【事件の表示】
　特願２０１０−５０４４０２「厚膜誘電性エレクトロルミネセントディスプレイ用の積層厚膜誘電体構造」拒絶査定不服審判事件〔平成２０年１１月　６日国際公開、ＷＯ２００８／１３１５３１、平成２２年　７月２２日国内公表、特表２０１０−５２５５３０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯  
　本願は、２００８年４月２４日（優先権主張２００７年４月３０日、米国）を国際出願日とする出願であって、平成２４年７月９日に手続補正がなされたが、同年８月１５日（起案日）に拒絶査定がなされた。
　これに対し、同年１２月２１日に拒絶査定に対する審判請求がなされたものである。
第２　本願発明
１．本願発明 
　本願の特許請求の範囲の請求項１に係る発明は、平成２４年７月９日付けの手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。
「改善された複合厚膜誘電体構造を含むエレクトロルミネセントディスプレイであって、
　前記構造が、
　複合厚膜誘電体層と、
　前記複合厚膜誘電体層の上面上に設けられたアルミニウム酸化物または他の原子種でドープされたアルミニウム酸化物の１つ又はそれ以上の層であって、２５から５０ｎｍの厚さを有し、有害なイオンに対するバリアとして機能し、かつ弱導電性である層と、
　薄膜蛍光体層と、
を含み、
　前記アルミニウム酸化物または他の原子種でドープされたアルミニウム酸化物の１つ又はそれ以上の層の少なくとも１つが、前記蛍光体層と直接的に接触しないことを特徴とするエレクトロルミネセントディスプレイ。」（以下「本願発明」という。）
　
２．引用刊行物 
　
（１）原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先日前に頒布された刊行物である、特表２００３−５００８０５号公報（以下「引用文献１」という。）には、以下の事項が記載されている。
（１ａ）「【００４０】
　　【発明の実施の形態】
等静圧プレス成形厚膜誘電体層を有するＥＬ積層体
　本発明は、米国特許第５，４３２，０１５号明細書に記載されたような厚膜誘電体層と比較して、絶縁耐力が向上し、ボイド空間、ボイド相互接続、間隙率、及び、厚さが大きく低減し、層の面の滑らかさ（平滑度）が大きく改善された厚膜誘電体層を提供する。誘電体層のより滑らかな面によって、形成されたＥＬディスプレイにおけるより高くより一様な自己発光度を提供するという予想されなかった改善がみられた。改善は、例えば、等静圧プレス成形によって、焼結の前に、厚膜誘電体層を圧縮することによって行われる。
　　　【００４１】
　厚膜誘電体層は、図１，図２，図５及び図６を参照して記載する。ＥＬ積層体１０は、背面基板１２上に裏側から前側（見えている側）に形成される。基板１２は、積層１０を支持するのに十分な機械的強度及び剛性をを提供する、母材（プリフォーム）シートのような剛性の基板であることを好ましい。また、基板１２は、積層１０用に剛性を付与するために焼結する緑テープ等である。ここで使用される用語“剛性の基板”は焼結後の基板を意味する。そして、基板１２は、積層１０の他の層を処理する際に用いられる（通常１０００℃までの）高焼結温度に耐えることができるセラミックから形成するのが好ましい。ＥＬ積層体１０を支持するのに十分な厚さ及び剛性を有するアルミナシートは最も好適である。背面電極層１２は基板１２上に形成する。ランプへの応用として、背面基板１２及び背面電極１４は、例えば、剛性の導電性金属シートによって提供されることによって、一体とされていてもよい。ディスプレイへの応用として、背面電極層１４は、基板１２上に中心を有し、基板端から離間した導電性金属アドレスラインの列から成る。導電性金属アドレスラインは、周知のように、貴金属ペーストからスクリーン印刷されているのが好ましい。