【事件の表示】
　特願２００３−３３４７６０「集積回路用のシリコンリッチ低熱収支窒化ケイ素」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　４月２２日出願公開、特開２００４−１２８５００〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯・本願発明
　本願は、平成１５年　９月２６日（パリ条約による優先権主張　２００２年　９月３０日、米国）の出願であって、平成２２年　４月１５日付けで拒絶査定され、これを不服として平成２２年　８月１９日付け（受付日）で拒絶査定不服審判が請求されると共に手続補正書が提出されたが、当審によって平成２４年　２月　７日付けで拒絶理由が通知され、平成２４年　８月　８日付け（受付日）で意見書及び手続補正書が提出されたものである。
　
　本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成２４年　８月　８日付けの手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、次のとおりのものである。
　
　「【請求項１】
　ポリシリコン・ゲートを含むゲート構造と、前記ゲート構造に隣接して形成された少なくとも一つの窒化ケイ素スペーサとを有する半導体ＭＯＳトランジスタを備え、
　前記窒化ケイ素スペーサが、窒素−水素結合のＮ−Ｈ濃度の少なくとも１．５倍であるケイ素−水素結合のＳｉ−Ｈ濃度を有することを特徴とするＳｉＮ材料で形成され、前記ポリシリコン・ゲートはドーパント不純物としてホウ素を含み、
　前記トランジスタの他の領域へ前記ポリシリコンゲートからの前記ホウ素の拡散が低減される
ことを特徴とする半導体製品。」
　
　
２　当審拒絶理由通知の概要と刊行物及びその摘記事項
（１）当審の拒絶の理由の概要は以下のとおり。　
　「窒化シリコン膜成膜後の各種熱処理工程において、ホウ素の拡散が促進されること、それは、窒化シリコンに含まれていた水素が放出されたことに原因があることが、刊行物１・・・に記載されているように周知の事項である。・・・ ホウ素の拡散防止のためには、熱処理による窒化シリコン膜中からの水素放出を防げればよいのであり、刊行物３においても、窒化膜等のシリコン系絶縁膜におけるＮ−Ｈ結合の数をＳｉ−Ｈ結合の数の０〜２０％とすれば、水素発生が抑制されるのであるから、刊行物１・・・に記載された周知技術に、刊行物３に記載されている・・・窒化シリコン膜から水素を放出させないようにするためにＮ−Ｈ結合の数をＳｉ−Ｈ結合の数の０〜２０％とする技術手段を採用することは、当業者ならば容易に想到し得たものである。」から、本願の請求項１〜９に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないとしたものである。
　また、
　「ア　請求項１及び請求項４において、単に少なくとも１．５倍との記載では、Ｓｉ−Ｈ濃度、Ｎ−Ｈ濃度の何れもが、或いは、Ｓｉ−Ｈ濃度のみが、１０２４原子／ｃｍ３と言うような極端に高い場合をも含む・・・が、そのような発明は、発明の詳細な説明に記載されていない。
イ　・・・発明の詳細な説明中の記載を見ても、少なくとも１．５倍とすることの具体的な裏付け（根拠）が不明である。したがって、請求項１、４に係る発明において、Ｓｉ−Ｈ濃度がＮ−Ｈ濃度の少なくとも１．５倍とすることのみにより、「ホウ素突抜け、ホウ素ドープ・ポリ空乏化、或いは他のそのような望ましくない装置作用」を低減するとの課題を解決することの根拠が、発明の詳細な説明には、説明されていないのであるから、請求項１・・・に係る発明は、発明の詳細な説明に記載された発明ではない。」から、・・・特許請求の範囲・・・の記載が下記の点で不備のため、特許法第３６条・・・第６項第１号・・・に規定する要件を満たしていないとしたものである。
