【事件の表示】
　特願２００６−５１４７４９「半導体発光装置およびその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年１２月２９日国際公開、ＷＯ２００５／１２４９５２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯 
　本願は、２００５年６月１５日（優先権主張２００４年６月１８日、日本国）を国際出願日とする出願であって、平成２３年９月６日付けで拒絶の理由が通知され、同年１１月１０日に手続補正がなされたが、平成２４年６月８日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年９月１２日に拒絶査定不服審判が請求されると同時に手続補正がなされたものである。　
　　　  
第２　平成２４年９月１２日付け手続補正についての補正却下の決定  
　［補正却下の決定の結論］  
　平成２４年９月１２日付け手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。 　  
 　　　 　  
［理　由］  
１　補正内容 　  
　本件補正は、特許請求の範囲についてするものであり、その特許請求の範囲の請求項１については、 　  
　本件補正前（平成２３年１１月１０日付け手続補正後のもの）に、  
　「基板と、
　前記基板に形成された第１導電型の第１クラッド層と、
　前記第１クラッド層上に形成された活性層と、
　前記活性層上に形成され、一部が電流狭窄構造としてリッジ形状となっている第２導電型の第２クラッド層と
　を有し、
　前記リッジ形状の部分の前記第２クラッド層が、前記活性層に近い側である第１リッジ形状層と、活性層から遠い側である第２リッジ形状層を含み、
　前記第１クラッド層のバンドギャップと前記第２リッジ形状層のバンドギャップが、前記第２クラッド層の前記リッジ形状の部分を除く部分のバンドギャップおよび前記第１リッジ形状層のバンドギャップより低いプロファイルである
　半導体発光装置。」とあったものを、  
 　　　　  
　「基板と、
　前記基板に形成された第１導電型の第１クラッド層と、
　前記第１クラッド層上に形成された活性層と、
　前記活性層上に形成され、一部が電流狭窄構造としてリッジ形状となっている第２導電型の第２クラッド層と
　を有し、
　前記リッジ形状の部分の前記第２クラッド層が、前記活性層に近い側である第１リッジ形状層と、活性層から遠い側である第２リッジ形状層を含み、
　前記第１クラッド層のバンドギャップと前記第２リッジ形状層のバンドギャップが、前記第２クラッド層の前記リッジ形状の部分を除く部分のバンドギャップおよび前記第１リッジ形状層のバンドギャップより低いプロファイルであり、
　
前記第１リッジ形状層のアルミニウムの組成比Ｘ１が０．６０≦Ｘ１≦０．７０であり
　
前記第１リッジ形状層の膜厚が５０〜４００ｎｍであり
　
前記第２クラッド層の前記リッジ形状の部分を除く部分の膜厚が５０〜３５０ｎｍである
　半導体発光装置。」と補正する内容を含むものである（なお、下線は、当審で付したものである。以下同じ。）。  
　　　　　
 ２　補正目的  
（１）本件補正後の請求項１についての上記補正は、本件補正前の請求項１に係る発明を特定するために必要な「第１リッジ形状層」の組成及び膜厚並びに「第２クラッド層」の膜厚を特定するものであるから「特許請求の範囲の減縮」を目的とするものであると認められる。          　
 　  
（２）よって、本件補正後の請求項１についての補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる「特許請求の範囲の減縮」を目的とするものと認め得るから、本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）について、これが特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）否かを、以下に検討する。　  
