【事件の表示】
　特願２００５−３８０２５５「基板処理装置及び半導体装置の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１９年　７月１２日出願公開、特開２００７−１８０４４９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１７年１２月２８日の出願であって、平成２３年１０月５日付けで拒絶理由が通知され、同年１２月８日付けで意見書及び手続補正書が提出され、平成２４年６月５日付けで拒絶査定がなされ、同年９月５日付けで拒絶査定不服審判が請求されるとともに手続補正書が提出され、その後、当審において同年１１月１日付けで審尋がなされ、同年１２月２５日付けで回答書が提出されたものである。
　
第２　平成２４年９月５日付けの手続補正についての補正の却下の決定
［補正の却下の決定の結論］
　平成２４年９月５日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
１　平成２４年９月５日付けの手続補正の内容
　平成２４年９月５日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）は、特許請求の範囲についての補正であって、本件補正により補正される前の（すなわち、平成２３年１２月８日付け手続補正書により補正された）下記（１）に示す特許請求の範囲の記載を下記（２）に示す特許請求の範囲の記載へ補正したものである。
　
（１）本件補正前の特許請求の範囲
　「【請求項１】
　２重構造の反応容器と、前記反応容器の外周に設けられる加熱手段とから構成される処理炉を備えた基板処理装置であって、
　前記反応容器は、上部が閉じ下部が開いた外管と上部および下部が開いた内管とから構成される反応管と、
　前記反応管の前記外管と前記内管とを同心状に立設させるマニホールドと、
　前記マニホールドに設けられ、前記内管を支持する側の上面が少なくとも２つの異なる高さを有し、前記異なる高さの面のうち一方よりも高い位置に設けられた面を前記内管を立設する立設部として有する内管支持部と、
　前記内管内へ下方からガスを供給するガス供給手段と、
　前記マニホールドもしくは前記外管の側面に前記空間と連通するよう設けられ、前記内管内を上昇して前記空間を下降するガスを排気する開口とを有し、
　前記排気ガスに含有される物質が前記空間の下端部を構成する内管支持部上で液化した際に、該液化物質が前記内管支持部の立設部側に流入する前に、前記開口から排出するのを促進する液化物質排出促進手段を設けた
ことを特徴とする基板処理装置。
　　【請求項２】
　２重構造の反応容器と、前記反応容器の外周に設けられる加熱手段とから構成される処理炉を備えた基板処理装置であって、
　前記反応容器は、上部が閉じ下部が開いた外管と上部および下部が開いた内管とから構成される反応管と、
　前記反応管の前記外管と前記内管とを同心状に立設させるマニホールドと、
　前記マニホールドに設けられ、前記内管を支持する側の上面が少なくとも２つの異なる高さを有し、前記異なる高さの面のうち一方よりも高い位置に設けられた面を前記内管を立設する立設部として有する内管支持部と、
　前記内管内へ下方からガスを供給するガス供給手段と、
　前記マニホールドもしくは前記外管の側面に前記空間と連通するよう設けられ、前記内管内を上昇して前記空間を下降するガスを排気する開口とを有し、前記排気ガスに含有される物質が前記空間の下端部を構成する内管支持部上で液化した際に、該液化物質が前記内管支持部の立設部側に流れるのを阻止する障壁を設けた
ことを特徴とする基板処理装置。
　　【請求項３】
・・・（略）・・・
　　【請求項４】
・・・（略）・・・
　　【請求項５】
・・・（略）・・・　」 
　
（２）本件補正後の特許請求の範囲
　「【請求項１】
　２重構造の反応容器と、前記反応容器の外周に設けられる加熱手段とから構成される処理炉を備えた基板処理装置であって、
　前記反応容器は、上部が閉じ下部が開いた外管と上部および下部が開いた内管とから構成される反応管と、