　
（２）上記当審拒絶理由通知で引用した刊行物１である特開２０００−１２８５６号公報（以下、「引用刊行物１」という。）には、「ＭＯＳトランジスタの製造方法」（発明の名称）の発明に関して、下記の事項が記載されている。（下線は当審で引いたもの。）
（刊１ア）「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はＭＯＳトランジスタの製造方法に関し、特に基板上において
ｐ型ＭＯＳトランジスタ（ＰＭＯＳ）のｐ型ゲート電極と窒化シリコン膜が共存する場合にも、該ｐ型ゲート電極からのホウ素（Ｂ）の拡散やゲート酸化膜突抜けを効果的に抑制できる方法
　
（刊１イ）「【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、
シリコン膜中に導入されたホウ素は、後工程において基体が高温条件に曝されると拡散を起こし易いという問題があり、ゲート酸化膜中に取り込まれたり、場合によってはゲート酸化膜を突き抜けて基板（Ｓｉ）にまで到達する
【０００８】しかも、かかる
ホウ素の拡散は、窒化シリコン膜を成膜した場合に促進されることが知られている
　
（刊１ウ）「【００１１】・・・
ｐ型ポリシリコン膜の存在する基板上に窒化シリコン膜を形成した場合、基板が成膜中、およびその後工程で高温条件に曝されることにより、ホウ素の拡散が促進され、ゲート酸化膜を突き抜け易くなっている
【００１２】・・・一般に窒化シリコン膜は、・・・により成膜されるが、この時の反応で大量に発生する
水素が必然的に膜中に取り込まれる。実はこの水素が、ホウ素の増速拡散の原因である
水素を含まない窒化シリコン膜を成膜することは極めて難しく
【００１３】
ホウ素の拡散を抑制する上で有効と考えられる方法は、熱処理温度の低下
前者ではイオン注入やドライエッチングで生じた結晶欠陥の回復が不十分となるためリーク電流の増大を招く虞れがあり
　
（刊１エ）「【００２０】本発明における
窒化シリコン膜は、いかなる方法で成膜しても構わない
　
（刊１オ）「【００３９】実施例３
ここでは、ＳＡＬＩＣＩＤＥプロセスを利用したデュアル・ゲート型ＣＭＯＳの製造に本発明を適用したプロセス例について、・・・説明する。図１０は、・・・
ポリシリコン膜をパターニングしてＰＭＯＳ形成領域にゲート電極２１・・・をそれぞれ形成
【００４０】上記ゲート電極２１，２２は、たとえばＳｉＨ４ガスを用いた減圧ＣＶＤ法により、５８０〜６２０℃にてポリシリコン膜を１５０〜３００ｎｍの厚さに堆積させた後、・・・この膜をパターニングして得られたものである。・・・
【００４２】次に、図１２に示されるように、基体の全面に
サイドウォール形成用の窒化シリコン膜２６を成膜
窒化シリコン膜２６を異方的にエッチバックし、ゲート電極２１，２２の側壁面上にサイドウォール２６ｓを形成した
【００４３】次に、
ＰＭＯＳ形成領域にはＢＦ
２
＋
 、・・・をそれぞれイオン注入する
このイオン注入の際には、ゲート電極２１，２２にも同時にイオンが注入されるため、ＰＭＯＳ部のゲート電極２１の導電型はｐ型、・・・となる
ゲート電極２１中のホウ素の増速拡散は生じなかった
　
　上記摘記事項（刊１ア）、（刊１オ）を整理すると、引用刊行物１には、
　「ポリシリコン膜をパターニングしてＰＭＯＳ形成領域に形成したゲート電極２１と、窒化シリコン膜２６を異方的にエッチバックし、ゲート電極２１の側壁面上に形成したサイドウォール２６ｓとを有するＰＭＯＳ（ｐ型ＭＯＳトランジスタ）を備え、
　ＰＭＯＳ形成領域にＢＦ２＋ をイオン注入する際に、同時にイオンが注入されるために、ＰＭＯＳ部のゲート電極２１の導電型はｐ型となり、
　ゲート電極２１中のホウ素の増速拡散を生じさせない
　デュアル・ゲート型ＣＭＯＳ」
