【事件の表示】
　特願２００６−　　１２２２「半導体素子の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１９年　１月２５日出願公開、特開２００７−　１９４５２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯
　本願は、２００６年１月６日（パリ条約による優先権主張　２００５年７月８日　韓国）の出願であって、平成２３年３月２日付けで拒絶理由通知がなされ、同年６月８日付けで意見書および手続補正書が提出され、同年６月２３日付けで拒絶査定がなされ、同年１０月２７日に拒絶査定不服審判の請求がなされるとともに、同日付けで手続補正書が提出されたものである。
　
第２．平成２３年１０月２７日付け手続補正の補正却下の決定
＜結論＞
　平成２３年１０月２７日付け手続補正（以下、「本件補正」という。）を却下する。　
＜理由＞
１．補正の内容
　本件補正は、請求項１を下記のとおりに補正することを含むものである。
（補正前）
　「プラズマに対するエッチング耐性を有する物質でコーティングされたセラミックドームを備えるチャンバ内にウェハを挿入する第１ステップと、
　前記ウェハの表面に形成されたゲート構造をエッチングする第２ステップ　と、
　前記チャンバから前記ウェハを取り出す第３ステップと、
　前記チャンバ内にベアシリコンウェハを挿入する第４ステップと、
　ＳＦ６ガスを主成分とするエッチングガスを用いて、前記第２ステップにおけるエッチングにより生成されたエッチング残留物を除去する第５ステップとを含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。」
　
（補正後）
「プラズマに対するエッチング耐性を有する物質でコーティングされた、
垂直な側壁および上部が湾曲した
、
　前記ウェハの表面に形成されたゲート構造をエッチングする第２ステップ　と、
　前記チャンバから前記ウェハを取り出す第３ステップと、
　前記チャンバ内にベアシリコンウェハを挿入する第４ステップと、
　ＳＦ６ガスを主成分とするエッチングガスを用いて、前記第２ステップにおけるエッチングにより生成されたエッチング残留物を除去する第５ステップとを含
み、
　
前記セラミックドームの内表面にコーティングされた前記物質が、酸化イットリウムであり、
　
前記第５ステップにおいて、前記垂直な側壁および前記セラミックドームの内表面が均一に洗浄されるように、前記セラミックドームを洗浄する際の圧力が、前記垂直な側壁を洗浄する際の圧力よりも低い多段階の圧力条件とし、且つ、アンテナコイルに１６００Ｗのソースパワーを印加した状態で、３ｍＴｏｒｒ〜９０ｍＴｏｒｒの範囲の異なる圧力条件下で、前記垂直な側壁の洗浄を、圧力を高さ方向で減少させる多段階で行う
　
２．補正の適否
（１）補正の目的
　・補正事項ａ
　　「プラズマに対するエッチング耐性を有する物質でコーティングされた　　セラミックドーム」を、「プラズマに対するエッチング耐性を有する物　　質でコーティングされた、
垂直な側壁および上部が湾曲した
　
　・補正事項ｂ
　　「チャンバ内に」の後に「、」を加える補正は、明瞭でない記載の釈明
　　を目的とするものに該当する。
　
  ・補正事項ｃ
　　「
前記セラミックドームの内表面にコーティングされた前記物質が、酸
化イットリウムであり、
　　
　・補正事項ｄ
　  「含む」を「含
み、
　　
  ・補正事項ｅ
　　「
前記第５ステップにおいて、前記垂直な側壁および前記セラミックド
ームの内表面が均一に洗浄されるように、前記セラミックドームを洗浄
する際の圧力が、前記垂直な側壁を洗浄する際の圧力よりも低い多段階
の圧力条件とし、且つ、アンテナコイルに１６００Ｗのソースパワーを
印加した状態で、３ｍＴｏｒｒ〜９０ｍＴｏｒｒの範囲の異なる圧力条
件下で、前記垂直な側壁の洗浄を、圧力を高さ方向で減少させる多段階
で行う
　
（２）新規事項
ア．補正事項ａについて
