【事件の表示】
　特願２００５−１２７１８２「物理量センサ」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年１１月　２日出願公開、特開２００６−３００９０４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯 
　本願は、平成１７年４月２５日の出願であって、特許請求の範囲及び明細書について平成２２年１０月１８日付けで補正がなされ（以下、「補正１」という。）、平成２３年１月１９日付け（送達：同年同月２５日）で拒絶査定がなされ、これに対し、同年４月２５日に拒絶査定不服審判が請求されたものである。 
　その後、当審より、平成２４年８月１６日付けで拒絶理由を通知したところ、請求人より、特許請求の範囲及び明細書について同年１０月２２日付けで補正がなされる（以下、「補正２」という。）とともに、同日付けで意見書の提出があった。
 　　 
２．本願発明 
　本願の請求項１ないし２に係る発明は、補正２によって補正された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし２に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、その請求項１に係る発明は次のとおりである。 
「枠状のフレーム部の内側に配置される重り部が可撓性を有する撓み部を介してフレーム部に揺動自在に支持され撓み部にゲージ抵抗が設けられたセンサ部と、
　センサ部の厚み方向の一表面側に配置され周部がフレーム部に固着された第１のカバー部と、
　センサ部の厚み方向の他表面側に配置され周部がフレーム部に固着された第２のカバー部とを具備するセンサ本体部を備えた加速度センサであって、
　センサ本体部が枠状の外側フレーム部の内側に配置されるとともに、センサ本体部が当該センサ本体部に連続して形成された連結部を介して、連結部に連続して形成された外側フレーム部に支持され、
　センサ本体部の周囲には連結部を除いて外側フレーム部との間にスリットが形成されてなり、前記スリットは、前記厚み方向に貫通していることを特徴とする
　物理量センサ。」（以下、「本願発明」という。また、対比の便宜のために改行した。） 
 　 
３．引用例記載の事項・引用発明
　これに対して、本願出願前に国内又は外国において頒布された刊行物である特開平６−１０９７５７号公報（発明の名称：半導体歪みセンサ、出願人：日本電装株式会社、公開日：平成６年４月２２日、以下、「引用例」という。）には、次の事項（ａ）ないし（ｈ）が図面とともに記載されている。　 
（１）記載事項 
（ａ）「【特許請求の範囲】 
 【請求項１】台座上に接合され、半導体基板の一部をなす厚肉の第１支持部と、半導体基板の一部をなし、前記第１支持部から延び、かつその根元部分の断面積を小さくした厚肉の第２支持部と、半導体基板の一部をなし、前記第２支持部から延び、かつ、ピエゾ抵抗層が配置された薄肉の可動部と、前記第２支持部に形成され、半導体基板の第１支持部と前記台座との接合歪みの前記ピエゾ抵抗層への伝播長を長くするための溝とを備えたことを特徴とする半導体歪みセンサ。」 
 　 
（ｂ）「【０００１】 
 【産業上の利用分野】この発明は、加速度や振動等を検出するための半導体歪みセンサに関するものである。 
 【０００２】 
 【従来の技術】自動車用の加速度センサとしてピエゾ抵抗素子による半導体加速度センサが使用されている（例えば、特開平２−２３１５７１号公報）。即ち、台座上にシリコンチップが接合され、このシリコンチップの一部に梁構造の可動部が形成され、厚さが４０μｍ程度の可動部にピエゾ抵抗層が形成されている。そして、このセンサはエアバックシステムに用いられ、エアバック用加速度センサでは、５〜４９Ｇ程度の比較的大きな加速度を差分（ある時刻の加速度と所定時間経過後の加速度との差分）として検知するものである。一方、近年では自動車のアンチロックブレーキシステム（ＡＢＳシステム）においても加速度センサを用いることが検討されている。このＡＢＳ用加速度センサでは、自動車の加減速時に変化する小さな加速度（０〜１．５Ｇ）を差分ではなく直接（ある時刻での加速度を）感知する必要があり、加速度に対する出力は、リニア（直線的）であることが要求される。さらに、このセンサとしては、雰囲気温度の変化や経時的にも出力特性が変化しないことが要求される。」 
