【事件の表示】
　特願２００６−３３３２１８「薄膜成膜装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１９年　７月　５日出願公開，特開２００７−１７３８０３〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成１１年１２月１４日に出願した特願平１１−３５５０５９号の一部を平成１８年１２月１１日に新たな特許出願としたものであって，平成２３年１月２４日付けで拒絶の理由が通知され，同年５月１９日に意見書と手続補正書が提出され，同年１１月１日付けで最後の拒絶の理由が通知され，平成２４年２月２８日に意見書と手続補正書が提出され，同年３月１４日付けで，前記平成２４年２月２８日に提出された手続補正書による補正を却下するとともに拒絶査定がなされ，同年８月７日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに手続補正書が提出され，同年１０月１８日付けで審尋を行い，平成２５年１月１６日に回答書が提出されたものである。
　
第２　補正の却下の決定
　
［補正の却下の決定の結論］
　平成２４年８月７日に提出された手続補正書による補正を却下する。
　
［理　由］
１　補正の内容
　平成２４年８月７日に提出された手続補正書による補正（以下「本件補正」という。）は，補正前の特許請求の範囲の請求項１を補正して，補正後の請求項１とするものであり，補正前後の請求項１は，各々次のとおりである。
　
（補正前）
「【請求項１】
　基板上に多結晶シリコン膜を成膜する第１の成膜室と，前記多結晶シリコン膜上に絶縁膜を成膜する第２の成膜室と，前記絶縁膜上に導電膜を成膜する第３の成膜室とが，基板搬送室を介して大気に対して気密保持可能に連設され，
　前記第１の成膜室は，スパッタリングガスとしてヘリウムガスを用いた２周波励起スパッタ法を用いて前記多結晶シリコン膜を成膜するスパッタ成膜室であり，
　前記第２の成膜室は，２周波励起プラズマＣＶＤ法を用いて前記絶縁膜を成膜するプラズマＣＶＤ成膜室であることを特徴とする薄膜成膜装置。」
　
（補正後）
「【請求項１】
　基板上に多結晶シリコン膜を成膜する第１の成膜室と，前記多結晶シリコン膜上に絶縁膜を成膜する第２の成膜室と，前記絶縁膜上に導電膜を成膜する第３の成膜室とが，基板搬送室を介して大気に対して気密保持可能に連設され，
　前記第１の成膜室は，減圧状態に保持可能なチャンバーを有しており，前記基板搬送室の側方にゲートバルブを介して連設されて，スパッタリングガスとしてヘリウムガスを用いた２周波励起スパッタ法を用いて前記多結晶シリコン膜を成膜するスパッタ成膜室であり，
　前記第２の成膜室は，チャンバーの上部に高周波電極およびシャワープレートが設けられ，チャンバーの下部にはシャワープレートに対向して透明基板を載置するサセプタ電極が設けられて，高周波電極は，導電体からなるハウジングの内部に整合回路が収納された高周波電極側マッチングボックスを介して第１の高周波電源と接続されて，高周波電極とシャワープレートとにより空間が形成され，この空間内に反応ガスを導入するためのガス導入管が設けられて，ガス導入管を通じてこの空間内に導入された反応ガスは，シャワープレートの多数の孔からチャンバー内に供給されるようになって，２周波励起プラズマＣＶＤ法を用いて前記絶縁膜を成膜するプラズマＣＶＤ成膜室であり，
　前記第１の成膜室は，チャンバーの上部に上部電極が設けられ，上部電極の下面にシリコンターゲットが着脱可能に装着されるとともに，チャンバーの下部には下部電極が設けられ，下部電極の上面に透明基板が静電チャックによって着脱可能に装着されていることを特徴とする薄膜成膜装置。」
　
２　補正事項の整理
　本件補正の補正事項を整理すると次のとおりである。
　
（１）補正事項１
　補正前の請求項１の「前記第１の成膜室は，スパッタリングガスとしてヘリウムガスを用いた２周波励起スパッタ法を用いて前記多結晶シリコン膜を成膜するスパッタ成膜室であり」を補正して，補正後の請求項１の「前記第１の成膜室は，減圧状態に保持可能なチャンバーを有しており，前記基板搬送室の側方にゲートバルブを介して連設されて，スパッタリングガスとしてヘリウムガスを用いた２周波励起スパッタ法を用いて前記多結晶シリコン膜を成膜するスパッタ成膜室であり」及び「前記第１の成膜室は，チャンバーの上部に上部電極が設けられ，上部電極の下面にシリコンターゲットが着脱可能に装着されるとともに，チャンバーの下部には下部電極が設けられ，下部電極の上面に透明基板が静電チャックによって着脱可能に装着されていること」にすること。
　
（２）補正事項２
　補正前の請求項１の「前記第２の成膜室は，２周波励起プラズマＣＶＤ法を用いて前記絶縁膜を成膜するプラズマＣＶＤ成膜室であること」を補正して，補正後の請求項１の「前記第２の成膜室は，チャンバーの上部に高周波電極およびシャワープレートが設けられ，チャンバーの下部にはシャワープレートに対向して透明基板を載置するサセプタ電極が設けられて，高周波電極は，導電体からなるハウジングの内部に整合回路が収納された高周波電極側マッチングボックスを介して第１の高周波電源と接続されて，高周波電極とシャワープレートとにより空間が形成され，この空間内に反応ガスを導入するためのガス導入管が設けられて，ガス導入管を通じてこの空間内に導入された反応ガスは，シャワープレートの多数の孔からチャンバー内に供給されるようになって，２周波励起プラズマＣＶＤ法を用いて前記絶縁膜を成膜するプラズマＣＶＤ成膜室であり」にすること。
　
３　新規事項追加の有無，及び，補正の目的の適否についての検討
（１）補正事項１について
　補正事項１により補正された部分は，本願の願書に最初に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面（以下「当初明細書等」という。また，本願の願書に最初に添付した明細書を「当初明細書」という。）に記載されているものと認められるから，補正事項１は，当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものである。
　したがって，補正事項１は，当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものであるから，特許法第１７条の２第３項（平成１４年法律第２４号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項をいう。以下同じ。）に規定する要件を満たす。