　本願の願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面（以下、「本願当初明細書等」という。）には、「図３に示すように、エッチング装置のチャンバは、静電チャック３１と、静電チャック３１の上に載置されたウェハ３２と、チャンバの側壁３３と、側壁３３に接続された丸い形状のセラミックドーム３４と、セラミックドーム３４の外部表面に形成されたアンテナコイル３５とを備えている。アンテナコイル３５はソース電圧源３６に接続されており、静電チャック３１はベース電圧源３７に接続されている。」（【００３２】）、「セラミックドーム３４は、プラズマに対する高いエッチング耐性を有する酸化イットリウム（Ｙ２Ｏ３）でコーティングされている。従って、ゲート構造のエッチングの際に生成されるポリマーを除去するために、ドライ洗浄を行う。ドライ洗浄には、従来のＣＦ４とＣｌ２との混合ガスの代わりに、ＳＦ６とＯ２との混合ガスをエッチングガスに用いる。……」（【００３３】）との記載がある。
　また、図３には、エッチング装置のチャンバ内部の断面が示され、側壁３３の上に、外部表面にアンテナコイルが形成されるセラミックドーム３４が接続される様子が示されている。
　
　上記【００３２】の記載によれば、エッチング装置のチャンバは、側壁３３と、側壁３３に接続されたセラミックドーム３４を備えるものである。
　そして、同【００３３】には、セラミックドーム３４には、プラズマに対する高いエッチング耐性を有する物質がコーティングされることが記載されている。
　しかしながら、側壁３３にも、該コーティングを施すことについては、上記【００３２】、【００３３】、図３、あるいはそれ以外の箇所も含め、本願当初明細書等には、何ら記載されておらず、それが、自明であるとも認められない。
　
イ．補正事項ｅについて
　本願当初明細書等には、「図４は、圧力条件に応じて異なる洗浄位置を示すセラミックドームの断面図である。」（【００３４】）、「図４に示すように、ドライ洗浄を、セラミックドーム３４内の位置に応じて、異なるエッチング条件で行う。このように、セラミックドーム３４内の洗浄対象とする領域に応じて、約０．４Ｐａ以上約１２Ｐａ以下（約３ｍＴｏｒｒ以上約９０ｍＴｏｒｒ以下）の範囲内の異なる圧力で多段階に洗浄することにより、セラミックドーム３４内全体を均一に洗浄することができる。セラミックドーム３４には、約１６００Ｗのソースパワーと約５０Ｗのバイアスパワーとを、それぞれ対応する電圧源から印加し、約２００ｓｃｃｍのＳＦ６ガス及び約５０ｓｃｃｍのＯ２ガスを約５０秒間注入する。」（【００３５】）との記載があり、図４には、圧力条件に応じて異なる洗浄位置を示すセラミックドームの断面図として、上部が丸く湾曲したセラミックドーム３４において、高さ方向に、「３ｍＴｏｒｒ」、「１０ｍＴｏｒｒ」、「２５ｍＴｏｒｒ」、「４５ｍＴｏｒｒ」、「６０ｍｔｏｒｒ」、「７５ｍＴｏｒｒ」の圧力で洗浄される、それぞれの領域があることが示されている。
　これらの記載事項によれば、セラミックドーム３４内全体を均一に洗浄するために、約１６００Ｗのソースパワーで約３ｍＴｏｒｒ〜９０ｍＴｏｒｒの範囲内の異なる圧力条件下で、圧力を高さ方向で減少させる多段階で洗浄することは示されている。
　しかしながら、垂直な側壁３３については、その洗浄に関して、【００３４】、【００３５】、図４、あるいはそれ以外の箇所も含め、本願当初明細書等には、何ら記載されておらず、「前記垂直な側壁および前記セラミックドームの内表面が均一に洗浄されるように、」「
前記セラミックドームを洗浄する際の圧力が、前記垂直な側壁を洗浄する際の圧力よりも低い
アンテナコイルに１６００Ｗのソースパワーを印加した状態で、３ｍＴｏｒｒ〜９０ｍＴｏｒｒの範囲の異なる圧力条件下で、前記垂直な側壁の洗浄を、圧力を高さ方向で減少させる多段階で行う
　
ウ．以上のことから、上記補正事項ａ、ｅを含む本件補正は、本願の願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内においてしたものとは認められない。
　
　なお、審判請求人は、当審による審尋に対する平成２４年５月２５日付け回答書において、請求項１について、以下のとおり補正する旨の補正案を添付している。
「【請求項１】
　プラズマに対するエッチング耐性を有する物質でコーティングされた、垂直な側壁および上部が湾曲したセラミックドームを備えるチャンバ内に、ウェハを挿入する第１ステップと、
