【手続補正書】
【提出日】平成13年5月17日(2001.5.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
単層カーボンナノチューブを製造する方法であって：
（ａ）ＣＯを含み約１０気圧を超える圧力であるＣＯ気体流を提供する工程と；
（ｂ）触媒前駆体を含む気体状触媒前駆体流を提供する工程と；
（ｃ）前記ＣＯ気体流と前記気体状触媒前駆体流とを混合して、反応混合物を形成する工程であって、単層カーボンナノチューブを形成する反応条件下で起きる工程と；
（ｄ）前記反応混合流を反応させて単層カーボンナノチューブを形成する工程と；を含む方法。
【請求項２】
前記ＣＯ気体流の前記圧力は約１０気圧乃至約１００気圧の範囲である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記気体状触媒前駆体流は、ＶＩ族金属、ＶＩＩＩ族金属、及びこれらの混合物からなる群から選択される遷移金属の原子を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記触媒前駆体は、タングステン、モリブデン、クロム、鉄、ニッケル、コバルト、ロジウム、ルテニウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム、白金、及びこれらの混合物からなる群から選択される金属の金属含有化合物である、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記金属含有化合物は金属カルボニルである、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記金属カルボニルは、Ｆｅ（ＣＯ）５、Ｃｏ（ＣＯ）６、及びこれらの混合物からなる群から選択される、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記金属含有化合物はメタロセンである、請求項４に記載の方法。
【請求項８】
前記メタロセンは、フェロセン、コバルトセン、ルテノセン、及びこれらの混合物からなる群から選択される、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記気体状触媒前駆体流はＣＯを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記気体状触媒前駆体流中の前記触媒前駆体の分圧は約０．２５Ｔｏｒｒ乃至約１００Ｔｏｒｒである、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記気体状触媒前駆体流中の前記触媒前駆体の分圧は約１００Ｔｏｒｒまでである、請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
前記気体状触媒前駆体流中の前記触媒前駆体の分圧は少なくとも約０．０１Ｔｏｒｒである、請求項９に記載の方法。
【請求項１３】
前記気体状触媒前駆体流中の前記触媒前駆体の分圧は約１Ｔｏｒｒ乃至約１０Ｔｏｒｒである、請求項９に記載の方法。
【請求項１４】
前記反応混合物中の前記触媒前駆体の濃度は約１ｐｐｍ乃至約１００ｐｐｍの範囲である、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
前記反応混合物中の前記触媒前駆体の濃度は約１０ｐｐｍ乃至約３０ｐｐｍの範囲である、請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
前記気体状触媒前駆体流は約７０℃乃至約２００℃の範囲の温度で提供される、請求項１に記載の方法。
【請求項１７】
前記ＣＯ気体流は約８５０℃乃至約１５００℃の範囲の温度で提供される、請求項１に記載の方法。
【請求項１８】
前記ＣＯ気体流は約９００℃乃至約１１００℃の範囲の温度で提供される、請求項１に記載の方法。
【請求項１９】
前記混合工程は、前記気体状触媒前駆体流を所望の温度に約１０ｍｓｅｃ間未満で加熱する、請求項１に記載の方法。
【請求項２０】
前記混合工程は、前記気体状触媒前駆体流を所望の温度に約１０００μｓｅｃ間までで加熱する、請求項１に記載の方法。