　また，補正事項１は，補正前の請求項における「第１の成膜室」の構造を具体的に限定しようとするものであるから，特許法第１７条の２第４項（平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項をいう。以下同じ。）第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　したがって，補正事項１は，特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たす。
　
（２）補正事項２について
　補正事項２により補正された部分は，当初明細書等に記載されているものと認められるから，補正事項２は，当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものである。
　したがって，補正事項２は，当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものであるから，特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たす。
　また，補正事項２は，補正前の請求項における「第２の成膜室」の構造を具体的に限定しようとするものであるから，特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　したがって，補正事項２は，特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たす。
　
（３）新規事項追加の有無，及び，補正の目的の適否についてのまとめ
　以上検討したとおりであるから，本件補正は，特許法第１７条の２第３項及び第４項に規定する要件を満たすものである。
　そして，本件補正は，特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする補正を含むものであるから，本件補正による補正後の特許請求の範囲に記載されている事項により特定される発明が，特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否か，すなわち，本件補正がいわゆる独立特許要件を満たすものであるか否かについて，以下において更に検討する。
　
４　独立特許要件についての検討
（１）補正後の発明
　本件補正による補正後の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明１」という。）は，本件補正により補正された明細書，特許請求の範囲及び図面の記載からみて，その特許請求の範囲の請求項１に記載されている事項により特定されるとおりのものであり，再掲すると次のとおりである。
　
「【請求項１】
　基板上に多結晶シリコン膜を成膜する第１の成膜室と，前記多結晶シリコン膜上に絶縁膜を成膜する第２の成膜室と，前記絶縁膜上に導電膜を成膜する第３の成膜室とが，基板搬送室を介して大気に対して気密保持可能に連設され，
　前記第１の成膜室は，減圧状態に保持可能なチャンバーを有しており，前記基板搬送室の側方にゲートバルブを介して連設されて，スパッタリングガスとしてヘリウムガスを用いた２周波励起スパッタ法を用いて前記多結晶シリコン膜を成膜するスパッタ成膜室であり，
　前記第２の成膜室は，チャンバーの上部に高周波電極およびシャワープレートが設けられ，チャンバーの下部にはシャワープレートに対向して透明基板を載置するサセプタ電極が設けられて，高周波電極は，導電体からなるハウジングの内部に整合回路が収納された高周波電極側マッチングボックスを介して第１の高周波電源と接続されて，高周波電極とシャワープレートとにより空間が形成され，この空間内に反応ガスを導入するためのガス導入管が設けられて，ガス導入管を通じてこの空間内に導入された反応ガスは，シャワープレートの多数の孔からチャンバー内に供給されるようになって，２周波励起プラズマＣＶＤ法を用いて前記絶縁膜を成膜するプラズマＣＶＤ成膜室であり，
　前記第１の成膜室は，チャンバーの上部に上部電極が設けられ，上部電極の下面にシリコンターゲットが着脱可能に装着されるとともに，チャンバーの下部には下部電極が設けられ，下部電極の上面に透明基板が静電チャックによって着脱可能に装着されていることを特徴とする薄膜成膜装置。」
　
（２）引用例とその記載事項，及び，引用発明
　原査定の拒絶の理由に引用された，本願の出願前に頒布された刊行物である下記の引用例１−４には，次の事項が記載されている。（なお，下線は，当合議体において付したものである。以下同じ。）
　
ア　引用例１：特開平１−２００６７２号公報（平成２３年１１月１日付けの最後の拒絶理由通知書で引用した引用文献１）
（１ａ）「１．
アクティブマトリクスのデータ線とゲート線を搭載した透明絶縁基板上のコプレーナ型トランジスタにおいて
透明基板上にソース・ドレイン・チャネル部を設ける多結晶シリコン膜，ゲート絶縁膜，ゲート電極を連続形成
　
（１ｂ）「〔実施例〕
　以下本発明の実施例を説明する。第１図は本発明による
薄膜トランジスタ
絶縁基板２上に多結晶シリコン膜３，ゲート絶縁膜６，リンドープした低抵抗ゲート多結晶シリコン膜１１を連続成膜する
膜形成は多結晶シリコン膜３はモノシランガスを原料に，減圧ＣＶＤ法により５８０℃で成膜
膜厚は１５００Å
ゲート絶縁膜６は常圧ＣＶＤ法により容積で不活性キャリアガス９０％に対し原料ガス（モノシランガス：酸素＝４：３）を１０％の流量比で流し，温度４８０℃のもとで膜厚１０００Åを形成
膜は全て連続形成しているため界面の汚染がない
　
イ　引用発明
　引用例１の「薄膜トランジスタ」を構成する，膜厚１５００Åの「多結晶シリコン膜３」，膜厚１０００Åの「ゲート絶縁膜６」及び膜厚１０００Åの「ゲート多結晶シリコン膜１１」の各「膜」が，「薄膜」といえることは明らかである。
　また，引用例１の「絶縁基板２上に多結晶シリコン膜３，ゲート絶縁膜６，リンドープした低抵抗ゲート多結晶シリコン膜１１を連続成膜する。」ことが，前記「絶縁基板２上に多結晶シリコン膜３，ゲート絶縁膜６，リンドープした低抵抗ゲート多結晶シリコン膜１１を連続成膜する」ための成膜装置の存在を前提としていることは自明である。