に関する発明（以下、「刊行物１発明」という。）が記載されている。
　
（３）上記当審拒絶理由通知で引用した刊行物３である特開昭６３−２０９１３０号公報（以下、「引用刊行物２」という。）には、「半導体装置」（発明の名称）の発明に関して、下記の事項が記載されている。
（刊２ア）「〔問題点を解決するための手段〕
　本発明の半導体装置は、アルミニウム配線を有する半導体装置であって、前記アルミニウム配線は、プラズマ化学的気相成長法により形成され、かつＮ−Ｈ結合の数がＳｉ−Ｈ結合の数の０〜２０％であるシリコン系絶縁膜で覆われているものである。
　
プラズマ窒化膜中には
Ｎ−Ｈ結合とＳｉ−Ｈ結合の形で水素がふくまれている
Ｎ−Ｈ結合はＳｉ−Ｈ結合に比較して熱処理によって分解しやすく、通常のＩＣのプロセス中に熱処理によって発生する水素は、Ｎ−Ｈ結合の分解によるものである
　第４図はプラズマ窒化膜中のＳｉ−Ｈ結合及びＮ−Ｈ結合とアンモニア（ＮＨ３）ガスに対するシラン（ＳｉＨ４）ガスの流量比との関連図である。
　第４図から
Ｎ−Ｈ結合を減らしてＳｉ−Ｈ結合を増やすには反応に用いるアンモニアガスに対するシランガスの流量比を増してやれば良いことがわかる
Ｎ−Ｈ結合から離脱した水素はＳｉ−Ｈ結合を増加させていることもわかる
　
このような時性をプラズマ窒化膜が有していることはこれまでにも知られていた。
　
（刊２イ）「次にプ
ラズマ窒化膜４を３００℃、トータル圧力０．３Ｔｏｒｒ　ＳｉＨ
４
ガス流量１５０ＳＣＣＭ、ＮＨ
３
ガス流量３００ＳＣＣＭ、Ｎ
２
ガス流量１５００ＳＣＣＭの条件で約１．０μｍの厚さに形成
　この
プラズマ窒化膜４中のＮ−Ｈ結合の数は１．７×１０
２１
個／ｃｍ
３
であり、またＳｉ−Ｈ結合の数は、９．３×１０
２１
個／ｃｍ
３
で、Ｎ−Ｈ結合数はＳｉ−Ｈ結合数の約１８％
　このように構成された第１の実施例においては、上記４５０℃３０分間の熱処理によっても窒化膜のふくれやアルミニウム消失の不良は発生しなかった。
　また、ＳｉＨ４ガス流量１５０ＳＣＣＭでＮＨ３ガス流量を１１００ＳＣＣＭに増やした条件で厚さ約１．０μｍのプラズマ窒化膜を形成すると、プラズマ窒化膜中のＮ−Ｈ結合とＳｉ−Ｈ結合の数は３．２×１０２１個／ｃｍ３及び１．１×１０２２個／ｃｍ３となり、Ｓｉ−Ｈ結合数に対するＮ−Ｈ結合数の割合は約２９％に増加する。」（２頁左下欄１９行〜右下欄２０行）
　
（刊２ウ）「ＮＨ３ガス流量に対しＳｉＨ４ガス流量を増やし、Ｎ−Ｈ結合の数をＳｉ−Ｈ結合の数の２０％以下にするとプラズマ窒化膜ふくれやアルミニウム消失の不良は発生しなかった。
　この理由は
熱処理によって分解したＮ−Ｈ結合のＨはあまっているＳｉにとらえられＳｉ−Ｈ結合を作るために消費される。このため、プラズマ窒化膜から外へ水素が離脱しない
　
　
３　特許法第２９条第２項に関する当審の判断
（１）本願発明と刊行物１発明との対比
　ア　刊行物１発明の「ポリシリコン膜をパターニングしてＰＭＯＳ形成領域に形成したゲート電極２１」は、本願発明の「ポリシリコン・ゲートを含むゲート構造」に相当し、同様に、「ゲート電極２１の側壁面上に形成」は、「ゲート構造に隣接して形成」に、「窒化シリコン膜２６」は、「窒化ケイ素」に、「サイドウォール２６ｓ」は、「スペーサ」に、「ＰＭＯＳ（ｐ型ＭＯＳトランジスタ）」は、「半導体ＭＯＳトランジスタ」に、そして、「デュアル・ゲート型ＣＭＯＳ」は、「半導体製品」にそれぞれ相当する。
　
　イ　刊行物１発明の「サイドウォール２６ｓ」は、窒化シリコン膜２６を異方的にエッチバックしてゲート電極２１の側壁面上に形成したものであるから、本願発明の「窒化ケイ素スペーサ」に相当し、また、窒化シリコン膜の材料は、ＳｉＮ材料であることは明らかであり、その成膜時に水素が膜中に取り込まれてしまうものであることから、刊行物１発明の窒化シリコン膜からなる「サイドウォール２６ｓ」と、本願発明の「窒化ケイ素スペーサが、窒素−水素結合のＮ−Ｈ濃度の少なくとも１．５倍であるケイ素−水素結合のＳｉ−Ｈ濃度を有することを特徴とするＳｉＮ材料で形成され」とは、「窒化ケイ素スペーサが、水素が取り込まれたＳｉＮ材料で形成され」ている点で一致する。
