【事件の表示】
　特願２００８−　２４９８１「太陽電池及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２１年　１月２９日出願公開、特開２００９−　２１５４１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯  
　本願は、平成２０年２月５日（パリ条約による優先権主張２００７年７月１３日、韓国）の出願であって、平成２２年１０月１３日付けで拒絶の理由が通知され、平成２３年１月１９日に手続補正がなされたが、同年８月１８日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年１２月２２日に拒絶査定不服審判が請求されると同時に手続補正がなされたものである。　
　　　  
第２　平成２３年１２月２２日付け手続補正についての補正却下の決定  
　［補正却下の決定の結論］  
　平成２３年１２月２２日付け手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。 　  
 　　　 　  
［理　由］  
１　補正内容 　  
　本件補正は、特許請求の範囲についてするものであり、その特許請求の範囲の請求項１については、 　  
　本件補正前（平成２３年１月１９日付け手続補正後のもの）に、  
　「半導体基板と、
　前記半導体基板の一面に形成されたエミッタ層と、
　前記エミッタ層上に形成された導電性透明電極層と、
　前記導電性透明電極層上に形成され、前記導電性透明電極層と電気的に接続された第１電極と、
　前記半導体基板の後面に形成され、前記半導体基板と電気的に接続された第２電極と、を含み、
　前記導電性透明電極層は、５００μΩ・ｃｍ以下で、かつ前記エミッタ層より低い比抵抗を有し、３５０〜８００ｎｍ波長範囲で９０％以上の透過率を有することを特徴とする
、請求項１に記載の太陽電池。」とあったものを、  
 　　　　  
　「半導体基板と、
　前記半導体基板の一面に形成されたエミッタ層と、
　前記エミッタ層上に形成された導電性透明電極層と、
　前記導電性透明電極層上に形成され、前記導電性透明電極層と電気的に接続された第１電極と、
　前記半導体基板の後面に形成され、前記半導体基板と電気的に接続された第２電極と、を含み、
　前記導電性透明電極層は、
　
インジウムスズ酸化物、スズ系酸化物、ＡｇＯ、ＺｎＯ−Ｇａ
２
Ｏ
３
、ＺｎＯ−Ａｌ
２
Ｏ
３
、フッ素ドープ酸化スズ及びこれらの混合物からなる群より選択される物質を含み
　
１．７〜２．５の屈折率を有し
　
６０〜１００ｎｍの厚さを有し
　５００μΩ・ｃｍ以下で、かつ前記エミッタ層より低い比抵抗を有し、３５０〜８００ｎｍ波長範囲で９０％以上の透過率を有することを特徴とする、太陽電池。」と補正する内容を含むものである（なお、下線は、当審で付したものである。以下同じ。）。  
　　　　　
 ２　補正目的  
（１）本件補正後の請求項１についての上記補正は、本件補正前の請求項１に係る発明を特定するために必要な「導電性透明電極層」の材料及び特性を特定するものであるから「特許請求の範囲の減縮」を目的とするものであると認められる。          　
 　  
（２）よって、本件補正後の請求項１についての補正は、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる「特許請求の範囲の減縮」を目的とするものと認め得るから、本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）について、これが特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成２３年法律第６３号改正附則第２条第１８項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）否かを、以下に検討する。　  
 　　　　　　　　　　　  
３　独立特許要件  
（１）本願補正発明 　 　
　本願補正発明を再掲すると、以下のとおりのものである。  
　「半導体基板と、
　前記半導体基板の一面に形成されたエミッタ層と、
