【事件の表示】
　特願２００７−５３０００７「ＭＥＭＳ表示素子駆動システムおよび方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年　３月　９日国際公開、ＷＯ２００６／０２６２２６、平成２０年　４月１７日国内公表、特表２００８−５１１８６７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯
　本願は、２００５年８月２３日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００４年８月２７日、米国、２００４年８月３１日、米国、２００５年２月２５日、米国）を国際出願日とする出願であって、平成１９年４月２６日付けで翻訳文が提出され、同年１０月２９日、平成２２年１２月２４日及び平成２３年８月１２日付けで手続補正がなされ、同年９月３０日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、平成２４年２月６日付けで拒絶査定不服審判が請求されると同時に手続補正がなされたものである。
　なお、請求人は、当審における平成２４年５月２１日付け審尋に対して同年１０月２２日付けで回答書を提出している。
　
２　本願発明
　本願の請求項１ないし２６に係る発明は、平成２４年２月６日付けで補正された特許請求の範囲の請求項１ないし２６に記載された事項によって特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明は、平成２４年２月６日付け補正後の明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載されたとおりの次のものと認める。
　
「ＭＥＭＳ表示素子を駆動するように構成された装置であって、
　表示書き込み過程において第１のフレームを書き込むときに、第１の極性のみの電位差で、ＭＥＭＳ表示素子を作動させる駆動回路を制御するように構成された制御器であって、前記作動後に駆動回路に前記ＭＥＭＳ表示素子を解放させ、次に前記表示書き込み過程において第２のフレームを書き込むときに、前記第１の極性と逆の極性のみの電位差で前記ＭＥＭＳ表示素子を作動させるように構成されている制御器と、
　前記表示書き込み過程において、前記電位差を前記ＭＥＭＳ表示素子に少なくとも部分的に伝達するように構成された少なくとも１つの出力端子と、を含み、
　フレームを書き込むことは、前記フレームの表示データを前記ＭＥＭＳ表示素子に書き込むことを含み、前記表示書き込み過程において書き込まれる各フレームは、異なる表示データを具備し、
　前記制御器が、
　一組のＭＥＭＳ表示素子の行内の実質的にすべてのＭＥＭＳ素子を解放状態に置き、
　前記一組のＭＥＭＳ表示素子の作動を制御することによって、表示データの第１の組を前記第１の極性の電位差で前記一組のＭＥＭＳ表示素子の行に書き込み、
　前記行内の実質的にすべてのＭＥＭＳ素子を解放状態に置き、
　前記一組のＭＥＭＳ表示素子の作動を制御することによって、表示データの第２の組を前記第１の極性とは逆の極性の電位差で前記一組のＭＥＭＳ表示素子の行に書き込むように構成された、装置。」（以下「本願発明」という。）
　
３　刊行物の記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用された「本願の優先日前に頒布された刊行物である特開２０００−１２１９７０号公報（以下「引用例」という。）」には、図とともに次の事項が記載されている。
（１）「【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、
マイクロマシニングにより作製され、電気機械動作により光の透過率を変化させるアレイ型光変調素子
該アレイ型光変調素子を用いた平面ディスプレイの駆動方法
【０００２】
【従来の技術】
マイクロマシニングにより作製された可撓薄膜を、静電気力により機械的動作させることで光変調を行う電気機械的な光変調素子
透明な電極とダイヤフラムからなる可撓薄膜を、支持部を介して導光板上の固定電極に架設したもの
両電極間に所定の電圧を印加することで電極間に静電気力を発生させ、可撓薄膜を固定電極に向かって撓ませ
これに伴って素子自体の光学的特性が変化して、光変調素子に光が透過す
一方、印加電圧をゼロにすることで可撓薄膜が弾性復帰し、光変調素子は光を遮光す
して光変調が行なわれ
【０００３】ところで、
可撓薄膜を静電気力によって変形させたり弾性復帰させる場合、印加電圧Ｖgsと可撓薄膜の変位の関係はヒステリシス特性を示す。従って、印加電圧Ｖgsと光透過率Ｔとの関係も
