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　特願２００７−５２４８３５「エッチングされたウエハからフォトレジストを剥離するための方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年　２月２３日国際公開、ＷＯ２００６／０２０３４４、平成２０年　３月２１日国内公表、特表２００８−５０８７４３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
［１］手続の経緯
　本願は、２００５年７月２０日（パリ条約による優先権主張　外国庁受理
２００４年８月２日　米国）を国際出願日とする出願であって、平成１９年４月２日付けで手続補正書が提出され、平成２３年４月１２日付けで拒絶理由通知がなされ、同年１０月１８日付けで意見書および手続補正書が提出され、平成２４年１月１０日付けで拒絶査定がなされ、同年５月１６日に拒絶査定不服審判の請求がなされたものである。
　
［２］本願発明
　本願の請求項１−１４に係る発明は、平成１９年４月２日付け手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１−１４に記載されたとおりのものと認められるところ、その請求項１に係る発明は、以下のとおりである。
　
「多孔質有機ケイ酸塩ガラスの低誘電体層に形状を形成するための方法であって、
　多孔質有機ケイ酸塩ガラスの低誘電体層を基板の上に配置する工程と、
　パターニングされたフォトレジストマスクを前記低誘電体層の上に配置する工程と、
　前記低誘電体層に少なくとも１つの形状をエッチングする工程と、
　ＣＯ２を含む剥離ガスを供給する工程であって、前記剥離ガスは、全流速を有し、前記ＣＯ２の流速は、前記全流速の少なくとも２５％である工程と、
　ＣＯ２を含む前記剥離ガスからプラズマを形成する工程と、
　ＣＯ２を含む前記剥離ガスから形成された前記プラズマからの生成物を用いて、前記パターニングされたフォトレジストマスクを剥離する工程と、を備える方法。」（以下、「本願発明」という。）
　
　なお、「流速」とは、「流量」の誤訳であるとして、以下、検討を行う。（国際公開ＷＯ２００６／０２０３４４の第１０頁「
ＣＬＡＩＭＳ
　
［３］引用刊行物の記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先日前に日本国内において頒布された特開２００１−１８９３０２号公報（以下、「引用刊行物」という。）には、以下の事項が記載されている。
（ａ）「【従来の技術】……
　……一方、半導体装置の高速化のために配線寄生容量の低下が要求され、層間絶縁膜の低誘電率化（これをＬｏｗ−ｋ膜という）が検討されている。
この低誘電率化された層間絶縁膜としては、……無機シリコン酸化膜等のポーラスで比較的脆い無機膜や無機膜中に炭素原子を含む有機成分を有する有機シリコン酸化膜があげられる。従来の酸化膜の比誘電率が約４であるのに対して、これらの絶縁膜は、比誘電率が３以下の値を有している。この層間絶縁膜上にフォトレジストをパターニングした後に配線溝やコンタクトホールのエッチング加工を行なった場合、その後の工程で配線材料等を埋め込む場合に備えてフォトレジストを剥離しておく必要がある。」（第３頁第３欄第３０行−第５０行）
　
（ｂ）「【発明が解決しようとする課題】しかし、従来のフォトレジスト剥離法では、下地膜として炭素原子を含む組成からなる膜を有する構造の多層膜がある場合に、活性ガス中の酸素原子と反応して下地膜中の炭素原子を脱離させてしまう。
　……
また、下地膜が無機膜に炭素原子を含有させた膜（有機シリコン酸化膜）の場合には、下地膜表面から炭素原子の脱離層が形成されてしまい、下地膜の比誘電率値が変化するという問題が生じている。また、この時、膜中の炭素原子が脱離した後の下地膜は、収縮するため寸法変換差が変化するだけでなく、応力がかかり、クラック発生の原因となるという問題も生じている。」（第３頁第４欄第１２行−第２６行）
　
