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　特願２００６−５４２７７３「熱電装置およびその用途」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年１月５日国際公開、ＷＯ２００６／００１８２７、平成１９年７月５日国内公表、特表２００７−５１８２５２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯
　本願は、２００４年１２月２日（パリ条約による優先権主張　外国庁受理２００３年１２月２日、２００３年１２月２日及び２００４年３月３０日　アメリカ合衆国）を国際出願とする特許出願であって、平成１９年１１月２６日に手続補正書が提出され、平成２１年２月１９日付けの拒絶理由通知に対して同年８月２４日に意見書及び手続補正書が提出され、平成２２年１月１５日付けの拒絶理由通知に対して同年７月２０日に意見書及び手続補正書が提出され、さらに、同年８月１７日付けの拒絶理由通知に対して同年９月２９日に意見書及び手続補正書が提出されたが、平成２３年９月２９日付けで拒絶査定がなされた。
　それに対して、同年１２月２６日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに手続補正書が提出され、その後、平成２４年３月１日付けの最後の拒絶理由通知に対して応答はなされなかった。
　
第２．平成２３年１２月２６日に提出された手続補正書による補正について
１．補正の内容
　平成２３年１２月２６日に提出された手続補正書による補正（以下「本件補正」という。）は、補正前の特許請求の範囲の請求項１〜２７を、請求項１〜１９及び２５〜２７を削除するとともに、当該削除に伴って請求項の番号及び引用する請求項の番号を修正して、補正後の特許請求の範囲の請求項１〜５とするものであり、補正前の請求項２０及び補正後の請求項１は、各々次のとおりである。
　
（補正前）
　「【請求項２０】
　コイル構成、折り畳み構成、または巻構成である可とう性の基板を設ける段階；
　ｎ型熱電材料の複数の薄膜を可とう性の基板上に、ｘが約２であり、ｙが約３である、ＢｉｘＴｅｙ合金、ＳｂｘＴｅｙ合金、およびＢｉｘＳｅｙ合金またはそれらの組み合わせからなる群から選ばれた２つから同時にスパッタ堆積させる段階；
　ｐ型熱電材料の複数の薄膜を可とう性の基板上に、ｘが約２であり、ｙが約３である、ＢｉｘＴｅｙ合金、ＳｂｘＴｅｙ合金、およびＢｉｘＳｅｙ合金またはそれらの組み合わせからなる群から選ばれた２つから同時にスパッタ堆積させる段階；
　ｐ型熱電材料の薄膜をｎ型熱電材料の薄膜に電気的に接続することによって可とう性の基板上に複数の熱電対を形成する段階
を含む、熱電電源を製造する方法。」
　
（補正後）
　「【請求項１】
　コイル構成、折り畳み構成、または巻構成である可とう性の基板を設ける段階；
　ｎ型熱電材料の複数の薄膜を可とう性の基板上に、ｘが約２であり、ｙが約３である、ＢｉｘＴｅｙ合金、ＳｂｘＴｅｙ合金、およびＢｉｘＳｅｙ合金またはそれらの組み合わせからなる群から選ばれた２つから同時にスパッタ堆積させる段階；
　ｐ型熱電材料の複数の薄膜を可とう性の基板上に、ｘが約２であり、ｙが約３である、ＢｉｘＴｅｙ合金、ＳｂｘＴｅｙ合金、およびＢｉｘＳｅｙ合金またはそれらの組み合わせからなる群から選ばれた２つから同時にスパッタ堆積させる段階；
　ｐ型熱電材料の薄膜をｎ型熱電材料の薄膜に電気的に接続することによって可とう性の基板上に複数の熱電対を形成する段階
を含む、熱電電源を製造する方法。」
　
２．補正の適否について