　
　ウ　刊行物１発明の「ＰＭＯＳ形成領域にＢＦ２＋ をイオン注入する際に、同時にイオンが注入されるために、ＰＭＯＳ部のゲート電極２１の導電型はｐ型となり、」は、ポリシリコン膜をパターニングして形成したゲート電極２１にＢＦ２＋ がイオン注入されて、ｐ型となるのであるから、当該ゲート電極２１は、ドーパント不純物としてＢＦ２＋ 由来のホウ素を含んでいることは明らかである。
　したがって、刊行物１発明の「ＰＭＯＳ形成領域にＢＦ２＋ をイオン注入する際に、同時にイオンが注入されるために、ＰＭＯＳ部のゲート電極２１の導電型はｐ型となり、」は、本願発明の「ポリシリコン・ゲートはドーパント不純物としてホウ素を含み、」に相当する。
　
　エ　刊行物１発明の「ゲート電極２１中のホウ素の増速拡散を生じさせない」は、引用刊行物1の摘記事項（刊１ア）〜（刊１ウ）に記載のように、ホウ素が、ＰＭＯＳトランジスタを形成しているポリシリコン製のゲート電極中からゲート酸化膜中に取り込まれたり、場合によってはゲート酸化膜を突き抜けて基板（Ｓｉ）にまで到達するような、ＰＭＯＳトランジスタのゲート電極以外の他の構成部材へのホウ素の増速拡散を生じさせないようにすることであるから、本願発明の「前記トランジスタの他の領域へ前記ポリシリコンゲートからの前記ホウ素の拡散が低減される」に相当する。
　
　そうすると、両者は、
「ポリシリコン・ゲートを含むゲート構造と、前記ゲート構造に隣接して形成された少なくとも一つの窒化ケイ素スペーサとを有する半導体ＭＯＳトランジスタを備え、
　前記窒化ケイ素スペーサが、水素が取り込まれたＳｉＮ材料で形成され、前記ポリシリコン・ゲートはドーパント不純物としてホウ素を含み、
　前記トランジスタの他の領域へ前記ポリシリコンゲートからの前記ホウ素の拡散が低減される
半導体製品。」
の点で一致するものの、次の点で相違する。
　
　相違点１
　本願発明では、「前記窒化ケイ素スペーサが、窒素−水素結合のＮ−Ｈ濃度の少なくとも１．５倍であるケイ素−水素結合のＳｉ−Ｈ濃度を有することを特徴とするＳｉＮ材料で形成され、」ているのに対して、刊行物１発明では、取り込まれている水素について、具体的な構成が特定されていない点で相違する。
　
　相違点２
　「トランジスタの他の領域へ前記ポリシリコンゲートからの前記ホウ素の拡散が低減される」のは、本願発明では、「前記窒化ケイ素スペーサが、窒素−水素結合のＮ−Ｈ濃度の少なくとも１．５倍であるケイ素−水素結合のＳｉ−Ｈ濃度を有することを特徴とするＳｉＮ材料で形成され、」ていることによるものであるに対して、刊行物１発明では、熱処理を所定の温度範囲内で行うことによる点で相違する。
　
（２）相違点についての判断
　上記相違点２は、相違点１の構成を採用することによる本願発明の効果を特定した構成にかかわるものであり、相違点１と関連する事項であるので、以下まとめて検討する。
　引用刊行物１の摘記事項（刊１ア）〜（刊１ウ）には、ｐ型ＭＯＳトランジスタ（ＰＭＯＳ）のｐ型ゲート電極と窒化シリコン膜が共存する場合、該ｐ型ゲート電極としてのポリシリコン膜中に導入されたホウ素は、後工程において基体が高温条件に曝されると拡散を起こし易いという問題があり、ゲート酸化膜中に取り込まれたり、場合によってはゲート酸化膜を突き抜けて基板（Ｓｉ）にまで到達する事がある旨、及び、当該ホウ素の拡散は、窒化シリコン膜の成膜時に窒化シリコン膜中に取り込まれた水素が原因であることが説明されている。