　前記反応管の前記外管と前記内管とを同心状に立設させるマニホールドと、
　前記マニホールドに設けられ、
前記外管と前記内管との間に形成される空間の下端部を構成するとともに、
させるための
　前記内管内へ下方からガスを供給するガス供給手段と、
　前記マニホールドもしくは前記外管の側面に前記空間と連通するよう設けられ、前記内管内を上昇して前記空間を下降するガスを排気する開口とを有し、
　前記排気ガスに含有される物質が前記空間の下端部を構成する内管支持部上で液化した際に、該液化物質が前記内管支持部の立設部側に流入する前に、前記開口から排出するのを促進する液化物質排出促進手段を設けた
ことを特徴とする基板処理装置。
　　【請求項２】
　２重構造の反応容器と、前記反応容器の外周に設けられる加熱手段とから構成される処理炉を備えた基板処理装置であって、
　前記反応容器は、上部が閉じ下部が開いた外管と上部および下部が開いた内管とから構成される反応管と、
　前記反応管の前記外管と前記内管とを同心状に立設させるマニホールドと、
　前記マニホールドに設けられ、
前記外管と前記内管との間に形成される空間の下端部を構成するとともに、
させるための
　前記内管内へ下方からガスを供給するガス供給手段と、
　前記マニホールドもしくは前記外管の側面に前記空間と連通するよう設けられ、前記内管内を上昇して前記空間を下降するガスを排気する開口とを有し、
　前記排気ガスに含有される物質が前記空間の下端部を構成する内管支持部上で液化した際に、該液化物質が前記内管支持部の立設部側に流れるのを阻止する障壁を設けた
ことを特徴とする基板処理装置。
　　【請求項３】
・・・（略）・・・
　　【請求項４】
・・・（略）・・・
　　【請求項５】
・・・（略）・・・　」（なお、下線は、補正箇所を示すためのものである。）
　
２　本件補正の目的
　本件補正は、請求項１については、「前記マニホールドに設けられ、前記内管を支持する側の上面が少なくとも２つの異なる高さを有し、前記異なる高さの面のうち一方よりも高い位置に設けられた面を前記内管を立設する立設部として有する内管支持部」という発明特定事項を、「立設する立設部」を「立設させるための立設部」と明りようにした上で、「前記マニホールドに設けられ、
前記外管と前記内管との間に形成される空間の下端部を構成するとともに、
させるための
　また、本件補正は、請求項２については、本件補正前の請求項２に記載された「前記マニホールドに設けられ、前記内管を支持する側の上面が少なくとも２つの異なる高さを有し、前記異なる高さの面のうち一方よりも高い位置に設けられた面を前記内管を立設する立設部として有する内管支持部」という発明特定事項を、「立設する立設部」を「立設させるための立設部」と明りようにした上で、「前記マニホールドに設けられ、
前記外管と前記内管との間に形成される空間の下端部を構成するとともに、
させるための
　なお、請求項３ないし５については、補正されていない。
　したがって、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号に規定される特許請求の範囲の減縮及び同第４号に規定される明りようでない記載の釈明を目的とするものに該当する。
　
３　独立特許要件の検討
　そこで、本件補正後の特許請求の範囲の請求項２に係る発明（以下、「本願補正発明」という。）が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるかどうかについて、さらに検討する。
　
（１）引用文献に記載された事項
　原査定の拒絶の理由で引用した本願の出願前に日本国内で頒布された刊行物である特開平７−２９８２８号公報（以下、「引用文献」という。）には、図面とともに次の事項が記載されている（以下、順に「摘記事項１ａ」ないし「摘記事項１ｊ」という。）。 
　
１ａ．「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＣＶＤ装置に関し、詳しくは、半導体装置の製造に使用され、半導体ウェーハの表面に、シリコン多結晶膜などの生成膜を成長させる減圧ＣＶＤ法〔気相成長法〕によるＣＶＤ装置に関する。」（段落【０００１】）
