【事件の表示】
　上記当事者間の特許第２１４１４００号発明「窒化ガリウム系化合物半導体の結晶成長方法」の特許無効審判事件について、次のとおり審決する。
【結　論】
　訂正を認める。
　本件審判の請求は、成り立たない。
　審判費用は、請求人の負担とする。
【理　由】
第１　手続の経緯 
 　本件特許第２１４１４００号についての手続の経緯の概要は以下のとおりである。 
　
平成　３年　３月２７日　特許出願（特願平3−89840号：国内優先権主張
　　　　　　　　　　　　平成 3年 1月31日（特願平3−32259号））
平成　８年　１月２９日　出願公告（特公平8−8217）
平成　９年１０月２４日　異議決定（平成 9年11月25日発送）
平成　９年１１月１７日　拒絶査定（平成 9年11月25日発送）
平成　９年１２月２５日　拒絶査定不服審判請求（審判平10−322号）
　　　　　　　　　　　　（平成10年 1月 5日受付）
平成１０年　１月２６日　手続補正書（平成10年 1月28日受付）
平成１２年　５月２９日　審決（審判平10−322号）
　　　　　　　　　　　　（平成12年 6月20日発送）
平成１２年　７月２１日　設定登録
平成２３年１０月１９日　無効審判請求（本件：無効2011−800210） 
平成２４年　１月　７日　被請求人：答弁書及び訂正請求書
　　　　　　　　　　　　（平成24年 1月10日受付） 
平成２４年　３月　８日　請求人：弁駁書
平成２４年　４月　４日　審理事項通知書
　　　　　　　　　　　　（平成24年 4月 6日発送)
平成２４年　５月　８日　請求人：口頭審理陳述要領書 
平成２４年　５月１４日　被請求人：口頭審理陳述要領書
　　　　　　　　　　　　（平成24年 5月15日受付）
平成２４年　５月２２日　訂正拒絶理由通知
平成２４年　５月２２日　被請求人：意見書並びに
　　　　　　　　　　　　訂正請求書及び全文訂正明細書の手続補正書
平成２４年　５月２２日　口頭審理 
　
　
第２　請求人の主張の概要
　請求人は、本件の請求項１ないし４に係る発明についての特許を無効とする、審判請求費用は被請求人の負担とする、との審決を求め、
　無効理由１として甲第１号証を主引用例とし、無効理由２として甲第１０号証を主引用例としたうえで、本件特許の請求項１ないし４に係る発明は、甲第１号証ないし甲第１７号証に記載された発明及び周知技術に基づいて、本願優先権主張の日前に当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、同法１２３条１項２号の規定に該当し、無効とすべきであると主張し、下記甲第１号証ないし甲第１７号証を提出し、また、平成２４年　３月　８日付け弁駁書において、下記甲第１８号証ないし甲第２４号証及び平成２４年　５月　８日付け口頭審理陳述要領書において下記甲第２５号証、甲第２６号証を提出している。
　なお、無効審判請求書において、甲第１号証に基づく特許法第２９条第１項第３号に基づく無効理由を主張していたが、口頭陳述要領書及び口頭審理において、当該主張は取り下げられた。
　また、口頭陳述要領書において、訂正請求された特許請求の範囲の請求項１は、技術的意義が一義的に理解することができない特段の事情があるとするならば、旧特許法第３６条第５項第２号違反という、新たな無効理由を認定するに等しいとの主張を行っているものの、口頭審理において、当該主張は、無効審判請求の理由の趣旨を変える新たな無効理由を主張する実質的な主張ではないことを説明した。（調書の記載：「新たな無効理由を主張する実質的な主張ではなく、単にそのような事情を説明しているものである。」）
　
　　　　　　　　　　　　　　　　記
甲第１号証　：佐々木徹他「ＧａＮ／サファイア　ＭＯＶＰＥ二段階成長に
　　　　　　　おけるバッファ層成長条件」、第４９回応用物理学会学術講
　　　　　　　演会講演予稿集　第１分冊、１９８８年１０月４日発行、
　　　　　　　２８８頁（講演番号６ｐ−Ｚ−２）
甲第２号証　：西永頌「格子定数が大きく異なる基板上へのヘテロエピタキ
　　　　　　　シー　−ＨＭ２のメカニズムをめぐって−」、応用物理、第
　　　　　　　５５巻、第１１号、１９８６年１１月１０日発行、１０６９
　　　　　　　〜１０７３頁
甲第３号証　：清水正文他「シリコン基板上への直接ＭＯＣＶＤ成長による
　　　　　　　ＧａＡｓ太陽電池の作製」、電子通信学会技術研究報告、
　　　　　　　Ｖｏｌ．８５、Ｎｏ．２１６、
　　　　　　　１９８５年１１月２１日発行、２３〜２９頁
甲第４号証　：山本あきお（「日」の下に「高」の文字と「勇」）他「ＭＯ
　　　　　　　ＣＶＤ法によるＩｎＰ／Ｓｉのヘテロエピタキシャル成長」
　　　　　　　、日本結晶成長学会誌、Ｖｏｌ．１３、Ｎｏ．４、１９８７
　　　　　　　年４月２５日発行、２６７〜２７３頁
甲第５号証　：若原昭浩他「ＭＯＣＶＤ法によるＧａＡｓ基板上へのＩｎＰ
　　　　　　　ヘテロエピタキシャル成長」、電子情報通信学会技術研究報
　　　　　　　告、Ｖｏｌ．８７、Ｎｏ．３７３、１９８８年２月１７日発
　　　　　　　行、１〜５頁
甲第６号証　：特開平２−１７７４９０号公報
甲第７号証　：特開平２−１８００８４号公報
甲第８号証　：特開平２−２６０６８１号公報
甲第９号証　：特開平２−２８８２８５号公報
甲第１０号証：特開昭５２−２３６００号公報
甲第１１号証：特公昭５２−３６１１７号公報
甲第１２号証：特開昭６０−１７３８２９号公報
甲第１３号証：小出康夫他「ＭＯＶＰＥによるＡｌＧａＮ／α−
　　　　　　　Ａｌ２Ｏ３　ヘテロエピタキシーにおけるＡｌＮバッファ層
　　　　　　　の効果」、日本結晶成長学会誌、Ｖｏｌ．１３、Ｎｏ．４、　　　　　　　１９８７年４月２５日発行、２１８〜２２５頁
甲第１４号証：赤崎勇他「ＧａＡｌＮの結晶成長と光電物性」、電気学会研
　　　　　　　究会資料、社団法人電気学会、１９８７年８月１９日、５１
　　　　　　　〜５９頁
甲第１５号証：特開平２−２２９４７６号公報
甲第１６号証：Z．Sitar他,「Growth of AlN/GaN layered structures by
　　　　　　　gas source molecular-beam epitaxy」,Journal of　
　　　　　　　Vacuum Science Technology B.,Vol.8,No.2,　
　　　　　　　March/April 1990，316〜322頁
甲第１７号証：平松和政他「ＭＯＶＰＥ法によるサファイヤ基板上へのＧａ
　　　　　　　Ｎ結晶成長におけるバッファ層の効果」、日本結晶成長学会
　　　　　　　誌、Ｖｏｌ．１５、Ｎｏ．３＆４、１９８８年１月２５日発
　　　　　　　行、３３４〜３４２頁
甲第１８号証：特開昭６０−１７５４１２号公報
甲第１９号証：H.Amano他,「Metalorganic vapor phase epitaxial　
　　　　　　　growth of a high quality GaN film using an AlN　
　　　　　　　buffer layer」,Appl.Phys.Lett. 48(5),　
　　　　　　　3 February 1986,353〜355頁
甲第２０号証：森芳文他「エピタキシャル成長技術実用データ集　第１集
　　　　　　　ＭＢＥとＭＯＣＶＤ／第１分冊ＭＯＣＶＤ」、株式会社サイ
　　　　　　　エンスフォーラム、１９８６年６月１５日発行、６７〜
　　　　　　　７１頁
甲第２１号証：特開平２−１８３８７号公報
甲第２２号証：特許第２７４５８１９号公報
　　　　　　　　（
平成１０年４月２８日発行
出願後
甲第２３号証：特許第３０５６７８１号公報
　　　　　　　　（
平成１２年６月２６日発行
出願後
甲第２４号証：赤崎勇「ＩＩＩ族窒化物半導体」、株式会社培風館、
　　　　　　　１９９９年１２月８日発行、１１４〜１１５頁
　　　　　　　 （本件特許の
出願後に発行
甲第２５号証：特許・実用新案審査基準、１９９７年１２月２４日発行
　　　　　　　（改訂２刷）、第Ｉ部明細書４頁
甲第２６号証：特開平２−２１１６２０号公報
　
第３　被請求人の主張
　被請求人は、答弁書において下記乙第１号証の１ないし乙第８号証を提示し、平成２４年　５月２２日付けで補正された訂正請求書及び全文訂正明細書により訂正された本件特許の請求項１ないし４に係る発明は、甲第１号証ないし甲第２４号証及び甲第２６号証に記載された発明から当業者が容易に発明をすることができたものではなく、本件審判請求は成り立たず、審判費用は請求人の負担とする、との審決を求めると主張し、平成２４年　５月１４日付け口頭審理陳述要領書において、下記乙第９号証、乙第１０号証を提出している。
　なお、口頭審理において、答弁書で主張した「（１）請求人の主張に対する認否」中、「（１−２）「ＩＩ　手続の経緯」・・・その余は認める」について部分的に否認するとの点については、争わないとした（調書記載事項）。
　　　　　　　　　　　　　　記
乙第１号証の１：S. Ohnishi他,「Chemical Vapor Deposition of　
　　　　　　　　Single-Crystalline ZnO Film with Smooth Surface on　
　　　　　　　　Intermediately Sputtered ZnO Thin Film on　
　　　　　　　　Sapphire」,Jpn.J.Appl.Phys.17(1978),773〜778頁
乙第１号証の２：乙第１号証の１抄訳
乙第２号証の１：S. Nishio他,「Chemical Vapor Deposition of Single　
　　　　　　　　Crystalline β-SiC Films on Sillicon Substrate　
　　　　　　　　with Sputtered SiC Intermediate Layer」,　
　　　　　　　　J.Electrochem.Soc.,127(12),December 1980、
　　　　　　　　2674〜2680頁
乙第２号証の２：乙第２号証の１抄訳
乙第３号証の１：M.Ishida他,「Epitaxial Growth of SOS Films with　
　　　　　　　　Amorphous Si Buffer Layer」,Jpn.Appl.Phys.,20(7),　
　　　　　　　　July 1981,L541〜L544頁
乙第３号証の２：乙第３号証の１抄訳
乙第４号証の１：M.Ishida他,「EPITAXIAL GROWTH OF Si OVER　
　　　　　　　　AMORPHOUS Si BUFFER LAYER SPUTTERED　
　　　　　　　　ON SAPPIRE SUBSTRATE」,Layered Structures　
　　　　　　　　and Interface Kinetics edited by S.Furukawa, KTK　
　　　　　　　　Scientific Publishers,Tokyo,1985,99〜111頁
乙第４号証の２：乙第４号証の１抄訳
乙第５号証の１：M.Ishida他,「Growth and properties of Si films on　
　　　　　　　　sapphire with predeposited amorphous Si layers」,　
　　　　　　　　J.Appl.Phys.,59(12),15 June 1986,4073〜4078頁
乙第５号証の２：乙第５号証の１抄訳
乙第６号証：　　赤崎勇「ＩＩＩ族窒化物半導体」、株式会社培風館、
　　　　　　　　１９９９年１２月８日、６７〜６９頁 
　　　　　　　　　（本件特許の
出願後に発行
乙第７号証　　：「結晶成長ハンドブック」、共立出版株式会社、
　　　　　　　　１９９５年９月１日、１０９６〜１０９７頁
　　　　　　　　　（本件特許の
出願後に発行
乙第８号証　　：生駒俊明　他「電子材料シリーズ　ガリウムヒ素」、丸善
　　　　　　　　株式会社、１９９３年１月３０日、１４０〜１４１頁
　　　　　　　　　（本件特許の
出願後に発行
乙第９号証　　：特開平５−４１５４１号公報
　　　　　　　　　（平成５年２月１９日発行：本件特許の
出願後
乙第１０号証　：特開２００４−８３３５９号公報
　　　　　　　　　（平成１６年３月１８日発行：本件特許の
出願後
　
第４　訂正請求の可否
１　訂正の要旨　
　平成２４年　５月２２日付けで補正された訂正請求書（以下、「本件訂正請求書」という。）による訂正（以下、「本件訂正」という。）の要旨は、平成　８年　１月２９日付けで 出願公告され、その後拒絶査定不服審判において平成１０年　１月２６日付けでなされた手続補正書により補正された後、設定登録された本件特許第２１４１４００号の願書に添付した明細書（以下、「本件特許明細書」という。）を、本件訂正請求書に添付されたものであって、平成２４年　５月２２日付けで補正された全文訂正明細書（以下、「本件訂正明細書」という。）のとおりに訂正することを求めるものである。
  　
２　訂正の内容
　本件訂正の内容は、次のとおりである。
　なお、下線部は、訂正箇所を示している。
（１）訂正事項１
　特許請求の範囲の請求項１の「バッファ層と窒化ガリウム系化合物半導体の両方を有機金属化合物気相成長法で成長させると共に、窒化ガリウム系化合物半導体を成長させる反応容器内において、窒化ガリウム系化合物半導体を成長させる前に、」を「
前記
前記
前記
前記
前記
　
（２）訂正事項２
　特許請求の範囲の請求項１の「窒化ガリウム系化合物半導体を成長させる前に、窒化ガリウム系化合物半導体の成長温度よりも低温で、」を「窒化ガリウム系化合物半導体を成長させる前に、
基板上にアンモニアガスとＨ
２
ガスの混合ガスを供給し、その後前記
　
（３）訂正事項３
　特許請求の範囲の請求項１の「とするバッフア層を、０．２μｍ以下の膜厚で成長させ、続いてバッファ層よりも高い成長温度で、」を「とする
前記
前記
　
（４）訂正事項４
　特許請求の範囲の請求項１の「窒化ガリウム系化合物半導体を成長させると共に、」を「
前記基板を回転させて前記
　
（５）訂正事項５
　特許請求の範囲の請求項１の「バッファ層と窒化ガリウム系化合物半導体を成長させる基板に、サファイア基板を使用する」を「
前記
前記
前記
　
（６）訂正事項６
　特許請求の範囲の請求項２の「一般式がＧａＸＡｌ１−ＸＮ（但しＸは０．５≦Ｘ≦１の範囲である。）で示されるバッファ層を成長させ、」を「一般式がＧａＸＡｌ１−ＸＮ（但しＸは０．５≦Ｘ≦１の範囲である。）で示される
前記
　
（７）訂正事項７
　本件特許明細書の段落【００１０】「本発明の窒化ガリウム系化合物半導体の結晶成長方法は、バッファ層の上に、有機金属化合物気相成長法で反応容器内に反応ガスを供給して窒化ガリウム系化合物半導体の結晶を成長させる方法を改良したものである。本発明の方法は、バッファ層と窒化ガリウム系化合物半導体の両方を有機金属化合物気相成長法で成長させると共に、窒化ガリウム系化合物半導体を成長させる反応容器内において、窒化ガリウム系化合物半導体を成長させる前に、窒化ガリウム系化合物半導体の成長温度よりも低温で、一般式を、ＧａＸＡｌ１−ＸＮ（但しＸは０．５≦Ｘ＜１の範囲である。）とするバッファ層を、０．２μｍ以下の膜厚で成長させ、続いてバッファ層よりも高い成長温度で窒化ガリウム系化合物半導体を成長させるものである。さらに、バッファ層と窒化ガリウム系化合物半導体を成長させる基板には、サファイア基板が使用される。」を「本発明の窒化ガリウム系化合物半導体の結晶成長方法は、バッファ層の上に、有機金属化合物気相成長法で反応容器内に反応ガスを供給して窒化ガリウム系化合物半導体の結晶を成長させる方法を改良したものである。本発明の方法は、
前記
前記
前記
前記
前記
基板上にアンモニアガスとＨ
２
ガスの混合ガスを供給し、その後前記
前記
前記
前記基板を回転させて前記
前記
前記
前記
　
　そして、訂正前の請求項２ないし４は、いずれも請求項１を引用する請求項であるから、当該訂正前の請求項２ないし４についても、実質上、上記訂正事項１ないし５と同様の訂正を行うものである。
　
３　本件訂正の可否についての当審の判断
（１）訂正事項１について
　訂正事項１は、特許請求の範囲の請求項１において、既出の構成要件であることを明確にするために、「バッファ層」を「
前記
前記
前記
　そして、上記訂正事項１は本件特許明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
　
（２）訂正事項２について
　訂正事項２は、特許請求の範囲の請求項１に記載された「窒化ガリウム系化合物半導体を成長させる前に、窒化ガリウム系化合物半導体の成長温度よりも低温で、」との工程において、「基板上にアンモニアガスとＨ２ガスの混合ガスを供給し、その後前記」との工程を加え、「窒化ガリウム系化合物半導体を成長させる前に、
基板上にアンモニアガスとＨ
２
ガスの混合ガスを供給し、その後前記
　当該訂正の「基板上にアンモニアガスとＨ２ガスの混合ガスを供給し、その後」は、本件訂正前の本件特許明細書の【００２５】「．．．＜６＞続いて副噴射管５からＨ２とＮ２の混合ガスを供給し、反応ガス噴射管４からアンモニアガスとＨ２ガスの混合ガスを供給する。副噴射管５から供給するＨ２ガスとＮ２ガスの流量はそれぞれ１０リットル／分、反応ガス噴射管４から供給するアンモニアガスの流量は４リットル／分、Ｈ２ガスの流量は１リットル／分とし、この状態でサセプター２の温度が５００℃に安定するまで待つ。」との記載に基づくものであり、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。（上記本件特許明細書の引用箇所において用いられている文字であって、○の中に数字が記載されている文字を表記できないので、＜１＞等、＜＞で数字を挟んだ標記に置き換えている。以下、同様に文字の置き換えを行う。）
　また、「基板上にアンモニアガスとＨ２ガスの混合ガスを供給し、その後」に続く「前記」との訂正は、既出の構成要件であることを明確にするためのものであるから、この訂正は明瞭でない記載の釈明を目的とするものである。
　そして、上記訂正事項２は本件特許明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
　
（３）訂正事項３について
　訂正事項３は、訂正事項１と同じく、特許請求の範囲の請求項１において、既出の構成要件である「バッファ層」であることを明確にするために、後段の「バッファ層」を「
前記
　そして、上記訂正事項３は本件特許明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
　
（４）訂正事項４について
　訂正事項４は、特許請求の範囲の請求項１に記載された「窒化ガリウム系化合物半導体を成長させる」を、「
前記基板を回転させて前記
　当該訂正は、訂正前の本件特許明細書の【００２５】「＜１＞洗浄された２インチφのサファイア基板をサセプター２の上に載せる。．．．＜９＞サセプター２の温度が１０２０℃まで上昇した後、反応ガス噴射管４からアンモニアガスとＨ２ガスに加えて、ＴＭＧガスを５．４×１０−５モル／分の流量で６０分間供給して、ＧａＮエピタキシャル層を、４．０μｍの膜厚で成長させる。この間、副噴射管５から常にＨ２とＮ２ガスを前述の条件で供給し続け、反応ガスで反応容器内が汚染されないようにしている。またサセプター２は均一に結晶が成長するように、モーター７で５ｒｐｍで回転させる。なお当然のことではあるが、ガスを供給している間、排気ポンプ６の配管と分岐した排気管８から、供給しているガスを外部へ放出している。」との記載に基づくものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　また、「前記基板を回転させて」に続く「前記」との訂正は、既出の構成要件であることを明確にするためのものであるから、この訂正は明瞭でない記載の釈明を目的とするものである。
　そして、上記訂正事項４は、本件特許明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
　
（５）訂正事項５について
　訂正事項５は、上記訂正事項１，３と同じく、特許請求の範囲の請求項１において、既出の構成要件であることを明確にするために、「バッファ層」を「
前記
前記
前記
　そして、上記訂正事項５は、本件特許明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
　
（６）訂正事項６について
　訂正事項６については、上記訂正事項１，３，５と同じく、特許請求の範囲の請求項２において、既出の構成要件であることを明確にするために、「バッファ層」を「
前記
　そして、上記訂正事項６は本件特許明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
　
（７）訂正事項７について
　　訂正事項７については、特許請求の範囲の請求項１を訂正したことに伴い、訂正前の請求項１の記載に対応する【課題を解決するための手段】の中の記載を訂正後の請求項１の記載に対応するように訂正するものであるから、明瞭でない記載の釈明を目的とするものである。
　そして、上記訂正事項７は、本件特許明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
　
　以上のとおり、本件訂正は、平成６年改正前特許法第１３４条第２項ただし書きに適合し、特許法第１３４条の２第５項において準用する平成６年改正前特許法第１２６条第２項の規定に適合するので、本件訂正は適法な訂正である。
　
　
第５　本件発明 
１　本件の特許請求の範囲の請求項１〜４に係る発明
