【事件の表示】
　特願２００６−３１９５６８「半導体装置、及び表示装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２０年　６月１２日出願公開、特開２００８−１３５４９５、請求項の数（８）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯　
　本願は、平成１８年１１月２８日の出願であって、平成２４年７月２日付けで拒絶理由が通知され、同年７月２７日付けで意見書が提出されるとともに手続補正がされ、同年９月２７日付けで拒絶理由が通知され、同年１１月５日付けで意見書が提出されるとともに手続補正がされ、平成２５年１月９日付けで最後の拒絶理由が通知され、同年２月１３日付けで意見書が提出され、同年３月１９日付けで拒絶査定がされ、これに対し、同年６月６日に拒絶査定不服審判が請求されたものである。
　
第２　本願発明
　本願の請求項１に係る発明は、平成２４年１１月５日付けの手続補正で補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。
「【請求項１】
　光学的に検出可能なアライメントマークを有する半導体装置であって、
　半導体基板と、
　前記半導体基板の上層に形成された複数の配線層を具備し、
　前記アライメントマークは、
　前記半導体基板表面からの反射光が出射される明部領域と、前記明部領域より輝度の低い暗部領域とを有し、
　前記暗部領域は、前記複数の配線層のそれぞれに形成された金属配線表面からの反射光が出射される領域を含む
　半導体装置。」　
（以下、本願の請求項１に係る発明を「本願発明」という。）
　
第３　原査定の理由の概要
　本願発明は、その出願前に日本国内又は外国において、頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　記
＜引用文献＞
１.特開平４−３３０７１０号公報
２.特開昭６２−１８７１４号公報
３.特開昭５４−９４８８１号公報
４.特開昭５８−９０７２８号公報
５.特開２０００−１８２９１４号公報
６.特開２０００−３２３５７６号公報
７.特開２００３−１４２８９３号公報
　
・請求項１，３−６
・引用文献１−４
・備考
　引用文献１（特に、図４,【００２７】−【００３０】参照。）には、ＰＳＧ層８及びＰＳＧ層１６（本願の複数の配線層に相当する。）と、ＰＳＧ層８に形成されたＡｌ層４及びＰＳＧ層１６に形成されたＡｌ層１４と、で構成された凹凸部よりなる垂直反射率減少領域３と、垂直反射率が高い領域である位置検出用ターゲット２と、を備えた半導体装置の発明が記載されている。また、【００３０】には、Ａｌ層４は垂直反射率を減らすものであること、すなわち、垂直反射光は減るものの、存在することが記載されている。そして、図４（ｂ）を見れば明らかなように、Ａｌ層１４にもレーザーは照射され得るから、Ａｌ層１４にレーザー光が照射された場合には、同じく垂直反射光が存在すると認められる。そうすると、Ａｌ層４及びＡｌ層１４は、「表面からの反射光が出射される」ものであるから、請求項１に係る発明の「複数の配線層のそれぞれに形成された金属配線」に相当し、ＰＳＧ層８及びＰＳＧ層１６と、ＰＳＧ層８に形成されたＡｌ層４及びＰＳＧ層１６に形成されたＡｌ層１４と、で構成された凹凸部よりなる垂直反射率減少領域３は、請求項１に係る発明の「暗部領域」に相当する。
　また、半導体装置において、凹凸部よりなる反射率減少領域に対して半導体基板表面を垂直反射率の高い位置検出用領域として使用することは、引用文献２（特に、第１図,第２頁右下欄−第３頁左下欄参照。）、引用文献３（特に、第１図,第２頁左下欄−第３頁右上欄参照。）、引用文献４（特に、第１図−第４図,第２頁右上欄−第３頁左下欄参照。）に例示されるように周知技術である。
　よって、引用文献１に記載の発明において、引用文献２−４に例示される周知技術を適宜採用し、凹凸部よりなる垂直反射率減少領域３に対して位置検出用ターゲット２を垂直反射率の高い領域として使用する代わりに、半導体基板１２表面を垂直反射率の高い領域として使用することにより、請求項１，３−６に係る発明を構成することは当業者が容易に想到し得たことである。
