【事件の表示】
　特願２００４−３７０４９２「半導体素子の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年　１月１２日出願公開、特開２００６−　１３４２４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１６年１２月２２日（パリ条約による優先権主張２００４年６月２５日、大韓民国）の出願であって、平成２３年７月４日付けの拒絶理由通知に対して、同年１０月６日に意見書が提出され、平成２４年２月２２日付けで拒絶査定がなされ、それに対して、同年６月２７日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同日に手続補正がなされ、その後、同年１０月１８日付けで審尋がなされ、平成２５年１月１６日に回答書が提出されたものである。
　
２．補正の却下の決定
【補正の却下の決定の結論】
　平成２４年６月２７日になされた手続補正を却下する。
　
【理由】
（１）補正の内容
　平成２４年６月２７日になされた手続補正（以下「本件補正」という。）は、補正前の特許請求の範囲の請求項１ないし１８を、補正後の特許請求の範囲の請求項１ないし１６に補正するとともに、明細書を補正するものであり、そのうちの補正前後の請求項は、以下のとおりである。
　
（補正前）
「【請求項１】
　シリコンを含むＮ型の導電領域にＮ型の不純物をドープしてＮ型の高濃度不純物拡散領域を形成する工程、
　化学気相蒸着法を用いて、前記高濃度不純物拡散領域上にバリア用第１金属膜を蒸着によって形成し、前記高濃度不純物拡散領域のシリコンと前記第１金属膜の金属とを反応させて、前記高濃度不純物拡散領域と前記第１金属膜との間の界面に金属シリサイドを形成する工程、
　前記第１金属膜上に導電膜を形成する工程、及び
　前記導電膜と前記第１金属膜とを選択的にエッチングして導電パターンを形成する工程
　を含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。
【請求項２】
　基板にＮ型の不純物拡散領域を形成する工程、
　前記不純物拡散領域にさらにＮ型の不純物をドープしてＮ型の高濃度不純物拡散領域を形成する工程、
　化学気相蒸着法を用いて、前記高濃度不純物拡散領域上にバリア用第１金属膜を蒸着によって形成し、前記高濃度不純物拡散領域のシリコンと前記第１金属膜の金属とを反応させて、前記高濃度不純物拡散領域と前記第１金属膜との間の界面に金属シリサイドを形成する工程、
　前記第１金属膜上に導電膜を形成する工程、及び
　前記導電膜と前記第１金属膜とを選択的にエッチングして、導電パターンを形成する工程
　を含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。
【請求項３】
　シリコンを含むＮ型の導電領域を有する下部構造上に絶縁膜を形成する工程、
　前記絶縁膜を選択的にエッチングして、前記Ｎ型の導電領域を露出させるオープン部を形成する工程、
　前記オープン部を通して露出された前記Ｎ型の導電領域にＮ型の不純物をドープして、Ｎ型の高濃度不純物拡散領域を形成する工程、
　化学気相蒸着法を用いて、前記オープン部の形状に沿ってバリア用第１金属膜を蒸着によって形成し、前記高濃度不純物拡散領域のシリコンと前記第１金属膜の金属とを反応させて、前記高濃度不純物拡散領域と前記第１金属膜との間の界面に金属シリサイドを形成する工程、
　前記第１金属膜上に導電膜を形成する工程、及び
　前記導電膜と前記第１金属膜とを選択的にエッチングして、導電パターンを形成する工程
　を含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。
【請求項４】
　シリコンを含む基板にＮ型の不純物拡散領域を形成する工程、
　前記基板上に絶縁膜を形成する工程、
　前記絶縁膜を選択的にエッチングして、前記Ｎ型の不純物拡散領域を露出させるオープン部を形成する工程、
　前記オープン部を通して露出された前記Ｎ型の不純物拡散領域にさらにＮ型の不純物をドープして、Ｎ型の高濃度不純物拡散領域を形成する工程、
　化学気相蒸着法を用いて、前記オープン部の形状に沿ってバリア用の第１金属膜を蒸着によって形成し、前記高濃度不純物拡散領域のシリコンと前記第１金属膜の金属とを反応させて、前記高濃度不純物拡散領域と前記第１金属膜との間の界面に金属シリサイドを形成する工程、
　前記第１金属膜上に導電膜を形成する工程、及び
　前記導電膜と前記第１金属膜とを選択的にエッチングして、導電パターンを形成する工程
　を含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。
【請求項５】
