【事件の表示】
　特願２００６−３３９３７０「ＳＯＩ基板の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２０年　７月　３日出願公開、特開２００８−１５３４１１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１８年１２月１８日の出願であって、平成２４年６月２５日付けの拒絶理由に対して、同年８月３０日に手続補正がなされるとともに、意見書が提出され、同年１０月１０日付けで拒絶査定がなされ、それに対して、平成２５年１月１５日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同日に手続補正がなされ、その後、同年４月１６日付けで審尋がなされ、同年６月１７日に回答書が提出されたものである。
　
２．補正の却下の決定
【補正の却下の決定の結論】
　平成２５年１月１５日になされた手続補正を却下する。
　
【理由】
（１）補正の内容
　平成２５年１月１５日になされた手続補正（以下「本件補正」という。）は、補正前の特許請求の範囲の請求項１ないし５を、補正後の特許請求の範囲の請求項１ないし３に補正するとともに、明細書を補正するものであり、そのうちの補正前後の請求項１は、以下のとおりである。
　
（補正前）
「【請求項１】
主面に厚みが０．２μｍ以上の酸化膜を有するシリコン基板の主面に水素イオン注入層を形成するイオン注入工程と、石英基板、サファイア基板、または、ガラス基板の何れかである絶縁性基板と前記シリコン基板の少なくとも一方の主面に活性化処理を施す表面処理工程と、前記絶縁性基板と前記シリコン基板の主面同士を貼り合わせる工程と、前記貼り合せ基板の前記シリコン基板からシリコン薄膜を加熱なしに機械的剥離して前記絶縁性基板の主面上にシリコン膜を形成する剥離工程を備え、前記イオン注入工程における前記シリコン基板の温度が４００℃以下に保持されることを特徴とするＳＯＩ基板の製造方法。」
　
（補正後）
「【請求項１】
　主面に厚みが０．２μｍ以上の酸化膜を有するシリコン基板の主面に水素イオン注入層を形成するイオン注入工程と、石英基板、サファイア基板、または、ガラス基板の何れかである絶縁性基板と前記シリコン基板の少なくとも一方の主面にプラズマ処理又はオゾン処理の少なくとも一方で活性化処理を施す表面処理工程と、前記絶縁性基板と前記シリコン基板の主面同士を貼り合わせる工程と、該貼り合わせる工程の後に前記絶縁性基板と前記シリコン基板を貼り合わせた状態で４００℃以下の温度で熱処理する工程と、該熱処理工程後に前記貼り合せ基板の前記シリコン基板からシリコン薄膜を加熱なしに機械的剥離して前記絶縁性基板の主面上にシリコン膜を形成する剥離工程とを備え、
　前記プラズマ処理は、酸素ガス、水素ガス、アルゴンガス、またはこれらの混合ガス、あるいは水素ガスとヘリウムガスの混合ガスにより高周波プラズマを発生させて実行され、前記オゾン処理は、窒素ガスやアルゴンガスにより高周波プラズマを発生させ、当該プラズマによりチャンバ内雰囲気中の酸素をオゾンに変換させて実行される、ことを特徴とするＳＯＩ基板の製造方法。」
　
（２）補正事項の整理
　本件補正のうち、補正前の請求項１についての補正を整理すると、次のとおりである。
（補正事項ａ）
　補正前の請求項１の「石英基板、サファイア基板、または、ガラス基板の何れかである絶縁性基板と前記シリコン基板の少なくとも一方の主面に活性化処理を施す表面処理工程と、」を、補正後の請求項１の「石英基板、サファイア基板、または、ガラス基板の何れかである絶縁性基板と前記シリコン基板の少なくとも一方の主面にプラズマ処理又はオゾン処理の少なくとも一方で活性化処理を施す表面処理工程と、」と補正すること。
　
（補正事項ｂ）
　補正前の請求項１の「前記絶縁性基板と前記シリコン基板の主面同士を貼り合わせる工程と、」を、補正後の請求項１の「前記絶縁性基板と前記シリコン基板の主面同士を貼り合わせる工程と、該貼り合わせる工程の後に前記絶縁性基板と前記シリコン基板を貼り合わせた状態で４００℃以下の温度で熱処理する工程と、」と補正すること。
　
（補正事項ｃ）
