【事件の表示】
　特許第６１１００４９号発明「クロムめっき部品及びその製造方法」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第６１１００４９号の特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１−６〕、〔７−１０〕について訂正することを認める。
　特許第６１１００４９号の請求項１〜１０に係る特許を維持する。
【理　由】
第１　手続の経緯 
　特許第６１１００４９号の請求項１〜１０に係る特許についての出願は、平成２１年２月１３日に特許出願され、平成２９年３月１７日に特許権の設定登録がされ、同年４月５日に特許掲載公報が発行されたものであり、その後の経緯は以下のとおりである。
　平成２９年１０月　４日　　　特許異議申立人である土屋篤志（以下「申
　　　　　　　　　　　　　　　立人１」という。）による全請求項に対す
　　　　　　　　　　　　　　　る特許異議の申立て
　　　　同年１０月　５日　　　特許異議申立人である内藤順子（以下「申
　　　　　　　　　　　　　　　立人２」という。）による全請求項に対す
　　　　　　　　　　　　　　　る特許異議の申立て
　　　　同年１２月　５日付け　当審による取消理由の通知
　平成３０年　３月　６日　　　特許権者である日産自動車株式会社及びア
　　　　　　　　　　　　　　　トテック・ドイチュラント・ゲーエムベー
　　　　　　　　　　　　　　　ハー（以下、まとめて「特許権者ら」とい
　　　　　　　　　　　　　　　う。）による意見書の提出及び訂正の請求
　　　　同年　４月２０日　　　申立人２による意見書の提出
　　　　　　　　　　　　　　（申立人１からの意見書提出なし。）
　　　　同年　７月１０日付け　当審による取消理由（決定の予告）の通知
　　　　同年１０月２２日　　　特許権者らによる意見書の提出及び訂正の
　　　　　　　　　　　　　　　請求
　　　　同年１２月２１日付け　当審による訂正拒絶理由の通知
　平成３１年　１月　９日　　　当審による特許権者らとの応対記録
　　　　同年　同月１８日　　　特許権者らによる意見書の提出
　　　　同年　２月２６日　　　申立人１及び申立人２による意見書の提出
　令和　１年　５月　８日付け　当審による取消理由（決定の予告）の通知
　　　　同年　７月３１日　　　当審による特許権者らとの面接記録
　　　　同年　８月　５日　　　当審による特許権者らとの応対記録
　　　　同年　同月　９日　　　特許権者らによる意見書（以下、単に「意
　　　　　　　　　　　　　　　見書」という。）の提出及び訂正の請求（
　　　　　　　　　　　　　　　以下「本件訂正請求」という。）
　　　　同年１０月　９日　　　申立人２による意見書（以下「意見書２」
　　　　　　　　　　　　　　　という。）の提出
　　　　同年　同月１０日　　　申立人１による意見書（以下「意見書１」
　　　　　　　　　　　　　　　という。）の提出
　なお、本件訂正請求がされたため、特許法第１２０条の５第７項の規定により、平成３０年３月６日及び同年１０月２２日にされた訂正の請求は、取り下げられたものとみなす。
第２　訂正の適否についての判断 
　１　訂正の内容
　本件訂正請求に係る訂正（以下「本件訂正」という。）の内容は、以下のとおりである。なお、下線は訂正された箇所を表す。
（１）訂正事項１
　本件訂正前の特許請求の範囲の請求項１に、「素地と、前記素地上に形成された光沢ニッケルめっき層と、前記光沢ニッケルめっき層上に接して形成され、前記光沢ニッケルめっき層との電位差が４０ｍＶ以上１２０ｍＶ以下である貴電位ニッケルめっき層と、前記貴電位ニッケルめっき層上に接して形成され、マイクロポーラス構造及びマイクロクラック構造の少なくともいずれか一方を有している３価クロムめっき層と、を備えたことを特徴とするクロムめっき部品。」と記載されているのを、「素地と、前記素地上に形成された光沢ニッケルめっき層と、前記光沢ニッケルめっき層上に接して形成され、前記光沢ニッケルめっき層との電位差が
６０ｍＶ
、前記３価クロムめっき層は、５００００個／ｃｍ２以上の微細孔を有しており、前記３価クロムめっき層は、４．０ａｔ％以上の炭素を含有し、前記３価クロムめっき層は、７ａｔ％以上の酸素を含有し、前記３価クロムめっき層は、非晶質であ
（２）訂正事項２
　本件訂正前の特許請求の範囲の請求項２に、「前記３価クロムめっき層は、１００００個／ｃｍ２以上の微細孔を有していることを特徴とする請求項１に記載のクロムめっき部品。」と記載されているのを、「前記３価クロムめっき層は、
４．０ａｔ％以上２０ａｔ％以下の炭素を含有す
（３）訂正事項３
　本件訂正前の特許請求の範囲の請求項３に、「前記３価クロムめっき層は、炭素及び酸素を含有することを特徴とする請求項１又は２に記載のクロムめっき部品。」と記載されているのを、「前記３価クロムめっき層は、
７ａｔ％以上１６ａｔ％以下の
（４）訂正事項４
　本件訂正前の特許請求の範囲の請求項４に、「前記３価クロムめっき層は、０．５ａｔ％以上の鉄及び４．０ａｔ％以上の炭素の少なくともいずれか一方を含有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載のクロムめっき部品。」と記載されているのを、「前記３価クロムめっき層は、０．５ａｔ％以上の
鉄を
（５）訂正事項５
　本件訂正前の特許請求の範囲の請求項６に、「前記３価クロムめっき層は、非晶質であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載のクロムめっき部品。」と記載されているのを、「前記３価クロムめっき層は、
４．０ａｔ％以上２０ａｔ％以下の炭素を及び７ａｔ％以上１６ａｔ％以下の酸素を含有す
（６）訂正事項６
　本件訂正前の特許請求の範囲の請求項７に、「素地上に光沢ニッケルめっき層を形成する工程と、前記光沢ニッケルめっき層上に、前記光沢ニッケルめっき層との電位差が４０ｍＶ以上１２０ｍＶ以下である貴電位ニッケルめっき層を接して形成する工程と、前記貴電位ニッケルめっき層上に、マイクロポーラス構造及びマイクロクラック構造の少なくともいずれか一方を有する３価クロムめっき層を接して形成する工程と、を有することを特徴とするクロムめっき部品の製造方法。」と記載されているのを、「素地上に光沢ニッケルめっき層を形成する工程と、前記光沢ニッケルめっき層上に、前記光沢ニッケルめっき層との電位差が
６０ｍＶ
し、前記３価クロムめっき層は、５００００個／ｃｍ２以上の微細孔を有しており、前記３価クロムめっき層は、４．０ａｔ％以上の炭素を含有し、前記３価クロムめっき層は、７ａｔ％以上の酸素を含有し、前記３価クロムめっき層は、非晶質であ
（７）訂正事項７
　本件訂正前の特許請求の範囲の請求項８に、「前記貴電位ニッケルめっき層を形成するための第一めっき浴に添加する電位調整剤の量を、前記光沢ニッケルめっき層を形成するための第二めっき浴より多くすることを特徴とする請求項７に記載のクロムめっき部品の製造方法。」と記載されているのを、「前記貴電位ニッケルめっき層を形成するための第一めっき浴に添加する電位調整剤の量を、前記光沢ニッケルめっき層を形成するための第二めっき浴より多く
し、前記３価クロムめっき層は、４．０ａｔ％以上２０ａｔ％以下の炭素を及び７ａｔ％以上１６ａｔ％以下の酸素を含有する
　２　訂正の適否に関する当審の判断
（１）訂正の目的の適否、特許請求の範囲の拡張・変更の存否、新規事項の
　　　有無
　ア　訂正事項１について
（ア）訂正の目的の適否、特許請求の範囲の拡張・変更の存否
　訂正事項１による訂正は、本件訂正前の請求項１の発明特定事項である「貴電位ニッケルめっき層」の「光沢ニッケルめっき層との電位差」について、「４０ｍＶ以上１２０ｍＶ以下」であったのを「
６０ｍＶ
（イ）新規事項の有無
　「貴電位ニッケルめっき層」の「光沢ニッケルめっき層との電位差」を「６０ｍＶ以上とすることは、願書に添付した明細書、特許請求の範囲及び図面（以下「本件明細書等」という。）の【００２２】に、「３価クロムめっき層」について、「５００００個／ｃｍ２以上の微細孔を有」することは同【００２３】に、「４．０ａｔ％以上の炭素」及び「７ａｔ％以上の酸素を含有」することは同請求項４及び【表１】に、「非晶質である」ことは同請求項６にそれぞれ記載されているから、訂正事項１は、本件明細書等に記載した事項の範囲内の訂正である。
　イ　訂正事項２について
（ア）訂正の目的の適否、特許請求の範囲の拡張・変更の存否
　訂正事項２による訂正は、本件訂正前の請求項２において、３価クロムめっき層について特定されていた「１００００個／ｃｍ２以上の微細孔を有していること」を削除する訂正を含むものであって、これは、本件訂正後の請求項１において、３価クロムめっき層が「５００００個／ｃｍ２以上の微細孔を有し」との特定がされたことに伴い、請求項１を引用する請求項２における重複を避けるためになされたものであるから、明瞭でない記載の釈明を目的とする訂正である。
　また、訂正事項２による訂正は、本件訂正前の請求項２の発明特定事項である「３価クロムめっき層」について、「４．０ａｔ％以上２０ａｔ％以下の炭素を含有する」として、「３価クロムめっき層」をさらに特定する訂正を含むものであることから、これは特許請求の範囲の減縮を目的とする訂正である。
　そして、訂正事項２による訂正は、実質上特許請求の範囲を拡張し、または変更するものには該当しない。
（イ）新規事項の有無
　「３価クロムめっき層」について、「４．０ａｔ％以上」の炭素を含有することは本件明細書等の請求項４に、「２０ａｔ％以下」の炭素を含有することは同請求項５にそれぞれ記載されているから、訂正事項２は、本件明細書等に記載した事項の範囲内の訂正である。
　ウ　訂正事項３について
（ア）訂正の目的の適否、特許請求の範囲の拡張・変更の存否
　訂正事項３による訂正は、本件訂正前の請求項３において、３価クロムめっき層について特定されていた「炭素」の含有を削除する訂正を含むものであって、これは、本件訂正後の請求項１において、３価クロムめっき層が「４．０ａｔ％以上の炭素を含有し」との特定がされたことに伴い、請求項１を引用する請求項３における重複を避けるためになされたものであるから、明瞭でない記載の釈明を目的とする訂正である。
　また、訂正事項３による訂正は、本件訂正前の請求項３の発明特定事項である「３価クロムめっき層」について、「７ａｔ％以上１６ａｔ％以下の酸素を含有する」として、「３価クロムめっき層」をさらに特定する訂正を含むものであることから、これは特許請求の範囲の減縮を目的とする訂正である。
　そして、訂正事項３による訂正は、実質上特許請求の範囲を拡張し、または変更するものには該当しない。
（イ）新規事項の有無
　「３価クロムめっき層」について、「７ａｔ％以上」の酸素を含有することは本件明細書等の【表１】の実施例８に、「１６ａｔ％以下」の酸素を含有することは同実施例１及び４にそれぞれ記載されているから、訂正事項３は、本件明細書等に記載した事項の範囲内の訂正である。
　エ　訂正事項４について
　訂正事項４による訂正は、本件訂正前の請求項４において、３価クロムめっき層について特定されていた「４．０ａｔ％以上の炭素」の含有を削除するものであって、これは、本件訂正後の請求項１において、３価クロムめっき層が「４．０ａｔ％以上の炭素を含有し」との特定がされたことに伴い、請求項１を引用する請求項４における重複を避けるためになされたものであるから、明瞭でない記載の釈明を目的とする訂正であり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、または変更するものには該当しないし、本件明細書等に記載した事項の範囲内の訂正であることも明らかである。
　オ　訂正事項５
（ア）訂正の目的の適否、特許請求の範囲の拡張・変更の存否
　訂正事項５による訂正は、本件訂正前の請求項６において、３価クロムめっき層について特定されていた「非晶質であること」を削除する訂正を含むものであって、これは、本件訂正後の請求項１において、３価クロムめっき層が「非晶質である」との特定がされたことに伴い、請求項１を引用する請求項６における重複を避けるためになされたものであるから、明瞭でない記載の釈明を目的とする訂正である。
　また、訂正事項５による訂正は、本件訂正前の請求項６の発明特定事項である「３価クロムめっき層」について、「４．０ａｔ％以上２０ａｔ％以下の炭素及び７ａｔ％以上１６ａｔ％以下の酸素を含有する」として、「３価クロムめっき層」をさらに特定する訂正を含むものであることから、これは特許請求の範囲の減縮も目的とする訂正である。
　そして、訂正事項５による訂正は、実質上特許請求の範囲を拡張し、または変更するものには該当しない。
（イ）新規事項の有無
　「３価クロムめっき層」が「４．０ａｔ％以上２０ａｔ％以下の炭素及び７ａｔ％以上１６ａｔ％以下の酸素を含有する」ことについては、上記イ（イ）及びウ（イ）のとおりであるから、訂正事項５は、本件明細書等に記載した事項の範囲内の訂正である。
　カ　訂正事項６
（ア）訂正の目的の適否、特許請求の範囲の拡張・変更の存否
　訂正事項６による訂正は、本件訂正前の請求項７の発明特定事項である「貴電位ニッケルめっき層」の「光沢ニッケルめっき層との電位差」について、「４０ｍＶ以上１２０ｍＶ以下」であったのを「６０ｍＶ以上１２０ｍＶ以下」に限定するとともに、同じく本件訂正前の請求項７の発明特定事項である「３価クロムめっき層」について、「５００００個／ｃｍ２以上の微細孔を有し」、「４．０ａｔ％以上の炭素を含有し」、「７ａｔ％以上の酸素を含有し」及び「非晶質である」として、「３価クロムめっき層」をさらに特定するものであることから、特許請求の範囲の減縮を目的とする訂正であり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、または変更するものには該当しない。
（イ）新規事項の有無
　「貴電位ニッケルめっき層」の「光沢ニッケルめっき層との電位差」を「６０ｍＶ以上とすること、並びに「３価クロムめっき層」について、「５００００個／ｃｍ２以上の微細孔を有」すること、「４．０ａｔ％以上の炭素」及び「７ａｔ％以上の酸素を含有」すること及び「非晶質である」ことについては、上記ア（イ）のとおりであるから、訂正事項６は、本件明細書等に記載した事項の範囲内の訂正である。
　キ　訂正事項７
（ア）訂正の目的の適否、特許請求の範囲の拡張・変更の存否
　訂正事項７による訂正は、本件訂正前の請求項８の発明特定事項である「３価クロムめっき層」について、「４．０ａｔ％以上２０ａｔ％以下の炭素及び７ａｔ％以上１６ａｔ％以下の酸素を含有する」として、「３価クロムめっき層」をさらに特定するものであることから、特許請求の範囲の減縮を目的とする訂正であり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、または変更するものには該当しない。
（イ）新規事項の有無
　「３価クロムめっき層」が「４．０ａｔ％以上２０ａｔ％以下の炭素及び７ａｔ％以上１６ａｔ％以下の酸素を含有する」ことについては、上記イ（イ）及び同ウ（イ）のとおりであるから、訂正事項７は、本件明細書等に記載した事項の範囲内の訂正である。
（２）独立特許要件について
　本件は、訂正前の全請求項に対して特許異議の申立てがなされているので、訂正事項１〜７について、特許法第１２０条の５第９項で読み替えて準用する特許法第１２６条第７項は適用されない。 
（３）一群の請求項について
　本件訂正前の請求項２〜６は、請求項１を直接的又は間接的に引用するものであり、本件訂正前の請求項８〜１０は、請求項７を直接的又は間接的に引用するものであるから、本件訂正前の請求項１〜６及び７〜１０は、それぞれ一群の請求項である。
　したがって、本件訂正請求は、一群の請求項ごとにされたものである。
（４）訂正の適否についての結論
　以上のとおり、上記訂正事項１〜７は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号又は第４号に掲げる事項を目的とするものであり、かつ、同条第４項、同条第９項で準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合するので、訂正後の請求項〔１〜６〕、〔７〜１０〕について訂正を認める。
第３　本件発明
　本件訂正は、上記第２で検討したとおり適法なものであるから、本件特許の特許請求の範囲の請求項１〜１０に係る発明（以下、それぞれ「本件発明１」〜「本件発明１０」といい、これらをまとめて「本件発明」ともいう。）は、本件訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲の請求項１〜１０に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
「【請求項１】
　素地と、
　前記素地上に形成された光沢ニッケルめっき層と、
　前記光沢ニッケルめっき層上に接して形成され、前記光沢ニッケルめっき層との電位差が６０ｍＶ以上１２０ｍＶ以下である貴電位ニッケルめっき層と、
　前記貴電位ニッケルめっき層上に接して形成され、マイクロポーラス構造及びマイクロクラック構造の少なくともいずれか一方を有している３価クロムめっき層と、
　を備え、
　前記３価クロムめっき層は、５００００個／ｃｍ２以上の微細孔を有しており、
　前記３価クロムめっき層は、４．０ａｔ％以上の炭素を含有し、
　前記３価クロムめっき層は、７ａｔ％以上の酸素を含有し、
　前記３価クロムめっき層は、非晶質であることを特徴とするクロムめっき部品。
【請求項２】
　前記３価クロムめっき層は、４．０ａｔ％以上２０ａｔ％以下の炭素を含有することを特徴とする請求項１に記載のクロムめっき部品。
【請求項３】
前記３価クロムめっき層は、７ａｔ％以上１６ａｔ％以下の酸素を含有することを特徴とする請求項１又は２に記載のクロムめっき部品。
【請求項４】
前記３価クロムめっき層は、０．５ａｔ％以上の鉄を含有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載のクロムめっき部品。
【請求項５】
　前記３価クロムめっき層は、１ａｔ％以上２０ａｔ％以下の鉄及び１０ａｔ％以上２０ａｔ％以下の炭素の少なくともいずれか一方を含有することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載のクロムめっき部品。
【請求項６】
　前記３価クロムめっき層は、４．０ａｔ％以上２０ａｔ％以下の炭素を及び７ａｔ％以上１６ａｔ％以下の酸素を含有することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載のクロムめっき部品。
【請求項７】
　素地上に光沢ニッケルめっき層を形成する工程と、
　前記光沢ニッケルめっき層上に、前記光沢ニッケルめっき層との電位差が６０ｍＶ以上１２０ｍＶ以下である貴電位ニッケルめっき層を接して形成する工程と、
  前記貴電位ニッケルめっき層上に、マイクロポーラス構造及びマイクロクラック構造の少なくともいずれか一方を有する３価クロムめっき層を接して形成する工程と、
  を有し、
　前記３価クロムめっき層は、５００００個／ｃｍ２以上の微細孔を有しており、
　前記３価クロムめっき層は、４．０ａｔ％以上の炭素を含有し、
　前記３価クロムめっき層は、７ａｔ％以上の酸素を含有し、
　前記３価クロムめっき層は、非晶質であることを特徴とするクロムめっき部品の製造方法。
【請求項８】
　前記貴電位ニッケルめっき層を形成するための第一めっき浴に添加する電位調整剤の量を、前記光沢ニッケルめっき層を形成するための第二めっき浴より多くし、
　前記３価クロムめっき層は、４．０ａｔ％以上２０ａｔ％以下の炭素を及び７ａｔ％以上１６ａｔ％以下の酸素を含有することを特徴とする請求項７に記載のクロムめっき部品の製造方法。
【請求項９】
  前記貴電位ニッケルめっき層を形成する工程は、ケイ素及びアルミニウムのうち少なくともいずれか一つを含有する化合物を分散させた第一めっき浴を用いて行われることを特徴とする請求項７又は８に記載のクロムめっき部品の製造方法。
【請求項１０】
  前記貴電位ニッケルめっき層を形成する工程は、酸化アルミニウムを分散させた第一めっき浴を用いて行われることを特徴とする請求項７乃至９のいずれか一項に記載のクロムめっき部品の製造方法。」
第４　申立理由の概要
　１　申立人１は、以下の申立理由１−１〜１−２ｇによって、請求項１〜１０に係る特許を取り消すべきものである旨主張している。
　なお、申立人１による特許異議申立書を「申立書１」といい、申立人１が提出した「甲第１号証〜甲第１１号証」を、それぞれ「甲１−１〜甲１−１１」という。
（１）申立理由１−１
　発明の詳細な説明の記載は、当業者が本件発明１〜１０の実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載したものではないから、請求項１〜１０に係る特許は、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。
（２）申立理由１−２ａ
　本件発明１〜１０は、甲１−１に記載された発明及び甲１−７〜甲１−１１に記載された事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１〜１０に係る特許は特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである。
（３）申立理由１−２ｂ
　本件発明１〜１０は、甲１−２に記載された発明及び甲１−７〜甲１−１１に記載された事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１〜１０に係る特許は特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである。
（４）申立理由１−２ｃ
　本件発明１〜１０は、甲１−３に記載された発明及び甲１−７〜甲１−１１に記載された事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１〜１０に係る特許は特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである。
（５）申立理由１−２ｄ
　本件発明１〜１０は、甲１−４に記載された発明及び甲１−７〜甲１−１１に記載された事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１〜１０に係る特許は特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである。
（６）申立理由１−２ｅ
　本件発明１〜１０は、甲１−５に記載された発明及び甲１−７〜甲１−１１に記載された事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１〜１０に係る特許は特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである。
（７）申立理由１−２ｆ
　本件発明１〜１０は、甲１−６に記載された発明及び甲１−７〜甲１−１１に記載された事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１〜１０に係る特許は特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである。
（８）申立理由１−２ｇ
　本件発明１〜１０は、甲１−７に記載された発明及び甲１−８〜甲１−１１に記載された事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１〜１０に係る特許は特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである。
