【事件の表示】
　特願２００７−５００５３８「半導体装置およびその製造方法と、積層型半導体集積回路」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年　８月　３日国際公開、ＷＯ２００６／０８０３３７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、２００６年　１月２５日（優先権主張　平成１７年　１月３１日、日本国）を国際出願日とする出願であって、平成２４年　３月１９日付けで拒絶理由が通知され、同年　７月２７日付けで拒絶査定がなされたところ、これを不服として、同年１０月３１日に審判請求がなされるとともに、手続補正書が提出され、平成２５年　１月２１日付けで審尋が通知され、これに対して、同年　３月１３日に回答書が提出されたものである。
　
第２　補正の却下の決定
　
［補正の却下の決定の結論］
　平成２４年１０月３１日に提出された手続補正書による手続補正を却下する。
　
［理　由］
１　平成２４年１０月３１日に提出された手続補正書による手続補正（以下、「本件補正」という。）の内容
　本件補正は、出願当初の（以下、「本件補正前の」という。）特許請求の範囲の請求項１を補正しようとする事項を含むものであり、そのうち請求項１に係る補正は以下のとおりである。
　
　「【請求項１】
　第１主面と、該第１主面と平行な第２主面と、前記第１主面上に形成された
第１主面
　前記半導体基板および前記
第１主面
　前記第２主面から突出している突起電極と、
　前記第２主面上に合成樹脂により形成され、前記突起電極の周囲を囲んでいる第２主面樹脂層と
、
　
前記第２主面と前記第２主面樹脂層との間に前記第２主面樹脂層とは異なる材料で形成され、前記第２主面樹脂層との間に界面を形成する第２主面絶縁膜と、
　を有する半導体装置。」
　（なお、上記下線は、補正箇所を示している。）
　
２　補正の適否について
（１）補正の目的
　上記請求項１の補正の内容は、
　　　ア　本願の出願当初明細書に記載されていた
　「【００２６】
  図２Ｂに示されている例は、
シリコン基板１の裏面において、シリコン基板１と樹脂層７との界面に、シリコン酸化膜などからなる絶縁膜８が介在
との記載及び図２Ｂの記載を根拠に、本件補正前の請求項１に、「
前記第２主面と前記第２主面樹脂層との間に前記第２主面樹脂層とは異なる材料で形成され、前記第２主面樹脂層との間に界面を形成する第２主面絶縁膜と、
　　　イ　上記アによる「第２主面絶縁膜」を新たに付加するに伴い、第１主面上に形成された「絶縁膜」を「第２主面絶縁膜」とは異なることを明確にするために「
第１主面
　したがって、上記の補正の内容は、当該補正事項ア、イにより新規な事項を導入するものではなく、限定的な補正を目的とするものであることは明らかである。
　
　したがって、上記補正は、特許法第１７条の２第３項の規定に該当し、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的としたものに該当する。
　
（２）独立特許要件
　次に、本件補正による補正後の請求項１に係る発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際、独立して特許を受けることができるものであるのか否か（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するものであるのか否か）について検討する。
　
　　ア　引用刊行物及びその摘記事項
　　（ア）原査定の拒絶の理由に引用文献１として引用され、本願の優先権主張の日前である平成１７年　１月１３日に頒布された刊行物である特開２００５−１２０２４号公報（以下「刊行物１」という。）には、「半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器」（発明の名称）に関して、図１〜図３とともに次の技術事項が記載されている。
　
（刊１ア）「【０００６】
【課題を解決するための手段】
・・（略）・・
（１２）本発明に係る半導体装置は、集積回路が形成された第１の面と、それとは反対の第２の面とを有する半導体基板と、
