【事件の表示】
　特願２００８−５１１１７９「コンピュータ読み取り可能なマスクシュリンク制御プロセッサ」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年１１月１６日国際公開、ＷＯ２００６／１２１７４１、平成２０年１１月２０日国内公表、特表２００８−５４１１７１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、２００６年５月２日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００５年５月１０日、米国）を国際出願日とする出願であって、平成２３年８月３１日付けで拒絶理由が通知され、同年１２月２日付けで意見書が提出され、その後、平成２４年４月４日付けで拒絶査定がなされた。これに対して、同年８月６日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同時に手続補正がなされたものである。
　その後、平成２４年１０月３０日付けで、審判請求人に前置報告の内容を示し意見を求めるための審尋を行ったところ、平成２５年２月５日付けで回答書が提出された。
　
第２　本願発明について
１．本願発明
　本願の特許請求の範囲の請求項７に係る発明は、平成２４年８月６日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項７に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。
「形状レイアウトを受信する工程と、
　前記形状レイアウトに対してシュリンク補正を実行して、シュリンク補正済みレチクルレイアウトを形成する工程と
　を備える方法。」（以下「本願発明」という。）
　
　請求人は、平成２３年１２月２日付けの意見書、審判請求書の【請求の理由】及び平成２５年２月５日付けの回答書において、本願発明の発明特定事項である「シュリンク補正」の解釈についての主張を行っていることに鑑み、「シュリンク補正」の解釈について、以下に検討する。
　「シュリンク補正」という用語自体が一般に特定の意味内容で使用されている用語ではなく、また、本願の特許請求の範囲の請求項７の記載のみでは「シュリンク補正」という記載の意味内容が明確でないところ、本願の明細書及び図面の記載並びに本願の優先日時点での技術常識を考慮して、「シュリンク補正」の意味を解釈することとする。
　本願の明細書及び図面の全記載を総合すると、フォトレジストの露光現像工程による限界寸法よりも小さいパターンを形成するために、フォトレジストの露光現像工程により得られたフォトレジストパターンをシュリンク処理する際、パターンの形状やレイアウトに応じてシュリンク処理に偏りが生じるというシュリンク処理の形状依存が存在するので、このシュリンク処理の形状依存を補正するようにレチクルのレイアウトを補正することが「シュリンク補正」であると解される。
　上記シュリンク処理について、本願の明細書及び図面には、段落【００１７】及び図５に示されるようなパターン化されたフォトレジストの側壁を覆うように側壁層を形成するための特定の方法が開示されるのみであるが、シュリンク処理としては、例えば、特開２００２−５７０８４号公報（段落【０００６】〜【０００７】、【００１６】〜【００１９】、【００２３】〜【００２６】、図１〜３等参照）、特開２００３−２１８０１９号公報（段落【０００２】〜【０００５】、【００１８】〜【００２０】、図１、１０等参照）、特開２００４−３４３１００号公報（段落【００３９】、図５）に示されるようなパターン化されたフォトレジストに熱フローを起こさせる方法や、特開平５−２０６０８５号公報（【０００５】〜【００１１】、図１〜２等参照）、特開平１１−１８６２３０号公報（段落【０００４】〜【００１１】、【００１９】〜【００３７】、図１〜４等参照）、特開２００３−１５８０７２号公報（【００１１】〜【００１７】、図１〜３等参照）に示されるようなフォトレジストの側壁を覆うように側壁層を形成する方法といった複数の方法が存在することが、本願の優先日時点で当業者の技術常識である。
　すると、上記技術常識を備えた当業者には、本願発明の発明特定事項である「シュリンク補正」についての上記シュリンク処理としては、本願の明細書及び図面で開示された特定の方法に限定されず、上記複数の方法が含まれると解するのが相当である。
　したがって、本願発明の発明特定事項である「シュリンク補正」は、本願の優先日時点で当業者の技術常識として知られている複数のシュリンク処理を行う際、シュリンク処理の形状依存を補正するように、レチクルのレイアウトを補正することであると認める。
　
２．引用刊行物
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先日前に頒布された刊行物である、特開平２００２−５７０８４号公報（以下「引用文献１」という。）には、以下の事項が記載されている。（下線は、当審が付した。）