　本件補正は、特許法第１７条の２第４項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項をいう。以下同じ。）第１号に掲げる請求項の削除を目的とするものに該当するから、本件補正は、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たす。
　また、本件補正が、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項の規定を満たすことは明らかである。
　したがって、本件補正は適法になされたものである。
　
第３．本願発明
　本願の請求項１〜５に係る発明は、本件補正により補正された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜５に記載されている事項により特定されるとおりのものであり、そのうちの請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、請求項１に記載されている事項により特定される上記第２．１．の「（補正後）」の箇所に記載したとおりのものであって、再掲すると次のとおりである。
　
　「【請求項１】
　コイル構成、折り畳み構成、または巻構成である可とう性の基板を設ける段階；
　ｎ型熱電材料の複数の薄膜を可とう性の基板上に、ｘが約２であり、ｙが約３である、ＢｉｘＴｅｙ合金、ＳｂｘＴｅｙ合金、およびＢｉｘＳｅｙ合金またはそれらの組み合わせからなる群から選ばれた２つから同時にスパッタ堆積させる段階；
　ｐ型熱電材料の複数の薄膜を可とう性の基板上に、ｘが約２であり、ｙが約３である、ＢｉｘＴｅｙ合金、ＳｂｘＴｅｙ合金、およびＢｉｘＳｅｙ合金またはそれらの組み合わせからなる群から選ばれた２つから同時にスパッタ堆積させる段階；
　ｐ型熱電材料の薄膜をｎ型熱電材料の薄膜に電気的に接続することによって可とう性の基板上に複数の熱電対を形成する段階
を含む、熱電電源を製造する方法。」
　
第４．引用刊行物に記載された発明
１．引用例１：特公昭４３−２５３９１号公報
（１）本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布され、平成２４年３月１日付けの最後の拒絶理由通知において引用された刊行物である特公昭４３−２５３９１号公報（以下「引用例１」という。）には、第１図〜第３図とともに次の記載がある（ここにおいて、下線は当合議体が付加したものである。以下同じ。）。
　
ａ．「
本発明は熱電素子群体の製造方法に関する。
　
ｂ．「
第１図に示すように熱伝導率が小さく可撓性の電気絶縁材料例えばクラフト紙の基体リボン１に真空蒸着法またはスパツタリング法等により所定のマスクを通してＰ型およびＮ型の金属薄膜素子帯２，３を所定の間隔で交互にほぼ並行して被着させた後該被着金属膜の相隣るＰ型、Ｎ型金属膜の両端部を交互に金属導電薄膜４の被着により短絡し、さらに基体リボン１の両端にあるＰ型、Ｎ型金属膜に接する金属導電薄膜４’にリード線５をそれぞれ接続することによつて可撓性のある直列熱電素子群体１０を形成させる
　
上記のごとくにして形成させた熱電素子群体は第２図ａに示すように筒状に巻き上げたりまたは第２図ｃのように折り曲げて重ね合わせた後防湿性の樹脂例えばエポキシ樹脂を含浸させて一体に固化して第３図ｂ（審決注：「第２図ｂ」の誤記）に示すように金属導電薄膜を被着させた端部に伝熱板６を電気絶縁的に取着して熱電素子装置を形成させる
　
実際上記本発明の方法により幅５ｍｍ、長さ２００ｍｍ、厚さ０．０５ｍｍのクラフト紙の片面に（Ｂｉ，Ｓｂ）
２
（Ｔｅ，Ｓｅ）
３
