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　特願２００７−５３９５５８「半導体装置及びその使用乃至製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年５月１１日国際公開、ＷＯ２００６／０４８３５４、平成２０年６月５日国内公表、特表２００８−５１９４４７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯
　本願は、２００５年９月１３日（パリ条約に基づく優先権主張　外国庁受理２００４年１１月８日、ドイツ連邦共和国）を国際出願日とする特許出願であって、平成２２年３月２３日付けの拒絶理由通知に対して同年１０月１日に意見書及び手続補正書が提出されたが、平成２３年９月１４日付けで拒絶査定がなされた。
　それに対して、平成２４年１月１６日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに手続補正書が提出され、その後、平成２４年５月３０日付けで審尋がなされ、同年１２月６日に回答書が提出された。
　
第２．補正の適否について
　平成２４年１月１６日に提出された手続補正書による補正（以下「本件補正」という。）の適否について検討する。
　本件補正は、補正前の特許請求の範囲の請求項１における「該半導体装置（２０，３０）は、遮断作動中、４００Ａ／ｃｍ２〜
約
オーダの
　したがって、本件補正は、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たす。
　また、本件補正が、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすことは明らかである。
　よって、本件補正は適法になされたものである。　
　
第３．本願発明
　上記第２．において検討したとおり、本件補正は適法になされたものであるから、本願の請求項１〜２３に係る発明は、本件補正により補正された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜２３に記載されている事項により特定されるとおりのものであり、そのうちの請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、請求項１に記載されている事項により特定される次のとおりのものである。
　
　「【請求項１】
　半導体装置（２０，３０）において、
　該半導体装置（２０，３０）は、ショットキーダイオード、ＭＯＳ構造及びＰＮダイオードの組合せから成る、ＰＮダイオードが集積化されたトレンチＭＯＳバリアショットキーダイオードを有しており、
　前記ＰＮダイオードは、前記ＰＮダイオードの降伏電圧（ＢＶ＿ｐｎ）を前記ＭＯＳ構造及び前記ショットキーダイオードの降伏電圧（ＢＶ＿ｍｏｓ，ＢＶ＿ｓｃｈｏｔｔｋｙ）よりも低くしておくために、クリッパとして使用され、
　該半導体装置（２０，３０）は、遮断作動中、４００Ａ／ｃｍ２〜６００Ａ／ｃｍ２の高電流密度で作動可能であることを特徴とする半導体装置（２０，３０）。」
　
第４．引用刊行物に記載された発明
１．引用例１：米国特許第４９８２２６０号明細書
（１）本願の優先権主張の日前に外国において頒布され、原査定の根拠となった拒絶の理由において引用された刊行物である米国特許第４９８２２６０号明細書（以下「引用例１」という。）には、図１４Ａ及び１４Ｂとともに次の記載がある。
　
ａ．「
この発明は、概略的には整流器に関するものであり、特に、高電圧又は低電圧で利用できる２端子半導体整流器の構造に関するものであって、整流器の必要とされる順方向電圧を低減し、スイッチング速度を改善するための構成を含むものである
　　　　発明の背景
