【事件の表示】
　特願２００９−１８３７４１「有機ＥＬディスプレイ用の反射アノード電極およびその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２２年　６月１７日出願公開、特開２０１０−１３５３００〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成２１年８月６日（優先権主張　平成２０年１１月１０日、日本国）を出願日とする出願であって、平成２３年５月３１日付けで拒絶査定がなされ、本件は、これを不服として、同年９月７日に請求された拒絶査定不服審判であって、請求と同時に手続補正がなされ、その後、当審の平成２４年６月１１日付け審尋に対して同年８月９日に回答書が提出されたものである。
　
第２　平成２３年９月７日付けの手続補正についての補正の却下の決定
　［補正の却下の決定の結論］
　平成２３年９月７日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
　［理由］
１　補正の内容
　本件補正は、特許請求の範囲を補正するものであって、そのうち特許請求の範囲の請求項３に係る発明は、本件補正前の
「【請求項３】
　酸化物導電膜が、Ａｌ合金膜と直接接触するように、前記Ａｌ合金膜上に成膜されており、
　前記Ａｌ合金膜は、Ｎｉ又はＣｏを０．１〜２原子％含有し、
　前記Ａｌ合金膜は、前記Ａｌ合金膜の成膜後であって前記酸化物導電膜の成膜前に、真空または不活性ガス雰囲気下、１５０℃以上の温度で熱処理されたものであることを特徴とする有機ＥＬディスプレイ用の反射アノード電極。」を
「【請求項３】
　酸化物導電膜が、Ａｌ合金膜と直接接触するように、前記Ａｌ合金膜上に成膜されており、
　前記Ａｌ合金膜は、Ｎｉ又はＣｏを０．１〜２原子％含有し、
　前記Ａｌ合金膜は、前記Ａｌ合金膜の成膜後であって前記酸化物導電膜の成膜前に、真空または不活性ガス雰囲気下、１５０℃以上の温度で熱処理されたものであり、
　反射アノード電極の波長５５０ｎｍの反射率が８６．７％以上である
ことを特徴とする有機ＥＬディスプレイ用の反射アノード電極。」と補正するものである。
　
２　補正の目的についての検討
　上記本件補正は、本件補正前の請求項３に係る発明を補正したものであって、本件補正前の請求項３に係る発明の発明特定事項に、「反射アノード電極の波長５５０ｎｍの反射率が８６．７％以上である」点を追加するものであり、この補正は明らかに限定的に減縮するものである。
　したがって、本件補正は、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする補正を含むものである。
　そこで、本件補正後の請求項３に係る発明（以下「本件補正発明」という。）が、平成２３年法律第６３号改正附則第２条第１８項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２（以下単に「特許法第１７条の２」という。）第６項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか、すなわち、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否かについて、以下検討する。
　
３　本件補正発明
　本件補正発明は、本件補正後の特許請求の範囲の請求項３に記載された上記のとおりのものである。
　
４　引用刊行物
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先日前である平成１８年９月７日に頒布された「特開２００６−２３６８３９号公報 」（以下「引用例」という。）には、次の事項が記載されている。（下線は当審で付した。）
ａ　発明の詳細な説明の記載
「【技術分野】
【０００１】
  本発明は電気光学表示装置、特に、ＴＦＴを形成したアクティブマトリックス型基板上に電気光学素子として画素領域に有機電界発光型（エレクトロルミネッセンス；ＥＬ）素子（以後、
有機ＥＬ素子
を形成してなる有機電界発光型表示装置
「【００１２】
