【事件の表示】
　特願２００８−５３０２５８「高出力発光装置及びそれに用いるパッケージ」拒絶査定不服審判事件〔平成２０年　９月１８日国際公開、ＷＯ２００８／１１１５０４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯  
　本願は、２００８年３月７日（優先権主張２００７年３月１２日、日本国）を国際出願日とする出願であって、平成２３年６月２８日付けで拒絶の理由が通知され、同年９月２日に手続補正がなされたが、平成２４年２月２７日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年６月５日に拒絶査定不服審判が請求されると同時に手続補正がなされた後、当審において、平成２５年３月１４日付けで拒絶の理由（以下「当審拒絶理由」という。）が通知され、同年５月２０日に手続補正がなされたものである。
　　 
第２　本願発明 
　本願の請求項に係る発明は、平成２５年５月２０日付けの手続補正書の請求項１ないし５に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次のとおりのものである（なお、下線は当審で付した。以下同じ。）。
　    　
　「
第１電極及び第２電極が形成された第１面と、当該第１面と対向する第２面とを有する発光素子
　熱硬化性樹脂から形成され、前記発光素子を実装する凹部を有するパッケージと、
　前記パッケージの凹部の底面から露出し、前記発光素子が載置され且つ前記発光素子の前記第１電極と導電ワイヤによって電気的に接続される第１リード電極と、
　前記パッケージの凹部の底面から露出し、前記発光素子の前記第２電極と導電ワイヤによって電気的に接続される第２リード電極と、を備えた発光装置であって、
　前記発光素子の前記第２面が、融点２００℃〜３５０℃のハンダ材料から成る共晶層を介して前記第１リード電極に共晶接合され、
　少なくとも前記第１リード電極の表面がＡｇ膜によって被覆されており、
　前記
第１リード電極を被覆する前記Ａｇ膜
　　　　　 
第３　刊行物の記載
１　刊行物に記載された事項  
　当審拒絶理由に引用され、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開２００５−３５３９１４号公報 （以下「引用文献」という。）には、図とともに以下の記載がある。   　
　                        　
（１）「【請求項１】
　
埋め込み樹脂と
　
前記埋め込み樹脂の一側面から突出した第１のアウターリード部を有する第１のリードと
　
前記埋め込み樹脂の前記一側面に対向する側面から突出した第２のアウターリード部を有する第２のリードと
　
前記埋め込み樹脂の上面に設けられた凹部の中に露出した前記第１のリードのインナーリード部にマウントされた半導体発光素子と
　前記
半導体発光素子と前記第２のリードとを接続するワイヤと
　
前記凹部の中に設けられた半導体発光素子及び前記ワイヤを封止する封止樹脂と
　
を備え
　
前記第１のリードの前記インナーリード部のうちで前記半導体発光素子がマウントされた部分の裏面側は、前記埋め込み樹脂に覆われず露出してなることを特徴とする半導体発光装置
　
（２）「【０００６】
　また一方、半導体発光装置において、ＬＥＤを大電流で駆動するためにリードフレームの熱伝導率を高くすると、半田リフロー工程における熱ストレスが大きくなる。つまり、半田リフロー工程において、リフローの熱がＬＥＤにまで達しやすくなる。このため、ＬＥＤのマウントの接着剤として銀ペーストなどの耐熱性の低いものを用いると、接着強度の低下など信頼性の低下が起こる場合がある。
そこで、ＬＥＤのマウントの接着剤としては、共晶半田などの耐熱性の高い材料を用いることが望ましい
　　
（３）「【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
　以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について説明する。  
　図１は、本発明の実施の形態にかかる半導体発光装置の要部構成を例示する模式断面図である。  
　また、図２は、この半導体発光装置を斜め上方から眺めた模式斜視図である。  
