【事件の表示】
　特願２００５−３８０６２３「固体撮像装置およびその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１９年　７月１９日出願公開、特開２００７−１８４３１１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯
　本願は、平成１７年１２月２９日の特許出願であって、平成２３年４月２７日付けの拒絶理由通知に対して同年７月５日に意見書及び手続補正書が提出されたが、同年７月２１日付けで拒絶査定がなされた。
　それに対して、同年１０月２６日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに手続補正書が提出され、その後、平成２４年３月２１日付けで審尋がなされ、同年５月２８日に回答書が提出された。
　
第２．補正の却下の決定
【補正の却下の決定の結論】
　平成２３年１０月２６日に提出された手続補正書による補正を却下する。
　
【理由】
１．補正の内容
　平成２３年１０月２６日に提出された手続補正書による補正（以下「本件補正」という。）は、補正前の特許請求の範囲の請求項１〜８を補正して、補正後の特許請求の範囲の請求項１〜８とするとともに、明細書の補正を行うものであり、補正前後の請求項１及び６は各々次のとおりである。
　
（補正前）
　「【請求項１】
　撮像画素が配置された領域と、黒基準画素が配置された領域と、周辺回路部と、パッド部とを有する固体撮像装置であって、
　少なくとも前記撮像画素が配置された領域に、配線層が設けられ、
　前記パッド部に、前記配線層とは異なる金属層からなる外部リードのコンタクトパッドが設けられ、
　前記黒基準画素が配置された領域と前記周辺回路部に、前記コンタクトパッドと同一層で構成された遮光層が設けられた
ことを特徴とする固体撮像装置。」
　「【請求項６】
　基体において、少なくとも撮像画素が配置された領域に配線層を形成する工程と、
　同一層によって同時に、前記基体におけるパッド部に外部リードのコンタクトパッドを形成すると共に、当該基体における黒基準画素が配置された領域と周辺回路部とに遮光層を形成する工程と
を有する固体撮像装置の製造方法。」
　
（補正後）
　「【請求項１】
　撮像画素が配置された領域と、黒基準画素が配置された領域と、周辺回路部と、パッド部とを有する固体撮像装置であって、
　前記撮像画素が配置された領域と前記周辺回路部に、配線層が設けられ、
　前記パッド部に、前記配線層とは異なる金属層からなる外部リードのコンタクトパッドが設けられ、
　前記黒基準画素が配置された領域と前記周辺回路部に、前記コンタクトパッドと同一層で構成された遮光層が設けられた
ことを特徴とする固体撮像装置。」
　「【請求項６】
　基体において、撮像画素が配置された領域と周辺回路部に配線層を形成する工程と、
　同一層によって同時に、前記基体におけるパッド部に外部リードのコンタクトパッドを形成すると共に、当該基体における黒基準画素が配置された領域と周辺回路部とに遮光層を形成する工程と
を有する固体撮像装置の製造方法。」
　
２．補正事項の整理
　本件補正による補正事項を整理すると次のとおりである。
　
（１）補正事項１
　補正前の請求項１の「少なくとも前記撮像画素が配置された領域に、配線層が設けられ、」を、「前記撮像画素が配置された領域と前記周辺回路部に、配線層が設けられ、」と補正して、補正後の請求項１とすること。
　
（２）補正事項２
　補正前の請求項６の「基体において、少なくとも撮像画素が配置された領域に配線層を形成する工程と、」を、「基体において、撮像画素が配置された領域と周辺回路部に配線層を形成する工程と、」と補正して、補正後の請求項６とすること。
　
（３）補正事項３
　補正前の明細書の０００７段落及び０００８段落を補正して、補正後の明細書の０００７段落及び０００８段落とすること。
　
３．新規事項の追加の有無、及び補正の目的の適否についての検討
（１）補正事項１について
　補正事項１により補正された部分は、本願の願書に最初に添付した明細書（以下「当初明細書」という。また、本願の願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面を「当初明細書等」という。）の００１８段落等に記載されているものと認められるから、補正事項１は、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものである。
　したがって、補正事項１は、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものであるから、特許法第１７条の２第３項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項をいう。以下同じ。）に規定する要件を満たす。
　また、補正事項１は、補正前の請求項１に係る発明の発明特定事項である「配線層」に対して技術的限定を加えるものであるから、特許法第１７条の２第４項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項をいう。以下同じ。）第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　したがって、補正事項１は、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たす。