発明者らの実験においても、図３に示す透光性導電酸化膜とのコンタクト抵抗における金属膜の材質の依存性のグラフから明らかなように、従来例として示したＡｌまたはＡｌ合金膜と透光性導電酸化膜であるＩＴＯ膜を積層した場合の界面における電気的コンタクト抵抗値は、比較例１として示しているＣｒの場合を１とすると、１０７倍という非常に大きな値となってしまう結果がえられている。したがって、下層であるＡｌ合金膜上にＩＴＯ膜を単に積層しただけの構成からアノードがなる場合にも同様に電気的絶縁体である酸化物反応層が界面に形成されるため、有機ＥＬ層へのホール注入効率を著しく低下させてしまうという問題点がある。この問題を解決するために、導電酸化膜とＡｌ合金膜との間に別の金属膜を追加する方法を適用した場合、この金属は光反射率の点で最適化することが困難なので、アノードに必要な高い光反射率を得ることができないという問題がある。また、高反射率材料として、Ａｇ膜またはＡｇ合金膜を用いた場合、これらの材料は化学的に非常に活性で大気中での表面酸化による反射率の経時劣化が大きく、実際のプロセス適用時に難があった。さらにＡｌ膜の場合はヒロックをはじめとする表面凹凸が発生しやすく有機ＥＬ層を挟んだ対向のカソードとのショートモード故障やダークスポットとよばれる表示不良が発生しやすいという問題点もある。上述の特許文献においては、これら問題点の対策については何ら開示されておらず、実デバイスへの適用は実質的に不可能であった。
【００１３】
この発明は上記のような問題点を解決するためになされたもので、発光開口面積を広くとることができるトップエミッション型の有機電界発光型表示装置において、さらに発光効率を高め明るい表示画像を得ることを目的としており、プロセス加工性に優れ、かつ良好な表面平坦性、高い光反射率ならびに高いホール注入効率を具備したアノードを有する有機電界発光型表示装置を提供するものである。」
「【００１７】
実施の形態１．
図１は、この発明の実施の形態１における有機電界発光型表示装置を構成するＴＦＴ基板とその上部に形成されている有機ＥＬ素子とを示す画素部の断面図である。図１において、絶縁性基板１上に形成された透過性絶縁膜であるＳｉＮ膜２、ＳｉＯ２膜３上にチャネル領域７ａ、ソース領域７ｂ、ドレイン領域７ｃを有するポリシリコン膜７が設けられている。ＳｉＯ２膜３やポリシリコン膜７を覆うようにしてゲート絶縁膜５が形成され、その上層にゲート電極６と、ＳｉＯ２等からなる第１層間絶縁膜８とが形成されている。ソース電極１１とドレイン電極１２とは第１層間絶縁膜８上にあって、おのおのコンタクトホール９、１０を介してソース領域７ｂ、ドレイン領域７ｃと接続されており、以上の構成をもって薄膜トランジスタが形成される。さらに、その上層にはＳｉＮやＳｉＯ２等からなる第２層間絶縁膜１３、および表面を平坦化するために有機樹脂からなる平坦化膜１５が形成されている。
【００１８】
平坦化膜１５上には、
第１アノードであるＡｌ合金膜１６ａの上層に第２アノードとして透光性の導電酸化膜であるアモルファスＩＴＯ膜１６ｂを積層してなるアノード１６
【００１９】
図１に示す有機電界発光型表示装置においては、ソース電極１１から伝わる信号電圧がドレイン電極１２を介してアノード１６に印加され、カソード１９との間の電圧差により電界発光層１８に電流が流れて有機ＥＬ層１８ｂが発光するため表示に必要な光をえることができる。本発明の実施の形態１においては、光反射率の高いＡｌに少なくとも８族３ｄ遷移金属であるＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉから選ばれる１種以上を不純物として含むＡｌ合金膜１６ａと、その上層にアモルファスＩＴＯ膜１６ｂとを積層した少なくとも二層膜としてアノード１６が形成されているので、Ａｌ合金膜１６ａとアモルファスＩＴＯ膜１６ｂとの界面においては、例えばアルミナ等の電気的絶縁性の界面反応層が存在しない。さらに、Ａｌ合金膜１６ａにおける上記不純物の組成を０．５at％以上１５at％以下とすると、
光反射率が高いアノード１６
「【００３２】
  図２（Ｅ）を参照して、第２層間絶縁膜１３上に、コンタクトホール１４の一部または全部と重なるようにドレイン電極１２に到達する開口部を有する平坦化膜１５を形成する。平坦化膜１５としては有機樹脂膜、例えば光透過性のアクリル系感光樹脂膜であるＪＳＲ製の製品名ＰＣ３３５を約２μｍの膜厚となるようにスピンコート法を用いて塗布形成し、フォトリソグラフィ法を用いてドレイン電極１２に到達する開口部を形成する。平坦化膜１５をキュアするために２２０℃のアニールを施す。平坦化膜１５を形成することにより、ゲート電極６やソース電極１１、ドレイン電極１２などの表面凹凸を被覆し、アレイ表面を平坦にすることができる。
【００３３】
  次に、アノード１６の第１アノードとして、アルミニウム（Ａｌ）にニッケル（Ｎｉ）を添加したターゲットを用いたスパッタリング法により、
