【事件の表示】
　特願２００６−２６５５５０「磁気抵抗効果素子，磁気メモリ，磁気ヘッド，および磁気記録再生装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２０年　４月１０日出願公開，特開２００８−　８５２０２〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成１８年９月２８日の出願であって，平成２３年４月１５日付けで拒絶の理由が通知され，同年６月２０日に意見書と手続補正書が提出され，同年８月２４日付けで拒絶査定がなされ，同年１１月２８日に前記拒絶査定に対する不服審判が請求されるとともに手続補正書が提出され，平成２４年４月２３日付けで審尋がおこなわれ，同年６月２５日に前記審尋に対する回答書が提出されたものである。
　
第２　補正の却下の決定
　
［補正の却下の決定の結論］
　平成２３年１１月２８日に提出された手続補正書による補正を却下する。
　
［理　由］
１　補正の内容
　平成２３年１１月２８日に提出された手続補正書による補正（以下「本件補正」という。）は，補正前の特許請求の範囲の請求項１−１０を補正して，補正後の請求項１−１０とするとともに明細書を補正するものであり，補正前後の請求項１は，各々次のとおりである。
　
（補正前）
　「磁化方向が実質的に一方向に固定された第１の磁性層と，
　外部磁界に応じて磁化方向が変化する第２の磁性層と，
　前記第１の磁性層と前記第２の磁性層との間に設けられたスペーサ層と，
　前記第１の磁性層又は前記第２の磁性層の少なくとも一方に含まれ，式Ｍ１ａＭ２ｂＯｃ（５≦a≦６８，１０≦ｂ≦７３，２２≦ｃ≦８５）で表される少なくとも１層の磁性化合物層と，
　を備え，
　前記Ｍ１は，Ｃｏ，Ｆｅ，Ｎｉから選択される少なくとも一種の元素であり，前記Ｍ２は，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎから選択される少なくとも一種の元素であることを特徴とする磁気抵抗効果素子。」
　
（補正後）
　「磁化方向が実質的に一方向に固定された第１の磁性層と，
　外部磁界に応じて磁化方向が変化する第２の磁性層と，
　前記第１の磁性層と前記第２の磁性層との間に設けられたスペーサ層と，
　前記第１の磁性層及び前記第２の磁性層のうち前記第２の磁性層のみに含まれ，式Ｍ１ａＭ２ｂＯｃ（５≦a≦６８，１０≦ｂ≦７３，２２≦ｃ≦８５）で表される少なくとも１層の磁性化合物層と，
　を備え，
　前記Ｍ１は，Ｃｏ，Ｆｅ，Ｎｉから選択される少なくとも一種の元素であり，前記Ｍ２は，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎから選択される少なくとも一種の元素であることを特徴とする磁気抵抗効果素子。」
　
２　補正事項の整理
　本件補正の補正事項を整理すると次のとおりである。
　
（１）補正事項１
　補正前の請求項１の「前記第１の磁性層又は前記第２の磁性層の少なくとも一方に含まれ」を，「前記第１の磁性層及び前記第２の磁性層のうち前記第２の磁性層のみに含まれ」として，補正後の請求項１にすること。
　
（２）補正事項２
　補正前の請求項２の「前記第１の磁性層とスペーサ層との界面側，または前記第２の磁性層とスペーサ層との界面側」を，「前記第２の磁性層と前記スペーサ層との界面側」として，補正後の請求項２にすること。
　
（３）補正事項３
　補正前の明細書の【発明の名称】を補正して，補正後の【発明の名称】にすること。
　
３　新規事項追加の有無，及び，補正の目的の適否についての検討
（１）補正事項１について
　補正事項１により補正された部分は，本願の願書に最初に添付した明細書（以下「当初明細書」という。また，本願の願書に最初に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面を「当初明細書等」という。）等に記載されているものと認められるから，補正事項１は，当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものである。
　したがって，補正事項１は，当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものであるから，特許法第１７条の２第３項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項をいう。以下同じ。）に規定する要件を満たす。
　また，補正事項１は，「第１の磁性層又は前記第２の磁性層の少なくとも一方」を「第２の磁性層のみ」に限定するものであるから，特許法第１７条の２第４項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項をいう。以下同じ。）第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　したがって，補正事項１は，特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たす。
　
（２）補正事項２により補正された部分は，当初明細書等に記載されているものと認められるから，補正事項２は，当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものである。
　したがって，補正事項２は，当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものであるから，特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たす。
