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　特願２００６−１８９７１７「アクティブセンサーアレイを含むイメージセンサー」拒絶査定不服審判事件〔平成１９年　１月２５日出願公開、特開２００７−　２０１９４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１８年７月１０日（パリ条約による優先権主張２００５年７月９日、大韓民国）の出願であって、平成２３年１０月１２日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成２４年１月５日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同日付けで手続補正がなされたものである。
　
第２　平成２４年１月５日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成２４年１月５日付けの手続補正を却下する。
［理由］
１．本件補正により、特許請求の範囲の請求項１２は次のとおり補正された。
「基板内に第１の方向に整列した複数の光電変換領域を含む一つの第１のアクティブ領域と；
　前記第１の方向に延在され、前記第１のアクティブ領域と少なくとも一つの非アクティブ領域で離隔され長く伸びた一つの第２のアクティブ領域を含む複数の単位アクティブピクセルの一つのアレイを含むアクティブピクセルアレイと；を含み、
　前記アクティブ領域は、前記アレイの前記光電変換領域上に設けられ前記光電変換領域に入射される光をフォーカシングしてフィルタリングするマイクロレンズの形状と対応する多面の多角形外郭部を有するアクティブ部を備える
　ことを特徴とするイメージセンサー。」
　
２．補正の目的の適否
　上記請求項１２の補正は、補正前の請求項１２に記載した発明を特定する「アクティブ領域」について、「前記アレイの前記光電変換領域上に設けられ前記光電変換領域に入射される光をフォーカシングしてフィルタリングするマイクロレンズの形状と対応する多面の多角形外郭部を有するアクティブ部を備える」と限定するものであるから、特許法第１７条の２第４項第２号で規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　
３．独立特許要件についての検討
　そこで、本件補正後の請求項１２に係る発明（以下「補正発明」という。）が独立特許要件（特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定）を満たすか否かについて以下に検討する。
　
（１）補正発明
　本件補正後の請求項１２に係る発明は、平成２４年１月５日付けの手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、次のとおりのものであると認められる。
　
「基板内に第１の方向に整列した複数の光電変換領域を含む一つの第１のアクティブ領域と；
　前記第１の方向に延在され、前記第１のアクティブ領域と少なくとも一つの非アクティブ領域で離隔され長く伸びた一つの第２のアクティブ領域を含む複数の単位アクティブピクセルの一つのアレイを含むアクティブピクセルアレイと；を含み、
　前記アクティブ領域は、前記アレイの前記光電変換領域上に設けられ前記光電変換領域に入射される光をフォーカシングしてフィルタリングするマイクロレンズの形状と対応する多面の多角形外郭部を有するアクティブ部を備える
　ことを特徴とするイメージセンサー。」
　
（２）引用例
　ア．引用例の記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用された特開平１１−３１２８００号公報（以下「引用例１」という。）には、名称を「撮像装置」とする発明について次のことが記載されている。
　
（ア）【発明の属する技術分野】
