【事件の表示】
　特願２００１−１６５７９４「発光素子の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年１２月１３日出願公開、特開２００２−３５９３９９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯
　本願は、平成１３年５月３１日の出願であって、平成２３年１月２４日に手続補正がなされ、同年４月１２日付けで拒絶査定がなされ、これに対して同年６月９日に拒絶査定不服審判の請求がなされ、平成２４年５月２１日付けで当審から拒絶理由（以下「当審拒絶理由」という。）が通知され、同年６月２９日付けで意見書が提出されたものである。
　
２　本願発明
　本願の特許請求の範囲の請求項１−３に係る発明は、平成２３年１月２４日付け手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１−３に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ、請求項１には以下のとおり記載されている。
「第１導電型の第一主表面と、第２導電型の第二主表面と、側面部と、
前記第一主表面および前記側面部に隣接して形成されたメサ部とを有する発光素子の製造方法において、
　第１導電型の第一主表面と第２導電型の第二主表面とを有する半導体ウェーハの前記第一主表面に、メサエッチング用のマスクを形成するマスク形成工程と、メサエッチング処理により前記第一主表面が属する層と前記第二主表面が属する層との接合を超えてメサ部を形成するメサエッチング工程と、前記メサエッチング用のマスクをパターニングして電極にする電極形成工程と、前記メサ部に沿って前記半導体ウェーハを切断するウェーハ切断工程と、少なくとも前記メサ部および前記側面部に粗面加工を施す粗面加工工程とをこの順に行うことを特徴とする発光素子の製造方法。」（以下「本願発明」という。）
　
３　当審拒絶理由
　当審において平成２４年５月２１日付けで通知した拒絶の理由の概要は、本件出願の請求項１、３に係る発明は、その出願前日本国内または外国において頒布された特開平１１−２２０１６５号公報（以下「刊行物１」という。）に記載された発明、特開２００１−５７４４１号公報（以下「刊行物２」という。）に記載された技術事項、特開２００１−３６１２９号公報（以下「刊行物３」という。）に記載された周知の技術事項に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないというものである。
　
４　引用する刊行物と引用発明
（１）刊行物１
ア　刊行物１の記載事項
　刊行物１（特開平１１−２２０１６５号公報）には、図面と共に以下の事項が記載されている。
　
（ア）　「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は発光ダイオードなどを形成する半導体発光素子の製造方法に係り、特に酸化インジウム錫等の透明電極を有する化合物半導体発光素子の素子分離方法に関する。」
　
（イ）　「【０００２】
【従来の技術】従来から発光ダイオードなどを構成する化合物半導体素子を分離する方法としては、ダイシング、メサエッチング及びスクライブ（罫書き）などの方法がある。実用的には、ウェハ状態での各素子の特性チェックを可能にし、或いは各素子に与えるダメージを軽減するため、上記した各方法を組み合わせた様々な素子分離手法が採られている。
【０００３】ここで、上記した化合物半導体発光素子の一種である発光ダイオード（ＬＥＤ）を例にあげて、従来からの素子分離方法について述べる。まず、図１０（Ａ）に示すようにフォトリソグラフィー等によりウェハ表面の例えば３００μｍ間隔で形成された発光部にレジスト３１を塗布し、電気的に分離する部分を除去した後、図１０（Ｂ）に示すようにウェットエッチング液でｐｎ接合部３４までメサエッチングする。但し、３２は各素子の電極であり、この電極３２を含んだ個々の素子範囲が電気的に分離される。この状態で、各発光部が電気的に分離されたウェハ状態で特性チェックを行った後、図１０（Ｃ）に示すように、ブレード幅３０μｍでダイシングして素子分離するダイサーブレートにより完全に素子分離してペレットとする。
