(57)【要約】多層配線基板（１）は、絶縁層（２０，３０）および配線層（４０）よりなる積層構造を有する。多層配線基板（１）の製造方法は、金属密着層（５０）が設けられた支持フィルムを、絶縁層（２０）に対して、金属密着層（５０）を介して張り合わせる工程と、金属密着層（５０）を絶縁層（２０）に転写しつつ支持フィルムを除去する工程と、金属密着層（５０）上にレジストパターンを形成し、当該レジストパターンの非マスク領域にめっき膜を設けることによって配線層（４０）を形成する工程と、レジストパターンを除去し、配線層（４０）に覆われていない金属密着層（５０）を除去する工程とを含む。
2003032701.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層および配線層よりなる積層構造を有する多層配線基板を製造するための方法であって、
金属密着層が設けられた支持フィルムを、絶縁層に対して、前記金属密着層を介して張り合わせる工程と、
前記金属密着層を前記絶縁層に転写しつつ前記支持フィルムを除去する工程と、
前記金属密着層上にレジストパターンを形成し、当該レジストパターンの非マスク領域にめっき膜を設けることによって配線層を形成する工程と、
前記レジストパターンを除去し、前記配線層に覆われていない金属密着層を除去する工程と、を含むことを特徴とする、多層配線基板の製造方法。
【請求項２】
絶縁層および配線層よりなる積層構造を有する多層配線基板を製造するための方法であって、
金属密着層が設けられた支持フィルムを、絶縁層に対して、前記金属密着層を介して張り合わせる工程と、
前記金属密着層を前記絶縁層に転写しつつ前記支持フィルムを除去する工程と、
前記絶縁層およびこれに積層された前記金属密着層に対してビアホールを形成する工程と、
前記金属密着層上にレジストパターンを形成し、当該レジストパターンの非マスク領域にめっき膜を設けることによって、前記金属密着層上に配線層を形成するとともに前記ビアホールにビアを形成する工程と、
前記レジストパターンを除去し、前記配線層に覆われていない金属密着層を除去する工程と、を含むことを特徴とする、多層配線基板の製造方法。
【請求項３】
前記支持フィルムを張り合せる工程においては、前記支持フィルムを前記絶縁層に対して加圧する、請求項１または２に記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項４】
前記支持フィルムを張り合せる工程は、加熱下で行う、請求項１から３のいずれか１つに記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項５】
前記絶縁層は熱硬化性樹脂を含み、前記支持フィルムを張り合わせる工程における前記絶縁層は完全硬化前状態にあり、前記支持フィルムを張り合わせた後に前記絶縁層を硬化させる工程を更に含む、請求項１から４のいずれか１つに記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項６】
前記レジストパターンを形成する工程の前に、前記金属密着層上に、銅、ニッケル、およびコバルトからなる群より選択される金属により、無電解めっき膜を形成する工程を更に含む、請求項１から５のいずれか１つに記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項７】
前記金属密着層は、クロム、チタン、ニッケル、コバルト、および亜鉛からなる群より選択される金属を含む、請求項１から６のいずれか１つに記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項８】
前記金属密着層は、前記絶縁層に対して１０％以上の被覆率で設けられる、請求項１から７のいずれか１つに記載の多層配線板の製造方法。
【請求項９】
前記金属密着層は、０．０１〜１．０μｍの厚みを有する、請求項１から８のいずれか１つに記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項１０】
