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　特願２００４−５６８０３７「低標準偏差の高抵抗値分割ポリｐ抵抗器」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　８月１９日国際公開、ＷＯ２００４／０７０７７７、平成１８年　５月２５日国内公表、特表２００６−５１５４６６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯
　本願は、２００３年１２月１７日（パリ条約に基づく優先権主張　外国庁受理２００３年１月３１日、アメリカ合衆国）を国際出願日とする特許出願であって、平成２３年１月６日付けの拒絶理由通知に対して同年７月６日に意見書及び手続補正書が提出されたが、同年８月３日付けで拒絶査定がなされ、それに対して、同年１２月９日に拒絶査定不服審判が請求された。
　
第２．本願発明
　本願の請求項１〜１６に係る発明は、平成２３年７月６日に提出された手続補正書により補正された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜１６に記載されている事項により特定されるとおりのものであり、そのうちの請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、請求項１に記載されている事項により特定される次のとおりのものである。
　
　「【請求項１】
　半導体ウエハ上に形成さている高抵抗値ポリシリコン抵抗器であって、
　少なくとも１つの酸化物層と、
　前記少なくとも１つの酸化物層上に構成されている第１のポリシリコン層であって、パターニングされてエッチングされ前記少なくとも１つの酸化物層を露出する開口を有し、このエッチングされた開口の周縁部が垂直の縁部を画定する第１のポリシリコン層と、
　前記第１のポリシリコン層の表面、前記垂直の縁部、前記エッチングされた開口の全ての露出された酸化物の全体を覆って付着されている、前記第１のポリシリコン層よりも薄い、100 nm（1000 Å）以下の厚みの第２のポリシリコン層であって、前記露出された酸化物及び前記垂直の縁部上の当該第２のポリシリコン層が、パターニングされてエッチングされ前記高抵抗値抵抗器の外側縁部及び長さ部分を画定し、前記第１のポリシリコン層上の当該第２のポリシリコン層が、パターニングされてエッチングされ、前記第１のポリシリコン層とともに前記高抵抗値抵抗器の端部を画定する第２のポリシリコン層と、
　前記端部の不純物ドープレベルを増加させ、前記端部の抵抗率を減少させる前記高抵抗値抵抗器の端部へのインプラントと、
　前記高抵抗値抵抗器及び前記端部を覆う誘電体と、
　前記誘電体を介して前記端部のそれぞれに達し、それによって前記第２のポリシリコン層と接触して前記高抵抗値抵抗器に電気的な接続を形成する金属接触子とからなる高抵抗値ポリシリコン抵抗器。」
　
第３．引用刊行物に記載された発明
（１）本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布され、原査定の根拠となった拒絶の理由において引用された刊行物である特開平５−５５５２０号公報（以下「引用例」という。）には、図１〜６と共に、次の記載がある（ここにおいて、下線は当合議体が付加したものである。以下同じ。）。
　
ａ．「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造方法に関し、更に詳しくは、