　前記エミッタ層上に形成された導電性透明電極層と、
　前記導電性透明電極層上に形成され、前記導電性透明電極層と電気的に接続された第１電極と、
　前記半導体基板の後面に形成され、前記半導体基板と電気的に接続された第２電極と、を含み、
　前記導電性透明電極層は、
　インジウムスズ酸化物、スズ系酸化物、ＡｇＯ、ＺｎＯ−Ｇａ２Ｏ３、ＺｎＯ−Ａｌ２Ｏ３、フッ素ドープ酸化スズ及びこれらの混合物からなる群より選択される物質を含み、
　１．７〜２．５の屈折率を有し、
　６０〜１００ｎｍの厚さを有し、
　５００μΩ・ｃｍ以下で、かつ前記エミッタ層より低い比抵抗を有し、３５０〜８００ｎｍ波長範囲で９０％以上の透過率を有することを特徴とする、太陽電池。」
　　　  
（２）刊行物に記載された事項  
　ア　原査定の拒絶理由に引用され、本願の優先日前に頒布された刊行物である国際公開第０２／３１８９２号 （以下「引用文献」という。）には、図とともに以下の記載がある。   　
　                        　
（ア）「５．
半導体基板の主表面が絶縁膜で被覆されている太陽電池において、前記絶縁膜にて被覆されていない半導体層露出領域が前記主表面に形成されてなり、前記半導体層露出領域と前記絶縁膜とを一括して覆う透明導電層が形成され、該透明導電層上に出力取出用電極が形成されている
　
（イ）「ところで、ファイヤースルー方式による太陽電池作製方法では、表面ｎ型層であるエミッタ層のドーパント濃度を高く設定する必要がある。これは、エミッタ層のドーパント濃度が低い場合、ファイヤースルーにより形成される金属とシリコンとの直接接触部のコンタクト抵抗が十分に下がらず、コンタクト抵抗ロスが大きくなって取り出せる電力が小さくなることにつながるからである。しかしながら、拡散によってエミッタ層のドーパント濃度を高くすると、半導体シリコンとドーパントとの化合物が析出し、表面に多くの欠陥準位が形成されて、表面再結合速度が大きくなる。このような状態になると、太陽電池の短波長感度が低くなり、取り出せる電流が小さくなる不具合を生ずる。
　一方、太陽電池の変換効率ηを高めるためには、出力取出用金属電極の形成幅をなるべく小さくし、シャドーイングロスの低減を図ることも重要である。しかしながら、ファイヤースルー方式では電極をスクリーン印刷により形成することから、電極幅を極端に小さくすることは原理的に困難であり、結果としてシャドーイングロス低減のために、複数本形成する電極の配列間隔を広くせざるをえなくなる。・・・（略）・・・変換効率ηの良好な太陽電池、例えばηが２０％を超える太陽電池を作製することは困難であるとみなされている。
　本発明の課題は、変換効率が高くしかも低コストにて製造可能な太陽電池と、その製造方法とを提供することにある。」（第３頁第１０行ないし第４頁第５行）　
　　
（ウ）「次に、本発明に係る
太陽電池の第三の構成
半導体基板の主表面が絶縁膜で被覆されている太陽電池において、絶縁膜にて被覆されていない半導体層露出領域が主表面に形成されてなり、半導体層露出領域と絶縁膜とを一括して覆う透明導電層が形成され、該透明導電層上に出力取出用電極が形成されている
　この構成では、コンタクトホールとして機能する半導体層露出領域を絶縁膜に形成し、それら半導体層露出領域と絶縁膜とを一括して覆う透明導電層を形成する。そして、出力取出用電極をこの透明導電層上に形成する。このような透明導電層を設けない場合、図１３Ａに例示するように、半導体基板１側で発生した電流は、抵抗率の比較的高い基板表層部（例えばエミッタ層）２を横方向に流れた後、出力取出用電極か７から取り出される形となるので直列抵抗が大きくなり、損失が生じやすくなる。しかし、本発明の第三の構成に係る太陽電池によれば、図１３Ｂに例示するように、半導体層露出領域５からの電流は、導電率の比較的高い（つまり抵抗率の比較的低い）透明導電層６を横方向に流れた後、出力取出用電極７から取り出すことができる。従って、横方向に電流が流れる際の抵抗損失を大幅に軽減することができる。例えば、図１３Ａにおいては、出力取出用電極７までの距離ＬＰ１が全て、基板表層部２内の横方向導通路とならざるを得ないが、図１３Ｂにおいては、出力取出用電極７の存在の有無にかかわらず、最寄の半導体層露出領域５から透明導電層６へ電流が流れ込めばよいので、その横方向導通長さＬＰ２は、図１３Ａの横方向導通長さＬＰ１よりも大幅に短くなることが明らかである。また、別の効果として、形成されているのが透明導電層であるから、透明導電層自身によるシャドーイングロスはほとんど発生しない。こうして、太陽電池の短絡電流及び変換効率の向上を図ることができる。
