【事件の表示】
　上記当事者間の特許第２７５１９６３号発明「窒化インジウムガリウム半導体の成長方法」の特許無効審判事件について、次のとおり審決する。
【結　論】
　訂正を認める。
　本件審判の請求は、成り立たない。
　審判費用は、請求人の負担とする。
【理　由】
第１　事案の概要  
　本件は、請求人が、被請求人が特許権者である特許第２７５１９６３号（以下「本件特許」という。平成１２年２月２３日付けの訂正請求による訂正後の請求項の数は４である。）の請求項１ないし４に係る発明についての特許を無効とすることを求める事案である。  
 　  
第２　手続の経緯  
１　設定登録の経緯  
　本件特許は、平成５年５月７日に出願され（国内優先権主張の日平成４年６月１０日及び平成４年１１月４日）、平成１０年２月２７日にその設定登録がなされ、その後、特許異議の申立て（平成１０年異議第７５３６５号）がなされ、取消理由通知がなされ、平成１２年２月２３日に訂正請求がなされ、上記異議に係る異議決定において、「訂正を認める。特許第２７５１９６３号の請求項１ないし４に係る発明の特許を維持する。」とされたものである。 
　上記国内優先権主張の日のうち、最先の平成４年６月１０日を、以下「優先日」という。
　 　 　 　　  
２　本件審判の経緯 　  
平成２３年１０月２６日　審判請求  
平成２４年　１月１０日　審判事件答弁書提出（被請求人）  
平成２４年　１月１０日　訂正請求書提出（被請求人）  
平成２４年　３月　９日　審判事件弁駁書提出（請求人） 
平成２４年　６月２７日　審判事件答弁書提出（被請求人）  
平成２４年　６月２７日　訂正請求書提出（被請求人）  
平成２４年１０月２２日　口頭審理陳述要領書提出（請求人）  
平成２４年１０月２９日　上申書（被請求人）
平成２４年１１月　５日　口頭審理
平成２４年１１月１９日　上申書（請求人）
平成２４年１１月２１日　上申書（被請求人）
　  
第３　訂正請求についての当審の判断  
１　訂正請求の内容  
　平成２４年６月２７日付けの訂正請求による訂正（以下「本件訂正」という。）は、平成１２年２月２３日付けの訂正請求により訂正された明細書（以下「本件明細書」という。）についてするものであり、その訂正の内容は、次のとおりである（下線は、平成２４年６月２７日付けの訂正請求書に添付した明細書のとおりである。）。  
（１）　訂正事項ａ 
　特許請求の範囲の請求項１について、 
「有機金属気相成長法により、次に成長させる窒化ガリウム層よりも低温で成長させるバッファ層を介して、バッファ層よりも高温で成長させた該窒化ガリウム層の上に、原料ガスとして、ガリウム源のガスと、インジウム源のガスと、窒素源のガスとを用い、同じく有機金属気相成長法により、窒化インジウムガリウム半導体を成長させることを特徴とする窒化インジウムガリウム半導体の成長方法。」とあったのを、 
「
基板上に、
原料ガスのキャリアガスとして水素を用いて
前記キャリアガスを窒素に切替え、
６００℃より高く、９００℃以下の成長温度で、インジウム源のガスのインジウムのモル比を、ガリウム１に対し、１．０以上に調整して、
 　 
（２）　訂正事項ｂ 
　特許請求の範囲の請求項２について、 
「前記原料ガスのキャリアガスとして窒素を用いることを特徴とする請求項１に記載の窒化インジウムガリウム半導体の成長方法。」とあったのを、 
「
前記有機金属気相成長法において、原料ガスを前記基板に押圧するガスを流すと共に、
　
前記押圧するガスとして前記窒化インジウムガリウム半導体の成長時に窒素のみを用いること
 　 
（３）　訂正事項ｃ 
　特許請求の範囲の請求項３を削除する。 
 　 
（４）　訂正事項ｄ 
　特許請求の範囲の請求項４について、項の番号を３として請求項３とするとともに、 
「前記窒化インジウムガリウム半導体成長中、インジウム源のガスのインジウムのモル比を、ガリウム１に対し、０．１以上にすることを特徴とする請求項１乃至３の内のいずれか１項に記載の窒化インジウムガリウム半導体の成長方法。」とあったのを、 
「
前記窒化インジウムガリウム半導体のＸ線ロッキングカーブの半値幅が８分以下であることを特徴とする請求項１または２
 　 
（５）　訂正事項ｅ 
　段落【０００７】について、 
「即ち、本発明の成長方法は、有機金属気相成長法により、次に成長させる窒化ガリウム層よりも低温で成長させるバッファ層を介して、バッファ層よりも高温で成長させた該窒化ガリウム層の上に、原料ガスとして、ガリウム源のガスと、インジウム源のガスと、窒素源のガスとを用い、同じく有機金属気相成長法により、窒化インジウムガリウム層を成長させることを特徴とする。」とあったのを、 
「即ち、本発明の成長方法は、
基板上に、
原料ガスのキャリアガスとして水素を用いて
前記キャリアガスを窒素に切替え、
６００℃より高く、９００℃以下の成長温度で、インジウム源のガスのインジウムのモル比を、ガリウム１に対し、１．０以上に調整して、
 　 
（６）　訂正事項ｆ 
　段落【００１８】について、 
「続いて、温度を５１０℃まで下げ、石英ノズル５からアンモニア（ＮＨ３）４リットル／分と、キャリアガスとして水素を２リットル／分で流しながら、ＴＭＧを２７×１０−６モル／分流して１分間保持してＧａＮバッファー層を約２００オングストローム成長する。この間、コニカル石英チューブ７からは水素を５リットル／分と、窒素を５リットル／分で流し続け、サセプター２をゆっくりと回転させる。」とあったのを、 
「続いて、温度を５１０℃まで下げ、石英ノズル５からアンモニア（ＮＨ３）４リットル／分と、キャリアガスとして水素を２リットル／分で流しながら、ＴＭＧを２７×１０−６モル／分流して１分間保持してＧａＮバッファ一層を約２００オングストローム成長する。この間、コニカル石英チューブ
６
 　 
（７）　訂正事項ｇ 
　段落【００２０】について、 
「ＧａＮ層成長後、温度を８００℃にして、キャリアガスを窒素に切り替え、窒素を２リットル／分、ＴＭＧを２×１０−６モル／分、ＴＭＩを２０×１０−６モル／分、アンモニアを４リットル／分で流しながら、ＩｎＧａＮを６０分間成長させる。なお、この間、コニカル石英チューブ７から供給するガスも窒素のみとし、１０リットル／分で流し続ける。」とあったのを、 
「ＧａＮ層成長後、温度を８００℃にして、キャリアガスを窒素に切り替え、窒素を２リットル／分、ＴＭＧを２×１０−６モル／分、ＴＭＩを２０×１０−６モル／分、アンモニアを４リットル／分で流しながら、ＩｎＧａＮを６０分間成長させる。なお、この間、コニカル石英チューブ
６
 　 
（８）　訂正事項ｈ 
　段落【００２５】について、 
「［比較例］実施例と同様にして、サファイア基板をクリーニングした後、８００℃にして、キャリアガスとして水素を２リットル／分、ＴＭＧを２×１０−６モル／分、ＴＭＩを２０×１０−６モル／分、アンモニアを４リットル／分で流しながら、ＩｎＧａＮをサファイア基板の上に６０分間成長させる。なお、この間、コニカル石英チューブ７からは窒素５リットル／分、水素５リットル／分で流し続ける。」とあったのを、 
「［比較例］実施例と同様にして、サファイア基板をクリーニングした後、８００℃にして、キャリアガスとして水素を２リットル／分、ＴＭＧを２×１０−６モル／分、ＴＭＩを２０×１０−６モル／分、アンモニアを４リットル／分で流しながら、ＩｎＧａＮをサファイア基板の上に６０分間成長させる。なお、この間、コニカル石英チューブ
６
 　　　　 
２　訂正の適否 
（１）　訂正事項ａについて 
ア　訂正事項ａの内訳 
　訂正事項ａは、次の訂正事項ａ１ないし訂正事項ａ４からなる。 
（ア）　訂正事項ａ１ 
　訂正前は、バッファ層を成長させる対象が特定されていなかったのを、訂正により、該対象を基板とする。 
 　 
（イ）　訂正事項ａ２ 
　訂正前は、窒化ガリウム層を形成する際に用いる原料ガスのキャリアガスが特定されていなかったのを、訂正により、該キャリアガスを水素とする。
 　 
（ウ）　訂正事項ａ３ 
　訂正前は、窒化インジウムガリウム半導体を形成する際に用いる原料ガスのキャリアガスが特定されていなかったのを、訂正により、該キャリアガスを窒素とする。 
 　 
（エ）　訂正事項ａ４ 
　訂正前は、窒化インジウムガリウム半導体を形成する際の成長温度及びインジウム源のガスのインジウムとガリウムのモル比が特定されていなかったのを、訂正により、該成長温度を、６００℃より高く９００℃以下とし、該モル比を、ガリウム１に対し１．０以上とする。 
 　 
イ　訂正事項ａによる訂正の目的 
（ア）　訂正事項ａ１による訂正は、バッファ層が成長する対象を明確にするもの、またはバッファ層の成長条件を限定するものであるから、明りょうでない記載の釈明、または特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 
　
（イ）　訂正事項ａ２による訂正は、窒化ガリウム層の成長条件を限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 
　
（ウ）　訂正事項ａ３及び訂正事項ａ４による訂正は、窒化インジウムガリウム半導体の成長条件を限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 
 　 
　上記（ア）ないし（ウ）によれば、訂正事項ａ１ないし訂正事項ａ４による訂正は、明りょうでない記載の釈明、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 
　
ウ　訂正事項ａについての本件明細書の記載 
（ア）　訂正事項ａ１についての記載 
　基板上にバッファ層を形成することについては、本件明細書の段落【００２８】に、「また、ＧａＮ層を成長させる前にサファイア基板上に低温でバッファ層を成長させることにより、」と記載されている。 
 　 
（イ）　訂正事項ａ２についての記載 
　窒化ガリウム層を形成する際に用いる原料ガスのキャリアガスとして水素を用いることについては、本件明細書の段落【００１９】に「バッファ層成長後、ＴＭＧのみ止めて、温度を１０３０℃まで上昇させる。温度が１０３０℃になったら、同じく水素をキャリアガスとしてＴＭＧを５４×１０−６モル／分で流して３０分間成長させ、ＧａＮ層を２μｍ成長させる。」と記載されている。 
 　　　 
（ウ）　訂正事項ａ３についての記載 
　窒化インジウムガリウム半導体を形成する際に用いる原料ガスのキャリアガスとして窒素を用いることについては、本件明細書の段落【００２０】に「ＧａＮ層成長後、温度を８００℃にして、キャリアガスを窒素に切り替え、窒素を２リットル／分、ＴＭＧを２×１０−６モル／分、ＴＭＩを２０×１０−６モル／分、アンモニアを４リットル／分で流しながら、ＩｎＧａＮを６０分間成長させる。」と記載されている。 
 　 
（エ）　訂正事項ａ４についての記載 
　窒化インジウムガリウム半導体を形成する際の成長温度を、６００℃より高く９００℃以下とすることについては、本件明細書の段落【００１１】に、「ＩｎＧａＮの成長温度は６００℃より高い温度が好ましく、さらに好ましくは７００℃以上、９００℃以下の範囲に調整する。」と記載されている。 
　窒化インジウムガリウム半導体を形成する際のインジウム源のガスのインジウムとガリウムのモル比を、ガリウム１に対し１．０以上とすることについては、本件明細書の段落【０００９】に、「ＩｎＧａＮ成長中、インジウム源のガスのインジウムのモル比は、ガリウム１に対し、０．１以上に調整することを特徴とする。さらに好ましくは１．０以上に調整する。」と記載されている。 
 　 
　上記（ア）ないし（エ）によれば、訂正事項ａ１ないし訂正事項ａ４による訂正は、本件明細書に記載されている事項の範囲内のものである。 
 　 
エ　小括 
　上記アないしウによれば、訂正事項ａ１ないし訂正事項ａ４からなる訂正事項ａによる訂正は、特許請求の範囲の減縮、明りょうでない記載の釈明を目的とし、いずれも、願書に添付した明細書又は図面に記載されている事項の範囲内のものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 
