【事件の表示】
　平成１１年特許願第２０９９０１号「発光素子」拒絶査定不服審判事件〔平成１２年　２月２５日出願公開、特開２０００−　５８９０６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯・本願発明
　本願は、平成１１年７月２３日（パリ条約による優先権主張１９９８年７月２４日、アメリカ合衆国）の出願であって、平成１８年９月１９日付け及び平成２２年９月２１日付けで手続補正がなされたところ、平成２３年３月１日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年７月１１日に拒絶査定不服審判請求がなされるとともに、これと同時に手続補正がなされたものである。
　
　そして、本願の請求項に係る発明は、平成２３年７月１１日付け手続補正による補正後の明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜１６に記載された事項によって特定されるものと認められるところ、その請求項１に係る発明は次のものである。
　
「第１導電型を有する半導体基板と、
　前記半導体基板上に形成された素子層とを含んで成り、
　前記素子層は、
　第１導電型ＡｌＧａＩｎＰ合金下部閉じ込め層（１４Ａ）と、
　前記下部閉じ込め層上に形成されたＡｌＧａＩｎＰ活性領域（１２）と、
　前記活性領域上に形成された第２導電型ＡｌＧａＩｎＰ合金上部閉じ込め層（１４Ｂ）とを含み、
　前記活性領域の吸光度が少なくとも前記素子層の全吸光度の５分の１であり、
　前記活性領域は、２００ｎｍ未満の厚さを有し、
　吸光度は、下記の式（１）によって定義され、
（式１）：（吸光度）＝１−ｅｘｐ［−α（λｐｅａｋ）・Ｌ］
　ここで、α（λｐｅａｋ）はＬＥＤの発光スペクトルのピーク波長λｐｅａｋにおける層の吸収率であって、Ｌは同層の厚さである、発光素子。」（以下「本願発明」という。）
　
　
２　引用刊行物の記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開平４−２１２４７９号公報（以下「引用刊行物」という。）には、図とともに下記の事項が記載されている。
　
（１）「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、化合物半導体材料を用いた半導体発光装置に係わり、特に活性層にＩｎＧａＡｌＰ系材料を用いた半導体発光装置に関する。」
　
（２）「【００２１】図１は本発明の第１の実施例に係わる半導体発光装置の概略構造を示す断面図である。図中１１はｎ−ＧａＡｓ基板であり、この基板１１上にはｎ−ＩｎＧａＡｌＰクラッド層１２，ｐ−ＩｎＧａＡｌＰ活性層１３及びｐ−ＩｎＧａＡｌＰクラッド層１４からなるダブルヘテロ構造部が成長形成されている。ダブルヘテロ構造部上にはｐ−ＧａＡｌＡｓ電流拡散層１５が成長形成され、この電流拡散層１５上の一部にＧａＡｓコンタクト層１６が成長形成されている。そして、コンタクト層１６上にＡｕＺｎからなるｐ側電極１７が形成され、基板１１の下面にＡｕＧｅからなるｎ側電極１８が形成されている。
【００２２】ｐ−ＩｎＧａＡｌＰ活性層１３のエネルギーギャップは、クラッド層１２，１４のそれより小さくなるように混晶組成が設定されており、光及びキャリアを活性層１３に閉じ込めるダブルヘテロ構造をなしている。ｐ−ＧａＡｌＡｓ電流拡散層１５の組成は、活性層１３からの発光波長に対し略透明になるように設定されている。…
【００２３】図１に示した構造において、各層の厚さ，キャリア濃度は以下のように設定されている。即ち、ｎ−ＧａＡｓ基板１１（２５０μｍ，３×１０１８ｃｍ−３）、
ｎ−ＩｎＧａＡｌＰクラッド層１２（１μｍ，５×１０１７ｃｍ−３）、
ｐ−ＩｎＧａＡｌＰ活性層１３（０．５μｍ，５×１０１６ｃｍ−３）、
