【事件の表示】
　特願２００６−５３１８７３「薄膜トランジスタの製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年　２月２３日国際公開、ＷＯ２００６／０１９１５７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯
　本願は、２００５年８月１９日（優先権主張２００４年８月２０日、日本国）を国際出願日とする出願であって、平成２２年９月１３日付けの拒絶理由通知に対して、同年１１月２６日に意見書及び手続補正書が提出されたが、平成２３年２月３日付けで拒絶査定がされ、これに対し、同年４月２８日に審判請求がなされるとともに手続補正書が提出され、平成２４年１月１９日付けの審尋に対して、同年３月２３日に回答書が提出されたものである。
　そして、平成２４年９月２６日付けの拒絶理由通知に対して、同年１１月２９日に意見書及び手続補正書が提出されたものである。
　
　
第２．本願発明に対する判断
１．本願発明
　本願の請求項１ないし請求項４に係る発明は、平成２４年１１月２９日に提出された手続補正書により補正された特許請求の範囲、明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし請求項４に記載されるとおりのものであって、そのうちの、請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は次のとおりのものである。
　
【請求項１】
「活性層が有機半導体により構成される薄膜トランジスタの製造方法であって、
プラスチック基板上に酸化シリコン薄膜を含む薄膜層により形成される封止層、ゲート電極、酸化シリコン薄膜を含む薄膜層により形成されるゲート絶縁層、ソース及びドレイン電極並びに半導体活性層により構成され、
上記封止層及び上記ゲート絶縁層を形成する酸化シリコン薄膜は、シラザン結合（Ｓｉ−Ｎ）又はシロキサン結合（Ｓｉ−Ｏ）のうち、少なくとも一つを分子内に１個以上有するケイ素化合物を原料とし、該原料を溶液化した後、塗布薄膜化し、酸素を含む雰囲気下においてキセノンエキシマランプからの紫外光の光照射を行うことにより生成したオゾン又は原子状酸素によって、酸化シリコンに転化させることにより形成し、
上記ゲート絶縁層を形成する酸化シリコン薄膜の表面粗さは、ＲＭＳ値において０．５ｎｍ以下であることを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。」
　
２．拒絶理由通知の概要
　平成２４年９月２６日付けで通知された拒絶理由通知の概要は、次のとおりである。
　
「１．この出願の下記の請求項に係る発明は、その出願前日本国内又は外国において頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　　　　　　　　　　　　　　　　記
　
　　　　　　　　　　＜引　用　例　等　一　覧＞
　　　　　　　１．特開２００４−１３４６９４号公報
　　　　　　　２．特開２００１−１１０８０２号公報
　　　　　　　３．特開２００２−１２４５１５号公報
　　　　　　　４．特開平１０−０４１５１９号公報
　　　　　　　５．特開平１１−３４０４６２号公報
　　　　　　　６．特開２０００−１６２６４１号公報
 　 
・請求項１
・引用例１〜３
・備考
（以下、省略）」
　
３．各引用例の記載と引用発明
３−１．引用例１の記載
３−１−１．引用例１の記載事項
　本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布され、平成２４年９月２６日付けで通知された拒絶の理由で引用された刊行物である、特開２００４−１３４６９４号公報（以下「引用例１」という。）には、「有機薄膜トランジスタとその製造方法」（発明の名称）に関して、図１とともに、次の事項が記載されている（下線は、参考のため、当審において付したものである。以下、他の刊行物についても同様である。）。
　
　　ア．発明の背景等
ａ．「【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、
有機半導体材料を活性層に有する薄膜トランジスタ
の製造方法
　
ｂ．「【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、水分や酸素などによる有機半導体材料の劣化のない有機薄膜トランジスタを製造することを課題とし、また初期性能を長時間維持できる長寿命の有機薄膜トランジスタの提供を課題とする。」
　
　　イ．発明の実施の形態
ｃ．「【００１４】
【発明の実施の形態】
本発明の一実施の形態を図面を用いて説明するが、本発明はこれにより限定されるものではない。
図１に本発明の一例として、有機半導体材料を活性層に有する金属−絶縁体−半導体電界効果トランジスタ（ＭＩＳＦＥＴ型）デバイスの一例を図示した。図１のＭＩＳＦＥＴでは、
バリア層２付きプラスチック基材１上に、金属電極３、絶縁層４が形成される
さらに２つの金属電極５、６が絶縁層４上に形成され
有機半導体層７が金属電極５および６の上およびそれらの間に形成される
【００１５】
