【事件の表示】
　特許第６３３５８２３号発明「ハニカム構造体、及びハニカム構造体の製造方法」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第６３３５８２３号の明細書及び特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正明細書及び特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項１、２、〔３〜５〕について訂正することを認める。
　特許第６３３５８２３号の請求項２、３に係る特許を維持する。
　特許第６３３５８２３号の請求項１に係る特許についての特許異議の申立てを却下する。
【理　由】
第１　手続の経緯  
  
　特許第６３３５８２３号（以下、「本件特許」という。）の請求項１〜５に係る特許についての出願は、平成２７年３月２５日の出願であって、平成３０年５月１１日にその特許権の設定登録がされ、同年５月３０日に特許掲載公報の発行がされたものであり、その後、その特許について、同年１１月３０日付けで特許異議申立人伊野口誠（以下、「申立人」という。）により下記甲第１〜１４号証を証拠方法とする特許異議の申立てがされ、平成３１年２月２０日付けで取消理由が通知され、同年４月１６日付けで特許権者より意見書の提出及び訂正の請求（令和元年５月２７日付けの手続補正あり）がされ（以下、「本件訂正請求」という。）、令和元年８月２日付けで申立人より意見書の提出がされたものである。  
  
（証拠方法）  
　甲第１号証：特許第２６１３７２９号公報 
　甲第２号証：特開２００２−３２６８７９号公報
　甲第３号証：特開２００６−２５５５４２号公報
　甲第４号証：素木洋一編著「セラミックス手帳」技報堂出版株式会社　１９８２年１月２５日１版２刷発行　１−３頁、６４−６５頁
　甲第５号証：特開平１−２６８８３６号公報
　甲第６号証：特開平６−４１６９５号公報
　甲第７号証：特開平３−６０７３７号公報
　甲第８号証：特開平１１−１５１４３６号公報
　甲第９号証：特開２００４−１６９８２号公報
　甲第１０号証：日産自動車株式会社　中央研究所　材料研究所編「新素材がクルマを変える」株式会社工業調査会（１９９２）　９８−１０３頁 
　甲第１１号証：Ｈｉｒｏａｋｉ　Ｙａｍａｍｏｔｏ他 Reduction of Wall Thickness of Ceramic Substrates for Automotive Catalysts　ＳＡＥ　Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ　Ｐａｐｅｒ　９００６１４、１９９０　及びその和訳
　甲第１２号証：宮入由紀夫「排気ガス浄化用セラミックス担体」セラミックス　４５（２０１０）Ｎｏ．１０　８０５−８０９頁
　甲第１３号証：Ｊｕｎ　Ｋｉｔａｇａｗａ他 Improvement of Pore Size Distribution of Wall Flow Type Diesel Particulate Filter　ＳＡＥ　Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ　Ｐａｐｅｒ　９２０１４４、１９９２　及びその和訳
　甲第１４号証：「平成１５年度　排ガス浄化システムに係る技術開発動向に関する調査報告書」社団法人日本機械工業連合会　社団法人日本ファインセラミックス協会　平成１６年３月
第２　訂正の適否についての判断  
  
１．訂正の内容  
　本件訂正請求による訂正の内容は、以下訂正事項１〜９のとおりである（当審注：下線は当審が付与した。）。  
  
（１）訂正事項１  
　特許請求の範囲の請求項１を削除する。 
  
（２）訂正事項２  
　特許請求の範囲の請求項２に記載された  
「原料にコロイダルシリカを含む接合材を使用して複数のハニカム焼成体を組み合わせて接合されたハニカム構造体であって、
　前記接合材の乾燥後の前記ハニカム構造体は、
　塩素濃度が６０ｐｐｍ以下であるハニカム構造体。」を、 
「原料にコロイダルシリカを含
み、乾燥後の塩素濃度が１５０ｐｐｍ以下である
　前記接合材の乾燥後
且つ６００℃以上の加熱処理をしていない状態において、
の
５ｐｐｍ以上、
  
（３）訂正事項３  
　特許請求の範囲の請求項３に記載された  
「ハニカム構造体の外周面に、コロイダルシリカを原料として含む外周コート材を塗布し、外部に開口した軸方向に延びる凹溝を充填するとともに外周面を覆い、前記外周面に外周壁を形成する外周壁形成工程、及び、四角柱状に形成された複数のハニカム焼成体を組み合わせ、コロイダルシリカを原料として含む接合材を用いて接合し、ブロック状のハニカム構造体を形成する接合工程の少なくともいずれか一方と、
　前記外周壁形成工程、及び／または、前記接合工程を経て形成された前記ハニカム構造体を、６００℃〜６７５℃の範囲の加熱温度で加熱処理する加熱工程と
を有し、
　前記加熱工程を経た加熱処理後の前記ハニカム構造体は、
　塩素濃度が６０ｐｐｍ以下であるハニカム構造体の製造方法。」を、  
「
四
と
　
前
を有し、
　前記加熱工程を経た加熱処理後の前記ハニカム構造体は、
　塩素濃度が
３１ｐｐｍ以上、
  
（４）訂正事項４  
　明細書の段落【００１４】を削除する。
（５）訂正事項５  
　明細書の段落【００１５】に記載された  
「［２］　原料にコロイダルシリカを含む接合材を使用して複数のハニカム焼成体を組み合わせて接合されたハニカム構造体であって、前記接合材の乾燥後の前記ハニカム構造体は、塩素濃度が６０ｐｐｍ以下であるハニカム構造体。」を、  
「［２］　原料にコロイダルシリカを含
み、乾燥後の塩素濃度が１５０ｐｐｍ以下である
且つ６００℃以上の加熱処理をしていない状態において、
の
５ｐｐｍ以上、
（６）訂正事項６
　明細書の段落【００１６】に記載された 
「［３］　ハニカム構造体の外周面に、コロイダルシリカを原料として含む外周コート材を塗布し、外部に開口した軸方向に延びる凹溝を充填するとともに外周面を覆い、前記外周面に外周壁を形成する外周壁形成工程、及び、四角柱状に形成された複数のハニカム焼成体を組み合わせ、コロイダルシリカを原料として含む接合材を用いて接合し、ブロック状のハニカム構造体を形成する接合工程の少なくともいずれか一方と、前記外周壁形成工程、及び／または、前記接合工程を経て形成された前記ハニカム構造体を、６００℃〜６７５℃の範囲の加熱温度で加熱処理する加熱工程とを有し、前記加熱工程を経た加熱処理後の前記ハニカム構造体は、塩素濃度が６０ｐｐｍ以下であるハニカム構造体の製造方法。」を、
「［３］　
四
と
前
３１ｐｐｍ以上、
（７）訂正事項７
　明細書の段落【００１７】を削除する。
（８）訂正事項８
　明細書の段落【００１８】に記載された 
「［７］　前記コロイダルシリカは、製造過程において使用される酸が、硫酸、燐酸、及び有機酸の少なくともいずれか一つである前記［６］に記載のハニカム構造体の製造方法。」を、
「［
４
３
（９）訂正事項９
　明細書の段落【００１９】に記載された 
「［８］　前記有機酸は、酢酸である前記［７］に記載のハニカム構造体の製造方法。」を、
「［
５
４
　そして、訂正前の請求項４が請求項３を引用し、同じく請求項５が請求項４を引用するものであるから、本件訂正請求は、独立請求項１及び２並びに一群の請求項３〜５について請求するものである。
 ２．訂正要件の判断  
（１）訂正事項１、４について  
　訂正事項１は請求項を削除するものであり、訂正事項４はそれに伴い明細書の一部を削除して記載を整合させるものであるから、これらはそれぞれ特許請求の範囲の減縮及び明瞭でない記載の釈明を目的とするものであって、願書に添付した明細書又は特許請求の範囲に記載した事項の範囲内においてしたものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。  
  
