【事件の表示】
　特願２０００−５８４５２６「不揮発性メモリの周辺トランジスタ」拒絶査定不服審判事件〔平成１２年　６月　２日国際公開、ＷＯ００／３１７９３、平成１４年　９月１７日国内公表、特表２００２−５３０８８９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯
　本願は、１９９９年１０月２７日（パリ条約による優先権主張外国庁受理１９９８年１１月２５日、アメリカ合衆国）を国際出願日とする出願であって、平成２３年３月２日付けの拒絶査定に対し、同年７月７日に拒絶査定不服審判が請求がされるとともに手続補正書が提出された。その後当審において、平成２４年８月３０日付けで拒絶理由（以下「当審拒絶理由」という。）が通知され、同年１２月２７日に意見書及び手続補正書が提出されたものである。
　
２　本願発明
　本願の請求項１〜４に係る発明は、平成２４年１２月２７日に提出された手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜４に記載されている事項により特定されるとおりのものであり、そのうちの請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、その請求項１に記載されている事項により特定される次のとおりのものである。
「【請求項１】　基板上にコアメモリセル用の領域（２）および周辺領域（４ａ，４ｂ，４ｃ，…４ｈ）を有する不揮発性メモリの静電放電（ＥＳＤ）頑強性を向上させるための方法であって、前記周辺領域は少なくとも１つのトランジスタ（１２）の第１のソースおよびドレイン領域（１８，２０）を含み、前記コアメモリセルは第２のソースおよびドレイン領域を含み、前記方法は、
　（ａ）　前記基板の表面上に前記少なくとも1つのトランジスタのゲート（１４）を設けるステップと、
　（ｂ）前記ゲートを注入マスクとして用いて、前記第１および第２のソースおよびドレイン領域を第１のドーパントであるリンで低濃度ドープするステップと、
　（ｃ）　前記コアメモリセル用の領域上方および前記周辺領域上方にそれぞれ開口を有する二重拡散注入マスクを提供するステップと、
　（ｄ）　（ｉ）　前記第１のドーパントと同じ導電型の第２のドーパントであるリンを前記第１および第２のソースおよびドレイン領域に注入するステップと、
　　　　　（ii）　前記第２のドーパントを注入するステップに続いて、前記第１のドーパントと同じ導電型の第３のドーパントであるヒ素を前記第１および第２のソースおよびドレイン領域内に注入するステップとによって、
　前記周辺領域上方の前記開口および前記コアメモリセル上方の前記開口を通して二重拡散注入を行なうステップとを備え、
　前記第２および第３のドーパントは、互いに同じ深さで注入され、かつ前記第１のドーパントの注入深さよりも深く注入され、
　前記第１のドーパントのドープによって形成された第１導電型の第１の領域よりも、前記第２および第３のドーパントのドープによって形成された第１導電型の第２の領域は、前記基板の表面から深く形成され、かつ前記基板の前記表面に沿って前記ゲート側へ広く延びるように形成されることを特徴とする、方法。」
　
３　当審拒絶理由
　当審拒絶理由の概要は、以下のとおりである。
理由１
　（省略）
理由２
　（省略）
理由３
　本件出願は、発明の詳細な説明の記載が特許法第３６条第４項に規定する要件を満たしていないというものである。
　そして、理由３として、具体的には、次の事項を指摘した。
　
「・理由３ 
　請求項１に係る発明は、「基板上にコアメモリセル用の領域（２）および周辺領域（４ａ，４ｂ，４ｃ，…４ｈ）を有する不揮発性メモリの静電放電（ＥＳＤ）頑強性を向上させるための方法であって、前記周辺領域は少なくとも１つのトランジスタ（１２）の第１のソースおよびドレイン領域（１８，２０）を含み、前記コアメモリセルは第２のソースおよびドレイン領域を含」むのであるが、発明の詳細な説明には、当該トランジスタ（１２）について、以下の点が、明確かつ十分に記載されていない。 