前記絶縁層は、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、マレイミド樹脂、ビスマレイミド樹脂、シアネート樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリフェニレンオキサイド樹脂、オレフィン樹脂、およびフッ素含有樹脂からなる群より選択される樹脂を含む、請求項１から９のいずれか１つに記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項１１】
絶縁層および配線層よりなる積層構造ならびに前記配線層間を電気的に接続するためのビアを有する多層配線基板であって、
前記配線層は、金属密着層を介して前記絶縁層に積層された金属膜により形成され、
前記金属膜は、前記絶縁層に形成されたビアホールに入り込んで前記ビアを形成するとともに、前記金属密着層は、前記ビアホールに入り込んでいないことを特徴とする、多層配線基板。
【請求項１２】
前記金属密着層は、クロム、チタン、ニッケル、コバルト、および亜鉛からなる群より選択される金属を含む、請求項１１に記載の多層配線基板。
【請求項１３】
前記金属密着層は、前記絶縁層に対して１０％以上の被覆率で設けられている、請求項１１または１２に記載の多層配線板。
【請求項１４】
前記金属密着層は、０．０１〜１．０μｍの厚みを有する、請求項１１から１３のいずれか１つに記載の多層配線基板。
【請求項１５】
前記絶縁層は、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、マレイミド樹脂、ビスマレイミド樹脂、シアネート樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリフェニレンオキサイド樹脂、オレフィン樹脂、およびフッ素含有樹脂からなる群より選択される樹脂を含む、請求項１１から１４のいずれか１つに記載の多層配線基板。
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は、電気・電子機器の回路系に使用される多層配線基板の製造方法、およびこれにより製造される多層配線基板に関する。
背景技術
近年、電子機器に対する小型化、高性能化および低価格化等の要求に伴い、電子部品の高密度実装化が急速に進んでいる。そのような高密度実装化に対応すべく、電子部品を実装するための基板などについては、配線が多層化されたビルドアップ多層配線構造が採用される場合が多い。
ビルドアップ多層配線構造では、複数の絶縁層間に配線層が埋設されており、各配線層間は、絶縁層に開設されたビアホールに形成されるビアによって、電気的に接続される。ビアホールの形成手法としては、絶縁層に対して、感光性樹脂を用いてフォトリソグラフィ技術により穴を形成する方法や、レーザーを照射することによって穴を形成する方法などが採用される。
絶縁層にビアホールを形成した後、無電解めっきや電気めっきによって、絶縁層上に導体材料を成膜し、これをエッチングすることによって配線パターンを形成する。絶縁層上において配線パターンを形成した後、絶縁層の積層形成から配線パターン形成までの一連の工程を所定回数繰り返すことによって、回路の多層化を図ることができ、回路の集積度を高めることができる。
ビルドアップ配線構造をとる従来の多層配線基板において、絶縁層と配線層との密着性を確保するためには、絶縁層の表面を粗面化し、ある程度凹凸がつけられた絶縁層上に配線層を積層形成していた。より具体的には、最外層の絶縁層樹脂表面に対して、膨潤液、粗化液、中和液に順次浸漬することによって、５μｍ程度の凹凸を形成し、この上に、例えば無電解銅めっきおよび電気銅めっきを順次施して銅配線層を形成した。こうすることによって、樹脂層と銅配線層との間において、物理的なアンカー効果によって密着性を得ていた。
例えば、特開平５５−１１１１９８号公報、特開平１０−２４５３５９号公報、特開平１１−６８３０８号公報にも、配線層を絶縁層に対して良好に積層形成することを目的とする技術が開示されている。