　また、ホウ素の拡散を抑制する方法として、熱処理温度を低下させることが挙げられているが、熱処理温度を低下させることにより、イオン注入やドライエッチングで生じた結晶欠陥の回復が不十分となるためリーク電流の増大を招く虞れがある旨説明されている。これは、ホウ素の拡散を抑制するために熱処理温度を低下させるとしても、半導体装置としての機能を損なわない程度に低下させる事、或いはできる限り熱処理温度を下げたくないとの示唆がなされているものである。
　
　一方、窒化シリコン膜の成膜時に取り込まれる水素は、Ｎ−Ｈ結合とＳｉ−Ｈ結合の形で取り込まれてしまうことが周知であり、Ｎ−Ｈ結合はＳｉ−Ｈ結合に比較して熱処理によって分解しやすく、通常のＩＣのプロセス中に熱処理によって発生する水素は、Ｎ−Ｈ結合の分解によるものであることが、引用刊行物２の摘記事項（刊２ア）に記載されている。これは、Ｎ−Ｈ結合の割合をできる限り小さくすれば、通常のＩＣのプロセス中に熱処理によって発生する水素を少なくすることが可能であることを示唆するものである。
　また、窒化シリコン膜中のＮ−Ｈ結合の割合を減らす方法として、引用刊行物２の摘記事項（刊２ア）には、プラズマ窒化膜の成膜において、反応に用いるアンモニアガスに対するシランガスの流量比を増すことで、Ｎ−Ｈ結合を減らしてＳｉ−Ｈ結合を増やす事ができることが、第４図と共に説明されており、摘記事項（刊２イ）には、ＳｉＨ４ガス流量１５０ＳＣＣＭ、ＮＨ３ガス流量３００ＳＣＣＭ、Ｎ２ガス流量１５００ＳＣＣＭの条件で、Ｎ−Ｈ結合数はＳｉ−Ｈ結合数の約１８％となること、即ち、ガスの割合を調節することで、Ｎ−Ｈ結合数の約４．６倍のＳｉ−Ｈ結合数となることが記載されている。
 　 
　ところで、本願発明の「前記窒化ケイ素スペーサが、窒素−水素結合のＮ−Ｈ濃度の少なくとも１．５倍であるケイ素−水素結合のＳｉ−Ｈ濃度を有することを特徴とするＳｉＮ材料で形成され」との発明特定事項は、Ｓｉ−Ｈ濃度が、Ｎ−Ｈ濃度の少なくとも１．５倍よりも大きければよいと言うことであり、Ｎ−Ｈ濃度及びＳｉ−Ｈ濃度自体に関わりなく、Ｓｉ−Ｈ濃度がＮ−Ｈ濃度の１．５倍以上或いは、大半がＳｉ−Ｈ濃度となることを意味しているものである。
　
　してみると、刊行物１発明において、ホウ素の拡散を抑制するに際して、成膜の後の工程において、熱処理温度を低下させるとしても、可能な限り熱処理温度を低くしたくないことは上記したとおりであり、また、窒化シリコン膜の成膜方法についても、摘記事項（刊１エ）に記載されているように特定の成膜方法に限定されるものではなく、いかなる方法で成膜しても構わないものであるから、引用刊行物２に記載されているように、通常のＩＣのプロセス中に熱処理によって発生する水素を少なくして、可能な限りホウ素の拡散を抑制しようとして、Ｓｉ−Ｈ結合に比較して熱処理によって分解しやすいＮ−Ｈ結合を可能な限り減らし、より熱処理による分解がしにくいＳｉ−Ｈ結合の割合を増やして、「窒素−水素結合のＮ−Ｈ濃度の少なくとも１．５倍であるケイ素−水素結合のＳｉ−Ｈ濃度」とすることは当業者ならば容易に想到し得たものである。
　
　また、本願発明の「窒素−水素結合のＮ−Ｈ濃度の少なくとも１．５倍であるケイ素−水素結合のＳｉ−Ｈ濃度」との構成を採用することによるホウ素の拡散の抑制の効果について、格別な効果は認められない。
　
　
４　特許法第３６条第６項第１号に関する当審の判断
　本願発明の「前記窒化ケイ素スペーサが、窒素−水素結合のＮ−Ｈ濃度の少なくとも１．５倍であるケイ素−水素結合のＳｉ−Ｈ濃度を有することを特徴とするＳｉＮ材料で形成され」との発明特定事項は、その上限が特定されておらず、また、Ｓｉ−Ｈ濃度、Ｎ−Ｈ濃度の何れも特定されておらず、Ｓｉ−Ｈ濃度とＮ−Ｈ濃度との割合のみが規定されているものでのある。