（２）訂正事項２、５について  
　訂正事項２は、訂正前の請求項２に記載された発明において、ハニカム構造体を構成する接合材の塩素濃度について限定を付し、ハニカム構造体の塩素濃度について上限値のみが特定されていたものをさらに下限値も特定すると共に、その測定がなされる時の状態について明確にして特定するものであるから、特許請求の範囲の減縮及び明瞭でない記載の釈明を目的とするものである。また、訂正事項５は訂正事項２に伴い明細書の記載を整合させるものであるから、明瞭でない記載の釈明を目的とするものである。
　そして、これらの訂正は、本件明細書の【００３３】に「本実施形態の外周コート材は、使用原料の一部として使用するコロイダルシリカの塩素濃度を１５０ｐｐｍ以下のものとする特徴を備える。・・・主として塩酸を使用して製造されていたコロイダルシリカに対し、製造過程において塩酸以外の硫酸、燐酸、酢酸、または有機酸を酸処理に使用する。これにより、コロイダルシリカの塩素濃度が、１０００ｐｐｍ程度から５００ｐｐｍ以下となる。このコロイダルシリカを用いて、外周コート材及び接合材を調製した場合、それぞれにおいて塩素濃度が１５０ｐｐｍ以下となる」と記載され、ハニカム構造体の製造に際し、本件明細書の【００４０】に「本実施形態のハニカム構造体の製造方法において、必要に応じて・・・ハニカム構造体１を加熱炉内に導入し、６００℃以上の加熱温度で所定時間加熱処理をする加熱工程を行ってもよい。塩素成分は高温で加熱することにより、消散することが知られている。そのため、製造された最終製品のハニカム構造体１に対して加熱処理を施すことにより、外周コート材に含まれていた塩素成分を除去することができ、ハニカム構造体１に含まれる塩素濃度を低減することができる」と記載されていると共に実施例では【００４５】【表１】に６００℃以上の加熱処理をしていない状態における乾燥後の外周コート材の塩素濃度について記載されていること、さらに【００４２】に「なお、接合材に関しては、使用するコロイダルシリカを同一のものとすることにより、外周コート材とほぼ同一の結果を示すと想定されるため、実施例の提示を省略している」と記載されていることに基づくものであって、願書に添付した明細書又は特許請求の範囲に記載した事項の範囲内においてしたものである。
　また、これらの訂正は、発明の目的やカテゴリーの変更をするものではないから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。  
　申立人は、訂正事項２に関し、意見書において、本件明細書には「接合材の乾燥後
且つ６００℃以上の加熱処理をしていない状態
の
５ｐｐｍ
　しかし、本件の訂正前の特許請求の範囲には、その請求項２に、上記したとおり、ハニカム構造体の塩素濃度について「６０ｐｐｍ以下」として上限値のみが特定されていた記載があるから、その塩素濃度をできる限り低くするという技術思想が把握できていたものであり、少なくとも、この訂正により新たな技術的事項が導入されたとはいえない。
　また、本件明細書には、接合材と並びで記載されている外周コート材を使用したハニカム構造体について、実施例１として、塩素濃度が５ｐｐｍであるものが記載されている。そして、ハニカム構造体の塩素濃度を
６００℃以上の加熱処理をしていない状態
　よって、「接合材の乾燥後
且つ６００℃以上の加熱処理をしていない状態
の
５ｐｐｍ
  
（３）訂正事項３、６について  
　訂正事項３は、訂正前の請求項３に記載された発明において「外周壁形成工程」と「接合工程」の「少なくともいずれか一方」と記載されていた選択肢のうちの「外周壁形成工程」の方を削除して「接合工程」の方に限定し、「加熱工程を経た加熱処理後の」「ハニカム構造体」の塩素濃度について上限値のみが特定されていたものをさらに下限値も特定するものであり、訂正事項６は訂正事項３に伴い明細書の記載を整合させるものであるから、これらはそれぞれ特許請求の範囲の減縮及び明瞭でない記載の釈明を目的とするものである。そして、願書に添付した明細書又は特許請求の範囲に記載した事項の範囲内においてしたものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。  
（４）訂正事項７〜９について
　訂正事項７〜９は、何れも明細書の記載を特許請求の範囲の記載と整合させるためのものであって、明瞭でない記載の釈明を目的とするものであり、訂正事項７はすべての請求項について、訂正事項８、９は請求項３〜５についてするものである。そして、願書に添付した明細書又は特許請求の範囲に記載した事項の範囲内においてしたものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。  
（５）独立特許要件について
　請求項３〜５が一群の請求項を構成するものであるから、訂正事項３は、特許異議の申立てがされていない請求項４、５について、特許請求の範囲の減縮を目的とした訂正をするものである。そこで、特許法第１２０条の５第９項において読み替えて準用する同法第１２６条第７項に基づき、訂正後の請求項４、５に係る発明の独立特許要件について検討する。
　本件訂正請求により訂正された請求項３〜５に係る発明は、訂正特許請求の範囲の請求項３〜５に記載された次の事項により特定される。
「【請求項３】
　
四
と
　
前
を有し、
　前記加熱工程を経た加熱処理後の前記ハニカム構造体は、
　塩素濃度が
３１ｐｐｍ以上、
　【請求項４】
　前記コロイダルシリカは、
　製造過程において使用される酸が、硫酸、燐酸、及び有機酸の少なくともいずれか一つである請求項３に記載のハニカム構造体の製造方法。
　【請求項５】
　前記有機酸は、
　酢酸である請求項４に記載のハニカム構造体の製造方法。」
　まず、訂正後の請求項４、５に係る発明について、これら発明に係る特許請求の範囲又は明細書の記載に不備は見当たらない。次に、訂正後の請求項４、５が直接又は間接的に引用する訂正後の請求項３に係る発明は、第３及び第４で後述するようにその特許を取り消すべき理由がなく、そして、訂正後の請求項４、５に係る発明は、訂正後の請求項３に係る発明の特定事項をすべて有し、さらに限定を付されたものであるから、新規性や進歩性等を有しているのは明らかである。
　よって、訂正後の請求項４、５に係る発明は、特許出願の際独立して特許を受けることができるものである。
３．むすび  
　以上のとおりであるから、本件訂正請求による訂正は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号及び第３号に掲げる事項を目的とするものであり、かつ、同条第９項において準用する同法第１２６条第５項から第７項の規定に適合するので、訂正後の請求項１、２、〔３〜５〕について訂正を認める。  
第３　特許異議申立について  
  
１．本件発明  
　本件訂正請求により訂正された請求項２、３に係る発明（以下、それぞれ「本件発明２」、「本件発明３」、まとめて「本件発明」という。）は、訂正特許請求の範囲の請求項２、３に記載された次の事項により特定されるとおりのものであると認める（当審注：下線は当審が付与した。）。
　請求項１は訂正により削除された。 
  
「【請求項１】 
　（削除） 
　【請求項２】 
　原料にコロイダルシリカを含
み、乾燥後の塩素濃度が１５０ｐｐｍ以下である
　前記接合材の乾燥後
且つ６００℃以上の加熱処理をしていない状態において、
の
５ｐｐｍ以上、
　【請求項３】
　
四
と
　
前
を有し、
　前記加熱工程を経た加熱処理後の前記ハニカム構造体は、
　塩素濃度が
３１ｐｐｍ以上、
２．取消理由の概要  
　訂正前の請求項１〜３に係る特許に対して通知した取消理由の概要は以下のとおりである。  
  
