【事件の表示】
　特願２００６−１８６３６１「半導体装置の製造方法，及び半導体装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２０年　１月２４日出願公開，特開２００８−　１６６４０〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成１８年７月６日の出願であって，平成２３年２月１６日付けで拒絶の理由が通知され，同年４月２１日に意見書と手続補正書が提出され，同年８月２日付けで拒絶査定がなされ，同年１１月１１日に前記拒絶査定に対する不服審判が請求されるとともに手続補正書が提出され，平成２４年３月２１日付けで審尋がおこなわれ，同年５月１８日に前記審尋に対する回答書が提出されたものである。
　
第２　補正の却下の決定
　
［補正の却下の決定の結論］
　平成２３年１１月１１日に提出された手続補正書による補正を却下する。
　
［理　由］
１　補正の内容
　平成２３年１１月１１日に提出された手続補正書による補正（以下「本件補正」という。）は，補正前の特許請求の範囲の請求項１−４を補正して，補正後の請求項１−３とするとともに明細書を補正するものであり，補正前後の請求項１は，各々次のとおりである。
　
（補正前）
　「【請求項１】
　銅配線膜と配線間絶縁膜とからなる配線構造を具備する半導体装置を製造する方法において，
　Ｃ，Ｎ，Ｏ，Ｈを構成元素として含み，かつ，構成Ｏ元素が必ず共有結合で結合された銅拡散防止性の有機樹脂を塗布して前記配線間絶縁膜を構成した後，前記配線間絶縁膜に配線溝を形成し，前記配線溝に銅を充填することにより前記銅配線膜を形成する
ことを特徴とする銅配線膜と配線間絶縁膜を構成する銅拡散防止性の有機樹脂とが直接接触している半導体装置の製造方法。」
　
（補正後）
　「【請求項１】
　銅配線膜と配線間絶縁膜とからなる配線構造を具備する半導体装置を製造する方法において，
　耐熱温度が４００〜５００℃で，比誘電率が３以下のポリベンゾオキサゾールを塗布して前記ポリベンゾオキサゾールによる配線間絶縁膜を構成した後，前記ポリベンゾオキサゾールによる配線間絶縁膜に配線溝を形成し，前記配線溝に銅を充填することにより前記銅配線膜を形成する
ことを特徴とする銅配線膜と配線間絶縁膜を構成する銅拡散防止性のポリベンゾオキサゾールとが直接接触している半導体装置の製造方法。」
　
２　補正事項の整理
　本件補正の補正事項を整理すると次のとおりである。
　
（１）補正事項１
　補正前の請求項１の「Ｃ，Ｎ，Ｏ，Ｈを構成元素として含み，かつ，構成Ｏ元素が必ず共有結合で結合された銅拡散防止性の有機樹脂を塗布して前記配線間絶縁膜を構成した」，「前記配線間絶縁膜」及び「有機樹脂」を，
「耐熱温度が４００〜５００℃で，比誘電率が３以下のポリベンゾオキサゾールを塗布して前記ポリベンゾオキサゾールによる配線間絶縁膜を構成した」，「前記ポリベンゾオキサゾールによる配線間絶縁膜」及び「ポリベンゾオキサゾール」と補正して，補正後の請求項１にすること。
　
（２）補正事項２
　補正前の請求項２，請求項３を削除して，補正前の請求項２を引用する請求項４，及び，補正前の請求項３を引用する請求項４を，それぞれ補正後の請求項２及び請求項３にすること。
　
（３）補正事項３
　補正前の明細書の【００１８】，【００１９】及び【００２０】を補正して，各々補正後の【００１８】，【００１９】及び【００２０】にすること。
　
３　新規事項追加の有無，及び，補正の目的の適否についての検討
（１）補正事項１について
　補正事項１により補正された部分は，本願の願書に最初に添付した明細書（以下「当初明細書」という。また，本願の願書に最初に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面を「当初明細書等」という。）の【００２７】等に記載されているものと認められるから，補正事項１は，当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものである。
　したがって，補正事項１は，当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものであるから，特許法第１７条の２第３項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項をいう。以下同じ。）に規定する要件を満たす。
　また，補正事項１は，補正前の請求項１に係る発明の発明特定事項である「Ｃ，Ｎ，Ｏ，Ｈを構成元素として含み，かつ，構成Ｏ元素が必ず共有結合で結合された銅拡散防止性の有機樹脂」を具体的に特定するものであるから，特許法第１７条の２第４項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項をいう。以下同じ。）第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　したがって，補正事項１は，特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たす。
