【事件の表示】
　特願２００８−　　６７７２「光学式検査方法、および光学式検査装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２１年　２月１２日出願公開、特開２００９−　３１２５１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯　
　本願は，平成２０年１月１６日（優先権主張　平成１９年６月２８日）を出願日とする特願２００８−６７７２号であって，平成２４年２月２３日付けで拒絶理由が通知され，平成２４年４月２日付けで意見書が提出されるとともに同日付で手続補正がなされ，同年７月６日付けで拒絶査定がなされ，これに対して，同年１０月１日に拒絶査定不服審判の請求がなされ，同時に手続補正がなされたものである。
　その後，当審において平成２５年４月１７日付けで前置報告書の内容について請求人に事前に意見を求める審尋をなし，同年６月１０日付けで回答書が提出された。
　
第２　本願発明　
　本件補正は，補正前の請求項１および３において，「下記弁別する」を「下記の三つの式を用いて弁別する」に補正することで，補正前の記載が，「式（１）〜（３）のいずれか一つを使用して」とも解される可能性がある点を解消するためになされたものであり，明りょうでない記載の釈明に該当するから，本件訂正を認める。
　そうすると，本願の請求項１−７に係る発明は，本件補正により補正された特許請求の範囲の請求項１−７に記載された事項により特定されたとおりのものと認められ，その請求項３に係る発明は次のとおりのものである。　
　
「被検査物を載せるステージと，
　前記被検査物の表面上に斜方照明する斜方照明系と，
　前記斜方照明系の照明により前記被検査物から発生する散乱光を検出する検出光学系を備える光学式検査装置において，
　前記検出光学系は，前記表面上に対し高角度に向けた高角検出光学系と，前記表面上に対して低角度に向けた低角検出光学系を有し，
　前記高角検出光学系が検出する輝度と，前記低角検出光学系が検出する輝度を比べて前記被検査物上の欠陥を下記の三つの式を用いて弁別する判定部を有することを特徴とする光学式検査装置。
（１）．高角検出光学系の輝度　＜　低角検出光学系の輝度であるときは
　　　　スクラッチである。
（２）．高角検出光学系の輝度　＞　低角検出光学系の輝度であるときは
　　　　ボイドである。
（３）．高角検出光学系の輝度　≒　低角検出光学系の輝度であるときは
　　　　異物である。」（以下「本願発明」という）　
　
第３　引用刊行物およびその記載事項　
１　原査定の理由に引用され，本願優先日前に頒布された特開平１１−６４２３４号公報（以下「引用例１」という）には，「異物検出方法，および異物検出装置」に関して，以下の事項が記載されている。（下線は当審にて付与する）　
　
（１−ア）　
「【特許請求の範囲】　
【請求項４】  半導体ウェーハが載置されるステージと，前記半導体ウェーハの表面にレーザビームを照射するレーザ光源と，前記レーザビームが照射された前記半導体ウェーハからの散乱光を検出するための光検出器とを有する異物検出装置において，
前記光検出器は複数設置され，各前記光検出器は前記半導体ウェーハの表面における前記レーザビームの照射点からの仰角が互いに異なるように配置されていることを特徴とする異物検出装置。
【請求項９】  前記レーザビームは前記半導体ウェーハの表面に対して斜め方向から前記半導体ウェーハに照射される請求項４から７のいずれか１項に記載の異物検出装置。」
　
（１−イ）　
「【００２６】
【発明の実施の形態】
（第１の実施形態）図１は，本発明の異物検出装置の第１の実施形態を示す斜視図である。