前記第１の面からの第１の突出部と、前記第２の面からの第２の突出部とを有する貫通電極と、
前記半導体基板の前記第１の面に、前記第１の突出部を避けて形成された第１の樹脂層と、
前記半導体基板の前記第２の面に、前記第２の突出部の少なくとも一部を露出させて形成された第２の樹脂層と、
を含む。・・（略）・・
（１４）この半導体装置において、
前記第１の樹脂層は、前記第１の突出部と同じ高さとなるように形成されていてもよい。」
　
（刊１イ）「【０００７】
【発明の実施の形態】
・・（略）・・
【０００９】
半導体基板１０には、１層又はそれ以上の層のパッシベーション膜１６，１８が形成されている。パッシベーション膜１６，１８は、例えば、ＳｉＯ２、ＳｉＮ、ポリイミド樹脂などで形成することができる。図１（Ａ）に示す例では、パッシベーション膜１６上に、電極１４と、集積回路１２と電極１４を接続する配線（図示せず）とが形成されている。・・（略）・・
【００１０】
本実施の形態では、半導体基板１０に、その第１の面２０から凹部２２（図１（Ｃ）参照）を形成する。・・（略）・・電極１４に貫通穴２４を形成してもよい。・・（略）・・電極１４の下にパッシベーション膜１６が形成されている場合、これにも貫通穴２６（図１（Ｃ）参照）を形成する。・・（略）・・
【００１１】
図１（Ｃ）に示すように、貫通穴２４（及び貫通穴２６）と連通するように、半導体基板１０に凹部２２を形成する。貫通穴２４（及び貫通穴２６）と凹部２２を合わせて、凹部ということもできる。凹部２２の形成にも、エッチング（ドライエッチング又はウェットエッチング）を適用することができる。・・（略）・・
【００１２】
図１（Ｄ）に示すように、凹部２２の内側に絶縁層２８を形成してもよい。絶縁層２８は、酸化膜であってもよい。・・（略）・・ただし、絶縁層２８は、凹部２２を埋め込まないように形成する。・・（略）・・
【００１４】
次に、凹部２２（例えば絶縁層２８の内側）に導電部３０（図２（Ｂ）参照）を設ける。導電部３０は、Ｃｕ又はＷなどで形成してもよい。図２（Ａ）に示すように、導電部３０の外層部３２を形成した後に、その中心部３４を形成してもよい。中心部３４は、Ｃｕ，Ｗ，ドープドポリシリコン（例えば低温ポリシリコン）のいずれかで形成することができる。外層部３２は、少なくともバリア層を含んでもよい。バリア層は、中心部３４又は次に説明するシード層の材料が、半導体基板１０（例えばＳｉ）に拡散することを防止するものである。バリア層は、中心部３４とは異なる材料（例えばＴｉＷ、ＴｉＮ）で形成してもよい。中心部３４を電解メッキで形成する場合、外層部３２は、シード層を含んでもよい。・・（略）・・」
　
（刊１ウ）「【００１９】
本実施の形態では、半導体基板１０の薄型化工程（図３（Ａ）参照）前に、第１の面２０（例えばパッシベーション膜１６，１８及び絶縁層２８上）に第１の樹脂層５０を形成する。第１の樹脂層５０は、後述のアンダーフィルに使用される樹脂９０（図８参照）と同一材料（例えばエポキシ系樹脂）で構成されていてもよい。第１の樹脂層５０は、スピンコータを使用して形成してもよいし、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、ポッティング、印刷方式又はインクジェット方式などを適用して形成してもよい。・・（略）・・第１の突出部４１を含む領域に樹脂を設けた後、エッチング等によって第１の突出部４１を露出させて、第１の樹脂層５０を形成してもよい。・・（略）・・
【００２３】
第１の樹脂層５０を、第１の突出部４１と同じ高さ（ほぼ同じ高さを含む）に形成してもよい。すなわち、第１の樹脂層５０と第１の突出部４１との間に段差をなくして、第１の面２０側を平坦にしてもよい。・・（略）・・
【００２４】
図３（Ａ）に示すように、半導体基板１０を、その第２の面（第１の面２０とは反対側の面）３８からの一部を除去して薄くする。例えば、機械的方法及び化学的方法の少なくとも１つの方法によって削ってもよい。・・（略）・・例えば、１回目の除去工程で凹部２２に形成された絶縁層２８が露出する手前まで研削・研磨し、２回目以降の除去工程で、絶縁層２８が露出させてもよい。
【００２５】
