【事件の表示】
　特願２００１−　６８１７０「高出力半導体レーザダイオード」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年　４月２６日出願公開、特開２００２−１２４７３３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
　
１　手続の経緯
　本願は、平成１３年３月１２日（特許法第４１条に基づく国内優先権主張　平成１２年８月９日）を出願日とする出願であって、平成２２年１０月７日及び平成２３年９月８日に手続補正がなされたが、平成２４年６月２２日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年１０月１日に拒絶査定不服審判請求がなされ、同時に手続補正がなされたものである。
　
２　本願発明
　本願の請求項に係る発明は、平成２４年１０月１日になされた手続補正による補正後の明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし５に記載された事項により特定されるものと認められるところ、請求項１に係る発明は、次のとおりのものである（以下「本願発明」という。）。
「反射膜を形成した第１の端面と反射防止膜を形成した第２の端面で構成され、前記第２の端面を出射端面とする共振器と、
　前記第１の端面から前記出射端面である前記第２の端面に向かって延在する活性領域と、
　前記活性領域の両側に延在する非活性領域とを備え、
　前記活性領域が、前記第１の端面から同じ幅で前記共振器の長さ方向に沿って延在する直線部と、前記直線部に連続し、かつ前記出射端面である前記第２の端面に向かって幅を拡大させつつ前記長さ方向に沿って延在するフレア部と
から構成される半導体レーザダイオードにおいて、
　前記非活性領域の屈折率は一定であり、
　前記活性領域と、前記非活性領域との間の等価屈折率差を△ｎ、前記直線部の幅をｄ、発振波長をλ０、前記直線部の等価屈折率をｎ０とするとき、ｄと△ｎとが、
　ｄ＜λ０／｛２・（２・ｎ０・△ｎ）０．５｝
　の関係を満たし、
　前記フレア部の長さをＬ、前記出射端面である前記第２の端面での前記フレア部の幅Ｗ２と前記直線部の幅Ｗ１との差Ｗ２−Ｗ１を△Ｗとするとき、Ｌと△Ｗとが、
　０．０１°≦ｔａｎ―１｛（△Ｗ／２）／Ｌ｝≦０．２４°
　の関係を満たし、
　前記フレア部の幅Ｗ２が、λ０／｛２・（２・ｎ０・△ｎ）０．５｝を超え、前記フレア部において、λ０／｛２・（２・ｎ０・△ｎ）０．５｝を超える幅の領域にも、電流が注入され、
　注入電流値が４４０ｍＡにおけるレーザ光の遠視野像での水平方向の形状が単峰性で安定する
ことを特徴とする高出力半導体レーザダイオード。」
　
３　刊行物及び引用発明
（１）引用文献
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先日前に頒布された刊行物である、特開２０００−２００９４０号公報（以下「引用文献」という。）には、以下の記載がある（下線は当審にて付した。以下同じ。）。
ア　「【請求項３】
半導体基板上に、下クラッド層と、上クラッドと、上記上クラッド層と上記下クラッド層との間に位置する活性層とを含む複数の半導体層が積層されてなり、該積層された半導体層においてそれぞれ上記上クラッド層の途中まで達しかつ一端から他端に至る２つの溝を形成することによりリッジ部を形成し
、上記リッジ部の一部又は全部を徐々に幅が狭くなるように形成し、上記リッジ部と上記溝とを形成することにより構成される活性領域の一部に、上記半導体レーザダイオードが発振するレーザ光の基本モードを伝播させかつ高次モードの伝播を阻止するカットオフ領域が形成されるように、上記リッジ部の形状と上記溝の形状とを設定した
半導体レーザダイオード。
　