［申立人１が提出した証拠方法］
甲１−１：Robert A. Tremmel “Methods to Improve The Corrosion Performance Of Microporous Nickel Deposits”, PLATING  SURFACE FINISHING, October 1996, p.24-28
甲１−２：“Minimum Performance Requirements for Decorative Chromium Plated Plastic Parts”, GM WORLDWIDE ENGINEERING STANDARDS, February 2007, p.1-7
甲１−３：Volkswagen AG Group Standard, June 2008, p.1-9
甲１−４：MARK SCHARIO,“Troubleshooting Decorative Nickel Plating Solutions”, metalfinshing, May 2007, p.41-44
甲１−５：特開昭４９−５２１３２号公報
甲１−６：特開平５−１７１４６８号公報（後記甲２−４と同じ。）
甲１−７：特開平５−２８７５７９号公報
甲１−８：特公昭４８−４０５４２号公報
甲１−９：欧州特許第１３４３９２４号明細書
甲１−１０：米国特許第３６２５０３９号明細書
甲１−１１：国際公開第２００６／０４３５０７号
　２　申立人２は、以下の申立理由２−１〜２−２によって、請求項１〜１０に係る特許を取り消すべきものである旨主張している。
　なお、申立人２よる特許異議申立書を「申立書２」といい、申立人２が提出した「甲第１号証〜甲第９号証」を、それぞれ「甲２−１〜甲２−９」という。
（１）申立理由２−１
　本件発明１〜１０は、甲２−１に記載された発明及び甲２−２〜甲２−７に記載された事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１〜１０に係る特許は特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである。
（２）申立理由２−２
　本件発明１〜１０は、発明の詳細な説明に記載したものではないから、請求項１〜１０に係る特許は、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。
［申立人２が提出した証拠方法］
甲２−１：MIKE BRANSTEAD,et al.,“Trivalent Chromium for a New Generation”, metalfinishing, Vol.107, No.1, January 2009, p.27-30,33
甲２−２：上谷正明、「高耐食性マイクロポーラスクロムめっき」、めっき技術部会１１月例会、平成５年１１月１９日、ｐ．２０−２７
甲２−３：G.A.Dibari　外２名、「装飾用ニッケル−クロムめっきの耐食性　−硫黄の影響を中心として−」、表面技術、Ｖｏｌ．４１、Ｎｏ．２、１９９０年、ｐ．９１−９８
甲２−４：特開平５−１７１４６８号公報（前記甲１−６と同じ。）
甲２−５：渡邊和夫、「装飾３価クロムめっき技術」、表面技術、Ｖｏｌ．５６、Ｎｏ．６、２００５年、ｐ．２０−２４
甲２−６：特公昭５４−３７５６４号公報
甲２−７：特開平８−１００２７３号公報
甲２−８−１：本件特許の出願経過における平成２７年４月８日付け拒絶査定
甲２−８−２：本件特許の出願経過における平成２７年８月７日付け審判請求書
甲２−８−３：本件特許の出願経過における平成２７年９月１４日付け前置報告書
甲２−８−４：本件特許の出願経過における平成２７年１１月４日付け上申書
甲２−９：表面技術、ＶＯＬ．４４、ＮＯ．１１、１９９３年、Ａ−１０〜Ａ−１１
　また、申立人２は、平成３０年４月２０日付け意見書において、以下の参考資料を添付している。
参考資料１：「めっき技術ガイドブック」、東京鍍金材料協同組合、昭和６２年１２月１６日、ｐ．１５６−１７１
参考資料２：「鍍金の世界」、東京鍍金材料協同組合、１９９６年２月号、平成８年２月１５日、ｐ．３０−３４
第５　取消理由の概要
　１　平成２９年１２月５日付け取消理由
　本件訂正前の請求項１〜１０に係る特許に対して平成２９年１２月５日付けで特許権者らに通知した取消理由の概要は、次のとおりである。
（１）取消理由１（前記申立理由２−２を採用。）
　本件発明１〜１０は、以下ア〜オの理由により、発明の詳細な説明に記載したものではないから、請求項１〜１０に係る特許は、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである（ただし、本件明細書等の表１（【００６０】）の実施例５におけるクロムめっき層の微細孔密度は、10×1,000〜17×1,000個・cm-2、すなわち、10,000〜17,000個／cm2であるから、申立書２の３６頁３１行、３３行及び３５行の「100,000」は、いずれも「10,000」と読み替え、同３３行の「170,000」は「17,000」と読み替える。また、申立書２の３７頁２３行の「０．５ａｔ％含有」は「０．５ａｔ％以上含有」と読み替える。）。
　ア　取消理由１ａ（申立書２の３６頁２６行〜３７頁１行）
　微細孔や微細クラックの密度が高くなるほど、耐食性が向上することが知られているところ（甲２−４【０００２】）、本件明細書等に具体的に開示されているのは、マイクロポーラス構造については10,000個／cm2以上の範囲のみであり、マイクロクラック構造にいたっては具体的な数値の開示さえもない（【００６０】の【表１】）から、当業者は、マイクロポーラス構造及びマイクロクラック構造のあらゆる密度範囲において、通常の環境及び特異的な環境にける耐食性を有するクロムめっき部品を得るという本件発明の課題を解決できるものとは認識できない。
　イ　取消理由１ｂ（申立書２の３７頁６〜１８行）
　本件明細書等によれば、炭素、酸素などのメタロイド元素がクロムめっき層に共析することによって、非晶化度合を増加させ、腐食起点となるめっき欠陥を著しく減らすうえ、クロムめっき層を貴電位化し塩化カルシウムに対する耐食性を向上させるものであるところ（【００２６】）、本件明細書等において具体的に開示されているのは、全て酸素７〜１６ａｔ％及び炭素４〜１６％を含有するものであり（【００６０】の【表１】）、双方の元素を含まないものはおろか、いずれか一方を含まない例さえも開示されていないから、腐食起点となるめっき欠陥を著しく減らすことに加え、塩化カルシウムに対する腐食性を向上させる作用を有する炭素及び酸素をいずれも含まない範囲までも、本件発明の課題を解決できるものとは認識できない。
　ウ　取消理由１ｃ（申立書２の３７頁１９〜２８行）
　本件明細書等によれば、鉄はクロムめっき処理浴中において、めっき付き回り性を安定化させる効果を有し、クロムめっき層の表面に生じる不動態皮膜をより緻密にする効果を有するなど（【００２７】）、耐食性に影響を及ぼすところ、本件特許明細書において具体的に開示されているのは全て鉄を０．５ａｔ％含有するものであり、鉄を含まない実施例は一切開示されていない（【００６０】の【表１】）から、耐食性向上に寄与する鉄が存在しない場合でも、本件発明の課題を解決するものとは認識できない。
　エ　取消理由１ｄ（申立書２の３７頁２９行〜最下行）
　本件明細書等によれば、３価クロムめっき層が非晶質であることによって、腐食起点となり得るめっき欠陥を著しく減らすことが可能となるとされ（【００２４】）、具体的には、クロムめっき層が非晶質の状態にある実施例１及び３では、腐食起点となり得る欠陥が著しく減少したため、耐食性が向上したのに対し、クロムめっき層が結晶化された比較例５及び７では、塩化カルシウムに対する耐食性が低下することが記載されている（【００６３】、【００６７】）ものの、クロムめっき層が結晶状態であっても耐食性向上効果が得られることを裏付ける具体例は開示されていないから、クロムめっき層が結晶状態にある場合でも、本件発明の課題を解決できるものとは認識できない。
　オ　取消理由１ｅ（申立書２の３８頁１行〜下から５行）
　本件明細書等において具体的に開示されているのは、光沢ニッケルめっき層の下に硫黄なしニッケルめっき層を設けた二層構造のものだけである（【００４６】、【００６０】の【表１】）ところ、この硫黄なしニッケルめっき層の存在によって、光沢ニッケルめっき層に対して貴電位となり、光沢ニッケルめっき層の横方向に腐食が進行し、硫黄なしニッケルめっき層への深さ方向への腐食の進行が抑制されることで耐食性が向上するものであり、この硫黄なしニッケルめっき層が存在しないと、比較的短時間に下地への腐食が進展して、めっき層の剥がれなどの外観不良が生じてしまうとされている（【００３８】）から、当業者は、耐食性に重要な役割を果たす硫黄なしニッケルめっき層が存在しない場合においても、本件発明の課題を解決できるとは認識できない。
（２）取消理由２
　ア　取消理由２ａ（甲１−１を主引用例とした取消理由であって、前記申
　　　立理由１−２ａを実質的に採用。）
　本件発明１〜１０は、甲１−１に記載された発明、甲１−８、甲１−９、甲２−４、甲２−５、甲２−７に記載された事項及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１〜１０に係る特許は特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである。
　イ　取消理由２ｂ（甲１−２を主引用例とした取消理由であって、前記申
　　　立理由１−２ｂを実質的に採用。）
　本件発明１〜１０は、甲１−２に記載された発明、甲１−８、甲１−９、甲２−４、甲２−５、甲２−７に記載された事項及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１〜１０に係る特許は特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである。
　ウ　取消理由２ｃ（甲１−３を主引用例とした取消理由であって、前記申
　　　立理由１−２ｃを実質的に採用。）
　本件発明１〜１０は、甲１−３に記載された発明、甲１−８、甲１−９、甲２−４、甲２−５、甲２−７に記載された事項及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１〜１０に係る特許は特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである。
　エ　取消理由２ｄ（甲１−４を主引用例とした取消理由であって、前記申
　　　立理由１−２ｄを実質的に採用。）
　本件発明１〜１０は、甲１−４に記載された発明、甲１−１〜甲１−３、甲１−５〜甲１−９、甲２−４、甲２−５、甲２−７に記載された事項及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１〜１０に係る特許は特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである。
　オ　取消理由２ｅ（甲１−５を主引用例とした取消理由であって、前記申
　　　立理由１−２ｅを実質的に採用。）
　本件発明１〜１０は、甲１−５に記載された発明、甲１−８、甲１−９、甲２−４、甲２−５、甲２−７に記載された事項及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１〜１０に係る特許は特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである。
　カ　取消理由２ｆ（甲１−６を主引用例とした取消理由であって、前記申
　　　立理由１−２ｆを実質的に採用。）
　本件発明１〜１０は、甲１−６に記載された発明、甲１−８、甲１−９、甲２−４、甲２−５、甲２−７に記載された事項及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１〜１０に係る特許は特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである。
　キ　取消理由２ｇ（甲１−７を主引用例とした取消理由であって、前記申
　　　立理由１−２ｇを実質的に採用。）
　本件発明１〜１０は、甲１−７に記載された発明、甲１−８、甲１−９、甲２−４、甲２−５、甲２−７に記載された事項及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１〜１０に係る特許は特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである。
　ク　取消理由２ｈ（甲２−１を主引用例とした取消理由であって、前記申
　　　立理由２−１を実質的に採用。）
　本件特許の請求項１〜１０に係る発明は、甲２−１に記載された発明、甲１−１〜甲１−３、甲１−５〜甲１−９、甲２−２、甲２−４、甲２−５、甲２−７に記載された事項及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１〜１０に係る特許は特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである。
　２　平成３０年７月１０日付け取消理由（決定の予告）
　平成３０年３月６日付けで訂正請求された、本件訂正前の請求項１〜１０に係る特許に対して、平成３０年７月１０日付けで特許権者らに通知した取消理由（決定の予告）の概要は、次のとおりである。
（１）取消理由１
　上記１（１）イ〜オの取消理由１ｂ〜１ｅのとおり、請求項１〜１０に係る特許は、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。
（２）取消理由２
　上記１（２）エ及びクの取消理由２ｄ及び２ｈのとおり、請求項１及び３〜１０に係る特許は特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである。
　３　令和１年５月８日付け取消理由（決定の予告）
　平成３０年１０月２２日付けで訂正請求された、本件訂正前の請求項１〜２３に係る特許に対して、令和１年５月８日付けで特許権者らに通知した取消理由（決定の予告）の概要は、次のとおりである。
（１）取消理由１
　上記１（１）イ〜オの取消理由１ｂ、１ｃ及び１ｅのとおり、請求項１〜３、５〜８、１０〜１２及び１４〜２１に係る特許は、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。
（２）取消理由２
　上記１（２）エ及びクの取消理由２ｄ及び２ｈのとおり、請求項１〜３、５〜８、１０〜１２及び１４〜２１に係る特許は特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである。
第６　甲号証及び参考文献の記載事項
　１　本件特許に係る出願の出願日前に頒布された甲１−１には以下の事項が記載されている。なお、「・・・」は記載の省略を表し、下線は当審が付与したものであって、以下、同様である。
（甲１−１ａ）「
　　　　　　　　　　　　　　　　　　」（２４頁左欄２２〜３９行）
（当審訳：７０年以上にわたって、装飾的なニッケル−クロムが、種々の基板上の保護コーティングとして使用されている。この間、これらのめっきの耐食性が著しく向上している。これは、特に、腐食性が高い環境用に開発された多層コーティングにおいて該当する。多層コーティングの腐食メカニズムは非常によく理解されている。しかし、文献は、最大の腐食性能に求められる所望の条件を得るための特定の操作パラメータの推奨及び添加物の使用に関してしばしば矛盾していた。）
（甲１−１ｂ）「   
　　　　　　　　　　　　　　　　　」（２５頁左欄３〜３６行）
（当審訳：微小不連続クロム
　単層及び多層のニッケルコーティングの全体的な腐食保護における微小不連続クロムの利点は、１９５０年代後半に発見された２。当初は、クラックフリークロムの使用により、腐食電池を構成する露出ニッケルがなくなるため、完全な耐食性表面が得られるだろうと考えられていた。クラックフリークロムをめっきすることは可能であるが、内部応力が比較的短期間に発生して、クラックの形成が生じる。これにより、通常のクロム上においてと同様に腐食サイトが発生する。
　
微小不連続クロムは、全体的な腐食保護を著しく向上させる特有の腐食メカニズムを提供する。クロム層における微小不連続性によって、カソード領域（クロム）が減少し、アノード領域（ニッケル）が増大する。その結果、所定の腐食サイトにおいてニッケルに供給される電流量が実質的に減少し、光沢ニッケル層の貫通が減少する。図４は、微小不連続クロムの腐食メカニズムを示す。
（甲１−１ｃ）「
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」（２５頁左欄）
（当審訳：
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　）
（甲１−１ｄ）「
　　　　　　　　　　　　　　　　　」（２５頁左欄下から１４行〜中欄２５行）
（当審訳：微小不連続性を得る方法
　微小不連続性は、いくつかの技術によって生成することができる。これらの技術には、下記のものが含まれる。
　１．リニア・インチ当たり最大１５００個のマイクロクラックを与える、高応力を印加したクロムデポジット。
　２．後のクロム層にマイクロクラックを発生させるマイクロクラック状ニッケルストライク。これは、クロムをめっきする前に、光沢ニッケル上にめっきされたニッケル薄層に高応力を印加することにより得られる。
　３．後のクロム層にマイクロポロシティを与える
マイクロポーラスニッケルストライク。これは、ニッケルストライクデポジット内に不活性粒子を共堆積する
ことにより得られる
　４．クロムデポジットを砂又はその他の硬質微粒子に衝突させてマイクロポロシティを生成する。この方法は、マイクロポロシティとして、１０００００個／ｃｍ２（６５００００個／平方インチ）ものポアを生成することができる。
　この四つの方法のうち、最後の二つのみがめっき業界で広範に使用される。マイクロクラック状クロムは、クロムデポジット自体に生成されたか、又は応力を印加したニッケルストライクにより生成されたかを問わず、重大な限界を有する。それは、電流密度が低い領域においてクラック密度が低いこと、及び電流密度が非常に高い領域において剥落する傾向があることである。）
（甲１−１ｅ）「
　　　　　　　　　　　　　　　　　」（２５頁中欄下から５行〜右欄１９行）
（当審訳：マイクロポロシティと電気化学ポテンシャル
　
試験結果によると、マイクロポロシティが１００００個／ｃｍ２（６４０００個／平方インチ）を超え、ニッケルストライクのポテンシャルが光沢ニッケル下層よりも低電気陰性度（貴）である場合、標準的な二重ニッケルコーティング上での使用において優れた腐食保護が得られる
理想的には、最適な表面及び素地金属の保護のためには、マイクロポロシティは１６０００個／ｃｍ２〜４８０００個／ｃｍ２
の間にあるべきである
（甲１−１ｆ）「
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」（２６頁中欄）
（当審訳：
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　）
（甲１−１ｇ）「
　　　　　　　　　　　　　　　　　　」（２６頁中欄６行〜右欄２２行）
（当審訳：電気化学ポテンシャル
　
孔食の大きさは、特に光沢ニッケルデポジットに対するマイクロポーラスニッケルデポジットの電気化学ポテンシャルによって主に決定される
ストライク層が光沢ニッケル下層よりも活性が低ければ、当該下層が選択的に腐食し、表面の腐食サイトはほぼ見えないままとなる。その結果、腐食性の厳しい環境に大々的に晒された後でも、めっき面は実質的に無傷となる
　自動車業界の多くの規格において、ＣＡＳＳ後のポアサイズを最小化するには、微小不連続ニッケル層の電気化学ポテンシャル（ＳＴＥＰテスタにより測定）を、光沢ニッケルの±２０ミリボルト以内とするべきである旨が規定されている７、８。差がゼロであることが理想的であると考えられていた。しかし、
傷の無い表面を保証するには、微小不連続ニッケル層が、光沢ニッケル下層よりも実質的に貴でなければならないことを我々は発見した
　日本で行われた荏原ユージライト株式会社とトヨタ自動車株式会社との共同試験では、２００時間のＣＡＳＳの後でも実質的に無傷の表面が保証されるマイクロポーラスストライク層及び光沢ニッケル間の相対ポテンシャルがあることが示されている９。
電解膜厚計及び多層ニッケル耐食性測定器を用いて、種々の光沢ニッケル及びマイクロポーラスニッケルストライクデポジットの絶対ポテンシャルを測定した。結果をＣＡＳＳでのこれらの腐食性能と比較した。図６は、所望の腐食保護及び外観を達成するには、ストライクデポジットは光沢ニッケル下層よりも２０ｍＶ〜４０ｍＶ貴でなければならないことを示す
（甲１−１ｈ）「
　　　　　　　　　　　　　　　　」（２７頁左欄下から１０行〜最下行）
（当審訳：多層ニッケルコーティングにより性能を向上できる
　
結論として、多層ニッケルコーティングの使用においては、マイクロポーラスニッケルストライクの電気化学ポテンシャルが下層の光沢ニッケルデポジットより２０ｍＶ〜４０ｍＶ貴である場合に、優れた表面及び素地金属の腐食保護を達成することができる
　２　本件特許に係る出願の出願日前に頒布された甲１−２には以下の事項が記載されている。
（甲１−２ａ）「
　　　　　　　　　　　　　　　　　」（１頁タイトル）
（当審訳：
装飾用クロムめっきプラスチック部品
（甲１−２ｂ）「
　　　　　　　　　　　　　　　　　」（１頁左下の下から３行〜最下行）
（当審訳：コピーライトＧＭワールドワイド
ＧＭＷのライセンスの下でＩＨＳによって提供される
ＩＨＳからのライセンスがなければ複製又はネットワーク業務は許可されない）
（甲１−２ｃ）「
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」（１頁左欄５〜２５行）
（当審訳：１．１　材料の説明　この仕様に対するめっきは、２つのレベルの腐食保護を目的とする内装（符号Ａ）及び外装（符号Ｂ）用途が意図されている。外装用途に対しては、
多層ニッケルシステムに加えて、不連続クロムめっき（マイクロポーラス（ｍｐ）又はマイクロクラック（ｍｃ））を用いる
（甲１−２ｄ）「
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」（２頁左欄）
（当審訳：
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　）
（甲１−２ｅ）「
　　　　　　　　　　　　　　　　　」（２頁左欄６行）
（当審訳：３．１．４．１　
素地
（甲１−２ｆ）「
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」（２頁右欄１〜７行）
（当審訳：３．２．３．１．１　光沢（又はサテン）ニッケル層は、全ての有効面上の半光沢ニッケルに対して１００ｍＶ〜２００ｍＶの陽極電気化学電位差を示すものとする。供給者は、定期的な品質管理基準で、適切な統計的チャート技術を使用して、この要件への適合性を実証しなければならない。）
（甲１−２ｇ）「
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」（２頁右欄８〜１１行）
（当審訳：３．２．３．１．２　
マイクロ微粒子ニッケル層は、全ての素地の全有効面上の光沢又はサテンのニッケルに対して１０〜４０ｍＶの陰極電気化学的電位差を示す
