【事件の表示】
　特願２００７−５３３５４９「高出力小面積ＩＩＩ族窒化物ＬＥＤ」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年　４月　６日国際公開、ＷＯ２００６／０３６５８２、平成２０年　５月　１日国内公表、特表２００８−５１４０３０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、２００５年（平成１７年）９月１５日（パリ条約による優先権主張２００４年９月２２日（以下、この日における優先権主張基礎出願を「本願第１基礎出願」という。）、２００５年１月１８日（以下、この日における優先権主張基礎出願を「本願第２基礎出願」という。）、アメリカ合衆国）を国際出願日とする出願であって、平成２２年１２月３日に手続補正がなされたところ、平成２３年７月２５日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年１１月２８日に拒絶査定不服審判請求がなされると同時に誤訳訂正書が提出されたものである。
　
　
第２　平成２３年１１月２８日付け誤訳訂正書においてなされた手続補正の補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成２３年１１月２８日付け誤訳訂正書においてなされた手続補正を却下する。
　
［理由］
１　補正の内容  
　平成２３年１１月２８日付け付け誤訳訂正書においてなされた手続補正（以下「本件補正」という。）は、補正前（平成２２年１２月３日付け手続補正後のもの）の請求項１として、
　
「単位面積当たり有利な出力を有し、小型で順方向電圧が低い発光ダイオードであって、
　少なくとも１つの発光アクティブ層を備え、
　前記発光ダイオードは、
　　１０００００平方ミクロン以下の面積を有するダイと、
　　発光アクティブ層との電気的接続を提供する銀ベースのミラー層と、
　　該ミラー層を包含するバリア層であって、シルバが発光ダイオードの他の部分と反応することを防止するバリア層と、
　　４．０ボルト未満の順方向電圧と、
　　２０ミリアンペアの駆動電流において２４〜３０ミリワットの放射束と、
　　３９５〜５４０ナノメートルの間の主波長と
を有していることを特徴とする発光ダイオード。」
　
とあったものを、
　
「単位面積当たり有利な出力を有し、小型で順方向電圧が低い発光ダイオードであって、
　少なくとも１つの発光アクティブ層を備え、
　前記発光ダイオードは、
　　１０００００平方ミクロン以下の面積を有するダイと、
　　発光アクティブ層との電気的接続を提供する銀ベースのミラー層と、
　　該ミラー層を取り囲みかつ前記発光アクティブ層まで延在する部分を有するバリア層であって、シルバが発光ダイオードの他の部分と反応することを防止するバリア層と、
　　４．０ボルト未満の順方向電圧と、
　　２０ミリアンペアの駆動電流において２４〜３０ミリワットの放射束と、
　　３９５〜５４０ナノメートルの間の主波長と
を有していることを特徴とする発光ダイオード。」
　
と補正して新たに補正後の請求項１とすることを含むものである。
　
　本件補正は、補正前の請求項１において、「ミラー層を包含する」とされていた「バリア層」につき、「ミラー層を取り囲みかつ前記発光アクティブ層まで延在する部分を有する」との限定を行うものであるから、上記補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　
２　独立特許要件 
　そこで、本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　なお、本願補正発明において、「１０００００平方ミクロン以下の面積を有するダイ」、「４．０ボルト未満の順方向電圧」、「２０ミリアンペアの駆動電流において２４〜３０ミリワットの放射束」及び「３９５〜５４０ナノメートルの間の主波長」を有することは、本願第２基礎出願には記載されていたものの、本願第１基礎出願には記載されてはいなかったから、本願補正発明の進歩性（特許法第２９条第２項）に関する判断の基準日は、本願第２基礎出願の出願日（２００５年１月１８日、以下「優先日」という。）である。
（１）引用刊行物記載の発明
　ア　引用刊行物１及び引用発明１
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先日前に頒布された刊行物であるJohn Edmond et al.「High efficiency GaN-based LEDs and lasers on SiC」Journal of Crystal Growth，２００４年１２月１０日，Vol.272，p.242-250（以下「引用刊行物１」という。）には、図とともに以下の事項が記載されている（なお、括弧書きで和訳を付した。）。
　
　（ア）「Abstract
　Group III-nitride layers have been grown via metal-organic vapor-phase epitaxy (MOVPE) on 
