(57)【要約】融点またはガラス転移点が１０００℃以上である無機物粉末とガラス転移点が４５０〜８００℃であるガラス粉末とからなり、前記無機物粉末の粒子の長径Ｌの平均が０．５〜１５μｍ、長径Ｌと短径Ｗの比Ｌ／Ｗの平均が１．４以下であるガラスセラミックス組成物。また、質量百分率表示で、融点またはガラス転移点が１０００℃以上である無機物粉末１０〜５８％と、ガラス転移点が４５０〜８００℃であるガラス粉末４２〜９０％とからなり、前記ガラス粉末がモル％表示で本質的に、ＳｉＯ２  ３５〜７０％、Ｂ２Ｏ３  ０〜３０％、Ａｌ２Ｏ３  ３〜１８％、ＭｇＯ  ０〜４０％、ＣａＯ  ０〜１９％、ＢａＯ  ０〜３５％、ＺｎＯ  ０〜９％、からなるガラスセラミックス組成物。【特許請求の範囲】
【請求項１】
融点またはガラス転移点が１０００℃以上である無機物粉末とガラス転移点が４５０〜８００℃であるガラス粉末とから本質的になるガラスセラミックス組成物であって、前記無機物粉末の粒子の長径Ｌの平均が０．５〜１５μｍ、長径Ｌと短径Ｗの比Ｌ／Ｗの平均が１．４以下であるガラスセラミックス組成物。
【請求項２】
前記無機物粉末の９０％粒子径Ｄ９０と１０％粒子径Ｄ１０の比Ｄ９０／Ｄ１０が５以下である請求項１に記載のガラスセラミックス組成物。
【請求項３】
前記無機物粉末の質量百分率表示の含有量が１０〜６０％、ガラス粉末の同表示の含有量が４０〜９０％である請求項１または２に記載のガラスセラミックス組成物。
【請求項４】
前記無機物粉末が、α−アルミナ、コーディエライト、フォルステライト、エンスタタイトおよびスピネルからなる群から選ばれる１種以上の無機物の粉末である請求項１、２または３に記載のガラスセラミックス組成物。
【請求項５】
前記ガラス粉末が下記酸化物基準のモル％表示で本質的に、
ＳｉＯ２                  ２０〜７２％、
Ｂ２Ｏ３                    ０〜３０％、
Ａｌ２Ｏ３                  ０〜２０％、
ＭｇＯ＋ＣａＯ              ０〜６０％、
ＳｒＯ＋ＢａＯ              ０〜２０％、
ＺｎＯ                      ０〜３０％、
Ｌｉ２Ｏ＋Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏ  ０〜１０％、
ＴｉＯ２＋ＺｒＯ２          ０〜５％、
ＳｎＯ２                    ０〜５％、
からなり、ＳｉＯ２＋Ｂ２Ｏ３が３０％以上である請求項１、２、３または４に記載のガラスセラミックス組成物。
【請求項６】
質量百分率表示で、融点またはガラス転移点が１０００℃以上である無機物粉末１０〜５８％と、ガラス転移点が４５０〜８００℃であるガラス粉末４２〜９０％とから本質的になるガラスセラミックス組成物であって、前記ガラス粉末が下記酸化物基準のモル％表示で本質的に、ＳｉＯ２  ３５〜７０％、Ｂ２Ｏ３  ０〜３０％、Ａｌ２Ｏ３  ３〜１８％、ＭｇＯ  ０〜４０％、ＣａＯ  ０〜１９％、ＢａＯ  ０〜３５％、ＺｎＯ  ０〜９％、からなるガラスセラミックス組成物。
【請求項７】
前記ガラス粉末が下記酸化物基準のモル％表示で本質的に、ＳｉＯ２  ６０〜７０％、Ｂ２Ｏ３  ２０〜３０％、Ａｌ２Ｏ３  ３〜８％、ＭｇＯ  ０〜１％、ＣａＯ  ２〜８％、ＢａＯ  ０〜２％、ＺｎＯ  ０〜２％、からなり、ＳｉＯ２＋Ｂ２Ｏ３が８６〜９３％、ＳｉＯ２＋Ｂ２Ｏ３＋Ａｌ２Ｏ３＋ＣａＯが９８％超である請求項６に記載のガラスセラミックス組成物。
【請求項８】
前記ガラス粉末が下記酸化物基準のモル％表示で本質的に、ＳｉＯ２  ３５〜５３％、Ｂ２Ｏ３  ０〜２％、Ａｌ２Ｏ３  ５〜１８％、ＭｇＯ  ２０〜４０％、ＣａＯ  ７超〜１９％、ＢａＯ  ０〜３％、ＺｎＯ  ０〜９％、からなり、ＳｉＯ２＋Ａｌ２Ｏ３が５９％以下、Ａｌ２Ｏ３／（ＭｇＯ＋ＣａＯ）が０．１３以上である請求項６に記載のガラスセラミックス組成物。
【請求項９】
前記ガラス粉末が下記酸化物基準のモル％表示で本質的に、ＳｉＯ２  ４８〜６０％、Ｂ２Ｏ３  ２〜１０％、Ａｌ２Ｏ３  ５〜１８％、ＭｇＯ  １５〜４０％、ＣａＯ  ０．５〜７％、ＢａＯ  ０〜３％、ＺｎＯ  ０．５〜９％、からなる請求項６に記載のガラスセラミックス組成物。
【請求項１０】
前記ガラス粉末が下記酸化物基準のモル％表示で本質的に、ＳｉＯ２  ４８〜６０％、Ｂ２Ｏ３  ０〜１０％、Ａｌ２Ｏ３  ９〜１８％、ＭｇＯ  ０〜５％、ＣａＯ  ０〜５％、ＢａＯ  ２５〜３５％、ＺｎＯ  ０〜５％、からなる請求項６に記載のガラスセラミックス組成物。
【請求項１１】
前記無機物粉末の９０％粒子径Ｄ９０と１０％粒子径Ｄ１０の比Ｄ９０／Ｄ１０が５以下である請求項６〜１０のいずれかに記載のガラスセラミックス組成物。
【請求項１２】
前記無機物粉末が、α−アルミナ、コーディエライト、フォルステライト、エンスタタイトおよびスピネルからなる群から選ばれる１種以上の無機物の粉末である請求項６〜１１のいずれかに記載のガラスセラミックス組成物。
【請求項１３】
前記無機物粉末の粒子の長径Ｌの平均が０．５〜１５μｍ、長径Ｌと短径Ｗの比Ｌ／Ｗの平均が１．４以下である請求項６〜１２のいずれかに記載のガラスセラミックス組成物。
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は、焼成して電子回路基板を作製するのに好適なガラスセラミックス組成物に関する。
