【事件の表示】
　特願２００６−５４７２３７「統合又は独立計測を用いる改善されたウェーハ均一性のための処理制御方法及び装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年７月２１日国際公開、ＷＯ２００５／０６７００９、平成１９年６月２８日国内公表、特表２００７−５１７４００〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯
　本願は、２００４年１２月１７日（パリ条約による優先権主張　外国庁受理２００３年１２月２４日、アメリカ合衆国）を国際出願日とする特許出願であって、平成２２年９月７日付けの拒絶理由通知に対して、同年１２月１４日に意見書及び手続補正書が提出されたが、平成２３年１月２５日付けで拒絶査定がなされた。
　それに対して、同年５月３１日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに手続補正書が提出され、その後、同年１０月２４日付けで審尋がなされ、平成２４年１月２０日に回答書が提出された。
　
第２．補正の却下の決定
【補正の却下の決定の結論】
　平成２３年５月３１日に提出された手続補正書による補正を却下する。
　
【理由】
１．補正の内容
　平成２３年５月３１日に提出された手続補正書による補正（以下「本件補正」という。）は、補正前の特許請求の範囲の請求項１〜２０を補正して、補正後の特許請求の範囲の請求項１〜２０とするものであり、補正前後の請求項１は、各々次のとおりである。
　
（補正前）
　「【請求項１】
　ウェーハの処理を制御する方法であって：
　ウェーハにおける複数の特徴の寸法マップを決定する段階；
　前記寸法マップから処理パラメータマップを決定する段階であって、前記処理パラメータマップは１つ又はそれ以上の処理システムの少なくとも１つの物理属性に適合し、前記少なくとも１つの物理属性は前記ウェーハの複数の位置において可変である、段階；及び
　前記処理パラメータマップに従って前記ウェーハを処理する段階；
　を有することを特徴とする方法。」
　
（補正後）
　「【請求項１】
　ウェーハの処理を制御する方法であって：
　ウェーハにおける複数の特徴の各々の寸法マップを決定する段階であって、該寸法マップを決定する段階は前記ウェーハの位置の関数として前記複数の特徴の寸法の変動を決定する段階を有する、決定する段階；
　前記寸法マップから処理パラメータマップを決定する段階であって、前記処理パラメータマップは１つ又はそれ以上の処理システムの少なくとも１つの物理属性に適合し、前記少なくとも１つの物理属性は前記ウェーハの複数の位置の各々において可変である、段階；及び
　前記処理パラメータマップに従って前記ウェーハの複数の位置の各々を処理する段階；
　を有することを特徴とする方法。」
　
２．補正事項の整理
（１）補正事項１
　補正前の請求項１の「ウェーハにおける複数の特徴の寸法マップを決定する段階」、「前記少なくとも１つの物理属性は前記ウェーハの複数の位置において可変である」及び「前記処理パラメータマップに従って前記ウェーハを処理する段階」を、各々「ウェーハにおける複数の特徴の各々の寸法マップを決定する段階であって、該寸法マップを決定する段階は前記ウェーハの位置の関数として前記複数の特徴の寸法の変動を決定する段階を有する、決定する段階」、「前記少なくとも１つの物理属性は前記ウェーハの複数の位置の各々において可変である」及び「前記処理パラメータマップに従って前記ウェーハの複数の位置の各々を処理する段階」と補正して、補正後の請求項１とすること。
　
（２）補正事項２
　補正前の請求項１０の「ウェーハにおける複数の特徴の寸法マップを決定する段階」、「前記少なくとも１つの物理属性は前記ウェーハの複数の位置において可変である」及び「前記ウェーハにおける後処理の特徴を形成するように前記処理パラメータに従って前記ウェーハを処理する段階」を、各々「ウェーハにおける複数の特徴の各々の寸法マップを決定する段階であって、該寸法マップを決定する段階は前記ウェーハの位置の関数として前記複数の特徴の寸法の変動を決定する段階を有する、決定する段階」、「前記少なくとも１つの物理属性は前記ウェーハの複数の位置の各々において可変である」及び「前記ウェーハにおける後処理の特徴を形成するように前記処理パラメータに従って前記ウェーハの複数の位置の各々を処理する段階」と補正して、補正後の請求項１０とすること。
　
（３）補正事項３
　補正前の請求項１４の「ウェーハにおける複数の特徴の寸法マップを決定する手段」、「前記少なくとも１つの物理属性は前記ウェーハの複数の位置において可変である」及び「前記処理パラメータマップに従って前記ウェーハを処理する手段」を、各々「ウェーハにおける複数の特徴の各々の寸法マップを決定する手段であって、該寸法マップの決定は前記ウェーハの位置の関数として前記複数の特徴の寸法の変動を決定する、手段」、「前記少なくとも１つの物理属性は前記ウェーハの複数の位置の各々において可変である」及び「前記処理パラメータマップに従って前記ウェーハの複数の位置の各々を処理する手段」と補正して、補正後の請求項１４とすること。
　
（４）補正事項４
　補正前の請求項１７の「ウェーハにおける複数の特徴の寸法マップを決定する手段」、「前記少なくとも１つの物理属性は前記ウェーハの複数の位置において可変である」及び「前記ウェーハにおける後処理の特徴を形成するように前記処理パラメータに従って前記ウェーハを処理する手段」を、各々「ウェーハにおける複数の特徴の各々の寸法マップを決定する手段であって、該寸法マップの決定は、前記ウェーハの位置の関数として前記複数の特徴の寸法の変動を決定する、手段」、「前記少なくとも１つの物理属性は前記ウェーハの複数の位置の各々において可変である」及び「前記ウェーハにおける後処理の特徴を形成するように前記処理パラメータに従って前記ウェーハの複数の位置の各々を処理する手段」と補正して、補正後の請求項１７とすること。
