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　特願２００９−１８３９７３「放射源、リソグラフィ装置およびデバイス製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２２年　２月２５日出願公開、特開２０１０−　４５３５８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続きの経緯
　本願は、平成２１年８月７日（パリ条約による優先権主張、２００８年８月１４日、２００８年１２月２４日、米国）の出願であって、平成２３年９月１５日に手続補正がなされたが、同年１１月４日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成２４年２月２９日に審判請求がなされたものである。
　
第２　本願発明
　本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成２３年９月１５日付けの手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、次のとおりのものと認める。
　「極端紫外線を生成するように構成された放射源であって、
　前記放射源は、
　放射ビームが燃料と相互作用した場合にプラズマが生成されるプラズマ生成部位へと誘導される前記放射ビームを生成するように構成されたレーザと、
　燃料の小滴が当たるように構成および位置付けされた表面を有する光コンポーネントと、
　前記燃料の小滴が前記表面に当たった場合に前記燃料の小滴がはね返らないように前記表面の温度を上昇させるように構成された温度コンディショナと、
　を含む放射源。」
　
第３　刊行物に記載された発明
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先日前に頒布された刊行物である、特開２００７−１３４１６６号公報（以下「引用例１」という。）には、図面とともに以下の記載がある。
　
（１）「【０００１】
　本発明は、極端紫外光を放射する極端紫外光光源装置に関する。より詳細には、集光鏡に付着、堆積して極端紫外光の反射を妨げるデブリを除去し、集光鏡を長寿命化させるための除去手段を備えた極端紫外光光源装置に関する。」
（ｂ）「【００１５】
　本発明の第１の実施形態を図１および図２を用いて説明する。
　図１は、本実施形態の発明に係るＤＰＰ方式のＥＵＶ光光源装置の構成を示す図、図２（ａ）は、光反射面の裏側にヒータ８を取り付けた集光鏡２の外観図、図２（ｂ）は、ＥＵＶ光入射側にヘリウムガスを吹き付けるクリーニングノズル５ａ、５ｂ、５ｃ、・・・、５ｈを取り付けた集光鏡２の断面図である。
　図１において、真空容器である光源チャンバ１０内には、例えば、第一電極１１と第二電極１２が、絶縁体１３を挟んで配置される。このように配置された第一電極１１、第二電極１２、絶縁体１３は、ＥＵＶ光光源装置の放電部１を構成する。第一電極１１および第二電極１２はリング状であり、絶縁体１３もリング状であって、貫通穴が略同軸上に位置するよう配置される。ここで、第一電極１１と第二電極１２はパルスパワー電源１５に接続され、絶縁体１３によって電極１１，１２間は電気的に絶縁されている。第一電極１１および第二電極１２は、例えば、タングステン、モリブデン、タンタルなどの高融点金属から構成される。絶縁体１３は、例えば、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、窒化ホウ素などのプラズマ耐性の高いセラミックスなどから構成される。
　【００１６】
　光源チャンバ１０は、第一チャンバ１０ａと第二チャンバ１０ｂとから構成される。第一チャンバ１０ａに接続された原料供給ユニット１４から、ＥＵＶ光放射種であるスズを供給するための原料として、例えば、スタナン（ＳｎＨ４）などを放電部１に供給しながら、第一電極１１と第二電極１２の間で放電させると、ＥＵＶ光放射種を含む原料が加熱・励起され、放電部１の略中心部（貫通穴の中心部）でプラズマＰが発生する。このプラズマＰは、極めて高密度かつ高温でなければリソグラフィに利用する波長１３．５ｎｍのＥＵＶ光を放出することができない。そこで、ＥＵＶ光光源装置では、電源からプラズマに入力するピークパワーを大きくして高密度高温プラズマを発生させるために、瞬間的な放電を繰り返し行うパルス駆動方式を採用している。
