【事件の表示】
　特願２００１−２６４５００「エッチング方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　３月１４日出願公開、特開２００３−　７７８９６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯  
　本願は、平成１３年８月３１日の出願であって、平成２３年２月２５日付けで拒絶理由が通知され、同年５月２３日付けで意見書及び手続補正書が提出され、同年６月２９日付けで最後の拒絶理由が通知され、同年９月２２日付けで意見書及び手続補正書が提出され、同年１１月２２日付けで補正の却下の決定により同年９月２２日付けでした手続補正書による手続補正が却下されるとともに拒絶査定がなされ、平成２４年３月６日付けで拒絶査定不服審判が請求されるととともに手続補正書が提出され、同年４月２０日付けで審判請求書の請求の理由を変更する手続補正書（方式）が提出され、その後、当審において同年７月９日付けで審尋がなされ、同年９月１０日付けで回答書が提出されたものである。
　
第２　平成２４年３月６日付けの手続補正についての補正の却下の決定
［補正の却下の決定の結論］  
　平成２４年３月６日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］  
１　平成２４年３月６日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）の内容
　本件補正は、特許請求の範囲についての補正（以下、「本件補正事項」という。）を含むものであり、本件補正事項は、本件補正により補正される前の（すなわち、平成２３年５月２３日付けで提出された手続補正書の）下記（１）に示す特許請求の範囲の記載を下記（２）に示す特許請求の範囲の記載へ補正するものである。
　
（１）本件補正前の特許請求の範囲
　「【請求項１】　ＳｉＮ部分を含む被処理体を処理容器内に収容し、被処理体のＳｉＮ部分をエッチングガスのプラズマによりエッチングするエッチング方法であって、エッチングガスとしてＣＨ２Ｆ２およびＯ２を含むガスを用い、前記ＳｉＮ部分を有機Ｓｉ系低誘電率膜をマスクとしてエッチングすることを特徴とするエッチング方法。
　　【請求項２】　前記ガスはさらにＡｒを含むことを特徴とする請求項１に記載のエッチング方法。
　　【請求項３】　前記Ａｒの流量と、前記ＣＨ２Ｆ２およびＯ２を含むガスの流量との関係Ａｒ／（ＣＨ２Ｆ２＋Ｏ２）が０〜１５であることを特徴とする請求項２に記載のエッチング方法。」
　
（２）本件補正後の特許請求の範囲
　「【請求項１】　ＳｉＮ部分を含む被処理体を処理容器内に収容し、被処理体のＳｉＮ部分をエッチングガスのプラズマによりエッチングするエッチング方法であって、エッチングガスとしてＣＨ２Ｆ２
、
およびＡｒ
前記Ａｒの流量と、前記ＣＨ
２
Ｆ
２
およびＯ
２
を含むガスの流量との関係Ａｒ／（ＣＨ
２
Ｆ
２
＋Ｏ
２
）が０を超え１５である
（なお、下線は、補正箇所を示すためのものである。）
　
２　本件補正の目的 
　本件補正事項は、本件補正前の請求項１及び２を削除し、本件補正前の請求項１及び２を引用する請求項３を請求項１に繰り上げるとともに、本件補正前の請求項３における「前記Ａｒの流量と、前記ＣＨ２Ｆ２およびＯ２を含むガスの流量との関係Ａｒ／（ＣＨ２Ｆ２＋Ｏ２）が０〜１５である」を「前記Ａｒの流量と、前記ＣＨ２Ｆ２およびＯ２を含むガスの流量との関係Ａｒ／（ＣＨ２Ｆ２＋Ｏ２）が
０を超え