　本発明は画像を撮像する撮像装置、例えばＡＰＳ（Active Pixel Sensor）を有する撮像装置に関するものである。（段落【０００１】）
　
（イ）【実施例】
  以下、本発明の実施例について図面を用いて詳細に説明する。
（第１の実施例）図２に本発明の一実施例である撮像装置のシステムブロック図を示す。同図に示すように、光学系２１を通って入射した画像光はＣＭＯＳセンサー２２上に結像する。ＣＭＯＳセンサー２２上に配置されている画素アレーによって、光情報は電気信号へと変換される。その電気信号は信号処理回路２３によって予め決められた方法によって信号変換、処理され、出力される。信号処理された信号は、記録系・通信系２４により情報記録装置により記録、あるいは情報転送される。記録あるいは転送された信号は再生系２７により再生される。ＣＭＯＳセンサー２２、信号処理回路２３はタイミング制御回路２５により制御され、光学系２１、タイミング制御回路２５、記録系・通信系２４、再生系２７はシステムコントロール回路２６により制御される。
　図３に上記ＣＭＯＳセンサーの一画素分の回路構成図を示す。図３において、ａ11，ａ12は光電変換部となるホトダイオード、ＭTX1，ＭTX2はホトダイオードａ11，ａ12に蓄積された信号電荷をフローティングディフュージョン（以下、ＦＤと記す。）に転送する転送用ＭＯＳトランジスタ、ＭRESはＦＤをリセットするリセット用ＭＯＳトランジスタ、ＭSF，ＭSELはソースフォロア回路を構成するＭＯＳトランジスタであり、ＭSELは画素を選択する選択スイッチとなっている。（段落【００３２】、【００３３】）
　
（ウ）図４に本実施例のＣＭＯＳセンサーの画素アレー部の具体的なパターンレイアウト図を示す。図５は図４の配線の一部を除去した図である。
　図４に示すＣＭＯＳセンサーは単結晶シリコン基板上にレイアウトルール０．４μｍによって形成されており、画素の大きさは８μｍ角であり、増幅手段であるソースフォロワーアンプは縦方向の２画素で共有されている。従って、図中点線領域で示した繰返し単位セル３１の大きさは８μｍ×１６μｍ角であり、２次元アレーが形成されている。
　光電変換素子であるホトダイオード３２ａ，３２ｂは各画素の右側（図中の右側）に形成されており、その形状は上下でほぼ同一である。また光を感知する領域の重心ｇは各画素に対して同一になるように設計されている。なお、理解の容易化のために図５においてはホトダイオード３２ａ，３２ｂの領域、およびＦＤ３５の領域を太線で示している。図４において、３８は奇数行転送ゲート３３を制御する奇数行走査線、３９は偶数行転送ゲート３４を制御する偶数行走査線、４０は行選択線、４２はＭＯＳゲート４３を制御するリセット線である。なお図５ではこれらの配線３８〜４２は除かれて示されている。
　ホトダイオード３２ａ，３２ｂ中に蓄積された信号電荷は奇数行転送ゲート３３、あるいは偶数行転送ゲート３４を通ってＦＤ３５に導かれる。両ゲート３３，３４のＭＯＳサイズはＬ＝０．４μｍ、Ｗ＝１．０μｍ（Ｌはチャネル長、Ｗはチャネル幅を示す。）である。ＦＤ３５は幅０．４μｍのＡｌ配線によってソースフォロワーの入力ゲート３６に接続されており、ＦＤ３５に転送された信号電荷は入力ゲート３５の電圧を変調させる。入力ゲート３６のＭＯＳの大きさはＬ＝０．８μｍ、Ｗ＝１．０μｍであり、ＦＤ３５と入力ゲート３６の容量の和は５ｆＦ程度である。Ｑ＝ＣＶであるから、１０5 個の電子の蓄積によって入力ゲート３６の電圧は、３．２Ｖ変化することになる。
　ＶDD端子４１から流れ込む電流は入力ゲート３６によって変調され、垂直信号線３７に流出する。垂直信号線３７に流出する電流は図示しない信号処理回路によって、信号処理され、最終的には画像情報となる。
　その後、ホトダイオード３２ａ，３２ｂ、ＦＤ３５、入力ゲート３６の電位を所定の値のＶＤＤとするために、リセット線４２に接続されたＭＯＳゲート４３を開くことで（このとき、奇数行転送ゲート３３、偶数行転送ゲート３４も開く）、ホトダイオード３２ａ，３２ｂ、ＦＤ３５、入力ゲート３６はＶＤＤ端子とショートされる。
