【事件の表示】
　特願２００６−５１６１３６「ライン及びビア導体のための異なる材料を有するデュアル・ダマシン相互接続構造体」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年１２月２９日国際公開，ＷＯ２００４／１１４３９５，平成２１年　４月　２日国内公表，特表２００９−５１４１８６〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，２００４年６月１４日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００３年６月２３日，アメリカ合衆国）を国際出願日とする出願であって，平成２３年３月１６日付けで拒絶の理由が通知され，同年４月６日に意見書と手続補正書が提出され，同年５月２４日付けで拒絶査定がされ，同年９月１５日に前記拒絶査定に対する不服審判が請求されるとともに手続補正書が提出され，平成２４年３月２８日付けで審尋がおこなわれ，同年７月２日に前記審尋に対する回答書が提出されたものである。
　
第２　平成２３年９月１５日に提出された手続補正書による補正について
　
１　補正の内容
　平成２３年９月１５日に提出された手続補正書による補正（以下「本件補正」という。）は，補正前の特許請求の範囲の請求項１−１３を補正して，補正後の請求項１−９とするものであり，補正前後の請求項１は，各々次のとおりである。
　
（補正前）
　「【請求項１】
　少なくとも１つの第１の導体が埋め込まれた第１の誘電体材料の第１の層を含む基板上に相互接続構造体を形成する方法であって，前記第１の導体の上面が前記第１の誘電体材料の前記第１の層の上面と同一平面にあり，
　前記方法が，
　前記第１の誘電体材料の前記第１の層上に第２の誘電体材料の第２の層を堆積させるステップと，
　前記第２の誘電体材料の前記第２の層内に少なくとも１つの第１の開口部を形成するステップであって，前記第１の導体が前記第１の開口部において部分的に露出している，前記形成するステップと，
　前記第１の開口部の底部及び側壁上に第１の導電性ライナを堆積させるステップと，
　前記第１の開口部を第１の導電性材料で充填するステップであって，前記第１の導電性材料がタングステン又は他の超硬合金である，前記第１の導電性材料を充填するステップと，
　前記第１の導電性材料及び前記第１の導電性ライナの上部を除去するステップと，
　前記第２の誘電体材料の前記第２の層内に少なくとも１つの第２の開口部を形成するステップであって，前記第２の開口部は，前記第１の開口部に重なり，且つ，前記第１の開口部より大きい横方向範囲を有する，前記第２の開口部を形成するステップと，
　前記第２の開口部の底部及び側壁上に第２の導電性ライナを堆積させるステップと，
　前記第２の開口部を，前記第１の誘電体材料とは異なる第２の導電性材料で充填するステップであって，それによって第２の導体を形成し，ここで，前記第２の導体の上面は前記第２の誘電体材料の前記第２の層の上面又は当該第２の層の上に重なるハードマスク層の上面と同一平面にある，前記第２の導電性材料で充填するステップと
　を含む，前記方法。」
　
（補正後）
　「【請求項１】
　少なくとも１つの第１の導体が埋め込まれた第１の誘電体材料の第１の層を含む基板上に相互接続構造体を形成する方法であって，前記第１の導体の上面が前記第１の誘電体材料の前記第１の層の上面と同一平面にあり，
　前記方法が，
　前記第１の誘電体材料の前記第１の層上に第２の誘電体材料の第２の層を堆積させるステップと，
　前記第２の誘電体材料の前記第２の層内に少なくとも１つの第１の開口部を形成するステップであって，前記第１の導体が前記第１の開口部において部分的に露出している，前記形成するステップと，
　前記第１の開口部の底部及び側壁上に第１の導電性ライナを堆積させるステップと，
　前記第１の開口部を第１の導電性材料で充填するステップであって，前記第１の導電性材料がタングステン又は他の超硬合金である，前記第１の導電性材料を充填するステップと，
　前記第１の導電性材料及び前記第１の導電性ライナの上部を除去するステップと，
　前記第２の誘電体材料の前記第２の層内に少なくとも１つの第２の開口部を形成するステップであって，前記第２の開口部は，前記第１の開口部に重なり，且つ，前記第２の開口部の底面が前記第１の開口部の上面より大きい横方向範囲を有する，前記第２の開口部を形成するステップと，
　前記第２の開口部の底部及び側壁上に第２の導電性ライナを堆積させるステップと，
　前記第２の開口部を，前記第１の誘電体材料とは異なる第２の導電性材料で充填するステップであって，それによって第２の導体を形成し，ここで，前記第２の導体の上面は前記第２の誘電体材料の前記第２の層の上面又は当該第２の層の上に重なるハードマスク層の上面と同一平面にある，前記第２の導電性材料で充填するステップと
　を含む，前記方法。」
　
２　補正事項の整理
　本件補正の補正事項を整理すると次のとおりである。
　
（１）補正事項１
　補正前の請求項１の「前記第１の開口部より大きい横方向範囲を有する」を，「前記第２の開口部の底面が前記第１の開口部の上面より大きい横方向範囲を有する」と補正して，補正後の請求項１となし，
　補正前の請求項２の「前記第１の開口部より大きい横方向範囲を有する」を，「前記第２の開口部の底面が前記第１の開口部の上面より大きい横方向範囲を有する」と補正して，補正後の請求項２となし，
　補正前の請求項３の「前記第１の開口部より大きい横方向範囲を有する」を，「前記第２の開口部の底面が前記第１の開口部の上面より大きい横方向範囲を有する」と補正して，補正後の請求項３となし，
　補正前の請求項５の「前記第２の部分は前記第１の部分より大きい横方向範囲を有し」を，「前記第２の部分の底面が前記第１の部分の上面より大きい横方向範囲を有し」と補正して，補正後の請求項５となし，
　補正前の請求項６の「前記第２の部分は前記第１の部分より大きい横方向範囲を有し」を，「前記第２の部分の底面が前記第１の部分の上面より大きい横方向範囲を有し」と補正して，補正後の請求項６とすること。
　
（２）補正事項２
　補正前の請求項５の「前記第２の導体」及び「前記第２の導体の前記第１の部分の底部及び側壁，並びに前記第１の部分と前記第２の部分の間に配置された第１の導電性ライナと，前記第２の導体の前記第１の部分の底部及び側壁に配置された第２の導電性ライナと」を，それぞれ「前記第２の層」及び「前記第２の層内の前記第１の部分の底部及び側壁に配置された第１の導電性ライナと，前記第２の層内の前記第２の部分の底部及び側壁に配置された第２の導電性ライナと」と補正して，補正後の請求項５となし，
　補正前の請求項６の「前記第２の導体」及び「前記第２の導体の前記第１の部分と前記第２の部分の間とを組み合わせた部分の底部及び側壁上に配置された導電性ライナと」を，それぞれ「前記第２の層」及び「前記第２の層内の前記第１の部分と前記第２の部分の間とを組み合わせた部分の底部及び側壁上に配置された導電性ライナ」と補正して，補正後の請求項６とすること。
　
（３）補正事項３
　補正前の請求項８，請求項９，請求項１０，及び，請求項１１を削除すること。
　
（４）補正事項４
　補正前の請求項１２の「請求項１〜４及び８〜９のいずれか一項に記載の方法」を，「請求項１〜４のいずれか一項に記載の方法」と補正して，補正後の請求項８となし，
