【事件の表示】
　特願２００６−５０７５１４「無電解薄膜析出法により平坦化銅相互接続層を形成する方法および装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年１０月１４日国際公開、ＷＯ２００４／０８８７４６、平成１８年　９月２１日国内公表、特表２００６−５２１７０５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１６年３月２３日（パリ条約に基づく優先権主張　外国庁受理２００３年３月２７日、米国）を国際出願日とする出願であって、平成２２年１１月１日付けの拒絶理由通知に対して平成２３年２月２日に意見書及び手続補正書が提出され、同年１０月７日付けの拒絶理由通知（最後）に対して平成２４年１月１１日に意見書及び手続補正書が提出されたが、同年１月３１日に、平成２４年１月１１日に提出された手続補正書による補正の却下の決定がなされ、同日付けで拒絶査定がなされた。
　そして、同年６月１４日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに手続補正書が提出され、その後、同年１０月１８日付けで審尋がなされ、平成２５年４月１６日に回答書が提出された。
　
第２　補正の却下の決定
　
［補正の却下の決定の結論］
　平成２４年６月１４日に提出された手続補正書による補正を却下する。
　
［理由］
１　補正の内容
　平成２４年６月１４日に提出された手続補正書による補正（以下「本件補正」という。）は、平成２３年２月２日に提出された手続補正書により補正された本件補正前（以下「本件補正前」という）の特許請求の範囲の請求項１〜１６を補正して、本件補正後の特許請求の範囲の請求項１〜１０とするものであり、本件補正前の請求項６及び本件補正後の請求項１については、以下のとおりである。
　
（補正前）
「【請求項６】
　平坦化表面を形成する方法であって、
　狭小形態部と幅広形態部を有する基板を提供するステップと、
　前記基板上に第１の層を形成するステップであって、前記第１の層は、電気メッキ法で形成され、前記第１の層は、
　　前記狭小形態部に充填され、
　　前記幅広形態部に少なくとも部分的に充填され、
　　前記幅広形態部に沿うように設けられた孔を有する、ステップと、
　前記第１の層の少なくとも一部に、可撓性材料を接触させるステップと、
　前記可撓性材料を用いて、前記孔に溶液を供給するステップと、
　前記孔内に前記溶液から、無電解メッキ法により、第２の層を形成するステップであって、前記可撓性材料が前記第１の層と接触する場所には、前記第２の層を認識できる程は形成させないステップと、
　前記第１および第２の層を平坦化するステップと、
　を有する方法。」
　
（補正後）
「【請求項１】
　平坦化表面を形成する方法であって、
　狭小形態部と幅広形態部を有する基板を提供するステップと、
　前記基板上に第１の層を形成するステップであって、前記第１の層は、電気メッキ法で形成され、前記第１の層は、
　　前記狭小形態部に充填され、
　　前記幅広形態部に少なくとも部分的に充填され、
　　前記幅広形態部に沿うように設けられた孔を有し、
　　上層部、および該上層部の一部を覆う超上層部を有する、ステップと、
　前記第１の層の少なくとも一部に、多孔質薄膜を有する可撓性材料を接触させるステップと、
　前記可撓性材料を用いて、前記孔に溶液を供給するステップと、
　前記溶液から、無電解メッキ法により、前記孔内に第２の層を形成するステップであって、前記可撓性材料が前記第１の層と接触する場所には、前記第２の層を認識できる程は形成されず、前記第２の層を形成するステップは、前記基板に外部電圧を印加せずに行われる、ステップと、
　前記第１および第２の層を平坦化するステップと、
　を有する方法。」  
　
２　補正事項の整理
　本件補正による補正事項のうち、本件補正前の請求項６と本件補正後の請求項１についての補正事項を整理すると、次のとおりである。
〈補正事項１〉
　本件補正前の請求項６の「前記第１の層は、
　　前記狭小形態部に充填され、
　　前記幅広形態部に少なくとも部分的に充填され、
　　前記幅広形態部に沿うように設けられた孔を有する、ステップと」を、本件補正後の請求項１の「前記第１の層は、
　　前記狭小形態部に充填され、
　　前記幅広形態部に少なくとも部分的に充填され、
　　前記幅広形態部に沿うように設けられた孔を有し、
　　上層部、および該上層部の一部を覆う超上層部を有する、ステップと」とすること。
　
〈補正事項２〉
　本件補正前の請求項６の「前記第１の層の少なくとも一部に、可撓性材料を接触させるステップと」を、本件補正後の請求項１の「前記第１の層の少なくとも一部に、多孔質薄膜を有する可撓性材料を接触させるステップと」とすること。
　
〈補正事項３〉
　本件補正前の請求項６の「前記孔内に前記溶液から、無電解メッキ法により、第２の層を形成するステップであって」を、本件補正後の請求項１の「前記溶液から、無電解メッキ法により、前記孔内に第２の層を形成するステップであって」とすること。
　
〈補正事項４〉
　本件補正前の請求項６の「前記可撓性材料が前記第１の層と接触する場所には、前記第２の層を認識できる程は形成させないステップ」を、本件補正後の請求項１の「前記可撓性材料が前記第１の層と接触する場所には、前記第２の層を認識できる程は形成されず、前記第２の層を形成するステップは、前記基板に外部電圧を印加せずに行われる、ステップと」とすること。
　
３　新規事項の追加の有無及び補正の目的の適否についての検討
（１）上記補正事項１は、本件補正前の請求項６の「第１の層」が「上層部、および該上層部の一部を覆う超上層部を有する」点で限定するものであるから、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項（以下「特許法第１７条の２第４項」という。）第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　したがって、補正事項１は特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たす。
　また、補正事項１により補正された「第１の層」が「上層部、および該上層部の一部を覆う超上層部を有する」点については、本願の願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面（以下これらをまとめて「当初明細書等」という。）の段落【００２６】と図６Ａに、第１の導電層６００内の上層部６０２及び超上層部６０４として、記載されている。
　よって、補正事項１は、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものである。
　したがって、補正事項１は、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものであるから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たす。
　
（２）上記補正事項２は、本件補正前の請求項６の「可撓性材料」が「多孔質薄膜を有する」点で限定するものであるから、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　したがって、補正事項２は特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たす。
　また、補正事項２により補正された、「可撓性材料」が「多孔質薄膜を有する」点については、例えば、当初明細書等の段落【００１１】、【００２１】と請求項１０に記載されている。
  よって、補正事項２は、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものである。
　したがって、補正事項２は、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものであるから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たす。
　
（３）上記補正事項３は、本件補正前の請求項６の「前記孔内に」の記載箇所を、「前記溶液から」の直前から、「第２の層を」の直前に変更することにより、不明りょうな記載を明りょうな記載とするものであるから、特許法第１７条の２第４項第４号に掲げる明りょうでない記載の釈明を目的とするものに該当する。
　また、補正事項３は、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものであることは明らかであるから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たす。
　
（４）上記補正事項４は、本件補正前の請求項６の「無電解メッキ法により、第２の層を形成するステップ」が「前記基板に外部電圧を印加せずに行われる」点で限定するものであるから、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　したがって、補正事項２は特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たす。
　また、補正事項４により補正された、「無電解メッキ法により、第２の層を形成するステップ」が「前記基板に外部電圧を印加せずに行われる」点に関連して、当初明細書等に次の記載がある。
　段落【００２５】には、電気メッキについて「被メッキ表面がカソードとなり、電気化学セルが構成される。」と記載されており、被メッキ表面とは基板の一部であるから、基板をカソードとすること、すなわち、基板に外部電圧を印加することが記載されている。
　その一方で、段落【００２７】には、無電解メッキプロセスについて「電気メッキ法の場合とは異なり、外部電圧は印加する必要がない。」と記載されている。
　よって、補正事項４は、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものである。
　したがって、補正事項４は、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものであるから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たす。
　
（５）新規事項の追加の有無及び補正の目的の適否についての検討のまとめ
　以上検討したとおり、上記補正事項１〜４は、特許法第１７条の２第３項及び第４項に規定する要件を満たすものである。
　そして、本件補正は、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする補正を含むものであるから、本件補正による補正後の特許請求の範囲に記載されている事項により特定される発明が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年法律５５号改正附則３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項（以下「特許法第１２６条第５項」という。）に規定する独立特許要件を満たすか）否かを、更に検討する。
　
４　独立特許要件を満たすか否かの検討
（１）本願補正発明
　本件補正による補正後の請求項１〜１０に係る発明は、本件補正により補正された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜１０に記載されている事項により特定されるとおりのものであり、そのうちの請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）は、補正後の請求項１に記載されている事項により特定される、上記「１　補正の内容」に補正後の請求項１として記載したとおりのものであり、再掲すると次のとおりである。
