【事件の表示】
　上記当事者間の特許第２８０３７４２号発明「窒化ガリウム系化合物半導体発光素子」の特許無効審判事件について、次のとおり審決する。
【結　論】
　訂正を認める。
　本件審判の請求は、成り立たない。
　審判費用は、請求人の負担とする。
【理　由】
　
第１　事案の概要
　本件は、請求人が、被請求人が特許権者である特許第２８０３７４２号（以下「本件特許」という。平成５年４月２８日出願、平成１０年７月１７日登録、登録時の請求項の数は３であるが、後記第２（１）のとおり、平成１１年１２月２７日になされた手続補正書（訂正請求書）による訂正後の請求項の数は１である。）の請求項１に係る発明についての特許を無効とすることを求める事案である。
　
第２　手続の経緯
（１）本件特許の訂正に係る経緯は次のとおりである。
平成１１年　１月　４日　無効審判請求（平成１１年審判第３５００８号）
平成１１年　３月２４日　特許異議申立（平成１１年異議第７１１１６号）
平成１１年　４月１４日　訂正請求（平成１１年審判第３５００８号によるもの。訂正後の請求項の数は１である。）
平成１１年　６月１８日　異議申立手続中止通知書（平成１１年異議第７１１１６号）
平成１１年１０月２９日　訂正拒絶理由通知書
平成１１年１２月２７日　手続補正書（訂正請求書）
平成１２年　３月２７日　審決
平成１２年　８月１５日　異議申立手続中止解除通知（平成１１年異議第７１１１６号）
平成１２年　８月２８日　異議決定
　上記審決の結論は、
「訂正を認める。本件審判の請求は、成り立たない。」
　というものである（なお、通知書等の日付は発送日である。）。
　
（２）本件審判の経緯は、以下のとおりである。
平成２３年　９月２８日　審判請求
平成２３年１２月１９日　訂正請求及び審判事件答弁書提出
平成２４年　２月２３日　審判事件弁駁書提出
平成２４年　４月　５日　補正許否の決定
平成２４年　５月　９日　訂正請求及び審判事件答弁書（２回目）提出
平成２４年　７月　９日　口頭審理陳述要領書提出（請求人）
平成２４年　７月　９日　口頭審理陳述要領書提出（被請求人）
平成２４年　７月２３日　口頭審理
平成２４年　８月　６日　上申書提出（請求人）
　
第３　請求人の主張の概要及び証拠方法
１　無効理由
（１）無効理由１（特許法第２９条第２項）
　本件特許発明は、特開平３−１８３１７３号公報（甲第１号証）に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
（２）無効理由２（特許法第２９条第２項）
　本件特許発明は、「Fabrication and Properties of GaN P-N Junction LED」（甲第４号証）に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
（３）無効理由３（特許法第２９条第２項）
　本件特許発明は、特開平４−１９９７５２号公報（甲第７号証）に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
（４）無効理由４（旧特許法第３６条第５項第２号）
　本件特許発明は、「ほぼ全面に」が不明確であり、本件特許の請求項１に係る発明は不明確であるので、本件訂正明細書の特許請求の範囲には特許を受けようとする発明の構成に欠くことができない事項のみが記載されているものとは認められず、本件特許出願は、平成６年法律第１１６号による改正前の特許法（以下「旧特許法」という）特許法第３６条第５項第２号に規定する要件を満たしていない。
（以上、審判請求書にて主張）
（５）無効理由５
ア　（旧特許法第３６条第５項第１号）
　（平成２３年１２月１９日付け訂正請求による）訂正後の特許請求の範囲における「ＡｕとＮｉとを含む合金またはＰｔとＴｉとを含む合金からなる」との記載は、ＡｕとＮｉまたはＰｔとＴｉ以外の金属を組み合わせる構成も含まれ、そのような発明は、発明の詳細な説明に記載されていないから、上記訂正後の本件特許出願は旧特許法第３６条第５項第１号に規定する要件を満たしていない。
イ　（旧特許法第３６条第５項第２号）
　（平成２３年１２月１９日付け訂正請求による）訂正後の特許請求の範囲における「ＡｕとＮｉとを含む合金またはＰｔとＴｉとを含む合金からなる」との記載は、ＡｕとＮｉまたはＰｔとＴｉ以外の金属を組み合わせる構成も含まれ、いかなる他の金属を、いかなる比率で組みあ合わせることまでが、本件特許の請求項記載の発明に含まれるのか、その外延が明確でないから、上記訂正後の本件特許出願は旧特許法第３６条第５項第２号に規定する要件を満たしていない。
（以上、平成２４年２月２３日付けの審判事件弁駁書にて主張）
（６）無効理由６
ア　（旧特許法第３６条第５項第１号）
　（平成２４年５月９日付け訂正請求による）訂正後の特許請求の範囲における「ＡｕとＮｉとからなる合金またはＰｔとＴｉとからなる合金である」との記載は、実施例において記載されている合金の形成方法（アニーリング）だけでなく、実施例以外のあらゆる形成方法までもが包摂されるが、アニーリング以外の方法で合金を形成する場合は、発明の詳細な説明には記載されていないから、上記訂正後の本件特許出願は旧特許法第３６条第５項第１号に規定する要件を満たしていない。
イ　（旧特許法第３６条第５項第２号）
　（平成２４年５月９日付け訂正請求による）訂正後の特許請求の範囲における「ＡｕとＮｉとからなる合金またはＰｔとＴｉとからなる合金」という記載は、「ＡｕとＮｉのみからなる合金またはＰｔとＴｉのみからなる合金」という記載ではないので、他の金属をも含む余地を残しているといえるから、不明確であり、上記訂正後の本件特許出願は旧特許法第３６条第５項第２号に規定する要件を満たしていない。
（以上、平成２４年７月９日付けの口頭審理陳述要領書提出（請求人）にて主張）
　
　なお、請求人は、上記無効理由５について、平成２４年７月２３日の口頭審理の場で、第１回口頭審理調書の「請求人　３」のとおり、「平成２４年２月２３日付け審判事件弁駁書第１１頁第１行ないし第１５頁末行に記載した無効理由を撤回する。」と陳述した。
　また、請求人は、上記無効理由６について、平成２４年８月６日付け上申書のとおり撤回した。
　
２　甲号証
　請求人が提出した甲号証は、以下のとおりである。
（１）甲第１号証　特開平３−１８３１７３号公報
（２）甲第２号証　特開平５−６３２３６号公報
（３）甲第３号証　Japanese Journal of Applied Physics Vol. 31, No. 2B, February 1992, L139〜142頁，中村修二氏らによる論文「Thermal Annealing Effects on P-Type Mg-Doped GaN Films」
（４）甲第４号証　Electronic, Optical and Device Properties of Layered Structures, November, 1990. 165〜168頁，天野浩氏及び赤崎勇氏による論文「Fabrication and Properties of GaN P-N Junction LED」
（５）甲第５号証　応用物理　1991 02 Vol. 60 No.2 (１９９１年２月１０日発行)163〜166頁，天野浩氏及び赤崎勇氏による論文「ＧａＮｐｎ接合青色・紫外発光ダイオード」
（６）甲第６号証　Japanese Journal of Applied Physics Vol. 28, No.l2, December 1989,L2112〜2114頁，天野浩氏らによる論文「P-Type Conduction in Mg-Doped GaN Treated with Low-Energy Electron Beam Irradiation(LEEBI)」
（７）甲第７号証　特開平４−１９９７５２号公報
（８）甲第８号証　特開昭４９−２９７７０号公報
（９）甲第９号証　特開昭４９−２９７７１号公報
（１０）甲第１０号証　特開平４−６８５７９号公報
（１１）甲第１１号証　特開昭５０−４２７８５号公報
（１２）甲第１２号証　特開平５−１３８１２号公報
（１３）甲第１３号証　特開昭６１−８７３８１号公報
（１４）甲第１４号証　「半導体用語大辞典」５３９頁
（１５）甲第１５号証　特開昭５６−８１９８６号公報
（１６）甲第１６号証　特開昭４９−１２２２９４号公報
（１７）甲第１７号証　特開昭５１−８５３８４号公報
（１８）甲第１８号証　特開昭６０−１７５４６８号公報
（１９）甲第１９号証　特開昭６１−５６４７４号公報
（２０）甲第２０号証　特開平３−２１８６２５号公報
（２１）甲第２１号証　特開昭６２−１０１０８９号公報
（２２）甲第２２号証　特開昭６３−２４４６８９号公報
（２３）甲第２３号証　特開平３−１８３１７１号公報
（２４）甲第２４号証　特開平３−１８３１７２号公報
（２５）甲第２５号証　特開昭５７−１０２８０号公報
（２６）甲第２６号証　特開昭６３−３１１７７７号公報
（２７）甲第２７号証　実開昭６１−１４４６５９号公報
（２８）甲第２８号証　特開昭５９−２８３８４号公報
（以上、審判請求書に添付して提出。）
（２９）甲第２９号証　特許庁編、特許・実用新案審査基準　第II部第２章　特許要件　２．７　選択発明の進歩性の考え方
