【事件の表示】
　特願２００７−５１０９４４「ＬＥＤ接着構造及びＬＥＤ接着構造の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年１１月１０日国際公開、ＷＯ２００５／１０６４９７、平成１９年１２月　６日国内公表、特表２００７−５３５８２３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯  
　本願は、２００５年４月２７日（パリ条約による優先権主張外国庁受理　２００４年４月２８日、米国）を国際出願日とする出願であって、 平成２３年６月２７日付けで拒絶の理由が通知され、同年９月２９日に手続補正がなされたが、平成２４年４月２６日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年８月３１日に拒絶査定不服審判が請求されると同時に手続補正がなされたものである。　
　　　      
第２　平成２４年８月３１日付け手続補正についての補正却下の決定  
　［補正却下の決定の結論］  
　平成２４年８月３１日付け手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。 　  
 　　　 　  
［理　由］  
１　補正内容 　  
　本件補正は、特許請求の範囲についてするものであり、その特許請求の範囲の請求項１については、 　  
　本件補正前（平成２３年９月２９日付け手続補正後のもの）に、  
　「ＬＥＤチップ（３０）であって、
　少なくともｐ型層及びｎ型層を備えているエピタキシャル領域（１４，１６）と、
　前記ｐ型層及び前記ｎ型層の少なくとも一方の上に形成されているオーミック・コンタクト（１８）と、
　前記オーミック・コンタクト上に形成されている金属ボンド・パッド（３１）と、
　前記ボンド・パッドに接着されたサブマウント（２４）と
からなり、
　前記ボンド・パッド（３１）の高さ、幅、及び形状により画定される該ボンド・パッド内の材料の総体積が、約３×１０−５ｍｍ３よりも小さい   　
ことを特徴とするＬＥＤチップ。」とあったものを、  
 　　　　  
　「ＬＥＤチップ（３０）であって、
　少なくともｐ型層及びｎ型層を備えているエピタキシャル領域（１４，１６）と、
　前記ｐ型層及び前記ｎ型層の少なくとも一方の上に形成されているオーミック・コンタクト（１８）と、
　前記オーミック・コンタクト上に形成されている金属ボンド・パッド（３１）と、
　前記ボンド・パッドに接着されたサブマウント（２４）と
からなり、
　前記ボンド・パッド（３１）の高さ、幅、及び形状により画定される該ボンド・パッド内の材料の総体積が、約３×１０−５ｍｍ３よりも小さく、
押し出しを生ずることなしに、及びショットキ・ダイオードをシャント又は形成することなしに、該ボンド・パッドは約３０ｇから７０ｇの力を受け入れる
　　　　　
２　補正の目的　
（１）本件補正が適切なものであるか否かについて検討する。
　本件補正により、補正前の請求項１に「押し出しを生ずることなしに、及びショットキ・ダイオードをシャント又は形成することなしに、該ボンド・パッドは約３０ｇから７０ｇの力を受け入れる」を追加した結果、補正後の請求項１に係る発明は、少なくとも「ボンド・パッドは約３０ｇから７０ｇの力を受け入れる」との特定を有するものである。
　しかしながら、補正前の請求項１には、ポンド・パッドの受け入れる力に関連する事項は何ら記載されておらず、本件補正は、補正前の請求項１に記載された発明を特定するために必要な事項を限定するものとはいえないから、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号に規定する事項を目的とするものであるとはいえない。
　また、本件補正が、同第１号（請求項の削除）、同３号（誤記の訂正）及び同４号（明りょうでない記載の釈明）に規定するいずれの事項を目的とするものにも該当しないことは明らかである。
　
（２）まとめ
　よって、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 
　　　
（３）付言
　なお、以下に検討するとおり、本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）は、特許を受けることができないものであるから、本件補正を認める余地はない。
　　　　　　　　　　　　　　　　　  
３　本願補正発明 　 　
　本願補正発明を再掲すると、以下のとおりのものである。  
　「ＬＥＤチップ（３０）であって、
　少なくともｐ型層及びｎ型層を備えているエピタキシャル領域（１４，１６）と、
　前記ｐ型層及び前記ｎ型層の少なくとも一方の上に形成されているオーミック・コンタクト（１８）と、
　前記オーミック・コンタクト上に形成されている金属ボンド・パッド（３１）と、
　前記ボンド・パッドに接着されたサブマウント（２４）と
からなり、
　前記ボンド・パッド（３１）の高さ、幅、及び形状により画定される該ボンド・パッド内の材料の総体積が、約３×１０−５ｍｍ３よりも小さく、
押し出しを生ずることなしに、及びショットキ・ダイオードをシャント又は形成することなしに、該ボンド・パッドは約３０ｇから７０ｇの力を受け入れる
　　　　　　
４　刊行物に記載された事項  
（１）原査定の拒絶理由に引用され、本願の優先日前に頒布された刊行物である国際公開第０３／０１０８３３号（以下「引用文献」という。）には、図とともに以下の記載がある。   　
　                        　
　ア　「29. A light emitting device die, comprising: 
