【事件の表示】
　特願２００８−１７８１１０「平板表示装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２０年１１月２０日出願公開、特開２００８−２８２８１８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１６年５月１４日（優先権主張　平成１５年５月２８日）に出願した特願２００４−１４５４３６号の一部を平成２０年７月８日に新たな特許出願とした特願２００８−１７８１１０号であって、平成２２年７月２９日付けで拒絶理由が通知され、同年１１月２５日付けで意見書が提出されるとともに、同日付けで手続補正がなされ、平成２３年６月２１日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年１０月２８日に拒絶査定不服審判の請求がなされ、同日付けで手続補正がなされたものである。
　その後、当審において平成２４年７月２３日付けで、前置報告書の内容について請求人に事前に意見を求める審尋をなし、同年１０月２２日付けで回答書が提出された。
　
　
第２　平成２３年１０月２８日付けの手続補正についての補正の却下の決定
　
［補正の却下の決定の結論］
　平成２３年１０月２８日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
　
［補正の却下の決定の理由］
１　本件補正について
（１）本件補正により、特許請求の範囲の請求項１に係る発明については、平成２２年１１月２５日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載の、
「基板上に順次形成された下部電極、少なくとも一つの有機薄膜層及び上部電極を含め、
　前記上部電極は、前記有機薄膜層側に形成されたグレーンサイズが大きい第１薄膜と、前記第１薄膜上に形成され前記第１薄膜よりは相対的にグレーンサイズが小さい第２薄膜と、を具備し、
　前記第２薄膜はグレーンサイズが１０ｎｍ以下であり、前記第２薄膜はＡｌで形成される、有機電界発光表示装置。」が、
　
「基板上に順次形成された下部電極、少なくとも一つの有機薄膜層及び上部電極を含め、
　前記上部電極は、前記有機薄膜層側に形成されたグレーンサイズが大きい第１薄膜と、前記第１薄膜上に形成され前記第１薄膜よりは相対的にグレーンサイズが小さい第２薄膜と、を具備し、
　前記第２薄膜はグレーンサイズが１０ｎｍ以下であり、グレーン間の間隔が５ｎｍ以下であり、前記第２薄膜はＡｌで形成される、有機電界発光表示装置。」と補正された。
　
（２）本件補正による特許請求の範囲の請求項１における補正は、請求項１の「第１薄膜よりは相対的にグレーンサイズが小さい第２薄膜」について「グレーン間の間隔が５ｎｍ以下」とした特定する補正事項からなる。
　
　上記補正事項については、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであることは明らかである。
  したがって、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法（以下「平成１８年改正前特許法」という。）第１７条の２第４項第２号に掲げる事項を目的とするものを含むから、本件補正によって補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された発明（以下「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する特許法第１２６条第５項の規定に違反しないか）について検討する。
　
２　特許法第３６条第４項第１号（実施可能要件）違反についての検討
（１）本願補正発明の特定事項に関する発明の詳細な説明の記載
　本願補正発明における特定事項である「第２薄膜はグレーンサイズが１０ｎｍ以下であり、グレーン間の間隔が５ｎｍ以下であ」ることについて、発明の詳細な説明には【００１４】及び【００１８】〜【００１９】において、【図３】及び【図４】を用いて説明がなされている。上記箇所には、次の事項が記載されている。
　
「【００１４】
　前記第１Ａｌ薄膜２４１は、１０ｎｍないし１μｍのグレーンサイズを有し、グレーン間の幅、すなわち、グレーン間の間隔（ｓｐａｃｅ）は、１ｎｍないし１００ｎｍの大きさを有する。前記第２Ａｌ薄膜２４２は、１００ｎｍ以下のグレーンの大きさを有し、グレーン間の間隔は５ｎｍ以下の大きさを有する。」
　
「【００１８】
　図３と図４は、本発明の実施例による有機電界発光表示装置において、カソード電極２４０の緻密度を示す写真である。図３は、カソード電極２４０中、緻密度が低い第１Ａｌ膜２４１に対する写真であり、図３は、カソード電極２４０中、緻密度が高い第２Ａｌ膜２４２に対する写真である。
【００１９】
　図３と図４で、第１Ａｌ薄膜２４１は、熱的イバポレーション方法（ｔｈｅｒｍａｌ　ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ）を利用して１０００Åの厚さで蒸着された膜であり、第２Ａｌ薄膜２４２は、ＩＢＡＤ（ｉｏｎ　ｂｅａｍ　ａｓｓｉｓｔｅｄ　ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）方法を利用して１０００Åの厚さで蒸着された膜である。熱的イバポレーション方法で蒸着された第１Ａｌ薄膜２４１はグレーン３１のサイズが０．２μｍであり、ＩＢＡＤ方法で蒸着された第２Ａｌ薄膜２４２は、グレーン４１のサイズが０．０１μｍであることがわかる。従って、ＩＢＡＤ方法で蒸着された第２Ａｌ薄膜２４２が熱的イバポレーション方法により蒸着された第１Ａｌ薄膜２４１よりもっと緻密に形成されていることがわかる。
【００２０】
　前述したような構造を持つ、本発明の有機電界発光表示装置の製造方法を図２を参照しながら説明する。
【００２１】
　まず、透明な絶縁基板であるガラス基板３１０上にアノード電極３２０を形成し、前記アノード電極３２０上に有機薄膜層３３０を形成する。前記有機薄膜層３３０は、図面上には示されてないが、ホール注入層、ホール輸送層、ホール障壁層、電子輸送層、電子注入層中、少なくとも一つを有する発光層で成り立つ。
