【事件の表示】
　特許第６６３７５２８号発明「光透過性導電フィルムおよび調光フィルム」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第６６３７５２８号の請求項１ないし３に係る特許を維持する。
【理　由】
第１　手続の経緯
　特許第６６３７５２８号の請求項１ないし３に係る特許についての出願は、平成２８年１１月７日に出願した特願２０１６−２１７５２９（優先権主張　平成２７年１１月９日）の一部を、平成３０年１月５日に新たな特許出願とした特願２０１８−８３４号であって、令和１年１２月２７日にその特許権の設定登録（請求項の数３）がされ、令和２年１月２９日に特許掲載公報が発行された。その後、その特許に対し、令和２年７月１５日に特許異議申立人　岩崎　勇（以下、「特許異議申立人」という。）は、特許異議の申立て（対象請求項：請求項１〜３）を行うとともに、同年９月３０日に手続補正書を提出した。
第２　本件特許発明
　特許第６６３７５２８号の請求項１ないし３の特許に係る発明は、それぞれ、その特許請求の範囲の請求項１ないし３に記載された事項により特定される次のとおりのものである（以下、「本件特許発明１」ないし「本件特許発明３」といい、これらをあわせて「本件特許発明」という。）。
「【請求項１】
　光透過性基材と、非晶質光透過性導電層とを備える光透過性導電フィルムであって、
　前記非晶質光透過性導電層は、インジウム系導電性酸化物（Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物を除く）であり、
　前記非晶質光透過性導電層のキャリア密度をＸａ×１０１９（／ｃｍ３）、ホール移動度をＹａ（ｃｍ２／Ｖ・ｓ）とし、
　前記非晶質光透過性導電層を大気環境下で加熱処理した後の被加熱光透過性導電層のキャリア密度をＸｃ×１０１９（／ｃｍ３）、ホール移動度をＹｃ（ｃｍ２／Ｖ・ｓ）としたとき、
　下記（１）〜（３）の条件を満たし、
　前記被加熱光透過性導電層のキャリア密度は、１５．０×１０１９（／ｃｍ３）以上であり、
　前記被加熱光透過性導電層は、塩酸（２０℃、濃度：５質量％）に浸漬・水洗・乾燥した後に、前記被加熱光透過性導電層における１５ｍｍ間の端子間抵抗が１０ｋΩ以上であるような非晶質であることを特徴とする、光透過性導電フィルム。
（１）　Ｙａ≧Ｙｃ
（２）　０．６５≦（Ｙｃ／Ｙａ）×（Ｘｃ／Ｘａ）≦１．８
（３）　Ｘａ≦Ｘｃ
　　【請求項２】
　Ｘａに対するＸｃの比（Ｘｃ／Ｘａ）が、１．０５以上１．８０以下であることを特徴とする、請求項１に記載の光透過性導電フィルム。
　　【請求項３】
　第１の光透過性導電フィルムと、調光機能層と、第２の光透過性導電フィルムとを順に備え、
　前記第１の光透過性導電フィルムおよび／または前記第２の光透過性導電フィルムは、請求項１または２に記載の光透過性導電フィルムであることを特徴とする、調光フィルム。」
第３　申立理由の概要
１　特許異議申立理由の要旨
　特許異議申立人が提出した特許異議申立書において主張する特許異議申立理由の要旨は、次のとおりである。
（１）申立理由１（甲第１号証を主引用例とする進歩性欠如）
　本件特許発明１ないし３は、甲第１号証に記載された発明並びに甲第２号証及び甲第３号証の記載事項に基いて、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下、「当業者」という。）が容易に発明をすることができたものであって、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、それらの発明に係る特許は、同法第１１３条第２号に該当し、取り消されるべきものである。
（２）申立理由２（実施可能要件違反）
　本件特許の請求項１ないし３についての特許は、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願についてされたものであるから、特許法第１１３条第４号に該当し、取り消されるべきものである。
（３）申立理由３（サポート要件違反）
　本件特許の請求項１ないし３についての特許は、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願についてされたものであるから、特許法第１１３条第４号に該当し、取り消されるべきものである。
２　証拠方法
　特許異議申立人は、証拠として、以下の文献等を提出する。以下、甲各号証の番号に応じて、甲第１号証を「甲１」などという。
・甲第１号証： 特開２０１２−１３４０８５号公報
・甲第２号証： 「Indium-Tin Oxide透明導電膜の異常電気抵抗変化」　上永、高山、日本金属学会誌　第７１巻　第９号（2007）pp. 751-757
・甲第３号証： Characterization of Sn-doped In203 Film on Roll-to-Roll Flexible Plastic Substrate Prepared by DC Magnetron Sputtering NODA et al., Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 42（2003） pp. 217-222
第４　当審の判断
１　申立理由１（進歩性欠如）について
（１）甲号証の記載等
ア　甲１の記載事項等
（ア）甲１の記載事項
　本件特許の優先日前に頒布又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった甲１には、以下の記載がされている（下線については当審において付与したものである。以下、同様。）。
ａ「【請求項１】
　透明基材を準備する基材準備工程、および前記透明基材上にＩｎ・Ｓｎ複合酸化物からなる透明導電層をスパッタ製膜する製膜工程、を有する透明導電性フィルムの製造方法であって、
　前記透明基材の透明導電層を形成する側の面の算術平均粗さＲａが１．０ｎｍ以下であり、
　前記製膜工程において、
Ｓｎ原子の量が、Ｉｎ原子とＳｎ原子とを加えた重さに対し、６重量％を超え１５重量％以下であるメタルターゲットまたは酸化物ターゲットを用い、
　水の分圧がＡｒガスの分圧に対して０．１％以下の雰囲気下で、基材温度が１００℃を超え２００℃以下でスパッタ製膜することにより、
　
Ｉｎ・Ｓｎ複合酸化物からなるアモルファス透明導電層
　透明導電性フィルムの製造方法。
【請求項２】
　前記製膜工程における水の分圧が２×１０−４Ｐａ以下である請求項１に記載の透明導電性フィルムの製造方法。
【請求項３】
　
前記アモルファス透明導電層のホール移動度が５〜３０ｃｍ２／Ｖ・ｓであり、キャリア密度が１×１０２０〜１０×１０２０／ｃｍ３である
透明導電性フィルム
【請求項４】
　前記製膜工程において、膜厚が１５〜５０ｎｍとなるように、透明導電層が形成される、請求項１〜３のいずれか１項に記載の透明導電性フィルムの製造方法。
【請求項５】
　さらに、
前記アモルファス透明導電層を加熱して結晶性透明導電層に転化する熱処理工程を有する
【請求項６】
　
前記熱処理工程において、転化前のアモルファス透明導電層に比して結晶性透明導電層のキャリア密度が増加する
【請求項７】
　
前記結晶性透明導電層のホール移動度が１０〜３５ｃｍ２／Ｖ・ｓであり、キャリア密度が６×１０２０〜１５×１０２０／ｃｍ３である
ｂ「【０００３】
　従来、このようなタッチパネルには、透明基材上に、スパッタ法などの方法でインジウム・スズ複合酸化物（ＩＴＯ）が形成された透明導電性フィルムが広く用いられている。透明基材上にＩＴＯ膜を形成する方法としては、膜中の酸素を少なくして製膜し、その後、
大気中の酸素雰囲気下で
【０００４】
　一方、タッチパネルの大画面化や応答速度向上に対する要求の高まりとともに、従来のＩＴＯ膜よりもより低抵抗のＩＴＯ膜を備える透明導電性フィルムの需要が高まっている。しかしながら、
従来のＩＴＯ膜では、結晶化によっても十分に抵抗が低下せず、あるいは、低抵抗化を実現するために、結晶化に長時間を要して生産性に劣るという問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特公平３−１５５３６号公報
【特許文献２】特開２００６−２０２７５６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