【０００４】又、図１１（Ａ）では、例えば３００μｍ間隔で形成された発光部をメサエッチングで電気的に分離し、このウェハ状態で特性チェック等を行った後、図１１（Ｂ）に示すようにスクライブして素子分離する。図１２では、スクライブのみで素子分離する。」
　
（ウ）　刊行物１の図１０には、従来の半導体発光素子の素子分離方法を説明する図が描かれており、同図（Ｂ）には、メサエッチング部がｐｎ接合部を超えて形成されている図が描かれている。また、同図（Ｃ）には、メサエッチング部に沿ってブレードによる素子分離がなされ、素子分離された半導体発光素子が、ｐｎ接合部を形成する一方の導電型の半導体の上面、他方の導電型の半導体の下面、ブレードによる素子分離部、前記一方の導電型の半導体の上面と前記素子分離部の間に位置するメサエッチング部を備えている図が描かれている。
　
（エ）　「【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記のように化合物半導体発光素子の素子分離を行う場合、例えば３００μｍ間隔で形成された発光部をブレード幅３０μｍでダイシングすると、素子サイズは実質２７０μｍのペレットサイズとなり、実に２割の材料損失が発生する。その上、ダイシングによる破砕層をエッチングにより除去すると、ペレットサイズは更に小さくなり、損失が大きくなる。ペレットサイズがさらに縮小化されている場合は、このような厚いブレードでダイシングすると、損失の割合が益々高くなってくるという問題があった。
【０００６】また厚さ２００μｍ以下のウェハを電気的に分離するためにハーフダイシングしようとすると、ダイサーブレードの僅かな機械的応力により割れやすくなるという問題があった。
【０００７】そこで、材料効率を上げる方法として、図１１（Ａ）、（Ｂ）に示すようにメサエッチングで電気的に分離し、このウェハ状態で特性チェック等を行った後、スクライブ法による素子の完全分離も行われている。この方法では上記ダイシングに比べて材料ロスは少ないが、これもウェットエッチングの等方性により横方向もエッチングされるため、その分、ペレット収率が低下するという問題があった。
【０００８】更に、材料損失をゼロにする方法として、図１２に示すようにスクライブだけで素子を完全分離する方法がある。しかし、この方法ではｐｎ接合部にへき開キズが入り信頼性が低下するだけでなく、ウェハ状態で素子全数を特性チェックすることが困難であるという問題があった。
…
【００１０】本発明は、上述の如き従来の課題を解決するためになされたもので、その目的は、電気的特性や信頼性を損なうことなく、材料ロスを少なくしてペレットの収率を向上させることができ、且つウェハ状態で素子全数のチェックができて量産性に富んだ半導体発光素子の製造方法を提供することである。」
　
（オ）　「【００１１】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するために、第１の発明の特徴は、光を発生する活性層を含む複数の化合物半導体層を基板上に積層して形成される半導体発光素子の製造方法において、前記基板上に連続的に形成された複数の半導体発光素子を隣接する素子と区分する境界に沿ってドライエッチングにより各素子を電気的に分離する深さの溝を形成する工程を含むことにある。
【００１２】この第１の発明によれば、ドライエッチングにより、各半導体発光素子の素子領域に沿ってｐｎ接合部が切断される深さの垂直側壁形状の溝が形成され、各素子は電気的に分離される。この際、横方向のエッチングが抑えられ、基板上に連続的に形成された複数の半導体発光素子が材料損失少なく電気的に分離される。又、低い高周波電力でドライエッチングすれば、素子に対するダメージが少なく、電気的特性や信頼性を損なうことなく、各素子は電気的に分離される。…」