イ　「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、主として情報処理あるいは光通信等の光源として用いられる半導体レーザダイオードに関する。
【０００２】
【従来の技術】情報処理又は光通信の光源として半導体レーザダイオードが使用されている。これらの用途に使用される半導体レーザダイオードでは、ビーム形状を安定させるために横モードを単一モード化しておく必要がある。横モードを単一化するためには、活性領域をその活性領域より屈折率の低い領域で挟んで活性領域の幅をある一定以下に制限する必要があり、この活性領域の幅を制限する具体的な構造としては、リッジ導波路を形成する構造が、比較的簡単で安価に製造することができることから、広く用いられている。この構造は、半導体レーザダイオードの共振方向に、所定の幅のリッジ部を形成することにより、リッジ部の両側に活性領域より屈折率の低い領域を形成することにより、活性領域の幅を制限して横モードを単一化するものである。」
　
ウ　「【００１２】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明に係る実施の形態の半導体レーザダイオードについて説明する。本実施の形態の
半導体レーザダイオードは、下面にｎ側電極が形成されたｎ型ＧａＡｓ基板２上に、ｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層３、アンドープＡｌＧａＡｓガイド層４、アンドープＩｎＧａＡｓ活性層５、アンドープＡｌＧａＡｓガイド層６、ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層７及びｐ型ＧａＡｓコンタクト層８を含む半導体層が積層されたリッジ部２１を備え、リッジ部２１の上にｐ側電極９が形成されてな
【００１３】ここで、リッジ部２１は、一方の端面１０４における幅Ｔｆが他方の端面１０５における幅Ｔｒに比較して大きくなるように、テーパ部２１ｂを有し、少なくとも他方の端面１０５側の活性領域では高次モードの伝播を阻止するように形成したことを特徴とし、これによって高次モードのレーザ発振を抑圧でき、基本モードのみのレーザ発振を可能にしている。・・・
【００１６】ここで、本実施の形態において、
リッジ部２１は前端面１０４側に位置する幅広部２１ａと後端面１０５側に位置する幅狭部２１ｃと、幅広部２１ａと幅狭部２１ｃとの間に位置するテーパ部２１ｂとを有し、
幅狭部２１ｃと該幅狭部２１ｃの直下とによって構成される光導波路が、レーザ発振における基本モードのみを伝送させ１次モード以上の高次モードが伝播できないように、幅狭部２１ｃの幅は設定され、幅広部２１ａの幅は高出力化を図るために、比較的広い幅に設定され
【００１７】詳細に説明すると、実施の形態の半導体レーザダイオードでは、
リッジ部２１における屈折率：ｎａ、
クラッド領域２３における屈折率：ｎｃ、
低屈折率領域３２ａ，３２ｂの屈折率：ｎｌ、
活性領域内における基本モードの伝播定数：β0、
活性領域内における１次モードの伝播定数：β1、
レーザ発振光の自由空間における波数：ｋ0としたときに、幅狭部２１ｃにおいて、ｎｃ＜β0／ｋ0＜ｎａ及びｎｌ＜β1／ｋ0＜ｎｃを満足するように、幅狭部２１ｃの幅Ｔｒ、溝２２ａ，２２ｂの各幅ｄ０及び深さ（図１におけるｄ１及びｄ２）とを設定している。この様子を模式的に表すと図２（ａ）に示すようになる。
【００１８】ここで、β0／ｋ0は、基本モードに対する実効的な屈折率であり、β1／ｋ0は、１次モードの実効的な屈折率である。尚、ｎｃ＜β0／ｋ0＜ｎａ及びｎｌ＜β1／ｋ0＜ｎｃを満足する条件は、横モードの基本モードを伝播させ、横モードの１次以上の高次モードを伝播させないようにする条件である。すなわち、ｎｃ＜β0／ｋ0＜ｎａ及びｎｌ＜β1／ｋ0＜ｎｃの双方を満足する領域は、横モードの基本モードを伝播させ、横モードの１次以上の高次モードを伝播させないカットオフ領域が満足すべき条件である。