　
（２）補正事項２について
　補正事項２は，特許法第１７条の２第４項第１項に掲げる請求項の削除を目的とする。
　したがって，補正事項２は，特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たす。
　また，補正事項２が，特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすことは明らかである。
　
（３）補正事項３について
　補正事項３は，補正事項１及び２と整合するように明細書の記載を修正するものであるから，特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすことは明らかである。
　
（４）新規事項追加の有無，及び，補正の目的の適否についてのまとめ
　以上検討したとおりであるから，本件補正は，特許法第１７条の２第３項及び第４項に規定する要件を満たすものである。
　そして，本件補正は，特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の範囲の減縮を目的とする補正を含むものであるから，本件補正による補正後の特許請求の範囲に記載されている事項により特定される発明が，特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否か，すなわち，本件補正がいわゆる独立特許要件を満たすものであるか否かについて，以下において更に検討する。
　
４　独立特許要件についての検討
（１）補正後の発明
　本願の本件補正による補正後の請求項１−３に係る発明は，本件補正により補正された明細書，特許請求の範囲及び図面の記載からみて，その特許請求の範囲の請求項１−３に記載されている事項により特定されるとおりのものであり，そのうちの請求項１に係る発明（以下「本願補正発明１」という。）は，請求項１に記載されている事項により特定される上記「第２　１　補正の内容」の「（補正後）」の箇所に記載したとおりのものであり，再掲すると次のとおりである。
　
「銅配線膜と配線間絶縁膜とからなる配線構造を具備する半導体装置を製造する方法において，
　耐熱温度が４００〜５００℃で，比誘電率が３以下のポリベンゾオキサゾールを塗布して前記ポリベンゾオキサゾールによる配線間絶縁膜を構成した後，前記ポリベンゾオキサゾールによる配線間絶縁膜に配線溝を形成し，前記配線溝に銅を充填することにより前記銅配線膜を形成する
ことを特徴とする銅配線膜と配線間絶縁膜を構成する銅拡散防止性のポリベンゾオキサゾールとが直接接触している半導体装置の製造方法。」
　
（２）引用例とその記載事項，及び，引用発明
　原査定の拒絶の理由に引用され，本願の出願前に頒布された刊行物である下記の引用例１には，次の事項が記載されている。（なお，下線は，当合議体において付したものである。以下同じ。）
　
ア　国際公開第２００５／１１４７２４号
（１ａ）「技術分野
　
本発明は
デュアルダマシン構造を有する配線層の形成に好適に用いることができる積層体に関する
　
（１ｂ）「発明を実施するための最良の形態
  １．積層体
　以下，本発明について図１〜３を参照しながらさらに詳細に説明する。
本発明の積層体は，銅配線の上にこの銅配線と接続するための配線層をデュアルダマシン法により形成する場合に好適に用いることができる積層体である
　（第１の例）
　第１の例にかかる積層体について，図１を参照しながら説明する。図１は，第１の例にかかる積層体を模式的に示す断面図である。
　図１に示すように，第１絶縁層１０中には，銅を含む材質からなる導電層で構成された配線層２０が設けられ，配線層２０の上に保護層３０が設けられている。保護層３０の上には，単層の第２絶縁層４０が設けられ，第２絶縁層４０の上には，必要に応じてハードマスク層５０が設けられている。保護層３０としては，ポリベンゾオキサゾール樹脂層が用いられている。このポリベンゾオキサゾール樹脂層についてはその詳細を後述する。また，
第２絶縁層４０としては
有機系膜を用いる
　
（１ｃ）「（第３の例）
　第３の例にかかる積層体について，図３を参照しながら説明する。図３は，第３の例にかかる積層体を模式的に示す断面図である。第３の例の積層体は，第２絶縁層４０の構成が第１の例と比して異なる例である。なお，以下の説明では，第１の例の積層体と比して異なる点について説明する。
　
図３に示すように，第１絶縁層１０の中には，銅を含む材質からなる導電層で構成された配線層２０が設けられ，配線層２０の上に保護層３０と，第２絶縁層４０
が順次設けられている
第２絶縁層４０は複数の層で形成されている
第２絶縁層４０は，絶縁層４０ａと，絶縁層４０ｂと，絶縁層４０ｃとが順次積層されている
絶縁層４０ａ，ｃは
有機系膜
であり
絶縁層４０ｂは
シリカ系膜
である
　第１〜３の例の積層体によれば，少なくとも配線層２０の上面にポリベンゾキサゾール樹脂層からなる保護層３０が設けられている。
ポリベンゾキサゾール樹脂層は，低比誘電率であり，かつ高密度および高ガラス転移温度であるという性質を有する
　
