(57)【要約】      （修正有）【課題】構成部材の削減及び流路の簡素化を図ると共に、処理液のゲル化を抑制することによりパーティクルの発生を抑制し、歩留まりの向上が図れる液処理供給ポンプを提供する。【解決手段】２つの可撓性を有する略円錐形状半体の底部同士を接合した伸縮自在なダイヤフラム体２の一方の頂部と、ダイヤフラム体内に気体の供給・吸引を行う駆動装置１９とを駆動管５で接続し、駆動管を接続したダイヤフラム体を内包し、ダイヤフラム体の伸縮変形に伴ってダイヤフラム体との間に可変空間を形成するポンプ室３を設ける。中間膨張部とポンプ室の内部壁面に、ダイヤフラム体が膨張した際に、中間膨張部の拡径面２ａが密接してポンプ室を２室に区画する区画部２３を設ける。ポンプ室の駆動管と対向する位置に、処理液吸引管４を接続し、ポンプ室の処理液吸引管と対向する位置に、ノズル１０に接続され開閉バルブ９を介設した処理液吐出管８を接続する。【選択図】図１
0003155277.tif 000002
【実用新案登録請求の範囲】
【請求項１】
被処理基板にノズルから処理液を供給して液膜を形成する液処理装置の処理液供給ポンプであって、
２つの可撓性を有する略円錐形状半体の底部同士を接合した伸縮自在なダイヤフラム体と、
前記ダイヤフラム体の一方の頂部と、気体の供給及び吸引を切り換える駆動装置とを接続する駆動管と、
前記ダイヤフラム体を前記駆動管が前記駆動装置と接続されるように内包し、前記ダイヤフラム体の伸縮変形に伴ってダイヤフラム体との間に可変空間を形成するポンプ室と、
前記ダイヤフラム体の中間膨張部の拡径面と、該中間膨張部の拡径面と対向する前記ポンプ室の内部壁面に設けられ、前記ダイヤフラム体が膨張した際に、該ダイヤフラム体の中間膨張部の拡径面が密接して前記ポンプ室を協同して２室に区画する区画部と、
前記ポンプ室における前記駆動管と対向する位置と、処理液を貯留する処理液貯留部とを接続する処理液吸引管と、
前記ポンプ室における前記処理液吸引管と対向する位置と、前記ノズルとを接続し、かつ、開閉バルブが介設された処理液吐出管と、
を具備することを特徴とする処理液供給ポンプ。
【請求項２】
前記区画部は、前記ダイヤフラム体の中間膨張部の拡径面に周設される凹部と、前記ポンプ室の内部壁面に周設され、前記凹部と係合可能なリング状の凸部と、からなることを特徴とする請求項１に記載の処理液供給ポンプ。
【請求項３】
前記区画部は、前記ダイヤフラム体の中間膨張部の拡径面に周設される凸部と、前記ポンプ室の内部壁面に周設され、前記凸部と係合可能なリング状の凹部と、からなることを特徴とする請求項１に記載の処理液供給ポンプ。
【請求項４】
前記ポンプ室内の圧力を検知する圧力センサを設け、前記圧力センサにて検知された信号を、前記駆動装置及び開閉バルブに信号を出力する制御装置に入力可能に形成してなる、ことを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の処理液供給ポンプ。
【請求項５】
前記ダイヤフラム体の中間膨張部に磁石を設けると共に、前記ポンプ室の壁面部に磁気センサを設け、前記磁気センサにて検知された信号を、前記駆動装置及び開閉バルブに信号を出力する制御装置に入力可能に形成してなる、ことを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の処理液供給ポンプ。
【考案の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本考案は、例えば半導体ウエハ等の基板の表面にレジスト液，現象液などの処理液を供給して液処理を施す液処理装置の処理液供給ポンプに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般に、半導体デバイス等の製造に使用される塗布処理装置や現像処理装置等の液処理装置では半導体ウエハ等の基板の表面にレジスト液，現象液などの処理液等を供給して回転塗布等の処理を行っている。
【０００３】