背景技術
従来、電子回路基板として、アルミナ粉末を焼結して作製されるアルミナ基板が広く使用されている。
前記アルミナ基板においては、アルミナ粉末の焼結温度が約１６００℃と高いために、アルミナ基板作製と同時に焼成する電極の材料としてタングステン（融点＝３４００℃）、モリブデン（融点＝２６２０℃）等の高融点金属しか使用できなかった。そのため、比抵抗が小さいが融点が１６００℃以下である銀（融点＝９６２℃）等の非・高融点金属を前記電極の材料として使用できない問題があった。
近年、前記アルミナ粉末に代わる、９００℃以下で焼成して電子回路基板を作製できる電子回路基板用材料が求められている。
本発明は、以上の課題を解決し、電子回路基板作製に好適なガラスセラミックス組成物の提供を目的とする。
発明の開示
本発明は、融点またはガラス転移点が１０００℃以上である無機物粉末とガラス転移点が４５０〜８００℃であるガラス粉末とから本質的になるガラスセラミックス組成物であって、前記無機物粉末の粒子の長径Ｌの平均が０．５〜１５μｍ、長径Ｌと短径Ｗの比Ｌ／Ｗの平均が１．４以下であるガラスセラミックス組成物を提供する（第１発明）。
また、質量百分率表示で、融点またはガラス転移点が１０００℃以上である無機物粉末１０〜５８％と、ガラス転移点が４５０〜８００℃であるガラス粉末４２〜９０％とから本質的になるガラスセラミックス組成物であって、前記ガラス粉末が下記酸化物基準のモル％表示で本質的に、ＳｉＯ２  ３５〜７０％、Ｂ２Ｏ３  ０〜３０％、Ａｌ２Ｏ３  ３〜１８％、ＭｇＯ  ０〜４０％、ＣａＯ  ０〜１９％、ＢａＯ  ０〜３５％、ＺｎＯ  ０〜９％、からなるガラスセラミックス組成物を提供する（第２発明）。
発明を実施するための最良の形態
本発明のガラスセラミックス組成物（以下、本発明の組成物という。）を電子回路基板作製に用いる場合、通常、グリーンシート化して使用される。すなわち、本発明の組成物はポリビニルブチラールやアクリル樹脂等の樹脂と、さらに必要に応じてフタル酸ジブチル、フタル酸ジオクチル、フタル酸ブチルベンジル等の可塑剤等も添加して混合される。次に、トルエン、キシレン、ブタノール等の溶剤を添加してスラリーとし、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）等のフィルム上にドクターブレード法等によってこのスラリーをシート状に成形する。最後にこのシート状に成形されたものを乾燥して溶剤を除去しグリーンシートとする。このグリーンシートは、典型的には８００〜９００℃または９００〜９５０℃に５〜１８０分間、より典型的には８５０〜９００℃に５〜１５０分間保持する焼成工程を経て電子回路基板とされる。
なお、前記スラリーの作製方法はガラスセラミックス組成物を樹脂、必要に応じて可塑剤等と混合後、溶剤を添加する前記方法に限定されない。たとえば、樹脂と溶剤を混合後、これにガラスセラミックス組成物、さらに必要に応じて可塑剤等を添加して混合しスラリーとする、またはガラスセラミックス組成物と溶剤を混合後、これに樹脂、さらに必要に応じて可塑剤等を添加して混合しスラリーとすることが好ましい。
本発明の組成物を９００℃で焼成して得られる焼成体の２０℃、３５ＧＨｚにおける比誘電率εは８．６以下であることが好ましい。より好ましくは７．８以下である。また、εは典型的には４以上である。なお、前記９００℃に保持する時間は典型的には３０〜６０分間である。
また、前記焼成体の２０℃、３５ＧＨｚにおける誘電損失ｔａｎδは０．００３０以下であることが好ましい。より好ましくは０．００１９以下である。なお、ｔａｎδは典型的には０．００１０以上である。
また、前記焼成体の２０℃、４０ＧＨｚにおける伝送損失Ｓ２１は０．０８ｄＢ／ｍｍ以下であることが好ましい。０．０８ｄＢ／ｍｍ超では高周波用電子回路基板として使用できなくなるおそれがある。より好ましくは０．０５ｄＢ／ｍｍ以下である。なお、アルミナ基板（９６％アルミナ）のＳ２１は０．０５ｄＢ／ｍｍである。
前記Ｓ２１は散乱行列（Ｓ行列）の要素の一つであり、回路の透過伝送損失性を表す。なお、Ｓ行列は、回路の伝送係数と反射係数からなり回路特性を規定する複素数の正方行列である。
Ｓ２１はたとえば、前記焼成体からなる基板に特性インピーダンスが５０Ωとなるように設計されたマイクロストリップラインを形成し、これについてネットワークアナライザを用いて測定して求められる。
マイクロストリップラインは基板上面に導体線路、基板下面にグランド導体が形成されているものであり、その特性インピーダンスは、基板の厚さ、基板の比誘電率すなわち前記ε、導体線路の厚さ、導体線路の電気伝導度および導体線路の幅によって決まる。特性インピーダンスの５０Ωへの調整は最終的には導体線路の幅の調整によって行なわれる。
導体線路、グランド導体には銀等の導体が用いられる。
前記Ｓ２１を測定するためのマイクロストリップラインの典型的な形状または寸法は次のとおりである。すなわち、基板の長さは３０ｍｍ、幅は６ｍｍ、厚さは０．２５４ｍｍであり、導体線路の長さは２０ｍｍ、幅は２９５μｍ、厚さは７μｍである。
Ｓ２１は、アジレントテクノロジー社製ネットワーク・アナライザ８５１０等のネットワークアナライザによってマイクロストリップラインの入射波と反射波もしくは透過波との振幅比もしくは位相差を測定し、その結果を解析して求められる。
なお、本発明のＳ２１の測定においてはＴＲＬ校正法によりＳ行列を校正してＳ２１を得る。すなわち、検出器、ケーブルによるロス等の影響をＳ行列について周波数ごとに補正し、Ｓ２１を得る。
