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　特願２００４−５２０２９５「車両のオールタネータ用アクティブ整流器モジュール」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　１月２２日国際公開，ＷＯ２００４／００８６１８，平成１７年１０月２７日国内公表，特表２００５−５３２７７６〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は，２００３年４月１６日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００２年７月１０日，ドイツ国）を国際出願日とする出願であって，平成２１年８月７日付けで拒絶査定がなされ，同年１２月１０日に拒絶査定不服審判の請求がなされ，平成２３年７月２０日付けで当審の拒絶理由が通知され，同年１１月２５日付けで意見書及び手続補正書が提出されたものである。
　
２．本願発明
　本願の請求項１に係る発明（以下，「本願発明」という。）は，平成２３年１１月２５日付けの手続補正書によって補正された明細書及び図面の記載からみて，特許請求の範囲の請求項１に記載された次の事項により特定されるとおりのものと認められる。
「交流から直流に整流するための整流器であって，
　オールタネータが３相固定子巻線（９）を有しておりかつ該固定子巻線（９）の相（１０，１１，１２）が電力部（８）内のスイッチングエレメント（１５．１，１５．２；１６．１，１６．２；１７．１，１７．２）を介して制御され，電力部は，レギュレータモジュール（３，５５）を有している制御部（２）を介して制御される形式のものにおいて，
　整流器（１）は制御接続端子（３０）を備えている制御部（２）（コントロールモジュール）と該制御部とは空間的に別個に配置されている別個の電力部（８）（パワーモジュール）とから成っており，該電力部において電力を導くすべての素子（１５．１，１５．２；１６．１，１６．２；１７．１，１７．２）がパワーＭＯＳ素子（２８）として実現されていて，スタック構造体（２０）に集積されており，
　電力部（８）（パワーモジュール）のスタック構造体（２０）は，間にパワーＭＯＳ素子（２８）を両面側のコンタクト形成部（２９）を介して収容している第１の基板（２５）および第２の基板（２７）と，冷却エレメント（２３，２４）とを有しており，
　前記制御部（２）は前記電力部（８）の上に配置されている
ことを特徴とする整流器。」
　
３．引用例
　当審の拒絶理由に引用した，特開平８−３０８１４０号公報（以下，「引用例」という。）には，図面と共に次の事項が記載されている。
　
　・「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は，車両用交流発電機の出力制御装置に関する。本発明は，エンジンにより駆動される発電機いわゆるオルタネータの他，モータ機能を兼ね備えた発電機にも適用される。」
　
　・「【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の第１の構成は，車両用交流発電機の各相の電機子巻線の出力端と高位直流出力端とを個別に接続する半導体スイッチング素子である複数のハイサイドスイッチ並びに前記各相の電機子巻線の出力端と低位直流出力端とを個別に接続する半導体スイッチング素子である複数のローサイドスイッチを有するとともに前記発電機の発電電圧を整流してバッテリに印加する交直電力変換手段と，半導体スイッチング素子を有するとともに前記車両用交流発電機の界磁巻線に通電する界磁電流を断続する界磁電流制御手段と，半導体集積回路を有するとともに前記両手段の半導体スイッチング素子の少なくとも一方を制御して前記バッテリの電圧を所定値に保つ電圧制御手段とを備える車両用発電機の出力制御装置において，前記交直電力変換手段と前記界磁電流制御手段との間の熱抵抗は，前記交直電力変換手段と前記電圧制御手段との間の熱抵抗，並びに，前記界磁電流制御手段と前記電圧制御手段との間の熱抵抗に対して小さく設定されることを特徴とする車両用発電機の出力制御装置である。