　
本発明は、上記に鑑みて、透明基材上に低抵抗のＩＴＯ膜が形成された透明導電性フィルムを生産性高く提供することを目的とする。
ｃ「【００１２】
　さらに、本発明は、前記アモルファス透明導電層を加熱して結晶化する熱処理工程を有する透明導電性フィルムの製造方法に関する。熱処理工程においては、結晶化前のアモルファス透明導電層に比して結晶化後の透明導電層のキャリア密度が増加することが好ましい。
【発明の効果】
【００１３】
　本発明においては、所定の表面粗さを有する透明基材上に、Ｓｎの含有量が大きいアモルファスＩＴＯ膜が所定条件下でスパッタ製膜される。一般にＳｎ含有量が大きいＩＴＯ膜は結晶化し難いが、本発明の条件にて製膜されたＩＴＯ膜は比較的短時間の熱処理で完全結晶化し得る。また、熱処理後のＩＴＯ膜は熱処理前に比してキャリア密度が増加し、それに伴って低抵抗化される。そのため、本発明によれば、透明基材上に低抵抗のＩＴＯ膜が形成された透明導電性フィルムを、効率よく生産することができる。」
ｄ「【００２４】
＜製膜工程＞
　製膜工程においては、透明基材１上にＩｎ・Ｓｎ複合酸化物からなるアモルファス透明導電層（アモルファスＩＴＯ膜）３がスパッタ法により製膜される。なお、「アモルファスＩＴＯ」とは、完全に非晶質であるものに限られず、少量の結晶成分を有していてもよい。ＩＴＯがアモルファスであるか否かの判定は、基材上に透明当電層が形成された積層体を濃度５ｗｔ％の塩酸に１５分間浸漬した後、水洗・乾燥し、１５ｍｍ間の端子間抵抗をテスタにて測定することにより行い得る。アモルファスＩＴＯ膜は塩酸によりエッチングされて消失するために、塩酸への浸漬により抵抗が増大する。
本明細書においては、塩酸への浸漬・水洗・乾燥後に、１５ｍｍ間の端子間抵抗が１０ｋΩを超える場合に、ＩＴＯがアモルファスであるものとする。
「【００３８】
　一般に、Ｓｎ含有量が、Ｉｎ原子とＳｎ原子とを加えた重さに対して、６重量％を超えるようなＩＴＯ膜は結晶化し難く、完全結晶化させるためには、例えば１４０℃以上で２時間以上加熱する必要があった。これに対して、前述のように、表面粗さの小さい基材を用い、所定条件下でアモルファスＩＴＯ膜をスパッタ製膜することによって、比較的低温・短時間の加熱条件でＩＴＯ膜を完全結晶化することができる。
【００３９】
　このように、結晶化によって、従来に比して大幅な低抵抗化が実現できる原因について検討したところ、本発明によれば、結晶化の前後で透明導電層のホール移動度は大幅に変化することなく、キャリア密度が大幅に増加していることが分かった。すなわち、結晶化後のホール移動度は、５〜３５cm2／Ｖ・ｓ程度であり、結晶化前の５〜３０cm2／Ｖ・ｓ程度に対して大きく変化しなかったのに対して、結晶化後のキャリア密度は、が６×１０２０〜１５×１０２０／ｃｍ３程度と、結晶化前の１×１０２０〜１０×１０２０／ｃｍ３程度に対して大幅に増加しており、これが低抵抗化に寄与しているものと推定される。」
ｅ「【００５１】
［実施例１］
（透明基材の作製）
　厚みが２３μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム（以下、ＰＥＴフィルム）からなるフィルム基材の一方の面に、アンダーコート層として、メラミン樹脂：アルキド樹脂：有機シランの縮合物の重量比２：２：１の熱硬化型樹脂を厚みが３５ｎｍとなるように形成した。アンダーコート層表面の算術平均粗さＲａは、０．５ｎｍであった。
【００５２】
（透明導電層の製膜）
　このアンダーコート層上に、アルゴンガス９８体積％と酸素ガス２体積％からなる０．４Ｐａの雰囲気中で、酸化インジウム９０重量％−酸化スズ１０重量％の焼結体材料を用いた反応性スパッタリング法により、厚みが２５ｎｍのインジウム・スズ複合酸化物からなる透明導電性薄膜（以下、ＩＴＯ膜）を形成した。製膜に際しては、スパッタ装置内を製膜時の水の分圧が、８．０×１０−５Ｐａとなるまで排気した後、アルゴンガスおよび酸素ガスを導入し、基材温度１４０℃、水分圧が８．０×１０−５Ｐａの雰囲気にて製膜を行った。この時の水の分圧は、アルゴンガスの分圧に対して０．０５％であった。
【００５３】
　このようにして得られた透明導電性フィルムの透明導電層を倍率２５０００倍の透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）観察したところ、完全結晶化していなかった。また、表１に示すように、塩酸への浸漬によって透明導電層がエッチングされたために抵抗値が∞となっていることからも、ＩＴＯ膜がアモルファスであることがわかる。
【００５４】
（熱処理）
　上記の透明基材上にアモルファスＩＴＯ膜が形成された透明導電性フィルムを
１４０℃で９０分間加熱する熱処理
【００５５】
［実施例２］
　実施例１の透明導電層の製膜において、水分圧が２．０×１０−４Ｐａとなるまで排気した後にアルゴンガスおよび酸素ガスを導入して製膜を行った以外は、実施例１と同様にして、透明基材上に透明導電性薄膜を製膜した後、１４０℃１２０分の熱処理を行い、透明基材上に完全結晶化したＩＴＯ膜が形成された透明導電性フィルムを得た。製膜時の水の分圧は２．０×１０−４Ｐａであり、アルゴンガスの分圧に対して０．１０％であった。
【００５６】
［実施例３］
　実施例１の透明導電層の製膜において、基材温度を１２０℃とした以外は実施例１と同様にして、透明基材上に透明導電性薄膜を製膜した後、１４０℃９０分の熱処理を行い、透明基材上に完全結晶化したＩＴＯ膜が形成された透明導電性フィルムを得た。
【００５７】
［比較例１］
　実施例１の透明導電層の製膜において、酸化インジウム９０重量％−酸化スズ１０％の焼結体材料を用いる代わりに、酸化インジウム９７重量％−酸化スズ３重量％の焼結体材料を用いた。その他は実施例１と同様にして、透明基材上に透明導電層を製膜した後、熱処理を行い、透明基材上に完全結晶化したＩＴＯ膜が形成された透明導電性フィルムを得た。
【００５８】
［比較例２］
　実施例１の透明基材の作製において、ＰＥＴフィルムの一方の面に、アンダーコート層として熱硬化型樹脂層を形成する代わりに、真空蒸着法により膜厚３０ｎｍのＳｉＯ２アンダーコート層を形成した。この透明基材のアンダーコート層が形成されている側の面の算術平均粗さＲａは、２．０ｎｍであった。このアンダーコート層上に、実施例１と同様にして、透明導電層を製膜した後、１４０℃１２０分の熱処理を行い、透明導電性フィルムを得た。
【００５９】
［比較例３］
　実施例１の透明導電層の製膜において、水分圧が４．０×１０−４Ｐａとなるまで排気した後にアルゴンガスおよび酸素ガスを導入して製膜を行った以外は、実施例１と同様にして、透明基材上に透明導電性薄膜を製膜した後、１４０℃１２０分の熱処理を行い、透明基材上に完全結晶化したＩＴＯ膜が形成された透明導電性フィルムを得た。製膜時の水の分圧は４．０×１０−４Ｐａであり、アルゴンガスの分圧に対して０．２０％であった。
【００６０】
［比較例４］
　実施例１の透明導電層の製膜において、製膜時の基材温度を８０℃とした以外は、実施例１と同様にして、透明基材上に透明導電性薄膜を製膜した後、１４０℃１２０分の熱処理を行い、透明基材上に完全結晶化したＩＴＯ膜が形成された透明導電性フィルムを得た。
【００６１】
　上記各実施例および比較例の製造条件および透明導電性フィルムの評価結果を表１に示す。
【００６２】
【表１】
」
（イ）甲１に記載された発明
　甲１の上記記載事項ａの特に下線部の「透明導電性フィルムの製造方法」の発明から、「透明導電性フィルム」の発明についても記載されているといえるから、甲１には、以下の発明が記載されているといえる。
「透明基材上にＩｎ・Ｓｎ複合酸化物からなるアモルファス透明導電層を有する透明導電性フィルムであって、前記アモルファス透明導電層のホール移動度が５〜３０ｃｍ２／Ｖ・ｓであり、キャリア密度が１×１０２０〜１０×１０２０／ｃｍ３であり、前記アモルファス透明導電層を加熱して結晶性透明導電層に転化する熱処理工程により、転化前のアモルファス透明導電層に比して結晶性透明導電層のキャリア密度が増加し、前記透明導電層のホール移動度が１０〜３５ｃｍ２／Ｖ・ｓであり、キャリア密度が６×１０２０〜１５×１０２０／ｃｍ３となる、透明導電性フィルム。」（以下、「甲１発明」という。）
イ　甲２の記載事項