　　　・・・（略）・・・
　また、
本発明では基板表層部（例えばエミッタ層）にて横方向に電流を流す必要がないため、そのシート抵抗を高くしても、例えばｎ型エミッタ層を形成する場合は、シート抵抗を１００Ω／□からはるかに高くしても問題はない。つまり、基板表層部のドーパント濃度をさらに下げることが可能である。これにより、表面再結合速度をさらに下げることが可能となり、変換効率を上昇させることができる
　　
（エ）「図１Ａは、本発明の太陽電池の一実施形態を模式的に示す断面図である。該太陽電池１００は、シリコン単結晶基板１（以下、単に基板１と記載する：本実施形態ではｐ型とする）の第一主表面側に不純物の拡散層２（本実施形態ではｎ型とする）が形成され、ｐ−ｎ接合部をなしている。この拡散層２のように半導体基板の表面近傍に新たに形成された層を本発明においては半導体層２と総称する。半導体層２の表面には、絶縁膜（パッシベーション膜）３、
透明導電層６及び出力取出用電極７
　ここで、基板１の第一主表面には凹凸部が形成され、絶縁膜３はその凹凸部を覆う形で形成されている。そして、凹凸部を形成する多数の凸部１５の一部のものの頂上部２５を包含する形にて、
絶縁膜３にて被覆されていない半導体層露出領域５が形成されている
　
（オ）「次に、
透明導電層６
アンチモン（Ｓｂ）をドープした酸化スズ膜（いわゆるネサ膜）あるいはスズ（Ｓｎ）をドープした酸化インジウム膜（いわゆるＩＴＯ膜）
  　
（カ）「
太陽電池１００の直列抵抗を減少させる観点において、透明導電層６は、電気比抵抗を５×１０
−５
〜３×１０
−４
Ω・ｃｍ程度に調整しておくことが望ましい
ネサ膜はＣＶＤ法により、例えば１×１０
−４
Ω・ｃｍ以下の低抵抗率の膜を得ることができる
　なお、上記の透明導電層６は、基板１を構成するシリコン単結晶と屈折率の異なるものを採用することで、反射防止膜として機能させることもできる。反射防止膜として機能させる場合、透明導電層６の構成材料の屈折率は１．５〜２．５であるのがよい。例えば、
ネサ膜の場合、屈折率は２．０程度であり、その厚みを４０〜７０ｎｍ程度とする場合に、顕著な反射防止効果を得ることができる
  　
（キ）「図１Ａに戻り、基板１の第二主表面には、裏面反射防止のための凹凸部が形成され、絶縁膜３がそれら凹凸部を覆う形で形成されている。また、凸部１５の山頂部に半導体層露出部５が形成されている。ただし、
該第二主表面側は受光面とはならないため、その全面が出力取出用電極８により覆われている
　
（ク）「（実験例１）
　図１Ａに示す太陽電池を、図３のフローチャートを示す工程にて作製した。まず、シリコン単結晶インゴットから切り出されたアズスライス状態の
ｐ型結晶シリコン基板１（抵抗率２Ω・ｃｍ（ドーパント濃度７．２×１０
１５
ｃｍ
−３
）のボロンドープ品）を用意した
　凹凸形成の終了した
基板１を洗浄後、リンを熱拡散することによりシート抵抗２００Ω／□のｎ型拡散層２（リン拡散層）を、第一主表面に形成した。次いで、基板表面に生じたリンガラスをエッチングして除去した後、酸化を行い、厚さ約５ｎｍの二酸化珪素膜を絶縁膜３として両主表面に形成した
　次に、基板１の第一主表面に、
透明導電層６としてアンチモンをドープした二酸化スズ膜を常圧ＣＶＤにより堆積した。この透明導電層６の膜厚は、反射防止膜も兼ねるため６０ｎｍとした。次に、基板１の第一主表面に、銀ペーストを用いたスクリーン印刷法により表面に、図１７に示す形態の出力取出用電極７のパターンを、また第二主表面の全面にアルミニウムペーストを用いて出力取出用電極８のパターンをそれぞれ形成した
　　　・・・（略）・・・
　実施例品１及び実施例品２では、
半導体表層部２であるエミッタ層のシート抵抗を２００Ω／□に設定できた
