(57)【要約】      （修正有）【課題】フォトリソグラフィプロセスを実行するためのフォトリソグラフィシステムを提供する。【解決手段】基板受け面を有するチャックと、チャックの上方に配置された処理ユニットと、処理ユニットの上方に配置された１以上のガス通気孔２０６と、１以上のガス通気孔に結合されたガス源２１０と、チャックの下方に配置された排気口２２２とを含む。ガス源２１０は温度制御装置２１１を含む。ガス源２１０は排気口２２２に結合される。複数の干渉計を含む。層流ガス流が、動作中にフォトリソグラフィシステム内部に提供される。システム内部で乱流ガス流の代わりに層流ガス流を用いることにより、システム内部に配置された基板の位置の測定精度が、干渉計の改善された信号の完全性により改善される。【選択図】図２
0003208680.tif 000002
【実用新案登録請求の範囲】
【請求項１】
基板受け面を有するチャックと、
チャックの上方に配置された処理ユニットと、
処理ユニットの上方に配置された１以上のガス通気孔と、
１以上のガス通気孔に結合されたガス源と、
チャックの下方に配置された排気口とを含むフォトリソグラフィシステム。
【請求項２】
ガス源は温度制御装置を含む、請求項１記載のフォトリソグラフィシステム。
【請求項３】
ガス源は排気口に結合される、請求項１記載のフォトリソグラフィシステム。
【請求項４】
複数の干渉計を含む、請求項１記載のフォトリソグラフィシステム。
【請求項５】
複数の干渉計の各干渉計に結合された１以上のチューブを含む、請求項４記載のフォトリソグラフィシステム。
【請求項６】
基板受け面を有するチャックと、
チャックの上方に配置された処理ユニットと、
チャックの上方に配置された１以上のガス通気孔と、
１以上のガス通気孔に結合されたガス源と、
処理ユニットの下方に配置された排気口とを含むフォトリソグラフィシステム。
【請求項７】
１以上のガス通気孔は、２つのガス通気孔を含み、処理ユニットは、２つのガス通気孔の間に位置する、請求項６記載のフォトリソグラフィシステム。
【請求項８】
チャックの１以上の端部に結合された１以上のガスカウリングを含む、請求項６記載のフォトリソグラフィシステム。
【請求項９】
ガス源は温度制御装置を含む、請求項６記載のフォトリソグラフィシステム。
【請求項１０】
ガス源は排気口に結合される、請求項６記載のフォトリソグラフィシステム。
【請求項１１】
複数の干渉計を含む、請求項６記載のフォトリソグラフィシステム。
【請求項１２】
１以上のガス通気孔は、複数の干渉計のうちの１以上の干渉計の真上に位置する、請求項１１記載のフォトリソグラフィシステム。
【請求項１３】
処理ユニットと、
基板受け面を有するチャックであって、チャックは、処理ユニットの下方に配置され、Ｘ方向及びＹ方向に移動可能なチャックと、
チャックのＸ方向及びＹ方向の変位を測定するための複数の干渉計とを含むフォトリソグラフィシステム。
【請求項１４】
複数の干渉計は、チャックのＸ方向の変位を測定するための２つの干渉計を含む、請求項１３記載のフォトリソグラフィシステム。
【請求項１５】
複数の干渉計のうちの各干渉計に結合された１以上のチューブを含む、請求項１４記載のフォトリソグラフィシステム。
【考案の詳細な説明】
【背景】
【０００１】
（分野）
本開示の実施形態は、概して、１以上の基板を処理するためのシステム及び方法に関し、より具体的には、フォトリソグラフィプロセスを実行するためのシステム及び方法に関する。
（関連技術の説明）
【０００２】
フォトリソグラフィは、半導体デバイス及びディスプレイデバイス（例えば、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ））の製造に広く使用されている。ＬＣＤの製造においては、大面積基板が、しばしば利用される。ＬＣＤ又はフラットパネルは、アクティブマトリクスディスプレイ（例えば、コンピュータ、タッチパネルデバイス、パーソナルデジタルアシスタント（ＰＤＡ）、携帯電話、テレビモニタなど）用に一般的に使用されている。一般的に、フラットパネルは、２つのプレートの間に挟まれたピクセルを形成する液晶材料の層を含むことができる。電源からの電力が液晶材料に印加されると、液晶材料を通過する光の量は、画像が生成されることを可能にする画素位置で制御することができる。
【０００３】
画素を形成する液晶材料層の一部として組み込まれた電気的特徴を作り出すために、一般的にマイクロリソグラフィ技術が用いられる。この技術によれば、典型的には、感光性フォトレジストが基板の少なくとも１つの表面に塗布される。次いで、パターンジェネレータが、光によって感光性フォトレジストの選択された領域をパターンの一部として露光し、これによって選択的領域内のフォトレジストに化学的変化を引き起こし、電気的特徴を作り出すための後続の材料除去及び／又は材料付加プロセスのためにこれらの選択的領域を準備する。処理中、周囲空気中の粒子が基板上に沈降し、こうして基板を汚染する可能性がある。