　
【本願補正発明】
「【請求項１】
　平坦化表面を形成する方法であって、
　狭小形態部と幅広形態部を有する基板を提供するステップと、
　前記基板上に第１の層を形成するステップであって、前記第１の層は、電気メッキ法で形成され、前記第１の層は、
　　前記狭小形態部に充填され、
　　前記幅広形態部に少なくとも部分的に充填され、
　　前記幅広形態部に沿うように設けられた孔を有し、
　　上層部、および該上層部の一部を覆う超上層部を有する、ステップと、
　前記第１の層の少なくとも一部に、多孔質薄膜を有する可撓性材料を接触させるステップと、
　前記可撓性材料を用いて、前記孔に溶液を供給するステップと、
　前記溶液から、無電解メッキ法により、前記孔内に第２の層を形成するステップであって、前記可撓性材料が前記第１の層と接触する場所には、前記第２の層を認識できる程は形成されず、前記第２の層を形成するステップは、前記基板に外部電圧を印加せずに行われる、ステップと、
　前記第１および第２の層を平坦化するステップと、
　を有する方法。」
　
（２）引用例の表示
　引用例１：国際公開第０３／００９３６１号
　引用例２：国際公開第０１／０３２３６２号
　
（３）引用例１の記載、引用発明、と引用例２の記載
（３−１）引用例１の記載
　本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布され、原査定の根拠となった平成２３年１０月７日付けの最後の拒絶の理由において引用文献１として引用された刊行物である、国際公開第０３／００９３６１号（以下「引用例１」という。）には、「PLANAR METAL ELECTROPROCESSING（当審訳：平坦金属電気的処理）」（発明の名称）に関して、図１〜図１１とともに、次の記載がある。（ここにおいて、翻訳は引用例１に係る国際出願の国内段階における公表公報（特表２００５−５２００４４号公報：以下単に「引用例１の公表公報」という。）を参考にして当合議体が作成したものである。）（なお、下線は当合議体が付加したものである。以下同様。）
　
ア．FIELD OF THE INVENTION（発明の技術分野）
ａ．「[0001] The present invention relates to manufacture of semiconductor integrated circuits and, more particularly to a method for planar deposition and polishing of conductive layers.」（当審訳：【０００１】本発明は、半導体集積回路の製造に係り、特に、導電層の平坦堆積及び研磨のための方法に関する。（なお、翻訳の段落番号は、引用例１の公表公報の対応する段落番号に相当している。以下同様。））
　
イ．DESCRIPTION OF THE RELATED ART（関連技術の記載）
ｂ．「[0003] （・・・途中省略・・・）Conventionally, after the copper plating, CMP process is employed to first globally planarize this topographic surface and then to reduce the thickness of the overburden copper layer down to the level of the surface of the barrier layer, which is also later removed leaving conductors only in the cavities. 
CMP is a costly and time consuming process. High pressures used in the CMP processes also damage low-k dielectrics, which are mechanically weaker than the silicon oxide. Therefore, minimizing CMP step in an integration process is a goal for all IC manufacturers.
ＣＭＰは、コストと時間がかかるプロセスである。ＣＭＰプロセスに使用された高い圧力はまた、二酸化珪素より機械的に弱い低ｋ誘電体を損傷させる。そのため、集積化プロセスにおけるＣＭＰ工程を最小にすることは、すべてのＩＣ製造のゴールである。
　
ｃ．「[0009] A technique that can reduce or totally eliminate copper surface topography for all feature sizes is 
the Electrochemical Mechanical Processing (ECMPR). This technique has the ability to eliminate steps Dl, D2 and overfill O shown in the example of Figure IB, and provide thin layers of planar conductive material on the workpiece surface, or even provide a workpiece surface with no or little excess conductive material. This way, CMP process can be minimized or even eliminated. 
電気化学的機械的処理（ＥＣＭＰＲ）
この技術は、図１Ｂの例に示す、段差Ｄ１，Ｄ２及び過剰充填Ｏを除去する能力を有し、試料表面上に平坦な導電性物質の薄層を提供し、或いは過剰の導電性物質を持たないか又は殆ど持たない試料表面を提供する。このように、ＣＭＰプロセスは、最小にされ得るか又は除去され得る。
 
ウ．SUMMARY OF THE INVENTION（発明の要約）
ｄ．「[00011] 
The present invention relates to a process for forming a near-planar or planar layer of a conducting material, such as copper, on a surface of a workpiece using an ECMPR technique.
[00012] In one aspect, the present invention includes positioning the front surface of the workpiece in close proximity to a workpiece surface influencing device. Thereafter, the plating solution containing the conductive material is flowed to the front surface of the workpiece through the channel in the workpiece surface influencing device. 
An electric potential is applied between the workpiece and the electrode both of which are in physical contact with the plating solution, thereby allowing a conductive material to be formed on the front surface of the workpiece using an electrochemical deposition process. In a subsequent electrochemical mechanical deposition process, the front surface of the workpiece is then swept or polished using a top surface of the workpiece surface influencing device as an electric potential and the plating solution is applied
[00013] （省略）
[00014] 
At a first stage, a plating process that is optimized for the defect-free filling of the small features is carried out. During this stage, plating is done in a non-touch mode with no mechanical sweeping on the wafer surface
[00015] 
The second stage uses an ECMPR touch-process, typically including at least an ECMD process,
本発明は、ＥＣＭＰＲ技術を用いて試料の表面に銅のような導電性材料の平坦に近いか又は平坦な層を形成するプロセスに関する
【００１２】一態様では、本発明は、試料表面影響付与デバイスに近接して試料の前面を位置決めすることを含む。その後、導電性物質を含むメッキ溶液は、試料表面影響付与デバイスの溝を通して試料の前面に流される。
いずれもメッキ溶液と物理的に接触する、試料と電極との間に電位が印加され、それにより、電気化学的堆積プロセスを用いて試料の前面に導電性物質が形成される。その後の電気化学的機械的堆積プロセスでは、試料の前面は、電位及びメッキ溶液が加えられる際に、試料表面影響付与デバイスの上面を用いてスイープ又は研磨される。
【００１３】（省略）
【００１４】
第１の段階では、小さな凹部の無欠陥充填のために最適化されたメッキプロセスが実施される。この段階中に、メッキは、ウエハー表面上を機械的スイープ無しに非接触モードで行われ
【００１５】
第２の段階は、
典型的には少なくともＥＣＭＤプロセスを含むＥＣＭＰＲプロセスを用いる。
　
エ．DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS（好ましい実施形態についての詳細な説明）
ｅ．「[00033] 
The process of the present invention relates to a process for forming a near- planar or planar layer of a conducting material, such as copper, on a surface of a workpiece using an ECMPR technique such as ECMD. The process of the present invention preferably uses at least two separate plating solution chemistries to form a near-planar or planar copper layer on a semiconductor substrate that has features or cavities on its surface. 
