【事件の表示】
　特許第６５３３８１８号発明「摺動部材およびピストンリング」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第６５３３８１８号の請求項１ないし６に係る特許を維持する。
【理　由】
第１　手続の経緯
　特許第６５３３８１８号（以下、「本件特許」という。）に係る出願は、平成２９年１０月２０日を出願日とするものであって、令和　１年　５月３１日にその請求項１〜６に係る発明について特許権の設定登録がされ、同年　６月１９日に特許掲載公報が発行され、その後、全請求項に係る特許に対して、同年１２月１６日付けで特許異議申立人　野口　昌徳（以下、「申立人」という。）により特許異議の申立てがされたものである。
第２　本件特許発明 
　本件特許の請求項１〜６に係る発明（以下、「本件発明１」〜「本件発明６」といい、まとめて「本件発明」という。）は、本件特許の特許請求の範囲の請求項１〜６に記載された事項により特定される以下のとおりのものと認める。
「【請求項１】
　基材と、該基材の上に形成された、水素含有量が３原子％以下および厚さが３μｍ以上の硬質炭素皮膜と、を有する摺動部材であって、
　前記硬質炭素皮膜のマルテンス硬さをＨＭとし、インデンテーション硬さをＨＩＴとして、ＨＭ/ＨＩＴが０．４０以上、ＨＩＴが１５ＧＰａ以上、及びＨＭが６ＧＰａ以上であることを特徴とする摺動部材。
【請求項２】
　前記ＨＩＴは、５０ＧＰａ以下である、請求項１に記載の摺動部材。
【請求項３】
　前記硬質炭素皮膜の厚さは、５μｍ以上である、請求項１又は２に記載の摺動部材。
【請求項４】
　前記硬質炭素皮膜の表面粗さＲａが０．１２μｍ以下である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の摺動部材。
【請求項５】
　前記基材と前記硬質炭素皮膜との間に、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｃｏ、Ｖ、Ｍｏ、及びＷ、並びにそれらの炭化物、窒化物、及び炭窒化物から選択された一つ以上の材料からなる中間層を有する、請求項１〜４のいずれか一項に記載の摺動部材。
【請求項６】
　請求項１〜５のいずれか一項に記載の摺動部材からなるピストンリング。」 
第３　異議申立理由の概要
　申立人は、証拠として甲第１号証〜甲第２５号証を提出し、以下の異議申立理由によって、本件発明１〜６に係る特許を取り消すべきものである旨を主張している。
１　特許法第２９条第１項（新規性）、第２項（進歩性）について
　甲第１号証：特開２０１７−１０１２７９号公報
　甲第２号証：特開２００６−２５０３４８号公報
　甲第３号証：国際公開第２０１７／１０４８２２号
　甲第４号証：特開２０１７−１３１３６号公報
　甲第５号証：特開２０１６−１２８５９９号公報
　甲第６号証：国際公開第２０１６／０１７３７５号
　甲第７号証：特開２０１５−１９３９１３号公報
　甲第８号証：国際公開第２０１４／１５７５６０号
　甲第９号証：特開２０１３−２４９４９１号公報
　甲第１０号証：特開２００４−９９９８３号公報
　甲第１１号証：特開２００２−５７１４８号公報
　甲第１２号証：国際公開第２０１１／１６１９１２号
　甲第１３号証：特開２０１０−１９９１０７号公報
　甲第１４号証：特開２０１０−４１０４１号公報
　甲第１５号証：特開２０１７−５３４６９号公報
　甲第１６号証：特開２０１６−６０９２１号公報
　甲第１７号証：特開２０１５−８６９６７号公報
　甲第１８号証：特開２００８−２９７４７７号公報
　甲第１９号証：特開２０１１−１４９０３５号公報
　甲第２０号証：特開２００３−１７１７５８号公報
　甲第２１号証：特開２００１−３１６８００号公報
　甲第２２号証：三浦一真、薄膜硬度計（ナノインデンター）と測定事例の紹介、新規導入機器操作講習会、平成２５年１２月１７日、ｐ．１−１５
　甲第２３号証：荒　翔太ら、超微小硬度計による結晶粒の機械的特性評価法に関する基礎的検討、第６１回理論応用力学講演会、平成２４年　３月、ＯＳ１５−１１
　甲第２４号証：【県央技術トピックス】ビッカース硬さ試験とヌープ硬さ試験、新潟県工業技術総合研究所県央技術支援センター、２０１５年
　甲第２５号証：特願２０１７−２０３８９８号（本件特許出願）の早期審査に関する事情説明書、株式会社リケン、平成３１年　３月１４日、ｐ．１−４
（１）甲第１号証または甲第１９号証を主引用例とする場合について
　本件発明１は、甲第１号証または甲第１９号証に記載された発明と、甲第２号証に記載された事項、甲第３〜９号証に記載された周知技術及び甲第１０〜１４号証に記載される常套手段に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　本件発明２〜３、５、６は、甲第１号証に記載された発明と、甲第２号証に記載された事項、甲第３〜９号証に記載された周知技術及び甲第１０〜１４号証に記載される常套手段に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　本件発明４は、甲第１号証に記載された発明と、甲第２号証に記載された事項、甲第３〜９号証、甲第１５〜１７号証に記載された周知技術及び甲第１０〜１４号証に記載される常套手段に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
（２）甲第３号証を主引用例とする場合について
　本件発明１〜３、５、６は、甲第３号証に記載された発明と実質的に同一である。
　本件発明４は、甲第３号証に記載された発明と、甲第１５〜１７号証に記載された周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
（３）甲第１８号証を主引用例とする場合について
　本件発明１〜６は、甲第１８号証に記載された発明と、甲第２号証に記載された事項及び甲第３〜９号証に記載された周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
２　特許法第３６条第４項第１号（実施可能要件）について
　本件発明においてイオンプレーティング法により「ＨＭ/ＨＩＴが０．４０以上」を実現するための成膜条件は、本件特許明細書の【００２９】に開示されるものであり、同【００３７】によれば、発明例１〜８のみならず比較例１〜３、５も、前記【００２９】に開示された条件の範囲内で成膜されたものと解されるが、このうち比較例１〜３は「ＨＭ/ＨＩＴが０．４０以上」を満たしていない。
　そうすると、前記【００２９】に開示された条件の範囲内で成膜されたものであっても、「ＨＭ/ＨＩＴが０．４０以上」を満たさない場合があることとなり、更に甲第２５号証によれば、「ＨＭ/ＨＩＴが０．４０以上」を満たす具体的な成膜条件は、技術常識を考慮しても当業者が容易に理解することはできない。
　したがって、本件特許明細書の記載に接した当業者は、技術常識を考慮しても、「ＨＭ/ＨＩＴが０．４０以上」を満足する成膜条件を理解できないから、発明例と比較例１〜３とを確実に作り分けることができない。
　すなわち、当業者は、本件発明に係る「摺動部材」を必ず製造することができず、その製造には過度の試行錯誤が必要となるから、本件発明１〜６について、発明の詳細な説明には当業者がその実施をできる程度に明確かつ十分に記載されていない。
第４　異議申立理由についての判断
１　特許法第２９条第１項（新規性）、第２項（進歩性）について
（１）各甲号証の記載事項及び各甲号証に記載された発明
ア　甲第１号証の記載事項及び甲第１号証に記載された発明
　甲第１号証には以下の記載がある（当審注：下線は当審が付与した。また、「・・・」は記載の省略を表す。以下、同様である。）。