本発明に用いるプラスチック基材１には、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリプロピレン、シクロオレフィンポリマー、ポリアミド、ポリエーテルサルフェン、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネート、ポリアリルレートなどを使用することができる。
【００１６】
このようなプラスチック基材１は高分子化合物からなるため、その中にはある程度水分が含まれている。含有水分は基材中を拡散し、有機半導体に影響を与える。プラスチック基材１の水分含有率を低下させておけば、拡散率が高くても、水蒸気の総量は低下し、有機ＴＦＴの劣化を低減することができる。その水分含有率は０．２％以上であると劣化が速く、０．２％以下とすることが望ましい。さらに望ましくは０．１％以下、特に望ましくは０．０５％以下である。
なお、水分含有率の測定は、例えばカール・フィッシャー滴定法（三菱化成製電量滴定式水分測定装置ＣＡ−０６）により行うことができる。」
　
ｄ．「【００１９】
上述のプラスチック基材１の水分の拡散は、基材の水分含有量と基材中の水蒸気の拡散の大きさとに影響を受ける。
本発明ではプラスチック基材１の表面にガスバリア層２を形成することにより、水蒸気の拡散をも小さくでき、素子劣化の速度を低下させることができる。拡散率の低減により素子劣化速度を低下させる方法としては、
プラスチック基材１の表面の少なくとも有機半導体層に接する面側あるいは両側の表面に水蒸気バリア性能を有するガスバリア層２を形成する
また、用いるプラスチック基材１は前記した水分含有率の範囲内であるとより好ましい。
【００２０】
ガスバリア層２としては、公知の材料、例えばポリ塩化ビニルやポリ塩化ビニリデン、ポリクロロトリフロロエチレンなどの有機薄膜、酸化アルミニウム、酸化ケイ素などの無機薄膜、および、それらの複合膜・積層膜まで使用することが可能である。その中でも特に酸化アルミニウムや
酸化ケイ素などの無機酸化物が水蒸気透過性だけでなく酸素透過性が低くて望ましい
巻き取り式真空成膜法により製膜するのが、バリア性能、製造コストの面からも望ましい
　
ｅ．「【００２２】
本発明の
絶縁層４に用いる絶縁材料は
絶縁材料には、無機材料を使用する
プロセス温度が高温にならないように
二酸化シリコン
ＣＶＤ法、ゾルゲル法などの公知の方法で形成する
　
 　　エ．実施例
ｆ．「【００２９】
【実施例】
＜実施例１＞
実施例１として、図１に示したＭＩＳＦＥＴを作製した。
先ず、プラスチック基材１には、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）を使用した。プラスチック基材１を真空中１００℃で２４時間乾燥した。乾燥後、基材１の水分含有量は０．２％以下となった。次に、このＰＥＴの両面に、電子線加熱方式により酸化アルミニウム層を蒸着し、
膜厚０．１μｍのガスバリア層２を形成した
次に、ガスバリア層２上に、ゲート電極３として、真空蒸着法によって膜厚０．１μｍの金膜を形成した。次に、
絶縁層４として
膜厚０．３μｍ
次に、活性層として、スピンコート法により膜厚０．１μｍの有機半導体層７を形成した。有機半導体材料には、位置規則的なポリ（３−ヘキシルチオフェン）（Ａｌｄｒｉｃｈ製）を使用した。このポリマーにおける連結は、少なくとも９８．５％がＨＴ（ｈｅａｄ−ｔｏ−ｔａｉｌ）連結であった。位置規則的なポリ（３−ヘキシルチオフェン）を室温でクロロホルムに１ｍｇ／ｍｌ溶解し、孔径０．２μｍのポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）メンブランフィルタで濾過した。
次に有機半導体層７形成後、真空中１００℃で２４時間乾燥した。乾燥後、基材１、絶縁層４、有機半導体層７の水分含有量は０．２％以下となった。
作製されたＭＩＳＦＥＴ型ＴＦＴのキャリア移動度、伝導度を測定したところ、それぞれ１×１０−２ｃｍ２／Ｖｓ、１×１０−４Ｓ／ｃｍであった。オン／オフ比は約１０４であった。」
　
　　オ．発明の効果
ｇ．「【００３１】
【発明の効果】
本発明よれば、有機薄膜トランジスタを構成する部材、材料の含有水分量を低減することで、水分、酸素等の影響を極力除外し、経時劣化が少なく、初期性能を長時間維持できる長寿命の有機薄膜トランジスタとその製造方法を提供することができる。また、プラスチック基材表面の有機薄膜トランジスタを形成する面側にガスバリア層を設けることで水分、酸素等を遮断し、経時劣化が少なく、初期性能を長時間維持できる長寿命の有機薄膜トランジスタを提供できる。」
　
３−１−２．引用発明
　前項のア〜オの記載を総合すれば、引用例１には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　
「有機半導体材料を活性層に有する薄膜トランジスタの製造方法であって、
　前記薄膜トランジスタは、プラスチック基板１の表面に酸化ケイ素を含む無機酸化物で形成されて水蒸気バリア性能を有するガスバリア層２、金属電極３、二酸化シリコンを含む無機材料を使用する絶縁層４、２つの金属電極５及び６、並びに、前記金属電極５と６との上及びそれらの間に形成される有機半導体層７を含んで構成され、