　また，補正事項２は，特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　したがって，補正事項２は，特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たす。
　
（３）補正事項３について
　補正事項３は，特許請求の範囲の請求項８の記載と整合するように明細書の【発明の名称】の項目の記載を修正するものであるから，特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすことは明らかである。
　
（３）新規事項追加の有無，及び，補正の目的の適否についてのまとめ
　以上検討したとおりであるから，本件補正は，特許法第１７条の２第３項及び第４項に規定する要件を満たすものである。
　そして，本件補正は，特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の範囲の減縮を目的とする補正を含むものであるから，本件補正による補正後の特許請求の範囲に記載されている事項により特定される発明が，特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否か，すなわち，本件補正がいわゆる独立特許要件を満たすものであるか否かについて，以下において更に検討する。
　
４　独立特許要件についての検討
（１）補正後の発明
　本願の本件補正による補正後の請求項１−１０に係る発明は，本件補正により補正された明細書，特許請求の範囲及び図面の記載からみて，その特許請求の範囲の請求項１−１０に記載されている事項により特定されるとおりのものであり，そのうちの請求項１に係る発明（以下「本願補正発明１」という。）は，請求項１に記載されている事項により特定される上記「第２　１　補正の内容」の「（補正後）」の箇所に記載したとおりのものであり，再掲すると次のとおりである。
　
「磁化方向が実質的に一方向に固定された第１の磁性層と，
　外部磁界に応じて磁化方向が変化する第２の磁性層と，
　前記第１の磁性層と前記第２の磁性層との間に設けられたスペーサ層と，
　前記第１の磁性層及び前記第２の磁性層のうち前記第２の磁性層のみに含まれ，式Ｍ１ａＭ２ｂＯｃ（５≦a≦６８，１０≦ｂ≦７３，２２≦ｃ≦８５）で表される少なくとも１層の磁性化合物層と，
　を備え，
　前記Ｍ１は，Ｃｏ，Ｆｅ，Ｎｉから選択される少なくとも一種の元素であり，前記Ｍ２は，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎから選択される少なくとも一種の元素であることを特徴とする磁気抵抗効果素子。」
　
（２）引用例１とその記載事項，及び，引用発明１
　本願の出願前に頒布された刊行物である下記の引用例１には，次の事項が記載されている。（なお，下線は，当合議体において付したものである。以下同じ。）
　
ア　引用例１：国際公開第０３／０９２０８３号
（１ａ）「技術分野
  
本発明は，磁気抵抗素子に関する
　
背景技術
  強磁性層／非磁性層／強磁性層の順に積層した構造を基本構成とする多層膜に，中間層である非磁性層を横切るように電流を流した場合，
磁気抵抗効果（ＭＲ効果）
磁気抵抗素子（ＭＲ素子
　
（１ｂ）「発明の開示
　そこで，本発明は，耐熱性およびＭＲ特性に優れる磁気抵抗素子を提供することを目的とする。
  上記目的を達成するために，本発明の磁気抵抗素子は，非磁性層との界面近傍における強磁性層の酸化状態および組成が制御されている。」（明細書第２頁第２４行−第３頁第２行）
　
（１ｃ）「 まず，本発明のＭＲ素子について説明する。
  図１は，本発明のＭＲ素子の一例を示す模式断面図である。
図１に示すＭＲ素子
少なくとも一方の界面において，界面から２ｎｍまたは６ｎｍの範囲における強磁性層（例えば，図１に示す例における界面５に対する組成制御部４）の酸化状態および組成が制御されている
図１では，界面５に対する組成制御部４しか示していない
  また，
本発明のＭＲ素子では，必要に応じて，上述の非磁性層，強磁性層以外にさらに層を加えてもよい
反強磁性層を一方の強磁性層に接するように配置
この場合，スピンバルブ型のＭＲ素子とすることができる
スピンバルブ型のＭＲ素子にすると，相対的に弱い磁場で磁化方向が変化する強磁性層（自由磁性層）と磁化方向が変化しにくい強磁性層（固定磁性層）との差が広がるため，より特性が安定したＭＲ素子とすることができる
素子をスピンバルブ型とする場合は，固定磁性層および自由磁性層から選ばれるいずれか一方に，上述の組成制御部が設けられていればよい
　
（１ｄ）「また，本実施例のすべてのサンプルに対し，上述のＭＲ比の測定後，非磁性層との界面の近傍における強磁性層の深さ方向の組成を分析した。組成の分析は，透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ），オージェ光電子分光（ＡＥＳ），Ｘ線光電子分光（ＸＰＳ）などの手法を用いて行った。また，ミリングをしながら強磁性層の深さ方向に二次イオン質量分光（ＳＩＭＳ）を行う手法などを併用した。非磁性層の下部となる基板側の強磁性層の組成の分析は，非磁性層までで成膜を一時停止したモデル膜に対して他のサンプルと同様の熱処理を行った後，非磁性層のみをミリングによって除去することによって強磁性層を露出させて行った。
