(57)【要約】試料（１００）を保持するホルダ（３０）は、光透過窓（５２ａ）を有する真空チャンバー（５０）の外部に配置される。光検出部およびテラヘルツ光発生器６を有する光照射部は、真空チャンバー内に配置されたベース（５３）に固定される。光照射部は光透過窓（５２ａ）を介して真空チャンバー外の試料（１００）にテラヘルツパルス光を照射し、そのときの試料（１００）からの試料光は光透過窓（５２ａ）を介して光検出部により受光される。真空チャンバー内のベース（５３）と真空チャンバー外のホルダ３０とは、真空チャンバー（５０）の隔壁に対して気密かつ相対的に変位可能に隔壁を貫通する連結部材（５４ａ）により、互いの相対位置が固定されるように連結される。
2003058212.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空に排気され、光透過窓を有するチャンバーと、
測定光を発生する発生器と、
前記測定光を試料に照射する照射光学系と、
前記試料からの試料光を検出する検出器と、
前記測定光が照射された前記試料からの試料光を前記検出器に導く検出光学系とを備え、
前記発生器、前記照射光学系、前記検出器および前記検出光学系は、前記真空チャンバー内に配置され、
前記試料は、前記真空チャンバー外に配置されたことを特徴とする分光測定装置。
【請求項２】
真空に排気され、光透過窓を有するチャンバーと、
テラヘルツパルス光を発生する発生器と、
前記テラヘルツパルス光を試料に照射する照射光学系と、
前記試料からの試料光を検出する検出器と、
前記テラヘルツパルス光が照射された前記試料からの試料光を前記検出器に導く検出光学系とを備え、
前記発生器、前記照射光学系、前記検出器および前記検出光学系は、前記真空チャンバー内に配置され、
前記試料は、前記真空チャンバー外に配置されたことを特徴とする分光測定装置。
【請求項３】
請求項２に記載の分光測定装置において、
前記透過窓は、ポリエチレン材料または石英で構成される。
【請求項４】
請求項２または３に記載の分光測定装置は、
レーザパルス光を発生するレーザ光源と、
前記レーザ光源で発生したレーザパルス光を、前記発生器に対するポンプ光と前記検出器に対するプローブ光とに分割する分割器と、
前記発生器に導かれるポンプ光の光路長及び／又は前記検出器に導かれるプローブ光の光路長を変更する光路長変更装置とを備え、
前記検出器は、前記透過窓を介して入射する前記試料からの試料光を前記ポンプ光及び／又は前記プローブ光の照射タイミングに同期してサンプリングし、
前記透過窓と前記試料との間隔は、前記光路長変更装置の光路長変更範囲よりも大きく設定する。
【請求項５】
請求項４に記載の分光測定装置において、
前記レーザ光源、前記分割器および前記光路長変更装置を前記チャンバー外に配設した。
【請求項６】
請求項２または３に記載の分光測定装置は、
レーザパルス光を発生するレーザ光源と、
前記レーザ光源で発生したレーザパルス光を、前記発生器に対するポンプ光と前記検出器に対するプローブ光とに分割する分割器と、
前記発生器に導かれるポンプ光の光路長及び／又は前記検出器に導かれるプローブ光の光路長を変更する光路長変更装置とを備え、
前記検出器は、前記透過窓を介して入射する前記試料からの試料光を前記ポンプ光及び／又は前記プローブ光の照射タイミングに同期してサンプリングし、
前記分光測定装置は、前記検出器からの検出信号が入力され、前記透過窓で反射された反射光による信号を前記検出信号から分離除去する処理回路をさらに有する。
【請求項７】
請求項２または３に記載の分光測定装置は、
レーザパルス光を発生するレーザ光源と、
前記レーザ光源で発生したレーザパルス光を、前記発生器に対するポンプ光と前記検出器に対するプローブ光とに分割する分割器と、
前記発生器に導かれるポンプ光の光路長及び／又は前記検出器に導かれるプローブ光の光路長を変更する光路長変更装置とを備え、
前記検出器は、前記透過窓を介して入射する前記試料からの試料光を前記ポンプ光及び／又は前記プローブ光の照射タイミングに同期してサンプリングし、
前記分光測定装置は、前記検出器からの検出信号が入力され、前記試料と前記透過窓との間で反射されて生じる多重反射光による信号を前記検出信号から分離除去する処理回路をさらに有する。
【請求項８】
光透過窓を有し、テラヘルツパルス光を吸収しないガスがパージされるチャンバーと、
テラヘルツパルス光を発生する発生器と、
前記テラヘルツパルス光を試料に照射する照射光学系と、
前記試料からの試料光を検出する検出器と、
前記テラヘルツパルス光が照射された前記試料からの試料光を前記検出器に導く検出光学系とを備え、
前記発生器、前記照射光学系、前記検出器および前記検出光学系は、前記チャンバー内に配置され、
前記試料は、前記チャンバー外に配置されたことを特徴とする分光測定装置。
【請求項９】
請求項２または８に記載の分光測定装置において、
前記試料がテラヘルツ光吸収率の小さな液体中に浸されて配設され、前記透過窓の外表面に前記液体が接するように形成された液槽を前記チャンバー外に設け、
前記照射光学系は前記透過窓および前記液層内の液体を介して前記テラヘルツパルス光を前記試料に照射し、前記検出器は前記液層内の液体および前記透過窓を介して前記試料光を受光する。
【請求項１０】
請求項２または８に記載の分光測定装置は、
前記透過窓と前記試料との空間にテラヘルツパルス光を吸収しないガスを流して、前記空間の大気を前記ガスで置換するガス噴出装置を有する。
【請求項１１】
請求項１または２に記載の分光測定装置は、
前記試料を前記チャンバー外で保持するホルダと、
前記チャンバー内に配置され、前記発生器および前記検出器が固定されるベースと、
前記チャンバーの隔壁に対して気密かつ相対的に変位可能に前記隔壁を貫通し、前記ベースと前記ホルダとを互いの相対位置が固定されるように連結する連結部材とを有する。
【請求項１２】
光透過窓を有する隔壁を介して設けられた第１および第２の真空チャンバーと、
前記第１の真空チャンバーに設けられて試料を保持するホルダと、
前記第２の真空チャンバー内に設けられ、前記第１の真空チャンバーに設けられた試料に前記光透過窓を介して測定光を照射する光照射部と、
