(57)【要約】極めて薄型でかつ実装時の良否の判定を、素子を破壊することなく行うことができ、さらに実装面積を小さくできる磁電変換素子及びその製造方法を提供する。基板（３）が非磁性体基板で、リード（１０）が第一の厚さの裏面接続用電極と切断によって出現した第一の厚さの側面電極を形成した。また、より高い感度のホール素子の場合で、基板（４）が高透磁率磁性体基板で、リード（１０）が第一の厚さの裏面接続用電極と切断によって出現した第一の厚さの側面電極を形成した。リード（１０）の第一の厚さの裏面接続用電極部が、第一の厚さのままで隣り合う磁電変換素子の内部電極（８）と跨って同じ第一の厚さで形成されており、その中央を切断したことにより第一の厚さの側面電極が形成されている。
2003090289.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
感磁部および内部電極が設けられた基板と、
該内部電極に搭載され、少なくとも第一の厚さ領域と第二の厚さ領域を有し、前記第一の厚さの方が前記第二の厚さより厚いリードと、
前記基板の表面に形成された感磁部と前記内部電極と前記リードの一部とを封止する樹脂と、
前記リードにおける前記第一の厚さ領域の露出面に設けられた外部接続用端子と
を備えた磁電変換素子。
【請求項２】
前記内部電極と前記リードとを電気的に接続した部分の側部が樹脂で封止されている請求項１に記載の磁電変換素子。
【請求項３】
前記リードの最小の厚さから最大の厚さまでの間で任意の厚さの前記リードの断面が、側面に露出している請求項１に記載の磁電変換素子。
【請求項４】
前記内部電極と前記リードとを接続する側の該リードの面と、実装時に外部との電気的接続をする該リードの露出面との垂直断面の厚さが、該リードの第一の厚さである請求項３に記載の磁電変換素子。
【請求項５】
前記側面から前記リードが突出しておらず、前記リードの側面が切断面である請求項４に記載の磁電変換素子。
【請求項６】
少なくとも前記露出しているリードの表面に金属被膜が形成されている請求項１に記載の磁電変換素子。
【請求項７】
前記内部電極と前記リードが導電性樹脂または金属により電気的に接続されている請求項１に記載の磁電変換素子。
【請求項８】
前記基板が高透磁率磁性体からなり、該高透磁率磁性体の表面に磁気に感ずる薄膜が形成されており、さらに前記薄膜の上に高透磁率磁性体チップが載置されており、前記薄膜が、前記高透磁率磁性体の基板と前記高透磁率磁性体チップによって挟まれている請求項１に記載の磁電変換素子。
【請求項９】
前記薄膜上に載置されている高透磁率磁性体チップの厚さが、前記リードの第一の厚さ以内であり、該リードの面内の空隙に挿入された形で配置されている請求項７に記載の磁電変換素子。
【請求項１０】
前記基板が、無機基板やガラス基板や半導体基板等の非磁性基板であり、磁気に感ずる薄膜が形成されている請求項１に記載の磁電変換素子。
【請求項１１】
前記基板が、半導体素子が形成されている半導体基板で、前記半導体基板に磁気に感ずる薄膜が形成されている請求項１に記載の磁電変換素子。
【請求項１２】
前記磁気に感ずる薄膜がドーピングにより形成されている請求項１１に記載の磁電変換素子。
【請求項１３】
前記基板の内部に半導体素子とドーピングにより磁気に感ずる部分が形成されている半導体基板である請求項１１に記載の磁電変換素子。
【請求項１４】
前記感磁部上にひずみ緩衝層が形成されており、さらにその上に樹脂が形成されている請求項１に記載の磁電変換素子。
【請求項１５】
ほぼ直方体の形状であり、外部との電気的な接続用端子となる第一の厚さの領域のリードの面が、直方体の一つの面の一辺に接して並んで露出して配置されており、この一辺に接するもう一つの面を実装面とする請求項１に記載の磁電変換素子。
【請求項１６】
ほぼ直方体の形状であり、外部との電気的な接続用端子となる第一の厚さの領域のリードの面が、直方体の一つの面の一辺に接して並んで露出して配置されており、この面の一辺のリードの露出部分が削られていることを特徴とする請求項１５に記載の磁電変換素子。
【請求項１７】
前記リードの削られた露出部分に金属被膜を形成した請求項１６に記載の磁電変換素子。
【請求項１８】
基板の表面に磁気に感ずる薄膜を形成し、該薄膜に多数個の感磁部のパターンおよび金属からなる内部電極を形成して多数個の磁電変換素子を一括して形成する工程と、
前記多数個の磁電変換素子の内部電極部上に、少なくとも第一の厚さ領域と第二の厚さ領域を有し、前記第一の厚さの方が前記第二の厚さより厚いリードフレームを導電性樹脂または金属を介して接続する工程と、
前記基板の表面に形成された感磁部と前記内部電極と前記リードフレームの一部とを封止する工程と、
前記磁電変換素子が形成されているピッチにダイシングを実施し、前記多数個の磁電変換素子を個別化する工程と
を有する磁電変換素子の製造方法。
【請求項１９】
前記基板が、高透磁率磁性体基板である請求項１８に記載の磁電変換素子の製造方法。
【請求項２０】
前記基板が、無機基板やガラス基板や半導体基板等の非磁性基板である請求項１８に記載の磁電変換素子の製造方法。
【請求項２１】
前記多数個の磁電変換素子を一括して形成する工程と、前記リードフレームを配置する工程との間に、
前記多数個の感磁部上にほぼ直方体の高透磁率磁性体を、接着層を介して一括に配置する工程を有する請求項１８に記載の磁電変換素子の製造方法。
【請求項２２】
前記基板の表面に形成された感磁部と前記内部電極と前記リードフレームの一部とを封止する工程の後に、
前記リードフレームの第一の厚さ領域を露出させる工程を有する請求項１８に記載の磁電変換素子の製造方法。
【請求項２３】
前記露出しているリードフレームの第一の厚さの領域および、側面に露出したリードフレームの断面に、はんだ付けに適した金属を被覆する工程を有する請求項１８又は２２に記載の磁電変換素子の製造方法。
【請求項２４】
基板の表面に磁気に感ずる薄膜を形成し、該薄膜に多数個の感磁部のパターンおよび金属からなる内部電極を形成して多数個の磁電変換素子を一括して形成する工程と、
前記多数個の感磁部上にほぼ直方体の高透磁率磁性体チップを、樹脂を介して配置する工程と、
前記基板にテープを貼り付け、磁電変換素子が形成されているピッチにダイシングを実施して多数個の磁電変換素子を個別化する第１の個別化工程と、
前記多数個の磁電変換素子の内部電極上に、少なくとも２つの厚さを有するリードフレームを導電性樹脂または金属を介して接続する工程と、
その後、前記個別化工程に使用したテープを除去する工程と、
前記リードフレームの面に耐熱テープを貼り付ける工程と、
前記基板の裏面または側面から樹脂を注入して一括封止する工程と、
前記耐熱テープを取り除く工程と、
再度、前記磁電変換素子が形成されているピッチにダイシングを実施して多数個の磁電変換素子を個別化する第２の個別化工程と
を有する磁電変換素子の製造方法。
【請求項２５】
前記基板は、高透磁率磁性体基板である請求項２４に記載の磁電変換素子の製造方法。
【請求項２６】
前記基板は、無機基板、ガラス基板、半導体基板、半導体素子が形成された半導体基板である請求項２４に記載の磁電変換素子の製造方法。
【請求項２７】
前記第１の個別化工程と、前記リードフレームを接続する工程の間に、前記個別化した多数個の磁電変換素子を、積載構造を利用して向きを揃えてトレーに形成した多数個のキャビティー内に整列載置する工程を有し、
前記基板の裏面または側面から樹脂を注入して一括封止する請求項２４に記載の磁電変換素子の製造方法。
【請求項２８】
露出しているリードフレームの第一の厚さの領域または側面に露出したリードフレームの断面に、はんだ付けに適した金属を被覆する工程を有する請求項２４、２５、２６、又は２７に記載の磁電変換素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は、磁電変換素子及びその製造方法に関し、より詳細には、極めて薄型で実装面積が小さい小型の磁電変換素子と、極めて薄型で縦型実装が可能な小型の磁電変換素子と、それらの製造方法に関する。
背景技術
磁電変換素子であるホール効果素子やホールＩＣ、磁気抵抗効果素子や強磁性体磁気抵抗素子や磁気抵抗効果ＩＣは、ＶＴＲ、フロッピー（登録商標）ディスク、ＣＤ−ＲＯＭやＤＶＤ、ＣＰＵファン等のドライブモータ用の回転位置検出センサに用いられたり、永久磁石との組み合わせでスイッチやエンコーダ等の用途に広く用いられている。これら電子部品の小型化に伴って、磁電変換素子も、より薄型化や実装面積を小さくする要求が益々強まっている。
また、磁束検出位置の自由度が増すメリットがあるために、磁電変換素子の実装面に対して垂直方向の磁束密度だけでなく、水平方向の磁束密度を検出するモータの用途においても小型薄型化の要求が強まっている。
現状の一般的な磁電変換素子の一つであるホール素子は、内部電極を有する磁気に感ずる半導体薄膜からなる磁電変換素子を、リードフレームのアイランド部と呼ばれる部分に固着し、リードフレームと内部電極を金属線で結線し、次いで、磁電変換素子とリードフレームの一部を含めた部分を樹脂によりモールドし、バリ取りやフォーミング、電気磁気的検査等の工程を経て製造されている。