　上記「第４」のとおり、本件訂正は認められるので、本件の特許請求の範囲の請求項１〜４に係る発明（以下、それぞれ、「本件発明１」、「本件発明２」、「本件発明３」、「本件発明４」という。）は、本件訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１〜４に記載された事項により特定される下記のとおりのものである。（下記請求項の下線は、訂正箇所を示す。） 
 　 
【請求項１】
　バッファ層の上に、有機金属化合物気相成長法で反応容器内に反応ガスを供給して窒化ガリウム系化合物半導体の結晶を成長させる方法において、
　
前記
前記
前記
前記
前記
基板上にアンモニアガスとＨ
２
ガスの混合ガスを供給し、その後前記
前記
前記
、前記基板を回転させて前記
、前記
前記
前記
【請求項２】
　サファイア基板の上に、一般式がＧａＸＡｌ１−ＸＮ（但しＸは０．５≦Ｘ≦１の範囲である。）で示される
前記
【請求項３】
　窒化ガリウム系化合物半導体の上に、一般式がＧａＸＡｌ１−ＸＮ（但しＸは０．５≦Ｘ≦１の範囲である。）で示されるバッファ層を成長させ、さらにこのバッファ層の上に窒化ガリウム系化合物半導体を成長させる請求項１記載の窒化ガリウム系化合物半導体の結晶成長方法。
【請求項４】
　前記バッファ層の厚さが０．００２μｍ以上、０．２μｍ以下であることを特徴とする請求項１記載の窒化ガリウム系化合物半導体の結晶成長方法。
　
２　本件訂正明細書に記載された事項
（１）　本件訂正明細書には、下記の事項が記載されている。
　
（本１）「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はサファイア等の基板上に、窒化ガリウム系化合物半導体の結晶を成長させる方法に関し、特に結晶性の優れた窒化ガリウム系半導体化合物のエピタキシャル層の成長方法に関する。」
　
（本２）「【０００２】
【従来の技術及びその問題点】最近、窒化ガリウム系化合物半導体、例えば、一般式が［ＧａＸＡｌ１−ＸＮ（但し、Ｘは０≦Ｘ≦１の範囲にある）］の青色発光デバイスが注目されている。窒化ガリウム系化合物半導体の結晶を成長させる方法として、有機金属化合物気相成長法（以下、「ＭＯＣＶＤ法」という。）がよく知られている。・・・
【０００３】・・・第一に結晶性を向上させることが不可欠である。
【０００４】また、ＭＯＣＶＤ法・・・表面モフォロジーの極めて悪い半導体の結晶層・・・
【０００５】このような問題を解決するために、窒化ガリウム系化合物半導体の結晶を成長させる前に、基板上にＡｌＮのバッファ層を成長させる方法が提案されている・・・この方法は、サファイア基板上に、成長温度４００〜９００℃の低温で、膜厚が１００〜５００オングストロームのＡｌＮのバッファ層を設けるものである。この方法はバッファ層であるＡｌＮ層上にＧａＮを成長させることによって、ＧａＮ半導体層の結晶性および表面モフォロジーを改善できる特徴がある。」
　
（本３）「【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら前記方法は、バッファ層の成長条件が厳しく制限され、しかも膜厚を１００〜５００オングストロームと非常に薄い範囲に厳密に設定する必要があるため、そのバッファ層を、大面積のサファイア基板、例えば約５０ｍｍφのサファイア基板上全面に、均一に一定の膜厚で形成することが困難である。したがって、そのバッファ層の上に形成する窒化ガリウム系化合物半導体の結晶性および表面モフォロジーを歩留よく改善することが困難・・・さらなる結晶性の向上が必要・・・」
　
（本４）「【００１２】また前記バッファ層の成長温度は２００℃以上９００℃以下、好ましくは４００〜８００℃の範囲に調整する・・・９００℃より高いと、バッファ層が単結晶となってしまい、後述するバッファ層としての作用を果たさなくなる傾向にある。」
　
（本５）「【００１４】ところでＡｌＮをバッファ層として窒化ガリウム系化合物半導体の結晶を成長させる方法は、・・・文献に記載されているバッファ層の作用を簡単に述べると以下の内容である。
【００１５】低温（約６００℃）で成長させるＡｌＮは多結晶層であり、このバッファ層を例えばＧａＮを成長させるために約１０００℃にまで温度を上げる際、層が部分的に単結晶化する。部分的に単結晶化した部分が、１０００℃でＧａＮを成長させる時に方位の揃った種結晶となり、その種結晶からＧａＮ結晶が成長し、均一なＧａＮ単結晶層が成長できる。・・・
【００１７】まずバッファ層として、例えば・・・ＧａＮの融点は１１００℃であり、ＡｌＮの融点は１７００℃である。このため６００℃でＧａＮのバッファ層を形成すると、多結晶のバッファ層が成長する。次にこの多結晶のＧａＮバッファ層の上にＧａＮのエピタキシャル層を成長するために１０００℃まで温度を上げると、ＧａＮのバッファ層は部分的に単結晶化し、ＡｌＮをバッファ層とした場合と同様に、ＧａＮエピタキシャル層用の種結晶として作用することになる。
【００１８】しかもＡｌＮをバッファ層として形成した場合よりも、融点が低いので温度を上昇しているときに容易に単結晶化しやすい。このため、バッファ層の厚さを厚くしても、バッファ層としての効果が期待できる。バッファ層がＧａＮなので、その上にＧａＮのエピタキシャル層を成長する場合、同一材料の上に同一材料を成長するため結晶性の向上が期待・・・」
　
（本６）「【００２３】また本発明の結晶成長方法によるバッファ層は、サファイア基板上だけでなく窒化ガリウム系化合物半導体のエピタキシャル層を有する層であれば、どの層に形成してもよい。例えば・・・前記ｎ型ＧａＮエピタキシャル層の上にバッファ層を形成し、そのバッファ層の上にｐ型ＧａＮエピタキシャル層を成長させることもできる。」
　
（本７）「【００２５】・・・［実施例１］
　・・・＜１＞　洗浄された２インチφのサファイア基板をサセプター２の上に載せる。＜２＞　・・・内部をＨ２で置換する。＜３＞　その後、Ｈ２ガスを・・・反応容器１内に供給しながら、サセプター２を・・・１０６０℃まで加熱する。＜４＞　この状態を１０分間保持し、サファイア基板表面の酸化膜を除去する。＜５＞　次にサセプター２の温度を５００℃まで下げて、温度が安定するまで静置する。＜６＞ 　続いて副噴射管５からＨ２とＮ２の混合ガスを供給し、反応ガス噴射管４からアンモニアガスとＨ２ガスの混合ガスを供給する。・・・反応ガス噴射管４から供給するアンモニアガス・・・、Ｈ２ガス・・・とし、この状態でサセプター２の温度が５００℃に安定するまで待つ。＜７＞　その後、バッファ層を形成するため、反応ガス噴射管４からアンモニアガスとＨ２ガスに加えて、ＴＭＧ（トリメチルガリウム）ガスを・・・１分間流す。＜８＞　次にＴＭＧガスのみを止めて、バッファ層の成長を止める。ここで膜厚０．０２μｍのバッファ層が形成できる。さらに他のガスを流しながらサセプター２の温度を１０００℃まで上昇させる。＜９＞　サセプター２の温度が１０２０℃まで上昇した後、反応ガス噴射管４からアンモニアガスとＨ２ガスに加えて、ＴＭＧガスを・・・６０分間供給して、ＧａＮエピタキシャル層を、４．０μｍの膜厚で成長させる。・・・またサセプター２は均一に結晶が成長するように、モーター７で５ｒｐｍで回転させる。・・・」
　
（本８）「【発明の効果】・・・
【００４２】本発明の方法が、このように飛躍的に結晶性を改善できるのは、窒化ガリウム系化合物半導体を成長させるのと同一の反応容器で、ＧａＸＡｌ１−ＸＮ（０．５≦Ｘ≦１）で示されるバッファ層を形成し、このバッファ層の上に窒化ガリウム系化合物半導体を結晶成長させることによって、バッファ層と窒化ガリウム系化合物半導体との境界を極めて理想に近い状態にできるからと推測する。
【００４３】すなわち、本発明の方法は、窒化ガリウム系化合物半導体を形成する反応容器において、まず多結晶のＧａＸＡｌ１−ＸＮ（０．５≦Ｘ≦１）で示されるバッファ層が成長され、この多結晶バッファ層の上に、窒化ガリウム系化合物半導体を結晶成長させると、多結晶バッファ層は部分的に単結晶化して種結晶となり、この種結晶に窒化ガリウム系化合物半導体のエピタキシャル層が理想的な状態で結晶成長されるからである。」
　
（２）　本件訂正明細書の上記各記載事項を整理すると、
　  本発明は、ＭＯＣＶＤ法による窒化ガリウム系化合物半導体の結晶を成長させる方法において、窒化ガリウム系化合物半導体の結晶を成長させる前に、サファイア基板上に、成長温度４００〜９００℃の低温で、膜厚が１００〜５００オングストロームのＡｌＮのバッファ層を設ける従来技術において、「バッファ層の成長条件が厳しく制限され、しかも膜厚を１００〜５００オングストロームと非常に薄い範囲に厳密に設定する必要があるため、そのバッファ層を、大面積のサファイア基板、例えば約５０ｍｍφのサファイア基板上全面に、均一に一定の膜厚で形成することが困難である」との課題を解決するために、
　窒化ガリウム系化合物半導体を成長させるのと同一の反応容器で、ＧａＸＡｌ１−ＸＮ（０．５≦Ｘ≦１）で示されるバッファ層を形成し、このバッファ層の上に窒化ガリウム系化合物半導体を結晶成長させる、すなわち、窒化ガリウム系化合物半導体を形成する反応容器において、まず低温で、多結晶のＧａＸＡｌ１−ＸＮ（０．５≦Ｘ≦１）で示されるバッファ層が成長され、この多結晶バッファ層の上に、窒化ガリウム系化合物半導体をエピタキシャル層を成長するために温度を上げると、多結晶バッファ層は部分的に単結晶化して種結晶となり、この種結晶に窒化ガリウム系化合物半導体のエピタキシャル層が理想的な状態で結晶成長させるものである旨記載されている。
　
（３）「バッファ層」、「窒化ガリウム系化合物半導体の成長温度よりも低温」及び「バッファ層よりも高い成長温度」の技術的意義について
　訂正された請求項１の
　「有機金属化合物気相成長法で成長させると共に、
前記
前記
前記
前記
前記
前記
前記
との構成において、
　上記「バッファ層」は、上記（１）、（２）及び上記明細書全体の記載から、エピタキシ成長温度よりも低温で成長させた多結晶状態の層であって、その上に、窒化ガリウム系化合物半導体を結晶成長させることで、多結晶バッファ層を部分的に単結晶化して種結晶とし、この種結晶に窒化ガリウム系化合物半導体のエピタキシャル層が理想的な状態で結晶成長させるものであり、従来のバッファ層である多結晶からなるＡｌＮ層上にＧａＮを成長させることによって、ＧａＮ半導体層の結晶性および表面モフォロジーを改善する機能と同様の機能を有するものであり、
　そのため、バッファ層を成長させる「前記窒化ガリウム系化合物半導体の成長温度よりも低温」は、有機金属化合物気相成長法によって成長させた層が多結晶となるような温度であること、
　「バッファ層よりも高い成長温度で・・・前記窒化ガリウム系化合物半導体を成長させる」際の高い成長温度は、有機金属化合物気相成長法によってエピタキシャル成長、即ち、単結晶成長を生じさせる温度であること、
が説明されているものと解される。
　
（４）「基板上にアンモニアガスとＨ２ガスの混合ガスを供給」及び「基板を回転させて前記窒化ガリウム系化合物半導体を成長させる」事の技術的意義について
　訂正された請求項１の「
基板上にアンモニアガスとＨ
２
ガスの混合ガスを供給し、その後前記
前記
前記
、前記基板を回転させて前記
　
　
第６　甲第１〜２６号証及び乙第１号証の１〜乙第１０号証の記載事項
１　各甲第１〜２６号証に記載された事項
（１）本件特許の優先権主張の日前に頒布された刊行物である甲第１号証（佐々木徹他「ＧａＮ／サファイア　ＭＯＶＰＥ二段階成長におけるバッファ層成長条件」）には、以下の事項が記載されている。 
（甲１ア）「ＧａＮ／サファイア　ＭＯＶＰＥ二段階成長におけるバッファ層成長条件」（２８８頁項番６ｐ−Ｚ−２のタイトル）
　
（甲１イ）「序．　三次元成長抑制による、サファイア上ＧａＮ膜の表面形態、結晶性の向上には、二段階成長が有効である。本稿では、二段階成長において重要なＧａＮバッファ層の成長条件の検討結果について報告する」（２８８頁項番６ｐ−Ｚ−２の「序」の欄）
　
（甲１ウ）「実験．　原料としてＴＭＧａ、ＮＨ３を、また基板としてサファイアＣ面を用いた。」（２８８頁項番６ｐ−Ｚ−２の「実験」の欄）
　
（甲１エ）「結果及び考察．　図１に成長速度一定（〜２０Å／ｍｉｎ．）の条件下で成長したＧａＮ膜のＲＨＥＥＤ像の膜厚及び基板温度依存性を示す。図中○印、●印、△印の条件では、各々ストリークを伴った単結晶スポット・パターン、双晶に関与する余剰のスポットを含むスポット・パターン、及び弧状のパターンが得られた。ある臨界膜厚以下では単結晶膜が、それ以上では多結晶膜が成長する事が判る。また、臨界膜厚は、基板温度の低下に伴い減少する。一方、ＮＨ３をＥＣＲプラズマ励起し室温で成長した膜（図１中、□印の条件）では、膜厚に依らずハロー状の回折像が得られた。（図２）」（２８８頁項番６ｐ−Ｚ−２の「結果及び考察」の欄）
　
（甲１オ）「結論．　ＮＨ３が熱的に分解する温度では、単結晶もしくは多結晶成長が起こる。また、ＥＣＲ励起による低温成長では、アモルファス膜が得られた。」（２８８頁項番６ｐ−Ｚ−２の「結論」の欄）
　
（甲１カ）甲第１号証２８８頁項番６ｐ−Ｚ−２の図１には、「ＦＩＬＭ　ＴＨＩＣＫＮＥＳＳ（Å）」と記載された横軸に、膜厚が１００〜１０００Åの範囲、即ち、０．０１〜０．１μｍの範囲が示されており、「ＳＵＢＳＴＲＡＴＥ　ＴＥＭＰＥＲＡＴＵＲＥ（℃）」と記載された縦軸には、基板温度が、４００℃程度から８００℃程度の範囲、及びＥＣＲの場合として、０℃から５０℃未満程度の範囲がそれぞれ示されている事が看取できる。
　
（２）本件特許の優先権主張の日前に頒布された刊行物である甲第２号証（西永頌「格子定数が大きく異なる基板上へのヘテロエピタキシー　−ＨＭ２のメカニズムをめぐって−」）には、以下の事項が記載されている。 
（甲２ア）「最近、Ｓｉ基板上へのＧａＡｓをはじめとし、格子定数が大きく異なる基板上に、良質のエピタキシャル成長を得る技術が注目を集めている。このような、格子定数の大きく異なる基板上へのヘテロエピタキシャル成長をＨＭ２と略称する。本稿では、このうち、成長の第一段階で基板上に低温でｎｍ程度のごく薄いバッファ層をつけ、その上に高温で通常のエピタキシャル成長を行わせる二段階成長法を取り上げ、ＺｎＯ／サファイア、ＳｉＣ／Ｓｉ、Ｓｉ／サファイア、ＧａＡｓ／Ｓｉ系につき、その成長の様子を概観する。次に、これらの実験結果から、バッファ層の役割と、この層を介しての成長機構を議論する。」（１０６９頁要約の欄）
　
（甲２イ）「ＨＭ２を可能にする技術として、最近いくつかの方法が提案されている。その一つは、二段階成長法と呼ばれているもので、ｎｍ程度のごく薄いバッファ層と呼ばれる層をまず成長させ、次に通常の成長温度でエピタキシャル成長を行うものである。」（１０６９頁左欄下から６行〜下から２行）
　
（甲２ウ）「これに対して、二段階成長法におけるごく薄いバッファ層は、このバッファ層の歴史にあって、全く新しい考え方を導入したものといえる。すなわち、成長層と全く同じ材料のごく薄い膜を低温で成長させることで、ミスフィット転位をこの層で吸収してしまい、良質の成長層を得ようというものである。」（１０７０頁左欄１１〜１６行）
　
（甲２エ）「サファイア基板の上にＺｎＯを成長させる際、１３ｎｍのバッファ層を１００〜１６０℃という低温で、スパッタ法により成長させ、その上に良質のＺｎＯを９００〜１０００℃で、ＣＶＤ（化学気相成長）法により成長・・・。この薄いバッファ層は、・・・完全なエピタキシャル関係をもつとはいえないが、一応単結晶的である・・・。この薄いバッファ層の上に成長させたＣＶＤ膜は・・・良質の単結晶である」（１０７０頁左欄１８〜２６行）
　
（甲２オ）「二段階成長に関する次の報告は、・・・ＳｉＣ／Ｓｉに関するものである。彼らはＳｉ上にＳｉＣを成長させるとき、低温でＳｉＣの薄い膜をＲＦスパッタ法により成長させておくと、その上に、ＣＶＤ法により、高温で良質のＳｉＣがエピタキシャル成長することを報告している。」（１０７０頁左欄２８〜３３行）
　
（甲２カ）「ＳｉＣ／Ｓｉでは、バッファ層は８００℃・・・成長層が得られなかった・・Ｓｉ／サファイアでは・・・ＺｎＯ／サファイア・・・後者の場合はバッファ層はかなり低温で成長させ・・・」（１０７０頁右欄下から１０〜下から４行）
　
（甲２キ）「このような二段階成長に関しては、その後、Ｓｉ／ＣａＦ２系について・・・。彼らも、アモルファスＳｉ層を薄いバッファ層として用いており、成長後、・・・。バッファ層は単結晶化しておらず、にもかかわらずその上に、単結晶Ｓｉが成長している・・・」（１０７１頁左欄下から１０〜下から４行）
　
（甲２ク）「このような二段階成長法は、秋山らによってＧａＡｓ／Ｓｉに応用された。彼らは、ＭＯＣＶＤ（有機金属化学気相成長法）・・・を用い、おのおの二段階成長法により、良質のＧａＡｓ層を得ることに成功している。・・・ＭＯＣＶＤに対して、良質のＣＶＤ膜を得るための条件として、彼らは（１００）から傾いた基板を用い、第１段階としてＳｉ基板の高温（９００℃）での熱処理とその後、４５０℃ないしそれ以下でのバッファ層の低温成長、その後７００〜７５０℃での高温ＣＶＤ成長をあげている。」（１０７１頁左欄下から３行〜右欄８行）
　
（３）本件特許の優先権主張の日前に頒布された刊行物である甲第３号証（清水正文他「シリコン基板上への直接ＭＯＣＶＤ成長によるＧａＡｓ太陽電池の作製」）には、以下の事項が記載されている。 
（甲３ア）「Ｓｉ基板上へのＧａＡｓ単結晶の成長方法は、約４００℃で第１段階の薄層成長を行い、つづいて、通常のＧａＡｓ基板上へのエピタキシャル成長と同じ温度７００〜７３０℃まで昇温した後ＧａＡｓを積層する二段階成長法を採用した。
　まず、Ｓｉ基板を、・・・ＭＯＣＶＤ装置のサセプターに装着し、・・・約９００℃で基板のベーキングを行った後、約４００℃で第１段階のＧａＡｓ成長（〜１００Å）を行う。次に７００〜７３０℃に昇温した後、通常のＧａＡｓ基板上へのエピタキシャル成長と同様に第２段階の成長を行う。」（２３頁右欄下から３行〜２４頁左欄１１行）
　
（甲３イ）「３．１第１段階成長ＧａＡｓ層
　ＭＯＣＶＤ反応管中・・・４００℃で第１段階の成長を行った・・・ＧａＡＳ層は明らかに双晶構造を示すスポットが存在する」（２４頁左欄「３．Ｓｉ基板上のＧａＡｓ層の評価」の欄の１〜１１行）
　
（４）本件特許の優先権主張の日前に頒布された刊行物である甲第４号証（山本あきお他「ＭＯＣＶＤ法によるＩｎＰ／Ｓｉのヘテロエピタキシャル成長」）には、以下の事項が記載されている。
（甲４ア）「これまで、Ｓｉ基板上へのＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体のヘテロエピタキシャル成長については、・・・
　Ｓｉ基板上へのＩｎＰのヘテロエピタキシャル成長、すなわち、ＩｎＰ／Ｓｉ構造」（２６７頁右欄１６〜２４行）
　
（甲４イ）「ＩｎＰの成長に使用したＭＯＣＶＤ装置は通常の横形反応管（内径５ｃｍ）方式のもの」（２６８頁左欄１６〜１７行）
　
（甲４ウ）「エピタキシャル成長は・・・ＧａＡｓ／Ｓｉで採用されている二段階成長法で行い・・・二段階成長法での第一層（低温成長層）の厚さは１０〜２０ｎｍとした。」（２６８頁左欄下から４行〜末行）
　
（甲４エ）「ホモエピタキシーと同様な一段階成長法（成長温度６２５℃）と二段階成長法（成長温度：第一層４００℃、第二層６２５℃）との成長膜表面モフォロジを比較した」（２６９頁右欄５〜８行）
　　
（５）本件特許の優先権主張の日前に頒布された刊行物である甲第５号証（若原昭浩他「ＭＯＣＶＤ法によるＧａＡｓ基板上へのＩｎＰヘテロエピタキシャル成長」）には、以下の事項が記載されている。 
（甲５ア）「本研究では、有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ）により、直接成長法と、二段階成長法を用いてＧａＡｓ基板上にＩｎＰをエピタキシャル成長させ、成長層の結晶性について調べたので報告する。」（１頁右欄１〜４行）
　
（甲５イ）「成長方法としては、最良の成長条件を得るため、直接成長法と二段階成長法の二種類について、実験を行った。表１に成長条件を示す。」（１頁右欄１４〜１７行）
　
（甲５ウ）（甲５イ）記載の「表１」には、成長温度が、バッファ層で４００℃、成長層で５５０〜７００℃であることが示されている。
　
（６）本件特許の優先権主張の日前に頒布された刊行物である甲第６号証（特開平２−１７７４９０号公報）には、以下の事項が記載されている。 
（甲６ア）「第２図は本発明の他の実施例を示す断面構造図であり、この実施例にあっては、被埋込み部Ａと埋込み部Ｂとの表面にわたってＧａ１−ＺＡｌＺＡｓ（Ｚ≧０）を用いて所要厚さにバッファ層１５を形成し、バッファ層１５上に第１図に示す実施例と同様の半導体多層膜８を形成してある。これによって、表面が均一化され、更に埋込み部Ｂの成長条件が緩和され、しかも半導体多層膜８の特性の安定性、均一性を容易に得ることが出来る。」（３頁右上欄７〜１５行）
　
（甲６イ）「このような実施例にあっては被埋込み層Ａ、埋込み層Ｂにわたってバッファ層１５を形成することによって、これらの表面の均一性が確保でき、半導体多層膜８の形成に際して成長条件の乱れによる結晶の乱れを防止出来、更に相互の接合性も高まる。」（３頁右上欄１９行〜左下欄４行）
　
（７）本件特許の優先権主張の日前に頒布された刊行物である甲第７号証（特開平２−１８００８４号公報）には、以下の事項が記載されている。 