図３（Ａ）に示すように、導電部３０（詳しくはその凹部２２内の部分）が絶縁層２８に覆われた状態で突出するように、半導体基板１０の第２の面３８をエッチングしてもよい。・・（略）・・
【００２８】
こうして、第１の面２０から突出する第１の突出部４１と、第２の面３８から突出する第２の突出部４２と、を有する貫通電極４０を形成することができる。・・（略）・・貫通電極４０は、第１及び第２の面２０，３８を貫通する。・・（略）・・
【００２９】
図３（Ｂ）に示すように、半導体基板１０の第２の面３８に第２の樹脂層５４を形成する。・・（略）・・第２の樹脂層５４は、第１の樹脂層５０と同一（又は類似）の物性（例えば線膨張係数など）を有してもよく、第１の樹脂層５０と同一材料で構成されていてもよい。第２の樹脂層５４は、熱硬化性樹脂であってもよいし、熱可塑性樹脂であってもよい。第２の樹脂層５４は、単一層で形成してもよいし、複数層で形成してもよいし、応力緩和機能を有していてもよい。・・（略）・・第２の樹脂層５４の形成方法は、第１の樹脂層５０の形成方法で説明した内容を適用することができる。第２の樹脂層５４は、最終的には、第２の突出部４２を避けて形成する。その詳細も、第１の樹脂層５０の形成方法で説明した通りである。
・・（略）・・
【００３２】
・・（略）・・変形例として、第２の樹脂層５４を、第２の突出部４２と同じ高さ（ほぼ同じ高さを含む）に形成してもよいし、・・（略）・・
【００３３】
エッチングによって第２の樹脂層５４を形成するのであれば、第２の突出部４２の先端面を覆うように第２の樹脂層５４を一旦形成し、その後これをエッチングしてもよい。その場合、エッチングを行う前に第２の樹脂層５４を研削又は研磨してもよい。第２の樹脂層５４の研削又は研磨と連続して、あるいはこれとは別に、貫通電極４０を研削又は研磨してもよい。貫通電極４０が絶縁層２８に覆われた状態（図３（Ａ）参照）で第２の樹脂層５４を形成し、絶縁層２８を研削又は研磨して、貫通電極４０を露出させてもよい。
・・（略）・・
【００３６】
以上の工程により、例えば、貫通電極４０、第１及び第２の樹脂層５０，５４を有する半導体装置（半導体ウエハ７０（図４（Ａ）参照））が得られる。」
　
（刊１エ）図１〜図３には、刊行物１の実施の形態における半導体装置の製造工程を説明する図として、各工程段階での半導体装置の断面図が示されており、図１（Ａ）からは、集積回路１２が形成された面上全面にパッシベーション膜１６が形成されていることが、また、図１（ｃ）からは、パッシベーション膜１６と半導体基板１０と連続して貫通穴２６及び凹部２２が充填・形成されていることが、図２（Ｂ）からは、貫通穴２６及び凹部２２内に導電部３０が設けられていること、さらに、図３（Ａ）及び図３（Ｂ）からは、貫通電極が、薄くされた半導体基板１０を貫通していることが、看取できる。
　また、図１、図２及び半導体基板１０を薄くした図３のいずれの図においても、半導体基板１０の上下面は、ほぼ平行な面となっていることが看取できる。
　
　上記（刊１ア）〜（刊１エ）を整理すると、刊行物１には、
  「集積回路１２が形成された第１の面２０と、それとは反対の第２の面３８とを有する半導体基板１０であって、前記半導体基板１０は、集積回路１２が形成された第１の面２０に、例えば、ＳｉＯ２、ＳｉＮ、ポリイミド樹脂などで形成され、電極１４と、集積回路１２と電極１４を接続する配線とがその上に形成されているパッシベーション膜１６を有する半導体基板１０と、
　前記第１の面２０からの第１の突出部と、前記第２の面３８からの第２の突出部とを有する貫通電極４０であって、前記貫通電極４０は、パッシベーション膜１６と半導体基板１０とを連続して形成された貫通穴２６及び凹部２２内に電解メッキ等で充填・形成された導電部３０からなっている貫通電極４０と、
　前記半導体基板１０の前記第１の面２０に、パッシベーション層１６を介して、かつ、前記第１の突出部を避けて形成されたエポキシ系樹脂等の第１の樹脂層５０と、
　前記半導体基板の前記第２の面３８に、前記第２の突出部の少なくとも一部を露出させて形成され、第１の樹脂層５０と同一又は類似の線膨張係数などの物性を有した第２の樹脂層５４であって、複数層で形成されている第２の樹脂層５４と、