（以上、審判事件弁駁書に添付して提出。）
　
第４　被請求人の主張の概要
１　各無効理由に対して
（１）理由１
　甲第１号証と請求人が主張する他の証拠とを組み合わせても本件発明に容易に想到することはない。
（２）理由２
　甲第４号証と請求人が主張する他の証拠とを組み合わせても本件発明に容易に想到することはない。
（３）理由３
　甲第７号証と請求人が主張する他の証拠とを組み合わせても本件発明に容易に想到することはない。
（４）理由４
　不明確な記載に該当しない。
　
２　乙号証
　被請求人が提出した乙号証は、以下のとおりである。
（１）乙第１号証　甲第６号証（Japanese Journal of Applied Physics Vol. 28, No.l2, December 1989, L2112〜2114頁，天野浩氏らによる論文「P-Type Conduction in Mg-Doped GaN Treated with Low-Energy Electron Beam Irradiation(LEEBI)」）の表紙および裏表紙
（２）乙第２号証　甲第６号証（Japanese Journal of Applied Physics Vol. 28, No.l2, December 1989, L2112〜2114頁，天野浩氏らによる論文「P-Type Conduction in Mg-Doped GaN Treated with Low-Energy Electron Beam Irradiation(LEEBI)」）の抄訳(L2 1 1 2頁の左欄下から２行から右欄５行の翻訳）
（３）乙第３号証　甲第３号証(Japanese Journal of Applied Physics Vol. 31, No. 2B, February 1992, L139〜142頁，中村修二氏らによる論文「Thermal Annealing Effects on P-Type Mg-Doped GaN Films」)の抄訳（Ｌ１３９頁左欄７行〜１４行の翻訳）
（４）乙第４号証　甲第４号証(Electronic, Optical and Device Properties of Layered Structures,  November, 1990. 165〜168頁，天野浩氏及び赤崎勇氏による論文「Fabrication and Properties of GaN P-N Junction LED」）の抄訳(１６５頁４〜６行，１６７頁９〜１０行および１６８頁の６〜９行の翻訳）
（５）乙第５号証　平成１１年審判第３５００８号審決
（６）乙第６号証　平成１１年異議第７１１１６号異議の決定
（以上、平成２３年１２月１９日付け審判事件答弁書に添付して提出。）
（７）乙第７号証　「最新化合物半導体ハンドブック」１６９頁から１７２頁（発行所　株式会社サイエンスフォーラム、発行日 昭和５７年７月１０日）
（８）乙第８号証　「アドバンスエレクトロニクスシリーズＩ−１　ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体」第３４３頁（発行所　株式会社培風館、発行日　１９９４年５月２０日）
（以上、平成２４年５月９日付け審判事件答弁書（２回目）に添付して提出。）
　
第５　訂正請求についての当審の判断
１　訂正請求の内容
　被請求人が平成２４年５月９日にした訂正請求（以下「本件訂正」という。）は、本件特許の願書に添付した明細書（平成１１年１２月２４日になされた訂正請求後のもの。以下、単に「本件特許明細書」という。）について、訂正請求書に添付した訂正明細書のとおりに訂正することを請求するものであって、次の事項をその訂正内容とするものである（下線は当審で付した。以下同じ。）。
（１）訂正事項ａ
　特許請求の範囲の請求項１を下記のとおり訂正する。
「窒化ガリウム系化合物半導体層側を発光観測面とするｐｎ接合型窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、Ｍｇがドープされたｐ型ＧａＮ層のほぼ全面に、アニーリング処理によりオーミック接触が得られると共に、膜厚０．００１μｍ以上、０．２μｍ以下で、
ＡｕとＮｉとからなる合金またはＰｔとＴｉとからなる
である
（２）訂正事項ｂ
　本件特許明細書の段落【０００６】を下記のとおり訂正する。
「【課題を解決するための手段】本発明の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子は、窒化ガリウム系化合物半導体層側を発光観測面とするｐｎ接合型窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、Ｍｇがドープされたｐ型ＧａＮ層のほぼ全面に、アニーリング処理によりオーミック接触が得られると共に、膜厚０．００１μｍ以上、０．２μｍ以下で、
ＡｕとＮｉとからなる合金またはＰｔとＴｉとからなる
である
　
２　訂正の適否
（１）訂正事項ａについて
　本訂正事項は、請求項１に係る発明において「透光性の電極」が「Ｃｒ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｔｉ、Ｐｔより選択された２種を含む合金からなる」を「ＡｕとＮｉとからなる合金またはＰｔとＴｉとからなる合金である」に限定するものであるから、特許法第１３４条の２第１項第１号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものと認められる。
　そして、本件特許明細書には、「本発明の方法において、ｐ層に蒸着する金属には、例えばＡｕ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｉｎ、Ｃｒ、Ｔｉの電極材料を使用することができ、特に好ましいオーミック接触が得られる材料としてＣｒ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｔｉ、Ｐｔの内の少なくとも２種類を含む合金を使用することが好ましい。」（段落【０００７】）との記載があるから、本件特許明細書には、「透光性の電極」が「ＡｕとＮｉとからなる合金またはＰｔとＴｉとからなる合金である」であることが記載されているものと認められる。
　したがって、本訂正事項は、本件特許明細書に記載された事項の範囲内でするものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもないから、特許法第１３４条の２第５項において準用する同法第１２６条第３項及び第４項の規定に適合するものである。
（２）訂正事項ｂについて
　本訂正事項は、発明の詳細な説明の記載について、訂正事項ａ（請求項１の訂正）との整合を図り記載を明りょうにするために行うものと認められるから、特許法第１３４条の２第１項第３号に掲げる明りょうでない記載の釈明を目的とするものと認められる。
　そして、前記（１）における訂正事項ａについての検討と同様の理由により、本訂正事項は、本件特許明細書に記載された事項の範囲内でするものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもないから、特許法第１３４条の２第５項において準用する同法第１２６条第３項及び第４項の規定に適合するものである。
　
３　本件訂正についてのむすび
　以上のとおりであるから、本件訂正を認める。
　
第６　本件発明
１　上記のとおり、本件訂正が認められたので、本件特許第２８０３７４２号の請求項１に係る発明（以下、請求項１に係る発明を「本件訂正発明」という。）は、次のとおりのものと認められる。
「窒化ガリウム系化合物半導体層側を発光観測面とするｐｎ接合型窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、Ｍｇがドープされたｐ型ＧａＮ層のほぼ全面に、アニーリング処理によりオーミック接触が得られると共に、膜厚０．００１μｍ以上、０．２μｍ以下で、ＡｕとＮｉとからなる合金またはＰｔとＴｉとからなる合金である、透光性の電極が形成されていることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。」
　
２　本件訂正発明は上記１のとおりであるところ、これを分説すると、次のとおりである。
Ａ　窒化ガリウム系化合物半導体層側を発光観測面とするｐｎ接合型窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、
Ｂ　Ｍｇがドープされたｐ型ＧａＮ層のほぼ全面に、アニーリング処理によりオーミック接触が得られると共に、膜厚０．００１μｍ以上、０．２μｍ以下で、ＡｕとＮｉとからなる合金またはＰｔとＴｉとからなる合金である、透光性の電極が形成されている
Ｃ　ことを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
　
第７　本件訂正発明の技術的意義
１　本件特許の願書に添付した明細書（本件訂正後のもの。以下「本件訂正明細書」という。）には、以下の記載がある。
