【事件の表示】
　特願２００７−１８３３４２「チップ部品型ＬＥＤ」拒絶査定不服審判事件〔平成２１年　１月２９日出願公開、特開２００９−　２１４２６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯
　本願は、平成１９年７月１２日に出願したものであって、平成２３年８月３日付け拒絶理由通知に対し、同年１０月６日付けで手続補正がなされ、同年１２月９日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成２４年３月７日付けで拒絶査定に対する審判請求がなさると同時に手続補正がなされ、同年４月９日付け前置審査における拒絶理由通知に対し、同年６月８日付けで手続補正がなされたものである。
　その後、同年８月１３日付けで、審判請求人に前置報告書の内容を示し意見を求めるための審尋を行ったところ、同年１０月１１日に回答書が提出された。
　
２　本願発明
　本願の請求項１〜６に係る発明は、平成２４年６月８日付け手続補正後の特許請求の範囲、明細書及び図面からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜６に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次のとおりである。
「ＬＥＤチップ搭載用の貫通穴である第１凹穴と金属細線接続用の貫通穴である第２凹穴とが形成された絶縁基板の外周側面を除く裏面側に、前記第１凹穴に対応した配線パターンとなる第１裏面側金属薄板と前記第２凹穴に対応した配線パターンとなる第２裏面側金属薄板とが電気的に分離された状態で形成され、
　前記絶縁基板の前記外周側面を除く表面側には、前記第１凹穴を含む部分に第１配線パターンとなる第１表面側金属薄板が形成されるとともに、前記第１表面側金属薄板と電気的に分離された状態で、前記第２凹穴を含む部分に第２配線パターンとなる第２表面側金属薄板が形成され、
　前記第１裏面側金属薄板と前記第１表面側金属薄板とが前記第１凹穴の裏面側の底面においてのみ直接接続され、
　前記第２裏面側金属薄板と前記第２表面側金属薄板とが前記第２凹穴の裏面側の底面においてのみ直接接続される一方、
　前記第１凹穴内の前記第１表面側金属薄板上にＬＥＤチップが実装され、このＬＥＤチップが金属細線を介して前記第２凹穴内の前記第２表面側金属薄板に電気的に接続されて透明樹脂により封止されていることを特徴とするチップ部品型ＬＥＤ。」
　
３　引用刊行物
（１）原査定の拒絶の理由に引用され、本願出願前に頒布された特開２００７−１６５５０２号公報（以下「刊行物１」という。）には、以下の記載が図とともにある。（下線は審決で付した。以下同じ。）
　ア　【００５９】
　図９において、
素子内蔵回路基板は、熱可塑性樹脂から成る層間絶縁体層１、該層間絶縁体層１の一主面に形成された第１の配線回路２
層間絶縁体層１の他主面に形成された第２の配線回路３を有する
第２の配線回路３の一の配線３ａおよび他の配線３ｂには、それぞれ層間絶縁体層１により囲繞された凹所２３ａおよび凹所５ａが設けられている
少なくとも凹所５ａが順テーパー状に形成されている。なお、凹所２３ａも順テーパー状に形成されていてもよい
【００６０】
　ここで、上記
凹所２３ａ底部および凹所５ａ底部の配線３ａと配線３ｂの表面
例えばＮｉ／Ａｇの複合層から成るメッキ層６が施されている
【００６１】　
　そして、上記
順テーパー状の凹所５ａ底部の配線３ｂのランド部に半導体チップ８がマウントされ、ボンディングワイヤー９が半導体チップ８の電極パッド