【００２２】
　続いて、前記有機薄膜層３３０上に通常的に熱的イバポレーションまたはイオンビーム蒸着法を利用してグレーンサイズが大きくて緻密度低い第１Ａｌ薄膜３４１を蒸着し、前記第１Ａｌ薄膜３４１上にＩＢＡＤ方法を利用してグレーンサイズが小さくて緻密度が高い第２Ａｌ薄膜３４２を蒸着する。
【００２３】
　前記ＩＢＡＤ方法は、Ａｌソース（図では示されない）からＡｌを基板上に蒸着する時、補助イオン（ａｓｓｉｓｔ　ｉｏｎ）としてＡｒ＋イオン等を追加して蒸着させることで、Ａｒ＋イオンによりＡｌ膜を緻密に蒸着させると言う方法である。従って、ＩＢＡＤ方法により蒸着された第２Ａｌ薄膜３４２のグレーン間の間隔が減少するようになって、結晶粒界（ｇｒａｉｎ　ｂｏｕｎｄａｒｙ）の界面での多孔質（ｐｏｒｏｕｓ）特性が減少するようになる。
【００２４】
　前記ＩＢＡＤ方法で、イオンソースとして、Ｋａｆｆｍａｎ方式、Ｅｎｄｈａｌｌ方式またはＡＰＳ（Ａｄｖａｎｃｅｄ　Ｐｌａｓｍａ　Ｓｏｕｒｃｅ）方式のイオンガン（ｉｏｎ　ｇｕｎ）を使用する。前記カソード電極２４０用の第１Ａｌ膜２４１は、１０−５ないし１０−７ｔｏｒｒの圧力で蒸着され、第２Ａｌ膜２４２は、１０−５ｔｏｒｒ以下の圧力で蒸着される。
【００２５】
　本発明の実施例で、第１Ａｌ膜３４１と第２Ａｌ膜３４２は、同一チェンバー内で連続してインシツ（ｉｎｓｉｔｕ）で蒸着されることもあり、非連続式で蒸着されることもある。」
　
「【図３】
【図４】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
　
（２）当審における検討
　上記記載から、本願の発明の詳細な説明に、本願補正発明における「第２薄膜はグレーンサイズが１０ｎｍ以下であり、グレーン間の間隔が５ｎｍ以下であ」るＡｌ薄膜の形成を当業者が実施できる程度に明確かつ十分に記載されているかについて検討する。
　上記明細書及び図面の【００１４】【図３】【図４】の記載は、Ａｌの薄膜が製造された結果の状態を示すものであるから、これらの記載が、「グレーンサイズが１０ｎｍ以下であり、グレーン間の間隔が５ｎｍ以下であ」るＡｌ薄膜の形成の実施を可能とすることと関係のある記載ではないことは明らかである。
　また、【００２４】に記載されている「１０−５ｔｏｒｒ以下の圧力で蒸着される」は、蒸着に適した真空圧が示されたものであって、「グレーンサイズ」や「グレーン間の間隔」を左右する数値ではない。これは、上記【００２４】の記載によれば、第１Ａｌ膜２４１を形成する際の蒸着の圧力が「１０−５ないし１０−７ｔｏｒｒ」とされ、第２Ａｌ膜２４２を形成する際の蒸着の圧力が「１０−５ｔｏｒｒ以下」とされ、いずれも、「１０−５ｔｏｒｒ以下」の圧力が用いられることからも明らかである。
　以上を踏まえると、上記発明の詳細な説明及び図面の記載、並びに、上記意見書の主張から、本願明細書の発明の詳細な説明には、「グレーンサイズが１０ｎｍ以下であり、グレーン間の間隔が５ｎｍ以下」のＡｌ薄膜の形成の実施を可能とする事項（設定条件）として、「ＩＢＡＤ（ｉｏｎ　ｂｅａｍ　ａｓｓｉｓｔｅｄ　ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）方法を利用」することが記載されているのみであるといえる。
　すると、Ａｌの薄膜を「ＩＢＡＤ（ｉｏｎ　ｂｅａｍ　ａｓｓｉｓｔｅｄ　ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）方法を利用」して形成した場合において、「グレーンサイズが１０ｎｍ以下であり、グレーン間の間隔が５ｎｍ以下」とするには、特定の蒸着条件（イオンの種類、加速電圧、照射量、Ａｌの蒸着速度、基板温度）が必要であれば、上記の特定の蒸着条件を開示していない本願明細書の発明の詳細な説明は、当業者が本願補正発明を実施するために過度の試行を強いるものであるから、発明の詳細な説明は当業者が本願補正発明を実施することができる程度に記載されたものということができない。
　この点、まず最初に、当業者の技術常識から、Ａｌの薄膜を「ＩＢＡＤ（ｉｏｎ　ｂｅａｍ　ａｓｓｉｓｔｅｄ　ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）方法を利用」して形成した場合においては、蒸着条件を考慮しなくても、「グレーンサイズが１０ｎｍ以下であり、グレーン間の間隔が５ｎｍ以下」とすることができるとはいえない。すなわち、「ＩＢＡＤ（ｉｏｎ　ｂｅａｍ　ａｓｓｉｓｔｅｄ　ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）方法を利用」してＡｌの薄膜を形成した場合にも、蒸着条件（イオンの種類、加速電圧、照射量、Ａｌの蒸着速度、基板温度）によって、種々のグレーンサイズやグレーン間隔のＡｌの薄膜を形成することができるとするのが、技術常識といえる。（そうでなければ上記の「ＩＢＡＤ（ｉｏｎ　ｂｅａｍ　ａｓｓｉｓｔｅｄ　ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）方法」は自由度の低い非常に不便な方法であるといえ、そのような方法を利用すること自体が技術常識に反することである。）
　次に、本願明細書の発明の詳細な説明には、Ａｌの薄膜を「ＩＢＡＤ（ｉｏｎ　ｂｅａｍ　ａｓｓｉｓｔｅｄ　ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）方法を利用して」形成した場合においては、特定の蒸着条件を必要とせずに（すなわち、蒸着条件を通常の範囲で設定すれば）、「グレーンサイズが１０ｎｍ以下であり、グレーン間の間隔が５ｎｍ以下」のＡｌ薄膜の形成の実施が可能であることは明記されておらず、むしろ逆に、【００２４】には、ＩＢＡＤ（ｉｏｎ　ｂｅａｍ　ａｓｓｉｓｔｅｄ　ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）方法を利用しても、第１Ａ１膜（「グレーンサイズが１０ｎｍ以下であり、グレーン間の間隔が５ｎｍ以下」のものではないもの）も作成できることが記載されていることに鑑みれば、「グレーンサイズが１０ｎｍ以下であり、グレーン間の間隔が５ｎｍ以下」とするのに、特定の蒸着条件（イオンの種類、加速電圧、照射量、Ａｌの蒸着速度、基板温度）が必要でないとはいえないものと認められる。すなわち、本願明細書の発明の詳細な説明の記載からしても、Ａｌの薄膜を「ＩＢＡＤ（ｉｏｎ　ｂｅａｍ　ａｓｓｉｓｔｅｄ　ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）方法を利用」して形成した場合において、「グレーンサイズが１０ｎｍ以下であり、グレーン間の間隔が５ｎｍ以下」とするために、特定の蒸着条件（イオンの種類、加速電圧、照射量、Ａｌの蒸着速度、基板温度）が必要ではないということはできない。