　なお、特許権者らは、平成３０年３月６日付け意見書の３４頁１２〜２１行において、上記（甲１−２ｂ）の記載を考慮すれば、甲１−２は守秘義務を負う者だけが見得る複製された文書であると考えられ、甲１−２は、公衆に対し頒布により公開することを目的としていないため、特許法第２９条第１項第３号にいう「刊行物」に該当しないし、また、甲１−２は、不特定の者が見得る状態におかれていないため、特許法２９条第１項第３号にいう「頒布」に該当しないし、さらに、甲１−２に記載された発行の年月が「不特定の者が見得る状態」であるか定かでないため、甲１−２では、特許法２９条第１項各号及び第２項に規定された「特許出願前」の要件を満たしていることが証明されていない旨主張している。
　しかし、上記（１−２ｂ）の記載のうち、１行目の記載は、甲１−２の著作権はＧＭワールドワイドが有することを示すものであって、２〜３行目の記載は、当該著作権が、ＧＭＷのライセンスの下でＩＨＳによって提供されるものであって、ＩＨＳからのライセンスがなければ複製又はネットワーク業務は許可されないことを示すものにすぎないから、これらの記載を根拠として、甲１−２が、守秘義務を負う者だけが見得る複製された文書であるとはいえない。
　したがって、特許権者らの上記主張はその前提において誤っており採用できない。
　３　甲１−３には、以下の事項が記載されている。
（甲１−３ａ）「
　　　　　　　　　　　　　　」（１頁１行）
（当審訳：クロムめっきプラスチック部品）
（甲１−３ｂ）「
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」（１頁下から３行）
（当審訳：
秘密。
（甲１−３ｃ）「
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」（２頁下から７行〜４行）
（当審訳：３．２．１　素地
　表１に準拠した電気めっきに適している材料として、素地製造業者によって指定されたプラスチック。これに対して逸脱するプラスチックのタイプは、基本的試験と共に、追加の試験を必要とし、必要に応じて個々に決定される。）
（甲１−３ｄ）「
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」（４頁〜６頁）
（当審訳：
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　）
　なお、上記（甲１−３ｂ）の記載によれば、甲１−３は、本件特許に係る出願の出願日前に頒布されたものであるとはいえない。
　４　本件特許に係る出願の出願日前に頒布された甲１−４には以下の事項が記載されている。
（甲１−４ａ）「
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」（４１頁左欄６〜１２行）
（当審訳：二重ニッケルとは、２層のニッケルの堆積のことを言う。これは、
１層のサルファーフリー（ＳＦ）半光沢ニッケル層と１層の光沢ニッケル層を含む。ＳＦ半光沢ニッケル層は下層であり、光沢ニッケル層は上層である。
（甲１−４ｂ）「
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」（４２頁左欄下から２行〜４３頁左欄２４行）
（当審訳：腐食保護
　光沢ニッケルはＳＦ半光沢ニッケルに対して陽極である。光沢ニッケルはＳ Ｆ半光沢ニッケルよりも優先的に腐食する。光沢ニッケルは光沢ニッケルに対して犠牲的に腐食するため、ＳＦ半光沢ニッケルの腐食が低減される。腐食は横方向に進行し、ＳＦの半光沢ニッケルを溶解する代わりに光沢ニッケルを溶かす。
　総合的な腐食性能は、二重ニッケルの総厚、光沢ニッケルの厚さに対するＳＦ半光沢ニッケルの厚さの比、及び、デポジットの電位差及び硫黄含有量によって左右される。好ましい比は、７５％のＳＦ半光沢と２５％の光沢ニッケルである。しかし、６０％〜７５％のＳＦ半光沢ニッケルと２５％〜４０％の光沢ニッケル厚の比は、満足のいく結果をもたらす。
　ＳＦ半光沢ニッケルと光沢ニッケルデポジットとの間の典型的な電位差は、１００〜２００ｍＶであり、
光沢ニッケルは、ＳＦ半光沢ニッケルよりも活性である（より貴ではない）。
（甲１−４ｃ）「
　　　　　　　　　　　　」（４３頁左欄下から９行〜４４頁右欄１７行）
（当審訳：微小不連続クロム
　
微小不連続なクロムは、クロム層中の細孔、クラック、又はその両方の組み合わせで定義され、以下のようにして製造することができる。
１．不活性粒子を共蒸着したニッケルの薄い低硫黄層をめっきする。この浴は、一般に微多孔質ニッケルストライクと呼ばれている。次のクロム層は、細孔、又は、不活性粒子が配置された場所で露出したニッケルを有する。
２．
低硫黄ニッケルストライクの上に、３価クロム浴等の不連続クロムをめっきする。ほとんどの３価のデポジットは、薄い厚さで微孔質であり、厚い厚さで微小なクラックがある。したがって、クロムデポジットは、通常、マイクロ不連続性として言及される。
３．継続するクロム層にクラックを誘発するマイクロクラックニッケルストライク溶液。これは、クロム層にクラックを誘発するためにニッケルデポジットに応力を与えることによって達成される。
４．他の方法は、クロムに砂又は他の硬質粒子を衝突させることであろう。砂又は他の硬質粒子は、めっきされた物品上から離れて落下させる。粒子の衝突は、クロムデポジット中に微細孔を生成する。
５．高応力が付加された又は微細クラックが入ったクロムデポジットのめっき。クロムめっき溶液に添加剤を添加すると、デポジットに高応力が与えられ、微細クラックが発生する。
　（上記の５つの方法のうち、１番と４番が最も一般的に使用されている。最近の規制により、多数のめっき工が２番の方法に変更している。）
　
二重ニッケルと同様に、クロムの下のニッケルストライク層の電位が、最良の腐食メカニズムを提供するために重要である。ニッケルストライクの電位は、その下にある光沢ニッケル層よりも若干貴でなければならない
　ニッケルストライクが光沢ニッケルよりも活性である場合、ニッケルストライクは光沢ニッケルより優先的に腐食する。これにより、表面上の孔が非常に大きくなり、肉眼で確認できるようになる。
　
ニッケルストライクが光沢ニッケルよりも貴な場合、光沢ニッケルはニッケルストライクより優先的に腐食され、表面の細孔は小さいままで、目立たない
　
図３は、低硫黄層（より貴）に優先した光沢ニッケル（より活性）の腐食を示す。その結果、小さな表面細孔径が得られる
　図４は、光沢ニッケル層（より貴）に優先した低硫黄層（より活性）の腐食を示す。その結果、表面の孔径が大きくなり、視覚的に好ましくない。）
（甲１−４ｄ）「
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」（４３頁）
（当審訳：
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　）
　５　本件特許に係る出願の出願日前に頒布された甲１−５には以下の事項が記載されている。
（甲１−５ａ）「２）　
複合電気めつき層の使用を通して母材金属の防食性を改善する
金属基質上に
優先腐食金属の第２層を電着し
前記第２層上に光沢ニツケル
第３層を電着し
前記第２層と
該第３層の一方との間のΔＥが少く共６０ｍＶであり
前記第３層上方に装飾クロムの薄層を電着すること
前記クロム薄層に粒子を衝突せしめて該クロム表面に少く共３０００個／平方インチの微孔を形成する
（甲１−５ｂ）「
本発明の目的は、クロム層と母材金属との間に電着された活性金属の優先的腐食により生じるふくれの形成を防止若しくは相当に減少するようクロムめつき物品を処理することである
（甲１−５ｃ）「表１に掲げた金属等のうち、所定のＥＭＦを有しそして水性めっき浴から電着されるものであるなら如何なる金属でも、
優先腐食層として使用することができる
ニッケル
を含む
（甲１−５ｄ）「Ｍ−３層上に、装飾クロム層が、弗化物含有クロム浴或いは代表的に単位ｌ当り２５０ｇのクロム酸と２．５ｇのスルフェートを含むクロム酸塩浴のような適当なクロムめつき浴から０．００５〜０．０５ミル範囲の厚さまで付着される。」（４頁右下欄７〜１１行）
（甲１−５ｅ）「その後、クロム層の表面は、微孔（マイクロポロシチー）を形成するべく粒子を適度に衝突せしめることにより処理される。・・・この衝突処理は、クロム表面に少く共３０００個／ｉｎ２、好ましくは
４０，０００〜２００，０００個／ｉｎ２の最終孔数
（甲１−５ｆ）「
例II　優先腐食層としてニッケルの使用
　本例において、０．２ミル厚のニツケル層を優先腐食層Ｍ−２として使用しそして２つのワット型ニッケルめつき液のいずれか一方から付着せしめた。各場合、ニツケルを１３８°Ｆの温度でかつ４．０のＰＨに維持した浴から４０Ａ／ｆｔ２の電流密度で付着した。
Ａ．４枚の４”×６”
鋼パネル
に
３ｇ／ｌのベンゼンスルフイン酸ナトリウム・２Ｈ２Ｏ及び０．０８ｇ／ｌのラウリル硫酸ナトリウムを含むワツト浴からのニツケル優先腐食層をめっきした
これに続いて
光沢ニツケル層
及び
クロム層を付着した
Ｂ．
他の２枚のパネルを、優先腐食ニツケル層を０．２９ｇ／ｌのチオ尿素を含むワツト浴から付着したこと以外先きと同態様でめつきした。この層は、−３６５ｍＶのポテンシヤルを与えた
優先腐食層と光沢ニッケル層との間のΔＥは約２０５ｍＶであった
一方の試片にクロム層中に微孔を発見するべく砂衝突処理を施した
　これらの試験結果は、優先腐食層とそれのいずれの側の層との起電力差の大きいパネルの方が鋼基質に対して一層秀れた保護を提供しうることを示す。更に、クロム層中の微孔の発現は基質の保護を改善すると共に活性な優先腐食層における腐食生成物の形成結果として生ずる表面体裁の劣化を少くする。」（６頁右上欄３行〜右下欄１１行）
（甲１−５ｇ）「１５）特許請求の範囲１）項記載の方法において、
微孔密度が約４０，０００〜２００，０００個／ｉｎ２である
　６　本件特許に係る出願の出願日前に頒布された甲１−６には以下の事項が記載されている。
（甲１−６ａ）「【請求項１】　
被めっき製品素地
光沢ニッケルめっき層
上記光沢ニッケルめっき皮膜に対し１０〜６０ｍＶ貴な電気化学的電位を有する非電導性微粒子共析ニッケルめっき層、クロムめっき皮膜で順次被覆された
ニッケル−クロムめっき製品
・・・
【請求項３】　
被めっき製品に
光沢ニッケルめっき層を形成する電気めっき
上記光沢ニッケルめっき皮膜に対し１０〜６０ｍＶ貴な電気化学的電位を有する非電導性微粒子共析ニッケルめっき層を形成する電気めっき
（甲１−６ｂ）「【０００２】
【従来の技術】従来から、自動車部品等の装飾めっきとして、ニッケル−クロムめっきが行なわれているが、その耐食性を改善する方法として、マイクロポーラスクロムめっきが広く採用されている。このマイクロポーラスクロムめっき方法は、クロムめっき層表面に肉眼には見えないほどの微小孔を多数形成し、腐食電流を効果的に分散する方法であり、そのため、耐食性に優れている。 
マイクロポーラスクロムめっき方法においては、微小孔の数が増えるに従い耐食性も増すが、十分な耐食性のためには、その数が１００００個／ｃｍ2程度以上であることが望ましい
（甲１−６ｃ）「【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、前記したようなめっき層内の腐食を防止すべく、
下地ニッケルとして２層ニッケルめっきを採用したマイクロポーラスクロムめっきについてめっき層内の腐食の発生、進行機構から検討を行なった。そしてその結果、半光沢ニッケルめっき層、光沢ニッケル層および共析ニッケルめっき層の電位を一定の関係に保つことにより得られたニッケル−クロムめっき製品は、素材が有効に防食されるとともにめっき層内の腐食も極めて遅くなることを見出し、本発明を完成した
（甲１−６ｄ）「【００２９】
　
クロムめっき浴
　　
無水クロム液（ＣｒＯ3）
　　硫酸　　　　（Ｈ2ＳＯ4）　　　　　　　　　 １　ｇ／ｌ
　　添加剤 クロミライトＫＣ−４０*　　　　　　 ４　ｇ／ｌ
　　浴温　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 ４５℃
（注）上記めっき浴組成中、* が付されているものは荏原ユージライト株式会社製製品である。」
　７　本件特許に係る出願の出願日前に頒布された甲１−７には以下の事項が記載されている。
（甲１−７ａ）「【請求項１】　
第一ニッケルめっき層と、該第一ニッケルめっき層上に形成した第二ニッケルめっき層と、第二ニッケルめっき層上に形成したクロムめっき層とを含む装飾クロムめっき皮膜において、第一ニッケルめっき層の腐食電位を基準としたときの第二ニッケルめっき層の腐食電位を１０ｍＶ以上とすることを特徴とする装飾クロムめっき皮膜。
【請求項２】　
第一ニッケルめっき層と、該第一ニッケルめっき層上に形成した第二ニッケルめっき層と、第二ニッケルめっき層上に形成したクロムめっき層とを含む装飾クロムめっき皮膜の形成方法において、第二ニッケルめっき層形成用のめっき浴に添加する二次光沢剤の量を、第一ニッケルめっき層形成用のめっき浴に添加する二次光沢剤の量より多くしたことを特徴とする装飾クロムめっき皮膜の形成方法。
（甲１−７ｂ）「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、合成樹脂基材、金属基材、無機基材等の表面に形成される装飾クロムめっき皮膜とそのめっき方法に関するものである。」
（甲１−７ｃ）「【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するために、本発明では、第一ニッケルめっき層（例えば光沢ニッケルめっき層）と、該第一ニッケルめっき層上に形成した第二ニッケルめっき層（例えば分散ストライクニッケルめっき層あるいは高応力ストライクニッケルめっき層）と、第二ニッケルめっき層上に形成したクロムめっき層とを含む装飾クロムめっき皮膜（例えばマイクロポーラスクロムめっき皮膜あるいはマイクロクラッククロムめっき皮膜）及びその形成方法において、特にこれらの例示の場合、次のような手段をとった。」
（甲１−７ｄ）「【００１９】さらに、
光沢ニッケルめっき層の腐食電位を基準としたときの分散ストライクニッケルめっき層
の腐食電位を１０ｍＶ以上としたので、たとえ光沢ニッケルめっき層が長時間かかって腐食したとしても、分散ストライクニッケルめっき層あるいは高応力ストライクニッケルめっき層はあまり腐食しないで残る
【００２０】また、請求項２又は３記載の本発明によれば、
分散ストライクニッケルめっき層
形成用のめっき浴に添加する二次光沢剤の量を、光沢ニッケルめっき層形成用のめっき浴に添加する二次光沢剤の量より多くする
するという簡単な手段により、前記分散ストライクニッケルめっき層
の腐食電位を１０ｍＶ以上とすることができる
（甲１−７ｅ）「【００２１】
【試験例】次に、本発明を検証するために行った試験例について、図１〜図１０を参照して説明する。図１等に示すように、寸法１００ｍｍ×７５ｍｍ×３ｍｍのＡＢＳ樹脂基材１の表面に、半光沢ニッケルめっき層２、光沢ニッケルめっき層３、分散ストライクニッケルめっき層４及びクロムめっき層５を順に積層してなるマイクロポーラスクロムめっき皮膜６を形成し、試験片とした。各層の形成方法は次の通りである。」
（甲１−７ｆ）「【００２５】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
（甲１−７ｇ）「【００２７】図７は、分散ストライクニッケルめっき層４の形成時において、めっき浴温度を５５度（光沢ニッケルめっき層３の形成時と同じ）とする一方、二次光沢剤の添加量を０〜３ｇ／ｌと変えた場合の、分散ストライクニッケルめっき層４の腐食電位を示すものである。同図より、二次光沢剤の添加量をわずかに増加しただけで該腐食電位は高くなることが判る。」
（甲１−７ｈ）「【００３０】
図９は、分散ストライクニッケルめっき層４の腐食電位と試験時間との関係を示すものである
（甲１−７ｉ）「【図１】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
（甲１−７ｊ）「【図７】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
（甲１−７ｋ）「【図９】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
　８　本件特許に係る出願の出願日前に頒布された甲１−８には以下の事項が記載されている。
（甲１−８ａ）　「最終的ニッケルメツキ物またはニッケル−コバルト合金メツキ物に適用するクロムは、常法的クロムメツキ物で良い。上記の常法的クロムメツキ物は、硫酸塩触媒、硫酸塩−フツ化ケイ素酸塩混合物、他のフツ化物含有の混合触媒、又は有機酸触媒含有のクロム酸浴を使用して得られる。上記の浴を使用すると、亀裂は生じないか、生じたとしても微小亀裂である。３価クロム浴並びに６価クロム浴を使用して、メツキすることができる。」（２頁４欄２３〜３１行）
　９　本件特許に係る出願の出願日前に頒布された甲１−９には以下の事項が記載されている。
（甲１−９ａ）「[0002] More especially, the invention concerns the corrosion resistance of chromium finishes and how this can be improved at least for certain types of plating solutions giving benefits for the manufacture of articles having a decorative and protective chromium finish.」
（当審訳：［０００２］　より詳細には、本発明は、クロム仕上げの耐腐食性に関し、また、クロム仕上げの耐性が、装飾的及び保護的なクロム仕上げを有する物品の製造に利益をもたらす特定の種類のめっき溶液によって、どのように改善され得るかに関する。）
（甲１−９ｂ）「[0009] Chromium has two stable valency configurations,the hexavalent state and the trivalent state. Traditionally, metallic chromium deposits are obtained using plating solutions of hexavalent chromium. The reason for this is that the majority of decorative deposits obtained from plating solutions of hexavalent chromium are non porous continuous films which prevent the corrosion reactions taking place unless there is a fault in the chromium deposit either as formed or resulting from damage or wear in use so as to expose the underlying nickel. 
[0010] In contrast, the deposits from the plating solutions of trivalent chromium are microporous films with holes through to the surface of the nickel underlayer. These holes are invisible to the naked eyebut the nickel underlayer is exposed allowing the corrosion reactions to take place. 
[0011] The known plating solutions of hexavalent chromium are typically based on the compound chromic oxide (CrO3). When dissolved in water, this forms chromic acid which is a strongly acidic,oxidising solution that has been found to be carcinogenic. Plating processes using these solutions therefore present a serious health and safety hazard to the people using them and a pollution risk to the environment.
[0012] The trivalent state is known to be comparatively benign and plating solutions of trivalent chromium are less aggressive. The use of plating solutions of trivalent chromium is therefore desirable to reduce the health and safety risks to the people using them and the pollution risk to the environment but to date has not been widely adopted because of increased chemical control required to maintain them at optimum operating conditions. 」
（当審訳：［０００９］　
クロムは、６価状態と３価状態の２つの安定な原子価構成を有する
６価クロムのめっき溶液から得られる装飾的堆積物の大部分は、腐食反応を防止する非多孔質連続膜からなる
［００１０］　対照的に、
３価クロムのめっき溶液からの堆積物は、ニッケル下地層の表面に貫通する穴を有する微孔質膜である
［００１１］　
６価クロムの既知のめっき溶液は、典型的には、化合物クロミック酸化物（ＣｒＯ３）に基づく。水に溶解すると、これは、発ガン性であることが判明した強酸性の酸化性の溶液であるクロム酸を生成する。従って、これらの溶液を使用するめっきプロセスは、それらを使用する人々に重大な健康および安全上の危険、及び環境に対する汚染リスクをもたらす
［００１２］　
３価の状態は比較的良性であることが知られており、３価のクロムのめっき溶液はあまり攻撃的ではない。従って、３価クロムのめっき溶液を使用することは、それらを使用する人々の健康および安全性リスクおよび環境に対する汚染リスクを低減するために望ましい
（甲１−９ｃ）「[0058] In the current vs potential plots, the lower the anodic potential at which the line rises above the X-axis the sooner the onset of corrosion. The lower the potential at which the tests stop the lower the corrosion resistance of the sample. The current flow becomes Faradaic and the chemical changes at the surface are permanent.