ヒステリシス特性を示すことになる。このヒステリシス特性によれば、光変調要素がＯＦＦ（光遮蔽）状態の状態では、ＶgsがＶth(L)以下ではＯＦＦ状態を維持し、ＶgsがＶth(H)以上になるとＯＮ状態を維持する。そして、光変調要素は、ＶgsがＶth(H)以上ではＯＮ状態を維持したままとなり、Ｖs(L)以下となるとＯＦＦ状態に飽和する。尚、Ｖgsの極性が負の場合は、正極性の縦軸対称の特性となる
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従来例においては、以上のような特性を利用して
変調要素を２次元に配置して、マトリクス駆動を行うことにより２次元の光変調素子を構成
単純マトリクス
駆動方法
変調要素に印加する電圧は片方の極性で駆動可能であり、変調要素には直流電圧成分が印加される。ところが、直流成分が加わる駆動では、可撓薄膜の内部を絶縁体で構成すると、電極−絶縁体−電極構造という構造において、絶縁体のマイグレーションによる絶縁不良、あるいは空間電荷の発生／トラップにより寄生の内部電界等が発生して動作が不安定になる可能性がある
特に、絶縁体が高分子等で構成する場合に不安定な状態になる可能性が大きいという問題があった
【０００５】本発明は、このような従来の問題点に鑑みてなされたもので、
変調要素への印加電圧波形を交流駆動による駆動波形とすることによって、絶縁体のマイグレーションによる絶縁不良や空間電荷の発生を防止して、安定動作可能な
平面ディスプレイの駆動方法
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため、請求項１記載のアレイ型光変調素子の駆動方法は、静電気力による可撓部の変位動作と、該可撓部の弾性復帰動作により光変調を行う電気機械的な光変調素子を２次元のマトリクス状に配列して
走査電極信号に従い各画素を選択し、画素電極にデータ信号を与えて駆動するアレイ型光変調素子
光変調素子の電極に交流信号を印加して交流駆動を行う
【０００７】このアレイ型光変調素子の駆動方法では、交流駆動とすることで、
直流成分が加わる駆動に付随する
内部電界の発生による動作の不安定さを解消
【０００８】請求項２に記載のアレイ型光変調素子の駆動方法は、前記アレイ型光変調素子の交流駆動は、走査駆動信号の基本周期を奇数フレームと偶数フレームに分割し、前記奇数フレームと偶数フレームでは駆動信号の極性を反転することを特徴とする。
【０００９】このアレイ型光変調素子の駆動方法では、奇数フレームの駆動信号を、例えば、正極性とし、偶数フレームの駆動信号を負極性とすれば、１フレーム周期のトータルで変調素子への印加電圧は交流駆動となり平衡性を保持することができる。
【００１０】請求項３記載のアレイ型光変調素子の駆動方法は、前記アレイ型光変調素子の交流駆動は、
画素が単純マトリクス構造の配列に
　
（２）「【００２２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態について図を参照して説明する。図１は本発明の第１実施形態に係る光変調素子の構成図で、図２は図１に示す光変調素子の印加電圧と光透過率の特性を示す図で、図３は図１に示す光変調素子を２次元配列したアレイ型光変調素子の平面図である。
【００２３】可撓薄膜を電気機械動作させて光変調させる動作原理としては、可撓薄膜と透明な信号電極とを離反又は接触させることによる導光拡散作用（以下、導光拡散と称する。）を利用することができる。導光拡散では、空隙を光の透過抵抗として、空隙が形成されている際には、信号電極からの出射光を遮断もしくは減衰させる一方、可撓薄膜を信号電極に接触させた時のみに、信号電極からの出射光を可撓薄膜へ導光（モード結合）させ、その光を可撓薄膜において拡散させることで、可撓薄膜からの出射光の強度を制御する（光変調する）。
【００２４】図１に示すように、導光板１上には、紫外線に対して透明な一方の電極（信号電極）２を形成してある。この例としては、電子密度の高いＩＴＯ等の金属酸化物、非常に薄い金属薄膜（アルミ等）、金属微粒子を透明絶縁体に分散した薄膜、又は高濃度ドープしたワイドハンドギャップ半導体等が好適である。
【００２５】電極２の上には、絶縁性の支持部３を形成してある。支持部３には、例えばシリコン酸化物、シリコン窒化物、セラミック、樹脂等を用いることができる。支持部３の上端面には、ダイヤフラム４を形成してある。電極２とダイヤフラム４との間には、空隙（キャビティ）５が形成されている。このダイヤフラム４には、ポリシリコン等の半導体、絶縁性のシリコン酸化物、シリコン窒化物、セラミック、樹脂等を用いることができる。また、ダイヤフラム４の屈折率は、導光板１の屈折率と同等かそれ以上が好ましい。