　　　・・・（略）・・・
　比較例品と比べた場合、実施例品１及び実施例品２では短絡電流も増加している。これは、シャドーイングロスの低減と短波長感度の増加によるものと考えられる。比較例品では電流はエミッタ層内を横方向に流れるが、
本実施例では代わりに透明導電層６内を流れる。透明導電層６のシート抵抗は約１０Ω／□
　　　・・・（略）・・・
　なお、本実施例における太陽電池では、裏面全面に電極を形成しているが、裏面側にも表面同様、透明導電膜と櫛形電極を形成し、裏面側からも光が入射する構造にしても構わない。また、
２００Ω／□のｎ型拡散層を形成したが、１００Ω／□より高い値にできれば、短波長感度が増大し、太陽電池特性が向上する
　　　 
（ケ）図１Ａは、以下のものである。　
      　　　　
（３）引用文献に記載された発明  
　ア　上記（２）（ア）の記載によれば、
　引用文献には、
　「半導体基板の主表面が絶縁膜で被覆されている太陽電池において、前記絶縁膜にて被覆されていない半導体層露出領域が前記主表面に形成されてなり、前記半導体層露出領域と前記絶縁膜とを一括して覆う透明導電層が形成され、該透明導電層上に出力取出用電極が形成されている、太陽電池。」
　が記載されているものと認められる。　  　
　
　イ　上記（２）（ク）の記載に照らせば、
　上記アの「半導体基板の主表面」には、
　シート抵抗２００Ω／□のｎ型拡散層２（リン拡散層）が形成されたものであってもよいものと認められる。
    　
　ウ　上記（２）（ク）の記載に照らせば、
　上記アの「透明導電層」は、
　膜厚６０ｎｍ、シート抵抗約１０Ω／□のアンチモンをドープした二酸化スズ膜であってもよいものと認められる。
　
　エ　上記（２）（キ）及び（ク）の記載に照らせば、
　受光面とならない裏面全面に出力取出用電極８が形成されたものであってもよいものと認められる。
　　
　オ　上記アないしエの記載から、引用文献には次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。　　  
 　  
 「半導体基板の主表面が絶縁膜で被覆されている太陽電池において、
　絶縁膜にて被覆されていない半導体層露出領域が主表面に形成されてなり、半導体層露出領域と絶縁膜とを一括して覆う透明導電層が形成され、透明導電層上に出力取出用電極７が形成され、受光面とならない裏面全面に出力取出用電極８が形成された、太陽電池であって、
　半導体基板の主表面には、シート抵抗２００Ω／□のｎ型拡散層（リン拡散層）が形成され、
　透明導電層は、膜厚６０ｎｍ、シート抵抗約１０Ω／□のアンチモンをドープした二酸化スズ膜である、太陽電池。」　
　　　　　
３　対比 
　本願補正発明と引用発明とを対比する。
（１）引用発明の「半導体基板」は本願補正発明の「半導体基板」に相当し、同様に、
　「主表面」は「一面」に、
　「受光面とならない裏面」は「後面」に、
　「ｎ型拡散層（リン拡散層）」は「エミッタ層」に、
　「透明導電層」は「導電性透明電極層」に、　　
　「アンチモンをドープした二酸化スズ膜」は「スズ系酸化物」に、
　「出力取出用電極７」は「第１電極」に、
　「出力取出用電極８」は「第２電極」に、それぞれ、相当する。 
　    　
（２）上記（１）に照らせば、
　引用発明と本願補正発明とは「半導体基板と、
　前記半導体基板の一面に形成されたエミッタ層と、
　前記エミッタ層上に形成された導電性透明電極層と、
　前記導電性透明電極層上に形成され、前記導電性透明電極層と電気的に接続された第１電極と、
　前記半導体基板の後面に形成され、前記半導体基板と電気的に接続された第２電極と、を含み」で一致する。　
　
（３）引用発明の「透明導電層」は「膜厚６０ｎｍ、シート抵抗約１０Ω／□」であって、比抵抗は「シート抵抗と膜厚の積」で算出されることに照らせば、
　引用発明の「透明導電層」の比抵抗は、（１０Ω／□）×（６×１０−６ｃｍ）から、
約６０×１０
−６
Ω・ｃｍ（６０μΩ・ｃｍ
　してみると、引用発明と本願補正発明とは「前記導電性透明電極層は、
　インジウムスズ酸化物、スズ系酸化物、ＡｇＯ、ＺｎＯ−Ｇａ２Ｏ３、ＺｎＯ−Ａｌ２Ｏ３、フッ素ドープ酸化スズ及びこれらの混合物からなる群より選択される物質を含み、
