【事件の表示】
　特願２００４−１７１１５２「アレー基板、アレー基板の製造方法及び液晶表示装置。」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年　１月　６日出願公開、特開２００５−　　４２０７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯  
　平成１６年　６月　９日　特許出願（パリ条約による優先権主張平成１５年６月９日、大韓民国、平成１５年９月２５日、大韓民国）
　平成２２年　６月１８日　拒絶理由通知（同年６月２２日発送）
　平成２２年　９月１７日　意見書・手続補正書
　平成２２年１２月　９日　拒絶理由通知（最後）（同年１２月１４日発送）
　平成２３年　３月　２日　意見書・手続補正書
　平成２３年　６月１３日　平成２３年３月２日付け手続補正の却下の決定　　　　　　　　　　　　　、拒絶査定（同年６月２１日送達）
　平成２３年１０月１９日　本件審判請求、手続補正書
　平成２４年　３月１２日　審尋（同年３月１３日発送）
　平成２４年　５月１１日　回答書
　平成２４年　９月　７日　拒絶理由通知（同年９月１１日発送、以下「当　　　　　　　　　　　　　審拒絶理由通知」という。）
　平成２４年１２月１１日　意見書・手続補正書
　
２　本願発明
　本願の請求項１〜１２に係る発明は、平成２４年１２月１１日付け手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１〜１２に記載された事項によって特定されるものであるところ、請求項１に係る発明は次のとおりのものである。
「透明基板と、
　前記透明基板から第１距離分だけ離隔されて形成され、マトリックス状に配列された複数の画素電極と、
　ゲート電極、ドレーン電極及びソース電極を含み、前記ドレーン電極が前記それぞれの画素電極に電気的にそれぞれ連結された複数のスイッチング素子と、
　前記透明基板から第２距離分だけ離隔され、前記画素電極の間に配置され、前記ソース電極と電気的に連結されて前記画素電極に画素電圧を印加するために第１長さの幅で形成されたデータラインと、
　前記透明基板から第３距離分だけ離隔されて形成され、前記ゲート電極と電気的に連結されて前記スイッチング素子をターンオン/ターンオフするための電気的信号を伝達するゲートラインと、
　前記ゲートラインと同一の層がパターニングされて形成され、前記画素電極の間の空間に漏洩する光を遮断する光遮断パターンと、
を含み、
　前記光遮断パターンは互いに隣接する画素電極とそれぞれ第２長さ、第３長さだけオーバーラップされ、前記第２長さ及び第３長さはそれぞれ互いに相異なり、
　前記データラインは端部両側において前記画素電極と重畳されないことを特徴とするアレー基板。」（以下「本願発明」という。）
　
３　引用発明
　当審拒絶理由通知で引用され、本願の最先の優先日前に頒布された刊行物である特開２００２−１５１６９９号公報（以下「引用刊行物１」という。）には、以下の記載が図とともにある。
　
ア　「【請求項１】一対の走査信号ラインと一対のデータ信号ライン間に画素電極および該画素電極に接続されたスイッチング素子がマトリクス状に配列され、前記走査信号ラインと平行に形成され且つ前記データ信号ラインと平行な延出部を有する補助容量ラインが隣接する画素電極間に形成されたアクティブマトリクス型液晶表示装置において、前記データ信号ラインの幅を前記隣接する画素電極間の間隔と等しいかそれよりも小さくし、前記データ信号ライン上に前記スイッチング素子を覆う層間絶縁膜を形成すると共に、前記補助容量ラインを前記データ信号ライン下に絶縁膜を介して形成し、且つ、前記補助容量ラインの延出部の幅を前記データ信号ラインよりも幅広く形成したことを特徴とするアクティブマトリクス型液晶表示装置。
【請求項２】請求項１に記載の発明において、前記補助容量ラインの延出部は両側部において前記隣接する画素電極の側辺部に重合していることを特徴とするアクティブマトリクス型液晶表示装置。」
　
イ　「【００１０】【発明の実施の形態】図１はこの発明の一実施形態におけるアクティブマトリクス型液晶表示装置の要部の透過平面図を示し、図２はそのＸ−Ｘ線に沿う断面図を示したものである。なお、これらの図において、説明の都合上、図３および図４に示す従来のものと同一名称部分には同一の符号を付して説明することとする。
【００１１】図１に示すように、この液晶表示装置はガラス基板１を備えている。ガラス基板１の上面側には走査信号ライン２とデータ信号ライン３がマトリクス状に設けられ、その各交点近傍には薄膜トランジスタ４および画素電極５が設けられ、画素電極５の上辺部下には補助容量ライン６が走査信号ライン２と平行に設けられている。
