【事件の表示】
　特願２００３−５５０２８９「へテロ接合トランジスタ及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　６月１２日国際公開、ＷＯ０３／４９１９３、平成１７年　４月２８日国内公表、特表２００５−５１２３２７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯
　本願は、２００２年１１月２０日（パリ条約に基づく優先権主張　外国庁受理２００１年１２月３日、アメリカ合衆国、２００２年７月１９日、アメリカ合衆国）を国際出願日とする特許出願であって、平成２１年９月２４日付けの拒絶理由通知に対して同年１２月２４日に意見書及び手続補正書が提出され、さらに、平成２２年６月１日付けの最後の拒絶理由通知に対して同年１０月４日に意見書及び手続補正書が提出されたが、平成２３年８月４日付けで、平成２２年１０月４日に提出された手続補正書による補正が却下されるとともに拒絶査定がなされた。
　それに対して、同年１２月１２日に、拒絶査定不服審判が請求されるとともに手続補正書が提出され、その後、平成２４年４月２３日付けで審尋がなされ、それに対する回答書は提出されなかった。
　
第２．補正の却下の決定
【結論】
　平成２３年１２月１２日に提出された手続補正書による補正を却下する。
　
【理由】
１．補正の内容
　平成２３年１２月１２日に提出された手続補正書による補正（以下「本件補正」という。）は、補正前の特許請求の範囲の請求項１〜４１を、補正後の特許請求の範囲の請求項１と補正するものであり、補正前後の請求項１は各々以下のとおりである。
　
（補正前）
　「【請求項１】
　窒化物をベースにしたヘテロ接合トランジスタであって、
　基板と、
　該基板上に設けられ、歪みのない第１のＡｌＧａＮベース層と、
　該第１のＡｌＧａＮベース層上に設けられ、該第１のＡｌＧａＮベース層のバンドギャップよりも小さなバンドギャップを有し、かつ前記第１のＡｌＧａＮベース層の中の歪みの大きさよりも大きな大きさの第１の歪みを有するＧａＮベース層と、
　前記第１のＡｌＧａＮベース層の反対側で、前記ＧａＮベース層上に設けられ、該ＧａＮベース層のバンドギャップよりも大きなバンドギャップを有し、かつ前記第１の歪みと逆の歪みの型である第２の歪みを有する第２のＡｌＧａＮベース層と
　を備え、前記第２のＡｌＧａＮベース層は、前記ＧａＮベース層との界面に２Ｄ電子ガスの形成を誘起するのに十分な大きさの厚さ及びアルミニウム濃度を有するが、ひび割れまたは欠陥形成が生じる厚さよりも薄いものであることを特徴とするヘテロ接合トランジスタ。」
　
（補正後）
　「【請求項１】
　第１のＡｌＧａＮベース層とＧａＮベース層を含む窒化物をベースにしたヘテロ接合トランジスタであって、
　基板と、
　該基板上に設けられ、前記ＧａＮベース層よりも小さな歪みエネルギーを有した前記第１のＡｌＧａＮベース層と、
　前記第１のＡｌＧａＮベース層上に設けられ、前記第１のＡｌＧａＮベース層のバンドギャップよりも小さなバンドギャップを有し、かつ前記第１のＡｌＧａＮベース層の中の歪みの大きさよりも大きな大きさの第１の歪みを有する前記ＧａＮベース層と、
　前記第１のＡｌＧａＮベース層の反対側に前記ＧａＮベース層上に設けられ、前記ＧａＮベース層のバンドギャップよりも大きなバンドギャップを有し、かつ前記第１の歪みと逆の歪みの型である第２の歪みを有する第２のＡｌＧａＮベース層と
　を備え、前記第２のＡｌＧａＮベース層は、前記ＧａＮベース層との界面に２Ｄ電子ガスの形成を誘起するのに十分な大きさの厚さ及びアルミニウム濃度を有するが、ひび割れまたは欠陥形成が生じる厚さよりも薄いものであることを特徴とするヘテロ接合トランジスタ。」
　
２．補正事項の整理
　本件補正による補正事項を整理すると、次のとおりである。
　
（１）補正事項１
　補正前の請求項１の「窒化物をベースにしたヘテロ接合トランジスタであって、」を、「第１のＡｌＧａＮベース層とＧａＮベース層を含む窒化物をベースにしたヘテロ接合トランジスタであって、」と補正して、補正後の請求項１とすること。
　
（２）補正事項２
　補正前の請求項１の「該基板上に設けられ、歪みのない第１のＡｌＧａＮベース層と、」を、「該基板上に設けられ、前記ＧａＮベース層よりも小さな歪みエネルギーを有した前記第１のＡｌＧａＮベース層と、」と補正して、補正後の請求項１とすること。
　
（３）補正事項３
　補正前の請求項１の「該第１のＡｌＧａＮベース層上に設けられ、該第１のＡｌＧａＮベース層のバンドギャップよりも小さなバンドギャップを有し、かつ前記第１のＡｌＧａＮベース層の中の歪みの大きさよりも大きな大きさの第１の歪みを有するＧａＮベース層と、」を、「前記第１のＡｌＧａＮベース層上に設けられ、前記第１のＡｌＧａＮベース層のバンドギャップよりも小さなバンドギャップを有し、かつ前記第１のＡｌＧａＮベース層の中の歪みの大きさよりも大きな大きさの第１の歪みを有する前記ＧａＮベース層と、」と補正して、補正後の請求項１とすること。