（甲７ア）「第１図は本発明の半導体レーザ素子の一実施例を示す断面図である。ｐ―ＧａＡｓ基板１０上にｐ−ＡｌＺＧａ１−ＺＡｓ第１バッファ層１１（０≦Ｚ≦１）、ｐ−ＧａＡｓ中間層１２を成長した。・・・その上に、ｎ−ＡｌｕＧａ１−ｕＡｓ第２バッファ層１４（０≦ｕ≦１）、ｎ−ＧａＡｓ電流阻止層１５（層厚０．３〜０．７μｍ）を成長させた。・・・・Ｖ字溝１６の両肩部付近の活性層の応力集中は緩和される。さらにｐ―ＧａＡｓ基板１０上にＡｌＺＧａ１−ＺＡｓバッファ層１１が設けられているために、活性層全域で基板１０から受ける応力の低減を図ることができる。」（３頁右上欄７行〜左下欄１７行）
　
（甲７イ）「ｐ―ＧａＡｓ基板１０上にｐ−ＡｌＺＧａ１−ＺＡｓ第１バッファ層１１（０≦Ｚ≦１）、ｐ−ＧａＡｓ中間層１２、ｎ−ＡｌｕＧａ１−ｕＡｓ第２バッファ層１４、ｎ−ＧａＡｓ電流阻止層１５（厚さ０．３〜０．７μｍ）を成長した。・・・Ｖ字溝１６の肩部付近の活性層１８の応力集中は緩和される。」（３頁右下欄４〜１７行）
　
（８）本件特許の優先権主張の日前に頒布された刊行物である甲第８号証（特開平２−２６０６８１号公報）には、以下の事項が記載されている。　
（甲８ア）「ＧａＡｓ基板（２）・・・ｎ側バッファ層（５）を介して基板（２）上に波長形成されており、下から順に、ｎ側クラッド層（６）、活性層（７）、ｐ側クラッド層（６）の積層体からなる。更に、ｐ側クラッド層（８）・・・上に、ｐ側バッファ層（９）及びキャップ層（１０）が積層されている。」（２頁右上欄６行〜１７行）
　
（９）本件特許の優先権主張の日前に頒布された刊行物である甲第９号証（特開平２−２８８２８５号公報）は、以下の事項が記載されている。 
（甲９ア）「次に第２図を参照して第１図に示すこの発明の半導体レーザの製造方法を説明する。
　ｎ−ＧａＡｓ基板（１）上にＭＯＣＶＤ法によりｎ−（ＡｌｙＧａ１−ｙ）０．５Ｉｎ０．５Ｐ第１クラッド層（２）、真性の（ＡｌＸＧａ１−Ｘ）０．５Ｉｎ０．５Ｐ活性層（３）、ｐ−（ＡｌＸＧａ１−Ｘ）０．５Ｉｎ０．５Ｐ第２クラッド層（４）、ｐ−ＩｎＰバッファ層（５）、ｐ−ＧａＡｓコンタクト層（６’）をこの順序で成長させ」（３頁左上欄１８行〜右上欄５行）
　
（１０）本件特許の優先権主張の日前に頒布された刊行物である甲第１０号証（特開昭５２−２３６００号公報）には、「窒化ガリウム単結晶の成長方法」（発明の名称）において、以下の事項が記載されている。 
（甲１０ア）「特許請求の範囲
　基板上にまず基板温度１０００℃以下において窒化ガリウムの気相成長を行なって第１層となし、さらに基板温度を１０００℃をこえる範囲に上げて上記第１層上に窒化ガリウムの第２層を気相成長させることを特徴とする窒化ガリウム単結晶の成長方法。」（１頁左下欄４行〜１０行）
　
（甲１０イ）「ＧａＮはバンドギャップが、３．４ｅｖと広く青色発光素子材料として期待されている化合物半導体であるが、従来電気特性の良い均質な結晶性のものが得にくかった。」（１頁左下欄下から７〜４行）
　
（甲１０ウ）「現在一般にＧａＮはＧａ−ＨＣｌ−ＮＨ３系気相不均化法により基板上にヘテロ・エピタキシャル成長されている。基板としては高温で分解したりＨＣｌやＮＨ３と反応せず、また格子定数がＧａＮに比較的近いサファイアが一般的に用いられている。
　この場合、通例の温度範囲（８００〜１１５０℃）では高い基板温度で成長するほどキャリヤー濃度が低く、易動度の大きな電気特性の良いＧａＮが得られる。」（１頁左下欄下から４行〜右下欄６行）
　
（甲１０エ）「発明者らの実験によれば、９００℃で成長したＧａＮは、キャリヤー濃度が約１×１０２０ｃｍ−３易動度が・・・、１１００℃で成長したものはキャリヤー濃度が約５×１０１８・・・の電気特性を示した。
　ところが、１０００℃以下の低温で成長したＧａＮはサファイア基板上一面に膜状に成長するのに反し、１０００℃をこえる高温で成長させるとＧａＮは膜状に成長せず基板上に粒状または島状に成長することが多い。」（１頁右欄６行〜１５行）
　
（甲１０オ）「発明者らは、サファイア基板とＧａＮの付着が良く、膜状結晶が成長する条件と、電気特性の良い結晶を成長させる条件は異なると結論し、本発明を得るに至った。
　本発明はＧａＮ結晶成長における上述の問題点を解決し、電気特性が良い均質な膜状ＧａＮ結晶を得る方法である。」（１頁右下欄下から３行〜２頁左上欄４行）
　
（甲１０カ）「この問題点は構成原子、格子定数の異なるサファイア上にヘテロ・エピタキシャル成長させることに起因する。よって、第１図に示すごとく、サファイア１上にまず、良好な電気特性は期待できないが付着性の良い膜状結晶が得られる条件１０００℃以下の温度、望ましくは８００〜１０００℃においてＧａＮを例えば０．５μｍ〜５μｍの厚みで成長させこれを第１層２とする。つぎに基板温度を１０００℃をこえる範囲、望ましくは１０５０〜１１５０℃の範囲に上昇させ、電気特性の良い結晶が得られる条件でＧａＮの第２層３を第１層上にあらためて成長させる。」（２頁左上欄４〜１５行）
　
（甲１０キ）「実施例１
　実施の反応装置を第２図に示す。反応装置は主炉４と副炉５および２つのガス流導路を持つ石英反応管６よりなる。上部流導路にはＧａ７を置き副炉により７００℃に保つ。上部流導路は基板８直前で下部流導路と合流する。まず上部流導路にＡｒ５００ｃｃ／ｍｉｎ、下部流導路にＮＨ３ガス５００ｃｃ／ｍｉｎとＡｒ５００ｃｃ／ｍｉｎを流す。主炉により基板を１０００℃に保ち、上部流導路よりＨＣｌガスを５ｃｃ／ｍｉｎの流量で５分流し０．５〜５μｍの厚みでＧａＮを基板上に成長させる。その後ＨＣｌガスを止め主炉により基板を１１００℃に昇温し、再びＨＣＩガスを５ｃｃ／ｍｉｎの流量で流しＧａＮを成長させる。成長速度は０．１〜１．０ｍｍ／ｍｉｎであった。成長したＧａＮは均質な膜状結晶であり」（２頁左上欄下から４行〜右上欄１１行）
　
（甲１０ク）「実施例２
　実施例１と同等の装置においてＧａ７を副炉により７００℃に保ち、サファイア基板８を主炉により１０００℃に保つ。・・・主炉を調節して基板温度を１〜１０℃／ｍｉｎの割合で上昇させ基板上にＧａＮをエピタキシャル成長させる。基板温度が１１００℃にまで上昇した後は温度上昇を止め１１００℃に保ちＧａＮを成長させる。」（２頁右上欄下から６行〜２頁左下欄４行）
　
（甲１０ケ）「以上のように、本発明は気相成長方法による窒化ガリウム結晶成長において、・・・第２層を気相成長させることを特徴とするもので、電気特性の良い均質な膜状ＧａＮ単結晶を得ることができる。」（２頁左下欄７〜１３行）
　
（１１）本件特許の優先権主張の日前に頒布された刊行物である甲第１１号証（特公昭５２−３６１１７号公報）には、以下の事項が記載されている。 
（甲１１ア）「本発明は、選ばれた窒素含有化合物を第ＩＩＩ族元素のアルキル誘導体の少なくとも一種と混合するときに生じるガス混合物および／または反応生成物の熱分解を制御することによって第ＩＩＩ族元素の窒化物半導体膜を形成させるためのプロセスにある。」（２頁３欄３３行〜３８行）
　
（甲１１イ）「実施例１．
　ａ−Ａｌ２Ｏ３上のＡｌＮ
　きれいにし、みがいたサファイアの種結晶（単結晶）を、膜成長のために（０ １−１ ２）面をさらすように配向し、石英反応管内に納められた台座上に置いた。台座は、膜の厚さの一様性を助成するべく、回転させた。」（３頁６欄５〜１１行）（上記記載中、「１」の上に「−」がある文字を表記できないので、「−１」としている。）
　
（甲１１ウ）「テストランの間、基板表面の軽度のエッチングによって汚染物および望ましくない表面被膜を除去するため、約１３００℃に加熱された基板上に、約１５〜３０分間、キヤリアガスの水素を通した。テストランに応じて、純粋な稀釈された形のＮＨ３の制御された量を反応器に導入し、つづいてトリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）を導入した。ＮＨ３ガスの量は、トリメチルアルミニウムに対し、方程式１中で表現された化学量論量より過剰になるように選んだ。」（３頁６欄３１〜４０行）
　
（甲１１エ）「トリメチルアルミニウムは、液状ＴＭＡの中に通した一部のキャリアガスによつて、反応器へ運び込まれた。水素はキャリアガスとして成功裏に使用された。トリメチルアルミニウムの分圧は、その温度を調整して制御した。一連のテストにおいて、約３０℃で測定して、ＮＨ３に対し１７５０ｃｃ／分、ＴＭＡ中に通してバブルさせるＨ２に対し２５〜１００ｃｃ／分の流速を採用した。ａ−Ａｌ２Ｏ３上でのＡｌＮの満足すべき膜の成長には、約８ｌ／分の全キャリアガス流量を用いた。
　反応すべき両物質は、管の出口側が、加熱された基板から約５〜１５ｍｍのところにくるように位置された、直径１２ｍｍの管を流下させた。ＮＨ３とトリメチルアルミニウム運搬用キャリアガスは、いくつかのテストランでは管入口の近くで、別のいくつかのランでは管の中で、混合して、化合物Ａ（ＴＭＡ：ＮＨ３）を形成させた。つぎに、化合物Ａを、窒化アルミニウムの成長が行われる加熱基板へ向けて導いた。」（３頁６欄４１行〜４頁７欄１６行）
　
（甲１１オ）「実施例２．
　ａ−Ａｌ２Ｏ３およびＳｉＣ上のＧａＮ
　サファイア・・・基板上に窒化ガリウム（ＧａＮ）の単結晶膜を形成するために・・・トリメチルガリウム（ＴＭＧ）を用いた以外は、上記実施例について記載した技術を本例でも用いた。・・・アンモニアを用いるべきである。
　基板台座の温度は９００〜９７５℃の間に制御した。結果として、六方晶系の窒化ガリウムの単結晶膜が、斜方晶系のａ−Ａｌ２Ｏ３・・の上に形成された。」（４頁７欄３９行〜８欄１６行）
　
（１２）本件特許の優先権主張の日前に頒布された刊行物である甲第１２号証（特開昭６０−１７３８２９号公報）には、以下の事項が記載されている。 
（甲１２ア）「サファイアＣ面基板上にトリメチルガリウム（ＴＭＧ）−ＮＨ３−Ｎ２（またはＨ２）系を用いて薄膜成長させる有機金属気相成長法では膜の均一性は良好となるが、格子不整合の問題は解決されず、成長させたＧａＮ膜は多くの窒素空格子点を含むという欠点があった。・・・
［目的］
　・・・格子整合性を向上させる・・・
［発明の構成］
　・・・基板とエピタキシャル膜との間に、エピタキシャル膜と同一組成のバッファ層を高周波スパッタ法により設ける。」（２頁右上欄３行〜左下欄下から４行）
　
（甲１２イ）「（実施例１）サファイアC面基板上へのＧａＮ膜の成長（第１図の構成）
　まず、光学研磨したサファイアＣ面基板１上に、直流バイアスを印加した高周波スパッタ法によりＧａＮバッファ層２を１，０００Å〜７，０００Åの厚さに形成した。」（３頁左上欄１５行〜最終行）
　
（甲１２ウ）「次に、ＧａＮバッファ層２の上に、有機金属相成長法により、ＧａＮエピタキシャル層３を１〜１０μｍの厚さに成長させて、第１図示の構造を得た。・・・基板１を・・・８００〜１０００℃に加熱し・・・Ｃ軸配向ＧａＮエピタキシャル層３を成長させた。」（３頁右上欄下から４〜左下欄９行）
　
（１３）本件特許の優先権主張の日前に頒布された刊行物である甲第１３号証（小出康夫他「ＭＯＶＰＥによるＡｌＧａＮ／α−Ａｌ２Ｏ３ヘテロエピタキシーにおけるＡｌＮバッファ層の効果」）には、以下の事項が記載されている。 
（甲１３ア）「ＡｌｘＧａ１−ｘＮは高エネルギーギャップの混晶半導体であり、・・・エピタキシャル成長は主としてサファイヤ（α−Ａｌ２Ｏ３）基板上に行う。しかし、ＡｌｘＧａ１−ｘＮとα−Ａｌ２Ｏ３との大きな格子定数差・・・および熱膨張係数差・・・のために良質のエピタキシャル膜を得ることは難しい。この問題点を克服する一つの方法は成長層と基板との間にバッファ層を導入することである。・・・
　ここでは、ＡｌｘＧａ１−ｘＮ（０≦ｘ≦０．４）／α−Ａｌ２Ｏ３系のヘテロエピタキシーにおいて、低温成長させたＡｌＮバッファ層を介することにより、ＡｌｘＧａ１−ｘＮ膜の結晶性が著しく改善されることを示す。」（２１８頁右欄２〜２１行）
　
（甲１３イ）「ＡｌｘＧａ１−ｘＮ膜（０≦ｘ≦０．４）は縦型反応管を用いた常圧ＭＯＶＰＥ法により成長させた。原料としてはＴＭＧａ、ＴＭＡｌおよびＮＨ３を用いた。有機金属化合物とＮＨ３の寄生反応を抑制するために、ＴＭＧａ、ＴＭＡｌおよびＮＨ３はキャリアガス（Ｈ２）とともに反応管直前で混合し、引き込み管を用いて高速（１１０〜４２５ｃｍ／ｓ）で基板に供給した。・・・成長直前には、１１５０度、１０分間Ｈ２雰囲気中で熱処理を行なった。ＡｌＮバッファ層は８００〜９００℃で３０〜６０秒間成長させ、ＡｌｘＧａ１−ｘＮ膜は９５０〜１０５０℃で２０〜３０分間成長させた。」(２１９頁左欄６〜２１行）
　
（甲１３ウ）「８００℃で成長させたＡｌＮバッファ層の・・・このことは８００℃で成長させたＡｌＮ膜が多結晶構造であることを示している。」（２１９頁左欄下から２行〜右欄３行）
　
（甲１３エ）「低温（８００℃）で成長させたＡｌＮバッファ層はＡｌｘＧａ１−ｘＮ成長時の温度（〜１０００℃、ＡｌＮバッファ堆積温度より高い）で再結晶化し、マクロに見てｃ軸がサファイヤのｃ面に対し配向するようになる。」（２２４頁右欄１４〜１８行）　
　
（１４）本件特許の優先権主張の日前に頒布された刊行物である甲第１４号証（赤崎勇他「ＧａＡｌＮの結晶成長と光電物性」）には、以下の事項が記載されている。
（甲１４ア）「Ｇａ１−ｘＡｌｘＮはワイドエネルギーギャップの混晶半導体であり、・・・エピタキシャル成長は主としてサファイヤ（α−Ａｌ２Ｏ３）基板上に行う。・・・本報告では、Ｇａ１−ｘＡｌｘＮ（０≦ｘ≦０．４）／α−Ａｌ２Ｏ３系のヘテロエピタキシーにおいて、低温成長させたＡｌＮバッファ層を介することにより、成長層の結晶性が著しく改善されることを示す。」（５１頁「１．はじめに」の項目の１〜１０行）
　
（甲１４イ）「Ｇａ１−ｘＡｌｘＮ（０≦ｘ≦０．４）膜は縦型および横型反応管を用いた常圧ＭＯＶＰＥ法によりＨ２雰囲気中でサファイヤＣ面上に成長させた。原料としてはＴＭＧ(またはＴＥＧ)、ＴＭＡ、ＮＨ３を用いた。有機金属化合物とＮＨ３の寄生反応を抑制するために、各原料ガスはキャリヤガスとともに反応管直前で混合し、引き込み管を用いて高速に基板に供給した。成長直前には１１５０〜１２００℃、１０分間Ｈ２雰囲気中で熱処理を行った。 ＡｌＮバッファ層は６００〜９５０℃で、ＧａＮおよびＧａ１−ｘＡｌｘＮは９５０〜１０５０℃で成長させた。ＧａＡｌＮのＡｌＮモル分率ｘはＴＭＧおよびＴＭＡの供給濃度比を変化させることにより制御した。」（５１頁「２．１成長実験」の項目全行)
　
（甲１４ウ）「ＧａＡｌＮ成長層の表面が平坦となるＡｌＮバッファ層の最適な厚みは、５００〜１０００Åであった。バッファ層が薄いときはＧａＮは六角錐状のグレインを有する構造になり、厚すぎるとＧａＮが多結晶化しやすかった。」（５１頁最終行〜５２頁３行）
　　
（１５）本件特許の優先権主張の日前に頒布された刊行物である甲第１５号証（特開平２−２２９４７６号公報）には、以下の事項が記載されている。 
（甲１５ア）「有機金属化合物ガスを用いてサファイア基板上に窒化ガリウム系化合物半導体薄膜（ＡｌｘＧａ１−ｘＮ；Ｘ＝０を含む）を気相成長させる方法において、
　サファイア基板上に成長温度４００〜９００℃で膜厚１００〜５００Åに成長され、結晶構造を無定形結晶中に微結晶又は多結晶の混在したウルツァイト構造とする窒化アルミニウム（ＡｌＮ）から成る
　バッファ層を設け、
　前記バッファ層上に窒化ガリウム系化合物半導体（ＡｌｘＧａ１−ｘＮ；Ｘ＝０を含む）を成長させることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体の気相成長方法。」（１頁、特許請求の範囲（１））
　
（甲１５イ）「従来、有機金属化合物気相成長法（以下「ＭＯＶＰＥ」と記す）を用いて、窒化ガリウム系化合物半導体（ＡｌｘＧａ１−ｘＮ；Ｘ＝０を含む）薄膜をサファイア基板上に気相成長させることや、その窒化ガリウム系化合物半導体薄膜を発光層とする発光素子が研究されている。」(１頁右欄下から６〜最終行）
　
（甲１５ウ）「サファイア基板上に、成長温度４００〜９００℃で膜厚１００〜５００Åに成長され、・・・窒化アルミニウム（ＡｌＮ）から成るバッファ層を設けたため、そのバッファ層上に成長する窒化ガリウム系化合物半導体の結品性が良くなった。」（２頁左下欄３行〜９行）
　　
（甲１５エ）「まず、有機洗浄及び熱処理により洗浄した（０００１）面を主面とする単結晶のサファイア基板５０をサセプタ２０に装着する。次に、Ｈ２を０．３ｌ／分で、第１ガス管２８及び第２ガス管２９及び外部管３５を介してライナー管１２に流しながら、温度１１００℃でサファイア基板５０を気相エッチングした。次に温度を６５０℃まで低下させて、第１ガス管２８からＨ２を３ｌ／分、ＮＨ３を２ｌ／分、１５℃のＴＭＡを５０ｃｃ／分で２分間供給した。」(４頁左上欄２〜１１行）
　
（甲１５オ）「成長温度が３００℃以下であるとＡｌＮバッファ層の所望の膜厚が得られず、成長温度が９００℃以上となるとＡｌＮの結晶化が進んでしまい所望の膜質が得られないことが分る。・・・結晶性の良いＮ層を得るには、ＡｌＮのバッファ層の成長温度は４００〜９００℃が望ましいことが分る。」（４頁左下欄５〜右下欄３行）
　
（甲１５カ）「上記と同様にして単結晶のサファイア基板６０上に、成長温度６５０℃で、第１ガス管２８からＨ２を３ｌ／分、ＮＨ３を２ｌ／分、１５℃のＴＭＡを５００ｃｃ／分で１分間供給して３５０ÅのＡｌＮのバッファ層６１を形成した。次に、１分経過した時にＴＭＡの供給を停止して、サファイア基板６０の温度を９７０℃に保持し、第１ガス管２８からＨ２を２．５ｌ／分、ＮＨ３を１．５ｌ／分、−１５℃のＴＭＧを１００ｃｃ／分で６０分間供給し、膜厚約７μｍのＮ型のＧａＮから成るＮ層６２を形成した。そのＮ層６２の形成されたサファイア基板６０を気相成長装置から取り出し、・・・」（５頁左上欄２〜１３行）
　
（１６）本件特許の優先権主張の日前に頒布された刊行物である甲第１６号証（Z．Sitar　他、「Growth of AlN/GaN layered structures by gas source molecular-beam epitaxy」（「ガス源分子線エピタキシーによるＡｌＮ／ＧａＮ層構造の成長」：以下、英文に続く日本語は、当審による訳）には、以下の事項が記載されている。
（甲１６ア）「AlN/GaN layered structures with layer periods between 1.5 and 40 nm have been grown on (0001) oriented sapphire・・・」（「１．５から４０ｎｍの間で繰り返し積層化されたＡｌＮ／ＧａＮ積層構造を（０００１）面サファイアの上に成長させた」３１６頁要約の欄１，２行） 
　
（甲１６イ）「a 140-nm thick GaN buffer layer was grown followed by 20 to 200 periods of AlN/GaN layers having the thickness for a given deposition in the range of 1.5-40nm.」（「１４０ｎｍ厚ＧａＮバッファ層を成長し、続けて１．５−４０ｎｍの範囲で堆積させた厚さを有するＡｌＮ／ＧａＮ層を２０から２００回繰り返した。」３１７頁左欄３０行）
　
（１７）本件特許の優先権主張の日前に頒布された刊行物である甲第１７号証（平松和政他「ＭＯＶＰＥ法によるサファイヤ基板上へのＧａＮ結晶成長におけるバッファ層の効果」）には、以下の事項が記載されている。 
（甲１７ア）「ＭＯＶＰＥ法において成長層と基板との間にエピタキシャル温度よりも低い温度で単結晶でないバッファ層を堆積させることを提案した。すなわち、バッファ層としてＡｌＮを用いこれを通常のエピタキシャル温度（〜１２００℃）よりも低い温度で堆積させその上にＧａＮ膜を成長させる」（３３４頁右欄下から２行〜３３５頁左欄５行）
　
（甲１７イ）「ＧａＮ膜は横型反応管を用いた常圧ＭＯＶＰＥ法によりサファイヤ（０００１）面（Ｃ面）上に成長させた。ＡｌＮバッファ層の原料としては、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ；＋１５℃，３０ｓｃｃｍ　Ｈ２）とアンモニヤ（ＮＨ３；１ｓｌｍ）を用い、キャリヤガスとして水素（Ｈ２；１．５ｓｌｍ）を用いた。ＧａＮ膜の原料としてはトリメチルガリウム（ＴＭＧ；−１５℃，４０ｓｃｃｍ　Ｈ２）とアンモニヤ（ＮＨ３；１ｓｌｍ）を用いた。これらの有機金属化合物（ＭＯ）とＮＨ３の寄生反応を抑制するために、各原料ガスはキャリヤガスと共に反応管直前で混合し、引き込み管を用いて高速に基板に供給した。成長直前には１１５０〜１２００℃、１０分間Ｈ２雰囲気中で熱処理を行った。ＡｌＮバッファ層は６００〜９５０℃で堆積させ、ＧａＮ膜は１０４０℃で成長させた。」（３３５頁左欄下から５行〜右欄１０行）
　
（甲１７ウ）「ＡｌＮバッファ層の堆積膜厚を〜０．２μm以上と厚くした場合には、堆積温度を高くした場合と同様に、膜が多結晶になる傾向がある。このためその上に成長するＧａＮ膜も多結晶になることも確かめている。」（３４１頁左欄１９行〜２３行）
　
（１８）本件特許の優先権主張の日前に頒布された刊行物である甲第１８号証（特開昭６０−１７５４１２号公報）には、以下の事項が記載されている。 
（甲１８ア）「反応雰囲気に水素（Ｈ２）を用いると、初期段階で生成されるＧａＮ核が大型で、低密度になり、これを核として成長する結晶成長物も大きな塊となって、層状の結晶成長面が起伏の大きな粗面になる。・・・一方、反応雰囲気を窒素（Ｎ２）、アルゴン（Ａｒ）、あるいはヘリウム（Ｈｅ）等の不活性気体にすると、初期生成物のＧａＮ核は微細で高密度になるが、反応過程で生成される中間生成物が分解されず、成長結晶中にメチル基（−ＣＨ３）を含む不完全結晶が生成され、結晶性が著しく悪い。」（１頁右下欄下から３行〜２頁左上欄１０行）
　
