【事件の表示】
　特願２０１０−１２６１１２「半導体装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２２年　８月２６日出願公開、特開２０１０−１８７０３４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１７年８月２９日に出願された特願２００５−２４７８３８号（以下「原出願」という。）の一部を平成２２年６月１日に新たな特許出願としたものであって、平成２２年１２月７日付けで拒絶理由が通知され、平成２３年２月８日に明細書及び特許請求の範囲を補正する手続補正がなされたが、同年４月１４日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年７月１５日に拒絶査定不服審判の請求がなされると同時に明細書及び特許請求の範囲を補正する手続補正がなされたものである（以下、平成２３年７月１５日になされた手続補正を「本件補正」という。）。
　
第２　本件補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　本件補正を却下する。
　
［理由］
１　本件補正の内容
　本件補正は、本願特許請求の範囲の請求項１を
「活性層と、
　ｐ型のＧａＮ系化合物半導体からなる第１半導体層と、
　前記活性層と前記第１半導体層との間に配置されるＩｎを含有するｐ型のＩｎ１−ｘ−ｙ１ＧａｘＡｌｙ１Ｎ（０≦ｘ＜１、
０＜ｙ１＜１
　前記活性層と前記Ｉｎ１−ｘ−ｙ１ＧａｘＡｌｙ１Ｎ（０≦ｘ＜１、
０＜ｙ１＜１
０＜ｙ１＜１
　前記第１半導体層と前記活性層との間に配置され、前記Ｉｎ１−ｘ−ｙ１ＧａｘＡｌｙ１Ｎ（０≦ｘ＜１、
０＜ｙ１＜１
で、かつ１×１０
１７
ｃｍ
−３
〜１×１０
１９
ｃｍ
−３
のＭｇを含有する
　前記Ｉｎy２Ｇａ1-y２Ｎ（０＜ｙ２≦１）層におけるＩｎの組成比は、前記Ｉｎ１−ｘ−ｙ１ＧａｘＡｌｙ１Ｎ（０≦ｘ＜１、
０＜ｙ１＜１
と補正することを含むものであって、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法（以下「平成１８年改正前特許法」という。）第１７条の２第４項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものと認められるので、以下に、本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）について、独立特許要件の検討を行う。
　
２　刊行物の記載
　原査定の拒絶理由に引用された、原出願の出願前に頒布された刊行物である特開２００４−６３５３７号公報（以下「引用刊行物」という。）には、以下の記載がある（下線は、当審による。）。
　
「【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、半導体発光素子およびその製造方法ならびに
半導体装置
窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体
　
「【００２４】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。なお、実施形態の全図において、同一または対応する部分には同一の符号を付す。
