【事件の表示】
　特願２００６−５１３９１７「炭化ケイ素単結晶ウェハの製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年１２月　８日国際公開、ＷＯ２００５／１１６３０７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯
　本願は、２００５年５月２５日（優先権主張２００４年５月２７日、２００４年１１月２２日、日本国）を国際出願日とする出願であって、平成２３年７月１３日付けで拒絶理由の起案がなされ、同年９月２０日に意見書と手続補正書が提出され、同年１０月２６日付けで拒絶査定の起案がなされ、平成２４年１月２５日に拒絶査定不服審判の請求がなされるとともに、同日付けで手続補正が提出され、平成２４年５月２５日付けで特許法第１６４条第３項に基づく報告書を引用した審尋の起案がなされ、同年７月３０日に回答書が提出されたものである。
　
第２．平成２４年１月２５日付けの手続補正について
１．補正却下の決定の結論
　平成２４年１月２５日付けの手続補正を却下する。
　
２．理由 
（１）平成２４年１月２５日（以下、必要に応じて「本件補正」という。）は、本件補正前の平成２３年９月２０日付けの手続補正書の特許請求の範囲の
「　　【請求項６】
　ウェハ表面の全面で表面粗さ（Ｒｙ）が２ｎｍ以下であり、かつ平坦であることを特徴とする炭化ケイ素単結晶ウェハ。」を
「　　【請求項５】
　ウェハ表面の全面で表面粗さ（Ｒｙ）が２ｎｍ以下であり、かつ平坦であり、
　前記ウェハ表面の全面積の８０％以上で、炭化ケイ素単結晶の〔０００１〕ｃ軸に直交して得られる平面に対するオフ角が０．４〜２度であることを特徴とする炭化ケイ素単結晶ウェハ。」と補正することを含むものである。
（２）この補正は、新たにオフ角の値の範囲について特定するものであり、本件補正前の請求項６と請求項６を引用する請求項７にはオフ角に関する事項は何も記載されていないから（請求項９は請求項８を引用しており、請求項６を引用していない）、この補正は、補正前の請求項に記載した発明を特定するために必要な事項を限定するものではなく、いわゆる、特許請求の範囲の限定的減縮を目的とするものには該当しない。また、この補正が、請求項の削除、誤記の訂正、明りょうでない記載の釈明のいずれをも目的にするものに該当しないことも明らかである。
　したがって、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　なお、本件補正が適法として、本件補正後の請求項１に係る発明に相当する、後述する本願発明２について進歩性の判断を行っている。
　
第３．本願発明
　上記第２．で述べたように平成２４年１月２５日付けの手続補正は却下されたので、本願の請求項１〜１２に係る発明は、平成２３年９月２０日付けの手続補正書によって補正された特許請求の範囲の請求項１〜１２に記載された事項により特定されるものであって、その請求項１、２に係る発明(以下、「本願発明１、２」という。）は、次のとおりのものである。
　　　【請求項１】
　α型（六方晶）炭化ケイ素単結晶から、前記炭化ケイ素単結晶の〔０００１〕ｃ軸に直交して得られる平面に対し全体として０．４〜２度のオフ角となるようにウェハを切り出す工程と、
　前記ウェハを反応容器内に配置する工程と、
　前記反応容器内にケイ素源ガスと炭素源ガスを供給する工程と、
　前記ケイ素源ガスと前記炭素源ガスとを１５５０〜１７００℃において反応させて、前記ウェハ上にα型（六方晶）炭化ケイ素単結晶をエピタキシャル成長させる工程と、を備え、
　前記炭素源ガス（Ｃ）と前記ケイ素源ガス（Ｓｉ）の供給比（Ｃ／Ｓｉ）は、０．７〜１．４である炭化ケイ素単結晶ウェハの製造方法。
　　【請求項２】