「【０００１】【産業上の利用分野】本発明はＩｎXＡｌYＧａ1-X-YＮ（０≦X＜１、０≦Y＜１）で表される窒化ガリウム系化合物半導体を具備する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子と、その発光素子の電極形成方法に係り、特にｐ型ドーパントがドープされた窒化ガリウム系化合物半導体表面の電極と、その電極形成方法に関する。
【０００２】【従来の技術】最近ＧａＮ、ＧａＡｌＮ、ＩｎＧａＮ、ＩｎＡｌＧａＮ等の窒化ガリウム系化合物半導体を用いた発光素子が注目されている。その窒化ガリウム系化合物半導体は一般にサファイア基板の上に成長される。サファイアのような絶縁性基板を用いた発光素子は、他のＧａＡｓ、ＧａＡｌＰ等の半導体基板を用いた発光素子と異なり、基板側から電極を取り出すことが不可能であるため、半導体層に設けられる正、負、一対の電極は同一面側に形成される。特に窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の場合、サファイアが透光性であるため、電極面を下にして、サファイア基板側を発光観測面とすることが多い。
【０００３】窒化ガリウム系化合物半導体を発光チップとする従来の一発光素子の構造を図１に示す。サファイア基板１の上にｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層２（以下、ｎ型層２という。）とｐ型ドーパントがドープされた窒化ガリウム系化合物半導体層３（以下、ｐ型層３という。）とが順に積層され、さらにｐ型層３の一部をエッチングして、ｎ型層２を露出させ、ｎ型層２に負電極としてｎ型電極４、ｐ型層に正電極としてｐ型電極５を形成した後、電極面を下にしてリードフレーム７にそれぞれの電極がまたがるようにして載置している。なお電極４、５とリードフレーム７とは半田、銀ペースト等の導電性材料６で電気的に接続されている。この図に示すように従来の発光素子は、ｐ型電極４をｐ型層表面のほぼ全面に形成することにより電流を均一に広げることができ、均一な発光が得られる反面、発光がｐ型電極５で遮られ、外部量子効率が悪くなるため、発光をできるだけ有効に外部に取り出す目的で透光性基板であるサファイア１を発光観測面としている。
【０００４】【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このような構造の発光素子は、両リードフレーム７間の間隔を狭くすることが困難であるため、チップサイズが約１ｍｍ以上と大きくなるため、一枚あたりのウエハーからとれるチップ数が少なくなるという欠点がある。また、リードフレーム間の非常に細かい位置設定、窒化ガリウム系化合物半導体の精巧なエッチング技術等を必要とするため、歩留が上がらず量産性に乏しいという欠点もある。窒化ガリウム系化合物半導体以外の半導体材料を用いた発光素子のように、基板側を下にしてｎ型電極、ｐ型電極の両電極を上から取り出すことができれば、チップサイズを小さくできると共に、発光素子の生産性、信頼性を格段に向上させることができる。そのためには、ｐ層３に形成する電極を透光性にして、窒化ガリウム系化合物半導体層内部の発光を遮らないようにする必要がある。
【０００５】従って本発明はこのような事情を鑑みなされたもので、その目的とすることは最上層であるｐ層に形成する電極を透光性にして、発光素子の外部量子効率を向上させると共に、窒化ガリウム系化合物半導体層側を発光観測面として、上から電極を取り出すことにより、発光素子の生産性を向上させることにある。
【０００６】【課題を解決するための手段】本発明の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子は、窒化ガリウム系化合物半導体層側を発光観測面とするｐｎ接合型窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、Ｍｇがドープされたｐ型ＧａＮ層のほぼ全面に、アニーリング処理によりオーミック接触が得られると共に、膜厚０．００１μｍ以上、０．２μｍ以下で、Ｃｒ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｔｉ、Ｐｔの内の２種類を含む合金からなる、透光性の電極が形成されていることを特徴とする。
【０００７】本発明の方法において、ｐ層に蒸着する金属には、例えばＡｕ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｉｎ、Ｃｒ、Ｔｉの電極材料を使用することができ、特に好ましいオーミック接触が得られる材料としてＣｒ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｔｉ、Ｐｔの内の少なくとも２種類を含む合金を使用することが好ましい。また、金属を蒸着するにあたり、蒸着膜厚は特に問うものではないが、蒸着後５００℃以上のアニーリングを行った後、その金属電極の膜厚が０．００１μｍ〜１μｍの範囲になるように蒸着することが好ましい。前記アニーリングにより、蒸着された金属はｐ層内部に拡散すると共に、一部外部に飛散して膜厚が薄くなる。アニーリング後に最終的な電極膜厚を０．００１μｍ〜１μｍの範囲に調整することにより、電極を好ましく透光性とすることができる。１μｍ以上で形成しても特に支障はないが、電極が次第に金属色を帯びてくる傾向にあり透光性が悪くなる。電極は前記範囲内で薄いほど好ましいが、あまり薄くしすぎると接触抵抗が大きくなる傾向にあるため、０．０１μｍ〜０．２μｍの範囲がさらに好ましい膜厚である。
【０００８】アニーリングは５００℃以上で行う必要がある。なぜなら、この温度以下であると、金属電極とｐ層とのオーミック接触が得られにくく、金属電極も透光性になりにくいからである。温度の上限は特に限定しないが、窒化ガリウム系化合物半導体が分解する温度以下（１１００℃前後）で行うことは当然である。
【０００９】【作用】本発明の一実施例により形成された透光性電極を具備する発光素子の構造を図２に示す。ｐ層３の上に透光性電極５’が形成されているため、従来のようにサファイア基板１を発光観測面とせずに、窒化ガリウム系化合物半導体層側を発光観測面とすることができる。さらに、窒化ガリウム系化合物半導体以外の発光素子の集光手段として一般に用いられているカップ形状のリードフレームが使用でき、集光性能が格段に向上する。さらに、一つのリードフレーム上に１チップが載置できるため、チップサイズをリードフレームの大きさに合わせて小さくできるという利点を有する。さらにまた、この図に示すように透光性電極５’の上にワイヤーボンディング用の電極を設けることによって、上（発光観測面）側から電極を取り出すことができるため生産性も格段に向上する。」
　
２　上記１によれば、本件訂正明細書には、本件訂正発明の技術的意義に関して、概略、以下の事項が記載されていることが認められる。
「従来の発光素子は、ｐ型電極４をｐ型層表面のほぼ全面に形成することにより電流を均一に広げることができ、均一な発光が得られる反面、発光がｐ型電極５で遮られ、外部量子効率が悪くなるため、発光をできるだけ有効に外部に取り出す目的で透光性基板であるサファイア１を発光観測面としていたが、
　このような構造の発光素子は、両リードフレーム７間の間隔を狭くすることが困難であるため、チップサイズが約１ｍｍ以上と大きくなるため、一枚あたりのウエハーからとれるチップ数が少なくなるという欠点や、
　リードフレーム間の非常に細かい位置設定、窒化ガリウム系化合物半導体の精巧なエッチング技術等を必要とするため、歩留が上がらず量産性に乏しいという欠点があったため、
　窒化ガリウム系化合物半導体以外の半導体材料を用いた発光素子のように、基板側を下にしてｎ型電極、ｐ型電極の両電極を上から取り出すことができるようにして、
　チップサイズを小さくできると共に、発光素子の生産性、信頼性を格段に向上させるために、
　ｐ層３に形成する電極を透光性にして、窒化ガリウム系化合物半導体層内部の発光を遮らないように、
　本発明の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子は、窒化ガリウム系化合物半導体層側を発光観測面とするｐｎ接合型窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、Ｍｇがドープされたｐ型ＧａＮ層のほぼ全面に、アニーリング処理によりオーミック接触が得られると共に、膜厚０．００１μｍ以上、０．２μｍ以下で、Ｃｒ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｔｉ、Ｐｔの内の２種類を含む合金からなる、透光性の電極が形成されている。」
　
第８　無効理由についての当審の判断
１　無効理由４について
　事案にかんがみて、無効理由４についてまず検討する。
（１）請求人は、本件訂正発明の構成要件「Ｍｇがドープされたｐ型ＧａＮ層のほぼ全面に、アニーリング処理によりオーミック接触が得られると共に、膜厚０．００１μｍ以上、０．２μｍ以下で、ＡｕとＮｉとからなる合金またはＰｔとＴｉとからなる合金である、透光性の電極が形成されている」について、以下のように主張する。