図１はこの発明の第１の実施形態によるＧａＮ系半導体レーザを示す。このＧａＮ系半導体レーザは、リッジ構造およびＳＣＨ構造を有するものである。
図２はこのＧａＮ系半導体レーザのエネルギーバンド、特にその伝導帯を示す
【００２５】
図１に示すように、この第１の実施形態によるＧａＮ系半導体レーザにおいては、ｃ面サファイア基板１の一主面に、横方向結晶成長技術（例えば、ＡｐｐｌｉｅｄＰｈｙｓｉｃｓ　Ｌｅｔｔｅｒｓ　ｖｏｌ．７５（１９９９）ｐｐ．１９６−１９８）　により
ＧａＮ系半導体層
例えばアンドープのＩｎ
ｘ
　Ｇａ
１−ｘ
　Ｎ／Ｉｎ
ｙ
　Ｇａ
１−ｙ
　Ｎ多重量子井戸構造の活性層７、ｐ側光導波層としてのアンドープＩｎＧａＮ光導波層８、ｐ側クラッド層としてのアンドープＡｌＧａＮクラッド層９、アンドープＩｎＧａＮ層１０、Ｉｎ含有ｐ型ＡｌＧａＮ電子ブロック層１１、ｐ側クラッド層としてのｐ型ＡｌＧａＮ／ＧａＮ超格子クラッド層１２およびｐ型ＧａＮコンタクト層１３が順次積層されている
　
「【００２７】
アンドープＩｎＧａＮ光導波層８は厚さが例えば３０ｎｍであり、Ｉｎ組成は例えば２％（０．０２）である。アンドープＡｌＧａＮクラッド層９は厚さが例えば１００ｎｍであり、Ａｌ組成は例えば２．５％（０．０２５）である。
アンドープＩｎＧａＮ層１０は厚さが例えば５ｎｍ
【００２８】
Ｉｎ含有ｐ型ＡｌＧａＮ電子ブロック層１１は
ｐ型不純物としてドープされたＭｇの濃度は例えば１×１０
１９
／ｃｍ
３
　〜１×１０
２１
／ｃｍ
３
　、典型的には５×１０
１９
／ｃｍ
３
　〜１×１０
２０
／ｃｍ
３
　であり
　
「【００５３】
また、活性層７とＭｇがドープされたｐ型層、すなわちＩｎ含有ｐ型ＡｌＧａＮ電子ブロック層１１、ｐ型ＡｌＧａＮ／ＧａＮ超格子クラッド層１２およびｐ型ＧａＮコンタクト層１３との間の距離は、
アンドープＩｎＧａＮ光導波層８、アンドープＡｌＧａＮクラッド層９およびアンドープＩｎＧａＮ層１０の合計の厚さ、例えば３０ｎｍ＋１００ｎｍ＋５ｎｍ＝１３５ｎｍもあるため、結晶成長中やエージング中などにおいてｐ型層中のＭｇが活性層７に拡散するのを効果的に抑制することができ
　
「【００５６】
また、アンドープＡｌＧａＮクラッド層９とＩｎ含有ｐ型ＡｌＧａＮ電子ブロック層１１との間に
活性層７と格子定数がほぼ等しいアンドープＩｎＧａＮ層１０
　
　また、図３（上記【００２４】には図２と記載されているが、図２は、第１の実施形態によるＧａＮ系半導体レーザの要部の拡大断面図であるから、図３の誤記と解される。）には、図１に示されるＧａＮ系半導体レーザのエネルギーバンドが図示されており、Ｉｎ含有ｐ型ＡｌＧａＮ電子ブロック層１１のエネルギーレベルが最も高いこと、また、アンドープＩｎＧａＮ層１０のエネルギーレベルは、ｐ型ＡｌＧａＮ／ＧａＮ超格子クラッド層１２のＧａＮのエネルギーレベルよりも低いことがみてとれる。
　なお、図３は、次のものである。
　
３　引用発明
　上記２の引用刊行物の記載、特に【０００１】、【００２５】及び【００２７】によれば、引用刊行物には、