　前記炭化ケイ素単結晶から切り出された前記ウェハは、前記ウェハの全面積の８０％以上でオフ角が０．４〜２度であることを特徴とする請求項１記載の炭化ケイ素単結晶ウェハの製造方法。
　
第４．引用例
１．引用例１
　原査定の拒絶の理由に引用した本願の優先日前に頒布された刊行物である特開２００３−１２４１２６号公報(以下、「引用例１」という。)には、次の事項が記載されている。
（ア）「【請求項１】  炭化珪素基板を用意する工程と、
前記炭化珪素基板の表面に珪素層を成膜する工程と、
高温、減圧下で前記炭化珪素基板の表面から前記珪素層を除去し、前記炭化珪素基板の表面を清浄化する工程と、
前記清浄化された炭化珪素基板表面に、炭化珪素層あるいは窒化ガリウム層のいずれか一方をエピタキシャル成長させる工程とを備えることを特徴とする炭化珪素半導体基板の製造方法。」（特許請求の範囲の請求項１）
（イ）「【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態を図１に基づいて説明する。図１は、ＳｉＣ基板の表面にＳｉＣ薄膜をエピタキシャル成長させる工程を示している。
〔図１（ａ）に示す工程〕まず、（０００１）面を有するＳｉＣ基板１を用意する。・・・・・・。また、ＳｉＣ基板１の結晶構造は、６Ｈ、４Ｈ・・・・・・のいずれで構成されていてもよい。さらに、ＳｉＣ基板１の結晶表面はＳｉ面、Ｃ面のいずれでもよい。
図２は、本実施形態の炭化珪素基板１のオフ角と結晶方向を概略的に示している。・・・・・・。本実施形態では、オフ角が０．５°のＳｉＣ基板１を用いている。
・・・・・・。
〔図１（ｂ）に示す工程〕次に、Ｓｉ層成膜工程を行う。・・・・・・。
〔図１（ｃ）に示す工程〕次に、第１のＳｉ層除去工程を行う。・・・・・・。
〔図１（ｄ）に示す工程〕次に、第２のＳｉ層除去工程を行う。・・・・・・。これにより、ＳｉＣ基板１の表面は、Ｓｉ及びＣ原子のみが周期的に並んだ１×１構造となる。
・・・・・・。
〔図１（ｅ）に示す工程〕次に、エピタキシャル成長工程を行う。・・・・・・ＳｉＣ基板１の表面に、ＳｉＣ薄膜層（エピ膜）３をエピタキシャル成長させる。具体的には、炭素供給ガスとしてプロパン、Ｓｉ供給ガスとしてシランを用い、これらを化学反応させる化学気相成長法（ＣＶＤ）により、ＳｉＣ薄膜層（エピ膜）３をエピタキシャル成長させる。ＣＶＤの条件として、例えば、基板温度を１６００℃、圧力を２００〜５００ｋＰａとし、シランを１〜１０ミリリットル／分で供給し、プロパンを１〜１０ミリリットル／分で供給することができる。」（【００２３】〜【００３２】）
２．引用例２
　原査定の拒絶の理由に引用した本願の優先日前に頒布された刊行物である特開平１１−１６２８５０号公報(以下、「引用例２」という。)には、次の事項が記載されている。
（カ）「（実施の形態６）六方晶炭化珪素結晶と立方晶炭化珪素結晶とが積層された炭化珪素基板を形成する例について説明する。この例では、六方晶炭化珪素結晶層の間に、立方晶炭化珪素結晶層が介在した積層構造が形成される。
まず、図９（ａ）に示すように、前記実施の形態５と同様に、マスクパターンである酸化珪素膜１２を用いて、｛０００１｝面の前記（数１）方向に４°のオフカット面３１ｂを有する６Ｈまたは４Ｈの六方晶炭化珪素結晶３１上に、部分的に立方晶炭化珪素結晶３２を形成する。次に、・・・・・・前処理基板３３を形成する。
この前処理基板３３をＣＶＤ成長室内に導入し、通常のステップフロー成長を行わせる。より詳しくは、例えば気圧が大気圧、基板温度は１６００℃、キャリアガスとしての水素を２ｓｌｍ、シランを１ｓｃｃｍ、プロパンを１ｓｃｃｍのＣＶＤ条件で結晶成長させる。