　よって、「グレーンサイズが１０ｎｍ以下であり、グレーン間の間隔が５ｎｍ以下」のＡｌ薄膜を形成するために、特定の蒸着条件（イオンの種類、加速電圧、照射量、Ａｌの蒸着速度、基板温度）が必要であるとみとめられるところ、本願明細書の発明の詳細な説明には、「グレーンサイズが１０ｎｍ以下であり、グレーン間の間隔が５ｎｍ以下」のＡｌ薄膜を形成するための上記の特定の蒸着条件については何等も開示されておらず、本願明細書の発明の詳細な説明は、「グレーンサイズが１０ｎｍ以下であり、グレーン間の間隔が５ｎｍ以下」のＡｌ薄膜を形成するために、過度の試行錯誤を強いるものであるといえるから、本願補正発明を実施することができる程度に明確かつ十分に記載されたものということができない。
（なお、仮に、Ａｌの薄膜を「ＩＢＡＤ（ｉｏｎ　ｂｅａｍ　ａｓｓｉｓｔｅｄ　ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）方法を利用して」形成した場合においては、蒸着条件を通常の範囲で設定すれば「グレーンサイズが１０ｎｍ以下であり、グレーン間の間隔が５ｎｍ以下」のＡｌの薄膜の形成の実施が可能であるとすれば、すなわち、「ＩＢＡＤ（ｉｏｎ　ｂｅａｍ　ａｓｓｉｓｔｅｄ　ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）方法を利用」することの記載をもって、「グレーンサイズが１０ｎｍ以下であり、グレーン間の間隔が５ｎｍ以下」のＡｌの薄膜の形成が開示されているとする場合には、次の「３　特許法第２９条第２項（発明の進歩性）違反についての検討」において述べる原審の拒絶理由が解消せず、本願補正発明は特許を受けることができないこととなる。）
　
（３）小活
　以上のとおりであるから、本願明細書の発明の詳細な説明は、本願補正発明を実施することができる程度に明確かつ十分に記載されたものということができないから、特許法第３６条第４項第１号に規定した要件を満たしていない。
　
３　特許法第２９条第２項（発明の進歩性）違反についての検討　
ア　本願補正発明について
　本願補正発明は、平成２３年１０月２８日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載されたとおりのものである。（「１　本件補正について」の（１）の項の記載参照。）
　
イ　引用例
（ア）引用例１
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の原出願の優先日前に頒布された刊行物である特開平１１−６７４６１号（以下「引用例１」という。）には、図面の記載とともに以下の事項が記載されている。（下記の「（イ）引用例１に記載された発明の認定」における引用に直接関連した箇所に下線を付した。）
　
「【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、電界発光素子の製造方法に関し、さらに詳しくは、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、電界発光素子として、有機エレクトロルミネッセンス材料層を用いた有機ＥＬ素子が注目されている。この
有機ＥＬ素子
表示デバイス
【０００３】この有機ＥＬ素子の構成は、図１２に示すように、ガラスやプラスチックでなる透明基板１の上に、例えばＩＴＯ（indium tin oxide）でなるアノード電極２が所定方向に沿って複数が平行に形成されている。この透明基板１及びアノード電極２の上には、単数または複数の有機材料層でなる有機ＥＬ層３が表示領域に亙って形成されている。そして、有機ＥＬ層３の上には、アノード電極２と交差する方向に沿って、例えばＭｇＩｎ、ＭｇＡｇなどの低仕事関数の材料でなる、複数のカソード電極４が互いに平行に形成されている。このような構成において、図１３に示すように、アノード電極２とカソード電極４とが交差する部分の有機ＥＬ層３に、正孔と電子が注入されることにより発光し、マトリクス駆動が行われるようになっている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このような有機ＥＬ素子では、有機ＥＬ層３上のカソード電極４をパターニングする場合に、カソード電極４の構成材料が低仕事関数で酸化され易いＭｇＩｎやＭｇＡｇなどであるため、ドライエッチングを行うのに適切なエッチングガスがないという問題点がある。また、有機ＥＬ層３がフォトリソグラフィー工程で用いる、露光用の光（ｉ線、ｇ線、紫外光等）や、現像液などの溶剤や、水分などに弱いため、有機ＥＬ層３が劣化されるという問題点があった。このため、カソード電極４のパターニングには、ドライエッチング技術を用いることができなかった。」
　
「【００１５】
【発明の実施の形態】以下、この発明に係る電界発光素子及びその製造方法の詳細を図面に示す各実施形態に基づいて説明する。
（実施形態１）図１（ａ）に示すように、ガラスまたは合成樹脂でなる
透明基板１１の上に、ＩＴＯでなるアノード電極１２を形成する。
その後、透明基板１１及びアノード電極１２の上に、
有機ＥＬ層１３を形成する。
その後、有機ＥＬ層１３上に、ＭｇＩｎでなる第１金属層１４を
成膜する。
次に、第１金属層１４の上に、Ａｌでなる第２金属層１５を２９００Å〜４３００Å程度の層厚で蒸着する。
第２金属層１５の上に、
