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　特願２００７−　２７５６０「信号特性に応じて内部整合をとる増幅器」拒絶査定不服審判事件〔平成２０年　８月２１日出願公開、特開２００８−１９３５４４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯
　本願は、平成１９年２月７日の出願であって、平成２３年９月２日付けで拒絶理由が通知され、これに対して平成２３年１１月７日に手続補正がなされ、平成２４年５月７日付けで拒絶査定がなされ、これに対して平成２４年８月１０日に拒絶査定不服審判が請求されたものである。
　　
　　
第２．本願発明
　本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成２３年１１月７日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載された、次の事項により特定されるものである。
　　　　　　　　
「【請求項１】
　入力信号の特性に応じて内部整合をとる増幅器であって、
　前記入力信号を増幅する半導体デバイスと集積回路を含むパッケージを備え、
　前記集積回路は、マイクロ電子機械回路と制御回路を含み、該マイクロ電子機械回路は、第１及び第２の端子を有し前記半導体デバイスに対して直列に該第１の端子により接続されたインダクタと、該半導体デバイスに対して並列に該インダクタの該第２の端子側に接続されたマイクロ電子機械可変キャパシタを含み、該制御回路は、前記入力信号の特性に応じた制御信号を該マイクロ電子機械回路に出力し、該マイクロ電子機械回路は、該制御信号に従って、前記半導体デバイスに接続される回路素子値を変更することを特徴とする増幅器。」
　　　
　　　
第３．引用発明
　原査定の拒絶の理由に引用された刊行物１（特表２００３−５０４９０６号公報）には、図面とともに、以下の事項が記載されている。ただし、下線は当審が付した。
　　　　　　　　
（ａ）段落番号【０００１】
「【０００１】
　【発明の属する技術範囲】
　本発明は、同調された
電力増幅器の分野に関し、
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
（ｂ）段落番号【００１１】−【００１２】
「【００１１】
　あるタイプの同調可能な無効素子は、必要に応じて特定のリアクタンスを提供するように相互に接続された高いＱの固定値要素によって構成されている。
相互接続を達成するのに必要なスイッチングは、ＲＦ周波数において低損失スイッチングを提供し増幅器の構成要素と共通の基板上に集積することが可能なマイクロ電子機械（micro-electromechanical = MEM）スイッチによって提供される。
連続的に可変なリアクタンス値を有するＭＥＭ素子を用いて、所望の同調可能性を提供することもできる。
ＭＥＭ素子を動作させ従ってこの増幅器を同調するのに必要な制御信号を発生する制御回路
【００１２】
　周波数に敏感で高品質の出力を提供するのに加えて、本発明は、従来は不可能であった集積度を可能にする。
増幅器の能動素子と、その同調可能な無効素子と、ＭＥＭ素子への必要な制御信号を発生する制御回路とのすべてを、共通の基板上に集積することができ、
　　　　　　　　　　　　　　
（ｃ）段落番号【００１４】−【００１５】
「【００１４】
　【発明の実施の態様】
　本発明の原理を図解している回路図が図２に示されている。
Ｅ級（class E）の増幅器
トランジスタである能動素子Ｑ１がスイッチとして用いられ、Ｑ１の制御入力に与えられるＲＦ入力信号に応答してオン・オフされる。Ｑ１の電流回路は、バイアス・インダクタＬbiasとシャント・キャパシタンスＣshuntのようにＱ１の両端に直列に接続された電源１４とを含む負荷ネットワーク１００を駆動する。また、直列インダクタンスＬseriesと直列キャパシタンスＣseriesとが、Ｑ１の電流回路に接続されており、増幅器のＲＦ出力が、負荷Ｒｌｏａｄを駆動するように接続することが可能なＣseriesの他の端子に生じる。
【００１５】　　
　しかし、
従来技術による回路と対照的に、Ｃshunt、Ｌseries及びＣseriesは、同調可能な無効ネットワーク１０２を形成する同調可能な無効素子であり、これらの素子はそれぞれが電気的な制御信号１０４を受け取るように接続されている。これらの同調可能な無効素子それぞれのリアクタンス値は、それぞれの制御信号に従って変動する
本発明によれば、負荷ネットワークのリアクタンスを、それぞれの制御信号を単に変動させることにより変動させることができ、それによって、増幅器の動作周波数を変動させることができる。
　　　　　　
　したがって、刊行物１には次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　　　
「Ｅ級電力増幅器であって、
　相互接続を達成するのに必要なスイッチングは、ＲＦ周波数において低損失スイッチングを提供し増幅器の構成要素と共通の基板上に集積することが可能なマイクロ電子機械（micro-electromechanical = MEM）スイッチによって提供され、
　連続的に可変なリアクタンス値を有するＭＥＭ素子を用いて、所望の同調可能性を提供することもでき、ＭＥＭ素子を動作させ従ってこの増幅器を同調するのに必要な制御信号を発生する制御回路を含み、
　増幅器の能動素子と、その同調可能な無効素子と、ＭＥＭ素子への必要な制御信号を発生する制御回路とのすべてを、共通の基板上に集積し、
　トランジスタである能動素子Ｑ１がスイッチとして用いられ、Ｑ１の制御入力に与えられるＲＦ入力信号に応答してオン・オフされ、Ｑ１の電流回路は、バイアス・インダクタＬbiasとシャント・キャパシタンスＣshuntのようにＱ１の両端に直列に接続された電源１４とを含む負荷ネットワーク１００を駆動し、また、直列インダクタンスＬseriesと直列キャパシタンスＣseriesとが、Ｑ１の電流回路に接続されており、増幅器のＲＦ出力が、負荷Ｒｌｏａｄを駆動するように接続することが可能なＣseriesの他の端子に生じ、
