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　特願２００１−１０４１２９「ＧａＮ単結晶基板の劈開性の判定方法とＧａＮ単結晶基板」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年１０月１１日出願公開、特開２００２−２９９７４１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯・本願発明
　本願は、平成１３年４月３日の出願であって、平成２２年３月１８日付け及び同年９月２８日付けで手続補正がなされ、平成２３年９月３０日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年１２月１５日付けで拒絶査定不服審判請求がなされ、その後、当審において、平成２４年９月２１日付けで拒絶理由が通知され、同年１１月１５日付けで手続補正がなされたものである。
　
　そして、本願の請求項に係る発明は、平成２４年１１月１５日付け手続補正による補正後の特許請求の範囲の請求項１及び２に記載された以下の事項によって特定されるものと認められる。
　
「【請求項１】
　単色光源、偏光子Ｐ、λ／４板Ｑ１、ＧａＮ単結晶Ｃ面基板、λ／４板Ｑ２、検光子Ａ、透過光量測定器を光軸上に配列した光弾性測定装置において、λ／４板Ｑ１の遅延軸、λ／４板Ｑ２の遅延軸がＧａＮ単結晶基板結晶の｛１−１００｝面に対して光軸廻りに互いに反対方向に４５度の角度をなすようにし、偏光子Ｐ、検光子Ａの偏光方向をλ／４板Ｑ１、Ｑ２の遅延軸と４５度の角度をなすようにし、単色光源から単色光を偏光子Ｐ、λ／４板Ｑ１、ＧａＮ単結晶基板、λ／４板Ｑ２、検光子Ａへと通し、検光子Ａの偏光方向と偏光子Ｐの偏光方向とを直交させたときの透過光量と、検光子Ａの偏光方向と偏光子Ｐの偏光方向とを平行にしたときの透過光量とから、光弾性歪による位相差δを求め、位相差δから｛１−１００｝面に対して互いに反対方向に４５度の角度をなす方向の偏波に対する光弾性歪値差Ｃ（σ１−σ２）を求め、光弾性歪値差のＣ面表面内での最大値が、５×１０−５以下であれば劈開性が良好であると判定し、５×１０−５を越えれば劈開性が不良であると判定することを特徴とするＧａＮ単結晶基板の劈開性の判定方法。
【請求項２】
　単色光源、偏光子Ｐ、λ／４板Ｑ１、ＧａＮ単結晶Ｃ面基板、λ／４板Ｑ２、検光子Ａ、透過光量測定器を光軸上に配列した光弾性測定装置において、λ／４板Ｑ１の遅延軸、λ／４板Ｑ２の遅延軸がＧａＮ単結晶基板結晶の｛１−１００｝面に対して光軸廻りに互いに反対方向に４５度の角度をなすようにし、偏光子Ｐ、検光子Ａの偏光方向をλ／４板Ｑ１、Ｑ２の遅延軸と４５度の角度をなすようにし、単色光源から単色光を偏光子Ｐ、λ／４板Ｑ１、ＧａＮ単結晶基板、λ／４板Ｑ２、検光子Ａへと通し、検光子Ａの偏光方向と偏光子Ｐの偏光方向とを直交させたときの透過光量と、検光子Ａの偏光方向と偏光子Ｐの偏光方向とを平行にしたときの透過光量とから、光弾性歪による位相差δを求め、位相差δから｛１−１００｝面に対して互いに反対方向に４５度の角度をなす方向の偏波に対する光弾性歪値差Ｃ（σ１−σ２）を求めたとき、光弾性歪値差のＣ面表面内での最大値が、５×１０−５以下であることを特徴とするＧａＮ単結晶基板。」（以下、請求項１、２に係る発明を、それぞれ、「本願発明１」、「本願発明２」といい、両者を合わせて「本願発明」という。）
　
　
第２　当審において通知した拒絶の理由
　当審において平成２４年９月２１日付けで通知した拒絶の理由の概要は、次のとおりである。
　
「本件出願は、明細書及び図面の記載が下記の点で不備のため、特許法第３６条第４項に規定する要件を満たしていない。
　
…
　
（２）
　…「光弾性歪値差の面内での最大値」とは、”面内”のどの位置（範囲）を測定したものの最大値であるか不明である。
　したがって、本願発明がどのように実施され得るものであるのか、発明の詳細な説明の記載から明らかでなく、本件出願は特許法第３６条第４項に規定する要件を満たしていない（以下「指摘事項１」という。）。
　
（３）
　ア　本願発明は、光弾性歪値差の面内での最大値が、閾値以下であるか、閾値を越えるかで、基板の劈開性が良好であるか不良であるかを劈開前に判断するものであり、本願明細書によれば、その閾値を５×１０−５とする根拠は、成長速度１００μｍ／ｈ以下の実施例及び成長速度１００μｍ／ｈを越える比較例において測定された光弾性測定による歪及び面粗度Ｒａであると認められるが、