系のＰ型、Ｎ型金属薄膜帯を幅１ｍｍ、厚さ１μ、間隔０．５ｍｍで６６対被着し、該Ｐ型、Ｎ型の金属薄膜帯を直列接続となるように該金属膜帯の両端部にＳｎの導電薄膜を真空蒸着した後円筒状に巻回しエポキシ樹脂液に浸漬して一体に固化し、両端にアルマイトの伝熱板をエポキシ系接着剤で固着した装置ではＩｏｐｔの最適電流値は１ｍＡで、そのときの温度差ΔＴは熱接点の温度Ｔｈ＝２７℃のとき３５°であつた。なお端子間電圧は５．５Ｖである
　
ｃ．「本発明は上記構成を有するため１Ａ以下の低電流用熱電素子群体を容易に製作することが可能でありまた素子群は一度に多数対製作し必要に応じた素子対数を切り取つて組立てる等の作業も可能で製作能率上著しく有効である。
さらに装置の設計変更の場合には被膜の幅、厚さを変更するのみで簡単に行うことが可能であり、さらにまた従来品の不良原因であつた導電板の接着不良は本方法においては皆無となる等種々の利点を有する
　
（２）以上を総合すると、引用例１には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
　「可撓性の電気絶縁材料の基体リボン１を設ける段階と、
　前記基体リボン１にスパッタリング法により所定のマスクを通して（Ｂｉ，Ｓｂ）２（Ｔｅ，Ｓｅ）３系のＰ型金属薄膜素子帯２及び（Ｂｉ，Ｓｂ）２（Ｔｅ，Ｓｅ）３系のＮ型金属薄膜素子帯３を所定の間隔で交互にほぼ並行して被着させる段階と、
　被着させた相隣る前記Ｐ型金属薄膜素子帯２と前記Ｎ型金属薄膜素子帯３の両端部を交互に金属導電薄膜４の被着により短絡させて、可撓性のある熱電素子群体１０を形成させる段階と、
　前記熱電素子群体１０を筒状に巻き上げ、または折り曲げて重ね合わせる段階を含む熱電素子群体の製造方法。」
　
２．引用例２：特開平５−１８２９１１号公報
　本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布され、平成２４年３月１日付けの最後の拒絶理由通知において引用された刊行物である特開平５−１８２９１１号公報（以下「引用例２」という。）には、図１とともに次の記載がある。
　
ａ．「【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明はトンネル接合素子、反射鏡、超伝導体、超格子半導体、強磁性体などの作製に使用される物理的薄膜作製法の一つであるスパッタ成膜法に関し、異なる二つの物質の合金膜、あるいは交互且つ任意の厚さで積み重ねた積層膜を作製するスパッタ装置に関する
【０００２】
【従来の技術】従来のスパッタ装置の解説の一例が、産業技術サービスセンター発刊、実用真空技術総覧（１９９１）６０８頁から６７５頁にある。最も主要なマグネトロンスパッタ法で合金膜を作製する場合、合金を構成する物質のスパッタ電極を用い同時にスパッタするか、合金ターゲットを使用していた。」
　
ｂ．「【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この対向ターゲット式スパッタ装置で異なる物質の合金膜や、異なる物質を交互且つ任意の厚さで積み重ねた積層膜を作製することができなかった。
本発明の目的は、対向ターゲット式スパッタ装置の利点を活かし、任意の組成の合金膜を作製することにある。
　
ｃ．「【００１４】
【実施例】（実施例１）スパッタ電極に印加する入力電力を独立に制御することによって、任意な組成の合金膜を作製した例について説明する。
【００１５】本発明の実施例のスパッタ装置の構造を図１に示す。一つのスパッタ電極は、アノード電極１とカソード電極２で構成されている。アノード電極は電気的にアースされている。カソード電極内には中空円盤状の磁石３が貼付けてあり、内部は水冷されている。
