(57)【要約】２波長光素子を集積した場合に生じる波長差による光路差をキャンセルできる２波長光素子を得、光路差によって生じる光ディスク再生信号の劣化を抑制する。異なる波長のレーザ光（１７）を光ディスクへ向けて出射する複数の発光素子（３）、（５）と、光ディスクからの戻り光（２５）を受ける受光素子（１３）とを備えた光ディスク読み取り、書き込み用の２波長光素子（１）において、２つの異なる波長の差によって生じる光路差を相殺する相対位置でそれぞれの発光素子（３）、（５）を配設した。
2003102938.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
異なる波長のレーザ光を光ディスクへ向けて出射する複数の発光素子と、前記光ディスクからの戻り光を受ける受光素子とを備えた光ディスク読み取り、および／または、書き込み用の２波長光素子において、
２つの異なる波長の差によって生じる光路差を相殺する相対位置にそれぞれの前記発光素子を配設したことを特徴とする２波長光素子。
【請求項２】
請求項１記載の２波長光素子において、
それぞれの前記発光素子の一方を、レーザ光出射方向の厚み中心より上側に発光点が位置するように配設し、それぞれの前記発光素子の他方を、レーザ光出射方向の厚み中心より下側に発光点が位置するように配設したことを特徴とする２波長光素子。
【請求項３】
請求項２記載の２波長光素子において、
一方の発光素子を上下反転させて、前記発光点をレーザ光出射方向の厚み中心より上側に位置させたことを特徴とする２波長光素子。
【請求項４】
請求項１記載の２波長光素子において、
それぞれの前記発光素子を、光路差を相殺する相対位置へ実装面上に沿って移動して配設したことを特徴とする２波長光素子。
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は、異なる波長のレーザ光を光ディスクへ向けて出射する複数の発光素子を備え、その戻り光の変化を受光素子に入射させて、光ディスク再生信号として出力する２波長光素子に関する。
背景技術
例えば、コンパクトディスク（ＣＤ）プレーヤやデジタルビデオディスク（ＤＶＤ）装置のような光学式記録媒体を使用する装置では、ＣＤの再生には７８０ｎｍ帯波長のレーザ光を、ＤＶＤの再生には６５０ｎｍ帯波長のレーザ光を用いるため、それぞれ異なる光ディスク装置によって光ディスクに記録された情報の読み取り（再生）、或いはそれらへの情報の書き込み（記録）を行っていた。近年、このように光ディスクの種類によって波長の異なるレーザ光を一つの光ピックアップで可能にするための２波長光素子が実用化に至っている。
この２波長光素子は、７８０ｎｍ帯波長のレーザ光を出射する発光素子（第１のレーザダイオード）と、６５０ｎｍ帯波長のレーザ光を出射する発光素子（第２のレーザダイオード）と、これら発光素子から光ディスクに出射されてその戻り光を受けて光ディスク再生信号を出力する受光素子と、発光素子と受光素子との間の光路の所定位置に配設されるグレーティング（回析格子）、ミラー、レンズ等の光学系を有する。なお、上記の光学系は、一部の光学部材がそれぞれの発光素子用として共用される。
このように構成された２波長光素子において、それぞれの発光素子からのレーザ光は、グレーティングを通過し、ミラーにより進路を偏向されて、レンズにより光ディスク上に集光される。光ディスクからの戻り光は、レンズ、ミラー等を介して、受光素子上に入射され、この戻り光の変化により、光ディスクの記録面上に記録された情報が読み出される。このようにして、２波長光素子では、ＣＤ用のレーザダイオードとＤＶＤ用のレーザダイオードを搭載し、光学系を共有することにより、ＣＤとＤＶＤの再生を共に可能にしている。
ところで、上記した従来の光ディスク読み取り、書き込み用の２波長光素子は、それぞれの発光素子から出射される波長が７８０ｎｍと６５０ｎｍとなって異なり、しかも、光学系を共有するため、各発光素子と受光素子までのそれぞれの光路長は相対的に異なるものとなり、光路差が生じる。つまり、焦点ズレが生じるこの焦点ズレは、上記の構成を有する実際の装置では、理論値として約１８０μｍとなった。従来、このような２つの異なる波長差によって生じる光路差は、光ディスクからの戻り光を受ける受光素子の厚みと、発光素子を配置する土台となる半導体ウエハ（サブマウント）の厚み差によって調整していた。