（１ａ）「【請求項１】
　カーボンを主成分とする陰極材料を用いてアーク放電を行うことにより、前記陰極表面に形成されたアークスポットから前記カーボンを昇華させて、基材表面にカーボンを主成分とする炭素膜を成膜するアーク式成膜装置であって、
　前記陰極を保持する陰極保持手段と、
　前記基材を保持する基材保持手段と、
　前記陰極保持手段および前記基材保持手段が収容された真空チャンバーとを備えており、
　成膜中、少なくとも前記陰極の前記アークスポット近傍の領域の温度を５００〜３０００℃にする手段を備えていることを特徴とするアーク式成膜装置。」
（１ｂ）「【実施例】
【００９９】
［１］実験１
　実験１においては、陰極を加熱する加熱手段としてヒーターを設け、成膜中の陰極をヒーターで加熱して、粉砕粒子の放出を抑制することができる陰極の温度を調べた。
【０１００】
１．実験例１〜４
　具体的には、従来のアーク式成膜装置にヒーターを設置して、表１に示す陰極の温度となるように制御して実験例１〜４を行った。
なお、ヒーター温度以外の具体的な成膜条件は以下の通りにした。
【０１０１】
　
陰極
長さ  ３０ｍｍ
　　　　　　　　　　　　
直径  ５０ｍｍ
　
基材
テスト用の基材（高速度工具鋼製）
　
真空度
１×１０−３Ｐａ
　
バイアス電圧
−５０Ｖ
　
アーク電圧
−２０Ｖ
　
アーク放電電流
５０Ａ
　
成膜時間
２０ｍｉｎ
【０１０２】
２．評価
（１）陰極の温度
　各実験例において、赤外放射温度計を用いて、成膜中の陰極の温度を測定した。結果を表１に示す。
【０１０３】
（２）ＤＬＣ膜の表面粗さ
　
各実験例において成膜されたＤＬＣ膜について、
・・・
【０１０５】
【表１】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
（ア）前記（１ａ）によれば、甲第１号証には「アーク式成膜装置」に係る発明が記載されており、当該「アーク式成膜装置」は、カーボンを主成分とする陰極材料を用いてアーク放電を行うことにより、前記陰極表面に形成されたアークスポットから前記カーボンを昇華させて、「基材」表面にＤＬＣ膜を成膜するものである。
　そして、前記（１ｂ）の実験例１に注目すると、前記「アーク式成膜装置」により表面に前記ＤＬＣ膜が成膜された「基材」は、陰極：長さ  ３０ｍｍ、直径  ５０ｍｍ、基材：テスト用の基材（高速度工具鋼製）、真空度：１×１０−３Ｐａ、バイアス電圧：−５０Ｖ、アーク電圧：−２０Ｖ、アーク放電電流：５０Ａ、成膜時間：２０ｍｉｎ、陰極の温度：２００℃の成膜条件で製造され、表面粗さが１．２μｍであるものである。
（イ）そうすると、甲第１号証には以下の発明が記載されているといえる。
「カーボンを主成分とする陰極材料を用いてアーク放電を行うことにより、前記陰極表面に形成されたアークスポットから前記カーボンを昇華させて、基材表面にＤＬＣ膜を成膜するアーク式成膜装置により表面にＤＬＣ膜が成膜された基材であって、
　陰極：長さ  ３０ｍｍ、直径  ５０ｍｍ、基材：テスト用の基材（高速度工具鋼製）、真空度：１×１０−３Ｐａ、バイアス電圧：−５０Ｖ、アーク電圧：−２０Ｖ、アーク放電電流：５０Ａ、成膜時間：２０ｍｉｎ、陰極の温度：２００℃の成膜条件で成膜され、表面粗さが１．２μｍである、表面にＤＬＣ膜が成膜された基材。」（以下、「甲１発明」という。）
イ　甲第３号証の記載事項及び甲第３号証に記載された発明
　甲第３号証には以下の記載がある。
（３ａ）「請求の範囲
［請求項１］
基材の表面に被覆される被覆膜であって、
　
断面を明視野ＴＥＭ像により観察したとき、相対的に白で示される白色の硬質炭素層と、黒で示される黒色の硬質炭素層とが厚み方向に交互に積層されて１μｍを超え、５０μｍ以下の総膜厚を有しており、
　
前記白色の硬質炭素層は、厚み方向に扇状に成長した領域を有していることを特徴とする被覆膜。
・・・
［請求項１３］前記
黒色の硬質炭素層のナノインデンテーション硬度が３０〜８０ＧＰａである
［請求項１４］前記
白色の硬質炭素層のナノインデンテーション硬度が１０〜３０ＧＰａである
［請求項１５］
ＰＶＤ法を用いて、基材の表面に請求項１ないし請求項１４のいずれか１項に記載の被覆膜を成膜する被覆膜の製造方法であって、
　
前記基材が、５０℃を超え２００℃以下の低温域と２００℃を超え３００℃以下の高温域との間で昇温と降温を交互に繰り返すように、前記基材への成膜条件を制御すると共に、
　
前記基材を自転および／または公転させることを特徴とする被覆膜の製造方法。
・・・
［請求項１７］
前記ＰＶＤ法としてアーク式ＰＶＤ法を用い、
［請求項１８］
前記バイアス電圧を−５０〜−１５００Ｖに制御すると共に、前記アーク電流を１０〜２００Ａに制御する
・・・
［請求項２４］基材の表面に被覆される被覆膜であって、断面を明視野ＴＥＭ像により観察したとき、相対的に白で示される白色の硬質炭素層と、相対的に黒で示される黒色の硬質炭素層とが厚さ方向に交互に積層されており、
積層された少なくとも２層以上の層間に跨る隆起状形態部が現れている
・・・
［請求項３１］請求項２４ないし請求項３０のいずれか１項に記載の被覆膜を少なくとも外周摺動面に有することを特徴とする
ピストンリング
（３ｂ）「［００１９］摺動部材の被覆膜としてＰＶＤ法を用いて硬質炭素膜を成膜する場合、基材温度が高くなるとｓｐ３結合性炭素（ダイヤモンド構造）が生成しにくくなり、ｓｐ２結合性炭素（グラファイト構造）がリッチな硬質炭素膜、即ち、低硬度の硬質炭素膜が成膜されてしまうため、従来より基材温度を２００℃以下に制御して成膜を行ってｓｐ３結合性炭素の比率が高く、耐摩耗性に優れた硬質炭素膜を成膜していた。
［００２０］しかしながら、上記のようにＰＶＤ法を用いて硬質炭素膜を成膜する場合に、十分な耐久性を確保して寿命を長くするために厚膜の硬質炭素膜を成膜しようとすると、膜厚が１μｍを超えると硬質炭素膜中の圧縮残留応力が大きくなりすぎて膜が自己破壊する。自己破壊しなかったとしても、圧縮残留応力が大きく歪を蓄積した状態であるので、耐チッピング性は低い。このように、ＰＶＤ法では、厚膜の硬質炭素膜の成膜を安定して行うことは困難であり、十分な耐久性を確保することが難しかった。
・・・
［００３５］請求項１に記載の発明は、上記の知見に基づくものであり、
　基材の表面に被覆される被覆膜であって、
　断面を明視野ＴＥＭ像により観察したとき、相対的に白で示される白色の硬質炭素層と、黒で示される黒色の硬質炭素層とが厚み方向に交互に積層されて１μｍを超え、５０μｍ以下の総膜厚を有しており、
　前記白色の硬質炭素層は、厚み方向に扇状に成長した領域を有していることを特徴とする被覆膜である。
・・・
［００３８］なお、黒色の硬質炭素層と白色の硬質炭素層の層数は、特に限定されず、被覆膜の総膜厚、各硬質炭素層１層当りの厚み等に基づいて適宜設定されるが、十分な耐久性を確保するためには、各２層以上を交互に積層させることが好ましい。例えば、黒色の硬質炭素層と白色の硬質炭素層をそれぞれ９層程度積層させた総膜厚５μｍ程度の被覆膜を好ましい例としてあげることができる。」
（３ｃ）「［０１２２］一方、黒色の硬質炭素層は、ｓｐ２／ｓｐ３ 比が０．１〜０．４であることが好ましく、０．２〜０．３５であるとより好ましい。また、
黒色の硬質炭素層は、水素含有量が１０原子％以下、より好ましくは５原子％以下、さらに好ましくは０原子％であることが好ましく
［０１２３］
白色の硬質炭素層１ｂも水素含有量が１０原子％以下、より好ましくは５原子％以下であり、
