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　特願２００４−２８１５０３「炭化珪素単結晶の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年　４月１３日出願公開、特開２００６−　９６５７８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成１６年９月２８日の出願であって、平成２１年７月１６日付けで拒絶理由が起案され、同年９月１５日付けで意見書と手続補正書が提出され、平成２２年６月１１日付けで拒絶査定の起案がなされ、同年９月１５日付けで拒絶査定不服審判が請求されるとともに手続補正書が提出され、平成２４年１月２３日付けで特許法第１６４条第３項の規定に基づく報告書を引用した審尋がなされ、同年３月８日付けで回答書が提出され、その後、当審から同年５月１６日付けで拒絶理由が通知され、同年７月２３日付けで意見書と手続補正書が提出されたものである。
　本願の請求項１〜３に係る発明は、平成２４年７月２３日付けの手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１〜３に記載された事項により特定されるとおりのものであって、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は次のとおりのものである。
　
　　【請求項１】
　昇華再結晶法を用いて口径５０ｍｍ〜３００ｍｍの炭化珪素単結晶を成長する方法であって、黒鉛製フェルトで被覆した黒鉛坩堝を使用し、結晶成長中に昇華ガスを供給する温度以上の温度まで炭化珪素結晶粉末原料の一部を加熱する際に、黒鉛坩堝または炭化珪素を加熱するための加熱用のワークコイルを黒鉛坩堝の中心軸に沿って、炭化珪素原料部の最高温度を有する領域を、成長単結晶に近い原料部から成長単結晶から離れる方向に少なくとも１回、１０ｍｍ／時間以下０．１ｍｍ／時間以上で移動させることを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法。
　
第２．理由１（進歩性について）
１．引用例
　本願出願前に頒布された刊行物であって、当審からの拒絶理由に引用された特開平７−１０６９７号公報（以下、「引用例」という。）には、次の事項が記載されている。
（ア）「【請求項２】ルツボの一側に配置した種結晶と、該種結晶に対向して前記ルツボの他側に収容した炭化ケイ素粉末と、前記ルツボを取り囲み、前記炭化ケイ素粉末を昇華させ前記種結晶の上に単結晶として成長させる温度勾配で前記ルツボを加熱するヒータと、前記ルツボを昇降自在に支持する移動軸を備え、前記ルツボは、昇華帯が前記種結晶側から順次移動するように下降する炭化ケイ素単結晶の製造装置。」（特許請求の範囲の請求項２）
（イ）「【発明が解決しようとする課題】実際に生じる炭化ケイ素の昇華反応は、ルツボ１に収容されている炭化ケイ素粉末２の量に比例した多量の昇華ガスを発生させるものではない。たとえば、ルツボ１に収容した炭化ケイ素粉末２の量が昇華の条件を超えるとき、原料粉末層の内部に未分解の炭化ケイ素が凝固体となって残留する。残留した炭化ケイ素は、後続する昇華反応を抑制する作用を呈し、蒸気の発生を妨げる原因となる。結晶成長中における昇華状況の変化は、成長中の結晶に対する炭素，ケイ素等の不純物混入，単結晶への結晶欠陥の導入等の欠陥発生原因となる。この点で、材質が均質化された炭化ケイ素単結晶を得ることが困難であった。
また、製造装置に応じて定まる温度分布，圧力等の特性から制御可能な範囲の条件に基づいて、結晶成長の一工程が決定される。各成長工程ごとに安定した条件下で連続的に同品質の単結晶を成長させるためには、結晶成長時に昇華条件を同一に設定することが要求される。しかし、僅かな温度条件の相違によっても成長した単結晶の物性が大きく変わるため、成長条件の設定に高い精度が要求され、結晶成長を開始させる前段階で調整が困難になる。本発明は、このような問題を解消すべく案出されたものであり、安定した条件下で炭化ケイ素原料粉末の昇華を連続化させることにより、単結晶成長条件の設定に対する要求を緩和し、品質が一定した炭化ケイ素単結晶を得ることを目的とする。」（【０００５】〜【０００６】）
