(57)【要約】外的要因によって粘着力が低下する粘着層を有する粘着テープ１０を介在させて板状物支持部材に半導体ウェーハの表面を貼着し、その状態で半導体ウェーハの裏面を研削し、研削後の半導体ウェーハの裏面にダイシングテープを貼着すると共にダイシングテープの外周をダイシングフレームで支持し、粘着層に外的要因を作用させて粘着層の粘着力を低下させることにより、半導体ウェーハまたは半導体チップを損傷させずに板状物支持部材と粘着テープとを取り外すことができる。
2003049164.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ストリートによって区画されて複数の半導体チップが表面に形成された半導体ウェーハを個々の半導体チップに分割する半導体チップの製造方法であって、
外的要因によって貼着力が低下する貼着層を介在させて板状物支持部材に半導体ウェーハの表面を貼着する板状物支持部材一体化工程と、
該板状物支持部材と一体となった半導体ウェーハを研削装置のチャックテーブルに載置し該半導体ウェーハの裏面を研削する研削工程と、
該板状物支持部材と一体となっている研削後の半導体ウェーハの裏面にダイシングテープを貼着すると共に該ダイシングテープの外周をダイシングフレームで支持するテープ貼着工程と、
該テープ貼着工程の前または後に該貼着層に該外的要因を作用させて該貼着層の貼着力を低下させ、該テープ貼着工程の後に該半導体ウェーハの表面から該板状物支持部材と該貼着層とを取り外す貼り替え工程と、
該ダイシングテープを介して該ダイシングフレームと一体となった半導体ウェーハをダイシング装置のチャックテーブルに載置し、該ストリートで分離して個々の半導体チップに分割するダイシング工程とから構成される半導体チップの製造方法。
【請求項２】
半導体ウェーハの外形より大きい外形を有する板状物支持部材を用いて板状物支持部材一体化工程を遂行し、該半導体ウェーハの研削面と該板状物支持部材の表面とに厚さ測定器を構成する触針をそれぞれ接触させることにより該半導体ウェーハの厚さを計測しながら研削工程を遂行する請求の範囲第１項に記載の半導体チップの製造方法。
【請求項３】
貼着層には、外的要因によって発泡する発泡剤が含まれる請求の範囲第１項に記載の半導体チップの製造方法。
【請求項４】
貼着層は、光によって発泡する発泡剤が含まれる粘着剤をフィルム状中間層の少なくとも片面に塗布した粘着テープである請求の範囲第３項に記載の半導体チップの製造方法。
【請求項５】
板状物支持部材は、透明な材質により形成される請求の範囲第４項に記載の半導体チップの製造方法。
【請求項６】
板状物支持部材は透明なガラスによって形成され、その厚さは０．５ｍｍから２．５ｍｍである請求の範囲第５項に記載の半導体チップの製造方法。
【請求項７】
ストリートによって区画されて複数の半導体チップが表面に形成された半導体ウェーハを個々の半導体チップに分割する半導体チップの製造方法であって、
半導体ウェーハをダイシング装置のチャックテーブルに載置し該ストリートに溝を形成する溝形成工程と、
外的要因によって貼着力が低下する貼着層を介在させて板状物支持部材に該半導体ウェーハの表面を貼着する板状物支持部材一体化工程と、
該板状物支持部材と一体となった半導体ウェーハを研削装置のチャックテーブルに載置し該半導体ウェーハの裏面を該溝が表出するまで研削する研削工程と、
該板状物支持部材と一体となっている研削後の半導体ウェーハの裏面にテープを貼着すると共に該テープの外周をフレームで支持するテープ貼着工程と、
該テープ貼着工程の前または後に該貼着層に該外的要因を作用させて該貼着層の貼着力を低下させ、該テープ貼着工程の後に該半導体ウェーハの表面から該板状物支持部材と該貼着層とを取り外す貼り替え工程とから構成される半導体チップの製造方法。
【請求項８】
半導体ウェーハの外形より大きい外形を有する板状物支持部材を用いて板状物支持部材一体化工程を遂行し、該半導体ウェーハの研削面と該板状物支持部材の表面とに厚さ測定器を構成する触針をそれぞれ接触させることにより該半導体ウェーハの厚さを計測しながら研削工程を遂行する請求の範囲第７項に記載の半導体チップの製造方法。
【請求項９】
