【事件の表示】
　特願２００９−１３９１２１「フィルタードカソーディックアーク装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２２年１２月２４日出願公開、特開２０１０−２８７２６８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯 
　本願は、平成２１年６月１０日の出願であって、平成２４年８月１６日付けで拒絶理由が通知され、同年１０月１８日付けで手続補正がされたが、平成２５年１月１１日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年４月１２日に拒絶査定不服の審判が請求されるとともに、同日付けで手続補正がされ、同年６月１７日付けで審尋がなされ、同年７月３１日に回答書が提出されたものである。
　
第２　補正却下の決定 
［補正却下の決定の結論］ 
　平成２５年４月１２日付けの手続補正を却下する。 
 　 
［理由］ 
１．本願発明と補正後の発明 
　上記手続補正（以下、「本件補正」という。）は補正前の平成２４年１０月１８日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載された 
　 
　「成膜原料を陰極ターゲットとするアーク放電によりプラズマを発生させるプラズマ発生部と、被成膜基板が設置される成膜処理室と、前記プラズマ発生部と前記成膜処理室との間に設置され、前記プラズマ発生部から発生したプラズマを磁場により前記成膜処理室へ誘導する屈曲した磁場ダクトとを備えた、フィルタードカソーディックアーク装置において、
前記磁場ダクトの内壁を被覆する非磁性の金属繊維からなるウール材と、
該ウール材に５Ｖから１００Ｖの正バイアスを印加するバイアス電源とを備えたことを特徴とするフィルタードカソーディックアーク装置。」 
 　
という発明（以下、「本願発明」という。）を、 
　 
　「成膜原料を陰極ターゲットとするアーク放電によりプラズマを発生させるプラズマ発生部と、被成膜基板が設置される成膜処理室と、前記プラズマ発生部と前記成膜処理室との間に設置され、前記プラズマ発生部から発生したプラズマを磁場により前記成膜処理室へ誘導する屈曲した磁場ダクトとを備えた、フィルタードカソーディックアーク装置において、
前記磁場ダクトの内壁を被覆する非磁性の金属繊維からなるウール材と、
該ウール材に５Ｖから１００Ｖの正バイアスを印加するバイアス電源とを備え、負帯電粒子の吸着によりパーティクルを低減し、プラズマビーム集束により成膜レートを向上することを特徴とするフィルタードカソーディックアーク装置。」
　
という発明（以下、「補正後の発明」という。）に変更することを含むものである。 
　
２．新規事項の有無、補正の目的要件について 
　本件補正は、願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内において、補正前の特許請求の範囲の請求項１に記載された、「正バイアスを印加するバイアス電源」に関し、「負帯電粒子の吸着によりパーティクルを低減し、プラズマビーム集束により成膜レートを向上する」と限定して、特許請求の範囲を減縮するものであるから、特許法第１７条の２第３項（新規事項）及び特許法第１７条の２第５項第２号（補正の目的）の規定に適合している。 
　
３．独立特許要件について 
　本件補正は特許請求の範囲の減縮を目的とするものであるから、上記補正後の発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるのかどうかについて以下に検討する。 
　
（１）補正後の発明 
　上記「１．本願発明と補正後の発明」の項で補正後の発明として認定したとおりである。 
　
（２）引用発明 
Ａ　原審の拒絶理由に引用された特開２００３−１６０８５８号公報（以下、「引用例１」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている。 
　
