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　特願２００９−５３６８４６「フィーチャ空間集積度を高めるリソグラフィのためのダブルパターニング方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２０年　５月２２日国際公開、ＷＯ２００８／０５９４４０、平成２２年　３月２５日国内公表、特表２０１０−５０９７８３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯
　本願は、２００７年１１月１３日（パリ条約による優先権主張２００６年１１月１４日、欧州）を国際出願日とする出願であって、平成２３年９月２６日付けで手続補正がなされたが、平成２４年２月３日付けで拒絶査定がされた。
　本件は、これを不服として、同年６月７日に請求された拒絶査定不服審判である。 
　
２　本願発明
　本願の請求項１１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成２３年９月２６日付け手続補正書によって補正された特許請求の範囲の請求項１１に記載された次のとおりのものと認める。
「基板の中もしくは上の少なくとも１つのデバイス層にパターンを形成する方法であって、
ａ） 第１フォトレジスト層を前記デバイス層に塗布し、
ｂ） 第１マスクを用いて前記第１フォトレジストを露光し、
ｃ） 前記第１フォトレジスト層を現像して第１パターンを前記基板上に形成し、
ｄ） 前記基板を保護層で被覆し、
ｅ） 前記保護層を処理して第１フォトレジスト１１と接触している部分を変化させ、変化された保護層がその後の露光および／または現像に実質的に影響されないようにし、
ｆ） 前記基板に第２フォトレジスト層を塗布し、
ｇ） 第２マスクを用いて前記第２フォトレジスト層を露光し、
ｈ） 前記第２フォトレジスト層を現像して、前記第１フォトレジスト層の第１パターンに重大な影響を与えることなく、前記基板上に第２パターンを形成する、
工程を含み、
ｉ） 前記第１および第２パターンが一緒になって、前記第１および第２の各パターンに画成されたフィーチャよりも高い空間周波数を有する、散置されたフィーチャを画成し、
　フィンＦＥＴの製造に適用され、前記第１マスクがフィンＦＥＴの第１群のフィンを画成するよう構成され、前記第２マスクがフィンＦＥＴの第２群のフィンを画成するよう構成され、前記第１群及び第２群のフィンが散在していることを特徴とする方法。」
　
３　先願発明
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先日前の他の出願であって、その出願後に出願公開された特願２００６−２６５１１５号（特開２００８−８３５３７号公報参照。）の願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲及び図面（以下「先願明細書」という。）には、次の事項が記載されている。
ａ　発明の詳細な説明の記載
「【０００１】
  本発明は、ダブルパターニング法によりパターンを形成するパターン形成方法、及び該パターン形成方法に好適に用いられる被覆膜形成用材料に関する。
【背景技術】
【０００２】
  基板の上に微細なパターンを形成し、これをマスクとしてエッチングを行うことによって該パターンの下層を加工する技術（パターン形成技術）は、半導体産業のＩＣ作成などに広く採用され、大きな注目を浴びている。」
「【０１３６】
  本実施形態においては、まず、図１（ａ）に示すように、
支持体１上に、第一の化学増幅型レジスト組成物を塗布して第一のレジスト膜２を形成
第一のレジスト膜２を選択的に露光し、現像して複数の第一のレジストパターン３を形成
複数の第一のレジストパターン３の表面に
被覆膜４を形成して複数の被覆パターン５を形成
複数の被覆パターン５が形成された支持体１上に第二の化学増幅型レジスト組成物を塗布し、複数の被覆パターン５間の空隙を充填する第二のレジスト膜６を形成
第二のレジスト膜６
を選択的に露光し、現像
第二のレジストパターン７と、複数の被覆パターン５とからなるパターン
が支持体１上に形成される
「【０１３８】
［膜形成工程（１）］
  
支持体１としては、
基板や、これに所定の配線パターンが形成されたもの
【０１３９】