これにより、図９（ｃ）に示すように、例えば１時間で３μｍ程度の膜厚の六方晶炭化珪素結晶３４および立方晶炭化珪素結晶３５がステップフロー成長する。この場合、基板温度が比較的高いので、各ステップエッジ３１ａ，３２ａにおいて、それぞれ元の結晶構造と同じ結晶構造のステップフロー成長が行われる。すなわち、六方晶のステップエッジ３１ａからは六方晶炭化珪素結晶３４が成長し、立方晶のステップエッジ３２ａからは立方晶炭化珪素結晶３５が成長し、それぞれ斜めの界面の方向に結晶化が進行する。したがって、六方晶炭化珪素結晶３４，３４の間に立方晶炭化珪素結晶３５が介在した積層構造が形成される。・・・・・
上記のように、あらかじめ立方晶炭化珪素結晶が形成された領域と六方晶炭化珪素結晶が形成された領域とを有するオフカット基板を用いてステップフロー成長させることにより、立方晶炭化珪素結晶上に六方晶炭化珪素結晶を形成したり、また六方晶炭化珪素結晶上に立方晶炭化珪素結晶を形成したり、さらに、両者を交互に形成したりすることが容易にできる。
なお、上記前処理基板を形成するための元の六方晶炭化珪素基板として、６Ｈまたは４Ｈのいずれの六方晶炭化珪素基板を用いた場合でも、同様に積層構造を形成することができる。
また、元の炭化珪素基板のオフカット角度（チルト角）は、上記のように４°に限らず、０．０５°以上、１０°以下程度であれば、ステップフロー成長による上記のような積層構造を容易に形成することができる。」（【００７１】〜【００７８】）
　
第５．対比・判断
１．引用例１に記載された発明
ア　引用例１の（ア）の「炭化珪素半導体基板の製造方法」について、具体的に記載のある同（イ）の記載をみてみる。
イ　同（イ）の「〔図１（ａ）に示す工程〕」に係る記載である「（０００１）面を有するＳｉＣ基板１を用意する。・・・・・・。また、ＳｉＣ基板１の結晶構造は、６Ｈ、４Ｈ・・・・・・のいずれで構成されていてもよい。・・・・・・。本実施形態では、オフ角が０．５°のＳｉＣ基板１を用いている。」との記載をみると、「（０００１）面を有し、６Ｈ、４ＨのいずれかのＳｉＣ基板でオフ角が０．５°のものを用意している」ということができる。
イ　また、同（イ）の「〔図１（ｅ）に示す工程〕」に係る記載である「ＳｉＣ基板１の表面に、ＳｉＣ薄膜層（エピ膜）３をエピタキシャル成長させる。具体的には、炭素供給ガスとしてプロパン、Ｓｉ供給ガスとしてシランを用い、これらを化学反応させる化学気相成長法（ＣＶＤ）により、ＳｉＣ薄膜層（エピ膜）３をエピタキシャル成長させる。ＣＶＤの条件として、例えば、基板温度を１６００℃、圧力を２００〜５００ｋＰａとし、シランを１〜１０ミリリットル／分で供給し、プロパンを１〜１０ミリリットル／分で供給することができる。」との記載をみると、「ＳｉＣ基板温度を１６００℃として、プロパンとシランを化学反応させる化学気相成長法（ＣＶＤ）により、ＳｉＣ基板１の表面にＳｉＣ薄膜層（エピ膜）をエピタキシャル成長させる」といえる。
ウ　以上を踏まえると、引用例１には、
「（０００１）面を有し、オフ角が０．５°の６Ｈ、４ＨのいずれかのＳｉＣ基板を用意し、該ＳｉＣ基板温度を１６００℃として、プロパンとシランを化学反応させる化学気相成長法（ＣＶＤ）により、該ＳｉＣ基板１の表面にＳｉＣ薄膜層（エピ膜）をエピタキシャル成長させる炭化珪素半導体基板の製造方法」の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　
２．本願発明１と引用発明との対比・判断
ア　本願発明１と引用発明とを対比する。
イ　引用発明の「（０００１）面を有し、オフ角が０．５°の６Ｈ、４ＨのいずれかのＳｉＣ基板を用意」することは、「６Ｈ、４ＨのいずれかのＳｉＣの単結晶」からＳｉＣ単結晶基板、すなわち、「ウェハ」を切り出すことに他ならない。