 　　　　　　　　　　　　  
３　独立特許要件  
（１）本願補正発明 　 　
　本願補正発明を再掲すると、以下のとおりのものである。  
　「基板と、
　前記基板に形成された第１導電型の第１クラッド層と、
　前記第１クラッド層上に形成された活性層と、
　前記活性層上に形成され、一部が電流狭窄構造としてリッジ形状となっている第２導電型の第２クラッド層と
　を有し、
　前記リッジ形状の部分の前記第２クラッド層が、前記活性層に近い側である第１リッジ形状層と、活性層から遠い側である第２リッジ形状層を含み、
　前記第１クラッド層のバンドギャップと前記第２リッジ形状層のバンドギャップが、前記第２クラッド層の前記リッジ形状の部分を除く部分のバンドギャップおよび前記第１リッジ形状層のバンドギャップより低いプロファイルであり、
　前記第１リッジ形状層のアルミニウムの組成比Ｘ１が０．６０≦Ｘ１≦０．７０であり、
　前記第１リッジ形状層の膜厚が５０〜４００ｎｍであり、
　前記第２クラッド層の前記リッジ形状の部分を除く部分の膜厚が５０〜３５０ｎｍである
　半導体発光装置。」　
　　　  
（２）刊行物に記載された事項  
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開平１１−２５１６７８号公報（以下「引用文献」という。）には、図とともに以下の記載がある。   　
　                        　
　ア　「【請求項２】  
活性層の上方に、リッジ部を有するＡｌＧａＩｎＰからなるクラッド層を備えた半導体レーザにおいて、前記リッジ部の主要部を第１の層と、その上に位置する第２の層によって構成し、前記第１の層をＡｌ組成比率が前記第２の層よりも大きい層によって構成した
　
　イ　「【０００２】
【従来の技術】従来、ストライプ状のリッジ部を備えるこの種の半導体レーザは、例えば特開平６−２６０７１６号公報等に示されるように、活性層の上に配置するクラッド層を順メサストライプ形状にエッチングすることによって、電流通路（光導波路）を構成するストライプ状のリッジ部を形成しているとともに、このリッジ部の両側面を埋めるように電流ブロック層を形成している。
【０００３】ところで、半導体レーザを光ディスク等の光源に用いる場合は、アスペクト比の小さいものが望まれている。アスペクト比を小さくするための一つの手法として、前記リッジ部の幅を狭くすることが知られているが、リッジ部の幅を狭くしようとすると、リッジ部の上部の幅も狭くなる。リッジ部は、電流通路として機能するので、リッジ部の幅が狭くなると、活性層へ流れる電流が少なくなり、動作電圧が高なるという問題が生じる。」　
　　　
　ウ　「【０００９】図１は、赤色半導体レーザ１の断面図を示している。この図において、
２はｎ型ＧａＡｓからなる半導体基板であり、この基板２の上にＧａＩｎＰからなるバッファ層３、ｎ型（Ａｌ
０．７
Ｇａ
０．３
）
０．５
Ｉｎ
０．５
Ｐからなるｎ型クラッド層４、井戸層としてＧａＩｎＰを備えるＡｌＧａＩｎＰ系の多重量子井戸型活性層５が順次形成されている。活性層５の上には、ｐ型（Ａｌ
０．７
Ｇａ
０．３
）
０．５
Ｉｎ
０．５
Ｐからなる第１のｐ型クラッド層６、必要に応じてｐ型ＧａＩｎＰからなるストップ層７が形成されており、この上の中央部には、リッジ部の第１層を構成するｐ型Ａｌ
０．５
Ｉｎ
０．５
Ｐからなる第２のｐ型クラッド層８、リッジ部の第２層を構成するｐ型（Ａｌ
０．７
Ｇａ
０．３
）
０．５
Ｉｎ
０．５
Ｐからなる第３のｐ型クラッド層９が形成されてストライプ状のリッジ部１０が形成されている
