【事件の表示】
　特願２００９−１６５８４２「有機電界発光素子」拒絶査定不服審判事件〔平成２１年１０月１５日出願公開、特開２００９−２３８７５９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１５年４月７日（パリ条約による優先権主張２００２年６月２２日、大韓民国）に出願した特願２００３−１０３２２３号の一部を平成２１年７月１４日に新たな特許出願としたものであって、平成２３年９月２８日付けで手続補正がなされたが、同年１１月２日付けで拒絶査定がなされた。
　本件は、これを不服として、平成２４年３月８日に請求された拒絶査定不服審判であって、請求と同時に手続補正がなされ、その後、当審の同年８月２０日付け審尋に対して同年１１月２１日に回答書が提出されたものである。
　
第２　平成２４年３月８日付けの手続補正についての補正の却下の決定
　［補正の却下の決定の結論］
　平成２４年３月８日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
　［理由］
１　補正の内容
　本件補正は、特許請求の範囲の請求項１に係る発明を、本件補正前の
「【請求項１】
基板上に形成された反射率が６０％以上の第１アノードと，
　前記第１アノード上に形成されたＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ　ｔｉｎ　ｏｘｉｄｅ）よりなる第２アノードと，
　前記第２アノード上に形成された有機膜と，
　前記有機膜上に形成されたカソードとを含み、
　前記基板と第１アノードとの間にＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ　ｔｉｎ　ｏｘｉｄｅ）よりなる第３アノードがさらに形成され，
　前記第１アノードは，アルミニウム，アルミニウム合金，銀，銀合金，及びこれらの合金よりなる群から選択された一つ以上の物質よりなること、
　を特徴とする有機電界発光素子。」から
「【請求項１】
基板上に形成された反射率が６０％以上の第１アノードと，
　前記第１アノード上に形成されたＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ　ｔｉｎ　ｏｘｉｄｅ）よりなる第２アノードと，
　前記第２アノード上に形成された有機膜と，
　前記有機膜上に形成されたカソードとを含み、
　前記基板と第１アノードとの間にＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ　ｔｉｎ　ｏｘｉｄｅ）よりなる第３アノードがさらに形成され，
　前記第１、第２及び第３アノードは、湿式エッチング法によるエッチングで形成され、
　前記第１アノードは，アルミニウム，アルミニウム合金，銀，銀合金，及びこれらの合金よりなる群から選択された一つ以上の物質よりなること、
　を特徴とする有機電界発光素子。」と補正する補正を含むものである。
　
２　補正の目的についての検討
　上記本件補正は、本件補正前の請求項１に係る発明の発明特定事項である「第１、第２及び第３アノード」に関し、「湿式エッチング法によるエッチングで形成され」る点を追加する補正事項を含むものであり、この補正は明らかに本件補正前の請求項１に係る発明の減縮を目的とするものである。
　したがって、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２（以下単に「特許法第１７条の２」という。）第４項第２号に掲げる補正を含むものである。
　そこで、本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本件補正発明」という。）が、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか、すなわち、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否かについて、以下検討する。
　
３　本件補正発明
　本件補正発明は、本件補正後の特許請求の範囲の第１項に記載された上記のとおりのものである。（「第２」［理由］「１」参照。）
　
４　先願発明
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先日前を優先日とする他の出願であって、本願の優先日後に出願公開された特願２００３−１５９３０１号（特開２００４−１４５１４号公報参照。）の願書に最初に添付した明細書及び図面（以下「先願明細書」という。）には、次の事項が記載されている。（下線は当審で付した。）
ａ　発明の詳細な説明の記載
「【０００１】
【発明の属する技術分野】
　本発明はディスプレイパネル、特に
ＡＭＥＬ(アクティブマトリックスＥＬ）ディスプレイパネル
「【００２１】
図２に示すように、本発明は、まず、多数個のＴＦＴ２２および蓄積キャパシタ２３が形成された
基板２１の上に