【００１１】本発明の第２の構成は，上記第１の構成において更に，前記交直電力変換手段，前記界磁電流制御手段及び前記電圧制御手段が，前記車両用交流発電機のハウジングに固定されることを特徴としている。・・・
【００１２】本発明の第４の構成は，上記第２の構成において更に，前記交直電力変換手段，界磁電流制御手段が電力用パッケージに収容され，前記電圧制御手段は前記電力用パッケージと異なる制御用パッケージに収容されることを特徴としている。」
　
　・「【００２５】
【作用及び発明の効果】本発明の第１の構成における車両用発電機の出力制御装置において，交直電力変換手段の半導体スイッチング素子は発電電圧の全波整流を行い，界磁電流制御手段の半導体スイッチング素子は界磁電流を断続し，電圧制御手段の半導体集積回路は上記半導体スイッチング素子を制御してバッテリの電圧を所定値に保つ。」
　
　・「【００２８】更に，交直電力変換手段及び界磁電流制御手段の近接配置が可能となるので，配設作業におけるスペース取りが簡単となり，電圧制御手段とこれら両手段との配線も容易となる。結局，電圧制御手段の精度低下を抑止しつつ交直電力変換手段及び界磁電流制御手段の冷却が簡単となり，これにより冷却機構の大型化やファン駆動動力の増大を回避し，発電機の大出力化や発電機の小型軽量化が実現する。
【００２９】本発明の第２の構成では，上記第１の構成において更に，交直電力変換手段，界磁電流制御手段及び電圧制御手段を，車両用交流発電機のハウジングに固定するので，ハウジングを放熱先又はヒートシンクとして利用することができる。本発明の第４の構成では，上記第２の構成において更に，交直電力変換手段及び界磁電流制御手段と電圧制御手段とを互いに別のパッケージに収容するので，パッケージ数をいたずらに増やすことなく簡単に上記第１の構成の熱抵抗関係を実現することができる。」
　
　・「【００４７】
【実施例】
（実施例１）本発明の一実施例を図１を参照して説明する。車両用発電機の出力制御装置１は，三相全波整流器（交直電力変換手段）２，コントローラ（電圧制御手段）４，界磁電流制御スイッチ（界磁電流制御手段）３，ダイオード９から構成されている。車両用同期発電機の電機子巻線５から出力された３相交流電圧はそれぞれ，出力端Ｘ，Ｙ，Ｚから三相全波整流器２の交流入力端に印加され，三相全波整流器２で整流されて高位直流出力端Ｂからバッテリ７及び電気負荷８に給電される。高位直流出力端Ｂはソースホロワ接続のＮチャンネルＭＯＳＦＥＴからなる界磁電流制御スイッチ３を通じて界磁巻線に界磁電流を給電し，コントローラ４は，三相全波整流器２及び界磁電流制御スイッチ３の動作を制御してバッテリ７の電位を所定レベルに維持する。９はイグニッションスイッチである。
【００４８】三相全波整流器２は，電機子巻線５の出力端Ｘ，Ｙ，Ｚと高位直流出力端Ｂとを個別に接続するＮチャンネルＭＯＳＦＥＴからなるハイサイドスイッチ２ａ〜２ｃと，電機子巻線５の出力端Ｘ，Ｙ，Ｚと低位直流出力端Ｅとを個別に接続するＮチャンネルＭＯＳＦＥＴからなるローサイドスイッチ２ｄ〜２ｆとからなるインバータ回路からなる。ＭＯＳＦＥＴ２ａ〜２ｆは，コントローラ４により断続制御されて整流を行う。すなわち，コントローラ４は，電機子巻線間の電圧とバッテリ電圧とを比較した結果に基づいてＭＯＳＦＥＴ２ａ〜２ｆの断続制御を行う。詳しく説明すれば，Ｘ−Ｙ間の相間電圧がバッテリ電圧より高ければ，ＭＯＳＦＥＴ２ａ，２ｅをオンする。この時，電流は，ＭＯＳＦＥＴ２ａのチャンネル領域及び寄生ダイオード２ａｄを通じて，バッテリ７，ＭＯＳＦＥＴ２ｅの順に流れる。同様に，Ｙ−Ｚ間の相間電圧がバッテリ電圧より高ければ，ＭＯＳＦＥＴ２ｂ，２ｆをオンし，Ｚ−Ｘ間の相間電圧がバッテリ電圧より高ければ，ＭＯＳＦＥＴ２ｃ，２ｂをオンし，整流及びバッテリ充電がなされる。このような制御自体は平易であり，マイコン構成のコントローラ４により容易に行えるので，そのフローチャートの図示は省略する。上記ＭＯＳＦＥＴ２ａ〜２ｆ，３は単結晶ＳｉＣを素材とするエンハンスメント形式のＭＯＳＦＥＴで構成されている。
