【事件の表示】
　特願２００９−５４９７０９「急速熱処理チャンバ用のランプ」拒絶査定不服審判事件〔平成２０年　８月２１日国際公開、ＷＯ２００８／１０１０４４、平成２２年　６月　３日国内公表、特表２０１０−５１９７３６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯と本願発明
　本願は、２００８年２月１４日（パリ条約による優先権主張　２００７年２月１５日、米国）を国際出願日とする出願であって、平成２３年９月２９日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、平成２４年２月６日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに同日に手続補正がされたものである。
　本願の各請求項に係る発明は、平成２４年２月６日の手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１〜２３に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、その請求項１５（同請求項は補正されていない。）には、次のとおり記載されている。
　
「【請求項１５】
　一対のリードに取り付けられた少なくとも１つの放射発生フィラメントを包囲し、内面、外面を有している電球と、
　上記一対のリードを受け入れるように構成されたランプベースと、
　上記ベースを囲み、熱伝導率が１００Ｗ／（Ｋ−ｍ）を越える第１のポッティングコンパウンドと、
を備え、基板処理チャンバ内で少なくとも１１００℃までの温度に基板を加熱するのに使用するよう適応されたランプアセンブリ。」（以下、この請求項１５に係る発明を「本願発明」という。）　　
　
２．刊行物
　原査定の拒絶の理由に引用文献１として示された、米国特許出願公開第２００５／０２８６２４３号明細書（以下「刊行物」という。）には、図面と共に以下の事項が記載されている。なお、英語の後の（）内に示したものは、当審による訳文である。
ア．「The present invention relates to a lamp assembly for a substrate processing chamber.（本発明は、基板処理チャンバ用のランプアセンブリに関するものである。）」（段落[0001]）
イ．「A substrate processing chamber is used to process a substrate such as a semiconductor wafer or display. These chambers often use lamp assemblies, which comprise lamp elements and surrounding structure, to heat the substrate or chamber surfaces. The lamp assemblies emit radiation that can be used to heat and anneal a layer of material on the substrate, as for example in a rapid thermal processing chamber, or to decompose a gas to form a layer on a substrate, as in a CVD or epitaxial growth chamber. The lamp assemblies can rapidly generate infrared heat and are easily controllable, and thus useful, for rapidly heating a substrate.（基板処理チャンバは、半導体ウェハやディスプレイといった基板を処理するために用いられる。こうしたチャンバは、基板やチャンバ表面を加熱するために、ランプ要素や周囲構造を有するランプアセンブリを良く用いる。ランプアセンブリは、例えば急速熱処理チャンバの中や、基板の上に層を形成すべくガスを分解するためにＣＶＤとかエピタキシャル成長チャンバの中で、基板上の材料の層を加熱しアニールするために用いることができる光線を放射する。ランプアセンブリは、急速に赤外線熱を発生させることができて制御容易であり、このようにして基板を急速に加熱するのに役に立つものである。） 」（段落[0002]）
ウ．「Generally, the lamp assembly 20 comprises a tubular body 24 which provides a structural basis to contain the lamp assembly 20 and transfer heat out of the assembly 20.・・・In one version, the containing walls 28 comprise a metal that facilitates heat transfer and provides a reflective surface.（一般的に、ランプアセンブリ２０は、このランプアセンブリ２０を収容し、更に、このアセンブリ２０から出てくる熱を伝達するための構造的な基礎をなす筒状ボディ２４を有する。・・・ある実施形態では、収容壁２８は、熱を移動させるのに都合良く且つ反射表面をなす金属を有する。」（段落[0016]）
