(57)【要約】単結晶シリコン内に存在するボイド欠陥を確実に消滅させる。ＣＺ法により製造された単結晶シリコンに対して酸化処理を行い、少なくとも１３００°Ｃ近傍の温度で超高温熱処理を行うことにより、単結晶シリコン中に存在するボイド欠陥を消滅させることができる。またＣＺ法により製造され、酸化処理が行われていない単結晶シリコン（ベアウエーハ）に対して、酸素雰囲気でかつ１２００°Ｃを超えて１３１０°Ｃ未満の範囲内の温度で超高温熱処理を行うことにより、単結晶シリコン中に存在するボイド欠陥を消滅させることができる。
2003056621.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＣＺ法により製造された単結晶シリコンに対して酸化処理を行う工程と、
少なくとも１３００°Ｃ近傍の温度で超高温熱処理を行うことにより、単結晶シリコン中に存在するボイド欠陥を消滅させる工程と
を含むことを特徴とする
単結晶シリコンの欠陥消滅方法。
【請求項２】
ＣＺ法により製造された単結晶シリコンに対して酸化処理を行い、３９６ｎｍ〜４００ｎｍの範囲の最低膜厚の初期酸化膜を形成する工程と、
少なくとも１３００°Ｃ近傍の温度で超高温熱処理を行うことにより、単結晶シリコン中に存在するボイド欠陥を消滅させる工程と
を含むことを特徴とする
単結晶シリコンの欠陥消滅方法。
【請求項３】
ＣＺ法により製造された単結晶シリコンのブロックに対して酸化処理を行う工程と、
少なくとも１３００°Ｃ近傍の温度で超高温熱処理を行うことにより、単結晶シリコンのブロック中に存在するボイド欠陥を消滅させる工程と
を含むことを特徴とする
単結晶シリコンの欠陥消滅方法。
【請求項４】
ＣＺ法により製造された単結晶シリコンのウェーハに対して酸化処理を行う工程と、
前記単結晶シリコンウェーハを複数枚積み重ねる工程と、
前記複数枚積み重ねられた単結晶シリコンウェーハに対して少なくとも１３００°Ｃ近傍の温度で超高温熱処理を行うことにより、各単結晶シリコンウェーハ中に存在するボイド欠陥を消滅させる工程と
を含むことを特徴とする
単結晶シリコンの欠陥消滅方法。
【請求項５】
０．５％〜１００％の酸素分圧の雰囲気で前記超高温熱処理を行うこと
を特徴とする請求範囲１〜４に記載の単結晶シリコンの欠陥消滅方法。
【請求項６】
前記単結晶シリコン中の初期酸素濃度は、１４×１０１７（ａｔｏｍｓ／ｃｃ）以下であること
を特徴とする請求範囲１〜４に記載の単結晶シリコンの欠陥消滅方法。
【請求項７】
前記超高温熱処理が行われる温度まで昇温する過程に、前記酸化処理を行うステップを設けたこと
を特徴とする請求範囲１〜４に記載の単結晶シリコンの欠陥消滅方法。
【請求項８】
前記超高温熱処理が行われる温度まで昇温する過程に、１２００°Ｃ以下の温度で前記酸化処理を行うステップを設けたこと
を特徴とする請求範囲１〜４に記載の単結晶シリコンの欠陥消滅方法。
【請求項９】
前記超高温熱処理が行われる温度まで昇温する過程または当該温度から降温する過程に、４００°Ｃ〜１０００°Ｃの温度で単結晶シリコンに酸素析出核を形成する熱処理を行うステップを設けたこと
を特徴とする請求範囲１〜４に記載の単結晶シリコンの欠陥消滅方法。
【請求項１０】
前記超高温熱処理が行われた後に、４００°Ｃ〜１０００°Ｃの温度で単段または多段の熱処理を更に行い、単結晶シリコンに酸素析出核を形成すること
を特徴とする請求範囲１〜４に記載の単結晶シリコンの欠陥消滅方法。
【請求項１１】
ＣＺ法により製造され、酸化処理が行われていない単結晶シリコンに対して、酸素雰囲気でかつ１２００°Ｃを超えて１３１０°Ｃ未満の範囲内の温度で超高温熱処理を行うことにより、単結晶シリコン中に存在するボイド欠陥を消滅させること
を特徴とする
単結晶シリコンの欠陥消滅方法。
【請求項１２】
ＣＺ法により製造され、初期酸化膜を表面に形成した後に、少なくとも１３００°Ｃ近傍の温度による超高温熱処理が施されてなることを特徴とする単結晶シリコン。
【請求項１３】
ＣＺ法により製造された単結晶シリコンであって、３９６ｎｍ〜４００ｎｍの範囲の最低膜厚の初期酸化膜を表面に形成した後に、少なくとも１３００°Ｃ近傍の温度による超高温熱処理が施されてなることを特徴とする単結晶シリコン。
【請求項１４】
ＣＺ法により製造された単結晶シリコンのブロックであって、初期酸化膜を表面に形成した後に、少なくとも１３００°Ｃ近傍の温度による超高温熱処理が施されてなることを特徴とする単結晶シリコンのブロック。
【請求項１５】
ＣＺ法により製造され、初期酸化膜を表面に形成していない状態で、酸素雰囲気でかつ１２００°Ｃを超えて１３１０°Ｃ未満の範囲内の温度の超高温熱処理が施されてなることを特徴とする単結晶シリコン。
【請求項１６】
ＣＺ法により製造され、酸化処理が行われていない単結晶シリコンを、酸素ガス雰囲気あるいは酸素ガス含有雰囲気で超高温まで昇温して超高温熱処理を施し更に降温することにより、単結晶シリコン中に存在するボイド欠陥を消滅させる単結晶シリコンの欠陥消滅方法において、
前記単結晶シリコン中の初期酸素濃度、前記超高温まで昇温する過程の雰囲気の酸素分圧、前記超高温熱処理を施す際の雰囲気の酸素分圧、前記超高温熱処理が行われる温度の各パラメータを調整することにより、前記単結晶シリコン中に存在するボイド欠陥を消滅させるようにしたこと
を特徴とする単結晶シリコンの欠陥消滅方法。
【請求項１７】
前記超高温熱処理を施す際の雰囲気の酸素分圧を５０％以上とし、前記超高温まで昇温する過程の雰囲気の酸素分圧を、２５％未満とし、超高温熱処理が行われる温度を、１２００°Ｃを超えて１３１０°Ｃ未満の範囲内の温度とすること
を特徴とする請求範囲１６記載の単結晶シリコンの欠陥消滅方法。
【請求項１８】
前記超高温熱処理を施す際の雰囲気の酸素分圧を、２５％以上とし、前記超高温まで昇温する過程の雰囲気の酸素分圧を、２５％以上とし、超高温熱処理が行われる温度を、１２００°Ｃ以上の温度とすること
を特徴とする請求範囲１６記載の単結晶シリコンの欠陥消滅方法。
【請求項１９】
前記超高温熱処理を施す際の雰囲気の酸素分圧、前記超高温まで昇温する過程の雰囲気の酸素分圧を２５％以上とし、超高温熱処理が行われる温度を、１２４０°Ｃ以上の温度とすること
を特徴とする請求範囲１６記載の単結晶シリコンの欠陥消滅方法。
【請求項２０】
前記単結晶シリコン中の初期酸素濃度が、１０×１０１７（ａｔｏｍｓ／ｃｃ）よりも高い高酸化濃度になるに伴い、超高温熱処理が行われる温度を、１２６０°Ｃよりも高温側に移行させるとともに、前記超高温熱処理を施す際の雰囲気の酸素分圧、前記超高温まで昇温する過程の雰囲気の酸素分圧を２５％よりも高圧側に移行させること
を特徴とする請求範囲１６記載の単結晶シリコンの欠陥消滅方法。
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は、ＣＺ法により製造された単結晶シリコンに関し、特に、ＣＺ法による成長直後の単結晶シリコン内に存在するボイド欠陥を消滅させる方法および消滅させる処理が施された単結晶シリコンに関する。
背景技術
シリコンウェーハは、ＣＺ法（チョクラルスキー法）によりインゴットを成長させることにより製造される。
すなわちＣＺ炉内には石英るつぼが設けられている。この石英るつぼ内で多結晶シリコン（Ｓｉ）が加熱され溶融される。溶融が安定化すると、引上げ機構によって石英るつぼ内のシリコン融液から単結晶シリコンのインゴットが引き上げられる。
溶融過程で石英るつぼから酸素が溶出し、これが単結晶シリコンのインゴット内に熔解する。このため通常、単結晶シリコンインゴットの中には５×１０１７（個／ｃｍ３）〜２×１０１８（個／ｃｍ３）（ＡＳＴＭ  Ｆ１２１−７９）程度の酸素が含まれている。なお本明細書で、酸素濃度の数値は、ＡＳＴＭ  Ｆ１２１−７９で定める規格に依るものとする。
