【事件の表示】
　特願２００３−３５４７３０「ポリ−３，３”−ジアルキル−２，２’：５’，２”−テルチオフェンの電荷運搬材料としての使用」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　５月１３日出願公開、特開２００４−１４０３６４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯
　本願は、平成１５年１０月１５日（パリ条約による優先権主張　２００２年１０月１５日、欧州特許庁）を出願日とする特許出願であって、平成２２年４月２７日付けの拒絶理由通知に対して同年８月１１日に意見書及び手続補正書が提出されたが、平成２３年２月２８日付けで拒絶査定がなされた。
　それに対して、同年７月８日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに手続補正書が提出され、その後、平成２４年２月２４日付けで審尋がなされ、それに対する回答書は提出されなかった。
　
第２．補正の却下の決定
【結論】
　平成２３年７月８日に提出された手続補正書による補正を却下する。
　
【理由】
１．補正の内容
　平成２３年７月８日に提出された手続補正書による補正（以下「本件補正」という。）は、補正前の特許請求の範囲の請求項１〜８を、補正後の特許請求の範囲の請求項１〜８と補正するものであり、補正前後の請求項１は各々以下のとおりである。
　
（補正前）
　「【請求項１】
式Ｉ
　　【化１】
式中、
Ｒ１およびＲ２は、それぞれ相互に独立して、直鎖状または分枝状の１〜２０の炭素原子を有するアルキルであり、
ｎは、１よりも大きい整数である、
で表される、3,3-二置換ポリ-2,2':5',2''-テルチオフェンの、電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）、集積回路（ＩＣ）の部品、薄膜トランジスタ(ＴＦＴ)の部品または高周波識別（ＲＦＩＤ）タグの部品における半導体または電荷運搬材料としての使用。」
　
（補正後）
　「【請求項１】
式Ｉ
　　【化１】
式中、
Ｒ１およびＲ２は、それぞれ相互に独立して、直鎖状または分枝状の１〜２０の炭素原子を有するアルキルであり、
ｎは、１よりも大きい整数である、
で表される、3,3-二置換ポリ-2,2':5',2''-テルチオフェンの、電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）における半導体または電荷運搬材料としての使用。」
　
２．補正事項の整理
　本件補正による補正事項を整理すると、次のとおりである。
　
（１）補正事項１
　補正前の請求項１の「3,3-二置換ポリ-2,2':5',2''-テルチオフェンの、電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）、集積回路（ＩＣ）の部品、薄膜トランジスタ(ＴＦＴ)の部品または高周波識別（ＲＦＩＤ）タグの部品における半導体または電荷運搬材料としての使用」を、「3,3-二置換ポリ-2,2':5',2''-テルチオフェンの、電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）における半導体または電荷運搬材料としての使用」と補正して、補正後の請求項１とすること。
　
（２）補正事項２
　補正前の請求項４の「3,3-二置換ポリ-2,2':5',2''-テルチオフェンを含む、電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）、集積回路（ＩＣ）の部品、薄膜トランジスタ(ＴＦＴ)の部品または高周波識別（ＲＦＩＤ）タグの部品における半導体または電荷運搬材料」を、「3,3-二置換ポリ-2,2':5',2''-テルチオフェンを含む、電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）における半導体または電荷運搬材料」と補正して、補正後の請求項４とすること。
　
（３）補正事項３
　補正前の請求項６の「請求項１または２に記載の半導体または電荷運搬材料」を、「請求項４または５に記載の半導体または電荷運搬材料」と補正して、補正後の請求項６とすること。
　
（４）補正事項４
　補正前の請求項７の「電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）、集積回路（ＩＣ）の部品、薄膜トランジスタ(ＴＦＴ)の部品または高周波識別（ＲＦＩＤ）タグの部品」を、「電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）」と補正して、補正後の請求項７とすること。
　
（５）補正事項５
　補正前の請求項８の「ＦＥＴまたはＲＦＩＤタグを含む」を、「ＦＥＴを含む」と補正して、補正後の請求項８とすること。
　
３．新規事項追加の有無及び補正の目的についての検討
（１）補正事項１〜２，４〜５について
　補正事項１〜２，４〜５は、各々補正前の請求項１，４，７，８において択一的に記載されていた発明特定事項の一部を削除するものであるから、特許法第１７条の２第４項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項をいう。以下同じ。）第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　したがって、補正事項１は、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たす。
　また、補正事項１〜２，４〜５が特許法第１７条の２第３項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項をいう。以下同じ。）に規定する要件を満たすことは明らかである。
　
（２）補正事項３について
　補正事項３は、補正前の請求項６に含まれていた明白な誤記を訂正するものであるから、本件補正は、特許法第１７条の２第４項第３号に掲げる誤記の訂正を目的とするものに該当する。
　したがって、補正事項３は、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たす。
　また、補正事項３が特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすことは明らかである。
　
（３）補正の目的の適否、及び新規事項の追加の有無についてのまとめ
　以上検討したとおりであるから、本件補正は特許法第１７条の２第３項及び第４項に規定する要件を満たす。
　そして、本件補正は特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする補正を含むものであるから、本件補正による補正後の特許請求の範囲に記載されている事項により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否か、すなわち、本件補正がいわゆる独立特許要件を満たすものであるか否かにつき、以下において更に検討する。
　
４．独立特許要件について
（１）補正後の発明
　本願の本件補正による補正後の請求項１〜８に係る発明は、本件補正により補正された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜８に記載されている事項により特定されるとおりのものであり、そのうちの請求項１に係る発明（以下「補正発明」という。）は、請求項１に記載されている事項により特定される、上記１．の「（補正後）」の箇所に記載したとおりのものであり、再掲すると次のとおりである。