ＴＲＬ校正法は、校正用端子を直結させた「Ｔｈｒｕ」、校正用端子を結合させずに各端部で反射させる「Ｒｅｆｌｅｃｔ」、および適当な伝送線路を形成した標準器を端子間に結合させた「Ｌｉｎｅ」によって校正する方法であり、高周波測定に適した校正法である。
次に、第１発明のガラスセラミックス組成物（以下、第１発明の組成物という。）の成分について説明する。なお、含有量は質量百分率表示を用いて示す。
融点またはガラス転移点が１０００℃以上である無機物粉末（以下、耐火性粉末という。）は焼成体の強度を増加させる成分であり必須である。
焼成体のｔａｎδを低下させるためには、耐火性粉末は、α−アルミナ（融点＝２０５０℃）、コーディエライト（融点＝１４６０℃）、フォルステライト（融点＝１８９０℃）、エンスタタイト（融点＝１５５０℃）およびスピネル（融点＝２０５０℃）からなる群から選ばれる１種以上の無機物の粉末であることが好ましい。α−アルミナ粉末を含有することがより好ましい。
耐火性粉末の粒子の長径Ｌの平均ＬＡＶは０．５〜１５μｍである。０．５μｍ未満では焼成体の強度が低下する。好ましくは０．７μｍ以上、より好ましくは１μｍ以上である。１５μｍ超では混合度が低下しかえって焼成体の強度が低下する、εが大きくなる、またはグリーンシートを精密に加工することが困難になる。
εをより小さくさせたい等の場合には、ＬＡＶは９μｍ以下にすることが好ましい。より好ましくは６μｍ以下である。
第１発明の組成物をグリーンシートとしこの表面に銀等の導体を形成後焼成すると、前記グリーンシートの焼結収縮挙動と前記導体の焼成収縮挙動とが異なるために焼成体に反り等の変形が生じるおそれがある。このような変形をより抑制したい場合にはＬＡＶは９μｍ以上とすることが好ましい。
耐火性粉末の粒子の長径Ｌと短径Ｗの比Ｌ／Ｗの平均ΨＡＶは１．４以下である。１．４超では、第１発明の組成物の他の成分であるガラス転移点が４５０〜８００℃であるガラス粉末（以下、低融点ガラス粉末という。）が焼成時に結晶を析出するものである場合には焼成体の緻密性すなわち焼結性が低下して焼成体のｔａｎδが大きくなる。また、低融点ガラス粉末が焼成時に結晶を析出するものではない場合には焼成体の強度が低下する。ΨＡＶは好ましくは１．３以下、より好ましくは１．２５以下である。
前記Ｌ、ＬＡＶ、Ｗ、ΨＡＶは次のようにして測定または算出される。
まず、耐火性粉末を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）の試料台に撒布する。なお、粒子を固着するために無色の爪化粧材（マニキュア）等の固着剤を試料台に予め塗布しておく。試料台上の粒子が凝集している場合は柔らかいブラシを用いて分散させ、その後ゴム製ブロワ等を用いて試料台に固着していない粒子を吹き払う。
次に試料台上の粒子をＳＥＭで観察し、ＬおよびＷを測定する。すなわち、他の粒子に遮られずに観察できる粒子を選び、当該粒子の画像を２本の平行線で挟んだときにその２本の平行線間の距離が最も小さくなるときのその距離をＷ、当該２本の平行線に直交する２本の平行線で前記画像を挟んだときのその２本の平行線間の距離をＬとする。
この測定を２０個以上の粒子について行い、Ｌの平均ＬＡＶおよびＬ／Ｗの平均ΨＡＶを算出する。
耐火性粉末の９０％粒子径Ｄ９０と１０％粒子径Ｄ１０の比Ｄ９０／Ｄ１０は５以下であることが好ましい。５超では焼成体の焼結性が低下し、その結果焼成体の強度が低下するおそれがある、または焼成体のｔａｎδが大きくなるおそれがある。より好ましくは３以下である。なお、Ｄ９０およびＤ１０は、たとえばレーザー回折式粒度分布測定器を用いて測定される。
耐火性粉末の含有量は、好ましくは１０〜６０％である。１０％未満では焼成体の強度が低下するおそれがある。より好ましくは１５％以上である。６０％超では焼結性が低下しかえって焼成体の強度が低下するおそれがある。より好ましくは５５％以下である。なお、低融点ガラス粉末が焼成時に結晶を析出しないものである場合には、耐火性粉末の含有量は３０％以上であることが好ましい。
低融点ガラス粉末は焼成体の緻密性を向上させる成分であり、必須である。
低融点ガラス粉末の平均粒径Ｄ５０は０．５〜１０μｍであることが好ましい。０．５μｍ未満では保存安定性が低下するおそれがある。１０μｍ超では焼結性が低下するおそれがある。
低融点ガラス粉末のガラス転移点ＴＧは８００℃以下であるので、第１発明の組成物を９００℃またはそれ以下の温度で焼成しても緻密な焼成体が得られる。ＴＧは、好ましくは７６０℃以下、より好ましくは７３０℃以下である。
また、前記ＴＧが４５０℃以上であるので、本発明の組成物を９００℃で焼成しても流動性が過多とならず所望の焼成体が得られる。ＴＧは、好ましくは５５０℃以上である。
低融点ガラス粉末を９００℃で焼成して得られる焼成体の２０℃、３５ＧＨｚにおける比誘電率ε０は８以下であることが好ましい。また、ε０は典型的には４以上である。なお、前記９００℃に保持する時間は典型的には３０〜６０分間である。
また、前記焼成体の２０℃、３５ＧＨｚにおける誘電損失ｔａｎδ０は０．００７０以下であることが好ましい。より好ましくは０．００５５以下、特に好ましくは０．００３０以下である。なお、ｔａｎδ０は典型的には０．００１０以上である。
低融点ガラス粉末は、下記酸化物基準のモル％表示で本質的に、
ＳｉＯ２                  ２０〜７２％、
