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　特願２００９−２６１９８１号「露光装置および露光方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２２年　２月１２日出願公開、特開２０１０−　３３０９４号〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯及び本願発明
　本願は、平成１５年１０月２０日に出願した特願２００３−３５９７８９号の一部を平成２１年１１月１７日に新たな特許出願としたものであって、平成２４年１月２４日付けで手続補正がなされ、同年４月２４日付けで拒絶査定がなされ、これに対して同年７月２４日に拒絶査定不服審判の請求がなされたものである。
　
　本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成２４年１月２４日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものである。
「樹脂中に顔料を分散してなる顔料分散系の感材が積層された基板を載置する露光ステージと、
　前記露光ステージ上に載置された基板上の感材へ向けて、前記基板の前記感材との間に隙間が存在するよう配置されたマスクを介して平行光を照射する照射光学系と、を備え、　前記照射光学系は、可視光域及び紫外線域の光を出射する超高圧水銀灯と、基板上の感材へ向けて前記平行光が照射されるよう前記超高圧水銀灯から出射された光を導く光学要素とを有し、
　前記露光ステージは、前記平行光と平行な方向に沿って移動可能となっており、
　前記照射光学系において、前記超高圧水銀灯から出射された光から３５０ｎｍ以下の波長域の光をカットする短波長カットフィルターが設けられていることを特徴とする露光装置。」
　
２．引用例
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願前に頒布された刊行物である特開２００１−２９６６６６号公報（以下「引用例１」という。）、及び特開平３−２８２４７５号公報（以下「引用例２」という。）には、以下の技術事項が記載されている。（後述する引用発明の認定に関連する箇所に下線を付した。）
　
ａ．引用例１
記載事項ア．
「【請求項１】 
基板表面に被着した体質顔料および／または着色顔料を含有する感光性樹脂層
……（略）……
【請求項４】 
基板表面の感光性樹脂層を、所望パターンが形成されたマスクを介して露光して所望パターン状に形成する基板露光装置において、紫外線および比較的短波長の可視光線を含む露光用光源と、該露光用光源から放射された光線を前記基板の前記感光性樹脂層の照射面に照射する光コリメーション装置と、前記露光用光源から放射される光線のうち前記照射面に照射される光線の波長成分を調整するフィルタとを備える
【請求項５】 
前記露光用光源として水銀ショートアークランプを使用する
【請求項６】 
前記露光用光源の光コリメーション装置は、前記露光用光源から放射された光線を集光ミラーで集光した光線を反射する第１ミラーと、該第１ミラーからの反射光を前記照射面に反射する第２ミラーとを含む
　
記載事項イ．
「【０００６】図３に示す従来の露光装置により露光して形成されたソルダーレジストのパターンは、図４（Ａ）の拡大図に示ように、ソルダーレジスト・パターン20ａの表面部分が側方に出っ張り、マスク30の透過部30ａの寸法より大きく、かつ底部はマスク30の透過部30ａの寸法より小さくなり、所謂「きのこ状」の断面形状となる。そのために、ソルダーレジスト層20に高密度または高解像度のパターンを形成することが不可能であるという課題を有していた。その原因は、露光用光源40から照射された紫外線41は、感光性樹脂中に含まれる顔料により吸収され、かつ散乱されてしまい、ソルダーレジスト層20の表面部分を迅速に硬化させ、内部への紫外線の透過量が低下するためであると考えられる。しかも、紫外線41は、散乱光であるために、マスク30の紫外線透過部30ａの周辺で散乱することも、その原因の１つであると考えられる。
【０００７】そこで、本発明は、例えば図４（Ｂ）に示すように、全面にわたり高密度かつ良好なソルダーレジストのパターン20ａ’が形成可能である基板露光方法および露光装置を提供することを目的として考えられたものである。」
　
記載事項ウ．
