【事件の表示】
　特願２００５−３０３０８０号「スピン処理装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１９年　５月１０日出願公開、特開２００７−１１５７５６号〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１７年１０月１８日の出願であって、平成２３年１２月２６日付けで拒絶査定がなされ（発送：平成２４年１月１０日）、これに対し、平成２４年４月１０日に拒絶査定不服審判が請求され、その審判の請求と同時に手続補正がなされたものであり、さらに、平成２５年２月２１日付けで当審において拒絶理由が通知され（発送：２月２６日）、これに対して、同年４月３０日に意見書が提出されたものである。
　
２．本願発明
　本願の特許請求の範囲の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成２４年４月１０日の手続補正で補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
　
  「【請求項１】
　基板を回転させてこの基板の下面を処理液で処理した後、基板を処理液による処理時よりも高速回転させて乾燥処理するスピン処理装置であって、
　カップ体と、
　このカップ体内に配設され上記基板を保持して回転駆動される回転体と、
　この回転体に保持される上記基板の下面に対向する位置に設けられているとともに上面に開放した凹部が形成されたノズルヘッドと、
　このノズルヘッドに設けられ上記回転体に保持される基板の下面に処理液を噴射する下部処理液用ノズルと、
　上記回転体の上面を覆うとともに上記ノズルヘッドの上記凹部に対向する部分に上記基板の下面から滴下する処理液を上記凹部内に導入する開口部が形成されていて、上記回転体と一体に回転してこの回転体の上面に乱流が生じるのを阻止する乱流防止カバーと、
　上記凹部に一端が接続されて設けられこの凹部内に流入した処理液を排出する排液管と、
　上記基板を処理液によって処理する時には上記排液管を介しての上記処理液の排出を許容し、上記基板を上記処理液によって処理してから乾燥処理するために高速回転させて上記基板の下面側が負圧になったときには上記排液管内に上昇気流が生じるのを阻止する気流発生阻止手段と
　を具備したことを特徴とするスピン処理装置。」
　
３．引用刊行物とその記載事項
（１）当審における平成２５年２月２１日付けの拒絶理由（以下「当審拒絶理由」という。）において引用した、本願の出願前に頒布された刊行物である特開２００１−４４１５９号公報（以下「刊行物１」という。）には、図面と共に以下の事項が記載されている。
　
ア．「【請求項１】 基板を回転させるとともに、この基板の下面に処理液を噴射して処理するスピン処理装置において、  
　カップ体と、  
　このカップ体内に配設された回転駆動される回転体と、
　この回転体に設けられ上記基板を着脱可能に保持する保持機構と、  
　この保持機構によって保持される上記基板の下面に対向する位置に配置されこの基板の下面に向けて処理液を噴射する下部処理液用ノズルが設けられたノズルヘッドと、  
　このノズルヘッドの上面に開放して形成された凹部と、  
　この凹部の内底部に連通して設けられ凹部内に滴下する処理液を排出する排液部とを具備したことを特徴とするスピン処理装置。  
 ・・・  
【請求項９】 上記回転体の上面側であって、上記保持機構に保持される基板の下面側には、上記回転体の上面側のほぼ全体を覆うとともに、上記ノズルヘッドの凹部に対向する部分に開口部が形成された乱流防止カバ−が設けられていて、この乱流防止カバーの上記開口部を形成した部分の周辺部には上記凹部内に入り込む遮蔽部が設けられていることを特徴とする請求項１記載のスピン処理装置。」（【特許請求の範囲】）  
 　  
イ．「【００２６】  
【発明の実施の形態】以下、この発明の一実施の形態を図面を参照して説明する。  
【００２７】図２に示すこの発明のスピン処理装置はカップ体１を有する。このカップ体１は載置板２上に設けられた下カップ３と、この下カップ３の上側に図示しない上下駆動機構によって上下駆動自在に設けられた上カップ４とからなる。  
