【事件の表示】
　特願２００７−　５９６４７「発光素子」拒絶査定不服審判事件〔平成１９年１０月１８日出願公開、特開２００７−２７３９７５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
　
１　手続の経緯
　本願は、平成１９年３月９日（国内優先権主張　平成１８年３月１０日）を出願日とする出願であって、平成２３年１０月１９日付けで拒絶理由が通知され、同年１２月２２日付けで手続補正がなされたが、平成２４年３月８日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年６月１２日に拒絶査定不服審判請求がなされると同時に手続補正がなされたものである。
　
２　本願発明
　本願の請求項に係る発明は、平成２４年６月１２日付け手続補正による補正後の明細書及び特許請求の範囲の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし１９に記載された事項により特定されるものと認められるところ、請求項１に係る発明は、次のとおりのものである。
「発光層を含む半導体層と、
　前記半導体層の光が取り出される側の面の全域あるいは一部に、前記発光層から放出された光の半導体層中での波長よりも大きなピッチで形成された凹凸からなる凹凸部と、
　前記光が取り出される側の面とは反対側の前記半導体層の面に形成され、前記凹凸部と相乗して、当該凹凸部との間における多重反射により光取り出し効率を向上させる反射率が９０％以上である反射層とを備えること
を特徴とする発光素子。」（以下「本願発明」という。）
　
３　刊行物の記載
（１）原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先日前に頒布された特開２００６−４９８５５号公報（以下「引用文献」という。）には、以下の記載がある。
ア　「【請求項１】
　
基板上に形成された後、前記基板から剥離された多層半導体層を備えた半導体発光素子であって、前記多層半導体層の面のうち前記基板と接していた第１主面に２次元周期構造が形成され
【請求項３】
　
前記多層半導体層の第２主面上に設けられ、前記活性層で生じた光のピーク波長に対する反射率が８０％以上である第１の電極と
　
前記多層半導体層の第１主面のうち、前記２次元周期構造が形成されない領域上に設けられた第２の電極とをさらに備えている
半導体発光素子
　
イ　「【００１３】
　本発明の目的は、従来よりも光取り出し効率の向上した半導体発光素子を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
　本発明の第１の半導体発光素子は、基板上に形成された後、前記基板から剥離された多層半導体層を備えた半導体発光素子であって、前記多層半導体層の面のうち前記基板と接していた第１主面に２次元周期構造が形成されている。」
ウ　「【００５６】
　また、図１２（ｂ）に示す電流−光出力特性から、２０ｍＡ以下の電流領域において本実施形態の半導体発光素子は、従来例と比べて同一電流における光出力がほぼ５倍に増加していることが分かる。これは、図２に示す理論計算値のほぼ２倍の値である。これは、ＬＥＤ表面の２次元周期構造により表面からの光取り出し効率が従来の平坦なＬＥＤ表面と比べて約２．５倍に増加し、さらに、ＬＥＤ下面側（ｐ型ＧａＮ層１３の裏面上）に形成された高反射ｐ電極１４により、ノンドープＩｎＧａＮ活性層１２から高反射ｐ電極１４側に放射される光を２次元周期構造６側に効率的に反射させることができるためである。」
　
エ　「【００７７】
　（第２の実施形態）
　図１９（ａ）は、本発明の第２の実施形態に係る半導体発光素子を示す斜視図であり、（ｂ）は、第２の実施形態の半導体発光素子を上から見た平面図である。本実施形態の半導体発光素子は、
ｎ型ＧａＮ層５の上面（裏面）に形成された凸状の２次元周期構造１８が多角錐形状である
