【事件の表示】
　特願２００８−１１８１２９「光学素子及びそれを用いた光アイソレータ」拒絶査定不服審判事件〔平成２１年１１月１２日出願公開、特開２００９−２６５５４５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　本願発明
　本願は、平成２０年４月３０日の出願であって、その請求項に係る発明は、平成２４年１月５日に補正された特許請求の範囲の請求項１ないし２に記載された事項により特定されるものと認められるところ、請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次のとおりのものである。
　
「少なくとも、ファラデー回転子の光透過面の両側に、表面に形状異方性粒子が配向分散された偏光ガラスが、光透過面で接着層を介して貼り合わされた光学素子であって、
　前記偏光ガラスは、前記貼り合わせ面側の片側表面にのみ前記形状異方性粒子が配向分散されたものであり、
　前記ファラデー回転子のそれぞれの貼り合わせ面の表面からそれぞれの前記偏光ガラスの形状異方性粒子が配向分散された面までの距離ｔが、５μｍ≦ｔ≦２０μｍの関係を満たすものであることを特徴とする光学素子。」
　　
２　刊行物の記載
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願前に頒布された刊行物である特開２０００−３１０７５０号公報（以下「引用刊行物」という。）には、以下の記載がある（下線は、当審で付した。）。
　
「【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について図面に基づき詳細に説明する。
【００１６】図１に示すように、
光アイソレータＳは、ファラデー効果が生じる磁気光学体１の光入出射面１ａ，１ｂに、偏光子２，３が透光性を有する接着材４，５を介して接合されて成る
【００１７】ここで、磁気光学体１は液相エピタキシャル法などにより育成されたビスマス置換ガドリウム・鉄・ガーネット（ＧｄＢｉ）3 Ｆｅ5 Ｏ12膜や、ビスマス置換ガドリウム・鉄・アルミニウム・ガリウム・ガーネット（ＧｄＢｉ）3 （ＦｅＡｌＧａ）5 Ｏ12膜、磁性微粒子を半導体中に分散させたもの、あるいは磁性体と誘電体を交互に積層した磁気誘電体多層膜等を使用し、その厚みは３００μｍ未満とする。なお、この磁気光学体１にはファラデー回転子を成すために磁石を周囲に配設するものでもよいし、自発磁化を有する材料を使用して磁石を不要としたものでもよい。
【００１８】また、
偏光子２，３はそれぞれ、
ほう珪酸塩ガラス等から成る誘電体基板６，７の各一主面上に
光吸収異方性を有する金属粒子８ａが多数分散された金属粒子層（島状金属層）８，１０と、上記基板６，７と同様な材質から成る誘電体層９，１１を交互に積層させて成る偏光層を有するものであり
基板６，７の他主面には、
反射防止膜を０．１〜１μｍ程度にスパッタリング等の薄膜形成法により形成
金属粒子層８，１０と誘電体層９，１１との交互積層により、金属粒子８ａは誘電体層９中に、金属粒子１０ａは誘電体層１１中に埋め込まれた状態となる。すなわち、誘電体中に金属粒子が分散された状態となる
【００１９】
金属粒子８ａと１０ａはそれらの長軸が互いに４５°異なるように形成されており、最適な消光比を得るために、個数密度は３〜３５個／μｍ
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，アスペクト比は１〜３０程度とする
【００２０】そして、これら偏光子２，３は透光性で厚みが１〜３μｍ程度のＵＶ硬化樹脂，エポキシ系樹脂等の接着材４，５を介して磁気光学体１の入出射面に接合される。なお、このような接着材４，５を使用せずに、磁気光学体１と偏光子２，３との間の複数箇所に点状に半田や低融点ガラス等の接着材を付着させて磁気光学体１と偏光子２，３を接続するようにしてもよい。