前記第２の真空チャンバー内に設けられ、測定光が照射された前記試料からの試料光を前記光透過窓を介して受光する光検出部と、
前記第２の真空チャンバー内に配置され、前記光照射部および前記光検出部が固定されるベースと、
前記隔壁に対して気密かつ相対的に変位可能に前記隔壁を貫通し、前記ベースと前記ホルダとを互いの相対位置が固定されるように連結する連結部材を備えた分光測定装置。
【請求項１３】
請求項１１または１２に記載の分光測定装置において、
前記連結部材は、仮想の中心線と略平行に配置されるとともに前記中心線の回りに略同一角度間隔でかつ前記中心線から略等距離に配置された複数本の棒状部材を備える。
【請求項１４】
請求項１１または１２に記載の分光測定装置において、
前記チャンバーの周壁部が円筒状をなす。
【発明の詳細な説明】
本出願は日本国特許出願２００１年第３９９５１０号（平成１３年１２月２８日出願）を基礎として、その内容は引用文としてここに組み込まれる。
技術分野
本発明は、試料に所定波長の光を照射して、試料からの光を検出することにより試料の分光特性を測定する分光測定装置に関する。
背景技術
種々の測定装置に使用される光学装置では、対象物を保持するホルダと、対象物に所定の光を照射するとともに対象物から得られる光に対して光学的な作用を行う光学系と、を備えている。
このような光学装置の例として、テラヘルツ光を用いた種々の光学装置、例えば分光装置、誘電率測定装置、検査装置や、対象物の誘電率分布を示す像などを得たりするイメージ化装置がある。また、テラヘルツ光以外の光を用いる種々の光学装置として、例えば分光装置、膜厚測定装置、検査装置などがある。
このような光学装置では、光路中に測定に用いられる波長域の光を吸収する分子が存在すると、精度の良い測定や所望の測定などを行うことができない。例えば、赤外領域の分光計測を大気中で行う場合、水蒸気や二酸化炭素などによる吸収が観測されてしまう。そのため、精度の良い測定を行いたい場合やこれらの吸収付近のデータを測定する場合などには、装置すなわち光路内を真空に引くことによって、あるいは、装置内をパージすることによってこれらの分子等を取り除くようにしている。ここで、パージとは、装置内部の気体を乾燥窒素等の清浄なパージ用ガスで置換することである。
例えば、外部から装置内にパージ用のガスを導入し続けるとともに内部からガスを排気し続ける方法や、装置内部を一旦真空にした後に内部にパージ用のガスを充満させ密封状態に保つ方法がある。
このように真空に引いた状態やパージした状態で測定等を行うことができるように構成された従来装置では、装置全体を覆う直方体形状の筐体が１つの真空引き可能なチャンバーを形成するように構成され、対象物を保持するホルダ及び光学系の全体がチャンバー内に配置されるようになっている。ホルダ及び光学系は、筐体内に独立して設けられたベースに固定されている。そのため、チャンバーを真空に引くことにより筐体に歪みが生じても、光学系と対象物を保持するホルダとの位置関係が変わらない。その結果、筐体に歪みが生じても測定等の精度が低下することはない。
しかしながら、対象物を保持するホルダが光学系と同じチャンバー内に配置されているので、対象物を交換する度に、チャンバー内の真空を破ったり再度真空に引いたりする作業が必要となり、交換に伴った待ち時間が無駄な時間として生じていた。なお、ホルダが真空内に配置されるタイプの装置では、複数の対象物を装着できるターレットを設けて、ターレットを回転することにより対象物の交換を行うものもある。しかし、装置の大型化を避けるためにはターレットの大きさにも限度があり、装着できる対象物の数も限りがあって、多数の対象物を測定する場合には上述したような無駄時間が生じていた。
発明の開示
本発明の目的は、精度良く測定を行うことができる分光測定装置を提供することにある。
本発明による分光測定装置は、真空に排気され、光透過窓を有するチャンバーと、測定光を発生する発生器と、測定光を試料に照射する照射光学系と、試料からの試料光を検出する検出器と、測定光が照射された試料からの試料光を検出器に導く検出光学系とを備え、発生器、照射光学系、検出器および検出光学系は記真空チャンバー内に配置され、試料は真空チャンバー外に配置される。
また、本発明による分光測定装置は、真空に排気され、光透過窓を有するチャンバーと、テラヘルツパルス光を発生する発生器と、テラヘルツパルス光を試料に照射する照射光学系と、試料からの試料光を検出する検出器と、テラヘルツパルス光が照射された試料からの試料光を検出器に導く検出光学系とを備え、発生器、照射光学系、検出器および検出光学系は真空チャンバー内に配置され、試料は真空チャンバー外に配置される。
いずれの場合も、透過窓は、テラヘルツ光の吸収率の小さなポリエチレン材料または石英が好ましい。
また、レーザパルス光を発生するレーザ光源と、レーザ光源で発生したレーザパルス光を、発生器に対するポンプ光と検出器に対するプローブ光とに分割する分割器と、発生器に導かれるポンプ光の光路長及び／又は検出器に導かれるプローブ光の光路長を変更する光路長変更装置とを備え、検出器では透過窓を介して入射する試料からの試料光をポンプ光及び／又はプローブ光の照射タイミングに同期してサンプリングし、透過窓と試料との間隔を光路長変更装置の光路長変更範囲よりも大きく設定する。それによって、分光測定における多重反射光の影響を除去することができる。
レーザ光源、分割器および前記光路長変更装置をチャンバー外に配設しても良い。
さらに、レーザパルス光を発生するレーザ光源と、レーザ光源で発生したレーザパルス光を、テラヘルツ光発生器に対するポンプ光と光検出部に対するプローブ光とに分割する分割器と、発生器に導かれるポンプ光の光路長及び／又は検出器に導かれるプローブ光の光路長を変更する光路長変更装置とを備え、検出器は、透過窓を介して入射する前記試料からの試料光をポンプ光及び／又はプローブ光の照射タイミングに同期してサンプリングする。そして、分光測定装置は、検出器からの検出信号が入力され、透過窓で反射された反射光による信号を検出信号から分離除去する処理回路をさらに有する。これにより、透過窓で反射される光の分光測定への影響を除去することができる。