　
１ｂ．「【０００３】この減圧ＣＶＤ装置の従来例を図４乃至図６に示して以下に説明する。
【０００４】減圧ＣＶＤ装置は、同図に示すようにステンレス製のベース１の上端部に、下端が開口した石英製の外管２をＯリング〔図示せず〕により気密的に封着して密閉空間ｍを形成し、更に、ベース１の底部に、上端が開口した石英製の円筒状内管３を起立保持し、密閉空間ｍを内管３で仕切ってその内側を反応室ｎとすることにより、内管３と外管２とで炉芯管４を構成する。ベース１の底部に半導体ウェーハ５を出入れする出入口部６を開口させ、その出入口部６を閉塞する蓋体７をベース１に着脱自在にＯリング〔図示せず〕により気密的に装着する。この蓋体７に支持台８を一体的に取り付け、その支持台８上に、多数枚の半導体ウェーハ５を水平状態で保持した石英製のボート９を起立保持する。
【０００５】一方、ベース１の底部の反応室ｎと対向する内側壁面に一つのガス導入孔１０を開口させ、そのガス導入孔１０と連通するガス供給管１１をベース１の外部に接続する。他方、ベース１の内管３の外側で密閉空間ｍと対向する内側壁面にガス排出孔１２を開口させている。尚、外管１の外周には、内管３内の反応室ｎを所定温度まで加熱するためのヒータ１３を配設する。また、ガス供給管１１の基端部に、反応ガスを一定流量供給するための流量コントローラ１４を配設する。尚、図中、１５は流量コントローラ１４の前段に設けられた弁である。」（段落【０００３】ないし【０００５】）
　
１ｃ．「【００１５】
【実施例】本発明を縦型の減圧ＣＶＤ装置に適用した実施例を、図１乃至図３に示して説明する。尚、図４乃至図６と同一又は相当部分には同一参照符号を付して重複説明は省略する。
【００１６】本発明の特徴は、内管３の反応室ｎ内に反応ガスを供給するためのガス導入構造にあり、具体的には、内管３及び外管２からなる炉芯管４を支持するステンレス等の金属製ベース２２にある。
【００１７】即ち、ベース２２の反応室ｎと対向する内側壁面に、その周方向に沿って凹溝１６を形成し、その凹溝１６内の周方向に沿う複数箇所〔図示では例えば４箇所〕にガス供給孔１７を開口させる。そして、この凹溝１６に、多数のガス導入孔１８を開口させたステンレス等の金属製メッシュ状板１９を嵌合させて固着する。一方、ガス供給孔１７に連通するガス供給管２０をベース２２に接続し、そのガス供給管２０に開閉度が可変なニードル弁等の流量調整弁２１を設ける。この流量調整弁２１が設けられたガス供給管２０を連結し、その連結したガス供給管２０の基端部に流量コントローラ１４及び弁１５を配設する。
【００１８】本発明では、上述したガス供給孔１７を複数箇所〔図示では例えば４箇所〕に設けることが好ましいが、ガス供給孔１７を一箇所に設けるようにしてもよく、その場合には、メッシュ状板１９のガス導入孔１８の孔径を、ガス吐出における抵抗分布に基づいて全周に亘って均一となるように設定する必要がある。また、メッシュ状板１９は、ステンレス等の金属板に機械加工により多数のガス導入孔１８を穿設したもの以外に、多孔質の焼結体を材質とするものを板状に加工したものでもよい。」（段落【００１５】ないし【００１８】）
　
１ｄ．「【００１９】本発明の減圧ＣＶＤ装置では、従来と同様、半導体ウェーハ５のローディングにより、多数枚の半導体ウェーハ５を、ボート９により支持された状態で反応室ｎ内に配置し、真空排気によって反応室ｎ内を所定の真空度の減圧状態に維持した上で、反応室ｎ内にキャリヤガスを含む反応ガスを供給する。
【００２０】この反応ガスの供給は、ガス供給源〔図示せず〕からガス供給管２０を介して流量コントローラ１４により一定の流量となるように設定され、ガス供給管２０から流量調整弁２１を介してベース２２に供給される。ベース２２に供給された反応ガスは、凹溝１６からその全周に流れてメッシュ状板１９のガス導入孔１８から反応室ｎ内へ吐出される。これにより、そのメッシュ状板１９の全周から均一に吐出された反応ガスは、反応室ｎ内に充満して、内管３の上端部から内管３と外管２との間に流れ、ガス排出孔１２から排気される。このようにして、反応室ｎ内に充満した反応ガスは半導体ウェーハ５の面内に均一に行き渡り、ヒータ１３でもって所定温度まで加熱された雰囲気内で半導体ウェーハ５の表面に生成膜を成長させる。」（段落【００１９】及び【００２０】）