　整流器は、整流、すなわち交流を直流に変換することに特に適合された電気デバイスである。より具体的には、整流器は、順方向にバイアスされた（すなわち、アノードがカソードよりも正にバイアスされた）ときに、電流に対して非常に低い抵抗を示し、逆方向にバイアスされた（すなわち、アノードがカソードよりも負にバイアスされた）ときに、電流に対して非常に高い抵抗を示す。」（明細書１欄４行〜１９行の訳文）
　
ｂ．「　　発明の目的
　したがって、本発明の目的は、既知の整流器の前述の短所や欠点を克服し、新しく改良されたパワー整流器を提供することである。
　
本発明の別の目的は、整流器が順方向にバイアスされたときに電流に対する抵抗が小さく、低い逆方向電圧で空乏層領域が結合するパワー整流器を提供することである
　
本発明のさらに別の目的は、低い順方向電圧しきい値及び速いスイッチング速度を有する高速パワースイッチング整流器を提供することである
　
ｃ．「
図１４Ａ−Ｂは、それぞれ、本発明に従った他の整流器７００Ａ−Ｂを表すものである。整流器７００Ａ−Ｂは、第１半導体基板層７０２及びカソード７０４を含む。第２半導体層７０６が、基板層７０２を覆い、主表面７０８で終端している。トレンチ７１０Ａ−Ｆが、主表面７０８に沿って相互に間隔を置いて配置され、メサ領域７１２Ａ−Ｅを定義する。
整流器７００Ｂにおいては、ショットキバリア領域７１８Ａ−Ｅが主表面の各メサに形成され、アノードとドリフト領域との間でショットキ接触が形成されている。Ｐ
＋
層７２０Ａ−Ｆが、各トレンチの底面のドリフト領域７０６内に配置されている。アノード７１６が、各トレンチ及びメサ構造を覆い、各トレンチ及びメサ構造に適合している。例えば二酸化シリコンである酸化物層７２２Ａ−Ｊが、アノードと各トレンチの側壁との間に配置されている。しかしながら、これらの酸化物層は、必須のものではなく、除外されてもよい
　
ｄ．「
高電圧領域では、整流器７００Ａ及び７００Ｂはバイポーラデバイスとして動作する。具体的には、Ｐ
＋
領域がドリフト領域に少数キャリアを注入する。低電圧領域では、整流器はユニポーラデバイスとして動作する。
整流器７００Ｂにおいては、低電圧領域では、ショットキバリア接触領域を通じて順方向電流が生じる。整流器の順方向しきい値電圧が、Ｐ−Ｎ接合の必要とされる順方向電圧よりも低いので、Ｐ
＋
領域は、低電圧流域においては小数キャリアを注入しない
　
整流器７００Ａ及び７００Ｂが逆方向にバイアスされたときには、酸化物層及びＰ
＋
層により作られた空乏層領域が結合し、逆方向電流を妨げる。これらの整流器は、それゆえ、低電圧及び高電圧動作の両方における相対的に小さな逆方向リーク電流、並びに速いスイッチング速度を有する
　
（２）ここにおいて、引用例１の図１４Ｂに記載された整流器に注目すると、図１４Ｂの記載から、当該整流器の「第１半導体基板層７０２」はＮ＋型であり、当該「第１半導体基板層７０２」を覆う「第２半導体層７０６」はＮ−型であることが明らかである。
　また、図１４Ｂの記載から、「カソード７０４」が、「第１半導体基板層７０２」における「第２半導体層７０６」に覆われている面と反対の面に形成されていることが明らかである。
　そして、引用例１には、図１４Ｂにおいて「７０６」という符号が付されている層について、「第２半導体層」及び「ドリフト層」という２つの語が用いられていて紛らわしいので、「第２半導体層」に統一して記述することにすると、引用例１には、次の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されているものと認められる。
　
　「２端子半導体整流器において、
　Ｎ＋第１半導体基板層７０２と、
　前記Ｎ＋第１半導体基板層７０２を覆い、主表面７０８で終端しているＮ−第２半導体層７０６と、
　前記主表面７０８に沿って相互に間隔を置いて配置され、メサ領域７１２Ａ−Ｅを定義するトレンチ７１０Ａ−Ｆと、
　各前記トレンチ７１０Ａ−Ｆの底面の前記Ｎ−第２半導体層７０６内に配置されているＰ＋層７２０Ａ−Ｆと、
