【事件の表示】
　特願２０００−６１２７０６「容量性変位エンコーダ」拒絶査定不服審判事件〔平成１２年１０月２６日国際公開、ＷＯ００／６３６５３、平成１４年１２月１０日国内公表、特表２００２−５４２４７６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯等
　本願は、２０００年３月３０日を出願日（パリ条約による優先権主張　１９９９年４月１９日　米国）とする国際特許出願であって、平成２２年６月３日付けで明細書の特許請求の範囲について補正がなされ（以下、「補正１」という。）、平成２３年６月２３日付け（送達　同年同月２８日）で拒絶査定がなされ、これに対し、同年１０月２８日に拒絶査定不服審判が請求されたものである。
　そして、原査定の拒絶の理由は、概略、補正１によって補正された特許請求の範囲に記載の各発明は、いずれも、本願優先日前に頒布された刊行物である、特開平９−３１１０１０号公報（発明の名称：位置センサ、出願人：ジェコー株式会社、公開日：平成９年１２月２日、以下、「引用例１」という。）に記載された発明、及び特開昭５９−１８３３２９号公報（発明の名称：デジタル表示測定装置、出願人：株式会社三豊製作所、公開日：昭和５９年１０月１８日、以下、「引用例２」という。）や、特公昭６０−４７９７１号公報（発明の名称：容量型角変位変換器、出願人：ウエスチングハウス・エレクトリック・コーポレーション、公告日：昭和６０年１０月２４日、以下、「引用例３」という。）に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから特許を受けることができない、というものである。
　
２．本願発明
（１）補正１によって補正された特許請求の範囲には、請求項１から請求項１８まで記載されているところ、独立請求項である請求項１の記載は、以下のとおりである。
「静止物体に対する移動物体の位置を感知するための容量性移動量エンコーダであって、
　前記静止物体に結合された少なくとも１つの静止素子と、
　前記移動物体に結合され、前記静止素子の近傍に位置する移動素子と、
　前記両素子の相対移動に応じて、該静止および移動素子間のキャパシタンスに現れる変化によって変調され、静電界を発生させる電界送信手段と、
　前記移動および静止物体のいずれとも電気的に絶縁され、前記移動および静止素子を封入することによって、該両素子を外部からの電気的干渉から遮断する導電性シールドと、
　前記変調された静電界を感知し、これに応じて前記移動物体の位置測定量を求めるように接続された処理回路と、
を備え、
　前記移動素子および前記静止素子の周りに、前記シールドから電気的に絶縁された機械的ハウジングを含む、
ことを特徴とする容量性移動量エンコーダ。」
　
（２）上記記載のうち、「前記両素子の相対移動に応じて、該静止および移動素子間のキャパシタンスに現れる変化によって変調され、静電界を発生させる電界送信手段と、」の部分についてみると、「・・・変調され、静電界を発生させる電界送信手段」とあるから、電界送信手段は静電界を発生させるものであり、しかも、変調されるものであると読むこととなるが、このうち電界送信手段が変調されるとは意味不明であり、技術的にも不可解な記載である。
　そこで、本願に係る容量性位置センサを示す概略回路図である図１や、明細書の発明の詳細な説明の段落【００１９】などを参照すると、静止及び移動素子の相対移動に応じて、両素子間のキャパシタンスに現れる変化によって変調されるのは、電界送信手段が発生する静電界であると解され、そうであれば、技術常識に適うものである。　
　また、本願は優先権主張を伴うものであるところ、その優先権主張の基礎となった出願書類を見ると、上記部分は次のように記載されており、「a field transmitter, which generates an electrostatic field, which is modulated by a change in capacitance between the stationary and moving elements responsive to relative motion of the elements; 」ここは、「前記両素子の相対移動に応じて、該静止および移動素子間のキャパシタンスに現れる変化によって変調される静電界を発生させる電界送信手段と、」と翻訳すべきものである。
　
（３）以上のことから、本願請求項１に係る発明を、改めて、以下のとおりに認定する。
