥＢに比べ、ラフパターンを速く描画することができる。
【００４１】また、第二種ＥＢは、第一種ＥＢでは対応できない、たとえばＭＩＳＦＥＴのゲート電極や半導体集積回路装置が有する配線など、高い寸法精度が要求される箇所を形成する際のフォトレジスト膜を形成するためのマスク（第２マスク）に回路パターン（ファインパターン（第２回路パターン））を描画するのに用いられる。ファインパターンを描画するためのマスク描画データには、計算機処理による光近接効果補正などの補正を必要とするものも含まれる。
【００４２】第二種ＥＢによるマスクへの回路パターンの描画は、可変寸法のエネルギービームの照射により行われる。この第二種ＥＢのエネルギービームは、マスクパターン設計アドレス単位（設計グリッド１）に対応した可変寸法のエネルギービームであるため、上記した第一種ＥＢに比べ、ラフパターンの描画には時間がかかることになるが、ファインパターンについてはより正確に描画することができる。
【００４３】そこで、本実施の形態１においては、第一種ＥＢおよび第二種ＥＢそれぞれの装置に対応したマスク描画データの完成後、その第一種ＥＢおよび第二種ＥＢそれぞれの装置により、マスクへの回路パターンの描画が行われる。
【００４４】すなわち、同一の半導体集積回路装置または同一系列の半導体集積回路装置を製造するに当たり、ラフパターンが描画されたマスクを製造する工程とファインパターンをマスクに描画する工程とで、第一種ＥＢと第二種ＥＢとを使い分ける。そのため、第一種ＥＢおよび第二種ＥＢそれぞれの装置に最適なマスクパターン設計アドレス単位を設定し、マスク設計データを作成することが可能となる。それにより、ラフパターンが描画されるマスクおよびファインパターンが描画されるパターンのマスク設計データを効率よく作成することが可能となる。」
　
「【００４７】図４は、たとえばＳＦデータなどのＣＡＭデータに変換されたマスク設計データを、上記したマスク描画データへ変換するフローチャートの一例を示したものである。ＣＡＭデータとして出力されたマスク設計データは、図形データの重なり除去，基本図形除去，フィールド分割およびマスクパターン寸法補正などの各処理が施される。これらの処理の際に、マスク描画データへ変換するための設定条件は、マスクへの描画を第一種ＥＢによって行うか第二種ＥＢによって行うかによって異なってくる。つまり、ここでは、マスク設計データを第一種ＥＢ用のマスク描画データ（第１マスク描画データ）と第２種ＥＢ用のマスク描画データ（第２マスク描画データ）とに変換する処理が施される。このようにして作成されたマスク描画データに基づいて、マスクへ回路パターンなどを描画することが可能となる。このようにして変換された複数のマスク描画データをマスク上に配置することにより、マスク上に回路パターン、集積回路テスト用パターン、マスクテストパターンおよび露光アライメントマークパターンなどを形成することができる。」
　
２　引用例１に記載された発明の認定
　上記記載を総合すれば、引用例１には、
「半導体集積回路装置の製造に用いられる複数枚のマスクに回路パターンを描画する方法において、
　マスク設計データは、回路パターンの配置図と描画図とに分けられ、描画図はＬＳＩ設計の標準データ形式のストリームフォーマット（Stream Format；ＳＦ）データ形式で記録され、
　ＳＦデータ形式で記録された描画図は、第１方式の描画装置用データと第２方式の描画装置用データとに分けられ、それぞれの電子線描画装置に対応したマスク描画データへ変換され、
　高い寸法精度および位置精度が要求されない回路パターンのフォトリソグラフィ工程においては、第１方式の描画装置を用いて、第１マスク上に第１回路パターンを描画し、また、高い寸法精度および位置精度が要求される回路パターンのフォトリソグラフィ工程においては、第２方式の描画装置を用いて、第２マスク上に第２回路パターンを描画するマスクの回路パターン描画方法。」の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。
　
第４　対比・判断
１　対比
　ここで、本願発明と引用発明を対比する。なお、本願発明は、「第２　本願の請求項１に係る発明」の「２」の内容を参酌して認定する。
　
　引用発明の「半導体集積回路装置の製造に用いられる複数枚のマスク」における「マスク設計データ」が、本願発明の「半導体集積回路装置の設計データ」に相当する。
　また、引用発明の「電子線描画装置に対応したマスク描画データへ変換」することが、本願発明の「演算を施して描画データを作成する」ことに相当する。
　