 　 
（１）発明の詳細な説明の段落【００１５】には、「図３は、スペーサ酸化物、ソースおよびドレインを設けてＮＭＯＳトランジスタ１２の構造を完成させる前に、図２の断面線１０１ａ−１０１ｂに沿ったＮＭＯＳトランジスタ１２の断面図である。」と記載されている。 
　また、「第１のドーパントであるリン」について、段落【００１６】には、「さらなる実施例では、ソースおよびドレイン領域１８および２０のＮ＋領域２８および３０は、ソースおよびドレイン領域に約３×１０15ｃｍ-2のオーダの注入ドーズ量でリンを拡散することにより生成される。またさらなる実施例では、リンが約０．２μｍのオーダの深さまでＮ＋領域２８および３０内へ拡散される。」と記載されている。 
　段落【００１８】には、「さらなる実施例では、二重拡散注入処理における第２のｎ型ドーパントとして、リンが約３×１０15ｃｍ-2から約６×１０15ｃｍ-2の範囲の注入ドーズ量でソースおよびドレイン領域１８および２０内へ拡散される。またさらなる実施例では、二重拡散注入処理における第３のｎ型ドーパントとして、ヒ素が約１×１０14ｃｍ-2から約３×１０14ｃｍ-2の範囲の注入ドーズ量でソースおよびドレイン領域１８および２０内へ拡散される。第２および第３の両方のｎ型ドーパントを約０．２３μｍのオーダの深さまでソースおよびドレイン領域１８および２０内へ注入してもよい。」と記載されている。 
　さらに、段落【００１９】には、「一方、比較的軽いｎ型ドーパント材料であるヒ素は、基板６のソースおよびドレイン領域１８および２０内へ素早く拡散し、またゲート酸化物層１７の側端３６および３８に近接したゲート酸化物層１７の部分の下に横方向に拡散する。」と記載されている。 
　さらに、段落【００２４】には、「一実施例では、リンを含む第１のｎ型ドーパントが、ソースおよびドレイン領域１８および２０のそれぞれの表面下約０．２μｍの深さＤまで約３×１０15ｃｍ-2のオーダの比較的軽い注入ドーズ量でＮ＋領域２８および３０内に注入される。二重拡散注入処理において、リンを含む第２のｎ型ドーパントおよびヒ素を含む第３のｎ型ドーパントは、第１のｎ型ドーパントの注入深さｄよりわずかに深い、約０．２３μｍの深さＤまでソースおよびドレイン領域１８および２０内へ注入される。ソースおよびドレイン領域１８および２０のそれぞれのＮ−領域３２および３４は、第２および第３のｎ型ドーパントで注入される。」 
　図４には、スペーサ酸化物１６がゲート１４の両側端に形成され、スペーサ酸化物１６のゲート側端３６と対向する側端と、Ｎ＋領域２８、３０のゲート側端部が整合するように形成されたＮＭＯＳトランジスタ１２が見てとれる。 
　
　したがって、発明の詳細な説明には、第１のドーパントを「約０．２μｍのオーダの深さまで」拡散し、第２および第３のドーパントを「約０．２３μｍのオーダの深さまで」注入すること、並びに「ゲート酸化物層１７の側端３６および３８に近接したゲート酸化物層１７の部分の下」への横方向拡散については記載されているものの、図３に示されたＮＭＯＳトランジスタ１２のソースおよびドレイン領域１８、２０において、Ｎ＋領域２８、３０はゲート１４から離隔し、Ｎ−領域３２、３４はゲート側端と整合するように、第１〜３のドーパントを注入する手順について記載されていない。 
 　 
　よって、請求項１に記載されたステップ（ｃ）及び（ｄ）、並びに請求項１に係る発明の「第１導電型の第２の領域」は、「前記基板の前記表面に沿って前記ゲート側へ広く延びるように形成される」という構成をどのようにして実現するのかについて、発明の詳細な説明には、明確かつ十分に記載されていない。 
　
　さらに、請求項４に係る発明において、スペーサ酸化物１６を、Ｎ＋領域２８、３０と整合するようにどのような手順で設けるのかについても、発明の詳細な説明には、明確かつ十分に記載されていない。 
 　 
　（後省略）」
　
４　当審拒絶理由に対する請求人の主張
　上記「３　当審拒絶理由」の「理由３」として指摘した（１）（以下「指摘事項ａ」という。）について、請求人は以下のように主張している。