多結晶シリコンからなる高抵抗
　
ｂ．「【０００５】
【実施例】以下、この発明の実施例について説明する。なお、それによってこの発明は限定を受けるものではない。まず、
図１において、ゲート及び不純物拡散層からなるＩＣ素子を有するＳｉ基板（図示せず）上のＳｉＯ
2
 膜（第１絶縁膜）1 上に膜厚Ａが４０００Åの厚い多結晶Ｓｉ層2 を形成する
多結晶Ｓｉ層2 は配線にも使われるため低抵抗化を行う必要があり、高濃度にＡｓ等の不純物を添加する
次に、多結晶Ｓｉ層2 における配線領域以外の領域の高抵抗部領域Ｈのみ多結晶Ｓｉ層2 をエッチング除去して高抵抗部用開口１０を形成する（図２参照）
続いて、高抵抗部用開口１０を含むＳｉ基板上の全面に、不純物が添加されていない、例えば、抵抗率が１〜１０メガオーム・ｃｍで膜厚Ｂが５００Åと薄い高抵抗層の多結晶Ｓｉ層3 を形成する( 図３参照）
続いて、高抵抗部用開口１０を含む多結晶Ｓｉ層3 上の全面に、膜厚Ｃが６０００ÅのＮＳＧ及びＢＰＳＧよりなる第２絶縁膜4 を形成する（図４参照）
さらに、電極取出しのため、配線領域Ｍの第２絶縁膜４をフォトエッチングして電極用コンタクト部１１を形成する（図４参照）
最後に電極用コンタクト部１１にメタル層5 を形成する事によりＩＣ素子上に薄い多結晶Ｓｉ層３による高抵抗が作成される（図５及び図６参照）
　
（２）ここにおいて、引用例の「高抵抗部用開口１０」は、「ＳｉＯ2 膜（第１絶縁膜）1 」上の「厚い多結晶Ｓｉ層2 」を「エッチング除去」して形成されたものであるから、「ＳｉＯ2 膜（第１絶縁膜）1 」を露出するものであること、及び「高抵抗部用開口１０」の周縁部が、「厚い多結晶Ｓｉ層2 」の縁部であることは、明細書の０００５段落の記載からも、図２からも明らかである。
　また、引用例の図２から、「厚い多結晶Ｓｉ層2 」の当該縁部が垂直形状を呈していることが見て取れる。
　
（３）引用例の図３の断面図から、「抵抗」の「配線領域Ｍ」において、「厚い多結晶Ｓｉ層2 」上に「薄い高抵抗層の多結晶Ｓｉ層3 」が積層されていること、また、「厚い多結晶Ｓｉ層2 」の垂直の縁部、及び「ＳｉＯ2 膜（第１絶縁膜）1 」を露出する「高抵抗部用開口１０」上にも「薄い高抵抗層の多結晶Ｓｉ層3 」が形成されていることが見て取れる。
　そして、引用例には、明細書の段落０００５に「高抵抗部用開口１０を含むＳｉ基板上の全面に、不純物が添加されていない、例えば、抵抗率が１〜１０メガオーム・ｃｍで膜厚Ｂが５００Åと薄い高抵抗層の多結晶Ｓｉ層3 を形成する( 図３参照）。」と単に記載され、「薄い高抵抗層の多結晶Ｓｉ層3 」のパターニング工程が明記されていないが、同段落に当該「薄い高抵抗層の多結晶Ｓｉ層3 による高抵抗が作成される（図５及び図６参照）。このように本実施例では、抵抗部の薄い多結晶シリコン膜3 は・・・」と記載されていること、すなわち「薄い高抵抗層の多結晶Ｓｉ層3 」が「抵抗」の「抵抗部」として機能すること、並びに図３〜５の断面図及び図６の平面図を参酌すると、「薄い高抵抗層の多結晶Ｓｉ層3 」がパターニングされ、「抵抗」の外側縁部及び長さ部分を画定していることは明らかである。
　
（４）以上を総合すると、引用例には次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
　「Ｓｉ基板上に形成されている高抵抗多結晶Ｓｉの抵抗であって、
　Ｓｉ基板上に形成されたＳｉＯ2 膜（第１絶縁膜）1 と、