　
　「【請求項１】
式Ｉ
　　【化１】
式中、
Ｒ１およびＲ２は、それぞれ相互に独立して、直鎖状または分枝状の１〜２０の炭素原子を有するアルキルであり、
ｎは、１よりも大きい整数である、
で表される、3,3-二置換ポリ-2,2':5',2''-テルチオフェンの、電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）における半導体または電荷運搬材料としての使用。」
　
（２）引用例に記載された発明
（２−１）原査定の根拠となった拒絶の理由において引用された「Luigi Angiolini et al., Photoluminescence and electroluminescence of mono- and dialkyl-substituted soluble polythiophenes, e-Polymers 2002, no. 041, pp. 1-7, [online], 2002年9月19日, インターネットURL: http://www.e-polymers.org/journal/papers/bolognesi_190902.pdf」（以下「引用例」という。）には、図１と共に次の記載がある（ここにおいて、下線は当合議体が付加したものである。）。
　
ａ．「Abstract: 
We report a comparison between optical properties (photoluminescence and UV-Vis absorption) and electroluminescence in a series of soluble polyalkylthiophenes
The potential of these polymers as material for an active film in a single layer light emitting diode is evaluated.
　（「要約：光電子工学の特性における構造パラメータ（すなわち、側鎖の長さやバックボーン中の非置換チオフェンの存在及び配置）の違いの役割のより良い理解を目的として、
可溶のポリアルキルチオフェン類における光学的性質(フォトルミネセンス及び紫外線吸収）とエレクトロルミネセンスの比較を報告する。単層発光ダイオードにおける活性層のための材料として、これらのポリマーの可能性が評価される。
　
ｂ．「Introduction
Substituted polythiophenes are interesting materials because of their optoelectronic properties. Structural modifications in this class of polymers, such as the length of side chains or the degree of regioregularity, are extremely important because they influence the packing in the solid state which is related, through band gap modulation, to the fine tuning of the electro-optical properties of these materials. E.g., the degree of order, which can be reached in the solid state through both a proper control of film preparation conditions and of the degree of regioregularity, has allowed to achieve a mobility as high as 0.1 cm2・V-1・s-1 with a poly(3-hexylthiophene) [1]. Many works [2-4] have shown how the kind of substituent on the thiophene ring can influence the band gap and the optical properties of these materials.
In the present paper we report a comparison between the optical properties (photoluminescence and UV-Vis absorption) and the electroluminescence in a series of soluble polyalkylthiophenes with the aim of better understanding the role of different structural parameters on the electro-optical properties and the potential of their use as an active film in a single layer light emitting diode.
　（「はじめに
　置換ポリチオフェン類は、それらの光電子工学特性のために興味深い材料である。この類のポリマーにおいて、側鎖の長さや部位規則度のような構造の調節は、非常に重要である。なぜなら、それらは、バンドギャップ変調によって、材料の光電子工学特性の微調整に関係する固体中のパッキングに影響を及ぼすためである。例えば、適切な塗膜の前処理と位置規則性の程度の制御により達成された固体中での配列の規則度によって、ポリ（３−ヘキシルチオフェン）で、0.1cm2・V-1・s-1もの高移動度の達成を可能にした[1]。多くの研究[2-4]が、チオフェン環における置換基の種類が、これらの材料のバンドギャップと光学的性質にどのように影響を及ぼすかを示している。
　
本論文では、光電子工学の特性における構造パラメータの違いの役割と、単層の発光ダイオードにおける活性層としての利用の可能性のより良い理解を目的として、可溶のポリアルキルチオフェン類における光学的性質(フォトルミネセンス及び紫外線吸収）とエレクトロルミネセンスの比較を報告する。
　
ｃ．「Results and discussion
The structures of the polymers here investigated are reported in Fig. 1. These derivatives are characterized by inherent regioregularity coupled with minimum steric interactions between the side chain alkyl groups. The polymethylene side chain, n-hexyl or n-dodecyl, affects the interchain distance, while the presence of one or two unsubstituted thiophene rings in adjacent positions in the backbone has an influence on the band gap.
