【事件の表示】
　特願２００７−１７７１３９「半導体光素子の実装構造」拒絶査定不服審判事件〔平成２１年　１月２２日出願公開、特開２００９−　１６５９４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯 
　本願は、平成１９年７月５日の特許出願であって、拒絶理由の通知に応答して平成２３年１０月２４日に手続補正がされたが、平成２４年５月３１日付けで拒絶査定がされ、これに対して同年７月２４日に拒絶査定不服審判が請求されたものである。
 　 
第２　本願発明の認定 
　本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。） は、平成２４年７月２４日に補正された本願の請求項１に記載された事項によって特定される次のとおりのものと認める。 
「プラットフォームに搭載された半導体光素子と、
　前記プラットフォームに形成され、前記半導体光素子の一方の端から出射した信号光を前記半導体光素子の一方の端へ再入射させ、前記半導体光素子の他方の端から出射させる光導波路と、
　前記半導体光素子の一方の端と前記光導波路との間に配置された屈折率整合ゲルと、
　前記半導体光素子と前記プラットフォームとの間に、前記半導体光素子と前記光導波路との高さをあわせる台座とを備え、
　前記半導体光素子の前記他方の端は、前記プラットフォームの端面から突出した状態で前記プラットフォームに搭載されていることを特徴とする半導体光素子の実装構造。」
　 　 
　ただし、請求項１の記載中「前記光導波管」は、「前記光導波路」の誤記と認められるので、上記のとおり認定した。
　
第３　引用例の記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願前に頒布された刊行物である特開２００６−２７８７６９号公報（以下「引用例」という。）には、以下の１ないし３の記載がある。 
１　「【請求項１】
　リング状導波路から成るとともに互いに異なる光路長を有する複数のリング共振器と、これらのリング共振器が連結されて成る多重リング共振器と、この多重リング共振器に結合された入出力側導波路と、この入出力側導波路に結合された光入出力手段と、前記多重リング共振器に結合された反射側導波路と、この反射側導波路に結合された光反射手段と、前記多重リング共振器の共振波長を変化させる波長可変手段と、前記多重共振器に対して高次モードの光の進入を抑え基本モードの光を伝搬させるフィルタ手段と、
　を備えたことを特徴とする波長可変レーザ。
【請求項２】
　前記多重リング共振器、前記入出力側導波路及び前記反射側導波路が形成された基板を更に備え、
　前記フィルタ手段は、前記基板に形成されたモードフィルタである、
　請求項１記載の波長可変レーザ。」
　
２　「　【００２０】
　図１は、本発明に係る波長可変レーザの第一実施形態を示す平面図である。以下、この図面に基づき説明する。
【００２１】
　本実施形態の波長可変レーザ５０は、互いに異なる光路長を有するリング状導波路から成る二つリング共振器６１，６２と、リング共振器６１，６２が方向性結合器６３，６４及び導波路６５を介して連結されて成る多重リング共振器６０と、リング共振器６１に方向性結合器５１を介して一端が結合された入出力側導波路５２と、リング共振器６２に方向性結合器５３を介して一端が結合された反射側導波路５４と、多重リング共振器６０、入出力側導波路５２及び反射側導波路５４が形成されたＰＬＣ基板５５と、反射側導波路５４の他端に設けられた高反射膜５６と、入出力側導波路５２の他端に無反射膜５７２を介して光入出力端５７１が結合されたＬＤ５７と、多重リング共振器６０の共振波長を変化させる膜状ヒータ６２ｈと、多重共振器６０に対して高次モードの光の進入を抑え基本モードの光を伝搬させるモードフィルタ７１〜７３と、を備えている。
【００２２】
　リング共振器６１，６２は例えばＰＬＣ技術で形成されており、リング状導波路等の各種導波路は、例えば、シリコン基板やガラス基板上に石英系ガラスを堆積した石英系ガラス導波路や、強誘電体材料（リチウムナイオベートなど）を薄膜化した強誘電体系導波路などで形成されている。膜状ヒータ６２ｈは、リング共振器６２上に形成された例えばアルミニウム膜であり、両端が通電用の電極になっている。換言すると、膜状ヒータ６２ｈは、ＰＬＣ基板５５上に例えば金属膜を蒸着や付着によって形成可能であり、材質としてはアルミニウム、白金、クロムなどが用いられる。また、ＰＬＣ基板５５は、温度調節手段としてのペルチェ素子（図示せず）の上に設けてもよい。このペルチェ素子は、リング共振器６１のＦＳＲがＩＴＵグリッドに一致するように、ＰＬＣ基板５５の温度を一定に保つ。ＬＤ５７は、無反射膜５７１を介して、入出力側導波路５２の他端に結合されている。高反射膜５６は、例えばＰＬＣ基板５５側面に誘電体多層膜を蒸着や貼り付けによって形成したものである。モードフィルタ７１〜７３は、入出力側導波路５２、連結用の導波路６５及び反射側導波路５４中にそれぞれ作り込まれている。