 　 
（ｃ）「【０００３】 
 【発明が解決しようとする課題】ところが、ＡＢＳ用加速度センサとして使用すべく小さな加速度（０〜１．５Ｇ）を感知するために一般的な半導体加速度センサを高感度化しようとすると、シリコンチップの薄肉部（可動部）の厚さを略１５μｍ以下に薄くする必要がある。この際、雰囲気温度の変化や経時によりシリコンチップと台座との接合部分で接合歪みが発生し、その歪みがピエゾ抵抗層に至りセンサの出力特性が変動して加速度を正確に測定することができない。その対策として、シリコンチップと温度膨張係数の近い台座を用いたり、陽極接合等の応力歪みの出にくい接合方法を採用する等の方法が採用されているが、不十分である。そのため、ＡＢＳシステム等に用いられる高感度な加速度センサとしては、半導体式のものは実用化されておらず、機械式に加速度を検出するセンサが用いられている。 
 【０００４】この発明の目的は、温度変化や経時的な接合歪みの影響を受けにくく加速度等に応じた歪みを正確に検出することができる半導体歪みセンサを提供することにある。」 
 　 
（ｄ）「【０００５】 
 【課題を解決するための手段】この発明は、台座上に接合され、半導体基板の一部をなす厚肉の第１支持部と、半導体基板の一部をなし、前記第１支持部から延び、かつその根元部分の断面積を小さくした厚肉の第２支持部と、半導体基板の一部をなし、前記第２支持部から延び、かつ、ピエゾ抵抗層が配置された薄肉の可動部と、前記第２支持部に形成され、半導体基板の第１支持部と前記台座との接合歪みの前記ピエゾ抵抗層への伝播長を長くするための溝とを備えた半導体歪みセンサをその要旨とするものである。」 
 　 
（ｅ）「【０００７】 
 【作用】温度変化等により半導体基板の第１支持部と台座との接合部に歪みが発生すると、その歪みは厚肉の第１支持部から厚肉の第２支持部に伝播していき、さらに、ピエゾ抵抗層が配置された薄肉の可動部に至る。しかしながら、溝により歪みの伝播長が長くなっているため、接合歪みが減衰してその影響を受けにくい。」 
 　 
（ｆ）「【０００９】 
 【実施例】以下、この発明を具体化した一実施例を図面に従って説明する。図１には半導体加速度センサの全体構成図を示し、図２には図１のＡ−Ａ断面を示す。本センサは自動車のＡＢＳシステムに用いられるものである。 
 ・・・・・・・・・・ 
 【００１１】図３にはパッケージ内に配置されるシリコンチップ６部分の斜視図を示し、図４にはシリコンチップ６の平面を示し、図５には図４のＢ−Ｂ断面を示す。ステム１の凸部３上には、パイレックスガラスよりなる四角板状の台座７が接合され、台座７の上には四角板状の半導体基板としてのシリコンチップ６が配置されている。図４に示すように、シリコンチップ６はその裏面が台座７と接合する四角枠状の第１支持部８を有し、同第１支持部８はシリコンチップ６の４辺を用いて形成されている。シリコンチップ６における第１支持部８の内方には上下に貫通する４つの溝１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄが形成され、４つの薄肉の可動部１４，１５，１６，１７にて厚肉の四角形状の重り部１０が連結された構造となっている。さらに、シリコンチップ６の第１支持部８の内方において、上下に貫通する溝１１が溝１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄを囲むように形成されている。そして、同溝１１にて厚肉のコ字状の第２支持部９と厚肉の連結部１３とが区画されている。 
 【００１２】つまり、台座７と接合する厚肉の第１支持部８に対し第２支持部９が延設され、第２支持部９から薄肉の可動部１４〜１７が延設された構造となっている。又、溝１１により第１支持部８と第２支持部９とは連結部１３にて連結された構造となっている。さらに、第２支持部９と重り部１０とは前述したように可動部１４，１５，１６，１７にて連結されている。この可動部１４，１５，１６，１７の厚さは５μｍ程度となっており、２つずつのピエゾ抵抗層１８ａ，１８ｂ，１９ａ，１９ｂ，２０ａ，２０ｂ，２１ａ，２１ｂが形成されている。又、図５に示すように台座７の上面中央部には凹部２２が形成され、加速度が加わり重り部１０が変位したときに接触しないようになっている。 
 ・・・・・・・・・・ 