貼着層には、外的要因によって発泡する発泡剤が含まれる請求の範囲第７項に記載の半導体チップの製造方法。
【請求項１０】
貼着層は、光によって発泡する発泡剤が含まれる粘着剤をフィルム状中間層の少なくとも片面に塗布した粘着テープである請求の範囲第９項に記載の半導体チップの製造方法。
【請求項１１】
板状物支持部材は、透明な材質により形成される請求の範囲第１０項に記載の半導体チップの製造方法。
【請求項１２】
板状物支持部材は透明なガラスによって形成され、その厚さは０．５ｍｍから２．５ｍｍである請求の範囲第１１項に記載の半導体チップの製造方法。
【請求項１３】
ストリートによって区画されて複数の半導体チップが表面に形成された半導体ウェーハを個々の半導体チップに分割する半導体チップの製造方法であって、
半導体ウェーハをダイシング装置のチャックテーブルに載置し該ストリートに溝を形成する溝形成工程と、
外的要因によって貼着力が低下する貼着層を介在させて板状物支持部材に該半導体ウェーハの表面を貼着する板状物支持部材一体化工程と、
該板状物支持部材と一体となった半導体ウェーハを研削装置のチャックテーブルに載置し該半導体ウェーハの裏面を該溝が表出するまで研削して個々の半導体チップに分割する研削工程と、
該貼着層に該外的要因を作用させて該貼着層の貼着力を低下させ該半導体チップを該板状物支持部材と該貼着層とから取り外す半導体チップ離脱工程とから構成される半導体チップの製造方法。
【請求項１４】
半導体ウェーハの外形より大きい外形を有する板状物支持部材を用いて板状物支持部材一体化工程を遂行し、該半導体ウェーハの研削面と該板状物支持部材の表面とに厚さ測定器を構成する触針をそれぞれ接触させることにより該半導体ウェーハの厚さを計測しながら研削工程を遂行する請求の範囲第１３項に記載の半導体チップの製造方法。
【請求項１５】
貼着層には、外的要因によって発泡する発泡剤が含まれる請求の範囲第１３項に記載の半導体チップの製造方法。
【請求項１６】
貼着層は、光によって発泡する発泡剤が含まれる粘着剤をフィルム状中間層の少なくとも片面に塗布した粘着テープである請求の範囲第１５項に記載の半導体チップの製造方法。
【請求項１７】
板状物支持部材は、透明な材質により形成される請求の範囲第１６項に記載の半導体チップの製造方法。
【請求項１８】
板状物支持部材は透明なガラスによって形成され、その厚さは０．５ｍｍから２．５ｍｍである請求の範囲第１７項に記載の半導体チップの製造方法。
【発明の詳細な説明】
技術分野
この発明は、板状物支持部材を用いて半導体ウェーハを支持した状態で研削を行い、半導体チップを製造する方法に関する。
背景技術
半導体ウェーハにはＩＣ、ＬＳＩ等の回路が複数形成されており、その表面のストリートに沿ってダイシングすることによって個々の半導体チップに分割され各種の電子機器に利用される。
半導体ウェーハは、その裏面を研削することにより所望の厚さに形成されるが、近年は、電子機器の小型化、軽量化を可能とするために、半導体ウェーハも、その厚さが１００μｍ以下、５０μｍ以下となるよう薄く加工することが求められている。ところが、薄くなった半導体ウェーハは紙のように柔軟になって研削後の取り扱いが困難になる。そこで、剛性の高い板状物支持部材に半導体ウェーハを貼着した状態で研削を行い、その後の搬送等の取り扱いを容易にするという工夫も施されている。
しかしながら、研削後の半導体ウェーハをダイシングするには、板状物支持部材に貼り付いた半導体ウェーハを剥離してダイシングテープに貼り替えなければならないが、研削後の半導体ウェーハは薄くなっているため、半導体ウェーハを損傷させずに板状物支持部材から剥離するのは困難である。
また、半導体ウェーハの表面のストリートに予め切削溝を形成しておき、その切削溝が表出するまで裏面を研削することにより個々の半導体チップに分割するいわゆる先ダイシングと称される手法においても、研削に先立ち切削溝が形成された半導体ウェーハを剛性の高い板状物支持部材に貼着し、研削終了後は分割された半導体チップを板状物支持部材からピックアップする必要があるが、この場合も薄い半導体チップを損傷させずに板状物支持部材から剥離するのは困難である。