このスパッタ電極を向かい合わせて配置し、それぞれのカソード電極には異なる成分又は組成のターゲット（Ａ）４とターゲット（Ｂ）５が設置されている。ターゲットは、直径５０ミリメートル、厚さ５ミリメートルの大きさである。ターゲットの組成は、一方がシリコン、他方がモリブデンである。
【００１６】
シリコンとモリブデンの合金を作製する。
　
３．引用例３：特開平７−１７３６２３号公報
　本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布され、平成２４年３月１日付けの最後の拒絶理由通知において引用された刊行物である特開平７−１７３６２３号公報（以下「引用例３」という。）には、図１〜３及び５とともに次の記載がある。
　
ａ．「【０００１】
【産業上の利用分野】
この発明は高真空中に設けられた基板の表面に窒化物薄膜又は酸化物薄膜を形成するときに使用される薄膜作成装置に関するものである
　
ｂ．「【０００６】
その次に、従来の装置の第３例が図５に示されている。同図において、真空チャンバー１内の下部には２つのカソード２がハの字状に並列に配置され、各カソード２の上にはターゲット３が載置されている。
【０００７】
このような従来の第３例においても、カソード２と基板４との間でプラズマ放電が起こり、そのプラズマ中のイオンターゲット３をスパッタし、基板４の表面にターゲット３より飛び出したスパッタ粒子が付着して薄膜が形成されるようになる。その際、ハの字状に並列に配置されたカソード２の上にターゲット３を載置しているので、基板４の表面にターゲット材料の同時付着が可能になる
　
ｃ．「【００１０】更に、第３例は、ハの字状に並列に配置されたカソード２上のターゲット３を同時にスパッタできるようにしているが、各ターゲット３のエロージョンが必ずしも均一にはならず、不均一になり易くなる問題が起きた。
【００１１】更にその上、第１例、第２例および第３例は、窒素ガスやアンモニアガス、あるいは酸素ガスを供給して、窒素又は酸素の補足を行っいるが、必ずしも完全とはいえない問題が起きた。
【００１２】この発明の目的は、従来の上記問題を解決して、複数のターゲットを同時にスパッタして、薄膜の膜厚制御および組成比の調整を可能にするとともに、ターゲットのエロージョンを均一にし、窒素又は酸素の補足を十分に行うことのできる薄膜作成装置を提供することにある。」
　
ｄ．「【００１５】
【実施例】
以下、この発明の実施例について図面を参照しながら説明する。この発明の実施例の薄膜作成装置は図１に示されており、同図において、真空チャンバー２１内の下部には２つの高真空高速プラズマスパッタ源２２がハの字状に並列に配置され、その高真空高速プラズマスパッタ源２２のカソード２３の上にはターゲット２４が載置されている。真空チャンバー２１内の上部には基板２５を載せた基板回転機構２６が配設され、基板２５がターゲット２４と対向している。基板２５の背後には基板加熱機構２７が配設されている。また、高真空高速プラズマスパッタ源２２前方のターゲット２４側にはシャッタ３８が配設されている
【００１６】図２は高真空高速プラズマスパッタ源２２の詳細を示しており、同図において、真空ケース３２の下部にはカソード２３が取り付けられ、そのカソード２３の上にはターゲット２４が載置されている。真空ケース３２内にはヘリカルコイル３３が配設され、そのヘリカルコイル３３の中心軸はターゲット２４面に直交している。ヘリカルコイル３３には高周波発振源３４が接続されている。図２において、３５は電磁石、３６は高周波電源、３７は永久磁石である。
【００１７】