　
「（４−１−１）審判官殿は、発明の詳細な説明の段落００１５、１８、１９、および２４の記載、並びに図４を参照され、発明の詳細な説明には、第１のドーパントを「約０．２μｍのオーダの深さまで」拡散し、第２および第３のドーパントを「約０．２３μｍのオーダの深さまで」注入すること、並びに「ゲート酸化物層１７の側端３８および３８に近接したゲート酸化物層１７の部分の下」への横方向拡散については記載されているものの、図３において示されたＮＭＯＳトランジスタ１２のソースおよびドレイン領域１８、２０において、Ｎ＋領域２８、３０はゲート１４から離隔し、Ｎ−領域３２、３４はゲート側端と整合するように、第１〜第３のドーパントを注入する手順については記載されていないと認定されました。
　しかしながら、本審判請求人は、Ｎ＋領域２８および３０を形成すること、ゲート１４から離隔すること、Ｎ＋領域２８および３０の下にＮ−領域３２および３４を形成することについて、本願明細書は十分に記載していることを申し上げます。
　例えば、発明の詳細な説明には、第１のドーパントおよび第２のドーパントとして比較的軽いｎ型ドーパントであるリンが用いられ、第３のドーパントとして比較的重いｎ型ドーパントであるヒ素が用いられることが記載されています（同書段落００１６、１８）。この結果として、「Ｎ−領域２８および３２おける所望の量の横方向拡散および濃度がゲート酸化物層１７の下に生成されるようにソースおよびドレイン領域１８および２０のドーピングプロファイルを制御することができる」ようになります（同書段落００１９）。言い換えれば、図３に示されるように、第２の注入ステップで比較的軽いドーパントを用い、第３の注入ステップで比較的重いドーパントを用いることによって、Ｎ−領域３２および３４の幅を制御することができるのです。
　従いまして、ＮＭＯＳトランジスタ１２のソースおよびドレイン領域１８、２０において、Ｎ＋領域２８、３０はゲート１４から離隔し、Ｎ−領域３２、３４はゲート側端と整合するように、第１〜第３のドーパントを注入する手順については当業者が容易に実施可能に記載されていることを申し上げます。」（当審注：以下「主張ａ」という。）
　
５　当審の判断
　上記指摘事項ａについて、以下検討する。
　
（１）指摘事項ａについて
ア　本願発明の「基板上にコアメモリセル用の領域（２）および周辺領域（４ａ，４ｂ，４ｃ，…４ｈ）を有する不揮発性メモリの静電放電（ＥＳＤ）頑強性を向上させるための方法」は、請求項１に記載されているとおり、「前記第１のドーパントのドープによって形成された第１導電型の第１の領域よりも、前記第２および第３のドーパントのドープによって形成された第１導電型の第２の領域は、前記基板の表面から深く形成され、かつ前記基板の前記表面に沿って前記ゲート側へ広く延びるように形成される」ことを発明を特定するために必要な事項としている。
　
　そして、本願発明の「基板上にコアメモリセル用の領域（２）および周辺領域（４ａ，４ｂ，４ｃ，…４ｈ）を有する不揮発性メモリの静電放電（ＥＳＤ）頑強性を向上させるための方法」について、本願の明細書の発明の詳細な説明には、「その特定の実施例に関して図面を参照しつつ」（段落【００１２】）、【発明の実施の形態】の欄（段落【００１３】〜【００２８】）に、次の事項が記載されている（なお、下線は当審で付したものである。）。
　
「【００１３】
　（…中略…）本発明の方法によれば、コアメモリセル用の領域２の上方に開口を有する二重拡散注入マスクが提供され、また、この二重拡散注入マスクは、周辺領域４ａ，４ｂ，４ｃ，…４ｈの少なくとも１つの上方にも少なくとも１つの開口を有し、選択された周辺領域およびコアメモリセル用の領域２上の
二重拡散注入マスクにおける開口を通して二重拡散注入が行なわれ得る
【００１４】（…中略…）
【００１５】
