【事件の表示】
　特願２００１−５００３３５「気体絶縁配線構造集積回路」拒絶査定不服審判事件〔平成１２年１２月　７日国際公開、ＷＯ００／７４１３５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯
　本願は、２０００年５月２６日（優先権主張１９９９年５月２６日、日本国）を国際出願日とする出願であって、平成２２年１１月２２日付けで通知された拒絶理由通知に対して、平成２３年１月３１日に意見書及び手続補正書が提出され、同年３月１８日付けで通知された拒絶理由通知に対して、同年５月２３日に意見書及び手続補正書が提出されたが、同年７月８日付けで拒絶査定がされ、これに対し、同年１０月１３日に審判請求がなされるとともに手続補正書が提出されたものである。
　そして、平成２４年１１月１３日付けで当審より通知した拒絶理由通知に対して、平成２５年１月１５日に意見書及び手続補正書が提出されたものである。
　
　
第２．本願発明に対する判断
１．本願発明
　本願の請求項１ないし請求項３に係る発明は、平成２５年１月１５日に提出された手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その明細書の特許請求の範囲の請求項１ないし請求項３に記載されるとおりであって、そのうちの、請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は次のとおりのものである。
　
「基板上に複数のトランジスタを配置し、前記複数個のトランジスタの端子間を多層に構成された導電性材料からなる配線により接続することにより機能を発現する集積回路において、
前記基板が埋込み絶縁膜に直接もしくは低抵抗半導体層を介して隣接する金属層を含むＳＯＩ基板であり、
前記多層に構成された配線間が気体により分離され、
前記多層に構成された配線間に、前記多層に構成された配線間を接続する導電性材料からなる電気ビアと、絶縁性材料からなる熱ビアを備え、
前記熱ビアが窒化アルミニウムまたは窒化シリコンを主成分とする材料、あるいはそれらの組み合わせからなり、
前記電気ビアが、ポリシリコン、タングステン、アルミニウム、アルミニウム合金、銅、銅合金を主成分とする材料、あるいはそれらの組み合わせからなり、
前記集積回路の前記多層に構成された配線間が気体により分離される構造は、ホウ素、またはホウ素と燐を含むシリコン酸化膜で形成した後、フッ化水素を体積で１〜７％含み、ガス中の水分濃度が１ｐｐｍ以下であるフッ化水素を含むガスにより、ウェーハ温度が１２０℃〜１４０℃の範囲の条件にて、前記ホウ素、またはホウ素と燐を含むシリコン酸化膜を選択的に除去された構造であり、
前記埋込み絶縁膜に隣接して設けられた金属層の厚さが、前記多層に構成された配線を伝搬する電気信号の表皮厚さより厚くし、
ゲート遅延、配線遅延、及び基板起因の遅延を全て極小にしたことを特徴とする集積回路。」
　
２．当審よりの拒絶理由通知の概要
　平成２４年１１月１３日付けで当審より通知した拒絶理由通知の概要は、次のとおりである。
　
「この出願の下記の請求項に係る発明は、その出願前日本国内又は外国において頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　　　　　　　　　　　　　　　記
　
　　　　　　　　＜　引　用　例　等　一　覧　＞
　　　　　　　１．特開平０９−１２９７２５号公報
　　　　　　　２．特開平１１−１０３０３５号公報
　　　　　　　３．特開平１０−２９４３１６号公報
　　　　　　　４．特開平０８−２５０５９３号公報
　　　　　　　５．特開平０２−２２０４６４号公報
　
・請求項１
・引用例１〜５
・備考
　……（中略）……
・請求項６
・引用例１〜５
・備考
　……（以下、省略）」
　
３．各引用例の記載事項と引用発明
３−１．引用例１
３−１−１．引用例１の記載事項
　本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布され、当審の拒絶理由通知で引用された刊行物である、特開平０９−１２９７２５号公報（以下「引用例１」という。）には、「半導体装置」（発明の名称）に関して、図１〜図１７とともに、以下の事項が記載されている（下線は、参考のため、当審において付したものである。以下、他の刊行物についても同様である。）。
　
　　ア　産業上の利用分野
ａ．「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置に係る。より詳細には、金属等の低抵抗配線間などに配設された層間絶縁物に、スルーホール（ＴＨ）乃至ダミーホール（ＤＨ）を設けて配線温度の上昇を阻止することにより、超高密度集積回路（ＵＬＳＩ）に適合した半導体装置に関する。」
　
　　イ　発明の背景
ｂ．「【０００２】
【従来の技術】現在、ＩＣやＬＳＩなどと呼ばれる半導体装置では、その中の各種素子の集積化が進むにつれて配線の長さ及び面積が増加するため、
２層以上の多層配線が行われている
【０００３】以下では、上記多層配線を有する半導体装置が解決すべき問題点と、従来の解決法について説明する。
　……（中略）……
【０００８】また、半導体装置の配線には、例えばクロック等の高周波パルス信号（電流）が流れる。しかるに、このパルスは、各種素子のさらなる高速動作を実現するために、より一層の高周波化が望まれている。このような半導体装置の高周波パルス化にともない、低抵抗配線ではジュール発熱の変動に起因した熱サイクルが発生する。この熱サイクルは、配線の膨張及び収縮による機械的な周期的ストレス（熱ストレス）をもたらす。以上のような熱ストレスが加わったとき、配線材料原子のマイグレーションに伴う電気抵抗値増大や断線、すなわちストレス・マイグレーション、あるいは金属の加工硬化による機械的強度低下という問題が発生するようになる。このため配線が劣化し、配線の信頼性、強いてはＬＳＩ全体の信頼性を大きく損なう結果になる。したがって、配線の信頼性を向上するためには、配線から発せられる熱を効率よく取り除くことが重要になる。
【０００９】（３）ＲＣ時定数
一方、上述した半導体装置の動作速度は、配線自身の抵抗値Ｒと配線の有する容量Ｃとの積、すなわちＲＣ時定数によって大きく制限される。この理由から、半導体装置の動作速度を高くするためには、配線の抵抗値を下げるとともに、
層間絶縁膜として、誘電率の小さな絶縁体を使用することが必要である
【００１０】以下では、上記の３つの問題点への現状の対策例を述べる。
【００１１】（イ）
層間絶縁膜として、ボロンリンドープドシリコン酸化膜（ＢＰＳＧ；Boron PhosphoSilicate Glass）、ノンドープドシリコン酸化膜（ＮＳＧ；Non-doped Silicate Glass）等のシリコン酸化膜が用いられてきた
　
ｃ．「【００１４】
【発明が解決しようとする課題】以上の現状を鑑み、本発明は、配線で発生した熱をすばやく伝達することができ、かつ、配線の有する容量が小さな層間絶縁膜を形成することにより、高速で、かつ、信頼性の高い半導体装置を提供することを目的とする。」
　
　　ウ　課題を解決するための手段
ｄ．「【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明の第１の要旨は、導電性基体の表面及び／又は裏面上に、
第１の絶縁物を介して積層された多層の金属等の低抵抗配線を有する半導体装置において、前記低抵抗配線間にある前記第１の絶縁物に貫通孔が設けられ、かつ、前記貫通孔が、少なくとも導電物で充填された孔（スルーホール：ＴＨ）と、前記第１の絶縁物よりも大きな熱伝導率を有する第２の絶縁物で充填された孔（ダミーホール：ＤＨ）とからなる
　
　　エ　実施態様
ｅ．「【００２４】
【実施態様例】
（導電性基体）本発明の導電性基体としては、例えば、金属、半導体、絶縁体膜で被覆された後さらに半導体膜で被覆された金属、又は、半導体膜で被覆された絶縁体、が挙げられる。
【００２５】導電性基体として利用するため、少なくとも導電性基体の表面及び／又は裏面を構成する材料の電気伝導度は、１０−８（Ω cm）−１以上が望ましい。また、導電性基体の表面及び／又は裏面は、その上に各種素子などを作製することから、可能なかぎり平坦な面であることが好ましい。金属としては、Ｔａ，Ｔｉ，Ｗ，Ｃｏ，Ｍｏ，Ｈｆ，Ｎｉ，Ｚｒ，Ｃｒ，Ｖ，Ｐｄ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｍｎ，Ｎｂ，Ｃｕ，Ａｇ，又はＡｌが好ましい。半導体としては、Ｓｉ，Ｇｅ，ＧａＡｓ，又はＣ（ダイヤモンド）が好ましい。半導体膜で被覆された絶縁体としては、ＳｉＯ２（酸化シリコン），ＳｉＮ（窒化シリコン），ＡｌＮ（窒化アルミニウム），Ａｌ２Ｏ３（酸化アルミニウム），又はＳｉＯｘＮｙからなる混合膜が好ましい。絶縁体膜で被覆された後さらに半導体膜で被覆された金属としては、Ｔａ，Ｔｉ，Ｗ，Ｃｏ，Ｍｏ，Ｈｆ，Ｎｉ，Ｚｒ，Ｃｒ，Ｖ，Ｐｄ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｍｎ，Ｎｂ，Ｃｕ，Ａｇ，又はＡｌが好ましい。
【００２６】（第１の絶縁物）本発明
の第１の絶縁物
ＳｉＯ
２
，ＮＳＧ，ＢＰＳＧ，　ＰＳＧ，シリコン窒化膜，又は、高分子材料（ポリイミド系，テフロン系，パリレン系）が挙げられる。第１の絶縁物を設ける目的は、その上下に位置する低抵抗配線を電気的に分離するためである
【００２７】第１の絶縁物の形成方法としては、例えば、エネルギーとして、熱、プラズマ、光などを用いる各種ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法、又は、各種スパッタ法などが用いられる。