　したがって、本件補正は、本件補正事項についていうならば、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第１号に規定される請求項の削除及び同第２号に規定される特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。 
　
３　本件補正の適否
　そこで、本件補正後の特許請求の範囲の請求項１に係る発明（以下、「本願補正発明」という。）が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるかどうかについて、さらに検討する。 
　
（１）引用文献に記載された事項
　原査定の拒絶の理由で引用した本願の出願前に日本国内で頒布された刊行物である特開２００１−６８４５５号公報（以下、「引用文献」という。）には、図面とともに次の事項が記載されている（以下、順に「摘記事項１ａ」ないし「摘記事項１ｉ」という。）。
　　
１ａ．「６．有機ＳＯＧ（Spin On Glass ）は、一般にシロキサン重合体または他のモノマーとの共重合体に各種の有機官能基が結合した高分子樹脂を溶剤に溶いて、半導体ウエハ上にスピン塗布して形成する層間絶縁膜材料である。一般に、無機ＳＯＧに比べて、キュア後にクラックが入りにくいため厚めに形成できる特徴がある。有機シロキサン系層間絶縁膜材料にはＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition ）に依るものがある。」（段落【００２３】）
　
１ｂ．「上記の説明においては、希釈ガスがＡｒの場合について説明したが、これに限定されるものではなく種々変更可能であり、例えばヘリウム（Ｈｅ）、クリプトン（Ｋｒ）、キセノン（Ｘｅ）またはネオン（Ｎｅ）を用いることもできる。また、ＣＦ系ガスがＣＨＦ３の場合について説明したが、これに限定されるものではなく種々変更可能であり、例えばＣＦ４ 、ＣＨ２Ｆ２ 、ＣＨ３ＦまたはＣ４Ｆ８のうち少なくとも１種類を含むガスを用いることができる。」（段落【００４６】）
　
１ｃ．「次に、上記窒素を含む絶縁膜のエッチング処理に用いた平行平板型狭電極ＲＩＥ装置（単にＲＩＥ装置ともいう）を図１１に示す。このＲＩＥ装置９は、例えば２周波励起容量結合型のプラズマ源を持ち、エッチングチャンバ９ａと、その内部に設置された下部電極９ｂと、これに電気的に接続された第１の高周波電源９ｃと、エッチングチャンバ９ａ内において下部電極９ｂに対向するように設置された上部電極９ｄと、これに電気的に接続された第２の高周波電極９ｅと、エッチングチャンバ９ａ内にガスを導入するガス導入系９ｆと、エッチングチャンバ９ａ内の圧力を一定に保つための排気系とを有している。半導体ウエハ（半導体集積回路基板）１０は、下部電極９ｂ上に配置されている。また、上記雰囲気ガスは、ガス導入系９ｆを通じて上部電極９ｄの下面側に供給され、さらにシャワープレート９ｇを介してエッチングチャンバ９ａ内に均等に供給される構造となっている。これら相対する下部電極９ｂと上部電極９ｄとの間にプラズマが形成される。ラジカル、原子、イオン等のような活性種は、下部電極９ｂおよび半導体ウエハ１０の主面に対して垂直な電界に沿って入射し、その方向にリアクティブエッチングが進行するようになっている。ただし、エッチング装置としては、上記平行平板型狭電極ＲＩＥ装置に限定されるものではなく種々変更可能であり、例えばＩＣＰ（Inductively Coupled Plasma）型やＥＣＲ（Electron Cyclotron Resonance）型のエッチング装置を用いることもできる。」（段落【００４７】）