  強磁性層の組成の分析は，非磁性層との界面から２ｎｍごとに設定した各領域について行った。図４に，組成の分析を行った領域の設定を示す。図４に示すように，
非磁性層２７に接する強磁性層２６に対して，非磁性層２７との界面から２ｎｍごとに領域Ｄ３１，領域Ｃ３０，領域Ｂ２９および領域Ａ２８を設定
同様に，領域Ｅ３２，領域Ｆ３３，領域Ｇ３４および領域Ｈ３５を設定
領域Ａ〜領域Ｈにおいて，領域Ｈ側を基板側とした
界面から２ｎｍの範囲の組成は，領域Ｄおよび／または領域Ｅの組成に相当
　なお，本明細書において特に記載がない限り，「界面」とは，非磁性層と強磁性層との界面を，また，「Ｏ／Ｍ比」とは，強磁性層における酸素と元素Ｍとの組成比を意味するものとする。また，本実施例において，
材料を「Ａｌ−Ｏ」のようにハイフンを用いて表示する場合は，その材料を構成する元素の組成比は，特に限定されない
　
（１ｅ）「（実施例１）
  上述した方法を用い，表１に示す膜構成のＭＲ素子（サンプルＮｏ．１〜Ｎｏ．８）を準備した。サンプルＮｏ．１は従来例である。なお，
表１における各層の括弧内の数値は，各層の膜厚を示している
単位はｎｍ
　
（１ｆ）「各サンプルとも，基板には熱酸化膜付Ｓｉ基板を，下部電極にはＴａ（３）／Ｃｕ（５０）／Ｔａ（３）からなる積層体を用いた。下部電極の上に，表１に示す膜構成の左側，即ち，反強磁性層から順に各層を積層し，ＭＲ素子を作製した。また，
各サンプルとも，下部電極と強磁性層との間にＩｒ−Ｍｎからなる反強磁性層を積層し，非磁性層を挟んで基板側の強磁性層が固定磁性層，もう一方の強磁性層が自由磁性層であるスピンバルブ型のＭＲ素子とした
　
（１ｇ）「表２−１および表２−２に示すように，
界面から２ｎｍの範囲（領域Ｄおよび領域Ｅ）および界面から６ｎｍの範囲（領域Ｂ〜領域Ｄおよび領域Ｅ〜領域Ｇ）におけるＯ／Ｍ比が０より大きく１．３３未満であるＮｏ．２〜Ｎｏ．６の各サンプルで，Ｏ／Ｍ比が０であるＮｏ．１に対してＭＲ比が向上
　
（１ｈ）「（実施例３）
  実施例１および２と同様の方法を用い，表５および表６に示す膜構成のＭＲ素子（サンプルＮｏ．１９〜Ｎｏ．４４）を準備した。なお，サンプルＮｏ．１９は従来例である。」（明細書第２９頁第１９−２２行）
　
（１ｉ）明細書第３０頁の表５には，
サンプルＮｏ．２３
反強磁性層：Ｆｅ−Ｍｎ（１５），強磁性層：Ｆｅ−Ｍｎ−Ｏ（６），非磁性層：Ａｌ−Ｏ（１），強磁性層：Ｆｅ−Ｍｎ−Ｏ（６）
　
（１ｊ）「
各サンプルとも，基板には熱酸化膜付Ｓｉ基板を，下部電極にはＴａ（３）／Ｃｕ（５０）／Ｔａ（３）からなる積層体を用いた
表５
スピンバルブ型のＭＲ素子
  非磁性層と接する強磁性層の成膜には，成膜と同時に酸素を添加する反応性成膜法を用いた。この方法により，界面近傍における強磁性層の酸化状態を制御した。添加する酸素の分圧は，１．３×１０-3Ｐａ〜１．３Ｐａ（１０-5Ｔｏｒｒ〜１０-2Ｔｏｒｒ）の範囲で変化させ，通常の反応性スパッタ法を用いた場合よりも，弱い酸化状態の成膜を行うことができた。
  Ｎｏ．１９〜Ｎｏ．４４の各サンプルは，成膜後，６．７×１０-5Ｐａ（５．０×１０-7Ｔｏｒｒ）以下の真空中において，８．０×１０6Ａ／ｍ（１０ｋＯｅ）の磁場を印加しながら熱処理（２６０℃，２時間）を行い，強磁性層に磁気異方性を付加した。
  各サンプルのＭＲ比および組成分析の測定結果を表７−１，表７−２，表８−１および表８−２に示す。なお，表７−１および表８−１における「−」は，組成分析を行わなかったことを意味している。また，実施例３では，各サンプルの作製後，熱処理をせずに，室温でＭＲ比を測定した。」（明細書第３１頁第１−２０行）
　
（１ｋ）明細書第３２頁の表７−１，表７−２には，
サンプルＮｏ．２３の組成分析の測定結果
領域Ｂ：Ｆｅ
０．６７
Ｍｎ
０．３３
Ｏ
０．８７
，領域Ｃ：Ｆｅ
０．６７
Ｍｎ
０．３３
Ｏ
０．８７
，領域Ｄ：Ｆｅ
０．６７
Ｍｎ
０．３３
Ｏ
０．８７
サンプルＮｏ．２３の組成分析の測定結果
領域Ｅ：Ｆｅ
０．６７
Ｍｎ
０．３３
Ｏ
０．８７
，領域Ｆ：Ｆｅ
０．６７
Ｍｎ
０．３３
Ｏ
０．８７
，領域Ｇ：Ｆｅ
０．６７
Ｍｎ
０．３３
Ｏ
０．８７
　
（１ｌ）「表７−１〜表８−２に示すように，Ｆｅ単体にＭｎを添加するだけでは，得られるＭＲ比が著しく低下することがわかる（サンプルＮｏ．２０）。これに対して，実施例１や実施例２などに上述した範囲のＯ／Ｍ比を満たしながら
Ｆｅ−ＯにＭｎを添加した場合，Ｍｎ／Ｆｅ比が０以上０．５未満の範囲において，素子のＭＲ比が向上した
  また，サンプルＮｏ．２６〜Ｎｏ．３１，サンプルＮｏ．３３〜Ｎｏ．３９およびサンプルＮｏ．４０〜Ｎｏ．４４において得られたＭＲ比を比較すると，Ｆｅ−Ｏに対して，実施例１や実施例２などに上述した範囲のＯ／Ｍ比を満たしながら，Ｌｉ，Ｍｎ，
Ｃｏなどの金属を添加
  ここで，Ｌｉ，Ｍｎ，ＣｏなどのＦｅに添加した金属をＤとして，金属Ｄと酸素との組成比Ｏ／Ｄに着目する。金属ＤがＣｏやＭｎなどの場合には，組成比Ｏ／Ｄが２．５以上の場合にＭＲ比が向上した。また，金属ＤがＬｉなど１価イオンとなる金属の場合には，組成比Ｏ／Ｄが５以上でＭＲ比が向上した。
  また，サンプルＮｏ．３２の結果によれば，
このような組成の制御を界面から２ｎｍの範囲についてのみ行った場合にも，ＭＲ比向上の効果が得られることがわかった
  その他，Ｆｅの量に着目すると，表７−１〜表８−２に示す組成比で０．４より大きければＭＲ比は向上し，０．５より大きい場合に特に高いＭＲ比が得られることがわかった。
  また，Ｍｎや
Ｃｏの代わりに，Ｎｉ