【００２６】ダイヤフラム４の上には、光拡散層６、例えば、無機、有機透明材料の表面に凹凸を形成したもの、マイクロプリズム、マイクロレンズを形成したものや、無機、有機多孔質材料、又は屈折率の異なる微粒子を透明基材に分散したもの等を形成してある。
【００２７】光拡散層６の上には、紫外線に対して透明な他方の電極（走査電極）７を形成してある。例として電極２と同様の材料のものを用いることができる。これらダイヤフラム４、光拡散層６、電極７は、可撓部としての可撓薄膜８を構成している。
【００２８】導光板１とダイヤフラム４との間には空隙５が存在するが、この空隙５は支持部３の高さで略決定される。空隙５の高さは、例えば、０．１μｍから１０μｍ程度が好ましい。この空隙５は、通常、犠牲層のエッチングにより形成される。
【００２９】また、上述の構成例の他に、ダイヤフラム４と光拡散層６とを同一の材料で構成しても良い。例えば、窒化シリコン膜でダイヤフラム４を構成し、上面側の表面に凹凸を形成することによって、拡散機能を持たせることができる。
【００３０】次に、このように構成した光変調素子１０の動作原理を説明する。電圧ＯＦＦ時、両電極２、７の電圧がゼロで、ダイヤフラム４と導光板１との間に空隙５（例：空気）が存在する場合、導光板１の屈折率をｎｗとすると、空気との界面における全反射臨界角θｃは
θｃ＝ｓｉｎ-1（ｎｗ）
となる。従って、紫外線は、界面への入射角θが、θ＞θｃのとき、図１(a)に示すように、導光板１内を全反射しながら進む。
【００３１】電圧ＯＮ時、両電極２、７に電圧を印加し、ダイヤフラム4と導光板１表面とを接触又は十分な距離に近づけた場合、図１(b)に示すように、紫外線は、ダイヤフラム４側に伝搬透過し、更に、光拡散層６により拡散されて表面側に出射する。
【００３２】この実施形態による光変調素子１０によれば、電圧印加によるダイヤフラム４の位置制御により、光変調を行うことができる。尚、導光板１とダイヤフラム４の間には紫外線に対して透明な電極２が存在するが、通常使用される薄膜の厚さ（２０００Å）程度であれば、上述の動作上問題の生ずることはない。
【００３３】また、可撓薄膜８を静電気応力により変形／弾性復帰させる場合、印加電圧Ｖｇｓと可撓薄膜の変位の関係はヒステリシス特性を示す。従って、印加電圧Ｖｇｓと光透過率Ｔの関係も図２に示すようなヒステリシス特性を示す。
【００３４】ヒステリシス特性は、変調要素（光変調素子）がＯＦＦ（光遮蔽）状態では、Ｖｇｓが０Ｖ〜Ｖｔｈ（Ｌ）ではＯＦＦ状態を維持する。ＶｇｓがＶｓ（Ｈ）以上になるとＯＮ状態に飽和する。その後、ＶｇｓがＶｔｈ（Ｈ）以上ではＯＮ状態を維持する。さらに、Ｖｇｓが０Ｖ〜Ｖｓ（Ｌ）となるとＯＦＦ状態に飽和する。尚、このヒステリシス特性はＶｇｓの極性に対して縦軸対称の特性となる。本実施形態では、
Ｖｇｓの極性が負の場合
のヒステリシスループ
正の場合
のヒステリシスループ
を偶数フレーム用のヒステリシス特性、
奇数フレーム用のヒステリシス特性として用い
【００３５】以上、詳述した導光板による光変調部以外にも、後述のような薄膜を静電気力により変形、移動させて光変調を行う型等あっても同様なヒステリシス特性となり、同様に極性の正負を偶数フレーム、奇数フレームに対応させて用いることができる。
【００３６】本実施の形態では、図３に示すように、光変調素子１０がｎ行×ｍ列の２次元マトリクス状に配列される。即ち、マトリクスの各交点Ｔr(1,1)、Ｔr(1,2)、Ｔr(2,1)、Ｔr(2,2)には光変調素子１０がそれぞれ配置され、アレイ型光変調素子５０を構成する。各光変調素子１０は、一画素の領域に対応させてある。尚、ここではマトリクスの一部である図３の２行２列のマトリクスに着目して説明することにする。尚、このアレイ型光変調素子５０は、単純マトリクス駆動により動作する。
【００３７】
同じ行に配列された光変調素子１０の一方のそれぞれの電極は、共通に接続して走査電極７としてある。この走査電極には電位Ｖgが印加される。又、同じ列
に配列された光変調素子１０のそれぞれの電極は、共通に接続して信号電極２としてある。この信号電極には電位Ｖbが印加される。従って、各光変調素子１０に印加される電極間電圧ＶgsはＶb−Ｖgとなる
【００３８】
アレイ型光変調素子５０を駆動する
走査信号に従って、行順次に走査電極７を走査し、これと同期させて、走査された電極７に対応するデータ信号を信号電極２に印加す
【００３９】ここで、