「【００８６】劈開試験は次のようにする。金属メスによって基板の劈開方向（１−１００）に傷を付け、その線に沿って手でウエハを割った。うまく劈開できた。…
【００８７】さらにその劈開面において一定間隔で、光弾性を用いて残留歪を測定した。…」 
「【０１００】…比較例１の試験ウエハについても同様の劈開試験を行う。」
との記載によれば、実施例及び比較例の光弾性測定による残留歪の測定は、劈開後に行われたものと認められる。
　基板内部の歪みは、劈開の前後で変化するものと考えられるところ、なぜ、実施例及び比較例の劈開後に測定された光弾性歪値に基づいて、劈開前に光弾性歪値を測定して劈開性を判断する本願発明の閾値を定めたのか、その根拠が不明である。
…
　ウ　したがって、本願発明において、劈開性が良好であるか不良であるかを判定するための閾値として、光弾性歪値差の面内での最大値が５×１０−５とすることの技術的意義が不明であって、当業者は本願発明の技術的意義を理解することができない。
　よって、本願の発明の詳細な説明は、経済産業省令（特許法施行規則第２４条の２）で定めるところにより記載したものとはいえないから、特許法第３６条第４項に規定する要件を満たしていない（以下「指摘事項２」という。）。 
　
（４）本願請求項２に記載の「光弾性歪値差の面内での最大値が、５×１０−５以下である」「ＧａＮ単結晶基板。」について、発明の詳細な説明を参照しても、従来のＧａＮ単結晶基板と何が異なるのか、どこがどのように改善されたものであるか明らかでなく、当業者は請求項２に係る発明の技術的意義を理解することができない。
　よって、本願の発明の詳細な説明は、経済産業省令（特許法施行規則第２４条の２）で定めるところにより記載したものとはいえないから、特許法第３６条第４項に規定する要件を満たしていない（以下「指摘事項３」という。）。
　
　なお、本願請求項２に記載されているものは、「ＧａＮ単結晶基板」の発明であるが、本願明細書によれば、本願発明は、「ＧａＮ単結晶基板の劈開性の判定方法」の発明であって、「ＧａＮ単結晶基板」そのものの発明ではないと解されるところであり、「ＧａＮ単結晶基板」としての技術的意義は想定し難い。」
　
　
第３　記載不備（特許法第３６条第４項）について
１　本願明細書等の記載
　当審において平成２４年９月２０日付けで通知した拒絶の理由（上記第２参照。）において、記載不備に関して指摘した事項につき、本願明細書及び図面（以下「本願明細書等」という。）には、以下の記載がある。
　
（１）「【００３４】 
　単結晶であるし自然劈開だから当然に綺麗な面が出るはずだと思うかもしれないがそうではない。ＧａＮ結晶を厚く成長させるから冷却したときに内部歪が発生して応力が生じる。応力が無秩序に存在するので自然劈開しても劈開面が乱れるということがある。その場合折角エピウエハの上にバッファ層、活性層やキャップ層、埋め込み層などレ−ザ構造を作っても、いざ劈開となってから綺麗な劈開面が出るのか、あるいは不規則な面しかできないのか分からないのでは困る。ウエハプロセスによってエピウエハの上にデバイスを作製する前に、そのウエハが綺麗な劈開面を形成するのかどうかという劈開可能性がわかった方が良い。
　【００３５】 
　そのようにミラーウエハの段階でウエハがうまく劈開できるのか、そうでないのかという劈開性を判定できるような方法を提供することが本発明の第１の目的である。…」
　
（２）「【００８０】
【実施例】
［実施例１（成長速度１００μｍ／ｈ以下）］ 
　ＨＶＰＥ法によってＧａＮ基板を作製した。…基板はＧａＡｓ（１１１）Ｇａ基板であり、ドット状の窓を千鳥に配置したマスクを付け、その上にＧａＮバッファ層を比較的低温で成長させた。…
　【００８１】
　…そのあと温度を上げてＧａＮエピ成長を行う。その時のエピ成長の速度ｗは、１００μｍ／ｈ以下である。エピ成長膜の厚みは０．５ｍｍ以上とする。…王水でＧａＡｓ種結晶を除去する。…このウエハを研磨して１５０μｍの厚さの試験ウエハとした。
…
　【００８６】
　劈開試験は次のようにする。金属メスによって基板の劈開方向（１−１００）に傷を付け、その線に沿って手でウエハを割った。うまく劈開できた。…
　【００８７】