電気的接触タブ１６は、図５でわかるように、電極１４から突出している。厚膜誘電体層１８は電極１４上に形成し、単一層として形成しても、あるいは、多層として形成してもよい。図１及び図２では、層は一層として図示しているが、図６では、層は厚めの第１の誘電体層１８と、薄めの第２の誘電体層２０とを備えている。一又は二以上の蛍光体層２２は、誘電体層１８あるいは誘電体層１８，２０上に備えている。図では、蛍光体は、白色設計によって従来のカラーに２層だけ示している。図２及び図６では、蛍光体層２２が、以下でかなり詳細に記載するように、本発明のパターニングされた蛍光体構造体３０を備えているのを示している。蛍光体層２２上には、第１の誘電体層２３を備えていてもよい。任意の第３の誘電体層２３上には、前面透明電極層２４を形成されている。前面電極層２４は、図１及び図２においては、固体として示したが、実際において、ディスプレイへの応用について、前面電極層２４は背面電極１４の列アドレスラインに直交して配置したアドレスのカラムから成る。前面電極２４は、周知の薄膜あるいはフォトリソグラフィ法によってインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）から形成されるのが好ましい。示していないが、前面電極は電気的コンタクトも備えている。図１及び図２は、ＩＴＯアドレスラインに対して整列した、それぞれポリマー赤色、緑色、青色のフィルター２５ａ、２５ｂ及び２５ｃのようなＩＴＯライン上にバンドパスカラーフィルタ手段を示している。図２では、これらのフィルター２５ａ、２５ｂ及び２５ｃも、パターニングされた蛍光体構造体３０において赤色、緑色、青色の蛍光体副画素３０ａ、３０ｂ及び３０ｃに整列している。示していないが、ＥＬ積層体１０は、水分の浸透を防止するため、透明シール（封止）層によって包まれている。ＥＬ積層体１０はＡＣ電源を電極コンタクトに接触させることによって作動する。電圧駆動回路（図示せず）は従来技術で周知である。厚膜誘電体層１９を組み込んだＥＬ積層体１０は、ＥＬランプとＥＬディスプレイの両方に応用される。
　　　【００４２】
　例えば、一あるいは二以上のバリア拡散層２６，注入層２８あるいは誘電体層（それぞれ、任意の第２及び第３の誘電体層２０，２３のような層）を含む中間層が積層１０に含まれうることは当業者には理解される。そのいくつかは、パターニングされた蛍光体構造体３０に関連して、以下でさらに記載する。こうして、詳細な説明及びクレームを通して、ＥＬ積層体をある層を含むとして規定したときにも、さらに中間層を付加することを除外することは意味していない。」
（１ｂ）「【００５８】
　堆積される次の層は、上述し以下でも示すように、一又は二以上の蛍光体層２２であってもよい。しかしながら、以下で述べるように、本発明の範囲内で、拡散バリア及び注入目的で付加層を含むことも可能である。蛍光体層２２は、電子ビーム蒸着機を用いた真空蒸着、スパッタリング等の公知の薄膜蒸着法によって堆積してもよい。特に好適なのは、以下に記載するように、パターニングされた蛍光体構造体である。
　　　【００５９】
　蛍光体層２２上の透明誘電体層２３は、所望ならば、前面電極２４の前に含んでもよい。ＥＬ積層体１０はアニーリングし、次いでガラスのような（図示しない）封止層でシールする。
　　　【００６０】
拡散バリア層
　本発明は、厚膜誘電体層１８，２０上で蛍光体層２２の下、特に以下に記載するパターニングされた蛍光体構造体３０の下に拡散バリア層２６を備える。拡散バリア層は図６で示したように蛍光体層２２の両側に形成するのが好ましい。また、拡散バリア層を、以下の例で示すように、本発明のパターニング蛍光体構造体内に備えることもできる。
　　　【００６１】