For example the substrate may have high-aspect ratio small size features, such as sub-micron size vias or trenches, as well as very low aspect-ratio features such as larger than 10 micron wide trenches and larger than 20 micron size pads or channels
At a first stage of the present invention, a plating process that is optimized for the defect-free filling of the small features is carried out. During this stage, plating is done in non-touch mode with no mechanical sweeping on the wafer surface.
no-touch process
At this stage the small and mid size features are entirely filled with copper while the larger size features are partially or completely conformally coated with a copper layer.
本発明のプロセスは、ＥＣＭＤのようなＥＣＭＰＲ技術を用いて、試料の表面に、銅のような導電性物質のほぼ平坦な又は平坦な層を形成するプロセスに関する。本発明のプロセスは、表面に凹部又は空孔を有する半導体基板上にほぼ平坦な又は平坦な層を形成するために、少なくとも２つの別のメッキ化学溶液を用いる。
例えば、基板は、サブミクロンサイズのビア又はトレンチのような高アスペクト比の小さな凹部、及び１０ミクロンを越える幅のトレンチ及び２０ミクロンを越えるサイズのパッド又は溝のような非常に低いアスペクト比の凹部を有する。
本発明の第１の段階では、小さな凹部の無欠陥充填のために最適化されたメッキプロセスが行われる。この段階の際、メッキは、ウエハー表面を機械的に拭くことのない無接触モードで行われる。
無接触プロセス
この段階では、小さいサイズ及び中間のサイズの凹部が銅で充填され、一方、大きいサイズの凹部は、部分的に又は完全に下地に順応した形で銅で被覆される。
 
ｆ．「[00034] 
A second stage of the present invention uses an ECMPR touch-process, typically including at least an ECMD process,
Depending upon the duration of the touch-step a copper profile that is substantially flat (shown as profile 31) or absolutely flat (shown as profile 32) can be obtained. 
本発明の第２の段階は、典型的には少なくともＥＣＭＤプロセスを含むＥＣＭＰＲ接触プロセスを用いる。
接触工程の期間に応じて、実質的に平坦な（輪郭３１として示されている）又は絶対的に平坦な（輪郭３２として示されている）銅の輪郭を得ることが出来る。
　
ｇ．「[00035] Figure 3 shows an exemplary ECMPR system 100 that can be used to practice the present invention. 
The ECMPR system includes a workpiece-surface-influencing device (WSID) 102 such as a mask, pad or a sweeper, a carrier head 104 holding a workpiece 106 such as a wafer, and an electrode 108. The wafer can be a silicon wafer to be plated with copper using the ECMD process. The WSID 102 is used during at least a portion of the ECMD when there is physical contact and relative motion between a front surface 110 of the wafer 106 and the top surface 112 of the WSID 102. During ECMD, the top surface 112 of the WSID sweeps the surface 110 of the wafer 106 while an electrical potential is established between the electrode 108 and the surface of the wafer.
[00036] As described above, one aspect of the present invention is the usage of a no- contact process using electrochemical deposition, followed by a contact process using electrochemical mechanical deposition. 」（当審訳：【００１８】図３は、本発明を実施するために用いることが出来る、一例としてのＥＣＭＰＲシステム１００を示す。
ＥＣＭＰＲシステムは、マスク、パッド又はスイーパーのような試料表面影響付与デバイス（ＷＳＩＤ）１０２、ウエハーのような試料１０６を保持するキャリアヘッド１０４、及び電極１０８を具備する。ウエハーは、ＥＣＭＤプロセスを用いて銅がメッキされるべきシリコンウエハーとすることが出来る。ＷＳＩＤ１０２は、ウエハー１０６の前面１１０とＷＳＩＤ１０２の上面１１２との物理的接触及び相対運動があるときに、ＥＣＭＤの少なくとも一部において使用される。ＥＣＭＤの際には、ＷＳＩＤは、電極１０８とウエハー表面との間に電位が形成されている間、ウエハーの表面１１０をスイープする。
ＷＳＩＤの溝１１４は、銅のメッキ溶液のような処理溶液１１６をウエハー１０６の表面に流すようにする
 【００１９】上述したように、本発明の一態様は、
電気化学的堆積を用いた非接触プロセス、及びその後の電気化学的機械的堆積を用いた接触プロセスの使用である
　
ｈ．「[00039] The preferred process implementing this embodiment will now be described. Figure 4 shows a first structure 400 which is formed on the front surface 110 of the workpiece 106 as shown in Figure 3. The first structure 400 is comprised of a patterned layer 402, preferably an insulating layer such as silicon oxide, formed on a base layer. The first structure 400 may be formed using well known patterning and etching techniques pursuant to metal interconnect design rules. In this embodiment, the insulating layer 402 includes cavities or gaps, namely a first cavity 404, a second cavity 406 and a third cavity 408, separated from one another by interlayer regions 410.（・・・途中省略・・・）
[00040] In this embodiment, the cavities 404, 406, 408 can be formed such that the first cavity 404 may be a via or a narrow trench, the second cavity 406 may be a mid-size trench or a large via, and the third cavity 408 may be a trench or a large pad. 」（当審訳：【００２１】ここで、この態様を実施する好ましいプロセスについて説明する。
図４は、図３に示す試料１０３（当審注：１０６の誤記と認められる。）の前面１１０に形成されている第１の表面４００を示す。
第１の表面４００は、金属配線デザインルールに従った周知のパターニング及びエッチング技術を用いて形成することが出来る。
絶縁層４０２は、それぞれ層間領域４１０により分離された、空孔又はギャップ、即ち第１の空孔４０４、第２の空孔４０６、及び第３の空孔４０８を含む。
【００２２】この態様では、
空孔４０４，４０６，４０８は、第１の空孔４０４がビア又は狭いトレンチであり
第３の空孔４０８がトレンチ又は大きいパッドである
　
ｉ．「[00041] Referring to Figure 5, 
a first layer 418 is deposited into the cavities 404, 406,408 and on the top surfaces 416.
[00042] In operation, 
initially, the front surface 110 shown in Figure 3 is plated without making contact with the mask plate 102,
This process step will be referred to as no-contact plating hereinafter. Referring back to Figure 5, at this stage of the process, the depositing material, which forms the first layer 418, fills the first cavity 404 completely through bottom-up filling process and covers the walls and the bottom of the third cavity 408 in a conformal fashion.