融液と単結晶インゴットの境界であるメルト部分は、引き上げられるとすぐに冷えるわけではなく熱履歴を経て冷却される。この熱履歴の過程で、一般的な引上げ条件では空孔が過飽和となる。そして空孔が集まって単結晶シリコンインゴットの成長直後（Ａｓ−ｇｒｏｗｎ）にボイド欠陥と呼ばれる多面体の空洞の欠陥が形成される。シリコンインゴットは過飽和に酸素が溶け込まれている状態なので空洞の内側に冷却過程で酸化膜が形成される。ボイド欠陥はＣＺ法による単結晶成長中に形成される欠陥であることからＧｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥といわれている。なおボイド欠陥がシリコンウェーハの表面に顕れた欠陥ピットのことをＣＯＰという。
ボイド欠陥は、シリコンウェーハにデバイス層を積層して半導体デバイスを製造する際に、歩留まり、製造された半導体デバイスの信頼性に悪影響を与える。
このためボイド欠陥を消滅させる必要があるが、従来より、ボイド欠陥を消滅させるためには、シリコンウェーハを高温でアニールすればよいと考えられていた。しかしシリコンウェーハを１枚づつアニールすることにすると、熱歪みが生じてシリコンウェーハを支持している支持部材に応力がかかり耐久性が損なわれるおそれがあったり、スリップという結晶欠陥が生じることがあった。
そこで、特開平１０−７４７７１号公報では、シリコンウェーハを１枚ずつ高温熱処理するのではなくスタックアニールすることにより、上記問題点を解決している。すなわち上記公報には、
（ａ）シリコンウェーハを複数枚積層して一群となし、一群以上のシリコンウェーハを垂直方向にスタック配置し、一群のシリコンウェーハを一定の姿勢にして高温熱処理（スタックアニール）することにより、ボイド欠陥を消滅せんとする発明が記載されている。
（ｂ）またシリコンウェーハを、１１００°Ｃから１３８０°Ｃの温度範囲で高温熱処理すれば、ボイド欠陥が消滅することが記載されている。この場合、熱処理の雰囲気は、酸素ガス雰囲気、酸素ガス含有雰囲気、不活性ガス雰囲気、還元性ガス雰囲気といった考えられる全ての雰囲気で、ボイド欠陥が消滅することが記載されている。
（ｃ）またスタック配置したシリコンウェーハは、熱処理後にシリコンウェーハの剥離が困難であることから、予めシリコンウェーハに酸化膜を形成した上で水素やアルゴンガスの雰囲気下でスタックアニールすることにより、熱処理後の剥離を容易ならしめることが記載されている。
このように従来は、シリコンウェーハを高温熱処理をすることによりボイド欠陥が消滅するものと考えられていた。
そこで、本発明者らは、上記公報に記載された温度条件および雰囲気条件で追試を行った。
この結果、シリコンウェーハ中のボイド欠陥は消滅するどころか、逆に肥大化することが明らかになった。
図１の（ｂ）、（ｃ）は、追試の内容を概略的に示している。
同図１（ｂ）に示すように、酸素が低濃度（初期酸素濃度で９×１０１７（ａｔｏｍｓ／ｃｃ）程度）で含まれているシリコンウェーハ（シリコン基板）１を用意する。このシリコンウェーハ１中には、成長直後（Ａｓ−ｇｒｏｗｎ）における直径が１００ｎｍ程度のボイド欠陥３が存在している。
そして、このシリコンウェーハ１に対して、酸素ガス雰囲気（酸素ガスが酸素分圧で１００％）ないしは酸素ガス含有雰囲気（酸素ガスが酸素分圧で０．５％以上）で、かつ１３００°以上の超高温熱処理を施す。この結果、シリコンウェーハ１中のボイド欠陥３は、成長直後（Ａｓ−ｇｒｏｗｎ）における直径１００ｎｍ程度から直径５００ｎｍ程度の大きさに肥大化していることが観察された。また同図１（ｃ）に示すようにシリコンウェーハ１をスタック配置して、このスタック配置した複数のシリコンウェーハ１に対して、同じく酸素ガス雰囲気ないしは酸素ガス含有雰囲気で、かつ１３００°Ｃ以上の超高温熱処理を施したところ、最上位および最下位のシリコンウェーハ１の酸化膜２側、中間のシリコンウェーハ１の外周において、ボイド欠陥３が同様に肥大化していることが観察された。
なお、アルゴンガスなどの不活性ガスの雰囲気、あるいは水素ガスなどの還元性ガスの雰囲気で１３００°Ｃ以上の高温熱処理を施すことにすると、シリコンウェーハ１から昇華、脱離する酸化シリコンＳｉＯｘにより、反応管やボートなどが汚染したり、ＳｉＣボートそのものの劣化を引き起こす。このような炉内の汚染、炉の耐久性の低下を防ぐために、１３００°Ｃ以上の高温熱処理を行うときには、実質的には酸素ガス含有雰囲気若しくは酸素ガス雰囲気で熱処理を行うことが必須となる。
発明の開示
本発明はこうした実状に鑑みてなされたものであり、単結晶シリコン内に存在するボイド欠陥を確実に消滅させることができるようにすることを解決課題とするものである。
そこで本発明の第１発明の方法では、
ＣＺ法により製造された単結晶シリコンに対して酸化処理を行う工程と、
少なくとも１３００°Ｃ近傍の温度で超高温熱処理を行うことにより、単結晶シリコン中に存在するボイド欠陥を消滅させる工程と
を含むことを特徴とする。
第１発明によれば、図１（ａ）に示すように、ＣＺ法により製造された単結晶シリコン１に対して酸化処理を行い、少なくとも１３００°Ｃ近傍の温度で超高温熱処理を行うことにより（図１６参照）、単結晶シリコン１中に存在するボイド欠陥３を消滅させることができる。
第２発明の方法では、
ＣＺ法により製造された単結晶シリコンに対して酸化処理を行い、３９６ｎｍ〜４００ｎｍの範囲の最低膜厚の初期酸化膜を形成する工程と、
少なくとも１３００°Ｃ近傍の温度で超高温熱処理を行うことにより、単結晶シリコン中に存在するボイド欠陥を消滅させる工程と
を含むことを特徴とする。
第２発明によれば、図１（ａ）に示すように、ＣＺ法により製造された単結晶シリコン１に対して酸化処理を行い、３９６ｎｍ〜４００ｎｍの範囲の最低膜厚の初期酸化膜２を形成し（図１１、図１４参照）、少なくとも１３００°Ｃ近傍の温度で超高温熱処理を行うことにより（図１６参照）、単結晶シリコン１中に存在するボイド欠陥３を消滅させることができる。
第３発明の方法では、
ＣＺ法により製造された単結晶シリコンのブロックに対して酸化処理を行う工程と、
少なくとも１３００°Ｃ近傍の温度で超高温熱処理を行うことにより、単結晶シリコンのブロック中に存在するボイド欠陥を消滅させる工程と
を含むことを特徴とする。
第３発明は、第１発明の方法を単結晶シリコンのブロックに適用することができる。
第４発明の方法では、
ＣＺ法により製造された単結晶シリコンのウェーハに対して酸化処理を行う工程と、
前記単結晶シリコンウェーハを複数枚積み重ねる工程と、
前記複数枚積み重ねられた単結晶シリコンウェーハに対して少なくとも１３００°Ｃ近傍の温度で超高温熱処理を行うことにより、各単結晶シリコンウェーハ中に存在するボイド欠陥を消滅させる工程と
を含むことを特徴とする。
第４発明は、第１発明の方法を単結晶シリコンを複数枚積み重ねたものに適用することができる。
第５発明では、第１発明〜第４発明において、
０．５％〜１００％の酸素分圧の雰囲気で前記超高温熱処理を行うこと
を特徴とする。
第６発明では、第１発明〜第４発明において、
前記単結晶シリコン中の酸素濃度は、１４×１０１７（ａｔｏｍｓ／ｃｃ）以下であること
を特徴とする。
第７発明では、第１発明〜第４発明において、
前記超高温熱処理が行われる温度まで昇温する過程に、前記酸化処理を行うステップを設けたこと
を特徴とする。
第８発明では、第１発明〜第４発明において、
前記超高温熱処理が行われる温度まで昇温する過程に、１２００°Ｃ以下の温度で前記酸化処理を行うステップを設けたこと
を特徴とする。
第９発明では、第１発明〜第４発明において、
前記超高温熱処理が行われる温度まで昇温する過程または当該温度から降温する過程に、４００°Ｃ〜１０００°Ｃの温度で単結晶シリコンに酸素析出核を形成する熱処理を行うステップを設けたこと
を特徴とする。
第１０発明では、第１発明〜第４発明において、
前記超高温熱処理が行われた後に、４００°Ｃ〜１０００°Ｃの温度で単段または多段の熱処理を更に行い、単結晶シリコンに酸素析出核を形成すること
を特徴とする。
第１１発明の方法では、
ＣＺ法により製造され、酸化処理が行われていない単結晶シリコンに対して、酸素雰囲気でかつ１２００°Ｃを超えて１３１０°Ｃ未満の範囲内の温度で超高温熱処理を行うことにより、単結晶シリコン中に存在するボイド欠陥を消滅させること
を特徴とする。
第１１発明によれば、ＣＺ法により製造され、酸化処理が行われていない単結晶シリコン（ベアウエーハ）に対して、図１７に示すように、酸素雰囲気でかつ１２００°Ｃを超えて１３１０°Ｃ未満の範囲内の温度で超高温熱処理を行うことにより、単結晶シリコン中に存在するボイド欠陥を消滅させることができる。