【０００４】
したがって、改良されたフォトリソグラフィシステムが必要とされている。
【概要】
【０００５】
本開示の実施形態は、概して、フォトリソグラフィプロセスを実行するためのシステム及び方法に関する。一実施形態では、層流ガス流が、動作中にフォトリソグラフィシステム内部に提供される。システム内部で乱流ガス流の代わりに層流ガス流を用いることにより、システム内部に配置された基板の位置の測定精度が、干渉計の改善された信号の完全性により改善される。
【０００６】
一実施形態では、フォトリソグラフィシステムは、基板受け面を有するチャックと、チャックの上方に配置された処理ユニットと、処理ユニットの上方に配置された１以上のガス通気孔と、１以上のガス通気孔に結合されたガス源と、チャックの下方に配置された排気口とを含む。
【０００７】
別の一実施形態では、フォトリソグラフィシステムは、基板受け面を有するチャックと、チャックの上方に配置された処理ユニットと、チャックの上方に配置された１以上のガス通気孔と、１以上のガス通気孔に結合されたガス源と、処理ユニットの下方に配置された排気口とを含む。
【０００８】
別の一実施形態では、フォトリソグラフィシステムは、処理ユニットと、基板受け面を有するチャックとを含む。チャックは、処理ユニットの下方に配置され、Ｘ方向及びＹ方向に移動可能である。フォトリソグラフィシステムは、チャックのＸ方向及びＹ方向の変位を測定するための複数の干渉計を更に含む。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
本開示の上述した構成を詳細に理解することができるように、上記に簡単に要約した本開示のより具体的な説明を、実施形態を参照して行う。実施形態のいくつかは添付図面に示されている。しかしながら、添付図面は本開示の典型的な実施形態を示しているに過ぎず、したがってこの範囲を制限していると解釈されるべきではなく、本開示は他の等しく有効な実施形態を含み得ることに留意すべきである。
【図１】本明細書に開示される実施形態に係るシステムの斜視図である。
【図２】本明細書に開示される実施形態に係る図１に示されるシステムを囲むためのエンクロージャの概略斜視図である。
【図３Ａ】〜
【図３Ｂ】本明細書に開示される実施形態に係る図１に示されるシステムの支持体の概略斜視図である。
【図４】本明細書に開示される実施形態に係る図１に示されるシステムの概略平面図である。
【図５Ａ】〜
【図５Ｂ】本明細書に開示される実施形態に係る図１に示されるシステムの概略平面図である。
【図６】本明細書に開示される実施形態に係る図１に示されるシステムの干渉計の概略上面図である。
【図７】本明細書に開示される実施形態に係る図１に示されるシステムのチャックの一部の概略側面図である。
【図８】本明細書に開示される実施形態に係る図１に示されるシステムのチャック及び干渉計の概略平面図である。
【００１０】
理解を促進するために、図面に共通する同一の要素を示す際には可能な限り同一の参照番号を使用している。また、一実施形態の要素は、本明細書に記載される他の実施形態での利用に有利に使用することができる。
【詳細な説明】
【００１１】
本開示の実施形態は、概して、フォトリソグラフィプロセスを実行するためのシステム及び方法に関する。一実施形態では、層流ガス流が、動作中にフォトリソグラフィシステム内部に提供される。システム内部で乱流ガス流の代わりに層流ガス流を用いることにより、システム内部に配置された基板の位置の測定精度が、干渉計の改善された信号の完全性により改善される。
【００１２】
図１は、本明細書に開示された実施形態に係るシステム１００の斜視図である。システム１００は、ベースフレーム１１０と、スラブ１２０と、２以上のチャック１３０と、処理装置１６０とを含む。ベースフレーム１１０は、製造設備の床に載置することができ、スラブ１２０を支持することができる。パッシブエアーアイソレータ１１２を、ベースフレーム１１０とスラブ１２０の間に配置してもよい。スラブ１２０は、グラナイトの一体片とすることができ、２以上のチャック１３０がスラブ１２０上に配置されてもよい。いくつかの実施形態では、２つのチャック１３０が、スラブ１２０上に配置され、２つのチャック１３０は、第１の方向（例えば、図１に示されるように、Ｘ方向）に整列される。基板１４０は、２以上のチャック１３０の各々によって支持することができる。複数のリフトピン（図示せず）が貫通して延在することを可能とするために、複数の穴（図示せず）が、各チャック１３０内に形成されてもよい。リフトピンは、例えば、搬送ロボット（図示せず）から基板１４０を受け取るために、伸展位置まで上昇することができる。搬送ロボットは、基板１４０をリフトピン上に位置決めすることができ、リフトピンはその後、基板１４０を各チャック１３０上に静かに降下させることができる。