　即ち、Ｓｉ−Ｈ濃度のみ、或いは、Ｓｉ−Ｈ濃度、Ｎ−Ｈ濃度の何れもが、１０２４原子／ｃｍ３と言うような極端に高い場合、例えば、Ｓｉ−Ｈ濃度が１．５×１０２４原子／ｃｍ３で、Ｎ−Ｈ濃度が１×１０２４原子／ｃｍ３ といったように、濃度そのものには関係なく、単に、１．５倍というその割合のみが特定されればよいと言うものである。
　ところで、本願明細書のＳｉ−Ｈ濃度及びＮ−Ｈ濃度に関する具体的な説明として、請求項の記載をそのまま写した記載以外では、次の記載がある。
「【００１３】
・・・本発明の好ましい実施形態によれば、シリコンリッチＳｉＮ膜は、従来のＳｉＮ膜と比較して、Ｓｉ−Ｈ結合に結合している増大した水素の量と、Ｎ−Ｈ結合に結合している減少した水素の量とを含む。一実施形態では、ＳｉＮ膜により、より多くの割合の水素が、窒素よりケイ素と結合する。
Ｓｉ−Ｈ結合は、Ｎ−Ｈ結合より高い活性化エネルギーを含むので、解離して、窒化ケイ素膜から拡散し、その後の高温処理作業を実施するときに、ホウ素突抜けおよびホウ素ドープ・ポリ空乏化を可能にする水素の量を、より少なくすることができる
「【００１６】
・・・膜のＳｉ−Ｈ結合およびＮ−Ｈ結合のおよその濃度は、一例示的な実施形態では、一般に１ｅ２１／ｃｍ３から１ｅ２２／ｃｍ３の大きさとすることが可能である。他の例示的な実施形態では、
Ｓｉ−Ｈ結合の濃度は、１ｅ
２０
〜５ｅ
２０
／ｃｍ
３
の範囲内であり、Ｎ−Ｈ結合の濃度は、５ｅ
１９
〜８ｅ
１９
／ｃｍ
３
の範囲内とすることが可能
実施形態では、ＳｉＮ膜は、ケイ素−水素結合のＳｉ−Ｈ濃度が、窒素−水素結合のＮ−Ｈ濃度の少なくとも１．５倍である
他の例示的な実施形態では、膜は、窒素−水素結合のＮ−Ｈ濃度の５〜１０倍であるケイ素−水素結合のＳｉ−Ｈ濃度
　
　上記記載によれば、「Ｓｉ−Ｈ結合は、Ｎ−Ｈ結合より高い活性化エネルギーを含むので、解離して、窒化ケイ素膜から拡散し、その後の高温処理作業を実施するときに、ホウ素突抜けおよびホウ素ドープ・ポリ空乏化を可能にする水素の量を、より少なくすることができる。」と説明しているものの、その具体的な濃度の割合としては、「Ｓｉ−Ｈ結合の濃度は、１ｅ２０〜５ｅ２０／ｃｍ３の範囲内であり、Ｎ−Ｈ結合の濃度は、５ｅ１９〜８ｅ１９／ｃｍ３の範囲内とすることが可能である。」との記載があるのみである。
　上記のＳｉ−Ｈ結合の濃度は、Ｎ−Ｈ結合の濃度の（１ｅ２０／ｃｍ３）／（８ｅ１９／ｃｍ３ ）〜（５ｅ２０／ｃｍ３ ）／（５ｅ１９／ｃｍ３ ）＝１．２５〜１０倍であって、Ｎ−Ｈ結合の濃度は、ｅ１９／ｃｍ３のオーダーの濃度が例示的に示されているだけであり、当該濃度比（倍率）の場合に、何度の熱処理に対して、どの程度のホウ素の拡散を抑制できたのかについて、具体的な根拠を示す実験データ等が本願明細書には何ら開示されていない。
　加えて、Ｎ−Ｈ結合のいかなる濃度においても、任意の熱処理温度において、濃度比（倍率）さえ特定されれば、ホウ素の拡散を（その程度も含めて）抑制することができるのかについての具体的な実験データ等の根拠が、本願明細書に開示されいない。
　さらに、上記のどの様な濃度及び濃度比（倍率）の場合に、どの様な温度の熱処理に対して、ホウ素の拡散をどの程度、抑制することができたのか、濃度比（倍率）の下限を１．５とする具体的な根拠も不明である。
　
　してみると、本願発明において、Ｓｉ−Ｈ濃度及びＮ−Ｈ濃度の濃度自体の限定をせず、単に「少なくとも１．５倍」との倍率のみを限定する記載では、Ｓｉ−Ｈ濃度及びＮ−Ｈ濃度の何れもが、或いはＳｉ−Ｈ濃度のみが、１０２４原子／ｃｍ３と言うような極端に高い場合をも含むものであり、そのような発明は、発明の詳細な説明に記載されていない。
　また、「少なくとも１．５倍」とすることの具体的な裏付け（根拠）が発明の詳細な説明に開示されていないのであるから、本願発明において、Ｓｉ−Ｈ濃度がＮ−Ｈ濃度の「少なくとも１．５倍」とすることのみにより、「ホウ素突抜け、ホウ素ドープ・ポリ空乏化、或いは他のそのような望ましくない装置作用」を低減するとの課題を解決することの根拠が、発明の詳細な説明には説明されていない。