　前記高濃度不純物拡散領域を形成する工程が、
　砒素（Ａｓ）をイオン注入した後、熱処理して前記高濃度不純物拡散領域を形成する工程を含むことを特徴とする請求項１〜請求項４の何れかの項に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項６】
　前記高濃度不純物拡散領域を形成する工程が、
　前記砒素を２×１０15atoms/cm2〜５×１０15atoms/cm2の濃度で、７ＫｅＶ〜１２ＫｅＶのイオン注入エネルギーを用いて注入する工程を含むことを特徴とする請求項５に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項７】
　前記熱処理が、７５０℃〜８５０℃の温度で２０秒〜４０秒間実施する急速熱処理であることを特徴とする請求項５に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項８】
　前記熱処理が、窒素またはアルゴンの雰囲気中で実施されることを特徴とする請求項７に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項９】
　前記第１金属膜が、少なくとも６９０℃の温度で蒸着されることを特徴とする請求項１〜請求項４の何れかの項に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項１０】
　前記第１金属膜が、蒸着により５Å〜１５Åの厚さに形成され、
　前記金属シリサイドが、４０Å〜１００Åの厚さに形成されることを特徴とする請求項１〜請求項４の何れかの項に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項１１】
　前記第１金属膜を蒸着する工程の後、前記第１金属膜上にバリア用第２金属膜を蒸着して、熱処理する工程をさらに含むことを特徴とする請求項１〜請求項４の何れかの項に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項１２】
　前記第２金属膜が、蒸着により１０Å〜２０Åの厚さに形成されることを特徴とする請求項１１に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項１３】
　前記熱処理が、７５０℃〜８５０℃の温度で２０秒〜４０秒間実施する急速熱処理であることを特徴とする請求項１１に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項１４】
　前記第１金属膜がＴｉ膜であり、
　前記第２金属膜がＴｉＮ膜であり、
　前記金属シリサイドがＴｉＳｉ2であることを特徴とする請求項１１に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項１５】
　前記Ｎ型の不純物拡散領域を形成する工程が、
　砒素をイオン注入し、熱処理してＮ型の不純物拡散領域を形成する工程を含むことを特徴とする請求項２または請求項４に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項１６】
　前記Ｎ型の不純物拡散領域を形成する工程が、
　前記砒素を２×１０15atoms/cm2〜５×１０15atoms/cm2の濃度で、１２ＫｅＶ〜１８ＫｅＶのイオン注入エネルギーを用いて注入する工程を含むことを特徴とする請求項１５に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項１７】
　前記導電膜が、タングステン膜を含むことを特徴とする請求項１〜請求項４の何れかの項に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項１８】
　前記導電膜が、５００Å〜８００Åの厚さに形成されることを特徴とする請求項１７に記載の半導体素子の製造方法。」
　
（補正後）
　「【請求項１】
　第１イオン注入エネルギーを用いて基板にＮ型の不純物拡散領域を形成する工程、
　第２イオン注入エネルギーを用いて前記不純物拡散領域にさらにＮ型の不純物をドープしてＮ型の高濃度不純物拡散領域を形成する工程、
　化学気相蒸着法を用いて、前記高濃度不純物拡散領域上にバリア用第１金属膜を蒸着によって形成し、前記高濃度不純物拡散領域のシリコンと前記第１金属膜の金属とを反応させて、前記高濃度不純物拡散領域と前記第１金属膜との間の界面に金属シリサイドを形成する工程、
　前記第１金属膜上に導電膜を形成する工程、及び
　前記導電膜と前記第１金属膜とを選択的にエッチングして、導電パターンを形成する工程
　を含み、
　前記第１イオン注入エネルギーが、前記第２イオン注入エネルギーより高いことを特徴とする半導体素子の製造方法。