　前記ＳｉＯ2 膜（第１絶縁膜）1 上に形成され、高濃度に不純物が添加され低抵抗化された、膜厚が４０００Åの厚い多結晶Ｓｉ層2 であって、前記厚い多結晶Ｓｉ層2 は、配線領域Ｍ以外の高抵抗部領域Ｈのみ多結晶Ｓｉ層2 をエッチング除去して、前記ＳｉＯ2 膜（第１絶縁膜）1 を露出する高抵抗部用開口１０を有し、このエッチング除去された開口１０の周縁部において、垂直形状の縁部を有する厚い多結晶Ｓｉ層2 と、
　前記厚い多結晶Ｓｉ層2 の表面、前記垂直の縁部、前記ＳｉＯ2 膜（第１絶縁膜）1 を露出する高抵抗部用開口１０の全体上に形成された、膜厚が５００Åの薄い高抵抗層の多結晶Ｓｉ層3 であって、露出された前記ＳｉＯ2 膜（第１絶縁膜）1 及び前記垂直の縁部上の当該薄い高抵抗層の多結晶Ｓｉ層3 が、パターニングされて前記抵抗の外側縁部及び長さ部分を画定し、配線領域Ｍにおいて、前記厚い多結晶Ｓｉ層2 上に積層される薄い高抵抗層の多結晶Ｓｉ層3 と、
　高抵抗部用開口１０を含む多結晶Ｓｉ層3 上の全面に形成された第２絶縁膜4 と、
　電極取出しのために、配線領域Ｍの第２絶縁膜４をエッチングして形成された電極用コンタクト部１１に形成されたメタル層5 とからなる高抵抗多結晶Ｓｉの抵抗。」
　
第４．本願発明と引用発明との対比
（１）引用発明の「Ｓｉ基板」、「高抵抗多結晶Ｓｉの抵抗」は、各々本願発明の「半導体ウエハ」、「高抵抗値ポリシリコン抵抗器」に相当する。
　したがって、引用発明の「Ｓｉ基板上に形成されている高抵抗多結晶Ｓｉの抵抗」は、本願発明の「半導体ウエハ上に形成さている高抵抗値ポリシリコン抵抗器」に相当する。
　
（２）引用発明の「ＳｉＯ2 膜（第１絶縁膜）1 」は、本願発明の「少なくとも１つの酸化物層」に相当する。
　
（３）引用発明の「膜厚が４０００Åの厚い多結晶Ｓｉ層2 」、「前記ＳｉＯ2 膜（第１絶縁膜）1 を露出する高抵抗部用開口１０」は、各々本願発明の「第１のポリシリコン層」、「前記少なくとも１つの酸化物層を露出する開口」に相当する。
　したがって、引用発明の「前記ＳｉＯ2 膜（第１絶縁膜）1 上に形成され、高濃度に不純物が添加され低抵抗化された、膜厚が４０００Åの厚い多結晶Ｓｉ層2 であって、前記厚い多結晶Ｓｉ層2 は、配線領域Ｍ以外の高抵抗部領域Ｈのみ多結晶Ｓｉ層2 をエッチング除去して、前記ＳｉＯ2 膜（第１絶縁膜）1 を露出する高抵抗部用開口１０を有し、このエッチング除去された開口１０の周縁部において、垂直形状の縁部を有する厚い多結晶Ｓｉ層2 」は、本願発明の「前記少なくとも１つの酸化物層上に構成されている第１のポリシリコン層であって、パターニングされてエッチングされ前記少なくとも１つの酸化物層を露出する開口を有し、このエッチングされた開口の周縁部が垂直の縁部を画定する第１のポリシリコン層」に相当する。
　
（４）引用発明の「膜厚が５００Åの薄い高抵抗層の多結晶Ｓｉ層3 」は、「膜厚が４０００Åの厚い多結晶Ｓｉ層2 」よりも膜厚が薄いから、引用発明の「膜厚が５００Åの薄い高抵抗層の多結晶Ｓｉ層3 」は、本願発明の「前記第１のポリシリコン層よりも薄い、100 nm（1000 Å）以下の厚みの第２のポリシリコン層」に相当する。
　また、引用発明の「配線領域Ｍ」は、「高抵抗部領域Ｈ」を挟むように存在し、「高抵抗多結晶Ｓｉの抵抗」から「電極取出しのために」設けられる「電極用コンタクト部１１に形成されたメタル層5 」を備える領域であるから、引用発明の当該「配線領域Ｍ」において、「厚い多結晶Ｓｉ層2 上に積層される薄い高抵抗層の多結晶Ｓｉ層3 」は、「厚い多結晶Ｓｉ層2 」とともに「高抵抗多結晶Ｓｉの抵抗」の端部を構成している。