…
【００１３】補助容量ライン６のデータ信号ライン３と交差する部分からは延出部６ａが列方向に延びるデータ信号ライン３の配列方向に延出されている。延出部６ａの幅はデータ信号ライン３の幅よりも大きくなっている。そして、画素電極５の左右辺部は延出部６ａと重ね合わされているが、データ信号ライン３とは重ね合わされていない。
【００１４】次に、この液晶表示装置の具体的な構造について、図１のＸ−Ｘ線に沿う断面図である図２を参照して説明する。ガラス基板１の上面の所定の箇所にはゲート電極１１を含む走査信号ライン２が設けられ、他の所定の箇所には延出部６ａを含む補助容量ライン６が設けられ、その上面全体には窒化シリコンからなるゲート絶縁膜１２が設けられている。ゲート電極１１上におけるゲート絶縁膜１２の上面の所定の箇所には真性アモルファスシリコンからなる半導体薄膜１３が設けられている。半導体薄膜１３の上面の所定の箇所には窒化シリコンからなるチャネル保護膜１４が設けられている。チャネル保護膜１４の上面両側およびその両側における半導体薄膜１３の上面にはｎ型アモルファスシリコンからなるオーミックコンタクト層１５、１６が設けられている。
【００１５】一方のオーミックコンタクト層１５の上面およびゲート絶縁膜１２の上面の所定の箇所にはドレイン電極１７を含むデータ信号ライン３が設けられている。この場合、データ信号ライン３は、真性アモルファスシリコン膜３ａ、ｎ型アモルファスシリコン膜３ｂ、金属膜３ｃの３層構造となっている。真性アモルファスシリコン膜３ａは、半導体薄膜１３を形成する際、半導体薄膜１３と同一の膜によって同時に形成されている。ｎ型アモルファスシリコン膜３ｂは、オーミックコンタクト層１５、１６を形成する際、オーミックコンタクト層１５、１６と同一の膜によって同時に形成されている。金属膜３ｃは、ドレイン電極１７をクロムなどの金属によって形成する際、ドレイン電極１７と同一の膜によって同時に形成されている。　
【００１６】他方のオーミックコンタクト層１６の上面にはクロムなどからなるソース電極１８が設けられている。ここで、ゲート電極１１、ゲート絶縁膜１２、半導体薄膜１３、チャネル保護膜１４、オーミックコンタクト層１５、１６、ドレイン電極１７およびソース電極１８により、薄膜トランジスタ３が構成されている。薄膜トランジスタ３などを含むゲート絶縁膜１２の上面全体には樹脂からなる平坦化膜（層間絶縁膜）１９が設けられている。平坦化膜１９の上面の所定の箇所にはＩＴＯからなる画素電極５が設けられている。画素電極５は、平坦化膜１９に設けられたコンタクトホール２０を介してソース電極１８に接続されている。
【００１７】以上のように、この液晶表示装置では、補助容量ライン６のデータ信号ライン３と交差する部分からデータ信号ライン３よりも幅広の延出部６ａをデータ信号ライン３の配列方向に延出させ、画素電極５の左右辺部をデータ信号ライン３と重合させず延出部６ａと重合させているので、画素電極５とデータ信号ライン３との間の寄生容量Ｃｄｓを小さくすることができる。
…
【００１９】また、この液晶表示装置では、画素電極５の左右辺部を補助容量ライン６からの延出部６ａと重合させているので、当該延出部６ａに遮光膜としての機能を持たせることにより、開口率を高くすることができる。」（当審注：【００１６】の「薄膜トランジスタ３」は、「薄膜トランジスタ４」の誤記である。）
　
ウ　図２を見ると、
（ア）走査信号ライン２、補助容量電極６、延出部６ａ、ゲート電極１１は、ガラス基板１上に形成されていること、
（イ）データ信号ライン３は、ガラス基板１上に、ゲート絶縁膜１２を介して形成されていること、
（ウ）画素電極５は、ガラス基板１上に、ゲート絶縁膜１２と平坦化膜（層間絶縁膜）１９を介して形成されていること
が理解できる。
　
エ　以上のことから、引用刊行物１には、以下の発明が記載されている。
（ア）　上記「イ」の【００１１】の記載と図２に描かれた上記「ウ（ア）」の事項を併せると、引用刊行物１には、「上面側には走査信号ライン２とデータ信号ライン３がマトリクス状に設けられ、その各交点近傍には薄膜トランジスタ４および画素電極５が設けられ、画素電極５の上辺部下には補助容量ライン６が走査信号ライン２と平行に設けられている」、「ガラス基板１」が開示されている。
（イ）　上記（ア）で検討した「ガラス基板１」に設けられた「画素電極５」は、図２に描かれた上記「ウ（ウ）」の事項より、ガラス基板１上に、ゲート絶縁膜１２と平坦化膜（層間絶縁膜）１９を介して形成されている。