「静止物体に対する移動物体の位置を感知するための容量性移動量エンコーダであって、
　前記静止物体に結合された少なくとも１つの静止素子と、
　前記移動物体に結合され、前記静止素子の近傍に位置する移動素子と、
　前記両素子の相対移動に応じて、該静止および移動素子間のキャパシタンスに現れる変化によって変調され
る
　前記移動および静止物体のいずれとも電気的に絶縁され、前記移動および静止素子を封入することによって、該両素子を外部からの電気的干渉から遮断する導電性シールドと、
　前記変調された静電界を感知し、これに応じて前記移動物体の位置測定量を求めるように接続された処理回路と、
を備え、
　前記移動素子および前記静止素子の周りに、前記シールドから電気的に絶縁された機械的ハウジングを含む、
ことを特徴とする容量性移動量エンコーダ。」（下線は、変更箇所。以下、「本願発明」という。）
　
３．引用例の記載事項・引用発明
（１）記載事項
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された刊行物である引用例１には、次の事項が図面とともに記載されている。以下において【数１】から【数１１】の数式については、その記載を省略した。
（ａ）「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は位置センサに係り、特に、位置検出対象の回転角度や直線位置等を非接触で検出可能な位置センサに関する。」
（ｂ）「【００１６】
【発明の実施の形態】図１に本発明の第１実施例の概略構成図を示す。本実施例の位置センサ２０は、位置検出対象２１の位置に応じて静電容量が可変する可変容量部２２、可変容量部２２の静電容量に応じて位置検出対象２１の位置を検出する位置検出回路２３より構成されている。
【００１７】まず、可変容量部２２について説明する。可変容量部２２は、第１の可変容量２２ａ及び第２の可変容量２２ｂを有する。第１の可変容量２２ａ及び第２の可変容量２２ｂは、ともに位置検出対象２１に結合されており、位置検出対象２１の位置に応じて静電容量が変化する。
【００１８】第１の可変容量２２ａ及び第２の可変容量２２ｂの静電容量は、位置検出対象の位置に応じて第１の可変容量２２ａの静電容量が増加すると、第２の可変容量２２ｂが減少し、第１の可変容量２２ａの静電容量が減少すると、第２の可変容量２２ｂが増加する構成とされている。
【００１９】図２に本発明の一実施例の可変容量部の構成図を示す。図２（Ａ）は平面図、図２（Ｂ）は断面図を示す。可変容量部２２は、第１の可変容量２２ａと第２の可変容量２２ｂとで共通化された可動電極２４、第１の可変容量２２ａを構成する第１の固定電極２５、第２の可変容量２２ｂを構成する第２の固定電極２６より構成され、可動電極２４と第１及び第２の固定電極２５，２６との対向面積を可変することにより静電容量が可変する構成とされている。可動電極２４は、中心部分に中心穴２４ａを有する半径ｒ1 の３枚の半円形の金属板をより構成される。可動電極２４の中心穴２４ａはシャフト２７にリング２８ａ，２８ｂ，２８ｃ，２８ｄを挟んで係合させる。このとき、リング２８ａ，２８ｂ，２８ｃ，２８ｄをシャフト２７に圧入固定することにより可動電極２４が所定の間隔でシャフト２７に固定される。シャフト２７は、金属よりなり、ブッシュ２９に回転自在に保持される。ブッシュ２９は、金属よりなり、絶縁材製のプレート３０に圧入固定される。
【００２０】第１の固定電極２５及び第２の固定電極２６は、半径ｒ1 の２枚の半円状の金属板から構成される。第１の固定電極２５は、半円の中心部に半径ｒ0 の半円形の切欠部２５ａが形成され、外周部には取付部２５ｂ，２５ｃが形成されている。第１の固定電極２５を構成する２枚の金属板は、取付部２５ｂが金属製の支柱３１ａに、取付部２５ｃが金属製の支柱３１ｂに所定の間隔で固定される。
【００２１】また、第２の固定電極２６を構成する２枚の金属板は、半円の中心部に半径ｒ0 の半円形の切欠部２６ａが形成され、外周部には取付部２６ｂ，２６ｃが形成されている。第２の固定電極２６を構成する２枚の金属板は、取付部２６ｂが金属製の支柱３１ｃに、取付部２６ｃが金属製の支柱３１ｄに所定の間隔で固定される。