　a conducting substrate; 
　a gallium nitride based active region on the conducting substrate; 　　　　　　
　a first electrode on the nitride based active region opposite the conducting substrate, the first electrode and the gallium nitride based active region forming a mesa having sidewalls; 
　a second electrode on the conducting substrate opposite the gallium nitride active region; and
　a predefined pattern of conductive die attach material on the first electrode opposite the gallium nitride active region that substantially prevents the conductive die attach material from contacting at least one of the sidewalls of the mesa and the substrate when the light emitting device die is mounted to a submount.
  30. The die of Claim 29, wherein the conducting substrate comprises a silicon carbide substrate.
  31. The die of Claim 29, wherein the predefined pattern of conductive die attach material provides a volume of die attach material that is less than a volume defined by an area of the first electrode and a distance between the first electrode and the submount.
　32. The die of Claim 29, wherein the predefined pattern comprises a single nodule of conductive die attach material on the first electrode.
  33. The die of Claim 29, wherein the predefined pattern comprises a plurality of bumps of conductive die attach material on the first electrode.
  34. The die of Claim 29, wherein the predefined pattern comprises a plurality of lines of conductive die attach material on the first electrode.
  35. The die of Claim 29, wherein the predefined pattern comprises a crisscross pattern of conductive die attach material on the first electrode.
  36. The die of Claim 29, wherein the conductive die attach material comprises at least one of a B-stage curable die epoxy, a solder paste, a pattern of solder bumps, and/or a conductive polymer.
  37. The die of Claim 29, further comprising a submount, wherein the first electrode is mounted to the submount by the predefined pattern of conductive die attach material.」　
（第１８頁第２５行ないし１９頁第３０行）　
（日本語訳：
２９．発光デバイスダイであって、
  導電基板と、
  前記導電基板上の窒化ガリウムベースの活性領域と、
  前記導電基板と反対側の前記窒化ガリウムベースの活性領域上の第１の電極とを備え、前記第１の電極および前記窒化ガリウムベースの活性領域が、側壁を有するメサを構成し、
  前記窒化ガリウムベースの活性領域と反対側の前記導電基板上の第２の電極と、
  前記窒化ガリウムベースの活性領域と反対側の前記第１の電極上の所定のパターンの導電ダイ取り付け材料とを備え、
　前記所定のパターンの導電ダイ取り付け材料は、前記発光デバイスダイがサブマウントに取り付けられたとき、前記導電ダイ取り付け材料が、前記メサおよび前記基板の少なくとも１つの側壁と接触することを実質的に妨げることを特徴とする発光デバイスダイ。
３０．前記導電基板が、炭化シリコン基板からなることを特徴とする請求項２９に記載のダイ。
３１．