　補正前の請求項１３の「請求項５〜７及び１０〜１１のいずれか一項に記載の相互接続構造体」を，「請求項５〜７のいずれか一項に記載の相互接続構造体」と補正して，補正後の請求項９とすること。
　
３　新規事項追加の有無，及び，補正の目的の適否についての検討
（１）補正事項１について
　補正事項１は，特許法第１７条の２第４項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項をいう。以下同じ。）第４号に掲げる，明りょうでない記載の釈明を目的とするものに該当する。
　したがって，補正事項１は，特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たす。
　また，補正事項１が，特許法第１７条の２第３項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項をいう。以下同じ。）に規定する要件を満たすことは明らかである。
　
（２）補正事項２について
　補正事項２は，特許法第１７条の２第４項第３号に掲げる，誤記の訂正を目的とするものに該当する。
　したがって，補正事項２は，特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たす。
　また，補正事項２が，特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすことは明らかである。
　
（３）補正事項３について
　補正事項３は，特許法第１７条の２第４項第１号に掲げる，請求項の削除を目的とするものに該当する。
　したがって，補正事項３は，特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たす。
　また，補正事項３が，特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすことは明らかである。
　
（４）補正事項４について
　補正事項４は，特許法第１７条の２第４項第４号に掲げる，明りょうでない記載の釈明を目的とするものに該当する。
　したがって，補正事項４は，特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たす。
　また，補正事項４が，特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすことは明らかである。
　
４　補正についてのむすび
　以上検討したとおり，本件補正は，特許法第１７条の２第３項及び第４項に規定する要件を満たすものであるから，適法になされたものである。
　
第３　本願発明について
１　本願発明
　上記「第２」において検討したとおり，本件補正は適法になされたものであるから，本願の請求項１−９に係る発明は，本件補正により補正された明細書，特許請求の範囲及び図面の記載からみて，その特許請求の範囲の請求項１−９に記載されている事項により特定されるとおりのものであるところ，その内，請求項１，請求項２及び請求項３に係る発明（以下「本願発明１」，「本願発明２」及び「本願発明３」という。）は，それぞれ次のとおりである。
　
「【請求項１】
　少なくとも１つの第１の導体が埋め込まれた第１の誘電体材料の第１の層を含む基板上に相互接続構造体を形成する方法であって，前記第１の導体の上面が前記第１の誘電体材料の前記第１の層の上面と同一平面にあり，
　前記方法が，
　前記第１の誘電体材料の前記第１の層上に第２の誘電体材料の第２の層を堆積させるステップと，
　前記第２の誘電体材料の前記第２の層内に少なくとも１つの第１の開口部を形成するステップであって，前記第１の導体が前記第１の開口部において部分的に露出している，前記形成するステップと，
　前記第１の開口部の底部及び側壁上に第１の導電性ライナを堆積させるステップと，
　前記第１の開口部を第１の導電性材料で充填するステップであって，前記第１の導電性材料がタングステン又は他の超硬合金である，前記第１の導電性材料を充填するステップと，
　前記第１の導電性材料及び前記第１の導電性ライナの上部を除去するステップと，
　前記第２の誘電体材料の前記第２の層内に少なくとも１つの第２の開口部を形成するステップであって，前記第２の開口部は，前記第１の開口部に重なり，且つ，前記第２の開口部の底面が前記第１の開口部の上面より大きい横方向範囲を有する，前記第２の開口部を形成するステップと，
　前記第２の開口部の底部及び側壁上に第２の導電性ライナを堆積させるステップと，
　前記第２の開口部を，前記第１の誘電体材料とは異なる第２の導電性材料で充填するステップであって，それによって第２の導体を形成し，ここで，前記第２の導体の上面は前記第２の誘電体材料の前記第２の層の上面又は当該第２の層の上に重なるハードマスク層の上面と同一平面にある，前記第２の導電性材料で充填するステップと
　を含む，前記方法。」
　
「【請求項２】
　少なくとも１つの第１の導体が埋め込まれた第１の誘電体材料の第１の層を含む基板上に相互接続構造体を形成する方法であって，前記第１の導体の上面が前記第１の誘電体材料の前記第１の層の上面と同一平面にあり，
　前記方法が，
　前記第１の誘電体材料の前記第１の層上に第２の誘電体材料の第２の層を堆積させるステップと，
　前記第２の誘導体材料の前記第２の層内に少なくとも第１の開口部及び少なくとも第２の開口部を形成するステップであって，前記第１の導体が前記第１の開口部において部分的に露出しており，前記第２の開口部は，前記第１の開口部に重なり，且つ，前記第２の開口部の底面が前記第１の開口部の上面より大きい横方向範囲を有する，前記形成するステップと，
　前記第１の開口部の底部及び側壁上，並びに，前記第２の開口部の底部及び側壁上に第１の導電性ライナを堆積させるステップと，
　前記第１の導電性ライナ上又は前記第１の導電性ライナ内であり，且つ前記第１の開口部及び前記第２の開口部内を第１の導電性材料で充填するステップであって，前記第１の導電性材料がタングステン又は他の超硬合金である，前記第１の導電性材料で充填するステップと，
　前記第１の導電性材料の表面が前記第１の開口部の上面と同一になるように，前記第１の導電性材料及び前記第１の導電性ライナを除去するステップと，
　前記第２の開口部の底部及び側壁上に第２の導電性ライナを堆積させるステップと，
　前記第２の開口部を，前記第１の誘電体材料とは異なる第２の導電性材料で充填するステップであって，それによって第２の導体を形成し，ここで，前記第２の導体の上面は前記第２の誘電体材料の前記第２の層の上面又は当該第２の層の上に重なるハードマスク層の上面と同一平面にある，前記第２の導電性材料で充填するステップと
　を含む，前記方法。」
　
「【請求項３】
　少なくとも１つの第１の導体が埋め込まれた第１の誘電体材料の第１の層を含む基板上に相互接続構造体を形成する方法であって，前記第１の導体の上面が前記第１の誘電体材料の前記第１の層の上面と同一平面にあり，
　前記方法が，
　前記第１の誘電体材料の前記第１の層上に第２の誘電体材料の第２の層を堆積させるステップと，