　その後、奇数行転送ゲート３３，偶数行転送ゲート３４を閉じることで、ホトダイオード３２ａ，３２ｂの電荷蓄積が再び始まる。
　ここで注目すべきは水平方向に貫通する配線の総数Ｎは、奇数行走査線３８、偶数行走査線３９、行選択線４０、リセット線４２の合計Ｎ＝４であり、上下画素に各２本毎分配されている点である。
　前述の通り、画素間の配線は上方に存在する太い配線であるため、その本数の増加は徒らに不感領域を増大させ、開口面積を低下させる。また、上方に２本、下方に３本といった通し方は、ホトダイオードの開口大きさ及び重心位置を上下で不一致にする恐れがある。
　本実施例ではこれを避けるために、最上層にある金属遮光層とスルーホール４１にて画素中で接続することによって、ＶDD電源を確保している。（段落【００３４】ないし【００４３】）
　
（エ）本実施例によれば画素ピッチが等しい比較的高面積率、高開口率なＣＭＯＳセンサーを提供することができる。
　なお、本実施例における面積率、開口率は例えば公知のオンチップ凸レンズ等の技術を用いて更に向上させることができる。
　また本実施例に用いたＶＤＤ電源供給用の金属層は遮光膜である必要はなく、画素全体に渡る、例えば容量形成用の一方の電極等でも良い。（段落【００４４】ないし【００４６】）
　
　イ．引用例１に記載された発明
（ａ）上記（ア）ないし（エ）の記載によれば、引用例１には、画像を撮像する撮像装置におけるＣＭＯＳセンサーが記載されている。
　
（ｂ）上記（イ）、（ウ）、図４、５の記載によれば、引用例１に記載されたＣＭＯＳセンサーは、
　単結晶シリコン基板上に形成されており、画素の大きさは８μｍ角であり、増幅手段であるソースフォロワーアンプは縦方向の２画素で共有され、繰返し単位セル３１の大きさは８μｍ×１６μｍ角で、２次元アレーが形成されており、
前記繰返し単位セル３１である２次元アレーには、
光電変換素子であるホトダイオード３２ａ，３２ｂが各画素の右側に形成されており、その形状は上下でほぼ同一であり、また、ホトダイオード３２ａ，３２ｂの左部には奇数行転送ゲート３３、偶数行転送ゲート３４、フローティングディフュージョンＦＤ３５、ＭＯＳゲート４３が形成されており、
前記ホトダイオード３２ａ，３２ｂ中に蓄積された信号電荷は奇数行転送ゲート３３、あるいは偶数行転送ゲート３４を通ってフローティングディフュージョンＦＤ３５に導かれる。
　
（ｃ）上記（イ）、（ウ）、図４、５の記載によれば、引用例１に記載されたＣＭＯＳセンサーは、
　前記ホトダイオード３２ａ，３２ｂ、奇数行転送ゲート３３、偶数行転送ゲート３４、フローティングディフュージョンＦＤ３５、ＭＯＳゲート４３が形成されている領域とは別の領域で、前記繰返し単位セル３１である２次元アレーの左下部領域に、入力ゲート３６、その縦方向上下部にそれぞれ端子が形成されており、
前記フローティングディフュージョンＦＤ３５は幅０．４μｍのＡｌ配線によってソースフォロワーの入力ゲート３６に接続され、
前記入力ゲート３６は、その上部の端子を介してＶＤＤ端子４１に接続され、ＶＤＤ端子４１から流れ込む電流は入力ゲート３６によって変調され、入力ゲート３６の下部に形成された端子を介して垂直信号線３７に流出し、
その後、リセット線４２に接続された前記ＭＯＳゲート４３を開くことで、ホトダイオード３２ａ，３２ｂ、ＦＤ３５、入力ゲート３６はＶＤＤ端子とショートされる。
　
（ｄ）まとめ
　上記（ａ）ないし（ｃ）によれば、引用例１に記載された発明（以下「引用発明」という。）として、以下のとおりのものを認定することができる。
　
「画像を撮像する撮像装置におけるＣＭＯＳセンサーであって、
　前記ＣＭＯＳセンサーは、