しかしながら、理論値として求められる光路差を調整するような厚みを、受光素子の厚みやマウント厚の機械加工によって得ることは加工精度的に極めて困難であり、現実には光路差が残ったまま使用され、光ディスク再生信号が劣化する問題があった。
発明の開示
本発明は、２波長発光素子を集積した場合に生じる波長差による光路差をキャンセルできる２波長光素子を提供し、光路差によって生じる光ディスク再生信号の劣化抑制を図ることを目的とする。
上記目的を達成するための本発明に係る２波長光素子は、異なる波長のレーザ光を光ディスクへ向けて出射する複数の発光素子と、前記光ディスクからの戻り光を受ける受光素子とを備えた光ディスク読み取りおよび／または書き込み用の２波長光素子において、２つの異なる波長の差によって生じる光路差を相殺する相対位置でそれぞれの前記発光素子を配設したことを特徴とする。
この２波長光素子では、それぞれの発光素子が、波長の差によって生じる光路差を相殺する相対位置で配設される。即ち、例えば７８０ｎｍ帯波長のレーザ光を出射するＣＤ用のレーザダイオードと、６５０ｎｍ帯波長のレーザ光を出射するＤＶＤ用のレーザダイオードとが、一つの光学系を共用した場合であっても、光路の相対的な差がなくなり、光路差の殆どがキャンセル可能となる。これにより、光路差によって生じる焦点ズレが解消され、光路差によって生じる光ディスク再生信号の劣化が抑制される。
また本発明の２波長光素子は、上記２波長光素子において、それぞれの前記発光素子の一方を、レーザ光出射方向の厚み中心より上側に発光点が位置するように配設し、それぞれの前記発光素子の他方を、レーザ光出射方向の厚み中心より下側に発光点が位置するように配設したことを特徴とする。
この２波長光素子では、発光素子の発光点が、レーザ光出射方向の厚み方向で調整可能となる。即ち、発光点が光軸方向に調整可能となる。このため、移動距離が焦点の調整距離に直接的に作用するので、焦点ズレが効果的に調整可能となる。
さらに本発明の２波長光素子は、上記２波長光素子において、一方の発光素子を上下反転させて、前記発光点をレーザ光出射方向の厚み中心より上側に位置させたことを特徴とする。
この２波長光素子では、発光点がレーザ光出射方向の厚み中心より上側又は下側に位置する発光素子の場合、発光素子が上下反転されることで、機械加工等を行うことなく、発光点の光軸方向の位置調整が容易に可能となる。
また本発明の２波長光素子は、上記２波長光素子において、それぞれの前記発光素子を、光路差を相殺する相対位置へ実装面上に沿って移動して配設したことを特徴とする。
この２波長光素子では、それぞれの発光素子が実装面上に沿って移動して配設されることで、光路差が相殺可能となる。この場合、移動距離が間接的に焦点の調整距離に作用するので、発光点がレーザ光出射方向の厚み方向、即ち、光軸方向に調整される場合と異なり、調整距離が小さくなるので、焦点ズレの微調整を可能にすることができる。
発明を実施するための最良の形態
以下、本発明に係る２波長光素子の好適な実施の形態を図面を参照して詳細に説明する。
図１は本発明に係る２波長光素子の概略構成を表す断面図、図２は図１に示した２波長光素子の要部平面図、図３Ａ、図３Ｂ、図３Ｃは発光素子の発光点を表す説明図である。
本実施の形態による２波長光素子１は、異なる波長のレーザ光を出射する複数（本実施の形態では２つ）の発光素子（レーザダイオード）３、５を、土台となる半導体ウエハ（以下、サブマウント７と呼ぶ）上に、平行に並べている。一方の発光素子３は、例えば、コンパクトディスク（ＣＤ）用の７８０ｎｍ帯波長のレーザ光を出射し、他方の発光素子５は、デジタルビデオディスク（ＤＶＤ）用の６５０ｎｍ帯波長のレーザ光を出射する。
サブマウント７には化学的加工により、図２に示す立ち上げミラー９が形成されている。サブマウント７は、パッケージ１１上に配設されている。パッケージ１１上には、サブマウント７に隣接して受光素子１３が配設されている。受光素子１３は、図示しない光ディスクからの戻り光を受光し、その戻り光の変化を電気信号に変換した出力信号を増幅してパッケージ１１の外部へ出力する。これら発光素子３、５、受光素子１３を内設したパッケージ１１の上部には、光学素子（例えば、ホログラムやレンズ）１５が配設されている。光学素子１５は、パッケージ１１上の基準となる面に、光学的に位置決めされた後に接着固定される。