理由１（新規事項）本件特許は、平成２９年１１月９日付け手続補正書でした補正が、請求項１及び２において「乾燥後の前記ハニカム構造体」の「塩素濃度が６０ｐｐｍ以下である」ことのみを規定したものであるから、補正後に、乾燥後の塩素濃度が１５０ｐｐｍを超える外周コート材又は接合材を用いたハニカム構造体等を含むものとなって、願書に最初に添付した明細書等に記載した事項の範囲内においてしたものでないから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしていない補正をした特許出願に対してされたものである。 
  
理由２（サポート要件）
（ア）本件特許は、特許請求の範囲の記載が、請求項１、２において、発明の詳細な説明に記載された課題解決手段である「外周コート材に使用するコロイダルシリカの塩素濃度を抑制することにより、外周コート材自体の塩素濃度を減少させること」（段落【００４６】）、及び、「６００℃以上の加熱温度で外周コート材（外周壁）を加熱処理することにより、外周コート材に含まれる塩素成分が外部に蒸散し、塩素濃度を低くすること」（段落【００４８】）が反映されておらず、それ以外の明細書に記載されていない手段を含むものとなっていて不備があるため、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。 
（イ）本件特許は、請求項１〜３の記載が「塩素濃度が６０ｐｐｍ以下であるハニカム構造体」と塩素濃度の下限は特定されておらず塩素濃度が０ｐｐｍである（すなわち塩素を含まない）ハニカム構造体を含み得るものであるが、発明の詳細な説明には、ハニカム構造体の塩素濃度を０ｐｐｍとするための具体的手段は記載されていないから、特許請求の範囲の記載に不備があり、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。
  
理由３（明確性）本件特許は、特許請求の範囲の請求項１、２の「乾燥後の前記ハニカム構造体は、塩素濃度が６０ｐｐｍ以下である」との記載によって、発明の「ハニカム構造体」が乾燥前のものを意味するのか、乾燥直後のものを意味するのか、乾燥後にさらなる加熱処理を行った後のものを意味するのかがが明確でなく、どの時点での塩素濃度が６０ｐｐｍ以下であるのかによっても解釈が変わってくるために「ハニカム構造体」なる物の発明が不明確であるから、特許請求の範囲の記載に不備があり、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。 
  
理由４（新規性）請求項１に係る発明は、甲第１号証に記載された発明であって、特許法第２９条第１項第３号に該当するから、請求項１に係る特許は、特許法第２９条第１項の規定に違反してされたものである。 
  
理由５（進歩性）請求項１、３に係る発明は、甲第１号証に記載された発明及び甲第９号証に記載された技術事項に基いて、本件特許出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１、３に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。 
３．取消理由についての当審の判断  
（１）理由１（新規事項）について 
　訂正により、請求項１は削除された。
　本件発明２について検討するに、乾燥後のハニカム構造体の塩素濃度が６０ｐｐｍ以下であることに加え、訂正により、「
乾燥後の塩素濃度が１５０ｐｐｍ以下である
　よって、理由１は理由がない。
　申立人は、塩素濃度の「６０ｐｐｍ」という数値について出願当初の明細書に記載されていないから新規事項である旨主張しているが、本件明細書には【００５２】【表２】として当初から塩素濃度５ｐｐｍ（実施例１）〜５６ｐｐｍ（実施例５）の実施例１〜７とそれぞれ７０ｐｐｍ、１０２ｐｐｍの比較例１、２とが記載されており、本件発明が塩素濃度を抑えたハニカム構造体を提供することを目的とした技術思想であることは明らかであったのであるから、塩素濃度を実施例と比較例の間に上限値を設定して「６０ｐｐｍ」以下と特定する技術思想は当然に認識できるものである。そして、当初明細書に「６０ｐｐｍ」という直接的な記載がなかったとしても、この数値自体に新たな臨界的意義が存在するものではないから、「当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないもの」であることは明らかである。よって、主張は採用できない。
（２）理由２（サポート要件）について 
（ア）訂正により、請求項１は削除され、本件発明２は、「
乾燥後の塩素濃度が１５０ｐｐｍ以下である
（イ）訂正により、本件発明２、３の何れにおいても、「塩素濃度が
５ｐｐｍ以上
　よって、理由２は理由がない。
（３）理由３（明確性）について 
　訂正により、請求項１は削除され、本件発明２は、「乾燥後
且つ６００℃以上の加熱処理をしていない状態において、
の
５ｐｐｍ以上、
　よって、理由３は理由がない。
（４）理由４（新規性）及び理由５（進歩性）について 
　訂正により、請求項１は削除されたから、理由４及び請求項１を対象とした理由５については解消した。
　また、請求項３を対象とした理由５については、訂正前の請求項３に記載された発明が「外周壁形成工程」と「接合工程」の「少なくともいずれか一方」と記載されていた選択肢を有する発明であったところ、訂正により、「外周壁形成工程」に係る選択肢は削除された。
　そこで、訂正後の請求項３に係る本件発明３と甲第１号証に記載された発明とを以下に対比し検討する。　  
ア．甲第１号証に記載された発明 
　甲第１号証（特許第２６１３７２９号公報）には、以下の記載がある。 
  
（ア）「【請求項１】　軸方向に延びる、隔壁で囲まれ且つ相互に仕切られた多数のセルのうち、外周部の最外側に位置するものが、外部との間の隔壁を有しないことによって、外部に開口して、軸方向に延びる凹溝を形成しているセラミックハニカム本体と、かかるセラミックハニカム本体の外周部の少なくとも凹溝を充填して外表面を形成する外殻層とを備え、且つ該外殻層を、コージェライト粒子及び／又はセラミックファイバーと、それらの間に存在する、コロイダルシリカまたはコロイダルアルミナにて形成された非晶質酸化物マトリックスとから構成してなることを特徴とするセラミックハニカム構造体。」 
  
（イ）「【請求項４】　軸方向に延びる、隔壁で囲まれ且つ相互に仕切られた多数のセルのうち、外周部の最外側に位置するものが、外部との間の隔壁を有しないことによって、外部に開口して、軸方向に延びる凹溝を形成しているセラミックハニカム本体を準備する工程と、 
コージェライト粒子及び／又はセラミックファイバーと、コロイダルシリカまたはコロイダルアルミナからなるコロイド状酸化物とを主成分として含み、且つ該コロイド状酸化物を、前記コージェライト粒子及び／又はセラミックファイバーの１００重量部に対して、固形分換算で３〜３５重量部の割合で配合せしめてなるコート材を準備する工程と、 
該コート材を前記セラミックハニカム本体の外周面に塗布し、該セラミックハニカム本体の外周面に存在する凹溝を充填して、所定厚さの外殻層を形成する工程と、 
該セラミックハニカム本体の外周面に形成された外殻層を乾燥若しくは焼成せしめ、かかる外殻層を該セラミックハニカム体に固着させる工程とを、
含むことを特徴とするセラミックハニカム構造体の製造法。」 
  
（ウ）「【００２８】かくして得られる本発明に従うセラミックハニカム構造体１８は、図４及び図５に示される如く、セラミックハニカム本体１４の外周面に設けた軸方向の凹溝１２をコート材にて少なくとも充填して、外表面を与える外周壁としての外殻層（コート層）１６を有するものであって、目的とする実用的な強度を充分に備えていると共に、耐熱性や耐熱衝撃特性にも優れたものであり、中でも、有利には、アイソスタティック強度が３ｋｇ／ｃｍ2以上、耐熱衝撃性が７００℃以上、クラックの発生温度が８００℃以上である特性を有するものとして製造されるものであって、それは、排ガス浄化用触媒担体等として有利に用いられ得るものであるが、またハニカム構造体を用いるＤＰＦや回転蓄熱式熱交換体等としても、好適に用いられることとなる。」 
  