　
（４）補正事項４
　補正前の請求項１の「前記第１のＡｌＧａＮベース層の反対側で、前記ＧａＮベース層上に設けられ、該ＧａＮベース層のバンドギャップよりも大きなバンドギャップを有し、かつ前記第１の歪みと逆の歪みの型である第２の歪みを有する第２のＡｌＧａＮベース層と」を、「前記第１のＡｌＧａＮベース層の反対側に前記ＧａＮベース層上に設けられ、前記ＧａＮベース層のバンドギャップよりも大きなバンドギャップを有し、かつ前記第１の歪みと逆の歪みの型である第２の歪みを有する第２のＡｌＧａＮベース層と」と補正して、補正後の請求項１とすること。
　
（５）補正事項５
　補正前の請求項２〜４１を削除すること。
　
３．新規事項追加の有無及び補正の目的についての検討
（１）補正事項１について
　補正事項１は、補正前の請求項１の「窒化物をベースにしたヘテロ接合トランジスタ」が、その発明特定事項として存在していた「第１のＡｌＧａＮベース層」と「ＧａＮベース層」を含むものであることを、冒頭部分で明瞭に記載する補正であるから、特許法第１７条の２第４項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項をいう。以下同じ。）第４号に掲げる明瞭でない記載の釈明を目的とするものに該当する。
　また、補正事項１が、本願の願書に最初に添付した明細書（以下「当初明細書」という。）、特許請求の範囲、又は図面（以下、本願の願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲、又は図面を「当初明細書等」という。）に記載された事項の範囲内においてなされたものであることは明らかであるから、特許法第１７条の２第３項（平成１４年法律第２４号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項をいう。以下同じ。）に規定する要件を満たす。
　
（２）補正事項２について
　補正事項２により補正された部分は、当初明細書の００３１段落等に記載されているものと認められるから、補正事項２は、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものである。
　一方、補正事項２により、補正前の請求項１に係る発明の発明特定事項である「第１のＡｌＧａＮベース層」が「歪みのない」ものであるという技術的限定が削除され、「前記ＧａＮベース層よりも小さな歪みエネルギーを有した」ものであるという異なる技術的限定に変更された。結果として、補正後の請求項１に係る発明には、「第１のＡｌＧａＮベース層」が「歪み」を有し、「前記ＧａＮベース層」よりは「小さな歪みエネルギーを有」するという、補正前の請求項１に係る発明には含まれないものを含むことになった。
　よって、補正事項２は、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当しない。
　また、補正事項２が、特許法第１７条の２第４項のその他のいずれの号に掲げる事項を目的とするものにも該当しないことは明らかである。
　したがって、補正事項１は特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たしていない。
　
（３）補正事項３について
　補正事項３は、補正前の請求項１の「該第１のＡｌＧａＮベース層」を「前記第１のＡｌＧａＮベース層」と補正し、また、「ＧａＮベース層」を「前記ＧａＮベース層」と補正することで、指示関係を明瞭にするものであるから、特許法第１７条の２第４項第４号に掲げる明瞭でない記載の釈明を目的とするものに該当する。
　また、補正事項３が、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものであることは明らかであるから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たす。
　
（４）補正事項４について
　補正事項４は、補正前の請求項１の「前記第１のＡｌＧａＮベース層の反対側で、前記ＧａＮベース層上に設けられ、」を「前記第１のＡｌＧａＮベース層の反対側に前記ＧａＮベース層上に設けられ、」と補正し、また、「該ＧａＮベース層」を「前記ＧａＮベース層」と補正することで、実質的に内容を変更することなく明瞭にするものであるから、特許法第１７条の２第４項第４号に掲げる明瞭でない記載の釈明を目的とするものに該当する。
　また、補正事項４が、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものであることは明らかであるから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たす。