　したがって、訂正事項ａによる訂正は、平成６年改正前特許法第１３４条第２項ただし書に適合し、特許法１３４条の２第５項において準用する平成６年改正前第１２６条第２項の規定に適合する。 
 　 
（２）　訂正事項ｂについて 
　訂正事項ｂによる訂正は、訂正前の請求項２の「原料ガスのキャリアガスとして窒素を用いる」との限定が、訂正事項ａによる訂正によって、請求項２の引用する請求項１で既にされたことにともない、重複を避けるために、該限定を請求項２から削除するとともに、有機金属気相成長法について、「原料ガスを基板に押圧するガスを流すと共に、前記押圧するガスとして窒化インジウムガリウム半導体の成長時に窒素のみを用いる」との限定を付加するものであるから、明りょうでない記載の釈明及び特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 
　また、「原料ガスを基板に押圧するガスを流すと共に」との事項については、本件明細書の段落【００１５】に「６は不活性ガスを基板に向かって垂直に供給することにより、原料ガスを基板面に押圧して、原料ガスを基板に接触させる作用のあるコニカル石英チューブ」と記載されており、「押圧するガスとして窒化インジウムガリウム半導体の成長時に窒素のみを用いる」との事項については、本件明細書の段落【００２０】に「・・・ＩｎＧａＮを６０分間成長させる。なお、この間、コニカル石英チューブ７から供給するガスも窒素のみとし、１０リットル／分で流し続ける。」と記載されている。したがって、訂正事項ｂによる訂正は、本件明細書に記載した事項の範囲内のものである。 
　以上のことから、訂正事項ｂによる訂正は、特許請求の範囲の減縮、明りょうでない記載の釈明を目的とし、いずれも、願書に添付した明細書又は図面に記載されている事項の範囲内のものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 
　したがって、訂正事項ｂによる訂正は、平成６年改正前特許法第１３４条第２項ただし書に適合し、特許法１３４条の２第５項において準用する平成６年改正前第１２６条第２項の規定に適合する。 
 　 
（３）　訂正事項ｃについて 
　訂正事項ｃによる訂正は、特許請求の範囲の請求項３を削除するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とし、願書に添付した明細書又は図面に記載されている事項の範囲内のものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 
　したがって、訂正事項ｃによる訂正は、平成６年改正前特許法第１３４条第２項ただし書に適合し、特許法１３４条の２第５項において準用する平成６年改正前第１２６条第２項の規定に適合する。 
 　 
（４）　訂正事項ｄについて 
　訂正事項ｄによる訂正は、訂正事項ｃによる訂正（請求項３の削除）にともない、項番を４から３に繰り上げるとともに、訂正前の請求項４において、「窒化インジウムガリウム半導体成長中、インジウム源のガスのインジウムのモル比を、ガリウム１に対し、０．１以上にする」との記載によって、インジウムとガリウムのモル比が限定されているところ、訂正事項ａによる訂正によって、訂正後の請求項３の引用する訂正後の請求項１で該モル比の限定がされたことにともない、該記載を訂正前の請求項４から削除するとともに「窒化インジウムガリウム半導体の成長方法」を、「Ｘ線ロッキングカーブの半値幅が８分以下」の窒化インジウムガリウム半導体が得られる成長方法に限定するものであるから、明りょうでない記載の釈明及び特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 
　また、本件明細書には、 
「【００１６】［実施例１］まず、よく洗浄したサファイア基板を・・・ 
【００２２】さらに、ＩｎＧａＮ層のＸ線ロッキングカーブを取ると、Ｉｎ0.25Ｇａ0.75Ｎの組成を示すところにピークを有しており、その半値幅は８分であった。この８分という値は従来報告されている中では最小値であり、本発明の方法によるＩｎＧａＮの結晶性が非常に優れていることを示している。 
【００２３】［実施例２］実施例１において、ＧａＮ層成長後、ＩｎＧａＮを成長させる際に、ＴＭＩの流量を２×１０−７モル／分にする他は同様にして、ＩｎＧａＮを成長させる。このＩｎＧａＮのＸ線ロッキングカーブを測定すると、Ｉｎ0.08Ｇａ0.92Ｎの組成のところにピークが現れ、その半値幅は６分であった。」 
 との記載がある。上記記載によれば、実施例１及び実施例２において、Ｘ線ロッキングカーブの半値幅が８分以下である窒化インジウムガリウム半導体が得られたことが理解できる。 
　よって、訂正事項ｄによる訂正は、本件明細書に記載した事項の範囲内のものである。
　以上のことから、訂正事項ｄによる訂正は、特許請求の範囲の減縮、明りょうでない記載の釈明を目的とし、いずれも、願書に添付した明細書又は図面に記載されている事項の範囲内のものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 
　したがって、訂正事項ｄによる訂正は、平成６年改正前特許法第１３４条第２項ただし書に適合し、特許法１３４条の２第５項において準用する平成６年改正前第１２６条第２項の規定に適合する。 
 　 
（５）　訂正事項ｅについて 
　訂正事項ｅによる訂正は、訂正事項ａによる特許請求の範囲の訂正にともない、特許請求の範囲と発明の詳細な説明の整合性を図るために、本件明細書の段落【０００７】に訂正事項ａによる訂正と同様の訂正を加えるものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とするものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 
　また、訂正事項ｅによる訂正は、上記「（１）　ウ」で述べたのと同じ理由により、本件明細書に記載した事項の範囲内のものである。 
　したがって、訂正事項ｄによる訂正は、平成６年改正前特許法第１３４条第２項ただし書に適合し、特許法１３４条の２第５項において準用する平成６年改正前第１２６条第２項の規定に適合する。 
 　 
（６）　訂正事項ｆないし訂正事項ｈについて 
　訂正事項ｆないし訂正事項ｈによる訂正は、コニカル石英チューブの符号を７から６に変更するものであり、本件明細書段落【００２９】の【符号の説明】に「６・・・・コニカル石英チューブ６」とあることに整合させるものであるから、誤記の訂正を目的とするものであり、願書に添付した明細書又は図面に記載されている事項の範囲内のものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 
　したがって、訂正事項ｆないし訂正事項ｈによる訂正は、平成６年改正前特許法第１３４条第２項ただし書に適合し、特許法１３４条の２第５項において準用する平成６年改正前第１２６条第２項の規定に適合する。 
 　 　  
３　まとめ  
　以上のとおりであるから、本件訂正は、適法な訂正であり、これを認める。 
 　 　  
第４　本件発明  
　上記のとおり、本件訂正が認められたので、本件特許の請求項１ないし３に係る発明（以下、それぞれ、「本件発明１」ないし「本件発明３」という。）は、次の各請求項に記載したとおりのものと認められる。 
「　【請求項１】　基板上に、有機金属気相成長法により、次に成長させる窒化ガリウム層よりも低温で成長させるバッファ層を介して、バッファ層よりも高温で原料ガスのキャリアガスとして水素を用いて成長させた該窒化ガリウム層の上に、 
　前記キャリアガスを窒素に切替え、原料ガスとして、ガリウム源のガスと、インジウム源のガスと、窒素源のガスとを用い、同じく有機金属気相成長法により、６００℃より高く、９００℃以下の成長温度で、インジウム源のガスのインジウムのモル比を、ガリウム１に対し、１．０以上に調整して、窒化インジウムガリウム半導体を成長させることを特徴とする窒化インジウムガリウム半導体の成長方法。 
　　【請求項２】　前記有機金属気相成長法において、原料ガスを前記基板に押圧するガスを流すと共に、 
　前記押圧するガスとして前記窒化インジウムガリウム半導体の成長時に窒素のみを用いることを特徴とする請求項１に記載の窒化インジウムガリウム半導体の成長方法。 
　　【請求項３】　前記窒化インジウムガリウム半導体のＸ線ロッキングカーブの半値幅が８分以下であることを特徴とする請求項１または２に記載の窒化インジウムガリウム半導体の成長方法。」  
 　  
第５　請求人の主張の概要  
１　無効理由
（１）　無効理由１（特許法第２９条第２項違反）  
　本件発明１ないし本件発明３は、優先日前に頒布された甲第１号証（「ＴＭＧ・ＴＭＩ−ＮＨ３系のＭＯＶＰＥ」小澤隆弘修士学位論文）の記載及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。　 
　よって、本件発明１ないし本件発明３についての特許は、同法第１２３条第１項第２号の規定により無効とすべきである。  
 　 　  
（２）　無効理由２（特許法第２９条第２項違反）  
　本件発明１ないし本件発明３は、優先日前に頒布された甲第２号証（特開平３−２０３３８８号公報）の記載及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。　 
　よって、本件発明１ないし本件発明３についての特許は、同法第１２３条第１項第２号の規定により無効とすべきである。 
　
（３）　無効理由３（平成６年改正前特許法第３６条第５項第２号違反）
　本件発明３は、ＩｎＧａＮのＸ線ロッキングカーブの半値幅に係る構成の意味が不明確であるから、平成６年法律第１１６号による改正前の特許法第３６条第５項第２号に規定された要件を満たしておらず、本件発明３についての特許は、同法第１２３条第１項第４号の規定により無効とすべきである。 
　
２　甲号証  
（１）　請求人が提出した甲号証は、以下のとおりである。  
甲第１号証：「ＴＭＧ・ＴＭＩ−ＮＨ３系のＭＯＶＰＥ」小澤隆弘修士学位論文（写し）
甲第２号証：特開平３−２０３３８８号公報 
甲第３号証：平成１３年行（ケ）第１７２号審決取消請求事件の判決
甲第４号証：平成４年行（ケ）第１６号審決取消請求事件の判決
甲第５号証：（名古屋大学工学部・工学研究科電気系図書館での甲第１号証の論文複写についての）証明書
甲第６号証：小澤隆弘氏陳述書
甲第７号証の１〜３：澤木宣彦氏に配布した複写物等
甲第８号証の１〜２：平松和政氏に配布した複写物等
甲第９号証の１〜２：小出康夫氏に配布した複写物等
甲第１０号証：工学博士赤崎勇氏の意見書
甲第１１号証：特開昭５２−２３６００号公報 
甲第１２号証：日本結晶学会誌 vol.15 No.34、1988、平松和政外「ＭＯＶＰＥ法によるサファイア基板上のＧａＮ結晶成長におけるバッファ層の効果」
第１３号証：JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, VOL.30. NO.10A, OCTOBER 1991, PP.L1705-L1707, GaN Growth Using GaN Buffer Layer 
甲第１４号証：特開平４−２９７０２３号公報 
（以上、審判請求書に添付して提出。）
　　
甲第１５号証：Institute of Physics Confeence Series, No.106: Chapter 3 (1989), pp.141-146,  Wide-Gap Semiconductor (In,Ga)N
甲第１６号証：Journal of Electronic Materials, Vol.21, No.2 (1992), pp.157-163, Wide-Gap Semiconductor InGaN and InGaAlN Grown by MOVPE
甲第１７号証：Applied Physics Letters, Vol.59, No.18 (1991), pp.2251-2253, Photoluminescence of InGaN films grown at high temperature by metalorganic vapor phase epitaxy