　　【請求項２】
　第１イオン注入エネルギーを用いて基板にＮ型の不純物拡散領域を形成する工程、
　前記基板上に絶縁膜を形成する工程、
　前記絶縁膜を選択的にエッチングして、前記Ｎ型の不純物拡散領域を露出させるオープン部を形成する工程、
　第２イオン注入エネルギーを用いて前記オープン部を通して露出された前記Ｎ型の不純物拡散領域にさらにＮ型の不純物をドープして、Ｎ型の高濃度不純物拡散領域を形成する工程、
　化学気相蒸着法を用いて、前記オープン部の形状に沿ってバリア用の第１金属膜を蒸着によって形成し、前記高濃度不純物拡散領域のシリコンと前記第１金属膜の金属とを反応させて、前記高濃度不純物拡散領域と前記第１金属膜との間の界面に金属シリサイドを形成する工程、
　前記第１金属膜上に導電膜を形成する工程、及び
　前記導電膜と前記第１金属膜とを選択的にエッチングして、導電パターンを形成する工程
　を含み、
　前記第１イオン注入エネルギーが、前記第２イオン注入エネルギーより高いことを特徴とする半導体素子の製造方法。
　　【請求項３】
　前記高濃度不純物拡散領域を形成する工程が、
　砒素（Ａｓ）をイオン注入した後、熱処理して前記高濃度不純物拡散領域を形成する工程を含むことを特徴とする請求項１または請求項２の何れかの項に記載の半導体素子の製造方法。
　　【請求項４】
　前記高濃度不純物拡散領域を形成する工程が、
　前記砒素を２×１０15atoms/cm2〜５×１０15atoms/cm2の濃度で、７ＫｅＶ〜１２ＫｅＶの前記第２イオン注入エネルギーを用いて注入する工程を含むことを特徴とする請求項３に記載の半導体素子の製造方法。
　　【請求項５】
　前記熱処理が、７５０℃〜８５０℃の温度で２０秒〜４０秒間実施する急速熱処理であることを特徴とする請求項３に記載の半導体素子の製造方法。
　　【請求項６】
　前記熱処理が、窒素またはアルゴンの雰囲気中で実施されることを特徴とする請求項５に記載の半導体素子の製造方法。
　　【請求項７】
　前記第１金属膜が、少なくとも６９０℃の温度で蒸着されることを特徴とする請求項１または請求項２の何れかの項に記載の半導体素子の製造方法。
　　【請求項８】
　前記第１金属膜が、蒸着により５Å〜１５Åの厚さに形成され、
　前記金属シリサイドが、４０Å〜１００Åの厚さに形成されることを特徴とする請求項１または請求項２の何れかの項に記載の半導体素子の製造方法。
　　【請求項９】
　前記第１金属膜を蒸着する工程の後、前記第１金属膜上にバリア用第２金属膜を蒸着して、熱処理する工程をさらに含むことを特徴とする請求項１または請求項２の何れかの項に記載の半導体素子の製造方法。
　　【請求項１０】
　前記第２金属膜が、蒸着により１０Å〜２０Åの厚さに形成されることを特徴とする請求項９に記載の半導体素子の製造方法。
　　【請求項１１】
　前記熱処理が、７５０℃〜８５０℃の温度で２０秒〜４０秒間実施する急速熱処理であることを特徴とする請求項９に記載の半導体素子の製造方法。
　　【請求項１２】
　前記第１金属膜がＴｉ膜であり、
　前記第２金属膜がＴｉＮ膜であり、
　前記金属シリサイドがＴｉＳｉ2であることを特徴とする請求項９に記載の半導体素子の製造方法。
　　【請求項１３】
　前記Ｎ型の不純物拡散領域を形成する工程が、
　砒素をイオン注入し、熱処理してＮ型の不純物拡散領域を形成する工程を含むことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体素子の製造方法。
　　【請求項１４】
　前記Ｎ型の不純物拡散領域を形成する工程が、
　前記砒素を２×１０15atoms/cm2〜５×１０15atoms/cm2の濃度で、１２ＫｅＶ〜１８ＫｅＶの前記第１イオン注入エネルギーを用いて注入する工程を含むことを特徴とする請求項１３に記載の半導体素子の製造方法。
　　【請求項１５】
　前記導電膜が、タングステン膜を含むことを特徴とする請求項１または請求項２の何れかの項に記載の半導体素子の製造方法。
　　【請求項１６】
　前記導電膜が、５００Å〜８００Åの厚さに形成されることを特徴とする請求項１５に記載の半導体素子の製造方法。」
　
（２）補正事項の整理
（補正事項ａ）
（補正事項ａ−１）補正前の請求項２の「基板にＮ型の不純物拡散領域を形成する工程、」を、補正後の請求項１の「第１イオン注入エネルギーを用いて基板にＮ型の不純物拡散領域を形成する工程、」と補正すること。
　
（補正事項ａ−２）補正前の請求項２の「前記不純物拡散領域にさらにＮ型の不純物をドープしてＮ型の高濃度不純物拡散領域を形成する工程、」を、補正後の請求項１の「第２イオン注入エネルギーを用いて前記不純物拡散領域にさらにＮ型の不純物をドープしてＮ型の高濃度不純物拡散領域を形成する工程、」と補正すること。
　