　前記第２の誘導体材料の前記第２の層内に少なくとも１つの第１の開口部及び少なくとも１つの第２の開口部を形成するステップであって，前記第１の導体が前記第１の開口部において部分的に露出しており，前記第２の開口部は，前記第１の開口部に重なり，且つ，前記第２の開口部の底面が前記第１の開口部の上面より大きい横方向範囲を有する，前記形成するステップと，
　前記第１の開口部の底部及び側壁上，並びに，前記第２の開口部の底部及び側壁上に導電性ライナを堆積させるステップと，
　前記導電性ライナ上又は前記導電性ライナ内であり，且つ前記第１の開口部及び前記第２の開口部内を第１の導電性材料で充填するステップであって，前記第１の導電性材料がタングステン又は他の超硬合金である，前記第１の導電性材料で充填するステップと，
　前記第２の開口部の底部上の前記導電性ライナの表面が前記第１の開口部の上面と同一になるように，前記第１の導電性材料を除去するステップと，
　前記第２の開口部を，前記第１の誘電体材料とは異なる第２の導電性材料で充填するステップであって，それによって第２の導体を形成し，ここで，前記第２の導体の上面は前記第２の誘電体材料の前記第２の層の上面又は当該第２の層の上に重なるハードマスク層の上面と同一平面にある，前記第２の導電性材料で充填するステップと
　を含む，前記方法。」
　
２　本願発明１，及び，本願発明２又は本願発明３の新規性・進歩性について
（１）引用例とその記載事項，及び，引用発明
　原査定の拒絶の理由に引用され，本願の優先権主張の日前に頒布された刊行物である下記の引用例１には，次の事項が記載されている。（なお，下線は，当合議体において付したものである。以下同じ。）
　
・引用例１：特開２００１−７２００号公報
（１ａ）「【発明の実施の形態】
　以下，
本発明の実施の形態
ダマシン配線のプロセス
　
（１ｂ）「（
第１の実施の形態
　以下本発明の第１の実施の形態について，図面を参照しながら説明する。図１（ａ）〜（ｈ）は本発明の第１の実施の形態における配線の形成方法を示す工程断面図であり，１は絶縁基板，２は絶縁基板１上に形成された第１のメタル配線，３は第１のメタル配線２上に形成された絶縁膜，４はスルーホール，４ａはトレンチが形成されないスルーホール，５はメタル材料，６はレジスト，７は絶縁膜３に形成されたトレンチ，８は配線としての信頼性および電気特性上優れたメタル材料である。
　まず絶縁基板１であるが，この基板上にトランジスタの素子などが形成されていても良く，また絶縁基板１上にメタル配線が複数層形成されていても良いが，これらは本発明と直接関係ないため図示を省略する。
この絶縁基板１上に，第１のメタル配線２を形成し，そしてＣＶＤ法などによって絶縁膜３を形成する
なお，第１のメタル配線２および絶縁膜３は，絶縁膜にトレンチを形成した後にメタル材料を埋め込み，そして不要な部分を化学的機械的研磨技術などを用いて除去し，さらに絶縁膜を堆積して形成しても良い
　次に，
絶縁膜３に設計に応じてスルーホール４を形成する
　そして，
埋め込み特性に優れたブランケット気相成長法などを用いてタングステンなどのメタル材料５を堆積してスルーホール４を完全に埋め込む
この時，密着性向上や埋め込みメタル材料のバリア性を改善するため，チタン膜やチタンナイトライド膜等を堆積しても良い。これらは，本発明と直接関係がないので図示を省略する
この堆積されたメタル材料５の不必要な部分のみをエッチングし，エッチング後のメタル材料５の表面の高さが，後に形成されるトレンチ７の底面より低くなるようにメタル材料５を除去する（図１−（ｄ））。この時のメタル材料５を除去する量は，後で成膜する配線として信頼性上・電気特性上優れたメタル材料８の成膜技術の埋め込み特性で決定すれば良い
　その後，
レジスト６によるトレンチパターンを形成する
このレジスト６をマスクとして，ドライエッチング技術を用いて，絶縁膜３にトレンチ７を形成する
　次に，絶縁膜３に形成されたスルーホール４やトレンチ７に，銅などの配線としての信頼性や電気特性に優れたメタル材料８を堆積する（図１−（ｇ））。
なお，メタル材料８を堆積する直前に，密着性向上や埋め込みメタル材料のバリア性を改善するため，チタン膜やチタンナイトライド膜等を堆積しても良い。これらは，本発明と直接関係がないので，図示を省略する
　その後，
化学的機械的研磨法やドライエッチング技術などを用いて不要なメタル材料８を除去して，メタル材料８からなる第２のメタル配線を形成する
　以上のように本実施の形態によれば，高アスペクト比のスルーホール４，４ａであっても，先に埋め込んだメタル材料５の上に，配線として信頼性上・電気特性上優れたメタル材料８を埋め込むため，ボイドやシームを生じることなく，メタル材料８が有する配線としての高信頼性・優れた電気特性を実現できる。また，この方法によれば半導体チップ面積を大きくする必要もない。
　なお，
本実施の形態では，図１−（ｄ）の工程で，エッチング後のメタル材料５の表面の高さを，後に形成されるトレンチ７の底面より低くなるようにしたが，エッチング後のメタル材料５の表面が，後に形成されるトレンチ７の底面と同じ高さ
なっても構わない
　
（１ｃ）「（
第５の実施の形態
　以下本発明の第５の実施の形態について，図面を参照しながら説明する。  図５（ａ）〜（ｈ）は本発明の第５の実施の形態における配線の形成方法を示す工程断面図であり，図１と同じものには同一符号を付している。
　まず絶縁基板１であるが，この基板上にトランジスタの素子などが形成されていても良く，また絶縁基板１上にメタル配線が複数層形成されていても良いが，これらは本発明と直接関係ないため図示を省略する。
この絶縁基板１上に，第１のメタル配線２を形成し，そしてＣＶＤ法などによって絶縁膜３を形成する
なお，第１のメタル配線２および絶縁膜３は，絶縁膜にトレンチを形成した後にメタル材料を埋め込み，そして不要な部分を化学的機械的研磨技術などを用いて除去し，さらに絶縁膜を堆積して形成しても良い
　次に，
絶縁膜３に設計に応じてスルーホール４を形成
絶縁膜３にトレンチ７を形成
　そして，
埋め込み特性に優れたブランケット気相成長法などを用いてスルーホール４を完全に埋め込むようにタングステンなどのメタル材料５を堆積する（図５−（ｅ））。これによりトレンチ７内にもメタル材料５が堆積される
なおこの時，密着性向上や埋め込みメタル材料のバリア性を改善するため，チタン膜やチタンナイトライド膜等を堆積しても良い。これらは，本発明と直接関係がないので図示を省略する
この堆積されたメタル材料５の不必要な部分のみをドライエッチング技術または洗浄技術を用いて除去し，メタル材料５の表面の高さをトレンチ７の底面以下にする
　次に，
絶縁膜３に形成されたスルーホール４やトレンチ７に，銅などの配線としての信頼性や電気特性に優れたメタル材料８を堆積する
なお，メタル材料８を堆積する直前に，密着性向上や埋め込みメタル材料のバリア性を改善するため，チタン膜やチタンナイトライド膜等を堆積しても良い
　続いて，
化学的機械的研磨法やドライエッチング技術などを用いて不要なメタル材料８を除去して，メタル材料８からなる第２のメタル配線を形成する
　以上のように本実施の形態によっても，スルーホール４，４ａを，先に埋め込んだメタル材料５の上に，配線として信頼性上・電気特性上優れたメタル材料８により埋め込むため，第１の実施の形態と同様の効果が得られる。
　なお，本実施の形態では，図５−（ｆ）の工程で，
メタル材料５の表面の高さ
トレンチ７の底面よりも若干高くなっても構わない