　
３．新規事項の追加の有無及び補正の目的の適否について
（１）補正事項１について
　補正事項１により補正された部分は、本願の願書に最初に添付した明細書（以下、本願の願書に最初に添付した明細書を「当初明細書」といい、本願の願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面を「当初明細書等」という。）の０００９段落〜００１８段落等に記載されているものと認められるから、補正事項１は、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものである。
　したがって、補正事項１は、当初明細書等に記載した事項の範囲内においてなされたものであるから、特許法第１７条の２第３項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項をいう。以下同じ。）に規定する要件を満たす。
　また、補正事項１は、補正前の請求項１に係る発明の発明特定事項である各段階について、技術的に限定を加えるとともに、記載をより明瞭にするものであるから、特許法第１７条の２第４項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項をいう。以下同じ。）第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮及び第４号に掲げる明瞭でない記載の釈明を目的とするものに該当する。
　したがって、補正事項１は、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たす。
　
（２）補正事項２について
　補正事項２により補正された部分は、当初明細書の０００９段落〜００１８段落等に記載されているものと認められるから、補正事項２は、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものである。
　したがって、補正事項２は、当初明細書等に記載した事項の範囲内においてなされたものであるから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たす。
　また、補正事項２は、補正前の請求項１０に係る発明の発明特定事項である各段階について、技術的に限定を加えるとともに、記載をより明瞭にするものであるから、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮及び第４号に掲げる明瞭でない記載の釈明を目的とするものに該当する。
　したがって、補正事項２は、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たす。
　
（３）補正事項３について
　補正事項３により補正された部分は、当初明細書の０００９段落〜００１８段落等に記載されているものと認められるから、補正事項３は、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものである。
　したがって、補正事項３は、当初明細書等に記載した事項の範囲内においてなされたものであるから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たす。
　また、補正事項３は、補正前の請求項１４に係る発明の発明特定事項である各段階について、技術的に限定を加えるとともに、記載をより明瞭にするものであるから、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮及び第４号に掲げる明瞭でない記載の釈明を目的とするものに該当する。
　したがって、補正事項３は、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たす。
　
（４）補正事項４について
　補正事項４により補正された部分は、当初明細書の０００９段落〜００１８段落等に記載されているものと認められるから、補正事項４は、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものである。
　したがって、補正事項４は、当初明細書等に記載した事項の範囲内においてなされたものであるから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たす。
　また、補正事項４は、補正前の請求項１７に係る発明の発明特定事項である各段階について、技術的に限定を加えるとともに、記載をより明瞭にするものであるから、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮及び第４号に掲げる明瞭でない記載の釈明を目的とするものに該当する。
　したがって、補正事項４は、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たす。
　
（５）新規事項の追加の有無及び補正の目的の適否についてのまとめ
　以上のとおりであるから、本件補正は、特許法第１７条の２第３項及び第４項に規定する要件を満たす。