（１ｄ）「これらの中でも，エチニル基およびフェニルエチニル基などの炭素一炭素三重結合を有する基が好ましい。
これにより，得られるポリベンゾオキサゾール樹脂の耐熱性を向上することができる
　
（１ｅ）「これらの中でも，ジヒドロキシルベンゼンを有する化合物，フルオレン骨格を有する化合物ビナフタレン骨格を有する化合物の中から選ばれる１種以上のビスアミノフェノール化合物が好ましい。
これにより，ポリベンゾオキサゾール樹脂の耐熱性を向上することができる
　
（１ｆ）「これらの中でも，エチニル（フェニルエチニル）−ナフタレンを有するビスアミノフェノール化合物およびエチニル（フェニルエチニル）−フルオレンを有するビスアミノフェノール化合物より選ばれる１種以上の架橋基を有するビスアミノフェノール化合物が好ましい。これにより，ポリベンゾオキサゾール樹脂を加熱することにより３次元網目状に架橋反応を生じるため，
ポリベンゾオキサゾール樹脂の耐熱性をさらに向上することができる
　
（１ｇ）「これらの中でも，エチニルフタル酸，フェニルエチニルフタル酸および（フェニルエチニル−フェノキシ）−フタル酸から選ばれる１種以上のジカルボン酸が好ましい。これにより，ポリベンゾオキサゾール樹脂を加熱することにより３次元網目状に架橋反応を生じるため，
ポリベンゾオキサゾール樹脂の耐熱性をさらに向上することができる
　
（１ｈ）「これらの化合物において，前記炭素−炭素二重結合および炭素−炭素三重結合等の架橋基を有する化合物が好ましい。これにより，ポリベンゾオキサゾール樹脂を加熱することにより３次元網目状に架橋反応を生じるため，
ポリベンゾオキサゾール樹脂の耐熱性を向上することができる
　
（１ｉ）「２．３．第２絶縁層
　２．３．１．シリカ系膜
　第２絶縁層を構成する絶縁層の一つであるシリカ系膜は，下記一般式（７）〜（１０）で表される化合物からなる群から選ばれた少なくとも１種の化合物を加水分解，縮合して得られる加水分解縮合物を含む膜形成用組成物を用いて形成される。」（［００６６］）
　
（１ｊ）「２．３．２．有機系膜
　
第２絶縁層を構成する層の一つとして用いられる有機系膜は
比誘電率が３以下である有機系膜であることが，より好ましい
比誘電率が３以下の絶縁層を用いることにより，配線遅延を低減でき，高速動作性を図ることができる点で好ましい
　
また前記有機系膜は，ポリベンゾオキサゾール
の樹脂より構成されるものが用いられ
特にポリベンゾオキサゾールは，低誘電率であり，かつ高密度および高ガラス転移温度の性質有する点において好ましい
これらの樹脂としては，例えば，特開平５−２０５５２６号公報，特開２０００−１９１７５２号公報，特開平１１−２２８６７４号公報，および特開平１１−３４９６８３などに記載の樹脂を挙げることができる。」（［００９７］−［００９８］）
　
（１ｋ）「３．半導体装置
　次に，
１の項で説明した積層体の第２絶縁層４０
デュアルダマシン法により配線層が形成された半導体装置
本実施の形態では，第３の例で示した積層体を用いた場合を例として説明する
　図４に示すように，本実施の形態にかかる半導体装置は，第１絶縁層１０と所定のパターンの配線層２０を有する。配線層２０の上に，ポリベンゾオキサゾール樹脂層からなる保護層３０が設けられている。保護層３０の上には，第２絶縁層４０が設けられている。
第２絶縁層４０は，絶縁層４０ａ，ｂ，ｃが順次積層されて形成されている
絶縁層４０ａ，ｃは，同一の材質からなる絶縁層とすることができ，たとえば，シリカ系膜または有機系膜が用いられる
　
絶縁層４０ａ，ｂには，ビア開口部６２が設けられており
絶縁層４０ｃにはビア開口部６２と連続した配線開口部６６が設けられている
このビア開口部６２と，配線開口部６６に導電層が埋め込まれて形成されたビア層６４と配線層６８が設けられている
　次に，
図４に示す半導体装置の形成方法の一例について説明する
（１）まず，図３に示すように，第１絶縁層１０に所定のパターンを有する配線層２０を形成する。配線層２０は，銅を含む材質からなり，その形成は，公知の形成方法により行うことができる。ついで，少なくとも配線層２０の上面を覆う保護層３０を形成する。保護層３０は，ポリベンゾオキサゾール樹脂層である。その形成は，配線層２０および第１絶縁層１０の上に上述の膜形成用組成物を塗布して塗膜を形成し，この塗膜に硬化処理を施すことで形成される。膜形成用組成物や硬化処理の詳細については，２．２．の項の説明を参照されたい。
（２）次に，保護層３０の上に，デュアルダマシン構造が形成される第２絶縁層４０を形成する。本実施の形態の製造方法では，第３の例の積層体を例として説明するため，第２絶縁層４０は，シリカ系膜からなる絶縁層４０ａ，有機系膜からなる絶縁層４０ｂおよびシリカ系膜からなる絶縁層４０ｃが順次積層されている。シリカ系膜４０ａ，ｃは，２．３．１の項で述べた膜形成用組成物を用いて塗膜を形成しその塗膜に硬化処理を施すことで形成される。
有機系膜４０ｂも
２．３．２の項で述べた膜形成用組成物を用いて塗膜を形成しその塗膜に硬化処理を施すことで形成される
（３）次に，