【請求項２１】
前記混合工程は、前記気体状触媒前駆体流を所望の温度に約１０ｍｓｅｃと約１０００μｓｅｃとの間で加熱する、請求項１に記載の方法。
【請求項２２】
前記混合工程の反応条件は、前記触媒前駆体の分解温度を超える反応温度を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項２３】
前記混合工程の反応条件は、約８５０℃乃至約１２５０℃の範囲の反応温度を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項２４】
助触媒は前記ＣＯ気体流に加えられる、請求項１に記載の方法。
【請求項２５】
前記助触媒は、チオフェン、Ｈ２Ｓ、揮発性鉛、ビスマス化合物、及びこれらの組合せからなる群から選択される、請求項２４に記載の方法。
【請求項２６】
前記ＣＯ気体流はＣＯ２をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項２７】
複数の前記単層カーボンナノチューブは、約０．６ｎｍ乃至約２ｎｍの範囲のチューブ直径を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項２８】
複数の前記単層カーボンナノチューブは、約０．６ｎｍ乃至約０．８ｎｍの範囲のチューブ直径を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項２９】
前記単層カーボンナノチューブの少なくとも５０％は、０．６ｎｍ乃至０．８ｎｍの範囲の直径を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項３０】
前記単層カーボンナノチューブの少なくとも７５％は、０．６ｎｍ乃至０．８ｎｍの範囲の直径を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項３１】
前記単層カーボンナノチューブの少なくとも９５％は、０．６ｎｍ乃至０．８ｎｍの範囲の直径を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項３２】
複数の前記単層カーボンナノチューブは、ほぼ（５，５）ナノチューブの直径乃至ほぼ（１０，１０）ナノチューブの直径の範囲の直径を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項３３】
前記形成された単層カーボンナノチューブは、少なくとも２５％は（５，５）ナノチューブである、請求項１に記載の方法。
【請求項３４】
前記形成された単層カーボンナノチューブは、少なくとも５０％は（５，５）ナノチューブである、請求項１に記載の方法。
【請求項３５】
前記単層カーボンナノチューブはロープを構成する、請求項１に記載の方法。
【請求項３６】
単層カーボンナノチューブを製造するための方法であって：
（ａ）超大気圧であるＣＯを含むＣＯ気体流を提供する工程と；
（ｂ）触媒前駆体を含む気体状触媒前駆体流を提供する工程において、（ｉ）前記触媒前駆体は、ＶＩ族金属、ＶＩＩＩ族金属、及びこれらの混合物からなる群から選択される遷移金属の原子を含み、（ｉｉ）前記気体状触媒前駆体流は、前記触媒前駆体の分解温度よりも低い温度で提供される、工程と；
（ｃ）前記ＣＯを含むＣＯ気体流を、（ｉ）少なくとも前記触媒前駆体の分解温度を超えかつ（ｉｉ）単層カーボンナノチューブを形成するのに十分な温度に加熱する工程と；
（ｄ）前記ＣＯ気体流と前記気体状触媒前駆体流とを混合して、反応混合物を形成する工程であって、混合領域において起き、前記触媒前駆体を、（ｉ）前記触媒前駆体の分解温度を超え、（ｉｉ）触媒金属原子クラスターの形成を促進するのに十分であり、（ｉｉｉ）単層カーボンナノチューブの開始及び成長を促進するのに十分な温度に急速に加熱する工程と；
（ｅ）単層カーボンナノチューブを含む固体生成物を生成気体流中に形成する工程と；を含む方法。
【請求項３７】
前記生成気体流中の前記単層カーボンナノチューブを、成長／アニール領域を通過させる工程をさらに含む、請求項３６に記載の方法。
【請求項３８】
前記成長／アニール領域の温度は、約８５０℃乃至約１２５０℃の範囲である、請求項３７に記載の方法。