　
（カ）　「【００１９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。図１は本発明の半導体発光素子の製造方法に係る第１の実施の形態を説明するためのＬＥＤの側面図である。本例では、ＩｎＧａＡｌＰ緑色ＬＥＤを素子分離する方法について説明する。ＩｎＧａＡｌＰ緑色ＬＥＤはｎ−ＧａＡｓ基板１０の上に、ｎ−ＧａＡｓバッフア層１１、ｎ−ＧａＡｓ／ｎ−Ｉｎ０．５Ａｌ０．５Ｐをペアとする１０対からなる反射層１２、ｎ−Ｉｎ０．５Ａｌ０．５Ｐクラッド層１３、ｐ−Ｉｎ０．５（Ｇａ０．５５Ａｌ０．４５）０．５Ｐ活性層１４、ｐ−Ｉｎ０．５Ａｌ０．５Ｐクラッド層１５、ｐ−ＧａＡｓオーミックコンタクト層１６、ｎ−Ｉｎ０．５Ａｌ０．５Ｐ電流阻止層１７、ＡｕＺｎ１８、酸化インジウム錫透明電極１９、ＡｕＺｎ１８及びＡｕ電極２１が積層され、また、ｎ−ＧａＡｓ基板１０の裏側にＡｕＧｅ／Ａｕ裏面電極２０が形成されることにより、発光素子が構成されている。
【００２０】次に本実施の形態のＩｎＧａＡ１Ｐ緑色ＬＥＤの製造方法について説明する。
（１）ＭＯＣＶＤ法により、ｎ−ＧａＡｓ基板１０上に、０．５μｍのｎ−ＧａＡｓバッファ層１１、０．０３６μｍのｎ−ＧａＡｓと０．０４２μｍのｎ−Ｉｎ０．５Ａｌ０．５Ｐをペアとする１０対からなる反射層１２と、０．６μｍのｎ−Ｉｎ０．５Ａｌ０．５Ｐクラッド層１３、１．０μｍのｐ−Ｉｎ０．５（Ｇａ０．５５Ａｌ０．４５）０．５Ｐ活性層１４、０．６μｍのｐ−Ｉｎ０．５Ａｌ０．５Ｐクラッド層１５、０．０１μｍのｐ−ＧａＡｓオーミックコンタクト層１６及び０．２μｍのｎ−Ｉｎ０．５Ａｌ０．５Ｐ電流阻止層１７を順次形成する。
【００２１】（２）図２の（Ａ）に示すように、このウェハ表面にレジスト５０を塗布して通電領域に相当する部分を除去後、熱燐酸又は熱硫酸により、ｎ−Ｉｎ０．５Ａｌ０．５Ｐ電流阻止層１７を選択エッチングして、直径１１０μｍの電流阻止層１７をウェハ面内に１５０μｍ間隔で形成する。
【００２２】（３）レジスト除去してウェハを水洗乾燥させた後、真空中で電流阻止層１７を含むウェハ表面全面にＡｕＺｎ１８を０．００４μｍ蒸着する。更に真空中にＡｒ：酸素＝１００：１（圧力比）の割合で混合ガスを導入して、２００℃に加熱しながら酸化インジウム錫透明電極１９をＤＣスパッタ装置で０．１μｍ形成する。
【００２３】（４）ＧａＡｓ基板１０の裏面にＡｕＧｅ電極を０．２μｍを含むウェハ表面に、Ａｕ電極２０を１．２μｍ蒸着形成した後、Ａｒガス雰囲気中で、４３０℃で１５分間の熱処理を行う。
【００２４】（５）電流阻止層１７に対応するように、直径１００μｍのＡｕ電極２１を１５０μｍ間隔でパタ−ニングして、ボンディング用電極を形成する。
【００２５】（６）発光部をレジストでカバーし、ドライエッチングで素子分離するパターン細線幅１０μｍを電極間に形成する。
【００２６】（７）図３に示したドライエッチング装置４０のチャンバー４１内にパターンニングしたウェハ面を上にして下部電極４２上にセットし、排気管４３より真空引き後、チャンバー圧１Ｐａ、ＢＣｌ３：Ｃｌ２＝５０：５（ｓｃｃｍ）、１３．５６ＭＨｚ高周波電源（ＲＦ）出力１．０Ｗ／ｃｍ２で、５μｍ／５０分間ドライエッチングして、図２（Ｂ）に示すような溝５２を形成する。…
…
【００３４】（８）ウェハ表面のレジスト剥離後、電気的に分離された素子の特性チェックを行う。（ウェハ上の全素子の特性チェックが可能）
（９）スクライブ装置のダイヤモンド針でウェハ裏面から素子サイズに罫書きした後、図２（Ｃ）に示すように、ブレイキングにより各素子を完全分離する。