  また、支持体１としては、上述のような基板上に、無機系及び／又は有機系の膜が設けられたものであってもよい。無機系の膜としては、無機反射防止膜（無機ＢＡＲＣ）が挙げられる。有機系の膜としては、有機反射防止膜（有機ＢＡＲＣ）や多層レジスト法における下層膜などの有機膜が挙げられる。特に、下層膜が設けられていると、基板上に、高アスペクト比のパターンを形成でき、半導体の製造などにおいて有用であり、好ましい。」
「【０１４７】
［パターニング工程（１）］
  パターニング工程（１）は、従来公知の方法を利用して行うことができ、例えば、所定のパターンが形成されたマスク（マスクパターン）を介して第一のレジスト膜２を選択的に露光し、８０〜１５０℃の温度条件下、ベーク処理（ＰＥＢ（露光後加熱））を４０〜１２０秒間、好ましくは６０〜９０秒間施して施し、例えば０．１〜１０質量％濃度のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）水溶液でアルカリ現像すると、使用したレジスト組成物がポジ型である場合は露光部が除去され、ネガ型である場合は未露光部が除去されて第一のレジストパターン３が形成される。」
「【０１５６】
［被覆工程］
  次に、形成した複数の第一のレジストパターン３の表面に、それぞれ、水溶性樹脂膜からなる被覆膜４を形成して複数の被覆パターン５を形成する。
【０１５７】
  被覆膜４の形成方法としては、水溶性樹脂及び水溶性架橋剤を含有してなる水溶液から構成される被覆膜形成用材料を用いる方法が好ましく用いられる。被覆膜形成用材料については、後述する本発明の被覆膜形成用材料において詳細に説明する。
【０１５８】
  この被覆膜形成用材料を用いる場合、被覆膜４は、例えば、当該
被覆膜形成用材料をパターンの表面に塗布して塗膜を形成した後、該塗膜にベーク処理を施すことによって形成
「【０１７１】
［パターニング工程（２）］
  次に、第二のレジスト膜６の、複数の被覆パターン５を形成した位置とは異なる位置を選択的に露光し、現像する。これにより、支持体１上に、複数の被覆パターン５と、第二のレジスト膜６に新たに形成された複数の第二のレジストパターン７とからなる複合パターンが形成される。
【０１７２】
  ここで、本発明においては、被覆工程で形成した被覆パターンと完全に一致する場合以外はすべて「被覆パターンを形成した位置とは異なる位置」であり、全く重複していない場合、及び一部重複している場合を含むものとする。
【０１７３】
  本発明においては、
被覆パターンを形成した位置と、パターニング工程（２）で選択的に露光する位置とが全く重複しないことが好ましい。これにより、パターニング工程（１）で形成したレジストパターンよりも、パターン間の間隔（ピッチ）が狭い狭ピッチのパターンが形成でき
【０１７４】
  被覆パターンを形成した位置とは異なる位置の選択的露光は、例えば、パターニング工程（１）で用いたマスクパターンを水平方向に移動させて行うことができる。このようなマスクパターンの移動は、使用する露光装置のプログラムを調節することにより実施できる。マスクパターンは、１つの方向に平行移動させてもよく、回転移動させてもよい。例えば、パターンを形成する場合、
パターニング工程（１）で、
ラインアンドスペースのマスクパターンを用いてラインアンドスペースパターンを形成した後、パターニング工程（２）で、当該マスクパターンを、ラインの方向に対して垂直方向に平行移動させ、パターニング工程（１）で形成したラインパターンとラインパターンとの中間位置にラインパターンを形成する
【０１７５】
  例えば、ライン幅１００ｎｍ、ライン幅：スペース幅＝１：３のラインアンドスペースパターンを形成した後、マスクパターンを、ラインの方向に対して垂直方向に２００ｎｍ平行移動させ、ライン幅１００ｎｍ、ライン幅：スペース幅＝１：３のラインアンドスペースパターンを形成することにより、ライン幅１００ｎｍ、ライン幅：スペース幅＝１：１のラインアンドスペースパターンを形成することができる。
【０１７６】
  また、パターニング工程（１）で用いたマスクパターンを回転移動させたり、パターニング工程（１）で用いたマスクパターンとは異なるマスクパターンを用いたりすることにより、多様な複合パターンを形成することができる。
【０１７７】
  マスクパターンを移動させる方法以外の方法としては、露光機中のステージ（基板を載せている台）を移動させる方法を用いることもできる。