　前記ウェハの表面に形成されたゲート構造をエッチングする第２ステップ　と、
　前記チャンバから前記ウェハを取り出す第３ステップと、
　前記チャンバ内にベアシリコンウェハを挿入する第４ステップと、
　ＳＦ６ガスを主成分とするエッチングガスを用いて、前記第２ステップにおけるエッチングにより生成されたエッチング残留物を除去する第５ステップとを含み、
　前記セラミックドームの内表面にコーティングされた前記物質が、酸化イットリウムであり、
　前記第５ステップにおいて、
前記チャンバを構成する
チャンバを多
に洗浄する
　
　しかしながら、「プラズマに対するエッチング耐性を有する物質でコーティングされた、垂直な側壁」および「前記セラミックドームを洗浄する際の圧力が、前記垂直な側壁を洗浄する際の圧力よりも低い」ことが、本願当初明細書等に記載されていたとはいえず、それが自明であるとも認められないことは、上記「２．（２）ア」、「２．（２）イ」のとおりである。
　また、「アンテナコイルに１６００Ｗのソースパワーを印加した状態で、３ｍＴｏｒｒ〜９０ｍＴｏｒｒの範囲の異なる圧力条件下で、前記
チャンバを多
に洗浄する
　したがって、上記補正案による補正についても、同様に、本願の願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲、又は図面に記載した事項の範囲内においてしたものとは認められない。
　
３．まとめ
　上記のとおり、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３．本願発明
　上記のとおり、平成２３年１０月２７日付け手続補正は却下されたので、本願の請求項１−１１に係る発明は、平成２３年６月８日付け手続補正書により補正された請求項１−１１に記載されたとおりのものと認められるところ、その請求項１に係る発明は、上記「第２．１．」に記載のとおりである。（以下、これを「本願発明」という。）
　
第４．引用刊行物の記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先日前に日本国内において頒布された特表２００１−５２０４６３号公報（以下、「引用刊行物」という。）には、以下の事項が記載されている。
（１ａ）「【請求項１】エッチングチャンバの壁およびコンポーネントからエッチング残留物を洗浄する方法であって、前記方法が、
（ａ）前記エッチングチャンバ付近のリモートチャンバ内に洗浄ガスを導入するステップと、
（ｂ）前記リモートチャンバ内で前記洗浄ガスを活性化して、活性洗浄ガスを形成するステップと、
（ｃ）前記活性洗浄ガスを前記エッチングチャンバ内に導入して、前記エッチングチャンバの前記壁およびコンポーネント上の前記エッチング残留物を洗浄するステップとを含む方法。
……
【請求項７】前記洗浄ガスが、……、ＳＦ６、……から成るグループから選択されることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
……」（【特許請求の範囲】）
　
（１ｂ）「【発明の概要】
　本発明は、安定性と再生産性が高いエッチングパフォーマンスを提供するために、エッチングチャンバ内で基板をエッチングし、エッチングチャンバの壁とコンポーネントから、不均一で組成の異なるエッチング残留物層を除去し、チャンバ内のセラミック表面を処理および調整する装置および方法を提供する。エッチング段階において、エッチングチャンバ内で基板がエッチングされ、これにより、薄いエッチング残留物層がエッチングチャンバ内の壁やコンポーネントの表面上に堆積する。洗浄段階において、例えばリモートチャンバ内にマイクロ波または高周波エネルギーを加えることにより、エッチングチャンバに隣接するリモートチャンバ内で洗浄ガスが活性化される。エッチングチャンバ内の壁とコンポーネント上のエッチング残留物を洗浄するために、この活性洗浄ガスがエッチングチャンバ内に導入される。この方法は、‥‥、酸化イットリウム、……を含有するセラミック表面に頑固に付着した、またはこの表面と化学反応を生じるエッチング残留物を洗浄するのに特に有益であることがわかっている。」（【０００９】）
　
（１ｃ）「【００１５】
【発明の実施の形態】