【００１３】
基板１４０は、例えば、アルカリ土類ボロアルミノケイ酸ガラスから作製され、フラットパネルディスプレイの一部として使用されてもよい。他の実施形態では、基板１４０は、ポリマー材料などの他の材料から作製されてもよい。いくつかの実施形態では、基板１４０は、上にフォトレジスト層を形成させることができる。フォトレジストは、放射線に対して敏感であり、ポジ型フォトレジスト又はネガ型フォトレジストとすることができ、これは、パターンがフォトレジストに書き込まれた後に、放射線に露光されたフォトレジストの部分が、フォトレジストに塗布されるフォトレジスト現像剤に対してそれぞれ可溶又は不溶であることを意味する。フォトレジストの化学組成は、フォトレジストがポジ型フォトレジストであるかネガ型フォトレジストであるかを決定する。例えば、フォトレジストは、ジアゾナフトキノン、フェノールホルムアルデヒド樹脂、ポリ（メチルメタクリレート）、ポリ（メチルグルタルイミド）、及びＳＵ−８のうちの少なくとも１つを含むことができる。このようにして、電子回路を形成するために、基板１４０の表面上にパターンを生成することができる。
【００１４】
システム１００は、一対の支持体１２２と一対のトラック１２４を更に含むことができる。一対のトラック１２４は、一対の支持体１２２によって支持されてもよく、２以上のチャック１３０は、トラック１２４に沿ってＸ方向に移動することができる。トラック１２４及び支持体１２２は、動作中に空気軸受けシステム（図示せず）によって持ち上げることができる。一実施形態では、一対のトラック１２４は、一対の平行な磁気チャネルである。図示のように、一対のトラック１２４の各トラック１２４は直線状である。他の実施形態では、トラック１２４は、非直線形状を有してもよい。ケーブルキャリア１２６が、各チャック１３０に結合されてもよい。典型的には、システムは、基板１４０の位置情報を測定するためのエンコーダ（図示せず）を含むことができる。チャック１３０は、エンコーダからＺ方向に離れており、距離は２００〜２５０ｍｍとすることができる。構造の剛性のために、Ｘ方向又はＹ方向におけるチャック１３０の実際の位置と、Ｘ方向又はＹ方向におけるエンコーダによって測定されるチャック１３０の位置とは、離れている可能性がある。動作中の基板１４０の位置をより正確に測定するために、複数の干渉計１４２をスラブ１２０上に配置することができ、干渉計１４２は、各チャック１３０に結合されたミラー１４４と位置合わせされる。ミラー１４４は、エンコーダよりもＺ方向において基板１４０により近くに配置され、こうして干渉計１４２によって測定される位置情報は、エンコーダによって測定される位置情報よりも正確となる。チャック１３０は、基板１４０をチャック１３０に固定することができる真空チャックとすることができ、チャック１３０と基板１４０との間の位置の差は最小限に抑えられる。干渉計１４２は、高安定平面ミラー干渉計などの任意の適切な干渉計とすることができる。干渉計１４２によって測定された基板１４０の位置情報は、コントローラ（図示せず）に提供することができ、コントローラは、チャック１３０の動きを制御する。
【００１５】
処理装置１６０は、支持体１６２と処理ユニット１６４を含むことができる。支持体１６２は、スラブ１２０上に配置することができ、２以上のチャック１３０が処理ユニット１６４の下を通過するための開口１６６を含むことができる。１以上の干渉計１４２を、支持体１６２の下のスラブ１２０上に配置することができる。処理ユニット１６４は、支持体１６２によって支持することができる。一実施形態では、処理ユニット１６４は、フォトリソグラフィプロセスにおいてフォトレジストを露光するように構成されたパターンジェネレータである。いくつかの実施形態では、パターンジェネレータは、マスクレスリソグラフィプロセスを実行するように構成されてもよい。処理ユニット１６４は、ケース１６５内に配置された複数の画像投影システムを含むことができる。処理装置１６０は、マスクレス直接パターニングを実行するために利用されてもよい。動作中、２以上のチャック１３０のうちの１つは、図１に示されるようなロード位置から処理位置までＸ方向に移動する。処理位置は、チャック１３０が処理ユニット１６４の下を通過する際のチャック１３０の１以上の位置を指してもよい。動作中、２以上のチャック１３０は、複数のエアベアリング（図示せず）によって持ち上げることができ、ロード位置から処理位置まで一対のトラック１２４に沿って移動することができる。チャック１３０の移動を安定させるために、複数の鉛直ガイドエアベアリング（図示せず）を各チャック１３０に結合し、各支持体１２２の内壁１２８に隣接して配置することができる。２以上のチャック１３０のそれぞれはまた、基板１４０の処理及び／又は割り出し（インデックス）のためにトラック１５０に沿って移動することによってＹ方向に移動することができる。