　さらに、図３は、この半導体発光装置を斜め下方から眺めた模式斜視図である。
【００１４】
　すなわち、本実施形態の半導体発光装置は、いわゆる表面実装型（ＳＭＤ）の発光装置であり、
一対のリード２０、３０と、これらリードのインナーリード部２０Ｂ、３０Ｂを包み込むように形成された埋め込み樹脂４０と、を有する。リード２０には、半導体発光素子１０（以下、「ＬＥＤチップ」という）１０がマウントされている。この半導体発光装置は、例えば、各種の実装基板の電極パターンの上にアウターリード部２０Ａ、３０Ａを半田付けあるいは溶接によりマウントできる
【００１５】
　そして、本実施形態においては、図３に表したように、半導体発光装置の底面（マウント面）において、リードのインナーリード部２０Ｂ、３０Ｂの裏面が露出している。つまり、リード２０の半導体発光素子（以下、「ＬＥＤチップ」という）１０の直下の部分が樹脂４０に覆われずに露出して剥き出しにされている。  
　このように剥き出しにされたＬＥＤチップ１０の直下の部分を図示しない実装基板などに半田付けすることにより、ＬＥＤチップ１０において生じた熱を実装基板に向けて効率的に放出させることができる。なお、図３において、半導体発光装置の裏面側に、アンカーホール１８０に充填された樹脂４０が表れているが、これについては、後に図５を参照しつつ詳述する。」　
　                 　
（４）「【００２０】
　以下、図１乃至図４を参照しつつ、本実施形態の半導体発光装置の各部の構成についてさらに詳しく説明する。  
　リード２０のインナーリード部２０Ｂには、カップ状の凹部２０Ｃが設けられている。一方、埋め込み樹脂４０には凹部４０Ｃが設けられ、その底部には、リードの凹部２０Ｃを含むインナーリード部２０Ｂ、３０Ｂの一部が露出している。そして、リード２０の凹部２０Ｃの底面にＬＥＤチップ１０がダイボンディングされている。
ダイボンディングの接着剤としては、共晶半田
      　
（５）「【００２５】
　
一対のリード２０、３０は
、銅（Ｃｕ）系の合金を用いる
その表面にメッキなどの方法によりコーティングを施すと、カップ状の凹部２０Ｃの側壁における光反射率を高め、また、アウターリード部２０Ａ、３０Ａ及びチップ１０直下のリード２０裏面における半田の接合強度を上げることができる
コーティングとしては、例えば、銀（Ａｇ）
銀をコーティングする場合の厚みは、例えば、１０マイクロメータ程度とすることができる
【００２６】
　インナーリード部２０Ｂ、３０Ｂの厚みＴ１は、例えば１．２ミリメータ、ＬＥＤチップ１０がマウントされる凹部２０Ｃの部分の厚みＴ２は、例えば０．７ミリメータ、アウターリード部２０Ａ、３０Ａの厚みＴ３は、例えば０．５ミリメータ程度とすることができる。また、
ＬＥＤチップ１０のサイズは、例えば、高出力型の場合には、一辺が１ミリメータの正方形状とすることができる
【００２７】
　
埋め込み樹脂４０の材料としては、例えば、熱可塑性樹脂を用いることができる
　埋め込み樹脂４０の外寸は、例えば長さＬを７ミリメータ、幅Ｗを５ミリメータ、高さＨを２ミリメータ程度とすることができる。」　　
　
（６）「【００３１】
　
ＬＥＤチップ１０のダイボンディングには
共晶半田（ＡｕＳｎ、ＡｕＧｅ、ＡｕＳｉなど）
ＡｕＳｎの溶融温度は、およそ摂氏２８０度であるため、銀ペーストに比べて高温動作時の信頼性が高い。ＡｕＳｎ共晶半田によるマウントは、摂氏３２０度程度で実施する場合が多い
【００３２】
　ＬＥＤチップ１０をマウントしたら、次に、埋め込み樹脂４０をインサート成形する。
【００３３】
　図７は、樹脂４０の成形金型１４０にリードフレームをインサートした状態を表す。  
　本実施形態においては、ＬＥＤチップ１０はリード２０の凹部２０Ｃに収容されているので、成形金型１４０がＬＥＤチップ１０に当たることがなくインサート成形が可能となる。つまり、ＬＥＤチップ１０をマウントした後に、樹脂４０をインサート成形できる。
【００３４】
　
埋め込み樹脂４０の材料としてＰＰＡなどの熱可塑性樹脂を用いる場合、その耐熱温度は摂氏２９０度程度である。これに対して、共晶半田を用いる場合には、ボンディング温度を摂氏３２０度程度まで加熱する必要がある。つまり、埋め込み樹脂４０をインサート成形した後に、共晶半田によりＬＥＤチップ１０を共晶半田マウントすることは容易でない