　してみれば，引用例１の上記摘記（１ａ）−（１ｂ）の記載から，引用例１に記載された「薄膜成膜装置」に係る以下に示す発明（以下「引用発明」という。）を認めることができる。
　
「アクティブマトリクスのデータ線とゲート線を搭載した透明絶縁基板上のコプレーナ型トランジスタの製造において用いられる，透明基板である絶縁基板２上に，ソース・ドレイン・チャネル部が設けられる多結晶シリコン膜３，ゲート絶縁膜６，ゲート電極となるリンドープした低抵抗ゲート多結晶シリコン膜１１を連続成膜して，界面の汚染をなくした薄膜成膜装置において，
　前記多結晶シリコン膜３は，モノシランガスを原料に，減圧ＣＶＤ法により５８０℃で成膜し，
　前記ゲート絶縁膜６は，常圧ＣＶＤ法により成膜した薄膜成膜装置。」
　
ウ　引用例２：特開平７−１８３２３５号公報（平成２３年１１月１日付けの最後の拒絶理由通知書で引用した引用文献２）
（２ａ）「【産業上の利用分野】
本発明は基板上あるいは基板表面に多結晶珪素からなる半導体装置を形成する装置
特に外気に曝することなく連続して行なわれる必要のあるプロセスを行なうことのできる装置
薄膜集積回路の作製に利用することのできる多目的基板処理装置
　
（２ｂ）「本発明の具体的な例を図１に示す。図１に示す装置は多目的に利用できるものであって，
必要とする成膜やアニール処理を施す処理室を必要とする数で組み合わせることができる
例えば，アクティブマトリクス型の液晶表示装置やイメージセンサー等の電気光学装置であれば安価なガラス基板を用いるのが一般的である
　例えば
１０７を共通室である基板の搬送室
１０３は絶縁膜を形成するためのプラズマＣＶＤ装置とし，１０４を非晶質珪素を成膜するための減圧熱ＣＶＤ装置とし，１０５を熱酸化膜を形成するための加熱炉とし，１０６を光照射によるアニールを行なうためのアニール炉とする，といった構成を採ることができる
　
このような組み合わせは任意に行なえるものである
プラズマＣＶＤ
マイクロ波ＣＶＤ
スパッタリング
　
（２ｃ）「各チャンバー間の基板の移動は以下のようにして行なわれる。例えば，予備室１０１に保持される基板を処理室１０３と１０４とで処理し，予備室１０２に搬入する場合を考える。この場合まず，
（１）予備室１０１と搬送室１０７とを同一減圧状態（高真空状態が望ましい）とし，その状態においてゲイトバルブ１１０を開け，ロボットアーム１０８によって基板１０９を搬送室に取り出す。その後ゲイトバルブ１１０は閉める。
（２）
搬送室１０７と処理室１０３とを同一減圧状態とし，その状態においてゲイトバルブ１１２を開け，ロボットアーム１０８に保持された基板１０９をプロセス室に搬入する
（３）処理室１０３において所定のプロセスが行なわれる。
（４）処理室１０３でのプロセス終了後，処理室１０３の真空度を搬送室１０７と同一減圧状態とし，その後ゲイトバルブ１１２を開け，ロボットアーム１０８によって基板を搬送室１０７に搬出する。そしてゲイトバルブ１１２は閉める。
（５）搬送室１０７と処理室１０４とを同一減圧状態とし，その状態においてゲイトバルブ１１３を開け，ロボットアーム１０８に保持された基板を処理室１０４に搬入する。その後ゲイトバルブは閉める。
（６）処理室１０４において所定のプロセスが行なわれる。
（７）処理室１０４でのプロセス終了後，処理室１０４の真空度を搬送室１０７と同一減圧状態とし，その後ゲイトバルブ１１３を開け，ロボットアーム１０８によって基板を搬送室１０７に搬出する。そしてゲイトバルブ１１３は閉める。
（８）搬送室１０７と予備室１０２とを同一減圧状態とし，その状態においてゲイトバルブ１１１を開け，ロボットアーム１０８によって基板を予備室１０２に搬入し，その後ゲイトバルブ１１１を閉める。
　以上のようにして，
一枚の基板を外気に曝すことなく，２回またはそれ以上の処理を連続的に行なうことができる
　
（２ｄ）「次に基板を予備室１０１から外部に出し，アイランド状珪素領域２０４を形成するためのパターニングを行なう。そして，図２（Ｂ）に示しように厚さ２００〜１５００Å，好ましくは５００〜１０００Åの酸化珪素膜２０５を形成する。この
酸化珪素膜はゲイト絶縁膜としても機能する
ここでは
ＲＦプラズマＣＶＤ法で分解・堆積した
あるいは
減圧ＣＶＤ法もしくは常圧ＣＶＤ法によって
形成してもよい
　
（２ｅ）「【効果】
本発明の構成を採用することで，基板上に多結晶珪素からなる半導体装置を作製する際に連続してプロセスをこなすことができ，生産性の向上，信頼性の向上を同時に果たすことができる
　以上に説明した如く
，図１のマルチチャンバー方式の多目的ＣＶＤ装置を用いることにより，図２（Ａ）の工程，ゲイト絶縁膜の形成，ＲＴＰ処理工程，層間絶縁膜の作製工程，とほとんど全ての工程を１台の装置で行なうことができる
結晶性ＴＦＴまたはこれを応用するモノシリック型薄膜集積回路へ応用することは著しい効果を得ることができる
　
エ　引用例３：特開平３−２５０６２２号公報（平成２３年１１月１日付けの最後の拒絶理由通知書で引用した引用文献３）
（３ａ）「近年この構造を実現するための
ＴＦＴ用薄膜形成技術
大粒径の多結晶半導体薄膜
電気的特性の良い高移動度を示すＭＯＳデバイスを作成
［発明が解決しようとする課題］
　しかし上記のようなイオン注入法やレーザー溶融法は，いずれも高温プロセスが必須であるので三次元集積回路への応用も難しいうえに，さらに最近要求の強まっている大面積基板対応や低コスト化のための大面積均一薄膜形成，低温化プロセス，簡易プロセスに対しては大きな障害をもち，イオン注入やレーザーを用いない簡易低温プロセスで非晶質基板上に高品質デバイスを形成できる高品質薄膜を形成する技術が望まれている。一方イオン注入法やレーザー用溶融法を用いない低温大面積非晶質基板上への半導体薄膜の形成法としてはスパッタリング法や通常のＧＤ法などがあるが，これらの方法で堆積させた半導体薄膜のデバイス特性は上記の方法と比べるとモビリティ等の電気的特性の面でまだ十分満足のいくものが得られていないのが実状である。
　本発明の目的は，大面積非晶質基板上に低温で簡易なプロセスで高品質な半導体薄膜を形成する方法を提供することにある。」（第２頁左上欄第１０行−同頁左下欄第２行）
　