　優れた拡散バリアはクラックやピンホールがないべきである。これらは、熱拡散係数、応力解放、及び、コンフォーマルコーティング技術を通して除去することができる。膜を含む結晶粒子（グレイン）のサイズ及び性質に依存する結晶粒界拡散、あるいは、原子空孔の密度に依存する結晶格子拡散によって残留拡散があってもよい。クラックやピンホールを介する拡散は結晶粒界あるいは格子拡散とは識別できる。というのは、それが、自己発光度において空間的に一様な劣化より、時間と共に増加するクラックあるいはピンホールのスケールでの自己発光度の空間変動になるからである。結晶格子拡散より通常はるかに速い結晶粒界拡散は、拡散バリア層における堆積グレインができるだけ大きいことを保証することによって最小化することができる。これによって、結晶粒界の面積密度を最小にする。すぐ隣の層と接触するバリア膜の化学的不活性も、バリア層の耐性（integrity）を保持するように所望される。
　　　【００６２】
　蛍光体自己発光度の安定性は、酸化ハフニウムの白色の結晶あるいはイットリアよりシリカ、アルミナあるいは硫化亜鉛拡散バリア層を用いると改善される。たとえ、異なる材料を備える薄い100Å注入層２８をバリア層２６と蛍光体構造体３０との間に入れても、改善される。本発明では、拡散バリア層２６は精密な化学量論的組成を有する化合物から成る。シリコン−酸素、アルミニウム−酸素、亜鉛−硫黄二元系の相図は、アルミナ、シリカ、硫化亜鉛が正確に化学量論的組成だけが存在していることを示している。対照的に、イットリウム−酸素、ハフニウム−酸素の相図は、イットリウムがあと約１原子％までの酸素不足でが存在することができ、ハフニアはあと約３原子％までの酸素不足が存在することができる。これらの２つの材料は、コーティングとして堆積されるときは、同様に大きな酸素不足を有する。実験安定データと拡散バリア層の化学量論との比較によって、正確な化学量論セラミック材料が有効な拡散バリアを提供するということが照明される。
　　　【００６３】
　上述をもとにして、拡散バリアとして適した材料を予測することができる。隣接層の存在で不活性でありかつクラックあるいはピンホールなしで堆積可能でありかつ正確に化学量論てきな金属含有絶縁二元化合物（誘電体）が好適な材料である。後者の側面は、材料の二元相図を調査することによって確かめることができる。最も低い格子拡散を示す化合物は、その構成元素の非常に小さい範囲、好適には化学量論比から0.1原子％より小さい範囲にわたってだけ存在するという化合物である。化学量論非からのずれは、欠陥元素の代わりに空孔の形成を生じることになる。エレクトロルミネセンスディスプレイ用の誘電体材料として従来公知の材料、アルミナ、シリカ、及び硫化亜鉛は、このような化学量論化合物の例である。」
（１ｃ）「【００６４】
注入層
　本発明は、蛍光体層２２、特に以下に説明するようなパターニングされた蛍光体構造体３０に隣接する拡散バリア層２６上に注入層２８を含む。注入層は、蛍光体層の両側上に蛍光体層２２に接触して備えるのが好ましい。また、あるいは同様に、注入層は、以下に例で説明するように、本発明のパターニングされた蛍光体構造体内に備えてもよい。
　　　【００６５】
　本発明の特徴は、注入層材料についての選択基準は拡散バリア材料についてと異なるという発見であり、それによって、より優れた有用性が、これらの機能のために２つの別な層を用いて、拡散バリア及び注入層特性を提供することによって得ることができる。これによって、厚膜誘電体組成及び／又は蛍光体組成を用いて、受容可能な拡散バリア及び注入特性ウェーハを同じ材料で見つけるという可能性を排除するものではない。
　　　【００６６】