　さらにその劈開面において一定間隔で、光弾性を用いて残留歪を測定した。残留歪の測定結果を図３において太い破線によって示す。横軸は測定点の位置である。劈開面の幅は１５０μｍであるが長手方向には基板長さだけある。ここでは中央部付近の５ｍｍの幅についての結果を示している。横軸は長手方向の位置（ｃｍ）である。縦軸は光弾性測定による歪である。横線は本発明が閾値とする５×１０−５の線である。 
　【００８８】
　もちろん閾値は、研磨後のＧａＮウエハの厚みによって変わるはずである。ここでは１５０μｍに研磨しているからこれが閾値になる。より薄くすれば劈開はより容易になるから閾値は下がるだろうし、より厚ければ劈開はより難しくなり閾値は上がるであろう。しかし放熱性、強度などを考えるとＧａＮウエハは最終的に１００μｍ〜２００μｍ程度に削られることであろう。すると内部歪の閾値も５×１０−５程度であろうと推定される。
　【００８９】
　３．３×１０−５〜４．５×１０−５の範囲に歪が分布している。ばらつきはあるが、比較的小さい。最大の位置でも４．５×１０−５である。どの位置でも閾値５×１０−５の線より下にあるということがわかる。」
　
２　当審の判断
（１）指摘事項１について
　上記１（２）によれば、本願明細書等には、「１５０μｍの厚さの試験ウエハ（ＧａＮ基板）の劈開方向（１−１００）に金属メスにより傷を付け、その線に沿って手で該ウエハを割り、うまく劈開できたものについて、その劈開面において一定間隔で、光弾性を用いて残留歪を測定し、その測定結果が、図３の太い破線で示されるものとなったこと」、すなわち、劈開後のＧａＮ基板の劈開面において、一定間隔で光弾性を用いて残留歪を測定することについての記載はされている。
　しかしながら、本願明細書等には、劈開前のＧａＮ基板につき、そのＣ面内のどの位置を、具体的にどのような間隔で（あるいは連続して）測定を行うかについては、何らの記載もされていない。
　よって、当業者は、本願明細書等をみても、「…検光子Ａの偏光方向と偏光子Ｐの偏光方向とを直交させたときの透過光量と、検光子Ａの偏光方向と偏光子Ｐの偏光方向とを平行にしたときの透過光量とから、光弾性歪による位相差δを求め、位相差δから｛１−１００｝面に対して互いに反対方向に４５度の角度をなす方向の偏波に対する光弾性歪値差Ｃ（σ１−σ２）を求め、光弾性歪値差のＣ面表面内での最大値が、５×１０−５以下であれば劈開性が良好であると判定し、５×１０−５を越えれば劈開性が不良であると判定する」とする本願発明１を、具体的に実施することができない。
　したがって、本願明細書の発明の詳細な説明は、当業者が本願発明の実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載されたものであるとはいえないから、特許法第３６条第４項に規定する要件を満たしていないものである。
　
（２）指摘事項２について
　上記１（１）によれば、本願発明の目的は、「エピウエハの上にデバイスを作製する前に、そのウエハが綺麗な劈開面を形成するのかどうかという劈開可能性がわかった方が良」く、「ミラーウエハの段階でウエハがうまく劈開できるのか、そうでないのかという劈開性を判定できるような方法を提供すること」である。また、本願発明１の「ＧａＮ単結晶基板の劈開性の判定方法」は、「単色光源から単色光を偏光子Ｐ、λ／４板Ｑ１、ＧａＮ単結晶基板、λ／４板Ｑ２、検光子Ａへと通し、検光子Ａの偏光方向と偏光子Ｐの偏光方向とを直交させたときの透過光量と、検光子Ａの偏光方向と偏光子Ｐの偏光方向とを平行にしたときの透過光量とから、光弾性歪による位相差δを求め、位相差δから｛１−１００｝面に対して互いに反対方向に４５度の角度をなす方向の偏波に対する光弾性歪値差Ｃ（σ１−σ２）を求め、光弾性歪値差のＣ面表面内での最大値が、５×１０−５以下であれば劈開性が良好であると判定し、５×１０−５を越えれば劈開性が不良であると判定する」ものである。したがって、「…光弾性歪値差のＣ面表面内での最大値が、５×１０−５以下であれば劈開性が良好であると判定し、５×１０−５を越えれば劈開性が不良であると判定する」とする本願発明１は、ＧａＮ単結晶基板の劈開前に、上記判定を行うものである。
