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　特願２００８−５３３３４５「バッチの加工システムを使用する低い比誘電率のフィルムの処理」拒絶査定不服審判事件〔平成１９年　４月１２日国際公開、ＷＯ２００７／０４０８１６、平成２１年　３月１２日国内公表、特表２００９−５１０７６８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
【１】手続の経緯
　本願は、平成１８（２００６）年８月８日（パリ条約による優先権主張外国庁受理平成１７（２００５）年９月３０日、米国）を国際出願日とする出願であって、平成２４年８月１７日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年１１月２２日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同日付けで手続補正がなされたものである。
　その後、平成２５年２月４日付けで審判請求人に前置報告書の内容を示し意見を求めるための審尋を行ったところ、平成２５年４月４日付けで回答書が提出されたものである。
　
【２】平成２４年１１月２２日付けの手続補正についての補正の却下の決定
［補正の却下の決定の結論］
　平成２４年１１月２２日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）を却下する。
　
［理由］
［１］補正後の本願発明
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１は、以下のように補正された。
「同時に複数の基体における低い比誘電率（低いｋ）の誘電体のフィルムを処理するための加工するシステムであって、
　上記の複数の基体を含有するために構成されたバッチプロセスチャンバー、上記の複数の基体の各々のものが上記の低いｋの誘電体のフィルムを有すること、上記の低いｋの誘電体のフィルムはＳｉＯ２の比誘電率と比べてより少ない比誘電率の値を有すること、
　上記のプロセスチャンバーに結合させられた及び上記の複数の基体の各々のものを支持するために構成された基体のホルダー、
上記の複数の基体の各々のものの温度を上昇させるために構成された加熱するシステム、
　上記のプロセスチャンバーに結合させられた及び上記のプロセスチャンバーへ処理する化合物を供給するために構成された流体分配システム、上記の処理する化合物がヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）を含むこと、並びに、
　前記加熱するシステムが、同時に上記の複数の基体の各々のものにおける上記の低いｋの誘電体のフィルムを処理するために前記複数の基体の各々のものを加熱する一方で、前記流体分配システムが前記プロセスチャンバーへと前記処理する化合物を導入することを引き起こすために構成されたコントローラー
を含む、加工するシステム。」
　
　上記補正は、本願の請求項１に係る発明の「複数の基体における低い比誘電率（低いｋ）の誘電体のフィルム」の処理に関して、「同時に」そして「各々の基体」について行うことを限定するとともに、「プロセスチャンバー」が「バッチプロセスチャンバー」であることを限定するものであり、特許請求の範囲の減縮を目的とする。
　そこで、本件補正後の前記請求項１に係る発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）否かについて、以下検討する。
　
［２］引用刊行物
　
　刊行物：特開２００５−１６６７１６号公報
　
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願優先日前に頒布された上記刊行物には、図面とともに、以下のことが記載されている。
　
（ア）
「本発明は、異なる種類の絶縁膜を効率良く成膜することが可能な成膜方法と絶縁膜形成装置に関し、特に、低誘電率膜の改質と該低誘電率膜上への膜質の異なる絶縁膜の形成に適した絶縁膜の形成方法と成膜装置とに関する。