図４４Ａ、図４４Ｂは、このようにして製造された従来のホール素子として比較的小型素子の一例の外形を示す図で、図４４Ａは側面図、図４４Ｂは平面図である。高さｈは０．８ｍｍ、幅ｗは１．２５ｍｍ、リードフレームを含めた長さＬおよび幅Ｗはそれぞれ２．１ｍｍである。現在市販されているリードフレームで形成されている最も小型のホール素子の外形寸法は、実装時の外部電極であるリードフレームを含めて、２．５×１．５ｍｍの投影寸法で、高さが０．６ｍｍであり、あるいは２．１×２．１ｍｍの投影寸法で、高さが０．５５ｍｍである。これらのホール素子は、高さの低いことが特徴になっている。
また、水平磁束密度の成分をも検出するホール素子で、現在市販されているホール素子の外観寸法は、実装時の外部電極であるリードフレームを含めて、２．７×２．１ｍｍの投影寸法で、高さが１．４５ｍｍである。これは、磁電変換素子が固着されているリードフレームのアイランド部分が実装面に対して４５°傾いていることが特徴になっている（例えば、実公平２−３３５８５号公報参照）。
しかしながら、上述したような方法を用いている限り、特に投影面積の上での小型化と薄型化には限界がある。磁電変換素子はモールドされるが、モールド寸法自体は、１．５×１．５ｍｍ程度にできても、そこからはみ出たリードフレームを実装のためにフォーミングする必要があり、そのはみ出し部分が小型化の足枷になっている。また、金属線のループ高さも薄型化の足枷になっている。また、水平方向磁束密度を検出する目的でリードフレームのアイランド部分を垂直に立てる方法もあるが、モールドの上方部分からリードフレームを出して折り曲げる構造となるために、リードフレームのアイランド部の長さとモールド部上方のリードフレーム部分が薄型化の足枷になっている。
本発明は、金属線を使用することなく磁電変換素子全体の寸法を、実装用電極も含めてモールド寸法程度にする工夫からなされた。
本発明は、このような状況に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、極めて薄型で、実装面積を小さくできる小型の磁電変換素子と、９０°異なる磁束密度方向が検出可能な縦型実装タイプで極めて薄型の小型磁電変換素子に係る磁電変換素子及びその製造方法を提供することにある。
発明の開示
本発明の磁電変換素子は、感磁部および内部電極が設けられた基板と、該内部電極に搭載され、少なくとも第一の厚さ領域と第二の厚さ領域を有し、前記第一の厚さの方が前記第二の厚さより厚いリードと、前記基板の表面に形成された感磁部と前記内部電極と前記リードの一部とを封止する樹脂と、前記リードにおける前記第一の厚さ領域の露出面に設けられた外部接続用端子とを備えている。
前記内部電極と前記リードとを電気的に接続した部分の側部は樹脂で封止されていることが好ましい。
リードの断面は、前記リードの最小の厚さから最大の厚さまでの間で任意の厚さでリードが側面に露出している。また、前記内部電極と前記リードとを接続する側の該リードの面と、実装時に外部との電気的接続をする該リードの露出面との垂直断面の厚さが、該リードの第一の厚さとなる。ここで、前記側面から前記リードは突出しておらず、前記リードの側面が切断面である。
露出しているリードの表面は、金属被膜が形成されていることが好ましい。
さらに、内部電極とリードは導電性樹脂または金属により電気的に接続されている。
前記基板は高透磁率磁性体からなり、該高透磁率磁性体の表面に磁気に感ずる薄膜が形成されており、さらに前記薄膜の上に高透磁率磁性体チップが載置されており、前記薄膜が前記高透磁率磁性体の基板と前記高透磁率磁性体チップによって挟まれていることが好ましい。前記薄膜上に載置されている高透磁率磁性体チップの厚さは、前記リードの第一の厚さ以内であり、該リードの面内の空隙に挿入された形で配置される。
さらに、前記基板が無機基板やガラス基板や半導体基板等の非磁性基板であり、磁気に感ずる薄膜を形成することができる。また、基板は、半導体素子が形成されている半導体基板で、前記半導体基板に磁気に感ずる薄膜が形成されているものでもよい。さらに、磁気に感ずる薄膜がドーピングにより形成してもよい。さらに、前記基板の内部に半導体素子とドーピングにより磁気に感ずる部分が形成されている半導体基板を用いても良い。
また、感磁部上にひずみ緩衝層を形成し、さらにその上に樹脂を形成してもよい。
本発明の磁電変換素子は、ほぼ直方体の形状であり、外部との電気的な接続用端子となる第一の厚さの領域のリードの面が、直方体の一つの面の一辺に接して並んで露出して配置されており、この一辺に接するもう一つの面を実装面とすることができる。さらに、ほぼ直方体の形状であり、外部との電気的な接続用端子となる第一の厚さの領域のリードの面が、直方体の一つの面の一辺に接して並んで露出して配置されており、この面の一辺のリードの露出部分が削られているものとすることができる。
以上の磁電変換素子は以下のような方法で製造することができる。
まず、基板の表面に磁気に感ずる薄膜を形成し、該薄膜に多数個の感磁部のパターンおよび金属からなる内部電極を形成して多数個の磁電変換素子を一括して形成する。
次に、前記多数個の磁電変換素子の内部電極部上に、少なくとも第一の厚さ領域と第二の厚さ領域を有し、前記第一の厚さの方が前記第二の厚さより厚いリードフレームを導電性樹脂または金属を介して接続する。
さらに、前記基板の表面に形成された感磁部と前記内部電極と前記リードフレームの一部とを封止する。
そして、前記磁電変換素子が形成されているピッチにダイシングを実施し、前記多数個の磁電変換素子を個別化する。
前記多数個の磁電変換素子を一括して形成する工程と、前記リードフレームを配置する工程と、の間に、前記多数個の感磁部上にほぼ直方体の高透磁率磁性体を接着層を介して一括に配置する工程を有することができる。
また、前記基板の表面に形成された感磁部と前記内部電極と前記リードフレームの一部とを封止する工程の後に、前記リードフレームの第一の厚さ領域を露出させる工程を有することができる。
前記露出しているリードフレームの第一の厚さの領域および、側面に露出したリードフレームの断面に、はんだ付けに適した金属を被覆してもよい。
本発明の他の製造方法は、基板の表面に磁気に感ずる薄膜を形成し、該薄膜に多数個の感磁部のパターンおよび金属からなる内部電極を形成して多数個の磁電変換素子を一括して形成する工程と、前記多数個の感磁部上にほぼ直方体の高透磁率磁性体チップを、樹脂を介して配置する工程と、前記基板にテープを貼り付け、磁電変換素子が形成されているピッチにダイシングを実施して多数個の磁電変換素子を個別化する第１の個別化工程と、前記多数個の磁電変換素子の内部電極上に、少なくとも２つの厚さを有するリードフレームを導電性樹脂または金属を介して接続する工程と、その後、前記個別化工程に使用したテープを除去する工程と、前記リードフレームの面に耐熱テープを貼り付ける工程と、前記基板の裏面または側面から樹脂を注入して一括封止する工程と、前記耐熱テープを取り除く工程と、再度、前記磁電変換素子が形成されているピッチにダイシングを実施して多数個の磁電変換素子を個別化する第２の個別化工程とを有する。
前記第１の個別化工程と、前記リードフレームを接続する工程の間に、前記個別化した多数個の磁電変換素子を、積載構造を利用して向きを揃えてトレーに形成した多数個のキャビティー内に整列載置する工程を有し、前記基板の裏面または側面から樹脂を注入して一括封止する工程を有することも好ましい。
露出しているリードフレームの第一の厚さの領域または側面に露出したリードフレームの断面に、はんだ付けに適した金属を被覆する工程を有することができる。
本発明の磁電変換素子は、上述したような構造を採ることにより、例えば、０．７×０．９ｍｍの投影寸法で、高さが０．３５ｍｍといった極めて小型かつ薄型の磁電変換素子を、また、２．３×０．７ｍｍの投影寸法で、高さが０．６ｍｍといった極めて薄型の縦型磁電変換素子を簡便な方法によって実現可能になった。
本発明の磁電変換素子の一例であるホール素子の場合、磁電変換素子を構成する磁気に感ずる薄膜は、インジウムアンチモン、ガリウム砒素、インジウム砒素等の化合物半導体あるいは（インジウム、ガリウム）−（アンチモン、砒素）の３元または４元化合物半導体薄膜から選択できる。いわゆる量子効果素子も使用できる。これらの化合物半導体薄膜は、種々の基板に形成されるが、その基板としてはアルミナ、サファイア等の無機基板、石英等のガラス基板、シリコン、ガリウム砒素等の半導体基板を使用することができる。
また、薄膜を一旦雲母の様な良好な結晶性基板に蒸着等によって形成し、その薄膜を、樹脂を介して上述の基板に写し取るような方法がある。本発明者等は、インジウムアンチモン系の高移動度化、つまり、高感度化のための蒸着方法を種々提案してきたが、これらの方法によって作製した薄膜を本発明に好適に適用できる（例えば、特公平１−１３２１１号公報、特公平１−１５１３５号公報、特公平２−４７８４９号公報、特公平３−５９５７１号公報参照）。