　前記ガスバリア層２は、巻き取り式真空成膜法により製膜されるとともに、前記絶縁層４は、プロセス温度が高温にならないようなＣＶＤ法、ゾルゲル法などの公知の方法で形成されることを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。」
　
３−２．引用例２の記載
３−２−１．引用例２の記載事項
　本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布され、平成２４年９月２６日付けで通知された拒絶の理由で引用された刊行物である、特開２００１−１１０８０２号公報（以下「引用例２」という。）には、「絶縁膜の形成方法」（発明の名称）に関して、図１〜図２とともに、次の記載がある。
　
ａ．「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、
ガラスやプラスチック等の基板表面に、例えば酸化珪素や窒化珪素などの絶縁膜を形成する方法
　
ｂ．「【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。
【００１５】（実施の形態１：絶縁膜の形成方法）図１は本発明における絶縁膜の形成方法の一実施形態を模式的に示した図である。
基板１１上に、シリコン化合物ポリマーを含む溶液を塗布して塗布膜１２を形成し、次に紫外光を照射して塗布膜１２を絶縁膜１３に転化する工程
【００１６】
シリコン化合物ポリマーとしては、例えばＳｉ−Ｎ結合や、Ｓｉ−Ｃ結合を有するポリシラザン系化合物
【００１７】なお、良質な絶縁膜を得るためには前記のシリコン化合物ポリマーが含む有機成分が少ないほうが好ましく、より望ましくは無機ポリマーであればよい。
【００１８】
これらのシリコン化合物ポリマーを含む溶液をスピンコート等の手段を用いて基板に塗布し、塗布膜を形成する
【００１９】
塗布膜をよく乾燥させた後、紫外光を照射する。紫外光の光源としては、エキシマレーザ、エキシマランプ、水銀ランプ等を用いる
シリコン化合物ポリマーに紫外光が照射されることにより、酸化珪素や窒化珪素などに転化されて絶縁膜が形成される
【００２０】以下、実施の形態１について、具体的実施例をあげて説明する。
【００２１】（実施例１）ぺルヒドロポリシラザン溶液（２０重量％キシレン溶液、東燃株式会社製）をガラス基板上にスピンコートし、ぺルヒドロポリシラザンの塗布膜を形成した。充分に乾燥させた後、
酸素を含む雰囲気下でエキシマレーザによる光照射をおこない、酸化珪素膜を形成した
エキシマレーザ
波長は３０８ｎｍ
【００２２】（実施例２）実施例１と同様にして
ガラス基板上にぺルヒドロポリシラザンの塗布膜を形成した。乾燥させた後、低圧水銀ランプ（主波長253nm、４５０Ｗ×４本）による光照射を２４時間おこない、酸化珪素膜を形成した
　
ｃ．「【００２３】（実施の形態２：薄膜デバイス）図２は本発明の薄膜デバイスの一実施の形態として、ガラス基板上に形成した薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと称する。）を模式的に示した断面図である。以下、図２を参照しながら具体的に本実施の形態を説明する。
【００２４】本実施の形態では、本発明を
液晶駆動用アレイ基板に用いられるトップゲート型ＴＦＴに適用した
ガラス基板２１上に、例えば酸化珪素や窒化珪素からなるアンダーコート層２２、その上に半導体層２３、酸化珪素からなるゲート絶縁膜２４、金属膜からなるゲート電極２５、及び酸化珪素からなる層間絶縁膜２６が順に積層されて構成されている。さらに、金属膜からなるソース・ドレイン電極２７が設けられ
【００２５】実施例として、アンダーコート層に本発明の絶縁膜を適用した一例を記述する。
【００２６】（実施例３）アンダーコート層への適用
アンダーコート層はガラス基板に含まれる不純物が溶出するのを防ぐバリアとして機能するもので、その厚みは２００〜１０００ｎｍ程度であることが多い。ガラス基板上に、ぺルヒドロポリシラザン溶液（２０重量％キシレン溶液、東燃株式会社製）をガラス基板上にスピンコートし、ぺルヒドロポリシラザンの塗布膜を形成した。充分に乾燥させた後、酸素を含む雰囲気下でエキシマレーザによる光照射をおこない、酸化珪素からなるアンダーコート層を形成した
【００２７】なお、本実施例ではアンダーコート層の組成を酸化珪素としたが、窒化珪素、または酸化珪素と窒化珪素の混成膜でもよい。その際には、例えば窒素雰囲気下でエキシマレーザ照射をおこなうことにより、窒化珪素膜を得ることができる。」
　
ｄ．「【００２８】また、光照射の光源として、本実施の形態ではエキシマレーザを用いたが、本発明はこれに限定されるものではない。
【００２９】以上の実施例では、
アンダーコート層として本発明の絶縁膜を適用する例を記述したが、層間絶縁膜、パッシベーション膜、その他の絶縁膜に適用する際も同様の方法で形成することができる
【００３０】上記の実施の形態では、薄膜デバイスとしてＴＦＴについて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、他のデバイスに対しても同様に適用できる。
【００３１】
【発明の効果】本発明の構成によれば、
