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　特願２００７−５５１２５１「被覆キャップを有する相互接続構造およびその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年　８月２４日国際公開、ＷＯ２００６／０８８５３４、平成２０年　７月２４日国内公表、特表２００８−５２７７３９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯
　本願は、２００５年１２月２日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００５年１月１４日、米国）を国際出願日とする出願であって、平成２０年８月２２日に手続補正書が提出され、平成２３年１０月２７日付けの拒絶理由通知に対して、平成２４年１月１９日に意見書及び手続補正書が提出されたが、同年３月７日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年６月４日に審判請求がなされたものである。
　
　
第２．本願発明に対する判断
１．本願発明
　本願の請求項１ないし請求項５に係る発明は、平成２４年１月１９日に提出された手続補正書により補正された特許請求の範囲、明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし請求項５に記載されている事項によって特定されるものであって、そのうちの、請求項２に係る発明（以下「本願発明」という。）は次のとおりのものである。
　
「相互接続構造を製造する方法であって、
　誘電層に相互接続部を設けるステップと、
　前記相互接続部の一部が前記誘電層の上面よりも上に延出するように前記誘電層をくぼませるステップと、
　前記相互接続部の前記延出した部分の上に被覆キャップを堆積するステップと、
　前記被覆キャップの上に層間誘電層を堆積するステップと、
　前記層間誘電層にトレンチまたはバイアを形成して、前記トレンチまたは前記バイアの底面が前記被覆キャップの上に位置するようにするステップとを含み、
　前記相互接続部が寸法直径Ｄを有するバイアであり、前記被覆キャップが１．１Ｄから１．６Ｄの寸法直径を有する、方法。」
　
２．引用例の記載事項と引用発明
２−１．引用例の記載事項
　本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布され、原査定の根拠となった拒絶理由通知に引用された刊行物である、特開２００１−２１０７１１号公報（以下「引用例」という。）には、「半導体装置の構造及びその製造方法」（発明の名称）に関して、図１〜図５とともに、以下の事項が記載されている（下線は、参考のため、当審において付したものである。）。
　
　　ア　発明の属する技術分野
ａ．「【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体装置の構造及びその製造方法に関し
　
　　イ　従来の技術
ｂ．「【０００２】
【従来の技術】従来、シリコンＬＳＩにおいては、スケーリング則によるその設計ルールの縮小によってその性能及び機能を向上させてきている。その製造歩留まりの向上のためには、配線・コンタクト技術の向上が不可欠である。
　……（中略）……
【０００４】また、複雑な回路を実現するために、配線は層間絶縁膜を介して多層構造で、その各階層の配線を電気伝導性の物質で充填したコンタクト孔で接続した構造になっている。その接続部分で所定の位置にコンタクト孔が得られない場合には、回路のオープン不良となる。さらに、接触面積が小さい場合、コンタクト抵抗が増大し、回路性能の劣化につながる。そこで、可能な限りコンタクト抵抗を減少させ、かつ集積化することが望まれている。
【０００５】まず、多層化した配線において、半導体基板と上層の配線とを接続する構造の簡単な例を図５を参照して説明する。図５（ａ）は第１のコンタクトプラグ２４と第２のコンタクトプラグ２６とを直接接続する方法を示している。