【００４９】・・・
【００５０】・・・
【００５１】・・・
【００５２】フレーム１００及び２００の内周にはステータコア３００が固定され，ステータコア３００には三相の電機子巻線５が巻装されている。フレーム１００及び２００に固定されたベアリング１３０及び１４０はシャフト９００を回転自在に支持しており，シャフト９００にはステータコア３００の内周に位置してロータコア６００が固定されている。ロータコア６００には界磁巻線６が巻装されており，ポールコア７００，８００の両端面には冷却風を生起させる冷却ファン１１０，１２０が配設されている。また，リアフレーム２００の外端面には出力制御装置１が固定され，冷却ファン１１０，１２０の冷却風により冷却されている。
【００５３】出力制御装置１の正面外観を図３に示し，その縦断面を図４に示す。この出力制御装置１は，図１に示す三相全波整流器２と，界磁電流制御スイッチ３と，コントローラ４と，フライホイルダイオード９とを同一のパッケージに収容したものである。ただし，三相全波整流器２は図３ではそのＭＯＳＦＥＴ２ａ〜２ｆだけが示され，それらの接続は回路基板１ａ上にてなされている。また，フライホイルダイオード９は小さいので図示を省略している。
【００５４】ＭＯＳＦＥＴ２ａ〜２ｆ，界磁電流制御スイッチ３及びコントローラ４はそれぞれ１チップ構成とされて回路基板１０上に個別に固定されている。図１に示す出力制御装置１内の内部配線（図示せず）は回路基板１０上に配設され，上記各チップ上のコンタクト電極（図示せず）はボンディングワイヤ１２で上記内部配線に接続されるとともに，チップの基板部も上記内部配線に導電可能に接着されている。
【００５５】回路基板１０は，図３に示すように，パワー部用基板部１ａと，制御部用基板部１ｂと，両者を接続する複数の細幅基板部１ｃとからなり，パワー部用基板部１ａ上にはＭＯＳＦＥＴ２ａ〜２ｆ及び界磁電流制御スイッチ３が固定され，制御部用基板部１ｂ上にはコントローラ４が固定され，細幅基板部１ｃ上にはＭＯＳＦＥＴ２ａ〜２ｆ及び界磁電流制御スイッチ３とコントローラ４とを接続する信号線Ｌ１〜Ｌ１０（図１参照）が配設されている。
【００５６】・・・
【００５７】パワー部用基板部１ａのチップ搭載面の裏面には電気絶縁用の薄い樹脂板２３を介してアルミニウム厚板からなる放熱板２２が接着されており，ボルト状のＢ端子（Ｂとして図示）は樹脂板２３及び放熱板２２の穴を貫通してり，パワー部用基板部１ａの裏面のコンタクト導体層にはんだ付けされている。Ｂ端子は図１に示すようにＭＯＳＦＥＴ（ハイサイドスイッチ）２ａ〜２ｃのソース電極及び界磁電流制御スイッチ３のドレイン電極に接続されている。放熱板２２は本実施例では，Ｂ端子に電気的に接続されているが，両者を電気絶縁することも当然可能である。放熱板２２は図示しない放熱フィンを通じて空気流により冷却される。
【００５８】回路基板１０，各チップ２ａ〜２ｆ，３，４，樹脂板２３，放熱板２２及びＢ端子は樹脂モールドにより形成された樹脂パッケージ２０により囲覆され，一体化されている。樹脂パッケージ２０には，交流端子２６〜２８及び３本のコネクタ端子２９が固定されており，交流端子２６はＭＯＳＦＥＴ２ａ，２ｄの接続点に接続され，交流端子２７はＭＯＳＦＥＴ２ｂ，２ｅの接続点に接続され，交流端子２８はＭＯＳＦＥＴ２ｃ，２ｆの接続点に接続されている。３本のコネクタ端子２９は樹脂パッケージ２０の一部をなすコネクタの開口内に突出しており，これら３本のコネクタ端子２９は端子Ｌ，ＩＧ，Ｓをなす。なお，図３及び図４において，接地端子Ｅ，Ｅ’及び界磁電流出力端子Ｆの図示は省略されている。
【００５９】・・・
【００６０】・・・
【００６１】・・・
【００６２】・・・