　そして、本件補正は、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする補正を含むものであるから、本件補正による補正後の特許請求の範囲に記載されている事項により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否か、すなわち、本件補正がいわゆる独立特許要件を満たすものであるか否かについて、以下において更に検討する。
　
４．独立特許要件について
（１）補正後の発明
　本願の本件補正による補正後の請求項１〜２０に係る発明は、本件補正により補正された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜２０に記載されている事項により特定されるとおりのものであり、そのうちの請求項１に係る発明（以下「補正発明」という。）は、請求項１に記載されている事項により特定される、上記１．の「（補正後）」の箇所に記載したとおりのものであり、再掲すると次のとおりである。
　
　「【請求項１】
　ウェーハの処理を制御する方法であって：
　ウェーハにおける複数の特徴の各々の寸法マップを決定する段階であって、該寸法マップを決定する段階は前記ウェーハの位置の関数として前記複数の特徴の寸法の変動を決定する段階を有する、決定する段階；
　前記寸法マップから処理パラメータマップを決定する段階であって、前記処理パラメータマップは１つ又はそれ以上の処理システムの少なくとも１つの物理属性に適合し、前記少なくとも１つの物理属性は前記ウェーハの複数の位置の各々において可変である、段階；及び
　前記処理パラメータマップに従って前記ウェーハの複数の位置の各々を処理する段階；
　を有することを特徴とする方法。」
　
（２）引用刊行物に記載された発明
（２−１）本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布され、原査定の根拠となった拒絶の理由において引用された刊行物である特表２００３−５３２３０６号公報（以下「引用例」という。）には、図１及び２とともに、次の記載がある（ここにおいて、下線は当合議体が付加したものである。以下同じ。）。
　
ａ．「【請求項１】　リソグラフィ・プロセスのクリティカルな測定基準のウェハ内変動を低減する方法であって、前記リソグラフィ・プロセス中にウェハ上に配置されたレジストの少なくとも１つの特性を測定すること、および、前記リソグラフィ・プロセスのステップを実行するように構成されたプロセス・モジュールの少なくとも１つのパラメータを、前記レジストの少なくとも前記１つの測定された特性に応答して変更し、前記クリティカルな測定基準の前記ウェハ内変動を低減することを含む方法。
（途中略）
　【請求項３】　
前記レジストの少なくとも前記１つの特性を測定することが、前記ウェハ全体にわたって様々な場所で少なくとも前記１つの特性を測定することを含む請求項１に記載の方法
（途中略）
　【請求項８】　少なくとも前記１つのパラメータを変更することが、フィードバック制御技法を使用することを含む請求項１に記載の方法。
　【請求項９】　少なくとも前記１つのパラメータを変更することが、フィードフォワード制御技法を使用することを含む請求項１に記載の方法。
（途中略）
　【請求項１２】　少なくとも前記１つのパラメータを変更することが、前記ウェハの第１の部分を、前記ステップ中に第１の１組のプロセス条件で加工すること、および前記ウェハの第２の部分を、前記ステップ中に第２の１組のプロセス条件で加工することを含む請求項１に記載の方法。」
　
ｂ．「【０００１】
　　（発明の背景）
　１．発明の分野
　
本発明は、一般に半導体製造プロセスを評価し、かつ制御するためのシステムおよび方法に関する。一定の実施形態は、レジストの特性を測定し、リソグラフィ・プロセスで必要とされるプロセス・ステップを制御することにより、リソグラフィ・プロセスを評価し、かつ／または制御するためのシステムおよび方法に関する
　
ｃ．「【０００８】
　　（発明の概要）
　本発明の一実施態様は、リソグラフィ・プロセスのクリティカルな測定基準のウェハ内（ＷＩＷ）変動を低減するための方法に関する。リソグラフィ・プロセスのクリティカルな測定基準には、それだけには限らないが、リソグラフィ・プロセス中に形成されたフィーチャのクリティカル寸法、およびオーバーレイを含むことができる。リソグラフィ・プロセス中に形成されたフィーチャのクリティカル寸法には、たとえばフィーチャの幅、高さ、側壁プロフィルを含むことができる。オーバーレイは、一般に、ウェハのある堆積層上におけるフィーチャの横位置に対する、ウェハの別の堆積層上におけるフィーチャの横位置のことを言う。リソグラフィ・プロセスは、光学リソグラフィ、電子線リソグラフィ、Ｘ線リソグラフィを含むことができる。
　　【０００９】
　本方法は、リソグラフィ・プロセス中にウェハ上に配置されたレジストの少なくとも１つの特性を測定することを含む。
たとえば、本方法は、ウェハ全体にわたって様々な場所でレジストの少なくともその１つの特性を測定することを含むことができる。
少なくともその１つの特性は、それだけには限られないかもしれないが、厚さ、屈折率、消光係数、潜像の線幅、潜像の高さ、フィーチャの幅、フィーチャの高さ、オーバーレイ、またはそれらの任意の組合せを含むことができる。
　　【００１０】
　
本方法は、少なくともその１つの測定されたレジスト特性に応答して、リソグラフィ・プロセスのあるステップを実行するように構成されたプロセス・モジュールの少なくとも１つのパラメータを変更することをさらに含む。
　　【００１１】
　