【００３５】本実施の形態によれば、電気的に素子分離する工程をドライエッチングで行うことで横方向のエッチングが抑えられ、再現よく深さ方向のエッチングが可能となった。透明電極材料（ＩＴＯ）と化合物半導体材料（ＩｎＧａＡＩＰ）を同じガス種、同じ条件で１回で垂直側壁形状にエッチングすることが出来た。低い高周波電力でドライエッチングするのでダメージが少なく、ウェットエッチング＋ダイシングで行ったデバイスと同等の特性、信頼性を得た。ｐｎ接合部５１をドライエッチングすることで、この後に行われるスクライブで発生するへき開キズをｐｎ接合部５１に掛からないようにすることが出来、信頼性が向上した。横方向のエッチング量がほとんどないのでウェハ状態で発光素子の収率がアップした。」
　
（キ）　「【００４１】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明の半導体発光素子の製造方法によれば、電気的特性や信頼性を損なうことなく、材料ロスを少なくしてペレットの収率を向上させることができ、且つウェハ状態で素子全数のチェックができて量産性を向上させることができる。」
　
（ク）　刊行物１の図２には、発明の半導体発光素子の素子分離方法を説明する図が描かれており、同図（Ｂ）には、ドライエッチングによる溝５２の深さが５μｍである図が描かれている。
　
イ　引用発明
（ア）　上記「ア（ア）、（イ）」の記載より、刊行物１には、以下の発明が記載されている。
「半導体ウェハの表面の発光部にレジスト３１を塗布し、電気的に分離する部分を除去する工程と、
　ウェットエッチング液でｐｎ接合部３４までメサエッチングする工程と、
　各発光部が電気的に分離されたウェハ状態で特性チェックを行う工程と、
　ダイシングして素子分離するダイサーブレートにより完全に素子分離してペレットとする工程と、
からなる半導体発光素子の製造方法。」
（イ）　図１０に描かれている上記「ア（ウ）」の事項より、メサエッチングは、ｐｎ接合部を超えてメサエッチングしていることが認められ、また、ブレードによる素子分離はメサエッチング部に沿ってなされること、半導体発光素子は、ｐｎ接合部を形成する一方の導電型の半導体の上面、他方の導電型の半導体の下面、ブレードによる素子分離部、前記一方の導電型の半導体の上面と前記素子分離部の間に位置するメサ部を備えることが認められる。
（ウ）　上記（ア）、（イ）を併せると、刊行物１には以下の発明が記載されている。
「　ｐｎ接合部を形成する一方の導電型の半導体の上面、他方の導電型の半導体の下面、ブレードによる素子分離部、前記一方の導電型の半導体の上面と前記素子分離部の間に位置するメサ部を備える半導体発光素子の製造方法であって、
　半導体ウェハの表面の発光部にレジスト３１を塗布し、電気的に分離する部分を除去する工程と、
　ウェットエッチング液でｐｎ接合部３４を超えてメサエッチングする工程と、
　各発光部が電気的に分離されたウェハ状態で特性チェックを行う工程と、
　メサエッチング部に沿って、ダイシングして素子分離するダイサーブレートにより完全に素子分離してペレットとする工程と、
からなる半導体発光素子の製造方法。」（以下「引用発明」という。）
　
（２）刊行物２
　刊行物２（特開２００１−５７４４１号公報）には、図面と共に以下の事項が記載されている。
　
　「【０１９７】次に、この積層体のＧａＰ基板１１の裏面（図中下側）に、金（Ａｕ）／Ｚｎ合金と金（Ａｕ）からなる電極１９Ｂを設け、ＧａＡｓコンタクト層９４の表面（図中上側）には、金（Ａｕ）／Ｇｅ合金と金（Ａｕ）からなる電極１９Ａを設けた。そして、ＰＥＰ（photo-engraving process）により、上側の電極１９Ａを３００μｍピッチで直径２００μｍの円形に加工し、図１３（ａ）の構造を得た。
【０１９８】次に、発光層の面積を透明基板の面積より小さくするために、金電極１９Ａをマスクにしてエッチングを行い、図１３（ｂ）に表したように、エピ層９４から９７をエッチングした。ここで、ＧａＡｓエピ層９４はアンモニアと過酸化水素水の混合液でエッチングし、ＩｎＧａＡｌＰ系エピ層９４〜１６とＩｎＧａＰエピ層９７はＨＢｒ−Ｂｒ液でエッチングした。
【０１９９】最後に、図１３（ｃ）に表したように、電極１９Ａを直径１２０μｍの円形に再パターニングし、ウェーハを一点鎖線Ｃの部分で３００μｍ□に劈開分離して図１０（ａ）に表した構造のＬＥＤチップを得た。」
