【事件の表示】
　特願２００３−１４２７８０「半導体デバイス障壁層」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　１月２９日出願公開、特開２００４−　３１９３７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯
　本願は、平成１５年５月２１日（パリ条約による優先権主張２００２年５月２１日、アメリカ合衆国）の出願であって、平成１８年５月１８日に手続補正書が提出され、平成２２年５月１３日付けの拒絶理由通知に対して、同年１１月１７日に意見書及び手続補正書が提出されたが、平成２３年３月１５日付けで拒絶査定がされ、これに対し、同年７月２２日に審判請求がされるとともに手続補正書が提出され、平成２４年２月２４日付けの審尋に対して、同年８月２７日付けで回答書が提出されたものである。
　
　
第２．補正の却下の決定
【補正の却下の決定の結論】
　平成２３年７月２２日に提出された手続補正書による手続補正を却下する。
　
【理由】
１．補正の内容
　平成２３年７月２２日に提出された手続補正書による手続補正（以下「本件補正」という。）は、平成２２年１１月１７日に提出された手続補正書による手続補正で補正された特許請求の範囲を補正するものであって、その内容は以下のとおりである。
　
〈補正事項１〉
　請求項１において、補正前の「（ａ）　少なくとも２つの層を有する誘電材料であって、誘電材料の前記２つの層の間にエッチ停止層が位置づけられ、くぼみが前記誘電材料の２つの層及びエッチ停止層中に形成され、前記くぼみはその中に位置づけられる銅を有し、前記誘電材料の層及び前記エッチ停止層は、前記エッチ停止層から空間的に分離されたくぼみ中前記誘電材料の複数の表面を有し」という記載を、補正後の「ａ）　エッチ停止層をその上に配置する第１の誘電体材料、及び、前記エッチ停止層及び第２の誘電体材料及び前記エッチ停止層を貫通し前記第１の誘電体材料へ延伸する溝上に配置された前記第２の誘電体材料と、前記溝は前記第１及び第２の誘電体材料及び前記エッチ停止層の側縁を露出し」と補正する。
　
〈補正事項２〉
　請求項１において、補正前の「（ｂ）…（中略）…前記Ｓｉ３Ｎ４膜は前記くぼみ内の誘電材料の表面に沿って配置されるが、前記くぼみ内のエッチ停止層に沿っては配置されず」との記載を、補正後の「（ｂ）…（中略）…前記Ｓｉ３Ｎ４膜は前記第１及び第２の誘電層の前記露出した側縁に沿って配置されるが、前記エッチ停止層の前記露出した側縁に沿っては配置されず」と補正する。
　
〈補正事項３〉
　請求項２において、補正前の「窒素源」との記載を、補正後の「窒素含有材料」と補正する。
　
〈補正事項４〉
　補正前の請求項３を削除するとともに、補正前の請求項４及び５を補正後の請求項３及び４に繰り上げる。
　
〈補正事項５〉
　補正前の請求項４の「前記くぼみは前記誘電体材料中に形成されたビア及びトレンチを含む」との記載を、対応する補正後の請求項３の「前記溝は前記第１の誘電体材料中に形成されたビア及びトレンチを含む」と補正する。
　
〈補正事項６〉
　補正前の請求項５の「前記誘電体材料」との記載を、対応する補正後の請求項４の「前記第１及び第２の誘電体材料」と補正する。
　
２．新規事項の有無
　補正事項１〜６は、いずれも、本願の願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてしたものと認められるから、本件補正は、平成１４年法律第２４号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項の規定に適合する。
　
３．補正目的の適否
〈補正事項１について〉
　補正事項１は、補正前の「くぼみ」と、補正前の「少なくとも２つの層を有する誘電材料」とを、それぞれ、補正後の「溝」と、補正後の「第１の誘電体材料」及び「第２の誘電体材料」に置き換えて、それに伴い、表現を修正するものである。
　しかしながら、前記置き換えにより、補正前には存在した「前記くぼみはその中に位置づけられる銅を有し」ているという事項が、補正後の請求項１からは削除されている。
　このように、発明特定事項を削除する補正事項１の補正は、特許請求の範囲の減縮（請求項に記載した発明を特定するために必要な事項を限定するものであつて、その補正前の当該請求項に記載された発明とその補正後の当該請求項に記載される発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一であるものに限る。以下、同じ。）を目的とする補正であるとは認められない。
　また、補正事項１の補正により、請求項１に係る発明は、前記「溝」中に銅等の導電性金属材料が充填されないものを包含することとなり、請求項１に係る発明が上位概念化されている。このように、請求項１に係る発明を概念的に上位のものとする補正が、特許請求の範囲の減縮を目的とする補正であるとは認められない。
　そして、補正事項１の補正が、請求項の削除、誤記の訂正、あるいは、明りようでない記載の釈明を目的としていないことは、明らかである。
　
〈補正事項２について〉
　補正事項２は、補正前の「前記くぼみ内の誘電材料の表面」を補正後の「前記第１及び第２の誘電層の前記露出した側縁」に補正するとともに、補正前の「前記くぼみ内のエッチ停止層」を補正後の「前記エッチ停止層の前記露出した側縁」に補正するものである。
　ここで、補正後の「前記露出した側縁」は、補正事項１から明らかなように、「前記溝」において「露出」する、「前記第１及び第２の誘電体材料」の「側縁」、あるいは、「前記エッチ停止層の側縁」のことである。
　したがって、前記の、補正前に「前記くぼみ内のエッチ停止層」を補正後の「前記エッチ停止層の前記露出した側縁」に補正する補正は、特許請求の範囲を実質的に補正する補正であるとは認められないが、前記の、補正前の「前記くぼみ内の誘電材料の表面」を補正後の「前記第１及び第２の誘電層の前記露出した側縁」に補正する補正は、「前記Ｓｉ３Ｎ４膜」は「前記第１及び第２の誘電層」の両方の誘電材料の「前記露出した側縁に沿って配置される」ことを限定したものである。
　以上から、補正事項２の補正は、特許請求の範囲の減縮を目的とする補正であると認められる。
　
〈補正事項３について〉
　補正事項３は、補正前の請求項２が引用する請求項１に「シリコンを含む前記誘電体材料が窒素含有材料に露出され」と記載されていたことから、補正前の「窒素源」との記載を、補正後の「窒素含有材料」と補正したものであると認められる。
　したがって、補正事項３の補正は、誤記の訂正、あるいは、明りようでない記載の釈明を目的としていると認められる。
　
〈補正事項４について〉
　補正事項４の補正は、請求項の削除を目的としていると認められる。
　
〈補正事項５について〉
　補正事項５の補正は、「ビア及びトレンチ」が「形成」されるのが、「誘電体材料」のうち、「前記第１の誘電体材料中」であることを限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とする補正であると認められる。
　
〈補正事項６について〉
　補正事項６の補正は、請求項１において、補正前の「少なくとも２つの層を有する誘電材料」が補正後の「第１の誘電体材料」及び「第２の誘電体材料」に置き換えられたことから、補正前の請求項５の「前記誘電体材料」との記載を、請求項４の「前記第１及び第２の誘電体材料」と補正したものである。
　したがって、補正事項６の補正は、明りようでない記載の釈明を目的としていると認められる。
　
〈補正目的の検討のまとめ〉
　以上のとおり、本件補正は、請求項の削除、特許請求の範囲の減縮、明りょうでない記載の釈明、誤記の訂正のいずれにも該当していない補正事項１の補正を含んでいる。
　よって、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項の規定に違反している。
　
４．独立特許要件
　以上のように、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項の規定に違反している。