続いて、フォトリソグラフィー工程およびエッチング工程を使用して平坦化層２４およびその下部の絶縁層を選択的に除去する。
【００２２】
この時、ＴＦＴ２２のドレイン領域が露出しているコンタクトホールが形成される。
次に、コンタクトホールを介してＴＦＴ２２のドレイン領域と電気接続されるように平坦化層２４の上に
接着層２６を形成
接着層２６は導電性を有するＩＴＯ（酸化インジウムチタン）で形成
接着層２６の上に第１電極２７を形成
【００２３】
ここで、
第１電極２７はアノード電極であり、反射層として利用される
続いて、
第１電極２７の上に有機発光層２８を形成
【００２４】
ピクセルとピクセルの間にある有機発光層２８と、第１電極２７と、接着層２６とを除去した後、絶縁層２５はが露出した平坦化層２４の上に形成される。そして、
有機発光層２８の上にカソード電極である第２電極２９を形成
「【００３１】
このように、本発明は、平坦化層２４と第１電極２７の間に　接着層２６を形成することで、平坦化層２４と第１電極２７の接着力が向上する。
図４は、本発明に第３実施例によるＡＭＥＬディスプレイパネルの構造を示している。
【００３２】
本発明の第３実施例は、
中間層３０が、接着層２６の上に形成された第１電極２７と有機発光層２８の間に形成され
【００３３】
この
中間層３０には、ＩＴＯ（酸化インジウムチタン）または同等物を使用
　
ｂ　図面の記載
「【図２】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
「【図４】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
　
ｃ　先願明細書記載の発明
　上記ａ及びｂの記載事項によると、先願明細書には、以下の発明（以下「先願発明」という。）が記載されていると認められる。
「基板２１の上に、ＩＴＯからなる接着層２６が形成され、
接着層２６の上に、アノード電極であり反射層として利用される第１電極２７が形成され、
第１電極２７の上に有機発光層２８が形成され、
ＩＴＯを使用した中間層３０が、第１電極２７と有機発光層２８の間に形成され、
有機発光層２８の上にカソード電極である第２電極２９が形成されてなるアクティブマトリックスＥＬディスプレイパネル。」
　
５　本件補正発明と先願発明との対比
　ここで、本件補正発明と先願発明とを対比する。
（１）先願発明の「基板２１」、「接着層２６」及び「第１電極２７」が、本件補正発明の「基板」、「第３アノード」及び「第１アノード」にそれぞれ相当する。
　そうすると、先願発明の「基板２１の上に、ＩＴＯからなる接着層２６が形成され」た構成は、本件補正発明の「基板と第１アノードとの間にＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ　ｔｉｎ　ｏｘｉｄｅ）よりなる第３アノードがさらに形成され」た構成に相当する。
　
（２）先願発明の「基板２１の上に」形成された「接着層２６の上に、アノード電極であり反射層として利用される第１電極２７が形成され」る構成と、本件補正発明の「基板上に形成された反射率が６０％以上の第１アノード」を含み、かつ、「第１アノードは，アルミニウム，アルミニウム合金，銀，銀合金，及びこれらの合金よりなる群から選択された一つ以上の物質よりなる」構成は、「基板上に形成された反射作用を有する第１アノード」を含む点で一致する。
　
（３）先願発明の「中間層３０」及び「有機発光層２８」が、本件補正発明の「第２アノード」及び「有機膜」に相当する。
　そうすると、先願発明の「第１電極２７の上に有機発光層２８が形成され、ＩＴＯを使用した中間層３０が、第１電極２７と有機発光層２８の間に形成され」る構成は、本件補正発明の「第１アノード上に形成されたＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ　ｔｉｎ　ｏｘｉｄｅ）よりなる第２アノードと，前記第２アノード上に形成された有機膜と」を含む構成に相当する。
　
（４）先願発明の「カソード電極である第２電極２９」が、本件補正発明の「カソード」に相当する。
　そうすると、先願発明の「有機発光層２８の上にカソード電極である第２電極２９が形成され」る構成は、本件補正発明の「有機膜上に形成されたカソード」を含む構成に相当する。
　
（５）先願発明は、「有機発光層２８が形成され」た「アクティブマトリックスＥＬディスプレイパネル」であるから、当然本件補正発明の「有機電界発光素子」に含まれるものである。
　
　上記（１）〜（５）の点から、本件補正発明と先願発明は、
「基板上に形成された反射作用を有する第１アノードと，
　前記第１アノード上に形成されたＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ　ｔｉｎ　ｏｘｉｄｅ）よりなる第２アノードと，
　前記第２アノード上に形成された有機膜と，
　前記有機膜上に形成されたカソードとを含み、