【００２１】上記のように構成されタ光アイソレータＳは、光の順方向においては入射光Ｌ１はＬ２となり、光の伝播方向に対しては光を殆ど減衰することなく伝送させ、その反対方向（逆方向）には光を伝送しないようにすることができる。なお、光アイソレータＳの原理については、既に図４（ａ），（ｂ）を用いて説明したので説明を省略する。
【００２２】光アイソレータＳは以下のような方法で作製する。
【００２３】まず、スパッタ装置等の薄膜形成装置を用いて、基板６，７上に金属粒子層（島状金属層）８，１０を成膜する。次に、誘電体層９，１１を成膜するが、誘電体層９，１１の材質としては、基板６，７と同じ材質が好ましい。なぜならば、基板６，７の材料と誘電体層１５の材質が異なると、熱膨張係数の違いから膜応力が発生し、その結果、誘電体層間で剥離が生じ、金属粒子８ａ，１０ａに異方性（光吸収異方性）を付与することができないためである。
【００２４】金属粒子層８，１０と誘電体層９，１１を所望の消光比が得られるように交互に積層させる。４０ｄＢ以上の消光比が得られ且つ剥離しないようにするために好ましくは５層〜２０層程度が良い。さらに、基板６，７の軟化点付近（６１０〜６５０℃）にて加熱しながら延伸を行うことにより、金属粒子８ａ，１０ａに異方性を付与し、所望の偏光特性を得る。
【００２５】また、１層あたりの誘電体層９，１１の厚さは、１０ｎｍ〜１００ｎｍ程度が好ましい。なぜならば、１０ｎｍ以下では、金属粒子を埋め込むことができず、大きな異方性を付与できず、また、１００ｎｍ以上では、膜の応力が大きくなることにより剥離が生じ、積層が不可能となるからである。
【００２６】次に、
偏光子２，３をファラデー回転子を成す磁気光学体３と張り合わせ接合する。この接合は偏光子２，３の偏光層側を磁気光学体３側に向け接着する
【００２７】その後、偏光子２，３の基板６，７をＣＭＰ等の装置で研摩し、さらに、この研磨面にスパッタリングで反射防止膜１２，１３を被着形成させて、偏光子２，３の全体の厚みを２μｍ程度まで薄くすることができ、光アイソレータ全体の厚みを、ほぼ従来のファラデー回転子の限界の厚さに近い厚みにまで薄くすることができる。
【００２８】かくして、このように作製された光アイソレータは、偏光子２，３の厚さが２０μｍ以下となり、光アイソレータ自体の厚さも３００μｍ以下の厚さとすることが可能となる。」
　
３　引用発明
　上記２の引用刊行物の記載（特に下線を付した部分）によれば、引用刊行物には、
「ファラデー効果が生じる磁気光学体１の光入出射面１ａ，１ｂに、偏光子２，３が透光性を有する接着材４，５を介して接合されて成る光アイソレータであって、
　偏光子２，３はそれぞれ、ほう珪酸塩ガラス等から成る誘電体基板６，７の各一主面上に、光吸収異方性を有する金属粒子が多数分散された金属粒子層（島状金属層）８，１０と、上記基板６，７と同様な材質から成る誘電体層９，１１を交互に積層させて成る偏光層を有し、基板６，７の他主面には、反射防止膜を形成したものであり、
　金属粒子８ａは誘電体層９中に、金属粒子１０ａは誘電体層１１中に埋め込まれ、誘電体中に金属粒子が分散された状態となっており、
　金属粒子８ａと１０ａはそれらの長軸が互いに４５°異なるように形成されており、最適な消光比を得るために、個数密度は３〜３５個／μｍ2 ，アスペクト比は１〜３０程度であり、
　偏光子２，３の偏光層側を磁気光学体側に向け接着した光アイソレータ」（以下「引用発明」という。）
が記載されているものと認められる。
　　　　　
４　対比
　本願発明と引用発明を対比する。
　
（１）引用発明の「ファラデー効果が生じる磁気光学体１」が本願発明の「ファラデー回転子」に相当し、引用発明の「（ファラデー効果が生じる磁気光学体１の）光入出射面１ａ，１ｂ」が本願発明の「（ファラデー回転子の両側の）光透過面」に相当する。
　