　しかしながら、仮に、補正事項１が、本件補正が特許請求の範囲の減縮を目的とする補正であるとした場合について、本件補正後の特許請求の範囲に記載された発明が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものか否かについてを、本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本件補正発明」という。）について、以下に検討する。
　
４−１．特許請求の範囲の記載要件の検討
　　ア．本件補正後の請求項１には、「前記エッチ停止層及び第２の誘電体材料及び前記エッチ停止層を貫通し前記第１の誘電体材料へ延伸する溝上に配置された前記第２の誘電体材料」と記載されている。
　
　　イ．まず、前記本件補正後の記載は、「前記エッチ停止層」及び「第２の誘電体材料」及び「前記エッチ停止層を貫通し前記第１の誘電体材料へ延伸する溝」上に配置された「前記第２の誘電体材料」という意味であるのか、「前記エッチ停止層及び第２の誘電体材料及び前記エッチ停止層」を「貫通し前記第１の誘電体材料へ延伸する溝」上に配置された「前記第２の誘電体材料」という意味であるのか、不明である。
　したがって、前記の記載は、多義的であり、本件補正後の請求項１を明確でなくする記載であると認められる。
　
　　ウ．そして、前記本件補正後の記載が、「前記エッチ停止層」及び「第２の誘電体材料」及び「前記エッチ停止層を貫通し前記第１の誘電体材料へ延伸する溝」上に配置された「前記第２の誘電体材料」という意味であるなら、「第２の誘電体材料」の上に「前記第２の誘電体材料」が配置されることとなるから、「前記エッチ停止層及び第２の誘電体材料及び前記エッチ停止層を貫通し前記第１の誘電体材料へ延伸する溝上に配置された前記第２の誘電体材料」の記載の意味は、理解不能である。
　
　エ．また、前記本件補正後の記載が、「前記エッチ停止層及び第２の誘電体材料及び前記エッチ停止層」を「貫通し前記第１の誘電体材料へ延伸する溝」上に配置された「前記第２の誘電体材料」という意味であるなら、該本件補正後の記載における２つの「前記エッチ停止層」は、いずれも「第１の誘電体材料」の「上に配置」される同一の「エッチ停止層」を指すと認められるから、「前記エッチ停止層及び第２の誘電体材料及び前記エッチ停止層を貫通し」の記載は不明りょうである。
　さらに、前記本件補正後の記載において、「溝」は、少なくとも、「第２の誘電体材料」を「貫通し」ている。
　してみれば、「第２の誘電体材料」を「貫通し」ている「溝」の上に「前記第２の誘電体材料」が「配置された」こととなるから、「前記エッチ停止層及び第２の誘電体材料及び前記エッチ停止層を貫通し前記第１の誘電体材料へ延伸する溝上に配置された前記第２の誘電体材料」の記載の意味は、やはり、理解不能である。
　
　　オ．以上のように、本件補正後の請求項１に係る発明は明確でない。
　したがって、本件補正後の特許請求の範囲の記載は、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。
　
４−２．進歩性の特許要件の検討
（１）本件補正発明
　　ア．前項で指摘したように、本件補正後の「前記エッチ停止層及び第２の誘電体材料及び前記エッチ停止層を貫通し前記第１の誘電体材料へ延伸する溝上に配置された前記第２の誘電体材料」という記載は、本件補正後の請求項１に係る発明は明確でなくする記載である。
　
　　イ．ところで、本願明細書には、以下の記載がある。
・「【０００９】
誘電体材料中にエッチングされるビア又はトレンチのようなくぼみ又は形状は、少くとも１つ又は複数の側壁を含んでよく、誘電体材料の１ないし複数の露出された表面を含んでもよい。……（以下、省略）」
・「【００１４】
下部金属層（２２）上に２つの誘電体層を、絶縁層（３４）及び上部金属層（２３）の形で堆積させる。第２のエッチ停止層（２５Ｂ）を最初下部金属層（２２）上に堆積させ、次に絶縁層（３４）をエッチ停止層（２５Ｂ）及び下部金属層（２２）上に堆積させる。次に、第３のエッチ停止層（２５Ｃ）を絶縁層（３４）上に堆積させ、上部金属層（２３）を第３のエッチ停止層（２５Ｃ）上に堆積させる。
【００１５】
次に、デバイス障壁（３５）が上部金属層（２３）上に形成される。デバイス障壁層（３５）は通常ビア又はトレンチのようなデバイス形状をパターン形成及びエッチングする目的で、デバイス上に堆積させたマスク層の薄膜の残りである。図２を参照すると、ビア（３１）が絶縁層（３４）中にエッチングされ、トレンチ（３２）は上部金属層（２３）中にエッチングされている。デバイス形状（３１）及び（３２）を形成するために、当業者
には知られたデュアルダマシンプロセスを用いてよい。」
　
　また、本願の図２には、「ビア又はトレンチのようなデバイス形状」を有する溝が、「デバイス障壁（３５）」、「上部金属層（２３）」、「第２のエッチ停止層（２５Ｂ）」及び「絶縁層（３４）」を貫通して、前記「デバイス障壁（３５）」の下の「上部金属層（２３）」から「絶縁層（３４）」の下面まで延伸して設けられる、ことが記載されている。
　
　　ウ．すなわち、本願明細書の発明の詳細な説明及び図面には、
　「エッチ停止層（２５Ｂ）」をその上に配置する第１の誘電体材料である「絶縁層（３４）」、第２の誘電体材料である「上部金属層（２３）」、及び、前記「エッチ停止層（２５Ｂ）」と前記「絶縁層（３４）」及び前記「上部金属層（２３）」を貫通し前記「絶縁層（３４）」へ延伸する溝が配置され、前記溝は前記「上部金属層（２３）」、前記「エッチ停止層（２５Ｂ）」及び前記「絶縁層（３４）」の側縁を露出させている、
ことが記載されている。
　
　　エ．なお、本件補正後の請求項１の「前記溝に隣接する前記誘電体材料の少なくとも一部の化学組成がシリコン窒化物（Ｓｉ３Ｎ４）変えるプロセス」の記載は、前記溝に隣接する前記誘電体材料の少なくとも一部の化学組成
を
に
　
　　オ．因みに、審判請求人は、平成２４年８月２７日付けの回答書において、審判請求人は、前記ア〜エで指摘した箇所に関して、
「［請求項１］　（ａ）　少なくとも２つの層を有する誘電体材料であって、前記誘電体材料の２つの層間に配置されたエッチ停止層を有し、凹部が前記誘電体材料の少なくとも２つの層及びエッチ停止層内に形成され、前記凹部はその中に銅を配置し、前記誘電体材料の層及び前記エッチ停止層は前記エッチ停止層により間隔をおかれた前記凹部中複数の前記誘電体材料の表面を形成し、
（ｂ）シリコンを含む前記誘電体材料が窒素含有材料に露出され、前記凹部に隣接する前記誘電体材料の少なくとも一部の化学組成をシリコン窒化物（Ｓｉ３Ｎ４）変えるプロセス
……（中略）……
を含む半導体デバイス。」、
　という補正案を提示している。
　
　　カ．以上のとおりであるから、本件補正発明を、本願明細書の発明の詳細な説明及び図面の記載を参酌することで、次のとおりに認定する。
　
【請求項１】
「（ａ）エッチ停止層をその上に配置する第１の誘電体材料、第２の誘電体材料、及び、前記エッチ停止層と前記第１及び第２の誘電体材料を貫通し前記第１の誘電体材料へ延伸する溝が配置され、前記溝は前記第１及び第２の誘電体材料及び前記エッチ停止層の側縁を露出し、
（ｂ）シリコンを含む前記誘電体材料が窒素含有材料に露出され、前記溝に隣接する前記誘電体材料の少なくとも一部の化学組成をシリコン窒化物（Ｓｉ３Ｎ４）に変えるプロセスから形成されるシリコン窒化物（Ｓｉ３Ｎ４）膜であって、前記Ｓｉ３Ｎ４膜は前記第１及び第２の誘電層の前記露出した側縁に沿って配置されるが、前記エッチ停止層の前記露出した側縁に沿っては配置されず、及び
（ｃ）前記シリコン窒化物（Ｓｉ３Ｎ４）膜及び前記エッチ停止層の表面にわたって配置される耐火性金属膜を含む半導体デバイス。」
　
（２）引用刊行物の表示
　　１．特開平１１−０４０６７１号公報
　　２．特開２００１−０３５９１７号公報
　
（３）各引用刊行物の記載事項と引用発明
（３−１）引用例１の記載事項
　本願の原査定の根拠となった拒絶の理由において、「引用文献１」として引用され、本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である、特開平１１−０４０６７１号公報（以下「引用例１」という。）には、「半導体装置を形成するためのプロセス」（発明の名称）に関して、図面とともに、次の記載がある（下線は、参考のため、当審において付したもの。以下、他の刊行物についても同様である。）。
　
　　ア．発明の背景