【００２８】上記下カップ３の底壁の中心部と載置板２とにはこれらを貫通する通孔５が形成されており、また上記下カップ３の周壁３ａは上記上カップ４の二重構造の周壁４ａにスライド自在に嵌挿し、これら周壁によってラビリンス構造をなしている。  
【００２９】上記上カップ４の上面は開口していて、この上カップ４が下降方向に駆動されることで、後述するようにカップ体１内で処理された基板としてのたとえば半導体ウエハＵを取り出したり、未処理の半導体ウエハＵを供給できるようになっている。さらに、上記下カップ３の底壁には周方向に所定間隔で複数の排出管６の一端が接続され、他端は図示しない吸引ポンプに連通している。それによって、上記
半導体ウエハＵを洗浄処理したり、乾燥処理する
　
ウ．「【００５４】上記ノズルヘッド４６には図４と図５に示すように、その上面に開放した凹部５１が形成されている。この凹部５１は上部から下部にゆくにつれて小径となる円錐形状に形成されている。ノズルヘッド４６の上面の上記凹部５１の周辺部は径方向外方に向かって低く傾斜した傾斜面５２に形成されている。  
【００５５】
上記凹部５１の底部には排液部を形成する排液孔５３の一端が開口している。この排液孔５３の他端には排液管５４（図１に示す）の一端が接続されている。この排液管５４の他端は上記排出管６と同様、図示しない吸引ポンプに接続されている
　
エ．「【００６５】図１に示すように、
上記回転体１２の上面側には乱流防止カバ−６６が設けられている。この乱流防止カバ−６６は上記保持部材１７に保持された半導体ウエハＵの下面側に位置し、周辺部には上記保持部材１７の上部を露出させる第１の開口部６７が形成され、中心部には上記ノズルヘッド４６の凹部５１を開口させる第２の開口部６８が形成されている
　
オ．「【００７７】半導体ウエハＵをロックピン２２によって保持したならば、ブレ−キシリンダ４３の駆動を解除してブレ−キシュ−４５ａによる回転子９ｂの回転阻止状態も解除する。ついで、パルス制御モ−タ９を作動させて
回転体１２を回転させるととも
【００７８】下部処理液用ノズル５５から噴射される処理液は半導体ウエハＵの回転中心に向けて噴射される。そのため、処理液は、半導体ウエハＵの回転によって生じる遠心力で径方向外方に向かって流れるから、半導体ウエハＵの下面全体を処理液によって確実に処理することができる。  
【００７９】しかも、第２の開口部６８の周辺部には凹部５１内に入り込む遮蔽部６９を形成したから、処理液が乱流防止カバー６６内に入り込んで付着し、乾燥処理時に飛散して半導体ウエハＵに付着するということも防止できる。  
【００８０】
下部処理液用ノズル５５から噴射された半導体ウエハＵの下面で反射した処理液のほとんどはノズルヘッド４６の凹部５１内に滴下する
【００８１】半導体ウエハＵの
洗浄が終了したならば
半導体ウエハＵを高速回転させ、その上下面に付着した処理液を除去乾燥させる
【００８２】下部気体用ノズル５６は気体が半導体ウエハＵの径方向外方に向かって噴射される。そのため、その気体の流れによって半導体ウエハＵの下面を全体にわたって良好に乾燥処理することができる。  
【００８３】上記半導体ウエハＵの下面側には
乱流防止カバ−６６が設けられ、回転体１２が高速回転しても、そのて乱流が上面の凹凸形状によって乱流が発生するのを防止する
 　  
カ．「乱流防止カバ−６６」は「回転体１２」に設けられるものであるため（摘記事項エ段落【００６５】参照）、回転体と一体に回転するものといえる。また、ア、エ、及び図１の記載から「第２の開口部６８」が「処理液のほとんどが滴下する開口部」であることは明らかである。  
　
キ．刊行物１におおける「高速回転させて」の語は、乾燥行程において使用されている語であり、処理液を用いた処理行程における「回転させ」という語と対比する形で用いられていることから（摘記事項オ参照）、「基板を処理液による処理時よりも高速回転させて」を意味するものと認められる。
　
　以上の事項を総合すると、刊行物１には、次の発明（以下「刊行物１記載の発明」という。）が記載されているものと認められる。  
 　  
 「基板を回転させるとともに、この基板の下面に処理液を噴射して処理した後、基板を処理液による処理時よりも高速回転させて乾燥するスピン処理装置であって、