 【００２３】このように本実施例の半導体加速度センサでは、溝１１を形成することにより第１支持部８と台座７との接合歪みのピエゾ抵抗層への伝播長を長くした。つまり、溝１１を設けることにより図４での伝播通路Ｒ1 ，Ｒ2 ，Ｒ3 ，Ｒ4 が形成され、溝１１が無い場合に比べ通路長さを長くとっている。よって、温度変化等によりシリコンチップ６の第１支持部８と台座７との接合部に歪みが発生すると、その歪みは厚肉の第１支持部８から厚肉の第２支持部９に伝播していき、さらに、ピエゾ抵抗層が形成された薄肉の可動部１４〜１７に至る。しかしながら、溝１１により歪みの伝播長が長くなっているため、接合歪みが減衰してその影響を受けにくくなる。その結果、高感度なＡＢＳ用加速度センサとして使用すべくシリコンチップ６の薄肉部（可動部）の厚さを５μｍに薄くすることができることとなる。」 
 　 
（ｇ）「【００３３】尚、この発明は上記実施例に限定されるものではなく、例えば、前記実施例では両持ち梁構造であったが、図２１，２２に示すように、片持ち梁構造でもよい。つまり、コ字状の溝１２によりシリコンチップ６の中央部に長方形の重り部１０が可動部１４を介して支持され、溝１２を囲むようにしてコ字状の溝１１を形成してもよい。 
 ・・・・・・・・・・ 
 【００３５】又、図２４に示すように、重り部１０に対し十文字に可動部１４，１５，１６，１７を配置してもよい。即ち、溝１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄによりシリコンチップ６の中央部に方形の重り部１０が十字状の可動部１４，１５，１６，１７にて支持され、溝１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄ及び薄肉の可動部１４，１５，１６，１７を囲むようにしてコ字状の溝１１及び直線的に延びる溝５８を形成してもよい。 
 【００３６】さらに、前記実施例では図４でのＹに示すように、第２支持部９が温度変化に伴う膨張により内側あるいは外側に変位することがあった場合、可動部１４，１６と１５，１７とでは可動部１５，１７の方に大きな応力が加わることになりバランスが崩れることになる（換言すると、ブリッジ回路での抵抗値のバランスが崩れることになる）。そこで、図２５又は図２６のようにしてもよい。即ち、図２５に示すように、第２支持部９の先端側を厚肉部５９にて連結した構造にしてもよい。又、図２６に示すように、第２支持部９の先端側を厚肉部５９にて連結し、さらに、可動部１４，１６と１５，１７への第１支持部８からの接合歪み伝播距離が等しくなるようにもう一つの厚肉の連結部１３ａを設けてもよい。」 
 　 
（ｈ）「【００３７】 
 【発明の効果】以上詳述したようにこの発明によれば、温度変化や経時的な接合歪みの影響を受けにくく加速度等に応じた歪みを正確に検出することができる優れた効果を発揮する。」 
 　 
（２）引用発明 
 上記記載（ａ）、（ｂ）、及び（ｆ）、並びに図１，２，３，４，５の記載から、次の技術事項アを読み取ることができる。 
ア　「コ字状の第２支持部９の内側に配置される重り部１０が可撓性を有する可動部１４〜１７を介して第２支持部９に揺動自在に支持され、可動部１４〜１７にピエゾ抵抗層１８ａ，１８ｂ〜２１ａ，２１ｂが設けられ、シリコンチップ６の裏面側に配置され、その周部がシリコンチップ６により形成された四角枠状の第１支持部８に接合された台座７を具備する半導体歪みセンサであって、第２支持部９が枠状の第１支持部８の内側に配置されるとともに、第２支持部９が当該第２支持部９に連続して形成された連結部１３を介して、連結部１３に連続して形成された第１支持部８に支持され、第２支持部９の周囲には連結部１３を除いて第１支持部８との間に溝１１が形成されてなり、前記溝１１はシリコンチップ６を上下方向に貫通している半導体歪みセンサ。」 
 　 
　上記記載（ｇ）及び図２１，２４，２５，２６の記載より、 
イ　「第２支持部９の形状は枠状としてもよい。」との技術事項が見てとれる。 
 　 
ウ　技術事項アにおいて、「第２支持部９の内側に配置される重り部１０が可撓性を有する可動部１４〜１７を介して第２支持部９に揺動自在に支持され、可動部１４〜１７にピエゾ抵抗層１８ａ，１８ｂ〜２１ａ，２１ｂが設けられ」たものを、改めて「センサ部」と呼ぶこととする。 
 　 
　以上の技術事項アないしウを総合勘案すると、引用例には、次の発明が記載されているものと認める。 