イ．「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、陰極アーク放電を用いた薄膜の成膜、特に、磁気記録再生装置の磁気ヘッドに形成されるカーボン膜の成膜に使用されるカソーディックアーク成膜装置に関する。」（２頁１欄） 
　
ロ．「【０００９】
【発明の実施の形態】以下、図を参照して本発明の実施の形態を説明する。図１は本発明によるカソーディックアーク成膜装置の一実施の形態を示す図であり、成膜装置の概略構成を示したものである。図１に示すように、成膜装置はプラズマ発生部１，プラズマ移送部２，スキャニング装置３，成膜チャンバ４および装置全体を制御する制御装置５で構成されている。
【００１０】プラズマ発生部１は、ターゲット１１が装着される陰極部１０と、陰極部１０が固定される陽極チャンバ１２と、アーク放電のきっかけを作るためのトリガ１４とを備えている。例えば、カーボン膜を成膜する場合には、ターゲット１１としてカーボングラファイトが用いられる。以下では、カーボン膜成膜を例に説明する。
【００１１】陰極部１０はアーク電源（定電流源）１３の負端子に接続されており、一方、トリガ１４およびアーク電源１３の正端子に接続されている陽極チャンバ１２はそれぞれ接地されていてアース電位となっている。トリガ１４は、軸１４０を回転軸としてステップモータ等の駆動部１５により回転駆動される。トリガ１４の角度は図示しない角度センサで検出される。
【００１２】陰極部１０と陽極チャンバ１２とは、絶縁部材６によって電気的に絶縁されている。陽極チャンバ１２の外周には陽極チャンバ１２内にアキシャル磁場を形成する磁気コイル１６が設けられており、電源１７から励磁電流が供給される。なお、図示していないが、陰極部１０には水冷ジャケットのような冷却手段が設けられている。
【００１３】プラズマ移送部２は、屈曲したダクト２０とその周囲に設けられた磁気コイル２１とを有している。磁気コイル２１にも電源１７から励磁電流が供給される。プラズマ移送部２と陽極チャンバ１２とは絶縁材２３を介して互いに固定されていて、両者は電気的に絶縁されている。ダクト２０にはバイアス電源２２により正のバイアス電圧が印加されている。
【００１４】成膜チャンバ４内には基板ステージ４２が設けられており、この基板ステージ４２に成膜対象物である基板４１が装着される。基板ステージ４２は、矢印Ｒで示すように基板４１をその平面内で回転する。また、基板４１の前方（図示右側）には、開口４４ａが形成された遮蔽板４４が配設されている。成膜チャンバ４とプラズマ移送部２とはチルトダクト４３で連結されており、チルトダクト４３の２つのフランジ４３ａ，４３ｂは互いに角度θを成している。このチルト角度θは、後述するスキャニング装置３の偏向可能角度との兼ね合いもあるが２．５〜１０（deg）程度に設定されるが、好ましくは５．５（deg）が良い。」（３頁３〜４欄）
　
ハ．「【００１７】次に、成膜動作の概略を説明する。アーク放電を生じさせる際には、図１の破線で示す位置に退避していたトリガ１４を駆動部１５により回転駆動してターゲット１１側に倒す。陰極部１０と陽極チャンバ１２との電位差はアーク電源１３により数１０〜数１００ボルトに設定されており、トリガ１４の先端に設けられたトリガチップ１４ａがターゲット１１の表面に接触するとアーク放電が発生する。
【００１８】アーク放電が発生するとプラズマが生成され、このプラズマにはターゲット１１から放出されたターゲットイオン（正イオン）が含まれている。ターゲット１１がグラファイトの場合には、アーク放電によりカーボンイオンを含むプラズマが生成される。このとき、グラファイトターゲット１１からはカーボンイオンの他にマクロパーティクルと呼ばれる多数のカーボン原子から成るクラスターが放出される。
【００１９】制御装置５はアーク電源１３の状態を常時モニタし、アーク放電の発生を検出したならば駆動部１５へ指令を送り、ターゲット１１の表面からトリガ１４を引き上げる。このとき、アーク放電発生時のトリガ１４の角度位置が上述した角度センサにより検出され、検出された角度位置は制御装置５に設けられた記憶部（不図示）に記憶される。アーク放電発生後、放電状態は時間が経過するにつれて弱まってくるので、再びトリガ１４を記憶された位置まで駆動部１５により移動させて、安定したアーク放電が維持されるように制御する。