（ウ）「本発明においては・・・・・・このようにして、一定時間が経過した後では、全ての炭化ケイ素粉末２の昇華が完了する。
・・・・・・このような昇華プロセスによって、種結晶側から原料に向かう方向で原料部の加熱が掃引される。そのため、原料の昇華が一定した速度で進行し、常に一定の昇華ガスが種結晶に降り注ぎ、安定した結晶成長が行われる。昇華温度は、ルツボ１を上下動させることによっても種結晶側から原料部に向かう方向に関して移動可能である。この場合、図３に示すように、昇降自在な移動軸１２でルツボ１を支持する。上部ヒータ７は、バイアスヒータ７ａ及びサブヒータ７ｃからなる。バイアスヒータ７ａで所望のルツボ原料部温度に近い温度に加熱した後、サブヒータ７ｃでルツボ１が部分的に加熱される。
装置の運転開始に際しては、チャンバー９内を減圧排気し、不活性ガスの導入によって所望条件下の不活性減圧雰囲気とした後、ルツボ１に収容した炭化ケイ素粉末２の種結晶に最も近い部分がサブヒータ７ｃの位置にくるように移動軸１２を調節する。ヒータ７による加熱でルツボ１が所定の温度に達したとき、炭化ケイ素粉末２の種結晶側部分が昇華を開始し、昇華ガスの発生によって種結晶の上に単結晶６が成長する。昇華反応の進行に応じて、移動軸１２の操作により一定速度でルツボ１を下方に移動させ、昇華帯を下方から上方に移動させる。・・・・・・その結果、常に一定した昇華ガスが得られ、安定した結晶成長が行われる。」（【０００８】〜【００１１】）
（エ）「【実施例】実施例１：（図２）
ルツボ１として、内径２５ｍｍのグラファイト製ルツボを使用した。・・・・・・。」（【００１２】）
（オ）「実施例２：（図３）
ルツボ１に収容した炭化ケイ素２の下端付近がサブヒータ７ｃの位置と一致するように、ルツボ１をチャンバー９内にセットした。チャンバー９内を不活性減圧雰囲気とした後、バイアスヒータ７ａ及び下部ヒータ８により種結晶部を２２８０℃、原料部を２３００℃付近になるように加熱した。チャンバー９内の温度が安定した段階でサブヒータ７ｃによる加熱を行い、炭化ケイ素の昇華を開始させた。昇華を継続させている状態で、３時間かけてルツボ１内の原料部の上端がサブヒータ７ｃの位置にくるまで、移動軸１２の操作によってルツボ１を下降させた。得られた炭化ケイ素単結晶は、約３ｍｍの厚みであり、成長方向に沿って均質で安定した品質をもっていた。」（【００１４】）
　
２．引用例に記載された発明
ア　引用例の（ア）には、「ルツボの一側に配置した種結晶と、該種結晶に対向して前記ルツボの他側に収容した炭化ケイ素粉末と、前記ルツボを取り囲み、前記炭化ケイ素粉末を昇華させ前記種結晶の上に単結晶として成長させる温度勾配で前記ルツボを加熱するヒータと、前記ルツボを昇降自在に支持する移動軸を備え、前記ルツボは、昇華帯が前記種結晶側から順次移動するように下降する炭化ケイ素単結晶の製造装置」が記載されているから、この記載を整理すると、「ルツボの一側に配置した種結晶と、該種結晶に対向して前記ルツボの他側に収容した炭化ケイ素粉末と、前記ルツボを取り囲み、前記炭化ケイ素粉末を昇華させ前記種結晶の上に単結晶として成長させる温度勾配で前記ルツボを加熱するヒータと、前記ルツボを昇降自在に支持する移動軸を備え」た「炭化ケイ素単結晶の製造装置」において、「前記ルツボは、昇華帯が前記種結晶側から順次移動するように下降する」「炭化ケイ素単結晶の製造装置」と言い換えることができ、この「炭化ケイ素単結晶の製造装置」を使った「炭化ケイ素単結晶の製造方法」が引用例には記載されているということができる。
イ　そうすると、引用例には、