しかしながら、これらに見られるような従来の手法によっては、絶縁層と配線層との間に充分な密着性を達成できない場合があった。例えばＪＩＳ−Ｃ−６４８１に準じた９０度剥離試験において示される剥離強度については、１ｋｇ／ｃｍ未満である場合が多数である。絶縁層に対する配線層の密着性が充分でないと、微細配線構造を適切に形成できない等の不具合が生じ易い。
また、上述のように、絶縁層の表面を或る程度にまで粗面化して、絶縁層と配線層との接合面における物理的なアンカー効果によって密着性を向上させる技術が知られているが、従来のような平均粗さ５μｍ程度にまで粗面化すると、接触面積のより小さい配線においては、絶縁層に対する密着性が低下する傾向にあり、配線の微細化が阻害される場合もある。そのため、ビルドアップ配線構造をとる多層配線基板における絶縁層に対する配線層の密着性については、配線の微細化を阻害しない程度にまで絶縁層の粗面化を抑えつつ、上述の９０度剥離試験において１ｋｇ／ｃｍ以上の剥離強度を達成することが求められている。
発明の開示
本発明は、このような事情のもとで考え出されたものであって、絶縁層と配線層との間において高い密着性が達成される多層基板の製造方法、およびこれにより製造された多層配線基板を提供することを目的とする。
本発明の第１の側面によると、絶縁層および配線層よりなる積層構造を有する多層配線基板を製造するための方法が提供される。この方法は、金属密着層が設けられた支持フィルムを、絶縁層に対して、金属密着層を介して張り合わせる工程と、金属密着層を絶縁層に転写しつつ支持フィルムを除去する工程と、金属密着層上にレジストパターンを形成し、当該レジストパターンの非マスク領域にめっき膜を設けることによって配線層を形成する工程と、レジストパターンを除去し、配線層に覆われていない金属密着層を除去する工程とを含む。
このような構成によると、絶縁層に対する配線層の密着性を高めることができる。本発明の第１の側面では、樹脂材料よりなる絶縁層および金属材料よりなる配線層に対する密着性が比較的高い金属材料よりなる金属密着層を介して、配線層が絶縁層に積層形成されるところ、金属密着層は、金属密着層が設けられた支持フィルムを絶縁層に対して当該金属密着層を介して張り合せることによって、絶縁層上に積層される。この張り合わせ工程は、例えば真空プレスや真空ラミネートにより、絶縁層に対して加圧した条件下で行うことができる。そのため、金属密着層をめっき技術などにより成膜する場合よりも、金属密着層を絶縁層に対してより強固な接合状態で成膜することができる。その結果、配線層の絶縁層に対する密着性も、金属密着層を介して向上することとなる。また、絶縁層に対して粗面化処理を施す場合であっても、配線の微細化を阻害しない程度にまで粗面化の程度を抑えつつ、充分な密着性を得ることができる。その結果、多層配線基板において、良好な微細配線構造を形成することが可能となる。
本発明の第２の側面によると、絶縁層および配線層よりなる積層構造を有する多層配線基板を製造するための他の方法が提供される。この方法は、金属密着層が設けられた支持フィルムを、絶縁層に対して、金属密着層を介して張り合わせる工程と、金属密着層を絶縁層に転写しつつ支持フィルムを除去する工程と、絶縁層およびこれに積層された金属密着層に対してビアホールを形成する工程と、金属密着層上にレジストパターンを形成し、当該レジストパターンの非マスク領域にめっき膜を設けることによって、金属密着層上に配線層を形成するとともにビアホールにビアを形成する工程と、レジストパターンを除去し、配線層に覆われていない金属密着層を除去する工程とを含む。
このような構成によっても、配線層の絶縁層に対する密着性について、本発明の第１の側面に関して上述したのと同様の効果が奏される。加えて、本発明の第２の側面によると、ビアホールには金属密着層が形成されないので、金属密着層に導電性の低い材料を使用する場合であっても、配線層間の電気的接合を適切に達成することができる。