【００２８】（第１の絶縁物を介して積層された多層の金属等の低抵抗配線）
本発明の「第１の絶縁物を介して積層された多層の金属等の低抵抗配線」は、半導体装置、特にＩＣやＬＳＩにおいて各素子間を結び、電気信号を伝達する役割を有する
【００２９】このような
低抵抗配線に使用される金属薄膜
【００３０】
その金属薄膜の材料としては、例えば、次に示すものが挙げられる。Ｓｉ半導体装置では、Ａｌ，Ｃｒ，Ｗ，Ｍｏ，Ｃｕ
ＷＳｉ
２
，ＭｏＳｉ
２
，ＴｉＳｉ
２
が用いられる
（Ａ）電極材料とオーミック接触になること
（Ｂ）絶縁膜（ＳｉＯ２，Ｓｉ３Ｎ４，Ａｌ２Ｏ３など）との密着性が良いこと
（Ｃ）導電率が大きいこと
（Ｄ）加工が容易で加工精度が高いこと
（Ｅ）化学的・物理的、さらに電気的にも安定であること
【００３１】また、
半導体装置内では、各素子の集積化が進むにつれて多層配線が行われる。多層配線としては、例えば、Ａｌからなる各層の配線を、ＳｉＯ
２
 膜、又は、高分子膜で絶縁する構造
（ａ）下層配線と上層配線との交差部での凹凸段差による上層配線の断線および上層・下層配線間の短絡を回避すること
（ｂ）上述したエレクトロ・マイグレーションに関する対策
（ｃ）上述したサーマル・ストレス・マイグレーションに関する対策
（ｄ）ＲＣ時定数に関する対策
本発明では、後述する「第１の絶縁物よりも大きな熱伝導率を有する第２の絶縁物で充填された孔（ダミーホール：ＤＨ）」を設けることによって、上記課題の（ｂ）〜（ｄ）を同時に解決することが可能となった。
【００３２】（半導体装置）
本発明における半導体装置とは、一般的に、電気回路や電気素子を一つの基板上に高密度に構成したもの、すなわち、トランジスタ、抵抗体、コンデンサ等を使って集積化したものを意味し、その集積度を上げたものをＬＳＩ
　
ｆ．「【００３４】（導電物で充填された孔（スルーホール：ＴＨ））本発明のスルーホールとは、前述した「第１の絶縁物に設けられた貫通孔」の中に、導電物が充填された孔である。スルーホールは、第１の絶縁物に電気的に分離された上下に位置する低抵抗配線間の導通をとることが役目である。一方の低抵抗配線から他方の低抵抗配線へ、電気信号とともに熱も伝達することができる。すなわち、スルーホールは、熱のみを伝達することはできず、同時に電気信号も伝達してしまう。したがって、低抵抗配線の発熱を回避する目的から、任意の場所に配設することはできない。
【００３５】（第１の絶縁物よりも大きな熱伝導率を有する第２の絶縁物で充填された孔（ダミーホール：ＤＨ））本発明のダミーホールとは、前述した「第１の絶縁物に設けられた貫通孔」の中に、第１の絶縁物よりも大きな熱伝導率を有する第２の絶縁物が充填された孔である。ダミーホールは、例えば、第１の絶縁物に電気的に分離された上下に位置する低抵抗配線間において、一方の低抵抗配線から他方の低抵抗配線へ、第１の絶縁物よりも早く熱を伝達することができる。すなわち、迅速に熱を伝達することによって配線の温度上昇を抑えることができる。また、ダミーホールは絶縁物であるため、電気信号を伝達しない。したがって、低抵抗配線の発熱を回避する目的から、半導体装置において任意の場所に配設することが可能である。」
　
　　オ　実施例
ｇ．「【００４６】
【実施例】
（実施例１）本例では、ガス状化合物であるジメチルアルミニウムハイドライド（ＤＭＡＨ）の熱分解特性を、シリコン（Ｓｉ）の表面、シリコン酸化膜（ＳｉＯ２）の表面、銅（Ｃｕ）の表面、又は、高分子の一例としてポリイミドの表面に対して調べた。
　……（中略）……
【００５１】以上の結果から、ポリイミドからなる第１の絶縁物の貫通孔に、ＡｌＮからなる第２の絶縁物を充填することが可能と判断した。
【００５２】ここでは、金属表面として銅の場合を説明したが、基板の表面が導電性であれば同様の結果が得られることが別途確認された。すなわち、導電性基体にＡｌＮを成長させる場合には、導電性基体として、金属、半導体、絶縁体膜で被覆された後さらに半導体膜で被覆された金属、又は、半導体膜で被覆された絶縁体、の使用が可能であることが分かった。
【００５３】また、第１の絶縁物としては、ポリイミド膜の代わりにＳｉＯ２膜を用いても可能であることが分かった。
【００５４】さらに、ここでは、導電性基体上における第１の絶縁物に対する貫通孔の作製について説明したが、同様に、金属配線間における第１の絶縁物や、あるいは、金属配線と放熱装置との間における第１の絶縁物に対しても適用できることが別途確認された。
【００５５】（実施例２）本例では、半導体装置の各配線層の間、配線層と導電性基体との間、及び、配線層と放熱装置との間に、スルーホール（ＴＨ）のみを設けた場合について、第１の絶縁物を構成する材料を変更して検討した。第１の絶縁物を構成する材料、すなわち、層間絶縁材料としては、酸化シリコン、ポリイミド樹脂、及び、窒化アルミニウムを用いた。
ＴＨ材料としては、配線材料と同じＣｕを用いた
　
ｈ．「【００６２】（実施例３）本例では、配線層と導電性基体との間、及び、配線層と放熱装置との間には、スルーホール（ＴＨ）のみを設け、
各配線層の間には、スルーホール（ＴＨ）とダミーホール（ＤＨ）を両方設けた
第１の絶縁物すなわち層間絶縁材料としては、ポリイミド、又は、シリコン酸化膜
ＴＨ材料としてはＣｕ
ＤＨ材料としては熱伝導率の高いＡｌＮを用いた
　
ｉ．「【００８０】（実施例５）本例では、半導体装置の各配線層の間、配線層と導電性基体との間、及び、配線層と放熱装置との間に、スルーホール（ＴＨ）とダミーホール（ＤＨ）を両方設けた場合について、（ＴＨ＋ＤＨ）比率を変更して検討した。
【００８１】各配線層の間に設けた（ＴＨ＋ＤＨ）比率としては、１％（条件ｃ”）、５％（条件ｄ”）、１０％（条件ｅ”）の３種類検討した。これに対応して、配線層と導電性基体との間に設けた（ＴＨ＋ＤＨ）比率、及び、配線層と放熱装置との間に設けた（ＴＨ＋ＤＨ）比率は、２０％（条件ｃ”）、２５％（条件ｄ”）、３０％（条件ｅ”）とした。
【００８２】層間絶縁材料としては、ポリイミド、又は、シリコン酸化膜を、
ＴＨ材料としてはＣｕを
ＤＨ材料としては熱伝導率の高いＡｌＮを用いた
　
ｊ．「【００８７】以上に示した実施例１〜５では、
層間絶縁膜として、ＳｉＯ
２
、ポリイミド樹脂について述べた
実施例１〜５では配線材料としては
アルミニウム合金配線やポリシリコン及びポリサイド配線に適用できる
　
　　カ　効果
ｋ．「【００９１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、配線で発生した熱をすばやく伝達することができ、かつ、配線の有する容量が小さな構造を有する層間絶縁膜を作製することにより、高速で、かつ、信頼性の高い半導体装置がえられる。」
　
３−１−２．引用発明１
　前項のａ〜ｋの記載を総合すると、引用例１には、次の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されている。
　
「一つの基板上にトランジスタ、抵抗体、コンデンサ等の電気素子を高密度に配置して集積化し、各電気素子間を結び電気信号を伝達する役割を有する低抵抗配線を積層し、各層の前記低抵抗配線を層間絶縁物で絶縁する多層配線構造を有する半導体装置において、
　その上下に位置する前記低抵抗配線を電気的に分離する前記層間絶縁物は、ＳｉＯ２、ポリイミド樹脂、ＢＰＳＧ等からなり、
　前記低抵抗配線間にある前記層間絶縁物に設けられた貫通孔が、導電物で充填されたスルーホールと、前記層間絶縁物よりも大きな熱伝導率を有する第２の絶縁物で充填されたダミーホールとを備え、
　前記低抵抗配線に使用される金属薄膜の材料としては、Ａｌ，Ｃｒ，Ｗ，Ｍｏ，Ｃｕ，Ａｇ，Ａｕ，Ｔｉ，ＷＳｉ２，ＭｏＳｉ２，ＴｉＳｉ２、又は、これらを主成分とする合金を用い、
　前記第２の絶縁物には、熱伝導率の高いＡｌＮを用い、
　前記導電物の材料には、Ｃｕを用いる、
ことを特徴とする半導体装置。」
　
３−２．引用例２
３−２−１．引用例２の記載事項
　本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布され、当審の拒絶理由通知で引用された刊行物である、特開平１１−１０３０３５号公報（以下「引用例２」という。）には、「半導体基板及びその作製方法」（発明の名称）に関して、図１〜図７とともに、以下の事項が記載されている。
　
ａ．「【請求項１】  基材の上に設けられた導電性材料層と、該導電性材料層の上に設けられた絶縁層と、該絶縁層上に設けられた半導体層と、を有する半導体基板において、
前記導電性材料層は、金属同士の反応層、金属と半導体の反応層、金属と金属半導体化合物との反応層、半導体と金属半導体化合物との反応層、金属半導体化合物同士の反応層から選択される少なくとも１つからなる導電性の層を有し、
前記導電性材料層と前記絶縁層との間及び／又は、前記基材と前記導電性材料層との間に、前記導電性材料とは異なる材料からなる反応抑止層を有することを特徴とする半導体基板。
　……（中略）……
【請求項８】  前記
絶縁膜側に形成された反応抑止層の少なくとも一部は、良好な信号伝搬に必要とされる最高周波数成分に対応する電磁波の表皮深さより厚い
　
ｂ．「【００１３】本発明は、安定した電磁波遮蔽効果を維持して、
デバイス特性、高速動作性の劣化を抑制する金属ＳＯＩウエハ等の半導体基板及びその作製方法
、ギガ・スケール・インテグレーション（ＧＳＩ）が可能な半導体基板を提供することを目的とする
　
ｃ．「【００２１】
【発明の実施の形態】図１は本発明の半導体基板及びその作製方法を示す図である。まず、本発明の半導体基板Ｓ９について述べる。第１の部材５からなる基材上には導電性材料層８と絶縁層２と半導体層１０が設けられている。