　半導体集積回路において、処理速度を向上するためには、Ｒ・Ｃ時定数を低減する必要がある。抵抗Ｒは、抵抗率の低い銅を配線材として使用することにより低減され、一方、静電容量Ｃは層間絶縁膜として誘電率（Ｋ）の低い絶縁膜（低誘電率膜）を使用することにより低減される。また、低誘電率膜を使用することにより、クロストークを防止することも可能となる。
　低誘電率の絶縁膜として、内部の空孔率を高めた多孔質絶縁膜が広く利用されている。しかし、低誘電率膜として使用される多孔質絶縁膜は、その構造上、一般的に、強度が弱く、吸湿性が高いという問題がある。そのため、多孔質絶縁膜を疎水化、高強度化する改質手法が広く検討されている。」（段落【０００１】〜【０００３】）
　
（イ）
「また、銅配線は、ダマシン法により、低誘電率多孔質膜上に硬度及び密度の高いハードマスクを形成した後、フォトリゾグラフによりエッチングを行って、形成された溝内に埋め込まれて形成される。また、溝内には、銅の拡散を防止するためのバリアメタル層を形成して、銅配線を形成している。しかし、多孔質膜に関しては、バリアメタル層自体が拡散してしまう可能性がある。配線材料の多孔質膜中への拡散を防止するためにシリコン酸化膜を設けることが、特許文献２に開示されている。・・・」（段落【０００５】）
　
（ウ）
「また、例えば、前記反応性物質は、シリコンと水素を含む物質から構成される。この場合、前記反応性物質は、シリコンと水素との結合を２以上含む物質から構成されることが望ましい。」（段落【００１４】）
　
（エ）
「例えば、前記第１の絶縁膜はシリコンを含む多孔質絶縁膜から構成され、前記反応性物質は、１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサンから構成される。」（段落【００２２】）
　
（オ）
「本発明の実施の形態にかかる成膜装置１１について、以下図面を参照して説明する。
　成膜装置１１は、図１に示すように、スピン塗布室１２と、複数（図では３つ）のＣＶＤ室１３（１３１〜１３ｎ）と、搬送室１４と、搬入出室１５と、搬送レール１６と、搬送アーム１７と、制御部１００と、を備える。
　スピン塗布室１２は、ゲート（ゲートバルブ）２１を介して搬送室１４に接続されており、内部に、スピン塗布（コータ）装置１０１が載置されており、回転テーブル上に半導体ウエハを載置し、半導体ウエハを高速回転させつつ、該半導体ウエハ上にポーラスシリカ膜形成材料を滴下して、ほぼ均一な厚さのポーラスシリカ膜を形成する。
　ＣＶＤ室１３（１３１〜１３ｎ）は、それぞれ、ゲート２２（２２１〜２２ｎ）を介して搬送室１４に接続されており、内部に、ＣＶＤ（Chemical Vepor Deposition）装置１１１が配置されている。
　各ＣＶＤ装置１１１は、いわゆる平行平板型プラズマＣＶＤ装置であり、図２に示すように、円筒形状のチャンバ１１２を有する。チャンバ１１２は、アルマイト処理（陽極酸化処理）されたアルミニウム等の導電性材料から構成される。
　チャンバ１１２の底部には排気口１１３が設けられている。排気口１１３には、ターボ分子ポンプなどの真空ポンプを備える排気装置１１４が接続されている。排気装置１１４は、チャンバ１１２内を所定の圧力まで排気する。また、チャンバ１１２の側壁にはゲート２２（２２１〜２２ｎ）が設けられている。ゲート２２を開放した状態で、チャンバ１１２と外部（搬送室１４）との間でのウェハＷの搬入出がなされる。
　チャンバ１１２の底部には略円柱状のサセプタ支持台１１５が設けられている。サセプタ支持台１１５の上には、ウェハＷの載置台（支持台）としてのサセプタ１１６が設けられている。サセプタ１１６は、アルミナ等の絶縁性セラミック等から構成され、内部に下部電極Ｅが配置されている。
　サセプタ支持台１１５の内部には、ヒータ１１７が設けられている。ヒータ１１７はヒータコントローラ１１８による通電により発熱し、サセプタ１１６及びウエハＷは所望の温度に制御される。」（段落【００３４】〜【００４０】）
　
（カ）
「シャワーヘッド１３１にはガス導入管１３５が接続されている。ガス導入管１３５は、ＴＭＣＴＳ（１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサン）ガス源１３６と、不活性ガス源（例えば、ヘリューム（Ｈｅ）ガス源、アルゴン（Ａｒ）ガス源、窒素（Ｎ２）ガス源）１３７、その他の添加ガス（例えば、Ｏ２、Ｎ２Ｏ、ＮＨ３、Ｈ２等）のガス源１３８に、図示しないマスフローコントローラ、バルブ等を介して接続されている。」（段落【００４４】）