　したがって、引用発明の「前記厚い多結晶Ｓｉ層2 の表面、前記垂直の縁部、前記ＳｉＯ2 膜（第１絶縁膜）1 を露出する高抵抗部用開口１０の全体上に形成された、膜厚が５００Åの薄い高抵抗層の多結晶Ｓｉ層3 であって、露出された前記ＳｉＯ2 膜（第１絶縁膜）1 及び前記垂直の縁部上の当該薄い高抵抗層の多結晶Ｓｉ層3 が、パターニングされて前記抵抗の外側縁部及び長さ部分を画定し、配線領域Ｍにおいて、前記厚い多結晶Ｓｉ層2 上に積層される薄い高抵抗層の多結晶Ｓｉ層3 」は、本願発明の「前記第１のポリシリコン層の表面、前記垂直の縁部、前記エッチングされた開口の全ての露出された酸化物の全体を覆って付着されている、前記第１のポリシリコン層よりも薄い、100 nm（1000 Å）以下の厚みの第２のポリシリコン層であって、前記露出された酸化物及び前記垂直の縁部上の当該第２のポリシリコン層が、パターニングされてエッチングされ前記高抵抗値抵抗器の外側縁部及び長さ部分を画定し、前記第１のポリシリコン層上の当該第２のポリシリコン層が、パターニングされてエッチングされ、前記第１のポリシリコン層とともに前記高抵抗値抵抗器の端部を画定する第２のポリシリコン層」に相当する。
　
（５）引用発明の「第２絶縁膜4 」は、「高抵抗部用開口１０を含む多結晶Ｓｉ層3 上の全面に形成された」ものであるし、引用例の図４〜５からも明らかなとおり、「配線領域Ｍ」の「多結晶Ｓｉ層3 」上、すなわち「高抵抗多結晶Ｓｉの抵抗」の端部にも形成されている。
　したがって、引用発明の「高抵抗部用開口１０を含む多結晶Ｓｉ層3 上の全面に形成された第２絶縁膜4 」は、本願発明の「前記高抵抗値抵抗器及び前記端部を覆う誘電体」に相当する。
　
（６）引用発明の「配線領域Ｍの第２絶縁膜４をエッチングして形成された電極用コンタクト部１１に形成されたメタル層5 」は、「高抵抗多結晶Ｓｉの抵抗」から「電極取出しのため」に設けられたものであるから、「高抵抗多結晶Ｓｉの抵抗」に電気的な接続を形成することは明らかである。また、引用発明の「メタル層5 」は、引用例の図５から、「薄い高抵抗層の多結晶Ｓｉ層3 」と物理的にも電気的にも接触していることは明らかである。
　したがって、引用発明の「電極取出しのために、配線領域Ｍの第２絶縁膜４をエッチングして形成された電極用コンタクト部１１に形成されたメタル層5 」は、本願発明の「前記誘電体を介して前記端部のそれぞれに達し、それによって前記第２のポリシリコン層と接触して前記高抵抗値抵抗器に電気的な接続を形成する金属接触子」に相当する。
　
（７）したがって、本願発明と引用発明とは、
　
　「半導体ウエハ上に形成さている高抵抗値ポリシリコン抵抗器であって、
　少なくとも１つの酸化物層と、
　前記少なくとも１つの酸化物層上に構成されている第１のポリシリコン層であって、パターニングされてエッチングされ前記少なくとも１つの酸化物層を露出する開口を有し、このエッチングされた開口の周縁部が垂直の縁部を画定する第１のポリシリコン層と、
　前記第１のポリシリコン層の表面、前記垂直の縁部、前記エッチングされた開口の全ての露出された酸化物の全体を覆って付着されている、前記第１のポリシリコン層よりも薄い、100 nm（1000 Å）以下の厚みの第２のポリシリコン層であって、前記露出された酸化物及び前記垂直の縁部上の当該第２のポリシリコン層が、パターニングされてエッチングされ前記高抵抗値抵抗器の外側縁部及び長さ部分を画定し、前記第１のポリシリコン層上の当該第２のポリシリコン層が、パターニングされてエッチングされ、前記第１のポリシリコン層とともに前記高抵抗値抵抗器の端部を画定する第２のポリシリコン層と、