[0059] Figure 1 compares the corrosion resistance of hexavalent (sample A) and trivalent (sample B) deposits of chromium over bright nickel. It can be seen that the trivalent system (sample B) is less corrosion resistant than the hexavalent system (sample A) .」
（当審訳：［００５８］　電流に対する電位のプロットにおいて、Ｘ軸の上側にラインが上昇してアノードの電位が低くなるほど、腐食の開始が早くなる。テストが終了してその電位が低くなるほど、サンプルの腐食耐性が低くなる。電流はファラディックになり、表面の化学変化は永続的である。
［００５９」　図１では、光沢ニッケルの上の６価クロム堆積物（サンプルＡ）と３価クロム堆積物（サンプルＢ）の耐食性が比較されている。
３価クロム堆積物（サンプルＢ）は６価クロム堆積物（サンプルＡ）よりも低い耐食性であることが分かる
　１０　本件特許に係る出願の出願日前に頒布された甲１−１０には以下の事項が記載されている。
（甲１−１０ａ）「
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」（１欄１３〜２８行）
（当審訳：概要
　改善された耐食性は、クロム層に微細孔を形成するように固体粒子状物質の衝突によって表面クロム層を処理することにより得られるニッケル上にクロムめっきされた装飾的クロムめっき物品をもたらす。これらの微細孔は、前記クロム層を貫通して下地のニッケル層まで延在する。粒子の種類、粒子のサイズ、粒子の密度、及び衝突時の運動量に応じて、１平方インチ当たりの微細孔の数は、装飾的クロムめっき物品の場合、３，０００を超え、好ましくは４０，０００〜２００，０００／平方インチの範囲にあるべきである。同様に、複数のニッケルコーティングを使用することができ、銅などの他の下地金属層を、基板と前記ニッケル及びクロム表面層との間に配置することができる。）
（甲１−１０ｂ）　「
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」（１欄５３行〜２欄１１行）
（当審訳：その後、クロムは、前記粒子含有ニッケル層上に電着される。ニッケル層中の粒子は、クロム層の電着中に電流の流れを妨げ、結果として、微孔質クロム堆積物が形成される。米国特許第３，４４９，２２３号明細書は、下に粒子フリーの明るいニッケル層を必要とせずに、基板上に直接めっきされた粒子含有光沢ニッケル層を必要とする同様のプロセスを開示している。
　出願人は、最終的なクロム層が物品に電着された後にクロム表面に微細孔を形成することによって、装飾的めっきクロム物体において耐腐食性の同様な改善が得られることを発見した。微細孔を形成するのに十分な力で十分な硬さの粒状材料をクロムの表面に衝突させることによって、微細孔はクロム表面に形成される。
　種々の粒状材料が、前述の方法において成功して使用されている。前記粒状材料としては、ラウンドオタワ砂（２３−２５メッシュ）、ギザギザの砂（３２−３４メッシュ）、鉛粉、ポリエチレンペレット１／８×１／１６×１／６インチ（Ｇｏｏｄｒｉｃｈ　Ｇｅｏｎ　Ｖｉｎｙｌ　＃８８１４白）、マグネシウム充填材、ガラスビーズ（Ｂｌａｓｔｏｌｉｔｅ　ＢＬＸＮ−１６　Ｇｅｎｅｒａｌ　Ｓｔｅｅｌ　Ｉｎｄｕｓｔｒｉｅｓ、ミズーリ州セントルイス）、ポリスチレンペレット（直径：０．０５インチ）、鉄粉末、ニッケル粉末、及び粉末シリカ（３２０メッシュ）が含まれる。微細孔の形成において少なくとも前記クロム表面を傷つけるほどのクロム表面への衝撃に耐えるのに十分な硬度を有するのであれば、任意の固体粒状材料が本発明の実施において有用であろう。）
　１１　本件特許に係る出願の出願日前に公知となった甲１−１１には以下の事項が記載されている。
（甲１−１１ａ）「[0055]これらの図より、三価クロムめっき液を用いて形成されたクロムめっき層は、実質的に非晶質構造を有しているのに対して、六価クロムを用いたクロムめっき層は、多結晶からなる結晶構造を有しているのがわかる。めっき層が結晶構造か非結晶構造であるかは、例えば、約４０〜５０θの回折角付近に、（半値幅／ピーク高さ）が約０．００１rad／cps以下の回折ピークが観測されるかどうかによって判別することができる。」
（甲１−１１ｂ）「[0069]　エンジン用部品がこのような構造を備えることによって、三価クロムめっき液を用いて、六価クロムめっき液から形成しためっき層と同程度の良好な成膜特性を有し、耐熱性に優れたクロムめっき層を得ることができる。また、クロムめっき層中のホウ素の含有量を０．１質量％以下にし、鉄の含有量を２質量％以下にすることによって、六価クロムめっき液から形成されるクロムめっき層と同程度の銀白色の色調を得ることができる。」
（甲１−１１ｃ）「[0124]［表２］
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
１２　本件特許に係る出願の出願日前に頒布された甲２−１には以下の事項が記載されている。
（甲２−１ａ）「
　　　　　　　　　　　　　　　」（２９頁左欄下から４行〜右欄１０行）
（当審訳：塩化カルシウム腐食
　
３価クロムめっきは、「ロシアマッド」と呼ばれる塩化カルシウムへの対応で有利であることが示されている
塩化カルシウム泥は、クロム表面に接触し続ける
　この酸性環境が空気中の酸素を溶解してクロムめっき層を溶解する。
　
（この腐食環境においては）６価クロム浴からよりも３価クロム浴からのクロムめっきの方が耐食性に優れる
（甲２−１ｂ）「
　　　　　　　　　　　　　　　」（２９頁右欄１１行〜３０頁左欄７行）
（当審訳：ＣＡＳＳテストの実行
　
第三世代の３価クロムめっきシステムの耐食性を評価するために、テスト用めっき部品について
ＣＡＳＳテストを行った
（甲２−１ｃ）「
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」（２９頁）
（当審訳：
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　）
（甲２−１ｄ）「
　　　　　　　　　　　　　　　」（３０頁左欄下から１４行〜右欄２行）
（当審訳：
サイクルＣとＤは３重ニッケルめっきと３価クロムめっきをしているが、最後のニッケル層が異なる。サイクルＣでは半光沢、光沢及び貴ニッケルの組合せであるが、サイクルＤでは半光沢、光沢及びポーラスニッケルの組合せである。貴ニッケルめっきは、マイクロポーラス浴から固形粒子を除いた浴からめっきしたものである
３価クロムめっきと６価クロムめっきには有意差が認められない
　貴ニッケルめっきはマイクロポーラスニッケルめっきに比べて、他のすべての層が同一であっても、３価クロム及び６価クロムのいずれの場合も耐食性が劣る。マイクロポーラスニッケルによって生成する活性部位がないと、ＣＡＳＳ試験に適用した際に、３価クロム及び６価クロムのいずれでもめっき層に重大な劣化が生じる。これは第三世代プロセスによる孔不含クロムめっきが、６価クロムめっきとより似ているためである。３価クロムめっきと６価クロムめっきには、貴ニッケルめっき層、マイクロポーラスニッケル層とも有意差は認められなかった。）
　１３　本件特許に係る出願の出願日前に頒布された甲２−２には以下の事項が記載されている。
（甲２−２ａ）「
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」（２０頁３行〜下から７行）
（甲２−２ｂ）「
　　　　　　　　　　　　　　　　　」（２１頁下から３行〜２２頁９行）
（甲２−２ｃ）「
　　　　　　　　　　　　　　　　　　」（２２頁１０行〜２４頁１７行）
（甲２−２ｄ）「 
　　　　　　　　　　　　　　　　　」（２６頁１行〜２７頁下から７行）
　１４　本件特許に係る出願の出願日前に頒布された甲２−３には以下の事項が記載されている。
（甲２−３ａ）「
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」（９１頁左欄８〜１３行）
（甲２−３ｂ）「
　　　　　　　　　　　　　　」（９１頁右欄７行〜９７頁右欄最下行）
　１５　本件特許に係る出願の出願日前に頒布された甲２−４には以下の事項が記載されている。
（甲２−４ａ）「【請求項１】　被めっき製品素地を、実質的に硫黄を含まない半光沢ニッケルめっき層、半光沢ニッケルめっき皮膜に対し１００〜１７０ｍＶ卑な電気化学的電位を有する光沢ニッケルめっき層、半光沢ニッケルめっき皮膜に対し６０〜１２０ｍＶ卑であり、かつ上記光沢ニッケルめっき皮膜に対し１０〜６０ｍＶ貴な電気化学的電位を有する非電導性微粒子共析ニッケルめっき層、クロムめっき皮膜で順次被覆されたことを特徴とするニッケル−クロムめっき製品。
【請求項２】　被めっき製品素地が銅めっきされたものである請求項第１項記載のニッケルクロムめっき製品。
【請求項３】　被めっき製品に、実質的に硫黄を含まない半光沢ニッケルめっき層を形成する電気めっき、半光沢ニッケルめっき皮膜に対し１００〜１７０ｍＶ卑な電気化学的電位を有する光沢ニッケルめっき層を形成する電気めっき、前記半光沢ニッケルめっき皮膜に対し６０〜１２０ｍＶ卑であり、かつ上記光沢ニッケルめっき皮膜に対し１０〜６０ｍＶ貴な電気化学的電位を有する非電導性微粒子共析ニッケルめっき層を形成する電気めっき、クロムめっき皮膜を形成する電気めっきを順次施すことを特徴とするニッケル−クロムめっき製品の製造方法。」
（甲２−４ｂ）「【０００２】
【従来の技術】従来から、自動車部品等の装飾めっきとして、ニッケル−クロムめっきが行なわれているが、その耐食性を改善する方法として、マイクロポーラスクロムめっきが広く採用されている。このマイクロポーラスクロムめっき方法は、クロムめっき層表面に肉眼には見えないほどの微小孔を多数形成し、腐食電流を効果的に分散する方法であり、そのため、耐食性に優れている。 
マイクロポーラスクロムめっき方法においては、微小孔の数が増えるに従い耐食性も増すが、十分な耐食性のためには、その数が１００００個／ｃｍ2程度以上であることが望ましい。
【０００３】一般に、
マイクロポーラスクロムめっき方法は
非電導性微粒子、例えばＳｉＯ2、ＴｉＯ2等を分散、懸濁させたニッケルめっき浴中で非電導性微粒子共析ニッケル（以下、「共析ニッケル」という）めっきを行い、次いでクロムめっきを行うことで得られる。
（甲２−４ｃ）「【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、前記したようなめっき層内の腐食を防止すべく、下地ニッケルとして２層ニッケルめっきを採用したマイクロポーラスクロムめっきについてめっき層内の腐食の発生、進行機構から検討を行なった。そしてその結果、半光沢ニッケルめっき層、光沢ニッケル層および共析ニッケルめっき層の電位を一定の関係に保つことにより得られたニッケル−クロムめっき製品は、素材が有効に防食されるとともにめっき層内の腐食も極めて遅くなることを見出し、本発明を完成した。」
（甲２−４ｄ）「【００２０】
公知の光沢ニッケルめっきや共析ニッケルめっき浴を用いる場合、それらのニッケル皮膜の電位を貴に調整するための手段の例としては、次のような方法が挙げられる。
【００２１】
（１）ブチンジオール、ヘキシンジオール、プロパギルアルコール、アリルスルホン酸ナトリウム等の光沢ニッケルめっき用２次光沢剤として公知の薬剤のめっき浴への添加、または補充。
（２）ホルマリン、抱水クロラール等の半光沢ニッケルめっき用の光沢剤として公知の薬剤のめっき浴への添加、又は補充。
（３）めっき浴温の上昇。」
（甲２−４ｅ）「【００２４】
【発明の効果】本発明のニッケル−クロムめっき製品は、各ニッケルめっき層の電気化学的電位が一定の範囲に制御されており、腐食電流を光沢ニッケル層および共析ニッケル層内でうまく分散することができるので、従来の方法で得られた同種ニッケル−クロム製品と比べ、めっき層内の腐食が外観に現われにくく、長期間にわたり美麗な外観を保つことができるので、工業的に極めて有用なものである。」
（甲２−４ｆ）「【００２９】
　
クロムめっき浴
　　
無水クロム液（ＣｒＯ3）
　　硫酸　　　　（Ｈ2ＳＯ4）　　　　　　　　　 １　ｇ／ｌ
　　添加剤 クロミライトＫＣ−４０*　　　　　　 ４　ｇ／ｌ
　　浴温　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 ４５℃
（注）上記めっき浴組成中、* が付されているものは荏原ユージライト株式会社製製品である。」
（甲２−４ｇ）「【００３１】実 施 例　１
下記の条件を代える以外は、すべて上記使用材料、めっき条件に従いめっきを行った。 なお、比較として、すべて上記使用材料、めっき条件に従っためっきも行った（比較例１；従来の標準的工程）。
（１）光沢基本ニッケルめっき浴に、ベンゼンスルフィン酸ナトリウムを８ｍｇ／ｌ添加した。
（２）共析ニッケル基本めっき浴の浴温を６０℃に上げ、アリルスルホン酸ナトリウムを１.５ｇ／ｌ添加した。
【００３２】実 施 例　２
下記の条件を代える以外は、すべて上記使用材料、めっき条件に従いめっきを行った。
（１）光沢ニッケル基本めっき浴にベンゼンスルフィン酸ナトリウムを１５ｍｇ／ｌ添加した。
（２）共析ニッケル基本めっき浴の浴温を６０℃に上げ、アリルスルホン酸ナトリウムを１ｇ／ｌ添加した。
【００３３】実 施 例　３
下記の条件を代える以外は、すべて上記使用材料、めっき条件に従いめっきを行った。
（１）光沢ニッケル基本めっき浴にベンゼンスルフィン酸ナトリウムを１５ｍｇ／ｌ添加した。
（２）共析ニッケル基本めっき浴にアリルスルホン酸ナトリウムを０.４ｇ／ｌ添加した。
【００３４】実 施 例　４
下記の条件を代える以外は、すべて上記使用材料、めっき条件に従いめっきを行った。
（１）光沢ニッケル基本めっき浴にベンゼンスルフィン酸ナトリウムを２５ｍｇ／ｌ添加した。
（２）共析ニッケル基本めっき浴にアリルスルホン酸ナトリウムを１ｇ／ｌ添加した。
【００３５】実 施 例　５
下記の条件を代える以外は、すべて上記使用材料、めっき条件に従いめっきを行った。
（１）光沢ニッケル基本めっき浴にベンゼンスルフィン酸ナトリウムを５０ｍｇ／ｌ添加した。
（２）共析ニッケル基本めっき浴にアリルスルホン酸ナトリウムを１ｇ／ｌ添加した。」（当審注：丸数字は（１）等と表記した。）
（甲２−４ｈ）「【００３７】試 験 例
以上の実施例および比較例から得られためっき被膜の各ニッケルめっき層の電位を測定するとともに、ＪＩＳ−Ｄ０２０１付属書２のキャス試験で耐食性を比較した。 なお、各ニッケルめっき層間の電位差の測定は、（株）中央製作所製、電解式めっき厚さ測定器及び多層ニッケルめっき耐食性測定器を用いて行なった。 各ニッケルめっきの電位を表１に、耐食性試験の結果を表２に示す。
【００３８】
*ニッケルめっき被膜電位は、半光沢ニッケルめっき被膜の電位を０ｍＶとして表した。
【００３９】
**レイティングナンバーは、めっき表面の腐食程度を示すサーフェイスレイテイングナンバーで表した。 表面に腐食が全く見られない場合、レイティングナンバーは１０となる。
【００４０】この結果から明らかなように、各ニッケル被膜間の電位差が一定の範囲にあるもののみが優れた耐食性を示した。」
１６　本件特許に係る出願の出願日前に頒布された甲２−５には以下の事項が記載されている。
（甲２−５ａ）「
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」（２０頁右欄１４〜２７行）
（甲２−５ｂ）「
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」（２２頁右欄下から４〜３行）
（甲２−５ｃ）「
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」（２３頁左欄２〜７行）
（甲２−５ｄ）「
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」（２３頁左欄下から７〜３行）
（甲２−５ｅ）「
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」（２３頁右欄）
　１７　本件特許に係る出願の出願日前に頒布された甲２−６には以下の事項が記載されている。
（甲２−６ａ）「１　本質的に(a)0.1〜1.2モルの３価クロム、(b)0.01モルないし飽和までの臭化物、(c)３価クロムに基いて0.5：１〜３：１のモル比のギ酸塩および酢酸塩の両方または一方、(d)0.1モルないし飽和までのアンモニウム、(e)0.1モルないし飽和までのホウ酸塩、(f)１〜４のｐＨを与えるのに充分な水素イオンを含有することを特徴とするクロム電気メツキ用水溶液。」（１頁１欄２６〜３３行）
（甲２−６ｂ）　「Ｊ．共電着金属
　これらはクロム合金をメツキしようとするときに存在する、浴の任意成分である。これらの例には鉄、コバルト、ニツケル、マンガンおよびタングステンが含まれる。これらはメツキしようとする合金の所望の組成に応じてゼロから飽和までの任意の量で浴中に存在できる。これらは可溶性塩化物または硫酸塩として通常導入できる。」（４頁７欄３６〜４３行）
（甲２−６ｃ）「クロムの特に便利な形は塩基性硫酸クロムであり、これはクロム皮なめし液として商業的に入手できる。例えば重クロム酸ナトリウムを二酸化イオウによつて還元して得た３３％塩基性硫酸クロムは普通の市販品であり、この発明の特別の利点はこのような比較的安価な且つ容易に入手できるクロム給源を使用できることである。」（５頁９欄２０〜２６行）
（甲２−６ｄ）「例　１
　下記の成分を水に溶かし、得られた溶液を１ｌに希釈することによつて溶液を造つた。
　　　　　　　　　　　　　　　
　　モル量　　
塩化第二　１５０ｇ／ｌのＣｒ　0.4　Ｃｒ
クロム　　含有溶液１４０ml
ギ酸カリ　　　　８０ｇ　　　　1.0　ＨＣＯＯ−
ウム
臭化アン　　　　１０ｇ　　　　0.1　Ｂｒ
モニウム
　　　　　　　　　　　　　　　
　　モル量　　
塩化カリ　　　　７６ｇ　　　　1.0　Ｋｃｌ
ウム
ホウ酸　　　　　４０ｇ　　　　0.66Ｈ３ＢＯ３
塩化アン　　　　５４ｇ　　　　1.0　ＮＨ４Ｃｌ
モニウム
潤滑剤　　　　　　1ml」（５頁１０欄３３行〜６頁１１欄８行）
（甲２−６ｅ）「例　４
　塩化第一鉄（ＦｅＣｌ２・４Ｈ２Ｏ）１４ｇを添加することによつて例１に記載の溶液から鉄を含有する溶液を造つた。ハル・セルで行つた同様なメツキ溶液はｐＨ3.5で１０−８００ＡＳＦのメツキ範囲をもつ電着物を与えた。電着物は４０〜６０％のＦｅ＋６０〜４０％のＣｒを含有し、且つ空気中で不銹性の鉄クロム合金であつた。」（７頁１３欄２９行〜１４欄１３行）
１８　本件特許に係る出願の出願日前に頒布された甲２−７には以下の事項が記載されている。
（甲２−７ａ）「【請求項１】  導電性素地に、所要の金属下地層を電気めっきで形成させたのち、ニッケル供給源、リン供給源及びアニオン系又はノニオン系界面活性剤を含有するニッケル・リン合金めっき浴組成に非金属不活性微粒子を添加して調製した電解液中において電解めっきを行って厚さ０．１５〜２０μｍの非金属不活性微粒子を分散含有するニッケル・リン合金めっき層を形成させ、次いでその上に厚さ０．０１〜０．５μｍのクロムめっき被覆を施すことを特徴とするマイクロポーラスクロムめっき製品の製造方法。」
（甲２−７ｂ）「【０００４】このような欠点を改良するために、図１の（ｂ）に示すように、
非金属不活性微粒子を分散したニッケルめっき浴でめっきを行い、その微粒子をニッケルめっき層中に析出させて複合ニッケルめっき層としたのち、その上にクロムめっきを施してクロムめっき層に多数の微孔を形成させることにより陽極の面積を増大させて腐食電流密度を小さくし、耐食性を向上させる方法、いわゆるマイクロポーラスクロムめっき法が知られている。
（甲２−７ｃ）「【００１２】これらの導電性素地の上に設けられる金属電気めっき下地層としては、通常のマイクロポーラスクロムめっき製品の場合と同じく、光沢ニッケルめっき層と半光沢ニッケルめっき層との組合せが一般的に用いられる。」
（甲２−７ｄ）「【００１９】本発明方法で形成されるニッケル・リン合金めっき層中のリン含有量は３〜１９重量％の範囲が好ましい。この量が３重量％未満では光沢めっきが得られにくく装飾的価値が低下するし、また１９重量％を超えると光沢が低下するとともに、陰極電流効率が低下し、所要のめっき厚を得るのに長時間を要することになる。そして、前記した光沢ニッケル層に対するニッケル・リン合金めっき層電気化学的電位は、そのリン含有量３〜１９重量％の範囲で１４０〜１１５０ｍＶ貴な値を示す。」