（ｃ）「【００１１】本発明は、前述した従来技術の問題を解決するものでり（審決注：「あり」の誤記）、活性化された反応ガスを用いて被膜をドライエッチングする方法において、炭素原子と、酸素原子、窒素原子及び水素原子の少なくとも１つを含むガスを用いて絶縁膜上、金属膜上もしくは炭素原子を含む組成からなる膜上などの前記被膜上に形成されたフォトレジストなどの炭素原子を含む膜をアッシングする方法に関するものである。シリコン半導体等の半導体基板１１上に層間絶縁膜として膜厚５００ｎｍの低誘電率化された絶縁膜（以下、これをＬＫＤ膜という）１２を塗布形成する。このＬＫＤ膜１２に、例えば、アルミニウムなどの金属配線１２´を埋め込み形成する。このＬＫＤ膜１２上に、層間絶縁膜として膜厚４００ｎｍのＬＫＤ膜１３を塗布形成する。このＬＫＤ膜１３は、無機系膜中に炭素原子が含まれている構造のベンゾシクロブテン（Ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ（ＢＣＢ））、フロロポリマー（Ｆｌｕｏｒｏｐｏｌｙｍｅｒ（Ｃｙｔｏｐ））などの有機シリコン酸化膜からなるものである。
　……
　……この半導体基板（ウエハー）に酸素プラズマ処理を行い、酸化膜である表面改質層１４を形成する。この上に膜厚６０ｎｍの反射防止膜１５及び０．６μｍのフォトレジスト１６を塗布形成する。その後周知技術のリソグラフィー法によりフォトレジスト１６をパターニングする（図１（ａ））、そして、このパターニングされたフォトレジスト１６をマスクにして反射防止膜を加工する（図１（ｂ））。その後、表面改質層１４及びＬＫＤ膜１３を…ＲＩＥエッチングを行い、深さ４００ｎｍでパターンの大きさは０．２μｍのコンタクトホールを形成する。
　……
【００１３】さらに、ＬＫＤ膜１３上に残ったフォトレジスト１６及び反射防止膜１５を剥離する（図２（ｂ））。……」（第５頁第７欄第８行−第４９行）
　
（ｄ）「ＬＫＤ膜１３加工後のフォトレジスト剥離は、従来の方法では酸素ガスによるプラズマアッシングで行なっていたが、ＬＫＤ膜１３の側壁から炭素原子が脱離してしまい変質層（側壁炭素離脱層）が形成されるという問題があった。これは低圧の酸素アッシングでは酸素イオンと酸素ラヂカルによるフォトレジストのイオンアシストエッチングが起きるが、等方的な酸素ラジカル成分がコンタクトホール内に進入し、このラジカルに触れる部分から炭素原子を脱離させることによるものである。また、膜中から炭素原子が抜けることによる寸法変換差の広がりもあった。
【００１８】このため、この実施例では、フォトレジスト１６及び反射防止膜１５の剥離は、酸素原子及び炭素原子を含むガスを用いるプラズマプロセスで行なった。アッシング装置は図６に示す平行平板型であり、アッシング条件は、Ｏ２／ＣＯ＝３０／２７０ｃｃｍ、１００ｍＴｏｒｒ、５００Ｗ、３０℃である。図３に示すように、この条件ではフォトレジストの剥離は進行するが、ＬＫＤ膜側壁からの炭素原子の脱離は無くすことが出来るため側壁変質層を形成することが極めて少なくすることが可能になる（図２（ｃ））。
　……
　……また、この実施例では、アッシングガスとしてＣＯガスを説明したが、本発明では、炭素原子を含むガスは、圧力、温度、パワー等を制御することにより以下の材料を用いることもできる。すなわち、ＣＯ２、……等があり、」（第６頁第９欄第４５行−同頁第１０欄第４８行）
　
［４］引用刊行物記載の発明
　上記記載事項（ａ）、（ｂ）によれば、半導体装置の層間絶縁膜において、低誘電率化が求められており、有機シリコン酸化膜等が用いられること、また、該層間絶縁膜にコンタクトホール等のエッチング加工を行った後、フォトレジストを剥離する際、従来の剥離方法によれば、下地膜表面から炭素原子が脱離し、比誘電率値の変化、収縮によるクラック発生等の問題が生じることが記載されている。
　そして、同記載事項（ｃ）、（ｄ）によれば、上記問題を解決すべく、有機シリコン酸化膜等からなる低誘電率化された絶縁膜（ＬＫＤ膜）にコンタクトホールを形成する方法であって、前記低誘電率化された絶縁膜をシリコン半導体等の半導体基板上に形成する工程と、パターニングされたフォトレジストを前記低誘電率化された絶縁膜の上に形成する工程と、前記低誘電率化された絶縁膜にコンタクトホールをエッチングする工程と、ＣＯ２を含むアッシングガスを供給する工程と、ＣＯ２を含む前記アッシングガスからプラズマを形成する工程と、ＣＯ２を含む前記アッシングガスから形成された前記プラズマからの生成物を用いて、前記パターニングされたフォトレジストを剥離する工程と、を備える方法では、従来法である酸素ガスプラズマアッシングによるフォトレジスト剥離に比べ、低誘電率化された絶縁膜側壁からの炭素原子の脱離を無くすことが出来る旨、記載されている。
　