（甲１８イ）「本発明は、ＭＯＣＶＤ法により、結晶基板上に良質のＧａＮ結晶層を育成することの可能なＧａＮの成長方法を提供するものである。」（２頁左上欄１２〜１４行）
　
（甲１８ウ）「この装置は、・・・石英反応管１の内部にはカーボンサセプタ３を設置し、この上にサファイア単結晶基板４を載置して、この基板４を９５０℃に加熱保持して、・・・気相反応ができるようにしたものである。・・・まず、第１工程として、反応の雰囲気にＮ２を・・・供給しながら、反応ガスのＮＨ３およびＴＭＧを・・・導入する。・・・引き続いて、第２工程として、雰囲気を・・・Ｈ２に切り換えるとともに、反応ガスのＴＭＧも、・・・Ｈ２と混合したもので導入して、ＮＨ３の・・・ガス条件下で１２０分間の反応処理を行う。」(２頁右上欄６行〜左下欄５行)
　
（甲１８エ）「第１段階でのＧａＮ核の生成と、次の結晶生成の第２段階とで雰囲気条件を不活性雰囲気から水素雰囲気に変えることにより、安定で、しかも、良質の結晶層に実現される。」（２頁右下欄５〜８行）
　
（１９）本件特許の優先権主張の日前に頒布された刊行物である甲第１９号証（H.Amano　他、「Metalorganic vapor phase epitaxial growth of a high quality GaN film using an AlN buffer layer」）には、以下の事項が記載されている。 
（甲１９ア）「We report that, by using a thin AlN layer as the buffer layer, GaN single crystal films with optically flat surfaces free from cracks have been successfully grown by MOVPE for the first time.　・・・・・・
　A conventional MOVPE system with ａ simple vertical reactor operated　at atmospheric pressure was used.　It is　similar to that reported　formerly.　In　order　to　reduce　undesirable　reactions　between　metalorganic compounds　and　gaseous　NH３,  and to　improve　the　uniformity of grown GaN films, some improvements have been made in　the　reactor　design　and　growth　conditions　as　shown　in　Fig.1． Metalorganic sources diluted with H２ and ａ large amount of NH３ with　H２ as ａ carrier gas were mixed just before the reactor and were fed　through a delivery tube to ａ slanted substrate with ａ high velocity(〜425cm/s).・・・The substrates used were(0001)sappire・・・Prior to growth, they ・・・were heated to about 1150℃ in a H２  ・・・At first, by feeding trimethylaluminium(TMA) and NH３ gases into the reactor, a thin AlN layer was deposited.」（「最初に、バッファ層として薄いＡｌＮ層を用いることによって、クラックが無く、光学的に平坦な表面を有するＧａＮ単結晶フィルムがＭＯＶＰＥによって十分に成長させられる事を報告する。・・・大気圧下において機能する単純な縦型反応器を備えた従来のＭＯＶＰＥシステムが使用された。それは以前に報告されたものと類似する。有機金属化合物と気体のＮＨ３との反応を抑制するため、また成長するＧａＮ膜の均一性を改善するため、図１に示されたとおりの反応器のデザインと成長条件においていくつかの改善がなされた。 Ｈ２によって希釈された有機金属原料及びキャリアガスとしてのＨ２を伴う大量のＮＨ３は反応器の直前で混合され、引き込み管を通じて傾斜した基板に高速(〜425cm/s)で供給された。・・・基板として（０００１）サファイアが使われた。・・・Ｈ２雰囲気下、１１５０℃で熱処理された。・・・最初の成長は、反応器の中にトリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）とＮＨ３ガスを供給し、薄いＡｌＮ層を堆積した。」３５３頁右欄１行〜１９行）
　
（甲１９イ）３５３頁の図１（FIG.1.）には、反応器（reactor）の上方にガスの輸送管（delivery tube）があり、輸送管の上方で、「ＴＭＧ（ＴＭＡ）＋Ｈ２」用の管と、「ＮＨ３＋Ｈ２」用の管が結合されていることが看取できる。
　
（２０）本件特許の優先権主張の日前に頒布された刊行物である甲第２０号証（森芳文他「エピタキシャル成長技術実用データ集　第１集　ＭＢＥとＭＯＣＶＤ／第１分冊ＭＯＣＶＤ」）の６７頁から始まる「第６節　ＭＯＣＶＤ装置」には、以下の事項が記載されている。 
（甲２０ア）「ＭＯＣＶＤの創始者であるManasevitらの装置を参照して説明しておこう。図−１は彼らのＧａＡｓ成長装置の模式図である。」（６７頁  右欄５〜７行）
　
（甲２０イ）「さて、装置構成毎にManasevitら以後の展開についてみてみよう。」（６８頁左欄１８、１９行）
　
（甲２０ウ）「Manasevitらが用いた縦型反応管において、グラファイトサセプタは気流（実際の流れのパターンという意味ではない）に対して垂直に配置している。この場合、成長層厚みの面内での均一化のためサセプタを自転させるのが普通である。この縦型反応管は現在最も広く用いられている」（７１頁左欄８〜１３行）
　
（２１）本件特許の優先権主張の日前に頒布された刊行物である甲第２１号証（特開平２−１８３８７号公報）には、以下の事項が記載されている。 
（甲２１ア）「第１図に示した横型反応管として・・・基盤台として炭素材を用いた。・・・基盤（３）として１ｃｍ角のＧａＡｓ基盤を用い、水平方向のガス流の軸に対し、・・・基盤の軸中心に対する回転速度を２／３〜１ｒｐｍとした。」（３頁左上欄最終行〜右上欄８行）
　
（甲２１イ）「ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を基盤上に成長させる気相エピタキシャル成長法において、ＩＩＩ族元素を含む有機金属化合物とＶ族元素を含む水素化合物とからなる複数の気体原料を、それぞれ別々の導入経路で横型反応管内に導入し、反応管内で混合された原料ガスが基盤上に全て同時に供給されるように排気系と反応系の切換のバルブ操作を行なうとともに、横型反応管内に基盤を水平方向に対し３〜４５°なる角度をもたせ、かつ、基盤をその軸中心に回転せしめながら基盤上にＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を成長させることにより基盤上に発光強度も十分で、均一性、再現性の良い結晶成長を行うことができ、その実用的効果は大きい」（３頁左下欄８行〜右下欄１行）
　
（２２）本件特許の
出願後
（甲２２ア）「【０００２】【従来の技術】気相膜成長装置、例えば薄膜形成に有効なＭＯＣＶＤにおいては、図２に示すように成長炉２０を縦型のパンケーキ型とし、低速回転するサセプタ２５に載せた基板２４に垂直に原料ガスを吹き付けてエピタキシャル成長させる・・・
【０００３】そこで従来、基板を載せたサセプタを高速回転・・・しながらエピタキシャル成長を行う方式が提案された・・・これにより均一なエピタキシャル層が基板上に成長するとされている。」
　
（２３）本件特許の
出願後
（甲２３ア）「（従来の技術）
　基板上に半導体等の結晶薄膜を気相成長させて半導体等を製造する気相成長装置・・・反応管２内に、基板３を載置するサセプタ４と、サセプタ４を着脱自在に支持する筒状のサセプタ受け５と、・・・が配設されている。
　・・・サセプタ受け５の下部には、サセプタ４を回転させるための回転駆動装置が連結されている。
　従来の気相成長装置は上記のように構成され・・・基板３上に化合物半導体の薄膜を気相成長させる。」（１頁２欄２行〜２頁３欄１５行）
　 
（２４）本件特許の
出願後
（甲２４ア）「６．２　結晶成長
　ここでは、ＨＶＰＥによるＧａＮの結晶成長法について述べる。・・・ＧａＮのＶ族元素のＮはＮＨ３ガスで供給され。ＩＩＩ属元素のＧａは・・・生成するＧａＣｌガスで供給される。・・・成長部の温度１０００℃から１１００℃で原料ガスを反応させ、基板ホルダー上に置いた単結晶基板上にＧａＮを成長させる。」（１１４頁１〜１２行）　
　
（２５）甲第２５号証（特許・実用新案審査基準）の「第Ｉ部明細書」には、以下の事項が記載されている。 
（甲２５ア）「３．３．１　特許法第３６条第５項第２号違反の類型
（１）請求項の記載内容が技術的に明瞭でない場合。」（４頁下から１１〜１０行）
　
（２６）本件特許の優先権主張の日前に頒布された刊行物である甲第２６号証（特開平２−２１１６２０号公報）には、以下の事項が記載されている。
（甲２６ア）「（実施例）
　・・・この装置で、ＩｎＮ、ＧａＮ，・・・単結晶膜を成長させるためには、まず石英反応管３内を真空排気装置により排気する。次に基板表面の清浄化を目的として、石英反応管内にＨ２ガスを導入した後、高周波誘導コイル４に通電することによりカーボン・サセプタ２を６００〜１３５０℃に加熱し、１０〜３０分間保持する。基板熱処理後、サセプタ温度を成長温度に設定し、ＮＨ３ガスを導入する。この状態で、ＩＩＩ族有機金属をバブリングしたＨ２ガス（あるいはＮ２ガス）を石英反応管内に導入することにより、基板１上でＩＩＩ属有機金属とＮＨ３を反応させ、ＩｎＮ、ＧａＮ，・・・単結晶薄膜を得る。・・・
（実施例１）（ＧａＮ単結晶膜の成長）
　石英反応管３内を真空排気した後、Ｈ２雰囲気中でサファイアＭ面基板を６００〜１３５０℃、１０〜３０分間熱処理する。次に、基板温度を７００〜１１００℃の成長温度に設定し、１〜５ｌ／分のＮＨ３ガスを導入管７より供給する。続いて、バブラの温度を−３０〜５０℃に設定したトリメチルガリウム（ＴＭＧａ）を１〜１００ｃｃ／分のＨ２ガス（あるいはＮ２ガス）でバブリングし、０〜５ｌ／分のＨ２キャリアガス（あるいはＮ２キャリアガス）と合流させた後、導入管６より石英反応管３へ供給する。」（２頁右下欄１行〜３頁左上欄１８行）
　
（甲２６イ）「Ｍ面上に成長する・・・Ｃ面上に比べ１００〜２００℃低温でも単結晶成長を行うことが可能となる。」（４頁右上欄８〜１２行）
　
２　乙第１号証の１〜乙第１０号証に記載された事項
（１）本件特許の優先権主張の日前に頒布された刊行物である乙第１号証の１（S. Ohnishi　他、「Chemical Vapor Deposition of Single-Crystalline ZnO Film with Smooth Surface on Intermediately Sputtered ZnO Thin Film on Sapphire」）のタイトルは、「サファイア上にスパッタされた中間ＺｎＯ薄膜上に、平坦な表面を有する単結晶ＺｎＯ膜の化学気相成長」（乙１ア）である。
　
（２）本件特許の優先権主張の日前に頒布された刊行物である乙第２号証の１（S. Nishio　他、「Chemical Vapor Deposition of Single Crystalline  β-SiC Films on Sillicon Substrate with Sputtered SiC Intermediate Layer」）のタイトルは、「スパッタされたＳｉＣ中間層を有するシリコン基板上の単結晶β−ＳｉＣ膜の化学気相成長」（乙２ア）である。　　
　
（３）本件特許の優先権主張の日前に頒布された刊行物である乙第３号証の１（M.Ishida　他、「Epitaxial Growth of SOS Films with Amorphous Si Buffer Layer」）には、以下の事項が記載されている。
（乙３ア）「A new method of SOS epitaxial growth is proposed for the improvement of the crystalline quality. The method consists of two process steps:(1)a sapphire surface is first covered with a thin amorphous Si layer prepared by sputtering, and (2)Si CVD is then carried out, which effctively avoids various problems which occur in the early stage of film growth. We have succeeded in obtaining the epitaxial layer of Si on the sapphire substrate covered with an amorphous Si buffer layer(less than 100Å)」（「ＳＯＳエピタキシャル成長の新規方法が、結晶品質の向上のために提案された。この方法は次の２つの工程から成る。：（１）まず、スパッタによるアモルファスＳｉ薄膜によりサファイア基板を被覆する。（２）次に、膜成長の初期段階で生ずる諸問題を効果的に回避するために、ＣＶＤによりＳｉを成長する。我々は、アモルファスＳｉバッファ層（１００Å以下）で被覆されたサファイア基板上のＳｉエピタキシャル層を得ることに成功した。」アブストラクトの１〜６行）
　　　　　
（４）本件特許の優先権主張の日前に頒布された刊行物である乙第４号証の１（M.Ishida　他、「EPITAXIAL GROWTH OF Si OVER AMORPHOUS Si BUFFER LAYER SPUTTERED ON SAPPIRE SUBSTRATE」,Layered Structures and Interface Kinetics edited by S.Furukawa」）には、以下の事項が記載されている。　
（乙４ア）「Abstract 　New SOS growth method is proposed. The method consists of two stages; (1)amorphous buffer layer of 10-50Å thick is deposited at room temperature on a sapphire substrate by DC sputtering and (2)Si single crystal film is epitaxially grown over thus prepared amorphous Si by pyrolysis of SiH４in H２ atomosphere at approximately 1000℃. It was shown that to grow a high quality single crystalline epitaxial layer it is essential to choose the amorphous layer thickness between 10 and 50 Å and to perform CVD at the temperature higher than 970℃」（「アブストラクト　新しいＳＯＳの成長方法が提案されている。この方法は；（１）ＤＣスパッタ法によって室温で１０−５０Åのアモルファスのバッファ層をサファイア基板上に積層する、（２）当該アモルファスＳｉの上に約１０００℃のＨ２雰囲気中でＳｉＨ４を熱分解させてＳｉ単結晶膜をエピタキシャル成長させる、という２段階で成り立っている。高品質の単結晶のエピタキシャル膜を成長させるためには、アモルファス層の膜厚を１０−５０Åにし、ＣＶＤを９７０℃よりも高温で行うことが重要であることが分かった。」アブストラクトの１〜７行）
　
（５）本件特許の優先権主張の日前に頒布された刊行物である乙第５号証の１（M.Ishida　他、「Growth and properties of Si films on sapphire with predeposited amorphous Si layers」）には、以下の事項が記載されている。　
（乙５ア）「I. INTRODUCTION
 We have already proposed a new method of heteroepitaxial growth using a thin amorphous Si layer(buffer layer) predeposited on sapphire substrates before chemical vapor deposition(CVD). This growth method consists of two proceses:(1)a sapphire surface is covered in the begining with a thin amorphous Si layer prepared by a sputtering method, and (2)Si CVD is carried out on the substrate surface covered with the amorphous Si layer as shown in Fig.1.」（「Ｉ．緒言　我々は、化学気相成長法（ＣＶＤ）の前に、サファイア基板上に予め成長されたアモルファスＳｉ薄膜（バッファ層）を用いた新たなヘテロエピタキシャル成長法をすでに提案した。この方法は、図１に示すように、以下の２つの段階からなる：（１）初めに、サファイア基板表面をスパッタ法によりアモルファスＳｉ薄膜で覆う、そして、（２）アモルファスＳｉ層で覆われたサファイア基板上に、ＳｉのＣＶＤを実行する。」４０７３頁左欄１〜９行）
　
（乙５イ）４０７４頁の図２には、「Fig.2 CVD sysytem for Si epitaxial growth by pyrolysis of SiH４.」（「ＳｉＨ４の熱分解によりＳｉエピタキシャル成長を行わせるためのＣＶＤシステム」）に関する装置が示されており、図の「susceptor」（「サセプタ」）の下方には、「susceptor rotating unit」（「サセプタ回転ユニット」）との記載がなされている。
　
（６）本件特許の
出願後
（乙６ア）「ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の気相エピタキシ（ＭＯＶＰＥ，ＭＢＥ，ＨＶＰＥ）では・・・最近ＧａＮを中心とするＩＩＩ族窒化物半導体にこの手法が適用され、窒化物窒化物半導体の成長は、これまでのＶ族がリン、ヒ素およびアンチモン系半導体の成長と比べて、かなり特異な成長であることが知られている。」（６８頁６〜１１行）
　　
（乙６イ）「４．２　有機金属エピタキシ（ＭＯＶＰＥ）
　ＭＯＶＰＥ法は、この方法でサファイア基板上にバッファ層を形成することにより良質のエピタキシャル層が得られ、ＧａＮの・・・もっとも広く用いられている方法である。」（６８頁１３〜１７行）　
　
（７）本件特許の
出願後
（乙７ア）「Ｂ．原子層ステップ・・・Ｃ．成長島・・・Ｄ．液滴・・・Ｅ．再配列構造や表面組成比の分布・・・４．２．５応用　Ａ．成長機構の解析・・・Ｂ．成長下での物性の測定・・・Ｃ．成長の制御・・・４．２．６その他・・・」（１０９６頁左欄１行〜１０９７頁右欄最終行）
　
（８）本件特許の
出願後
（乙８ア）「ｃ．高抵抗バッファ層の影響
　融点で成長されるバルクＧａＡｓは、多くの点欠陥や不純物を含んでいる。そのため基板に近い成長初期のエピタキシャル層は質の悪いものになる。これを防ぐために通常バッファ層とよばれる緩衝層が動作エピタキシャル層と基板との間にいれられる。ＧａＡｓＦＥＴの場合にも高抵抗バッファ層を３〜５μｍ成長させた後、連続して動作層を０．２μｍ程度成長させる。」（１４０頁下から２行〜１４１頁４行）
　
（９）本件特許の
出願後
（乙９ア）「【０００３】・・・サファイア上のＩＩＩ族窒化物半導体成長ではＡｌＮ層を介した成長が有効である。・・・このため、平坦なＡｌＮ層を形成できさえすればその上に成長するエピタキシャル膜の三次元成長を抑制できる。
【０００４】従来、以上の目的のＡｌＮ形成方法としては、＜１＞サファイア基板をＮＨ３・・・等の窒素原料ガス雰囲気で熱処理することにより基板表面を単結晶ＡｌＮ化方法・・・
【０００５】＜１＞の方法では、数１０Åの領域で効果的に窒化層を再現性良く形成できる・・・
【０００６】・・・＜１＞及び＜２＞の方法で作成したＡｌＮバッファ層は、その上に成長したエピタキシャル膜・・・」
　
（乙９イ）「【０００９】【課題を解決するための手段】・・・サファイア基板表面に形成した窒化層と該窒化層上に堆積したＡｌＮバッファ層を含む・・・サファイア基板を窒素原料ガス雰囲気中で窒化処理する第一の工程と、該窒化層上に・・・ＡｌＮバッファ層を堆積する第二の工程と、該ＡｌＮバッファ層を堆積温度よりも高温でアニールする第三の工程・・・」
　
（乙９ウ）「【００１７】この装置で、・・・１０００〜１３００℃に加熱し１〜６０分保持・・・基板２０表面を清浄化する。続いて、Ｈ２ガスを・・・ＮＨ３ガスに切り替え１〜６０分保持することにより、サファイア（０００１）基板２０表面を単結晶ＡｌＮ化する。・・・温度を５００〜１０００℃まで降温する。・・・単結晶もしくはアモルファスのＡｌＮ層を堆積する。・・・１０００〜１３００度に加熱し・・・堆積したＡｌＮ膜を単結晶化する。・・・」