第２絶縁層４０の一部の領域を除去して配線開口部６６と，配線開口部６６と連続するビア開口部６２を形成する。この配線開口部６６およびビア開口部６２に導電層が埋め込まれて配線層２０と電気的接続をするためのデュアルダマシン構造を有する配線層が形成されるのである
　まず，ハードマスク層５０の上に，ビア開口部６２が形成される領域に開口を有する第１マスク層（図示せず）を形成する。このマスク層をマスクとして絶縁層４０ｃを絶縁層４０ｂが露出するまでエッチングする。ついで，絶縁層４０ｂを絶縁層４０ａが露出するまでエッチングする。ついで，配線開口部６６が形成される領域に開口を有する第２マスク層（図示せず）を形成する。第２マスク層は，第１マスク層と比して大きい開口のパターンを有するものである。
第２マスク層をマスクとして露出している絶縁層４０ｃおよび絶縁層４０ａを除去する。このようにして，配線層２０の上にビア開口部６２と，ビア開口部６２と連続する配線開口部６６が形成される
　ビア開口部６２の下部に位置する保護層３０は次の工程の導電層の埋め込みの前にエッチングにより除去される。ビア開口部６２の下部に位置する保護層３０の除去は，ビア開口部６２の形成の際に行うことも，ビア開口部６２の形成後に行うこともできる。
　次に，
ビア開口部６２および配線開口部６６に導電層を埋め込む。導電層としては，配線層の項で例示した導電材料を用いることができる
抵抗が低く配線の遅延を低減できる点から銅を含む導電材料を用いることが好ましい
配線開口部６６には配線層６８が形成されることができる
　以上の工程により，本実施の形態の積層体にデュアルダマシン構造を適用した配線層を形成することができる。」（［０１０２］−［０１１２］）
　
（１ｌ）「なお，本発明は，上述の実施の形態に限定されず，本発明の要旨の範囲内で変形が可能である。
第１の例
の積層体の第２絶縁層４０にデュアルダマシン法による配線層を形成する場合には
配線開口部６６の形成を行う
　
（１ｍ）「４．実施例
　以下，
本発明を実施例を挙げてさらに具体的に説明
　４．１．評価方法
（比誘電率の評価）
　８インチシリコンウエハ上に，スピンコート法を用いて組成物試料を塗布し，ホットプレート上で８０℃で１分間，窒素雰囲気２００℃で１分間基板を乾燥した。さらにこの基板を４２０℃の窒素雰囲気のホットプレートで６０分間を焼成した。得られた膜に対して，蒸着法によりアルミニウム電極パターンを形成させ比誘電率測定用サンプルを作成した。該サンプルを周波数１００ｋＨｚの周波数で，横河・ヒューレットパッカード（株）製，ＨＰ１６４５１Ｂ電極およびＨＰ４２８４ＡプレシジョンＬＣＲメータを用いてＣＶ法により当該
塗膜の比誘電率を測定した
（絶縁破壊耐性の評価）
　得られた積層体に対して，蒸着法によりアルミニウム電極パターンを形成させ絶縁破壊電圧測定用サンプルを作成した。横河・ヒューレットパッカード（株）製，ＨＰ１６４５１Ｂ電極およびＨＰ４２８４ＡプレシジョンＬＣＲメータを用いてＩＶ法により当該塗膜の
絶縁破壊電圧を測定した
　
（１ｎ）「４．２．４．有機系膜（絶縁膜）のための膜形成用組成物の調製
（
有機系膜調整例１
　２，２−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン３４．８ｇ（０．０９５ｍｏｌ）を，乾燥したＮ−メチル−２−ピロリドン３３０ｍＬに溶解し，この溶液に，５−フェニルエチニルイソフタル酸ジクロリド３０．３ｇ（０．１ｍｏｌ）を，乾燥窒素下１０℃で添加した。添加後，１０℃で１時間，続いて２０℃で１時間攪拌した。反応液を１０℃にした後，トリエチルアミン２２．３ｇ（０．２２ｍｏｌ）を添加し，次いで，γ−ブチロラクトン１００ｍＬにアルドリッチ社製ポリ（プロピレングリコール）ビス（２−アミノプロピルエーテル）４０ｇ（０．０１ｍｏｌ，数平均分子量４０００）を溶解した溶液を，乾燥窒素下１０℃で添加した。添加後，１０℃で１時間，続いて２０℃で２０時間攪拌した。反応終了後，反応液をろ過してトリエチルアミン塩酸塩を除去し，ろ過した液をイオン交換水６．６Ｌとイソプロパノール６．６Ｌの混合溶液に滴下し，沈殿物を集めて乾燥することにより，ポリベンゾオキサゾール樹脂前駆体（１）８７．９ｇを得た。得られたポリベンゾオキサゾール樹脂前駆体（１）の分子量を，東ソー株式会社製ＧＰＣを用いてポリスチレン換算で求めたところ，重量平均分子量２５．０００，分子量分布２．２０であった。１Ｈ−ＮＭＲにより反応性オリゴマ一成分の導入率は３６重量％であった。
得られたポリベンゾオキサゾール樹脂前駆体（１）１０ｇを，Ｎ−メチルー２−ピロリドンに溶解して５重量％の溶液とし，孔径０．２μｍのテフロン（登録商標）フィルターで濾過し，ワニス（Ｃ−１）を得た
得られたワニスより細孔を有するポリベンゾオキサゾール樹脂膜を形成し比誘電率を測定したところ，２．２であった
　
（１ｏ）「［実施例１９］
　８インチシリコンウエハ上にＮｅｖｅｌｌｕｓ製Ｓｅｑｕｅｌ Ｅｘｐｒｅｓｓを用い，シランとアンモニアのＣＶＤ膜を１０００Å形成した。この塗膜の元素組成は，Ｓｉ（５０ａｔｏｍｉｃ％），Ｏ（４ａｔｏｍｉｃ％），Ｃ（３ａｔｏｍｉｃ％），Ｎ（４０ａｔｏｍｉｃ％），Ｈ（４ａｔｏｍｉｃ％）であった。この塗膜上に，スパッタ法を用いて銅膜を１０００Å積層した。この銅膜上にポリベンゾオキサゾール膜形成用組成物（Ａ−１）を５００Å塗布した後，さらに，この基板を４２０℃の窒素雰囲気のホットプレートで６０分間焼成した。つぎに，この基板の上に