[00043] Accordingly,
 as shown in Figures 
 7
no contact plating may result in
a second layer 420 having
overfill profile (Figure 7)
[00044] 
Referring to the case of overfill profile (Figure 7), as the no-contact plating fills the first cavity 404 an overfill feature 421 such as a bump may form above the first cavity 404
空孔４０４，４０６，４０８内、及び上面４１６上に第１の層４１８が堆積される
【００２４】操作に際しては、
最初に、図３に示す前面１１０が、マスク板１０２と接触することなく、メッキされる
プロセスのこの工程は、以後、「非接触メッキ」と呼ばれる。図５に戻ると、プロセスのこの段階において、第１の層４１８を形成する堆積物質は、底上げ充填プロセスにより第１の空孔４０４を埋め、第３の空孔の壁及び底部を下地に順応した形で覆う。
【００２５】従って、
図
７に示すように
非接触メッキによって、
過剰充填輪郭（図７）を有する第２の層４２０が生ずるであろう。
【００２６】
過剰充填輪郭（図７）の場合について言うと、非接触メッキが第１の空孔４０４を充填するに従い、バンプのような過剰充填凸部４２１が第１の空孔４０４上に形成される。
　
ｊ．「[00045] （・・・途中省略・・・）Referring back to Figures 6A and 6B, 
once the W
o
-2 r 
w
 t  (D
o
-r
b
t) condition is satisfied for all the remaining features (i.e., the mid-size and the large features), the process is continued with the contact plating stage of the process, or a second stage of the process, to completely fill the cavities. At the contact plating stage of the process, the front surface 110 is contacted to the top surface of the mask plate 102, while the deposition process continues. 
[00046] Figures 8A and 8B exemplifies formation of such defects. 
As shown in Figure 8 A, when the contact plating is initiated the mask plate 102 sweeps or mechanically influences the top portion 418 A of the layer 418 but not an inner portion 418B and a mouth portion 418 C covering the second cavity 406 side walls and the bottom wall.
[00047] 
As shown in Figure 9, the mechanical influence created by the contacting mask plate 102 further planarizes the growing deposition layer, and if the overfill profile is used, the mechanical influence removes the bump 421 as well (see Figure 7). This results in a third deposition layer 424, which is a substantially planarized layer, on the workpiece 106 .
すべての残りの凹部（即ち、中間サイズ及び大きい凹部）についてＷ
０
−２ｒ
ｗ
ｔ＞（Ｄ
０
−ｒ
ｂ
ｔ）条件が満たされると、このプロセスは、プロセスの「接触」メッキ段階又はプロセスの第２の段階について続行され、完全に空孔が充填される。プロセスの「接触」メッキ段階では、前面１１０はマスク板１０２の上面に接触し、一方、堆積プロセスが続行する。
【００２８】図８Ａ及びＢは、そのような欠陥の形成を例示する。
図８Ａに示すように、接触メッキが開始すると、マスク板１０２は、第２の空孔４０６の側壁及び底面を覆う内側部分４１８Ｂ及びマウス部分４１８Ｃではなく、層４１８の頂部４１８Ａをスイープし若しくは機械的に影響を及ぼす。これは、内側部分４１８Ｂ及びマウス部分４１８Ｃの双方よりも頂部４１８Ａにおける成長速度を減少させる。
【００２９】
図９に示すように、接触するマスク板１０２により生ずる機械的影響は、更に成長する堆積層を平坦化し、また過剰充填の輪郭が用いられるならば、この機械的影響は同様にバンプ４２１を除去する（図７参照）。このことは、試料１０６上のほぼ平坦化された層である、第３の堆積層４２４を生ずる。
　
ｋ．「[00048] In the follo ing stage of the process, by reversing the polarization of the electrodes (i.e., by applying negative potential to anode electrode and by applying positive potential to the workpiece), 
the layer 424 can be electroetched down to a predetermined thickness over the interlayer regions.
as illustrated in Figure 10, with the no-contact electroetching process, thickness 'd' of the layer 424 can be reduced down to thickness A in a planar manner. As illustrated in Figure 11, with the application of the contact electroetching process, contacting mask plate 102 reduces the thickness of the layer 424 in a planar fashion, down to thickness B
層４２４は層間領域上の所定の厚さに電気的エッチングされ得る。
図１０に示すように、非接触電気的エッチングプロセスにより、層４２４の厚さｄ’を、平坦な状態に、厚さＡまで減少することが出来る。図１１に示すように、接触電気的エッチングプロセスにより、接触マスク板１０２は、層４２４の厚さを、平坦な状態に、厚さＢまで減少する
　
オ．非接触メッキ及び接触メッキが電気メッキであることについて
　摘記した上記ウ．ｄ．の段落【００１２】によれば（引用例１の引用及び引用箇所の表示は翻訳文とその段落によって行う。以下同様。）、電気化学的堆積プロセスでは、いずれもメッキ溶液と接触している試料と電極との間に電位が印加され、また、その後に行われる電気化学的機械的堆積プロセスでも、試料の前面には、電位が加えられることが記載されている。
　また、摘記した上記エ．ｇ．の段落【００１９】によれば、「非接触プロセス」は電気化学的堆積を用いたものであり、その後に行われる「接触プロセス」は電気化学的機械的堆積を用いたものであることが記載されている。
　そして、摘記した上記エ．ｉ．に記載されているように、第１の層４１８及び第２の層４２０は、非接触メッキ工程によって堆積されるものであり、当該「非接触メッキ工程」は上記「非接触プロセス」に相当するから、上記第１、第２の層は、試料と電極の間に電位が印加されるメッキ、すなわち、電気メッキ法で形成されるものと認められる。
　また、摘記した上記エ．ｊ．の段落【００２７】〜【００２９】に記載されているように、第３の堆積層４２４（以下「第３の層」という。）は接触メッキ工程によって堆積されるものであり、当該「接触メッキ工程」は「接触プロセス」に相当するから、上記第３の層も、試料の前面に電位が加えられたメッキ、すなわち、電気メッキ法で形成されるものと認められる。
　
カ．図面の記載事項
　摘記した上記エ．ｉ．の記載を参照すると、図７から、
・絶縁層４０２（図４参照）に形成された高アスペクト比の第１の空孔４０４は、第１の層４１８及び第２の層４２０によって完全に充填されており、
・前記絶縁層４０２に形成された低いアスペクト比の第３の空孔４０８は、第１の層４１８及び第２の層４２０によって、その側壁及び底面が覆われているが、完全には充填されておらず、空孔が残っており、
・前記絶縁層４０２の上方において、第１の層４１８及び第２の層４２０は、空孔が存在しない領域上の平坦な箇所と、第１の空孔４０４の過剰充填によって前記平坦な箇所よりも突出しているバンプ４２１が形成された箇所を有すること、
が見て取れる。
　
キ．ＥＣＭＰＲシステムを用いたメッキについて
　摘記した上記エ．ｇ．の記載によれば、ウエハーのような試料１０６に対して電気化学的機械的処理（ＥＣＭＰＲ）を行う、ＥＣＭＰＲシステム１００は、図３に示されるように、マスク、パッド又はスイーパーのような試料表面影響付与デバイス（ＷＳＩＤ）１０２を備えており、前記ＷＳＩＤ１０２は溝１１４を有することにより、銅のメッキ溶液のような処理溶液１１６をウエハー１０６の表面に流すことを可能とするものである。
　そして、前記ＥＣＭＰＲシステム１００は、非接触メッキの工程とその後の接触メッキの工程のいずれにおいても使用される。
　具体的には、摘記した上記エ．ｉ．の段落【００２４】〜【００２５】の記載によれば、非接触メッキの工程においては、試料１０６の前面１１０は、マスク板１０２に接触することなくメッキされて、第１の層４１８及び第２の層４２０が形成される。
　また、摘記した上記エ．ｊ．の段落【００２７】〜【００２９】の記載によれば、接触メッキの工程においては、試料１０６の前面１１０は、マスク板１０２と接触してメッキされて、第３の層４２４が形成され、試料１０６の完全には充填されていない空孔が完全に充填される。このとき、前記マスク板１０２の溝１１４を介してウエハー１０６の表面に流されるメッキ溶液によって、上記空孔の充填が行われることは明らかである。
　また、この接触メッキ工程において、マスク板１０２が試料１０６の前面１１０と接触しながらメッキを行うことにより、試料１０６頂部の成長速度を減速するとともに、バンプ４２１を除去する。
　
（３−２）引用発明