　補正前の請求項１の「前記貼り合せ基板の前記シリコン基板からシリコン薄膜を加熱なしに機械的剥離して前記絶縁性基板の主面上にシリコン膜を形成する剥離工程を備え、」を、補正後の請求項１の「該熱処理工程後に前記貼り合せ基板の前記シリコン基板からシリコン薄膜を加熱なしに機械的剥離して前記絶縁性基板の主面上にシリコン膜を形成する剥離工程とを備え、」と補正すること。
　
（補正事項ｄ）
　補正前の請求項１の「前記イオン注入工程における前記シリコン基板の温度が４００℃以下に保持されることを特徴とする」を、補正後の請求項１の「前記プラズマ処理は、酸素ガス、水素ガス、アルゴンガス、またはこれらの混合ガス、あるいは水素ガスとヘリウムガスの混合ガスにより高周波プラズマを発生させて実行され、前記オゾン処理は、窒素ガスやアルゴンガスにより高周波プラズマを発生させ、当該プラズマによりチャンバ内雰囲気中の酸素をオゾンに変換させて実行される、ことを特徴とする」と補正すること。
　
（３）補正の目的の適否についての検討
　上記補正事項のうち、補正事項ｄは、補正前の請求項１に係る発明の発明特定事項である「前記イオン注入工程における前記シリコン基板の温度が４００℃以下に保持される」という事項を削除するとともに、「前記プラズマ処理は、酸素ガス、水素ガス、アルゴンガス、またはこれらの混合ガス、あるいは水素ガスとヘリウムガスの混合ガスにより高周波プラズマを発生させて実行され、前記オゾン処理は、窒素ガスやアルゴンガスにより高周波プラズマを発生させ、当該プラズマによりチャンバ内雰囲気中の酸素をオゾンに変換させて実行される」という事項を付加するものであるところ、前記「前記イオン注入工程における前記シリコン基板の温度が４００℃以下に保持される」という発明特定事項を削除することは、補正前の請求項１に係る発明の発明特定事項を限定するものでないから、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項（以下「特許法第１７条の２第４項」という。）第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものには該当しない。また、補正事項ｄが、特許法第１７条の２第４項のその他のいずれの号に掲げる事項を目的とするものにも該当しないことは明らかである。
　
（４）補正の却下の決定についてのむすび
　以上、検討したとおりであるから、他の補正事項について検討するまでもなく、本件補正は、特許法第１７条の２第４項の規定に違反するものであり、特許法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 
　
３．本願発明
　平成２５年１月１５日になされた手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし５に係る発明は、平成２４年８月３０日になされた手続補正により補正された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし５に記載されている事項により特定されるとおりのものであって、そのうちの請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、その特許請求の範囲の請求項１に記載されている事項により特定される上記２．（１）の補正前の請求項１として記載したとおりのものである。
　
４．引用刊行物に記載された発明
（１）原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願日前である平成１２年２月２日に日本国内において頒布された特開２０００−３６５８３号公報（以下「引用刊行物」という。）には、以下の事項が記載されている。なお、下線は、当審において付与したものである（以下、同じ。）。
　
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板、半導体薄膜の作製方法および多層構造体に関し、更に詳しくは、絶縁層上に単結晶半導体層を有する半導体基板、Ｓｉ基板上の単結晶化合物半導体の作製方法、さらに単結晶半導体層に作成される電子デバイス、集積回路に適する多層構造体とその作製方法および多層構造体に関するものである。」