【００２２】この
導電性材料層８と絶縁層２の間及び／又は導電性材料８と基材５との間には導電性材料層８とは異なる導電性又は半導体性の材料から実質的になる反応抑止層（反応停止層又は反応性の低い層ともいえる）６が介在
【００２３】このような構成により、この半導体層１０を加工して半導体デバイスを作り込んでも反応層８の上及び／又は下の界面は所望のプロファイルを維持し、界面の変化、ストレスの蓄積、該デバイスの劣化を抑止することができる。
【００２４】次に本発明による半導体基板の作製方法について説明する。図１のＳ１に示すように、まず少なくとも一表面が
単結晶半導体からなる第１の部材
第１の部材の単結晶半導体からなる表面上に絶縁層２
絶縁層２の表面上に、第１の反応抑止層（反応停止層）３とを形成
第１の反応抑止層３の表面上に第１の反応前駆層４を形成
第２の部材５の表面上に第２の反応抑止層６を形成する
反応前駆層４、７同士を適当な温度条件下で接触させると両者は合金化反応或いはシリサイド化反応等を起こし、反応層８となり、第１の部材１と第２の部材５とが貼り合わされる
【００２５】この時、第１又は第２の反応抑止層としては、貼り合わせ時の合金化或いはシリサイド化反応において、反応前駆層４、７や反応層８のいずれとも反応を実質的に生じないような材料が選択される。例えば、融点が６００℃以上の高融点金属や高融点金属化合物は好適な材料の１つである。
【００２６】更に、研磨、研削、エッチング、分割、剥離する方法により、第１の部材１のうち必要な層１０を残して、不要な部分を第２の部材５の上から除去する。」
　
ｄ．「【００４８】次に、本発明のより好ましい実施形態について説明する。従来の単純なＳＯＩ基板を用いた時には実現し得ない、
動作周波数１０ＧＨｚの超高速・超高密度ＧＳＩ（ギガ・スケール・インテグレーション）が可能となる
【００４９】まず、配線を伝搬する信号の表皮効果については、１ＧＨｚ以上の超高速動作ＬＳＩを可能にする場合、信号が伝達する配線は、これまでのシリコン基板上に設けることに代えて、低抵抗金属上に絶縁膜を介して設けなければならない。なぜなら、従来通りの半導体基板上に絶縁膜を介して金属配線を形成する構造では、原理的に高速の信号波形の減衰が避けられず、基板がシリコンであると、著しい波形の崩れが生じるからである。
【００５０】この問題を解決するには、基板の抵抗率を１００Ω・ｃｍ以上の高抵抗にして基板中を電流が流れるのを防止するか、あるいは基板を低抵抗金属にして基板内に電流が流れてもエネルギ損失が無いようにするしかない。しかし、シリコン基板の抵抗率を極度に高くする方法では、隣接配線への結合容量が大きくなって隣接配線間の信号電圧リークが大きくなり、クロストークによる誤動作が極度に大きくなってしまう。したがって、この困難を克服する手段は、電気的な関係における配線とグラウンドの間からシリコン基板を排除した金属基板構造にすることである。基板裏面の金属がむき出しになる上記の基板構造を避けるには、
基板裏面は従来通りシリコンにして、絶縁層に直接接触する部分を信号伝播に伴い発生する電磁波のスキンデプス（表皮深さ）δよりも厚い、導電率の大きい金属もしくはシリサイドのような金属化合物にする
　
ｅ．「【００７０】
【実施例】
（実施例１）図２を用いて本発明の実施例の詳細を説明する。まず、２００μｍの厚みを持ち、１×１０１８ｃｍ−３ボロンが添加された面方位（１００）のＰ型単結晶シリコン基板１００を用意し（ａ）、この表面をＨＦ／Ｈ２Ｏ／ＩＰＡ（２０〜３０ｗｔ％ＨＦ，１０〜３０ｗｔ％ＩＰＡ）溶液中で対向電極にｐ+型Ｓｉ層を用いて陽極化成することにより、孔径数ｎｍ〜１０ｎｍ程度、孔のピッチ１０ｎｍ〜数十ｎｍの多孔質シリコン層１０１を１０〜２０μｍの深さ形成する（ｂ）。ＩＰＡを添加することにより、溶液の表面張力は低下し、濡れ性が向上するため数ｎｍ〜１０ｎｍ程度の孔が１０〜２０ｎｍ程度の深さ形成ができる。
　……（中略）……
【００７３】ローディング後、水素雰囲気下で１０００〜１１００℃の熱処理をすると、内部に多孔質シリコン層を残して表面だけ平坦な非多孔質の単結晶シリコン層が得られる（ｄ）。Ｈ２中に、ＳｉＨ２Ｃｌ２やＳｉＨＣｌ３を１〜１００ｐｐｍ程度含めると、表面の非多孔質の単結晶シリコン層の平坦度は一層向上する。
【００７４】次に、最表面が非多孔質した多孔質シリコン層１０１上にＳｉＨ２Ｃｌ２を用いて１０００〜１１００℃、あるいはＳｉＨ４を原料ガスにして９００〜１０００℃で
単結晶シリコン層１０２を０．５〜２μｍ程度成長
【００７５】次に、スチーム酸化により
エピ成長シリコン表面を５ｎｍ〜１μｍ程度酸化し、酸化膜１０３を生成する
【００７６】この上に、プラズマＣＶＤにより
窒化シリコン絶縁膜１０４を０．０２〜１．５μｍ程度形成し
Ｒｕ薄膜１０５を
０．１〜２μｍ程度スパッタリングにより成膜
アモルファスシリコン層１０６を厚さ約２〜２００ｎｍ程度
堆積し（ｉ）、この基板をデバイスウエハ１０７とした
　……（中略）……
【００８０】次に、ｐ+型単結晶シリコン基体１００とは異なる
別のＳｉ基板１０８を用意し（ｊ）、この上にＲｕ薄膜１０９を０．０１〜１μｍ程度成膜し
連続してＮｉ薄膜１１０を１．５〜１５０ｎｍ程度形成し（ｌ）、この基板をハンドルウエハ１１１とした
【００８１】
デバイスウエハ１０７のアモルファスシリコン層１０６とハンドルウエハ１１１のＮｉ層１１０とが貼り合わせ界面になるように、両者を接触させて貼り合わせ、熱処理を行った
　……（中略）……
【００８４】上記熱処理は、Ａｒ雰囲気中、処理温度５００℃に設定し、実処理ガスによる熱処理時間は１時間である。
本熱処理によるシリサイド反応によりアモルファスシリコン１０６はすべてシリサイド層１１２になり両ウエハが接着し、貼り合わせウエハ１１３が出来上がる
【００８５】次に、デバイスウエハ側ｐ+基板１００を多孔質層１０１近傍まで、グラインダー等で研削し（ｎ）、最後に上記
貼り合わせ基体１１３を選択エッチング
表面平坦化を行いＳＯＩ基板１１４が完成
　
ｆ．「【００８７】次に、図６に示すように、
この金属基板ＳＯＩウエハ上に、ＭＯＳトランジスタを試作し
ｐ型ＭＯＳトランジスタのソース５０２が直上のメタル（Ｃｕ）配線５０４と接続された、ＣＭＯＳ構成のインバータ回路を試作した
【００８８】図７は常温での
金属基板上に絶縁膜を介して設けられた配線上を伝搬するパルス波形の劣化を示す。シリコン基板で発生する信号波形の減衰は、金属基板を用いるとほとんど起こらない。
　
ｇ．図６には、Ｓｉ基板５００の上に、反応抑止層、反応層、反応抑止層、Ｓｉ３Ｎ４層及びＳｉＯ２層からなる絶縁層がこの順番で形成され、前記絶縁層上にｎＭＯＳ及びｐＭＯＳが設けられるとともに、前記絶縁層の上方に３層のメタル配線が設けられることが、図示されている。そして、同図には、前記ｎＭＯＳのソース５０３が最下層のメタル配線ＶＳＳにより上層の反応抑止層に接続され、前記ｎＭＯＳ及びｐＭＯＳのドレインが中間層のメタル配線ＶＯＵＴに接続され、前記ｐＭＯＳのソース５０２が最上層のメタル配線ＶＤＤに接続されていること、前記最下層のメタル配線ＶＳＳと同じ高さにメタル配線が半導体層上に設けられていることも図示されている。
　
３−２−２．引用発明２
　前項のａ〜ｇの記載を総合すると、引用例２には、次の発明（以下「引用発明２」という。）が記載されている。
　
「シリコン基板の上に、ルテニウムからなる第２の反応抑止層、シリサイドからなる反応層、ルテニウムからなる第１の反応抑止層、窒化シリコン絶縁膜及びシリコン酸化膜からなる絶縁層、単結晶シリコン層が、この順番で積層された金属基板ＳＯＩウェハであって、
　前記絶縁層に直接接触する前記第１の反応抑止層の厚さを、信号伝播に伴い発生する電磁波のスキンデプス（表皮深さ）よりも厚くしたことにより、
　前記単結晶シリコン層を用いて形成されたトランジスタのソース及びドレインに接続される多層のメタル配線上を伝搬するパルス波形が劣化せず、シリコン基板で発生する信号波形の減衰はほとんど起こらないことを特徴とする金属基板ＳＯＩウェハ。」
　
３−３．引用例３〜５
３−３−１．引用例３の記載事項
　本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布され、当審の拒絶理由通知で引用された刊行物である、特開平１０−２９４３１６号公報（以下「引用例３」という。）には、「半導体装置及びその製造方法」（発明の名称）に関して、図１〜図２とともに、以下の事項が記載されている。
　
ａ．「【００１２】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施形態を図面を参照して説明する。本発明の第１の実施形態を図１および図２の製造工程断面図を参照して説明する。先ず、図１（Ａ）のように、
半導体基板１上に第一層間絶縁膜１１をＣＶＤ法などにより堆積し
第一層間絶縁膜１１としてシリコン酸化膜を用い、また、コンタクト１２の埋め込み金属はＣＶＤにより成長したタングステンを用いる。
　……（中略）……
【００１６】しかる後、図１（Ｆ）のように、第二層配線２３を形成する。この第二層配線２３の形成後、第一層配線１３の形成後と同様に、炭素膜の成膜工程と、炭素膜のＣＭＰ工程と、層間絶縁膜の成膜工程と、スルーホール形成工程と、配線の形成工程とを複数回繰り返すことにより、上層の配線を形成する。
図２（Ａ）は、例えば第三層炭素膜３４まで形成し、第四層間絶縁膜４１を成膜した後、プラズマＳｉＮ膜４２を成膜した断面構造である。
第一層炭素膜１４まで達する炭素膜除去用ホール４３を形成する
　……（中略）……
【００２０】以上のように、