【００１６】
図２は、本明細書に開示された実施形態に係る図１に示されたシステムを囲むためのエンクロージャ２００の概略斜視図である。システム１００は、動作中にエンクロージャ２００内に包囲されることができる。基板１４０の汚染を防ぐために、エンクロージャ２００を貫通してガスを流すことができる。ガスは、空気、窒素ガス、又は任意の他の適切なガス又は複数のガスを含むことができる。干渉計１４２の信号の完全性を維持するために、エンクロージャ２００の内部のガス流を層流に制御してもよい。図２に示されるように、エンクロージャ２００は、天井２０２及び側壁２０４を含むことができる。一実施形態では、ガス通気孔２０６が、天井２０２内に配置されることができ、ガスダクト２０５を介してガス源２１０に接続される。動作中、ガスは、ガス源２１０からガス通気孔２０６へ供給され、ガスは天井２０２からシステム１００とエンクロージャ２００が上で支持される床２２０へと流れる。排気口２２２は、床２２０内に形成することができる。換言すると、ガス流は、エンクロージャ２００の上部からエンクロージャの底部へと向けられる。ガス源２１０は、処理ユニット１６４の上方に配置することができ、排気口２２２は、処理ユニット１６４の下方に配置することができる。排気口２２２からエンクロージャ２００を出るガスは、ガス源２１０に送り返されてもよい。いくつかの実施形態では、ガス源２１０は、エンクロージャ２００内に存在するガスに加えて、ガスを導入しない。換言すれば、ガスは、エンクロージャ２００の内外で再循環する。ガス源２１０は、エンクロージャ２００に入るガスの温度が一定を維持するのを保証するために利用することができる。熱交換器などの温度制御装置２１１を、ガス源２１０の内部に配置してもよい。温度のわずかな変化は、システム１００の構成要素が熱的に伸びる可能性があるため、システム１００の精度に影響を及ぼす可能性がある。エンクロージャ２００の内部のガス流は、層流とすることができ、これはガス源２１０で、又はガスダクト２０５に結合された流量調整器２１４のいずれかによって制御される。
【００１７】
あるいはまた、ガス通気孔２０８は、側壁２０４のうちの１つに配置してもよい。ガス通気孔２０８は、ガスダクト２０９を介してガス源２１２に接続することができる。動作中、ガスは、ガス源からガス通気孔２０８に供給され、ガス流は、側壁２０４から反対側の側壁２０４に向けられる。排気口２２６を反対側の側壁２０４に形成することができる。換言すると、ガスは、左右に流れる。ここでも、排気口２２６からエンクロージャ２００を出るガスは、ガス源２１２に送り返されてもよい。いくつかの実施形態では、ガス源２１２は、エンクロージャ２００に存在するガスに加えて、ガスを導入しない。換言すれば、ガスは、エンクロージャ２００の内外で再循環する。ガス源２１２は、エンクロージャ２００に入るガスの温度が一定を維持するのを保証するために利用することができる。熱交換器などの温度制御装置２１３を、ガス源２１２の内部に配置してもよい。エンクロージャ２００の内部のガス流は、層流とすることができ、これはガス源２１２で、又はガスダクト２０９に結合された流量調整器２１６のいずれかによって制御される。エンクロージャ２００内の側方から層流のガス流は、ガスの障害物（例えば、ベースフレーム１１０及びスラブ１２０）が回避されるので、ガス渦を生成する可能性を低減することができる。
【００１８】
図３Ａは、本明細書に開示された実施形態に係る図１に示されたシステム１００の支持体１６２の概略斜視図である。図３Ａに示されるように、支持体１６２は、スラブ１２０上に配置されたベース３５０と、処理ユニット１６４（図１）を支持するための複数のビーム（梁）３５２とを含むことができる。隣接するビーム３５２の間に１以上のギャップ３５４を形成することができる。マスク無しの直接パターニングは、隣接するビーム３５２間のギャップ３５４を介して処理ユニット１６４によって基板１４０（図１）上で実行することができる。ビーム３５２は、実質的に平行とすることができる。干渉計１４２は、ギャップ３５４内に（すなわち、ビーム３５２の下ではなく、ベース３５０に隣接して）配置することができるので、ガス通気孔２０６、２０８によって提供される層流の空気流は、干渉計に到達することができる。
【００１９】