【００２２】プレート３０は、１辺が略２ｒ1 の正方形の絶縁材より構成される。支柱３１ａ，３１ｂ，３１ｃ，３１ｄは、一端がプレート３０の頂点付近に直交して固定され、他端にはプリント配線板３２にネジ止めされる。プリント配線板３２は、支柱３１ａ，３１ｂ，３１ｃ，３１ｄにより固定されるとともに、支柱３１ａ，３１ｂに固定された第１の固定電極２５及び支柱３１ｃ，３１ｄに固定された第２の固定電極２６が電気的に接続される。なお、プリント配線板３２に後述する位置検出回路２３が搭載される。
【００２３】第１の固定電極２５と第２の固定電極２６とは、支柱３１ａ，３１ｂ，３１ｃ，３１ｄをプレート３０に固定すると、所定の距離ｅだけ離間されて絶縁状態に配置され、第１の固定電極２５の切欠部２５ａと第２の固定電極２６の切欠部２６ａとにより円筒状の空間が形成される。この第１の固定電極２５の切欠部２５ａと第２の固定電極２６の切欠部２６ａとにより形成される円筒状の空間にはシャフト２７に固定されたリング２８ａ，２８ｂ，２８ｃ，２８ｄが嵌装され、可動電極２４は第１及び第２の固定電極２５，２６の間に絶縁状態に挿入される。
【００２４】また、プレート３０とリング２８ａとの間には板バネ３３が配設されている。板バネ３３は、金属よりなり、リング２８ａを矢印Ａ方向に付勢することにより、シャフト２７を矢印Ａ方向に付勢している。また、板バネ３３はリード線３４によりプリント配線板３２の接地パターンに接続されており、可動電極２４を接地レベルに保持する。
【００２５】ここで、可変容量部２２の動作を図とともに説明する。図３に本発明の一実施例の可動容量部の動作説明図を示す。可変容量部２２は、シャフト２７を回転させることにより可動電極２４が回動する。可動電極２４が回動すると、可動電極２４，第１の固定電極２５，第２の固定電極２６は、半円形をなすため、第１の可変容量２２ａを構成する可動電極２４と第１の固定電極２５との対向面積Ｓ1 及び第２の可変容量２２ｂを構成する可動電極２４と第２の固定電極２６との対向面積Ｓ2 が変化する。
【００２６】ここで、対向面積Ｓ1 ，Ｓ2 は、可動電極２４が第１及び第２の固定電極２５，２６に対して図３（Ａ）に示す位置にある時には、Ｓ1 ＝Ｓ2 となる。また、シャフト２７を矢印Ｂ方向に角度θ1 だけ回転させると、可動電極２４が図３（Ｂ）に示す位置になると、Ｓ1 が増加し、Ｓ2 が減少する。さらに、シャフト２７を矢印Ｂ方向に角度θ2 （90°）だけ回転させ、可動電極２４が図３（Ｃ）に示す位置になると、Ｓ1 が最大となり、Ｓ2 がゼロとなる。
【００２７】一般に、平行平板コンデンサの静電容量Ｃは、対向電極の面積をＳ、電極間の距離をｄとすると、近似的に
【００２８】
【数１】
【００２９】ただし、εは誘電率で, 電極間の媒体が空気の場合、ε＝ε0 ＝8.8542×10-11 ［C 2 N -1m -2］である。このため、図３に示すようにシャフト２７を回転させ、可動電極２４を回転させることにより、可動電極２４と第１の固定電極２５との静電容量及び可動電極と第２の固定電極２６との静電容量を可変できることになる。
【００３０】いま、第１及び第２の固定電極２５，２６の半径をｒ1 、中心部の切欠部２５ａ，２６ａの半径をｒ0 、可動電極２４と第１の固定電極２５，可動電極２４と第２の固定電極２６との間隔を全てｄ、可動電極２４と第１の固定電極２５及び第２の固定電極２６との対向数をｎ、シャフト２７の回転角をθとして、可変電極２４と第１の固定電極２５との間の静電容量Ｃa 、可動電極２４と第２の固定電極２６との間の静電容量Ｃb を求めると、
【００３１】
【数２】
【００３２】式（１），（２）より
【００３３】
【数３】
【００３４】で表せる。従って、式（４）から第１の可変容量２２ａとなる可変電極２４と第１の固定電極２５との静電容量Ｃa と第２の可変容量２２ｂとなる可変容量２４と第２の固定電極２６との静電容量Ｃb との和は、シャフト２７の角度θによらず一定となることがわかる。
【００３５】ここで、式（１），（２）及び式（４），（５）は、静電容量Ｃa ，Ｃb 及び（Ｃa −Ｃb ）が間隔ｄ、半径ｒ0 ，ｒ1 の関数であることを示しており、温度変化などによりこれらの値が変化すれば静電容量Ｃa ，Ｃb も変化することを示している。
【００３６】しかしながら、式（１），（２）及び式（４），（５）から、
【００３７】
【数４】
【００３８】式（６），（７），（８）は、容量比Ｃa ／（Ｃa ＋Ｃb ），Ｃb ／（Ｃa ＋Ｃb ），（Ｃa −Ｃb ）／（Ｃa ＋Ｃb ）が回転角度-180°≦θ≦0 °及び 0°≦θ≦180 °の範囲でそれぞれ角度θに比例しており、これらの容量比がθのみの関数であって間隔ｄ、半径ｒ0 ，ｒ1 等の形状のパラメータに依存していないことを示している。