このような実施例においては、基板２５とカソード２３との間で放電が起こりプラズマが発生するが、プラズマ中のヘリコン波はヘリカルコイル３３により励起され、高真空高速プラズマスパッタ源２２内で高密度プラズマが生成される。この高密度プラズマ中のイオンはターゲット２４をスパッタし、スパッタ粒子が基板２５に付着して、そこに薄膜が形成されるようになる。その際、複数のターゲット２４を同時にスパッタすることが可能になるとともに、基板回転機構２６で基板２５を回転することが可能になり、膜厚および組成比の調整ができるようになる
　
第５．本願発明と引用発明との対比
１．本願発明と引用発明とを対比する。
　引用発明の「可撓性の電気絶縁材料の基体リボン１」は、本願発明の「可とう性の基板」に相当し、また、引用発明の「前記熱電素子群体１０を筒状に巻き上げ、または折り曲げて重ね合わせる」ことにおいて、引用発明の「筒状に巻き上げ」ることは、本願発明の「コイル構成」、又は「巻構成」に相当し、引用発明の「折り曲げて重ね合わせる」ことは、本願発明の「折り畳み構成」に相当する。
　したがって、引用発明は、本願発明と同様に、「コイル構成、折り畳み構成、または巻構成である可とう性の基板を設ける段階」を備えているものと認められる。
　
２．引用発明の「前記基体リボン１にスパツタリング法により所定のマスクを通して（Ｂｉ，Ｓｂ）２（Ｔｅ，Ｓｅ）３系のＰ型金属薄膜素子帯２及び（Ｂｉ，Ｓｂ）２（Ｔｅ，Ｓｅ）３系のＮ型金属薄膜素子帯３を所定の間隔で交互にほぼ並行して被着させる段階」において、引用発明の「Ｎ型金属薄膜素子帯３」は、本願発明の「ｎ型熱電材料の」「薄膜」に相当し、また、引用発明の「Ｎ型金属薄膜素子帯３」が複数あることは明らかであるから、引用発明の「前記基体リボン１にスパツタリング法により所定のマスクを通して」「（Ｂｉ，Ｓｂ）２（Ｔｅ，Ｓｅ）３系のＮ型金属薄膜素子帯３を」「被着させる段階」は、本願発明の「ｎ型熱電材料の複数の薄膜を可とう性の基板上に、」「スパッタ堆積させる段階」に相当する。
　
３．引用発明の「前記基体リボン１にスパツタリング法により所定のマスクを通して（Ｂｉ，Ｓｂ）２（Ｔｅ，Ｓｅ）３系のＰ型金属薄膜素子帯２及び（Ｂｉ，Ｓｂ）２（Ｔｅ，Ｓｅ）３系のＮ型金属薄膜素子帯３を所定の間隔で交互にほぼ並行して被着させる段階」において、引用発明の「Ｐ型金属薄膜素子帯２」は、本願発明の「ｐ型熱電材料の」「薄膜」に対応し、また、引用発明の「Ｐ型金属薄膜素子帯２」が複数あることは明らかであるから、引用発明の「前記基体リボン１にスパツタリング法により所定のマスクを通して（Ｂｉ，Ｓｂ）２（Ｔｅ，Ｓｅ）３系のＰ型金属薄膜素子帯２」「を」「被着させる段階」は、本願発明の「ｐ型熱電材料の複数の薄膜を可とう性の基板上に、」「スパッタ堆積させる段階」に相当する。
　
４．引用発明の「被着させた相隣る前記Ｐ型金属薄膜素子帯２と前記Ｎ型金属薄膜素子帯３の両端部を交互に金属導電薄膜４の被着により短絡させて、可撓性のある熱電素子群体１０を形成させる段階」において、引用発明の「被着させた相隣る前記Ｐ型金属薄膜素子帯２と前記Ｎ型金属薄膜素子帯３の両端部を交互に金属導電薄膜４の被着により短絡させ」ることは、本願発明の「ｐ型熱電材料の薄膜をｎ型熱電材料の薄膜に電気的に接続する」ことに相当し、引用発明の「可撓性のある熱電素子群体１０」は、本願発明の「可とう性の基板上に」形成した「複数の熱電対」に相当するので、引用発明の「被着させた相隣る前記Ｐ型金属薄膜素子帯２と前記Ｎ型金属薄膜素子帯３の両端部を交互に金属導電薄膜４の被着により短絡させて、可撓性のある熱電素子群体１０を形成させる段階」は、本願発明の「ｐ型熱電材料の薄膜をｎ型熱電材料の薄膜に電気的に接続することによって可とう性の基板上に複数の熱電対を形成する段階」に相当する。
　