　６０〜１００ｎｍの厚さを有し、
　
５００μΩ・ｃｍ以下
　      　
（４）してみると、本願補正発明と引用発明とは以下の点で一致する。  
　＜一致点＞  
 「半導体基板と、
　前記半導体基板の一面に形成されたエミッタ層と、
　前記エミッタ層上に形成された導電性透明電極層と、
　前記導電性透明電極層上に形成され、前記導電性透明電極層と電気的に接続された第１電極と、
　前記半導体基板の後面に形成され、前記半導体基板と電気的に接続された第２電極と、を含み、
　前記導電性透明電極層は、
　インジウムスズ酸化物、スズ系酸化物、ＡｇＯ、ＺｎＯ−Ｇａ２Ｏ３、ＺｎＯ−Ａｌ２Ｏ３、フッ素ドープ酸化スズ及びこれらの混合物からなる群より選択される物質を含み、
　６０〜１００ｎｍの厚さを有し、　　
　５００μΩ・ｃｍ以下で、所定の波長範囲で所定の透過率を有する、
　太陽電池。」
　　
（５）一方で、本願補正発明と引用発明とは、以下の点で相違する。  
　＜相違点＞ 　  
　導電性透明電極層に関し、 
　本願補正発明は、「１．７〜２．５の屈折率を有し」（以下「相違点１」という。）、「かつ前記エミッタ層より低い比抵抗を有し」（以下「相違点２」という。）、「３５０〜８００ｎｍ波長範囲で９０％以上の透過率を有する」（以下「相違点３」という。）のに対して、
　引用発明は、そのようなものであるか否か不明である点。　
　　　
４　判断 　  
（１）まず、上記＜相違点２＞について検討する。  
　ア　引用発明の「ｎ型拡散層（リン拡散層）」は、リンを拡散することにより形成したものであって、このようなｎ型拡散層は、通常「０．１ないし０．５μｍ程度」の厚さで形成されることが本願の優先日時点で周知（例えば、
（ア）特開２００６−３３２２６４号公報の【００３２】を参照。
　【００３２】には、リン原子を拡散させて、シート抵抗値が３０Ω／□〜３００Ω／□程度、厚みが
０．２μｍ〜０．５μｍ
　
（イ）特開２００５−３５３８５１号公報の【０００６】及び【００３４】を参照。
　【０００６】には、リン原子を拡散させて、厚み
０．２〜０．５μｍ
　
（ウ）特開２００５−３４７３３９号公報の【００２８】を参照。
　【００２８】には、ｐ型の単結晶シリコン基板をオキシ塩化リン雰囲気中で熱処理することで、厚さ
０．１〜０．５μｍ
　
（エ）特開２００４−３４９３７９号公報の【０００４】を参照。
　【０００４】には、受光面側に
約０．５μｍ
　
（オ）特開２００４−９５６７４号公報の【００３２】を参照。
　【００３２】には、リン拡散を行うことで、接合深さ
約０．３μｍ
　
（カ）特開２００３−１５２２００号公報の【００１３】ないし【００１５】及び【００２７】を参照。
　【００１３】には、拡散層を
０．３〜０．５μｍ
　以下「周知技術１」という。）であることに照らせば、
　引用発明の「ｎ型拡散層（リン拡散層）」も「０．１ないし０．５μｍ程度」の厚さで形成されているものと認められるところ、　
　引用発明の「ｎ型拡散層（リン拡散層）」のシート抵抗が２００Ω／□であることから、
　その比抵抗は（２００Ω／□）×（１×１０−５ｃｍ）ないし（２００Ω／□）×（５×１０−５ｃｍ）程度、つまり、  　
　２０００×１０−６ないし１００００×１０−６Ω・ｃｍ程度のものと解される。
　　
　ウ　これに対して、引用発明の「透明導電層」は、上記３（３）のとおり、比抵抗は約６０×１０−６Ω・ｃｍであって、「ｎ型拡散層（リン拡散層）」の比抵抗より低いことは明らかであるから、＜相違点２＞は実質的な相違ではない。    　                  　　
　　　　　　
（２）上記＜相違点１＞について検討する。
　引用発明の「透明導電層」は、アンチモンをドープした二酸化スズ膜、いわゆるネサ膜と呼ばれるものであって、引用文献の記載（摘記（カ）を参照。）に照らせば、ネサ膜の屈折率は「２．０程度」であるから、＜相違点１＞は実質的な相違ではない。
　　　   　
（３）上記＜相違点３＞について検討する。
　ア　太陽電池における透明導電層の透過率を１００％に近づけるほど、太陽光を有効に利用できることは当業者にとって明らかであり、透過率を８５％以上とした透明導電層も本願の優先日時点で周知（例えば、