第１２発明では、単結晶シリコンが、
ＣＺ法により製造され、初期酸化膜を表面に形成した後に、少なくとも１３００°Ｃ近傍の温度による超高温熱処理が施されてなることを特徴とする。
第１２発明は、第１発明の方法を、物の発明で特定したものである。
第１３発明では、単結晶シリコンが、
ＣＺ法により製造された単結晶シリコンであって、３９６ｎｍ〜４００ｎｍの範囲の最低膜厚の初期酸化膜を表面に形成した後に、少なくとも１３００°Ｃ近傍の温度による超高温熱処理が施されてなることを特徴とする。
第１３発明は第２発明の方法を、物の発明で特定したものである。
第１４発明では、単結晶シリコンのブロックが、
ＣＺ法により製造された単結晶シリコンのブロックであって、初期酸化膜を表面に形成した後に、少なくとも１３００°Ｃ近傍の温度による超高温熱処理が施されてなることを特徴とする。
第１３発明は第３発明の方法を、物の発明で特定したものである。
第１５発明では、単結晶シリコンが、
ＣＺ法により製造され、初期酸化膜を表面に形成していない状態で、酸素雰囲気でかつ１２００°Ｃを超えて１３１０°Ｃ未満の範囲内の温度の超高温熱処理が施されてなることを特徴とする。
第１５発明は第１１発明の方法を、物の発明で特定したものである。
第１６発明の方法では、
ＣＺ法により製造され、酸化処理が行われていない単結晶シリコンを、酸素ガス雰囲気あるいは酸素ガス含有雰囲気で超高温まで昇温して超高温熱処理を施し更に降温することにより、単結晶シリコン中に存在するボイド欠陥を消滅させる単結晶シリコンの欠陥消滅方法において、
前記単結晶シリコン中の初期酸素濃度、前記超高温まで昇温する過程の雰囲気の酸素分圧、前記超高温熱処理を施す際の雰囲気の酸素分圧、前記超高温熱処理が行われる温度の各パラメータを調整することにより、前記単結晶シリコン中に存在するボイド欠陥を消滅させるようにしたこと
を特徴とする。
第１７発明では、第１６発明において、
前記超高温熱処理を施す際の雰囲気の酸素分圧を５０％以上とし、前記超高温まで昇温する過程の雰囲気の酸素分圧を、２５％未満とし、超高温熱処理が行われる温度を、１２００°Ｃを超えて１３１０°Ｃ未満の範囲内の温度とすること
を特徴とする。
第１８発明では、第１６発明において、
前記超高温熱処理を施す際の雰囲気の酸素分圧を、２５％以上とし、前記超高温まで昇温する過程の雰囲気の酸素分圧を、２５％以上とし、超高温熱処理が行われる温度を、１２００°Ｃ以上の温度とすること
を特徴とする。
第１９発明では、第１６発明において、
前記超高温熱処理を施す際の雰囲気の酸素分圧、前記超高温まで昇温する過程の雰囲気の酸素分圧を２５％以上とし、超高温熱処理が行われる温度を、１２４０°Ｃ以上の温度とすること
を特徴とする。
第２０発明では、第１６発明において、
前記単結晶シリコン中の初期酸素濃度が、１０×１０１７（ａｔｏｍｓ／ｃｃ）よりも高い高酸化濃度になるに伴い、超高温熱処理が行われる温度を、１２６０°Ｃよりも高温側に移行させるとともに、前記超高温熱処理を施す際の雰囲気の酸素分圧、前記超高温まで昇温する過程の雰囲気の酸素分圧を２５％よりも高圧側に移行させること
を特徴とする。
本発明者らは実験を行い、ボイド欠陥３を消滅させる条件が、
▲１▼単結晶シリコン１中の初期酸素濃度
▲２▼高温アニール時の温度まで昇温する過程の雰囲気の酸素分圧
▲３▼高温アニールを施す際の雰囲気の酸素分圧
▲４▼高温アニールが行われる温度
の各パラメータによって変化することを発見するに至った。ボイド欠陥３を消滅する各パラメータの範囲は以下のように具体的に特定される。
１）高温アニール時の酸素分圧を、５０％以上とし、高温アニール時の温度まで昇温中の雰囲気の酸素分圧を、２５％未満とすれば、少なくとも１２００°Ｃを超えて１３１０°Ｃ未満の範囲で、ボイド欠陥３を消滅させることができる。
２）高温アニール時の酸素分圧を、２５％以上とし、高温アニール時の温度まで昇温中の雰囲気の酸素分圧を、２５％以上とすれば、高温アニール時の温度が１２００°Ｃ以上で、ボイド欠陥３を消滅させることができる。
３）雰囲気の酸素分圧（高温アニール時、昇温時）を２５％以上とし、高温アニール時の温度を、１２４０°Ｃ以上の温度とすれば、ボイド欠陥３を消滅させることができる。
４）単結晶シリコン１中の初期酸素濃度が、１０×１０１７（ａｔｏｍｓ／ｃｃ）よりも高い高酸化濃度になるに伴い、高温アニール時の温度を、１２６０°Ｃよりも高温側に移行させるとともに、雰囲気の酸素分圧（高温アニール時、昇温時）を２５％よりも高圧側に移行させることで、ボイド欠陥３を消滅させることができる。
発明を実施するための最良の形態
以下図面を参照して本発明に係る単結晶シリコンの欠陥消滅方法および単結晶シリコンの実施の形態について説明する。
なお本明細書では、「単結晶シリコン」という用語を、単結晶シリコンのブロック（インゴット）、ブロックからスライスされたシリコンウェーハ（シリコン基板）、シリコンウェーハを複数枚、スタック配置したもの、のすべてを包含する意味で使用するものとする。
図１（ａ）は本発明の方法の第１の実施形態を概略的に示している。
・第１の実施形態
まずＣＺ法により成長された単結晶シリコンのインゴット（ブロック）をスライスして、シリコンウェーハ１を取得する。このシリコンウェーハ１は、酸素が低濃度で含まれている。具体的には、９×１０１７（ａｔｏｍｓ／ｃｃ）（ＡＳＴＭ  Ｆ１２１−７９）程度の初期酸素濃度で酸素がシリコンウェーハ１に含まれているものとする。このシリコンウェーハ１中には、成長直後（Ａｓ−ｇｒｏｗｎ）における直径が１００ｎｍ程度のボイド欠陥３が存在している。
つぎに、シリコンウェーハ１を酸化処理して、シリコンウェーハ１に対して４００ｎｍ以上の厚さの酸化膜２を形成する。
つぎに、０．５％以上の酸素が含有された酸素雰囲気下で、かつ１３００°Ｃ以上の温度で、超高温熱処理（アニール）を、シリコンウェーハ１に施す。
この結果、シリコンウェーハ１内に存在していたボイド欠陥３が消滅した。
以上のように従来技術では、図１（ｂ）、図１（ｃ）を用いて説明したように、酸素ガス含有雰囲気かつ１３００°Ｃ以上の超高温アニールの前工程で酸化処理を行わなかったためボイド欠陥３が肥大化していたが、本実施形態では、酸素ガス含有雰囲気かつ１３００°Ｃ以上の超高温アニールの前工程で酸化処理を行ったためボイド欠陥３を消滅させることができた。
ただし図１（ｃ）に示すようにシリコンウェーハ１をスタックアニールした場合には、超高温アニールの前処理として酸化処理を行わなくてもボイド欠陥３が収縮する現象がみられた。ボイド欠陥３が収縮したのは、最上位および最下位のシリコンウェーハ１の酸化膜２側、中間のシリコンウェーハ１の外周を除いた部位であり、特にシリコンウェーハ１同士を積み重ねた界面ではボイド欠陥３は消滅していた。最上位および最下位のシリコンウェーハ１の酸化膜２側、中間のシリコンウェーハ１の外周ではボイド欠陥３は収縮せずに肥大化していた。
図１（ａ）では、一枚のシリコンウェーハ１に対して酸化処理、高温熱処理を行っているが、複数枚のシリコンウェーハ１それぞれに酸化処理を施し、これら複数枚のシリコンウェーハ１をスタック配置し、これらスタック配置した複数枚のシリコンウェーハ１に対して酸素ガス含有雰囲気で１３００°Ｃ以上の超高温アニールを施してもよい。この場合には従来技術と異なり、最上位および最下位のシリコンウェーハ１の酸化膜２側、中間のシリコンウェーハ１の外周でボイド欠陥３を消滅させることができる。
以上のように本実施形態によれば、酸素ガス含有雰囲気かつ１３００°Ｃ以上の超高温熱処理の前工程で酸化処理を行うようにしているため、シリコンウェーハ１あるいはスタック配置したシリコンウェーハ１中のボイド欠陥３を確実に消滅させることができる。なお本実施形態では、単結晶シリコンのブロック（インゴット）からスライスしたシリコンウェーハ１に対して酸化処理、高温熱処理を行う場合を想定しているが、単結晶シリコンのブロックに直接、酸化処理、高温熱処理を施してもよく、この場合には単結晶シリコンのブロック中に存在するボイド欠陥３を確実に消滅させることができる。