　単結晶シリコン基板上に形成され、画素の大きさは８μｍ角であり、増幅手段であるソースフォロワーアンプは縦方向の２画素で共有され、繰返し単位セル３１の大きさは８μｍ×１６μｍ角で、２次元アレーが形成されており、
　前記繰返し単位セル３１である２次元アレーには、
　光電変換素子であるホトダイオード３２ａ，３２ｂが各画素の右側に形成されており、その形状は上下でほぼ同一であり、また、ホトダイオード３２ａ，３２ｂの左部には奇数行転送ゲート３３、偶数行転送ゲート３４、フローティングディフュージョンＦＤ３５、ＭＯＳゲート４３が形成されており、
前記ホトダイオード３２ａ，３２ｂ中に蓄積された信号電荷は奇数行転送ゲート３３、あるいは偶数行転送ゲート３４を通ってフローティングディフュージョンＦＤ３５に導かれ、
　前記ホトダイオード３２ａ，３２ｂ、奇数行転送ゲート３３、偶数行転送ゲート３４、フローティングディフュージョンＦＤ３５、ＭＯＳゲート４３が形成されている領域とは別の領域で、前記繰返し単位セル３１である２次元アレーの左下部領域には、入力ゲート３６、その縦方向上下部にそれぞれ端子が形成されており、
前記フローティングディフュージョンＦＤ３５は幅０．４μｍのＡｌ配線によってソースフォロワーの入力ゲート３６に接続され、
前記入力ゲート３６は、その上部の端子を介してＶＤＤ端子４１に接続され、ＶＤＤ端子４１から流れ込む電流は入力ゲート３６によって変調され、入力ゲート３６の下部に形成された端子を介して垂直信号線３７に流出し、
その後、リセット線４２に接続された前記ＭＯＳゲート４３を開くことで、ホトダイオード３２ａ，３２ｂ、ＦＤ３５、入力ゲート３６はＶＤＤ端子とショートされる
　ＣＭＯＳセンサー。」
　
（３）対比
　そこで、補正発明と引用発明とを対比すると次のことが認められる。
　ア．補正発明は、イメージセンサーに係るものであるところ、引用発明のＣＭＯＳセンサーも、画像を撮像する撮像装置におけるＣＭＯＳセンサーであることから、引用発明は、補正発明と同様に「イメージセンサー」に係るものであるといえる。
　
　イ．補正発明でいう「基板内に第１の方向に整列した複数の光電変換領域を含む一つの第１のアクティブ領域」とは、明細書の記載（段落【００２８】ないし【００３５】）、及び図４の記載からすると、半導体基板の表面に設けられたアクティブ領域パターンＡ１で示される領域であって、第１の方向である垂直方向に整列した二つの光電変換素子領域（ＰＤ１、ＰＤ２）と、フローティングディフュージョン領域（ＦＤ）と、伝達ゲート（ＴＧ１、ＴＦ２）、及びリセットゲート（ＲＧ）を含む領域であることが明らかであるところ、
引用発明のＣＭＯＳセンサーも、単結晶シリコン基板上に形成された繰返し単位セル３１である２次元アレーには、光電変換素子であるホトダイオード３２ａ，３２ｂが各画素の右側に、縦方向の上下に形成されており、その形状は上下でほぼ同一であり、また、当該ホトダイオード３２ａ，３２ｂの左部には奇数行転送ゲート３３、偶数行転送ゲート３４、フローティングディフュージョンＦＤ３５、ＭＯＳゲート４３が形成されており、
前記縦方向の上下に形成された光電変換素子であるホトダイオード３２ａ，３２ｂは、縦方向（第１の方向）に整列した２つの光電変換領域といえるものであり、
また、前記ホトダイオード３２ａ，３２ｂ、奇数行転送ゲート３３、偶数行転送ゲート３４、フローティングディフュージョンＦＤ３５、ＭＯＳゲート４３の各アクティブ素子が形成されている領域は、一つのアクティブ領域ととらえることができることから、引用発明は、補正発明と同様、「基板内に第１の方向に整列した複数の光電変換領域を含む一つの第１のアクティブ領域」を備えているといえる。
　
　ウ．補正発明でいう「前記第１の方向に延在され、前記第１のアクティブ領域と少なくとも一つの非アクティブ領域で離隔され長く伸びた一つの第２のアクティブ領域」とは、明細書の記載（段落【００２８】ないし【００３５】）、及び図４の記載からすると、半導体基板の表面に設けられたアクティブ領域パターンＡ２で示される領域であって、第１の方向である垂直方向に長く伸び、第１のアクティブ領域パターンの下部コーナーに隣接して非アクティブ領域で離隔された領域であり、行選択ゲート（ＲＳＧ）とソースフォロワーゲート（ＳＦＧ）を含む領域であり、