　（「結果及び考察
　
調査したポリマーの構造は、図１に示すとおりである。これらの誘導体は、側鎖アルキル基間の最小の立体的相互作用に加えて固有の位置規則性により特徴づけられる。バックボーン内で隣接する一つ又は二つの非置換チオフェン環の存在はバンドギャップに影響を与える一方、ｎ−ヘキシル又はｎ−ドデシルのポリメチレン側鎖は、鎖間距離に影響を与える。
　
ｄ．「
」
（「図１．調査したポリマーの繰り返し単位」）
　
（２−２）以上を総合すると、引用例には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
　「式Ａ
ただし、式中のＲは、ｎ−ヘキシル又はｎ−ドデシルである、
で表される繰り返し単位からなるポリマーＰ１Ｅ又はＰ１Ｄの発光ダイオードにおける活性層材料としての使用。」
　
（３）補正発明と引用発明との対比
（３−１）引用発明の「ｎ−ヘキシル」は直鎖状の６個の炭素原子を有するアルキルであり、「ｎ−ドデシル」は直鎖状の１２個の炭素原子を有するアルキルであるから、いずれも、補正発明の「直鎖状」「の１〜２０の炭素原子を有するアルキル」に相当する。
　また、引用発明の「式Ａ
ただし、式中のＲは、ｎ−ヘキシル又はｎ−ドデシルである、
で表される繰り返し単位からなるポリマーＰ１Ｅ又はＰ１Ｄ」（以下、単に「ポリマーＰ１Ｅ又はＰ１Ｄ」という。）は、ポリマー、すなわち重合体であるから、式Ａで表される繰り返し単位が複数繰り返された重合体である。したがって、引用発明の「ポリマーＰ１Ｅ又はＰ１Ｄ」は、式Ａ中の「ｎ」が１よりも大きい整数であることは明らかである。
　よって、引用発明の「ポリマーＰ１Ｅ又はＰ１Ｄ」は、補正発明の「式Ｉ
　　【化１】
式中、
Ｒ１およびＲ２は、それぞれ相互に独立して、直鎖状または分枝状の１〜２０の炭素原子を有するアルキルであり、
ｎは、１よりも大きい整数である、
で表される、3,3-二置換ポリ-2,2':5',2''-テルチオフェン」に相当する。
　
（３−２）引用発明の「発光ダイオード」と補正発明の「電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）」とは、ともに固体電子素子である点で一致する。
　
（３−３）したがって、補正発明と引用発明とは、
「式Ｉ
　　【化１】
式中、
Ｒ１およびＲ２は、それぞれ相互に独立して、直鎖状または分枝状の１〜２０の炭素原子を有するアルキルであり、
ｎは、１よりも大きい整数である、
で表される、3,3-二置換ポリ-2,2':5',2''-テルチオフェンの固体電子素子材料としての使用。」
　である点で一致し、次の点で相違する。
　
（相違点）
　「式Ｉに示される材料」の用途が、補正発明では「電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）における半導体または電荷運搬材料としての使用」であるのに対し、引用発明では「発光ダイオードにおける活性層材料としての使用」である点。
　
（４）相違点についての当審の判断
　一般に、ポリ（３−アルキル）チオフェンを電界効果トランジスタの半導体材料として用いることは、本願の優先権主張の日前に日本国内又は外国において頒布された刊行物である下記周知例１及び周知例２に記載されているように当業者において周知である。
　ここで、ポリ（３−アルキル）チオフェンと引用発明の「ポリマーＰ１Ｅ又はＰ１Ｄ」とは、チオフェン環の一箇所がアルキルで置換されたチオフェンを含んでいる点で共通する極めて類似した構造のポリマーといえる。
　また、ポリマーを用いた「電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）」の技術分野と、ポリマーを用いた「発光ダイオード」の技術分野は、ポリマーを用いた固体電子素子、すなわち有機固体電子素子という共通する技術分野に属するものであって、相互に極めて近接する技術分野であり、ポリマー材料を電界効果トランジスタと発光ダイオードとの間で転用を試みることは、当業者において通常行われていることである。
　そうすると、電界効果トランジスタの半導体材料として用いられるポリ（３−アルキル）チオフェンと極めて類似した構造のポリマーである引用発明の「ポリマーＰ１Ｅ又はＰ１Ｄ」を、電界効果トランジスタの半導体材料として使用すること、すなわち、補正発明のように、「電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）における半導体」「材料としての使用」とすることは、当業者が容易になし得たことである。
　したがって、上記相違点は、周知の事項を勘案することにより、当業者が容易になし得た範囲に含まれる程度のものである。
　よって、補正発明は、周知の事項を勘案することにより、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
ａ．周知例１：特表２００２−５１２４５１号公報
　上記周知例１には、図１〜３と共に次の記載がある。
　
　「【０００１】
  本発明は、例えば、半導電性ポリマー材料からなるトランジスタ等のポリマー製素子に関する。
      【０００２】
  有機物材料を使用してトランジスタを作製することに関する研究が盛んになされている。
ポリマー自体、または最終的なポリマー層を形成するための前駆物質が溶液から成膜されたポリマー半導体を備える絶縁ゲート電界効果トランジスタが作製されている。そのような素子の一般的な構造を図１に示す。
このような素子における半導体ポリマーの一例は位置規則性ポリ−ヘキシルチオフェン（Ｐ３ＨＴ）であり
　「【００２９】
  
図２に、集積トランジスタ（参照符号１０で概略的に示される）と発光素子（参照符号１１で概略的に示される）多層構造素子を示す。