　
１ｄ．「この半導体基板１０ｓの主面上（分離部１４の上面上を含む）には、層間絶縁膜１ａが堆積されている。これにより、ｐＭＩＳＱｐおよびｎＭＩＳＱｎは覆われている。・・・（略）・・・この層間絶縁膜１ａ上には、層間絶縁膜１ｂが堆積されている。この層間絶縁膜１ｂおよび第１層配線４Ｌ１上には絶縁膜２ａが堆積されている。絶縁膜２ａの上層には、層間絶縁膜１ｃ〜１ｋ、１ｍ、１ｎがその各々の間にそれぞれ絶縁膜２ｂ〜２ｋを介在させて堆積されている。」（段落【００５２】及び【００５３】）
  　
１ｅ．「層間絶縁膜１ａ〜１ｋ、１ｍ、１ｎは、例えば酸化シリコン膜，ＳｉＯＦ膜または有機ＳＯＧ膜からなる。層間絶縁膜１ａ〜１ｋ、１ｍ、１ｎを上記有機ＳＯＧとした場合には、その誘電率を、例えば２．７〜２．８程度にできる。したがって、半導体集積回路装置の配線の総合的な誘電率を下げることができるので、半導体集積回路装置の動作速度を向上させることが可能な構造となっている。」（段落【００５４】）
　
１ｆ．「また、絶縁膜２ａ〜２ｋは、例えば窒化シリコン膜からなり、その誘電率は、例えば７程度である。」（段落【００５７】）
　
１ｇ．「まず、本発明の技術思想をシングルダマシン法に適用した場合の一例を説明する。図１５に示す上記層間絶縁膜１ｃは、上記絶縁膜２ａ上に堆積された有機絶縁膜１ｃ１と、その上に堆積された絶縁膜１ｃ２とを有している。絶縁膜２ａの厚さは、例えば５０ｎｍ程度である。有機絶縁膜１ｃ１は、例えば有機ＳＯＧ膜によって形成され、その厚さは、例えば２５０ｎｍ程度である。絶縁膜１ｃ２は、例えばＴＥＯＳ（Tetraethoxysilane）ガスを用いたプラズマＣＶＤ法によって形成された酸化シリコン膜等からなり、その厚さは、例えば１００ｎｍ程度である。この絶縁膜１ｃ２は、有機絶縁膜１ｃ１の機械的強度を確保するためのものなので、有機絶縁膜１ｃ１が機械的な強度を有している場合には設けなくても良い。有機絶縁膜１ｃ１に代えて、例えばＳｉＯＦ膜やＴＥＯＳガスを用いたプラズマＣＶＤ法によって形成された酸化シリコン膜を用いても良い。この場合も絶縁膜１ｃ２を設けなくて良い。」（段落【００６７】）
　
１ｈ．「次いで、フォトレジスト膜７ａおよび反射防止膜２２ａをアッシング処理によって図１８に示すように除去した後、スルーホール５ａの底面から露出する絶縁膜２ａをプラズマドライエッチング処理によって図１９に示すように除去する。このエッチング処理では、上記本発明の第１の技術思想を用いて窒化シリコン膜を選択的にエッチング除去する。これにより、スルーホール５ａの底面から第１層配線４Ｌ１の上面が露出される。この際のエッチング条件は、次の通りである。すなわち、処理ガスは、例えばＣＨＦ３／Ｏ２／Ａｒを用い、その流量比は、例えば２０／２０／４００ｓｃｃｍ程度である。処理室内の圧力は、例えば５０ｍＴｏｒｒ程度、高周波電力は、例えば１０００／２００Ｗ程度、下部電極温度は、例えば０℃程度である。エッチング装置としては、例えば平行平板型のＲＩＥ装置を用いた。これにより、スルーホール５ａの底部の絶縁膜２ａがスルーホール５ａの直径方向に削られる（サイドエッチ）のを抑制または防止できた。」（段落【００７１】）
　
１ｉ．製造工程を順次示している図１８及び１９の変化から、絶縁膜２ａの内、層間絶縁膜１ｃが堆積されている部分は除去されず、層間絶縁膜１ｃが堆積されていない部分が除去されていることが看取できる。
　
（２）引用文献に記載された発明 