  従来，界面近傍にＭｎなどの不純物とされる元素が存在する場合，素子のＭＲ特性は劣化すると考えられてきた。しかし，本発明のように，界面近傍における強磁性層の酸化状態の制御を行った場合は，Ｍｎなどの存在によりＭＲ特性を逆に向上できることがわかる。
  このような現象が起きる原因として，以下の可能性が考えられる。
  ＭＲ特性向上の要因の一つと考えられるスピネル型化合物は，２価の金属イオン数１に対して，３価の金属イオン数２，酸素原子数４からなる。Ｆｅ2Ｏ3などから，スピネル型化合物であるＦｅ3Ｏ4などが生成するためには，３価イオンが２価に還元されることが必要となる。このため，一般に，上述したような低い酸素分圧と１２００℃程度の高温とが必要とされる。しかし，Ｍｎ，Ｃｏなどの２価イオンになりやすい金属や，Ｌｉなどの１価イオンとなる金属を加えた場合，スピネル型化合物が生成する相領域がより低温域，高酸素分圧域に広がる，即ち，高いＭＲ比が得られる安定領域が増加する可能性がある。
  また，
本実施例のＭＲ素子に対して，以下に示す元素をさらに加えてもよく，この場合，優れたＭＲ特性を保持したまま，軟磁気特性や高周波特性などの一般的な磁気特性を改善することができた
  
Ｔｉ
Ｖ
Ｃｒ
　
（１ｍ）「請求の範囲
１．非磁性層と，前記非磁性層の両面に積層された一対の強磁性層とを含む多層膜構造を含み，
  前記非磁性層との界面における，双方の前記強磁性層が有する磁化方向の相対角度により抵抗値が異なり，
  前記強磁性層のうち少なくとも一方が，前記非磁性層との界面から２ｎｍの範囲における組成が式（ＭxＯy）1-zＺzにより示される強磁性層である磁気抵抗素子。
  ただし，Ｚは，Ｒｕ，Ｏｓ，Ｒｈ，Ｉｒ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｃｕ，ＡｇおよびＡｕから選ばれる少なくとも１種の元素であり，
  Ｍは，前記ＺおよびＯを除く元素から選ばれる少なくとも１種の元素であって強磁性金属を含む元素であり，
  ｘ，ｙおよびｚは，それぞれ以下の式を満たす数値である。
  ０．３３＜ｙ／ｘ＜１．３３
  ０＜ｘ
  ０＜ｙ
  
０≦ｚ
　
・・・省略・・・
　
６．前記Ｍが，
Ｆｅ
　
・・・省略・・・
　
１２．前記Ｍが，式
Ｆｅ
  ただし，
Ｘ
1
は
Ｍｎ
  Ｘ2は，Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｒｂ，ＣｓおよびＦｒから選ばれる少なくとも１種の元素であり，
  ａ，ｂおよびｃは，それぞれ以下の式を満たす数値である。
  ａ＋ｂ＋ｃ＝１
  ０．４＜ａ≦１
  ０≦ｂ／ａ＜０．５
  
０≦ｃ
  ０≦（ｂ＋２ｃ）／ａ＜０．５
　
・・・省略・・・
　
２２．反強磁性層をさらに含む請求項１に記載の磁気抵抗素子。」（請求の範囲）
　
イ　引用発明１
　以上の記載から，引用例１には，引用例１に記載された発明の実施例３におけるサンプルＮｏ．２３として，以下の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されていると認められる。
　
「熱酸化膜付Ｓｉ基板を用いた基板と，
　Ｔａ：３ｎｍ／Ｃｕ：５０ｎｍ／Ｔａ：３ｎｍからなる積層体を用いた下部電極と，
　前記下部電極の上に積層された，厚さ１５ｎｍのＦｅ−Ｍｎからなる反強磁性層と，
　前記反強磁性層の上に積層された，厚さ６ｎｍのＦｅ−Ｍｎ−Ｏからなる強磁性層と，
　前記強磁性層の上に積層された，厚さ１ｎｍのＡｌ−Ｏからなる非磁性層と，
　前記非磁性層の上に積層された，厚さ６ｎｍのＦｅ−Ｍｎ−Ｏからなる強磁性層と，
　を備え，
　前記反強磁性層の上に積層された，厚さ６ｎｍのＦｅ−Ｍｎ−Ｏからなる強磁性層，及び，前記非磁性層の上に積層された，厚さ６ｎｍのＦｅ−Ｍｎ−Ｏからなる強磁性層の，各々の組成分析の測定結果が，いずれもＦｅ０．６７Ｍｎ０．３３Ｏ０．８７であるスピンバルブ型のＭＲ素子。」
　
（３）本願補正発明１と引用発明１との対比
ア　引用発明１は，反強磁性層を一方の強磁性層に接するように配置したスピンバルブ型のＭＲ素子であり，引用発明１の「反強磁性層の上に積層された，厚さ６ｎｍのＦｅ−Ｍｎ−Ｏからなる強磁性層」は，「厚さ１５ｎｍのＦｅ−Ｍｎからなる反強磁性層」の上に接するように配置されて，磁化方向が変化しにくい強磁性層（固定磁性層）となっているのであるから，引用発明１の「反強磁性層の上に積層された，厚さ６ｎｍのＦｅ−Ｍｎ−Ｏからなる強磁性層」は，本願補正発明１の「磁化方向が実質的に一方向に固定された第１の磁性層」に相当する。
　
イ　引用発明１の「非磁性層の上に積層された，厚さ６ｎｍのＦｅ−Ｍｎ−Ｏからなる強磁性層」は，スピンバルブ型のＭＲ素子の，相対的に弱い磁場で磁化方向が変化する強磁性層（自由磁性層）に該当するから，本願補正発明１の「外部磁界に応じて磁化方向が変化する第２の磁性層」に相当する。
　
ウ　引用発明１の「前記強磁性層の上に積層された，厚さ１ｎｍのＡｌ−Ｏからなる非磁性層」，「スピンバルブ型のＭＲ素子」は，それぞれ，本願補正発明１の「前記第１の磁性層と前記第２の磁性層との間に設けられたスペーサ層」，「磁気抵抗効果素子」に相当する。
　