【００１０】これらリッジ部１０並びにキャップ層１１の両側面は、ｎ型ＧａＡｓからなるブロック層１２で埋め込まれている。さらに、キャップ層１１及びブロック層１２の上には、ｐ型ＧａＡｓからなるコンタクト層１３が形成されており、コンタクト層１３の上面にはｐ型電極１４が、基板２の下面にはｎ型電極１５が各々オーミック接触して形成されている。
【００１１】次に、上記半導体レーザ１の製造方法を図２〜３を参照して説明する。まず、基板２上に、例えばＭＯＣＶＤ法（有機金属気相成長法）により、
バッファ層３（膜厚０．３μｍ）、ｎ型クラッド層４（膜厚０．８μｍ）、活性層５（合計膜厚０．０３〜０．１μｍ）、第１のｐ型クラッド層６（膜厚０．３μｍ）、ストップ層７（膜厚０．０２μｍ）、第２のｐ型クラッド層８（膜厚０．３μｍ）、第３のｐ型クラッド層９（膜厚０．５μｍ）、キャップ層１１（膜厚０．３μｍ）を順次積層して形成する
【００１２】次に、キャップ層１１上に電子ビーム蒸着法やＣＶＤ法によりＳｉＯ２膜を形成し、それをパタ−ニングしてストライプ状のマスク１６を形成する（図２（ｂ）参照）。
【００１３】次に、キャップ層１１をエッチングするためのエッチング液、例えば燐酸／過酸化水素系のエッチング液を用いてマスク１６にて覆われていない部分のキャップ層１１を除去した後、
Ａｌ組成の高い程エッチングレートが高いエッチング液、例えば塩酸（ＨＣＬ）を用いてマスク１６にて覆われていない部分の第３のｐ型クラッド層９、第２のｐ型クラッド層８を除去してストライプ状のリッジ部１０を形成する
リッジ部１０の上部の幅を同じに保ったままリッジ部１０の下部の幅を狭く設定することができる
【００１４】次に、ＭＯＣＶＤ法によりｎ型ＧａＡｓを成長させてブロック層１２（膜厚１μｍ）を形成する（図３（ａ）参照）。そして、マスク１６を除去した後、ＭＯＣＶＤ法によりｐ型ＧａＡｓを成長させてコンタクト層１３を形成する（図３（ｂ）参照）。次に、コンタクト層１３の上面にｐ型電極１４を、基板２の下面にｎ型電極１５を蒸着法などによって各々形成するとともに、オーミック接触させる（図３（ｃ）参照）。
【００１５】このようにして半導体レーザ１が製造されるが、リッジ部１０の上部の幅を従来と同じに保つので動作電圧の上昇を招くことがなく、また、リッジ部１０の下部の幅を従来に比べて狭くすることができ、レーザ出射光の水平広がりを大きくした、すなわち、アスペクト比の小さな半導体レーザを提供することができる。」　
　
　エ　「【００１６】尚、上記実施例は、リッジ部１０の第１層をｐ型Ａｌ０．５Ｉｎ０．５Ｐによって構成した場合を示したが、
この層はリッジ部１０の第２層をエッチングする薬品に対してリッジ部１０の第２層よりもエッチングレートが高いもので構成すればよく、例えば、第３のｐ型クラッド層９よりもＡｌ組成比率が高いｐ型（Ａｌ
０．８
Ｇａ
０．２
）
０．５
Ｉｎ
０．５
Ｐやｐ型（Ａｌ
０．９
Ｇａ
０．１
）
０．５
Ｉｎ
０．５
Ｐ等によって構成してもよい
　
　オ　「【００１７】また、上記実施例では、第１のｐ型クラッド層６の上にストップ層７を設けた場合を示しているが、第１のｐ型クラッド層６と第２のｐ型クラッド層８はＡｌ組成比率が相違し、第１のｐ型クラッド層６のエッチングレートが第２のｐ型クラッド層８よりも低いので、この第１のｐ型クラッド層６をエッチングストップ層として機能させることにより、光吸収性のｐ型ＧａＩｎＰからなる
ストップ層７を不必要にすることができる
    　
　カ　図１は、以下のものである。
　　　   　　　
（３）引用文献に記載された発明  
　ア　上記（２）アの記載によれば、
　引用文献には、
　「活性層の上方に、リッジ部を有するＡｌＧａＩｎＰからなるクラッド層を備えた半導体レーザにおいて、
　リッジ部の主要部を第１の層と、その上に位置する第２の層によって構成し、第１の層をＡｌ組成比率が第２の層よりも大きい層によって構成した半導体レーザ。」が記載されているものと認められる。　  　
　              　
　イ　上記（２）ウの記載を踏まえて、図１を見ると、
　上記アの「半導体レーザ」は、具体的には、