【０００６】図５（ａ）において、半導体基板２１上には素子分離絶縁膜２２と、第１層間絶縁膜２３と、第１のコンタクトプラグ２４と、第２層間絶縁膜２５と、第２のコンタクトプラグ２６とが配置されている。
【０００７】そこで、第１のコンタクトプラグ２４上端に第２のコンタクトプラグ２６の下端が接触することで、第１のコンタクトプラグ２４と第２のコンタクトプラグ２６とが直接接続されている。第１のコンタクトプラグ２４と第２のコンタクトプラグ２６との間には距離Ａ１だけずれが生じている。このずれは機械的誤差によって発生したものである。」
　
　　ウ　発明が解決しようとする課題
ｃ．「【００１６】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来のシリコンＬＳＩでは、図５（ａ）に示す方法の場合、マスクアライメント精度が機械精度に強く依存し、それが完全になくなることはない。アライメントがコンタクトプラグ径の半分以上ずれた場合には接触面積が減少することがあり、その場合にはコンタクト抵抗の増大になる。
【００１７】したがって、第１のコンタクトプラグが形成されている位置に第２のコンタクト孔を開口させる時点で、マスクアライメントがコンタクトプラグの径以上にずれると不良が発生する。また、そのずれはコンタクト抵抗の増大を招いてしまう。
　……（中略）……
【００２１】そこで、本発明の目的は上記の問題点を解消し、不良の発生やコンタクト抵抗の増大を招くことなく、コンタクトプラグの接続不良を少なくすることができる半導体装置の構造及びその製造方法を提供することにある。」
　
　　エ　発明の実施の形態
ｄ．「【００３３】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する。図１は本発明の一実施例による半導体装置の構成を示す断面図である。ここでは、説明の簡単化のため、半導体基板上に形成される集積回路のうちの本発明にかかわる部分に着目して説明する。
【００３４】図１において、Ｐ型シリコン基板１上には選択的に形成されたシリコン酸化膜の素子分離及びＮ型不純物が高濃度に添加されたｎ型高濃度拡散層２が形成されている。素子分離された表面には第１層間絶縁膜３としてシリコン酸化膜［ＣＶＤ酸化膜、ＢＰＳＧ（Ｂｏｒｏ−ｐｈｏｓｐｈｏ−ｓｉｌｉｃａｔｅ−ｇｌａｓｓ）膜等］が配置される。膜厚は５００ｎｍから１．５μｍ程度である。ここでは５００ｎｍとする。
【００３５】上述したｎ型高濃度拡散層２上にはポリシリコンプラグ（ｎ型）４が配置されている。このポリシリコンには十分にｎ型不純物がドープされている。例えば、１〜５×１０20ｃｍ-3程度の濃度であるとよい。この不純物濃度が低い場合、ポリシリコンプラグ４と接している下層及び上層のシリサイドとの界面で電気的障壁としてショットキー障壁が形成され、接触抵抗が増大する。
【００３６】
このポリシリコンプラグ４の上面の端部にはチタンシリサイド（ＴｉＳｉ
２
 ）のシリサイドパット５がポリシリコンプラグ４に対して自己整合的にコの字形に配置されている。
【００３７】
また、シリサイドパット５の幅はポリシリコンプラグ４の幅よりも大きいことが特徴である
第１層間絶縁膜３及びシリサイドパット５を覆って第２層間絶縁膜６が配置されている
シリサイドパッド５上にはバリア膜を介してタングステンで充填されたタングステンプラグ７が配置されている
【００３８】ポリシリコンプラグ４の上端に形成された
シリサイドパット５はポリシリコンプラグ４より大きな投影面積を有している
【００３９】ポリシリコンプラグ４の上端部に形成されたシリサイドパッド５が自己整合的に配置されるため、
ポリシリコンプラグ４に対してアライメントずれがなく、かつタングステンプラグ７に対してもアライメントマージンがあるため、ポリシリコンプラグ４とタングステンプラグ７との接続不良が少なくなる
　
ｅ．「【００４０】図２及び図３は本発明の一実施例による半導体装置の
製造工程
半導体装置の製造方法
【００４１】
Ｐ型シリコン基板１１
【００４２】
ＭＯＳＦＥＴ
　……（中略）……
【００４５】続いて、
第１層間絶縁膜１５として、オゾンを酸化剤としてＣＶＤ法でＢＰＳＧ膜を３００〜１０００ｎｍ成膜する。
【００４６】