　従来技術による回路と対照的に、Ｃshunt、Ｌseries及びＣseriesは、同調可能な無効ネットワーク１０２を形成する同調可能な無効素子であり、これらの素子はそれぞれが電気的な制御信号１０４を受け取るように接続されていて、これらの同調可能な無効素子それぞれのリアクタンス値は、それぞれの制御信号に従って変動し、
　負荷ネットワークのリアクタンスを、それぞれの制御信号を単に変動させることにより変動させることができ、それによって、増幅器の動作周波数を変動させることができる、
　Ｅ級電力増幅器。」
　　
　　
第４．本願発明と引用発明の一致点・相違点
　
　刊行物１には、引用発明の無効ネットワーク１０２について整合回路と記載されているわけではない。　　　　
　しかし、国際公開第２００６／１２４０８７号（以下、「国際公開」という。）の図１には、引用発明と同じ回路構成のＥ級電力増幅器（１０）が開示されている。Ｅ級電力増幅器（１０）のＣs、Ｌ1、Ｃ1が各々、引用発明のＣshunt、Ｌseries及びＣseriesに相当している。そして、引用発明の無効ネットワーク１０２に相当する、Ｃs、Ｌ1及びＣ1 から成るものは、上記国際公開において「output matching network (13)」（当審訳：出力整合回路（１３））と呼ばれている。よって、引用発明の無効ネットワーク１０２は、整合回路と呼べるものである。
　　　　　　　　　　　　　　　　　
　引用発明は、それぞれの制御信号を単に変動させることにより、負荷ネットワークのリアクタンスを変動させることができ、該負荷ネットワークのリアクタンスを変動させることにより、増幅器の動作周波数を変動させることができる。「増幅器の動作周波数」とは、「増幅器が、増幅という機能を果たすことができる周波数」という意味であることは明らかである。増幅という機能は、信号の振幅を増大させるだけで、信号の周波数は変えない。また引用発明の無効ネットワーク１０２は、整合回路と呼べるものであるから、同調可能な無効素子によって整合を取っており、「増幅という機能を果たすことができる」とは、「整合を取ることにより増幅という機能を果たすことができる」という意味であることも明らかである。したがって、「増幅器の動作周波数」とは、「増幅器が、整合を取ることにより増幅という機能を果たすことができる入力信号の周波数」という意味である。
　つまり、引用発明は、制御信号により負荷ネットワークのリアクタンスを変動させることによって、入力信号の種々の周波数に対して整合を取って増幅という機能を果たすことができるということである。これは、入力信号の周波数に応じて、制御信号を変えて整合を取っていることに外ならない。入力信号の周波数は、入力信号の特性の一つである。よって、本願発明と引用発明とは、「入力信号の特性に応じて内部整合をとる増幅器」である点で一致している。
　　　　　　　　　
　引用発明のトランジスタである能動素子Ｑ１が、本願発明の「前記入力信号を増幅する半導体デバイス」に相当する。
　　　
　引用発明のＥ級電力増幅器が、増幅器の能動素子と、その同調可能な無効素子と、ＭＥＭ素子への必要な制御信号を発生する制御回路とのすべてを共通の基板上に集積した集積回路を含むパッケージを備えていることは、自明である。したがって、本願発明と引用発明とは、「集積回路を含むパッケージを備え」ている点で一致している。
　　　
　引用発明の集積回路は、同調可能な無効素子と、ＭＥＭ素子への必要な制御信号を発生する制御回路を集積している。同調可能な無効素子は、連続的に可変なリアクタンス値を有するＭＥＭ素子である。したがって、引用発明の連続的に可変なリアクタンス値を有するＭＥＭ素子が、本願発明の「マイクロ電子機械回路」に相当し、本願発明と引用発明とは、「前記集積回路は、マイクロ電子機械回路と制御回路を含」んでいる点で一致している。
　　　　
　引用発明では、直列インダクタンスＬseriesと直列キャパシタンスＣseriesとが、Ｑ１の電流回路に接続されている。この直列インダクタンスＬseriesとＱ１の電流回路との接続点が、本願発明の「第１の端子」に相当し、直列インダクタンスＬseriesの他端が、本願発明の「第２の端子」に相当する。したがって、本願発明の「インダクタ」と引用発明の直列インダクタンスＬseriesとは、「第１及び第２の端子を有し前記半導体デバイスに対して直列に該第１の端子により接続されたインダクタ」である点で一致している。
　　　
　引用発明のシャント・キャパシタンスＣshuntは、Ｑ１の両端に接続されている。したがって、引用発明のシャント・キャパシタンスＣshuntは、トランジスタＱ１に対して並列に接続されているわけであり、本願発明の「マイクロ電子機械可変キャパシタ」とは、「該半導体デバイスに対して並列に接続されたマイクロ電子機械可変キャパシタ」である点で一致している。
　　　
　引用発明のＭＥＭ素子への必要な制御信号を発生する制御回路と本願発明の「制御回路」とは、「前記入力信号の特性に応じた制御信号を該マイクロ電子機械回路に出力」する点で一致している。
　　　
　引用発明の連続的に可変なリアクタンス値を有するＭＥＭ素子と本願発明の「マイクロ電子機械回路」とは、「該制御信号に従って、前記半導体デバイスに接続される回路素子値を変更すること」する点で一致している。
　　　　　　　
　したがって、本願発明と引用発明の一致点・相違点は、次のとおりである。
　　　
［一致点］
「入力信号の特性に応じて内部整合をとる増幅器であって、
　集積回路を含むパッケージを備え、