　
１ｅ．摘記事項１ｂの「減圧ＣＶＤ装置は、同図に示すようにステンレス製のベース１の上端部に、下端が開口した石英製の外管２をＯリング〔図示せず〕により気密的に封着して密閉空間ｍを形成し、更に、ベース１の底部に、上端が開口した石英製の円筒状内管３を起立保持し」という記載及び摘記事項１ｃの「本発明を縦型の減圧ＣＶＤ装置に適用した実施例を、図１乃至図３に示して説明する。尚、図４乃至図６と同一又は相当部分には同一参照符号を付して重複説明は省略する。」という記載並びに図１から、外管２は上部が閉じ下部が開いたものであり、内管３は上部および下部が開いたものであることが理解される。
　
１ｆ．摘記事項１ｂの「減圧ＣＶＤ装置は、同図に示すようにステンレス製のベース１の上端部に、下端が開口した石英製の外管２をＯリング〔図示せず〕により気密的に封着して密閉空間ｍを形成し、更に、ベース１の底部に、上端が開口した石英製の円筒状内管３を起立保持し、密閉空間ｍを内管３で仕切ってその内側を反応室ｎとすることにより、内管３と外管２とで炉芯管４を構成する。」という記載及び摘記事項１ｃの「本発明を縦型の減圧ＣＶＤ装置に適用した実施例を、図１乃至図３に示して説明する。尚、図４乃至図６と同一又は相当部分には同一参照符号を付して重複説明は省略する。」という記載並びに図１及び３から、ベース２２は、外管２と内管３とを同心状に立設させるものであることが理解される。
　
１ｇ．摘記事項１ｄの「反応ガスは、反応室ｎ内に充満して、内管３の上端部から内管３と外管２との間に流れ、ガス排出孔１２から排気される。」という記載及び図１から、ベース２２の外管２を支持する部分以外の部分（引用文献には、該部分に具体的な名称が付されていないため、当審は、便宜上、このように表現した。）の内、ハッチングが施されていない部分の最下面は外管２と内管３との間に形成される空間の下端部を構成するものであることが理解される。
　
１ｈ．図１から、ベース２２の外管２を支持する部分以外の部分は、内管３を支持する側の上面が、ハッチングが施されていない部分の最下面とハッチングが施された部分の最上面とで、２つの異なる高さを有するものであること及びハッチングが施された部分の最上面、即ち異なる高さの面の内一方よりも高い位置に設けられた面を内管３を立設するための立設部として有するものであることが看取される。
　
１ｉ．摘記事項１ｄの「ガス供給管２０から流量調整弁２１を介してベース２２に供給される。ベース２２に供給された反応ガスは、凹溝１６からその全周に流れてメッシュ状板１９のガス導入孔１８から反応室ｎ内へ吐出される。これにより、そのメッシュ状板１９の全周から均一に吐出された反応ガスは、反応室ｎ内に充満して、内管３の上端部から内管３と外管２との間に流れ、ガス排出孔１２から排気される。」という記載及び図１から、ガス供給管２０は、内管３内へ下方からガスを供給するものであることが理解される。
　
１ｊ．摘記事項１ｄの「反応ガスは、反応室ｎ内に充満して、内管３の上端部から内管３と外管２との間に流れ、ガス排出孔１２から排気される。」という記載及び図１から、ガス排出孔１２の左端部の開口（引用文献には、該部分に具体的な名称が付されていないため、当審は、便宜上、このように表現した。）は、ベース２２の側面に設けられ、内管３内を上昇して外管２と内管３との間に形成される空間を下降するガスを排出するものであることが理解される。
　
（２）引用文献に記載された発明
　摘記事項１ａの「減圧ＣＶＤ法〔気相成長法〕によるＣＶＤ装置に関する。」という記載、摘記事項１ｃの「内管３及び外管２からなる炉芯管４を支持するステンレス等の金属製ベース２２にある。」及び「一方、ガス供給孔１７に連通するガス供給管２０をベース２２に接続し」という記載、摘記事項１ｄの「ガス排出孔１２から排気される。」及び「ヒータ１３でもって所定温度まで加熱された雰囲気内で半導体ウェーハ５の表面に生成膜を成長させる」という記載並びに摘記事項１ｊによると、引用文献には、炉芯管４、ベース２２、ガス供給管２０、ガス排出孔１２の左端部の開口、ヒータ１３とから構成される減圧ＣＶＤ装置が記載されている。