ｐ−ＩｎＧａＡｌＰクラッド層１４（１μｍ，７×１０１７ｃｍ−３）、
ｐ−ＧａＡｌＡｓ電流拡散層１５（７μｍ，３×１０１８ｃｍ−３）、
ｐ−ＧａＡｓコンタクト層１６（０．１μｍ，３×１０１８ｃｍ−３）、
である。
【００２４】また、ｐ側電極１７は直径２００μｍの円形とした。活性層１３及びクラッド層１２，１４の組成を、Ｉｎ０．５（Ｇａ１−ＸＡｌＸ）０．５Ｐの表記でそれぞれ０．４，０．７とした場合、発光波長は５６５ｎｍ（緑）、発光効率はＤＣ２０ｍＡで０．７％程度と従来の１０倍の効率が得られた。
…
【００２７】図３は活性層１３のキャリア濃度を５×１０１６ｃｍ−３（ｐ型）としたときの、発光効率の活性層厚さ依存性を示している。活性層１３の厚さは、ｐクラッド層１４のキャリア濃度にも依存するが、０．１５〜０．７５μｍの範囲で高い発光効率が得られた。」
　
（３）「【００２９】…図５は、本発明の第２の実施例に係わる半導体発光装置の概略構造を示す断面図である。
【００３０】図５に示した構造において、３１は第１導電型半導体基板であり、この基板３１上には第１導電型のバッファ層３２，反射層３３及び透明バッファ層３４が成長形成されている。透明バッファ層３４上には、下部クラッド層（第１導電型クラッド層）３５，活性層３６及び上部クラッド層（第２導電型クラッド層）３７からなるダブルヘテロ構造部が形成されている。
【００３１】ダブルヘテロ構造部上には、第２導電型の電流拡散層３８が成長形成され、電流拡散層３８上の一部には第２導電型のコンタクト層３９が形成されている。また、ダブルヘテロ構造部と電流拡散層３８との界面には、コンタクト層３９に対応する位置に第１導電型の電流阻止層４０が形成されている。そして、コンタクト層３９上に上部電極４１が形成され、基板３１の下面に下部電極４２が形成されている。
【００３２】次に、上記素子における基板，各層のキャリア濃度及び膜厚、その他の条件について説明する。なお、この条件は、先に説明した第１の実施例においても同様に適用できるものである。
…
【００４７】…下部クラッド層３５として、ｎ−Ｉｎ１−Ｙ（Ｇａ１−ＸＡｌＸ）ＹＰの組成表記（ｘ，ｙ）において、ｘ＝０．７，ｙ＝０．５とした。
…
【００５３】活性層３６はＩｎ１−Ｙ（Ｇａ１−ＸＡｌＸ）ＹＰからなり、その組成ｘ，ｙ及び上記秩序構造の状態によってエネルギーギャップが決まり、注入されたキャリアが発光再結合する時、エネルギーギャップに対応した波長で発光する。
…
【００５７】…活性層３６の厚さも先の実施例と同様に、ペレットサイズ３００μｍ角のもので、０．１５μｍから０．７５μｍ（図３を参照）で高い発光効率が得られた。
【００５８】上部クラッド層３７は、下部クラッド層３５と同様、活性層３６に注入されたキャリアを活性層３６内に閉じこめることにより高い発光効率を得るためのものである。…
【００５９】ここでは、ｐ−Ｉｎ１−Ｙ（Ｇａ１−ＸＡｌＸ）ＹＰの組成表記（ｘ，ｙ）において、ｘ＝０．７，ｙ＝０．５とした。
…
【００７９】上記した第２の実施例では、第１導電型半導体基板３１としてｎ−ＧａＡｓを用いた例を示した。しかしながら、導電型の異なる、ｐ−ＧａＡｓを用いてもかまわない。
…
【００８３】また、第１導電型半導体基板３１としてｎ−ＧａＡｓ又はｐ−ＧａＡｓを用いた場合、実施例にも詳述したように発光波長に対し基板は光吸収体として働く。基板３１に吸収された光は、外部に取り出すことができないため、活性層３６での発光の約１／２は発光効率に寄与しない。これを取り出す方法として、図２２に示すように、基板３１及び発光波長に対し吸収体となるバッファ層３２等を除去することが有効である。
…