ガラスやプラスチック基板表面に、酸化珪素や窒化珪素からなる絶縁膜を比較的低い温度で形成できる
　
３−２−２．引用例２に記載の技術
　　ア．前項のａ〜ｄの記載をまとめると、引用例２には、ポリシラザン系化合物を有機溶剤に溶解させた溶液を塗布液として用い、ガラス基板またはプラスチック基板表面にスピンコート等の手段を用いてポリシラザンの塗布膜を形成し、十分に乾燥させた後に、酸素を含む雰囲気下で、「波長３０８ｎｍ」の「エキシマレーザ」、「エキシマランプ」、「主波長253nm」の「低圧水銀ランプ」等を光源とする紫外線を照射することで、前記ポリシラザンを酸化珪素に転化させて、酸化珪素からなる絶縁膜を形成し、耐熱性の低い基板にも絶縁膜を形成できることが、示されているといえる。
　
　　イ．また、前記アの絶縁膜の形成方法を、ガラス基板上に、前記ガラス基板に含まれる不純物が溶出するのを防ぐバリアとして機能するアンダーコート層、その上の半導体層、ゲート絶縁膜、ゲート電極、及び、層間絶縁膜が順に積層され、さらに、金属膜からなるソース及びドレイン電極が設けられ、それらを覆うパッシベーション膜が形成されるトップゲート型ＴＦＴに適用するとき、前記アンダーコート層の他、「層間絶縁膜、パッシベーション膜、その他の絶縁膜」の形成にも、前記アの絶縁膜の形成方法を適用できることが、前項のｃ〜ｄに記載されている。
　
４．対比
４−１．本願発明と引用発明との対比
　次に、本願発明と引用発明とを対比する。
　　ア．引用発明の「有機半導体材料を活性層に有する薄膜トランジスタ」は、本願発明の「活性層が有機半導体により構成される薄膜トランジスタ」に相当する。
　
　　イ．引用発明において、「金属電極３」及び「２つの金属電極５及び６」は、引用例１の図１を参照すれば、引用発明の前記「薄膜トランジスタ」における、ゲート電極、ソース及びドレイン電極をなしていることは、明らかである。
　また、本願明細書には、段落【００１４】に「可塑性を有するプラスチック基板上に、少なくとも一層の塗設により形成されるＳｉＯ２薄膜を含む薄膜で構成される封止層」と「少なくとも一層の塗設により形成されるＳｉＯ２薄膜を含む薄膜で構成されるゲート絶縁層」を有する「薄膜トランジスタ」において、「高品質なＳｉＯ２薄膜は、絶縁層としての性能に優れるばかりでなく、ガスバリア性や耐透湿性にも優れることから、封止層としての性能にも大きな特徴を発揮する。」と記載されている。したがって、引用発明の「酸化ケイ素を含む無機酸化物で形成されて水蒸気バリア性能を有するガスバリア層２」は、前記ガスバリア性や耐透湿性を有する、本願発明の「酸化シリコン薄膜を含む薄膜層により形成される封止層」に相当する。
　以上から、引用発明において、「前記薄膜トランジスタ」が「プラスチック基板１の表面に酸化ケイ素を含む無機酸化物で形成されて水蒸気バリア性能を有するガスバリア層２、金属電極３、二酸化シリコンを含む無機材料を使用する絶縁層４、２つの金属電極５及び６、並びに、前記金属電極５と６との上及びそれらの間に形成される有機半導体層７を含んで構成され」ることは、本願発明の「プラスチック基板上に酸化シリコン薄膜を含む薄膜層により形成される封止層、ゲート電極、酸化シリコン薄膜を含む薄膜層により形成されるゲート絶縁層、ソース及びドレイン電極並びに半導体活性層により構成され」ることに相当する。
　
４−２．一致点及び相違点
　以上、ア、イから、本願発明と引用発明とは、以下の点で一致するとともに、以下の各点で相違する。
　
《一致点》
「活性層が有機半導体により構成される薄膜トランジスタの製造方法であって、
　プラスチック基板上に酸化シリコン薄膜を含む薄膜層により形成される封止層、ゲート電極、酸化シリコン薄膜を含む薄膜層により形成されるゲート絶縁層、ソース及びドレイン電極並びに半導体活性層により構成されることを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。」
　
《相違点１》
　本願発明は、「上記封止層及び上記ゲート絶縁層を形成する酸化シリコン薄膜」を、「シラザン結合（Ｓｉ−Ｎ）又はシロキサン結合（Ｓｉ−Ｏ）のうち、少なくとも一つを分子内に１個以上有するケイ素化合物を原料とし、該原料を溶液化した後、塗布薄膜化し、酸素を含む雰囲気下においてキセノンエキシマランプからの紫外光の光照射を行うことにより生成したオゾン又は原子状酸素によって、酸化シリコンに転化させることにより形成」するのに対して、引用発明は、「前記ガスバリア層２は、巻き取り式真空成膜法により製膜されるとともに、前記絶縁層４は、プロセス温度が高温にならないようなＣＶＤ法、ゾルゲル法などの公知の方法で形成される」点。
　
《相違点２》
　本願発明においては、「上記ゲート絶縁層を形成する酸化シリコン薄膜の表面粗さは、ＲＭＳ値において０．５ｎｍ以下である」のに対して、引用発明の「二酸化シリコンを含む無機材料を使用する絶縁層４」の表面粗さは不明である点。
　
５．当審の判断
５−１．相違点１について
　　ア　引用発明においては、「酸化ケイ素を含む無機酸化物で形成され」る「ガスバリア層２」は「巻き取り式真空成膜法により製膜される」とともに、「二酸化シリコンを含む無機材料を使用する絶縁層４」は「ＣＶＤ法、ゾルゲル法などの公知の方法で形成され」、引用例１に例示されている限りにおいては、それぞれ、異なる方法で「製膜」され「形成」されている。