　引用文献の摘記事項１ｄの「この半導体基板１０ｓの主面上（分離部１４の上面上を含む）には、層間絶縁膜１ａが堆積されている。これにより、ｐＭＩＳＱｐおよびｎＭＩＳＱｎは覆われている。・・・（略）・・・この層間絶縁膜１ａ上には、層間絶縁膜１ｂが堆積されている。この層間絶縁膜１ｂおよび第１層配線４Ｌ１上には絶縁膜２ａが堆積されている。」という記載によると、引用文献には、「絶縁膜２ａが堆積された半導体基板１０ｓの主面上の第１層配線４Ｌ１」が記載されている。
　引用文献の摘記事項１ｃの「このＲＩＥ装置９は、例えば２周波励起容量結合型のプラズマ源を持ち、エッチングチャンバ９ａと、その内部に設置された下部電極９ｂと、これに電気的に接続された第１の高周波電源９ｃと、エッチングチャンバ９ａ内において下部電極９ｂに対向するように設置された上部電極９ｄと、これに電気的に接続された第２の高周波電極９ｅと、エッチングチャンバ９ａ内にガスを導入するガス導入系９ｆと、エッチングチャンバ９ａ内の圧力を一定に保つための排気系とを有している。半導体ウエハ（半導体集積回路基板）１０は、下部電極９ｂ上に配置されている。」という記載によると、引用文献には、「半導体基板１０をエッチングチャンバ９ａ内に収容する」ことが記載されている。
　引用文献の摘記事項１ｆの「絶縁膜２ａ〜２ｋは、例えば窒化シリコン膜からなり」という記載によると、引用文献には、「窒化シリコン膜からなる絶縁膜２ａ」が記載されている。
　引用文献の摘記事項１ｈの「スルーホール５ａの底面から露出する絶縁膜２ａをプラズマドライエッチング処理によって図１９に示すように除去する。このエッチング処理では、上記本発明の第１の技術思想を用いて窒化シリコン膜を選択的にエッチング除去する。」という記載によると、引用文献には、「絶縁膜２ａをプラズマドライエッチング処理によりエッチング除去する」ことが記載されている。
　引用文献の摘記事項１ｈの「処理ガスは、例えばＣＨＦ３／Ｏ２／Ａｒを用い、その流量比は、例えば２０／２０／４００ｓｃｃｍ程度である。」という記載によると、引用文献には、「処理ガスとしてＣＨＦ３／Ｏ２／Ａｒを用い、その流量比を、２０／２０／４００ｓｃｃｍ程度とする」ことが記載されている。
　引用文献の摘記事項１ｇの「図１５に示す上記層間絶縁膜１ｃは、上記絶縁膜２ａ上に堆積された有機絶縁膜１ｃ１と、その上に堆積された絶縁膜１ｃ２とを有している。絶縁膜２ａの厚さは、例えば５０ｎｍ程度である。有機絶縁膜１ｃ１は、例えば有機ＳＯＧ膜によって形成され、その厚さは、例えば２５０ｎｍ程度である。絶縁膜１ｃ２は、例えばＴＥＯＳ（Tetraethoxysilane）ガスを用いたプラズマＣＶＤ法によって形成された酸化シリコン膜等からなり、その厚さは、例えば１００ｎｍ程度である。」という記載によると、引用文献には、「有機ＳＯＧ膜によって形成された有機絶縁膜１ｃ１とその上に堆積された酸化シリコン膜によって形成された絶縁膜１ｃ２を有している層間絶縁膜１ｃ」が記載されている。
　引用文献の摘記事項１ｈの「スルーホール５ａの底面から露出する絶縁膜２ａをプラズマドライエッチング処理によって図１９に示すように除去する。」という記載及び摘記事項１ｉによると、引用文献には、「層間絶縁膜１ｃが堆積されている部分はエッチング除去せず、該層間絶縁膜１ｃが堆積されていない部分をエッチング除去する方法」が記載されている。
　したがって、引用文献には、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認める。  
　
