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　特願２００５−１６１２５１「太陽電池および太陽電池の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年１２月１４日出願公開、特開２００６−３３９３４２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
　
１　手続の経緯
　本願は、平成１７年６月１日の出願であって、平成２３年８月１０日付けで拒絶理由が通知され、同年１０月７日に手続補正がなされたが、平成２４年１月１８日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年４月２３日に拒絶査定不服審判請求がなされたものである。
　
２　本願発明
　本願の請求項に係る発明は、平成２３年１０月７日付け手続補正による補正後の明細書及び特許請求の範囲の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし８に記載された事項により特定されるものと認められるところ、請求項１に係る発明は、次のとおりのものである。
「少なくとも、ＰＮ接合が形成された半導体基板と、該半導体基板の少なくとも片面上に櫛歯状に形成されたフィンガ電極と、前記半導体基板上で前記フィンガ電極に接続されたバスバ電極とを具備する太陽電池であって、前記バスバ電極は、表面上に凹凸パターンが形成されたものであり、前記凹凸パターンの凹部に対する凸部の高さが、５〜５０μｍであり、前記凹凸パターンのパターン形状が、縞状、網目状、ハニカム状、点状のいずれかの形状であることを特徴とする太陽電池。」（以下「本願発明」という。）
　
３　刊行物の記載
（１）原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願前に頒布された特開２００５−１０１４２６号公報（以下「引用文献」という。）には、以下の記載がある（下線は当審にて付した。）。
ア　「【請求項１】
光電変換層と
　
前記光電変換層の少なくとも一面に設けられた集電極とを備え
　
前記集電極は、第１の電極部を含み
　
前記第１の電極部は、所定の厚みを有する厚膜部と、前記厚膜部よりも小さい厚みを有する薄膜部とを有
【請求項２】
前記集電極は、前記第１の電極部に交差するように設けられ、前記第１の電極部よりも小さい幅を有する複数の第２の電極部をさらに含み
　
前記第１の電極部の前記厚膜部は、前記第１の電極部と前記第２の電極部との交差部を含む領域に設けられた
太陽電池装置。
　
イ　「【００２５】図１に示すように、太陽電池装置１００は略正方形状を有するｎ型単結晶シリコンウエハ１を備える。
ｎ型単結晶シリコンウエハ１の主面上に、
受光面電極２が形成され
受光面電極２上には、ストライプ状の複数のバスバー電極部３が互いに平行に形成され、バスバー電極部３と直交するようにストライプ状の複数のフィンガー電極部４が互いに平行に形成され
バスバー電極部３およびフィンガー電極部４が集電極５を構成する
【００２７】図２は図１の太陽電池装置１００のバスバー電極部３の構成の一例を示す拡大平面図である。・・・
【００２８】図２および図３に示すように、バスバー電極部３は、厚膜部３ａおよび薄膜部３ｂを有する。
【００２９】図２の例では、バスバー電極部３の両側部の一定幅の領域およびバスバー電極部３とフィンガー電極部４との交差部の一定幅の領域に厚膜部３ａが設けられ、両側部および交差部を除く領域に薄膜部３ｂが設けられている。
【００３０】図３の例では、バスバー電極部３とフィンガー電極部４との交差部の一定幅の領域に厚膜部３ａが設けられ、交差部を除く領域に薄膜部３ｂが設けられている。・・・
【００３２】図４は図１の太陽電池装置１００の模式的断面図である。図４に示すように、ｎ型単結晶シリコンウエハ１の主面上にｉ型非晶質シリコン膜１１およびｐ型非晶質シリコン膜１２が順に形成されている。ｎ型単結晶シリコンウエハ１、ｉ型非晶質シリコン膜１１およびｐ型非晶質シリコン膜１２が光電変換層を形成し、ｎ型単結晶シリコンウエハ１が主たる発電層となる。