【００７８】
　図１９（ａ）、（ｂ）に示すように、本実施形態の半導体発光素子は、エピタキシャル成長により形成された厚さ２００ｎｍのｐ型ＧａＮ層３と、ｐ型ＧａＮ層３の結晶成長面（主面）上に形成され、白金（Ｐｔ）と金（Ａｕ）が積層されてなる厚さ１μｍの高反射ｐ電極２と、高反射ｐ電極２の下面上に形成された厚さ１０μｍのＡｕメッキ層１と、ｐ型ＧａＮ層３の裏面上に形成された厚さ３ｎｍのノンドープＩｎＧａＮ活性層４と、ノンドープＩｎＧａＮ活性層４の裏面上に形成され、裏面に六角錐の突起で構成された２次元周期構造１８が形成された厚さ４μｍのｎ型ＧａＮ層５と、ｎ型ＧａＮ層５の裏面上に形成され、チタン（Ｔｉ）とＡｕとが積層されてなる厚さ１μｍのｎ電極７とを備えている。また、第１の実施形態と同様に、
ノンドープＩｎＧａＮ活性層４のＰＬピーク波長は４０５ｎｍであ
２次元周期構造１８の周期、すなわち２次元の面内で隣り合う突起部の中心間隔は１．０μｍ、突起の高さは９５０ｎｍである
【００７９】
　図２０（ａ）は、ｎ型ＧａＮ層の表面（裏面）に六角錐状の突起を形成した場合の、活性層から放射されｎ型ＧａＮ層の表面に入射する光の透過率Ｔの理論計算結果を示す図であり、（ｂ）は、２次元周期構造の周期と光取り出し効率との関係を示す図である。図２０（ｂ）ではｎ型ＧａＮ層の表面が平坦な場合を１とし、比較のために２次元周期構造が突起状の場合と凹凸状（第１の実施形態と同じ形状）の場合とを示している。
【００８０】
　図２０（ａ）に示す結果から、２次元周期構造の周期が１．０μｍと周期が長い場合でも、突起構造においては入射角が４５度付近において高い透過率を示すことが分かる。このように、２次元周期構造の断面形状が三角波形状である本実施形態の半導体発光素子の場合には、活性層から半導体発光素子表面の２次元周期構造に入射する角度が大きい場合に２次元周期構造の斜面と入射光の角度が垂直に近づくため、回折効率が大きくなる。入射角度が大きい光は活性層から放射される光に占める割合が大きいため、高い光取り出し効率が実現する。
【００８１】
　また、図２０（ｂ）に示す結果から、突起構造では凹凸構造と同様の高い発光効率を示し、特に、周期が長くなっても光取り出し効率の増大の効果を維持していることが分かる。なお、１．０μｍの周期においては、２次元周期構造を形成した面からの光取り出し効率が２．７倍に増強する。
【００８２】
　次に、本実施形態の半導体発光素子の製造方法を以下に説明する。・・・
【００８６】
　本実施形態の半導体発光素子においては、光取り出し効率がｎ型ＧａＮ層の表面が平坦な場合に比べて高反射ｐ電極２からの反射も利用できるため、図２０（ｂ）に示す理論計算結果の約２倍（従来例の約５．３倍）に向上する。また、サブμｍと薄いｐ型ＧａＮ層１３および熱伝導性の高いＡｕメッキ層１５を介して活性層で生じた熱を放熱することができる。そのため、本実施形態の半導体発光素子では、１００ｍＡの大電流が流れる際にも２次元周期構造による光取り出し効率の向上効果が維持されている。なお、高反射ｐ電極２は、Ｐｔ膜とＡｕ膜との積層膜以外の材料からなっていてもよいが、活性層で生じる光のピーク波長に対して８０％以上の反射率を有していることが実用上好ましい。具体的には、高反射ｐ電極２はＡｕ膜、Ｐｔ膜、Ｃｕ膜、Ａｇ膜およびＲｈ膜のうちの少なくとも１つを含む金属膜であれば好ましい。」
　
（２）引用発明
　上記（１）ア〜エによれば、引用文献には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
「基板上に形成された後、前記基板から剥離された多層半導体層を備えた半導体発光素子であって、前記多層半導体層の面のうち前記基板と接していた第１主面に２次元周期構造が形成され、
　前記多層半導体層の第２主面上に設けられ、前記多層半導体層の活性層で生じた光のピーク波長に対する反射率が８０％以上である第１の電極と、