「【００２２】本発明の目的は、欠陥の少ない、また膜厚均一性に優れた半導体薄膜の作製方法を提供することにある。
【００２３】本発明の別の目的は、
ＳＯＩ層の膜厚均一性に優れたＳＯＩ基板の作製方法を提供することにある。
「【００４１】図２から図６を用いて、本発明をより具体的に説明する。
【００４２】
まず、図２に示すように、一主表面に水素アニール処理された表層部１２を有する第１の基板１０を用意する。
本発明にいう「表層部」とは、ＯＳＦ、ＣＯＰ、ＦＰＤといったバルクウエハであることに起因する欠陥の数が低減された層（低欠陥層）を意味する（以下、「表層部」を「低欠陥層」と記述する場合もある。）。
【００４３】１１は、水素アニールによるＯＳＦ、ＣＯＰ等の欠陥の低減の効果が低い領域である。もちろん、第１の基板１０全体が、低欠陥層１２となっていてもよい。なお、図２においては、低欠陥層１２と領域１１がある境界をもって急峻に分かれているように図示してあるが、実際には厳密な境界はなく、徐々に変化している。また、第１の基板１０の表面及び裏面が低欠陥層となっていてもよい。
【００４４】また、低欠陥層１２中にＭＯＳＦＥＴ等の素子構造を形成した後に以降の工程をおこなってもよい。
【００４５】
次に、図３に示すように、前記第１の基板１０に、水素等のイオン注入を行ない、分離層１４を形成する。
【００４６】分離層１４は、前記低欠陥層１２内部あるいは、領域１１と低欠陥層１２との界面に形成することが望ましい。低欠陥層１２の内部に分離層１４を形成した場合、低欠陥層１２は、分離層１４の上部に位置する層１６（以下、「ＳＯＩ層」という。）と、下部に位置する層１７に分かれる。また、分離層１４を領域１１の内部に形成しても良い。
【００４７】
なお、イオン注入を行なう前後に、必要に応じて絶縁層１３を形成してもよい。
【００４８】
特に、低欠陥層１２表面を酸化することで絶縁層を形成しておけば、絶縁層１３はこのまま貼り合わせてＳＯＩウエハの埋め込み酸化膜として使用可能である。
【００４９
】次に、前記第１の基板１０を第２の基板１５と低欠陥層１２が内側に位置するように貼り合わせ、多層構造体１８を形成する（図４）。
【００５０】
その後、図５に示すように、多層構造体１８を分離層１４を利用して分離する。
【００５１】こうして図５に示すように第２の基板１５上にＳＯＩ層１６が移設された半導体基板が完成する。このＳＯＩ層は、低欠陥層１２を元に形成されているため、ＯＳＦ、ＣＯＰ等のバルクウエハに特有の欠陥の無い、あるいは非常に低減されたＳＯＩ層となる。」
「【００９０】
また、第１の基板がシリコン基板である場合には、基板表面を酸化して酸化シリコン層を絶縁層１３として用いることができる。
【００９１】
絶縁層の厚さ１３としては、数ｎｍ〜数μｍ程度が好ましい。
「【００９９】
イオン注入時の温度は、−２００℃から６００℃の間で行なうことが好ましく、より好適には５００℃以下で、更に好ましくは４００℃以下で行なうことが望まれる。
「【０１０１】（貼り合わせ）
第１の基板１０と貼り合わせる第２の基板１５としては、単結晶シリコン基板、多結晶シリコン基板、非晶質シリコン基板、サファイア基板、あるいは石英基板やガラス基板のような光透過性基板、Ａｌ等の金属基板、アルミナなどのセラミックス基板、ＧａＡｓやＩｎＰなどの化合物半導体基板が挙げられる。
「【０１０４】
多層構造体１８の形成は、第１の基板１０と第２の基板１５を室温で貼り合わせることにより行なう。
【０１０５】
室温で重ね合せる前に、窒素や酸素プラズマで表面を活性化処理して、水洗、乾燥を行うと、次工程の貼り合わせ強度を強める熱処理をより低温化出来る。
「【０１１１】（分離）多層構造体１８の分離は、熱処理することにより行なうことができる。具体的には、４００℃以上、１３５０℃以下、より好ましくは４００℃以上、１０００℃以下、さらに好ましくは４００℃以上、６００℃以下である。」
「【０１２２】
多層構造体１８の分離方法として、高水圧等のジェット流を利用することもまた好ましいものである。
【０１２３】
