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　特願２００６−５３１９３８「炭化ケイ素単結晶ウェハ及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年　３月　２日国際公開、ＷＯ２００６／０２２２８２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯・本願発明
　本願は、２００５年８月２４日（優先権主張　２００４年８月２４日、２００４年１１月２２日、日本国）を国際出願日とする出願であって、平成２２年３月３１日付けで拒絶理由が起案され、同年６月７日付けで意見書及び手続補正書が提出され、同年１２月９日付けで拒絶査定が起案され、平成２１年３月１４日付けで拒絶査定不服審判の請求がなされ、その後、当審から平成２４年１２月２１日付けで審尋を通知し、期間を指定して請求人の意見を求めたところ、請求人からの回答書の提出が無かったものである。
　本願の請求項１〜１４に係る発明は、平成２２年６月７日付けで提出された手続補正書によって補正された特許請求の範囲の請求項１〜１４に記載された事項により特定されるとおりのものであって、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、次のとおりのものである。
　
　　【請求項１】
　（０００１）ｃ面からのオフ角が０．４度以下であり、オフ方向は、〈１１−２０〉方向からのずれが２．５度以内であるエピタキシャル成長面を有することを特徴とするα型（六方晶）炭化ケイ素単結晶ウェハ。
　
第２．引用例
　原査定の拒絶の理由で引用文献１として引用された、本願の出願前に頒布された刊行物である米国特許５２４８３８５号明細書（以下、「引用例」という。）には、次の事項が記載されている。
（ア）「DETAILED DESCRIPTION OF A PREFERRED EMBODIMENT
・・・・・・
As an example of a preferred embodiment, the chemical vapor deposition of a 6H film on a low-tilt-angle (0.2.degree.) vicinal (0001) 6H wafer will be described.
 Referring now to FIG. 2, there is shown an atomic-scale cross-sectional drawing of a SiC substrate 6 prepared for the inventive process. The preparation procedure is the first step of the inventive process and is as follows. The wafer is sliced from a 6H boule such that the wafer surface 7 is misoriented relative to the basal plane 8 by a tilt angle 9 of approximately 0.2.degree.. The c-axis 10 is perpendicular to the basal plane. Also, the non-zero tilt angle produces atomic steps 11 on the wafer surface. Although a tilt direction toward 1100 or 1120 can be used, it is expected that further work will determine which direction is the optimum.」（４欄３６行〜５欄１７行）
（当審訳：好ましい具体化の詳細な記述
・・・・・・
好ましい具体化の例として、低い傾斜角（０．２度）の（０００１）面近傍となる６Ｈウエハ上の６Ｈ被膜の化学蒸着が記述される。
　今、図２を参照すると、本発明の工程のために準備されたＳｉＣ基板６の原子スケール断面図が示されている。準備のための手続は、本発明の工程の第１ステップであり、次のとおりである。ウェハの表面７が約０．２度の傾斜角によって底面８に対して傾いているウェハは６Ｈ結晶からスライスされる。Ｃ軸１０は底面に対する垂線である。また、０度の傾斜角はウェハ表面の原子の段１１を生じさせる。〈１１００〉または〈１１２０〉方向の傾斜方向を用いてもよいが、どちらの方向が最適かは、さらなる研究により決定されることが期待される。）
（イ）「That which is claimed is:
1. A method of producing a device quality silicon carbide film on a silicon carbide substrate of the same polytype comprising: homoepitaxially depositing a film of a SiC polytype on a specially prepared planar surface of a SiC substrate, wherein the planar surface can have any non-zero inclination relative to a basal plane from less than 0.1.degree. to about 6.degree. and wherein the planar surface has been subjected to a suitable pregrowth etch that eliminates all surface features that can act as sites of heterogeneous nucleation of a polytype different from the substrate during subsequent film growth.