好ましくは、支持フィルムを張り合せる工程においては、支持フィルムを絶縁層に対して加圧する。好ましくは、支持フィルムを張り合せる工程は、加熱下で行う。これらのような構成により、絶縁層に対して支持フィルムを張り合わせる工程を、より良好に行うことができる。
好ましくは、絶縁層は熱硬化性樹脂を含み、支持フィルムを張り合わせる工程における絶縁層は完全硬化前状態にあり、支持フィルムを張り合わせた後に絶縁層を硬化させる工程を更に含む。このような構成により、絶縁層が熱硬化性樹脂を含む場合において、絶縁層に対して金属密着層を張り合わせるのと同時に、絶縁層を硬化させることができ、多層配線基板の製造の効率化が図られる。
好ましくは、レジストパターンを形成する工程の前に、金属密着層上に、銅、ニッケル、およびコバルトからなる群より選択される金属により、無電解めっき膜を形成する工程を更に含む。このような構成によると、後に行われるめっき膜を設ける工程を、当該無電解めっき上における電気めっき技術により行うことができる。
本発明の第３の側面によると、絶縁層および配線層よりなる積層構造ならびに配線層間を電気的に接続するためのビアを有する多層配線基板が提供される。この多層配線基板では、配線層は、金属密着層を介して絶縁層に積層された金属膜により形成され、金属膜は、絶縁層に形成されたビアホールに入り込んでビアを形成するとともに、金属密着層は、ビアホールに入り込んでいない。
本発明の第１から第３の側面において、好ましくは、金属密着層は、クロム、チタン、ニッケル、コバルト、および亜鉛からなる群より選択される金属を含む。これらの金属は、配線層を構成する導体材料の、絶縁層を構成する樹脂材料に対する密着性を向上させ得る。
好ましくは、金属密着層は、絶縁層に対して１０〜１００％の被覆率で設けられる。
好ましくは、金属密着層は、０．０１〜１．０μｍの厚みを有する。これにより、配線構造ないし多層配線基板の薄肉形成が確保される。
好ましくは、絶縁層は、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、マレイミド樹脂、ビスマレイミド樹脂、シアネート樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリフェニレンオキサイド樹脂、オレフィン樹脂、およびフッ素含有樹脂からなる群より選択される樹脂を含む。
本発明においては、好ましくは、支持フィルムの平均表面粗さは５μｍ以下とされる。従来の多層配線基板においては、絶縁層と配線層との密着性向上の観点より、配線層が接する絶縁層の平均表面粗さは、比較的高く、積極的な粗面化処理によって５μｍ程度とされていた。このような高い表面粗さ、即ち表面凸凹に基づくアンカー効果によって、絶縁層に対する配線層の密着性を確保していた。これに対し、本発明では、平均表面粗さが５μｍ以下であって充分なアンカー効果を期待できない場合であっても、支持フィルの張り合わせによって絶縁層上に形成される金属密着層の介在によって、絶縁層に対する配線層の密着性を向上することができるのである。
発明を実施するための最良の形態
図１は、本発明に係る多層配線基板１の部分断面図である。多層配線基板１は、コア基板１０と、この上に積層された絶縁樹脂層２０，３０と、絶縁樹脂層２０と絶縁樹脂層３０との間に埋設された配線層４０と、配線層４０と絶縁樹脂層２０との間に介在する金属密着層５０とを備える。
コア基板１０は、ガラスクロスに樹脂を含浸させて、当該樹脂をＢ−ステージの状態としたプリプレグを複数積層したものを用い、その表面には、銅により内層配線パターン１１が形成されている。配線層４０は、絶縁樹脂層２０上においてパターン形成されたものであり、無電解銅めっき層４１と電気銅めっき層４２とからなる。金属密着層５０は、０．０１〜１．０μｍの厚みで絶縁層２０と配線層４０との間に介在することによって、絶縁層２０に対する配線層４０の密着性向上に寄与している。金属密着層５０を構成するための材料としては、例えば、クロム、チタン、ニッケル、コバルト、および亜鉛を用いることができる。また、配線層４０と内層配線パターン１１とは、ビアホール２０ａに形成されたビア４０ａを介して導通している。ビアホール２０ａには、金属密着層５０は形成されていない。