　
（３）刊行物３
　刊行物３（特開２００１−３６１２９号公報）には、図面と共に以下の事項が記載されている。
　
（ア）「【０００２】
【従来の技術】従来、このような発光ダイオードは、半導体基板上に、例えばエピタキシャル成長によって複数の半導体層を積層させて、ｎ型の第一の半導体領域とｐ型の第二の半導体領域を有する少なくとも１つのｐｎ接合を備え、ＧａＡｓ系のｎ層又はｐ層が上面に配設された複数個の発光ダイオードチップを構成し、この半導体チップの上面及び裏面に電極を形成した後、半導体基板を切断することによって各半導体チップ毎に分離することにより、製造されている。
【０００３】このような構成の発光ダイオードによれば、電極間に駆動電圧を印加することによって半導体チップ上面のｎ層又はｐ層及び側面のｐｎ接合部から光が出射するようになっている。
【０００４】ところで、このような構成の発光ダイオードにおいて、その発光効率を高めるためには、従来、半導体チップ表面の凹凸化、そして半導体チップ表面への特定の屈折率を持つ薄膜形成が効果的であることが知られている。」
　
（イ）「【００１７】さらに、上記発光ダイオード１０の表面（上面）側において、電極１５を除く半導体チップ２０の上面及び側面（図面にて、符号Ａで示す領域）が、凹凸化処理されて凹凸面１７が形成されており、少なくともその凹凸面１７に半導体材料の組成の一部を含む化合物、例えば水酸化ヒ素などを主組成とした薄膜１８が形成されている。凹凸面１７は、半導体チップ２０の光を出射する面に形成するのが効果的であり、通常は半導体チップ２０の上面か側面の少なくとも一方に形成される。本実施の態様では、半導体チップ２０の上面と側面、とくにメサ構造を形成する傾斜面１６に形成されている。」
　
５　対比
　本願発明と引用発明を対比する。
（１）本願発明の「第１導電型の第一主表面と、第２導電型の第二主表面と、側面部と、前記第一主表面および前記側面部に隣接して形成されたメサ部とを有する発光素子」と引用発明の「ｐｎ接合部を形成する一方の導電型の半導体の上面、他方の導電型の半導体の下面、ブレードによる素子分離部、前記一方の導電型の半導体の上面と前記素子分離部の間に位置するメサ部を備える半導体発光素子」を対比する。
　引用発明の「ｐｎ接合部を形成する一方の導電型の半導体の上面」が本願発明の「第１導電型の第一主表面」に相当し、以下同様に、「ｐｎ接合部を形成する…他方の導電型の半導体の下面」が「第２導電型の第二主表面」に、「ブレードによる素子分離部」が「側面部」に、「前記一方の導電型の半導体の上面と前記素子分離部の間に位置するメサ部」が「前記第一主表面および前記側面部に隣接して形成されたメサ部」に、それぞれ、相当する。
　してみると、引用発明の「ｐｎ接合部を形成する一方の導電型の半導体の上面、他方の導電型の半導体の下面、ブレードによる素子分離部、前記一方の導電型の半導体の上面と前記素子分離部の間に位置するメサ部を備える半導体発光素子」は、本願発明の「第１導電型の第一主表面と、第２導電型の第二主表面と、側面部と、前記第一主表面および前記側面部に隣接して形成されたメサ部とを有する発光素子」に相当する。
　
（２）本願発明の「第１導電型の第一主表面と第２導電型の第二主表面とを有する半導体ウェーハの前記第一主表面に、メサエッチング用のマスクを形成するマスク形成工程」と、引用発明の「半導体ウェハの表面の発光部にレジスト３１を塗布し、電気的に分離する部分を除去する工程」を対比する。
　引用発明の「半導体ウェハの表面の発光部」が本願発明の「第１導電型の第一主表面と第２導電型の第二主表面とを有する半導体ウェーハの前記第一主表面」に相当し、引用発明の「レジスト３１を塗布し、電気的に分離する部分を除去する」ことが本願発明の「マスクを形成する」ことに相当する。そして、引用発明は、後の行程でメサエッチングしているから、「レジスト３１を塗布し、電気的に分離する部分を除去する」ことは、「メサエッチング用のマスクを形成する」ことに相当する。