と上記凹所２３ａ底部の配線３ａに接続されている
半導体チップ８は半導体ＬＥＤ
である
【００６２】
　そして、
封止樹脂２８が、上記半導体チップ８を上記凹所５ａに封止し
全面に形成されている
封止樹脂２８は上記半導体ＬＥＤの出射光を透過する透明樹脂
　イ　【００６８】
　そして、例えば化学薬液である塩化第二鉄水溶液のエッチング液に浸漬し、上記エッチングレジスト３１をエッチングマスクにして、両面銅張積層板１７の両銅箔１６，１１ｃをエッチング加工する。このエッチング加工により、図１１（ｂ）に示すように、第２の配線回路３の一配線である配線３ａと他配線である配線３ｂが形成される。また、第１の銅箔１１ｃは上記所定の領域を残してエッチングされる。ここで、
第１の銅箔１１ｃが層間絶縁体層１を貫挿し第２の銅箔１６に達していた順テーパー形状の凸部は全てエッチング除去される。
　ウ　【００７２】
　続いて、図１２（ｂ）に示すように、凹所５ａ底部の配線３ｂから成るランド部の
メッキ層６表面に
装着する
半導体チップ８の電極パッド
と配線３ａの凹所２３ａ底部のメッキ層６とにそれぞれのボンディングワイヤー９を超音波ボンディングする
　エ　【図９】から、第２の配線回路３の一配線である配線３ａと他配線である配線３ｂは、
層間絶縁体層１の他主面側のみに形成されている
　オ　上記イの記載及び【図１１】から、凹所５ａ及び凹所２３ａは、
層間絶縁体層１を貫通している
　
　カ　上記記載及び図面を含む刊行物１全体の記載から、刊行物１には、以下の発明が記載されていると認められる。
「熱可塑性樹脂から成る層間絶縁体層１、該層間絶縁体層１の一主面に形成された第１の配線回路２、層間絶縁体層１の他主面に形成された第２の配線回路３を有する素子内蔵回路基板であって、
　前記第２の配線回路３の一の配線３ａおよび他の配線３ｂは、層間絶縁体層１の他主面側のみに形成され、前記一の配線３ａおよび他の配線３ｂには、それぞれ層間絶縁体層１により囲繞され、層間絶縁体層１を貫通した凹所２３ａおよび凹所５ａが設けられ、凹所５ａ、凹所２３ａが順テーパー状に形成され、
　前記凹所２３ａ底部および凹所５ａ底部の配線３ａと配線３ｂの表面に、例えばＮｉ／Ａｇの複合層から成るメッキ層６が施され、  　
　前記順テーパー状の凹所５ａ底部の配線３ｂのランド部のメッキ層６表面に半導体チップ８がマウントされ、ボンディングワイヤー９が半導体チップ８の電極パッドと前記凹所２３ａ底部のメッキ層６にボンディングされ、配線３ａに接続され、半導体チップ８は半導体ＬＥＤであり、
　半導体ＬＥＤの出射光を透過する封止樹脂２８が、前記半導体チップ８を前記凹所５ａに封止するとともに全面に形成されている素子内蔵回路基板。」（以下「引用発明」という。）
　
（２）原査定の拒絶の理由に引用され、本願出願前に頒布された特開平７−２３５６９６号公報（以下「刊行物２」という。）には、以下の記載が図とともにある。
　ア　〔実施例２〕図４及び図５は、本発明の
チップ部品型ＬＥＤ
【００３８】図において、
貫通穴３２が形成された絶縁基板３０
貫通穴３２の内周面は、絶縁基板３０の裏面３０１側から表面３０２側に向かって漸次拡開する湾曲面３２１に形成され
　イ　【００４５】第３の工程では、
貫通穴３２の内面（周面及び底面）に
金属層２９を形成する
貫通穴３２内に金属層２９を形成するのは、ＬＥＤチップ２１の点灯時の光の反射効率を向上させるためである
　
４　対比