　この層の目的は、蛍光体に注入される電子の効率的な注入特性を提供することである。その目的は、電子の蛍光体への注入及びそれに続くエネルギーの光への変換に関連した電気光学的エネルギー効率が最大になるように、好適なエネルギー範囲内で蛍光体に注入される蛍光体の単位面積当たりの電子数を最大にすることである。通常、これは注入蛍光体界面を設計することによって実現され、それによって、界面での最大電子数は最も効率的な電気-光効率となる狭いエネルギー域と有する状態にある。文献によって、多数のこのような界面についてのデータが明らかとなっている。ＺｎＳ蛍光体を用いると、ハフニア及びイットリアはシリカやアルミナより高い注入効率を提供することがわかっている。ＳｒＳ：Ｃｅを用いると、純粋なＺｎＳはアルミナ、ハフニア、あるいはシリカよりいくらか高い効率を提供することがわかっているが、これはＺｎＳがＳｒＳ：Ｃｅとよりよい適合性を有し、ＺｎＳ層を拡散バリア層の機能以上のものにするからである。通常、注入層２８は、より優れた注入効率について好適な範囲のエネルギー内の電子を多く有するように、その組成が不定比の、すなわち、化学量論比からのずれが約0.5原子％以上である誘電体二元材料である。」
（１ｄ）「【００６７】
パターニングされた蛍光体構造体
　本発明のパターニングされた蛍光体構造体は、図２，図５及び図６に符号３０で示した。以下に例として記載したように、例２は二層パターニング蛍光体構造体を指向したものであり、例３，４，及び５は単層パターニング蛍光体構造体を指向している。
　　　【００６８】
　本発明のパターニングされた蛍光体構造体３０を組み込んだＥＬ積層体１０は、上述のように、ＥＬ積層体１０の層全てを含んでいるのが好ましい。パターニングされた蛍光体構造体３０の説明は一又は数個の画素について示したが、もちろん、ＥＬディスプレイのＥＬ積層体１０においては、多数の画素が繰り返されている。その点では、行・列電極の３個の副画素が合わせて単一の画素を形成し、赤色、青色、緑色の蛍光体副画素３０ａ，３０ｂ，３０ｃと赤色、青色、緑色のフィルタ２５ａ，２５ｂ，２５ｃとが整列している。
　　　【００６９】
　パターニングされた蛍光体構造体３０は、互いに隣接して繰り返し関係で配置した複数の繰り返し蛍光体堆積物を形成する少なくとも一の層において可視スペクトルの異なる範囲で発光する二又は三以上の蛍光体を堆積しパターニングすることによって、誘電体層１８あるいは２０、さらに好適にはバリア拡散及び注入層２６及び２８の上に形成する。パターニングは、フォトリソグラフィ、あるいはシャドウマスクパターニングによって実施されてもよいが、シャドウマスクが好ましい。本発明によれば、一のフォトマスクを含むネガティブフォトレジスト及び剥離処理を用いるフォトリソグラフィ法を使用する。このプロセスは特に、硫化亜鉛蛍光体と一緒に水分敏感硫化ストロンチウム蛍光体をパターニングするのに特に有利であるが、他のカラー蛍光体に対して、特に加水分解にさらすアルカリ土類金属硫化物あるいは セレン化物蛍光体に対して応用される。」
（１ｅ）「【０１０８】
例２−二層パターニング蛍光体構造体
　この例のＥＬ積層体についての図６を参照してもよい。
　　　【０１０９】
２．１　厚膜基板層
　厚膜基板の目的は、機械的支持、第１の画素電極、及び厚膜誘電体層を形成して、蛍光体構造体から電極を電気的に絶縁することである。電気的絶縁は、画素の広い領域上の電流密度を制御する手段を備えるために要求されるものである。電流制御は、電極自体からよりも、それに接触する蛍光体と誘電体材料との間の界面近傍から蛍光体構造体への局所的な電荷の注入によるものである。誘電体層は、電圧を画素電極間に印加したときにその誘電体層間の電圧降下を最小にするように高い誘電定数を有し、また、適当な電圧を画素電極間に印加したときに誘電体の絶縁破壊を防止するのに十分な絶縁耐力を有するものである。厚膜基板について詳細に記載されたウーらに付与された米国特許第５，４３２，０１５号の教えは本明細書にも参考文献として組み込まれている。
ａ）背面セラミック基板及び背面電極