【請求項３９】
前記成長／アニール領域の圧力は、約３乃至約１０００ａｔｍの範囲である、請求項３６に記載の方法。
【請求項４０】
前記成長／アニール領域の圧力は、約５乃至約５００ａｔｍの範囲である、請求項３６に記載の方法。
【請求項４１】
前記成長／アニール領域の圧力は、約１０乃至約１００ａｔｍの範囲である、請求項３６に記載の方法。
【請求項４２】
前記生成気体流から前記単層カーボンナノチューブを分離及び回収する工程をさらに含む、請求項３６に記載の方法。
【請求項４３】
前記分離及び回収する工程は、前記生成気体流を、気体透過性フィルターを通過させることを含む、請求項４２に記載の方法。
【請求項４４】
前記単層カーボンナノチューブと前記生成気体流とを前記成長／アニール領域を通過させた後に、前記生成気体流から前記単層カーボンナノチューブを分離及び回収する工程をさらに含む、請求項３７に記載の方法。
【請求項４５】
前記混合領域に核生成剤を供給して、前記触媒金属原子クラスターの形成を促進する工程をさらに含む、請求項３６に記載の方法。
【請求項４６】
前記核生成剤は気体状金属含有化合物である、請求項４５に記載の方法。
【請求項４７】
前記気体状金属含有化合物は、Ｎｉ（ＣＯ）４、Ｗ（ＣＯ）６、Ｍｏ（ＣＯ）６、及びこれらの混合物からなる群から選択される、請求項４６に記載の方法。
【請求項４８】
前記核生成剤はレーザー光光量子である、請求項４５に記載の方法。
【請求項４９】
前記ＣＯ気体流は、約３気圧乃至約１００気圧の圧力範囲である、請求項３６に記載の方法。
【請求項５０】
前記ＣＯ気体流は、約１０気圧乃至約１００気圧の圧力範囲である、請求項３６に記載の方法。
【請求項５１】
前記触媒前駆体は、タングステン、モリブデン、クロム、鉄、ニッケル、コバルト、ロジウム、ルテニウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム、白金、及びこれらの混合物からなる群から選択される金属の金属含有化合物である、請求項３６に記載の方法。
【請求項５２】
前記金属含有化合物は金属カルボニルである、請求項５１に記載の方法。
【請求項５３】
前記金属カルボニルは、Ｆｅ（ＣＯ）５、Ｃｏ（ＣＯ）６、及びこれらの混合物からなる群から選択される、請求項５２に記載の方法。
【請求項５４】
前記金属含有化合物はメタロセンである、請求項５１に記載の方法。
【請求項５５】
前記メタロセンは、フェロセン、コバルトセン、ルテノセン、及びこれらの混合物からなる群から選択される、請求項５４に記載の方法。
【請求項５６】
前記気体状触媒前駆体流はＣＯを含む、請求項３６に記載の方法。
【請求項５７】
前記気体状触媒前駆体流中の前記触媒前駆体の分圧は約０．２５Ｔｏｒｒ乃至約１００Ｔｏｒｒである、請求項５６に記載の方法。
【請求項５８】
前記気体状触媒前駆体流中の前記触媒前駆体の分圧は約１００Ｔｏｒｒまでである、請求項５６に記載の方法。
【請求項５９】
前記気体状触媒前駆体流中の前記触媒前駆体の分圧は少なくとも約０．０１Ｔｏｒｒである、請求項５６に記載の方法。
【請求項６０】
前記気体状触媒前駆体流中の前記触媒前駆体の分圧は約１Ｔｏｒｒ乃至約１０Ｔｏｒｒである、請求項５６に記載の方法。
【請求項６１】
前記反応混合物中の前記触媒前駆体の濃度は約１ｐｐｍ乃至約１００ｐｐｍの範囲である、請求項３６に記載の方法。
【請求項６２】
前記反応混合物中の前記触媒前駆体の濃度は約１０ｐｐｍ乃至約３０ｐｐｍの範囲である、請求項３６に記載の方法。
【請求項６３】
前記気体状触媒前駆体流は約７０℃乃至約２００℃の範囲の温度で供給される、請求項３６に記載の方法。
【請求項６４】
前記ＣＯ気体流は約８５０℃乃至約１５００℃の範囲の温度で供給される、請求項３６に記載の方法。
【請求項６５】
前記ＣＯ気体流は約９００℃乃至約１１００℃の範囲の温度で供給される、請求項３６に記載の方法。
【請求項６６】
前記混合工程は、前記気体状触媒前駆体流を所望の温度に約１０ｍｓｅｃ間未満で加熱する、請求項３６に記載の方法。
【請求項６７】
前記混合工程は、前記気体状触媒前駆体流を所望の温度に約１０００μｓｅｃ間までで加熱する、請求項３６に記載の方法。
【請求項６８】