　
（２）補正事項２について
　補正事項２により補正された部分は、当初明細書の００１８段落等に記載されているものと認められるから、補正事項２は、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものである。
　したがって、補正事項２は、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものであるから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たす。
　また、補正事項２は、補正前の請求項６に係る発明の発明特定事項である「配線層を形成する工程」に対して技術的限定を加えるものであるから、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　したがって、補正事項２は、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たす。
　
（３）補正事項３について
　補正事項３は、補正事項１及び２と整合するように明細書の記載を補正するものであるから、補正事項１及び２と同様に、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たす。
　
（４）新規事項の追加の有無、及び補正の目的の適否についてのまとめ
　以上検討したとおりであるから、本件補正は、特許法第１７条の２第３項及び第４項に規定する要件を満たす。
　そして、本件補正は、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする補正を含むものであるから、本件補正による補正後の特許請求の範囲に記載されている事項により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否か、すなわち、本件補正がいわゆる独立特許要件を満たすものであるか否かにつき、以下において更に検討する。
　
４．独立特許要件についての検討
（１）補正後の発明
　本願の本件補正による補正後の請求項１〜８に係る発明は、本件補正により補正された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜８に記載されている事項により特定されるとおりのものであり、そのうちの請求項１に係る発明（以下「補正発明」という。）は、請求項１に記載されている事項により特定される上記第２．１．に補正後の請求項１として記載したとおりのものであって、再掲すると次のとおりである。
　
　「【請求項１】
　撮像画素が配置された領域と、黒基準画素が配置された領域と、周辺回路部と、パッド部とを有する固体撮像装置であって、
　前記撮像画素が配置された領域と前記周辺回路部に、配線層が設けられ、
　前記パッド部に、前記配線層とは異なる金属層からなる外部リードのコンタクトパッドが設けられ、
　前記黒基準画素が配置された領域と前記周辺回路部に、前記コンタクトパッドと同一層で構成された遮光層が設けられた
ことを特徴とする固体撮像装置。」
　
（２）引用刊行物に記載された発明
（２−１）引用例１：特開２００５−１２１８９号公報
（２−１−１）本願の出願前に日本国内において頒布され、原査定の根拠となった拒絶の理由において引用された刊行物である特開２００５−１２１８９号公報（以下「引用例１」という。）には、図１、１０及び１１とともに次の記載がある（ここにおいて、下線は当合議体にて付加したものである。以下同じ。）。
　
ａ．「【０００１】
　
本発明は、デジタルカメラ、ビデオカメラ、イメージリーダなどの画像入力装置に用いられる光電変換装置およびその製造方法に関する
【背景技術】
【０００２】
　近年では、デジタルカメラ、ビデオカメラ、イメージリーダ等の画像入力装置には、ＣＣＤイメージセンサや、バイポーラトランジスタ型イメージセンサ、電界効果トランジスタ型イメージセンサやＣＭＯＳイメージセンサ等の非ＣＣＤ型のイメージセンサと呼ばれる光電変換装置が設けられ、ここで光学的画像情報を電気信号に変換し、この変換された電気信号に各種の信号処理を施して表示器に表示したり、記憶媒体に記録したりしている。
【０００３】
　
高性能な光電変換装置を得るには、実際に光電変換を行う受光部である光電変換素子の受光面の面積（画素面積）を小さくして、配置される光電変換素子の数を多くするとともに光電変換装置のチップサイズを小さくすることが望まれている
　
ｂ．「【００１２】
　
そこで本発明は、実質的な感度低下をもたらすことなく集光効率を高めることができる層内レンズを有する光電変換装置およびその製造方法を提供することを目的とする
　
ｃ．「【００１９】
　（第１の実施形態）
　
図１は、本発明の第１の実施形態による光電変換装置の模式的断面図である
【００２０】
　