「ルツボの一側に配置した種結晶と、該種結晶に対向して前記ルツボの他側に収容した炭化ケイ素粉末と、前記ルツボを取り囲み、前記炭化ケイ素粉末を昇華させ前記種結晶の上に単結晶として成長させる温度勾配で前記ルツボを加熱するヒータと、前記ルツボを昇降自在に支持する移動軸を備えた炭化ケイ素単結晶の製造装置において、前記ルツボは、昇華帯が前記種結晶側から順次移動するように下降する炭化ケイ素単結晶の製造方法。」の発明（以下、「引用発明」という）が記載されていると認める。
　
３．本願発明と引用発明との対比・判断
ア　本願発明と引用発明とを対比する。
イ−１　本願発明でいう「昇華再結晶法」とは、「改良（型）レーリー法」と同義または「改良（型）レーリー法」を含むものである（要すれば、特開２００３−１７６２００号公報の【００２７】及び【００３４】、特開２０００−５３５００号公報の【０００３】、特開平９−４８６８８号公報の【０００２】、特開平６−１６９８号公報の【０００５】を参照。）。
　そこで、「改良（型）レーリー法」とはどのようなものかについて本願明細書の記載をみてみると、本願明細書の【００１１】には、「図１を用いて、改良レーリー法の原理を説明する。種結晶となる炭化珪素単結晶と原料となる炭化珪素結晶粉末（・・・・・・）は、坩堝（・・・・・・）の中に収納され、アルゴン等の不活性ガス雰囲気中（・・・・・・）で、原料を昇華させるために２０００℃以上に加熱される。この際、原料粉末に比べ種結晶がやや低温になるように温度勾配が設定される。原料は、昇華後、濃度勾配（温度勾配により形成される）により、種結晶方向へ拡散、輸送される。単結晶成長は、種結晶に到着した原料ガスが種結晶上で再結晶化することにより実現される。」と記載されている。
イ−２　引用発明は、「ルツボの一側に配置した種結晶と、・・・・・・前記ルツボの他側に収容した炭化ケイ素粉末と」を有しているから、「種結晶となる炭化珪素単結晶と原料となる炭化珪素結晶粉末（・・・・・・）は、坩堝（・・・・・・）の中に収納」されており（なお、引用発明の「ルツボ」、「炭化ケイ素」は、それぞれ、「坩堝」、「炭化珪素」のことであることは明らかである）、
そして、引用発明は「前記炭化ケイ素粉末を昇華させ前記種結晶の上に単結晶として成長させる温度勾配で前記ルツボを加熱する」ものであり、引用例の（オ）の「種結晶部を２２８０℃、原料部を２３００℃付近になるように加熱した。」、また、同（ウ）の「ルツボ１が所定の温度に達したとき、炭化ケイ素粉末２の種結晶側部分が昇華を開始し、昇華ガスの発生によって種結晶の上に単結晶６が成長する。」との記載をみると、「原料は２０００℃以上に加熱され」、「原料粉末である炭化ケイ素粉末に比べ種結晶がやや低温になるように温度勾配（温度勾配により形成される）が設定されているといえ、原料は、昇華後、濃度勾配により、種結晶方向へ拡散、輸送され、単結晶成長は、種結晶に到着した原料ガスが種結晶上で再結晶化することにより実現される」とみることができる。
　そして、引用例の（ウ）の「チャンバー９内を減圧排気し、不活性ガスの導入によって所望条件下の不活性減圧雰囲気とした」や同（オ）「ルツボ１をチャンバー９内にセットした。チャンバー９内を不活性減圧雰囲気とした」との記載をみると、「ルツボ内は不活性雰囲気である」ことは明らかである。
イ−３　そうすると、引用発明の「ルツボの一側に配置した種結晶と、該種結晶に対向して前記ルツボの他側に収容した炭化ケイ素粉末と、前記ルツボを取り囲み、前記炭化ケイ素粉末を昇華させ前記種結晶の上に単結晶として成長させる温度勾配で前記ルツボを加熱するヒータと、前記ルツボを昇降自在に支持する移動軸を備えた炭化ケイ素単結晶の製造装置」は、「改良（型）レーリー法」、すなわち、本願発明の「昇華再結晶法を用いて炭化珪素単結晶を成長する方法」を行うものということができる。