【００２０】陽極チャンバ１２内には磁気コイル１６によりアキシャル磁場が形成されている。そのため、アーク放電により生成されたプラズマは、すなわち、ターゲット１１から放出されたカーボンイオンや電子を含むプラズマは、このアキシャル磁場により集束されるとともにプラズマ移送部２のダクト２０へと導かれる。プラズマ移送部２においても、ダクト２０の周囲に設けられた磁気コイル２１によりダクト２０の軸に沿ったアキシャル磁場が形成されており、プラズマはこの磁場に沿って成膜チャンバ４へと移送される。
【００２１】プラズマビームＢにはカーボンイオンＣおよびパーティクルＰ等が含まれている。プラズマビームＢのプラズマ密度はプラズマ断面中心から周辺へと低くなっており、図１の符号Ｂで示した領域は所定密度以上の範囲を表している。図３は、カーボンイオンＣの分布形状Ｌ１とパーティクルＰの分布形状Ｌ２とを定性的に示したものである。なお、パーティクルＰの密度はカーボンイオンＣの密度に比べて遙かに小さいが、比較しやすいように両者が同程度の密度であるとして分布形状を示した。
【００２２】カーボンイオンＣは電荷を帯びているため互いに反撥し、分布形状Ｌ２がパーティクルＰの分布形状Ｌ２よりもブロードになっている。そのため、ダクト２０に正のバイアス電圧を印加してダクト２０内にラジアル電場を形成し、ダクト中央に偏在させるようにした。このとき、カーボンイオンＣの分布形状Ｌ１は分布形状Ｌ１０のように変化し、高密度プラズマが得られる。」（３頁４欄〜４頁５欄）
　
　上記引用例１の記載及び図面並びにこの分野における技術常識を考慮すると、上記ロ．の【０００９】における「図１は本発明によるカソーディックアーク成膜装置の一実施の形態を示す図であり、成膜装置の概略構成を示したものである。図１に示すように、成膜装置はプラズマ発生部１，プラズマ移送部２，スキャニング装置３，成膜チャンバ４および装置全体を制御する制御装置５で構成されている。」との記載、及び図１によれば、カソーディックアーク成膜装置は、プラズマ発生部（１）と、成膜チャンバ（４）と、プラズマ移送部（２）とを備えている。
　また、上記ロ．の【００１０】における「プラズマ発生部１は、ターゲット１１が装着される陰極部１０と、陰極部１０が固定される陽極チャンバ１２と、アーク放電のきっかけを作るためのトリガ１４とを備えている。例えば、カーボン膜を成膜する場合には、ターゲット１１としてカーボングラファイトが用いられる。」との記載、及び図１によれば、前述のプラズマ発生部（１）は、カーボングラファイトをターゲット（１１）としている。ここで、上記ハ．の【００１７】における「アーク放電を生じさせる際には、図１の破線で示す位置に退避していたトリガ１４を駆動部１５により回転駆動してターゲット１１側に倒す。陰極部１０と陽極チャンバ１２との電位差はアーク電源１３により数１０〜数１００ボルトに設定されており、トリガ１４の先端に設けられたトリガチップ１４ａがターゲット１１の表面に接触するとアーク放電が発生する。」との記載、同ハ．の【００１８】における「アーク放電が発生するとプラズマが生成され、このプラズマにはターゲット１１から放出されたターゲットイオン（正イオン）が含まれている。ターゲット１１がグラファイトの場合には、アーク放電によりカーボンイオンを含むプラズマが生成される。」との記載によれば、前述のプラズマ発生部（１）は、アーク放電によりカーボンイオンを含むプラズマを発生させるものである。
　また、上記ロ．の【００１４】における「成膜チャンバ４内には基板ステージ４２が設けられており、この基板ステージ４２に成膜対象物である基板４１が装着される。」との記載、及び図１によれば、前述の成膜チャンバ（４）は、成膜対象物である基板（４１）が装着される。