甲第１８号証：Japanese Journal of Applied Physics, Vol.31, Part 2, No.10B(1992), pp.L1457-L1459, High-Quality InGaN Films Grown on GaN Films
甲第１９号証：特許第２６２８４０４号特許公報  
甲第２０号証：特開平９−２９２３５３号公報  
（以上、審判事件弁駁書に添付して提出。）  
　
甲第２１号証：特開昭５５−１２０１２９号公報  
甲第２２号証：特開昭６０−１７５４１２号公報 
（以上、口頭審理陳述要領書に添付して提出。）
　  
甲第２３号証：東京地裁平成１０年（ワ）２８４０７号証拠説明書（乙第１６〜１８号証）
甲第２４号証：東京地裁平成１０年（ワ）２８４０７号証拠説明書（乙第１９〜２３号証）
甲第２５号証：東京地裁平成１０年（ワ）２８４０７号証拠説明書（乙第４６号証の１〜乙第４８号証）
甲第２６号証：東京地裁平成１０年（ワ）２８４０７号証拠説明書（乙第４９〜５１号証）
甲第２７号証：東京地裁平成１０年（ワ）２８４０７号証拠説明書（乙第５９〜６７号証）
甲第２８号証：東京高裁平成１３年（行ケ）第１７２号原告証拠説明書（甲第４３−甲第５１号証）
甲第２９号証：東京高裁平成１３年（行ケ）第１７２号原告証拠説明書（甲第５２−甲第５６号証）
甲第３０号証：審判請求書（無効２００７−８００１０９）（抄）
甲第３１号証：審決（無効２００７−８００１０９）（抄）
（以上、上申書に添付して提出。）
　
（２）　甲第１号証の頒布日について
　甲第１号証の表紙には、次の記載がある。
「名古屋大学大学院工学研究科
　　博士課程（前記課程）
　修士学位論文
題目
　ＴＭＧ・ＴＭＩ−ＮＨ３系のＭＯＶＰＥ
　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　指導教官　　　　印
　　　　　　　　　　　　　（手書き文字）赤崎勇　（印影）赤崎
　
昭和６２年３月
電気工学，電気工学第２及び電子工学専攻
氏名　小澤隆弘」
　
　甲第１号証は修士学位論文の写しであり、その原本を確認できないものの、修士論文の一般的な性質をかんがみれば、上記記載中の日付「昭和６２年３月」から、同論文は、優先日（平成４年６月１０日）に先立つ昭和６２年３月末までに頒布されていたと推認することができる。
　
（３）　甲第５号証、甲第６号証、甲第７号証の２、甲第７号証の３、甲第８号証の２、甲第９号証の２及び甲第１０号証について
　
　甲第５号証、甲第６号証、甲第７号証の２、甲第７号証の３、甲第８号証の２、甲第９号証の２及び甲第１０号証については、被請求人がその成立について争う（第１回口頭審理調書）ところ、署名、捺印された原本を確認できないから、証拠として採用しない。
　　
３　請求人の主張の要点 
　請求人の主張の要点は、以下のとおりである。 
（１）　無効理由１について
ア　審判請求書の主張
　甲第１号証には、「有機金属気相成長法により、次に成長させる窒化ガリウム層よりも低温で成長させるバッファ層を介して、バッファ層よりも高温で成長させた該窒化ガリウム層の上に、原料ガスとして、ガリウム源のガスと、インジウム源のガスと、窒素源のガスとを用い、窒化インジウムガリウム半導体を成長させることを特徴とする窒化インジウムガリウム半導体の成長方法。」が開示されている。
　したがって、訂正前の本件発明１は、甲第１号証に記載された発明と同一である。（審判請求書１１頁１〜２３行）
　甲第１号証には、窒化ガリウム半導体を６００℃より高い温度で成長させること（訂正前の本件発明３における限定）が記載され、窒化ガリウム半導体成長中、インジウム源のガスのインジウムのモル比を、ガリウム１に対し、０．１以上にすること（訂正前の本件発明４における限定）が実質的に記載されているに等しいから、訂正前の本件発明３及び４は、甲第１号証に記載された発明と同一である。（審判請求書１１頁末行〜１２頁１８行）
　原料ガスのキャリアガスとして窒素を用いること（訂正前の本件発明２における限定）に関して、甲第１号証の記載は、ＴＭＩの分解を抑える意味でキャリアガスに窒素を混合することも可能であることを示唆しており、甲第２号証には、キャリアガスとして水素に代えて窒素を用いることが開示されているから、訂正前の本件発明２は、甲第１号証及び甲第２号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に想到し得たものである。（審判請求書１２頁１９行〜１３頁１５行）
 　 
イ　審判事件弁駁書の主張
（ア）　キャリアガス切り替えについて
　乙１号証及び甲第１３号証に記載されているとおり、ＧａＮ膜の形成においては、キャリアガスとして水素を用いることが一般的であった。
　ＭＯＣＶＤ法によるＩｎＧａＮ膜の形成については、原料ガスのキャリアガスに窒素を用いることが甲第２号証に記載されている。甲第１５〜１７号証に記載された、キャリアガスに窒素を用いたＩｎＧａＮ膜の成長方法に関する過去の成功例を踏まえれば、当業者がＧａＮ膜上にＩｎＧａＮ膜を形成することを試みるに当たって、ＩｎＧａＮの原料ガスのキャリアガスとして、水素ではなく窒素を用いることは容易に想到し得ることであり、ごく当然の選択に過ぎないといえる。
　他方、上記のように、ＧａＮ膜の形成においては、キャリアガスとして水素を用いることが一般的であったから、ＩｎＧａＮ膜の下層となるＧａＮ膜を形成する際、ＧａＮの原料ガスのキャリアガスとして、水素を用いることもまた当業者にとってごく当然の選択である。
　それゆえ、ＧａＮ膜上にＩｎＧａＮ膜を形成する際、ＧａＮ成長の間は原料ガスのキャリアガスとして水素を、ＩｎＧａＮ成長の間は原料ガスのキャリアガスとして窒素を使用することは、当業者には極めて容易に想到し得ることであり、当然の選択・組合せに過ぎない。（審判事件弁駁書３頁１５行〜８頁末行） 
 　 
（イ）　押圧ガスとして窒素のみを用いる点について 
　被請求人は、「甲１には、窒化インジウムガリウム半導体を成長させる際に押圧ガスとして窒素のみを用いる構成が記載されていない。」旨主張するが、該構成は甲第１９号証に記載されている。したがって、当該構成は、本件発明に進歩性があることの理由にならない。（審判事件弁駁書１２頁１３行〜１３頁７行） 
 　 　 
（ウ）　成長温度について 
　被請求人は、「甲１には、窒化ガリウム成長時には原料ガスのキャリアガスに水素を用い、６００℃より高い温度で窒化インジウムガリウム半導体を成長させる際に原料ガスのキャリアガスを水素から窒素に切り替える構成が記載されていない。」旨主張するが、該構成は、キャリアガスを水素から窒素に切り替える構成、及び６００℃より高い温度で窒化インジウムガリウム半導体を成長する構成の組合せに過ぎない。
　そして、キャリアガスを水素から窒素に切り替える構成は、上記（ア）に述べたように本件発明の新規性・進歩性を肯定する理由にならない。さらに、６００℃より高い温度で窒化インジウムガリウム半導体を成長する構成は、甲第２号証に開示がある。
　したがって、被請求人の主張は、本件発明に新規性・進歩性があることの理由にはならない。（審判事件弁駁書１３頁１４行〜１４頁１行）
　
（エ）　Ｘ線ロッキングカーブ半値幅について 
　本件発明におけるＩｎＧａＮのＸ線ロッキングカーブの半値幅に係る構成は、単なる作用・効果に関する記載でしかないため、他の構成要件を充たすことで当然に得られる構成と解さざるを得ない。したがって、新規性・進歩性の検討に当たって、当該構成について対比する必要がない。
　また、甲第１８号証には、「The FWHM of the XRC from the InGaN films grown on the GaN films was about 8 minutes.」（Ｌ１４５９頁右欄１６〜１９行。和訳「ＧａＮ膜上に成長したＩｎＧａＮ膜のＸ線ロッキングカーブの半値幅は、約８分であった。Ｘ線ロッキングカーブの半値幅のこの値は、ＩｎＧａＮ膜について報告された最小のものだった。」）等とあって、Ｘ線ロッキングカーブの半値幅が８分であるＩｎＧａＮ膜を形成することのできるＩｎＧａＮの成長法が記載されている。
　したがって、ＩｎＧａＮのＸ線ロッキングカーブの半値幅に係る構成は、本件発明に新規性・進歩性があることの理由とならない。（審判事件弁駁書１５頁１６行〜１６頁１６行） 
　
ウ　口頭審理陳述要領書の主張
（ア）　キャリアガス切り替えについて
　甲第２１号証及び甲第２２号証に記載されているように、優先日当時、ＬＥＤ分野の結晶成長において、キャリアガスを結晶成長の途中で切り替える技術は周知であった。
　それゆえ、審判事件弁駁書で述べたように、ＧａＮ膜の形成において原料ガスのキャリアガスとして水素を用いることが一般的であり、他方、ＩｎＧａＮ成長時のキャリアガスとして窒素のみを用いることが当然であることを踏まえると、ＧａＮ膜上にＩｎＧａＮ膜を形成する際、ＧａＮ成長の間は原料ガスのキャリアガスとして水素を、ＩｎＧａＮ成長の間は原料ガスのキャリアガスとして窒素を使用することは、ごく当然の選択・組合せであり、当業者が容易に想到できたといえる。（口頭審理陳述要領書３頁４行〜４頁１４行）。
　
（イ）　成長温度について
　甲第２号証、甲第１６号証及び甲第１７号証には、ＩｎＧａＮの成長温度を８００℃とすることが記載されており、ＩｎＧａＮの成長温度を「６００℃より高く、９００℃以下」とすることは、優先日当時、当業者にとって周知の日常的な設計事項に過ぎない。
　
（２）　無効理由２について
ア　審判請求書の主張
　甲第２号証に、基板／第１のバッファ層／ＧａＮ層／ＧａＩｎＮ層とする本件発明１と同様の層構成が示唆されていることと、甲第１１〜１４号証等より、ＧａＮ層の下にバッファ層を低温で成長させることが周知慣用の手段と認められることから、訂正前の本件発明１は、甲第２号証に開示された事項及び周知慣用の技術に基づいて、当業者が容易に想到し得たものと認めることができる。（審判請求書２５頁下から３行〜２６頁１０行）
　甲第２号証には、原料ガスのキャリアガスとして窒素を用いること（訂正前の本件発明２における限定）、窒化ガリウム半導体を６００℃より高い温度で成長させること（訂正前の本件発明３における限定）、窒化ガリウム半導体成長中、インジウム源のガスのインジウムのモル比を、ガリウム１に対し、０．１以上にすること（訂正前の本件発明４における限定）が記載されている。
　してみると、訂正前の本件発明２〜４も、甲第２号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に想到し得たものというべきである。（審判請求書２６頁１４〜２4行） 
 　 
イ　審判事件弁駁書の主張
　審判事件弁駁書の無効理由１についての主張と同様。
　
ウ　口頭審理陳述要領書の主張
　口頭審理陳述要領書の無効理由１についての主張と同様。
　
（３）　無効理由３について
ア　審判事件弁駁書の主張
　本件発明は、ＩｎＧａＮの成長方法に関するものであるところ、ＩｎＧａＮについての「Ｘ線ロッキングカーブ半値幅が８分以下」という半値幅が得られたとしても、そのことから、当該ＩｎＧａＮが具体的にいかなる成長方法で得られたものであるか理解できないから、平成２４年１月１０日付の訂正請求により訂正された本件特許の請求項４に係る発明（以下「本件発明４」という。）の技術的範囲を全く把握することができない。
　さらに、Ｘ線ロッキングカーブの測定に測定誤差が避けられないことは明らかであり、測定誤差を含む測定値によって発明の技術的範囲の外延を画することは不可能であるから、本件発明４の技術的範囲は明確ではあり得ない。（審判事件弁駁書１４頁１３行〜１５頁１行）
　
イ　口頭審理陳述要領書の主張
　 Ｘ線ロッキングカーブ半値幅が結晶品質の評価に用いられたとしても、測定誤差が避けられないのであれば、本件発明３の技術的範囲が不明確であることに変わりがない。（口頭審理陳述要領書７頁１〜３行）
　
第６　被請求人の主張の概要  
１　無効理由１ないし３に対して
（１）　無効理由１に対して　  
　本件発明１ないし３は、甲第１号証に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 