　また、「（０００１）面を有し、オフ角が０．５°」とは、（０００１）面と０．５°のオフ角を有して面のことだから、「（０００１）面の垂線である〔０００１〕ｃ軸に直交して得られる平面に対し全体として０．５度のオフ角」となっており、このオフ角は本願発明１の「０．４〜２度のオフ角」と０．５度で一致している。
　そして、「６Ｈ、４ＨのいずれのＳｉＣの単結晶」も、「α型（六方晶）炭化ケイ素単結晶」である。
ウ　引用例１では、ＳｉＣ基板を反応容器内に配置することについて、明言はないが、「化学気相成長法（ＣＶＤ）により・・・・・・ＳｉＣ薄膜層（エピ膜）３をエピタキシャル成長させ」ているから、ＳｉＣ基板を反応容器内に配置していることは明らかである。
エ　引用発明において、「プロパンとシランを化学反応させ」ており、「プロパン」と「シラン」は共にガスであって、それぞれ、本願発明１の「炭素源ガス」と「ケイ素源ガス」であるといえ、上記ウの検討を併せみると、これら「プロパン」と「シラン」は「反応容器内に供給している」とみることができる。
オ　引用発明では、「ＳｉＣ基板温度を１６００℃として」いるから、プロパンとシランとの化学反応は実質的に１６００℃で起こっているといえる。
カ　上記エとオの検討より、引用発明の「化学気相成長法（ＣＶＤ）により・・・・・・ＳｉＣ薄膜層（エピ膜）３をエピタキシャル成長させ」ていることは、本願発明１の「前記反応容器内にケイ素源ガスと炭素源ガスを供給する工程と、前記ケイ素源ガスと前記炭素源ガスとを１５５０〜１７００℃において反応させて、前記ウェハ上にα型（六方晶）炭化ケイ素単結晶をエピタキシャル成長させる工程」と「前記反応容器内にシランガスとプロパンガスを供給する工程と、前記シランガスと前記プロパンガスとを１６００℃において反応させて、前記ウェハ上エピタキシャル成長させる工程」である点で共通している。
キ　引用発明の「炭化珪素半導体基板の製造方法」は、本願発明１の「炭化ケイ素単結晶ウェハの製造方法」に相当することは明らかである。
ク　よって、両者は、
「　α型（六方晶）炭化ケイ素単結晶から、前記炭化ケイ素単結晶の〔０００１〕ｃ軸に直交して得られる平面に対し全体として０．５度のオフ角となるようにウェハを切り出す工程と、
　前記ウェハを反応容器内に配置する工程と、
　前記反応容器内にシランガスとプロパンガスを供給する工程と、
　前記シランガスと前記プロパンガスとを１６００℃において反応させて、前記ウェハ上にをエピタキシャル成長させる工程と、を備えた炭化ケイ素単結晶ウェハの製造方法」である点で一致し、次の点で相違している。
相違点１：ウェハ上にエピタキシャル成長させるものに関し、本願発明１では、α型（六方晶）炭化ケイ素単結晶であるのに対し、引用発明ではどのようなものか記載されていない点
相違点２：本願発明１では、「炭素源ガス（Ｃ）と前記ケイ素源ガス（Ｓｉ）の供給比（Ｃ／Ｓｉ）は、０．７〜１．４」であるのに対し、引用発明はかかる事項を有していない点。
ケ　次に、これら相違点について検討する。
コ　相違点１について
　引用発明は、「該ＳｉＣ基板１の表面にＳｉＣ薄膜層（エピ膜）３をエピタキシャル成長させ」ているから、このＳｉＣ薄膜層（エピ膜）は、単結晶であることは明らかである。
　ところで、ＭＯＳＦＥＴ等のパワーデバイスには４Ｈ、６Ｈの六方晶炭化珪素が使用されていることは周知技術であり（要すれば、マルハン　ラジェシュ　クマール他「シリコンカーバイドパワーＭＯＳＦＥＴｓ」　デンソーテクニカルレビュー　Ｖｏｌ．６　Ｎｏ．１　２００１年　１０１頁（http://www.denso.co.jp/ja/aboutdenso/technology/dtr/v06_1/files/dissertation16.pdf））、この周知技術を知っている当業者であれば、引用発明のＳｉＣ薄膜層（エピ膜）として、４Ｈ、６Ｈの六方晶炭化珪素を形成するとの動機付けは当然に有するし、現に、引用例２の（カ）に記載されているように、六方晶炭化ケイ素の単結晶の上に六方晶炭化ケイ素薄膜層を形成できるのであるから、引用発明において、該ＳｉＣ基板１の表面に六方晶ＳｉＣ薄膜層（エピ膜）３をエピタキシャル成長させることは、困難なくなし得ることである。