前記導電ダイ取り付け材料の所定のパターンは、前記第１の電極の面積および前記第１の電極と前記サブマウントとの間の距離によって限定される容積より小さいダイ取り付け材料の容積を提供する
３２．前記所定のパターンは、前記第１の電極上の導電ダイ取り付け材料の単一のノジュールを含むことを特徴とする請求項２９に記載のダイ。
３３．前記所定のパターンは、前記第１の電極上の導電ダイ取り付け材料の複数のバンプを含むことを特徴とする請求項２９に記載のダイ。
３４．前記所定のパターンは、前記第１の電極上の導電ダイ取り付け材料の複数のラインを含むことを特徴とする請求項２９に記載のダイ。
３５．前記所定のパターンは、前記第１の電極上の導電ダイ取り付け材料の十字パターンを含むことを特徴とする請求項２９に記載のダイ。
３６．
前記導電ダイ取り付け材料が
はんだペースト
３７．サブマウントをさらに備え、前記第１の電極が、前記所定のパターンの導電ダイ取り付け材料によって前記サブマウントに実装されることを特徴とする請求項２９に記載のダイ。）　　
　
　イ　「GaN-based light emitting diodes (LEDs) typically comprise an insulating, semiconducting or conducting substrate such as sapphire or SiC on which a plurality of GaN-based epitaxial layers are deposited. The epitaxial layers comprise an active region having a p-n junction that emits light when energized. A typical LED is mounted substrate side down onto a submount, also called a package or lead frame (hereinafter referred to as a submount). Figure 1 schematically illustrates a conventional LED having an n-type SiC substrate 10, an active region 12 comprising an n-GaN-based layer 14 and a p-GaN-based layer 16 grown on the substrate and patterned into a mesa. A metal p-electrode 18 is deposited on and electrically coupled to the p-GaN layer 16 and a wire bond connection 28 is made to a bond pad 20 on the p-electrode 18. An n-electrode 22 on and electrically coupled to the conductive substrate is attached to metallic submount 24 using a conductive epoxy 26. In the conventional process, the conductive epoxy 26 (usually silver epoxy) is deposited on the submount and the LED is pressed into the epoxy 26. The epoxy is then heat cured which causes it to harden, providing a stable and electrically conductive mount for the LED chip. Light generated in the active region 12 is directed up and out of the device. However, a substantial amount of the generated light may be transmitted into the substrate and partially absorbed by the epoxy 26.」（第１頁第１８行ないし第２頁第２行）　
（日本語訳：
　 ＧａＮベースの発光ダイオード（ＬＥＤ）は、一般に、サファイヤまたはＳｉＣなどの絶縁性、半導体性、または導電性基板を含み、その基板の上に、複数のＧａＮベースのエピタキシャル層が堆積される。エピタキシャル層は、給電されたとき光を発光するｐｎ接合を有する活性領域を含む。一般にＬＥＤは、パッケージまたはリードフレームとも呼ばれるサブマウント（以降「サブマウント」と呼ぶ）上に、基板側を下にして実装される。
図１は、ｎ型のＳｉＣ基板１０と、活性領域１２とを有する従来のＬＥＤの概略を示し、活性領域１２は、ｎ型ＧａＮベースの層１４と、基板上に成長され、かつメサにパターン形成されたｐ型ＧａＮベースの層１６とを含む。金属ｐ型電極１８は、ｐ型ＧａＮ層１６上に堆積され、かつｐ型ＧａＮ層１６に電気的に結合され、ワイヤボンド接続２８が、ｐ型電極１８上のボンドパッド２０に対して行われる
　