図１に示すように、本実施形態の光電変換装置では、半導体部材１３の上に、光電変換素子１が複数配列され、隣接する２つの光電変換素子１の間に素子分離領域２が設けられている。そして、その半導体部材１３の上に第１の絶縁膜３が設けられている。第１の絶縁膜３上には、素子分離領域２の上方に配置された第１のパターン４と、第１のパターン４を覆う第２の絶縁膜５と、素子分離領域２の上方かつ第１のパターン４の上方に配置された第２のパターン６と、第２のパターン６を覆う第３の絶縁膜７とが順次積層されている。そして、第３の絶縁膜７の上には、光電変換素子１から後述するマイクロレンズ１２へ向かう方向に凸形状（光の入射方向に対して凸形状）に形成された上凸型の層内レンズ８が設けられている。
【００２１】
　さらに、層内レンズ８の上には第１の平坦化膜９が設けられ、平坦化膜９の上には各光電変換素子１に対応して各色が配置されたカラーフィルタ層１０が設けられ、カラーフィルタ層１０の上には第２の平坦化膜１１が設けられ、第２の平坦化膜１１の上にはマイクロレンズ１２が設けられている。マイクロレンズ１２は、各光電変換素子１の上方に配置されている。
【００２２】
　光電変化素子１はＰＮ接合やＰＩＮ接合を有するフォトダイオードやフォトトランジスタなどからなり、このような半導体接合により形成される空乏層に光が入射し、ここで光電変換が起こるように構成されている。
【００２３】
　素子分離領域２は、選択酸化によるフィールド酸化膜、接合分離のための拡散層などに形成された部分である。光電変換素子１と素子分離領域２とが構成されている半導体部材１３は、例えばシリコン基板等からなる。
【００２４】
　第１および第２のパターン４，６は、光電変換素子１からの電気信号の伝達に用いる配線として機能する他、ある光電変換素子１に入射すべき光が他の光電変換素子１に入射することを防ぐ遮光部材としても機能するように、光電変換素子が感度を有する波長領域における光を遮光する半導体や金属等の導電性材料で構成されていることが好ましい。
【００２５】
　
また、光電変換装置には、電極を取り出す端子(電源等の外部回路と接続を行なう)の役割をなすパッド１４が設けられている。このパッド１４が構成されている領域には、層内レンズ、カラーフィルタ、マイクロレンズは、存在しない。しかしながら、パッド部の外側の領域には少なくとも層内レンズ、カラーフィルタのパターンが形成されていることが好ましい。
【００２６】
　第１、第２、および第３の絶縁膜３，５，７の材料は、光電変換素子１に吸収されて電気信号に変換される光を透過する材料であればよい。また、少なくとも第３の絶縁膜７は、化学的機械研磨（以下「ＣＭＰ」という。）等によって平坦化処理されていることが好ましい。」
　
ｄ．「【００２９】
　
次に、図１に示した本実施形態の光電変換装置の製造工程について、図２から図５を参照して説明する
【００３０】
　まず、図２（ａ）に示すように、シリコンウエハ等からなる半導体部材１３を用意して、ＬＯＣＯＳ法（シリコン局所酸化法）等により素子分離領域２を半導体部材１３上に形成する。次に、フォトレジストパターンを形成してイオン注入および熱処理を行い、例えばフォトダイオード（光電変化素子１）のカソードまたはアノードとなる拡散層を半導体部材１３上に形成する。
【００３１】
　続いて、熱酸化、ＣＶＤ法（化学蒸着法）、スパッタリング、塗布法などにより、第１の絶縁膜３を半導体部材１３上に形成する。ここで、第１の絶縁膜３の表面をＣＭＰ等により平坦化させておくと、次工程におけるパターニング精度を向上させることができる。
【００３２】
　
次に、Ａｌ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔａ、Ｔｉ、もしくはＣｕ、またはこれらを主成分とする合金からなる金属膜をスパッタリング、ＣＶＤ法、または電解メッキ法等により第１の絶縁膜３上に形成し、光電変化素子１の受光面の上方に位置する部分をエッチングにより除去することにより、所望の形状の第１のパターン４を形成する
【００３３】
　次に、ＳｉＯまたはこれを主成分とする材料からなる第２の絶縁膜５を、ＣＶＤ法により、第１の絶縁膜３および第１のパターン４の上に形成する。ここで、第２の絶縁膜５の表面をＣＭＰ等により平坦化させておくと、次工程におけるパターニング精度を向上させることができる。
【００３４】
　
次に、第１のパターン４と同様に、Ａｌ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔａ、Ｔｉ、もしくはＣｕ、またはこれらを主成分とする合金からなる金属膜をスパッタリング、ＣＶＤ法、または電解メッキ法等により第２の絶縁膜５上に形成し、光電変化素子１の受光面の上方に位置する部分をエッチングにより除去することにより、所望の形状の第２のパターン６およびパッド部１４を形成する
【００３５】
  
なお、第１および第２のパターン４，６は、光電変換素子１からの電気信号の伝達に用いる配線として機能する他、ある光電変換素子１に入射すべき光が他の光電変換素子１に入射することを防ぐ遮光板としても機能する。また、第２のパターンは、有効画素領域の外側に、基準信号を作成するための遮光領域（ｏｐｔｉｃａｌ ｂｌａｃｋ ｒｅｇｉｏｎ）を形成するための遮光部材も含んで形成される
　
ｅ．「【００６９】
　（第３の実施形態）
　
図１０は、本発明の第３の実施形態による光電変換装置の模式的断面図である。第１、第２の実施形態と同じ機能を有するものに関しては同様の符号を付し、詳細な説明は省略する
【００７０】
　