　
（キ）
「以上説明したように、上記実施の形態によれば、１つのＣＶＤ装置１１１と共通の反応性物質（ＴＭＣＴＳ）とを用いて、多孔質低誘電率膜２１１の改質（疎水化、高強度化）とハードマスク２１３の形成処理とを行うことができる。
　なお、希釈ガスの種類や流量比は任意である。また、必要に応じて、適当なガス種の添加ガスを添加ガス源１３８からチャンバ１１２内に供給するようにしてもよい。」（段落【００６０】）
　
（ク）
「（第２の実施の形態）
　上記実施の形態においては、共通の反応性物質を用いて、多孔質低誘電率膜２１１の改質とハードマスク２１３の形成処理とを行う例を説明したが、この発明はこれに限定されず、種々の変形及び応用が可能であり、以下、
　ダマシン法を用いた銅配線用の多孔質低誘電率層間絶縁膜の改質と銅配線及びバリアメタル層の拡散防止用のシール層の形成を、共通の反応性物質（ＴＭＣＴＳ）と共通のＣＶＤ装置とを用いて行う実施の形態を説明する。
　ステップＳ１１：
　被処理対象である半導体ウエハＷをスピン塗布装置１０１に搬送する。
　まず、前提として、ダマシン法により、半導体ウエハＷに形成された絶縁膜２２１上にハードマスク２２２を形成し、これらに配線溝２２３を形成し、配線溝２２３の内面にバリアメタル層２２４を形成し、さらに、その内に銅配線２２５を形成する。続いて、エッチストッパ膜２２６を形成する。
　さらにこの構造物上に、スピン塗布装置１０１により、例えば、多孔質無機シリカ、多孔質有機シリカ等の多孔質低誘電率膜２２７を形成する。さらに、その上に、ＣＶＤ等によりハードマスク２２８を形成し、図５（ａ）に断面で示す構造体を製造する。
　ステップＳ１２：
　上記構造体を成膜装置１１内に配置されている図示せぬフォトリソグラフ装置及びエッチング装置に搬送し、改質を行うことなく、フォトリソ処理とエッチング処理を行い、エッチストッパ膜２２６までエッチングして、図５（ｂ）に示すように、配線孔２３１を形成する。続いて、洗浄装置に移して、洗浄処理を行い、エッチング残渣を除去する。
　ステップＳ１３：
　続いて、上記構造体をＣＶＤ装置１１１に搬送し、第１の実施の形態と同様にして、ＴＭＣＴＳ雰囲気における焼成処理により、図５（ｃ）に示すように、多孔質低誘電率膜２２７の改質処理を行う。」（段落【００６１】〜【００６４】）
　
（ケ）
「以上説明したように、上記実施の形態によれば、１つのＣＶＤ装置１１１と共通の反応性物質（ＴＭＣＴＳ）とを用いて、多孔質低誘電率膜２２７の改質（疎水化、高強度化）とシール膜２３２の形成処理とを行うことができる。
　また、この成膜方法によれば、多孔質シリカ膜のＴＭＣＴＳ処理が膜方向に対し均一に処理されることが期待でき、ポーラスシリカ膜全体の高強度化が可能となる。」（段落【００６８】）
　
（コ）
「（変形例）
　・・・なお、多孔質低誘電率膜の材質は、上記実施の形態で示したＳｉとＯを含む材料に限定されない。
　例えば、低誘電率膜は、多孔質か非多孔質かは問わない。
　また、その材質としては、
　１）　構成元素として少なくともＳｉとＯを含む、非多孔質の薄膜。
　　　　　ＳｉとＯの他にＣ、Ｈ、Ｎ、Ｆの元素が一つ以上含まれていても良い。
　２）　構成元素として、少なくともＣとＨを含む有機薄膜。
　　　　　ＣとＨの他にＯ、Ｆ、Ｎの元素が一つ以上含まれていても良い。
等が使用可能である。
　さらに、ＴＭＣＴＳ以外の改質物質でしかもＣＶＤ原料となり得る材料としては、以下のようなものがあり、これらを使用することも可能である。
　・・・２）　また、ＴＭＣＴＳ効果のうち、疎水化に重点をおきたい場合には、ヘキサメチルジシラザン、・・・等の物質を使用することも可能である。・・・」（段落【００７９】〜【００８２】）
　
（サ）
「また、装置構成やプロセスも、上記実施の形態に限定されない。