より高い感度のホール素子は、高透磁率磁性体基板上に半導体薄膜を形成した後、感磁部と内部電極部をパターン形成し、さらにその上に載置されたほぼ直方体の高透磁率磁性体チップからなる積載構造をしている。例えば、特公昭５１−４５２３４号公報には、移動度の高い半導体薄膜をこの構造体の装置にするための方法が示されている。
すなわち、雲母等の結晶性基板上に化合物半導体薄膜を形成し、この半導体薄膜をエポキン樹脂等の接着剤を用いて高透磁率磁性体に接着し、その後、結晶性基板を除去し、次いで、所望のパターン形成をした後、半導体薄膜の感磁部の上に高透磁率磁性体チップを載せることによって上記の積層構造のホール素子を形成する方法である。
このような構造のホール素子は、本発明の小型で高感度の磁電変換素子を作るのに好適である。高透磁率強磁性体基板及び高透磁率強磁性体チップの材料としては、ＮｉＺｎフェライト、ＭｎＺｎフェライト、パーマロイ、鉄珪素合金等の高透磁率材料を用いることができる。その中で、切断のし易さ、価格の安いこと等の理由から高透磁率フェライトが好適なものとして利用できる。
また、より高い感度のホール素子は、表面を鏡面に研磨した高透磁率磁性体基板上に一旦、酸化シリコン、窒化シリコン、ガラス、アルミナ等の層を設け、その上に半導体薄膜を蒸着等によって形成し、次いで所望の感磁部や内部電極のパターン形成をした後、感磁部の上に高透磁率磁性体チップを載せる方法も適用できる。
また、感度は低いが出力の温度特性が良いホール素子として、シリコン基板やガリウム砒素の化合物半導体等の様な半導体基板にドーピングによりホール効果を有する磁気に感ずる部分を形成する方法も適用できる。
また、シリコン基板等の半導体基板に半導体素子部と、ドーピングにより磁気に感ずる部分を形成する方法も適用できる。
ホール素子以外の磁電変換素子としては、例えば、強磁性体磁気抵抗素子、ＧＭＲ、半導体磁気抵抗素子などが挙げられる。ＧＭＲ、強磁性体抵抗素子の場合の膜としては、Ｎｉ−Ｆｅ、Ｎｉ−Ｃｏなどの強磁性材料が使用できる。また、半導体磁気抵抗素子の場合は、上述した化合物半導体薄膜が使用できる。
さらに、シリコン基板等の半導体基板に半導体素子部を形成し絶縁層を形成した後に、上述した半導体薄膜や強磁性体材料の薄膜等を形成し、半導体素子部と基板上で電気的接合を施した方法も適用できる。
また、磁電変換素子は、一般に多段プロセスを経てウエハ上に同時に多数個形成される。本発明の磁電変換素子の一例であるホール素子の場合、１個の素子について一般に４つの内部電極が一括して形成される。その内部電極に金等の金属細線を介在させないで、直接外部電極に結線できるようにするのが本発明の一つのポイントである。
まず、非磁性体基板に上述した方法により半導体薄膜を形成してウエハを作製し、フォトリソグラフィーやエッチング等の手法を用いて、多数個の磁電変換素子に対して多数個の内部電極を形成する。内部電極の材質としては、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｃｒ、Ｔｉ等の金属が適用される。内部電極は、この金属の単層でも良いが、この金属や合金を２層以上形成することも可能である。内部電極層の形成方法としては、メッキや蒸着等が適用できる。そのうち、導電性の点や安価に形成できる点でメッキによるＣｕが好適に使用できる。
次に、少なくとも感磁部上にひずみ緩衝層を形成することが好ましい。この際、感光性樹脂を使用するのが簡便である。例えば、ソルダーレジストや感光性ポリイミドを使用すれば、普通のマスクを用いた露光現像工程により精度良くひずみ緩衝層を形成できる。１〜６０μｍ、好ましくは３０μｍ程度の均一な膜厚となるようにひずみ緩衝層を形成するのが肝要で、例えば、スピンコート法が好適に使用することができる。また、この段階あるいはその前の段階で金属酸化物やガラスやアルミナのような絶縁物を少なくとも感磁部の上に積層してより信頼性の向上を図るような、いわゆるパッシベーション層を設けることもできる。
より感度の高い磁電変換素子を製造するために、基板に高透磁率磁性体を用いて前述の方法により感磁部と内部電極を形成した場合、感磁部の上にほぼ直方体の高透磁率磁性体チップを載せる。このようなほぼ直方体のチップを載せるには、ダイボンダーを使用することができるが、特公平７−１３９８７号公報に記載の方法により、ウエハ全体に一括して載せる方法が好適に利用できる。
次いで、内部電極上にリードフレームを載せる。この際、接着剤となりうる導電性樹脂を介在させる方法が取りうる。それらとしてはＣｕ、Ａｇ、Ｐｄあるいはそれらの混合金属粉末、またはＣｕ粉にＡｇメッキされた粉末がエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、イミド変性エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂あるいは、フェノキシ樹脂、ポリアミド樹脂、ポリスチレン、ポリスルホン、ポリウレタン樹脂、ポリビニルアセテート等の熱可塑性樹脂に分散された多くの導電性樹脂の中から選択できる。
この導電性物質層の形成には、ポッティング法、スタンプ法、スクリーン印刷法等が適宜使用できる。また普通に使用されるクリームはんだも使用できる。導電性樹脂やクリームはんだをスクリーン印刷法で形成する場合は、ほぼ直方体状の高透磁率磁性体チップを載せるのを、リードフレームを載せた後に実施するのが好ましい。
また、クリームはんだを使用した場合は、クリームはんだを、メタルマスクを用いたスクリーン印刷法で所望の位置に塗布した後、リードフレームを位置合わせして載せてからリフロー炉を通して接続するような形態を取りうる。
また、先にほぼ直方体状の高透磁率磁性体チップを感磁部の上に載せてからリードフレームを内部電極上に載せる場合、導電性樹脂をスタンプで塗布した後にリードフレームを位置合わせして載せる方法が好適である。
内部電極上に載せるリードフレームとしては、Ｃｕをベースとした合金であることが望ましい。リードフレームの形状は、少なくとも２つ以上の厚さを有するリードフレームであり、第一の厚さ領域と第二の厚さ領域を有しており、第一の厚さの方が第二の厚さより厚く、少なくとも第一の厚さの領域の裏面が磁電変換素子の外部接続用裏面電極となるように、ウエハ上に形成された個々の磁電変換素子に対応してパターン配置された多数個の外部接続用裏面電極になる部分が形成されており、多数個の外部接続用電極のそれぞれは少なくとも第二の厚さで格子状に接続されている。最終的にダイシングで格子の幅以上の厚さのブレードを使用して格子の中央部に沿って切断する。
その際、磁電変換素子の側面に少なくとも第二の厚さから第一の厚さまでの間で任意の厚さのリードフレームの断面が露出されることになり、これが本発明による磁電変換素子の特徴の一つとなる。リードフレームの第一の厚さは、０．０３ｍｍから０．５ｍｍが好適に使用できる。また、リードフレームの所定の位置に予めはんだ付けに適した金属の被膜を形成したものも使用できる。
次いで、リードフレームの面を上にして第一の厚さ以下を狙って保護層を形成する。少なくとも感磁部上のひずみ緩衝層や高透磁率磁性体チップやリードフレームの側面及び第二の厚さのリードフレームを保護層で埋めることになる。保護層は、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、イミド変性エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂、あるいはフェノキシ樹脂、ポリアミド樹脂、ポリスチレン、ポリスルホン、ポリウレタン樹脂、ポリビニルアセテート樹脂等の熱可塑性樹脂の中から選択できる。
保護層の形成方法は、ポッティング、スクリーン印刷、トランスファーモールド等があるが、外部接続用裏面電極となる第一の厚さ部分をマスキングしてその他の部分に樹脂を注入可能な、メタルマスクやシルクマスクを使用したスクリーン印刷法が好適に使用できる。また、リードフレームの第一の厚さ部分にテープを施し、トランスファーモールドを実施する手法も好適に使用できる。また、リードフレームの第一の厚さ部分にマスキングをしないで全面に保護層樹脂をスクリーン印刷法で形成し、第一の厚さ部分に薄く保護層樹脂が形成されるが、グラインダーによりこの薄く形成された保護層樹脂を除去する手法も好適に使用できる。
基板に非磁性体を用いた場合、ひずみ緩衝層を形成しなければ、保護層である樹脂の硬化収縮により感磁部にひずみを与え、この工程前後でホール素子の電磁気特性である入出力抵抗や不平衡電圧や有磁界中での出力電圧に対して大きな変動が生じ、収率が３０％以下と激減する。ひずみ緩衝層は、この樹脂の硬化収縮によるひずみの影響を感磁部に与えないために必要であり、このひずみ緩衝層により高い収率を得ることが可能となった。感磁部の上に前述の強固なパッシベーション層を設けた場合やより高感度を狙って高透磁率磁性体チップを載せた場合は、このひずみ緩衝層は無くても良い。