（ウ）　上記（ア）で検討した「ガラス基板１」に設けられた「薄膜トランジスタ４」は、上記「イ」の【００１６】の記載より、「ゲート電極１１、ゲート絶縁膜１２、半導体薄膜１３、チャネル保護膜１４、オーミックコンタクト層１５、１６、ドレイン電極１７およびソース電極１８により」構成され、前記「ソース電極１８」に「平坦化膜１９に設けられたコンタクトホール２０を介して」「画素電極５」が接続されている」。
（エ）　上記（ア）で検討した「ガラス基板１」に設けられた「データ信号ライン３」は、図２に描かれた上記「ウ（イ）」の事項より、ガラス基板１上に、ゲート絶縁膜１２を介して形成されている。また、上記「イ」の【００１７】の記載より、前記「データ信号ライン３」は、「画素電極５の左右辺部をデータ信号ライン３と重合させず延出部６ａと重合させている」。さらに、上記「イ」の【００１５】の記載より、前記「データ信号ライン３」は、「ドレイン電極１７」を含む。
（オ）　上記（ア）で検討した「ガラス基板１」に設けられた「走査信号ライン２」は、図２に描かれた上記「ウ（イ）」の事項より、ガラス基板１上に形成され、上記「イ」の【００１４】の記載より、「ゲート電極１１」を含む。
（カ）　上記（ア）で検討した「ガラス基板１」に設けられた「補助容量ライン６」は、上記「イ」の【００１９】の記載より、「補助容量ライン６からの延出部６ａ」が、「画素電極５の左右辺部」と重合し、「遮光膜としての機能を持」つ。
（キ）　上記（ア）〜（カ）を総合すると、引用刊行物１には、次の発明が記載されている。
「上面側には走査信号ライン２とデータ信号ライン３がマトリクス状に設けられ、その各交点近傍には薄膜トランジスタ４および画素電極５が設けられ、画素電極５の上辺部下には補助容量ライン６が走査信号ライン２と平行に設けられているガラス基板１であって、
　前記画素電極５は、ガラス基板１上に、ゲート絶縁膜１２と平坦化膜（層間絶縁膜）１９を介して形成され、
　前記薄膜トランジスタ４は、ゲート電極１１、ゲート絶縁膜１２、半導体薄膜１３、チャネル保護膜１４、オーミックコンタクト層１５、１６、ドレイン電極１７およびソース電極１８により構成され、前記画素電極５が、平坦化膜１９に設けられたコンタクトホール２０を介して前記ソース電極１８に接続され、
　前記データ信号ライン３は、ガラス基板１上に、ゲート絶縁膜１２を介して形成され、前記画素電極５の左右辺部と重合せず延出部６ａと重合し、ドレイン電極１７を含み、
　前記走査信号ライン２は、ガラス基板１上に形成され、ゲート電極１１を含み、
　前記補助容量ライン６は、前記補助容量ライン６からの延出部６ａが画素電極５の左右辺部と重合し、遮光膜としての機能を持つ、
　ガラス基板１。」（以下「引用発明」という。）
　
４　対比
　本願発明と引用発明を対比する。
（ア）　引用発明の「ガラス基板１」は、本願発明の「透明基板」に相当し、引用発明の「上面側には走査信号ライン２とデータ信号ライン３がマトリクス状に設けられ、その各交点近傍には薄膜トランジスタ４および画素電極５が設けられ、画素電極５の上辺部下には補助容量ライン６が走査信号ライン２と平行に設けられているガラス基板１」は、本願発明の「アレー基板」に相当する。
（イ）　本願発明の「前記透明基板から第１距離分だけ離隔されて形成され、マトリックス状に配列された複数の画素電極」と、引用発明の「上面側には走査信号ライン２とデータ信号ライン３がマトリクス状に設けられ、その各交点近傍には…画素電極５が設けられ…ているガラス基板１であって、」「ガラス基板１上に、ゲート絶縁膜１２と平坦化膜（層間絶縁膜）１９を介して形成され」ている「前記画素電極５」を対比する。
　引用発明の「画素電極５」は、本願発明の「画素電極」に相当する。また、引用発明の「画素電極５」が「ガラス基板１上に、ゲート絶縁膜１２と平坦化膜（層間絶縁膜）１９を介して形成され」ることは、「画素電極５」が「ガラス基板１」から「ゲート絶縁膜１２」の膜厚と「平坦化膜（層間絶縁膜）１９」の膜厚を加算した距離だけ離隔して形成されることであるから、本願発明の「前記透明基板から第１距離分だけ離隔されて形成され」ることに相当する。さらに、引用発明の「画素電極５」は、「走査信号ライン２とデータ信号ライン３がマトリクス状に設けられ、その各交点近傍」に設けられているから、マトリクス状に配列されていると言え、その数は複数である。
　してみると、引用発明の「上面側には走査信号ライン２とデータ信号ライン３がマトリクス状に設けられ、その各交点近傍には…画素電極５が設けられ…ているガラス基板１であって、」「ガラス基板１上に、ゲート絶縁膜１２と平坦化膜（層間絶縁膜）１９を介して形成され」ている「前記画素電極５」は、本願発明の「前記透明基板から第１距離分だけ離隔されて形成され、マトリックス状に配列された複数の画素電極」に相当する。