　前記多層半導体層の第１主面のうち、前記２次元周期構造が形成されない領域上に設けられた第２の電極とをさらに備えている半導体発光素子であって、
　前記多層半導体層のｎ型ＧａＮ層の上面（裏面）に多角錐形状である凸状の２次元周期構造が形成され、
　前記多層半導体層のノンドープＩｎＧａＮ活性層のＰＬピーク波長は４０５ｎｍであり、
　前記２次元周期構造の周期、すなわち２次元の面内で隣り合う突起部の中心間隔は１．０μｍ、突起の高さは９５０ｎｍである半導体発光素子。」
　
　なお、上記（１）アの「前記活性層」の前に「活性層」との記載はないが、上記（１）イ〜エの記載に照らして、「多層半導体層を備えた半導体発光素子」の「多層半導体層」が「活性層」を有することは明らかであるから、上記（１）アの「前記活性層」を「前記多層半導体層の活性層」と解した。
　
４　対比・判断
（１）本願発明と引用発明とを対比する。
ア　上記３（１）ウの記載によれば、「ＬＥＤ表面の２次元周期構造により表面からの光取り出し効率が従来の平坦なＬＥＤ表面と比べて約２．５倍に増加し」、かつ、引用発明の「第２主面」（裏面）上には「多層半導体層の活性層で生じた光のピーク波長に対する反射率が８０％以上である第１の電極」が設けられていることに照らして、第１主面（表面）が光取り出し面であると認められる。
　また、上記３（１）アないしエの記載によれば、「２次元周期構造が形成され」る面が「第１主面」及び「表面」であり、「反射率が８０％以上である第１の電極」を備えている面が「第２主面」及び「裏面」であると認められる。
　
イ　そうすると、引用発明の「（ノンドープＩｎＧａＮ活性層を含む）多層半導体層」、「『第１主面』及び『表面』」、「（多角錐形状である凸状の）２次元周期構造」、「『第２主面』及び『裏面』」、「活性層」、「（反射率が８０％以上である）第１の電極」及び「半導体発光素子」は、本願発明の「（発光層を含む）半導体層」、「光が取り出される側の面」、「（凹凸からなる）凹凸部」、「光が取り出される側の面とは反対側の前記半導体層の面」、「発光層」、「反射層」及び「発光素子」にそれぞれ相当する。
　
ウ　引用発明の「ノンドープＩｎＧａＮ活性層のＰＬピーク波長」は「４０５ｎｍ」であり、「２次元周期構造」の「周期、すなわち２次元の面内で隣り合う突起部の中心間隔は１．０μｍ」であるから、「ノンドープＩｎＧａＮ活性層のＰＬピーク波長」よりも大きなピッチで、「２次元周期構造」の「周期、すなわち２次元の面内で隣り合う突起部の中心間隔」が形成されているといえる。
　また、引用発明の「２次元周期構造」は「多層半導体層の面のうち前記基板と接していた第１主面に２次元周期構造が形成され」、「前記多層半導体層の第１主面のうち、前記２次元周期構造が形成されない領域上に設けられた第２の電極とをさらに備えている」から、「２次元周期構造」は、「第１主面」の一部に形成されているといえる。
　そうすると、引用発明は、本願発明の「半導体層の光が取り出される側の面の一部に、前記発光層から放出された光の半導体層中での波長よりも大きなピッチで形成された凹凸からなる凹凸部」との構成を備えるといえる。
　
エ　引用発明の「２次元周期構造」は、上記３（１）エによれば、「凹凸構造と同様の高い発光効率を示し、特に、周期が長くなっても光取り出し効率の増大の効果を維持していることが分かる。なお、１．０μｍの周期においては、２次元周期構造を形成した面からの光取り出し効率が２．７倍に増強する。」ものであるから、光取り出し効率を向上させるものであるといえる。
　また、引用発明の「第１の電極」は、上記３（１）エによれば、「光取り出し効率がｎ型ＧａＮ層の表面が平坦な場合に比べて高反射ｐ電極２からの反射も利用できるため、図２０（ｂ）に示す理論計算結果の約２倍（従来例の約５．３倍）に向上する。」ものであるから、第１の電極（高反射ｐ電極２）からの反射も利用して光取り出し効率を向上させるものであるといえる。