（ア）前記（３ａ）によれば、甲第３号証には「ピストンリング」に係る発明が記載されており、当該「ピストンリング」は、「基材」の表面に被覆される「被覆膜」であって、断面を明視野ＴＥＭ像により観察したとき、相対的に白で示される「白色の硬質炭素層」と、黒で示される「黒色の硬質炭素層」とが厚み方向に交互に積層されて、１μｍを超え、５０μｍ以下の総膜厚を有し、前記「白色の硬質炭素層」は、厚み方向に扇状に成長した領域を有し、前記「黒色の硬質炭素層」のナノインデンテーション硬度が３０〜８０ＧＰａであり、前記白色の硬質炭素層のナノインデンテーション硬度が１０〜３０ＧＰａであり、積層された少なくとも２層以上の層間に跨る隆起状形態部が現れている「被覆膜」を、少なくとも外周摺動面に有するものである。
　また、前記「被覆膜」は、ＰＶＤ法を用いて基材の表面に成膜する製造方法により製造されるものであって、前記「基材」が、５０℃を超え２００℃以下の低温域と２００℃を超え３００℃以下の高温域との間で昇温と降温を交互に繰り返すように、前記「基材」への成膜条件を制御すると共に、前記「基材」を自転および／または公転させ、前記ＰＶＤ法としてアーク式ＰＶＤ法を用い、バイアス電圧を−５０〜−１５００Ｖに制御すると共に、アーク電流を１０〜２００Ａに制御して、前記「基材」の昇温と降温を交互に繰り返す「被覆膜」の製造方法により製造されるものである。
　更に、前記（３ｃ）によれば、黒色の硬質炭素層は、水素含有量が１０原子％以下、より好ましくは５原子％以下、さらに好ましくは０原子％であり、白色の硬質炭素層も水素含有量が１０原子％以下、より好ましくは５原子％以下であるものである。
（イ）そうすると、甲第３号証には以下の発明が記載されているといえる。
「基材の表面に被覆される被覆膜であって、断面を明視野ＴＥＭ像により観察したとき、相対的に白で示される白色の硬質炭素層と、黒で示される黒色の硬質炭素層とが厚み方向に交互に積層されて、１μｍを超え、５０μｍ以下の総膜厚を有し、
　前記白色の硬質炭素層は、厚み方向に扇状に成長した領域を有し、
　前記黒色の硬質炭素層のナノインデンテーション硬度が３０〜８０ＧＰａであり、
　前記白色の硬質炭素層のナノインデンテーション硬度が１０〜３０ＧＰａであり、
　積層された少なくとも２層以上の層間に跨る隆起状形態部が現れている被覆膜を、少なくとも外周摺動面に有するピストンリングであって、
　前記被覆膜は、ＰＶＤ法を用いて基材の表面に成膜する製造方法により製造されるものであって、前記基材が、５０℃を超え２００℃以下の低温域と２００℃を超え３００℃以下の高温域との間で昇温と降温を交互に繰り返すように、前記基材への成膜条件を制御すると共に、前記基材を自転および／または公転させ、前記ＰＶＤ法としてアーク式ＰＶＤ法を用い、バイアス電圧を−５０〜−１５００Ｖに制御すると共に、アーク電流を１０〜２００Ａに制御して、前記基材の昇温と降温を交互に繰り返す被覆膜の製造方法により製造され、
　黒色の硬質炭素層は、水素含有量が１０原子％以下、より好ましくは５原子％以下、さらに好ましくは０原子％であり、白色の硬質炭素層も水素含有量が１０原子％以下、より好ましくは５原子％以下である、ピストンリング。」（以下、「甲３発明」という。）
ウ　甲第１８号証の記載事項及び甲第１８号証に記載された発明
　甲第１８号証には以下の記載がある。
（１８ａ）「【特許請求の範囲】
【請求項１】
　
基材上に実質的に水素を含有しないダイヤモンドライクカーボン膜を形成して成り、該ダイヤモンドライクカーボン膜が潤滑材の存在下で相手部材と相対的に摺動する摺動部材であって、
　
上記ダイヤモンドライクカーボン膜の表面粗さが算術平均粗さＲａで０．０１μｍ以下であると共に、当該ダイヤモンドライクカーボン膜の表面における異物粒子の付着及び／又は脱離に起因する凹凸の射影面積率が０．４％以下であることを特徴とする低摩擦摺動部材。
・・・
【請求項５】
　上記ダイヤモンドライクカーボン膜がｔａ−Ｃに分類されるダイヤモンドライクカーボンから成り、ｓｐ３／（ｓｐ２＋ｓｐ３）構造比が０．５〜０．９、水素含有量が０〜５原子％、
ナノインデンテーション硬さが４０ＧＰａ以上、
（１８ｂ）「【００１２】
　一般に、ＤＬＣ膜は、実質的に水素を含まないａ−Ｃ（ａｍｏｒｐｈｏｕｓ  Ｃａｒｂｏｎ）及びｔａ−Ｃ（ｔｅｔｒａｈｅｄｅｒａｌ  ａｍｏｒｐｈｏｕｓ  Ｃａｒｂｏｎ；テトラヘドラルアモルファスカーボン）と、水素を含有するｔａ−Ｃ：Ｈ及びａ−Ｃ：Ｈの四つに分類され、ａ−Ｃはｓｐ３（ダイヤモンド構造）成分が少なく、ｓｐ２（グラファイト構造）成分が多いのに対し、ｔａ−Ｃはｓｐ３（ダイヤモンド構造）成分が多い。
・・・
【００１３】
　一般に、ＤＬＣの形成には、・・・真空アーク蒸着法などが用いられるが、真空アーク蒸着法以外の成膜方法、・・・などでは、原料に炭化水素ガスを用いるため、原理的に水素を含む場合がほとんどであり、ａ−Ｃやｔａ−Ｃの形成には、真空アーク蒸着法が用いられる。
・・・
【００１４】
　真空アーク蒸着法によりＤＬＣ膜を形成する場合、・・・プロセスチャンバ内へガスを何も導入しなければ、水素を実質的に含有しないａ−Ｃやｔａ−Ｃを形成することができる。
【００１５】
　基板に印加するバイアス電圧を変えることによって、これらのいずれかを形成することができ、
ｔａ−Ｃ又はｔａ−Ｃ：Ｈを形成するには、バイアス電圧を０〜−２００Ｖ、より好適には−５０〜−１５０Ｖ、更に好適には−１００Ｖ±２０Ｖとすることによってｔａ−Ｃ又はａ−Ｃ：Ｈを形成することができる。
・・・
【００２９】
　このとき、これらフィルタードアーク蒸着法において、ドロップレットの発生を極力抑え、ドロップレットに起因する凹凸数を少なくする観点から、・・・あるいは、
アーク電流を５０Ａ以下とし、
（ア）前記（１８ａ）によれば、甲第１８号証には「低摩擦摺動部材」に係る発明が記載されており、当該「低摩擦摺動部材」は、基材上に実質的に水素を含有しないダイヤモンドライクカーボン膜を形成して成り、該ダイヤモンドライクカーボン膜が潤滑材の存在下で相手部材と相対的に摺動する摺動部材であって、前記ダイヤモンドライクカーボン膜の表面粗さが算術平均粗さＲａで０．０１μｍ以下であると共に、当該ダイヤモンドライクカーボン膜の表面における異物粒子の付着及び／又は脱離に起因する凹凸の射影面積率が０．４％以下であり、前記ダイヤモンドライクカーボン膜は、ｔａ−Ｃに分類されるダイヤモンドライクカーボンから成り、ｓｐ３／（ｓｐ２＋ｓｐ３）構造比が０．５〜０．９、水素含有量が０〜５原子％、ナノインデンテーション硬さが４０ＧＰａ以上、密度が２．８〜３．４ｇ／ｃｍ３であるものである。
（イ）そうすると、甲第１８号証には以下の発明が記載されているといえる。
「基材上に実質的に水素を含有しないダイヤモンドライクカーボン膜を形成して成り、該ダイヤモンドライクカーボン膜が潤滑材の存在下で相手部材と相対的に摺動する摺動部材であって、
　前記ダイヤモンドライクカーボン膜の表面粗さが算術平均粗さＲａで０．０１μｍ以下であると共に、当該ダイヤモンドライクカーボン膜の表面における異物粒子の付着及び／又は脱離に起因する凹凸の射影面積率が０．４％以下であり、
　前記ダイヤモンドライクカーボン膜は、ｔａ−Ｃに分類されるダイヤモンドライクカーボンから成り、ｓｐ３／（ｓｐ２＋ｓｐ３）構造比が０．５〜０．９、水素含有量が０〜５原子％、ナノインデンテーション硬さが４０ＧＰａ以上、密度が２．８〜３．４ｇ／ｃｍ３である、低摩擦摺動部材。」（以下、「甲１８発明」という。）
エ　甲第１９号証の記載事項及び甲第１９号証に記載された発明
　甲第１９号証には以下の記載がある。
（１９ａ）「【特許請求の範囲】
【請求項１】
　
実質的に炭素及び水素からなる水素含有非晶質炭素被膜中に、平均粒径0.05μm以上0.5μm以下の実質的に炭素及び水素からなる非晶質炭素微粒子が分散した水素含有非晶質硬質炭素被覆部材。
（１９ｂ）「【実施例】
【００２６】