「Ｉｎｘ　Ｇａ１−ｘ　Ｎ／Ｉｎｙ　Ｇａ１−ｙ　Ｎ多重量子井戸構造の活性層７、ｐ側光導波層としてのアンドープＩｎＧａＮ光導波層８、ｐ側クラッド層としてのアンドープＡｌＧａＮクラッド層９、厚さが５ｎｍのアンドープＩｎＧａＮ層１０、Ｉｎ含有ｐ型ＡｌＧａＮ電子ブロック層１１、ｐ側クラッド層としてのｐ型ＡｌＧａＮ／ＧａＮ超格子クラッド層１２およびｐ型ＧａＮコンタクト層１３が順次積層されている半導体装置。」（以下「引用発明」という。）
が記載されているものと認められる。
　
４　対比
　本願補正発明と引用発明を対比する。
　
（１）引用発明の「Ｉｎｘ　Ｇａ１−ｘ　Ｎ／Ｉｎｙ　Ｇａ１−ｙ　Ｎ多重量子井戸構造の活性層７」は、本願補正発明の「活性層」に相当する。　
　
（２）引用発明の「ｐ型ＧａＮコンタクト層１３」は、本願補正発明の「ｐ型のＧａＮ系化合物半導体からなる第１半導体層」に相当する。
　
（３）引用発明の「Ｉｎ含有ｐ型ＡｌＧａＮ電子ブロック層１１」は、前記「Ｉｎｘ　Ｇａ１−ｘ　Ｎ／Ｉｎｙ　Ｇａ１−ｙ　Ｎ多重量子井戸構造の活性層７」と前記「ｐ型ＧａＮコンタクト層１３」の間に配置されており、Ｉｎを含有するｐ型のＡｌＧａＮ層であるから、本願補正発明の「前記活性層と前記第１半導体層との間に配置されるＩｎを含有するｐ型のＩｎ１−ｘ−ｙ１ＧａｘＡｌｙ１Ｎ（０≦ｘ＜１、０＜ｙ１＜１）層」に相当する。
　
（４）引用発明の「ｐ側クラッド層としてのｐ型ＡｌＧａＮ／ＧａＮ超格子クラッド層１２」は、前記「Ｉｎ含有ｐ型ＡｌＧａＮ電子ブロック層１１」と前記「ｐ型ＧａＮコンタクト層１３」の間に配置されたｐ型のＡｌＧａＮ／ＧａＮ層であるから、本願補正発明でいう「前記Ｉｎ１−ｘ−ｙ１ＧａｘＡｌｙ１Ｎ（０≦ｘ＜１、０＜ｙ１＜１）層と前記第１半導体層との間に配置されるｐ型のＧａＮ系化合物半導体」であり、本願補正発明の「前記活性層と前記Ｉｎ１−ｘ−ｙ１ＧａｘＡｌｙ１Ｎ（０≦ｘ＜１、０＜ｙ１＜１）層との間、および前記Ｉｎ１−ｘ−ｙ１ＧａｘＡｌｙ１Ｎ（０≦ｘ＜１、０＜ｙ１＜１）層と前記第１半導体層との間のいずれか一方に配置されるｐ型のＧａＮ系化合物半導体からなる第２半導体層」に相当する。
　
（５）引用発明の「アンドープＩｎＧａＮ層１０」は、前記「ｐ型ＧａＮコンタクト層１３」と前記「Ｉｎｘ　Ｇａ１−ｘ　Ｎ／Ｉｎｙ　Ｇａ１−ｙ　Ｎ多重量子井戸構造の活性層７」の間に配置されているから、本願補正発明の「Ｉｎy２Ｇａ1-y２Ｎ（０＜ｙ２≦１）層」と同様に「前記第１半導体層と前記活性層との間に配置され」ているといえる。
　そして、ＩｎＧａＮのバンドギャップがＧａＮやＡｌＧａＮのバンドギャップより小さいことは、当業者に周知の事項であって、引用発明の「アンドープＩｎＧａＮ層１０」は、引用刊行物の図３にも示されているとおり、前記「Ｉｎ含有ｐ型ＡｌＧａＮ電子ブロック層１１」、前記「ｐ側クラッド層としてのｐ型ＡｌＧａＮ／ＧａＮ超格子クラッド層１２」及び「ｐ型ＧａＮコンタクト層１３」よりも小さいバンドギャップを有しているものと認められるから、本願補正発明の「Ｉｎy２Ｇａ1-y２Ｎ（０＜ｙ２≦１）層」と同様に「前記Ｉｎ１−ｘ−ｙ１ＧａｘＡｌｙ１Ｎ（０≦ｘ＜１、０＜ｙ１＜１）層、前記第１半導体層、および第２半導体層よりも小さいバンドギャップを有」するものといえる。