【００１９】以上のようにリッジ部２１の幅をテーパ状に変化させると、すなわち、活性領域の幅をテーパ状に変化させると、図２に模式的に示すように、活性領域３１において幅の広いところ（例えば、図中ｚ0で示す部分）では、基本モードＢだけではなく高次モード（１次モードＳ１）も活性領域３１に閉じ込められる。一方、活性領域３１の幅の狭いところ（ｎｃ＜β0／ｋ0＜ｎａ及びｎｌ＜β1／ｋ0＜ｎｃを満足する部分、例えば、図中ｚ1で示す部分）では、光は活性領域３１の外にも広がり、低屈折率領域３２ａ，３２ｂの外側に位置するクラッド領域２３の影響を強く受けるようになるので、基本モードＢは伝播するが、１次モードＳ１及びそれ以上の高次モードは伝播できなくなる。このように、前端面１０４と後端面１０５との間を光が往復するレーザダイオードでは、活性領域の一部において、高次モード（１次モードを含む）が伝播することができないカットオフ領域を設けると、高次モードはレーザ発振条件を満足しなくなり、その結果、基本モードのみで発振させることが可能となる。
【００２０】以上のように構成された実施の形態の半導体レーザダイオードは、後端面１０５側に位置する活性領域３１の幅を基本モードのみが伝播できる幅に設定しているので、高次モードの発振を抑圧でき、単一モードで発振させることができる。また、本実施の形態の半導体レーザダイオードは、活性領域３１の後端面１０５側に位置する一部分だけを、狭い幅にして単一モードの発振を実現しているので、その一部分を除く他の部分の幅を比較的広くできるので、高出力化が可能である。」
　
エ　「【００２３】また、本実施の形態の半導体レーザダイオードでは、リッジ部２１の上面が、各溝の外側に位置するクラッド領域の上面より高くなるように形成している。このようにすると、活性領域に効果的に光を閉じ込めることができるので、横方向により安定した振動をさせることができ、より安定した発振をさせることができる。以上の実施の形態の半導体レーザダイオードでは、低屈折率領域３２ａ，３２ｂの外側にクラッド領域２３を形成するようにしたが、本発明はこれに限らず、１回のエッチングにより、溝２２ａ，２２ｂを形成することにより、リッジ部２１の両側に低屈折率領域３２ａ，３２ｂのみを形成するようにしてもよい（すなわち、ｎａ＝ｎｃとする。）。この場合、後端面１０５の部分において屈折率ｎｌが、１次モードのβ1／ｋ0（１次モードに対する実効的な誘電率）より小さくなるように設定することはいうまでもない。このようにクラッド領域２３を特に設けることなく構成すると、リッジ部２１を形成するためのエッチング工程を一回にでき、製造工程を簡略化できる。尚、本実施の形態のように、リッジ部２１の上面が、クラッド領域２３の上面より高くなるように形成した場合は、活性領域に効果的に光を閉じ込めることができるので、横方向により安定した振動をさせることができ、より安定した発振をさせることができる。」
　
オ　図１及び図２は以下のものである。
カ　上記アないしエを踏まえて上記オの図１及び図２をみると、後端面から前端面に向かって延在する活性領域と上記活性領域の両側に延在する低屈折率領域とを備え、上記活性領域が後端面から同じ幅で共振方向（長手方向）に沿って延在する幅狭部と幅狭部に連続し上記前端面に向かって幅を拡大させつつ共振方向（長手方向）に沿って延在するテーパ部とを有することがみてとれる。また、リッジ部の上のｐ側電極は、活性領域が後端面から同じ幅で共振方向（長手方向）に沿って延在する幅狭部と幅狭部に連続し上記前端面に向かって幅を拡大させつつ共振方向（長手方向）に沿って延在するテーパ部の上の全面を覆っていることがみてとれる。
　
（２）引用発明
