【事件の表示】
　特願２００５−　　１８４７「記憶素子及びメモリ」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年　７月２０日出願公開、特開２００６−１９０８３８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯
　本願は、平成１７年１月６日を出願日とする特許出願であって、平成２３年４月１２日付けの拒絶理由通知に対して意見書は提出されず、同年８月５日付けで拒絶査定がなされた。
　それに対して、同年１１月１５日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに手続補正書が提出され、その後、平成２４年３月２１日付けで審尋がなされ、それに対する回答書は提出されなかった。
　
第２．補正の適否について
　平成２３年１１月１５日に提出された手続補正書による補正（以下「本件補正」という。）の適否について検討する。
　本件補正は、補正前の請求項１２及び１４を削除して、当該削除に伴って、請求項の番号及び引用する請求項の番号を修正するものであるから、特許法第１７条の２第４項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項をいう。以下同じ。）第１号に掲げる請求項の削除を目的とするものに該当する。
　したがって、本件補正は、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たす。
　また、本件補正が、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすことは明らかである。
　よって、本件補正は適法になされたものである。
　
第３．本願発明
　上記第２．において検討したとおり、本件補正は適法になされたものであるから、本願の請求項１〜１２に係る発明は、本件補正により補正された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜１２に記載されている事項により特定されるとおりのものであり、そのうちの請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、請求項１に記載されている事項により特定される次のとおりのものである。
　
　「【請求項１】
　情報を磁性体の磁化状態により保持する記憶層を有し、
　前記記憶層に対して、中間層を介して磁化固定層が設けられ、
　前記記憶層がＮｉＦｅ合金を主成分として成り、
　積層方向に電流を流すことにより、前記記憶層の磁化の向きが変化して、前記記憶層に対して情報の記録が行われる
　ことを特徴とする記憶素子。」
　
第４．引用刊行物に記載された発明
（１）本願の出願前に日本国内において頒布され、原査定の根拠となった拒絶の理由において引用された刊行物である特開平１１−１２０７５８号公報（以下「引用例」という。）には、図１〜２、５〜６、９〜１２とともに、次の記載がある（ここにおいて、下線は当合議体が付加したものである。以下同じ。）。
　
ａ．「【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、スピン分極注入によりデータの書き込みが可能な不揮発性ランダムアクセスメモリー装置に関するものである
　
ｂ．「【００１２】
【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するために、
本発明の不揮発性ランダムアクセスメモリー装置は、スピン偏極した電子の注入によってメモリー状態が切り換えられるメモリーセルが配列されてなることを特徴とするものである
【００１３】
上記メモリーセルは、具体的には、例えば第１の強磁性層と第２の強磁性層とが常磁性層を介して積層されてなり、第１の強磁性層の磁化の向きが固定されるとともに、第２の強磁性層の磁化の向きによりメモリー状態が切り換えられることを特徴とする
　
ｃ．「【００２３】
【発明の実施の形態】以下、本発明を適用したメモリー装置の構成について、図面を参照しながら詳細に説明する。
【００２４】本発明のメモリー装置は、図１に示すように、メモリー状態がスピン偏極した電子流の注入によって書き換えられる形式のメモリーセル１がマトリクス状に配列（例えばＮ列Ｎ行の配列：Ｎ×Ｎ配列）されてなるものであり、これにより集積回路を構成してなるものである。
【００２５】
各メモリーセル１は、例えば図２に示すように、第１の強磁性層である固定層１１と第２の強磁性層である自由層１２により常磁性層１３を挟み込んでなる基本構造を有し、これの上下に常磁性金属層１４，１５が電極として積層形成されている
【００２６】
上記固定層１１は、磁化の向きが所定の方向に固定されており、一方、上記自由層１２は、スピン分極化電子流により磁化の向きが回転する。そして、この自由層１２の磁化の向きを切り換えることで２つのメモリー状態が達成され、これを１，０の信号として読み出すことができる
　
ｄ．「【００５８】
上述のメモリーセル１においては、図５及び図６に示すように、自由層１２への書き込みが磁化スイッチング（磁化反転）の方向を決定する働きのあるパルス電流を用いてなされる
【００５９】例えば、
平行磁化整合から反平行磁化整合への書き込みは、図５に示すように、自由層１２から固定層１１に向かって流れる電子粒子密度パルスＪｐにより開始される。このとき、電流密度パルスＪｅ（電流Ｉ）は、これとは反対方向に流れる
【００６０】スイッチング電流Ｉの大きさは接合領域Ａにおける臨界値Ｊｔよりも大きくなっており、ナノ秒単位でパルスを持続することにより自由層１２の磁化の向きが反転し、初期状態で平行磁化整合であったものが、書き込み終了時には固定層１１と自由層１２で磁化の向きが逆方向となり、反平行磁化整合状態となる。
【００６１】
反平行磁化整合から平行磁化整合への書き込みも同様であるが、図６に示すように、電子の流れや電流の向きは逆である。すなわち、本例の場合、電子粒子密度パルスＪｐは固定層１１から自由層１２に向かって流れ、電流密度パルスＪｅ（電流Ｉ）は固定層１１に向かって流れる