　図３は、スペーサ酸化物、ソースおよびドレインを設けてＮＭＯＳトランジスタ１２の構造を完成させる前に、図２の断面線１０１ａ−１０１ｂに沿ったＮＭＯＳトランジスタ１２の断面図である。図３に示すように、ソース領域１８およびドレイン領域２０が基板６の周辺領域４ａに設けられてＮＭＯＳトランジスタ１２に対してｎ型ドーパントの注入が行なわれる。ソース領域１８とドレイン領域２０との間にはチャネル領域２６が設けられる。ソースおよびドレイン領域１８および２０がｎ型ドーパントで注入される前に、基板６のチャネル領域２６の頂部には従来のゲート酸化物１７の薄い層が設けられ、また、ゲート酸化物層１７の頂部には従来のポリシリコンゲートなどのゲート１４が設けられる。ゲート酸化物層１７およびポリシリコンゲート１４は、当業者には公知の従来の堆積法およびエッチング法を用いて基板６のチャネル領域２６上に設けられ得る。
【００１６】
　ゲート酸化物層１７およびポリシリコンゲート１４が基板６のチャネル領域２６上に設けられた後、ソースおよびドレイン領域１８および２０は第１のｎ型ドーパントで低濃度ドープされる。第１のｎ型ドーパントは、当業者には公知の従来の拡散技術を用いて、ソースおよびドレイン領域１８および２０のＮ＋領域２８および３０内へそれぞれ拡散され得る。一実施例では、第１のドーパントはリンなどの比較的軽いｎ型ドーパントである。さらなる実施例では、ソースおよびドレイン領域１８および２０のＮ＋領域２８および３０は、ソースおよびドレイン領域に約３×１０15ｃｍ-2のオーダの注入ドーズ量でリンを拡散することにより生成される。またさらなる実施例では、リンが約０．２μｍのオーダの深さまでＮ＋領域２８および３０内へ拡散される。
【００１７】
　本発明によれば、
ソースおよびドレイン領域１８および２０において二重拡散注入が行なわれ、それぞれ二重拡散注入Ｎ−領域３２および３４が生成される
【００１８】
　一実施例では、第２のドーパントはリンなどの比較的軽いｎ型ドーパントであり、一方第３のドーパントはヒ素などの比較的重いｎ型ドーパントである。さらなる実施例では、二重拡散注入処理における第２のｎ型ドーパントとして、リンが約３×１０15ｃｍ-2から約６×１０15ｃｍ-2の範囲の注入ドーズ量でソースおよびドレイン領域１８および２０内へ拡散される。またさらなる実施例では、二重拡散注入処理における第３のｎ型ドーパントとして、ヒ素が約１×１０14ｃｍ-2から約３×１０14ｃｍ-2の範囲の注入ドーズ量でソースおよびドレイン領域１８および２０内へ拡散される。第２および第３の両方のｎ型ドーパントを約０．２３μｍのオーダの深さまでソースおよびドレイン領域１８および２０内へ注入してもよい。Ｎ＋領域２８および３０の深さを超えて本発明による二重拡散注入処理で生成された、さらにドープされたソースおよびドレイン領域は、それぞれＮ−領域３２および３４として示される。
【００１９】
　二重拡散注入処理において、
リンを第２のｎ型ドーパントとして、またヒ素を第３のｎ型ドーパントとして用いることにより、Ｎ−領域２８および３０における所望の量の横方向拡散および濃度がゲート酸化物層１７の下に生成されるようにソースおよびドレイン領域１８および２０のドーピングプロファイルを制御することができる
軽いｎ型ドーパント材料であるリンは、あまり横方向に拡散することなく比較的垂直に
拡散される
重いｎ型ドーパント材料であるヒ素は、基板６のソースおよびドレイン領域１８および２０内へ素早く拡散し、またゲート酸化物層１７の側端３６および３８に近接したゲート酸化物層１７の部分の下に横方向に拡散する
【００２０】
　第１、第２および第３のｎ型ドーパントをソースおよびドレイン領域１８および２０内へ注入する前に、基板６のチャネル領域２６にわたってポリシリコンゲート１４およびゲート酸化物１７が設けられるので、
ポリシリコンゲート１４および下にあるゲート酸化物１７はＮＭＯＳトランジスタ１２の注入マスクとしての役割を果たす
まず第１のｎ型ドーパントでソースおよびドレイン領域を低濃度にドープし、その後第２および第３のｎ型ドーパントを用いて二重拡散注入を行なう処理工程が完了した後、図３に示すようなＮ＋領域およびＮ−領域を有するソースおよびドレイン領域１８および２０のドーピングプロファイルが生成される
【００２１】（…中略…）
【００２２】