また、補正発明でいう、基板内に第１の方向に整列した複数の光電変換領域を含む一つの第１のアクティブ領域と；前記第１の方向に延在され、前記第１のアクティブ領域と少なくとも一つの非アクティブ領域で離隔され長く伸びた一つの第２のアクティブ領域を含む複数の「単位アクティブピクセルの一つのアレイを含むアクティブピクセルアレイ」とは、明細書の記載（段落【００２２】ないし【００３５】）、及び図４の記載からすると、光電変換素子対とそれに共有される読み出し回路を備える単位アクティブピクセル（Ｐ）が複数行列に配列されたものであることが明らかであるところ、
引用発明のＣＭＯＳセンサーも、単結晶シリコン基板上に形成された繰返し単位セル３１である２次元アレーには、ホトダイオード３２ａ，３２ｂ、奇数行転送ゲート３３、偶数行転送ゲート３４、フローティングディフュージョンＦＤ３５、ＭＯＳゲート４３が形成されている領域とは別の領域で、前記単位セル３１の左下部領域に、ソースフォロワーの入力ゲート３６、その縦方向上下部にそれぞれ端子が形成されており、
前記ソースフォロワーの入力ゲート３６のアクティブ素子とその縦方向上下部に端子が形成されている領域は、１つのアクティブ領域ととらえることができ、また、当該領域は、縦方向（第１の方向）に延在され、ホトダイオード３２ａ，３２ｂ、奇数行転送ゲート３３、偶数行転送ゲート３４、フローティングディフュージョンＦＤ３５、ＭＯＳゲート４３が形成されている領域と離隔され長く伸びた領域であるということができ、また、前記単位セル３１が、補正発明の単位アクティブピクセルに、前記２次元アレーが、補正発明でいうアクティブピクセルアレイに対応するものといえることから、
補正発明と引用発明とは、ともに、「前記第１の方向に延在され、前記第１のアクティブ領域と離隔され長く伸びた一つの第２のアクティブ領域を含」み、さらに、補正発明と引用発明とは、ともに、「基板内に第１の方向に整列した複数の光電変換領域を含む一つの第１のアクティブ領域と；前記第１の方向に延在され、前記第１のアクティブ領域と離隔され長く伸びた一つの第２のアクティブ領域を含む複数の単位アクティブピクセルの一つのアレイを含むアクティブピクセルアレイ」を含むといえる。
　しかしながら、上記第１の方向に延在され、前記第１のアクティブ領域と離隔され長く伸びた一つの第２のアクティブ領域が、補正発明では、「少なくとも一つの非アクティブ領域で離隔され」ているのに対し、引用発明では、少なくとも一つの非アクティブ領域で隔離されているとはしていない点で相違する。
　
　エ．補正発明では、「前記アクティブ領域は、前記アレイの前記光電変換領域上に設けられ前記光電変換領域に入射される光をフォーカシングしてフィルタリングするマイクロレンズの形状と対応する多面の多角形外郭部を有するアクティブ部を備える」のに対し、引用発明では、前記アクティブ領域が、そのようなアクティブ部を備えるとはしていない点で相違する。
　
　以上の対比結果によれば、補正発明と引用発明との一致点、相違点は次のとおりであることが認められる。
【一致点】
「基板内に第１の方向に整列した複数の光電変換領域を含む一つの第１のアクティブ領域と；
　前記第１の方向に延在され、前記第１のアクティブ領域と離隔され長く伸びた一つの第２のアクティブ領域を含む複数の単位アクティブピクセルの一つのアレイを含むアクティブピクセルアレイと；を含む
　ことを特徴とするイメージセンサー。」
　
【相違点】
［相違点１］
　上記第１の方向に延在され、前記第１のアクティブ領域と離隔され長く伸びた一つの第２のアクティブ領域が、補正発明では、「少なくとも一つの非アクティブ領域で離隔され」ているのに対し、引用発明では、少なくとも一つの非アクティブ領域で離隔されているとはしていない点。