　
（５）補正事項５について
　補正事項５は、特許法第１７条の２第４項第１号に掲げる請求項の削除を目的とするものに該当する。
　したがって、補正事項５は、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たす。
　また、補正事項５が特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすことは明らかである。
　
（６）新規事項追加の有無及び補正の目的についてのまとめ
　以上検討したとおりであるから、本件補正は特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすものの、同法同条第４項に規定する要件を満たさない。
　
４．補正の却下の決定のむすび
　以上検討したとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たすものではないから、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３．本願発明について
１．本願発明
　平成２３年１２月１２日に提出された手続補正書による補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜４１に係る発明は、平成２１年１２月２４日に提出された手続補正書により補正された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜４１に記載されている事項により特定されるとおりのものである。そのうちの請求項１８に係る発明（以下「本願発明」という。）は、請求項１、及び請求項１８に記載されている事項により特定される次のとおりのものである。
　
　「【請求項１】
　窒化物をベースにしたヘテロ接合トランジスタであって、
　基板と、
　該基板上に設けられ、歪みのない第１のＡｌＧａＮベース層と、
　該第１のＡｌＧａＮベース層上に設けられ、該第１のＡｌＧａＮベース層のバンドギャップよりも小さなバンドギャップを有し、かつ前記第１のＡｌＧａＮベース層の中の歪みの大きさよりも大きな大きさの第１の歪みを有するＧａＮベース層と、
　前記第１のＡｌＧａＮベース層の反対側で、前記ＧａＮベース層上に設けられ、該ＧａＮベース層のバンドギャップよりも大きなバンドギャップを有し、かつ前記第１の歪みと逆の歪みの型である第２の歪みを有する第２のＡｌＧａＮベース層と
　を備え、前記第２のＡｌＧａＮベース層は、前記ＧａＮベース層との界面に２Ｄ電子ガスの形成を誘起するのに十分な大きさの厚さ及びアルミニウム濃度を有するが、ひび割れまたは欠陥形成が生じる厚さよりも薄いものであることを特徴とするヘテロ接合トランジスタ。」
　
　「【請求項１８】
　前記第１のＡｌＧａＮベース層は、ＡｌＩｎＧａＮ層であることを特徴とする請求項１に記載のヘテロ接合トランジスタ。」
　
２．原審における拒絶の理由の概要
　原審における拒絶の理由は、平成２２年６月１日付けの最後の拒絶理由通知書に記載されたとおり、本願は、特許請求の範囲の記載が以下の点で、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていないというものである。
　
「（Ａ）略
（Ｂ）請求項１７には、「前記第１のＡｌＧａＮベース層は、ＡｌＧａＮ層である」と、請求項１８には、「前記第１のＡｌＧａＮベース層は、ＡｌＩｎＧａＮ層である」と記載されているが、両者とも意味不明であるので、請求項１７，１８に係る発明は、請求項１に係る発明に対し、どのような構成を特定した発明であるのか理解できない。
　同様な理由により、請求項３０に係る発明は不明りょうである。
（Ｃ）略
（Ｄ）略
・・・
　よって、請求項１６〜１８，２７〜３０に係る発明は明確でない。」
　
３．特許法第３６条第６項第２号に規定する要件について
（１）そこで、本願の特許請求の範囲の記載が、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしているか否かについて検討する。
　請求項１８には、「前記第１のＡｌＧａＮベース層は、ＡｌＩｎＧａＮ層である」と記載されている。しかしながら、「ＡｌＧａＮ」と「ＡｌＩｎＧａＮ」とは材料が異なるから、請求項１８の上記記載は明らかに矛盾する記載である。
　したがって、請求項１８に係る発明は明確でない。
　
（２）以上検討したとおり、請求項１８に係る発明は明確でないから、本願の特許請求の範囲の記載は、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。
　
第４．むすび
　以上のとおりであるから、他の請求項について検討するまでもなく、本願は拒絶をすべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。