（補正事項ａ−３）補正前の請求項２の「前記導電膜と前記第１金属膜とを選択的にエッチングして導電パターンを形成する工程を含む」を、補正後の請求項１の「前記導電膜と前記第１金属膜とを選択的にエッチングして、導電パターンを形成する工程を含み、前記第１イオン注入エネルギーが、前記第２イオン注入エネルギーより高い」と補正すること。
　
（補正事項ｂ）
（補正事項ｂ−１）補正前の請求項４の「シリコンを含む基板にＮ型の不純物拡散領域を形成する工程、」を、補正後の請求項２の「第１イオン注入エネルギーを用いて基板にＮ型の不純物拡散領域を形成する工程、」と補正すること。
　
（補正事項ｂ−２）補正前の請求項４の「前記オープン部を通して露出された前記Ｎ型の不純物拡散領域にさらにＮ型の不純物をドープして、Ｎ型の高濃度不純物拡散領域を形成する工程、」を、補正後の請求項２の「第２イオン注入エネルギーを用いて前記オープン部を通して露出された前記Ｎ型の不純物拡散領域にさらにＮ型の不純物をドープして、Ｎ型の高濃度不純物拡散領域を形成する工程、」と補正すること。
　
（補正事項ｂ−３）補正前の請求項４の「前記導電膜と前記第１金属膜とを選択的にエッチングして、導電パターンを形成する工程を含む」を、補正後の請求項２の「前記導電膜と前記第１金属膜とを選択的にエッチングして、導電パターンを形成する工程を含み、前記第１イオン注入エネルギーが、前記第２イオン注入エネルギーより高い」と補正すること。
　
（補正事項ｃ）補正前の請求項６の「前記砒素を２×１０15atoms/cm2〜５×１０15atoms/cm2の濃度で、７ＫｅＶ〜１２ＫｅＶのイオン注入エネルギーを用いて注入する工程を含む」を、補正後の請求項４の「前記砒素を２×１０15atoms/cm2〜５×１０15atoms/cm2の濃度で、７ＫｅＶ〜１２ＫｅＶの前記第２イオン注入エネルギーを用いて注入する工程を含む」と補正すること。
　
（補正事項ｄ）補正前の請求項１６の「前記砒素を２×１０15atoms/cm2〜５×１０15atoms/cm2の濃度で、１２ＫｅＶ〜１８ＫｅＶのイオン注入エネルギーを用いて注入する工程を含む」を、補正後の請求項１４の「前記砒素を２×１０15atoms/cm2〜５×１０15atoms/cm2の濃度で、１２ＫｅＶ〜１８ＫｅＶの前記第１イオン注入エネルギーを用いて注入する工程を含む」と補正すること。
　
（補正事項ｅ）補正前の請求項１及び３を削除するとともに、当該削除に伴って、請求項の番号及び引用する請求項の番号を修正すること。
　
（３）新規事項追加の有無及び補正の目的の適否についての検討
（３−１）補正事項ａについて
（３−１−１）補正事項ａ−１について
　補正事項ａ−１は、補正前の請求項２に係る発明の発明特定事項である「基板にＮ型の不純物拡散領域を形成する工程」について、「第１イオン注入エネルギーを用いて」と限定的に減縮する補正であり、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項（以下「特許法第１７条の２第４項」という。）第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そして、この補正は、本願の願書に最初に添付した明細書の【００３２】及び【００３３】段落の記載に基づく補正であり、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項（以下「特許法第１７条の２第３項」という。）に規定された新規事項の追加禁止の要件を満たしている。
  
（３−１−２）補正事項ａ−２について
　補正事項ａ−２は、補正前の請求項２に係る発明の発明特定事項である「不純物拡散領域にさらにＮ型の不純物をドープしてＮ型の高濃度不純物拡散領域を形成する工程」について、「第２イオン注入エネルギーを用いて」と限定的に減縮する補正であり、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そして、この補正は、本願の願書に最初に添付した明細書の【００４１】及び【００４２】段落の記載に基づく補正であり、特許法第１７条の２第３項に規定された新規事項の追加禁止の要件を満たしている。
　
（３−１−３）補正事項ａ−３について
  　補正事項ａ−３は、前記補正事項ａ−１及びａ−２における限定事項である「第１イオン注入エネルギー」及び「第２イオン注入エネルギー」について、「第１イオン注入エネルギーが、」「第２イオン注入エネルギーより高い」と限定的に減縮する補正であり、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そして、この補正は、本願の願書に最初に添付した明細書の【００３３】及び【００４２】段落の記載に基づく補正であり、特許法第１７条の２第３項に規定された新規事項の追加禁止の要件を満たしている。