を含む半導体装置」（以下「刊行物１発明」という。）が開示されている。
　
　
　　イ　当審の判断
　　（ア）対比
　本願補正発明と刊行物１発明とを対比すると、
　　　ａ　刊行物１発明の「第１の面」及び「第２の面」は、それぞれ本願補正発明の「第１主面」及び「第２主面」相当する。
　　　ｂ　刊行物１発明の「パッシベーション膜１６」は、「ＳｉＯ２、ＳｉＮ、ポリイミド樹脂などで形成され」ているものであり、絶縁材料からなっていることは明らかであるから、刊行物１発明の「第１の面２０に、例えば、ＳｉＯ２、ＳｉＮ、ポリイミド樹脂などで形成され、電極１４と、集積回路１２と電極１４を接続する配線とがその上に形成されているパッシベーション膜１６」は、本願補正発明の「第１主面上に形成された第１主面絶縁膜」に相当する。
　なお、刊行物１発明の「パッシベーション膜１６」は、その上に、「電極１４と、集積回路１２と電極１４を接続する配線とが」「形成されて」いるものであるから、半導体基板１０と、電極１４及び配線とを絶縁することをもその目的の一つとしていることは明らかであり、また、集積回路を作り込む側のパッシベーション膜が絶縁としての機能を備えること自体も、例えば、特開２００４−２２１３５０号公報（以下、「周知例１」という。）の「【０００８】・・（略）・・集積回路１６は、第２の面１４よりも第１の面１２に近い位置に形成されている。【０００９】半導体基板１０の第１の面１２には、
第１の絶縁層（例えばパッシベーション膜）
パッシベーション膜１８は、例えば、ＳｉＯ
２
、ＳｉＮ、ポリイミド樹脂などで形成する
第１の絶縁層１８は、集積回路１６を覆う
　　　ｃ　半導体装置を形成する半導体基板において、素子等を形成する主面とその裏面とは、素子形成、平坦化処理等の観点から平行な状態としていることが通常であり、特段の理由がなければ、あえて非平行とはしないことは当業者にとって技術常識である。そして、刊行物１発明の「第１の面」及び「第２の面」においても、あえて非平行状態とすべき特段の理由はなく、また、上記刊行物１の摘記事項（エ）で摘示したように、図面からもほぼ平行状態であることが看取されているから、刊行物１発明の「第１の面」及び「第２の面」は、本願補正発明の「第１主面と平行な第２主面」との関係を有している。
　　　ｄ　したがって、上記ａ、ｂ及びｃから、刊行物１発明の「集積回路１２が形成された第１の面２０と、それとは反対の第２の面３８とを有する半導体基板１０であって、前記半導体基板１０は、集積回路１２が形成された第１の面２０に、例えば、ＳｉＯ２、ＳｉＮ、ポリイミド樹脂などで形成され、電極１４と、集積回路１２と電極１４を接続する配線とがその上に形成されているパッシベーション膜１６を有する半導体基板１０を有する半導体基板」は、本願補正発明の「第１主面と、該第１主面と平行な第２主面と、前記第１主面上に形成された第１主面絶縁膜とを有する半導体基板」に相当する。
　　　ｅ　刊行物１発明の「パッシベーション膜１６と半導体基板１０とを連続して形成された貫通穴２６及び凹部２２」は、「導電部３０」が、電解メッキ等で充填・形成された後、半導体基板１０が薄くされることによって、当該導電部が、半導体基板１０の「第１の面」及び「第２の面」を貫通することとなるから、刊行物１発明の「貫通穴２６及び凹部２２」は、本願補正発明の「ビアホール」に相当する。
　　　ｆ　刊行物１発明の「第２の面３８からの第２の突出部」は、導電部３０からなる貫通電極４０の一部であるから、本願補正発明の「第２主面から突出している突起電極」に相当する。
　　　ｇ　刊行物１発明の「第２の樹脂５４」は、「第１の樹脂層５０と同一又は類似の線膨張係数などの物性を有した第２の樹脂層５４」であって、第１の樹脂層５０は、「エポキシ系樹脂等」からなっており、第２の樹脂５４は、実質的に合成樹脂を含むものであり、また、「第２の樹脂５４」は、「第２の突出部の少なくとも一部を露出させて形成され」ているのであるから、少なくとも「第２の突出部」の周囲を囲んでいることは明らかである。