　例えば、枚葉方式の装置に限定されず、バッチ式の装置を使用することも可能である。この場合には、例えば、図８に示すように、チャンバ１１２の上部電極（電極板１３３）と下部電極Ｅとの間に、ボート４０１に載置して複数の半導体ウエハＷを載置し、シャワーヘッド又はガス導入管などからＴＭＣＴＳガスを導入して、上述の処理を行うようにしてもよい。また、ヒータは、側方等に配置してもよい。」（段落【００９１】）
　
　上記記載事項（ア）〜（サ）、【図１】、【図２】及び【図８】の記載並びに当業者の技術常識によれば、上記刊行物には、以下の発明が記載されていると認められる。
　
「同時に複数の半導体ウエハＷにおける多孔質低誘電率膜を処理するための加工するシステムであって、
　上記の複数の半導体ウエハＷを含有するために構成されたチャンバ１１２、上記の複数の半導体ウエハＷの各々のものが上記多孔質低誘電率膜を有すること、
　上記チャンバ１１２に結合させられた及び上記の複数の半導体ウエハＷの各々のものを支持するために構成されたサセプタ１１６、
　上記の複数の半導体ウエハＷの各々のものの温度を上昇させるために構成されたヒータ１１７及びヒータコントローラ１１８、
　上記チャンバ１１２に結合させられた及び上記チャンバ１１２へ処理する化合物を供給するために構成されたガス導入管１３５及びマスフローコントローラ、上記の処理する化合物がシリコンと水素を含む物質から構成されるものを含むこと、並びに、
　前記ヒータ１１７及びヒータコントローラ１１８が、同時に上記の複数の半導体ウエハＷの各々のものにおける上記多孔質低誘電率膜を処理するために前記複数の半導体ウエハＷの各々のものを加熱する一方で、前記ガス導入管１３５及びマスフローコントローラが前記チャンバ１１２へと前記処理する化合物を導入することを引き起こすために構成されたコントローラーを含む、加工するシステム。」（以下、「刊行物記載の発明」という。）
　
［３］対比
　本願補正発明と刊行物記載の発明とを対比すると、その機能及び作用からみて、刊行物記載の発明の「半導体ウエハＷ」、「多孔質低誘電率膜」、「チャンバ１１２」、「サセプタ１１６」、「ヒータ１１７及びヒータコントローラ１１８」、「ガス導入管１３５及びマスフローコントローラ」は、それぞれ、本願補正発明の「基体」、「低い比誘電率（低いｋ）の誘電体のフィルム」、「バッチプロセスチャンバー」、「基体のホルダー」、「加熱するシステム」、「流体分配システム」に相当する。
　また、本願補正発明において、処理する化合物として挙げられている「ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）」は、分子式が「（ＣＨ３）３Ｓｉ−ＮＨ−Ｓｉ（ＣＨ３）３」（本願明細書【００２７】及び図面【図４Ｄ】参照）であることから、「シリコンと水素を含む物質から構成されるもの」に含まれるものである。
　
　そうすると、両者は、
「同時に複数の基体における低い比誘電率（低いｋ）の誘電体のフィルムを処理するための加工するシステムであって、
　上記の複数の基体を含有するために構成されたバッチプロセスチャンバー、上記の複数の基体の各々のものが上記の低いｋの誘電体のフィルムを有すること、
　上記のプロセスチャンバーに結合させられた及び上記の複数の基体の各々のものを支持するために構成された基体のホルダー、
　上記の複数の基体の各々のものの温度を上昇させるために構成された加熱するシステム、
　上記のプロセスチャンバーに結合させられた及び上記のプロセスチャンバーへ処理する化合物を供給するために構成された流体分配システム、上記の処理する化合物がシリコンと水素を含む物質から構成されるものを含むこと、並びに、
　前記加熱するシステムが、同時に上記の複数の基体の各々のものにおける上記の低いｋの誘電体のフィルムを処理するために前記複数の基体の各々のものを加熱する一方で、前記流体分配システムが前記プロセスチャンバーへと前記処理する化合物を導入することを引き起こすために構成されたコントローラーを含む、加工するシステム。」
の点で一致し、次の点で相違している。
　
〈相違点１〉
　「低い比誘電率（低いｋ）の誘電体のフィルム」について、本願補正発明が「ＳｉＯ２の比誘電率と比べてより少ない比誘電率の値を有する」としているのに対し、刊行物記載の発明では、「ＳｉＯ２の比誘電率と比べてより少ない比誘電率の値を有する」のかどうか不明である点。