　各前記トレンチ７１０Ａ−Ｆ及び前記メサ領域７１２Ａ−Ｅを覆う金属製のアノード７１６と、
　前記金属製のアノード７１６と各前記トレンチ７１０Ａ−Ｆの側壁との間に配置された酸化物層７２２Ａ−Ｊと、
　前記Ｎ＋第１半導体基板層７０２における前記Ｎ−第２半導体層７０６に覆われている面と反対の面に形成されたカソード７０４と、
　を備えた２端子半導体整流器。」
　
２．引用例２：特開昭６１−１６６１６４号公報
（１）本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布され、原査定の根拠となった拒絶の理由において引用された刊行物である特開昭６１−１６６１６４号公報（以下「引用例２」という。）には、第１図及び第２図とともに次の記載がある。
　
ａ．「（イ）産業上の利用分野
　
本発明はショットキバリア半導体装置、特に保護用のツェナーダイオードを内蔵したショットキバリア半導体装置に関する
（ロ）従来の技術
　
ショットキバリア半導体装置は順方向電圧が低く、順方向の電力損失が小さいという特徴を有し、スイッチング電源回路の出力整流ダイオード等への応用がなされている。斯るスイッチング電源回路の出力整流ダイオードに適用するには、逆方向降伏電圧が高いこと及び破壊耐量（サージ耐圧）が大きいことが要求される
　
ｂ．「（ハ）発明が解決しようとする問題点
　
しかしながら斯るショットキバリア半導体装置ではガードリングにより逆方向リーク電流を低減することはできるが、逆方向降伏電圧を高くすることはできない。そのためにショットキバリア半導体装置に外部でツェナーダイオードを接続してサージ電圧をかせぎ、逆方向降伏電圧以上の逆方向電圧の印加を防止しなくてはならず、保護用のツェナーダイオードを回路上は必要としていた
　
ｃ．「（ニ）問題点を解決するための手段
　
本発明は斯点に鑑みてなされ、イオン注入領域（８）とガード領域（７）間で逆方向降伏電圧より低いツェナー電圧を有するツェナーダイオード（１０）を形成し、ツェナーダイオードをショットキバリア半導体装置を一体化して従来の欠点を除去している
　
（２）したがって、引用例２には、次の発明（以下「引用発明２」という。）が記載されているものと認められる。
　
　ここにおいて、上記摘記事項ａ．の「ショットキバリア半導体装置は順方向電圧が低く、順方向の電力損失が小さいという特徴を有し、スイッチング電源回路の出力整流ダイオード等への応用がなされている。」という記載等から、引用例２において、保護用のツェナーダイオードにより保護しようとしている「ショットキバリア半導体装置」とは、ショットキバリアダイオードであることが明らかであることに留意すると、引用例２には、次の発明（以下「引用発明２」という。）が記載されているものと認められる。
　
　「ショットキバリアダイオード（ショットキーダイオード）への逆方向降伏電圧以上の逆方向電圧の印加を防止するために、前記ショットキバリアダイオードに、前記ショットキバリアダイオードの逆方向降伏電圧より低いツェナー電圧、すなわち逆方向降伏電圧を有する保護用のツェナーダイオード、すなわちＰＮ接合ダイオードを内蔵させた半導体装置。」
　
第５．本願発明と引用発明１との対比
１．引用発明１の「２端子半導体整流器」は、本願発明の「半導体装置（２０，３０）」に相当する。
　
２．引用発明１において、「各前記トレンチ７１０Ａ−Ｆ及び前記メサ領域７１２Ａ−Ｅを覆う金属製のアノード７１６」と、「前記Ｎ＋第１半導体基板層７０２を覆い、主表面７０８で終端しているＮ−第２半導体層７０６」の「メサ領域７１２Ａ−Ｅ」の部分とがショットキーダイオードとして機能していることは明らかである。
　また、引用発明１において、「各前記トレンチ７１０Ａ−Ｆ及び前記メサ領域７１２Ａ−Ｅを覆う金属製のアノード７１６」、「前記金属製のアノード７１６と各前記トレンチ７１０Ａ−Ｆの側壁との間に配置された酸化物層７２２Ａ−Ｊ」、及び「前記Ｎ＋第１半導体基板層７０２を覆い、主表面７０８で終端しているＮ−第２半導体層７０６」の「各前記トレンチ７１０Ａ−Ｆの側壁」の部分が、ＭＯＳ構造を構成していることは明らかである。