ア　旧特許法に関する特許・実用新案審査基準「第１章明細書の記載要件」、「３．３．１　第３６条第５項第２号違反の類型」において、「（１２）請求項の記載において、以下のような表現があり、その結果、特許を受けようとする発明の構成に欠くことができない事項が不明確になる場合。」として、「○３（丸付数字）『やや比重の大なる』、『はるかに大きい』、『低温』、『高温』などの比較の基準、程度が不明瞭な表現を用いた表現。」と記載されている（審判請求書５４頁８〜１３行）。
イ　本件特許発明においては、ｐ型ＧａＮ層の「ほぼ全面に」透光性の電極が形成されていることが構成要件となっているが、「ほぼ全面に」という「基準、程度が不明瞭な表現」を用いている。その結果、特許請求の範囲の記載からは、ｐ型ＧａＮ層のどの程度に透光性の電極を形成すれば、「ほぼ全面に」といえ、どの程度形成した場合には、「ほぼ全面に」とはいえないのか不明となっている（審判請求書５４頁１５〜１９行）。
ウ　本件特許発明の構成要件における「ほぼ全面に」は不明確であり本件特許の請求項１に係る発明は不明確であるので、本件訂正明細書の特許請求の範囲には特許を受けようとする発明の構成に欠くことができない事項のみが記載されているものとは認められず、本件特許出願は旧特許法第３６条第５項第２号に規定する要件を満たしていないものである（審判請求書５４頁２１〜２５行）。
（２）しかるに、上記第７、２のとおり本件訂正明細書には、
「両リードフレーム７間の間隔を狭くすることが困難であるため、チップサイズが約１ｍｍ以上と大きくなるため、一枚あたりのウエハーからとれるチップ数が少なくなるという欠点や、リードフレーム間の非常に細かい位置設定、窒化ガリウム系化合物半導体の精巧なエッチング技術等を必要とするため、歩留が上がらず量産性に乏しいという欠点があった」従来の「窒化ガリウム系化合物半導体発光素子」において、「基板側を下にしてｎ型電極、ｐ型電極の両電極を上から取り出すことができるようにして、チップサイズを小さくできると共に、発光素子の生産性、信頼性を格段に向上させる」ために、「窒化ガリウム系化合物半導体以外の半導体材料を用いた発光素子のように」、「ｐ層３に形成する電極を透光性にして、窒化ガリウム系化合物半導体層内部の発光を遮らないように」「Ｍｇがドープされたｐ型ＧａＮ層のほぼ全面に、アニーリング処理によりオーミック接触が得られると共に、膜厚０．００１μｍ以上、０．２μｍ以下で、Ｃｒ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｔｉ、Ｐｔの内の２種類を含む合金からなる、透光性の電極が形成されている」ことで「ｐ型電極４をｐ型層表面のほぼ全面に形成することにより電流を均一に広げることができ、均一な発光が得られる」ことが記載されていると認められる。
（３）上記のとおり、本件訂正明細書には、「ｐ型電極をｐ型層表面のほぼ全面に形成することにより電流を均一に広げることができ、均一な発光が得られる」ことが記載されていることに照らせば、本件訂正発明において、「電流を均一に広げ」て、「均一な発光が得られる」範囲において、「ｐ型ＧａＮ層のほぼ全面に、アニーリング処理によりオーミック接触が得られると共に、膜厚０．００１μｍ以上、０．２μｍ以下で、ＡｕとＮｉとからなる合金またはＰｔとＴｉとからなる合金である、透光性の電極が形成されている」とは、「電流を均一に広げ」て「均一な発光」を得ることができる程度の広さの範囲にわたってｐ型電極をｐ型層表面に形成するものと解することができ、その技術的な内容が明確でないということはできない。
　したがって「ほぼ全面に」が明確でないとはいえず、本件訂正発明における「ほぼ全面に」との記載が、旧特許法第３６条第５項第２号に規定する要件を満たしていないとはいえない。
　よって、請求人の上記主張は採用できない。
　
２　無効理由１について
（１）甲号証の記載
ア　甲第１号証の記載
　本件特許の出願前に頒布された刊行物である甲第１号証（特開平３−１８３１７３号公報）には、以下の記載がある。
（ア）「発光層及び該発光層の両面上に形成された電荷注入層を有する発光素子において、該発光層が水素原子を含む非単結晶炭化シリコンで構成されており、該電荷注入層が不純物を含有する窒化ガリウムで構成されていることを特徴とする発光素子。」（特許請求の範囲）
（イ）「第１図は本発明の発光素子の概念的模式図である。本発明の発光素子１００は、下部より基体１０１、第一導電層１０２、不純物を含有する窒化ガリウムで構成された第一電荷注入層１０３、水素原子を含有し、必要に応じてハロゲン原子を含有する非単結晶炭化シリコンで構成された発光層１０４、不純物を含有する窒化ガリウムで構成された第二電荷注入層１０５、第二導電層１０６が順次積層された構造を有し、更にコンタクト電極１０７、１０９及びリード線１０８、１１０が設けられている。」（２頁左上欄１３行〜右上欄３行）
（ウ）「第二導電層１０６の材質としては、例えば、Ｎｉ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｍｏ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｂ等の金属の単体またはこれらの合金、例えばステンレス鋼、あるいは酸化物、例えばＩｎ2Ｏ3、ＩＴＯ（Ｉｎ2Ｏ3＋ＳｎＯ2）等が挙げられる。」（２頁左下欄８〜１２行）
（エ）「第二電荷注入層１０５は窒化ガリウムで構成され、各々異なる不純物が添加されており、その結果として電荷注入機能を有している。本発明において第一電荷注入層１０３及び第二電荷注入層１０５を構成する窒化ガリウム膜は、膜中の欠陥が極めて少ないために電荷注入効率が高いという特徴を有している。」（２頁右下欄１〜７行）
（オ）「第二電荷注入層１０５に導入される不純物としては、ベリリウム原子（Ｂｅ）、マグネシウム原子（Ｍｇ）、亜鉛原子（Ｚｎ）、カドミウム原子（Ｃｄ）、炭素原子（Ｃ）、ケイ素原子（Ｓｉ）、ゲルマニウム原子（Ｇｅ）、イオウ原子（Ｓ）、セレン原子（Ｓｅ）等の単独、あるいはこれらのうちの２種以上を混合したものが挙げられる。」（３頁左上欄２〜９行）
（カ）「本発明において使用される第二導電層は、基体１０１側に光を放出する場合には、透光性であっても、非透光性であってもよい。第二導電層側に光を放出する場合は、第二導電層は透光性であることが望ましい。」（４頁右下欄下２行〜５頁左上欄３行）
（キ）第１図は、次のものである。　
イ　甲第２号証の記載
　本件特許の出願前に頒布された刊行物である甲第２号証（特開平５−６３２３６号公報）には、以下の記載がある。
（ア）「ＭｇドープＧａＮからなるｐ型層３」（３頁３欄５〜６行）
（イ）「また、本発明の青色発光ダイオードにおいて、前記ｐ型層３をアニーリング、または電子線照射によって６００℃より高い温度で加熱することにより、さらに、低抵抗なｐ型層とすることができ、シングルヘテロ構造の高効率青色発光ダイオードを実現することができる。」（３頁３欄３５〜４０行）
ウ　甲第３号証の記載
　本件特許の出願前に頒布された刊行物である甲第３号証「Thermal Annealing Effects on P-Type Mg-Doped GaN Films」には、以下の記載がある。
（ア）「In this paper, thermal annealing, which was performed for Mg-doped GaN films in order to obtain a highly p-typed GaN film, is described for the first time.」(L139頁右欄８〜１０行。和訳：「この紙面には、高度にｐ型化されたＧａＮ膜を得るためにＭｇがドープされたＧａＮ膜に行われた熱アニーリングが初めて記載されている。」）
（イ）「In summary, low-resistivity p-type GaN films were obtained by N2-ambient or vacuum-ambient thermal annealing above 700℃, for the first time. Before thermal annealing, the resistivity of Mg-doped GaN films was approximately 1×106Ω・cm. After thermal annealing at temperatures above 700℃, the resistivity, hole carrier concentration and hole mobility became 2Ω・cm, 3×1017/cm3 and 10cm2/ Vs, respectively.」(L142頁左欄１〜８行。和訳：「総括すると、低抵抗ｐ型ＧａＮ膜はN2雰囲気又は真空雰囲気の７００℃超における熱アニーリングにより、初めて得られた。熱アニーリング前は、MgがドープされたGaN膜の抵抗は約１×１０６Ω・cmであった。７００℃超における熱アニーリング後は、抵抗、正孔キャリア濃度及び正孔可動性はそれぞれ２Ω・cm、３×1017／cm３及び１０cm2／V秒であった。」）