・「【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は一般的には相互接続（ｉｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔｓ）を備えた半導体装置を形成するプロセスまたは工程に関し、かつより特定的には、
はめ込まれたまたはインレイ（ｉｎｌａｉｄ）相互接続を備えた半導体装置
　
・「【０００２】
【従来の技術】今日、半導体装置は、０．２５ミクロンより小さいほどに、非常に小さい寸法に作られてきている。装置寸法が低減するに応じて、コンタクト開口もまた狭くなってきている。高速で動作する半導体装置に伴う問題の一部はそれらが本質的に低い抵抗の銅の相互接続を使用することを必要とすることである。しかしながら、
銅は大部分の酸化物を通って拡散し、結果として誘電体ブレイクダウンおよび増大したライン−ライン電流リーケージを生じる。従って、銅を使用することは銅と隣接する絶縁層との間にバリア層または障壁層が配置されることを必要とする。
コンタクト開口の寸法が非常に小さくなった場合、障壁層によって占有される断面積の割合が大きくなりすぎる。銅に対する障壁層の割合が増大すると、相互接続の実効抵抗が増大する。
　
　　イ．発明が解決しようとする課題
・「【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記問題を解決するための１つの従来技術の試みはシリコンオキシフルオライド（ｓｉｌｉｃｏｎ  ｏｘｙｆｌｕｏｒｉｄｅ）層を窒化しかつ窒化された層の上に銅の層を被着することである。このプロセスは接着または付着に関連する問題を有する。
銅は窒化されたシリコンオキシフルオライドに十分に接着しない。
　
　　ウ．発明の実施の形態
・「【００１０】図１は、本発明の１実施形態のためのプロセス流れ図を含む。半導体装置が第１のレベルの相互接続が形成されるポイントまで処理されている。典型的には、この第１のレベルの相互接続は銅を含む。１つまたはそれ以上の絶縁膜が被着されて絶縁層を形成し、該絶縁層は次にパターニングされて、ステップ１０に見られるように、下に横たわる銅の相互接続まで延在する２重のはめ込みまたはインレイ（ｉｎｌａｉｄ）開口を形成するためにパターニングされる。開口を形成した後に、絶縁層の露出された面は次に窒素プラズマに露出され、該窒素プラズマは前記絶縁層の一部を、ステップ１１に見られるように、銅のための拡散障壁層である窒化された酸化膜（ｎｉｔｒｉｄｅｄ  ｏｘｉｄｅ）へと変換する。窒化工程またはステップの後に、薄いシリコンの接着層が、ステップ１４に見られるように、前記露出された面のすべての上に被着される。銅のシード層（ｓｅｅｄｌａｙｅｒ）が、ステップ１６に見られるように、前記シリコン接着層の上に物理蒸着（ｐｈｙｓｉｃａｌ  ｖａｐｏｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）によって被着される。基板がツールから除去され、かつ厚い銅の層が、ステップ１７に見られるように、銅のシード層の上にめっきされる。めっきの後に、基板が研摩され、それによって銅のみが開口内に横たわり、ステップ１９に示されるように、ビアおよび相互接続部分を含む２つのまたは２重の（ｄｕａｌ）インレイ構造を形成する。」
　
・「【００１２】次に図３に示されるように第２の絶縁層５２が基板１２および相互接続２８の上に形成される。この
絶縁層５２は４つの別個の絶縁膜を含む。
酸化物膜または酸化膜２６が前記プラズマ増強窒化物膜の上に被着される。
シリコンオキシナイトライドから作られる任意選択的なエッチストップ膜５０が次に前記酸化膜２６の上に形成され、かつ２００〜７００オングストロームの範囲の厚さを有する。
第２の酸化膜５４が前記エッチストップ膜５０の上にほぼ５，０００〜６，０００オングストロームの範囲の厚さまで形成される。前記酸化膜２６および５４はテトラエチルオルソシリケート（ｔｅｔｒａｅｔｈｙｌｏｒｔｈｏｓｉｌｉｃａｔｅ：ＴＥＯＳ）、シリコンオキシフルオライド（ｓｉｌｉｃｏｎ  ｏｘｙｆｌｕｏｒｉｄｅ）、低ｋ誘電体、その他を使用して形成できる。
【００１３】
絶縁層５２は次に伝統的な技術を使用してパターニングされ図４に示されるようにデュアルインレイ開口を形成する。
前記酸化物層の露出面は次に、図５に示されるように、プラズマ窒化ステップを行うことによりシリコンオキシナイトライド拡散障壁部分５６へと変換される
【００１４】１つの特定の実施形態では、
このステップはほぼ５００〜１，５００ワットの範囲の比較的高い電力のプラズマを使用して行われる。典型的には、該プラズマは、分子窒素、アンモニア、その他のような、窒素含有化合物（ｎｉｔｒｏｇｅｎ−ｃｏｎｔａｉｎｉｎｇ  ｃｏｍｐｏｕｎｄ）を含む。
　
・「【００１５】図６に示されるように、シリコン
接着層５８が次に前記窒化された酸化物部分５６の上に形成されかつほぼ５０〜１５０オングストロームの範囲の厚さを有する。
別の実施形態では、前記接着層５８はマグネシウム、チタン、その他を含むことができる。
前記接着層５８はその後に形成される銅の層と反応して該銅と窒化された酸化物部分５６との間に強い接着を提供する
　
・「【００１７】図７に示されるように、
銅シード層６０はコリメートスパッタリングチェンバ（ｃｏｌｌｉｍａｔｅｄ  ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ  ｃｈａｍｂｅｒ）を使用して接着層５８の上に物理蒸着によって被着される。
【００１８】基板は次に電気めっきシステムに与えられ、そこで
６，０００〜１５，０００オングストロームの銅が、図８に見られるように、銅シード層６０の上にめっきされる。銅シード層６０はもはや電気めっきされた銅層から区別できず、従って接着層５８の上に横たわる複合銅層６２を形成する。
　
　　オ．図面の記載
　図４には、デュアルインレイ開口の内壁には、酸化膜２６及び第２の酸化膜５４と、絶縁膜４８及びエッチストップ膜５０の、それぞれの側面が露出していることが示されている。
　図５〜図１０には、第２の酸化膜５４から絶縁膜４８の下面まで延伸してデュアルインレイ開口が設けられていること、シリコンオキシナイトライド拡散障壁部分５６は、前記デュアルインレイ開口における、前記酸化膜２６及び前記第２の酸化膜５４の露出面部分に形成されており、絶縁膜４８及びエッチストップ膜５０の露出面部分には形成されていないことが示されている。
　
（３−２）引用発明
　　ア．前記「（３−１）引用例１の記載事項」のウにおける、「この絶縁層５２は４つの別個の絶縁膜を含む。より下の絶縁膜４８はほぼ２００〜７００オングストロームの範囲の厚さを有するプラズマ増強窒化物（ｐｌａｓｍａ  ｅｎｈａｎｃｅｄ  ｎｉｔｒｉｄｅ）から作られたパッシベイションおよび反射防止コーティングである。次に酸化物膜または酸化膜２６が前記プラズマ増強窒化物膜の上に被着される。該酸化膜は典型的には４，０００〜１０，０００オングストロームの範囲の厚さを有する。シリコンオキシナイトライドから作られる任意選択的なエッチストップ膜５０が次に前記酸化膜２６の上に形成され、かつ２００〜７００オングストロームの範囲の厚さを有する。この膜５０もまた反射防止コーティングである。第２の酸化膜５４が前記エッチストップ膜５０の上にほぼ５，０００〜６，０００オングストロームの範囲の厚さまで形成される。」との記載から、引用例１には、絶縁膜４８の上に被着された酸化膜２６、前記酸化膜２６の上に形成されたエッチストップ膜５０、及び、前記エッチストップ膜５０の上に形成された第２の酸化膜５４とからなる、４つの別個の絶縁膜を含む絶縁層５２が記載されている。
　
　　イ．同ウにおける、「絶縁層５２は次に伝統的な技術を使用してパターニングされ図４に示されるようにデュアルインレイ開口を形成する。これらのデュアルインレイ開口はビア部分７０および相互接続チャネル部分７２を含む。ビア部分７０は相互接続２８にコンタクトしかつ相互接続チャネル７２はビアおよび他の回路要素の間で導かれる。」との記載、及び、同オにおける図４の記載から、引用例１には、絶縁層５２にはその下面にまで貫通して延伸するデュアルインレイ開口が設けられ、前記デュアルインレイ開口の内壁には、酸化膜２６及び第２の酸化膜５４と絶縁膜４８及びエッチストップ膜５０の側面が露出していることが記載されている。
　