レジストマスクを用いてコンタクト孔を上記の高濃度不純物層（ソースドレイン領域１２）上になるように開口形成する
【００４７】この時、同時にリンや砒素等を膜中に導入するとよい。ＣＶＤの反応容器内に、原料ガスととも水素化リンや水素化砒素等のガスを導入することで、膜中にリンや砒素を導入することが可能である。成膜膜厚はコンタクト孔の開口半径よりも大きな値とするのがよい。
【００４８】ポリシリコン膜１６に不純物を導入する方法には、ほかにイオン注入及び熱拡散がある。イオン注入の場合には不純物をポリシリコン膜１６全体に均等に分布させるためにイオンを複数回注入し、７５０℃以上の温度で熱処理するのがよい［図２（ｂ）参照］。
【００４９】ポリシリコン膜１６をドライエッチングによってエッチバックすることで、ポリシリコン膜１６は、図２（ｃ）に示すように、
第１層間絶縁膜１５に埋め込まれ、ポリシリコンプラグ１７となる
【００５０】
第１層間絶縁膜１５の表面から
ドライエッチングによってポリシリコンの突起部を形成する
【００５１】この後に、
スパッタ法によってチタン（Ｔｉ）１８を成膜する
【００５２】さらに、
窒素雰囲気中でＲＴＡ（Ｒａｐｉｄ  Ｔｈｅｒｍａｌ  Ａｎｎｅａｌｉｎｇ）法によってチタン１８を６５０℃に加熱する。チタン１８はシリコンと反応し、チタンシリサイド（ＴｉＳｉ2 ）を形成してシリサイドパッド１９となる
【００５３】この時、チタン１８はシリコン及び窒素と反応し、チタンシリサイド及び窒化チタンを形成する。熱処理条件によっては未反応のチタンが残留することもある。ここで、反応雰囲気をアルゴン（Ａｒ）のような不活性ガスとした場合、シリサイドと余剰の金属が残る。
【００５４】チタンシリサイドに対して選択比の高い方法で、
加熱工程で窒化されたＴｉＮとシリサイド化反応に寄与しなかったチタンとを除去する
【００５５】
これらの上に第２層間絶縁膜２０としてＢＰＳＧ膜を５００ｎｍ程度成膜する
第２層間絶縁膜２０に対しては第２のコンタクト孔を、よく知られているフォトリソグラフィー技術及びドライエッチング技術によって開口する。密着層とシリコンに対するバリア膜として窒化チタンをスパッタ成膜し、タングステンプラグ２１とする
　
ｆ．「【００５６】上述した本発明の一実施例による半導体装置の製造方法は、シリコンＬＳＩ全般の配線接続工程に利用することができる。
【００５７】本発明の一実施例による半導体装置の製造方法では、シリサイドパッド５，１９の位置がポリシリコンプラグ１８と自己整合的に決定する。このため、上記のような効果が期待できる。その上、このシリサイドパット５，１９を形成するためのマスクが不要であり、工程の短縮につながる。
【００５８】マスクを用いる場合には、プラグ投影面からのはみ出し領域がマスクアライメントのずれによって非対称になるが、本発明ではその自己整合性によって対称になる。このことによって、図３に示すようなコンタクトプラグが複数隣接するような場合、または配線が隣接するような場合でも、ミスアライメントによるショートの可能性を低減することができる。」
　
　　オ．発明の効果
ｇ．「【００６１】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、シリコン基板上に設けられた第１層間絶縁膜にコンタクト孔を開口し、コンタクト孔にＳｉを埋め込んでプラグとしたコンタクトプラグを含む半導体装置の構造において、
その径がコンタクト孔の径より大きいシリサイドのパット
　
　　カ　図面
ｈ．「本発明の一実施例による半導体装置の構成を示す断面図」（【図面の簡単な説明】）であり、「シリサイドパット５の幅はポリシリコンプラグ４の幅よりも大きいことが特徴である」（段落【００３７】）ことを示す図１には、当該「半導体装置」の１つの「断面」において、前記シリサイドパット５の幅はタングステンプラグ７の幅よりも大きいことが示されている。
　そして、「本発明の一実施例による半導体装置の製造工程を示す断面図」（【図面の簡単な説明】）において、その最終工程を示す図３（ｃ）にも、当該「半導体装置」の１つの「断面」において、シリサイドパット１９は、ポリシリコンプラグ１７の幅よりも大きく、かつ、タングステンプラグ２１の幅よりも大きい幅を有することが示されている。