　
（１０）本件特許の
出願後
（乙１０ア）「【請求項５】厚さが６００μｍ以上の基材と、この基材上において形成された・・・少なくともＡｌを含むＩＩＩ族窒化物下地層と、このＩＩＩ族窒化物下地層上に形成されたＩＩＩ族窒化物層群・・・
【請求項８】前記基材はサファイア単結晶・・・」
　
（乙１０イ）「【００３５】・・・例えば、エピタキシャル基板とＩＩＩ族窒化物層群との間にバッファ層・・・を挿入し、前記ＩＩＩ族窒化物層群の結晶品質をさらに向上させることもできる。さらに、同様の目的でエピタキシャル基板を構成する素材の表面を窒化処理することもできる。」
　
　
第７　無効理由１（甲第１号証を主引用例とした場合）について
１　甲第１号証に記載された発明
　上記甲第１号証の記載事項（甲１ア）〜（甲１カ）を整理すると、甲第１号証には、
　「三次元成長抑制による、サファイア上ＧａＮ膜の表面形態、結晶性の向上を行う、ＧａＮ／サファイア　ＭＯＶＰＥ二段階成長において、
　二段階成長において用いるＧａＮバッファ層の成長条件として、
　基板としてサファイアＣ面を用い、原料としてＴＭＧａ、ＮＨ３を用い、ＮＨ３が熱的に分解する温度で、膜厚が０．０１〜０．１μｍ、基板温度が、４００℃程度から８００℃程度で、成長速度一定の条件下で成長した場合、
　ＧａＮ膜は、臨界膜厚以下では単結晶膜が、それ以上では多結晶膜が成長し、臨界膜厚は、基板温度の低下に伴い減少し、また、ＥＣＲ励起による０℃から５０℃未満程度の範囲内での室温での低温成長では、膜厚にかかわらずアモルファス膜が得られる、
　ＧａＮ／サファイア　ＭＯＶＰＥ二段階成長。」
が記載されており、これを、以下、「引用発明１」という。
　
２　本件発明１と引用発明１との対比
　本件発明１と引用発明１とを対比すると、
（１）引用発明１における「ＭＯＶＰＥ」及び「ＮＨ３」は、それぞれ、本件発明１における「有機金属化合物気相成長法」及び「アンモニアガス」に相当する。 
（２）「ＭＯＶＰＥ」は、反応容器内に有機金属および他のガスからなる反応ガスを供給して、反応ガスを熱化学的に反応させて化合物を形成する周知の気相成長法であるから、引用発明１の「三次元成長抑制による、サファイア上ＧａＮ膜の表面形態、結晶性の向上を行う、ＧａＮ／サファイア　ＭＯＶＰＥ二段階成長」と、本件発明１の「バッファ層の上に、有機金属化合物気相成長法で反応容器内に反応ガスを供給して窒化ガリウム系化合物半導体の結晶を成長させる方法」とは、「有機金属化合物気相成長法で反応容器内に反応ガスを供給」して成長を行わせる方法である点において同一である。
（３）ＧａＮは、ＧａＸＡｌ１−ＸＮにおいてＸ＝１の場合がＧａＮであるから、引用発明１の「ＧａＮバッファ層」は、本件発明１の「一般式を、ＧａＸＡｌ１−ＸＮ（但しＸは０．５≦Ｘ≦１の範囲である。）とする前記バッファ層」に相当する。
（４）引用発明１の「ＧａＮバッファ層の成長条件として、・・・膜厚が０．０１〜０．１μｍ」は、本件発明１の「バッファ層を、０．２μｍ以下の膜厚で成長させ」に相当する。
（５）引用発明１は、ＧａＮバッファ層の成長条件である基板としてサファイアＣ面を用いているのであるから、引用発明１と本件発明１とは、「バッファ層を成長させる基板に、サファイア基板を使用する」点で同一である。
（６）甲第１号証の公知日以前には、基板上にエピタキシャル結晶を成長させる技術分野において、成長層の構造を、材質Ａ，Ｂを用いて「Ａ／Ｂ」と記載することは、バッファ層の有無にかかわらず、基板Ｂの上にエピタキシャル膜Ａを成長させることを意味する記載として、例えば、上記甲第２号証、甲第４号証、甲第１３号証および甲第１４号証の下記記載事項に記載されているように、通常に用いられていた方法である。また、エピタキシャル技術分野で用いられる二段階成長法における「バッファ層」は、基板の上に成長させるエピタキシャル層の結晶性を向上させるために、基板とエピタキシャル層の間に形成する層であることも、下記の記載事項に記載されているとおりである。
　
　＜記載形式に関する各甲号証の記載事項＞
＊甲第２号証
　（甲２ア）「・・・Ｓｉ基板上へのＧａＡｓをはじめとし、・・・基板上に、良質のエピタキシャル成長を得る技術・・・成長の第一段階で基板上に低温でｎｍ程度のごく薄いバッファ層をつけ、その上に高温で通常のエピタキシャル成長を行わせる二段階成長法を取り上げ、ＺｎＯ／サファイア、ＳｉＣ／Ｓｉ、Ｓｉ／サファイア、ＧａＡｓ／Ｓｉ系に・・・」
　（甲２オ）「二段階成長に関する次の報告は、・・・ＳｉＣ／Ｓｉに関するものである。彼らはＳｉ上にＳｉＣを成長させるとき、低温でＳｉＣの薄い膜をＲＦスパッタ法により成長させておくと、その上に、ＣＶＤ法により、高温で良質のＳｉＣがエピタキシャル成長することを報告している。」
　（甲２ク）「・・・ＧａＡｓ／Ｓｉに応用された。・・・二段階成長法により、良質のＧａＡｓ層を得る・・・第１段階としてＳｉ基板・・・の熱処理とその後、４５０℃ないしそれ以下でのバッファ層の低温成長、その後７００〜７５０℃での高温ＣＶＤ成長をあげている。」
＊甲第４号証
　（甲４ア）「・・・Ｓｉ基板上へのＩｎＰのヘテロエピタキシャル成長、すなわち、ＩｎＰ／Ｓｉ構造をＧａＡｓ／Ｓｉ、ＧａＰ／Ｓｉ構造など」
＊甲第１３号証
　（甲１３ア）「ＡｌｘＧａ１−ｘＮは・・・エピタキシャル成長は主としてサファイヤ（α−Ａｌ２Ｏ３）基板上に行う。・・・ＡｌｘＧａ１−ｘＮ（０≦ｘ≦０．４）／α−Ａｌ２Ｏ３系のヘテロエピタキシーにおいて、低温成長させたＡｌＮバッファ層を介する」
＊甲第１４号証
  （甲１４ア）「Ｇａ１−ｘＡｌｘＮは・・・エピタキシャル成長は主としてサファイヤ（α−Ａｌ２Ｏ３）基板上に行う。・・・Ｇａ１−ｘＡｌｘＮ（０≦ｘ≦０．４）／α−Ａｌ２Ｏ３系のヘテロエピタキシーにおいて、低温成長させたＡｌＮバッファ層を介する」
　
　一方、甲第１号証の表題は、「ＧａＮ／サファイア　ＭＯＶＰＥ二段階成長におけるバッファ層成長条件」であり、また、甲第１号証の記載事項である（甲１イ）には、「三次元成長抑制による、サファイア上ＧａＮ膜の表面形態、結晶性の向上には、二段階成長が有効である。本稿では、二段階成長において重要なＧａＮバッファ層の成長条件の検討結果について報告する」とされており、これは、サファイア上ＧａＮ膜の表面形態、結晶性を向上させること、そのために二段階成長においてＧａＮバッファ層が重要であることを示している。
　してみると、甲第１号証の表題の「ＧａＮ／サファイア」は、ＧａＮからなる結晶層をサファイア基板の上に成長させる構造を示すことは明らかであり、二段階成長によるＧａＮバッファ層を用いることも明らかである。
　また、ＧａＮは、窒化ガリウム系化合物半導体であるから、引用発明１の、「三次元成長抑制による、サファイア上ＧａＮ膜の表面形態、結晶性の向上を行う、ＧａＮ／サファイア　ＭＯＶＰＥ二段階成長において、二段階成長において用いるＧａＮバッファ層」は、本件発明１の「バッファ層の上に、窒化ガリウム系化合物半導体の結晶を成長させる方法において、基板上にバッファ層を成長させる」点で同一である。
　
　よって、両者は、 
 「有機金属化合物気相成長法で反応容器内に反応ガスを供給して成長を行わせる方法であって、バッファ層の上に、窒化ガリウム系化合物半導体の結晶を成長させる方法において、
　一般式を、ＧａＸＡｌ１−ＸＮ（但しＸは０．５≦Ｘ≦１の範囲である。）とするバッファ層を、０．２μｍ以下の膜厚で成長させ、前記バッファ層と前記窒化ガリウム系化合物半導体を成長させる基板に、サファイア基板を使用する成長方法。」
である点で一致し、以下の点で相違する。
　
（相違点１） 
　本件発明１は、「バッファ層と前記窒化ガリウム系化合物半導体の両方を有機金属化合物気相成長法で成長させると共に、前記窒化ガリウム系化合物半導体を成長させる前記反応容器内において、」「前記バッファ層を」「成長させ、続いて前記窒化ガリウム系化合物半導体を成長させる」のに対して、引用発明１には、ＭＯＶＰＥによる成長をどのように行うのか明記されていない点。 
 　 
（相違点２） 
　本件発明１は、「窒化ガリウム系化合物半導体の成長温度よりも低温で」「バッファ層を」「成長させ、続いて前記バッファ層よりも高い成長温度で、」「前記窒化ガリウム系化合物半導体を成長させる」のに対し、引用発明１には、「二段階成長法」との記載しかない点。
　 
（相違点３）　
　本件発明１は、「前記窒化ガリウム系化合物半導体を成長させる前記反応容器内において、前記窒化ガリウム系化合物半導体を成長させる前に、基板上にアンモニアガスとＨ２ガスの混合ガスを供給し、その後」、「前記バッファ層を」「成長させ」るのに対して、引用発明１には、そのような工程が記載されていない点。
　
（相違点４）
　本件発明１は、「基板を回転させて前記窒化ガリウム系化合物半導体を成長させる」のに対して、引用発明１には、そのような構成が記載されていない点。
　
３　本件発明１と引用発明１との相違点についての判断
（１）相違点１について 
　ア　引用発明１には、ＭＯＶＰＥによる成長をどのように行うのかについて明記されていない。
　しかしながら、甲第１号証の記載事項（甲１イ）の序には、サファイア上のＧａＮ膜の結晶性の向上を図るためのＧａＮバッファ層の成長条件を検討することが記載されており、引用発明１は、サファイア基板上にＧａＮをエピタキシャル成長すなわち単結晶成長させる際にＧａＮバッファ層を形成させるものであることは、上記「２（６）」に記載したとおりである。
　また、甲第１号証の記載事項（甲ウ）に記載された原料が、ＴＭＧ及びＮＨ３であること、（甲１オ）のＮＨ３が熱的に分解する温度であること、その結果としてＧａＮが得られていることからすれば、図１において○印、●印、△印のものは、ＭＯＶＰＥ（有機金属化合物気相成長法）によって形成されているものであることは明らかであり、それらは、臨界膜厚以下（図１より厚くとも３００Å（０．０３μｍ）以下）では単結晶膜が、それ以上では多結晶膜ができている。
　また、エピタキシャル成長の技術分野において、ＭＯＶＰＥ或いはＭＯＣＶＤ（ＭＯＶＰＥ、ＭＯＣＶＤ共に、有機金属化合物気相成長法であり、以下、甲号証等からの直接引用した箇所を除き、ＭＯＶＰＥ、ＭＯＣＶＤ、有機金属気相成長法、有機金属化学気相成長法を「有機金属化合物気相成長法」という。）を用いた「二段階成長」なる技術は、例えば、下記各甲号証の記載事項にあるように、「成長の第一段階で基板上に低温で薄層をつけ、その上に通常のエピタキシャル成長を行わせる温度でエピタキシャル成長を行う方法」として用いられていることも明らかである。
　
＜二段階成長法に関する各甲号証の記載事項＞
＊甲第２号証
　（甲２ア）「・・・成長の第一段階で基板上に低温でｎｍ程度のごく薄いバッファ層をつけ、その上に高温で通常のエピタキシャル成長を行わせる二段階成長法・・・」
　（甲２ク）「このような二段階成長法は・・・ＭＯＣＶＤ（有機金属化学気相成長法）・・・を用い、おのおの二段階成長法により、良質のＧａＡｓ層を得ることに成功している。・・・ＭＯＣＶＤに対して、良質のＣＶＤ膜を得るための条件として、・・・４５０℃ないしそれ以下でのバッファ層の低温成長、その後７００〜７５０℃での高温ＣＶＤ成長をあげている。」
＊甲第３号証
　表題「シリコン基板上への直接ＭＯＣＶＤ成長によるＧａＡｓ太陽電池の作製」
　（甲３ア）「Ｓｉ基板上へのＧａＡｓ単結晶の成長方法は、約４００℃で第１段階の薄層成長を行い、つづいて、通常のＧａＡｓ基板上へのエピタキシャル成長と同じ温度７００〜７３０℃まで昇温した後ＧａＡｓを積層する二段階成長法・・・」
＊甲第４号証
　表題「ＭＯＣＶＤ法によるＩｎＰ／Ｓｉのヘテロエピタキシャル成長」
　（甲４エ）「二段階成長法（成長温度：第一層４００℃、第二層６２５℃）」
　
　イ　さらに、有機金属化合物気相成長法を用いて、二段階成長を利用するに際し、成長させるエピタキシャル（単結晶）層とエピタキシャル（単結晶）成長させる温度よりも低温,即ち、単結晶を成長させない温度で成長させるバッファ層を連続して同一の有機金属化合物気相成長装置内で成長させることは、下記各甲号証の記載事項にあるように、よく知られたものである。
　
＜各甲号証の記載事項＞
＊甲第３号証
　（甲３ア）「約４００℃で第１段階の薄層成長を行い、つづいて、通常のＧａＡｓ基板上へのエピタキシャル成長と同じ温度７００〜７３０℃まで昇温した後ＧａＡｓを積層する二段階成長法を採用した。まず、Ｓｉ基板を、・・・ＭＯＣＶＤ装置のサセプターに装着し、・・・、約４００℃で第１段階のＧａＡｓ成長（〜１００Å）を行う。次に７００〜７３０℃に昇温した後、通常のＧａＡｓ基板上へのエピタキシャル成長と同様に第２段階の成長を行う。」
＊甲第５号証
　（甲５ア）「有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ）により・・・二段階成長法を用いてＧａＡｓ基板上にＩｎＰをエピタキシャル成長させ」
　（甲５イ）「表１」には、成長条件として、成長温度が、バッファ層では４００℃、成長層では、５５０〜７００℃が、そして、バッファ層及び成長層にＴＭＩ流量が示されている。
＊甲第１３号証
　（甲１３イ）「ＡｌｘＧａ１−ｘＮ膜（０≦ｘ≦０．４）は縦型反応管を用いた常圧ＭＯＶＰＥ法により成長させた。・・・ＡｌＮバッファ層は８００〜９００℃で３０〜６０秒間成長させ、ＡｌｘＧａ１−ｘＮ膜は９５０〜１０５０℃で２０〜３０分間成長させる。」
＊甲第１４号証
　（甲１４イ）「Ｇａ１−ｘＡｌｘＮ（０≦ｘ≦０．４）膜は縦型および横型反応管を用いた常圧ＭＯＶＰＥ法により・・・ＡｌＮバッファ層は６００〜９５０℃で、ＧａＮおよびＧａ１−ｘＡｌｘＮは９５０〜１０５０℃で成長させた。・・・」
＊甲第１５号証
　（甲１５オ）「成長温度が９００℃以上となるとＡｌＮの結晶化が進んでしまい所望の膜質が得られない」
　（甲１５カ）「サファイア基板６０上に、成長温度６５０℃で、・・・Ｈ２・・・、ＮＨ３・・・ＴＭＡ・・・１分間供給して３５０ÅのＡｌＮのバッファ層６１を形成した。次に・・・９７０℃に保持し・・・Ｈ２・・・ＮＨ３・・・ＴＭＧ・・・６０分間供給し、膜厚約７μｍのＮ型のＧａＮから成るＮ層６２を形成した。」
＊甲第１７号証
　（甲１７ア）「ＭＯＶＰＥ法において成長層と基板との間にエピタキシャル温度よりも低い温度で単結晶でないバッファ層を堆積させる」
　（甲１７イ）「常圧ＭＯＶＰＥ法・・・ＡｌＮバッファ層の原料・・・トリメチルアルミニウム・・・とアンモニヤ・・・を用いた。ＧａＮ膜の原料・・・トリメチルガリウム・・・とアンモニヤ・・・を用いた。・・・・・・ＡｌＮバッファ層は６００〜９５０℃で堆積させ、ＧａＮ膜は１０４０℃で成長させた。」
　
　ウ　そして、引用発明１は、「ＧａＮ／サファイア　ＭＯＶＰＥ二段階成長において、」「二段階成長において用いるＧａＮバッファ層」を用いているのであるから、上記「２（６）」に記載したように、「ＧａＮ／サファイア」は、サファイア上にＧａＮエピタキシャル（単結晶）層を成長させることであり、「ＭＯＶＰＥ二段階成長において、」との記載からは、少なくとも主たる結晶層であるサファイア上に成長させるＧａＮエピタキシャル（単結晶）層の成長を、ＭＯＶＰＥ法で行うであろうことは、当業者なら容易に認識し得た事項であり、また、「ＧａＮバッファ層」の成長条件は、「基板としてサファイアＣ面を用い、原料としてＴＭＧａ、ＮＨ３を用い、ＮＨ３が熱的に分解する温度で、膜厚が０．０１〜０．１μｍ、基板温度が、４００℃程度から８００℃程度」、すなわち、「ＧａＮバッファ層」の形成もＮＨ３が熱的に分解する温度で、ＴＭＧａ、ＮＨ３を用いて成長させるものであるから、これは、有機金属化合物気相成長法（ＭＯＶＰＥ）であることは明らかである。
　
　エ　してみると、上記のように、引用発明１では、サファイア基板の上に有機金属化合物成長法或いはＥＣＲでＧａＮバッファ層を形成しその上に有機金属化合物気相成長法でＧａＮエピタキシャル（単結晶）層を形成することが容易に想到しうるものであり、有機金属化合物気相成長法を用いて、二段階成長を利用するに際し、成長させるエピタキシャル（単結晶）層とエピタキシャル（単結晶）成長させる温度よりも低温,即ち、単結晶を成長させない温度で成長させるバッファ層を連続して同一の有機金属化合物気相成長装置内で成長させることが、上記「イ」に記載のように、よく知られたものであることも考慮すれば、引用発明１において、「バッファ層と前記窒化ガリウム系化合物半導体の両方を有機金属化合物気相成長法で成長させると共に、前記窒化ガリウム系化合物半導体を成長させる前記反応容器内において、」「前記バッファ層を」「成長させ、続いて前記窒化ガリウム系化合物半導体を成長させる」ようにすることは、当業者ならば容易に想到し得た事項である。
　
（２）　相違点２について 
　ア　上記「（１）ア」のように、二段階成長法は、「成長の第一段階で基板上に低温で薄層をつけ、その上に通常のエピタキシャル成長を行わせる温度でエピタキシャル成長を行う方法」として周知であり、さらに、上記「（１）イ」のように、「有機金属化合物気相成長法を用いて、二段階成長を利用するに際し、成長させるエピタキシャル（単結晶）層とエピタキシャル（単結晶）層を成長させる温度よりも低温で成長させるバッファ層を連続して同一の有機金属化合物気相成長装置内で成長させること」もまた周知である。
　
　イ　ところで、引用発明１のＧａＮバッファ層としては、基板温度が、４００℃程度から８００℃程度の範囲を成長条件として、臨界膜厚以下では単結晶膜が、それ以上では多結晶膜が成長しており、また、成長温度を高温にするほど、結晶化がより進むことはよく知られた技術事項であり、有機金属化合物気相成長法を用いて、ＧａＮのエピタキシャル（単結晶）成長を行う場合、８００〜１０５０℃程度（「９００〜９７５℃」（甲１１オ）、「８００〜１０００℃」（甲１２イ）、「９５０〜１０５０℃」（甲１３イ）、「９５０〜１０５０℃」（甲１４イ）、「９７０℃」（甲１５カ）、「１０４０℃」（甲１７イ）、「９５０℃」（甲１８ウ））の成長温度とすることもよく知られたものである。
　
　ウ　加えて、有機金属化合物気相成長法によって低温成長させるバッファ層について、低温成長とさせるのは、通常のエピタキシャル（単結晶）層の成長温度よりも低温として、単結晶ではない状態の層を得るために行っていることも下記各甲号証の記載事項のようによく知られたものである。
　
　＜各甲号証の記載事項＞　
＊甲第３号証
　（甲３イ）「ＭＯＣＶＤ反応管中・・・４００℃で第１段階の成長を行った・・・ＧａＡＳ層は明らかに双晶構造・・・」
＊甲第１３号証
　（甲１３ウ）「８００℃で成長させたＡｌＮバッファ層の・・・が多結晶構造・・・」
＊甲第１５号証
　（甲１５ア）「サファイア基板上に成長温度４００〜９００℃で・・・結晶構造を無定形結晶中に微結晶又は多結晶の混在したウルツァイト構造とする窒化アルミニウム（ＡｌＮ）から成るバッファ層」
　（甲１５オ）「成長温度が９００℃以上となるとＡｌＮの結晶化が進んでしまい所望の膜質が得られない」
＊甲第１７号証
　（甲１７ア）「ＭＯＶＰＥ法において成長層と基板との間にエピタキシャル温度よりも低い温度で単結晶でないバッファ層を堆積させる」
　
　エ　してみると、引用発明１において、ＧａＮ結晶層の成長温度よりも低温で、ＧａＮバッファ層を成長させ、続いて前記ＧａＮバッファ層よりも高いＧａＮ結晶層を形成する成長温度で、前記ＧａＮ結晶層を成長させる」こと、すなわち、本件発明１の「窒化ガリウム系化合物半導体の成長温度よりも低温で」「バッファ層を」「成長させ、続いて前記バッファ層よりも高い成長温度で、」「前記窒化ガリウム系化合物半導体を成長させる」との構成を採用することは、当業者ならば容易に想到し得た事項である。
　
（３）　被請求人の甲第１号証および二段階成長に関する主張について
　答弁書５〜６頁における被請求人の主張「（５−１−３）請求人の主張に対する反論」は概略以下のとおり。
　「甲第１号証には「二段階成長」と記載されているだけであって、その具体的な内容はなんら記載されていない。・・・このように、二段階成長というだけでは、２つの層を異なる方法や温度で成長したのであろうという抽象的な内容を表現しているだけであって、その具体的な方法を断定することはできない。・・・
　・・・甲第２号証〜甲第５号証はすべてG a A sやｌｎＰといった異なる材料系に関するものであって、窒化ガリウム系化合物半導体に関する文献ではないから、窒化ガリウム系化合物半導体における「二段階成長法」が周知技術といえないことは明らかである。・・・請求人は「二段階成長法は周知」と主張するのみで、甲第１号証と具体的にどの引用例を組み合わせるというのか、あるいは、そのためにどのような動機付けがあるというのかさえ主張していないのであるから、請求人の主張はそもそも進歩性欠如の主張としての体を為していない。」
　
　しかしながら、甲第１号証には、その表題における「ＧａＮ／サファイア」及び「ＭＯＶＰＥ二段階成長におけるバッファ層成長条件」、序文の記載「ＧａＮバッファ層」、グラフとそのグラフの説明から、サファイア基板へのＧａＮエピタキシャル（単結晶）成長技術に関係する技術分野の当業者であれば、サファイア基板の上に二段階成長法で有機金属化合物気相成長法でＧａＮバッファ層を成長させ、その上にＧａＮエピタキシャル（単結晶）層を成長させる技術が記載されているものと理解できることは、上記「第７　２　本件発明１と引用発明１との対比」に記載したとおりである。