また、レーザパルス光を発生するレーザ光源と、レーザ光源で発生したレーザパルス光を、発生器に対するポンプ光と検出器に対するプローブ光とに分割する分割器と、発生器に導かれるポンプ光の光路長及び／又は検出器に導かれるプローブ光の光路長を変更する光路長変更装置とを備え、検出器は、透過窓を介して入射する前記試料からの試料光をポンプ光及び／又はプローブ光の照射タイミングに同期してサンプリングする。そして、分光測定装置は、検出器からの検出信号が入力され、試料と透過窓との間で反射されて生じる多重反射光による信号を前記検出信号から分離除去する処理回路をさらに有する。これにより、透過窓と試料との間で発生する多重反射光の分光測定への影響を除去することができる。
本発明による他の分光測定装置は、光透過窓を有し、テラヘルツパルス光を吸収しないガスがパージされるチャンバーと、テラヘルツパルス光を発生する発生器と、テラヘルツパルス光を試料に照射する照射光学系と、試料からの試料光を検出する検出器と、テラヘルツパルス光が照射された試料からの試料光を検出器に導く検出光学系とを備え、発生器、照射光学系、検出器および検出光学系は、チャンバー内に配置され、試料はチャンバー外に配置されたことを特徴とする。チャンバー内をパージすることにより、光路中の水蒸気やＣＯ２等を除去してテラヘルツパルス光の光量減少を防止することができる。
また、試料がテラヘルツ光吸収率の小さな液体中に浸されて配設され、透過窓の外表面に液体が接するように形成された液槽を前記チャンバー外に設け、照射光学系は透過窓および液層内の液体を介してテラヘルツパルス光を試料に照射し、検出器は液層内の液体および透過窓を介して試料光を受光するようにしても良い。それによって、テラヘルツパルス光の光量減少を防止することができる。
さらにまた、ガス噴出装置により透過窓と試料との空間にテラヘルツパルス光を吸収しないガスを流すようにしても良い。
試料をチャンバー外で保持するホルダと、チャンバー内に配置され、発生器および検出器が固定されるベースと、チャンバーの隔壁に対して気密かつ相対的に変位可能に隔壁を貫通し、ベースとホルダとを互いの相対位置が固定されるように連結する連結部材とを備えるようにしても良い。その結果、真空引きしたときのチャンバーの歪みの影響を受けることなく、精度良い測定を行うことができる。
本発明による他の分光測定装置は、光透過窓を有する隔壁を介して設けられた第１および第２の真空チャンバーと、第１の真空チャンバーに設けられて試料を保持するホルダと、第２の真空チャンバー内に設けられ、第１の真空チャンバーに設けられた試料に光透過窓を介して測定光を照射する光照射部と、第２の真空チャンバー内に設けられ、測定光が照射された試料からの試料光を光透過窓を介して受光する光検出部と、第２の真空チャンバー内に配置され、光照射部および光検出部が固定されるベースと、隔壁に対して気密かつ相対的に変位可能に隔壁を貫通し、ベースとホルダとを互いの相対位置が固定されるように連結する連結部材を備える。このような構成とすることにより、真空引きしたときに第１，２の真空チャンバーに歪みが生じても、分光測定に対する歪みの影響を除去することができる。
仮想の中心線と略平行に配置されるとともに中心線の回りに略同一角度間隔でかつ中心線から略等距離に配置された複数本の棒状部材で、連結部材を構成するようにしても良い。
チャンバーの周壁部が円筒状とすることにより、真空引きの際のチャンバーの変形を低減することができる。
発明を実施するための最良の形態
以下、図を参照して本発明の実施の形態を説明する。
［第１の実施の形態］
図１は、本発明の第１の実施の形態による光学装置を模式的に示す概略構成図である。図２は、図１中のＩＩ−ＩＩ線に沿った概略断面図である。理解を容易にするため、図１及び図２に示すように、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸及びＺ軸を定義する。ＸＹ平面が水平面であり、Ｚ軸方向が鉛直方向と一致しており、＋Ｚ方向が鉛直上方、−Ｚ方向が鉛直下方である。図３は、本実施の形態による光学装置の構造を模式的に示す概略斜視図である。図４は、図３中のＩＶ−ＩＶ線に沿った概略断面図である。
本実施の形態による光学装置は、測定対象物としての試料１００の複素誘電率等をテラヘルツ光を用いて測定するものである。
本実施の形態による光学装置では、図１に示すように、レーザ光源等からなるフェムト秒パルス光源１から放射されたフェムト秒パルス光Ｌ１が、ビームスプリッタ１２で２つのパルス光Ｌ２，Ｌ３に分割される。
ビームスプリッタ２で分割された一方のパルス光Ｌ２は、光伝導アンテナ等の光スイッチ素子又はＥＯ結晶などのテラヘルツ光発生器６を励起して、この発生器６からテラヘルツパルス光を発生させるためのポンプ光（パルス励起光）として用いられる。このポンプ光Ｌ２は、平面鏡３を経て、光チョッパ４によりチョッピングされた後に、集光レンズ５によりテラヘルツ光発生器６に集光される。なお、テラヘルツ光発生器６として光スイッチ素子を用いる場合には、図示しないバイアス電源によりバイアス電圧がテラヘルツ光発生器６に印加される。
ビームスプリッタ２で分割された他方のパルス光Ｌ３は、テラヘルツパルス光を検出するタイミングを定めるプローブ光（サンプリングパルス光）として使用される。このプローブ光Ｌ３は、平面鏡７、２枚もしくは３枚の平面鏡が組み合わされてなる可動鏡８、平面鏡９，１０，１１、更には集光レンズ１２を経て、テラヘルツ光検出器１３へ導かれる。本実施の形態では、検出器１３として、ダイポールアンテナを用いた公知の光スイッチ素子が用いられている。
プローブ光Ｌ３の光路上に配置された可動鏡８は、移動機構２５により矢印Ｆ方向に移動可能となっている。移動機構２５は制御・演算処理部２３により制御される。可動鏡８の移動量に応じてプローブ光Ｌ３の光路長が変わることにより、プローブ光Ｌ３が検出器１３へ到達する時間が変化する。すなわち、本実施の形態では、可動鏡８及び移動機構２５が、プローブ光Ｌ３の光路長変更装置を構成している。なお、光路長変更装置の光路長変更範囲とは、図１における可動鏡８の移動距離を指す。この場合、プローブ光Ｌ３の光路長の変化をｙとすれば、可動鏡８の移動距離はｙ／２となる。