Ｂ２Ｏ３                    ０〜３０％、
Ａｌ２Ｏ３                  ０〜２０％、
ＭｇＯ＋ＣａＯ              ０〜６０％、
ＳｒＯ＋ＢａＯ              ０〜４０％、
ＺｎＯ                      ０〜３０％、
Ｌｉ２Ｏ＋Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏ  ０〜１０％、
ＴｉＯ２＋ＺｒＯ２          ０〜５％、
ＳｎＯ２                    ０〜５％、
からなり、ＳｉＯ２＋Ｂ２Ｏ３が３０％以上であることが好ましい（ガラス粉末Ａ）。なお、前記焼成体の膨張係数を小さくしたい等の場合にはＳｒＯ＋ＢａＯは０〜２０％であることが好ましい。
以下では低融点ガラス粉末の各成分の含有量はモル％表示で示す。
より好ましい態様においては、ＳｉＯ２：５５超〜７２％、Ｂ２Ｏ３：５〜３０％、Ａｌ２Ｏ３：０〜１０％、ＭｇＯ＋ＣａＯ：０〜１０％である（ガラス粉末Ａ１）。ガラス粉末Ａ１は、９００℃で焼成したときに結晶が析出しない、または析出したとしてもその量が少ないことが特に好ましい。また、典型的にはその焼成体のε０は３〜６、ｔａｎδ０は０．００１０〜０．００４０である。
他のより好ましい態様においては、ＳｉＯ２：３５〜６０％、Ｂ２Ｏ３：０〜１０％、Ａｌ２Ｏ３：５〜１８％、ＭｇＯ：５〜４０％、ＣａＯ：７〜４０％、ＺｎＯ：０〜１０％である（ガラス粉末Ａ２）。ガラス粉末Ａ２は、９００℃で焼成したときに結晶が析出することが特に好ましい。また、典型的にはその焼成体のε０は５〜９、ｔａｎδ０は０．００５０〜０．０１００である。なお、結晶析出により焼成体の強度向上が可能になる。
前記析出する結晶は、アノーサイト、コーディエライト、ディオプサイド、エンスタタイトおよびフォルステライトからなる群から選ばれる１種以上であることが好ましい。
焼成体の５０〜３５０℃における平均線膨張係数α０をたとえば８０×１０−７／℃以下にしたい場合には、前記析出する結晶はアノーサイトまたはコーディエライトであることがより好ましい。
焼成体のｔａｎδ０をより小さくしたい場合には、前記析出する結晶は、コーディエライト、ディオプサイド、エンスタタイトおよびフォルステライトからなる群から選ばれる１種以上であることがより好ましい。
他のより好ましい態様においては、ＳｉＯ２：２０〜６０％、Ｂ２Ｏ３：０〜２０％、Ａｌ２Ｏ３：２〜２０％、ＭｇＯ：１０〜５０％、ＣａＯ：０〜２０％である（ガラス粉末Ａ３）。ＳｉＯ２は５５％以下であることが特に好ましい。
ガラス粉末Ａ３は、９００℃で焼成したときに結晶が析出することが特に好ましい。また、典型的にはその焼成体のε０は６〜９、ｔａｎδ０は０．００３０〜０．０１００である。なお、結晶析出により焼成体の強度向上が可能になる。
α０を大きくしたい場合、またはｔａｎδ０を小さくしたい場合、前記析出する結晶は、ディオプサイド、エンスタタイト、フォルステライトおよびガーナイトからなる群から選ばれる１種以上であることが好ましく、α０をたとえば８０×１０−７／℃以下にしたい場合、前記析出する結晶はアノーサイトまたはコーディエライトであることがより好ましい。
次に、前記ガラス粉末Ａの組成について説明する。
ＳｉＯ２はネットワークフォーマであり、必須である。２０％未満では、ガラス化しにくい、ε０が大きくなる、または化学的耐久性が低下する。好ましくは、ガラス粉末Ａ１では６０％以上、ガラス粉末Ａ２では４０％以上、ガラス粉末Ａ３では２５％以上である。７２％超ではガラス溶融温度が高くなる、またはＴＧが高くなる。ガラス粉末Ａ１では好ましくは６７％以下、ガラス粉末Ａ２では好ましくは５５％以下、より好ましくは５０％以下、特に好ましくは４５％未満である。
Ｂ２Ｏ３は必須ではないが、流動性を高めるため、またはε０を小さくするために３０％まで含有してもよい。３０％超では化学的耐久性が低下する、またはグリーンシート化するときにスラリーの粘性が不安定になるおそれがある。好ましくは２５％以下である。
９００℃で焼成したときに結晶が析出するものである場合にはＢ２Ｏ３は２０％以下であることが好ましい。２０％超ではｔａｎδ０が大きくなるおそれがある。Ｂ２Ｏ３を実質的に含有しないことがより好ましい。
ＳｉＯ２およびＢ２Ｏ３の合計が３０％未満ではガラスが不安定になる。
Ａｌ２Ｏ３は必須ではないが、ガラスを安定化するため、または化学的耐久性を高めるために２０％まで含有してもよい。２０％超ではＴＧが高くなる。ガラス粉末Ａ１では、好ましくは８％以下である。なお、ガラス粉末Ａ２ではＡｌ２Ｏ３はコーディエライトおよびアノーサイトの構成成分であって必須であり、好ましくは７％以上であり、また、ガラス粉末Ａ３ではＡｌ２Ｏ３はガラスを安定化するために必須である。
ＭｇＯおよびＣａＯはいずれも必須ではないが、ガラスを安定化するため、ε０を小さくするため、またはｔａｎδ０を小さくするために合計で６０％まで含有してもよい。６０％超ではかえってガラスが不安定になる。なお、ガラス粉末Ａ２においてはＭｇＯおよびＣａＯはいずれも必須であり、ガラス粉末Ａ３においてはＭｇＯは必須である。
ＳｒＯおよびＢａＯはいずれも必須ではないが、ガラス溶融温度を低下させるため、ＴＧを低くするため、またはｔａｎδ０を小さくするために合計で２０％まで含有してもよい。２０％超では失透しやすくなる、またはε０が大きくなる。なお、ガラス粉末Ａ３においてはＳｒＯおよびＢａＯの少なくともいずれか一方は必須である。