エ　引用発明１の「Ｆｅ０．６７Ｍｎ０．３３Ｏ０．８７」における，Ｆｅは本願補正発明１で規定する「Ｃｏ，Ｆｅ，Ｎｉから選択される少なくとも一種の元素」であり，同様に，Ｍｎは「Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎから選択される少なくとも一種の元素」であり，また，引用発明１の「Ｆｅ０．６７Ｍｎ０．３３Ｏ０．８７」の各添字の合計を１００となるように整理すると，引用発明１の「Ｆｅ０．６７Ｍｎ０．３３Ｏ０．８７」は，略「Ｆｅ３６Ｍｎ１８Ｏ４６」であるといえるから，引用発明１の「Ｆｅ０．６７Ｍｎ０．３３Ｏ０．８７」は，本願補正発明１の『「式Ｍ１ａＭ２ｂＯｃ（５≦a≦６８，１０≦ｂ≦７３，２２≦ｃ≦８５）で表される少なくとも１層の磁性化合物層」，「前記Ｍ１は，Ｃｏ，Ｆｅ，Ｎｉから選択される少なくとも一種の元素であり，前記Ｍ２は，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎから選択される少なくとも一種の元素である」』に相当する。
　
オ　上記ア−エの対応関係によれば，本願補正発明１と引用発明１との一致点及び相違点は，次のとおりである。
　
＜一致点＞
　「磁化方向が実質的に一方向に固定された第１の磁性層と，
　外部磁界に応じて磁化方向が変化する第２の磁性層と，
　前記第１の磁性層と前記第２の磁性層との間に設けられたスペーサ層と，
　前記第２の磁性層に含まれ，式Ｍ１ａＭ２ｂＯｃ（５≦a≦６８，１０≦ｂ≦７３，２２≦ｃ≦８５）で表される少なくとも１層の磁性化合物層と，
　を備え，
　前記Ｍ１は，Ｃｏ，Ｆｅ，Ｎｉから選択される少なくとも一種の元素であり，前記Ｍ２は，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎから選択される少なくとも一種の元素である磁気抵抗効果素子。」
　
＜相違点＞
・相違点１：本願補正発明１の「式Ｍ１ａＭ２ｂＯｃ（５≦a≦６８，１０≦ｂ≦７３，２２≦ｃ≦８５）で表される少なくとも１層の磁性化合物層」であって「前記Ｍ１は，Ｃｏ，Ｆｅ，Ｎｉから選択される少なくとも一種の元素であり，前記Ｍ２は，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎから選択される少なくとも一種の元素である」磁性化合物層は，第１の磁性層及び前記第２の磁性層のうち前記第２の磁性層のみに含まれているのに対して，引用発明１では，「式Ｍ１ａＭ２ｂＯｃ（５≦a≦６８，１０≦ｂ≦７３，２２≦ｃ≦８５）で表される少なくとも１層の磁性化合物層」であって「前記Ｍ１は，Ｃｏ，Ｆｅ，Ｎｉから選択される少なくとも一種の元素であり，前記Ｍ２は，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎから選択される少なくとも一種の元素である」磁性化合物層が，第１の磁性層及び前記第２の磁性層の両方に含まれている点。
　
（４）相違点についての判断
・相違点１について
ア　引用例１の上記摘記（１ｃ）には，「なお，素子をスピンバルブ型とする場合は，固定磁性層および自由磁性層から選ばれるいずれか一方に，上述の組成制御部が設けられていればよい。」ことが明記されている。
　
イ　引用例１の上記摘記（１ｃ）には，「非磁性層３と強磁性層１との界面５，および，非磁性層３と強磁性層２との界面６から選ばれる少なくとも一方の界面において，界面から２ｎｍまたは６ｎｍの範囲における強磁性層（例えば，図１に示す例における界面５に対する組成制御部４）の酸化状態および組成が制御されている」，「図１では，界面５に対する組成制御部４しか示していない」ことが記載されており，酸化状態および組成が制御されている組成制御部が，非磁性層３と強磁性層１との界面５，および，非磁性層３と強磁性層２との界面６から選ばれる「少なくとも一方の界面」に設けられていればよいことが示されている。
　
ウ　引用例１の上記摘記（１ｍ）には「前記強磁性層のうち少なくとも一方が，前記非磁性層との界面から２ｎｍの範囲における組成が式（ＭxＯy）1-zＺzにより示される強磁性層である磁気抵抗素子」と記載されており，「式（ＭxＯy）1-zＺzにより示される強磁性層」は，前記強磁性層のうち「少なくとも一方」に設けられていればよいことが示されている。
　
エ　そうすると，当業者であれば，上記ア−ウの示唆に基づいて，引用発明１の「Ｆｅ０．６７Ｍｎ０．３３Ｏ０．８７」の組成を備えた磁性化合物層が，反強磁性層の上に積層された強磁性層と，非磁性層の上に積層された強磁性層の両方に含まれていることに替えて，その一方にのみに含まれるようにすること，すなわち，引用発明１において，「Ｆｅ０．６７Ｍｎ０．３３Ｏ０．８７」の組成を備えた磁性化合物層が，非磁性層の上に積層された強磁性層にのみに含まれるようにして，上記相違点１について本願補正発明１の構成となすことは容易に想到し得たことである。また，このような構成を採用したことによる効果が当業者の予測を超えるものということもできない。
　
（５）判断についてのまとめ
　相違点１については，以上のとおりであるから，本願補正発明１は，上記引用例１に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。したがって，本願補正発明１は，特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
５　補正の却下の決定のむすび
　したがって，本件補正は，平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので，同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
１　本願発明