走査電極７には、リセット信号、選択信号、非選択信号の三種類の信号（電圧）が与えられる。リセット信号は、光変調素子１０の以前の状態や信号電極電圧に拘わらず、その行の光変調素子１０をＯＦＦ（光遮蔽）にする。この時の走査電極の電圧をＶg(r)と
【００４０】
選択信号は、その行にデータを書き込むための信号（書き込み動作用の信号）である。この信号と同時に、信号電極に印加された電圧に従い、光変調素子１０の状態がＯＮ（光透過）又はＯＦＦ（光遮蔽）に決定される。この時の走査電極の電圧をＶg(s)とす
【００４１】
非選択信号は、選択がなされないときの信号である。この時、信号電極の電圧に拘わることなく光変調素子１０の状態は変わらず、前の状態が維持される。この時の走査電極の電圧をＶg(ns) とす
【００４２】一方、
信号電極２には、ＯＮ信号、ＯＦＦ信号の二種類の信号（電圧）が与えられる。ＯＮ信号は、選択された行の光変調素子１０に対し、光変調素子１０の状態をＯＮ（光透過）にする。この時の信号電極２の電圧をＶb(on) とす
【００４３】
ＯＦＦ信号は、選択された行の光変調素子１０に対し、光変調素子１０の状態をＯＦＦ（光遮蔽）にす
直前で光変調素子１０がリセットされることを想定しているので、
前の状態（ＯＦＦ状態）を維持する信号
信号電極２の電圧をＶb(off)とす
【００４４】以上の走査電極電圧、信号電極電圧の組み合わせにより、光変調素子１０の電極間電圧Ｖgsは、以下の６種類の電圧に分けられる。また、電極間電圧Ｖgsと透過率のヒステリシス特性により、特定の条件が与えられることになる。
【００４５】
Ｖgs(r-on)  ＝Ｖb(on) −Ｖg(r)  ≦  Ｖs(L)
Ｖgs(r-off) ＝Ｖb(off)−Ｖg(r)  ≦  Ｖs(L)
Ｖgs(s-on)  ＝Ｖb(on) −Ｖg(s)  ≧  Ｖs(H)
Ｖgs(s-off) ＝Ｖb(off)−Ｖg(s)  ≦  Ｖth(L)
Ｖgs(ns-on) ＝Ｖb(on) −Ｖg(ns) ≦  Ｖth(L)
Ｖgs(ns-off)＝Ｖb(off)−Ｖg(ns) ≧  Ｖth(H)
【００４６】以上の条件をまとめると、図４の奇数フレーム相当の図に示す通りになる。例えば、走査電極電圧Ｖg がリセットＶg(r)で、信号電極電圧Ｖb がＯＮ即ちＶb(on) の場合にはＶs(H)より大きい値の信号電極電圧Ｖb （図中太実線６１）から、Ｖs(H)とＶth(L) との間の値の走査電極電圧Ｖg （図中太実線６３）が減算され、その値（図中太実線６５）がＶs(L)より小さくなる。即ち、
Ｖgs(r-on)≦Ｖs(L)
となる。その他同様にして、６種類の電圧が定まることになる。また、基本周期（１フレーム）毎に変調要素の電極間電圧Ｖｇｓの交流化を行うために、図５には反転極性の偶数フレームの場合を示し、それぞれ図４、図５の表には奇数フレームの場合と偶数フレームの場合の２通りを示している。偶数フレームについては、電極間印加電圧Ｖｇｓの極性を反転させるために、奇数フレームのＶｇとＶｂによる印加電圧Ｖoddは、偶数フレームのＶｇとＶｂによる印加電圧Ｖevenに対して、各々次式となるようにする。
Ｖeven＝Ｖmax−Ｖodd
ここで、Ｖmaxは印加電圧の最大値である。
【００４７】次に、このような電極間電圧Ｖgsと透過率との関係を利用して、
光変調素子１０を２次元に配置したマトリクスにデータを書き込む
２行２列のマトリクス
ＯＮ、ＯＦＦデータを書き込むものとする
Ｔr(1,1)  →  ＯＮ        Ｔr(1,2)  →  ＯＦＦ
Ｔr(2,1)  →  ＯＦＦ      Ｔr(2,2)  →  ＯＮ
【００４８】マトリクスには、図６に示すような波形の電圧を印加する。例えば、
奇数フレーム、偶数フレームの１行目Ｖg(1)には、
ｔ１：リセット電圧      ｔ２：選択電圧
ｔ３：非選択電圧        ｔ４：非選択電圧
を印加
１列目Ｖb(1)には、
ｔ１：don't care        ｔ２：ＯＮ電圧
ｔ３：ＯＦＦ電圧        ｔ４：don't care
を印加する
光変調素子のリセット走査の後に、該素子の変位動作又は状態維持を選択する書き込み走査を行うことで、素子のヒステリシス特性により書き込み走査前の状態が次の動作に影響を及ぼすことが防止され、安定した書き込み走査を行うことができる。また、素子のヒステリシス特性により、単純マトリクス構成の二次元光変調アレイを矛盾なく、即ち、非選択走査ライン上の画素が書き込み走査時に設定されたＯＮ／ＯＦＦ状態を確実に維持されるように駆動することが可能となる
【００４９】例えば上述の１行１列目のマトリクスＴr(1,1)の場合では、Ｖgs＝Ｖb(1)−Ｖg(1)であるから、奇数フレーム、偶数フレームで、