次いで、ダイシング等で前述のリードフレームの少なくとも第二の厚さで形成された格子の幅以上の厚さのブレードを使用して格子の中央部に沿って切断する。この際に、ウエハ上の磁電変換素子が個片に分離されるとともに、一面が繋がっていたリードフレームも１素子４つの電極に分離されることになる。また、この際に第二の厚さから第一の厚さの間の任意の厚さで、リードフレームの断面が、磁電変換素子の側面に露出することになる。
この際、例えば、リードフレームの第一の厚さの部分を隣の素子の電極部と跨る様に設計すれば、ダイシングで、この部分の中央を切断することにより、図７、図８の様に裏面と側面が繋がった外部接続用電極を形成することができる。
最後に、バレルメッキにより、磁電変換素子の裏面のリードフレーム、切断により出現したリードフレームの断面部に、はんだ付けに適した金属を被覆するためのメッキを行い磁電変換素子が完成する。この被覆としては、電解メッキまたは無電解メッキなど何れの方法も可能である。また、リードフレームにダイシングでハーフカットを予め入れてウエハごとメッキする方法が適用できる。
この方法だとリードフレームに繋がった状態となっているため、ウエハ単体で一括にメッキができ好都合である。その後、前述の位置でハーフカットに使用したブレード厚より薄い厚さのブレードで前述の位置で切断し、磁電変換素子が完成する。さらに、この際、裏面のリードフレームのみ金属被膜が形成された形態の場合は、保護層樹脂を形成した後に、グラインダーで保護層樹脂表面を削り、リードフレームの第一の厚さの部分を露出させた後に、ウエハごとメッキする手法が適用できる。
また、本発明の磁電変換素子の製造方法においては、基板を切断した後に樹脂モールドすることにより、半導体薄膜や内部電極の側面を露出させることがなくなり、湿度に強い磁電変換素子とすることが可能になる。
すなわち、まず最初に、高透磁率磁性体基板であるフェライト基板上に多数個の磁電変換素子のパターンを形成し、この感磁部の上に高透磁率磁性体チップを載置する。高透磁率磁性体基板上に磁電変換素子の構成部である感磁部と内部電極と高透磁率磁性体チップとが多数個形成される。
次いで、基板をテープに貼り付け、磁電変換素子が形成されているピッチにダイシングを実施して多数個の磁電変換素子を個別化する。この際、最終的にダイシングを実施する際に使用するブレードの幅以上の幅のブレードを使用することにより、磁電変換素子の側面に樹脂を形成することが可能となる。
次いで、ダイシングに使用したテープを剥がすことなく、内部電極上にリードフレームを載せる。この際、接着剤となりうる導電性樹脂を介在させる方法が取りうるのは上述のとおりである。
また、内部電極サイズに最適な寸法サイズの半田ボールを予め内部電極上に載置するか、メタルマスクを使用して印刷により半田ペーストを適量内部電極上に塗布した後、リードフレームを位置合わせして載置した後、リフロー等により加熱処理して半田を溶融させ電気的に接続する方法も取りうる。
最終的にダイシングで格子の幅以上の厚さのブレードを使用して格子の中央部に沿って切断する。その際、磁電変換素子の側面に少なくとも第二の厚さから第一の厚さまでの間で任意の厚さのリードフレームの断面が露出されることになり、これが本発明による磁電変換素子の特徴の一つとなる。リードフレームの第一の厚さは、０．０５ｍｍから０．４ｍｍ、好ましくは０．１ｍｍから０．２ｍｍが好適に使用できる。また、リードフレームの所定の位置に予めはんだ付けに適した金属の被膜を形成したものも使用できる。
次いで、内部電極とリードフレームが電気的に接続された後、ダイシングに使用したテープを除去する。このようにテープは、切断した磁電変換素子がリードフレームと電気的な接続を施すまで、整列を保持させる効果がある。
ダイシングテープにより磁電変換素子の配置を維持する方法の他に、次の様な方法がある。感度の高い磁電変換素子を製造するために、感磁部の上にほぼ直方体の高透磁率磁性体チップを載せ積載構造を形成し、基板をテープに貼り付け磁電変換素子が形成されているピッチにダイシングを実施して多数個の磁電変換素子を個別化し、テープから磁電変換素子を取り外して後、個別化した磁電変換素子を振動や揺動を与え、ステンレスやカーボン等の材質でできたトレー板にエッチングや削り出しで多数個形成したキャビティー内に積載構造の特徴を生かし最終的に感磁部上の直方体の高透磁率磁性体チップを上にして整列配置させ、キャビティー底部の穴から吸引して磁電変換素子を固定し、磁電変換素子の整列を保持させる。
その後、前述の方法によりリードフレームを載置した後、吸引を解き、一括してリードフレームの所望の位置と磁電変換素子の内部電極とを接続する。この様にテープ若しくはトレー板を使用して、磁電変換素子を整列させ、リードフレームに一括に配置して磁電変換素子の内部電極とリードフレームとの接続を実現することがこの方法の特徴である。
次いで、リードフレームの面に耐熱テープを貼り付ける。耐熱テープは、ポリイミドの基材にシリコーン系粘着剤を施したものが好適に使用できる。また、リードフレームの面に予め耐熱テープを貼り付けた後、内部電極とリードフレームとを電気的に接続する方法も取り得る。
リードフレームと反対に位置する基板面を上にして、保護層を形成する。基板面または基板側面から保護層用樹脂を注入することにより、ダイシングのブレードの厚さで形成された溝やトレー板のキャビティ間隔で形成された磁電変換素子のそれぞれの基板と基板との間を通って、少なくとも内部電極とリードフレームとを電気的接続した導電性樹脂または金属の側面部と基板の表面に形成された感磁部と内部電極とリードフレームは保護層用樹脂で埋めることになる。
保護層としては前述のものを使用でき、形成方法は、ポッティング、スクリーン印刷、トランスファーモールド等があるが、トランスファーモールド法またはメタルマスクを使用した真空中でのスクリーン印刷法が好適に使用できる。この様にして保護層が形成された後、耐熱テープを除去する。
次いで、ダイシング等でリードフレームの少なくとも第二の厚さで形成された格子の幅以上の厚さのブレードを使用して格子の中央部に沿って切断する。この際に、ウエハ上の磁電変換素子が個片に分離されるとともに、一面に繋がっていたリードフレームも１素子当たり４つの電極に分離されることになる。また、この際に、第二の厚さから第一の厚さの間の任意の厚さで、リードフレームの断面が、磁電変換素子の側面に露出することになる。また、この際に、リードフレームの第一の厚さ部分を隣の素子の電極部と跨る様にリードフレームを設計すれば、ダイシングで、この部分の中央を切断することにより、図１５、図２０に示すように裏面と側面が繋がった外部接続用電極を形成することができる。
最後に、バレルメッキにより、磁電変換素子の裏面リードフレーム、切断により出現したリードフレームの断面部に、はんだ付けに適した金属を被覆するためのメッキを行い磁電変換素子が完成する。この被覆としては、電解メッキまたは無電解メッキなど何れの方法も可能である。
また、リードフレームにダイシングでハーフカットを予め入れてウエハごとメッキする方法が適用できる。この方法だとリードフレームに繋がった状態となっているためウエハ単体で一括にメッキができて好都合である。その後、前述の位置でハーフカットに使用したブレード厚より薄い厚さのブレードで前述の位置で切断することにより、図１７、図２２に示すような外部接続用電極を有する磁電変換素子が完成する。
さらに、この際、図１６、図２１に示すように、リードフレームの裏面のみ金属被膜が施された形態の場合は、予めリードフレームにメッキを施して、耐熱テープを貼り付け保護層を形成するか、または耐熱テープを除去した後、ウエハごとメッキする方法が適用できる。
また、次のような態様もある。すなわち、リードフレームのパターン配置を変え、第一の厚さで最終的に外部との電気的接続用端子となる部分を、図３０に示すように一列に配置させたデザインとしたリードフレームを、図２９に示すような内部電極と接続して前述の方法で保護層を形成した後、同様に第二の厚さ以上の厚さで形成された格子の幅以上の厚さのブレードを使用して格子の中央部に沿って切断する。
この際に、ウエハ上の磁電変換素子が個片に分離されるとともに、一面に繋がっていたリードフレームも１素子当たり４つの電極に分離されることになる。この際、４つの電極は、ほぼ直方体の磁電変換素子の面の一辺に並んだ配置となっており、この一辺に接するもう一つの面である切断面にも、リードフレームの第二の厚さから第一の厚さの間の任意の厚さでリードフレームの断面が露出することになる。
この切断面を実装面とする場合、切断により露出したリードフレームの断面が実装基板に接する外部接続用端子となり、耐熱テープを貼り付けた面の一辺に整列して露出した第一の厚さの外部接続用のリードフレームの部分が実装時に半田のフィレットが形成される側面電極となる。最終的にバレルメッキした後、図１８、図２３に示すような外部接続用電極を有する縦型磁電変換素子が完成する。
さらに、ブレードで個片に切断する前に、予め一辺に並んだ外部接続用端子となる第一の厚さのリードフレームの部分が並んだ方向のみに前記ブレードより厚いブレードでハーフカットする処理を施せば、並んだ外部接続用端子の一辺が削られた形状とすることも可能である。これは実装強度を上げる形態として有効である。そして、最終的にバレルメッキを施すと、図１９、図２４に示すような外部接続用電極を有する縦型磁電変換素子が完成する。