　上記（１）によれば、引用文献には次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「半導体基板上に、下クラッド層と、上クラッド層と、上記上クラッド層と上記下クラッド層との間に位置する活性層とを含む複数の半導体層が積層されてなり、該積層された半導体層においてそれぞれ上記上クラッド層の途中まで達しかつ一端から他端に至る２つの溝を形成することによりリッジ部を形成し、上記リッジ部の一部又は全部を徐々に幅が狭くなるように形成し、上記リッジ部と上記溝とを形成することにより構成される活性領域の一部に、上記半導体レーザダイオードが発振するレーザ光の基本モードを伝播させかつ高次モードの伝播を阻止するカットオフ領域が形成されるように、上記リッジ部の形状と上記溝の形状とを設定した半導体レーザダイオードであって、
　上記半導体レーザダイオードは、下面にｎ側電極が形成されたｎ型ＧａＡｓ基板上に、ｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層、アンドープＡｌＧａＡｓガイド層、アンドープＩｎＧａＡｓ活性層、アンドープＡｌＧａＡｓガイド層、ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層及びｐ型ＧａＡｓコンタクト層を含む半導体層が積層されたリッジ部を備え、リッジ部の上にｐ側電極が形成されてなり、
　上記リッジ部は前端面側に位置する幅広部と後端面側に位置する幅狭部と、幅広部と幅狭部との間に位置するテーパ部とを有し、
　上記幅狭部と該幅狭部の直下とによって構成される光導波路が、レーザ発振における基本モードのみを伝送させ１次モード以上の高次モードが伝播できないように、幅狭部の幅は設定され、幅広部の幅は高出力化を図るために、比較的広い幅に設定され、
　上記溝が形成されることによって、前記活性領域の両側に低屈折率領域が構成される半導体レーザダイオード。」
　
４　対比
（１）本願発明と引用発明を比較する。
ア　上記３（１）イによれば、引用発明は、「半導体レーザダイオードの共振方向に、所定の幅のリッジ部を形成する」ものであるから、引用発明の半導体レーザダイオードのリッジ部は、共振方向に長手方向が一致する。
　そして、引用発明の半導体レーザダイオードのリッジ部は、前端面と後端面を有するものであるから、リッジ部の前端面と後端面が共振方向である共振器を構成していると認められる。
　ここで、前端面側と後端面側のどちらを出射側とするかは適宜定めるべき事項であるから、前端面側を出射側としてもよい。
　そうすると、引用発明は、前端面と後端面で構成され、上記前端面を出射側としてもよい共振器を構成しているといえるから、「第１の端面と第２の端面で構成され、前記第２の端面を出射端面とする共振器」である点で本願発明と一致する。
　
イ　本願明細書の段落【００１１】「導波路の構造にも制約はなく、リッジ導波路構造でも、埋め込み導波路構造で良い。非活性領域は、電流ブロッキング領域でも、放射モード抑制領域でも良い」との記載によれば、本願発明における「非活性領域」は、放射モード抑制領域であってよいものと認められる。
　そして、引用文献の上記３（１）イの「この構造は、半導体レーザダイオードの共振方向に、所定の幅のリッジ部を形成することにより、リッジ部の両側に活性領域より屈折率の低い領域を形成することにより、活性領域の幅を制限して横モードを単一化するものである。」、上記３（１）ウの「本実施の形態の半導体レーザダイオードは、リッジ部２１及びリッジ部２１の下に位置する半導体層によって構成される活性領域の横方向に光を閉じ込めるために、活性領域の両側に該活性領域より屈折率の小さいクラッド領域２３を有し、かつクラッド領域２３と活性領域の間にそれぞれ、１対の溝２２ａ，２２ｂが形成されることにより構成された、クラッド領域２３よりさらに屈折率の低い低屈折率領域３２ａ，３２ｂとを有する。」及び上記３（１）エの「本発明はこれに限らず、１回のエッチングにより、溝２２ａ，２２ｂを形成することにより、リッジ部２１の両側に低屈折率領域３２ａ，３２ｂのみを形成するようにしてもよい（すなわち、ｎａ＝ｎｃとする。）。」の記載に照らして、引用発明において、溝が形成されることにより構成される「低屈折率領域」は、上記「放射モード抑制領域」、すなわち、本願発明の「非活性領域」に相当する。