ｔ１：リセット電圧（ＯＦＦ）  ｔ２：ＯＮ
ｔ３：状態維持                ｔ４：状態維持
となる。
【００５０】従って、ｔ２におけるＯＮの状態が維持（メモリー）され、その結果、マトリクスＴr(1,1)は光変調素子１０が「ＯＮ」の状態となる。その他、同様にして、他のマトリクスＴr(1,2)は「ＯＦＦ」、Ｔr(2,1)は「ＯＦＦ」、Ｔr(2,2)は「ＯＮ」の状態となる。
【００５１】以上の動作により、図６に示す奇数フレーム及び偶数フレームのＶｇ、Ｖｂ印加電圧により、
変調要素の印加電圧Ｖｇｓは、
直流成分が無くなり、単純マトリクスの交流駆動が行われ、確実な動作を実現しつつアレイ型光変調素子の大型化、高精細化を図ることができる
　
（３）「【０１１０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、静電気力による可撓部の変位動作と、可撓部の弾性復帰動作により光変調を行う電気機械的な光変調素子を２次元のマトリクス状に配列して走査電極信号に従い各画素を選択し、画素電極にデータ信号を与えて駆動するアレイ型光変調素子の駆動方法であって、基本フレームを奇数フレームと偶数フレームに分割して印加電圧の極性を反転する等の方式によって、ｎ行×ｍ列の単純マトリクス及びアクティブマトリクス構成の光変調素子を交流駆動するように構成したので、単純マトリクス及びアクティブマトリクス構成による光変調素子の直流駆動に付随する動作の不安定さを解消して、光変調素子の安定駆動と高精細な表示が可能な表示装置の駆動方法を実現できる。」
　
（４）上記（１）ないし（３）から、引用例には、
「マイクロマシニングにより作製された透明な電極とダイヤフラムからなる可撓薄膜を、支持部を介して導光板上の固定電極に架設し、両電極間に所定の電圧を印加することで電極間に静電気力を発生させ、静電気力により可撓薄膜を固定電極に向かって撓ませ、これに伴って素子自体の光学的特性が変化して光が透過し、一方、印加電圧をゼロにすることで可撓薄膜が弾性復帰して光を遮光するようにして、機械的動作させることで光変調を行う電気機械的な光変調要素である光変調素子を２次元に配置した２次元のアレイ型光変調素子を、走査電極信号に従い各画素を選択し、画素電極にデータ信号を与えてマトリクス駆動する平面ディスプレイの駆動装置であり、
　可撓薄膜を静電気力によって変形させたり弾性復帰させる場合、印加電圧Ｖgsと可撓薄膜の変位の関係はヒステリシス特性を示すので、印加電圧Ｖgsと光透過率Ｔとの関係もヒステリシス特性を示し、このヒステリシス特性によれば、光変調要素が光遮蔽するＯＦＦ状態では、ＶgsがＶth(L)以下ではＯＦＦ状態を維持し、ＶgsがＶth(H)以上になるとＯＮ状態を維持し、
　光変調要素は、ＶgsがＶth(H)以上ではＯＮ状態を維持したままとなり、Ｖs(L)以下となるとＯＦＦ状態に飽和し、Ｖgsの極性が負の場合は、正極性の縦軸対称の特性となるものであり、
　光変調要素に印加する電圧は片方の極性で駆動可能であるので光変調要素には直流電圧成分が印加されるが、直流成分が加わる駆動では可撓薄膜の内部を絶縁体で構成すると電極−絶縁体−電極構造という構造において絶縁体のマイグレーションによる絶縁不良、あるいは空間電荷の発生／トラップにより寄生の内部電界等が発生して動作が不安定になる可能性があり、特に、絶縁体が高分子等で構成する場合に不安定な状態になる可能性が大きいという問題があったので、光変調要素への印加電圧波形を交流駆動による駆動波形とし、アレイ型光変調素子の電極に交流信号を印加して交流駆動を行うことによって、直流成分が加わる駆動に付随する絶縁体のマイグレーションによる絶縁不良や空間電荷の発生を防止して、内部電界の発生による動作の不安定さを解消し安定動作可能なものとした、画素が単純マトリクス構造の配列である平面ディスプレイの駆動装置において、
　同じ行に配列された光変調素子の一方のそれぞれの電極は、共通に接続して走査電極とし、この走査電極には電位Ｖgが印加され、又、同じ列に配列された光変調素子のそれぞれの電極は、共通に接続して信号電極とし、この信号電極には電位Ｖbが印加され、各光変調素子に印加される電極間電圧ＶgsはＶb−Ｖgとなり、走査信号に従って、行順次に走査電極を走査し、これと同期させて、走査された走査電極に対応するデータ信号を信号電極に印加して、アレイ型光変調素子を駆動し、