スイッチとして機能するトランジスタには、別の共役ポリマーであるＰ３ＨＴが使用されている。
      【００３０】（省略）
      【００３１】
  
半導体層１５であるＰ３ＨＴ
Ｐ３ＨＴの化学構造を図３に示す。ポリマー鎖は、共役チオフェン（２５）骨格（参照符号２６で概略的に示される）と、Ｃ
6
Ｈ
13
アルキル側鎖２７とを有する。
　「【００１７】
  
半導電性ポリマーの好ましい一実施形態は、Ｃ3〜Ｃ12の範囲の長さのアルキル側鎖を有するチオフェン群からなる骨格である。ポリ−ヘキシルチオフェンが特に好適である。
　
　したがって、上記周知例１には、ポリ−ヘキシルチオフェン（Ｐ３ＨＴ）に代表されるＣ3〜Ｃ12の範囲の長さのアルキル側鎖を有するポリ（３−アルキル）チオフェンを電界効果トランジスタの半導体材料として用いることが記載されているものと認められる。
　
ｂ．周知例２：国際公開第００／０３６６６６号
　上記周知例２には、図１ａと共に次の記載がある。
　
　「
Referring to Figure 1a, an organic-based field effect transistor 10 includes a substrate 12, a gate electrode 14 provided on the substrate 12, a dielectric layer 16 provided on the gate electrode 14, an organic semiconductor 18 provided on the dielectric layer 16, and a source electrode 20 and a drain electrode 22 provided on the organic semiconductor 18
（中略）
　
The semiconductor layer 18 can be an organic polymer.
Examples of suitable polymeric semiconductors include,
poly(3-alkyl)thiophenes
　（「
図１ａを参照して、有機系電界効果トランジスタ１０は、基板１２と、基板１２上に設けられたゲート電極１４と、ゲート電極１４上に設けられた誘電体層１６と、誘電体層１６上に設けられた有機半導体１８と、有機半導体１８上に設けられたソース電極２０およびドレイン電極２２と、を含む
（中略）
  
半導体層１８は、有機ポリマーであり得る。
適切なポリマー半導体の例は、
ポリ（３−アルキル）チオフェン
を含む
　
　したがって、上記周知例２には、ポリ（３−アルキル）チオフェンを電界効果トランジスタの半導体材料として用いることが記載されているものと認められる。
　
（５）独立特許要件についてのまとめ
　以上検討したとおり、補正発明は、引用発明に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　したがって、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項をいう。以下同じ。）の規定に適合しない。
　
５．補正の却下の決定のむすび
　以上検討したとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないものであるから、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３．本願発明について
　平成２３年７月８日に提出された手続補正書による補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜８に係る発明は、平成２２年８月１１日に提出された手続補正書により補正された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜８に記載されている事項により特定されるとおりのものであり、そのうちの請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、請求項１に記載されている事項により特定される、上記第２．１．の「（補正前）」の箇所に記載したとおりのものである。
　一方、原査定の根拠となった拒絶の理由において引用された「Luigi Angiolini et al., Photoluminescence and electroluminescence of mono- and dialkyl-substituted soluble polythiophenes, e-Polymers 2002, no. 041, pp. 1-7, [online], 2002年9月19日, インターネットURL: http://www.e-polymers.org/journal/papers/bolognesi_190902.pdf」（引用例）には、上記第２．４．（２）に記載したとおりの事項、及び発明（引用発明）が記載されているものと認められる。
　そして、本願発明に対して技術的限定を加えた発明である補正発明は、上記第２．４．において検討したとおり、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も当然に、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　したがって、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
第４．むすび
　以上のとおりであるから、他の請求項について検討するまでもなく、本願は拒絶をすべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。