(57)【要約】誘導加熱用コイル（２１）は、被加熱対象に対向する対向面を有しかつ円筒状中心空間部を有する平面状の渦巻き形状あるいは板状をなし、内部に形成されたガス流路（２３）の所定位置に、外部に通じるガス注入口および複数のガス吹き出し口（３０）（５７）がそれぞれ設けられている。ガス吹き出し口（５７）は、中心空間部周面に設けられている。
2003069022.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被加熱対象に対向する対向面を有しかつ円筒状中心空間部を有する平面状の渦巻き形状あるいは板状をなし、内部に形成されたガス流路の所定位置に、外部に通じるガス注入口および複数のガス吹き出し口がそれぞれ設けられている誘導加熱用コイルであって、
ガス吹き出し口は、少なくとも中心空間部周面に設けられていることを特徴とする誘導加熱用コイル。
【請求項２】
ガス吹き出し口は、さらに、対向面に複数設けられている請求項１記載の誘導加熱用コイル。
【請求項３】
中心空間部周面に設けられたガス吹き出し口は、複数であって、中心空間部の中心軸を中心としてほぼ均等角度に配され、ガス吹き出し口の方向は、コイルの中心軸方向に向かう方向とされていることを特徴とする請求項１または２に記載の誘導加熱用コイル。
【請求項４】
中心空間部周面に設けられたガス吹き出し口の方向は、それらがコイルの中心軸上の１点で結ばれるようになされていることを特徴とする請求項１から３までのいずれかに記載の誘導加熱用コイル。
【発明の詳細な説明】
技術分野
この発明は、例えば、気相反応を用いて結晶膜あるいはその他の薄膜の生成を行う基板処理（ＣＶＤ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）装置の加熱手段として使用される誘導加熱用コイルに関し、詳しくはガス流路を内蔵した誘導加熱用コイルに関する。
背景技術
平面状の渦巻き形状をなす誘導加熱用コイルとしては、単純に渦巻き状にしたパイプを用いたものが知られている。このコイルでは、パイプ内部は冷却水が通る冷却水流路として使われている。この種の誘導加熱用コイルは、気相反応を用いて結晶膜あるいはその他の薄膜の生成を行う基板処理装置の加熱手段として使用されるが、加熱方式としては、コイルを基板とガス排気口との間に配置し、基板とガス排気口との間に排ガスを通過させるとともに、基板（被加熱対象）を載置するサセプタの下方からサセプタを加熱し間接的に基板を加熱する間接加熱方式が採用されている。
また、基板処理装置の加熱手段として使用される誘導加熱用コイルとして、特開平８−２３９２９５号には、基板上方に設けたコイル内部にガス流路が設けられ、かつ、そのコイルの基板面に対向する対向面側に複数のガス吹き出し口が設けられており、複数の孔から基板面に直接原料ガスを供給することができる直接加熱方式が開示されている。
ところで、前記のような誘導加熱による基板の直接加熱方式を採用しようとした場合であって、コイル内に原料ガス流路を設けた場合、コイルの中心部にはコイルをなす導電体が存在しないため（中心空間部が存在しているため）、被加熱対象上に均一に原料ガスを供給することが難しいという問題があった。
この発明の目的は、コイル中心部の下であっても原料ガスを十分に供給し基板処理時の原料ガス分布の均一性を向上させることができる誘導加熱用コイルを提供することにある。
発明の開示
この発明による誘導加熱用コイルは、被加熱対象に対向する対向面を有しかつ円筒状中心空間部を有する平面状の渦巻き形状あるいは板状をなし、内部に形成されたガス流路の所定位置に、外部に通じるガス注入口および複数のガス吹き出し口がそれぞれ設けられている誘導加熱用コイルであって、ガス吹き出し口は、少なくとも中心空間部周面に設けられていることを特徴とするものである。