そこで本発明は、薄い半導体チップの製造において、半導体ウェーハまたは半導体チップを損傷させずに板状物支持部材から剥離できるようにすることを目的としている。
発明の開示
本発明は、ストリートによって区画されて複数の半導体チップが表面に形成された半導体ウェーハを個々の半導体チップに分割する半導体チップの製造方法であって、外的要因によって貼着力が低下する貼着層を介在させて板状物支持部材に半導体ウェーハの表面を貼着する板状物支持部材一体化工程と、板状物支持部材と一体となった半導体ウェーハを研削装置のチャックテーブルに載置し半導体ウェーハの裏面を研削する研削工程と、板状物支持部材と一体となっている研削後の半導体ウェーハの裏面にダイシングテープを貼着すると共にダイシングテープの外周をダイシングフレームで支持するテープ貼着工程と、テープ貼着工程の前または後に貼着層に外的要因を作用させて貼着層の貼着力を低下させ、テープ貼着工程の後に半導体ウェーハの表面から板状物支持部材と貼着層とを取り外す貼り替え工程と、ダイシングテープを介してダイシングフレームと一体となった半導体ウェーハをダイシング装置のチャックテーブルに載置し、ストリートで分離して個々の半導体チップに分割するダイシング工程とから構成される半導体チップの製造方法を提供する。
また本発明は、ストリートによって区画されて複数の半導体チップが表面に形成された半導体ウェーハを個々の半導体チップに分割する半導体チップの製造方法であって、半導体ウェーハをダイシング装置のチャックテーブルに載置しストリートに溝を形成する溝形成工程と、外的要因によって貼着力が低下する貼着層を介在させて板状物支持部材に半導体ウェーハの表面を貼着する板状物支持部材一体化工程と、板状物支持部材と一体となった半導体ウェーハを研削装置のチャックテーブルに載置し半導体ウェーハの裏面を溝が表出するまで研削する研削工程と、板状物支持部材と一体となっている研削後の半導体ウェーハの裏面にテープを貼着すると共にテープの外周をフレームで支持するテープ貼着工程と、テープ貼着工程の前または後に貼着層に外的要因を作用させて貼着層の貼着力を低下させ、テープ貼着工程の後に半導体ウェーハの表面から板状物支持部材と貼着層とを取り外す貼り替え工程とから構成される半導体チップの製造方法を提供する。
更に本発明は、ストリートによって区画されて複数の半導体チップが表面に形成された半導体ウェーハを個々の半導体チップに分割する半導体チップの製造方法であって、半導体ウェーハをダイシング装置のチャックテーブルに載置しストリートに溝を形成する溝形成工程と、外的要因によって貼着力が低下する貼着層を介在させて板状物支持部材に半導体ウェーハの表面を貼着する板状物支持部材一体化工程と、板状物支持部材と一体となった半導体ウェーハを研削装置のチャックテーブルに載置し半導体ウェーハの裏面を溝が表出するまで研削して個々の半導体チップに分割する研削工程と、貼着層に外的要因を作用させて貼着層の貼着力を低下させ半導体チップを板状物支持部材と貼着層とから取り外す半導体チップ離脱工程とから構成される半導体チップの製造方法を提供する。
そして上記の各発明は、半導体ウェーハの外形より大きい外形を有する板状物支持部材を用いて板状物支持部材一体化工程を遂行し、半導体ウェーハの研削面と板状物支持部材の表面とに厚さ測定器を構成する触針をそれぞれ接触させることにより半導体ウェーハの厚さを計測しながら研削工程を遂行すること、貼着層には外的要因によって発泡する発泡剤が含まれること、貼着層は光によって発泡する発泡剤が含まれる粘着剤をフィルム状中間層の少なくとも片面に塗布した粘着テープであること、板状物支持部材は透明な材質により形成されること、板状物支持部材は透明なガラスによって形成されその厚さは０．５ｍｍから２．５ｍｍであることを付加的な要件とする。
上記のように構成される半導体チップの製造方法においては、剛性の高い板状物支持部材に、外的要因によって貼着力が低下する貼着層を介在させて半導体ウェーハを貼着し、その状態で研削を行って半導体ウェーハを所望の厚さとし、その後に当該外的要因を作用させることにより貼着力を低下させて半導体ウェーハを離脱させるようにしたので、薄くなった半導体ウェーハでも損傷させることなく容易に離脱させることができる。