なお、光路長変更装置は、プローブ光Ｌ３の光路中に置くことに限られることなく、ポンプ光Ｌ２の光路中においても全く同様な作用が得られる。さらに、プローブ光Ｌ３およびポンプ光Ｌ２の両光路中に各々光路長変更装置を置いても同様の作用を得ることができる。
テラヘルツ光発生器６はポンプ光Ｌ２により励起され、発生器６からテラヘルツパルス光Ｌ４が放射される。テラヘルツパルス光Ｌ４としては、概ね０．０１×１０１２から１００×１０１２ヘルツまでの周波数領域の光が望ましい。このテラヘルツパルス光Ｌ４は放物面鏡等の曲面鏡１４を経て平行光に変換され、その後、放物面鏡等の曲面鏡１５及び平面鏡１６を経て集光位置に集光される。
図１及び図２に示すように、テラヘルツパルス光Ｌ４の光軸は、発生器６から平面鏡１６までの間では水平面内（ＸＹ平面と平行な面内）にあるが、平面鏡１６の向きが図２のように設定されることにより、平面鏡１６と集光位置との間では上側（Ｚ軸プラス方向）に立ち上げられている。
テラヘルツパルス光Ｌ４の集光位置には、試料ホルダ３０（図２参照、図１では省略）により試料（測定対象物）１００が保持されている。試料１００はその下面が水平となるように保持され、試料１００の下面側の測定部位（所定の微小の領域）にテラヘルツパルス光Ｌ４が集光される。試料１００は観測試料１００ａ及び参照試料１００ｂを代表して示しており、観測試料１００ａ及び参照試料１００ｂは、互いに交換して試料ホルダ３０に保持される。参照試料１００ｂとしては、例えば金属ミラーなどの、屈折率等が既知である部材が用いられる。観測試料１００ａとしては例えばウエハ等を挙げることができるが、これに限定されるものではない。なお、試料１００の局所的な情報ではなく、例えば試料の比較的広い領域の平均的な情報を得たり各局所的な情報の２次元分布を一括して得たりする場合には、テラヘルツパルス光Ｌ４を局所的に集光することなく試料１００の下面の比較的広い領域を照射する。
ここで、試料ホルダ３０について、図３及び図４を参照して説明する。試料１００が載置される試料ホルダ３０はその上面が試料保持面として機能し、その試料保持面が水平となるように構成されている。図２では、試料ホルダ３０を図面表記の便宜上矩形形状として示しているが、実際には、図３及び図４に示すように円板として構成されている。図４に示すように、試料ホルダ３０の中央付近には開口３０ａが形成されている。テラヘルツ光Ｌ４は、この開口３０ａを通して試料１００の下面の測定部位（所定領域）に対して入射する。試料ホルダ３０では、試料保持面に試料１００を単に載置するだけで、試料１００が重力で保持される。もっとも、本発明では、試料ホルダ３０は、このような構成に限定されるものではない。試料ホルダ３０は、所望の試料（対象物）を保持することができるように構成すればよく、例えば、クリップを利用した周知の試料ホルダを用いてもよい。
再び図１及び図２を参照すると、試料１００の下面の測定部位で反射されたテラヘルツパルス光Ｌ５は、平面鏡１７及び曲面鏡１８，１９を経てテラヘルツ光検出器１３に集光される。平面鏡１７及び曲面鏡１８，１９は、上述した集光位置を含みかつＹＺ平面と平行な面に関して平面鏡１６及び曲面鏡１５，１４とそれぞれ対称に配置されている。テラヘルツ光検出器１３は、テラヘルツ光Ｌ５の電場強度を検出してそれを電流信号に変換する。この電流信号は、電流計２０で電圧信号に変換された後、ロックイン増幅器２１により、光チョッパー４のチョッピングと同期してロックイン検出される。ロックイン増幅器２１の出力信号は、テラヘルツ光の電場強度の検出信号として、Ａ／Ｄ変換器２２によりＡ／Ｄ変換され、これがコンピュータ等からなる制御・演算処理部２３に供給される。
フェムト秒パルス光源１から放射されるフェムト秒パルス光Ｌ１の繰り返し周波数は、数ｋＨｚから１００ＭＨｚオーダーである。したがって、発生器６から放射されるテラヘルツパルス光Ｌ４も、数ｋＨｚから１００ＭＨｚオーダーの繰り返しで放射される。
そのため、テラヘルツ光検出器１３には、試料１００から同じ波形のテラヘルツパルス光Ｌ５が数ｋＨｚから１００ＭＨｚオーダーで繰り返し到来する。そこで、本実施の形態では、ポンプ光Ｌ２とプローブ光Ｌ３との間に時間遅延を設けてテラヘルツパルス光Ｌ５の波形を計測する、いわゆるポンプ−プローブ法を採用することにより、テラヘルツパルス光Ｌ５の電場強度の時系列変化を計測するようにしている。すなわち、テラヘルツ光発生器６を作動させるポンプ光Ｌ２に対して、テラヘルツ光検出器１３を作動させるプローブ光Ｌ３のタイミングを時間τだけ遅らせることにより、時間τだけ遅れた時点でのテラヘルツパルス光Ｌ５の電場強度を検出器１３で測定できる。言い換えれば、プローブ光Ｌ３は、テラヘルツ光検出器１３に対してゲートをかけていることになる。また、可動鏡８を徐々に移動させることは、遅延時間τを徐々に変えることにほかならない。光路長変更装置によってゲートをかけるタイミングをずらしながら、繰り返し到来するテラヘルツパルス光Ｌ５の各遅延時間τごとの時点の電場強度を検出器１３で検出し、その検出結果を電気信号として順次得ることによって、テラヘルツパルス光Ｌ５の電場強度の時系列波形Ｅ（τ）を計測することができる。
本実施の形態では、テラヘルツパルス光の電場強度の時系列波形Ｅ（τ）の計測時には、制御・演算処理部２３は遅延時間τを徐々に変化させるような制御信号を移動機構２５に与え、そのときに得られるＡ／Ｄ変換器２２からのデータを制御・演算処理部２３内の図示しないメモリに順次格納する。これによって、最終的に、テラヘルツパルス光の電場強度の時系列波形Ｅ（τ）を示すデータ全体をメモリに格納する。
このような時系列波形Ｅ（τ）を示すデータを、試料ホルダ３０上に参照試料１００ｂを載置した場合と観測試料１００ａを載置した場合について取得する。制御・演算処理部２３は、これらのデータに基づいて観測試料１００ａの所望の特性（情報）を求め、これをＣＲＴ等の表示部２４に表示させる。例えば、制御・演算処理部２３は、公知の演算によって観測試料１００ａの複素誘電率を求め、これを表示部２４に表示させる。
本実施の形態では、以上説明した要素５，６，１１〜１９が、試料ホルダ３０に保持された試料１００に所定の光を照射するとともに対象物から得られる光に対して光学的な作用を行う光学系４０を構成している。