図３Ｂは、本明細書に開示された実施形態に係る図１に示されるシステム１００の支持体１６２の概略斜視図である。図３に示されるように、支持体１６２は、処理ユニット１６４（図１）を支持するための天井３０２を含むことができる。天井３０２上の処理ユニット１６４の位置は、点線によって画定された領域３０６によって示されている。天井３０２は、スラブ１２０（図１）と実質的に平行とすることができる。支持体１６２は、天井３０２を支持する側壁３０４を更に含むことができる。側壁３０４は、互いに実質的に平行とすることができる。天井３０２及び側壁３０４は、開口１６６（図１）を画定することができる。干渉計１４２を開口１６６内に（すなわち、側壁３０４に隣接して天井３０２の下に）配置することが可能であるので、干渉計１４２が位置する領域に層流のガス流を提供するために、ガス通気孔を支持体１６２内に形成することができる。一実施形態では、１以上のガス通気孔３０８が、天井３０２内に形成され、１以上のガス通気孔３０８は、干渉計１４２の真上に位置することができる。各ガス通気孔３０８は、Ｘ方向（図１）にある長手軸３０９を有することができる。１以上のガス通気孔３０８は、１以上のガスダクト３１４を介してガス源３１２に結合することができる。ガスは、空気、窒素ガス、又は任意の他の適切なガス又は複数のガスを含むことができる。一実施形態では、２つのガス通気孔３０８が天井３０２内に形成され、領域３０６はガス通気孔３０８の間にある。各ガス通気孔は、１つのガスダクト３１４に結合され、両方のガスダクト３１４は、ガスダクト３１５に結合される。ガスダクト３１５は、ガス源３１２に結合される。他の実施形態では、各ガスダクト３１４は、別個のガス源に結合される。ガス流は、天井３０２からスラブ１２０（図１）へと向かう。換言すると、ガス流は、上部から底部へと向かう。干渉計１４２の領域におけるガス流は層流とすることができ、これはガス源３１２で、又はガスダクト３１５に結合された流量調整器３１６のいずれかによって制御される。
【００２０】
干渉計１４２の領域に層流のガス流を提供するための別の方法は、１つの側壁３０４内に形成されたガス通気孔３１０を有することであり、ガス通気孔３１０は、ガスダクト３２０を介してガス源３１８に結合することができる。ガス通気孔３１０は、Ｘ方向（図１）にある長手軸３１１を有することができる。ガス流は、一方の側壁３０４から他方の側壁３０４へと向かう。換言すると、ガス流は、左右に流れる。ここでも、干渉計１４２の領域におけるガス流は、層流とすることができ、これはガス源３１８で、又はガスダクト３２０に結合された流量調整器３２２のいずれかによって制御される。ガス通気孔３０８、３１０は、ガス通気孔２０６、２０８（図２）に付加又は代替することができる。支持体１６２とエンクロージャ２００の両方のガス通気孔が利用される場合、支持体１６２とエンクロージャ２００の両方において上から下又は左右のガス流が提供される。ガス源３１２又は３１８は、ガス源２１０又は２１０に付加することができ、ガス源３１２又は３１８はまた、層流のガス流の温度を維持するために、温度制御装置３１３又は３１９をそれぞれ含んでもよい。
【００２１】
図４は、本明細書に開示された実施形態に係るシステム１００の概略上面図である。チャック１３０及び干渉計４０２、４０４、４０６、４０８、４１０をより良く図示するために、処理装置１６０は省略されている。干渉計４０２、４０４、４０６、４０８、４１０は、図１に示された干渉計１４２であってもよい。図４に示されるように、複数のミラー４１２、４１４、４１６、４１８、４２０、４２２は、チャック４０１、４０３に結合することができ、ミラー４１２、４１４、４１６、４１８は、それぞれ干渉計４０２、４０４、４０６、４０８とＸ方向及びＺ方向において位置合わせすることができる。ミラー４２０、４２２は、干渉計４１０とＺ方向において位置合わせすることができる。チャック４０１、４０３は、図１に示されたチャック１３０であってもよく、ミラー４１２、４１４、４１６、４１８、４２０、４２２は、図１に示されたミラー１４４であってもよい。チャック４０１は、図４に示されるように、処理位置にある。チャック４０１、４０３は、Ｘ方向において位置合わせされ、干渉計４０２、４０４及び干渉計４０６、４０８は、Ｘ方向に実質的に垂直なＹ方向に沿って配置される。いくつかの実施形態では、ミラー４１２、４１４及びミラー４１６、４１８は、各チャック４０１、４０３の側面の全長をカバーする単一のミラー片であってもよい。
【００２２】
レーザ源４２４は、第１のビームスプリッタ４２６に向けられるレーザビーム４４０を提供するために使用することができる。レーザビーム４４０は、任意の適切な波長（例えば、約５５０ｎｍ）を有することができる。第１のビームスプリッタ４２６は、レーザビーム４４０を第１のサブビーム４４２と第２のサブビーム４４４に分割する。第１のサブビーム４４２は、第１のサブビーム４４２を第３のサブビーム４４６と第４のサブビーム４４８に分割する第２のビームスプリッタ４２８に向けられることができる。第３のサブビーム４４６は、第３のビームスプリッタ４３０に向けられることができ、第４のサブビーム４４８は、干渉計４１０に向けられることができる。第４のサブビーム４４８は、ミラー４２０に向けられた干渉計からのビーム４１１であってもよく、ミラー４２０は、干渉計４１０に戻る反射ビーム４１３として示されるビーム４１１を反射する。ビーム４１１と反射ビーム４１３との間の信号位相変化は、干渉計４１０とミラー４２０との間の距離の変化、すなわち、Ｙ方向の変化を検出するために使用される。Ｙ方向の変化は、動作中にＹ方向に関してチャック４０１上に配置された基板（図示せず）の位置に変換することができる。一実施形態では、１つの干渉計４１０が、チャック４０１、４０３間に配置される。動作中、干渉計４１０は、Ｙ軸に対して動作位置内にあるチャック４０１又は４０３上に配置された基板（図示せず）の位置を測定する。
