【事件の表示】
　特願２００５−１３９２４９「半導体装置およびその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年１１月２４日出願公開，特開２００６−３１９０７９〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　
　本願は，平成１７年５月１２日の出願であって，平成２３年１２月２２日に手続補正がなされ，平成２４年２月６日付けで拒絶査定がされ，これに対して同年５月１４日に拒絶査定に対する審判請求がされるとともに，同日に手続補正がされ，その後同年７月２４日付けで審尋がされ，同年９月２８日に回答がされたものである。
　
第２ 補正の却下の決定
［補正の却下の決定の結論］
　平成２４年５月１４日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
１ 本件補正の内容
　平成２４年５月１４日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）は，補正前の特許請求の範囲の請求項１〜４を，補正後の特許請求の範囲の請求項１〜４と補正するとともに，補正前の明細書を補正するものであって，補正前後の特許請求の範囲は，以下のとおりである。　
　（補正前）
　「【請求項１】
第１導電型の半導体基板の外周部に酸素雰囲気での拡散で形成し，該半導体基板の表面から裏面に達する第２導電型の分離拡散領域を有する半導体装置において，
　前記半導体基板の形状が四角形であり，その面積が６４ｍｍ2 を超え，該半導体基板の一方の対の辺の長さを８ｍｍ以下とし，他方の対の辺の長さを８ｍｍを超える長さとし，半導体基板の中央から一方の対の辺への距離が４ｍｍ以下であることを特徴とする半導体装置。
　　【請求項２】
第１導電型の半導体基板の外周部に酸素雰囲気での拡散で形成した第２導電型の分離拡散領域と，前記半導体基板の裏面に形成され，前記分離拡散領域と接続する第２導電型の第１拡散領域と，前記分離拡散領域に囲まれた前記半導体基板の表面層に選択的に形成した第２導電型の第２拡散領域と，該第２拡散領域の表面層に選択的に形成した第１導電型の第３拡散領域と，該第３拡散領域と前記半導体基板に挟まれた前記第２拡散領域上にゲート絶縁膜を介して形成したゲート電極と，前記第３拡散領域と電気的に接続した第１主電極と，前記第１拡散領域と電気的に接続した第２主電極と，を備えた半導体装置において，
　前記半導体基板の形状が四角形であり，その面積が６４ｍｍ2 を超え，該半導体基板の一方の対の辺の長さを８ｍｍ以下とし，他方の対の辺の長さを８ｍｍを超える長さとし，半導体基板の中央から一方の対の辺への距離が４ｍｍ以下であることを特徴とする半導体装置。
　　【請求項３】
前記分離拡散領域がボロン拡散領域であることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置。
　　【請求項４】
第１導電型の半導体基板の外周部に酸素雰囲気での拡散で形成した第２導電型の分離拡散領域と，前記半導体基板の裏面に形成され，前記分離拡散領域と接続する第２導電型の第１拡散領域と，前記分離拡散領域に囲まれた前記半導体基板の表面層に選択的に形成した第２導電型の第２拡散領域と，該第２拡散領域の表面層に選択的に形成した第１導電型の第３拡散領域と，該第３拡散領域と前記半導体基板に挟まれた前記第２拡散領域上にゲート絶縁膜を介して形成したゲート電極と，前記第３拡散領域と電気的に接続した第１主電極と，前記第１拡散領域と電気的に接続した第２主電極とを備え，前記半導体基板の形状が四角形であり，その面積が６４ｍｍ2 を超え，該半導体基板の一方の対の辺の長さを８ｍｍ以下とし，他方の対の辺の長さを８ｍｍを超える長さとし，半導体基板の中央から一方の対の辺への距離が４ｍｍ以下である半導体装置の製造方法において，
　前記分離拡散領域が，酸素雰囲気で５０時間以上で１０００℃以上の温度でボロンを熱拡散して形成し，半導体基板中の積層欠陥を前記分離拡散領域にゲッタリングさせることを特徴とする半導体装置の製造方法。」
　
　（補正後）
　「【請求項１】
第１導電型の半導体基板の外周部全周に酸素雰囲気での拡散で形成し，該半導体基板の表面から裏面に達する第２導電型の分離拡散領域を有する半導体装置において，
　前記半導体基板の形状が四角形であり，その面積が６４ｍｍ2 を超え，該半導体基板の一方の対の辺の長さを８ｍｍ以下とし，他方の対の辺の長さを８ｍｍを超える長さとし，半導体基板の中央から他方の対の辺への距離が４ｍｍ以下であることを特徴とする半導体装置。