次に、本実施の形態による光学装置の構造について、図３及び図４を参照して説明する。図３では、内部構造の理解を容易にするため、容器本体５１を破線で示している。また、図３及び図４では、図面が煩雑となるのを避けるため、光学系４０の図示は省略し、光学系４０の配置空間４１を想像線によるハッチングで示している。図１に示した光学系４０以外の装置、例えば、光源１の光を光学系４０の平面鏡１１に導く平面鏡７，可動鏡８，平面鏡９，１０や、光源１の光を光学系４０の集光レンズ５に導く平面鏡３や光チョッパ４は、容器本体５１の外部に配置される。
本実施の形態による光学装置は、前述した試料ホルダ３０及び光学系４０の他に、真空引き可能なチャンバー５０を形成するチャンバー形成部材としての容器本体５１及び上蓋５２と、光学系４０が固定された光学系取り付けベース５３と、上蓋５２に対して気密かつ相対的に変位可能に上蓋５２を貫通した連結部材としての３本の連結棒５４ａ，５４ｂ，５４ｃと、を備えている。
容器本体５１は、上方が開口した有底の円筒状に構成され、その上部にフランジ部５１ａを有している。上蓋５２は円板で構成され、ボルト５５により容器本体５１のフランジ部５１ａに固定される。上蓋５２とフランジ部５１ａとの間にはパッキン５６が配設され、容器本体５１の上部開口は上蓋５２により気密に閉塞される。上蓋５２の中央付近には、テラヘルツ光Ｌ４，Ｌ５を透過させる材料からなる窓部５２ａが形成されている。容器本体５１の側部には、図３に示すように、図示しない真空ポンプに接続するための配管が接続される接続口５７が設けられている。これにより、容器本体５１及び上蓋５２により形成されたチャンバー５０が、真空引き可能となっている。
本実施の形態では、光学系取り付けベース５３として、円板が用いられている。取り付けベース５３には、光学系４０が、図示しない取り付け部材により固定されている。光学系４０及び光学系取り付けベース５３はチャンバー５０内に配置され、試料ホルダ３０は、チャンバー５０外の大気中に配置されている。本実施の形態では、試料ホルダ３０は、上蓋５２に対して固定されることなく、上蓋５２上に載置されている。
連結棒５４ａは、図４に示すように、上蓋５２に形成された貫通孔を貫通し、その上端がボルト５８により試料ホルダ３０に固定され、その下端がボルト５９により取り付けベース５３に固定されている。これにより、連結棒５４ａは、試料ホルダ３０と取り付けベース５３との間を連結している。
図４に示すように、上蓋５２の貫通孔の周囲には気密構造部６０が設けられ、連結棒５４ａが上蓋５２に対して気密かつ相対的に変位可能に上蓋５２を貫通している。本実施の形態では、気密構造部６０は、真空ゲージのゲージポートと同様に構成されている。すなわち、気密構造部６０は、Ｏリング６１と、Ｏリング６１の上側を支持する段部を有し上蓋５２の貫通孔の周囲に固着された筒状部材６２と、Ｏリング６１の下側を支持するリング部材６３と、筒状部材６２に対して固定されリング部材６３の下方への抜けを阻止する貫通孔付きカップ状部材６４とから構成されている。連結棒５４ａは、Ｏリング６１の弾性変形の範囲内において、気密構造部６０に対する位置を変えることができる。
図面には示していないが、連結棒５４ｂ，５４ｃも、連結棒５４ａと同様に、上蓋５２に対して気密かつ相対的に変位可能に上蓋５２を貫通して、試料ホルダ３０と取り付けベース５３との間を連結している。３本の連結棒５４ａ〜５４ｃは、図３に示すように、上下方向に延びる図示しない仮想の中心軸線と略平行に配置されるとともに中心線の回りに略同一角度間隔（本実施の形態では、１２０°間隔）でかつ中心線から略等距離に配置されている。連結棒５４ａ〜５４ｃがこのように配置されているので、連結棒５４ａ〜５４ｃの強度をさほど高めることなく、試料ホルダ３０と取り付けベース５３との相対的な位置関係を安定して保つことができる。もっとも、連結棒５４ａ〜５４ｃの配置は前述した例に限定されるものではない。
このように、本実施の形態では、３本の連結棒５４ａ〜５４ｃは、試料ホルダ
このように、本実施の形態では、３本の連結棒５４ａ〜５４ｃは、試料ホルダ３０と取り付けベース５３との間を連結する連結部材を構成し、両者の相対的な位置関係が固定されるようにしている。もっとも、連結部材の構成はこのような構成に限定されるものではない。
本実施の形態では、連結棒５４ａ〜５４ｃの長さが容器本体５１の深さより短く設定され、取り付けベース５３が容器本体５１の底部から浮いている。すなわち、試料ホルダ３０、光学系４０、光学系取り付けベース５３及び連結棒５４ａ〜５４ｃからなる構造体は、試料ホルダ３０の裏面が上蓋５２に当接することにより支持されている。光学系４０及び光学系取り付けベース５３は、連結棒５４ａ〜５４ｃにより吊り下げられた状態となっている。先の説明からわかるように、上記構造体は上蓋５２及び容器本体５１に対して何ら固定されておらず、連結棒５４ａ〜５４ｃはそれぞれ気密構造部６０に対して位置を変えることができる。
なお、図３，４には示していないが、図１の要素２０〜２５はチャンバー５０の外側に配置されている。チャンバー５０外の所要の要素、例えば、電流計２０と、チャンバー５０内の光学系４０の所要の要素、例えば、検出器１３等との間を接続する電気配線（図示せず）は、チャンバー５０の気密を保つ周知の気密構造により設けられている。
本実施の形態によれば、試料１００の測定は、チャンバー５０内が真空に引かれた状態で行う。その結果、光学系４０がチャンバー５０内に配置されているので、試料ホルダ３０の開口３０ａの部分を除く光路が真空となる。したがって、光路中に介在する大気の分子等がほとんどなくなるため、光路中に存在する分子等による測定精度の低下はほとんどない。また、試料ホルダ３０が大気中に置かれているので、チャンバー５０内を真空に保ったまま試料１００を簡単かつ迅速に交換することができる。なお、試料１００の測定は、例えば、チャンバー５０内を一旦真空に引いた後にパージ用のガスで充満させ密封状態に保って、行ってもよい。