single crystal-silicon carbide (SiC) substrates and fabricated into light-emittng diodes (LEDs) and laser diodes (LDs). … In the visible spectrum, an EQE of 〜47% was achieved in the blue at 455-460nm corresponding to an output of 25.5mW at 20mA and 3.1V.)」（２４２頁Ａｂｓｔｒｃｔ欄１行〜６行）
（概括
　単一の炭化ケイ素（ＳｉＣ）結晶の上にＩＩＩ族窒化物の層が金属有機気相エピタキシャル法（ＭＯＶＰＥ）で成長され、発光ダイオード（ＬＥＤｓ）及び半導体レーザー（ＬＤｓ）へと加工された。…可視スペクトルの、４５５〜４６０ｎｍの青において、２０ｍＡ、３．１Ｖで２５．５ｍＷの出力に相当する、およそ４７％のＥＱＥが達成された。）
　
　（イ）「2.Experiment
　The growth of multi-quantum-well (MQW) LEDs and LDs was performed using metal organic vapor-phase epitaxy on epi-ready 4H- and 6H-SiC substrates produced by Cree. … no defect reduction techniques were employed for the visible wavelength LEDs. Devices were fabricated using standard techniques of photolithography, metallization, etching and passivation for III-V'nitride/SiC materials. LEDs were fabricated in both standard (300×300μm2) and larger area power chip (900×900μm2) sizes.」（２４３頁右欄下から１３行〜２４４頁左欄１行）
（２．実験
　多重量子井戸（ＭＱＷ）のＬＥＤ及び半導体レーザーの成長は、クリーにより製造されたエピ成長用４Ｈ−及び６Ｈ−ＳｉＣ基板上に金属有機気相成長エピタキシャル法を用いることにより行われた。…可視波長のＬＥＤに対しては、いかなる欠陥減少技術も用いられなかった。素子は、ＩＩＩ−Ｖ族窒化物／ＳｉＣ物質に対して、フォトリソグラフィ、金属化、エッチング、絶縁化といった標準的技術を用いて製造された。ＬＥＤは、標準サイズ（３００×３００μｍ２）と、より大きな領域のパワーチップサイズ（９００×９００μｍ２）で製造された。）
　
　（ウ）「3.Results and discussion
3.1. LEDs
…
　3.1.2. Visible LEDs
　…Fig.2 shows radiant flux and corresponding EQE of Cree XBrightTM and XThinTM standard LEDs 
(
　Data from four wavelength ranges are shown in Fig.2 representing four product lines, violet (395-410nm), blue (45-475nm), traffic sibnal green (490-510nm), and display green (520-535nm). A polynomial curve fit to both the radiant flux and EQE versus dominant wavelength of emission results in a peak at approximately 430-440nm. In the blue range, 25.5mW (EQE〜47%) has been realized….)」（２４４頁右欄７行〜２４６頁左欄１０行）
（３．結果と議論
３．１．ＬＥＤ
…
　３．１．２．可視ＬＥＤ
　…図２は、クリーのＸＢｒｉｇｈｔＴＭとＸＴｉｎＴＭなる標準ＬＥＤ（ｗｗｗ．ｃｒｅｅ．ｃｏｍ）の、紫から緑までの発光波長の関数としての、放射束と対応するＥＱＥを示す。このタイプのＬＥＤは、ＭＱＷ領域からの光の放出の最適化を助ける逆形状化チップデザインとされたものである。これらの素子は、ＤＵＰ素子よりも１０〜２０倍高い出力を示す。これは、エピタキシャル層のより高い内部効率、ＳｉＣチップの配置及び放出波長に対する基板の透明性によるより高い放出効率の結果である。…これらのＬＥＤのうち、パワーチップバージョンは３５０ｍＡ、３．４Ｖで駆動し、約１オーダー大きい高出力を示している。　紫（３９５〜４１０ｎｍ）、青（４５５〜４７５ｎｍ）、信号の緑（４９０〜５１０ｎｍ）及びディスプレイの緑（５２０〜５３５ｎｍ）の４つの生産ラインを代表する４つの波長範囲からのデータが図２に示されている。優勢な放出波長に対する放射束とＥＱＥの両方にフィットする一つの多項式曲線は、おおよそ４３０〜４４０ｎｍにピークを有する結果となっている。青の領域において、２５．５ｍＷ（ＥＱＥは約４７％）が実現された…。）