（ウ）本願発明の「ゲート電極、ドレーン電極及びソース電極を含み、前記ドレーン電極が前記それぞれの画素電極に電気的にそれぞれ連結された複数のスイッチング素子」と、引用発明の「上面側には走査信号ライン２とデータ信号ライン３がマトリクス状に設けられ、その各交点近傍には薄膜トランジスタ４および画素電極５が設けられ…ているガラス基板１であって、」「ゲート電極１１、ゲート絶縁膜１２、半導体薄膜１３、チャネル保護膜１４、オーミックコンタクト層１５、１６、ドレイン電極１７およびソース電極１８により構成され、前記画素電極５が、平坦化膜１９に設けられたコンタクトホール２０を介して前記ソース電極１８に接続され」る「前記薄膜トランジスタ４」を対比する。
　引用発明の「薄膜トランジスタ４」は、本願発明の「スイッチング素子」に相当する。そして、引用発明の「薄膜トランジスタ４」が、「ゲート電極１１、…、ドレイン電極１７およびソース電極１８により構成され」ることは、本願発明の「スイッチング素子」が「ゲート電極、ドレーン電極及びソース電極を含」むことに相当する。また、引用発明の「薄膜トランジスタ４」は、「走査信号ライン２とデータ信号ライン３がマトリクス状に設けられ、その各交点近傍に…設けられ」るから、「薄膜トランジスタ４」の数は複数である。さらに、本願発明の「複数のスイッチング素子」の「前記ドレーン電極が前記それぞれの画素電極に電気的にそれぞれ連結され」ることと、引用発明の「各交点近傍には薄膜トランジスタ４および画素電極５が設けられ」、「前記画素電極５が、平坦化膜１９に設けられたコンタクトホール２０を介して前記ソース電極１８に接続され」ることは、複数のスイッチング素子の導電路を構成する一方の電極が「前記それぞれの画素電極に電気的にそれぞれ連結され」る点で一致する。
　してみると、本願発明の「ゲート電極、ドレーン電極及びソース電極を含み、前記ドレーン電極が前記それぞれの画素電極に電気的にそれぞれ連結された複数のスイッチング素子」と、引用発明の「上面側には走査信号ライン２とデータ信号ライン３がマトリクス状に設けられ、その各交点近傍には薄膜トランジスタ４および画素電極５が設けられ…ているガラス基板１であって、」「ゲート電極１１、ゲート絶縁膜１２、半導体薄膜１３、チャネル保護膜１４、オーミックコンタクト層１５、１６、ドレイン電極１７およびソース電極１８により構成され、前記画素電極５が、平坦化膜１９に設けられたコンタクトホール２０を介して前記ソース電極１８に接続され」る「前記薄膜トランジスタ４」は、「ゲート電極、ドレーン電極及びソース電極を含み、導電路を構成する一方の電極が前記それぞれの画素電極に電気的にそれぞれ連結された複数のスイッチング素子」である点で一致する。
（エ）本願発明の「前記透明基板から第２距離分だけ離隔され、前記画素電極の間に配置され、前記ソース電極と電気的に連結されて前記画素電極に画素電圧を印加するために第１長さの幅で形成されたデータライン…を含み、…前記データラインは端部両側において前記画素電極と重畳されない」ことと、引用発明の「前記データ信号ライン３は、ガラス基板１上に、ゲート絶縁膜１２を介して形成され、前記画素電極５の左右辺部と重合せず延出部６ａと重合し、ドレイン電極１７を含」むことを対比する。
　上記（ア）で検討したとおり、引用発明の「ガラス基板１」は、本願発明１の「透明基板」に相当する。そして、引用発明の「ガラス基板１上に、ゲート絶縁膜１２を介して形成され」ることは、ガラス基板１からゲート絶縁膜１２の膜厚の距離だけ離隔して形成されることであるから、本願発明の「前記透明基板から第２距離分だけ離隔され」ていることに相当する。次に、引用発明の「データ信号ライン３」が「前記画素電極５の左右辺部と重合せず延出部６ａと重合」することは、本願発明の「前記画素電極の間に配置され、…、前記データラインは端部両側において前記画素電極と重畳されない」ことに相当する。また、本願発明の「データライン」が「前記ソース電極と電気的に連結され」ることと、引用発明の「前記データ信号ライン３は、…ドレイン電極１７を含」むことは、データラインがスイッチング素子の導電路を構成する他方の電極と電気的に連結される点で一致する。そして、データ信号ラインが画素電極に画素電圧を印加するためのラインであることは、液晶表示装置の分野における技術常識であるから、引用発明の「データ信号ライン」は、画素電極に画素電圧を印加するためのラインである。さらに、引用発明の「データ信号ライン」が所定の幅を有するラインであることは自明であるから、該「所定の幅」が、本願発明の「第１の長さの幅」に相当する。