　
（ａ）「【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記微小コンタクトホールパターンの形成方法では、レジストを軟化させるリフローを用いているため、シュリンク（縮小化）後の形状がパターン配置に大きく依存するという欠点を有している。例えば、図３に示すように、孤立したコンタクトホールの場合、コンタクトホール周辺のレジストから均等にリフローが起こるため、ホールは均一に縮小される。ところが、密集した状態にコンタクトホールが配置されている場合、リフローが縦方向と横方向とでは均等に起こらない。その結果、図に示すように、形状劣化，時には位置ずれが生じる。特に、密集した状態に配置された周辺部のコンタクトホールで上記変形は顕著に起こる。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解決するためになされた半導体装置の製造方法および露光用マスクである。」
（ｂ）「【００１１】本発明における別の半導体装置の製造方法は、露光および現像によってレジスト膜にホールパターンを形成する工程と、熱処理によって前記ホールパターンをそのホール寸法よりも小さい寸法のホールパターンに再形成する工程とを備えた半導体装置の製造方法において、前記ホールパターンを形成する露光工程の際に、予め前記熱処理によって変形されるホールパターン形状を見込んで補正したマスクを用いて前記ホールパターンを露光することを特徴としている。
【００１２】上記半導体装置の製造方法ではホールパターンを形成する露光工程の際に、予め熱処理によって変形されるホールパターン形状を見込んで補正したマスクを用いてホールパターンを露光することから、熱処理後のホールパターンは所望の形状、寸法に形成される。」
（ｃ）「【００２０】次に、本発明の半導体装置の製造方法に係る第２の実施の形態を、図２のレイアウト図によって説明する。
【００２１】第１の実施の形態のように、ダミーパターンを配置するための領域を、本パターン周辺に確保できない場合がある。そのような場合には、以下に説明する第２の実施の形態のように、
予め熱工程プロセスによるパターンの変形を見込んでマスクパターンを補正しておく。
【００２２】事前にテストパターン等を用いた実験により、シュリンク量とパターンピッチとの関係を測定しておく。さらにその測定値をデータベース化しておく。
【００２３】そして、図２に示すように、パターンピッチに対応して、予め熱処理によって変形されるホールパターン形状を見込んで補正したマスクホールパターン３１が形成された露光用マスク３０を用意する。マスクホールパターン３１を補正する必要があるのは、密集ホールパターンであり、熱処理による変形を受けない孤立ホールパターンを形成するためのマスクホールパターン３２は補正する必要はない。
【００２４】このようにホールパターンを露光する際に用いる露光用マスク３０のマスクホールパターン３１にバイアスをかけることにより、熱処理後に所望の口径、形状のホールパターンが得られるようにする。
【００２５】上記露光用マスク３０を用いてレジスト膜１１に露光を行い、さらに現像工程を行うと、レジスト膜１１には孤立したホールパターン１５Ｒと密集したホールパターン１２Ｒとが形成される。
【００２６】その後、ホール形状をシュリンクさせる熱処理を行うことによって、レジスト膜１１には、孤立したホールパターン１５も密集したホールパターン１２もほぼ同形状、同寸法に形成される。
【００２７】上記半導体装置の製造方法ではホールパターン１２を形成する露光工程の際に、予め熱処理によって変形されるホールパターン形状を見込んで補正した露光用マスク３０を用いてホールパターンを露光することから、熱処理後のホールパターン１２は所望の形状、寸法に形成される。
【００２８】また、上記露光用マスク３０では、予め熱処理によって変形されるホールパターン形状を見込んで補正したマスクホールパターン３１を備えていることから、この露光用マスク３０を用いて露光すれば、熱処理による変形を補正した、所望の形状、寸法のホールパターン１２が形成される。
【００２９】次に、上記第２の実施の形態における、
熱処理で変形するホールパターンの変形量を求める方法例を以下に説明する。
【００３０】
第１の方法としては、第１の工程として、決められた条件下（露光装置のＮＡ,σ、レジストの種類、レジストの膜厚、シュリンクさせる熱処理の温度,時間）で、レジスト膜にテストパターンとなるホールパターンの焼き付けを行う。そして、シュリンク量を各ホールパターン毎、各ピッチ（またはホールパターン間隔）毎に取得し、マスクホールパターンサイズに対応させて、データベースを作成する。
【００３１】
次に、第２の工程として、実際のデバイスレイアウトに対してシュリンク後の大きさを所望の大きさとするためのマスクホールパターンサイズを、第１の工程で作成したデータベースより引き出す。
【００３２】