（３ｂ）「本発明における半導体薄膜形成工程では，プラズマ中イオンの非晶質基板に照射されるエネルギが，該非晶質基板上に堆積する半導体薄膜の構成原子がスパッタリングされる閾値以下のエネルギとなるように，非晶質基板の表面電位を制御し，ターゲット構成原子をスパッタリングにより該非晶質基板上に堆積させる。すなわち，第１図Ａに示すように，清浄な表面を持つ基板３０上に，堆積する半導体薄膜の構成原子がスパッタリングされる閾値以下にエネルギが精密に制御されたイオン３１を照射しながら，半導体原子もしくは分子３２を堆積させることにより，第１図Ｂに示すような，結晶粒の大きな，基板面に法線方向の面方位の比較的揃った高品質な半導体薄膜３３を形成することが可能となる。
　ここでイオン照射をともなった半導体薄膜の堆積について述べる。ターゲットから入射する　１００ＭＨｚという高周波によりエネルギ分布の小さな均一なイオンからなるプラズマを生成し，このプラズマ中のイオンを，ターゲットにかける直流バイアスもしくはプラズマによるセルフバイアスにより，半導体薄膜からなるターゲットに入射させスパッタリングを起こさせる。ターゲットのスパッタリングにより非晶質基板に飛来してきた中性半導体原子（分子）それ自身の持つエネルギは２〜３ｅＶにピークをもつ非常に小さなものであり，非晶質基板上で結晶化を起こさせるには不十分である。
　基板温度を低温に保ったまま，堆積する半導体薄膜を結晶化させるためには，基板にかける高周波のパワー，周波数，基板とアース間のインピーダンスなどを制御して，プラズマを生成しているイオンを数十ｅＶ程度の所望のエネルギ（堆積した薄膜のスパッタリングの起こる閾値以下の所望の値）に精密制御して基板に照射させる。例えば堆積させる半導体薄膜がＳｉ，プラズマを生成するイオン（ガス）がＡｒのある条件の場合４０ｅＶが閾値となるが，プラズマ中のＡｒイオンの非晶質基板に照射されるエネルギを４０ｅＶとすると，Ａｒイオンは高々Ｓｉ薄膜の１単位格子程度しか侵入せずにエネルギを失うことになる。即ちＡｒイオンの持っているエネルギの多くはＳｉ薄膜の表面層高々１〜４原子層が吸収する。したがってこのＳｉ薄膜表面層はエネルギ的にはかなりの高温状態になり，Ｓｉ原子は非常に表面層を動きやすくなる。
このためこの薄膜堆積法によると，成膜と同時に，下地には影響の少ない高温熱処理を施していることになり，非晶質基板上に堆積する半導体薄膜は大粒径多結晶となり
　
（３ｃ）「第２図に
本発明を実施するのに好適に用いられる装置の一例
２周波励起型のバイアススパッタリング装置
　このような装置に清浄な基板をセットした状態で，プロセスガスを流し，次いでターゲット側より高周波電力を投入してプラズマを発生させ，スパッタリングによる成膜を行なう。
導入ガスは
Ｈｅ
　
（３ｄ）「さて，クリーニング工程に引き続き，同じチャンバ内で，
ターゲットから入射する高周波を１００ＭＨｚ
基板側から入射する高周波として５０〜２５０ＭＨｚ
　
（３ｅ）「前記条件でクリーニングを行い（基板側の高周波電力は５Ｗ），上記プロセスにより作成した膜に公知の方法で形成したｎＭＯＳＦＥＴのチャネル移動度を，Ｓｉ膜堆積時に基板表面に照射するイオンのエネルギをパラメータとして測定した結果を第４図に示す。他の条件は上記の通りで一定であり，基板温度は５５０°Ｃとした。照射エネルギが４０ｅＶのときモビリティは最高値１２０ｃｍ２／Ｖｓｅｃを示したが，さらにエネルギーを強くすると急速に膜は劣化し，モビリティも小さくなってしまう。つまり照射エネルギは４０ｅＶで閾値をとると考えられる。」（第５頁右下欄第８−１９行）
　
（３ｆ）第２図は２周波励起のバイアススパッタ装置の概略断面図であって，上記摘記（３ｃ），（３ｄ）の記載と技術常識とを参酌すれば，同図から，
・真空チャンバ１１と，
・前記真空チャンバ１１の上部に設けられた静電チャック１３と，
・前記静電チャック１１の下面に装着された，Ｓｉ（１１１）ＦＺであるターゲット１２と，
・前記ターゲット１２に，マッチング回路１９を介して高周波を入射する，１００ＭＨｚの高周波電源１７と，
・前記真空チャンバ１１の下部に設けられた静電チャック１４と，
・前記静電チャック１４の上面に装着された非晶質絶縁性基板１６と，
・前記非晶質絶縁性基板１６に，マッチング回路２０を介して高周波を入射する，５０〜２５０ＭＨｚの周波数可変型高周波電源１８と，
を備えた，２周波励起のバイアススパッタ装置の構造を読み取ることができる。
　
オ　引用例４：特開平９−２９３８７６号公報（平成２３年１１月１日付けの最後の拒絶理由通知書で引用した引用文献４）
（４ａ）「例えば，
基板として
透明石英ガラス１２
　
多結晶シリコン層
　この他，非晶質シリコン層を再結晶化して多結晶シリコン層を得ることも可能である。この場合，非晶質シリコン層は減圧ＣＶＤ法，グロー放電法，アーク放電法，反応性スパッタ法，熱ＣＶＤ法，光ＣＶＤ法，プラズマＣＶＤ法，蒸着法などを用いて積層することが可能である。積層条件としては，例えばグロー放電法では，ＳｉＨ4 ，Ｓｉ2 Ｈ6 ，ＳｉＣｌ4 などを用いることが可能である。この場合，ＳｉＨ4 では圧力０．５〜２．０Ｔｏｒｒ，温度２５０〜３５０℃，グロー発振周波数５０〜４５０Ｈｚの範囲で非晶質シリコン層を積層することが可能である。
　再結晶化法としては，アルゴンレーザのパルスビームや，ＣＷレーザビーム，Ｑスイッチパルスレーザビーム，ＫｒＦやＸｅＣｌなどのエキシマレーザビーム，電子線ビームなどを用いて行なうレーザアニール法と，熱処理による固相成長法などを用いることが可能である。
　レーザアニール法では，室温から３００℃の範囲で再結晶化を行なうことが可能である。固相成長法では，温度５００〜８００℃，１０〜２０時間の範囲で，水素中または窒素中で赤外線ランプまたはストリップヒータにより加熱して，再結晶化を行なうことが可能である。
　
ゲート絶縁膜１７
酸化膜
　
酸化膜の形成は
プラズマＣＶＤ法
　窒化膜の形成方法としては，熱窒化法，常圧ＣＶＤ法，減圧ＣＶＤ法，プラズマＣＶＤ法などを用いることが可能である。アルミナまたは酸化タンタルは，ＡｌまたはＴａをスパッタ法で形成した後，陽極酸化を行なって作製される。
　
ゲート電極１８については
高濃度にドーピングされた多結晶シリコン
　
（４ｂ）「・・・
シリコン酸化膜２２は
２周波励起のプラズマを用いて
堆積した
　
（３）本願補正発明１と引用発明との対比
ア　引用発明の「透明基板である絶縁基板２」は，本願補正発明１の「基板」及び「透明基板」に相当する。
　
イ　引用発明の「ソース・ドレイン・チャネル部が設けられる多結晶シリコン膜３」，「ゲート絶縁膜６」及び「ゲート電極となるリンドープした低抵抗ゲート多結晶シリコン膜１１」は，それぞれ，本願補正発明１の「多結晶シリコン膜」，「絶縁膜」及び「導電膜」に相当する。