　また、上記３（１）オの図２（ｂ）及び（ｃ）のとおり、引用発明の活性領域の両側に延在する非活性領域としての低屈折率領域は屈折率が一定である。
　したがって、引用発明は、本願発明の「前記第１の端面から前記出射端面である前記第２の端面に向かって延在する活性領域と、前記活性領域の両側に延在する非活性領域とを備え、前記活性領域が、前記第１の端面から同じ幅で前記共振器の長さ方向に沿って延在する直線部と、前記直線部に連続し、かつ前記出射端面である前記第２の端面に向かって幅を拡大させつつ前記長さ方向に沿って延在するフレア部とから構成される半導体レーザダイオードにおいて、前記非活性領域の屈折率は一定であ」るとの構成を備える。　
　
ウ　一般的な導波路における基本モードのみを伝送させ基本モード以上の高次モードが伝播できない条件について
　
　コア屈折率がｎ０、クラッド屈折率がｎｌ、屈折率差がΔｎ＝ｎ０−ｎｌで、幅２ｄで延在する導波路において、光の波長がλ０の光の光閉じ込め条件を満たすためには、規格化導波路幅をＶとした場合、一般に次の式で表される。
　Ｖ＝２π／λ０・ｄ・（ｎ０２−ｎｌ２）１／２・・・式１
　また、伝搬モード番号の最大値をＮｍａｘとした場合、規格化導波路幅Ｖとの関係は、一般に次の式で表される。
　Ｎｍａｘ＝Ｖ／（π／２）−１　・・・式２
　ここで、式１において、屈折率差Δｎ＝ｎ０−ｎｌ の式を用いてｎｌを消去すると、ｎ０≫ｎｌの場合は、式１は次のようになる。
　Ｖ＝２π／λ０・ｄ・（２・ｎ０・Δｎ）１／２・・・式３
　さらに、基本モード（伝搬モード番号の最大値Ｎｍａｘ＝＝１）の場合の、規格化導波路幅Ｖは、式２から、Ｖ＝πとなるから、式３より、ｄは、次の式で求めることができると理解できる。
　ｄ＝λ０／｛２・（２・ｎ０・Δｎ）１／２｝・・・式４
　したがって、ｄ≦λ０／｛２・（２・ｎ０・△ｎ）０．５｝がレーザ発振における基本モードのみを伝送させ基本モード以上の高次モードが伝播できない条件となる。
　
エ　引用発明における基本モードのみを伝送させ基本モード以上の高次モードが伝播できない条件について
　
　上記３（１）ウによれば、引用発明のリッジ部における屈折率はｎａ、低屈折率領域の屈折率はｎｌであるところ、当該屈折率がどのような屈折率か明らかではないが、引用発明のような積層構造体では一般に等価屈折率を用いることに照らして、ｎａ、ｎｌは等価屈折率であってもよい。
　ここで、引用発明の活性領域の幅狭部の幅Ｔｒは、「幅狭部と該幅狭部の直下とによって構成される光導波路が、レーザ発振における基本モードのみを伝送させ１次モード以上の高次モードが伝播できないように、幅狭部の幅は設定され」るものであって、Ｔｒ＝２ｄ、△ｎ＝ｎａ−ｎｌであるから、上記（ウ）の式４に照らして、
　Ｔｒ＜（２・λ０）／｛２・（２・ｎａ・（ｎａ−ｎｌ））０．５｝　
の関係を満たしているといえる。
　また、「前端面に向かって幅を拡大させ」た幅広部では、上記３（１）オの図２によれば、Ｔｆ−Ｔｒの領域では、上記（ウ）での検討を踏まえると、Ｔｒ＝（２・λ０）／｛２・（２・ｎａ・（ｎａ−ｎｌ））０．５｝を超えることは明らかである。
　したがって、引用発明は、本願発明の「前記活性領域と、前記非活性領域との間の等価屈折率差を△ｎ、前記直線部の幅をｄ、発振波長をλ０、前記直線部の等価屈折率をｎ０とするとき、ｄと△ｎとが、
　ｄ＜λ０／｛２・（２・ｎ０・△ｎ）０．５｝
の関係を満たし」、及び、「前記フレア部の幅Ｗ２が、λ０／｛２・（２・ｎ０・△ｎ）０．５｝を超え」るとの構成を備える。
　