　よって、本件発明１ないし本件発明３についての特許は、請求人の主張する無効理由によって無効とされるべきものではない。  
 　  
（２）　無効理由２に対して  
　本件発明１ないし３は、甲第２号証に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。 
　よって、本件発明１ないし本件発明３についての特許は、請求人の主張する無効理由によって無効とされるべきものではない。
　
（３）　無効理由３に対して  
 　本件発明３の技術的範囲は明確である。
　
２　乙号証  
　被請求人が提出した乙号証は、以下のとおりである。
乙第１号証：「エピタキシャル成長のメカニズム」、中嶋一雄編集、共立出版株式会社、２００２年５月２５日発行、１１８〜１１９頁  
（以上、平成２４年１月１０日付け審判事件答弁書に添付して提出。） 
　
乙第２号証：甲第１５号証の追加抄訳
乙第３号証：甲第１６号証の追加抄訳
乙第４号証：甲第１７号証の追加抄訳
（以上、平成２４年６月２７日付け審判事件答弁書に添付して提出。）  
 　  
３　被請求人の主張の要点 
　被請求人の主張の要点は、以下のとおりである。 
（１）　本件発明の技術的意義 
　本件発明は、窒化インジウムガリウムの成長においては、成長温度を、従来の５００〜６００℃程度から、６００℃より高く、９００℃以上とするとともに、成長温度を高くすることによる窒化インジウムガリウム中のＩｎＮの分解を抑制するために、インジウム源のガスのインジウムのモル比を、ガリウム１に対し、１．０以上に調整してＩｎＮをＧａＮの結晶中に入れるとともに、キャリアガスを水素から窒素に切替えてＩｎＮが分解して結晶格子中から出て行くのを抑制して高品質な窒化インジウムガリウムの結晶を得るものである（本件明細書の【０００９】〜【００１３】）。（平成２４年６月２７日付け審判事件答弁書４頁９〜２２行） 
 　 
（２）　無効理由１について
ア　キャリアガス切り替えについて 
（ア）　平成２４年１月１０日付け審判事件答弁書の主張
　甲第１号証の成長方法では、成長全体を通じてキャリアガスは水素であり、キャリアガスを切替えるとの記載はなく、このことは、甲第１号証の成長に用いた成長炉がキャリアガスとして水素を用いていることからもわかる。（平成２４年１月１０日付け審判事件答弁書１４頁１８〜２１行）
　甲第２号証に記載の発明には、窒化インジウムガリウムの成長時における窒化インジウムガリウム中の窒化インジウムの分解を抑制するとの解決課題や、その手段として窒化インジウムガリウムの成長時にキャリアガスを水素から窒素に切替えるとの手段については記載も示唆もされていない。
　なお、甲第２号証には、原料ガスのキャリアガスとして「Ｈ２又はＮ２を用い（る）」ことは記載されているが、キャリアガスの種類を層に応じて切り替えることについては記載も示唆もない。（平成２４年１月１０日付け審判事件答弁書２４頁１０〜１６行）
　
（イ）　平成２４年６月２７日付け審判事件答弁書の主張
　甲第１号証は、基板／バッファ層／ＧａＮ層／ＩｎＧａＮ層の成長方法について開示するが、本件発明のように、ＧａＮ層の成長時にはキャリアガスとして水素を用い、ＩｎＧａＮ層の成長時には、キャリアガスである水素を窒素に切替えて、下地となるＧａＮ層の結晶性を良好に保ちながら、同時に、ＩｎＧａＮの成長時におけるＩｎＧａＮ中のＩｎＮの分解を抑制して高品質なＩｎＧａＮの成長を可能とするものではなく、解決課題及び手段において本件発明とは異なる。また、甲第１５号証〜甲第１７号証も、ＩｎＧａＮ成長中にキャリアガスとして窒素を用いてＩｎＮの分解を抑制することを記載や示唆するものではない。（平成２４年６月２７日付け審判事件答弁書５頁１８〜２６行） 
　
（ウ）　平成２４年１０月２９日付け上申書の主張
　甲第２１号証に記載の発明は、１種類の半導体の成長中にキャリアガスの水素濃度を変えることでドーパントのドーピング量を制御するものであり、本件特許のように、ＧａＮ上に、これとは材料が異なるＩｎＧａＮを成長するにあたり、材料に応じてキャリアガスを水素から窒素に切替えてＩｎＧａＮ中のＩｎＮの分解を抑えて良好な結晶を得るものとは全く異なっている。（平成２４年１０月２９日付け上申書４頁１１〜１５行）
　甲第２２号証に記載の発明は、ＧａＮの成長において、初期の核形成段階を不活性雰囲気で行うが、ＧａＮの成長は実質的に水素雰囲気で行うものであり、本件特許のように、ＧａＮ上に、これとは材料が異なるＩｎＧａＮを成長するにあたり、材料に応じてキャリアガスを水素から窒素に切替えてＩｎＧａＮ中のＩｎＮの分解を抑えて良好な結晶を得るものとは全く異なっている。（平成２４年１０月２９日付け上申書５頁３〜７行）
　
イ　成長温度について
　甲第１号証では、ＩｎＧａＮ層の成長温度は１０３０℃であり、本件発明の成長温度である「６００℃より高く、８００℃以下」とは異なる。（平成２４年６月２７日付け審判事件答弁書８頁２０〜２２行） 
 　 
ウ　押圧ガスとして窒素のみを用いる点について 
　本件発明２は、窒化インジウムガリウムの成長時に、原料ガスのキャリアガスを水素から窒素に切替えるとともに、原料ガスを基板に押圧するガスにも窒素を用いることを特徴としており、それによって窒化インジウムガリウムの成長時における窒化インジウムガリウム中の窒化インジウムの分解をさらに抑制して、一層高品質の窒化インジウムガリウムを実現できる。この特徴は、甲第１号証には記載も示唆もなく、甲第１９号証は、原料ガスを基板に押圧するガスに不活性ガスを用い、その例として水素、窒素を記載するにすぎない。（平成２４年６月２７日付け審判事件答弁書９頁２２〜２９行）  　 　
エ　Ｘ線ロッキングカーブ半値幅について 
　本件発明３は、本件発明の結果物である窒化インジウムガリウム半導体についてＸ線ロッキングカーブの半値幅が８分以下の場合に限定したものである。この特徴は、甲第１号証には記載も示唆もない。（平成２４年６月２７日付け審判事件答弁書１０頁５〜１０行）
　  　
（３）　無効理由２について
ア　キャリアガス切り替えについて 
　甲第２号証は、基板／バッファ層（少なくとも１層）／ＩｎＧａＮ層の成長方法について開示するが、本件発明のように、ＧａＮ層の成長時にはキャリアガスとして水素を用い、ＩｎＧａＮ層の成長時には、キャリアガスである水素を窒素に切替えて、下地となるＧａＮ層の結晶性を良好に保ちながら、同時に、ＩｎＧａＮの成長時におけるＩｎＧａＮ中のＩｎＮの分解を抑制して高品質なＩｎＧａＮの成長を可能とするものではなく、解決課題及び手段において本件発明とは異なる。また、甲第１５号証〜甲第１７号証も、ＩｎＧａＮ成長中にキャリアガスとして窒素を用いてＩｎＮの分解を抑制することを記載や示唆するものではない。（平成２４年６月２７日付け審判事件答弁書６頁２〜１０行） 
　
イ　押圧ガスとして窒素のみを用いる点について 
　本件発明２は、窒化インジウムガリウムの成長時に、原料ガスのキャリアガスを水素から窒素に切替えるとともに、原料ガスを基板に押圧するガスにも窒素を用いることを特徴としており、かかる内容は甲第１号証に記載された発明から容易に想到できるものではない。（平成２４年６月２７日付け審判事件答弁書９頁１８行〜１０頁３行）
　
（４）　無効理由３について
　請求人は、審判事件弁駁書において、「Ｘ線ロッキングカーブの測定に測定誤差が避けられないことは明らかであり、測定誤差を含む測定値によって発明の技術的範囲の外延を画することは不可能であるから、本件発明３の技術的範囲は明確ではあり得ない。」と述べているが、甲第１８号証において、ＩｎＧａＮ膜やＧａＮ膜の特性をＸ線ロッキングカーブの半値幅で評価していることからも分かるように、結晶品質を評価するにあたってＸ線ロッキングカーブの半値幅を用いることは当該技術分野で普通に行われていることであり、本件発明３の技術的範囲は明確である。（平成２４年６月２７日付け審判事件答弁書１０頁２０〜２８行）
　
第７　無効理由３についての当審の判断
　事案にかんがみ、まず、無効理由３について検討する。
（１）　本件明細書（本件訂正後のもの。以下同じ。）には、 
「【００１６】［実施例１］まず、よく洗浄したサファイア基板を・・・ 
【００２２】さらに、ＩｎＧａＮ層のＸ線ロッキングカーブを取ると、Ｉｎ0.25Ｇａ0.75Ｎの組成を示すところにピークを有しており、その半値幅は８分であった。この８分という値は従来報告されている中では最小値であり、本発明の方法によるＩｎＧａＮの結晶性が非常に優れていることを示している。 
【００２３】［実施例２］実施例１において、ＧａＮ層成長後、ＩｎＧａＮを成長させる際に、ＴＭＩの流量を２×１０−７モル／分にする他は同様にして、ＩｎＧａＮを成長させる。このＩｎＧａＮのＸ線ロッキングカーブを測定すると、Ｉｎ0.08Ｇａ0.92Ｎの組成のところにピークが現れ、その半値幅は６分であった。」 
 との記載がある。上記記載によれば、実施例１及び実施例２において、Ｘ線ロッキングカーブの半値幅が８分以下である窒化インジウムガリウム半導体が得られたことが理解できる。
　してみると、本件発明３における「窒化インジウムガリウム半導体のＸ線ロッキングカーブの半値幅が８分以下であること」との特定事項は、「窒化インジウムガリウム半導体の成長方法」を、「Ｘ線ロッキングカーブの半値幅が８分以下」の窒化インジウムガリウム半導体が得られる成長方法に限定するものと解することができる。
　
（２）　請求人は、「Ｘ線ロッキングカーブの測定に測定誤差が避けられないことは明らかであり、Ｘ線ロッキングカーブ半値幅が結晶品質の評価に用いられたとしても、測定誤差が避けられないのであれば、本件発明３の技術的範囲は不明確である。」旨を主張する（上記「第５　３　（３）」参照。）。
　しかしながら、本件発明３における、「窒化インジウムガリウム半導体のＸ線ロッキングカーブの半値幅」との特定事項は、測定誤差の有無にかからわず、上記（１）で検討したとおり、「窒化インジウムガリウム半導体の成長方法」を、「Ｘ線ロッキングカーブの半値幅が８分以下」の窒化インジウムガリウム半導体が得られる成長方法に限定するものと解することができ、格別不明確なところは認められない。
　よって、請求人の上記主張は採用できない。
　
（３）　上記（１）及び（２）の検討によれば、本件発明３は、ＩｎＧａＮのＸ線ロッキングカーブの半値幅に係る構成の意味が不明確であるとはいえないから、本件特許の請求項３の記載は、平成６年法律第１１６号による改正前の特許法第３６条第５項第２号に規定された要件を満たしており、本件発明３についての特許は、同法第１２３条第１項第４号に該当しないから、無効とすることはできない。  
　
第８　無効理由１についての当審の判断  
１　甲号証及び乙号証の記載  
　請求人が、本件発明１ないし３のキャリアガス切り替えに係る構成についての主張において引用している甲第１号証、甲第２号証、甲第１５号証ないし甲第１７号証、甲第２１号証、甲第２２号証及び乙第１号証の記載を、以下に摘記する。
（１）　甲第１号証  
　優先日前に頒布された刊行物と認められる甲第１号証には、以下の記載がある。
ア　「ここでは有機金属気相成長（ＭＯＶＰＥ）法を用いて、ＧａＮと、同じ窒化物III−Ｖ族化合物半導体であるＩｎＮとの混晶Ｉｎ１−ｘＧａｘＮを作製することにより、青色発光の実現の可能性について検討した。」（４頁３〜６行）
　
イ　「第２章　Ｉｎ１−ｘＧａｘＮ混晶
　Ｉｎ１−ｘＧａｘＮ混晶は、Osamuraらにより電子線プラズマ法を用いサファイア(0001)面及び石英上に多結晶膜が作製され、Ｘ＝０〜１までの組成のものが得られているとの報告がある。彼らは基礎吸収端を測定しＩｎＮの室温でのエネルギーギャップ（Ｅｇ）が１．９５Ｖであること、Ｅｇの組成依存性が下膨らみの曲線となりbowing parameter がdielectric two band model（ＤＭ）法による計算値１．０５Ｖとほぼ一致すること、また赤外反射よりＴＯフォノンを測定し、その振舞いがone-mode-type であること、などを示している。しかし、この混晶系に関する研究例は少なく、またＩｎ１−ｘＧａｘＮ単結晶膜も得られていない。本章では結晶成長法としてＭＯＶＰＥ法を用い、良質のＩｎ１−ｘＧａｘＮ膜の実現の可能性について検討した。