　上記ア．〜キ．を総合すれば、引用例１には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。
　
【引用発明】
「試料（１０６）の表面に、銅のような導電性物質のほぼ平坦な又は平坦な層を形成する方法であって、
　ビア又は狭いトレンチのような高アスペクト比の第１の空孔（４０４）とトレンチ又は大きいパッドのような低いアスペクト比の第３の空孔（４０８）を有する前記試料を提供するステップと、
　前記試料上に前記導電性物質からなる第１の層（４１８）及び第２の層（４２０）を形成する非接触メッキステップであって、前記第１及び第２の層は、電気メッキ法で形成され、前記第１及び第２の層は、
　　前記第１の空孔を充填し、
　　前記第３の空孔の側壁及び底部を覆うことによって、前記第３の空孔の一部のみを充填しているため空孔を有しており、
　　前記試料の表面のうち前記第１及び第３の空孔が存在しない領域上の平坦な箇所と、前記第１の空孔の過剰充填によって前記平坦な箇所よりも突出しているバンプが形成された箇所を有する、ステップと、
　前記第１及び第２の層の上面に、溝（１１４）を有するマスク板（１０２）を接触させるステップと、
　前記マスク板の前記溝を介して、前記空孔にメッキ溶液を供給するステップと、
　前記メッキ溶液から、電気メッキ法により、前記空孔内に第３の層を堆積する接触メッキステップであって、前記マスク板が前記第１及び第２の層と接触する場所では、前記第３の層の成長速度が減速されており、前記第３の層を堆積するステップは、前記試料の前面に電位を印加して行われる、ステップと、
　前記第３の層を電気的エッチングプロセスにより厚さを減少させるとともに平坦化するステップと、
　を有する方法」
　
（３−３）引用例２の記載
　本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布され、原査定の根拠となった平成２３年１０月７日付けの最後の拒絶の理由において引用文献２として引用された刊行物である、国際公開第０１／０３２３６２号（以下「引用例２」という。）には、「METHOD AND APPARATUS FOR DEPOSITION ON AND POLISHING OF A SEMICONDUCTOR SURFACE（当審訳：半導体表面に堆積及び研磨するための方法及び装置）」（発明の名称）に関して、第２Ａ〜２Ｃ図とともに、次の記載がある。（ここにおいて、翻訳は引用例２に係る国際出願の国内段階における公表公報（特表２００３−５１３４５２号公報：以下単に「引用例２の公表公報」という。）を参考にして当合議体が作成したものである。）
　
ア．DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION（発明の詳細な記載）
ａ．「
The system and method of the present invention performs deposition and polishing operations at the same time. In one embodiment of the present invention a metallic material (e.g., copper) is deposited in desired locations of a wafer by placing the wafer in a plating solution while polishing is utilized to impede deposition and remove material from other (undesired) locations.
　
Figure 2A is a down view and Figure 2B is a side view of a deposition polishing system 200, one embodiment of the present invention. Deposition polishing system 200 comprises
polishing pad component 230
　
この発明のシステム及び方法は堆積工程と研磨工程を同時に行うものである。この発明の実施形態の一つはメッキ液にウエハを浸してウエハ所望部分に銅等の金属材料を堆積させている間に研磨して堆積の進行を遅らせて上記所望部分以外から材料を除去するものである。
　【００１７】
　 
図２（ａ）及び図２（ｂ）は各々この発明の実施形態の堆積・研磨システム２００の上面図及び側面図を示している。堆積・研磨システム２００は
，研磨パッド機構２３０
を備える。
　
ｂ．「
Deposition polishing system 200 facilitates efficient metallic material deposition plating and polishing processes. Metal molecules in a plating solution are deposited in desired locations of a wafer while the wafer is polished to remove excess metal molecules and other material from other areas of the wafer surface.
In one embodiment of the present invention, copper is deposited in interconnection trenches between components of a wafer while areas of the wafer surface are polished.
A wafer (e.g., wafer 224) is placed on polishing pad component 230 inside of plating bath 235 containing a solution of copper ions. While copper metal is deposited during the plating process, polishing pad component 230 while pressed against the rotating wafer. The polishing action of polishing pad component 230 prevents significant amounts of copper from forming on the surface area of the wafer other than the inside of a trench.
　Figure 2C shows one example of a polishing pad of the present invention removing excess metallic material and uneven wafer surface material from a wafer while metallic material is deposited on the wafer. Metallic molecules 731 (e.g., copper) are deposited in interconnection trench 751 of wafer 750. Grooves and ducts (e.g., duct 771) of polishing pad 770 facilitate transportation of metallic ions (e.g., copper ion 732) to a desired deposition location (e.g., interconnection trench 751). Polishing pad 770 also planarizes wafer 750 by impeding the deposition of copper (e.g., molecule 775) outside of interconnection trench 751 and removing material below plane 710 while metallic material is being deposited in the desired location (e.g., interconnection trench 751). Polishing pad 770 impedes the deposition of copper in areas other than trenches by removing most of the cooper ions before a significant number of them have an opportunity to bond to undesired areas of the wafer surface.」（第１５頁第１１行〜第１６頁第１９行。当審訳：【００２３】
  
堆積・研磨システム２００は金属材料の堆積・メッキ及び研磨工程を効果的に行うものである。メッキ溶液中の金属分子はウエハの所望領域に堆積される一方でウエハが研磨されて過剰な金属分子及びウエハ表面の他の領域上の材料が除去される。本発明の実施形態の一つにおいて、ウエハ表面が研磨している間にウエハの部品を相互接続するトレンチ内に銅を堆積してもよい。ウエハ（ウエハ２２４等）は銅イオン溶液を満たしたメッキ槽２３５内の研磨パッド機構２３０上に置かれる。メッキ工程中に銅金属が堆積している間、研磨パッド機構２３０が回転するウエハを押しつける。研磨パッド機構２３０の研磨動作により、トレンチ以外のウエハ表面上に必要以上に銅が堆積されるのを防止する。
　【００２４】
  図２（ｃ）は、ウエハ上に金属材料が堆積されている間に、本発明の研磨パッドによりウエハから過剰な金属材料及び凹凸部分を取り除く様子を示している。銅等の金属分子７３１がウエハ７５０の相互接続用トレンチ７５１内に堆積される。研磨パッド７７０の溝及びダクド（ダクド７７１等）により所望の堆積領域（相互接続用トレンチ７５１等）に金属イオン（銅イオン７３２等）を移動させる。研磨パッド７７０はさらに、金属分子が所望領域（相互接続用トレンチ７５１等）内に堆積される間に、トレンチ７５１外の銅（分子７７５）の堆積を遅らせそして面７１０より下の材料を除去する。研磨パッド７７０は、ウエハ表面上の余計な領域に多量の銅イオンが付着する前にほとんどの銅イオンを除去することによりトレンチ以外での銅の堆積を遅らせる。）
　
ｃ．「
In one embodiment of the present invention, deposition polishing system 200 utilizes electroplating processes to deposit metal on a wafer (e.g., copper in interconnection trenches of a wafer).