　すなわち、パルスパワー電源１５から第一電極１１と第二電極１２との間に電力が供給されると、絶縁体１３表面に沿面放電（ｃｒｅｅｐｉｎｇ　ｄｉｓｃｈａｒｇｅ）が発生して、第一電極１１と第二電極１２間は実質、短絡状態になり、第一電極１１と第二電極１２間にパルス状の大電流が流れる。その後、ピンチ効果によるジュール加熱によって放電部１の略中心部（貫通穴の中心部）に高密度高温のプラズマＰが発生し、この高密度高温のプラズマＰからＥＵＶ光が放出される。
　【００１７】
　放電部１で発生したＥＵＶ光は、第二チャンバ１０ｂ内に配置された集光鏡２を介してＥＵＶ光取り出し部７より放射される。ＥＵＶ光取り出し部７を出射した光は、図示略の露光機側光学系に進行する。
　集光鏡２は、回転楕円形状あるいは回転放物形状をしており、ニッケルなどの金属材料から構成され、その反射面には、ＥＵＶ光を効率よく反射するために、ルテニウム、モリブデン、ロジウムなどの金属をコーティングするとともに、２５°以下の斜入射角度のＥＵＶ光を良好に反射することができる。
　【００１８】
　放電部１において発生した高密度高温プラズマにより、ＥＵＶ光が放出されるのは上記の通りであるが、それと同時に放電部１からはデブリも放出され、光源チャンバ１０内に飛散する。ここでいうデブリとは、高密度高温プラズマにより浸食された電極と絶縁体、放電に寄与して分解された原料、放電に寄与せずに排出された原料、反応生成物などのことである。
　そこで、放電部１と集光鏡２との間の領域に、水素、水素とヘリウム、アルゴン、キセノン、クリプトン、または窒素のうち、少なくとも１つを含む混合ガスを供給するガス供給ユニット１６ａに接続されたガスカーテンノズル４ａを配置する。ガス供給ユニット１６ａから供給されるガスは、ガスカーテンノズル４ａによりガス流がデブリと交錯するように供給される。このように形成されたガスカーテンは、放電部１から放出され集光鏡２に向かって飛散するデブリの飛行軌道を湾曲させたり、局所的にガスの圧力が高い部分を作り出し、そこで起こる粒子間衝突によりデブリを減速させたりすることにより、デブリが集光鏡２に到達することを妨げるように作用する。
　さらに、ガスカーテンノズル４ａと集光鏡２との間の領域には、デブリトラップ３が配置される。デブリトラップ３は、例えば、タングステンやモリブデンといった高融点金属から構成される。
　【００１９】
　しかしながら、実際にはガスカーテンおよびデブリトラップ３によってデブリを全て捕獲することは困難であり、集光鏡２に到達してしまうデブリもある。
　そこで、集光鏡２に付着、堆積した固体のスズを除去するために、図１および図２（ａ）に示すように、加熱電源１８に接続されたヒータ８を集光鏡２の光反射面の裏側に取り付けて、スズが液化する２５０℃程度まで集光鏡２を加熱する。この集光鏡２を、付着・体積物質（汚染物質）を蒸発させる温度にまで加熱するのではなく、液化する温度にまでしか加熱しないという点が特許文献２に記載のものとの大きな違いである。集光鏡２が加熱されることによって集光鏡２の反射面に付着、堆積した固体のスズは液化して、表面張力により粒状となる。その結果、集光鏡２上で加熱され液化したスズの一部は表面から蒸発するが、通常スズの集光鏡２上への堆積速度が加熱され液化したスズ表面からのスズの蒸発速度を上回るために、結果として集光鏡２上でスズは除去されない。すなわち、単に、集光鏡２を加熱してスズを液化しただけでは、集光鏡２上のスズを十分に除去することはできない。そこで、図１および図２（ｂ）に示すように、集光鏡２のＥＵＶ光入射側にガス供給ユニット１７ａ、１７ｂ、１７ｃ、・・・、１７ｈに接続され、互いのガス流が干渉しないように配置されたクリーニングノズル５ａ、５ｂ、５ｃ、・・・、５ｈを設け、集光鏡２の光反射面に沿って螺旋状のガス流を吹き付ける。これらにより、粒状の液化したスズは、ガスの風圧によって集光鏡２の表面を下方に移動し、集光鏡２の下端から落下するので、集光鏡２からスズを除去することができる。
　【００２０】
　集光鏡２から除去されたスズは、装置内に散乱しないように、集光鏡２の下方に設けられたスズを捕集するスズ受け皿６で受け止め、装置内に貯めておき、定期整備などにより、ＥＵＶ光光源装置を完全に停止させ、光源チャンバ１０を開けた際に、スズ受け皿６に貯まったスズを取り出す。
　【００２１】
　なお、集光鏡２の加熱方法としては、ヒータ８のような抵抗加熱に限らず、赤外線輻射や誘導加熱でもよい。また、上記ガス流としてヘリウムガスを使用したが、ＥＵＶ光の吸収が小さいガスであればよく、例えば、アルゴンや水素でもよい。