コイルを平面状に形成した場合には、その中央部に、コイルをなす導電体が存在しない部分が形成される。この明細書においては、その部分を「中心空間部」というものとする。そして、「中心空間部周面」という語は、中心空間部の最も近いコイルをなす導電体の中心空間部側である内周面をいうものとする。
コイルの対向面は、平面状誘導電界を構成するコイル面の被加熱対象に対向する部分であり、コイルの断面が略方形の場合には、その下面をいうものとし、断面が円形の場合には、その下半部の外周面を含み、断面が六角形の場合には、その下部の周面を含むものとする。
この発明の誘導加熱用コイルによると、コイルの中心空間部周面にガス吹き出し口を設けたので、コイルの中心部での原料ガスの流れが確保され、被加熱対象上の原料ガスの均一性が向上する。
ガス吹き出し口は、さらに、対向面に複数設けられていることが好ましい。
対向面側に設けられたガス吹き出し口は、被加熱対象に対向する対向面に対して直交していてもよく、また、所定の方向に傾斜していてもよい。このようにすると、このコイルを用いて、基板全面へのガスの供給が可能となる。
中心空間部周面に設けられたガス吹き出し口は、複数であって、中心空間部の中心軸を中心としてほぼ均等角度に配され、ガス吹き出し口の方向は、コイルの中心軸方向に向かう方向とされていることが好ましい。
このようにすることにより、被加熱対象上における原料ガスの均一性がより一層向上する。
中心空間部周面に設けられたガス吹き出し口の方向は、それらがコイルの中心軸上の１点で結ばれるようになされていることが好ましい。
中心軸上の１点は、基板上または基板上方にあることが望ましく、基板上にあることがより望ましい。
発明を実施するための最良の形態
この発明の実施の形態を、以下図面を参照して説明する。
図１は、この発明による誘導加熱用コイルが使用される一例である基板処理装置の主要部を示している。基板処理装置は、図示しない水冷の容器に納められており、円筒状外断熱壁（２）、円筒状内断熱壁（３）および基板搬入出用開閉扉（４）を有する反応炉（１）と、外断熱壁（２）の頂部に設けられた第１加熱手段（５）と、内断熱壁（３）の頂部に位置する基板支持手段（６）と、基板（Ｓ）表面に原料ガスおよび冷却ガスを供給するガス供給手段（７）と、内断熱壁（３）内の基板支持手段（６）下方に設けられた第２加熱手段（８）と、基板支持手段（６）を支持してこれを所要の方向に移動させる駆動手段（９）と、基板（Ｓ）を反応炉（１）内に搬入しかつ処理後の基板（Ｓ）を搬出する搬送ロボット（１０）と、冷却ガスを基板支持手段（６）の下方から吹き出すガス供給手段（１１）と、基板（Ｓ）を基板支持手段から持ち上げる基板持ち上げ手段（１２）とを備えている。
この基板処理装置は、気相反応を用いて結晶膜あるいはその他の薄膜の生成を行うもので、気相反応を生じさせる部分を反応部（１ａ）と呼び、反応部（１ａ）とは別な場所である下方に、基板（Ｓ）を反応炉（１）外と受け渡しする搬入出部（１ｂ）を備えている。
外断熱壁（２）および内断熱壁（３）内には、冷却水流路（２ａ）（３ａ）がそれぞれ設けられている。
第１加熱手段（５）は、この発明による誘導加熱用コイル（高周波コイルともいう）（２１）を有している。誘導加熱用コイル（２１）は、図２および図３に詳しく示すように、導電体が平面状の渦巻き形状になされたもので、それぞれ上方に開口したガス流路（２３）および冷却水流路（２４）が渦巻き状に形成されたコイル本体（２２）と、コイル本体（２２）に上から被せられて各流路（２３）（２４）の開口を塞ぐ蓋（２５）とからなる。図２（ａ）では、蓋（２５）を省略して、コイル本体（２２）だけを示している。図中、（２６）は絶縁用の間隙であり、この間隙（２６）は、渦巻き形状を形成している各導電体部分の径方向の幅が端部等特殊な部分を除いて一定になるように設けられている。