　してみると、本願発明の「前記透明基板から第２距離分だけ離隔され、前記画素電極の間に配置され、前記ソース電極と電気的に連結されて前記画素電極に画素電圧を印加するために第１長さの幅で形成されたデータライン…を含み、…前記データラインは端部両側において前記画素電極と重畳されない」ことと、引用発明の「前記データ信号ライン３は、ガラス基板１上に、ゲート絶縁膜１２を介して形成され、前記画素電極５の左右辺部と重合せず延出部６ａと重合し、ドレイン電極１７を含」むことは、「前記透明基板から第２距離分だけ離隔され、前記画素電極の間に配置され、スイッチング素子の導電路を構成する他方の電極と電気的に連結されて前記画素電極に画素電圧を印加するために第１長さの幅で形成されたデータライン…を含み、…前記データラインは端部両側において前記画素電極と重畳されない」点で一致する。
（オ）本願発明の「前記透明基板から第３距離分だけ離隔されて形成され、前記ゲート電極と電気的に連結されて前記スイッチング素子をターンオン/ターンオフするための電気的信号を伝達するゲートライン」と、引用発明の「ガラス基板上１上に形成され、ゲート電極１１を含」む「前記走査信号ライン２」を対比する。
　はじめに、本願発明の「ゲートライン」が「透明基板から第３距離分だけ離隔されて形成され」ることの意味を発明の詳細な説明の記載を参酌して検討する。本願の発明の詳細な説明の段落【００５９】、【００６３】、図１０、１１には、「ゲートライン２０３」、及び、本願の「光遮断パターン」にあたる部材である「フローティングゲート３０１」が、「第２透明基板５１１」上に直接形成されている構成が記載されている。この点を考慮すると、本願発明における「透明基板から第３距離分だけ離隔されて形成され」ることの意味は、第３距離が零である構成（言い換えると、透明基板上に形成されること）を含むものと認められる。
　そうすると、引用発明の「走査信号ライン２」が「ガラス基板１上に形成され」ることは、本願発明の「ゲートライン」が「前記透明基板から第３距離分だけ離隔され」ていることに相当する。また、引用発明の「走査信号ライン２」が「ゲート電極１１を含」むことは、本願発明の「ゲートライン」が「ゲート電極と電気的に連結され」ることに相当する。そして、液晶表示装置の分野において、走査信号ラインが薄膜トランジスタをターンオン／ターンオフするための電気的信号を伝達するラインであることは技術常識であるから、引用発明の「走査信号ライン２」は、薄膜トランジスタをターンオン／ターンオフするための電気的信号を伝達するラインである。
　してみると、引用発明の「ガラス基板上１上に形成され、ゲート電極１１を含」む「前記走査信号ライン２」は、本願発明の「前記透明基板から第３距離分だけ離隔されて形成され、前記ゲート電極と電気的に連結されて前記スイッチング素子をターンオン/ターンオフするための電気的信号を伝達するゲートライン」に相当する。
（カ）本願発明の「前記ゲートラインと同一の層がパターニングされて形成され、前記画素電極の間の空間に漏洩する光を遮断する光遮断パターン」であって、「前記光遮断パターンは互いに隣接する画素電極とそれぞれ第２長さ、第３長さだけオーバーラップされ、前記第２長さ及び第３長さはそれぞれ互いに相異な」ることと、引用発明の「…画素電極５の上辺部下には補助容量ライン６が走査信号ライン２と平行に設けられているガラス基板１であって、…前記補助容量ライン６は、前記補助容量ライン６からの延出部６ａが画素電極５の左右辺部と重合し、遮光膜としての機能を持つ」ことを対比する。
　引用発明の「画素電極５の左右辺部と重合し、遮光膜としての機能を持つ」「前記補助容量ライン６からの延出部６ａ」は、本願発明の「前記画素電極の間の空間に漏洩する光を遮断する光遮断パターン」に相当する。また、引用発明の「前記補助容量ライン６からの延出部６ａ」は、「画素電極５の左右辺部と重合」しており、該「左右辺部」において重合している部分の長さが所定の長さであるところ、該「所定の長さ」が、それぞれ本願発明の「第２長さ」、「第３長さ」に相当する。
　そうすると、本願発明の「前記ゲートラインと同一の層がパターニングされて形成され、前記画素電極の間の空間に漏洩する光を遮断する光遮断パターン」であって、「前記光遮断パターンは互いに隣接する画素電極とそれぞれ第２長さ、第３長さだけオーバーラップされ、前記第２長さ及び第３長さはそれぞれ互いに相異な」ることと、引用発明の「…画素電極５の上辺部下には補助容量ライン６が走査信号ライン２と平行に設けられているガラス基板１であって、…前記補助容量ライン６は、前記補助容量ライン６からの延出部６ａが画素電極５の左右辺部と重合し、遮光膜としての機能を持つ」ことは、「前記画素電極の間の空間に漏洩する光を遮断する光遮断パターン」であって、「前記光遮断パターンは互いに隣接する画素電極とそれぞれ第２長さ、第３長さだけオーバーラップされ」る点で一致する。