　
「枠状の第２支持部９の内側に配置される重り部１０が可撓性を有する可動部１４〜１７を介して第２支持部９に揺動自在に支持され、可動部１４〜１７にピエゾ抵抗層１８ａ，１８ｂ〜２１ａ，２１ｂが設けられたセンサ部と、 
　センサ部の厚み方向の裏面側に配置され、その周部がシリコンチップ６により形成された四角枠状の第１支持部８に接合された台座７とを備えた半導体歪みセンサであって、 
　センサ部が枠状の第１支持部８の内側に配置されるとともに、センサ部が当該センサ部に連続して形成された連結部１３を介して、連結部１３に連続して形成された第１支持部８に支持され、 
　センサ部の周囲には連結部１３を除いて第１支持部８との間に溝１１が形成されてなり、前記溝１１は、シリコンチップ６を上下方向に貫通している
　半導体歪みセンサ。」（以下、「引用発明」という。） 
 　 
４．対比 
　本願発明と引用発明とを主たる構成要素毎に対比する。 
（１）まず、引用発明における「第２支持部９」、「重り部１０」、「可動部１４〜１７」、「ピエゾ抵抗層１８ａ，１８ｂ〜２１ａ，２１ｂ」、「裏面側」、「接合」、「第１支持部８」、「台座７」、「連結部１３」及び「溝１１」は、本願発明における「フレーム部」、「重り部」、「撓み部」、「ゲージ抵抗」、「他表面側」、「固着」、「外側フレーム部」、「第２のカバー部」、「連結部」及び「スリット」に、それぞれ相当する。 
　また、引用発明における「半導体歪みセンサ」は、本願発明における「加速度センサ」や「物理量センサ」に相当する。 
（２）また、上記相当関係を踏まえると、引用発明における「周部が第１支持部８に固着された台座７」も、本願発明における「周部がフレーム部に固着された第２のカバー部」も、共に、「周部が固着された第２のカバー部」である点で共通する。 
（３）また、上記相当関係を踏まえ、かつ、本願発明において、「センサ部」、「第１のカバー部」、及び「第２のカバー部」を併せて、「センサ本体部」と呼称していることを考慮すると、 
　引用発明における「センサ部が枠状の第１支持部８の内側に配置されるとともに、センサ部が当該センサ部に連続して形成された連結部１３を介して、連結部１３に連続して形成された第１支持部８に支持され、センサ部の周囲には連結部１３を除いて第１支持部８との間に溝１１が形成されてな」ることも、本願発明における「センサ本体部が枠状の外側フレーム部の内側に配置されるとともに、センサ本体部が当該センサ本体部に連続して形成された連結部を介して、連結部に連続して形成された外側フレーム部に支持され、センサ本体部の周囲には連結部を除いて外側フレーム部との間にスリットが形成されてな」ることも、共に、「センサ部が枠状の外側フレーム部の内側に配置されるとともに、センサ部が当該センサ部に連続して形成された連結部を介して、連結部に連続して形成された外側フレーム部に支持され、センサ部の周囲には連結部を除いて外側フレーム部との間にスリットが形成されてな」る点で共通する。 
（４）また、本願発明における「前記厚み方向」は、センサ部の厚み方向のことと解されるから、引用発明における「シリコンチップ６を上下方向に貫通している」は、本願発明における「前記厚み方向に貫通している」に相当するといえる。
 　 
　してみると、両者の一致点、及び相違点は、以下のとおりである。 
（一致点） 
 「枠状のフレーム部の内側に配置される重り部が可撓性を有する撓み部を介してフレーム部に揺動自在に支持され撓み部にゲージ抵抗が設けられたセンサ部と、 
　センサ部の厚み方向の他表面側に配置され周部が固着された第２のカバー部を備えた加速度センサであって、 
　センサ部が枠状の外側フレーム部の内側に配置されるとともに、センサ部が当該センサ本体部に連続して形成された連結部を介して、連結部に連続して形成された外側フレーム部に支持され、 
　センサ部の周囲には連結部を除いて外側フレーム部との間にスリットが形成されてなり、前記スリットは、前記厚み方向に貫通していることを特徴とする 
　物理量センサ。」 
 　 
（相違点１） 
　本願発明では、「センサ部の厚み方向の一表面側に配置され・・・た第１のカバー部と、・・・センサの厚み方向の他表面側に配置され・・・た第２のカバー部とを具備する」とあるように、センサ部の両面にカバー部を備えているのに対し、引用発明では、センサ部の厚み方向の裏面側（本願発明の「他表面側」に相当する。以下、同様。）に台座７（第２のカバー部）を備えているにとどまる点。 