　平成２３年１１月２８日に提出された手続補正書による補正を上記のとおり却下したので，本願の請求項１−１０に係る発明は，平成２３年６月２０日に提出された手続補正書により補正された明細書，特許請求の範囲及び図面の記載からみて，その特許請求の範囲の請求項１−１０に記載されている事項により特定されるとおりのものであるところ，そのうち，請求項１に係る発明，及び，請求項２に係る発明（以下「本願発明１」，及び，「本願発明２」という。）は，次のとおりであると認める。
　
「【請求項１】
　磁化方向が実質的に一方向に固定された第１の磁性層と，
　外部磁界に応じて磁化方向が変化する第２の磁性層と，
　前記第１の磁性層と前記第２の磁性層との間に設けられたスペーサ層と，
　前記第１の磁性層又は前記第２の磁性層の少なくとも一方に含まれ，式Ｍ１ａＭ２ｂＯｃ（５≦a≦６８，１０≦ｂ≦７３，２２≦ｃ≦８５）で表される少なくとも１層の磁性化合物層と，
　を備え，
　前記Ｍ１は，Ｃｏ，Ｆｅ，Ｎｉから選択される少なくとも一種の元素であり，前記Ｍ２は，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎから選択される少なくとも一種の元素であることを特徴とする磁気抵抗効果素子。
　
　【請求項２】
　前記磁性化合物層の少なくとも１層が前記第１の磁性層とスペーサ層との界面側，または前記第２の磁性層とスペーサ層との界面側に配置されることを特徴とする請求項１に記載の磁気抵抗効果素子。」
　
２　新規性について
（１）引用例２とその記載事項，及び，引用発明
　原査定の拒絶の理由に引用され，本願の出願前に頒布された刊行物である引用例２には，次の事項が記載されている。
　
ア　引用例２：特開２００６−１３４３０号公報
（２ａ）「【請求項１】
　反強磁性層と，
固定磁化層
非磁性中間層
自由磁化層
　前記
固定磁化層が
第１の固定磁化層，非磁性結合層，および第２の固定磁化層からなり
　前記第１の固定磁化層および第２の固定磁化層の一方が，Ｃｏ，Ｆｅ，Ｎｉ，およびこれらの合金からなる群のうちいずれか１種からなる強磁性材料からなる強磁性層であり，　前記
第１の固定磁化層
第２の固定磁化層
他方が
Ｆｅ
Ｏ
Ｍｎ
　
（２ｂ）「以下図面を参照しつつ実施の形態を説明する。
　（
第１の実施の形態
　最初に，
本発明の第１の実施の形態に係る磁気抵抗効果素子
　図３は，複合型磁気ヘッドの媒体対向面の構造を示す図である。図３中，媒体の移動方向は矢印Ｘで示す方向である。
　図３を参照するに，複合型磁気ヘッド２０は，大略して，ヘッドスライダの基体となるＡｌ2Ｏ3−ＴｉＣ等からなる平坦なセラミック基板２１の上に形成された
磁気抵抗効果素子２２
　誘導型記録素子２３は，媒体対向面に磁気記録媒体のトラック幅に相当する幅を有する上部磁極２４Ａと，非磁性材料からなる記録ギャップ層２５を挟んで上部磁極２４Ａに対向する下部磁極２４Ｂと，上部磁極２４Ａと下部磁極２４Ｂとを磁気的に接続するヨーク（図示されず）と，ヨークを巻回し，記録電流により磁場をする誘起するコイル（図示されず）等からなる。上部磁極２４Ａ，下部磁極２４Ｂ，およびヨークは，軟磁性材料より構成され，記録磁界を確保するために飽和磁束密度の大なる材料，例えば，Ｎｉ80Ｆｅ20，ＣｏＺｒＮｂ，ＦｅＮ，ＦｅＳｉＮ，ＦｅＣｏ合金等からなる。
　
磁気抵抗効果素子２２は，セラミック基板２１表面に形成されたアルミナ膜２６上に，下部電極２８，ＧＭＲ膜３０，アルミナ膜３１により狭窄されてなる上部電極３２が順次積層された構成
ＧＭＲ膜３０を構成する固定磁化層および自由磁化層
　図４は，本発明の実施の形態に係る磁気抵抗効果素子を構成するＧＭＲ膜の断面図である。
　図４を参照するに，
ＧＭＲ膜３０は，ＣＰＰ構造のシングルスピンバルブ構造を有し
下地層４１，反強磁性層４２，固定磁化層４３，非磁性中間層４４，自由磁化層４５，保護層４６が順次積層された構造からなり
固定磁化層４３は，反強磁性層４２側から，第１固定磁化層４８，非磁性結合層４９，第２固定磁化層５０を順次形成した積層体から構成される
　下地層４１は，図３に示す下部電極１８の表面にスパッタ法等により形成され，例えば，Ｔａ膜（例えば膜厚５ｎｍ）とＮｉＦｅ膜（例えば膜厚５ｎｍ）の積層体，ＮｉＣｒ膜等から構成される。ＮｉＦｅ膜は，Ｆｅの含有量が１７原子％〜２５原子％の範囲内であることが好ましい。ＮｉＦｅ膜の結晶成長方向である（１１１）結晶面及びそれに等価な結晶面の表面に反強磁性層４２がエピタキシャル成長し，反強磁性層４２の結晶性を向上させることができる。
　反強磁性層４２は，下地層４１の表面にスパッタ法，蒸着法，ＣＶＤ法等により形成され，例えば膜厚５ｎｍ〜３０ｎｍ（好ましくは１０ｎｍ〜２０ｎｍ）のＭｎ−ＴＭ合金（ＴＭ＝Ｐｔ，Ｐｄ，Ｎｉ，及びＩｒのうち少なくとも１種を含む。），あるいは，ＭｎＲｈ合金から構成される。これらの合金は，スパッタ法などにより成膜した後に熱処理を行うことにより，規則合金化して反強磁性が出現する。また，熱処理の際に外部磁界を所望の磁化方向に印加することで，
反強磁性層４２と固定磁化層４３との交換相互作用により固定磁化層４３の磁化方向を固定することができる
　
固定磁化層４３は，反強磁性層４２側から，第１固定磁化層４８，非磁性結合層４９，第２固定磁化層５０の順に形成した積層体から構成される。第１固定磁化層４８と第２固定磁化層５０は強磁性材料からなり，非磁性結合層４９を介して反強磁性的に交換結合している
　
第１固定磁化層４８は，膜厚１〜３０ｎｍのＣｏ，Ｆｅ，Ｎｉ及びこれらの元素からなる合金と添加元素を有する強磁性材料からなる抵抗制御層から構成される
Ｏ
Ｔｉ
Ｖ
Ｃｒ
Ｍｎ
のうち少なくとも１種を含む元素からなる
本実施の形態では第１固定磁化層４８は１層の抵抗制御層からなるので，両者に同じ符号を付す