　したがって、刊行物１発明の「前記半導体基板の前記第２の面３８に、前記第２の突出部の少なくとも一部を露出させて形成され、第１の樹脂層５０と同一又は類似の線膨張係数などの物性を有した第２の樹脂層５４」は、本願補正発明の「第２主面上に合成樹脂により形成され、前記突起電極の周囲を囲んでいる第２主面樹脂層」に相当する。
　
　そうすると、上記「ａ」〜「ｇ」の点を鑑みれば、両者は、
　「第１主面と、該第１主面と平行な第２主面と、前記第１主面上に形成された第１主面絶縁膜とを有する半導体基板と、
　前記半導体基板および前記第１主面絶縁膜を貫通して形成されたビアホール内に埋め込まれた貫通電極と、
　前記第２主面から突出している突起電極と、
　前記第２主面上に合成樹脂により形成され、前記突起電極の周囲を囲んでいる第２主面樹脂層と、
　を有する半導体装置。」
の点で一致するものの、次の点で一見相違する。
　
＊相違点：本願補正発明が、「前記第２主面と前記第２主面樹脂層との間に前記第２主面樹脂層とは異なる材料で形成され、前記第２主面樹脂層との間に界面を形成する第２主面絶縁膜」を有しているのに対して、刊行物１発明は、「第２の樹脂層５４」が「複数層で形成されている」点。　
　
　　（イ）判断
　上記相違点について検討する。
　　　（ａ）刊行物１発明の「第２の樹脂層５４」は、「複数層で形成されている」ことから、複数の樹脂層が、全く同じもののみならず、異なる樹脂層からなることを意味していることは明らかである。
　　　（ｂ）一方、刊行物１発明の「第２の樹脂層５４」は、「エポキシ系樹脂等」からなっている「第１の樹脂層５０」と類似の物性を有する材料或いは同一の材料を用いることが刊行物１に説明されており、エポキシ系樹脂自体は、一般的に絶縁体である。
　したがって、刊行物１発明の「第２の樹脂層５４」についても、導電体である樹脂を採用する旨の特段の説明はないから、エポキシ系樹脂等の一般的な樹脂から複数の異なる樹脂が選択され、それらは、いずれも樹脂であると共に、絶縁体であることは明らかである。
　　　（ｃ）してみると、刊行物１発明において、第２の面５４上に異なる複数の樹脂からなる第２の樹脂層５４を形成することで、第２の面５４と複数の樹脂の内の少なくとも一つの樹脂との間に、それとは異なる樹脂としての絶縁層を介在させていることになから、上記相違点に係る発明特定事項は、刊行物１発明においても有している事項であり、当該相違点は、実質的な相違点とはならず、本願補正発明と刊行物１発明とは同一の発明である。
　
　　（ウ）審判請求人の主張について
　　　ａ　請求人は、回答書において、本願補正発明の「第２主面絶縁膜」について、「第２主面絶縁膜が少なくとも樹脂ではないことが明確であると思料します。したがって、「異なる材料」が樹脂の範囲内に限定される引用文献１に記載の発明から本願発明を想到することは、たとえ当業者であっても困難であると思料します。」との主張をしている。
　しかしながら、本件補正発明において、「第２主面絶縁膜」が、「樹脂」を含まない材料のみに限定されているものではないことは明確であるから、上記主張は当を得たものではない。
　
　　　ｂ　なお、仮に、「第２主面絶縁膜」が「樹脂」を含まない材料のみに限定されているものとした場合について、以下検討する。
　　　　（ａ）刊行物１には、刊行物１発明の目的、効果として以下の事項が記載されている。
　 「【０００６】
【課題を解決するための手段】・・（略）・・
 （１２）本発明に係る半導体装置は、・・（略）・・本発明によれば、半導体基板の
両方の面に樹脂層が形成
いずれか一方の樹脂層が他方の樹脂層による応力を相殺するように硬化収縮（又は膨張）するので、半導体基板に加えられる応力が緩和され、その反りや割れを防止する
　「【００４０】
・・（略）・・複数の半導体チップ８０はスタックされている。上下の貫通電極４０同士あるいは貫通電極４０と電極１４は、ろう材３６によって接合されていてもよい。ろう材３６は、一方の半導体チップ８０の第１の突出部４１に設けられ、他方の半導体チップ８０の第２の突出部４２に載るようになっている。半導体チップ８０には、その
両方の面（第１及び第２の面２０，３８）に樹脂層（第１又は第２の樹脂層５０，５４）が形成されている。したがって、いずれか一方の樹脂層（例えば第２の樹脂層５４）が他方の樹脂層（例えば第１の樹脂層５０）による応力を相殺するように硬化収縮（又は膨張）するので、半導体チップ８０に加えられる応力が緩和され、その反りや割れを防止する