【００６３】その他，図３ではパワー部用基板部１ａと制御部用基板部１ｂとは細幅基板部１ｃで接続したが，パワー部用基板部１ａと制御部用基板部１ｂとを別基板とし，両者を例えば導体線（好ましくは，ボンディングワイヤやリード）で形成された信号線Ｌ１〜Ｌ１０で接続することも可能であり，このようにすれば回路基板１０を通じての伝熱を防止することもできる。なお，上記ボンディングワイヤからなる信号線Ｌ１〜Ｌ１０は，チップのコンタクト電極をワイヤボンディングする工程で同時に施工することができ，簡単である。また，図３では，パッケージ２０は樹脂モールドにより形成したが，通常採用される各種実装方式，パッケージ方式を採用することができる。更に，三相全波整流器２及び界磁電流制御スイッチ３として，ＩＧＢＴやバイポーラトランジスタを用いても同様の効果があり，三相全波整流器２としてダイオードを用いることも可能であり，この場合にはコントローラ４は界磁電流制御スイッチ３だけを制御すればよい。また更に，ＭＯＳＦＥＴ２ａ〜２ｆ及び界磁電流制御スイッチ３は，Ｓｉ−ＭＯＳＦＥＴの代わりに，より高温で動作が可能でしかも耐圧が大きく損失が小さいＳｉＣ−ＭＯＳＦＥＴを採用すれば，より一層発熱を低減することができる。」
　
　・「（実施例２）実施例２を図８を参照して説明する。
【００６８】この実施例では，三相全波整流器２及び界磁電流制御スイッチ３をパッケージ２０ａに収容し，コントローラ４をパッケージ２０ｂに収容し，両者をケーブルＬ１００で接続したものである。ケーブルＬ１００には，図１に示す信号線Ｌ１〜Ｌ１０が収容されている。パッケージ２０ａは図３におけるパワー部用基板部１ａを収容し，パッケージ２０ｂは図３における制御部用基板部１ｂを収容しており，細幅基板部１ｃは省略されており，その他の細部は図３，図４と同様であるので，説明を省略する。
【００６９】このようにすれば，実施例１の１個のパッケージ２０に収容する場合より部品点数は増大するものの三相全波整流器２及び界磁電流制御スイッチ３からコントローラ４への伝熱を実施例１よりも一層低減できるとともに，三相全波整流器２及び界磁電流制御スイッチ３の放熱系（放熱経路）の共用化により三相全波整流器２及び界磁電流制御スイッチ３の最高温度の低下を実現することができる。
【００７０】なお，この実施例では，コントローラ４はリードフレーム（図示せず）とともにパッケージ２０ｂでモールドされており，各リードフレームの外端とケーブルＬ１００及びコネクタ２１が接続されている。更に，コントローラ４は発電機に固定されず，車体（図示せず）に固定されている。このようにすれば，コントローラ４の温度を一層低減することができる。また，大電流を発電機と授受する三相全波整流器２及び界磁電流制御スイッチ３は発電機に固定されており，発電機と三相全波整流器２及び界磁電流制御スイッチ３との間の配線抵抗損失を低減することができる。
（実施例３）実施例３を図９を参照して説明する。
【００７１】この実施例では，実施例２（図８参照）において，更に，三相全波整流器２をなす絶縁回路基板２７ａと，界磁電流制御スイッチ３をなす絶縁回路基板２７ｂとをそれぞれ別のパッケージ２０ｃ，２０ｄで別々に囲覆するものである。詳しく説明すると，絶縁回路基板２７ａには三相全波整流器２を構成する複数のチップがマウントされて，配線され，絶縁回路基板２７ｂには１チップ構成の界磁電流制御スイッチ３がマウントされて配線されている。絶縁回路基板２７ａを囲覆して絶縁樹脂製のパッケージ２０ｃがモールド樹脂成型され，絶縁回路基板２７ｂを囲覆して絶縁樹脂製のパッケージ２０ｄがモールド樹脂成型され，これらパッケージ２０ｃ，２０ｄはアルミニウム板からなる放熱プレート２４に固定され，放熱プレート２４は発電機のリアフレーム２００の外表面に固定されている。なお，本実施例における信号線又は電極の取り出しは，予め絶縁樹脂製のパッケージ２０ｃ，２０ｄにリード形状のコネクタ端子（図示せず）をインサート成型してチップのコンタクト領域とこのリード形状のコネクタ端子とをワイヤボンディングしておき，これに図示しないケーブルの一端に接続されたコネクタを嵌合させて行っている。また，この実施例でも実施例２と同様にコントローラ４は放熱プレート２４には固定されず，発電機から別体に配置されている。
【００７２】・・・
（実施例４）実施例４を図１０を参照して説明する。