本発明は、かくしてウエハ全体を一括して処理して極めて簡便に素子化することを特徴とするものである。
このように、本発明の磁電変換素子は、少なくとも裏面のリードフレームと側面のリードフレームの断面部が外部電極との接続に使用されるので、素子を基板等に実装する際の良否の判定が、顕微鏡などの光学的手段による観察によって、例えば横側面へのはんだなどの濡れの観察によって、素子を破壊せずに可能になる。
また、外部との電気的な接続用端子をほぼ直方体形状の一辺に並べて配置し、更に切断面を実装面にすることにより、実装面に対して９０°異なる方向の磁束密度を検出することが可能な磁電変換素子を提供することができる。
発明を実施するための最良の形態
以下、図面を参照して本発明の第１実施形態について説明する。
図１〜図３は、本発明による磁電変換素子の一つであるホール素子の第１実施形態の模式的断面図で、図１は、基板が非磁性体基板で、リードが第一の厚さの裏面接続用電極と切断によって出現した第一の厚さの側面電極を形成した場合を示す図で、図２は、基板が非磁性体基板で、側面に出現しているリードの断面が少なくとも第一の厚さから第二の厚さまでの間で任意の厚さとなっている場合を示す図で、図３は、基板が非磁性体基板で、側面に出現しているリードの断面が第一の厚さで段差がある場合を示す図である。
図中符号１は感磁部、２は樹脂層又は無機物層、３は基板（非磁性体）、５は感磁部１を覆ったひずみ緩衝層、８は金属からなる内部電極、９は内部電極８とリード１０とを電気的に接合するための内部電極８上に形成された導電性物質（導電性樹脂層又は金属層）、１２は保護樹脂層、１３はリード１０の外部電極に相当する部分に形成した金属被膜部を示している。
本発明による磁電変換素子は、感磁部１および内部電極８が設けられた基板３と、内部電極８に搭載され、少なくとも第一の厚さａの領域１０ａと第二の厚さｂの領域１０ｂとを有し、第一の厚さの方が第二の厚さより厚いリード１０と、基板３の表面に形成された感磁部１と内部電極８とリード１０の一部とを封止する樹脂１２と、リード１０における第一の厚さ領域１０ａの露出面に設けられた外部接続用端子１３とを備えている。
また、図１において、リード１０における第一の厚さの裏面接続用電極部が第一の厚さのままで隣り合う磁電変換素子の内部電極８と跨って同じ第一の厚さで形成されており、その中央を切断したことにより、第一の厚さの側面電極１３が形成されている。
また、図２において、隣り合う磁電変換素子の内部電極８の間に第一の厚さより薄い第二の厚さのリード１０とした場合、エポキシ樹脂形成後、その中央を切断したことにより、第一の厚さより薄いリード１０の側面が形成されている。
さらに、図３において、図１の状態でエポキシ樹脂形成後、一旦ハーフカットを実施し、その後、ハーフカットより細いブレードを使用して中央部を切断することによってリード１０の側面が形成されている。
図４〜図６は、本発明による磁電変換素子の一つであるホール素子の第１実施形態の変更例を示す模式的断面図で、図４は、より高い感度のホール素子の場合で、基板が高透磁率磁性体基板で、リードが第一の厚さの裏面接続用電極と切断によって出現した第一の厚さの側面電極を形成した場合を示す図で、図５は、基板が高透磁率磁性体基板で、側面に出現しているリードの断面が少なくとも第一の厚さから第二の厚さまでの間で任意の厚さとなっている場合を示す図で、図６は、基板が高透磁率磁性体基板で、側面に出現しているリードの断面が第一の厚さで段差がある場合を示す図である。
図中符号４は基板（高透磁率磁性体）、６は高透磁率磁性体チップ７を感磁部１上に接合するための樹脂層、７はほぼ直方体状の高透磁率磁性体チップを示し、その他、図１〜図３と同じ機能を有す構成要素については同一の符号を付してあり、図４〜図６は、それぞれ上述した図１〜図３に対応している。
図１〜図６に示したホール素子を作製するための工程を、図７〜図１４を用いて説明する。図７は、非磁性体基板であるアルミナ基板３上に多数個の磁電変換素子のパターンが形成されている様子を示し、図８は、各磁電変換素子の内部電極８、感磁部１、ひずみ緩衝層５、２つの厚さをもったリードの第一の厚さ領域と内部電極とのパターン配置位置関係を示すための図である。図９および図１０は、それぞれ図７、図８の部分拡大図である。図７〜図１０に示した状態のウエハを次のような工程を経て作製した。
［実施例１］
まず、劈開した雲母を蒸着基板にして、はじめにＩｎ過剰のＩｎＳｂ薄膜を蒸着により形成し、次いで、ＩｎＳｂ膜中にある過剰のＩｎと化合物を形成するＳｂを過剰に蒸着する方法により、電子移動度４６０００ｃｍ２／Ｖ／ｓｅｃのＩｎＳｂ薄膜を厚さ０．７μｍに形成した。
次に、５４ｍｍ角、厚さ０．２ｍｍのアルミナ基板３を準備し、上述したＩｎＳｂ薄膜上にポリイミド樹脂を滴下し、アルミナ基板３をその上に重ね、重石を置いて２００℃で１２時間放置した。次に、室温に戻し、雲母を剥ぎ取り、ＩｎＳｂ薄膜が表面に形成されたウエハにした。
次に、フォトリソグラフィーの手法でウエハ上にホール素子パターンを形成する。内部電極用のパターニングを実施し、無電解銅メッキを施し厚付けのため更に電解銅メッキを施し、次に、エッチングパターンを形成して、エッチングにより、感磁部１と内部電極８を形成した。感磁部１の長さは３５０μｍ、幅は１７０μｍであった。各ホール素子のための一つのペレットの大きさは、０．６ｍｍ×０．９ｍｍ角であった。
次に、感磁部１が形成されている表面にソルダーレジスト（ひずみ緩衝層５）を形成するが、ソルダーレジストを厚さ３０μｍにスピンコーターを使用して塗布後、フォトリソグラフィーの工程を経て所定の部分のみ形成した。この状態を、図１１に示す。
次に、図１２に示すように、各磁電変換素子の内部電極部分に隣り合う磁電変換素子の内部電極部分と跨って、スクリーン印刷によりＡｇをフィラーとする導電性樹脂を２０μｍの厚さ塗布し、その後、２つの厚さを有し、第一の厚さが０．１ｍｍであるリードフレーム２０を、そのリードフレーム２０のパターン形状とウエハ上のホール素子の内部電極パターン形状とを位置合わせを実施して載せ、導電性樹脂を加熱硬化し、内部電極８とリードフレーム２０の電気的接合を施した。
次に、図１３に示すように、リードフレーム２０上にスクリーン印刷によりエポキシ樹脂を塗布して加熱硬化を実施した。この際、感磁部上のひずみ緩衝層やリードフレームにエポキシ樹脂が形成され、そして第一の厚さのリードフレーム上にも薄くエポキシ樹脂が形成された。
次に、図１４に示すように、グラインダーを使用し表層のエポキシ樹脂面を削り、リードフレームの第一の厚さ領域１０ａを露出させた。
次に、図１４に示した切断線１４に沿って、０．２ｍｍ幅のブレードを使用して、ウエハをＸＹ方向に切断し、個別のホール素子に分離した。
最後に、バレルメッキにより、リードフレームの裏面とダイシングソーでの切断によって出現したホール素子側面のリードフレームの断面および導電性樹脂断面に、ＮｉメッキでＮｉを３μｍ、はんだメッキではんだを２μｍ上記金属のメッキ被覆を施した。
このようにして得られたホール素子は、図１に示した断面となる。本実施例のホール素子の寸法は、０．６×０．９ｍｍ角で、厚さが０．３ｍｍであった。このホール素子の感度は、入力電圧１Ｖ、０．０５Ｔの磁束密度中の条件で平均約１１０ｍＶであった。
［実施例２］
半導体薄膜を担持したアルミナ基板を以下のようにして作製した。５４ｍｍ角で厚さが０．２ｍｍのアルミナ基板３の鏡面に仕上げた面にＡｌ２Ｏ３を３０００オングストローム形成した。その上に直接、実施例１と同様な蒸着法により、電子移動度１４０００ｃｍ２／Ｖ／ｓｅｃのＩｎＳｂ薄膜を形成した。
次に、フォトリソグラフィーの手法でウエハ上にホール素子パターンを形成する。内部電極と感磁部用のパターニング後、エッチングによりパターン形成を実施し、リフトオフ蒸着法によりＮｉとＣｒを蒸着して内部電極を形成した。感磁部１の長さは３５０μｍ、幅は１７０μｍとした。各ホール素子のための一つのペレットの大きさは、０．６ｍｍ×０．９ｍｍ角であった。次に、感磁部が形成されている表面にマスク蒸着法で、Ａｌ２Ｏ３を３０００オングストローム形成した。
その後、実施例１と同様にソルダーレジスト（ひずみ緩衝層５）を形成するが、ソルダーレジストを厚さ３０μｍにスピンコーターを使用して塗布後、フォトリソグラフィーの工程を経て所定の部分のみ形成した。以後、実施例１と同様にして、磁電変換素子を作製した。
このようにして得られたホール素子は、図１に示したものである。本実施例のホール素子の寸法は、０．６ｍｍ×０．９ｍｍ角で、厚さが０．３ｍｍであった。このホール素子の感度は、入力電圧１Ｖ、０．０５Ｔの磁束密度中の条件で平均約３２ｍＶであった。
［実施例３］
より高い感度のホール素子を目的として、図１１に示した状態のウエハを次のような工程を経て製造した。