【００２７】図１に示すように，本実施形態の異物検出装置１は，半導体ウェーハ２を載置するステージ３と，半導体ウェーハ２の表面に鉛直上方からレーザビーム４を照射するレーザ光源５と，半導体ウェーハ２の表面に付着した異物等にレーザビーム４が照射されて生じる散乱光を検出するための光検出器６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄ，６ｅ，６ｆとを有する。各光検出器６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄ，６ｅ，６ｆは，レーザビーム４の照射点４ａを中心とする円弧上に等角度の間隔をおいて異物検出装置１に設置されている。すなわち，各光検出器６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄ，６ｅ，６ｆは，レーザビーム４の照射点４ａからの仰角が互いに異なるように，異物検出装置１に設置されている。」
　
（１−ウ）　
「【００２９】このとき，半導体ウェーハ２上の異物等にレーザビーム４が照射されると，異物等でレーザビーム４が反射され，散乱光が生じる。そこで，光検出器６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄ，６ｅ，６ｆによって様々な仰角方向から散乱光を検出し，各光検出器での検出強度を比較して散乱光の強度分布を知得することにより，半導体ウェーハ２の表面における異物等の存在を確認することができる。
【００３０】図２は，図１に示した異物検出装置を，レーザビームの照射点に異物が存在する状態で示す斜視図である。
【００３１】図２に示すように，異物７にレーザビーム４が照射されると，異物７でレーザビーム４が反射され，散乱光８ａ，８ｂ，８ｃ，８ｄ，８ｅ，８ｆが生じる。図８を用いて説明したように，異物７にレーザビーム４が照射されて生じた散乱光８ａ，８ｂ，８ｃ，８ｄ，８ｅ，８ｆは，異物７からの全仰角方向に対してほぼ等しい強度を有するので，全ての光検出器６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄ，６ｅ，６ｆによって検出され，その検出強度はほぼ一様となる。
【００３２】図３は，図１に示した異物検出装置を，レーザビームの照射点に結晶欠陥が存在する状態で示す斜視図である。
【００３３】図３に示すように，結晶欠陥であるＣＯＰ９にレーザビーム４が照射されると，ＣＯＰ９から散乱光１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０ｄ，１０ｅ，１０ｆが生じる。図８を用いて説明したように，ＣＯＰ９にレーザビーム４が照射されて生じた散乱光１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０ｄ，１０ｅ，１０ｆは，鉛直な仰角方向に強く偏った強度を有するので，高角度に発生する散乱光１０ｃ，１０ｄの強度が最も強く，低角度に発生する散乱光１０ａ，１０ｆの強度が最も弱い。これに対応して，各光検出器で検出される散乱光の受光強度は，光検出器６ｃ，６ｄが最も強く，光検出器６ａ，６ｆが最も弱い。
【００３４】以上説明したように，半導体ウェーハ２に付着した異物７からの散乱光は各光検出器での検出強度が一様であるのに対し，ＣＯＰ９からの散乱光は各光検出器で検出強度が異なる。従って，半導体ウェーハ２上の検出物からの散乱光を光検出器で検出し，各光検出器での散乱光の検出強度を互いに比較して検出物からの散乱光の強度分布を知得した後に，その知得した検出物による強度分布を，半導体ウェーハ２の表面に付着した異物７による散乱光の一般的な強度分布，および半導体ウェーハ２の表面に存在するＣＯＰ９による散乱光の一般的な強度分布と対比させて評価することにより，半導体ウェーハ２の表面に付着した異物７と半導体ウェーハ２の表面に存在する結晶欠陥とを区別して検出することができる。」
　
（１−エ）　
「【００４１】（第２の実施形態）図６は，本発明の異物検出装置の第２の実施形態を示す斜視図である。
【００４２】図１に示すように，本実施形態の