　また、ＩｎＧａＮの格子定数がＧａＮやＡｌＧａＮの格子定数より大きいことも当業者に周知の事項であって、引用発明の「アンドープＩｎＧａＮ層１０」は、引用刊行物の【００５６】に「活性層７と格子定数がほぼ等しいアンドープＩｎＧａＮ層１０」と記載されているとおり、前記「Ｉｎ含有ｐ型ＡｌＧａＮ電子ブロック層１１」、前記「ｐ側クラッド層としてのｐ型ＡｌＧａＮ／ＧａＮ超格子クラッド層１２」及び「ｐ型ＧａＮコンタクト層１３」よりも大きい格子定数を有しているものと認められるから、本願補正発明の「Ｉｎy２Ｇａ1-y２Ｎ（０＜ｙ２≦１）層」と同様に「前記Ｉｎ１−ｘ−ｙ１ＧａｘＡｌｙ１Ｎ（０≦ｘ＜１、０＜ｙ１＜１）層、前記第１半導体層、および第２半導体層よりも格子定数が大きい」ものといえる。
　また、引用発明の「アンドープＩｎＧａＮ層１０」は、「厚さが５ｎｍ」であるから、本願補正発明の「Ｉｎy２Ｇａ1-y２Ｎ（０＜ｙ２≦１）層」と同様に「１〜１５ｎｍの膜厚」といえる。　
　以上のことから、本願補正発明の「Ｉｎy２Ｇａ1-y２Ｎ（０＜ｙ２≦１）層」と引用発明の「アンドープＩｎＧａＮ層１０」は、「前記第１半導体層と前記活性層との間に配置され、前記Ｉｎ１−ｘ−ｙ１ＧａｘＡｌｙ１Ｎ（０≦ｘ＜１、０＜ｙ１＜１）層、前記第１半導体層、および第２半導体層よりも小さいバンドギャップを有し、かつ前記Ｉｎ１−ｘ−ｙ１ＧａｘＡｌｙ１Ｎ（０≦ｘ＜１、０＜ｙ１≦１）層、前記第１半導体層、および第２半導体層よりも格子定数が大きい、１〜１５ｎｍの膜厚のＩｎy２Ｇａ1-y２Ｎ（０＜ｙ２≦１）層」の点で一致する。
　
（６）引用発明の「アンドープＩｎＧａＮ層１０」のＩｎの組成比が、前記「Ｉｎ含有ｐ型ＡｌＧａＮ電子ブロック層１１」、前記「ｐ型ＧａＮコンタクト層１３」及び前記「ｐ側クラッド層としてのｐ型ＡｌＧａＮ／ＧａＮ超格子クラッド層１２」のＩｎの組成比よりも高いことは当業者に明らかであり、本願補正発明と引用発明は、「前記Ｉｎy２Ｇａ1-y２Ｎ（０＜ｙ２≦１）層におけるＩｎの組成比は、前記Ｉｎ１−ｘ−ｙ１ＧａｘＡｌｙ１Ｎ（０≦ｘ＜１、０＜ｙ１＜１）層、第１半導体層、および第２半導体層、におけるＩｎの組成比よりも高い半導体装置」の点で一致する。
　
（７）以上によれば、本願補正発明と引用発明は、次の点で一致する。
「活性層と、
　ｐ型のＧａＮ系化合物半導体からなる第１半導体層と、
　前記活性層と前記第１半導体層との間に配置されるＩｎを含有するｐ型のＩｎ１−ｘ−ｙ１ＧａｘＡｌｙ１Ｎ（０≦ｘ＜１、０＜ｙ１＜１）層と、
　前記活性層と前記Ｉｎ１−ｘ−ｙ１ＧａｘＡｌｙ１Ｎ（０≦ｘ＜１、０＜ｙ１＜１）層との間、および前記Ｉｎ１−ｘ−ｙ１ＧａｘＡｌｙ１Ｎ（０≦ｘ＜１、０＜ｙ１＜１）層と前記第１半導体層との間のいずれか一方に配置されるｐ型のＧａＮ系化合物半導体からなる第２半導体層と、
　前記第１半導体層と前記活性層との間に配置され、前記Ｉｎ１−ｘ−ｙ１ＧａｘＡｌｙ１Ｎ（０≦ｘ＜１、０＜ｙ１＜１）層、前記第１半導体層、および第２半導体層よりも小さいバンドギャップを有し、かつ前記Ｉｎ１−ｘ−ｙ１ＧａｘＡｌｙ１Ｎ（０≦ｘ＜１、０＜ｙ１≦１）層、前記第１半導体層、および第２半導体層よりも格子定数が大きい、１〜１５ｎｍの膜厚のＩｎy２Ｇａ1-y２Ｎ（０＜ｙ２≦１）層と、を備え、