立ち上げミラー９は、ある厚みを有する半導体ウエハを４５°の斜面が出るようにエッチング加工し、その表面に高反射膜（例えば反射率Ｒ＝９９．９％）をコーティングしている。発光素子３、５のレーザ光出射位置後方（図２のＸ軸方向左方）には、モニタ用受光素子の受光面１９、２１が形成され、モニタ用受光素子で２つの発光素子３、５の出力を常時モニターすることで、発光素子３、５の出力が一定となるようにＡＰＣ（Ａｕｔｏｍａｔｉｃ  Ｐｏｗｅｒ  Ｃｏｎｔｒｏｌ）が行われて駆動電流を制御している。発光素子３、５は、装着された光ディスクの種類（ＣＤ又はＤＶＤ）によってどちらかが使い分けられることになる。
ここで、このような構成を有する２波長光素子１の光路について説明する。
発光素子３、５から出射されたレーザ光１７は、図１のＸ軸上３１を進み、サブマウント７に形成された立ち上げミラー９により図中のＹ軸方向へ９０°折り曲げられる（偏向される）。立ち上げミラー９により折り曲がった光は、パッケージ１１上に配設されている光学素子１５を通り、オプティカルピックアップ（ＯＰ）上に設置してある開示しないコリメータレンズ、および対物レンズを通り、図示しない光ディスクへ集光される。
光ディスク表面から反射した戻り光は対物レンズ、コリメータレンズを通り、パッケージ１１上に設置された光学素子１５へ入射する。光学素子１５に入射したレーザ光１７は表面に形成された回折格子やレンズ等により光路分割され、この分割光が戻り光２５となってパッケージ１１内部に配設されている受光素子１３へ入射し、受光素子１３は光ディスク再生信号やＯＰアクチュエータ制御に必要な制御信号を増幅して出力する。
ところで、発光素子３、５は、２つの異なる波長の差によって生じる光路差を相殺する相対位置でそれぞれが配設されている。
図３Ａに示すように、発光素子３、５は、レーザ光出射方向の厚み中心２７より下側に発光点３ａ、５ａが位置する。例えば厚みＡが１２０〜１８０μｍである発光素子３、５の場合、コンパクトディスク（ＣＤ）用の発光素子３は、発光点３ａが下面からＢ１＝２．３μｍの位置にある。また、デジタルビデオディスク（ＤＶＤ）用の発光素子５は、発光点５ａが下面からＢ２＝１．２μｍの位置にある。
発光点３ａ、５ａが厚み中心２７に対して偏る（ずれている）このような発光素子３、５において、発光素子３、５の相対位置によって光路差を相殺する形態としては、発光素子３、５の一方を、レーザ光出射方向の厚み中心２７より上側に発光点が位置するように配設し、発光素子の他方を、レーザ光出射方向の厚み中心２７より上側に発光点が位置するように配設することが挙げられる。この場合、発光素子３、５の発光点３ａ、５ａが、レーザ光出射方向の厚み方向で調整可能となる。即ち、発光点３ａ、５ａが光軸方向に調整可能となるため、移動距離が焦点の調整距離に直接的に作用し、焦点ズレが効果的に調整可能となる。
このような発光点３ａ、５ａの位置関係は、図３Ｂに示すように、一方の発光素子３を上下反転させて、レーザ光出射方向の厚み中心２７に対して発光点３ａを上下反転させることで実現させることができる。即ち、発光素子５は発光点５ａがサブマウント７のハンダ、銀ペースト接着面側に位置するように配置（以下、ジャンクションダウンと称す）し、もう一方の発光素子３は発光点３ａが上側（接着面とは反対側）に位置するように配置（以下、ジャンクションアップと称す）する。
より具体的には、図３Ｃに示すように発光素子３および発光素子５が作製される。発光素子３がＣＤ用の７８０ｎｍ帯波長のＡｌＧａＡｓ系半導体レーザの場合には、例えば、ｎ型ＧａＡｓ基板３１の上に、第１のクラッド層であるｎ型ＡｌＧａＡｓ層３３、ＡｌＧａＡｓ活性層３５および第２のクラッド層であるｐ型ＡｌＧａＡｓ層３７がエピタキシャル成長され、さらにその上にコンタクト層等を介してｐ型電極３９が形成される。ＧａＡｓ基板３１は結晶成長時には例えば４５０μｍであるが、半導体レーザの共振器端面形成のためのへき開を容易にするために結晶成長後のラッピングにより、その厚さが８０μｍから２００μｍ程度、典型的には例えば１８０μｍ程度に薄くされる。