　摘記事項１ｃの「内管３及び外管２からなる炉芯管４を支持するステンレス等の金属製ベース２２にある。」という記載及び摘記事項１ｅによると、引用文献には、上部が閉じ下部が開いた外管２と上部および下部が開いた内管３とから構成される炉芯管４が記載されている。
　摘記事項１ｃの「内管３及び外管２からなる炉芯管４を支持するステンレス等の金属製ベース２２にある。」という記載及び摘記事項１ｆによると、引用文献には、炉芯管４の外管２と内管３とを同心状に立設させるベース２２が記載されている。
　摘記事項１ｈによると、引用文献には、ベース２２に設けられ、外管２と内管３との間に形成される空間の下端部を構成するとともに、前記内管３を支持する側の上面が少なくとも２つの異なる高さを有し、前記異なる高さの面のうち一方よりも高い位置に設けられた面を前記内管３を立設させるための立設部として有するベース２２の外管２を支持する部分以外の部分が記載されている。
　摘記事項１ｉによると、引用文献には、内管３内へ下方からガスを供給するガス供給管２０が記載されている。
　摘記事項１ｊによると、引用文献には、ベース２２の側面に外管２と内管３との間に形成される空間と連通するよう設けられ、前記内管３内を上昇して前記空間を下降するガスを排気するガス排出孔１２の左端部の開口が記載されている。
　したがって、引用文献には、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認める。  
　
　「炉芯管４、ベース２２、ガス供給管２０、ガス排出孔１２の左端部の開口、ヒータ１３とから構成される減圧ＣＶＤ装置であって、
　前記炉芯管４、ベース２２、ガス供給管２０及びガス排出孔１２の左端部の開口とで構成される部分は、上部が閉じ下部が開いた外管２と上部および下部が開いた内管３とから構成される炉芯管４と、
　前記炉芯管４の前記外管２と前記内管３とを同心状に立設させるベース２２と、
　前記ベース２２に設けられ、前記外管２と前記内管３との間に形成される空間の下端部を構成するとともに、前記内管３を支持する側の上面が少なくとも２つの異なる高さを有し、前記異なる高さの面のうち一方よりも高い位置に設けられた面を前記内管３を立設させるための立設部として有するベース２２の外管２を支持する部分以外の部分と、
　前記内管３内へ下方からガスを供給するガス供給管２０と、
　前記ベース２２の側面に前記空間と連通するよう設けられ、前記内管３内を上昇して前記空間を下降するガスを排気するガス排出孔１２の左端部の開口とを有した減圧ＣＶＤ装置。」  
　
（３）対比 
　本願補正発明と引用発明を対比する。 
　引用発明における「炉芯管４、ベース２２、ガス供給管２０、ガス排出孔１２の左端部の開口、ヒータ１３とから構成される減圧ＣＶＤ装置」の内、「炉芯管４」、「ベース２２」、「ガス供給管２０」及び「ガス排出口１２の左端部の開口」とで構成される部分は、本願補正発明における「２重構造の反応容器」に相当する。
　引用発明における「ヒータ１３」は、「炉芯管４」、「ベース２２」、「ガス供給管２０」及び「ガス排出口１２の左端部の開口」とで構成される部分の外周に設けられていることから、本願補正発明における「反応容器の外周に設けられる加熱手段」に相当する。
　引用発明における「減圧ＣＶＤ装置」は、引用文献の摘記事項１ａによると、半導体ウェーハの表面に、シリコン多結晶膜などの生成膜を成長させるためのものであるから、本願補正発明における「処理炉を備えた基板処理装置」に相当する（ちなみに、本願の発明の詳細な説明には、「次に、上記構成に係る縦型処理炉２０２を用いて、半導体デバイスの製造工程の一工程として、ＣＶＤ法によりウェハ２００上に薄膜を形成する方法について説明する。