　また、上記ロ．の【００１３】における「プラズマ移送部２は、屈曲したダクト２０とその周囲に設けられた磁気コイル２１とを有している。磁気コイル２１にも電源１７から励磁電流が供給される。」との記載、上記ハ．の【００２０】における「ターゲット１１から放出されたカーボンイオンや電子を含むプラズマは、このアキシャル磁場により集束されるとともにプラズマ移送部２のダクト２０へと導かれる。プラズマ移送部２においても、ダクト２０の周囲に設けられた磁気コイル２１によりダクト２０の軸に沿ったアキシャル磁場が形成されており、プラズマはこの磁場に沿って成膜チャンバ４へと移送される。」との記載、及び図１によれば、前述のプラズマ移送部（２）は、前述のプラズマ発生部（１）と前述の成膜チャンバ（４）との間に設置され、前述のプラズマ発生部（１）から発生したプラズマをアキシャル磁場により前述の成膜チャンバ（４）へ誘導する屈曲したダクト（２０）を備えている。
　また、上記ロ．の【００１３】における「ダクト２０にはバイアス電源２２により正のバイアス電圧が印加されている。」との記載、及び図１によれば、カソーディックアーク成膜装置は、ダクト（２０）に正バイアスを印加するバイアス電源（２２）を備えている。ここで、上記ハ．の【００２１】における「プラズマビームＢにはカーボンイオンＣおよびパーティクルＰ等が含まれている。プラズマビームＢのプラズマ密度はプラズマ断面中心から周辺へと低くなっており、図１の符号Ｂで示した領域は所定密度以上の範囲を表している。図３は、カーボンイオンＣの分布形状Ｌ１とパーティクルＰの分布形状Ｌ２とを定性的に示したものである。」との記載、同ハ．の【００２２】における「カーボンイオンＣは電荷を帯びているため互いに反撥し、分布形状Ｌ２がパーティクルＰの分布形状Ｌ２よりもブロードになっている。そのため、ダクト２０に正のバイアス電圧を印加してダクト２０内にラジアル電場を形成し、ダクト中央に偏在させるようにした。このとき、カーボンイオンＣの分布形状Ｌ１は分布形状Ｌ１０のように変化し、高密度プラズマが得られる。」との記載、図１及び図３によれば、前述のバイアス電源（２２）は、プラズマビーム（Ｂ）を集束させるものである。
　
　したがって、上記引用例１には、以下の発明（以下、「引用発明１」という。）が記載されているものと認められる。
　
　「カーボングラファイトをターゲット（１１）とするアーク放電によりカーボンイオンを含むプラズマを発生させるプラズマ発生部（１）と、成膜対象物である基板（４１）が装着される成膜チャンバ（４）と、前記プラズマ発生部（１）と前記成膜チャンバ（４）との間に設置され、前記プラズマ発生部（１）から発生したプラズマをアキシャル磁場により前記成膜チャンバ（４）へ誘導する屈曲したダクト（２０）を備えた、カソーディックアーク成膜装置において、
前記ダクト（２０）に正バイアスを印加するバイアス電源（２２）を備え、プラズマビームを集束するカソーディックアーク成膜装置。」
　
Ｂ　原審の拒絶理由に引用された特開２００５−５４２３０号公報（以下、「引用例２」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている。 
　
ニ．「【技術分野】
【０００１】
  本発明は、例えば自動車部品、各種機械の部品、各種工具や、自動車部品、機械部品等の成形に用いる金型等の成形用型等の物体に耐摩耗性、摺動性、耐蝕性等のうち少なくとも一つを向上させるなどのための薄膜を形成することに利用できる真空アーク蒸着装置に関する。」（２頁） 
　
ホ．「【００２３】
  前記ダクト及びフィン状部材は前記被成膜物体への成膜中、浮遊電位又は正電位に維持してもよい。そうすることで、ダクト内面の堆積物をスパッタしようとするプラズマ中の粒子（主としてプラスにインオ化されたカソード材料）が堆積物に近づかなくなったり、強くは衝突し難くなり、スパッタ粒子の発生がそれだけ抑制される。
  同様の理由で、前記ダクト及びフィン状部材は前記被成膜物体への成膜中、前記真空アーク放電により発生するプラズマに対し正電位に維持してもよい。
【発明の効果】
【００２４】
  以上説明したように本発明によると、カソードとアノード間の真空アーク放電によりカソード材料を蒸発させるとともにイオン化する蒸発源と、被成膜物体を支持するホルダと、該カソード材料構成元素を含む膜を該ホルダに支持される被成膜物体上に形成するために該蒸発源によりイオン化されたカソード材料を該ホルダに支持される被成膜物体へ向け導く磁場形成部材が付設されたダクトとを含む真空アーク蒸着装置であって、ダクト内面の堆積物に起因する好ましくない粒子が被成膜物体に到達することを抑制でき、それだけ良質の膜を形成できる真空アーク蒸着装置を提供することができる。」（５〜６頁）