（エ）「【００３０】実施例　１ 
試験に供するセラミックハニカム本体として、リブ厚さ：１５０μｍ、セル密度：６２セル／ｃｍ2、外径寸法：３００ｍｍ、全長：３００ｍｍの、外周壁が一体的に成形されてなるコージェライト質ハニカム体の複数を準備した。なお、これらコージェライトハニカム体は、図１及び図２に示される如く、外周部にセルよれ部分（８）を有している。なお、このハニカム体中におけるセルよれ部（８）は、ハニカム体の外径寸法が３００ｍｍと大きくなることにより、その自重による潰れから、必然的に生じるものである。また、外壁が一体的に成形されてなる、リブ厚さ：１５０μｍ、セル密度６２：セル／ｃｍ2、外径寸法：３１０ｍｍ、全長：３００ｍｍの、外周部にセルよれ部分を有するコージェライト質ハニカム体の複数を用い、それぞれについて、その外周部のセルよれ部分を研削、除去し、外周部に凹溝（１２）を有する外径：３００ｍｍのハニカム体（図３参照）を準備した。 
【００３１】一方、コート材は、下記表１に示される材料特性を有する原料を用い、下記表２に示される組成において調合し、更に水を加えて混練し、セラミックハニカム体に塗布可能なペースト状において、各種の組成のものとして、調製した。 
【００３２】 
【表１】 
【００３３】 
【表２】 
 」 
  
（オ）「【００３４】次いで、前記準備した外周部に凹溝のないハニカム体（外壁あり）と、凹溝を有するハニカム体（外壁なし）の外周部に、それぞれ、表２に示される各種のコート材のペーストを塗布した後、大気中に２４時間放置し、更に９０℃の温度で２時間の乾燥を行ない、目的とする外周コートを施してなる各種のコージェライト質ハニカム構造体を得た。なお、このようにして形成された外周コート層の厚みは、約０．１〜１ｍｍ程度であった。・・・」 
  
（カ）「【００３７】また、熱衝撃試験は、得られたハニカム構造体を金網を敷いた枠に載せて７００℃に保持された電気炉に入れて加熱せしめ、そして、１時間の経過の後に炉外に取り出し、目視にて外観を観察しながら、細い金属棒でハニカム構造体の外周壁を軽く打った。・・・」 
  
　そして、上記（エ）には、コート材Ｎｏ．４として、コージェライト粉末１００重量部に対しコロイダルシリカ粉末を固形分換算で１０重量部配合したコート材が記載されている。 
  
　したがって、上記（ア）〜（オ）の記載から、甲第１号証には以下の発明が記載されていると認める。 
  
「排ガス浄化用触媒担体等として用いることができるセラミックハニカム構造体を製造する方法であって、コージェライト粉末１００重量部に対しコロイダルシリカ粉末を固形分換算で１０重量部配合したコート材を、外周部の最外側に位置するセルが外部に開口することにより形成された軸方向に延びる凹溝を有する、リブ厚さ１５０μｍ、セル密度６２セル／ｃｍ2、外形寸法３００ｍｍ、全長３００ｍｍのセラミックハニカム本体の外周面に塗布し、９０℃で乾燥することにより、前記凹溝を充填する厚さ０．１〜１ｍｍの外殻層を有するセラミックハニカム構造体を製造する方法。」（以下、「甲１発明」という。） 
イ．本件発明３と甲１発明との対比・判断 
　本件発明３と甲１発明とを対比すると、両者は「コロイダルシリカを原料として含む材料を用いる工程を有するハニカム構造体の製造方法。」である点で一致し、以下の相違点１、２で相違する。 
相違点１：コロイダルシリカを原料として含む材料を用いる工程が、本件発明３は「四角柱状に形成された複数のハニカム焼成体を組み合わせ、コロイダルシリカを原料として含む接合材を用いて接合し、ブロック状のハニカム構造体を形成する接合工程」であるのに対し、甲１発明は「ハニカム構造体の外周面に、コロイダルシリカを原料として含む外周コート材を塗布し、外部に開口した軸方向に延びる凹溝を充填するとともに外周面を覆い、前記外周面に外周壁を形成する外周壁形成工程」である点
相違点２：本件発明３は、接合工程を経て形成されたハニカム構造体を、６００℃〜６７５℃の範囲の加熱温度で加熱処理する加熱工程を有し、前記加熱工程を経た加熱処理後の前記ハニカム構造体は、塩素濃度が３１ｐｐｍ以上、６０ｐｐｍ以下であるのに対し、甲１発明は、６００℃〜６７５℃の範囲の加熱温度で加熱処理する加熱工程を有さず、ハニカム構造体の塩素濃度についても明らかでない点 
  
