【事件の表示】
　特願２００５−１０３８１０「半導体レーザおよびそれを用いた光通信システム」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年１０月１９日出願公開、特開２００６−２８６８７０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
　
１　手続の経緯
　本願は、平成１７年３月３１日の出願であって、平成２２年７月２６日に手続補正がなされ、同年１２月１日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成２３年３月２日に拒絶査定不服審判請求がなされた後、当審において平成２４年６月２６日付けで拒絶理由が通知され、同年８月３０日に意見書が提出されたものである。
　
２　本願発明
　本願の請求項に係る発明は、平成２２年７月２６日になされた手続補正後の特許請求の範囲の請求項１ないし７に記載された事項により特定されるものと認められるところ、請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次のとおりのものである。
「第一導電型GaAs基板上に少なくとも第一導電型InAlGaPクラッド層、InAlGaP下部光ガイド層、InGaPもしくはInAlGaPからなる量子井戸活性層、InAlGaP上部光ガイド層、この上部光ガイド層側に形成されたノンドープ領域を含む第二導電型InAlGaP上部クラッド層、第二導電型InGaPヘテロバッファ層、第二導電型GaAsキャップ層が順次積層されてなる赤色半導体レーザにおいて、
　前記上部クラッド層と上部光ガイド層との界面における第二導電型キャリア濃度が4×1016ｃｍ-3以下であり、
　前記第二導電型上部クラッド層内において第二導電型キャリア濃度が4×1016ｃｍ-3となっている領域から、該上部クラッド層と上部光ガイド層との界面までの距離が70ｎｍ以下であることを特徴とする半導体レーザ。」
　
３　刊行物の記載及び引用発明
（１）引用文献１
　当審において通知した拒絶の理由に引用した、本願の出願前に頒布された、特開２００４−４７９６２号公報（以下「引用文献１」という。）には、以下の記載がある（下線は当審にて付した。）。
ア　「【０００１】【発明の属する技術分野】
本発明は半導体装置の改善に関し、特にＯＭＶＰＥ（有機金属気相エピタキシャル）法で製造されるＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体装置の改善に関するものである。
【０００２】【従来の技術】
ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を利用する電子素子や光素子の製造のためのＯＭＶＰＥ結晶成長法において、ｐ型ドーパントとしては一般にＺｎ、Ｍｇ、またはＣが用いられる。」
　
イ　「【０００５】ところで、近年普及が始まっているＤＶＤ（デジタル汎用ディスク）レコーダに採用されている
高輝度赤色レーザ素子
　
ウ　「【０００７】しかし、たとえばＺｎを１Ｅ１８ｃｍ−３（なお、「Ｅ１８」は「×１０１８」を意味し、以後同様である）を超えてドーピングすれば、結晶成長中にＺｎが拡散し、レーザ素子中の活性層であるＭＱＷ（多重量子井戸）中を貰通するという現象が起こる。非常に薄いＡｌＧａＩｎＰとＧａＩｎＰの多層構造からなるＭＱＷ中をＺｎが拡散すれば、そのＭＱＷ構造が物理的に崩壊し、量子効果が消滅して発光波長が短波長化しかつ発光強度が減少するという問題がある。
【０００８】以上述べたように、Ａｌを含む発光素子においてはｐ型ドーパントとしてＺｎを採用することが望ましいが、高濃度にＺｎをドーピングした場合にＺｎの拡散が起こるという問題がある。そこで、本発明は高濃度にＺｎをドーピングした場合でもＺｎの拡散を抑制することができるＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体装置を提供することを目的としている。」