　
（３−２）補正事項ｂについて
（３−２−１）補正事項ｂ−１について
　補正事項ｂ−１は、補正前の請求項４に係る発明の発明特定事項である「シリコンを含む基板」を「基板」に補正するとともに、「基板にＮ型の不純物拡散領域を形成する工程」について、「第１イオン注入エネルギーを用いて」と限定的に減縮するものであるが、前記「シリコンを含む基板」を「基板」とする補正は、補正前の請求項４に係る発明の発明特定事項を限定するものでないから、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げられた特許請求の範囲の減縮を目的とするものには該当しない。また、前記「シリコン基板」を「基板」とする補正が、特許法第１７条の２第４項のその他のいずれの号に掲げられた事項を目的とするものにも該当しないことは明らかである。
　したがって、補正事項ｂ−１は、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たしていない。
　
（３−２−２）補正事項ｂ−２について
　補正事項ｂ−２は、補正前の請求項４に係る発明の発明特定事項である「オープン部を通して露出された前記Ｎ型の不純物拡散領域にさらにＮ型の不純物をドープして、Ｎ型の高濃度不純物拡散領域を形成する工程」について、「第２イオン注入エネルギーを用いて」と限定的に減縮する補正であり、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そして、この補正は、本願の願書に最初に添付した明細書の【００４１】及び【００４２】段落の記載に基づく補正であり、特許法第１７条の２第３項に規定された新規事項の追加禁止の要件を満たしている。
　
（３−２−３）補正事項ｂ−３について
　補正事項ｂ−３は、前記補正事項ｂ−１及びｂ−２における限定事項である「第１イオン注入エネルギー」及び「第２イオン注入エネルギー」について、「第１イオン注入エネルギーが、」「第２イオン注入エネルギーより高い」と限定的に減縮する補正であり、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そして、この補正は、本願の願書に最初に添付した明細書の【００３３】及び【００４２】段落の記載に基づく補正であり、特許法第１７条の２第３項に規定された新規事項の追加禁止の要件を満たしている。
　
（３−３）補正事項ｃについて
　補正事項ｃは、補正前の請求項６に係る発明の発明特定事項である「イオン注入エネルギー」を、「第２イオン注入エネルギー」と補正するものであり、特許法第１７条の２第４項第４号に掲げられた明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
　そして、この補正は、本願の願書に最初に添付した明細書の【００４２】段落の記載に基づく補正であり、特許法第１７条の２第３項に規定された新規事項の追加禁止の要件を満たしている。
　
（３−４）補正事項ｄについて
　補正事項ｄは、補正前の請求項１６に係る発明の発明特定事項である「イオン注入エネルギー」を、「第１イオン注入エネルギー」と補正するものであり、特許法第１７条の２第４項第４号に掲げられた明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
　そして、この補正は、本願の願書に最初に添付した明細書の【００３３】段落の記載に基づく補正であり、特許法第１７条の２第３項に規定された新規事項の追加禁止の要件を満たしている。
　
（３−５）補正事項ｅについて
  補正事項ｅは、特許法第１７条の２第４項第１号に掲げる請求項の削除を目的とするものである。
　
（３−６）新規事項追加の有無及び補正の目的の適否についてのまとめ
　以上、検討したとおりであるから、本件補正は、特許法第１７条の２第３号に規定する要件を満たす。
　しかしながら、本件補正のうちの補正事項ｂ−１は、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たしていないから、本件補正は、同法同条同項に規定する要件を満たしていない。
　
（４）独立特許要件について
（４−１）検討の前提
　上記（３）において検討したとおり、本件補正は特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たしていないが、仮に本件補正が当該要件を満たすものであるとした場合には、上記（３）において検討したとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものを含むものであるから、本件補正が、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか否かについて、一応検討する。