　
　（エ）上記（イ）の「ＬＥＤは、標準サイズ（３００×３００μｍ２）と、より広い領域を持つパワーチップサイズ（９００×９００μｍ２）で製造された。」との記載、上記（ウ）の「図２は、クリーのＸＢｒｉｇｈｔＴＭとＸＴｉｎＴＭなる標準ＬＥＤ…の、紫から緑までの発光波長の関数としての、放射束と対応するＥＱＥを示す。…これらのＬＥＤのうち、パワーチップバージョンは３５０ｍＡ、３．４Ｖで駆動し、約１オーダー大きい高出力を示している。」及び「…青（４５５〜４７５ｎｍ）、…青の領域において、２５．５ｍＷ（ＥＱＥは約４７％）が実現された…。」との記載に照らして図２をみると、標準サイズ（３００×３００μｍ２）のＬＥＤは、青の領域（４５５〜４７５ｎｍ）において、２５．５ｍＷを実現した、といえる。
　　
　上記摘記事項の記載を総合すると、引用刊行物１には、以下の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されていると認められる。
　
「単一の炭化ケイ素（ＳｉＣ）結晶の上にＩＩＩ族窒化物の層が金属有機気相エピタキシャル法（ＭＯＶＰＥ）で成長され、加工され、可視スペクトルの、４５５〜４６０ｎｍの青において、２０ｍＡ、３．１Ｖで２５．５ｍＷの出力が達成された発光ダイオード（ＬＥＤｓ）であって、
　多重量子井戸（ＭＱＷ）のＬＥＤの成長は、クリーにより製造されたエピ成長用４Ｈ−及び６Ｈ−ＳｉＣ基板上に金属有機気相成長エピタキシャル法を用いることにより行われ、ＬＥＤは、標準サイズ（３００×３００μｍ２）で製造され、
　青の領域（４５５〜４７５ｎｍ）において、２５．５ｍＷを実現した、発光ダイオード（ＬＥＤｓ）。」
　
　イ　引用刊行物２び引用発明２
　本願の優先日前に頒布された刊行物である国際公開第２００４／０１０５０９号（以下「引用刊行物２」という。）には、図とともに以下の事項が記載されている（なお、括弧書きで和訳を付した。）。
　
　（ア）「Figure 1 illustrates an LED device precursor 10 according to some embodiments of the present invention, comprising a substrate 20 having first and second opposing faces 20a and 20b, respectively, and an epitaxial region 22 formed on the first face 20a of the substrate 20. Substrate 20 may comprise silicon carbide, sapphire, aluminum nitride, gallium nitride or any other suitable conductive or non- conductive substrate material. In some embodiments of the present invention, the substrate 20 comprises conductively doped SiC. In some embodiments of the present invention, the substrate 20 is transparent to optical radiation in a predetermined wavelength range. In some embodiments of the present invention, epitaxial region 22 comprises a conductive buffer layer and a plurality of Group III-nitride epitaxial layers, at least some of which provide a diode region. …
　Subsequent to deposition of the epitaxial region 22, the epitaxial region 22 is patterned as shown in Figure 2 to form a plurality of mesas 30 each having sidewalls 30a, 30b. …
　Still referring to Figure 2, in some embodiments of the present invention, a layer of photoresist 24 and/ or other material is formed on the surface of the precursor 10 and patterned to expose the surface of the mesas 30, thereby defining a first reduced area 30c on the surface of the mesas 30. …