　前記高抵抗値抵抗器及び前記端部を覆う誘電体と、
　前記誘電体を介して前記端部のそれぞれに達し、それによって前記第２のポリシリコン層と接触して前記高抵抗値抵抗器に電気的な接続を形成する金属接触子とからなる高抵抗値ポリシリコン抵抗器。」
　
　である点で一致し、次の点で相違する。
　
（相違点）
　本願発明では、「前記端部の不純物ドープレベルを増加させ、前記端部の抵抗率を減少させる前記高抵抗値抵抗器の端部へのインプラント」を有するのに対し、引用発明ではそのような特定がなされていない点。
　
第５．相違点についての当審の判断
　一般に、ポリシリコン抵抗において、コンタクト部分、すなわち端部の不純物ドープレベルを高濃度とし、端部の抵抗率を減少させる技術は、例えば、本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である下記周知例１〜３に記載されているように当業者において周知技術であるし、シリコン、及び当該シリコン上のポリシリコン抵抗の端部の不純物ドープレベルを高濃度とし、端部の抵抗率を減少させるために、ポリシリコン抵抗の端部とその下のシリコンに一度に不純物を注入（インプラ）する技術も下記周知例２及び３に記載されているように当業者において周知技術である。
　したがって、引用発明において、あらかじめ「高濃度に不純物が添加され低抵抗化された」「厚い多結晶Ｓｉ層2 」上に「薄い高抵抗層の多結晶Ｓｉ層3 」が積層されて形成された「高抵抗多結晶Ｓｉの抵抗」の端部に代えて、低抵抗化されていない「厚い多結晶Ｓｉ層2 」上に「薄い高抵抗層の多結晶Ｓｉ層3 」が積層された後に、低抵抗化のための不純物注入（インプラ）をして形成された「高抵抗多結晶Ｓｉの抵抗」の端部とすること、すわなち、本願発明のように、「前記端部の不純物ドープレベルを増加させ、前記端部の抵抗率を減少させる前記高抵抗値抵抗器の端部へのインプラント」を有するものとすることは、上記両周知技術を勘案することにより、当業者が容易になし得たことである。
　よって、本願発明は、周知技術を勘案することにより、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
ａ．周知例１：特開平８−１８０１１号公報
　上記周知例１には、図１とともに次の記載がある。
　「【００１３】次に図１（ｄ）に示すように、負荷素子として高抵抗を保ちたい多結晶シリコン層部分を公知のマスク材で皮膜し、配線として機能するもしくは
他の配線とオーミックな接合をとる程度に低抵抗な部分を得るために不純物、例えば燐もしくは砒素をを公知の技術によりドーピングし、マスク材を除去すれば、高抵抗な負荷素子部３（ａ）及び低抵抗部３（ｂ）が形成される
　
ｂ．周知例２：特開２００３−２３０８９号公報
　上記周知例２には、図１〜４とともに次の記載がある。
　「【００１９】
【実施例】図１は半導体装置の一実施例の抵抗素子部分を示す断面図である。図２はこの実施例の抵抗素子部分を示す上面図である。図１（Ａ）は図２のＹ−Ｙ’位置での断面を示し、（Ｂ）は図２のＸ−Ｘ’位置での断面を示す。図１及び図２を参照してこの実施例を説明する。
【００２０】シリコン基板１表面に下地絶縁膜３が形成されている。下地絶縁膜３上の高抵抗領域５に、不純物が含まれておらず絶縁性の第１のポリシリコン膜９が形成されている。