　　ウ．同ウにおける、「前記酸化膜２６および５４はテトラエチルオルソシリケート（ｔｅｔｒａｅｔｈｙｌｏｒｔｈｏｓｉｌｉｃａｔｅ：ＴＥＯＳ）、シリコンオキシフルオライド（ｓｉｌｉｃｏｎ  ｏｘｙｆｌｕｏｒｉｄｅ）、低ｋ誘電体、その他を使用して形成できる。ＴＥＯＳはカーボンの結合または導入を受入れ可能なレベルに保つために酸素ガスと組み合わせて操作することができる。この明細書で使用されているように、低ｋ誘電体は２酸化シリコンの誘電率（ほぼ３．９）より小さい誘電率を有するものである。低ｋ誘電体のいくつかの例はポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅｓ）、フルオロカーボン（ｆｌｕｏｒｏｃａｒｂｏｎｓ）（例えば、テフロン（Ｔｅｆｌｏｎ）ＴＭ）、パラレーン（ｐａｒａｌｅｎｅ）、その他を含む。」との記載から、引用例１には、酸化膜２６及び第２の酸化膜５４は、テトラエチルオルソシリケート、シリコンオキシフルオライド、低ｋ誘電体等を使用して形成されることが記載されている。
　
　　エ．同ウにおける、「デュアルインレイ開口を形成するために絶縁層５２をパターニングした後に、前記酸化物層の露出面は次に、図５に示されるように、プラズマ窒化ステップを行うことによりシリコンオキシナイトライド拡散障壁部分５６へと変換される。」及び「１つの特定の実施形態では、このステップはほぼ５００〜１，５００ワットの範囲の比較的高い電力のプラズマを使用して行われる。典型的には、該プラズマは、分子窒素、アンモニア、その他のような、窒素含有化合物（ｎｉｔｒｏｇｅｎ−ｃｏｎｔａｉｎｉｎｇ  ｃｏｍｐｏｕｎｄ）を含む。」との記載から、引用例１には、分子窒素やアンモニアのような窒素含有化合物を含むプラズマを使用するプラズマ窒化が行われることで、酸化膜２６及び第２の酸化膜５４のデュアルインレイ開口における露出面は、シリコンオキシナイトライド拡散障壁部分５６へと変換されることが記載されている。
　そして、前記プラズマ窒化はデュアルインレイ開口の内壁に対して行われることは明らかであること、前記「前記酸化物層の露出面は次に、図５に示されるように、プラズマ窒化ステップを行うことによりシリコンオキシナイトライド拡散障壁部分５６へと変換される。」との記載、及び、同オにおける図５の記載から、前記シリコンオキシナイトライド拡散障壁部分５６は、酸化膜２６及び第２の酸化膜５４の露出面部分に形成されるが、絶縁膜４８及びエッチストップ膜５０のデュアルインレイ開口における露出面部分には形成されていないことは、明らかである。
　
　　オ．同ウにおける、「図６に示されるように、シリコン接着層５８が次に前記窒化された酸化物部分５６の上に形成されかつほぼ５０〜１５０オングストロームの範囲の厚さを有する。典型的には、前記接着層５８はシリコン、シリコンゲルマニウム、ゲルマニウム、その他を含む。別の実施形態では、前記接着層５８はマグネシウム、チタン、その他を含むことができる。」との記載から、シリコンオキシナイトライド拡散障壁部分５６の上に接着層５８が所定の厚さで形成されることが記載されている。
　そして、前記「典型的には、前記接着層５８はシリコン、シリコンゲルマニウム、ゲルマニウム、その他を含む。別の実施形態では、前記接着層５８はマグネシウム、チタン、その他を含むことができる。」との記載から、引用例１には、前記接着層５８は、シリコン、シリコンゲルマニウム、ゲルマニウム、マグネシウム、チタンのいずれか一つを含むことが記載されている。
　したがって、引用例１には、シリコンオキシナイトライド拡散障壁部分５６の上に、チタンを含む接着層５８が所定の厚さで形成されることが記載されていると認められる。
　
　　カ．同ウにおける、「銅シード層６０はコリメートスパッタリングチェンバ（ｃｏｌｌｉｍａｔｅｄ  ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ  ｃｈａｍｂｅｒ）を使用して接着層５８の上に物理蒸着によって被着される。」及び「基板は次に電気めっきシステムに与えられ、そこで６，０００〜１５，０００オングストロームの銅が、図８に見られるように、銅シード層６０の上にめっきされる。銅シード層６０はもはや電気めっきされた銅層から区別できず、従って接着層５８の上に横たわる複合銅層６２を形成する。」との記載から、引用例１には、接着層５８の上に、銅シード層６０と銅めっき層とからなり、前記接着層５８の上に横たわる複合銅層６２が形成されることが記載されている。
　
　　キ．同イにおける「銅は窒化されたシリコンオキシフルオライドに十分に接着しない。窒化されたシリコンオキシフルオライドと銅との間の貧弱な接着はそれが研摩工程の間における銅のはがれ（ｐｅｅｌｉｎｇ）を生じるため重大な製造上の関心事である。」、及び、同ウにおける「前記接着層５８はその後に形成される銅の層と反応して該銅と窒化された酸化物部分５６との間に強い接着を提供する必要がある。」との記載から、引用例１には、接着層５８は、その後に形成される銅の層と前記シリコンオキシナイトライド拡散障壁部分５６との間に強い接着を提供することが記載されている。
　
　　ク．そして、同アにおける、「この発明は一般的には相互接続（ｉｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔｓ）を備えた半導体装置を形成するプロセスまたは工程に関し、かつより特定的には、はめ込まれたまたはインレイ（ｉｎｌａｉｄ）相互接続を備えた半導体装置を形成するためのプロセスに関する。」との記載から、引用例１には、インレイ相互接続を備えた半導体装置の発明が記載されていると認められる。
　
　以上ア〜クを総合すると、引用例１には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているといえる。
　
「絶縁膜４８の上に被着された酸化膜２６、前記酸化膜２６の上に形成されたエッチストップ膜５０、及び、前記エッチストップ膜５０の上に形成された第２の酸化膜５４とからなる、４つの別個の絶縁膜を含む絶縁層５２を備え、前記絶縁層５２にはその下面にまで貫通して延伸するデュアルインレイ開口が設けられ、前記デュアルインレイ開口の内壁には、前記酸化膜２６及び前記第２の酸化膜５４と前記絶縁膜４８及び前記エッチストップ膜５０の側面が露出し、
　前記酸化膜２６及び前記第２の酸化膜５４は、テトラエチルオルソシリケート、シリコンオキシフルオライド、低ｋ誘電体等を使用して形成され、
　分子窒素やアンモニアのような窒素含有化合物を含むプラズマを使用するプラズマ窒化が行われることで、前記酸化膜２６及び前記第２の酸化膜５４の前記デュアルインレイ開口における露出面は、シリコンオキシナイトライド拡散障壁部分５６へと変換され、前記シリコンオキシナイトライド拡散障壁部分５６は、前記酸化膜２６及び前記第２の酸化膜５４の前記露出面部分に形成されるが、前記絶縁膜４８及び前記エッチストップ膜５０の前記デュアルインレイ開口における露出面部分には形成されておらず、
　前記シリコンオキシナイトライド拡散障壁部分５６の上に、チタンを含む接着層５８が所定の厚さで形成され、
　前記接着層５８の上に、銅シード層６０と銅めっき層とからなり、前記接着層５８の上に横たわる複合銅層６２が形成されており、
　前記接着層５８は、その後に形成される銅の層と前記シリコンオキシナイトライド拡散障壁部分５６との間に強い接着を提供する、
ことを特徴とするインレイ相互接続を備えた半導体装置。」
　
（３−３）引用例２の記載事項
　本願の原査定の根拠となった拒絶の理由において、「引用文献３」として引用され、本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である、特開２００１−０３５９１７号公報（以下「引用例２」という。）には、「半導体装置およびその製造方法」（発明の名称）に関して、図面とともに、次の記載がある。
　
　　ア．発明の背景
・「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置およびその製造技術に関し、特に、
半導体装置を構成する配線の形成方法
　
　　イ．実施の形態１
・「【００４３】次いで、通常のフォトレジスト膜をマスクとしたエッチング処理を施すことにより、図５に示すように、層間絶縁膜８ｅに、配線溝１２ｂを形成する。この配線溝１２ｂの形成処理の際、酸化シリコン膜の方が窒化シリコン膜よりもエッチング除去され易い条件とすることにより、