オ　引用発明の半導体レーザダイオードは、「下面にｎ側電極が形成されたｎ型ＧａＡｓ基板上に、ｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層、アンドープＡｌＧａＡｓガイド層、アンドープＩｎＧａＡｓ活性層、アンドープＡｌＧａＡｓガイド層、ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層及びｐ型ＧａＡｓコンタクト層を含む半導体層が積層されたリッジ部を備え、リッジ部の上にｐ側電極が形成されてな」るものであるところ、上記３（１）カによれば、リッジ部の上のｐ側電極は、活性領域が後端面から同じ幅で共振方向（長手方向）に沿って延在する幅狭部と幅狭部に連続し上記前端面に向かって幅を拡大させつつ共振方向（長手方向）に沿って延在するテーパ部の上の全面を覆っているから、活性領域が後端面から同じ幅で共振方向（長手方向）に沿って延在する幅狭部と幅狭部に連続上前記前端面に向かって幅を拡大させつつ共振方向（長手方向）に沿って延在するテーパ部の全面に電流が注入されるものと認められる。
　そうすると、上記３（１）オの図２によれば、幅広部の「前端面に向かって幅を拡大させ」た部分は幅がＴｆであって、Ｔｒ＝（２・λ０）／｛２・（２・ｎａ・（ｎａ−ｎｌ））０．５｝を超えている領域であるところ、引用発明のｐ側電極はテーパ部の上の全面を覆っているから、テーパ部の全面に電流が注入され、幅広部の「前端面に向かって幅を拡大させ」た、Ｔｒ＝（２・λ０）／｛２・（２・ｎａ・（ｎａ−ｎｌ））０．５｝を超えている領域にも電流が注入されると認められるから、引用発明は、本願発明の「前記フレア部において、λ０／｛２・（２・ｎ０・△ｎ）０．５｝を超える幅の領域にも、電流が注入され」るとの構成を備える。
　
カ　引用発明の「半導体レーザダイオード」は「高出力化を図る」ものであるから、「高出力半導体レーザダイオード」ということができ、本願発明の「高出力半導体レーザダイオード」に相当する。
　
（２）以上によれば両者は、
「第１の端面と第２の端面で構成され、前記第２の端面を出射端面とする共振器と、
　前記第１の端面から前記出射端面である前記第２の端面に向かって延在する活性領域と、
　前記活性領域の両側に延在する非活性領域とを備え、
　前記活性領域が、前記第１の端面から同じ幅で前記共振器の長さ方向に沿って延在する直線部と、前記直線部に連続し、かつ前記出射端面である前記第２の端面に向かって幅を拡大させつつ前記長さ方向に沿って延在するフレア部と
から構成される半導体レーザダイオードにおいて、
　前記非活性領域の屈折率は一定であり、
　前記活性領域と、前記非活性領域との間の等価屈折率差を△ｎ、前記直線部の幅をｄ、発振波長をλ０、前記直線部の等価屈折率をｎ０とするとき、ｄと△ｎとが、
　ｄ＜λ０／｛２・（２・ｎ０・△ｎ）０．５｝
　の関係を満たし、
　前記フレア部の幅Ｗ２が、λ０／｛２・（２・ｎ０・△ｎ）０．５｝を超え、前記フレア部において、λ０／｛２・（２・ｎ０・△ｎ）０．５｝を超える幅の領域にも、電流が注入される高出力半導体レーザダイオード。」
である点で一致し、以下の各点で相違する。
　
ア　本願発明は、第１の端面に「反射膜を形成し」、第２の端面に「反射防止膜を形成し」たものであるのに対して、引用発明は、「反射膜」及び「反射防止膜」を備えているか明らかではない点（以下「相違点１」という。）。
　
イ　本願発明は、「前記フレア部の長さをＬ、前記出射端面である前記第２の端面での前記フレア部の幅Ｗ２と前記直線部の幅Ｗ１との差Ｗ２−Ｗ１を△Ｗとするとき、Ｌと△Ｗとが、
　０．０１°≦ｔａｎ―１｛（△Ｗ／２）／Ｌ｝≦０．２４°
　の関係を満たし」ているのに対して、引用発明は、当該角度が明らかではない点（以下「相違点２」という。）。
　
ウ　本願発明は、「注入電流値が４４０ｍＡにおけるレーザ光の遠視野像での水平方向の形状が単峰性で安定する」ものであるのに対して、引用発明は、このようなものであるのか明らかではない点（以下「相違点３」という。）。