・・・（略）・・・ところで、排気管２３１のマニホールド２０９における開口２３３の下端２３３ａが、内管２０４とマニホールド２０９のインナチューブ支持部２１５との接触面よりも高い位置にあると、外管２０５と内管２０４との間に形成される筒状空間２５０の下端部であるインナチューブ支持部２１５に溜った排気ガス中の液化物質が、排気管２３１の開口２３３から排気管２３１へ排出される前に、内管２０４の下端２０４ａとインナチューブ支持部２１５との接触面から処理室２０１の内側に浸入するという問題がある。そのため、本実施の形態では、次のように炉下部構造を改善して浸入防止策を講じている。」（段落【００２９】ないし【００３５】）と記載されているように、本願補正発明の実施例として、ＣＶＤ法による基板処理装置が記載されている。）。
　引用発明における「外管２」、「内管３」、「炉芯管４」及び「ベース２２」は、それぞれ、本願補正発明における「外管」、「内管」、「反応管」及び「マニホールド」に相当する。
　引用発明における「ベース２２の外管２を支持する部分以外の部分」は、本願補正発明における「内管支持部」に相当する。
　引用発明における「ガス供給管２０」は、本願補正発明における「ガス供給手段」に相当する。
　引用発明における「ガス排出孔１２の左端部の開口」は、本願補正発明における「ガスを排気する開口」に相当する。
　
　したがって、両者は、
　「２重構造の反応容器と、前記反応容器の外周に設けられる加熱手段とから構成される処理炉を備えた基板処理装置であって、
　前記反応容器は、上部が閉じ下部が開いた外管と上部および下部が開いた内管とから構成される反応管と、
　前記反応管の前記外管と前記内管とを同心状に立設させるマニホールドと、
　前記マニホールドに設けられ、前記外管と前記内管との間に形成される空間の下端部を構成するとともに、前記内管を支持する側の上面が少なくとも２つの異なる高さを有し、前記異なる高さの面のうち一方よりも高い位置に設けられた面を前記内管を立設させるための立設部として有する内管支持部と、
　前記内管内へ下方からガスを供給するガス供給手段と、
　前記マニホールドもしくは前記外管の側面に前記空間と連通するよう設けられ、前記内管内を上昇して前記空間を下降するガスを排気する開口とを有した基板処理装置。」 
である点で一致し、以下の点で相違する。 
　
＜相違点＞ 
　本願補正発明では、「前記排気ガスに含有される物質が前記空間の下端部を構成する内管支持部上で液化した際に、該液化物質が前記内管支持部の立設部側に流れるのを阻止する障壁を設けた」という発明特定事項を有しているのに対し、引用発明では、そのような発明特定事項を有しているか明らかでない点。
　
（４）相違点についての判断
　本願補正発明の「前記排気ガスに含有される物質が前記空間の下端部を構成する内管支持部上で液化した際に、該液化物質が前記内管支持部の立設部側に流れるのを阻止する障壁を設けた」という発明特定事項に関して、本願の発明の詳細な説明に、「液化物質が立設部側に流れるのを阻止する障壁を設けたので、液化物質が立設部の内側に浸入するのを確実に防止することができる。本発明において、内管支持部の立設部を、立設部を除く内管支持部の残りの部分よりも一段高くすることによって、上述した障壁を実現することができる。」（段落【００１０】）及び「立設部２１２は、立設部２１２を除く内管支持部２１１の残りの部分よりも一段高くすることによって、排気ガス中に含まれる物質が液化して、内管支持部２１１の立設部２１２側に流れるのを阻止する障壁を実現している。」（段落【００４４】）と記載され、これら以外には、当該発明特定事項について説明する記載はない。そして、これらの記載によると、「前記排気ガスに含有される物質が前記空間の下端部を構成する内管支持部上で液化した際に、該液化物質が前記内管支持部の立設部側に流れるのを阻止する障壁を設けた」とは、内管支持部の立設部を、立設部を除く内管支持部の残りの部分よりも一段高くしたことである。