【００２３】
　ＬＤ５７は、ＰＬＣ基板５５上にパッシブアライメント技術により、直接実装されている。パッシブアライメント技術とは、ＰＬＣ基板５５面に形成されたマークパターンとＬＤ５７のチップのマークパターンとを用いて位置決めを行う技術である。パッシブアライメント技術によれば、これまで光モジュール作製の際に行われていた光軸調芯を不要として、モジュール作製のコスト及びリードタイムを大きく改善できる。また、ＬＤ５７をＰＬＣ基板５５上にマウントせずに、両者をレンズなどで結合する形態としてもよい。
【００２４】
　次に、波長可変レーザ５０の動作を説明する。
【００２５】
　ＬＤ５７から出射された光は、光入出力端５７１→入出力側導波路５２及びモードフィルタ７１→方向性結合器５１→多重リング共振器６０及びモードフィルタ７２→方向性結合器５３→反射側導波路５４及びモードフィルタ７３→高反射膜５６→反射側導波路５４及びモードフィルタ７３→方向性結合器５３→多重リング共振器６０→方向性結合器５１→入出力側導波路５２及びモードフィルタ７１→光入出力端５７１、という経路を通って戻ってくる。」
　
３　「　【００２８】
　図1において、ＬＤ５７がＰＬＣ基板５５上の端面に実装され、ＬＤ５７の無反射膜５７２側に入出力側導波路５２が結合されている。」
　
４　上記２及び３で言及されている図１は、次のものである。
　　
第４　引用発明の認定
１　上記「第３　１」における、請求項１を引用する請求項２を、先行する請求項１を引用しない独立の形式で記載すれば、次のとおりである。
「リング状導波路から成るとともに互いに異なる光路長を有する複数のリング共振器と、これらのリング共振器が連結されて成る多重リング共振器と、この多重リング共振器に結合された入出力側導波路と、この入出力側導波路に結合された光入出力手段と、前記多重リング共振器に結合された反射側導波路と、この反射側導波路に結合された光反射手段と、前記多重リング共振器の共振波長を変化させる波長可変手段と、前記多重共振器に対して高次モードの光の進入を抑え基本モードの光を伝搬させるフィルタ手段と、前記多重リング共振器、前記入出力側導波路及び前記反射側導波路が形成された基板を備え、
　前記フィルタ手段は、前記基板に形成されたモードフィルタである、
　波長可変レーザ。」
　　
　この「波長可変レーザ」は、上記「第３　２」及び引用例の図１に記載された「本発明に係る波長可変レーザの第一実施形態」に対応している。
　
２　上記「第３　２」の【００２１】に「入出力側導波路５２及び反射側導波路５４が形成されたＰＬＣ基板５５」とあるから、入出力側導波路５２は、ＰＬＣ基板５５に形成されている。
　
３　上記「第３　２」の【００２１】に「入出力側導波路５２の他端に無反射膜５７２を介して光入出力端５７１が結合されたＬＤ５７」とあるから、ＬＤ５７の光入出力端５７１は、無反射膜５７２を介して、入出力側導波路５２の端と結合されている。
　　
４　上記「第３　２」における【００２３】の記載によれば、ＬＤ５７は、ＰＬＣ基板５５上に、ＰＬＣ基板５５面に形成されたマークパターンとＬＤ５７のチップのマークパターンとを用いて位置決めを行うパッシブアライメント技術により、直接実装されている。
　
５　上記「第３　２」における【００２５】の記載によれば、ＬＤ５７の光入出力端５７１から出射された光は、入出力側導波路５２を通り、高反射膜５６で反射して折り返し、再び入出力側導波路５２を通って光入出力端５７１に入射する。
　ＬＤ５７の光入出力端５７１に再入射した光が、ＬＤ５７の光入出力端５７１とは反対側の端から出射することは明らかである。引用例に「【技術分野】【０００１】本発明は、例えばＷＤＭ（Wavelength Division Multiplexing）伝送システム等に用いられる波長可変レーザに関する。・・・【０００３】伝送システム用の光源・・・」との記載があって、引用例に記載された波長可変レーザの用途の一つが、外部に光を照射する光源であることは、これを裏付ける。また、図１における、ＬＤ５７の左端から波長可変レーザ５０の外部に向かう矢印は、ＬＤ５７の光入出力端５７１と反対側の端から出射する光があることを示唆している。