図１０に示すように、本実施形態の光電変換装置では、光電変換素子上のパターン（配線層）が３層（第１，第２，および第３のパターン１２４，１２６，１２８）形成されており、光電変換素子上に第１の絶縁層１２３、第１のパターン１２４、第２の絶縁層１２５、第２のパターン１２６、第３の絶縁層１２７、第３のパターン１２８、第４の絶縁層１２９がこの順で形成されている。各絶縁層はその表面がＣＭＰなどにより表面が平坦化されていることが好ましい。符号１２１は有効画素領域を示している
【００７１】
　
最上配線層（第３のパターン）１２８において、パッド部１４及び遮光領域（ｏｐｔｉｃａｌ ｂｌａｃｋ ｒｅｇｉｏｎ）１２２を形成するための遮光部材１３０を形成している。
【００７２】
　各絶縁膜の厚さに関して、第４の絶縁層１２９、すなわち、最上層の配線層１２８上に形成される絶縁層が、その他の絶縁層よりも薄いことが好ましい。これは、受光部までの光路長を短くするために各層はなるべく薄いことが好ましいが、各配線層にはさまれた絶縁層に関しては、配線間の寄生容量を低減するためにある程度の厚さが必要となる。これに対して、最上層の絶縁層１２９は、その後に層内レンズを形成するための平坦性が保たれればよい。したがって、寄生容量等を考慮する必要がなく、光路長を短くするために他の絶縁層よりも薄く形成されるのである。具体的には、最上配線層１２８の上に形成される第４の絶縁層１２９の膜厚は４００ｎｍ〜６００ｎｍ、その他の絶縁層は、７００ｎｍ〜９００ｎｍ程度に形成されるのが良い。
【００７３】
　（第４の実施形態）
　
図１１は、本発明の第４の実施形態による光電変換装置の模式的断面図である。第１、第２、第３の実施形態と同じ機能を有するものに関しては同様の符号を付し、詳細な説明は省略する
【００７４】
　
図１１に示すように、本実施形態の光電変換装置では、最上配線層では、有効画素領域の層内レンズ近傍に配線パターンが形成されず、パッド部１４及び遮光領域１２２用の遮光部材１３０が形成された構成となっている。
　
（２−１−２）ここにおいて、００６９段落〜００７２段落及び図１０に記載された「第３の実施形態」に係る光電変換素子（以下、単に「第３の実施形態」という。）に注目する。
　００２５段落の記載を勘案すると、当該第３の実施形態は、「有効画素領域１２１」、「遮光領域１２２」、及び外部回路と接続を行う端子の役割をなす「パッド部１４」が構成されている領域を備えていることが明らかである。
　また、００３２段落及び００３４段落の記載を勘案すると、第３の実施形態は、「有効画素領域１２１」に、「第１のパターン１２４」、「第２のパターン１２６」、及び「第３のパターン１２８」という３層の金属配線層が形成されていることが明らかである。
　さらに、００７０段落及び００７１段落並びに図１０の記載から、第３の実施形態は、「パッド部１４」が構成されている領域に、「第３のパターン１２８」により「パッド部１４」が形成されているとともに、「遮光領域１２２」に、「第３のパターン１２８」により「遮光部材１３０」が形成されていることも明らかである。
　
（２−１−３）そして、引用例１には、「パッド１４」という語と「パッド部１４」という語が混在して用いられているので、「パッド部１４」に統一して記述することとすると、引用例１には次の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されているものと認められる。
　
　「有効画素領域１２１と、遮光領域１２２と、外部回路と接続を行う端子の役割をなすパッド部１４が構成されている領域を備えた光電変換装置であって、
　前記有効画素領域１２１に、第１のパターン１２４、第２のパターン１２６、及び第３のパターン１２８という３層の金属配線層が形成され、
　前記パッド部１４が構成されている領域に、前記第３のパターン１２８により前記パッド部１４が形成されているとともに、前記遮光領域１２２に、前記第３のパターン１２８により前記遮光部材１３０が形成されている
　光電変換装置。」
　
（２−２）引用例２：特開２００３−２６４２８１号公報
（２−２−１）本願の出願前に日本国内において頒布され、原査定の根拠となった拒絶の理由において引用された刊行物である特開２００３−２６４２８１号公報（以下「引用例２」という。）には、図１、２及び５とともに次の記載がある）。
　
ａ．「【特許請求の範囲】
【請求項１】　
半導体基板に光電変換素子とその読み出し回路とを含む複数の単位画素を２次元アレイ状に配列した撮像領域と、前記撮像領域の各単位画素を制御する周辺回路とを設けるとともに、前記半導体基板上に複数層の配線層を配置した固体撮像素子において
前記複数層の配線層の少なくとも１つの配線層が下地絶縁層に形成した配線溝に埋め込まれて形成される埋め込み配線層である、ことを特徴とする固体撮像素子
　
ｂ．「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光電変換手段等を含む複数の単位画素が２次元配列された撮像領域を有する固体撮像素子及びその製造方法に関する。
（途中略）
【０００４】
ところで、近年では、携帯電話などのモバイル機器へのカメラ機能搭載の目的から、撮像素子の小型化、省電力化に対する要求が強まっている。このような要求に応えるためには、ＣＣＤ型の固体撮像素子よりも低電圧で動作可能であり、また、複雑な信号処理機能も容易にワンチップ化できる増幅型固体撮像素子（ＣＭＯＳイメージセンサ）が適している。