少なくともその１つのパラメータを変更することは、ウェハの第１の部分を、そのステップ中に第１の１組のプロセス条件で加工すること、およびウェハの第２の部分を、そのステップ中に第２の１組のプロセス条件で加工することを含むことができる。たとえば、少なくともその１つの測定された特性がウェハ全体にわたる厚さ変動を含む場合には、測定された厚さ変動に応答して、より厚いレジストでコーティングされたウェハの一部分を、より薄いレジストでコーティングされたウェハの一部分より高い露光線量で露光することができる。追加の一例では、測定された厚さ変動に応答して、より厚いレジストでコーティングされたウェハの一部分を、露光後ベーク・プロセス中により薄いレジストでコーティングされたウェハの一部分より高い温度に加熱することができる。このような形で、レジスト特性の変動に関わらずリソグラフィ・プロセスのクリティカルな測定基準をウェハ全体にわたって実質的に均一とすることができるように、リソグラフィ・プロセス・ステップのプロセス条件をウェハ全体にわたって変えることができる
　
ｄ．「【００１２】
　追加の実施態様は、リソグラフィ・プロセスのクリティカルな測定基準のウェハ内変動を低減するように構成されたシステムに関する。クリティカルな測定基準には、リソグラフィ・プロセスによって形成されたフィーチャのクリティカル寸法、または上述のどんなクリティカルな測定基準でも含むことができる。本システムは、少なくとも１つの測定装置を含むことができる。少なくともその１つの測定装置は、リソグラフィ・プロセス中にウェハ上に配置されたレジストの少なくとも１つの特性を測定するように構成することができる。たとえば、少なくともその１つの測定装置は、ウェハ全体にわたって様々な場所でレジストの少なくともその１つの特性を測定するように構成することができる。さらに、少なくともその１つの測定装置は、リソグラフィ・プロセスのステップ間でレジストの少なくともその１つの特性を測定するように構成することができる。別法として、少なくともその１つの測定装置は、リソグラフィ・プロセスのステップ中にレジストの少なくともその１つの特性を測定するように構成することができる。たとえば、測定装置は、本明細書で述べるようにリソグラフィ・クラスタ・ツール内に一体化することができる。レジストの特性をリソグラフィ・プロセス中に測定することができるため、本明細書で述べる方法は、従来のリソグラフィ・プロセス制御方法よりターン・アラウンド時間を速くすることができる。したがって、本明細書で述べる方法は、比較的高い性能ビン特性を有する多数の半導体デバイスを産出することができる。少なくともその１つの特性は、本明細書で述べるどんな特性でも含むことができる。
　　【００１３】
　
本システムはまた、リソグラフィ・プロセスのステップを実行するように構成されたプロセス・モジュールを含むことができる。
　　【００１４】
　本システムはまた、少なくともその１つの測定装置、およびプロセス・モジュールに結合された制御装置コンピュータを含むことができる。制御装置コンピュータは、測定装置からレジストの少なくとも１つの測定された特性を受け取るように構成することができる。制御装置コンピュータはまた、少なくともその１つの測定された特性に応答して、プロセス・モジュールの少なくとも１つのパラメータを変更するように構成することができる。
　　【００１５】
　他の実施態様は、半導体デバイスを作製するための方法に関する。たとえば、本方法は、リソグラフィ・プロセス中にウェハ上に配置されたレジストの少なくとも１つの特性を測定することを含むことができる。本方法はまた、少なくともその１つの測定された特性に応答して、少なくとも１つのプロセス・モジュールの少なくとも１つのパラメータを変更し、リソグラフィ・プロセスのクリティカルな測定基準のウェハ内変動を低減することができる。さらに、本方法は、ウェハを加工して、ウェハ上に少なくとも１つの半導体デバイスの少なくとも一部分を形成することを含むことができる。たとえば、ウェハを加工することは、エッチング、イオン注入、堆積、化学的機械的研磨、またはめっきを含むことができる。このような形で、本方法によって形成される半導体デバイスはより高い性能のビン特性を有することができ、それにより、歩留まりだけでなく高マージンの製品歩留まりをも改善する。」
　
ｅ．「【００２４】
　本方法はまた、冷却の後で、ウェハ上に形成されたレジストの特性を測定することを含むことができる。ステップ２２に示すように、たとえば、塗布後ベーク・ステップ後の冷却の後で、ウェハを測定装置に、またはウェハ被膜測定装置内に移動させることができる。別法として、たとえば、測定装置が冷却モジュールに結合されている場合は、測定中にウェハを冷却モジュール内に残すことができる。測定装置は、光学技法を使用してレジストの少なくとも１つの特性を測定するように構成された任意のデバイスとすることができる。測定装置はまた、ウェハ上の複数の位置でレジストの少なくとも１つの特性を測定するように構成することができる。光学技法は、それだけには限らないが、スキャタロメータ法、干渉法、反射率法、分光偏光解析法、または分光反射率法を含むことができる。
（途中略）
　　【００２５】
　
測定装置は、レジストの少なくとも１つの特性を測定することができる。さらに、測定装置は、レジストのいくつかの特性を実質的に同時に測定することができる。塗布後ベーク・プロセスの後で測定されるレジストの特性は、それだけには限らないが、レジストの厚さ、屈折率、または消光係数(extinction coefficient)を含むことができる。測定された特性は、ステップ２４に示すように制御装置コンピュータ、またはウェハ内被膜制御装置に送ることができる。制御装置コンピュータは、測定装置に結合することができる。制御装置コンピュータは、測定されたレジスト特性に応答して、リソグラフィ・プロセスのプロセス・ステップのパラメータを決定することができる。