　走査電極には、リセット信号、選択信号、非選択信号の三種類の信号電圧が与えられ、リセット信号は、走査電極の電圧をＶg(r)として、光変調素子の以前の状態や信号電極電圧に拘わらず、その行の光変調素子を光遮蔽するＯＦＦにし、選択信号は、走査電極の電圧をＶg(s)として、その行にデータを書き込むための書き込み動作用の信号であり、この信号と同時に、信号電極に印加された電圧に従い、光変調素子の状態が光透過するＯＮ又は光遮蔽するＯＦＦに決定され、非選択信号は、走査電極の電圧をＶg(ns) とする選択がなされないときの信号であり、この時、信号電極の電圧に拘わることなく光変調素子の状態は変わらず、前の状態が維持され、
　信号電極には、ＯＮ信号、ＯＦＦ信号の二種類の信号電圧が与えられ、ＯＮ信号は、信号電極の電圧をＶb(on) として、選択された行の光変調素子の状態を光透過するＯＮにし、ＯＦＦ信号は、信号電極の電圧をＶb(off)として、選択された行の光変調素子の状態を光遮蔽するＯＦＦにするが、直前で光変調素子がリセットされることを想定しているので、前のＯＦＦ状態を維持し、
　印加電圧Ｖｇｓの極性が正の場合のヒステリシスループを奇数フレーム用のヒステリシス特性とし、印加電圧Ｖｇｓの極性が負の場合のヒステリシスループを偶数フレーム用のヒステリシス特性として用い、
　光変調素子を２次元に例えば２行２列に配置したマトリクスＴr(1,1)、Ｔr(1,2)、Ｔr(2,1)、Ｔr(2,2)に、ＯＮ、ＯＦＦ、ＯＦＦ、ＯＮからなるＯＮ、ＯＦＦデータを書き込むものとすると、奇数フレーム、偶数フレームの１行目Ｖg(1)には、ｔ１：リセット電圧、ｔ２：選択電圧、ｔ３：非選択電圧、ｔ４：非選択電圧を印加し、１列目Ｖb(1)には、ｔ１：don't care、ｔ２：ＯＮ電圧、ｔ３：ＯＦＦ電圧、ｔ４：don't careを印加して、光変調素子のリセット走査の後に、該光変調素子の変位動作又は状態維持を選択する書き込み走査を行うことで、素子のヒステリシス特性により書き込み走査前の状態が次の動作に影響を及ぼすことを防止し、安定した書き込み走査を行うことができ、素子のヒステリシス特性により、単純マトリクス構成の二次元光変調アレイを矛盾なく、即ち、非選択走査ライン上の画素が書き込み走査時に設定されたＯＮ／ＯＦＦ状態を確実に維持されるように駆動することができ、光変調素子の印加電圧Ｖｇｓは、直流成分が無くなり、単純マトリクスの交流駆動が行われ、確実な動作を実現しつつアレイ型光変調素子の大型化、高精細化を図ることができる平面ディスプレイの駆動装置。」の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
４　対比
　本願発明と引用発明とを対比する。
（１）引用発明の「マイクロマシニングにより作製された透明な電極とダイヤフラムからなる可撓薄膜を、支持部を介して導光板上の固定電極に架設し、両電極間に所定の電圧を印加することで電極間に静電気力を発生させ、静電気力により可撓薄膜を固定電極に向かって撓ませ、これに伴って素子自体の光学的特性が変化して光が透過し、一方、印加電圧をゼロにすることで可撓薄膜が弾性復帰して光を遮光するようにして、機械的動作させることで光変調を行う電気機械的な光変調要素である光変調素子」、「光変調素子を２次元に配置した２次元のアレイ型光変調素子を、走査電極信号に従い各画素を選択し、画素電極にデータ信号を与えてマトリクス駆動する平面ディスプレイの駆動装置」、「奇数フレーム」、「『極性が正』の『印加電圧Ｖｇｓ』」、「『光変調素子の状態』が『光遮蔽するＯＦＦ』」、「偶数フレーム」、「『極性が負』の『印加電圧Ｖｇｓ』」、「光変調素子の状態が光透過するＯＮ」、「光変調素子を２次元に例えば２行２列に配置したマトリクスＴr(1,1)、Ｔr(1,2)、Ｔr(2,1)、Ｔr(2,2)に、ＯＮ、ＯＦＦ、ＯＦＦ、ＯＮからなるＯＮ、ＯＦＦデータを書き込む」、「『ＯＮ、ＯＦＦデータ』、『データ信号』、『データ』」、「書き込み走査」及び「走査電極の電圧をＶg(r)として、光変調素子の以前の状態や信号電極電圧に拘わらず、その行の光変調素子を光遮蔽するＯＦＦにし」は、それぞれ、本願発明の「ＭＥＭＳ表示素子」、「ＭＥＭＳ表示素子を駆動するように構成された装置」、「第１のフレーム」、「第１の極性のみの電位差」、「ＭＥＭＳ表示素子を解放」、「第２のフレーム」、「第１の極性と逆の極性のみの電位差」、「ＭＥＭＳ表示素子を作動」、「『フレームを書き込むこと』、『フレームの表示データを前記ＭＥＭＳ表示素子に書き込むこと』」、「フレームの表示データ」、「表示書き込み過程」及び「『一組のＭＥＭＳ表示素子の行内の実質的にすべてのＭＥＭＳ素子を解放状態に置き』、『前記行内の実質的にすべてのＭＥＭＳ素子を解放状態に置き』」に相当する。
　