【０１７８】
  本発明のパターン形成方法においては、上記パターニング工程（２）後、さらに、形成された複合パターンの表面に水溶性樹脂膜からなる被覆膜を形成する第二の被覆工程を行ってもよい。これにより、複合パターン中の、第二のレジスト膜６に形成された第二のレジストパターン７の表面が、水溶性樹脂膜からなる被覆膜で被覆され、エッチング耐性などが向上する。
【０１７９】
  本発明のパターン形成方法においては、上記パターニング工程（２）後、さらに、上述した被覆工程、膜形成工程（２）、パターニング工程（２）の一連の操作を複数回繰り返して行ってもよい。すなわち、形成された複合パターン表面に、水溶性樹脂膜からなる被覆膜を形成して被覆パターンを形成し、該被覆パターンが形成された支持体１上に化学増幅型レジスト組成物を塗布してレジスト膜を形成し、該レジスト膜を選択的に露光し、現像して複合パターンを形成する操作を複数回行ってもよい。これにより、さらに狭ピッチのパターンを形成したり、複雑な形状のパターンを形成したりすることができる。
【０１８０】
  本発明のパターン形成方法においては、上記パターニング工程（２）後、形成された複合パターンをマスクとして用いて支持体１のエッチングを行ってもよい。すなわち、基板上に有機膜が設けられている場合は有機膜のエッチングを行うことができ、該有機膜に、複合パターンに忠実なパターン（有機膜パターン）を形成でき、さらに、これらのパターン（複合パターン及び有機膜パターン）をマスクとして基板のエッチングを行うことができる。複合パターンが基板上に直接形成されている場合は、そのまま、複合パターンをマスクとして、基板のエッチングを行うことができる。このように基板をエッチングすることにより、
半導体デバイスなどを製造
【０１８１】
  エッチングの方法は、公知の方法が利用でき、例えば有機膜のエッチングは、ドライエッチングが好ましい。特に、被覆膜のそれらのエッチングに対する耐性が高い点、生産効率の点から、酸素プラズマエッチング、又はＣＦ４ガス若しくはＣＨＦ３ガスを用いたエッチングが好ましく、中でも酸素プラズマエッチングが好ましい。基板のエッチングは、ハロゲンガスを用いたエッチングが好ましく、フッ化炭素系ガスを用いたエッチングが好ましく、特にＣＦ４ガス又はＣＨＦ３ガスを用いたエッチングが好ましい。」
「【０２７０】
［実施例１］
  ＡｒＦレジスト組成物「ＴＡｒＦ−Ｐ６１１１」（東京応化工業株式会社製）を、８インチシリコン基板の上にスピンコート塗布し、１４０℃、６０秒の条件でプレベーク処理（ＰＡＢ）を施すことにより、膜厚２４３ｎｍのレジスト膜を形成した。ついで、このレジスト膜を、ＫｒＦエキシマレーザー露光機ＮＳＲ−Ｓ２０３（Ｎｉｋｏｎ社製、ＮＡ＝０．６８、σ＝０．７５）を用いて、ライン幅２５０ｎｍ、ピッチ７５０ｎｍのマスクを介して選択的に露光した。ついで、１４０℃、６０秒の条件でベーク処理（ＰＥＢ）を施した後、２．３８質量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を用いて３０秒間現像し、脱イオン水で２０秒間洗浄した。その結果、レジスト膜に、ライン幅２７０ｎｍのラインパターンが等間隔に配置されたレジストパターン（以下、パターン（１）という。）が形成された。
【０２７１】
  別途、水溶性樹脂としてポリビニルピロリドン「ＰＶＰ  Ｋ３０」（ＢＡＳＦ社製）、水溶性架橋剤として尿素系架橋剤「Ｎ−８３１４」（三和ケミカル社製）を水溶性樹脂に
対して５質量％、界面活性剤としてラウリルジメチルアミンオキシドを全体量に対して５００ｐｐｍ配合した水溶液（全固形分濃度＝１０質量％とした）を、被覆膜形成用材料として調製した。
【０２７２】
  この被覆膜形成用材料を、前記パターン（１）の上に、スピンコートで均一に塗布した後、１３０℃、６０秒の条件でベーク処理を施し、脱イオン水で６０秒間洗浄した。その結果、パターン（１）の表面が均一な被覆膜（水溶性樹脂膜）で被覆され、被覆ラインパターンが形成された。
【０２７３】
  続いて、
被覆ラインパターンが形成された基板上に、レジスト溶剤
をスピンコートし
乾燥処理した後、該レジスト膜をマスクなしで全面露光を施し、次いで、
現像し、
洗浄した。その結果、被覆ラインパターンの寸法変動は発生しなかった
【０２７４】