　
〈相違点２〉
　「処理する化合物」に含まれる「シリコンと水素を含む物質から構成されるもの」として、本願補正発明が「ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）」を特定しているのに対し、刊行物記載の発明では、特定されていない点。
　
［４］判断
（１）相違点１について
　一般に、「ＳｉＯ２」の比誘電率は約３．９であることが知られており、これより低い比誘電率を有する無機シリカ誘電体フィルムまたは有機シリカ誘電体フィルムが存在することは従来周知である（必要であれば、平成２４年５月２４日付け拒絶理由通知書に先行技術文献として提示されている、特開平１０−１２５６７５号公報、国際公開第２００４／０４９０７３号（特表２００６−５０８５３５号公報参照）等参照）。また、誘電体フィルムに空孔（空気の比誘電率：１）を導入して、多孔質の誘電体フィルムを形成し、低誘電化を図ることは一般的な手法である（上記記載事項（ア）参照）。
　上記刊行物には、「低い比誘電率（低いｋ）の誘電体のフィルム」である「多孔質低誘電率膜」に関して、「ポーラスシリカ膜を形成する」（上記記載事項（オ））、「多孔質無機シリカ、多孔質有機シリカ等の多孔質低誘電率膜２２７を形成する」（上記記載事項（ク））、「多孔質低誘電率膜の材質は、上記実施の形態で示したＳｉとＯを含む材料に限定されない。例えば、低誘電率膜は、多孔質か非多孔質かは問わない。また、その材質としては、１）構成元素として少なくともＳｉとＯを含む、非多孔質の薄膜。ＳｉとＯの他にＣ、Ｈ、Ｎ、Ｆの元素が一つ以上含まれていても良い。２）構成元素として、少なくともＣとＨを含む有機薄膜。ＣとＨの他にＯ、Ｆ、Ｎの元素が一つ以上含まれていても良い。等が使用可能である。」（上記記載事項（コ））などの記載があり、これらの記載からみると、上記刊行物に記載の「多孔質低誘電率膜」は、シリカ（ＳｉＯ２）を含む無機薄膜または有機薄膜が想定されているものである。
　そして、上記のとおり、「ＳｉＯ２」より低い比誘電率を有する無機シリカ誘電体フィルムまたは有機シリカ誘電体フィルムは従来周知であり、「非多孔質」のシリカ誘電体フィルム（比誘電率：約３．９）に比して「多孔質」のシリカ誘電体フィルムの方が比誘電率が低いことは明らかであるので、刊行物記載の発明の「多孔質低誘電率膜」について、具体的に比誘電率の値が上記刊行物に明記されていないとしても、上記刊行物の記載をみた当業者ならば、当該「多孔質低誘電率膜」が「ＳｉＯ２の比誘電率と比べてより少ない比誘電率の値を有する」ものであることは十分に想定することができるものといえる。
　よって、刊行物記載の発明の「多孔質低誘電率膜」について、「ＳｉＯ２の比誘電率と比べてより少ない比誘電率の値を有する」ものであるとすることは、上記刊行物の記載に基づいて容易に想到し得るものである。
　
（２）相違点２について
　上記刊行物には、「処理する化合物」に含まれる「シリコンと水素を含む物質から構成されるもの」について、「前記反応性物質は、１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサンから構成される。」（上記記載事項（エ））、「ガス導入管１３５は、ＴＭＣＴＳ（１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサン）ガス源１３６と、・・・に、図示しないマスフローコントローラ、バルブ等を介して接続されている。」（上記記載事項（カ））、「ＴＭＣＴＳ以外の改質物質でしかもＣＶＤ原料となり得る材料としては、以下のようなものがあり、これらを使用することも可能である。・・・２）また、ＴＭＣＴＳ効果のうち、疎水化に重点をおきたい場合には、ヘキサメチルジシラザン、・・・等の物質を使用することも可能である。」（上記記載事項（コ））などの記載があり、これらの記載からみると、上記刊行物において、「処理する化合物」に含まれるものの例示として挙げられているのは、「１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサン」であり、そのほかにも、疎水化に重点をおきたい場合には、「ヘキサメチルジシラザン」が挙げられている。