　本件特許の優先日前に頒布又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった甲２には、以下の記載がされている。
（ア）「１．緒言
　今日，液晶ディスプレーはテレビ，パーソナルコンピュータ，携帯電話等々我々の身近なものになっており，これらの基盤技術の一つとして，透明導電膜は重要な役割を担っている．透明導電膜に求められる特性として，低抵抗率，高い光透過度，低内部応力が挙げられ，今後は耐熱性に乏しい力ラーフィルタや高分子基板上への被膜の用途が増加してくると考えられる．現在，液晶ディスプレーで採用されている透明導電膜の大半がITO膜(Indium Tin Oxide thin films)である．ITO薄膜が採用される主な理由として，他の透明導電膜よりも比較的低温度プロセスで高透過率で低抵抗率が得られるという点が挙げられる．一般に，ITO膜が導電性を示す原因として，2つの電気伝導機横があることが知られている．1つは酸素空孔が生成され，イオン化するときに放出される2個の電子が伝導に寄与する機構，もう一つはIn格子点にSnが置換することにより電子が一個放出され，自由電子となって伝導に寄与する機構である．通常，ITO膜は150〜200℃の熱処理を施すことにより，より低抵抗で高透明度な膜を得ているが，これらの熱処理中，電気伝導がどのように変化するのかはITO導電膜の伝導機構を知る上で，また低抵抗の導電膜を得る上で重要な課題である．」（第７５１ページ左欄第１〜２１行）
（イ）「２．実験方法
　本研究で用いた膜はd.c.マグネトロンスパッタ法で成膜した．95 mass％In2O3-5mass％Sn02の焼結体を用いて，背圧0.67Pa投入電力300WでAr+2Vol％O2ガスを用い，スライドガラス上に膜厚300nmで成膜した．これらの膜を用いて，ITO薄膜の電気伝導機構に及ぼす酸素の影響を調べるために，室温から400℃まで大気，酸素および水素雰囲気中で3℃/minの昇温速度で赤外線加熱炉で加熱し，同時にin-situ電気抵抗値測定（連続測定）を行った．」（第７５１ページ右欄第３〜１１行）
（ウ）「３．結果
　本研究で作製したITO膜の代表的なX線回折プロファイルをFig. 1に示す．図で示す如く，試料はすべて非晶質相と結晶相が混在した部分結晶化の非晶質膜であった．」（第７５１ページ右欄下から第３行〜７５２ページ左上欄第１行）
ｄ「
Fig. 5 (a) carrier density n and (b) mobility μH for the ITO samples in Fig. 4.」（第７５３ページFig. 5） 
ウ　甲３の記載事項
　本件特許の優先日前に頒布又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった甲３には、以下の記載がされている。（ ）内は、当審による翻訳。
（ア）「After the degassing of the PET web, the ITO film was deposited on the web by DC magnetron sputtering using a ceramic ITO target made of powdered In203 and Sn02 mixed in the ratio of 9:1 by weight (produced by Sumitomo Kinzoku Kozan Co., Ltd. with a packing density of over 99%) with the heated drum temperature being maintained at 100℃. The deposition was carried out only with one passing motion of the web. A mixed gas of pure Ar and 02 was used for the sputtering. Each gas was controlled by a mass-flow controller (MFC) and introduced near the cathode. The 02/Ar flow ratio ([02]/[O2+Ar]) was varied in the range between 0 and 0.42 during the sputtering while maintaining the total flow rate of [02+Ar] constant. Other conditions are, a distance between the substrate and the target of 65mm, input power density to target of 2.7W/cm2 and an applied voltage of around 400V. Passing time through the heated drum was kept to 1.5min during the degassing and sputtering processes.
（PET ウェブの脱気後、ITOフィルムを、粉末In203とSn02を重量9:1の割合で混合したもの（住友金属鉱山株式会社製、99%以上の充填密度）で作ったセラミックITOターゲットを、DC マグネトロンスパッタリングによりウェブ上に堆積させた。加熱ドラム温度は100℃に維持した。この堆積は、ウェブの1つの通過運動のみで行った。スパッタリングには純Arと02 の混合ガスを使用した。各ガスはマスフローコントローラ(MFC)によって制御され、カソードの近くに導入された。02/Ar流量比([02]/[02+Ar])は、スパッタリング中に0〜0.42の範囲で変化し、[02+Ar]の総流量を一定に保った。その他の条件は、基板と目標の65mmとの距離、2.7W/cm2の目標に対する入力電力密度、および400V前後の印加電圧である。加熱されたドラムを通る時間は、脱気およびスパッリングプロセス中に1.5分に保たれた。）」（第２１８ページ左欄第７〜２４行）
（イ）「
Fig. 4.  Variations of electrical properties in the case A with the variation of the O2/Ar ratio. (a) is the resistivity, (b) is the carrier density and (c) is the Hall mobility. Data are before (●) and after annealing (×: 100℃, △:125℃, □: 150℃).
（図4. 02/Ar比の変動を伴うケースAにおける電気特性の変化。
(a) は抵抗率、(b) はキャリア密度、(c) はホール移動度である。
データは、熱処理前（ ●）と熱処理後  (×:100℃  △:125℃  □150 ℃)
　図4 (b) の縦軸  キャリア密度 [×1020cm-3]
　図4 (C) の縦軸  ホール移動度 [cm2・V-1s-l]）」（第２１９ページFig. 4）
ｃ「3.3 XRD measurement
 The X-ray diffraction (XRD) patterns before and after the annealing at 150℃ for the cases A and B are shown in Figs. 7(a) and 7(b), respectively. Thin film X-ray 　diffractometry of 1°incidence was used for the measurement. In the case B,crystallization was promoted by the annealing, whereas in the case A, little crystallization was seen. The reason for the little crystallization in the case A is believed to be because the In-O network is terminated with -OH radical due to a larger amount of evaporated H20 from the PET substrate.