§２−２　成長方法
　成長はトリメチルガリウム（ＴＭＧ）、トリメチルインジウム（ＴＭＩ）及びアンモニア（ＮＨ３）を原料とする系を初めて試みた。成長炉は通常の縦型常圧炉であり、その概略図を図２−１に示す。キャリアガスにはＨ２を使い基板の加熱はＲＦ誘導方式を用いている。サセプタはカーボン製で、ＳｉＣコーティングなどはしていない。III属原料であるＴＭＧ、ＴＭＩは恒温槽で一定温度に保たれ、Ｈ２でバブリングすることによりその飽和量が供給される。キャリアガス及びＮＨ３は導入口直前で混合され基板上に供給される。流量のコントロールは流量計を用いており、エアオペレートバルブで有機金属化合物の供給をＯＮ／ＯＦＦすることにより成長期間を制御する。基板はサファイア(0001)面で、リン酸系エッチャント（Ｈ３ＰＯ４：Ｈ２ＳＯ４＝１：３）により２００℃で１００分間エッチングしたあと、トリクレン、アセトン、メタノールで有機洗浄を行い、さらに成長直前にＨ２雰囲気１２００℃で１０分間熱処理した。
§２−３　ＩｎＮの成長
§２−３−１　成長条件
　ＩｎＮはこれまで反応性スパッタリング法１２，１３）や電子線プラズマ法９）などによりサファイアや石英を基板として多結晶膜が作製され、またＩｎＣｌ３−ＮＨ３系のＶＰＥ成長により成長温度６２０℃でサファイア(0001)面上にエピタキシャル膜が得られたとの報告がある１１）が、ＭＯＶＰＥ法を用いて成長が試みられた例はまだない。そこで先ずＩｎＮの成長を試みた。サファイア基板上にＡｌＮバッファ層１４）を９４０℃で２５〜３０秒間成長させ、その上に５００〜１０００℃で２０〜６０分間成長を試みた。表２−１に成長条件を示す。
§２−３−２　結果及び検討
　成長後基板上には灰白色を呈する膜が得られるが、付着力は弱く、容易に取り除くことが出来る。図２−２に試料の表面ＳＥＭ像を示す。基板上にはドロップレット状の付着物がみられるので、ＲＨＥＥＤによってもＩｎＮエピタキシャル膜は得られていないことが解った。ＧａＮの場合は同様な条件のもとで成長温度７００℃以上で単結晶が得られることが確認されており、ＮＨ３の分解により、基板上の窒素分圧は十分保たれているものと考えられる。しかしＴＭＩの分解温度は非常に低いため、ＴＭＩが分解しドロップレットとなって基板に付着するものと思われる。ここでメチル系の有機金属化合物はＨ２雰囲気では水素化反応、Ｎ２雰囲気では熱分解反応により分解し、分解温度はＨ２雰囲気よりＮ２雰囲気のほうが高いことが知られている。そこでＴＭＩの分解を抑える意味でキャリアガスにＮ２を混合した。しかしＩｎＮ膜は得られなかった。また基板上のドロップレットは成長後の冷却過程に於いて付着していることも考えられるため、ＧａＮ　ｃａｐ層を連続成長させ冷却過程での膜質の変化を防ぐことを試みたが、良い結果は得られなかった。ＩｎＮモル分率の多い組成領域での混晶成長についても同様な結果であった。
§２−４　ＧａＮモル分率の多い組成領域における成長及びその評価
§２−４−１　成長条件
　§２−３においてＩｎＮおよびＩｎＮモル分率の多い組成領域での混晶成長は極めて困難であることが解った。ここでＧａＮは現在比較的良好な結晶が得られているため、ＧａＮモル分率の多い組成領域での結晶成長を行った。サファイア基板上にＡｌＮバッファ層を９５０℃で３０秒間成長後、ノンドープＧａＮを１０３０℃で４分間成長させ、その上にＩｎ１−ｘＧａｘＮ混晶を連続成長させている。混晶層の成長条件を表２−２に示す。」（６頁１行〜１０頁２行）
　
ウ　「
　　　表２−１　成長条件　　　　
　　　−　ＡｌＮバッファ層　−　　　
　　　ＴＭＡ（15℃）　　　２０ cc/min
　　　Ｈ２　　　　　　　　　３ l/min
　　　ＮＨ３　　　　　　　　２ l/min
　　　成長温度　　　　　　 ９４０ ℃
　　　成長時間　　　　　　 ２５〜４０sec　　　
　　　　−　ＩｎＮ層　　−　　　
　　　ＴＭＩ（0〜20℃）　　　１００ cc/min
　　　Ｈ２　　　　　　　　　２ l/min
　　　ＮＨ３　　　　　　　　１．５ l/min
　　　成長温度　　　　　　 ５００〜１０００ ℃
　　　成長時間　　　　　　 ２０〜６０min　　　」（７頁右下）
　
エ　「
　　　表２−２　成長条件　　　　
　　　−　　Ｉｎ１−ｘＧａｘＮ混晶　　　−　　　
　　　ＴＭＧ（-15℃）　　　１０ cc/min
　　　ＴＭＩ（0〜20℃）　 ３０〜１００ cc/min
　　　Ｈ２　　　　　　　　　２ l/min
　　　ＮＨ３　　　　　　　　１．５ l/min
　　　成長温度　　　　　　 １０３０ ℃
　　　成長時間　　　　　　 ３０ min　　　　」（１０頁右上）
　　
（２）　甲第２号証  
　同じく甲第２号証には、以下の記載がある。  
ア　「２．　特許請求の範囲 
(1)　窒化処理した基板と、この基板上に形成したバッファ層と、このバッファ層上に形成したＧａｘＩｎ１−ｘＮ層（０≦ｘ≦１）のｐｎ接合構造とを備え、前記バッファ層がＡｌＮ層およびＡｌＮ／ＧａＮ歪超格子層およびＡｌｚＧａ１−ｚＮ層（０≦ｚ≦１）のうちの少なくとも一層である半導体発光素子。 
(2)　基板が、酸化アルミニウム単結晶であることを特徴とする請求項(1)記載の半導体発光素子。 
(3)　キャリアガスとして、Ｈ２またはＮ２を用い、III族の原料ガスとして、有機Ｉｎ化合物、有機Ａｌ化合物、有機Ｇａ化合物を用い、Ｖ族の原料ガスとして、ＮＨ３を用いて結晶成長を行う有機金属気相成長法であって、
　基板を昇温する際、ＮＨ３雰囲気中で行い、前記基板の表面を窒化処理した後に、この窒化処理した基板の表面に、バッファ層としてＡｌＮ層およびＡｌＮ／ＧａＮ歪超格子層および 
ＡｌｚＧａ１−ｚＮ層（０≦ｚ≦１）のうちの少なくとも一層を成長させる工程と、 
　この表面にＧａｘＩｎ１−ｘＮ層（０≦ｘ≦１）のｐｎ接合構造を形成する工程とを含む半導体発光素子の製造方法。」（１頁左下欄４行〜右下欄７行）
 
イ　「〔実施例］ 
　第１図はこの発明の一実施例の半導体発光素子を示す構造図である。 
　第１図に示すように、サファイア基板１と、このサファイア基板１上にバッファ層として形成したＡｌＮ層２と、このＡｌＮ層２上に形成したｎ−ＧａｘＩｎ１−ｘＮ層３（０≦ｘ≦１）およびｐ−ＧａｘＩｎ１−ｘＮ層４（０≦ｘ≦１）からなるｐｎ接合構造と、この表面に形成したＡｌの電極５，６とを備えたものである。 
　なおバッファ層として、ＡｌＮ層２を形成したが、ＡｌＮ／ＧａＮ歪超格子層またはＡｌｚＧａ１−ｚＮ層（０≦Ｚ≦１）を形成しても良い。 
　このように構成された半導体発光素子Ｘは、波長４２０ｎｍの青色で発光する（Ａ方向）。
　第２図はこの発明の一実施例のために用いられる有機金属気相（ＭＯＶＰＥ）装置を示す概念図である。 
　第２図に示すように、有機金属気相（MOVPE）装置Ｙは、キャリアガス２０として、Ｈ２またはＮ２を用い、原料ガスとして、III族にはＴＭＡ（トリメチルアルミニウム）１０，ＴＭＧ（トリメチルガリウム）１１，ＴＭＩ（トリメチルインジウム）１２を用い、Ｖ族にはＮＨ３を用いた。またｐ型ドーパントには、ＣＰ２Ｍｇ（シンクロペンタジエニルマグネシウム）１３を用い、ｎ型ドーパントには、Ｈ２Ｓｅ（セレン化水素）１５を用いた。
　有機金属気相（ＭＯＶＰＥ）装置Ｙは、石英製のリアクタ１６内に載置されたカーボン製のサセプタ１７を高周波誘導加熱することにより、このサセプタ１７上に載置した基板２１を加熱し、この基板２１上に化合物半導体層単結晶等を成長させるものである。
　なおリアクタ１６内の圧力は、７６Ｔｏｒｒである。 
　この発明の一実施例の半導体発光素子の製造方法を第２図および第３図に基づいて説明する。 
　第３図はこの発明の一実施例の半導体発光素子の製造方法を示す工程図である。 
　なお有機金属気相（ＭＯＶＰＥ）装置として、第２図に示す装置を用いた。 
　第３図（ａ）に示すように、結晶成長を開始する前に、サファイア基板１をＮＨ３雰囲気中で1000℃まで昇温して、１０分間熱処理を施し、サファイア基板１の表面を薄いＡｌＮ膜（図示せず）で覆ってしまう。その後、サファイア基板１の温度を950℃に下げて、バッファ層として厚さ０．５μｍのＡｌＮ膜２を成長させる。 
　このように、結晶成長前の昇温時に、サファイア基板１の表面を窒化処理し、薄いＡｌＮ膜を形成することにより、この表面に形成するＡｌＮ層２（バッファ層）とサファイア基板ｌとの格子定数および熱膨張係数の整合性が共に良くなる。 
　次に第３図(b)に示すように、サファイア基板１の温度を８００℃まで下げ、ＡｌＮ層２（バッファ層）の表面に、ｎ型のＧａｘＩｎ１−ｘＮ層３およびｐ型のＧａｘＩｎ１−ｘＮ層４を形成する。 
　なお、ｎ型のＧａｘＩｎ１−ｘＮ層３は層厚１μｍであり、ｎ型ドーパントであるＨ２Ｓｅ１５をドープして結晶成長させたものであり、ｐ型のＧａｘＩｎ１−ｘＮ層４は層厚１．５μｍであり、ｐ型ドーパントであるＣｐ２Ｍｇ１３をドープして結晶成長させたものである。 
　なおこの際、原料ガスの流量は、ＴＡＭ１０は１０ｃｃ／ｍｉｎ、ＴＭＧ１１は５ｃｃ／ｍｉｎ、ＴＭＩ１２は２０ｃｃ／ｍｉｎとし、 
　ＮＨ３の流量は、１２ｃｃ／ｍｉｎとし、ドーパントの流量は、各々Ｈ２Ｓｅ（セレン化水素）１５は２５ｃｃ／ｍｉｎ、Ｃｐ２Ｍｇ１３は１０ｃｃ／ｍｉｎとした。 
　またリアクタ１６内に入るキャリアガスの総流量は、５l／ｍｉｎとした。」（３頁左上欄８行〜右下欄２０行） 
 　 
ウ　「以下第１図および第３図に示すバッファ層（ＡｌＮ層２）として、ＡｌＮ／ＧａＮ歪超格子層またはＡｌｚＧａ１−ｚＮ（０≦ｚ≦１）層を形成した場合について、以下説明する。 
　バッファ層の形成には、ＡｌＮ層から徐々に組成を変えてＧａＮ層にしていき、ＡｌＮ／ＧａＮ歪超格子層を形成する方法と、組成のみのＡｌｚＧａ１−ｚＮ（０≦ｚ≦１）層を形成する方法とがあるが、この表面に形成するＧａｘＩｎ１−ｘＮ層（０≦ｘ≦１）の結晶性は、後者に比較すると、前者の方が優れる傾向がある。ただし、後者もバッファ層として、十分に使用できる。」（４頁右上欄末行〜左下欄１２行） 
 　  
（３）　甲第１３号証  
　同じく甲第１３号証には、以下の記載がある。  
ア　「A novel MOCVD　reactor, which is shown in Fig.1, was developed for the GaN growth. It has two different gas flows. One is the main flow which carries the reactant gas parallel to the substrate with a high volocity through the quarts nozzle. Another flow is the subflow which transports the inactive gas perpendicular to the substrate for the purpose of changing the direction of the main flow to bring the reactant gas into contact with the substrate (see Fig.2). This subfolw was very important. Without  the subflow, a continuous film was not obtained and only few island growths were obtained on the substrate. A gas mixture of H2 and N2 was used as the subflow.」（L1705頁左欄１９〜３１行）
和訳：「図１に示される新規な有機金属気相成長法（MOCVD: Metal Organic Chemical Vapor  Deposition）反応装置がGaNの成長のために開発された。この反応装置は２つの異なるガスのフローがある。１つは、石英ノズルを通って高速で、基板と平行方向に反応ガスを搬送するメインフローである。もう１つのフローは、反応ガスを基板に接触させるように運ぶべくメインフローの向きを変えるため、基板に垂直に不活性ガスを送るサブフローである（図２参照）。このサブフローは非常に重要である。サブフローがなければ、基板上に連続的な膜は得られず、わずかの島状の成長が得られるのみである。サブフローには、水素と窒素の混合物が使われた。」