【００７３】この実施例では，実施例３（図９参照）において，更に，放熱プレート２４上にコントローラ４をなす絶縁回路基板２７ｃを固定するものである。」
　
　・また，図１には，車両用発電機の出力制御装置１等の回路図が記載され，バッテリ７及び電気負荷８へ電力を導くすべての素子がＭＯＳＦＥＴ２ａ〜２ｆとして実現されている態様が記載されており，
図８には，パッケージ２０ａとパッケージ２０ｂとは空間的に別個に配置されている出力制御装置１の態様が記載されているから，段落【００１２】及び【００６８】の記載を参酌すると，電力用パッケージ２０ａに収容されたパワー部用基板部１ａと，これと異なる制御用パッケージ２０ｂに収容された制御部用基板部１ｂとは，空間的に別個に配置されている出力制御装置１の態様が実質的に記載されている。
　
　これらの記載事項及び図示内容を総合すると，引用例には，次の発明（以下，「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
「交流から直流に整流するための出力制御装置１であって，
　オルタネータが三相の電機子巻線５を有しておりかつ該電機子巻線５の各相がパワー部用基板部１ａに固定される三相全波整流器２及び界磁電流制御スイッチ３内のＭＯＳＦＥＴからなるハイサイドスイッチ２ａ〜２ｃとＭＯＳＦＥＴからなるローサイドスイッチ２ｄ〜２ｆに接続され，パワー部用基板部１ａに固定される三相全波整流器２及び界磁電流制御スイッチ３は，制御部用基板部１ｂに固定されるコントローラ４を介して制御される形式のものにおいて，
　出力制御装置１はケーブルＬ１００が接続されるリードフレームの外端を備えている制御部用基板部１ｂに固定されるコントローラ４と該制御部用基板部１ｂに固定されるコントローラ４とは空間的に別個に配置されている別個のパワー部用基板部１ａに固定される三相全波整流器２及び界磁電流制御スイッチ３とから成っており，該パワー部用基板部１ａに固定される三相全波整流器２及び界磁電流制御スイッチ３において電力を導くすべての素子がＭＯＳＦＥＴ２ａ〜２ｆとして実現されていて，
　パワー部用基板部１ａに固定される三相全波整流器２及び界磁電流制御スイッチ３は，放熱板２２や放熱フィンとを有しており，
　前記制御部用基板部１ｂに固定されるコントローラ４は前記パワー部用基板部１ａに固定される三相全波整流器２及び界磁電流制御スイッチ３と信号線Ｌ１〜Ｌ１０が収容されているケーブルＬ１００で接続して配置されている
出力制御装置１。」
　
３．対比
　本願発明と引用発明とを対比する。
　
　まず，本願の請求項１の記載及び図１の回路の略図の記載事項を参照すると，本願発明の「整流器」は「制御部（２）」と「電力部（８）」とから成り，本願発明の「電力部（８）」は「固定子巻線（９）」の「スイッチングエレメント（１５．１，１５．２；１６．１，１６．２；１７．１，１７．２）」とフリーホイールダイオード（１３）と界磁巻線（１４）のスイッチングエレメントとから成ることが分かる。一方，引用例の段落【００４７】の記載からすると，引用発明の「出力制御装置１」は「コントローラ４」と「三相全波整流器２」と「界磁電流制御スイッチ３」と「フライホイールダイオード９」から構成され，同じく引用例の段落【００４８】の記載からすると，引用発明の「三相全波整流器２」は「ＭＯＳＦＥＴ２ａ〜２ｆ」からなるインバータ回路からなる。
　
　以上のことをふまえると，その機能・構成からして，後者の「出力制御装置１」は前者の「整流器」に相当し，以下同様に，後者の「オルタネータ」は前者の「オールタネータ」に，後者の「三相の電機子巻線５」は前者の「３相固定子巻線（９）」に，後者の「電機子巻線５の各相」は前者の「固定子巻線（９）の相（１０，１１，１２）」に，後者の「パワー部用基板部１ａに固定される三相全波整流器２及び界磁電流制御スイッチ３」は前者の「電力部（８）」に，後者の「ＭＯＳＦＥＴからなるハイサイドスイッチ２ａ〜２ｃとＭＯＳＦＥＴからなるローサイドスイッチ２ｄ〜２ｆ」は前者の「スイッチングエレメント（１５．１，１５．２；１６．１，１６．２；１７．１，１７．２）」に，後者の「ＭＯＳＦＥＴ２ａ〜２ｆ」は前者の「パワーＭＯＳ素子（２８）」に，後者の「制御部用基板部１ｂに固定されるコントローラ４」は前者の「制御部（２）」に，後者の「ケーブルＬ１００が接続されるリードフレームの外端」は前者の「制御接続端子（３０）」に，後者の「放熱板２２や放熱フィン」は前者の「冷却エレメント（２３，２４）」に，それぞれ相当している。