　　
（７）「【００４４】
　
図１７
　
本変型例においては、第１のワイヤ６０ＡによりＬＥＤチップ１０とリード３０とが接続され、第２のワイヤ６０ＢによりＬＥＤチップ１０とリード２０とが接続されている
ＬＥＤチップ１０のアノードとカソードは、チップ１０の上面に設けられる
　また、ＬＥＤチップ１０とともに、保護用ダイオードなどの他の半導体素子（図示せず）をマウントした場合にも、このように第２のワイヤ６０Ｂにより接続できる。」　
　
（８）図１は、以下のものである。
  　
（９）図２は、以下のものである。
　   
（１０）図１７は、以下のものである。
　　　　　　　　　　　
２　引用文献に記載された発明  
（１）上記１（１）の記載によれば、
　引用文献には、
　「埋め込み樹脂と、
　埋め込み樹脂の一側面から突出した第１のアウターリード部を有する第１のリードと、
　埋め込み樹脂の一側面に対向する側面から突出した第２のアウターリード部を有する第２のリードと、
　埋め込み樹脂の上面に設けられた凹部の中に露出した第１のリードのインナーリード部にマウントされた半導体発光素子と、
　半導体発光素子と第２のリードとを接続するワイヤと、
　凹部の中に設けられた半導体発光素子及びワイヤを封止する封止樹脂と、
　を備え、
　第１のリードのインナーリード部のうちで半導体発光素子がマウントされた部分の裏面側は、埋め込み樹脂に覆われず露出してなる、
　半導体発光装置。」　
　が記載されているものと認められる。　  　
　
（２）上記１（５）の記載に照らせば、
　上記（１）の「埋め込み樹脂」は、具体的には、熱可塑性樹脂を用いてもよいものと認められる。
　また、上記（１）の「第１のリード及び第２のリード」は、具体的には、
　銅（Ｃｕ）系の合金の表面に厚み１０マイクロメータ程度の銀をコーティングしたものであってもよいものと認められる。
　さらに、上記（１）の「半導体発光装置」は、具体的には、
　一辺が１ミリメータの正方形状のものであってもよいものと認められる。
　     　
（３）上記１（６）の記載に照らせば、
　上記（１）の「半導体発光素子」は、具体的には、
　溶融温度がおよそ摂氏２８０度のＡｕＳｎ共晶半田によリマウントされたものであってもよいものと認められる。
　　　　　　
（４）上記１（７）の記載を踏まえて、図１７を見ると、
　上記（１）の「半導体発光装置」は、具体的には、
　「半導体発光素子の上面に設けられたアノードと第１のリードとを接続するワイヤと、
　半導体発光素子の上面に設けられたカソードと第２のリードとを接続するワイヤと、」を備えていてもよいものと認められる。
   　　
（５）上記（１）ないし（４）から、引用文献には次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。　　  
 　  
 「埋め込み樹脂と、
　埋め込み樹脂の一側面から突出した第１のアウターリード部を有する第１のリードと、
　埋め込み樹脂の一側面に対向する側面から突出した第２のアウターリード部を有する第２のリードと、
　埋め込み樹脂の上面に設けられた凹部の中に露出した第１のリードのインナーリード部に
溶融温度がおよそ摂氏２８０度のＡｕＳｎ共晶半田
一辺が１ミリメータの正方形状
　半導体発光素子の上面に設けられた
アノードと第１のリードとを接続するワイヤ
　半導体発光素子の上面に設けられた
カソードと第２のリードとを接続するワイヤ
　凹部の中に設けられた半導体発光素子及びワイヤを封止する封止樹脂と、
　を備え、
　埋め込み樹脂は、熱可塑性樹脂であり、
　第１のリード及び第２のリードは、銅（Ｃｕ）系の合金の表面に厚み１０マイクロメータ程度の銀をコーティングしたものであり、
　第１のリードのインナーリード部のうちで
半導体発光素子がマウントされた部分
　半導体発光装置。」　
　　　　　　　
第４　対比・判断 
１　本願発明と引用発明とを対比する。
（１）引用発明の「半導体発光素子」は本願発明の「発光素子」に相当し、同様に、　
　「凹部」は「凹部」に、
　「アノード」は「第１の電極」に、
　「カソード」は「第２の電極」に、　
　「第１のリード」は「第１リード電極」に、
　「第２のリード」は「第２リード電極」に、