【００３３】ｐ型非晶質シリコン膜１２上に、受光面電極２が形成されている。図１に示したように、受光面電極２上には複数のバスバー電極部３および複数のフィンガー電極部４からなる集電極５が形成されている。
【００３４】また、ｎ型単結晶シリコンウエハ１の裏面には、ｉ型非晶質シリコン膜１３およびｎ型非晶質シリコン膜１４が順に形成されている。ｎ型非晶質シリコン膜１４上にＩＴＯ等の透明導電膜からなる受光面電極１５が形成され、受光面電極１５上に複数のバスバー電極部および複数のフィンガー電極部からなる集電極５が形成されている。裏面側の集電極５は、図１に示した主面側の集電極５と同様に、複数のバスパー電極部３および複数のフィンガー電極部４からなる。
【００３５】本実施の形態の太陽電池装置は、
ｐｎ接合特性を改善するためにｎ型単結晶シリコンウエハ１とｐ型非晶質シリコン膜１２との間にｉ型非晶質シリコン膜１１を設けたＨＩＴ型構造を有
　
ウ　「【００４０】本実施の形態では、
バスバー電極部３が第１の電極部に相当し、フィンガー電極部４が第２の電極部に相当
【００４１】本実施の形態に係る太陽電池装置１００では、図２および図３に示すように、集電極５のバスバー電極部３に厚膜部３ａおよび薄膜部３ｂが設けられているので、タブ６に十分な量のはんだを塗布した場合でも、余剰のはんだが薄膜部３ｂに溜め込まれ、はんだがバスバー電極部３からはみ出すことが防止される。それにより、はんだが受光面電極２，１５上に張り出すことによる有効面積の減少およびはんだの突起による不良の発生が防止される。また、十分な量のはんだを用いてタブ６をバスバー電極部３に接合することができるので、バスバー電極部３からのタブ６の剥離が防止され、接合部における抵抗成分の増大を抑制できる。」
　
エ　「【００６５】また、図７（ｂ）に示すように、
厚膜部３ａの平均厚みｄ１は約１５μｍとなり、薄膜部３ｂの平均厚みｄ２は約９μｍとな
　
オ　図１、２及び７は次のものである。
　
カ　上記ア〜エを踏まえて上記オの図１、２及び７をみると、引用文献における、所定の厚みを有する厚膜部と、前記厚膜部よりも小さい厚みを有する薄膜部とからなる第１の電極部（バスバー電極部）とは、バスバー電極部３の幅方向の端部それぞれの領域にバスバー電極部３の長さ方向に平行に設けられた厚膜部３ａ（以下「厚膜部Ａ」という。）と、バスバー電極部３とフィンガー電極部４との交差部を含む領域にフィンガー電極部４に平行に設けられた厚膜部３ａ（以下「厚膜部Ｂ」という。）と、厚膜部Ａと厚膜部Ｂ以外のバスバー電極部３上の領域である薄膜部３ｂからなるものであると認められる。
　
（２）引用発明
　したがって上記（１）ア〜カによれば、引用文献には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
「光電変換層と、
　前記光電変換層の少なくとも一面に設けられた集電極とを備え、
　前記集電極は、第１の電極部を含み、
　前記第１の電極部は、所定の厚みを有する厚膜部と、前記厚膜部よりも小さい厚みを有する薄膜部とを有し、
　前記集電極は、前記第１の電極部に交差するように設けられ、前記第１の電極部よりも小さい幅を有する複数の第２の電極部をさらに含み、
　前記第１の電極部の前記厚膜部は、前記第１の電極部と前記第２の電極部との交差部を含む領域に設けられた太陽電池装置であって、
　厚膜部の平均厚みは約１５μｍとなり、薄膜部の平均厚みは約９μｍとなり、
　ｐｎ接合特性を改善するためにｎ型単結晶シリコンウエハとｐ型非晶質シリコン膜との間にｉ型非晶質シリコン膜を設けたＨＩＴ型構造を有し、
　バスバー電極部が第１の電極部に相当し、フィンガー電極部が第２の電極部に相当し、
　ｎ型単結晶シリコンウエハの主面上に、受光面電極が形成され、受光面電極上には、ストライプ状の複数のバスバー電極部が互いに平行に形成され、バスバー電極部と直交するようにストライプ状の複数のフィンガー電極部が互いに平行に形成され、バスバー電極部およびフィンガー電極部が集電極を構成する太陽電池装置。」
　
４　対比・判断
（１）本願発明と引用発明とを対比する。
ア　引用発明の「『第１の電極部』及び『バスバー電極部』」、「『第２の電極部』及び『フィンガー電極部』」及び「太陽電池装置」は、本願発明の「バスバ電極」、「フィンガ電極」及び「太陽電池」にそれぞれ相当する。
