【事件の表示】
　特願２００２−５８２４８３「織物糸又はファイバに組み込まれた電子システム」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年１０月２４日国際公開、ＷＯ０２／８４６１７、平成１６年　８月２６日国内公表、特表２００４−５２６０６８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
　１．手続の経緯
　
　本願は，２００２年４月１０日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００１年４月１０日，英国）を国際出願日とする出願であって，平成２１年８月１８日付けで拒絶査定がなされ，これに対し，平成２１年１２月２８日に拒絶査定不服審判の請求がなされると同時に手続補正書が提出され，その後，当審において平成２３年１０月１７日付けで拒絶理由が通知され，平成２４年４月２５日に意見書及び手続補正書が提出されたものである。
　
　
　２．本願発明
　
　平成２４年４月２５日になされた手続補正により補正された特許請求の範囲，明細書及び図面の記載からみて，本願の請求項１ないし１６に係る発明は，特許請求の範囲の請求項１ないし１６に記載された事項によって特定されるものと認める。その請求項１の記載は，次のとおりである。（以下，請求項１に係る発明を「本願発明」という。）
　
「　　【請求項１】
　個々の織物糸又はファイバに包み込まれた多数のエレメントを有する布物品であって，前記多数のエレメントは，集積回路である少なくとも１つのマイクロプロセッサエレメントと少なくとも１つのデータメモリエレメントとから成っていて相互に接続され又は相互に通信して信号処理システムを形成している布物品。」
　
　
　３．当審の判断
　
３−１．特許法第２９条第１項第３号について
　
（１）引用例の記載事項及び記載の発明
ア．当審の平成２３年１０月１７日付け拒絶理由通知書の拒絶の理由に引用された刊行物である特開２００１−７７４４５号公報（以下，「引用例１」という。）には，次の記載がある。
　
１ａ　「【００１３】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するために，この発明においては，一次元構造体のトポロジーを持つ線材，具体的には，有機物を母材とするファイバーの展伸と折り返し，界面剤塗布，圧着，再展伸の繰り返しを行うことにより，所望の機能を持つ素子を実現する。より具体的には，この線材の中に，機能に応じて，電子素子，生体性機能素子，高屈折率体，低屈折率体などを内包させる。」
　
１ｂ　「【００２８】この発明においては，一般的には，例えば，一次元構造体の断面において同心円状に複数の機能構造が配されている。一次元構造体は，例えば，有機物からなるファイバー状のもの，または，円環状の光場を導波する光ファイバー状のものであることもある。また，一次元構造体は同心円状の多層膜構造を有することもある。また，一次元構造体の周りに半導体膜が形成され，この半導体膜を用いた光電子素子により機能素子が形成される。場合によっては，一次元構造体の一部がＤＮＡファイバーであることもある。一次元構造体の断面の一部分が中空であることもある。この中空部を通して，例えば，光，電流または化学流体を通すことができる。また，一次元構造体の周面に窓を設けることにより，この窓を通じて，外界または他の一次元構造体との間で一次元構造体の内部に通される流体の交換を行うことが可能である。この窓は，例えば電気的に開閉可能に構成される。」
　
１ｃ　「【００４４】図１４Ａは汎用ファブリックの一例，図１４Ｂはこの図１４Ａに示す汎用ファブリックの一部の拡大図，図１４Ｃは図１４Ｂの一部の拡大図である。この汎用ファブリックは，縦糸がロジック素子の形成された一次元構造体３３からなり，横糸がメモリ素子（ＲＡＭ）の形成された一次元構造体３４からなる。これらの半導体素子は，一次元構造体３３，３４の側面に例えばアモルファスＳｉ膜を成膜し，これを例えばエキシマーレーザアニールすることにより単結晶化した単結晶Ｓｉ膜に形成することができる。図１４Ｃに，一例として，半導体電子素子Ｄを示す。また，同様の方法により，一次元構造体３３，３４の側面に例えばＧａＩｎＮ系半導体膜を形成し，これに光素子を形成することもできる。さらに，これらにより，トータルシステム・オン・ファイバーファブリックを実現することができる。」
　　　
１ｄ　「【００５０】また，図２０に示すように，このような断面の外郭に凹凸を設け，その凹部に配線４１を埋め込んだ一次元構造体４０は，別の一次元構造体４２と空中交差させることが可能である。ここで，一次元構造体４０の側面には，電子素子４３およびそれらを接続する配線４４が形成されている。