５．引用発明の「熱電素子群体の製造方法」は、本願発明の「熱電電源を製造する方法」に相当する。
　
６．したがって、本願発明と引用発明とは、
　
　「コイル構成、折り畳み構成、または巻構成である可とう性の基板を設ける段階；
　ｎ型熱電材料の複数の薄膜を可とう性の基板上に、スパッタ堆積させる段階；
　ｐ型熱電材料の複数の薄膜を可とう性の基板上に、スパッタ堆積させる段階；
　ｐ型熱電材料の薄膜をｎ型熱電材料の薄膜に電気的に接続することによって可とう性の基板上に複数の熱電対を形成する段階
を含む、熱電電源を製造する方法。」
　
　である点で一致し、次の点で相違する。
　
（相違点１）
　本願発明は、「ｎ型熱電材料の複数の薄膜を可とう性の基板上に」「スパッタ堆積させる」際に、「ｘが約２であり、ｙが約３である、ＢｉｘＴｅｙ合金、ＳｂｘＴｅｙ合金、およびＢｉｘＳｅｙ合金またはそれらの組み合わせからなる群から選ばれた２つから同時にスパッタ堆積させる」のに対して、引用発明は、「前記基体リボン１にスパツタリング法により所定のマスクを通して」「（Ｂｉ，Ｓｂ）２（Ｔｅ，Ｓｅ）３系のＮ型金属薄膜素子帯３を」「被着させる」ものの、本願発明のように、「ｘが約２であり、ｙが約３である、ＢｉｘＴｅｙ合金、ＳｂｘＴｅｙ合金、およびＢｉｘＳｅｙ合金またはそれらの組み合わせからなる群から選ばれた２つから同時にスパッタ堆積させる」ことが特定されていない点。
　
（相違点２）
　本願発明は、「ｐ型熱電材料の複数の薄膜を可とう性の基板上に」「スパッタ堆積させる」際に、「ｘが約２であり、ｙが約３である、ＢｉｘＴｅｙ合金、ＳｂｘＴｅｙ合金、およびＢｉｘＳｅｙ合金またはそれらの組み合わせからなる群から選ばれた２つから同時にスパッタ堆積させる」のに対して、引用発明は、「前記基体リボン１にスパツタリング法により所定のマスクを通して（Ｂｉ，Ｓｂ）２（Ｔｅ，Ｓｅ）３系のＰ型金属薄膜素子帯２」「を」「被着させる」ものの、本願発明のように、「ｘが約２であり、ｙが約３である、ＢｉｘＴｅｙ合金、ＳｂｘＴｅｙ合金、およびＢｉｘＳｅｙ合金またはそれらの組み合わせからなる群から選ばれた２つから同時にスパッタ堆積させる」ことが特定されていない点。
　
第６．相違点についての当審の判断
１．相違点１及び２は互いに関連するものであるから、合わせて検討する。
　引用例２には、「マグネトロンスパッタ法で合金膜を作製する場合、合金を構成する物質のスパッタ電極を用い同時にスパッタする」（０００２段落）、「本発明の目的は、対向ターゲット式スパッタ装置の利点を活かし、任意の組成の合金膜を作製することにある。」（０００５段落）、「本発明の実施例のスパッタ装置の構造を図１に示す。一つのスパッタ電極は、アノード電極１とカソード電極２で構成されている。アノード電極は電気的にアースされている。カソード電極内には中空円盤状の磁石３が貼付けてあり、内部は水冷されている。このスパッタ電極を向かい合わせて配置し、それぞれのカソード電極には異なる成分又は組成のターゲット（Ａ）４とターゲット（Ｂ）５が設置されている。ターゲットは、直径５０ミリメートル、厚さ５ミリメートルの大きさである。ターゲットの組成は、一方がシリコン、他方がモリブデンである。」（００１５段落）、及び「シリコンとモリブデンの合金を作製する。」（００１６段落）ことが、記載されている。
　