　
［相違点２］
　補正発明では、「前記アクティブ領域は、前記アレイの前記光電変換領域上に設けられ前記光電変換領域に入射される光をフォーカシングしてフィルタリングするマイクロレンズの形状と対応する多面の多角形外郭部を有するアクティブ部を備える」のに対し、引用発明では、前記アクティブ領域が、そのようなアクティブ部を備えるとはしていない点。
　
（４）判断
　そこで、以下、上記相違点１、２について検討する。
　相違点１について
　引用発明では、上記引用発明の記載のとおり、単結晶シリコン基板上に形成された繰返し単位セル３１である２次元アレーには、ホトダイオード３２ａ，３２ｂ、奇数行転送ゲート３３、偶数行転送ゲート３４、フローティングディフュージョンＦＤ３５、ＭＯＳゲート４３が形成されている領域とは別の領域で、当該領域と離隔されて、ソースフォロワーの入力ゲート３６、その縦方向上下部にそれぞれ端子が形成されているところ、
引用発明が対象とするような撮像装置におけるＣＭＯＳセンサーにおいて、基板上に形成する素子等間をＬＯＣＯＳ（ｌｏｃａｌ　ｏｘｉｄａｔｉｏｎ　ｏｆ　ｓｉｌｉｃｏｎ）領域のような非アクティブ領域で離隔することは、特に例示するまでもなく当業者においては周知の事項であることからすると、引用発明における、ソースフォロワーの入力ゲート３６、その縦方向上下部にそれぞれ端子が形成されている領域を、ホトダイオード３２ａ，３２ｂ、奇数行転送ゲート３３、偶数行転送ゲート３４、フローティングディフュージョンＦＤ３５、ＭＯＳゲート４３が形成されている領域と離隔するに当たって、上記周知の事項を適用して、ＬＯＣＯＳ領域のような非アクティブ領域で離隔するように構成することは、当業者が容易に想到し得たものである。
　
　相違点２について
　固体撮像装置のイメージセンサにおいて、受光部（光電変換部）における集光効率を向上させ、感度の向上を図るために、受光素子（光電変換素子）上にマイクロレンズを形成することや前記受光素子の形状と前記マイクロレンズの形状とを対応する多角形形状とすることは、例えば、特開２００１−１１１０２５号公報（段落【０２３８】ないし【０２４０】等）、特開２０００−１２５３１１号公報（段落【００３４】ないし【００４０】等）、特開平７−７４３３２号公報（段落【００２６】、【００２７】、【００３４】ないし【００３７】等）等に開示されるように周知の事項であり、また、引用発明に係る撮像装置におけるＣＭＯＳセンサーにおいても、光電変換素子における集光効率を向上させ、感度の向上を図ろうとすることは、当業者において普通に想定されることであることから、上記の周知の事項を撮像装置のイメージセンサーとして変わりがない引用発明に適用し、光電変換素子であるホトダイオード３２ａ，３２ｂ（補正発明でいうアクティブ領域における光電変換領域）上に光電変換素子に入射される光をフォーカシングしてフィルタリングするマイクロレンズを設けるとともに、当該マイクロレンズの形状と光電変換素子（補正発明でいうアクティブ部）の形状を対応した多角形形状とすることは当業者が容易に想到し得たものである。
　また、補正発明では、アクティブ部が「多面の多角形外角部を有する」としている点に関して、当該事項がアクティブ部の深さ方向の厚みを考慮して、アクティブ部が多面体を構成していることをいうものと解釈できるが、アクティブ部（光電変換領域）が基板の深さ方向の厚みを有することは明らかである（例えば、上記特開平７−７４３３２号公報の記載等参照）ことから、引用発明に係る撮像装置のＣＭＯＳセンサーにおいてホトダイオード３２ａ，３２ｂ（補正発明でいうアクティブ領域における光電変換領域）をマイクロレンズの形状と対応させた多角形形状とした際にも、基板の深さ方向の厚みを考慮すると、ホトダイオード３２ａ，３２ｂは「多面の多角形外角部を有する」ものとなることは明らかである。
　よって、上記相違点２に係る補正発明の構成は、当業者が容易に想到し得たものといえる。