　
（１ｄ）図１は，引用例１に記載された発明の第１の実施の形態における配線の形成方法を示す工程断面図であって，上記摘記（１ｂ）の記載を参酌すれば，同図（ｂ）から，絶縁膜３にスルーホール４を形成した際に，第１のメタル配線２が前記スルーホール４において部分的に露出していること，及び，同図（ｆ）から，レジスト６をマスクとして絶縁膜３に形成した，スルーホール４に重なるトレンチ７の底面の横方向範囲が，前記スルーホール４の上面の横方向範囲よりも大きいことを，読み取ることができる。
　
（１ｅ）図５は，引用例１に記載された発明の第５の実施の形態における配線の形成方法を示す工程断面図であって，上記摘記（１ｃ）の記載を参酌すれば，同図（ｂ）から，絶縁膜３にスルーホール４を形成した際に，第１のメタル配線２が前記スルーホール４において部分的に露出していること，及び，同図（ｆ）から，スルーホール４に重なるトレンチ７の底面の横方向範囲が，前記スルーホール４の上面の横方向範囲よりも大きいことを，読み取ることができる。
　
　したがって，引用例１の上記摘記（１ａ），（１ｂ）及び（１ｄ）の記載を総合勘案すれば，引用例１には，第１の実施の形態として，以下の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されていると認められる。
「ダマシン配線を形成する方法であって，
　前記方法が，
（ａ）絶縁膜にトレンチを形成した後にメタル材料を埋め込み，そして不要な部分を化学的機械的研磨技術などを用いて除去し，さらに絶縁膜を堆積して形成することによって，絶縁基板１上に第１のメタル配線２と絶縁膜３とを形成する工程と，
（ｂ）絶縁膜３に設計に応じてスルーホール４を形成する工程であって，前記第１のメタル配線２が前記スルーホール４において部分的に露出している，前記形成する工程と，
（ｃ）埋め込み特性に優れたブランケット気相成長法などを用いてタングステンをメタル材料５として堆積してスルーホール４を完全に埋め込む工程と，この時，密着性向上や埋め込みメタル材料のバリア性を改善するため，図示を省略するチタン膜やチタンナイトライド膜を堆積する工程と，
（ｄ）この堆積されたメタル材料５の不必要な部分のみをエッチングする工程であって，この時のメタル材料５を除去する量は，後で成膜する配線として信頼性上・電気特性上優れたメタル材料８の成膜技術の埋め込み特性で決定すれば良いものであって，エッチング後のメタル材料５の表面の高さが，後に形成されるトレンチ７の底面より低くなるか，エッチング後のメタル材料５の表面が，後に形成されるトレンチ７の底面と同じ高さ，さらにはトレンチ７の底面よりも若干高くなっても構わないようにメタル材料５を除去する工程と，
（ｅ）レジスト６によるトレンチパターンを形成して，このレジスト６をマスクとして，ドライエッチング技術を用いて，絶縁膜３にトレンチ７を形成する工程であって，前記スルーホール４に重なるトレンチ７の底面の横方向範囲が，前記スルーホール４の上面の横方向範囲よりも大きい，前記トレンチ７を形成する工程と，
（ｆ）密着性向上や埋め込みメタル材料のバリア性を改善するため，図示を省略するチタン膜やチタンナイトライド膜を堆積する工程と，
（ｇ）絶縁膜３に形成されたトレンチ７に，銅などの配線としての信頼性や電気特性に優れたメタル材料８を堆積する工程であって，それによってメタル材料８からなる第２のメタル配線を形成し，ここで，不要なメタル材料８の上面は化学的機械的研磨法を用いて除去される，メタル材料８を堆積する工程と
　を含む方法。」
　
　また，引用例１の上記摘記（１ａ），（１ｃ）及び（１ｅ）を総合勘案すれば，引用例１には，第５の実施の形態として，以下の発明（以下「引用発明２」という。）が記載されていると認められる。
「ダマシン配線を形成する方法であって，
　前記方法が，
（ａ）絶縁膜にトレンチを形成した後にメタル材料を埋め込み，そして不要な部分を化学的機械的研磨技術などを用いて除去し，さらに絶縁膜を堆積して形成することによって，絶縁基板１上に第１のメタル配線２と絶縁膜３とを形成する工程と，
（ｂ）絶縁膜３に設計に応じてスルーホール４を形成する工程であって，前記第１のメタル配線２が前記スルーホール４において部分的に露出している，前記形成する工程と，
（ｃ）絶縁膜３にトレンチ７を形成する工程であって，前記スルーホール４に重なるトレンチ７の底面の横方向範囲が，前記スルーホール４の上面の横方向範囲よりも大きい，前記トレンチ７を形成する工程と，
（ｄ）埋め込み特性に優れたブランケット気相成長法などを用いてタングステンをメタル材料５として堆積してスルーホール４とトレンチ７内を埋め込む工程と，この時，密着性向上や埋め込みメタル材料のバリア性を改善するため，図示を省略するチタン膜やチタンナイトライド膜を堆積する工程と，
（ｅ）この堆積されたメタル材料５の不必要な部分のみをエッチングする工程であって，エッチング後のメタル材料５の表面の表面の高さをトレンチ７の底面以下にするか，トレンチ７の底面よりも若干高くなっても構わないようにエッチングする工程と，
（ｆ）密着性向上や埋め込みメタル材料のバリア性を改善するため，チタン膜やチタンナイトライド膜を堆積しても良い工程と，
（ｇ）絶縁膜３に形成されたトレンチ７に，銅などの配線としての信頼性や電気特性に優れたメタル材料８を堆積する工程であって，それによってメタル材料８からなる第２のメタル配線を形成し，ここで，不要なメタル材料８の上面は化学的機械的研磨法を用いて除去される，メタル材料８を堆積する工程と
　を含む方法。」
　
（２）引用発明１と，本願発明１との対比
ア　引用発明１の「ダマシン配線」，「第１のメタル配線２」及び「絶縁基板１」は，それぞれ，本願発明１の「相互接続構造体」，「第１の導体」及び「基板」に相当する。
　そして，引用発明１の「絶縁膜３」は「絶縁膜にトレンチを形成した後にメタル材料を埋め込み，そして不要な部分を化学的機械的研磨技術などを用いて除去し，さらに絶縁膜を堆積」することによって形成されるところ，前記「絶縁膜にトレンチを形成した後にメタル材料を埋め込み」における「絶縁膜」を便宜的に「下層の絶縁膜」と呼び，前記「さらに絶縁膜を堆積」における「絶縁膜」を「上層の絶縁膜」と呼ぶならば，引用発明１の前記「下層の絶縁膜」及び前記「上層の絶縁膜」は，それぞれ本願発明１の「第１の誘電体材料の第１の層」及び「第２の誘電体材料の第２の層」に相当する。
　さらに，引用発明１において，前記「絶縁膜にトレンチを形成した後にメタル材料を埋め込み，そして不要な部分を化学的機械的研磨技術などを用いて除去し」た時点において，前記「メタル材料」の上面が，便宜的に「下層の絶縁膜」と呼ぶ，前記「絶縁膜」の上面と同一平面にあることは，前記「メタル材料」の不要な部分の除去を，化学的機械的研磨技術を用いて行っていることから当業者にとって明らかである。
　そうすると，引用発明１と本願発明１は，いずれも「少なくとも１つの第１の導体が埋め込まれた第１の誘電体材料の第１の層を含む基板上に相互接続構造体を形成する方法であって，前記第１の導体の上面が前記第１の誘電体材料の前記第１の層の上面と同一平面にあり，前記方法が，前記第１の誘電体材料の前記第１の層上に第２の誘電体材料の第２の層を堆積させるステップと，を含む前記方法。」である点で一致する。
　