【００２３】
第３のビームスプリッタ４３０は、第３のサブビーム４４６を、干渉計４０２に向けられた第５のサブビーム４５０と、干渉計４０４に向けられた第６のサブビーム４５２とに分割する。同様に、干渉計４０２は、ビーム４６０をミラー４１２へと向け、ミラー４１２は、反射ビーム４６２を干渉計４０２へと戻し、干渉計４０４は、ビーム４５６をミラー４１４へと向け、ミラー４１４は、反射ビーム４５８を干渉計４０４へと戻す。干渉計４０２、４０４は、それぞれ干渉計４０２、４０４とミラー４１２、４１４の間の距離の変化、すなわち、Ｘ方向の変化を検出する。Ｘ方向の変化は、動作中にＸ方向に関してチャック４０１上に配置された基板（図示せず）の位置に変換することができる。
【００２４】
第２のサブビーム４４４は、第２のサブビーム４４４を第４のビームスプリッタ４３４に向けるミラー４３２に向けられることができる。第４のビームスプリッタ４３４は、第２のサブビーム４４４を波長トラッカ４３６に向けられた第７のサブビーム４６８と第５のビームスプリッタ４３８に向けられた第８のサブビーム４６４に分割する。レーザビームの波長は、環境条件（例えば、温度、圧力、又は湿度）によって影響される可能性がある。波長トラッカ４３６は、空気の屈折率の変化を追跡し、環境変化を光学的に補償する。第５のビームスプリッタ４３８は、第８のサブビーム４６４を、干渉計４０８に向けられた第９のサブビーム４７２と、干渉計４０６に向けられた第１０のサブビーム４７０とに分割する。同様に、干渉計４０８は、ビーム４７３をミラー４１８に向け、ミラー４１８は、反射ビーム４８０を干渉計４０８に戻し、干渉計４０６は、ビーム４７４をミラー４１６に向け、ミラー４１６は、反射ビーム４７６を干渉計４０６に戻す。干渉計４０６、４０８は、それぞれ干渉計４０６、４０８とミラー４１６、４１８との間の距離の変化、すなわち、Ｘ方向の変化を検出する。Ｘ方向の変化は、動作中にＸ方向に関してチャック４０３上に配置された基板（図示せず）の位置に変換することができる。図４に示されるように、各チャックに対して、２つの干渉計が、Ｘ方向に対する基板の位置を測定するために利用され、一方、両方のチャックに対して、１つの干渉計が、Ｙ方向に対する基板の位置を測定するために利用される。ビームスプリッタの位置及び数は、変わってもよい。
【００２５】
点線によって画定される領域４１５は、図３に示されるガス通気孔３０８の真下にある。したがって、ビーム４１１、４１３は、ガス通気孔３０８によって提供される層流ガス流に曝露されることができる。同様に、全てのビームは、ガス通気孔３０８、２０６又はガス通気孔３１０、２０８のいずれかによって提供される層流ガス流に曝露されることができる。層流ガス流のために、干渉計の信号の完全性は維持される。
【００２６】
図５Ａは、別の一実施形態に係るシステム１００の概略上面図である。システム１００は、チャック４０１、４０３を含むことができる。第１のチャック４０１は、第１の側面５０２、側面５０２に対向する第２の側面５０４、第１の側面５０２と第２の側面５０４を接続する第３の側面５０６、及び第３の側面５０６に対向する第４の側面５０８を含む。いくつかの実施形態では、第１及び第２の側面５０２、５０４は実質的に平行であり、第３及び第４の側面５０６、５０８は実質的に平行である。ミラー５０１、５０３は、チャック４０１の側面５０６、５０８上にそれぞれ配置することができる。第２のチャック４０３は、第１の側面５１４、第１の側面５１４に対向する第２の側面５１６、第１の側面５１４と第２の側面５１６を接続する第３の側面５１８、及び第３の側面５１８に対向する第４の側面５２０を含む。いくつかの実施形態では、第１及び第２の側面５１４、５１６は実質的に平行であり、第３及び第４の側面５１８、５２０は実質的に平行である。ミラー５０５、５０７は、チャック４０３の側面５１８、５２０上にそれぞれ配置することができる。ミラー５０１、５０３はＺ方向に整列させることができ、ミラー５０５、５０７はＺ方向に整列させることができるが、ミラー５０１又は５０３は、ミラー５０５又は５０７とそれぞれＺ方向に整列されない。ミラー５０１、５０３、５０５、５０７はそれぞれ、レーザビームを反射するための表面５７０、５７２、５７４、５７６をそれぞれ含むことができる。表面５７０、５７２、５７４、５７６はそれぞれ、側面５０６、５０８、５１８、５２０に実質的に垂直とすることができる。
【００２７】