　
（４−２）補正後の請求項１に係る発明
　本件補正による補正後の請求項１ないし１６に係る発明は、本件補正により補正された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その請求項１ないし１６に記載されている事項により特定されるとおりのものであって、そのうちの補正後の請求項１に係る発明（以下「補正後の発明」という。）は、その請求項１に記載されている事項により特定される上記２．（１）の補正後の請求項１として記載したとおりのものである。
　
（４−３）引用刊行物
（４−３−１）原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先日前である平成９年４月１５日に日本国内で頒布された刊行物である特開平９−１０２４６９号公報（以下「引用刊行物」という。）には、図１及び１０とともに、以下の事項が記載されている。なお、下線は、当合議体において付加したものである（以下同様。）。
　
「【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体装置の製造方法に係わり、特に半導体基板とオーミックコンタクトを形成する半導体装置の製造方法に関する。
「【００６０】図１０および図１１は本発明の第５の実施の形態の製造方法における主要工程を示す断面図である。
【００６１】図１０（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は図１（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）と同様である。すなわち、
Ｐ型シリコン基板１の主面にフィールド絶縁膜としてシリコン酸化膜３が形成され、素子領域として、Ｎ
- 
型拡散層２が形成され、Ｎ
- 
型拡散層２内にＰ
+ 
型拡散層４が形成され、他の箇所にＮ
+ 
型拡散層５が形成されて、層間絶縁膜であるＢＰＳＧ膜６にＰ
+ 
型拡散層４およびＮ
+ 
型拡散層５にそれぞれ達する第１および第２のコンタクトホール（開口部）７，８が形成される（図１０（Ａ））。
次に、フォトレジスト膜９を除去した後、第１のコンタクトホール７内およびその周辺上をフォトレジスト膜１１でマスクした状態で、第２のコンタクトホール８を通してリンをＮ
+ 
型拡散層５の表面およびその周囲の基板表面にイオン注入することにより第２のコンタクトホール８に露出したＮ
+ 
型拡散層５の表面は、図で×で示すアモルファス（非晶質）シリコン層１２となる（図１０（Ｃ））。
【００６２】
次に図１１（Ａ）において、フォトレジスト膜１１を除去した後、プラズマ化学気相成長法（プラズマＣＶＤ法）によりＴｉ膜（チタニウム膜）４１を形成する。
【００６３】基板加熱温度４５０℃〜６００℃、成膜圧力１〜１００Ｔｏｒｒ、ＴｉＣｌ４５〜２０ｓｃｃｍ、Ｈ2 １０００〜２０００ｓｃｃｍ、Ａｒ２００〜５００ｓｃｃｍの条件で行う。Ｔｉの成長膜厚は３〜２０ｎｍである。
【００６４】
コンタクトホール底では、Ｔｉシリサイド１５が成長し拡散層表面に非晶質層があるためＴｉＣｌ
4 
を流してからＴｉ４１が成長するまでの遅れ時間が無く、Ｐ
+ 
型拡散層４とＮ
+ 
型拡散層５とで等しい膜厚のＴｉシリサイド層１５を形成することができる。
【００６５】
続けてＬＰＣＶＤ法によりＴｉＮ膜４２を形成する。
【００６６】
次に図１１（Ｂ）において、図２（Ｃ）と同様に、ＴｉＮ膜４２上全面に化学気相法によりタングステン（Ｗ）を形成し、コンタクトホール７，８を埋込んだ後、上面のＴｉＮ膜４２が露出するまでエッチングし、コンタクトホール７，８の内部にのみタングステン膜１６を残し、Ａｌ合金膜１７を形成し、Ａｌ合金膜１７，ＴｉＮ膜４２，Ｔｉ膜４１を所望の形状にパターニングしてＡｌ配線とする。
　
（４−３−２）そうすると、引用刊行物１には、以下の発明（以下「刊行物発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
「Ｐ型シリコン基板１の主面にＮ+ 型拡散層５を形成し、
　前記Ｎ+ 型拡散層５上に層間絶縁膜であるＢＰＳＧ膜６を形成し、前記ＢＰＳＧ膜６に前記Ｎ+ 型拡散層５に達する第２のコンタクトホール８を形成し、
　前記第２のコンタクトホール８を通してリンを前記Ｎ+ 型拡散層５の表面およびその周囲の基板表面にイオン注入することにより前記第２のコンタクトホール８に露出した前記Ｎ+ 型拡散層５の表面をアモルファスシリコン層１２とし、
　プラズマ化学気相成長法によりＴｉ膜４１を形成するとともに、前記第２のコンタクトホール８の底にＴｉシリサイド層１５を形成し、