炭素膜除去用ホール４３を開口した後、炭素膜が等方性エッチングとなるよう、基板バイアスを印加しない状態で酸素プラズマまたは水素プラズマに曝すことにより、図２（Ｃ）のように、酸素ラジカルあるいは水素ラジカルによって各層の炭素膜１４，２４，３４がアツシング除去され、配線間の炭素膜は取り除かれ、配線間が空隙１９により絶縁された配線構造が得られる
　
ｂ．「【００３３】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、
同層の配線間は誘電率の小さい空気で絶縁されるので半導体装置の動作速度が向上できる
　
３−３−２．引用例４の記載事項
　本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布され、当審の拒絶理由通知で引用された刊行物である、特開平０８−２５０５９３号公報（以下「引用例４」という。）には、「半導体デバイスの製造方法」（発明の名称）に関して、図１〜図２とともに、以下の事項が記載されている。
　
ａ．「【０００７】
【実施例】本発明を実施例及び図面に基づき以下に詳述する。
【０００８】図１には誘電体により互いに絶縁されている多数の接触部、金属化部及び導体路２がデバイスの表面上にある領域１内にハッチングで示されている。この図示されている実施例では
２個のバイポーラトランジスタが基板の表面上にあり、それらは互いにかつ他のデバイスと組み合わされている
それらの接触部上にパターン化されている第１の金属化面３が施されている。その上にそれぞれ金属から成る垂直な接続部を有する別の金属化面４、５が設けられている。
誘電体で平坦化されている領域１の表面上に
窒化ケイ素により形成されているパッシベーション層６が施されている
領域１内の誘電体は空間的に制限して等方性にエッチングすることにより部分的に除去され、この導体路間の間隙は空気又は浸漬ガスで満たされる
導体路間の静電容量を低下させるために特に重要な領域の上方に開口が配置されると有利である
空洞のエッチングは等方性に導体路及びパッシベーション層６に対して選択的に行われる
エッチングは、例えば領域１にＳｉＯ
２
をまたパッシベーション層６に窒化物を使用する場合、例えばＨＦガスにより又はＨＮＯ
３
の添加により行われる
導体路はタングステンから成ると有利
【０００９】導体路及び接触部間にはこのようにして図１に
破線により囲まれている領域内に空洞が形成される
　
ｂ．「【００１１】本発明によるデバイスの形態は実現化される能動的構成要素の種類及び接触部及び導体路のパターンに依存するものではないので、
導体路間の静電容量を低減するための上記の措置は半導体デバイスにおいて広範囲に使用することができる
　
３−３−３．引用例５の記載事項
　本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布され、当審の拒絶理由通知で引用された刊行物である、特開平０２−２２０４６４号公報（以下「引用例５」という。）には、「半導体装置及びその製造方法」（発明の名称）に関して、第１図〜第４図とともに、以下の事項が記載されている。
　
ａ．「（作　用）
　本発明によれば、
配線支持用柱に熱伝導性及び放熱作用の高い金属を主とする材料を用い
　さらに、種々の異なる高さの配線支持用柱を、夫々の配線形成工程にて分割して形成するために、この柱の高さに拘わることなく整った形状の柱を得ることができる。」（第２頁下右欄第１７行〜第３頁上左欄第６行）
　
ｂ．「（実施例）
　本発明の詳細を実施例によって説明する。
　第１図は本発明の第１の実施例に係るＧａＡｓＩＣを製造工程順に示した断面図である。
　先ず、半絶縁性ＧａＡｓ基板（１）表面に拡散層（図示せず）を設け、この上に電極（２）を形成する事によって、素子例えばショットキーゲート型電界効果トランジスタを完成させる。その後全面に例えば
ＳｉＯ
２
膜を堆積し、所望の箇所に開孔設けて第１層間絶縁膜（５）を形成する
　
ｃ．「次に本発明の第２の実施例を第２図に沿って説明する。尚、先の実施例と同一部分の説明は以後省略した。
　先ず、先の実施例と同様の工程を経て、第１層間絶縁膜（５）を設けた後、所望箇所を開孔し、選択ＣＶＤ法によって、この
開孔にタングステンの支持用柱（４
１
）を形成する
　次いで、電極（２）上の第１層間絶縁膜（５）に開孔を形成した後
Ａｌを全面に被着し、これを所望の配線形状にエツチングで加工して第１層配線（３）を形成する
この後全面にＳｉＯ
２
膜（６
１
）を堆積
　さらに、エッチバック法によりこのレジスト（６２）をエツチングしてゆき、
ＳｉＯ
２
膜（６
１
）を削りこれを平坦化した所で止め、第２層間絶縁膜（６
３
）を形成する
　しかる後、第１層配線（３）上の第２層間絶縁膜（６３）に開孔を形成し、第２図（ｂ）の工程と同様にして第２層配線（７）を形成する（第２図(ｄ)）。
　その後、第２図（ｂ）及び第２図（ｃ）と同様の工程を経て、平坦化した第３層間絶縁膜（９）を形成する。
　次いでこの支持用柱（８１）上の第３層間絶縁膜（９）に開孔を形成して、この開孔にタングステンの支持用柱（１１１）を選択ＣＶＤ法で形成する。この後、再び第２層配線（７）上の所定の第３層間絶縁膜（９）に開孔を設け、さらに、全面に
Ａｌを被着してこれを配線形状にエツチングで加工することにより第３層配線（ｌ０）
第２層配線（７）に接触するコンタクト部（１１
２
）を夫々形成する
　最後に
ウェットエツチングによって第１、第２図及び第３層間絶縁膜（５）、（６
３
）、（９）を除去し、３層構造の中空配線が完成する
　……（中略）……
これは先に説明した
第２の実施例中でのコンタクト部図（４
２
）、（８
２
）、（１１
２
）
　
ｄ．「（発明の効果）
　上記構成によれば、高い信頼性によって配線を支持できしかも
放熱性に適した配線支持用柱を備えた半導体装置
　
３−３−４．引用例３〜５に記載された技術
　　ア　前記「３−３−１．引用例３の記載事項」のａ及びｂ、前記「３−３−２．引用例４の記載事項」のａ及びｂ、前記「３−３−３．引用例５の記載事項」のａ〜ｄの記載を総合すると、引用例３〜５には、次の技術事項が記載されている。
　
「半導体基板上に、層間材料層と、該層間材料層中にあって上下の配線層を接続する導電材料からなるコンタクト部材と、導電材料からなる前記配線層を、それぞれ、複数積層し、
　その後、アッシング、ドライエッチングないしウェットエッチング等の処理を施すことにより前記層間材料層を除去して、
　前記配線層間が空洞により絶縁された多層構造の中空配線を得る、
積層配線の製造方法。」
　
　　イ　上記「製造方法」は、半導体装置の製造技術において周知技術であったと認められる。
　
　　ウ　前記「３−３−１．引用例３の記載事項」のｂには「同層の配線間は誘電率の小さい空気で絶縁されるので半導体装置の動作速度が向上できる一方で、各配線は層間絶縁膜によって上下を挟まれているため、配線の形状変化が防止されて配線の撓みによる配線間容量の変動や配線相互間の短絡の発生が防止でき、しかも回路動作による配線の発熱を層間絶縁膜から放熱して配線の温度上昇を抑え、配線温度の上昇による配線の断線を抑えることができるので、半導体装置の信頼性を高めることができる。」と、前記「３−３−２．引用例４の記載事項」のｂには「本発明によるデバイスの形態は実現化される能動的構成要素の種類及び接触部及び導体路のパターンに依存するものではないので、導体路間の静電容量を低減するための上記の措置は半導体デバイスにおいて広範囲に使用することができる。」と、前記「３−３−３．引用例５の記載事項」のｄには「上記構成によれば、高い信頼性によって配線を支持できしかも放熱性に適した配線支持用柱を備えた半導体装置を容易に形成できる。」と、記載されている。
　
　　エ　したがって、上記アの「各配線層間が空洞により絶縁された多層構造の中空配線」からなる「積層配線」構造を採用することにより、前記「空洞」を満たす空気等の気体は前記「層間材料」より誘電率が小さいから配線間の静電容量が減少し、半導体装置の動作速度が向上すること、及び、配線層からの放熱性が向上すること、という効果を奏するものである。
　これらのことは、半導体装置の製造技術において周知の事項であったと認められる。
　
４．対比
４−１．本願発明と引用発明1との対比
　本願発明と、引用発明１とを対比する。
　　ア　引用発明１の「トランジスタ、抵抗体、コンデンサ等」の「各電気素子間を結び電気信号を伝達する役割を有する低抵抗配線」は、本願発明の「複数のトランジスタの端子間を多層に構成された導電性材料からなる配線」に相当する。
　したがって、引用発明１の「一つの基板上にトランジスタ、抵抗体、コンデンサ等の電気素子を高密度に配置して集積化し、各電気素子間を結び電気信号を伝達する役割を有する低抵抗配線を積層し」た「多層配線構造を有する半導体装置」は、本願発明の「基板上に複数のトランジスタを配置し、前記複数個のトランジスタの端子間を多層に構成された導電性材料からなる配線により接続することにより機能を発現する集積回路」に相当する。
　
　　イ　引用発明１の「一つの基板」と、本願発明の「埋込み絶縁膜に直接もしくは低抵抗半導体層を介して隣接する金属層を含むＳＯＩ基板」とは、基板である点で共通する。
　
　　ウ　引用発明１において、「各層の前記低抵抗配線」が「ＳｉＯ２、ポリイミド樹脂、ＢＰＳＧ等からな」る「層間絶縁物」で「絶縁」されて「電気的に分離」ていることと、本願発明において、「前記多層に構成された配線間が気体により分離され」ていることとは、多層に構成された配線間が分離されている点で共通する。
　