　被請求人は、甲第２号証、甲第２号証の参考文献である乙１号証〜乙第５号証及び本件出願時公知ではない、乙第６〜１０号証を提示して、有機金属化合物成長法でエピタキシャル（単結晶）層を形成する二段階成長法であっても、バッファ層の形成は有機金属化合物気相成長法とは異なるスパッタ法等を用いた方法がよく知られており、「窒化ガリウム系化合物半導体における「二段階成長法」が周知技術といえない」と主張しているが、有機金属化合物成長法を用いた「二段階成長法」でのバッファの成長方法に種々の方法が知られていたとしても、引用発明１においては、上記のように、ＧａＮバッファ層を有機金属化合物気相成長法を用いることが示されており、また、「二段階成長法」自体がバッファ層の形成をエピタキシャル（単結晶）層の成長温度と異なる温度で成長させる手段であるから、上記被請求人の主張によって、上記（１）、（２）に関する判断を変更しなければならない理由はない。
　
（４）　相違点３について
　ア　本件発明１における「基板上にアンモニアガスとＨ２ガスの混合ガスを供給し、その後」の技術的意義について
　本件発明１における「基板上にアンモニアガスとＨ２ガスの混合ガスを供給し、その後」との構成は、本件訂正請求書による訂正により加えられたものであるが、その訂正の根拠は、本件訂正前の本件特許明細書【００２５】の実施例の記載に基づくものであることは、上記「第４　３　（２）」に記載したとおりであり、また、当該訂正された構成については、明細書中、他に説明が無いことも上記「第５　２」に記載したとおりである。
　そして、本件訂正前の本件特許明細書【００２５】には、
「・・・＜３＞その後、Ｈ２ガスを反応ガス噴射管４と、・・・副噴射管５とから、・・・反応容器１内に供給しながら、サセプター２を・・・１０６０℃まで加熱する。＜４＞この状態を１０分間保持し、・・・＜５＞次にサセプター２の温度を５００℃まで下げて、温度が安定するまで静置する。＜６＞続いて副噴射管５からＨ２とＮ２の混合ガスを供給し、反応ガス噴射管４からアンモニアガスとＨ２ガスの混合ガスを供給する。副噴射管５から供給するＨ２ガスとＮ２ガスの流量はそれぞれ１０リットル／分、反応ガス噴射管４から供給するアンモニアガスの流量は４リットル／分、Ｈ２ガスの流量は１リットル／分とし、この状態でサセプター２の温度が５００℃に安定するまで待つ。＜７＞その後、バッファ層を形成するため、反応ガス噴射管４からアンモニアガスとＨ２ガスに加えて、ＴＭＧ（トリメチルガリウム）ガスを２．７×１０−５モル／分で１分間流す。＜８＞次にＴＭＧガスのみを止めて、バッファ層の成長を止める。・・・」　
との記載、すなわち、
　「Ｈ２ガス雰囲気下でサセプタを１０６０℃で所定時間保持して酸化膜を除去した後、５００℃まで下げ、温度が安定した後に、反応ガス噴射管からアンモニアガスとＨ２ガスの混合ガスを供給し、再度サセプター２が５００℃に安定するまで待った後に、前記反応ガス噴射管から前記混合ガスにＴＭＧ（トリメチルガリウム）加えたガスを流すことでバッファ層を形成する。」
ことが記載されている。
　そして、サセプタの酸化膜除去の後に５００℃まで温度を下げ、温度の安定化後にアンモニアガスとＨ２ガスの混合ガスを供給し、再度サセプターの温度が５００℃に安定するまで待つことについては、上記実施例以外の明細書中の他の記載において、何らの説明もされていない。
　
　この点について被請求人は、答弁書３頁「（４）訂正後の本件特許発明」の項の４〜７行に、「訂正によってバッファ層の成長前に、「サファイア基板上にアンモニアガスとＨ２ガスの混合ガスを供給すること」を規定している。この結果、サファイア基板の表面をアンモニアで窒化させて表面状態を改善し、その後に成長されるバッファ層の品質を改善できる。」と主張し、その機序として、口頭陳述要領書２頁最終行〜３頁２行に、「サファイア（Ａｌ２Ｏ３）基板の表面にＮＨ３を吹き付けながら熱処理することで、ＮＨ３が分解し、サファイア基板の一部／全部を窒化させることは容易に理解されるところです。」と説明し、乙第９号証および乙第１０号証を参考として添付している。
　
　しかしながら、本件発明１に記載されている「基板上にアンモニアガスとＨ２ガスの混合ガスを供給し、その後」には、窒化をすることも、熱処理をすることもまた、特定の温度においてどの程度の時間維持するのか等について特定されておらず、上記明細書の実施例の記載においても、窒化をするために熱処理をすることは、記載されておらず、「混合ガスを供給し、再度サセプターの温度が５００℃に安定するまで待つこと」が記載されているのみであり、温度の安定化と熱処理との関係も不明である。
　
　そして、上記のように被請求人は、熱処理をすれば、「ＮＨ３が分解し、サファイア基板の一部／全部を窒化させることは容易に理解される」として、乙第９号証及び乙第１０号証を提示しているが、乙第９号証及び乙第１０号証自体は、本件出願後に公知となったものであり、本件特許の優先権主張の日前においてサファイア基板の窒化の機序が周知であったことを裏付けるものとはならないが、一応記載内容を確認してみると、乙第９号証に記載された従来技術として、（乙９ア）の【０００４】には、「＜１＞サファイア基板をＮＨ３・・・の窒素原料ガス雰囲気で熱処理することにより基板表面を単結晶ＡｌＮ化方法、」と記載され、これは、「サファイア上のＩＩＩ族窒化物半導体成長ではＡｌＮ層を介した成長が有効である。」（【０００３】）として、形成された窒化層ではある（【０００５】）が、その上にエピタキシャル層を形成するためのバッファ層（【０００６】）であり単結晶化させるものであるとして説明されている。したがって、乙第９号証に記載された従来技術は、サファイア基板の熱処理により単結晶ＡｌＮ化して、バッファ層化するものであり、また、同乙第９号証の（乙９ウ）に、「【００１７】この装置で、・・・１０００〜１３００℃に加熱し１〜６０分保持することにより、サファイア（０００１）基板２０表面を清浄化する。続いて、Ｈ２ガスを０．５〜２０ｌ／分のＮＨ３ガスに切り替え１〜６０分保持することにより、サファイア（０００１）基板２０表面を単結晶ＡｌＮ化する。」としており、１０００〜１３００℃の高温で、１〜６０分保持することにより、窒化層としての単結晶ＡｌＮを得ているものであるから、単結晶化させるには、高温であって、所定の時間での処理が必要であるから、任意の熱処理により、サファイア基板を窒化することの機序を説明したものではない。
　加えて、乙第９号証では、ＮＨ３とＨ２とを同時に流すことはせずに、Ｈ２ガスの流れとＮＨ３ガスとを切替え、ＮＨ３ガスのみにより単結晶ＡｌＮ化を行っている。
　したがって、本件訂正明細書の実施例に記載されている「反応ガス噴射管からアンモニアガスとＨ２ガスの混合ガスを供給し、再度サセプター２が５００℃に安定するまで待った」との工程が、乙第９号証に言う窒化処理と言えないことは明らかであり、また乙第１０号証の記載を参酌しても同様である。
　
　また、仮に、実施例に記載された工程を実施する事で、何らかの窒化が生じているということが、後々実験等で確認できたとしても、本件訂正明細書には、窒化処理に関する技術的説明及び意義が記載されておらず、まして、本件発明１は、実施例の構成を全て特定することはせず、単に、「基板上にアンモニアガスとＨ２ガスの混合ガスを供給し、」との構成のみを有しているのであるから、当該構成が、窒化処理であるとの技術的意義を有しているとは認められない。
　よって、本件発明１の当該「基板上にアンモニアガスとＨ２ガスの混合ガスを供給し、」との構成は、特段の技術的意義を有せずに、単に、ガスの導入手順を特定したにすぎないものである。
　
　イ　次に、本件請求人が、「基板上にアンモニアガスとＨ２ガスの混合ガスを供給し、」との構成が容易であるとの証拠として提示した、甲第１１号証、甲第２６号証及び甲第１３〜１５号証、甲第１７〜１９号証に記載されている各技術事項を整理する。
　
　（ア）　甲第１１号証の記載事項（甲１１オ）には、「ａ−Ａｌ２Ｏ３上のＧａＮ」を形成する「実施例２．」として、「サファイア・・・基板上に窒化ガリウム（ＧａＮ）の単結晶膜を形成するために・・・トリメチルガリウム（ＴＭＧ）を用いた以外は、上記実施例について記載した技術を本例でも用いた。・・・基板台座の温度は９００〜９７５℃の間に制御した。」と記載され、この「上記実施例について記載した技術を本例でも用いた。」とされる実施例は、（甲１１イ）〜（甲１１ウ）に記載された実施例１であり、実施例１の技術として（甲１１ウ）、（甲１１エ）には、「テストランの間、・・・表面被膜を除去するため、約１３００℃に加熱された基板上に、約１５〜３０分間、キヤリアガスの水素を通した。テストランに応じて、純粋な稀釈された形のＮＨ３の制御された量を反応器に導入し、つづいてトリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）を導入した。ＮＨ３ガスの量は、トリメチルアルミニウムに対し、方程式１中で表現された化学量論量より過剰になるように選んだ。」「トリメチルアルミニウムは、液状ＴＭＡの中に通した一部のキャリアガスによつて、反応器へ運び込まれた。水素はキャリアガスとして成功裏に使用された。・・・ＮＨ３に対し１７５０ｃｃ／分、ＴＭＡ中に通してバブルさせるＨ２に対し２５〜１００ｃｃ／分の流速を採用した。・・・ＮＨ３とトリメチルアルミニウム運搬用キャリアガスは、いくつかのテストランでは管入口の近くで、別のいくつかのランでは管の中で、混合して、化合物Ａ（ＴＭＡ：ＮＨ３）を形成させた。つぎに、化合物Ａを、窒化アルミニウムの成長が行われる加熱基板へ向けて導いた。」と記載されている（なお、上記「ＮＨ３」は、「ガス」であることは明らかであるので、以下、直接の引用記載を除いて「ＮＨ３ガス」と表記する。また、「稀釈」も、直接の引用記載を除いて「希釈」と表記する。）。
　また、上記成長方法は、有機金属化合物気相成長法であることも明らかである。
　以上の点を整理すると、甲第１１号証には、「有機金属化学気相成長法を用いて、サファイア基板上にＧａＮ単結晶を成長するに際し、基板の表面被膜を除去するため、約１３００℃に加熱された基板上に、キヤリアガスの水素を通し、その後、９００〜９７５℃で、純粋な稀釈された形のＮＨ３の制御された量を反応器に導入し、つづいてトリメチルガリウム（ＴＭＧ）を導入すること。」や、「ＴＭＧ運搬用、バブリング用のキャリアガスとしてＨ２を用いること」が記載されているが、上記ＧａＮを有機金属化合物気相成長法により成長させる際の、基板へのガスの導入手順として、水素による表面被膜の除去に続けて、ＧａＮ単結晶を成長させるガスを導入する際には、基板温度を９００〜９７５℃まで下げており、その間継続して、水素を流し続け、且つ、純粋な稀釈された形のＮＨ３ガスの制御された量を反応器に導入する時点においても、水素を流し続けるのか否かについては、説明されておらず、ＴＭＧガスの導入の前に、ＮＨ３ガスとキャリアガスとしてのＨ２を先行して流すことは不明である。
　また、成長させるＧａＮは、単結晶膜でありバッファ層ではない。
　一方、キャリアガスとは別に、「純粋な稀釈された形のＮＨ３の制御された量を反応器に導入し」との記載があるが、「稀釈された形のＮＨ３」において、具体的に何によって希釈しているのかは、甲第１１号証には記載されていない。
　したがって、甲第１１号証には、「サファイア基板上に希釈されたＮＨ３ガスを導入して、つづいてＴＭＧガスを導入し、ＧａＮ単結晶を成長させる」ことが記載されているが、ＮＨ３ガスを何によって、希釈しているかまでは記載されていない。
　
　（イ）　甲第２６号証には、（甲２６ア）「Ｈ２ガスを導入した後、・・・サセプタ２を６００〜１３５０℃に加熱し・・・基板熱処理後、サセプタ温度を成長温度に設定し、ＮＨ３ガスを導入する。この状態で、ＩＩＩ族有機金属をバブリングしたＨ２ガス・・・導入することにより、基板１上で・・・単結晶薄膜を得る。・・・（実施例Ｉ）（ＧａＮ単結晶膜の成長）・・・Ｈ２雰囲気中で・・・６００〜１３５０℃・・・熱処理する。次に、基板温度を７００〜１１００℃の成長温度に設定し、・・・ＮＨ３ガスを導入管７より供給する。続いて、・・・トリメチルガリウム（ＴＭＧａ）を・・・Ｈ２ガス・・・でバブリングし、Ｈ２キャリアガスと合流させた後、導入管６より石英反応管３へ供給する。」ことが、記載されている。
　すなわち、「Ｈ２雰囲気中で熱処理し、次に、基板温度を成長温度に設定し、ＮＨ３ガスを供給する。続いて、トリメチルガリウム（ＴＭＧａ）をＨ２ガスでバブリングし、Ｈ２キャリアガスと合流させた後、供給する。」事が記載されているが、「Ｈ２ガスを導入」した「基板熱処理後、サセプタ温度を成長温度に設定」する間、及び「成長温度に設定」し、「ＮＨ３ガスを導入管７より供給し、続いてＴＭＧガスを供給する」までの間、Ｈ２ガスを継続して導入し続けるのか否かについての記載はなく、ＴＭＧガスの導入の前に、ＮＨ３ガスとキャリアガスとしてのＨ２を先行して流すことは不明である。
　また、成長させるＧａＮは、単結晶膜でありバッファ層ではない。
　
　（ウ）　甲第１３〜１５号証、甲第１７〜１９号証には、以下の点が記載されている。
　甲第１３号証の（甲１３イ）には、「有機金属化合物とＮＨ３の寄生反応を抑制するために、ＴＭＧａ、ＴＭＡｌおよびＮＨ３はキャリアガス（Ｈ２）とともに反応管直前で混合し、引き込み管を用いて・・・基板に供給した。」と記載されている。
　甲第１４号証の（甲１４イ）には、「原料としてはＴＭＧ(またはＴＥＧ)、ＴＭＡ、ＮＨ３を用いた。有機金属化合物とＮＨ３の寄生反応を抑制するために、各原料ガスはキャリヤガスとともに反応管直前で混合し、引き込み管を用いて高速に基板に供給した。」と記載されている。
　甲第１７号証 の（甲１７イ）には、「原料としては、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ；・・・Ｈ２）とアンモニヤ（ＮＨ３・・・）を用い、キャリヤガスとして水素（Ｈ２・・・）を用いた。・・・各原料ガスはキャリヤガスと共に反応管直前で混合し、・・・基板に供給した。」と記載されている。
　甲第１８号証の（甲１８ウ）には、共に、単結晶を成長させる２つの工程において「第１工程として、反応の雰囲気にＮ２を・・・供給しながら、反応ガスのＮＨ３およびＴＭＧを、・・・導入する。・・・第２工程として、雰囲気を・・・Ｈ２に切り換えるとともに、反応ガスのＴＭＧも・・・Ｈ２と混合したもので導入して、ＮＨ３の３ｌ／分のガス条件下で１２０分間の反応処理を行う。」と記載されている。
　
　したがって、甲第１３号証、甲第１４号証、甲第１７号証及び甲第１８号証は、サファイア基板へのＧａＮエピタキシャル（単結晶）層の成長に先立ってバッファ層を形成する方法において、バッファ層の形成の際に、有機金属ガスとＮＨ３ガスとキャリアガス（Ｈ２）とを同時に流すか、混合することが記載されているものの、ＮＨ３ガスとＨ２ガスをＴＭＧ（ＴＥＧ）或いはＴＭＡｌに先行して流すことは記載されていない。
　
　甲第１５号証の（甲１５カ）には、「単結晶のサファイア基板６０上に、成長温度６５０℃で、第１ガス管２８からＨ２・・・ＮＨ３・・・ＴＭＡを・・・供給し・・・ＡｌＮのバッファ層６１を形成した。次に、・・・ＴＭＡの供給を停止し・・・９７０℃に保持し、・・・Ｈ２・・・ＮＨ３・・・ＴＭＧを・・・供給」することが記載されており、バッファ層形成後、成長層の形成前に、バッファ層形成用のガスのうちＴＭＡのみを止め、Ｈ２ガスとＮＨ３ガスのみを流すことが記載されているものの、サファイア基板の上でバッファ層の成長を行う際に、ＮＨ３ガスとＨ２ガスを先行して流すことは記載されていない。
　
　甲第１９号証の（甲１９ア）には、有機金属化合物気相成長法（ＭＯＶＰＥ）によって、ＡｌＮ層のバッファ層を用いたＧａＮ単結晶フィルムを成長させるに際して、「Ｈ２によって希釈された有機金属原料及びキャリアガスとしてのＨ２を伴う大量のＮＨ３は反応器の直前で混合され、・・・基板・・・供給。・・Ｈ２雰囲気下、１１５０℃で熱処理された。・・・最初の成長は、反応器の中にトリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）とＮＨ３ガスを供給し、薄いＡｌＮ層を堆積した。」と記載され、図２には、ＴＭＧ（ＴＭＡ）（＋Ｈ２）が供給される管とは別個に「ＮＨ３＋Ｈ２」の混合ガス用の管が示されている。
　すなわち、Ｈ２ガスによって希釈された有機金属原料と、キャリアガスとしてＨ２ガスを伴う大量のＮＨ３ガスとが記載されているものの、ＡｌＮ層のバッファ層の成長に際し、ＮＨ３ガスとＨ２ガスのみをＴＭＡに先行して流すことは記載されていない。
　そして、甲第１９号証においては、希釈ガスとキャリアガスとの文言を明確に分けて用いている。
　
　（エ）　以上を整理すると、
　ａ　サファイア基板の上に有機金属化合物気相成長法によりバッファ層を成長させる、甲第１３〜１５号証、甲第１７号証、甲第１９号証では、バッファ層の形成に際して、有機金属ガス、アンモニアガス（ＮＨ３）及びキャリアガス・水素ガス（Ｈ２）を同時に供給しており、また、甲第１８号証も同時に供給している。
　ｂ　サファイア基板の上に有機金属化合物気相成長法によりＧａＮ単結晶層を成長させる甲第１１号証及び甲第２６号証では、ＧａＮ単結晶層の成長のための有機金属ガスの供給に先行して、ＮＨ３ガスを供給することが記載されており、また、甲第１５号証には基板上にバッファ層の成長を行い、その上に成長層の膜成長を行う際に、先行する成長時に用いたガスの一部（有機金属）を停止し、他のＮＨ３ガスとキャリアガス（Ｈ２）をそのまま継続して流すことが記載されている。
　ｃ　甲第１１号証には、サファイア基板上の単結晶層の成長に際して、ＴＭＧガスの導入の前に、希釈されたＮＨ３ガスを導入することが記載されているが、希釈が何によって行われているのかは不明である。
　ｄ　しかしながら、上記の何れの甲号証においても、サファイア基板上へのバッファ層の膜成長に際して、ＮＨ３ガスとＨ２ガスとを有機金属ガスの導入に先行して流すことは記載されておらず、また、他に当該事項が周知であるとの根拠も見出せない。
　
　ウ　判断
　　まず、引用発明１には、ＧａＮバッファ層を有機金属化合物気相成長法によってサファイア基板上に成長させる際に、ガスをどの様な手順で供給するかが記載されていない。
　
　一方、サファイア基板へのバッファ層の成長に際して、ＮＨ３ガスとＨ２ガスとを有機金属に先行して、或いはバッファ層の成長が開始される前に流すことは周知の事項ではなく、特にバッファ層の成長時には、甲第１３〜１５号証、甲第１７号証、甲第１９号証に記載のように、有機金属ガス、アンモニアガス（ＮＨ３）及びキャリアガスとしての水素ガス（Ｈ２）は、同時に供給されている。
　
　また、甲第１１号証及び甲第２６号証はサファイア基板の上に、ＧａＮ単結晶を成長させるものであり、引用発明１はＧａＮバッファ層を成長させるものであるから、甲第１１号証或いは甲第２６号証に記載されたガスの導入手順をそのまま引用発明１に適用する直接的な動機づけはない。
　仮に、バッファ層或いは単結晶層においてガスの供給手順に格別の技術的な差違がないとして、甲第１１号証或いは甲第２６号証のガスの導入手順を引用発明に適用したとしても、甲第１１号証及び甲第１２号証には、ＮＨ３ガスとＨ２ガスとの混合ガスを有機金属の導入に先行して或いはバッファ層の成長が開始される前に流すことは、記載されていないので、ＮＨ３ガスとＨ２ガスとの混合ガスを有機金属の導入に先行して或いはバッファ層の成長が開始される前に流すことにはならない。
　
　そして、甲第１１号証及び甲第２６号証には、Ｈ２ガスによる基板の熱処理の後、ＮＨ３ガスを供給しているが、ＮＨ３ガスの供給時にも、連続して基板の熱処理用のＨ２ガスを供給し続けることは不明であり、バッファ層を成長させる場合には、有機金属ガス、アンモニアガス（ＮＨ３）及びキャリアガス・水素ガス（Ｈ２）を同時に供給する事は上記したとおりであるから、引用発明１に、甲第１１号証及び甲第２６号証のＨ２ガスによる基板の熱処理の後、ＮＨ３ガスを供給する構成を適用し、その上で、Ｈ２ガスによる基板の熱処理の後もＨ２ガスを供給し続けるとの構成を想到し採用するにはその動機づけを欠いている。
　
　ところで、甲第１１号証には、「純粋な稀釈された形のＮＨ３の制御された量を反応器に導入し、つづいてトリメチルガリウム（ＴＭＧ）を導入」することが記載されているが、ＮＨ３ガスの希釈が何によって行われているのか記載されておらず、また、希釈ガスとガスの運搬に関与するキャリアガスとを文言上分けており、同じガス種とすることは記載されていない。また、請求人が提出した他の各甲号証においてもＮＨ３ガスの希釈ガスとしてＨ２ガスを用いているものはない。
　引用発明１自体には、そもそもキャリアガスについての記載がなく、バッファ層の形成を行う上記各甲号証においては、有機金属ガス、アンモニアガス（ＮＨ３）及びキャリアガスとしての水素ガス（Ｈ２）を同時に供給する事は上記したとおりであるから、引用発明１に、甲第１１号証の「純粋な稀釈された形のＮＨ３ガスの制御された量を反応器に導入し、つづいてトリメチルガリウム（ＴＭＧ）を導入」するとの構成を採用し且つ希釈ガスをＨ２ガスとして基板の熱処理の後もＨ２ガスを供給し続けるとの構成を想到し採用することの動機づけが無い。
　
　エ　請求人の混合ガスに関する反論について
　請求人の口頭陳述要領書８〜９頁には、以下の主張が記載されている。
　「（３）請求項には、アンモニアガスと水素ガスの混合ガスの後に有機金属ガスを供給するということまでの限定はないこと
　・・・明細書を参酌して限定を加えるべき根拠は存しない。かかる前提に基づけば、発明の要旨認定は請求項の記載のみをもってなされるべきである。