２．また、引用例３には、「従来の装置の第３例が図５に示されている。同図において、真空チャンバー１内の下部には２つのカソード２がハの字状に並列に配置され、各カソード２の上にはターゲット３が載置されている。真空チャンバー１内の上部には基板４を載せた基板回転機構１０がカソード２およびターゲット３と対向するように配設されている。」（０００６段落）、「ハの字状に並列に配置されたカソード２の上にターゲット３を載置しているので、基板４の表面にターゲット材料の同時付着が可能になる。」（０００７段落）、「この発明の実施例の薄膜作成装置は図１に示されており、同図において、真空チャンバー２１内の下部には２つの高真空高速プラズマスパッタ源２２がハの字状に並列に配置され、その高真空高速プラズマスパッタ源２２のカソード２３の上にはターゲット２４が載置されている。真空チャンバー２１内の上部には基板２５を載せた基板回転機構２６が配設され、基板２５がターゲット２４と対向している。」（００１５段落）、及び「その際、複数のターゲット２４を同時にスパッタすることが可能になるとともに、基板回転機構２６で基板２５を回転することが可能になり、膜厚および組成比の調整ができるようになる。」（００１７段落）ことが、記載されている。
　
３．したがって、上記引用例２及び３には、異なる材料から構成される２つのスパッタリングターゲットを用いてスパッタ堆積を行うことにより、堆積される物質の組成比を調整可能とする技術が記載されているものと認められる。
　
４．そして、熱電素子の技術分野では、Ｓｂ２Ｔｅ３系の材料及びＢｉ２Ｓｅ３系の材料は、いずれも周知であり、これらの材料のスパッタリングターゲットも普通に用いられているものであるであるところ、引用例１の「さらに装置の設計変更の場合には被膜の幅、厚さを変更するのみで簡単に行うことが可能であり、・・・」（２ページ右欄２行〜４行）という記載から明らかなように、引用発明は、装置の設計変更に簡単に対応することを技術課題の一つとしているのであるから、引用発明に接した当業者であれば、装置の設計変更で組成比を変えることとなった場合にも簡単に対応できるよう、「前記基体リボン１にスパッタリング法により所定のマスクを通して（Ｂｉ，Ｓｂ）２（Ｔｅ，Ｓｅ）３系のＰ型金属薄膜素子帯２及び（Ｂｉ，Ｓｂ）２（Ｔｅ，Ｓｅ）３系のＮ型金属薄膜素子帯３を」「被着させる」に際し、引用例２及び３に記載された技術を適用し、「（Ｂｉ，Ｓｂ）２（Ｔｅ，Ｓｅ）３系」のスパッタリング・ターゲットを用いるのではなく、熱電素子の技術分野において周知のＳｂ２Ｔｅ３系の材料及びＢｉ２Ｓｅ３系の材料をターゲットとして用い、２つのターゲットを用いて同時にスパッタ堆積を行うこと、すなわち、本願発明のように、「ｎ型熱電材料の複数の薄膜を可とう性の基板上に、ｘが約２であり、ｙが約３である、ＢｉｘＴｅｙ合金、ＳｂｘＴｅｙ合金、およびＢｉｘＳｅｙ合金またはそれらの組み合わせからなる群から選ばれた２つから同時にスパッタ堆積させる段階」及び「ｐ型熱電材料の複数の薄膜を可とう性の基板上に、ｘが約２であり、ｙが約３である、ＢｉｘＴｅｙ合金、ＳｂｘＴｅｙ合金、およびＢｉｘＳｅｙ合金またはそれらの組み合わせからなる群から選ばれた２つから同時にスパッタ堆積させる段階」を備える構成とすることは、容易になし得たことである。
　したがって、相違点１及び２は、当業者が容易になし得た範囲に含まれる程度のものである。
　
５．相違点１及び２については以上のとおりであるから、本願発明は、引用例１〜３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
第７．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例１〜３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
　したがって、本願は、他の請求項について検討するまでもなく、拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。