（ア）国際公開第０２／０５２６５４号の第３頁第１５ないし１９行を参照。
　透明導電膜の
全線透過率を９０％以上
　          　
（イ）特開平１１−２１９７３４号公報の【００２３】及び【００２４】を参照。       　
　透明導電層の
全線透過率を８５％以上
　           　
（ウ）特開平４−２８１１３号公報の第１頁右欄ないし第２頁右上欄を参照。           　
　アンチモンが含まれる酸化スズ系膜の
可視光透過率を７０ないし９５％
　　
（エ）特開平２−１６７８２１号公報の第３頁左下欄ないし同頁右下欄を参照。
　実施例１で得られた透明導電膜は、
４００〜８００ｎｍ
９０％以上
　
（オ）特開昭５８−４２２８０号公報の第２頁左上欄を参照。
　透明導電膜の透過率としては
８５％以上
　
（カ）特開昭５７−１５７５７８号公報の第２頁左上欄ないし同頁右上欄を参照。
　第１表には、酸化錫系透明導電膜の透過率が
８５％
　以下「周知技術２」という。）であることに照らせば、
　引用発明の「透明導電層」の透過率を「９０％以上」とする点に何ら困難性は認められない。
　
　イ　また、波長域についても、当業者が引用発明を実施する際に、半導体の種類等を勘案して適宜定めるべき事項であり、短波長側を「３５０ｎｍ」とするとともに、長波長側を「８００ｎｍ」とすることは、当業者が適宜なし得たことである。
    　
　ウ　以上の検討によれば、引用発明において、上記＜相違点３＞に係る本願補正発明の構成を採用することは、当業者が上記周知技術２に基づいて容易になし得たことである。
    　
（４）また、本願補正発明の奏する効果は、当業者が引用発明、引用文献に記載の事項、周知技術１及び２から予測し得る範囲内のものである。　　  
 　　　　　　　　　　  
（５）独立特許要件についてのまとめ 　  
　本願補正発明は、当業者が引用発明、引用文献に記載の事項、周知技術１及び２に基づいて容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができな
いものである。  
 　　　　　 　 　  
４　補正却下の決定のむすび 　  
　上記「３」のとおり、本願補正発明は特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから、本件補正は、平成２３年法律第６３号改正附則第２条第１８項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反する。
　したがって、本件補正は、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　　
第３　本願発明  
１　本願発明  
　本件補正は上記のとおり却下されたため、本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、前記「第２　１（１）」にて本件補正前の請求項１として記載したとおりのものである。  
 　　　 　  
２　引用文献  
　当審拒絶理由で引用された引用文献及びその記載事項は、前記「第２　３（２）」に記載したとおりである。  
 　　　　　　　　　　  
３　対比・判断  
　本願補正発明は、前記「第２　２（１）及び（２）」に記載したとおり、本願発明を限定したものに相当する。 　  
　そうすると、本願発明の構成要件を全て含み、さらに限定を付加したものに相当する本願補正発明が前記「第２　３」で検討したとおり、当業者が引用発明、引用文献に記載の事項、周知技術１及び２に基づいて容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も同様の理由により、当業者が引用発明、周知技術１及び２に基づいて容易に発明をすることができたものである。  
 　　　　 　  
４　むすび  
　以上のとおり、本願発明は、当業者が引用文献に記載された発明及び周知技術に基づいて容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。  
　　　　
　よって、結論のとおり審決する。