　上記相違点１、２について検討するに、甲第９号証には、コージェライト等のセラミックスからなる基材に触媒層を形成するための極性溶媒溶液を塗布し、加熱処理を加えた後に、水溶性貴金属化合物の水溶液に含浸し、乾燥後に焼成することにより、貴金属担持の排ガス浄化触媒を製造する方法が記載されており、極性溶媒溶液の塗布後の加熱処理を７００℃で、水溶性貴金属化合物水溶液の含浸後の焼成を６００℃で焼成を行った例が記載されていて、相違点２に関連する技術事項が開示されているといえるものの、相違点２に係る「加熱工程を経た加熱処理後のハニカム構造体」が「塩素濃度」「３１ｐｐｍ以上、６０ｐｐｍ以下である」点及び相違点１に係る「接合工程」の点については記載も示唆もない。
　そうすると、甲１発明において、「外周壁形成工程」を「接合工程」に換え、「加熱処理後のハニカム構造体」の「塩素濃度」を「３１ｐｐｍ以上、６０ｐｐｍ以下」として、相違点１、２をすべて解消することは、当業者といえども容易なことではない。
　甲第２号証には、セラミックス原料としてコーディエライトを用いた技術が記載されており、甲第３号証には、セラミック粒子としてのコージェライト粒子をコロイダルシリカ、セラミックファイバー、水と混合してコート材を調製し、外周コート機を使用して、セル構造体の外周面を囲繞するようにコート材を塗布し、外周コート層を形成し、乾燥することにより外壁を形成し、セラミックハニカム構造体を製造する技術が記載されており、甲第４号証には、シリカ等の比重について記載されており、甲第１１〜１４号証には、セラミックハニカム基材の気孔率等について記載されているが、何れも甲１発明において相違点１、２を解消することを記載又は示唆するものではない。
　よって、本件発明３は、甲第１号証に記載された発明及び甲第９号証に記載された技術事項に基づき、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。 
ウ．小括
　以上のとおりであるから、理由４及び理由５は何れも理由がない。
４．取消理由通知で採用しなかった異議申立理由について
（１）申立人の主張する申立理由について
　申立人が特許異議申立書において主張する申立理由は、以下のとおりであると認められる。  
申立理由１（取消理由通知で採用）：訂正前の請求項１に係る発明は、甲第１号証に記載された発明であり、特許は、特許法第２９条第１項に違反してされたものである。
申立理由２：訂正前の請求項１に係る発明は、甲第１号証、甲第５〜６号証、甲第７〜１０号証に記載された発明に基づき、当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許は、特許法第２９条第２項に違反してされたものである。 
申立理由３：訂正前の請求項１〜３に係る発明は、以下の（ア）〜（エ）の点が発明の詳細な説明に記載されておらず、示唆もされていないから、訂正前の請求項１〜３に係る特許は、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。 
（ア）「塩素濃度が６０ｐｐｍ以下」との数値の点
（イ）ハニカム構造体の「塩素濃度」の上限を「６０ｐｐｍ以下」とすることにより「腐食がほとんどない」とすることの裏付けを実証する結果の点
（ウ）外周コート材又は接合材の塩素濃度が１５０ｐｐｍを超えるものを発明に含む点
（エ）（取消理由通知で採用）塩素濃度が０ｐｐｍのものを発明に含む点
申立理由４：訂正前の請求項１〜３に係る発明は、以下の（ア）〜（ウ）の点で明確でないから、訂正前の請求項１〜３に係る特許は、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。
（ア）「塩素濃度が６０ｐｐｍ以下」が０ｐｐｍのものを含むのか不明である点
（イ）「乾燥後の前記ハニカム構造体は、塩素濃度が６０ｐｐｍ以下である」は、乾燥後の「ハニカム構造体」自体の塩素濃度の測定方法が不明である点
（ウ）（取消理由通知で採用）請求項１の「前記外周コート材の乾燥後の前記ハニカム構造体」及び請求項２の「前記接合材の乾燥後の前記ハニカム構造体」は、「乾燥後」の意味するところが不明である点
申立理由５：訂正前の請求項１、２に係る発明の「乾燥後の前記ハニカム構造体は、塩素濃度が６０ｐｐｍ以下である」が、加熱工程を経ない場合に、どのような乾燥条件であれば達成できるのかについて、当業者が発明の実施をすることができる程度に発明の詳細な説明に明確かつ十分に記載されていないから、訂正前の請求項１、２に係る特許は、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。
（２）取消理由通知で採用しなかった異議申立理由についての当審の判断
ア．申立理由２について
　請求項１が訂正により削除されているから、理由はない。
イ．申立理由３について
（ア）上記３．（１）で述べたとおりであり、理由はない。
（イ）本件明細書の【０００８】〜【００１０】に、塩素濃度を抑え、排気系配管等の腐食が発生する可能性を抑えたハニカム構造体、及びハニカム構造体の製造方法の提供がされていないことが課題であることと記載されているのだから、【００５４】に記載されているとおり、ハニカム構造体の塩素濃度が１００ｐｐｍ以下であれば、排気系配管等に使用した場合であっても塩素成分を原因とする腐食の虞がほとんどないことは技術常識から明らかである。そうすると、塩素濃度が６０ｐｐｍ以下であれば、「腐食がほとんどない」とすることの裏付けを実証する結果を示すまでもなく、本件発明の課題は解決されていることが当業者により認識できるといえるから、理由はない。
（ウ）訂正により、請求項１が削除され、請求項２は「
乾燥後の塩素濃度が１５０ｐｐｍ以下である
ウ．申立理由４について
（ア）訂正により、請求項１は削除され、請求項２は「塩素濃度が
５ｐｐｍ以上、
３１ｐｐｍ以上、
（イ）本件明細書の【００４４】に塩素濃度の測定方法についての記載があり、そこでの「測定対象の試料」を「ハニカム構造体」とすることにより、当業者の技術常識も考慮して測定が可能であるものと認められる。そして、明細書に明示されていない何らかの複数の測定条件が選択できて測定結果に有意な差が生じるという事情も認められない。よって、理由はない。
エ．申立理由５について
　本件明細書の【００３３】から、塩素の由来となる塩酸を使用しない製造方法により、使用原料の一部として使用するコロイダルシリカの塩素濃度を低くできることが理解でき、更に、【００４６】には「外周コート材に使用するコロイダルシリカの塩素濃度を抑制することにより、外周コート材自体の塩素濃度を減少させること」が記載されていて、【００４２】の記載によれば、外周コート材は接合材に置き換えてほぼ同一の結果になるとされているから、ハニカム構造体の塩素濃度を
６００℃以上の加熱処理をしていない状態
第４　むすび 
　以上のとおり、本件請求項２、３に係る特許は、当審の通知した取消理由又は特許異議申立書に記載された特許異議申立理由によっては取り消すことはできない。さらに、他に本件請求項２、３に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。 
　また、本件請求項１は、訂正により削除されたため、同請求項に係る特許に対する特許異議の申立てについては、申立ての対象が存在しないものとなったから、特許法第１２０条の８第１項で準用する同法第１３５条の規定により却下する。 
　よって、結論のとおり決定する。 
【異議決定日】
令和１年１１月２９日（２０１９．１１．２９）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
ハニカム構造体、及びハニカム構造体の製造方法
　【技術分野】
　【０００１】
　本発明は、ハニカム構造体、及びハニカム構造体の製造方法に関する。更に詳しくは、排気系配管等の金属製品或いは金属部品を腐食させる虞のないハニカム構造体、及びハニカム構造体の製造方法に関する。