エ　甲第４号証の記載
　本件特許の出願前に頒布された刊行物である甲第４号証「Fabrication and Properties of GaN P-N Junction LED」には、以下の記載がある。
「P-type GaN can be achieved by the Mg-doping and the succeeding LEEBI treatment.」(１６７頁７〜８行。和訳：「ｐ型ＧａＮはＭｇドープ及びそれに続くＬＥＥＢＩ処理により達成されることができる。」）
オ　甲第５号証の記載
　本件特許の出願前に頒布された刊行物である甲第５号証「ＧａＮｐｎ接合青色・紫外発光ダイオード」には、以下の記載がある。
（ア）「最近、われわれはマグネシウム（Ｍ）ドープ高抵抗GaN(GaN:Mg）に電子線を照射すると電気的特性が変化し、比抵抗数十Ω・cm程度のｐ型結晶となることを見いだした。」(１６３頁右欄８〜１１行）
（イ）「GaN:Mgを約０．５μｍ育成したのち、表面から電子線照射処理する。」（１６５頁右欄２〜３行）
（ウ）「ｐ層の電極は金（Au）によりオーム性接触を形成する。」(１６５頁右欄９〜１０行）
カ　甲第６号証の記載
　本件特許の出願前に頒布された刊行物である甲第６号証「P-Type Conduction in Mg-Doped GaN Treated with Low-Energy Electron Beam Irradiation(LEEBI)」には、以下の記載がある。
「The GaN:Mg film treated with LEEBI clearly shows the p-type conduction with resistivity of〜35Ω・cm．」(Ｌ２１１３頁１３〜１５行。和訳：「ＬＥＥＢＩで処理されたＧａＮ：Ｍｇ膜は、35Ω・cmの抵抗のｐ型導電性を明らかに示す。」）
キ　甲第７号証の記載
　本件特許の出願前に頒布された刊行物である甲第７号証（特開平４−１９９７５２号公報）には、以下の記載がある。
（ア）「第６図に本発明の第６の実施例を示す。第６図はGaN/GaN接合型発光素子を構成した例であり」（９頁左上欄８〜１０行）
（イ）「電極形成用の金属元素としてはAlに限って説明したがその他In, Ga, Ni, Ti, Cu, Au, Ag, Cr, Si, Ge等の単体あるいは混合金属膜のいづれもがオーミック用電極として適用可能であることは明らかである。」（１０頁左上欄下５行〜右上欄１行）
（ウ）第６図は、次のものである。　
ク　甲第８号証の記載
　本件特許の出願前に頒布された刊行物である甲第８号証（特開昭４９−２９７７０号公報）には、以下の記載がある。
（ア）「ｐ−ｎ接合を含むＧａＮを成長させ、発光ダイオードを作った。」（３頁左上欄５〜６行）
（イ）「ｐ層には、Au-Znを蒸着し、約６００℃で３０分加熱して抵抗性電極とした。」（３頁右上欄８〜９行）
ケ　甲第９号証の記載
　本件特許の出願前に頒布された刊行物である甲第９号証（特開昭４９−２９７７１号公報）には、以下の記載がある。
「次にこのGaNp-n接合を用いて発光ダイオードを作った。・・・ｐ層側にはZn-Auを蒸着してから約５００℃で３０分加熱し、抵抗性電極とした。」（３頁左上欄１４〜１９行）
コ　甲第１０号証の記載
　本件特許の出願前に頒布された刊行物である甲第１０号証（特開平４−６８５７９号公報）には、以下の記載がある。
（ア）「本発明の第２の実施例を第２図に示す。第２図はGaN紫外光発光素子の構成法を説明するものであり、同図において・・・１２、１３はそれぞれGaNエピタキシャル膜であり・・・GaN:Mg層１３は発光層１２とほぼ同様の真空条件、分子ビーム条件と、不純物としてのMg分子ビーム強度３×１０-10Torrにて成膜した２μｍ厚、ｐ型抵抗率１０Ω・cm、キャリヤ濃度６×１９-16cm-3の低抵抗ｐ型エピタキシャル膜である」（６頁左上欄７行〜左下欄１行）
（イ）「電極形成用の金属元素としてはAlに限って説明したがその他In, Ga, Ni, Ti,Cu, Au, Ag, Cr, Si, Ge等の単体あるいは混合金属膜のいづれもがオーミック用電極として適用可能であることは明らかである。」（８頁左下欄１１〜１５行）
（ウ）第２図は、次のものである。　
サ　甲第１１号証の記載
　本件特許の出願前に頒布された刊行物である甲第１１号証（特開昭５０−４２７８５号公報）には、以下の記載がある。
「GaN層２〜５にIn電極６をそれぞれ焼き付ける。焼付はN2気流中で４００〜４５０℃で約３０分間おこなった。」（２頁左下欄下１〜右下欄２行）
シ　甲第１２号証の記載
　本件特許の出願前に頒布された刊行物である甲第１２号証（特開平５−１３８１２号公報）には、以下の記載がある。
（ア）「図１は本実施例の発光ダイオードの構造を示す断面図である。・・・（中略）・・・ｐ型炭化珪素層３の上面には、下側をチタン膜、上側をアルミニウム膜として積層された金属膜７がほぼ全面に形成され、この金属膜７の上の中央部にはアルミニウム電極８が設けられている。」（３頁３欄１２〜２５行）
（イ）「ｐ型炭化珪素層３上に、例えば真空蒸着法によりチタン（Ti）膜を３０ｎｍ、アルミニウム（Al）膜を５０ｎｍ堆積して金属膜７を形成した。この金属膜７はｐ側オーム性電極であり、ｐ型炭化珪素層３との良好なオーム性を得るために、形成後に１０００℃のアルゴン雰囲気中で５分の熱処理を行った。」（３頁４欄３２〜３８行）
（ウ）「上記アルミニウム電極８とオーム性電極６との間に順方向の電流を通電すると、炭化珪素基板１側からｐ型炭化珪素層３側へ向かって発光する。」（３頁４欄４６行〜４９行）
（エ）「また、ｐ型炭化珪素層３の上に形成したオーム性電極が光透過性を有する金属膜７からなっている」（４頁５欄８〜９行）
（オ）「なお、金属膜７の各膜の厚みとしては、チタン膜については３ｎｍ以上２００ｎｍ以下とし、アルミニウム膜については１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下とする。その理由は、下限を下回るとシート抵抗の確保が困難となり、上限を上回ると光の透過性が悪化するためである。」（４頁５欄２２〜２７行）
（カ）第１図は、次のものである。　
ス　甲第１３号証の記載
　本件特許の出願前に頒布された刊行物である甲第１３号証（特開昭６１−８７３８１号公報）には、以下の記載がある。
「オーミックコンタクトをとるためには、例えば、ｐ形リン化ガリウム又はｐ形硫化亜鉛上に選択的に亜鉛、金、ニッケルをスパッタ法又は蒸着法で付着させ、高温にてシンタリングし」（３頁左下欄１１〜１４行）
セ　甲第１５号証の記載
　本件特許の出願前に頒布された刊行物である甲第１５号証（特開昭５６−８１９８６号公報）には、以下の記載がある。
（ア）「本発明は、透明な薄膜電極を発光体表面全面に付着することにより電流の広がりをよくし、ダイオードの面発光出力を増加させるようにした」（２頁右上欄１０〜１２行）
（イ）「第６図において面発光ダイオード１０は後述の合金薄層１７を除き、第１図に示したものと同様に構成されており、１１はｐ形GaAs基板、１２はｐ形Ga1-xAlxAs発光層、１３はｎ形Ga1-yAlyAs窓層（y＞x）、１４はｎ側オーミック電極である。」（２頁左下欄１１〜１６行）
（ウ）「合金薄層１７は注入される電流を横方向（窓層３の表面に沿う方向）に十分広がらせる一方、ｐｎ接合１５からの発光を吸収することなく透過させる厚さでなければならない。合金薄層１７の厚さが１００Å末満では前者の条件を満たさず、また３００Å以上の厚さでは後者の条件に対して不適合であり合金薄層１７のために発光が遮蔽されしまうため、この合金薄層１７の厚さは１００Åないし３００Åでなければならない。」（２頁右下欄１２行〜末行）
（エ）第６図は、次のものである。　
ソ　甲第１６号証の記載
　本件特許の出願前に頒布された刊行物である甲第１６号証（特開昭４９−１２２２９４号公報）には、以下の記載がある。
（ア）「最後、酸化インジウムの錫添加層１０がSiO2層６上に及び窓８を経てGaN層２上ヘリアクティブにスパッタされた。この様な酸化インジウムは厚さが１０００−５０００Åの程度である。酸化インジウム１０は装置に対する透明上方コンタクトとして働き、ケイ素基板４は下方電気コンタクトである。いずれかの極性の十分な電圧が上方及び下方コンタクト１０及び４間に印加される時、光が窓８及び透明な酸化インジウム１０から均一に放出される。」（２頁左下欄７〜１６行）
（イ）「例えば、この様な薄膜は酸化インジウム、酸化錫、酸化銅、極めて薄いAu若しくはAlの如き半透明金属で形成され得」（３頁左上欄４〜６行）
（ウ）Ｆｉｇ．１は、次のものである。　
タ　甲第１７号証の記載
　本件特許の出願前に頒布された刊行物である甲第１７号証（特開昭５１−８５３８４号公報）には、以下の記載がある。
（ア）「In2O5被膜１３は低抵抗電極として素子全面に均一な電流を印加すると同時に、半導体より発せられる光に対し透明であり外部に吸収なくとり出せる。」（２頁左下欄下５行〜下２行）
（イ）「付設酸化膜の膜厚は２０００Åである。」（３頁左上欄６〜７行）
（ウ）第３図（Ｆ）は、次のものである。　