（２）引用発明の「ＭＥＭＳ表示素子を駆動するように構成された装置（平面ディスプレイの駆動装置）」は、同じ行に配列された「ＭＥＭＳ表示素子（光変調素子）」の一方のそれぞれの電極は、共通に接続して走査電極とし、この走査電極には電位Ｖgが印加され、又、同じ列に配列された「ＭＥＭＳ表示素子」のそれぞれの電極は、共通に接続して信号電極とし、この信号電極には電位Ｖbが印加され、各「ＭＥＭＳ表示素子」に印加される「電位差（電極間電圧Ｖgs）」はＶb−Ｖgとなり、走査信号に従って、行順次に走査電極を走査し、これと同期させて、走査された走査電極に対応する「表示データ（データ信号）」を信号電極に印加して、アレイ型光変調素子を駆動するから、上記「走査信号に従って、行順次に走査電極を走査し、これと同期させて、走査された走査電極に対応する表示データを信号電極に印加する」過程も本願発明の「表示書き込み過程」に相当する。また、引用発明の「ＭＥＭＳ表示素子を駆動するように構成された装置」は、走査電極に電位Ｖgを印加するための出力端子と信号電極に電位Ｖbを印加するための出力端子と、各出力端子を介して電位Ｖg、Ｖbを供給する駆動回路とを備えていることが当業者に自明である。
　したがって、引用発明の「ＭＥＭＳ表示素子を駆動するように構成された装置」と本願発明の「ＭＥＭＳ表示素子を駆動するように構成された装置」とは「表示書き込み過程において、前記電位差を前記ＭＥＭＳ表示素子に少なくとも部分的に伝達するように構成された少なくとも１つの出力端子と、を含」む点及び「ＭＥＭＳ表示素子を作動させる駆動回路」を有する点で一致する。
　
（３）引用発明において、リセット信号は、「一組のＭＥＭＳ表示素子の行内の実質的にすべてのＭＥＭＳ素子を解放状態に置く（走査電極の電圧をＶg(r)として、光変調素子の以前の状態や信号電極電圧に拘わらず、その行の光変調素子を光遮蔽するＯＦＦにする）」ものであり、「第１の極性のみの電位差（極性が正の印加電圧Ｖｇｓ）」の場合のヒステリシスループを「第１のフレーム（奇数フレーム）」用のヒステリシス特性とし、「第１の極性と逆の極性のみの電位差（極性が負の印加電圧Ｖｇｓ）」の場合のヒステリシスループを「第２のフレーム（偶数フレーム）」用のヒステリシス特性として用いているから、引用発明の「ＭＥＭＳ表示素子を駆動するように構成された装置（平面ディスプレイの駆動装置）」は、「ＭＥＭＳ表示素子（光変調素子）」を２次元に例えば２行２列に配置したマトリクスＴr(1,1)、Ｔr(1,2)、Ｔr(2,1)、Ｔr(2,2)に、ＯＮ、ＯＦＦ、ＯＦＦ、ＯＮからなる「フレームの表示データ（ＯＮ、ＯＦＦデータ）」を書き込むものとすると、「第１のフレーム」は「第１の極性のみの電位差」で書き込み、「第２のフレーム」は「第１の極性と逆の極性のみの電位差」で書き込み、「第１のフレーム」、「第２のフレーム」の１行目Ｖg(1)には、ｔ１：リセット電圧、ｔ２：選択電圧、ｔ３：非選択電圧、ｔ４：非選択電圧を印加し、１列目Ｖb(1)には、ｔ１：don't care、ｔ２：ＯＮ電圧、ｔ３：ＯＦＦ電圧、ｔ４：don't careを印加して、「一組のＭＥＭＳ表示素子の行内の実質的にすべてのＭＥＭＳ素子を解放状態に置く」リセット走査の後に、該「ＭＥＭＳ表示素子」の変位動作又は状態維持を選択する「表示書き込み過程（書き込み走査）」を行うことで、素子のヒステリシス特性により「表示書き込み過程」前の状態が次の動作に影響を及ぼすことを防止し、安定した「表示書き込み過程」を行うことができ、素子のヒステリシス特性により、単純マトリクス構成の二次元光変調アレイを矛盾なく、即ち、非選択走査ライン上の画素が「表示書き込み過程」時に設定された「作動（ＯＮ）」／「解放（ＯＦＦ）」状態を確実に維持されるように駆動するものであり、上記「ＭＥＭＳ表示素子を作動させる駆動回路」（上記（２）参照。）を制御して「ＭＥＭＳ表示素子」をこのように制御するように構成した制御器を備えていることが当業者に自明である。
　してみると、引用発明の「ＭＥＭＳ表示素子を駆動するように構成された装置」と本願発明の「ＭＥＭＳ表示素子を駆動するように構成された装置」とは、「表示書き込み過程において第１のフレームを書き込むときに、第１の極性のみの電位差で、ＭＥＭＳ表示素子を作動させる駆動回路を制御するように構成された制御器であって、前記作動後に駆動回路に前記ＭＥＭＳ表示素子を解放させ、次に前記表示書き込み過程において第２のフレームを書き込むときに、前記第１の極性と逆の極性のみの電位差で前記ＭＥＭＳ表示素子を作動させるように構成されている制御器を含む」点、「フレームを書き込むことは、前記フレームの表示データを前記ＭＥＭＳ表示素子に書き込むことを含」む点、「前記表示書き込み過程において書き込まれる各フレームは、表示データを具備」する点、及び、「前記制御器が、一組のＭＥＭＳ表示素子の行内の実質的にすべてのＭＥＭＳ素子を解放状態に置き、前記一組のＭＥＭＳ表示素子の作動を制御することによって、表示データの組を前記第１の極性の電位差で前記一組のＭＥＭＳ表示素子の行に書き込み、前記行内の実質的にすべてのＭＥＭＳ素子を解放状態に置き、前記一組のＭＥＭＳ表示素子の作動を制御することによって、表示データの組を前記第１の極性とは逆の極性の電位差で前記一組のＭＥＭＳ表示素子の行に書き込むように構成され」た点で一致する。