　ＬＰＣＶＤ法によりＴｉＮ膜４２を形成し、
　前記ＴｉＮ膜４２上全面に化学気相法によりタングステン膜１６を形成し、前記第２のコンタクトホール８を埋込んだ後、上面の前記ＴｉＮ膜４２が露出するまでエッチングし、前記第２のコンタクトホール８の内部にのみ前記タングステン膜１６を残し、
　Ａｌ合金膜１７を形成し、前記Ａｌ合金膜１７，前記ＴｉＮ膜４２，前記Ｔｉ膜４１を所望の形状にパターニングしてＡｌ配線とする
  半導体装置の製造方法。」
　
（４−４）対比
（４−４−１）刊行物発明の「Ｐ型シリコン基板１」及び「Ｎ+ 型拡散層５」は、各々補正後の発明の「基板」及び「Ｎ型の不純物拡散領域」に相当するから、刊行物発明の「Ｐ型シリコン基板１の主面にＮ+ 型拡散層５を形成」することと、補正後の発明の「第１イオン注入エネルギーを用いて基板にＮ型の不純物拡散領域を形成する工程」は、「基板にＮ型の不純物拡散領域を形成する工程」という点で共通する。
　
（４−４−２）刊行物発明において、「リン」を「イオン注入することにより」「Ｎ+ 型拡散層５の表面」に形成された「アモルファスシリコン層１２」の不純物濃度は、「Ｎ+ 型拡散層５」の不純物濃度よりも高濃度であることは明らかである。そうすると、刊行物発明の「アモルファスシリコン層１２」は、補正後の発明の「Ｎ型の高濃度不純物拡散領域」に相当するから、刊行物発明の「前記第２のコンタクトホール８を通してリンを前記Ｎ+ 型拡散層５の表面およびその周囲の基板表面にイオン注入することにより前記第２のコンタクトホール８に露出した前記Ｎ+ 型拡散層５の表面をアモルファスシリコン層１２と」することは、補正後の発明の「第２イオン注入エネルギーを用いて前記不純物拡散領域にさらにＮ型の不純物をドープしてＮ型の高濃度不純物拡散領域を形成する工程」に相当する。
　
（４−４−３）刊行物発明の「Ｔｉ膜４１」は、補正後の発明の「バリア用第１金属膜」に相当する。また、刊行物発明において、「Ｔｉシリサイド層１５」は、「アモルファスシリコン層１２」と「Ｔｉ膜４１」の界面に形成されることは明らかであるから、刊行物発明の「プラズマ化学気相成長法によりＴｉ膜４１を形成するとともに、前記第２のコンタクトホール８の底にＴｉシリサイド層１５を形成」することは、補正後の発明の「化学気相蒸着法を用いて、前記高濃度不純物拡散領域上にバリア用第１金属膜を蒸着によって形成し、前記高濃度不純物拡散領域のシリコンと前記第１金属膜の金属とを反応させて、前記高濃度不純物拡散領域と前記第１金属膜との間の界面に金属シリサイドを形成する工程」に相当する。
　
（４−４−４）刊行物発明の「ＴｉＮ膜４２」及び「Ａｌ合金膜１７」は、併せて補正後の発明の「導電膜」に相当するから、刊行物発明の「ＬＰＣＶＤ法によりＴｉＮ膜４２を形成し、」「Ａｌ合金膜１７を形成」することは、補正後の発明の「前記第１金属膜上に導電膜を形成する工程」に相当する。
　
（４−４−５）刊行物発明の「前記Ａｌ合金膜１７，前記ＴｉＮ膜４２，前記Ｔｉ膜４１を所望の形状にパターニングしてＡｌ配線とする」ことは、補正後の発明の「前記導電膜と前記第１金属膜とを選択的にエッチングして、導電パターンを形成する工程」に相当する。
　
（４−４−６）刊行物発明の「半導体装置の製造方法」は、補正後の発明の「半導体素子の製造方法」に相当する。
　
（４−４−７）そうすると、補正後の発明と刊行物発明とは、
「【請求項１】
　基板にＮ型の不純物拡散領域を形成する工程、
　第２イオン注入エネルギーを用いて前記不純物拡散領域にさらにＮ型の不純物をドープしてＮ型の高濃度不純物拡散領域を形成する工程、
　化学気相蒸着法を用いて、前記高濃度不純物拡散領域上にバリア用第１金属膜を蒸着によって形成し、前記高濃度不純物拡散領域のシリコンと前記第１金属膜の金属とを反応させて、前記高濃度不純物拡散領域と前記第１金属膜との間の界面に金属シリサイドを形成する工程、
　前記第１金属膜上に導電膜を形成する工程、及び
　前記導電膜と前記第１金属膜とを選択的にエッチングして、導電パターンを形成する工程を含む、
　半導体素子の製造方法。」
である点で一致し、次の２点で相違する。
　
（相違点１）補正後の発明では、「第１イオン注入エネルギーを用いて基板にＮ型の不純物拡散領域を形成する」のに対し、刊行物発明では、「Ｐ型シリコン基板１の主面にＮ+ 型拡散層５を形成」する方法について、特定されていない点。
　
（相違点２）補正後の発明では、「前記第１イオン注入エネルギーが、前記第２イオン注入エネルギーより高い」のに対し、刊行物発明では、そのような特定がなされていない点。
　
（４−５）判断
（４−５−１）相違点１及び２について
　一般に、半導体基板表面に不純物拡散層を形成する際に、イオン注入法を用いることは、周知の技術である。また、深い不純物拡散層を形成するためのイオン注入エネルギーの方が、浅い不純物拡散層を形成するためのイオン注入エネルギーよりも高いことは技術常識ともいえることである。