異物検出装置２１は，半導体ウェーハ２２を載置するステージ２３と，半導体ウェーハ２２の表面に斜め方向からレーザビーム２４を照射するレーザ光源２５と，
レーザビーム２４が照射されて生じる散乱光等を検出するための光検出器２６ａ，２６ｂ，２６ｃ，２６ｄ，２６ｅ，２６ｆ，２６ｇとを有する。各光検出器は，レーザビーム２４の照射点２４ａを中心とする円弧上に等角度の間隔をおいて異物検出装置２１に設置されている。
【００４３】上記のように構成された異物検出装置２１では，まず，レーザ光源２５から出射されたレーザビーム２４で半導体ウェーハ２２の表面を照射しつつ，ステージ駆動手段（不図示）によってステージ２３を図示のＸ方向もしくはＹ方向に駆動させる。これにより，レーザビーム２４が半導体ウェーハ２２上を走査する。
【００４４】レーザビーム２４の照射点２４ａに異物等が存在しない場合には，半導体ウェーハ２２の表面でレーザビーム２４の正反射光２４ｂが生じるだけであり，何れの光検出器でも反射光や散乱光等は検出されない。しかし，レーザビーム２４の照射点２４ａに異物，結晶欠陥，もしくはパターン構造（いずれも不図示）が存在する場合には，第１の実施形態での説明と同様に散乱光や回折光が発生する。従って，
半導体ウェーハ２２上の検出物からの散乱光を光検出器で検出した後に，各光検出器の検出強度を互いに比較して検出物からの強度分布を知得することにより，
検出物を異物と結晶欠陥とに区別して検出
することができる。
【００４５】また，本実施形態の異物分析装置２１では，レーザ光源２５が半導体ウェーハ２２の鉛直上方ではなく斜め方向に設置されているため，半導体ウェーハ２２の鉛直上方にも光検出器が設置されている。そのため，半導体ウェーハ２２からの散乱光をより多くの角度から検出することができるので，散乱光の強度分布を一層正確に知得することができる。
【００４６】なお，本実施形態の異物検出装置２１では七つの光検出器２６ａ，２６ｂ，２６ｃ，２６ｄ，２６ｅ，２６ｆ，２６ｇを用いた例を示したが，設置される光検出器の個数は七つに限られない。また，各光検出器の配置は，図６に示した配置に限られるものではない。」
　
（１−オ）
「【図２】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
　図２より半導体ウェーハに対して垂直に照明し，異物により散乱された散乱光が，全ての光検出器６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄ，６ｅ，６ｆに一様な検出強度で受光される点が見て取れる。
「【図３】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
　図３より半導体ウェーハに対して垂直に照明し，結晶欠陥により散乱された散乱光が，光検出器６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄ，６ｅ，６ｆのうち，垂直に近い角度に設置されている光検出器６ｃ，６ｄで強く受光される点が見て取れる。
「【図６】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
　図６より半導体ウェーハに対して斜めにレーザビームを照明する例として，図１，３における光検出器６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄ，６ｅ，６ｆに相当する位置に、光検出器２６ａ，２６ｂ，２６ｃ，２６ｅ，２６ｆ，２６ｇが設置され、さらに，２６ｃ，２６ｅよりさらに垂直に近い角度に光検出器２６ｄが設置されている点が見て取れる。
「【図８】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
　図８より半導体ウェーハに対して垂直に照明し，結晶欠陥および異物により散乱された散乱光が，結晶欠陥からは垂直方向へ最も強い散乱光を発生させる一方，異物からは全方向に対して一様な強度で散乱光を発生させる点が見て取れる。