　一方、本願補正発明の課題をみてみると、その課題の一つとして「誘電体のフィルムを修復する、密閉する、乾燥させる、及び／又は清浄にするために、誘電体のフィルムを処理すること」（本願明細書【０００７】）が挙げられており、「疎水化」が含まれていることは明らかである。
　してみると、刊行物記載の発明において、本願補正発明と同様に誘電体フィルムの「疎水化」を目的として「処理する化合物」に含まれるものを選択する場合、「ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）」を特定し採用することは、上記刊行物の記載に基づいて、当業者ならば容易になし得るものといえる。
　
　そして、本願補正発明の効果も、刊行物記載の発明及び周知技術から当業者が予測し得る範囲のものであって格別なものということができない。
　
　したがって、本願補正発明は、刊行物記載の発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
［５］むすび
　以上のとおり、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　よって、上記［補正の却下の決定の結論］のとおり、決定する。
　
【３】本願発明について
　平成２４年１１月２２日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成２４年７月２７日付けの手続補正書によって補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。
　
（本願発明）
「複数の基体における低い比誘電率（低いｋ）の誘電体のフィルムを処理するための加工するシステムであって、
　上記の複数の基体を含有するために構成されたプロセスチャンバー、上記の複数の基体の一個のもの又はより多いものが上記の低いｋの誘電体のフィルムを有すること、上記の低いｋの誘電体のフィルムはＳｉＯ２の比誘電率と比べてより少ない比誘電率の値を有すること、
　上記のプロセスチャンバーに結合させられた及び上記の複数の基体を支持するために構成された基体のホルダー、
　上記の複数の基体の温度を上昇させるために構成された加熱するシステム、
　上記のプロセスチャンバーに結合させられた及び上記のプロセスチャンバーへ処理する化合物を供給するために構成された流体分配システム、上記の処理する化合物がヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）を含むこと、並びに、
　前記加熱するシステムが、上記の複数の基体における上記の低いｋの誘電体のフィルムを処理するために前記複数の基体を加熱する一方で、前記流体分配システムが前記プロセスチャンバーへと前記処理する化合物を導入することを引き起こすために構成されたコントローラー
を含む、加工するシステム。」
　
［１］引用刊行物
　原査定の拒絶の理由に引用された上記刊行物の記載事項は、前記【２】［２］に記載したとおりである。
　
［２］対比・判断
　本願発明は、前記【２】で検討した本願補正発明について、「複数の基体における低い比誘電率（低いｋ）の誘電体のフィルム」の処理に関して、「同時に」そして「各々の基体」について行うという限定をなくし、「プロセスチャンバー」が「バッチプロセスチャンバー」であるという限定をなくすものである。
　そうすると、本願発明の発明特定事項を全て含み、さらに構成要件を限定したものに相当する本願補正発明が、前記【２】［４］に記載したとおり、刊行物記載の発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、刊行物記載の発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
［３］むすび
　以上のとおり、本願発明は、刊行物記載の発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、本願の他の請求項に係る発明を検討するまでもなく、本願は拒絶をすべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。