【００３９】図４に角度に対する容量の変化の特性図を示す。図４（Ａ）は、角度に対する容量Ｃa ，Ｃb ，（Ｃa −Ｃb ）の変化の特性、図４（Ｂ）は、角度に対する容量Ｃa ，Ｃb ，（Ｃa −Ｃb ）と容量（Ｃa ＋Ｃb ）との容量比の変化を示す。可変容量部２２は、図４（Ａ）に示すようにシャフト２７の回転角度θに応じて第１の可変容量２２ａ及び第２の可変容量２２ｂが変化し、これに応じて図４（Ｂ）に示すように容量Ｃa ，Ｃb ，（Ｃa −Ｃb ）と容量（Ｃa ＋Ｃb ）との容量比が変化する。
【００４０】上記可変容量部２２の第１の可変容量２２ａ及び第２の可変容量２２ｂは、検出回路２３に接続され、上記の容量比Ｃa ／（Ｃa ＋Ｃb ），Ｃb ／（Ｃa ＋Ｃb ）、または、（Ｃa −Ｃb ）／（Ｃa ＋Ｃb ）からシャフト２７の回転角度θが検出される。」
（ｃ）「【００４１】なお、図２に示す可変容量部２２は、シャフト２７の回転角度θに応じて容量を可変する構成とされているが、これに限るものではなく、直線上の位置に応じて容量を可変する構成も考えられる。図５に本発明の一実施例の可変容量部の変形例の構成図を示す。図５（Ａ）は縦断面図、図５（Ｂ）は横断面図を示す。
【００４２】本変形例は直線上の位置に応じて容量を可変する可変容量部である。本変形例の可変容量部３５は略円筒状をなし、その長手方向（矢印Ｃ方向）の直線上での位置を検出する構成とされている。可変容量部３５は、樹脂，セラミック等の絶縁材より構成され、有底の円筒状をなし、内周部の中心部分に円柱部３６ａを有する筺体３６を有する。筺体３６の内周外側面には円筒状の金属よりなる第１の固定電極３７及び第２の固定電極３８が矢印Ｃ方向に互いに絶縁状態で配列されている。
【００４３】また、筺体３６の円柱部３６ａには金属板を円筒状に成形した可動電極３９が嵌装され、可動電極３９を矢印Ｃ方向に直線移動可能にガイドする。筺体３６の外周部にはシールドケース４０が装着される。シールドケース４０は、接地電位に保持され、筺体３６をシールドする。
【００４４】第１の固定電極３７及び第２の固定電極３８には、筺体３６及びシールドケース４０を貫通して接続ピン４１，４２が接続される。接続ピン４１，４２はシールドケース４０とは絶縁され、第１の固定電極３７及び第２の固定電極３８を外部回路と接続する。
【００４５】また、可動電極３９は、矢印Ｃ方向に引き出された連結棒４３に接続されている。連結棒４３は、金属よりなり筺体３６の開口部分を覆うカバー４４を貫通して外部に導出されている。連結棒４３は、カバー４４に移動自在に貫通し、外部で位置検出対象２に接続されている。
【００４６】連結棒４３は位置検出対象２の移動に応じて矢印Ｃ方向に移動し、可動電極３９を筺体３６内で矢印Ｃ方向に移動させる。可動電極３９が矢印Ｃ1 方向に移動すると可動電極３９と第１の固定電極３７との対向面積が増加し、その静電容量は増加し、可動電極３９と第２の固定電極３８との対向面積が減少し、その静電容量は減少する。また、可動電極３９が矢印Ｃ2 方向に移動すると可動電極３９と第１の固定電極３７との対向面積が減少し、その静電容量は減少し、可動電極３９と第２の固定電極３８との対向面積が増加し、その静電容量は増加する。
【００４７】ここで、同軸円筒状のコンデンサの静電容量Ｃは、一般に内側の電極の半径をａ、外側の電極の半径をｂ、長さをＬとすると、
【００４８】
【数５】
【００４９】で表せる。ここで、図５に示すように可動電極３９の中央位置をｘ、第１の固定電極３７と第２の固定電極３８とのギャップをＬ1 とすると、可動電極３９と第１の固定電極３７との間の静電容量ＣA 及び可動電極３９と第２の固定電極３８との間の静電容量ＣB は、
【００５０】
【数６】
【００５１】式（１０）及び式（１１）より、
【００５２】
【数７】
【００５３】式（１２）、（１３）、または、（１４）から可動電極３９の直線上の位置Ｘに比例した静電容量が得られることになり、静電容量から可動電極３９に係合した位置検出対象２の位置を検出できる。次に、位置検出回路２３について図とともに説明する。」
（ｄ）「【００５４】図６に本発明の一実施例の位置検出回路の回路構成図を示す。本実施例の位置検出回路２３は、主に２つの単安定マルチバイブレータ４５，４６から構成される。単安定マルチバイブレータ４５，４６は、例えば、市販のロジックＩＣである標準ＣＭＯＳロジックＩＣの４０３８、高速ロジックＩＣの７４ＨＣ１２３，７４ＨＣ２２１等より構成される。