　そして、刊行物発明においては、「Ｎ+ 型拡散層５の表面をアモルファス層１２と」するために、「リンをＮ＋型拡散層５の表面・・・にイオン注入」（【００６１】）しているのであるから、「Ｎ+ 型拡散層５」の深さが「アモルファス層１２」の深さよりも深いのは当然のことであり、そのような「Ｎ+ 型拡散層５」を形成する際に、イオン注入法を用い、その際に、「Ｎ+ 型拡散層５」を形成するためのイオン注入エネルギーを、「アモルファス層１２」を形成するためのイオン注入エネルギーよりも高くすることにより、補正後の発明のように、「第１イオン注入エネルギーを用いて基板にＮ型の不純物拡散領域を形成」し、「前記第１イオン注入エネルギーが、前記第２イオン注入エネルギーより高い」構成とすることは、当業者が容易になし得たことである。
　よって、上記相違点１及び２は、当業者が容易になし得た範囲に含まれる程度のものである。
　
（４−６）独立特許要件についてのまとめ
　以上検討したとおり、補正後の発明と刊行物発明との相違点は、いずれも周知技術及び技術常識を勘案することにより、当業者が、容易に想到し得た範囲に含まれる程度のものにすぎず、補正後の発明は、引用刊行物に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際、独立して特許を受けることができない。
　
（５）補正の却下についてのむすび
　本件補正は、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たさないものであり、また、仮に、そのような違反がなく、本件補正が特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当するとした場合においても、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないものである。
　したがって、本件補正は、特許法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
３．本願発明
　平成２４年６月２７日になされた手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし１８に係る発明は、願書に最初に添付された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その請求項１ないし１８に記載されている事項により特定されるとおりのものであって、そのうちの請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、その請求項１に記載されている事項により特定される上記２．（１）の補正前の請求項１として記載したとおりのものである。
　
４．刊行物に記載された発明
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された刊行物には、上記２．（４−３−１）及び（４−３−２）に記載したとおりの事項及び発明（刊行物発明）が記載されているものと認められる。
　
 ５．判断
　補正後の請求項１は、補正前の請求項１に係る発明の発明特定事項である「基板にＮ型の不純物拡散領域を形成する工程」及び「不純物拡散領域にさらにＮ型の不純物をドープしてＮ型の高濃度不純物拡散領域を形成する工程」について、各々「第１イオン注入エネルギーを用いて」及び「第２イオン注入エネルギーを用いて」と限定するとともに、「第１イオン注入エネルギー」及び「第２イオン注入エネルギー」という前記限定事項について、「第１イオン注入エネルギーが、」「第２イオン注入エネルギーより高い」と限定したものである。逆に言えば本件補正前の請求項１に係る発明（本願発明）は，補正後の発明から上記限定事項をなくしたものである。
　そうすると、上記２．（４）において検討したように、補正後の発明が，引用刊行物に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、当然に、引用刊行物に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものといえる。
　したがって、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
６．むすび
　以上のとおりであるから、本願は、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、拒絶をすべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。