イオン注入層（分離層１４）での分離を行なうために、高圧の水流をノズルから噴射するいわゆるウォーター・ジェット法を用いてもよい。また水を使用せずアルコールなどの有機溶媒やふっ酸、硝酸などの酸あるいは水酸化カリウム等のアルカリその他の分離領域を選択的にエッチングする作用のある液体なども使用可能である。さらに流体として空気、窒素ガス、炭酸ガス、希ガスなどの気体を用いても良い。あるいは、低温の流体、超低温の液体を用いてもよい。
「【０１２６】
なお、ジェット流で分離する場合には、多層構造体１８の温度は、−２００℃から４５０℃の範囲内で行なう。好ましくは、室温以上３５０℃以下である。
　
（２）そうすると、引用刊行物には、以下の発明（以下「刊行物発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
「表層部１２を有し、前記表層部１２を酸化することで絶縁層１３が形成されたシリコンからなる第１の基板１０に、４００℃以下で水素のイオン注入を行ない、分離層１４を形成し、
　前記第１の基板１０と、サファイア基板あるいは石英基板やガラス基板のような光透過性基板である第２の基板１５を、窒素や酸素プラズマで表面を活性化処理して、水洗、乾燥を行ったのちに、前記表層部１２が内側に位置するように貼り合わせ、多層構造体１８を形成し、
　ジェット流を利用し、前記多層構造体１８を前記分離層１４を利用して分離する
　ＳＯＩ基板の作製方法。」
　
５．対比
（１）刊行物発明の「表層部１２を有し、前記表層部１２を酸化することで絶縁層１３が形成されたシリコンからなる第１の基板１０」と、本願発明の「主面に厚みが０．２μｍ以上の酸化膜を有するシリコン基板」とは、「主面に酸化膜を有するシリコン基板」という点で共通する。そして、刊行物発明の「水素のイオン注入を行ない、」「形成」された「分離層１４」は、本願発明の「水素イオン注入層」に相当するから、刊行物発明の「表層部１２を有し、前記表層部１２を酸化することで絶縁層１３が形成されたシリコンからなる第１の基板１０に、４００℃以下で水素のイオン注入を行ない、分離層１４を形成」することと、本願発明の「主面に厚みが０．２μｍ以上の酸化膜を有するシリコン基板の主面に水素イオン注入層を形成するイオン注入工程」とは、「主面に酸化膜を有するシリコン基板の主面に水素イオン注入層を形成するイオン注入工程」という点で共通する。
　
（２）刊行物発明の「サファイア基板あるいは石英基板やガラス基板のような光透過性基板である第２の基板１５」は、本願発明の「石英基板、サファイア基板、または、ガラス基板の何れかである絶縁性基板」に相当するから、刊行物発明の「前記第１の基板１０と、サファイア基板あるいは石英基板やガラス基板のような光透過性基板である第２の基板１５を、窒素や酸素プラズマで表面を活性化処理」することは、本願発明の「石英基板、サファイア基板、または、ガラス基板の何れかである絶縁性基板と前記シリコン基板の少なくとも一方の主面に活性化処理を施す表面処理工程」に相当する。
　
（３）刊行物発明の「前記第１の基板１０と、サファイア基板あるいは石英基板やガラス基板のような光透過性基板である第２の基板１５を、」「前記表層部１２が内側に位置するように貼り合わせ、多層構造体１８を形成」することは、本願発明の「前記絶縁性基板と前記シリコン基板の主面同士を貼り合わせる工程」に相当する。
　
（４）刊行物発明の「ジェット流を利用し、前記多層構造体１８を」「分離する」ことは、本願発明の「機械的剥離」に相当する。そして、刊行物発明において、「前記多層構造体１８を前記分離層１４を利用して分離」すると、「第２の基板」の主面上にシリコン膜が形成されることは明らかであるから、刊行物発明の「ジェット流を利用し、前記多層構造体１８を前記分離層１４を利用して分離する」ことと、本願発明の「前記貼り合せ基板の前記シリコン基板からシリコン薄膜を加熱なしに機械的剥離して前記絶縁性基板の主面上にシリコン膜を形成する剥離工程」とは、「前記貼り合せ基板の前記シリコン基板からシリコン薄膜を機械的剥離して前記絶縁性基板の主面上にシリコン膜を形成する剥離工程」という点で共通する。
　
（５）そうすると、本願発明と刊行物発明とは、