　【背景技術】
　【０００２】
　従来、セラミックス製ハニカム構造体は、自動車排ガス浄化用触媒担体、ディーゼル微粒子除去フィルタ、或いは燃焼装置用蓄熱体等の広範な用途に使用されている。セラミックス製ハニカム構造体（以下、単に「ハニカム構造体」と称す。）は、成形材料（坏土）を調製し、押出成形機を用いて所望のハニカム形状に押出成形し、生切断、乾燥、仕上げ加工したハニカム成形体を、高温で焼成することで製造されている。ハニカム構造体は、流体の流路を形成する一方の端面から他方の端面まで延びる多角形の複数のセルを区画形成する格子状の隔壁を有している。
　【０００３】
　トラック等の大型自動車用の自動車排ガス浄化用触媒担体やディーゼル黒煙微粒子除去フィルタとして使用されるハニカム構造体は、直径の大きなものが必要となる。直径の大きなハニカム構造体でも、押出成形機を用いて所望の形状に一体成形することが可能であるが、押出成形直後に自重によりハニカム構造体全体が変形したり、セル構造の一部に変形やつぶれを生じたりする。これらの変形やつぶれを除去するために、焼成後に外周面を研削し、研削された外周面に外周コート材を塗布して外周壁を設け、所望の形状（例えば、円柱状等）のハニカム構造体を得ている。
　【０００４】
　特に、自動車排ガス浄化性能を向上させるため、高気孔率にしたり、ハニカム構造体の隔壁を薄型化したりするなど、ハニカム構造体を低嵩密度化する傾向が強くなっている。ハニカム構造体の低嵩密度化は、押出成形直後のハニカム形状を維持することを困難にし、ハニカム構造体の機械的強度を低下させる。そのため、従来の嵩密度では一体成形が可能であったハニカム構造体が、低嵩密度化により外周研削及び外周コートが必要となり、外周研削及び外周コートの対象が小型のハニカム構造体にも拡大しつつある。
　【０００５】
　ハニカム構造体の材料にＳｉＣ等の高耐熱材料を用いる場合は、材料の熱膨張が大きいため、一体成形すると使用中の温度勾配により亀裂を生じる。亀裂の発生を防止するために、予め複数の四角柱状のハニカム焼成体（ハニカムセグメント）を作製し、得られたハニカムセグメントの側面（接合面）に接合材を施与し、複数のハニカムセグメントを積層し、組み合わせて接合することで一つの大きなブロック状のハニカム構造体（ハニカムブロック体）を形成する。その後、ハニカムブロック体の外周面を研削し、所望の形状（例えば、円柱状等）のハニカム構造体に加工されている。
　【０００６】
　上記研削によってハニカム構造体の外周面のセルは、外部との間の隔壁が全部または一部取り除かれている。そのため、外部に開口し、軸方向に延びる不完全な隔壁が露出する。不完全な隔壁は外力により容易に剥離する。そこで、ハニカム構造体の外周面を保護し、形状を維持するために、ハニカム構造体の外周面に外周コート材を塗布し、乾燥することによって外周壁が形成される（例えば、特許文献１参照。）。すなわち、ハニカム径の大きい大型のハニカム構造体を製造する際には外周コート材、複数のハニカムセグメントを組み合わせてハニカム構造体を構成する場合は接合材及び外周コート材を使用する必要がある。
　【先行技術文献】
　【特許文献】
　【０００７】
　【特許文献１】特許第２６１３７２９号公報
　【発明の概要】
　【発明が解決しようとする課題】
　【０００８】
　ハニカム構造体の外周壁を形成するために使用される外周コート材、及びハニカムセグメントの接合に使用される接合材は、それぞれの使用原料の一部としてコロイダルシリカが用いられている。ここで、コロイダルシリカは、通常の製造過程において塩酸などの塩素系化合物が使用される。そのため、これらのコロイダルシリカには、一般に、１０００ｐｐｍ程度の塩素成分が含有している。なお、係る塩素濃度は通常の使用においては特に問題のないものである。
　【０００９】
　ステンレス鋼や鉄鋼等の金属製品或いは金属部品は、塩素成分（塩化物イオン）と接触することで、金属製品等の表面全体或いは局所的に、腐食が進行することが知られている。そのため、これらの金属製品等を用いる場合には、塩化物イオンとの接触を極力抑えるような対策が講じられている。上記ハニカム構造体を自動車排ガス浄化用触媒担体等として採用した場合、ハニカム構造体中のコロイダルシリカの影響によって、主に金属から構成される自動車の排気系配管の一部を腐食させる懸念があった。焼成されたハニカム構造体自体は塩素を含まないが、外周コート材や接合材は一般に塩素を含むため、塩素を含まない外周コート材や接合材が求められている。
　【００１０】
　そこで、本発明は、上記従来の実情に鑑みてなされたものであり、塩素濃度を抑え、排気系配管等の腐食が発生する可能性を抑えたハニカム構造体、及びハニカム構造体の製造方法が提供される。
　【課題を解決するための手段】
　【００１１】
　本発明によれば、上記課題を解決したハニカム構造体、及びハニカム構造体の製造方法が提供される。
　【００１２】
　【００１３】
　【００１４】
　（削除）
　【００１５】
　［２］　原料にコロイダルシリカを含
み、乾燥後の塩素濃度が１５０ｐｐｍ以下である
且つ６００℃以上の加熱処理をしていない状態において、前
体の塩
５ｐｐｍ以上、
　【００１６】
　［３］　
四
程と
前
３１ｐｐｍ以上、
　【００１７】
（削除）
　【００１８】
　［
４
３
　【００１９】
　［
５
４
　【発明の効果】
　【００２０】
　本発明のハニカム構造体、及びハニカム構造体の製造方法によれば、ハニカム径の大きなサイズのハニカム構造体を製造するために使用される外周コート材及び／または接合材に使用されるコロイダルシリカ由来の塩素濃度を抑えることで、ハニカム構造体全体の塩素濃度を減少させることができる。特に、５００ｐｐｍを超える塩素成分を含有する場合であっても、６００℃以上の加熱温度でハニカム構造体を加熱することで、ハニカム構造体に含まれる塩素成分を除去することができる。その結果、ハニカム構造体において、塩素濃度をそれぞれ規定以下に抑えることができ、排気系配管等の金属製品或いは金属部品が腐食する可能性を低くすることができる。
　【図面の簡単な説明】
　【００２１】
　【図１】本発明の一実施形態のハニカム構造体の一例を模式的に示す斜視図である。
　【図２】図１のハニカム構造体の一例を模式的に示す平面図である。
　【図３】図２における二点鎖線領域の外周壁形成前のハニカム焼成体の研削面を示す拡大平面図である。
　【図４】本発明の別例構成のハニカム構造体の一例を模式的に示す斜視図である。
　【発明を実施するための形態】
　【００２２】
　以下、図面を参照しつつ本発明のハニカム構造体、及びハニカム構造体の製造方法の実施の形態について詳述する。なお、本発明のハニカム構造体等は、以下の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の範囲を逸脱しない限りにおいて、種々の設計の変更、修正、及び改良等を加え得るものである。
　【００２３】
　本実施形態のハニカム構造体１は、図１〜図３に示すように、流体の流路を形成する一方の端面２ａから他方の端面２ｂまで延びる四角形の複数のセル３を区画形成する格子状の隔壁４を備えるハニカム構造部５を有し、円柱状を呈している。ハニカム構造体１は、押出成形機を用いてハニカム成形体を一定成形した後、得られたハニカム成形体を所定の焼成温度で焼成することにより形成される。
　【００２４】
　更に具体的に説明すると、本実施形態のハニカム構造体１は、ハニカム成形体を焼成したハニカム焼成体６を研削し、研削後のハニカム焼成体６の外周面７に外周コート材（図示しない）を塗布し、乾燥させた外周壁８を備えている。
　【００２５】
　本実施形態のハニカム構造体１は、主としてトラック等の大型自動車用の自動車排ガス浄化用触媒担体としての使用を想定したものである。そのため、通常のハニカム構造体と比べてハニカム径が大きい特徴を備えている。成形材料を押出成形した直後のハニカム成形体は、まだ柔らかい状態にあり、自重等によってハニカム成形体の全体またはハニカム成形体のセルの一部が変形する可能性を有している。