　「ワイヤ」は「導電ワイヤ」に、
　「ＡｕＳｎ共晶半田」は「ハンダ材料」に、
　「銀」は「Ａｇ」に、
　「半導体発光装置」は「発光装置」に、それぞれ、相当する。 
　    　
（２）引用発明は、埋め込み樹脂の上面に設けられた凹部の中に露出した第１のリードのインナーリード部に半導体発光素子をマウントすることに照らせば、
　引用発明は、樹脂から形成され、半導体発光素子を実装する凹部を有するパッケージを備えているといえる。
　
（３）上記（１）及び（２）より、
　引用発明と本願発明とは「第１電極及び第２電極が形成された第１面と、当該第１面と対向する第２面とを有する発光素子と、
　
樹脂から形成され
　前記パッケージの凹部の底面から露出し、前記発光素子が載置され且つ前記発光素子の前記第１電極と導電ワイヤによって電気的に接続される第１リード電極と、
　前記パッケージの凹部の底面から露出し、前記発光素子の前記第２電極と導電ワイヤによって電気的に接続される第２リード電極と、を備えた発光装置であって、
　前記発光素子の前記第２面が、融点２００℃〜３５０℃のハンダ材料から成る共晶層を介して前記第１リード電極に共晶接合され、
　少なくとも前記第１リード電極の表面がＡｇ膜によって被覆されて」いる点で共通する。
  　
（４）本願明細書には、「平坦度」と「相対平坦度」に関連して、以下の記載がある。
　
　ア　「【００９４】
（７．平坦度の測定）
　レーザー式の測定顕微鏡を使用して、リード電極２２のうち、発光素子１０を実装する領域の平坦度を測定した。
実装領域の３隅を計測し、その３隅を含む面を基準面としたときの実装エリアの中央の高さを平坦度とした
　この測定結果と、シェア強度及びパッケージの変色との関係をみると、Ａｇ膜の
平坦度が大きくなる（すなわち、表面が粗くなる
平坦度の小さい（すなわち、表面の滑らかな）実施例８では、パッケージの黄変なく、シェア強度も高い
【００９５】
　平坦度は、チップの寸法によって影響の程度が異なると考えられる。例えば、同じ平坦度（同じ凹凸の状態）であっても、大寸法のチップに比べて小寸法のチップのほうが、平坦度の影響を受けやすい。そこで、平坦度をチップ寸法によって規格化した相対平坦度αを、実施例及び比較例の各々について求めた。ここで、
相対平坦度α（％）とは、α＝（平坦度（μｍ）／発光素子のサイズ（μｍ））×１００として算出した
　
　イ　上記アの記載に照らせば、
　本願発明の「平坦度」とは、基準面（３隅を含む面）からの実装領域の中央の高さ（μｍ）を示す指標であると解される。　
    　
　ウ　一方、引用発明の「第１のリードのインナーリード部」の表面には銀がコーティングされていることから、表面にある程度の凹凸はあるものの、ほぼ平坦であることが当業者にとって明らかであることに照らせば、
　引用発明と本願発明とは「前記第１リード電極を被覆する前記Ａｇ膜の表面のうち、前記発光素子と接合する領域がほぼ平坦である」点で共通する。
                          　
（５）してみると、本願発明と引用発明とは以下の点で一致する。  
　＜一致点＞  
 「第１電極及び第２電極が形成された第１面と、当該第１面と対向する第２面とを有する発光素子と、
　
樹脂から形成され
　前記パッケージの凹部の底面から露出し、前記発光素子が載置され且つ前記発光素子の前記第１電極と導電ワイヤによって電気的に接続される第１リード電極と、
　前記パッケージの凹部の底面から露出し、前記発光素子の前記第２電極と導電ワイヤによって電気的に接続される第２リード電極と、を備えた発光装置であって、
　前記発光素子の前記第２面が、融点２００℃〜３５０℃のハンダ材料から成る共晶層を介して前記第１リード電極に共晶接合され、
　少なくとも前記第１リード電極の表面がＡｇ膜によって被覆されており、
　前記第１リード電極を被覆する前記Ａｇ膜の表面のうち、前記発光素子と接合する領域が
ほぼ平坦である
　発光装置。」
　　　　　　  　      　
（６）一方で、本願発明と引用発明とは、以下の点で相違する。  
　＜相違点１＞ 　  
　樹脂に関し、 
　本願発明は、「熱硬化性樹脂」であるのに対して、
　引用発明は、熱可塑性樹脂である点。
　　
　＜相違点２＞
　発光素子と接合する領域に関し、