（２）甲第１号証に記載された発明
　前記（１）アによれば、甲第１号証には以下の発明が記載されているものと認められる。
「下部より基体、第一導電層、不純物を含有する窒化ガリウムで構成された第一電荷注入層、水素原子を含有し、必要に応じてハロゲン原子を含有する非単結晶炭化シリコンで構成された発光層、不純物を含有する窒化ガリウムで構成された第二電荷注入層、第二導電層が順次積層された構造を有し、更にコンタクト電極及びリード線が設けられている発光素子であって、
　第二導電層の材質としては、例えば、Ｎｉ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｍｏ、Ａｇ、Ａｕ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｂ等の金属の単体またはこれらの合金、例えばステンレス鋼、あるいは酸化物、例えばＩｎ2Ｏ3、ＩＴＯ（Ｉｎ2Ｏ3＋ＳｎＯ2）等が挙げられ、
　第二電荷注入層は窒化ガリウムで構成され、各々異なる不純物が添加されており、その結果として電荷注入機能を有していて、
　第一電荷注入層及び第二電荷注入層を構成する窒化ガリウム膜は、膜中の欠陥が極めて少ないために電荷注入効率が高く、
　第二電荷注入層に導入される不純物としては、ベリリウム原子（Ｂｅ）、マグネシウム原子（Ｍｇ）、亜鉛原子（Ｚｎ）、カドミウム原子（Ｃｄ）、炭素原子（Ｃ）、ケイ素原子（Ｓｉ）、ゲルマニウム原子（Ｇｅ）、イオウ原子（Ｓ）、セレン原子（Ｓｅ）等の単独、あるいはこれらのうちの２種以上を混合したものが挙げられ、
　第二導電層は、基体側に光を放出する場合には、透光性であっても、非透光性であってもよく、第二導電層側に光を放出する場合は、第二導電層は透光性であることが望ましい、該発光層が水素原子を含む非単結晶炭化シリコンで構成されており、該電荷注入層が不純物を含有する窒化ガリウムで構成されている発光素子。」（以下「甲１発明」という。）
（３）本件訂正発明と甲１発明との対比、判断
ア　甲１発明は、「下部より基体、第一導電層、不純物を含有する窒化ガリウムで構成された第一電荷注入層、水素原子を含有し、必要に応じてハロゲン原子を含有する非単結晶炭化シリコンで構成された発光層、不純物を含有する窒化ガリウムで構成された第二電荷注入層、第二導電層が順次積層された構造を有し、更にコンタクト電極及びリード線が設けられている」発光素子であって、「第二導電層側に光を放出する場合は、第二導電層は透光性である」、「該発光層が水素原子を含む非単結晶炭化シリコンで構成されており、該電荷注入層が不純物を含有する窒化ガリウムで構成されている発光素子」であるから、甲１発明は、「不純物を含有する窒化ガリウムで構成された第二電荷注入層側に光を放出する、発光層が水素原子を含む非単結晶炭化シリコンで構成されており、該電荷注入層が不純物を含有する窒化ガリウムで構成されている発光素子において、第二導電層は透光性である、発光層が水素原子を含む非単結晶炭化シリコンで構成されており、該電荷注入層が不純物を含有する窒化ガリウムで構成されている発光素子」であるといえる。
　さらに、甲１発明の「不純物を含有する窒化ガリウムで構成された第二電荷注入層」は本件訂正発明の「窒化ガリウム系化合物半導体層」に相当し、甲１発明の「『水素原子を含む非単結晶炭化シリコン』及び『不純物を含有する窒化ガリウム』」は本件訂正発明の「化合物半導体」に相当するから、甲１発明は、「窒化ガリウム系化合物半導体層側に光を放出する、化合物半導体で構成されている発光素子において、第二導電層は透光性である化合物半導体で構成されている発光素子」であるといえる。
　そうすると、本件訂正発明と甲１発明は、
「窒化ガリウム系化合物半導体層側を発光観測面とする化合物半導体発光素子において、透光性の電極が形成されている化合物半導体発光素子。」
である点で一致し、
（ア）本件訂正発明の「化合物半導体発光素子」は、「ｐｎ接合型窒化ガリウム系化合物半導体発光素子」であるのに対して、甲１発明の「化合物半導体で構成されている発光素子」は、「不純物を含有する窒化ガリウムで構成された第一電荷注入層、水素原子を含有し、必要に応じてハロゲン原子を含有する非単結晶炭化シリコンで構成された発光層、不純物を含有する窒化ガリウムで構成された第二電荷注入層側に光を放出する発光素子」である点（以下「相違点１」という。）、及び、
（イ）本件訂正発明の「（透光性の）電極」は、「Ｍｇがドープされたｐ型ＧａＮ層のほぼ全面に」形成されている、「アニーリング処理によりオーミック接触が得られると共に、膜厚０．００１μｍ以上、０．２μｍ以下で、ＡｕとＮｉとからなる合金またはＰｔとＴｉとからなる合金である」のに対して、甲１発明の「（透光性であることが望ましい）第二導電層」は、このようなものであるのか明らかではない点（以下「相違点２」という。）、
で相違するものと認められる。
イ　上記相違点１について検討する。
　甲１発明は「不純物を含有する窒化ガリウムで構成された第一電荷注入層」、「水素原子を含有し、必要に応じてハロゲン原子を含有する非単結晶炭化シリコンで構成された発光層」及び「不純物を含有する窒化ガリウムで構成された第二電荷注入層」を含むものであって、発光素子としての基本的構造が「ｐｎ接合型」といえるものとは認められないものであるから、これを「ｐｎ接合型窒化ガリウム系化合物半導体発光素子」に変えることは想定できない。
ウ　してみると、上記相違点２について検討するまでもなく、本件訂正発明が、甲１発明及び周知慣用技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものということはできない。
　
３　無効理由２について
（１）甲号証の記載
ア　甲第４号証の記載
　本件特許の出願前に頒布された刊行物である甲第４号証「Fabrication and Properties of GaN P-N Junction LED」には、以下の記載がある。
（ア）「GaN p-n junction LED has been achieved for the first time.」(１６５頁７〜８行。和訳：「初めて、GaNpn接合ＬＥＤが得られた。」）
（イ）「At first, Si-doped n-type GaN about 3μm thick was grown on the AlN buffer layer. And then, some portion of the surface of the n-type GaN was covered by the SiO2. No deposition or deposition of only small hillock of the polycrystalline GaN occurred on the SiO2. Therefore, it is easy to grow selectively Mg-doped GaNon the unmasked area. Mg-doped GaN about 0.5μm thick grown on the unmasked area, was treated with LEEBI. Formation of the p-n junction wasconfirmed by electron beam induced current measurement. Al was used for ohmic contact to n-layer and Au was used for ohmic contact to p-layer. Schematic viewgraph of the cross section of the p-n junction LED is shown in Fig.2.」(１６７頁下１０行〜末行。和訳：「まず、Ｓｉがドープされたｎ型ＧａＮを、ＡｌＮ緩衝層上に約３μｍの厚さで成長させた。次に、ｎ型ＧａＮの表面のある部分を、ＳｉＯ2で被覆したＳｉＯ2上に発生した多結晶ＧａＮの堆積は全くなかった、あるいは小さいヒロック（突起部）程度に過ぎなかった。したがって、ＭｇがドープされたＧａＮを、マスクされていない領域に選択的に成長させることは、容易である。Ｍｇがドープされた厚さ約０．５μｍのＧａＮを、マスクされていない領域に成長させ、ＬＥＥＢＩ（低速電子線照射）により処理した。電子線励起電流測定により、ｐｎ接合の形成を確認した。ｎ層へのオーミック接触にはＡｌを使用し、ｐ層へのオーミック接触にはＡｕを使用した。ｐｎ接合ＬＥＤの断面概略図が、図２に示されている。」
（ウ）Ｆｉｇ．２は、次のものである。　
イ　甲第１、３、７、１０、１２、１５〜１７号証の記載については上記２（１）ア、ウ、キ、コ、シ、セ〜タのとおりである。
ウ　甲第２１号証の記載
　本件特許の出願前に頒布された刊行物である甲第２１号証（特開昭６２−１０１０８９号公報）には、以下の記載がある。
（ア）「金電極○１９（丸付数字）を発光が取り出せる程度の厚さの部分と電極の取り出しが可能な程度の厚さの部分とができるよう形成する。」（２頁右下欄末行〜３頁左上欄３行）
（イ）第２図は、次のものである。　
エ　甲第２２号証の記載
　本件特許の出願前に頒布された刊行物である甲第２２号証（特開昭６３−２４４６８９号公報）には、以下の記載がある。