　カップ体と、  
　このカップ体内に配設され上記基板を着脱可能に保持して回転駆動される回転体と、
　上記基板の下面に対向する位置に配置されるととともに上面に開放した凹部が形成されたノズルヘッドと、  
　このノズルヘッドに設けられ上記基板の下面に向けて処理液を噴射する下部処理液用ノズルと、  
　上記回転体の上面側のほぼ全体を覆うとともに上記ノズルヘッドの凹部に対向する部分に上記基板の下面で反射した処理液が滴下する開口部が形成され、上記回転体と一体に回転して乱流が回転体上面の凹凸形状によって発生するのを防止する乱流防止カバ−と、
　上記凹部の内底部に連通して設けられこの凹部内に滴下する処理液を排出する排液管とを具備したスピン処理装置。」
　
（２）当審拒絶理由において引用した、本願の出願前に頒布された刊行物である特開平１０−１４４６４２号公報（以下「刊行物２」という。）には、図４、６と共に、以下の記載がある。
　
ク．「【０００６】さらに、処理液を用いた処理を行った後の基板は濡れているので、処理液を用いた処理の後には、
通常、基板を乾燥させるため、基板を保持しているスピンチャックを高速回転させるスピン乾燥処理が行われる
スピンチャックの中心軸上端部近傍の雰囲気は負圧となる。その結果、吐出路内に残留している処理液が吸引され、ミスト状になってノズルから吐出し、基板に付着する
のような残留液の付着痕は、パーティクルとして把握されるから、歩留りの低下を招くおそれがある
 　  
ケ．「【００５４】図６は、制御部２２０において実行される一連の基板洗浄処理を説明するためのフローチャートである。制御部２２０は、ガード上下用モータＭ2 を駆動し、スプラッシュガード２を基板収容位置まで下げる。この状態において、基板搬送手段（図示せず）によって基板Ｗがスピンチャック１まで搬送され、スピンチャック１にて保持される。
【００５５】その後、
洗浄処理を開始する
下側純水弁ＶＷu および上側純水弁ＶＷo を開成し、純水の供給を開始
他の下側ドレン弁ＶＤu 、下側エジェクタ用弁ＶＥu 、上側ドレン弁ＶＤo 、上側エジェクタ用弁ＶＥo およびガス弁ＶＧは閉成
【００５６】制御部２２０は、
洗浄処理開始から所定の洗浄時間が経過
下側純水弁ＶＷu および上側純水弁ＶＷo を閉成
洗浄処理が終了する
スピン乾燥処理および残留液除去処理を同時に実行する
残留液がなくなったと判断されるまで、下側ドレン弁ＶＤu 、下側エジェクタ用弁ＶＥu 、上側ドレン弁ＶＤo および上側エジェクタ用弁ＶＥo を開成する
【００５７】その結果、何ら処理液を供給しない状態で基板Ｗを高速回転させているから、基板Ｗに付着している水滴が基板Ｗの遠心力によって基板Ｗから振り切られる。これにより、基板Ｗが乾燥される。このスピン乾燥処理は、基板Ｗにウォーターマークが形成されるのを防止し、乾燥効果をさらに向上させるために、ガスノズル２１０から吐出している不活性ガスによって基板Ｗがブローされながら行われる。  
【００５８】また、基板Ｗから振り切られた純水（廃液）は、廃液用ドレン口９０から廃液用路９１を介して廃液タンクＴＤに排出される。さらに、
下側エジェクタ３１によって生成される負圧の吸引力によって下側処理液吐出路１０に残留している純水が強制的に除去される
下側ノズル１１の反対側に下側処理液吐出路１０内の残留液を吸引するようにしているから、残留液ミストが生じることがない
　
　上記ク、ケの記載から刊行物２には、乾燥行程を有するスピン処理装置において、「乾燥行程における基板の高速回転により基板下面中央側に負圧が発生し、負圧部に対向して開口する吐出路内に残留する処理液が吸引されミスト状になって吐出し、さらには基板表面に付着する」問題点が存在すること、及び、この問題点を解決するために「負圧部に対向して開口する吐出路１０内に残留する処理液を除去するエジェクタ３１及び残留液がなくなったとき吐出路１０を閉鎖する下側ドレン弁ＶＤuを設けること」（以下「刊行物２記載の技術手段」という。）が記載されているものと認められる。 
　
４．発明の対比