　前記基板と第１アノードとの間にＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ　ｔｉｎ　ｏｘｉｄｅ）よりなる第３アノードがさらに形成される
　有機電界発光素子。」
で一致し、以下（ａ）、（ｂ）の点で相違する。
　
（相違点）
（ａ）反射作用を有する第１アノードが、本件補正発明は、反射率が６０％以上であって、アルミニウム，アルミニウム合金，銀，銀合金，及びこれらの合金よりなる群から選択された一つ以上の物質よりなるのに対し、先願発明は、そのような特定がない点。
　
（ｂ）第１、第２及び第３アノードが、本件補正発明は、湿式エッチング法によるエッチングで形成されるのに対し、先願発明は、そのような特定がない点。
　
６　当審の判断
　以下、上記相違点（ａ）、（ｂ）について検討する。
（ａ）の点について
　発光素子の分野において、反射作用を有する電極の反射率を６０％とし、アルミニウムや銀を採用することは慣用手段（特開２０００−７７１８９号公報の【００１２】、特開平９−１８０８８３号公報の【００３４】〜【００３５】の記載参照。）である。
　したがって、先願発明におけるアノード電極として、反射率を６０％以上とし、アルミニウムや銀を採用することは、単なる慣用手段の付加にすぎず、新たな効果を奏するものではないから、この点は課題解決のための具体化手段の微差であり、上記相違点（ａ）は実質的な相違点ではない。
　
（ｂ）の点について
　３層からなる導電膜を湿式エッチング法により同時エッチングで形成することは、他のエッチング方法とともに、ごく普通に用いられる周知技術（特開平７−１１４８４１号公報の【０００４】、【００１１】〜【００１３】、国際公開第９７／４６０５４号の第２９頁最終行〜第３０頁最終行、特開２００２−１１０６３１号公報の【００６７】〜【００７０】、図９参照。）である。
　そして、先願発明の第１、第２及び第３アノードは、周知のいずれのエッチング方法を用いても形成することが可能であるから、これらの電極を湿式エッチング法によるエッチングで形成することは、適宜採用可能なことである。
　さらに、本願明細書に、「２層構造を有するアノードを湿式エッチング法により同時エッチングする場合，エッチングの際の電気化学的反応によって金属が腐食するガルバニック腐食が起こる可能性がある」（【０１１０】）が、「３層構造のアノードを湿式エッチング法により同時エッチングする場合には，ガルバニック腐食は起こらない」（【０１１１】）と記載されている効果は、上記周知技術の採用したときの自明のものであり、新たな効果を奏するものではない。
　よって、上記相違点（ｂ）は実質的な相違点ではない。
　
　上記のとおりであるから、本件補正発明は、先願発明と実質的に同一である。
　よって、本件補正発明は、先願明細書に記載された発明と同一であり、しかも、本件補正発明の発明者が上記先願明細書に記載された発明の発明者と同一であるとも、また、本願の出願時に、その出願人が上記他の出願の出願人と同一であるとも認められないので、本件補正発明は、特許法２９条の２の規定により特許を受けることができない。
　
７　本件補正についての補正の却下の決定のむすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
１　本願発明
　平成２４年３月８日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成２３年９月２８日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載されたとおりのものである。（「第２」［理由］「１」参照。）
　
２　先願発明
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先日前の他の出願であって、その出願後に出願公開された先願の願書に最初に添付した明細書及び図面とその記載事項、並びに先願発明は、上記「第２」［理由］「４」に記載したとおりである。
　
３　対比及び当審の判断
　本願発明は、本件補正発明の発明特定事項である「第１、第２及び第３アノード」に関し、「湿式エッチング法によるエッチングで形成され」る点を削除したものである。
　したがって、本願発明の発明特定事項を全て含み、さらに上記特定事項を追加した本件補正発明が、上記「第２」［理由］「５」及び「６」に記載したとおり、先願明細書に記載された発明と同一であるから、本願発明も同様の理由により、先願明細書に記載された発明と同一であって、しかも、本願発明の発明者が上記先願明細書に記載された発明の発明者と同一であるとも、また、本願の出願時に、その出願人が上記他の出願の出願人と同一であるとも認められない。
　
４　むすび
　以上のとおり、本願発明は、特許法２９条の２の規定により特許を受けることができない。
　したがって、その余の請求項に係る発明について言及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。