ＺｎＯは必須ではないが、ガラス溶融温度を低下させるため、流動性を高めるため、またはＴＧを低くするために３０％まで含有してもよい。３０％超では化学的耐久性、特に耐酸性が低下する。好ましくは１０％以下である。
Ｌｉ２Ｏ、Ｎａ２ＯおよびＫ２Ｏはいずれも必須ではないが、流動性を高めるために、またはＴＧを低くするために合計で１０％まで含有してもよい。１０％超では、ｔａｎδ０が大きくなる、または電気絶縁性が低下する。好ましくは６％以下である。電気絶縁性を高めたい場合、またはＳｉＯ２が５５％以下の場合これらのいずれも含有しないことが好ましい。
ＴｉＯ２およびＺｒＯ２はいずれも必須ではないが、ガラス溶融温度を低下させるために、または焼成時の結晶析出を促進するために合計で５％まで含有してもよい。５％超ではε０が大きくなる、またはガラスが不安定になる。好ましくは合計で３％以下、より好ましくは合計で２％以下である。
ＳｎＯ２は必須ではないが、化学的耐久性を高めるために５％まで含有してもよい。５％超ではε０が大きくなるおそれがある。
ガラス粉末Ａは本質的に上記成分からなるがその他の成分を本発明の目的を損なわない範囲で含有してもよい。当該その他の成分の含有量は合計で１０％以下であることが好ましい。１０％超では失透しやすくなるおそれがある。より好ましくは合計で５％以下である。なお、鉛、カドミウムまたは砒素はいずれも含有しないことが好ましい。
前記その他の成分として以下のようなものが例示される。すなわち、ガラス溶融温度を低下させる等のためにＢｉ２Ｏ３、Ｐ２Ｏ５、Ｆ等を含有してもよい。また、ガラスを着色させる等のためにＦｅ２Ｏ３、ＭｎＯ、ＣｕＯ、ＣｏＯ、Ｖ２Ｏ５、Ｃｒ２Ｏ３等を含有してもよい。
低融点ガラス粉末の含有量は、好ましくは４０〜９０％である。４０％未満では焼結性が低下するおそれがある。より好ましくは４５％以上である。９０％超では焼成体の強度が低下するおそれがある。より好ましくは８５％以下である。
第１発明の組成物は本質的に耐火性粉末および低融点ガラス粉末からなるがその他の成分、たとえば耐熱着色顔料等を本発明の目的を損なわない範囲で含有してもよい。当該その他の成分の含有量は合計で、好ましくは１０％以下、より好ましくは５％以下である。
次に、第２発明のガラスセラミックス組成物（以下、第２発明の組成物という。）の成分について、第１発明の組成物の説明に準じて説明する。なお、第１発明の組成物の説明と重複する部分については説明を省略する場合がある。
耐火性粉末は焼成体の強度を増加させる成分であり必須である。質量百分率表示で５８％超では焼結性が低下する。
低融点ガラス粉末が焼成時に結晶を析出するものである場合、耐火性粉末の粒子の長径Ｌの平均ＬＡＶが０．５μｍ未満または１５μｍ超である場合、耐火性粉末の粒子の長径Ｌと短径Ｗの比Ｌ／Ｗの平均ΨＡＶが１．４超である場合等においては焼結性が低下しやすくなるが、このような場合においては、耐火性粉末の含有量は好ましくは５２％以下、より好ましくは４６％以下である。
前記焼結性が低下しやすくなる場合に相当しない場合においては、耐火性粉末の含有量は３０％以上であることが好ましい。
耐火性粉末は、α−アルミナ、コーディエライト、フォルステライト、エンスタタイトおよびスピネルからなる群から選ばれる１種以上の無機物の粉末であることが好ましい。α−アルミナ粉末を含有することがより好ましい。
耐火性粉末の粒子の長径Ｌの平均ＬＡＶは０．５〜１５μｍ、長径Ｌと短径Ｗの比Ｌ／Ｗの平均ΨＡＶは１．４以下であることが好ましい。
ＬＡＶはより好ましくは０．７μｍ以上、特に好ましくは１μｍ以上である。また、εをより小さくさせたい等の場合には、より好ましくは９μｍ以下、特に好ましくは６μｍ以下である。また、グリーンシートの焼結収縮挙動と前記導体の膨張収縮挙動とが異なるために焼成体に反り等の変形が生じるのをより抑制したい場合にはＬＡＶは９μｍ以上とすることが好ましい。
ΨＡＶは好ましくは１．３以下、より好ましくは１．２５以下である。
耐火性粉末の９０％粒子径Ｄ９０と１０％粒子径Ｄ１０の比Ｄ９０／Ｄ１０は５以下であることが好ましい。より好ましくは３以下である。
低融点ガラス粉末は焼成体の緻密性を向上させる成分であり、必須である。質量百分率表示で９０％超では焼成体の強度が低下する。
前記焼結性が低下しやすくなる場合に相当する場合においては、低融点ガラス粉末の含有量は好ましくは４８％以上、より好ましくは５４％以上である。
前記焼結性が低下しやすくなる場合に相当しない場合においては、低融点ガラス粉末の含有量は７０％以下であることが好ましい。
低融点ガラス粉末の平均粒径Ｄ５０は０．５〜１０μｍであることが好ましい。
低融点ガラス粉末のガラス転移点ＴＧは、好ましくは７６０℃以下、より好ましくは７３０℃以下である。また、ＴＧは、好ましくは５５０℃以上である。
低融点ガラス粉末を９００℃で焼成して得られる焼成体の２０℃、３５ＧＨｚにおける比誘電率ε０は８以下であることが好ましい。より好ましくは７．５以下である。また、ε０は典型的には４以上である。なお、前記９００℃に保持する時間は典型的には３０〜６０分間である。
前記焼成体の２０℃、３５ＧＨｚにおける誘電損失ｔａｎδ０は０．００７０以下であることが好ましい。より好ましくは０．００５５以下、特に好ましくは０．００３０以下である。なお、ｔａｎδ０は典型的には０．００１０以上である。