　
ｃ．「【０００８】ところで、被写体をレンズにより結像して撮像する固体撮像装置においては、シェーディングによる周辺減光の問題がある。具体的には、信号線などのチップ上の構造物による斜め光成分の乱反射により、画面中央部に比べて周辺部でフォトダイオードへの入射光量や光電変換効率が低下するという問題である。
特に近年はカメラ機能部品の小型化の要求から瞳距離の短い光学系が望まれるが、その場合、画面周辺の画素において斜めに入射する光の成分が信号線によって遮られるため、感度が低下し、シェーディングによる画質劣化が顕著になってしまう
　
ｄ．「【００１９】
そこで本発明は、以上のような実情に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、光電変換素子の受光面と多層配線との高低差を抑えることにより、シェーディング特性等を改善でき、小型化を図ることができる固体撮像素子及びその製造方法を提供することにある。
　
ｅ．「【００２６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明による固体撮像素子及びその製造方法の実施の形態例について説明する。
なお、本実施の形態においては、配線材料にはＣｕ、バリアメタルにはＴａやＴａＮを用い、各配線の膜厚を０．３μｍ、各ビアコンタクト層の高さを０．２μｍで形成する
【００２７】まず、シリコン基板１１０に、ｎウェル領域、素子分離領域、ＭＯＳトランジスタ１１１、ゲート電極層１１２、フォトダイオードＰＤ、１層目の層間絶縁膜１１３Ａ、コンタクト１１４を形成するまでの工程は、上記図５の従来例と同様である。ただし、層間絶縁膜１１３Ａの膜厚、およびコンタクト１１４の高さは上述のように０．２μｍで形成する。
次に、酸化シリコン材料の薄膜１１３Ｄを０．４μｍ堆積して、リソグラフィとエッチングにより、その膜１１３Ｄに配線溝をパターニングし、この配線溝にＴａからなるバリアメタルとＣｕからなる導電膜を製膜し、ＣＭＰにより平坦化することで、厚さ０．３μｍの１層目の埋め込み配線１１５を形成する
【００２８】次いで、酸化シリコン材料を０．６μｍ堆積して２層目の層間絶縁膜１１３Ｂを形成し、リソグラフィとエッチングにより、その層間絶縁膜１１３Ｂにビアコンタクト孔と配線溝を形成する。
次いで、ＴａからなるバリアメタルとＣｕからなる導電膜を製膜してＣＭＰにより平坦化することで、厚さ０．３μｍの２層目のコンタクト１１６と埋め込み配線１１７を形成する。この後、２層目と同様の方法で、３層目の層間絶縁膜１１３Ｃにコンタクト１１８と埋め込み配線１１９を形成する
【００２９】
次いで、ＴｉＮからなるバリアメタルとＡｌ配線を製膜してエッチングすることでボンディングパッド（図示せず）を形成し、この後、ＳｉＮからなるパッシベーション膜１２０を製膜した後、必要に応じてカラーフィルタ１２１やオンチップレンズ１２２を形成して、センサのウェハプロセスが終了する。この結果、図１に示すような素子構造が得られる。この素子構造では、各配線１１５、１１７、１１９がそれぞれ下地に配線溝を形成して埋め込んだ埋め込み配線構造となっているため、その分、配線層全体の高さを抑制でき、フォトダイオードＰＤに対する入射光の光学特性を改善することができる。
　
（２−２−２）以上を総合すると、引用例２には、次の発明（以下「引用発明２」という。）が記載されているものと認められる。
　
　「固体撮像素子において、シェーディング特性等を改善し、小型化を図るために、配線材料にＣｕを用いた埋め込み配線、及びＡｌ配線を製膜してエッチングすることにより形成したボンディングパッドを備える構成とした固体撮像素子。」
　
（３）補正発明と引用発明１との対比
（３−１）引用発明１の「有効画素領域１２１」、「遮光領域１２２」、「外部回路と接続を行う端子の役割をなすパッド部１４が構成されている領域」は、各々補正発明の「撮像画素が配置された領域」、「黒基準画素が配置された領域」、「パッド部」に相当する。
　また、引用発明１の「光電変換装置」は、補正発明の「固体撮像装置」に相当する。
　したがって、補正発明と引用発明１とは、「『撮像画素が配置された領域と、黒基準画素が配置された領域と、』『パッド部とを有する固体撮像装置』」である点で一致する。
　
（３−２）引用発明１の「前記有効画素領域１２１に、第１のパターン１２４、第２のパターン１２６、及び第３のパターン１２８という３層の金属配線層が形成され」る構成と、補正発明の「前記撮像画素が配置された領域と前記周辺回路部に、配線層が設けられ」る構成とは、「『前記撮像画素が配置された領域』に、『配線層が設けられ』」る構成である点で一致する。
　
（３−３）引用発明１の「パッド部１４」は、補正発明の「コンタクトパッド」に相当する。
　また、引用発明１の「パッド部１４」が「外部回路と接続を行う端子の役割をなすパッド部１４が構成されている領域」に設けられていることは明らかである。
　さらに、当該「パッド部１４」は、「外部回路と接続を行う端子の役割をなす」ものであるから、補正発明の「コンタクトパッド」と同様に、「外部リードのコンタクトパッド」として機能していることも明らかである。