サ　相違点２について
　炭化ケイ素は炭素原子とケイ素原子が１：１の割合で化合したものであるから、その原料となるガス供給比、すなわち、「炭素源ガス（Ｃ）と前記ケイ素源ガス（Ｓｉ）の供給比（Ｃ／Ｓｉ）」は１前後になることは明らかであるから、反応条件などを考慮して、この供給比（Ｃ／Ｓｉ）を０．７〜１．４とすることは適宜なし得ることである。
シ　そして、この相違点１及び２に係る本願発明１の発明特定事項により、格別顕著な効果が奏されるとも認められない。
シ　よって、本願発明１は、引用例１及び引用例２に記載された発明並びに周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
３．本願発明２と引用発明との対比・判断
ア　本願発明２と引用発明とを対比する。
イ　本願発明２は、本願発明１に、「前記炭化ケイ素単結晶から切り出された前記ウェハは、前記ウェハの全面積の８０％以上でオフ角が０．４〜２度であることを特徴とする請求項１記載の炭化ケイ素単結晶ウェハの製造方法。」という発明特定事項をさらに付け加えるものである。
ウ　引用発明は、０．５度のオフ角のＳｉＣ結晶基板を用意しており、このオフ角はＳｉＣ結晶基板の全面積にわたるとみることが自然である。
エ　よって、上記発明特定事項は新たな相違点とはならず、本願発明２も引用例１及び引用例２に記載された発明並びに周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
オ　ところで、請求人は、回答書において、「大口径ウェハのウェハ表面内においては、０°〜２°の範囲内でオフ角が大きくバラツクことが確認されております。従いまして、前置報告書に記載された指摘、すなわち、「通常、基板はオフ角を一定にして切り出されるものである」という指摘については、大口径のウェハには当てはまりません。」（「２．　前置審査の報告書に示された理由に対する審判請求人の主張」の「（２）　新規性／進歩性」の項）と主張しているので検討する。
　まず、本願発明２にはウェハの口径に関する発明特定事項はなく、口径の小さいウェハをも対象にしているとみることもできる。しかし、回答書の主張にしたがって、本願発明２は大口径ウェハのみを対象にしているとして検討を続ける。
　本願明細書では、オフ角を一定にするための切り出し方法について何ら言及がされておらず、大口径ウェハにおいても、本願の優先日前に、ごく普通に使用されている方法によりオフ角を一定にして切り出されているとみることが自然である。
　そうすると、引用発明はウェハの口径にかかわらず、上記発明特定事項を満足していることは明らかである。
　よって、回答書の主張を採用しない。
　
第６．むすび
　以上のとおりであるから、本願の請求項１及び２に係る発明は、本願の優先日前に頒布された引用例１および引用例２に記載された発明並びに周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定によって特許を受けることができないものである。
　したがって、その余の請求項について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　そして、本願発明２は、上記第２．で補正却下した平成２４年１月２５日付けの手続補正によって補正された請求項１に係る発明であるから、当該補正を却下しなくても本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論の通り審決する。