「【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明による基板露光方法および露光装置の好適な実施の形態の構成および動作を、図面を参照して詳細に説明する。
【００１１】先ず、図１を参照して、本発明による基板露光装置の好適な実施の形態であるプリント基板露光装置の構成を説明する。図１に示す実施の形態の基板露光装置は、ランプ50と、集光ミラー51と、コールドミラー（第１ミラー）52と、シャッター55と、フライアイレンズ（複眼レンズ）56と、フィルタ57と、コリメーションミラー（第２ミラー）58とにより構成されている。
【００１２】ここで、ランプ50は、例えば周知の水銀ショートアークランプである。このランプ50は、例えば図２に実線で示すように、波長が約３５０ｎｍから約４５０ｎｍの紫外線およびこれより波長が長い（比較的短波長の）可視光線を含んでいる。その最大波長は、図２に実線で示すように、約３６０ｎｍである。
このランプ50から放射された光線は、
コリメーションミラー（第２ミラー）58に入射する。このコリメーションミラー58に入射した光線は、図３および図４に示すマスク30および基板の照射面59にコリメートされた平行光線60として照射される。
【００１３】上述のように、図２に実線で示す紫外線を中心とする水銀ショートアークランプ50から放射された光線をそのまま、体質顔料および／または着色顔料を含有する感光性樹脂層であるソルダーレジスト層の露光に使用すると、表面近傍が露光硬化されて、図４（Ａ）に示すように「きのこ状」の断面形状を有するソルダーレジストのパターン20ａとなる。この点、
本発明の基板露光方法および露光装置によると、水銀ショートアークランプ50から放射された光線を、例えば図２に点線で示す透過率を有するフィルタ57により分光成分を調整する。即ち、波長３６０ｎｍ付近の比較的短波長の紫外線を減衰するとともに波長が約３８０ｎｍ付近以上の比較的長波長の紫外線および比較的短波長の可視光線は実質的に減衰させない。
　
記載事項エ．
「【図１】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
　
記載事項オ．
「【図２】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
　
記載事項カ．
「【図４】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
　
　記載事項ア〜カの記載内容からして、引用例１には、
「基板表面に被着した体質顔料および／または着色顔料を含有する感光性樹脂層を、所望パターンが形成されたマスクを介して露光して所望パターン状に形成する基板露光装置において、紫外線および比較的短波長の可視光線を含む水銀ショートアークランプと、該水銀ショートアークランプから放射された光線を前記基板の前記感光性樹脂層の照射面に照射する光コリメーション装置と、前記水銀ショートアークランプから放射される光線のうち前記照射面に照射される光線の波長成分を調整するフィルタとを備え、
前記光コリメーション装置は、前記水銀ショートアークランプから放射された光線を集光ミラーで集光した光線を反射する第１ミラーと、該第１ミラーからの反射光を前記照射面に反射する第２ミラーとを含み、第２ミラーに入射した光線はマスクおよび基板の照射面にコリメートされた平行光線として照射され、前記フィルタは例えば波長３６０ｎｍ付近の比較的短波長の紫外線を減衰するとともに波長が約３８０ｎｍ付近以上の比較的長波長の紫外線および比較的短波長の可視光線は実質的に減衰させないものである基板露光装置。」
の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているといえる。
　
ｂ．引用例２
記載事項キ．(特許請求の範囲)
「ショートアーク型の水銀灯よりなる光源を有する投影露光装置であって、
　光源からの光が照射されたフォトマスクの像を投影する投影レンズには、ｉ線のみまたはｉ線とｉ線より長波長側の水銀灯のスペクトルの光が入射し、
　該投影レンズには、ｉ線の吸収率が２０％以下の硝材から構成され、かつ吸収されるｉ線のエネルギーの平均値が１Ｗ以内であることを特徴とする投影露光装置。」
　
記載事項ク．（第１頁右下欄第１３行〜第２頁左上欄第１５行）
「〔発明が解決しようとする課題〕
　他の工程と同様に、露光工程においても生産性の向上が強く求められており、露光時間の短縮が改善すべき課題となっている。露光工程における露光時間は、塗布されたレジストの種類や厚さにもよるが、何といっても照度に依存するところが大である。