　
（４）上記（１）ないし（３）からみて、本願発明と引用発明とは、
「ＭＥＭＳ表示素子を駆動するように構成された装置であって、
　表示書き込み過程において第１のフレームを書き込むときに、第１の極性のみの電位差で、ＭＥＭＳ表示素子を作動させる駆動回路を制御するように構成された制御器であって、前記作動後に駆動回路に前記ＭＥＭＳ表示素子を解放させ、次に前記表示書き込み過程において第２のフレームを書き込むときに、前記第１の極性と逆の極性のみの電位差で前記ＭＥＭＳ表示素子を作動させるように構成されている制御器と、
　前記表示書き込み過程において、前記電位差を前記ＭＥＭＳ表示素子に少なくとも部分的に伝達するように構成された少なくとも１つの出力端子と、を含み、
　フレームを書き込むことは、前記フレームの表示データを前記ＭＥＭＳ表示素子に書き込むことを含み、前記表示書き込み過程において書き込まれる各フレームは、表示データを具備し、
　前記制御器が、
　一組のＭＥＭＳ表示素子の行内の実質的にすべてのＭＥＭＳ素子を解放状態に置き、
　前記一組のＭＥＭＳ表示素子の作動を制御することによって、表示データの組を前記第１の極性の電位差で前記一組のＭＥＭＳ表示素子の行に書き込み、
　前記行内の実質的にすべてのＭＥＭＳ素子を解放状態に置き、
　前記一組のＭＥＭＳ表示素子の作動を制御することによって、表示データの組を前記第１の極性とは逆の極性の電位差で前記一組のＭＥＭＳ表示素子の行に書き込むように構成された、装置。」である点で一致し、次の点で相違する。
　
相違点：
　本願発明では、第１のフレーム及び第２のフレームは、「異なる表示データ」を具備し、第１の極性のみの電位差で書き込む第１のフレームの「表示データの組」は「第１の組」であり、前記第１の極性と逆の極性のみの電位差で書き込む第２のフレームの「表示データの組」は「第２の組」であるのに対して、引用発明では、第１のフレーム及びこれに続く第２のフレームが具備する「表示データ」は同じで、第１の極性のみの電位差で書き込む第１のフレームの「表示データの組」とこれに続く前記第１の極性と逆の極性のみの電位差で書き込む第２のフレームの「表示データの組」とは同じである点。
　
５　判断
　上記相違点について検討する。
（１）本願明細書の発明の詳細な説明には、上記相違点に関連して次の記載がある（【００３４】）。
「この方式の種々の変更を実施することができる。例えば、フレームＮおよびフレームＮ＋１は、
異なる表示データを含んでも良い
逆特性で２回書き込まれる同じ表示データであっても良い
　
（２）１フレーム目では第１の極性の電圧を印加し、これに続く２フレーム目では、第１の極性を反転した第２の極性の電圧を印加する交流駆動、すなわち、表示データの一画面である一フレーム毎に表示装置の画素に印加する電圧の極性を反転させ、表示データのある一画面は第１の極性の電圧を印加し、これに続く表示データの次の一画面は第１の極性を反転した第２の極性の電圧を印加する交流駆動は、本願の優先日前に周知である（以下「周知技術」という。例．いずれも原査定に引用された、特開２００２−７２９７４号公報（【０００３】、図８参照。）、特開昭６３−５５５９０号公報（１頁右下欄１０〜１９行、第３図参照。））。
　
（３）上記（１）からして、本願発明の上記相違点は、当業者が適宜決定すべき設計上の事項であり、上記（２）からして、引用発明において、上記相違点に係る本願発明の構成となすことは、当業者が周知技術に基づいて適宜なし得た程度のことである。
　
（４）本願発明の奏する効果は、引用発明の奏する効果及び周知技術の奏する効果から当業者が予測することができた程度のことである。
　
（５）まとめ
　したがって、本願発明は、当業者が引用例に記載された発明及び周知技術に基づいて容易に発明をすることができたものである。
　
６　むすび
　本願発明は、以上のとおり、当業者が引用例に記載された発明及び周知技術に基づいて容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。