本発明の組成物を用いて電子回路基板を作製する場合、その電子回路基板の用途によって前記焼成体の５０〜３５０℃における平均線膨張係数α０の好ましい範囲は異なる。
電子回路基板上にシリコンを形成する場合、α０は３０×１０−７〜５５×１０−７／℃であることが好ましい。
電子回路基板上にガリウムヒ素を形成する場合、α０は５６×１０−７〜８３×１０−７／℃であることが好ましい。
電子回路基板を樹脂製回路基板と接合する場合、８４×１０−７〜１３０×１０−７／℃であることが好ましい。
低融点ガラス粉末は先に述べたように、ＳｉＯ２  ３５〜７０％、Ｂ２Ｏ３  ０〜３０％、Ａｌ２Ｏ３  ３〜１８％、ＭｇＯ  ０〜４０％、ＣａＯ  ０〜１９％、ＢａＯ  ０〜３５％、ＺｎＯ  ０〜９％、から本質的になる（ガラス粉末Ｂ）。
このガラス粉末Ｂは前記ガラス粉末Ａに包含される。すなわち、ガラス粉末Ｂは、Ｌｉ２Ｏ、Ｎａ２ＯまたはＫ２Ｏを合計で１０％以下、ＴｉＯ２またはＺｒＯ２を合計で５％以下、ＳｎＯ２を５％以下で、いずれも必須ではないが含有してもよい。
なお、ガラス粉末Ｂは、Ｌｉ２Ｏ、Ｎａ２ＯおよびＫ２Ｏはいずれも実質的に含有しないことが好ましい。また、ガラス粉末ＢがＳｎＯ２を含有するとしてもその含有量は２％以下であることが好ましく、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２およびＳｎＯ２のいずれかを含有する場合それらの含有量の合計は５％以下であることが好ましい。
ガラス粉末Ｂにおいて、α０が３０×１０−７〜５５×１０−７／℃であり、かつ、焼成時に結晶が析出しない、または結晶が析出してもその量が少ないことが好ましい場合には、ガラス粉末Ｂは、本質的に、ＳｉＯ２  ６０〜７０％、Ｂ２Ｏ３  ２０〜３０％、Ａｌ２Ｏ３  ３〜８％、ＭｇＯ  ０〜１％、ＣａＯ  ２〜８％、ＢａＯ  ０〜２％、ＺｎＯ  ０〜２％、からなり、ＳｉＯ２＋Ｂ２Ｏ３が８６〜９３％、ＳｉＯ２＋Ｂ２Ｏ３＋Ａｌ２Ｏ３＋ＣａＯが９８％超であることが好ましい（ガラス粉末Ｂ１）。
ガラス粉末Ｂ１は前記ガラス粉末Ａ１に包含される。
なお、焼成時に結晶が析出しない、または結晶が析出してもその量が少ない場合には電子回路基板の寸法精度の向上が期待される。
ガラス粉末Ｂ１について、ε０は典型的には３．８〜４．８、ｔａｎδ０は０．００２０〜０．００３０である。
ガラス粉末Ｂにおいて、α０が６６×１０−７〜８３×１０−７／℃であり、かつ、焼成時に結晶が析出することが好ましい場合には、ガラス粉末Ｂは、本質的に、ＳｉＯ２  ３５〜５３％、Ｂ２Ｏ３  ０〜２％、Ａｌ２Ｏ３  ５〜１８％、ＭｇＯ  ２０〜４０％、ＣａＯ  ７超〜１９％、ＢａＯ  ０〜３％、ＺｎＯ  ０〜９％、からなり、ＳｉＯ２＋Ａｌ２Ｏ３が５９％以下、Ａｌ２Ｏ３／（ＭｇＯ＋ＣａＯ）が０．１３以上であることが好ましい（ガラス粉末Ｂ２）。
ガラス粉末Ｂ２は前記ガラス粉末Ａ２に包含される。
ガラス粉末Ｂ２は、９００℃に６０分間保持して焼成したときにアノーサイトおよびディオプサイドの両者を析出するものであることが好ましい。アノーサイトはα０を小さくする効果を有する。また、ディオプサイドはα０を大きくし、またｔａｎδ０を小さくする効果を有する。
なお、焼成時に結晶が析出する場合には電子回路基板の強度の向上が期待される。
ガラス粉末Ｂ２について、ε０は典型的には６．５〜７．４、ｔａｎδ０は０．００２０〜０．００５８である。
ガラス粉末Ｂにおいて、α０が３０×１０−７〜６６×１０−７／℃であり、かつ、焼成時に結晶が析出することが好ましい場合には、ガラス粉末Ｂは、本質的に、ＳｉＯ２  ４８〜６０％、Ｂ２Ｏ３  ２〜１０％、Ａｌ２Ｏ３  ５〜１８％、ＭｇＯ  １５〜４０％、ＣａＯ  ０．５〜７％、ＢａＯ  ０〜３％、ＺｎＯ  ０．５〜９％、からなることが好ましい（ガラス粉末Ｂ３）。
ガラス粉末Ｂ３は前記ガラス粉末Ａ３に包含される。
ガラス粉末Ｂ３について、ε０は典型的には４．５〜７．０、ｔａｎδ０は０．００２０〜０．００７５である。
ガラス粉末Ｂ３は、９００℃に６０分間保持して焼成したときにコーディエライトを析出するものであることが好ましい。コーディエライトはα０を小さくし、ε０を小さくし、またｔａｎδ０を小さくする効果を有する。
ガラス粉末Ｂにおいて、α０が８４×１０−７〜１１０×１０−７／℃であることが好ましい場合には、ガラス粉末Ｂは、本質的に、ＳｉＯ２  ４８〜６０％、Ｂ２Ｏ３  ０〜１０％、Ａｌ２Ｏ３  ９〜１８％、ＭｇＯ  ０〜５％、ＣａＯ  ０〜５％、ＢａＯ  ２５〜３５％、ＺｎＯ  ０〜５％、からなることが好ましい（ガラス粉末Ｂ４）。
ガラス粉末Ｂ４について、ε０は典型的には４．８〜７．０、ｔａｎδ０は０．００２０〜０．００５０である。
ガラス粉末Ｂ４は、９００℃に６０分間保持して焼成したときにＢａＡｌ２Ｓｉ２Ｏ８結晶を析出するものであることが好ましい。ＢａＡｌ２Ｓｉ２Ｏ８結晶は、α０を大きくし、ε０を小さくし、またｔａｎδ０を小さくする効果を有する。
次に、前記ガラス粉末Ｂの組成について説明する。
ＳｉＯ２はネットワークフォーマであり、必須である。３５％未満ではε０が大きくなる。７０％超ではガラス転移点ＴＧが高くなる。
ガラス粉末Ｂ１ではｔａｎδ０を小さくするために６０％以上とされる。好ましくは６３％以上である。
ガラス粉末Ｂ２ではアノーサイトおよびディオプサイドの両者を析出しやすくするために５３％以下とされる。好ましくは４６％以下である。