ここでボイド欠陥３の消滅のメカニズムについて考察する。
一般にシリコンウェーハ１上に熱酸化膜２が形成する際に、酸化膜形成に伴う体積膨脹により、シリコンウェーハ１と酸化膜２の界面からシリコンウェーハ１の内部方向へ格子間シリコンが注入されることが知られている。
高温熱処理に先行する前酸化処理の有無いかんによって、高温処理中の酸化膜成長レートが影響を受ける。すなわち初期酸化膜形成を行っていないシリコンウェーハ１では、その後の酸素ガス含有雰囲気下の高温処理中に急激に酸化が進むのに対して、初期酸化膜形成シリコンウェーハでは酸化膜成長レートは遅くなる。
ここで酸化レートが高いシリコンウェーハ１の内部でボイド欠陥３が肥大化するとすれば、ボイド欠陥３が空孔クラスタであることから、格子間シリコン注入では説明できず、むしろ空孔注入のような現象が起きているはずである。
そこで、詳細なメカニズムは不明であるにしても”１３００°Ｃ以上の高温熱処理では空孔が注入される”と仮定した場合に、欠陥の収縮、肥大化の減少は以下のように説明される。
すなわち１３００°Ｃ以上の高温熱処理をシリコンウェーハ１に施す場合に、シリコンウェーハ１中の酸素濃度がその温度における固溶限以下であるときは、ボイド欠陥３の内壁の酸化膜が溶解し、空孔クラスタとしてのボイド欠陥３は溶体化して消滅する方向に向かうものと考えられる。しかし高温処理下でシリコンウェーハ１の表面から内部へ空孔の注入があると仮定した場合、空孔がボイド欠陥３に集まりボイド欠陥３そのものが肥大化すると考えられる。ボイド欠陥３の肥大化を防ぐためには、空孔注入を起こさないようにしなければならない。空孔注入を起こさないためには、酸化レートが低くなる条件で高温アニールを行う必要がある。
酸化膜２を形成しない雰囲気下、たとえば不活性ガスの雰囲気あるいは還元性ガスの雰囲気では、シリコンウェーハ１中のボイド欠陥３が収縮する方向に向かうことが考えられる。
しかし、このような雰囲気下で１３００°Ｃ以上の高温熱処理をシリコンウェーハ１に施すと、前述したようにシリコンウェーハ１から酸化シリコンＳｉＯｘが脱離して、反応管やボートなどの炉内部品が汚染したり、ＳｉＣボートそのものの劣化を引き起こす。このような炉内の汚染、炉の耐久性の低下が予測されるために、現実的には１３００°Ｃ以上の高温熱処理を行うときには、不活性ガスの雰囲気あるいは還元性ガスの雰囲気で行うことは困難であり、実質的には酸素ガス含有雰囲気若しくは酸素ガス雰囲気で熱処理を行うことが必須となる。
シリコンウェーハ１を積み重ねたスタック配置では、積み重ね界面に酸素ガスが十分に回らないと考えられ、実質上低酸化レート条件となる。このためスタック配置では積み重ね界面でボイド欠陥が収縮する方向に向かうが、積み重ねられたシリコンウェーハ１のうち上下２枚のシリコンウェーハ１では高酸化条件となるためボイド欠陥３は肥大化する。
以下、シリコン酸化膜の厚さ、高温熱処理時の温度条件、雰囲気条件等を具体的に示した各実施例について説明する。
まず各実施例と効果を対比するために比較例を説明する。
・比較例１
試料として直径が２００ｍｍで、酸素濃度が１１×１０１７（ａｔｏｍｓ／ｃｃ）（ＡＳＴＭ  Ｆ１２１−７９）で、Ｐ型のベアウェーハつまり自然酸化膜のみが表面に形成されたシリコンウェーハ１が準備され、このシリコンウェーハ１に対して図２に示す温度条件、雰囲気条件で高温アニールを行った。
アニール温度レシピは、図７に熱処理レシピ１として示され、７００°Ｃより徐々に温度を上昇させ、１３００°Ｃ〜１３９０°Ｃの範囲内の各最高温度１３００°Ｃ、１３５０°Ｃ、１３９０°Ｃまで上昇させた。この最高温度で２時間熱処理を施した後、徐々に温度を低下させていった。
アルゴンガスをベースにして酸素分圧が０．５％〜１００％の範囲内の各酸素分圧０．５％、３０％、１００％の雰囲気でアニールを行った。
つぎに熱処理の前後でボイド欠陥３のサイズの変化を、赤外散乱法で観察した。つまりボイド欠陥３を、赤外トモグラフでレーザ散乱欠陥（ＬＳＴＤ）として捕らえ、熱処理の前後のボイド欠陥３のサイズの変化を分析、評価した。計測器は三井金属鉱業製ＭＯ４０１を使用した。
図８は熱処理後の欠陥による散乱像を示しており、図９は熱処理前の欠陥による散乱像を示している。
図８は酸素分圧が０．５％の雰囲気で、１３５０°Ｃで２時間熱処理した場合の散乱像を示している。
これら図８、図９を比較してわかるように、図９に示す熱処理前の欠陥による散乱像に比べて、図８では散乱強度が増大して欠陥が肥大化していることがわかる。すなわち図８では欠陥の肥大化により、１視野の計測で高密度の欠陥が検出されている。通常レーザ径が６μｍ以内の欠陥のみ散乱するものとして扱うが、欠陥が肥大化しているため有効レーザ径から外れた位置に存在する欠陥が散乱欠陥として顕在化している。欠陥がレーザの中心付近にあるとき個々の欠陥は最大散乱強度を示す。図８の写真で、矢印で示す欠陥がレーザ径の中心付近で計測された散乱像である。同様の条件で計測した図９の熱処理前の散乱像と比較して欠陥が肥大化していることがわかる。
つぎに欠陥の形態を確認するために、赤外トモグラフ観察により得られた散乱欠陥の位置をマーキングし、ＦＩＢ加工によりＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）観察用サンプルを作成した。そして欠陥を透過型電子顕微鏡で観察した。
図１０はＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）で捕らえた欠陥の写真を示す。
同図１０に示すようにＴＥＭ観察したところ欠陥の肥大化を確認することができた。肥大化した欠陥は直径４００ｎｍのサイズであり、シリコンインゴットの成長直後（Ａｓ−ｇｒｏｗｎ）で通常観察される直径１００〜１５０ｎｍのサイズの欠陥と比較して著しく肥大化していることがわかった。
さらにＥＤＸ分析を行った結果、この欠陥の内部およびシリコンマトリックス界面からシリコン以外の信号、酸素による信号が得られていないことから散乱強度が増大している欠陥は、ボイド欠陥３であることが確認され、ボイド欠陥３の形態のまま肥大化されたことが確認された。
温度、酸素分圧を変えて同様の観察を行った。この結果は図２に示される。
図２において使用される符号を説明すると、「×」は熱処理後にボイド欠陥３が肥大化したことを示し、「△」は熱処理後にボイド欠陥３が収縮したことを示し、「○」は熱処理後にボイド欠陥３が消滅したことを示す。なお、これら符号は後述する図３〜図６においても同様の意味で用いる。
同図２に示すように、１３００°Ｃ、１３５０°Ｃ、１３９０°Ｃの各熱処理温度と、０．５％、３０％、１００％の各酸素分圧とをそれぞれ組み合わせた各条件の場合について、処理温度が１３００°Ｃでかつ酸素分圧が１００％という特定の条件の場合を除き、熱処理後にボイド欠陥３が肥大化しているという結果を得た。
以上のことから、シリコンウェーハ１に酸化処理を施すことなくベアウェーハのままで０．５％以上の酸素分圧の雰囲気で、かつ１３００°Ｃ〜１３９０°Ｃの温度範囲で高温アニールを行うと、特定の場合を除き、ボイド欠陥３はシリコンインゴット成長直後（Ａｓ−ｇｒｏｗｎ）のサイズと比較して肥大化するという結論を得た。
・実施例１
上記比較例１と同一仕様のシリコンウェーハ１を準備した。つまり試料として直径が２００ｍｍで、酸素濃度が１１×１０１７（ａｔｏｍｓ／ｃｃ）（ＡＳＴＭ  Ｆ１２１−７９）で、Ｐ型のシリコンウェーハ１を準備した。
つぎに、このシリコンウェーハ１に対して１１００°Ｃで８０分間、熱酸化処理を施して、表面に７００ｎｍの初期酸化膜２を形成した。なお熱酸化処理は、Ｗｅｔ酸化処理として行われた。Ｗｅｔ酸化処理とは、水蒸気を含む雰囲気下で行う酸化処理のことをいうものとする。ここで初期酸化膜とは、高温アニールを行う前にシリコンウェーハ１に形成されている酸化膜のことをいうものとする。
つぎに、初期酸化膜２が形成されたシリコンウェーハ１に対して、上記比較例１と同一の条件下で高温アニールを実施した。
すなわちアニール温度レシピは、図７に熱処理レシピ１として示され、７００°Ｃより徐々に温度を上昇させ、１３００°Ｃ〜１３９０°Ｃの範囲内の各最高温度１３００°Ｃ、１３５０°Ｃ、１３９０°Ｃまで上昇させた。この最高温度で２時間熱処理を施した後、徐々に温度を低下させていった。