　ｎ型ＧａＡｓからなる半導体基板２の上に、
　ＧａＩｎＰからなるバッファ層３（膜厚０．３μｍ）、
　ｎ型（Ａｌ０．７Ｇａ０．３）０．５Ｉｎ０．５Ｐからなるｎ型クラッド層４（膜厚０．８μｍ）、
　井戸層としてＧａＩｎＰを備えるＡｌＧａＩｎＰ系の多重量子井戸型活性層５（合計膜厚０．０３〜０．１μｍ）が順次形成され、
　活性層５の上には、
　ｐ型（Ａｌ０．７Ｇａ０．３）０．５Ｉｎ０．５Ｐからなる第１のｐ型クラッド層６（膜厚０．３μｍ）、必要に応じてｐ型ＧａＩｎＰからなるストップ層７（膜厚０．０２μｍ）が形成されており、
　この上の中央部には、
　リッジ部の第１層を構成するｐ型Ａｌ０．５Ｉｎ０．５Ｐからなる第２のｐ型クラッド層８（膜厚０．３μｍ）、
　リッジ部の第２層を構成するｐ型（Ａｌ０．７Ｇａ０．３）０．５Ｉｎ０．５Ｐからなる第３のｐ型クラッド層９（膜厚０．５μｍ）が形成されてストライプ状のリッジ部１０が形成されているものであってもよいものと認められる。
  　        　
　ウ　上記ア及びイから、引用文献には次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。　　  
 　  
　「活性層の上方に、リッジ部を有するＡｌＧａＩｎＰからなるクラッド層を備えた半導体レーザにおいて、
　リッジ部の主要部を
第１層
第２層
　具体的には、
　ｎ型ＧａＡｓからなる半導体基板２の上に、
　ＧａＩｎＰからなるバッファ層３（膜厚０．３μｍ）、
　ｎ型（Ａｌ０．７Ｇａ０．３）０．５Ｉｎ０．５Ｐからなるｎ型クラッド層４（膜厚０．８μｍ）、
　井戸層としてＧａＩｎＰを備えるＡｌＧａＩｎＰ系の多重量子井戸型活性層５（合計膜厚０．０３〜０．１μｍ）が順次形成され、
　活性層５の上には、
　ｐ型（Ａｌ０．７Ｇａ０．３）０．５Ｉｎ０．５Ｐからなる第１のｐ型クラッド層６（膜厚０．３μｍ）、必要に応じてｐ型ＧａＩｎＰからなるストップ層７（膜厚０．０２μｍ）が形成されており、
　この上の中央部には、
　
リッジ部の第１層を構成する
　
リッジ部の第２層を構成する
　　　　　　
（４）対比   　
　本願補正発明と引用発明とを対比する。
　ア　引用発明の「半導体基板２」は本願補正発明の「基板」に相当し、同様に、
　「リッジ部」は「リッジ」に、　
　「活性層」及び「多重量子井戸型活性層５」は「活性層」に、
　「ｎ型クラッド層４」は「第１導電型の第１クラッド層」に、 　
　「第１層」及び「第２のｐ型クラッド層８」は「第１リッジ形状層」に、
　「第２層」及び「第３のｐ型クラッド層９」は「第２リッジ形状層」に、
　「半導体レーザ」は「半導体発光装置」に、それぞれ、相当する。
　     　
　イ　引用発明の「中央部」には、第２のｐ型クラッド層８と第３のｐ型クラッド層９が形成されてストライプ状のリッジ部１０が形成されていることに照らせば、
　引用発明は「活性層上に形成され、一部が電流狭窄構造としてリッジ形状となっている第２導電型の第２クラッド層」を備えているといえる。
　
　ウ　上記ア及びイより、
　引用発明と本願補正発明とは「基板と、
　前記基板に形成された第１導電型の第１クラッド層と、
　前記第１クラッド層上に形成された活性層と、
　前記活性層上に形成され、一部が電流狭窄構造としてリッジ形状となっている第２導電型の第２クラッド層と
　を有し、
　前記リッジ形状の部分の前記第２クラッド層が、前記活性層に近い側である第１リッジ形状層と、活性層から遠い側である第２リッジ形状層を含」む点で一致する。
  　
　エ　本願補正発明の「前記第２クラッド層の前記リッジ形状の部分を除く部分」には、本願明細書の「ｐ型クラッド層（第２クラッド層）１７のリッジ形状の部分を除く部分である
ｄ２層１３
　してみると、引用発明の「第１のｐ型クラッド層６」が本願補正発明の「第２クラッド層の前記リッジ形状の部分を除く部分」に相当する。
　