　　エ　引用発明１の、「前記低抵抗配線間」に「設けられた貫通孔」が「Ｃｕ」という「導電物」で「充填されたスルーホール」、及び、「前記低抵抗配線間」に「設けられた貫通孔」が「熱伝導率の高いＡｌＮを用い」た「第２の絶縁物で充填されたダミーホール」は、それぞれ、本願発明の、「前記多層に構成された配線間」に備えた「前記多層に構成された配線間を接続」する「ポリシリコン、タングステン、アルミニウム、アルミニウム合金、銅、銅合金を主成分とする材料、あるいはそれらの組み合わせからな」る「導電性材料からなる電気ビア」、及び、「前記多層に構成された配線間」に備えた「窒化アルミニウムまたは窒化シリコンを主成分とする材料、あるいはそれらの組み合わせからな」る「絶縁性材料からなる熱ビア」に相当する。
　
　　オ　引用発明１の「各層の前記低抵抗配線を層間絶縁物で絶縁する多層配線構造」における「層間絶縁物」は、「その上下に位置する前記低抵抗配線を電気的に分離」している。したがって、引用発明１は、「各層の前記低抵抗配線を層間絶縁物で絶縁」して「電気的に分離」している「多層配線構造」を有している。
　引用発明１の、この「各層の前記低抵抗配線を層間絶縁物で絶縁」して「電気的に分離」している「多層配線構造」と、本願発明の「ホウ素、またはホウ素と燐を含むシリコン酸化膜で形成した後、フッ化水素を体積で１〜７％含み、ガス中の水分濃度が１ｐｐｍ以下であるフッ化水素を含むガスにより、ウェーハ温度が１２０℃〜１４０℃の範囲の条件にて、前記ホウ素、またはホウ素と燐を含むシリコン酸化膜を選択的に除去された構造」である「前記多層に構成された配線間が気体により分離される構造」とは、多層に構成された配線間が分離される構造である点で共通する。
　
４−２．一致点及び相違点
　前項のア〜エから、本願発明と引用発明１とは、以下の点で一致するとともに、以下の各点で相違する。
（一致点）
「基板上に複数のトランジスタを配置し、前記複数個のトランジスタの端子間を多層に構成された導電性材料からなる配線により接続することにより機能を発現する集積回路において、
　前記多層に構成された配線間が分離され、
　前記多層に構成された配線間に、前記多層に構成された配線間を接続する導電性材料からなる電気ビアと、絶縁性材料からなる熱ビアを備え、
　前記熱ビアが窒化アルミニウムまたは窒化シリコンを主成分とする材料、あるいはそれらの組み合わせからなり、
　前記電気ビアが、ポリシリコン、タングステン、アルミニウム、アルミニウム合金、銅、銅合金を主成分とする材料、あるいはそれらの組み合わせからなり、
　前記集積回路の前記多層に構成された配線間が分離される構造を有する、
ことを特徴とする集積回路。」
　
（相違点１）
　本願発明の「前記基板」は「埋込み絶縁膜に直接もしくは低抵抗半導体層を介して隣接する金属層を含むＳＯＩ基板」であり、「前記埋込み絶縁膜に隣接して設けられた金属層の厚さが、前記多層に構成された配線を伝搬する電気信号の表皮厚さより厚い」のに対して、引用発明１は、基板を有するものの、どのような基板であるか不明である点。
　
（相違点２）
　本願発明は、「ホウ素、またはホウ素と燐を含むシリコン酸化膜で形成した後、フッ化水素を体積で１〜７％含み、ガス中の水分濃度が１ｐｐｍ以下であるフッ化水素を含むガスにより、ウェーハ温度が１２０℃〜１４０℃の範囲の条件にて、前記ホウ素、またはホウ素と燐を含むシリコン酸化膜を選択的に除去された構造」である「前記多層に構成された配線間が気体により分離される構造」を有するのに対して、引用発明１は、「各層の前記低抵抗配線を層間絶縁物で絶縁」して「電気的に分離」している「多層配線構造」を有する点。
　
（相違点３）
　本願発明は「ゲート遅延、配線遅延、及び基板起因の遅延を全て極小にした」のに対して、引用発明１においては、そのような作用効果を有するか不明である点。
　
５．当審の判断
５−１．相違点１について
　　ア　引用例１には、前記「３−１−１．引用例１の記載事項」の「イ　発明の背景」のｂで摘記したように「半導体装置の配線には、例えばクロック等の高周波パルス信号（電流）が流れる。しかるに、このパルスは、各種素子のさらなる高速動作を実現するために、より一層の高周波化が望まれている。」と記載されている。
　すなわち、「各種素子のさらなる高速動作を実現する」ために、「クロック等の高周波パルス信号（電流）」が「半導体装置の配線」により少ない減衰量で「流れ」ることで、「より一層の高周波化」を図ることは、半導体装置に共通する技術課題であり、したがって、引用発明１の「半導体装置」においても、当然に求められる技術課題である。
　
　　イ　引用発明２の「金属基板ＳＯＩウェハ」は「単結晶シリコン層を用いて形成されたトランジスタのソース及びドレインに接続される多層のメタル配線上を伝搬するパルス波形が劣化せず、シリコン基板で発生する信号波形の減衰はほとんど起こらない」という機能を有している。
　ところで、引用発明２の「金属基板ＳＯＩウェハ」において、「窒化シリコン絶縁膜及びシリコン酸化膜からなる絶縁層」は、前記「金属基板ＳＯＩウェハ」の表層の「単結晶シリコン層」の下に位置するから、埋め込み「絶縁層」と言い得る層である。
　
　　ウ　してみれば、「一つの基板上にトランジスタ、抵抗体、コンデンサ等の電気素子を高密度に配置して集積化し、各電気素子間を結び電気信号を伝達する役割を有する低抵抗配線を積層」した「多層配線構造」を有する引用発明１の「半導体装置」においても、クロック等の高周波パルス信号がより少ない減衰量で「半導体装置」の「低抵抗配線」に流れるように、引用発明１の「基板」として、引用発明２の「シリコン基板の上に、ルテニウムからなる第２の反応抑止層、シリサイドからなる反応層、ルテニウムからなる第１の反応抑止層、窒化シリコン絶縁膜及びシリコン酸化膜からなる絶縁層、単結晶シリコン層が、この順番で積層され」て、「窒化シリコン絶縁膜及びシリコン酸化膜からなる」前記埋め込み「絶縁層」に「ルテニウム」という金属からなる「第１の反応抑止層」が直接接触する構造を有し、前記埋め込み「絶縁層」に直接接触する前記「第１の反応抑止層の厚さ」を「信号伝播に伴い発生する電磁波のスキンデプス（表皮深さ）よりも厚くし」た「金属基板ＳＯＩウェハ」を用いることは、当業者であれば、容易に想到し得たものと認められる。
　
５−２．相違点２について
５−２−１．本願発明の技術的範囲
　　ア　本願発明の「前記集積回路の前記多層に構成された配線間が気体により分離される構造は、ホウ素、またはホウ素と燐を含むシリコン酸化膜で形成した後、フッ化水素を体積で１〜７％含み、ガス中の水分濃度が１ｐｐｍ以下であるフッ化水素を含むガスにより、ウェーハ温度が１２０℃〜１４０℃の範囲の条件にて、前記ホウ素、またはホウ素と燐を含むシリコン酸化膜を選択的に除去された構造であり」という発明特定事項は、物の発明である本願発明の「集積回路」における「前記多層に構成された配線間が気体により分離される構造」という物の特徴を、「ホウ素、またはホウ素と燐を含むシリコン酸化膜で形成した後、フッ化水素を体積で１〜７％含み、ガス中の水分濃度が１ｐｐｍ以下であるフッ化水素を含むガスにより、ウェーハ温度が１２０℃〜１４０℃の範囲の条件にて、前記ホウ素、またはホウ素と燐を含むシリコン酸化膜を選択的に除去された」という製造方法で特定しようとするものである。
　すなわち、本願発明は、いわゆる、プロダクト・バイ・プロセス・クレームで発明の技術的特徴を特定した発明である。
　
　　イ　ところで、平成１１年（行ケ）第４３７号の判決は、プロダクト・バイ・プロセス・クレームについて次のように判示している。
　
・「本件発明が，製造方法の発明ではなく，物の発明であることは，上記特許請求の範囲の記載から明らかであるから，本件発明の上記特許請求の範囲は，物（プロダクト）に係るものでありながら，その中に当該物に関する製法（プロセス）を包含するという意味で，広い意味でのいわゆるプロダクト・バイ・プロセス・クレームに該当するものである。そして，本件発明が物の発明である以上，本件製法要件は，物の製造方法の特許発明の要件として規定されたものではなく，光ディスク用ポリカーボネート成形材料という物の構成を特定するために規定されたものという以上の意味は有し得ない。そうである以上，本件発明の特許要件を考えるに当たっては，本件製法要件についても，果たしてそれが本件発明の対象である物の構成を特定した要件としてどのような意味を有するかを検討する必要はあるものの，物の製造方法自体としてその特許性を検討する必要はない。発明の対象を物を製造する方法としないで物自体として特許を得ようとする者は，本来なら，発明の対象となる物の構成を直接的に特定するべきなのであり，それにもかかわらず，プロダクト・バイ・プロセス・クレームという形による特定が認められるのは，発明の対象となる物の構成を，製造方法と無関係に，直接的に特定することが，不可能，困難，あるいは何らかの意味で不適切（例えば，不可能でも困難でもないものの，理解しにくくなる度合が大きい場合などが考えられる。）であるときは，その物の製造方法によって物自体を特定することに，例外として合理性が認められるがゆえである，というべきであるから，このような発明についてその特許要件となる新規性あるいは進歩性を判断する場合においては，当該製法要件については，発明の対象となる物の構成を特定するための要件として，どのような意味を有するかという観点から検討して，これを判断する必要はあるものの，それ以上に，その製造方法自体としての新規性あるいは進歩性等を検討する必要はないのである。