　図４はまた、物理ゲート長ＬDと、実効チャネル長ＬEFFと、ゲート酸化物層１７の厚さｔと、Ｎ＋でドープされた領域２８および３０の深さｄと、Ｎ−でドープされた領域３２および３４の深さＤとも示している。
二重拡散注入処理で生成することによって横方向の拡散は制御される
【００２３】
　たとえば、約０．７μｍのオーダの実効チャネル長ＬEFFを生成するためには、物理ゲート長ＬDは実効チャネル長ＬEFFに対して０．４μｍ長くされ得る。この場合、実効チャネルＬEFF０．７μｍのチャネル２６の両側に長さ０．２μｍずつ付け加えて、約１．１μｍの物理長ＬDを有するポリシリコンゲートが生成され得る。一実施例では、ポリシリコンゲート１４自体の長さが長くされる。ゲート酸化物層１７の厚さｔは約１６０Åのオーダであり得る。
【００２４】
　一実施例では、リンを含む第１のｎ型ドーパントが、ソースおよびドレイン領域１８および２０のそれぞれの表面下約０．２μｍの深さＤまで約３×１０15ｃｍ-2のオーダの比較的軽い注入ドーズ量でＮ＋領域２８および３０内に注入される。二重拡散注入処理において、リンを含む第２のｎ型ドーパントおよびヒ素を含む第３のｎ型ドーパントは、第１のｎ型ドーパントの注入深さｄよりわずかに深い、約０．２３μｍの深さＤまでソースおよびドレイン領域１８および２０内へ注入される。ソースおよびドレイン領域１８および２０のそれぞれのＮ−領域３２および３４は、第２および第３のｎ型ドーパントで注入される。
【００２５】
　一実施例では、リンを含む第２のｎ型ドーパントが、前の低濃度ドーピング処理でのリンの注入ドーズ量と少なくとも同量の注入ドーズ量でソースおよびドレイン領域１８および２０内へ注入される。さらに、
ヒ素を含む第３のｎ型ドーパントの注入ドーズ量は、二重拡散注入処理における第２のｎ型ドーパントの注入ドーズ量より少ない
　
イ　上記「ア」のとおり、本願発明は、「前記第１のドーパントのドープによって形成された第１導電型の第１の領域よりも、前記第２および第３のドーパントのドープによって形成された第１導電型の第２の領域は、前記基板の表面から深く形成され、かつ前記基板の前記表面に沿って前記ゲート側へ広く延びるように形成される」ことを発明を特定するために必要な事項としているから、本願が特許法第３６条第４項第１号に規定された実施可能要件を満たすためには、当業者が、「前記第１のドーパントのドープによって形成された第１導電型の第１の領域よりも、前記第２および第３のドーパントのドープによって形成された第１導電型の第２の領域は、前記基板の表面から深く形成され、かつ前記基板の前記表面に沿って前記ゲート側へ広く延びるように形成される」という構成を実施することができる程度に、発明の詳細な説明において明確かつ十分な記載がなされていなければならないものと認められる。
　
ウ　そこで、上記の観点から、本願明細書の記載について検討する。
（ア）上記「ア」における本願明細書の摘記事項の段落【００１３】〜【００２５】の第１、第２及び第３のドーパントについての記載を参照すると、段落【００２０】から、第１、第２及び第３のドーパントの注入マスクとして、「ポリシリコンゲート１４および下にあるゲート酸化物１７はＮＭＯＳトランジスタ１２の注入マスクとしての役割を果たす」こと、並びに段落【００１３】から、「二重拡散注入マスクにおける開口を通して二重拡散注入が行われ得る」ことが記載されている。
　しかしながら、第１、第２及び第３のドーパントの具体的な注入エネルギーの値、並びに、熱処理又は拡散処理について、具体的に、どの段階で、どのような条件で行うのかは記載されていない。
  
（イ）他方、一般に、注入マスクを用いて、ドーパントを注入するステップを備える方法において、ドーパントが注入される深さは注入エネルギーに依存するとともにドーパント種により異なること、ドーパントのドープによって形成された領域の深さ及び横方向に延びる長さは、ドーパント種及びドープ後になされた熱処理条件等により異なること技術常識であるとともに、ドーパントとして、リンはヒ素よりも軽く、拡散係数が大きいことは、以下の周知例１〜３に記載されているように技術常識である。