動作中、チャック４０１又は４０３のいずれかが、点線で表されるチャック５６０として示される処理位置までＸ方向に沿って移動される。処理位置でチャック４０１又はチャック４０３のいずれかを表すチャック５６０は、側面５５０、５５２を含む。図５Ａに示されるように、干渉計５１０、５８０は、側面５５２に隣接する位置に配置することができ、干渉計５１２、５８２は、側面５５０に隣接する位置に配置することができる。干渉計５１０、５８０、５１２、５８２は、開口１６６内に配置することができる。干渉計５１０は、Ｘ方向に対してチャック４０１上に配置された基板の位置を測定するために利用され、干渉計５８０は、Ｘ方向に対してチャック４０３上に配置された基板の位置を測定するために利用される。これにより、干渉計５１０とミラー５０１はＺ方向に整列され、干渉計５８０とミラー５０５はＺ方向に整列される。干渉計５１０とミラー５０１は、動作中にミラー５０１又は５０５が干渉計５８０又は５１０に衝突するのを防止するために、干渉計５８０及びミラー５０５とＺ方向に整列していない。干渉計５１２は、Ｘ方向に対してチャック４０１上に配置された基板の位置を測定するために使用され、干渉計５８２は、Ｘ方向に対してチャック４０３上に配置された基板の位置を測定するために使用される。これにより、干渉計５１２とミラー５０３はＺ方向に整列され、干渉計５８２とミラー５０７はＺ方向に整列される。干渉計５１２及びミラー５０３は、動作中にミラー５０３又は５０７が干渉計５８２又は５１２に衝突するのを防止するために、干渉計５８２及びミラー５０７とＺ方向に整列していない。干渉計５１０、５１２は、干渉計５１０、５１２とミラー５０１、５０３との間の距離の変化、すなわちＸ方向の変化を検出する。Ｘ方向の変化は、動作中にＸ方向に関してチャック４０１上に配置された基板（図示せず）の位置に変換することができる。干渉計５１０、５１２の位置により、干渉計５１０、５１２からミラー５０１、５０３までのビーム経路はそれぞれ減少する。ビーム経路が減少すると、位置測定の向上した精度を達成できる。干渉計５８０、５８２はそれぞれ、干渉計５８０、５８２とミラー５０５、５０７との間の距離の変化、すなわちＸ方向の変化を検出する。Ｘ方向の変化は、動作中にＸ方向に関してチャック４０３上に配置された基板（図示せず）の位置に変換することができる。干渉計５８０、５８２の位置により、干渉計５８０、５８２からミラー５０５、５０７までのビーム経路はそれぞれ減少する。ビーム経路が減少すると、位置測定の向上した精度が達成できる。干渉計５３０は、干渉計５１２、５２２の間に配置されて、干渉計５３０とミラー４２０又は４２２との間の距離の変化、すなわちＹ方向の変化を検出することができる。Ｙ方向の変化は、動作中にＹ方向に関してチャック４０１又は４０３上に配置された基板（図示せず）の位置に変換することができる。
【００２８】
また、干渉計５１０、５１２、５８０、５８２は、図３Ａに示される支持体１６２が使用されたときにギャップ３５４（図３Ａ）に対応する領域５６２内に配置されてもよい。領域５６２の間の領域５６４は、ビーム３５２の真下にある（図３Ａ）。こうして、干渉計５１０、５１２、５８０、５８２からのビーム及び干渉計５１０、５１２、５８０、５８２までのビームは、ガス通気孔２０６又は２０８によって提供される層流ガス流に曝露させることができる。層流ガス流のため、干渉計の信号の完全性は維持される。
【００２９】
あるいはまた、図３Ｂに示されるような支持体１６２が使用される場合、干渉計５１２、５３０、５８２は、領域４１５内で、かつ図３Ｂに示されるガス通気孔３０８の真下に配置することができる。こうして、干渉計５１２、５３０、５８２からのビーム及び干渉計５１２、５３０、５８２までのビームは、ガス通気孔３０８によって提供される層流ガス流に曝露させることができる。同様に、干渉計５１０、５８０は、点線によって画定される領域５３２内に配置することができ、領域５３２は、図３Ｂに示される別のガス通気孔３０８の直下とすることができる。こうして、干渉計５１０、５８０からのビーム及び干渉計５１０、５８０までのビームは、他のガス通気孔３０８によって提供される層流ガス流に曝露させることができる。層流ガス流のため、干渉計の信号の完全性は維持される。
【００３０】
図６は、本明細書で開示される実施形態に係る１つの干渉計１４２の概略上面図である。図６に示されるように、チューブ６０２は、干渉計１４２に結合することができ、チューブ６０２は、Ｘ方向に伸縮可能な伸縮チューブとすることができる。チューブ６０２は、干渉計１４２に結合された第１の端部６０６と、第１の端部６０６とは反対側の第２の端部６０８とを含むことができる。チューブ６０４は、干渉計１４２に結合することができ、チューブ６０４は、Ｙ方向に伸縮可能な伸縮チューブとすることができる。チューブ６０４は、干渉計１４２に結合された第１の端部６１０と、第１の端部６１０とは反対側の第２の端部６１２とを含むことができる。チューブ６０２、６０４は、ビームを保護し、干渉計１４２の信号の完全性を維持するために、干渉計１４２によって送受信されるビームを包囲することができる。