　背面基板は0.63mm厚の96％純度アルミナシート（クアー・セラミック社製、グランドジャンクション、コロラド州、米国）この材料は通常、厚膜ハイブリッド電子回路の製造に用いる。図５で示したような電気的接触を作るために備えた0.3μｍ厚の金電極を最初にアルミナ基板上に形成する。アルミナは金層に対する適当なボンディング強度を備えるのに十分な表面粗さを提供するために磨かれなかった。金電極は、列電極を形成するために、ヘレウスRP20003/237−22％有機金属ペースト（ヘレウス・セルマアロイ社製）を用いてスクリーン印刷し、次いで、仕上げ金膜を形成する標準製造厚膜法を用いて850℃で焼成した。
ｂ）厚膜誘電体層
　次の段階は厚膜誘電体層を形成することだった。この層は、例１で説明したように、孤立した二層、すなわち、スクリーン印刷し等静圧圧縮された誘電体層と滑らかなゾルゲル層で形成した。厚膜誘電体層は焼成後に15-20μｍの厚さで、一方、ゾルゲル層は約2μｍの厚さだった。
　　　【０１１０】
２．２　拡散バリア層
　300Åアルミナ層は、チタン酸ジルコン酸鉛層の表面上に電子ビーム蒸着になった。アルミナ膜は基板150℃で堆積率2Å／secで堆積した。この層の目的は、厚膜誘電体の原子種が蛍光体層へ拡散するのを防止することだった。
　　　【０１１１】
２．３　注入層
　アルミナ拡散バリア層上に100Åのハフニア層を電子ビーム蒸着で形成した。ハフニア層は基板150℃で堆積率1Å／secで堆積した。
　　　【０１１２】
２．４　パターニングされた蛍光体構造体
　第１のＳｒＳ：Ｃｅ層を、0.79μｍ-0.95μｍの範囲の厚さで堆積した。蒸発源に用いるＳｒＳ粉末を以下に説明する本発明の方法によって作った。ＳｒＳは、適当な量のＣｅＦ3を蒸発源材料に混合することによって、0.1％のＣｅをドーピングした。堆積は反応性蒸着で、基板温度450℃で堆積率30Å／secで行った。堆積膜の化学量論比と比較して、硫黄の欠損を防止するのに十分であるように堆積中は、真空容器では0.01Pa（0.1mT）の圧力のＨ2Ｓ雰囲気を維持した。堆積の後、一部を真空中で約45分間600℃でアニールしてＳｒＳ：Ｃｅ層をアニールした。アニールされた部分は、アニール後に薄膜層に微小クラックの網が成長させるが、以下で説明するように、最終的なテストにおいては、いくらか高い初期自己発光度を示した。」
（１ｆ）「【０１１３】
２．５　第２の注入層
　第２の100Å注入層を、第１の注入層について用いた同じ堆積条件を用いて出来上がった画素（パターニングされた蛍光体構造体）の上に堆積した。第１の注入層に関して、いくつかのサンプルについては、第２の注入層を省いた。
　　　【０１１４】
２．６　第２の拡散バリア層
　第２の100Å注入層を、第１の注入層と同じ手順で第２の注入層上に堆積した。
　　　【０１１５】
２．７　アニーリング
　いくつかのサンプルについては、基板全体を550℃で約10分で大気中でアニールした。クラッキングの効用及び困難性は、最初のステージでのアニーリングに対するのと同様だった。
　　　【０１１６】
２．８　透明電極層
　第２のレジスト層を、ＳｒＳ：Ｃｅ層に対して概説したのと同じ手順を用いたが、透明電極材料で被覆しなかった位置にレジスト層を位置付けるようにフォトマスクを用いて、基板上に形成した。これによって、各副画素３０ａ，３０ｂ，３０ｃに対して透明電極で被覆される（図５で示した）領域の間のレジストを露光するのを要した。透明電極を、画素のテストのための外部接続のために設計した。