（甲２−７ｅ）「【００２１】このニッケル・リンめっき浴に添加される非金属不活性微粒子としては、
現在工業的に広く行われているマイクロポーラスクロムに添加される微粒子、すなわち酸化ケイ素、酸化チタン、酸化アルミニウム、硫酸バリウム、酸化ジルコニウム、ケイ酸アルミニウム、ケイ酸カルシウムなど
　１９　本件特許に係る出願の出願日前に頒布された参考文献１には以下の事項が記載されている。
（参考１ａ）「
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」（１５６〜１５７頁）
（参考１ｂ）「
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」（１６６頁）
　２０　本件特許に係る出願の出願日前に頒布された参考文献２には以下の事項が記載されている。
（参考２ａ）「
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」（３２頁）
第７　令和１年５月８日付け取消理油通知（決定の予告）に記載した取消理
　　　由についての当審の判断
　当審は、令和１年８月９日に特許権者らが提出した意見書及び訂正の請求に係る訂正の内容について、同年１０月９日及び１０日に申立人２及び１が提出した意見書を踏まえて検討した結果、当審による令和１年５月８日付け取消理油通知（決定の予告）に記載した取消理由（上記第５の３（１）及び（２））は解消したと判断したところ、その理由は以下のとおりである。
　１　サポート要件について
（１）サポート要件の判断について
　特許請求の範囲の記載が、明細書のサポート要件に適合するか否かは、特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載とを対比し、特許請求の範囲に記載された発明が、発明の詳細な説明に記載された発明で、発明の詳細な説明の記載により当業者が当該発明の課題を解決できると認識できる範囲のものであるか否か、また、その記載や示唆がなくとも当業者が出願時の技術常識に照らし当該発明の課題を解決できると認識できる範囲のものであるか否かを検討して判断すべきものである。
（２）本件発明が解決しようとする課題
　本件特許明細書の【０００９】の記載によれば、本件発明が解決しようとする課題（以下「本件課題」という。）は、「通常の環境及び特異的な環境における耐食性を有し、さらにクロムめっき後の追加処理が不要なクロムめっき部品及びその製造方法を提供する」ことである。
　ここで、上記「特異的な環境」とは、同【０００４】〜【０００５】の記載によれば、「高濃度の塩化物イオンが付着した場合や、暖房の効いた車庫と、氷点下に達するような外気環境との間を交互に行き来するといった冷熱サイクルがある環境」のことである。
（３）本件課題が解決できると認識できる範囲のものとして、発明の詳細な
　　　説明に記載された発明
　ａ　本件明細書等の発明の詳細な説明の【発明を実施するための形態】には、以下の記載がある。
「【００２０】
　そして、
本実施形態のクロムめっき部品１は、素地２と、素地２上に形成された光沢ニッケルめっき層５ｂと、光沢ニッケルめっき層５ｂ上に接して形成され、光沢ニッケルめっき層５ｂとの電位差が４０ｍＶ以上１５０ｍＶ以下である貴電位ニッケルめっき層５ａと、貴電位ニッケルめっき層５ａの上に接して形成された３価クロムめっき層６と、を備えている
【００２１】
　
光沢ニッケルめっき層５ｂと貴電位ニッケルめっき層５ａとの間の電位差を４０ｍＶ以上１５０ｍＶ以下とすることにより、貴電位ニッケルめっき層５ａに対して光沢ニッケルめっき層５ｂの電位を卑にする。これにより光沢ニッケルめっき層５ｂの犠牲腐食効果を増大させ、通常環境だけでなく、特異的な環境における腐食に対する耐食性を向上させることができる
【００２２】
　
本実施形態では、光沢ニッケルめっき層５ｂと貴電位ニッケルめっき層５ａとの間の電位差を４０ｍＶ以上１５０ｍＶ以下とすることを特徴としている。しかし、単にこれらの層の間の電位差を４０ｍＶ以上としただけでは、膨れの原因となってしまう。特に電位差が６０ｍＶ以上では、従来技術に記載されているように、膨れが生じやすくなる。そこで、本実施形態では、前記電位差に加え、クロムめっき層６として、価数が３価のクロムを還元してなる３価クロムめっき層を使用したことを特徴とする。３価クロムめっき層は、マイクロポーラス構造及びマイクロクラック構造の少なくともいずれか一方を有している。これにより、下層のニッケルめっき層５の一部に腐食が集中せず、ニッケルめっき層５全体に腐食が分散できる。そのため、たとえ電位差を４０ｍＶ以上、更には６０ｍＶ以上にしようとも、膨れが生じるような局所集中型の腐食や膨れに伴う腐食が生じない
【００２３】
　
前記３価クロムめっき層６は、その表面６ｃに１００００個／ｃｍ２以上の微細孔を備えていることが好ましく、５００００個／ｃｍ２以上の微細孔を備えていることがより好ましい。前述のように、従来技術では光沢ニッケルめっき層５ｂと貴電位ニッケルめっき層５ａとの間の電位差を６０ｍＶ以上とすることによって、膨れが発生しやすくなるという欠点があった。しかし、本実施形態では、３価クロムめっき層６自体が有している、非常に微細かつ多数のマイクロポーラス構造及びマイクロクラック構造による微細孔を有効活用することにより、従来技術における欠点を克服することが可能となる
【００２４】
　さらに、
前記３価クロムめっき層６は、結晶状態ではない非晶質であることが好ましい。非晶質であることにより、腐食起点となり得るめっき欠陥を著しく減らすことが可能となる。
　ｂ　上記記載によれば、素地と、素地上に形成された光沢ニッケルめっき層と、光沢ニッケルめっき層上に接して形成され、光沢ニッケルめっき層との電位差が４０ｍＶ以上１２０ｍＶ以下である貴電位ニッケルめっき層と、貴電位ニッケルめっき層上に接して形成され、マイクロポーラス構造及びマイクロクラック構造の少なくともいずれか一方を有している３価クロムめっき層とを備え、３価クロムめっき層は１００００個／ｃｍ２以上の微細孔を有し、３価クロムめっき層は非晶質であるクロムめっき部品は、（ｉ）光沢ニッケルめっき層と貴電位ニッケルめっき層との間の電位差を４０ｍＶ以上１５０ｍＶ以下とすることにより、光沢ニッケルめっき層の犠牲腐食効果を増大させ、（ｉｉ）１００００個／ｃｍ２以上の微細孔であるマイクロポーラス構造及びマイクロクラック構造の少なくともいずれか一方を有する３価クロムめっき層により、下層のニッケルめっき層の一部に腐食が集中せず、ニッケルめっき層全体に腐食が分散でき、（ｉｉｉ）３価クロムめっき層が非晶質であることにより、腐食起点となり得るめっき欠陥を著しく減らす、という（ｉ）〜（ｉｉｉ）の作用機序により、通常環境だけでなく、特異的な環境における腐食に対する耐食性を向上させることができるとともに、膨れが生じるような局所集中型の腐食や膨れに伴う腐食が生じず、膨れが発生するのを防止するという効果を奏することによって、本件課題が解決できるものと理解することができる。
（４）炭素及び酸素の含有（取消理由１ｂ）について
　ａ　本件明細書等における【表１】の実施例１〜８からみれば、クロムめっき部品の３価クロムめっき層は、酸素を７〜１６ａｔ％、炭素を４．０〜１６ａｔ％の範囲で含有しているものであるから、本件課題を解決できることが実施例によって具体的に示されているのは、クロムめっき部品の３価クロムめっき層が酸素及び炭素を上記範囲で含有するものであるということになる。
　ｂ　ここで、本件発明１〜５、７、９及び１０において、３価クロムめっき層は、「４．０ａｔ％以上の炭素」及び「７ａｔ％以上の酸素」を含有するとして、炭素及び酸素含有量の下限のみが特定され、上限は特定されていないことについて、以下に検討する。
　ｃ　本件明細書等の【００２６】には、「炭素（Ｃ）、酸素（Ｏ）及び窒素（Ｎ）など、金属と非金属の中間の性質を持つメタロイド元素をクロムめっき層６中に共析させることにより、クロムめっき層６の非晶化度合が増加する。これにより、腐食起点となり得るめっき欠陥を著しく減らすことが可能となる。さらに、メタロイド元素を添加することにより、クロムめっき層６を貴電位化することになり、塩化カルシウムに対する耐食性を向上させることが可能になる。」という作用機序が記載されており、この作用機序に基づけば、炭素及び酸素の含有量を増やすと、非晶化度合の増加やクロムめっき層の貴電位化が進むことになるといえるから、上記（３）ｂにおける「本件課題が解決できると認識できる範囲のものとして、発明の詳細な説明に記載された発明」よりもさらに耐食性を向上させることができるといえるし、炭素及び酸素の含有量が増えることによって耐食性が低下するという技術常識も認められないから、炭素及び酸素の含有量の上限が特定されないことによって、本件課題を解決することができなくなるということはできない。
　ｄ　特許権者らは、下記記載を有する乙第１号証（菅原宗一郎、八重樫英明、「装飾用クロムめっきの融雪剤による特異的腐食機構の一考察とその防食方法」、自動車技術会論文集、Vol.40、No.5、September2009）を提出し、「炭素及び酸素の含有量が所定量より多くなると耐食性が向上し、さらに炭素及び酸素の含有量を増やすとクラスターがさらに緻密になって耐食性がさらに向上する」ものであって、クロムめっき層に、本件特許明細書の【表１】の実施例で示された量を超えて炭素及び酸素が含まれた場合に、本件課題が解決できなくなるという事実はないことを主張している。
「
　
」（１３０６頁右欄５行〜１３０８頁３行）
　しかしながら、乙第１号証により裏付けるまでもなく、３価クロムめっき層における炭素及び酸素の含有量に上限がなくても、本件課題を解決することができなくなるとまでいえないことは、上記ｃのとおりである。
　ｅ　申立人２は、意見書２（３頁９行〜４頁６行）において、乙第１号証は単なる技術論文の一つに過ぎず、技術常識を構成するものではないから、その記載内容を参照することはできない旨を主張するが、乙第１号証の参照の必要がないことは、上記ｄのとおりである。
　ｆ　さらに申立人２は、意見書２（４頁下から２行〜５頁３１行）において、「鉄及び硫黄なしニッケルめっき層が存在しなくても、４．０ａｔ％付近の炭素及び７ａｔ％付近の酸素を含有しさえすれば、良好な耐食性が得られることを示す具体例は一切存在しない」から、「何らの根拠もなく、３価クロムめっき層が４．０ａｔ％以上の炭素及び７ａｔ％以上の酸素を含有することで、本件発明の課題を解決することができると主張しているに過ぎず、その理由がないことは明らかである」旨主張している。
　しかしながら、酸素及び炭素を含有させることによる作用機序は上記ｃのとおりであって、それにより本件課題の解決に寄与することが理解できる上に、具体的な酸素並びに炭素の含有量の下限値が、本件明細書等の実施例８並びに同【００２７】及び実施例４において示されている以上、申立人２の主張を採用することはできない。
　ｇ　よって、３価クロムめっき層における炭素及び酸素の含有量の上限が特定されていないこと、並びに、炭素及び酸素の含有量が、それぞれ「４．０ａｔ％以上」及び「７ａｔ％以上」であることでは、本件課題を解決することができないとはいえない。
（５）鉄の含有（取消理由１ｃ）について
　ａ　本件明細書等における【表１】の実施例１〜８からみれば、クロムめっき部品の３価クロムめっき層は、鉄を０．５〜８ａｔ％の範囲で含有しているものであるから、本件課題を解決できることが実施例によって具体的に示されているのは、クロムめっき部品の３価クロムめっき層が鉄を上記範囲で含有するものであるということになる。
　ｂ　ここで、本件発明１〜３及び６〜１０は、３価クロムめっき層における鉄の含有について特定されていないことについて、以下に検討する。
　ｃ　３価クロムめっき層における鉄の含有について、本件明細書等には以下の記載がある。
「【００２７】
  さらに、前記３価クロムめっき層６は、０．５ａｔ％以上の鉄（Ｆｅ）及び４．０ａｔ％以上の炭素（Ｃ）の少なくともいずれか一方を含有することが好ましい。また、前記３価クロムめっき層６は、１ａｔ％以上２０ａｔ％以下の鉄及び１０ａｔ％以上２０ａｔ％以下の炭素の少なくともいずれか一方を含有するが特に好ましい。鉄（Ｆｅ）は、クロムめっき処理浴中において、めっき付き廻り性を安定化させる効果を有する。さらに、鉄（Ｆｅ）は、クロムめっき層６の表面に生じる不働態皮膜６ｂ（酸化皮膜）をより緻密にする効果を有する。」
「【００６２】
・・・表１及び図２より、クロムめっき皮膜６ａ中に鉄が０．５〜１．０ａｔ％含有し、さらに炭素が１０〜１６ａｔ％含有している。このため、クロムめっき層６の表面に生じる不働態皮膜６ｂが緻密になり、耐食性が向上したものと考えられる。」
　ｄ　上記記載によれば、鉄の含有によりクロムめっき層の表面に生じる不働態皮膜（酸化皮膜）をより緻密にするという作用機序により、耐食性が向上するものであるところ、当該作用機序は、本件課題を解決するための上記（３）ｂの（ｉ）〜（ｉｉｉ）の作用機序とは異なるものであり、上記【００２７】において、鉄の含有が「好ましい」とされていることからも、鉄の含有は、耐食性向上のための付加的な事項であると理解できる。
　そして、以下に摘示するように、特許権者らが意見書とともに提出した実験成績証明書の参考例１１によって、鉄を含有していなくても、本件課題が解決できるという本件明細書等に記載された事項が裏付けられているといえる。
「［表１］
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
（５頁）
　ｅ　申立人２は、意見書２（４頁２４〜４０行）において、「参考例１１では炭素の含有量が１３〜２５ａｔ％、酸素の含有量が１２〜２６ａｔ％であり、本件訂正発明１で規定する下限値の約３倍の量の炭素及び約２倍の量の酸素を含有しており、・・・上記乙第１号証の記載によれば、クラスターの微細化の程度及び酸化相の緻密さの程度は、メタロイド元素の添加量に比例するものであるところ、参考例１１と比較して、炭素の量が３分の１かつ酸素の量が２分の１にまで減少すると、それに比例して、クラスターは粗大化し、酸化相も粗くなってしまうのであるから、・・・当業者は、このようにメタロイド元素である炭素及び酸素の添加量が不足して、クラスターの微細化及び酸化相の緻密さが不十分な場合には、酸化皮膜をより緻密にする効果を有する鉄を含有することが必要になると認識するものといえる」と主張している。
　しかしながら、「クラスターの微細化の程度及び酸化相の緻密さの程度は、メタロイド元素の添加量に比例するものである」としても、「クラスターの微細化」及び「酸化相の緻密さ」の程度が、炭素や酸素の含有量の減少に正比例して３分の１や２分の１になるかどうかも、さらには、炭素や酸素の含有量の減少によって鉄の含有が必要となるかどうかも明らかでない。
　したがって、申立人２の上記主張を採用することはできない。
　ｆ　よって、３価クロムめっき層における鉄の含有について特定されていないことにより、本件課題を解決することができないとはいえない。
（６）硫黄なしニッケルめっき層（取消理由１ｅ）について
　ａ　本件明細書等の【００４６】の記載によれば、実施例１〜８におけるクロムめっき部品は、いずれも、光沢ニッケルめっき層の下に硫黄なしニッケルめっき層を設けたものであることから、本件課題を解決できることが実施例によって具体的に示されているのは、光沢ニッケルめっき層の下に硫黄なしニッケルめっき層を設けたクロムめっき部品であるということになる。
　ｂ　ここで、本件訂正後の本件発明１〜１０は、硫黄なしニッケルめっき層について特定されていないことについて、以下に検討する。
　ｃ　硫黄なしニッケルめっき層について、本件明細書等には以下の記載がある。
「【００３８】
ニッケルめっき層５の耐食性が向上するのは、光沢ニッケルめっき層５ｂと硫黄なしニッケルめっき層５ｃとを比較した場合、硫黄なしニッケルめっき層５ｃが貴電位シフトすることによる。光沢ニッケルめっき層５ｂと硫黄なしニッケルめっき層５ｃとの間の電位差のため、光沢ニッケルめっき層５ｂの横方向に腐食が進行し、硫黄なしニッケルめっき層５ｃへの方向、つまり深さ方向への腐食の進行が抑制される。よって、硫黄なしニッケルめっき層５ｃ及び銅めっき層４へと腐食が進展して、めっき層３の剥がれなどの外観不良となって現れるまでの時間が延びることになる。」
　ｄ　上記記載によれば、光沢ニッケルめっき層と貴電位シフトする硫黄なしニッケルめっき層との間の電位差のため、光沢ニッケルめっき層の横方向に腐食が進行し、硫黄なしニッケルめっき層への方向、つまり深さ方向への腐食の進行が抑制されるという作用機序により、耐食性が向上するものであるところ、この作用機序は、本件課題を解決するための上記（３）ｂの（ｉ）〜（ｉｉｉ）の作用機序とは異なるものであるから、硫黄なしニッケルめっき層を有することは、耐食性向上のための付加的な事項であると理解できる。
　そして、上記実験成績証明書の参考例１１によって、硫黄なしニッケルめっき層を有していなくても、本件課題が解決できるという事項が裏付けられているといえる。
　ｅ　なお、上記参考例１１は、炭素の含有量が１３〜２５ａｔ％、酸素の含有量が１２〜２６ａｔ％であり、本件発明１で規定する下限値の約３倍の量の炭素及び約２倍の量の酸素を含有するものであるが、上記ｄのとおり、炭素及び酸素の含有と、硫黄なしニッケルめっき層を有することとによる耐食性向上のための作用機序は異なるものであるから、上記ｄの判断に影響するものではない。
　ｆ　よって、硫黄なしニッケルめっき層について特定されていないことにより、本件課題を解決することができないとはいえない。
（７）サポート要件についてのまとめ
　以上のとおりであるから、本件発明１〜１０が、発明の詳細な説明に記載された発明で、発明の詳細な説明の記載により当業者が当該発明の課題を解決できると認識できる範囲のものを超えているということはできず、本件発明１〜１０は、発明の詳細な説明に記載したものであるから、特許請求の範囲の記載は、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしている。
　２　進歩性について
（１）取消理由２ｄ（甲１−４を主引用例とした取消理由）について
　ア　甲１−４に記載された発明
　上記第６の４で摘示した（甲１−４ａ）〜（甲１−４ｂ）の記載によれば、甲１−４には、以下の発明が記載されていると認められる。
　「ベースメタルと、
　前記ベースメタル上に形成されたＳＦ（サルファーフリー）半光沢ニッケルめっき層と、
　前記ＳＦ半光沢ニッケルめっき層上に接して形成される光沢ニッケルめっき層と、
　前記光沢ニッケルめっき層上に接して形成され、前記光沢ニッケルめっき層より電位が貴である低硫黄ニッケルストライクめっき層と、
　前記低硫黄ニッケルストライクめっき層上に接して形成され、細孔、クラック又はその両方の組合せを有する微小不連続３価クロムめっき層と、
　を備え
　前記ＳＦ半光沢ニッケルめっき層は前記光沢ニッケルめっき層に対して貴電位であるクロムめっき部品。」（以下「甲１−４Ａ発明」という。）
　また、物の発明である甲１−４Ａ発明を生産する方法の発明として、以下の発明も記載されているということができる。
　「ベースメタル上にＳＦ（サルファーフリー）半光沢ニッケルめっき層を形成する工程と、
　前記ＳＦ半光沢ニッケルめっき層上に光沢ニッケルめっき層を接して形成する工程と、
　前記光沢ニッケルめっき層上に、前記光沢ニッケルめっき層より電位が貴である低硫黄ニッケルストライクめっき層を接して形成する工程と、
　前記低硫黄ニッケルストライクめっき層上に、細孔、クラック又はその両方の組合せを有する微小不連続３価クロムめっき層を接して形成する工程と、
　を有し、
　前記ＳＦ半光沢ニッケルめっき層は前記光沢ニッケルめっき層に対して貴電位であるクロムめっき部品の製造方法。」（以下「甲１−４Ｂ発明」という。）
　イ　本件発明１について
（ア）甲１−４Ａ発明との対比
　本件発明１と甲１−４Ａ発明とを対比すると、甲１−４Ａ発明の「ベースメタル」、「細孔、クラック又はその両方の組合せを有する微小不連続３価クロムめっき層」は、それぞれ、本件発明１の「素地」、「マイクロポーラス構造及びマイクロクラック構造の少なくともいずれか一方を有する３価クロムめっき層」に相当する。
　また、甲１−４Ａ発明の「前記光沢ニッケルめっき層より電位が貴である低硫黄ニッケルストライクめっき層」は、本件発明１の「貴電位ニッケルめっき層」に相当する。
　してみると、両者は、以下の一致点及び相違点を有する。
＜一致点＞
「素地と、
前記素地上に形成された光沢ニッケルめっき層と、