【００８５】また、ここまでの説明では、第１導電型半導体基板３１としてｎ−ＧａＡｓ，ｐ−ＧａＡｓ及びこれを除去した例を示した。この他にも、ＧａＰ，ＺｎＳｅ，ＺｎＳ，Ｓｉ，Ｇｅ等の半導体、及びＧａＡｓを含めこれらからなる混晶等を基板として用いてもよい。この場合、上述の導電型に対する考え方がそのまま当てはまり、これらの導電型のｎ型でもｐ型でもよい。ＧａＰ，ＺｎＳｅ，ＺｎＳ，ＧａＡｓＰ，ＩｎＧａＰ等を基板とする場合は、発光波長に対し基板は透明にすることができ、上述のように基板を除去する必要がないという利点がある。」
　
　上記（１）及び（２）の記載を総合すると、引用刊行物には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　
「ｎ−ＧａＡｓ基板１１上にｎ−ＩｎＧａＡｌＰクラッド層１２，ｐ−ＩｎＧａＡｌＰ活性層１３及びｐ−ＩｎＧａＡｌＰクラッド層１４からなるダブルヘテロ構造部が成長形成され、ダブルヘテロ構造部上にはｐ−ＧａＡｌＡｓ電流拡散層１５が成長形成され、この電流拡散層１５上の一部にＧａＡｓコンタクト層１６が成長形成され、コンタクト層１６上にＡｕＺｎからなるｐ側電極１７が形成され、基板１１の下面にＡｕＧｅからなるｎ側電極１８が形成されている、半導体発光装置であって、
　ｐ−ＩｎＧａＡｌＰ活性層１３のエネルギーギャップは、クラッド層１２，１４のそれより小さくなるように混晶組成が設定されており、光及びキャリアを活性層１３に閉じ込めるダブルヘテロ構造をなしており、
　ｐ−ＧａＡｌＡｓ電流拡散層１５の組成は、活性層１３からの発光波長に対し略透明になるように設定されており、
　各層の厚さ，キャリア濃度は以下のように設定されている、半導体発光装置。
　即ち、ｎ−ＧａＡｓ基板１１（２５０μｍ，３×１０１８ｃｍ−３）、
　ｎ−ＩｎＧａＡｌＰクラッド層１２（１μｍ，５×１０１７ｃｍ−３）、
　ｐ−ＩｎＧａＡｌＰ活性層１３（０．５μｍ，５×１０１６ｃｍ−３）、
　ｐ−ＩｎＧａＡｌＰクラッド層１４（１μｍ，７×１０１７ｃｍ−３）、
　ｐ−ＧａＡｌＡｓ電流拡散層１５（７μｍ，３×１０１８ｃｍ−３）、
　ｐ−ＧａＡｓコンタクト層１６（０．１μｍ，３×１０１８ｃｍ−３）。」
　
　
３　対比
　本願発明と引用発明を対比する。
　引用発明の「半導体発光装置」は、「ｎ−ＧａＡｓ基板１１上にｎ−ＩｎＧａＡｌＰクラッド層１２，ｐ−ＩｎＧａＡｌＰ活性層１３及びｐ−ＩｎＧａＡｌＰクラッド層１４からなるダブルヘテロ構造部が成長形成され」てなるものであるから、
（１）引用発明の「ｎ−ＧａＡｓ基板１１」、「ｎ−ＩｎＧａＡｌＰクラッド層１２」、「ｐ−ＩｎＧａＡｌＰ活性層１３」、「ｐ−ＩｎＧａＡｌＰクラッド層１４」及び「半導体発光装置」は、それぞれ、本願発明の「（第１導電型を有する）半導体基板」、「第１導電型ＡｌＧａＩｎＰ合金下部閉じ込め層」、「（前記下部閉じ込め層上に形成された）ＡｌＧａＩｎＰ活性領域」、「（前記活性領域上に形成された）第２導電型ＡｌＧａＩｎＰ合金上部閉じ込め層」及び「発光素子」に相当し、
（２）引用発明は、本願発明の「第１導電型を有する半導体基板と、前記半導体基板上に形成された素子層とを含んで成り、前記素子層は、第１導電型ＡｌＧａＩｎＰ合金下部閉じ込め層と、前記下部閉じ込め層上に形成されたＡｌＧａＩｎＰ活性領域と、前記活性領域上に形成された第２導電型ＡｌＧａＩｎＰ合金上部閉じ込め層とを含み」との事項を備える。
　
　よって、本願発明と引用発明とは、
「第１導電型を有する半導体基板と、
　前記半導体基板上に形成された素子層とを含んで成り、
　前記素子層は、
　第１導電型ＡｌＧａＩｎＰ合金下部閉じ込め層と、
　前記下部閉じ込め層上に形成されたＡｌＧａＩｎＰ活性領域と、
　前記活性領域上に形成された第２導電型ＡｌＧａＩｎＰ合金上部閉じ込め層とを含む、発光素子。」
の点で一致し、以下の点で相違するものと認められる。  
　