　
２　引用例１に記載された発明の認定
　ここで，上記記載を検討する。
　記載事項（１−イ）および（１−ウ）および図２，３，６，８を総合すると下記のとおりである。
　鉛直上方からレーザビームを照射した場合，異物７で反射された散乱光は，異物７からの全仰角方向に対してほぼ等しい強度を有し，全ての光検出器６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄ，６ｅ，６ｆによって検出され，その検出強度はほぼ一様となる。
　鉛直上方からレーザビームを照射した場合，結晶欠陥で生じた散乱光は，鉛直な仰角方向に強く偏った強度を有するので，高角度に発生する散乱光１０ｃ，１０ｄの強度が最も強く，低角度に発生する散乱光１０ａ，１０ｆの強度が最も弱いので，各光検出器で検出される散乱光の受光強度は，光検出器６ｃ，６ｄが最も強く，光検出器６ａ，６ｆが最も弱い。
　そして，記載事項（１−エ）には，「レーザビーム２４の照射点２４ａに異物，結晶欠陥，もしくはパターン構造（いずれも不図示）が存在する場合には，第１の実施形態での説明と同様に散乱光や回折光が発生する。」と記載されており，この「第１の実施形態での説明」を記載事項（１−イ）および（１ーウ）から記載事項（１−エ）および図６にあてはめると，下記のとおりである。
　斜め方向からレーザビームを照射した場合，異物で反射された散乱光は，異物からの全仰角方向に対してほぼ等しい強度を有し，全ての光検出器２６ａ，２６ｂ，２６ｃ，２６ｄ，２６ｅ，２６ｆ，２６ｇによって検出され，その検出強度はほぼ一様となる。
　斜め方向からレーザビームを照射した場合，結晶欠陥で生じた散乱光は，鉛直な仰角方向に強く偏った強度を有するので，高角度に発生する散乱光の強度が最も強く，低角度に発生する散乱光の強度が最も弱いので，各光検出器で検出される散乱光の受光強度は，光検出器２６ｃ，２６ｄ，２６ｅが最も強く，光検出器２６ａ，２６ｇが最も弱い。
　ここで、「散乱光の受光強度は，光検出器２６ｃ，２６ｄ，２６ｅが最も強く」は、「第１の実施形態」の光検出器６ｃ，６ｄが、光検出器２６ｃ，２６ｅに相当するので、散乱光の受光強度は最も強くなり、さらに、光検出器２６ｄは、２６ｃ，２６ｅよりさらに垂直に近い角度に設置されているのだから、散乱光の受光強度は少なくとも２６ｃ，２６ｅと同等以上である。
　したがって，上記記載事項（１−ア）〜（１−オ）および図１−８を総合すると，引用例１には以下の発明が記載されていると認められる。
　
「半導体ウェーハ２２が載置されるステージ２３と，
　前記半導体ウェーハ２２の表面に斜め方向からレーザビーム２４を照射するレーザ光源２５と，
　レーザビーム２４が照射されて生じる散乱光等を検出するための光検出器２６ａ−２６ｇを備える異物検出装置２１において，
　各光検出器は，レーザビーム２４の照射点２４ａを中心とする円弧上に等角度の間隔をおいて異物検出装置２１に設置されており，
　半導体ウェーハ２２上の検出物からの散乱光を光検出器で検出した後に，各光検出器の検出強度を互いに比較して検出物からの強度分布を知得することにより，検出物を異物と結晶欠陥とに区別して検出することができ，
　検出物からの強度分布は，異物で反射された散乱光は，異物からの全仰角方向に対してほぼ等しい強度を有し，全ての光検出器２６ａ，２６ｂ，２６ｃ，２６ｄ，２６ｅ，２６ｆ，２６ｇによって検出され，その検出強度はほぼ一様であり，結晶欠陥で生じた散乱光は，鉛直な仰角方向に強く偏った強度を有するので，高角度に発生する散乱光の強度が最も強く，低角度に発生する散乱光の強度が最も弱いので，各光検出器で検出される散乱光の受光強度は，光検出器２６ｃ，２６ｄ，２６ｅが最も強く，光検出器２６ａ，２６ｇが最も弱い
　異物検出装置。」（以下「引用発明」という）
　
３　同様に，原査定の理由に引用され，本願優先日前に頒布された特開２００２−９８６４５号公報（以下「引用例２」という）には，「基板の表面検査装置及び表面検査方法」に関して，以下の事項が記載されている。　