また、先ダイシングの場合にも同様の方法を採ることにより、薄くなった個々の半導体チップを容易に離脱させることができる。
更に、外的要因によって粘着力が低下するのみでは半導体ウェーハまたは半導体チップと板状物支持部材との密着性が解除されず、取り外しのために必ずしも十分とはいえないが、紫外線の照射により粘着力が低下すると共に発泡して密着力も低下する性質を有する粘着テープを使用すれば、半導体ウェーハまたは半導体チップと板状物支持部材との間に隙間が形成されるため、密着性が解除され、より確実に取り外すことができる。
発明を実施するための最良の形態
本発明を実施するための最良の形態として、第１図に示すように、ストリートＳによって区画されて複数の半導体チップＣが表面に形成された半導体ウェーハＷ１を個々の半導体チップＣに分割する方法について説明する。
まず、第２図に示すように、半導体ウェーハＷ１を裏返し、粘着テープ１０を介して板状物支持部材１１に半導体ウェーハＷ１の表面を貼着し、第３図に示す状態とする（板状物支持部材一体化工程）。
この粘着テープ１０は、半導体ウェーハＷ１と板状物支持部材１１とを貼着するための貼着層であり、外的要因によって貼着力が低下するように構成されている。ここにいう貼着力とは、粘着力と密着力とから構成される。例えば粘着テープ１０としては、日本特開昭６３−１７９８１号公報及び日本特開平４−８８０７５号公報に開示されている粘着テープを用いることができる。
第４図に示すように、粘着テープ１０は、厚さ３０μｍ程のポリエチレンフィルムをフィルム状中間層１２とし、その片面に、接着剤としてアクリル系粘着剤、放射線重合性化合物としてウレタンアクリレート系オリゴマー、紫外線等の光による外的要因によって発泡する発泡剤として炭酸アンモニウムまたは松本油脂製薬株式会社製の「マツモトマイクロスフェアー」を適宜の割合で混合した貼着層１３を２０μｍ程塗布し、もう一方の面には、アクリル系粘着剤、ウレタンアクリレート系オリゴマーを適宜の割合で混合した貼着層１４を２０μｍ程塗布して構成する。なお、必要に応じて貼着層１４に発泡剤を混入させてもよいが、貼着層１４への混入量は、貼着層１３への混入量より少なくする。
このように構成される粘着テープ１０に紫外線を照射すると、貼着層１３については粘着力が低下すると共に発泡して密着力も低下する。一方、貼着層１４については粘着力は低下するが、発泡剤が混合されていないため、密着力は低下しない。従って、板状物支持部材一体化工程においては、第４図に示したように、貼着層１３を半導体ウェーハＷ１に貼着し、貼着層１４を板状物支持部材１１に貼着することが重要である。なお、本明細書においては貼着層１３及び貼着層１４の双方が外的要因によって貼着力が低下する場合について説明しているが、貼着層１４については外的要因によって貼着力が低下するタイプのものを使用しなくてもよい。ゆえに、貼着層１４には必ずしも外的要因を作用させる必要はない。
板状物支持部材１１は、後に行う研削によって１００μｍ以下、５０μｍ以下と薄くなった半導体ウェーハでも安定的に支持できる程度の剛性を有すると共に、紫外線を透過させるＰＥＴ、ガラス等で形成されており、例えば、厚さが０．５ｍｍから２．５ｍｍ程度の透明なガラスにより構成される。
第３図のように粘着テープ１０を介して板状物支持部材１１に支持された半導体ウェーハＷ１は、例えば第５図に示すような研削装置２０に搬送され、裏面が研削されて所望の厚さとなる（研削工程）。
研削装置２０においては、基台２１の端部から壁部２２が起立して設けられており、この壁部２２の内側の面には一対のレール２３が垂直方向に配設され、レール２３に沿って支持部２４が上下動するのに伴い、支持部２４に取り付けられた研削手段２５が上下動するよう構成されている。また、基台２１上には、ターンテーブル２６が回転可能に配設され、更にターンテーブル２６上には半導体ウェーハを保持するチャックテーブル２７が回転可能に複数配設されている。
研削手段２５においては、垂直方向の軸心を有するスピンドル２８の先端にマウンタ２９が装着され、更にその下部に研削砥石３１が固着された研削ホイール３０が装着されており、研削砥石３０は、スピンドル２８の回転に伴って回転する構成となっている。