　　【請求項２】
第１導電型の半導体基板の外周部全周に酸素雰囲気での拡散で形成した第２導電型の分離拡散領域と，前記半導体基板の裏面に形成され，前記分離拡散領域と接続する第２導電型の第１拡散領域と，前記分離拡散領域に囲まれた前記半導体基板の表面層に選択的に形成した第２導電型の第２拡散領域と，該第２拡散領域の表面層に選択的に形成した第１導電型の第３拡散領域と，該第３拡散領域と前記半導体基板に挟まれた前記第２拡散領域上にゲート絶縁膜を介して形成したゲート電極と，前記第３拡散領域と電気的に接続した第１主電極と，前記第１拡散領域と電気的に接続した第２主電極と，を備えた半導体装置において，
　前記半導体基板の形状が四角形であり，その面積が６４ｍｍ2 を超え，該半導体基板の一方の対の辺の長さを８ｍｍ以下とし，他方の対の辺の長さを８ｍｍを超える長さとし，半導体基板の中央から他方の対の辺への距離が４ｍｍ以下であることを特徴とする半導体装置。
　　【請求項３】
前記分離拡散領域がボロン拡散領域であることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置。
　　【請求項４】
第１導電型の半導体基板の外周部全周に酸素雰囲気での拡散で形成した第２導電型の分離拡散領域と，前記半導体基板の裏面に形成され，前記分離拡散領域と接続する第２導電型の第１拡散領域と，前記分離拡散領域に囲まれた前記半導体基板の表面層に選択的に形成した第２導電型の第２拡散領域と，該第２拡散領域の表面層に選択的に形成した第１導電型の第３拡散領域と，該第３拡散領域と前記半導体基板に挟まれた前記第２拡散領域上にゲート絶縁膜を介して形成したゲート電極と，前記第３拡散領域と電気的に接続した第１主電極と，前記第１拡散領域と電気的に接続した第２主電極とを備え，前記半導体基板の形状が四角形であり，その面積が６４ｍｍ2 を超え，該半導体基板の一方の対の辺の長さを８ｍｍ以下とし，他方の対の辺の長さを８ｍｍを超える長さとし，半導体基板の中央から他方の対の辺への距離が４ｍｍ以下である半導体装置の製造方法において，
　前記分離拡散領域が，酸素雰囲気で５０時間以上で１０００℃以上の温度でボロンを熱拡散して形成し，半導体基板中の積層欠陥を前記分離拡散領域にゲッタリングさせることを特徴とする半導体装置の製造方法。」
　　
２ 補正事項の整理
　本件補正のうち，特許請求の範囲についての補正事項を整理すると，以下のとおりである。
　
（補正事項１）
　補正前の請求項１，２，４の「外周部」を，補正後の請求項１，２，４の「外周部全周」と補正すること。
　
（補正事項２）
　補正前の請求項１，２，４の「一方」を，補正後の請求項１，２，４の「他方」と補正すること。
　
３ 新規事項の追加の有無及び補正の目的の適否について
（１）補正事項１について
　補正事項１の補正前の請求項１，２，４の「外周部」を「外周部全周」と補正することは，本願の願書に最初に添付した図面の図１に「ｐ分離拡散領域２」が「ｎ半導体基板１」の外周部全周に設けられていることが見てとれるから，本件補正は本願の願書に最初に添付した明細書，特許請求の範囲及び図面（以下「当初明細書等」という。）のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものである。
　したがって，補正事項１は，当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものであるから，特許法第１７条の２第３項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項をいう。以下同じ。）に規定する要件を満たすものである。
　また，補正前の請求項１，２，４の「第２導電型の分離拡散領域」に対して，「第１導電型の半導体基板の外周部全周」に「形成し」たものであるという形成箇所に関する技術的限定を加えるものであるから，特許法第１７条の２第４項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項をいう。以下同じ。）第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　
（２）補正事項２について
　補正事項２の補正前の請求項１，２，４の「一方の対の辺」を「他方の対の辺」と補正することは，長方形の長辺である「他方の対の辺」への「半導体基板の中央から」の距離が，短辺である「一方の対の辺の長さ」である「８ｍｍ以下」の半分である「４ｍｍ以下」となることは明らかであり，補正前の「一方の対の辺」が「他方の対の辺」の誤記であることは当業者にとって明らかであるから，特許法第１７条の２第４項第３号に掲げる誤記の訂正を目的とするものに該当する。