　
ウ　引用発明は，「多結晶シリコン膜３，ゲート絶縁膜６，ゲート電極となるリンドープした低抵抗ゲート多結晶シリコン膜１１を連続成膜することで，界面の汚染をなくした」発明であり，本願補正発明１は「基板上に多結晶シリコン膜を成膜する第１の成膜室と，前記多結晶シリコン膜上に絶縁膜を成膜する第２の成膜室と，前記絶縁膜上に導電膜を成膜する第３の成膜室とが，基板搬送室を介して大気に対して気密保持可能に連設され」た発明であるから，引用発明と本願補正発明１とは，多結晶シリコン膜の成膜，絶縁膜の成膜，導電膜の成膜を，大気に対して気密状態が保持された状態で連続しておこなう発明である点で一致する。
　
エ　したがって，上記ア−ウの対応関係から，本願補正発明１と引用発明との一致点及び相違点は，次のとおりであるといえる。
　
＜一致点＞
　「基板上に多結晶シリコン膜を成膜し，前記多結晶シリコン膜上に絶縁膜を成膜し，前記絶縁膜上に導電膜を成膜する各工程を，大気に対して気密状態が保持された状態で連続しておこなう薄膜成膜装置。」
　
＜相違点＞
・相違点１：本願補正発明１が，基板上に多結晶シリコン膜を成膜する「第１の成膜室」と，前記多結晶シリコン膜上に絶縁膜を成膜する「第２の成膜室」と，前記絶縁膜上に導電膜を成膜する「第３の成膜室」とが，「基板搬送室を介して大気に対して気密保持可能に連設され」た構造を有し，かつ，「前記第１の成膜室は，減圧状態に保持可能なチャンバーを有しており，前記基板搬送室の側方にゲートバルブを介して連設され」たものであるのに対して，引用発明は薄膜成膜装置の具体的な構造を特定していない点。
　
・相違点２：本願補正発明１では，多結晶シリコン膜の成膜が，「スパッタリングガスとしてヘリウムガスを用いた２周波励起スパッタ法を用いて前記多結晶シリコン膜を成膜するスパッタ成膜室」でおこなわれ，かつ，前記スパッタ成膜室は，「チャンバーの上部に上部電極が設けられ，上部電極の下面にシリコンターゲットが着脱可能に装着されるとともに，チャンバーの下部には下部電極が設けられ，下部電極の上面に透明基板が静電チャックによって着脱可能に装着されている」構造を備えたものであるのに対して，引用発明では，多結晶シリコン膜３の成膜が，「モノシランガスを原料に，減圧ＣＶＤ法により５８０℃」でおこなわれている点。
　
・相違点３：本願補正発明１では，絶縁膜の成膜が，「チャンバーの上部に高周波電極およびシャワープレートが設けられ，チャンバーの下部にはシャワープレートに対向して透明基板を載置するサセプタ電極が設けられて，高周波電極は，導電体からなるハウジングの内部に整合回路が収納された高周波電極側マッチングボックスを介して第１の高周波電源と接続されて，高周波電極とシャワープレートとにより空間が形成され，この空間内に反応ガスを導入するためのガス導入管が設けられて，ガス導入管を通じてこの空間内に導入された反応ガスは，シャワープレートの多数の孔からチャンバー内に供給されるようになって，２周波励起プラズマＣＶＤ法」を用いておこなわれているのに対して，引用発明では，ゲート絶縁膜６の成膜が，「常圧ＣＶＤ法」でおこなわれている点。
　
（４）本願補正発明１と引用発明との相違点についての判断
・相違点１について
ア　引用例２の上記摘記（２ａ）−（２ｅ）の記載から，
　安価なガラス基板を用い，前記基板表面に多結晶珪素からなる半導体装置を形成して，アクティブマトリクス型の液晶表示装置を製造するにあたり，一枚の基板を外気に曝すことなく，２回またはそれ以上の処理を連続的に行い，生産性の向上，信頼性の向上を同時に果たすために，共通室である基板の搬送室と，前記搬送室と同一減圧状態として，その状態においてゲイトバルブを開け，前記搬送室から基板を搬入することができる処理室を必要とする数で組み合わせた，マルチチャンバー方式の多目的ＣＶＤ装置を使用することが周知であったことが認められる。
　
イ　一方，引用発明は，薄膜成膜装置の具体的な構造は特定されていないものの，アクティブマトリクスのデータ線とゲート線を搭載した透明絶縁基板上のコプレーナ型トランジスタを製造する際に，多結晶シリコン膜，ゲート絶縁膜，リンドープした低抵抗ゲート多結晶シリコン膜を連続成膜して界面の汚染をなくした発明である。
　
ウ　そうすると，薄膜成膜装置の具体的な構造が特定されていない引用発明において，多結晶シリコン膜，ゲート絶縁膜，リンドープした低抵抗ゲート多結晶シリコン膜を連続成膜して界面の汚染をなくすために，引用例２に記載された周知のマルチチャンバー方式の多目的ＣＶＤ装置を使用して，多結晶シリコン膜の成膜，絶縁膜の成膜，導電膜の成膜を，それぞれ個別の処理室である「第１の成膜室」，「第２の成膜室」及び「第３の成膜室」でおこない，かつ，前記各成膜室を「基板搬送室を介して大気に対して気密保持可能に連設」すること，及び，前記「第１の成膜室」を，「減圧状態に保持可能なチャンバーを有しており，前記基板搬送室の側方にゲートバルブを介して連設され」たものとすることは当業者が容易に想到し得たことである。すなわち，引用発明において，上記相違点１について本願補正発明１の構成となすことは当業者にとって容易である。また，このような構成を採用したことによる効果は当業者が予測する範囲内のものである。
　
・相違点２について
ア　引用例３の上記摘記（３ａ）−（３ｆ）の記載から，当業者であれば，以下の事項を理解することができる。
（ア）ＴＦＴ用薄膜形成技術において，大粒径の多結晶半導体薄膜を得ることで，電気的特性の良い高移動度を示すＭＯＳデバイスが作成できること。
（イ）真空チャンバ１１と，前記真空チャンバ１１の上部に設けられた静電チャック１３と，前記静電チャック１１の下面に装着された，Ｓｉ（１１１）ＦＺであるターゲット１２と，前記ターゲット１２に，マッチング回路１９を介して高周波を入射する，１００ＭＨｚの高周波電源１７と，前記真空チャンバ１１の下部に設けられた静電チャック１４と，前記静電チャック１４の上面に装着された非晶質絶縁性基板１６と，前記非晶質絶縁性基板１６に，マッチング回路２０を介して高周波を入射する，５０〜２５０ＭＨｚの周波数可変型高周波電源１８とを備えた２周波励起のバイアススパッタ装置を使用してシリコン薄膜を堆積すると，成膜と同時に，下地には影響の少ない高温熱処理を施していることになり，非晶質基板上に堆積する半導体薄膜が大粒径多結晶となること。
（ウ）上記スパッタリングによる成膜を行なう際の導入ガスはＨｅでもよいこと。