（3.3 XRD測定
　試料AとBの150℃でのアニーリング前後のX線回折(XRD)パターンは、それぞれ図7(a)と7(b)に示されている。1°発生率の薄膜X線回折測定を測定に用いた。Bの場合、アニールによって結晶化が促進され、一方、Aの場合、結晶化はほとんど見られなかった。Aの場合の結晶化が少ない理由は、PET基板から蒸発したH20の量が多いため、In-O結合が−OHラジカルで終端されているためであると考えられる。）」（第２２０ページ左欄第１２〜２２行）
（２）対比・判断
ア　本件特許発明１について
　本件特許発明１と甲１発明とを対比すると、甲１発明の「透明基材」、「アモルファス透明導電層」、「透明導電性フィルム」、「Ｉｎ・Ｓｎ複合酸化物」は、順に、本件特許発明１の「光透過性基材」、「非晶質光透過性導電層」、「光透過性導電フィルム」、「インジウム系導電性酸化物（Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物を除く）」に相当する。
　ところで、本件特許発明１の「大気環境下で加熱処理した後の光透過性導電層」について、本件特許明細書の段落【００７０】には、「被加熱光透過性導電層とは、非晶質光透過性導電層３を大気環境下で加熱処理した後の光透過性導電層を指す。この加熱処理の温度および暴露時間は、非晶質光透過性導電層３の長期信頼性を確認する観点で、例えば、８０℃で５００時間である。また、長期信頼性評価の加速試験として加熱処理を実施する場合は、
例えば、１４０℃で１〜２時間とすることもできる。
　また、甲１発明の「転化前のアモルファス透明導電層に比して結晶性透明導電層のキャリア密度が増加」することは、「（３）　Ｘａ≦Ｘｃ」の条件と同義である。
　してみると、両発明は、「光透過性基材と、非晶質光透過性導電層とを備える光透過性導電フィルムであって、
　前記非晶質光透過性導電層は、インジウム系導電性酸化物（Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物を除く）であり、
　前記非晶質光透過性導電層のキャリア密度をＸａ×１０１９（／ｃｍ３）、ホール移動度をＹａ（ｃｍ２／Ｖ・ｓ）とし、
　前記非晶質光透過性導電層を大気環境下で加熱処理した後の被加熱光透過性導電層のキャリア密度をＸｃ×１０１９（／ｃｍ３）、ホール移動度をＹｃ（ｃｍ２／Ｖ・ｓ）としたとき、
　下記（３）の条件を満たし、
　前記被加熱光透過性導電層のキャリア密度は、１５．０×１０１９（／ｃｍ３）以上である光透過性導電フィルム。
（３）　Ｘａ≦Ｘｃ」の点で一致するものの、以下の点で相違する。
＜相違点１＞被加熱光透過性導電層について、本件特許発明１は、「塩酸（２０℃、濃度：５質量％）に浸漬・水洗・乾燥した後に、前記被加熱光透過性導電層における１５ｍｍ間の端子間抵抗が１０ｋΩ以上であるような非晶質」であるのに対し、甲１発明は「結晶性」である点。
＜相違点２＞被加熱光透過性導電層について、本件特許発明１は、「下記（１）（２）の条件を満たし
（１）　Ｙａ≧Ｙｃ
（２）　０．６５≦（Ｙｃ／Ｙａ）×（Ｘｃ／Ｘａ）≦１．８」と特定されているのに対し、甲１発明は、そのような特定がされていない点。
　そこで、上記相違点について検討する。
＜相違点１＞について
　甲１発明は、上記（１）ア（ア）ｂに摘記したように、「従来のＩＴＯ膜では、結晶化によっても十分に抵抗が低下せず、あるいは、低抵抗化を実現するために、結晶化に長時間を要して生産性に劣るという問題があ」るため、「透明基材上に低抵抗のＩＴＯ膜が形成された透明導電性フィルムを生産性高く提供すること」を課題とする発明である。そうすると、甲１発明において、アモルファス透明導電層について、熱処理工程により「結晶性」に転化されるものに代えて、加熱処理した後も、低抵抗化が実現できないアモルファス、すなわち「非晶質性」が保持されるものとする動機付けとなる記載は甲１にはないし、また他の証拠にもない。加えて、甲１発明において加熱処理した後も、低抵抗化が実現できない「非晶質性」が保持されるものにすることは、甲１発明の課題からみて阻害要因があるともいえる。
＜相違点２＞について
　上記（１）ア（ア）ｅの表１より、甲１の例えば実施例１でＹａ＝２０．０ｃｍ２／Ｖ・ｓ、Ｙｃ＝２６．０ｃｍ２／Ｖ・ｓと示されるように、全ての実施例においてＹａ＜Ｙｃとなっている。よって、甲１発明のＹａとＹｃの関係は、本件特許発明の条件（１）Ｙａ≧Ｙｃに反するものである。
　そして、上記「＜相違点１＞について」で述べたように、甲１発明のアモルファス透明導電層について、熱処理工程により「結晶性」に転化されるものに代えて、低抵抗化が実現できない「非晶質性」が保持されるものとすることを当業者が容易に着想することができないのであるから、「非晶質性」を保持させるための条件（１）、（２）を設定することは、仮に、他の文献に条件（１）、（２）の記載があったとしても、そのようにする動機付けとなる記載は甲１にはなく、また他の証拠にもないし、加えて甲１発明の課題からみて阻害要因があるともいえる。
　したがって、本件特許発明１は、甲１発明、すなわち甲第１号証に記載された発明及び甲第２号証又は甲第３号証に記載された技術的事項に基いて当業者が容易に発明できたものではない。
イ　本件特許発明２及び本件特許発明３について
　本件特許発明２は、本件特許発明１に対して、さらに「Ｘａに対するＸｃの比（Ｘｃ／Ｘａ）が、１．０５以上１．８０以下」という技術的事項を追加したものである。また、本件特許発明３は、本件特許発明１又は本件特許発明２の光透過性導電フィルムを調光フィルムに用いると共に、調光フィルムが、「第１の光透過性導電フィルムと、調光機能層と、第２の光透過性導電フィルムとを順に備え」るという技術的事項を追加したものである。
　よって、上記アに示した理由と同様の理由により、本件特許発明２及び本件特許発明３は、上記甲第１号証に記載された発明及び甲第２号証又は甲第３号証に記載された技術的事項に基いて当業者が容易に発明できたものではない。
（３）特許異議申立人の主張
　特許異議申立人は、特許異議申立書において、「甲第１号証の段落［００２４］には、『本明細書においては、塩酸への浸漬・水洗・乾燥後に、１５ｍｍ間の端子間抵抗が１０ｋΩを超える場合に、ＩＴＯがアモルファスであるものとする。』ことが記載されている。したがって、甲第１号証には、構成Ｇ『被加熱光透過性導電層は、塩酸（２０℃、濃度：５質量％）に浸漬・水洗・乾燥した後に、前記被加熱光透過性導電層における１５ｍｍ間の端子間抵抗が１０ｋΩ以上であるような非晶質である』ことが記載されている」ことを前提として本件特許発明の進歩性欠如を主張している。
　しかしながら、甲１において、アモルファスである状態は、あくまでも加熱前の状態であって、上記（２）アで検討したように、加熱された後の被加熱光透過性導電層は、「結晶性」である。
　よって、特許異議申立人の主張は失当である。
（４）申立理由１のまとめ
　以上のとおり、本件特許発明１ないし本件特許発明３は、甲第１号証に記載された発明及び甲第２号証又は甲第３号証に記載された技術的事項に基いて当業者が容易に発明できたものではないから、本件特許発明１ないし本件特許発明３についての特許は、特許法第２９条第２項に違反してされたものではなく、特許異議申立人が主張する進歩性に係る申立理由１は、理由がない。