同様に発光素子５がＤＶＤ用の６５０ｎｍ帯波長のＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザの場合には、例えばｎ型ＧａＡｓ基板４１の上に、第１のクラッド層であるｎ型ＡｌＧａＰ層４３、ＧａＩｎＰからなる活性層４５および第２のクラッド層であるｐ型ＡｌＧａＰ層４７がエピタキシャル成長され、さらにその上にコンタクト層等を介してｐ型電極４９が形成されている。ＧａＡｓ基板４１は発光素子３と同様に所定の厚さになるようにラッピングにより薄くされている。発光素子５は基板側が上となるように、すなわち結晶成長層側が下向きとなるようにマウントされる。
発光素子３の発光点３ａおよび発光素子５の発光点５ａの高さの差は、例えば１８０μｍとなり、発光素子３、５間の光路差である１８０μｍにほぼ一致する。
このようにして、発光点３ａ、５ａの一方を上下反転させて、レーザ光出射方向の厚み中心２７に対して発光点を上下反転させる形態をとることで、機械加工等を行うことなく、発光点の光軸方向の位置調整が容易に可能となる。
これにより、発光素子３、５の発光点３ａ、５ａの位置間隔が光路方向へ１２０〜１８０μｍ（レーザに可視光レーザと赤外レーザを使用した場合）設けることができるので、光路差をキャンセルすることができる。つまり、実際の装置に生じていた理論値としての１８０μｍの焦点ズレをなくすことができる。
上記は発光素子３および発光素子５がそれぞれＣＤ用７８０ｎｍ帯波長のＡｌＧａＡｓ系半導体レーザとＤＶＤ用６５０ｎｍ帯波長のＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザの場合について説明したが、本発明はこれらの半導体レーザの組み合わせには限られない。すなわち、本発明は異なる波長の半導体レーザの組み合わせあればよく、例えば、波長が４０５ｎｍ帯波長のＧａＮ系半導体レーザと波長が６５０ｎｍ帯波長のＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザであってもよい。さらに、例えば波長が４０５ｎｍ帯波長のＧａＮ系半導体レーザと波長が７８０ｎｍ帯波長のＡｌＧａＡｓ系半導体レーザの組み合わせであってもよい。
更に、発光素子３、５の相対位置によって光路差を相殺する形態としては、それぞれの発光素子３、５を、光路差を相殺する相対位置へ実装面上（サブマウント７上）に沿って移動して配設することが挙げられる。即ち、それぞれの発光素子３、５が実装面上に沿って移動配設されることで、光路差が相殺可能となる。この場合、移動距離が間接的に焦点の調整距離に作用するので、発光点３ａ、５ａがレーザ光出射方向の厚み方向、即ち、光軸方向に調整される場合と異なり、調整距離が小さくなるので、光路差の微調整が可能となる。これによって、焦点ズレの微調整が可能となり、光ディスク再生信号の劣化を最小限に抑えることができるようになる。
上記の２波長光素子１によれば、それぞれの発光素子３、５が、波長の差によって生じる光路差を相殺する相対位置で配設される。即ち、発光素子３、５の一方がジャンクションアップ、もう一方がジャンクションダウンに配置される。従って、例えば７８０ｎｍ帯波長のレーザ光を出射するＣＤ用のレーザダイオードと、６５０ｎｍ帯波長のレーザ光を出射するＤＶＤ用のレーザダイオードとが、一つの光学系を共用した場合であっても、光路の相対的な差がなくなり、光路差の殆どがキャンセル可能となる。これにより、光路差によって生じる焦点ズレが解消され、光路差によって生じる光ディスク再生信号の劣化を抑制することができる。
更に２つの発光素子３、５の配置を前後（図２の矢印３１方向）にずらすことで発光素子間光路差の微調整も可能であるため、光路差のキャンセルを製造設備の調整によっても容易に実現することができる。
なお、本実施の形態では発光素子３、５と受光素子１３とが一体となっている光集積素子について説明したが、本発明は、受光素子１３を有しない２波長発光素子のみにより構成されるデバイスについても同様に適用されて、上記と同様の効果を奏するものである。