前記混合工程は、前記気体状触媒前駆体流を所望の温度に約１０ｍｓｅｃと約１０００μｓｅｃとの間で加熱する、請求項３６に記載の方法。
【請求項６９】
前記混合工程の反応条件は、約８５０℃乃至約１２５０℃の範囲の反応温度を含む、請求項３６に記載の方法。
【請求項７０】
助触媒は前記ＣＯ気体流に加えられる、請求項３６に記載の方法。
【請求項７１】
前記助触媒は、チオフェン、Ｈ２Ｓ、揮発性鉛、ビスマス化合物、及びこれらの組合せからなる群から選択される、請求項７０に記載の方法。
【請求項７２】
成長反応の開始時での触媒クラスターの大きさを制御することにより、前記単層カーボンナノチューブの直径を制御する工程をさらに含む、請求項３６に記載の方法。
【請求項７３】
前記触媒クラスターの大きさは、
（ａ）前記混合領域内のＣＯの分圧（ＰＣＯ）を制御すること；
（ｂ）前記混合領域内の温度を制御すること；
（ｃ）前記混合領域に提供された前記触媒前駆体の分圧（ＰＣＡＴ）を制御すること；
（ｄ）前記混合領域に提供された前記核生成剤の分圧（ＰＮ）を制御すること；及び
（ｅ）上述のものの組合せ；
からなる群から選択される方法により制御される、請求項７２に記載の方法。
【請求項７４】
前記触媒クラスターの大きさは、前記混合領域内のＣＯの分圧（ＰＣＯ）対前記触媒前駆体の分圧（ＰＣＡＴ）の比を制御することにより制御される、請求項７２に記載の方法。
【請求項７５】
反応条件を、第１の組の反応条件から第２の組の反応条件に変更する工程をさらに含み、
（ａ）前記第１の組の反応条件は、前記ＣＯ気体流と前記触媒前駆体気体流との混合の最中の前記触媒金属クラスターの形成を促進し；
（ｂ）前記第２の組の反応条件は、前記単層カーボンナノチューブの形成を促進する、請求項３６に記載の方法。
【請求項７６】
前記ＣＯ気体流はＣＯ２をさらに含む、請求項３６に記載の方法。
【請求項７７】
前記触媒前駆体はレーザー光線と接触する、請求項３６に記載の方法。
【請求項７８】
前記混合領域に入った時に前記触媒前駆体はレーザー光線と接触して、前記触媒前駆体は解離する、請求項３６に記載の方法。
【請求項７９】
前記レーザー光線が前記触媒前駆体と接触する場所の下流で、ＣＯ２を加える工程をさらに含む、請求項７８に記載の方法。
【請求項８０】
ＣＯ２を前記ＣＯ気体流に加える工程、前記レーザー光線が前記触媒前駆体と接触する場所の下流で、ＣＯ２を加える工程、及び両方の場所でＣＯ２を加える工程からなる群から選択される工程をさらに含む、請求項７８に記載の方法。
【請求項８１】
前記固体生成物の原子の少なくとも７５％は前記単層カーボンナノチューブの原子である、請求項３６に記載の方法。
【請求項８２】
前記固体生成物の原子の少なくとも９９％は前記単層カーボンナノチューブの原子である、請求項３６に記載の方法。
【請求項８３】
複数の前記単層カーボンナノチューブは、約０．６ｎｍ乃至約２ｎｍの範囲のチューブ直径を有する、請求項３６に記載の方法。
【請求項８４】
複数の前記単層カーボンナノチューブは、約０．６ｎｍ乃至約０．８ｎｍの範囲のチューブ直径を有する、請求項３６に記載の方法。
【請求項８５】
前記単層カーボンナノチューブの少なくとも５０％は、０．６ｎｍ乃至０．８ｎｍの範囲の直径を有する、請求項３６に記載の方法。
【請求項８６】
前記単層カーボンナノチューブの少なくとも７５％は、０．６ｎｍ乃至０．８ｎｍの範囲の直径を有する、請求項３６に記載の方法。
【請求項８７】
前記単層カーボンナノチューブの少なくとも９５％は、０．６ｎｍ乃至０．８ｎｍの範囲の直径を有する、請求項３６に記載の方法。
【請求項８８】
複数の前記単層カーボンナノチューブは、ほぼ（５，５）ナノチューブの直径乃至ほぼ（１０，１０）ナノチューブの直径の範囲の直径を有する、請求項３６に記載の方法。
【請求項８９】
前記形成された単層カーボンナノチューブは、少なくとも２５％は（５，５）ナノチューブである、請求項３６に記載の方法。
【請求項９０】
前記形成された単層カーボンナノチューブは、少なくとも５０％は（５，５）ナノチューブである、請求項３６に記載の方法。
【請求項９１】
前記単層カーボンナノチューブはロープを構成する、請求項３６に記載の方法。
【請求項９２】
単層カーボンナノチューブを製造するための方法であって：