　
・請求項２−６
・引用文献１−５
・備考
　引用文献５（特に、【００１７】,図２参照。）には、半導体装置において、反射光の輝度が低い部分のＡｌ層に反射防止膜を設けることが記載されている。
　
・請求項７
・引用文献１−６
・備考
　引用文献６（特に、【０００６】−【００１１】参照。）には、半導体装置において、低光反射率領域として、多結晶シリコン薄膜が形成された領域を使用することが記載されている。
　
・請求項８
・引用文献１−７
・備考
　引用文献７（特に、図１,【００３９】参照。）には、透明基板２ａ，２ｂと、アライメントマーク７ａ，７ｂが形成されたＩＣ３と、を備えた表示装置が記載されている。
　
第４　当審の判断
１．刊行物の記載事項
　引用文献１（特開平４−３３０７１０号公報）には、位置合わせマークの第１の実施例を示す図である図１、及び、第４の実施例を示す図である図４とともに、以下の事項が記載されている。
（１ａ）「【請求項１】　位置検出光を垂直反射させる反射領域と、前記位置検出光を散乱し垂直反射を減少させる垂直反射率減少領域と、を有することを特徴とする位置合わせマーク。
・・・（中略）・・・
【請求項６】　前記垂直反射率減少領域は、段差形成用の膜がストライプ構造に形成され、その上部にストライプ構造の反射膜が傾斜して形成されていることを特徴とする請求項１または２記載の位置合わせマーク。」（【特許請求の範囲】）
　
（１ｂ）「【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造工程中に用いられる位置合わせマーク、レーザトリミング装置及び半導体装置の製造方法に関する。」（【０００１】）
　
（１ｃ）「【作用】本発明の位置合わせマークにおいては、位置合わせマークの位置検出用ターゲットとその周囲のバックグランドとの垂直反射光強度を変化させ反射率のコントラスト差を大きくする。」（【００１３】）
　
（１ｄ）「【実施例】本発明の位置合わせマークの第１の実施例を図１を用いて説明する。同図(a) は本実施例による位置合わせマーク１の平面図、同図(b) は本実施例による位置合わせマーク１のＡ−Ａ断面図である。
　半導体基板１２上にフィールド酸化膜１０が形成され、フィールド酸化膜１０上部にＰＳＧ層８が形成されている。ＰＳＧ層８上部に位置検出用ターゲット２と垂直反射率減少領域３が形成されている。位置検出用ターゲット２のレーザ光走査方向の幅は、レーザ光のスポット径の約２倍程度とする。垂直反射率減少領域３は、レーザ光走査方向に対して垂直方向に伸びたＡｌ層４のストライプ構造で形成されている。ストライプ構造のＡｌ層４の幅はレーザスポット径の１／３以下または２μｍ以下、Ａｌ層４間のギャップの幅はレーザスポット径の１／２以下または３μｍ以下とする。
　位置検出用ターゲット２と垂直反射率減少領域３の上部に、例えばＰＳＧ或いはプラズマ窒化膜等のカバー膜６が形成されている。ストライプ構造のＡｌ層４により垂直反射率減少領域３のカバー膜６は凹凸形状になっている。カバー膜６の厚さは、Ａｌ層４間のギャップの幅との関係では、カバー膜厚はギャップ幅の１／２倍程度が最良であるが、同程度でもよい。
　本実施例では位置検出用のレーザ光源は、波長1030〜1060nm、スポット径６μｍφの赤外線レーザ（図示せず）を用いている。従って、本実施例においては、位置検出用ターゲット２のレーザ光走査方向の幅12μｍ、ストライプ構造のＡｌ層４の幅はレーザスポット径の１／６の１μｍ、Ａｌ層４間のギャップの幅はレーザスポット径の約１／４の1.4 μｍ、カバー膜厚はギャップ幅の１／２の0.7 μｍとしている。」（【００１５】−【００１８】）
　