コイル本体（２２）のコイル面の基板（Ｓ）に対向する側（対向面）には、図３に示すように、ガス流路に通じる複数のガス吹き出し口（２９）（３０）が設けられている。図４（ａ）に詳しく示すように、コイル本体（２２）の中心空間部周縁に設けられている複数のガス吹き出し口（２９）は、真下ではなく、中心に向かって傾斜するように形成されている。これらのガス吹き出し口（２９）の傾斜角（Ｋ１）（ｋ２）は、設けられる位置に応じて変更されている。また、図４（ｂ）（ｃ）に詳しく示すように、コイル本体（２２）の中心空間部周縁以外の対向面に設けられているガス吹き出し口（３０）は、真下ではなく、周方向に向かって傾斜するように形成されている。この結果、誘導加熱用コイル（２１）対向面におけるガス吹き出し方向は、図３に矢印で示すように、コイル（２１）の内周部では、中心に向かい、その他の部分では、渦巻きの旋回方向に向かって吹き出されるようになされている。
誘導加熱用コイル（２１）のガス流路（２３）およびガス吹き出し口（２９）（３０）は、気相反応処理時の原料ガスの吹き出し用として使用されるとともに、気相反応処理後の冷却ガスの吹き出し用としても使用されている。すなわち、このガス流路（２３）およびガス吹き出し口（２９）（３０）と、ガス流路に接続される外部の配管、その配管に接続された複数のガス配管およびそれらガス配管に接続された原料ガスと冷却ガスそれぞれのガス供給源と、それぞれのガス供給圧力調整部と、ガス切り替え手段とが組み合わされることにより、誘導加熱用コイル（２１）に一部内蔵されたガス供給手段（７）は、基板（Ｓ）表面に原料ガスを供給する原料ガス供給手段と、冷却ガスを基板支持手段の上方から吹き出す上側ガス供給手段とを兼ねる構成とされている。
基板支持手段（６）は、基板（Ｓ）を載せる円形の凹所を上面に有している円形板状のサセプタ（３１）と、支柱（３３）の上端部からそれぞれ等間隔で略水平方向の３方にのびるサセプタ支持腕（３２）とを備えている。各支持腕（３２）の上面の先端部に、サセプタ（３１）を３点支持する突起（３２ａ）がそれぞれ１つ設けられている。
第２加熱手段（８）は、表面が金、銀、アルミニウムなどの金属製メッキが施されかつ鏡面である熱反射板（３５）とされている。熱反射板（３５）は、中央に貫通孔を有する円盤状に形成されている。図１に示すように、熱反射板（３５）の上部には、冷却ガスを垂直上方に向けて吹き出す冷却ガス流路（３６）が設けられており、この冷却ガス流路（３６）が下側のガス供給手段（１１）とされている。また、熱反射板（３５）の下部には、熱反射板（３５）を冷却するための冷却水流路（３７）が設けられている。
なお、図示省略したが、第２加熱手段として、ピン受け（４３）と干渉しないように配置された第１加熱手段と同様の誘導加熱用コイルを用いてもよい。
駆動手段（９）は、熱反射板（３５）の中央の貫通孔に挿通されてその上端部がサセプタ支持腕（３２）の中央部に一体化されている支柱（３３）と、支柱（３３）を垂直軸回りに回転させるステッピングモータあるいはサーボモータからなるモータ（３８）と、支柱（３３）を上下方向に移動させる昇降装置（３９）と、昇降装置（３９）を駆動するための制御部とを備えている。
搬送ロボット（１０）は、枚葉式のものであり、内断熱壁（３）内に出入りするための水平方向移動と、サセプタ（３１）との間で基板（Ｓ）を移し替えるための上下方向移動を行うことができる。
基板持ち上げ手段（１２）は、サセプタ（３１）の中心から等距離で周方向に１２０°間隔をおいた基板載置面の計３個所に設けられた段付きの貫通孔（４１）と、この貫通孔（４１）に上下移動可能にかつ頂部が基板載置面を越えないように収められた頭付きのピン（４２）と、サセプタ（３１）の下方に設けられかつサセプタ（３１）のピン（４２）の配置と同心でかつ同径の１２０°間隔で設けられたピン受け（４３）とを備えている。
サセプタ（３１）は、上述のように、気相反応処理を行っている間、モータ（３８）によって回転させられるが、処理終了時には、図１に示すように、ピン（４２）のちょうど真下にピン受け（４３）が位置するように停止させられる。
図５および図６は、この基板処理装置で使用されている冷却機構の一実施形態を示している。