ガラス粉末Ｂ３およびＢ４では結晶を析出しやすくするために４８％以上とされる。好ましくは５０％以上である。また、ＴＧを低くするために６０％以下とされる。好ましくは５７％以下である。
Ｂ２Ｏ３は必須ではないが、流動性を高めるため、またはε０を小さくするために３０％まで含有してもよい。３０％超では化学的耐久性、特に耐水性が低下する。
ガラス粉末Ｂ１では、ＴＧを低くするため、またはε０を小さくするためにＢ２Ｏ３は必須とされる。好ましくは２２〜２６％である。
ガラス粉末Ｂ２では、ｔａｎδ０を小さくするために２％以下とされる。好ましくは１．５％以下である。Ｂ２Ｏ３を含有する場合その含有量は０．５％以上であることが好ましい。
ガラス粉末Ｂ３では、流動性を高めるためにＢ２Ｏ３は必須とされる。また、ｔａｎδ０を小さくするために１０％以下とされる。好ましくは１〜５％である。
ガラス粉末Ｂ４では、ｔａｎδ０を小さくするために１０％以下とされる。好ましくは６％以下である。Ｂ２Ｏ３を含有する場合その含有量は０．５％以上であることが好ましい。
Ａｌ２Ｏ３はガラスを安定化する効果を有し、必須である。１８％超ではＴＧが高くなる。
ガラス粉末Ｂ１では、ＴＧを低くするために８％以下とされる。好ましくは４〜６％である。
ガラス粉末Ｂ２では、アノーサイトの析出を促進するために５％以上とされる。好ましくは７〜１２％である。
ガラス粉末Ｂ３では、結晶析出を促進するために５％以上とされる。好ましくは７〜１２％である。
ガラス粉末Ｂ４では、結晶析出を促進するために９％以上とされる。好ましくは９．５〜１２％である。
ＭｇＯは必須ではないが、結晶析出を促進したい場合等に４０％まで含有してもよい。４０％超ではガラスが不安定になる。
ガラス粉末Ｂ１ではＭｇＯを１％までの範囲で含有してもよいが、実質的に含有しないことが好ましい。
ガラス粉末Ｂ２では、ディオプサイドの析出を促進するために２０％以上とされる。好ましくは２５〜３３％である。
ガラス粉末Ｂ３では、コーディエライトの析出を促進するために１５％以上とされる。好ましくは１８〜３６％である。
ガラス粉末Ｂ４ではＭｇＯを５％までの範囲で含有してもよい。５％超ではＢａＡｌ２Ｓｉ２Ｏ８結晶が析出しにくくなる。好ましくは３％以下である。
ＣａＯは必須ではないが、ガラスを安定化させる等のために１９％まで含有してもよい。１９％超ではガラスがかえって不安定になる。
ガラス粉末Ｂ１では、ガラスを安定化させるために２％以上とされる。また、やはりガラスを安定化させるために８％以下とされる。好ましくは３〜６％である。
ガラス粉末Ｂ２では、アノーサイトの析出を促進するために７％超とされる。好ましくは１２〜２０％である。
ガラス粉末Ｂ３では、ガラスを安定化させるために０．５％以上とされる。また、コーディエライトの析出を促進するために７％以下とされる。好ましくは１〜６％である。
ガラス粉末Ｂ４ではＣａＯを５％までの範囲で含有してもよい。５％超ではＢａＡｌ２Ｓｉ２Ｏ８結晶が析出しにくくなる。好ましくは３％以下である。
ＢａＯは必須ではないが、ＢａＡｌ２Ｓｉ２Ｏ８結晶の析出を促進したい、ＴＧを低くしたい、等の場合に３５％まで含有してもよい。３５％超ではガラスが不安定になる。
ガラス粉末Ｂ１ではＢａＯを２％までの範囲で含有してもよい。
ガラス粉末Ｂ２、Ｂ３ではＢａＯを３％までの範囲で含有してもよい。３％超ではε０が大きくなる。
ガラス粉末Ｂ４ではＢａＡｌ２Ｓｉ２Ｏ８結晶析出を促進するために２５％以上とされる。好ましくは２８〜３３％である。
ＺｎＯは必須ではないが、流動性を高める等のために９％まで含有してもよい。９％超ではｔａｎδ０が大きくなる。好ましくは７％以下である。
ガラス粉末Ｂ１ではＺｎＯを２％までの範囲で含有してもよい。好ましくは１％以下である。
ガラス粉末Ｂ３では流動性を高めるに０．５％以上とされる。好ましくは２〜７％である。
ガラス粉末Ｂ４ではＺｎＯを５％までの範囲で含有してもよい。５％超では失透しやすくなる。好ましく３％以下である。
ガラス粉末Ｂ１においては、ＳｉＯ２＋Ｂ２Ｏ３が８６〜９３％、ＳｉＯ２＋Ｂ２Ｏ３＋Ａｌ２Ｏ３＋ＣａＯが９８％超である。ＳｉＯ２＋Ｂ２Ｏ３が８６％未満ではε０が大きくなる。また、Ｌｉ２Ｏ、Ｎａ２Ｏ、Ｋ２ＯおよびＳｂ２Ｏ３のいずれも含有しないことが好ましい。
ガラス粉末Ｂ２においては、ＳｉＯ２＋Ａｌ２Ｏ３が５９％以下、Ａｌ２Ｏ３／（ＭｇＯ＋ＣａＯ）が０．１３以上である。ＳｉＯ２＋Ａｌ２Ｏ３が５９％超では結晶が析出しにくくなるおそれがある。また、Ａｌ２Ｏ３／（ＭｇＯ＋ＣａＯ）が０．１３未満ではアノーサイトが析出しにくくなるおそれがある。
ガラス粉末Ｂは本質的に上記成分からなるがその他の成分を本発明の目的を損なわない範囲で含有してもよい。当該その他の成分の含有量は合計で１０％以下であることが好ましい。１０％超では失透しやすくなるおそれがある。より好ましくは合計で５％以下である。なお、鉛、カドミウムまたは砒素はいずれも含有しないことが好ましい。
前記その他の成分として先に挙げたＬｉ２Ｏ、Ｎａ２Ｏ、Ｋ２Ｏ、ＳｎＯ２、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２の他に以下のようなものが例示される。すなわち、ガラス溶融温度を低下させる等のためにＢｉ２Ｏ３、Ｐ２Ｏ５、Ｆ等を含有してもよい。また、ガラスを着色させる等のためにＦｅ２Ｏ３、ＭｎＯ、ＣｕＯ、ＣｏＯ、Ｖ２Ｏ５、Ｃｒ２Ｏ３等を含有してもよい。