そして、本実施の形態では、前述したように、試料ホルダ３０、光学系４０、光学系取り付けベース５３及び連結棒５４ａ〜５４ｃからなる一体化された構造されることなく、位置の自由度を持っている。したがって、本実施の形態によれば、チャンバー５０を真空に引くことにより、上蓋５２及び容器本体５１に歪みが生じても、その歪みによって前記構造体の位置は変わる場合があるものの、試料ホルダ３０と光学系取り付けベース５３との相対的な位置関係、すなわち、試料１００と光学系４０との相対的な位置関係は、全く変わらない。このため、本実施の形態によれば、上蓋５２や容器本体５１の厚みを厚くしてそれらの強度を高めるようなことをしなくても、ひいては、装置の重量を増大させなくても、真空引きに伴う歪み発生により測定精度が低下することがない。
このように、本実施の形態によれば、光路中に介在する大気中の分子等を大幅に低減させて測定精度を高めることができ、しかも、装置の重量を増大させることなく、試料１００の交換の迅速性と真空引きに伴う歪みに起因する測定精度の低下の抑制とを両立させることができる
本実施の形態では、容器本体５１の周壁部が円筒状をなし、また、これに伴い上蓋５２も平板であるが円形状となっている。したがって、各部の厚みを厚くしなくても、容器本体５１及び上蓋５２を全体として直方体状に構成する場合に比べて、真空引きに伴う各部の歪み自体も大幅に低減される。本実施の形態では、前述したように容器本体５１及び上蓋５２の歪みと無関係に光学系４０と試料１００との相対的な位置関係が一定に保たれるので、必ずしも真空引きに伴う歪みを低減する必要はない。しかしながら、生ずる歪みが小さければ、Ｏリング６１に作用する力や連結棒５４ａ〜５４ｃに作用する力などが低減されるので、好ましい。図面には示していないが、上蓋５２を上側に多少膨らんだような形状にすると、真空引きに伴う上蓋５２の歪みがより低減され、更に好ましい。
ところで、テラヘルツパルス光Ｌ４が上蓋５２の窓部５２ａを試料１００側に通過する際、および、試料１００からのテラヘルツパルス光Ｌ５が窓部５２ａをチャンバー５０側に通過する際に、窓部５２ａの界面においてテラヘルツパルス光Ｌ４，Ｌ５の反射や多重反射が発生しやすい。図９は、窓部界面におけるテラヘルツ光の反射および多重反射の一例を示す模式図である。テラヘルツパルス光Ｌ４は窓部５２ａをチャンバー５０側から開口３０ａ側へと通過し、試料１００に入射する。試料１００で反射されたテラヘルツパルス光Ｌ５は窓部５２ａを通ってチャンバー５０側に入り、光学系４０（図１参照）に戻る。
図９において、光線３００は、テラヘルツパルス光Ｌ４の一部が窓部５２ａで反射されて生じた反射光である。また、光線３０１，３０２は、テラヘルツパルス光Ｌ５の一部が窓部５２ａと試料１００との間で多重反射された光である。多重反射光３０１は窓部５２ａおよび試料１００により１回ずつ反射された多重反射光であり、多重反射光３０２は窓部５２ａおよび試料１００により２回ずつ反射された多重反射光である。これらの反射光３００および多重反射光３０１，３０２は、テラヘルツパルス光Ｌ５と同様にテラヘルツ光検出器１３によって検出される。
図１０は、そのときの検出出力を示したものであり、縦軸は検出出力、横軸は時間である。ピークＰ３００は反射光３００の検出出力で、ピークＰ５はテラヘルツパルス光Ｌ５の検出出力、ピークＰ３０１，Ｐ３０２はそれぞれ多重反射光３０１，３０２の検出出力である。これらのピークＰ５，Ｐ３００，Ｐ３０１，Ｐ３０２の発生時刻の差は、テラヘルツ光Ｌ５，３００，３０１，３０２の光路長差に依存している。図９に示した例では、窓部５２ａと試料とにより、１および２回ずつ反射された多重反射しか示していないが、実際には、さらに反射回数の多い多重反射光が多数観測される。
一般に、時系列波形計測の際の波数分解を向上させるためには、時間領域で長い信号波形が必要となる。しかし、時間領域を長くすると、検出出力に多重反射光による信号が含まれてしまい、解析が困難になってしまうという問題があった。本実施の形態では、以下に説明する２つの方法によってこのような多重反射の影響を解消している。
第１の方法では、窓部５２ａと試料１００との間隔ｄ１を大きくすることにより、テラヘルツ光Ｌ５と多重反射光３０１，３０２との光路長差を大きくする。その結果、図１０におけるピークＰ５に対してピークＰ３０１，Ｐ３０２の出現位置は破線のように図示右側に移動し、ピーク間隔が拡がることになる。なお、反射光３００のピークＰ３００の出現位置に関しては、ピークＰ５を基準に左側に移動することになる。
波数分解をｘとすると、そのときに必要な可動鏡８のスキャン距離は１／２ｘとなる。例えば、波数分解を１ｃｍ−１とした場合、スキャン距離として５ｍｍ必要となる。そのため、このスキャン距離の領域内に多重反射が現れないようにするためには、スキャン距離５ｍｍに対応する光路長は１０ｍｍなので、図９からも分かるように試料１００と窓部５２ａとの間隔を５ｍｍ以上とすれば良い。
なお、図９、１０に示した多重反射３０１，３０２の他に、図１１に示すような窓部５２ａ内部における多重反射３０３も考えられる。この多重反射光３０３がスキャン距離の領域内に出現するような場合には、窓部５２ａの厚さｄ２を大きくして多重反射光３０３の光路長を増加させ、多重反射光３０３がスキャン距離の領域内に現れないようにすれば良い。
次に、第２の方法について説明する。図１に示したように、テラヘルツ光検出器１３の信号は電流計２０，ロックイン増幅器２１で処理された後にＡ／Ｄ変換器２２でデジタル信号に変換され、制御・演算処理部２３においてデジタル演算処理される。第２の方法では、図１０の時間軸上における多重反射光のピーク位置と、多重反射の無い測定光（テラヘルツパルス光Ｌ５）のピーク位置とを、予め参照データとして取得しておく。そして、制御・演算処理部２３では、この参照データに基づいて、多重反射の影響を除去するようにデジタル演算処理を行うようにする。この参照データは、例えば、光学装置製造時の調整工程等において取得する。
参照データは次のようにして取得する。
装置調整工程において、図９の試料１００の代わりにリファレンス用のガラス板やミラーをホルダ３０上に載置し、テラヘルツパルス光Ｌ４を発生させて測定を行う。この測定により、図１０と同様の出力データが得られる。図９の距離ｄ１，ｄ２は常に一定なので、図１０における反射光３００，テラヘルツ光Ｌ５，多重反射光３０１，３０２のピーク位置は常に一定している。さらに、測定毎に観測される反射光３００の出力値は、常に同一条件であるためほぼ一定の値となる。例えば、ｄ１＝ｄ２＝１０（ｍｍ）である場合には、図１０のτａ、τｂは約６６．７（ｐｓ）となる。