【００３１】
動作中、チューブ６０２、６０４は、干渉計１４２と対応するミラーとの間の距離に基づいて、長さを伸長又は収縮することができる。干渉計１４２と対応するミラーとの間のＸ方向の距離が増加すると、チューブ６０２は、干渉計１４２と対応するミラーとの間のビームの大部分をカバーするために伸長することができる。干渉計１４２と対応するミラーとの間のＸ方向の距離が減少すると、チューブ６０２は、干渉計１４２と対応するミラーとの間のビームの大部分をカバーするために収縮することができる。同様に、干渉計１４２と対応するミラーとの間のＹ方向の距離が増加すると、チューブ６０４は、干渉計１４２と対応するミラーとの間のビームの大部分をカバーするために伸長することができる。干渉計１４２と対応するミラーとの間のＹ方向の距離が減少すると、チューブ６０４は、干渉計１４２と対応するミラーとの間のビームの大部分をカバーするために収縮することができる。チューブ６０２又は６０４の伸長又は収縮の間に、チューブ６０２又は６０４の第２の端部６０８又は６１２と対応するミラーとの間にギャップが存在してもよい。ギャップは、動作中、ミラーとチューブ６０２又は６０４が、接触しないことを保証し、接触はミラー又は干渉計に損傷を与える可能性がある。チューブ６０２、６０４は、干渉計１４２によって送受信されるビームを保護するために、システム１００内に配置されたすべての干渉計１４２に結合されてもよい。
【００３２】
図７は、本明細書に開示された実施形態に係る図１に示されたシステムのチャック１３０の一部の概略側面図である。図６に示されるように、第１のガスカウリング７０２をミラー１４４に結合することができ、第２のガスカウリング７０４をミラー１４４に対向するチャック１３０の端部７０３に結合することができる。第１のガスカウリング７０２は、Ｘ方向に実質的に垂直な長手軸７０６を有することができ、第２のガスカウリング７０４は、Ｘ方向に実質的に垂直な長手軸７０８を有することができる。チャック１３０が動作中にＸ方向に移動するとき、ガスカウリング７０２、７０４は、抵抗を減少させるのを助け、こうしてガス乱流を生じさせるガス渦を減少させる。ガスカウリング７０２、７０４には、任意の適切なガスカウリングが使用されてもよい。一実施形態では、ガスカウリング７０２、７０４はそれぞれ、湾曲した外面を有してもよい。システム１００内に配置されたチャック１３０の全ては、ガスカウリング７０２、７０４を含んでもよい。
【００３３】
図８は、本明細書に開示された実施形態に係るチャック１３０及び干渉計１４２の概略上面図である。図７に示されるように、ガスカウリング７０２、７０４がチャック１３０の対向端に結合され、２つの干渉計１４２がチャック１３０のＸ方向の位置を測定するために利用され、１つの干渉計１４２がチャック１３０のＹ方向の位置を測定するために利用される。１つのチューブ６０２がチャック１３０のＸ方向の位置を測定する各々の干渉計１４２に結合され、１つのチューブ６０４がチャック１３０のＹ方向の位置を測定する干渉計１４２に結合される。上述したように、ミラー１４４及び干渉計１４２を保護するために、動作中、チューブ６０２とガスカウリング７０２との間、及びチューブ６０４とミラー１４４との間にギャップＧを形成することができる。
【００３４】
要約すると、フォトリソグラフィシステムが開示される。フォトリソグラフィシステム内の環境は、システム内のガス流が層流となるように制御することができる。層流のガス流は、フォトリソグラフィシステム内に配置されたセンサの信号の完全性を維持するのに役立つ。センサの例は、干渉計とすることができる。干渉計の信号の完全性を維持することは、フォトリソグラフィシステムの内部に配置された基板の位置の測定精度を向上させる。
【００３５】
上記は本考案の実施形態を対象としているが、本考案の他の及び更なる実施形態は本考案の基本的範囲を逸脱することなく創作することができ、その範囲は以下の実用新案登録請求の範囲に基づいて定められる。
【図１】
0003208680.tif 000003
【図２】
0003208680.tif 000004
【図３Ａ】
0003208680.tif 000005
【図３Ｂ】
0003208680.tif 000006
【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
0003208680.tif 000009
【図６】
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【図７】
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【図８】
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