 　 
（相違点２） 
　本願発明では、「周部がフレーム部に固着された第１のカバー部と、・・・周部がフレーム部に固着された第２のカバー部とを具備するセンサ本体部を備えた加速度センサであって、センサ本体部が枠状の外側フレーム部の内側に配置されるとともに、センサ本体部が当該センサ本体部に連続して形成された連結部を介して、連結部に連続して形成された外側フレーム部に支持され、センサ本体部の周囲には連結部を除いて外側フレーム部との間にスリットが形成されてなる」とあるように、第１及び第２のカバー部の周部が固着される部位は、いずれもフレーム部であるとしているのに対し、引用発明では、「センサ部の厚み方向の裏面側に配置され、その周部がシリコンチップ６により形成された四角枠状の第１支持部８に接合された台座７」とあるように、台座７（第２のカバー部）の周部が接合（固着）される部位は、第１支持部８（外側フレーム部）である点。 
 　 
５．判断 
　上記各相違点について、以下に検討する。 
（１）相違点１について 
　この種の加速度センサにおいて、本願発明と同様に、センサ部の保護を目的として、センサ部の厚み方向の両面に必要なカバー部を設けることは、周知な事項である。　 
　この点については、例えば、特開２００１−３３７１０７号公報（発明の名称：半導体加速度センサ及び半導体加速度センサパッケージ）の段落【００２３】や図１に示された上キャップ４０、下キャップ３０に留意のこと。 
　そして、引用発明も、本願発明と同様に、自動車用の加速度センサに使用されるものであり（「３．（１）記載事項（ｂ）、（ｃ）」を参照のこと。）、振動や塵埃雰囲気中で使用されるものであるから、微細な構造であるセンサ部を保護することが当然に要請されるものであり、そのため蓋材２を備えているものである。 
　そうすると、引用発明において、センサ部の裏面側のみならず表面側にも、この種のカバー部を具備する構成とすること、すなわち、本願発明のように、「センサ部の厚み方向の一表面側に配置され周部がフレーム部に固着された第１のカバー部と、センサの厚み方向の他表面側に配置され周部がフレーム部に固着された第２のカバー部とを具備する」構成とすることは、当業者ならば容易に想到し得たことである。 
 　 
（２）相違点２について 
　本願発明では、カバー部の周部が固着される部位をフレーム部としているところ、このことの技術的意義について、以下に検討する。 
　このカバー部については、補正２によって補正された本願明細書の発明の詳細な説明に、次の記載がある。 
 「【００３５】 
　また、加速度センサ素子Ａは、第１のキャップ２のうちセンサ部１０を覆う部分が、センサ部１０の厚み方向の一表面側に配置され周部がフレーム部１１に固着された第１のカバー部２０を構成し、第２のキャップ３のうちセンサ部１０を覆う部分が、センサ部１０の厚み方向の他表面側に配置され周部がフレーム部１１に固着された第２のカバー部３０を構成している。 
【００３６】 
　以下、上述の加速度センサ素子Ａの製造方法について図５および図６を参照しながら説明する。 
【００３７】 
　まず、上述のＳＯＩウェハ１００の一表面側（シリコン層１０３の表面側）に上記各ピエゾ抵抗Ｒｘ１〜Ｒｘ４，Ｒｙ１〜Ｒｙ４，Ｒｚ１〜Ｒｚ４および上記各拡散層配線をリソグラフィ技術、不純物拡散技術などを利用して形成し、その後、ＳＯＩウェハ１００の上記一表面側（以下、主表面側と称す）の全面に、シリコン酸化膜からなる絶縁膜１０４を形成し、更にその後、上記金属配線を形成することによって、図５（ａ）に示す構造を得る。なお、上述の金属配線は、当該金属配線の形成前に絶縁膜１０４に形成したコンタクトホールを通して上記拡散層配線と電気的に接続される。 
【００３８】 
　その後、ＳＯＩウェハ１００の主表面側に、上述の絶縁膜１０４においてフレーム部１１、コア部１２ａ、各撓み部１３、外側フレーム部Ｃ、スリットＥそれぞれに対応する部位を覆い他の部位を露出させるようにパターニングされたレジスト層（図示せず）を形成し、当該レジスト層をエッチングマスクとして、絶縁膜１０４の露出部分をエッチングすることで絶縁膜１０４をパターニングし、ＳＯＩウェハ１００を主表面側から絶縁層１０２に達する深さまでエッチングする表面側パターニング工程を行い、上記レジスト層を除去する。なお、この表面側パターニング工程におけるエッチングに際しては、例えば、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）型のドライエッチング装置を用いてドライエッチングを行えばよく、エッチング条件としては、絶縁層１０２がエッチングストッパ層として機能するような条件を設定する。 