　
（２−ア）　
「【００１４】次に，図６を参照して他の実施例の表面検査装置を説明する。この実施例では，異物とスクラッチを検出する表面検査装置を説明する。なお，前述した表面検査装置と共通する構成部材には同じ符号を付す。図６において，表面検査装置Ｂは，検査光学系１として，投光系と受光系とをそれぞれ備える斜方照射／低角度光学系５と，垂直照射／中・高角度光学系１１とを有する。斜方照射／低角度光学系５は，斜方照射光源５ａと，低角度受光器５ｂとを備えており，これらがウェハＷ表面上に発生した欠陥すなわちスクラッチを検出するように，ウェハＷ表面に対して所定の仰角をもって所定位置に各々配置される。垂直照射／中・高角度光学系１１は，垂直照射光源１１ａと，中角度受光器１１ｂと，高角度受光器１１ｃとを備えており，これらがウェハＷ表面上に発生した欠陥すなわち異物を検出するように，ウェハＷ表面に対して上記の斜方照射／低角度光学系５よりも高角度な仰角をもって所定位置に各々配置される。上述の実施例と同じように，斜方照射／低角度光学系５は，斜方照射光源５ａによりウェハＷ表面上にレーザースポットを形成するようにレーザー光Ｌ１を斜方照射し，該ウェハＷ表面上を螺旋状に走査するスパイラル走査を行う。垂直照射／中・高角度光学系１１は，垂直照射光源６ａによりウェハＷ表面上にレーザースポットを形成するようにレーザー光Ｌ２を垂直照射し，該ウェハＷ表面上を螺旋上に走査するスパイラル走査を行う。この実施例においても，回転テーブル２ａによりウェハＷ自体を回転させると同時に直線移動機構２ｂにより該ウェハＷを半径方向に移動することで，スパイラル走査を行っている。勿論，ウェハＷ自体を回転テーブル２ａにより回転させると同時に光学系５，１１全体を該ウェハＷの半径方向に移動することで，スパイラル走査を行うようにしてもよい。
【００１５】スパイラル走査を行っている際に，ウェハＷ表面の平滑面に欠陥（異物やスクラッチ）があると，その欠陥の凹凸によってレーザスポットが乱反射して散乱する。上述したように，異物はウェハＷ表面上に塵埃や研磨剤が付着してできる凸状の欠陥であることから，ウェハＷ表面に異物が存在する場合，レーザースポットはランダムな方向に散乱する。一方，スクラッチはウェハＷ表面を研磨してできる線状の凹み欠陥であることから，ウェハＷ表面にスクラッチが存在する場合，レーザースポットは特定の方向に強調されて散乱する。すなわち，異物はランダムな方向に散乱光（つまり，特定の方向に強調されることがない無指向性の散乱光）を発生させるが，スクラッチでは深さや幅に応じた指向性の鋭い散乱光を発生させる。従って，レーザースポットの同一の走査位置において，ウェハＷ表面上に異物があるときは，中角度受光器１１ｂと，高角度受光器１１ｃとで異物による散乱光を受光するが，ウェハＷ表面上にスクラッチがあるときには，低角度受光器５ｂでのみスクラッチによる散乱光を受光する。散乱光を受光した低角度受光器５ｂ，中角度受光器１１ｂおよび高角度受光器１１ｃは，それぞれ，図７に示すように，Ａ／Ｄ変換器１２，１３，１４を介して受光信号Ｄ３，Ｄ４，Ｄ５をデータ処理部４に出力する。」
　
第４　対比・判断　
１　対比　
本願発明と引用発明を対比すると，
（１）引用発明の「半導体ウェーハ２２が載置されるステージ２３」は，半導体ウェーハ２２が被検査物であることから，本願発明の「被検査物を載せるステージ」に相当する。
（２）引用発明の「前記半導体ウェーハ２２の表面に斜め方向からレーザビーム２４を照射するレーザ光源２５」は，本願発明の「前記被検査物の表面上に斜方照明する斜方照明系」に相当する。
（３）引用発明の「レーザビーム２４が照射されて生じる散乱光等を検出するための光検出器２６ａ−２６ｇを備える」は，本願発明の「前記斜方照明系の照明により記被検査物から発生する散乱光を検出する検出光学系」に相当する。