　ウ　「One problem with flip-chip mounting is illustrated in Figure 2. Namely, when a chip is flip-chip mounted on a conductive submount or package conventional techniques may not be possible. Conventionally, a conductive die attach material 26, such as silver epoxy, is deposited on the chip and/or on the submount 24, and the chip is pressed onto the submount 24. This can cause the viscous conductive die attach material 26 to squeeze out and make contact with the n-type layers 14 and 10 in the device, thereby forming a Schottky diode connection that shunts the p-n junction in the active region with predictably undesirable results. Thus, new techniques may be needed for flip-chip mounting of LEDs.」（第２頁第１３ないし２１行）
（日本語訳：
　フリップチップ実装が有する１つの問題が、図２に示される。すなわち、チップが、導電サブマウントまたはパッケージ上にフリップチップ実装されるとき、従来の技術は不可能である。従来、銀エポキシなどの導電ダイ取り付け材料（ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  ｄｉｅ  ａｔｔａｃｈ  ｍａｔｅｒｉａｌ）２６は、チップおよび／またはサブマウント２４上に塗布され、チップは、サブマウント２４上に押圧される。これが、
粘性の導電ダイ取り付け材料２６を押し付けさせ、デバイスにおけるｎ型層１４および１０と接触させ、それによって、ショットキダイオード接続を形成する。ショットキダイオード接続は、活性領域におけるｐｎ接合をシャント（ｓｈｕｎｔ）し、予測される望ましくない結果になる
  　
　エ　「Similarly, the die attach material may comprise solder bumps formed on the p- electrode. Solder bumps generally includes solder metal without binders or solvents, and may be deposited by, for example, dispensing a solder paste and subsequent reflow, electroplating and/or dipping. 」（第１２頁第３０行ないし末行）
（日本語訳：
　同様に、
ダイ取り付け材料は、ｐ電極上に形成されたはんだバンプからなることができる
　
　オ　「While Figure 4 illustrates embodiments of the present invention where the die attach material is provided on the p-electrode of the device, alternatively, the die attach material may be applied directly to the package or submount in a desired pattern or to both the submount and the p-electrode. In such embodiments, the submount is heated to the final curing temperature and the LED chip is pressed onto the submount. Since a B-stage epoxy is used instead of the less viscous conventional epoxies, there is less likelihood of contacting the n-type layers of the active region of the device with the epoxy.」（第１３頁第２４ないし３１行）
（日本語訳：
　図４は、ダイ取り付け材料が、デバイスのｐ電極上に提供される本発明の実施形態を示しているが、代わりに、ダイ取り付け材料を、所望のパターンでパッケージまたはサブマウントに直接塗布する、またはサブマウントおよびｐ電極の両方に直接塗布することもできる。そのような実施形態において、サブマウントは、最終硬化温度に加熱され、
ＬＥＤチップはサブマウントに押圧される
　
　カ　「After the bumps have been melted the device is cooled, thereby bonding the LED to the submount 24. Figure 8 illustrates an LED mounted in accordance with these embodiments of the present invention. As seen in Figure 8, the bumps of die attach material epoxy 30 are disposed between the p-electrode 18 and the submount 24 but do not contact the n-type layer 14 or the substrate 10 of the device. Thus, the volume of the die attach material 30 (e.g. the solder bumps) is less than the volume defined by the area of the p-electrode 18 and the distance between the p-electrode 18 and the submount 24. Therefore, no Schottky diode connection is made between the solder bumps and the n-type portions of the LED.」（第１４頁第１７ないし２５行）