　
イ　引用発明の「光電変換層」は、「ｐｎ接合特性を改善するためにｎ型単結晶シリコンウエハとｐ型非晶質シリコン膜との間にｉ型非晶質シリコン膜を設けたＨＩＴ型構造」からなるものであるであることに照らして、「ｉ型非晶質シリコン膜」は「ｐｎ接合特性を改善」するためのものであって、「光電変換層」としては「ｐｎ接合特性」を利用した「シリコンウエハ」及び「シリコン膜」からなるものであるといえる。
　ここで、引用発明の「シリコンウエハ」及び「シリコン膜」は、本願発明の「半導体基板」に相当するから、引用発明の「光電変換層」は、「ｐｎ接合」を利用した「半導体基板」ということができる。
　そうすると、引用発明の「ｐｎ接合特性を改善するためにｎ型単結晶シリコンウエハとｐ型非晶質シリコン膜との間にｉ型非晶質シリコン膜を設けたＨＩＴ型構造」である「光電変換層」は、本願発明の「ＰＮ接合が形成された半導体基板」に相当する。
　
ウ　本願発明は、「フィンガ電極」が「櫛歯状に形成された」ものであるところ、引用発明の「第２の電極部（フィンガー電極部）」は、「バスバー電極部と直交するようにストライプ状」に「互いに平行に形成され」たものであって、「櫛歯状に形成」されたものであるといえるから、引用発明は、本願発明の「櫛歯状に形成されたフィンガ電極」との構成を備える。
　
エ　引用発明の「所定の厚みを有する厚膜部」及び「厚膜部よりも小さい厚みを有する薄膜部」は、「前記厚膜部は、前記第１の電極部（バスバー電極部）と前記第２の電極部（フィンガー電極部）との交差部を含む領域に設けら」れ、「ストライプ状の複数のバスバー電極部が互いに平行に形成され、バスバー電極部と直交するようにストライプ状の複数のフィンガー電極部が互いに平行に形成され」、「厚膜部の平均厚みは約１５μｍとなり、薄膜部の平均厚みは約９μｍとな」るものであることに照らして、引用発明の「薄膜部」及び「厚膜部」は、相対的にみて６μｍの高さの差を有する凹部と凸部からなる構造であるといえるから、引用発明の「薄膜部」及び「厚膜部」は、本願発明の「凹部」及び「凸部」に相当する。
　また、引用発明の「厚膜部」は、「ストライプ状」で「互いに平行に形成され」る複数の「第１の電極部（バスバー電極部）」と、「前記バスバー電極部と直交するようにストライプ状」で「互いに平行に形成され」る複数の「第２の電極部（フィンガー電極部）」の「交差部を含む領域に設けら」れるものであるから、引用発明の「厚膜部」は、「薄膜部」に対して「ストライプ状」の「凹部」及び「凸部」からなるパターンを形成するものであると認められる。
　そうすると、引用発明は、本願発明の「前記バスバ電極は、表面上に凹凸パターンが形成されたものであ」るとの構成を備える。
　
オ　本願発明の「バスバ電極」は、「前記凹凸パターンの凹部に対する凸部の高さが、５〜５０μｍ」であるところ、引用発明の「薄膜部」及び「厚膜部」は、６μｍの高さの差を有し、また、上記エで検討したように、引用発明の「薄膜部」及び「厚膜部」は、本願発明の「凹部」及び「凸部」に相当するとともに、引用発明は、本願発明の「前記バスバ電極は、表面上に凹凸パターンが形成されたものであ」るとの構成を備えるから、引用発明は、本願発明の「バスバ電極は、表面上に凹凸パターンが形成されたものであり、前記凹凸パターンの凹部に対する凸部の高さが、５〜５０μｍであ」るとの構成を備えるといえる。
　
　したがって両者は、
「少なくとも、ＰＮ接合が形成された半導体基板と、該半導体基板の少なくとも片面上に櫛歯状に形成されたフィンガ電極と、前記半導体基板上で前記フィンガ電極に接続されたバスバ電極とを具備する太陽電池であって、前記バスバ電極は、表面上に凹凸パターンが形成されたものであり、前記凹凸パターンの凹部に対する凸部の高さが、６μｍである太陽電池。」
である点で一致し、
　本願発明の「バスバ電極」は、「前記凹凸パターンのパターン形状が、縞状、網目状、ハニカム状、点状のいずれかの形状である」のに対して、引用発明の「薄膜部」及び「厚膜部」は「ストライプ状」の「凹部」及び「凸部」からなるパターンである点（以下「相違点」という）、
で一応相違する。
　
（２）上記相違点について検討する。