以上詳細に説明したように、本発明に係る２波長光素子によれば、異なる波長のレーザ光を出射する複数の発光素子と、光ディスクからの戻り光を受ける受光素子とを備えた２波長光素子において、２つの異なる波長の差によって生じる光路差を相殺する相対位置でそれぞれの発光素子を配設したので、光路差の殆どをキャンセルすることができ、光路差によって生じる光ディスク再生信号の劣化を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
図１は、本発明に係る２波長光素子の概略構成を表す断面図である。
図２は、図１に示した２波長光素子の要部平面図である。
図３Ａ、図３Ｂ、図３Ｃは、発光素子の発光点を表す説明図である。
【図１】
2003102938.tif 000003
【図２】
2003102938.tif 000004
2003102938.tif 000005
【手続補正書】
【提出日】平成15年9月8日(2003.9.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（補正後）異なる波長の光を光ディスクへ向けて出射する複数の半導体レーザ発光素子を具備し、
前記複数の半導体レーザ発光素子の選択駆動された１つの半導体レーザ発光素子からのレーザ光を共用する光路光学系を介して前記光ディスクに照射して、前記光ディスクに記録されたデータの読み取りおよび／または前記光ディスクへのディスクの書き込みに用いる多波長光素子において、
前記光路光学系を通る前記複数の半導体レーザ発光素子からのレーザ光の波長差に起因する前記光路光学系における光路差を前記複数の半導体レーザ発光素子について相殺するように、光路差のない場合を基準として、
前記光路差が短くなる波長のレーザ光を出射する半導体レーザ発光素子の発光部をレーザ光出射方向の厚み中心より下側に位置するように配設し、
前記光路差が長くなる波長のレーザ光を出射する半導体レーザ発光素子の発光部をレーザ光出射方向の厚み中心より上側に位置するように配設したことを特徴とする、
多波長光素子。
【請求項２】
（補正後）前記複数の半導体レーザ発光素子は波長が異なる２個であり、
一方の半導体レーザ発光素子を上下反転させて、前記発光点をレーザ光出射方向の厚み中心より上側に位置させたことを特徴とする
請求項１記載の多波長光素子。
【請求項３】
（補正後）前記複数の半導体レーザ発光素子の発光部の位置を前記光路差を相殺する相対位置へ、前記半導体レーザ発光素子の実装面上に沿って移動して配設したことを特徴とする
請求項２記載の多波長光素子。
【請求項４】
（補正後）前記発光素子が搭載されている位置の近傍に、前記光路光学系を介して前記光ディスクからの戻り光を受ける１つの受光素子（１３）を設けた、
請求項１〜３いずれかに記載の多波長光素子。
【請求項５】
（追加）同じ高さの複数のサブマウントまたは同一のサブマウント（７、７）にそれぞれ搭載された複数の立上ミラー（９、９）と、
前記複数の立上ミラー（９、９）に異なる複数の波長の光を前記立上ミラーに出射する複数の発光素子（３、５）と
を備え、
前記複数の発光素子の１つが選択的に駆動され選択された１の発光素子からの出射光を前記立上ミラーに照射し、前記立上ミラーで入射された光を偏向して共用する光路光学系を介して前記光ディスクに照射し、前記光ディスクに記憶されたデータの読み取り、および／または、前記光ディスクにデータを書き込みを行う
光ピックアップであって、
前記各発光素子は、基板（３１、４１）と、該基板に形成され前記対応する立上ミラーに出射光を射出する発光部（３３、３５、３７：４３、４５、４７）とを有する半導体レーザ発光素子であり、
前記各半導体レーザ発光素子の発光部の前記サブマウントに対する高さ方向位置が、前記複数の半導体レーザ発光素子から出射される複数の光の波長に起因して生ずる前記光路光学系における光路差を相殺するように、前記複数の半導体レーザ発光素子の出射光の波長に応じて調整されている
光ピックアップ。
【請求項６】
（追加）前記光路差が短くなる波長のレーザ光を出射する半導体レーザ発光素子の発光部を前記サブマウント側に位置させ、
前記光路差が長くなる波長のレーザ光を出射する半導体レーザ発光素子の基板はサブマウント側に位置させた、
請求項５記載の光ピックアップ。
【請求項７】
（追加）さらに前記光路差を複数の半導体レーザ発光素子のいずれかの基板の厚さを前記光路差を相殺するように調整した、