ブロッキング層１６を蒸着により比較的薄く（２５０Å程度）成膜する。ブロッキング層１６は、第２金属層１５の材料の結晶構造と異なる結晶構造で形成され、第２金属層１５の結晶粒子の間の隙間を覆うように埋設され、第１金属層１４の酸化を保護する第２保護膜として機能する。
　
「【００１９】上記した製造方法において、Ａｌでなる第２金属層１５の上にＣｒでなるブロッキング層１６を積層した理由を以下に説明する。即ち、図３に示すように、第１金属層１４の上に蒸着により形成したＡｌは、半導体集積回路のＡｌ配線形成で見られる所謂バンブー構造となり、Ａｌの粒界に隙間が存在している。このため、ブロッキング層１６を積層することにより、ＣｒをＡｌの粒界に成長させて隙間を詰めることができ、フォトリソグラフィー工程において現像液や水分がＭｇＩｎでなる第１金属層１４や有機ＥＬ層１３へ浸入するのを防止して、ＭｇＩｎが酸化されて高抵抗化したり、有機ＥＬ層１３が劣化を起こして電界発光素子１０にダークスポットが発生するなどの不都合を防止している。
【００２０】本実施形態では、
ブロッキング層１６として、
第２金属層１５と同種の金属（Ａｌ）でなり結晶構造の異なるブロッキング層１６Ａを積層するようにしてもよい。
緻密な同種の金属層を蒸着源を変えずに連続して成膜することができる。
　
「【図１】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
　
「【図４】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
（イ）引用例１に記載された発明の認定
　上記の引用例１の記載事項から、引用例１には、
「透明基板１１の上に、ＩＴＯでなるアノード電極１２を形成し、その上に、有機ＥＬ層１３を形成し、その上に、ＭｇＩｎでなる第１金属層１４を成膜し、その上に、Ａｌでなる第２金属層１５を蒸着し、その上に、ブロッキング層１６を蒸着により成膜し、
ブロッキング層１６は、第２金属層１５と同種の金属（Ａｌ）でなり、第２金属層１５の材料の結晶構造と異なる緻密な結晶構造で形成され、第１金属層１４の酸化を保護する第２保護膜として機能する有機ＥＬ素子からなる表示デバイス。」
の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されている。
　
（ウ）引用例２
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の原出願の優先日前に頒布された刊行物である特開平３−１８７１９３号（以下「引用例２」という。）には、図面の記載とともに以下の事項が記載されている。
　
「〔産業上の利用分野〕
　本発明は、表示素子や面光源として用いられる薄膜ＥＬ素子に関する。」（第２ページ左上欄第２〜４行）
　
「〔実施例１〕
　第１図は、本実施例の簿膜ＥＬ素子の縦断面構造を示す概念図である。この素子は、ドット表示が可能なマクリックス表示型の素子である。
　この素子は、ガラス、プラスチック等からなる透明基板上ｌｌ上に、短冊状の透明電極層（例えば、ＩＴＯ、ＳｎＯ２、Ｉｎ２Ｏ３等）１２と短冊状の背面電極（例えば、Ａｌ）１６とが互いにその短冊の方向を直角にして対向しており、その間に、発光層１４が、両面を第１絶縁層１３と第２絶縁層１５とに挟まれて、存在する。
　電極層１２、１６、発光層１４、絶縁層１３、１５は、いずれも、真空蒸着、スパッタリング等の真空薄膜形成法により作成されたものである。
　電極層１２、第１絶縁層１３、発光層１４、第２絶縁層１５及び背面電極１６の五層積層物をＥＬ層と呼ぶと、ＥＬ層は、密閉空間１７を介して封止板１９で封止されている。」（第３ページ左上欄第１〜１８行）
　
「尚、図示していないが、背面電極１６からは、接着剤１０と基板１１との間に存在する引出電極を通じて、それぞれ外部に引き出されている。
本実施例の場合、背面電極１６の端末部分がそのまま引出電極を形成している。同様に、透明電極層１２も、それ自身の端末部分がそのまま引出電極を構成している。
　引出電極は、ＩＴＯやＡｌで形成した場合には、基板１１との密着性及び緻密性が比較的高いので封止は良好になされるが、更に、密着性及び緻密性の高い材料で形成することにより、封止特性を向上させることができる。特に、例えば、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ａｌ、ＡｌＳｉ（アルミウニムシリケート）又はＡｌＣｕＳｉ（アルミウニム銅シリケート）から選択された少なくとも１種からなる薄膜で形成することは好ましいことである。
　このような金属からなる引出電極をｒｆマグネトロンスパッタリング、イオンビームスパッタリング、イオンビームアシスト蒸着、イオンプレーテイング又は汎用真空蒸着法により、基板１１上に形成すると、引出電極層は基板１１との密着性が特に高く、膜質が特に緻密になるので、膜又は膜と基板との境界を通って侵入する外気をほとんどなくすることができる。」（第３ページ左下欄第３行〜右下欄第７行）
　
（エ）引用例３
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の原出願の優先日前に頒布された刊行物である特開平９−２２７８２号（以下「引用例３」という。）には、図面の記載とともに以下の事項が記載されている。（下記の「（オ）引用例３に記載された発明の認定」における引用に直接関連した箇所に下線を付した。）
　
「【０００１】
【産業上の利用分野】この発明はエレクトロルミネッセンス（ＥＬ）現象を利用した有機ＥＬ素子と、その製造方法特に陰電極層の形成法に特徴を有した製造方法とに関するものである。」
　
「【０００６】
【課題を解決するための手段】この目的の達成を図るため、この出願に係る発明者は鋭意研究を進めた。その結果、電子輸送性発光層として知られる例えばアルミキノリノ−ル錯体（トリス（８−ヒドロキシキノリノール）アルミニウム）有機膜上へ、単体金属であって陰電極層の構成材料として本来は使用したい単体金属例えばＭｇを蒸着して陰電極層を得る場合、Ｍｇの蒸着速度を１．０ｎｍ／ｓ以上にしていくと、膜表面が荒く、大気に対して不安定ではあるが、有機膜への付着性が増すことを見いだすと同時に、Ｍｇの蒸着速度を０．５ｎｍ／ｓ以下にすることにより、有機膜への付着性はなくなるが、緻密でかつ表面が平坦で、大気に対しても比較的安定な陰電極層を成膜できること、および、有機膜上に速い蒸着速度でＭｇ膜を形成することにより、陰電極層形成時の有機膜へのダメージが軽減することを見出して、この出願の各発明を完成するに至った。