次いで、第３の工程として、前記第２の工程の作業をレジスト膜が形成された基板のＸ方向、Ｙ方向に対して行い、必要な伸縮量に応じてマスクホールパターンに補正をかける。
（ｄ）「
　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 」
（ｅ）「
　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 」
　
　上記引用文献１の記載事項から、引用文献１には、以下の発明が記載されている。
　
「予め熱工程プロセスによるパターンの変形を見込んでマスクパターンを補正する方法において、
熱処理で変形するホールパターンの変形量を求める方法が、
　決められた条件下（露光装置のＮＡ,σ、レジストの種類、レジストの膜厚、シュリンクさせる熱処理の温度,時間）で、レジスト膜にテストパターンとなるホールパターンの焼き付けを行い、そして、シュリンク量を各ホールパターン毎、各ピッチ（またはホールパターン間隔）毎に取得し、マスクホールパターンサイズに対応させて、データベースを作成する第１の工程と、
　実際のデバイスレイアウトに対してシュリンク後の大きさを所望の大きさとするためのマスクホールパターンサイズを、第１の工程で作成したデータベースより引き出す第２の工程と、
　前記第２の工程の作業をレジスト膜が形成された基板のＸ方向、Ｙ方向に対して行い、必要な伸縮量に応じてマスクホールパターンに補正をかける第３の工程とを有する、方法。」（以下「引用発明」という。）
　
３．対比
（１）本願発明と引用発明との対比
（ａ）引用発明の「実際のデバイスレイアウト」、「マスクパターン」が、それぞれ、本願発明の「形状レイアウト」、「レチクルレイアウト」に相当する。
（ｂ）本願発明の「シュリンク補正」は、上記「第２」「１．」で検討したとおり、本願の優先日時点で当業者の技術常識として知られている複数のシュリンク処理を行う際、シュリンク処理の形状依存を補正するように、レチクルのレイアウトを補正することであり、また、引用発明の「第１の工程」と「第２の工程」と「第３の工程」とにより「熱処理で変形するホールパターンの変形量を求め」「予め熱工程プロセスによるパターンの変形を見込んでマスクパターンを補正する」ことは、シュリンク処理による形状依存を補正するようにマスクパターンを補正して、補正済みのマスクパターンを形成することであることは当業者には明らかであるから、引用発明の「予め熱工程プロセスによるパターンの変形を見込んでマスクパターンを補正する方法において、決められた条件下（露光装置のＮＡ,σ、レジストの種類、レジストの膜厚、シュリンクさせる熱処理の温度,時間）で、レジスト膜にテストパターンとなるホールパターンの焼き付けを行い、そして、シュリンク量を各ホールパターン毎、各ピッチ（またはホールパターン間隔）毎に取得し、マスクホールパターンサイズに対応させて、データベースを作成する第１の工程と、実際のデバイスレイアウトに対してシュリンク後の大きさを所望の大きさとするためのマスクホールパターンサイズを、第１の工程で作成したデータベースより引き出す第２の工程と、前記第２の工程の作業をレジスト膜が形成された基板のＸ方向、Ｙ方向に対して行い、必要な伸縮量に応じてマスクホールパターンに補正をかける第３の工程とを有する」ことは、本願発明の「形状レイアウトに対してシュリンク補正を実行して、シュリンク補正済みレチクルレイアウトを形成する工程」に相当する。
　
（２）一致点
　してみると、両者は、
　「形状レイアウトに対してシュリンク補正を実行して、シュリンク補正済みレチクルレイアウトを形成する工程を備える方法。」で一致し、次の点で相違する。
　
（３）相違点
　本願発明は、「形状レイアウトを受信する工程」を備えるのに対して、引用発明がそのような工程を備えるか否かが明らかでない点。
　
４．判断
　上記相違点について検討する。
　引用発明の「実際のデバイスレイアウトに対してシュリンク後の大きさを所望の大きさとするためのマスクホールパターンサイズを、第１の工程で作成したデータベースより引き出す第２の工程」において、当業者の技術常識によれば、「実際のデバイスレイアウト」を取得する必要があること、また、「実際のデバイスレイアウト」が何らかの記憶手段に記憶されていることは自明であるから、引用発明において、「実際のデバイスレイアウト」を取得するために「実際のデバイスレイアウト」を記憶している記憶手段から「実際のデバイスレイアウト」を受信する工程を備えることは、当業者が適宜設計し得る事項である。
　
　そして、本願発明が奏し得る効果は、引用発明及び技術常識から当業者が予測し得る範囲のものであって格別なものではない。
　
　したがって、本願発明は引用発明及び技術常識に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
５．むすび
　以上のとおり、本願発明は引用発明及び技術常識に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって結論のとおり審決する。