　
イ　ところで，引用発明の「アクティブマトリクスのデータ線とゲート線を搭載した透明絶縁基板上のコプレーナ型トランジスタ」は，引用例３に記載された発明が対象としている「ＴＦＴ」の一種であるといえる。一方，「電気的特性の良い高移動度」は，トランジスタの製造において当業者が常に念頭に置いている課題の一つであると認められる。してみれば，引用発明の「コプレーナ型トランジスタ」の製造においても，電気的特性の良い高移動度のトランジスタが製造できることが望ましいことは当業者にとって明らかである。
　
ウ　そうすると，引用発明の「ソース・ドレイン・チャネル部が設けられる多結晶シリコン膜３」の成膜においては，大粒径の多結晶半導体薄膜を得るという動機があると認められるから，引用発明の「ソース・ドレイン・チャネル部が設けられる多結晶シリコン膜３」の成膜を，引用例３に記載された，スパッタリングガスとしてヘリウムガスを用いた２周波励起のバイアススパッタ装置でおこない，大粒径の多結晶半導体薄膜とすることは当業者が容易に想到し得たことである。
　
エ　そして，引用例３に記載された２周波励起のバイアススパッタ装置の上記（イ）に示した構造から，当業者であれば，チャンバーの上部に上部電極が設けられ，上部電極の下面にシリコンターゲットが着脱可能に装着されるとともに，チャンバーの下部には下部電極が設けられ，下部電極の上面に透明基板が静電チャックによって着脱可能に装着されてる構造を理解することができるから，上記「相違点１について」で検討したように，引用発明に引用例２に記載された発明を適用して，引用発明の薄膜成膜装置を，「第１の成膜室」，「第２の成膜室」及び「第３の成膜室」を備えたものとすることが容易である場合において，基板上に多結晶シリコン膜を成膜する前記「第１の成膜室」として，引用例３に記載された構造を備えた２周波励起のバイアススパッタ装置を用いること，すなわち，引用発明において，上記相違点２について本願補正発明１の構成となすことは当業者にとって容易である。また，このような構成を採用したことによる効果は当業者が予測する範囲内のものである。
　
・相違点３について
ア　引用例４の上記摘記（４ａ）には，透明石英ガラス１２の基板上に，多結晶シリコン層，酸化膜からなるゲート絶縁膜，高濃度にドーピングされた多結晶シリコンからなるゲート電極を成膜する半導体装置の製造において，前記酸化膜は，熱酸化法，常圧ＣＶＤ法，減圧ＣＶＤ法，プラズマＣＶＤ法，スパッタ法を用いて形成することが可能であることが記載されている。そして，上記摘記（４ｂ）には，シリコン酸化膜を，２周波励起のプラズマを用いて堆積することが記載されている。
　
イ　一方，引用発明は，透明基板である絶縁基板２上に，ソース・ドレイン・チャネル部が設けられる多結晶シリコン膜３，ゲート絶縁膜６，ゲート電極となるリンドープした低抵抗ゲート多結晶シリコン膜１１を連続成膜する発明であるから，引用例４に記載された発明と引用発明とは，透明基板である絶縁基板上に，多結晶シリコン膜，ゲート絶縁膜，低抵抗多結晶シリコン膜を順次成膜した発明である点で共通する技術分野に属する発明であるといえる。
　
ウ　すなわち，引用例４の記載から，多結晶シリコン膜，ゲート絶縁膜，低抵抗多結晶シリコン膜を順次成膜する場合において，前記ゲート絶縁膜の形成方法として，熱酸化法，常圧ＣＶＤ法，減圧ＣＶＤ法，プラズマＣＶＤ法，スパッタ法等が選択可能であったことが理解できるから，ゲート絶縁膜６の成膜を常圧ＣＶＤでおこなう引用発明において，前記ゲート絶縁膜の成膜を常圧ＣＶＤ以外の引用例４に記載された成膜方法でおこなうことは当業者が適宜なし得たことである。そして，引用例４には，シリコン酸化膜を，２周波励起のプラズマを用いて堆積することが記載されているのであるから，前記ゲート絶縁膜６の成膜を前記２周波励起のプラズマを用いて堆積することに格別の困難は認められない。
　
エ　なお，引用例４には，２周波励起のプラズマを用いて堆積をおこなう装置の具体的な構造は示されていないが，「チャンバーの上部に高周波電極およびシャワープレートが設けられ，チャンバーの下部にはシャワープレートに対向して透明基板を載置するサセプタ電極が設けられて，高周波電極は，導電体からなるハウジングの内部に整合回路が収納された高周波電極側マッチングボックスを介して第１の高周波電源と接続されて，高周波電極とシャワープレートとにより空間が形成され，この空間内に反応ガスを導入するためのガス導入管が設けられて，ガス導入管を通じてこの空間内に導入された反応ガスは，シャワープレートの多数の孔からチャンバー内に供給される」構造を備えた成膜装置は，下記の周知例１−２の記載からも明らかなように周知であるから，上記「相違点１について」で検討したように，引用発明に引用例２に記載された発明を適用して，引用発明の薄膜成膜装置を，「第１の成膜室」，「第２の成膜室」及び「第３の成膜室」を備えたものとすることが容易である場合において，多結晶シリコン膜上に絶縁膜を成膜する「第２の成膜室」として，前記周知の構造を備えた成膜装置を用いて，２周波励起のプラズマを用いた堆積をおこなうこと，すなわち，引用発明において，上記相違点３について本願補正発明１の構成となすことは当業者にとって容易である。また，このような構成を採用したことによる効果は当業者が予測する範囲内のものである。
　
・周知例１：特開平１１−１６２６９６号公報
（周１ａ）「【従来の技術】
従来
プラズマ処理装置
　
高周波電力は高周波電源１から，導電体からなるハウジング２１により形成され，内部に整合回路が収納されているマッチングボックス２を介してフィーダー３によりプラズマ励起電極４に供給される
　
プラズマ励起電極４の下には，多数の孔７が形成されているシャワープレート５が設けられており，プラズマ励起電極４とシャワープレート５とで空間６が形成されている。この空間６にはガス導入管１７が設けられている。ガス導入管１７から導入されたガスは，シャワープレート５の孔７を介してチャンバー壁１０により形成されたチャンバー室に供給される
　
チャンバー室内には基板１６を載置しプラズマ励起電極ともなるウエハサセプタ８が設けられており
　
ウエハサセプタ８には，マッチングボックス１４内に収納された整合回路を介して第２の高周波電源１５が接続されている
　
（周１ｂ）「【発明が解決しようとする課題】
本発明は
電力消費効率が高く，成膜速度が従来より速くかつ，より良質の膜の形成が可能なプラズマ処理装置を提供することを目的とする