　
６　上記「第３　３」によれば、ＬＤ５７は、ＰＬＣ基板５５上の端面に実装されている。
　
７　上記１ないし６によれば、引用例には、次の発明（以下「引用発明」という。） が記載されているものと認められる。
「ＰＬＣ基板上に、ＰＬＣ基板面に形成されたマークパターンとＬＤのチップのマークパターンとを用いて位置決めを行うパッシブアライメント技術により、直接実装されたＬＤと、
　前記ＰＬＣ基板に形成され、前記ＬＤの光入出力端から出射した光を前記ＬＤの前記光入出力端へ再入射させ、前記ＬＤの他方の端から出射させる入出力側導波路とを備え、
　前記ＬＤの光入出力端と前記入出力側導波路の端とを、無反射膜を介して結合させ、
　前記ＬＤが前記ＰＬＣ基板上の端面に実装されている、
波長可変レーザ。」
　
第５　副引用例の記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願前に頒布された刊行物である特開２００１−２４２６８号公報（以下「副引用例」という。）には、以下の１及び２の記載がある。
１　「【００１４】（第１の実施形態）図１（ａ）は、本発明の実施の形態１における半導体レーザ装置１００の断面図である。図１（ａ）において、半導体レーザ装置１００は、シリコンＶ溝基板１０１上に設けられた電極１０８、電極１０８上に形成された半導体レーザ素子１０２、半導体レーザ素子１０２の後端面側に形成されたモニタ用受光素子１０３、半導体レーザ素子１０２の前端面側に形成された光ファイバ１０４がそれぞれ集積されて構成されている。光ファイバ１０４は、シリコンＶ溝基板１０１に形成されたＶ溝１０５上に設置されている。また、光ファイバ１０４は、シリコンＶ溝基板１０１に形成された位置合わせ溝１０６の一方の内側面に、端部を突き当てることにより位置決めされている。
【００１５】半導体レーザ素子１０２の前端面と光ファイバ１０４との間は、屈折率が光ファイバ１０４のコア１０９の屈折率と等しい樹脂１１０で埋められている。樹脂１１０は、光ファイバ１０４の端面からの反射戻り光を軽減するためのものである。」
　
２　「【００２６】（第３の実施形態）図４は、本発明の実施の形態３における半導体レーザ装置３００の断面図である。ここでは、実施の形態１の半導体レーザ装置１００と同じ構成要素には同じ参照番号を付しており、その説明を省略する。
【００２７】図４において、半導体レーザ装置３００の樹脂逃がし手段は、溝、或いはスリットではなく、半導体レーザ素子１０２の後端面近傍に形成された段差３０１によって構成されている。
【００２８】実施の形態１または２で示したような溝１０７内面への電極１０８の形成はプロセス的に難易度が高く、歩留まりの低下、コスト高などの原因となることが考えられる。
【００２９】そこで、実施の形態３では、図４に示すように、半導体レーザ素子１０２の後端面付近が段差３０１付近に位置するように実装することにより電極１０８を平坦に設けることができ、より簡易な製造プロセスで半導体レーザ装置３００を実現することができる。
【００３０】さらに、段差３０１の位置をずらすことによりで、段差３０１の形成が簡易になり、かつ回り込み樹脂１１０を溜めるための容積がきわめて大きくなり、確実に回り込みを防止できるという利点がある。
【００３１】以上のように、本実施の形態の半導体レーザ装置３００では、半導体レーザ素子１０２の後端面が段差３０１付近にくるように半導体レーザ素子１０２を実装している。この結果、樹脂１１０の後端面への樹脂１１０の回り込みをより簡単な構造の段差３０１で確実に阻止することが出来ると同時に、製造プロセスも簡易なものとなり製造コストを下げることができる。」
　
３　上記２で言及されている図４は、次のものである。
　
４　上記２における【００２６】の記載によれば、上記２に記載された第３の実施形態は、同じ参照番号を付した構成要素については、上記１に記載された第１の実施形態を参照できる。そこで、上記２に記載された樹脂１１０について、上記１における【００１５】の記載を参照すると、樹脂１１０は、半導体レーザ素子１０２の前端面と光ファイバ１０４との間を埋めており、屈折率が光ファイバ１０４のコア１０９の屈折率と等しく、光ファイバ１０４の端面からの反射戻り光を軽減するためのものである。
　