アルゴンガスをベースにして酸素分圧が０．５％〜１００％の範囲内の各酸素分圧０．５％、３０％、１００％の雰囲気でアニールを行った。
つぎに熱処理の前後でボイド欠陥３のサイズの変化を、赤外散乱法で観察した。さらにＴＥＭ観察し、ＥＤＸ分析を行ったところ、ボイド欠陥３の形態のまま欠陥が熱処理後に消滅ないしは収縮していることが確認された。
図３に熱処理の各条件（各水準）とボイド欠陥３のサイズの変化（×：肥大化、△：収縮、○：消滅）との関係を示す。
同図３に示すように、１３００°Ｃ、１３５０°Ｃ、１３９０°Ｃの各熱処理
温度と、０．５％、３０％、１００％の各酸素分圧とをそれぞれ組み合わせた各条件（各水準）のいずれの場合についても、熱処理後にボイド欠陥３が消滅ないしは収縮しているという結果を得た。
以上のことから、シリコンウェーハ１に酸化処理を施した上で０．５％以上の酸素分圧の雰囲気で、かつ１３００°Ｃ〜１３９０°Ｃの温度範囲で高温アニールを行うと、ボイド欠陥３は消滅するか、シリコンインゴット成長直後（Ａｓ−ｇｒｏｗｎ）のサイズと比較して収縮するという結論を得た。
・実施例２
上記実施例１で、初期酸化膜２の膜厚を７００ｎｍにすればボイド欠陥３が消滅ないしは収縮することが確認されたため、つぎに初期酸化膜２の膜厚をパラメータとしてボイド欠陥消滅の効果を確認する実験を行った。
上記比較例１、実施例１と同一仕様のシリコンウェーハ１を準備した。つまり試料として直径が２００ｍｍで、酸素濃度が１１×１０１７（ａｔｏｍｓ／ｃｃ）（ＡＳＴＭ  Ｆ１２１−７９）で、Ｐ型のシリコンウェーハ１を準備した。
つぎに、このシリコンウェーハ１に対して１１００°Ｃで、Ｗｅｔ酸化処理を施して、表面に４５ｎｍ、１７５ｎｍ、３９４ｎｍ、５００ｎｍ、７００ｎｍの初期酸化膜２が形成された各水準の試料を作成した。
つぎに、酸化膜２が形成されたシリコンウェーハ１に対して、高温アニールを実施した。
すなわちアニール温度レシピは、図７に熱処理レシピ１として示され、７００°Ｃより徐々に温度を上昇させ、最高温度１３５０°Ｃまで上昇させた。この１３５０°Ｃで２時間熱処理を施した後、徐々に温度を低下させていった。
アルゴンガスをベースにして酸素分圧が０．５％〜１００％の範囲内の各酸素分圧０．５％、３０％、１００％の雰囲気でアニールを行った。
つぎに熱処理の前後でボイド欠陥３のサイズの変化を、赤外散乱法で観察した。さらにＴＥＭ観察し、ＥＤＸ分析を行ったところ、ボイド欠陥３の形態のまま欠陥が熱処理後に消滅ないしは収縮ないしは肥大化しており、ボイド欠陥消滅の効果は初期酸化膜２の膜厚の影響を受けていることが確認された。
図１２、図１３は前述した図８と同様の写真であり高温アニール後の欠陥による散乱像を示している。図１２は膜厚４５ｎｍの初期酸化膜２が形成されたシリコンウェーハ１について計測した結果を示し、図１３は膜厚７００ｎｍの初期酸化膜２が形成されたシリコンウェーハ１について計測した結果を示す。図１２、図１３は酸素分圧が０．５％の雰囲気で、１３５０°Ｃで２時間熱処理した場合の散乱像を示している。
欠陥の消滅の判断は、シリコンウェーハの径方向に２０ｍｍにわたる観察を行い欠陥による散乱がみられないことを基準にした。
図１２に示すように、ボイド欠陥３の肥大化により、１視野（２００μｍ×１８５μｍ）の測定で見かけ上高密度の欠陥が観察されている。通常欠陥サイズの場合有効レーザ径が６μｍ程度となるが、肥大化した欠陥の場合さらに広い入射領域からの散乱をとらえるためである。
図１３に示すように径方向に２００００μｍのスキャンを行った結果、ボイド欠陥による散乱は観察されなかった。
これら図１２、図１３を比較してわかるように、図１２に示す膜厚４５ｎｍの場合にはボイド欠陥３は肥大化しているのに対して、図１３に示す膜厚７００ｎｍの場合にはボイド欠陥３が消滅していることがわかる。
欠陥が消滅したシリコンウェーハ１の欠陥消滅の深さを調べるために、低倍率の測定を行ったところ、深さ方向全域にわたりボイド欠陥３が存在していないことが確認された。
図４に、雰囲気（酸素分圧０．５％、３０％、１００％）、初期酸化膜２の膜厚（４５ｎｍ、１７５ｎｍ、３９４ｎｍ、５００ｎｍ、７００ｎｍ）と、ボイド欠陥３のサイズの変化（×：肥大化、△：収縮、○：消滅）との関係を示す。なお比較例として自然酸化膜（膜厚０）の場合も掲げている。
同図４に示すように、酸素分圧が０．５％の場合には、初期酸化膜２の膜厚が３９６ｎｍでもボイド欠陥３の収縮がみられた。また酸素分圧いかんにかかわらずにボイド欠陥３を消滅させるには、少なくとも５００ｎｍの膜厚の初期酸化膜２を形成することが必要であるという結果を得た。
また図１１は、酸素分圧が１００％の雰囲気で高温アニール（１３５０°Ｃで２時間アニール）を行った後のボイド欠陥３のサイズを、初期酸化膜２の膜厚をパラメータとしてプロットしたグラフを示している。図１１の横軸が初期酸化膜２の膜厚（ｎｍ）であり、縦軸が熱処理後のボイド欠陥３のサイズ（ａ．ｕ）である。図１１において一点鎖線は、シリコンインゴット成長直後（Ａｓ−ｇｒｏｗｎ）のボイド欠陥３のサイズを示している。
同図１１に示すように初期酸化膜２の膜厚が３９６ｎｍ未満ではボイド欠陥３は、Ａｓ−ｇｒｏｗｎ時のボイド欠陥３のサイズに比して肥大化しておりボイド欠陥消滅の効果はないと考えられるが、膜厚が３９６ｎｍ以上になると急激にボイド欠陥３のサイズは収縮しボイド欠陥消滅の効果が急激に高まっていることがわかる。初期酸化膜２の厚さが５００ｎｍになるとボイド欠陥３のサイズは測定限界（Ｄ．Ｌ）以下のサイズまで収縮しボイド欠陥３が消滅していることがわかる。したがってボイド欠陥３を消滅させる効果は、３９６ｎｍ〜５００ｎｍの範囲内の膜厚以上で得られるものと考えられる。
・実施例３
上記実施例２で、ボイド欠陥３を消滅させるために必要な初期酸化膜２の最低膜厚（しきい値）が確認されたため、つぎに高温アニール前の酸化膜形成方法によって最低膜厚が変動することを確認する実験を行った。
上記比較例１、実施例１、実施例２と同一仕様のシリコンウェーハ１を準備した。つまり試料として直径が２００ｍｍで、酸素濃度が１１×１０１７（ａｔｏｍｓ／ｃｃ）（ＡＳＴＭ  Ｆ１２１−７９）で、Ｐ型のシリコンウェーハ１を準備した。
つぎに、このシリコンウェーハ１に対して、下記各種酸化膜形成方法を適用して初期酸化膜２を形成した。各種酸化膜形成方法ごとの処理温度を下記に示す。
▲１▼Ｗｅｔ酸化処理      …処理温度１１００°Ｃ
▲２▼ｄｒｙ酸化処理      …処理温度１１００°Ｃ
▲３▼ＣＶＤ（化学蒸着法）…処理温度  ４３０°Ｃ
なおｄｒｙ酸化処理は、Ｗｅｔ酸化処理と同様に熱酸化であり、Ｗｅｔ酸化処理と異なり水蒸気を含まない乾燥した雰囲気下で行う酸化処理のことをいうものとする。
酸化膜厚５５〜８４０ｎｍの範囲内の各膜厚の初期酸化膜２が形成された各水準の試料を作成した。
つぎに、酸化膜２が形成されたシリコンウェーハ１に対して、高温アニールを実施した。
すなわちアニール温度レシピは、図７に熱処理レシピ１として示され、７００°Ｃより徐々に温度を上昇させ、最高温度１３５０°Ｃまで上昇させた。この１３５０°Ｃで２時間熱処理を施した後、徐々に温度を低下させていった。酸素分圧が１００％の雰囲気でアニールを行った。
つぎに熱処理の前後でボイド欠陥３のサイズの変化を、赤外散乱法で観察した。さらにＴＥＭ観察し、ＥＤＸ分析を行ったところ、ボイド欠陥３の形態のまま欠陥が熱処理後に消滅ないしは収縮ないしは肥大化しており、ボイド欠陥を消滅させるに必要な初期酸化膜２の最低膜厚は、酸化膜形成方法の影響を受けて変動することが確認された。
図５に、初期酸化膜厚（５５〜８４０ｎｍ）、酸化膜形成方法（Ｗｅｔ酸化処理、ｄｒｙ酸化処理、ＣＶＤ）と、ボイド欠陥３のサイズの変化（×：肥大化、△：収縮、○：消滅）との関係を示す。
同図５に示すように、ｄｒｙ酸化処理、Ｗｅｔ酸化処理、ＣＶＤの順番で、ボイド欠陥３を消滅させる効果が低くなっており、この順番でボイド欠陥３を消滅させるに必要な初期酸化膜２の最低膜厚が大きくなっていくという結果を得た。