（４）引用発明の「異物検出装置において」は，引用発明がレーザ光源２５を用いた半導体ウェーハ２２の表面検査装置であることから本願発明の「光学式検査装置において」に相当する。
（５）引用発明の「各光検出器は，レーザビーム２４の照射点２４ａを中心とする円弧上に等角度の間隔をおいて異物検出装置２１に設置されており」について，上記「第３　２引用例１に記載された発明の認定」で検討したとおり，半導体ウェーハの表面に対し高角度に備えられた光検出器２６ｃ，２６ｄ，２６ｅと，半導体ウェーハの表面に対し低角度に備えられた光検出器２６ａ，２６ｇとを備えていることから，光検出器２６ａ−２６ｇは，本願発明の「前記検出光学系は，前記表面上に対し高角度に向けた高角検出光学系と，前記表面上に対して低角度に向けた低角検出光学系」に相当する。
（６）引用発明の「半導体ウェーハ２２上の検出物からの散乱光を光検出器で検出した後に，各光検出器の検出強度を互いに比較して検出物からの強度分布を知得することにより，検出物を異物と結晶欠陥とに区別して検出することができ，
　検出物からの強度分布は，異物で反射された散乱光は，異物からの全仰角方向に対してほぼ等しい強度を有し，全ての光検出器２６ａ，２６ｂ，２６ｃ，２６ｄ，２６ｅ，２６ｆ，２６ｇによって検出され，その検出強度はほぼ一様であり，結晶欠陥で生じた散乱光は，鉛直な仰角方向に強く偏った強度を有するので，高角度に発生する散乱光の強度が最も強く，低角度に発生する散乱光の強度が最も弱いので，各光検出器で検出される散乱光の受光強度は，光検出器２６ｃ，２６ｄ，２６ｅが最も強く，光検出器２６ａ，２６ｇが最も弱い」について，まず，検出物が異物である場合を検討すると，引用発明では，「半導体ウェーハ２２上の検出物からの散乱光を光検出器で検出した後に，各光検出器の検出強度を互いに比較して検出物からの強度分布を知得」したときの強度分布が「全ての光検出器２６ａ，２６ｂ，２６ｃ，２６ｄ，２６ｅ，２６ｆ，２６ｇによって検出され，その検出強度はほぼ一様」である場合に異物であると判断しており，これが，本願発明の「前記高角検出光学系が検出する輝度と，前記低角検出光学系が検出する輝度を比べて前記被検査物上の欠陥を」「（３）．高角検出光学系の輝度　≒　低角検出光学系の輝度であるときは異物である」と「弁別する」に相当する。
　次に，結晶欠陥の場合について検討する。ここで，結晶欠陥は，「温度が低下する課程で結晶欠陥となる球形のボイド（Ｖｏｉｄ：空隙）」（特開２００７−２５８５５５号公報の【０００２】）や「半導体基板内部の結晶欠陥（主にボイド欠陥）」（特開２００７−３６０５５号公報の【０００７】）などの記載から明らかなように，引用発明の「結晶欠陥」と本願発明の「ボイド」とは，同一のものを示している。
　そして，引用発明では「半導体ウェーハ２２上の検出物からの散乱光を光検出器で検出した後に，各光検出器の検出強度を互いに比較して検出物からの強度分布を知得」したときの強度分布が「鉛直な仰角方向に強く偏った強度を有するので，高角度に発生する散乱光の強度が最も強く，低角度に発生する散乱光の強度が最も弱いので，各光検出器で検出される散乱光の受光強度は，光検出器２６ｃ，２６ｄ，２６ｅが最も強く，光検出器２６ａ，２６ｇが最も弱い」ときに結晶欠陥と判断しており，これが，本願発明の「前記高角検出光学系が検出する輝度と，前記低角検出光学系が検出する輝度を比べて前記被検査物上の欠陥を」「（２）．高角検出光学系の輝度　＞　低角検出光学系の輝度であるときはボイドである」と「弁別する」に相当する。
　したがって，異物の場合と結晶欠陥の場合とを合わせると，引用発明の「半導体ウェーハ２２上の検出物からの散乱光を光検出器で検出した後に，各光検出器の検出強度を互いに比較して検出物からの強度分布を知得することにより，検出物を異物と結晶欠陥とに区別して検出することができ，