　前記光沢ニッケルめっき層上に接して形成された貴電位ニッケルめっき層と、
　前記貴電位ニッケルめっき層上に接して形成され、マイクロポーラス構造及びマイクロクラック構造の少なくともいずれか一方を有している３価クロムめっき層と、
　を備えたクロムめっき部品。」である点。
＜相違点１−１＞
貴電位ニッケルめっき層における光沢ニッケルめっき層との電位差について、本件発明１は、「６０ｍＶ以上１２０ｍＶ以下」であるのに対し、甲１−４Ａ発明は、それが不明である点。
＜相違点２−１＞
３価クロムめっき層が有している微細孔について、本件発明１は、「５００００個／ｃｍ２以上」であるのに対し、甲１−４Ａ発明は、その数が不明である点。
＜相違点３−１＞
３価クロムめっき層について、本件発明１は、「４．０ａｔ％以上の炭素」及び「７ａｔ％以上の酸素」を含有するのに対し、甲１−４Ａ発明は、炭素及び酸素の含有について不明である点。
＜相違点４−１＞
　３価クロムめっき層について、本件発明１は、「非晶質」であるのに対し、甲１−４Ａ発明は、非晶質であるか否か不明である点。
（イ）相違点についての判断
　ａ　相違点１−１について検討する。
　ｂ　上記第６の１で摘示した（甲１−１ｇ）には、マイクロポーラスストライクデポジット（本件発明の「貴電位ニッケルめっき層」に相当）は光沢ニッケル下層（本件発明の「光沢ニッケルめっき層」に相当）よりも「２０〜４０ｍＶ貴」であることが記載され、同２で摘示した（甲１−２ｇ）には、マイクロ微粒子ニッケル層（本件発明の「貴電位ニッケルめっき層」に相当）は、光沢又はサテンのニッケル（本件発明の「光沢ニッケルめっき層」に相当）に対して「１０〜４０ｍＶの陰極電気化学的電位差」（「１０〜４０ｍＶ貴」に相当）を示すことが記載され、さらに同７で摘示した（甲１−７ｄ）には、光沢ニッケルめっき層の腐食電位を基準としたときの分散ストライクめっき層（本件発明の「貴電位ニッケルめっき層」に相当）の腐食電位を１０ｍＶ以上とすると記載されているが、同（甲１−７ｈ）及び（甲１−７ｋ）の図９から、腐食電位は６０ｍＶに満たないものであることが見てとれるから、甲１−１、甲１−２及び甲１−７には、貴電位ニッケルめっき層における光沢ニッケルめっき層との電位差を「６０ｍＶ以上１２０ｍＶ以下」にするという上記相違点１に係る事項は示されていない。
　ｃ　また、貴電位ニッケルめっき層における光沢ニッケルめっき層との電位差について、上記第６の５で摘示した（甲１−５ａ）には、「少なく共６０ｍＶ」とすること、同６で摘示した（甲１−６ａ）には、「１０〜６０ｍＶ貴」とすることがそれぞれ記載されている。
　しかしながら、同５で摘示した（甲１−５ｄ）には、クロムめっき浴にクロム酸が含まれると記載され、同６で摘示した（甲１−６ｄ）には、クロムめっき浴に無水クロム液（ＣｒＯ３）が含まれると記載されていることから、甲１−５及び甲１−６におけるクロムめっきは、「６価」であることが分かる。
　ここで、クロムの価数が異なれば、腐食電位も異なることは明らかであるといえるから、６価クロムめっきである場合の貴電位ニッケルめっき層における光沢ニッケルめっき層との電位差である上記（甲１−５ａ）及び（甲１−６ａ）を、３価クロムめっきである甲１−４Ａ発明に適用する動機付けがあるとはいえない。
　ｄ　申立人２は、意見書２（８頁下から３行〜９頁３行）において、「貴電位ニッケルめっき層と光沢ニッケルめっき層とに電位差を設けるのは、光沢ニッケルめっき層を貴電位ニッケルめっき層に対して優先的に腐食させるためのものであって、これらの層の上に形成されているクロムめっき層自体の耐食性を高めるためのものではないから、３価クロムと６価クロムの性質が異なることが、貴電位ニッケルめっき層と光沢ニッケルめっき層との電位差を適用する際の動機付けに関係するとはいえない」旨主張している（８頁下から３行〜９頁３行）。
　しかしながら、本件明細書等の【００５８】に「腐食試験２は、本発明に係るクロムめっき部品のクロム溶解腐食に対する耐食性を判断するために採用した。」と記載されているように、本件発明は、特異的な環境におけるクロムめっき層自体の耐食性も高めるものであるところ、上記摘示した乙第１号証の「４．１．　Ｃｒ溶解腐食のメカニズム」にも記載のように、クロムめっき層自体の耐食性は、クロムめっき層の下地であるニッケルめっき層との電位差も影響するといえる。
　したがって、申立人２の上記主張は採用できない。
　ｅ　申立人１は、意見書１（２頁８〜１４行）において、甲１−５には、電位差が少なくとも６０ｍＶであるクロムめっき部品が記載され、１２０ｍＶの閾値は任意のものであり、予期しない技術的効果との関連が示されていないから、電位差範囲を６０ｍＶ以上１２０ｍＶ以下とすることは、当業者にとって困難なものではない旨主張している。
　しかしながら、６価クロムめっきである甲１−５を甲１−４Ａ発明に適用する動機付けがないことは、上記ｃのとおりである。
　したがって、申立人１の上記主張を採用することはできない。　
（ウ）小括
　よって、相違点２−１、同３−１及び同４−１について検討するまでもなく、本件発明１は、甲１−４Ａ発明と甲１−１、甲１−２、甲１−５〜甲１−７、甲２−４及び甲２−５に記載された事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものでない。
　ウ　本件発明２〜６について
　本件発明２〜６は、請求項１を引用するものであるから、上記イと同様に、甲１−４Ａ発明と甲１−１、甲１−２、甲１−５〜甲１−７、甲２−４及び甲２−５に記載された事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものでない。
　エ　本件発明７について
（ア）甲１−４Ｂ発明との対比
　本件発明７と甲１−４Ｂ発明とを対比すると、甲１−４Ｂ発明の「ベースメタル」、「細孔、クラック又はその両方の組合せを有する微小不連続３価クロムめっき層」は、それぞれ、本件発明７の「素地」、「マイクロポーラス構造及びマイクロクラック構造の少なくともいずれか一方を有する３価クロムめっき層」に相当する。
　また、甲１−４Ｂ発明の「前記光沢ニッケルめっき層より電位が貴である低硫黄ニッケルストライクめっき層」は、本件発明７の「貴電位ニッケルめっき層」に相当する。
　してみると、両者は、以下の一致点及び相違点を有する。
＜一致点＞
「素地上に光沢ニッケルめっき層を形成する工程と、
　前記光沢ニッケルめっき層上に、貴電位ニッケルめっき層を接して形成する工程と、
  前記貴電位ニッケルめっき層上に、マイクロポーラス構造及びマイクロクラック構造の少なくともいずれか一方を有する３価クロムめっき層を接して形成する工程と、
  を有するクロムめっき部品の製造方法。」である点。
＜相違点１−２＞
　貴電位ニッケルめっき層における光沢ニッケルめっき層との電位差について、本件発明７は、「６０ｍＶ以上１２０ｍＶ以下」であるのに対し、甲１−４Ａ発明は、それが不明である点。
＜相違点２−２＞
　３価クロムめっき層が有している微細孔について、本件発明７は、「５００００個／ｃｍ２以上」であるのに対し、甲１−４Ｂ発明は、その数が不明である点。
＜相違点３−２＞
　３価クロムめっき層について、本件発明７は、「４．０ａｔ％以上の炭素」及び「７ａｔ％以上の酸素」を含有するのに対し、甲１−４Ｂ発明は、炭素及び酸素の含有について不明である点。
＜相違点４−２＞
　３価クロムめっき層について、本件発明７は、「非晶質」であるのに対し、甲１−４Ｂ発明は、非晶質であるか否か不明である点。
（イ）相違点についての判断
　上記相違点１−２は、上記イ（ア）の相違点１−１と実質的に同じであるから、相違点についての判断は、上記イ（イ）と同様である。
（ウ）小括
　よって、相違点２−２、同３−２及び同４−２について検討するまでもなく、本件発明７は、甲１−４Ｂ発明と甲１−１、甲１−２、甲１−５〜甲１−７、甲２−４及び甲２−５に記載された事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものでない。
　オ　本件発明８〜１０について
　本件発明８〜１０は、請求項７を引用するものであるから、上記エと同様に、甲１−４Ｂ発明と甲１−１、甲１−２、甲１−５〜甲１−７、甲２−４及び甲２−５に記載された事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものでない。
（２）取消理由２ｈ（甲２−１を主引用例とした取消理由）について
　ア　甲２−１に記載された発明
　上記第６の１２で摘示した（甲２−１ｂ）の記載によれば、甲２−１は、第３世代の３価クロムめっきシステムの耐食性を評価するために、テスト用めっき部品についてＣＡＳＳテストを行ったものであるから、同（甲２−１ｃ）の表２における「３価クロム」が最上層の３価クロムめっき層であることは自明の事項である。また、テスト用めっき部品が、素地を備えていることも自明の事項である。
　そして、同（甲２−１ｄ）の「サイクルＣとＤは３重ニッケルめっきと３価クロムめっきをしているが、最後のニッケル層が異なる。サイクルＣでは半光沢、光沢及び貴ニッケルの組合せであるが、サイクルＤでは半光沢、光沢及びポーラスニッケルの組合せである。」との記載によれば、「最後のニッケル層」とは、３重ニッケルめっきのうち、最後に形成されたニッケル層のことであり、また、サイクルＣの「貴ニッケル」とサイクルＤの「ポーラスニッケル」とが、異なる最後のニッケル層であるといえるから、サイクルＤにおいては、半光沢、光沢、ポーラスニッケル、３価クロムの順に積層されていると認められる。
　さらに、同（甲２−１ｄ）には、「貴ニッケルめっきは、マイクロポーラス浴から固形粒子を除いた浴からめっきしたものである。」と記載されているから、サイクルＤにおけるマイクロポーラスニッケルめっきも、貴ニッケルめっきであるといえる。
　ここで、貴ニッケルめっきの「貴」とは、その下地の光沢ニッケルめっきよりも貴電位であることを意味することは、自明の事項であり、このことは、参考資料１の記載によっても裏付けられている。すなわち、参考資料１の前記（参考１ａ）の図４−６の記載によれば、三層ニッケルは、半光沢ニッケルめっき、高硫黄含有ニッケルストライク、光沢ニッケルめっきの順に積層されており、同（参考１ａ）の「３層間の自然電位は，半光沢≫光沢＞高硫黄含有ニッケルストライクであり，腐食孔が半光沢層に達すると，最も卑なストライク層の優先腐食により，半光沢ニッケルの防食能が２層ニッケルめっきよりも飛躍的に高まる。」との記載によれば、３層ニッケルのうち、最上層の「光沢ニッケルめっき」を、その下層の「高硫黄含有ニッケルストライク」よりも貴電位として、高硫黄含有ニッケルストライクを優先腐食させることで、優れた耐食性が得られものであるといえる。
　以上から、甲２−１の前記（甲２−１ｂ）、（甲２−１ｄ）及び（甲２−１ｃ）のサイクルＤの記載に注目すると、甲２−１には、以下の発明が記載されていると認められる。
「素地と、
　前記素地上に形成された半光沢ニッケルめっき層と、
　前記半光沢ニッケルめっき層上に接して形成される光沢ニッケルめっき層と、
　前記光沢ニッケルめっき層上に接して形成され、前記光沢ニッケルめっき層より貴電位であって、固形粒子を有するマイクロポーラスニッケルめっき層と、
　前記固形粒子を有するマイクロポーラスニッケルめっき層上に接して形成された３価クロムめっき層と、
　を備えたテスト用めっき部品。」（以下「甲２−１Ａ発明」という。）
　また、物の発明である甲２−１Ａ発明を生産する方法の発明として、以下の発明も記載されているということができる。
「素地上に半光沢ニッケルめっき層を形成する工程と、
　前記半光沢ニッケルめっき層上に光沢ニッケルめっき層を接して形成する工程と、
　前記光沢ニッケルめっき層上に、前記光沢ニッケルめっき層より貴電位であって、固形粒子を有するマイクロポーラスニッケルめっき層を接して形成する工程と、
　前記マイクロポーラスニッケルめっき層上に３価クロムめっき層を接して形成する工程と、
　を有するテスト用めっき部品の製造方法。」（以下「甲２−１Ｂ発明」という。）
　イ　本件発明１について
（ア）本件発明１と甲２−１Ａ発明とを対比すると、甲２−１Ａ発明の「前記光沢ニッケルめっき層より貴電位であって、固形粒子を有するマイクロポーラスニッケルめっき層」、「テスト用めっき部品」は、それぞれ、本件発明１の「貴電位ニッケルめっき層」、「クロムめっき部品」に相当する。
　してみると、両者は、以下の一致点及び相違点を有する。
＜一致点＞
「素地と、
前記素地上に形成された光沢ニッケルめっき層と、
　前記光沢ニッケルめっき層上に接して形成された貴電位ニッケルめっき層と、
　前記貴電位ニッケルめっき層上に接して形成され、マイクロポーラス構造及びマイクロクラック構造の少なくともいずれか一方を有している３価クロムめっき層と、
　を備えたクロムめっき部品。」である点。
＜相違点１−３＞
　貴電位ニッケルめっき層における光沢ニッケルめっき層との電位差について、本件発明１は、「６０ｍＶ以上１２０ｍＶ以下」であるのに対し、甲２−１Ａ発明は、それが不明である点。
＜相違点２−３＞
　３価クロムめっき層が有している微細孔について、本件発明１は、「５００００個／ｃｍ２以上」であるのに対し、甲２−１Ａ発明は、その数が不明である点。
＜相違点３−３＞
　３価クロムめっき層について、本件発明１は、「４．０ａｔ％以上の炭素」及び「７ａｔ％以上の酸素」を含有するのに対し、甲２−１Ａ発明は、炭素及び酸素の含有について不明である点。
＜相違点４−３＞
　３価クロムめっき層について、本件発明１は、「非晶質」であるのに対し、甲２−１Ａ発明は、非晶質であるか否か不明である点。
（イ）相違点についての判断
　上記相違点１−３は、上記（１）イ（ア）の相違点１−１と実質的に同じであるから、相違点についての判断は、上記（１）イ（イ）と同様である。
（ウ）小括
　よって、相違点２−３、同３−３及び同４−３について検討するまでもなく、本件発明１は、甲２−１Ａ発明と甲１−１、甲１−２、甲１−５〜甲１−７、甲２−４及び甲２−５に記載された事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものでない。
　ウ　本件発明２〜６について
　本件発明２〜６は、請求項１を引用するものであるから、上記イと同様に、甲２−１Ａ発明と甲１−１、甲１−２、甲１−５〜甲１−７、甲２−４及び甲２−５に記載された事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものでない。
　エ　本件発明７について
（ア）甲２−１Ｂ発明との対比
　本件発明７と甲２−１Ｂ発明とを対比すると、甲２−１Ｂ発明の「前記光沢ニッケルめっき層より貴電位であって、固形粒子を有するマイクロポーラスニッケルめっき層」、「テスト用めっき部品」は、それぞれ、本件発明7の「貴電位ニッケルめっき層」、「クロムめっき部品」に相当する。
　してみると、両者は、以下の一致点及び相違点を有する。
＜一致点＞
「素地上に光沢ニッケルめっき層を形成する工程と、
　前記光沢ニッケルめっき層上に、貴電位ニッケルめっき層を接して形成する工程と、
  前記貴電位ニッケルめっき層上に、マイクロポーラス構造及びマイクロクラック構造の少なくともいずれか一方を有する３価クロムめっき層を接して形成する工程と、
  を有するクロムめっき部品の製造方法。」である点。
＜相違点１−４＞
　貴電位ニッケルめっき層における光沢ニッケルめっき層との電位差について、本件発明７は、「６０ｍＶ以上１２０ｍＶ以下」であるのに対し、甲２−１Ｂ発明は、それが不明である点。
＜相違点２−４＞
　３価クロムめっき層が有している微細孔について、本件発明７は、「５００００個／ｃｍ２以上」であるのに対し、甲２−１Ｂ発明は、その数が不明である点。
＜相違点３−４＞
　３価クロムめっき層について、本件発明７は、「４．０ａｔ％以上の炭素」及び「７ａｔ％以上の酸素」を含有するのに対し、甲２−１Ｂ発明は、炭素及び酸素の含有について不明である点。
＜相違点４−４＞
　３価クロムめっき層について、本件発明７は、「非晶質」であるのに対し、甲２−１Ｂ発明は、非晶質であるか否か不明である点。
（イ）相違点についての判断
　上記相違点１−４は、上記（１）イ（ア）の相違点１−１と実質的に同じであるから、相違点についての判断は、上記（１）イ（イ）と同様である。
（ウ）小括
　よって、相違点２−４、同３−４及び同４−４について検討するまでもなく、本件発明７は、甲２−１Ｂ発明と甲１−１、甲１−２、甲１−５〜甲１−７、甲２−４及び甲２−５に記載された事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものでない。
　オ　本件発明８〜１０について
　本件発明８〜１０は、請求項７を引用するものであるから、上記エと同様に、甲２−１Ｂ発明と甲１−１、甲１−２、甲１−５〜甲１−７、甲２−４及び甲２−５に記載された事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものでない。
（３）進歩性についてのまとめ
　以上のとおりであるから、本件発明１〜１０は、甲１−４に記載された発明と甲１−１、甲１−２、甲１−５〜甲１−７、甲２−４及び甲２−５に記載された事項に基いて、または、甲２−１に記載された発明と甲１−１、甲１−２、甲１−５〜甲１−７、甲２−４及び甲２−５に記載された事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものでない。
第８　令和１年５月８日付け取消理油通知（決定の予告）において採用しな
　　　かった特許異議申立理由について
　１　申立理由１−１について
　申立人１は、申立書１において、上記第４の１（１）申立理由１−１のとおり、本件明細書等の【００４９】には、３価クロムめっき層の形成が「アトテック・ドイチュランド・ゲーエムベーハー社製トライクロムプラスプロセスを使用」して行われると記載されているが、当該トライクロムプラスプロセスの内容については全く説明されておらず、また、当該トライクロムプラスプロセスが本件特許の出願時の技術常識であるわけでもないので、本件特許明細書の発明の詳細な説明の記載は、当業者が本件発明１〜１０の実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載したものではないから、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない旨を主張する。
　しかしながら、トライクロムプラスプロセスは、上記第６の１６で摘示した（甲２−５ａ）に記載のとおり、本件特許出願前に通常知られたものであり、当業者が実施することができないとはいえないから、本件特許明細書の発明の詳細な説明の記載は、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たす。
　したがって、申立人１の上記主張は、採用することができない。
　２　申立理由１−２（１−２ａ〜２ｃ、２ｅ〜２ｇ）について
（１）申立理由１−２ａ（甲１−１を主引用例としたもの）について
　ア　甲１−１に記載された発明
　上記第６の１で摘示した（甲１−１ａ）〜（甲１−１ｈ）の記載によれば、甲１−１には、以下の発明が記載されていると認められる。
  
「素地金属と、 
　前記素地金属上に形成された光沢ニッケルデポジットと、
　前記光沢ニッケルデポジットに接して形成され、電気化学ポテンシャルが前記光沢ニッケルデポジットより２０ｍＶ〜４０ｍＶ貴であるマイクロポーラスニッケルストライクデポジットと、
　前記マイクロポーラスニッケルストライクデポジット上に接して形成された、１６０００個／ｃｍ２〜４８０００個／ｃｍ２のマイクロポロシティを有する微小不連続クロムデポジットと、
　を備えた部品。」（以下「甲１−１Ａ発明」という。）
　また、物の発明である甲１−１Ａ発明を生産する方法の発明として、以下の発明も記載されているということができる。
「素地金属上に光沢ニッケルデポジットを形成する工程と、
　前記光沢ニッケルデポジット上に、電気化学ポテンシャルが前記光沢ニッケルデポジットより２０ｍＶ〜４０ｍＶ貴であるマイクロポーラスニッケルストライクデポジットを接して形成する工程と、
　前記マイクロポーラスニッケルストライクデポジット上に、１６０００個／ｃｍ２〜４８０００個／ｃｍ２のマイクロポロシティを有する微小不連続クロムデポジットを接して形成する工程と、
　を有する部品の製造方法。」（以下、「甲１−１Ｂ発明」という。）
　イ　本件発明１について
（ア）甲１−１Ａ発明との対比