　前記集積回路は、マイクロ電子機械回路と制御回路を含み、該マイクロ電子機械回路は、第１及び第２の端子を有し前記半導体デバイスに対して直列に該第１の端子により接続されたインダクタと、該半導体デバイスに対して並列に接続されたマイクロ電子機械可変キャパシタを含み、該制御回路は、前記入力信号の特性に応じた制御信号を該マイクロ電子機械回路に出力し、該マイクロ電子機械回路は、該制御信号に従って、前記半導体デバイスに接続される回路素子値を変更することを特徴とする増幅器。」である点。
　　　　　　　
［相違点１］
　本願発明では、入力信号を増幅する半導体デバイスは集積回路とは別になっているのに対して、引用発明では、入力信号を増幅する半導体デバイスも集積回路に集積化されている点。　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　
［相違点２］
　半導体デバイスに対して並列に接続されたマイクロ電子機械可変キャパシタが、本願発明では、インダクタの第２の端子側に接続されているのに対して、引用発明では、インダクタの第１の端子側に接続されている点。
　　　　　
　　　　　
第５．相違点についての検討
　　　　
［相違点１について］
　原査定の拒絶の理由に引用された刊行物２（特開平１１−２３８８５１号公報）の図１には、電力増幅器２００が示されている。刊行物２の図１では、半導体増幅素子２０２の入った半導体チップ２０１は、入力側インピーダンス整合回路２０５や出力側インピーダンス整合回路２０７とは別になっている。また刊行物２の段落番号【００７５】には、
「【００７５】半導体チップ２０１が固定されるチップ支持台２０３は、半導体増幅素子２０２で発生される熱をパッケージの外部に伝達する部材となる。このため、図２に示すように、前記チップ支持台２０３は回路基板２１０に穿たれた穴に入れられ、回路基板２１０が固定されるパッケージのフランジ（パッケージ本体）４に直接固定される。フランジ４は金属からなり、前記半導体増幅素子２０２で発生した熱をチップ支持台２０３を介してフランジ４に伝達し、電力増幅器２００が実装される実装基板等に放散するようになっている。チップ支持台２０３は前記穴に固定される場合もある。」と記載されている。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　また、原査定の拒絶の理由に引用された刊行物３（特開平６−１０４６６４号公報）の段落番号【０００２】には、
「【０００２】【従来の技術】パワー増幅を担うパワーアンプは発熱量が多いことから単独でＩＣ化されることが多く、このＩＣのパッケージには高い耐熱性・放熱性が要求される。」と記載されている。　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　　　　　　　　
　このように、電力増幅を行う半導体増幅素子は、発熱量が多いため、周辺回路を搭載した集積回路とは別の集積回路として単独で設けることが周知である。
　したがって、引用発明のＥ級電力増幅器において、増幅器の能動素子を、同調可能な無効素子と、ＭＥＭ素子への必要な制御信号を発生する制御回路とを集積化した集積回路とは別の基板に作成し、別のチップとすることは、容易に想到できたことである。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
［相違点２について］
　米国特許出願公開第２００７／０００８０３４号明細書の段落番号［００２５］−［００２６］に、
「[0025]The two-stage Class-E high power amplifier (HPA) of the present invention includes a novel Class-E load designed to maintain simultaneous high power and high PAE over a broad bandwidth.  FIG. 2 a is a simplified schematic diagram of a discrete component implementation of an amplifier  10  with a conventional Class-E load  20 . As shown in  FIG. 2 a, a typical Class-E amplifier  10  includes a transistor represented by a switch  12 , coupled to a voltage source Vds via an inductive bias line  14 . The switch  12  is also coupled to a resistive load  24  via a capacitor  22  and an inverted L type (series L, shunt C) wave shaping load network  20 . The conventional Class-E load network  20  includes a first shunt capacitor  15 , which is the drain to source capacitance (Cds) of the transistor switch  12 , and a series inductor  16  followed by a shunt capacitor  18 . Few design efforts have been made to optimize these circuits for broadband operation. Hence, in previous amplifier designs, the drain bias line  14  was treated independent of the load circuit  20 , merely acting as a choke realized by a quarter wavelength length of transmission line. 