２　申立理由２（実施可能要件違反）について
（１）実施可能要件の判断基準
　物の発明の実施可能要件を充足するためには、発明の詳細な説明に、当業者が、発明の詳細な説明の記載及び出願時の技術常識に基づいて、過度の試行錯誤を要することなく、その物を生産し、使用することができる程度の記載があることを要する。
　これを踏まえ、以下検討する。
（２）発明の詳細な説明の記載
　本件特許明細書の発明の詳細な説明には、概略、次の記載がある（下線については、当審において付与したものである。）。
ア「【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
　ところで、透明電極に用いられるＩＴＯ層などの導電性金属酸化物層は、その形成過程により、結晶構造または非晶質構造（アモルファス）を有する。例えば、スパッタリングなどにより導電性金属酸化物層を支持基材に形成する場合は、非晶質の導電性金属酸化物層が形成される。この非晶質の導電性金属酸化物は、熱により結晶構造へと転化させることができる。
【０００７】
　一般的に、透明電極には、表面抵抗値が低い結晶性の導電性金属酸化物層が用いられている。
【０００８】
　しかし、結晶性の導電性金属酸化物層は、耐クラック性や耐擦傷性に劣る不具合がある。特に、調光フィルムは、その用途から大面積のフィルムとして用いられることが多いため、その成形や加工、運搬の過程で、クラックや傷が生じる可能性が高い。そのため、調光フィルムでは、非晶質性の導電性金属酸化物層の要求が高い。
【０００９】
　しかし、このような非晶質性の導電性金属酸化物を調光フィルムの透明電極として用いると、外気または日光に暴露されるため、熱により、局部的にまたは全面的に、結晶性の導電性金属酸化物へ自然転化し、表面抵抗が変化する。その結果、調光フィルム面内において表面抵抗のムラが生じ、調光にばらつきが生じるおそれがある。
【００１０】
　
本発明の目的は、耐クラック性および熱安定性に優れる光透過性導電フィルムおよび調光フィルムを提供することにある。
イ「【発明の効果】
【００１５】
　
本発明の光透過性導電フィルムは、光透過性基材と、非晶質光透過性導電層とを備えるため、耐クラック性に優れる。また、非晶質光透過性導電層が所定の条件を満たすため、熱による光透過性導電層の抵抗率変化を抑制することができ、熱安定性に優れる。
【００１６】
　また、本発明の調光フィルムは、耐クラック性に優れるため、加工性や運搬性が良好である。また、熱安定性に優れているため、調光のばらつきを長期間低減できる。」
ウ「【００５１】
　スパッタリング法で用いられるガスとしては、例えば、Ａｒなどの不活性ガスが挙げられる。また、この方法では、酸素ガスなどの反応性ガスを併用する。反応性ガスの流量の、不活性ガスの流量に対する比（反応性ガスの流量（ｓｃｃｍ）／不活性ガスの流量（ｓｃｃｍ））は、例えば、０．１／１００以上５／１００以下である。
【００５２】
　
この方法では、特に、酸素ガス量を調整することにより、後述する特性の光透過性導電フィルム１を得ることができる。
【００５３】
　すなわち、例えば、スパッタリング法により、非晶質光透過性導電層３としてＩＴＯ層を形成する場合を例に挙げると、スパッタリング法により得られるＩＴＯ層は、一般的に、非晶質のＩＴＯ層として成膜される。このとき、非晶質ＩＴＯ層内部に導入される酸素導入量により、非晶質ＩＴＯ層の膜質が変化する。具体的には、非晶質ＩＴＯ層内部に導入される酸素導入量が、適量よりも少ない場合（酸素不足状態）では、大気雰囲気下での加熱により結晶質へと転化し、その結果、加熱後の表面抵抗値が大きく低減する。一方、非晶質ＩＴＯ層に含有される酸素導入量が、適量であると、大気雰囲気下での加熱を経た場合であっても非晶質構造を維持し、抵抗変化率は小さい。他方、非晶質ＩＴＯに含有される酸素導入量が適量より過剰であると、大気雰囲気下での加熱により非晶質構造を維持するが、加熱後の表面抵抗値が大きく増大し、抵抗変化率が大きい。
【００５４】
　上記の理由は、以下のように推察される。なお、本発明は、以下の理論に限定されるものではない。非晶質ＩＴＯ層に含まれる酸素量が少ない場合（酸素不足状態）では、非晶質ＩＴＯ層は、その構造において多数の酸素欠損部を有しているため、ＩＴＯ膜を構成する各原子が熱振動により動きやすく、最適構造をとりやすい。そのため、大気雰囲気下での加熱により、酸素を酸素欠損部に適度に取り込みながら、最適構造（結晶質構造）を取り、その結果、表面抵抗値が大きく低減する。一方、非晶質ＩＴＯに含有される酸素導入量が、適量範囲であると、非晶質ＩＴＯ層に酸素欠損部が生じにくい。即ち、酸素の適量範囲とは、非晶質ＩＴＯが化学量論組成をとりやすい範囲を示す。酸素量が適量であると、非晶質ＩＴＯは大気雰囲気下で加熱した場合であっても、酸素欠損部が少ない為、過度に酸化することなく、良質な非晶質構造を維持する。他方、非晶質ＩＴＯに含有される酸素導入量が過剰である場合、非晶質ＩＴＯ膜内に含まれる酸素原子は不純物として作用する。不純物原子は、好適な含有水準を超えると中性子散乱の要因となり、表面抵抗値を増大させる。そのため、非晶質ＩＴＯに含有される酸素導入量が過剰であると、加熱によりＩＴＯ内の酸素量が更に過剰となり、表面抵抗値が大きく増大すると推察される。
【００５５】
　具体的には、例えば、ＩＴＯ内に含有される酸素量が適量範囲となるように、チャンバーに供給する酸素ガスの供給割合を調整する。
【００５６】
　酸素ガスの供給割合の好適値は、真空装置のスパッタリング電源や磁場強度、チャンバー容積などの設備的要因、光透過性基材２に微小に含有される反応性ガス量（水など）などの材料的要因に応じて、適宜設定される。例えば、反応性ガスを含有する高分子フィルムと、反応性ガスを含有しないガラス基材とでは、酸素ガス供給量を低減できるため、高分子フィルムが好ましい。また、磁場強度および電源はＯ２プラズマの生成量に関係するため、採用する磁場強度、電源により酸素ガス供給量は変化するが、光透過性基材２にかかる熱量を低減し非晶質性を高める観点から、低磁場であることが好ましく、また、成膜レートの観点から、直流電源が好ましい。
【００５７】
　具体的には、例えば、光透過性基材２として高分子フィルムを用い、
水平磁場強度を１〜５０ｍＴ（好ましくは、２０〜４０ｍＴ）の低磁場強度とし、直流電源を採用した場合、Ａｒガスに対する酸素ガスの割合（Ｏ２／Ａｒ）は、例えば、０．０２２以上、好ましくは、０．０２５以上、より好ましくは、０．０２８以上であり、また、例えば、０．０３６以下、好ましくは、０．０３５以下、より好ましくは、０．０３４以下である。
【００５８】
　また、例えば、光透過性基材２として高分子フィルムを用い、
水平磁場強度を５０〜２００ｍＴ（好ましくは、８０〜１２０ｍＴ）の高磁場強度とし、直流電源を採用した場合、Ａｒガスに対する酸素ガスの割合（Ｏ２／Ａｒ）は、例えば、０．０１８以上、好ましくは、０．０２０以上、より好ましくは、０．０２２以上であり、また、例えば、０．０３５以下、好ましくは、０．０３４以下、より好ましくは、０．０３３以下、さらに好ましくは、０．０２５以下である。