従来の液処理装置は、図７に示すように、処理液貯留槽ａに収容された処理液Ｓを、ダイヤフラムポンプＰにより処理液貯留槽ａから処理液Ｓを吸引してノズルｂに送出し、ノズルｂから処理液Ｓを基板Ｗに滴下する構造のものが知られている（例えば，特許文献１参照）。
【０００４】
このダイヤフラムポンプＰは、図８に示すように、ポンプ室ｃ内にダイヤフラムｄが張設され、処理液貯留槽ａ側の液吸引管ｅとポンプ室ｃは、第１吸引流路ｆ，吸引弁Ｖ１及び第２吸引流路ｇを介して連通し、ノズルｂ側の液送出管ｈとは、第１送出流路ｉ，送出弁Ｖ２及び第２送出流路ｊを介して連通する構造となっている。なお、ダイヤフラムポンプＰの駆動制御は駆動器により行われる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】実開平７−２７２５０号公報（図１，図３）
【考案の概要】
【考案が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、従来この種の液処理装置においては、ポンプ室に処理液が吸引されるまでに、ダイヤフラムポンプＰ内の第１吸引流路ｆ，吸引弁Ｖ１及び第２吸引流路ｇを通過し、送出されるまでに、第１送出流路ｉ，送出弁Ｖ２及び第２送出流路ｊを通過しなければならない。したがって、ダイヤフラムポンプＰの配管や部品が多いため、ダイヤフラムポンプＰは構造が複雑で大型となる。
【０００７】
また、上記のようにダイヤフラムポンプＰは流路が迂回しており、構造が複雑であるため、例えば吸引弁Ｖ２と吸引弁Ｖ２が閉じて密着する壁部の間にはゲル化した処理液が滞留し易く、異物パーティクルが発生する懸念がある。
【０００８】
本考案は、上記事情に鑑みてなされたもので、構成部材の削減及び流路の簡素化を図ると共に、処理液のゲル化を抑制することによりパーティクルの発生を抑制し、歩留まりの向上が図れる液処理供給ポンプを提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を達成するために、本考案の処理液供給ポンプは、２つの可撓性を有する略円錐形状半体の底部同士を接合した伸縮自在なダイヤフラム体と、  前記ダイヤフラム体の頂部と、気体の供給及び吸引を切り換える駆動装置とを接続する駆動管と、  前記ダイヤフラム体を前記駆動管が前記駆動装置と接続されるように内包し、前記ダイヤフラム体の伸縮変形に伴ってダイヤフラム体との間に可変空間を形成するポンプ室と、  前記ダイヤフラム体の中間膨張部の拡径面と、該中間膨張部の拡径面と対向する前記ポンプ室の内部壁面に設けられ、前記ダイヤフラム体が膨張した際に、該ダイヤフラム体の中間膨張部の拡径面が密接して前記ポンプ室を協同して２室に区画する区画部と、  前記ポンプ室における前記駆動管と対向する位置と、処理液を貯留する処理液貯留部とを接続する処理液吸引管と、  前記ポンプ室における前記処理液吸引管と対向する位置と、前記ノズルとを接続し、かつ、開閉バルブが介設された処理液吐出管と、を具備することを特徴とする（請求項１）。
【００１０】
この場合、前記区画部は、前記ダイヤフラム体の中間膨張部の拡径面に周設される凹部と、前記ポンプ室の内部壁面に周設され、前記凹部と係合可能なリング状の凸部と、で構成するか（請求項２）、もしくは、前記区画部は、前記ダイヤフラム体の中間膨張部の拡径面に周設される凸部と、前記ポンプ室の内部壁面に周設され、前記凸部と係合可能なリング状の凹部と、で構成することができる（請求項３）。
【００１１】
このように構成することにより、ダイヤフラム体から気体を吸引して収縮させてポンプ室の可変空間を拡張することにより負圧にさせて処理液を吸引し、ダイヤフラム体に気体を供給してダイヤフラム体を膨張させ、ダイヤフラム体の中間膨張部の拡径面とポンプ室の内部壁面を密接させて、ポンプ室を２室に区画し、更にダイヤフラム体に気体を供給して膨張させ可変空間を縮小することにより、一方の区画室内の処理液を押し出して処理液吐出管から処理液を吐出すると同時に、他方の区画室内の処理液を処理液貯留部内に戻すことができる。この場合、区画部を、ダイヤフラム体の中間膨張部の拡径面に周設される凹部と、ポンプ室の内部壁面に周設され、凹部と係合可能なリング状の凸部と、で構成するか、もしくは、ダイヤフラム体の中間膨張部の拡径面に周設される凸部と、ポンプ室の内部壁面に周設され、凸部と係合可能なリング状の凹部と、で構成することにより、ポンプ室の内部壁面とダイヤフラム体の中間膨張部を確実に密接させることができる。