同図に示す冷却機構においては、３つのピン受け（４３）は、昇降装置（図示略）によって、上下移動可能とされており、サセプタ（３１）には、複数の通気孔（４６）が貫通状に設けられている。そして、処理が終了して、ピン（４２）のちょうど真下にピン受け（４３）が位置するようにサセプタ（３１）の回転が停止させられると、この状態で３つのピン受け（４３）が上方に移動させられる。図５に示すように、ピン受け（４３）は熱反射板（３５）に設けられた貫通孔を通過して反応部（１ａ）に至り、ピン（４２）の下端に当接する。そして、このピン（４２）がピン受け（４３）によって上方に移動させられることによって、基板（Ｓ）がサセプタ（３１）から持ち上げられる。この段階で、上側および下側のガス供給手段（７）（１１）から冷却ガスが吹き付けられ、基板（Ｓ）およびサセプタ（３１）が冷却される。サセプタ（３１）には、通気孔（４６）が設けられいるので、基板（Ｓ）は、サセプタ（３１）の通気孔（４６）を通過した冷却ガスによっても冷却される。サセプタ（例えばカーボン製）（３１）は熱容量が大きいため、冷却されにくいが、基板（Ｓ）は、サセプタ（３１）とは接触していないため、サセプタ（３１）の影響を受けることなく冷却される。
サセプタ（３１）の通気孔（４６）は、例えば、図５（ｂ）に示すようにランダムに設けてもよく、また、同図（ｃ）に示すように放射状に設けてもよい。
なお、この実施形態では、全てのピン受け（４３）を上昇させているが、上昇させるピン受け（４３）は、１つでもよく、この場合には、１つのピン（４２）だけによって持ち上げられた基板（Ｓ）は、外周面の１点でサセプタ（３１）に接触することになる。こうして、基板（Ｓ）とサセプタ（３１）とは、点接触すなわち実質的には接触していないようになり、基板（Ｓ）は、サセプタ（３１）の影響を受けることなく冷却される。
また、ピン受け（４３）のみを上方移動させるのではなく、サセプタ（３１）も下降させる相対移動を行ってもよい。
サセプタ（３１）とピン受け（４３）とは、図５の位置関係を保ったまま下方の搬入出部（１ｂ）に垂直に移動させられる。この間にも冷却ガスの吹き付けは継続される。そして、冷却された基板（Ｓ）は、搬入出部（１ｂ）から搬送ロボット（１０）によって搬出される。
この実施形態の基板処理装置の制御部（４０）には、図６に示すように、ガス供給圧力調整部（４４）と、上下移動量調整部（４５）とが設けられている。ガス供給圧力調整部（４４）は、上側のガス供給手段（７）のガス供給圧力および下側のガス供給手段（１１）のガス供給圧力をそれぞれ別個に調整するもので、誘導加熱用コイル（２１）のガス流路（２３）に接続された配管に設けられているバルブなど介して、誘導加熱用コイル（２１）に設けられたガス吹き出し口（２９）（３０）から吹き出される冷却ガスの下向きの圧力を調整するとともに、熱反射板（３５）のガス流路（３６）に接続された配管に設けられているバルブなどを介して、熱反射板（３５）のガス吹き出し口から吹き出される冷却ガスの上向きの圧力を調整している。上下移動量調整部（４４）は、サセプタ（３１）、ピン受け（４３）および熱反射板（３５）の上下移動量を昇降装置（３９）を介してそれぞれ別個に調整するものである。
この制御部（４０）によると、反応処理後、まず、ピン受け（４３）が上方に移動させられ、図５の状態で、冷却作業が開始される。そして、冷却作業を継続しながら、サセプタ（３１）が下方に移動させられる。この際、サセプタ（３１）、ピン受け（４３）および熱反射板（３５）は、図５の位置関係を保ったまま、つまり、サセプタ（３１）とピン受け（４３）と熱反射板（３５）とが同時に同じ速さで下降させられ、搬入出部（１ｂ）に移動させられる。サセプタ（３１）を反応部（１ａ）から搬入出部（１ｂ）へ移動させる際には、サセプタ（３１）の下降量および熱反射板（３５）の下降量に応じて上側ガス供給手段（７）の供給圧を下側ガス供給手段（１１）の供給圧より高める制御が行なわれる。したがって、サセプタ（３１）および熱反射板（３５）が下降することにより、誘導加熱用コイル（２１）から基板（Ｓ）までの距離が長くなり、基板（Ｓ）付近における冷却ガスの上向き圧力と下向き圧力とのバランスが、制御部（４０）によって保たれる。これにより、基板（Ｓ）に吹き付けられて下方に移動した排ガスが再び基板（Ｓ）に当たることによって生じる基板（Ｓ）の汚染を防止することができる。