　　【００２６】
　一実施形態では、フィードフォワード制御技法を使用して、プロセス・モジュールのパラメータを変更することができる。たとえば、オペレータまたは制御装置コンピュータは、測定されたレジスト上で追加のリソグラフィ・プロセス・ステップを実行するために使用することができる、プロセス・モジュールの少なくとも１つのパラメータを決定することができる。追加のリソグラフィ・プロセス・ステップは、露光および露光後ベークを含むことができる。このような形で、レジストの特性を使用して、露光ステップまたは露光後ベーク・ステップを実行するように構成されたプロセス・モジュールのパラメータを変更することができる。たとえば、冷却プロセスの後で測定されたレジストの厚さ、屈折率、および／または消光係数を使用して、露光プロセスの露光線量または露光後ベーク・プロセスの温度を決定することができる。オペレータまたは制御装置コンピュータは、決定された露光線量または温度に応答して、露光プロセス・モジュールまたは露光後ベーク・プロセス・モジュールの少なくとも１つのパラメータをそれぞれ変更することができる。
　　【００２７】
　
さらに、レジストの少なくとも１つの特性はウェハ全体にわたって様々な位置で測定することができるため、様々な位置のそれぞれについて、少なくとも１つのパラメータを決定することができる。したがって、プロセス・モジュールのパラメータもまた、上述のように、ウェハ上のフィールドからフィールドにかけて独立して変更することができる。たとえば、露光線量および／または露光後ベーク温度などプロセス条件は、フィールドからフィールドにかけてウェハ全体にわたる少なくとも１つの測定された特性の変動に応答して、後続のプロセス内でウェハ全体にわたって変わる可能性がある。このような形で、リソグラフィ・プロセスのクリティカルな測定基準は、ウェハ全体にわたって実質的に均一にすることができる。
　
ｆ．「【００２９】
　ステップ２６に示すように、ウェハを露光プロセス・モジュールに移送することができる。露光プロセス・モジュールは、それだけには限らないが、ウェハを位置合わせすること、および所定のパターンにレジストを露光することを含むことができるいくつかの動作を実行することができる。たとえば、露光プロセス・モジュールは、当技術分野で周知の任意のステッパまたはスキャナを含むことができる。レジストを露光することはまた、特定の光強度、または露光線量、および特定の合焦条件にレジストをさらすことを含むことができる。
多数の露光プロセス・モジュールは、露光プロセスの露光線量または合焦条件を、たとえばフィールドからフィールドにかけてウェハ全体にわたって変更することができるように構成することができる。露光線量または合焦条件は、フィードバックまたはフィードフォワード制御技法を使用して、本明細書で述べるように決定し、かつ／または変更することができる
（途中略）
　　【００３３】
　
測定装置は、露光後ベーク・プロセス中に、フィールド内の複数の位置で、またウェハ上の少なくとも２つのフィールド内の複数の位置で、レジストの特性を測定するように構成することができる。このような形で、プロセス・モジュールの少なくとも１つのパラメータを、ウェハ全体にわたって様々な位置で決定することができる。したがって、露光後ベーク・モジュールのパラメータは、上述のようにウェハ上のフィールドからフィールドにかけて独立して変更することができる。たとえば、露光後ベーク・プロセス・モジュールのベーク・プレートの温度は、フィールドからフィールドにかけてウェハ全体にわたるレジストの少なくとも１つの測定特性の変動に応答して、露光後ベーク・プロセス中にベーク・プレート全体にわたって変わる可能性がある。したがって、クリティカルなパラメータのウェハ内変動を低減し、あるいはさらに最小限に抑えることができる
　　【００３４】
　図２に示すように、露光後ベーク・プレートの温度は、１次加熱要素５０内に配置されたいくつかの離散的な２次加熱要素４８を使用することによって、ベーク・プレート全体にわたって変えることができる。２次加熱要素４８および１次加熱要素５０は、抵抗性加熱要素、または当技術分野で周知の任意の他の熱源を含むことができる。２次加熱要素４８は、たとえば、２次加熱要素のそれぞれに供給される電流を変えて、１次加熱要素５０の温度プロフィルを変更することによって、独立して制御することができる。したがって、露光後ベーク・プロセス中のウェハ全体にわたる温度プロフィルを変更し、それにより、ウェハ上の個々のフィールドを実質的に同じ温度で、または個々に決定された温度で加熱できるようにすることができる。このような形で、ウェハ全体にわたってリソグラフィ・プロセスのクリティカルな測定基準の均一性を高めることができる。」
　
ｇ．「【００３５】
　再度図１を参照すると、ステップ３４に示すように、露光後ベーク・プロセスの後でウェハを冷却する。冷却の後で、ウェハを測定装置に移動させることができる。別法として、たとえば、測定装置が冷却モジュールに結合されている場合は、測定中にウェハを冷却モジュール内に残すことができる。測定装置は、本明細書で述べる任意の測定装置として構成することができる。測定装置は、レジストの少なくとも１つの特性を測定することができる。さらに、測定装置は、レジストのいくつかの特性を実質的に同時に測定することができる。冷却プロセス中の後で測定されるレジストの特性は、それだけには限らないが、厚さ、潜像の線幅、潜像の高さ、屈折率、または消光係数を含むことができる。レジストの測定された特性は、フィードバック制御技法またはフィードフォワード制御技法を使用してリソグラフィ・クラスタ・ツールのプロセス・モジュールのパラメータを変更するために使用することができる。たとえば、レジストの測定された特性は、フィードバック制御技法を使用して露光線量または露光後ベーク温度を変更するために、またはフィードフォワード制御技法を使用して現像時間を変更するために使用することができる。
