【事件の表示】
　特願２００９−１８２９５７「放射源、リソグラフィ装置、および、デバイス製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２２年　２月２５日出願公開、特開２０１０−　４５３５５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、２００９年８月６日（優先権主張２００８年８月１４日、２００８年１０月１３日、米国）の出願であって、平成２４年３月２３日付けで拒絶査定がなされた。
　これに対し、同年７月２６日に、拒絶査定に対する審判請求がなされ、同時に手続補正がなされたものである。
　その後、同年１１月１２日付けで、審判請求人に前置報告書の内容を示し意見を求めるための審尋を行ったが回答書は提出されなかった。
　
第２　平成２４年７月２６日付けの手続補正についての補正の却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成２４年７月２６日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
　
［理由］
１．本件補正の内容
　本件補正は、補正前の特許請求の範囲の請求項１の記載を、以下のとおり、補正前のものから補正後のものに補正する事項を含む。
（補正前）
「リソグラフィ装置であって、
　極端紫外線放射を生成する放射源を含み、当該放射源は、
　　プラズマが生成されるチャンバと、
　　前記プラズマから放出される放射を反射するミラーであって、該ミラーはＭｏ／Ｓｉ交互層を含む多層構造を含み、該交互層の境界Ｍｏ層または境界Ｓｉ層または境界拡散バリア層が前記ミラーの最上層を形成し、該最上層は前記チャンバに対して内側に対向する、ミラーと、
　　前記チャンバ内に水素基を生成する水素基ジェネレータであって、該水素基は前記プラズマにより生成されたデブリを前記ミラーから除去する、水素基ジェネレータとを含む、
リソグラフィ装置。」
　
（補正後）
「リソグラフィ装置であって、
　極端紫外線放射を生成する放射源を含み、当該放射源は、
　　プラズマが生成されるチャンバと、
　　前記プラズマから放出される放射を反射するミラーであって、該ミラーはＭｏ酸化物／Ｓｉ交互層を含む多層構造を含み、該交互層の境界Ｍｏ酸化物層または境界Ｓｉ層または境界拡散バリア層が前記ミラーの最上層を形成し、該最上層は前記チャンバに対して内側に対向する、ミラーと、
　　前記チャンバ内に水素基を生成する水素基ジェネレータであって、該水素基は前記プラズマにより生成されたデブリを前記ミラーから除去する、水素基ジェネレータとを含む、
リソグラフィ装置。」
　
　そして、上記請求項１の補正は、具体的に以下の事項を含む。
（１）補正前に「該ミラーはＭｏ／Ｓｉ交互層を含む多層構造を含み、」とあったものを「該ミラーはＭｏ酸化物／Ｓｉ交互層を含む多層構造を含み、」と補正する（以下「補正事項１」という。）。
（２）補正前に「該交互層の境界Ｍｏ層」とあったものを「該交互層の境界Ｍｏ酸化物層」と補正する（以下「補正事項２」という。）。
　
２．本件補正の目的
　上記各補正事項について検討する。
（１）補正事項１について
　補正事項１によって、ミラーが含む多層構造の構成要素が、補正前には「Ｍｏ」であったものが、補正後は「Ｍｏ酸化物」に補正された。
　例えば水素とその酸化物である水が異なる物質であるように、「Ｍｏ」と「Ｍｏ酸化物」が異なる物質であることは、当業者にとって自明の事項である。すなわち、「Ｍｏ酸化物」は、「Ｍｏ」を限定的に減縮したものではない。
　してみると補正事項１は特許請求の範囲の減縮を目的としたものではない。また、補正事項１が請求項の削除、誤記の訂正又は明りょうでない記載の釈明のいずれにも該当しないことは明らかである。
（２）補正事項２について
　上記補正事項１と同様に、補正事項２は特許請求の範囲の減縮を目的としたものではない。また、補正事項２が請求項の削除、誤記の訂正又は明りょうでない記載の釈明のいずれにも該当しないことは明らかである。