　以下の具体的実施例により、本発明をさらに詳細に説明する。
　実施例１
　まず、
基材として用いる硬化処理を施した高速度工具鋼（JIS G4403規格材のSKH51材）の円板（φ24 mm、厚さ4 mm）の一方の表面を、表面粗さRz（JIS B0601 ’94の10点平均粗さ）が0.3〜0.5μmになるように研磨加工した。成膜開始直前に、アセトン及びエタノールで順次超音波洗浄を行い、表面に付着した汚れを除去した。クロム(Cr)カソードとグラファイトカソードを備えた反応性アークイオンプレーティング装置内に上記円板をセットし、真空排気した後、イオンボンバード処理を実施し、続いてCr中間層を形成した。次に、アルゴンガス及びアセチレンガスを導入し、アーク放電電流を80Aに設定し、アーク放電によってグラファイトカソード（炭素98at%以上）を蒸発させながら、ピーク電圧−50V、周波数250kHz、ON/OFF比1.0のパルスバイアスを印加する条件で反応性アークイオンプレーティング法によって硬質炭素被膜を形成した。得られた被膜の膜厚は約7μmであった。
（ア）前記（１９ａ）によれば、甲第１９号証には「水素含有非晶質硬質炭素被覆部材」に係る発明が記載されており、当該「水素含有非晶質硬質炭素被覆部材」は、実質的に炭素及び水素からなる水素含有非晶質炭素被膜中に、平均粒径0.05μm以上0.5μm以下の実質的に炭素及び水素からなる非晶質炭素微粒子が分散したものである。
　そして、前記（１９ｂ）の実施例１に注目すると、前記「水素含有非晶質硬質炭素被覆部材」は、基材として用いる硬化処理を施した高速度工具鋼（JIS G4403規格材のSKH51材）の円板（φ24 mm、厚さ4 mm）の一方の表面を、表面粗さRz（JIS B0601 ’94の10点平均粗さ）が0.3〜0.5μmになるように研磨加工し、成膜開始直前に、アセトン及びエタノールで順次超音波洗浄を行い、表面に付着した汚れを除去し、クロム(Cr)カソードとグラファイトカソードを備えた反応性アークイオンプレーティング装置内に上記円板をセットし、真空排気した後、イオンボンバード処理を実施し、続いてCr中間層を形成し、次に、アルゴンガス及びアセチレンガスを導入し、アーク放電電流を80Aに設定し、アーク放電によってグラファイトカソード（炭素98at%以上）を蒸発させながら、ピーク電圧−50V、周波数250kHz、ON/OFF比1.0のパルスバイアスを印加する条件で反応性アークイオンプレーティング法によって硬質炭素被膜を形成して製造されたものであり、得られた被膜の膜厚は約7μmであるものである。
（イ）そうすると、甲第１９号証には以下の発明が記載されているといえる。
「実質的に炭素及び水素からなる水素含有非晶質炭素被膜中に、平均粒径0.05μm以上0.5μm以下の実質的に炭素及び水素からなる非晶質炭素微粒子が分散した水素含有非晶質硬質炭素被覆部材であって、
　基材として用いる硬化処理を施した高速度工具鋼（JIS G4403規格材のSKH51材）の円板（φ24 mm、厚さ4 mm）の一方の表面を、表面粗さRz（JIS B0601 ’94の10点平均粗さ）が0.3〜0.5μmになるように研磨加工し、成膜開始直前に、アセトン及びエタノールで順次超音波洗浄を行い、表面に付着した汚れを除去し、クロム(Cr)カソードとグラファイトカソードを備えた反応性アークイオンプレーティング装置内に上記円板をセットし、真空排気した後、イオンボンバード処理を実施し、続いてCr中間層を形成し、次に、アルゴンガス及びアセチレンガスを導入し、アーク放電電流を80Aに設定し、アーク放電によってグラファイトカソード（炭素98at%以上）を蒸発させながら、ピーク電圧−50V、周波数250kHz、ON/OFF比1.0のパルスバイアスを印加する条件で反応性アークイオンプレーティング法によって硬質炭素被膜を形成して製造され、
　得られた被膜の膜厚が約7μmである、水素含有非晶質硬質炭素被覆部材。」（以下、「甲１９発明」という。）
（２）対比・判断
（２−１）甲第１号証を主引用例とする場合について
ア　対比
（ア）本件発明１と甲１発明とを対比すると、甲１発明において「基材」の表面に成膜された「ＤＬＣ膜」は、本件発明１において「基材」の上に形成された「硬質炭素皮膜」に相当し、甲１発明における、「表面にＤＬＣ膜が成膜された基材」は、本件発明１における「部材」に相当する。
（イ）前記（ア）によれば、本件発明１と甲１発明とは、
「基材と、該基材の上に形成された硬質炭素皮膜と、を有する部材。」
の点で一致し、以下の点で相違している。
相違点１：本件発明１は、「硬質炭素皮膜」の「水素含有量が３原子％以下および厚さが３μｍ以上」、との発明特定事項を有するのに対して、甲１発明は前記発明特定事項を有するか否かが明らかでない点。
相違点２：本件発明１は、「硬質炭素皮膜のマルテンス硬さをＨＭとし、インデンテーション硬さをＨＩＴとして、ＨＭ/ＨＩＴが０．４０以上、ＨＩＴが１５ＧＰａ以上、及びＨＭが６ＧＰａ以上である」、との発明特定事項を有するのに対して、甲１発明は前記発明特定事項を有するか否かが明らかでない点。
相違点３：本件発明１は、「部材」が「摺動部材」である、との発明特定事項を有するのに対して、甲１発明は前記発明特定事項を有するか否かが明らかでない点。
イ　判断
（ア）事案に鑑み、前記ア（イ）の相違点２から検討すると、本件特許明細書には以下の記載がある。
（ａ）「【００２７】
　このような特性を有するＤＬＣ皮膜１２は、例えばカーボンターゲットを用いた真空アーク放電によるイオンプレーティング法によって、基材１０の上に形成することができる。以下では、ＤＬＣ皮膜１２の形成方法を説明する。
・・・
【００２９】
　
本実施形態では、ＨＭ/ＨＩＴを０．４０以上とすることが重要であり、これはバイアス電圧とアーク放電電流を以下の範囲から調整することによって実現することができる。バイアス電圧は−５０Ｖ以上０Ｖ以下とする。
また、アーク放電電流は５０Ａ以上２００Ａ以下とする。
アーク放電電流を２００Ａ以下とし、かつ適切な放電休止を実施することにより基材温度の上昇を防ぐことで、ＤＬＣ皮膜の硬度が低下するおそれもなく、ＨＩＴを１５ＧＰａ以上、ＨＭを６ＧＰａ以上にすることができる。ここで、バイアス電圧が−５０Ｖ以上０Ｖ以下を満たし、かつアーク放電電流が５０Ａ以上２００Ａ以下を満たす範囲では、バイアス電圧の絶対値を増加させるとＨＭ/ＨＩＴが減少し、アーク放電電流を増加させるとＨＭ/ＨＩＴが増加する。なお、基材の温度は１００℃以上２３０℃以下とすることが好ましい。
（イ）前記（ア）（ａ）によれば、本件発明は、「ＨＭ/ＨＩＴ」を０．４０以上とするものであり、これは、カーボンターゲットを用いた真空アーク放電によるイオンプレーティング法においてバイアス電圧を−５０Ｖ以上０Ｖ以下、アーク放電電流を５０Ａ以上２００Ａ以下の範囲から調整することによって実現できるものである。
　また、本件発明は、アーク放電電流を２００Ａ以下とし、かつ適切な放電休止を実施することにより「基材」温度の上昇を防ぐことで、ＤＬＣ皮膜の硬度が低下するおそれもなく、「ＨＩＴ」を１５ＧＰａ以上、「ＨＭ」を６ＧＰａ以上にすることができるものであり、このときの「基材」の温度は１００℃以上２３０℃以下とすることが好ましいものである。
　すなわち、本件発明は、バイアス電圧を−５０Ｖ以上０Ｖ以下、アーク放電電流を５０Ａ以上２００Ａ以下の範囲から調整し、更にアーク放電電流を２００Ａ以下とし、かつ適切な放電休止を実施して、「基材」の温度を１００℃以上２３０℃以下とする、との成膜条件（以下、「本件成膜条件」という。）で成膜することで、前記相違点２に係る発明特定事項を有するものとできるものであり、甲１発明における「硬質炭素皮膜」の成膜条件が本件成膜条件とおおむね合致する場合、甲１発明は、前記相違点２に係る発明特定事項を有する可能性があるものである。