　本願発明と刊行物１記載の発明を対比すると、刊行物１記載の発明における「基板を回転させるとともに、この基板の下面に処理液を噴射して処理した後、」は本願発明における「基板を回転させてこの基板の下面を処理液で処理した後、」に相当し、以下同様に、「着脱可能に保持して」は「保持して」に、「配置される」は「設けられている」に、「上記基板の下面」は「この回転体に保持される上記基板の下面」又は「上記回転体に保持される基板の下面」に、「上面側のほぼ全体を覆う」は「上面を覆う」に、「上記基板下面で反射した処理液のほとんどが滴下する開口部が形成され、」は「上記基板の下面から滴下する処理液を上記凹部内に導入する開口部が形成されていて、」に、「乱流が回転体上面の凹凸形状によって発生するのを防止する乱流防止カバ−」は「この回転体の上面に乱流が生じるのを阻止する乱流防止カバー」に、「上記凹部の内底部に連通して設けられこの凹部内に滴下する処理液を排出する排液管」は「上記凹部に一端が接続されて設けられこの凹部内に流入した処理液を排出する排液管」に、各々相当する。
　
　よって、両者の一致点、相違点は、次のとおりである。
　
（一致点）
　基板を回転させてこの基板の下面を処理液で処理した後、基板を処理液による処理時よりも高速回転させて乾燥処理するスピン処理装置であって、
　カップ体と、
　このカップ体内に配設され上記基板を保持して回転駆動される回転体と、
　この回転体に保持される上記基板の下面に対向する位置に設けられているとともに上面に開放した凹部が形成されたノズルヘッドと、
　このノズルヘッドに設けられ上記回転体に保持される基板の下面に処理液を噴射する下部処理液用ノズルと、
　上記回転体の上面を覆うとともに上記ノズルヘッドの上記凹部に対向する部分に上記基板の下面から滴下する処理液を上記凹部内に導入する開口部が形成されていて、上記回転体と一体に回転してこの回転体の上面に乱流が生じるのを阻止する乱流防止カバーと、
　上記凹部に一端が接続されて設けられこの凹部内に流入した処理液を排出する排液管と、
  を具備したスピン処理装置。
　
（相違点）
　本願発明においては「基板を処理液によって処理する時には上記排液管を介しての上記処理液の排出を許容し、上記基板を上記処理液によって処理してから乾燥処理するために高速回転させて上記基板の下面側が負圧になったときには上記排液管内に上昇気流が生じるのを阻止する気流発生阻止手段」を設けているのに対し、刊行物１記載の発明においてはかかる気流発生阻止手段を有していない点。
　
５．判断
　上記相違点につき検討する。
　
　刊行物２記載の技術手段と本願発明を対比すると、刊行物２記載の技術手段における「負圧部に対向して開口する吐出路１０」も、本願発明における「排液管」も、ともに「乾燥処理するために高速回転させる基板の下面側に発生する負圧部に対向して開口する管路」といえる。
　
　また、刊行物２記載の技術手段における「吐出路１０内に残存する処理液を除去するエジェクタ３１及び残留液がなくなったとき吐出路１０を閉鎖する下側ドレン弁ＶＤu」は、エジェクタ３１の吸引除去作用、及び、吐出路１０を閉鎖する下側ドレン弁ＶＤuの作用により、「吐出路１０内に上昇気流が生じるのを阻止する気流発生阻止手段」となることは明らかである。
　
　よって、乾燥行程における基板の高速回転により負圧が発生し、負圧部に対向して開口する吐出路（管路）内に残留する処理液が吸引されミスト状になって吐出し、さらには基板表面に付着することを防止する刊行物２記載の技術手段は、次のように言い換えることができる。
　
　「乾燥処理するために高速回転させる基板の下面側に発生する負圧部に対向して開口する管路内に上昇気流が生じるのを阻止する気流発生阻止手段を設けること」
　
　一方、刊行物１記載の発明であるスピン処理装置は、乾燥行程おいて「基板を処理液による処理時よりも高速回転させて乾燥する」ものであるから、ノズルヘッドに形成された凹部に連通する排出管内に残留する処理液が吸引されミスト状になって吐出し、さらには基板表面に付着するという問題点を内在するものである。
　
　したがって、刊行物１記載の発明において、乾燥行程における基板の高速回転により負圧が発生し、負圧部に対向して開口するである管路（排液管）内に残留する処理液が吸引されミスト状になって吐出し、さらには基板表面に付着するという問題の発生を回避するために、「乾燥処理するために高速回転させて上記基板の下面側が負圧になったときには上記排液管内に上昇気流が生じるのを阻止する気流発生阻止手段」を設けることは、刊行物２記載の技術手段に倣って、当業者が、容易になしえた事項である。