　そして、本件特許の請求項に記載されているのは、「基板上にアンモニアガスとＨ２ガスの混合ガスを供給し」た後に「バッファ層を成長させ」るというものであるところ、「バッファ層を成長させ」ることと、有機金属ガスを供給することとは同時ではなく、現実には、有機金属ガスを供給し始めてからバッファ層が成長し始めるまでには時間差がある。つまり、本件発明の「基板上にアンモニアガスとＨ２ガスの混合ガスを供給し」た後に「バッフア層を成長させ」るということは、「基板上にアンモニアガスとＨ２ガスの混合ガスを供給し」た後に有機金属ガスの供給を始める構成には限定されるものではなく、「基板上にアンモニアガスとＨ２ガスの混合ガスを供給し」た後にバッフア層が成長させられるものであれば、「アンモニアガスとＨ２ガスの混合ガス」と有機金属ガスを同時に供給する構成であっても含まれると解すべきである。
　・・・・・・
　以上から、本件発明は「基板上にアンモニアガスとＨ２ガスの混合ガスを供給し」た後に有機金属ガスを供給する構成には限定されない以上、甲第１１号証のみならず、甲第１３号証〜甲第１５号証、甲第１７号証〜甲第１８号証をも根拠として、本件発明の容易想到性を導くことができるのである。」
　
　確かに、本件発明１の「前記窒化ガリウム系化合物半導体を成長させる前に、基板上にアンモニアガスとＨ２ガスの混合ガスを供給し、その後、・・・前記バッファ層を、・・・成長させ」、との構成において、アンモニアガスとＨ２ガス以外のガスであって、バッファ層を形成するＴＭＧ等の有機金属ガスをどのタイミングで導入するかについては、直接的な記載はない。
　しかしながら、「基板上にアンモニアガスとＨ２ガスの混合ガスを供給」するタイミングと「バッファ層を成長させる」タイミングとは、「その後」との文言により明確に分けられていることは明らかである。
　そして、ある時点から「成長させる」といえば、その時点からガスを導入させると理解することが技術常識に沿う解釈であり、請求人の主張するように、「ガスの導入時点」と、「ガスの反応が開始し、基板への成長が始まる」時点とが完全に同時ではないとしても、本件発明１には、「基板上にアンモニアガスとＨ２ガスの混合ガスを供給」する最初の時点からＴＭＧ等の有機金属ガスを流すとの記載がないことから、せいぜい、「基板上にアンモニアガスとＨ２ガスの混合ガスを供給」し、その後ＴＭＧ等の有機金属ガスを流し、その後バッファ層の成長が行われると言うことの可能性があり得る程度のものである。
　
　そもそも、上記本件発明１の上記混合ガスの供給については、本件訂正請求により訂正された構成であり、その訂正の根拠は、下記訂正前明細書【００２５】の記載である。
「・・・＜６＞続いて・・・反応ガス噴射管４からアンモニアガスとＨ２ガスの混合ガスを供給する。・・・この状態でサセプター２の温度が５００℃に安定するまで待つ。
＜７＞その後、バッファ層を形成するため、反応ガス噴射管４からアンモニアガスとＨ
２
ガスに加えて、ＴＭＧ（トリメチルガリウム）ガスを２．７×１０−５モル／分で１分間流す。
　上記訂正の根拠たる【００２５】の記載には、「アンモニアガスとＨ２ガスの混合ガスを供給」した、その後に、バッファ層を形成するため、「アンモニアガスとＨ２ガスに加えて、ＴＭＧ（トリメチルガリウム）ガスを流す」事が明記されており、バッファ層が実際に成長される僅か前にＴＭＧガスが アンモニアガスとＨ２ガスに加えて、流すことがあったとしても、ＴＭＧガスの添加以前に、ＴＭＧガスが流されずに、アンモニアガスとＨ２ガスの混合ガスが供給される状態があることは明らかであり、バッファ層が成長される前から「アンモニアガスとＨ２ガス及びＴＭＧ（トリメチルガリウム）ガス」の三者のガスが同時に供給されることは記載されていない。
　
　ところで、請求人は、上記のように、本件発明１に関して明細書を参酌して限定を加えるべき根拠は存しないから、発明の要旨認定は請求項の記載のみをもってなされるべきであるとも主張しているが、訂正された構成について、請求項に記載されていない事項は、全て、訂正前の明細書の記載と異なる或いは矛盾した事項であっても、自由に解釈し得るのだとすれば、これは訂正に当たり新規事項を自由に許容することとなり、そうだとすれば、これを避けるためには、明細書の記載事項を全て請求項に記載しなければならないようなことになりかねず、明細書の存在意義がなくなってしまう。
　そして、請求人主張のように、本件発明１に記載されていない「バッファ層が成長される前から「アンモニアガスとＨ２ガス及びＴＭＧ（トリメチルガリウム）ガス」の三者のガスが同時に供給される」との構成を、請求項に直接的に記載されていないにもかかわらず、意図的に解釈するとなると、訂正の根拠の記載を無視することになり、また、訂正前の本件特許明細書に記載されていない新規の事項として解釈することになるから、請求人の解釈は、採用し得るものではない。
　
　したがって、上記請求人の主張によって、相違点３に関する上記判断を変更しなければならない理由はない。
　
（５）　相違点４について
　ア　化学気相成長（ＣＶＤ）において、基板への膜形成を均一に成長させるために、基板を回転させることは、甲第１１号証、甲第２０号証、甲第２１号証及び乙第５号証の１に記載されているように周知の技術事項にすぎず、特に、有機金属化合物気相成長においても、下記証拠の記載事項のようによく知られたものである。
　
＜甲号証の記載事項＞
＊甲第１１号証
　（甲１１イ）「サファイアの種結晶（単結晶）を、・・・台座上に置いた。台座は、膜の厚さの一様性を助成するべく、回転させた。」
＊甲第２０号証
　（甲２０ウ）「成長層厚みの面内での均一化のためサセプタを自転させるのが普通である。この縦型反応管は現在最も広く用いられている」
＊甲第２１号証
　（甲２１ア）「水平方向のガス流の軸に対し・・・基盤の軸中心に対する回転速度を２／３〜１ｒｐｍとした。」
　（甲２１イ）「回転せしめながら基盤上にＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を成長させることにより基盤上に発光強度も十分で、均一性、再現性の良い結晶成長を行う」
＊乙第５号証
　（乙５イ）図２に「・・・エピタキシャル成長を行わせるためのＣＶＤシステム」に関する装置が示され、「susceptor」（「サセプタ」）の下方に、「susceptor rotating unit」（「サセプタ回転ユニット」）との記載がなされている。
　（なお、請求人は、他に、甲第２２，２３号証を挙げているが、何れも、本件優先権主張の日前公知の文献ではなく、当該文献中に従来技術として記載された技術自体が公知であったことの証明はないので、本件特許の優先権主張の日前公知の周知技術の事例として認められない。）
　
　そして、引用発明１においても、実際にＧａＮ膜形成する際には、膜成長の均一性を向上させたいとの課題は必然的に有しているものであるから、上記周知技術を採用し、「基板を回転させて、ＧａＮ膜を成長」させようとすることは当業者ならば容易に想到し得たことである。
　
　イ　被請求人の主張について
　　被請求人は、答弁書３頁下から４〜最終行で
　「さらに、このバッファ層上に窒化ガリウム系化合物半導体を成長させる際に、「基板を回転させて窒化ガリウム系化合物半導体を成長させる」ことも規定した。この結果、サファイア基板上に均一に結晶が成長し、図９のグラフに示すように、基板の中心から側面に向かって均一に、高い移動度とキャリア濃度を実現している。」と、
　また、口頭陳述要領書の３頁「３「基板を回転させること」について」の項において
　「請求人は、「基板を回転させること」は周知技術または当業者が適宜選択しうる設計事項であるとしている（８〜１４頁）。
　しかしながら、請求人が根拠とする甲第１１、甲２０〜２３は、いずれも、単に基板を回転させることが記載されるのみで、請求項１で規定する、ＧａＸＡＩ１−ｘＮバッファ層よりも高い成長温度で窒化ガリウム系化合物半導体を成長させる際に基板を回転させることまで開示や示唆するものでない。
　したがって、これらの証拠から、本件訂正発明が規定するような低温バッファ層を使用した技術において、ＭＯＣＶＤを使用して「基板を回転させること」は周知慣用技術であるとはいえない。」
と主張している。
　
　しかしながら、本件訂正前の本件特許明細書及び本件訂正明細書において、「基板を回転させること」事については、【００２５】に記載された下記の実施例の文言のみである。
  「【００２５】・・・サセプター２の温度が１０２０℃まで上昇した後、反応ガス噴射管４からアンモニアガスとＨ２ガスに加えて、ＴＭＧガスを５．４×１０−５モル／分の流量で６０分間供給して、ＧａＮエピタキシャル層を、４．０μｍの膜厚で成長させる。この間、副噴射管５から常にＨ２とＮ２ガスを前述の条件で供給し続け、反応ガスで反応容器内が汚染されないようにしている。
またサセプター２は均一に結晶が成長するように、モーター７で５ｒｐｍで回転させる
　また、「基板を回転させること」の技術的意義についても、上記実施例中において、単に、「均一に結晶が成長するように」との記載、すなわち上記「（５）ア」で引用した甲第１１号証、甲第２０号証、甲第２１号証で示したものと同一の目的が記載されているのみであり、本件発明１における「基板を回転させる」との構成による効果に格別な点は見出せない。
　
　したがって、被請求人主張の「低温バッファ層を使用した技術において、ＭＯＣＶＤを使用して「基板を回転させること」は周知慣用技術であるとはいえない。」としても、引用発明１において、均一化を図るために用いる「基板の回転」との技術を採用し得たことは上記「（４）ア」で判断したとおりであり、被請求人の主張によって、上記「（４）ア」の判断を変更しなければならない理由はない。
　なお、被請求人は、答弁書において、図９のグラフが、「基板を回転させる」ことの効果を示しているかのように主張しているが、実施例１の結果を表す図９のグラフと対比されている図１０のグラフは、実施例１の工程において、ＧａＮバッファ層をＡｌＮバッファ層に変えただけのものであり、「基板を回転させる」こと自体の格別な効果を示しているものでもない。
　
（６）　したがって、本件発明１は、甲第１号証に記載された発明、各甲号証に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることはできない。
　
４　本件発明２〜４について 
（１）本件発明２は、本件発明１の全ての構成要件を含むとともに、更に「サファイア基板の上に、一般式がＧａＸＡｌ１−ＸＮ（但しＸは０．５≦Ｘ≦１の範囲である。）で示される前記バッファ層を成長させ、このバッファ層の上に窒化ガリウム系化合物半導体を成長させる」との構成を特定するものである。
　ところで、本件発明１の「窒化ガリウム系化合物半導体を成長させる前に、基板上に・・・ガスを供給し、その後一般式を、ＧａＸＡｌ１−ＸＮ（但しＸは０．５≦Ｘ≦１の範囲である。）とする前記バッファ層を、・・・成長させ、続いて・・・前記窒化ガリウム系化合物半導体を成長させると共に、前記バッファ層と前記窒化ガリウム系化合物半導体を成長させる前記基板に、サファイア基板を使用すること」との構成は、「窒化ガリウム系化合物半導体を成長させる前に、混合ガスを供給し、
その後
　したがって、本件発明２は、上記の特定により、本件発明１の上記の点を更に、明確にしたものである。
　そうすると、上記「３　本件発明１と引用発明１との相違点についての判断」のように、実質的に、ガスの供給後に他の成長層を形成させずに、バッファ層をサファイア基板の上に成長させる構成を含む本件発明１が、甲第１号証に記載された発明、各甲号証に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることはできないのであるから、本件発明１の構成要件を全て含み、上記事項を更に明確にしたものに相当する本件発明２もまた、甲第１号証に記載された発明、各甲号証に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることはできない。
　
（２）本件発明３は、本件発明１の全ての構成要件を含むとともに、更に「窒化ガリウム系化合物半導体の上に、一般式がＧａＸＡｌ１−ＸＮ（但しＸは０．５≦Ｘ≦１の範囲である。）で示されるバッファ層を成長させ、さらにこのバッファ層の上に窒化ガリウム系化合物半導体を成長させる」との構成を付加するものである。
　ところで、訂正前の請求項１に係る発明のバッファ層は、サファイア基板の上に成長させるのか、窒化ガリウム系化合物半導体の上に成長させるのかが特定されておらず、従属項としての訂正前の請求項２で、サファイア基板の上に成長させること、訂正前の請求項３で窒化ガリウム系化合物半導体の上に成長させることを特定していたものである。そして、訂正前の請求項３の構成は、訂正前の明細書の【００２３】「また本発明の結晶成長方法によるバッファ層は、サファイア基板上だけでなく窒化ガリウム系化合物半導体のエピタキシャル層を有する層であれば、どの層に形成してもよい。例えば・・・ｎ型ＧａＮエピタキシャル層の上にバッファ層を形成し、そのバッファ層の上にｐ型ＧａＮエピタキシャル層を成長させる・・・」及び実施例７において、説明されている。
　一方、上記（１）に記載したように訂正請求によって訂正された本件発明１のバッファ層は、訂正請求の理由及び訂正の根拠となる記載（実施例）から、ガスの供給後に他の成長層を形成させずに、バッファ層をサファイア基板の上に成長させることを意味しているものであるから、本件発明３の「窒化カリウム系化合物半導体の上に、・・・バッファ層を成長させ、」におけるバッファ層は、本件発明１のバッファ層と異なる部位に成長されるものであることは明らかである。
　また、訂正前の請求項３の発明に係る「バッファ層」は、訂正前の請求項１に係る発明の「バッファ層」を特定していたものであるから、訂正された本件発明３の「バッファ層」も、訂正前の請求項１に係る発明の「バッファ層」を意味することは明らかである。
　仮に、訂正によって、本件発明３で特定されている「バッファ層」が、成長条件、組成等が任意の種々のバッファ層を意味するものとなると、明細書中に記載されていない新規の構成を付加したものとなり、そのような解釈はできない。
　したがって、本件発明３は、本件発明１の全ての構成要件を含むとともに、本件発明１で特定されているバッファ層とは異なるバッファ層（訂正前の請求項１に記載されていたバッファ層）である「窒化ガリウム系化合物半導体の上に、一般式がＧａＸＡｌ１−ＸＮ（但しＸは０．５≦Ｘ≦１の範囲である。）で示されるバッファ層を成長させ、さらにこのバッファ層の上に窒化カリウム系化合物半導体を成長させる」ものである。
　そうすると、上記「３　本件発明１と引用発明１との相違点についての判断」のように、本件発明１が、甲第１号証に記載された発明、各甲号証に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることはできないのであるから、本件発明１の構成要件を全て含み、更に他の構成要件を含む本件発明３もまた、甲第１号証に記載された発明、各甲号証に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることはできない。
　なお、本件発明３で特定されたバッファ層については、答弁書、及び口頭陳述要領書からも明確であり、この点をもって、本件発明３を無効とするまでもない。
　
（３）本件発明４は、本件発明１の全ての発明特定事項を含むとともに、更にバッファ層の厚さの下限を限定して「前記バッフア層の厚さが０．００２μｍ以上、０．２μｍ以下である」との構成を特定するものである。
　そして、「３　本件発明１と引用発明１との相違点についての判断」のように、本件発明１が、甲第１号証に記載された発明、各甲号証に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることはできないのであるから、本件発明１の構成要件を全て含み、更に他の構成要件を含む本件発明４もまた、甲第１号証に記載された発明、各甲号証に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることはできない。
　
　
第８　無効理由２（甲第１０号証を主引用例とした場合）
１　甲第１０号証に記載された発明
　上記甲第１０号証の記載事項（甲１０ア）〜（甲１０ケ）を整理すると（甲第１０号証に記載された「Ａｒ」は、ガス状のものが用いられていることは明らかであるので、以下「Ａｒガス」と表記する。）、甲第１０号証には、
　「反応装置内のサファイア基板直前で上部流導路と下部流導路と合流させ、上部流導路にＧａを置き、まず、上部流導路にＡｒガス、下部流導路にＮＨ３ガスとＡｒガスを流し、サファイア基板を１０００℃に保ち、続けて上部流導路よりＨＣｌガス流し、良好な電気特性は期待できないが付着性の良い膜状結晶が得られる条件である１０００℃以下の温度において、サファイア基板上にＧａＮを例えば、０．５μｍ〜５μｍの厚みで成長させこれを第１層とし、その後、ＨＣｌガスを止め基板を１１００℃に昇温し、再びＨＣＩガスを流し基板温度を１０００℃をこえる範囲に上昇させ、電気特性の良い結晶が得られる条件で上記第１層上にＧａＮの第２層を気相成長させる窒化ガリウム単結晶の成長方法。」
が記載されており、これを、以下、「引用発明１０」という。
　
２　本件発明１と引用発明１０との対比
（１）本件発明１と引用発明１０とを対比すると、引用発明１０における「反応装置」、「第２層」、「ＮＨ３ガス」、「窒化ガリウム単結晶の成長方法。」は、それぞれ、本件発明１における「反応容器」、「窒化ガリウム系化合物半導体」、「アンモニアガス」及び「窒化ガリウム系化合物半導体の結晶成長方法。」に相当する。
（２）引用発明１０の「気相成長」と、本件発明１の「有機金属化合物気相成長法」とは、「気相成長」の点で同一である。
（３）引用発明１０の「第１層」と、本件発明１の「バッファ層」とは、基板の上に形成する「第１層」の点で同一である。
（４）引用発明１０の「ＧａＮ」は、本件発明１の「ＧａＸＡｌ１−ＸＮ（但しＸは０．５≦Ｘ≦１の範囲である。）」において、Ｘ＝１の場合である。
（５）引用発明１０の「ＮＨ３ガス」と「ＨＣｌガス」は、本件発明１の「反応ガス」と同一である。　
（６）引用発明１０の「まず、上部流導路にＡｒガス、下部流導路にＮＨ３ガスとＡｒガスを流し、サファイア基板を１０００℃に保ち、続けて」と、本件発明１０の「前記窒化ガリウム系化合物半導体を成長させる前に、基板上にアンモニアガスとＨ２ガスの混合ガスを供給し、その後」とは、「前記窒化ガリウム系化合物半導体を成長させる前に、基板上にアンモニアガスと他のガスとの混合ガスを供給し、その後」の点で同一である。
　
　よって、両者は、 
 「第１層の上に、気相成長法で反応容器内に反応ガスを供給して窒化ガリウム系化合物半導体の結晶を成長させる方法において、
　前記第１層と前記窒化ガリウム系化合物半導体の両方を気相成長法で成長させると共に、前記窒化ガリウム系化合物半導体を成長させる前記反応容器内において、前記窒化ガリウム系化合物半導体を成長させる前に、基板上にアンモニアガスと他のガスとの混合ガスを供給し、その後前記窒化ガリウム系化合物半導体の成長温度よりも低温で、一般式を、ＧａＸＡｌ１−ＸＮ（但しＸは０．５≦Ｘ≦１の範囲である。）とする前記第１層を、成長させ、続いて前記第１層よりも高い成長温度で、前記窒化ガリウム系化合物半導体を成長させると共に、前記第１層と前記窒化ガリウム系化合物半導体を成長させる前記基板に、サファイア基板を使用する窒化ガリウム系化合物半導体の結晶成長方法。」
である点で一致し、以下の点で相違する。 
 　 
（相違点１） 
　本件発明１では、「有機金属化合物気相成長法」を用いるのに対して、引用発明１０では、「有機金属化合物気相成長法」を用いることが記載されていない点。 
 　 
（相違点２） 
　本件発明１では、「基板上にアンモニアガスとＨ２ガスの混合ガスを供給」するのに対して、引用発明１０では、「ＮＨ３ガスとＡｒガス」を流す点。 
　
（相違点３）
　本件発明１では、「バッファ層」について「有機金属化合物気相成長法で成長させると共に」、「窒化ガリウム系化合物半導体の成長温度よりも低温で、バッファ層を、０．２μｍ以下の膜厚で成長させ、続いて前記バッファ層よりも高い成長温度で、前記窒化ガリウム系化合物半導体を成長させる」のに対して、引用発明１０では、「気相成長法で成長させると共に」、「窒化ガリウム系化合物半導体の成長温度よりも低温で、第１層を、０．５μｍ〜５μｍの膜厚で成長させ、続いて前記第１層よりも高い成長温度で、前記窒化ガリウム系化合物半導体を成長させる」点。
　
（相違点４）
　本件発明１では、「基板を回転させて前記窒化ガリウム系化合物半導体を成長させる」のに対して、引用発明１０では、その点が記載されていない点。
　
３　本件発明１と引用発明１０との相違点についての判断
（１）相違点１について　
　甲第１０号証に記載された従来技術として、（甲１０ウ）には、「一般にＧａＮはＧａ−ＨＣｌ−ＮＨ３系気相不均化法により基板上にヘテロ・エピタキシャル成長されている。」こと、そして、この場合、すなわちこの成長方法の場合に、「通例の温度範囲（８００〜１１５０℃）では高い基板温度で成長するほどキャリヤー濃度が低く、易動度の大きな電気特性の良いＧａＮが得られる。」との成長温度と電気特性との関係が説明されていること、また、（甲１０エ）に記載された引用発明１０の前提となる温度条件による成長の状況についても上記のＧａ−ＨＣｌ−ＮＨ３系気相不均化法を用いた場合であることは明らかである。
　そして、甲第１０号証に記載された実施例１、実施例２（（甲１０キ）、（甲１０ク））の何れも、Ｇａ−ＨＣｌ−ＮＨ３系気相不均化法を用いており、その他の記載も含め、甲第１０号証には「有機金属化合物気相成長法」を用いることは記載されていない。