 　しかしながら、「製造方法」の工程を簡単化することは、普遍的な技術課題であり、そのためには、材料が共通する膜は同じ方法で成膜することが望ましいことは、自明である。 
　
　　イ．一方、引用例２には、「３−２−２．引用例２に記載の技術」で指摘したように、
・ポリシラザン系化合物を有機溶剤に溶解させた溶液を塗布液として用い、ガラス基板及びプラスチック基板表面にスピンコート等の手段を用いてポリシラザンの塗布膜を形成し、十分に乾燥させた後に、酸素を含む雰囲気下で、「波長３０８ｎｍ」の「エキシマレーザ」、「エキシマランプ」、「主波長253nm」の「低圧水銀ランプ」等を光源とする紫外線を照射して、前記ポリシラザンを酸化珪素に転化させて、酸化珪素からなる絶縁膜を形成し、
・この絶縁膜の形成方法を、ガラス基板上に、前記ガラス基板に含まれる不純物が溶出するのを防ぐバリアとして機能するアンダーコート層、その上の半導体層、ゲート絶縁膜、ゲート電極、及び、層間絶縁膜が順に積層され、さらに、金属膜からなるソース及びドレイン電極が設けられ、それらを覆うパッシベーション膜が形成されるトップゲート型ＴＦＴに適用するとき、前記アンダーコート層の他、「層間絶縁膜、パッシベーション膜、その他の絶縁膜」も、前記形成方法で形成できること、
が記載されている。
　ここで、引用例２に記載の「ゲート絶縁膜」は「酸化珪素からなる」（引用例２の段落【００２４】）から、前記の「その他の絶縁膜」としての前記「ゲート絶縁膜」の形成にも、前記「絶縁膜の形成方法」が適用できることは明らかである。
　
　　ウ．さて、引用例２には、酸化珪素からなる絶縁膜を形成するために照射する紫外線の光源として、「波長３０８ｎｍ」の「エキシマレーザ」、「エキシマランプ」、「主波長253nm」の「低圧水銀ランプ」が挙げられている。
　ここで、前記紫外線の光源である前記「低圧水銀ランプ」は、「主波長253nm」であるから、本願発明の「キセノンエキシマランプ」とは異なり、単一波長の紫外線光源ではない。
　しかし、低圧水銀ランプは、活性酸素やオゾンの生成に寄与する、波長が２００ｎｍ以下の短波長の紫外線も放射する光源であることは、以下の周知例１に記載されるように、周知の事項である。
　
　　エ．周知例１：特開平０１−２２８５９１号公報
　本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である、特開平０１−２２８５９１号公報には、「従来の技術」として、次の記載がある。
ａ．「一方、
紫外線によるオゾンおよび活性酸素の生成機構
　　
Ｏ
２
（空気）＋ｈ
ν１
→Ｏ
＊
２
→２Ｏ
　　　　　　　　　　　　　　　　（
ｈ
ν１
＝波長200nm以下の光
　　
Ｏ＋Ｏ
２
（空気）＋Ｍ→Ｏ
３
＋Ｍ
　　　　　　　　　　　　　　　　（Ｍ＝Ｎ２，Ｏ２）
　　Ｏ３＋ｈν２→Ｏ（活性酸素）＋Ｏ２　　　　　（３）
　　　　　　　　　（ｈν２＝波長300nm以下を含む広範囲の光）
　そして、水中では、次式で生成するＯＨ基が強力な酸化力などを発揮する。
　　Ｏ（活性酸素）＋Ｈ２Ｏ→２ＯＨ　　　　　 （４）
  ここで、
低圧水銀ランプは波長が185nmおよび254nmの光を放射するので、紫外線源として低圧水銀ランプが用いられてきた
　
　　オ．してみれば、引用例２において、酸素を含む雰囲気下で紫外線を照射する際の光源として、「主波長253nm」の「低圧水銀ランプ」を用いるときは、前記周知の事項を参酌すれば、その生成効率が不十分であるとしても、オゾンまたは原子状酸素を、少なからず、生成させているものと認められる。
　すなわち、引用例２に接した当業者であれば、酸素を含む雰囲気下で「主波長253nm」の「低圧水銀ランプ」を光源とする紫外線を照射することにより、オゾンまたは原子状酸素が生成されていることは、ただちに認識できたものと認められる。
　
　　カ．そして、本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布され、平成２４年９月２６日付けで通知された拒絶の理由で引用された刊行物である、特開２００２−１２４５１５号公報に「【００１８】前記２つの条件下での反応機構は次のように考えられる。まず露光がスタ−トすると１００〜２８０ｎｍの波長中、特に
１００〜２００ｎｍの波長エネルギ−は酸素分子を励起して活性酸素原子雰囲気に変え
この活性Ｓｉに活性酸素原子が直ちに化学結合し二酸化ケイ素に転換する
　したがって、引用例２において、酸素を含む雰囲気下で「主波長253nm」の「低圧水銀ランプ」等を光源とする紫外線を照射することで、上記のように生成されるオゾンや原子状酸素が、ポリシラザンの酸化珪素への転化に寄与していることは、当業者であればただちに察知できたものと認められる。
　
　　キ．周知例２：特開昭６２−０６６６３５号公報
　本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である、特開昭６２−０６６６３５号公報には、「平坦化方法」（発明の名称）に関して、次の記載がある。
ａ．「また、このような
シロキサン系ポリマーは