（ａ）少なくとも約３気圧の圧力であるＣＯを含むＣＯ気体流を提供する工程と；
（ｂ）触媒前駆体を含む気体状触媒前駆体流を提供する工程において、（ｉ）前記触媒前駆体は、ＶＩ族金属、ＶＩＩＩ族金属、及びこれらの混合物からなる群から選択される遷移金属の原子を含み、（ｉｉ）前記気体状触媒前駆体流は、前記触媒前駆体の分解温度よりも低い温度で提供される、工程と；
（ｃ）前記ＣＯ気体流を、（ｉ）少なくとも前記触媒前駆体の分解温度を超えかつ（ｉｉ）単層カーボンナノチューブを形成するのに十分な温度に加熱する工程と；
（ｄ）前記ＣＯ気体流と前記気体状触媒前駆体流とを混合して、反応混合物を形成する工程であって、混合領域において起き、前記触媒前駆体を、（ｉ）前記触媒前駆体の分解温度を超え、（ｉｉ）触媒金属原子クラスターの形成を促進するのに十分であり、（ｉｉｉ）単層カーボンナノチューブの開始及び成長を促進するのに十分な温度に急速に加熱する工程と；
（ｅ）前記混合領域に核生成剤を供給して、前記触媒金属原子クラスターの形成を促進する工程と；
（ｆ）固体生成物を形成する工程において、形成された単層カーボンナノチューブの量は、該単層カーボンナノチューブの原子である前記固体生成物の原子の約７５％を超える、工程と；を含む方法。
【請求項９３】
前記触媒前駆体は、メタロセン、金属カルボニル、及びこれらの混合物からなる群から選択される、請求項９２に記載の方法。
【請求項９４】
単層カーボンナノチューブを含む組成物において、該単層カーボンナノチューブの少なくとも９５％は、０．６ｎｍ乃至０．８ｎｍの範囲の直径を有する、組成物。
【請求項９５】
前記単層カーボンナノチューブはロープを構成する、請求項９４に記載の組成物。
【請求項９６】
前記単層カーボンナノチューブは（５，５）単層カーボンナノチューブを含む、請求項９４に記載の組成物。
【請求項９７】
単層カーボンナノチューブを含む組成物において、該単層カーボンナノチューブの少なくとも７５％は、０．６ｎｍ乃至０．８ｎｍの範囲の直径を有する、組成物。
【請求項９８】
前記単層カーボンナノチューブはロープを構成する、請求項９７に記載の組成物。
【請求項９９】
前記単層カーボンナノチューブは（５，５）単層カーボンナノチューブを含む、請求項９７に記載の組成物。
【請求項１００】
単層カーボンナノチューブを含む組成物において、該単層カーボンナノチューブの少なくとも５０％は、０．６ｎｍ乃至０．８ｎｍの範囲の直径を有する、組成物。
【請求項１０１】
前記単層カーボンナノチューブはロープを構成する、請求項１００に記載の組成物。
【請求項１０２】
前記単層カーボンナノチューブは（５，５）単層カーボンナノチューブを含む、請求項１００に記載の組成物。
【請求項１０３】
単層カーボンナノチューブを含む組成物において、該単層カーボンナノチューブの少なくとも２５％は（５，５）チューブである、組成物。
【請求項１０４】
前記単層カーボンナノチューブはロープを構成する、請求項１０３に記載の組成物。
【請求項１０５】
単層カーボンナノチューブを含む組成物において、該単層カーボンナノチューブの少なくとも５０％は（５，５）チューブである、組成物。
【請求項１０６】
前記ナノチューブはロープを構成する、請求項１０５に記載の組成物。
【請求項１０７】
単層カーボンナノチューブを製造するための装置であって：
（ａ）直列に連通した反応物導入領域、反応物混合領域、成長／アニール領域、及び生成物回収領域を備える超大気圧反応容器と；
（ｂ）ＣＯを含み超大気圧のＣＯ気体の第１の流れを前記導入領域に供給するための第１の反応物供給導管と；
（ｃ）気体状触媒前駆体の第２の流れを前記導入領域に供給するための第２の反応物供給導管と；
（ｄ）気体流の前記第１の流れと前記第２の流れとが前記混合領域に流入する際に、前記第１の流れと前記第２の流れとを急速かつ十分に混合するための混合手段と；
（ｅ）前記成長／アニール領域を高温に維持するための加熱手段と；
（ｆ）前記成長／アニール領域から流出する前記気体流から、固体単層カーボンナノチューブ生成物を除去するための、前記生成物回収領域内に位置する気体／固体分離手段と；を備える装置。
【請求項１０８】
前記第１の反応物供給導管内の前記第１の流れを加熱するための予熱装置をさらに備える、請求項１０７に記載の装置。