（日本語訳：
　
バンプが溶融した後
図８は、本発明のこれらの実施形態によって実装されたＬＥＤを示す
ダイ取り付け材料３０（例えばはんだバンプ）の容積は、ｐ電極１８の面積およびｐ電極１８とサブマウント２４との間の距離によって限定される容積より小さい。したがって、ショトッキーダイオード接続は、はんだバンプとＬＥＤのｎ型部分との間に作られない
　         　
　キ　図３Ａは、以下のものである。　
　　　　
　ク　図８は、以下のものである。　　　　　
        　　　
（２）引用文献に記載された発明  
　ア　上記（１）アの記載によれば、
　引用文献には、
　「発光デバイスダイであって、
　導電基板と、
　前記導電基板上の
窒化ガリウムベースの活性領域
　前記導電基板と反対側の前記
窒化ガリウムベースの活性領域上の第１の電極
　前記窒化ガリウムベースの活性領域と反対側の前記導電基板上の第２の電極と、
　前記窒化ガリウムベースの活性領域と反対側の前記
第１の電極上の所定のパターンの導電ダイ取り付け材料と
　前記所定のパターンの導電ダイ取り付け材料は、前記発光デバイスダイがサブマウントに取り付けられたとき、
前記導電ダイ取り付け材料が、前記メサおよび前記基板の少なくとも１つの側壁と接触することを実質的に妨げるものであって
　前記導電ダイ取り付け材料の所定のパターンは、前記第１の電極の面積および前記第１の電極と前記サブマウントとの間の距離によって限定される容積より小さいダイ取り付け材料の容積を提供し、前記導電ダイ取り付け材料が、
はんだペーストからなる
　が記載されているものと認められる。　  　
　
　イ　上記（１）ウ及びカの記載に照らせば、            　
　上記アの「材料の容積」は、
　発光デバイスダイがサブマウントに取り付けられたとき、活性領域におけるｐｎ接合をシャントしないものであることが理解できる。  　
  　　
　ウ　上記（１）オの記載に照らせば、
　上記アの「発光デバイスダイ」は押圧されてサブマウントに取り付けられてもよいものと認められる。
　
　エ　上記（１）エの記載を踏まえて、図３Ａを見ると、
　上記アの「所定のパターン」は、
　円形のはんだバンプであってもよいものと認められる。
　
　オ　上記（１）カの記載を踏まえて、図８を見ると、
　発光デバイスダイは、はんだペーストの押し出しを生じることなしに取り付けられていることが理解できる。
　　
　カ　上記アないしオから、引用文献には次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。　　  
 　  
 「発光デバイスダイであって、
　導電基板と、
　導電基板上の窒化ガリウムベースの活性領域と、
　導電基板と反対側の窒化ガリウムベースの活性領域上の第１の電極とを備え、第１の電極および窒化ガリウムベースの活性領域が、側壁を有するメサを構成し、
　窒化ガリウムベースの活性領域と反対側の前記導電基板上の第２の電極と、窒化ガリウムベースの活性領域と反対側の第１の電極上の所定のパターンの導電ダイ取り付け材料とを備え、
　所定のパターンの導電ダイ取り付け材料は、発光デバイスダイがサブマウントに取り付けられたとき、導電ダイ取り付け材料が、メサおよび基板の少なくとも１つの側壁と接触することを実質的に妨げるものであって、
　導電ダイ取り付け材料の所定のパターンは、
円形のはんだバンプ
　発光デバイスダイが
押圧されて
はんだペーストの押し出しを生じることなしに取り付けられた
　　　　
５　対比・判断 
（１）本願補正発明と引用発明とを対比する。
　ア　引用発明の「発光デバイスダイ」は本願補正発明の「ＬＥＤチップ」に相当し、同様に、
　「窒化ガリウムベースの活性領域」は「エピタキシャル領域」に、　　
　「第１の電極」は「オーミック・コンタクト」に、
　「サブマウント」は「サブマウント」に、 
　「円形のはんだバンプ」は「金属ボンド・パッド」に、
　「材料の容積」は「材料の総体積」に、
　「限定される」は「画定される」に、それぞれ、相当する。 　
　    　
　イ　引用発明の「材料の容積」が、第１の電極の面積および第１の電極とサブマウントとの間の距離によって限定される容積より小さいことに照らせば、引用発明と本願補正発明とは「ボンド・パッド内の材料の総体積を
所定体積
   　
　ウ　また、引用発明の「発光デバイスダイ」が押圧されてサブマウントに取り付けられることに照らせば、「円形のはんだバンプ」が
所定の力
　  　                            　
　エ　引用発明は、発光デバイスダイを、はんだペーストの押し出しを生じることなしにサブマウントに取り付けるものであって、活性領域におけるｐｎ接合をシャントしないものであることに照らせば、
　はんだペーストが窒化ガリウムベースの活性領域と接触しないこと、つまり、ショットキ・ダイオードを形成することのないものである。　