酸素プラズマ酸化やオゾン雰囲気中の熱処理によって酸化しＳｉＯ
２
化する
酸化反応はシロキサン系ポリマー膜の上層部から進行する
　
　　　周知例３：特開昭６３−１２１０４３号公報
　本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である、特開昭６２−１２１０４３号公報には、「シリコーンレジスト材料」（発明の名称）に関して、次の記載がある。
ａ．「すなわち、前記マスクが形成されると、このマスクの上から
酸素ガスプラズマが照射され、
その際、前記の如くポリシロキサン中に含まれるケイ素原子（Ｓｉ）及び酸素原子（Ｏ）によって二酸化ケイ素が迅速に形成される
　
　　　周知例４：特開平０６−０８０８７９号公報
　本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である、特開平０６−０８０８７９号公報には、「シリコーン樹脂組成物及びこれを用いたケイ酸ガラス薄膜の製造方法」（発明の名称）に関して、次の記載がある。
ａ．「【０００５】また、ＣＶＤ法を用い絶縁膜を得る方法の他の例として、文献II（Extended Abstracts of the 20th Conference on Solid State Devices and Materials,Tokyo,1988,pp-609-610）に開示のものがあった。この方法は、配線層上にこれを覆うための
ＳｉＯ
２
膜をＣＶＤ法により形成後、このＳｉＯ
２
膜表面を平坦化するためにこのＳｉＯ
２
膜上にポリ（アルキルシロキサン）を塗布してその皮膜を形成し、次にこの皮膜に耐酸化性を付与するためにその表面を酸素プラズマにより処理し表面をＳｉＯ
２
化する
　
　　　周知例５：特開平０９−０７１４０９号公報
　本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である、特開平０９−０７１４０９号公報には、「無機保護膜およびそれを用いた磁気記録媒体」（発明の名称）に関して、次の記載がある。
ａ．「【００２０】前記
ポリシラザン皮膜の酸化処理としては
活性酸素またはオゾンと接触させる処理であり、この酸化処理により酸化ケイ素皮膜（シリカ保護膜）が形成される
　
　上記周知例２〜５において、「酸素プラズマ」ないし「酸素ガスプラズマ」内には、酸素分子の電離・解離によって生成される、オゾンや原子状酸素等が存在することは、技術常識である。
　
　　ク．ここで、波長がより短く、かつ、単一波長の紫外線光源であれば、より強力な照射エネルギーを単一の波長に集中させることができ、したがって、より効率的にオゾンまたは原子状酸素を生成させることができることは、自明である。
　そして、半導体デバイスの製造技術において、オゾンまたは原子状酸素を生成させるための紫外線光源としてキセノンエキシマランプを用いることは、以下の周知例６〜９に記載されるように、本願の優先権主張の日において、既に周知技術であった。
　
　　ケ．周知例６：特開２００１−０１５４７２号公報
　本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である、特開２００１−０１５４７２号公報には次の記載がある。
ａ．「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、
半導体基板や液晶ディスプレイ基板等の被処理物の処理面に対して、紫外光を照射して
　
ｂ．「【００４３】
キセノンエキシマランプにより発光される波長１７２ｎｍの紫外光は、前述のように、処理室１５内の酸素Ｏ
２
を、基底状態の酸素原子Ｏ（’Ｐ）、励起状態の酸素原子Ｏ（’Ｄ）に解離する。ここで生成される励起酸素原子Ｏ（’Ｄ）はオゾンＯ
３
より酸化力が強い。また、基底状態酸素原子Ｏ（’Ｐ）と酸素分子Ｏ
２
の再結合により副次的にオゾンＯ
３
が生成され、この生成されたオゾンＯ
３
もまた、真空紫外光によって解離され、励起酸素原子Ｏ（’Ｄ）を生成する。更に、波長１７２ｎｍの光のフォトンエネルギーは約７．２ｅＶであり、多くの有機物の結合エネルギーより大きい。このため、有機物化合物の化学結合を容易に切断し、この有機物に前記生成した活性酸素種が反応し
　
　　　　周知例７：特開２００２−１５８２０３号公報
　本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である、特開２００２−１５８２０３号公報には次の記載がある。
ａ．「【００２０】
ＵＶ照射ランプＬは、キセノンを利用したもので、１７２ｎｍに中心発光波長をもつことが、オゾンを活性化させるという観点から好ましい。このようなＵＶ照射ランプとして、高強度な単一波長の紫外線を放射するキセノンエキシマランプを適用することができる
本発明では、基板表面に処理を行う関係から、１７２ｎｍに中心発光波長をもつキセノンエキシマランプが好適に利用される
【００２１】
キセノンエキシマランプにより、１７２ｎｍの波長を有する紫外光が基板表面に照射され、基板表面の有機化合物汚染が除去される。つまり、キセノンエキシマランプから発せられる紫外光を基板表面付近の酸素は吸収しオゾンとなる。このように生成されたオゾンは、分解し、活性酸素を生成し、基板表面の有機物を酸化するのである。