　そして、引用発明１の「パッド部１４」は、「第３のパターン１２８」という「金属配線層」により形成されているから、引用発明１の「前記パッド部１４が構成されている領域に、前記第３のパターン１２８により前記パッド部１４が形成されている」構成と、補正発明の「前記パッド部に、前記配線層とは異なる金属層からなる外部リードのコンタクトパッドが設けられ」ている構成とは、「『前記パッド部に、』『金属層からなる外部リードのコンタクトパッドが設けられ』」ている構成である点で一致する。
　
（３−４）引用発明１の「前記遮光部材１３０」は、補正発明の「遮光層」に相当する。
　そして、引用発明１の「前記遮光部材１３０」は、「パッド部１４」と同じ「第３のパターン１２８」により形成されているから、当該「前記遮光部材１３０」が「パッド部１４」と同一層で形成されていることは自明である。
　したがって、引用発明１の「前記パッド部１４が構成されている領域に、前記第３のパターン１２８により前記パッド部１４が形成されているとともに、前記遮光領域１２２に、前記第３のパターン１２８により前記遮光部材１３０が形成されている」構成と、補正発明の「前記黒基準画素が配置された領域と前記周辺回路部に、前記コンタクトパッドと同一層で構成された遮光層が設けられた」構成とは、「『前記黒基準画素が配置された領域』に、『前記コンタクトパッドと同一層で構成された遮光層が設けられた」構成である点で一致する。
　
（３−５）以上を総合すると、補正発明と引用発明１とは、
　
　「撮像画素が配置された領域と、黒基準画素が配置された領域と、パッド部とを有する固体撮像装置であって、
　前記撮像画素が配置された領域に、配線層が設けられ、
　前記パッド部に、金属層からなる外部リードのコンタクトパッドが設けられ、
　前記黒基準画素が配置された領域に、前記コンタクトパッドと同一層で構成された遮光層が設けられた
ことを特徴とする固体撮像装置。」
　
　である点で一致し、次の点で相違する。
　
（相違点１）
　補正発明は、「周辺回路部」を有し、当該「周辺回路部」に「配線層が設けられ」ているのに対して、引用発明１は、「周辺回路部」について特定されていない点。
　
（相違点２）
　補正発明は、「コンタクトパッド」及び「前記コンタクトパッドと同一層で構成された遮光層」が、「前記配線層とは異なる金属層からなる」ものであるのに対して、引用発明１は、「パッド部１４」及び当該「パッド部１４」と同一層で構成された「遮光部材１３０」が、補正発明の「前記配線層」に相当する「３層の配線層」のうちの「第３のパターン１２８」という「金属層」からなるものである点。
　
（相違点３）
　補正発明は、「前記周辺回路部に、前記コンタクトパッドと同一層で構成された遮光層が設けられ」ているのに対して、引用発明１は、そのような構成を備えていない点。
　
（４）相違点についての当審の判断
（４−１）相違点１について
（４−１−１）一般に、固体撮像装置において、撮像画素を駆動するための周辺回路領域を設けること、及び、当該周辺回路領域に配線層を設けることは、それらを設けなければ、撮像画素に駆動信号を供給することができないことからみても、また、例えば、本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である下記周知例１の記載からみても分かるように、当業者における技術常識である。
　
ａ．周知例１：特開２００１−３４５４３９号公報
　上記周知例１には、図２９とともに次の記載がある。
　
　「【０００３】
図２９は、例えば、特開平１０−１５０１８２号公報に開示されているような従来のＭＯＳ型固体撮像装置の断面図を示す。図２９において、Ａ領域は画素領域を示し、Ｂ領域は周辺回路領域を示している
【０００４】図２９に示すように、Ｐ型のシリコン基板１１上に、ゲート絶縁膜（シリコン酸化膜）１２を介して、ポリシリコンからなるゲート電極１３ａ、１３ｂ、１３ｃが選択的に形成されている。ここで、Ａ領域において、１３ａは読み出しゲート電極を示し、１３ｂはリセット又はアドレスゲート電極を示している。また、０．３５μｍテクノロジー以上の非微細パターンではＬＯＣＯＳ構造が一般的であるため、シリコン基板１１内にＬＯＣＯＳ構造の素子分離領域（以下、ＬＯＣＯＳと称す）が選択的に形成されている。
【０００５】Ａ領域において、シリコン基板１１の表面の所望の領域には、Ｎ型ドレイン領域１４ａ、フォトダイオードのＮ型信号蓄積領域１５が形成されており、このＮ型信号蓄積領域１５の表面にはＰ+型の表面シールド領域２１が形成されている。これにより、入射光量に応じた信号電荷を蓄積するＰ+ＮＰ型の埋め込みフォトダイオード３４ａ、３４ｂが形成されている。Ｂ領域において、シリコン基板１１内にＮｗｅｌｌ、Ｐｗｅｌｌが形成されており、このＮｗｅｌｌ、Ｐｗｅｌｌ内にＮ型ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）領域１４ｂ、Ｐ型ＬＤＤ領域１４ｃがそれぞれ形成されている。
【０００６】
また、全面に第１の層間絶縁膜２５が形成され、この第１の層間絶縁膜２５上に第２の層間絶縁膜２７が形成され、この第２の層間絶縁膜２７上にＡｌ遮光膜２８が形成されている。このＡｌ遮光膜２８には、フォトダイオード３４ａ、３４ｂに光を入射するための開口部３０が設けられおりている。また、第２の層間絶縁膜２７内の第１の層間絶縁膜２５上には信号線や単位画素内の接続配線の役目を果たすＡｌ配線２６が選択的に形成されている。