【００５５】これらのロジックＩＣは、通常２つの単安定マルチバイブレータが内蔵されいるので、本実施例の位置検出回路２３をこれらのロジックＩＣを用いて構成すれば、１チップのロジックＩＣで構成できる。図６において上記の可変容量部２２の第１の可変容量２２ａは、単安定マルチバイブレータ４５の反転期間を設定する端子1RX と端子1CX との間に接続され、可変容量部２２の第２の可変容量２２ｂは、単安定マルチバイブレータ４６の反転期間を設定する端子2RX と端子2CX との間に接続される。また、第１の可変容量２２ａと端子1RX との接続点には抵抗Ｒa を介してコンデンサＣ3 により安定化された電源電圧ＶDDが印加される。第１の可変容量２２ａ及び抵抗Ｒa は時定数回路を構成しており、第１の可変容量２２ａの静電容量Ｃa に応じた時定数を設定する。さらに、第2 の可変容量２２ｂ及び抵抗Ｒb は時定数回路を構成しており、第２の可変容量２２ｂの静電容量Ｃb に応じた時定数を設定する。
【００５６】また、単安定マルチバイブレータ４５の出力端子/1Q は、単安定マルチバイブレータ４６の入力端子2Bに接続され、単安定マルチバイブレータ４６の出力端子/2Q は単安定マルチバイブレータ４５の入力端子1Bに接続され、単安定マルチバイブレータ４５，４６の入力端子/1A ，/2A は共に接地され、単安定マルチバイブレータ４６のクリア端子/2CLR には電源電圧ＶDDが印加され、単安定マルチバイブレータ４５のクリア端子/1CLR には抵抗Ｒ1 及びコンデンサＣ1 より構成される時定数回路が接続され、２つの単安定マルチバイブレータ４５、４６により非安定マルチバイブレータを構成している。抵抗Ｒ1 及びコンデンサＣ1 より構成される時定数回路により電源投入時に単安定マルチバイブレータ４５のクリアを遅延させることにより２つの単安定マルチバイブレータ４５，４６からなる非安定マルチバイブレータを安定動作させている。
【００５７】抵抗Ｒ2 及びコンデンサＣ2 はローパスフィルタを構成しており、非安定マルチバイブレータの出力となる単安定マルチバイブレータ４６の出力端子2Qの出力パルスをそのデューティー比に応じた直流電圧に変換する。図７に本発明の一実施例の位置検出回路の動作波形図を示す。図７（Ａ）は電源電圧ＶDD、図７（Ｂ）は単安定マルチバイブレータ４５のクリア端子/1CLR に供給される信号、図７（Ｃ）、（Ｄ）は単安定マルチバイブレータ４５の出力端子1Q，/1Q から出力される信号、図７（Ｅ）、（Ｆ）は単安定マルチバイブレータ４６の出力端子2Q，/2Q から出力される信号の波形図を示す。
【００５８】時刻ｔ1 で電源電圧ＶDDが投入されると、単安定マルチバイブレータ４５のクリア端子/1CLR の電位は抵抗Ｒ1 及びコンデンサＣ1 から構成される時定数回路により設定された時定数に応じた速度で立ち上がる。時刻ｔ2 で単安定マルチバイブレータ４５のクリア端子/1CLR の電位が所定の電位Ｌ11を越えると、単安定マルチバイブレータ４５はトリガされ、その出力端子1Q，/1Q からは第１の可変容量２２ａの静電容量Ｃa に応じた時間ｔa だけ反転される出力パルスが出力される。このとき、時間ｔa は、
  ｔa ＝ｋＲa Ｃa （ｋ：定数）                          ・・・（１５）
で決定される。
【００５９】このとき、単安定マルチバイブレータ４６には単安定マルチバイブレータ４５の出力端子/1Q から出力パルスが供給されており、単安定マルチバイブレータ４５の出力端子/1Q の出力パルスの立ち上がりによりトリガされ、単安定マルチバイブレータ４６の出力端子2Q，/2Q から第２の可変容量２２ｂの静電容量Ｃb に応じた時間ｔb だけ反転される出力パルスが出力される。このとき、時間ｔb は、
  ｔb ＝ｋＲb Ｃb （ｋ：定数）                          ・・・（１６）
で決定される。
【００６０】単安定マルチバイブレータ４６の出力が復帰する際、単安定マルチバイブレータ４６の出力パルスが単安定マルチバイブレータ４５をトリガし、上記した動作を繰り返す。以上により、２つの単安定マルチバイブレータ４５，４６は、それぞれに設定された反転時間ｔa ，ｔb 経過後に他方の単安定マルチバイブレータをトリガする動作を繰り返すことにより、単一の無安定マルチバイブレータとして働き、その出力は図７（Ｅ）に示すようにハイレベルが時間ｔa ，ローレベルが時間ｔbとなる出力パルスを出力する。