第２発明の組成物は本質的に耐火性粉末およびガラス粉末Ｂからなるがその他の成分、たとえば耐熱着色顔料等を本発明の目的を損なわない範囲で含有してもよい。当該その他の成分の含有量は合計で、好ましくは１０％以下、より好ましくは５％以下である。
表１のＳｉＯ２〜Ｋ２Ｏの欄にモル％表示で示した組成となるように原料を調合、混合し、該混合された原料を白金ルツボに入れて１５００〜１６５０℃で１２０分間溶融後、溶融ガラスを流し出し冷却した。得られたガラスをアルミナ製ボールミルで３０時間粉砕してガラス粉末とした（Ｇ１〜Ｇ５）。
ガラス粉末Ｇ１〜Ｇ５について、Ｄ５０（単位：μｍ）、ＴＧ（単位：℃）、結晶化温度ＴＧ（単位：℃）、α０（単位：１０−７／℃）、比誘電率ε０、誘電損失ｔａｎδ０および析出結晶を以下のようにして測定した。結果を表１に示す。
Ｄ５０：水を溶媒として、島津製作所社製レーザー回折式粒度分布計ＳＡＬＤ２１００を用いて測定した。
ＴＧ、ＴＣ：示差熱分析によりアルミナ粉末を標準物質として、昇温速度１０℃／分で室温から１０００℃まで測定した。なお、最初の発熱ピーク温度をＴＣとし、発熱ピークが認められないものはＴＣ＝∞とした。
α０：ガラス粉末５ｇを加圧成形し９００℃で焼成したものを直径５ｍｍ、長さ２０ｍｍに加工し、石英ガラスを標準としてマックサイエンス社製の示差熱膨張計ＤＩＬＡＴＯＭＥＴＥＲ５０００を用いて５０〜３５０℃における平均線膨張係数を測定した。
ε０、ｔａｎδ０：ガラス粉末４０ｇを６０ｍｍ×６０ｍｍの形状にプレス成形し、これを９００℃に１時間保持して焼成した。得られた焼成体を切断、研削後、上下両面を鏡面研磨して厚さ２５０μｍ、大きさ５０ｍｍ×５０ｍｍのサンプルを作製した。このサンプルについて空洞共振法により２０℃、３５ＧＨｚにおける比誘電率および誘電損失を測定した。
析出結晶：９００℃に１時間保持する焼成によって得られた焼成体を粉砕し、Ｘ線回折によって結晶析出の有無、析出結晶の同定を行なった。「−」は結晶析出の認められなかったもの、「Ａ」はアノーサイト、「Ｂ」はＢａＡｌ２Ｓｉ２Ｏ８結晶、「Ｃ」はコーディエライト、「Ｄ」はディオプサイド、「Ｆ」はフォルステライトを示す。
一方、４種類のα−アルミナ粉末、すなわち、住友化学工業社製スミコランダムＡＡ−０７（アルミナＡＬ１）、同社製スミコランダムＡＡ−２（アルミナＡＬ２）、同社製スミコランダムＡＡ−１０（アルミナＡＬ３）および昭和電工社製ＡＬ−４５Ｈ（アルミナＡＬ４）を用意した。
アルミナＡＬ１、ＡＬ２、ＡＬ３、ＡＬ４のそれぞれ２３個の粒子について先に述べたようにＳＥＭで観察しＬ、Ｗを測定した。Ｌの平均ＬＡＶ（単位：μｍ）およびＬ／Ｗの平均ΨＡＶを表２に示す。なお、アルミナＡＬ１については倍率１００００倍で、アルミナＡＬ２、ＡＬ４については倍率５０００倍で、アルミナＡＬ３については倍率２０００倍で、それぞれ観察した。
また、アルミナＡＬ１〜ＡＬ４について、水を溶媒として島津製作所社製レーザー回折式粒度分布計ＳＡＬＤ２１００を用いて粒度分布（質量百分率表示）を測定した。結果を、９０％粒子径Ｄ９０（単位：μｍ）、１０％粒子径Ｄ１０（単位：μｍ）およびそれらの比Ｄ９０／Ｄ１０とともに表３に示す。
次に、表４のガラス種類、アルミナ種類の欄に示すガラス粉末、α−アルミナ粉末を同表のガラス、アルミナの欄に質量百分率表示で示す割合になるように混合した。得られた混合粉末を、有機溶剤（トルエンとイソプロピルアルコールを質量比で３：１に混合したもの）、可塑剤（フタル酸ジ−２−エチルヘキシル）および樹脂（デンカ社製ポリビニルブチラール  ＰＶＫ＃３０００ｋ）と混合した。この混合物に前記有機溶剤を適宜添加して粘度を調整後、ＰＥＴフィルム上にドクターブレード法によって塗布、乾燥しグリーンシートを作製した。
得られたグリーンシートを５０ｍｍ×５０ｍｍに切断し、１２枚積層して、２０ＭＰａで１分間圧着プレスした。この圧着プレス品を５５０℃に５時間保持して樹脂成分を分解除去後、９００℃に１時間保持する焼成を行って、焼成体を作製した。
得られた焼成体について、以下のようにして焼結性、ε、ｔａｎδ、曲げ強度（単位：ＭＰａ）を評価または測定した。例１〜８は実施例、例９は比較例である。例９については緻密な焼成体が得られず、ε、ｔａｎδ、曲げ強度は測定しなかった。
焼結性：焼成体を赤色の浸透液（マークテック社製スーパーチェックＵＰ−Ｇ３）に浸漬後水洗いし、焼成体が赤色に着色しているか否かを観察した。赤色に着色していない場合を○、赤色に着色していた場合を×とした。
ε、ｔａｎδ：ε０、ｔａｎδ０の測定の場合と同様にしてサンプルを作製し、測定した。
曲げ強度：焼成体を４ｍｍ×２０ｍｍに切断し、表面を＃１０００のＳｉ３Ｎ４研磨剤で仕上げ、クロスヘッドスピード０．５ｍｍ／分、スパン１５ｍｍの条件で３点曲げ強度を測定した。５回の測定結果の平均を曲げ強度とした。曲げ強度は、好ましくは１５０ＭＰａ以上、より好ましくは２００ＭＰａ以上である。
また、例２、例８については先に述べたようにして２０℃、４０ＧＨｚにおける伝送損失Ｓ２１（単位：ｄＢ／ｍｍ）を測定した。
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産業上の利用の可能性
本発明によれば９００℃またはそれ以下の温度での焼成によって電子回路基板に好適な焼成体が得られる。また、εおよびｔａｎδのいずれもが小さく、かつ強度の大きな焼成体が得られる。さらに、伝送損失Ｓ２１が小さな焼成体が得られる。
【国際調査報告】
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