（ア）本願発明における「凹凸パターンのパターン形状」が「網目状」の「形状」に関し、本願の願書に添付した明細書及び図面（以下「本願明細書等」という。）には、以下の記載がある。
ａ　「【００２９】このように凹凸パターン１のパターン形状が、図２のような縞状、図１、図３のような網目状、ハニカム状、図４のような点状のいずれかの形状であれば、半田が凹凸の間に入り込み、両者の接触面積が増大し、電極と半田が強固に接着することができる。・・・
【００３１】なお、図１〜図４は、凸部２によって、凹凸パターン１のパターン形状を形成した場合を示しているが、電極表面の凹凸の間に確実に半田が流れ込むことができるのであれば、必ずしも凸部２によらず、凹部によって、縞状、網目状、ハニカム状、点状を形成してもよい。
【００３２】特に、図１、図３のような網目状、もしくはハニカム状の形状であれば、コネクタの剥がれ難さの方向性の差をなくすことができ、点状の形状で凸部２を形成した場合であれば、電極材料の使用量を削減することができる。なお、点状に形成される凸部もしくは凹部の形状は、円状、楕円状、多角形状、星状でも構わない。」
　
ｂ　「【００３５】例えば、（１）のように一層目を平坦形状で印刷し、その上に図２のように縞状に二層目を印刷したり、図１、図３、図４のように網目状や点状に二層目を印刷することが好ましい。このように、二層目の印刷形状によって凸部２を形成することによって、確実にバスバ電極３に凹凸パターン１を形成することができる。」
　
ｃ　「【００４０】・・・ここで、バスバ電極は２回重ねて印刷を行った。一層目は（フィンガ電極とともに）、平坦形状で行い、二層目は、図１、図３のような網目状で行った（実施例）。バスバ電極の幅は１．５ｍｍ、一層目の電極厚さは２０μｍ、二層目の電極厚さは３０μｍ（これが凹凸差となる）とした。また、二層目の網目状の線幅は１００μｍ、線の間隔は２００μｍとした。」
　
ｄ　図１及び３は次のものである。
　
（イ）上記（ア）ａないしｃを踏まえて上記（ア）ｄの図１及び３をみると、本願発明において、「バスバ電極」が、「表面上に凹凸パターンが形成されたものであり」、「前記凹凸パターンのパターン形状が・・・網目状・・・の形状である」とは、バスバ電極の表面上の凹凸パターンが、バスバ電極３の幅方向の所定の領域にバスバ電極３の長さ方向に平行に設けられた凸部２（以下「凸部Ａ」という。）と、バスバ電極３とフィンガ電極４との交差部を含む領域にフィンガ電極４に平行に設けられた凸部２（以下「凸部Ｂ」という。）と、凸部Ａと凸部Ｂ以外のバスバ電極３上の領域である凹部からなるものであると認められる。
　
（ウ）しかるところ、上記３（１）カのとおり、引用文献における、所定の厚みを有する厚膜部と、前記厚膜部よりも小さい厚みを有する薄膜部とからなる第１の電極部（バスバー電極部）とは、バスバー電極部３の幅方向の端部それぞれの領域にバスバー電極部３の長さ方向に平行に設けられた厚膜部３ａ（以下「厚膜部Ａ」という。）と、バスバー電極部３とフィンガー電極部４との交差部を含む領域にフィンガー電極部４に平行に設けられた厚膜部３ａ（以下「厚膜部Ｂ」という。）と、厚膜部Ａと厚膜部Ｂ以外のバスバー電極部３上の領域である薄膜部３ｂからなるものであることに照らして、引用発明における厚膜部と薄膜部とからなる第１の電極部（バスバー電極部）のパターンは、本願発明でいうところの網目状の形状であるということができる。
　
（エ）そうすると、引用発明の厚膜部と薄膜部とからなる第１の電極部（バスバー電極部）のパターンは、網目状の形状であるから、引用発明は、本願発明の「バスバ電極は、表面上に凹凸パターンが形成されたものであり・・・前記凹凸パターンのパターン形状が・・・網目状・・・の形状である」を満たし、上記相違点は実質的な相違点ではない。
　
（オ）以上によれば、引用発明は、本願発明の構成をすべて備えるものであって、両者間に差異はない。
　したがって、本願発明は、引用文献に記載された発明と認められる。
　
５　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用文献に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。