　
ａ　周知例１：特開平５−２６７３３８号公報
・「【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体装置、特にＣＭＯＳ半導体装置の製造方法に関する。」
・「【０００９】
【実施例】次に、本発明に係る半導体装置の製造方法の一実施例を、図１の製造工程図に基づいて説明する。まず図１の（Ａ）に示すように、Ｐ型半導体基板１にフィールド酸化膜２とゲート酸化膜３及びゲート電極４を形成し、更にフィールド酸化膜２と
ゲート電極４をマスクとして、リンＰを
並びに砒素Asを
イオン注入する
次に
熱処理することによって、低濃度ソース・ドレイン領域５を拡散形成させる
熱処理による拡散の際に、リンＰと砒素Asの拡散係数の違いによって、低濃度ソース・ドレイン領域５は、主としてリンＰよりなる相対的に低濃度の領域５′と、砒素Asを多く含んだ相対的に高濃度の領域５″に分けることができる
これら２つの領域５′，５″の境界はゲート電極４の下部に存在する
・図１（Ａ）から、Ａｓ，Ｐが同じ深さにイオン注入されていることが見てとれる。
・図１（Ｂ）から、低濃度ソース・ドレイン領域５のうち、主としてリンＰよりなる相対的に低濃度の領域５´は、ヒ素Ａｓを多く含んだ相対的に高濃度の領域５″を取り囲むように且つ横方向に（Ｐ型半導体基板１の表面に沿って）ゲート電極４側へ延びていることが見てとれる。
　
ｂ　周知例２：特開平４−１２７５３８号公報
・「〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置に関し、特にパターンを微細化しても信頼度の高いＭＯＳＦＥＴを有する半導体装置に関するものである。」（第１ページ右欄第１１〜１４行）
・「つぎに第１図（ｄ）に示すように、
二酸化シリコン膜２およびゲート電極５をマスクとして
Ｎ型拡散層６，８を形成する
　
Ｎ型拡散層６，８は燐を
および砒素を
イオン注入してから
熱処理することにより形成される
燐と砒素との拡散係数の差により、燐による低不純物濃度で接合深さの深い拡散層６と、砒素による高不純物濃度で接合深さの浅い拡散層８との二重の拡散層が形成されている
・第１図（ｄ）から、燐による接合深さの深い拡散層６は、ヒ素による接合深さの浅い拡散層８を取り囲むように且つ横方向にゲート電極５側へ延びていることが見てとれる。
　
ｃ　周知例３：特開平７−３８１０１号公報
・「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造方法に係り、さらに詳しくは、ゲート長が微細化したとしても、ショートチャネル効果を抑制することができ、しかもホットキャリアによるトランジスタの劣化を防止することができる二重ドレイン構造を有する半導体装置の製造方法に関する。」
・「【０００６】ゲート電極１６の加工後、基板２の表面位置１８に、ＬＤＤ構造のＮ- 拡散領域を形成するためのイオン注入を行う。０．５μｍ世代デバイスまでは、このＬＤＤ構造のＮ- 拡散領域を形成するためのイオン注入は、リンを用いることができた。しかしながら、
リンは横方向拡散が大きい
・「【００１２】なお、ホットキャリア効果を抑制するデバイスとして、ＬＤＤ構造以外に、二重ドレイン（ＤＤＤ）構造も知られている。しかしながら、従来のＤＤＤ構造の半導体装置を製造方法では、
ゲート電極のパターン加工直後に、拡散速度が異なるリンと砒素とを一括して連続的にイオン注入する
リンの拡散速度が速すぎて、短チャネル効果が著しくなる
・「【００２３】　本実施例では、図１（Ｂ）に示す段階では、ＬＤＤ構造を構成する低濃度不純物拡散領域のためのイオン注入は行わない。次に、本実施例では、図１（Ｃ）に示すように、ゲート電極４４の両側に、ＲＩＥなどの異方性エッチングを用いた技術により、サイドウォール４５を形成する。サイドウォール４５の幅ｘ（図１（Ｄ）参照）は、０．３５μｍデバイスでは、一般に０．０５〜０．１５μｍ程度である。このサイドウォール４５の幅ｘは、後述するリンの横方向拡散との関係で決定される。また、サイドウォール４５の材質は絶縁物質であれば特に限定されないが、たとえば酸化シリコンである。