　本願発明は、「平坦度が０．００１〜５０μｍで相対平坦度αが約９％以下である」のに対して、 
　引用発明は、具体的な平坦度と相対平坦度αが不明である点。　　   　
　　　　　　
４　判断 　  
（１）上記＜相違点１＞について検討する。  
　ア　引用発明において、埋め込み樹脂として具体的にどのような樹脂を選択するかは、当業者が引用発明を実施する際に、適宜定めるべき事項であるところ、
　埋め込み樹脂として、熱硬化性樹脂を利用した半導体発光装置が、本願の優先日時点で周知である（例えば、
（ア）特開２００６−７３６５６号公報の【００２８】を参照。
（イ）特開２００５−１４６１９１号公報の【要約】を参照。
（ウ）特開２００４−２０７６８８号公報の【００３０】及び【００３１】を参照。
　以下「周知技術１」という。）ことに照らせば、
　引用発明の「熱可塑性樹脂」に代えて、熱硬化性樹脂を選択することは、当業者が上記周知技術に基づいて適宜なし得たことである。　
　 　 　 
　イ　以上の検討からして、引用発明において、上記＜相違点１＞に係る本願発明の構成を採用することは、当業者が上記周知技術１に基づいて容易になし得たことである。     　　
　　                   　
（２）上記＜相違点２＞について検討する。  　
　ア　引用発明において、半導体発光素子をマウントする領域の表面の凹凸が大きくなると、取り付けた後に、半導体発光素子が傾斜するなどの不都合を生じることは当業者にとって明らかであって、凹凸をどの程度とするかは、当業者が引用発明を実施する際に、適宜定めるべき事項であるところ、
　接着強度等の観点から、凹凸の高低差を一定範囲内となるようにした半導体発光装置が、本願の優先日時点で周知である（例えば、
（ア）特開２００６−３４４６９６号公報の【０００９】、【００３５】ないし【００４２】を参照。　 
　【０００９】には、発光素子を実装する箇所の電極は、平坦でないと固着力が低くなることが記載されている。
　また、【００３７】には、発光素子の実装に必要なエリアを５００μｍ角として、銀ペーストしたエリア内の
高低差を１０μｍ以内
 　 
（イ）特開２００６−１００６８８号公報の【００１５】、【００２２】ないし【００２４】を参照。　 
　【００１５】には、盛り上がった配線パターン層上に、バンプ電極を介して発光素子を実装すると、発光素子の一部がずれたり、導通不良を起こことが記載されている。
　また、【００２２】には、発光素子接続用配線パターン層の任意の０．５ｍｍ角（５００μｍ角）における
高低差を５μｍ未満
 　　 
 （ウ）国際公開第２００４／０８２０３４号の第４頁第３０ないし２８行を参照。 
　基板の素子搭載面に形成された金属層の
表面の最大粗さを１ないし２０μｍ程度
０．１μｍより小さいとアンカー効果の得難い
　以下「周知技術２」という。）ことに照らせば、
　引用発明において、半導体発光素子をマウントする領域の表面の凹凸の高低差を１ないし５μｍ程度にすることは、当業者が上記周知技術２に基づいて容易になし得たことである。
　その際、領域の３隅を含む面からの中央の高さを「０．００１〜５０μｍ」とすることに格別困難性は認められない。   
　そして、引用発明の「半導体発光素子」が、一辺が１ミリメータの正方形状であることに照らせば、相対平坦度αも、９％以下になることは明らかである。 　                 　
　　       　          　  　
　イ　以上の検討からして、引用発明において、上記＜相違点２＞に係る本願発明の構成を採用することは、当業者が上記周知技術２に基づいて容易になし得たことである。
　　
（３）効果
　本願発明の奏する効果は、当業者が引用発明、周知技術１及び周知技術２から予測し得る範囲内のものである。　　  　　　 　 
　 　　 
５　進歩性についてのまとめ 
　本願発明は、当業者が引用文献に記載された発明及び周知技術に基づいて容易に発明をすることができたものである。 
　　　　 　
第４　むすび 　 　 
　以上のとおり、本願発明は、当業者が引用文献に記載された発明及び周知技術に基づいて容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 　 
　
　よって、結論のとおり審決する。