　引用発明の「第１方式の描画装置」は、それを用いて「高い寸法精度および位置精度が要求されない回路パターン」を描画するものであり、「第２方式の描画装置」は、それを用いて「高い寸法精度および位置精度が要求される回路パターン」を描画するものであることから、引用発明の（マスク設計データが分けられた回路パターンの）「描画図」が「第１方式の描画装置用データと第２方式の描画装置用データとに分けられ」ることは、（マスク設計データが分けられた回路パターンの）「描画図」が「位置精度（及び寸法精度）」に応じて複数のデータのグループに分けられることを意味する。
　そうすると、引用発明の「第１方式の描画装置用データと第２方式の描画装置用データとに分けられ」「高い寸法精度および位置精度が要求されない回路パターンのフォトリソグラフィ工程においては、第１方式の描画装置を用いて、第１マスク上に第１回路パターンを描画し、また、高い寸法精度および位置精度が要求される回路パターンのフォトリソグラフィ工程においては、第２方式の描画装置を用いて、第２マスク上に第２回路パターンを描画する」こと（工程）と、本願発明の「前記半導体集積回路装置の各種パターンの位置精度に応じて、前記描画データを複数のパターンデータに分類して出力する工程」「前記分類された前記パターンデータ毎に、適したフォトマスク描画装置を選択する工程」及び「選択された前記フォトマスク描画装置を用いて、前記分類された前記パターンデータに従ってフォトマスク上にパターンを形成する工程」とは、「前記半導体集積回路装置の各種パターンの位置精度に応じて、前記パターンのデータ毎に、適したフォトマスク描画装置を選択する工程」及び「選択された前記フォトマスク描画装置を用いて、前記パターンデータに従ってフォトマスク上にパターンを形成する工程」である点で一致する。
　
　引用発明の「マスクの回路パターン描画方法」が、本願発明の「フォトマスクの製造方法」に相当する。
　
２　一致点
　したがって、本願発明と引用発明とは、
「半導体集積回路装置の設計データに対し、演算を施して描画データを作成する工程と、前記半導体集積回路装置の各種パターンの位置精度に応じて、前記パターンのデータ毎に、適したフォトマスク描画装置を選択する工程と、選択された前記フォトマスク描画装置を用いて、前記パターンのデータに従ってフォトマスク上にパターンを形成する工程を備えたフォトマスクの製造方法」の発明である点で一致し、次の点で相違する。
　
３　相違点
　本願発明においては「描画データを作成」した後、当該描画データを「複数のデータに分類」するのに対し、引用発明においては、「マスク設計データが分けられた回路パターンの描画図」が「第１方式の描画装置用データと第２方式の描画装置用データとに分けられた（すなわち、複数のデータに分類された）」後、「マスク描画データへ変換される（すなわち、描画データを作成される）」ものである点で相違する。
　すなわち、両者において、「描画データを作成」する作業と「複数のデータに分類」する作業の各作業の順序が逆であり、また、「複数のデータに分類」する対象が、本願発明においては「描画データ」であるのに対し、引用発明においては「マスク設計データが分けられた回路パターンの描画図」である点で相違する。
　
４　判断
（１）相違点の検討
　設計データに対し、描画データを作成してから描画データを分類するか、分類してから分類したものに対して描画データを作成するかは、当業者が必要に応じて適宜設定し得る設計的事項にすぎない。よって、作業順序として「描画データを作成」した後、当該描画データを「複数のデータに分類」するとする順序を採用することは当業者が容易に想到し得たことである。そして、「描画データを作成」した後、当該描画データを「複数のデータに分類」するという順序の場合、「複数のデータに分類」する対象が、「描画データ」となるのは当然のことである。
　よって、上記相違点に係る本願発明の発明特定事項を採用することは当業者が容易に想到し得たことであるといえる。
　
（２）そして、本願発明によってもたらされる効果は、引用発明から当業者が予測し得る程度のものである。
　
（３）まとめ
　したがって、本願発明は、引用発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
第５　結言
　以上のとおり、本願発明は、引用発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、その余の請求項に係る発明について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。