図２ａ〜図４ｄは、図１に示す多層配線基板１を製造するための工程を表す。多層配線基板１の製造においては、まず、図２ａに示すように、支持フィルム６０の表面に金属密着層５０を成膜する。具体的には、平均表面凹凸が５μｍ以下の支持フィルム６０を用意し、その表面に、クロメート処理やめっき処理などのウエットプロセス、または、スパッタ法や真空蒸着法などのドライプロセスによって、クロム、チタン、ニッケル、コバルト、および亜鉛などを構成材料として、金属密着層５０を、０．０１〜１．０μｍの厚みで形成する。支持フィルム６０としては、銅箔およびアルミニウム箔などの金属フィルムや、アルカリ可溶性の樹脂により構成されたフィルムを用いてもよい。ここで、アルカリ可溶性の樹脂としては、例えば、ドライフィルムレジストなどによく用いられているアクリル樹脂、好ましくは、水酸基を有するアクリル樹脂などが挙げられる。
次に、図２ｂおよび図２ｃに示すように、既に内層配線パターン１１を形成したコア基板１０の上に、多層配線基板１の絶縁層２０となる未硬化の絶縁樹脂膜２０を積層し、更に、金属密着層５０を形成した支持フィルム６０を、金属密着層５０が絶縁樹脂膜２０に接するように重ね、張り合わせる。このとき、絶縁樹脂膜２０を構成する樹脂材料の性質によっては、加熱下で張り合わせ工程を行ってもよいし、絶縁樹脂膜２０に対して支持フィルム６０を加圧してもよい。また、加熱下で張り合わせ工程を行う場合には、当該加熱によって、絶縁樹脂膜２０を固化ないし硬化させて、絶縁樹脂層２０を併せて形成してもよい。支持フィルム６０を加熱する必要のない場合には、絶縁樹脂膜２０を固化ないし硬化させるための加熱工程を行い、絶縁樹脂層２０を形成する。絶縁樹脂層２０を構成するための樹脂材料としては、例えば、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、マレイミド樹脂、ビスマレイミド樹脂、シアネート樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリフェニレンオキサイド樹脂、オレフィン樹脂、およびフッ素含有樹脂などを用いることができる。
次に、図２ｄに示すように、金属密着層５０を残しつつ、支持フィルム６０のみをエッチング処理などによって除去する。これによって、金属密着層５０が絶縁樹脂層２０に対して均一に転写される。絶縁樹脂層２０に対する金属密着層５０の被覆率は、１０〜１００％とされる。
次に、図３ａに示すように、絶縁樹脂層２０の所定箇所において、ビアホール２０ａを形成する。ビアホール２０ａの形成手段としては、炭酸ガスレーザ、エキシマレーザ、ＵＶ−ＹＡＧレーザを採用することができる。
次に、図３ｂに示すように、金属密着層５０の上方からの無電解銅めっき処理を施して、厚さ０．３μｍの無電解銅めっき層４１を形成する。金属密着層５０が絶縁樹脂層２０上の全面を被覆していない場合であっても、この無電解銅めっき処理によって形成される無電解銅めっき層４１が絶縁樹脂層２０上の全面を被覆し、後の工程の電気めっき処理における通電層として機能することとなる。ただし、金属密着層５０が全面に渡って積層されている場合には、当該金属密着層５０が通電層として機能し得る。
次に、図３ｃに示すように、無電解銅めっき層４１上にレジストパターン７０を形成する。具体的には、無電解銅めっき層４１上にフォトレジストを積層し、所望の配線パターンに対応した露光および現象により、当該フォトレジストをパターニングする。フォトレジストとしては、例えばＮＩＴ−２４０（日合モートン製）やＲＹ−３０４０（日立化成製）などを用いることができる。
次に、図３ｄに示すように、無電解銅めっき膜４１を通電層として、電気銅めっき処理を施す。これにより、レジストパターン７０の非マスク領域に厚さ１０μｍの電気銅めっき層４２を堆積成長させる。