　オ　また、引用発明の「ｎ型クラッド層４」及び「リッジ部の第２層を構成する第３のｐ型クラッド層９」のアルミニウム組成比が「０．３５」であるのに対して、引用発明の「リッジ部の第１層を構成する第２のｐ型クラッド層８」のアルミニウム組成比が「０．５」であることに照らせば、
　引用発明と本願補正発明とは「前記第１クラッド層のバンドギャップと前記第２リッジ形状層のバンドギャップが、
前記第１リッジ形状層のバンドギャップより低いプロファイル
　前記第１リッジ形状層のアルミニウムの組成比Ｘ１が
所定値
　
　カ　さらに、引用発明の「リッジ部の第１層を構成する第２のｐ型クラッド層８」の膜厚が０．３μｍであり、引用発明の「第１のｐ型クラッド層６」の膜厚が０．３μｍであることに照らせば、
　引用発明と本願補正発明とは「前記第１リッジ形状層の膜厚が５０〜４００ｎｍであり、
　前記第２クラッド層の前記リッジ形状の部分を除く部分の膜厚が５０〜３５０ｎｍである」点で一致する。　
　    　
　キ　してみると、本願補正発明と引用発明とは以下の点で一致する。  
　＜一致点＞  
 「基板と、
　前記基板に形成された第１導電型の第１クラッド層と、
　前記第１クラッド層上に形成された活性層と、
　前記活性層上に形成され、一部が電流狭窄構造としてリッジ形状となっている第２導電型の第２クラッド層と
　を有し、
　前記リッジ形状の部分の前記第２クラッド層が、前記活性層に近い側である第１リッジ形状層と、活性層から遠い側である第２リッジ形状層を含み、
　前記第１クラッド層のバンドギャップと前記第２リッジ形状層のバンドギャップが、
前記第１リッジ形状層のバンドギャップより低いプロファイル
　前記第１リッジ形状層のアルミニウムの組成比Ｘ１が
所定値
　前記第１リッジ形状層の膜厚が５０〜４００ｎｍであり、
　前記第２クラッド層の前記リッジ形状の部分を除く部分の膜厚が５０〜３５０ｎｍである、
　半導体発光装置。」　
　　　
　ク　一方で、本願補正発明と引用発明とは、以下の点で相違する。  
　＜相違点１＞ 　  
　第１クラッド層及び第２リッジ形状層のバンドギャップのプロファイルに関し、
　本願補正発明は、さらに「前記第２クラッド層の前記リッジ形状の部分を除く部分のバンドギャップより低い」のに対して、
　引用発明は、そのようなプロファイルではない点。
　    　
　＜相違点２＞
　アルミニウムの組成比Ｘ１に関し、
　本願補正発明は、「０．６０≦Ｘ１≦０．７０」であるのに対して、
　引用発明は、「０．５」である点。　　
　　　
（５）判断 　　  
　ア　まず、上記＜相違点２＞について検討する。  
（ア）引用文献の記載に照らせば（摘記（ウ）及び（エ）を参照。）、　
　引用発明の「リッジ部」は、
Ａｌ組成の高い程
　リッジ部の第１層を構成する第２のｐ型クラッド層８のエッチングレートをどの程度に設定するかは、当業者が引用発明を実施する際に、その上に位置する第２層を構成する第３のｐ型クラッド層９のアルミニウム組成比や要求されるリッジ部の幅等を勘案して適宜定めるべき事項であって、第１層のアルミニウム組成比を０．５から「０．６ないし０．７程度」に変更することに格別困難性は認められない。    　
  　              　
（イ）本願明細書には、アルミニウムの組成比Ｘ１に関連して、以下の記載がある。
　
　ａ　「【００３９】
　上記の実施形態については、
ＡｌＧａＩｎＰ系の半導体発光装置
ＡｌＧａＮ系の半導体発光装置
　層構成や構造はＡｌＧａＩｎＰ系の図２Ａと同様とすることができ、この場合、ｄ２’層（第１リッジ形状層）の
アルミニウムの組成比Ｘ１を０．０５≦Ｘ１≦０．２０
　
　ｂ　上記ａの記載によれば、
　アルミニウムの組成比Ｘ１は、半導体の種類に応じて適宜変更されるべきものであることが理解される。
     　
　ｃ　一方、本願補正発明は、半導体の種類が特定されるものではないので、本願補正発明の「０．６０≦Ｘ１≦０．７０」との数値自体に格別の技術的意義は認められない。    　