ろう材３６が第２の突出部４２の周辺領域に流れ出しても（又は分離して転がっても）、第２の樹脂層５４が形成されているため、半導体チップ８０の第２の面３８（半導体部分）には接触しないようになっている。したがって、ろう材３６によるショート又は電気的不良が防止される
　　
　　　（ｂ）上記刊行物１の記載によれば、「半導体基板の両方の面に樹脂層を形成することにより、」「他方の樹脂層による応力を相殺するように硬化収縮（又は膨張）するので、半導体基板に加えられる応力が緩和され、その反りや割れを防止する」との目的、効果に加え、スタック（積層）をし、且つろう材等を用いる場合には、
ろう材の周辺領域への流れ出しによる「ショート又は電気的不良が防止
　
　　　（ｃ）刊行物１発明における第１の面においては、ＳｉＯ２、ＳｉＮ、ポリイミド樹脂などのパッシベーション層１６介して第１の樹脂層５０が形成されており、第１の面側においては、ＳｉＯ２、ＳｉＮ等の無機酸化物或いは窒化物によって「
ろう材の周辺領域への流れ出しによるショート又は電気的不良が防止
　
　　　（ｄ）一方、刊行物１発明の第２の面の上に形成される「第２の樹脂層５４」は、【００２９】にも記載されているように、「第２の樹脂層５４は、熱硬化性樹脂であってもよいし、熱可塑性樹脂であってもよい。」ものである。
　この場合、上記のようにスタック時の接合における一般的な熱処理に際して、第２の面においては、第１の面のようにパッシベーション膜がない場合には、「第２の樹脂層５４」が溶け出すか或いは極めて緩い状態になり、「第２の樹脂層５４」のみでは、「
ろう材の周辺領域への流れ出しによるショート又は電気的不良が防止
　
　　　（ｅ）そして、複数の半導体装置を積層し、各半導体装置の基板を貫通する貫通電極を介して他の基板と電気的な接続を行う技術分野において、素子形成面と反対の面に無機絶縁膜を形成することは、下記周知例１〜４のように周知の事項である。
　
　＜周知例＞
　＊周知例１：特開２００４−２２１３５０号公報
　「【０００８】・・（略）・・集積回路１６は、第２の面１４よりも第１の面１２に近い位置に形成されている。」
　「【００１８】・・（略）・・半導体基板１０を薄型化するときは、半導体基板１０の第２の面（第１の面１２とは反対の面）１４を削る。・・（略）・・
【００１９】・・（略）・・半導体基板１０の第２の面１４に第２の絶縁層３８を形成してもよい。・・（略）・・
第２の絶縁層３８は、酸化膜（例えばＳｉＯ
２
）
　「【００３０】・・（略）・・また、半導体チップ８０に形成されている
第２の絶縁層３８によって、上下の半導体チップ８０間のショートを防止することができる
　
　＊周知例２：特開２００４-２８８７２２号公報（原審の拒絶理由における引用文献２）
　「【００３２】
一方、半導体基板１０の
裏面１０ｂには、第２の絶縁層である絶縁膜２６が形成されている。絶縁膜２６は、ＳｉＯ
２
（酸化ケイ素）やＳｉＮ（窒化ケイ素）などの無機物
【００３３】
・・（略）・・また、
積層後にアンダーフィル等を充填する代わりに、積層前に半導体チップ２の裏面１０ｂに熱硬化性樹脂等を塗布する場合
　
　＊周知例３：特開２００４−１２８０６３号公報（原審の拒絶理由における引用文献４）
　「【００２５】
各チップ１０ａ、１０ｂ、１０ｃの上層配線層３５内には、それぞれパッド２０が形成されている。また、各チップ１０ａ、１０ｂ、１０ｃの
パッド２０の反対側のシリコン基板１１の裏面には保護絶縁膜（ＳｉＯ
２
）１７が形成されている
　
　＊周知例４：特開２００４−２９７０１９号公報
　「【００２５】・・（略）・・また、積層後にアンダーフィル等を充填する代わりに、
積層前に半導体装置１の裏面１０ｂに熱硬化性樹脂等を塗布する
【００２６】
また、半導体基板１０の
裏面１０ｂには、第２の絶縁膜２６が形成されている。この第２の絶縁膜２６は、酸化珪素や窒化珪素、ポリイミド樹脂等から形成されたもの
　