　検出物からの強度分布は，異物で反射された散乱光は，異物からの全仰角方向に対してほぼ等しい強度を有し，全ての光検出器２６ａ，２６ｂ，２６ｃ，２６ｄ，２６ｅ，２６ｆ，２６ｇによって検出され，その検出強度はほぼ一様であり，結晶欠陥で生じた散乱光は，鉛直な仰角方向に強く偏った強度を有するので，高角度に発生する散乱光の強度が最も強く，低角度に発生する散乱光の強度が最も弱いので，各光検出器で検出される散乱光の受光強度は，光検出器２６ｃ，２６ｄ，２６ｅが最も強く，光検出器２６ａ，２６ｇが最も弱い」と，本願発明の「前記高角検出光学系が検出する輝度と，前記低角検出光学系が検出する輝度を比べて前記被検査物上の欠陥を下記の三つの式を用いて弁別する判定部を有することを特徴とする光学式検査装置。
（１）．高角検出光学系の輝度　＜　低角検出光学系の輝度であるときは
　　　　スクラッチである。
（２）．高角検出光学系の輝度　＞　低角検出光学系の輝度であるときは
　　　　ボイドである。
（３）．高角検出光学系の輝度　≒　低角検出光学系の輝度であるときは
　　　　異物である。」とは，「前記高角検出光学系が検出する輝度と，前記低角検出光学系が検出する輝度を比べて前記被検査物上の欠陥を少なくとも下記の二つの式を用いて弁別する判定部を有することを特徴とする光学式検査装置。
（１）．高角検出光学系の輝度　＞　低角検出光学系の輝度であるときは
　　　　ボイドである。
（２）．高角検出光学系の輝度　≒　低角検出光学系の輝度であるときは
　　　　異物である。」点で一致する。
　
　そうすると，両者は
（一致点）　
「被検査物を載せるステージと，
　前記被検査物の表面上に斜方照明する斜方照明系と，
　前記斜方照明系の照明により前記被検査物から発生する散乱光を検出する検出光学系を備える光学式検査装置において，
　前記検出光学系は，前記表面上に対し高角度に向けた高角検出光学系と，前記表面上に対して低角度に向けた低角検出光学系を有し，
　前記高角検出光学系が検出する輝度と，前記低角検出光学系が検出する輝度を比べて前記被検査物上の欠陥を少なくとも下記の二つの式を用いて弁別する判定部を有する光学式検査装置。
（１）．高角検出光学系の輝度　＞　低角検出光学系の輝度であるときは
　　　　ボイドである。
（２）．高角検出光学系の輝度　≒　低角検出光学系の輝度であるときは
　　　　異物である。」　
点で一致し，以下の点にて相違するといえる。　
（相違点）　
　「判別部」が，本願発明は「三つの式」を備え「高角検出光学系の輝度　＜　低角検出光学系の輝度であるときはスクラッチである。」という条件を備えているのに対し，引用発明は「二つの式」にとどまり，スクラッチに関する判定式を備えていない点。
　　
２　判断　
（１）相違点について
　引用例２には「スクラッチはウェハＷ表面を研磨してできる線状の凹み欠陥であることから，ウェハＷ表面にスクラッチが存在する場合，レーザースポットは特定の方向に強調されて散乱する。……スクラッチでは深さや幅に応じた指向性の鋭い散乱光を発生させる。……ウェハＷ表面上にスクラッチがあるときには，低角度受光器５ｂでのみスクラッチによる散乱光を受光する。」と記載されている。ここで，引用例２に記載の発明では，斜方照射光源５ａと垂直照射光源１１ａとを備えており，引用例２の記載において，低角度受光器５ｂ，中角度受光器１１ｂおよび高角度受光器１１ｃが受光する散乱光は，斜方照射光源５ａと垂直照射光源１１ａのいずれから照射されたものであるか明確な記載とはなっていないが，引用例２に記載の発明が「斜方照射／低角度光学系５は，斜方照射光源５ａと，低角度受光器５ｂとを備えており，これらがウェハＷ表面上に発生した欠陥すなわちスクラッチを検出する」ものであることを考慮すると，上記の低角度受光器５ｂが受光する散乱光は，斜方照射光源５ａから照射されたレーザーによる散乱光であると理解される。
　すなわち，引用例２には，「スクラッチでは深さや幅に応じた指向性の鋭い散乱光を発生させる」という性質により「低角度受光器５ｂでのみスクラッチによる散乱光を受光する」のであるから，スクラッチによる散乱光は，低角度受光器５ｂの方向へ鋭い指向性をもって散乱し，高角度へは散乱しないことを示している。