装置２０は、図１に略図で示すように、本発明による基板２５をエッチングするために適しており、基板を処理するためのプロセスゾーンを画定する密閉された注入チャンバ３０、活性洗浄ガスを形成するリモートチャンバ４０、基板のカセットを保持するために低圧に維持されているロードロックトランスファエリア（図示せず）を備えている。ここで示す装置２０特定の実施例は、半導体基板２５の処理に適しており、……
……
密閉された注入チャンバ３０は、金属、セラミック、ガラス、ポリマー、また複合材料を含むさまざまな材料の内の１つで製造した側壁４５と底部壁５０とを備えている。……
【００１６】
プロセスゾーンは、……シーリング５５を備えている。……シーリング５５はドーム型であることが好ましい。」（【００１５】−【００１６】）
　
（１ｄ）「インダクタアンテナ１１５がドームシーリング５５付近に配置されている場合には、チャンバ３０のシーリングは、高周波フィールドに対して透過性を有する、機械加工した二酸化シリコンの板のような、または湾曲した形状にするために互いに接着されたシリコンまたは二酸化シリコンのタイルのような誘電体材料を備えている。」（【００１８】）
　
（１ｅ）「密閉されたチャンバ３０は、異なる機能を果たす１つ以上のセラミック面を備えている。例えば、ある実施例において、プロセスチャンバの壁４５、５０、５５は、特にエッチャントガス合成物といった化学薬品による腐食から壁を保護するために、炭化ホウ素、窒化ホウ素、シリコン、…のようなセラミック材料でコーティングされている。」（【００２１】）
　
 （１ｆ）「【００３４】
【エッチングプロセス】
次に、基板２５上の１つ以上のシリコン接触層をエッチングするためのエッチングチャンバ３０の操作について、図２のフローチャートを参照しながら説明する。一般に、基板２５は、シリコンまたはヒ化ガリウムウェハのような半導体材料と、この上に形成された複数の層とを備えている。基板２５上の層は、例えば、ＭＯＳトランジスタ用のゲート酸化物層として機能する酸化シリコンの下層と、多結晶シリコンまたはパターン化したポリサイド（タングステンシリコンとその下の多結晶シリコン層との組み合わせ）の上層を備えている。……
……
【００３５】
　本発明のプロセスを実行するためには、ロボットアーム２５７を使用して、基板２５をロードロックチャンバから、スリットバルブを介してトランスファチャンバへ、そしてチャンバ３０内へ搬送する。……」（【００３４】−【００３５】）
　
（１ｇ）「【００４０】
　プロセスが終了すると、基板２５を持ち上げるために、空気リフト装置２７０が静電チャック１４５を介してリフトピンを持ち上げられ、基板２５とチャックの間にロボット搬送アームが挿入されて、基板をリフトピンから持ち上げる。その後、リフトピンはチャック１４５内に引き込まれ、ロボットアームが基板２５をエッチングチャンバ３０の外に出し、真空環境に保たれているトランスファチャンバ内へと搬送する。
【００４１】
　【洗浄および調整プロセス】
　その後、処理処理プロセスを用いて、エッチングチャンバ３０の内部表面、特にセラミック表面の処理および再調整を行い、チャンバ壁４５、５０、５５とコンポーネント上に形成されたエッチング残留物を洗浄する。…」（【００４０】−【００４１】）
　
第５．引用刊行物記載の発明
　上記記載事項（１ａ）、（１ｂ）、（１ｆ）、（１ｇ）によれば、引用刊行物には、
　「チャンバ内にウェハを搬入する第１ステップと、
　前記ウェハの表面に形成されたゲート構造をエッチングする第２ステップと、
　前記チャンバから前記ウェハを取り出す第３ステップと、
　ＳＦ６ガスを主成分とする活性洗浄ガスを用いて、前記第２ステップにおけるエッチングにより生成されたエッチング残留物を除去する第４ステップ
を含むＭＯＳトランジスタの製造方法。」が記載されており、
　また、同（１ｂ）、（１ｃ）−（１ｅ）によれば、上記チャンバは、酸化イットリウムでコーティングされたセラミックドームを備えるものである。
　
　よって、引用刊行物には、
「酸化イットリウムでコーティングされたセラミックドームを備えるチャンバ内にウェハを搬入する第１ステップと、
　前記ウェハの表面に形成されたゲート構造をエッチングする第２ステップと、
　前記チャンバから前記ウェハを取り出す第３ステップと、