　抵抗制御層４８は，ＦｅＣｏと，Ｒｕ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｖ，およびこれらの合金のうちいずれか１種を含む強磁性材料であることが好ましい。このような強磁性材料としては，例えばＦｅＣｏＲｕ，ＦｅＣｏＴａ，ＦｅＣｏＣｒ，ＦｅＣｏＶ，ＦｅＣｏＣｒＴａ等が挙げられる。もちろんこれらの材料に，さらに上記添加元素を添加してもよい。また，抵抗制御層４８は，ＦｅＣｏＮｉに上記添加元素を添加した強磁性材料が挙げられる。
　
抵抗制御層４８の添加元素濃度は，強磁性を消失しない程度まで添加することができ，抵抗制御層組成を基準として，添加元素濃度が５原子％〜７０原子％の範囲に設定される
　また，第１固定磁化層（抵抗制御層）４８は添加元素としてＣｕを用いて，Ｃｏ，Ｆｅ，Ｎｉ及びこれらの元素からなる合金に対して２０原子％よりも高い濃度の範囲の量を添加してもよい。散乱非対称項βを低下させることができる。一方，後述するように，本願発明者の検討によれば，Ｃｕは，少量の添加では散乱非対称項βが添加しない場合よりも増加することを知得している。
　また，
第１固定磁化層（抵抗制御層）４８は，導電性の強磁性酸化物を用いることができる
第１固定磁化層（抵抗制御層）４８に好適な導電性の強磁性酸化物としては，ＡＢ
2
Ｏ
4
の分子式で表されるスピネル構造を有する材料が挙げられる
Ａは
Ｆｅ
Ｃｏ
Ｎｉ
Ｂは
Ｍｎ
ＭｎＦｅ
2
Ｏ
4
　
（２ｃ）「
例えば，第１および第２の実施の形態では，第１固定磁化層の散乱非対称項β
1
が第２固定磁化層の散乱非対称項β
2
よりも小さい（β
1
＜β
2
）としたが，その逆の場合であるβ
1
＞β
2
でも本発明の効果が得られることは言うまでもない。すなわち，第２固定磁化層は，抵抗制御層からなり
　
（２ｄ）「（付記６）　反強磁性層と，
固定磁化層
非磁性中間層
自由磁化層
　前記
固定磁化層が
第１の固定磁化層
第２の固定磁化層からなり
　前記第１の固定磁化層および第２の固定磁化層の一方が，Ｃｏ，Ｆｅ，Ｎｉ，およびこれらの合金からなる群のうちいずれか１種からなる強磁性材料からなる強磁性層であり，
　前記
第１の固定磁化層
第２の固定磁化層
他方が
強磁性酸化物
（付記７）　
前記強磁性酸化物は
ＡＢ
2
Ｏ
4
の分子式で表されるスピネル構造を有し
Ａは
Ｆｅ
Ｂは
Ｍｎ
磁気抵抗効果素子
　
イ　引用発明２
　引用例２の上記摘記（２ｂ）の記載から，引用例２には，引用例２に記載された発明の第１の実施の形態として，以下の発明（以下「引用発明２」という。）が記載されていると認められる。
　
「セラミック基板２１表面に形成されたアルミナ膜２６上に，下部電極２８，ＧＭＲ膜３０，アルミナ膜３１により狭窄されてなる上部電極３２が順次積層された構成を備えた磁気抵抗効果素子２２であって，
　前記ＧＭＲ膜３０は，ＣＰＰ構造のシングルスピンバルブ構造を有し，下地層４１，反強磁性層４２，固定磁化層４３，非磁性中間層４４，自由磁化層４５，保護層４６が順次積層された構造からなり，
　前記固定磁化層４３は，反強磁性層４２側から，第１固定磁化層４８，非磁性結合層４９，第２固定磁化層５０を順次形成した積層体から構成されており，
　前記第１固定磁化層４８は，Ｃｏ，Ｆｅ，Ｎｉ及びこれらの元素からなる合金とＯ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎを含む元素のうち少なくとも１種を含む元素からなる添加元素を有する強磁性材料からなる抵抗制御層から構成されるものであって，
　前記第１固定磁化層（抵抗制御層）４８に好適な導電性の強磁性酸化物として，ＭｎＦｅ2Ｏ4を含むスピネル構造を有する導電性の強磁性酸化物が挙げられている磁気抵抗効果素子２２。」
　
ウ　引用発明３
　引用例２の上記摘記（２ｃ）に「例えば，第１および第２の実施の形態では，第１固定磁化層の散乱非対称項β1が第２固定磁化層の散乱非対称項β2よりも小さい（β1＜β2）としたが，その逆の場合であるβ1＞β2でも本発明の効果が得られることは言うまでもない。すなわち，第２固定磁化層は，抵抗制御層からなり」と記載されていること，及び，上記摘記（２ａ）及び（２ｄ）に「前記第１の固定磁化層および第２の固定磁化層の他方が，Ｃｏ，Ｆｅ，Ｎｉ，およびこれらの合金からなる群のうち少なくとも１種に添加元素を含む強磁性材料からなり」及び「前記第１の固定磁化層および第２の固定磁化層の他方が，導電性の強磁性酸化物からなる抵抗制御層である」と記載され，「抵抗制御層」としては，「第１の固定磁化層」と「第２の固定磁化層」のいずれか一方を択一的に選択できることが規定されていることに照らして，引用例２には，上記「引用発明２」の「第１の固定磁化層」と「第２の固定磁化層」の組成が逆の場合，すなわち，「第２の固定磁化層」が「抵抗制御層」である以下の発明（以下「引用発明３」という。）が記載されていると認められる。
　
「セラミック基板２１表面に形成されたアルミナ膜２６上に，下部電極２８，ＧＭＲ膜３０，アルミナ膜３１により狭窄されてなる上部電極３２が順次積層された構成を備えた磁気抵抗効果素子２２であって，
　前記ＧＭＲ膜３０は，ＣＰＰ構造のシングルスピンバルブ構造を有し，下地層４１，反強磁性層４２，固定磁化層４３，非磁性中間層４４，自由磁化層４５，保護層４６が順次積層された構造からなり，
　前記固定磁化層４３は，反強磁性層４２側から，第１固定磁化層４８，非磁性結合層４９，第２固定磁化層５０を順次形成した積層体から構成されており，