　
　上記記載及び図２９の記載から、上記周知例１には、周辺回路を周辺回路領域であるＢ領域に配置すること、及び周辺回路領域であるＢ領域にＡｌ配線２６という配線層を設けることが記載されているものと認められる。
　
（４−１−２）したがって、引用発明１に接した当業者であれば、補正発明のように、「周辺回路部」を有し、当該「周辺回路部」に「配線層が設けられ」ている構成とすることは、技術常識に照らして当然になし得たことである。
　したがって、相違点１は、当業者が当然になし得た範囲に含まれる程度のものである。
　
（４−２）相違点２について
（４−２−１）上記（２）（２−２）において検討したとおり、引用例２には、「固体撮像素子において、シェーディング特性等を改善し、小型化を図るために、配線材料にＣｕを用いた埋め込み配線、及びＡｌ配線を製膜してエッチングすることにより形成したボンディングパッドを備える構成とした固体撮像素子。」（引用発明２）が記載されているものと認められる。
　したがって、引用発明１と引用発明２とは、固体撮像素子という共通の技術分野に属するものである。
　次に、課題について検討すると、引用発明２が解決しようとする課題は、「シェーディング特性等を改善し、小型化を図る」ことである。
　一方、引用発明１が解決しようとする課題は、引用例１の００１２段落に記載されているとおり、「実質的な感度低下をもたらすことなく集光効率を高めることができる層内レンズを有する光電変換装置およびその製造方法を提供すること」であるが、シェーディング特性の改善が集光効率の改善に資するものであることは当業者にとって明らかな事項である。
　また、引用例１の０００３段落の「高性能な光電変換装置を得るには、実際に光電変換を行う受光部である光電変換素子の受光面の面積（画素面積）を小さくして、配置される光電変換素子の数を多くするとともに光電変換装置のチップサイズを小さくすることが望まれている。」という記載等からみて、引用発明１においても当然に、小型化を図ることを考慮に入れているものと認められる。
　
（４−２−２）したがって、引用発明１及び２の両発明に接した当業者であれば、引用発明１に対して、更なる集光効率の改善と小型化を目指して、引用発明２を適用し、「配線材料にＣｕを用いた埋め込み配線、及びＡｌ配線を製膜してエッチングすることにより形成したボンディングパッドを備える構成」とすること、すなわち、引用発明１において、補正発明のように、「コンタクトパッド」を、「前記配線層とは異なる金属層からなる」ものとすることは、容易になし得たことである。
　そして、そのようにした場合において、元々「パッド部１４」と同一の層で構成されている「遮光部材１３０」を、ことさら「パッド部１４」と別の層にすることなく、最上部の層である「パッド部１４」と同一の層とすることは、当業者であれば当然になし得たことである。
　したがって、引用発明１において、補正発明のように、「コンタクトパッド」及び「前記コンタクトパッドと同一層で構成された遮光層」を、「前記配線層とは異なる金属層からなる」ものとすることは、引用発明２を適用することにより当業者が容易になし得たことであるから、相違点２は、当業者が容易になし得た範囲に含まれる程度のものである。
　
（４−３）相違点３について
（４−３−１）上記（４−１）において検討したとおり、引用発明１において、「周辺回路部」を設けることは、当業者が当然になし得たことである。
　また、上記（４−２）において検討したとおり、引用発明１において、補正発明のように、「コンタクトパッド」及び「前記コンタクトパッドと同一層で構成された遮光層」を、「前記配線層とは異なる金属層からなる」ものとすることは当業者が容易になし得たことである。
　
（４−３−２）また、一般に、固体撮像装置において、周辺回路領域に、撮像画素領域や黒基準画素の領域の遮光層と同じ遮光層を設けることは、例えば、本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である下記周知例２及び３にも記載されているように、当業者における周知技術である。
　
ａ．周知例２：特開２００４−１７２３９４号公報
　上記周知例２には、図１及び２とともに、次の記載がある。
　
　「【００１５】
以下、図１および図２を用いて、固体撮像装置１０の構成を説明する
まず、半導体基板１は、画素領域１００Ａと周辺回路領域１００Ｂとに区分される
一方、周辺回路領域１００Ｂには、単位画素ＰＸＬを制御するための垂直走査回路、水平走査回路、および信号処理回路が、ＣＭＯＳ回路として形成される。
【００１６】
このＣＭＯＳ回路のｎＭＯＳトランジスタＴｎは、半導体基板１のｐウェル領域２ｂに形成される。一方、ｐＭＯＳトランジスタ回路Ｔｐは、半導体基板１のｎウェル領域３に形成される。
さらに、所定の部分が開口されるようにパターニングされた層間絶縁膜５が形成され、その上に上述した各素子の導電領域と電気的に接続される配線６がパターニングされる。
【００１７】
この配線６の上には、さらに層間絶縁膜７が形成される。この層間絶縁膜７上には、金属等からなる遮光膜８が形成される。この遮光膜８には、ホトダイオードＰＤに対応する箇所のみ開口部が設けられる