【請求項１０９】
前記予熱装置は、前記第１の反応物供給導管の部分と熱的に結合する熱源を含む、請求項１０８に記載の装置。
【請求項１１０】
前記熱源は前記成長／アニール領域から提供される、請求項１０９に記載の装置。
【請求項１１１】
前記熱源は、前記反応物導入領域内に位置する抵抗型加熱要素である、請求項１０９に記載の装置。
【請求項１１２】
前記第２の反応物供給導管内の前記第２の流れを冷却するための冷却手段をさらに備える、請求項１０７に記載の装置。
【請求項１１３】
前記生成物回収領域を冷却するための冷却手段をさらに備える、請求項１０７に記載の装置。
【請求項１１４】
レーザーと前記混合領域に入射するように該レーザーの出力を指向するための手段とをさらに備える、請求項１０７に記載の装置。
【請求項１１５】
前記反応容器の少なくとも前記成長／アニール領域部分を取り囲む、加熱されたエンクロージャをさらに備える、請求項１０７に記載の装置。
【請求項１１６】
前記気体／固体分離手段は気体透過性フィルター要素を含む、請求項１０７に記載の装置。
【請求項１１７】
前記混合領域は第１の予め定められた圧力に維持され、前記成長／アニール領域及び前記生成物回収領域は第２の予め定められた圧力に維持される、請求項１０７に記載の装置。
【請求項１１８】
前記レーザーは、前記反応容器の軸に沿って、前記混合領域内に下流方向に指向される、請求項１１４に記載の装置。
【請求項１１９】
前記レーザーは、前記反応容器の軸に沿って、前記混合領域内に上流方向に指向される、請求項１１４に記載の装置。
【請求項１２０】
前記レーザーは、前記反応容器の軸に対して、前記混合領域内に横方向に指向される、請求項１１４に記載の装置。
【請求項１２１】
単層カーボンナノチューブを製造するための装置であって：
（ａ）直列に連通した反応物導入領域、反応物混合領域、成長／アニール領域、及び生成物回収領域を備える超大気圧反応容器と；
（ｂ）ＣＯを含むＣＯ気体流を前記導入領域に供給するための第１の反応物供給導管と；
（ｃ）気体状触媒前駆体流を前記導入領域に供給するための第２の反応物供給導管と；
（ｄ）前記ＣＯ気体流が通過して前記混合領域に流入するための、前記第１の反応物供給導管に接続した少なくとも１つのインジェクターと；
（ｅ）前記気体状触媒前駆体流が通過して前記混合領域に流入するための、前記第２の反応物供給導管に接続した軸流ノズルと；
（ｆ）前記成長／アニール領域を取り囲み、前記成長／アニール領域を高温に維持する、加熱されたエンクロージャと；
（ｇ）前記成長／アニール領域から流出する固体単層カーボンナノチューブ生成物を除去するための、前記生成物回収領域内に位置する気体透過性フィルターと；を備える装置。
【請求項１２２】
前記第２の反応物供給導管と熱的に結合する冷却器をさらに備える、請求項１２１に記載の装置。
【請求項１２３】
前記生成物回収領域と熱的に結合する冷却器をさらに備える、請求項１２１に記載の装置。
【請求項１２４】
（ａ）超大気圧であるＣＯを含む気体流を提供することと；
（ｂ）ＶＩ族金属、ＶＩＩＩ族金属、及びこれらの混合物からなる群から選択される遷移金属の原子を含む気体状触媒前駆体を含む気体状触媒前駆体流であって、該触媒前駆体の分解温度よりも低い温度で提供される気体状触媒前駆体流を提供することと；
（ｃ）前記ＣＯを含む気体流を、少なくとも前記触媒前駆体の分解温度を超えかつ単層カーボンナノチューブを形成するのに十分な温度に加熱することと；
（ｄ）混合領域において、前記ＣＯを含む加熱された気体流と前記気体状触媒前駆体流とを混合して反応混合物にして、前記触媒前駆体を、（ｉ）前記触媒前駆体の分解温度を超え、（ｉｉ）触媒金属原子クラスターの形成を促進するのに十分であり、（ｉｉｉ）単層カーボンナノチューブの開始及び成長を促進するのに十分な温度に急速に加熱することと；
（ｅ）単層カーボンナノチューブを含む固体生成物を生成気体流中に形成することと；を含む方法により製造される製品。
【請求項１２５】
前記固体生成物の原子の少なくとも７５％は前記単層カーボンナノチューブの原子である、請求項１２４に記載の製品。
【請求項１２６】
前記固体生成物の原子の少なくとも９９％は前記単層カーボンナノチューブの原子である、請求項１２４に記載の製品。