　そうすると、引用発明の「第１の電極」は、「２次元周期構造」も利用して光取り出し効率を向上させるものである認められるから、引用発明の「第１の電極」と本願発明の「反射層」は、「凹凸部と相乗して、反射により光取り出し効率を向上させる」反射層である点で一致する。
　
　したがって、両者は、
「発光層を含む半導体層と、
　前記半導体層の光が取り出される側の面の全域あるいは一部に、前記発光層から放出された光の半導体層中での波長よりも大きなピッチで形成された凹凸からなる凹凸部と、
　前記光が取り出される側の面とは反対側の前記半導体層の面に形成され、前記凹凸部と相乗して、当該凹凸部との間における多重反射により光取り出し効率を向上させる反射率が９０％以上である反射層とを備える発光素子。」
である点で一致し、
　
　本願発明は「反射層」が、「凹凸部と相乗して、当該凹凸部との間における多重反射により光取り出し効率を向上させる反射率が９０％以上である反射層」であるのに対して、引用発明の「第１の電極」は、「凹凸部との間における多重反射」により光取り出し効率を向上させるものであるか明らかではなく、また、「多層半導体層の活性層で生じた光のピーク波長に対する反射率が８０％以上である」点（以下「相違点」という）、
で相違する。
　
（２）上記相違点について検討する。
ア　上記３（１）ウの「光取り出し効率がｎ型ＧａＮ層の表面が平坦な場合に比べて高反射ｐ電極２からの反射も利用できるため、図２０（ｂ）に示す理論計算結果の約２倍（従来例の約５．３倍）に向上する。」との記載によれば、引用発明は、第１の電極からの反射も利用して光取り出し効率を向上させるものといえ、光取り出し効率を向上させるために、反射率を８０％以上の範囲で適宜のものとすることは当業者が設計上考慮すべきことである。そして、その際に反射率を９０％以上とすることに格別の困難があるものとは認められないから、引用発明において「多層半導体層の活性層で生じた光のピーク波長に対する反射率」を９０％以上とすることは、当業者が必要に応じて適宜なしうる設計的な事項である。
　
イ　また、本願発明における「凹凸部と相乗して、当該凹凸部との間における多重反射により光取り出し効率を向上させる」との特定事項に関して、本願明細書には、下記の記載がある。
「【００４２】
　一方、図３（ｂ）に示すように、上面Ｓ１の表面に、発光層１２から放出される光の波長よりも大きな間隔Ａを有する凹凸部１４を形成すると、凹凸部１４から取り出されずに反射された光Ｌ１は、凹凸部１４によって、回折、散乱の影響を受け、上面Ｓ１に対して正反射以外の方向に反射されることになる（角度変換作用）。これにより、発光当初、脱出円錐外の方向に放出された光も、多重反射を繰り返すことにより、やがて脱出し、凹凸部１４から取り出される。」
　上記の記載によれば、本願発明における上記特定事項は、凹凸部で反射された光が凹凸部によって回折、散乱の影響を受けて正反射以外の方向に反射され（角度変換作用）、やがて脱出することをいうものと解される。
　しかるところ、上記４（１）ウのとおり、引用発明も、本願発明の「半導体層の光が取り出される側の面の一部に、前記発光層から放出された光の半導体層中での波長よりも大きなピッチで形成された凹凸からなる凹凸部」との構成を備えるから、上記特定事項と同様の作用を生じるものと認められる。
　そうすると、本願発明と引用発明は、「凹凸部と相乗して、当該凹凸部との間における多重反射により光取り出し効率を向上させる」ものである点で実質的な相違はない。
　
ウ　上記ア及びイでの検討によれば、引用発明において「多層半導体層の活性層で生じた光のピーク波長に対する反射率」を９０％以上となし、上記相違点に係る本願発明の構成とすることは当業者が容易になしうる程度のことと認められる。
　
５　むすび
　以上のとおり、本願発明は、当業者が引用文献に記載された発明に基づいて容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。