　さらに、引用例１における上記第４．１．（１）ｄ．の「高電圧領域では、整流器７００Ａ及び７００Ｂはバイポーラデバイスとして動作する。具体的には、Ｐ＋領域がドリフト領域に少数キャリアを注入する。」という記載等から、引用発明１において、「各前記トレンチ７１０Ａ−Ｆの底面の前記Ｎ−第２半導体層７０６内に配置されているＰ＋層７２０Ａ−Ｆ」と、それに接する「前記Ｎ＋第１半導体基板層７０２を覆い、主表面７０８で終端しているＮ−第２半導体層７０６」とが、ＰＮ接合ダイオードを構成していることも明らかである。
　したがって、本願発明と引用発明１とは、「該半導体装置（２０，３０）は、ショットキーダイオード、ＭＯＳ構造及びＰＮダイオードの組合せから成る、ＰＮダイオードが集積化されたトレンチＭＯＳバリアショットキーダイオードを有して」いる点で一致する。
　
３．以上を総合すると、本願発明と引用発明１とは、
　
　「半導体装置（２０，３０）において、
　該半導体装置（２０，３０）は、ショットキーダイオード、ＭＯＳ構造及びＰＮダイオードの組合せから成る、ＰＮダイオードが集積化されたトレンチＭＯＳバリアショットキーダイオードを有していることを特徴とする半導体装置（２０，３０）。」
　
　である点で一致し、次の点で相違する。
　
（相違点１）
　本願発明は、「前記ＰＮダイオードは、前記ＰＮダイオードの降伏電圧（ＢＶ＿ｐｎ）を前記ＭＯＳ構造及び前記ショットキーダイオードの降伏電圧（ＢＶ＿ｍｏｓ，ＢＶ＿ｓｃｈｏｔｔｋｙ）よりも低くしておくために、クリッパとして使用され」るものであるのに対して、引用発明１は、そのような特定がなされていない点。
　
（相違点２）
　本願発明は、「該半導体装置（２０，３０）は、遮断作動中、４００Ａ／ｃｍ２〜６００Ａ／ｃｍ２の高電流密度で作動可能である」のに対して、引用発明１は、そのような特定がなされていない点。
　
第６．相違点についての当審の判断
１．相違点１について
（１）一般に、ショットキバリアダイオード（ショットキーダイオード）が、逆方向の電圧に対して弱く、容易に破壊されてしまうという欠点を有することは、例えば、本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である上記引用例２における上記第４．２．（１）ｂ．及び下記周知例１にも記載されているように、当業者における技術常識である。
　
ａ．周知例１：特開昭６３−１６７６７９号公報
　上記周知例１には、第１図とともに次の記載がある。
　
　「
しかるに、上記低損失ダイオードＳＢＤ２として、一般にショットキー・バリヤ・ダイオードが使用されるが、かかるショットキー・バリヤ・ダイオードは、逆耐電圧が数十Ｖ〜１００Ｖ程度であり、この種のインバータ回路の動作電圧を高くすることができず、前記回生電流ＩＬ１’によって破壊されてしまうという問題点があった
　この発明は、上記のような問題点を解決するためになされたもので、直流電源電圧が高くてもＭＯＳ　ＦＥＴに直列に接続された低損失ダイオードの破壊を防止し得るインバータ回路を提供することを目的とする。」
　
　上記記載から、上記周知例１には、ショットキー・バリヤ・ダイオード（ショットキーダイオード）が、逆方向の電圧に対して弱く、容易に破壊されることが記載されているものと認められる。
　
（２）したがって、引用発明１に接した当業者にとって、引用発明１の「各前記トレンチ７１０Ａ−Ｆ及び前記メサ領域７１２Ａ−Ｅを覆う金属製のアノード７１６」と、「前記Ｎ＋第１半導体基板層７０２を覆い、主表面７０８で終端しているＮ−第２半導体層７０６」の「メサ領域７１２Ａ−Ｅ」の部分により形成されるショットキーダイオードが、逆方向の電圧に対して弱く、容易に破壊されてしまうという欠点を有することは、直ちに察知し得たことである。