【０００７】したがって、この出願の第一発明によれば、
少なくとも陽電極層、単数あるいは複数の有機膜層、陰電極層をこの順に具える有機ＥＬ素子において、前記陰電極層を、単体の金属から成り前記有機膜層に対する付着層として主に機能する第１の層と、該第１の層上に設けられ前記金属から成り陰電極として機能し然も前記第１の層より緻密な第２の層とで構成してある
【０００８】また、この出願の第二発明によれば、少なくとも陽電極層、単数あるいは複数の有機膜層、陰電極層をこの順に具える有機ＥＬ素子を製造するに当たり、陰電極層の形成は、単体の金属を蒸発源として用い蒸着速度が前記単体の金属の前記有機膜への付着を確保でき然も膜厚制御ができる範囲の第１の蒸着条件で第１の層を形成し、次いで、蒸着速度を前記第１の蒸着条件より遅くした第２の蒸着条件で第２の層を形成することによって行なうことを特徴とする。
【０００９】なお、第一発明においていう単体の金属とは、陰電極層の構成材料として好適な物性を有した種々のものをいう。また、第二発明においていう単体の金属とは陰電極層の構成材料として好適な物性を有しかつ蒸着が可能な種々のものをいう。仕事関数が有機ＥＬ素子の陰電極層を構成するために好適な値を示す金属で蒸着が可能な金属はこれら第一および第二発明でいう単体金属の好適例として挙げられる。例えば、マグネシウム（Ｍｇ）、インジウム（Ｉｎ），ガリウム（Ｇａ）、カドミウム（Ｃｄ）は仕事関数が４ｅＶ以下であるのでここでいう単体の金属の好適例として挙げられる。また、
アルミニウムも上記列挙のものよりは仕事関数が大きいが（４．２ｅＶ）、ここでいう単体の金属の好適例として挙げられる。
　
　
「【図１】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
　
（オ）引用例３に記載された発明の認定
　【図１】から、陽電極層３はガラス基板上に積層されているから、上記の引用例３の記載事項から、引用例３には、
「ガラス基板、陽電極層、単数あるいは複数の有機膜層、陰電極層をこの順に具える有機ＥＬ素子において、前記陰電極層を、単体の金属から成り前記有機膜層に対する付着層として主に機能する第１の層と、該第１の層上に設けられ前記金属から成り陰電極として機能し然も前記第１の層より緻密な第２の層とで構成してあり
　陰電極層の単体の金属としてアルミニウムを用いる有機ＥＬ素子。」
の発明（以下「引用発明３」という。）が記載されている。
　
ウ　本願補正発明と引用発明１の対比
（ア）ここで、本願補正発明と引用発明１とを対比する。
　
　引用発明１の「透明基板１１」「ＩＴＯでなるアノード電極１２」及び「有機ＥＬ層１３」が、本願補正発明の「基板」「下部電極」及び「少なくとも一つの有機薄膜層」に相当し、引用発明１の「ＭｇＩｎでなる第１金属層１４」、その上の「Ａｌでなる第２金属層１５」及びその上の「ブロッキング層１６」が、本願補正発明の「上部電極」に相当するから、引用発明１の「透明基板１１の上に、ＩＴＯでなるアノード電極１２を形成し、その上に、有機ＥＬ層１３を形成し、その上に、ＭｇＩｎでなる第１金属層１４を成膜し、その上に、Ａｌでなる第２金属層１５を蒸着し、その上に、ブロッキング層１６を蒸着により成膜」することが、本願補正発明の「基板上に順次形成された下部電極、少なくとも一つの有機薄膜層及び上部電極を含め」ることに相当する。
　
　引用発明１の「第２金属層１５」及び「ブロッキング層１６」が、それぞれ、本願補正発明の「第１薄膜」及び「第２薄膜」に相当し、また、一般に、金属結晶の粒径が小さい方が、金属結晶は緻密になるといえる（必要とあらば、特開２００３−３２６３５６号公報（【００２７】）、特開２００２−４３６４２号公報（【００１３】）参照）から、引用発明１の「Ａｌでなる第２金属層１５を蒸着し、その上に、ブロッキング層１６を蒸着により成膜し、ブロッキング層１６は、第２金属層１５と同種の金属（Ａｌ）でなり、第２金属層１５の材料の結晶構造と異なる緻密な結晶構造で形成され」ることが、本願補正発明の「上部電極は、前記有機薄膜層側に形成されたグレーンサイズが大きい第１薄膜と、前記第１薄膜上に形成され前記第１薄膜よりは相対的にグレーンサイズが小さい第２薄膜と、を具備」することに相当する。
　
　引用発明１の「ブロッキング層１６は、第２金属層１５と同種の金属（Ａｌ）でな」ることが、本願補正発明の「第２薄膜はＡｌで形成される」ことに相当する。
　
　引用発明１の「有機ＥＬ素子からなる表示デバイス」が、本願補正発明の「有機電界発光表示装置」に相当する。
　
（イ）本願補正発明と引用発明１の一致点
　したがって、本願補正発明と引用発明１とは、
「基板上に順次形成された下部電極、少なくとも一つの有機薄膜層及び上部電極を含め、
　前記上部電極は、前記有機薄膜層側に形成されたグレーンサイズが大きい第１薄膜と、前記第１薄膜上に形成され前記第１薄膜よりは相対的にグレーンサイズが小さい第２薄膜と、を具備し、
　前記第２薄膜はＡｌで形成される、有機電界発光表示装置。」の発明である点で一致し、次の各点で相違する。
　
（ウ）本願補正発明と引用発明１の相違点
相違点１：
　本願補正発明の第２薄膜は、「グレーンサイズが１０ｎｍ以下であり、グレーン間の間隔が５ｎｍ以下」であるのに対して、引用発明１のブロッキング層１６（本願補正発明の第２薄膜に相当）においてはその点の特定がない点。
　
エ　当審の判断
（ア）次に、上記相違点１について検討する。
　引用例２には、薄膜ＥＬ素子における引出電極を「Ａｌ」で形成すること、及び、当該引き出し電極を「イオンビームアシスト蒸着」により、基板１１上に形成すると、「膜質が特に緻密になる」ので、膜又は膜と基板との境界を通って侵入する外気をほとんどなくすることができることが記載されているといえる。
　引用発明１においても、より外気からのバリヤ性を高める技術課題を有することは自明であり、そのために、上記引用例２に記載された発明を適用し、「Ａｌ」で形成された電極の薄膜を「イオンビームアシスト蒸着」によって形成するとすることは、当業者が容易に想到し得たことである。