　　【００３６】
　測定装置は、冷却プロセスの後で、またはその間に、フィールド内の複数の位置で、またウェハ上の少なくとも２つのフィールド内の複数の位置で、レジストの特性を測定するように構成することができる。このような形で、リソグラフィ・クラスタ・ツールのプロセス・モジュールの少なくとも１つのパラメータを、ウェハ全体にわたって様々な位置で決定することができる。したがって、露光プロセス・モジュール、露光後ベーク・プロセス・モジュール、または現像プロセス・モジュールのパラメータは、上述のようにウェハ上のフィールドからフィールドにかけて独立して変更することができる。たとえば、露光後ベーク・プロセス・モジュールのベーク・プレートの温度は、フィールドからフィールドにかけてウェハ全体にわたるレジストの少なくとも１つの測定特性の変動に応答して、ベーク・プレート全体にわたって変わる可能性がある。したがって、上述のように、クリティカルなパラメータのウェハ内変動を低減し、あるいはさらに最小限に抑えることができる。
（途中略）
　　【００３８】
　リソグラフィ・プロセス内で必要とされるプロセス・モジュールのパラメータは、フィードバック制御技法を使用して、測定された特性に応答して変更することができる。たとえば、プロセス・モジュールの変更されたパラメータは、レジストの測定された特性の関数とすることができる。フィードバック制御技法は、たとえば、現像プロセスの後でレジスト内に形成されたフィーチャの線幅を測定すること、および露光プロセス・モジュールまたは露光後ベーク・プロセス・モジュールのパラメータを変更することを含むことができ、これを使用して追加のウェハを作製することができる。さらに、レジスト内に形成されたフィーチャの線幅は、現像プロセス・ステップの後でウェハ全体にわたって様々な位置で測定することができる。このような形で、露光プロセス・モジュールのパラメータは、各フィールドで露光線量や露光合焦条件など露光プロセス・ステップのパラメータを変更することにより、レジストの測定された特性に応答して、フィールド・レベルで変更することができる。
したがって、制御装置コンピュータは、レジストの測定された特性に応答して、露光線量および／または露光合焦条件の２次元アレイを露光プロセス・モジュールに提供することができる。したがって、リソグラフィ・プロセスのウェハ内クリティカル測定基準を低減し、あるいはさらに最小限に抑えることができる。
　
ｈ．「【００４３】
　したがって、一実施形態では、測定装置を少なくとも１つのプロセス・モジュールに結合し、それにより、測定装置がレジストのｉｎ　ｓｉｔｕ測定を実行できるようにすることができる。別法では、測定装置をリソグラフィ・クラスタ・ツール内に配置し、それにより、測定装置が２つのプロセス・ステップ中でレジストの測定を実行できるようにすることができる。このような形で、本明細書で述べる方法は、従来のリソグラフィ・プロセス制御方法よりターン・アラウンド時間を速くすることができる。本明細書で述べるように、少なくともその１つの測定された特性は、厚さ、屈折率、消光係数、潜像の線幅、潜像の高さ、フィーチャの幅、フィーチャの高さ、フィーチャの側壁プロフィル、オーバーレイ、またはそれらの任意の組合せを含むことができる。少なくともその１つの測定装置はまた、ウェハ全体にわたって様々な場所でレジストの少なくともその１つの特性を測定するように構成することができる。たとえば、レジストの厚さは、ウェハ全体にわたって様々な位置またはフィールドで測定することができる。
さらに、レジストの特性は、ウェハのフィールド内の様々な位置で、またはウェハのいくつかのフィールド内の様々な位置で測定することができる
　【００４４】
　プロセス・モジュールは、リソグラフィ・プロセスのステップを実行するように構成することができる。図１に示すように、たとえば、そのようなプロセス・モジュールは、それだけには限らないが、表面準備チャンバ１２、レジスト塗布プロセス・モジュール１６、塗布後ベーク・プロセス・モジュール１８、露光プロセス・モジュール２６、露光後ベーク・プロセス・モジュール３０、現像プロセス・モジュール３６、ハード・ベーク・プロセス・モジュール４０を含むことができる。プロセス・モジュールの少なくとも１つのパラメータは、少なくともその１つの測定された特性に応答して変更し、リソグラフィ・プロセスのウェハ内クリティカル測定基準を低減し、あるいはさらに最小限に抑えることができるようにすることができる。たとえば、プロセス・モジュールの少なくとも１つのパラメータは、フィードバック制御技法、フィードフォワード制御技法、ｉｎ　ｓｉｔｕ制御技法、またはそれらの任意の組合せを使用して変更することができる。
　【００４５】
　さらに、プロセス・モジュールの少なくともその１つのパラメータは、ウェハの第１の部分を、リソグラフィ・プロセスのステップ中に第１の１組のプロセス条件で加工することができるように、かつウェハの第２の部分を、そのステップ中に第２の１組のプロセス条件で加工することができるように変更することができる。たとえば、ウェハの各部分はウェハのフィールドとすることができる。このような形で、ウェハの各フィールドは、それだけには限らないが、露光線量および合焦条件および露光後ベーク温度など、様々なプロセス条件を受けることができる。したがって、ウェハの各フィールドが、ウェハ上に形成されたレジストの測定された特性に応じて変わる可能性のあるプロセス条件を受けることができるため、リソグラフィ・プロセスのクリティカルな測定基準のウェハ内変動を実質的に低減し、あるいはさらに最小限に抑えることができる。