【００６１】出力パルスのパルス幅ｔa ，ｔb は、式（１），（２）及び式（１５），（１６）から
【００６２】
【数８】
【００６３】で表される。このとき、Ｒa ＝Ｒb ＝Ｒとすれば、パルス幅の差Δｔは、
【００６４】
【数９】
【００６５】従って、式（１７），（１８）または式（１９）から求められる時間差から位置検出対象２の位置を認識できる。ただし、容量Ｃ0 は温度変化の影響を受けやすい。従って、前述したように容量Ｃ0 の影響を受けないようにデューティー比により容量Ｃ0 を削除する。
【００６６】出力パルスの正論理のデューティー比ｄ、負論理のデューティー比／ｄ及びパルス幅の和との差との比Ｄは、式（１７）乃至（１９）から、
【００６７】
【数１０】
【００６８】となる。式（２０）乃至（２２）は角度θに比例しており、かつ、角度θのみの関数であるため温度等の影響を受けることはなく、角度θを正確に求められる。なお、ここで、ｔはパルスの周期で、ｔ＝ｔa ＋ｔb である。式（２０）乃至（２２）により角度θは正確に求められるが、デューティー比ｄ，／ｄは図７（Ｅ）の出力パルスを抵抗Ｒ2 及びコンデンサＣ2 からなるローパスフィルタにより容易に変換できる。
【００６９】すなわち、抵抗Ｒ2 及びコンデンサＣ2 からなるローパスフィルタのカットオフ周波数を充分小さく設定すれば、ローパスフィルタの出力電圧Ｖ2 は入力電圧（単安定マルチバイブレータ４６の出力パルス）の平均値となる。出力電圧Ｖ2は、
【００７０】
【数１１】
【００７１】となる。ただし、ＶDDはCMOS IC の電源電圧である。また、単安定マルチバイブレータ４６の出力端子2Qから出力される出力パルスは、異常検出回路４７に供給される。異常検出回路４７は単安定マルチバイブレータ４６の出力端子2Qから出力される出力パルスの周期ｔを監視し、監視した周期ｔからセンサの異常（例えば外力による変形）を検出する。
【００７２】すなわち、Ｒa ＝Ｒb ＝Ｒとすると、周期ｔは、
  ｔ＝ｋＲＣ0                                           ・・・（２３）
で表せる。周期ｔは、Ｒ，Ｃ0 の通常の温度特性などによる変動を除けば一定値となるべきである。したがって、周期ｔが大幅に変動した場合には、センサの異常と判断できる。異常検出回路４７は周期ｔの変動を検出して周期ｔが所定の値より大きく変動した場合に異常と検出する。
【００７３】なお、異常検出回路４７は、全体の周期ｔを監視し、異常を検出したがこれに限ることはなく、各パルスの周期ｔa 及びｔb をそれぞれ監視してそれぞれが基準値より大きいときには異常と判定する方法も考えられる。この方法によれば、どちらの可変容量に異常があるかを検出でき、正常な値を示す方の周期を用いて位置を検出することも可能となる。
【００７４】以上本実施例によれば、非接触であるため、耐久性を向上させることができる。また、構造が簡単で、金属と絶縁物とで構成できるため、丈夫で耐久性に富み低価格にできる。さらに、容量比から位置を算出するため、温度などの影響を受けず高精度に位置を検出できる。」
　
（２）技術事項
　まず、上記記載（ｃ）、及び位置検出対象の直線位置を非接触で検出可能とする位置センサに係る実施例を示す図面である図５の記載によれば、第１の固定電極３７をその内周外側面に備えた筐体３６は樹脂やセラミック等の絶縁材より構成され、シールドケース４０は該筐体３６の外周部に装着されており、また、該筐体３６や該シールドケース４０を貫通し、第１の固定電極３７及び第２の固定電極３８に接続された接続ピン４１，４２は、該シールドケースと絶縁されていることから、シールドケース４０は筐体３６から絶縁されていると言える。
　また、上記記載（ｄ）、及び位置検出回路の回路構成図である図６の記載によれば、第１の固定電極３７と可動電極３９との間の静電容量であるＣａは、単安定マルチバイブレータ４５の反転期間を設定する端子1RX/CXと端子1CXとの間に接続され、同様に、第２の固定電極３８と可動電極３９との間の静電容量であるＣｂは、単安定マルチバイブレータ４６の反転期間を設定する端子2RX/CXと端子2CXとの間に接続されるところ、単安定マルチバイブレータ４５，４６に関して接地されているのは、それらの入力端子1A ，2A であるから、静電容量Ｃａ、Ｃｂを構成する第１の固定電極３７及び第２の固定電極３８や可動電極３９は、いずれも、接地されていないと解するのが自然である。