　してみると、引用発明の「半導体ウェハの表面の発光部にレジスト３１を塗布し、電気的に分離する部分を除去する工程」は、本願発明の「第１導電型の第一主表面と第２導電型の第二主表面とを有する半導体ウェーハの前記第一主表面に、メサエッチング用のマスクを形成するマスク形成工程」に相当する。
　
（３）本願発明の「メサエッチング処理により前記第一主表面が属する層と前記第二主表面が属する層との接合を超えてメサ部を形成するメサエッチング工程」と引用発明の「ウェットエッチング液でｐｎ接合部３４を超えてメサエッチングする工程」を対比する。
　引用発明の「ｐｎ接合部」は、本願発明の「前記第一主表面が属する層と前記第二主表面が属する層との接合」に相当し、引用発明の「ウェットエッチング液で…メサエッチングする」ことは、本願発明の「メサエッチング処理により…メサ部を形成する」ことに相当する。
　してみると、引用発明の「ウェットエッチング液でｐｎ接合部３４を超えてメサエッチングする工程」は、本願発明の「メサエッチング処理により前記第一主表面が属する層と前記第二主表面が属する層との接合を超えてメサ部を形成するメサエッチング工程」に相当する。
　
（４）本願発明の「前記メサ部に沿って前記半導体ウェーハを切断するウェーハ切断工程」と、引用発明の「メサエッチング部に沿って、ダイシングして素子分離するダイサーブレートにより完全に素子分離してペレットとする工程」を対比する。
　引用発明の「ダイシングして素子分離するダイサーブレートにより完全に素子分離」することは、本願発明の「前記半導体ウェーハを切断する」ことに相当する。
　してみると、引用発明の「メサエッチング部に沿って、ダイシングして素子分離するダイサーブレートにより完全に素子分離してペレットとする工程」は、本願発明の「前記メサ部に沿って前記半導体ウェーハを切断するウェーハ切断工程」に相当する。
　
（５）してみると、本願発明と引用発明は、
「第１導電型の第一主表面と、第２導電型の第二主表面と、側面部と、
前記第一主表面および前記側面部に隣接して形成されたメサ部とを有する発光素子の製造方法において、
　第１導電型の第一主表面と第２導電型の第二主表面とを有する半導体ウェーハの前記第一主表面に、メサエッチング用のマスクを形成するマスク形成工程と、メサエッチング処理により前記第一主表面が属する層と前記第二主表面が属する層との接合を超えてメサ部を形成するメサエッチング工程と、前記メサ部に沿って前記半導体ウェーハを切断するウェーハ切断工程とをこの順に行う発光素子の製造方法。」
の点で一致し、以下の点で相違する。
　
相違点１：「メサエッチング工程」と「ウェーハ切断工程」との間に、本願発明は「前記メサエッチング用のマスクをパターニングして電極にする電極形成工程」を備えるのに対し、引用発明は、そのような工程を備えていない点。
相違点２：「ウェーハ切断工程」の後に、本願発明は「少なくとも前記メサ部および前記側面部に粗面加工を施す粗面加工工程」を備えるのに対し、引用発明は、そのような工程を備えていない点。
　
６　判断
（１）相違点１について
ア　上記４（２）によれば、刊行物２（特に【０１９７】〜【０１９９】の記載参照。）には、半導体発光素子の製造方法として、ＧａＡｓコンタクト層の表面に設けた金電極１９Ａをマスクにしてエッチングを行い、前記金電極１９Ａを再パターニングして電極とし、劈開分離してＬＥＤチップを得る製造方法が開示されている。ここで、引用発明と刊行物２に記載された技術事項は、何れも半導体発光素子を製造する共通の技術分野に属し、エッチング工程等を有するものである。そうすると、引用発明において、マスクと電極を兼用する刊行物２の技術事項を採用し、エッチング工程とウェーハ切断工程の間にマスクをパターニングして電極にする電極形成工程を備えるようになし、上記相違点１に係る本願発明の発明特定事項となすことは、当業者が容易に想到し得たことと認められる。
　