ウ　引用発明の「昇華帯」は、炭化ケイ素粉末の最高温度を有する（含む）領域であるとみることができ、また、「種結晶の上に単結晶として成長させる」ことは、「結晶成長」であるから、引用発明も「結晶成長中に昇華ガスを供給する温度以上に炭化珪素結晶粉末原料の一部を加熱している」ことは明らかである。
　そうすると、引用発明の「昇華帯が前記種結晶側から順次移動する」ことは、本願発明の「炭化珪素原料部の最高温度を有する領域を、成長単結晶に近い原料部から成長単結晶から離れる方向に少なくとも１回移動」と「炭化珪素原料部の最高温度を有する領域を、成長単結晶に近い原料部から成長単結晶から離れる方向に１回移動」する点で一致している。
エ　引用発明のルツボは、引用例の（エ）の記載から、グラファイト製、すなわち、黒鉛製とみることが自然である。
オ　そうすると、両者は、
「昇華再結晶法を用いて炭化珪素単結晶を成長する方法であって、坩堝を使用し、結晶成長中に昇華ガスを供給する温度以上の温度まで炭化珪素結晶粉末原料の一部を加熱する際に、炭化珪素原料部の最高温度を有する領域を、成長単結晶に近い原料部から成長単結晶から離れる方向に１回移動させる炭化珪素単結晶の製造方法」である点で一致し、次の点で相違している。
相違点１：炭化珪素単結晶の口径について、本願発明は、「５０ｍｍ〜３００ｍｍ」であるのに対し、引用発明は口径に関する特定がない点
相違点２：坩堝について、本願発明は、「黒鉛製フェルトで被覆した黒鉛坩堝」であるのに対し、引用発明はかかる特定がない点
相違点３：炭化珪素原料部の最高温度を有する領域の移動に関し、本願発明は、「黒鉛坩堝または炭化珪素を加熱するための加熱用のワークコイルを黒鉛坩堝の中心軸に沿って、」「１０ｍｍ／時間以下０．１ｍｍ／時間以上で移動させ」ているのに対し、引用発明は、「ヒータと、前記ルツボを昇降自在に支持する移動軸を備え」、「前記ルツボは」「下降」することにより移動させ、移動速度について特定がなされていない点
カ　次に、これら相違点について検討する。
キ　相違点１について
　昇華再結晶法により、５０ｍｍ以上の口径の炭化珪素単結晶が製造できることは周知であり（要すれば、口径５０ｍｍの炭化硅素炭化結晶が特開２００３-１０４７９８号公報の【００１３】等、口径７６ｍｍの炭化硅素炭化結晶が特開２００３−１８３０９７号公報の【００１９】等や特開２００４−１３１３２８号公報の【００４９】等に記載されている。）、口径の大きな炭化珪素単結晶の製造は当業者が当然に指向するものであるから、炭化珪素の口径を「５０ｍｍ〜３００ｍｍ」とすることは当業者であれば困難なくなし得ることである。
ク　相違点２について
　５０ｍｍ以上の口径の炭化珪素単結晶が製造するに当たり黒鉛製フェルトで被覆した黒鉛坩堝が用いられており（要すれば、特開２００３-１０４７９８号公報の【００１５】等、特開２００３−１８３０９７号公報の【００１９】等を参照。）、炭化珪素単結晶の口径に応じて坩堝は大きくなるから、熱効率を上げることが当然考慮されるものといえ、当業者であれば「黒鉛製フェルトで被覆した黒鉛坩堝」を用いることは適宜なし得ることである。
ケ　相違点３について
ケ−１　引用発明は、引用例の（イ）に記載されるように「安定した条件下で炭化ケイ素原料粉末の昇華を連続化させることにより、単結晶成長条件の設定に対する要求を緩和し、品質が一定した炭化ケイ素単結晶を得ることを目的とする」ものであり、この目的達成のために、昇華帯の移動速度、すなわち、それに対応するルツボの速度は、ルツボの大きさや炭化ケイ素の量、炭化ケイ素の蒸気圧や昇華速度等の昇華挙動、種結晶の成長速度などの種々の因子を考慮して適宜決定しうるものであり、
また、引用発明において、「ルツボは、昇華帯が前記種結晶側から順次移動するように下降する」が、これは「昇華帯が前記種結晶側から順次移動」するためのものであって、昇華帯の移動は、ルツボの移動ではなく、ルツボを加熱する加熱手段をルツボの中心軸に沿って動かすことにより行ってもよいことは明らかである。そして、昇華再結晶法の加熱手段としてワークコイルを用いることは周知技術であり（要すれば、特開２００３-１０４７９８号公報の【００１５】等、特開２００３−１８３０９７号公報の【００１９】等を参照。）、ワークコイルを用いれば、坩堝や、その中の炭化ケイ素も加熱されることは明らかであるから、引用発明において、「黒鉛坩堝または炭化珪素を加熱するための加熱用のワークコイルを黒鉛坩堝の中心軸に沿って、」「１０ｍｍ／時間以下０．１ｍｍ／時間以上で移動させ」ることは、困難なくなし得ることである。