　
２−２．引用発明
　前項のａ〜ｈの記載を総合すると、引用例には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると言える。
　
「半導体装置の製造方法であって、
　ＭＯＳＦＥＴが形成されたＰ型シリコン基板上に成膜された第１層間絶縁膜にコンタクト孔を開口形成し、前記第１層間絶縁膜に埋め込まれたポリシリコンプラグを形成する工程と、
　前記第１層間絶縁膜の表面からドライエッチングすることによって、ポリシリコンの突起部を形成する工程と、
　前記ポリシリコンプラグの上面の端部にコの字形に配置され、その幅が前記ポリシリコンプラグの幅よりも大きく、前記ポリシリコンプラグより大きな投影面積を有する、チタンシリサイドのシリサイドパットを形成する工程と、
　前記第１層間絶縁膜及び前記シリサイドパットを覆うように、第２層間絶縁膜を成膜する工程と、
　前記第２層間絶縁膜に対して第２のコンタクト孔を開口し、前記シリサイドパット上に配置されたタングステンプラグを形成する工程とを含み、
　前記ポリシリコンプラグに対してアライメントずれがなく、かつ前記タングステンプラグに対してもアライメントマージンがあるため、前記ポリシリコンプラグと前記タングステンプラグとの接続不良が少なくなる、半導体装置の製造方法。」
　
３．対比
３−１．本願発明と引用発明との対比
　本願発明と、引用発明とを対比する。
　
　　ア　本願明細書の段落【００１４】の「図３は、誘電層２０に設けた銅バイアまたは銅線等の相互接続構造２２を示す。」との記載から、本願発明の「方法」の「誘電層に相互接続部を設けるステップ」における「相互接続部」とは、前記「銅バイアまたは銅線等の相互接続構造２２」を指していると認められる。
　これに対して、引用発明における「ＭＯＳＦＥＴが形成されたＰ型シリコン基板上に成膜された第１層間絶縁膜にコンタクト孔を開口形成し、前記第１層間絶縁膜に埋め込まれたポリシリコンプラグを形成する工程」における「ポリシリコンプラグ」は、「第１層間絶縁膜」に設けられた「コンタクト孔」をビアとする、当該ビア内に形成された電気的相互接続のための部材であると認められる。
　そして、引用発明の「第１層間絶縁膜」が誘電体であることは、明らかである。
　したがって、引用発明の「ＭＯＳＦＥＴが形成されたＰ型シリコン基板上に成膜された第１層間絶縁膜にコンタクト孔を開口形成し、前記第１層間絶縁膜に埋め込まれたポリシリコンプラグを形成する工程」は、本願発明の「誘電層に相互接続部を設けるステップ」に相当する。
　
　　イ　引用発明の「前記第１層間絶縁膜の表面からドライエッチングすることによって、ポリシリコンの突起部を形成する工程」において、「ポリシリコンの突起部」は前記「ポリシリコンプラグ」の「突起部」であることは明らかである。すなわち、引用発明の「ポリシリコンの突起部」は、本願発明の「前記相互接続部の一部」に相当する。
　したがって、引用発明の「前記第１層間絶縁膜の表面からドライエッチングすることによって、ポリシリコンの突起部を形成する工程」は、本願発明の「前記相互接続部の一部が前記誘電層の上面よりも上に延出するように前記誘電層をくぼませるステップ」に相当する。
　
　　ウ　引用発明の「前記ポリシリコンプラグの上面の端部にコの字形に配置され、その幅が前記ポリシリコンプラグの幅よりも大きく、前記ポリシリコンプラグより大きな投影面積を有する、チタンシリサイドのシリサイドパットを形成する工程」において、「シリサイドパット」を「コの字形」にさせる「前記ポリシリコンプラグの上面の端部」は、前記「ポリシリコンの突起部」を指していることは明らかである。
　したがって、引用発明の「前記ポリシリコンプラグの上面の端部にコの字形に配置され、その幅が前記ポリシリコンプラグの幅よりも大きく、前記ポリシリコンプラグより大きな投影面積を有する、チタンシリサイドのシリサイドパットを形成する工程」は、本願発明の「前記相互接続部の前記延出した部分の上に被覆キャップを堆積するステップ」に相当する。
　