　本件発明１と甲１−１Ａ発明とを対比すると、甲１−１Ａ発明の「素地金属」、「光沢ニッケルデポジット」及び「電気化学ポテンシャルが前記光沢ニッケルデポジットより２０ｍＶ〜４０ｍＶ貴であるマイクロポーラスニッケルストライクデポジット」は、本件発明１の「素地」、「光沢ニッケルめっき層」及び「貴電位ニッケルめっき層」にそれぞれ相当する。
　また、甲１−１Ａ発明の「１６０００個／ｃｍ２〜４８０００個／ｃｍ２のマイクロポロシティを有する微小不連続クロムデポジット」は、本件発明１の「マイクロポーラス構造及びマイクロクラック構造の少なくともいずれか一方を有している」「クロムめっき層」に相当し、甲１−１Ａ発明の「部品」は、本件発明１の「クロムめっき部品」に相当する。
　してみると、両者は、以下の一致点及び相違点を有する。
＜一致点＞
「素地と、
　前記素地上に形成された光沢ニッケルめっき層と、
　前記光沢ニッケルめっき層上に接して形成された貴電位ニッケルめっき層と、
　前記貴電位ニッケルめっき層上に接して形成され、マイクロポーラス構造及びマイクロクラック構造の少なくともいずれか一方を有しているクロムめっき層と、
　を備えたクロムめっき部品。」である点。
＜相違点１−５＞
　貴電位ニッケルめっき層における光沢ニッケルめっき層との電位差について、本件発明１は、「６０ｍＶ以上１２０ｍＶ以下」であるのに対し、甲１−１Ａ発明は、「２０ｍＶ〜４０ｍＶ」である点。
＜相違点２−５＞
　クロムめっき層が有している微細孔について、本件発明１は、「５００００個／ｃｍ２以上」であるのに対し、甲１−１Ａ発明は、「１６０００個／ｃｍ２〜４８０００個／ｃｍ２」である点。
＜相違点３−５＞
　クロムめっき層について、本件発明１は、「４．０ａｔ％以上の炭素」及び「７ａｔ％以上の酸素」を含有するのに対し、甲１−１Ａ発明は、炭素及び酸素の含有について不明である点。
＜相違点４−５＞
　クロムめっき層について、本件発明１は、「非晶質」であるのに対し、甲１−１Ａ発明は、非晶質であるか否か不明である点。
＜相違点５−５＞
　クロムめっき層におけるクロムの価数について、本件発明１は「３価」であるのに対し、甲１−１Ａ発明は不明である点。
（イ）相違点についての判断
　上記相違点１−５は、貴電位ニッケルめっき層における光沢ニッケルめっき層との電位差が異なることであって、上記第７の２（１）イ（ア）の相違点１−１と実質的に同じであるから、相違点についての判断は、上記第７の２（１）イ（イ）と同様である。
（ウ）小括
　よって、相違点２−５、同３−５、同４−５及び同５−５について検討するまでもなく、本件発明１は、甲１−１Ａ発明と甲１−２〜甲１−１１に記載された事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものでない。
　ウ　本件発明２〜６について
　本件発明２〜６は、請求項１を引用するものであるから、上記イと同様に、甲１−１Ａ発明と甲１−２〜甲１−１１に記載された事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものでない。
　エ　本件発明７について
（ア）甲１−１Ｂ発明との対比
　本件発明１と甲１−１Ｂ発明とを対比すると、甲１−１Ｂ発明の「素地金属」、「光沢ニッケルデポジット」及び「電気化学ポテンシャルが前記光沢ニッケルデポジットより２０ｍＶ〜４０ｍＶ貴であるマイクロポーラスニッケルストライクデポジット」は、本件発明１の「素地」、「光沢ニッケルめっき層」及び「貴電位ニッケルめっき層」にそれぞれ相当する。
　また、甲１−１Ｂ発明の「１６０００個／ｃｍ２〜４８０００個／ｃｍ２のマイクロポロシティを有するラック構造の少なくともいずれか一方を有している」「クロムめっき層」に相当し、甲１−１Ｂ発明の「部品」は、本件発明１の「クロムめっき部品」に相当する。
　してみると、両者は、以下の一致点及び相違点を有する。
＜一致点＞
「素地上に光沢ニッケルめっき層を形成する工程と、
　前記光沢ニッケルめっき層上に、貴電位ニッケルめっき層を接して形成する工程と、
  前記貴電位ニッケルめっき層上に、マイクロポーラス構造及びマイクロクラック構造の少なくともいずれか一方を有する３価クロムめっき層を接して形成する工程と、
  を有するクロムめっき部品の製造方法。」
＜相違点１−６＞
　貴電位ニッケルめっき層における光沢ニッケルめっき層との電位差について、本件発明１は、「６０ｍＶ以上１２０ｍＶ以下」であるのに対し、甲１−１Ｂ発明は、「２０ｍＶ〜４０ｍＶ」である点。
＜相違点２−６＞
　クロムめっき層が有している微細孔について、本件発明１は、「５００００個／ｃｍ２以上」であるのに対し、甲１−１Ｂ発明は、「１６０００個／ｃｍ２〜４８０００個／ｃｍ２」である点。
＜相違点３−６＞
　クロムめっき層について、本件発明１は、「４．０ａｔ％以上の炭素」及び「７ａｔ％以上の酸素」を含有するのに対し、甲１−１Ｂ発明は、炭素及び酸素の含有について不明である点。
＜相違点４−６＞
　クロムめっき層について、本件発明１は、「非晶質」であるのに対し、甲１−１Ｂ発明は、非晶質であるか否か不明である点。
＜相違点５−６＞
　クロムめっき層におけるクロムの価数について、本件発明１は「３価」であるのに対し、甲１−１Ｂ発明は不明である点。
（イ）相違点についての判断
　上記相違点１−６は、貴電位ニッケルめっき層における光沢ニッケルめっき層との電位差が異なることであって、上記第７の２（１）イ（ア）の相違点１−１と実質的に同じであるから、相違点についての判断は、上記第７の２（１）イ（イ）と同様である。
（ウ）小括
　よって、相違点２−６、同３−６、同４−６及び同５−６について検討するまでもなく、本件発明７は、甲１−１Ａ発明と甲１−２〜甲１−１１に記載された事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものでない。
　オ　本件発明８〜１０について
　本件発明８〜１０は、請求項７を引用するものであるから、上記エと同様に、甲１−１Ｂ発明と甲１−２〜甲１−１１に記載された事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものでない。
（２）申立理由１−２ｂ（甲１−２を主引用例としたもの）について
　ア　甲１−２に記載された発明 
　上記第６の２で摘示した（甲１−２ａ）、（甲１−２ｃ）、（甲１−２ｄ）、（甲１−２ｅ）及び（甲１−２ｇ）によれば、甲１−２には、以下の発明が記載されていると認められる。
「素地と、 
　前記素地上に形成された光沢ニッケルめっき層と、 
　前記光沢ニッケルめっき層上に接して形成され、前記光沢ニッケルめっき層に対して１０〜４０ｍＶの陰極電気化学的電位差を示すマイクロ微粒子ニッケル層と、 
　前記マイクロ微粒子ニッケル層上に接して形成された、マイクロポーラス又はマイクロクラック不連続クロムめっき層と、 
　を備えた装飾用クロムめっきプラスチック部品。」（以下「甲１−２Ａ発明」という。）
　また、物の発明である甲１−２Ａ発明を生産する方法の発明として、以下の発明も記載されているということができる。
「素地上に光沢ニッケルめっき層を形成する工程と、 
　前記光沢ニッケルめっき層上に、前記光沢ニッケルめっき層に対して１０〜４０ｍＶの陰極電気化学的電位差を示すマイクロ微粒子ニッケル層を接して形成する工程と、 
　前記マイクロ微粒子ニッケル層上に、マイクロポーラス又はマイクロクラック不連続クロムめっき層を接して形成する工程と、 
　を有する装飾用クロムめっきプラスチック部品の製造方法。」（以下、「甲１−２Ｂ発明」という。）
　イ　本件発明１について
　本件発明１と甲１−２Ａ発明とを対比すると、「光沢ニッケルめっき層に対して１０〜４０ｍＶの陰極電気化学的電位差を示す」とは、光沢ニッケルめっき層に対して貴電位であることを意味するから、甲１−２Ａ発明の「光沢ニッケルめっき層に対して１０〜４０ｍＶの陰極電気化学的電位差を示すマイクロ微粒子ニッケル層」は、本件発明１の「貴電位ニッケルめっき層」に相当する。
　さらに、甲１−２Ａ発明の「装飾用クロムめっきプラスチック部品」は、本件発明１の「クロムめっき部品」に相当し、甲１−２Ａ発明の「マイクロポーラス又はマイクロクラック不連続クロムめっき層」は、本件発明１の「マイクロポーラス構造及びマイクロクラック構造の少なくともいずれか一方を有している」「クロムめっき層」に相当する。
　してみると、両者は、以下の一致点及び相違点を有する。
＜一致点＞
「素地と、
　前記素地上に形成された光沢ニッケルめっき層と、
　前記光沢ニッケルめっき層上に接して形成された貴電位ニッケルめっき層と、
　前記貴電位ニッケルめっき層上に接して形成され、マイクロポーラス構造及びマイクロクラック構造の少なくともいずれか一方を有しているクロムめっき層と、
　を備えたクロムめっき部品。」である点。
＜相違点１−７＞
　貴電位ニッケルめっき層における光沢ニッケルめっき層との電位差について、本件発明１は、「６０ｍＶ以上１２０ｍＶ以下」であるのに対し、甲１−２Ａ発明は、「１０〜４０ｍＶ」である点。
＜相違点２−７＞
　クロムめっき層が有している微細孔について、本件発明１は、「５００００個／ｃｍ２以上」であるのに対し、甲１−２Ａ発明は、その数が不明である点。
＜相違点３−７＞
　クロムめっき層について、本件発明１は、「４．０ａｔ％以上の炭素」及び「７ａｔ％以上の酸素」を含有するのに対し、甲１−２Ａ発明は、炭素及び酸素の含有について不明である点。
＜相違点４−７＞
　クロムめっき層について、本件発明１は、「非晶質」であるのに対し、甲１−２Ａ発明は、非晶質であるか否か不明である点。
＜相違点５−７＞
　クロムめっき層におけるクロムの価数について、本件発明１は「３価」であるのに対し、甲１−２Ａ発明は不明である点。
（イ）相違点についての判断
　上記相違点１−７は、貴電位ニッケルめっき層における光沢ニッケルめっき層との電位差が異なることであって、上記第７の２（１）イ（ア）の相違点１−１と実質的に同じであるから、相違点についての判断は、上記第７の２（１）イ（イ）と同様である。
（ウ）小括
　よって、相違点２−７、同３−７、同４−７及び同５−７について検討するまでもなく、本件発明１は、甲１−２Ａ発明と甲１−１及び甲１−３〜甲１−１１に記載された事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものでない。
　ウ　本件発明２〜６について
　本件発明２〜６は、請求項１を引用するものであるから、上記イと同様に、甲１−２Ａ発明と甲１−１及び甲１−３〜甲１−１１に記載された事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものでない。
　エ　本件発明７について
（ア）甲１−２Ｂ発明との対比
　本件発明１と甲１−２Ｂ発明とを対比すると、「光沢ニッケルめっき層に対して１０〜４０ｍＶの陰極電気化学的電位差を示す」とは、光沢ニッケルめっき層に対して貴電位であることを意味するから、甲１−２Ｂ発明の「光沢ニッケルめっき層に対して１０〜４０ｍＶの陰極電気化学的電位差を示すマイクロ微粒子ニッケル層」は、本件発明１の「貴電位ニッケルめっき層」に相当する。
　さらに、甲１−２Ｂ発明の「装飾用クロムめっきプラスチック部品」は、本件発明１の「クロムめっき部品」に相当し、甲１−２Ｂ発明の「マイクロポーラス又はマイクロクラック不連続クロムめっき層」は、本件発明１の「マイクロポーラス構造及びマイクロクラック構造の少なくともいずれか一方を有している」「クロムめっき層」に相当する。
　してみると、両者は、以下の一致点及び相違点を有する。
＜一致点＞
　素地上に光沢ニッケルめっき層を形成する工程と、
　前記光沢ニッケルめっき層上に、貴電位ニッケルめっき層を接して形成する工程と、
  前記貴電位ニッケルめっき層上に、マイクロポーラス構造及びマイクロクラック構造の少なくともいずれか一方を有するクロムめっき層を接して形成する工程と、
  を有するクロムめっき部品の製造方法。
＜相違点１−８＞
　貴電位ニッケルめっき層における光沢ニッケルめっき層との電位差について、本件発明７は、「６０ｍＶ以上１２０ｍＶ以下」であるのに対し、甲１−２Ｂ発明は、「１０〜４０ｍＶ」である点。
＜相違点２−８＞
　クロムめっき層が有している微細孔について、本件発明７は、「５００００個／ｃｍ２以上」であるのに対し、甲１−２Ｂ発明は、その数が不明である点。
＜相違点３−８＞
　クロムめっき層について、本件発明７は、「４．０ａｔ％以上の炭素」及び「７ａｔ％以上の酸素」を含有するのに対し、甲１−２Ｂ発明は、炭素及び酸素の含有について不明である点。
＜相違点４−８＞
　クロムめっき層について、本件発明７は、「非晶質」であるのに対し、甲１−２Ｂ発明は、非晶質であるか否か不明である点。
＜相違点５−８＞
　クロムめっき層におけるクロムの価数について、本件発明７は「３価」であるのに対し、甲１−２Ｂ発明は不明である点。
（イ）相違点についての判断
　上記相違点１−８は、貴電位ニッケルめっき層における光沢ニッケルめっき層との電位差が異なることであって、上記第７の２（１）イ（ア）の相違点１−１と実質的に同じであるから、相違点についての判断は、上記第７の２（１）イ（イ）と同様である。
（ウ）小括
　よって、相違点２−８、同３−８、同４−８及び同５−８について検討するまでもなく、本件発明７は、甲１−２Ｂ発明と甲１−１及び甲１−３〜甲１−１１に記載された事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものでない。
　オ　本件発明８〜１０について
　本件発明８〜１０は、請求項７を引用するものであるから、上記エと同様に、甲１−２Ｂ発明と甲１−１及び甲１−３〜甲１−１１に記載された事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものでない。
（３）申立理由１−２ｃ（甲１−３を主引用例としたもの）について
　上記第６の３で摘示した（甲１−３ｂ）の記載によれば、甲１−３は、本件特許に係る出願の出願日前に頒布されたものであるとはいえないから、甲１−３に記載された発明は、特許法第２９条第１項各号に掲げる発明とはいえない。
（４）申立理由１−２ｅ（甲１−５を主引用例としたもの）について
　ア　甲１−５に記載された発明 
　上記第６の５で摘示した（甲１−５ｄ）には、クロムめっき浴にクロム酸が含まれると記載されているから、甲１−５におけるクロムめっきの価数は「６価」であると分かること、並びに同（甲１−５ａ）〜（甲１−５ｃ）及び（甲１−５ｅ）〜（甲１−５ｇ）の記載によれば、甲１−５には、以下の発明が記載されていると認められる。
「金属基質、 
　前記金属基質上に形成された、ニッケルめっきからなる優先腐食金属の第２層と、
　前記第２層上に接して形成され、前記第２層との間の起電力差ΔＥが少なくとも６０ｍＶである光沢ニッケルめっきからなる第３層と、
　前記第３層上に接して形成され、４０，０００〜２００，０００個／ｉｎ２の微孔を有する装飾６価クロムの薄層と、
　を備えたクロムめっき部品。」（以下「甲１−５Ａ発明」という。）
　また、物の発明である甲１−１Ａ発明を生産する方法の発明として、以下の発明も記載されているということができる。
「金属基質上に、ニッケルめっきからなる優先腐食金属の第２層を形成する工程と、
　前記第２層上に、前記第２層との間の起電力差ΔＥが少なくとも６０ｍＶである光沢ニッケルめっきからなる第３層を接して形成する工程と、
　前記第３層上に、４０，０００〜２００，０００個／ｉｎ２の微孔を有する装飾６価クロムの薄層を接して形成する工程と、
　を有するクロムめっき部品の製造方法。」（以下「甲１−５Ｂ発明」という。）
  
　イ　本件発明１について 
（ア）甲１−５Ａ発明との対比
　本件発明１と甲１−５Ａ発明とを対比すると、甲１−５Ａ発明の「金属基質」は、本件発明１の「素地」に相当する。
　また、甲１−５Ａ発明における「ニッケルめっきからなる優先腐食金属の第２層」は、前記（甲１−５ｅ）の記載によれば、チオ尿素からなる光沢剤を含んでおり、光沢ニッケルめっき層であるといえるから、本件発明１の「光沢ニッケルめっき層」に相当する。
　さらに、甲１−５Ａ発明の「前記第２層との間の起電力差ΔＥが少なくとも６０ｍＶである光沢ニッケルめっきからなる第３層」は、本件発明１の「前記光沢ニッケルめっき層との電位差が６０ｍＶ以上１２０ｍＶ以下である貴電位ニッケルめっき層」に相当する。
　そして、甲１−５Ａ発明における「４０，０００〜２００，０００個／ｉｎ２」は「約６，２００〜３１，０００個／ｃｍ２」であるから、「４０，０００〜２００，０００個／ｉｎ２の微孔を有する装飾６価クロムの薄層」は、本件発明１の「マイクロポーラス構造及びマイクロクラック構造の少なくともいずれか一方を有している」「クロムめっき層」に相当する。
　したがって、両者は、以下の一致点及び相違点を有する。
＜一致点＞
「素地と、
　前記素地上に形成された光沢ニッケルめっき層と、
　前記光沢ニッケルめっき層上に接して形成され、前記光沢ニッケルめっき層との電位差が６０ｍＶ以上１２０ｍＶ以下である貴電位ニッケルめっき層と、
　前記貴電位ニッケルめっき層上に接して形成され、マイクロポーラス構造及びマイクロクラック構造の少なくともいずれか一方を有しているクロムめっき層と、
　を備えたクロムめっき部品。」である点。
＜相違点２−９＞
　クロムめっき層が有している微細孔について、本件発明１は、「５００００個／ｃｍ２以上」であるのに対し、甲１−５Ａ発明は、約６，２００〜３１，０００個／ｃｍ２である点。
＜相違点３−９＞
　クロムめっき層について、本件発明１は、「４．０ａｔ％以上の炭素」及び「７ａｔ％以上の酸素」を含有するのに対し、甲１−５Ａ発明は、炭素及び酸素の含有について不明である点。
＜相違点４−９＞
　クロムめっき層について、本件発明１は、「非晶質」であるのに対し、甲１−５Ａ発明は、非晶質であるか否か不明である点。
＜相違点５−９＞
　クロムめっき層におけるクロムの価数について、本件発明１は「３価」であるのに対し、甲１−５Ａ発明は「６価」である点。
（イ）相違点についての判断
　事案に鑑み、相違点５−９について検討する。
　上記第７の２（１）イ（イ）ｃにおいて述べたとおり、クロムの価数が異なれば、腐食電位も異なることは明らかであるといえるから、６価クロムであることを前提に、貴電位ニッケルめっき層と光沢ニッケルめっき層との電位差を特定した甲１−５Ａ発明において、クロムを６価から３価のものに代える動機付けは認められない。
（ウ）小括
　よって、相違点２−９、同３−９及び同４−９について検討するまでもなく、本件発明１は、甲１−５Ａ発明と甲１−１〜甲１−４及び甲１−６〜１１に記載された事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものでない。
　ウ　本件発明２〜６について
　本件発明２〜６は、請求項１を引用するものであるから、上記イと同様に、甲１−５Ａ発明と甲１−１〜４及び甲１−６〜１１に記載された事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものでない。
　エ　本件発明７について
（ア）甲１−５Ｂ発明との対比
　本件発明１と甲１−５Ｂ発明とを対比すると、甲１−５Ａ発明の「金属基質」は、本件発明１の「素地」に相当する。
　また、甲１−５Ｂ発明における「ニッケルめっきからなる優先腐食金属の第２層」は、前記（甲１−５ｅ）の記載によれば、チオ尿素からなる光沢剤を含んでおり、光沢ニッケルめっき層であるといえるから、本件発明１の「光沢ニッケルめっき層」に相当する。
　さらに、甲１−５Ｂ発明の「前記第２層との間の起電力差ΔＥが少なくとも６０ｍＶである光沢ニッケルめっきからなる第３層」は、本件発明１の「前記光沢ニッケルめっき層との電位差が６０ｍＶ以上１２０ｍＶ以下である貴電位ニッケルめっき層」に相当する。
　そして、甲１−５Ｂ発明における「４０，０００〜２００，０００個／ｉｎ２」は「約６，２００〜３１，０００個／ｃｍ２」であるから、「４０，０００〜２００，０００個／ｉｎ２の微孔を有する装飾６価クロムの薄層」は、本件発明１の「マイクロポーラス構造及びマイクロクラック構造の少なくともいずれか一方を有している」「クロムめっき層」に相当する。
　したがって、両者は、以下の一致点及び相違点を有する。
＜一致点＞
「素地上に光沢ニッケルめっき層を形成する工程と、
　前記光沢ニッケルめっき層上に、前記光沢ニッケルめっき層との電位差が６０ｍＶ以上１２０ｍＶ以下である貴電位ニッケルめっき層を接して形成する工程と、
  前記貴電位ニッケルめっき層上に、マイクロポーラス構造及びマイクロクラック構造の少なくともいずれか一方を有する６価クロムめっき層を接して形成する工程と、
  を有するクロムめっき部品の製造方法。」である点。