コ　そして、上記した引用例の（イ）の「安定した条件下で炭化ケイ素原料粉末の昇華を連続化させることにより、単結晶成長条件の設定に対する要求を緩和し、品質が一定した炭化ケイ素単結晶を得ることを目的とする。」及び引用例（ウ）の「一定時間が経過した後では、全ての炭化ケイ素粉末２の昇華が完了する。」との記載をみると、本願明細書の【００１０】の「結晶成長の初期における欠陥の発生を抑制し、ポリタイプの安定した成長を行えると同時に、装填した炭化珪素粉末原料を未昇華の状態で残すことなしに、結晶成長を行うことが可能」という本願発明の効果は格別なものとはいえない。
サ　よって、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
４．請求人の主張について
ア　請求人は、平成２４年７月２３日付けの意見書において、主に、
（１）引用例は炭化珪素原料部の最高温度を有する領域を一定速度で移動させる技術思想を開示していない。
（２）引用例は、黒鉛製のフェルトの被覆がないため測温により温度を見積もることができるが、黒鉛製のフェルトの被覆を有する本願発明は数値計算を駆使することで温度を推定しており、試行錯誤を繰り返すことによって黒鉛坩堝または炭化珪素を加熱するための加熱用のワークコイルを１０ｍｍ／時間以下０．１ｍｍ／時間以上に移動速度で移動させており、この移動速度は引用例における実施例のルツボの移動速度の１８．３ｍｍ／時間からは大きく乖離している。
（３）本願発明と引用発明は、種結晶と原料である炭化珪素単結晶の投入場所とが、上下逆さまである。
と主張しているので、検討する。
イ　（１）について
　上記３．ウで述べたように、「昇華帯」は、炭化ケイ素粉末の最高温度を有する（含む）領域であるとみることができ、また、引用例の（ウ）に「一定速度でルツボ１を下方に移動させ、昇華帯を下方から上方に移動させる」と記載されているから、引用例は、炭化珪素原料部の最高温度を有する領域を一定速度で移動させる技術思想を開示している。
ウ　（２）について
　引用例の（ウ）に「一定速度でルツボ１を下方に移動させ、昇華帯を下方から上方に移動させる」と記載されているから、昇華帯の移動が順次一定速度で移動することを何らかの手段を用いて確認していることは明らかであり、この手段として周知の手法である数値計算を用いることは適宜行い得ることであって、
　また、上記３．キ及びクで述べたように、引用発明において炭化珪素の口径を「５０ｍｍ〜３００ｍｍ」とすべく黒鉛製のフェルトの被覆大型のルツボを使うことは適宜なし得ることであるから、ルツボの大きさの変更は昇華条件の変更といえ、この変更された昇華条件の下でのルツボの移動速度は実施例に示された１８．３ｍｍ／時間とは異なるものになることは明らかである。
エ　（３）について
　本願発明は、引用発明とは上下逆さまの種結晶と原料である炭化珪素単結晶の投入場所を発明特定事項として有しているとは直ちにいえないが、仮にそうであるとしても、引用発明と上下逆さまの種結晶と原料である炭化珪素単結晶の投入場所を有する昇華再結晶法は周知技術（要すれば、特開２００３-１０４７９８号公報の図３等、特開２００３−１８３０９７号公報の図２等を参照。）であって、当業者ならば適宜採用できるものである。
オ　よって、請求人の主張を採用することはできない。
　
第３．理由２（記載不備について）
１．当審からの平成２４年５月１６日付けの拒絶理由で指摘した記載不備は、