（２）引用発明の「金属粒子」は、アスペクト比が１〜３０程度の長軸を有するものであるから「形状異方性粒子」といえ、引用発明の「偏光子２，３」は、ほう珪酸塩ガラス等から成る誘電体基板６，７の各一主面上において、前記金属粒子が基板６，７と同様な材質から成る誘電体層９，１１中に埋め込まれ、長軸の方向を揃えて分散されているから、本願発明の「表面に形状異方性粒子が配向分散された偏光ガラス」に相当する。
　
（３）そして、引用発明の「光アイソレータ」は、「ファラデー効果が生じる磁気光学体１の光入出射面１ａ，１ｂに、偏光子２，３が透光性を有する接着材４，５を介して接合されて成る」ものであるから、本願発明と同様に「少なくとも、ファラデー回転子の光透過面の両側に、表面に形状異方性粒子が配向分散された偏光ガラスが、光透過面で接着層を介して貼り合わされた光学素子」といえる。
　
（４）引用発明の「偏光子２，３」は、「誘電体基板６，７の各一主面上に…偏光層を有し、基板６，７の他主面には、反射防止膜を形成した」ものであり、前記「偏光層」側が「磁気光学体側に向け接着」されているから、引用発明は、本願発明と同様に「前記偏光ガラスは、前記貼り合わせ面側の片側表面にのみ前記形状異方性粒子が配向分散されたものであ」るといえる。
　
（５）以上によれば、両者は、
「少なくとも、ファラデー回転子の光透過面の両側に、表面に形状異方性粒子が配向分散された偏光ガラスが、光透過面で接着層を介して貼り合わされた光学素子であって、
　前記偏光ガラスは、前記貼り合わせ面側の片側表面にのみ前記形状異方性粒子が配向分散されたものである光学素子」である点で一致し、
「本願発明では、『前記ファラデー回転子のそれぞれの貼り合わせ面の表面からそれぞれの前記偏光ガラスの形状異方性粒子が配向分散された面までの距離ｔが、５μｍ≦ｔ≦２０μｍの関係を満たすものである』とされているのに対し、引用発明では、磁気光学体１の光入出射面１ａ，１ｂと偏光子２，３の金属粒子層８，１０との距離が不明である点。」（以下、単に「相違点」という。）
で相違するものと認められる。
　　　　
５　判断
（１）引用発明において、接着材４，５の厚みや金属粒子層８，１０に積層される誘電体層９，１１の厚さをどの程度のものとするかは、当業者が設計上適宜定めるべき事項であり、本願発明において特定される距離ｔは、これらの厚さによって定まるものと認められる。
　なお、引用刊行物の【００２０】及び【００２５】には、接着材４，５の厚みが１〜３μｍ程度、金属粒子層８，１０に積層される誘電体層９，１１の厚さが１０ｎｍ〜１００ｎｍ程度と記載されているが、引用発明における接着材４，５の厚みや金属粒子層８，１０に積層される誘電体層９，１１の厚さが、上記の程度のものでなければならないとは認められない。
　
（２）しかるところ、本願明細書及び図面全体を通じて見るに、これらの記載からは、距離ｔがそれぞれ、５、１０、２０、３０、４０、５０μｍの光学素子を製造し、そのアイソレーションを評価した結果、ｔが大きくなるほどアイソレーションが悪くなる一方、ｔが小さいほど高いアイソレーションとなることが理解でき、本願の図３によれば、ｔが５μｍより小さければ、さらに、高いアイソレーションとなるものと考えられるところである。
　そして、本願明細書及び図面には、距離ｔを５μｍ以上とすることについては、その技術的意義の説明はもとより、そのこと自体についての記載もない。
　請求人は、審判請求の理由において、アイソレーション機能の劣化について主張するが、根拠がない。
　したがって、本願発明においてｔを５μｍ以上とすることに技術的意義は認められない。
　　
（３）以上によれば、引用発明において、相違点に係る本願発明の特定事項とすることにつき、当業者が適宜定め得る設計的事項の域を超えるものとは認められない。
　
６　むすび
　以上のとおりであるから、本願発明は、当業者が引用発明に基づいて容易に発明をすることができたものと認められ、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。