　
　この際、排出管本来の機能から、上昇気流発生阻止手段は「基板を処理液によって処理する時には排液管を介しての上記処理液の排出を許容する」ものであることは、当業者に明らかな事項である。 
 
　そして、本願発明の奏する効果も、刊行物１記載の発明及び刊行物２記載の技術手段から、当業者が予測できる程度のものであって、格別なものとはいえない。
　
　なお、請求人は、平成２５年４月３０日の意見書で、次の二点を主張している。
　
（主張１）
　刊行物１において、段落【００５５】には「排液管５４は吸引ポンプに接続されている」ことが、段落【００８０】には「洗浄時に凹部５１に滴下した処理液は排液管５４から排出される」ことが、段落【００８４】、【００８５】には「半導体ウエハＵの高速回転時には、羽根６４によって生じる気流で処理液は凹部５１内に導入されて排液管５４から排出される」ことがそれぞれ記載されており、
排液管５４に接続された吸引ポンプ、そしてノズルヘッド４６に設けられた羽根６４の存在により、洗浄時であろうが乾燥時であろうが、排液管５４から逆流する課題自体がない
　つまり、刊行物１においては、「乾燥行程における基板の高速回転により基板下面中央側に発生する負圧により負圧部に対向して開口する管内に残存する液体がミスト化して上昇し、更には基板表面に付着するという問題」が
発生する構造となっていない
　
（主張２）
　刊行物３（審決注：
本審決における刊行物２
　そして、刊行物３（審決注：
本審決における刊行物２
　
　そこで各主張につき検討する。
　
［主張１について］
　羽根６４の存在、吸引ポンプの存在・稼働につき、個別に検討する。
　
（羽根６４の存在について）
　刊行物１には、羽根６４に関して、特許請求の範囲及び発明の詳細な説明に次の記載がある。
　
・【請求項７】　上記ノズルヘッドの上部には、上記基板の回転によって生じるこの基板の下面側の気流を上記凹部内へ導入する羽根が設けられていることを特徴とする請求項１記載のスピン処理装置。（特許請求の範囲）
・【００２３】
請求項７の発明によれば
　
　以上の記載からみて、刊行物１においては羽根６４を設けることか否かは任意の構成として記載されており、羽根６４の存在を前提とする請求人の主張は採用できない。
　
（吸引ポンプの存在・稼働について）
　刊行物１には、吸引ポンプや排液管５４の処理液排出に関し、段落【００５５】に「排液管５４は吸引ポンプに接続されている」ことが、段落【００８０】に「
洗浄時
排液管５４から排出
羽根６４によって生じる気流で
導入されて排液管５４から排出される
　
　したがって、乾燥行程における吸引ポンプの稼働を前提とする請求人の主張は採用できない。
　
　
仮に、
乾燥行程においても吸引ポンプが稼働しているとした場合には
刊行物１記載の吸引ポンプ自体が
気流発生阻止手段」となる
　
　
この結果、上記相違点が存在しなくなり、本願明細書の段落【０００７】に従来技術として記載されている刊行物１記載のスピン処理装置が、本願発明の発明特定事項を全て具備することとなる
　
［主張２について］
　まず、当審決が刊行物２において注目している管路は、廃液用路９１ではなく残存液ミストの発生源となる装置中央部の吐出路１０である。
　
　また、相違点の検討にて述べたとおり、刊行物２記載の技術手段は、エジェクタ３１により残留液を除去し最終的に下側ドレン弁ＶＤuで吐出路１０を閉鎖するものであるから、エジェクタ３１の吸引除去作用、及び、吐出路１０を閉鎖する下側ドレン弁ＶＤuの作用により、「
吐出路１０内に上昇気流が生じるのを阻止する気流発生阻止手段
　
　したがって、請求人の主張２は採用できない。
　
６．結び
　以上のとおりであるから、本願発明は、刊行物１記載の発明及び刊行物２記載の技術手段に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、本願の他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。