研削装置２０を用いて半導体ウェーハＷ１の研削を行う際は、板状物支持部材１１に支持された半導体ウェーハＷ１をチャックテーブル２７において吸引保持して研削手段２５の直下に位置付け、スピンドル２８を回転させると共に、研削手段２５を下降させていく。そして、スピンドル２８の高速回転に伴って研削ホイール３０が高速回転すると共に、回転する研削砥石３１が半導体ウェーハに接触して押圧力が加えられることにより、その表面が研削砥石３１によって研削される。
このようにして研削することにより、半導体ウェーハＷ１は、第６図に示すように、薄くなった状態で板状物支持部材１１に支持される。そして、第７図に示すように、板状物支持部材１１に支持された半導体ウェーハＷ１を裏返した状態でダイシングテープ４０の粘着面に貼着する。
このダイシングテープ４０の外周にはダイシングフレーム４１が貼着されており、板状物支持部材１１に支持された半導体ウェーハＷ１の裏面をダイシングテープ４０に貼着することにより、これらを一体化する（テープ貼着工程）。
次に粘着テープ１０に対して板状物支持部材１１を介して外的要因を作用させる。本実施の形態では、第８図に示すように、板状物支持部材１１の上方から紫外線を照射する。すると、第４図に示した貼着層１３については、粘着力が低下すると共に発泡により半導体ウェーハＷ１と貼着層１３との間に隙間が形成されて密着力も低下するため、貼着力が低下して容易に剥離できる状態となる。
一方、貼着層１４については密着力が低下しないため、粘着テープ１０を板状物支持部材１１に貼着された状態で半導体ウェーハＷ１から剥離することができる。
即ち、粘着テープ１０の貼着力を低下させた後に、第９図に示すように、板状物支持部材１１を上方に持ち上げて板状物支持部材１１を半導体ウェーハＷ１の表面から剥離する。このとき粘着テープ１０の貼着層１３の貼着力は貼着層１４の貼着力より弱くなっているため、粘着テープ１０は板状物支持部材１１と共に半導体ウェーハＷ１から剥離される。
一方、粘着テープ１０の貼着層１４の貼着力は残存しているため、板状物支持部材１１に粘着テープ１０が貼着された状態は維持される。従って、薄くなった半導体ウェーハＷ１のみがダイシングテープ４０及びダイシングフレーム４１に保持された状態となる（貼り替え工程）。
このようにして外的要因によって貼着力を低下させてから板状物支持部材１１を離脱させることにより、薄くなった半導体ウェーハＷ１でも破損させることなく容易にダイシングテープに貼り替えることができる。
なお、貼り替え工程において粘着テープ１０に外的要因を作用させる作業は、テープ貼着工程の前に行ってもよい。その場合は、貼着層１３の貼着力は低下するが、僅かに貼着力が残っているため、板状物支持部材１１から半導体ウェーハＷ１が脱落することはなく、貼り替え工程に支障が生じることがない。
ダイシングテープ４０を介してダイシングフレーム４１と一体となった半導体ウェーハＷ１は、例えば第１０図に示すダイシング装置５０によってダイシングされる。
このダイシング装置５０においては、ダイシングテープ４０を介してダイシングフレーム４１と一体となった半導体ウェーハＷ１は、カセット５１に複数収納される。
そして、ダイシングフレーム４１と一体となった半導体ウェーハＷ１は、搬出入手段５２によってカセット５１から搬出されて仮置き領域５３に載置され、第一の搬送手段５４に吸着されて第一の搬送手段５４が旋回動することによりチャックテーブル５５に搬送されて載置され、吸引保持される。
半導体ウェーハＷ１がチャックテーブル５５に吸引保持されると、チャックテーブル５５が＋Ｘ方向に移動してアライメント手段５６の直下に位置付けられ、パターンマッチング等の処理によって切削すべきストリートＳが検出され、そのストリートＳと回転ブレード５７とのＹ軸方向の位置合わせが行われる。こうして位置合わせがなされると、更にチャックテーブル５５がＸ軸方向に移動し、回転ブレード５７の作用を受けて切削が行われる。
このような切削を、回転ブレード５７をＹ軸方向にストリート間隔だけ割り出し送りしながら行い、更にチャックテーブル５５を９０度回転させて同様の切削を行うと、第１１図に示すように、すべてのストリートＳが縦横に切削されて分離され、個々の半導体チップＣに分割される（ダイシング工程）。