　
　また，引用発明の「電機子巻線５の各相」は「ＭＯＳＦＥＴからなるハイサイドスイッチ２ａ〜２ｃとＭＯＳＦＥＴからなるローサイドスイッチ２ｄ〜２ｆ」に「接続」され，「三相全波整流器２」は「コントローラ４を介して制御され」，先のとおり引用例の段落【００４８】の記載から，引用発明の「三相全波整流器２」は「ＭＯＳＦＥＴ２ａ〜２ｆ」からなるインバータ回路からなるから，結局，引用発明は「電機子巻線５の各相がパワー部用基板部１ａに固定される三相全波整流器２及び界磁電流制御スイッチ３内のＭＯＳＦＥＴからなるハイサイドスイッチ２ａ〜２ｃとＭＯＳＦＥＴからなるローサイドスイッチ２ｄ〜２ｆを介して制御され」るものであるから，後者の「接続され」る態様は前者の「介して制御され」る態様に相当している。
　
　そして，後者の「制御部用基板部１ｂに固定されるコントローラ４はパワー部用基板部１ａに固定される三相全波整流器２及び界磁電流制御スイッチ３と信号線Ｌ１〜Ｌ１０が収容されているケーブルＬ１００で接続して配置されている」態様と前者の「制御部は電力部の上に配置されている」態様とは，「制御部は電力部と所定の関係に配置されている」との概念で共通している。
　
　したがって，両者は，
「交流から直流に整流するための整流器であって，
　オールタネータが３相固定子巻線を有しておりかつ該固定子巻線の相が電力部内のスイッチングエレメントを介して制御され，電力部は，制御部を介して制御される形式のものにおいて，
　整流器は制御接続端子を備えている制御部（コントロールモジュール）と該制御部とは空間的に別個に配置されている別個の電力部（パワーモジュール）とから成っており，該電力部において電力を導くすべての素子がパワーＭＯＳ素子として実現されていて，
　電力部（パワーモジュール）は，冷却エレメントを有しており，
　前記制御部は前記電力部と所定の関係に配置されている
整流器。」
である点で一致し，次の点で相違する。
　
　［相違点１］電力部の制御部に関し，本願発明はレギュレータモジュールを有しているのに対し，引用発明はレギュレータモジュールを有しているか不明である点。
　
　［相違点２］電力部に関し，本願発明はその素子がスタック構造体に集積されており，電力部（パワーモジュール）のスタック構造体は，間にパワーＭＯＳ素子を両面側のコンタクト形成部を介して収容している第１の基板および第２の基板と，冷却エレメントとを有しているのに対し，引用発明はその素子がそのようなスタック構造体であるか不明である点。
　
　［相違点３］制御部と電力部との所定の関係に配置されている態様に関し，本願発明は制御部は電力部の上に配置されているのに対し，引用発明は制御部と電力部との配置が特定されていない点。
　
４．判断
　上記相違点について以下検討する。
　
・相違点１について
　電力部の制御部にレギュレータモジュールを有している構成は，例えば，当審の拒絶理由に引用した，特開平７−１７０７９７号公報に記載（段落【００２６】ないし【００３２】及び【図１】の記載，参照。特に，【００２６】「次に，本実施例の車両用交流発電機の回路構成について図１を用いて説明する。電圧調整器１８は，三相全波整流器１９と電圧調整部２０とで構成されている。・・・」，【００２７】「電圧調整部２０は，コントローラ２０ａと，スイッチングトランジスタ２０ｂと，フライホイルダイオード２０ｃとからなり，コントローラ２０ａはバッテリ電圧ＶＢに基づいてスイッチングトランジスタ２０ｂをＰＷＭ制御する。・・・」，【００３０】「なお，コントローラ２０ａは通常のレギュレータと同様に，バッテリ電圧ＶＢを検出し，バッテリ電圧ＶＢと予め設定してある基準電圧とを比較し，その大小に基づいて励磁電流を断続制御してバッテリ２１の端子電圧を目標レベルに維持することは従前通りである。」