  上記の結果より、本発明の被服膜形成用材料を用いることにより、２回目のパターニングを行った後においても、被覆ラインパターンは、レジスト組成物をその上に塗布する前の形状が溶解することなく維持されると推測できることが確認された。」
　
ｂ　図面の記載
「【図１】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
　
ｃ　先願明細書記載の発明
　上記ａ及びｂの記載事項によると、先願明細書には、以下の発明（以下「先願発明」という。）が記載されていると認められる。
「基板に所定の配線パターンが形成された支持体１上にパターンを形成する半導体デバイスの製造方法であって、
支持体１上に、第一の化学増幅型レジスト組成物を塗布して第一のレジスト膜２を形成し、
第一のレジスト膜２を選択的に露光し、現像して複数の第一のレジストパターン３を形成し、
複数の第一のレジストパターン３の表面に、被覆膜形成用材料をパターンの表面に塗布して塗膜を形成した後、該塗膜にベーク処理を施すことによって被覆膜４を形成して複数の被覆パターン５を形成し、
複数の被覆パターン５が形成された支持体１上に第二の化学増幅型レジスト組成物を塗布し、複数の被覆パターン５間の空隙を充填する第二のレジスト膜６を形成し、
第二のレジスト膜６を選択的に露光し、現像して、第二のレジストパターン７と、複数の被覆パターン５とからなるパターンが支持体１上に形成され、
被覆パターン５が形成された基板上に、レジスト溶剤をスピンコートし乾燥処理した後、レジスト膜をマスクなしで全面露光を施し、次いで現像し、洗浄した結果、被覆パターン５の寸法変動は発生せず、
被覆パターン５を形成した位置と、第二のレジストパターン７を形成するパターニング工程（２）で選択的に露光する位置とが全く重複しないようにして、第一のレジストパターン３を形成するパターニング工程（１）で形成したレジストパターンよりも、パターン間の間隔（ピッチ）が狭い狭ピッチのパターンが形成でき、
第一のレジストパターン３を形成するパターニング工程（１）で、ラインアンドスペースのマスクパターンを用いてラインアンドスペースパターンを形成した後、第二のレジストパターン７を形成するパターニング工程（２）で、当該マスクパターンを、ラインの方向に対して垂直方向に平行移動させ、パターニング工程（１）で形成したラインパターンとラインパターンとの中間位置にラインパターンを形成する方法。」
　
４　本願発明と先願発明との対比
　ここで、本願発明と先願発明とを対比する。
（１）先願発明の「基板に所定の配線パターンが形成された支持体１上にパターンを形成する半導体デバイスの製造方法」は、本願発明の「基板の中もしくは上の少なくとも１つのデバイス層にパターンを形成する方法」に相当する。
　
（２）先願発明の「第一のレジスト膜２」は、本願発明の「第１フォトレジスト層」に相当する。
　また、先願発明の「支持体１」が、本願発明の「基板」及び「基板の中もしくは上の少なくとも１つのデバイス層」に相当する。
　そうすると、先願発明の「支持体１上に、第一の化学増幅型レジスト組成物を塗布して第一のレジスト膜２を形成」する点は、本願発明の「第１フォトレジスト層を前記デバイス層に塗布」する点に相当する。
　
（３）先願発明は、「第一のレジストパターン３を形成するパターニング工程（１）で、ラインアンドスペースのマスクパターンを用いてラインアンドスペースパターンを形成」するものであるから、先願発明の「第一のレジストパターン３を形成する」「マスクパターン」は、本願発明の「第１マスク」に相当する。
　そして、先願発明は、「第一のレジストパターン３を形成」する際に、「第一のレジスト膜２を選択的に露光」するものであるから、先願発明の「第一のレジスト膜２を選択的に露光」する点は、本願発明の「第１マスクを用いて前記第１フォトレジストを露光」する点に相当する。
　
（４）先願発明の「第一のレジストパターン３」は、本願発明の「第１パターン」に相当する。
　そうすると、先願発明の「第一のレジスト膜２を」「現像して複数の第一のレジストパターン３を形成」する点は、本願発明の「第１フォトレジスト層を現像して第１パターンを前記基板上に形成」する点に相当する。
　
（５）先願発明の「塗膜」が本願発明の「保護層」に相当する。
　そうすると、先願発明の「複数の第一のレジストパターン３の表面に、被覆膜形成用材料をパターンの表面に塗布して塗膜を形成」する点は、本願発明の「基板を保護層で被覆」する点に相当する。
　