絶縁膜１４ａをエッチングマスクとして開口部１５から露出する層間絶縁膜８ｄをエッチング除去する。これにより、接続孔９ｃも形成する。
層間絶縁膜８ｅ上、配線溝１２ｂ内および接続孔９ｃ内に、例えば窒化シリコン膜等、層間絶縁膜８ｄ，８ｅ等よりも誘電率の高い材料からなる絶縁膜１４ｂをＣＶＤ法等によって形成する。
【００４４】次いで、図８に示すように、
層間絶縁膜８ｅ上、配線溝１２ｂ内および接続孔９ｃ内に、例えば銅からなる導体膜１３をスパッタリング法、ＣＶＤ（ChemicalVapor Deposition ）法またはメッキ法あるいはそれらの方法の組み合わせにより成膜する。この工程に先立って、例えばＴｉＮ、ＴｉＯＮ、ＴｉＳｉＮ、ＴａＮ、ＴａＯＮ、ＴａＳｉＮ、ＷＮ、ＷＳｉＮまたはＷＯＮからなる銅の拡散バリアとなる導体膜を層間絶縁膜８ｅ上、配線溝１２ｂ内および接続孔９ｃ内にＣＶＤ法またはスパッタリング法によって形成しても良い。このようなバリア導体膜を設けることにより銅の拡散における耐性をさらに向上させることが可能となる。
　
　　ウ．実施の形態２
・「【００４９】まず、
層間絶縁膜８ｄ上に、例えば酸化シリコン膜からなる層間絶縁膜８ｆをＣＶＤ法等によって形成する。
【００５０】次いで、図１３に示すように、層間絶縁膜８ｆ上に、フォトレジスト膜１７をパターン形成する。フォトレジスト膜１７は、接続孔形成時のマスクとなる膜であり、接続孔形成領域には、例えば平面略円形状の開口部１７ａが形成されている。続いて、
フォトレジスト膜１７をエッチングマスクとして層間絶縁膜８ｆにエッチング処理を施すことにより、図１４に示すように、接続孔９ｃを穿孔する。
第２層配線１１Ｌ２の上面のキャップ絶縁膜１４ｃをエッチングストッパとして機能させる。
絶縁膜１６をエッチングマスクとして、層間絶縁膜８ｆをエッチング除去することにより、図１５に示すように、配線溝１２ｂを形成する。
　
・「【００５１】次いで、絶縁膜１６を選択的にエッチング除去する。すなわち、窒化シリコン膜の方が、酸化シリコン膜よりもエッチング除去され易い条件でエッチング処理を施す。この際、
接続孔９ｃの底部に残されたキャップ絶縁膜１４ｃも窒化シリコン膜からなるので同時にエッチング除去される。
続いて、例えば窒素またはアンモニア雰囲気中においてプラズマ処理を施すことにより、層間絶縁膜８ｆの表面、配線溝１２ｂおよび接続孔９ｃの内壁面部分を改質させて図１７に示すように窒化膜（第４の絶縁膜）１８を形成する
窒化膜１８は、例えばＳｉＮ、Ｓｉ
Ｘ
Ｎ
ｙ
（Ｓｉ
３
Ｎ
４
等）、ＳｉＯＮ等からなり、層間絶縁膜８ｆ等よりも誘電率の高い材料からなる。すなわち、この窒化膜１８は、銅の拡散を抑制するバリアとして機能する膜である。
　
・「【００５３】次いで、前記実施の形態１と同様に銅からなる導体膜を成膜する。本実施の形態２においては、例えばメッキ法による導体膜の成膜方法を説明する。まず、図１８に示すように、層間絶縁膜８ｆ上、配線溝１２ｂ内および接続孔９ｃ内に、例えば銅からなる薄い導体膜１３ａをスパッタリング法等によって形成する。この導体膜１３ａはメッキ処理時におけるシード膜となる。
なお、前記実施の形態１と同様に、導体膜１３ａの形成処理に先立って、例えばＴｉＮ、ＴｉＯＮ、ＴｉＳｉＮ、ＴａＮ、ＴａＯＮ、ＴａＳｉＮ、ＷＮ、ＷＳｉＮまたはＷＯＮからなる銅の拡散バリアとなる導体膜をＣＶＤ法またはスパッタリング法によって形成しても良い。
　
（３−４）引用例２に記載されている技術事項
　前記「（３−３）引用例２の記載事項」のア〜ウから、引用例２には、
・半導体装置の層間絶縁膜８ｄ上に、例えば酸化シリコン膜からなる層間絶縁膜８ｆを形成し、前記層間絶縁膜８ｆにエッチング処理を施すことにより、接続孔９ｃを穿孔するとともに配線溝１２ｂを形成した後、窒素またはアンモニア雰囲気中においてプラズマ処理を施すことにより、配線溝１２ｂおよび接続孔９ｃの内壁面部分の露出する層間絶縁膜８ｆの表面を改質させて、ＳｉＮ、ＳｉＸＮｙ（Ｓｉ３Ｎ４等）、ＳｉＯＮ等からなり、銅の拡散を抑制するバリアとして機能する窒化膜１８を形成すること、
　
・前記窒化膜１８の上に、ＴｉＮ、ＴｉＯＮ、ＴｉＳｉＮ、ＴａＮ、ＴａＯＮ、ＴａＳｉＮ、ＷＮ、ＷＳｉＮまたはＷＯＮからなる導体膜を形成し、続いて、銅からなるシード用の導体膜１３ａを形成すると、前記ＴｉＮ等からなる導体膜も、銅の拡散バリアとなること、
が、それぞれ、記載されている。
　
（４）対比
（４−１）本件補正発明と引用発明との対比
　次に、本件補正発明と引用発明とを対比する。
　　ア．引用発明の「前記酸化膜２６の上に形成されたエッチストップ膜５０」は、本件補正発明の「エッチ停止層」に相当する。
　そして、引用発明の前記「エッチストップ膜５０」が「上に形成され」ており、「テトラエチルオルソシリケート、シリコンオキシフルオライド、低ｋ誘電体等」という誘電体材料を「使用して形成され」ている「酸化膜２６」は、本件補正発明の「第１の誘電体材料」に相当する。
　また、引用発明の「テトラエチルオルソシリケート、シリコンオキシフルオライド、低ｋ誘電体等」という誘電体材料を「使用して形成され」ている「第２の酸化膜５４」は、本件補正発明の「第２の誘電体材料」に相当する。
　
　　イ．引用発明において、前記「第２の酸化膜５４」、前記「エッチストップ膜５０」及び前記「酸化膜２６」を含む「絶縁層５２」の最上層の「第２の酸化膜５４」から、前記「絶縁層５２」の「下面」である「酸化膜２６」の下層の「絶縁膜４８」にまで「貫通して延伸」する、「デュアルインレイ開口」は、本件補正発明の「前記エッチ停止層と前記第１及び第２の誘電体材料を貫通し前記第１の誘電体材料へ延伸する溝」に相当する。
　
　　ウ．引用発明の「前記デュアルインレイ開口の内壁には、前記酸化膜２６及び前記第２の酸化膜５４と前記絶縁膜４８及び前記エッチストップ膜５０の側面が露出し」ていることは、本件補正発明の「前記溝は前記第１及び第２の誘電体材料及び前記エッチ停止層の側縁を露出し」ていることに相当する。
　
　　エ．引用発明においては、「分子窒素やアンモニアのような窒素含有化合物を含むプラズマを使用するプラズマ窒化が行われる」ことで「前記酸化膜２６及び前記第２の酸化膜５４」が、「前記デュアルインレイ開口における露出面」において、前記「分子窒素やアンモニアという窒素含有化合物を含むプラズマ」に「露出」する。したがって、引用発明の「分子窒素やアンモニアのような窒素含有化合物を含むプラズマ」は、本件補正発明の「窒素含有材料」に相当する。
　そして、引用発明の「前記酸化膜２６及び前記第２の酸化膜５４」は、「テトラエチルオルソシリケート、シリコンオキシフルオライド、低ｋ誘電体等を使用して形成され」る誘電体材料である。ここで、前記「テトラエチルオルソシリケート、シリコンオキシフルオライド」がシリコンを含むことは明らかである。また、「低ｋ誘電体等」についても、該「低ｋ誘電体等」からなる「前記酸化膜２６及び前記第２の酸化膜５４」が、「分子窒素やアンモニアのような」シリコンを含まない「窒素含有化合物を含むプラズマを使用するプラズマ窒化」が行われることで「シリコンオキシナイトライド拡散障壁部分５６へと変換され」るのであるから、シリコンを含んでいることは明らかである。すなわち、引用発明の「前記酸化膜２６及び前記第２の酸化膜５４」は、シリコンを含む誘電体材料である。
　以上から、引用発明の「分子窒素やアンモニアという窒素含有化合物を含むプラズマを使用するプラズマ窒化が行われることで、前記酸化膜２６及び前記第２の酸化膜５４の前記デュアルインレイ開口における露出面」が「変換され」た「シリコンオキシナイトライド拡散障壁部分５６」と、本件補正発明の「シリコンを含む前記誘電体材料が窒素含有材料に露出され、前記溝に隣接する前記誘電体材料の少なくとも一部の化学組成をシリコン窒化物（Ｓｉ３Ｎ４）に変えるプロセスから形成されるシリコン窒化物（Ｓｉ３Ｎ４）膜」とは、シリコンを含む前記誘電体材料が窒素含有材料に露出され、前記溝に隣接する前記誘電体材料の少なくとも一部の化学組成をシリコン窒化物に変えるプロセスから形成されるシリコン窒化物膜である点で共通する。
　