「主面に酸化膜を有するシリコン基板の主面に水素イオン注入層を形成するイオン注入工程と、石英基板、サファイア基板、または、ガラス基板の何れかである絶縁性基板と前記シリコン基板の少なくとも一方の主面に活性化処理を施す表面処理工程と、前記絶縁性基板と前記シリコン基板の主面同士を貼り合わせる工程と、前記貼り合せ基板の前記シリコン基板からシリコン薄膜を機械的剥離して前記絶縁性基板の主面上にシリコン膜を形成する剥離工程を備え、前記イオン注入工程における前記シリコン基板の温度が４００℃以下に保持されることを特徴とするＳＯＩ基板の製造方法。」
である点で一致し、次の２点で相違する。
　
（相違点１）本願発明の「シリコン基板」は、「主面に厚みが０．２μｍ以上の酸化膜を有する」のに対して、刊行物発明においては、「絶縁層１３」の厚みが特定されていない点。
　
（相違点２）本願発明では、「前記貼り合せ基板の前記シリコン基板からシリコン薄膜を加熱なしに機械的剥離して」いるのに対して、刊行物発明では、「ジェット流を利用し、前記多層構造体１８を前記分離層１４を利用して分離する」際の温度については、特定がなされていない点。
　
６．判断
　以下、相違点について、以下、検討する。
（１）相違点１について
　シリコン基板と支持基板とを絶縁層を介在させて貼り合わせる、いわゆる「貼り合わせ法」を用いたＳＯＩ基板の作成方法において、当該絶縁層の厚みをどの程度にするかということは、要求されるＳＯＩ基板の厚み、機械的強度、ＳＯＩ層の電気的特性等に応じて、当業者が適宜設定し得る設計的事項であるところ、引用刊行物の段落【００９１】には、「絶縁層の厚さ１３としては、数ｎｍ〜数μｍ程度が好ましい。」と記載されており、刊行物発明においても、「絶縁膜１３」の厚みを０．２μｍ以上とすることにより、本願発明のように、「主面に厚みが０．２μｍ以上の酸化膜を有するシリコン基板」という構成にすることは、当業者が必要に応じて、適宜なし得たことと認められる。そして、その効果も、当業者が予測し得る範囲にあるものと認められる。
　よって、相違点１は、当業者が容易になし得た範囲に含まれる程度のものである。
　
（２）相違点２について
　引用刊行物の段落【０１２３】には、「イオン注入層（分離層１４）での分離を行なうために、高圧の水流をノズルから噴射するいわゆるウォーター・ジェット法を用いてもよい。また水を使用せずアルコールなどの有機溶媒やふっ酸、硝酸などの酸あるいは水酸化カリウム等のアルカリその他の分離領域を選択的にエッチングする作用のある液体なども使用可能である。さらに流体として空気、窒素ガス、炭酸ガス、希ガスなどの気体を用いても良い。あるいは、低温の流体、超低温の液体を用いてもよい。」と記載され、段落【０１２６】には、「なお、ジェット流で分離する場合には、多層構造体１８の温度は、−２００℃から４５０℃の範囲内で行なう。好ましくは、室温以上３５０℃以下である。」と記載されていることから、ジェット流で分離する際の温度については、ジェット流として使用する液体あるいは気体の種類に応じて、当業者が適宜設定し得る設計的事項と認められ、刊行物発明において、ジェット流として使用する液体あるいは気体の種類を適宜選択して、室温で分離することより、本願発明のように、「前記貼り合せ基板の前記シリコン基板からシリコン薄膜を加熱なしに機械的剥離」する構成とすることは、当業者が必要に応じて、適宜なし得たことと認められる。そして、その効果も、当業者が予測し得る範囲にあるものと認められる。
　よって、相違点２は、当業者が容易になし得た範囲に含まれる程度のものである。
　
（５）以上検討したとおり、本願発明と刊行物発明との相違点は、いずれも当業者が容易になし得た範囲に含まれる程度のものにすぎず、本願発明は、引用刊行物に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
７．むすび
　以上のとおりであるから、本願は、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、拒絶をすべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。