　また，補正事項２が特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすものであることは明らかである。
　
（３）小括
　以上検討したとおりであるから，本件補正のうち特許請求の範囲の範囲についての補正は特許法第１７条の２第３項及び第４項に規定する要件を満たすものである。
　そして，本件補正は，特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる事項を目的とするものに該当する補正を含むものであるから，本件補正による補正後の特許請求の範囲に記載されている事項により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否か，すなわち，本件補正がいわゆる独立特許要件を満たすものであるか否かにつき，以下において更に検討する。
　
４ 独立特許要件について
　
（１）補正発明
　本件補正による補正後の請求項１〜４に係る発明は，本件補正により補正された明細書，特許請求の範囲及び図面の記載からみて，その特許請求の範囲の請求項１〜４に記載されている事項により特定されるとおりのものであり，そのうちの請求項１に係る発明（以下「補正発明」という。）は，請求項１に記載されている事項により特定されるものであり，再掲すると以下のとおりのものである。
「第１導電型の半導体基板の外周部全周に酸素雰囲気での拡散で形成し，該半導体基板の表面から裏面に達する第２導電型の分離拡散領域を有する半導体装置において，
　前記半導体基板の形状が四角形であり，その面積が６４ｍｍ2 を超え，該半導体基板の一方の対の辺の長さを８ｍｍ以下とし，他方の対の辺の長さを８ｍｍを超える長さとし，半導体基板の中央から他方の対の辺への距離が４ｍｍ以下であることを特徴とする半導体装置。」
　
（２）引用例１〜３の記載及び引用例１に記載された発明
（２−１）本願の出願前に日本国内において頒布され，原査定の根拠となった拒絶の理由において引用された特開２００５−１０１５５１号公報（以下「引用例１」という。）には，「半導体装置とその製造方法およびその半導体装置を用いた双方向スイッチ素子」（発明の名称）に関して，図１〜３とともに以下の記載がある（なお，下線は当合議体にて付加したものである。以下同様。）。
　
　ア「【００２２】
　図１は，この発明の第１実施例の
半導体装置
同図（ａ）は要部平面図
　
この逆阻止ＩＧＢＴは，半導体基板としてのｎ
-
 ドリフト領域１と，
，ｎ
-
 ドリフト領域１の裏面に形成したｐ
+
 コレクタ領域１５と，このｐ
+
 コレクタ領域１５に接してｎ
-
 ドリフト領域１の側面に形成したｐ
+
 分離領域２と，ｐ
+
 コレクタ領域１５上に形成したコレクタ電極１６で構成される。この逆阻止ＩＧＢＴのセル間のｎ
-
 ドリフト領域１の表面は層間絶縁膜９で被覆されエミッタ電極１０とは電気的に分離されている。また，ショットキー接合１１の平面形状は，ｐベース領域３と平行したストライプ状である
　【００２３】
　また，ｐ+ 分離領域２の内側にｐベース領域３で形成される活性領域を取り囲むように正孔引き抜き用のｐ領域４と耐圧構造のｐ領域５が形成される。
　尚，微細化でコンタクトホール１２が狭くなる場合は，２本のｎ+ エミッタ領域６の間のｐベース領域３内まで達するコンタクトホール１２が形成されることがある。その場合でもｎ+ エミッタ領域６とエミッタ電極１０が確実に接触するように，２本のｎ+ エミッタ領域６を幅の狭いｎ+ 領域で接続してｎ+ エミッタ領域６を梯子状に形成する場合もある。
　図２から図８は，図１の逆阻止ＩＧＢＴの製造方法について説明する図であり，工程順に示した要部製造工程断面図である。まず，６００Ｖ耐圧クラスの逆阻止ＩＧＢＴについて説明する。
　【００２４】
　比抵抗２８ΩｃｍのＦＺ−Ｎ型シリコンウエハ（ｎ- ウエハ：半導体基板１００）上に図示しない初期酸化膜を１８００ｎｍ厚さで形成した後，
スクライブラインとなる箇所の初期酸化膜を２００μｍ幅で除去する。全面にボロンガラス（ＢＰＳＧ）膜を形成した後，１３００℃／８３ｈｏｕｒｓの熱処理を行い，初期酸化膜を除去した箇所からボロンガラス（ＢＰＳＧ）膜のボロンを拡散して逆耐圧用のｐ
+
 分離領域２を形成する