　
５　判断
（１）上記各相違点について検討する。
ア　上記相違点１について検討する。
　上記４（１）アにれば、引用発明の半導体レーザダイオードのリッジ部は、共振方向に長手方向が一致しているものであって、前端面と後端面を有するものであるから、リッジ部の前端面と後端面が共振方向である共振器を構成しているといえる。そして、共振器を構成するための具体的構成として、反射側に反射膜を設け、出射側に透過膜（反射防止膜）を設ける構成とすることは従来周知のことであって（例えば、特開平１１−２２０２２０号公報の段落【００８６】「半導体レーザ装置1000の前端面には、反射率が典型的には約５％の無反射膜36がコーティングされており、一方、後端面には、反射率が典型的には約80％の高反射膜37がコーティングされている。」及び段落【０１３０】「端面への高反射膜や無反射膜のコーティングは、当該技術分野で公知の方法によって行うことができる。」との記載、及び、特開平９−３６４９３号公報の【要約】「半導体基板上にバッファ層、活性層、クラッド層及びコンタクト層を形成し、活性層への電流注入領域が共振器の長さ方向に沿って直線的に変化するようにする。これにより、テーパ状に変化する発光領域９が得られる。発光領域９の広い側の端面に高反射膜１０を形成し、発光領域の狭い側の端面に低反射膜１１を形成する。」との記載、参照）、また、前端面側と後端面側のどちらを出射側とするかは適宜定めるべき事項であるから、引用発明においてリッジ部の前端面と後端面が共振方向である共振器を構成するための具体的構成として、反射膜を設けた後端面と透過膜（反射防止膜）を設けた前端面とで構成し、前端面を出射端面となし、本願発明の「反射膜を形成した第１の端面と反射防止膜を形成した第２の端面で構成され、前記第２の端面を出射端面とする共振器」と構成とすることは設計的事項である。
　
イ　上記相違点２について検討する。
　上記３（１）ウの「【００１６】ここで、本実施の形態において、リッジ部２１は前端面１０４側に位置する幅広部２１ａと後端面１０５側に位置する幅狭部２１ｃと、幅広部２１ａと幅狭部２１ｃとの間に位置するテーパ部２１ｂとを有し、各部の幅は以下のように設定される。すなわち、本実施の形態では、幅狭部２１ｃと該幅狭部２１ｃの直下とによって構成される光導波路が、レーザ発振における基本モードのみを伝送させ１次モード以上の高次モードが伝播できないように、幅狭部２１ｃの幅は設定され、幅広部２１ａの幅は高出力化を図るために、比較的広い幅に設定される。例えば、発振波長が１μ程度の半導体レーザダイオードを構成する場合、前端部１０４における幅広部２１ａの幅Ｔｆは、例えば７μ程度に設定し、後端面１０５の幅狭部２１ｃの幅は、例えば３．５μ程度に設定すると、高次モードの発振を効果的に抑制し、かつ高出力化が図れる。」との記載のとおり、引用文献には、リッジ部２１の幅の設定について説明されるところ、幅広部２１ａ及び幅狭部２１ｃの長さも、引用発明の実施に当たって設計上当然に定められるべきものである。
　そして、特開平１１−２２０２２０号公報の段落【００４２】に「本実施形態の半導体レーザ装置200では、ストライプ幅が直線的に変化している領域Ｂ（テーパ領域）において、その変化の傾き、すなわちストライプ幅方向の広がり角度（θ）17（図１０(c)参照）が、共振器長方向に対して約0.14度以下となっている。」と記載されること、特開２０００−１０１２００号公報の段落【００２５】に「本発明半導体レーザー構成においては、上述のリッジ２２の平面パターンを、図３・・・Ｃに示すように、・・・後方側から前方側に向かってテーパ状に幅広とする形状とすることもできる」及び段落【００３０】に「上述の構成において、リッジ２２の長さを３００μｍとし、前方端面側の幅Ｗｆ＝６μｍとし、中央部および後方光出射端面側の幅Ｗｃ＝Ｗｒ＝４μｍとする」（半導体レーザーのリッジのテーパ部の角度は０．１９°に相当）と記載されることに照らして、引用発明の半導体レーザダイオードの各部の幅、長さを設計上定めるに際して、かかる幅及び長さによって定まるテーパ部の角度が、本願発明の「前記フレア部の長さをＬ、前記出射端面である前記第２の端面での前記フレア部の幅Ｗ２と前記直線部の幅Ｗ１との差Ｗ２−Ｗ１を△Ｗとするとき、Ｌと△Ｗとが、