　
３．むすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明
　平成２４年７月２６日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定されるとおりのもの（上記「第２」の「１．」参照）である。　　
　
第４　刊行物及びその記載内容
　
１．刊行物
　刊行物１：特開２００７−２２０９４９号公報
　
２．記載内容
　原審の拒絶の理由に引用され、本願の優先日前に頒布された上記刊行物１には、以下の事項が記載されている。
（１）「【０００１】
　本発明は、極端紫外光を放射する極端紫外光光源装置に関する。より詳細には、極端紫外光源で発生するデブリを遮蔽し、集光鏡を長寿命化させるためのガスカーテンを備えた、スズを極端紫外光放射種に用いた極端紫外光光源装置および極端紫外光光源装置における集光光学手段の汚染を抑制する方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
　半導体集積回路の微細化、高集積化につれて、その製造用の投影露光装置においては解像力の向上が要請されている。その要請に応えるため、露光用光源の短波長化が進められ、エキシマレーザ装置に続く次世代の半導体露光用光源として、波長１３〜１４ｎｍ、特に波長１３．５ｎｍの極端紫外光（以下、ＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ　Ｕｌｔｒａ　Ｖｉｏｌｅｔ）光ともいう）光を放出する極端紫外光光源装置（以下、ＥＵＶ光源装置ともいう）が開発されている。
【０００３】
　ＥＵＶ光源装置においてＥＵＶ光を発生させる方法はいくつか知られているが、そのうちの一つにＥＵＶ放射種を加熱して励起により高密度高温プラズマを発生させ、このプラズマから放出されるＥＵＶ光を取り出す方法がある。
　このＥＵＶ光源装置は、高密度高温プラズマの生成方式により、ＬＰＰ（Ｌａｓｅｒ　Ｐｒｏｄｕｃｅｄ　Ｐｌａｓｍａ、レーザ生成プラズマ）方式とＤＰＰ（Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ　Ｐｒｏｄｕｃｅｄ　Ｐｌａｓｍａ、放電生成プラズマ）方式とに大きく分けられる。
【０００４】
　ＬＰＰ方式のＥＵＶ光源装置は、ＥＵＶ放射種を含む原料からなるターゲットに、レーザ光を照射することでレーザアブレーションにより高密度高温プラズマを生成し、そこから放射されるＥＵＶ光を利用するものである。
　一方、ＤＰＰ方式のＥＵＶ光源装置は、ＥＵＶ放射種を含む原料が供給された電極間に、高電圧を印加することで放電により高密度高温プラズマを生成し、そこから放射されるＥＵＶ光を利用するものである。ＤＰＰ方式のＥＵＶ光源装置における放電方式には、Ｚピンチ方式、キャピラリー放電方式、プラズマフォーカス方式、ホローカソードトリガーＺピンチ方式等がある。ＤＰＰ方式のＥＵＶ光源装置は、ＬＰＰ方式のＥＵＶ光源装置と比較して、光源装置の小型化、光源システムの消費電力が小さいといった利点あり、実用化への期待も大きい。
【０００５】
　上記した両方式のＥＵＶ光源装置において、波長１３．５ｎｍのＥＵＶ光を放出する放射種、すなわち、高密度高温プラズマ用原料として、現在、１０価前後のキセノン（Ｘｅ）イオンとスズ（Ｓｎ）イオンが知られている。このうち、スズは、高密度高温プラズマの発生に必要な電気入力と波長１３．５ｎｍのＥＵＶ光出力の比、すなわちＥＵＶ変換効率（＝光出力／電気入力）がキセノンより数倍大きいため、量産型大出力ＥＵＶ光源の放射種としてスズが有力視されている。例えば、特許文献１に開示されているように、ＥＵＶ放射種であるスズを加熱励起部に供給するための原料としてガス状のスズ化合物（例えば、スタナンガス：ＳｎＨ4 ガス）を使ったＥＵＶ光源開発も進んでいる。