【００３９】 
　上述の表面側パターニング工程の後、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を利用して、支持基板１０１において重り部１２に対応する部位をＳＯＩウェハ１００の裏面側から上記許容変位量分だけ薄くする。その後、ＳＯＩウェハ１００の裏面側に、支持基板１０１においてフレーム部１１、コア部１２ａ、各付随部１２ｂ、外側フレーム部Ｃ、スリットＥそれぞれに対応する部位を覆い且つ他の部位を露出させるようにパターニングされたレジスト層（図示せず）を形成し、当該レジスト層をエッチングマスクとして、ＳＯＩウェハ１００を裏面側から絶縁層１０２に達する深さまで略垂直にドライエッチングする裏面側パターニング工程を行う。なお、この裏面側パターニング工程におけるエッチング装置としては、例えば、ＩＣＰ型のドライエッチング装置を用いればよく、エッチング条件としては、絶縁層１０２がエッチングストッパ層として機能するような条件を設定する。 
【００４０】 
　裏面側パターニング工程の後、裏面側パターニング工程で利用したレジスト層および上記絶縁膜１０４をエッチングマスクとして、絶縁層１０２のうちフレーム部１１、コア部１２ａ、外側フレーム部Ｃ、スリットＥそれぞれに対応する部位を残して不要部分をエッチング除去し、レジスト層を除去することによって、図５（ｂ）に示す構造を得る。 
【００４１】 
 　ＳＯＩウェハ１００の裏面側に第２のキャップ３の基礎となる上述の第２のシリコンウェハ３００を陽極接合することによって、図５（ｃ）に示す構造を得る。 
【００４２】 
　その後、ＳＯＩウェハ１００の主表面側に第１のキャップ２の基礎となる上述の第１のシリコンウェハ２００を陽極接合することによって、図６（ａ）に示す構造を得る。ただし、第１のシリコンウェハ２００は、ＳＯＩウェハ１００に接合する前に、上記貫通配線および凹所２ａを形成しておく。 
【００４３】 
　続いて、第１のシリコンウェハ２００および第２のシリコンウェハ３００それぞれを第１のキャップ２、第２のキャップ３それぞれの設定厚さまで薄くなるようにエッチングすることによって、図６（ｂ）に示す構造を得る。 【００４４】 
　その後、第１のシリコンウェハ２００の表面にシリコン酸化膜（図示せず）を形成し、当該シリコン酸化膜のうち上記貫通配線に対応する部位にコンタクトホールを形成してから、上記貫通配線とコンタクトホールを通して電気的に接続されるパッド２５を形成する。更にその後、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を利用して上記スリットＥを形成することによって、図６（ｃ）に示す構造を得る。 
【００４５】 
　その後、ＳＯＩウェハ１００と両シリコンウェハ２００，３００との積層ウェハをダイシング工程により個々の加速度センサ素子Ａに分割すればよい。」 
 　 
　上記記載及び本願の図１，５，６によれば、センサ部１０を保護するための第１キャップ２は、外側フレーム部Ｃ及びフレーム部１１の双方に固着されており、このことは、第２キャップ３についても同様である。 
　そして、本願発明において、第１キャップ２、第２キャップ３を、外側フレーム部Ｃに加え、フレーム部１１にも固着させたことの効果については、明細書に何ら記載されておらず、格別のものを認めることができない。 
　ところで、本願においては、第１キャップ２のうち、センサ部１０を覆う部分を第１のカバー部２０と呼び、第２キャップ３のうち、センサ部１０を覆う部分を第２のカバー部３０と呼んでいる（上記段落【００３５】）から、本願発明では、その定義に従って、両カバー部の周部がフレーム部に固着されると特定しているに過ぎないと解される。 
　してみると、本願発明において、カバー部の周部が固着される部位をフレーム部としていることに、格別の技術的意義があると認めることはできない。 