　
ヘ．「【００４３】
  以上説明した装置Ａではフィン状部材５は１枚設けられているだけであるが、図３に示すように、ダクト３内面に複数段に立設してもよい。また、かかるフィン状部材５に代えて、図４に示すようにダクト内面を多孔状面５０に形成してもよい。図４に示す例では、多孔材料５００をダクト基体内面に接着して多孔状面が形成されている。かかる多孔材料としては、既述のとおり、フェルト状材料、メッシュ状材料、不織布、金属又は非金属からなる多孔質材料、これらにカソード材料と馴染みのよいカソード材料元素を含む材料を含ませた又はそのような材料で被覆した材料を採用できる。多孔状ダクト内面も、浮遊電位、正電位或いはプラズマ電位に対し正電位に維持されてもよい。
【００４４】
  このように内面が多孔状内面５０に形成されたダクト３を採用すると、蒸発源１から蒸発した粒子がダクト内面の孔に補足されやすく、また、そのスパッタ粒子も該孔に止まったり、ダクト内面の凹凸に遮られるなどしてホルダ４上の被成膜物体Ｗへの飛行が抑制され、かくしてスパッタ粒子の被成膜物体への到達が抑制され、それだけ良質の膜を形成することができる。
【００４５】
  また、以上説明した真空アーク蒸着装置Ａにおいては、ダクト３は真っ直ぐ延びたものであるが、図５に示す真空アーク蒸着装置Ｂのように、湾曲したダクト３’を採用してもよい。かかるダクト３’を採用するときにも、該ダクト３’に磁場形成コイル３１’を周設し、これに電源３２’から通電することでダクト内に磁場を形成することができる。また、ダクト内面の堆積物のスパッタ粒子の進行を妨げるためにダクト内面にフィン状部材を立設したり、ダクト内面を多孔状面に形成しておけばよい。図示の例ではフィン状部材５’がダクト３’の出口部分内面に立設されている。」（８頁）
　
ト．「【００４８】
  次に、図１に示すタイプの真空アーク蒸着装置において被成膜物体表面に窒化クロム膜を形成した実験例１及び比較実験例１並びに窒化チタン膜を形成した実験例２及び比較実験例２について説明する。
【００４９】
実験例１：実験条件
　　　　　カソード：クロムカソード
　　　　　　　　　　蒸着面　６４ｍｍ径の円形蒸着面
　　　　アーク電流：１５０アンペア
　　　　　　ダクト：材質　ステンレススチール（ＳＵＳ３１６）
　　　　　　　　　　直径１００ｍｍ、長さ１００ｍｍ
　ダクト内磁場強さ：７００Ｏｅ（エルステッド）
　　　フィン状部材：ダクト内面に垂直に環状に立設。  個数  １個
　　　　　　　　　　材質　ステンレススチール（ＳＵＳ３１６）
　　　　　　　　　　厚さ２ｍｍ、高さ５ｍｍ
　フィン状部材電位：浮遊電位
　成膜室内導入ガス：窒素ガス　　　導入量  ０．５リットル／分
　　　　　成膜圧力：１．０Ｐａ
　　　　被成膜物体：材質　高速度鋼（ＳＫＨ５１）
　　　　　　　　　　直径５０ｍｍ×厚さ５ｍｍ
　　　　　　　　　　個数　１００個
　　　　　　　　　　膜厚：各物体　５μｍ」（９頁）
　
　上記引用例２の記載及び図面並びにこの分野における技術常識を考慮すると、上記ヘ．の【００４５】における「真空アーク蒸着装置Ａにおいては、ダクト３は真っ直ぐ延びたものであるが、図５に示す真空アーク蒸着装置Ｂのように、湾曲したダクト３’を採用してもよい。かかるダクト３’を採用するときにも、該ダクト３’に磁場形成コイル３１’を周設し、これに電源３２’から通電することでダクト内に磁場を形成することができる。また、ダクト内面の堆積物のスパッタ粒子の進行を妨げるためにダクト内面にフィン状部材を立設したり、ダクト内面を多孔状面に形成しておけばよい。」との記載、及び図５によれば、湾曲したダクトを用いた真空アーク蒸着装置は、ダクトの内面に多孔状面を形成している。