　
　してみれば、本願発明と引用発明は、以下の点で一致する。そして、以下の相違点１，２において相違し、以下の相違点３において一応相違する。
　
＜一致点＞
「透明基板と、
　前記透明基板から第１距離分だけ離隔されて形成され、マトリックス状に配列された複数の画素電極と、
　ゲート電極、ドレーン電極及びソース電極を含み、導電路を構成する一方の電極が前記それぞれの画素電極に電気的にそれぞれ連結された複数のスイッチング素子と、
　前記透明基板から第２距離分だけ離隔され、前記画素電極の間に配置され、前記スイッチング素子の導電路を構成する他方の電極と電気的に連結されて前記画素電極に画素電圧を印加するために第１長さの幅で形成されたデータラインと、
　前記透明基板から第３距離分だけ離隔されて形成され、前記ゲート電極と電気的に連結されて前記スイッチング素子をターンオン/ターンオフするための電気的信号を伝達するゲートラインと、
　前記画素電極の間の空間に漏洩する光を遮断する光遮断パターンと、
を含み、
　前記光遮断パターンは互いに隣接する画素電極とそれぞれ第２長さ、第３長さだけオーバーラップされ、
　前記データラインは端部両側において前記画素電極と重畳されないことを特徴とするアレー基板。」
　
＜相違点１＞
　本願発明の「光遮断パターン」は、「ゲートラインと同一の層がパターニングされて形成され」ているのに対し、引用発明の「補助容量ライン６からの延出部６ａ」は、「走査信号ライン２」と同一の層がパターニングされて形成されているのか否か不明である点。
　
＜相違点２＞
　光遮断パターンが互いに隣接する画素電極とそれぞれオーバーラップする第２長さ、第３長さに関し、本願発明は、「第２長さ及び第３長さはそれぞれ互いに相異な」るのに対し、引用発明は、「前記補助容量ライン６からの延出部６ａが画素電極５の左右辺部と重合」する幅が互いに相異なるのか否か不明である点。
　
＜相違点３＞
　スイッチング素子の導電路を構成する電極のうち画素電極に電気的に連結される「一方の電極」及びデータラインに電気的に連結される「他方の電極」が、本願発明では、それぞれ、「ドレーン電極」、「ソース電極」であるのに対し、引用発明では「ソース電極」、「ドレイン電極」である点。
　
５　判断　
（１）＜相違点１＞について
　液晶表示装置の技術分野において、ゲートラインを設ける基板と同じ基板上に補助容量ラインを設ける際に、ゲートラインと同一の層をパターニングして形成することは、例えば、
　特開平６−１４８６８１号公報（「【００１３】…また補助容量ラインは、ゲートライン（１１）と同時に形成されるため約１５００ÅのＣｒより成り、…【００１４】…補助容量電極（１５）と一体の補助容量ライン（１２）…」）
　特開平１１−３３０４８３号公報（「【００４３】…蓄積容量のための専用の容量線をゲート線と同時に形成しても良い。…」）
に記載されるように、本願の最先の優先日において周知の技術事項である。
　そして、引用発明の「補助容量電極６の延出部６ａ」は、その形成方法において「補助容量電極６」と変わるものではないと解されるところ、引用発明の「走査信号ライン２」と「補助容量電極６の延出部６ａ」は、いずれも、ガラス基板１上に形成される導電性のライン（層）であるから、上記周知の技術事項を適用し、「補助容量電極６の延出部６ａ」を「走査信号ライン２」と同一の層をパターニングして形成し、上記相違点１に係る本願発明の発明特定事項と為すことは、当業者が容易に想到し得ることである。
　
（２）＜相違点２＞について
　当審拒絶理由通知で引用し、本願の最先の優先日前に頒布された刊行物である特開２０００−３０５１１４号公報（以下「引用刊行物２」という。）には、以下の記載が図とともにある。
　
ア　「【請求項１０】第１透明基板上に形成されたゲートラインと、前記ゲートラインと絶縁されて交差するように配列されたデータラインと、前記ゲートライン及びデータラインが交差する部分に形成され、前記ゲートラインから分技して突出したゲート電極と、前記データラインに連結されたソース電極と、前記ソース電極から離隔して対向するように形成されたドレイン電極をもつ薄膜トランジスタＴＦＴと、前記薄膜トランジスタＴＦＴを覆い、前記ドレイン電極の一部を露出させるためのコンタクトホールが形成された保護膜と、前記保護膜上に形成され、コンタクトホールを介してドレイン電極に連結されるとともに前記データラインと一部重なるように形成された画素電極とを含む薄膜トランジスタアレイ基板と、