有機系絶縁膜形成用組成物（Ｃ−１）を用いて４０００Åの塗膜を形成
実施例１９にかかる積層体を形成
　
（１ｐ）「［実施例３５］
　８インチシリコンウエハ上にＮｅｖｅｌｌｕｓ製Ｓｅｑｕｅｌ Ｅｘｐｒｅｓｓを用い，シランとアンモニアのＣＶＤ膜を１０００Å形成した。この塗膜の元素組成は，Ｓｉ（５０ａｔｏｍｉｃ％），Ｏ（４ａｔｏｍｉｃ％），Ｃ（３ａｔｏｍｉｃ％），Ｎ（４０ａｔｏｍｉｃ％），Ｈ（４ａｔｏｍｉｃ％）であった。この塗膜上に，スパッタ法を用いて銅膜を１０００Å積層した。この銅膜上にポリベンゾオキサゾール膜形成用組成物（Ａ−１）を５００Å塗布した後，さらに，この基板を４２０℃の窒素雰囲気のホットプレートで６０分間焼成した。つぎに，この基板の上に
有機系絶縁膜形成用組成物（Ｃ−１）を用いて１８００Åの塗膜を形成
シリカ系絶縁膜形成用組成物（Ｂ−１）を用いて５００Åの塗膜を形成
有機系絶縁膜形成用組成物（Ｃ−１）を用いて１８００Åの塗膜を形成
実施例３５にかかる積層体を形成
　
（１ｑ）「表１に示された結果より，
実施例１〜４０により得られた積層体はいずれも絶縁破壊電圧が４ＭＶ／ｃｍ以上
良好な絶縁破壊耐性を有する積層体が得られた
本発明の積層体によれば，銅を含む配線層と，この配線層を覆う絶縁層との間にポリベンゾオキサゾール樹脂層からなる保護層を有することで，銅が絶縁層に拡散することが抑制され，半導体装置の絶縁層として好適に用いることができることが確認された
　
（１ｒ）「請求の範囲
［１］
半導体層の上方に設けられ
銅配線層
　　　前記銅配線層の上に設けられたポリベンゾオキサゾール樹脂層からなる
保護層
　　　前記保護層の上に設けられた
絶縁層と，を含む，積層体
［２］請求項１において，
　　　前記絶縁層は，シリカ系膜または有機系膜である，積層体。
［３］
請求項１において
　　　前記
絶縁層は，材質の異なる複数の層が積層されている
［４］請求項３において，
　　　前記絶縁層は，シリカ系膜と，有機系膜とが積層されている，積層体。
［５］
請求項３において
　　　前記
絶縁層は，第１有機系膜と，シリカ系膜と，第２有機系膜とが順次積層されている
　
（１ｓ）「［１１］
請求項２〜１０のいずれかにおいて
　　　　前記
有機系膜は，３以下の比誘電率を有する
［１２］
請求項２〜１１のいずれかにおいて
　　　　前記
有機系膜は，ポリベンゾオキサゾール
　
（１ｔ）「［１５］
請求項１〜１４のいずれかに記載の積層体の前記絶縁層
デュアルダマシン法により形成された配線層を有する
　
イ　引用発明
　引用例１の上記摘記（１ｋ）には，引用例１の特許請求の範囲に記載された発明を実施するための最良の形態として，以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「第２絶縁層４０にデュアルダマシン法により配線層が形成された半導体装置を製造する方法において，
（ａ）第１絶縁層１０に所定のパターンを有する配線層２０を形成する工程と，
（ｂ）少なくとも前記配線層２０の上面を覆う保護層３０を形成する工程と，
（ｃ）前記保護層３０の上に，デュアルダマシン構造が形成される第２絶縁層４０を形成する工程であって，
　（ｃ−１）２．３．１の項で述べた膜形成用組成物を用いて塗膜を形成しその塗膜に硬化処理を施すことでシリカ系膜からなる絶縁層４０ａを形成する工程と，
　（ｃ−２）２．３．２の項で述べた膜形成用組成物を用いて塗膜を形成しその塗膜に硬化処理を施すことで有機系膜からなる絶縁層４０ｂを形成する工程と，
　（ｃ−３）２．３．１の項で述べた膜形成用組成物を用いて塗膜を形成しその塗膜に硬化処理を施すことでシリカ系膜からなる絶縁層４０ｃを形成する工程と，
（ｄ）前記第２絶縁層４０の上に，ハードマスク層５０を形成する工程と，
（ｅ）前記第２絶縁層４０の一部の領域を除去して配線開口部６６と，配線開口部６６と連続するビア開口部６２を形成する工程であって，
　（ｅ−１）前記ハードマスク層５０の上に，ビア開口部６２が形成される領域に開口を有する第１マスク層を形成する工程と，
　（ｅ−２）前記第１マスク層をマスクとして前記絶縁層４０ｃを前記絶縁層４０ｂが露出するまでエッチングする工程と，
　（ｅ−３）前記絶縁層４０ｂを前記絶縁層４０ａが露出するまでエッチングする工程と，
　（ｅ−４）配線開口部６６が形成される領域に第１マスク層と比して大きい開口のパターンを有する第２マスク層を形成する工程と，
　（ｅ−５）前記第２マスク層をマスクとして露出している前記絶縁層４０ｃおよび前記絶縁層４０ａを除去して，前記配線層２０の上にビア開口部６２と，ビア開口部６２と連続する配線開口部６６を形成する工程と，
（ｆ）前記ビア開口部６２の下部に位置する前記保護層３０を除去する工程と，
（ｇ）前記ビア開口部６２および前記配線開口部６６に，銅を含む導電材料を用いて導電層を埋め込む工程と，