　　オ．そして、引用発明において、「前記シリコンオキシナイトライド拡散障壁部分５６は、前記酸化膜２６及び前記第２の酸化膜５４の前記露出面部分に形成されるが、前記絶縁膜４８及び前記エッチストップ膜５０の前記デュアルインレイ開口における露出面部分には形成されて」いないことと、本件補正発明において、「前記Ｓｉ３Ｎ４膜は前記第１及び第２の誘電層の前記露出した側縁に沿って配置されるが、前記エッチ停止層の前記露出した側縁に沿っては配置され」ないこととは、前記シリコン窒化物膜は前記第１及び第２の誘電層の前記露出した側縁に沿って配置されるが、前記エッチ停止層の前記露出した側縁に沿っては配置されない点で共通する。
　
　　カ．引用発明の「チタン」は、高融点の耐熱性金属であることは、技術常識である。
　そして、前記「チタン」を「含む接着層５８が所定の厚さで形成され」るから、「デュアルインレイ開口の内壁」においては、「チタンを含む接着層５８」は「前記シリコンオキシナイトライド拡散障壁部分５６の上」に「形成」されるとともに、「前記絶縁膜４８及び前記エッチストップ膜５０の前記デュアルインレイ開口における露出面」の上にも形成されていることは、引用例１の図６に図示されるとおりである。
　したがって、引用発明の「前記シリコンオキシナイトライド拡散障壁部分５６の上」に「所定の厚さで形成され」る「チタンを含む接着層５８」と、本件補正発明の「前記シリコン窒化物（Ｓｉ３Ｎ４）膜及び前記エッチ停止層の表面にわたって配置される耐火性金属膜」とは、シリコン窒化物膜及び前記エッチ停止層の表面にわたって配置される耐火性金属膜である点で共通する。
　
　　キ．引用発明の「インレイ相互接続を備えた半導体装置」は、本件補正発明の「半導体デバイス」に相当する。
　
（４−２）一致点と相違点
　そうすると、本件補正発明と引用発明の一致点と相違点は、次のとおりとなる。
　
《一致点》
「（ａ）エッチ停止層をその上に配置する第１の誘電体材料、第２の誘電体材料、及び、前記エッチ停止層と前記第１及び第２の誘電体材料を貫通し前記第１の誘電体材料へ延伸する溝が配置され、前記溝は前記第１及び第２の誘電体材料及び前記エッチ停止層の側縁を露出し、
（ｂ）シリコンを含む前記誘電体材料が窒素含有材料に露出され、前記溝に隣接する前記誘電体材料の少なくとも一部の化学組成をシリコン窒化物に変えるプロセスから形成されるシリコン窒化物膜であって、前記シリコン窒化物膜は前記第１及び第２の誘電層の前記露出した側縁に沿って配置されるが、前記エッチ停止層の前記露出した側縁に沿っては配置されず、及び
（ｃ）前記シリコン窒化物膜及び前記エッチ停止層の表面にわたって配置される耐火性金属膜を含む半導体デバイス。」
　
《相違点》
　本件補正発明は「シリコン窒化物」が「Ｓｉ３Ｎ４」であるのに対して、引用発明の「シリコンオキシナイトライド拡散障壁部分５６」は「シリコンオキシナイトライド」で形成されている点。
　
（５）相違点についての判断
　　ア．引用発明は、「シリコンオキシナイトライド拡散障壁部分５６の上に、チタンを含む接着層５８が所定の厚さで形成」し、「前記接着層５８の上に、銅シード層６０」を形成するという積層構造において、「前記接着層５８」は「その後に形成される銅の層と前記シリコンオキシナイトライド拡散障壁部分５６との間に強い接着を提供する」接着層として利用している。
　すなわち、引用発明は、前記「チタンを含む接着層５８」が、「その後に形成される銅の層」との間に「強い接着を提供する」とともに、「前記シリコンオキシナイトライド」の「拡散障壁部分５６」との間にも、「強い接着を提供する」ことから、これを接着層として利用するものである。
　
　　イ．一方、引用例２には、前記「（３−４）引用例２に記載されている技術事項」で指摘したように、半導体装置の層間絶縁膜８ｄ上に、例えば酸化シリコン膜からなる層間絶縁膜８ｆを形成し、前記層間絶縁膜８ｆにエッチング処理を施すことにより、接続孔９ｃを穿孔するとともに配線溝１２ｂを形成した後、窒素またはアンモニア雰囲気中においてプラズマ処理を施すことにより、配線溝１２ｂおよび接続孔９ｃの内壁面部分の露出する層間絶縁膜８ｆの表面を改質させて、ＳｉＮ、ＳｉＸＮｙ（Ｓｉ３Ｎ４等）、ＳｉＯＮ等からなり、銅の拡散を抑制するバリアとして機能する窒化膜１８を形成すること、が記載されている。
　すなわち、引用発明の「分子窒素やアンモニアのような窒素含有化合物を含むプラズマを使用するプラズマ窒化」と同じ前記「窒素またはアンモニア雰囲気中においてプラズマ処理」を、「開口」である前記「接続孔９ｃ」及び前記「配線溝１２ｂ」の「内壁面部分」に「露出」する、シリコンを含む誘電体である前記「酸化シリコン膜からなる層間絶縁膜８ｆ」に施すと、前記「層間絶縁膜８ｆの表面」が「改質」されて、「ＳｉＮ、ＳｉＸＮｙ（Ｓｉ３Ｎ４等）、ＳｉＯＮ等からなり、銅の拡散を抑制するバリアとして機能する窒化膜１８」が「形成」されることが、引用例２に記載されている。
　
　　ウ．ところで、チタン膜が、「Ｓｉ３Ｎ４膜」すなわち前記「シリコンナイトライド」の膜との接着性が優れていることは、以下に示す周知例１〜４に記載されるように、当業者には周知慣用の事項にすぎない。
　
　　エ．以上の事項を考慮すれば、引用発明において、「分子窒素やアンモニアのような窒素含有化合物を含むプラズマを使用するプラズマ窒化」を行うことで、「前記酸化膜２６及び前記第２の酸化膜５４の前記デュアルインレイ開口における露出面」を、「シリコンオキシナイトライド拡散障壁部分５６へと変換」することに代えて「Ｓｉ３Ｎ４」すなわちシリコンナイトライドの「拡散障壁部分」に「変換」し、該「Ｓｉ３Ｎ４」すなわちシリコンナイトライドの「拡散障壁部分」の上に、「チタンを含む接着層５８」を「形成」し、「前記接着層５８」に、「その後に形成される銅の層」と前記「Ｓｉ３Ｎ４」すなわちシリコンナイトライドの「拡散障壁部分」との間の「強い接着を提供させる」ことは、当業者であれば容易になし得たものと認められる。
　
　　オ．周知例１：特開２０００−０４０７４２号公報
　本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である、特開２０００−４０７４２号公報（以下「周知例１」という。）には、「ダマスク法による銀メタリゼーション」（発明の名称）に関して、図面とともに、次の記載がある。
・「【００１４】次いで、図１Ｃに示したように、絶縁層１１２の上及び溝１１４内をメッキすることによって銀からなるコンフォーマル即ち適合性のある層１１６を形成し溝１１４を充填する。電極が基板１０２へ接続される電気メッキか、又は無電解メッキのいずれかを使用することが可能である。……（中略）……相互接続体１１８の最小幅は絶縁層１１２をパターン形成するのに適した市販されているホトリソグラフィプロセスの最小ライン幅＋絶縁層１１２内の溝１１４をエッチングすることから発生する何等かの付加的な幅によってのみ制限される。……（中略）……本プロセスは、前述した如く
基板の上に絶縁層１１２を形成することによって開始する。絶縁層１１２は、例えば、公知技術に基づいてテトラエチルオルトシリケート（ＴＥＯＳ）の酸化による
・「【００１６】本発明に基づく
溝１１４は、好適には、切頭Ｖ又はＵ形状断面にエッチングされ
接着層２０２を図２Ｃに示したように絶縁層１１２の上及び溝１１４の側壁及び底部の上に形成する
接着層２０２は、好適には、反応性スパッタリングによって形成したチタン（Ｔｉ）である
絶縁層１１２のその後に形成される層との間の接着性を促進するために選択されるタンタル（Ｔａ）又はその他の適宜の物質を使用することが可能である。
【００１７】
接着層２０２（形成される場合）を形成した後に、バリア層２０４を絶縁層１１２の上方で接着層２０２の上及び溝１１４の側壁及び底部の表面上に形成する。
バリア層２０４は、
窒化シリコン（ＳＮ）
を使用することも可能である。
　
　したがって、周知例１には、基板の上に形成したシリコンを含む絶縁層１１２をエッチングして設けた溝１１４の側壁及び底部の上に、その後に形成される層との間の接着性を促進するために選択されたチタン（Ｔｉ）またはタンタル（Ｔａ）の膜を接着層２０２として形成し、その後、接着層２０２の上及び溝１１４の側壁及び底部の表面上に、例えば窒化シリコン（ＳＮ）等のバリア物質を使用するバリア層２０４を絶縁層１１２の上方で接着層２０２の上及び溝１１４の側壁及び底部の表面上に形成する、ことが記載されている。
　すなわち、周知例１には、チタン（Ｔｉ）またはタンタル（Ｔａ）と窒化シリコン（ＳＮ）とは、該チタン（Ｔｉ）またはタンタル（Ｔａ）を接着層２０２として利用するほど接着性が優れていることが記載されている。