・・・・・・
7. A method according to claim 1 wherein the substrate is a wafer cut from a single-crystal SiC boule.」（６欄４１行〜７欄４行）
（当審訳：特許請求の範囲
１．炭化珪素基板上にそれと同じポリタイプのデバイス品質の炭化珪素被膜を製造する方法であって、
ＳｉＣ基板の特別に準備した平面へＳｉＣポリタイプの被膜をホモエピタキシャルに堆積するに当たり、この平面は基板底面に対して０．１度弱から約６度の範囲のゼロでない傾斜を有し、この表面に対して、次工程の被膜成長において基板とは異なったポリタイプの成長の核となるようなあらゆる表面の特徴を除去する適切な成長前エッチを行うことを含む方法。
・・・・・・
７．基板が単結晶ＳｉＣ結晶から切り出したウェハである請求項１の方法。」
（ウ）「cross-sectional schematic drawing illustrating atomic-scale growth steps on a wafer surface utilized in the process of the invention」（４欄２９〜３１行）（当審訳：本発明の方法に用いられるウェハ表面における原子スケールの成長ステップを説明するための断面概略図）とされる図２ａをみると、上記（ア）の事項を窺うことができる。
　
第３．対比・判断
１．引用例に記載された発明
ア　引用例の（ア）には、同（イ）に記載された「炭化珪素被膜を製造する方法」の具体例が記載されているといえる。
イ　そうすると、同（イ）における「６Ｈウェハ」とは「炭化珪素（ＳｉＣ）基板」のことである。
ウ　同（ア）には、「ウェハの表面７が約０．２度の傾斜角によって底面８に対して傾いている」と記載されているから、該ウェハの表面は、底面である（０００１）ｃ面からのオフ角が０．２度であるといえる。
ウ　そして、同（ア）では、傾斜方向は〈１１２０〉方向であってよいとされているから、オフ方向は〈１１２０〉方向である。
エ　また、該ウェハの表面上に６Ｈ被膜の化学蒸着がなされるから、この表面はエピタキシャル成長面ということができる。
オ　さらに、同（イ）の請求項７の記載によれば、該ウェハは、ＳｉＣ単結晶から切り出したものを含むから、単結晶であるといえる。
カ　以上の検討を、ウエハに着目して、本願発明の記載ぶりに則して整理すると、引用例には、
「（０００１）ｃ面からのオフ角が０．２度で、オフ方向は〈１１２０〉方向であるエピタキシャル成長面を有する６Ｈ炭化珪素単結晶ウェハ」の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　
２．本願発明と引用発明との対比・判断
ア　本願発明と引用発明とを対比する。
イ　引用発明の「（０００１）ｃ面からのオフ角が０．２度」は、本願発明の「（０００１）ｃ面からのオフ角が０．４度以下」とオフ角が０．２度で一致している。
ウ　引用発明の「オフ方向は〈１１２０〉方向」は、六方晶におけるミラー指数の定義に従えば、〈ｈｋｉｌ〉方向において、ｈ＋ｋ＝−ｉの関係が成立するから、本願発明でいう〈１１−２０〉方向ということができる。
　また、引用例には、オフ方向である〈１１２０〉方向からのずれについて言及がされていないから、このずれは、本願の優先日前の技術水準でいう実質的に０度、あるいは、同技術水準に基づいて決められたと推認される本願発明で特定される「２．５度以内」と解することが自然であり、本願発明の「オフ方向は、〈１１−２０〉方向からのずれが２．５度以内である」ことと一致している。
エ　引用発明の「６Ｈ炭化珪素単結晶ウェハ」は、「α型（六方晶）炭化ケイ素単結晶ウェハ」であることは明らかである。
オ　そうすると、両者は、
「（０００１）ｃ面からのオフ角が０．２度であり、オフ方向は、〈１１−２０〉方向からのずれが２．５度以内であるエピタキシャル成長面を有するα型（六方晶）炭化ケイ素単結晶ウェハ。」で一致し、異なるところがなく、仮に相違するところがあっても微差といえる程度のものである。
カ　ここで、請求人の審判請求書における主張について検討する。
カ−１　「〈１１２０〉方向は、ピンポイントに定まるため、〈１１２０〉方向からのずれが全くないオフ方向のエピタキシャル成長面を有するように、炭化珪素単結晶からウェハを切り出すことは、一般的に、困難であります。このため、〈１１２０〉方向に向かった傾斜方向を使用しても良いことが記載されていたからといって、実際に〈１１２０〉方向のオフ方向であるとは限りません。」及び「オフ方向は、数度〜１０数度の世界観を有しています。」と主張している（「【本願発明が特許されるべき理由】」の「（３）引用文献１と本願発明との対比」の項）。
カ−２　請求人のこの主張は、判然としないが、当審は、この主張を「オフ方向は、数度〜１０数度の単位で考えるものであるから、引用文献１に〈１１２０〉方向をオフ方向とする旨の記載（教示）があったとしても、この記載に接した当業者は、〈１１２０〉方向が直ちにオフ方向にならず、〈１１２０〉方向に対してかなりの誤差（本願発明に特定される、２．５度を超える）を含んだ方向であるとの認識を行うから、実際のオフ方向は〈１１２０〉方向に対してずれが２．５度以内とは限らない」と解して、
　本願明細書には、例えば、実施例１に係る【００３５】には、「ウェハとしては、基板全体でオフ角が０．２度、オフ方向が〈１１−２０〉方向からのずれが０．５度である６Ｈウェハ（直径５０．８ｍｍ）を用意し」と記載されており、この記載をみると、ウェハを用意するに当たり、特別の装置を用いたことや通常使用する装置を特別の特別の態様で用いることは開示されていないから、当業者が通常使用する装置を通常の態様で使用していると解することが自然であり、当業者が通常使用する装置を通常の態様で使用すれば、〈１１−２０〉方向からのずれが２．５度以内になるとみるべきであって、請求人の上記主張は採用できないとの見解の見解を示して審尋として通知した。
　しかし、この審尋に対して請求人は何ら応答しなかったので、当審のこの見解は妥当なものであると認める。
カ−３　よって、上記審判請求書の主張を採用しない。
キ　以上のとおり、本願発明は、引用発明と同一であって、引用例に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、仮に相違するところがあっても微差であるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
　
第４．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例に記載された発明、または、同発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、または同法同条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、その余の請求項に係る発明について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。