そこで、制御・演算処理部２３に、参照データとして、例えば、ピークＰ３００の出力値およびピークＰ３００，Ｐ５，Ｐ３０１の相対位置関係を記憶しておく。実際の計測時には、ピークＰ３００と同一ピークを検出し、そのピークの時間をτ１とすれば、時間軸上の（τ１＋α）から（τ１＋τａ＋τｂ−β）までのデータに基づいて分析処理を行う。α、βはピークＰ３００，Ｐ３０１の影響を受けないように設定される。
ただし、ピークＰ５と多重反射光のピークＰ３０１とが部分的に重なり合うような場合には、ｄ１が大きくなるようにホルダ３０を厚くしてピークＰ５とピークＰ３０１とを分離する必要がある。
このように、時間領域測定を行うテラヘルツ分光装置の場合には、上述した方法を用いることにより反射光や多重反射光の影響を容易に除去することができる。一方、分散分光装置のような時間領域測定を使用しない一般的な分光装置の場合には、光を時系列に検出するのではなく一括で検出するため、測定光から多重反射光の影響を除去するのは困難である。
なお、窓部５２ａには、ポリエチレンや石英などのようにテラヘルツ光に関して吸収率の小さな物質が用いられる。吸収率が小さなものとしてはシリコンもあるが、シリコンは屈折率が大きいために反射ロスが大きく、トータルで考えるとポリエチレンや石英の方が優れている。またポリエチレン、石英およびシリコンよりも性能的に落ちるが、サファイアやＧａＡｓやＧｃなども窓部材料として使用することができる。
なお、本実施形態は、反射タイプの分光測定装置について説明したが、本発明は透過タイプの分光測定装置にも同様に適用できる。試料は照明光学系と検出光学系との境界の光路中に置かれるわけであるが、その光路が真空チャンバーの外側となるようにすればよい。例えば、チャンバー外空間を挟んで対向する壁面を真空チャンバーに形成し、各壁面に透過窓部材をそれぞれ設ける。この２つの透過窓部材の間が上述した境界の光路に相当し、この光路中に試料を配置することで透過タイプの装置とすることができる。
［第２の実施の形態］
図５は、本発明の第２の実施の形態による光学装置の構造を模式的に示す概略斜視図である。図６は、図５中のＶＩ−ＶＩ線に沿った概略断面図である。
本実施の形態による光学装置は、主に下記（ｉ）〜（ｉｉｉ）の点で第１の実施の形態の光学装置と異なる。
（ｉ）上蓋５２が、中央部の円板１５２ａと、その外側の円環１５２ｂとに分割されている。円環１５２ｂは、ボルト１５３により内周側部分が円板１５２ａの外周側部分に固定されている。円環１５２ｂと円板１５２ａとの間にはパッキン１５４が設けられ、円環１５２ｂと円板１５２ａとは気密に固定されている。
（ｉｉ）光学系取り付けベース５３は、容器本体５１の底部付近に設けられた円環状の支持板１５５に載置されている。
（ｉｉｉ）連結棒５４ａ〜５４ｃの長さが容器本体５１の支持板１５５までの深さより長く設定され、取り付けベース５３の外周部分が支持板１５５上に載置される。そのため、試料ホルダ３０、光学系４０、光学系取り付けベース５３及び連結棒５４ａ〜５４ｃからなる構造体は、吊り下げ状態ではなく支持板１５５により下側から支持されている。
連結棒５４ａ〜５４ｃは、円板１５２ａを貫通するように中心側に寄せて配置されている。試料ホルダ３０の外径は、円環１５２ｂの内径より小さくなっている。連結棒５４ａ〜５４ｃには、組立時に円板１５２ａが下方にずり落ちるのを防止するずり落ち防止リング１５６が固着されている。
本実施の形態においても、試料ホルダ３０および光学系４０を含む構造体が、上蓋５２および容器本体５１に対して固定されることなく位置の自由度を保持しているため、上述した第１の実施の形態と同様の利点が得られる。
［第３の実施の形態］
図７は、本発明の第３の実施の形態による光学装置の構造を模式的に示す概略斜視図である。図８は、図７中のＶＩＩ−ＶＩＩ線に沿った概略断面図である。
本実施の形態による光学装置は、主に下記（ｉ），（ｉｉ）の点で第１の実施の形態の光学装置と異なる。
（ｉ）連結棒５４ａ〜５４ｃの長さが容器本体５１の深さより長く設定され、取り付けベース５３がボルト５９を介して容器本体５１の底部上に載置される。そのため、試料ホルダ３０、光学系４０、光学系取り付けベース５３及び連結棒５４ａ〜５４ｃからなる構造体は、吊り下げ状態ではなく容器本体５１の底部により支持されている。
（ｉｉ）上蓋５２上に円筒状部材２５１を設けて、試料室となるチャンバー２５０を形成する。本実施の形態では、上蓋５２は、チャンバー５０とチャンバー２５０との間の隔壁部として機能している。
円筒状部材２５１は下方が開口しており、その下部にはフランジ部２５１ａを有している。フランジ部２５１ａが上蓋５２の外周側部分の上面にパッキン２５６を介してボルト２５５により固定されることにより、円筒状部材２５１の内部にチャンバー２５０が形成されている。チャンバー２５０内には、試料ホルダ３０及び試料１００が配設される。円筒状部材２５１の上部には、試料１００の出し入れ口２５１ｂが形成されている。この出し入れ口２５１ｂは、図示しない開閉機構で開閉自在とされた開閉蓋２６０により開閉されるようになっている。図８において、２６１は、開閉蓋２６０を閉じたときにチャンバー２５０を気密に保つためのパッキンである。円筒状部材２５１の側部には、図７に示すように、図示しない真空ポンプに接続するための配管が接続される接続口２５７が設けられている。これにより、上蓋５２及び円筒状部材２５１により形成されたチャンバー２５０が、チャンバー５０と独立して真空引き可能となっている。
本実施の形態によれば、試料１００の測定は、チャンバー５０，２５０内がそれぞれ真空に引かれた状態で行う。その結果、光学系４０がチャンバー５０内に配置されるとともに試料ホルダ３０及び試料１００がチャンバー２５０内に配置されているので、全ての光路が真空となる。したがって、光路中に介在する大気の分子等が全くなくなるため、光路中に存在する分子等による測定等の精度の低下がなくなる。また、試料１００を交換する場合には、チャンバー５０の真空状態を保ったままチャンバー２５０を大気圧に戻し、試料１００の交換を行う。交換後に測定を行う場合には、チャンバー２５０のみを再度真空に引けばよい。このため、試料１００の交換に伴い再度真空に引くべき空間が狭いので、対象物の交換に要する時間が大幅に短縮される。なお、試料１００の測定は、例えば、チャンバー５０，２５０内を一旦真空に引いた後にパージ用のガスで充満させ密封状態に保って、行ってもよい。