【００１２】
また、本考案において、前記ポンプ室内の圧力を検知する圧力センサを設け、前記圧力センサにて検知された信号を、前記駆動装置及び開閉バルブに信号を出力する制御装置に入力可能に形成してもよい（請求項４）。
【００１３】
このように構成することにより、ポンプ室内の圧力を確実に検知することができる。また、制御装置に圧力センサにて検知された信号が入力され、その信号により制御装置は、駆動装置に気体の供給と吸引の切り換え指示信号を出力し、開閉バルブへの開閉指示信号を出力することができる。
【００１４】
また、本考案において、前記ダイヤフラム体の中間膨張部に磁石を設けると共に、  前記ポンプ室の内部壁面に磁気センサを設け、  前記磁気センサにて検知された信号を、前記駆動装置及び開閉バルブに信号を出力する制御装置に入力可能に形成してもよい（請求項５）。
【００１５】
このように構成することにより、ダイヤフラム体に気体を供給して膨張させて、中間膨張部とポンプ室の内部壁面が確実に密接したことを確認することができる。また、制御装置に磁気センサにて検知された信号が入力され、その信号により制御装置は、駆動装置に気体の供給と吸引の切り換え指示信号を出力し、開閉バルブへの開閉指示信号を出力することができる。
【考案の効果】
【００１６】
本考案によれば、上記のように構成されているので、以下のような効果が得られる。
【００１７】
（１）請求項１〜３記載の考案によれば、ダイヤフラム体の収縮によってポンプ室内に吸引された処理液を、ダイヤフラム体の膨張によってポンプ室内の２室に区画し、ダイヤフラム体の更なる膨張によって区画された一方のポンプ室内の処理液を吐出すると同時に、他方のポンプ室内の処理液を処理液貯留部に戻すことができるので、構成部材の削減及び流路の簡素化を図ると共に、ポンプ室及び流路内にゲル化した処理液が滞留し難く異物パーティクルの発生を抑制し、歩留まりの向上が図れる。
【００１８】
（２）請求項４に記載の考案によれば、ポンプ室内の圧力を確実に検知することができ、また、制御装置に圧力センサにて検知された信号が入力され、その信号により制御装置は、駆動装置に気体の供給と吸引の切り換え指示信号を出力し、開閉バルブへの開閉指示信号を出力することができるので、上記（１）に加えて、更に精度の向上が図れる。
【００１９】
（３）請求項５に記載の考案によれば、ダイヤフラム体に気体を供給して膨張させて、中間膨張部とポンプ室の内部壁面が確実に密接したことを確認することができ、また、制御装置に磁気センサにて検知された信号が入力され、その信号により制御装置は、駆動装置に気体の供給と吸引の切り換え指示信号を出力し、開閉バルブへの開閉指示信号を出力することができるため、上記（１），（２）に加えて、更に精度の向上が図れる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本考案に係る処理液供給ポンプを適用した処理液供給システムの第１実施形態示す概略断面図である。
【図２】前記処理液供給ポンプの動作シーケンスを示す概略断面図である。
【図３】本考案における区画部の第２実施形態を示す概略断面図である。
【図４】本考案における区画部の第３実施形態を示す概略断面図である。
【図５】本考案における圧力センサの動作状態を示す概略断面図である。
【図６】本考案における磁気センサの動作状態を示す概略断面図である。
【図７】従来のダイヤフラムポンプにより処理液を吸引・送出する液処理装置を示す概略構成図である。
【図８】従来のダイヤフラムポンプの縦断面図である。