　前記第２固定磁化層５０は，Ｃｏ，Ｆｅ，Ｎｉ及びこれらの元素からなる合金とＯ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎを含む元素のうち少なくとも１種を含む元素からなる添加元素を有する強磁性材料からなる抵抗制御層から構成されるものであって，
　前記第２固定磁化層（抵抗制御層）５０に好適な導電性の強磁性酸化物として，ＭｎＦｅ2Ｏ4を含むスピネル構造を有する導電性の強磁性酸化物が挙げられている磁気抵抗効果素子２２。」
　
（２）本願発明１と引用発明２との対比
ア　引用発明２の「固定磁化層４３」，「自由磁化層４５」及び「非磁性中間層４４」は，それぞれ本願発明１の「磁化方向が実質的に一方向に固定された第１の磁性層」，「外部磁界に応じて磁化方向が変化する第２の磁性層」及び「第１の磁性層と前記第２の磁性層との間に設けられたスペーサ層」に相当する。
　したがって，本願発明１と引用発明２とは，「磁化方向が実質的に一方向に固定された第１の磁性層と，外部磁界に応じて磁化方向が変化する第２の磁性層と，前記第１の磁性層と前記第２の磁性層との間に設けられたスペーサ層と」を備えた磁気抵抗効果素子である点で一致する。
　
イ　引用発明２の「ＭｎＦｅ2Ｏ4」における，Ｆｅは本願発明１で規定する「Ｃｏ，Ｆｅ，Ｎｉから選択される少なくとも一種の元素」であり，同様に，Ｍｎは「Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎから選択される少なくとも一種の元素」であり，また，引用発明２の「ＭｎＦｅ2Ｏ4」の各添字の合計を１００となるように整理すると，引用発明２の「ＭｎＦｅ2Ｏ4」は，略「Ｆｅ１４Ｍｎ２８Ｏ５８」であるといえるから，引用発明２の「ＭｎＦｅ2Ｏ4」からなる第１固定磁化層（抵抗制御層）４８は，本願発明１の『「式Ｍ１ａＭ２ｂＯｃ（５≦a≦６８，１０≦ｂ≦７３，２２≦ｃ≦８５）で表される少なくとも１層の磁性化合物層」，「前記Ｍ１は，Ｃｏ，Ｆｅ，Ｎｉから選択される少なくとも一種の元素であり，前記Ｍ２は，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎから選択される少なくとも一種の元素である」』に相当する。
　
ウ　引用発明２の「固定磁化層４３」は，「反強磁性層４２側から，第１固定磁化層４８，非磁性結合層４９，第２固定磁化層５０を順次形成した積層体から構成」されているのであるから，引用発明２の「第１固定磁化層４８」は，前記「固定磁化層４３」に含まれる「少なくとも１層の磁性化合物層」であると認められる。
　そして，上記イで検討したように，引用発明２の「ＭｎＦｅ2Ｏ4」からなる第１固定磁化層（抵抗制御層）４８は，本願発明１の『「式Ｍ１ａＭ２ｂＯｃ（５≦a≦６８，１０≦ｂ≦７３，２２≦ｃ≦８５）で表される少なくとも１層の磁性化合物層」，「前記Ｍ１は，Ｃｏ，Ｆｅ，Ｎｉから選択される少なくとも一種の元素であり，前記Ｍ２は，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎから選択される少なくとも一種の元素である」』に相当するのであるから，本願発明１と引用発明２とは，『「前記第１の磁性層又は前記第２の磁性層の少なくとも一方に」「式Ｍ１ａＭ２ｂＯｃ（５≦a≦６８，１０≦ｂ≦７３，２２≦ｃ≦８５）で表される少なくとも１層の磁性化合物層」を含む，「前記Ｍ１は，Ｃｏ，Ｆｅ，Ｎｉから選択される少なくとも一種の元素であり，前記Ｍ２は，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎから選択される少なくとも一種の元素である」磁気抵抗効果素子』である点で一致する。
　
エ　上記ア−ウの対応関係によれば，本願発明１の構成は，すべて引用例２に示されているから，本願発明１と引用発明２との間に相違点は存在しない。
　
（３）本願発明２と引用発明３との対比
オ　引用発明３の「固定磁化層４３」，「第２固定磁化層（抵抗制御層）５０」及び「非磁性中間層４４」は，それぞれ本願発明２の「第１の磁性層」，「前記磁性化合物層の少なくとも１層」及び「スペーサ層」に相当する。
　そうすると，引用発明３が「下地層４１，反強磁性層４２，固定磁化層４３，非磁性中間層４４，自由磁化層４５，保護層４６が順次積層された構造」を備え，前記「固定磁化層４３」が「反強磁性層４２側から，第１固定磁化層４８，非磁性結合層４９，第２固定磁化層５０を順次形成した積層体から構成されて」いるのであるから，引用発明３において，「第２固定磁化層（抵抗制御層）５０」は，「固定磁化層４３」と「非磁性中間層４４」との界面側に配置されているといえる。
　したがって，本願発明２と引用発明３とは，「前記磁性化合物層の少なくとも１層が前記第１の磁性層とスペーサ層との界面側に配置される磁気抵抗効果素子」である点で一致する。
　
カ　上記オの対応関係によれば，本願発明２の構成は，すべて引用例２に示されているから，本願発明２と引用発明３との間に相違点は存在しない。
　
（４）判断についてのまとめ
　以上のとおりであるから，本願発明１及び本願発明２は，上記引用例２に記載された発明である。
　
第４　むすび 
　以上のとおり，本願の請求項１及び請求項２に係る発明は，引用例２に記載された発明であるから，特許法第２９条第１項第３号に規定する発明に該当し，特許を受けることができないものである。したがって，本願の他の請求項に係る発明については検討するまでもなく，本願は拒絶をすべきものである。
　
　よって，結論のとおり審決する。