　
（３）一方、上記第４．２．（２）に記載したとおり、引用例２には、「ショットキバリアダイオード（ショットキーダイオード）への逆方向降伏電圧以上の逆方向電圧の印加を防止するために、前記ショットキバリアダイオードに、前記ショットキバリアダイオードの逆方向降伏電圧より低いツェナー電圧、すなわち逆方向降伏電圧を有する保護用のツェナーダイオード、すなわちＰＮ接合ダイオードを内蔵させた半導体装置。」（引用発明２）が記載されているものと認められる。
　したがって、引用発明１及び２に接した当業者であれば、引用発明１の「各前記トレンチ７１０Ａ−Ｆ及び前記メサ領域７１２Ａ−Ｅを覆う金属製のアノード７１６」と、「前記Ｎ＋第１半導体基板層７０２を覆い、主表面７０８で終端しているＮ−第２半導体層７０６」の「メサ領域７１２Ａ−Ｅ」の部分により形成されるショットキーダイオードが、逆方向の電圧に対して弱く、容易に破壊されてしまうという欠点を克服するために、引用発明２を適用し、ショットキーダイオードの逆方向降伏電圧より低い逆方向降伏電圧を有する保護用のＰＮ接合ダイオードを内蔵させることは、容易に想到し得たことである。
　また、その場合において、ショットキーダイオードの逆方向降伏電圧より低い逆方向降伏電圧を有する保護用のＰＮ接合ダイオードが、ショットキーダイオードに印加される逆方向電圧をクリップするクリッパとして機能していることは当業者にとって自明である。
　
（４）そして、上記第５．２．において検討したとおり、引用発明１においては、元より、「各前記トレンチ７１０Ａ−Ｆの底面の前記Ｎ−第２半導体層７０６内に配置されているＰ＋層７２０Ａ−Ｆ」と、それに接する「前記Ｎ＋第１半導体基板層７０２を覆い、主表面７０８で終端しているＮ−第２半導体層７０６」とが、ＰＮ接合ダイオードを構成しているのであるから、引用発明１に対して引用発明２を適用し、ショットキーダイオードの逆方向降伏電圧より低い降伏電圧を有するＰＮ接合ダイオードを内蔵させるに際して、わざわざ別のＰＮ接合ダイオードを新たに設けることなく、「各前記トレンチ７１０Ａ−Ｆの底面の前記Ｎ−第２半導体層７０６内に配置されているＰ＋層７２０Ａ−Ｆ」と、それに接する「前記Ｎ＋第１半導体基板層７０２を覆い、主表面７０８で終端しているＮ−第２半導体層７０６」とにより構成されるＰＮ接合ダイオードを利用すること、すなわち、本願発明のように、「前記ＰＮダイオードは、前記ＰＮダイオードの降伏電圧（ＢＶ＿ｐｎ）を前記ＭＯＳ構造及び前記ショットキーダイオードの降伏電圧（ＢＶ＿ｍｏｓ，ＢＶ＿ｓｃｈｏｔｔｋｙ）よりも低くしておくために、クリッパとして使用され」る構成とすることは、製造工程の簡略化を勘案して、当業者が適宜なし得たことである。
　したがって、相違点１は、当業者が容易に想到し得た範囲に含まれる程度のことである。
　
２．相違点２について
（１）上記１．において検討したとおり、引用発明１に対して引用発明２を適用し、ショットキーダイオードの逆方向降伏電圧より低い降伏電圧を有するＰＮ接合ダイオードを内蔵させるに際して、「各前記トレンチ７１０Ａ−Ｆの底面の前記Ｎ−第２半導体層７０６内に配置されているＰ＋層７２０Ａ−Ｆ」と、それに接する「前記Ｎ＋第１半導体基板層７０２を覆い、主表面７０８で終端しているＮ−第２半導体層７０６」とにより構成されるＰＮ接合ダイオードを利用するようにすることは、当業者が容易になし得たことである。
　そして、その場合において、「各前記トレンチ７１０Ａ−Ｆの底面の前記Ｎ−第２半導体層７０６内に配置されているＰ＋層７２０Ａ−Ｆ」と、それに接する「前記Ｎ＋第１半導体基板層７０２を覆い、主表面７０８で終端しているＮ−第２半導体層７０６」とにより構成されるＰＮ接合ダイオードは、ショットキーダイオードの保護用、すなわち、ショットキーダイオードに過大な電圧がかからないように、電流をバイパスする手段として用いられるのであるから、ショットキーダイオードの遮断動作中にできるだけ多くの電流を流せるようにすることは、当業者であれば当然に配慮することである。