　そして、上記「２　特許法第３６条第４項第１号（実施可能要件）についての検討」の「（３）当審の判断」の「ウ」で述べたように、「ＩＢＡＤ（ｉｏｎ　ｂｅａｍ　ａｓｓｉｓｔｅｄ　ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）方法」すなわち「イオンビームアシスト蒸着」を利用する場合には、蒸着に適した真空圧及び通常の範囲での装置の設定により「グレーンサイズが１０ｎｍ以下であり、グレーン間の間隔が５ｎｍ以下」のＡｌの薄膜が形成されるといえるのであるから、上記の適用によって、上記相違点１に係る本願補正発明の構成を得ることは当業者が容易になし得たことであるといえる。
　
（イ）本願補正発明の奏する作用効果
　そして、本願補正発明によってもたらされる効果は、引用発明１及び引用例２に記載の発明から当業者が予測し得る程度のものである。
　
（ウ）まとめ
　以上のとおり、本願補正発明は、引用発明１及び引用例２に記載の発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
オ　本願補正発明と引用発明３の対比
（ア）ここで、本願補正発明と引用発明３とを対比する。
　
　引用発明３の「ガラス基板」、「陽電極層」、「単数あるいは複数の有機膜層」及び「陰電極層」が、本願補正発明の「基板」、「下部電極」、「少なくとも一つの有機薄膜層」及び「上部電極」に相当し、引用発明３の「ガラス基板、陽電極層、単数あるいは複数の有機膜層、陰電極層をこの順に具える」ことが、本願補正発明の「基板上に順次形成された下部電極、少なくとも一つの有機薄膜層及び上部電極を含め」ることに相当する。
　
　引用発明３の（陰電極層の）「第１の層」及び「第２の層」が、それぞれ、本願補正発明の「第１薄膜」及び「第２薄膜」に相当し、また、一般に、金属結晶の粒径が小さい方が、金属結晶は緻密になるといえる（必要とあらば、特開２００３−３２６３５６号公報（【００２７】）、特開２００２−４３６４２号公報（【００１３】）参照）から、引用発明３の「前記陰電極層を、単体の金属から成り前記有機膜層に対する付着層として主に機能する第１の層と、該第１の層上に設けられ前記金属から成り陰電極として機能し然も前記第１の層より緻密な第２の層とで構成してあ」ることが、本願補正発明の「上部電極は、前記有機薄膜層側に形成されたグレーンサイズが大きい第１薄膜と、前記第１薄膜上に形成され前記第１薄膜よりは相対的にグレーンサイズが小さい第２薄膜と、を具備」することに相当する。
　
　引用発明３においては（陰電極層の）「第１の層」と「第２の層」は同じ金属からなるから、引用発明３の「陰電極層の単体の金属としてアルミニウムを用いる」ことが、本願補正発明の「第２薄膜はＡｌで形成される」ことに相当する。
　
　引用発明３の「有機ＥＬ素子」と、本願補正発明の「有機電界発光表示装置」は、「有機ＥＬ素子を備える装置」である点で一致する。
　
（イ）本願補正発明と引用発明３の一致点
　したがって、本願補正発明と引用発明３とは、
「基板上に順次形成された下部電極、少なくとも一つの有機薄膜層及び上部電極を含め、
　前記上部電極は、前記有機薄膜層側に形成されたグレーンサイズが大きい第１薄膜と、前記第１薄膜上に形成され前記第１薄膜よりは相対的にグレーンサイズが小さい第２薄膜と、を具備し、
　前記第２薄膜はＡｌで形成される、有機ＥＬ素子を備える装置。」の発明である点で一致し、次の各点で相違する。
　
（ウ）本願補正発明と引用発明３の相違点
ａ　相違点２：
　本願補正発明の第２薄膜は、「グレーンサイズが１０ｎｍ以下であり、グレーン間の間隔が５ｎｍ以下」であるのに対して、引用発明３の第２の層（本願補正発明の第２薄膜に相当）においてはその点が明確でない点。
　
ｂ　相違点３：
　有機ＥＬ素子を備える装置が、本願補正発明においては「表示装置」であるのに対して，引用発明３においてはその点の特定がない。
　
カ　当審の判断
（ア）次に、上記相違点について検討する。
ａ　相違点２について
　相違点２については、本願補正発明と引用発明１との相違点１と同様のものであり、上記「エ　当審の判断」において検討したのと同様の理由により、引用発明３に引用例２に記載された発明を適用して、上記相違点２に係る本願補正発明の構成を得ることは当業者が容易になし得たことである。
　
ｂ　相違点３について
　有機ＥＬ素子を表示装置に用いることは、例を挙げるまでもなく慣用されている周知技術である。引用発明３の有機ＥＬ素子も、表示装置に用いるとして、上記相違点３に係る本願補正発明の構成を得ることは当業者が容易になし得たことである。
　
（イ）本願補正発明の奏する作用効果
　そして、本願補正発明によってもたらされる効果は、引用発明３、引用例２に記載の発明及び周知技術から当業者が予測し得る程度のものである。
　
（ウ）まとめ
　以上のとおり、本願補正発明は、引用発明３、引用例２に記載の発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　
３　むすび
　したがって、本願補正発明は特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるということができないから、本件補正は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであり、同法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
第３　本願発明について
１　本願発明
　本件補正は、上記のとおり却下されたので、本願の特許請求の範囲の請求項１ないし６に係る発明（以下「本願発明１」ないし「本願発明６」という。）は、平成２２年１１月２５日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし６に記載された次のとおりのものである。
　
「【請求項１】
　基板上に順次形成された下部電極、少なくとも一つの有機薄膜層及び上部電極を含め、