【考案を実施するための形態】
【００２１】
＜第１実施形態＞
以下に、この考案の実施形態を添付図面に基づいて詳細に説明する。ここでは、本考案に係る処理液供給ポンプを半導体ウエハ（以下にウエハＷという）のレジスト塗布処理装置に適用した場合について説明する。
【００２２】
レジスト塗布処理装置は、図１に示すように、被処理体であるウエハＷを真空チャック等で吸着保持し、高速回転させることができるように構成されたスピンチャック１１が設けられており、このスピンチャック１１の周囲を囲むごとく、処理液であるレジスト液の飛散を防止するためのカップ１２が設けられている。また、スピンチャック１１の上方には、処理液供給ノズル１０が設けられ、処理液吐出管８の端部に接続されている。処理液吐出管８は開閉バルブ９（以下にバルブ９という）が介設され、他方の端部が処理液供給ポンプ１の上部に接続されている。なお、このバルブ９にはノズル１０からウエハＷに液だれが落ちるのを防ぐサックバックバルブが兼用で設けてある。
【００２３】
処理液供給ポンプ１は処理液貯留部であるレジスト瓶６の開口部もしくは近傍に設置されている。処理液供給ポンプ１は上記処理液吐出管８との接続のほか、その下部にレジスト液Ｒを貯蓄するレジスト瓶６からレジスト液Ｒを吸引するための処理液吸引管４及び、その上部に後述するダイヤフラム体２の頂部と、気体の供給及び吸引を切り換える駆動装置１９とを接続する駆動管５が接続されている。なお、レジスト瓶６には、大気との圧力を均衡に保つ目的で大気抜管７が挿入されている。
【００２４】
前記バルブ９及び駆動装置１９は制御装置２０により制御され、制御装置２０はバルブ駆動出力１８を通じてバルブ９を開閉する信号及び、駆動装置出力２１を通じて駆動装置１９に気体を供給及び吸引を切り換える信号を出力する。なお、オペレータ操作によりポンプ室３内の圧力が所望の値に到達したらバルブ９を開く出力を出すための圧力設定入力２２が制御装置２０に接続されていてもよい。
【００２５】
以下に、処理液供給ポンプ１の構成について説明する。処理液供給ポンプ１はダイヤフラム体２を具備している。ダイヤフラム体２は、２つの可撓性を有する略円錐形状半体の底部同士を接合した伸縮自在な形状であって、気体が供給されて膨張すると例えばラグビーボールの様な形となる。ダイヤフラム体２の一方すなわち上方の頂部に、ダイヤフラム体２内に気体を供給し、且つ吸引するための駆動管５が接続されている。
【００２６】
また、処理液供給ポンプ１は、ダイヤフラム体２に駆動管５が駆動装置１９と接続されるように内包し、ダイヤフラム体２の伸縮変形に伴ってダイヤフラム体２との間に可変空間を形成するポンプ室３を具備している。また、ダイヤフラム体２の中間膨張部の拡径面２ａと、該中間膨張部の拡径面２ａと対向するポンプ室３の内部壁面に設けられ、ダイヤフラム体２が膨張した際に、ダイヤフラム体２の中間膨張部の拡径面２ａが密接して前記ポンプ室３を協同して、上部区画室３ａと下部区画室３ｂの２室に区画する区画部２３が形成されている。この場合、区画部２３は、ダイヤフラム体２の中間膨張部の拡径面２ａと、ポンプ室３の内部壁面に周設されるリング状の凸部２５とで構成されている。
【００２７】
前記ポンプ室３における駆動管５と対向する下部位置に、処理液吸引管４が接続されて、ポンプ室３の下部区画室３ｂとレジスト瓶６が接続されている。一方、ポンプ室３における処理液吸引管４と対向する位置、すなわち上部区画室３ａに、処理液吐出管８が接続されている。
【００２８】
次に、前記のように構成される処理液供給ポンプ１の処理液の動作態様について、図２を参照して説明する。
【００２９】
・待機動作（ステップ１）
まず、図２（ａ）に示すように、制御装置２０の駆動装置出力２１から駆動装置１９に気体供給指示が出力されると、駆動管５からダイヤフラム体２に気体が供給される。ダイヤフラム体２が膨張して最高点で供給が停止する。この状態では、ダイヤフラム体２の中間膨張部の拡径面２ａがリング状の凸部２５に密接して、ポンプ室３が上部区画室３ａと下部区画室３ｂに区画される。次に、制御装置２０のバルブ駆動出力１８よりバルブ９を閉じる出力が出てバルブ９が閉じられる。