　A multilayer conductive stack 35 is then formed on the first reduced areas 30c of the mesas 30 using, for example, conventional lift-off techniques. As shown in Figure 3, the multilayer conductive stack 35 includes an ohmic layer 32, a reflector layer 34 and a barrier layer 36. …
　In some embodiments of the present invention, the barrier layer 36 can be a solder barrier layer to prevent solder metals such as tin from reacting with the reflector layer 34 and/or ohmic layer 32. The barrier layer 36 comprises W, TiW and/or TiN/W and is between about 500Å and about 50,000Å thick in some embodiments of the present invention, and is about 5000Å thick in other embodiments of the present invention. In other embodiments of the invention, the barrier layer 36 may comprise TiW having a composition of about 5% Ti and about 95% W.」（９頁２５行〜１１頁６行）
（図１は、本発明の一部の実施形態によるＬＥＤデバイスの前駆体１０を示し、これは、第１および第２の対向面２０ａおよび２０ｂを有する基板２０と、基板２０の第１の面２０ａ上に形成されたエピタキシャル領域２２とを含む。基板２０は、炭化ケイ素、サファイア、窒化アルミニウム、窒化ガリウムまたはその他の任意の適切な導電性または非導電性基板材料を含むことができる。本発明の一部の実施形態では、基板２０は、導電的にドープされたＳｉＣを含む。本発明の一部の実施形態では、基板２０は、所定の波長範囲内の光放射に対して透過性を有する。本発明の一部の実施形態では、エピタキシャル領域２２は、導電性バッファ層および複数のＩＩＩ族窒化物エピタキシャル層を含み、これらの層の少なくともいくつかが、ダイオード領域を形成する。…
　エピタキシャル領域２２の堆積後、エピタキシャル領域２２を、図２に示すようにパターニングして、側壁３０ａおよび３０ｂをそれぞれ有する複数のメサ３０を形成する。…
　図２をさらに参照すると、本発明による一部の実施形態では、前駆体１０の表面上に、フォトレジスト２４および／またはその他の材料の層を形成してパターニングし、メサ３０の表面を露出させ、それによってメサ３０の表面上に第１の縮小領域３０ｃを画定している。…
　次いで、例えば、従来のリフトオフ技術を利用して、メサ３０の第１の縮小領域３０ｃ上に多層導電スタック３５を形成する。図３に示すように、多層導電スタック３５は、オーミック層３２、反射層３４およびバリア層３６を含む。…
　本発明の一部の実施形態では、バリア層３６は、はんだに対するバリア層とすることができ、スズなどのはんだ金属が反射層３４および／またはオーミック層３２と反応するのを防止している。バリア層３６は、Ｗ、ＴｉＷおよび／またはＴｉＮ／Ｗからなり、本発明の一部の実施形態では、厚さが約５００Åから約５０，０００Åの間であり、本発明の他の実施形態では、約５０００Åである。本発明の他の実施形態では、バリア層３６は、約５％のＴｉと約９５％のＷからなる組成物を有するＴｉＷを含むことが可能である。）
　
　（イ）「
Barrier Layer/Sublayer Structures and Fabrication Methods
　In order to limit migration of the mirror metal 34 to the mesa 30, according to some embodiments of the invention, it may be desirable to extend the barrier layer 36 over the sidewalls of the reflector layer 34, as illustrated in Figure 13. This may be accomplished by performing an additional photolithography step to form the ohmic contact layer 32 and the reflector layer 34 to have a reduced width compared to the width of barrier layer 36, and/or using other conventional techniques. Thus, when barrier layer 36 is formed, e.g., deposited, it may contact the sidewalls of reflector layer 34 and ohmic contact 32 as well as a portion of the surface of mesa 30 surrounding the ohmic contact 32 and reflector layer 34.」（１８頁６〜２６行）