　
　　カ．周知例２：特開平１１−３５４４６６号公報
　本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である、特開平１１−３５４４６６号公報（以下「周知例２」という。）には、「接点用開口を有する半導体基板に接点を形成する方法」（発明の名称）に関して、図面とともに、次の記載がある。
・「【０００２】
【従来の技術】
半導体ウェハ上に集積回路を形成するには、接点用開口のような正確に制御された開口を形成し、その後この開口を導電性金属で充填して素子を相互接続し、ＶＬＳＩ，ＵＬＳＩ等を形成している。このような開口を規定し形成する方法は当業者に公知である。
【０００３】このように実装密度が増加することは、さらに複雑な回路を相互接続することが以前よりも増して小さな寸法で行われなければならないことを意味している。かくして接点のアスペクト比（即ち開口の直径に対する深さの比率）は、１：１から２：１のオーダーから０．２５ミクロンのデバイス用の３：１から５：１の比率にまで増加している。
【０００４】従来はアルミ（Ａｌ）がバリア層上の接点用開口内に堆積され接点を形成している。しかしある種の製造プロセスにおいては、特にＣＭＯＳおよびバイポーラ半導体に用いられるプロセスにおいては、チタン／窒化チタン（Ｔｉ／ＴｉＮ製接着／バリア層に対し、タングステン（Ｗ）が堆積されている接点用開口が用いられている。
【０００５】このような接着／バリア層が必要とされる理由は、
誘電体層（例えば
窒化シリコン等）に対する、ＣＶＤ法により形成されるタングステン（Ｗ）の接着力は極めて弱いからである。しかし、タングステン（Ｗ）は、ＴｉＮにはよく接着し、そしてこのＴｉＮがＴｉに良好に接着しそしてこのＴｉが上記の誘電体層に良好に接着することは公知である。
　
　したがって、周知例２には、半導体ウェハ上に正確に制御された開口を形成し、その後この開口を導電性金属で充填して素子を相互接続する接点用開口構造において、前記開口を形成する窒化シリコン等の誘電体層に、前記誘電体層に良好に接着するＴｉ、該Ｔｉに良好に接着するＴｉＮ、該ＴｉＮに良好に接着するタングステン（Ｗ）を、この順で積層する、ことが「従来の技術」として記載されている。
　
　　キ．周知例３：特開平１０−３０３３９５号公報
　本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である、特開平１０−３０３３９５号公報（以下「周知例３」という。）には、「キャパシタ製造方法」（発明の名称）に関して、図面とともに、次の記載がある。
・「【００１３】
【課題を解決するための手段】以上のような問題の解決のために本発明のキャパシタ製造方法は、第１導電層パタン及びその上部の食刻阻止膜パタンを形成する段階と、その上に層間絶縁膜を形成する段階と、前記食刻阻止膜パタンをストッパとして前記層間絶縁膜を食刻することにより前記第１導電層パタンの間に層間絶縁膜パタンを形成する段階と、前記食刻阻止膜パタンを除去する段階と、前記第１導電層パタンの上に誘電体膜を形成する段階と、該誘電体膜上に第２導電層を形成する段階と、を含むことを特徴とする。
層間絶縁膜をシリコン酸化物、USG、SOG、BPSGのうちの１つで形成する。食刻阻止膜をSiN、TiNまたはBNで形成し、１００〜５０００Åの厚さとする。第１導電層パタンと食刻阻止層パタンとの間に接着層を設ける。接着層をTi、TiN、TiSiN、TaSiN、TaAlNで形成する。
　
　したがって、周知例３には、第１導電層パタンと、SiN、TiNまたはBNで形成される食刻阻止層パタンとの間に、両者を接着するための、Ti、TiN、TiSiN、TaSiN、TaAlNで形成される接着層を設ける、ことが記載されている。
　
　　ク．周知例４：特開昭６２−１１７７６０号公報
　本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である、特開昭６２−１１７７６０号公報（以下「周知例３」という。）には、「サーマルヘッド」（発明の名称）に関して、図面とともに、次の記載がある。
・「本発明に用いる無機物層はSiO2，Si-O-N、Si3N4，A2O3等が好ましい。また、無機物層とポリイミド層との密着を向上させるためにCr，NiCr，Ti等の接着層を用いることが好ましい。」（第２頁下左欄第６〜１１行）［なお、前記の記載において、「A2O3」の記載は「Al2O3」の誤記であると考えられる。］
　
　したがって、周知例４には、チタン「Ｔｉ」は、これをシリコンナイトライド「Ｓｉ３Ｎ４」層との接着層として用いるほど、前記シリコンナイトライド「Ｓｉ３Ｎ４」との密着性が優れている、ことが記載されている。
　
　　ケ．なお、付言すれば、周知例１〜３には、「Ｓｉ３Ｎ４」とは表記されていない。
　しかしながら、単に、窒化シリコン、シリコンナイトライドといえば、通常、「Ｓｉ３Ｎ４」を指し示すことは、以下に記載されるように技術常識である。
「窒化ケイ素（Silicon Nitride）
　化学式はＳｉ３Ｎ４でα型とβ型がある．」（長崎誠三　他編、「材料名の事典」、初版第３刷、株式会社アグネ技術センター、１９９９年１２月２０日発行、第１３９ページ左欄）
　
（６）審判請求人の主張
　　ア．審判請求人は、審判請求書の「請求の理由」を補充して、「引用文献１における構造において引用文献に３に教示されたシリコンナイトライドの使用を動機付けるものではない。引用文献１は、絶縁材料の壁への銅の接着と関連した問題に焦点をあてている。この問題について引用文献１は、シリコン接着層５８との良好な接着を提供するシリコンオキシナイトライド層５６の形成を教示する（本引用文献段落［００１５］及び［００２２］（１行乃至４行目）参照）。さらに、引用文献１は、シリコン接着層５８が、次いで形成される銅層と反応して銅層とオキシナイトライド部分５６との間の強力な接着を提供する旨記載します（段落［００１５］（７行乃至１１行目）参照）。このような材料の関係（シリコンオキシナイトライドとシリコン接着層）は、引用文献３において提案されるものから非常に異なる。従って、当業者は、引用文献１に教示される問題点を解決するに際して、銅層とシリコン接着層を反応させることにより両者の良好な接着を達成するために、引用文献３に教示される材料システムを用いることはない。」と主張している。
　
　　イ．しかしながら、「（５）相違点についての判断」のウで指摘したように、チタン膜が、「Ｓｉ３Ｎ４膜」すなわち前記「シリコンナイトライド」の膜との接着性が優れていることは、周知例１〜４に記載されるように、当業者には周知慣用の事項にすぎない。
　
　　ウ．したがって、引用発明の前記「オキシナイトライド部分５６」を、前記「引用文献に３に教示されたシリコンナイトライド」に置き換えることに、阻害要因はなく、むしろ、当業者であれば適宜なし得たものと認められる。
　
　　エ．よって、上記主張は当を得ておらず、これを採用することはできない。
　
（７）進歩性の特許要件の検討のまとめ
　したがって、本件補正発明は、引用発明及び引用例２に記載された技術事項に基づいて、当業者が容易に発明することができたものと認められる。
　よって、本件補正発明は、特許法第２９条第２項に規定する要件を満たしていない。
　
４−３．独立特許要件の検討のまとめ
　以上のように、本件補正後の請求項１に係る発明は明確でなく、本件補正後の特許請求の範囲の記載は、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。
　また、本件補正発明は、特許法第２９条第２項に規定する要件を満たしていない。
　したがって、本件補正発明は、特許法第３６条第６項第２号の規定、及び、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　よって、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反している。
　
５．小括
　以上のとおりであるから、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 
　そして、仮に、本件補正が前記改正前の特許法第１７条の２第４項の規定に適合するとしても、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