　
（周１ｃ）「【実施例】（実施例１）図１に実施例１に係るプラズマ処理装置を示す。
　本例では，高周波電源１とプラズマ励起電極４との間に介在し，これら高周波電源１とプラズマ励起電極４との間のインピーダンスの整合を得る整合回路において，一つのチューニングコンデンサ２４をなす二つの電極２５ａ，２５ｂのうちの一つの電極２５ｂがプラズマ励起電極４と兼用している。
　以下に本例をより詳細に説明する。なお，従来例と同一の部分の説明は省略する。」（【００１７】−【００１９】）
　
（周１ｄ）図１は，周知例１に記載された発明の実施例１に係るプラズマ処理装置の断面図であって，上記摘記（周１ａ）−（周１ｃ）の記載を参照すれば，同図から，
　チャンバ−室の上部に，高周波電力が供給されるプラズマ励起電極４およびシャワープレート５が設けられ，
　チャンバ−室の下部には，シャワープレート５に対向して，基板１６を載置するプラズマ励起電極ともなるウエハサセプタ８が設けられて，
　プラズマ励起電極４は，導電体からなるハウジング２１の内部に整合回路が収納されたマッチングボックス２を介して高周波電源１と接続されて，
　プラズマ励起電極４とシャワープレート５とにより空間６が形成され，
　この空間６内にガスを導入するためのガス導入管１７が設けられて，
　ガス導入管１７を通じてこの空間６内に導入されたガスは，シャワープレート５の多数の孔７からチャンバ−室に供給される，
　プラズマ励起電極４に高周波電源１が接続され，ウエハサセプタ８に第２の高周波電源１５が接続されている，電力消費効率が高く，成膜速度が従来より速くかつ，より良質の膜の形成が可能なプラズマ処理装置。
　の構造を読み取ることができる。
　
・周知例２：特開平１１−３３００５８号公報
（周２ａ）「【請求項１】　
処理容器内に配置された電極
高周波電力を前記給電棒を介して前記電極に印加する
処理容器内に配置された被処理体に対してプラズマ処理を施すプラズマ処理装置
【請求項２】　前記整合器の出力部と前記給電棒との電気的接触面には，多面接触子が配されることを特徴とする，請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項３】　前記
給電棒は，前記処理容器の上部に形成されたボックス内に配置
整合器を収容するマッチングボックスの少なくとも一部が前記ボックスの蓋部を形成
　
（周２ｂ）「【発明の実施の形態】以下に，添付図面を参照しながら，本発明にかかるプラズマ処理装置をエッチング装置に適用した実施の一形態について，詳細に説明する。
（１）エッチング装置の全体構成
　まず，図１及び図２を参照しながら，本実施の形態のエッチング装置１００の全体構成について説明する。図１に示すように，エッチング装置１００の処理容器１０２内には，処理室１０４が形成されており，この処理室１０４内には，
上下動自在なサセプタを構成する下部電極１０６
下部電極１０６の上部には
静電チャック１１０
静電チャック１１０の上面に被処理体，例えば半導体ウェハ（以下，「ウェハ」と称する。）Ｗが載置される
　また，下部電極１０６上のウェハＷを囲う位置には，フォーカスリング１１２が設けられている。さらに，下部電極１０６には，温度調整機構１１６が内装されている。また，
下部電極１０６には，整合器１１８を介してバイアス用高周波電力を出力する高周波電源１２０が接続されている
　また，下部電極１０６のウェハＷの載置面と対向する処理室１０４の
天井部には，多数のガス吐出孔１２２ａを備えた上部電極１２２が配置されている
　また，処理容器１０２の上部，すなわち上部電極１２２の上部には，シールドボックス１２８とマッチングボックス１３０が順次積み重ねられている。さらに，
上部電極１２２には，マッチングボックス１３０内に収容された整合器（マッチング回路）１３２を介して，所定の高周波電力，例えば６０ＭＨｚのプラズマ生成用高周波電力を出力する高周波電源１３４が接続されている
（２）シールドボックスとマッチングボックスの構成
　次に，図２を参照しながら，シールドボックス１２８とマッチングボックス１３０の構成について説明する。まず，シールドボックス１２８とその内部の構成について説明すると，シールドボックス１２８は，例えば表面が陽極酸化処理されたアルミニウムから成り，上述の如く処理容器１０２の上部に固定されている。また，シールドボックス１２８内の下方には，上述した上部電極１２２と，この上部電極１２２の周囲を囲う絶縁部材１２４が配置されている。また，
上部電極１２２の上部には，導電性のバッフル板１４０と，導電性の給電部材（支持部材）１４２が順次積み重ねており，これら上部電極１２２とバッフル板１４０と給電部材１４２は，上部電極部１４４を構成している
　また，図示の例では，
給電部材１４２とバッフル板１４０との間には，中空部１４６が形成されている
バッフル板１４０には，その中空部１４６と，上部電極１２２のガス吐出孔１２２ａを連通する複数の貫通孔１４０ａが設けられている
中空部１４６には，ガス供給管１４８が接続されていると共に，このガス供給管１４８には，給電部材１４２上に固定される絶縁部材１５０と，バルブ１５２と，フィルタ１５４を介して，シールドボックス１２８の外部に設けられた所定の処理ガスを供給する不図示のガス供給源が接続されている
　
（周２ｃ）「また，シールドボックス１２８とマッチングボックス１３０の接触部と，シールドボックス１２８と処理容器１０２の接触部は，表面に形成された絶縁膜を剥がしてあるため，それら
導電性材料から成るシールドボックス１２８とマッチングボックス１３０
　
（周２ｄ）「さらに，上記実施の形態において，プラズマエッチング装置を例に挙げて説明したが，
本発明はかかる構成に限定されることはなく
ＣＶＤ装置等に対しても，本発明を適用することができる
　
（周２ｅ）図１は，周知例２に記載された発明を適用可能なエッチング装置を示す概略的な断面図であり，図２は，図１に示すエッチング装置のシールドボックスとマッチングボックスを表す概略的な拡大断面図であって，上記摘記（周２ａ）−（周２ｃ）の記載，および，上記摘記（２ｄ）の「上記実施の形態において，プラズマエッチング装置を例に挙げて説明したが，
本発明はかかる構成に限定されることはなく
ＣＶＤ装置等に対しても，本発明を適用することができる