　この点を踏まえ、他方、位置検出対象２は、金属製の連結棒４３を介して可動電極３９に接続されていることを考慮すると、シールドケース４０は、筐体３６と絶縁されていることはもとより、位置検出対象２とも絶縁されていると言える。
　
（３）引用発明
　上記の技術事項を踏まえ、記載事項（ａ）ないし（ｄ）の記載や図５，６の記載を総合すると、引用例１には次の発明が記載されていると認められる。
　
「筐体３６に対する位置検出対象２の直線上の位置を検出するための静電容量を用いた位置センサであって、
　前記筐体３６の内周外側面に設けられた円筒状の第１の固定電極３７及び第２の固定電極３８と、　
　前記位置検出対象２に金属製の連結棒４３を介して接続され、前記筐体３６の円柱部３６ａに嵌装された可動電極３９と、
　前記第１の固定電極３７及び第２の固定電極３８と前記可動電極３９との長手方向への相対移動に応じて変化する静電容量Ｃａ及び静電容量Ｃｂ（ここで、静電容量Ｃａは、第１の固定電極３７と可動電極３９との間の静電容量であり、静電容量Ｃｂは、第２の固定電極３８と可動電極３９との間の静電容量である。）と、
　前記位置検出対象２及び前記筐体３６のいずれとも電気的に絶縁され、前記筐体３６の外周部に装着され、接地電位に保持されることで前記筐体３６をシールドするシールドケース４０と、
　前記変化した静電容量Ｃａ，Ｃｂの値がそれぞれ入力され、これら静電容量Ｃａ，Ｃｂの値に応じて前記位置検出対象２の直線上の位置ｘを求めるように接続された前記単安定マルチバイブレータ４５，４６から構成される位置検出回路２３と、
を備え、
　前記第１の固定電極３７及び第２の固定電極３８、並びに前記可動電極３９の周りに、前記シールドケース４０から電気的に絶縁された前記筐体３６を含む、
静電容量を用いた位置センサ。」（以下、「引用発明」という。）
　
３．対比
（１）まず、本願発明と引用発明とを、主たる構成要件毎に対比する。
ア　引用発明における、「筐体３６」、「位置検出対象２」、「円筒状の第１の固定電極３７及び第２の固定電極３８」、「可動電極３９」、「シールドケース４０」、及び「単安定マルチバイブレータ４５，４６から構成される位置検出回路２３」は、本願発明における、「静止物体」、「移動物体」、「静止素子」、「移動素子」、「導電性シールド」、及び「処理回路」にそれぞれ相当する。
イ　引用発明における「静電容量を用いた位置センサ」は、記載（ｄ）及び図６や位置検出回路の動作波形図である図７の記載からも明らかなようにデジタル出力をするものであるから、本願発明における「容量性移動量エンコーダ」に相当する。
ウ　また、引用発明における「シールドケース４０」は、「筐体３６の外周部に装着され、接地電位に保持されることで前記筐体３６をシールドする」のであるから、筐体３６の内部に設けられた、円筒状の第１の固定電極３７及び第２の固定電極３８や、可動電極３９の回りを囲んでおり、これら電極３７，３８，３９を外部からの電気的影響を排除する役割を果たすものであることは明らかである。
　他方、本願発明における導電性シールドについて見ると、発明の詳細な説明の段落の［ＣＦＲＡＡＥの構成と静電シールドの考察］（【０１１９】〜【０１３１】）の記載やFIG.４，６の記載によれば、導電性シールドの実施例に当たる導電性のスペーサリング１４５、導電スリーブ１５２、導電被覆１５４、シールド１６６は、いずれも、送信プレートや受信プレートの外側にあって、これらプレートを囲むように配されているものである。
　よって、上記相当関係を踏まえると、引用発明における「前記位置検出対象２及び前記筐体３６のいずれとも電気的に絶縁され、前記筐体３６の外周部に装着され、接地電位に保持されることで前記筐体３６をシールドするシールドケース４０」は、実質的に、本願発明における「前記移動および静止物体のいずれとも電気的に絶縁され、前記移動および静止素子を封入することによって、該両素子を外部からの電気的干渉から遮断する導電性シールド」に相当すると言える。
エ　また、引用発明における「シールドケース４０から電気的に絶縁された前記筐体３６」は、本願発明における「シールドから電気的に絶縁された機械的ハウジング」に相当する。
オ　また、引用発明における「前記第１の固定電極３７及び第２の固定電極３８と前記可動電極３９との長手方向への相対移動に応じて変化する静電容量Ｃａ及び静電容量Ｃｂ（ここで、静電容量Ｃａは、第１の固定電極３７と可動電極３９との間の静電容量であり、静電容量Ｃｂは、第２の固定電極３８と可動電極３９との間の静電容量である。）」も、本願発明における「前記両素子の相対移動に応じて、該静止および移動素子間のキャパシタンスに現れる変化によって変調される静電界」も、共に、静止電極と移動電極との相対移動に応じた両電極間のキャパシタンスの変化を捕らえることで、両電極の相対移動の程度を測定しようとするものである。