（６）先願発明の「塗膜にベーク処理を施すことによって被覆膜４を形成して複数の被覆パターン５を形成」する点は、本願発明の「保護層を処理して第１フォトレジスト１１と接触している部分を変化させ」る点に相当する。
　
（７）先願発明の「第二のレジスト膜６」は、本願発明の「第２フォトレジスト層」に相当する。
　そうすると、先願発明の「複数の被覆パターン５が形成された支持体１上に第二の化学増幅型レジスト組成物を塗布し、複数の被覆パターン５間の空隙を充填する第二のレジスト膜６を形成」する点は、本願発明の「基板に第２フォトレジスト層を塗布」する点に相当する。
　
（８）先願発明は、「第一のレジストパターン３を形成するパターニング工程（１）で、ラインアンドスペースのマスクパターンを用いてラインアンドスペースパターンを形成した後、第二のレジストパターン７を形成するパターニング工程（２）で、当該マスクパターンを、ラインの方向に対して垂直方向に平行移動させ、」「ラインパターンを形成する」ものであるから、先願発明の「第二のレジストパターン７を形成するパターニング工程（２）で、」「ラインアンドスペースのマスクパターン」を「ラインの方向に対して垂直方向に平行移動させ、」「ラインパターンを形成する」「マスクパターン」が、本願発明の「第２マスク」に相当する。
　そして、先願発明は、「第二のレジストパターン７」を「形成」する際に、「第二のレジスト膜６を選択的に露光」するものであるから、先願発明の「第二のレジスト膜６を選択的に露光」する点は、本願発明の「第２マスクを用いて前記第２フォトレジスト層を露光」する点に相当する。
　
（９）先願発明の「第二のレジストパターン７」は、本願発明の「第２パターン」に相当する。
　そうすると、先願発明の「第二のレジスト膜６を」「現像して、第二のレジストパターン７と、複数の被覆パターン５とからなるパターン」を「支持体１上に形成」する点は、本願発明の「第２フォトレジスト層を現像して、」「基板上に第２パターンを形成する」点に相当する。
　
（１０）先願発明の「被覆パターン５」は、「第一のレジストパターン３の表面に、」「被覆膜４を形成」するものであって、先願発明の「第一のレジストパターン３」と同様に、本願発明の「第１パターン」に相当する。
　また、先願発明は、「被覆パターン５が形成された基板上に、レジスト溶剤をスピンコートし乾燥処理した後、レジスト膜をマスクなしで全面露光を施し、次いで現像し、洗浄した結果、被覆パターン５の寸法変動は発生」しないものであるから、「被覆パターン５」はその後の露光及び現像に影響されていないものであるといえる。
　したがって、先願発明の「被覆パターン５が形成された基板上に、レジスト溶剤をスピンコートし乾燥処理した後、レジスト膜をマスクなしで全面露光を施し、次いで現像し、洗浄した結果、被覆パターン５の寸法変動は発生」しない点は、本願発明の「変化された保護層がその後の露光および／または現像に実質的に影響され」ず、かつ、「第２フォトレジスト層」の「現像」において、「第１フォトレジスト層の第１パターンに重大な影響を与えること」がない点に相当する。
　
（１１）先願発明の「被覆パターン５を形成した位置と、第二のレジストパターン７を形成するパターニング工程（２）で選択的に露光する位置とが全く重複しないようにして、第一のレジストパターン３を形成するパターニング工程（１）で形成したレジストパターンよりも、パターン間の間隔（ピッチ）が狭い狭ピッチのパターンが形成でき」る点は、本願発明の「第１および第２パターンが一緒になって、前記第１および第２の各パターンに画成されたフィーチャよりも高い空間周波数を有する、散置されたフィーチャを画成」する点に相当する。
　
（１２）先願発明は、「ラインパターンとラインパターンとの中間位置にラインパターンを形成」するものであるから、これらのパターンは散在しているものであるといえる。
　そうすると、先願発明の「半導体デバイスの製造方法であって、」「第一のレジストパターン３を形成するパターニング工程（１）で、ラインアンドスペースのマスクパターンを用いてラインアンドスペースパターンを形成した後、第二のレジストパターン７を形成するパターニング工程（２）で、当該マスクパターンを、ラインの方向に対して垂直方向に平行移動させ、パターニング工程（１）で形成したラインパターンとラインパターンとの中間位置にラインパターンを形成する」点と、本願発明の「フィンＦＥＴの製造に適用され、前記第１マスクがフィンＦＥＴの第１群のフィンを画成するよう構成され、前記第２マスクがフィンＦＥＴの第２群のフィンを画成するよう構成され、前記第１群及び第２群のフィンが散在している」点とは、「半導体デバイスの製造に適用され、第１マスクが第１群のパターンを画成するよう構成され、第２マスクが第２群のパターンを画成するよう構成され、前記第１群及び第２群のパターンが散在している」点で一致する。