　第２透明基板上にブラックマトリックス、カラーフィルタ及び共通電極を含むカラーフィルタ基板と、
　前記薄膜トランジスタアレイ基板と前記カラーフィルタ基板との間に注入されてシーリングされた液晶とを含む液晶表示装置において、
　前記データラインの下部には前記データラインと非対称的にオーバーラップし、前記画素電極とも一部オーバーラップする遮光膜が形成されたことを特徴とする液晶表示装置。」
　
イ　「【００１４】前記構造をもつ従来の液晶表示装置はデータラインと画素電極がオーバーラップされているため、光漏れの問題が発生しないものと知られているが、実際カラーフィルタ基板ｍと薄膜トランジスタアレイ基板ｌとの間に電圧を印加した時、図７及び図８に示すように、データラインと画素電極間のオーバーラップ範囲が１.５μｍ以下の場合には光漏れの問題が生じることが分かる。
【００１５】次に、図７と８を参照して従来の液晶表示装置構造における光漏れ現象を説明する。図７及び図８は従来の薄膜トランジスタアレイ基板のデータライン２０と画素電極３０が１.５μｍ程度オーバーラップした構造において、カラーフィルタ基板ｍと薄膜トランジスタアレイ基板ｌとの間に電圧を印加した時、液晶が作用して光を遮断している模様（ノーマルホワイトモードの場合）を示すものである。両基板ｍ，ｌの間に描かれた曲線は等電位を結んだ線である。液晶は等電位線に対して略垂直になるように反応しているが、データライン２０の上では電位差のために斜め方向である。そして、図７において、真ん中のピークを示しながら描かれている曲線Ｐは基板面における光の透過度を示す。
【００１６】図７に示すように、両基板ｍ，lの間に電圧を印加した時、データラインの電圧が液晶に印加される電圧に影響を与えることにより、等電位線はデータラインの上で激しく歪む。この影響で液晶の作用方向が斜めの方向にばらつくことになり、（データライン２０とオーバーラップした一端から）画素電極上の１〜２μｍ付近（データラインと画素電極とのオーバーラップ部分＋図７及び図８のＢ部分）で光の透過度が急増する領域が現れる。
【００１７】しかし、光の透過する前記領域（図７において真ん中のピークを示す部分）が全て画質に影響を与える訳ではない。即ち、データラインと画素電極とのオーバーラップ領域（１.５μｍ）は光が透過しないで遮られて画質に直接的に影響を与えず、データラインと画素電極がオーバーラップしていない領域（Ｂ部分）は実際に光が透過して画質に影響を与える。
【００１８】前記光漏れ領域（Ｂ部分）はデータライン左右の画素電極に印加される電圧の極性とは関係がないが、配向膜のラビング方向に応じてデータラインの左側または右側に発生し得る。」
　
ウ　「【００８１】次に、本発明の第３実施例による液晶表示装置の構造において光漏れが遮断される現象を図２５と図２６を参照して説明する。
【００８２】図２５と図２６はカラーフィルタ基板ｍ’と薄膜トランジスタアレイ基板ｌ’との間に電圧を印加した時、液晶が作用して光を遮断している模様（ノーマルホワイトモードの場合）を示すもので、両基板の間に描かれた曲線は等電位を結んだ線であり、液晶はこの等電位線に対して垂直方向に反応している。真ん中のピークを示して描かれている曲線Ｐは基板面で光の透過度を示す曲線である。図２５と図２６に示すように、データラインの電圧が液晶に印加される電圧に影響を与えてデータラインの上で激しく歪む。この影響で液晶の作動方向がばらつく（変化する）ようになり、画素電極上の１〜２μｍ付近で光の透過度が急増する領域が現れる。しかし、データライン及び画素電極間のオーバーラップ部分とデータラインの下に形成された遮光膜とによって光が遮られて画質に直接的に影響を与えない。
【００８３】特に、画素電極とデータラインがオーバーラップしていないＢ’部分では液晶が、図２５及び図２６のように、所定角度歪みながら電位差をもつが、実際には遮光膜４００によって遮られるので、光が透過しなくなる。
【００８４】本発明の第３実施例による液晶表示装置において、画素電極、データライン及び遮光膜間のオーバーラップ程度は２〜４μｍが好ましい。オーバーラップ幅が４μｍ以上となる場合は開口率が大きく減り、２μｍ以下となる場合は効率よく光漏れを防ぎ難い。
【００８５】また、カラーフィルタ基板及び薄膜トランジスタアレイ基板に形成されたそれぞれの配向膜のラビング方向に応じて液晶２８０方向は図２７または図２８のように変わり、これにより光漏れ領域の位置がデータラインの左側または右側に変わる可能性があり、この光漏れ領域の位置に応じて遮光膜の位置も変わる可能性がある。」　