　また、以上で述べたスズ除去は、ＥＵＶ光光源装置とＥＵＶ光露光装置からなるＥＵＶ露光システムにおいて、光源が発光しているワークの露光中であっても、光源が発光していない（休止している）ワーク移動中であっても実施することができる。」
（３）「【００２６】
　次に、本発明の第３の実施形態を図４および図５を用いて説明する。
　図４は、本実施形態の発明に係るＬＰＰ方式のＥＵＶ光光源装置の構成を示す図、図５
（ａ）は、光反射面の裏側にヒータ８を取り付けた集光鏡２の側面図、図５（ｂ）は、ＥＵＶ光入射側にヘリウムガスを吹き付けるクリーニングノズル５ａ、５ｂ、５ｃ、・・・、５ｇを取り付けた集光鏡２の側面図である。
　同図に示したＬＰＰ方式のＥＵＶ光光源装置は、図１および図３に示したＤＰＰ方式のＥＵＶ光光源装置と同様に光源チャンバ１０を有する。光源チャンバ１０には、ＥＵＶ光放射種である原料を供給するための原料供給ユニット１４および原料供給ノズル２５が設けられており、真空ポンプなどで構成された排気装置９により光源チャンバ１０内は真空状態に維持されている。レーザ光発生装置２４から放射されたレーザ光は、レーザ光入射窓２３を介して光源チャンバ１０内部へ導入され、原料供給ノズル２５から供給されたスズおよび／またはスズ化合物を含む原料に照射される。
　ここで用いられるレーザ光発生装置２４は、例えば、繰り返し周波数が数ｋＨｚであるパルスレーザ装置であり、ＹＡＧレーザ、炭酸ガスレーザ、エキシマレーザなどが使用される。また、ここで用いられるスズおよび／またはスズ化合物を含む原料としては、例えば、固体状、液状、ガス状のスタナンや、固体状、液状、ガス状のスズが使用される。
　【００２７】
　レーザ光照射により、原料供給ノズル２５から供給された原料は、加熱・励起されて高密度高温プラズマとなり、波長１３．５ｎｍのＥＵＶ光を放射する。放射されたＥＵＶ光は、集光鏡２によりＥＵＶ光取り出し部７に向けて反射、集光され、図示略の露光機側光学系へと導かれる。ここで、集光鏡２は、例えばモリブデンとシリコンの多層膜でコーティングされた球面形状の反射鏡であり、レーザ光発生装置２４およびレーザ光入射窓２３の配置によっては、レーザ光通過穴２６は必要としない場合もある。
　【００２８】
　集光鏡２には光反射面の裏側に、例えば、図５（ａ）に示すように、ヒータ８を配置し、２５０℃程度まで加熱する。集光鏡２に付着、堆積したデブリの除去方法は、第１の実施形態に係るＥＵＶ光光源装置（図１）の場合と同様であるので説明を省略する。ただし、集光鏡２の配置が異なるため、液化したスズを吹き飛ばす方向を変更する必要があり、
図５（ｂ）に示すように、集光鏡２の上方から下方に向かって多方向に吹き出すクリーニングノズル５ａ、５ｂ、５ｃ、・・・、５ｇを設けガスを吹き付ける。これらにより集光鏡２上の粒状の液化したスズはガスの風圧によって集光鏡２の表面下方に移動し、集光鏡２の下端から落下するので、集光鏡２から除去することができる。
　なお、本発明の極端紫外光光源装置は、上記した各実施形態の発明に係る極端紫外光光源装置に限定されるものではない。例えば、ＬＰＰ方式のＥＵＶ光光源装置において、第２の実施形態のものと同様に、集光鏡に付着したスズおよび／またはスズ化合物の除去手段として超音波振動子のような振動手段を用いてもよい。
　また、例えば、ＤＰＰ方式ならびにＬＰＰ方式のＥＵＶ光光源装置において、ガス吹き付け手段および振動手段の両方を除去手段として用いてもよい。
　【００２９】
　以上に説明したように、上記の各実施形態の発明に係る極端紫外光光源装置（ＥＵＶ光光源装置）によれば、集光鏡をスズが液化する温度程度に加熱して、粒状になったスズを風圧または振動により集光鏡外に除去するので、集光鏡のＥＵＶ光反射率を良好に維持することができる。」
（４）「【図４】
」
　
　上記各記載事項及び図面を含む引用例１全体の記載並びに当業者の技術常識を総合すると、引用例１には、以下の発明が記載されているものと認められる。
　
「　レーザ光発生装置（２４）から放射されたレーザ光が、レーザ光入射窓（２３）を介して光源チャンバ（１０）内部へ導入され、原料供給ノズル（２５）から供給された液状のスズを含む原料に照射され、
　レーザ光照射により、原料供給ノズルから供給された原料が、加熱・励起されて高密度高温プラズマとなり、ＥＵＶ光を放射するＬＰＰ方式のＥＵＶ光光源装置であって、
　ＥＵＶ光を放射すると同時に、放射に寄与せずに排出された原料であるスズも放出され、光源チャンバ内に飛散し、集光鏡（２）に到達、付着したスズを除去するために加熱電源（１８）に接続されたヒータ（８）を集光鏡の光反射面の裏側に取り付けて、