（ウ）そこで、甲１発明における「硬質炭素皮膜」の成膜条件が本件成膜条件とおおむね合致するか否かについて検討すると、甲１発明においては、バイアス電圧：−５０Ｖ、アーク放電電流：５０Ａの成膜条件で成膜されるものであり、これは、本件成膜条件のバイアス電圧を−５０Ｖ以上０Ｖ以下、アーク放電電流を５０Ａ以上２００Ａ以下の範囲から調整することと合致する。
　ところが、甲１発明における「硬質炭素皮膜」は、陰極の温度：２００℃の成膜条件で成膜されるものであるが、陰極の温度から「基材」の温度が明らかとなるものではなく、甲第１号証には、基材温度の上昇を防ぐことについて何らの記載もないから、甲１発明の「基材」の温度が１００℃以上２３０℃以下となっていることは推認できず、甲１発明における「硬質炭素皮膜」は、本件発明と「基材」の温度がおおむね合致した条件において成膜されたものとはいえない。
　そうすると、甲１発明における「硬質炭素皮膜」の成膜条件が本件成膜条件とおおむね合致するとはいえないので、甲１発明は、前記相違点２に係る発明特定事項を有するものとはいえない。　
（エ）ここで、申立人は、前記相違点２に係る発明特定事項の実現に関係する本件成膜条件は、「基材温度の上昇を防ぐこと」であり、その具体的な方法は、「アーク放電電流を２００Ａ以下とし、かつ適切な放電休止を実施する」ことにあるが、甲第３号証（前記（１）イ（３ａ）［請求項１５］、（３ｂ）［００１９］）、甲第４号証（【００２９】）、甲第５号証（【００４８】）、甲第６号証（【００２４】）、甲第７号証（【００１８】）、甲第８号証（【００２９】）、甲第９号証（【０００７】、【００２１】）によれば、ＤＬＣ膜の硬度の低下を防ぐ、といった目的のために、「基材」の温度を２３０℃以下として成膜することは、本件特許出願日における周知技術といえ、甲１発明に前記周知技術を適用することは容易になし得る旨、甲１発明において陰極近傍の温度を高温に保つために加熱手段を用いる場合、放電を休止しても陰極近傍の温度は低下せず、放電休止の実施を十分に許容できるから、甲第２５号証における「甲１発明には、放電休止により基材温度の上昇を防ぐという技術思想が存在しない」、との特許権者の主張は失当であり、甲１発明の課題を達成するうえで、基材温度の上昇防止を図る手段を採用する動機付けが否定される余地はないから、甲１発明において基材温度の上昇防止を図る手段を採用することは強く動機付けられる旨、甲第１０号証（【００３０】）、甲第１１号証（【００２５】〜【００２６】）、甲第１２号証（［請求項２］、［００６９］）、甲第１３号証（【請求項６】）、甲第１４号証（【請求項１】、【請求項１６】、【０００２】）によれば、イオンプレーティング装置等の成膜装置において基板の冷却装置を備えることは、本件特許出願日における常套手段といえ、甲１発明において、基材温度の上昇防止を図る手段として放電休止以外の前記常套手段を採用することは容易である旨、甲第２号証（【特許請求の範囲】、【００２３】、【００４１】（実施例２））によれば、甲第２号証には、ＤＬＣ被膜のナノインデンテーション硬度を２０ＧＰａ〜７０ＧＰａとすることが記載されているから、甲１発明において「ＨＩＴ」を「１５ＧＰａ以上」とすることは容易である旨を主張している（申立書３７頁２行〜４２頁５行）。　
（オ）これに対して、本件特許明細書には前記（ア）（ａ）に加えて、以下の記載がある。
（ｂ）「【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
　特許文献１，２では、高硬度で耐摩耗性に優れるＤＬＣ皮膜を得るべく、応力が加わった時の歪みを考慮したヤング率や、塑性変形を考慮したインデンテーション硬さを所定の範囲に調整している。ところが、
耐久性の観点から皮膜が厚膜化する傾向にある近年、ヤング率やインデンテーション硬さのそれぞれに着目したのみでは、皮膜を３μｍ以上としたときに、高い耐剥離性と高い耐摩耗性とを両立させるという点において改善の余地がある。
【０００７】
　本発明は、上記課題に鑑み、厚さを３μｍ以上としても、高い耐剥離性と高い耐摩耗性とを両立させた硬質炭素皮膜を有する摺動部材を提供することを目的とする。また、本発明は、当該摺動部材からなるピストンリングを提供することを目的とする。
・・・
【００２３】
　ＤＬＣ皮膜１２のマルテンス硬さをＨＭとし、インデンテーション硬さをＨＩＴとしたとき、これらの比であるＨＭ/ＨＩＴは０．４０以上である。本実施形態では、水素含有量が３原子％以下および厚さが３μｍ以上のＤＬＣ皮膜において、ＨＭ/ＨＩＴが０．４０以上であることが重要である。以下では、その技術的意義を述べる。
【００２４】
　本発明者らは、水素含有量が３原子％以下および厚さが３μｍ以上のＤＬＣ皮膜において、緻密性が高い皮膜ほど耐剥離性と耐摩耗性が高くなっているという既述の実験結果に基づいて、高い耐剥離性と高い耐摩耗性とを両立させるためには、緻密性と強い相関があると考えられる弾性変形を考慮したマルテンス硬さに着目することが重要であるとの着想を得た。・・・
以上のように、摺動部材として良好な特性を発揮するためには、皮膜の剛性や残留応力と強い相関があると考えられる緻密性の指標としてのマルテンス硬さ（ＨＭ）と、皮膜の強度と相関がある塑性硬さの指標としてのインデンテーション硬さ（ＨＩＴ）とのバランスが重要であることを知見した。
そこで、これらを実験的に検討した結果、ＨＭ/ＨＩＴを０．４０以上とすることにより、高い耐剥離性と高い耐摩耗性を両立させた皮膜が得られることが分かった。
【００２５】
　なお、ＨＩＴは、１５ＧＰａ以上５０ＧＰａ以下とすることが好ましい。１５ＧＰａ以上であれば、十分な強度を得ることができる。また、５０ＧＰａ以下であれば、皮膜が脆性的な特性を示すおそれもなく、耐摩耗性に優れた皮膜が得られる。また、ＨＭは、６ＧＰａ以上２０ＧＰａ以下とすることが好ましい。６ＧＰａ以上であれば、緻密性を高くすることができるので、耐剥離性に優れた皮膜が得られる。２０ＧＰａ以下であれば、膜厚を厚くしても皮膜が剥離するおそれもない。」
（カ）前記（オ）（ｂ）によれば、本件発明は、ＤＬＣ被膜の厚さを３μｍ以上としたときに、高い耐剥離性と高い耐摩耗性とを両立させるという点において改善の余地がある、との課題（以下、「本件課題」という。）を解決するものであって、「硬質炭素皮膜のマルテンス硬さをＨＭとし、インデンテーション硬さをＨＩＴとして、ＨＭ/ＨＩＴが０．４０以上、ＨＩＴが１５ＧＰａ以上、及びＨＭが６ＧＰａ以上である」、との前記相違点２に係る発明特定事項を有することにより、本件課題を解決するものといえる。
　そして、前記相違点２に係る発明特定事項は、本件成膜条件を満足することによって達成されるものであるが、甲第２〜１４号証には、本件成膜条件とおおむね合致する成膜条件によりＤＬＣ膜を成膜することは記載されておらず、かつ、甲第１号証において、成膜条件のうち基材温度のみを変更して本件成膜条件を満足させる動機づけは存在しないから、甲１発明において基材温度の上昇防止を図る手段を採用することが強く動機付けられるとはいえない。
　また、仮に、ＤＬＣ膜の硬度の低下を防ぐ、といった目的のために、「基材」の温度を２３０℃以下として成膜することは、本件特許出願日における周知技術といえ、「甲１発明には、放電休止により基材温度の上昇を防ぐという技術思想が存在しない」、との特許権者の主張は失当であり、イオンプレーティング装置等の成膜装置において基板の冷却装置を備えることは、本件特許出願日における常套手段といえ、甲第２号証に、ＤＬＣ被膜のナノインデンテーション硬度を２０ＧＰａ〜７０ＧＰａとすることが記載されているとしても、甲第２〜１４号証には、本件成膜条件とおおむね合致する成膜条件によりＤＬＣ膜を成膜して、前記相違点２に係る発明特定事項を有するものとすることで、本件課題を解決できることが記載も示唆もされていないから、甲１発明において「基材」の温度を１００℃以上２３０℃以下として成膜した場合に、前記相違点２に係る発明特定事項を有するものとなり、厚さを３μｍ以上としても高い耐剥離性と高い耐摩耗性とを両立させた硬質炭素皮膜を有する「摺動部材」が提供されて本件課題を解決できることを、甲第２〜１４号証の記載から当業者が予測することは困難である。