そして、本実施の形態によれば、第１の実施の形態と同様に、試料ホルダ３０、光学系４０、光学系取り付けベース５３及び連結棒５４ａ〜５４ｃからなる一体化された構造体が、チャンバー５０，２５０を形成している上蓋５２、容器本体５１及び円筒状部材２５１に対して固定されることなく、位置の自由度を持っている。したがって、本実施の形態によれば、チャンバー５０，２５０を真空に引くことにより、上蓋５２、容器本体５１及び円筒状部材２５１に歪みが生じても、試料ホルダ３０と光学系取り付けベース５３との相対的な位置関係、すなわち、試料１００と光学系４０との相対的な位置関係は全く変わらない。ただし、上記歪みによって前記構造体の位置が変わることもあるが、その場合も、上記相対的な位置関係は変化しない。このため、本実施の形態によれば、上蓋５２や容器本体５１の厚みを厚くしてそれらの強度を高めるようなことをしなくても、ひいては、装置の重量を増大させなくても、真空引きに伴う歪み発生により測定精度が低下することがない。
このように、本実施の形態によれば、光路中に介在する大気中の分子等を排除して測定精度を高めることができ、しかも、装置の重量を増大させることなく、試料１００の交換の迅速性と真空引きに伴う歪みに起因する測定精度の低下の抑制とを両立させることができる。
なお、本実施の形態においても、前記第１の実施の形態と同様に、連結棒５４ａ〜５４ｃの長さを容器本体５１の深さより短く設定し、光学系４０及び光学系取り付けベース５３を、連結棒５４ａ〜５４ｃにより吊り下げられた状態としてもよい。
また、窓部５２ａを開口とし、この開口を開閉し得るシャッターのような真空バルブを設けてもよい。
［第４の実施の形態］
図１２は、本発明の第４の実施の形態による光学装置の構造を模式的に示した断面図である。図１２に示した装置は、図４に示した装置において試料ホルダ３０を試料ホルダ４００で置き換えたものである。試料ホルダ４００では、ホルダ上面側に筒状の壁部４００ｂが、開口４００ａを囲むように形成されている。壁部４００ｂで囲まれた凹部空間はテラヘルツ光の吸収率の小さな液体４０１が満たされている。試料１００は、液体４０１で満たされた凹部空間の開口４００ａの部分に載置される。試料ホルダ４００の試料載置面には溝４００ｃが形成されていて、開口４００ａの領域と試料１００が納められる領域とは連通している。そのため、開口４００ａ内にも液体４０１が満たされている。試料ホルダ４００の底面と上蓋５２の上面との隙間はＯリングシール４０２によりシールされ、液体４０１が漏れるのを防止している。
本実施の形態では、窓部５２ａと試料１００との間の開口空間は液体４０１で満たされているため、テラヘルツ光Ｌ４，Ｌ５の光路からテラヘルツ光を吸収しやすい水蒸気やＣＯ２の分子を排除することができる。また、屈折率が窓部５２ａの屈折率に近い液体４０１を使用することにより、液体４０１と窓部５２ａとの界面での反射を防止することができ、多重反射の影響を低減することができる。
図１３は第４の実施の形態の第１変形例であり、窓部５２ａの上面に壁部５２０を形成し、その壁部５２０で囲まれた領域に液体を満たし、試料１００をその液体内に浸した。５２１は試料１００が載置される試料台である。
図１４は第４の実施の形態の第２変形例であって、試料１００と窓部５２ａとの間に液体４０１を介在させる代わりにガスをパージするようにしたものである。図１４に示す装置は、図６に示した装置にガスパージノズル５００を固定具５０１により円環１５２ｂに固定したものである。固定治具５０１はボルト５０２によって円板１５２に固定されている。ガスパージノズル５００からは、パージガスＧとして窒素ガスやヘリウムガスやアルゴンガスなどが、試料ホルダ３０と円板１５２ａとの間に噴出される。その結果、試料ホルダ３０と円板１５２ａとの間の大気がパージガスに置換され、水蒸気やＣＯ２によるテラヘルツ光Ｌ４，Ｌ５の吸収を防止することができる。
以上、本発明の各実施の形態及びその変形例について説明したが、本発明はこれらの実施の形態及び変形例に限定されるものではない。
例えば、前述した各実施の形態及びその変形例では、対象物からの反射光を用いる反射型の装置に適用した例であったが、本発明は、チャンバーの形状を適宜変更することによって、対象物からの透過光を用いる透過型の装置にも適用することができる。
また、前述した各実施の形態及びその変形例は、本発明をテラヘルツ光を用いた測定装置に適用した例であったが、本発明は、テラヘルツ光を用いた他の種々の光学装置やテラヘルツ光を用いない種々の光学装置に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
図１は、本発明の第１の実施の形態による光学装置を模式的に示す概略構成図である。
図２は、図１中のＩＩ−ＩＩ線に沿った概略断面図である。
図３は、本発明の第１の実施の形態による光学装置の構造を模式的に示す概略斜視図である。
図４は、図３中のＩＶ−ＩＶ線に沿った概略断面図である。
図５は、本発明の第２の実施の形態による光学装置の構造を模式的に示す概略斜視図である。
図６は、図５中のＶＩ−ＶＩ線に沿った概略断面図である。
図７は、本発明の第３の実施の形態による光学装置の構造を模式的に示す概略斜視図である。
図８は、図７中のＶＩＩ−ＶＩＩ線に沿った概略断面図である。
図９は、窓部界面におけるテラヘルツ光の反射および多重反射の一例を示す模式図である。
図１０は、検出出力の一例を示す図である。
図１１は、窓部材内部における多重反射を示す図である。
図１２は、本発明の第４の実施の形態による光学装置の構造を模式的に示した断面図である。
図１３は、第４の実施の形態の第１変形例を示す図である。
図１４は、第４の実施の形態の第２変形例を示す図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【国際調査報告】
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