イ　引用発明１の「スルーホール４」，「チタン膜やチタンナイトライド膜」及び「タングステン」は，それぞれ，本願発明１の「第１の開口部」，「導電性ライナ」及び『「タングステン又は他の超硬合金である」「第１の導電性材料」』に相当する。
　そして，引用発明１は，「埋め込み特性に優れたブランケット気相成長法などを用いてタングステンをメタル材料５として堆積してスルーホール４を完全に埋め込む工程と，この時，密着性向上や埋め込みメタル材料のバリア性を改善するため，図示を省略するチタン膜やチタンナイトライド膜を堆積する工程と」を含むところ，前記『「この時」，「図示を省略するチタン膜やチタンナイトライド膜を堆積する工程」』は，「密着性向上や埋め込みメタル材料のバリア性を改善する」ことを目的として行われるのであるから，当該目的を果たすために，引用発明１の前記「この時」が，前記「埋め込み特性に優れたブランケット気相成長法などを用いてタングステンをメタル材料５として堆積してスルーホール４を完全に埋め込む工程」に先だって，前記「密着性向上や埋め込みメタル材料のバリア性を改善するため，図示を省略するチタン膜やチタンナイトライド膜を堆積する工程」を行うという時間的な順序を意味していることは当業者にとって明らかである。
　さらに，引用発明１において，「スルーホール４」に，「密着性向上や埋め込みメタル材料のバリア性を改善する」ことを目的として「チタン膜やチタンナイトライド膜を堆積」した場合，前記「チタン膜やチタンナイトライド膜」が，前記「スルーホール４」の底部及び側壁上に堆積されることは当業者にとって明らかである。
　そうすると，引用発明１と本願発明１は，いずれも「前記第２の誘電体材料の前記第２の層内に少なくとも１つの第１の開口部を形成するステップであって，前記第１の導体が前記第１の開口部において部分的に露出している，前記形成するステップと，前記第１の開口部の底部及び側壁上に第１の導電性ライナを堆積させるステップと，前記第１の開口部を第１の導電性材料で充填するステップであって，前記第１の導電性材料がタングステン又は他の超硬合金である，前記第１の導電性材料を充填するステップと，を含む前記方法。」である点で一致する。
　
ウ　引用発明１の「トレンチ７」及び「銅などの配線としての信頼性や電気特性に優れたメタル材料８」は，それぞれ，本願発明１の「第２の開口部」及び「第１の誘電体材料とは異なる第２の導電性材料」に相当する。
　
　そうすると，本願発明１と，引用発明との一致点と相違点は，次のとおりである。
　
＜一致点＞
「少なくとも１つの第１の導体が埋め込まれた第１の誘電体材料の第１の層を含む基板上に相互接続構造体を形成する方法であって，前記第１の導体の上面が前記第１の誘電体材料の前記第１の層の上面と同一平面にあり，
　前記方法が，
　前記第１の誘電体材料の前記第１の層上に第２の誘電体材料の第２の層を堆積させるステップと，
　前記第２の誘電体材料の前記第２の層内に少なくとも１つの第１の開口部を形成するステップであって，前記第１の導体が前記第１の開口部において部分的に露出している，前記形成するステップと，
　前記第１の開口部の底部及び側壁上に第１の導電性ライナを堆積させるステップと，
　前記第１の開口部を第１の導電性材料で充填するステップであって，前記第１の導電性材料がタングステン又は他の超硬合金である，前記第１の導電性材料を充填するステップと，
　前記第１の導電性材料の上部を除去するステップと，
　前記第２の誘電体材料の前記第２の層内に少なくとも１つの第２の開口部を形成するステップであって，前記第２の開口部は，前記第１の開口部に重なり，且つ，前記第２の開口部の底面が前記第１の開口部の上面より大きい横方向範囲を有する，前記第２の開口部を形成するステップと，
　前記第２の開口部の底部及び側壁上に第２の導電性ライナを堆積させるステップと，
　前記第２の開口部を，前記第１の誘電体材料とは異なる第２の導電性材料で充填するステップであって，それによって第２の導体を形成し，ここで，前記第２の導体の上面は前記第２の誘電体材料の前記第２の層の上面又は当該第２の層の上に重なるハードマスク層の上面と同一平面にある，前記第２の導電性材料で充填するステップと
　を含む，前記方法。」
　
＜相違点＞
・相違点１：本願発明１が，「第１の導電性材料の上部を除去するステップ」において，「第１の導電性ライナの上部を除去する」のに対して，引用発明１では，「堆積されたメタル材料５の不必要な部分のみをエッチングする工程」において，「チタン膜やチタンナイトライド膜」の上部が除去されているか否かが明らかでない点。
　
（３）引用発明１と，本願発明１の相違点についての判断
・相違点１について
　開口部の底部及び側壁に形成された導電性ライナと，前記開口部に充填された導電性材料とからなる構造体から，前記開口部に充填された前記導電性材料の上部を除去するステップにおける，前記導電性ライナの扱いについては，前記導電性材料と同様に前記導電性ライナの上部を除去する場合と，前記導電性ライナの上部を除去しない場合の二つの場合が想定されるところ，下記の周知例１にも記載されているように，いずれの場合を選択することも周知の方法であると認められる。
　そうすると，「堆積されたメタル材料５の不必要な部分のみをエッチングする工程」における「チタン膜やチタンナイトライド膜」の扱いが明示されていない引用発明１において，前記「チタン膜やチタンナイトライド膜」の上部をエッチングするか否かは，いずれの場合もありえると考えられるところ，仮に，引用発明１の「堆積されたメタル材料５の不必要な部分のみをエッチングする工程」において，「チタン膜やチタンナイトライド膜」の上部が除去されている場合には，上記相違点１は存在しないこととなるから，本願発明１は，引用例１に記載された発明であるということができる。
　他方，引用発明１の「堆積されたメタル材料５の不必要な部分のみをエッチングする工程」において，前記「チタン膜やチタンナイトライド膜」の上部が除去されておらず，上記相違点１が実質的なものである場合においても，前記周知例１に示されているように，開口部の底部及び側壁に形成された導電性ライナと，前記開口部に充填された導電性材料とからなる構造体から，前記開口部に充填された導電性材料の上部を除去するステップにおいて，前記導電性ライナの上部を，前記導電性材料と同様に除去するか，あるいは，除去しないかは，適宜選択し得た設計事項であると認められるから，引用発明１の「堆積されたメタル材料５の不必要な部分のみをエッチングする工程」において，「チタン膜やチタンナイトライド膜」の上部を除去すること，すなわち，引用発明１において，上記相違点１について本願発明１の構成を採用することは，当業者が容易になし得たことである。また，このような構成としたことによる効果も，当業者が予測する範囲内のものと認められる。
　
・周知例１：特開２００２−３６８０８１号公報（拒絶理由通知書において，先行技術文献として提示した文献）
（周１ａ）「次に，
本発明の第２の半導体装置の製造方法に係る一実施の形態
　図２の（１）に示すように，基板１１上に層間絶縁膜１２を形成する。
　次いで図２の（２）に示すように，層間絶縁膜１２に基板１１に達する接続孔１３およびこの接続孔１３上部に接続する配線溝１４を形成する。この接続孔１３および配線溝１４の形成方法は，後に説明する。
　次いで図２の（３）に示すように，例えば