　つぎに，ｐ+ 分離領域２に囲まれたｎ- ウエハである半導体基板１００の表面層にセル毎にｐベース領域３と正孔引き抜き用のｐ領域４と耐圧構造のｐ領域５を形成する。ｐベース領域３の表面層にｎ+ エミッタ領域６を形成する。このｎ+ エミッタ領域６と半導体基板１００に挟まれたｐベース領域３上にゲート絶縁膜７を介してゲート電極８を形成する。表面に層間絶縁膜９となるＢＰＳＧ膜を形成する。セル形状はストライプ状である。勿論島状としても構わない（図３）。」
　
　イ　図１（ａ）には，半導体基板１００の形状が長方形であり，半導体基板の外周部全周にｐ+ 分離領域２が形成されているものが見てとれる。
　
　ウ　図１（ｂ）には，半導体基板１００の外周にｐ+ 分離領域２が形成され，裏面に形成されたｐ+ コレクタ領域１５に接していることが見てとれる。
　
＜引用発明の認定＞　
　以上を総合すると，引用例１には，以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
「半導体基板１００としてのｎ- ドリフト領域１の外周部全周に，熱処理によりボロンを拡散して形成され，またｎ- ドリフト領域１の裏面に形成したｐ+ コレクタ領域１５に接してｎ- ドリフト領域１の側面に形成したｐ+ 分離領域２を有する半導体装置において，
　半導体基板１００の形状が長方形である半導体装置。」
　
（２−２）本願の出願前に日本国内において頒布され，原査定の根拠となった拒絶の理由において引用された特開２００２−３１９６７６号公報（以下「引用例２」という。）には，「半導体装置とその製造方法およびその制御方法」（発明の名称）に関して，図３，４とともに以下の記載がある。　
　
　ア「【００２３】つぎに，
表面にボロンソースを塗布して熱処理することで，ボロンのデポジションを行うい，ボロンデポジション領域１３を形成する（図３）
１２００℃以上の温度において酸素雰囲気中で深さ１２０μｍまでボロンを拡散し，ｐ
+
 コレクタ領域５の一部となるｐ
+
 領域１５を形成する
　
（２−３）本願の出願前に日本国内において頒布され，原査定の根拠となった拒絶の理由において引用された特開昭６３−１８６７５号公報（以下「引用例３」という。）には，「半導体装置」（発明の名称）に関して，以下の記載がある。　
 
　ア「本発明者等の実験によれば，
例えば８ｍｍ×８ｍｍのシリコンチップ上に該ＩＧＢＴを形成し
　
（２−４）本願の出願前に日本国内において頒布され，原査定の根拠となった拒絶の理由において引用された特開２００５−２６２９４号公報（以下「引用例４」という。）には，「半導体装置およびその製造方法」（発明の名称）に関して，図３とともに以下の記載がある。
　
　ア「【請求項１５】
前記半導体チップには第１電極，第２電極，制御電極をそれぞれ電極とするパワーＭＯＳＦＥＴ，パワーバイポーラトランジスタ，
ＩＧＢＴ
　
　イ「【００２９】
ここで，簡単に半導体チップ７について説明する。
半導体チップ７は図３に示すように，平面的に見て四角形である
【００３０】
半導体チップ７は，特に限定はされないが，１辺が８〜９ｍｍの大きさである
　
　ウ　図３には，半導体チップ７の平面図が記載されている。
　
（３）　対比
　以下に，補正発明と引用発明とを対比する。
　ア　引用発明の「半導体基板１００としてのｎ- ドリフト領域１」は，ｎ型を第１導電型とすると，補正発明の「第１導電型の半導体基板」に相当する。
　
　イ　まず，上記アより，引用発明のｐ型は，補正発明の「第２導電型」に対応しており，引用発明の「ｐ+ 分離領域２」は，「熱処理によりボロンを拡散して形成され」たものであるから，「拡散領域」といえるので，補正発明の「第２導電型の分離拡散領域」に相当する。
　そして，引用発明の「ｐ+ 分離領域２」が，「半導体基板１００としてのｎ- ドリフト領域１の外周部全周に形成され」ていることは，補正発明の「第２導電型の分離拡散領域」が「第１導電型の半導体基板の外周部全周に」「形成」されていることに相当する。
　また，引用発明の「ｐ+コレクタ領域１５」は「ｎ- ドリフト領域１」（補正発明の「半導体基板」に相当する。）「の裏面に形成」され，「ｐ+ 分離領域２」が「ｐ+ コレクタ領域１５」に接していることから，図１（ｂ）も勘案すると，引用発明の「ｐ+ 分離領域２」は半導体基板１００の表面から裏面に達していることが分かる。
　
　ウ　したがって，引用発明の「半導体基板１００としてのｎ- ドリフト領域１の外周部全周に，熱処理によりボロンを拡散して形成され，またｎ- ドリフト領域１の裏面に形成したｐ+ コレクタ領域１５に接し，ｎ- ドリフト領域１の側面に形成したｐ+ 分離領域２」は，補正発明の「第１導電型の半導体基板の外周部全周に」「拡散で形成し，該半導体基板の表面から裏面に達する第２導電型の分離拡散領域」に相当する。