　
（２）一方、チップサイズをできるだけ小さくし、装置の小型化を図ることは、半導体装置の技術分野における不断の課題ともいえるものであるから、ショットキーダイオードの遮断動作中に、「各前記トレンチ７１０Ａ−Ｆの底面の前記Ｎ−第２半導体層７０６内に配置されているＰ＋層７２０Ａ−Ｆ」と、それに接する「前記Ｎ＋第１半導体基板層７０２を覆い、主表面７０８で終端しているＮ−第２半導体層７０６」とにより構成されるＰＮ接合ダイオードの電流密度をできるだけ高くしようとすることもまた、当業者であれば当然に配慮することである。
　したがって、当業者にとって、ショットキーダイオードの遮断動作中に、「各前記トレンチ７１０Ａ−Ｆの底面の前記Ｎ−第２半導体層７０６内に配置されているＰ＋層７２０Ａ−Ｆ」と、それに接する「前記Ｎ＋第１半導体基板層７０２を覆い、主表面７０８で終端しているＮ−第２半導体層７０６」とにより構成されるＰＮ接合ダイオードの電流密度を、例えば、４００Ａ／ｃｍ２を越える高い電流密度とすること自体に、格別の困難性がないことは明らかである。
　
（３）一方、本願の明細書及び図面全体を精査しても、本願発明において、「該半導体装置（２０，３０）」の「遮断作動中」の作動可能な電流密度の下限値及び上限値を、各々「４００Ａ／ｃｍ２」及び「６００Ａ／ｃｍ２」とすることによる臨界的意義は見いだせない。
　なお、この点に関連して、審判請求人は、平成２４年１２月６日に提出された回答書において、「最後に『４００〜６００Ａ／ｃｍ２』という電流密度には臨界的意義が認められないとのご指摘ですが、本願明細書の段落０００２に記載されているように、自動車の発電機システムの通常の動作条件下での電流密度が５００Ａ／ｃｍ２であるから、４００Ａ／ｃｍ２という下限値、６００Ａ／ｃｍ２という上限値は、トレンチＭＯＳバリアショットキーダイオードが自動車の発電機システムにおいてツェナーダイオードとして使用するのに適した値であるという意義を有しています。」と主張している。
　しかしながら、本願の特許請求の範囲の請求項１には、本願発明に係る「半導体装置（２０，３０）」が自動車の発電機システムにおいて使用するという特定がなされていないから、審判請求人の主張は特許請求の範囲の記載に基づかないものであり、採用することができない。
　
（４）したがって、引用発明１において、ショットキーダイオードの遮断動作中に、「各前記トレンチ７１０Ａ−Ｆの底面の前記Ｎ−第２半導体層７０６内に配置されているＰ＋層７２０Ａ−Ｆ」と、それに接する「前記Ｎ＋第１半導体基板層７０２を覆い、主表面７０８で終端しているＮ−第２半導体層７０６」とにより構成されるＰＮ接合ダイオードを、４００Ａ／ｃｍ２〜６００Ａ／ｃｍ２の高電流密度で作動可能とすること、すなわち、本願発明のように、「該半導体装置（２０，３０）は、遮断作動中、４００Ａ／ｃｍ２〜６００Ａ／ｃｍ２の高電流密度で作動可能である」構成とすることは、当業者が容易になし得たことである。
　よって、相違点２は当業者が容易になし得た範囲に含まれる程度のものである。
　
３．判断についてのまとめ
　以上のとおりであるから、本願発明は、技術常識を勘案することにより、引用発明１及び引用発明２に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
第７．むすび
　以上検討したとおり、本願発明は、技術常識を勘案することにより、引用発明１及び引用発明２に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、他の請求項について検討するまでもなく、本願は拒絶をすべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。