　したがって、引用刊行物には、
「有機シリコン酸化膜等からなる低誘電率化された絶縁膜（ＬＫＤ膜）にコンタクトホールを形成する方法であって、
　前記低誘電率化された絶縁膜をシリコン半導体等の半導体基板上に形成する工程と、
　パターニングされたフォトレジストを前記低誘電率化された絶縁膜の上に形成する工程と、
　前記低誘電率化された絶縁膜にコンタクトホールをエッチングする工程と、
　ＣＯ２を含むアッシングガスを供給する工程と、
　ＣＯ２を含む前記アッシングガスからプラズマを形成する工程と、
　ＣＯ２を含む前記アッシングガスから形成された前記プラズマからの生成物を用いて、前記パターニングされたフォトレジストを剥離する工程とを備える方法」の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。
　
［５］対比・判断
　引用発明における「低誘電率化された絶縁膜（ＬＫＤ膜）」、「コンタクトホールを形成」、「シリコン半導体等の半導体基板上に形成」、「パターニングされたフォトレジスト」、「前記低誘電率化された絶縁膜の上に形成」、「コンタクトホールをエッチングする」、「アッシングガス」は、それぞれ、本願発明の「低誘電体層」、「形状を形成」、「基板の上に配置」、「パターニングされたフォトレジストマスク」、「前記誘電体層の上に配置」、「少なくとも１つの形状をエッチングする」、「剥離ガス」に相当する。
　
　したがって、両者は、
「低誘電体層に形状を形成するための方法であって、
　低誘電体層を基板の上に配置する工程と、
　パターニングされたフォトレジストマスクを前記誘電体層の上に配置する工程と、
　前記低誘電体層に少なくとも１つの形状をエッチングする工程と、
　ＣＯ２を含む剥離ガスを供給する工程と、
　ＣＯ２を含む前記剥離ガスからプラズマを形成する工程と、
　ＣＯ２を含む前記剥離ガスから形成された前記プラズマからの生成物を用いて、前記パターニングされたフォトレジストマスクを剥離する工程と、を備える方法。」である点で一致し、以下の点で相違する。
　
（相違点１）
　低誘電体層が、本願発明では、「多孔質有機ケイ酸塩ガラス」であるのに対し、引用発明では、「有機シリコン酸化膜等からなる」点。
　
（相違点２）
　前記剥離ガスが、本願発明では、「全流量を有し、前記ＣＯ２の流量は、前記全流量の少なくとも２５％である」のに対し、引用発明では、そのような特定がない点。
　
  上記各相違点について検討する。
・（相違点１）について
　下記周知文献１−３にも記載のとおり、半導体装置等に用いられる低誘電率絶縁膜材料として、有機ケイ酸塩ガラスは周知のものであり、同文献３には、ポーラスな有機ケイ酸塩ガラス、すなわち多孔性有機ケイ酸塩ガラスについても記載されている。
　また、有機ケイ酸塩ガラス表面からのフォトレジストの除去を、周知のＯ２剥離処理で行うと、酸素プラズマにより、ＯＳＧフイルムから炭素と水素が除去され、フイルムが不安定になり、誘電率が増大する課題があることも周知である（例えば、下記周知文献４参照）。
　
　周知文献１：特開２００２−３２９７８０号公報
　「【００５５】絶縁膜８ａ上には、例えばタングステンからなる第１層配線Ｌ１が形成されている。第１層配線Ｌ１は、プラグ１０を通じてｎＭＩＳＱｎおよびｐＭＩＳＱｐのソ−ス・ドレイン用の半導体領域６，７やゲート電極４と電気的に接続されている。また、絶縁膜８ａ上には、第１層配線Ｌ１を覆うように、絶縁膜８ｂ，８ｃが下層から順に堆積されている。
【００５６】絶縁膜８ｂは、例えば……有機シリカガラス等のような低誘電率材料からなる。……
……上記有機シリカガラス（ＳｉＯＣ系材料）としては、例えば……、Ｂｌａｃｋ　Ｄｉａｍｏｎｄ（米Applied Materials，Inc製、比誘電率＝３．０〜２．４、耐熱温度＝４５０℃）……等がある。この他のＳｉＯＣ系材料としては、例えばＣＯＲＡＬ（米Novellus　Systems，Inc製、比誘電率＝２．７〜２．４、耐熱温度＝５００℃）、……等がある。」（第８頁第１４欄第３２行−第９頁第１５欄第９行）
　
　周知文献２：特開２００３−２４３５０５号公報
　「【００１６】低ｋ誘電体膜の特徴は、誘電率が二酸化ケイ素の誘電率（典型的には約３．９〜４．１）よりも低いことである。
　……
　……典型的な実施形態においては、低ｋ誘電体膜は有機ケイ酸塩ガラス（ＯＳＧ）であり得る。」（第４頁第６欄第２０行−第３１行）
　
　周知文献３：国際公開第２００２／０５２６４２号