　前記上部電極は、前記有機薄膜層側に形成されたグレーンサイズが大きい第１薄膜と、前記第１薄膜上に形成され前記第１薄膜よりは相対的にグレーンサイズが小さい第２薄膜と、を具備し、
　前記第２薄膜はグレーンサイズが１０ｎｍ以下であり、前記第２薄膜はＡｌで形成される、有機電界発光表示装置。
【請求項２】
　請求項１において、前記上部電極を構成する少なくとも二層薄膜中、グレーンサイズがもっとも小さい薄膜を最上部膜に形成させ、前記グレーンサイズがもっとも小さい最上部膜は、湿気または酸素の浸透を防ぐパッシベーションの役割をすることを特徴とする有機電界発光表示装置。
【請求項３】
　請求項１または２において、前記上部電極を構成する少なくとも二層薄膜は、前記二層薄膜のグレーンサイズの差異により薄膜間の境界面が存在するか、または前記二層薄膜のグレーンサイズが漸進的に変化して薄膜間の境界面が存在しないことを特徴とする有機電界発光表示装置。
【請求項４】
　請求項１から３のいずれか１項において、前記第１薄膜は、グレーンサイズが１０ｎｍないし１μｍであり、グレーン間の間隔は、１ないし１００ｎｍであり、第２薄膜はグレーン間の間隔は５ｎｍ以下であることを特徴とする有機電界発光表示装置。
【請求項５】
　請求項１から４のいずれか１項において、前記第１薄膜の表面荒さは６０ないし７０Åであり、前記第２薄膜の表面荒さは１０ないし５０Åであることを特徴とする有機電界発光表示装置。
【請求項６】
　請求項１から５のいずれか１項において、前記第１薄膜は、Ａｌ薄膜であることを特徴とする有機電界発光表示装置。」
　
２　特許法第３６条第４項第１号（実施可能要件）違反について
（１）原査定における拒絶理由
　原査定（平成２３年６月２１日付けの拒絶査定）は、「この出願については、平成２２年７月２９日付け拒絶理由通知書に記載した理由によって、拒絶をすべきものです。」としたものである。
　そして、平成２２年７月２９日付け拒絶理由通知書には、特許法第３６条第４項第１号の違反に関する理由として次のことが記載されている。
　
「本願の発明の詳細な説明の段落【００１９】には、ＩＢＡＤ法を用いることにより、グレーンサイズが１０ｎｍであったことが記載されている。
　しかしながら、蒸着条件（イオンの種類、加速電圧、照射量、Ａｌの蒸着速度、基板温度）をどのようにした場合にグレインサイズが１０ｎｍ以下になり、どのような条件にした場合にグレインサイズが１０ｎｍより大きくなるのかが理解できない。そのためグレインサイズが１０ｎｍ以下のＡｌの膜を形成するために、当業者に過度の思考錯誤を要求することとなる。それとも、ＩＢＡＤ法を用いれば、通常はグレインサイズが１０ｎｍ以下になってしまうということであろうか。
　また、例えばＡｇの膜を形成する場合についても、どのような条件を変化させることにより、グレインサイズが１０ｎｍ以下の膜とグレインサイズが１０ｎｍより大きい膜とを作り分けることできるのかが理解できない。
　よって、この出願の発明の詳細な説明は、当業者が請求項１乃至７に係る発明を実施することができる程度に明確かつ十分に記載されたものでない。」
　
「本願の発明の詳細な説明の段落【０００９】、【００１４】には、グレーン間の間隔は５ｎｍ以下であることが記載されている。しかしながら、どのような蒸着条件で膜を形成すればグレーン間の間隔は５ｎｍ以下になり、どのような蒸着条件で膜を形成すればグレーン間の間隔は５ｎｍより大きくなるかについて説明がされていない。
　よって、この出願の発明の詳細な説明は、当業者が請求項５に係る発明を実施することができる程度に明確かつ十分に記載されたものでない。」
　
（２）審判請求人の対応（手続補正）及び主張
　上記の拒絶理由及び拒絶査定に対して、審判請求人（出願人）は、平成２２年１１月２５日付け及び平成２３年１０月２８日付けで手続補正を行い、本願の特許請求の範囲の請求項１を「第２　平成２３年１０月２８日付けの手続補正についての補正の却下の決定」の［補正の却下の決定の理由］の「１　本件補正について」において記載したとおりに補正するとともに、平成２２年１１月２５日付けで提出された意見書において次のように主張している。
　
「（１）拒絶理由通知書には、「本願の発明の詳細な説明の段落［００１９］には、ＩＢＡＤ法を用いることにより、グレーンサイズが１０ｎｍであったことが記載されている。しかしながら、蒸着条件（イオンの種類、加速電圧、照射量、Ａｌの蒸着速度、基板温度）をどのようにした場合にグレインサイズが１０ｎｍ以下になり、どのような条件にした場合にグレインサイズが１０ｎｍより大きくなるのかが理解できない。そのためグレインサイズが１０ｎｍ以下のＡｌの膜を形成するために、当業者に過度の思考錯誤を要求することとなる。それとも、ＩＢＡＤ法を用いれば、通常はグレインサイズが１０ｎｍ以下になってしまうということであろうか。また、例えばＡｇの膜を形成する場合についても、どのような条件を変化させることにより、グレインサイズが１０ｎｍ以下の膜とグレインサイズが１０ｎｍより大きい膜とを作り分けることできるのかが理解できない。」と記載されています。
　本願明細書の段落００１９には、「従って、ＩＢＡＤ方法で蒸着された第２Ａｌ薄膜２４２が熱的イバポレーション方法により蒸着された第１Ａｌ薄膜２４１よりもっと緻密に形成されていることがわかる。」と記載されています。また、本願明細書の段落００２３及び００２４には、ＩＢＡＤ法の条件が記載され、具体的には、段落００２４に、「第１Ａｌ膜２４１は、１０−５ないし１０−７ｔｏｒｒの圧力で蒸着され、第２Ａｌ膜２４２は、１０−５ｔｏｒｒ以下の圧力で蒸着される」と記載されています。
　そして、本願明細書の段落００１８及び００１９には、一例として、製造された第１Ａｌ薄膜と第２Ａｌ薄膜との写真が図３と図４になることが記載されています。図３を参照すれば、第１薄膜のグレーンサイズが１０ｎｍないし１μｍであり、図４を参照すれば、第２薄膜のグレーンサイズが１０ｎｍ以下であることが分かります。
　このように、本願明細書の記載に基づけば、当業者であれば、グレーンサイズが１０ｎｍ以下のＡｌの膜を形成することができます。一例としては、ＩＢＡＤ法を用いれば、蒸着圧力を本願明細書の段落００２４のように調整し、他の条件は通常の範囲で設定することで、グレーンサイズを１０ｎｍ以下にすることができます。