　
ｅ．「【００７６】
【実施例】次に、実際にメモリー装置を作製した具体的実施例について説明する。
【００７７】本実施例では、先ず、図９及び図１０に示すように、研磨し清浄し酸化処理したＳｉ基板２１を用意し、その中央の２ｃｍ×２ｃｍの領域に厚さ０．５μｍのＡｕ膜２２を蒸着法により成膜した。
【００７８】Ｓｉ基板２１は、ドーピング処理されておらず、外径４インチ、厚さ０．０１インチである。また、このＳｉ基板２１は、Ａｕ膜２２の蒸着前に予めダイアモンド・ポイントで刻んでおき、処理された領域（Ａｕ膜２２形成領域）の切り出しを可能としておいた。
【００７９】次に、図１１に示すように、Ａｕ膜２２上にレジスト層２３を形成し、これをメモリーセルの形状に応じてパターニングした。このとき、レジスト層２３の厚さは５０ｎｍ以上とした。
【００８０】次いで、
図１２に示すように、固定層となる第１の強磁性層２４、常磁性スペーサとなるＡｕ膜２５、自由層となる第２の強磁性層２６、及び電極となるＡｕ膜２７を順次蒸着法により成膜した
【００８１】第１の強磁性層２４は、Ｎｉ81Ｆｅ19なる組成を有するパーマロイ膜であり、厚さは４ｎｍである。
【００８２】成膜に際しては、１００エルステッドの磁場存在下で一軸磁気異方性を誘起した。
【００８３】Ａｕ膜２５は、厚さ２０ｎｍであり、成膜時には磁場を維持した。
【００８４】
第２の強磁性層２６は、厚さ１ｎｍのパーマロイ膜であり、第１の強磁性層２４を成膜する際に印加した磁場と同様の磁場を印加しながら成膜した
【００８５】これにより、第２の強磁性層２６のｃ軸線と第１の強磁性層２５の磁化が平行になるように、第２の強磁性層２６に一軸磁気異方性が誘起された。
【００８６】最後に蒸着されたＡｕ膜２７は、厚さ２５ｎｍであり、これを成膜することにより、メモリーセルを構成する多層膜２８の成膜が完了した。」
　
（２）上記記載を総合すると、引用例には次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
　「２つのメモリー状態を、第２の強磁性層の磁化の向きにより記憶する自由層を有し、
　磁化の向きが所定の方向に固定されている固定層となる第１の強磁性層２４と、前記自由層となる第２の強磁性層２６とが常磁性スペーサとなるＡｕ膜２５を介して積層されてなり、
　前記自由層となる第２の強磁性層２６はパーマロイ膜からなり、
　前記固定層から前記自由層に向かって、又は前記自由層から前記固定層に向かって、パルス電流を流すことにより、前記自由層の磁化の向きが変化して、前記自由層への書き込みが行われる
　ことを特徴とするメモリーセル。」
　
第５．本願発明と引用発明との対比
（１）引用発明の「２つのメモリー状態」、「第２の強磁性層の磁化の向き」、「自由層」は、各々本願発明の「情報」、「磁性体の磁化状態」、「記憶層」に相当する。
　したがって、引用発明の「２つのメモリー状態を、第２の強磁性層の磁化の向きにより記憶する自由層」は、本願発明の「情報を磁性体の磁化状態により保持する記憶層」に相当する。
　
（２）引用発明の「磁化の向きが所定の方向に固定されている固定層となる第１の強磁性層２４」は、本願発明の「磁化固定層」に相当する。
　また、本願明細書の００４９段落には、「記憶層と磁化固定層との間に非磁性の中間層（絶縁層又は非磁性導電層）を設けて、記憶素子を構成する。」と記載され、非磁性体とは、強磁性体ではない物質のことであり、常磁性体が含まれることは技術常識であるので、引用発明の「常磁性スペーサとなるＡｕ膜２５」は、本願発明の「中間層」に相当する。
　したがって、引用発明の「磁化の向きが所定の方向に固定されている固定層となる第１の強磁性層２４と、前記自由層となる第２の強磁性層２６とが常磁性スペーサとなるＡｕ膜２５を介して積層されてな」ることは、本願発明の「前記記憶層に対して、中間層を介して磁化固定層が設けられ」ることに相当する。
　
（３）引用発明の「パーマロイ膜」が、ＮｉとＦｅの合金で構成される膜であることは、引用例の００８１段落の記載からも、当業者の技術常識からも明らかである。
　したがって、引用発明の「前記自由層となる第２の強磁性層２６はパーマロイ膜からな」ることは、本願発明の「前記記憶層がＮｉＦｅ合金を主成分として成」ることに相当する。
　
（４）引用発明の「自由層」と「固定層」は積層されているから、引用発明の「前記固定層から前記自由層に向かって、又は前記自由層から前記固定層に向かって、パルス電流を流すこと」は、本願発明の「積層方向に電流を流すこと」に相当する。
　したがって、引用発明の「前記固定層から前記自由層に向かって、又は前記自由層から前記固定層に向かって、パルス電流を流すことにより、前記自由層の磁化の向きが変化して、前記自由層への書き込みが行われる」は、本願発明の「積層方向に電流を流すことにより、前記記憶層の磁化の向きが変化して、前記記憶層に対して情報の記録が行われる」に相当する。
　
（５）引用発明の「メモリーセル」は、本願発明の「記憶素子」に相当する。
　
（６）以上を総合すると、本願発明と引用発明とは、
　
　「情報を磁性体の磁化状態により保持する記憶層を有し、
　前記記憶層に対して、中間層を介して磁化固定層が設けられ、
　前記記憶層がＮｉＦｅ合金を主成分として成り、
　積層方向に電流を流すことにより、前記記憶層の磁化の向きが変化して、前記記憶層に対して情報の記録が行われる
　ことを特徴とする記憶素子。」
　
　である点、すなわち、すべての点で一致し、相違点は存在しない。
　したがって、本願発明は、引用例に記載された発明である。 
　
第６．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。
　したがって、他の請求項について検討するまでもなく、本願は拒絶をすべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。