　０．０１°≦ｔａｎ―１｛（△Ｗ／２）／Ｌ｝≦０．２４°
の関係を満た」す程度のものとすることに、格別の困難は認められない。
　
ウ　上記相違点３について検討する。
　引用発明の半導体レーザダイオードは、上記３（１）イによれば、主として情報処理あるいは光通信等の光源として用いられるものである。
　ここで、光通信等の光源として用いられる半導体レーザダイオードは、性能として所定の注入電流値においてレーザ光の遠視野像での水平方向の形状が単峰性で安定することが要求されていることは従来周知である（例えば、特開平１１−２２０２２０号公報の段落【０００１】「【発明の属する技術分野】本発明は、半導体レーザ装置及びその製造方法に関し、特に、光通信の光源に適した半導体レーザ装置及びその製造方法に関する。・・・【００３５】図８(a)及び(b)は、本実施形態の半導体レーザ装置100で、領域Ｃにおけるストライプ幅Ｗ２＝約2.1μｍの場合における遠視野像の測定結果である。・・・また、ストライプ幅Ｗ２が高次モードを許容する値であるにもかかわらず、単峰性のピークが実現できている。これは、前述したように、領域Ａにおけるストライプ幅Ｗ１が約0.6μｍであり、高次モードを許容しないためである。」との記載、及び、特開平５−１６７１８９号公報の段落【０００２】「【従来技術】半導体レーザ素子の用途、例えば光ファイバを用いた光通信、コンパクトディスクの読出し等では、数μｍ径にレーザ光を集光する必要がある。小さなビーム径に集光するためには、レーザの近視野像が小さく、また遠視野像が単峰性であることが必要であり、これを実現するために種種のレーザ構造が開発されている。」との記載、参照）。
　そうすると、引用発明の半導体レーザダイオードにおいても、光通信等の光源として用いられる半導体レーザダイオードであるために、性能として所定の注入電流値においてレーザ光の遠視野像での水平方向の形状が単峰性で安定することが要求されているということができ、具体的にどのような電流値における単峰性を要求するかは設計的事項であるところ、かかる注入電流値を４４０ｍＡと定めることに格別の困難は認められない。
　
エ　よって、引用発明において、本願発明における上記相違点１ないし３の構成とすることは、当業者が容易になし得たことである。
　
（２）請求人の主張について
　請求人は、平成２５年３月１８日付けの回答書において、
ａ　本発明は、高出力動作時の水平方向遠視野像の単峰性を得るためには、直線部を有する場合においても、テーパ角度を０．０１°以上０．２４°以下という非常に小さい値にする必要があるということを見出したものである。
ｂ　引例１にはこの課題について記載も示唆もなく、テーパ角度についても記載がないので、本発明は引例１から容易に想到できるものではない。
ｃ　当業者が引例１の構成で、本発明のようにテーパ角度を小さくさせることには阻害要因がある。
ｄ　光を臨界角以上の角度で入射させるためには、テーパ角度は２°程度で良いことになる。したがって、本発明のテーパ角度である０．０１°以上０．２４°以下は、当業者にとって通常選択することのない非常に小さい角度であると言える。
旨主張するが、上記（１）の検討に照らして採用できない。
　
６　むすび
　以上の検討によれば、本願発明は、引用発明及び上記周知の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができないものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。