【００５１】図２１に示すように，この発明の一次元構造体を基本繊維として用いて，太陽電池４５，ディスプレー４６，コンピュータ４７，アクチュエータとしての手袋４８，センサー（図示せず）などを一体化したインテリジェントファイバーファブリックによる衣服４９を作ることができる。なお，この衣服４９およびこの衣服４９を着る人間のサイズはともに１ｍのオーダーであり，一方，この衣服４９を構成する繊維である一次元構造体の径のサイズは例えば最大で１ｍｍのオーダーであり，このとき後者に対する前者の比は〜１ｍ／１ｍｍ〜１０００のオーダーである。」
　
１ｅ　「【００６７】図２４は，上記のような機能性ファイバーの展伸および圧着のサイクルを繰り返すことで擬似的に細胞分裂に相当することを実現することができることを示す例である。すなわち，まず，図２４Ａに示すような偏心した中心部Ｌ１，中間層Ｌ２および最外層Ｌ３からなる単純な内部構造を持つ機能性ファイバーに対して展伸および圧着のサイクルを繰り返し行うことにより，図２４Ｂに示すように，直径がＭ分の１に縮小した機能性ファイバーを２Ｍ個つくる。」
　　
イ．上記１ｃには，「ロジック素子」と「メモリ素子（ＲＡＭ）」をさして，「これらの半導体素子」とし，「一例として，半導体電子素子Ｄ」が示されているから，「半導体素子」と「半導体電子素子Ｄ」は共に，「ロジック素子」及び「メモリ素子（ＲＡＭ）」を意味することが分かる。
　
　上記１ｃ及び１ｄには，一次元構造体３３，３４の側面に半導体電子素子Ｄを形成することが直接的には記載されているものの，上記１ａには，線材の中に電子素子を内包させることが記載されており，さらに１ｂには，「一次元構造体の断面において同心円状に複数の機能構造が配されている」ことが，１ｅには，「内部構造を持つ機能性ファイバー」が記載されていることからして，一次元構造体３３，３４の中に半導体電子素子を内包させることも実質的に開示されている。
　
ウ．以上の１ａないし１ｅ，及び図面の記載からみて，引用例１には次の発明が記載されているといえる。
　「縦糸がロジック素子の形成された一次元構造体３３からなり，横糸がメモリ素子（ＲＡＭ）の形成された一次元構造体３４からなる汎用ファブリックであって，一次元構造体３３，３４の中にこれらの半導体電子素子を内包させ，またこれら半導体電子素子を接続する配線が形成されている汎用ファブリック。」（以下，「引用発明１」という。）
　　　
（２）対比
　本願発明と引用発明１とを対比すると，引用例１発明の「ロジック素子」，「メモリ素子（ＲＡＭ）」，「一次元構造体３３，３４」及び「汎用ファブリック」は，それぞれ本願発明の「集積回路である少なくとも１つのマイクロプロセッサエレメント」，「少なくとも１つのデータメモリエレメント」，「個々の織物糸又はファイバ」及び「布物品」に相当する。
　
　引用発明１の「半導体電子素子」は，本願発明の「エレメント」に相当する。
　
　引用発明１の「一次元構造体３３，３４の中にこれらの半導体電子素子を内包させ」ることは，本願発明の「個々の織物糸又はファイバに包み込まれた多数のエレメントを有する」という要件を満たす。
　　
　引用発明１の「半導体電子素子を接続する配線が形成されている」ことは，本願発明の「多数のエレメントは」「相互に接続され又は相互に通信して信号処理システムを形成している」という要件を満たす。
　　
（３）一致点・相違点
　したがって，本願発明と引用発明１とは，本願発明の表記に倣うと，「個々の織物糸又はファイバに包み込まれた多数のエレメントを有する布物品であって，前記多数のエレメントは，集積回路である少なくとも１つのマイクロプロセッサエレメントと少なくとも１つのデータメモリエレメントとから成っていて相互に接続され又は相互に通信して信号処理システムを形成している布物品。」
である点で一致し，相違するところがない。
  　
（４）判断
　本願発明と引用発明１とは，同一である。
　したがって，本願発明は，引用文献１に記載された発明であるから，特許法第２９条第１項第３号の規定に該当し，特許を受けることができないものである。
　
３−２．特許法第２９条第２項について
　
（１）引用例の記載事項及び記載の発明
　仮に，引用例１には，一次元構造体３３，３４の側面に半導体電子素子を形成することしか記載されておらず，一次元構造体３３，３４の中に半導体電子素子を内包させることまでが実質的に開示されているとはいえないとすると，引用例１には次の発明が記載されているといえる。
　「縦糸がロジック素子の形成された一次元構造体３３からなり，横糸がメモリ素子（ＲＡＭ）の形成された一次元構造体３４からなる汎用ファブリックであって，一次元構造体３３，３４の側面にこれらの半導体電子素子が形成され，またこれら半導体電子素子を接続する配線が形成されている汎用ファブリック。」（以下，「引用発明２」という。）