　したがって、請求項１に係る本願発明は、発明の詳細な説明に記載された発明ではない。
　
　
５　本件審判請求人の主張について
（１）本件審判請求人は、平成２４年　８月　８日付け意見書において下記の主張をしている。
「【意見の内容】
１．本件は、・・・
特許法第２９条第２項の規定による拒絶理由：
　・・・本件発明においては、高温処理を実行することにより引用文献１及び２の従来の配置に対する優位な利点を提供します。例えば、本件明細書【００１７】段落は、・・・引用文献１及び２は本件請求項１に記載する事項を開示するものではなく、窒化ケイ素膜の低温処理へ限定される引用文献１及び２の発明から明確に差別化できるものと考えます。
　・・・引用文献３は、アルミニウム配線３を覆うことにより、アルミニウム消失を防止し、従来の窒化ケイ素膜に関連する膨れを回避する旨記載・・・。しかしながら、・・・窒化ケイ素スペーサ又はホウ素拡散に関する事項を開示しません。・・・望まれないホウ素拡散を防止するための窒化ケイ素スペーサの使用による優位性について開示しません。・・・以上より、本件発明は引用文献に記載された発明に対し特許性を有するものと信じます。
特許法第３６条第４項第１号及び第６項第１号及び第２号の規定による拒絶理由：
・・・本件明細書は、Ｓｉ−Ｈ結合濃度がＮ−Ｈ結合濃度より少なくとも１．５倍である場合のホウ素拡散の減少について明確にサポートします。例えば、本件明細書【００２４】段落は以下のように記載します。
「【００２４】
　本発明のシリコンリッチ窒化ケイ素膜は、そのような窒化ケイ素膜の複数層を使用するＢｉＣＭＯＳプロセス・フローにも適用される。第１窒化ケイ素層は、バイポーラ・トランジスタのエミッタとベース・ポリ層の間にある誘電体の一部として一般に使用される。第２窒化物層および第３窒化物層は、バイポーラ・ウィンドウのエミッタ・ウィンドウの内側にスペーサを形成するように、堆積およびエッチングすることが可能である。利用可能な水素の量が少ないことは、第１窒化物層では特に有利であるが、その理由は、第１窒化物層は、バイポーラ・プロセスの大半中、ＣＭＯＳ領域の上に存在し続けるからである。そうでない場合、バイポーラ・プロセス中の熱サイクルにより、窒化物膜の過剰な水素が、ＢｉＣＭＯＳ構造のＣＭＯＳ領域に形成されたＰＭＯＳトランジスタのＣＭＯＳゲート・ポリの周辺で解離する可能性がある。次いで、ＰＭＯＳトランジスタのｐ＋ゲート・ポリにゲートをドープするために使用されたホウ素は、ゲート酸化物を通って拡散する（上記のホウ素突抜け）。
この拡散の量は、ゲート・ポリの領域にある利用可能な水素の存在と共に変化する。ＣＭＯＳ領域を覆う窒化物層が、過度に多い利用可能な水素を含む場合、すなわちＳｉ−Ｈ結合と比較してＮ−Ｈ結合が多い場合、ホウ素突抜けが、従来のＰＭＯＳ装置では観測される。
　本件明細書は、ホウ素浸透のネガティブ効果を記載し、その効果が水素の有用性に関連します。更に、本件明細書は、水素の有用性は、Ｓｉ−Ｈ結合と比較したＮ−Ｈ結合の存在にあることに関連する旨記載します。この点について、本件明細書は、【００１６】段落に下記の記載を有します。」
　
（２）２９条２項に対する主張に対して
　審判請求人は、「高温処理を実行することにより引用文献１及び２の従来の配置に対する優位な利点を提供します。」と主張しているものの、本願明細書には、Ｓｉ−ＨとＮ−Ｈとの濃度比（倍率）と具体的な熱処理の温度との関係、また、Ｎ−Ｈ濃度の上限等についても何ら特定されていないこと、さらには、その具体的な濃度比（倍率）とホウ素拡散を抑制することが可能な、具体的な熱処理温度或いは、特定の熱処理温度におけるホウ素拡散の抑制の程度が本願明細書中で、実験データ等により何ら裏付けられていないことから、本願発明における、「少なくとも１．５倍」との発明特定事項により得られる効果は、単に、活性化エネルギーの差により、水素の発生が少しは少なくなるだろうということが期待される程度のものにすぎず、本願発明の「前記窒化ケイ素スペーサが、窒素−水素結合のＮ−Ｈ濃度の少なくとも１．５倍であるケイ素−水素結合のＳｉ−Ｈ濃度を有することを特徴とするＳｉＮ材料で形成され」との発明特定事項の構成をとることによる当該効果に格別な点は、見出せない。