　
　また、補正発明の効果についてみても、上記構成の採用に伴って当然に予測される程度のものにすぎず、格別顕著なものがあるとは認められない。
　
　したがって、補正発明は、引用例１に記載された発明及び周知の事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
（５）むすび
　以上のとおり、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであり、特許法第１５９条第１項で読み替えて準用する特許法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
第３　本願発明について
　平成２４年１月５日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし２９に係る発明は、平成２３年９月１２日付け手続補正書により補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１ないし２９に記載されたとおりのものであるところ、請求項１２に係る発明（以下「本願発明」という。）は次のとおりのものである。
「基板内に第１の方向に整列した複数の光電変換領域を含む一つの第１のアクティブ領域と；
　前記第１の方向に延在され、前記第１のアクティブ領域と少なくとも一つの非アクティブ領域で離隔され長く伸びた一つの第２のアクティブ領域を含む複数の単位アクティブピクセルの一つのアレイを含むアクティブピクセルアレイと；を含む
　ことを特徴とするイメージセンサー。」
　
１．引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例１及びその記載事項は、前記「第２　３．（２）ア．」に記載したとおりであり、引用例１に記載された発明として、前記「第２　３．（２）イ．」の「引用発明」を認定することができる。
　
２．対比
　本願発明と引用発明との対比として、「前記アクティブ領域は、前記アレイの前記光電変換領域上に設けられ前記光電変換領域に入射される光をフォーカシングしてフィルタリングするマイクロレンズの形状と対応する多面の多角形外郭部を有するアクティブ部を備える」点を除き、前記「第２　３．（３）」の対比を援用する。
　そうすると、本願発明と引用発明とは、
［一致点］
「基板内に第１の方向に整列した複数の光電変換領域を含む一つの第１のアクティブ領域と；
　前記第１の方向に延在され、前記第１のアクティブ領域と離隔され長く伸びた一つの第２のアクティブ領域を含む複数の単位アクティブピクセルの一つのアレイを含むアクティブピクセルアレイと；を含む
　ことを特徴とするイメージセンサー。」
　
［相違点］
　上記第１の方向に延在され、前記第１のアクティブ領域と離隔され長く伸びた一つの第２のアクティブ領域が、補正発明では、「少なくとも一つの非アクティブ領域で離隔され」ているのに対し、引用発明では、少なくとも一つの非アクティブ領域で離隔されているとはしていない点。
　
３．判断
　上記相違点についての判断は、前記「第２　３．（４）」の相違点１についての判断と同様である。
　また、本願発明の効果についてみても、上記構成の採用に伴って当然に予測される程度のものにすぎず、格別顕著なものがあるとは認められない。
　したがって、本願発明は、引用例１に記載された発明及び周知の事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４．むすび
　以上のとおり、本願の請求項１２に係る発明は、引用例１に記載された発明及び周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本願の他の請求項について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。