　
　　　　周知例８：特開２００２−２０８５９２号公報
　本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である、特開２００２−２０８５９２号公報には次の記載がある。
ａ．「【００３６】
【発明の実施の形態】（実施形態１）本実施形態に用いた、
光酸化および絶縁膜の成膜を真空を破らず連続して行う
　……（中略）……
【００３８】次に、基板温度を３５０℃に保ち、
光洗浄／光酸化室２内に酸素ガスを５０ｓｃｃｍの流量で導入し、内部の圧力を５ｔｏｒｒに保った後、波長１７２ｎｍのキセノンエキシマランプの光により、後記（１）式に示すように、酸素を直接に効率よく反応性の高い酸素原子活性種に分解でき、この酸素原子活性種により基板１００の（１００）面が酸化される
　
　　　　周知例９：特開２００４−１４６８１１号公報
　本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である、特開２００４−１４６８１１号公報には次の記載がある。
ａ．「【００４２】
　以下、基板処理方法について説明する。
【００４３】
　まず、（１００）面の比抵抗が１０〜１５Ωｃｍの直径６インチの円状の
Ｐ型の単結晶Ｓｉウエハを被処理基板６として用意する
【００４４】
　次に、
ガス導入口８より、酸素ガスを５０ｓｃｃｍの流量で導入し
波長１７２ｎｍのキセノンエキシマランプ１の光を照射すると、酸素ガスが直接的且つ効率よく分解されて、反応性の高い酸素原子活性種が生成される
　
　　コ．以上から、引用発明において、「製造方法」の工程を簡単化させるために、「酸化ケイ素を含む無機酸化物」で形成される「ガスバリア層２」と、「二酸化シリコン」を使用する「絶縁層４」の形成方法として、引用例２に示される、ポリシラザン系化合物を有機溶剤に溶解させた溶液を塗布液として用い、ガラス基板及びプラスチック基板表面にスピンコート等の手段を用いてポリシラザンの塗布膜を形成し、十分に乾燥させた後に、酸素を含む雰囲気下で紫外線を照射することで生成したオゾンまたは原子状酸素によって、「酸化ケイ素」からなる絶縁膜を形成するという方法を採用し、その際、前記紫外線の光源として、オゾンまたは原子状酸素の生成効率が良い周知の、封入ガスとしてキセノンを使用する「エキシマランプ」を選択することは、当業者であれば、適宜なし得たことと認められる。
　よって、相違点１は、引用例２に記載の事項と周知技術を参酌すれば、引用発明から当業者が容易に想到し得た範囲に含まれる程度のものである。
　
５−２．相違点２について
　　ア．本願明細書には、以下の事項が記載されている。
ａ．「【００１５】
　また、本願発明によれば、上記薄膜トランジスタにおいて、封止層ならびにゲート絶縁層を構成するＳｉＯ２薄膜が、シクロシラザン、オリゴシラザン、ポリシラザンに代表される一般式（１）で表されるシラザン構造もしくはアルキルシロキサン、アルコキシシラン化合物に代表される一般式（２）で表されるシロキサン構造を含有するケイ素化合物を原料とし、その溶液を塗布薄膜化したものを酸素を含む雰囲気で紫外線照射することでＳｉＯ２に転化させることによって形成されることを特徴とする薄膜トランジスタ素子の製造方法が提供される。」
　
ｂ．「【００１７】
　酸素を含む雰囲気に紫外線を照射することによって酸素分子の分解が起こりオゾンもしくは原子状酸素が生成されることは知られている。
【００１８】
　シラザン構造により構成されるシラザン化合物にオゾンもしくは原子状酸素を反応させると、下記反応式（３）および（４）に基づいて、ＳｉＯ２とアンモニアと酸素が発生する。…（中略）…反応のために供給される物質は酸素で、反応後の排出物質がアンモニアと酸素と、いずれも気体であることから、薄膜中に不純物が残存してしまう可能性がほとんどなく、高純度なＳｉＯ２を作製することができる。反応に水を使用しないために、残留吸着水などに基づく絶縁性劣化をも妨げることができる。また、本願発明の場合、活性オゾンもしくは原子状酸素の反応性が著しく高いため、ＳｉＮ結合がほぼ完全になくなるまで反応を進行させることができ、高純度なＳｉＯ２薄膜を作製することができる。」
　
ｃ．「【００１９】
　シロキサン構造により構成されるケイ素化合物にオゾンもしくは原子状酸素を反応させると下記反応式（５）および（６）に基づいて、ＳｉＯ２と二酸化炭素と水が発生する。…（中略）…アルキルシロキサンを転化してＳｉＯ２を作製する反応においては反応後の排出物として微量の水が生成されるので１００℃以上の加熱処理を併せて行うことによって高純度なＳｉＯ２薄膜を作製することができる。」
　
ｄ．「【実施例４】
【００５１】