【００３０】
・液吸引動作（ステップ２）
図２（ｂ）に示すように、バルブ９は制御装置２０のバルブ駆動出力１８からバルブ９を閉じる出力が出て継続して閉じている。次に制御装置２０の駆動装置出力２１から駆動装置１９に吸引出力が出され、ダイヤフラム体２の中の気体が駆動管５から吸引されるとダイヤフラム体２が収縮する。前記ダイヤフラム体２の収縮変形に伴ってダイヤフラム体２との間に可変空間を形成するポンプ室３内が減圧される。その結果、レジスト液Ｒが前記ポンプ室３の下部に接続されている処理液吸引管４から吸引されて、ポンプ室３にレジスト液Ｒが収容される。
【００３１】
・液吐出準備動作（ステップ３）
図２（ｃ）に示すように、バルブ９は制御装置２０のバルブ駆動出力１８からバルブ９を閉じる出力が出て継続して閉じている。次に、制御装置２０の駆動装置出力２１から駆動装置１９に供給出力が出され、ダイヤフラム体２が駆動管５から供給される気体により膨張する。この膨張により、ダイヤフラム２の中間膨張部の拡径面２ａが、ポンプ室３の内部壁面に設けられたリング状の凸部２５に密接して、ポンプ室３を協同して２室すなわち上部区画室３ａと下部区画室３ｂに区画する。
【００３２】
・液吐出動作（ステップ４）
図２（ｄ）に示すように、制御装置２０の駆動装置出力２１から駆動装置１９に供給出力が出され、駆動管５がダイヤフラム体２にステップ３の区画部１４が形成された状態から更に気体を供給する。次に制御部２０からバルブ開の信号が出力されバルブ９が開かれる。すると、ポンプ室３の上部区画室３ａに収容されていたレジスト液Ｒが処理液吐出管８からバルブ９を通してノズル１０に送出され、ノズル１０からウエハＷに吐出される。これと同時に、ポンプ室３の下部区画室３ｂに収容されていたレジスト液Ｒは処理液吸引管４からレジスト瓶６に戻される。吐出後に制御部２０のバルブ駆動出力１８からバルブ９を閉じる信号が出力されて、バルブ９は閉じ、ステップ１待機動作に戻る。
【００３３】
第１実施形態によれば、ダイヤフラム体２の収縮によってポンプ室３内にレジスト液Ｒを吸引した後、ダイヤフラム体２の膨張によってポンプ室３内を上部区画室３ａと下部区画室３ｂの２室に区画し、ダイヤフラム体２の更なる膨張によって上部区画室３ａに収容されたレジスト液Ｒを吐出すると同時に、下部区画室３ｂに収容されたレジスト液Ｒをレジスト瓶６に戻すことができる。したがって、レジスト液Ｒの流路を簡素化できると共に、ポンプ室３及び流路内にゲル化したレジスト液Ｒが滞留し難く異物パーティクルの発生を抑制し、歩留まりの向上が図れる。
【００３４】
＜第２，３実施形態＞
第１実施形態では、区画部２３がダイヤフラム体２の中間膨張部の拡径面２ａと、ポンプ室３の内部壁面に設けられたリング状の凸部２５とで構成される処理液供給ポンプ１について説明したが、ダイヤフラム体２の中間膨張部の拡径面２ａと、該中間膨張部の拡径面２ａと対向するポンプ室３の内部壁面を強固に密接する構造を有する方がよい。
【００３５】
例えば、図３に示すように、第２実施形態における処理液供給ポンプ１Ａのダイヤフラム体２Ａが膨張した際に形成される区画部２３Ａは、ダイヤフラム体２Ａの中間膨張部の拡径面に周設される凹部２４Ａと、ポンプ室３の内部壁面に周設され、凹部２４Ａと係合可能なリング状の凸部２５とから構成される。
【００３６】
また、図４に示すように、第３実施形態は第２実施形態における構成の凸部２５と凹部２４Ａを逆にしたものであって、処理液供給ポンプ１Ｂのダイヤフラム体２Ｂが膨張した際に形成される区画部２３Ｂは、ダイヤフラム体２Ｂの中間膨張部の拡径面に周設される凸部２５Ｂと、ポンプ室３の内部壁面に周設され、凸部２５Ｂと係合可能なリング状の凹部２４Ｂとから構成される。
【００３７】
なお、第２，３実施形態の処理液供給ポンプ１Ａ，１Ｂを採用した処理液供給システムにおいて、その他の部分は第１実施形態と同じであるので、同一部分には同一符号を付して説明を省略する。