（１ｅ）「レーザ光が位置検出用ターゲット２に到達すると、位置検出用ターゲット２面はレーザビーム径に対し広い面積を有し、かつレーザ光に垂直であるので垂直反射率は高い。位置検出用ターゲット２のカバー膜６表面での反射により、カバー膜６の膜厚に応じた垂直反射率の変動はあるが、位置検出用ターゲット２の垂直反射光の方が垂直反射率減少領域３で垂直に反射されてくる光強度により非常に大きいものとなる。このようにして、位置検出用ターゲット２と垂直反射率減少領域３の垂直反射率の差が大きくなるため常にコントラストの良い反射率波形を得ることができる。
　また、本実施例は、凹凸（段差）を有するカバー膜６の形成に、あえて反射率の高いＡｌ層４を用いたことも特徴としている。位置検出用ターゲット２のＡｌと同じ層に形成することにより、位置検出用ターゲット２の製造工程で同時に垂直反射率減少領域３のＡｌ層４を形成できるから、製造プロセス上に誤差要因を無くすことができる。」（【００２０】−【００２１】）
　
（１ｆ）「図３において、市松模様の黒い部分はＡｌ層４であり、白い部分はギャップ部分である。本発明の位置合わせマークの第４の実施例を図４を用いて説明する。同図(a) は本実施例による位置合わせマーク２２の平面図、同図(b) は本実施例による位置合わせマーク２２のＣ−Ｃ断面図である。
　ＰＳＧ層８上部に段差形成用のＡｌ層１４が形成され、ＰＳＧ層１６を介して位置検出用ターゲット２が形成され、位置検出用ターゲット２と同層でＡｌ層１４上部にＰＳＧ層１６を介してストライプ構造のＡｌ層４が形成されている。Ａｌ層１４が段差となり、ＰＳＧ層１６上のＡｌ層４は傾斜している。
　位置検出用ターゲット２とＡｌ層４の上部に、カバー膜６が形成されている。ストライプ構造で傾斜しているＡｌ層４により垂直反射率減少領域３のカバー膜６は傾斜面を有し、Ａｌ層４間のギャップにより凹部形状を有する。
　本実施例は、Ａｌ層４及びその上部のカバー膜６において、水平面を極力減らすことにより垂直反射率を減らすことを特徴としている。本発明の位置合わせマークの第５の実施例を図５を用いて説明する。同図(a)は本実施例による位置合わせマーク２３の平面図、同図(b) は本実施例による位置合わせマーク２３のＤ−Ｄ断面図である。」（【００２７】−【００３０】）
　
　そうすると、引用文献１には、第４の実施例として、
「位置検出用ターゲットとその周囲のバックグランドとの垂直反射光強度を変化させ反射率のコントラスト差を大きくした位置合わせマークを有する半導体装置であって、
　半導体基板１２と、
　前記半導体基板１２上に形成されたフィールド酸化膜１０と、
　前記フィールド酸化膜１０上部に形成されたＰＳＧ層８と、
　前記ＰＳＧ層８上部に形成された段差形成用のＡｌ層１４と、
　前記ＰＳＧ層８上部に、ＰＳＧ層１６を介して形成された位置検出用ターゲット２と、
　前記位置検出用ターゲット２と同層で前記Ａｌ層１４上部に前記ＰＳＧ層１６を介して形成されたストライプ構造のＡｌ層４であって、前記Ａｌ層１４が段差となり前記ＰＳＧ層１６上で傾斜している前記Ａｌ層４と、
　前記位置検出用ターゲット２と前記Ａｌ層４の上部に形成されたカバー膜６であって、ストライプ構造で傾斜している前記Ａｌ層４により垂直反射率減少領域３で傾斜面を有し、前記Ａｌ層４間のギャップにより凹部形状を有する前記カバー膜６と、
　を具備し、
　前記Ａｌ層４及びその上部のカバー膜６において、水平面を極力減らすことにより垂直反射率を減らす、位置合わせマークを有する半導体装置。」
　の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。
　
２．対比
　本願発明と引用発明とを対比する。
　引用発明の「位置検出用ターゲットとその周囲のバックグランドとの垂直反射光強度を変化させ反射率のコントラスト差を大きくした位置合わせマーク」、「位置検出用ターゲット２」及び「垂直反射率減少領域３」は、それぞれ、本願発明の「光学的に検出可能なアライメントマーク」、「明部領域」及び「前記明部領域より輝度の低い暗部領域」に相当する。
　そうすると、本願発明と引用発明の一致点と相違点は以下のとおりとなる。
＜一致点＞
　光学的に検出可能なアライメントマークを有する半導体装置であって、
　半導体基板を具備し、