（ｈ）前記導電層を埋め込んだ後，ＣＭＰなどの平坦化処理を施すことで，ビア開口部６２にはビア層６４を形成し，配線開口部６６には配線層６８を形成して，前記配線層６８と前記配線層２０とを前記ビア層６４により電気的接続する，
　第２絶縁層４０にデュアルダマシン法により配線層が形成された半導体装置の製造方法。」
　
（３）本願補正発明１と引用発明との対比
ア　引用発明の『「前記第２マスク層をマスクとして露出している前記絶縁層４０ｃおよび前記絶縁層４０ａを除去して，前記配線層２０の上にビア開口部６２と，ビア開口部６２と連続する配線開口部６６を形成する工程」と，「前記配線開口部６６に，銅を含む導電材料を用いて導電層を埋め込む工程」とによって形成された「配線層６８」』は，本願補正発明１の「銅配線膜」に相当する。
　したがって，引用発明の「絶縁層４０ｃ」及び「配線開口部６６」は，各々本願補正発明１の「配線間絶縁膜」及び「配線溝」に相当し，また，引用発明の「配線層６８」と「絶縁層４０ｃ」とが，直接接触していることは当業者であれば明らかであるものと認められる。
　
　上記アの対応関係によれば，本願補正発明１と引用発明との一致点及び相違点は，次のとおりである。
　
＜一致点＞
　「銅配線膜と配線間絶縁膜とからなる配線構造を具備する半導体装置を製造する方法において，
　配線間絶縁膜を構成した後，前記配線間絶縁膜に配線溝を形成し，前記配線溝に銅を充填することにより前記銅配線膜を形成する，銅配線膜と配線間絶縁膜とが直接接触している半導体装置の製造方法。」
　
＜相違点＞
・相違点１：本願補正発明１では，配線間絶縁膜が「耐熱温度が４００〜５００℃で，比誘電率が３以下のポリベンゾオキサゾールを塗布して前記ポリベンゾオキサゾールによる配線間絶縁膜を構成」したものであり，かつ前記「ポリベンゾオキサゾール」が「銅拡散防止性」であるのに対して，引用発明では『「２．３．１の項で述べた膜形成用組成物を用いて塗膜を形成しその塗膜に硬化処理を施すことで」形成した「シリカ系膜」』である点。
　
（４）相違点についての判断
・相違点１について
ア　引用例１の上記摘記（１ｒ），（１ｓ）及び（１ｔ）には，引用例１の請求項１を引用する請求項３を引用する請求項５を引用する請求項１１を引用する請求項１２を引用する請求項１５に係る発明として，以下の発明が記載されていると認められる。
　
「半導体層の上方に設けられ，所定のパターンを有する銅配線層と，
　前記銅配線層の上に設けられたポリベンゾオキサゾール樹脂層からなる保護層と，
　前記保護層の上に設けられた，
　　３以下の比誘電率を有するポリベンゾオキサゾールより構成される膜である第１有機系膜と，
　　シリカ系膜と，
　　
３以下の比誘電率を有するポリベンゾオキサゾールより構成される膜である第２有機系膜
　を含む，前記積層体の前記絶縁層にデュアルダマシン法により形成された配線層を有する，半導体装置。」
　
イ　また，引用例１の上記摘記（１ｃ）には「
第２絶縁層４０は，絶縁層４０ａと，絶縁層４０ｂと，絶縁層４０ｃとが順次積層されている
絶縁層４０
ｃは
有機系膜
比誘電率が３以下である有機系膜
有機系膜は，ポリベンゾオキサゾール
絶縁層４０
ｃは
有機系膜が用いられる
　
ウ　さらに，引用例１の上記摘記（１ｎ）には，「有機系膜調整例１」として記載されている「
ワニス（Ｃ−１）
ポリベンゾオキサゾール樹脂膜
比誘電率
２．２
有機系絶縁膜形成用組成物（Ｃ−１）を用いて１８００Åの塗膜を形成した後，８０℃で１分間，２００℃で１分間基板を乾燥した。さらにこの基板を４２０℃の窒素雰囲気のホットプレートで６０分間焼成する
　
エ　以上のア−ウから，引用例１には，絶縁層４０ａと，絶縁層４０ｂと，絶縁層４０ｃとを順次積層して形成した積層体からなる絶縁層において，（ａ）絶縁層４０ａ，ｃが，シリカ系膜であり，絶縁層４０ｂが，有機系膜である組合せと，（ｂ）絶縁層４０ａ，ｃが，有機系膜であり，絶縁層４０ｂが，シリカ系膜である組合せのうちのいずれかの組合せを選択することができ，かつ，前記有機系膜としては，低誘電率であり，かつ高密度および高ガラス転移温度の性質を有することから，比誘電率が３以下である有機系膜であるポリベンゾオキサゾールが好ましいことが記載されていることを理解することができる。
　
オ　してみれば，引用発明の「シリカ系膜からなる絶縁層４０ａ・・・有機系膜からなる絶縁層４０ｂ・・・シリカ系膜からなる絶縁層４０ｃ」という組合せに替えて，「有機系膜からなる絶縁層４０ａ・・・シリカ系膜からなる絶縁層４０ｂ・・・有機系膜からなる絶縁層４０ｃ」という組合せを採用し，その際，前記有機系膜として比誘電率が３以下である有機系膜であるポリベンゾオキサゾールを用いることは当業者が適宜なし得たことである。
　
カ　そして，「ポリベンゾオキサゾール」が，「銅拡散防止性」という物性を有していることは，引用例１の上記摘記（１ｑ）の「本発明の積層体によれば，銅を含む配線層と，この配線層を覆う絶縁層との間にポリベンゾオキサゾール樹脂層からなる保護層を有することで，銅が絶縁層に拡散することが抑制され，半導体装置の絶縁層として好適に用いることができることが確認された。」等の記載からも明らかといえる。
　