　　エ　引用発明の「前記第１層間絶縁膜及び前記シリサイドパットを覆うように、第２層間絶縁膜を成膜する工程」において、「第２層間絶縁膜」が誘電体であることは、明らかである。そして、引用発明の「前記第１層間絶縁膜及び前記シリサイドパットを覆う」前記「第２層間絶縁膜」は、本願発明の「前記被覆キャップの上」の「層間誘電層」に相当する
　したがって、引用発明の「前記第１層間絶縁膜及び前記シリサイドパットを覆うように、第２層間絶縁膜を成膜する工程」は、本願発明の「前記被覆キャップの上に層間誘電層を堆積するステップ」に相当する。
　
　　オ　引用発明の「前記第２層間絶縁膜に対して第２のコンタクト孔を開口し、前記シリサイドパット上に配置されたタングステンプラグを形成する工程」において、「第２のコンタクト孔」は、本願発明の「前記層間誘電層」に「形成し」た「バイア」に相当する。
　そして、引用発明において、「タングステンプラグ」は「第２のコンタクト孔」内に「形成」されるものであるから、「第２のコンタクト孔」内に「形成」された「タングステンプラグ」が「前記シリサイドパット上に配置され」ていることは、本願発明において、「前記バイアの底面が前記被覆キャップの上に位置する」ことに相当する。
　したがって、引用発明の「前記第２層間絶縁膜に対して第２のコンタクト孔を開口し、前記シリサイドパット上に配置されたタングステンプラグを形成する工程」は、本願発明の「前記層間誘電層にトレンチまたはバイアを形成して、前記トレンチまたは前記バイアの底面が前記被覆キャップの上に位置するようにするステップ」に相当する。
　
　　カ　引用発明は、「半導体装置の製造方法」であるが、実質的には、「ポリシリコンプラグ」と「タングステンプラグ」とを「シリサイドパット」を介して相互に「接続」するための構造の「製造方法」であると解される。
　したがって、引用発明の「半導体装置の製造方法」は、本願発明の「相互接続構造を製造する方法」に相当する。
　
３−２．一致点及び相違点
　前項のア〜カから、本願発明と引用発明とは、以下の点で一致するとともに、以下の点で相違する。
（一致点）
「相互接続構造を製造する方法であって、
　誘電層に相互接続部を設けるステップと、
　前記相互接続部の一部が前記誘電層の上面よりも上に延出するように前記誘電層をくぼませるステップと、
　前記相互接続部の前記延出した部分の上に被覆キャップを堆積するステップと、
　前記被覆キャップの上に層間誘電層を堆積するステップと、
　前記層間誘電層にトレンチまたはバイアを形成して、前記トレンチまたは前記バイアの底面が前記被覆キャップの上に位置するようにするステップとを含む
、方法。」
　
（相違点）
　本願発明においては「前記相互接続部が寸法直径Ｄを有するバイアであり、前記被覆キャップが１．１Ｄから１．６Ｄの寸法直径を有する」のに対して、引用発明においては、「シリサイドパット」は「幅が前記ポリシリコンプラグの幅よりも大きく、前記ポリシリコンプラグより大きな投影面積を有」し、「前記ポリシリコンプラグに対してアライメントずれがなく、かつ前記タングステンプラグに対してもアライメントマージンがあるため、前記ポリシリコンプラグと前記タングステンプラグとの接続不良が少なくなる」ものの、「前記ポリシリコンプラグ」と「前記タングステンプラグ」の「径」方向の大きさの具体的な比率は不明である点。
　
４．当審の判断
４−１．相違点について
　　ア　本願明細書には、段落【００１４】に「誘電層２０に設けた銅バイアまたは銅線等の相互接続構造２２を示す。……誘電層２０の上部を除去して、誘電層２０の上面よりも上に延出するように相互接続構造２２の一部を露出させる。……次いで、相互接続構造２２の延出部分を覆うように被覆キャップ２４を堆積する。これを図５に示す。図６および図７に示すように、層間誘電層２５を堆積し、パターニングして、このトレンチまたはバイア２６の底面が被覆キャップ２４上に位置するようにする。次いで、トレンチまたはバイア２６に導電材料２８を充填する。」と、段落【００１６】に「別の実施形態においては、相互接続構造は、寸法直径Ｄを有するバイア相互接続である。被覆キャップは約１．１Ｄから約１．６Ｄの寸法直径を有する。」及び「第２の誘電層を堆積し、トレンチ形成して、このトレンチの底面が被覆キャップ上に位置するようにする。」と、それぞれ、記載されている。