，及び，【００３１】「三相全波整流器１９の各ＭＯＳパワートランジスタ１９ａ〜１９ｆはコントローラ２０ａにより順次開閉されて三相全波整流を行う。」との記載，参照。）されているように，単なる慣用技術に過ぎないものである。そして，引用発明は「車両用発電機の出力制御装置において，交直電力変換手段の半導体スイッチング素子は発電電圧の全波整流を行い，界磁電流制御手段の半導体スイッチング素子は界磁電流を断続し，電圧制御手段の半導体集積回路は上記半導体スイッチング素子を制御してバッテリの電圧を所定値に保つ。」（引用例の段落【００２５】参照）ものであるから，上記慣用技術からすると，引用発明の制御部をレギュレータ機能を有するものとして，上記相違点１に係る本願発明の構成とすることは，当業者が容易に想到し得るものである。
　
・相違点２について
　電力部の素子がスタック構造体に集積されており，電力部（パワーモジュール）のスタック構造体は，間にパワーＭＯＳ素子を両面側のコンタクト形成部を介して収容している第１の基板および第２の基板と，冷却エレメントとを有している構成は，例えば，当審の拒絶理由に引用した，特開２００１−１３５６５４号公報に記載（「【００１０】
【発明の実施の形態】本発明を適用した実施形態を図に基づいて説明する。図１は本実施形態の圧接型半導体装置１の断面図である。
【００１１】本実施形態における圧接型半導体装置１は，ＩＧＢＴ（絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ）やパワーＭＯＳＦＥＴ等の大電流を制御する半導体素子２と，半導体素子２の両面に配置された絶縁性材料からなる絶縁基板３とから構成される。本実施形態では半導体素子２としてＩＧＢＴチップ，絶縁基板３として窒化アルミニウム（ＡｌＮ）を用いている。また，図１中破線で示すように，半導体装置１はヒートシンク（放熱板）１０によって両面から圧接されるように構成されている。
・・・
【００１３】図３は，半導体素子２の表面側に接合される絶縁基板３の接合面側を示している。図３に示すように，絶縁基板３には，半導体素子２上のエミッタ電極，ゲート電極等に対応するように，Ｃｕ等の導体がパターニングされ，電極部材４，５を形成しており，同様に半導体素子２の裏面側に接合される絶縁基板３にはコレクタ電極に対応する電極部材６が形成されている。半導体素子２上の電極パターンおよび絶縁基板３上の電極部材４〜６とは，はんだによって接合されている。」）されているように，「半導体素子２」（本願発明の「素子」に相当する。以下，同様。）が縦に積み重ねた構造体に集積されており，その構造体は，間に「パワーＭＯＳＦＥＴ」（「パワーＭＯＳ素子」）を「半導体素子２上の電極パターンおよび絶縁基板３上の電極部材４〜６」（「両面側のコンタクト形成部」）を介して収容している「絶縁基板３」（「第１の基板および第２の基板」）と，「ヒートシンク（放熱板）１０」（「冷却エレメント」）とを有する構成として，いわゆるスタック構造体と称される半導体の技術分野における周知慣用技術であり，任意に採用し得る技術的事項である。
　
　そうすると，引用発明の電力部の素子として，半導体素子に関する上記周知慣用技術を採用することにより，上記相違点２に係る本願発明の構成とすることは，当業者が容易に想到し得るものである。
　
・相違点３について
　制御部は電力部の上に配置されている構成は，例えば，当審の拒絶理由に引用した，特開平１０−２４２３８５号公報に記載（「【０００２】
【従来の技術】従来，パワーモジュールなどの電力用混合集積回路装置は，電力用半導体チップを実装した第１の基板と，制御回路を搭載した第２の基板とを間隔をおいて対向するように配設し，これら両基板を樹脂封止する構造を採っている。この種の従来の電力用混合集積回路装置を図２によって説明する。