キ　なお，引用例１には，「ポリベンゾオキサゾール」の「耐熱温度」は明示されていない。
　しかしながら，引用例１の上記摘記（１ｂ）の「ポリベンゾキサゾール樹脂層は，低比誘電率であり，かつ高密度および高ガラス転移温度であるという性質を有する。」との記載，上記摘記（１ｄ），（１ｅ），（１ｈ）の「これにより，得られるポリベンゾオキサゾール樹脂の耐熱性を向上することができる。」との記載，上記摘記（１ｆ），（１ｇ）の「ポリベンゾオキサゾール樹脂の耐熱性をさらに向上することができる。」との記載，上記摘記（１ｊ）の「特にポリベンゾオキサゾールは，低誘電率であり，かつ高密度および高ガラス転移温度の性質有する点において好ましい。」との記載に照らして，「ポリベンゾオキサゾール」の耐熱温度が高いことは明らかである。
　また，引用例１の上記摘記（１ｐ）に記載されている「つぎに，この基板の上に有機系絶縁膜形成用組成物（Ｃ−１）を用いて１８００Åの塗膜を形成した後，８０℃で１分間，２００℃で１分間基板を乾燥した。さらにこの基板を４２０℃の窒素雰囲気のホットプレートで６０分間焼成した。ついで，この基板上に，さらに，シリカ系絶縁膜形成用組成物（Ｂ−１）を用いて５００Åの塗膜を形成した後，８０℃で１分間，２００℃で１分間基板を乾燥した。つぎに，この基板を４２０℃の窒素雰囲気のホットプレートで６０分間焼成した。ついで，この基板上に，さらに，有機系絶縁膜形成用組成物（Ｃ−１）を用いて１８００Åの塗膜を形成した後，８０℃で１分間，２００℃で１分間基板を乾燥した。さらにこの基板を４２０℃の窒素雰囲気のホットプレートで６０分間焼成することで，実施例３５にかかる積層体を形成した。」との工程において，前記有機系絶縁膜形成用組成物（Ｃ−１）からは，ポリベンゾオキサゾール樹脂膜が得られるところ，前記工程においては，得られたポリベンゾオキサゾール樹脂膜は，当該膜の形成後に４２０℃の温度に曝されていることから，前記ポリベンゾオキサゾール樹脂膜が，少なくとも４２０℃以上の耐熱温度を備えていることは明らかといえる。
　また，下記の周知例１の記載からも，４９０℃より大きい熱安定性を有するポリベンゾオキサゾールは周知といえる。
　
・周知例１：特開２００４−６８００５号公報
（周１ａ）「【請求項１１】
　請求項１０に記載の
電子部品を製造
フィルムは
ポリベンゾオキサゾールが得られ
フィルムは，トレンチおよびコンタクトホールを有する耐性構造を得るために構築され
導電材料は，該トレンチおよび該コンタクトホールが該導電材料で充填されるように該耐性構造上に堆積され
過剰な導電材料は，取り除かれる
　
（周１ｂ）「【発明の属する技術分野】
（説明）
　
銅の拡散に対するバリア効果を有する誘電体
　
本発明は
誘電体としてポリベンゾオキサゾール
　
（周１ｃ）「誘電体がコンダクタトラック間のトレンチを満たす，現在の慣用的な技術とは対照的に，この
銅ダマスカス（ｄａｍａｓｃｅｎｅ）技術において
誘電体は最初に構造化される
得られたトレンチは，最初に銅で満たされ，次いで過剰の銅が機械的に研磨除去される
　
（周１ｄ）「さらに，
誘電体は
十分な熱安定性を有するべきであり
４００℃より高い温度でさえ分解を受けてはならない
　
（周１ｅ）「
マイクロチップの生成は
４００℃またはそれより高温までの熱負荷を引き起こす生成段階（例えば，気相からの酸化物沈着，銅焼きなましまたはタングステン沈着）を含む
　
（周１ｆ）「
ポリベンゾオキサゾール（ＰＢＯ）は
非常に高い熱耐性を有するポリマーである
この物質は，マイクロチップにおける保護層および絶縁層の生成のためにすでに使用されている
　
（周１ｇ）「式Ｉのポリ−ｏ−ヒドロキシアミドは，多くの有機溶媒（例えば，アセトン，シクロヘキサノン，ジエチレングリコールモノエチルエーテルもしくはジエチレングリコールジエチルエーテル，Ｎ−メチルピロリドン，γ−ブチロラクトン，乳酸エチル，酢酸メトキシプロピル，テトラヒドロフランまたは酢酸エチル）に溶解する。式Ｉのポリ−ｏ−ヒドロキシアミドは，スピンコーティング，スプレーまたは浸漬技術によって，均一なフィルムで基板に対して非常に容易に適用され得る。溶媒のエバポレーションによって，均一な層の厚さを有する均質なフィルムが得られ，完全な充填は，トレンチおよびコンタクトホールにおいて，高いアスペクト比で一様に達成される。
式Ｉのポリ−ｏ−ヒドロキシアミドは，加熱により環化して対応するポリベンゾオキサゾールを生じ
４００℃以上の高処理温度でさえ，コンダクタトラックから誘電体の隣接領域への金属の拡散は，全く観察されないか，または少なくとも非常に僅かな拡散のみが観察される
従って，コンダクタトラックと誘電体との間に通常配置されるバリアは
完全に無しで済む
　
（周１ｈ）「式Ｉのポリ−ｏ−ヒドロキシアミドから生成される
ポリベンゾオキサゾールは
３未満の誘電率を有する
　
（周１ｉ）「従って，
このポリマー材料は
銅のダマスク模様形成（ｄａｍａｓｃｅｎｅ）技術に顕著に適している
本発明に従うポリベンゾオキサゾールは
誘電体における拡散を驚くほど阻害する
従って，誘電体とコンダクタトラックとの間のバリアなしですますことが可能である
　
（周１ｊ）「本発明に従うプロセスにより調製される