　請求人の主張するように、甲第１０号証の特許請求の範囲の記載及び（甲１０ケ）には、確かに、「気相成長」という、「有機金属化合物気相成長法」の上位概念が記載されているものの、甲第１０号証全体の記載によれば、上記のように「Ｇａ−ＨＣｌ−ＮＨ３系気相不均化法」を用いた場合の成長条件における現象と課題及び実施例が記載されているのみであり、それとは異なる「有機金属化合物気相成長法」においても、同一の条件及び課題が生じるとの記載乃至は示唆はされておらず、また、一般に、成長方法が異なれば、各種条件における現象及び課題も異なるものである。
　また、請求人が提示した他の各甲号証を参照しても、「Ｇａ−ＨＣｌ−ＮＨ３系気相不均化法」を用いた場合の成長条件における現象と課題及びその課題解決手段が、それとは異なる「有機金属化合物気相成長法」においても、共通することは認められない。
　してみると、単に、甲第１０号証の特許請求の範囲の記載及び（甲１０ケ）に「気相成長」という、「有機金属化合物気相成長法」の上位概念が記載されているからといって、これを「有機金属化合物気相成長法」に変えることは困難と言わざるを得ない。
　
　したがって、上記相違点１に係る構成を、甲第１０号証に記載された発明、他の各甲号証に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に想到し得たものであるとすることはできない。
　
（２）相違点２について
　  請求人が「ＮＨ３ガスとＨ２ガスの混合ガス」自体が周知であることの証拠として提示した各甲号証は、全て有機金属化合物気相成長法によるものであり、上記「（１）相違点１について」の検討のように、引用発明１０における「気相成長」を「有機金属化合物気相成長法」に転用することができないのであるから、上記各証拠を引用発明１０における周知技術の証拠とすることはできない。
　また、「有機金属化合物気相成長法」及び「Ｇａ−ＨＣｌ−ＮＨ３系気相不均化法」の何れにおいても、全く同じキャリアガスを用いるとの必然性も見出せない。
　したがって、引用発明１０において、基板上に供給するガスを「ＮＨ３ガスとＡｒ」との混合ガスに変えて「ＮＨ３ガスとＨ２ガスの混合ガス」とすることを、甲第１０号証に記載された発明、他の各甲号証に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に想到し得たものであるとすることはできない。
　
（３）相違点３について
　ア　本件発明１では、「窒化ガリウム系化合物半導体の成長温度よりも低温で、バッファ層を、０．２μｍ以下の膜厚で成長させ、続いて前記バッファ層よりも高い成長温度で、前記窒化ガリウム系化合物半導体を成長させる」のに対して、引用発明１０には、そのような構成が特定されておらず、特に引用発明１０の「第１層」が「バッファ層」であることに関して、甲第１０号証には、直接的な記載はない。
　
　イ　本件発明１の構成に係る用語の解釈について
　請求人は、各甲号証の技術的内容を本件発明１と対比するにあたり、本件発明１の認定における請求項１に記載された用語の解釈について、口頭陳述要領書の１〜５頁において、概略以下の主張を行った。
　
　「リパーゼ事件の判示事項に基づき、発明の新規性及び進歩性の審理における発明の要旨認定においては、特段の事情がない限り、特許請求の範囲の記載に基づいてされるべきである。特許請求の範囲の記載の技術的意義が一義的に明確に理解することができないとか、あるいは、一見してその記載が誤記であることが明細書の発明の詳細な説明の記載に照らして明らかであるなどの特段の事情かある場合に限って、明細書の発明の詳細な説明の記載を参酌することが許されるにすぎない。
　仮に本件特許の請求項の記載内容が技術的に明瞭でないとすると、本件明細書の特許請求の範囲には特許を受けようとする発明の構成に欠くことができない事項のみが記載されているものとは認められず、甲第２５号証として提示した特許庁の審査基準によれば、旧特許法第３６条第５項第２号の類型として、一番目に「請求項の記載内容が技術的に明瞭でない場合」が記されており、このような場合は、同号違反の典型例であるといえる。
　請求人は、仮に請求項の記載から技術的意義が一義的に明確に理解することができない特段の事情かあるとするならば、それはむしろ、旧特許法第３６条第５項第２号違反という、新たな無効理由を認定するに等しいものと考える。
　 そして、「バッフア層」、「窒化ガリウム系化合物半導体の成長温度」、「成長温度よりも低温」及び「基板上にアンモニアガスとＨ２ガスの混合ガスを供給し、その後前記窒化ガリウム系化合物半導体の・・・前記バッファ層を成長させ」の何れについても、当業者の技術常識をもって請求項の記載を読めば、その技術的意義を一義的に明確に理解することができないとまではいえないと考え、リパーゼ事件における「特段の事情」に当たる事由はなく、明細書の発明の詳細な説明の記載を参酌して、「バッフア層」を一定の類型のものに限定して解するべきではない。」
　
　ところで、「バッファ層」との文言自体には、緩衝機能として、熱の伝達を和らげる物、衝突等の衝撃力を和らげる物、膨張係数の異なる部材間において完成品の使用時における熱応力の伝達を和らげる物、製造工程における残留応力を和らげる物、格子不整合に起因する結晶欠陥の伝搬を和らげる物等、種々の状態を緩衝しようとする種々の技術的意義を有するものを含み得るが、当該発明において、何を緩衝しバッファとしての機能を有するのかについて、特定の技術的意義を解釈せずに、その文言を単に「緩衝」する「層」として捉えれば、これは技術的にみて多義的な作用を有するものとなってしまい、明細書中に記載された発明とは異なる発明をも認定することとなる。
　したがって、「バッファ層」との文言自体は、技術的意義が一義的なものではなく、個々の発明において、技術分野に応じた理解が必要であることは明らかである。
　そして、技術分野に応じた理解をし、用語の意義を解釈しようとすれば、請求項に記載された他の構成に加えて、発明の詳細な説明の記載や図面を参酌すべきことは当然である。
　そして、請求項に記載されていない事項は、明細書の記載と異なる或いは矛盾した事項であっても、自由に解釈し得るのだとすれば、これは明細書に開示されていない発明を自由に許容することとなり、むしろ請求人がいう旧特許法における第３６条第５項第１号の規定に反する行為となることは明らかである。
　また、これを防ぐために、発明の詳細な説明に記載された技術的な事項である、発明の目的、構成及び効果を全て請求項に記載しなければならないとすれば、旧特許法第３６条第４項「前項第三号の発明の詳細な説明には、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に実施する事ができる程度に、その発明の目的、構成及び効果を記載しなければ成らない。」との規定の意義が判然としなくなってしまう。当該条文があるからこそ、請求項の記載において、必ずしも、その発明の目的、構成及び効果の全てを記載しなくとも良いことは明らかである。
　そして、請求項に記載された用語の技術的意義が一義的に明確に理解することができなければ、必ず、旧特許法第３６条第５項第２号「特許を受けようとする発明の構成に欠くことが出来ない事項のみを記載した項に区分してあること。」に違反するものでもない。
　
　そこで、訂正された請求項１に記載された各構成について確認してみる。
　本件発明１における「バッファ層」は、その請求項１において少なくとも「一般式を、ＧａＸＡｌ１−ＸＮ（但しＸは０．５≦Ｘ≦１の範囲である。）とする」層であって、「有機金属化合物気相成長法で成長させる」ものであり、且つ「基板上」に「窒化ガリウム系化合物半導体の成長温度よりも低温で」、「０．２μｍ以下の膜厚で成長させ」るものであるから、例えば、スパッタ法、Ｇａ−ＨＣｌ−ＮＨ３系気相不均化法、ＭＢＥ法等、「有機金属化合物気相成長法」以外の成長方法により成長された「バッファ層」でないことは明らかであり、その他任意のバッファ層全てを含むと解釈することはできない。
　そして、本件発明１の「バッファ層」は、「有機金属化合物気相成長法で成長させる」ものであり、且つ「基板上」に「窒化ガリウム系化合物半導体の成長温度よりも低温で」成長させるものであり、「窒化ガリウム系化合物半導体」は、「バッファ層」の上に成長させる単結晶から成るものであることは明らかであるから、「窒化ガリウム系化合物半導体の成長温度」は、単結晶を成長させる温度であることも明らかである。
　してみると、本件発明１の「バッファ層」は、少なくとも「有機金属化合物気相成長法で基板上に単結晶からなる窒化ガリウム系化合物半導体の成長温度よりも低温で成長させるもの」である。
　
　加えて、本件訂正明細書には、上記「第５　２（３）」に記載のように、本件発明１の「バッファ層」について、「多結晶状態の層であって、その上に、窒化ガリウム系化合物半導体を結晶成長させることで、多結晶バッファ層を部分的に単結晶化して種結晶とし、この種結晶に窒化ガリウム系化合物半導体のエピタキシャル層が理想的な状態で結晶成長させるものであり、従来のバッファ層である多結晶からなるＡｌＮ層上にＧａＮを成長させることによって、ＧａＮ半導体層の結晶性および表面モフォロジーを改善する機能と同様の機能を有するもの」以外の説明はなされていないことから、上記「有機金属化合物気相成長法で基板上に単結晶からなる窒化ガリウム系化合物半導体の成長温度よりも低温で成長させるもの」における「低温」は、その技術的意義を踏まえれば、少なくとも「有機金属化合物気相成長法で単結晶」を成長させる温度よりも低い成長温度であることも明らかである。
。
　なお、低温で成長されたＡｌＮバッファ層が多結晶構造を有する従来例としては、本件訂正明細書【００１４】に記載の文献以外にも、例えば、甲第１３号証等が有り、（甲１３ア）には、「ＡｌｘＧａ１−ｘＮとα−Ａｌ２Ｏ３との大きな格子定数差・・・および熱膨張係数差・・・のために良質のエピタキシャル膜を得ることは難しい。この問題点を克服する一つの方法は成長層と基板との間にバッファ層を導入することである。・・・低温成長させたＡｌＮバッファ層を介することにより、ＡｌｘＧａ１−ｘＮ膜の結晶性が著しく改善されることを示」し、その理由として、（甲１３ウ）に「８００℃で成長させたＡｌＮバッファ層の・・・が多結晶構造であることを示している。」とし、更に、（甲１３エ）に、「低温（８００℃）で成長させたＡｌＮバッファ層はＡｌｘＧａ１−ｘＮ成長時の温度（〜１０００℃、ＡｌＮバッファ層堆積温度より高い）で再結晶化し、マクロに見てｃ軸がサファイヤのｃ面に対し配向するようになる。」と説明されている。
　
　したがって、上記のように、訂正された請求項１に記載された一部の用語及び構成に必ずしも一義的に明確には解釈し得ない構成があるものの、本件訂正明細書全体の記載を参酌すれば、その技術的意義は十分明確というべきであるから、旧特許法第３６条第５項第２号違反として、無効とすべきまでもない。
　
　ウ　本件発明１における「バッファ層」について
　「バッファ層」自体は、上記「イ」のように、少なくとも「一般式を、ＧａＸＡｌ１−ＸＮ（但しＸは０．５≦Ｘ≦１の範囲である。）とする」層であって、「有機金属化合物気相成長法で成長させる」ものであり、且つ「基板上」に「窒化ガリウム系化合物半導体の成長温度よりも低温で」、「０．２μｍ以下の膜厚で成長させ」るものであり、「有機金属化合物気相成長法で基板上に単結晶からなる窒化ガリウム系化合物半導体の成長温度よりも低温で成長させるもの」であり、当該「低温」は、「有機金属化合物気相成長法で単結晶」を成長させる温度よりも低い成長温度である。
　
　エ　甲第１０号証における「第１層」について
（ア）　請求人の主張
　甲第１０号証には、「バッファ層」との直接的な記載はないが、請求人は、甲第１０号証には「窒化ガリウム（ＧａＮ）の付着性の良い膜状結晶である第１層は、高温で成長させた電気特性が良いＧａＮはサファイア基板上に均一に成長しがたいという問題を解決し、電気特性が良い均質な膜状ＧａＮを得ることを目的としたバッファ層であることが開示されている。」と主張している。
　
（イ）　甲第１０号証の「第１層」に係る記載
　ａ　上記「３（１）」で検討したように、甲第１０号証全体の記載によれば、成長法自体は、「Ｇａ−ＨＣｌ−ＮＨ３系気相不均化法」を用いたものであり、「有機金属化合物気相成長法」を含みうるものではない。
　ｂ　甲第１０号証で得ようとしている「第１層」及び「第２層」は、共に、その特許請求の範囲に記載されているように単結晶であるから、ＧａＮの成長におけるＧａ−ＨＣｌ−ＮＨ３系気相不均化法による通例の温度範囲（８００〜１１５０℃）とは、単結晶を得るための温度範囲である。
　ｃ　上記「ｂ」のように「第１層」及び「第２層」共に単結晶であり、（甲１０エ）には、「９００℃で成長したＧａＮは、キャリヤー濃度が約１×１０２０ｃｍ−３・・・、１１００℃で成長したものはキャリヤー濃度が約５×１０１８ｃｍ−３・・・の電気特性を示した。ところが、１０００℃以下の低温で成長したＧａＮはサファイア基板上一面に膜状に成長するのに反し、１０００℃をこえる高温で成長させるとＧａＮは膜状に成長せず基板上に粒状または島状に成長することが多い。」と記載されているから、「第１層」は、単結晶を得るための「通例の温度範囲（８００〜１１５０℃）」である、１０００℃以下の９００℃では、１０００℃をこえる１１００℃よりも電気特性が悪いが、サファイア基板上一面に膜状に成長するものである。
　ｄ　（甲１０カ）には、「この問題点は構成原子、格子定数の異なるサファイア上にＧａＮをヘテロ・エピタキシャル成長させることに起因する。」と、問題の原因を指摘し、その解決手段として「サファイア１上にまず、良好な電気特性は期待できないが付着性の良い膜状結晶が得られる条件１０００℃以下の温度、望ましくは８００〜１０００℃においてＧａＮを例えば、０．５μｍ〜５μｍの厚みで成長させこれを第１層２とする。つぎに基板温度を１０００℃をこえる範囲、望ましくは１０５０〜１１５０℃の範囲に上昇させ、電気特性の良い結晶が得られる条件でＧａＮの第２層３を第１層上にあらためて成長させる。」ことが記載されており、第１層である膜状結晶の成長温度範囲である８００〜１０００℃は、単結晶を得るための「通例の温度範囲（８００〜１１５０℃）」のものである。
　なお、「１０００℃以下の温度、望ましくは８００〜１０００℃」との記載において、上記「ｂ」、「ｃ」の記載からは、通例の温度範囲、すなわち単結晶を成長させる温度よりも低い温度で成長させることについては、想定されていないものであり、また、実施例の記載も１０００℃におけるものが記載されているのみであるから、８００℃よりも低い温度で単結晶以外の層を成長させることを示唆しているとは言えない。
　
　してみると、甲第１０号証の「第１層」は、１０００℃以上の成長温度では、電気特性が良いが基板上に均一に成長しがたいという、構成原子、格子定数の異なるサファイア上にＧａＮをヘテロ・エピタキシャル成長させることに起因する問題点を解決するために、ＧａＮからなる第２層の１０００℃以上の成長温度よりも低温である１０００℃以下の温度で、ＧａＮの膜状結晶を成長させたものであるから、一種の「バッファ」機能を備えたものと言えなくもないが、甲第１０号証の「第１層」は、「有機金属化合物気相成長法」による成長法ではない「Ｇａ−ＨＣｌ−ＮＨ３系気相不均化法」により成長されるものであり、また、第２層の成長温度よりも低温の成長温度ではあるが、この低温は、単結晶を得るための「通例の温度範囲（８００〜１１５０℃）」での成長温度である。そして、膜厚については、０．５〜５μｍが例示されており、これに限定すべき直接の記載はないが、その上方の第２層が均質な膜状結晶となり得るためには、どの程度まで「第１層」としての均一な膜状結晶を、薄くできるのか不明である。
　したがって、甲第１０号証に記載された発明、他の各甲号証に記載された発明及び周知事項によって、本件発明１の「有機金属化合物気相成長法で成長させると共に」、「窒化ガリウム系化合物半導体の成長温度よりも低温で、バッファ層を、０．２μｍ以下の膜厚で成長させ、続いて前記バッファ層よりも高い成長温度で、前記窒化ガリウム系化合物半導体を成長させる」との構成を容易に想到し得たものとはいえない。
　
（４）　相違点４について
　ア　化学気相成長（ＣＶＤ）において、基板への膜形成を均一に成長させるために、基板を回転させるは、甲第１１号証、甲第２０号証、甲第２１号証及び乙第５号証の１に記載されているように周知の技術事項にすぎないことは、上記「第７　３（４）」に記載したとおりである。　
　また、引用発明１０においても、実際にＧａＮ膜形成する際には、膜成長の均一性を向上させたいとの課題は必然的に生じるものである。
　そして、本件発明１における「基板を回転させること」の技術的意義についても、訂正明細書の実施例中において、単に、均一に成長させるとの周知の目的が記載されているのみであり、従来知られていた均一性を向上させるために基板を回転させることによる効果からみて、格別な点も見出せない。
　したがって、上記周知技術を採用し、「基板を回転させて、ＧａＮ膜を成長」させようとすることは当業者ならば容易に想到し得たことである。
　
（５）　したがって、上記相違点１〜４の検討によれば、本件発明１は、甲第１０号証に記載された発明、各甲号証に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることはできない。
　
４　本件発明２〜４について 
（１）本件発明２は、上記「第７　４　（１）」に記載したとおりのものである。
　そうすると、上記「３　本件発明１と引用発明１０との相違点についての判断」のように、本件発明１が、甲第１０号証に記載された発明、各甲号証に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることはできないのであるから、本件発明１の構成要件を全て含み、上記事項を単に明確にしたものに相当する本件発明２もまた、甲第１０号証に記載された発明、各甲号証に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることはできない。
　
（２）本件発明３は、上記「第７　４　（２）」に記載したとおりのものである。
　そうすると、上記「３　本件発明１と引用発明１０との相違点についての判断」のように、本件発明１が、甲第１０号証に記載された発明、各甲号証に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることはできないのであるから、本件発明１の構成要件を全て含み、更に他の構成要件を含む本件発明３もまた、甲第１０号証に記載された発明、各甲号証に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることはできない。
　
（３）本件発明４は、上記「第７　４　（３）」に記載したとおりのものである。
　そして、「３　本件発明１と引用発明１０との相違点についての判断」のように、本件発明１が、甲第１０号証、各甲号証に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることはできないのであるから、本件発明１の構成要件を全て含み、更に他の構成要件を含む本件発明４もまた、甲第１０号証に記載された発明、各甲号証に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることはできない。
　
５　請求人の主張
　請求人は、本願発明の認定における請求項に記載された用語の解釈について、口頭陳述要領書の１〜５頁において、リパーゼ判決及び旧特許法の審査基準に基づいて、概略「本件発明１には、特段の事情がないから、特許請求の範囲の記載に基づいてされるべきである。仮に請求項の記載から技術的意義が一義的に明確に理解することができない特段の事情かあるとするならば、それはむしろ、旧特許法第３６条第５項第２号違反という、新たな無効理由を認定するに等しいものと考える。」と主張しているが、「バッフア層」、「窒化ガリウム系化合物半導体の成長温度」、「成長温度よりも低温」については、上記「第８　３（３）イ」で検討したように、訂正された請求項１に記載された一部の用語及び構成に必ずしも一義的に明確には解釈し得ない構成があるものの、本件訂正明細書全体の記載を参酌すれば、その技術的意義は明確であるから、旧特許法第３６条第５項第２号違反として、無効とすべきまでもないものである。
　
　また、「基板上にアンモニアガスとＨ２ガスの混合ガスを供給し、その後前記窒化ガリウム系化合物半導体の・・・前記バッファ層を成長させ」の解釈は、上記「第７　３（４）エ」で判断したとおりであり、請求人の主張しているような解釈、即ち、請求項に記載されていない事項を、発明の詳細な説明に記載された範囲と矛盾或いはそれを超えて、これを解釈することはできないものである。
　
　上記のように、訂正された請求項１に記載された一部の用語及び構成に必ずしも一義的に明確には解釈し得ない構成があるものの、本件訂正明細書全体の記載を参酌すれば、その技術的意義は明確であるから、旧特許法第３６条第５項第２号違反として、無効とすべきまでもなく、請求人の上記主張を参酌したとしても、上記「第７」及び「第８」における各無効の理由の判断を変える理由はない。
　
第９　むすび 
 　以上のとおりであるから、請求人の主張及び証拠方法によっては、本件訂正請求によって訂正された請求項１〜４に係る発明の特許を無効とすることはできない。
 　審判に関する費用については、特許法１６９条第２項の規定で準用する民事訴訟法第６１条の規定により、請求人が負担すべきものである。 
 　よって、結論の通り審決する。