（キ）してみれば、甲１発明において、「硬質炭素皮膜のマルテンス硬さをＨＭとし、インデンテーション硬さをＨＩＴとして、ＨＭ/ＨＩＴが０．４０以上、ＨＩＴが１５ＧＰａ以上、及びＨＭが６ＧＰａ以上である」、との前記相違点２に係る発明特定事項を有するものとすることを、甲第２号証の記載事項、甲第３〜９号証に記載される周知技術及び甲第１０〜１４号証に記載される常套手段に基づいて当業者が容易になし得るものではなく、申立人の前記（エ）の主張は採用できない。
　したがって、そのほかの相違点について検討するまでもなく、本件発明１を、甲１発明、甲第２号証の記載事項、甲第３〜９号証に記載される周知技術及び甲第１０〜１４号証に記載される常套手段に基づいて当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
ウ　本件発明２〜６について
（ア）本件発明２〜６は、直接的又は間接的に本件発明１を引用するものであり、本件発明２〜６のいずれかと甲１発明を対比した場合、いずれの場合であっても、少なくとも前記ア（イ）の相違点２と同じ点で相違する。
（イ）そして、甲１発明において、「硬質炭素皮膜のマルテンス硬さをＨＭとし、インデンテーション硬さをＨＩＴとして、ＨＭ/ＨＩＴが０．４０以上、ＨＩＴが１５ＧＰａ以上、及びＨＭが６ＧＰａ以上である」、との前記相違点２に係る発明特定事項を有するものとすることを、甲第２号証の記載事項、甲第３〜９号証に記載される周知技術及び甲第１０〜１４号証に記載される常套手段に基づいて当業者が容易になし得るものではないことは前記イ（キ）に記載のとおりである。
　更に、甲第１５〜１７号証にも、成膜条件を本件成膜条件とおおむね合致させることや、「硬質炭素皮膜のマルテンス硬さをＨＭとし、インデンテーション硬さをＨＩＴとして、ＨＭ/ＨＩＴが０．４０以上、ＨＩＴが１５ＧＰａ以上、及びＨＭが６ＧＰａ以上である」ものとすることが記載も示唆もされるものではないから、そのほかの相違点について検討するまでもなく、本件発明２〜６を、甲第２号証の記載事項、甲第３〜９号証に記載される周知技術、甲第１０〜１４号証に記載される常套手段及び甲第１５〜１７号証に記載された事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
（２−２）甲第１９号証を主引用例とする場合について
ア　対比
（ア）本件発明１と甲１９発明とを対比すると、甲１９発明において、「基材」として用いる硬化処理を施した高速度工具鋼（JIS G4403規格材のSKH51材）の円板（φ24 mm、厚さ4 mm）の一方の表面に形成されたCr中間層に更に形成された「硬質炭素皮膜」は、本件発明１において、「基材」の上に形成された「硬質炭素皮膜」に相当し、甲１９発明において、「得られた被膜の膜厚が約7μmである」ことは、本件発明１において、「硬質炭素皮膜」の「厚さが３ミクロン以上」であることに相当し、甲１９発明における、「水素含有非晶質硬質炭素被覆部材」は、本件発明１における「部材」に相当する。
（イ）前記（ア）によれば、本件発明１と甲１９発明とは、
「基材と、該基材の上に形成された、厚さが３μｍ以上の硬質炭素皮膜と、を有する部材。」
の点で一致し、以下の点で相違している。
相違点１’：本件発明１は、「硬質炭素皮膜」の「水素含有量が３原子％以下」、との発明特定事項を有するのに対して、甲１９発明は、「硬質炭素皮膜」が「水素含有非晶質硬質炭素被膜」である点。
相違点２’：本件発明１は、「硬質炭素皮膜のマルテンス硬さをＨＭとし、インデンテーション硬さをＨＩＴとして、ＨＭ/ＨＩＴが０．４０以上、ＨＩＴが１５ＧＰａ以上、及びＨＭが６ＧＰａ以上である」、との発明特定事項を有するのに対して、甲１９発明は前記発明特定事項を有するか否かが明らかでない点。
相違点３’：本件発明１は、「部材」が「摺動部材」である、との発明特定事項を有するのに対して、甲１９発明は「部材」が「摺動部材」であるか否かが明らかでない点。
イ　判断
（ア）事案に鑑み、前記ア（イ）の相違点２’から検討すると、甲１９発明における「硬質炭素皮膜」の成膜条件が本件成膜条件とおおむね合致する場合、甲１９発明が前記相違点２’に係る発明特定事項を有する可能性があることは、甲１発明の場合と同様である。
（イ）そこで、甲１９発明における「硬質炭素皮膜」の成膜条件が本件成膜条件とおおむね合致するか否かについて検討すると、甲１９発明は、アーク放電電流を80Aに設定し、アーク放電によってグラファイトカソード（炭素98at%以上）を蒸発させながら、ピーク電圧−50V、周波数250kHz、ON/OFF比1.0のパルスバイアスを印加する条件で反応性アークイオンプレーティング法によって硬質炭素被膜を形成するものであり、この成膜条件は、本件成膜条件のバイアス電圧を−５０Ｖ以上０Ｖ以下、アーク放電電流を５０Ａ以上２００Ａ以下の範囲から調整することと合致する。
　ところが、甲１９発明におけるアーク放電電流80A、ピーク電圧−50V、周波数250kHz、ON/OFF比1.0のパルスバイアスから「基材」の温度が明らかとなるものではないから、甲１９発明における「硬質炭素皮膜」が、「基材」の温度を１００℃以上２３０℃以下として成膜されたものとおおむね合致するとはいえない。
　そうすると、甲１９発明における「硬質炭素皮膜」の成膜条件が本件成膜条件とおおむね合致するとはいえないので、甲１９発明は、前記相違点２’に係る発明特定事項を有するものとはいえない。　
（ウ）そして、前記相違点２’は前記（２−１）ア（イ）の相違点２と同じものであって、前記（２−１）イ（カ）に記載したのと同様の理由により、甲１９発明において、「硬質炭素皮膜のマルテンス硬さをＨＭとし、インデンテーション硬さをＨＩＴとして、ＨＭ/ＨＩＴが０．４０以上、ＨＩＴが１５ＧＰａ以上、及びＨＭが６ＧＰａ以上である」、との前記相違点２’に係る発明特定事項を有するものとすることを、甲第２号証の記載事項、甲第３〜９号証に記載される周知技術及び甲第１０〜１４号証に記載される常套手段に基づいて当業者が容易になし得るものではないから、そのほかの相違点について検討するまでもなく、本件発明１を、甲１９発明、甲第２号証の記載事項、甲第３〜９号証に記載される周知技術及び甲第１０〜１４号証に記載される常套手段に基づいて当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
（２−３）甲第３号証を主引用例とする場合について
ア　対比
（ア）本件発明１と甲３発明とを対比すると、甲３発明における、「基材の表面に被覆される被覆膜であって、断面を明視野ＴＥＭ像により観察したとき、相対的に白で示される白色の硬質炭素層と、黒で示される黒色の硬質炭素層とが厚み方向に交互に積層されて、１μｍを超え、５０μｍ以下の総膜厚を有して」いる「被覆膜」は、本件発明１における、「基材と、該基材の上に形成された、厚さが３μｍ以上の硬質炭素皮膜」に相当し、甲３発明における「ピストンリング」は、本件発明１における「摺動部材」に相当する。
　また、甲３発明において、「黒色の硬質炭素層のナノインデンテーション硬度が３０〜８０ＧＰａであり」、「白色の硬質炭素層のナノインデンテーション硬度が１０〜３０ＧＰａであ」ることは、本件発明１において、「硬質炭素皮膜」の「インデンテーション硬さをＨＩＴとして」、「ＨＩＴが１５ＧＰａ以上」であることと合致する。