　
In another embodiment of the present invention, deposition polishing system 200 utilizes an electroless plating process. Electroless plating uses a redox reaction to deposit metallic material on the wafer (e.g., in the interconnection trenches of a wafer).
  
この発明の実施形態の一つにおいて、堆積・研磨システム２００は電気メッキによりウエハに金属を（例えばウエハの相互接続用トレンチに銅を）堆積してもよい。
　【００２６】
  
この発明の実施形態の他の一つにおいて、堆積・研磨システム２００は無電解メッキを行ってもよい。無電解メッキは酸化還元作用によりウエハ上（ウエハ相互接続トレンチ内部等）に金属材料を堆積させる。
　
イ．引用例２の記載事項
　以上、摘記した上記ア．の下線部を総合すると、引用例２には以下の事項が記載されている。
　「ウエハ表面に金属材料を堆積すると同時に研磨するシステムであって、ウエハ２２４が、銅イオン溶液を満たしたメッキ槽２３５内の研磨パッド機構２３０上に置かれ、メッキ工程中に銅金属が堆積している間、研磨パッド機構２３０が回転するウエハを押しつけるシステムにおいて、ウエハ表面に金属を堆積する際、特にウエハのトレンチ内部に金属を堆積するにあたり、電気メッキと無電解メッキのいずれによっても行うことができる。」
　
（４）対比
（４−１）次に、本願補正発明と引用発明とを対比する。
ア．引用発明の「ほぼ平坦な又は平坦な層」は、本願補正発明の「平坦化表面」に相当しているから、引用発明の「ほぼ平坦な又は平坦な層を形成する方法」は、本願補正発明の「平坦化表面を形成する方法」に相当している。
　
イ．引用発明の「ビア又は狭いトレンチのような高アスペクト比の第１の空孔（４０４）」と「トレンチ又は大きいパッドのような低いアスペクト比の第３の空孔（４０８）」は、それぞれ本願補正発明の「狭小形態部」と「幅広形態部」に相当しており、引用発明の「試料」は、平坦な導電性物質が形成されるウエハーが例示されているから、本願補正発明の「基板」に相当している。したがって、引用発明の「ビア又は狭いトレンチのような高アスペクト比の第１の空孔（４０４）とトレンチ又は大きいパッドのような低いアスペクト比の第３の空孔（４０８）を有する前記試料を提供するステップ」は本願補正発明の「狭小形態部と幅広形態部を有する基板を提供するステップ」に相当している。
　
ウ．引用発明の「第１の層（４１８）及び第２の層（４２０）」は、非接触メッキステップにおいて連続して形成される導電性物質の層を、説明の便宜上区別しているものであって、両層は一体の層ととして「第１の空孔を充填」するとともに、「第３の空孔の一部のみを充填」しているとみなすことができるから、本願補正発明において「前記狭小形態部に充填され」るとともに「前記幅広形態部に少なくとも部分的に充填され」る「第１の層」に相当している。したがって、引用発明の「前記試料上に」「第１の層（４１８）及び第２の層（４２０）を形成する」「メッキステップであって、前記第１及び第２の層は、電気メッキ法で形成され」は本願補正発明の「前記基板上に第１の層を形成するステップであって、前記第１の層は、電気メッキ法で形成され」に相当している。
　
エ．引用発明の「第１及び第２の層」、「第１の空孔」、「第３の空孔」がそれぞれ本願補正発明の「第１の層」、「狭小形態部」、「幅広形態部」に相当しているのは前述のとおりであり、また、引用発明において「前記第３の空孔の一部のみを充填しているため空孔を有して」いることは、本願補正発明において「前記幅広形態部に沿うように設けられた孔を有」していることに相当するから、引用発明の「前記第１及び第２の層は、
　　前記第１の空孔を充填し、
　　前記第３の空孔の側壁及び底部を覆うことによって、前記第３の空孔の一部のみを充填しているため空孔を有しており」は本願補正発明の「前記第１の層は、
　　前記狭小形態部に充填され、
　　前記幅広形態部に少なくとも部分的に充填され、
　　前記幅広形態部に沿うように設けられた孔を有し」に相当している。
　
オ．引用発明の「前記試料の表面のうち前記第１及び第３の空孔が存在しない領域上の平坦な箇所」と「前記第１の空孔の過剰充填によって前記平坦な箇所よりも突出しているバンプが形成された箇所」は、それぞれ本願補正発明の「上層部」、「該上層部の一部を覆う超上層部」に相当している。
　
カ．引用発明の「第１及び第２の層」が本願補正発明の「第１の層」に相当しているのは前述のとおりであり、したがって、引用発明の「第１及び第２の層の上面」は本願補正発明の「第１の層の一部」に相当しており、また、引用発明の「マスク板」は、何らかの材料で形成されていることは明らかであるとともに、「前記第１及び第２の層と接触する」ものであるから、引用発明の「前記第１及び第２の層の上面に、溝（１１４）を有するマスク板（１０２）を接触させるステップ」と本願補正発明の「前記第１の層の少なくとも一部に、多孔質薄膜を有する可撓性材料を接触させるステップ」は、「前記第１の層の少なくとも一部に、」「材料を接触させるステップ」の点で共通している。
　
キ．引用発明の「空孔」、「メッキ溶液」はそれぞれ本願補正発明の「孔」、「溶液」に相当するから、引用発明の「前記マスク板の前記溝を介して、前記空孔にメッキ溶液を供給するステップ」と本願補正発明の「前記可撓性材料を用いて、前記孔に溶液を供給するステップ」は、「前記」「材料を用いて、前記孔に溶液を供給するステップ」の点で共通している。
　
ク．引用発明の「メッキ溶液」、「空孔」、「第３の層」、「堆積」はそれぞれ、本願補正発明の「溶液」、「孔」、「第２の層」、「形成」に相当するから、引用発明の「前記メッキ溶液から、電気メッキ法により、前記空孔内に第３の層を堆積する接触メッキステップ」と本願補正発明の「前記溶液から、無電解メッキ法により、前記孔内に第２の層を形成するステップ」は、「前記溶液から、」「前記孔内に第２の層を形成するステップ」の点で共通している。
　
ケ．引用発明の「第３の層」は本願補正発明の「第２の層」に相当するから、引用発明の「前記第３の層を電気的エッチングプロセスにより厚さを減少させるとともに平坦化するステップ」と本願補正発明の「前記第１および第２の層を平坦化するステップ」は、「前記第２の層を平坦化するステップ」の点で共通している。
　
（４−２）そうすると、本願補正発明と引用発明の一致点と相違点は、次のとおりとなる。
　
《一致点》
「平坦化表面を形成する方法であって、
　狭小形態部と幅広形態部を有する基板を提供するステップと、
　前記基板上に第１の層を形成するステップであって、前記第１の層は、電気メッキ法で形成され、前記第１の層は、
　　前記狭小形態部に充填され、
　　前記幅広形態部に少なくとも部分的に充填され、
　　前記幅広形態部に沿うように設けられた孔を有し、
　　上層部、および該上層部の一部を覆う超上層部を有する、ステップと、
　前記第１の層の少なくとも一部に、材料を接触させるステップと、
　前記材料を用いて、前記孔に溶液を供給するステップと、
　前記溶液から、前記孔内に第２の層を形成するステップと、
　前記第２の層を平坦化するステップと、
　を有する方法。」
　