　光源が発光しているワークの露光中に、スズが表面張力により粒状となる２５０℃程度まで集光鏡を加熱する構成のＥＵＶ光光源装置。」（以下「引用発明」という。）
　
第４　対比・判断
　本願発明と引用発明とを対比する。
（１）引用発明の「ＥＵＶ」、「光源装置」、「液状のスズを含む原料」及び「レーザ光発生装置」は、それぞれ、本願発明の「極端紫外線」、「放射源」、「燃料」及び「レーザ」に相当する。
　また、引用発明の「レーザ光照射により、原料供給ノズルから供給された原料が、加熱・励起されて高密度高温プラズマとな」る構成は、本願発明の「放射ビームが燃料と相互作用した場合にプラズマが生成されるプラズマ生成部位へと誘導される前記放射ビームを生成する」る構成に相当する。
（２）引用発明の「放射に寄与せずに排出され」、「光源チャンバ内に飛散し」「た原料であるスズ」は、本願発明の「燃料の小滴」に相当し、引用発明では該「飛散したスズ」が「集光鏡に到達、付着」することから、引用発明の「集光鏡」は本願発明の「燃料の小滴が当たるように構成および位置付けされた表面を有する光コンポーネント」に相当する。
（３）引用発明は「加熱電源に接続されたヒータを集光鏡の光反射面の裏側に取り付けて」おり、当該ヒータにより集光鏡の表面の温度が上昇するから、引用発明が本願発明の「光コンポーネントの表面の温度を上昇させるように構成された温度コンディショナ」に相当する構成を有することは明らかである。
（４）本願発明の「前記燃料の小滴が前記表面に当たった場合に前記燃料の小滴がはね返らないように」という事項（以下「特定事項」という。）は構成を記載したものではないから、特定の構成を直接的に規定しているものではない。それに続く「前記表面の温度を上昇させるように」という構成との結び付きを考慮すれば、上記特定事項は表面の温度上昇の程度を作用的に特定する記載と理解するのが相当である。これらのことから、本願発明の「前記燃料の小滴が前記表面に当たった場合に前記燃料の小滴がはね返らないように前記表面の温度を上昇させる」という記載は、「前記燃料の小滴が前記表面に当たった場合に前記燃料の小滴がはね返らない程度に前記表面の温度を上昇させる」という事項を特定する記載であると認められる。
　そうであるならば、引用発明において、集光鏡に到達したスズはヒータの加熱によって集光鏡表面に付着し、表面張力により粒状となるのであるから、引用発明が「前記燃料の小滴が前記表面に当たった場合に前記燃料の小滴がはね返らない程度に前記表面の温度を上昇させる」という事項を有することは明らかである。
　
　してみると両者は、
「極端紫外線を生成するように構成された放射源であって、
　前記放射源は、
　放射ビームが燃料と相互作用した場合にプラズマが生成されるプラズマ生成部位へと誘導される前記放射ビームを生成するように構成されたレーザと、
　燃料の小滴が当たるように構成および位置付けされた表面を有する光コンポーネントと、
　前記燃料の小滴が前記表面に当たった場合に前記燃料の小滴がはね返らないように前記表面の温度を上昇させるように構成された温度コンディショナと、
　を含む放射源。」
の点で一致し、相違点はない。
　
　したがって、本願発明は、引用発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に規定する発明に該当し、特許を受けることができない。
　
　なお、請求人は、審判請求の理由で上記特定事項に関して、「本願発明の温度コンディショナは、「燃料の小滴が光コンポーネントの表面に当たった場合に燃料の小滴がはね返らないようにする」ことを目的として、光コンポーネントの表面の温度を上昇させているのに対し、引用発明の加熱手段８は、「集光鏡２に付着、堆積したスズなどのデブリを液化する」ことを目的として集光鏡２を加熱している点で両者は相違する」と主張している。
　しかしながら、特許法第２９条第１項第３号は発明の新規性に関する規定であるから、本願発明と引用発明が同一であるか否かはそれらの構成（発明特定事項）を対比することによって判断される。
　したがって、上記特定事項は、前述のとおり、構成を特定するための事項として解釈されるべきであり、目的が異なるという請求人の上記主張は、採用することができない。
　
第５　むすび  
　以上のとおり、本願発明は特許を受けることができないから、本願の他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。