　
エ　「【００１４】【発明の実施の形態】
図１は、本発明が適用され得るＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体装置として、レーザ素子の一例を模式的断面図で示している。この
レーザ素子
ｎ型ＧａＡｓ基板１上に順にエピタキシャル成長させられたｎ型（Ａｌ
０．７
Ｇａ
０．３
）
０．５
Ｉｎ
０．５
Ｐクラッド層２、（Ａｌ
０．５
Ｇａ
０．５
）
０．５
Ｉｎ
０．５
Ｐ下部ガイド層３、ＭＱＷ層（複数のＧａＩｎＰ井戸層と複数のＡｌＧａＩｎＰ障壁層を含む）４、（Ａｌ
０．５
Ｇａ
０．５
）
０．５
Ｉｎ
０．５
Ｐ上部ガイド層５、アンドープのＡｌＧａＩｎＰオフセット層６ａ、Ｚｎを含むｐ型（Ａｌ
０．７
Ｇａ
０．３
）
０．５
Ｉｎ
０．５
Ｐクラッド層６、およびｐ型ＧａＡｓコンタクト層７を含
【００１５】このように、
アンドープ層であるべき上部ガイド層５内とＭＱＷ層４内へのＺｎの拡散を防止するために、Ｚｎドーピング層であるｐ型クラッド層６に隣接して、Ｚｎの拡散を見込んだアンドープのオフセット層６ａを挿入
【００１６】しかし、本発明者らが行なった実験によれば、
ｐ型クラッド層６のＺｎ濃度が１Ｅ１８ｃｍ
−３
程度で
　
オ　「【００１７】（実施例１）
実施例１において、図１に示されたようなＡｌＧａＩｎＰ／ＧａＩｎＰのＭＱＷを有するＤＨ−ＬＤ（ダブルへテロ・レーザダイオード）装置としての試料Ｎｏ．１とＮｏ．２が、一部異なる条件の下で作製された。試料Ｎｏ．１とＮｏ．２のいずれにおいても、ＭＱＷの発光波長が６４０ｎｍになるように、その組成と構造が設定された。また、上部ガイド層５上に厚さ１５０ｎｍのアンドープのオフセット層６ａが形成された。・・・
【００２３】（実施例２）
実施例１に類似して、実施例２においては試料Ｎｏ．３、Ｎｏ．４、およびＮｏ．５が作製された。ただし、これらの試料のいずれにおいても、オフセット層６ａの厚さは８５ｎｍに設定された。・・・
【００２７】（実施例３）
実施例１に類似して、実施例３においては試料Ｎｏ．６、Ｎｏ．７、およびＮｏ．８が作製された。ただし、これらの試料のいずれにおいても、オフセット層６ａの厚さは４０ｎｍに設定された。」
　
カ　「【００３２】（実施例４）
実施例４において作製された資料Ｎｏ．９とＮｏ．１０は、図１中のオフセット層６ａを含んでいないことにおいて、上述の試料Ｎｏ．１〜８と異なっている。そして、試料Ｎｏ．９とＮｏ．１０の間において作製上異なる条件は、試料Ｎｏ．９においてはｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層６の格子不整合度（△ａ／ａ）を１Ｅ−４以下のほとんど歪みがない状態に設定したのに対して、試料Ｎｏ．１０においてはｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層６の格子不整合度（△ａ／ａ）を３Ｅ−３にして圧縮歪みを生じる状態に設定したことである。ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層６の格子定数は、ＡｌＧａＩｎＰの組成比を微調整することによって設定された。
【００３３】以上のような条件の下で作製された試料Ｎｏ．９とＮｏ．１０について、ＳＩＭＳ（２次イオン質量分析）が測定され、それぞれの試料に関する測定結果が図１０と図１１に示されている。すなわち、これらの図のグラフにおいて、横軸は上部ガイド層５とＭＱＷ層４との界面を基準にした深（ｎｍ）さを表し、左の縦軸はＺｎの濃度（×１０１８ｃｍ−３）を表し、そして右の縦軸はＡｌ、Ｇａ、Ｉｎ、およびＰの濃度を任意単位（ａｒｂ．）で表している。