　ＳＦ６ガスを主成分とする活性洗浄ガスを用いて、前記第２ステップにおけるエッチングにより生成されたエッチング残留物を除去する第４ステップ
を含むＭＯＳトランジスタの製造方法。」の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。
　
第６．対比・判断
　本願発明と引用発明とを対比すると、本願発明における「プラズマに対するエッチング耐性を有する物質」とは、「酸化イットリウム」を含んでいることから（本願特許請求の範囲の【請求項２】）、引用発明における「酸化イットリウム」は、本願発明の「プラズマに対するエッチング耐性を有する物質」に相当する。
　また、引用発明における「ＳＦ６ガスを主成分とする活性洗浄ガス」、「ＭＯＳトランジスタ」は、それぞれ、本願発明における「ＳＦ６ガスを主成分とするエッチングガス」、「半導体素子」に相当する。
　
　したがって、両者は、
「プラズマに対するエッチング耐性を有する物質でコーティングされたセラミックドームを備えるチャンバ内に、ウェハを挿入する第１ステップと、
　前記ウェハの表面に形成されたゲート構造をエッチングする第２ステップ　と、
　前記チャンバから前記ウェハを取り出す第３ステップと、
　ＳＦ６ガスを主成分とするエッチングガスを用いて、前記第２ステップにおけるエッチングにより生成されたエッチング残留物を除去するステップとを含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。」である点で一致し、以下の点で相違する。
　
（相違点）
　本願発明では、「前記チャンバから前記ウェハを取り出す第３ステップ」の後、エッチング残留物を除去するステップの前に、「前記チャンバ内にベアシリコンウェハを挿入する第４ステップ」を含むのに対し、引用発明では、そのような特定がない点。
　
　上記相違点について検討する。
　半導体素子の製造において、プロセスチャンバ内に堆積したエッチング生成物（残留物）をプラズマクリーニングする際、ダミーのシリコンウェハ（ベアシリコンウェハ）をチャンバ内に装着（挿入）した後、クリーニングを行うことは周知であり（例えば、下記周知例参照）、引用発明において、該周知事項を適用し、「前記チャンバから前記ウェハを取り出す第３ステップ」の後、エッチング残留物を除去するステップの前に、「前記チャンバ内にベアシリコンウェハを挿入するステップ」を設け、本願発明の相違点に係る構成とすることは、当業者が適宜なしえた事項である。
　
 （周知例）特開２００２−３１９５７１号公報
・「また、従来、ｐｏｌｙＳｉゲートのエッチングは、ＥＣＲ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ　Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ）やＩＣＰ（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅ　Ｃｏｕｐｌｅｄ　Ｐｌａｓｍａ) 等のいわゆる高密度プラズマエッチング装置を利用して行われる場合が多い。……ｐｏｌｙＳｉエッチングを連続して行うと、プロセスチャンバ内壁にエッチング生成物が堆積し、異物欠陥やエッチング時の加工変換差の変動を引き起こすため、エッチング槽内にダミーのＳｉウエハを装着して毎ロット（例えば１カセット内のウエハ２５枚）ごとに、ＳＦ６　やＮＦ３　等のフッ素系ガスによるプラズマクリーニングが行われる。」（【０００５】）
・「まず、従来の方法による実験を以下のシーケンスによって行った。
工程（１）ＳＦ６　クリーニング（ベアＳｉ使用）
……」（【００２６】）
　
　そして、本願発明が、引用発明および周知技術からは予想し得ない格別の効果を奏するものとは認められない。
　
  したがって、本願発明は、引用発明および周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
第７．むすび
　以上のとおりであるから、本願請求項１に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、その他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。