　更に、甲３発明において、「黒色の硬質炭素層は、水素含有量が１０原子％以下、より好ましくは５原子％以下、さらに好ましくは０原子％であり、白色の硬質炭素層も水素含有量が１０原子％以下、より好ましくは５原子％以下である」ことは、本件発明１において、「硬質炭素皮膜」の「水素含有量が３原子％以下」であることと合致する。
（イ）前記（ア）によれば、本件発明１と甲３発明とは、
「基材と、該基材の上に形成された、水素含有量が３原子％以下および厚さが３ミクロン以上の硬質炭素皮膜と、を有する摺動部材であって、前記硬質炭素皮膜のインデンテーション硬さをＨＩＴとして、ＨＩＴが１５ＧＰａ以上である、摺動部材。」
の点で一致し、以下の点で相違している。
相違点２’’：本件発明１は、「硬質炭素皮膜のマルテンス硬さをＨＭとし、インデンテーション硬さをＨＩＴとして、ＨＭ/ＨＩＴが０．４０以上」、「及びＨＭが６ＧＰａ以上である」、との発明特定事項を有するのに対して、甲３発明は前記発明特定事項を有するか否かが明らかでない点。
イ　判断
（ア）以下、前記ア（イ）の相違点２’’について検討すると、甲３発明における「硬質炭素皮膜」の成膜条件が本件成膜条件とおおむね合致する場合、甲３発明が前記相違点２’’に係る発明特定事項を有する可能性があることは、甲１発明の場合と同様である。
（イ）そこで、甲３発明における「硬質炭素皮膜」の成膜条件が本件成膜条件とおおむね合致するか否かについて検討すると、甲３発明は、「硬質炭素皮膜」を、ＰＶＤ法を用いて「基材」の表面に成膜する方法により製造するものであり、このとき、「基材」が、５０℃を超え２００℃以下の低温域と２００℃を超え３００℃以下の高温域との間で昇温と降温を交互に繰り返すように、前記「基材」への成膜条件を制御すると共に、バイアス電圧を−５０〜−１５００Ｖに制御すると共に、アーク電流を１０〜２００Ａに制御するものである。
　そして、甲３発明における成膜条件のバイアス電圧と本件成膜条件のバイアス電圧は、−５０Ｖの１点でのみ合致するに過ぎず、甲３発明における成膜条件のアーク電流は、本件成膜条件のアーク電流が５０Ａ以上２００Ａ以下であるのに対して、１０〜２００Ａとし得るのであり、甲３発明における成膜条件の「基材」の温度は、本件成膜条件の「基材」の温度が１００℃以上２３０℃以下であるのに対して、５０℃を超え２００℃以下の低温域、あるいは２００℃を超え３００℃以下の高温域とし得るのであって、例えば甲３発明においてバイアス電圧を−５０Ｖとしたときに、アーク電流及び「基材」の温度がどのように制御されるのかは明らかでないことからみて、甲３発明の成膜条件が本件成膜条件とおおむね合致するとはいえない。
　そうすると、甲３発明は、前記相違点２’’に係る発明特定事項を有するものではないから、本件発明１が甲３発明であるとはいえない。
ウ　本件発明２、３、５、６について
（ア）本件発明２、３、５、６は、直接的又は間接的に本件発明１を引用するものであり、本件発明２、３、５、６のいずれかと甲３発明を対比した場合、いずれの場合であっても、少なくとも前記ア（イ）の相違点２’’と同じ点で相違する。
（イ）そして、甲３発明は、前記相違点２’’に係る発明特定事項を有するものではないから、本件発明１が甲３発明であるとはいえないことは、前記イ（イ）に記載のとおりであり、同様の理由により、そのほかの相違点について検討するまでもなく、本件発明２、３、５、６も、甲３発明であるとはいえない。
エ　本件発明４について
（ア）本件発明４は、直接的又は間接的に本件発明１を引用するものであり、本件発明４と甲３発明を対比した場合、少なくとも前記ア（イ）の相違点２’’と同じ点で相違する。
　そして、甲第１５〜１７号証には、「摺動部材」において、「硬質炭素皮膜のマルテンス硬さをＨＭとし、インデンテーション硬さをＨＩＴとして、ＨＭ/ＨＩＴが０．４０以上」、「及びＨＭが６ＧＰａ以上」とすることも、本件成膜条件とおおむね合致する成膜条件で成膜することも、記載も示唆もされていない。
（イ）してみれば、甲３発明において、「硬質炭素皮膜のマルテンス硬さをＨＭとし、インデンテーション硬さをＨＩＴとして、ＨＭ/ＨＩＴが０．４０以上」、「及びＨＭが６ＧＰａ以上である」、との前記相違点２’’に係る発明特定事項を有するものとすることを、甲第１５〜１７号証の記載事項に基づいて当業者が容易になし得るものではないから、そのほかの相違点について検討するまでもなく、本件発明４を、甲３発明及び甲第１５〜１７号証の記載事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
（２−４）甲第１８号証を主引用例とする場合について
ア　対比
（ア）本件発明１と甲１８発明とを対比すると、甲１８発明において、「基材」上に形成された「ダイヤモンドライクカーボン膜」は、本件発明１において、「基材」の上に形成された「硬質炭素皮膜」に相当し、甲１８発明における「低摩擦摺動部材」は、本件発明１における「摺動部材」に相当する。
　また、甲１８発明において「ダイヤモンドライクカーボン膜」の「ナノインデンテーション硬さが４０ＧＰａ以上」であることは、本件発明１において、「硬質炭素皮膜」の「インデンテーション硬さをＨＩＴとして」、「ＨＩＴが１５ＧＰａ以上」であることと合致する。
（イ）前記（ア）によれば、本件発明１と甲１８発明とは、「基材と、該基材の上に形成された、硬質炭素皮膜と、を有する摺動部材であって、前記硬質炭素皮膜のインデンテーション硬さをＨＩＴとして、ＨＩＴが１５ＧＰａ以上である、摺動部材。」
の点で一致し、以下の点で相違している。
相違点１’’’：本件発明１は、「硬質炭素皮膜」の「水素含有量が３原子％以下および厚さが３μｍ以上」、との発明特定事項を有するのに対して、甲１８発明は、「硬質炭素皮膜」が「実質的に水素を含有しない」ものであり、その厚さは明らかでない点。
相違点２’’’：本件発明１は、「硬質炭素皮膜のマルテンス硬さをＨＭとし、インデンテーション硬さをＨＩＴとして、ＨＭ/ＨＩＴが０．４０以上」、「及びＨＭが６ＧＰａ以上である」、との発明特定事項を有するのに対して、甲１８発明は前記発明特定事項を有するか否かが明らかでない点。
イ　判断
（ア）事案に鑑み、前記ア（イ）の相違点２’’’から検討すると、甲１８発明における「硬質炭素皮膜」の成膜条件が本件成膜条件とおおむね合致する場合、甲１８発明が前記相違点２’’’に係る発明特定事項を有するものといえることは、甲１発明の場合と同様である。
（イ）そこで、甲１８発明における「硬質炭素皮膜」の成膜条件が本件成膜条件とおおむね合致するか否かについて検討すると、前記（１）ウ（１８ｂ）によれば、甲１８発明の成膜条件は、真空アーク蒸着法において、バイアス電圧を０〜−２００Ｖとし、アーク電流を５０Ａ以下とするものであり、「基材」の温度は明らかでない。
　そして、甲１８発明における成膜条件のアーク電流と本件成膜条件のアーク電流は、５０Ａの１点でのみ合致するに過ぎず、甲１８発明における成膜条件のバイアス電圧は、本件成膜条件のバイアス電圧が−５０Ｖ以上０Ｖ以下であるのに対して、０〜−２００Ｖとし得るのであり、甲１８発明における成膜条件の「基材」の温度は明らかでないのであって、例えば甲１８発明においてアーク電流を５０Ａとしたときに、バイアス電圧及び「基材」の温度がどのように制御されるのかは明らかでないことからみて、甲１８発明の成膜条件が本件成膜条件とおおむね合致するとはいえない。
（ウ）また、本件発明は、「硬質炭素皮膜のマルテンス硬さをＨＭとし、インデンテーション硬さをＨＩＴとして、ＨＭ/ＨＩＴが０．４０以上」、「及びＨＭが６ＧＰａ以上である」、との発明特定事項２’’’に係る発明特定事項を有することにより、本件課題を解決するものといえることは、前記（２−１）イ（カ）に記載したとおりである。