　本願発明は、吸光度を、式（１）：（吸光度）＝１−ｅｘｐ［−α（λｐｅａｋ）・Ｌ］（ここで、α（λｐｅａｋ）はＬＥＤの発光スペクトルのピーク波長λｐｅａｋにおける層の吸収率であって、Ｌは同層の厚さである）によって定義し、活性領域の吸光度が少なくとも素子層の全吸光度の５分の１であり、前記活性領域が２００ｎｍ未満の厚さを有するのに対し、引用発明１は、活性領域の吸光度が少なくとも素子層の全吸光度の５分の１であるのか否か明らかではなく、また、活性領域が０．５μｍ（５００ｎｍ）の厚さを有するものである点（以下「相違点」という。）。
　
　
４　判断
　上記相違点につき検討する。
　引用刊行物には、「第１導電型半導体基板３１としてｎ−ＧａＡｓ又はｐ−ＧａＡｓを用いた場合、…発光波長に対し基板は光吸収体として働く。基板３１に吸収された光は、外部に取り出すことができないため、活性層３６での発光の約１／２は発光効率に寄与しない。これを取り出す方法として、…基板３１及び発光波長に対し吸収体となるバッファ層３２等を除去することが有効である。…また、…この他にも、ＧａＰ，ＺｎＳｅ，ＺｎＳ，Ｓｉ，Ｇｅ等の半導体、及びＧａＡｓを含めこれらからなる混晶等を基板として用いてもよい。この場合、上述の導電型に対する考え方がそのまま当てはまり、これらの導電型のｎ型でもｐ型でもよい。ＧａＰ，ＺｎＳｅ，ＺｎＳ，ＧａＡｓＰ，ＩｎＧａＰ等を基板とする場合は、発光波長に対し基板は透明にすることができ、上述のように基板を除去する必要がないという利点がある。」（上記２（３）（【００８３】及び【００８５】）との記載がされ、また、引用発明は、「ｐ−ＧａＡｌＡｓ電流拡散層１５の組成」が、「活性層１３からの発光波長に対し略透明になるように設定されて」いるものであるから、引用発明において、その発光効率を高め、「活性層１３」からの光が「ｎ−ＧａＡｓ基板１１」やその他の層に極力吸収されないようにするべく、該「ｎ−ＧａＡｓ基板１１」に代えてｎ−ＧａＰ等の発光波長に対し透明な基板を用い、また、「活性層１３」を除くその他の層が、当該「活性層１３」からの光をなるべく吸収しないものとなすことは、当業者が容易になし得ることである。
　そして、引用刊行物には、「活性層１３の厚さは、…０．１５〜０．７５μｍの範囲で高い発光効率が得られた。」（上記２（２）（【００２７】））、「…活性層３６の厚さも先の実施例と同様に、…０．１５μｍから０．７５μｍ…で高い発光効率が得られた。」（上記２（２）（【００５７】））との記載がされ、「活性層１３」の厚さが引用発明の「半導体発光装置」の発光効率に影響を与えることは明らかであるから、上述したような、「ｎ−ＧａＡｓ基板１１」に代えてｎ−ＧａＰ等の発光波長に対し透明な基板を用い、また、「活性層１３」を除くその他の層が、当該「活性層１３」からの光をなるべく吸収しないものとした「半導体発光装置」においても、その発光効率を高めるべく、「ｐ−ＩｎＧａＡｌＰ活性層１３」の厚さを設定して、その厚さを２００ｎｍ未満となし、その結果、「ｐ−ＩｎＧａＡｌＰ活性層１３」の吸光度を、少なくとも当該「半導体発光装置」に形成された層全体の全吸光度の５分の１であるものとなして、上記相違点に係る本願発明の構成となすことは当業者が適宜になし得ることである。
　
　また、本願発明の奏する効果が、引用発明及び引用刊行物の記載事項から当業者が予測困難な程の格別顕著なものということはできない。
　
　したがって、本願発明は、引用刊行物に記載された発明及び引用刊行物の記載事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　
５　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用刊行物に記載された発明及び引用刊行物の記載事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。