図４に示したガス吹き出し口（２９）（３０）の開口側の部分には、図７に示すように、ねじ溝（５１）（５２）が施されることがある。図７の（ａ）に示すねじ溝（５１）が施された孔は、コイルの中心軸方向に向かって傾斜させられており、図７の（ｂ）に示すねじ溝（５２）が施された孔は、コイル面の半径方向に直角の方向に傾斜させられている。これらのねじ溝（５１）（５２）には、必要に応じて、おねじ部材（５４）（５５）（５６）が着脱自在にねじ込まれる。おねじ部材（５４）（５５）（５６）としては、ガス吹き出し口を完全に塞ぐもの（５４）と、ねじ込み方向に貫通孔（５５ａ）（５６ａ）を有しこの貫通孔（５５ａ）（５６ａ）がガス吹き出し孔として使用されるものとが適宜使用される。
図８（ａ）（ｂ）は、図７で示されたねじ溝（５１）（５２）がおねじ部材（５４）によって完全に塞がれているものを示している。このおねじ部材（５４）は、市販のものが使用可能であり、例えば、基板（Ｓ）のサイズを大きいものから小さいものに変えた場合に、コイル（２１）の外周縁部にあるガス吹き出し用ねじ溝（５１）（５２）を塞ぐために使用される。これにより、不要な部分への原料ガスの供給は停止し、原料ガスの無駄および成長した結晶による基板（Ｓ）の品質低下を防止することができる。
図９（ａ）（ｂ）は、ねじ込み方向に貫通孔（５５ａ）を有するおねじ部材（５５）を示している。このおねじ部材（５５）によると、その貫通孔（５５ａ）がガス吹き出し孔として使用される。貫通孔（５５ａ）の中心とおねじ部材（５５）の中心とは一致させられている。したがって、ねじ溝（５１）（５２）の中心方向にガスを吹き出すことができる。
図１０（ａ）（ｂ）は、ねじ込み方向に貫通孔（５６ａ）を有するおねじ部材（５６）の他の例を示している。このおねじ部材（５６）では、貫通孔（５６ａ）の中心は、おねじ部材（５６）の中心には一致しておらず、所定方向に傾斜させられている。このおねじ部材（５６）によると、その貫通孔（５６ａ）の方向がねじ溝（５１）（５２）の方向とは異なっており、これにより、誘導加熱用コイル（２１）にあけられたねじ溝（５１）（５２）の方向とは異なった方向にガスを吹き出させることができる。したがって、貫通の方向を変えたいときには異なる貫通孔（５６ａ）のおねじ部材（５６）に代えることによって変更することができる。ねじ溝（５１）（５２）を有する孔は、必ずしも斜めに形成されている必要はなく、コイル面に対して直角であってもよい。そして、図１０（ｂ）に示すように、コイル面に対して直角の孔に施されたねじ溝（５２）と傾斜貫通孔（５６ａ）を有するおねじ部材（５６）とが組み合わされることにより、傾斜方向のガス吹き出し口を得ることができる。
なお、おねじ部材（５４）（５５）（５６）の頭頂部はコイル面より外に出ないようにすることが望ましい。
上記おねじ部材（５４）（５５）（５６）は、種々の仕様のものを用意することが可能であり、その貫通孔（５５ａ）（５６ａ）の方向や太さ、形状の変更を基板（Ｓ）や原料ガスに応じて変更することにより、誘導加熱用コイル（２１）はそのまま使用し、おねじ部材（５４）（５５）（５６）を変更するだけで基板処理の仕様の変更に対応することができる。
おねじ部材は、誘導加熱用コイル（２１）に悪影響を与えないよう、高周波コイルと同じ材質が用いられ、例えば、銅製の誘導加熱用コイル（２１）に対応して銅製または黄銅製などとされる。
なお、図示省略したが、おねじ部材に設ける貫通孔は、らせん状でもよく、これにより、らせん状貫通孔から吹き出すガスを旋回流とし、基板（Ｓ）上の原料ガスが均一な乱流状態を得ることに寄与させることができる。