また図１４は、図１１と同様の高温アニール条件、つまり酸素分圧が１００％の雰囲気かつ１３５０°Ｃで２時間アニールを行った後のボイド欠陥３のサイズを、酸化膜形成方法（ｄｒｙ酸化処理、Ｗｅｔ酸化処理、ＣＶＤ）、初期酸化膜厚をパラメータとしてプロットしたグラフを示している。図１４の横軸が初期酸化膜２の膜厚（ｎｍ）であり、縦軸が熱処理後のボイド欠陥３のサイズ（ａ．ｕ）である。図１４において○印でプロットした破線で示す特性は、ｄｒｙ酸化処理を行った場合を示し、●印でプロットした実線で示す特性は、Ｗｅｔ酸化処理を行った場合を示し、△印でプロットした一点鎖線で示す特性は、ＣＶＤを行った場合を示している。
同図１４に示すように、急激にボイド欠陥３のサイズが収縮しボイド欠陥消滅の効果が急激に高まる初期酸化膜２の厚さ（ボイド欠陥を消滅させるに必要な最低膜厚）は、ｄｒｙ酸化処理、Ｗｅｔ酸化処理、ＣＶＤの順番で大きくなっていくことがわかる。ｄｒｙ酸化処理の場合には、ボイド欠陥３を消滅させるために、膜厚４００ｎｍ以上の初期酸化膜２を形成する必要がある。したがってｄｒｙ酸化処理、Ｗｅｔ酸化処理、ＣＶＤの全ての酸化膜形成方法についてボイド欠陥３を消滅させるには、少なくとも膜厚４００ｎｍの初期酸化膜２を高温アニール前にシリコンウェーハ１に形成しておくことが必要であると考えられる。
したがって上記実施例２、実施例３の結果から、ボイド欠陥３を消滅させるには、３９６ｎｍ〜４００ｎｍの範囲の最低膜厚の初期酸化膜２を高温アニール前にシリコンウェーハ１に形成しておくことが必要であると考えられる。
・実施例４
つぎにシリコンウェーハ１中の初期酸素濃度によってボイド欠陥を消滅させるに必要な高温アニール時の温度が変動することを確認する実験を行った。ここで初期酸素濃度とは、熱処理を行う前にシリコンウェーハ１中に含有されている酸素濃度のことをいうものとする。
上記比較例１、実施例１、実施例２とほぼ同一仕様のシリコンウェーハ１を準備した。つまり試料として直径が２００ｍｍで、Ｐ型のシリコンウェーハ１を準備した。実施例４の場合には、初期酸素濃度が、
▲１▼１０×１０１７（ａｔｏｍｓ／ｃｃ）（ＡＳＴＭ  Ｆ１２１−７９）
▲２▼１２×１０１７（ａｔｏｍｓ／ｃｃ）（ＡＳＴＭ  Ｆ１２１−７９）
の各試料を準備した。
つぎに、このシリコンウェーハ１に対して１１００°Ｃで８０分間、Ｗｅｔ酸化処理による酸化処理を施し、膜厚７００ｎｍの初期酸化膜２を形成した。
つぎに、酸化膜２が形成されたシリコンウェーハ１に対して、高温アニールを実施した。
すなわちアニール温度レシピは、図１５に熱処理レシピ２として示され、７００°Ｃより徐々に温度を上昇させ、１２６０°Ｃ〜１３５０°Ｃの範囲の各最高温度まで上昇させた。そしてこの最高温度から徐々に温度を低下させていった。酸素分圧が０．５％の雰囲気でアニールを行った。図７では最高温度でのアニール時間は２時間であったが、図１５では温度を昇降させただけで最高温度での滞在時間は０とした。
つぎに熱処理の前後でボイド欠陥３のサイズの変化を、赤外散乱法で観察した。さらにＴＥＭ観察し、ＥＤＸ分析を行ったところ、ボイド欠陥３の形態のまま欠陥が熱処理後に消滅ないしは収縮ないしは肥大化しており、ボイド欠陥を消滅させるに必要な高温アニール時の温度つまり図１５に示すアニール温度レシピの最高温度は、初期酸素濃度の影響を受けて変動することが確認された。
図１６は、酸素分圧が０．５％の雰囲気で高温アニールを行った後のボイド欠陥３のサイズを、初期酸素濃度（１０×１０１７（ａｔｏｍｓ／ｃｃ）（ＡＳＴＭ  Ｆ１２１−７９）、１２×１０１７（ａｔｏｍｓ／ｃｃ）（ＡＳＴＭ  Ｆ１２１−７９））、高温アニール時の温度をパラメータとしてプロットしたグラフを示している。図１６の横軸が高温アニール時の温度（°Ｃ）であり、縦軸が熱処理後のボイド欠陥３のサイズ（ａ．ｕ）である。図１６において○印でプロットした破線で示す特性は、初期酸素濃度１０×１０１７（ａｔｏｍｓ／ｃｃ）（ＡＳＴＭ  Ｆ１２１−７９）の場合を示し、●印でプロットした実線で示す特性は、初期酸素濃度が１２×１０１７（ａｔｏｍｓ／ｃｃ）（ＡＳＴＭ  Ｆ１２１−７９）の場合を示している。
同図１４に示すように、ボイド欠陥３のサイズが収縮しボイド欠陥消滅の効果が顕れる高温アニール時の温度（ボイド欠陥を消滅させるに必要な最低温度）は、初期酸素濃度が高くなるほど、大きくなっていくことがわかり１３００°Ｃ近傍で急激にボイド欠陥３のサイズに収縮していることから、１３００°Ｃ近傍でボイド欠陥消滅の効果が顕れると考えられる。初期酸素濃度が１０×１０１７（ａｔｏｍｓ／ｃｃ）（ＡＳＴＭ  Ｆ１２１−７９）の場合には、高温アニール時の温度が１２８０°Ｃ以上でボイド欠陥３が縮小し始めている。したがって、より酸素濃度を低くすれば１２８０°Ｃ程度でボイド欠陥消滅の効果が顕れると考えられる。
また酸素濃度が高くなるとボイド欠陥消滅の効果を得るには、より高温でアニールをしなければならないが、初期酸素濃度が１４×１０１７（ａｔｏｍｓ／ｃｃ）（ＡＳＴＭ  Ｆ１２１−７９）以下であれば、許容される温度（１３８０°Ｃ）以下でボイド欠陥消滅の効果が顕れると予測される。また実際に、初期酸素濃度が１４×１０１７（ａｔｏｍｓ／ｃｃ）（ＡＳＴＭ  Ｆ１２１−７９）のシリコンウェーハ１を準備し、Ｗｅｔ酸化により初期酸化膜２を７００ｎｍ形成した後、図７に示す熱処理レシピ１を用いて処理温度１３５０°Ｃ、酸素分圧０．５％雰囲気で高温アニールを実施したところ、ボイド欠陥３は消滅することが確認された。
したがってボイド欠陥３を消滅させるには、少なくとも１３００°Ｃ近傍の温度（１２８０°Ｃ〜１３００°Ｃ）で高温アニールを行うことが必要であると考えられる。また高温アニールを施してボイド欠陥３を消滅させるには、初期酸素濃度を１４×１０１７（ａｔｏｍｓ／ｃｃ）（ＡＳＴＭ  Ｆ１２１−７９）以下に抑える必要があると考えられる。
・実施例５
前述したように従来技術では、ベアウェーハ（酸化処理が施されていないシリコンウェーハ）を、酸化雰囲気でかつ、１１００°Ｃから１３８０°Ｃの温度範囲で高温熱処理すれば、ボイド欠陥３が消滅することが記載されている。しかし、高温熱処理前に酸化処理を行わなかったベアウエーハの場合、１１００°Ｃから１３８０°Ｃまでの全ての温度でボイド欠陥３が消滅するわけではなく、ボイド欠陥３が消滅する温度に臨界点があることが下記実験で明らかになった。
上記比較例１と同一仕様のシリコンウェーハ１を準備した。つまり試料として直径が２００ｍｍで、酸素濃度が１１×１０１７（ａｔｏｍｓ／ｃｃ）（ＡＳＴＭ  Ｆ１２１−７９）で、Ｐ型のベアウエーハ１を準備した。
つぎに、このベアウエーハ１に対して、高温アニールを実施した。
すなわちアニール温度レシピは、図７と同様であり、７００°Ｃより徐々に温度を上昇させ、１２００°Ｃ〜１３９０°Ｃの範囲内の各最高温度まで上昇させた。この最高温度で２時間熱処理を施した後、徐々に温度を低下させていった。
酸素分圧が１００％の雰囲気でアニールを行った。
つぎに熱処理の前後でボイド欠陥３のサイズの変化を、赤外散乱法で観察した。さらにＴＥＭ観察し、ＥＤＸ分析を行ったところ、ボイド欠陥３の形態のまま欠陥が熱処理後に消滅ないしは肥大化していることが確認された。
図６に高温アニール時の各温度（１２００°Ｃ〜１３９０°Ｃ）とボイド欠陥３のサイズの変化（×：肥大化、○：消滅）との関係を示す。
同図６に示すように、１２００°Ｃではボイド欠陥３のサイズの変化はみられず、１３１０°Ｃ、１３２０°Ｃ、１３５０°Ｃ、１３９０°Ｃではボイド欠陥３が肥大化しているが、１２４０°Ｃ、１２６０°Ｃ、１２８０°Ｃ、１３００°Ｃの各温度でボイド欠陥３が消滅しているという結果を得た。
また図１７は、酸素分圧が１００％の雰囲気で２時間、高温アニールを行った後のボイド欠陥３のサイズを、高温アニール時の温度をパラメータとしてプロットしたグラフを示している。図１７の横軸が高温アニール時の温度（°Ｃ）であり、縦軸が熱処理後のボイド欠陥３のサイズ（ａ．ｕ）である。図１７において一点鎖線は、シリコンインゴット成長直後（Ａｓ−ｇｒｏｗｎ）のボイド欠陥３のサイズを示している。