　よって、上記アの相当関係を踏まえると、両者は、共に、「前記両素子の相対移動に応じて変化する両素子間のキャパシタンス」である点で共通すると言える。
カ　同様に、引用発明における「前記変化した静電容量Ｃａ，Ｃｂの値がそれぞれ入力され、これら静電容量Ｃａ，Ｃｂの値に応じて前記位置検出対象２の直線上の位置ｘを求めるように接続された前記単安定マルチバイブレータ４５，４６から構成される位置検出回路２３」も、本願発明における「前記変調された静電界を感知し、これに応じて前記移動物体の位置測定量を求めるように接続された処理回路」も、共に、「前記変化したキャパシタンスを感知し、これに応じて前記移動物体の位置測定量を求めるように接続された処理回路」に相当すると言える。
　　
（２）してみると、両者の一致点、相違点は、以下のとおりである。
（一致点）
「静止物体に対する移動物体の位置を感知するための容量性移動量エンコーダであって、
　前記静止物体に結合された少なくとも１つの静止素子と、
　前記移動物体に結合され、前記静止素子の近傍に位置する移動素子と、
　前記両素子の相対移動に応じて変化する両素子間のキャパシタンスと、
　前記移動および静止物体のいずれとも電気的に絶縁され、前記移動および静止素子を封入することによって、該両素子を外部からの電気的干渉から遮断する導電性シールドと、
　前記変化したキャパシタンスを感知し、これに応じて前記移動物体の位置測定量を求めるように接続された処理回路と、
を備え、
　前記移動素子および前記静止素子の周りに、前記シールドから電気的に絶縁された機械的ハウジングを含む、
ことを特徴とする容量性移動量エンコーダ。」
（相違点）
　静止及び移動素子間の相対移動に応じて変化する両素子間のキャパシタンスに現れる変化を捕らえる手段に関して、本願発明は、「キャパシタンスに現れる変化によって変調される静電界を発生させる電界送信手段」を備え、「変調された静電界を感知」するようにしているのに対し、引用発明は、かかる電界送信手段は備えておらず、「前記変化した静電容量Ｃａ，Ｃｂの値がそれぞれ入力され、これら静電容量Ｃａ，Ｃｂの値に応じて前記位置検出対象２の直線上の位置ｘを求めるように接続された前記単安定マルチバイブレータ４５，４６から構成される位置検出回路２３」とあるように、相対移動に応じて変化する静電容量Ｃａ及び静電容量Ｃｂの値を、それぞれ単安定マルチバイブレータ４５，４６に入力するようにしている点。
　
４．当審の判断
　上記相違点について検討する。
　一般に、この種の容量性移動量エンコーダにおいて、静止及び移動素子間のキャパシタンスに現れる変化を捕らえる手段として、本願発明のように、電界送信手段を用い、かかる電界送信手段によって発生された静電界の、両素子間の相対移動に基づく変調を感知するようにすることは、周知技術である。
　この点については、引用例２の、特に、第２図、第３図、及びこれらに関する発明の詳細な説明の箇所に示された、互いに位相の異なる交流電圧が印加された各送信電極３０、及び受信電極３２や、引用例３の、特に、FIG.１、FIG.３、及びこれらに関する発明の詳細な説明の箇所に示された、位相が９０°づつずれた４つの正弦波励起電圧Ｖ１〜Ｖ４が印加された４つの励起領域２０，２２，２４，２６、及び受信電極である第１の環状導電性領域３０、第２の環状導電性領域３２を参照されたい。
　したがって、引用発明において、静止及び移動素子間のキャパシタンスに現れる変化を捕らえる手段として、本願発明のように、電界送信手段を用い、かかる電界送信手段によって発生された静電界の、両素子間の相対移動に基づく変調を感知するようにすることは、当業者ならば容易に想到し得たことである。　　
　そして、本願発明の作用効果は、引用発明及び周知技術から当業者が予測可能なものであって、格別なものではない。
　
５．むすび
　したがって、本願発明は、引用発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　以上のとおりであるから、他の請求項に係る発明について審理するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。