　
第３．本願発明について
１．本願発明
　以上のとおり、本件補正（平成２３年７月２２日に提出された手続補正書による補正）は却下されたので、本願の請求項１〜５に係る発明は、平成２２年１１月１７日に提出された手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その明細書の特許請求の範囲の請求項１〜５に記載されたとおりのものであり、そのうち、請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次のとおりである。
　
【請求項１】
「（ａ）　少なくとも２つの層を有する誘電材料であって、誘電材料の前記２つの層の間にエッチ停止層が位置づけられ、くぼみが前記誘電材料の２つの層及びエッチ停止層中に形成され、前記くぼみはその中に位置づけられる銅を有し、前記誘電材料の層及び前記エッチ停止層は、前記エッチ停止層から空間的に分離されたくぼみ中前記誘電材料の複数の表面を有し、
（ｂ）シリコンを含む前記誘電体材料が窒素含有材料に露出され、前記くぼみに隣接する前記誘電体材料の少なくとも一部の化学組成がシリコン窒化物（Ｓｉ３Ｎ４）変えるプロセスから形成されるシリコン窒化物（Ｓｉ３Ｎ４）膜であって、前記Ｓｉ３Ｎ４膜は前記くぼみ内の誘電材料の表面に沿って配置されるが、前記くぼみ内のエッチ停止層に沿っては配置されず、及び
（ｃ）前記シリコン窒化物（Ｓｉ３Ｎ４）膜及び前記エッチ停止層の表面にわたって配置される耐火性金属膜を含む半導体デバイス。」
　
２．引用刊行物の表示
　　１．特開平１１−０４０６７１号公報
　　２．特開２００１−０３５９１７号公報
　
３．各引用刊行物の記載事項と引用発明
　引用例１及び引用例２の記載については、「第２．補正の却下の決定」の「４．独立特許要件」の「４−２．進歩性の特許要件の検討」の「（３）各引用刊行物の記載事項と引用発明」における、「（３−１）引用例１の記載事項」及び（３−３）引用例２の記載事項」の項において摘記したとおりであり、引用発明については、同「（３−２）引用発明」の項において認定したとおりである。
　
３．対比
（１）本願発明と引用発明との対比
　次に、本願発明と引用発明とを対比する。
　　ア．引用発明の「絶縁膜４８の上に被着された酸化膜２６、前記酸化膜２６の上に形成されたエッチストップ膜５０、及び、前記エッチストップ膜５０の上に形成された第２の酸化膜５４とからなる、４つの別個の絶縁膜を含む絶縁層５２」において、少なくとも、前記「酸化膜２６」及び前記「第２の酸化膜５４」は、「テトラエチルオルソシリケート、シリコンオキシフルオライド、低ｋ誘電体等」という誘電体材料で形成されている。
　したがって、引用発明の「絶縁層５２」は、本願発明の「少なくとも２つの層を有する誘電材料」に相当する。
　そして、引用発明において、「エッチストップ膜５０」が「前記酸化膜２６の上」で「第２の酸化膜５４」の下に「形成され」ていることは、本願発明の「誘電材料の前記２つの層の間にエッチ停止層が位置づけられ」ることに相当する。
　
　　イ．引用発明において、「前記絶縁層５２にはその下面にまで貫通して延伸するデュアルインレイ開口が設けられ、前記デュアルインレイ開口の内壁には、前記酸化膜２６及び前記第２の酸化膜５４と前記絶縁膜４８及び前記エッチストップ膜５０の側面が露出し」ていることは、本願発明の「くぼみが前記誘電材料の２つの層及びエッチ停止層中に形成され」、「前記誘電材料の層及び前記エッチ停止層は、前記エッチ停止層から空間的に分離されたくぼみ中前記誘電材料の複数の表面を有し」ていることに相当する。
　また、引用発明において、「前記デュアルインレイ開口における露出面」の一部が「変換」された「シリコンオキシナイトライド拡散障壁部分５６」の上の「チタンを含む接着層５８」の上に、「銅シード層６０と銅めっき層とから」なる「複合銅層６２が形成されて」いることは、本願発明の「前記くぼみはその中に位置づけられる銅を有し」ていることに相当する。
　
　　ウ．「第２．補正の却下の決定」の「４．独立特許要件」の「４−２．進歩性の特許要件の検討」の「（４）対比」における、「（４−１）本件補正発明と引用発明との対比」の項のエ及びオで指摘したと同じ理由により、引用発明の「分子窒素やアンモニアのような窒素含有化合物を含むプラズマを使用するプラズマ窒化が行われることで、前記酸化膜２６及び前記第２の酸化膜５４の前記デュアルインレイ開口における露出面は、シリコンオキシナイトライド拡散障壁部分５６へと変換され、前記シリコンオキシナイトライド拡散障壁部分５６は、前記酸化膜２６及び前記第２の酸化膜５４の前記露出面部分に形成されるが、前記絶縁膜４８及び前記エッチストップ膜５０の前記デュアルインレイ開口における露出面部分には形成されておら」ないことと、本願発明の「シリコンを含む前記誘電体材料が窒素含有材料に露出され、前記くぼみに隣接する前記誘電体材料の少なくとも一部の化学組成がシリコン窒化物（Ｓｉ３Ｎ４）変えるプロセスから形成されるシリコン窒化物（Ｓｉ３Ｎ４）膜であって、前記Ｓｉ３Ｎ４膜は前記くぼみ内の誘電材料の表面に沿って配置されるが、前記くぼみ内のエッチ停止層に沿っては配置され」ていないこととは、シリコンを含む前記誘電体材料が窒素含有材料に露出され、前記くぼみに隣接する前記誘電体材料の少なくとも一部の化学組成をシリコン窒化物に変えるプロセスから形成されるシリコン窒化物膜であって、前記シリコン窒化物膜は前記くぼみ内の誘電材料の表面に沿って配置されるが、前記くぼみ内のエッチ停止層に沿っては配置されない点で共通する。
　
　　エ．同「（４−１）本件補正発明と引用発明との対比」の項のカで指摘したと同じ理由により、引用発明の「前記シリコンオキシナイトライド拡散障壁部分５６の上に、チタンを含む接着層５８が所定の厚さで形成され」ることと、本願発明の「前記シリコン窒化物（Ｓｉ３Ｎ４）膜及び前記エッチ停止層の表面にわたって配置される耐火性金属膜を含む」こととは、シリコン窒化物膜及びエッチ停止層の表面にわたって配置される耐火性金属膜を含む点で共通する。
　
（２）一致点と相違点
　そうすると、本願発明と引用発明の一致点と相違点は、次のとおりとなる。
　
《一致点》
「（ａ）少なくとも２つの層を有する誘電材料であって、誘電材料の前記２つの層の間にエッチ停止層が位置づけられ、くぼみが前記誘電材料の２つの層及びエッチ停止層中に形成され、前記くぼみはその中に位置づけられる銅を有し、前記誘電材料の層及び前記エッチ停止層は、前記エッチ停止層から空間的に分離されたくぼみ中前記誘電材料の複数の表面を有し、
（ｂ）シリコンを含む前記誘電体材料が窒素含有材料に露出され、前記くぼみに隣接する前記誘電体材料の少なくとも一部の化学組成をシリコン窒化物に変えるプロセスから形成されるシリコン窒化物膜であって、前記膜は前記くぼみ内の誘電材料の表面に沿って配置されるが、前記くぼみ内のエッチ停止層に沿っては配置されず、及び
（ｃ）前記シリコン窒化物膜及び前記エッチ停止層の表面にわたって配置される耐火性金属膜を含む半導体デバイス。」
　
《相違点》
　本願発明は「シリコン窒化物」が「Ｓｉ３Ｎ４」であるのに対して、引用発明の「シリコンオキシナイトライド拡散障壁部分５６」は「シリコンオキシナイトライド」で形成されている点。
　
４．相違点についての判断
　　ア．前記の本願発明と引用発明との相違点は、「第２．補正の却下の決定」の「４．独立特許要件」の「４−２．進歩性の特許要件の検討」の「（４）対比」における、「（４−２）一致点と相違点」において指摘した、本件補正発明と引用発明との相違点と同一の相違点である。
　
　　イ．してみれば、前記「第２．補正の却下の決定」の「４．独立特許要件」の「４−２．進歩性の特許要件の検討」における、「（５）相違点についての判断」〜「（７）進歩性の特許要件の検討のまとめ」で述べた理由と同じ理由によって、本願発明は、引用発明及び引用例２に記載された技術事項に基づいて、当業者が容易に発明することができたものと認められる。
　
　
第４．結言 
　以上のとおり、本願発明は、引用発明及び引用例２に記載された技術事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
　したがって、本願は、他の請求項について検討するまでもなく、拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。