同図１７に示すように温度が１２００°Ｃ以下あるいは１３１０°Ｃ以上ではボイド欠陥３は、Ａｓ−ｇｒｏｗｎ時のサイズと変わりはないか肥大化しておりボイド欠陥消滅の効果はないと考えられるが、１２００°Ｃを超えて１３１０°Ｃ未満の温度範囲ではボイド欠陥３のサイズはＡｓ−ｇｒｏｗｎ時のサイズに比して収縮していると考えられボイド欠陥消滅の効果を得ていることがわかる。さらに温度範囲を１２４０°Ｃ〜１３００°Ｃの範囲まで狭めれば、ボイド欠陥３が完全に消滅していることがわかる。
したがってベアウエーハに対して酸素雰囲気下で高温アニールを施してボイド欠陥３を消滅させるには、１２００°Ｃを超えて１３１０°Ｃ未満の温度範囲で高温アニールを行うことが必要であると考えられる。また望ましくは１２４０°Ｃ〜１３００°Ｃの温度範囲で高温アニールを行うことが必要であると考えられる。
・実施例６
上記実施例１〜４では、シリコンウェーハ１に対して酸化処理、高温熱処理を行っているが、複数枚のシリコンウェーハ１それぞれに酸化処理を施し、これら複数枚のシリコンウェーハ１をスタック配置し、これらスタック配置した複数枚のシリコンウェーハ１に対して酸素雰囲気（酸素分圧０．５％〜１００％）で１３００°Ｃ近傍温度以上の超高温アニールを施してもよい。この場合には従来技術と異なり、図１（ｃ）において最上位および最下位のシリコンウェーハ１の酸化膜２側、中間のシリコンウェーハ１の外周でボイド欠陥３を消滅させることができる。
また実施例１〜４では、単結晶シリコンのブロック（インゴット）からスライスしたシリコンウェーハ１に対して酸化処理、高温熱処理を行う場合を想定しているが、単結晶シリコンのブロックに直接、酸化処理、高温熱処理を施してもよく、この場合には単結晶シリコンのブロック中に存在するボイド欠陥３を消滅させることができる。
・実施例７
上記実施例５では、ベアウェーハ１に対して高温熱処理を行っているが、複数枚のベアウェーハ１をスタック配置し、これらスタック配置した複数枚のベアウェーハ１に対して酸素雰囲気（酸素分圧０．５％〜１００％）で、かつ１２００°Ｃを超えて１３１０°Ｃ未満の温度範囲で（望ましくは１２４０°Ｃ〜１３００°Ｃの温度範囲で）超高温アニールを施してもよい。この場合には従来技術と異なり、図１（ｃ）において最上位および最下位のベアウェーハ１の酸化膜２側、中間のベアウェーハ１の外周でボイド欠陥３を消滅させることができる。
また実施例５では、単結晶シリコンのブロック（インゴット）からスライスしたベアウェーハ１に対して高温熱処理を行う場合を想定しているが、単結晶シリコンのブロックに直接、高温熱処理を施してもよく、この場合には単結晶シリコンのブロック中に存在するボイド欠陥３を消滅させることができる。
・実施例８
実施例１〜４では、図７または図１５に示す熱処理レシピ１または熱処理レシピ２で超高温熱処理を行うようにしている。そこで図７または図１５において超高温熱処理が行われる温度まで昇温する過程に、酸化処理を行い初期酸化膜２を形成するステップを設けることができる。
この場合、超高温熱処理が行われる温度まで昇温する過程に、１２００°Ｃ以下の温度で酸化処理を行うステップを設けることができる。
・実施例９
実施例１〜５では、図７または図１５に示す熱処理レシピ１または熱処理レシピ２で超高温熱処理を行うようにしている。そこで図７または図１５において超高温熱処理が行われる温度まで昇温する過程または当該温度から降温する過程に、４００°Ｃ〜１０００°Ｃの温度で単結晶シリコン１に酸素析出核を形成する熱処理を行うステップを設けることができる。単結晶シリコン１に酸素析出核を形成することにより単結晶シリコン１にイントリンシックゲッタリング（ＩＧ）の能力を付与することができる。
この場合、超高温熱処理が行われた後に、４００°Ｃ〜１０００°Ｃの温度で単段または多段の熱処理を更に行い、単結晶シリコン１に酸素析出核を形成することができる。
・実施例１０
上記実施例５では、ベアウエーハ（酸化処理が施されていないシリコンウェーハ）に対して酸素分圧が１００％の雰囲気下で高温アニールを施してボイド欠陥３を消滅させるには、１２００°Ｃを超えて１３１０°Ｃ未満の温度範囲で高温アニールを行うことが必要であることが明らかになった。
本発明者らはその後実験を行い、ボイド欠陥３を消滅させる条件が、
▲１▼単結晶シリコン１中の初期酸素濃度
▲２▼高温アニール時の温度まで昇温する過程の雰囲気の酸素分圧
▲３▼高温アニールを施す際の雰囲気の酸素分圧
▲４▼高温アニールが行われる温度
の各パラメータによって変化することを発見するに至り、そのボイド欠陥３が消滅する各パラメータの範囲を特定した。以下説明する。
図１８は、高温アニール時の雰囲気の酸素分圧を１００％にし、単結晶シリコンの初期酸素濃度、昇温中の雰囲気の酸素分圧、高温アニール時の温度を変化させたときのボイド欠陥３のサイズの変化（×：肥大化、△：収縮、○：消滅）を表にて示す。高温アニールは酸素分圧が１００％の酸素雰囲気で２時間行った。
（１）初期酸素濃度が低い（１０×１０１７（ａｔｏｍｓ／ｃｃ））場合
図１８の表中、初期酸素濃度を１０×１０１７（ａｔｏｍｓ／ｃｃ）にし昇温中の雰囲気の酸素分圧を０．５％とした場合は、図１７の場合に相当し、高温アニール時の温度が１２００°Ｃを超えて１３１０°Ｃ未満の温度範囲でボイド欠陥３が縮小または消滅したが、高温アニール時の温度を１３１０°Ｃ以上にするとボイド欠陥が肥大化した。
これに対して初期酸素濃度を１０×１０１７（ａｔｏｍｓ／ｃｃ）のままとし、昇温中の雰囲気の酸素分圧を１００％にして昇温中も高温アニール時と同じ酸素雰囲気にした場合には、高温アニール時の温度を１３１０°Ｃ以上にしてもボイド欠陥３を消滅させることができた。
（２）初期酸素濃度が高い（１５×１０１７（ａｔｏｍｓ／ｃｃ））場合
初期酸素濃度を１５×１０１７（ａｔｏｍｓ／ｃｃ）にし昇温中の雰囲気の酸素分圧を０．５％にした場合には、高温アニール時の温度が１２８０°Ｃ以下の範囲でボイド欠陥のサイズは殆ど変化しなかった。高温アニール時の温度を１３００°Ｃ以上にすることでボイド欠陥３が肥大化する傾向がみられた。
これに対して初期酸素濃度を１５×１０１７（ａｔｏｍｓ／ｃｃ）のままとし、昇温中の雰囲気の酸素分圧を１００％にして昇温中も高温アニール時と同じ酸素雰囲気にした場合には、高温アニール時の温度を１３２０°Ｃ以上にすることでボイド欠陥３を消滅させることができた。
図１９は昇温中の雰囲気の酸素分圧と高温アニール時の雰囲気の酸素分圧をそれぞれ同じにした場合の実験結果であり、初期酸素濃度、雰囲気の酸素分圧（高温アニール時、昇温中）、高温アニール時の温度と、ボイド欠陥３のサイズの変化（×：肥大化、△：収縮、○：消滅）との関係を表にて示す。高温アニールは２時間行った。
（１）初期酸素濃度が低い（１０×１０１７（ａｔｏｍｓ／ｃｃ））場合
図１９の表中、初期酸素濃度を１０×１０１７（ａｔｏｍｓ／ｃｃ）にし、雰囲気の酸素分圧を２５％以上にし高温アニール時の温度を１２６０°Ｃ以上にすることでボイド欠陥３が消滅した。
（２）初期酸素濃度が高い（１５×１０１７（ａｔｏｍｓ／ｃｃ））場合
初期酸素濃度を１５×１０１７（ａｔｏｍｓ／ｃｃ）にした場合には、高温アニール時の温度が１２８０°Ｃ以下では、雰囲気の酸素分圧によらずボイド欠陥３のサイズは殆ど変化していない。しかし高温アニール時の温度を１３００°Ｃ以上にし雰囲気の酸素分圧を７５％以上に高くすることでボイド欠陥３をほぼ消滅させることができた。
更に実験を行い図１８、図１９のデータを補完した。図２０〜図２６は、図１８、図１９に示すデータおよびこれを補完したデータをグラフで示す。
図２０は、図１８の表中、初期酸素濃度が１０×１０１７（ａｔｏｍｓ／ｃｃ）の場合に相当する実験結果をグラフで示しており、横軸を高温アニール時の温度（°Ｃ）とし、縦軸を熱処理後のボイド欠陥３のサイズ（ａ．ｕ）としている。図２０において○でプロットしたものは、昇温中の雰囲気の酸素分圧が０．５％の場合を示し、●でプロットしたものは、昇温中の雰囲気の酸素分圧が１００％の場合を示している。
図２０から、雰囲気の酸素分圧が高いほどボイド欠陥３を消滅させる効果が大きく、ボイド欠陥３を消滅させることができる高温アニール時の温度範囲が１２００°Ｃ〜１３１０°Ｃの範囲から１２００°Ｃ以上の広範囲の温度範囲まで拡大しているのがわかる。
雰囲気の酸素分圧が高いほどボイド欠陥３を消滅させる効果が大きいということは、図２１に示す実験結果からあきらかである。