　そして、前記相違点２’’’に係る発明特定事項は、本件成膜条件を満足することによって達成されるものであるが、仮に、甲第２号証に、ＤＬＣ被膜を、「水素含有量が３原子％以下および厚さが３μｍ以上」、「ＨＩＴが１５ＧＰａ以上」とすることが開示され、「基材」の温度を２３０℃以下としてＤＬＣ膜を成膜することが本件特許出願時における周知技術であるとしても、前記（２−１）イ（カ）に記載したのと同様の理由により、甲１８発明において本件成膜条件で成膜した場合に、厚さを３μｍ以上としても高い耐剥離性と高い耐摩耗性とを両立させた硬質炭素皮膜を有する摺動部材が提供されて本件課題を解決できることを、甲第２〜９号証の記載から当業者が予測することは困難である。
（エ）してみれば、甲１８発明において、「硬質炭素皮膜のマルテンス硬さをＨＭとし、インデンテーション硬さをＨＩＴとして、ＨＭ/ＨＩＴが０．４０以上」、「及びＨＭが６ＧＰａ以上である」、との前記相違点２’’’に係る発明特定事項を有するものとすることを、甲第２〜９号証の記載事項に基づいて当業者が容易になし得るものではないから、そのほかの相違点について検討するまでもなく、本件発明１８を、甲１８発明及び甲第２〜９号証の記載事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
ウ　本件発明２〜６について
（ア）本件発明２〜６は、直接的又は間接的に本件発明１を引用するものであり、本件発明２〜６のいずれかと甲１８発明を対比した場合、いずれの場合であっても、少なくとも前記ア（イ）の相違点２’’’と同じ点で相違する。
（イ）そして、甲１８発明において、「硬質炭素皮膜のマルテンス硬さをＨＭとし、インデンテーション硬さをＨＩＴとして、ＨＭ/ＨＩＴが０．４０以上」、「及びＨＭが６ＧＰａ以上である」、との前記相違点２’’’に係る発明特定事項を有するものとすることを、甲第２〜９号証の記載事項に基づいて当業者が容易になし得るものではないことは前記イ（エ）に記載のとおりであるから、そのほかの相違点について検討するまでもなく、本件発明２〜６を、甲１８発明、甲第２〜９号証に記載された事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
（３）小括
　以上のとおりであるので、前記第３の１（１）〜（３）の異議申立理由はいずれも理由がない。
２　特許法第３６条第４項第１号（実施可能要件）について
（１）本件特許明細書の記載事項
（ア）本件特許明細書には、前記１（２）（２−１）イ（ア）（ａ）、同（オ）（ｂ）に加えて、以下の記載がある。
（ｃ）「【実施例】
【００３６】
　各発明例および比較例について、図２に示すピストンリングの外周面が表１に示すＤＬＣ皮膜の表面となるように、以下の条件でピストンリングを作製した。
【００３７】
　各発明例および比較例において、公知のＰＶＤ法を用いて、呼称径９０ｍｍ、厚さ２．９ｍｍ、幅１．２ｍｍの寸法からなるシリコンクロム鋼の基材上にクロムからなる厚さ０．４μｍの中間層を形成した。次に、１×１０−１Ｐａ以下の真空雰囲気にて、カーボンターゲットを用いた真空アーク放電によるイオンプレーティング法を用いて、バイアス電圧、アーク放電電流、及びアーク放電時間を既述の範囲から適宜調整することによって、表１に示すＤＬＣ皮膜を中間層の上に形成した。ただし、比較例４についてのみ、炭化水素ガスを導入しながらカーボンスパッタ法によるＤＬＣ成膜を実施した。
・・・
【００４２】
【表１】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
（イ）前記（ア）（ｃ）によれば、本件発明の発明例１〜８及び比較例１〜３、５におけるバイアス電圧、アーク放電電流、放電休止時間、「基材」温度はいずれも明らかでない。
　ここで、前記１（２）（２−１）イ（ア）（ａ）、（ア）（ｃ）によれば、本件特許明細書の記載に接した当業者は、発明例１〜８及び比較例１〜３、５においても、本件成膜条件を満足する成膜条件で成膜が行われていると理解するが、前記（ア）（ｃ）によれば、比較例１〜３、５はいずれも「ＨＩＴが１５ＧＰａ以上、及びＨＭが６ＧＰａ以上」との発明特定事項を満たすものであって、これは、アーク放電電流を２００Ａ以下とし、かつ適切な放電休止を実施することにより「基材」温度を１００℃以上２３０℃以下とすることで、「ＨＩＴ」を１５ＧＰａ以上、「ＨＭ」を６ＧＰａ以上にできる、との前記１（２）（２−１）イ（イ）の事項と合致するから、本件成膜条件を満足する成膜条件で成膜が行われれば、「ＨＩＴ」を１５ＧＰａ以上、「ＨＭ」を６ＧＰａ以上とできることが強く推認されるものである。
　そして、アーク放電電流を２００Ａ以下とし、かつ適切な放電休止を実施することにより「基材」温度を１００℃以上２３０℃以下とすることは、当業者であれば過度の試行錯誤をすることなくなし得るものである。
（ウ）一方、比較例１〜３は、いずれも「ＨＭ/ＨＩＴ」が０．３３〜０．３７の範囲にあって０．４０以上とはならないから、本件成膜条件を満足する成膜条件で成膜が行われたとしても、「ＨＭ/ＨＩＴが０．４０以上」を満足しない場合があると認められる。
　ところが、前記１（１）（１−１）イ（ア）（ａ）によれば、バイアス電圧が−５０Ｖ以上０Ｖ以下を満たし、かつアーク放電電流が５０Ａ以上２００Ａ以下を満たす範囲では、バイアス電圧の絶対値を増加させると「ＨＭ/ＨＩＴ」が減少し、アーク放電電流を増加させると「ＨＭ/ＨＩＴ」が増加するのであるから、比較例１〜３のように、本件成膜条件で成膜しても「ＨＭ/ＨＩＴが０．４０以上」を満足しない場合があるとしても、本件特許明細書の記載に接した当業者は、アーク放電電流を増加させることで「ＨＭ/ＨＩＴ」を増加させて、「ＨＭ/ＨＩＴが０．４０以上」を満足する発明例を製造できること、あるいは、発明例１〜８のように、「ＨＭ/ＨＩＴが０．４０以上」を満足するものから、バイアス電圧の絶対値を増加させることで「ＨＭ/ＨＩＴ」を減少させて、「ＨＭ/ＨＩＴが０．４０以上」を満足しない比較例を製造できることを理解できる。
　また、仮に、本件成膜条件で成膜しても「ＨＭ/ＨＩＴが０．４０以上」を満足しない場合があり、本件発明に係る「摺動部材」を確実に作製することができないとしても、同様の理由により、本件発明に係る「摺動部材」の製造に過度の試行錯誤が必要となるとまではいえない。
（エ）してみれば、本件発明の発明例１〜８及び比較例１〜３、５におけるバイアス電圧、アーク放電電流、放電休止時間、「基材」温度が明らかでないとしても、本件特許明細書の記載に接した当業者は、発明例と比較例を作り分けることができ、「硬質炭素皮膜のマルテンス硬さをＨＭとし、インデンテーション硬さをＨＩＴとして、ＨＭ/ＨＩＴが０．４０以上、ＨＩＴが１５ＧＰａ以上、及びＨＭが６ＧＰａ以上である」との発明特定事項を有する本件発明を、過度の試行錯誤をすることなく実施できることを理解できるものである。
（オ）以上のとおりであるから、本件特許に係る出願は特許法第３６条第４項第１号に規定する要件に適合するので、前記第３の２の異議申立理由は理由がない。
第５　むすび 
　以上のとおり、特許異議申立書に記載した特許異議申立理由によっては、本件発明１〜４に係る特許を取り消すことはできない。 
　また、他に本件発明１〜４に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。 
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
令和２年２月２５日（２０２０．２．２５）