次に、図４ａに示すように、レジストパターン７０を剥離する。剥離液としては、水酸化ナトリウム水溶液や有機アミン系水溶液を用いることができる。次に、図４ｂに示すように、電気銅めっき層４２に覆われていない無電解銅めっき膜４１およびその下方の金属密着層５０を除去する。具体的には、無電解銅めっき膜４１は、例えば、過酸化水素と硫酸の混合水溶液や塩化第二銅水溶液などを用いてエッチング除去し、続いて、金属密着層５０は、例えば硝酸第二セリウムアンモニウム水溶液などを用いてエッチング除去する。これによって、無電解銅めっき層４１および電気銅めっき層４２からなる配線層４０が、金属密着層５０を介して、絶縁樹脂層２０上に形成される。
次に、図４ｃに示すように、絶縁樹脂層２０に対して、配線層４０の上方から絶縁樹脂層３０を積層形成する。これによって、図１に示した多層配線基板１が形成される。
図４ｄは、上述の、絶縁樹脂層２０に対する金属密着層５０の転写から、配線層４０の形成までの一連の工程を繰り返した場合の多層配線基板を表す。このように、当該一連の工程を所定数繰り返すことによって、所望の積層数を達成することができる。
以下、本発明の実施例を比較例とともに説明する。
（実施例１）
＜サンプル基板の作製＞
支持フィルムとしての銅箔（厚さ：１８μｍ、平均表面粗さ：１μｍ）の表面にクロメート処理を施すことによって、金属密着層としてのクロム密着層を形成した。次いで、コア基板としての銅張ＢＴレジン基板（１００×１００×１．６ｍｍ、三菱ガス化学製）の銅表面に、絶縁樹脂層としての熱可塑性ポリイミドフィルム（膜厚：３５μｍ、商品名：エスパネックス、新日鉄化学製）を重ね、更に、クロム密着層を形成した上述の銅箔を、クロム密着層とポリイミドが接するように重ね、真空プレスにより、プレス温度２１０℃およびプレス圧力３ＭＰａの条件にて１０分間プレスした。その後、真空プレスから取り出し、大気圧下にて１８０℃で１時間加熱し、絶縁樹脂層を硬化させた。次いで、支持フィルムとしての銅箔を過酸化水素−硫酸の混合液でエッチング除去し、絶縁樹脂層表面にクロム密着層だけを残した。次いで、クロム密着層上の全面に無電解銅めっき膜（膜厚：０．３μｍ）を形成し、その上に電気銅めっき膜（膜厚３０μｍ）を成膜することによって、配線層としての銅めっき膜を形成した。次いで、１７０℃で１時間のアニール処理を施した後、銅めっき膜を１ｃｍ幅に切り込んだ。このようにして本実施例のサンプル基板を作製した。
＜剥離強度の測定＞
上述のようにして得られたサンプル基板における銅めっき膜について、剥離強度を測定した。その結果、本実施例における銅めっき膜は、熱可塑性ポリイミドに対して１．２ｋｇｆ／ｃｍの剥離強度を示した。過剰の負荷により剥離した銅めっき膜の剥離面の表面粗さについて調べたところ、平均表面粗さは１μｍであった。
（実施例２）
支持フィルムとして、平均表面粗さが１μｍの銅箔に代えて平均表面粗さが５μｍの銅箔を用いた以外は、実施例１と同様の方法によりサンプル基板を作製した。そして、このサンプル基板における銅めっき膜について、実施例１と同様にして、剥離強度を測定した。その結果、本実施例における銅めっき膜は、１．２ｋｇｆ／ｃｍの剥離強度を示し、実施例１と同等であった。
（比較例１）
金属密着層としてのクロム密着層を形成せずに、熱可塑性ポリイミドフィルムのみを真空プレスにより硬化させ、その上に無電解銅めっきおよび電気銅めっきを施した以外は、実施例１と同様にしてサンプル基板の作製を試みた。すると、電気銅めっきの最中にポリイミド表面から銅めっき膜が剥がれた。そのため、剥離強度を測定するに至らなかった。
（実施例３）
＜サンプル基板の作製＞