【００３８】
前記第２，３実施形態における処理液供給ポンプ１Ａ，１Ｂは第１実施形態と同様のシーケンスすなわち、待機動作（ステップ１）→液吸引動作（ステップ２）→液吐出準備動作（ステップ３）→液吐出動作（ステップ４）の手順でレジスト液Ｒを吸引し吐出する。上記構成によりポンプ室３の内部壁面とダイヤフラム体２Ａ，２Ｂの中間膨張部を確実に密接させることができるので、再現性を持った液吐出を実現することができる。
【００３９】
＜第４実施形態＞
第４実施形態は、第１実施形態における処理液供給ポンプ１に圧力センサ１３を設けた場合である。例えば、図１及び図５に示すように、ポンプ室３内の圧力を検知する圧力センサ１３を上部区画室３ａに設け、圧力センサ１３にて検知された信号を、駆動装置１９及びバルブ９に信号を出力する制御装置２０に接続された圧力センサ入力１４により入力可能に形成する。なお、第４実施形態の処理液供給ポンプ１Ｃを採用した処理液供給システムにおいて、その他の部分は第１実施形態と同じであるので、同一部分には同一符号を付して説明を省略する。
【００４０】
第４実施形態の処理液供給ポンプ１Ｃの圧力センサ動作について図１及び図５を参照して説明する。圧力センサ１３を設けた処理液供給ポンプ１Ｃは、待機動作（ステップ１）→液吸引動作（ステップ２）→液吐出準備動作（ステップ３）までは第１実施形態と同様である。
【００４１】
図５に示す基板Ｗにレジスト液Ｒを吐出する前の供給確認動作においては、バルブ９は制御装置２０のバルブ駆動出力１８からバルブ９を閉じる出力が出され継続して閉じている。また、ポンプ室３内部の処理液吐出管９の近傍にレジスト液Ｒの圧力を検知する圧力センサ１３が配置されており、圧力センサ１３の信号は圧力センサ入力１４として制御装置２０に入力されている。また、オペレータ操作によりポンプ室３内の圧力が所望の値に到達したらバルブ９を開く出力を出すための圧力設定入力２２が制御装置２０に入力されるようになっている。
【００４２】
制御装置２０の駆動装置出力２１から駆動装置１９に気体供給出力が出され駆動管５から気体がダイヤフラム体２に段階的に供給される。圧力センサ１３で圧力を検知した信号が圧力センサ入力１４として制御装置２０に入力される。一方、予めオペレータが設定した所望の値の圧力設定入力２２が制御装置２０にセットしてある。
【００４３】
前記圧力設定入力２２の値に圧力センサ１３の値が達すると制御装置２０のバルブ駆動出力１８からバルブ９を開ける命令が出され、バルブ９が開くことにより、ポンプ室３の上部区画室３ａに収容されていたレジスト液Ｒが処理液吐出管８からバルブ９を通してノズル１０に送出され、前記ノズル１０からウエハＷに吐出される。これと同時に、ポンプ室３の下部区画室３ｂに収容されていたレジスト液Ｒは処理液吸引管４からレジスト瓶６に戻される。吐出後に制御部２０のバルブ駆動出力１８からバルブ９を閉じる信号が出力されて、バルブ９は閉じ、ステップ１待機動作に戻る。
【００４４】
第４実施形態の処理液供給ポンプ１Ｃを採用した処理液供給システムによれば、ポンプ室３内の圧力を確実に検知することができ、また、制御装置２０に圧力センサ１３にて検知された信号が入力され、その信号により制御装置２０は、駆動装置１９に気体の供給と吸引の切り換え指示信号を出力し、開閉バルブ９への開閉指示信号を出力することができるので、精度の向上が図れる。
【００４５】
＜第５実施形態＞
第５実施形態は、第１実施形態における処理液供給ポンプ１に磁気センサ１６を設けた場合である。すなわち、図１及び図６に示すように、ダイヤフラム体２Ｄの中間膨張部に磁石１５を設けると共に、ポンプ室３の壁面部（図では外壁面部を示す）に磁気センサ１６を設け、磁気センサ１６にて検知された信号を、駆動装置１９及びバルブ９に信号を出力する制御装置２０に接続された磁気センサ入力１７により入力可能に形成する。なお、第５実施形態の処理液供給ポンプ１Ｄを採用した処理液供給システムにおいて、その他の部分は第１実施形態と同じであるので、同一部分には同一符号を付して説明を省略する。