　
　上記（１）〜（１２）の点から、本願発明と先願発明は、
「基板の中もしくは上の少なくとも１つのデバイス層にパターンを形成する方法であって
、
ａ） 第１フォトレジスト層を前記デバイス層に塗布し、
ｂ） 第１マスクを用いて前記第１フォトレジストを露光し、
ｃ） 前記第１フォトレジスト層を現像して第１パターンを前記基板上に形成し、
ｄ） 前記基板を保護層で被覆し、
ｅ） 前記保護層を処理して第１フォトレジスト１１と接触している部分を変化させ、変化された保護層がその後の露光および／または現像に実質的に影響されないようにし、
ｆ） 前記基板に第２フォトレジスト層を塗布し、
ｇ） 第２マスクを用いて前記第２フォトレジスト層を露光し、
ｈ） 前記第２フォトレジスト層を現像して、前記第１フォトレジスト層の第１パターンに重大な影響を与えることなく、前記基板上に第２パターンを形成する、
工程を含み、
ｉ） 前記第１および第２パターンが一緒になって、前記第１および第２の各パターンに画成されたフィーチャよりも高い空間周波数を有する、散置されたフィーチャを画成し、
第１マスクが第１群のパターンを画成するよう構成され、第２マスクが第２群のパターンを画成するよう構成され、前記第１群及び第２群のパターンが散在している」
で一致し、以下の点で相違する。
　
（相違点）
　本願発明は、フィンＦＥＴの製造に適用され、第１群のパターン及び第２群のパターンがフィンＦＥＴのフィンを画成するよう構成されているのに対し、先願発明は、半導体デバイスの製造方法であり、第一のレジストパターン３を形成するパターニング工程（１）で第一のレジストパターン３をラインアンドスペースのマスクパターンで形成した後、当該マスクパターンを、ラインの方向に対して垂直方向に平行移動させ、パターニング工程（１）で形成したラインパターンとラインパターンとの中間位置にラインパターンを形成している点。
　
５　当審の判断
　以下、上記相違点について検討する。
　複数の平行なフィンを有するフィンＦＥＴは、周知の半導体デバイスである。（国際公開第２００５／１２２２７６号公報の［００５１］乃至［００７０］並びに図１乃至図１０の記載、特開２００６−２６９９７５号公報の【００２２】乃至【００３３】並びに図３乃至図１０の記載、特開２００４−８８０８９号公報の【００２０】乃至【００２１】並びに図２の記載参照。）
　そして、先願発明は、「半導体デバイス」の「パターンを形成する方法」であって、さらに、「第一のレジストパターン３を」「ラインアンドスペースのマスクパターンで形成した後、第二のレジストパターン７を」、「当該マスクパターンを、ラインの方向に対して垂直方向に平行移動させ、」「ラインパターンとラインパターンとの中間位置にラインパターンを形成する」ものであるから、互いに平行なパターンを形成するものであるといえる。
　また、先願発明のパターン形成方法を周知のフィンＦＥＴの製造に適用することは、周知技術の転換であって、第１群のパターン及び第２群のパターンがフィンＦＥＴのフィンを画成するよう構成することが新たな効果を奏するものではない。
　したがって、先願発明において、フィンＦＥＴの製造に適用して、第１群のパターン及び第２群のパターンがフィンＦＥＴのフィンを画成するよう構成する点は、課題解決のための具体化手段の微差であり、上記相違点は実質的な相違点ではない。
　よって、本願発明は、先願発明と実質的に同一である。
　
６　むすび
　以上のとおり、本願発明は、先願明細書に記載された発明と同一であり、しかも、本願発明の発明者が上記先願明細書に記載された発明の発明者と同一であるとも、また、本願の出願時に、その出願人が上記他の出願の出願人と同一であるとも認められないので、本願発明は、特許法２９条の２の規定により特許を受けることができない。
　したがって、その余の請求項に係る発明について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。