５　上記２の「【００２９】そこで、実施の形態３では、図４に示すように、半導体レーザ素子１０２の後端面付近が段差３０１付近に位置するように実装することにより」との記載によれば、半導体レーザ素子１０２は、その後端面付近が、段差３０１付近に位置するように実装され、この実装の位置関係は、図４に示されている。
　そこで、図４を見ると、半導体レーザ素子１０２の後端面が、段差３０１の側面から突出した状態でシリコンＶ溝基板１０１に実装されている。
　そして、上記２の「【００３１】以上のように、本実施の形態の半導体レーザ装置３００では、半導体レーザ素子１０２の後端面が段差３０１付近にくるように半導体レーザ素子１０２を実装している。この結果、樹脂１１０の後端面への樹脂１１０の回り込みをより簡単な構造の段差３０１で確実に阻止することが出来る」との記載によれば、上記実装の位置関係は、半導体レーザ素子１０２の後端面への樹脂１１０の回り込みを確実に阻止することが出来る。
　また、図４を見ると、樹脂１１０が、半導体レーザ素子１０２の後端面の、段差３０１の側面から突出した部分の下にあって、半導体レーザ素子１０２の後端面へ回り込んでいない様子が見てとれる。
　
第６　対比
　引用発明と本願発明とを対比する。
　引用発明の「ＰＬＣ基板」は、本願発明の「プラットフォーム」に相当し、以下同様に、
　「ＰＬＣ基板上に、ＰＬＣ基板面に形成されたマークパターンとＬＤのチップのマークパターンとを用いて位置決めを行うパッシブアライメント技術により、直接実装されたＬＤ」は、「プラットフォームに搭載された半導体光素子」に相当し、
　「ＬＤの光入出力端」は、「半導体光素子の一方の端」に相当し、
　「光」は、「信号光」に相当し、
　「ＬＤの他方の端」は、「半導体光素子の他方の端」に相当し、
　「入出力側導波路」は、「光導波路」に相当し、
　「『ＰＬＣ基板』を備える『波長可変レーザ』において、『ＬＤがＰＬＣ基板上の端面に実装されている』構造」は、「半導体光素子の実装構造」に相当する。
　　
　してみると、本願発明と引用発明とは、以下の＜一致点＞で一致し、以下の＜相違点１＞ないし＜相違点３＞で相違する。
＜一致点＞ 
「プラットフォームに搭載された半導体光素子と、
　前記プラットフォームに形成され、前記半導体光素子の一方の端から出射した信号光を前記半導体光素子の一方の端へ再入射させ、前記半導体光素子の他方の端から出射させる光導波路とを備えた、
　半導体光素子の実装構造。」
　
＜相違点１＞ 
　本願発明は、「半導体光素子の一方の端と光導波路との間に配置された屈折率整合ゲル」を備えているのに対して、引用発明は、該屈折率整合ゲルを備えているか否か不明である点。
　
＜相違点２＞ 
　本願発明は、「半導体光素子とプラットフォームとの間に、前記半導体光素子と光導波路との高さをあわせる台座を備え」ているのに対して、引用発明は、該台座を備えていない点。
　
＜相違点３＞
　本願発明は、「半導体光素子の他方の端は、プラットフォームの端面から突出した状態で前記プラットフォームに搭載されている」のに対して、引用発明は、「半導体光素子の他方の端（ＬＤの他方の端）は、プラットフォーム（ＰＬＣ基板）の端面から突出した状態で前記プラットフォーム（ＰＬＣ基板）に搭載されている」か否か不明である点。
　
第７　判断
　＜相違点１＞ないし＜相違点３＞について検討する。
１　＜相違点１＞及び＜相違点３＞について
（１）　本願発明の「半導体光素子の一方の端と光導波路との間に配置された屈折率整合ゲル」は、いかなる構成のものか、かならずしも明確でないが、本願明細書の「【００１１】通常、パッシブアライメントによって半導体光素子を実装する場合、導波路と半導体光素子の屈折率とが異なるため、接続位置でのフレネル反射が発生する。これを防ぐため、ＰＬＣプラットフォームの導波路に近い屈折率整合ゲルを用いる。」との記載を参酌すれば、屈折率が光導波路に近く、半導体光素子と光導波路の接続位置での反射を防ぐものと認められる。　
　一方、上記「第５　４」によれば、副引用例の「樹脂１１０」は、屈折率が光ファイバ１０４のコア１０９の屈折率と等しく、光ファイバ１０４の端面からの反射戻り光を軽減するためのものである。
　よって、副引用例の「樹脂１１０」は、本願発明の「屈折率整合ゲル」に相当する。
　
（２）　上記「第５　５」によれば、副引用例には、「半導体光素子」（半導体レーザ素子１０２）を、その後端面が、該素子を実装する部材（シリコンＶ溝基板１０１）の側面から突出した状態で該部材に実装することにより、その前端面に設けた「屈折率整合ゲル」（樹脂１１０）の、該後端面側への回り込むことを防ぐ技術が記載されているものと認められる。