　　【００４６】
　本システムはまた、少なくとも１つの測定装置に、また少なくとも１つのプロセス・モジュールに結合された制御装置コンピュータを含む。図１に示すように、たとえば、制御装置コンピュータは、ウェハ内被膜制御装置２４内、およびウェハ内クリティカル寸法測定装置４８を含むことができる。制御装置コンピュータは、当技術分野で周知のどんな制御装置デバイスでも含むことができる。制御装置コンピュータは、測定装置からレジストの少なくとも１つの測定された特性を受け取るように構成することができる。さらに、制御装置コンピュータは、レジストの測定された特性に応答して、プロセス・モジュールの少なくとも１つのパラメータを決定するように構成することができる。たとえば、制御装置コンピュータは、外部で決定された、または数値シミュレーションされた、特性とパラメータ間の関係を使用して、特性に応答してパラメータを決定するように構成することができる。制御装置コンピュータはさらに、決定されたパラメータに応答してパラメータを変更することができるようにプロセス・モジュールを制御するように構成することができる。したがって、プロセス・ステップの変更されたパラメータは、レジストの少なくとも１つの測定された特性の関数となる可能性がある。制御装置コンピュータはまた、測定装置を制御してレジストの物理特性を測定するように構成することができる。」
　
（２−２）上記記載を総合すると、引用例には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
　「リソグラフィ・プロセス制御のための方法であって、
　前記リソグラフィ・プロセス中にウェハ全体にわたって様々な位置でレジストの厚さ、屈折率、消光係数、潜像の線幅、潜像の高さ、フィーチャの幅、フィーチャの高さ、オーバーレイ、またはそれらの任意の組合せを含むことができる少なくとも１つの特性を測定装置により測定し、測定した特性を制御装置コンピュータに送る段階、
　前記制御装置コンピュータにより、測定された前記特性に応答して、前記様々な位置のそれぞれについて、プロセス・モジュールの少なくとも１つのパラメータを決定する段階、
　決定されたパラメータを用いてプロセスのステップを実行する段階、
　を備える方法。」
　
（３）補正発明と引用発明との対比
（３−１）引用発明の「リソグラフィ・プロセス」がウェーハの処理であることは当業者における技術常識であるから、引用発明の「リソグラフィ・プロセス制御のための方法」は、補正発明の「ウェーハの処理を制御する方法」に相当する。
　
（３−２）引用発明の「ウェハ」は、補正発明の「ウェーハ」に相当する。
　また、引用発明の「レジストの厚さ、屈折率、消光係数、潜像の線幅、潜像の高さ、フィーチャの幅、フィーチャの高さ、オーバーレイ」のうちの寸法に関する量である「レジストの」「厚さ」、「潜像の線幅」、「潜像の高さ」、「フィーチャの幅」及び「フィーチャの高さ」は、各々補正発明の「『ウェーハにおける』『特徴の寸法』」に相当する。
　そして、引用発明は、「前記リソグラフィ・プロセス中にウェハ全体にわたって様々な位置でレジストの厚さ、屈折率、消光係数、潜像の線幅、潜像の高さ、フィーチャの幅、フィーチャの高さ、オーバーレイ、またはそれらの任意の組合せを含むことができる少なくとも１つの特性を測定装置により測定し、測定した特性を制御装置コンピュータに送る段階」に続いて、「前記制御装置コンピュータにより、測定された前記特性に応答して、前記様々な位置のそれぞれについて、プロセス・モジュールの少なくとも１つのパラメータを決定する段階」を実行しているが、そのためには、「ウェハ全体」の「様々な位置」の情報、及び各位置において測定された「レジストの厚さ、屈折率、消光係数、潜像の線幅、潜像の高さ、フィーチャの幅、フィーチャの高さ、オーバーレイ」という情報を「制御装置コンピュータ」に記憶しておく必要があることは当業者にとって明らかである。
　ここにおいて、「ウェハ全体」の「様々な位置」の情報、及び各位置において測定された「レジストの厚さ、屈折率、消光係数、潜像の線幅、潜像の高さ、フィーチャの幅、フィーチャの高さ、オーバーレイ」という情報とは、「ウェハ」の位置の関数として、複数の「レジストの厚さ、屈折率、消光係数、潜像の線幅、潜像の高さ、フィーチャの幅、フィーチャの高さ、オーバーレイ」の変動を記録したマップ情報にほかならない。
　したがって、引用発明は、補正発明と同様に、「ウェーハにおける複数の特徴の各々の寸法マップを決定する段階であって、該寸法マップを決定する段階は前記ウェーハの位置の関数として前記複数の特徴の寸法の変動を決定する段階を有する、決定する段階」を備えているものと認められる。
　
（３−３）引用発明の「プロセス・モジュールの少なくとも１つのパラメータ」は、補正発明の「１つ又はそれ以上の処理システムの少なくとも１つの物理属性」に相当する。
　また、上記（３−２）において検討したとおり、引用発明は、「ウェハ全体」の「様々な位置」の情報、及び各位置において測定された「レジストの厚さ、屈折率、消光係数、潜像の線幅、潜像の高さ、フィーチャの幅、フィーチャの高さ、オーバーレイ」という情報、すなわち、「ウェハ」の位置の関数として、複数の「レジストの厚さ、屈折率、消光係数、潜像の線幅、潜像の高さ、フィーチャの幅、フィーチャの高さ、オーバーレイ」の変動を記録したマップ情報を「制御装置コンピュータ」に記憶する構成となっている。