アルミニウム（Ａｌ）にニッケル（Ｎｉ）を不純物として２at％添加したＡｌ合金膜１６ａを５０ｎｍの厚さで成膜
【００３４】
ここで、Ａｌに不純物としてＮｉを添加したが、Ｎｉに限定されず、他の８族３d遷移金属であるＦｅ、Ｃｏのいずれかを１種以上添加していればよい。Ａｌに８族３d遷移金属を１種以上添加することにより、上層に積層される透光性の導電酸化膜との界面における絶縁性酸化物反応層の形成を抑制することができ、ホール注入効率の低下を防止できる。その添加量は０．５at％以上であり、かつ１５at％以下にすることが望ましい。図３に示す透光性導電酸化膜とのコンタクト抵抗値におけるアノード金属膜の材質の依存性において本実施例Ａで示される通り、ＡｌにＮｉが添加されているＡｌ合金膜へＩＴＯ膜を積層したときのコンタクト抵抗は、Ｎｉを添加していないＡｌ膜とＩＴＯ膜とを積層させた時のコンタクト抵抗を示した従来例に比べて大幅に低減しており、比較例１および比較例２で示されている高融点金属であるＭｏやＣｒとＩＴＯとを積層した場合のコンタクト抵抗と同程度である。Ｎｉを０．５at％以上添加することにより、Ａｌ合金膜１６ａと透光性導電酸化膜であるアモルファスＩＴＯ膜１６ｂとの間に形成される絶縁性酸化物反応層の生成を抑制し、良好な電気的コンタクト特性を得ることができる。一方、Ｎｉの添加量を１５at％以下とした場合、波長５５０ｎｍにおけるＡｌ合金膜の光反射率のＮｉ組成依存性を示す図４から明らかなように、Ａｌ合金膜の光反射率を比較例１、２で示されたＣｒやＭｏの光反射率と同等以上にすることができるので、電界発光層１８からの発光を反射させることにより表示光として寄与する効果もそれだけ大きいことになるため好ましい。
【００３５】
あるいはＡｌに不純物として、Ｎを添加しても良い。その添加量は５at％以上であり、かつ２６at％以下にすることが望ましい。図３の本実施例Ｂにおいて示される通り、ＡｌにＮが添加されているＡｌ合金膜へＩＴＯ膜を積層したときのコンタクト抵抗は、比較例で示されている高融点金属であるＭｏやＣｒとＩＴＯとを積層した場合のコンタクト抵抗よりやや高いものの、Ｎを添加しない従来例に比べて大幅に低減している。Ｎを添加することにより、Ａｌ合金膜１６ａと透光性導電酸化膜であるアモルファスＩＴＯ膜１６ｂとの間に形成される絶縁性酸化物反応層の生成を抑制し、良好な電気的コンタクト特性を得ることができる。一方、ＡｌへのＮの添加量を２６at％以下とした場合、波長５５０ｎｍにおけるＡｌ合金膜の光反射率のＮ組成依存性を示す図５から明らかなように、Ａｌ合金膜の光反射率を比較例１、２で示されたＣｒやＭｏの光反射率と同等以上にすることができるので、電界発光層１８からの発光を反射させることにより表示光として寄与する効果もそれだけ大きいことになるため好ましい。」
「【００３８】
本実施の形態１においては、Ａｌ合金膜１６ａの膜厚を５０ｎｍとしたが、１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下であれば良い。図６において、波長５５０ｎｍにおけるＡｌ膜の光反射率と光透過率に対するＡｌ膜の膜厚依存性を示す。図６から明らかなように、Ａｌ合金膜の膜厚が１０ｎｍ以上の場合、光透過成分を十分低減でき、Ａｌ合金膜の光反射率を比較例１、２で示されたＣｒやＭｏの光反射率と同等以上にすることができるので、電界発光層１８からの発光を反射させることにより表示光として寄与する効果もそれだけ大きいことになるため好ましい。また、Ａｌ合金膜の膜厚が厚くなると、グレインサイズが大きく表面凹凸が荒くなるため、有機電界発光表示装置のアノードとして用いる場合には、電界発光層１８による被覆不良を引き起こし、カソードとのショートモード故障等の要因となる。表面平滑性の指針としては平均粗さＲａを１．０ｎｍ以下とするのが好ましく、この点からＡｌ合金膜１６ａの膜厚としては２００ｎｍ以下とするのが好ましい。」
　
ｂ　図面の記載
「
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
「
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
「
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
　上記図１の装置の記載からして、図１には、
アモルファスＩＴＯ膜１６ｂが、Ａｌ合金膜１６ａと直接接するようにＡｌ合金膜１６ａ上に形成された装置