低抵抗領域７に、第１のポリシリコン膜９の両端側に隣接して、不純物が高濃度に導入されて低抵抗化された導電性の第２のポリシリコン膜１１，１１が形成されている
【００２１】第１のポリシリコン膜９上及び第１のポリシリコン膜９に隣接する部分の第２のポリシリコン膜１１上に抵抗素子用絶縁膜としてのシリコン酸化膜１３が形成されている。シリコン酸化膜１３上に、高抵抗値を得るための不純物が導入されたポリシリコン膜からなる抵抗値を決定するための高抵抗部１５が形成されている。
高抵抗部１５の両端側にそれぞれ隣接して、シリコン酸化膜１３上から第２のポリシリコン膜１１上に連続して、不純物が高濃度に導入されて低抵抗化されたポリシリコン膜からなる低抵抗部１７が形成されている
【００２２】下地絶縁膜３上、高抵抗部１５上及び低抵抗部１７上に層間絶縁膜１９が形成されている。
層間絶縁膜１９には、低抵抗部１７及び第２のポリシリコン膜１１が積層されている領域に対応する位置にコンタクトホール２１が形成されている
コンタクトホール２１内には、低抵抗部１７とメタル配線２３を電気的に接続するための導電材料が充填されている
【００２３】略
【００２４】この実施例では、コンタクトホール２１が形成される領域である低抵抗部１７の下層に、低抵抗の第２のポリシリコン膜１１が形成されている。これにより、抵抗素子の抵抗値を決定するための高抵抗部１５を薄く形成しても、コンタクトホールを形成するためのエッチング時の下地絶縁膜３の損傷や、コンタクト抵抗の上昇やバラツキなどを抑制することができ、抵抗素子のコンタクト抵抗の安定化を図ることができる。さらに、この実施例において、高抵抗部１５の膜厚は例えば１０００Åであり、従来技術と比べて多くの不純物を導入することができ、抵抗値のバラツキを抑制することができる。
【００２５】略
【００２６】図３は製造方法の一実施例を示す工程断面図である。図４（Ａ）及び（Ｂ）は図３の工程の続きを示す断面図である。図４（Ａ）は図２のＹ−Ｙ’位置での断面図、（Ｂ）は図２のＸ−Ｘ’位置での断面図である。図１、図３及び図４を参照して製造方法の一実施例を説明する。
【００２７】〜【００３０】略
【００３１】（Ｄ）
シリコン酸化膜１６をマスクとして、例えばリンを用いた固相拡散法により、第３のポリシリコン膜１４及び第１のポリシリコン膜９の高抵抗領域５以外の低抵抗領域７を含む領域に不純物を導入する。これにより、第３のポリシリコン膜１４は、不純物が導入されなかった部分は高抵抗部１５になり、不純物が導入された部分は低抵抗化されて低抵抗部１７になる。また、第１のポリシリコン膜９の不純物が導入された部分は低抵抗化されて第２のポリシリコン膜１１になる
【００３２】〜【００３５】略
【００３６】また、
上記の実施例の工程（Ｄ）で、第３のポリシリコン膜１４及び第１のポリシリコン膜９に不純物を導入して低抵抗部１７及び第２のポリシリコン膜１１を形成する方法として
イオン注入法を用いてもよい
　
　上記周知例２には、第１のポリシリコン膜９、及びその上の第３のポリシリコン膜１４で構成される抵抗素子の低抵抗領域７（コンタクト部分）を、各々低抵抗化された第２のポリシリコン膜１１、及び低抵抗部１７とするために、第１のポリシリコン膜９、及び第３のポリシリコン膜１４を積層してから、当該コンタクト部分に不純物を注入することが記載されているものと認められる。
　
ｃ．周知例３：特開平２−２１５１５６号公報
　上記周知例３には、第１図〜第５図とともに次の記載がある。
　「第１図乃至第３図は本発明抵抗素子の一つの実施例を示すもので、第１図は平面図、第２図は第１図のII−II線に沿う断面図、第３図は回路図である。