　「窒化シリコン膜からなる絶縁膜２ａが堆積された半導体基板１０ｓの主面上の第１配線層４Ｌ１をエッチングチャンバ９ａ内に収容し、半導体基板１０ｓの主面上の第１配線層４Ｌ１の窒化シリコン膜からなる絶縁膜２ａをプラズマドライエッチング処理によりエッチング除去する方法であって、処理ガスとしてＣＨＦ３／Ｏ２／Ａｒを用い、その流量比を、２０／２０／４００ｓｃｃｍ程度とし、前記窒化シリコン膜からなる絶縁膜２ａを有機ＳＯＧ膜によって形成された有機絶縁膜１ｃ１とその上に堆積された酸化シリコン膜によって形成された絶縁膜１ｃ２を有している層間絶縁膜１ｃが堆積されている部分はエッチング除去せず、該層間絶縁膜１ｃが堆積されていない部分をエッチング除去する方法。」  
　
（３）対比
　本願補正発明と引用発明を対比する。
　窒化シリコンはＳｉＮのことであるから、引用発明における「窒化シリコン膜からなる絶縁膜２ａ」は、本願補正発明における「ＳｉＮ部分」に相当する。
　本願補正発明における「ＳｉＮ部分を含む被処理体」は、本願明細書の段落【００３６】に「例えばＣｕからなる配線層６０上にバリア層としてのＳｉＮ膜６４を形成し、その上に有機Ｓｉ系低誘電率膜からなる層間絶縁膜６２を形成した構造体において」と記載されているように、ＳｉＮ膜が形成された配線層であるから、引用発明における「窒化シリコン膜からなる絶縁膜２ａが堆積された半導体基板１０ｓの主面上の第１配線層４Ｌ１」は、本願補正発明における「ＳｉＮ部分を含む被処理体」に相当する。
　引用発明における「エッチングチャンバ９ａ」は、本願補正発明における「処理容器」に相当する。
　引用発明における「プラズマドライエッチング処理によりエッチング除去する方法」は、本願補正発明における「エッチングガスのプラズマによりエッチングするエッチング方法」に相当する。
　ＣＨＦ３とＣＨ２Ｆ２は何れもＣＦ系ガスである。また、引用発明において、Ａｒの流量は４００ｓｃｃｍ、ＣＨＦ３の流量は２０ｓｃｃｍ、Ｏ２の流量は２０ｓｃｃｍであることから、引用発明におけるＡｒの流量とＣＨＦ３およびＯ２を含むガスの流量との関係Ａｒ／（ＣＨＦ３およびＯ２）は、４００／（２０＋２０）、即ち１０であり、「０を超え１５である」に含まれる。したがって、引用発明における「処理ガスとしてＣＨＦ３／Ｏ２／Ａｒを用い、その流量比を、２０／２０／４００ｓｃｃｍ程度とし」と本願補正発明における「エッチングガスとしてＣＨ２Ｆ２、Ｏ２およびＡｒを含み、前記Ａｒの流量と、前記ＣＨ２Ｆ２およびＯ２を含むガスの流量との関係Ａｒ／（ＣＨ２Ｆ２＋Ｏ２）が０を超え１５であるガスを用い」とは、「エッチングガスとしてＣＦ系ガス、Ｏ２およびＡｒを含むガスを含み、前記Ａｒの流量と、前記ＣＦ系ガスおよびＯ２を含むガスの流量との関係Ａｒ／（ＣＦ系ガス＋Ｏ２）が０を超え１５であるガスを用い」である限りにおいて一致する。
　引用文献の摘記事項１ａの「有機ＳＯＧ（Spin On Glass ）は、一般にシロキサン重合体または他のモノマーとの共重合体に各種の有機官能基が結合した高分子樹脂を溶剤に溶いて、半導体ウエハ上にスピン塗布して形成する層間絶縁膜材料である。」という記載によると、「有機ＳＯＧ膜」は、有機Ｓｉ系膜、即ちＳｉ系膜である。また、酸化シリコン膜もＳｉ系膜である。したがって、引用発明における「有機ＳＯＧ膜によって形成された有機絶縁膜１ｃ１とその上に堆積された酸化シリコン膜によって形成された絶縁膜１ｃ２を有している層間絶縁膜１ｃ」と本願補正発明における「有機Ｓｉ系低誘電率膜」とは、「Ｓｉ系膜」である限りにおいて一致する。