　　　　本件発明は，光ディスク用ポリカーボネート成形材料において，含有される重合溶媒であるハロゲン化炭化水素が記録膜を腐食させる原因となっていることを見いだし，同成形材料中に含有される重合溶媒であるハロゲン化炭化水素を１ppm以下とするとの構成により，記録膜の腐食による劣化，破壊が生じにくいように改善したものであって，本件製法要件は，含有されるハロゲン化炭化水素が１ppm以下であるとのポリカーボネート成形材料を製造するための製造方法であるものの，このこと以外に，本件発明の対象であるポリカーボネート成形材料の構造ないし性質，性状その他の構成自体を特定するための要件としての特段の意味を有するものであると解することはできない。」
　
　　ウ　そこで、平成１１年（行ケ）第４３７号の判決に照らして、まず、本願の特許請求の範囲の請求項１において、「発明の対象となる物の構成を，製造方法と無関係に，直接的に特定することが，不可能，困難，あるいは何らかの意味で不適切」であるとの特段の事情が存在したか否かを検討する。
　
　　エ　前記アの製造方法につき、本願明細書には、
・「上記の工程により金属配線間にＢＰＳＧが存在する通常の多層配線が形成される。この後、少なくとも水分量を１ｐｐｍ以下に低減したＮ２やＡｒなどのガス中に無水のＨＦガスを１〜７％添加したガスにより、配線間のＢＰＳＧのみを選択的に取り除く。発明者等は、ＳｉＯ２のエッチングは中性のＨＦではエッチングされず、ＨＦ２−イオンが存在して初めてエッチングされることをつきとめた。すなわち、 
　　　ＳｉＯ２＋３ＨＦ２−＋Ｈ＋＝ＳｉＦ６−−＋２Ｈ２Ｏ 　　（４）
である。
　ＨＦ２−イオンは、ＨＦ分子を超純水中に溶解するとＨＦ分子が一部Ｈ−とＦ−に解離し、Ｆ−イオンは大量に存在するＨＦ分子と水素結合により結合することにより発生する。したがって、フッ酸水溶液はＳｉＯ２をエッチングするのである。しかし、水の存在しない１００％のＨＦ溶液（−８３℃から＋１９．５℃まで液体で存在）中ではＳｉＯ２はエッチングされない。」、
・「Ｂ２Ｏ３＋８ＨＦ ＝２ＢＦ４−＋３Ｈ２Ｏ＋２Ｈ＋ 　　　　(５）
　上記の式から明らかなように、ＢＰＳＧ、ＢＳＧがＨＦと反応すると水分（Ｈ２Ｏ）が発生する。ウェーハの温度が低いと、発生した水分はウェーハ表面に付着し、凝縮して水滴を作る。結果として、ＨＦが水滴中に溶解してフッ酸溶液になり、ＳｉＯ２をエッチングする。反応により発生した水分をウェーハ表面に吸着させない処理が重要である。Ｎ２やＡｒ中に５％程度のＨＦガスを混合したガス雰囲気で、１２０〜１４０℃の温度で処理すると、発生した水分は表面に吸着せず除去されて、ＳｉＯ２は全くエッチングされず層間絶縁膜のＢＰＳＧ膜だけが選択的にエッチングされる。」、
と記載されている。
　したがって、本願明細書には、「ＳｉＯ２のエッチングは中性のＨＦではエッチングされず、ＨＦ２−イオンが存在して初めてエッチングされる」という事実を「発明者等」が「つきとめ」、この事実に基づいて、「ホウ素、またはホウ素と燐を含むシリコン酸化膜」すなわち、ＢＳＧまたはＢＰＳＧをエッチングするためのエッチングガスから水を排除するとともに、エッチング工程中に生じる水を除去すれば、前記「ホウ素、またはホウ素と燐を含むシリコン酸化膜」を「ＳｉＯ２」に対して完全に選択的にエッチングできることを発明した、ことが記載されている。
　
　　オ　これに対して、本願発明は、「ホウ素、またはホウ素と燐を含むシリコン酸化膜で形成した後、フッ化水素を体積で１〜７％含み、ガス中の水分濃度が１ｐｐｍ以下であるフッ化水素を含むガスにより、ウェーハ温度が１２０℃〜１４０℃の範囲の条件」では「選択的に除去され」ない材料を特定していない。
　したがって、本願発明の「ホウ素、またはホウ素と燐を含むシリコン酸化膜で形成した後、フッ化水素を体積で１〜７％含み、ガス中の水分濃度が１ｐｐｍ以下であるフッ化水素を含むガスにより、ウェーハ温度が１２０℃〜１４０℃の範囲の条件にて、前記ホウ素、またはホウ素と燐を含むシリコン酸化膜を選択的に除去された」という製造方法は、単に「前記多層に構成された配線間が気体により分離される構造」を得るための製造方法を記載したものという以外には、特段の意味を有するものとは解することができない。
　そして、本願発明の「前記多層に構成された配線間が気体により分離される構造」という物の構造に関する記載によって、当該「構造」の技術的特徴は十分に特定されていると認められる。
　よって、前記「選択的に除去され」ない材料の特定がない本願発明の「前記多層に構成された配線間が気体により分離される構造」を、「ホウ素、またはホウ素と燐を含むシリコン酸化膜で形成した後、フッ化水素を体積で１〜７％含み、ガス中の水分濃度が１ｐｐｍ以下であるフッ化水素を含むガスにより、ウェーハ温度が１２０℃〜１４０℃の範囲の条件にて、前記ホウ素、またはホウ素と燐を含むシリコン酸化膜を選択的に除去された」という製造方法によって特定する外ない、との特段の事情が存在するとは認められない。
　
　　カ　そうすると、本願発明の「前記多層に構成された配線間が気体により分離される構造は、ホウ素、またはホウ素と燐を含むシリコン酸化膜で形成した後、フッ化水素を体積で１〜７％含み、ガス中の水分濃度が１ｐｐｍ以下であるフッ化水素を含むガスにより、ウェーハ温度が１２０℃〜１４０℃の範囲の条件にて、前記ホウ素、またはホウ素と燐を含むシリコン酸化膜を選択的に除去された構造」であるという発明特定事項の技術的範囲は、「ホウ素、またはホウ素と燐を含むシリコン酸化膜で形成した後、フッ化水素を体積で１〜７％含み、ガス中の水分濃度が１ｐｐｍ以下であるフッ化水素を含むガスにより、ウェーハ温度が１２０℃〜１４０℃の範囲の条件にて、前記ホウ素、またはホウ素と燐を含むシリコン酸化膜を選択的に除去された」という製造方法で最終的に製造される、「前記多層に構成された配線間が気体により分離される構造」自体を意味している解釈すべきである。
　
５−２−２．相違点２についての検討
　　ア　引用例１には、前記「３−１−１．引用例１の記載事項」の「イ　発明の背景」において、ｃで摘記したように、「発明が解決しようとする課題」として「本発明は、配線で発生した熱をすばやく伝達することができ、かつ、配線の有する容量が小さな層間絶縁膜を形成することにより、高速で、かつ、信頼性の高い半導体装置を提供することを目的とする。」と記載されている。
　
　　イ　前記「３−３−４．引用例３〜５に記載された技術」の項で指摘したように、
「半導体基板上に、層間材料層と、該層間材料層中にあって上下の配線層を接続する導電材料からなるコンタクト部材と、導電材料からなる前記配線層を、それぞれ、複数積層し、
　その後、アッシング、ドライエッチングないしウェットエッチング等の処理を施すことにより前記層間材料層を除去して、
　前記配線層間が空洞により絶縁された多層構造の中空配線を得る、
積層配線の製造方法。」
は、半導体装置の製造技術において周知技術であり、そして、この「製造方法」で製造された「各配線層間が空洞により絶縁された多層構造の中空配線」は、前記「空洞」を満たす空気等の気体は前記「層間材料」より誘電率が小さいから配線間の静電容量が減少し、そのため半導体装置の動作速度が向上し、かつ、配線層からの放熱性が向上する、という効果を奏することは周知の事項であった。
　
　　ウ　一方、引用例１には、前記「３−１−１．引用例１の記載事項」の「オ　実施例」において、ｊで摘記したように、「実施例１〜５では、層間絶縁膜として、ＳｉＯ２、ポリイミド樹脂について述べたが、本技術はどんな絶縁物が使われる時にも有効であると判断した。すなわち、実質的な層間絶縁物の誘電率を小さくして高速動作を保証し、かつ、窒化アルミニウムのような熱伝導率の高い絶縁物で配線間の要所要所にＤＨを導入することにより、配線の温度上昇を抑えて配線の信頼性を向上させることが可能なためである。」と記載されている。すなわち、「誘電率を小さくして高速動作を保証」でき、「配線間の要所要所にＤＨを導入する」ことができる「層間絶縁物」であれば、「どんな絶縁物」でも使うことができることが、引用例１には記載ないし示唆されている。
　そして、積層配線の層間絶縁物として空気等の気体を用いることは、上記のとおり、周知技術であり、さらに、前記空気等の気体の誘電率が、ＳｉＯ２やポリイミド樹脂やＢＰＳＧのそれより小さいことは、技術常識である。
　
　　エ　したがって、引用発明１において、「低抵抗配線」で発生した熱を、よりすばやく伝達することができ、かつ、前記「低抵抗配線」の有する容量より小さくして、より高速で、かつ、信頼性がより高い「半導体装置」が得られるように、「上下に位置する前記低抵抗配線」を、「ＳｉＯ２、ポリイミド樹脂、ＢＰＳＧ等からな」る「層間絶縁物」で「電気的に分離」することに代えて、周知技術の「製造方法」で製造された「各配線層間が空洞により絶縁された多層構造の中空配線」ように、前記「空洞」を満たす空気等の気体で「電気的に分離」することは、当業者が容易に想到し得たものと認められる。
　よって、相違点２は、周知技術を参酌すれば、引用発明１から当業者が容易に想到し得た範囲に含まれるものである。
　
５−２−３．特段の事情が存在するとしたときの検討
　　ア　以上で検討したように、本願発明の「前記多層に構成された配線間が気体により分離される構造」は、「ホウ素、またはホウ素と燐を含むシリコン酸化膜で形成した後、フッ化水素を体積で１〜７％含み、ガス中の水分濃度が１ｐｐｍ以下であるフッ化水素を含むガスにより、ウェーハ温度が１２０℃〜１４０℃の範囲の条件にて、前記ホウ素、またはホウ素と燐を含むシリコン酸化膜を選択的に除去された」という製造方法によって特定する外ないとの特段の事情が存在しないものであり、そうすると、相違点２は、周知技術を参酌すれば、引用発明１から当業者が容易に想到し得た範囲に含まれるものである。
　
　しかしながら、仮に、前記の特段の事情が存在するとして、相違点２について検討する。