　図面において、１はｐ型半導体基板、２はｎ＋型埋込層、３はｎ型エピタキシャル成長層、４はＰ＋型アイソレーション層、５は上記エピタキャル成長層３の上記アイソレーション層４によって囲繞された領域の表面部に選択的に形成されたＰ＋型拡散層で、抵抗素子を構成する抵抗Ｒ１を成す。６、６は拡散層５の両端部に形成された電極取出し用Ｐ＋＋型拡散層である。
　７は上記エピタキャル成長層３の表面に形成されたＳｉＯ2 からなる絶縁層、８、８は該絶縁層７に形成されたところの上記Ｐ＋＋型拡散層の表面を露出させるコンタクトホール、９はＰ型不純物をドープされて抵抗率を所望の値に制御された多結晶シリコン層で、抵抗素子を構成する抵抗Ｒ２を成す。
　１０は層間絶縁層、１１、１１は該絶縁層１０に形成されたところの上記多結晶シリコン層９を露出させるコンタクトホール、１２、１２は多結晶シリコン層９の電極取り出し用のアルミニウム電極である。
　本抵抗素子は上記拡散層５からなる抵抗Ｒ１と、多結晶シリコン層９からなる抵抗Ｒ２とをコンタクトホール８、８にて並列接続してなる。そして、多結晶シリコン層９が拡散層５上を絶縁層７を介して覆った構造を有している。」（２ページ右上欄１７行〜右下欄８行）
　「本抵抗素子は、従来の拡散層による抵抗の形成プロセスによりコンタクトホール８、８の形成を終えた後、多結晶シリコン層９をＣＶＤにより形成し、これをフォトエッチングによりバターニングし、ＳｉＯ2 からなる絶縁層１０を形成し、該絶縁層１０をフォトエッチングすることによりコンタクトホール１１を形成し、その後、図示しないアルミニウム配線と、アルミニウム電極１１、１１とを同時に形成するという方法で形成することができる。」（３ページ右下欄２０行〜左下欄９行）
　「
第４図は本発明抵抗素子のコンタクト部における変形例を示す断面図、第５図（Ａ）、（Ｂ）はその製造方法の要部を工程順に示す断面図である
　
本抵抗素子は抵抗Ｒ２を成す多結晶シリコン層９の両端部に高濃度部分１３、１３を有しており、第５図（Ａ）、（Ｂ）に示すように拡散層５のコンタクト部である高濃度拡散層６、６と、多結晶シリコン層９のコンタクト部分である高濃度部分１３、１３とを同時に形成することにより製造したものである
即ち、同図（Ａ）に示すように抵抗Ｒ２を成す多結晶シリコン層９を形成した後、同図（Ｂ）に示すように不純物（この場合、ｐ型不純物）を多結晶シリコン層９の端部に選択的にイオン打ち込みすることにより高濃度部分１３、１３を形成するが、更に深いエピタキシャル成長層３の表面部まで達した不純物によって高濃度拡散層６、６を形成するのである
　
　上記周知例３には、あらかじめ形成された高濃度拡散層６、６上に、多結晶シリコン層９からなる抵抗を形成する手法のほかに、変形例として、半導体基板１の高濃度拡散層６、６と、多結晶シリコン層９からなる抵抗のコンタクト部分である高濃度部分１３、１３とを、多結晶シリコン層９の端部に選択的に不純物をイオン打ち込みすることにより同時に形成する手法が記載されているものと認められる。
　
第６．むすび
　以上検討したとおり、本願発明は、周知技術を勘案することにより、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項に規定により特許を受けることができない。
　したがって、他の請求項について検討するまでもなく、本願は拒絶をすべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。