【００３４】図１０において、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層６がほとんど圧縮歪を含まない試料Ｎｏ．９であっても、そのｐ型クラッド層６中のＺｎの濃度が１×１０１８ｃｍ−３未満で比較的低いので、Ｚｎの拡散はＭＱＷ層４までには至っていない。しかし、ｐ型クラッド層６内にドープされたＺｎはアンドープの上部ガイド層５内にかなり拡散侵入しており、実質的に上部ガイド層５とＭＱＷ層４との界面からＬ＝２２ｎｍの近距離まで拡散侵入している。
【００３５】他方、図１１に示されているように、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層６が圧縮歪を含む試料Ｎｏ．１０においても、試料Ｎｏ．９の場合と同様にｐ型クラッド層６中にドープされたＺｎが上部ガイド層５内に拡散侵入してはいる。しかし、この圧縮歪を含む試料Ｎｏ．１０の場合には、ｐ型クラッド層６内にドープされたＺｎは実質的に上部ガイド層５とＭＱＷ層４との界面からＬ＝３２ｎｍの遠く離れた位置にまでしか拡散侵入しておらず、ＭＱＷ層４に対する影響はほとんどないと考えられる。
【００３６】本実施例４における図１０と図１１の比較から明らかなように、オフセット層６ａを省略してｐ型クラッド層６自体に圧縮歪を導入することによっても、そのｐ型クラッド層６からのＺｎの拡散流出を抑制し得ることが分かる。」
　
キ　図１及び図１１は、次のものである。
ク　上記エに照らして図１（上記キ）をみると、「アンドープのＡｌＧａＩｎＰオフセット層６ａ」は、「Ｚｎを含むｐ型（Ａｌ０．７Ｇａ０．３）０．５Ｉｎ０．５Ｐクラッド層６」の「（Ａｌ０．５Ｇａ０．５）０．５Ｉｎ０．５Ｐ上部ガイド層５」側に隣接するものであることがみてとれる。
　
ケ　上記カに照らして図１１（上記キ）をみると、上部クラッド層内でのＺｎの濃度は０．６〜０．９×１０１８ｃｍ−３程度であり、上部ガイド層とＭＱＷ層の界面からＬ（３２ｎｍ）を超えた深さのＺｎの濃度は約０．５×１０１８ｃｍ−３であり、深さＬ付近からＺｎの濃度が減少し、上部ガイド層とＭＱＷ層の界面から約１０ｎｍの深さではＺｎの濃度はほぼ０となっていることがみてとれる。
　
（２）上記（１）によれば、引用文献には次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「ｎ型ＧａＡｓ基板上に順にエピタキシャル成長させられたｎ型（Ａｌ０．７Ｇａ０．３）０．５Ｉｎ０．５Ｐクラッド層、（Ａｌ０．５Ｇａ０．５）０．５Ｉｎ０．５Ｐ下部ガイド層、ＭＱＷ層（複数のＧａＩｎＰ井戸層と複数のＡｌＧａＩｎＰ障壁層を含む）、（Ａｌ０．５Ｇａ０．５）０．５Ｉｎ０．５Ｐ上部ガイド層、アンドープのＡｌＧａＩｎＰオフセット層、Ｚｎを含むｐ型（Ａｌ０．７Ｇａ０．３）０．５Ｉｎ０．５Ｐクラッド層、およびｐ型ＧａＡｓコンタクト層を含み、
　アンドープ層であるべき前記上部ガイド層内と前記ＭＱＷ層内へのＺｎの拡散を防止するために、Ｚｎドーピング層である前記ｐ型クラッド層に隣接して、Ｚｎの拡散を見込んだアンドープの前記オフセット層を挿入したものであって、
　アンドープのＡｌＧａＩｎＰオフセット層は、Ｚｎを含むｐ型（Ａｌ０．７Ｇａ０．３）０．５Ｉｎ０．５Ｐクラッド層の（Ａｌ０．５Ｇａ０．５）０．５Ｉｎ０．５Ｐ上部ガイド層側に隣接し、
　ｐ型クラッド層のＺｎ濃度が１Ｅ１８ｃｍ−３程度である高輝度赤色レーザ素子。」
　
（３）引用文献２
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願前に頒布された、特開２００３−５１６４３号公報（以下「引用文献２」という。）には、以下の記載がある。
