【事件の表示】
　特許第３４００３０１号に関する訂正審判事件について，次のとおり審決する。
【結　論】
　特許第３４００３０１号に係る明細書及び図面を本件審判請求書に添付された訂正明細書及び図面のとおり訂正することを認める。
【理　由】
第１　手続の経緯 
 　　 
　特許第３４００３０１号（以下「本件特許」という。）の手続の経緯は次のとおりである。 
　
平成　９年　７月１１日　特許出願（優先権主張：平成９年３月１７日）
平成１０年１２月　４日　出願公開
平成１２年　３月　８日　手続補正書の提出　
平成１４年１０月２２日　拒絶理由の通知（発送日）
平成１４年１２月２４日　意見書の提出
平成１４年１２月２４日　手続補正書の提出
平成１５年　２月　４日　特許査定（送達日）　
平成１５年　２月２１日　特許権の設定登録
平成２５年　６月　７日　審判請求
　
第２　請求の要旨及び訂正の内容 
　
　本件審判請求の要旨は，本件特許の明細書（以下「本件特許明細書」という。）を本件審判請求書に添付した訂正明細書のとおり一群の請求項ごとに訂正しようとするものであって，その訂正（以下「本件訂正」という。）の内容は，以下のとおりのものと認める。なお，訂正箇所に下線を付した。 
 　　 
（１）訂正事項１ 
　特許請求の範囲の請求項１〜３に「前記第２導電型エピタキシャル層の膜厚は１．５ｍｍ〜５．０ｍｍの範囲内」とあるのを，「前記第２導電型エピタキシャル層の膜厚は１．５
μ
μ
　
（２）訂正事項２ 
　特許請求の範囲の請求項１〜３に「不純物のドーズ量は，５×１０１２〜１×１０１３ｃｍ−１２の範囲に設定される」とあるのを，「不純物のドーズ量は，５×１０１２〜１×１０１３ｃｍ
−２
　
（３）訂正事項３ 
　願書に添付した明細書の段落【００１２】〜【００１４】にそれぞれ記載された「前記第２導電型エピタキシャル層の膜厚は１．５ｍｍ〜５．０ｍｍの範囲内」を，「前記第２導電型エピタキシャル層の膜厚は１．５
μ
μ
　
（４）訂正事項４ 
　願書に添付した明細書の段落【００１２】〜【００１４】にそれぞれ記載された「不純物のドーズ量は，５×１０１２〜１×１０１３ｃｍ−１２の範囲に設定される」とあるのを，「不純物のドーズ量は，５×１０１２〜１×１０１３ｃｍ
−２
　
第３　当審の判断 
 　　 
１　本件訂正の目的の適否，新規事項の追加の有無及び特許請求の範囲の拡張・変更の存否について 
　
（１）訂正事項１について  
　訂正事項１について，特許請求の範囲の請求項１〜３の「前記第２導電型エピタキシャル層の膜厚」は，本件特許明細書の「ｐ型エピタキシャル層３の厚さ」に対応するといえる。
　そして，本件特許明細書の段落【００４４】には，「また，ｐ型拡散層の拡散深さＸｊとしては，図７の範囲内，すなわち約１．５μｍ〜５．０μｍの範囲内にあることが実用上好ましい。この範囲は，ｐ型拡散層に代えてｐ型エピタキシャル層３を設けた場合のｐ型エピタキシャル層３の厚さの範囲と同じである。」と記載されているから，本件特許明細書には，ｐ型エピタキシャル層３の厚さが，約１．５μｍ〜５．０μｍの範囲内にあることが実用上好ましいとする技術的事項が記載されていることが認められる。
　また，本件特許明細書の段落【００２４】には，「ｎ型埋込み層２上には厚さ４μｍ程度で高抵抗のｐ型エピタキシャル層３がエピタキシャル成長によって形成されている。」と記載されており，段落【００３１】には，「また，菱形，正方形，三角の点はそれぞれｐ型エピタキシャル層３の厚さ４，５，６μｍのときを示している。」と記載されており，段落【００３３】には，「厚さ４μｍのｐ型エピタキシャル層３」と記載されており，本件特許明細書の段落【００４３】で参照する，ｐ型拡散層の総ドーズ量と拡散深さを変えたときの素子のオン抵抗と耐圧の関係を示す図７には，ｐ型拡散層の拡散深さＸｊとして，１．４８μｍから，５．０μｍの範囲のものが記載されている。
　さらに，本件特許明細書において，ｎ型埋込層２，ｎ型オフセット層４，ｐ型ボディ層５，ｎ型ソース層６，ｐ型層７等が，全て「μｍ」の単位で表記される厚さを有するものとして記載されているところ，前記ｎ型埋込層２上に形成されるｐ型エピタキシャル層３の厚さのみが「ｍｍ」の単位で表記される厚さを備えることは，本件発明が属する技術分野の技術常識からみて不合理といえる。
　そうすると，本件特許明細書及び図面の記載から，前記ｐ型エピタキシャル層３の厚さに対応する請求項１〜３の「前記第２導電型エピタキシャル層の膜厚」の単位は，「ｍｍ」ではなく，「μｍ」として表記されることが自然であることは当業者にとって明らかといえる。
　以上のように，本件特許明細書の特許請求の範囲の請求項１〜３の記載に誤記が存在することは明らかであるから，請求項１〜３の「前記第２導電型エピタキシャル層の膜厚」の単位を「ｍｍ」から「μｍ」に訂正する上記訂正事項１は，錯誤により本来の意を表示していないものとなっている記載を，本来の意を表す記載に訂正するものと認められる。
　よって，訂正事項１は，誤記の訂正又は誤訳の訂正を目的とするものに該当する。 
　また，訂正事項１は，願書に最初に添付した明細書，又は図面に記載した事項の範囲内においてするものであり，さらに，実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更するものでもない。 
　
（２）訂正事項２について  
　訂正事項２について，特許請求の範囲の請求項１〜３の「不純物のドーズ量は，５×１０１２〜１×１０１３ｃｍ−１２の範囲に設定される」の「ｃｍ−１２」が，不純物のドーズ量の単位として不合理であることは，当業者の技術常識に照らして明らかである。