【特許文献１】特開２００４−２７９２４６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
　しかしながら、スズは、蒸気圧が低く室温程度では固体であるため、光源チャンバ内に導入されるスズおよび／またはスズ化合物を加熱して励起し高密度高温プラズマを発生させる際に、スズに起因する大量のデブリが発生するという問題がある。
　ＥＵＶ光源装置は、光源チャンバ内で発生させた高密度高温プラズマから放出されるＥＵＶ光を、前記光源チャンバ内に配置された集光鏡（集光光学手段）を介して外部に出射するが、この集光鏡にスズに起因するデブリが付着した場合、集光鏡の１３．５ｎｍに対する反射率が低下し、その結果として外部に出射されるＥＵＶ光の強度が低下する。
【０００７】
　この問題を解決するために、水素ラジカル等とスズとを反応領域（すなわち気相中、および／または、スズに起因するデブリが付着した付着物表面領域）において反応させて、蒸気圧が低いスズを蒸気圧が高いスズ水素化物にして気化させることが考えられる。このようにすれば、デブリに含まれるスズおよび／またはスズ化合物が集光鏡などに付着、堆積しにくくなり、また、集光鏡にいったん付着した固体のスズを除去する（集光鏡をクリーニングする）こともできると考えられる。
　ここでいう水素ラジカルとは、水素原子（原子状水素ともいう）のことであり、不対電子を持つため活性化効果が高く、反応性に富んでいる粒子として知られる。また、水素ラジカル生成方法としては、例えば１８００°Ｃ程度まで加熱したタングステンなどの高融点金属に、水素ガスを接触、分解させて高密度な水素ラジカルを生成する熱触媒方式や、高周波放電やマイクロ波放電で発生させたプラズマ中で水素イオンと共に生成される水素ラジカルを利用する放電プラズマ方式などがある。
【０００８】
　これらの水素ラジカルによるスズ除去効果をさらに高めるには、スズに起因するデブリと水素ラジカルとが反応する反応領域内の水素ラジカル密度を高めることができればよい。ところが、水素ラジカルは電荷を持たないため、イオンや電子のように電場や磁場による制御ができず、いったん発生させた水素ラジカルはガス流に沿って移動する。
　そのため、上記反応領域に水素ラジカルを導入する際は、例えば、ガラスやセラミックスなどの絶縁体の管をガイドとして用いて、水素ラジカルが拡散しないように輸送することが考えられる。
　しかしながら、いかに管壁への水素ラジカル吸着が少ない絶縁体を用いたとしても、輸送中に水素ラジカル密度は減少する。したがって、高密度化のためには、水素ラジカル生成量を増やすだけなく水素ラジカル輸送方法を考慮しなければならない。
【０００９】
　本発明は上述した問題点を解決するためになされたものであって、本発明が解決しようとする課題は、デブリに含まれるスズおよび／またはスズ化合物を水素ラジカルと反応させ、集光光学手段へのスズの付着、堆積を防止するに際し、水素ラジカルを減少させることなく反応する空間に供給することができるようにするとともに、処理すべきデブリの発生量にあわせて水素ラジカルおよび水素イオンの生成を時間的に制御し、効率よくデブリに含まれるスズおよび／またはスズ化合物と反応させ、処理できるようにすることである。」
（２）「【００４５】
　次に、本発明をＬＰＰ方式のＥＵＶ光源装置に適用した実施例を図７に示す。
　ＬＰＰ方式のＥＵＶ光源装置は、図１および図２に示したＤＰＰ方式のＥＵＶ光源装置と同様に光源チャンバ１０を有する。光源チャンバ１０には、ＥＵＶ放射種である原料を供給するための原料供給ユニット１４および原料供給ノズル２０が設けられており、真空ポンプ等で構成されたガス排気ユニット９により光源チャンバ１０内は真空状態に維持されている。