　この場合、本願発明の「前記集積回路」の「前記多層に構成された配線間が気体により分離される構造」との発明特定事項の技術的範囲は、「ホウ素、またはホウ素と燐を含むシリコン酸化膜で形成した後、フッ化水素を体積で１〜７％含み、ガス中の水分濃度が１ｐｐｍ以下であるフッ化水素を含むガスにより、ウェーハ温度が１２０℃〜１４０℃の範囲の条件にて、前記ホウ素、またはホウ素と燐を含むシリコン酸化膜を選択的に除去された」という製造方法によって製造された「構造」に限定されると解するべきである。
　
　　イ　ところで、本願発明において、上記製造方法により「前記多層に構成された配線間が気体により分離される構造」を形成したのは、前記「５−２−１．本願発明の技術的範囲」のウで指摘したとおり、「金属配線間にＢＰＳＧが存在する通常の多層配線」から、「少なくとも水分量を１ｐｐｍ以下に低減したＮ２やＡｒなどのガス中に無水のＨＦガスを１〜７％添加したガスにより、配線間のＢＰＳＧのみを選択的に取り除く」に際して、「ＳｉＯ２のエッチング」が行われないためであることが本願明細書に記載されている。
　しかしながら、本願発明の上記製造方法について、本願明細書には、前記前記「５−２−１．本願発明の技術的範囲」のウで指摘した一つの実施例が記載されているだけであって、この実施例の効果を定量的に裏付ける実験結果は記載されていない。
　さらに、本願の特許請求の範囲の請求項１には、「選択的に除去」しない材料である「ＳｉＯ２」、すなわち、不純物が添加されていないシリコン酸化膜については、何ら記載されていない。
　以上から、「前記ホウ素、またはホウ素と燐を含むシリコン酸化膜を選択的に除去」するための、フッ化水素を体積で「１〜７％」含み、ガス中の水分濃度が「１ｐｐｍ以下」であるフッ化水素を含むガスにより、ウェーハ温度が「１２０℃〜１４０℃の範囲」という本願発明の「条件」における各数値範囲に、臨界的な意義があるとは認められないばかりでなく、不純物が添加されていないシリコン酸化膜のエッチングが行われずに「前記ホウ素、またはホウ素と燐を含むシリコン酸化膜を選択的に除去」するという点で技術的な意義があるとは認められない。
　
　　ウ　さて、半導体装置の技術分野において、金属材料からなる配線層が多層に積層された配線構造を半導体装置内に形成するに際して、前記金属材料からなる配線とシリコン酸化膜とで囲まれた領域を空洞にするため、前記領域に存在したＢＰＳＧ層（すなわち、ホウ素と燐を含むシリコン酸化層）をふっ酸（ＨＦ）を含むガスに晒すことにより、前記ＢＰＳＧ層のみを、前記金属材料からなる配線層及び前記シリコン酸化膜に対して選択的に除去することは、以下に示す周知例１〜２に記載され、周知技術にすぎない。
　また、ＢＰＳＧ層をふっ酸（ＨＦ）を含むガスに晒すことにより、前記ＢＰＳＧ層のみを、当該ＢＰＳＧ層の周囲に位置する金属材料からなる配線層及び前記シリコン酸化膜に対して選択的に除去する技術において、前記ＢＰＳＧ層であるＢＰＳＧ膜２８を、４０℃〜１００℃の範囲で加熱しながらふっ酸（ＨＦ）蒸気に晒して前記ＢＰＳＧ膜２８をエッチングして除去すると、前記シリコン酸化膜である第２のＳｉＯ２ 膜２７や、前記金属材料からなる配線層の一部となるＴｉ膜３０、ＴｉＮ膜３１、Ｗ膜３２は、前記ふっ酸蒸気ではほとんどエッチングされないので、前記ＢＰＳＧ膜２８のみが選択的に除去されることは、以下に示す周知例３に記載され、周知の事項である。
　そして、前記ＢＰＳＧ層をふっ酸（ＨＦ）を含むガスに晒すことにより、前記ＢＰＳＧ層のみを、当該ＢＰＳＧ層の周囲に位置する他の膜に対して選択的に除去する際、前記ふっ酸（ＨＦ）を含むガス中の水分量を削減することは、以下に示す周知例４〜６に記載され、周知技術にすぎない。
　
　　エ　してみれば、前記「５−２−２．相違点２についての検討」のエで述べたように、引用発明１の「上下に位置する前記低抵抗配線」を、「ＳｉＯ２、ポリイミド樹脂、ＢＰＳＧ等からな」る「層間絶縁物」で「電気的に分離」することに代えて、前記「層間絶縁物」を除去した後の空洞における空気等の気体で「電気的に分離」するに際して、前記除去する「層間絶縁物」として、ふっ酸（ＨＦ）を含むガスに晒すことにより「Ａｌ、Ｃｒ、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｕ」等の金属材料からなる「低抵抗配線」に対して選択的に除去することが可能な「ＢＰＳＧ」を採用し、この、ふっ酸（ＨＦ）を含むガスに晒すことにより「ＢＰＳＧ」層を選択的に除去する処理を、前記「ＢＰＳＧ」層を加熱しながら行うことは、当業者が容易に想到し得たものと認められる。
　このとき、前記ふっ酸（ＨＦ）を含むガス中に含まれる、ふっ酸（ＨＦ）の量を「１〜７％」にすること、水分濃度を「１ｐｐｍ以下」にすることは、前記ふっ酸（ＨＦ）を含むガスが必要とする「ＢＰＳＧ」層の選択的除去性能に応じて、当業者が適宜に設定し得たものと認められる。
　また、「ＢＰＳＧ」層を加熱しながら前記「ＢＰＳＧ」層の除去を行うために、前記「ＢＰＳＧ」層が設けられた「基板」を「１２０℃〜１４０℃」に加熱することは、前記「基板」に加えた熱の前記「ＢＰＳＧ」層への伝わりやすさや加熱時間、前記除去工程中における水分量の削減等を考慮して、当業者が適宜に設定し得たものと認められる。
　
　　オ　したがって、本願発明の「前記多層に構成された配線間が気体により分離される構造」は、「ホウ素、またはホウ素と燐を含むシリコン酸化膜で形成した後、フッ化水素を体積で１〜７％含み、ガス中の水分濃度が１ｐｐｍ以下であるフッ化水素を含むガスにより、ウェーハ温度が１２０℃〜１４０℃の範囲の条件にて、前記ホウ素、またはホウ素と燐を含むシリコン酸化膜を選択的に除去された」という製造方法によって特定する外ないとの特段の事情が存在したとしても、相違点２は、周知技術を参酌すれば、引用発明１から当業者が容易に想到し得た範囲に含まれるものである。
　
　　カ　周知例１
　本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である特開平０８−３０６７８４号公報（「周知例１」という。）には、「半導体装置及びその製造方法」（発明の名称）に関して、図２(ａ)〜(ｇ)、図４(ａ)〜(ｇ)とともに、以下の事項が記載されている。
ａ．「【００１２】
シリコン酸化膜の比誘電率は約３．６であり空気層の比誘電率は１．０である
本構造での層間絶縁膜のεは実効的に約１．４となり、シリコン酸化膜単層の層間絶縁膜を用いた場合に比べ２．６分の１に低減できる
　
ｂ．「【００１３】次に、図２を参照して図１に示す半導体装置の製造方法について説明する。図２（ａ）〜（ｇ）は、第１の実施例の半導体装置の製造方法を説明するための工程順断面図である。まず、従来より知られている一般的な工程によりシリコン基板１上に素子分離酸化膜２およびＭＯＳ型ＦＥＴ３を形成する〔図２（ａ）〕。次に、ＣＶＤ法を用いて全面にシリコン酸化膜５を形成する〔図２（ｂ）〕。さらに、
前記シリコン酸化膜上にＣＶＤ法を用いてＢＰＳＧ膜１０およびシリコン酸化膜７を順次堆積する
【００１４】その後、フォトリソグラフィ技術を用いてコンタクトホール形成領域上に開口を有するフォトレジスト膜１１形成する〔図２（ｄ）〕。次に、ドライエッチング技術を用いて、基板表面の被コンタクト領域に達するコンタクトホール４をシリコン酸化膜７、ＢＰＳＧ膜１０およびシリコン酸化膜５を貫通して開孔する〔図２（ｅ）〕。さらに、
アルミニウム合金の被着とそのパターンニングにより、コンタクトホール４を介して被コンタクト領域と接触する配線層８を形成する
気相ＨＦ処理を行うことによりＢＰＳＧ膜１０のみを前記開口を通して選択的に除去して空気層６を形成する
　
ｃ．「【００１７】次に、図４を参照して図３に示す第２の実施例の半導体装置の製造方法について説明する。図４（ａ）〜（ｇ）は、この第２の実施例の半導体装置の製造方法を説明するための工程順断面図である。
図２に示した製造工程を経ることにより図４（ａ）に示す半導体装置を得る
【００１８】その後、フォトリソグラフィ技術を用いてビアホール形成領域上に開口を有するフォトレジスト膜１８形成する〔図４（ｄ）〕。次に、ドライエッチング技術を用いて、
下層の配線層に達するビアホール１３をシリコン酸化膜１４、ＢＰＳＧ膜１７、およびシリコン酸化膜１６を貫通して開孔する
さらに配線層１２を形成する
シリコン酸化膜１６に開口（図示なし）を形成する。最後に、気相ＨＦ処理を行い、上記開口を通してＢＰＳＧ膜１７のみを選択的に除去して空気層１５を形成する
　
　　キ　周知例２
　本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である特開平０９−０２７５４６号公報（「周知例２」という。）には、「半導体装置の製造方法」（発明の名称）に関して、図１〜１６とともに、以下の事項が記載されている。
ａ．「【００２９】次に、第２の実施の形態を説明する。図１までは、第１の実施の形態と同じである。次に、図９に示すように、シ
リコン酸化膜１１０および第１の金属配線１１１上に常圧式化学気相成長法またはプラズマ式化学気相成長法によってＴＥＯＳ（Tetra-Ethyl-Ortho-Silicateglass ）系シリコン酸化膜１１３を形成する。このＴＥＯＳ系シリコン酸化膜１１３は不純物として、ボロンとリンを含んだＴＥＯＳ系ＢＰＳＧ膜でもよい
【００３０】その後、図１０に示すように、ＴＥＯＳ系シリコン酸化膜１１３をエッチバックすることによって、
第１の金属配線１１１の上面を露出し
【００３１】次に、図１１に示すように、
第１の金属配線１１１の上面およびＴＥＯＳ系シリコン酸化膜１１３の上に、プラズマ式化学気相成長法によってシリコン酸化膜１１４を形成する
【００３２】そして、図１２に示すように、ＴＥＯＳ系シリコン酸化膜の表面の一部と配線の表面の一部を境界部１２０を介して連続して露出するように、