　
イ　上記記載アが参照するFig.2には、「ＳＵＢＦＬＯＷ　Ｎ２＋Ｈ２」及び「ＭＡＩＮ　ＦＬＯＷ　ＴＭＧ＋ＮＨ３＋Ｈ２」との記載がある。
　
（４）　甲第１５号証  
　同じく甲第１５号証には、以下の記載がある。  
ア　「We have succeeded in growing single-crystals of InN and （In, Ga）N on a sapphire substrate using metalorganic vapor phase epitaxy （MOVPE） for the first　time．」（１４２頁下１２行〜下６行）
和訳：「我々は、有機金属気相成長法（MOVPE）を用いてサファイア基板上にＩｎＮと（Ｉｎ，Ｇａ）Ｎの単結晶を成長することに初めて成功した。」
　
イ　「The source gases were trimethylindium (TMI), triethylgallium (TEG) and ammonia. Both carrier and bubbling gases were nitrogen．」（１４３頁６〜８行）
和訳：「原料ガスはトリメチルインジウム（ＴＭＩ）、トリエチルガリウム（ＴＥＧ）及びアンモニアだった。キャリアガスとバブリングガスは、ともに窒素だった。」
　
（５）　甲第１６号証  
　同じく甲第１６号証には、以下の記載がある。  
ア　「We have achieved InGaN growth on sapphire substrates at temperatures substantially higher than conventional growth temperatures for InGaN.」（１５７頁前文１〜２行）
和訳：「我々は、従来のＩｎＧａＮの成長温度よりもかなり高い温度で、サファイア基板上でＩｎＧａＮ膜を形成することに成功した。」）
　
イ　「The source gases were trimethylindium (TMI), triethylgallium(TEG）, trimethylaluminium（TMA） and purified ammonia. Both carrier and bubbling gases were purified nitrogen.」（１５７頁右欄下３行〜１５８頁左欄１行）
和訳：「原料ガスは、トリメチルインジウム（ＴＭＩ）、トリエチルガリウム（ＴＥＧ）、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）と精製アンモニアであった。キャリアガスとバブリングガスは、ともに精製窒素だった。」
　
（６）　甲第１７号証  
　同じく甲第１７号証には、以下の記載がある。  
ア　「InGAN films were grown on (0001) plane sapphire substrates by MOVPE in a vertical cold wall reactor. sapphire substrates were decreased with organic solvents and sulfuric acid. The source gases were triethylgallium（TEG）, trimethylindium（TMI） and the purified ammonia． Both the bubbling and carrier gases were nitrogen．」（２２５１頁左欄下１０行〜下５行）
和訳：「ＩｎＧａＮ膜は、垂直冷間ウォール反応器において、有機金属気相成長法（ＭＯＶＰＥ）によって（０００１）面サファイア基板上に成長させられた。サファイア基板は、有機溶剤と硫酸によって減少させられた。原料ガスは、トリエチルガリウム（ＴＥＧ）、トリメチルインジウム（ＴＭＩ）及び精製アンモニアであった。バブリングガスとキャリアガスは、ともに窒素だった。」
　
（７）　甲第２１号証  
　同じく甲第２１号証には、以下の記載がある。  
ア  「２．特許請求の範囲
１．III−V族化合物半導体の気相成長法において、
　７２０℃以上の成長温度でドーパントの供給量を実質的に一定に維持しながら、キャリヤーガスを水素と窒素ガス又は不活性ガスとの混合系から窒素ガス又は不活性ガス系に切換えることにより、高ドーピング濃度の化合物半導体エピタキシャル層を生成することを特徴とする半導体の気相成長法。」（１欄４〜１３行）
　
イ　「かかる方法により、ＧａＡｓＦＥＴ，ＧａＡｓインパットダイオード，ＧａＡｓガンダイオード，バラクタダイオードなどの半導体素子が製造される。かかる半導体素子の活性領域を電極とオーミック接続するために素子の一部に不純物濃度が高いＧａＡｓ半導体層を形成する必要がある。」（２欄９〜１５行）
　
ウ　「上記の如くキャリヤーガスの切換えにより製造される半導体素子の一具体例として、ＧａＡｓＦＥＴの例を第５図及び第６図により説明する。約107ohm・cmの比抵抗を有するクロムドープ半絶縁性ＧａＡｓ基板２の上にＧａＡｓのノンドープエピタキシャル成長を行い比抵抗が106ohm・cm（キャリヤー濃度1014/cm３以下）のバッハー層を成長する。この成長に続いて連続的にＧａＡｓのエピタキシャル成長を行い、この際、ＦＥＴの活性層に必要なキャリヤー濃度を与えるように硫黄を適切な温度に加熱する。かくして得られた活性層４のキャリヤー濃度は1015〜1017/cm３となる。活性層４の成長を水素と窒素の混合ガスのキャリヤーガスを用いて行い、続いて窒素のキャリヤーガスにより電極層５を連続エピタキシャル成長させる。」（９欄下から５行〜１０欄１０行）
　
エ　「以上の説明においては、ＧａＡｓＦＥＴの例を説明したが、ＧａＡｓインパットダイオード，ＧａＡｓガンダイオード，バラクタダイオードの製造にも本発明の方法を適用することができる。また、キャリヤーガスとしては水素及び窒素の例を説明したが、窒素と同様に化合物半導体成長反応に対して不活性であるガス、例えばヘリウム，アルゴン，その他の不活性ガス，を窒素の代りに又は窒素と混合して使用してもよい。」（１１欄下から４行〜１２欄５行）
　 　
（８）　甲第２２号証  
　同じく甲第２２号証には、以下の記載がある。
ア　「１．窒化ガリウムの成長方法
２．特許請求の範囲
(1)有機ガリウム化合物とアンモニアとの反応による結晶基板への窒化ガリウム生成過程を、不活性雰囲気中で行なう第１工程と、水素雰囲気中で行なう第２工程とで行なう窒化ガリウムの成長方法。
(2)有機ガリウム化合物が、トリメチルガリウムもしくはトリエチルガリウムから選ばれる特許請求の範囲第１項に記載の窒化ガリウムの成長方法。
(3)不活性雰囲気が、窒素，アルゴンもしくはヘリウムから選ばれる特許請求の範囲第１項に記載の窒化ガリウムの成長方法。」（５３頁左下欄２〜１５行）
　
イ　「さらに、本実施例のうち、第１工程の雰囲気Ｎ２を、ＡｒあるいはＨｅに代えても、ほとんど同じ結果が有られる。」（５４頁左下欄下から４行〜下から２行）
　
ウ　「発明の効果
　本発明によれば、ＭＯＣＶＤ法でのＧａＮ結晶の育成が、第１段階でのＧａＮ核の生成と、次の結晶生成の第２段階とで雰囲気条件を不活性雰囲気から水素雰囲気に変えることにより、安定で、しかも、良質の結晶層に実現される。」（５４頁右下欄３〜８行）
　
（９）　乙１号証
　優先日後に頒布された刊行物である乙第１号証には、以下の記載がある。ア　「なぜＶＰＥ法のキャリアガスとして水素が多く用いられるのか？
　ＶＰＥ法のキャリアガスには、水素が用いられることが一般的である。水素が空気中に漏れると引火、爆発しやすい（爆発限界：４〜７５％）ことは良く知られており、安全の観点から考えると不利である。これにも関わらず、広く使われている理由は以下の利点のためである。」（１１８頁１〜６行）
　
イ　「３．成長速度
　水素分子は小さくて軽いため、水素ガス中の原料分子の拡散速度は大きくなる。っこの結果、基板表面に到達する原料分子の量が多くなり、エピタキシャル膜の成長速度が大きくなる。キャリアガスを変更すると、流れの様子が大きく変化するので、成長速度について単純な比較はできないが、水素から窒素に変更することにより、成長速度は、1/2から1/3に小さくなる。」（１１９頁４〜９行）
　　
２　甲第１号証に記載された発明
　上記「１　（１）」によれば、甲第１号証には、次の発明（以下「甲１発明」という。）が記載されているものと認められる。  
「有機金属気相成長（ＭＯＶＰＥ）法を用いた、ＧａＮとＩｎＮとの混晶Ｉｎ１−ｘＧａｘＮからなるＩｎ１−ｘＧａｘＮ膜の成長方法であって、
　トリメチルガリウム（ＴＭＧ）、トリメチルインジウム（ＴＭＩ）及びアンモニア（ＮＨ３）を原料ガスとし、キャリアガスにはＨ２を使い、
　サファイア基板上にＡｌＮバッファ層を９５０℃で３０秒間成長後、ノンドープＧａＮを１０３０℃で４分間成長させ、その上にＩｎ１−ｘＧａｘＮ混晶層を連続成長させ、
　該混晶層の成長条件は、
　ＴＭＧ（-15℃）１０cc/min、ＴＭＩ（0〜20℃）３０〜１００cc/min、Ｈ２２l/min、ＮＨ３１．５l/min、成長温度１０３０℃、成長時間３０minである、
　Ｉｎ１−ｘＧａｘＮ膜の成長方法。」
　　　
３　甲第２号証に記載された発明  
（１）　上記「１　（２）　ア」には、(3)として、次のとおりの半導体発光素子製造方法が記載されている。 
「キャリアガスとして、Ｈ２またはＮ２を用い、III族の原料ガスとして、有機Ｉｎ化合物、有機Ａｌ化合物、有機Ｇａ化合物を用い、Ｖ族の原料ガスとして、ＮＨ３を用いて結晶成長を行う有機金属気相成長法であって、 
　基板を昇温する際、ＮＨ３雰囲気中で行い、前記基板の表面を窒化処理した後に、この窒化処理した基板の表面に、バッファ層としてＡｌＮ層およびＡｌＮ／ＧａＮ歪超格子層および 
　ＡｌｚＧａ１−ｚＮ層（０≦ｚ≦１）のうちの少なくとも一層を成長させる工程と、 
　この表面にＧａｘＩｎ１−ｘＮ層（０≦ｘ≦１）のｐｎ接合構造を形成する工程とを含む半導体発光素子の製造方法。」 
 　 
（２）　上記「１　（２）　イ」には、上記（１）の半導体発光素子製造方法の実施例が記載されていると認められるところ、これによれば、上記（１）の半導体発光素子製造方法における「バッファ層」、「『有機Ｉｎ化合物とその流量」、「『有機Ａｌ化合物』とその流量」、「『有機Ｇａ化合物』とその流量」、「『基板』を『ＮＨ３雰囲気中』で『昇温』し『窒化処理』する工程」、「窒化処理した基板の表面に、バッファ層としてＡｌＮ層およびＡｌＮ／ＧａＮ歪超格子層およびＡｌｚＧａ１−ｚＮ層（０≦ｚ≦１）のうちの少なくとも一層を成長させる工程」及び「この表面にＧａｘＩｎ１−ｘＮ層（０≦ｘ≦１）のｐｎ接合構造を形成する工程」は、具体的には、「ＡｌＮ層」、「ＴＭＩ（トリメチルインジウム）２０ｃｃ／ｍｉｎ」、「ＴＭＡ（トリメチルアルミニウム）１０ｃｃ／ｍｉｎ」、「ＴＭＧ（トリメチルガリウム）５ｃｃ／ｍｉｎ」、「サファイア基板をＮＨ３雰囲気中で1000℃まで昇温して、１０分間熱処理を施し、サファイア基板の表面を薄いＡｌＮ膜で覆い」、「サファイア基板の温度を950℃に下げて、バッファ層として厚さ０．５μｍのＡｌＮ膜２を成長させ」及び「サファイア基板の温度を８００℃まで下げ、バッファ層の表面に、ｎ型のＧａｘＩｎ１−ｘＮ層及びｐ型のＧａｘＩｎ１−ｘＮ層からなるｐｎ接合構造を形成する」であることが認められる。 
　 　 
（３）　上記（１）の半導体発光素子製造方法の「バッファ層」は、「ＡｌＮ層およびＡｌＮ／ＧａＮ歪超格子層およびＡｌｚＧａ１−ｚＮ層（０≦ｚ≦１）のうちの少なくとも一層」を成長させたものである。 
　加えて、上記「１　（２）　イ」の「なおバッファ層として、ＡｌＮ層２を形成したが、ＡｌＮ／ＧａＮ歪超格子層またはＡｌｚＧａ１−ｚＮ層（０≦Ｚ≦１）を形成しても良い。」との記載によれば、バッファ層は、ＡｌＮ層に代えてＡｌＮ／ＧａＮ歪超格子層でもよいことが認められる。 