　したがって、本願発明の「前記相互接続部が寸法直径Ｄを有するバイアであり」との発明特定事項における「相互接続部」とは、本願明細書の段落【００１４】に記載された「誘電層２０に設けた銅バイア」等の「相互接続構造２２」ではなく、同段落【００１４】及び【００１６】に記載された「被覆キャップ」上に「堆積」された「第２の誘電層」すなわち「層間誘電層２５」に形成された「寸法直径Ｄを有するバイア」または「トレンチ」に充填された「導電材料２８」からなる「バイア相互接続」部を指していることは明らかである。
　すなわち、本願発明の「前記相互接続部が寸法直径Ｄを有するバイアであり」との発明特定事項における「前記相互接続部」とは、本願明細書の発明の詳細な説明の記載を参酌すれば、本願発明における、「前記層間誘電層」に「形成」された「トレンチまたはバイア」に充填形成された「相互接続部」のことである。
　
　　イ　本願発明の「前記被覆キャップ」の「寸法直径」に関して、本願明細書には、段落【００１６】に「別の実施形態においては、相互接続構造は、寸法直径Ｄを有するバイア相互接続である。被覆キャップは約１．１Ｄから約１．６Ｄの寸法直径を有する。あるいは、被覆キャップは約１．２Ｄから約１．４Ｄの寸法幅を有する。第２の誘電層を堆積し、トレンチ形成して、このトレンチの底面が被覆キャップ上に位置するようにする。被覆キャップの追加幅によって、第２の誘電層にパターニングしたトレンチのアラインメント整合のための許容値を大きくすることができる。この結果、被覆キャップが存在しないバイアと比べて、被覆キャップを有するバイア上にトレンチが完全に据え付けられる可能性が高い。」と記載されている。
　そして、「被覆キャップ」または「タングステンプラグ」の「径」方向の「寸法」に関しては、本願明細書の発明の詳細な説明には、上記記載があるだけである。
　したがって、前記の「被覆キャップの追加幅によって、第２の誘電層にパターニングしたトレンチのアラインメント整合のための許容値を大きく」して、「被覆キャップが存在しないバイアと比べて、被覆キャップを有するバイア上にトレンチが完全に据え付けられる可能性」を高くするという目的において、「バイア」の「寸法直径Ｄ」に対し、「被覆キャップ」が特に「約１．１Ｄから約１．６Ｄの寸法直径を有する」ことが具体的に如何なる理由により好ましいのか、あるいは、「被覆キャップ」が、「約１．１Ｄから約１．６Ｄの寸法直径を有する」場合は、「約１．１Ｄ」未満の「寸法直径を有する」か又は「約１．６Ｄ」を超える「寸法直径を有する」場合と比較して、どの点でどのように優れているのか、定量的な説明はもちろん定性的な説明も、本願明細書の発明の詳細な説明には何ら記載されていない。
　また、「バイア」や「被覆キャップ」の「寸法直径」の具体的な値は、本願明細書の発明の詳細な説明には何ら記載されておらず、本願明細書の段落【００１６】に記載の「パターニングしたトレンチのアラインメント整合のための許容値を大きくする」ために必要な、前記「アラインメント整合のための許容値」の絶対量も不明である。
　
　　ウ　してみれば、本願明細書の段落【０００９】に記載された「高密度配線設計について、製造許容値を緩和した相互接続構造を提供する」という「課題」の解決において、本願発明の、前記「バイア」に充填形成された「相互接続部」が「寸法直径Ｄを有する」ときに「前記被覆キャップが１．１Ｄから１．６Ｄの寸法直径を有する」という、「前記被覆キャップ」の「寸法直径」の数値範囲に臨界的な意義があるとは、認められない。
　したがって、本願発明における「前記被覆キャップ」の「寸法直径」が「１．１Ｄから１．６Ｄ」の数値範囲にあるとの発明特定事項は、本願明細書の段落【００１６】の前記記載を参酌すれば、この範囲内にあるときは「第２の誘電層にパターニングしたトレンチのアラインメント整合のための許容値を大きく」し、「被覆キャップが存在しないバイアと比べて、被覆キャップを有するバイア上にトレンチが完全に据え付けられる可能性」を「高」くすることができる程度の意義しか有していないものと認められる。