　また、同ヘ．の【００４３】における「図４に示すようにダクト内面を多孔状面５０に形成してもよい。図４に示す例では、多孔材料５００をダクト基体内面に接着して多孔状面が形成されている。かかる多孔材料としては、既述のとおり、フェルト状材料、メッシュ状材料、不織布、金属又は非金属からなる多孔質材料、これらにカソード材料と馴染みのよいカソード材料元素を含む材料を含ませた又はそのような材料で被覆した材料を採用できる。多孔状ダクト内面も、浮遊電位、正電位或いはプラズマ電位に対し正電位に維持されてもよい。」との記載、及び図４によれば、前述の多孔状面は、フェルト状の金属からなる多孔質材料を備え、該多孔質材料に正電位を印加するものである。ここで、上記ト．の【００４９】における「材質　ステンレススチール（ＳＵＳ３１６）」との記載によれば、多孔質材料の材質は、ステンレススチール（ＳＵＳ３１６）であり、非磁性の金属材料であることは技術常識である。
　
　したがって、上記引用例２には、以下の発明（以下、「引用発明２」という。）が記載されているものと認められる。
　
　「湾曲したダクトを用いた真空アーク蒸着装置において、ダクトの内面を被覆するフェルト状の非磁性の金属からなる多孔質材料を備え、
該多孔質材料に正電位を印加する技術。」
　
（３）対比・判断 
　補正後の発明と引用発明１とを対比する。 
ａ．引用発明１の「カーボングラファイト」、「ターゲット（１１）」、「カーボンイオンを含むプラズマ」、「成膜対象物である基板（４１）」、「成膜チャンバ（４）」、「アキシャル磁場」及び「ダクト（２０）」は、補正後の発明の「成膜原料」、「陰極ターゲット」、「プラズマ」、「被成膜基板」、「成膜処理室」、「磁場」及び「磁場ダクト」にそれぞれ相当する。
ｂ．引用発明１の「装着」は、「設置」の一形態であるから、「設置」ということができる。
ｃ．引用発明１の「前記ダクト（２０）に正バイアスを印加するバイアス電源（２２）」と、補正後の発明の「該ウール材に５Ｖから１００Ｖの正バイアスを印加するバイアス電源」とは、いずれも、「特定の部材に正バイアスを印加するバイアス電源」という点で一致する。
ｄ．引用発明１の「プラズマビームを集束する」と、補正後の発明の「負帯電粒子の吸着によりパーティクルを低減し、プラズマビーム集束により成膜レートを向上する」とは、いずれも、「プラズマビームを収束する」という点で一致する。
　
 　したがって、補正後の発明と引用発明１は、以下の点で一致ないし相違している。 
 　 
（一致点） 
　「成膜原料を陰極ターゲットとするアーク放電によりプラズマを発生させるプラズマ発生部と、被成膜基板が設置される成膜処理室と、前記プラズマ発生部と前記成膜処理室との間に設置され、前記プラズマ発生部から発生したプラズマを磁場により前記成膜処理室へ誘導する屈曲した磁場ダクトとを備えた、カソーディックアーク装置において、
特定の部材に正バイアスを印加するバイアス電源とを備え、プラズマビームを集束するカソーディックアーク装置。」
　
（相違点１）
　「カソーディックアーク装置」に関し、
　補正後の発明は、「フィルタード」カソーディックアーク装置であるのに対し、引用発明１は、カソーディックアーク装置であるものの、当該「フィルタード」との特定がない点。
　
（相違点２）
　「磁場ダクト」の態様に関し、
　補正後の発明は、「前記磁場ダクトの内壁を被覆する非磁性の金属繊維からなるウール材」を備えるのに対し、引用発明１は、その様な構成を備えない点。
　
（相違点３）
　正バイアスを印加する「特定の部材」に関し、
　補正後の発明は、「該ウール材」であるのに対し、引用発明１は、「前記ダクト（２０）」である点。
　
（相違点４）
　「正バイアス」に関し、
　補正後の発明は、「５Ｖから１００Ｖの」正バイアスであるのに対し、引用発明１は、当該「５Ｖから１００Ｖの」との特定がない点。
　
（相違点５）
　「プラズマビームを収束する」に関し、
　補正後の発明は、「負帯電粒子の吸着によりパーティクルを低減し、プラズマビーム集束により成膜レートを向上する」のに対し、引用発明１は、単に「プラズマビームを収束する」点。
　
　そこで、まず、上記相違点２及び３について検討する。 
　引用発明１と引用発明２は、カソーディックアーク装置において成膜に不要なパーティクル（粒子）を除去するという技術分野・課題において共通し、引用発明１に引用発明２を採用することに阻害要因は見あたらない。そして、引用発明２の「フェルト状の非磁性の金属からなる多孔質材料」は、技術常識に照らせば「非磁性の金属繊維からなるウール材」と呼べるものである。そうすると、補正後の発明のように「前記磁場ダクトの内壁を被覆する非磁性の金属繊維からなるウール材」を備えること（相違点２）は容易になし得ることである。その際、正バイアスを印加する「特定の部材」に関し、補正後の発明のように「該ウール材」となること（相違点３）は自然である。