　 　             　　
（ウ）以上の検討によれば、引用発明において、上記＜相違点２＞に係る本願補正発明の構成を採用することは、当業者が引用文献に記載の事項に基づいて容易になし得たことである。
        　
　イ　次に、上記＜相違点１＞について検討する。
（ア）引用発明の「ｐ型（
Ａｌ
０．７
　活性層に隣接するｐ型層のバンドギャップを大きくすることで、電子のオーバーフローを抑制した半導体レーザが、本願の優先日時点で周知である（例えば、
　ａ　特開２０００−３４９３９７号公報の【００１１】を参照。
　ｂ　特開平１１−２６８６４号公報の【０００６】ないし【０００８】を参照。
　ｃ　特開平１０−７９５５４号公報の【要約】を参照。　
　ｄ　特開平４−３５９４８６号公報の【００１５】を参照。
　以下「周知技術」という。）こと、及び引用文献に、Ａｌ組成比率が高いｐ型クラッド層として、（
Ａｌ
０．８
　引用発明の「第１のｐ型クラッド層６」を、例えば「ｐ型（
Ａｌ
０．８
　
（イ）上記（ア）のように、引用発明の「第１のｐ型クラッド層６」を「ｐ型（
Ａｌ
０．８
　　　　
（ウ）以上の検討によれば、引用発明において、上記＜相違点１＞に係る本願補正発明の構成を採用することは、当業者が引用文献に記載の事項及び上記周知技術に基づいて容易になし得たことである。
　 　
　ウ　また、本願補正発明の奏する効果は、当業者が引用発明、引用文献に記載の事項及び周知技術から予測し得る範囲内のものである。　　 
 　　　　　　　　　　  
（６）独立特許要件についてのまとめ 　  
　本願補正発明は、当業者が引用発明、引用文献に記載の事項及び周知技術に基づいて容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができな
いものである。  
 　　　　　 　 　  
４　補正却下の決定のむすび 　  
　上記「３」のとおり、本願補正発明は特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから、本件補正は、平成２３年法律第６３号改正附則第２条第１８項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反する。
　したがって、本件補正は、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　　
第３　本願発明  
１　本願発明  
　本件補正は上記のとおり却下されたため、本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、前記「第２　１」にて本件補正前の請求項１として記載したとおりのものである。  
 　　　 　  
２　引用文献  
　当審拒絶理由で引用された引用文献及びその記載事項は、前記「第２　３（２）」に記載したとおりである。  
 　　　　　　　　　　  
３　対比・判断  
　本願補正発明は、前記「第２　２（１）及び（２）」に記載したとおり、本願発明を限定したものに相当する。 　  
　そうすると、本願発明の構成要件を全て含み、さらに限定を付加したものに相当する本願補正発明が前記「第２　３（５）」で検討したとおり、当業者が引用発明、引用文献に記載の事項及び周知技術に基づいて容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も同様の理由により、当業者が引用発明、引用文献に記載の事項及び周知技術に基づいて容易に発明をすることができたものである。  
 　　　　 　  
４　むすび  
　以上のとおり、本願発明は、当業者が引用発明、引用文献に記載の事項及び周知技術に基づいて容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。  
　　　　      　
　よって、結論のとおり審決する。