スパッタリングにより，上記接続孔１３および配線溝１４の各内面および上記層間絶縁膜１２上に第１の導電性材料層２１として例えば窒化チタンからなる密着層を形成
　次いで図２の（４）に示すように，化学的気相成長（以下ＣＶＤという，ＣＶＤは Chemical Vapor Deposition の略）法によって，上記
接続孔１３および配線溝１４を埋め込むようにして上記層間絶縁膜１２上に第１の導電性材料層２１を介して，第２の導電性材料層２２として例えばタングステン膜を形成
　次いで，例えば平行平板型エッチング装置を用い，上記
タングステンからなる第２の導電性材料層２２をエッチバック
　さらに，例えば平行平板型エッチング装置を用い，上記
窒化チタンからなる第１の導電性材料層２１をエッチングして除去
　次いで図２の（６）に示すように，例えば
スパッタリングによって，上記配線溝１４の内面および層間絶縁膜１２上に，第３の導電性材料層２４として例えば窒化タンタル膜を例えば３０ｎｍの厚さに堆積して形成
　次いで図２の（７）に示すように，例えばスパッタリングによって，上記第３の導電性材料層２４の表面に，例えば銅からなるシード層２５を形成する。さらに
銅めっき法によって，上記配線溝１４を埋め込むように上記層間絶縁膜１２上に第３の導電性材料層２４，シード層２５を介して銅を堆積して第４の導電性材料層２６を形成
　その後，図２の（８）に示すように，化学的機械研磨（以下ＣＭＰという，ＣＭＰはChemical Mechanical Polishingの略）によって，配線溝１４内に上記第３の導電性材料層２４を介して上記第４の導電性材料層２６（シード層２５も含む）を残すようにして，上記層間絶縁膜１２上の第４の導電性材料層２６（シード層２５も含む）および第３の導電性材料層２４を除去する。その結果，図示したように，配線溝１４内に第３の導電性材料層２４を介して第４の導電性材料層２６（シード層２５も含む）よりなる溝配線２７が形成される。上記ＣＭＰは，一般的なＣＭＰ条件を用いることができ，スラリーには例えばアルミナを主材料にしたものを用いた。
　上記第２の半導体装置の製造方法では，層間絶縁膜１２に接続孔１３および配線溝１４を形成し，接続孔１３および配線溝１４を第１の導電性材料層２１と第２の導電性材料層２２とで埋め込んだ後，接続孔１３の内部に第１の導電性材料層２１を介して第２の導電性材料層２２を残すことから，第２の導電性材料層２２が密着層やバリア層を必要とする場合には，第１の導電性材料層２１が密着層やバリア層として形成される。その後，配線溝１４を第３の導電性材料層２４と第４の導電性材料層２６とで埋め込んだ後，配線溝１４の内部に第３の導電性材料層２４を介して第４の導電性材料層２６を残すようにして，その他の余剰な第３の導電性材料層２４および第４の導電性材料層２６を除去することから，第４の導電性材料層２６が密着層やバリア層を必要とする場合には，第３の導電性材料層２４が密着層やバリア層として形成される。
　また，接続孔１３の埋め込みを第２の導電性材料層２２で行うことから，第２の導電性材料層２２には埋め込み性の良い例えばタングステンを選択することができる。その結果，配線の微細化が進んで微細な接続孔１３が形成された場合であっても，接続孔１３への導電性材料の埋め込みが容易に行える。
　また，不必要な第２の導電性材料層２２および第１の導電性材料層２１を除去した後，配線溝１４の埋め込みを第４の導電性材料層２６で行うことから，第４の導電性材料層２６には接続孔１３の埋め込み性が良好でない材料も選択することが可能になる。よって，第４の導電性材料層２６を形成する際の材料選択の範囲が広くなることから，配線溝１４を埋め込む第４の導電性材料層２６には，電気抵抗のより低い材料として例えば銅を選択することが可能になり，接続孔１３および配線溝１４のすべてを第２の導電性材料であるタングステンを埋め込んだ場合よりも低抵抗な溝配線２７を提供することが可能になる。
　また，上記製造方法では，タングステンからなるプラグ２３と銅からなる溝配線２７との間に窒化タンタルからなる第３の導電性材料層２４が形成されることから，この第３の導電性材料層２４はタングステンと銅とが反応するのを抑止する。」（【００３７】−【００５０】）
　
（周１ｂ）「次に，
本発明の第３の半導体装置の製造方法に係る一実施の形態
　図３の（１）に示すように，基板１１上に層間絶縁膜１２を形成する。
　次いで図３の（２）に示すように，層間絶縁膜１２に接続孔１３およびこの接続孔１３上部に接続する配線溝１４を形成する。この接続孔１３および配線溝１４の形成方法は，後に説明する。
　次いで図３の（３）に示すように，例えば
スパッタリングにより，上記接続孔１３および配線溝１４の各内面および上記層間絶縁膜１２上に，密着層およびバリア層となる第１の導電性材料層３１を例えば窒化タンタルで形成
　次いで図３の（４）に示すように，化学的気相成長（以下ＣＶＤという，ＣＶＤは Chemical Vapor Deposition の略）法によって，上記
接続孔１３および配線溝１４を埋め込むようにして上記層間絶縁膜１２上に，上記第１の導電性材料層３１を介して例えばタングステンからなる第２の導電性材料層３２を形成
　次いで，例えば平行平板型エッチング装置を用い，上記
タングステンからなる第２の導電性材料層３２をエッチバック
　次いで図３の（６）に示すように，例えばスパッタリングによって，上記第１の導電性材料層３１の表面およびプラグ３３の上面に，例えば銅からなるシード層３４を形成する。さらに
銅めっき法によって，上記配線溝１４を埋め込むように上記層間絶縁膜１２上に第１の導電性材料層３１，シード層３４を介して銅を堆積して第３の導電性材料層３５を形成
　その後，図３の（７）に示すように，ＣＭＰによって，配線溝１４内に上記第１の導電性材料層３１を介して上記第３の導電性材料層３５（シード層３４も含む）を残すようにして，上記層間絶縁膜１２上の第３の導電性材料層３５（シード層３４も含む）および第１の導電性材料層３１を除去する。その結果，図示したように，配線溝１４内に第１の導電性材料層３１を介して第３の導電性材料層３５（シード層３４も含む）よりなる溝配線３６が形成される。またこの溝配線３６はプラグ３３上で接続されている。上記ＣＭＰは，一般的なＣＭＰ条件を用いることができ，スラリーには例えばアルミナを主材料にしたものを用いた。」（【００５１】−【００５８】）
　
（周１ｃ）図２は，周知例１に記載された発明の第２の半導体装置の製造方法に係る一実施例の形態を示す製造工程断面図であって，上記摘記（周１ａ）の記載を参酌すれば，同図（５）から，タングステンからなる第２の導電性材料層２２の上部と第１の導電性材料層２１の上部とがエッチバックされている状態を読み取ることができる。
　
（周１ｄ）図３は，周知例１に記載された発明の第３の半導体装置の製造方法に係る一実施例の形態を示す製造工程断面図であって，上記摘記（周１ｂ）の記載を参酌すれば，同図（５）から，タングステンからなる第２の導電性材料層３２の上部がエッチバックされている時点で，第１の導電性材料層３１の上部がエッチバックされていない状態を読み取ることができる。
　
　すなわち，周知例１には，第２の半導体装置の製造方法として，
（ａ）接続孔１３および配線溝１４の各内面および層間絶縁膜１２上に第１の導電性材料層２１として窒化チタンからなる密着層を形成し，