　
　次に、上記相違点４について検討する。
　上記引用例の上記ハ．の【００１７】における「アーク放電を生じさせる際には、図１の破線で示す位置に退避していたトリガ１４を駆動部１５により回転駆動してターゲット１１側に倒す。陰極部１０と陽極チャンバ１２との電位差はアーク電源１３により数１０〜数１００ボルトに設定されており・・・」との記載によれば、カソーディックアーク装置において、アーク放電を発生させプラズマを発生させるのに要する電圧は、数１０〜数１００ボルトであるところ、プラズマビームを収束させる電圧は、前述のプラズマを発生させるのに要する電圧より小さくなることは技術常識である。そして、明細書の記載を参酌しても５Ｖから１００Ｖの数値範囲に数値限定する臨界的意義は見いだせないから、補正後の発明のように「５Ｖから１００Ｖ」とすることは当業者が適宜なし得ることである。
　
　次に、上記相違点５について検討する。
　カソーディックアーク装置において、ダクトに正バイアスを印加して、負帯電粒子の吸着によりパーティクルを低減することは、例えば、特開２００４−１６９１３２号公報（段落【００４５】）、特開２００４−２１１１２７号公報（段落【００６０】）に開示されるように技術常識である。
　そうすると、引用発明１は、「正バイアスを印加するバイアス電源（２２）を備え、プラズマビームを集束する」ところ、パーティクルが低減し、プラズマビームが収束すれば、成膜レートが向上することは明らかであるから、補正後の発明のように「負帯電粒子の吸着によりパーティクルを低減し、プラズマビーム集束により成膜レートを向上する」ことは格別のことではない。
　
　次に、上記相違点１について検討する。
　引用発明１は、「カソーディックアーク装置」であるところ、上記相違点２乃至５についての検討を踏まえると、カソーディックアーク装置は、「ウール材」を「ダクト（２０）」（磁場ダクト）の内壁に備え、電磁場内でパーティクルを捕集するフィルター機能を有するということができるから、補正後の発明のように「フィルタード」カソーディックアーク装置と称することができることは当然である。
　
　そして、補正後の発明の作用効果も、引用発明１、２及び周知技術から当業者が容易に予測できる範囲のものである。 
 　 
　以上のとおり、補正後の発明は引用発明１、２及び周知技術に基づいて容易に発明できたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。 
 　 
４．結語 
　したがって、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。  
 　 
第３　本願発明について 
１．本願発明 
　平成２５年４月１２日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願発明は、上記「第２　補正却下の決定　１．本願発明と補正後の発明」の項で「本願発明」として認定したとおりである。 
　 
２．引用発明 
　引用発明は、上記「第２　補正却下の決定」の項中の「３．独立特許要件について」の項中の「（２）引用発明」の項で認定したとおりである。 
 　 
３．対比・判断 
　本願発明は上記補正後の発明から当該本件補正に係る限定を省いたものである。 
　そうすると、本願発明の構成に当該本件補正に係る限定を付加した補正後の発明が、上記「第２　補正却下の決定」の項中の「３．独立特許要件について」の項で検討したとおり、引用発明１、２及び周知技術に基づいて容易に発明できたものであるから、本願発明も同様の理由により、容易に発明できたものである。 
　 
４．むすび 
　以上のとおり、本願発明は、引用発明１、２及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
 　 
　よって、結論のとおり審決する。