　そして、上記「１　（２）　ウ」のとおり、甲第２号証には、バッファ層をＡｌＮ／ＧａＮ歪超格子層で形成する方法について、「ＡｌＮ層から徐々に組成を変えてＧａＮ層にしていき」との記載があり、これによれば、上記（２）で検討した実施例において、バッファ層を、ＡｌＮ層から徐々に組成を変えてＧａＮ層にしていき、ＡｌＮ／ＧａＮ歪超格子層として形成してよいことが認められる。 
 　 
（４）　以上によれば、甲第２号証には、次の発明（以下「甲２発明」という。）が記載されているものと認められる。 
「キャリアガスとして、Ｈ２またはＮ２を用い、III族の原料ガスとして、ＴＭＡ（トリメチルアルミニウム），ＴＭＧ（トリメチルガリウム），ＴＭＩ（トリメチルインジウム）を用い、該原料ガスの流量は、ＴＭＡは１０ｃｃ／ｍｉｎ、ＴＭＧは５ｃｃ／ｍｉｎ、ＴＭＩは２０ｃｃ／ｍｉｎとし、Ｖ族の原料ガスとして、ＮＨ３を用いて結晶成長を行う有機金属気相成長法であって、 
　サファイア基板をＮＨ３雰囲気中で1000℃まで昇温して、１０分間熱処理を施し、サファイア基板の表面を薄いＡｌＮ膜で覆い、 
　その後、サファイア基板の温度を950℃に下げ、ＡｌＮ層から徐々に組成を変えてＧａＮ層にしていくことにより、バッファ層としてのＡｌＮ／ＧａＮ歪超格子層を形成し、 
　次に、サファイア基板の温度を８００℃まで下げ、該バッファ層の表面に、ｎ型のＧａｘＩｎ１−ｘＮ層及びｐ型のＧａｘＩｎ１−ｘＮ層からなるｐｎ接合構造を形成することを含む、半導体発光素子の製造方法。」  
 　　 
４　甲号証及び乙号証に記載された技術事項
(１)　甲第１３号証に記載された技術事項
　メインフローを、「ＴＭＧ＋ＮＨ３＋Ｈ２」と表記していることから、ガリウムの原料ガスがＴＭＧであり、窒素の原料ガスがアンモニアであり、これら原料ガスを運ぶ水素は、キャリアガスといえる。
　しかしながら、メインフローは水素と窒素の混合物であるサブフローで向きを変えられ基板に接触するのであるから、基板に原料ガスを運ぶ気体はメインフローとサブフローが混じった水素と窒素の混合物となるので、キャリアガスが水素であるのか、それとも水素と窒素の混合物であるのか定かでない。
　このように、キャリアガスが何であるのか把握しにくいものの、上記「１　（３）」によれば、甲第１３号証には、
「有機金属気相成長法によるＧａＮの成長方法であって、
　原料ガスとして、ガリウムにはＴＭＧ、窒素にはＮＨ３を用い、
　該原料ガスと水素からなるメインフローの向きを変えて基板に接触させるためのサブフローとして、水素と窒素の混合物を用いる、
　ＧａＮの成長方法。」
　が記載されているものと認められる。
　
(２)　甲第１５号証に記載された技術事項
　上記「１　（４）」によれば、甲第１５号証には、
「有機金属気相成長法により、
　原料ガスとして、トリメチルインジウム（ＴＭＩ）、トリエチルガリウム（ＴＥＧ）及びアンモニアを用い、
　キャリアガス及びバブリングガスとして、ともに窒素を用いて、
　サファイア基板上にＩｎＮまたはＩｎＧａＮの単結晶を成長する方法。」
　が記載されているものと認められる。
　
(３)　甲第１６号証に記載された技術事項
　上記「１　（５）」によれば、甲第１６号証には、
「従来のＩｎＧａＮの成長温度よりもかなり高い温度で、サファイア基板上でＩｎＧａＮ膜を形成する方法であって、
　原料ガスとして、トリメチルインジウム（ＴＭＩ）、トリエチルガリウム（ＴＥＧ）、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）及び精製アンモニアを用い、
　キャリアガス及びバブリングガスとして、ともに精製窒素を用いる、
　ＩｎＧａＮ膜の形成方法。」
　が記載されているものと認められる。
　
(４)　甲第１７号証に記載された技術事項
　上記「１　（６）」によれば、甲第１７号証には、
「有機金属気相成長法によって（０００１）面サファイア基板上にＩｎＧａＮ膜を成長させる方法であって、
　原料ガスとして、トリエチルガリウム（ＴＥＧ）、トリメチルインジウム（ＴＭＩ）及び精製アンモニアを用い、
　バブリングガス及びキャリアガスとして、ともに窒素を用いる、
　ＩｎＧａＮ膜の成長方法。」
　が記載されているものと認められる。
　
(５)　甲第２１号証に記載された技術事項
　上記「１　（７）　ア」には、「III−V族化合物半導体の気相成長法」とあるが、該気相成長法の実施例として、甲第２１号証には、上記「１　（７）　ウ」に記載されたIII−V族化合物半導体がＧａＡｓである実施例のみが記載されている。
　
　上記「１　（７）　ウ」によれば、該実施例は、ＧａＡｓ基板上に連続的にＧａＡｓのエピタキシャル成長を行うものであって、最初はノンドープとしてバッハー層を成長させ、次に、キャリヤーガスとして水素と窒素の混合ガスを用い、硫黄をドープしてＦＥＴの活性層を成長させ、次に、キャリヤーガスを窒素として電極層を成長させるものである。
　
　上記「１　（７）　エ」によれば、該実施例のキャリヤーガスは、窒素に換えて不活性ガス（ヘリウム，アルゴン等）または窒素と不活性ガスとを混合したものを使用してもよいとされていることが認められる。
　
　してみると、甲第２１号証には、
「ＧａＡｓ基板上に連続的にＧａＡｓのエピタキシャル成長を行うものであって、最初はノンドープとしてバッハー層を成長させ、次に、キャリヤーガスとして水素と窒素の混合ガスを用い、硫黄をドープしてＦＥＴの活性層を成長させ、次に、キャリヤーガスとして、窒素、不活性ガス（ヘリウム，アルゴン等）または窒素と不活性ガスとを混合したものを使用して、電極層を成長させるＧａＡｓの気相成長法。」
が記載されているものと認められる。
　
(６)　甲第２２号証に記載された技術事項
　上記「１　（８）」によれば、甲第２２号証には、
「有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）によるＧａＮ結晶の成長方法であって、
　第１段階でＧａＮ核を生成する際には、窒素，アルゴンもしくはヘリウムから選ばれる不活性雰囲気とし、
　次の結晶生成の第２段階では、水素雰囲気とし、
  該第１段階と該第２段階とで、雰囲気条件を不活性雰囲気から水素雰囲気に変えることにより、安定で良質の結晶層を実現する、
　ＧａＮ結晶の成長方法。」
　が記載されているものと認められる。
　
(７)　乙第１号証に記載された技術事項
　上記「１　（９）」によれば、乙第１号証には、
「気相エピタキシー法（ＶＰＥ法：vapor phase epitaxy）のキャリアガスとして、空気中に漏れると引火、爆発しやすく、安全の観点から考えると不利であるにも関わらず、水素が多く用いられる理由のひとつは、水素分子は小さくて軽いため、水素ガス中の原料分子の拡散速度は大きくなり、この結果、基板表面に到達する原料分子の量が多くなり、エピタキシャル膜の成長速度が大きくなるので、水素から窒素に変更することにより、成長速度は、1/2から1/3に小さくなるからである。」
　ことが記載されているものと認められる。
　
５　本件発明１と甲１発明との対比、判断  
（１）　対比  
　本件発明１と甲１発明とを対比する。
ア　甲１発明における「サファイア基板」、「トリメチルガリウム（ＴＭＧ）」、「トリメチルインジウム（ＴＭＩ）」、「アンモニア（ＮＨ３）」「ＧａＮとＩｎＮとの混晶Ｉｎ１−ｘＧａｘＮからなるＩｎ１−ｘＧａｘＮ膜」及び「Ｉｎ１−ｘＧａｘＮ膜の成長方法」は、それぞれ、本件発明１における「基板」、「ガリウム源のガス」、「インジウム源のガス」、「窒素源のガス」、「窒化インジウムガリウム半導体」及び「窒化インジウムガリウム半導体の成長方法」に相当する。  
 　 
イ　甲１発明における「ＡｌＮバッファ層」及び「ノンドープＧａＮ」は、それぞれ、本件発明１の「バッファ層」及び「窒化ガリウム層」に相当する。 
 　  
ウ　甲１発明の「バッファ層」（ＡｌＮバッファ層）の成長温度９５０℃は、「窒化ガリウム層」（ノンドープＧａＮ）の成長温度１０３０℃より低い。
 　 
エ　炭素Ｃ、水素Ｈ、ガリウムＧａ、インジウムＩｎ、トリメチルガリウムＣ３Ｈ９Ｇａ、トリメチルインジウムＣ３Ｈ９Ｉｎの質量数は、それぞれ、１２、１、７０、１１５、１１５、１６０であるから、甲１発明における、ＴＭＧ１０cc/min、ＴＭＩ３０〜１００cc/minは、インジウム源のガスのインジウムのガリウムに対するモル比でいえば、（３０〜１００）×１１５／１６０：１０×７０／１１５＝（３．５〜１１．８）：１であり、これは、本件発明１における、「インジウム源のガスのインジウムのモル比を、ガリウム１に対し、１．０以上」との条件を満たしている。 
 　 
オ　甲１発明のキャリアガスは、「窒化ガリウム層」（ノンドープＧａＮ）成長時は本件発明１と同じく水素であるが、「窒化インジウムガリウム半導体」（Ｉｎ１−ｘＧａｘＮ膜）成長時は水素であって、本件発明１で用いられる窒素とは異なる。
 　 
　以上によれば、本件発明１と甲１発明は、以下の＜一致点＞で一致し、以下の＜相違点１＞及び＜相違点２＞で相違する。 
＜一致点＞ 
「基板上に、有機金属気相成長法により、次に成長させる窒化ガリウム層よりも低温で成長させるバッファ層を介して、バッファ層よりも高温で原料ガスのキャリアガスとして水素を用いて成長させた該窒化ガリウム層の上に、　原料ガスとして、ガリウム源のガスと、インジウム源のガスと、窒素源のガスとを用い、同じく有機金属気相成長法により、インジウム源のガスのインジウムのモル比を、ガリウム１に対し、１．０以上に調整して、窒化インジウムガリウム半導体を成長させる窒化インジウムガリウム半導体の成長方法。」
　
＜相違点１＞ 
　本件発明１は、　「窒化インジウムガリウム半導体」を成長させるときに用いるキャリアガスを、「窒化ガリウム層」を成長させるときに用いる水素から窒素に切り替えるのに対して、甲１発明は、キャリアガスの切り替えを行わず、「窒化ガリウム層」（ノンドープＧａＮ）を成長させるときに用いるキャリアガスと、「窒化インジウムガリウム半導体」（Ｉｎ１−ｘＧａｘＮ膜）を成長させるときに用いるキャリアガスが、ともに水素である点。
 　 
＜相違点２＞ 
　「窒化インジウムガリウム半導体」の成長温度が、本件発明１では、「６００℃より高く、９００℃以下」であるのに対して、甲１発明では、１０３０℃である点。 　 
　
（２）　判断  
　＜相違点１＞について検討する。 
ア　甲１発明において、キャリアガスとして水素を用いて「窒化ガリウム層」（ノンドープＧａＮ）を形成し、続けて「窒化インジウムガリウム半導体」（Ｉｎ１−ｘＧａｘＮ膜）を形成する際に、キャリアガスを窒素に切り替えれば製造工程が複雑になることは自明であるから、該切り替えを採用するには相応の動機が必要と認められる
　
イ　請求人は、上記「第５　３　（１）　ア」のとおり、「甲第１号証の記載は、ＴＭＩの分解を抑える意味でキャリアガスに窒素を混合することも可能であることを示唆しており」と主張する。 
　しかしながら、甲第１号証の、
「ここでメチル系の有機金属化合物はＨ２雰囲気では水素化反応、Ｎ２雰囲気では熱分解反応により分解し、分解温度はＨ２雰囲気よりＮ２雰囲気のほうが高いことが知られている。そこでＴＭＩの分解を抑える意味でキャリアガスにＮ２を混合した。しかしＩｎＮ膜は得られなかった。また基板上のドロップレットは成長後の冷却過程に於いて付着していることも考えられるため、ＧａＮ　ｃａｐ層を連続成長させ冷却過程での膜質の変化を防ぐことを試みたが、良い結果は得られなかった。ＩｎＮモル分率の多い組成領域での混晶成長についても同様な結果であった。
§２−４　ＧａＮモル分率の多い組成領域における成長及びその評価
§２−４−１　成長条件
　§２−３においてＩｎＮおよびＩｎＮモル分率の多い組成領域での混晶成長は極めて困難であることが解った。」
との記載（上記「１　（１）　イ」参照。）は、ＴＭＩの分解を抑える意図でキャリアガスに窒素を混合したが、その結果、ＩｎＮ及びＩｎＮモル分率の多い組成領域での混晶成長は極めて困難であることが解ったことを示すにとどまり、引用発明において、キャリアガスとして水素を用いて「窒化ガリウム層」（ノンドープＧａＮ）を形成し、続けて「窒化インジウムガリウム半導体」（Ｉｎ１−ｘＧａｘＮ膜）を形成する際に、キャリアガスを窒素に切り替えることを示唆するものとは認められない。
　　