エ「【００７１】
　また、非晶質光透過性導電層３のキャリア密度（Ｘａ×１０１９／ｃｍ３）と、被加熱光透過性導電層とのキャリア密度（Ｘｃ×１０１９／ｃｍ３）とでは、Ｘａ≦Ｘｃの式（１）を満たし、好ましくは、Ｘａ＜Ｘｃの式（１´）を満たす。
Ｘａ＞Ｘｃの関係を満たすと、非晶質光透過性導電層３は、表面抵抗値が大きく増加するため、加熱時の安定性に劣る。
【００７２】
　特に、加熱前後のキャリア密度の比、すなわち、Ｘａに対するＸｃの比（Ｘｃ／Ｘａ）は、好ましくは、１．００を超過し、より好ましくは、１．０５以上、さらに好ましくは、１．１０以上である。また、好ましくは、２．００未満であり、より好ましくは、１．８０以下である。上記比を上記範囲とすることにより、加熱による抵抗変化を確実に抑制し、熱安定性がより一層優れる。
【００７３】
　非晶質光透過性導電層３のホール移動度（Ｙａ　ｃｍ２／Ｖ・ｓ）と、被加熱光透過性導電層とのホール移動度（Ｙａ　ｃｍ２／Ｖ・ｓ）とでは、Ｙａ≧Ｙｃの式（２）を満たし、好ましくは、Ｙａ＞Ｙｃの式（２´）を満たす。
Ｙａ＜Ｙｃの関係を満たすと、非晶質光透過性導電層３は、加熱処理により結晶化して表面抵抗値が大きく低下しやすく、その結果、加熱時の安定性に劣る。
【００７４】
　特に、加熱前後のホール移動度の比、すなわち、Ｙａに対するＹｃの比（Ｙｃ／Ｙａ）は、好ましくは、１．００未満であり、より好ましくは、０．７５以下である。また、好ましくは、０．５０を超過し、より好ましくは、０．６０以上である。上記比を上記範囲とすることにより、加熱による抵抗変化を確実に抑制し、熱安定性がより一層優れる。
・・・＜略＞・・・
【００７６】
　また、加熱前後のキャリア密度の比（Ｘｃ／Ｘａ）と、加熱前後のホール移動度の比（Ｙｃ／Ｙａ）との積、すなわち、（Ｙｃ／Ｙａ）×（Ｘｃ／Ｘａ）は、例えば、０．５０以上、好ましくは、０．６５以上、さらに好ましくは、０．７５以上であり、また、例えば、１．８０以下、好ましくは、１．５０以下、さらに好ましくは、１．３０以下である。
加熱前後のキャリア密度の比率およびホール移動度の比率を上記一定の範囲内とすることにより、結晶性を抑制することができ、また、抵抗変化を抑制することができる。
・・・＜略＞・・・
【００７９】
　また、加熱前の非晶質光透過性導電層３および被加熱光透過性導電層における、ホール移動度およびキャリア密度が、所定の条件を満たすため、熱による非晶質光透過性導電層３の抵抗率の変化が抑制することができ、熱安定性に優れる。
【００８０】
　
特に、本発明者らは、非晶質光透過性導電層３の比抵抗は、ホール移動度とキャリア密度との掛け算に反比例することから、加熱による抵抗変化を小さくするには、加熱前後でホール移動度の挙動とキャリア密度の挙動とが逆になるよう、非晶質光透過性導電層３の膜質を設計する必要があるという着想に至り、本発明に至った。つまり、本発明の非晶質光透過性導電層３が上記式（１）〜（３）を満たす、すなわち、非晶質光透過性導電層３において、加熱処理後のホール移動度を小さくさせ、加熱後のキャリア密度を大きくさせ、移動距離Ｌを小さくさせるよう膜設計を実施することにより、加熱前後の比抵抗の値の変化を抑制させる。その結果、加熱による抵抗変化が少なく、熱安定性に優れる。
オ「【０１００】
　実施例１
　厚み１８８μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム（三菱樹脂製、品名「ダイアホイル」）を準備し、光透過性基材とした。
【０１０１】
　ＰＥＴフィルムをロールトゥロール型スパッタリング装置に設置し、真空排気した。その後、ＡｒおよびＯ２を導入して気圧０．４Ｐａとした真空雰囲気において、ＤＣマグネトロンスパッタリング法により、厚み６５ｎｍのＩＴＯからなる光透過性導電層を製造した。ＩＴＯは、非晶質であった。
【０１０２】
　なお、ターゲットとして、１０質量％の酸化スズと９０質量％の酸化インジウムとの焼結体を用い、マグネットの水平磁場は３０ｍＴに調節した。Ａｒ流量に対するＯ２流量の比（Ｏ２／Ａｒ）は、０．０３４２に調節した。
【０１０３】
　実施例２
　Ａｒ流量に対するＯ２流量の比（Ｏ２／Ａｒ）を０．０３３３とした以外は、実施例１と同様にして光透過性導電フィルム（ＩＴＯ厚み：６５ｎｍ）を製造した。
【０１０４】
　実施例３
　Ａｒ流量に対するＯ２流量の比（Ｏ２／Ａｒ）を０．０３２７とした以外は、実施例１と同様にして光透過性導電フィルム（ＩＴＯ厚み：６５ｎｍ）を製造した。
【０１０５】
　実施例４
　Ａｒ流量に対するＯ２流量の比（Ｏ２／Ａｒ）を０．０２９６とした以外は、実施例１と同様にして光透過性導電フィルム（ＩＴＯ厚み：６５ｎｍ）を製造した。
【０１０６】
　実施例５
　Ａｒ流量に対するＯ２流量の比（Ｏ２／Ａｒ）を０．０２８９とした以外は、実施例１と同様にして光透過性導電フィルム（ＩＴＯ厚み：６５ｎｍ）を製造した。
【０１０７】
　実施例６
　Ａｒ流量に対するＯ２流量の比（Ｏ２／Ａｒ）を０．０２８０とした以外は、実施例１と同様にして光透過性導電フィルム（ＩＴＯ厚み：６５ｎｍ）を製造した。
【０１０８】
　実施例７
　Ａｒ流量に対するＯ２流量の比（Ｏ２／Ａｒ）を０．０２６４とした以外は、実施例１と同様にして光透過性導電フィルム（ＩＴＯ厚み：６５ｎｍ）を製造した。
【０１０９】
　実施例８
　Ａｒ流量に対するＯ２流量の比（Ｏ２／Ａｒ）を０．０３５８とした以外は、実施例１と同様にして光透過性導電フィルム（ＩＴＯ厚み：６５ｎｍ）を製造した。
【０１１０】
　実施例９
　厚み５０μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム（三菱樹脂製、品名「ダイアホイル」）を光透過性基材とした。
【０１１１】
　前記光透過性基材上に、マグネットの水平磁場を１００ｍＴとし、成膜気圧を０．３Ｐａとし、Ａｒ流量に対するＯ２流量の比（Ｏ２／Ａｒ）を０．０２２３とし、厚み３０ｎｍのＩＴＯ層を形成した以外は、実施例１と同様にして、光透過性導電フィルムを製造した。
【０１１２】
　実施例１０
　Ａｒ流量に対するＯ２流量の比（Ｏ２／Ａｒ）を０．０３３８とした以外は、実施例１と同様にして光透過性導電フィルム（ＩＴＯ厚み：６５ｎｍ）を製造した。
【０１１３】
　比較例１
　Ａｒ流量に対するＯ２流量の比（Ｏ２／Ａｒ）を０．０３７３とした以外は、実施例１と同様にして光透過性導電フィルム（ＩＴＯ厚み：６５ｎｍ）を製造した。
【０１１４】
　比較例２
　気圧を０．４Ｐａとし、Ａｒ流量に対するＯ２流量の比（Ｏ２／Ａｒ）を０．０１１４とした以外は、実施例９と同様にして、光透過性導電フィルム（ＩＴＯ厚み：３０ｎｍ）を製造した。
【０１１５】
　比較例３
　気圧を０．４Ｐａとし、Ａｒ流量に対するＯ２流量の比（Ｏ２／Ａｒ）を０．００７４とし、ＲＦ重畳ＤＣマグネトロンスパッタリング法（ＲＦ周波数１３．５６ＭＨｚ、ＤＣ電力に対するＲＦ電力の比（ＲＦ電力／ＤＣ電力）は０．２）を実施した以外は、実施例９と同様にして光透過性導電フィルム（ＩＴＯ厚み：３０ｎｍ）を製造した。
【０１１６】
　比較例４