　【００２６】
　ハニカム焼成体６の外周面を研削することで、上記の変形部分を取り除くことができる。更に、研削した外周面７に外周コート材（図示しない）を塗布し、乾燥させた外周壁８をハニカム構造体１は備えている。この外周壁８を設けることにより、ハニカム構造体１の全体の機械的強度を向上させることができる。これにより、図１及び図２に示すような円柱状のハニカム構造体１の製造が完了する。なお、図１において、図示を簡略化するため、ハニカム構造体１の外周面９の外周壁８を示すハッチングを省略している。
　【００２７】
　ハニカム焼成体６の外周面を研削することにより、研削した外周面７に位置する最外側のセル３ａは、外部との間を仕切る隔壁４の少なくとも一部が除去されている。そのため、外部に開口し、かつハニカム構造体１（またはハニカム焼成体６）の中心軸方向（図２または図３において紙面手前から紙面奥行方向に相当）に延び、ハニカム構造体１（またはハニカム焼成体６）の中心に向かって窪んだ凹溝１０が形成されている。外周面７に外周コート材を塗布することにより、この凹溝１０が充填するとともに外周面を覆い、外周面７から所定厚さの外周壁８が形成される。
　【００２８】
　外周壁８を形成するための外周コート材は、ハニカム成形体と同一成分のセラミックス原料を骨材として使用することができる。このセラミックス原料としては、例えば、炭化珪素、珪素−炭化珪素系複合材料、コージェライト、チタン酸アルミニウム等を挙げることができる。このセラミックス原料に対して、水、結合剤として機能するコロイダルシリカ、セラミックスファイバー、無機添加剤、有機添加剤、発泡粒子、及び界面活性剤等が添加される。
　【００２９】
　外周壁８を形成するための外周コート材は、コロイダルシリカが使用される。コロイダルシリカは、水ガラスを原料として製造する「水ガラス法」と、アルコキシドを加水分解して製造する「アルコキシド法」の二つの手法が主に製造工程において用いられている。
　【００３０】
　「水ガラス法」は、アルカリ珪酸塩の水溶液を、イオン交換樹脂と接触させて脱アルカリとした後で得られた珪酸塩溶液に酸を加えて酸処理した後、酸性珪酸コロイド液中の不純物を限外濾過膜を用いて除去し、オリゴ珪酸溶液を調製する。その後、オリゴ珪酸溶液の一部に、アンモニア等を加え、弱酸性から弱アルカリ性の間で加熱処理をすることで、「ヒールゾル」を形成する。その後、得られたヒールゾルにオリゴ珪酸塩の残りを徐々に滴下することで、コロイド粒子の成長を促進されるものである。
　【００３１】
　「アルコキシド法」は、酸性の水性溶媒中に投入されたアルコキシシラン（更に、具体的にはテトラアルコキシシラン）の加水分解処理を行い、珪酸モノマーを得た後、該珪酸モノマーを塩基性の水性溶媒中に加え、重合処理を行うものである。これにより、加水分解処理と同時に、モノマーの縮合及びシリカ粒子の成長を行いながらシリカ粒子の製造を行うものである。
　【００３２】
　上述のように、コロイダルシリカの製造の主流となる水ガラス法及びアルコキシド法のいずれの場合においても、コロイダルシリカの製造には酸を加えてｐＨ調整を行う酸処理の工程が必須となる。このとき、製造コストや入手容易性、取扱性等の観点から、酸として塩酸が用いられることが一般的である。そのため、塩酸を使用して製造されたコロイダルシリカには、塩素成分（塩化物イオン）が微量ではあるが存在している。そのため、排気系配管等の金属製品等に対する腐食の可能性が一部において指摘されている。
　【００３３】
　そこで、本実施形態の外周コート材は、使用原料の一部として使用するコロイダルシリカの塩素濃度を１５０ｐｐｍ以下のものとする特徴を備える。すなわち、上述したように、主として塩酸を使用して製造されていたコロイダルシリカに対し、製造過程において塩酸以外の硫酸、燐酸、酢酸、または有機酸を酸処理に使用する。これにより、コロイダルシリカの塩素濃度が、１０００ｐｐｍ程度から５００ｐｐｍ以下となる。このコロイダルシリカを用いて、外周コート材及び接合材を調製した場合、それぞれにおいて塩素濃度が１５０ｐｐｍ以下となる。そして、最終的にハニカム構造体１の塩素濃度が１００ｐｐｍ以下となる。
　【００３４】
　図４に示すように、本発明の別例構成として、複数の四角柱状のハニカムセグメント１１（ハニカム焼成体）を組み合わせ、互いの側面同士を接合材（図示しない）を用いて接合したブロック状のハニカムブロック体を形成し（接合工程）、当該ハニカムブロック体の外周面を研削し、所望形状のハニカム構造体１２としたものであってもよい。このハニカム構造体１２は、上記ハニカム構造体１と同様に、ハニカムブロック体の外周面１３に、外周コート材を塗布し、外周壁１４が形成される。更に、ハニカムセグメント１１の間には、接合材から構成された接合層１５を有している。なお、図４において、図示を簡略化するため、ハニカム構造体１と同様に、ハニカム構造体１２の外周面１６の外周壁１４を示すハッチングを省略している。
　【００３５】
　使用する接合材は、前述した外周コート材と同様に、ハニカム成形体の成形材料として使用されるセラミックス原料をベースに、水、無機バインダー、有機バインダー、及び分散剤等を含有している。ここで、無機バインダーの一種として少なくともコロイダルシリカを含んでいる。すなわち、上記外周コート材と同じく「水ガラス法」または「アルコキシド法」のいずれか一つの手法で生成されたコロイダルシリカが用いられる。そのため、接合材は、微量の塩素成分を含んでいる可能性がある。
　【００３６】
　そこで、本実施形態の外周コート材は、使用原料の一部として使用するコロイダルシリカの塩素濃度を、それぞれ１５０ｐｐｍ以下のものとする特徴を備える。すなわち、上述したように、主として塩酸を使用して製造されていたコロイダルシリカに対し、製造過程において塩酸以外の硫酸、燐酸、酢酸、または有機酸を酸処理に使用する。これにより、コロイダルシリカの塩素濃度が、１０００ｐｐｍ程度から５００ｐｐｍ以下となる。このコロイダルシリカを用いて、外周コート材及び接合材を調製した場合、それぞれにおいて塩素濃度が１５０ｐｐｍ以下となる。そして、最終的にハニカム構造体１の塩素濃度が１００ｐｐｍ以下となる。
　【００３７】
　次に、本実施形態の外周コート材を用いたハニカム構造体の製造方法について説明する。ここで、予め調製されたセラミックス原料をベースとする成形材料（坏土）からハニカム成形体を押出成形し、その後の焼成工程を経て円柱状のハニカム焼成体６を得るまでの工程は、ハニカム構造体の製造方法において既に周知のものである。したがって、これらの工程についての詳細な説明は省略する。なお、押出成形されたハニカム成形体は、高温で焼成されるため、仮に成形材料中に塩素成分を多く含む原料を使用していた場合であっても、当該塩素成分は加熱によって消散する。その結果、得られたハニカム焼成体６はほとんど塩素成分を含まない。
　【００３８】
　（１）研削工程
　焼成工程を経て形成された円柱状のハニカム焼成体６の外周面を周知の研削装置を用いて研削する。これにより、押出成形後に自重等で変形したハニカム成形体全体またはセルの一部に発生した変形が除去される。これにより、不完全な隔壁４ａ（図３参照）が研削済みの外周面７の表面に露出した状態のハニカム焼成体６が形成される。この状態では、外周面７の表面は非常に脆弱で、僅かな衝撃で外周面７に形成された不完全な隔壁４ａが容易に剥離する。
　【００３９】
　（２）外周壁形成工程
　ハニカム焼成体６を研削すると、研削された外周面７に中心軸方向に沿って延びた上記の不完全な隔壁４ａが露出する。不完全な隔壁４ａが露出した外周面７に外周コート材を塗布する。このとき、使用する外周コート材は、前述のように、塩素濃度が１５０ｐｐｍ以下のものである。その結果、外周面７に位置するセル３ａの凹溝１０に当該外周コート材が充填されるとともに、外周面７が外周コート材で被覆される。塗布された外周コート材を乾燥させることにより、外周壁８が形成される。外周壁８はハニカム焼成体６の内部構造を保護する。なお、図１及び図２において、外側のハッチング領域は、外周コート材によって形成された外周壁８の状態を示している。これにより、本実施形態の外周コート材を用いたハニカム構造体１の製造が完了する。