　励起用レーザ光発生装置２１で発生させたレーザ光２２は、レーザ光集光手段２４により集光されながらレーザ光入射窓部２３を介してチャンバ１０内部へ導入され、ＥＵＶ集光鏡２の略中央部に設けられたレーザ光通過穴２５を通って、原料供給ノズル２０から供給されたスズおよび／またはスズ化合物を含む原料に照射される。ここで用いられる励起用レーザ光発生装置２１は、例えば、繰り返し周波数が数ｋＨｚであるパルスレーザ装置であり、ＹＡＧレーザ、炭酸ガスレーザ、エキシマレーザーなどが使用される。
　また、ここで用いられるスズおよび／またはスズ化合物を含む原料としては、例えば、固体状、液状、ガス状のスタナンや、固体状、液状、ガス状のスズが使用される。
【００４６】
　原料供給ノズル２０から供給された原料は、レーザ光２２の照射により加熱・励起されて高密度高温プラズマとなり、波長１３．５ｎｍのＥＵＶ光が放射される。放射されたＥＵＶ光は、ＥＵＶ集光鏡２によりＥＵＶ光取出部７に向けて反射、集光され、露光機側光学系（図示せず）へと導かれる。ここで、ＥＵＶ集光鏡２は、例えばモリブデンとシリコンの多層膜でコーティングされた球面形状の反射鏡であり、励起用レーザ光発生装置２１およびレーザ光入射窓部２３の配置によっては、レーザ光通過穴２５を必要としない場合もある。
　以上のように生成された高密度高温プラズマからは、ＤＰＰ方式のＥＵＶ光源装置の場合と同様に、ＥＵＶ光だけでなくデブリも放出される。
　そこで、高密度高温プラズマとＥＵＶ集光鏡２の間の領域に、前述の実施例と同様にガスカーテンノズル４およびガス供給ユニット１６によりガスカーテンを生成させて、デブリがＥＵＶ集光鏡に到達しないようにする。しかしながら、ガスカーテンを通過してＥＵＶ集光鏡に到達するデブリもあることは前述のとおりである。
【００４７】
　本実施例では、スズプラズマを使ったＥＵＶ光源装置において、ＥＵＶ集光鏡の汚染が最も深刻であるデブリに含まれるスズおよび／またはスズ化合物に対して、水素と反応させてスズ水素化物にする。
　具体的には、ガス供給ユニット１６からガスカーテンノズル４を介して供給される水素ガスもしくは、水素ガスとヘリウム、アルゴン、キセノン、クリプトン、窒素のうち、少なくともひとつのガスとを含む混合ガスに、レーザ光発生装置６から放出されるレーザ光１７を照射することにより、化学的活性の高い水素イオンおよび水素ラジカルを生成する。
　すなわち、レーザ光発生装置６で発生させたレーザ光１７を、レーザ光集光手段６１により集光させながらレーザ光入射窓部５を介して光源チャンバ１０内部へ導入し、ガスカーテンノズル４から供給される上記水素ガスまたは上記混合ガスに照射して、水素イオンおよび水素ラジカルを生成する。
【００４８】
　これらの水素イオンおよび水素ラジカルとデブリに含まれるスズおよび／またはスズ化合物とを反応させて蒸気圧の高いスズ水素化物を生成し、ガス排気ユニット６より排気する。デブリと交錯するように供給されるガスカーテン４１内もしくは近傍において水素イオンおよび水素ラジカルが生成されるので、スズに起因するデブリが大量に存在する反応空間およびその周辺で水素イオンおよび水素ラジカルが生成されることになり、効率的に水素ラジカル、水素イオンとデブリとを反応させることが可能となる。
　また、従来問題であった水素ラジカルおよび水素イオン輸送時の密度低下の問題も解決される。
　これにより、デブリに含まれるスズおよび／またはスズ化合物はＥＵＶ集光鏡２に付着、堆積しにくくなり、ＥＵＶ集光鏡２の寿命を延ばすことができる。
　レーザ光発生装置６、励起用レーザ光発生装置２１などの動作は、タイミングコントローラ８により制御されるが、具体的な制御手順は、前述したＤＰＰ方式のＥＵＶ光源装置の場合と同様であるので、ここでは説明を省略する。」
（３）「【図７】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
　
３．引用発明
　上記記載事項を含む刊行物１全体の記載及び当業者の技術常識を総合すれば、刊行物１には、以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　