　厚み５０μｍのＰＥＴフィルムを用い、Ａｒ流量に対するＯ２流量の比（Ｏ２／Ａｒ）を０．０２０１とし、ＩＴＯ層の厚みを３０ｎｍとした以外は、実施例１と同様にして光透過性導電フィルムを製造した。
【０１１７】
　各実施例および各比較例で得られた光透明性導電フィルムについて下記の測定を実施した。結果を表１および図３に示す。
・・・＜略＞・・・
【０１１９】
【表１】
」
（３）判断
ア　本件特許発明１ないし３について
　本件特許発明１は、光透過性基材と、非晶質光透過性導電層とを備える光透過性導電フィルムにおいて、「前記非晶質光透過性導電層のキャリア密度をＸａ×１０１９（／ｃｍ３）、ホール移動度をＹａ（ｃｍ２／Ｖ・ｓ）とし、
　前記非晶質光透過性導電層を大気環境下で加熱処理した後の被加熱光透過性導電層のキャリア密度をＸｃ×１０１９（／ｃｍ３）、ホール移動度をＹｃ（ｃｍ２／Ｖ・ｓ）としたとき、
　下記（１）〜（３）の条件を満たし、
　前記被加熱光透過性導電層は、塩酸（２０℃、濃度：５質量％）に浸漬・水洗・乾燥した後に、前記被加熱光透過性導電層における１５ｍｍ間の端子間抵抗が１０ｋΩ以上であるような非晶質であること
（１）　Ｙａ≧Ｙｃ
（２）　０．６５≦（Ｙｃ／Ｙａ）×（Ｘｃ／Ｘａ）≦１．８
（３）　Ｘａ≦Ｘｃ」を発明特定事項とするものである。
　そして、上記（２）ウには、「【００５２】
　
この方法では、特に、酸素ガス量を調整することにより、後述する特性の光透過性導電フィルム１を得ることができる。
・・・＜略＞・・・
【００５７】
　具体的には、例えば、光透過性基材２として高分子フィルムを用い、
水平磁場強度を１〜５０ｍＴ（好ましくは、２０〜４０ｍＴ）の低磁場強度とし、直流電源を採用した場合、Ａｒガスに対する酸素ガスの割合（Ｏ２／Ａｒ）は、例えば、０．０２２以上、好ましくは、０．０２５以上、より好ましくは、０．０２８以上であり、また、例えば、０．０３６以下、好ましくは、０．０３５以下、より好ましくは、０．０３４以下である。
【００５８】
　また、例えば、光透過性基材２として高分子フィルムを用い、
水平磁場強度を５０〜２００ｍＴ（好ましくは、８０〜１２０ｍＴ）の高磁場強度とし、直流電源を採用した場合、Ａｒガスに対する酸素ガスの割合（Ｏ２／Ａｒ）は、例えば、０．０１８以上、好ましくは、０．０２０以上、より好ましくは、０．０２２以上であり、また、例えば、０．０３５以下、好ましくは、０．０３４以下、より好ましくは、０．０３３以下、さらに好ましくは、０．０２５以下である。
　そして、上記（２）オの実施例・比較例について見てみると、３０ｍＴの低磁場強度でＯ２／Ａｒの上記数値範囲に設定した、実施例７（０．０２６４）、実施例６（０．０２８０）、実施例５（０．０２８９）、実施例４（０．０２９６）、実施例３（０．０３２７）、実施例２（０．０３３３）、実施例１０（０．０３３８）、実施例１（０．０３４２）、実施例８（０．０３５８）、１００ｍＴの高磁場強度でＯ２／Ａｒの上記範囲に設定した実施例９（０．０２２３）は、本件特許発明１に係る条件（１）〜（３）を満足するものであって、大気環境下で加熱処理した後も「非晶質」の光透過性導電フィルムが得られていることが示されている。一方、上記数値範囲外に設定した比較例では、本件特許発明１に係る光透過性導電フィルムが得られていないことが示されている。
　してみると、本件特許明細書の発明の詳細な説明の記載は、本件特許発明１に係る光透過性導電フィルムを得るために、当業者が明細書及び図面の記載並びに出願時の技術常識を考慮して、当業者に期待し得る程度を超える試行錯誤を必要とするものとはいえない。　
　また、本件特許発明１に従属する本件特許発明２及び３についても同様である。
イ　特許異議申立人の主張
　特許異議申立人は、特許異議申立書において、「本件発明は、実施例１〜１０は、いずれも、１０質量％の酸化スズと９０質量％の酸化インジウムとの焼結体を用い（段落［０１０２］）、Ａｒ流量に対するＯ２流量の比（Ｏ２／Ａｒ）を変化させることで、本件特許のパラメータを満たすことを記載している（併せて、表１参照）。・・・＜略＞・・・一方、本件特許の請求項１には、Ａｒ流量に対するＯ２流量の比（Ｏ２／Ａｒ）が記載されておらず、当業者は、本件請求項１の記載からどのようすれば本件発明の構成及び効果を導けるのか理解できないし、請求項１の記載から本件発明を実施することは、当業者に期待し得る程度を超える過度の試行錯誤を強いるものであり、本件発明を実施できない。
　更に、本件の明細書には、特定の手段による発明が記載されているのみであり、出願時の技術常識に照らしても、請求項に係る範囲まで、発明の詳細な説明において記載された内容を拡張ないし一般化できるとはいえない。」と主張し（以下、「主張１」という。）、また
「甲第２号証の第１ページ緒言には、『液晶ディスプレー、パーソナルコンピューター、携帯電話等において、透明導電膜が重要な役割を担っている』ことが記載されている。
　しかし、『液晶ディスプレー、パーソナルコンピューター、携帯電話等』の用途においては、『光透過性導電フィルム』は、通常のフィルムと同様に可撓性を示すものであり、クラックは生じにくい。
　よって、本件特許における『光透過性導電フィルム』は、どのような膜厚で、どのような大きさのフィルムであるため、クラックが生じるのか、当業者は理解できない。
　また、本件特許は、発明の詳細な記載、解決課題、効果等を考慮すると、『調光フィルム』としての発明であることは明確であり、甲第２号証に示すように、『液晶ディスプレー、パーソナルコンピューター、携帯電話等』のような、調光フィルムとは大きく異なる特性を示し得る『光透過性導電フィルム』に対し、本件発明を実施するとなれば、当業者が期待し得る程度を超える試行錯誤、複雑高度な実験等をする必要がある。
　よって、当業者は、どのように本件発明を実施すれば、液晶ディスプレーに等に適用できる『光透過性導電フィルム』が得られるのか、理解できないし、実施できない。
　したがって、本件特許発明の請求項１、２に係る発明は、明細書の記載及びに出願時の技術常識をも考慮すると、『調光フィルム』の用途に適した『光透過性導電フィルム』のみが記載されており、ＩＴＯ膜を有する様々な態様に実施することはできない。」と主張している（以下、「主張２」という。）ため、以下検討する。
（ア）主張１について
　上記（１）に示したように、発明の詳細な説明に、当業者が、発明の詳細な説明の記載及び出願時の技術常識に基づいて、過度の試行錯誤を要することなく、その物を生産し、使用することができる程度の記載があれば、物の発明の実施可能要件を充足する。
　そして、上記アで検討したように、本件特許の発明の詳細な説明は、既に実施可能要件を充足するものであるから、Ａｒ流量に対するＯ２流量の比（Ｏ２／Ａｒ）に対する特許請求の範囲における記載の有無は、実施可能要件の適否の判断を何ら左右するものではない。
　よって、特許異議申立人の主張１を採用することができない。
（イ）主張２について
　本件特許発明に係る光透過性導電フィルムは、耐クラック性に優れ、また、非晶質光透過性導電層が所定の条件を満たすため、熱による光透過性導電層の抵抗率変化を抑制することができ、熱安定性に優れる旨（上記（２）イ）記載されているのであるから、調光フィルム以外の液晶ディスプレー、パーソナルコンピューター、携帯電話等の用途においても、過度の試行錯誤なく適用し得るものであり、もって耐クラック性に優れた液晶ディスプレー、パーソナルコンピューター、携帯電話等が製造できるといえる。