ポリベンゾオキサゾールは
ｋ≦３．０の低い誘電率を有し
　従って，本発明はまた，上記のポリベンゾオキサゾールを含む電子工学成分に関する。
ポリベンゾオキサゾールは
コンダクタトラック
の間に誘電体として配置され得る
　
本発明に従う誘電体は
銅のダマスク模様形成技術に極めて適している
　
（周１ｋ）「従って，本発明はまた，溶媒中の式Ｉのポリ−ｏ−ヒドロキシアミドの溶液を最初に調製する，電子工学成分の製造プロセスに関する。この溶液は，基板に適用され，そして溶媒はエバポレートされ，その結果，フィルムが得られる。次いで，
このフィルムは
ポリベンゾオキサゾールへの変換のために加熱される
次いで
このフィルムは，トレンチおよび／またはコンタクトホールを有する抵抗構造を得るために構造化される
次いで
導電材料（例えば，銅）が，抵抗構造の上に堆積され，その結果，トレンチおよび／またはコンタクトホールは，導電材料で満たされる
化学的機械的平面化（ＣＭＰ）により，過剰な導電材料が除去される
　
（周１ｌ）「（実施例１１：
熱安定性の決定
　
記載される全てのポリマーは
４９０℃より大きい熱安定性を有する
　
ク　してみれば，引用発明の「シリカ系膜」を「有機系膜」である「ポリベンゾオキサゾール」に替えることは当業者が適宜なし得たことであり，また，引用発明のポリベンゾオキサゾールは，耐熱温度が４００〜５００℃で，比誘電率が３以下であり，銅拡散防止性であるものと認められ，仮に，引用発明のポリベンゾオキサゾールの耐熱温度が，４００〜５００℃でなかったとしても，引用例１の上記摘記（１ｄ）−（１ｈ）の記載に照らして，耐熱温度を調整することは容易になし得たことと認められるから，引用発明において，配線間絶縁膜を，「耐熱温度が４００〜５００℃で，比誘電率が３以下のポリベンゾオキサゾールを塗布して前記ポリベンゾオキサゾールによる配線間絶縁膜を構成」したものとなし，かつ，「ポリベンゾオキサゾール」が「銅拡散防止性」であるものとすること，すなわち，引用発明において，上記相違点１について本願補正発明１の構成とすることは当業者にとって容易といえる。また，耐熱温度の「４００℃」及び「５００℃」という値には，臨界的な意義は認められないので，このような構成を採用したことによる効果も当業者が予測する範囲内のものといえる。
　
（５）まとめ
　以上のとおり，本願補正発明１は，上記引用例１に記載された発明と周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
５　補正却下についてのむすび
　したがって，本件補正は，平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので，同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
１　本願発明
　平成２３年１１月１１日に提出された手続補正書でした補正を上記のとおり却下したので，本願の請求項１−４に係る発明は，平成２３年４月２１日に提出された手続補正書により補正された明細書，特許請求の範囲及び図面の記載からみて，その特許請求の範囲の請求項１−４に記載されている事項により特定されるとおりのものであるところ，そのうち，請求項１に係る発明（以下「本願発明１」という。）は，次のとおりであると認める。
　
「銅配線膜と配線間絶縁膜とからなる配線構造を具備する半導体装置を製造する方法において，
　Ｃ，Ｎ，Ｏ，Ｈを構成元素として含み，かつ，構成Ｏ元素が必ず共有結合で結合された銅拡散防止性の有機樹脂を塗布して前記配線間絶縁膜を構成した後，前記配線間絶縁膜に配線溝を形成し，前記配線溝に銅を充填することにより前記銅配線膜を形成する
ことを特徴とする銅配線膜と配線間絶縁膜を構成する銅拡散防止性の有機樹脂とが直接接触している半導体装置の製造方法。」
　
２　進歩性について
（１）引用例及びその記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用され，本願の出願前に頒布された刊行物である引用例１に記載されている事項は，上記「第２　４　（２）引用例とその記載事項，及び，引用発明」の項で指摘したとおりである。
　
（２）当審の判断
　本願発明１を特定するに必要な事項を全て含み，さらに具体的に特定したものに相当する本願補正発明１が，前記「第２　４　（４）相違点についての判断」に記載したとおり，引用例１に記載された発明と周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，本願発明１も同様に，引用例１に記載された発明と周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。 
　
第４　むすび 
　以上のとおり，本願の請求項１に係る発明は，引用例１に記載された発明と周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。したがって，本願の他の請求項に係る発明については検討するまでもなく，本願は拒絶をすべきものである。
　
　よって，結論のとおり審決する。