《相違点》
《相違点１》
　本願補正発明は「第１の層の少なくとも一部に」「接触させる」「材料」が「多孔質薄膜を有する可撓性材料」であるのに対して、引用発明は「第１及び第２の層の上面に」「接触させる」「マスク板」の材料について特定されていない点。
　
《相違点２》
　本願補正発明は、「孔に溶液を供給するステップ」が「前記可撓性材料を用い」るものであるのに対して、引用発明は「空孔にメッキ溶液を供給するステップ」が「前記マスク板の前記溝を介して」行われるものである点。
　
《相違点３》
　本願補正発明は、「前記溶液から、」「前記孔内に第２の層を形成するステップ 」が「無電解メッキ法により」、「前記基板に外部電圧を印加せずに行われる、ステップ」であるのに対して、引用発明は、「前記メッキ溶液から、」「前記空孔内に第３の層を堆積する接触メッキステップ」が「電気メッキ法により」、「前記試料の前面に電位を印加して行われる、ステップ」である点。
　
《相違点４》
　本願補正発明は、「前記溶液から、」「前記孔内に第２の層を形成するステップ 」が「前記可撓性材料が前記第１の層と接触する場所には、前記第２の層を認識できる程は形成され」ないものであるのに対して、引用発明は、「前記メッキ溶液から、」「前記空孔内に第３の層を堆積する接触メッキステップ」が「前記マスク板が前記第１及び第２の層と接触する場所では、前記第３の層の成長速度が減速されて」いるものである点。
　
《相違点５》
　本願補正発明は、「前記第１および第２の層を平坦化するステップ」を有するのに対して、引用発明は、本願補正発明の「第２の層」に相当する「第３の層」「を平坦化するステップ」において、本願補正発明の「第１の層」に相当する「第１及び第２の層」を含めて平坦化する点について特定されていない点。
　
（５）相違点についての判断
（５−１）相違点１、２について
　相違点１と相違点２は、互いに関連するものであるから、まとめて検討する。
　引用例１には、接触メッキ工程において、試料１０６の前面１１０と接触しながらメッキを行うマスク板１０２について、その詳細は記載されていない。
　しかしながら、メッキによる導電膜堆積と研磨を同時に行うための、「電気化学的機械的処理（ＥＣＭＰＲ）」を行う装置に使用されるマスク板を「多孔質薄膜を有する可撓性材料」から構成することは、本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された、下記周知例１に記載されているように、周知の事項である。
　
・周知例１：特表２００２−５２８６４９号公報
　上記周知例１には、次の記載がある。
　
ａ．「【００１０】
  本発明は、
“電気的化学的機械的堆積装置”と呼ばれる同一の装置で、導電性材料を堆積（ディポジット）し、この後に研磨（ポリッシュ）もしくは導電性材料の堆積度を減じるために使用される
“電気的化学的機械的堆積装置”は、同時に、導電性材料を堆積させ、並びに／もしくは、研磨するために使用され得る。
　
ｂ．「【００１５】
  上述され、かつ後述されるように、機械的なパッドアセンブリ１２は、コンテナ２０内に配置され、このコンテナ２０は、導入された様々の溶液を保持する。
機械的なパッドアセンブリ１２は、好ましくは薄く平らな円形状であるとともに銅並びに／もしくは白金のような多孔性もしくは固形の導電性材料で形成されたアノード板３０を有し
当業者に公知で、例えば化学的機械的研磨において使用され、好ましくはポリウレタンのような非導電性かつ多孔性形状の材料で形成された機械的なパッド３２が、アノード板３０の一面に設けられる。
　
ｃ．「【００１７】
  また、入口４４が、後述されるように、本発明の第２のモードで動作するとき、脱イオン水を供給するのに使用され得る。  
  本発明の第１のモードに係わる動作において、装置１０は、電源を用いて、カソードコンタクト２８に負の電位を、アノード３０に正の電位を、印加する。電解液は、チャンネル３４，４４の一方もしくは両方の中から、機械的な研磨パッド３２の表面に導入される。電流が２つの電極の間に流されると、電解液中の金属分子が、イオン化され、これが、カソード接触２８によって、これに引き寄せられてウエハの表面に堆積される。これが行われている間に、また、
機械的なパッドアセンブリ１２を用いる機械的な研磨も、行われる。この機械的なパッドアセンブリ１２は、機械的なパッド３２の研磨もしくは擦り動作によって、実質的に、このような堆積が望ましくないウエハの表面に、金属の分子が永久的に堆積されるのを防ぐ。
　
ｄ．「 【００２０】
  
電解液は、通路３４を介して、導入され、多孔性アノード３０と機械的なパッド３２とを通り、ウエハの所望の表面へと流れる。
　
　摘記した上記ａ．〜ｄ．の下線部を総合すると、“電気的化学的機械的堆積装置”において、ウエハの表面を研磨する機械的なパッド３２が、ポリウレタンのような多孔性形状の材料で形成されることが記載されている。なお、本願当初明細書等の段落【００１１】において、ポリウレタンは「多孔質薄膜」である「可撓性材料」として例示されているものである。
　また、上記パッド３２を通って、電解液がウエハの表面へ流されることも記載されており、多孔性のパッド３２を利用して電解液をウエハの表面に供給することが示されている。
　
　したがって、引用発明において、「マスク板」の材料としてポリウレタンのような「多孔質薄膜を有する可撓性材料」を採用することは、当業者が容易になし得たことである。また、このとき、「多孔質薄膜を有する可撓性材料」からなるマスク板を介してメッキ溶液が供給されることとなる。
　よって、相違点１及び相違点２は、当業者が容易になし得た範囲に含まれる程度のものである。
　
（５−２）相違点３について
　上記（３−３）において検討したように、引用例２には、ウエハの表面に金属材料を堆積すると同時に研磨するシステムにおいて、特にウエハのトレンチ内部に金属を堆積させるためのメッキ方法として、電気メッキと無電解メッキのいずれも採用可能であることが記載されている。
　なお、引用例２に記載された無電解メッキとは、摘記した上記（３−３）のｃ．の段落【００２６】に記載されているように、酸化還元作用によってウエハ上に金属材料を堆積する方法であって、ウエハに電位を与えることなく金属材料を堆積する方法であるから、本願発明の無電解メッキ法に相当するものである。
　引用発明の接触メッキステップは、試料表面にある未充填の空孔内にメッキによって導電性物質からなる第３の層を堆積するものであり、当該接触メッキステップは堆積と研磨が同時に行われる装置（ＥＣＭＰＲシステム）によって実行されるものであるから、引用例２の上記記載に基づいて、引用発明の接触メッキステップにおいて電気メッキに代えて無電解メッキによって金属を堆積するようにすることは、当業者が容易になし得たことである。また、無電解メッキを採用したときには、試料に電位は印加されない。したがって、引用発明において、相違点３に係る本願補正発明の構成とすることは、当業者が容易になし得たことである。
　よって、相違点３は、当業者が容易になし得た事項の範囲に含まれる程度のものである。
　
（５−３）相違点４について
　引用発明においては、「前記空孔内に第３の層を堆積する接触メッキステップ」が「前記マスク板が前記第１及び第２の層と接触する場所では、前記第３の層の成長速度が減速され」るものではあるが、成長速度をほぼゼロとすることまでは特定されていないから、第３の層が認識出来る程度の厚さに成長することを含んでいる。