　
（２）対比
　本願発明と引用発明２との対比は，本願発明の「個々の織物糸又はファイバに包み込まれた多数のエレメントを有する」という要件以外は，上記３−１．（２）と同様である。
　　
（３）一致点・相違点
　すると，本願発明と引用発明２とは，本願発明の記載に倣うと，
「個々の織物糸又はファイバに多数のエレメントを有する布物品であって，前記多数のエレメントは，集積回路である少なくとも１つのマイクロプロセッサエレメントと少なくとも１つのデータメモリエレメントとから成っていて相互に接続され又は相互に通信して信号処理システムを形成している布物品。」である点で一致し，以下の点で相違する。
　
＜相違点＞
　本願発明は多数のエレメントが「個々の織物糸又はファイバに包み込まれた」ものであるのに対して，引用発明は半導体電子素子Ｄが「一次元構造体３３，３４の側面に」「形成された」ものである点。
　　
（４）判断
　当審の拒絶理由で引用した国際公開第９８／３３１５５号（以下，「引用例２」という。）には，「Alternatively, the fibre may comprise a plurality of filaments stranded together and enclosing the transponder.」（明細書第１頁第３１−３３行）（当審訳：それに代えて，ファイバーを，多数のフィラメントが，撚り合わせられ，かつトランスポンダを包んでいるものから構成してもよい），「The electronic transponder may comprise an integrated circuit ・・・」（明細書第２頁第６−７行）（当審訳：電子トランスポンダは集積回路からなり・・・），及び「Referring to Figure 1 of the drawings, there is shown a miniature transponder 10 incorporated within a fibre 20 which, together with other fibres, is to be used to form a fabric. The transponder 10 comprises an integrated circuit 12 and an aerial 14・・・」（明細書第４頁第１０−１４行）（当審訳：図１には，他のファイバと共にファブリックを形成するファイバ２０内に組み込まれた小さなトランスポンダ１０が示されている。トランスポンダ１０は集積回路１２とアンテナ線１４からなり・・・）と記載されており，集積回路を線材の中に包み込む態様が記載され，また引用例２もファブリックに電子機器の機能を付加するという引用例１と共通する課題を有するものである。
　また引用例１には，「線材の中に，機能に応じて，電子素子，生体性機能素子，高屈折率体，低屈折率体などを内包させる」（上記１ａ参照）と記載されており，さらに，「一次元構造体の断面において同心円状に複数の機能構造が配されている」（上記１ｂ参照），「内部構造を持つ機能性ファイバー」（上記１ｅ参照）と記載され，段落【００５０】と図２０には，配線ではあるが一次構造体（ファイバ）の凹部内に埋め込むことも記載されていることから，引用例１には，一次元構造体３３，３４の中に半導体電子素子を内包させることの示唆があるといえる。
　よって，引用発明２において，上記引用例２で記載された技術を参酌すれば，一次元構造体３３，３４の中に半導体電子素子を内包させるようにして，上記相違点に係る本願発明の構成とすることに格別の困難性は認められない。
　
　そして，請求人が平成２４年４月２５日付け意見書で主張する，包み込みによりエレメントが保護できるという効果は当業者が予測できる程度のものであって，格別顕著なものとはいえない。なお，当該効果は，本願明細書に記載されたものでもない。
　したがって，本願発明は，引用発明２に基いて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により，特許を受けることができないものである。
　
　
　４．むすび
　以上のとおり，本願発明は，引用文献１に記載された発明であるから，特許法第２９条第１項第３号の規定に該当し，特許を受けることができないものである。
　また，本願発明は，引用文献１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　よって，他の請求項に係る発明について検討するまでもなく，本願は拒絶されるべきものである。
　
　よって，結論のとおり審決する。