　　　       　
　オ　してみると、本願補正発明と引用発明とは以下の点で一致する。  
　＜一致点＞  
 「ＬＥＤチップであって、
　少なくともｐ型層及びｎ型層を備えているエピタキシャル領域と、
　前記ｐ型層及び前記ｎ型層の少なくとも一方の上に形成されているオーミック・コンタクトと、
　前記オーミック・コンタクト上に形成されている金属ボンド・パッドと、
　前記ボンド・パッドに接着されたサブマウントと
からなり、
　前記ボンド・パッドの高さ、幅、及び形状により画定される該ボンド・パッド内の材料の総体積が、所定体積よりも小さく、押し出しを生じることなしに、及びショットキ・ダイオードを形成することなしに、該ボンド・パッドは所定の力を受け入れる、ＬＥＤチップ。」　
　　　　　  　      　
　カ　一方で、本願補正発明と引用発明とは、以下の点で相違する。  
　＜相違点＞ 　  
　金属ボンド・パッドに関し、
　本願補正発明は、「総体積が、約３×１０−５ｍｍ３よりも小さく」、かつ「約３０ｇから７０ｇの力を受け入れる」のに対して、
　引用発明は、そのようなものであるか否か不明である点。　    　
　　　　　　
（２）判断 　  
　ア　上記＜相違点＞について検討する。  
（ア）引用発明の「材料の容積」を、どの程度にするかは当業者が発明を実施するに際に適宜定めるべき事項であるところ、発光デバイスダイをサブマウントに取り付ける際に、はんだペーストが押圧される力を受け入れて変形することが当業者にとって自明であることに照らせば、材料の容積を、押圧する力を勘案して、押し出しを生じることのない範囲内に定めることに何ら困難性は認められない。  　
　　                　
（イ）ところで、本願明細書には、以下の記載がある。
　ａ　「【０００６】
　
典型的な熱圧着プロセスは、ダイをサブマウントに接着するために、約３０〜５０ｇの最小力を利用する
　したがって、図５に示すように、
導電性ダイ取付材料２６が押し出されて、デバイス内のｎ型層１４及び１０と接触し、これによってショットキ・ダイオード接続を形成し、アクティブ領域におけるｐ−ｎ接合を短絡させる可能性があり、望ましくない結果が予測される
　　　
　ｂ　「【００１８】
　図３Ａに示す一実施形態では、ボンド・パッド３１は、概略的に円形の断面を有し、高さｈ１が約２μｍである、全体的に円筒形の形状から成る。
ボンド・パッドの直径は、メサ２５の幅の半分未満とするとよい
実施形態の中には、ボンド・パッドにおける金属の体積が、約３×１０
−５
ｍｍ
３
未満であればよい場合もある
　　
　ｃ　「【００２２】
　チップを基板に溶接するとき、ボンド・パッドは部分的に溶融し、図２に示すような新しいサイズに変形する。
一実施形態では、３０〜７０ｇの力の印加を用いた熱超音波接着又は熱圧着の後に
チップを実装する前に形成される
　    　
（ウ）上記（イ）の記載に照らせば、
　本願補正発明の「約３０ｇから７０ｇの力」は典型的な熱圧着プロセスでの力を包含するものであること、本願補正発明の「総体積」は押し出しを生じることのない体積であって、「約３×１０−５ｍｍ３」に臨界的な技術的意義のないことが理解できる。　
                　
（エ）以上の検討によれば、引用発明において、上記＜相違点＞に係る本願補正発明の構成を採用することは、当業者が適宜なし得たことである。
　　　　　　　  　
　イ　また、本願補正発明の奏する効果は、当業者が引用発明から予測し得る範囲内のものである。　　  
 　　　　　　　　　　  
（３）進歩性についてのまとめ 　  
　本願補正発明は、当業者が引用発明に基づいて容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。        　
 　　　　　 　 　  
６　補正却下の決定のむすび 　  
　上記「２」のとおり、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
                                                  　
第３　本願発明  
１　本願発明  
　本件補正は上記のとおり却下されたため、本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、前記「第２　１」にて本件補正前の請求項１として記載したとおりのものである。  
 　　　 　  
２　引用文献  
　原査定の拒絶理由で引用された引用文献及びその記載事項は、前記「第２　４」に記載したとおりである。  
 　　　　　　　　　　  
３　対比・判断  
　本願発明は、本願補正発明における「押し出しを生ずることなしに、及びショットキ・ダイオードをシャント又は形成することなしに、該ボンド・パッドは約３０ｇから７０ｇの力を受け入れる」との構成を欠くものである。
　そうすると、前記「第２　５（１）」で検討したところによれば、本願発明は「総体積が、約３×１０−５ｍｍ３よりも小さく」した点において引用発明と相違し、その余の点については一致するものと認められる。
　しかるに、前記「第２　５（２）」で検討したとおり、引用発明において、「総体積が、約３×１０−５ｍｍ３よりも小さく」との構成を備えることは、当業者が適宜なし得たことである。
　　 　　　　 　               　
４　むすび  
　以上のとおり、本願発明は、当業者が引用文献に記載の発明に基づいて容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。  
　　　　
　よって、結論のとおり審決する。