（ｂ）次いで，接続孔１３および配線溝１４を埋め込むようにして上記層間絶縁膜１２上に第１の導電性材料層２１を介して，第２の導電性材料層２２としてタングステン膜を形成し，
（ｃ）次いで，タングステンからなる第２の導電性材料層２２の上部をエッチバックし，さらに，窒化チタンからなる第１の導電性材料層２１の上部をエッチバックし，
（ｄ）次いで，上記配線溝１４の内面および層間絶縁膜１２上に，第３の導電性材料層２４として窒化タンタル膜を堆積して形成し，
（ｅ）さらに，銅めっき法によって，上記配線溝１４を埋め込むように銅を堆積して第４の導電性材料層２６を形成する半導体装置の製造方法が記載されるとともに，
　
　第３の半導体装置の製造方法として，
（ａ’）接続孔１３および配線溝１４の各内面および層間絶縁膜１２上に第１の導電性材料層３１として窒化チタンからなる密着層を形成し，
（ｂ’）次いで，接続孔１３および配線溝１４を埋め込むようにして上記層間絶縁膜１２上に第１の導電性材料層３１を介して，第２の導電性材料層３２としてタングステン膜を形成し，
（ｃ’）次いで，タングステンからなる第２の導電性材料層３２の上部をエッチバックし，
（ｅ’）さらに，銅めっき法によって，上記配線溝１４を埋め込むように銅を堆積して第４の導電性材料層３５を形成する半導体装置の製造方法が記載されている。
　
（４）本願発明１の新規性・進歩性についての判断のまとめ
　以上のとおり，本願発明１は，上記引用例１に記載された発明である。また，仮に，本願発明１が上記引用例１に記載された発明でないとしても，本願発明１は引用例１に記載された発明と周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　なお，審判請求人は，平成２４年７月２日に提出した回答書において，「しかしながら，引用文献１は，「ただし，メタル材料５に代えてメタル材料８が多く埋め込まれた方が低抵抗等の電気特性に優れたものとなる。」と記載しているとおり，メタル材料８がメタル材料５よりも多く埋め込まれる方が低抵抗等の電気特性に優れていることを記載します。これは，引用文献１に記載の発明はスルーホール内に２種類のメタル材料（導体）を埋め込むことみ，これによりアスペクト比を小さくし，配線の高信頼性及び優れた電気特性を達成することを目的としているためです（段落００２３〜００２５）。一方，本願発明１は，第１の開口部（ビアまたはスタッド）に強度を付与することを目的とします（段落０００７，００１５）。よって，引用文献１の上記記載から，第２の導電性材料で充填されている部分の底部が，第１の導電性材料で充填されている部分の上部より大きい横方向範囲を有する構造とすること，を当業者は敢えてしないと考えます。」と主張する。
　しかしながら，本願発明１は，「前記第２の開口部の底面が前記第１の開口部の上面より大きい横方向範囲を有する」こと，すなわち，「開口部」の底面及び上面の横方向範囲の大小を発明特定事項として規定する発明であって，「第１の導電材料」の上面と「第２の導電材料」の底面の横方向範囲の大小を比較するものではない。
　そして，引用発明１の「トレンチ７」の底面の横方向範囲は，前記「トレンチ７」に重なる「スルーホール４」の上面の横方向範囲よりも大きいことは，引用例１の上記摘記（１ｄ）等からも明らかである。
　そうすると，前記「前記第２の開口部の底面が前記第１の開口部の上面より大きい横方向範囲を有する」ことは，本願発明１と引用発明１との間における相違点としては認めることはできないから，審判請求人の前記主張は請求項の記載に基づかない主張であって採用することはできない。
　
　また，仮に，本願発明１を，「第２の導電性材料で充填されている部分の底部が，第１の導電性材料で充填されている部分の上部より大きい横方向範囲を有する構造」と解したとしても，引用例１の上記摘記（１ｂ）には「なお，本実施の形態では，図１−（ｄ）の工程で，エッチング後のメタル材料５の表面の高さを，後に形成されるトレンチ７の底面より低くなるようにしたが，
エッチング後のメタル材料５の表面が
後に形成されるトレンチ７の底面と同じ高さ
なっても構わない
　
　さらに，審判請求人は，「第２の導電性材料で充填されている部分の底部が，第１の導電性材料で充填されている部分の上部より大きい横方向範囲を有する構造とすること」を当業者は敢えてしないと考えます。」とも主張するが，引用例１の上記摘記（１ｂ）に「この時のメタル材料５を除去する量は，後で成膜する配線として信頼性上・電気特性上優れたメタル材料８の成膜技術の埋め込み特性で決定すれば良い。」と記載されていることから，引用発明１において，メタル材料５を除去する量を，後で成膜する配線として信頼性上・電気特性上優れたメタル材料８の成膜技術の埋め込み特性で決定するにあたり，例えば，後で成膜するメタル材料８の埋め込み特性が不十分であると当業者が判断をした場合に，メタル材料５を除去する量を減らして，「第２の導電性材料で充填されている部分の底部が，第１の導電性材料で充填されている部分の上部より大きい横方向範囲を有する構造」となすことは，当業者が適宜なし得たことといえる。
　したがって，審判請求人の主張は採用することができない。
　
（５）引用発明２と，本願発明２及び本願発明３との対比
　引用発明２と，本願発明２及び本願発明３の，発明特定事項の対応関係は，上記「（２）引用発明１と，本願発明１との対比」で検討したものと同様である。
　また，引用発明２の「（ｅ）この堆積されたメタル材料５の不必要な部分のみをエッチングする工程」と，本願発明２の「前記第１の導電性材料の表面が前記第１の開口部の上面と同一になるように，前記第１の導電性材料及び前記第１の導電性ライナを除去するステップ」とは，いずれも「第１の導電性材料の上部を除去するステップ」である点で一致する。
　そして，同様に，引用発明２の「（ｅ）この堆積されたメタル材料５の不必要な部分のみをエッチングする工程」と，本願発明３の「前記第２の開口部の底部上の前記導電性ライナの表面が前記第１の開口部の上面と同一になるように，前記第１の導電性材料を除去するステップ」とは，いずれも「第１の導電性材料の上部を除去するステップ」を含む点で一致する。
　
　そうすると，引用発明２と，本願発明２及び本願発明３との一致点と相違点は，次のとおりである。
　
＜引用発明２と本願発明２との一致点＞
「少なくとも１つの第１の導体が埋め込まれた第１の誘電体材料の第１の層を含む基板上に相互接続構造体を形成する方法であって，前記第１の導体の上面が前記第１の誘電体材料の前記第１の層の上面と同一平面にあり，
　前記方法が，
　前記第１の誘電体材料の前記第１の層上に第２の誘電体材料の第２の層を堆積させるステップと，
　前記第２の誘導体材料の前記第２の層内に少なくとも第１の開口部及び少なくとも第２の開口部を形成するステップであって，前記第１の導体が前記第１の開口部において部分的に露出しており，前記第２の開口部は，前記第１の開口部に重なり，且つ，前記第２の開口部の底面が前記第１の開口部の上面より大きい横方向範囲を有する，前記形成するステップと，
　前記第１の開口部の底部及び側壁上，並びに，前記第２の開口部の底部及び側壁上に第１の導電性ライナを堆積させるステップと，
　前記第１の導電性ライナ上又は前記第１の導電性ライナ内であり，且つ前記第１の開口部及び前記第２の開口部内を第１の導電性材料で充填するステップであって，前記第１の導電性材料がタングステン又は他の超硬合金である，前記第１の導電性材料で充填するステップと，