【０００３】図２は従来の電力用混合集積回路装置を示す断面図である。同図において，符号１は従来の電力用混合集積回路装置を示す。この電力用混合集積回路装置１は，電力用半導体チップ２を搭載した金属製ベース板３（本願発明の「電力部」に相当する）の上部に枠状の合成樹脂製ケース４を接着し，このケース４内に制御用基板５（本願発明の「制御部」に相当する）を配設した状態でシリコンゲル６とエポキシ樹脂７を充填している。」）されているように周知の技術（さらに必要であれば，例えば，特開２０００−９１４９９号公報（【請求項１】，図１等参照），特開２００２−３２５４６７号公報（【００１０】，【００１１】，図１等参照），特表２００３−５０１８１１号公報（【請求項２】，図２等参照），も参照。）である。
　そして，引用例には，実施例１（【００５４】，図３，図４等参照）として電力部と制御部とを１チップ構成として回路基板１０上に別個に固定したものが開示され，また，実施例３（【００７１】，図９等参照）及び実施例４（【００７３】，図１０等参照）として，電力部と制御部とを同じ放熱プレート２４に固定しないものと固定するものとが開示されていることから，引用発明においてその電力部と制御部とをどのような関係に配置するかは適宜設定し得ることが示唆されている。さらに，実施例１の１チップ構成とすることは空間を節約した小型のものとすることであるから，引用発明においても空間を節約した小型のものとするべく，電力部と制御部とを配置することが示唆されている（平成２３年１１月２５日付け意見書における「電力部の上に制御部が配置されていることにより空間を節約した小型の整流器を実現することができます。」との審判請求人の主張に対して。）。その上，電力部と制御部との配置関係に関わりなく，引用発明における熱抵抗関係は維持できるから，引用発明において上記相違点３に係る本願発明の構成とすることに障害があるものでもない。
　そうすると，制御部と電力部との配置関係が特定されていない（ただし，引用例の段落【００２９】の記載からすると，交直電力変換手段，界磁電流制御手段及び電圧制御手段は，車両用交流発電機のハウジングに固定され，更に，交直電力変換手段及び界磁電流制御手段と電圧制御手段とを互いに別のパッケージに収容するのであるから，引用発明において制御部と電力部とは車両用交流発電機のハウジングに固定されることが示唆されている。）引用発明において，その配置関係として上記周知の技術を採用し，上記相違点３に係る本願発明の構成とすることは，当業者が容易に想到し得るものである。
　
　なお，「電力部の上に制御部が配置されている」点に関わり，平成２３年１１月２５日付け意見書において「電力部の上への制御部の配置も，制御接続端子を介して相互に差し込むだけで簡単に実現することができます。」と，審判請求人が主張する点についても，本願の特許請求の範囲の請求項１に明確に記載されているとはいえないのみならず，上記請求項１を限定する請求項１７及び請求項１８に明確に記載されているような，制御部と電力部との制御接続端子を，延びた，さらには導き出されたピン構造状のものとし相互に差し込む形式とする実施例（図７及び図８．３参照）のようにすることも，電気的な接続端子としてピン構造状のものを用いることは例示するまでもなく周知慣用手段であり，進歩性を認めることはできないから，採用できない。
　
　そして，本願発明の全体構成により奏される効果も，引用発明，上記慣用技術，上記周知慣用技術及び上記周知の技術（並びに上記周知慣用手段）から当業者が予測し得る範囲内のものである。
　したがって，本願発明は，引用発明，上記慣用技術，上記周知慣用技術及び上記周知の技術（並びに上記周知慣用手段）に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
５．むすび
　以上のとおり，本願発明は，引用発明，上記慣用技術，上記周知慣用技術及び上記周知の技術（並びに上記周知慣用手段）に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるので，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって，結論のとおり審決する。