　よって、特許異議申立人の主張２も採用することができない。
（４）申立理由２のまとめ
　本件特許の発明の詳細な説明の記載は、いわゆる実施可能要件を満たすと判断されるから、特許異議申立人が主張する特許法第３６条第４項第１号の規定により特許を受けることができないとする申立理由２は、理由がない。
３　申立理由３（サポート要件違反）について
（１）サポート要件の判断基準
　特許請求の範囲の記載が、サポート要件に適合するか否かは、特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載とを対比し、特許請求の範囲に記載された発明が、発明の詳細な説明に記載された発明で、発明の詳細な説明の記載により当業者が当該発明の課題を解決できると認識できる範囲のものであるか否か、また、その記載や示唆がなくとも当業者が出願時の技術常識に照らし当該発明の課題を解決できると認識できる範囲のものであるか否かを検討して判断すべきものである。
（２）　本件特許明細書の発明の詳細な説明の記載
　上記２（２）に記載のとおりである。
（３）判断
ア　本件特許発明１ないし３について
　本件特許発明の課題は、上記２（２）アの記載より、耐クラック性および熱安定性に優れる光透過性導電フィルムおよび調光フィルムを提供することである。
　一方、上記２（２）エには、「【００７１】
　また、非晶質光透過性導電層３のキャリア密度（Ｘａ×１０１９／ｃｍ３）と、被加熱光透過性導電層とのキャリア密度（Ｘｃ×１０１９／ｃｍ３）とでは、Ｘａ≦Ｘｃの式（１）を満たし、好ましくは、Ｘａ＜Ｘｃの式（１´）を満たす。
Ｘａ＞Ｘｃの関係を満たすと、非晶質光透過性導電層３は、表面抵抗値が大きく増加するため、加熱時の安定性に劣る。
【００７２】
　特に、加熱前後のキャリア密度の比、すなわち、Ｘａに対するＸｃの比（Ｘｃ／Ｘａ）は、好ましくは、１．００を超過し、より好ましくは、１．０５以上、さらに好ましくは、１．１０以上である。また、好ましくは、２．００未満であり、より好ましくは、１．８０以下である。上記比を上記範囲とすることにより、加熱による抵抗変化を確実に抑制し、熱安定性がより一層優れる。
【００７３】
　非晶質光透過性導電層３のホール移動度（Ｙａ　ｃｍ２／Ｖ・ｓ）と、被加熱光透過性導電層とのホール移動度（Ｙａ　ｃｍ２／Ｖ・ｓ）とでは、Ｙａ≧Ｙｃの式（２）を満たし、好ましくは、Ｙａ＞Ｙｃの式（２´）を満たす。
Ｙａ＜Ｙｃの関係を満たすと、非晶質光透過性導電層３は、加熱処理により結晶化して表面抵抗値が大きく低下しやすく、その結果、加熱時の安定性に劣る。
【００７４】
　特に、加熱前後のホール移動度の比、すなわち、Ｙａに対するＹｃの比（Ｙｃ／Ｙａ）は、好ましくは、１．００未満であり、より好ましくは、０．７５以下である。また、好ましくは、０．５０を超過し、より好ましくは、０．６０以上である。上記比を上記範囲とすることにより、加熱による抵抗変化を確実に抑制し、熱安定性がより一層優れる。
・・・＜略＞・・・
【００７６】
　また、加熱前後のキャリア密度の比（Ｘｃ／Ｘａ）と、加熱前後のホール移動度の比（Ｙｃ／Ｙａ）との積、すなわち、（Ｙｃ／Ｙａ）×（Ｘｃ／Ｘａ）は、例えば、０．５０以上、好ましくは、０．６５以上、さらに好ましくは、０．７５以上であり、また、例えば、１．８０以下、好ましくは、１．５０以下、さらに好ましくは、１．３０以下である。
加熱前後のキャリア密度の比率およびホール移動度の比率を上記一定の範囲内とすることにより、結晶性を抑制することができ、また、抵抗変化を抑制することができる。
・・・＜略＞・・・
【００７９】
　また、加熱前の非晶質光透過性導電層３および被加熱光透過性導電層における、ホール移動度およびキャリア密度が、所定の条件を満たすため、熱による非晶質光透過性導電層３の抵抗率の変化が抑制することができ、熱安定性に優れる。
【００８０】
　
特に、本発明者らは、非晶質光透過性導電層３の比抵抗は、ホール移動度とキャリア密度との掛け算に反比例することから、加熱による抵抗変化を小さくするには、加熱前後でホール移動度の挙動とキャリア密度の挙動とが逆になるよう、非晶質光透過性導電層３の膜質を設計する必要があるという着想に至り、本発明に至った。つまり、本発明の非晶質光透過性導電層３が上記式（１）〜（３）を満たす、すなわち、非晶質光透過性導電層３において、加熱処理後のホール移動度を小さくさせ、加熱後のキャリア密度を大きくさせ、移動距離Ｌを小さくさせるよう膜設計を実施することにより、加熱前後の比抵抗の値の変化を抑制させる。その結果、加熱による抵抗変化が少なく、熱安定性に優れる。
　また、上記２（２）オの実施例・比較例について見てみると、本件特許発明１に係る発明特定事項である条件（１）〜（３）を満足する実施例は、大気環境下で加熱処理した後も熱安定性に優れ、もって「非晶質」が維持されるため、耐クラック性に優れ、本件特許発明の上記課題が解決されることがされている一方、条件（１）〜（３）を満足しない比較例は、本件特許発明の課題が解決されていない。
　そして、本件特許発明１は、条件（１）〜（３）を発明特定事項とするものである。
　してみると、本件特許発明１は、本件特許明細書の発明の詳細な説明により当業者が上記課題を解決できると認識できる範囲のものである。
　また、本件特許発明１に従属する本件特許発明２及び３についても同様である。
イ　特許異議申立人の主張
　特許異議申立人は、上記２（３）イに記載と同様の理由をもって本件特許に対するサポート要件違反を主張しているため、以下検討する。
（ア）主張１について
　上記アで検討したように、特許請求の範囲における、Ａｒ流量に対するＯ２流量の比（Ｏ２／Ａｒ）の特定の有無が、サポート要件の判断を左右するものではない。
　よって、特許異議申立人の主張１を採用することができない。
（イ）主張２について
　本件特許発明の上記課題である耐クラック性を向上させることは、液晶ディスプレー、パーソナルコンピューター、携帯電話等の調光フィルム以外の用途においても共通する課題と認められる。
　してみると、出願時の技術常識に照らして、調光フィルム以外に、液晶ディスプレー、パーソナルコンピューター、携帯電話等のその他の用途を包含する光透過性導電フィルムにまで、発明の詳細な説明に開示された内容を拡張ないし一般化できるといえる。
　よって、特許異議申立人の主張２も採用することができない。
（４）申立理由３のまとめ
　本件特許発明１ないし本件特許発明３に係る本件特許の請求項１ないし３の記載は、いわゆるサポート要件を満たすと判断されるから、特許異議申立人が主張する特許法第３６条第６項第１号の規定により特許を受けることができないとする申立理由３は、理由がない。
第５　むすび
　したがって、特許異議の申立ての理由及び証拠によっては、本件特許の請求項１ないし３に係る特許を取り消すことはできない。　
　また、ほかに本件特許の請求項１ないし３に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
令和２年１１月１３日（２０２０．１１．１３）