請求項６記載の光ピックアップ。
【請求項８】
（追加）前記発光素子が搭載されている前記サブマウントの近傍に、前記光路光学系を介して前記光ディスクからの戻り光を受ける１つの受光素子（１３）を設けた、
請求項５〜７いずれかに記載の光ピックアップ。
【手続補正書】
【提出日】平成15年12月26日(2003.12.26)
【手続補正００１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】２個の半導体レーザ発光素子からのそれぞれ波長が異なる２種の光を、入射光を４５度偏向させて光ディスクに指向させて出射する立上ミラーを含む共通の光学系を介して前記光ディスクに照射して、前記光ディスクに記録されたデータの読み取りおよび／または前記光ディスクへのディスクの書き込みに用いる２波長光素子において、
前記光路光学系を通る前記２個の半導体レーザ発光素子からの２種のレーザ光の波長差に起因する前記光路光学系における光路差を前記２個の半導体レーザ発光素子について相殺するように、光路差のない場合を基準として、
前記光路差が短くなる波長のレーザ光を出射する１の半導体レーザ発光素子の発光部を、該１の半導体レーザ発光素子のレーザ光出射方向の厚み中心より下側に位置するように配設し、
前記光路差が長くなる波長のレーザ光を出射する２の半導体レーザ発光素子の発光部を、該２の半導体レーザ発光素子のレーザ光出射方向の厚み中心より上側に位置するように配設したことを特徴とする、
２波長光素子。
【請求項２】前記２個の半導体レーザ発光素子の実装面に対して、一方の半導体レーザ発光素子を上下反転させて、前記発光点を該一方の半導体レーザ発光素子のレーザ光出射方向の厚み中心より上側に位置させたことを特徴とする
請求項１記載の２波長光素子。
【請求項３】前記２個の半導体レーザ発光素子の発光部の位置を前記光路差を相殺する相対位置へ、前記半導体レーザ発光素子の実装面上に沿ってずらして配設したことを特徴とする
請求項２記載の２波長光素子。
【請求項４】前記２個の半導体レーザ発光素子が実装されている位置の近傍に、
前記光路光学系を介して前記光ディスクからの戻り光を受ける１つの受光素子（１３）を設けた、
請求項１〜３いずれかに記載の２波長光素子。
【請求項５】同じ高さの２個のサブマウントまたは同一のサブマウント（７、７）にそれぞれ搭載された２個または１個の立上ミラー（９、９）と、
前記立上ミラー（９、９）にそれぞれ、波長が異なる２つの光を前記立上ラーに出射する２個の発光素子（３、５）と
を備え、
前記２個の発光素子の１つが選択的に駆動され選択された１の発光素子からの出射光を前記立上ミラーに照射し、前記立上ミラーで入射された光を偏向して共用する光路光学系を介して光ディスクに照射し、前記光ディスクに記憶されたデータの読み取り、および／または、前記光ディスクにデータを書き込みを行う
光ピックアップであって、
前記各発光素子はそれぞれ、基板（３１、４１）と、該基板に形成され前記立上ミラーに向けて出射光を射出する発光部（３３、３５、３７：４３、４５、４７）とを有する半導体レーザ発光素子であり、
前記２個の半導体レーザ発光素子から出射される波長が異なる２種の光の波長に起因して生ずる前記光路光学系における光路差を相殺するように、前記各半導体レーザ発光素子の発光部の前記サブマウントに対する高さ方向位置が、前記２個の半導体レーザ発光素子の出射光の波長に応じて調整されている
光ピックアップ。
【請求項６】前記光路差が短くなる波長のレーザ光を出射する１の半導体レーザ発光素子の発光部を前記サブマウント側に位置させ、
前記光路差が長くなる波長のレーザ光を出射する２の半導体レーザ発光素子の基板はサブマウント側に位置させた、
請求項５記載の光ピックアップ。
【請求項７】さらに前記光路差を２個の半導体レーザ発光素子のいずれかの基板の厚さを調整して、前記光路差を相殺する、
請求項６記載の光ピックアップ。
【請求項８】前記発光素子が搭載されている前記サブマウントの近傍に、前記光路光学系を介して前記光ディスクからの戻り光を受ける１つの受光素子（１３）を設けた、
請求項４〜７いずれかに記載の光ピックアップ。




【国際調査報告】
2003102938.tif 000006
2003102938.tif 000007