　したがって、センサ部を保護するための部材が固着される部位を、引用発明のごとく、第１支持部８（外側フレーム部）とするか、本願発明のごとく、外側フレーム部に加えて、フレーム部までとするか、すなわち、カバー部の周部が固着される部位をフレーム部とするかは、当業者が適宜なし得る設計的事項であるといわざるを得ない。 
 　 
（３）効果の予測性について 
 　本願発明の技術的特徴は、本願明細書、特許請求の範囲及び図面の記載を総合すると、その請求項１に、「センサ本体部が当該センサ本体部に連続して形成された連結部を介して、連結部に連続して形成された外側フレーム部に支持され、センサ本体部の周囲には連結部を除いて外側フレーム部との間にスリットが形成されてなり、前記スリットは、前記厚み方向に貫通している」と特定している点にあると認められる。 
　そして、その技術的意義は、補正２によって補正された本願明細書に、「【００４７】以上説明した本実施形態の加速度センサでは、センサ本体部Ｂが連結部Ｄを介して外側フレーム部Ｃに支持され、センサ本体部Ｂの周囲には連結部Ｄを除いて外側フレーム部Ｃとの間にスリットＥが形成されているので、外側フレーム部Ｃのみをパッケージや実装基板などの外部部材と接着するようにすれば、センサ本体部Ｂを外部部材と接着する場合に比べて、外部部材からの熱応力などがセンサ本体部Ｂに伝わりにくくなるから、第１のカバー部２０および第２のカバー部３０を薄型化することによりセンサ全体の薄型化を図っても第１のカバー部２０および第２のカバー部３０にクラックが発生するのを防止することができる。また、外側フレーム部Ｃとセンサ本体部Ｂとの間のスリットＥが加速度センサ素子Ａの厚み方向に貫通しているので、スリットＥが厚み方向に貫通していない場合に比べて、外部部材からの熱応力などが第１のカバー部２０および第２のカバー部３０に、より伝わりにくくなる。ただし、スリットＥは必ずしも加速度センサ素子Ａの厚み方向に貫通している必要はない。」と記載されているとおりであり、要すれば、センサ本体部Ｂの周囲には連結部Ｄを除いて外側フレーム部Ｃとの間にスリットＥを形成し、外側フレーム部Ｃのみを外部部材と接着することで、外部部材からの熱応力などが外側フレーム部Ｃには伝わるものの、スリットＥで隔離され、連結部Ｄのみで支持されているセンサ本体部Ｂには伝わりにくくなる、というものである。
　これに対し、前記「３．（１）記載事項（ｄ）、（ｅ）、（ｇ）、（ｈ）」として摘記した引用例の記載によれば、引用発明も、連結部１３（連結部）を除いて第１支持部８（外側フレーム部）と第２支持部９（フレーム部）との間に上下方向に貫通する溝１１（スリット）が形成されているため、温度変化等により第１支持部８（外側フレーム部）と台座７（第２のカバー部）との接合部に歪みが発生しても、溝１１（スリット）で隔離され、第２支持部９（フレーム部）が受ける歪みの影響は減少するというものであり、これは、本願発明と同等の作用効果である。 
　そして、カバー部をセンサ部の両面に設けることや、カバー部を固着させる部位をどこにするかについては、上記技術的意義とは直接関連のない技術事項である。
　してみると、本願発明の作用効果も、引用発明及び周知技術から当業者が予測可能なものであって、格別なものともいえない。
　 
（４）請求人の主張について
　請求人は、意見書において、カバー部の周部をフレーム部に固着させたことで、センサ部とカバー部を構成するキャップとの間に異物や水分が入るのを防止できるとの効果を奏する旨主張しているが、台座７の周部を第１支持部８に接合した引用発明においても、センサ部の厚み方向の裏面側について見るとセンサ部に面する凹部２２は封じられており、引用発明も同じ作用効果を奏するものである。
　また、ダイシング工程において、撓み部の破損が防止できるとも主張しているが、この点について明細書には何ら記載されておらず、やはり格別な効果とは認められない。
　よって、請求人の主張は採用できない。
　　　 
（５）まとめ 
　したがって、本願発明は、引用発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
 　 
６．むすび 
　以上のとおり、本願発明（請求項１に係る発明）は、引用発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
　してみると、請求項２に係る発明について審理するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。