・「Ｔｈｅ　ｐｒｅｓｅｎｔ　ｉｎｖｅｎｔｉｏｎ　ｒｅｌａｔｅｓ　ｔｏ
ｔｈｅ　ｆｏｒｍａｔｉｏｎ　ｏｆ　ｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ　ｉｎ　ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ　ｄｅｖｉｃｅｓ　ｓｕｃｈ　ａｓ　ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ　ｃｉｒｃｕｉｔ　ｄｅｖｉｃｅｓ．」（第１頁第１０行−第１１行）
・「Ｔｈｉｓ　ｉｓ　ｐａｒｔｉｃｕｌａｒｌｙ　ｉｍｐｏｒｔａｎｔ　ｆｏｒ　ａ　ｃｌａｓｓ　ｏｆ　ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ　ｍａｔｅｒｉａｌｓ
ｒｅｆｅｒｒｅｄ　ｔｏ　ａｓ　ｏｒｇａｎｏｓｉｌｉｃａｔｅ　ｇｌａｓｓｅｓ　（ＯＳＧｓ），ｗｈｉｃｈ　ｉｎｃｌｕｄｅｓ　ｔｒａｄｅ　ｎａｍｅ　ｍａｔｅｒｉａｌｓ　ｓｕｃｈ　ａｓ　ＨＯＳＰＴＭ，Ｂｌａｃｋ　ＤｉａｍｏｎｄＴＭ　ａｎｄ　ＣｏｒａｌＴＭ．Ｔｈｅｓｅ　ｍａｔｅｒｉａｌｓ　ｃａｎ　ｂｅ　ｅｉｔｈｅｒ　ｐｏｒｏｕｓ　ｏｒ　ｎｏｎ−ｐｏｒｏｕｓ．Ｔｈｅｓｅ　ｍａｔｅｒｉａｌｓ　ａｒｅ　ｅｘｔｒｅｍｅｌｙ　ａｔｔｒａｃｔｉｖｅ　ｉｎ　ｔｈｅ　ｉｎｄｕｓｔｒｙ　ａｓ　ｔｈｅｉｒ　ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ　ｃｏｎｓｔａｎｔ　ｉｓ　ｍｕｃｈ　ｌｏｗｅｒ　ｔｈａｎ　ｔｈａｔ　ｏｆ　ｓｉｌｉｃｏｎ　ｄｉｏｘｉｄｅ．」（第２頁第１４行−第１９行）
　以下、当審による翻訳：
（・「本発明は、集積回路デバイスなどのマイクロエレクトロニクスデバイスにおける構造の形成に関する。」
・「これは、有機ケイ酸塩ガラス（ＯＳＧｓ）といわれる種類の誘電体材料の場合に、特に重要である。このガラスには、ＨＯＳＰ（商標）、Ｂｌａｃｋ　Ｄｉａｍｏｎｄ（商標）、およびＣｏｒａｌ（商標）などの商標名の材料が含まれる。これらの材料はポーラスまたは非ポーラスの何れかであり得る。これらの材料は、産業上極めて魅力的である。というのは、これらの誘電率は二酸化ケイ素のそれよりも非常に低いからである。」）
　
　周知文献４：特表２００４−５０２３１９号公報
「【０００６】
興味深い有機低誘電材料の種類として、有機ケイ酸塩ガラスすなわちＯＳＧを含む化合物が挙げられる。」（第４頁第３７行−第３８行）
「【００１３】
ＯＳＧ材料は、基本的に有機物をドープした酸化物なので、ほとんどの現在のフォトレジスト材料は、ＯＳＧ材料の有機物成分と同様の化学特性を持つ傾向にある。したがって、周知の酸素による方法を用いて、ウエハ表面のキャッププレートからフォトレジストなどの有機材料を除去すると、周知のＯ２剥離処理は、ウエハの表面から有機材料を除去できるだけではなく、エッチング形状の側壁や、他の露出した表面からも有機材料を除去するという悪影響を与える可能性もある。さらに、ＯＳＧ材料は、酸素プラズマに露出された際に酸化されやすい。酸素は、ＯＳＧフイルムから炭素と水素を除去するので、フイルムが不安定になり、フイルムの誘電率が増大する。」（
第６頁第１行−第９行）
　
　よって、これらの事項を勘案すると、引用発明における低誘電率化された絶縁膜（低誘電体層）を、「多孔性有機ケイ酸塩ガラス」とし、該相違点に係る本願発明の構成とすることは、当業者が容易に想到しえたことである。
　
・（相違点２）
　全アッシングガス（剥離ガス）におけるＣＯ２の割合をどの程度とするかは、剥離すべきフォトレジストの種類や量、あるいは圧力、温度、パワー等の条件に応じて適宜決定すべき設計的事項にすぎない。
　
　そして、本願発明が、引用刊行物に記載された発明および周知技術からは予想しえない格別の効果を奏するものとは認められない。
　
　したがって、本願発明は、引用刊行物に記載された発明および周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
［６］むすび
　以上のとおりであるから、本願請求項１に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、その他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。