　　　（ｆ）してみると、刊行物１発明の第２の樹脂層を形成した第２の面側において、複数の半導体素子をスタックさせる際により確実に、「ろう材の周辺領域への流れ出しによるショート又は電気的不良が防止」できることを図ろうとして、周知の無機絶縁膜を介在させることは当業者にとって容易に想到し得た事項である。
　　
　　（エ）独立特許要件の判断の結論
　したがって、本願補正発明は、刊行物１に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない、或いは、刊行物１及び周知例１〜４に記載された周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。　
　
（３）補正の適否のまとめ
　よって、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
　
第３　本願発明について　
１　本願発明
　平成２４年１０月３１日に提出された手続補正書による手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜２４に係る発明は、本願出願当初の特許請求の範囲の請求項１〜２４に記載されたとおりのものであるところ、請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、請求項１に記載された次のとおりのものである。
　「【請求項１】
  第１主面と、該第１主面と平行な第２主面と、前記第１主面上に形成された絶縁膜とを有する半導体基板と、
  前記半導体基板および前記絶縁膜を貫通して形成されたビアホール内に埋め込まれた貫通電極と、
  前記第２主面から突出している突起電極と、
  前記第２主面上に合成樹脂により形成され、前記突起電極の周囲を囲んでいる第２主面樹脂層と
  を有する半導体装置。」
　
２　原審の拒絶の理由の概要
　原審の拒絶の理由の概要は、
　「２．この出願の下記の請求項に係る発明は、その出願前に日本国内又は外国において、頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。
　３．この出願の下記の請求項に係る発明は、その出願前に日本国内又は外国において、頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　＜請求項１〜１９について＞
　・理由　２、３
　・引用文献等　１
　・備考
　　引用文献１の全文、全図を参照。
　　当該請求項に係る発明は、引用文献１に記載された発明であるか、仮にそうでないとしても、引用文献１に記載された発明に基づいて当業者が容易になし得たものである。」としたものである。
　　そして、上記の引用文献１は、上記「第２［理由］２（２）ア　引用刊行物及びその摘記事項」に記載された刊行物１である。
　
３　引用刊行物及びその摘記事項
　原査定の拒絶の理由に引用された本願の優先権主張の日前に頒布された刊行物１の摘記事項及び刊行物１発明は、上記「第２［理由］２（２）ア　引用刊行物及びその摘記事項」に記載されたとおりである。
　
４　対比・判断
　本願発明は、前記「第２［理由］２（２）イ　当審の判断」で検討した本願補正発明において、「第１主面絶縁膜」における「第１主面」、及び、「前記第２主面と前記第２主面樹脂層との間に前記第２主面樹脂層とは異なる材料で形成され、前記第２主面樹脂層との間に界面を形成する第２主面絶縁膜」との各事項が削除されたものである。
　そうすると、本願発明の構成要件を全て含み、さらに他の構成要件を付加したものに相当する本願補正発明と刊行物１発明との対比を行った前記「第２［理由］２（２）イ　当審の判断（ア）対比」に記載した点を踏まえると、本願発明と刊行物１発明とは、全ての構成において一致する。
　よって、本願発明は、刊行物１に記載された発明である。
　
５　むすび 
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、刊行物１に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができないものであり、本願の請求項２〜２４に係る発明については検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。