（１）本願発明と引用発明とを比較すると、引用発明の「『半導体ＬＥＤ』である『半導体チップ８』」、「凹所５ａ」、「凹所２３ａ」、「層間絶縁体層１」、「他主面」、「一主面」、「第２の配線回路３の一の配線３ａ」、「第２の配線回路３の他の配線３ｂ」、「ボンディングワイヤー９」、「出射光を透過する封止樹脂２８」及び「素子内蔵回路基板」は、それぞれ本願発明の「ＬＥＤチップ」、「第１凹穴」、「第２凹穴」、「絶縁基板」、「裏面」、「表面」「配線パターンとなる第１裏面側金属薄板」、「配線パターンとなる第２裏面側金属薄板」、「金属細線」、「透明樹脂」及び「チップ部品型ＬＥＤ」に相当する。
（２）引用発明の「凹所５ａ」底部には、「半導体ＬＥＤ」である「半導体チップ８」がマウントされ、「凹所５ａ」は「層間絶縁体層１を貫通し」ているから、ＬＥＤチップ搭載用の貫通穴である第１凹穴といえ、引用発明の「凹所２３ａ」底部には、「ボンディングワイヤー９」がボンディングされ、「凹所２３ａ」は「層間絶縁体層１を貫通し」ているから、金属細線接続用の貫通穴である第２凹穴といえる。
　引用発明の「第２の配線回路３の一の配線３ａおよび他の配線３ｂ」は「層間絶縁体層１の他主面側のみに形成され」ているから、絶縁基板の外周側面を除く裏面側に形成されているものといえる。
　引用発明の「一の配線３ａおよび他の配線３ｂ」は「それぞれ層間絶縁体層１により囲繞され、層間絶縁体層１を貫通した凹所２３ａおよび凹所５ａが設けられ」ているから、第１凹穴に対応した配線パターンとなる第１裏面側金属薄板及び第２凹穴に対応した配線パターンとなる第２裏面側金属薄板といえ、互いに電気的に分離された状態で形成されているものといえる。
　よって、引用発明は、ＬＥＤチップ搭載用の貫通穴である第１凹穴と金属細線接続用の貫通穴である第２凹穴とが形成された絶縁基板の外周側面を除く裏面側に、前記第１凹穴に対応した配線パターンとなる第１裏面側金属薄板と前記第２凹穴に対応した配線パターンとなる第２裏面側金属薄板とが電気的に分離された状態で形成されているものといえる。
（３）本願発明の「第１表面側金属薄板」及び「第２表面側金属薄板」に関し、本願明細書には以下の記載がある。
「【００３０】
　次の工程では、各凹穴３ａ，３ｂの側面と底面の金属薄板２上とに延設するように、絶縁基板１の表面側から、厚さ２０μｍのＣｕメッキ層４５をメッキにより形成する（図２（ｄ））。ここで、Ｃｕメッキが不要な箇所はレジストを用いて保護しておく。」
「【００３２】
　次の工程では、絶縁領域を形成するために、絶縁基板1表面の不要なＮｉ／Ａu層及びＣｕメッキ層４５と金属薄板４とを除去（符号４６により示す）するとともに、絶縁基板1裏面の不要な金属薄板２を除去（符号２２により示す）する（図２（ｅ））。これにより、絶縁基板１の表面に、第１配線パターンとなる金属薄板４ａと、第２配線パターンとなる金属薄板４ｂとが絶縁状態で形成され、絶縁基板１の裏面に、第１配線パターンの金属薄板４ａに対向する金属薄板２ａと、第２配線パターンの金属薄板４ｂに対向する金属薄板２ｂとが絶縁状態で形成される。」
「【００３３】
　次の工程では、ＬＥＤチップ搭載用の凹穴３ａの底面の金属薄板４ａに、銀ペーストを用いてＬＥＤチップ５を実装する（図２（ｆ））。」
「【００３４】
　次の工程では、実装されたＬＥＤチップ５と金属細線接続用凹穴３ｂの底面の金属薄板４ｂとを金属細線６を用いてボンディングして電気的に接続する（図２（ｇ））。」
　上記記載から、本願発明の「第１表面側金属薄板」は、メッキ層からなり、ＬＥＤチップを実装することが可能なパターンを有しているものを含み、「第２表面側金属薄板」は、メッキ層からなり、金属細線を用いてボンディング可能なパターンを有しているものを含んでいるものと認められる。