まず、劈開した雲母を蒸着基板にして、はじめにＩｎ過剰のＩｎＳｂ薄膜を蒸着により形成し、次いで、ＩｎＳｂ膜中にある過剰のＩｎと化合物を形成するＳｂを過剰に蒸着する方法により、電子移動度４６０００ｃｍ２／Ｖ／ｓｅｃのＩｎＳｂ薄膜を厚さ０．７μｍに形成した。次に、５４ｍｍ角、厚さ０．２５ｍｍのＮｉＺｎフェライト基板４を準備し、上述したＩｎＳｂ薄膜上にポリイミド樹脂を滴下し、アルミナ基板をその上に重ね、重石を置いて２００℃で１２時間放置した。
次に、室温に戻し、雲母を剥ぎ取り、ＩｎＳｂ薄膜が表面に形成されたウエハにした。次に、フォトリソグラフィーの手法でウエハ上にホール素子パターンを形成した。内部電極用のパターニングを実施し、無電解銅メッキを施し厚付けのため更に電解銅メッキを施し、次にエッチングパターンを形成後、エッチングにより、感磁部１と内部電極８を形成した。感磁部１の長さは３５０μｍ、幅は１７０μｍであった。各ホール素子のための一つのペレットの大きさは、０．６ｍｍ×０．９ｍｍ角であった。
次に、感磁部１が形成されている表面に０．３ｍｍ角で厚さが０．１２ｍｍであるほぼ直方体状のＭｎＺｎフェライトチップを特公平７−１３９８７号公報に記載の方法によって、半導体装置の感磁部１の上に、シリコーン樹脂を接着剤として載せた。
次に、各ホール素子の内部電極部分に隣り合う磁電変換素子の内部電極部分と跨って、スタンプ法によりＡｇをフィラーとする導電性樹脂を２０μｍの厚さで塗布し、その後、２つの厚さを有し、第一の厚さが０．１５ｍｍであるリードフレームを、そのリードフレームのパターン形状とウエハ上のホール素子の内部電極パターン形状とを位置合わせを実施して載せ、導電性樹脂を加熱硬化し、内部電極とリードフレームの電気的接合を施した。後は、実施例１と同様にしてホール素子を作製した。
このようにして得られたホール素子は、図４に示したものである。本実施例のホール素子の寸法は、０．６×０．９ｍｍ角で、厚さが０．４ｍｍであった。このホール素子の感度は、入力電圧１Ｖ、０．０５Ｔの磁束密度中の条件で平均約２５０ｍＶであった。
［実施例４］
半導体薄膜を担持した高透磁率磁性体基板を以下のようにして作製した。５４ｍｍ角で厚さが０．２５ｍｍのＮｉＺｎフェライト基板の鏡面に仕上げた面の上にＳｉＯ２を３０００オングストローム形成した。その上に直接、実施例１と同様な蒸着法により、電子移動度１４０００ｃｍ２／Ｖ／ｓｅｃのＩｎＳｂ薄膜を形成した。
次に、フォトリソグラフィーの手法でウエハ上にホール素子パターンを形成する。内部電極と感磁部用のパターニングを実施し、エッチングにより、パターン形成を実施し、リフトオフ蒸着法によりＮｉとＡｕを蒸着して内部電極８を形成した。感磁部１の長さは３５０μｍ、幅は１４０μｍとした。各ホール素子のための一つのペレットの大きさは０．６ｍｍ×０．９ｍｍ角であった。
次に、感磁部が形成されている表面に０．３ｍｍ角で厚さが０．１２ｍｍである直方体のＭｎＺｎフェライトチップを、特公平７−１３９８７号公報に記載の方法によって、半導体装置の感磁部１の上に、シリコーン樹脂を接着剤として載せた。
次に、各ホール素子の内部電極部分に隣り合う磁電変換素子の内部電極部分と跨って、スタンプ法によりＡｇをフィラーとする導電性樹脂を２０μｍの厚さで塗布し、その後、２つの厚さを有し、第一の厚さが０．１５ｍｍであるリードフレームを、そのリードフレームのパターン形状とウエハ上の磁電変換素子のパターン形状とを位置合わせを実施して載せ、導電性樹脂を加熱硬化し、内部電極とリードフレームの電気的接合を施した。後は、実施例１と同様にしてホール素子を作成した。
このようにして得られたホール素子は、図４に示したものである。本実施例のホール素子の寸法は、０．６×０．９ｍｍ角で、厚さが約０．４ｍｍであった。このホール素子の感度は、入力電圧１Ｖ、０．０５Ｔの磁束密度中の条件で平均約９８ｍＶであった。
以上の実施例ではホール素子を例にして説明してきたが、本発明の概念および製造方法は他の磁電変換素子である半導体ＭＲや強磁性体ＭＲ、ＧＭＲにも適用できるのはもちろんである。
図１５〜図２４は、本発明による磁電変換素子の一つであるホール素子の第２実施形態の模式的断面図で、図１５〜図１９は、基板として、高透磁率磁性体基板、無機基板、ガラス基板、半導体基板、半導体素子が形成された半導体基板のいずれかを用いた場合で、図２０〜図２４は、基板として高透磁率磁性体基板を用い、感磁部上に高透磁率磁性体チップを設けた場合を示す図である。
この第２実施形態は、感磁部１と内部電極８とリード１０とを電気的に接続した部分の側部が樹脂１２で封止されていることが特徴である。なお、以下に図面を参照して本発明の磁電変換素子の一例であるホール素子の実施例について説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
なお、図１〜図６と同じ機能を有す構成要素については同一の符号を付してあり、図１５〜図１９は、それぞれ図２０〜図２４に対応している。
図１５、図２０に示したホール素子において、リード１０は、少なくとも２つ以上の厚さである第一の厚さａの領域１０ａと第二の厚さｂの領域１０ｂを有しており、第一の厚さａの方が第二の厚さｂより厚く構成されている。
また、リード１０は、少なくとも基板３の上面に形成された内部電極８上に載置されていて、少なくとも内部電極８とリード１０とを電気的に接続した部分９の側部と、基板３の表面に形成された感磁部１と、内部電極８と、リード１０とは、樹脂１２で封止されている。
また、第一の厚さａの領域１０ａのリード１０の面が、露出して外部との電気的な接続用端子１３となっており、リード１０の最小の厚さから最大の厚さまでの間で任意の厚さのリード１０の断面が、側面に露出している。つまり、リード１０には、そのリード１０の第一の厚さａを有する裏面接続用電極と、切断によって出現した第一の厚さａを有する側面電極が形成されている。
このように、図１５、図２０において、リード１０の第一の厚さａを有する裏面接続用電極部が、例えば、第一の厚さａのままで隣り合う磁電変換素子の内部電極８と跨って同じ第一の厚さａで形成されており、その中央を切断したことにより、第一の厚さａの側面電極が形成されている。
図１６、図２１は、側面に出現しているリード１０の断面が少なくとも第一の厚さａから第二の厚さｂまでの間で任意の厚さとなっている。
図１６、図２１において、隣り合う磁電変換素子の内部電極８と跨るリード１０の厚さを、第一の厚さａより薄く、第二の厚さｂまでの間の任意の厚さとし、エポキシ樹脂形成後、その中央を切断したことにより、第一の厚さａより薄いリード１０の側面が形成されている。
図１７、図２２は、側面に出現しているリード１０に段差がある場合であり、この段差は削られて形成されており、この削られた露出部分にリード１０の外部電極に相当する金属被膜１３が形成されている。つまり、側面に出現しているリード１０の断面が第一の厚さａで段差が設けられている。
図１７、図２２において、外部接続用電極の形態は、図１５、図２０の状態でエポキシ樹脂形成後、一旦ハーフカットを実施し、その次にハーフカットより細いブレードを使用して中央部を切断することによってリード１０の側面が形成されている。
図１８、図２３は、リード１０が第一の厚さａの外部接続用電極と切断によって出現した第一の厚さａのリード１０の断面部を形成し、このリード１０の切断面を実装面としている。
図１９、図２４は、側面に出現しているリード１０が削られており、この削られた露出部分にリード１０の外部電極に相当する金属被膜１３が形成されている。つまり、リード１０が第一の厚さａの外部接続用電極と切断によって出現した第一の厚さａのリード１０の断面を段差で形成し、リード１０の切断面を実装面としている。
図２５〜図２８は、図１５〜図２４に示した各実施例の製造方法を説明するための図で、図２７、図２８はそれぞれ図２５、図２６の部分拡大図である。
図２５は、高透磁率磁性体基板上に設けられた磁電変換素子の構成部を示す図で、高透磁率磁性体基板であるフェライト基板４上に多数個の磁電変換素子のパターンが形成され、更に感磁部１の上に高透磁率磁性体チップ７が載置されている。つまり、高透磁率磁性体基板４上に磁電変換素子の構成部である感磁部１と内部電極８と高透磁率磁性体チップ７とが多数個形成されている。図２５の部分拡大図である図２７には、各磁電変換素子の内部電極８と、感磁部１と、高透磁率磁性体チップ７との配置位置関係が示されている。
図２６は、各磁電変換素子の内部電極パターンの上に、リードフレームが一括に載置されている様子を示す図である。図２５に示した基板を、切断用テープ１５を貼り個片に切断した後、２つの厚さをもったリードフレームの第一の厚さの部分と内部電極８と位置合わせをし、リードフレームを載置している。つまり、ダイシングにより、各磁電変換素子を個片に分割した後に、各磁電変換素子の内部電極パターンの上に、２つの厚さをもったリードフレームが一括に載置されている。図２６の部分拡大図である図２８には、各磁電変換素子の感磁部１と、高透磁率磁性体チップ７と、２つの厚さａ，ｂをもったリード１０の領域１０ａ，１０ｂとの配置関係が示されている。