【００２４】次に、サイドウォール４５が形成されたゲート電極４４の上に、パッド層４６を成膜する。パッド層４６は、たとえば１００ｎｍ程度の酸化シリコン膜で構成される。本実施例では、パッド層４６の上から、
Ｎ
- 
低濃度不純物拡散領域４８およびＮ
+ 
ソース・ドレイン領域５０（図１（Ｄ）参照）を形成するためのイオン注入を、拡散速度が相違するリンと砒素とを用いて連続的に行う
【００２５】その後、たとえば８５０℃および６０分程度の熱処理を行えば、図１（Ｄ）に示すように、
Ｎ
- 
低濃度不純物拡散領域４８とＮ
+ 
のソース・ドレイン領域５０とを同時に形成することができる（ＤＤＤ構造）。なぜなら、リンの拡散速度が、砒素の拡散速度よりも速いためである
【００２６】図１（Ｃ）に示す工程で、砒素Ａｓ+ のイオン注入条件は、特に限定されないが、４０ＫｅＶ程度のエネルギー、高ドーズ量（１×１０15ｃｍ-2程度）であることが好ましい。また、リンPhos+ のイオン注入条件は、横方向の拡散を極力抑え、かつ、後述する熱処理によりサイドウォール４５の幅ｘを僅かに超えてリンが横方向拡散し、Ｎ- 低濃度不純物拡散領域４８の端部が、ゲート電極４４の端部に対して、オーバーラップｙが生じるように、決定される。たとえばサイドウォール４５の幅ｘが０．１μｍであり、上記熱処理条件の場合には、リンPhos+ のイオン注入条件は、１０〜１５ＫｅＶのエネルギーおよび１×１０13ｃｍ-2程度であることが好ましい。
【００２７】このような条件では、リンの横方向拡散距離は、０．１２〜０．１３μｍ程度となり、上記オーバーラップｙが０．０２μｍ程度になり、良好なＤＤＤ構造を得ることができ、サイドウォール４５形成前にリンのイオン注入を行う場合に比較し、実効チャネル長が短くなりすぎることもない。」
・図１（Ｄ）から、Ｎ- 低濃度不純物拡散領域４８は、Ｎ+ ソース・ドレイン領域５０を取り囲むように且つ横方向にゲート電極４４側へ延びていることが見てとれる。
　
（ウ）上記技術常識によれば、第１のｎ型ドーパント及び第２のｎ型ドーパントであるリンは、第３のｎ型ドーパントであるヒ素よりも拡散係数が大きく、深さ方向と横方向に拡散しやすいことが明らかであり、しかも、上記「ア」における本願明細書の摘記事項の段落【００１８】及び【００２５】を参照すると、本願明細書に記載された実施例では、第２のｎ型ドーパントの注入ドーズ量は第３のｎ型ドーパントの注入ドーズ量より多い。
　したがって、技術常識に基づいて判断すると、明細書の段落【００１９】に記載されているように、「比較的
軽いｎ型ドーパント材料であるリンは、あまり横方向に拡散することなく比較的垂直に
拡散される
重いｎ型ドーパント材料であるヒ素は、基板６のソースおよびドレイン領域１８および２０内へ素早く拡散し、またゲート酸化物層１７の側端３６および３８に近接したゲート酸化物層１７の部分の下に横方向に拡散する
　
（エ）そうすると、本願の明細書の発明の詳細な説明に基づいて、本願発明の発明特定事項である 「前記第１のドーパントのドープによって形成された第１導電型の第１の領域よりも、前記第２および第３のドーパントのドープによって形成された第１導電型の第２の領域は、前記基板の表面から深く形成され、かつ前記基板の前記表面に沿って前記ゲート側へ広く延びるように形成される」という構成を実施することは、当業者にとって困難であるから、請求人の上記主張ａは採用できず、本願明細書の発明の詳細な説明は、経済産業省令で定めるところにより、当業者が本願発明を実施することができる程度に明確かつ十分に記載されたものではない。
　
（２）小括 
　したがって、本願明細書の発明の詳細な説明は、当業者が本願発明を実施することができる程度に明確かつ十分に記載したものとはいえない。
　
６　むすび 
　したがって、本願明細書の発明の詳細な説明の記載は、特許法第３６条第４項に規定する要件を満たしていないから、本願は拒絶をすべきものである。 
　よって、結論のとおり審決する。