　上記記載より、引用刊行物２には、画素電極間の下方にデータラインが配置された構造の液晶表示装置では、データライン近傍の等電位線の歪みに起因し、配向膜のラビング処理方向に応じてデータラインの片側に光漏れ領域が発生すること、及び、前記光漏れ領域を遮光するために、遮光膜をデータライン及び画素電極と非対称的にオーバーラップさせる技術事項が記載されている。
　そして、引用発明の画素電極とデータ信号ラインの配置構造と、引用刊行物２に記載された画素電極とデータラインの配置構造は、何れも、画素電極間の下方にデータ信号ライン（データライン）が配置される同様の構造であるから、引用発明においても、引用刊行物２に記載された液晶表示装置と同様に、等電位線の歪みによる光漏れ領域が、液晶のラビング処理方向に応じてデータ信号ラインに関して非対称に発生するものと認められる。そうすると、引用発明の「画素電極５の左右辺部と重合し、遮光膜としての機能を持つ」「補助容量電極６の延出部６ａ」について、データ信号ラインに関して非対称に発生する光漏れ領域を遮光するように延出部の幅をデータ信号ラインの両側で異ならせ、上記相違点２に係る本願発明の発明特定事項となすことは、当業者が容易に想到し得ることである。
　
（３）＜相違点３＞について
　液晶表示装置などのアレー基板に用いるスイッチング素子においては、「ソース電極」、「ドレイン電極」という呼称に厳密な区別は本来無く、便宜上一方の導電路を「ソース電極」、他方を「ドレイン電極」としているにすぎないことは、例えば、特開平４−２６００２１号公報（「【００３５】…なお、ソース・ドレインは本来その間のバイアス極性によって決まり、この液晶表示装置の回路ではその極性は動作中反転するので、ソース・ドレインは動作中入れ替わると理解されたい。しかし、以下の説明でも、便宜上一方をソース、他方をドレインと固定して表現する。」）
　特開２０００−９８４１７号公報（「【０００８】…ＴＦＴはスイッチとして用いられるため、ソース、ドレインの区別は本来無いが、便宜上ここでは、ソースが液晶セルＣＣに接続されるものとする。…」）
　特開２００１−１４４２９８号公報（「【０００９】なお、上記ソース・ドレイン電極とは本来ソース電極とドレイン電極とに区別されるものであるが、ＴＦＴ液晶表示装置では交流駆動されるため両者の区別は単なる呼称の相違であるから、便宜上本願明細書では、ソース電極とドレイン電極の内、画素電極に接続される側をソース電極と呼び、他方をドレイン電極と呼ぶこととし、両者を併せてソース・ドレイン電極と称する。」）
に記載されるように、本願の最先の優先日において周知の技術事項である。
　そのため、スイッチング素子の導電路を構成する電極のうち、画素電極に電気的に連結される「一方の電極」及びデータラインに電気的に連結される「他方の電極」が、本願発明では、それぞれ、「ドレーン電極」、「ソース電極」であるのに対し、引用発明では「ソース電極」、「ドレイン電極」であるという点は、結局のところどちらの電極を「ドレーン電極」と呼称するかの問題にすぎず、実質的な相違点ではない。
　
（４）本願発明の作用効果について
　そして、本願発明が奏する作用効果は、引用発明、引用刊行物２に記載された技術事項、周知の技術事項に基づいて、当業者が容易に予測しうる程度のものである。
　
（５）小括
　したがって、本願発明は、引用発明、引用刊行物２に記載された技術事項及び周知の技術事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（６）請求人の主張について
　請求人は、平成２４年１２月１１日付け意見書において、引用刊行物２に記載された薄膜トランジスタアレイ基板はデータラインが画素電極と重畳しており、引用発明のアレー基板と構造が異なるから、引用発明に引用刊行物２に記載された発明を適用することは容易ではない旨主張する。また、引用刊行物２には、遮光膜が互いに隣接する画素電極とそれぞれ異なる長さでオーバーラップする点については、全く記載がない旨主張する。
　しかしながら、上記「５（２）」に記載したとおり、引用刊行物２に記載された技術事項に照らし、引用発明においても、引用刊行物２に記載された液晶表示装置と同様に、等電位線の歪みによる光漏れ領域が、液晶のラビング処理方向に応じてデータ信号ラインに関して非対称に発生するものと認められるとするものであって、引用発明に引用刊行物２に記載された発明を適用するものではない。よって、請求人の上記主張は、何れも失当である。
　
 ６　むすび 
 　以上のとおり、本願発明は、引用発明、引用刊行物２に記載された技術事項及び周知の技術事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。 
 　よって、結論のとおり審決する。