図２１はベアウエーハに対して１３００°Ｃの温度で２時間高温アニールを施したときの雰囲気中の酸素分圧とボイド欠陥サイズとの関係を示している。図２１の横軸は高温アニール時の酸素分圧（％）であり縦軸は熱処理後のボイド欠陥３のサイズ（ａ．ｕ）である。
同図２１に示すように、雰囲気中の酸素分圧を高くするに伴いボイド欠陥３を消滅させる効果が大きくなっていくことがわかる。雰囲気の酸素分圧が４０％付近からボイド欠陥３が縮小しており、雰囲気の酸素分圧が７５％以上でボイド欠陥３がほぼ消滅しているのがわかる。
図２２は初期酸素濃度が１０×１０１７（ａｔｏｍｓ／ｃｃ）の場合であって、昇温中の雰囲気の酸素分圧と高温アニール時の雰囲気の酸素分圧を同じとしたときに、各酸素分圧０．５％、２５％、５０％、１００％ごとに高温アニール時の温度とボイド欠陥サイズとの関係を示したものである。図２２の横軸は高温アニール時の温度（°Ｃ）であり縦軸は熱処理後のボイド欠陥３のサイズ（ａ．ｕ）である。
図２３は初期酸素濃度が１０×１０１７（ａｔｏｍｓ／ｃｃ）の場合であって、昇温中の雰囲気の酸素分圧と高温アニール時の雰囲気の酸素分圧を同じ一定圧としたときに、各高温アニール時温度１２６０°Ｃ、１２８０°Ｃ、１３００°Ｃ、１３４０°Ｃごとに雰囲気の酸素分圧とボイド欠陥サイズとの関係を示したものである。図２３の横軸は雰囲気の酸素分圧（％）であり縦軸は熱処理後のボイド欠陥３のサイズ（ａ．ｕ）である。
これら図２２、図２３に示すように雰囲気の酸素分圧を２５％以上にし、高温アニール時の温度を１２４０°Ｃ以上にすれば、ボイド欠陥３を消滅させることができるのがわかる。
図２４は初期酸素濃度が１５×１０１７（ａｔｏｍｓ／ｃｃ）の場合であって、昇温中の雰囲気の酸素分圧を０．５％、１００％に変化させたときに高温アニール時の温度とボイド欠陥サイズとの関係を示したものである。図２４の横軸は高温アニール時の温度（°Ｃ）であり縦軸は熱処理後のボイド欠陥３のサイズ（ａ．ｕ）である。
図２５は初期酸素濃度が１５×１０１７（ａｔｏｍｓ／ｃｃ）の場合であって、昇温中の雰囲気の酸素分圧と高温アニール時の雰囲気の酸素分圧を同じとしたときに、各酸素分圧２５％、５０％、７５％、１００％ごとに高温アニール時の温度とボイド欠陥サイズとの関係を示したものである。図２５の横軸は高温アニール時の温度（°Ｃ）であり縦軸は熱処理後のボイド欠陥３のサイズ（ａ．ｕ）である。
図２６は初期酸素濃度が１５×１０１７（ａｔｏｍｓ／ｃｃ）の場合であって、昇温中の雰囲気の酸素分圧と高温アニール時の雰囲気の酸素分圧を同じ一定圧としたときに、各高温アニール時温度１２６０°Ｃ、１２８０°Ｃ、１３００°Ｃ、１３４０°Ｃごとに雰囲気の酸素分圧とボイド欠陥サイズとの関係を示したものである。図２６の横軸は雰囲気の酸素分圧（％）であり縦軸は熱処理後のボイド欠陥３のサイズ（ａ．ｕ）である。
これら図２４〜図２６に示すように、単結晶シリコン中の初期酸素濃度を、１０×１０１７（ａｔｏｍｓ／ｃｃ）よりも大きい高酸化濃度（１５×１０１７（ａｔｏｍｓ／ｃｃ）にすると、高温アニールが行われる温度を、１２６０°Ｃよりも高温側に移行させるとともに、雰囲気の酸素分圧を２５％よりも高圧側に移行させなければ、ボイド欠陥３を消滅させることができないことがわかる。
以上のことからつぎのことがあきらかになる。
１）高温アニール時の雰囲気の酸素分圧を、５０％以上とし、高温アニール時の温度まで昇温中の雰囲気の酸素分圧を、２５％未満とすれば、少なくとも１２００°Ｃを超えて１３１０°Ｃ未満の範囲で、ボイド欠陥３を消滅させることができる。
２）高温アニール時の雰囲気の酸素分圧を、２５％以上とし、高温アニール時の温度まで昇温中の雰囲気の酸素分圧を、２５％以上とすれば、高温アニール時の温度が１２００°Ｃ以上で、ボイド欠陥３を消滅させることができる。
３）雰囲気の酸素分圧（高温アニール時、昇温時）を２５％以上とし、高温アニール時の温度を、１２４０°Ｃ以上の温度とすれば、ボイド欠陥３を消滅させることができる。
４）単結晶シリコン中の初期酸素濃度が、１０×１０１７（ａｔｏｍｓ／ｃｃ）よりも高い高酸化濃度になるに伴い、高温アニール時の温度を、１２６０°Ｃよりも高温側に移行させるとともに、雰囲気の酸素分圧（高温アニール時、昇温時）を２５％よりも高圧側に移行させることで、ボイド欠陥３を消滅させることができる。
産業上の利用可能性
本発明は単結晶シリコンのウェーハに熱処理を施す場合のみならず単結晶シリコンのブロック（インゴット）、シリコンウェーハを複数枚、スタック配置したものに熱処理を施す場合についても適用される。
【図面の簡単な説明】
図１は実施形態と従来技術を比較して示す図である。
図２は比較例１における条件と結果を示す図である。
図３は実施例１における条件と結果を示す図である。
図４は実施例２における条件と結果を示す図である。
図５は実際例３における条件と結果を示す図である。
図６は実施例６における条件と結果を示す図である。
図７は熱処理レシピを例示する図である。
図８は熱処理後の欠陥による散乱像を示す写真である。
図９は熱処理前の欠陥による散乱像を示す写真である。
図１０は肥大化したボイド欠陥のＴＥＭ写真である。
図１１は実施例２の結果を示す図であり、初期酸化膜厚と高温アニール後のボイド欠陥のサイズの関係を示す図である。
図１２は肥大化した欠陥の散乱像を示す写真である。
図１３は欠陥が収縮消滅した水準ウェーハの観察結果を示す写真である。
図１４は実施例３の結果を示す図であり、初期酸化膜厚と高温アニール後のボイド欠陥のサイズの関係を示す図で、酸化膜形成方法の違いによりボイド欠陥を消滅させるに必要な初期酸化膜厚が変化する様子を説明する図である。
図１５は熱処理レシピを例示する図である。
図１６は実施例４の結果を示す図であり、高温アニール時の温度と高温アニール後のボイド欠陥のサイズの関係を示す図で、初期酸素濃度の大きさによりボイド欠陥を消滅させるに必要な温度が変化する様子を説明する図である。
図１７は実施例５の結果を示す図であり、高温アニール時の温度と高温アニール後のボイド欠陥のサイズの関係を示す図で、ベアウェーハを熱処理する際の臨界温度を説明する図である。
図１８は初期酸素濃度、昇温中の雰囲気の酸素分圧、高温アニール時の温度を変化させたときの高温アニール後のボイド欠陥のサイズの変化を示す表である。
図１９は昇温中、高温アニール時の雰囲気の酸素分圧を同じ圧とした実験結果を示す表であり、雰囲気の酸素分圧、初期酸素濃度、高温アニール時の温度と高温アニール後のボイド欠陥サイズの変化との関係を示す表である。
図２０は昇温中の酸素分圧の違いによって変化するボイド欠陥を消滅させる温度範囲を示すグラフであり、高温アニール時の温度と高温アニール後のボイド欠陥サイズとの関係を示すグラフである。
図２１は酸素分圧の大きさがボイド欠陥の消滅に及ぼす効果を示すグラフであり、高温アニール時の温度と高温アニール後のボイド欠陥サイズとの関係を示すグラフである。
図２２は雰囲気の酸素分圧の違いによって変化するボイド欠陥を消滅させる温度範囲を示すグラフであり、高温アニール時の温度と高温アニール後のボイド欠陥サイズとの関係を示すグラフである。
図２３は高温アニール時の温度によって変化するボイド欠陥を消滅させる雰囲気の酸素分圧の範囲を示すグラフであり、雰囲気の酸素分圧と高温アニール後のボイド欠陥サイズとの関係を示すグラフである。
図２４は昇温中の雰囲気の酸素分圧の違いによって変化するボイド欠陥を消滅させる温度範囲を示すグラフであり、高温アニール時の温度と高温アニール後のボイド欠陥サイズとの関係を示すグラフである。
図２５は雰囲気の酸素分圧の違いによって変化するボイド欠陥を消滅させる温度範囲を示すグラフであり、高温アニール時の温度と高温アニール後のボイド欠陥サイズとの関係を示すグラフである。
図２６は高温アニール時の温度によって変化するボイド欠陥を消滅させる雰囲気の酸素分圧の範囲を示すグラフであり、雰囲気の酸素分圧と高温アニール後のボイド欠陥サイズとの関係を示すグラフである。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【国際調査報告】
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