エ．「The lamp assembly 20 comprises a lamp element 48 seated in the first end 32 of the tubular body 24. Generally, the lamp element 48 comprises a light transmissive envelope 52 that contains an internal atmosphere about a filament 56.・・・The envelope 52 also comprises a pinch seal end 60 that allows electrical connectors 64 to pass therethrough, and may also comprise an evacuation tube (not shown) used to remove or add gases to the envelope during manufacture which is subsequently sealed. （ランプアセンブリ２０は、筒状ボディ２４の第１端部３２に位置が定まるランプ要素４８を有する。一般的に、このランプ要素４８は、フィラメント５６の周りに内部雰囲気を持つ、光を伝達可能なエンベロープ５２を有する。・・・エンベロープ５２はまた、電気コネクタ６４が貫通できるピンチシール端部６０を有しており、製造中にエンベロープにガスを付加又は除去するのに使用されて後にシールされる排気管（図示せず）を有しても良い。)」（段落[0017]）
オ．「The filament 56 inside the envelope 52 of the lamp element 48 has two ends 68a,b which are electrically coupled to the electrical connectors 64. （ランプ要素４８のエンベロープ５２内部にあるフィラメント５６は、２つの端部６８ａ、ｂを有しており、それらは、電気コネクタ６４に電気的に接続されている。)」（段落[0018]）
カ．「The lamp element electrical connectors 64 typically comprise metal wires 72 or foils 76, or some combination thereof, with good electrical conductivity, such as molybdenum wires.（ランプ要素の電気コネクタ６４は、典型的には、モリブデン製ワイヤーのような、導電性に優れた金属製のワイヤー７２又はフォイル７６或いはこれらを組み合わせたものを有する。」（段落[0019]）
キ．「In one version, the lamp assembly 20 comprises a pair of transmission wires 80,each connected to one of a pair of the electrical connectors 64 of the lamp element 48.（ある実施形態では、ランプアセンブリ２０は、ランプ要素４８の一対の電気コネクタ６４の一つに各々が接続される一対の伝達ワイヤー８０を有している。）」（段落[0022]）
ク．「The lamp assembly 20 comprises a potting compound 84 inside the tubular body 24 which promotes heat transfer between the heat generating elements of the lamp assembly 20 and the tubular body 24.（ランプアセンブリ２０は、ランプアセンブリ２０の発熱要素と筒状ボディ２４との間での熱の伝達を促進するためのポッティングコンパウンド８４を筒状ボディ２４内部に有する。）」（段落[0023]）
　ここで、Ｆｉｇ．１（ａ）の記載内容も合わせれば、フィラメント５６は、一対のワイヤー７２、一対のフォイル７６、一対のワイヤー７２、電気コネクタ６４、伝達ワイヤー８０と順に接続されていて、一対のワイヤー７２にフィラメント５６が取り付けられていること、及び、かかるワイヤー７２がピンチシール端部６０に受け入れられていることも理解できる。
　
　以上をふまえ、刊行物には、次の発明が記載されていると認める。
「一対のワイヤー７２に取り付けられたフィラメント５６を包囲し、内面、外面を有しているエンベロープ５２と、
　上記ワイヤー７２を受け入れるように構成されたピンチシール端部６０と、
　上記ピンチシール端部６０を囲むポッティングコンパウンドと、
を備え、基板処理チャンバ内で基板を加熱するのに使用するよう適応されたランプアセンブリ。」
　
３．対比・判断
（１）本願発明と刊行物記載の発明とを対比する。
　刊行物記載の発明の「ワイヤー７２」「フィラメント５６」「ピンチシール端部６０」「エンベロープ５２」は、それぞれ、本願発明の「リード」「放射発生フィラメント」「ランプベース」「電球」に相当する。
　したがって、両発明の一致点、相違点は、次のとおりである。
《一致点》
「一対のリードに取り付けられた少なくとも１つの放射発生フィラメントを包囲し、内面、外面を有している電球と、
　上記一対のリードを受け入れるように構成されたランプベースと、
　上記ベースを囲むポッティングコンパウンドと、
を備え、基板処理チャンバ内で基板を加熱するのに使用するよう適応されたランプアセンブリ。」　
《相違点１》
　基板処理チャンバ内での基板の加熱について、本願発明では少なくとも１１００℃までの温度に基板を加熱すると加熱の目標温度が特定されているのに対して、刊行物記載の発明では、そのような特定がない点。
《相違点２》