シリコン酸化膜１１４に開孔部１１５を形成する
【００３３】次に図６に示すように、
エッチャントとしてフッ酸の蒸気を開孔部１１５から導入することによって、ＴＥＯＳ系シリコン酸化膜１１３の表面の一部１２１がエッチングされ、ＴＥＯＳ系シリコン酸化膜１１３が除去される
【００３４】
これは、フッ酸の蒸気に対するＴＥＯＳ系シリコン酸化膜１１３のエッチング速度が、シリコン酸化膜１１４、１１０のエッチング速度よりも速いことと第１の金属配線１１１はフッ酸の蒸気によってエッチングされないことにより、シリコン酸化膜１１４、１１０および第１の金属配線１１１を残して、ＴＥＯＳ系シリコン酸化膜１１２をエッチングすることができる
【００３５】このようにして、
第１の金属配線１１１とシリコン酸化膜１１４、１１０とによって囲まれた領域に空洞１１７を形成する
【００３６】この後の工程は、第１の実施の形態で説明したように、図７に示すように、
シリコン酸化膜１１９を堆積して開孔部１１５を塞ぎ、図８に示すように、シリコン酸化膜１１９の上に第２の金属配線１１８を形成する
　
　　ク　周知例３
　本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である特開平１０−０５０８３１号公報（「周知例３」という。）には、「半導体装置の製造方法」（発明の名称）に関して、図１〜６とともに、以下の事項が記載されている。
ａ．「【００１９】次に、図５に示す第５の工程において、前工程で
Ｔｉ膜３０、ＴｉＮ膜３１、Ｗ膜３２が除去されＢＰＳＧ膜２８の上面が露出したものを、４０℃〜１００℃の範囲で、例えば６０℃に加熱しながらふっ酸（ＨＦ）蒸気に晒し、ＢＰＳＧ膜２８をエッチングして除去し、第２のＳｉＯ
２
 膜２７の表面を露出させる。この時、第２のＳｉＯ
２
 膜２７やＴｉ膜３０、ＴｉＮ膜３１、Ｗ膜３２はふっ酸蒸気ではほとんどエッチングされないので、ＢＰＳＧ膜２８のみが選択的に除去される
【００２０】その後、図６に示す第６の工程において、第２のＳｉＯ２ 膜２７の上面及び
Ｔｉ膜３０、ＴｉＮ膜３１、Ｗ膜３２が埋め込まれているコンタクトホール２９上にメタルスパッタ法により再びチタン、チタン窒化物を連続堆積させ
ＴｉＮ膜３４、膜厚が６００ｎｍのＡｌ膜３５を形成する
Ｔｉ膜３３、ＴｉＮ膜３４、Ａｌ膜３５をＲＩＥ法によりエッチングし、所定配線パターンを有する上層配線である第２の配線３６ａ，３６ｂ，３６ｃを形成する
　
　　ケ　周知例４
　本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である特開平０６−１８１１８８号公報（「周知例４」という。）には、「エッチング方法および装置」（発明の名称）に関して、図１〜１０とともに、以下の事項が記載されている。
ａ．「【０００３】一方、気相ＨＦ処理を用いることにより、酸化膜質によりエッチングレートが大きく変化するという新しい現象も見出されている。Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｏｎ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｄｅｖｉｃｅ，Ｖｏｌ．３７，Ｎｏ．１（１９９０）において“Ｇａｓ−Ｐｈａｓｅ  Ｓｅｌｅｃｔｉｖｅ  Ｅｔｃｈｉｎｇ  ｏｆＮａｔｉｖｅ  Ｏｘｉｄｅ”と題して発表された論文において、
気相ＨＦガス中の水分濃度を制御することで酸化膜質の違いによりエッチングレートが大きく変化するということが報告された
　
ｂ．「【００３７】実施例２
ＨＦ／Ｈ２ Ｏガスによるエッチングにおいて、
Ｈ
２
 Ｏ：３００Ｐａおよび６００Ｐａの分圧下で、ＨＦガス分圧を変化させた場合の、ＢＰＳＧと熱酸化膜のエッチングレートの比を図７に示す。これより、ＨＦガス分圧を高くすることで、ＢＰＳＧと熱酸化膜のエッチング選択性が崩れやすいことがわかる。これより、ＨＦあるいはＨＦ／Ｈ
２
 Ｏガスエッチングを減圧下で行うことで、ＨＦ分圧を容易に低減できるため、広いプロセス範囲で選択エッチングが実現できる
【００３８】実施例３
水分濃度の影響を調べるために、到達真空度０．１Ｐａの反応室内に０〜２０００ＰａのＨ
２
 Ｏガスを導入し、引続きＨＦガスを６００Ｐａ導入し、酸化膜エッチングを１０℃で行った
　……（中略）……
「【００４０】図９に
ＨＦ／Ｈ
２
 Ｏ＝６００／３００Ｐａで３０秒間気相エッチング処理を行った
ＰＳＧおよびＢＰＳＧ膜が他の膜に比較し大きくエッチングされている
　
ｃ．図７には、Ｈ２Ｏ分圧が高いと、より低いＨＦ分圧でＢＰＳＧ／ＳｉＯ２エッチングレートの急激な低下が始まることが示されている。
　
　　コ　周知例５
　本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である特開平０８−０６４６７３号公報（「周知例５」という。）には、「半導体集積回路装置およびその製造方法」（発明の名称）に関して、図２とともに、以下の事項が記載されている。
ａ．「【００１７】次に、
残りのＢＰＳＧ膜１４をＣＶＤ酸化膜１７に対して選択的に除去
これには水蒸気分圧１００Ｐａ以下の真空チャンバ内にＨＦを導入する方法を用いる。キャップＢＰＳＧ膜１４とＣＶＤ酸化膜１７のエッチングレート比は約１０００が得られるのでキャップＢＰＳＧ膜１４の残り５０ｎｍをエッチングしてもＣＶＤ酸化膜１７はほとんどエッチングされない
　
　　サ　周知例６
　本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である特開平１１−０２６７２１号公報（「周知例６」という。）には、「半導体集積回路装置およびその製造方法」（発明の名称）に関して、図２０〜２１とともに、以下の事項が記載されている。
ａ．「【００６６】このように形成した半導体装置のストレージノード１２はストレージノードコンタクト１１を埋め込むコンタクトホール１８の形成のためのレジストパターン（図示せず）と、ストレージノード部１８ａを形成するためのレジストパターン１７ａをそれぞれ形成しなくてはならない。しかし、ストレージノード部１８ａ内に導電物質を埋設することでストレージノード１２を形成し、
ストレージノード１２の形成に用いるＢＰＳＧ膜１６は無水気相ＨＦ処理によって除去するため、その下層のノンドープのシリコン酸化膜からなる層間絶縁膜１０とは十分な選択比を確保できている
　
５−３．相違点３について
　　ア　本願明細書には、「ゲート遅延」を小さくすることに関しては、「こうした超高速動作の要求に対し、トランジスタから構成される論理ゲート自身のゲート遅延は、図２、２０１に示すようにトランジスタの微細化により十分達成される。」と記載されているだけである。
　したがって、本願発明は、「複数のトランジスタを……集積」することで、「トランジスタ」を微細化して、「ゲート遅延」を「極小」にしたと解される。
　そして、本願発明において、「配線遅延、及び基板起因の遅延」は、「多層に構成された配線間が気体により分離される構造」を採用するとともに、「前記基板が埋込み絶縁膜に直接もしくは低抵抗半導体層を介して隣接する金属層を含」み「前記埋込み絶縁膜に隣接して設けられた金属層の厚さが、前記多層に構成された配線を伝搬する電気信号の表皮厚さより厚くし」た「ＳＯＩ基板」を採用することで、それぞれ「極小」にしていることは明らかである。
　
　　イ　これに対して、引用発明１は「一つの基板上にトランジスタ、抵抗体、コンデンサ等の電気素子を高密度に配置して集積化し」たものである。
　してみれば、前記「５−１．相違点１について」で述べたように、引用発明１の「基板」として、引用発明２の「シリコン基板の上に、ルテニウムからなる第２の反応抑止層、シリサイドからなる反応層、ルテニウムからなる第１の反応抑止層、窒化シリコン絶縁膜及びシリコン酸化膜からなる絶縁層、単結晶シリコン層が、この順番で積層され」て、「窒化シリコン絶縁膜及びシリコン酸化膜からなる」前記埋め込み「絶縁層」に「ルテニウム」という金属からなる「第１の反応抑止層」が直接接触する構造を有し、前記埋め込み「絶縁層」に直接接触する前記「第１の反応抑止層の厚さ」を「信号伝播に伴い発生する電磁波のスキンデプス（表皮深さ）よりも厚くし」た「金属基板ＳＯＩウェハ」を用い、前記「５−２−２．相違点２についての検討」ないし前記「５−２−３．「不真正プロダクト・バイ・プロセス・クレーム」であるとしたときの検討」で述べたように、引用発明の「上下に位置する前記低抵抗配線」を、「ＳｉＯ２、ポリイミド樹脂、ＢＰＳＧ等からな」る「層間絶縁物」で「電気的に分離」することに代えて、空気等の気体で「電気的に分離」すれば、当然に、「ゲート遅延、配線遅延、及び基板起因の遅延を全て極小に」していると認められる。
　
５−４．小括
　以上のとおりであるから、相違点１〜３は、引用発明２及び周知技術を参酌すれば、引用発明１から当業者が容易に想到し得た範囲に含まれる程度のものである。
　そして、本願発明の効果も、引用発明１、引用発明２及び周知技術から、当業者が予期し得たものである。
　したがって、本願発明は、引用発明１、引用発明２及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものと認められる。
　
　
第３．結言
　以上のとおり、本願発明は、引用発明１、引用発明２及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
　したがって、本願は、他の請求項について検討するまでもなく、拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。