　しかしながら、引用発明の方法において、第１及び第３の空孔からなるトレンチ内に堆積された導電性物質は、配線となるものと認められるから（摘記した上記（３−１）エ．ｈ．の段落【００２１】には「第１の表面４００は、
金属配線デザインルール
　また、摘記した上記（３−１）イ．ｂ．には、ＣＭＰは、コストと時間がかかるプロセスであり、機械的に弱い低ｋ誘電体を損傷させることもあるから、ＣＭＰ工程を最小にすることがすべてのＩＣ製造のゴールであると、また、摘記した上記（３−１）イ．ｃ．には、電気化学的機械的処理（ＥＣＭＰＲ）によって、試料表面上に過剰の導電性物質を持たないか、又は殆ど持たないものとすることができ、このことによって、ＣＭＰプロセスは最小にされ得るか又は除去され得ると、記載されている。
　したがって、引用発明において、以降のＣＭＰプロセスが最小となるように、「前記マスク板が前記第１及び第２の層と接触する場所では」第３の層が殆ど堆積されないようにすること、すなわち、相違点４に係る本願補正発明の構成とすることは、当業者が容易になし得たことである。
　よって、相違点４は、当業者が容易になし得た事項の範囲に含まれる程度のものである。
　
（５−４）相違点５について
　引用発明は、電気的エッチングプロセスによって、第３の層の厚さを減少させるとともに平坦化するものである。
　ここで、引用発明では、試料表面には、第３の層の下層として第１及び第２の層も形成されており、これら第１乃至第３の層が一体の導電性物質の層を形成しているものとみなせるから、上記（５−３）で検討したように、引用発明において、隣接する空孔内の導電性物質が相互に短絡しないように、空孔以外の箇所に堆積される導電性物質が後の工程で除去すべきものであることを考慮すると、引用発明において、第３の層のみでなく、その下層として形成されている第１及び第２の層を含めて一体とみなせる導電性物質の層について、厚さを減少させるとともに平坦化する対象とすること、すなわち、相違点５に係る本願補正発明の構成とすることは、当業者が適宜なし得たことである。
　よって、相違点５は、当業者が適宜なし得た事項の範囲に含まれる程度のものである。
　
（５−５）阻害要因についての検討
　請求人は、審判請求書の請求の理由及び平成２５年４月１６日付けの回答書において、引用文献１と、該引用文献１においてその使用を排除することを目的としているＣＭＰ法を採用する引用文献２とを組み合わせることはあり得ない旨主張している。
　しかしながら、引用発明の接触メッキステップにおいて、電気メッキと無電解メッキのいずれを採用したとしても、未充填の空孔を完全に充填することができ、また、空孔以外の領域に堆積される導電性物質層の厚さを小さくすることができるので、その後に実施されるＣＭＰ工程を最小にできるものである。
　したがって、ＣＭＰ法を排除するという観点から検討しても、引用発明の接触メッキステップにおいて無電解メッキを採用することに、特段の阻害要因を見出すことができないため、請求人の上記主張は採用できない。
　
（５−６）判断についてのまとめ
　以上、検討したとおり、本願補正発明は、周知技術を勘案することにより、引用発明と引用例２の記載に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
（６）独立特許要件についてのまとめ
　したがって、本件補正による補正後の特許請求の範囲の請求項１に係る発明が、特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しない。
　
５　補正の却下の決定のむすび
　以上の次第で、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないものであるから、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により、却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
１　本願発明
　以上のとおり、本件補正（平成２４年６月１４日に提出された手続補正書による補正）は却下されたので、本願の請求項１〜１６に係る発明は、平成２３年２月２日に提出された手続補正書の請求項１〜１６に記載されている事項により特定されるとおりのものであり、そのうち、請求項６に係る発明（以下「本願発明」という。）は、上記第２の１において補正前の請求項６として記載されたものであり、再掲すると、次のとおりである。
　
【本願発明】
「【請求項６】
　平坦化表面を形成する方法であって、
　狭小形態部と幅広形態部を有する基板を提供するステップと、
　前記基板上に第１の層を形成するステップであって、前記第１の層は、電気メッキ法で形成され、前記第１の層は、
　　前記狭小形態部に充填され、
　　前記幅広形態部に少なくとも部分的に充填され、
　　前記幅広形態部に沿うように設けられた孔を有する、ステップと、
　前記第１の層の少なくとも一部に、可撓性材料を接触させるステップと、
　前記可撓性材料を用いて、前記孔に溶液を供給するステップと、
　前記孔内に前記溶液から、無電解メッキ法により、第２の層を形成するステップであって、前記可撓性材料が前記第１の層と接触する場所には、前記第２の層を認識できる程は形成させないステップと、
　前記第１および第２の層を平坦化するステップと、
　を有する方法。」
　
２　引用例１の記載、引用発明、引用例２の記載及び周知技術
　引用例１の記載、引用発明、引用例２の記載については、それぞれ、前記第２の４の（３）の（３−１）、（３−２）、（３−３）において、また、周知技術については、同（５）の（５−１）において、摘記及び認定したとおりである。
　
３　対比・判断 
　前記第２の２と前記第２の３の（１）〜（４）で検討したように、本願補正発明は、本件補正前の発明（本願発明）において、「第１の層」が「上層部、および該上層部の一部を覆う超上層部を有する」点で限定し、「可撓性材料」が「多孔質薄膜を有する」点で限定し、「前記孔内に」の記載箇所を、「前記溶液から」の直前から、「第２の層を」の直前に変更することによって不明りょうな記載を明りょうな記載とし、「無電解メッキ法により」「第２の層を形成するステップ」が「前記基板に外部電圧を印加せずに行われる」点で限定したものである。逆に言えば、本件補正前の発明（本願発明）は、本願補正発明から、上記の限定を省くとともに、明りょうな記載を明りょうではない記載に戻したものである。 
　そうすると、本願発明の構成要件をすべて含み、これをより限定するとともに、不明りょうな記載を明りょうな記載としたものである本願補正発明が、前記第２の４において検討したとおり、周知技術を勘案することにより、引用発明と引用例２の記載に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も同様の理由により、当業者が容易に発明をすることができたものである。 
　
第４．結言 
　以上のとおり、本願発明は、周知技術を勘案することにより、引用発明と引用例２の記載に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。　
　したがって、本願は、他の請求項について検討するまでもなく、拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。