以上のようにして研削からダイシングを行うことにより、研削により半導体ウェーハが紙のように薄くなっている場合でも、破損させることなく半導体チップを製造することができる。
また、外的要因によって粘着力が低下するのみでは半導体ウェーハまたは半導体チップと板状物支持部材との密着性が解除されず、取り外しのために必ずしも十分とはいえないが、紫外線の照射により粘着力が低下すると共に発泡して密着力も低下する性質を有する粘着テープを使用すれば、半導体ウェーハＷ１と板状物支持部材１１との間に隙間が形成されるため、密着性が解除され、より確実に取り外すことができる。
次に、いわゆる先ダイシングの手法により半導体チップを製造する場合について説明する。
まず最初に、例えば第１０図に示したダイシング装置５０のチャックテーブル５５に半導体ウェーハを載置し、回転ブレード５７を用いて、第１２図及び第１３図に示すように、表面のストリートＳに、最終的な半導体チップＣの厚さに相当する深さの溝６０が形成された半導体ウェーハＷ２とする（溝形成工程）。
次に、第２図の場合と同様に、第１４図に示すように、半導体ウェーハＷ２を裏返し、粘着テープ１０を介して板状物支持部材１１に半導体ウェーハＷ２の表面を貼着し、第１５図に示す状態とする（板状物支持部材一体化工程）。
そして、例えば第５図に示した研削装置２０のチャックテーブル２７に板状物支持部材１１となった半導体ウェーハＷ２を載置し、研削手段２５を用いて半導体ウェーハＷ２の裏面を研削すると、第１６図に示すように、溝６０が表出する（研削工程）。
次に、半導体チップＣをピックアップ装置によってピックアップできるように、外周にフレーム４３が貼着されたテープ４２の粘着面に、溝６０が表出した裏面を下にして半導体ウェーハＷ２を貼着する（テープ貼着工程）。そして、第１７図に示すように、板状物支持部材１１の上方から紫外線を照射することにより、粘着テープ１０の貼着層１３の貼着力を低下させる。
次に、第１８図に示すように、板状物支持部材１１を上方に持ち上げて板状物支持部材１１を半導体ウェーハＷ２の表面から剥離する。このとき粘着テープ１０の下面の貼着層１３の貼着力はダイシングテープ４０の貼着力より弱くなっているため、粘着テープ１０も半導体ウェーハＷ２から剥離される。
一方、粘着テープ１０の上面の貼着層１４の貼着力は残存しているため、板状物支持部材１１に粘着テープ１０が貼着された状態は維持される。従って、薄くなった半導体ウェーハＷ２のみがダイシングテープ４０及びダイシングフレーム４１に保持された状態となる（貼り替え工程）。
このようにして外的要因によって貼着力を低下させてから板状物支持部材１１を離脱させることにより、薄くなった半導体ウェーハＷ２でも破損させることなく容易にダイシングテープに貼り替えることができる。
また、半導体ウェーハＷ２と板状物支持部材との間に隙間が形成されるため、密着性が解除され、より確実に取り外すことができる。
なお、貼り替え工程において粘着テープ１０に外的要因を作用させる作業は、テープ貼着工程の前に行ってもよい。その場合は、貼着層１３の貼着力は低下するが、僅かに貼着力が残っているため、板状物支持部材１１から半導体ウェーハＷ２が脱落することはなく、貼り替え工程に支障が生じることがない。
また、研削工程により個々の半導体チップＣに分割され、すべての半導体チップＣが半導体ウェーハＷ２の外形を維持しながら粘着テープ１０によって板状物支持部材１１に支持された状態で、第１９図に示すように、板状物支持部材１１を介して粘着テープ１０に紫外線を照射するようにすれば、貼着力が低下して、半導体チップＣを板状物支持部材１１から直接ピックアップすることができ、貼り替え工程が不要となり生産性が向上すると共に、ダイシングテープ４０及びダイシングフレーム４１が不要となり経済的となる（半導体チップ離脱工程）。
半導体ウェーハＷ１、Ｗ２を研削する場合は、最終的に形成される半導体チップＣを所望の厚さとするために、半導体ウェーハＷ１、Ｗ２の厚さを計測しながら研削する必要がある。