　
　エ　また，引用発明の「半導体基板の形状が長方形である」ことは，補正発明の「半導体基板の形状が四角形であ」る点で一致する。
　
　オ　以上から，補正発明と引用発明とは，
　「第１導電型の半導体基板の外周部全周に拡散で形成し，該半導体基板の表面から裏面に達する第２導電型の分離拡散領域を有する半導体装置において，
　前記半導体基板の形状が四角形であることを特徴とする半導体装置。」
　である点で一致し，以下の点で相違する。
　
（相違点１）
　補正発明は，「分離拡散領域」が「酸素雰囲気での」拡散で形成されているのに対し，引用発明は，拡散の雰囲気が特定されていない点。
　
（相違点２） 
　補正発明は，半導体基板の形状が四角形であり，「面積が６４ｍｍ2 を超え，該半導体基板の一方の対の辺の長さを８ｍｍ以下とし，他方の対の辺の長さを８ｍｍを超える長さとし，半導体基板の中央から他方の対の辺への距離が４ｍｍ以下である」を有しているのに対し，引用発明は，半導体基板の形状が長方形であるから，一方の対の辺の長さが他方の対の辺の長さよりも短いものとなっているものの，各辺の長さについては，特定されておらず，その面積についても特定されていない点。
　
（４）判断 
ア　相違点１について 
　分離拡散領域を，不純物であるボロンを酸素雰囲気中で熱処理することにより拡散を行うことは，例えば引用例２にも記載されているように当該技術分野において周知の技術事項である。
　したがって，引用発明において，引用例２に記載の周知の技術事項を勘案し，分離拡散領域を酸素雰囲気中の熱処理により形成することは当業者が適宜なし得たことである。
　以上から，相違点１は，当業者が容易になし得た範囲に含まれるものである。
　
イ　相違点２について
（ア）　引用例３には，チップ形状が「８ｍｍ×８ｍｍ」のものにＩＧＢＴを形成することが，また，引用例４には，「一辺が８〜９ｍｍの」「平面的に見て四角形である」半導体チップにＩＧＢＴを形成することが記載されているから，ＩＧＢＴとして８ｍｍ×８ｍｍ＝６４ｍｍ2 かそれを超える程度のチップサイズは，普通に採用されているものであるといえる。
（イ）　そうすると，半導体基板の形状が長方形である引用発明において，チップサイズとして普通に採用されている６４ｍｍ2かそれを超えるものとしたときに，長方形の長辺を８ｍｍを超える長さとし，長方形の短辺を８ｍｍ以下のものとすることは，当業者が容易になし得たことといえる。
（ウ）　以上から，相違点２は，当業者が容易になし得た範囲に含まれるものである。
　
ウ　補正発明の効果についての検討
（ア）　補正発明は，半導体基板の材料及び厚さ，熱処理の温度，時間及び雰囲気，不純物元素などの諸条件について何ら特定がない。一方，熱処理の温度，時間，雰囲気などの条件が変わることにより，ＯＳＦの発生が変化することは，例えば本願の出願前に日本国内において頒布された下記の周知例１〜３にもあるように，当該技術分野において周知の技術事項である。
（イ）　また，ゲッタリング効果も熱処理の温度等の条件が変わることにより変化することは本願の出願前に日本国内において頒布された下記の周知例４にも記載されているように当該技術分野において周知の技術事項である。
（ウ）　そうすると，熱処理条件，基板の材料，厚さ等の特定がなく，チップの形状のみが特定されている補正発明は，必ずしもＯＳＦに対する優れたゲッタリング効果を有しているものであるということはできず，耐圧良品率の向上が図られているものであるともいえないから，格別な効果を奏しているものであるとは認めることができない。
　
ａ．周知例１：特開平１０−１７２９３号公報
　周知例１には，以下の記載がある。
（ａ）「【００１９】また，本発明の方法によれば，有害重金属の拡散導入による線状欠陥の発生が防止できた。
従来の熱処理法では，その条件が結晶のＯＳＦ（酸化誘起欠陥）のデリニエーション（発現法）の条件（温度，雰囲気，時間）に類似しており，欠陥を発生させやすい
　
ｂ．周知例２：特開平５−１５２２３０号公報
　周知例２には，以下の記載がある。
（ａ）「【０００８】本発明において，
還元性ガスとは，１００％水素ガス雰囲気，又は水素ガスを１０％以上含有し残部が不活性ガスである雰囲気
熱処理温度を１０００〜１３００℃と規定したのは，１０００℃未満ではウェハの酸化誘起積層欠陥の発生を少なくする効果を得ることができず
　
ｃ．周知例３：特開２００３−１７４２８号公報
　周知例３には，以下の記載がある。
（ａ）「【００３２】ドライブイン工程では，