　処理容器１０２の上部に，多数のガス吐出孔１２２ａを備えた上部電極１２２と，前記上部電極１２２のガス吐出孔１２２ａに連通する複数の貫通孔１４０ａが設けられている導電性のバッフル板１４０と，導電性の給電部材（支持部材）１４２とを順次積み重ねて構成した上部電極部１４４が設けられ，
　処理容器１０２の下部には，上部電極部１４４に対向して半導体ウェハ（以下，「ウェハ」と称する。）Ｗを載置する，上下動自在なサセプタを構成する下部電極１０６が設けられて，
　上部電極部１４４は，導電性材料から成るマッチングボックス１３０の内部に収納された整合器（マッチング回路）１３２を介して，所定の高周波電力，例えば６０ＭＨｚのプラズマ生成用高周波電力を出力する高周波電源１３４と接続されて，
　給電部材１４２とバッフル板１４０とにより中空部１４６が形成され，
　この中空部１４６に所定の処理ガスを供給するためのガス供給管１４８が設けられて，
　ガス供給管１４８を通じてこの中空部１４６に導入された所定の処理ガスは，導電性のバッフル板１４０の複数の貫通孔１４０ａと，これに連通する上部電極１２２の多数のガス吐出孔１２２ａから処理容器１０２内に供給される，
　上部電極部１４４に高周波電源１３４が接続され，下部電極１０６に高周波電源１２０が接続されている，
　ＣＶＤ装置に対しても適用することができる，高周波電力の給電機構を備えたプラズマ処理装置。
　の構造を読み取ることができる。
　
オ　なお，審判請求人は審尋の回答書において「また，平成２３年１１月２９日付け発送の拒絶理由通知書において，審査官殿が引用された引用文献３の第５頁左下欄第６行〜右下欄第７行には，基板が５５０℃もしくは７００℃に加熱されることが記載されております。 また，引用文献４では，キャリアの移動度の向上を図るために熱処理を行なっていると理解されます。これに対し，本発明者は，『アニール処理を不要にすることにより，多結晶シリコン膜，絶縁膜，導電膜の３層の膜の成膜工程を連続して行い，ＴＡＴの短縮，製造コストの低減を図ることができる』という着想に基づき，そして，第１の成膜室を，スパッタリングガスとしてヘリウムガスを用いた２周波励起スパッタ法を用いて多結晶シリコン膜を成膜するスパッタ成膜室とし，第２の成膜室を，２周波励起プラズマＣＶＤ法を用いて該多結晶シリコン膜上に絶縁膜を成膜するプラズマＣＶＤ成膜室とすることにより，従来移動度の向上のために必要であったアニール処理を不要としつつ，十分な移動度を確保することができることを見出したものです。しかしながら，上述しましたように，引用文献３，４は，熱処理を要し，そして，これら引用文献には，そもそも上記着想について記載や示唆はなされていないと理解されます。従いまして，これらの事実を考慮すれば，当業者であっても，本願発明を創作するうえで，引用文献１，３，４を組み合わせる動機付けは得られないと考えます。」と主張するのでこの点について検討する。
　本願補正発明１は，上記「第２　１　補正の内容（補正後）」に記載されている事項により特定されるとおりの「薄膜成膜装置」に係る「物」の発明である。
　そして，本願補正発明１が，「基板を加熱しないこと」を発明特定事項として備えていないことは，上記「第２　１　補正の内容（補正後）」の記載から明らかである。
　そうすると，審判請求人の前記主張は，請求項の記載に基づかない主張であるから採用することはできない。
　
（５）本願補正発明１についての判断
　相違点１−３については，以上のとおりであるから，本願補正発明１は，上記引用例１−４に記載された発明と周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　したがって，本願補正発明１は，特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
５　補正の却下の決定のむすび
　したがって，本件補正は，平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので，同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
１　本願発明
　平成２４年８月７日に提出された手続補正書による補正は上記のとおり却下され，同年２月２８日に提出された手続補正書による補正が，同年３月１４日付けで却下されているので，本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明１」という。）は，平成２３年５月１９日に提出された手続補正書によって補正された明細書，特許請求の範囲及び図面の記載からみて，その特許請求の範囲の請求項１に記載されている事項により特定される次のとおりのものであると認める。
　
「【請求項１】
　基板上に多結晶シリコン膜を成膜する第１の成膜室と，前記多結晶シリコン膜上に絶縁膜を成膜する第２の成膜室と，前記絶縁膜上に導電膜を成膜する第３の成膜室とが，基板搬送室を介して大気に対して気密保持可能に連設され，
　前記第１の成膜室は，スパッタリングガスとしてヘリウムガスを用いた２周波励起スパッタ法を用いて前記多結晶シリコン膜を成膜するスパッタ成膜室であり，
　前記第２の成膜室は，２周波励起プラズマＣＶＤ法を用いて前記絶縁膜を成膜するプラズマＣＶＤ成膜室であることを特徴とする薄膜成膜装置。」
　
２　進歩性について
（１）引用例及びその記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用され，本願の出願前に頒布された刊行物である引用例１−４に記載されている事項は，上記「第２　４　（２）引用例とその記載事項，及び，引用発明」の項で指摘したとおりである。
　
（２）当審の判断
　本願発明１を特定するに必要な事項を全て含み，さらに具体的に限定したものに相当する本願補正発明１が，前記「第２　４　（４）本願補正発明１と引用発明との相違点についての判断」に記載したとおり，引用例１−４に記載された発明と周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，本願発明１も同様に，引用例１−４に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。 
　
第４　むすび 
　以上のとおり，本願の請求項１に係る発明は，引用例１−４に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。したがって，本願は拒絶をすべきものである。
　
　よって，結論のとおり審決する。