　引用発明の「凹所５ａ底部の配線３ｂ」表面の「メッキ層６」は、「『半導体ＬＥＤ』である『半導体チップ８』」がマウントされているから、引用発明の「凹所５ａ底部の配線３ｂ」表面の「メッキ層６」と本願発明の「第１表面側金属薄板」とは、第１凹穴の部分の第１配線パターンとなる第１表面側金属薄板の点で共通する。
　また、引用発明の「凹所２３ａ底部の配線３ａ」表面の「メッキ層６」は、「ボンディングワイヤー９」がボンディングされるから、引用発明の「凹所２３ａ底部の配線３ａ」表面の「メッキ層６」と本願発明の「第２表面側金属薄板」とは、第２凹穴の部分の第２配線パターンとなる第２表面側金属薄板の点で共通する。
　引用発明の「凹所５ａ底部の配線３ｂ」表面の「メッキ層６」及び「凹所２３ａ底部の配線３ａ」表面の「メッキ層６」は、「凹所２３ａ底部および凹所５ａ底部の配線３ａと配線３ｂの表面に」施されるものであるから、絶縁基板の外周側面を除く第１裏面側金属薄板及び第２裏面側金属薄板の表面側に形成されているものといえる。
　更に、「凹所５ａ底部の配線３ｂ」表面の「メッキ層６」及び「凹所２３ａ底部の配線３ａ」表面の「メッキ層６」は、互いに電気的に分離された状態であることが明らかである。
　よって、引用発明と本願発明は、絶縁基板の前記外周側面を除く第１裏面側金属薄板及び第２裏面側金属薄板の表面側には、第１凹穴部分に第１配線パターンとなる第１表面側金属薄板が形成されるとともに、前記第１表面側金属薄板と電気的に分離された状態で、第２凹穴部分に第２配線パターンとなる第２表面側金属薄板が形成されている点で共通する。
（４）引用発明は「凹所２３ａ底部および凹所５ａ底部の配線３ａと配線３ｂの表面に、例えばＮｉ／Ａｇの複合層から成るメッキ層６が施され」るから、引用発明は、第１裏面側金属薄板と第１表面側金属薄板とが第１凹穴の裏面側の底面においてのみ直接接続され、第２裏面側金属薄板と第２表面側金属薄板とが第２凹穴の裏面側の底面においてのみ直接接続されるものといえる。
（５）引用発明は「凹所５ａ底部の配線３ｂのランド部のメッキ層６表面に半導体チップ８がマウントされ、ボンディングワイヤー９が半導体チップ８の電極パッドと前記凹所２３ａ底部のメッキ層６にボンディングされ」、「半導体ＬＥＤの出射光を透過する封止樹脂２８が、前記半導体チップ８を前記凹所５ａに封止するとともに全面に形成されている」から、第１凹穴内の第１表面側金属薄板上にＬＥＤチップが実装され、このＬＥＤチップが金属細線を介して第２凹穴内の第２表面側金属薄板に電気的に接続されて透明樹脂により封止されているものといえる。
（６）（１）ないし（５）より、本願発明と引用発明とは、
「ＬＥＤチップ搭載用の貫通穴である第１凹穴と金属細線接続用の貫通穴である第２凹穴とが形成された絶縁基板の外周側面を除く裏面側に、前記第１凹穴に対応した配線パターンとなる第１裏面側金属薄板と前記第２凹穴に対応した配線パターンとなる第２裏面側金属薄板とが電気的に分離された状態で形成され、
　前記絶縁基板の前記外周側面を除く第１裏面側金属薄板及び第２裏面側金属薄板の表面側には、前記第１凹穴部分に第１配線パターンとなる第１表面側金属薄板が形成されるとともに、前記第１表面側金属薄板と電気的に分離された状態で、前記第２凹穴部分に第２配線パターンとなる第２表面側金属薄板が形成され、
　前記第１裏面側金属薄板と前記第１表面側金属薄板とが前記第１凹穴の裏面側の底面においてのみ直接接続され、
　前記第２裏面側金属薄板と前記第２表面側金属薄板とが前記第２凹穴の裏面側の底面においてのみ直接接続される一方、