　層厚3000Å-6000Åの範囲の層厚のインジウム錫酸化物をレジスト層上に電子ビーム蒸着した。堆積プロセス中、その部分を250℃-350℃で保持した。堆積レートは2Å／secだった。また、インジウム錫酸化物をスパッタリングを用いて堆積することも可能である。堆積後、過剰のインジウム錫酸化物をＺｎＳ：Ｍｎ層の剥離に対して用いたのと同じプロセスを用いて剥離した。また、剥離は、ステップエッジからのインジウム錫酸化物のもとでのレジスト層の分解によって実施した。次に、処理したぶぶんを大気中で550℃で加熱し、約10分間その温度を保持し、冷却し、インジウム錫酸化物をアニーリングしてその電気抵抗を下げるために550℃で約5分間窒素中で加熱した。そうして形成されたＩＴＯラインは、約130μｍ幅で、20μｍ間隔だった。」
（１ｇ）「【図６】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
　
　これらの記載事項を含む引用文献１全体の記載及び当業者の技術常識を総合すれば、引用文献１には、以下の発明が記載されている。
　「厚めの第１の誘電体層（１８）と、薄めの第２の誘電体層（２０）とを備えている厚膜誘電体層と、
　該厚膜誘電体層上に堆積される300Åのアルミナ層からなる拡散バリア層（２６）を備え、
　該拡散バリア層上に100Åのハフニア層からなる注入層を形成し、
　その上に蛍光体構造体（３０）を蒸着により形成することにより、注入層を拡散バリア層と蛍光体構造体との間に入れる構成としたＥＬ積層体を有する、
　ＥＬディスプレイ。」（以下「引用発明」という。）
　
３．対比・判断 
　補正発明と引用発明を対比する。
（１）引用発明の「厚膜誘電体層」は本願発明の「複合厚膜誘電体層」に相当する。
　また、同「厚めの第１の誘電体層と、薄めの第２の誘電体層とを備えている」構成は、同「複合厚膜誘電体層」に相当する。
　引用発明の「ＥＬディスプレイ」は本願発明の「エレクトロルミネセントディスプレイ」に相当する。
（２）引用発明の「拡散バリア層」が「有害なイオンに対するバリアとして機能」するものであることは、当業者の技術常識に照らして自明であり、該「拡散バリア層」は「300Åのアルミナ層からなる」から、本願発明の「複合厚膜誘電体層の上面上に設けられた」「層」と該「拡散バリア層」とは、ともに「複合厚膜誘電体層の上面上に設けられたアルミニウム酸化物の層であって、３０ｎｍの厚さを有し、有害なイオンに対するバリアとして機能し、かつ弱導電性である層」である点で一致する。
（３）引用発明の「蒸着により形成」された「蛍光体構造体」は本願発明の「薄膜蛍光体層」に相当する。
（４）上記（１）〜（３）から、引用発明が、本願発明の「改善された複合厚膜誘電体構造」に相当する構造を有することは明らかである。
（５）引用発明では「注入層を拡散バリア層と蛍光体構造体との間に入れる構成とした」から、「アルミナ層からなる拡散バリア層」（本願発明の「アルミニウム酸化物の層」に相当）が「蛍光体構造体」（同「蛍光体層」に相当）と直接的に接触しないことは自明である。
　
　してみると両者は、 
　「改善された複合厚膜誘電体構造を含むエレクトロルミネセントディスプレイであって、
　前記構造が、
　複合厚膜誘電体層と、
　前記複合厚膜誘電体層の上面上に設けられたアルミニウム酸化物の層であって、３０ｎｍの厚さを有し、有害なイオンに対するバリアとして機能し、かつ弱導電性である層と、
　薄膜蛍光体層と、
を含み、
　前記アルミニウム酸化物の層が、前記蛍光体層と直接的に接触しないエレクトロルミネセントディスプレイ。」
の点で一致し、相違点はない。
　
４．小括
　したがって、本願発明は、引用発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に規定する発明に該当し、特許を受けることができない。
　
第３　むすび 
　以上のとおり、本願発明は、特許法第２９条第１項第３号に規定する発明であるから特許を受けることができない。したがって、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は、拒絶されるべきものである。 
　よって、結論のとおり審決する。