　これに対して、引用発明は、減圧ＣＶＤ装置に関する発明であり、減圧ＣＶＤ装置は、原料を液体原料とする場合には、液体原料を気化させて使用するものである（必要であれば、下記の周知文献１及び２の記載を参照。）。また、上記（１）ないし（３）で検討したとおり、引用発明においても、内管支持部の立設部は、立設部を除く内管支持部の残りの部分よりも高くなっている。したがって、引用発明において、原料を液体原料とし、液体原料を気化させて使用した際には、本願補正発明と同様に、「前記排気ガスに含有される物質が前記空間の下端部を構成する内管支持部上で液化した際に、該液化物質が前記内管支持部の立設部側に流れるのを阻止する障壁」の機能を達成することは明らかである。
　よって、引用発明において、原料を液体原料とし、液体原料を気化させて使用すれば、上記相違点に係る本願補正発明の発明特定事項を採用することになり、そのようなことは、当業者であれば容易になし得たことである。
　そして、本願補正発明によって、引用発明からみて格別顕著な効果が奏されるともいえない。
　
・周知文献１（特開平２−１４５７６８号公報）の記載
　「本発明は、減圧化学的気相成長法（以下減圧ＣＶＤ法という）において用いられる液体原料を気化し供給する装置に関する。」（第１ページ左下欄第１３ないし１５行）
　
・周知文献２（特開平５−８５８９０号公報）の記載
　「【００１１】この実施例では、縦型減圧ＣＶＤ装置で圧力０．２〜０．４Ｔｏｒｒ、４００℃に加熱した反応管１内に原料ガスを流す内管１１に気化させた液体原料＋キャリアガス（例えばＮ２）を１５０〜１８０℃にヒータ６で保温した配管を通じて流量１５０ｓｓｃｍで導入すると共に、原料ガスの再液化防止のため２００℃に加熱したＮ２を原料ガスの液化防止のため加熱したガスを流す外管１２に５００ｓｃｃｍ流し、同時に反応ガスとしてＯ２の流量を１００ｓｃｃｍとし別途設けた配管より導入し、反応管１内に支持したＳｉ基板上にＴａ２Ｏ５膜を堆積させた。」（段落【００１１】）
　
（５）むすび 
　以上をふまえると、本願補正発明は、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないので、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。  
　
第３　本願発明について  
１　本願発明  
　以上のとおり、本件補正は却下されたため、本願の特許請求の範囲の請求項１ないし５に係る発明は、平成２３年１２月８日付け手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし５に記載された事項により特定されるとおりのものであると認められるところ、特許請求の範囲の請求項２に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、上記「第２［理由］１（１）」の請求項２に記載された事項により特定されるとおりのものである。
　
２　引用文献に記載された事項及び引用文献に記載された発明
　原査定の拒絶の理由で引用した本願の出願前に日本国内で頒布された刊行物である特開平７−２９８２８号公報（以下、上記「第２［理由］３（１）」と同様に「引用文献」という。）には、上記「第２［理由］３（１）」のとおりの事項が記載されている。
　そして、引用文献には、上記「第２［理由］３（２）」のとおりの発明（以下、上記「第２［理由］３（２）」と同様に「引用発明」という。）が記載されていると認める。
　
３　対比・判断
　上記「第２［理由］２」で検討したように、本件補正は本件補正前の請求項２の記載を明りようにした上で本願発明の発明特定事項に限定を加えて本願補正発明としたものである。そして、本願発明の発明特定事項に限定を加えた本願補正発明が上記「第２［理由］３」のとおり、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである以上、本願発明も、同様に、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
　したがって、本願は、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、拒絶されるべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。