（
バリア層／副層構造および製造方法
　ミラー３４ともいう反射層３４からの金属の移動を制限することが好ましい。これは、このような金属は、メサ３０と接触した場合、デバイスのｐｎ接合に短絡を起こす可能性があるためである。これは、ミラー３４が、比較的低い温度で容易に移動しやすい銀を含む場合には特に重要である。…
　本発明の一部の実施形態によると、ミラー金属３４がメサ３０へ移動するのを制限するためには、図１３に示すように、バリア層３６を反射層３４の側壁を覆って延ばすことが望ましい。これは、フォトリソグラフィのステップを追加してオーミックコンタクト層３２および反射層３４を、バリア層３６と比べて幅が狭くなるように形成し、かつ／または他の従来技術を使用することによって達成できる。このようにして、バリア層３６が形成されたとき、例えば、堆積されたとき、それが反射層３４およびオーミックコンタクト３２の側壁、ならびに、オーミックコンタクト３２および反射層３４を取り囲むメサ３０の表面の一部に接触していても良い。）
　　
　上記摘記事項の記載を総合すると、引用刊行物２には、以下の発明（以下「引用発明２」という。）が記載されていると認められる。
　
「炭化ケイ素基板２０の第１の面２０ａ上に、導電性バッファ層および複数のＩＩＩ族窒化物エピタキシャル層を含み、これらの層の少なくともいくつかが、ダイオード領域を形成するエピタキシャル領域２２を形成し、
　該エピタキシャル領域２２をパターニングして、側壁３０ａおよび３０ｂをそれぞれ有する複数のメサ３０を形成し、
　該メサ３０の表面上に第１の縮小領域３０ｃを画定し、
　該メサ３０の第１の縮小領域３０ｃ上に、オーミック層３２、反射層３４およびバリア層３６を含む多層導電スタック３５を形成するＬＥＤデバイスであって、
　前記バリア層は、スズなどのはんだ金属が銀を含む反射層（ミラー）３４および／またはオーミック層３２と反応するのを防止するものであり、
　ミラー金属３４がメサ３０へ移動するのを制限するためには、バリア層３６を反射層３４の側壁を覆って延ばすことが望ましく、バリア層３６が形成されたとき、それが反射層３４およびオーミックコンタクト３２の側壁、ならびに、オーミックコンタクト３２および反射層３４を取り囲むメサ３０の表面の一部に接触していても良い、ＬＥＤデバイス。」
　
（２）対比、判断
　本願補正発明と引用発明１とを対比する。
　ア　引用発明１の「発光ダイオード（ＬＥＤｓ）」は、「単一の炭化ケイ素（ＳｉＣ）結晶の上にＩＩＩ族窒化物の層が金属有機気相エピタキシャル法（ＭＯＶＰＥ）で成長され、加工され」、「多重量子井戸（ＭＱＷ）」が成長されるものであるから、
　（ア）引用発明１の「多重量子井戸（ＭＱＷ）」は、本願補正発明の「発光アクティブ層」に相当し、
　（イ）引用発明１は、本願補正発明の「少なくとも１つの発光アクティブ層を備え」との事項を備える。
　イ　引用発明１の「発光ダイオード（ＬＥＤｓ）」は、「標準サイズ（３００×３００μｍ２）」、すなわちその面積が９００００μｍ２で製造されるものであるから、本願補正発明の「１０００００平方ミクロン以下の面積を有するダイを有し」との事項を備える。
　ウ　引用発明１の「発光ダイオード（ＬＥＤｓ）」は、「青の４５５〜４６０ｎｍで、２０ｍＡ、３．１Ｖで２５．５ｍＷの出力が達成された」ものであるから、
　（ア）引用発明１の「発光ダイオード（ＬＥＤｓ）」は、本願補正発明の「４．０ボルト未満の順方向電圧と、２０ミリアンペアの駆動電流において２４〜３０ミリワットの放射束と、３９５〜５４０ナノメートルの間の主波長とを有し」との事項を備え、
　（イ）引用発明１の「発光ダイオード（ＬＥＤｓ）」は、本願補正発明の「（単位面積当たり有利な出力を有し、小型で順方向電圧が低い）発光ダイオード」に相当するといえる。
　
　したがって、本願補正発明と引用発明１とは、
「単位面積当たり有利な出力を有し、小型で順方向電圧が低い発光ダイオードであって、
　少なくとも１つの発光アクティブ層を備え、
　前記発光ダイオードは、
　　１０００００平方ミクロン以下の面積を有するダイと、
　　４．０ボルト未満の順方向電圧と、
　　２０ミリアンペアの駆動電流において２４〜３０ミリワットの放射束と、
　　３９５〜５４０ナノメートルの間の主波長と
を有している発光ダイオード。」 
である点で一致し、次の点で相違する。
　 
　本願補正発明は、発光アクティブ層との電気的接続を提供する銀ベースのミラー層と、該ミラー層を取り囲みかつ前記発光アクティブ層まで延在する部分を有するバリア層であって、シルバが発光ダイオードの他の部分と反応することを防止するバリア層とを有するのに対し、引用発明１は、そのようなミラー層及びバリア層を有していない点（以下「相違点１」という。）。