「ＥＵＶ放射種である原料を供給する原料供給ユニット（１４）および原料供給ノズル（２０）が設けられ、真空ポンプ等で構成されたガス排気ユニット（９）により内部が真空状態に維持されている光源チャンバ（１０）を備え、
　励起用レーザ光発生装置（２１）で発生させたレーザ光（２２）がチャンバ内部へ導入され、モリブデンとシリコンの多層膜でコーティングされた球面形状の反射鏡であるＥＵＶ集光鏡（２）を通って、原料供給ノズルから供給されたスズおよび／またはスズ化合物を含む原料に照射され、原料供給ノズルから供給された原料は、加熱・励起されて高密度高温プラズマとなり、波長１３．５ｎｍのＥＵＶ光が放射され、放射されたＥＵＶ光は、ＥＵＶ集光鏡により露光機側光学系へと導かれ、
　ガス供給ユニット（１６）から供給される水素ガスに、レーザ光発生装置（６）から放出されるレーザ光（１７）を照射することにより、化学的活性の高い水素イオンおよび水素ラジカルを生成し、
　これらの水素イオンおよび水素ラジカルとデブリに含まれるスズおよび／またはスズ化合物とを反応させて蒸気圧の高いスズ水素化物を生成し、ガス排気ユニット（６）より排気する、
半導体集積回路製造用の投影露光装置。」
　
第５　対比・判断
　
１．対比
　本願発明と引用発明を対比する。
（１）引用発明の「半導体集積回路製造用の投影露光装置」、「ＥＵＶ光」、「高密度高温プラズマ」及び「光源チャンバ」は、それぞれ本願発明の「リソグラフィ装置」、「極端紫外線放射」、「プラズマ」及び「チャンバ」に相当する。
（２）引用発明において、チャンバ内のＥＵＶ集光鏡は、放射されたＥＵＶ光を露光機側光学系へと導くことから、その表面はチャンバに対して内側に対向している。
　また、ＥＵＶ集光鏡はモリブデンとシリコンの多層膜でコーティングされているから、上記表面を構成するＥＵＶ集光鏡の最上層はモリブデンまたはシリコンで形成されている。
　したがって、引用発明は、本願発明の「プラズマから放出される放射を反射するミラーであって、該ミラーはＭｏ／Ｓｉ交互層を含む多層構造を含み、該交互層の境界Ｍｏ層または境界Ｓｉ層または境界拡散バリア層が前記ミラーの最上層を形成し、該最上層は前記チャンバに対して内側に対向する、ミラー」に相当する構成を有する。
（３）引用発明の「水素イオンおよび水素ラジカル」は本願発明の「水素基」に相当し、引用発明の「水素イオンおよび水素ラジカルとデブリに含まれるスズおよび／またはスズ化合物とを反応させて蒸気圧の高いスズ水素化物を生成し、ガス排気ユニットより排気する」構成は、本願発明の「水素基は前記プラズマにより生成されたデブリを前記ミラーから除去する」構成に相当する。
　したがって、引用発明は、本願発明の「水素基ジェネレータ」に相当する構成を有する。
（４）上記（１）〜（３）から、引用発明は本願発明の「放射源」に相当する構成を有する。
　
　してみると両者は、
「リソグラフィ装置であって、
　極端紫外線放射を生成する放射源を含み、当該放射源は、
　　プラズマが生成されるチャンバと、
　　前記プラズマから放出される放射を反射するミラーであって、該ミラーはＭｏ／Ｓｉ交互層を含む多層構造を含み、該交互層の境界Ｍｏ層または境界Ｓｉ層または境界拡散バリア層が前記ミラーの最上層を形成し、該最上層は前記チャンバに対して内側に対向する、ミラーと、
　　前記チャンバ内に水素基を生成する水素基ジェネレータであって、該水素基は前記プラズマにより生成されたデブリを前記ミラーから除去する、水素基ジェネレータとを含む、
リソグラフィ装置。」である点で一致し、相違点はない。
　
２．判断
　してみると、本願発明は引用発明である。
　
第６　むすび
　以上のとおりであるから、本願発明は、引用発明であり、特許法第２９条１項第３号に規定する発明であるから特許を受けることができない。
　したがって、本願の他の請求項に係る発明を検討するまでもなく、本願は拒絶をすべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。