　ここで、従来は、水銀灯から発せられた光のうちの400nm程度以下の光をカットし、400nm以上の光を投影レンズに入射させて使用していた。
　しかし、水銀灯は400nm程度以下の波長域においてもｉ線(365nm)という強い輝線スペクトルを有し、このｉ線も投影レンズに入射させて使用するようにすれば、照射面における照度アップに寄与すると思われる。
　しかし、400ｎｍ以下のスペクトルをカットすると投影面における照度が低下するため、露光処理のスループットが悪化する問題がある。
　そこで、本発明者は、ｉ線をカットせずにｉ線を利用して回路パターンの露光を行ったところ、ｉ線をカットした際には生じなかった露光される回路パターンの像がピンボケするという問題のあることが判明した。」
　
記載事項ケ．（第２頁右上欄第１７行〜左下欄第１９行）
「〔実施例〕
　以下、本発明の実施例を説明する。
　第１図は本発明の実施例の投影露光装置を示し、10は光源、20は投影レンズ、30はフォトマスク、40は例えばＦＰＣ用のフィルム等の被露光物、51は集光鏡、52,53は折り返し平面鏡、54はインテグレータ、55はコンデンサレンズユニットである。
　光源10は、ショートアーク型の水銀灯例えば超高圧水銀灯よりなり、そのスペクトルには、ｉ線(365nm)と、ｉ線より長波長側の例えばｈ線(405nm)、ｇ線(436nm)が含まれている。
　光源10からの光が照射されたフォトマスク30の像を投影する投影レンズ20には、ｉ線のみまたはｉ線とｉ線より長波長側の水銀灯のスペクトルの光が入射する。ｉ線のみを入射させるときは、ｉ線のみを透過するバンドパスフィルタ(図示省略)を投影レンズ20と光源10との間に設け、ｉ線とｉ線より長波長側の水銀灯のスペクトルを使用するときは、ｉ線より短い例えば350nm以下の光をカットするシャープカットフィルタを設ければよい。なお、要求される解像度が高くなり、投影レンズ20における多波長色収差補正が困難になったときは、バンドパスフィルタを用いてｉ線のみとする。」
　
３．対比
　本願発明と引用発明を対比する。
（ａ）引用発明の「体質顔料および／または着色顔料を含有する感光性樹脂層」が「表面に被着した」「基板」は、本願発明の「樹脂中に顔料を分散してなる顔料分散系の感材が積層された基板」に相当し、引用発明の「基板」が露光時に露光ステージに載置されることは自明なことであるから、引用発明は、本願発明の「樹脂中に顔料を分散してなる顔料分散系の感材が積層された基板を載置する露光ステージ」に相当する構成を備えているといえる。
　
（ｂ）引用発明の「所望パターンが形成されたマスク」は、本願発明の「マスク」に相当し、引用発明の「マスクおよび基板の照射面にコリメートされた平行光線として照射」する「第２ミラー」は、本願発明の「平行光を照射する照射光学系」に相当するから、上記（ａ）で述べたことも踏まえると、引用発明と本願発明は「前記露光ステージ上に載置された基板上の感材へ向けて、マスクを介して平行光を照射する照射光学系と、を備え」る点で共通しているといえる。
　
（ｃ）引用発明の「紫外線および比較的短波長の可視光線を含む水銀ショートアークランプと、該水銀ショートアークランプから放射された光線を前記基板の前記感光性樹脂層の照射面に照射する光コリメーション装置と」「を備え」「前記光コリメーション装置は、前記水銀ショートアークランプから放射された光線を集光ミラーで集光した光線を反射する第１ミラーと、該第１ミラーからの反射光を前記照射面に反射する第２ミラーとを含み、第２ミラーに入射した光線はマスクおよび基板の照射面にコリメートされた平行光線として照射され」ることは、本願発明の「前記照射光学系は、可視光域及び紫外線域の光を出射する超高圧水銀灯と、基板上の感材へ向けて前記平行光が照射されるよう前記超高圧水銀灯から出射された光を導く光学要素とを有」することに相当する。
　
（ｄ）引用発明の「前記水銀ショートアークランプから放射される光線のうち前記照射面に照射される光線の波長成分を調整するフィルタ」が「例えば波長３６０ｎｍ付近の比較的短波長の紫外線を減衰するとともに波長が約３８０ｎｍ付近以上の比較的長波長の紫外線および比較的短波長の可視光線は実質的に減衰させないものである」ことと、本願発明の「前記照射光学系において、前記超高圧水銀灯から出射された光から３５０ｎｍ以下の波長域の光をカットする短波長カットフィルターが設けられている」ことは、「前記照射光学系において、前記超高圧水銀灯から出射された光から短波長紫外線をカットする短波長カットフィルターが設けられている」点で共通している。