コイル本体（２２）の内周部に設けられているガス吹き出し口（２９）は、図４（ａ）に示すものでは、コイル（２１）の対向面に設けられているが、コイル本体（２２）の内周部に設けられるガス吹き出し口は、図１１に示すように、内周面に設けられることがより好ましい。図１１（ａ）に示すガス吹き出し口（５７）は、コイル本体（２２）の中心空間部内周面に設けられており、コイル（２１）の中心軸を中心としてほぼ均等角度に配され、ガス吹き出し口（５７）の方向は、対向面外側に向かいかつコイル（２１）の中心軸方向に向かう方向とされている。そして、これらのガス吹き出し口（５７）の方向は、それらがコイル（２１）の中心軸上の１点でかつ基板（Ｓ）の上で結ばれるようになされている。また、図１１（ｂ）に示すガス吹き出し口（５８）は、コイル本体（２２）の中心空間部内周面に設けられており、コイル（２１）の中心軸を中心としてほぼ均等角度に配され、ガス吹き出し口（５８）の方向は、水平面内でかつコイル（２１）の中心軸方向に対して傾斜する方向とされている。
上記の誘導加熱用コイル（２１）の中心部にはコイルをなす導電体が存在しないため、この部分に均一に原料ガスを供給することは難しいものであるが、ガス吹き出し口（５７）（５８）を上記のように設けることにより  コイル（２１）中心部の下であっても原料ガスを十分に供給し気相反応処理時の均一性を向上させることができる。
なお、コイル本体（２２）の中心空間部に設けられるガス吹き出し口については、図４（ａ）に示したもの（２９）と図１１（ａ）（ｂ）に示したもの（５７）（５８）とを両方設けてもよく、いずれか一方だけを設けてもよい。
図２および図３に示した誘導加熱用コイル（２１）は、その内周端と外周端とに電源接続端子が接続され、高周波電源によって駆動される。
高周波電源（高周波発振機）には、例えば、電力用半導体スイッチング素子であるＩＧＢＴ（ゲート絶縁型バイポーラトランジスタ）が使用される。
産業上の利用可能性
この発明による誘導加熱用コイルは、気相反応を用いて結晶膜あるいはその他の薄膜の生成を行う基板処理（ＣＶＤ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）装置の加熱手段として使用するのに適している。
【図面の簡単な説明】
図１は、この発明による誘導加熱用コイルが使用される一例である基板処理装置の主要部の概要を示す垂直断面図である。
図２（ａ）は、誘導加熱用コイルの上面を示す平面図であり、図２（ｂ）は（ａ）のｂ−ｂ線に沿う断面図である。
図３は、誘導加熱用コイルの下面を示す底面図である。
図４は、誘導加熱用コイルに設けられたガス吹き出し口の拡大断面図であり、（ａ）は中心空間部に面する導電体要素の垂直断面図であり、（ｂ）は中心空間部以外に面する導電体要素の垂直断面図（径方向）であり、（ｃ）は（ｂ）のＣ−Ｃ線に沿う断面図（周方向）である。
図５は、基板処理装置の冷却機構の一実施形態を示す垂直断面図である。
図６は、図５に示す基板処理装置の制御部を示すブロック図である。
図７は、誘導加熱用コイルのガス吹き出し口に設けられたねじ溝を示す拡大断面図である。
図８は、図７に示すねじ溝にねじ込まれるおねじ部材の一例を示す拡大断面図である。
図９は、図７に示すねじ溝にねじ込まれるおねじ部材の他の例を示す拡大断面図である。
図１０は、図７に示すねじ溝にねじ込まれるおねじ部材のさらに他の例を示す拡大断面図である。
図１１（ａ）は、この発明による誘導加熱用コイルに設けられるガス吹き出し口を示す拡大断面図（中心空間部に面する導電体要素の垂直断面図）であり、図１１（ｂ）は、この発明による誘導加熱用コイルに設けられるガス吹き出し口の他の例を示す拡大断面図（中心空間部に面する導電体要素の水平断面図）である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【国際調査報告】
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2003069022.tif 000015