（ア）「本発明のダイオードは、光とりだし側の上部電極が透明導電膜により構成されている。」（２頁左上欄下５〜下４行）
（イ）「Au,Alなどの金属膜９を透明上部電極８に形成している。」（２頁右上欄６〜７行）
（ウ）第１図は、次のものである。　
オ　甲第２３号証の記載
　本件特許の出願前に頒布された刊行物である甲第２３号証（特開平３−１８３１７１号公報）には、以下の記載がある。
（ア）「第１図は本発明の発光素子の基本的な構成を示す図であり、本発明の発光素子１００は、下部より・・・結晶質ヒ素化アルミニウムで構成された第二電荷注入層１０５、第二導電層１０６の順序で積層構成され」（２頁右上欄１３行〜左下欄２行）
（イ）「第二導電層側に光を放出する場合には，第二導電層は透明導電膜が好ましい。第二導電層に使用される導電材料は，第一導電層と同一の材料を同一の方法で堆積させることができる。」（６頁左下欄４〜９行）
（ウ）「本発明において使用される第一導電層としては、例えば、NiCr，ステンレス、Al, Cr, Mo, Al, Nb, Ta, V, Ti, Pt, Pb, Ag等の金属またはこれらの合金が挙げられる。」（２頁右下欄９〜１２行）
（エ）第１図は、次のものである。　
カ　甲第２４号証の記載
　本件特許の出願前に頒布された刊行物である甲第２４号証（特開平３−１８３１７２号公報）には、以下の記載がある。
（ア）「第１図は本発明の発光素子の概念的模式図である。本発明の発光素子１００は、下部より・・・リン化ガリウムで構成された第二電荷注入層１０５、第二導電層１０６が順次積層された構造を有し・・・」（２頁左上欄１４行〜右上欄２行）
（イ）「本発明において使用される第一導電層１０２及び第二導電層１０６の材質としては，例えば.  Ni, Cr, Al, In, Sn, Mo, Ag, Au, Nb, Ta, V, Ti, Pt, Pb等の金属の単体またはこれらの合金・・・が挙げられる。」（２頁左下欄８〜１３行）
（ウ）「第二導電層側に光を放出する場合は，第二導電層は透光性であることが望ましい。」（５頁右上欄２〜３行）
（エ）第１図は、次のものである。　
キ　甲第２５号証の記載
　本件特許の出願前に頒布された刊行物である甲第２５号証（特開昭５７−１０２８０号公報）には、以下の記載がある。
（ア）「２は、前記基板１上に被着されて、発光素子の一方の電極となる透明導電膜であり」（２頁右上欄４〜５行）
（イ）第１図は、次のものである。　
ク　甲第２６号証の記載
　本件特許の出願前に頒布された刊行物である甲第２６号証（特開昭６３−３１１７７７号公報）には、以下の記載がある。
（ア）「本発明では、具備する受光素子の受光面側の電極を透明電極とすることにより、この受光素子に効率よく電流を流人させると同時に、発光も効率よく外部に放出される。」（２頁左上欄１１〜１４行）
（イ）「内部にＰＮ接合が形成されているＬＥＤ素子１の発光面側には、SnO2の透明電極膜２がほぼ全面に形成され」（２頁左上欄下２行〜右上１行）
（ウ）第１図は、次のものである。　
ケ　甲第２７号証の記載
　本件特許の出願前に頒布された刊行物である甲第２７号証（実開昭６１−１４４６５９号公報）には、以下の記載がある。
（ア）「ｐｎ接合面を有する光半導体装置において、発光面の金属電極をワイヤボンデイングに必要な最少限度の大きさの単純形状とすると共に、該金属電極及び上記発光面の他の部分に透明導電材をオーミツク接合状態で被着させて成ることを特徴とする光半導体装置。」（実用新案登録請求の範囲）
（イ）第１図は、次のものである。　
コ　甲第２８号証の記載
　本件特許の出願前に頒布された刊行物である甲第２８号証（特開昭５９−２８３８４号公報）には、以下の記載がある。
「金属薄膜より成る透明導電膜２を形成し、その上にｐ−ｉ−ｎ、ｎ−ｉ−ｐ、ショットキバリアなどの半導体接合を持つ非晶質シリコン層３を１μｍ程度の厚さで、・・・形成する。」（１頁右欄８〜１２行）
（２）甲第４号証に記載された発明
　前記（１）アによれば、甲第４号証には以下の発明が記載されているものと認められる。
「まず、Ｓｉがドープされたｎ型ＧａＮを、ＡｌＮ緩衝層上に約３μｍの厚さで成長させ、次に、ｎ型ＧａＮの表面のある部分を、ＳｉＯ2で被覆し、Ｍｇがドープされた厚さ約０．５μｍのＧａＮを、マスクされていない領域に成長させ、ＬＥＥＢＩ（低速電子線照射）により処理し、ｎ層へのオーミック接触にはＡｌを使用し、ｐ層へのオーミック接触にはＡｕを使用した、ＧａＮｐｎ接合ＬＥＤ。」（以下「甲４発明」という。）
（３）本件訂正発明と甲４発明との対比、判断
ア　甲４発明は、「Ｓｉがドープされたｎ型ＧａＮ」と「Ｍｇがドープされた厚さ約０．５μｍのＧａＮ」からなる「ＧａＮｐｎ接合ＬＥＤ」であって、「ｎ層へのオーミック接触にはＡｌを使用し、ｐ層へのオーミック接触にはＡｕを使用した」ものであるから、「Ｍｇがドープされた厚さ約０．５μｍのＧａＮ」は「ｐ層」であるといえる。したがって、甲４発明は、本件訂正発明の「ｐｎ接合型窒化ガリウム系化合物半導体発光素子」との構成を備える。 
　また、甲４発明は「Ｍｇがドープされた厚さ約０．５μｍのＧａＮを、マスクされていない領域に成長させ、・・・ｐ層へのオーミック接触にはＡｕを使用した」ものであるから、甲４発明は、本件訂正発明の「Ｍｇがドープされたｐ型ＧａＮ層にオーミック接触が得られる電極が形成されている」構成を備える。
　そうすると、本件訂正発明と甲４発明は、
「ｐｎ接合型窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、Ｍｇがドープされたｐ型ＧａＮ層にオーミック接触が得られる電極が形成されている窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。」
である点で一致し、
（ア）本件訂正発明の「ｐｎ接合型窒化ガリウム系化合物半導体発光素子」は、「窒化ガリウム系化合物半導体層側を発光観測面とする」ものであって、「（Ｍｇがドープされたｐ型ＧａＮ層のオーミック接触が得られる）電極」は、「ほぼ全面に形成」され、「透光性」であるのに対して、甲４発明の「ＧａＮｐｎ接合ＬＥＤ」は、「窒化ガリウム系化合物半導体層側を発光観測面とする」か否か明らかではなく、甲４発明の「（Ｍｇがドープされた厚さ約０．５μｍのＧａＮを、マスクされていない領域に成長させ、ｐ層へのオーミック接触にはＡｕを使用した）Ａｕ」は、「ほぼ全面に」形成されているか否か、さらには、「透光性」であるか否か明らかではない点（以下「相違点３」という。）、及び、
（イ）本件訂正発明の「ｐｎ接合型窒化ガリウム系化合物半導体発光素子」の「（Ｍｇがドープされたｐ型ＧａＮ層のオーミック接触が得られる）電極」は、「アニーリング処理」され、「膜厚０．００１μｍ以上、０．２μｍ以下で、ＡｕとＮｉとからなる合金またはＰｔとＴｉとからなる合金」であるのに対して、甲４発明の「ＧａＮｐｎ接合ＬＥＤ」の「（Ｍｇがドープされた厚さ約０．５μｍのＧａＮを、マスクされていない領域に成長させ、ｐ層へのオーミック接触にはＡｕを使用した）Ａｕ」は、「アニーリング処理」するか否か、「膜厚０．００１μｍ以上、０．２μｍ以下で、ＡｕとＮｉとからなる合金またはＰｔとＴｉとからなる合金である」か否か明らかではない点（以下「相違点４」という。）で相違するものと認められる。
イ　上記相違点３について検討する。
　上記（１）ア（ウ）のＦｉｇ．２によれば、甲４発明の「（Ｍｇがドープされた厚さ約０．５μｍのＧａＮを、マスクされていない領域に成長させ、ｐ層へのオーミック接触にはＡｕを使用した）Ａｕ」は、電極として「（Ｍｇがドープされた厚さ約０．５μｍのＧａＮ）ｐ型ＧａＮ」層の相当程度の部分を覆っているものと推測される。
　しかして、金属である「Ａｕ」からなる電極層は通常は格別透光性を有するものではなく、Ｆｉｇ．２において一定程度の厚みを持つように描かれていることにも照らせば、上記「Ａｕ」電極で覆われている上記「ｐ型ＧａＮ」層側が発光面であるとは認め難い。
　そして、甲４発明において、発光面ではない上記「ｐ型ＧａＮ」層側の「Ａｕ」電極を、上記「ｐ型ＧａＮ」層の「ほぼ全面」に形成した上で、これを「透光性の電極」とする理由は想定し難く、かかる構成とすることが、当業者にとって容易に想到し得ると認めるに足る証拠は、本件各証拠を通じてみても見いだすことができないから、甲４発明の上記「ｐ型ＧａＮ」層側の電極を、上記「ｐ型ＧａＮ」層のほぼ全面に形成する透光性の電極とすることが容易に想到できたとすることはできない。
ウ　してみると、上記相違点４について検討するまでもなく、本件訂正発明が、甲４発明及び周知慣用技術に基づいて、当業者が容易に発明をすること
ができたものということはできない。
　
４　無効理由３について
（１）甲号証の記載
ア　甲第７号証の記載
　本件特許の出願前に頒布された刊行物である甲第７号証（特開平４−１９９７５２号公報）には、以下の記載がある。