　前記第１の導電性材料の上部を除去するステップと，
　前記第２の開口部の底部及び側壁上に第２の導電性ライナを堆積させるステップと，
　前記第２の開口部を，前記第１の誘電体材料とは異なる第２の導電性材料で充填するステップであって，それによって第２の導体を形成し，ここで，前記第２の導体の上面は前記第２の誘電体材料の前記第２の層の上面又は当該第２の層の上に重なるハードマスク層の上面と同一平面にある，前記第２の導電性材料で充填するステップと
　を含む，前記方法。」
　
＜引用発明２と本願発明３との一致点＞
「少なくとも１つの第１の導体が埋め込まれた第１の誘電体材料の第１の層を含む基板上に相互接続構造体を形成する方法であって，前記第１の導体の上面が前記第１の誘電体材料の前記第１の層の上面と同一平面にあり，
　前記方法が，
　前記第１の誘電体材料の前記第１の層上に第２の誘電体材料の第２の層を堆積させるステップと，
　前記第２の誘導体材料の前記第２の層内に少なくとも１つの第１の開口部及び少なくとも１つの第２の開口部を形成するステップであって，前記第１の導体が前記第１の開口部において部分的に露出しており，前記第２の開口部は，前記第１の開口部に重なり，且つ，前記第２の開口部の底面が前記第１の開口部の上面より大きい横方向範囲を有する，前記形成するステップと，
　前記第１の開口部の底部及び側壁上，並びに，前記第２の開口部の底部及び側壁上に導電性ライナを堆積させるステップと，
　前記導電性ライナ上又は前記導電性ライナ内であり，且つ前記第１の開口部及び前記第２の開口部内を第１の導電性材料で充填するステップであって，前記第１の導電性材料がタングステン又は他の超硬合金である，前記第１の導電性材料で充填するステップと，
　前記第１の導電性材料の上部を除去するステップと，
　前記第２の開口部を，前記第１の誘電体材料とは異なる第２の導電性材料で充填するステップであって，それによって第２の導体を形成し，ここで，前記第２の導体の上面は前記第２の誘電体材料の前記第２の層の上面又は当該第２の層の上に重なるハードマスク層の上面と同一平面にある，前記第２の導電性材料で充填するステップと
　を含む，前記方法。」
　
＜引用発明２と本願発明２との相違点＞
・相違点２：「第１の導電性材料の上部を除去するステップ」が，本願発明２では「第１の導電性ライナを除去するステップ」を含むのに対して，引用発明２では，この点が特定されていないこと。
　
・相違点３：本願発明２では，第１の導電性材料を除去を，「第１の導電性材料の表面が前記第１の開口部の上面と同一になるように」するのに対して，引用発明２では，「エッチング後のメタル材料５の表面の表面の高さをトレンチ７の底面以下にするか，トレンチ７の底面よりも若干高くなっても構わないようにエッチングする」点。
　
＜引用発明２と本願発明３との相違点＞
・相違点４：「第１の導電性材料の上部を除去するステップ」が，本願発明３では，「第２の開口部の底部上の前記導電性ライナの表面が前記第１の開口部の上面と同一になるように」するのに対して，引用発明２では，エッチング後のトレンチ７の底面に，堆積された導電性ライナに相当するチタン膜やチタンナイトライド膜が存在するか否かが特定されていない点。
　
・相違点５：本願発明３では，第１の導電性材料の除去を，「第２の開口部の底部上の前記導電性ライナの表面が前記第１の開口部の上面と同一になるように」するのに対して，引用発明２では，「エッチング後のメタル材料５の表面の表面の高さをトレンチ７の底面以下にするか，トレンチ７の底面よりも若干高くなっても構わないようにエッチングする」点。
　
（６）引用発明２と，本願発明２及び本願発明３の相違点についての判断
　上記「（３）引用発明１と，本願発明１の相違点についての判断」で検討したように，開口部の底部及び側壁に形成された導電性ライナと，前記開口部に充填された導電性材料とからなる構造体から，前記開口部に充填された導電性材料の上部を除去するステップにおける，前記導電性ライナの扱いについては，前記導電性材料と同様に前記導電性ライナの上部を除去する場合と，前記導電性ライナの上部を除去しない場合の二つの場合が想定され，これは上記周知例１にも記載されているように，いずれの場合も周知であると認められる。
　そうすると，スルーホール４とトレンチ７内にタングステンをメタル材料５として堆積して埋め込む際に，密着性向上や埋め込みメタル材料のバリア性を改善するために堆積したチタン膜やチタンナイトライド膜と，タングステンからなる前記メタル材料５とからなる構造体から，前記メタル材料５の不必要な部分のみをエッチングする工程における，前記チタン膜やチタンナイトライド膜の扱いについて特定されていない引用発明２においても，前記チタン膜やチタンナイトライド膜の扱いについては，前記メタル材料５と同様に前記チタン膜やチタンナイトライド膜の上部を除去する場合と，除去しない場合の二つの場合が想定される。
　そして，引用発明２を，メタル材料５と同様に前記チタン膜やチタンナイトライド膜の上部を除去する工程を含む発明であると解すると，上記相違点２は存在しないこととなり，また，上記相違点３は，設計事項であると認められるから，本願発明２は，引用発明２から当業者が容易に発明をすることができたものと認められる。
　また，引用発明２を，チタン膜やチタンナイトライド膜の上部を除去する工程を含まない発明であると解すると，エッチング後のトレンチ７の底面に，堆積された導電性ライナに相当するチタン膜やチタンナイトライド膜が存在することとなるから，上記相違点４は実質的に存在しないこととなり，上記相違点５は，設計事項であると認められるから，本願発明３は，引用発明２から当業者が容易に発明をすることができたものと認められる。
　
（７）本願発明２又は本願発明３の進歩性についての判断のまとめ
　以上のとおりであるから，本願発明２又は本願発明３は，引用例１に記載された発明と周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
第４　むすび 
　以上のとおり，本願の請求項１に係る発明は，引用例１に記載された発明である。仮に引用例１に記載されているとまでは認めることができないとしても，引用例１に記載された発明と周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　してみれば，本願の請求項１に係る発明は，特許法第２９条第１項第３号に該当し特許を受けることができないものである。仮にそうでないとしても，本願の請求項１に記載された発明は，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　また，本願の請求項２又は請求項３に係る発明は，引用例１に記載された発明と周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　してみれば，本願の請求項２又は請求項３に係る発明は，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　したがって，本願の他の請求項に係る発明については検討するまでもなく，本願は拒絶をすべきものである。
　
　よって，結論のとおり審決する。