　そして、引用発明の「前記制御装置コンピュータにより、測定された前記特性に応答して、前記様々な位置のそれぞれについて、プロセス・モジュールの少なくとも１つのパラメータを決定する段階」を実現するためには、例えば、引用例の００３８段落に「制御装置コンピュータは、レジストの測定された特性に応答して、露光線量および／または露光合焦条件の２次元アレイを露光プロセス・モジュールに提供することができる。」と記載されているように、上記のマップ情報に応じて、「ウェハ」の各位置における「プロセス・モジュールの少なくとも１つのパラメータ」をどのような値とするのかを決定する（引用例の記載に即していえば、「プロセス・モジュールの少なくとも１つのパラメータ」の２次元アレイを決定する）必要があることは当業者にとって明らかである。
　ここにおいて、「ウェハ」の各位置における「プロセス・モジュールの少なくとも１つのパラメータ」をどのような値とするのかを決定する（「プロセス・モジュールの少なくとも１つのパラメータ」の２次元アレイを決定する）ことは、「ウェハ」の位置に対して「プロセス・モジュールの少なくとも１つのパラメータ」の値が対応するマップ、すなわちパラメータマップを決定することにほかならない。
　さらに、引用発明の「プロセス・モジュールの少なくとも１つのパラメータ」が、「ウェハ」の複数の位置の各々において可変であることは自明である。
　したがって、引用発明の「前記制御装置コンピュータにより、測定された前記特性に応答して、前記様々な位置のそれぞれについて、プロセス・モジュールの少なくとも１つのパラメータを決定する段階」は、補正発明の「前記寸法マップから処理パラメータマップを決定する段階であって、前記処理パラメータマップは１つ又はそれ以上の処理システムの少なくとも１つの物理属性に適合し、前記少なくとも１つの物理属性は前記ウェーハの複数の位置の各々において可変である、段階」に相当する。
　
（３−４）引用発明の「決定されたパラメータを用いてプロセスのステップを実行する段階」は、補正発明の「前記処理パラメータマップに従って前記ウェーハの複数の位置の各々を処理する段階」に相当する。
　
（３−５）以上を総合すると、補正発明と引用発明とは、
　
　「ウェーハの処理を制御する方法であって：
　ウェーハにおける複数の特徴の各々の寸法マップを決定する段階であって、該寸法マップを決定する段階は前記ウェーハの位置の関数として前記複数の特徴の寸法の変動を決定する段階を有する、決定する段階；
　前記寸法マップから処理パラメータマップを決定する段階であって、前記処理パラメータマップは１つ又はそれ以上の処理システムの少なくとも１つの物理属性に適合し、前記少なくとも１つの物理属性は前記ウェーハの複数の位置の各々において可変である、段階；及び
　前記処理パラメータマップに従って前記ウェーハの複数の位置の各々を処理する段階；
　を有することを特徴とする方法。」
　
　である点、すなわち、すべての点で一致し、相違点は存在しない。
　したがって、補正発明は、引用例に記載された発明である。
　
（４）独立特許要件についてのまとめ
　以上検討したとおり、補正発明は、引用例に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　したがって、本件補正は、補正後の特許請求の範囲の請求項１に記載されている事項により特定される発明が、特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項をいう。以下同じ。）の規定に適合しない。
　
５．補正の却下の決定のむすび
　本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないものであるから、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３．本願発明について
　平成２３年５月３１日に提出された手続補正書による補正は前記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜２０に係る発明は、平成２２年１２月１４日に提出された手続補正書により補正された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜２０に記載されている事項により特定されるとおりのものであり、そのうちの請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、請求項１に記載されている事項により特定される、上記第２．１．の「（補正前）」の箇所に記載したとおりのものである。
　一方、本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布され、原査定の根拠となった拒絶の理由において引用された刊行物である特表２００３−５３２３０６号公報（引用例）には、前記第２．４．（２）に記載したとおりの事項及び発明（引用発明）が記載されているものと認められる。
　そして、本願発明に対して技術的事項を付加した発明である補正発明は、前記第２．４．において検討したとおり、引用例に記載された発明であるから、本願発明も当然に、引用例に記載された発明である。
　したがって、本願発明は、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。
　
第４．むすび
　以上のとおりであるから、他の請求項について検討するまでもなく、本願は拒絶をすべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。