　前記Ｉｎy２Ｇａ1-y２Ｎ（０＜ｙ２≦１）層におけるＩｎの組成比は、前記Ｉｎ１−ｘ−ｙ１ＧａｘＡｌｙ１Ｎ（０≦ｘ＜１、０＜ｙ１＜１）層、第１半導体層、および第２半導体層、におけるＩｎの組成比よりも高い半導体装置。」
である点で一致し、
「本願補正発明は、前記「Ｉｎy２Ｇａ1-y２Ｎ（０＜ｙ２≦１）層」が「１×１０１７ｃｍ−３〜１×１０１９ｃｍ−３のＭｇを含有する」のに対し、引用発明は、「アンドープＩｎＧａＮ層」である点。」　
で相違するものと認められる。
　
５　判断
（１）引用刊行物の【００５３】には、引用発明の「アンドープＩｎＧａＮ光導波層８」、「アンドープＡｌＧａＮクラッド層９」及び「アンドープＩｎＧａＮ層１０」は、ｐ型層中のＭｇが活性層７に拡散するのを抑制する旨記載されており、これによれば、ｐ型層に最も近いアンドープＩｎＧａＮ層１０にはｐ型層からＭｇが拡散し、ＩｎＧａＮ層１０は、この拡散したＭｇを含有する状態になるものと認められ、さらに、このように拡散したＭｇを含有する状態においても、前記ＩｎＧａＮ層１０は、ｐ型層中のＭｇが活性層７に拡散するのを抑制する効果を有しているものと認められる。
　してみると、ＩｎＧａＮ層１０は、含有するＭｇの量がｐ型層が含有するＭｇの量より少なければ、ｐ型層中のＭｇが活性層７に拡散するのを抑制する効果を有するものと認められるところであり、ここで、引用発明のＩｎＧａＮ層１０に隣接するｐ型層である「Ｉｎ含有ｐ型ＡｌＧａＮ電子ブロック層１１」にドープされるＭｇの濃度、すなわちＭｇの含有量が、引用刊行物の【００２８】に記載されるように「例えば１×１０１９／ｃｍ３　〜１×１０２１／ｃｍ３　、典型的には５×１０１９／ｃｍ３　〜１×１０２０／ｃｍ３　」であることからすれば、引用発明の「ＩｎＧａＮ層１０」について、隣接する「Ｉｎ含有ｐ型ＡｌＧａＮ電子ブロック層１１」のＭｇの含有量より少ない量である「１×１０１７ｃｍ−３〜１×１０１９ｃｍ−３」のＭｇを含有するものとして差し支えないことは当業者に明らかであり、上記相違点に係る本願補正発明の発明特定事項とすることに困難性は認められない。
　また、本願補正発明が上記相違点に係る発明特定事項としている点について、本願明細書には、【００２７】に「不純物拡散防止層８は、Ｍｇが１×１０17cm-3程度以上１×１０１９cm-3程度以下ドープされていても良い。」と記載されているにすぎず、上記相違点に係る発明特定事項としたことに格別の意義を認めることはできない。
　してみれば、本願補正発明は、引用刊行物に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明できたものというべきである。
　
（２）なお、請求人は、平成２４年４月１０日提出の回答書において、「上述したように、本願発明は、Ｉｎ含有層を２層設けることで、結晶性の劣化防止と十分なキャリア密度の確保の相乗効果を達成している。このような相乗効果については、引用文献１〜１１のいずれにも開示も示唆もない。」と主張するが、本願明細書には、【００１２】に「なお、オーバーフロー防止層はより一般的にＩｎ１−ｘ−ｙ１ＧａｘＡｌｙ１Ｎ（０≦ｘ＜１，０＜ｙ≦１）に拡張することもできる。」と記載されるにすぎず、オーバーフロー防止層がＩｎを含む実施形態の記載もなく、オーバーフロー防止層がＩｎを含むことについて説明する記載はないし、Ｉｎ含有層を２層設けることによる相乗効果の開示や示唆は認められない。