　
（ｅ）引用発明の「基板露光装置」は、本願発明の「露光装置」に相当する。
　
　上記（ａ）〜（ｅ）で述べたことからして、本願発明と引用発明は、
「樹脂中に顔料を分散してなる顔料分散系の感材が積層された基板を載置する露光ステージと、
　前記露光ステージ上に載置された基板上の感材へ向けて、マスクを介して平行光を照射する照射光学系と、を備え、
　前記照射光学系は、可視光域及び紫外線域の光を出射する超高圧水銀灯と、基板上の感材へ向けて前記平行光が照射されるよう前記超高圧水銀灯から出射された光を導く光学要素とを有し、
　前記照射光学系において、前記超高圧水銀灯から出射された光から短波長紫外線をカットする短波長カットフィルターが設けられている露光装置。」
である点で一致し、次の点で相違する。
　
［相違点１］
　本願発明は、基板の感材とマスクとの間に隙間が存在するよう配置されているのに対して、引用発明は、基板表面に被着した感光性樹脂層とマスクとの間に隙間が存在するように配置されているか否かが不明である点。
　
［相違点２］
　本願発明は、露光ステージが平行光と平行な方向に沿って移動可能となっているのに対し、引用発明は、そのような発明特定事項を備えていない点。
　
［相違点３］
　本願発明は、短波長カットフィルターが３５０ｎｍ以下の波長域の光をカットするものであるのに対し、引用発明は、フィルタが水銀ショートアークランプから放射される光線のうち照射面に照射される光線の波長成分を調整するものであり、例えば波長３６０ｎｍ付近の比較的短波長の紫外線を減衰するとともに波長が約３８０ｎｍ付近以上の比較的長波長の紫外線および比較的短波長の可視光線は減衰させないものである点。
　
４．当審の判断
　上記相違点について検討する。
［相違点１について］
　露光装置において、マスクを基板に密着させた密着露光とするか、マスクと基板の間に間隙が存在する近接露光とするかを適宜選択可能であることは周知技術（特開２００２−３１１５９５号公報の【００２１】、特開平２−４２６５３号公報の第４頁右下欄第１〜４行等参照）であり、引用発明において必要に応じて近接露光を採用して上記相違点１に係る本願発明の発明特定事項を得るようにすることは当業者であれば容易になし得ることである。
　
［相違点２について］
　露光ステージを平行光と平行な方向に沿って移動可能とすることは周知技術（特開２００２−３１１５９５号公報の【００２０】、【００２１】、【図４】、特開平７−２０１７１１号公報の【００１６】、【００１９】、【００２０】、【図２】等参照）であり、引用発明に該周知技術を採用して上記相違点２に係る本願発明の発明特定事項を得ることは当業者であれば容易になし得ることである。
　
［相違点３について］
　引用発明のフィルタは、水銀ショートアークランプから放射される光線のうち照射面に照射される光線の波長成分を調整するものであり、フィルタの一例として波長３６０ｎｍ付近の比較的短波長の紫外線を減衰するとともに波長が約３８０ｎｍ付近以上の比較的長波長の紫外線および比較的短波長の可視光線は減衰させないものが用いられているが、引用例１の【００１３】及び【図２】を参酌すると、引用発明の一例として用いられているフィルタはｉ線をカットするものといえる。一方、引用例２には、光源にショートアーク型の水銀灯を用いた露光装置において、４００ｎｍ以下のスペクトルをカットすると照度が低下してスループットが悪化する問題があるのを、３５０ｎｍ以下の光をカットするシャープカットフィルタを用いてｉ線を利用することで照度の低下を防止することが記載されており、引用発明の一例として用いられているフィルタにおいてもｉ線をカットすることによる照度の低下の問題があれば、必要に応じて引用例２に記載されたような３５０ｎｍ以下の光をカットするシャープカットフィルタを採用し上記相違点３に係る本願発明の発明特定事項を得ることは当業者であれば容易になし得ることである。
　
　また、本願発明の効果も、引用発明、引用例１、２の記載事項及び上記周知技術から予測し得る範囲内のものであり、格別のものとは認め難い。
　
５．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用発明、引用例１、２の記載事項及び上記周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。