　【００４０】
　（３）加熱工程
　本実施形態のハニカム構造体の製造方法において、必要に応じて上記（２）で得られたハニカム構造体１を加熱炉内に導入し、６００℃以上の加熱温度で所定時間加熱処理をする加熱工程を行ってもよい。塩素成分は高温で加熱することにより、消散することが知られている。そのため、製造された最終製品のハニカム構造体１に対して加熱処理を施すことにより、外周コート材に含まれていた塩素成分を除去することができ、ハニカム構造体１に含まれる塩素濃度を低減することができる。これにより、ハニカム構造体１の全体の塩素濃度を１００ｐｐｍ以下にすることができる。
　【００４１】
　（４）接合材を用いたハニカム構造体
　上述した本発明の別例構成のハニカム構造体１２についても、外周コート材と同様に、接合材の使用原料の一部として使用するコロイダルシリカの塩素濃度を１５０ｐｐｍ以下とする。これにより、最終的にハニカム構造体１２の塩素濃度が１００ｐｐｍ以下となる。
　【００４２】
　以下、本発明のハニカム構造体の実施例について説明するが、本発明のハニカム構造体は、これらの実施形態に限定されるものではない。なお、接合材に関しては、使用するコロイダルシリカを同一のものとすることにより、外周コート材とほぼ同一の結果を示すと想定されるため、実施例の提示を省略している。
　【実施例】
　【００４３】
　（１）コロイダルシリカ、乾燥前後の外周コート材の塩素濃度、及び加熱処理の影響
　塩素濃度が異なるコロイダルシリカ（実施例１〜７、比較例１）を使用して外周コート材を調製した。使用したコロイダルシリカの塩素濃度、乾燥前の外周コート材の塩素濃度、及び乾燥後の外周コート材の塩素濃度の測定結果を下記の表１に示す。なお、実施例６，７については、上述した加熱工程を実施した後の各加熱温度における外周コート材の塩素濃度を併せて示している。
　【００４４】
　塩素濃度の測定は、熱加水分解−イオンクロマトグラフ分析方法を用いて行った。具体的に説明すると、不活性雰囲気下においた測定対象の試料を水蒸気気流中で加熱分解（熱加水分解）し、塩素をアルカリ溶液で捕集して試料溶液を調製する。得られた試料溶液をイオンクロマトグラフィー質量分析装置（ＩＣ−ＭＳ）を利用して分析し、試料溶液中の塩素イオン量を測定する。これにより、塩素濃度が測定される。
　【００４５】
　【表１】
　【００４６】
　表１に示すように、実施例１〜５の５００ｐｐｍ以下のコロイダルシリカを用いた場合、乾燥前の外周コート材及び乾燥後の外周コート材（外周壁）においても、塩素成分が１５０ｐｐｍ以下となることが確認された。すなわち、外周コート材に使用するコロイダルシリカの塩素濃度を抑制することにより、外周コート材自体の塩素濃度を減少させることができる。
　【００４７】
　一方、実施例６，７及び比較例１は、コロイダルシリカの塩素濃度が９４３ｐｐｍであり、実施例１〜５に比べて塩素濃度が高いものである。そのため、乾燥前及び乾燥後のいずれにおいても外周コート材（または外周壁）の塩素濃度が１５０ｐｐｍ以上であり、本発明における塩素濃度の上限値を超える。したがって、外周コート材に用いるコロイダルシリカの塩素濃度は、少なくとも５００ｐｐｍ以下のものを用いる必要がある。
　【００４８】
　しかしながら、実施例６または実施例７に示すように、乾燥後の外周コート材に対して加熱処理を行った場合の加熱後の外周コート材（外周壁）の塩素濃度は、それぞれ１３４ｐｐｍまたは８０ｐｐｍである。したがって、６００℃以上の加熱温度で外周コート材（外周壁）を加熱処理することにより、外周コート材に含まれる塩素成分が外部に蒸散し、塩素濃度を低くすることができる。
　【００４９】
　特に、実施例６の６００℃の加熱温度よりも高い実施例７の６７５℃の加熱温度で加熱処理をした場合、外周コート材の塩素濃度を１００ｐｐｍ以下の著しく低い値とすることができる。そのため、少なくとも、６００℃以上、より好適には６７５℃以上の加熱温度で加熱することが望ましい。しかしながら、加熱温度が高すぎるとハニカム構造体や外周コート材にクラック等が生じるなどの不具合の発生の可能性が高くなるため、過剰な加熱温度による加熱は避ける必要がある。
　【００５０】
　上記結果から、１０００ｐｐｍ程度の塩素濃度が高いコロイダルシリカを外周コート材に用いた場合であっても、加熱処理を行うことで本発明における塩素濃度の上限値内に抑えることができ、実用性を有することが確認された。なお、比較例１は、実施例６または実施例７と同じコロイダルシリカを用いて行い、比較対象のために、加熱処理を行わなかったものである。
　【００５１】
　（２）ハニカム構造体の塩素濃度
　実施例１〜７、比較例１のコロイダルシリカを使用して調製された外周コート材を、押出成形により一体的に形成されたコージェライト製のハニカム構造体の外周面に塗布し、外周壁を形成した。得られたハニカム構造体（実施例１〜７、比較例１，２）の塩素濃度の測定結果を下記の表２に示す。ここで、比較例２は、比較例１の外周コート材（表１参照）を異なる隔壁厚及び気孔率のハニカム構造体に塗布したものを示している。
　【００５２】
　ハニカム構造体は、隔壁厚：０．１５ｍｍ、セル密度：４６．５個／ｃｍ２、気孔率：６０％、ハニカム構造体のハニカム径：１４４ｍｍ、ハニカム構造体の全長：１５２ｍｍ、全重量：７７０ｇ、乾燥後の外周コート材（外周壁）の重量：２９３ｇ、基材重量：４７７ｇのものである（比較例１を除く。）。比較例１は、隔壁厚：０．２０ｍｍ、セル密度：４６．５個／ｃｍ２、気孔率：３５％、ハニカム構造体のハニカム径：１４４ｍｍ、ハニカム構造体の全長：１５２ｍｍ、全重量：１１３０ｇ、乾燥後の外周コート材（外周壁）の重量：２９３ｇ、基材重量：８３７ｇのものである。
　【００５３】
　【表２】
　【００５４】
　表２に示すように、実施例１〜７のいずれにおいても、ハニカム構造体の塩素濃度は、１００ｐｐｍ以下であることが確認された。なお、実施例６，７については、外周コート材の塗布後に加熱処理を行った結果を示している。ハニカム構造体の塩素濃度がいずれも１００ｐｐｍ以下であるため、排気系配管等に使用した場合であっても塩素成分を原因とする腐食の虞がほとんどないことが確認された。
　【産業上の利用可能性】
　【００５５】
　本発明のハニカム構造体、及びハニカム構造体の製造方法は、自動車排ガス浄化用触媒担体、ディーゼル微粒子除去フィルタ、あるいは燃焼装置用蓄熱体等に利用可能なハニカム構造体の製造に使用することができる。
　【符号の説明】
　【００５６】
１，１２：ハニカム構造体、２ａ：一方の端面、２ｂ：他方の端面、３，３ａ：セル、４：隔壁、４ａ：不完全な隔壁、５：ハニカム構造部、６：ハニカム焼成体、７，９，１３，１６：外周面、８，１４：外周壁、１０：凹溝、１１：ハニカムセグメント、１５：接合層。
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】
（削除）
　【請求項２】
　原料にコロイダルシリカを含
み、乾燥後の塩素濃度が１５０ｐｐｍ以下である
　前記接合材の乾燥後
且つ６００℃以上の加熱処理をしていない状態において、前
体の塩
５ｐｐｍ以上、
　【請求項３】
　四
程と
　前
を有し、
　前記加熱工程を経た加熱処理後の前記ハニカム構造体は、
　塩素濃度が
３１ｐｐｍ以上、
　【請求項４】
　前記コロイダルシリカは、
　製造過程において使用される酸が、硫酸、燐酸、及び有機酸の少なくともいずれか一つである請求項３に記載のハニカム構造体の製造方法。
　【請求項５】
　前記有機酸は、
　酢酸である請求項４に記載のハニカム構造体の製造方法。