　引用発明における「層間絶縁膜１ｃが堆積されている部分はエッチング除去せず、該層間絶縁膜１ｃが堆積されていない部分をエッチング除去する」において、「層間絶縁膜１ｃ」がマスクの機能を果たしていることは明らかであり、また、上記のとおり「層間絶縁膜１ｃ」はＳｉ系膜であるから、引用発明における「層間絶縁膜１ｃが堆積されている部分はエッチング除去せず、該層間絶縁膜１ｃが堆積されていない部分をエッチング除去する」は、本願補正発明における「有機Ｓｉ系低誘電率膜をマスクとしてエッチングする」と「Ｓｉ系膜をマスクとしてエッチングする」という限りにおいて一致する。
　
　したがって、両者は、
　「ＳｉＮ部分を含む被処理体を処理容器内に収容し、被処理体のＳｉＮ部分をエッチングガスのプラズマによりエッチングするエッチング方法であって、エッチングガスとしてＣＦ系ガス、Ｏ２およびＡｒを含むガスを含み、前記Ａｒの流量と、前記ＣＦ系ガスおよびＯ２を含むガスの流量との関係Ａｒ／（ＣＦ系ガス＋Ｏ２）が０を超え１５であるガスを用い、前記ＳｉＮ部分をＳｉ系膜をマスクとしてエッチングするエッチング方法。」 
である点で一致し、以下の点で相違する。
　
＜相違点１＞
　「エッチングガスとしてＣＦ系ガス、Ｏ２およびＡｒを含むガスを含み、前記Ａｒの流量と、前記ＣＦ系ガスおよびＯ２を含むガスの流量との関係Ａｒ／（ＣＦ系ガス＋Ｏ２）が０を超え１５であるガスを用い」に関して、本願補正発明では、「エッチングガスとしてＣＨ２Ｆ２、Ｏ２およびＡｒを含み、前記Ａｒの流量と、前記ＣＨ２Ｆ２およびＯ２を含むガスの流量との関係Ａｒ／（ＣＨ２Ｆ２＋Ｏ２）が０を超え１５であるガスを用い」ているのに対し、引用発明では、「処理ガスとしてＣＨＦ３／Ｏ２／Ａｒを用い、その流量比を、２０／２０／４００ｓｃｃｍ程度とし」ている点。
　
＜相違点２＞
　「Ｓｉ系膜」に関して、本願補正発明では、「有機Ｓｉ系低誘電率膜」であるのに対し、引用発明では、「有機ＳＯＧ膜によって形成された有機絶縁膜１ｃ１とその上に堆積された酸化シリコン膜によって形成された絶縁膜１ｃ２を有している層間絶縁膜１ｃ」である点。
　
（４）相違点についての判断
ア　相違点１について
　引用文献の摘記事項１ｃに「ＣＦ系ガスがＣＨＦ３の場合について説明したが、これに限定されるものではなく種々変更可能であり、例えばＣＦ４、ＣＨ２Ｆ２、ＣＨ３ＦまたはＣ４Ｆ８のうち少なくとも１種類を含むガスを用いることができる。」と記載されているように、引用文献には、ＣＦ系ガスとして、「ＣＨ２Ｆ２」を用いることができることが記載されている。
　また、エッチングガスとして、ＣＨ２Ｆ２をＯ２及びＡｒとともに用いることは、国際公開第９８／１６９５０号及び特開２００１−６８４５４号公報に下記のとおり記載されているように周知である。
　そして、使用するガスを替える場合、替えた後のガスの流量として、替える前のガスの流量と同程度の流量を、まず最初に試みることはごく自然のことである。
　したがって、引用発明において、ＣＦ系ガスとして、「ＣＨ２Ｆ２」を用い、その際に、「ＣＨ２Ｆ２」の流量を「ＣＨＦ３」と同程度の流量として、相違点１に係る本願補正発明の発明特定事項とすることは、当業者であれば容易に想到し得たことである。
　
・国際公開第９８／１６９５０号の記載（下線は当審で付したものである。）
　「第２段階において、処理ガスとして、
ＣＨ
２
Ｆ
２
ガスとＯ
２
ガスとの混合ガスをＡｒガス等のキャリアガスと共に用いる。
・特開２００１−６８４５４号公報の記載（下線は当審で付したものである。）
　「図２（ａ）に示すように，所定のエッチング処理により，第２ＳｉＯ２層２０８にＳｉＮｘ層２０６まで達するビアホール２１２を形成した後，本実施の形態にかかるエッチング処理を行う。すなわち，まず処理室１０２内に導入する処理ガスを，第２ＳｉＯ２層２０８をエッチングした処理ガスから，