　さらに、上記のとおり、引用発明も、「アンドープＩｎＧａＮ層１０」と「Ｉｎ含有ｐ型ＡｌＧａＮ電子ブロック層１１」の２層のＩｎ含有層を有するものであるから、請求人の主張をもって、本願補正発明が格別顕著な効果を奏すると認める余地はない。
　
６　むすび
　以上のとおりであるから、本願補正発明は、引用刊行物に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明できたものと認められ、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　よって、本件補正は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　　
第３　本願発明について
１　本願発明
　本件補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成２３年２月８日に補正された特許請求の範囲の請求項１ないし６に記載された事項により特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次のとおりである。
「活性層と、
　ｐ型のＧａＮ系化合物半導体からなる第１半導体層と、
　前記活性層と前記第１半導体層との間に配置されるｐ型のＩｎ１−ｘ−ｙ１ＧａｘＡｌｙ１Ｎ（０≦ｘ＜１、０＜ｙ１≦１）層と、
　前記活性層と前記Ｉｎ１−ｘ−ｙ１ＧａｘＡｌｙ１Ｎ（０≦ｘ＜１、０＜ｙ１≦１）層との間、および前記Ｉｎ１−ｘ−ｙ１ＧａｘＡｌｙ１Ｎ（０≦ｘ＜１、０＜ｙ１≦１）層と前記第１半導体層との間のいずれか一方に配置されるｐ型のＧａＮ系化合物半導体からなる第２半導体層と、
　前記第１半導体層と前記活性層との間に配置され、前記Ｉｎ１−ｘ−ｙ１ＧａｘＡｌｙ１Ｎ（０≦ｘ＜１、０＜ｙ１≦１）層、前記第１半導体層、および第２半導体層よりも小さいバンドギャップを有し、かつ前記Ｉｎ１−ｘ−ｙ１ＧａｘＡｌｙ１Ｎ（０≦ｘ＜１、０＜ｙ１≦１）層、前記第１半導体層、および第２半導体層よりも格子定数が大きい、１〜１５ｎｍの膜厚のＩｎy２Ｇａ1-y２Ｎ（０＜ｙ２≦１）層と、を備え、
　前記Ｉｎy２Ｇａ1-y２Ｎ（０＜ｙ２≦１）層におけるＩｎの組成比は、前記Ｉｎ１−ｘ−ｙ１ＧａｘＡｌｙ１Ｎ（０≦ｘ＜１、０＜ｙ１≦１）層、第１半導体層、および第２半導体層、におけるＩｎの組成比よりも高いことを特徴とする半導体装置。」
　
２　判断
　本願発明は、実質的に本願補正発明から、「Ｉｎy２Ｇａ1-y２Ｎ（０＜ｙ２≦１）層」に関する「１×１０１７ｃｍ−３〜１×１０１９ｃｍ−３のＭｇを含有する」との発明特定事項を省いたものと認められるところ、前記第２［理由］４での検討に照らすと、引用発明との間に相違するところは認められない。
　
３　むすび
　したがって、本願発明は、引用刊行物に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に規定する発明に該当し、特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。