図２９、図３０は、図１８、図１９，図２３，図２４に示した各実施例の製造方法を説明するための図で、図２９は、磁電変換素子の部分拡大図、図３０は、２つの厚さをもったリードフレームを載置した磁電変換素子の部分拡大図である。
図２９には、図２３の磁電変換素子を作製する場合のフェライト基板４上に形成した磁電変換素子のパターンで、さらに高透磁率磁性体チップ７を載置した状態が示されている。また、図３０には、図２９の状態にリードフレームを載置した場合で、各磁電変換素子の内部電極８と、感磁部１と、高透磁率磁性体チップ７と、２つの厚さをもったリード１０との配置関係が示されている。
［実施例５］
図２０に示したホール素子を作製するための工程を、図３１〜図３７を用いて説明する。
まず、劈開した雲母を蒸着基板にして、始めにＩｎ過剰のＩｎＳｂ薄膜を蒸着により形成し、次いで、ＩｎＳｂ膜中にある過剰のＩｎと化合物を形成するＳｂを過剰に蒸着する方法により、電子移動度４６０００ｃｍ２／Ｖ／ｓｅｃのＩｎＳｂ薄膜を厚さ０．７μｍに形成した。次に、５４ｍｍ角、厚さ０．２５ｍｍのフェライト基板４を準備し、上述したＩｎＳｂ薄膜上にポリイミド樹脂を滴下し、フェライト基板４をその上に重ね、重石を置いて２００℃で１２時間放置した。
次に、室温に戻し、雲母を剥ぎ取り、ＩｎＳｂ薄膜が表面に形成されたウエハにした。次に、フォトリソグラフィーの手法でウエハ上にホール素子パターンを形成した。内部電極用のパターニングを実施し、無電解銅メッキを施して厚付けのため更に電解銅メッキを施し、次に、エッチングパターンを形成後、エッチングにより、感磁部１と内部電極８を形成した。感磁部１の長さは４１０μｍ、幅は１４０μｍであった。各ホール素子が形成されたピッチは、Ｘ方向で０．９５ｍｍＹ方向で１．１５ｍｍであった。
次に、図３１に示すように、感磁部１が形成されている表面に０．２７ｍｍ角で厚さが０．１５ｍｍである直方体のフェライトチップを、上述した特公平７−１３９８７号公報に記載の方法によって、半導体装置の感磁部１の上に、接着剤を介して載せた。
次に、図３２に示すように、フェライト基板の裏面にダイシングで使用する切断用テープ１５を貼り付け、０．３５ｍｍ厚のダイシングブレードを用いて、上述のピッチで切断した。各ホール素子のための一つのペレットの大きさは、０．６ｍｍ×０．８ｍｍ角で厚さが０．２５ｍｍとなった。
次に、各ホール素子のペレットのそれぞれの内部電極部分にＡｇをフィラーとする導電性樹脂をスタンプにより塗布し、各内部電極パターン位置に合わせて２つの厚さを有し、第一の厚さが０．２ｍｍのリードフレーム２０を載せ、導電性樹脂を加熱硬化し、各ホール素子のペレットの内部電極８とリードフレーム２０の電気的接合を施した（図３３）。その後、切断用テープ１５を除去した。図３４は、この状態を示す断面図である。
次に、図３５に示すように、リードフレーム２０の第一の厚さの部分に耐熱テープ１６を貼り付け、個片に切断したフェライト基板４の底面を上にした。
次に、トランスファーモールドの手法を用い、図３５の状態のリードフレームをキャビティの深さが０．２ｍｍの下金型にセットし、キャビティの深さが０．３５ｍｍの上金型と合わせ、１７５℃の温度にて個片に切断したホール素子のペレットのフェライト基板の裏面や側面から樹脂を注入し、金型から取り出した後、キュアを実施した。図３６は、この状態を示す断面図である。
次に、耐熱テープを取り除いた後、ダイシングで使用する切断用テープを貼り付け、０．２５ｍｍ厚のダイシングブレードを用いて、再度、切断線１４に沿って切断してリード１０の第一の厚さａとリード１０の側面が出現した。また、フェライト基板４の上には０．１ｍｍ厚で、また、各ホール素子ペレット側面には０．０５ｍｍ厚でモールドで使用した樹脂が形成された。
最後に、バレルメッキにより、ホール素子の裏面のリード、切断により出現したリードの断面部に、はんだ付けに適した金属を被覆するためのメッキを行いホール素子が完成した。図３７は、この状態を示す断面図である。
このようにして得られたホール素子は、図２０に示した断面になる。本実施例のホール素子の寸法は、０．７×０．９ｍｍ角で、厚さが０．５５ｍｍであった。このホール素子の感度は、入力電圧１Ｖ、０．０５Ｔの磁束密度中の条件で平均約３５６ｍＶであった。
［実施例６］
半導体薄膜を担持した高透磁率磁性体基板を以下のようにして作製した。５４ｍｍ角で厚さが０．２５ｍｍのフェライト基板４の鏡面に仕上げた面の上にＳｉＯ２を３０００オングストローム形成した。その上に直接、実施例５と同様な蒸着法により、電子移動度２４０００ｃｍ２／Ｖ／ｓｅｃのＩｎＳｂ薄膜を形成した。
次に、フォトリソグラフィーの手法でウエハ上にホール素子パターンを形成する。内部電極と感磁部用のパターニングを実施し、エッチングにより、パターン形成を実施し、リフトオフ蒸着法によりＮｉとＡｕを蒸着して内部電極部を形成した。感磁部１の長さは３５０μｍ、幅は１４０μｍとした。各ホール素子のペレットが形成されたピッチは、Ｘ方向で０．９５ｍｍＹ方向で１．１５ｍｍであった。以下、実施例５と同様にしてホール素子が完成した。
このようにして得られたホール素子は、図２０に示した断面になる。本実施例のホール素子の寸法は、０．７×０．９ｍｍ角で、厚さが０．５５ｍｍであった。このホール素子の感度は、入力電圧１Ｖ、０．０５Ｔの磁束密度中の条件で平均１９０ｍＶであった。
［実施例７］
図２０に示したホール素子を作製するための他の工程を、図３８〜図４３を用いて説明する。
高透磁率磁性体基板である厚さが０．２５ｍｍのフェライト基板４上に感磁部である半導体薄膜を担持し、さらに内部電極を形成した後、感磁部上に０．３ｍｍ×０．３ｍｍ角で厚さが０．１ｍｍのフェライトチップを、載置したホール素子を多数個形成した基板を実施例５と同様にして作製した。各ホール素子が形成されたピッチは、Ｘ方向で０．８８ｍｍＹ方向で０．８８であった。
次に、フェライト基板の裏面にダイシングで使用する切断用テープ１５を貼り付け、０．０８ｍｍの厚さのダイシングブレードを用いて、上述のピッチで切断した。各ホール素子のための一つのフェライト基板にフェライトチップが積載された構造となっているホール素子のペレットのフェライト基板４の大きさは、０．８ｍｍ×０．８ｍｍ角で厚さが０．２５ｍｍとなった。その後、切断したホール素子のペレットを切断用テープ１５から剥離した。
次に、図３８に示すように、サクションボックス上にホール素子のペレットと相似形のペレット受け穴をＸ方向で１．４５ｍｍＹ方向で２．０５ｍｍピッチで所用数設けたトレー板に、ペレット受け穴に振り込む必要量以上のホール素子のペレットを供給し、ホール素子のペレットがこぼれ落ちない様にトレー板１７に覆いを施した後、サクションボックス全体を振動や揺動や回転を施し、ある確率でペレット受け穴に入り込んだホール素子のペレットをそれぞれの受け穴からサクションボックスに連通している穴でホール素子のペレットを吸着しホール素子のペレットを捕らえ、最終的に全てのペレット受け穴に内部電極を上にしてトレー板１７にホール素子のペレットを整列させた。
次に、図３９に示すように、２つの厚さを有し、第一の厚さが０．１５ｍｍのリードフレーム２０を下にし、リードフレーム２０の所望の位置にＡｇをフィラーとする導電性樹脂をスタンプにより塗布し、導電性樹脂を塗布した位置と、トレー板上に整列した各ホール素子のペレットのそれぞれの内部電極パターン位置を合わせた後、サクションボックスの吸引を切り、トレー板１７からホール素子のペレットをリードフレーム２０上に載置した。
次に、図４０に示すように、導電性樹脂を加熱硬化し、各ホール素子のペレットの内部電極８とリードフレーム２０の電気的接続を施した。
次に、図４１に示すように、リードフレーム２０の第一の厚さａの部分１０ａに耐熱テープ１６を貼り付けた。
以下、トランスファーモールドの手法を用い、図４１の状態のリードフレームを０．１５ｍｍの深さの下金型にセットし、キャビティの深さが０．３５ｍｍの上金型を合わせ、１７５℃の温度にて個片に切断したフェライト基板の裏面や側面から樹脂を注入し、金型から取り出した後、キュアを実施した。図４２は、この状態を示す断面図である。
次に、図４３に示すように、耐熱テープを取り除いた後、ダイシングで使用する切断用テープを貼り付け、０．２５ｍｍ厚のダイシングブレードを用いて、再度、ホール素子のペレットが形成されているピッチである切断線１４に沿って切断してリード１０の第一の厚さａとリード１０の側面が出現した。また、フェライト基板４の上には０．１ｍｍ厚で、また、各ホール素子のペレットのフェライト基板側面には最低０．２ｍｍ厚でモールドで使用した樹脂が形成された。
最後に、バレルメッキにより、ホール素子の裏面のリード、切断により出現したリードの断面部に、はんだ付けに適した金属を被覆するためのメッキを行いホール素子が完成した。
このようにして得られたホール素子は、図２０に示した断面となる。本実施例のホール素子の寸法は、１．２×１．８ｍｍ角で、厚さが０．５０ｍｍであった。このホール素子の感度は、入力電圧１Ｖ、０．０５Ｔの磁束密度中の条件で平均約２４０ｍＶであった。
［実施例８］