　
　また、引用刊行物２については、窒化シリコン膜における熱処理工程での水素発生原因に係る技術的知見を引用するものであり、水素の発生については、アルミニウムと接した時のみに生じる特異な現象ではなく、窒化シリコン膜の熱処理工程における現象を説明している点において、窒化シリコン膜中から熱処理による水素発生を課題とする技術一般に適用できることは明らかであり、刊行物１発明においても、窒化シリコン膜中から熱処理による水素発生を課題としているものであるから、両者を組み合わせることは当業者ならば容易に想到し得たものである。
　
　そして、引用刊行物２においてもＮ−Ｈ結合の熱処理による分解のしやすさについて、説明されている以上、引用刊行物２を刊行物１発明に適用することにより奏せられる効果と本願発明において奏される効果とに格別な差違は見出せない。
　
　したがって、上記審判請求人の主張を採用することができない。
　
（３）３６条に対する主張に対して
　本件審判請求人は、【００２４】を引用して、「本件明細書は、ホウ素浸透のネガティブ効果を記載し、その効果が水素の有用性に関連します。」として、「更に、本件明細書は、水素の有用性は、Ｓｉ−Ｈ結合と比較したＮ−Ｈ結合の存在にあることに関連する旨記載します。この点について、本件明細書は、【００１６】段落に下記の記載を有します。」と主張しているが、本願明細書の【００２４】、【００１６】を初めとして明細書全体の記載において、倍率と実際のホウ素拡散の抑制の程度に関する具体的な記載はない。
　即ち、上記「４　特許法第３６条第６項第１号に関する当審の判断」のとおり、本願明細書には、Ｎ−Ｈ結合の濃度が任意の温度でも、濃度比（倍率）さえ、特定されれば、ホウ素の拡散を抑制することができるとの具体的な根拠が開示されておらず、どの様な濃度及び濃度比（倍率）の場合に、どの様な温度の熱処理に対して、ホウ素の拡散をどの程度、抑制することができたのか、その具体的な実験データも示されていない。
　
　そして、Ｓｉ−Ｈ濃度及びＮ−Ｈ濃度の濃度自体の限定をせず、単に「少なくとも１．５倍」との倍率のみを限定する記載では、Ｓｉ−Ｈ濃度及びＮ−Ｈ濃度の何れもが、或いはＳｉ−Ｈ濃度のみが、１０２４原子／ｃｍ３と言うような極端に高い場合をも含むものであり、そのような発明は、発明の詳細な説明に記載されていない。
　
　また、「少なくとも１．５倍」とすることの具体的な裏付け（根拠）が発明の詳細な説明に開示されていないのであるから、本願発明において、Ｓｉ−Ｈ濃度がＮ−Ｈ濃度の「少なくとも１．５倍」とすることのみにより、「
水素は、窒化ケイ素膜と結合したままであり
　
　したがって、上記審判請求人の主張を採用することができない。
　
　
６　むすび
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、引用刊行物１及び２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、また、特許請求の範囲の記載が特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていないものであるから、本願は、当審で通知した上記拒絶の理由によって拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。