ア　「【００１５】本実施例のＡｌＧａＩｎＰ系の半導体レーザ装置１００について、断面図を図１に示す（一部のハッチングを省略する。以下の図面においても同様である。）。図１を参照して、半導体レーザ装置１００は、Ｓｉドープのｎ型ＧａＡｓからなる基板１０１と、基板１０１上に順に積層されたＳｉドープのｎ型ＧａＡｓからなるバッファ層１０２（Ｓｉ濃度：ｎ＝２×１０18ｃｍ-3、膜厚：ｔ＝０．５μｍ）、Ｓｉドープのｎ型（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐからなる第１のクラッド層１０３（ｎ＝１×１０18ｃｍ-3、ｔ＝１．５μｍ）、ノンドープの（Ａｌ0.5Ｇａ0.5）0.5Ｉｎ0.5Ｐからなる光ガイド層１０４（ｔ＝２５ｎｍ）、活性層１０５、ノンドープ（Ａｌ0.5Ｇａ0.5）0.5Ｉｎ0.5Ｐからなる光ガイド層１０６（ｔ＝２５ｎｍ）、Ｚｎドープのｐ型（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐからなる第２のクラッド層１０７（Ｚｎ濃度：ｐ＝１×１０18ｃｍ-3、ｔ＝０．９μｍ）、
Ｚｎドープのｐ型Ｇａ
0.5
Ｉｎ
0.5
Ｐからなるバッファ層１０８
Ｚｎドープのｐ型ＧａＡｓからなるキャップ層１０９
半導体レーザ装置１００は、リッジ型酸化膜ストライプ構造を有する
　
イ　図１は、次のものである。
　
（４）引用文献３
　当審において通知した拒絶の理由に引用した、本願の出願前に頒布された、特開２００４−２１４２８９号公報（以下「引用文献３」という。）には、以下の記載がある。
ア　「【００８４】（実施形態２）
図１２は本発明の他の実施形態（実施形態２）である半導体レーザ素子の製造方法を示す工程断面図である。本実施形態２では実施形態１の半導体レーザ素子１において、
リッジストライプ部５ｂ
【００８５】本実施形態２の半導体レーザ素子１は、図１２（ｄ）に示すように、ｐ−クラッド層５のリッジストライプ部５ｂの両側に設けるｎ−電流ブロック層を、ｎ−ＡｌＧａＩｎＰ層６ａと、この上に形成されるｎ−ＧａＡｓ層６ｂとで形成すること、
リッジストライプ部５ｂ
【００８６】つぎに、本実施形態２の半導体レーザ素子１の製造について図１２（ａ）〜（ｄ）を参照しながら説明する。図１２（ａ）〜（ｄ）は、実施形態１の半導体レーザ素子の製造方法を示す図３（ａ）〜（ｄ）に対応する図であり、符号の同じものは実施形態１の半導体レーザ素子の製造と同じ材料になっている。また、図１２においても単一の半導体レーザ素子部分のみを示すことにする。
【００８７】実施形態１の場合と同様に、図１２（ａ）に示すように、厚さ３５０〜４５０μｍ程度のｎ−ＧａＡｓ母基板（ウエハ）２ａを用意する。
つぎに、ＭＯＣＶＤ法によって、前記ウエハ２ａの主面上にそれぞれ所定組成からなる半導体結晶を順次成長させ、ｎ−クラッド層３，活性層４，ｐ−クラッド層５，
ｐ−ＧａＩｎＰバッファ層４０及びｎ−ＧａＡｓキャップ層２２を順次重ねるように形成する
　
イ　図１２は、次のものである。
　
４　対比・判断
（１）対比
　本願発明と引用発明を比較すると、
　引用発明の「ｎ型ＧａＡｓ基板」、「ｎ型（Ａｌ０．７Ｇａ０．３）０．５Ｉｎ０．５Ｐクラッド層」、「（Ａｌ０．５Ｇａ０．５）０．５Ｉｎ０．５Ｐ下部ガイド層」、「（複数のＧａＩｎＰ井戸層と複数のＡｌＧａＩｎＰ障壁層を含む）ＭＱＷ層」、「（Ａｌ０．５Ｇａ０．５）０．５Ｉｎ０．５Ｐ上部ガイド層」、「Ｚｎを含むｐ型（Ａｌ０．７Ｇａ０．３）０．５Ｉｎ０．５Ｐクラッド層」及び「高輝度赤色レーザ素子」は、本願発明の「第一導電型GaAs基板」、「第一導電型InAlGaPクラッド層」、「InAlGaP下部光ガイド層」、「InGaPもしくはInAlGaPからなる量子井戸活性層」、「InAlGaP上部光ガイド層」、「上部光ガイド層側に形成された第二導電型InAlGaP上部クラッド層」及び「（赤色）半導体レーザ」にそれぞれ相当するから、