支持フィルムとしてのアルミニウム箔（厚さ：２５μｍ、平均表面粗さ：２μｍ）の表面に、スパッタリングにより厚さ０．２μｍのチタンを成膜し、金属密着層としてのチタン密着層を形成した。コア基板としての銅張ＢＴレジン基板（１００×１００×１．６ｍｍ、三菱ガス化学製）の銅表面に、絶縁樹脂層としての半硬化状態の熱硬化性エポキシ樹脂シート（膜厚：５０μｍ、商品名：ＳＨ−９、味の素製）を重ね、更に、チタン密着層を形成した上述のアルミニウム箔を、チタン密着層とエポキシ樹脂シートが接するように重ね、真空ラミネートにより、温度１３０℃および圧力１ＭＰａの条件にて３分間ラミネートした。その後、真空ラミネートから取り出し、大気圧下にて１７０℃で１時間加熱し、絶縁樹脂層を硬化させた。次いで、アルミニウム箔を塩酸でエッチング除去し、絶縁樹脂層表面にチタン密着層だけを残した。次に、チタン密着層上の全面に無電解銅めっき膜（膜厚：０．３μｍ）を形成し、その上に電気銅めっき膜（膜厚３０μｍ）を成膜することによって、配線層としての銅めっき膜を形成した。次いで、１７０℃で１時間のアニール処理を施した後、銅めっき膜を１ｃｍ幅に切り込んだ。このようにしてサンプル基板を作製した。
＜剥離強度の測定＞
上述のようにして得られサンプル基板における銅めっき膜について、剥離強度を測定した。その結果、本実施例における銅めっき膜は、熱硬化性エポキシ樹脂に対して１．０ｋｇｆ／ｃｍの剥離強度を示した。過剰の負荷により剥離した銅めっき膜の剥離面の表面粗さについて調べたところ、平均表面粗さは２μｍであった。
（実施例４）
支持フィルムとしての銅箔（厚さ：１８μｍ、平均表面粗さ：１μｍ）の表面にクロメート処理を施すことによって、金属密着層としてのクロム密着層を形成した。コア基板としての銅張ＢＴレジン基板（１００×１００×１．６ｍｍ、三菱ガス化学製）の銅表面に、絶縁樹脂層としての熱可塑性ポリイミドフィルム（膜厚：２５μｍ、商品名：ＰＩＸＩＯ、鐘淵化学工業製）を重ね、更に、クロム密着層を形成した上述の銅箔を、クロム密着層とポリイミドが接するように重ね、真空ラミネートにより、温度１８０℃および圧力０．５ＭＰａの条件にて３分間ラミネートした。その後、真空ラミネートから取り出し、大気圧下にて２１０℃で３０分間加熱し、絶縁樹脂層を硬化させた。次いで、銅箔を塩化第二銅水溶液でエッチング除去し、絶縁樹脂層表面にクロム密着層だけを残した。次いで、絶縁樹脂層に対して炭酸ガスレーザでφ８０μｍのビアホールを形成した。次いで、クロム密着層上に無電解銅めっきを施して通電層を成膜した。次いで、通電層上にフォトレジスト（商品名：ＮＩＴ−２５０、日合モートン製）を成膜し、これをパターニングすることによってレジストパターンを形成した。このレジストパターンの非マスク領域に対して厚さ３０μｍの電気銅めっき層を堆積成長させ、その後、レジストパターンを剥離した。次いで、電気銅めっき層に被覆されていない通電層を過酸化水素と硫酸の混合液でエッチング除去し、続いて、同じく露出しているクロム密着層を硝酸第二セリウムアンモニウム水溶液でエッチング除去することによって、クロム密着層を介して配線層を絶縁樹脂層上に形成した。その結果、絶縁樹脂層に対する密着性の高い、配線幅３０μｍの微細配線構造を形成することができた。
【図面の簡単な説明】
図１は、本発明に係る多層配線基板の断面図である。
図２ａ〜図２ｄは、図１に示す多層配線基板の製造方法における一部の工程を表す。
図３ａ〜図３ｄは、図２ｄに続く工程を表す。
図４ａ〜図４ｄは、図３ｄに続く工程を表す。
【図１】
2003032701.tif 000003
【図２ａ】
2003032701.tif 000004
【図２ｂ】
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【図２ｃ】
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【図２ｄ】
2003032701.tif 000007
【図３ａ】
2003032701.tif 000008
【図３ｂ】
2003032701.tif 000009
【図３ｃ】
2003032701.tif 000010
【図３ｄ】
2003032701.tif 000011
【図４ａ】
2003032701.tif 000012
【図４ｂ】
2003032701.tif 000013
【図４ｃ】
2003032701.tif 000014
【図４ｄ】
2003032701.tif 000015
【国際調査報告】
2003032701.tif 000016
2003032701.tif 000017