　また、本願請求項１において、上記「３．補正の根拠の明示」で述べた通り、「第２薄膜がＡｌで形成される」ことを追加する補正を致しました。これより、本願明細書には、第２薄膜がＡｌで形成されることが記載されています。」
　
「（３）拒絶理由通知書には、「本願の発明の詳細な説明の段落［０００９］、［００１４］には、グレーン間の間隔は５ｎｍ以下であることが記載されている。しかしながら、どのような蒸着条件で膜を形成すればグレーン間の間隔は５ｎｍ以下になり、どのような蒸着条件で膜を形成すればグレーン間の間隔は５ｎｍより大きくなるかについて説明がされていない。」と記載されています。
　本願明細書の段落００１８及び００１９には、一例として、製造された第１Ａｌ薄膜と第２Ａｌ薄膜との写真が図３と図４になることが記載されています。図３を参照すれば、第１Ａｌ薄膜のグレーン間の間隔は１ないし１００ｎｍであり、第２Ａｌ薄膜のグレーン間の間隔は５ｎｍ以下であることが分かります。
　また、図３及び図４で示す例の作製方法は、本願明細書の段落００１９〜００２５に記載されています。すなわち、第１膜で熱的イバポレーション方法を利用し、第２膜でＩＢＡＤ法を利用することで、図３及び図４の例になります。」
　
（３）当審の判断
　本願発明１の「第２薄膜はグレーンサイズが１０ｎｍ以下である」こと、及び、本願発明４の「第２薄膜はグレーン間の間隔は５ｎｍ以下である」ことについて、上記の「第２　平成２３年１０月２８日付けの手続補正についての補正の却下の決定」の［補正の却下の決定の理由］の「２　特許法第３６条第４項第１号（実施可能要件）違反についての検討」において述べたのと同様の理由により、本願明細書の発明の詳細な説明は、当業者が「グレーンサイズが１０ｎｍ以下であり、グレーン間の間隔が５ｎｍ以下であ」るＡｌ薄膜を形成するために過度の試行錯誤を強いるものであるから、発明の詳細な説明は当業者が本願補正発明を実施することができる程度に明確かつ十分に記載されたものということができない。よって、上記の原査定における拒絶理由は解消しておらず、本願は特許法第３６条第４項第１号の規定に違反し、拒絶すべきものである。
（なお、仮に、「ＩＢＡＤ（ｉｏｎ　ｂｅａｍ　ａｓｓｉｓｔｅｄ　ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）方法を利用」することの記載をもって、「グレーンサイズが１０ｎｍ以下であり、グレーン間の間隔が５ｎｍ以下」のＡｌの薄膜の形成が開示されているとする場合には、次の「３　特許法第２９条第２項（発明の進歩性）違反についての検討」で述べるとおり、本願発明１が特許法第２９条第２項の規定に違反し特許を受けることができないこととなる。）
　
３　特許法第２９条第２項（発明の進歩性）違反についての検討
（１）引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された刊行物の記載事項及び引用発明については、上記「第２　平成２３年１０月２８日付けの手続補正についての補正の却下の決定」の［補正の却下の決定の理由］の「３　特許法第２９条第２項（発明の進歩性）違反についての検討」の「イ　引用例」に記載したとおりである。
　
（２）対比・判断
　上記「第２　平成２３年１０月２８日付けの手続補正についての補正の却下の決定」の［補正の却下の決定の理由］の「１　本件補正について」に記載したように、本願発明１に対して、「第１薄膜よりは相対的にグレーンサイズが小さい第２薄膜」について「グレーン間の間隔が５ｎｍ以下」と限定したものが本願補正発明である。
　そうすると、本願発明１の発明特定事項をすべて含み、本願発明１をさらに限定したものに相当する本願補正発明が、上記「第２　平成２３年１０月２８日付けの手続補正についての補正の却下の決定」の［補正の却下の決定の理由］の「３　特許法第２９条第２項（発明の進歩性）違反についての検討　」の「ウ　本願補正発明と引用発明１の対比」及び「エ　当審の判断」において記載したとおり、引用発明１及び引用例２に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明１も、同様に、引用発明１及び引用例２に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである。よって、本願発明１は特許法第２９条第２項に違反し、特許を受けることができない。
　また、本願発明１の発明特定事項をすべて含み、本願発明１をさらに限定したものに相当する本願補正発明が、上記「第２　平成２３年１０月２８日付けの手続補正についての補正の却下の決定」の［補正の却下の決定の理由］の「３　特許法第２９条第２項（発明の進歩性）違反についての検討　」の「オ　本願補正発明と引用発明３の対比」及び「カ　当審の判断」において記載したとおり、引用発明３、引用例２に記載された発明及び周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明１も、同様に、引用発明３、引用例２に記載された発明及び周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである。よって、本願発明１は特許法第２９条第２項に違反し、特許を受けることができない。
　
４　むすび
　以上のとおり、本願は発明の詳細な説明は当業者が本願補正発明を実施することができる程度に記載されたものということができないから、本願は特許法第３６条第４項第１号の規定に違反し、拒絶すべきものである。
　または、本願発明１は、引用発明１及び引用例２に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項に違反し、特許を受けることができない。若しくは、本願発明１は、引用発明３、引用例２に記載された発明及び周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項に違反し、特許を受けることができない。したがって、その余の請求項に係る発明について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。