＜相違点２−１０＞
　クロムめっき層が有している微細孔について、本件発明１は、「５００００個／ｃｍ２以上」であるのに対し、甲１−５Ｂ発明は、約６，２００〜３１，０００個／ｃｍ２である点。
＜相違点３−１０＞
　クロムめっき層について、本件発明１は、「４．０ａｔ％以上の炭素」及び「７ａｔ％以上の酸素」を含有するのに対し、甲１−５Ｂ発明は、炭素及び酸素の含有について不明である点。
＜相違点４−１０＞
　クロムめっき層について、本件発明１は、「非晶質」であるのに対し、甲１−５Ｂ発明は、非晶質であるか否か不明である点。
＜相違点５−１０＞
　クロムめっき層におけるクロムの価数について、本件発明１は「３価」であるのに対し、甲１−５Ｂ発明は「６価」である点。
（イ）相違点についての判断
　上記相違点５−１０は、上記イ（ア）の相違点５−９と実質的に同じであるから、相違点についての判断は、上記イ（イ）と同様である。
（ウ）小括
　よって、相違点２−１０、同３−１０及び同４−１０について検討するまでもなく、本件発明７は、甲１−５Ｂ発明と甲１−１〜４及び甲１−５〜１１に記載された事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものでない。
　オ　本件発明８〜１０について
　本件発明８〜１０は、請求項７を引用するものであるから、上記エと同様に、甲１−５Ｂ発明と甲１−１〜４及び甲１−５〜１１に記載された事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものでない。
（５）申立理由１−２ｆ（甲１−６を主引用例としたもの）について
　ア　甲１−６に記載された発明 
　上記第６の６で摘示した（甲１−６ｄ）には、クロムめっき浴に無水クロム液（ＣｒＯ３）が含まれると記載されているから、甲１−６におけるクロムめっきの価数は「６価」であると分かること、並びに同（甲１−６ａ）〜（甲１−６ｃ）の記載によれば、甲１−６には、以下の発明が記載されていると認められる。
「被めっき製品素地と、
　前記被めっき製品素地上に形成された光沢ニッケルめっき層と、
　前記光沢ニッケルめっき層上に接して形成され、前記光沢ニッケルめっき層に対し１０〜６０ｍＶ貴な電気化学的電位を有する非電導性微粒子共析ニッケルめっき層と、
　前記非電導性微粒子共析ニッケルめっき層上に接して形成され、微小孔の数が１００００個／ｃｍ2以上である６価のマイクロポーラスクロムめっき皮膜と、 
　を備えたニッケル−クロムめっき製品。」（以下、「甲１−６Ａ発明」という。）
　また、物の発明である甲１−１Ａ発明を生産する方法の発明として、以下の発明も記載されているということができる。
「被めっき製品素地上に光沢ニッケルめっき層を形成する工程と、
　前記光沢ニッケルめっき層上に、前記光沢ニッケルめっき層に対し１０〜６０ｍＶ貴な電気化学的電位を有する非電導性微粒子共析ニッケルめっき層を接して形成する工程と、
　前記非電導性微粒子共析ニッケルめっき層上に、微小孔の数が１００００個／ｃｍ2以上である６価のマイクロポーラスクロムめっき皮膜を接して形成する工程と、 
　を有するニッケル−クロムめっき製品の製造方法。」（以下、「甲１−６Ｂ発明」という。）
イ　本件発明１について
　本件発明１と甲１−６Ａ発明とを対比すると、甲１−６Ａ発明の「被めっき製品素地」及び「ニッケル−クロムめっき製品」は、それぞれ、本件発明１の「素地」及び「クロムめっき部品」に相当する。
　また、本件発明１の「光沢ニッケルめっき層に対し１０〜６０ｍＶ貴な電気化学的電位を有する非電導性微粒子共析ニッケルめっき層」と、甲１−６Ａ発明の「光沢ニッケルめっき層との電位差が６０ｍＶ以上１２０ｍＶ以下である貴電位ニッケルめっき層」とは、「光沢ニッケルめっき層との電位差が６０ｍＶである貴電位ニッケルめっき層」である点で共通する。
　さらに、甲１−６Ａ発明のクロムめっき被膜における「微小孔の数が１００００個／ｃｍ2以上」と、本件発明１のクロムめっき層における「５００００個／ｃｍ２以上の微細孔を有し」とは、「５００００個／ｃｍ２以上の微細孔」の点で共通する。
　してみると、両者は、以下の一致点及び相違点を有する。
＜一致点＞
「素地と、
　前記素地上に形成された光沢ニッケルめっき層と、
　前記光沢ニッケルめっき層上に接して形成され、前記光沢ニッケルめっき層との電位差が６０ｍＶである貴電位ニッケルめっき層と、
　前記貴電位ニッケルめっき層上に接して形成され、マイクロポーラス構造及びマイクロクラック構造の少なくともいずれか一方を有しているクロムめっき層と、
　を備え、
　前記クロムめっき層は、５００００個／ｃｍ２以上の微細孔を有するクロムめっき部品。」である点。
＜相違点３−１１＞
　クロムめっき層について、本件発明１は、「４．０ａｔ％以上の炭素」及び「７ａｔ％以上の酸素」を含有するのに対し、甲１−６Ａ発明は、炭素及び酸素の含有について不明である点。
＜相違点４−１１＞
　クロムめっき層について、本件発明１は、「非晶質」であるのに対し、甲１−６Ａ発明は、非晶質であるか否か不明である点。
＜相違点５−１１＞
　クロムめっき層におけるクロムの価数について、本件発明１は「３価」であるのに対し、甲１−６Ａ発明は「６価」である点。
（イ）相違点についての判断
　上記相違点５−１１は、上記（４）イ（ア）の相違点５−８と実質的に同じであるから、相違点についての判断は、上記（４）イ（イ）と同様である。
（ウ）小括
　よって、相違点３−１１及び同４−１１について検討するまでもなく、本件発明１は、甲１−６Ａ発明と甲１−１〜５及び甲１−７〜１１に記載された事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものでない。
　ウ　本件発明２〜６について
　本件発明２〜６は、請求項１を引用するものであるから、上記イと同様に、甲１−６Ａ発明と甲１−１〜甲１−５及び甲１−７〜１１に記載された事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものでない。
　エ　本件発明７について
（ア）甲１−６Ｂ発明との対比
　本件発明１と甲１−６Ｂ発明とを対比すると、甲１−６Ｂ発明の「被めっき製品素地」及び「ニッケル−クロムめっき製品」は、それぞれ、本件発明１の「素地」及び「クロムめっき部品」に相当する。
　また、本件発明１の「光沢ニッケルめっき層に対し１０〜６０ｍＶ貴な電気化学的電位を有する非電導性微粒子共析ニッケルめっき層」と、甲１−６Ｂ発明の「光沢ニッケルめっき層との電位差が６０ｍＶ以上１２０ｍＶ以下である貴電位ニッケルめっき層」とは、「光沢ニッケルめっき層との電位差が６０ｍＶである貴電位ニッケルめっき層」である点で共通する。
　さらに、甲１−６Ｂ発明のクロムめっき被膜における「微小孔の数が１００００個／ｃｍ2以上」と、本件発明１のクロムめっき層における「５００００個／ｃｍ２以上の微細孔を有し」とは、「５００００個／ｃｍ２以上の微細孔」の点で共通する。
　してみると、両者は、以下の一致点及び相違点を有する。
＜一致点＞
「素地上に光沢ニッケルめっき層を形成する工程と、
　前記光沢ニッケルめっき層上に、前記光沢ニッケルめっき層との電位差が６０ｍＶである貴電位ニッケルめっき層を接して形成する工程と、
  前記貴電位ニッケルめっき層上に、マイクロポーラス構造及びマイクロクラック構造の少なくともいずれか一方を有するクロムめっき層を接して形成する工程と、
  を有し、
　前記クロムめっき層は、５００００個／ｃｍ２以上の微細孔を有するクロムめっき部品の製造方法。」である点。
＜相違点３−１２＞
　クロムめっき層について、本件発明１は、「４．０ａｔ％以上の炭素」及び「７ａｔ％以上の酸素」を含有するのに対し、甲１−６Ｂ発明は、炭素及び酸素の含有について不明である点。
＜相違点４−１２＞
　クロムめっき層について、本件発明１は、「非晶質」であるのに対し、甲１−６Ｂ発明は、非晶質であるか否か不明である点。
＜相違点５−１２＞
　クロムめっき層におけるクロムの価数について、本件発明１は「３価」であるのに対し、甲１−６Ｂ発明は「６価」である点。
（イ）相違点についての判断
　上記相違点５−１２は、上記（４）イ（ア）の相違点５−８と実質的に同じであるから、相違点についての判断は、上記（４）イ（イ）と同様である。
（ウ）小括
　よって、相違点３−１２及び同４−１２について検討するまでもなく、本件発明７は、甲１−６Ｂ発明と甲１−１〜５及び甲１−７〜１１に記載された事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものでない。
　オ　本件発明８〜１０について
　本件発明８〜１０は、請求項７を引用するものであるから、上記エと同様に、甲１−６Ｂ発明と甲１−１〜５及び甲１−７〜１１に記載された事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものでない。
（６）申立理由１−２ｇ（甲１−７を主引用例としたもの）について
　ア　甲１−７に記載された発明
　上記第６の７で摘示した（甲１−７ｆ）には、クロムめっき浴にＣｒＯ３が含まれると記載されているから、甲１−７におけるクロムめっきの価数は「６価」であると分かること、同（甲１−７ｈ）及び（甲１−７ｋ）の図９から、腐食電位は６０ｍＶに満たないものであると見てとれること、並びに同（甲１−７ａ）〜（甲１−６ｅ）、（甲１−７ｇ）、（甲１−７ｉ）及び（甲１−７ｊ）の記載によれば、甲１−７には、以下の発明が記載されていると認められる。
「基材と、 
　前記基材上に形成した、光沢ニッケルめっきによる第一ニッケルめっき層と、
　前記第一ニッケルめっき層上に接して形成され、前記第一ニッケルめっき層の腐食電位を基準としたときの腐食電位を１０ｍＶ以上６０ｍＶ未満とする第二ニッケルめっき層と、
　前記第二ニッケルめっき層上に接して形成された６価のマイクロポーラスクロムめっき皮膜又はマイクロクラッククロムめっき皮膜と、
　を備えたクロムめっき部品。」（以下、「甲１−７Ａ発明」という。）
　また、物の発明である甲１−７Ａ発明を生産する方法の発明として、以下の発明も記載されているということができる。
「基材上に光沢ニッケルめっきによる第一ニッケルめっき層を形成する工程と、
　前記第一ニッケルめっき層上に、前記第一ニッケルめっき層の腐食電位を基準としたときの腐食電位を１０ｍＶ以上６０ｍＶ未満とする第二ニッケルめっき層を接して形成する工程と、
　前記第二ニッケルめっき層上に、６価のマイクロポーラスクロムめっき皮膜又はマイクロクラッククロムめっき皮膜を接して形成する工程と、
　を有するクロムめっき部品の製造方法。」（以下、「甲１−７Ｂ発明」という。）
　イ　本件発明１について 
（ア）甲１−７Ａ発明との対比
　本件発明１と甲１−７Ａ発明とを対比すると、甲１−７Ａ発明の「基材」、「光沢ニッケルめっきによる第一ニッケルめっき層」、「前記第一ニッケルめっき層の腐食電位を基準としたときの腐食電位を１０ｍＶ以上６０ｍＶ未満とする第二ニッケルめっき層」は、それぞれ、本件発明１の「素地」、「光沢ニッケルめっき層」、「貴電位ニッケルめっき層」に相当する。
　また、甲１−７Ａ発明の「マイクロポーラスクロムめっき皮膜又はマイクロクラッククロムめっき皮膜」は、本件発明１の「マイクロポーラス構造及びマイクロクラック構造の少なくともいずれか一方を有している」「クロムめっき層」に相当する。
　してみると、両者は、以下の一致点及び相違点を有する。
＜一致点＞
「素地と、
　前記素地上に形成された光沢ニッケルめっき層と、
　前記光沢ニッケルめっき層上に接して形成された貴電位ニッケルめっき層と、
　前記貴電位ニッケルめっき層上に接して形成され、マイクロポーラス構造及びマイクロクラック構造の少なくともいずれか一方を有しているクロムめっき層と、
　を備えたクロムめっき部品。」である点。
＜相違点１−１３＞
　貴電位ニッケルめっき層における光沢ニッケルめっき層との電位差について、本件発明１は、「６０ｍＶ以上１２０ｍＶ以下」であるのに対し、甲１−７Ａ発明は、「１０ｍＶ以上６０ｍＶ未満」である点。
＜相違点２−１３＞
　クロムめっき層が有している微細孔について、本件発明１は、「５００００個／ｃｍ２以上」であるのに対し、甲１−７Ａ発明は、その数が不明である点。
＜相違点３−１３＞
　クロムめっき層について、本件発明１は、「４．０ａｔ％以上の炭素」及び「７ａｔ％以上の酸素」を含有するのに対し、甲１−７Ａ発明は、炭素及び酸素の含有について不明である点。
＜相違点４−１３＞
　クロムめっき層について、本件発明１は、「非晶質」であるのに対し、甲１−７Ａ発明は、非晶質であるか否か不明である点。
＜相違点５−１３＞
　クロムめっき層におけるクロムの価数について、本件発明１は「３価」であるのに対し、甲１−７Ａ発明は不明である点。
（イ）相違点についての判断
　上記相違点５−１３は、上記（４）イ（ア）の相違点５−８と実質的に同じであるから、相違点についての判断は、上記（４）イ（イ）と同様である。
（ウ）小括
　よって、相違点１−１３、同２−１３、同３−１３及び同４−１３について検討するまでもなく、本件発明１は、甲１−７Ａ発明と甲１−１〜６及び甲１−８〜１１に記載された事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものでない。
　ウ　本件発明２〜６について
　本件発明２〜６は、請求項１を引用するものであるから、上記イと同様に、甲１−７Ａ発明と甲１−１〜６及び甲１−８〜１１に記載された事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものでない。
　エ　本件発明７について
（ア）甲１−７Ｂ発明との対比
　本件発明１と甲１−７Ｂ発明とを対比すると、甲１−７Ｂ発明の「基材」、「光沢ニッケルめっきによる第一ニッケルめっき層」、「前記第一ニッケルめっき層の腐食電位を基準としたときの腐食電位を１０ｍＶ以上６０ｍＶ未満とする第二ニッケルめっき層」は、それぞれ、本件発明１の「素地」、「光沢ニッケルめっき層」、「貴電位ニッケルめっき層」に相当する。
　また、甲１−７Ｂ発明の「マイクロポーラスクロムめっき皮膜又はマイクロクラッククロムめっき皮膜」は、本件発明１の「マイクロポーラス構造及びマイクロクラック構造の少なくともいずれか一方を有している」「クロムめっき層」に相当する。
　してみると、両者は、以下の一致点及び相違点を有する。
＜一致点＞
「素地上に光沢ニッケルめっき層を形成する工程と、
　前記光沢ニッケルめっき層上に、貴電位ニッケルめっき層を接して形成する工程と、
  前記貴電位ニッケルめっき層上に、マイクロポーラス構造及びマイクロクラック構造の少なくともいずれか一方を有する３価クロムめっき層を接して形成する工程と、
  を有するクロムめっき部品の製造方法。」
＜相違点１−１４＞
　貴電位ニッケルめっき層における光沢ニッケルめっき層との電位差について、本件発明１は、「６０ｍＶ以上１２０ｍＶ以下」であるのに対し、甲１−７Ｂ発明は、「１０ｍＶ以上６０ｍＶ未満」である点。
＜相違点２−１４＞
　クロムめっき層が有している微細孔について、本件発明１は、「５００００個／ｃｍ２以上」であるのに対し、甲１−７Ｂ発明は、その数が不明である点。
＜相違点３−１４＞
　クロムめっき層について、本件発明１は、「４．０ａｔ％以上の炭素」及び「７ａｔ％以上の酸素」を含有するのに対し、甲１−７Ｂ発明は、炭素及び酸素の含有について不明である点。
＜相違点４−１４＞
　クロムめっき層について、本件発明１は、「非晶質」であるのに対し、甲１−７Ｂ発明は、非晶質であるか否か不明である点。
＜相違点５−１４＞
　クロムめっき層におけるクロムの価数について、本件発明１は「３価」であるのに対し、甲１−７Ｂ発明は不明である点。
（イ）相違点についての判断
　上記相違点５−１４は、上記（４）イ（ア）の相違点５−８と実質的に同じであるから、相違点についての判断は、上記（４）イ（イ）と同様である。
（ウ）小括
　よって、相違点１−１４、同２−１４、同３−１４及び同４−１４について検討するまでもなく、本件発明７は、甲１−７Ｂ発明と甲１−１〜甲１−６及び甲１−８〜１１に記載された事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものでない。
　オ　本件発明８〜１０について
　本件発明８〜１０は、請求項７を引用するものであるから、上記エと同様に、甲１−７Ｂ発明と甲１−１〜６及び甲１−８〜１１に記載された事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものでない。
　３　申立理由２−２について
　申立理由２−２は、訂正前の請求項１及び３〜１０に係る発明において、３価クロムめっき層が有する「マイクロポーラス構造及びマイクロクラック構造」の密度が特定されていないこと、並びに訂正前の請求項１〜５及び７〜１０に係る発明において、３価クロムめっき層は「非晶質」であるとの特定がされていないことを前提としたサポート要件違反を含むものであったが、本件訂正により、「３価クロムめっき層は、５００００個／ｃｍ２以上の微細孔を有し」並びに「３価クロムめっき層は、非晶質である」との特定が訂正後の請求項１〜１０に係る発明においてされたことで、当該前提がなくなったことから、当該前提に基づく申立理由２−２はないものとなった。
第９　むすび
　以上のとおりであるから、請求項１〜１０に係る特許は、取消理由通知に記載した取消理由及び特許異議申立書に記載された特許異議申立理由によっては、取り消すことができない。
　また、他に請求項１〜１０に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
令和２年１月２７日（２０２０．１．２７）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】
　素地と、
　前記素地上に形成された光沢ニッケルめっき層と、
　前記光沢ニッケルめっき層上に接して形成され、前記光沢ニッケルめっき層との電位差が
６０ｍＶ
　前記貴電位ニッケルめっき層上に接して形成され、マイクロポーラス構造及びマイクロクラック構造の少なくともいずれか一方を有している３価クロムめっき層と、
　を備え
、
　
前記３価クロムめっき層は、５００００個／ｃｍ２以上の微細孔を有しており、
　
前記３価クロムめっき層は、４．０ａｔ％以上の炭素を含有し、
　
前記３価クロムめっき層は、７ａｔ％以上の酸素を含有し、
　
前記３価クロムめっき層は、非晶質であ
　【請求項２】
　前記３価クロムめっき層は、
４．０ａｔ％以上２０ａｔ％以下の炭素を含有す
　【請求項３】
　前記３価クロムめっき層は、
７ａｔ％以上１６ａｔ％以下の
　【請求項４】
　前記３価クロムめっき層は、０．５ａｔ％以上の
鉄を
　【請求項５】
　前記３価クロムめっき層は、１ａｔ％以上２０ａｔ％以下の鉄及び１０ａｔ％以上２０ａｔ％以下の炭素の少なくともいずれか一方を含有することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載のクロムめっき部品。
　【請求項６】
　前記３価クロムめっき層は、
４．０ａｔ％以上２０ａｔ％以下の炭素及び７ａｔ％以上１６ａｔ％以下の酸素を含有す
　【請求項７】
　素地上に光沢ニッケルめっき層を形成する工程と、
　前記光沢ニッケルめっき層上に、前記光沢ニッケルめっき層との電位差が
６０ｍＶ
　前記貴電位ニッケルめっき層上に、マイクロポーラス構造及びマイクロクラック構造の少なくともいずれか一方を有する３価クロムめっき層を接して形成する工程と、
　を有
し、
　
前記３価クロムめっき層は、５００００個／ｃｍ２以上の微細孔を有しており、
　
前記３価クロムめっき層は、４．０ａｔ％以上の炭素を含有し、
　
前記３価クロムめっき層は、７ａｔ％以上の酸素を含有し、
　
前記３価クロムめっき層は、非晶質であ
　【請求項８】
　前記貴電位ニッケルめっき層を形成するための第一めっき浴に添加する電位調整剤の量を、前記光沢ニッケルめっき層を形成するための第二めっき浴より多く
し、
　
前記３価クロムめっき層は、４．０ａｔ％以上２０ａｔ％以下の炭素及び７ａｔ％以上１６ａｔ％以下の酸素を含有する
　【請求項９】
　前記貴電位ニッケルめっき層を形成する工程は、ケイ素及びアルミニウムのうち少なくともいずれか一つを含有する化合物を分散させた第一めっき浴を用いて行われることを特徴とする請求項７又は８に記載のクロムめっき部品の製造方法。
　【請求項１０】
　前記貴電位ニッケルめっき層を形成する工程は、酸化アルミニウムを分散させた第一めっき浴を用いて行われることを特徴とする請求項７乃至９のいずれか一項に記載のクロムめっき部品の製造方法。