【００４６】
第５実施形態の処理液供給ポンプ１Ｄの磁気センサ動作について、図１，図２及び図６を参照して説明する。図６に示すように、処理液供給ポンプ１Ｄがポンプ室３上部区画室３ａのレジスト液Ｒを吐出するためには、ダイヤフラム体２Ｄの中間膨張部の拡径面２ａと、該中間膨張部の拡径面２ａと対向するポンプ室３の内部壁面に設けられ、ダイヤフラム体２Ｄが膨張した際に、該ダイヤフラム体２Ｄの中間膨張部の拡径面２ａが密接して前記ポンプ室３を協同して２室に区画する区画部２３が確実に形成される必要がある。この区画部２３の形成を確認するために以下の制御が行われる。
【００４７】
図２（ｃ）に示すように、吐出準備であるステップ３で制御装置２０の駆動装置出力２１から駆動装置１９に気体の供給出力が出されることにより、駆動管５からダイヤフラム体２Ｄに気体が供給されて膨張する。この膨張によりダイヤフラム体２Ｄの中間膨張部の拡径面２ａが、ポンプ室３の内部壁面に設けられたリング状の凸部２５に密接して、ポンプ室３を協同して２室に区画すると、磁石１５の磁力を磁気センサ１６が検知する。なお、確実に固定されているかを確認するために磁気センサ１６、及び磁石１５は複数個配置してある。
【００４８】
検知した信号は磁気センサ入力１７より制御装置２０に入力される。磁気センサ１６の全ての入力が所定の期間維持されれば、制御装置２０は図２（ｄ）に示す液吐出動作（ステップ４）に進む。前記複数の磁気センサ１６のいずれかが、検知しないとか、検知しても所定の時間維持されない場合はエラーが発生したと判断して吐出を中断する。
【００４９】
第５実施形態の処理液供給ポンプ１Ｄを採用した処理液供給システムによれば、ダイヤフラム体２Ｄに気体を供給して膨張させて、中間膨張部とポンプ室３の内部壁面が確実に密接したことを確認することができ、また、制御装置２０に磁気センサ１６にて検知された信号が入力され、その信号により制御装置２０は、駆動装置１９に気体の供給と吸引の切り換え指示信号を出力し、開閉バルブ９への開閉指示信号を出力することができるため、更に精度の向上が図れる。
【００５０】
以上、本考案に係る処理液供給ポンプ１，１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄを第１ないし第５の各実施形態により添付図面に基づいて詳細に説明したが、各実施形態は組み合わせることが可能である。例えば第２、第４、第５の実施形態を組み合わせることができる。
【００５１】
＜その他の実施形態＞
前記実施形態では、本考案に係る処理液供給ポンプ１，１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄを半導体ウエハＷにレジスト液Ｒを塗布する処理装置に適用した場合について説明したが、例えば、液晶表示装置用のガラス基板等に塗布膜を形成する工程等でも利用できる。
【符号の説明】
【００５２】
１，１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄ      処理液供給ポンプ
２，２Ａ，２Ｂ，２Ｄ      ダイヤフラム体
２ａ    中間膨張部の拡径面
３      ポンプ室
３ａ    上部区画室
３ｂ    下部区画室
４      処理液吸引管
５      駆動管
６      レジスト瓶（処理液貯留部）
８      処理液吐出管
９      開閉バルブ
１０    ノズル
１３    圧力センサ
１５    磁石
１６    磁気センサ
１９    駆動装置
２０    制御装置
２３，２３Ａ，２３Ｂ    区画部
２４Ａ，２４Ｂ    凹部
２５，２５Ｂ    凸部
Ｗ      基板
Ｒ      レジスト液（処理液）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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