ウ　上記「第５　３　（１）　イ　（ア）」及び「第５　３　（１）　ウ　（ア）」のとおり、請求人は、「甲第２１号証及び甲第２２号証に記載されているように、優先日当時、ＬＥＤ分野の結晶成長において、キャリアガスを結晶成長の途中で切り替える技術は周知であった。それゆえ、乙１号証及び甲第１３号証に記載されているとおり、ＧａＮ膜の形成において原料ガスのキャリアガスとして水素を用いることが一般的であり、他方、甲第２号証及び甲第１５〜１７号証の記載によれば、ＩｎＧａＮ成長時のキャリアガスとして窒素のみを用いることが当然であることを踏まえると、ＧａＮ膜上にＩｎＧａＮ膜を形成する際、ＧａＮ成長の間は原料ガスのキャリアガスとして水素を、ＩｎＧａＮ成長の間は原料ガスのキャリアガスとして窒素を使用することは、ごく当然の選択・組合せであり、当業者が容易に想到できたといえる。」旨の主張をしている。
　しかしながら、以下の（ア）ないし（ウ）の検討によれば、甲第２号証、甲第１５号証ないし甲第１７号証、甲第２１号証、甲第２２号証及び乙第１号証の記載は、引用発明において、「窒化インジウムガリウム半導体」（Ｉｎ１−ｘＧａｘＮ膜）を成長させるときに用いるキャリアガスを、「窒化ガリウム層」（ノンドープＧａＮ）を成長させるときに用いる水素から窒素に切り替えることを示唆するものとは認められないから、該主張は採用できない。
（ア）　キャリアガスを切り替える点
　上記「４　（５）」によれば、甲第２１号証には、ＦＥＴのＧａＡｓ組成の活性層を成長させるときには、キャリヤーガスとして水素と窒素の混合ガスを用い、次に、ＧａＡｓ組成の電極層を成長させるときには、キャリヤーガスとして、窒素、不活性ガス（ヘリウム，アルゴン等）または窒素と不活性ガスとを混合したものを用いることが記載されるにとどまり、ＧａＮの層及びＩｎＧａＮの層を続けて成長する際にキャリアガスを切り替えることを示唆する記載は認められない。
　上記「４　（６）」によれば、甲第２２号証には、単一組成のＧａＮ結晶を成長する途中で、雰囲気を、窒素，アルゴンもしくはヘリウムから選ばれる不活性雰囲気から水素雰囲気に切り替えることが記載されるにとどまり、ＧａＮの層及びＩｎＧａＮの層を続けて成長する際にキャリアガスを切り替えることを示唆する記載は認められない。
　　
（イ）　ＧａＮ膜形成のキャリアガスに水素を用いる点
　上記「４　（７）」によれば、乙第１号証には、成長させるエピタキシャル膜の組成を限定せず、一般論として、成長速度の観点からはキャリアガスとして水素が好ましい旨が記載されているのであって、ＧａＮ膜形成のキャリアガスに水素を用いることは記載されていない。なお、乙第１号証は、優先日後に頒布された刊行物であるから、優先日時点の一般的技術水準を示すものとは、かならずしもいえない。
　上記「４　（１）」によれば、甲第１３号証の記載からは、キャリアガスが水素であるのか水素と窒素の混合物であるのか把握できない。また、甲第１３号証に記載されたものは、メインフローとサブフローを使う特殊なものである。
　してみると、乙第１号証及び甲第１３号証の記載を根拠として、優先日時点で、ＧａＮ膜形成のキャリアガスに水素を用いることが一般的であったとは、必ずしもいえない。
　　
（ウ）　ＩｎＧａＮ成長時のキャリアガスとして窒素のみを用いる点
　上記「（３）」によれば、甲第２号証には、ＩｎＧａＮ成長時のキャリアガスとして水素または窒素を用いることが記載されており、上記「４　（２）」、「４　（３）」及び「４　（４）」によれば、甲第１５号証ないし甲第１７号証には、ＩｎＧａＮ成長時のキャリアガスとして窒素を用いることが記載されているといえるが、甲第２号証、甲第１５号証ないし甲第１７号証には、ＩｎＧａＮ成長時のキャリアガスとして窒素のみを用いることが当然であることが記載されているとまではいえない。
　
ウ　以上によれば、甲１発明において、請求人が、キャリアガス切り替えに係る周知技術が記載されているとする甲第１号証、甲第２号証、甲第１５号証ないし甲第１７号証、甲第２１号証、甲第２２号証及び乙第１号証の記載に基づいて、本件発明１の＜相違点１＞に係る構成を備えることが、当業者に想到容易であったとは認められない。 
　したがって、＜相違点２＞について検討するまでもなく、本件発明１は、甲第１号証に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとは認められない。 　  
 　 
６　本件発明２及び本件発明３について  
　本件発明２及び本件発明３は、それぞれ、本件発明１が記載された請求項１を引用する請求項２及び請求項３に記載された発明であり、本件発明１の特定事項をすべて含むものであるから、本件発明１が、甲第１号証に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものといえない以上、本件発明２及び本件発明３が、甲第１号証に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものといえないことは明らかである。  
 　  
７　無効理由１についてのまとめ  
　以上のとおりであるから、本件発明１ないし本件発明３についての特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものではなく、同法第１２３条第１項第２号に該当しないから、無効とすることはできない。 
　
第９　無効理由２についての当審の判断  
１　本件発明１と甲２発明との対比、判断  
（１）　対比  
　本件発明１と甲２発明（上記「第８　３　（４）」参照。）とを対比する。
ア　甲２発明における「サファイア基板」、「ＴＭＧ（トリメチルガリウム）」、「ＴＭＩ（トリメチルインジウム）」、「ＮＨ３」、「ｎ型のＧａｘＩｎ１−ｘＮ層及びｐ型のＧａｘＩｎ１−ｘＮ層」及び「半導体発光素子の製造方法」は、それぞれ、本件発明１における「基板」、「ガリウム源のガス」、「インジウム源のガス」、「窒素源のガス」、「窒化インジウムガリウム半導体」及び「窒化インジウムガリウム半導体の成長方法」に相当する。  
 　 
イ　甲２発明における「ＡｌＮ層から徐々に組成を変えてＧａＮ層にしていくことにより」形成される「バッファ層としてのＡｌＮ／ＧａＮ歪超格子層」の、ＡｌＮ層から徐々に組成が変わっていく部分及びＧａＮ層となった部分は、それぞれ、本件発明１の「バッファ層」及び「窒化ガリウム層」に相当する。 
 　  
ウ　甲２発明における「窒化インジウムガリウム半導体」（ｎ型のＧａｘＩｎ１−ｘＮ層及びｐ型のＧａｘＩｎ１−ｘＮ層）の成長温度である「８００℃」は、本件発明１における「窒化インジウムガリウム半導体」の成長温度である「６００℃より高く、９００℃以下」に含まれる。 
 　 
エ　炭素Ｃ、水素Ｈ、ガリウムＧａ、インジウムＩｎ、ＴＭＧ（トリメチルガリウム）Ｃ３Ｈ９Ｇａ、ＴＭＩ（トリメチルインジウム）Ｃ３Ｈ９Ｉｎの質量数は、それぞれ、１２、１、７０、１１５、１１５、１６０であるから、甲２発明における、ＴＭＧ５ｃｃ／ｍｉｎ、ＴＭＩ２０ｃｃ／ｍｉｎは、インジウム源のガスのインジウムのガリウムに対するモル比でいえば、２０×１１５／１６０：５×７０／１１５＝４．７：１であり、これは、本件発明１における、「インジウム源のガスのインジウムのモル比を、ガリウム１に対し、１．０以上」との条件を満たしている。 
 　 
オ　本件発明１と甲２発明とは、キャリアガスとして、水素または窒素を用いる点で共通している。 
 　 
カ　本件発明１は、「窒化ガリウム層」が「バッファ層」より高温で成長するのに対して、甲２発明の「バッファ層」（ＡｌＮ／ＧａＮ歪超格子層の、ＡｌＮ層から徐々に組成が変わっていく部分）及び「窒化ガリウム層」（ＡｌＮ／ＧａＮ歪超格子層のＧａＮ層となった部分）は、ＡｌＮ／ＧａＮ歪超格子層が基板温度９５０℃で形成されることから、ともに同じ温度９５０℃で成長している。 
 　 
キ　以上によれば、本件発明１と甲２発明は、以下の＜一致点＞で一致し、以下の＜相違点１＞及び＜相違点２＞で相違する。 
＜一致点＞ 
「キャリアガスとして、水素または窒素を用い、 
　基板上に、有機金属気相成長法により、バッファ層を介して成長させた窒化ガリウム層の上に、 
　原料ガスとして、ガリウム源のガスと、インジウム源のガスと、窒素源のガスとを用い、同じく有機金属気相成長法により、６００℃より高く、９００℃以下の成長温度で、インジウム源のガスのインジウムのモル比を、ガリウム１に対し、１．０以上に調整して、窒化インジウムガリウム半導体を成長させる窒化インジウムガリウム半導体の成長方法。」 
　 　 
＜相違点１＞ 
　本件発明１は、キャリアガスとして水素を用いて「窒化ガリウム層」を成長させ、その後、キャリアガスを切替えて、キャリアガスとして窒素を用いて「窒化インジウムガリウム半導体」を成長させるのに対して、甲２発明は、キャリアガスとして水素または窒素を用いるものの、「窒化ガリウム層」成長時と「窒化インジウムガリウム半導体」成長時とで、それぞれキャリアガスとして水素または窒素のどちらを用いるのか不明である点。
　  　 
＜相違点２＞ 
　本件発明１は、「窒化ガリウム層」が「バッファ層」より高温で成長するのに対して、甲２発明の「バッファ層」（ＡｌＮ／ＧａＮ歪超格子層の、ＡｌＮ層から徐々に組成が変わっていく部分）及び「窒化ガリウム層」（ＡｌＮ／ＧａＮ歪超格子層のＧａＮ層となった部分）は、同じ温度９５０℃で成長している点。 
 　 
（２）　判断  
　＜相違点１＞について検討する。 
ア　半導体発光素子の製造において、キャリアガスとして水素を用いてＧａＮ層を形成し、続けてＧａＩｎＮ層を形成する際に、キャリアガスを窒素に切り替えれば製造工程が複雑になることは自明であるから、該切り替えを採用するには相応の動機が必要と認められる。
　しかしながら、甲第２号証には、該切り替えを採用する必要性を示唆する記載は認められない。
 　 
イ　上記「第８　５　（２）　イ」と同様の理由で、キャリアガスとして水素又は窒素を用いて、ＧａＮ層及びその上のＩｎＧａＮ層を形成する甲２発明において、ＧａＮ層を形成する際にキャリアガスとして水素を用いるとともに、ＧａＩｎＮ層を形成する際にキャリアガスを水素から窒素に切り替えることを、請求人が、キャリアガス切り替えに係る周知技術が記載されているとする甲第１号証、甲第２号証、甲第１５号証ないし甲第１７号証、甲第２１号証、甲第２２号証及び乙第１号証の記載が示唆するものとは認められない。 
 　 
ウ　以上によれば、甲２発明において、周知技術に基づいて、本件発明１の＜相違点１＞に係る構成を備えることが、当業者に想到容易であったとは認められない。 
　したがって、＜相違点２＞について検討するまでもなく、本件発明１は、甲第２号証に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとは認められない。 　  
 　 
２　本件発明２及び本件発明３について  
　本件発明２及び本件発明３は、それぞれ、本件発明１が記載された請求項１を引用する請求項２及び請求項３に記載された発明であり、本件発明１の特定事項をすべて含むものであるから、本件発明１が、甲第２号証に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものといえない以上、本件発明２及び本件発明３が、甲第２号証に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものといえないことは明らかである。  
 　  
３　無効理由２についてのまとめ  
 　以上のとおりであるから、本件発明１ないし本件発明３についての特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものではなく、同法第１２３条第１項第２号に該当しないから、無効とすることはできない。  
 　  
第１０　むすび  
　以上のとおり、請求人が主張する無効理由によっては、本件発明１ないし３についての特許を無効とすることはできない。  
　
　審判に関する費用については、特許法第１６９条第２項の規定で準用する民事訴訟法第６１条の規定により、請求人が負担すべきものとする。
　
　よって、結論のとおり審決する。