そこで、第２０図に示すように、板状物支持部材１１ａの外形を半導体ウェーハＷ１（Ｗ２）の外形より大きく形成しておき、板状物支持部材１１ａに支持された半導体ウェーハＷ１（Ｗ２）を第５図に示した研削装置２０のチャックテーブル２７において保持し、第２１図に示すように、板状物支持部材１１ａの表面に触針７０を接触させると共に半導体ウェーハＷ１（Ｗ２）の裏面に触針７１を接触させる。
触針７０と触針７１とは、その高さの違いに基づき半導体ウェーハＷ１（Ｗ２）の厚さを求めることができる厚さ測定器７２を構成しており、板状物支持部材１１ａを半導体ウェーハＷ１（Ｗ２）より大きく形成しておくことで、このようにして随時半導体ウェーハＷ１（Ｗ２）の厚さを計測することができるため、半導体ウェーハＷ１（Ｗ２）の厚さを計測しながら研削工程を遂行すると、最終的な半導体チップの厚さを正確に管理することができる。
また、第１０図に示したカセット５１に半導体ウェーハを収容する際に、半導体ウェーハがカセット５１の側面内部等に接触して損傷するのを防止するためにも、板状物支持部材１１の外形を、半導体ウェーハの外形より例えば１ｍｍ〜２ｍｍ程度大きく形成しておくことが好ましい。
なお、以上の説明においては、回転ブレードを用いて半導体ウェーハのストリートを切削することにより個々の半導体チップに分割したり溝を形成したりする場合を例に挙げて説明したが、半導体チップへの分割や溝の形成にはレーザー光を用いることもでき、本発明は、回転ブレードを用いたダイシング装置及びレーザー光を用いたダイシング装置のいずれにも適用することができる。
産業上の利用可能性
以上のように、本発明に係る半導体チップの製造方法は、外的要因によって貼着力が低下する貼着層を介在させて半導体ウェーハを板状物支持部材に貼着して研削を行うようにしたことにより、半導体ウェーハまたは半導体チップを損傷させることなく容易に離脱させることができるため、すべての半導体チップの製造に適しており、特に薄い半導体チップの製造においては極めて有用である。
【図面の簡単な説明】
第１図は、半導体ウェーハを示す斜視図であり、
第２図は、半導体ウェーハを粘着テープを介して板状物支持部材と一体化する様子を示す斜視図であり、
第３図は、半導体ウェーハと板状物支持部材とが粘着テープを介して一体化された状態を示す斜視図であり、
第４図は、粘着テープの構成の一例を示す側面図であり、
第５図は、本発明の実施に用いる研削装置の一例を示す斜視図であり、
第６図は、研削後の半導体ウェーハが板状物支持部材と一体となった状態を示す斜視図であり、
第７図は、板状物支持部材と一体となった半導体ウェーハをダイシングテープに貼着する様子を示す斜視図であり、
第８図は、板状物支持部材に紫外線を照射する様子を示す斜視図であり、
第９図は、板状物支持部材を半導体ウェーハから取り外す様子を示す斜視図であり、
第１０図は、半導体ウェーハのダイシングに用いるダイシング装置の一例を示す斜視図であり、
第１１図は、ダイシング後の半導体ウェーハを示す斜視図であり、
第１２図は、表面に溝が形成された半導体ウェーハを示す斜視図であり、
第１３図は、表面に溝が形成された半導体ウェーハを示す正面図であり、
第１４図は、表面に溝が形成された半導体ウェーハを粘着テープを介して板状物支持部材と一体化する様子を示す斜視図であり、
第１５図は、半導体ウェーハと板状物支持部材とが粘着テープを介して一体化された状態を示す斜視図であり、
第１６図は、裏面の研削により溝が表出した半導体ウェーハが板状物支持部材に支持された状態を示す斜視図であり、
第１７図は、板状物支持部材に紫外線を照射する様子を示す斜視図であり、
第１８図は、板状物支持部材を半導体ウェーハから取り外す様子を示す斜視図であり、
第１９図は、板状物支持部材に紫外線を照射して半導体チップをピックアップする様子を示す斜視図であり、
第２０図は、半導体ウェーハの外形より大きい板状物支持部材を用いて半導体ウェーハを支持する様子を示す斜視図であり、
第２１図は、厚さ測定器を用いて板状物支持部材に支持された半導体ウェーハの厚さを計測する様子を示す正面図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【国際調査報告】
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