　しかるに、本願明細書等には、上記１（２）のとおり、ＧａＮ基板を劈開し、うまく劈開ができたものについて、（劈開後に）その劈開面における残留歪を光弾性を用いて測定し、その値がどの位置でも５×１０−５以下であったことが記載されているものの、本願発明１のように、ＧａＮ単結晶基板の「劈開前」に、光弾性歪値差のＣ面表面内での最大値を求め、当該ＧａＮ単結晶基板の劈開性が良好であるか不良であるかの判定を行う際の閾値を具体的に「５×１０−５」と定めた根拠については、それ以上具体的な説明はされていない。
　そして、ＧａＮ単結晶基板内部の内部歪みは、劈開の前後において変化すると考えられるところ、本願明細書等には、劈開後に測定された残留歪の値「５×１０−５」に基づいて、何故、劈開前に測定される光弾性歪値差の閾値を定め得るのかに関する説明もされてはいない。
　この点に関し、請求人は、平成２４年１１月１５日付けの意見書において、「単結晶基板の直交方向内部応力差は、劈開の前後で殆ど変わりません。」、「劈開によっても、σ１、σ２、σ１−σ２の全てが不変です。」等と主張するが、その具体的な根拠は示されていない。
　よって、本願発明１において、劈開性が良好であるか不良であるかを判定するための、「光弾性歪値差のＣ面表面内での最大値」の閾値を、「５×１０−５」と定めたことの技術上の意義は不明であって、当業者は、本願明細書等をみても、本願発明１の技術上の意義を理解することができない。
　したがって、本願の発明の詳細な説明は、経済産業省令（特許法施行規則第２４条の２）で定めるところにより記載したものとはいえないから、特許法第３６条第４項に規定する要件を満たしていない。
　
（３）指摘事項３について
　本願発明２は、上記第１で【請求項２】として示したとおりの、「…光弾性歪値差のＣ面表面内での最大値が、５×１０−５以下である」「ＧａＮ単結晶基板」なる“物”の発明である。しかるところ、本願明細書の発明の詳細な説明を参照しても、当業者は、当該「（光弾性歪値差のＣ面表面内での最大値が５×１０−５以下である）ＧａＮ単結晶基板」が、従来の（劈開を行う）ＧａＮ単結晶基板と比べて、何が異なるのか、どこがどのように改善された“物”であるのかを理解することができない。
　この点に関し、請求人は、平成２４年１１月１５日付けの意見書において、「従来のＧａＮ単結晶基板と異なるところは、光弾性効果の試験をして、全面において光弾性歪値差を測定し、光弾性歪値差がどこでも５×１０−５以下であることが判明し確認されているという点です。」、「本発明の請求項２に記載されたＧａＮ単結晶基板は、全面で光弾性歪値差を測定しており試験に合格したものです。…効率よく発光するレーザ素子がその上にできるということが試験によって保障されているのです。」等と主張する。
　しかしながら、従来の（劈開を行う）ＧａＮ単結晶基板においても、本願発明における光弾性効果の試験を行えば、本願発明２のように、「光弾性歪値差のＣ面表面内での最大値が、５×１０−５以下」となっていることが十分に想定されるところであるから、本願発明２の「ＧａＮ単結晶基板」が、“物”として、従来のＧａＮ単結晶基板と比べて、何が異なり、どこがどのように改善された“物”といえるのかは、依然として不明である。
　したがって、当業者は、本願発明２の「ＧａＮ単結晶基板」が、従来のＧａＮ単結晶基板と比べて、何が異なり、どこがどのように改善された“物”であるのかを理解することができず、本願発明２は、発明の技術上の意義が理解できないものであって、本願明細書の発明の詳細な説明は、本願発明の技術上の意義を当業者が理解できる程度に記載したものということはできないものであるから、特許法第３６条第４項の経済産業省令（特許法施行規則第２４条の２）で定めるところにより記載されたものとはいえない。　
　
４　小括
　上記１のとおり、本願明細書の発明の詳細な説明は、当業者が本願発明の実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載されたものであるとはいえないから、特許法第３６条第４項に規定する要件を満たしていない。
　また、上記２及び３のとおり、本願明細書の発明の詳細な説明は、本願発明の技術上の意義を当業者が理解できる程度に記載したものではなく、特許法第３６条第４項の経済産業省令（特許法施行規則第２４条の２）で定めるところにより記載されたものであるということはできない。
　
　
第４　むすび
　以上のとおり、本願明細書の発明の詳細な説明は、特許法第３６条第４項に規定する要件を満たしていないものである。
　
　
　よって、結論のとおり審決する。