[0026]FIG. 2 b is a distributed component implementation of the conventional Class-E load depicted in  FIG. 2 a. It is worth mentioning that the function of the load network in the class E amplifier is to shape the voltage and current waveforms. Therefore, for the design of a broadband Class-E amplifier, care should be taken to ensure Class-E waveforms exist over the entire frequency band. Conventional Class-E load circuits are operable only over a narrow bandwidth (about 500 MHz or less). 」
（当審訳：［００２５］本発明の２段のＥ級高電力増幅器（ＨＰＡ）は広い帯域幅にわたって同時に高電力と高いＰＡＥを維持するように設計されているＥ級負荷を含んでいる。図２の（ａ）は通常のＥ級負荷20を有する増幅器10のディスクリートなコンポーネント構成の簡単化された概略図である。図２の（ａ）に示されているように、典型的なＥ級増幅器10は誘導性のバイアスライン14を介して電圧源Ｖｄｓに結合されているスイッチ12により表されているトランジスタを含んでいる。このスイッチ12はキャパシタ22および
反転されたＬ型（直列のＬ、シャントのＣ）波形成形負荷ネットワーク20
通常のＥ級負荷ネットワーク20は、トランジスタスイッチ12のドレインソースキャパシタンス（Ｃｄｓ）である第１のシャントキャパシタ15と、直列インダクタ16とそれに後続するシャントキャパシタ18とを含んでいる。
［００２６］図２の（ｂ）は図２の（ａ）で示されている通常のＥ級負荷の分布コンポーネント構成図である。Ｅ級増幅器の
負荷ネットワークの機能が電圧及び電流波形を成形することである
　また、図２ａの波形成形負荷ネットワーク20では、シャントキャパシタ18は、直列インダクタ16の第２の端子側に接続されている。波形成形負荷ネットワーク20の機能は、電圧及び電流波形を成形することであるから、引用発明の無効ネットワーク１０２の機能と同じである。したがって、波形成形負荷ネットワーク20も、引用発明の無効ネットワーク１０２と同様に、整合回路と呼ぶことができる。
　更に、上記波形成形負荷ネットワーク20は、R.Tayrani，A Monolithic X-band Class-E Power Amplifier，IEEE GaAs IC Symposium Digest 2001，米国，IEEE，２００１年，page 205-208（Ｆｉｇｕｒｅ１（ａ））にも記載されている様に周知技術である。
　　　　　　　　　　　　　　　　
　したがって、引用発明において、整合回路の構成として、周知の波形成形負荷ネットワーク20の構成を採用し、半導体デバイスに対して並列に接続されたマイクロ電子機械可変キャパシタを、インダクタの第２の端子側に接続替えすることは、当業者が容易に想到できたことである。
　　　　　　　　　　　　　　　
　なお、平成２４年８月１０日付けの審判請求書では、「周知文献１及び２の「シャントキャパシタ」を「マイクロ電子機械可変キャパシタ」に置き換える動機は一切見当たらず、当業者といえども「第１及び第２の端子を有し前記半導体デバイスに対して直列に該第１の端子により接続されたインダクタと、該半導体デバイスに対して並列に該インダクタの該第２の端子側に接続されたマイクロ電子機械可変キャパシタ」という構成を想到できるものではない、と思料致します。」と主張しているが、拒絶査定は、「周知文献１及び２の「シャントキャパシタ」を「マイクロ電子機械可変キャパシタ」に置き換えることが、容易。」と説明しているわけではなく、「引用発明のマイクロ電子機械回路の構成として、上記周知技術を採用することが容易。」と説明しているものである。
　　　　　　　　　　　　　　　　　
　そして、本願発明の作用効果も、引用発明及び周知技術から当業者が予測できる範囲のものである。
　したがって、本願発明は、引用発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　　　
　　　
第６．むすび
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、刊行物１に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本願のその余の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。