本実施の形態の特徴であるＣＨ
２
Ｆ
２
とＯ
２
とＡｒから成る処理ガスに切り替える。
　
イ　相違点２について
　引用文献の摘記事項１ｇに「この絶縁膜１ｃ２は、有機絶縁膜１ｃ１の機械的強度を確保するためのものなので、有機絶縁膜１ｃ１が機械的な強度を有している場合には設けなくても良い。」と記載されており、引用発明において、「絶縁膜１ｃ２」は設けなくても良いものである。
　また、引用文献摘記事項１ｅの「層間絶縁膜１ａ〜１ｋ、１ｍ、１ｎを上記有機ＳＯＧとした場合には、その誘電率を、例えば２．７〜２．８程度にできる。したがって、半導体集積回路装置の配線の総合的な誘電率を下げることができる」という記載によると、「有機ＳＯＧ膜」は「低誘電率膜」である。
　したがって、引用発明において、「層間絶縁膜１ｃ」を「低誘電率膜」である「有機ＳＯＧ膜」「によって形成された有機絶縁膜１ｃ１」のみにして、相違点２に係る本願補正発明の発明特定事項とすることは、当業者であれば容易に想到し得たことである。
　
ウ　効果について
　そして、上記相違点に係る発明特定事項を採用することによる効果も格別なものとはいえない。
　
（５）むすび
　したがって、本願補正発明は、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないので、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 
　
第３　本願発明について  
１　本願発明  
　以上のとおり、本件補正は却下されたため、本願の特許請求の範囲の請求項１ないし３に係る発明は、平成２３年５月２３日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１ないし３に記載された事項により特定されるとおりのものであると認められるところ、特許請求の範囲の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、上記「第２［理由］１（１）」の請求項１に記載されたとおりである。  
　 
２　引用文献に記載された事項及び引用文献に記載された発明
　原査定の拒絶の理由で引用した本願の出願前に日本国内で頒布された刊行物である特開２００１−６８４５５号公報（以下、上記「第２［理由］３（１）」と同様に「引用文献」という。）には、上記「第２［理由］３（１）」のとおりの事項が記載されている。
　そして、引用文献には、上記「第２［理由］３（２）」のとおりの発明（以下、上記「第２［理由］３（２）」と同様に「引用発明」という。）が記載されていると認める。
　
３　対比・判断
　上記「第２［理由］２」で検討したように、本願補正発明は請求項１及び２を引用する請求項３に係る発明の発明特定事項に限定を加えたものであるから、請求項１に係る発明である本願発明の発明特定事項に限定を加えたものである。そして、本願発明の発明特定事項に限定を加えた本願補正発明が上記「第２［理由］３」のとおり、引用発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである以上、本願発明も、同様に、引用発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
　したがって、本願は、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、拒絶されるべきものである。  
　 
　よって、結論のとおり審決する。