　
（３）　引用発明は、「ＬＤの光入出力端と入出力側導波路の端とを、無反射膜を介して結合させ」るものであり、該結合部位で反射が生じないことが望ましいことは明らかであるから、該結合部位に、副引用例に記載された、反射を防ぐ機能を有する「屈折率整合ゲル」（樹脂１１０）を採用することは、当業者が、適宜なし得たことと認められる。
　そして、引用発明において、「屈折率整合ゲル」を採用した際には、「屈折率整合ゲル」が、ＬＤの該結合位置と反対側の端に回り込んでＬＤの光出射面に付着することが望ましくないことは明らかであるから、付着が生じないように、上記（２）で検討した副引用例記載の技術を適用し、引用発明の「ＬＤがＰＬＣ基板上の端面に実装されている」構成において、ＬＤを、その「屈折率整合ゲル」を設けた側とは反対側の端面が、ＰＬＣ基板から突出した状態で実装することは、当業者が、適宜なし得たことと認められる。
　
（４）　上記（１）ないし（３）によれば、引用発明において、本願発明の＜相違点１＞及び＜相違点３＞に係る構成を備えることは、当業者が、副引用例の記載に基づいて容易に想到し得たことと認められる。
　
２　＜相違点２＞について
　光学的に結合される２つの光学素子の該結合位置の高さを合わせるために、少なくとも一方の光学素子と、該光額素子を搭載する部材との間に台座を設けることは、本願出願時点での周知技術である。例えば、本願出願前に頒布された以下の（１）及び（２）の刊行物の記載を参照されたい。
（１）　特開２００７−１３３０１１号公報
「【００４４】
  上述したように、本実施形態の光結合構造１によれば、可変形台座が設けられることによって、光導波路の光軸と発光素子の光軸との高さ方向の位置ずれ量を調整することができるので、半導体プロセス時に発生した高さ方向の位置ずれを調整可能になり、光モジュールの歩留まりを向上させることができる。」
　
（２）　特開２００１−３３０７６２号公報
「【００１１】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するために，光導波路を有する光導波路素子と，光導波路素子が実装されるベンチ用基板とを含んで成る光モジュールが提供される。そして，この光モジュールは，請求項１に記載のように，光導波路素子が１または２以上のスペーサを介してベンチ用基板上に実装されることを特徴としている。かかる構成によれば，スペーサのサイズを調節することによって，光導波路素子の光軸高さ，すなわちベンチ用基板の上面から光導波路までの高さを精度よく調整することが可能となる。」
　
　よって、引用発明において、本願発明の＜相違点２＞に係る構成を備えることは、当業者が、周知技術に基づいて適宜なし得たことと認められる。
　　
３　まとめ
　上記１及び２によれば、引用発明において、本願発明の＜相違点１＞ないし＜相違点３＞に係る構成を備えることは、当業者が、引用例の記載、副引用例の記載及び周知技術に基づいて容易に想到し得たことと認められる。
　また、かかる構成を採用することによる効果は、当業者が予測し得る程度のものと認められる。
  したがって、本願発明は、当業者が、引用発明、引用例の記載、副引用例の記載及び周知技術に基づいて容易に発明をすることができたものと認められる。
　
４　請求人の主張について
　請求人は、審判請求書において、次の点を主張する。
「文献２に記載の発明は、半導体レーザの後端面付近が（基板の）“溝”もしくは“段差”付近に位置するのに対して、本願発明は、半導体光素子の他方の端は、プラットフォームの“端面”から突出した状態で前記プラットフォームに搭載されている。文献２に記載の発明では、敢えて基板を段差に加工し、段差を作りこむ必要があるが、本願発明では、加工することなく“屈折率整合ゲルの（光出射）端面への回り込みを防ぐ”という所望の効果を得ることができる。」（審判請求書３頁下から７ないし２行）
　
　しかしながら、引用発明において、副引用例の記載から把握できる上記技術を適用するには、ＬＤがＰＬＣ基板上の端面に実装されている位置を、ＬＤの後端部がＰＬＣ基板上の端面から突出する位置とするだけでよく、ＰＬＣ基板に新たに段差を作りこむ必要はない。
　よって、請求人の上記主張は採用できない。
　
第８　むすび
　上記のとおり、本願発明は、当業者が、引用発明、引用例の記載、副引用例の記載及び周知技術に基づいて容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。