また、単位画素ＰＸＬの間にはフィールド酸化膜４が形成される。このフィールド酸化膜４の下には、トレンチ分離領域９が形成される。
このトレンチ分離領域９の溝には、ポリシリコン１０ｃが埋め込まれる。このポリシリコン１０ｃは、ボロン（Ｂ）を１Ｅ１９ｃｍ−３以上の高濃度で含む。
このようなトレンチ分離領域９の形成方法としては、例えば、次の手順が好ましい。」
　
　上記記載並びに図１及び２の記載から、上記周知例２には、固体撮像装置１０において、周辺回路領域１００Ｂに、画素領域１００Ａの遮光膜８と同じ遮光膜８を設けることが記載されているものと認められる。
　
ｂ．周知例３：特開平８−３０６９０２号公報
　上記周知例３には、図６とともに次の記載がある。
　
　「【０００５】
図６は、このような構成のＣＭＤ受光素子を集積した受光素子アレイとその周辺回路とを同一基板上に形成してなる固体撮像装置の、受光素子アレイ領域２０１と周辺回路領域２０２の一部を示す概略断面図である
そして第１アルミニウム層２１２の上方に形成されている中間膜２１３とパッシベーション膜２１４の間には、遮光膜となる第３アルミニウム層２１５が形成されていて、受光素子アレイ領域２０１の一部及び周辺回路領域２０２上を遮光している。ここで、受光素子アレイ領域２０１の一部を遮光するのは、遮光受光素子２１６よりＯＢ（オプティカルブラック）のレベルを導出するためであり、周辺回路領域２０２上を遮光するのは、光の入射によるリーク電流を防ぐためである
　
　上記記載及び図６の記載から、上記周知例３には、固体撮像装置において、周辺回路領域２０２に、遮光受光素子２１６（黒基準画素）の領域の遮光膜と同じ第３アルミニウム層２１５の遮光膜を設けることが記載されているものと認められる。
　
（４−３−３）したがって、上記周知技術に接した当業者であれば、引用発明１において、「周辺回路部」を設け、さらに、「コンタクトパッド」及び「前記コンタクトパッドと同一層で構成された遮光層」を、「前記配線層とは異なる金属層からなる」ものとするに際して、「周辺回路部」に、「前記コンタクトパッドと同一層で構成された遮光層」と同層の遮光層を設ける構成とすること、すなわち、補正発明のように、「前記周辺回路部に、前記コンタクトパッドと同一層で構成された遮光層が設けられ」る構成とすることは、容易になし得たことである。
　よって、相違点３は、当業者が容易になし得た範囲に含まれる程度のものである。
　
（４−４）判断についてのまとめ
　以上検討したとおりであるから、補正発明は、周知技術を勘案することにより、引用発明１及び２に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　したがって、補正発明は、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
（５）独立特許要件についてのまとめ
　以上のとおり、本件補正は、補正後の請求項１に記載されている事項により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項をいう。以下同じ。）の規定に適合しない。
　
５．補正の却下の決定のむすび
　以上検討したとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないものであるから、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３．本願発明について
　平成２３年１０月２６日に提出された手続補正書による補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜８に係る発明は、平成２３年７月５日に提出された手続補正書により補正された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜８に記載されている事項により特定されるとおりのものであり、そのうちの請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、請求項１に記載されている事項により特定される、上記第２．１．に補正前の請求項１として記載したとおりのものである。
　一方、上記第２．４．（２）において検討したとおり、本願の出願前に日本国内において頒布され、原査定の根拠となった拒絶の理由において引用された刊行物である特開２００５−１２１８９号公報（引用例１）及び特開２００３−２６４２８１号公報（引用例２）には、各々引用発明１及び２が記載されているものと認められる。
　そして、本願発明に対して技術的限定を加えた発明である補正発明は、上記第２．４．において検討したとおり、引用発明１及び２に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も当然に、引用発明１及び２に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　したがって、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
第４．むすび
　以上のとおりであるから、他の請求項について検討するまでもなく、本願は拒絶をすべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。