窒素雰囲気下で，ボロン拡散層１３からウェーハ１へボロンをさらに深く拡散させてボロン拡散層１３を引き伸ばし
酸化性雰囲気での熱処理時間を短くして，バルク領域のＯＳＦ又は析出物の成長を抑制し，表面近傍におけるＯＳＦや析出物の成長を防止する
１０分〜数時間が好ましい
　
ｄ．周知例４：特開２００２−１００６３６号公報
　周知例４には，以下の記載がある。
（ａ）「【００３０】リン及びＰｔ入り液体ドーパントソースを半導体基板表面に塗布することにより，ＮＰＮ型トランジスタにおいては，エミッタ領域に拡散するリン導入と同時にＰｔを基板表面から導入し，ＰＮＰ型トランジスタではベースコンタクト領域に拡散するリン導入と同時にＰｔを基板表面から導入する。
ＰｔはＮ
+
型領域にゲッタリングされるが，その後ゲッタリング効率の悪い温度で熱処理
　
エ　判断についてのまとめ 
　以上検討したとおり，補正発明は，周知例１〜４に記載された当該技術分野における周知の技術事項を勘案することにより，引用発明と引用例２〜４に記載された事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができない。 
　
（５）独立特許要件についてのまとめ
　本件補正は，補正後の特許請求の範囲により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものではないから，特許法第１７条の２第５項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項をいう。以下同じ。）において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないものである。 
　
５　補正却下の決定についてのむすび 
　以上のとおり，本件補正は，特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないものであるから，特許法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。 
　
第３　本願発明 
　本件補正は上記のとおり却下されたので，本願の請求項１〜４に係る発明は，平成２３年１２月２２日付けの手続補正により補正された明細書，特許請求の範囲及び図面の記載からみて，その特許請求の範囲１〜４に記載されている事項により特定されるとおりのものであり，そのうちの請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は，請求項１に記載されている事項により特定されるものであり，再掲すると以下のとおりのものである。
　
「第１導電型の半導体基板の外周部に酸素雰囲気での拡散で形成し，該半導体基板の表面から裏面に達する第２導電型の分離拡散領域を有する半導体装置において，
　前記半導体基板の形状が四角形であり，その面積が６４ｍｍ2 を超え，該半導体基板の一方の対の辺の長さを８ｍｍ以下とし，他方の対の辺の長さを８ｍｍを超える長さとし，半導体基板の中央から一方の対の辺への距離が４ｍｍ以下であることを特徴とする半導体装置。」
　
第４ 引用例に記載された発明 
　引用例１には，上記第２，４（２）（２−１）に記載したとおりの，引用発明が記載されている。 
　
第５ 判断 
　本願発明は，補正発明から，上記第２，２に記載した補正事項１についての補正によりなされた技術的限定を省いたものである。　 
　そうすると，第２，４（４）ウにおいて検討したとおり，補正発明は，周知例１〜４に記載された当該技術分野における周知の技術事項を勘案することにより，引用発明と引用例２〜４に記載された事項に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，補正発明から技術的限定を省いた本願発明についても，当然に，周知例１〜４に記載された当該技術分野における周知の技術事項を勘案することにより，引用発明と引用例２〜４に記載された事項に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものである。
　したがって，本願発明は特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
第６ むすび 
　以上のとおり，本願の請求項１に係る発明は特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから，他の請求項に係る発明について検討するまでもなく，本願は拒絶をすべきものである。 
　
　よって，結論のとおり審決する。