図１５に示したホール素子を製造するために、まず、劈開した雲母を蒸着基板にして、はじめにＩｎ過剰のＩｎＳｂ薄膜を蒸着により形成し、次いでＩｎＳｂ膜中にある過剰のＩｎと化合物を形成するＳｂを過剰に蒸着する方法により、電子移動度４６０００ｃｍ２／Ｖ／ｓｅｃのＩｎＳｂ薄膜を厚さ０．７μｍに形成した。次に、５４ｍｍ角、厚さ０．１５ｍｍのアルミナ基板３を準備し、上述したＩｎＳｂ薄膜上にポリイミド樹脂を滴下し、アルミナ基板３をその上に重ね、重石を置いて２００℃で１２時間放置した。次に室温に戻し、雲母を剥ぎ取り、ＩｎＳｂ薄膜が表面に形成されたウエハにした。
次に、フォトリソグラフィーの手法でウエハ上にホール素子パターンを形成する。内部電極用のパターニングを実施し、無電解銅メッキを施し、厚付けのため更に電解銅メッキを施し、次に、エッチングパターンを形成して、エッチングにより、感磁部１と内部電極８を形成した。感磁部１の長さは３５０μｍ、幅は１７０μｍであった。次に、感磁部が形成されている表面にソルダーレジスト５を形成するが、ソルダーレジストを厚さ３０μｍにスピンコーターを使用して塗布後、フォトリソグラフィーの工程を経て少なくとも感磁部１を覆う様に形成した。各ホール素子が形成されたピッチは、Ｘ方向で０．９ｍｍＹ方向で１．１ｍｍであった。
次に、アルミナ基板の裏面にダイシングで使用する切断用テープ１５を貼り付け、０．３ｍｍ厚のダイシングブレードを用いて、上述のピッチで切断した。各ホール素子のための一つのペレットの大きさは、０．６ｍｍ×０．８ｍｍ角で厚さが０．１５ｍｍとなった。
次に、各ホール素子のペレットのそれぞれの内部電極部分にＡｇをフィラーとする導電性樹脂をスタンプにより塗布し、各内部電極パターン位置に合わせて２つの厚さを有し、第一の厚さが０．１５ｍｍのリードフレーム２０を載せ、導電性樹脂を加熱硬化し、各ホール素子のペレットの内部電極８とリードフレーム２０の電気的接合を施した。
以下、真空中でのスクリーン印刷の手法を用い、開口部の厚さが０．２ｍｍのメタルマスクを使用し、図３５の状態のリードフレームを印刷機のステージにセットし、リードフレームの周辺をメタルマスクで押さえて真空状態の中でエポキシ樹脂を、印刷塗布を実施した。エポキシ樹脂を、加熱硬化を施して耐熱テープ１６を取り除いた後、厚さ０．２ｍｍのブレードを使用してダイシングを実施した以外は、実施例５と同様にしてホール素子が完成した。
このようにして得られたホール素子は、図１５に示した断面となる。本実施例のホール素子の寸法は、０．７×０．９ｍｍ角で、厚さが０．３５ｍｍであった。このホール素子の感度は、入力電圧１Ｖ、０．０５Ｔの磁束密度中の条件で平均約１１０ｍＶであった。
［実施例９］
図２３に示したホール素子を製造するために、実施例５と同様な方法で、感磁部１と内部電極８を形成し、０．２７ｍｍ角で厚さが０．１ｍｍである直方体のフェライトチップを感磁部１の上に、接着剤を介して載せた。感磁部１の長さは３５０μｍ、幅は１４０μｍであり、図２９のウエハ部分拡大図に示した様なパターンを形成した。各ホール素子が形成されたピッチは、Ｘ方向で２．５ｍｍＹ方向で０．８ｍｍであった。
次に、フェライト基板の裏面にダイシングで使用する切断用テープ１５を貼り付け、０．３ｍｍ厚のダイシングブレードを用いて、上述のピッチで切断した。各ホール素子のための一つのペレットの大きさは、２．２ｍｍ×０．５ｍｍ角で厚さが０．２５ｍｍとなった。
次に、各ホール素子のペレットのそれぞれの内部電極部分にＡｇをフィラーとする導電性樹脂をスタンプにより塗布し、各内部電極パターン位置に合わせて２つの厚さを有し、第一の厚さが０．１５ｍｍのリードフレーム２０を載せ、導電性樹脂を加熱硬化し、各ホール素子のペレットの内部電極８とリードフレーム２０の電気的接合を施した。以下、トランスファーモールドの手法を用い、図３５の状態のリードフレームを０．１５ｍｍの深さのキャビティが形成されている下金型にセットし、上金型のキャビティの深さが０．５５ｍｍとし、厚さ０．２ｍｍのブレードを使用してダイシングを実施した以外は、実施例５と同様にしてホール素子が完成した。
このようにして得られたホール素子は、図２３に示した断面となる。本実施例のホール素子の寸法は、２．３×０．６ｍｍ角で、厚さが０．７ｍｍであった。このホール素子の感度は、入力電圧１Ｖ、０．０５Ｔの磁束密度中の条件で平均約１９４ｍＶであった。図２３のように、外部との電気的な接続用端子となる第一の厚さ領域１０ａのリード１０の面が、直方体の一つの面の一辺に接して並んで露出して側面電極となり、この一辺に接するもう一つの面であるダイシングによる切断面を実装面とし、高さが０．６ｍｍの水平方向磁束密度を検出するホール素子となった。
［実施例１０］
図２４に示したホール素子を製造するために、実施例９と同様な方法で、図３６の状態のトランスファーモールドまで実施した。
次に、フェライト基板裏面にダイシングで使用する切断用テープ１５を貼り付け、０．３５ｍｍ厚のダイシングブレードを用いて、図３０で示した切断線１４のラインをブレードの中心ラインとし、第一の厚さのリードの面から０．１ｍｍの深さの切り込み量になるように調整し、０．８ｍｍピッチで一方向のみハーフカットを実施した。
次に、厚さ０．２ｍｍのダイシングブレードを使用して、再度、図３０で示した切断線１４をブレードの中心ラインとしＹ方向０．８ｍｍピッチでそしてＸ方向２．５ｍｍピッチでフルカットを実施した。この後、実施例５と同様にしてホール素子が完成した。
このようにして得られたホール素子は、図２４に示した断面となる。実施例１０と同様に本実施例のホール素子の寸法は、２．３×０．６ｍｍ角で、厚さが０．７ｍｍとなり、さらに外部接続用電極となる一辺が削られている態様となった。図２４のように、外部との電気的な接続用端子となる第一の厚さ領域のリードの面が、直方体の一つの面の一辺に接して並んで露出し側面電極となり、この一辺が削られた状態になっており、この一辺に接するもう一つの面であるダイシングによる切断面を実装面とし、高さが０．６ｍｍの水平方向磁束密度を検出するホール素子となった。
産業上の利用可能性
少なくとも２つ以上の厚さを有するリードが基板の上面に形成された内部電極上に載置され、少なくとも基板の上面に形成された感磁部と内部電極とリードは樹脂で封止されており、第一の厚さの領域のリードの面が露出して外部との電気的な接続用端子となっており、リードの最小の厚さから最大の厚さまでの間で任意の厚さのリードの断面が側面に露出しており、極めて小型、薄型でかつ実装時の良否判定を素子を破壊することなく行うことができ、さらに磁電変換素子の電極部形成が簡便な磁電変換素子を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
図１〜図３は、本発明によるホール素子の第１実施形態を説明するための模式的断面図である。
図４〜図６は、本発明によるホール素子の第１実施形態の変更例を説明するための模式的断面図である。
図７〜図１４は、図１〜図６に示した第１実施形態の製造方法の工程図である。
図１５〜図２４は、本発明に係るホール素子の第２実施形態を説明するための模式的断面図である。
図２５〜図２８は、図１５〜図２４に示した第２実施形態の製造方法を説明するための図である。
図２９、図３０は、図１８，図１９，図２３，図２４に示した第２実施形態の製造方法を説明するための図である。
図３１〜図４３は、図１５〜図２４に示した第２実施形態の製造方法を説明するための工程図である。
図４４Ａ，図４４Ｂは、従来のホール素子の形状を示す図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
2003090289.tif 000033
【図３２】
2003090289.tif 000034
【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
2003090289.tif 000039
【図３８】
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【図３９】
2003090289.tif 000041
【図４０】
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【図４１】
2003090289.tif 000043
【図４２】
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【図４３】
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【図４４Ａ】
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【図４４Ｂ】
2003090289.tif 000047
【国際調査報告】
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2003090289.tif 000049
2003090289.tif 000050
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