　市販のポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムを基板として用いた。…（中略）…その上にパターン化された下部電極として金を厚さ５０ｎｍに真空蒸着した。この基板をスピンコーター上に設置し、上からポリ（ペルヒドロシラザン）のジブチルエーテル溶液（濃度約２０ｗｔ％）を、ガラスシリンジを用いて約１ｃｃ基板上に展開させた。その後、直ちに２５００ｒｐｍの速度で６０秒間回転させる事で、ポリ（ペルヒドロシラザン）の均一膜を得た。回転終了後、基板を５０℃に加熱したホットプレート上に静置し１０分間加熱した後、直ちに反応容器に導入した。反応容器には酸素ガスを導入した。このときの導入した酸素ガスの圧力は０．０１−０．０３ＭＰａであった。その後、紫外線ランプ（水銀ランプ）を照射した。照射時間は約６０分とした。反応容器内の温度は室温（２４℃）である。反応後、薄膜が作製された基板を、そのまま常圧オーブンに導入し、一定温度（約５０℃）で１時間加熱処理を行った。得られた、ＳｉＯ２薄膜の厚さは、約２５０ｎｍであった。この薄膜の耐電圧は約５ＭＶ/ｃｍ２、抵抗率は１０１３Ωｃｍ、表面粗さは、ＲＭＳ値で約０．３２ｎｍであった。」
　
ｅ．「【００２２】
　また、本願発明によれば、上記薄膜トランジスタにおいて、ゲート絶縁層を構成するＳｉＯ２薄膜の表面粗さが、ＲＭＳ値で０．５ｎｍ以下であることを特徴とする薄膜トランジスタが提供される。」
　
　　イ．前項のｂには、シラザン構造により構成されるシラザン化合物にオゾンもしくは原子状酸素を反応させると、反応に水を使用しないために、残留吸着水はほとんど問題にならないことが、前項のｃには、シロキサン構造により構成されるケイ素化合物にオゾンもしくは原子状酸素を反応させて作製したＳｉＯ２薄膜に、１００℃以上の加熱処理を併せて行うことによって、前記反応後の排出物として生成された水が除去され、より高純度なＳｉＯ２薄膜を作製できることが、記載されている。
　そして、同ｄには、「ポリ（ペルヒドロシラザン）の均一膜」を得て、「紫外線ランプ（水銀ランプ）を照射し薄膜が作製された基板」を、「そのまま常圧オーブンに導入し、一定温度（約５０℃）で１時間加熱処理を行」うと、「表面粗さは、ＲＭＳ値で約０．３２ｎｍ」である「ＳｉＯ２薄膜」が得られることが記載されている。前記「均一膜」は「ポリ（ペルヒドロシラザン）」からなるから、同ｄの「実施例４」において、同ｃの反応後の排出物として生成された水を考慮する必要はない。
　したがって、同ａ〜ｄの記載を参酌すれば、同ｅの記載から、本願明細書には、「シラザン結合（Ｓｉ−Ｎ）又はシロキサン結合（Ｓｉ−Ｏ）のうち、少なくとも一つを分子内に１個以上有するケイ素化合物を原料とし、該原料を溶液化した後、塗布薄膜化し、酸素を含む雰囲気下において」、「紫外光の光照射を行うことにより生成したオゾン又は原子状酸素によって、酸化シリコンに転化させる」ことにより「酸化シリコン薄膜」を「形成」すると、「ＲＭＳ値において０．５ｎｍ以下である」表面粗さの前記「酸化シリコン薄膜」が得られることが、記載されていると認められる。
　
　　ウ．してみれば、前項のケで述べたように、「酸化ケイ素を含む無機酸化物」で形成される「ガスバリア層２」と、「二酸化シリコン」を使用する「絶縁層４」の形成方法として、引用例２に示される、ポリシラザン系化合物を有機溶剤に溶解させた溶液を塗布液として用い、ガラス基板及びプラスチック基板表面にスピンコート等の手段を用いてポリシラザンの塗布膜を形成し、酸素を含む雰囲気下で、主波長２５３ｎｍの低圧水銀ランプや、これに代わるキセノンエキシマランプを光源とする紫外線を照射することで生成したオゾンまたは原子状酸素によって、「酸化ケイ素」からなる絶縁膜を形成するという方法を採用すれば、当然に、「ＲＭＳ値において０．５ｎｍ以下である」表面粗さを有する「ガスバリア層２」及び「絶縁層４」が得られるものと認められる。
　
　　エ．ところで、薄膜トランジスタのゲート絶縁膜は、良好な平坦性が求められることは、平成２４年９月２６日付けで通知された拒絶の理由における「（２−２）相違点２について」の項で指摘したように、周知の事項である。
　したがって、引用発明において、「絶縁層４」の表面粗さを低減させようとすることは、当業者であれば適宜なし得たことであり、前記表面粗さの指標としてＲＭＳ値をどの程度の値とするかは、発明を実施する際の設計的事項であると認められる。
　そして、本願明細書の記載からでは、本願発明の「ゲート絶縁層を形成する酸化シリコン薄膜の表面粗さは、ＲＭＳ値において０．５ｎｍ以下である」ことに、格別の臨界的な意義があるとは認められない。
　
　　オ．以上から、「ＲＭＳ値において０．５ｎｍ以下である」表面粗さを有する「ゲート絶縁層を形成する酸化シリコン薄膜」が得られるという効果は、引用発明に相違点１に係る「酸化ケイ素」膜の「形成」方法を採用することで当然にもたらされる効果であり、格別な効果であるとは認められない。
　
５−４．小括
　以上のとおりであるから、相違点１及び２は、引用例２に記載の事項と周知技術を参酌すれば、引用発明から当業者が容易に想到し得た範囲に含まれる程度のものである。
　したがって、本願発明は、引用発明、引用例２に記載の事項、及び、周知技術から、当業者が容易に発明をすることができたものと認められる。
　
　
第３．結言
　以上のとおり、本願発明は、引用発明、引用例２に記載の事項、及び、周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
　したがって、本願は、他の請求項について検討するまでもなく、拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。