　また、上記図４のＡｌ−Ｎｉ膜の反射率のＮｉ組成依存性の記載からして、図４には、Ｎｉ組成が０at％、２at％の時に波長５５０ｎｍの光の反射率がそれぞれ９０％〜９５％の間、９０％程度である点が記載されている。
　さらに、上記図６のＡｌ膜の反射率及び透過率と膜厚の関係の記載からして、図６には、Ａｌ膜厚が５０ｎｍの時に波長５５０ｎｍの光の反射率が９０％〜１００％の間であって９０％に近い値である点が記載されている。
　
ｃ　図面の記載の考察
　引用例の図４のＡｌ−Ｎｉ膜の反射率のＮｉ組成依存性の記載に関し、そのＡｌ−Ｎｉ膜の膜厚がどの程度であるか明細書及び図面に記載されていない。
　しかしながら、引用例の図４及び図６には、Ａｌ−Ｎｉ膜のＮｉ組成が０at％の時に光の反射率が９０％〜９５％の間である点、及び、Ａｌ膜厚が５０ｎｍの時に波長５５０ｎｍの光の反射率が９０％〜１００％の間であって９０％に近い値である点がそれぞれ記載されており、これらの記載はいずれもＮｉが含まれていないＡｌ膜の波長５５０ｎｍの光の反射率が９０％台前半の値であることを示すものであるから、引用例の図４に記載されたＡｌ−Ｎｉ膜の反射率のＮｉ組成依存性の記載は、その膜厚が５０ｎｍと大きく相違しない数値であると推察できる。
　そして、引用例の図４には、Ｎｉ組成が２at％であるＡｌ−Ｎｉ膜の波長５５０ｎｍの光の反射率が９０％程度である点が記載されている。
　してみると、引用例に記載された「５０ｎｍの厚さ」で「ニッケル（Ｎｉ）を不純物として２at％添加した」「Ａｌ合金膜１６ａ」は、波長５５０ｎｍの反射率が９０％程度であるといえる。
　
ｄ　引用例記載の発明
　ａ、ｂの記載事項及びｃの考察によると、引用例には、以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「透光性導電酸化膜であるアモルファスＩＴＯ膜１６ｂが、Ａｌ合金膜１６ａと直接接するようにＡｌ合金膜１６ａ上に成膜されており、
Ａｌ合金膜１６ａが、ニッケル（Ｎｉ）を２at％添加したものであって、５０ｎｍの厚さであり、
Ａｌ合金膜１６ａの波長５５０ｎｍの反射率が９０％程度である
有機ＥＬ素子を有する有機電界発光型表示装置の光反射率が高いアノード１６。」
　
５　本件補正発明と引用発明の対比
（１）引用発明の「透光性導電酸化膜であるアモルファスＩＴＯ膜１６ｂ」が、本件補正発明の「酸化物導電膜」に相当するから、引用発明の「透光性導電酸化膜であるアモルファスＩＴＯ膜１６ｂが、Ａｌ合金膜１６ａと直接接するようにＡｌ合金膜１６ａ上に成膜されて」いる点が、本件補正発明の「酸化物導電膜が、Ａｌ合金膜と直接接触するように、前記Ａｌ合金膜上に成膜されて」いる点に相当する。
　
（２）引用発明の「Ａｌ合金膜１６ａは、ニッケル（Ｎｉ）を２at％添加したものであ」る点は、本件補正発明の「Ａｌ合金膜は、Ｎｉ又はＣｏを０．１〜２原子％含有」する点に相当する。
　
（３）引用発明の「光反射率が高いアノード１６」は「透光性導電酸化膜であるアモルファスＩＴＯ膜１６ｂが、Ａｌ合金膜１６ａと直接接するようにＡｌ合金膜１６ａ上に成膜され」たものであり、「Ａｌ合金膜１６ａの波長５５０ｎｍの反射率が９０％程度である」から、引用発明の「光反射率が高いアノード１６」は波長５５０ｎｍの反射率が８６．７％以上であるといえる。
　そうすると、引用発明の「Ａｌ合金膜１６ａの波長５５０ｎｍの反射率が９０％程度である」点は、本件補正発明の「反射アノード電極の波長５５０ｎｍの反射率が８６．７％以上である」点に相当する。
　
（４）引用発明の「有機ＥＬ素子を有する有機電界発光型表示装置」及び「光反射率が高いアノード１６」は、本件補正発明の「有機ＥＬディスプレイ」及び「反射アノード電極」に相当するから、引用発明の「有機ＥＬ素子を有する有機電界発光型表示装置の光反射率が高いアノード１６」は、本件補正発明の「有機ＥＬディスプレイ用の反射アノード電極」に相当する。
　
　上記（１）〜（４）の点から、本件補正発明と引用発明は、
「酸化物導電膜が、Ａｌ合金膜と直接接触するように、前記Ａｌ合金膜上に成膜されており、
　前記Ａｌ合金膜は、Ｎｉ又はＣｏを０．１〜２原子％含有し、
　反射アノード電極の波長５５０ｎｍの反射率が８６．７％以上である
有機ＥＬディスプレイ用の反射アノード電極。」
で一致し、以下の点で相違する。
　
（相違点）
　Ａｌ合金膜が、本件補正発明は、Ａｌ合金膜の成膜後であって前記酸化物導電膜の成膜前に、真空または不活性ガス雰囲気下、１５０℃以上の温度で熱処理されたものであるのに対し、引用発明は、熱処理されたものであるか否か特定されていない点。