　
　　オ　ところで、引用発明の「タングステンプラグ」は、「第１層間絶縁膜」の「コンタクト孔」に「埋め込まれたポリシリコンプラグ」とは異なるものであるとともに、「第２層間絶縁膜」に「開口」された「第２のコンタクト孔」に充填「形成」されたものであり、「シリサイドパット」を介して「前記ポリシリコンプラグ」との「接続」を図るための部材である。したがって、引用発明の「タングステンプラグ」は、本願発明の「層間誘電層」に「形成」された「寸法直径Ｄを有するバイア」に充填形成された「相互接続部」に対応する。
　そして、引用発明の「シリサイドパット」は、「前記ポリシリコンプラグより大きな投影面積を有する」ことで、「前記タングステンプラグに対してもアライメントマージンがある」ものと認められるから、前記「シリサイドパット」は、前記「タングステンプラグ」より大きい幅方向寸法を有することは明らかである。
　しかしながら、前記「シリサイドパット」の幅方向寸法が、前記「タングステンプラグ」より具体的にどの程度大きいかは不明である。
　
　　カ　さて、引用発明において、「前記ポリシリコンプラグと前記タングステンプラグ」とは電気的に「接続」されるものであるから、「前記第２層間絶縁膜に対して第２のコンタクト孔を開口し、前記シリサイドパット上に配置されたタングステンプラグを形成する工程」において、「タングステンプラグを形成する」ために「前記第２層間絶縁膜」に対して「開口」される「第２のコンタクト孔」は、「前記シリサイドパット上に配置され」るように「アライメント」されて「開口」されると解される。
　そして、引用発明において、前記「シリサイドパット」は、幅方向寸法がより小さくなると「前記タングステンプラグ」に対する前記「アライメント」の「マージン」が小さくなり、一方、幅方向寸法が大きいほど「前記タングステンプラグ」に対する前記「アライメント」の「マージン」が大きくなることは、自明である。
　してみれば、引用発明において、どれだけの「前記タングステンプラグ」に対する「アライメントマージン」が必要であり、したがって、前記「シリサイドパット」の幅方向寸法をどの程度に設定するかは、「タングステンプラグを形成する」ために「前記第２層間絶縁膜」に「開口」される「第２のコンタクト孔」を、どの程度正確に「前記シリサイドパット上に配置」させることができるかの前記「アライメント」の精度に応じて、当業者が適宜に設定することができたものと認められる。
　
　　キ　そして、引用例には、段落【００６１】に「発明の効果」として「その径がコンタクト孔の径より大きいシリサイドのパッド」との記載がある。すなわち、引用例においては、「コンタクト孔」や「シリサイドのパッド」の幅方向寸法を「径」で表現することが記載されている。
　そうすると、引用発明において、「シリサイドパット」の直径を、「タングステンプラグ」の直径に対してどの程度の倍率で設定するかは、「第２のコンタクト孔」の「開口」をどの程度正確に「前記シリサイドパット上に配置」させて形成することができるかの「アライメント」の精度に応じて、当業者が適宜になし得たものと認められる。
　そして、前記「シリサイドパット」の直径の、「タングステンプラグ」の直径に対する倍率を１．１〜１．６倍に設定することは、前記イ〜ウで指摘したとおり格別のものとは認められず、前記「開口」の通常の「アライメント」精度に応じて、当業者が適宜設定し得たものである。
　
４−２．小括
　以上のとおりであるから、相違点は、当業者が容易に想到し得た範囲に含まれる程度のものである。
　そして、本願発明の効果も、引用発明から、当業者が予期し得たものである。
　したがって、本願発明は、引用発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものと認められる。
　
　
第３．結言
　以上のとおり、本願発明は、引用発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
　したがって、本願は、他の請求項について検討するまでもなく、拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。