　そうすると，引用例２には，「斜方照射光源，高角検出光学系，低角検出光学系を用いた表面検査装置において，高角検出光学系の輝度　＜　低角検出光学系の輝度であるときはスクラッチである。」点が開示されている。
　そして，本願発明や引用発明が属する技術分野である，ウェハの表面検査において，欠陥の種類を判別することは，一般的に認識されている技術的課題であり，欠陥の種類を判別する表面検査装置が本願優先日前周知であるといえる。例えば，引用例２には，異物と結晶欠陥とを判別する表面検査装置が開示されていると共に，異物とスクラッチとを判別する表面検査装置も開示されている。また，特開昭５７−１３２０４４号公報には，ウエハの表面欠陥判別として，「異物は欠陥ではない。また加工欠陥は極めて深さが浅く，表面を削れば良品に再生できるため，ウエハ表裏または内部に発生する結晶欠陥とは本質的に異なり，これらを区別する必要がある」点が第２ページ右上欄第１〜５行に記載されている。
　してみると，引用発明に上記引用例２記載の技術的事項を付加して，相違点における本願発明の構成とすることは，十分動機付けがあり，阻害要因もなく，当業者が容易に想到するものといえる。
　
（２）効果について　
　相違点により奏する効果は，引用例１および２記載の事項並びに周知の事項から当業者ならば予測し得る範囲のものであり，格別顕著なものとはいえない。
　
３　付言　
　請求人は，請求の理由として「低角度受光器からの受光信号を，中角度受光器および高角度受光器の受信信号と比較することなく『スクラッチ』と判定する技術思想を有する引用文献２に記載された発明を，複数の光検出器を備え各光検出器の検出強度を互いに比較して検出物から散乱光の強度分布を知得する引用文献１(特開平１１―６４２３４号公報)に記載された発明に組み合わせるとする動機付けはありません。」旨主張している。　
　しかしながら，上記「２　判断（１）相違点について」で述べたとおり，引用例２には「スクラッチによる散乱光は，低角度受光器５ｂの方向へ鋭い指向性をもって散乱し，高角度へは散乱しないこと」を開示し，このスクラッチによる散乱光の特性を確実に識別するためには，斜方照射光源５ａから照射されたレーザー光の散乱光を低角度受光器５ｂと高角度受光器とを用いて検出し，上記のスクラッチによる散乱光の特性を確認する，すなわち，低角度受光器からの受光信号を，高角度受光器の受信信号と比較することが望ましいことは，当業者にとって自明な事項であることから，上記主張には理由がない。
　また，請求人は，審尋の回答書において，引用例１に記載の発明は，「複数の光検出器により検出された散乱光の検出強度の比較により検出物の散乱光の強度分布を得るものであり，得られた強度分布を異物及び結晶欠陥の一般的な強度分布と比較することで，異物か結晶欠陥かを区別するもの」とも主張しているが，引用例１の「一般的な強度分布と比較すること」は，複数の光検出器において，各々の検出強度を比較することであり，高角度受光器と低角度受光器との検出強度の比が一般的な強度比であると判断すること，すなわち本願発明のような比較をさらに厳密に行うものであることから，引用例１の強度分布による区別と本願発明の弁別手法とは，散乱光の強度分布の比較による弁別という意味において実質的に異なるものではなく，上記主張には理由がない。
　したがって，上記請求人の主張は採用できない。　
　
４　まとめ　
　以上のことから，本願発明は，引用発明，引用例２記載の事項および周知の事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　　
第５　むすび　
　以上のとおり，本願発明は，特許法第２９条第２項の規定により，特許を受けることができないから，その余の請求項に係る発明について言及するまでもなく，本願は拒絶されるべきものである。　
　よって，結論のとおり審決する。