　両者は、
「第一導電型GaAs基板上に少なくとも第一導電型InAlGaPクラッド層、InAlGaP下部光ガイド層、InGaPもしくはInAlGaPからなる量子井戸活性層、InAlGaP上部光ガイド層、この上部光ガイド層側に形成された第二導電型InAlGaP上部クラッド層が順次積層されてなる赤色半導体レーザ。」
である点で一致し、
　
ア　本願発明は、「第二導電型InGaPヘテロバッファ層、第二導電型GaAsキャップ層が順次積層されてなる」のに対して、引用発明は、このような層を備えていない点（以下「相違点１」という。）、
　
イ　本願発明は、「上部クラッド層と上部光ガイド層との界面における第二導電型キャリア濃度が4×1016ｃｍ-3以下であり、
　前記第二導電型上部クラッド層内において第二導電型キャリア濃度が4×1016ｃｍ-3となっている領域から、該上部クラッド層と上部光ガイド層との界面までの距離が70ｎｍ以下である」のに対して、引用発明は、それらの点が明らかではない点（以下「相違点２」という。）、及び、
　
ウ　本願発明は、「第二導電型InAlGaP上部クラッド層」が「上部光ガイド層側に形成されたノンドープ領域を含む」のに対して、引用発明は、「Ｚｎを含むｐ型（Ａｌ０．７Ｇａ０．３）０．５Ｉｎ０．５Ｐクラッド層」と「（Ａｌ０．５Ｇａ０．５）０．５Ｉｎ０．５Ｐ上部ガイド層」との間に「アンドープのＡｌＧａＩｎＰオフセット層」が含まれている点（以下「相違点３」という。）、
で相違するものと認められる。
　
（２）判断
ア　上記相違点１について検討する。
　引用発明は、リッジ状に形成したものではないためヘテロバッファ層及びキャップ層を備えたものではないが、バッファ層をInGaP、キャップ層をGaAsとしたリッジ状の半導体レーザは、本願の出願時点で周知の技術である（必要であれば、上記３（３）及び（４）に示した、引用文献２及び３を参照。）。
　したがって、引用発明の構造の半導体レーザをリッジ状に形成して、相違点１に係る本願発明の構成とすることは当業者が容易に想到できたことである。
　
イ　上記相違点２について検討する。
　引用発明は、アンドープ層であるべき前記上部ガイド層内と前記ＭＱＷ層内へのＺｎの拡散を防止するものであるところ、引用発明において、第二導電型キャリア（Ｚｎ）濃度をどの程度となし、また、そのキャリア濃度の領域が「オフセット層」と「上部光ガイド層」との界面からどの程度の距離にあるようにするかは、当業者が適宜に設定するべきものである。
　しかるところ、引用文献１には、「オフセット層６ａを含んでいない」（上記３（１）カ）実施例４が記載され（以下「実施例４」という。）、上記実施例４においては、「上部クラッド層内でのＺｎの濃度は０．６〜０．９×１０１８ｃｍ−３であり、上部ガイド層とＭＱＷ層の界面からＬ（３２ｎｍ）を超えた深さのＺｎの濃度は約０．５×１０１８ｃｍ−３であり、深さＬ付近からＺｎの濃度が減少し、上部ガイド層とＭＱＷ層の界面から約１０ｎｍの深さではＺｎの濃度はほぼ０となって」おり（上記３（１）ケ）、上部ガイド層とＭＱＷ層の界面から約１０ｎｍの深さの領域と、上部ガイド層とＭＱＷ層の界面からＬ（３２ｎｍ）の深さの領域との間に、第二導電型キャリア（Ｚｎ）の濃度が4×1016ｃｍ-3となっている領域が存在するものと認められる。
　そして、引用発明は、上記実施例４において、「オフセット層６ａ」をさらに含むものであるから、上記実施例４に照らせば、引用発明において、アンドープ層であるべき前記上部ガイド層内と前記ＭＱＷ層内へのＺｎの拡散を防止するために「上部クラッド層と上部光ガイド層との界面における第二導電型キャリア濃度」を「4×1016ｃｍ-3以下」となし、「前記第二導電型上部クラッド層内において第二導電型キャリア濃度が4×1016ｃｍ-3となっている領域から、該上部クラッド層と上部光ガイド層との界面までの距離」を「70ｎｍ以下」となして、上記相違点２に係る本願発明の構成とすることは当業者が容易に想到できたことである。