　前記アライメントマークは、
　明部領域と、前記明部領域より輝度の低い暗部領域とを有する
　半導体装置。
　
＜相違点＞
・相違点１：本願発明では、明部領域が「半導体基板表面」であるのに対して、引用発明では「『ストライプ構造のＡｌ層４』と『同層』に形成された『位置検出用ターゲット２』」である点。
　
・相違点２：本願発明では、暗部領域が「前記複数の配線層のそれぞれに形成された金属配線表面」であるのに対して、引用発明では、半導体装置が「半導体基板の上層に形成された複数の配線層を具備」することが特定されておらず、引用発明の「段差形成用のＡｌ層１４」及び「ストライプ構造のＡｌ層４」が、「前記複数の配線層のそれぞれに形成された金属配線」であるか否か不明である点。
　
３．判断
　上記相違点について検討する。
・相違点１について
　引用文献２（特開昭６２−１８７１４号公報）の、第１図、第２頁右下欄第９行−第３頁左下欄第１６行、引用文献３（特開昭５４−９４８８１号公報）の、第１図−第２図、第２頁右上欄第７行−第３頁左下欄第４行、引用文献４（特開昭５８−９０７２８号公報）の、第１図−第４図、第２頁右上欄第１行−第３頁左下欄第８行等の記載から、半導体基板を具備した半導体装置の製造において用いられる、光に対して高反射率を有する部分と、低反射率を有する部分とから構成されるアライメントマークとして、高反射率を有する部分として前記半導体基板の平滑表面を用い、低反射率を有する部分として前記半導体基板の表面に微小な凹凸群を形成するようにエッチングした領域を用いる構造が、周知技術であると認められる。
　
　すなわち、前記周知技術は、半導体基板の表面に微小な凹凸群を形成するようにエッチングした領域と、前記領域と同一の平面に存在する半導体基板の平滑表面との間における反射率の差異を利用した技術といえる。
　
　一方、引用発明は、位置検出用ターゲット２と、ストライプ構造で傾斜しているＡｌ層４及びその上部のカバー膜６の垂直反射率の差を用いるものである。それゆえ、引用発明において、位置検出用ターゲット２を除いたと仮定した時の「半導体基板１２」の表面からの反射光の強度、すなわち、半導体装置の表面に形成された、カバー膜６、ＰＳＧ層１６、ＰＳＧ層８及びフィールド酸化膜１０を通過して半導体基板１２の表面に到達し、反射し、再度、フィールド酸化膜１０、ＰＳＧ層８、ＰＳＧ層１６及びカバー膜６を通過した反射光の強度と、引用発明の「Ａｌ層４及びその上部のカバー膜６」からの反射光の強度とを対比した場合、両者の反射光の強度の関係がどのようなものとなるかは不明であり、他のいずれの引用文献の記載からも明らかとは認められない。
　
　よって、引用発明に上記周知技術を適用して、明部領域を「『ストライプ構造のＡｌ層４』と『同層』に形成された『位置検出用ターゲット２』」から、「半導体基板表面」に変更すること、すなわち、上記相違点１について本願発明の構成を採用する動機を認めることはできない。
　
　したがって、他の相違点について検討するまでもなく、本願発明は、引用発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
　
　また、本願の請求項２−８に係る発明は、いずれも請求項１を引用し、これをさらに限定する発明であるところ、本願発明が、上記のように、引用発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたとはいえないことから、本願の請求項２−８に係る発明も、本願発明と同様に、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
　
第５　むすび
　以上のとおり、本願発明及び本願の請求項２−８に係る発明はいずれも、引用発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものとすることができないから、原査定の理由によっては、本願を拒絶することはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。