　ポッティングコンパウンドについて、本願発明では熱伝導率が１００Ｗ／（Ｋ−ｍ）を越えるものと特定されているのに対して、刊行物記載の発明では、そのような特定がない点。
（２）相違点１、２について、判断する。
ア．相違点１について
　刊行物には、ランプアセンブリが用いられる基板処理チャンバとして、半導体ウェハ等が処理されるためのものであり、急速熱処理チャンバ、ＣＶＤといったものが挙げられている（摘記事項イ参照）。そうした急速熱処理チャンバ等において、加熱の目標温度を１１００℃以上に設定することは、当業者が通常採用することである。
　そうしてみると、刊行物記載の発明において、基板処理チャンバ内で少なくとも１１００℃までの温度に基板を加熱するのに使用するよう適応されたものとすることは、当業者が設計上ごく普通に採用する技術的事項である。
イ．相違点２について
　一般に、電気エネルギーが供給されて光を発するランプにおいて、ランプ自体の熱が問題になることは、良く知られたことである。
　刊行物が開示するランプアセンブリも、内部に発生する熱を外側の筒状ボディに伝達して排除しようとすることをふまえたものである（特に摘記事項ウ参照。）。
　また、刊行物には、ポッティングコンパウンド８４が、ランプアセンブリ２０内部で発生した熱を外側の筒状ボディ２４に移動させるためのものであるとの認識も示されている（摘記事項ク参照。）。
　そうしてみると、このポッティングコンパウンド８４の材料として、熱伝導率に優れたものを採用することは、当業者にとってごく普通の創作行為と言える。
　ところで、刊行物と共に原査定の拒絶の理由に引用文献２、３として示されたものには、それぞれ以下に示すような記載がある。
（ア）特開平１１−１１６８９９号公報（引用文献２）
・「例えば、図１のＡ、Ｂに示すような構造を有する高輝度のハロゲンランプは、ソケットに挿入し、入電した状態で、長時間使用される（図中、１は発光ランプ、２は無機接着剤、３はセラミックス、４は口金である）。
　この場合、電球自体がかなり温度上昇し、充填された接着剤を通して、セラミックスから口金に熱が伝わり、その結果、ソケット自体も加熱され、回路上に赤信号が発せられることとなる。なお、図１のＣのハロゲンランプやＤのショートアークランプにおいても同様である。
　そこで、このようなことが生じないように、無機接着剤の種類を選定する必要がある・・・。
　特に充填剤には、専ら酸化珪素や酸化アルミニウムが使用されているが、このような充填剤では、十分な放電性ある製品を得難かった。」（段落【０００２】）
・「本発明では、無機バインダーとして燐酸アルミニウムを選定し、充填剤に窒化アルミニウムを選定することにより、所望の目的を達成するが、この窒化アルミニウムは熱伝導性に優れ、絶縁性も良いという利点を有するもので、しかも比較的安価で、毒性がなく、扱い易い。」（段落【０００８】）
・段落【０００９】の表中、ＡｌＮの熱伝導率Ｗ／ｍ・Ｋの値が１５０〜２００であることが示されている。
・「更に、窒化アルミニウムは高熱伝導性に加え金属の約１０倍の高熱放射性を完備した「放熱」に優れたセラミックス材料でもある。」（段落【００１０】）
（イ）特開平６−５２６６号公報（引用文献３）
・「【発明が解決しようとする課題】
　・・・ハロゲン電球取付穴内の接着剤や反射鏡取付穴内の接着剤、および口金の絶縁部を通しての伝熱・放熱が悪く、その結果、ハロゲン電球の封止部の温度が高くなりやすい。しかも、近年は器具が小型になってきており、それにより反射鏡付きハロゲン電球の雰囲気温度が従来以上に高くなる傾向にある。そのため、ハロゲン電球の封止部が破損しやすいという問題があった。」（段落【０００３】）
・「【作用】
　窒化アルミニウムの熱伝導率は１５０Ｗ／ｍ・Ｋであり、窒化アルミニウムからなる接着剤や口金の絶縁部が、ムライトの接着剤やジルコンコーディライトの口金の絶縁部よりはるかに高い熱伝導性を示すので、白熱電球の封止部の熱が接着剤を通して反射鏡の白熱電球取付用穴によく伝熱され、また白熱電球取付穴の上部開口部側の接着剤の表面からの放熱がよい。また、反射鏡の白熱電球取付穴の熱が接着剤を通して口金の絶縁部に良好に伝熱される。そして、口金に伝えられた熱はソケット等から外部に放散され、その結果白熱電球の封止部の温度上昇を抑制することができる。」（段落【０００７】）
　これらに記載されるように、ランプからの放熱のために熱伝導率が１００Ｗ／（Ｋ−ｍ）を越える材料である窒化アルミニウムを用いることは、周知の技術的事項といえる。
　また、基板を処理する装置に用いられる熱伝導率が高い材料として“窒化アルミニウム”は、例示するまでもなく良く知られたものである。
　そうしてみると、刊行物記載の発明において、ポッティングコンパウンドの材料として、窒化アルミニウムを採用することには、当業者にとっての格別の創意工夫が見いだせるものではない。
　
ウ．以上からすると、本願発明の発明特定事項は、相違点１、２にかかわらず、刊行物記載の発明及び周知の技術的事項に基づいて当業者が容易に採用し得たものである。
　しかも、本願発明の発明特定事項により、刊行物記載の発明及び周知の技術的事項からみて格別顕著な効果が奏されるとは言えない。
　したがって、本願発明は、刊行物記載の発明及び周知の技術的事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４．むすび
　以上のとおり、本願発明は、刊行物記載の発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることがでない。
　したがって、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は、拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。