「下記文献１には、「原料として用いるSiC粉末はその粒径や形状によって充填密度が異なり，その昇華挙動も異なる。昇華量の時間依存性を調べると，大粒径粉末の方が昇華量が多く，また，昇華時間に対する昇華速度の変化が小さいことが確認できた。」（５８頁右欄２０〜２４行）と記載されており、炭化珪素の昇華の挙動は、炭化珪素の粒径や形状に応じて変化することが記載されている。 
　本願明細書の【００１２】には、「次の２つを仮定し、計算の簡単化を図った。第一の仮定として、昇華再結晶過程については考慮していない。つまり、原料の炭化珪素粉末が昇華し、ガス流となって炭化珪素単結晶上で再結晶する過程を無視した。このため、炭化珪素粉末の温度は、昇華過程を考慮した場合に比べて、高く計算されている。第二の仮定として、計算に用いた物性値は、軸対称性を仮定しており、結晶の異方性は考慮していない。」と記載されており、炭化珪素の原料粉末の粒径や形状についての言及はされていない。 
　そうすると、炭化珪素の原料粉末の粒径や形状に応じて、昇華挙動が異なるのだから、どのような粒径・形状の炭化珪素の原料粉末であっても、請求項１〜３に係る発明によって、本願明細書【０００６】に記載されている課題を解決できるとは、出願時の技術常識を考慮してもいえず、請求項１〜３に係る発明の範囲まで発明の詳細な説明の記載を一般化することはできないから、特許請求の範囲の請求項１〜３の記載は特許法第３６条第６項第１号の規定を満たしていないし、請求項１〜３に係る発明を実施するために当業者に期待し得る程度を超える試行錯誤を行う必要があるから、発明の詳細な説明の記載は特許法第３６条第４項第１号の規定を満たしていない。 
　 
文献１：豊田中央研究所 RD レビュー　Vol. 30 No. 2 ( 1995. 6 ) 
（http://www.tytlabs.co.jp/japanese/review/rev302pdf/302_057fuma.pdf）」 
というものである。
２．これに対して、請求人は、炭化珪素結晶粉末原料を用いてなることを本願発明の特定事項とし、平成２４年７月２３日付けの意見書において、「アチソン法により作製される粉末結晶の粒径は一般に数μｍから数十μｍであり、粒径にある程度の分布がある。原料粉末を昇華させる場合には、原料部分内部における温度分布に起因して、高温部では昇華し、低温部では再結晶が同時に進行していると考えられ、原料部分からの昇華ガスの発生は、初期に装填した原料粉末の粒径のみに依存するわけではない。このことから、粒径や形状による昇華挙動に大差がないため、粒径や形状を特定することに特段のメリットはなく、坩堝の原料部分に装填しやすい程度の粒径を持つ、一般的な数μｍから数十μｍの粒径の粉末形態で用いるのが望ましいものと言えます。こうした観点からも、上記補正により「炭化珪素原料」を「炭化珪素結晶粉末原料」と補正することにより、当業者が過度の試行錯誤なく、本願段落「０００６」に記載さている課題を解決できるものと確信致します。」と主張しているが、粒径や形状による昇華挙動に大差がないことを客観的に裏付けるものは何ら示されておらず、仮に、請求人の主張の通りに粒径や形状による昇華挙動に大差がないとしても、初期に装填した炭化珪素の原料粉末の粒径以外にどのような因子が昇華挙動に影響を与えるのか、昇華挙動に関し、これら因子がどのように炭化珪素の原料粉末の粒径や形状の影響を相殺するのか等について何ら説明がされていないから、依然として上記記載不備は解消していない。
　
第４．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることはできないし、また、特許請求の範囲の請求項１〜３の記載は特許法第３６条第６項第１号の規定を満たしておらず、発明の詳細な説明の記載は特許法第３６条第４項第１号の規定を満たしていない。 
　したがって、本願の請求項２〜３に係る発明の新規性・進歩性について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。