　
　上記相違点１につき検討する。
　発光ダイオードからの光出力を高めるために、該発光ダイオードに銀からなるミラー層を設け、さらに、銀からなる前記ミラー層とはんだ層との間に、両者が混合しないようにチタン／タングステン等の拡散隔壁を設けた発光ダイオードは、本願の優先日時点で周知であるところ（必要なら、特開２０００−３４９３４９号公報（【０００４】、【００１８】、【００２１】、図２、図３）、特表２００４−５２１４９４号公報（【００４２】、【００８８】、【００８９】、図１７Ａ）参照。）、引用刊行物２には、引用発明２が記載され、「ミラー金属３４がメサ３０へ移動するのを制限するために」、「（スズなどのはんだ金属が銀を含む反射層（ミラー）３４…と反応するのを防止する）バリア層３６」を「反射層３４…の側壁、ならびに、…反射層３４を取り囲むメサ３０の表面の一部に接触」するようにした「ＬＥＤデバイス」が示されているから、引用発明１において、その光出力を高めるべく、銀からなるミラー層を設けるとともに、銀からなる当該ミラー層とはんだ層との間に、両者が混合しないようにチタン／タングステン等の拡散隔壁を設け、その際、銀からなるミラー層が多重量子井戸（ＭＱＷ）の形成部分へ移動するのを制限するために、ミラー層の側壁ならびに多重量子井戸（ＭＱＷ）形成部分の表面に接触するようになして、上記相違点１に係る本願補正発明の構成となすことは、当業者が容易になし得ることである。
　
　したがって、本願補正発明は、引用刊行物１、２に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
（３）むすび  
　以上のとおり、本件補正は、平成１８年改正前法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
　
第３　本願発明について
１　本願発明
　本件補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成２２年１２月３日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１〜３１に記載された事項によって特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、上記第２の１において補正前のものとして記載したとおりのものである。
　なお、本願発明において、「１０００００平方ミクロン以下の面積を有するダイ」、「４．０ボルト未満の順方向電圧」、「２０ミリアンペアの駆動電流において２４〜３０ミリワットの放射束」及び「３９５〜５４０ナノメートルの間の主波長」を有することは、本願第２基礎出願には記載されていたものの、本願第１基礎出願には記載されてはいなかったから、本願発明の進歩性（特許法第２９条第２項）に関する判断の基準日は、本願第２基礎出願の出願日（２００５年１月１８日、以下「優先日」という。）である。
　
２　刊行物記載の発明
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先日前に頒布された引用刊行物１及び引用発明１は、上記第２の２（１）アのとおりである。
　
３　対比、判断
　上記第２の２（２）において、本願補正発明と引用発明１と行った対比に照らして、本願発明と引用発明１とを対比すると、両者は次の点で相違する。
　 
　本願発明は、発光アクティブ層との電気的接続を提供する銀ベースのミラー層と、該ミラー層を包含するバリア層であって、シルバが発光ダイオードの他の部分と反応することを防止するバリア層とを有するのに対し、引用発明１は、そのようなミラー層及びバリア層を有していない点（以下「相違点２」という。）。
　
　上記相違点２につき検討する。
　発光ダイオードからの光出力を高めるために、該発光ダイオードに銀からなるミラー層を設け、さらに、銀からなる前記ミラー層とはんだ層との間に、両者が混合しないようにチタン／タングステン等の拡散隔壁を設けた発光ダイオードは、本願の優先日時点で周知であるから（必要なら、特開２０００−３４９３４９号公報（【０００４】、【００１８】、【００２１】、図２、図３）、特表２００４−５２１４９４号公報（【００４２】、【００８８】、【００８９】、図１７Ａ）参照。）、引用発明１において、その光出力を高めるべく、銀からなるミラー層を設けるとともに、銀からなる当該ミラー層とはんだ層との間に、両者が混合しないようにチタン／タングステン等の拡散隔壁を設けるようになすことは、当業者が容易になし得ることである。しかるところ、ミラー層の銀と半はんだ層との混合を確実に防止するべく、該拡散隔壁がミラー層を包含するようになして、上記相違点２に係る本願発明の構成となすことは、当業者が容易になし得ることである。
　
４　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用刊行物１に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。