イ　審判請求人は、平成２４年６月２９日付け意見書において、刊行物１の図１０（Ｂ）のトレンチ構造（メサ溝）の深さを、前記図面の寸法から３０μｍ程度と推測し、刊行物１と刊行物２はエッチングするトレンチ構造のアスペクト比が相違するから、刊行物２に記載されたエッチング用のマスクを刊行物１のエッチング用マスクに適用する動機がない旨主張する。そこで、上記審判請求人の主張について、以下、検討する。
　上記「４（１）ア（ア）」〜「４（１）ア（ク）」の記載によると、刊行物１は、ウェハに形成された各化合物半導体発光素子を電気的に分離する技術を開示する刊行物であり、具体的には、ｐｎ接合部を超える深さのトレンチ構造（メサ溝）を形成する方法として、「ウェットエッチング」による従来の方法（図１０参照）に代えて「ドライエッチング」による方法（図２参照）を開示する刊行物である。そうすると、形成するトレンチ構造（メサ溝）の深さ（ｐｎ接合部を超える深さ）は、「ウェットエッチング」による従来のものと、「ドライエッチング」によるものとで格別相違しないものと解されるから、刊行物１の図１０（Ｂ）に描かれたトレンチ構造（メサ溝）の深さは、図２（Ｂ）のものと同程度の５μｍ程度と解される（なお、審判請求人は、図面の寸法から、トレンチ構造（メサ溝）の深さを３０μｍ程度と推測しているが、刊行物１の図２（Ａ）に描かれている「２００μｍ厚」の寸法と、同図（Ｂ）に描かれている「５μｍ」の寸法を比較すれば明らかなように、図面中の各部の寸法は必ずしも正確に描かれていないから、図面の寸法に基づいてトレンチ構造（メサ溝）の深さを推測することはできない。）。
　そうすると、引用発明の「トレンチ構造（メサ溝）の深さ」が３０μｍであることを前提に、アスペクト比が相違するから刊行物２に記載されたエッチング用のマスクを刊行物１のエッチング用マスクに適用する動機がない旨の審判請求人の上記主張は、その前提において相当でないから採用する余地がない。
　また、審判請求人は、平成２４年６月２９日付け意見書において、電極材料をマスクにしてメサエッチングを行う場合に、マスクが剥離せず、精度の高いメサ部を形成するには、適切なマスク材料、エッチング液を採用する必要があるところ、刊行物１〜３には適切なマスク材料やエッチング液の開示がないから、引用発明に刊行物２の技術事項を適用しようとする動機がない旨主張する。しかしながら、最適なマスク材料やエッチング液を選択することは、当業者が通常の創作能力の発揮して適宜選定しうるものであるから、引用発明に刊行物２の技術事項を適用することに困難性は無い。よって、審判請求人の上記主張も採用できない。
　
（２）相違点２について
　発光素子の高光度化を図ることは、発光素子の技術分野における周知の技術課題であるところ、前記技術課題を解決する目的で、発光素子の少なくともメサ部及び側面部に粗面加工を施すことは、刊行物３に記載されるように周知の技術事項である。そうすると、引用発明において、前記周知の技術課題を解決する目的で刊行物３に記載されている周知の技術事項を採用し、発光素子の少なくともメサ部及び側面部に粗面加工を施して上記相違点２に係る本願発明の発明特定事項となすことは、当業者が容易に想到し得たことと認められる。
　
　そして、本願発明が奏する作用効果は、引用発明、刊行物２に記載された技術事項、刊行物３に記載された周知の技術事項に基いて当業者が容易に予測し得る程度のものであって、格別のものとは認められない。
　
（３）小括
　以上のとおりであるから、本願発明は、引用発明、刊行物２に記載された技術事項、刊行物３に記載された周知の技術事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
７　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用発明、刊行物２に記載された技術事項、刊行物３に記載された周知の技術事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、上記結論のとおり審決する。