　
６　当審の判断
　以下、上記相違点について検討する。
　Ａｌ合金膜と酸化物導電膜との接触抵抗を低くするために、Ｎｉをわずかに含有するＡｌ合金膜を形成した後、酸化物導電膜をＡｌ合金膜と直接接触するように成膜するに際し、当該Ａｌ合金膜を１５０℃以上の温度で熱処理することは、本願優先日前の周知技術（特開２００６−２１５２７９号公報の【００２３】、【００３０】、【００３３】、図１及び図３、特開２００４−２１４６０６号公報の【００４７】〜【００４９】、【００５２】、図１１及び図１２、特開２００８−１２２９４１号公報の【００３３】〜【００３６】、図３及び図４参照。）である。
　そして、引用例には、「ＡｌにＮｉが添加されているＡｌ合金膜へＩＴＯ膜を積層したときのコンタクト抵抗」を「低減」（【００３４】）させることが記載されているから、引用発明において、Ａｌ合金膜と透光性導電酸化膜であるアモルファスＩＴＯ膜との接触抵抗を低くするために、Ａｌ合金膜の成膜後であって透光性導電酸化膜であるアモルファスＩＴＯ膜の成膜前に、真空または不活性ガス雰囲気下、１５０℃以上の温度で熱処理することは、当業者が容易になしえたことである。
　また、熱処理を真空または不活性ガス雰囲気下で行うことは技術常識であるから、上記熱処理を、真空または不活性ガス雰囲気下で行うことは、格別困難なことではない。
　ここで、引用発明に対し、上記熱処理を適用するに際し、「光反射率が高いアノード１６」の波長５５０ｎｍの反射率に変化がみられるかも知れない。
　しかしながら、本件明細書には、「酸化物導電膜を積層する前にＡｌ合金膜を熱処理することによって、優れた反射率を実現でき」、「有機発光層から放射された光を反射膜で効率よく反射できる」（【００１８】）と記載されており、また、特開２００８−１２２９４１号公報の実施例１及び実施例２には、Ｎｉを１原子％または２原子％含むＡｌ−Ｎｉ合金薄膜を２５０℃で熱処理をすることにより、Ａｌ−Ｎｉ合金薄膜の波長５５０ｎｍの反射率が上がっていることが記載されている。
　したがって、これらの記載を考慮すると、引用発明において上記熱処理を適用したところで、反射率が上がることはあっても下がることはないと推測されるから、引用発明に特定されていた「反射アノード電極の波長５５０ｎｍの反射率」が「８６．７％」を下回ることはない。
　
　相違点については上記のとおりであり、本件補正発明によってもたらされる効果は、引用発明及び上記周知技術から当業者が当然に予測できる範囲内のものと認められる。
　よって、本件補正発明は、引用発明及び上記周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
７　本件補正についての補正の却下の決定のむすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
１　本願発明
　平成２３年９月７日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項３に係る発明（以下「本願発明」という。）は、願書に最初に添付された特許請求の範囲の請求項３に記載されたとおりのものである。（第２［理由］１参照。）
　
２　引用刊行物
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先日前に頒布された引用刊行物及びその記載事項、並びに引用発明は、上記第２［理由］４に記載したとおりである。
　
３　対比及び当審の判断
　本願発明は、本件補正発明の発明特定事項から「反射アノード電極の波長５５０ｎｍの反射率が８６．７％以上である」点を削除したものである。
　したがって、本願発明の発明特定事項を全て含み、さらに上記点を追加した本件補正発明が、上記第２［理由］６に記載したとおり、引用発明及び周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も同様の理由により、引用発明及び周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用発明及び周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、その余の請求項に係る発明について言及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。