（ア）「第５図はＡｌＩｎＮ／ＧａＮ超格子型接合層４２を介してＧａＮ発光層４１にＡｌＩｎＮ４０注入層を構成した例である。同図に於いて、基板３２、ならびに基板側の層２、３はＡｌＩｎＮ層４０およびＡｌＩｎＮ／ＧａＮ超格子型接合層４２の有するバンド端エネルギーに対して透明であり、ＡｌＩｎＮ／ＧａＮ／（ＡｌＩｎＮ／ＧａＮ　ＳＬＳ）型発光素子からの３７５〜４３５ｎｍにわたる発光は、素子構成全体としては、基板３２側を含めて全方向から取り出すことが可能である。」（８頁右下欄１３行〜９頁左上欄２行）
（イ）「第６図に本発明の第６の実施例を示す。第６図はＧａＮ／ＧａＮ接合型発光素子を構成した例であり、ＡｌＩｎＮ緩衝層５０を介して超高輝度ＧａＮ青色発光素子の構成が可能であることを示している。本実施例の素子は印加電圧４Ｖにて１００ｍＡ間での電流を安定に流すことができ、しかも従来例２に示した従来素子に比較して、発光層が微量Ｚｎの添加において制御性良く製作されるため発光ピーク波長４８０ｎｍとした場合でも発光輝度は５０ｍｃｄを超える。本実施例の素子構成は従来素子の特性と直接比較することができ、動作電圧の低電圧化、発光輝度の大幅な向上をはかることが可能となった。」（９頁左上欄８行〜末行）
（ウ）「また、ＧａＮ、ＩｎＧａＮについてはｎ型不純物元素としてＩＶ族元素のＣ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎ等、ＶＩ族元素のＯ，Ｓ，Ｓｅ，Ｔｅ等が適用可能であり、ｐ型不純物元素としてはＩＩａ族、ならびにＩＩｂ族元素のＢｅ，Ｚｎ，Ｃｄ，Ｈｇ，Ｍｇ等が適用され得ることは明らかである。」（１０頁左上欄１１行〜下５行）
（エ）「電極形成用の金属元素としてはＡｌに限って説明したがその他Ｉｎ，Ｇａ，Ｎｉ，Ｔｉ，Ｃｕ，Ａｕ，Ａｇ，Ｃｒ，Ｓｉ，Ｇｅ等の単体あるいは混合金属膜のいづれもがオーミック用電極として適用可能であることは明らかである。」（１０頁左上欄下５行〜右上欄１行）
（オ）第５図は、次のものである。
（カ）第６図は、上記２（１）キ（ウ）を参照。
（キ）上記（イ）ないし（エ）を踏まえて（カ）の第６図をみると、下記ａ及びｂの点がみてとれる。
ａ　ＧａＮ／ＧａＮ接合型発光素子は、下（基板側）から順に、ＺｎＳ（０００１）基板３２、ＺｎＳ／ＺｎＯ超格子層１０、ＺｎＯ３、ＡｌＩｎＮｎ型エピタキシャル層５０（ＡｌＩｎＮ緩衝層５０）、ＧａＮｎ型エピタキシャル層５１、ＧａＮｐ型エピタキシャル層５２及びＡｌ正電極６とからなる点、及び、ＺｎＯ３の上に形成されたＡｌ負電極７を備える点。
ｂ　ＧａＮｐ型エピタキシャル層５２上に形成されたＡｌ正電極６はＧａＮｐ型エピタキシャル層５２上面の一部のみを覆う点。
イ　甲第１、４、５、７〜１３、１５〜１７号証の記載については上記２（１）ア、エ、オ、キ〜ス、セ〜タのとおりである。また、甲第２１〜２８号証の記載については上記３（１）ウ〜コのとおりである。
（２）甲第７号証に記載された発明
　前記（１）アによれば、甲第７号証には以下の発明が記載されているものと認められる。
「基板側から順に、ＺｎＳ（０００１）基板３２、ＺｎＳ／ＺｎＯ超格子層１０、ＺｎＯ３、ＡｌＩｎＮｎ型エピタキシャル層５０（ＡｌＩｎＮ緩衝層５０）、ＧａＮｎ型エピタキシャル層５１、ＧａＮｐ型エピタキシャル層５２及びＡｌ正電極６と、ＺｎＯ３の上に形成されたＡｌ負電極７を備え、ＧａＮｐ型エピタキシャル層５２上に形成されたＡｌ正電極６はＧａＮｐ型エピタキシャル層５２上面の一部のみを覆うＧａＮ／ＧａＮ接合型発光素子であって、
　ＧａＮ、ＩｎＧａＮのｐ型不純物元素としてはＩＩａ族、ならびにＩＩｂ族元素のＢｅ，Ｚｎ，Ｃｄ，Ｈｇ，Ｍｇ等が適用され、
　電極形成用の金属元素としてＡｌ，Ｉｎ，Ｇａ，Ｎｉ，Ｔｉ，Ｃｕ，Ａｕ，Ａｇ，Ｃｒ，Ｓｉ，Ｇｅ等の単体あるいは混合金属膜のいづれもがオーミック用電極として適用可能であるＧａＮ／ＧａＮ接合型発光素子。」（以下「甲７発明」という。）
（３）本件訂正発明と甲７発明との対比、判断
ア　甲７発明は、「ＧａＮｎ型エピタキシャル層５１、ＧａＮｐ型エピタキシャル層５２」を備えた「ＧａＮ／ＧａＮ接合型発光素子」であるから、「ｐｎ接合型窒化ガリウム系化合物半導体発光素子」との構成を備える。
　また、甲７発明はどの側が発光観測面であるのか明らかではないが、甲７発明と別の実施例ではあるものの、甲７発明と同様の構成の発光素子の発光に関して、甲第７号証の上記（１）ア（ア）に「発光素子からの３７５〜４３５ｎｍにわたる発光は、素子構成全体としては、基板３２側を含めて全方向から取り出すことが可能である。」と記載されていることに照らして、甲７発明においても、窒化ガリウム系化合物半導体層側を発光観測面とすることを妨げるものではない。
　また、甲７発明は、「ｐ型不純物元素としてＩＩａ族、ならびにＩＩｂ族元素のＢｅ，Ｚｎ，Ｃｄ，Ｈｇ，Ｍｇ等が適用され」るから、本件訂正発明の「Ｍｇがドープされたｐ型ＧａＮ層」との構成を備える。
　さらに、甲７発明は、「電極形成用の金属元素としてＡｌ，Ｉｎ，Ｇａ，Ｎｉ，Ｔｉ，Ｃｕ，Ａｕ，Ａｇ，Ｃｒ，Ｓｉ，Ｇｅ等の単体あるいは混合金属膜のいづれもがオーミック用電極として適用可能であ」るところ、「オーミック用電極」として適用可能であるとされるから、本件訂正発明の「オーミック接触が得られる電極が形成されている」との構成を備える。
イ　そうすると、本件訂正発明と甲７発明とは
「窒化ガリウム系化合物半導体層側を発光観測面とするｐｎ接合型窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、Ｍｇがドープされたｐ型ＧａＮ層に、オーミック接触が得られる電極が形成されている窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。」
である点で一致し、
（ア）本件訂正発明の「（Ｍｇがドープされたｐ型ＧａＮ層に、オーミック接触が得られる）電極」は、「（Ｍｇがドープされたｐ型ＧａＮ層の）ほぼ全面」形成されている、「透光性の電極」であるのに対して、甲７発明の「（オーミック用電極として適用可能である）電極」は、「（ＧａＮｐ型エピタキシャル層５２上面の）一部のみを覆う」ものである点で相違し、また、「（ＧａＮｐ型エピタキシャル層５２上に形成された）Ａｌ正電極６」が「透光性」であるか明らかではない点（以下「相違点５」という。）、及び、
（イ）本件訂正発明の「（Ｍｇがドープされたｐ型ＧａＮ層に、オーミック接触が得られる）電極」は、オーミック接触を得るために「アニーリング処理」を行うものであって、「膜厚０．００１μｍ以上、０．２μｍ以下である、ＡｕとＮｉとからなる合金またはＰｔとＴｉからなる合金である」であるのに対して、甲７発明の「（Ｍｇがドープされたｐ型ＧａＮ層に、オーミック接触が得られる）電極」はこのようなものであるのか明らかではない点（以下「相違点６」という。）で相違するものと認められる。
ウ　上記相違点５について検討する。
　甲７発明の「ＧａＮｐ型エピタキシャル層５２上面の一部のみを覆う」電極は「Ａｌ正電極６」である。しかして、金属である「Ａｌ」からなる電極層は通常は透光性を有するものではなく、甲７発明において「Ａｌ正電極６」を「ＧａＮｐ型エピタキシャル層５２」のほぼ全面に形成することは、発光観測面からの発光を妨げることになるから、このようにすることについて、当業者が容易に想到し得たとはいえない。
　さらに、甲７発明において、上記「Ａｌ」電極に関して、上記「ＧａＮｐ型エピタキシャル層５２上面」層の「一部のみを覆う」構成にかえて、「ほぼ全面」に形成するとともに、「透光性の電極」とすることが、当業者にとって容易に想到し得ると認めるに足る証拠は、本件各証拠を通じてみても見いだすことができないから、甲７発明の上記「ＧａＮｐ型エピタキシャル層５２」側の電極を、上記「ＧａＮｐ型エピタキシャル層５２」のほぼ全面に形成する透光性の電極とすることが容易に想到できたとすることはできない。
エ　してみると、上記相違点６について検討するまでもなく、本件訂正発明が、甲７発明及び周知慣用技術に基づいて、当業者が容易に発明をすること
ができたものということはできない。
　
第９　むすび
　以上のとおり、本件訂正発明は、甲１発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものということはできず、また、甲４発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものということはできず、さらに、甲７発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものということはできないから、本件訂正発明についての特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものということはできず、同法第１２３条第１項第２号に該当しない。
　また、本件訂正明細書の記載が、旧特許法第３６条第５項第２号に規定する要件を満たしていないものということはできないから、本件訂正発明についての特許は、同法第１２３条第１項第４号に該当しない。
　したがって、請求人が主張する理由によって、本件訂正発明についての特許を無効とすることはできない。
　
　審判に関する費用については、特許法第１６９条第２項の規定で準用する民事訴訟法第６１条の規定により、請求人が負担すべきものとする。
　
　よって、結論のとおり審決する。