　前記第１凹穴内の前記第１表面側金属薄板上にＬＥＤチップが実装され、このＬＥＤチップが金属細線を介して前記第２凹穴内の前記第２表面側金属薄板に電気的に接続されて透明樹脂により封止されているチップ部品型ＬＥＤ。」
の点で一致し、以下の点で相違している。
［相違点］第１表面側金属薄板及び第２表面側金属薄板について、本願発明は「絶縁基板の」「表面側」に、（第１表面側金属薄板は）「第１凹穴を含む部分に」、（第２表面側金属薄板は）「第２凹穴を含む部分に」形成されと特定されているのに対し、引用発明は、「凹所５ａ底部の配線３ｂ」表面の「メッキ層６」（第１表面側金属薄板）及び「凹所２３ａ底部の配線３ａ」表面の「メッキ層６」（第２表面側金属薄板）は、それぞれ凹所５ａ底部の配線３ｂの表面、凹所２３ａ底部の配線３ａの表面に施されているものの、絶縁基板の表面側に形成されているとまではいえず、第１凹穴を含む部分と第２凹穴を含む部分に形成されているとまではいえない点。
　
５　判断
（１）上記相違点について検討する。
　ア　本願明細書には以下の記載がある。
「【００１０】
　本発明はこのような問題点を解決すべく創案されたもので、その目的は、ＬＥＤチップを実装するための基板厚みを無くしてよりいっそうの薄型化を達成するとともに、点灯時の光の
反射効率の向上
「【００１７】
　この場合、前記透明樹脂に蛍光体を含ませた構造としてもよい。また、前記凹穴の内周面は、前記絶縁基板の裏面側から表面側に向かって漸次拡開する傾斜面に形成されていることが好ましい。これにより、本チップ部品型ＬＥＤを各種表示パネル、液晶表示装置のバックライト、照光スイッチ等の光源として利用したときの
点灯時、側面に向かう光は傾斜面で反射されて上方に向かうことから、上方への反射効率を向上させる
　一般に、金属面の反射率が高いことは技術常識であるから、本願発明の第１凹穴及び第２凹穴の内周面が傾斜面である場合には、該傾斜面に金属を形成することによって、上方への反射効率を向上させる点で一応の技術的意義が認められる。
　イ　刊行物２には「チップ部品型ＬＥＤにおいて、ＬＥＤチップの点灯時の光の反射効率を向上させるために、内周面が表面側に向かって漸次拡開する絶縁基板の貫通穴の周面及び底面に金属層を形成すること」が記載されている。
　ウ　引用発明も刊行物２に記載の事項もいずれもＬＥＤチップを有するものであるから、ＬＥＤチップの反射効率を向上させるために、引用発明の順テーパー状に形成された凹所５ａ及び凹所２３ａの周面及び底面に金属層を形成することは、当業者が容易になし得る程度のことである。
　エ　上記ウのようになした引用発明の順テーパー状に形成された凹所５ａ及び凹所２３ａの周面に形成された金属層は、絶縁基板の表面側に形成されているものといえ、上記ウのようになした引用発明の凹所５ａ及び凹所２３ａの周面及び底面に形成された金属層は、第１凹穴を含む部分と第２凹穴を含む部分に形成されているものといえる。
　オ　上記アないしエから、本願発明の上記相違点に係る構成となすことは、当業者が容易になし得る程度のことである。
　
（２）以上のとおりであるから、本願発明の上記相違点に係る構成は、刊行物１に記載された発明及び刊行物２に記載の事項に基づいて当業者が容易に想到することができたものであり、それにより得られる効果も当業者が予測できる範囲のものである。
　
６　むすび
　以上のとおり、本願発明は、刊行物１に記載された発明及び刊行物２に記載の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、他の請求項に係る発明を検討するまでもなく、本願は、拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。