　
ウ　上記相違点３について検討する。
　引用発明は、「アンドープ層であるべき前記上部ガイド層内と前記ＭＱＷ層内へのＺｎの拡散を防止するために、Ｚｎドーピング層である前記ｐ型クラッド層に隣接して、Ｚｎの拡散を見込んだアンドープの前記オフセット層を挿入したものであ」るところ、「アンドープのＡｌＧａＩｎＰオフセット層」は、「Ｚｎを含むｐ型（Ａｌ０．７Ｇａ０．３）０．５Ｉｎ０．５Ｐクラッド層の（Ａｌ０．５Ｇａ０．５）０．５Ｉｎ０．５Ｐ上部ガイド層側に隣接」するものであり、また、「アンドープのＡｌＧａＩｎＰオフセット層」及び「Ｚｎを含むｐ型（Ａｌ０．７Ｇａ０．３）０．５Ｉｎ０．５Ｐクラッド層」はいずれも同じ「ＡｌＧａＩｎＰ」からなるものであるから、両者を１つの層のクラッド層とし、「アンドープのＡｌＧａＩｎＰオフセット層」を「Ｚｎを含むｐ型（Ａｌ０．７Ｇａ０．３）０．５Ｉｎ０．５Ｐクラッド層」のノンドープ（アンドープ）領域として形成することにより、上記相違点３に係る本願発明の構成とすることに格別の困難性を認めることはできない。
　
エ　請求人の主張について
　請求人は、平成２４年８月３０日に提出された意見書の２頁の「（３）本願発明と引用例との対比」において、「引用文献に記載の発明（実施例４）においては、確かに、上部ガイド層とＭＱＷ層の界面から約１０ｎｍの深さの領域と、上部ガイド層とＭＱＷ層の界面からＬ（３２ｎｍ）の深さの領域との間に、第二導電型キャリア（Zn）の濃度が4×1016ｃｍ-3となっている領域が存在すると認められます。しかし、ここで第二導電型キャリア（Zn）の濃度が4×1016ｃｍ-3となっている領域は、上部光ガイド層内に存在するものであって、上部クラッド層と上部光ガイド層との界面におけるZn濃度は引用文献の図１１を参照すれば、4×1016ｃｍ-3よりも大きくなることは明らかです。実際、その図１１において上部クラッド層と上部光ガイド層との界面におけるZn濃度を求めると、大略0.6〜0.7×1018ｃｍ-3程度と認められ、上記特徴部分（a）で規定している「4×1016ｃｍ-3以下」の最大値である4×1016ｃｍ-3と比べても、１桁以上大きくなっています。」、及び、「引用文献の実施例４では、上部クラッド層と上部光ガイド層との界面におけるZn濃度は大略0.6〜0.7×1018ｃｍ-3程度であり、そして上部クラッド層内のどの位置においても、Zn濃度はそれよりも大きくなっています。したがって、この実施例４では、上部クラッド層内にZnキャリア濃度が4×1016ｃｍ-3となる領域が存在しないことは明らかです。」と主張する。
　しかしながら、上記３（２）のとおり、引用発明は、引用文献１の実施例４ではなく、「アンドープのＡｌＧａＩｎＰオフセット層」を含み、「アンドープ層であるべき前記上部ガイド層内と前記ＭＱＷ層内へのＺｎの拡散を防止するために、Ｚｎドーピング層である前記ｐ型クラッド層に隣接して、Ｚｎの拡散を見込んだアンドープの前記オフセット層を挿入したものであ」るから、請求人の上記主張は上記イの判断を左右するものではない。
　
（３）小括
　以上の検討によれば、本願発明は、引用発明、引用文献１に記載の事項及び上記周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
第３　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用発明、引用文献１に記載の事項及び上記周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができないものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。