　そして，本件特許明細書の段落【００４３】で参照する，ｐ型拡散層の総ドーズ量と拡散深さを変えたときの素子のオン抵抗と耐圧の関係を示す図７には，ｐ型拡散層の総ドーズ量として，５ｅ１２（ｃｍ−２），７ｅ１２（ｃｍ−２），８ｅ１２（ｃｍ−２），１ｅ１３（ｃｍ−２）が記載されている。また，本件特許明細書の段落【００４４】には，「図７及び図８より分かるように，ｐ型拡散層の総ドーズ量が７．０×１０12ｃｍ-2のときに耐圧７０Ｖ，オン抵抗１００ｍΩ・ｍｍ2 の値が得られる。このときのｐ型拡散層の拡散深さは３．８μｍである。」と記載されている。
　そうすると，本件特許明細書及び図面の記載から，特許請求の範囲の請求項１〜３の「不純物のドーズ量」の単位が，「ｃｍ−１２」ではなく，「ｃｍ−２」であることは当業者にとって明らかといえる。
　以上のように，本件特許明細書の特許請求の範囲の請求項１〜３の記載に誤記が存在することは明らかであるから，請求項１〜３の「不純物のドーズ量」の単位を「ｃｍ−１２」から「ｃｍ−２」に訂正する上記訂正事項２は，錯誤により本来の意を表示していないものとなっている記載を，本来の意を表す記載に訂正するものと認められる。
　よって，訂正事項２は，誤記の訂正又は誤訳の訂正を目的とするものに該当する。 
　また，訂正事項２は，願書に最初に添付した明細書，又は図面に記載した事項の範囲内においてするものであり，さらに，実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更するものでもない。 　
　
（３）訂正事項３について  
 　訂正事項３は，上記訂正事項１との整合を図るべく，本件特許明細書の段落【００１２】〜【００１４】の記載を訂正するものであるから，訂正事項１と同様に，誤記の訂正又は誤訳の訂正を目的とするものである。 
　また，訂正事項３は，願書に最初に添付した明細書，又は図面に記載した事項の範囲内においてするものであり，さらに，実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更するものでもない。 
　
（４）訂正事項４について  
 　訂正事項４は，上記訂正事項２との整合を図るべく，本件特許明細書の段落【００１２】〜【００１４】の記載を訂正するものであるから，訂正事項２と同様に，誤記の訂正又は誤訳の訂正を目的とするものである。 
　また，訂正事項４は，願書に最初に添付した明細書，又は図面に記載した事項の範囲内においてするものであり，さらに，実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更するものでもない。 
　
（５）まとめ 
　したがって，訂正事項１〜４を有する本件訂正は，誤記の訂正又は誤訳の訂正を目的とし，願書に最初に添付した明細書，又は図面に記載した事項の範囲内においてするものであり，さらに，実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更するものでもない。 
　よって，本件訂正は，特許法第１２６条第１項ただし書き第２号に掲げる事項を目的とするものに該当し，また，同条第５項及び第６項の規定に適合する。 
 　　 
２　独立特許要件について 
　
　訂正事項１〜４は，誤記の訂正を目的とするものであるところ，訂正後における特許請求の範囲に記載されている事項により特定される発明が，特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否かについて以下に検討する。 
 　  
（１）訂正後の発明 
　訂正後における特許請求の範囲の請求項１〜８に係る発明（以下それぞれ「本件訂正発明１〜８」という。）は，平成２５年６月７日付けの審判請求書に添付された訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１〜８に記載された事項により特定されるとおりのものである。 
 　　 
（２）平成１４年１０月２２日（発送日）の拒絶理由通知書で引用した先願発明について
　平成１４年１０月２２日（発送日）の拒絶理由通知書において，審査官は，特願平８−２５０２９９号（特開平９−２６６３１０号公報）の特許出願の願書に最初に添付された明細書又は図面に記載された発明（以下「先願発明」という。）を引用した。
　そこで，「本件訂正発明１〜８」と先願発明とを対比すると，先願発明は，「本件訂正発明１〜８」の発明特定事項である，「オン抵抗は，１５０ｍΩ・ｍｍ２より小さく，前記第２導電型エピタキシャル層の膜厚は１．５μｍ〜５．０μｍの範囲内であり，不純物のドーズ量は，５×１０１２〜１×１０１３ｃｍ−２の範囲に設定されること」を特定しておらず，また，前記事項が，前記特願平８−２５０２９９号の特許出願の願書に最初に添付された明細書又は図面に記載されているに等しい事項であると認めることもできない。
　したがって，本件訂正発明１〜８が，先願発明と同一であるとは認められない。
　
（３）まとめ 
 　したがって，本件訂正発明１〜８は，特願平８−２５０２９９号（特開平９−２６６３１０号公報）の特許出願の願書に最初に添付された明細書又は図面に記載された発明ではない。 
　また，他に本件訂正発明１〜８が特許出願の際独立して特許を受けることができないとする理由も見当たらない。 
　よって，本件訂正は，特許法第１２６条第７項の規定に適合する。 
　
第４　むすび 
　
　以上のとおりであるから，本件訂正は，特許法第１２６条第１項ただし書き第２号に掲げる事項を目的とするものに該当し，また，同条第５項ないし第７項の規定に適合する。 
　よって，結論のとおり審決する。