(57)【要約】本発明は有機エレクトロルミネッセンス素子の光取り出し効率を改善できる透明性基板、及びこれを用いることにより高い発光効率でありかつ量産性に優れた有機エレクトロルミネッセンス素子を提供する。有機エレクトロルミネッセンス素子の透明性基板において、透明性基板の両面に、発光層からの発光に対して反射量が減少するような屈折率および膜厚を有する少なくとも１層の光学干渉膜を設けたことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子用透明性基板、及び該透明性基板を有する有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。
2003026356.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機エレクトロルミネッセンス素子の透明性基板において、該透明性基板の両面に、発光層からの発光に対して反射量が減少するような屈折率および膜厚を有する少なくとも１層からなる光学干渉膜を設けたことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子用透明性基板。
【請求項２】
光学干渉膜が、屈折率、１．１〜２．３及び膜厚が１０〜２５，０００ｎｍを有する請求項１記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用透明性基板。
【請求項３】
光学干渉膜が、高屈折率膜と低屈折率膜からなる複層膜、又は異なる膜厚を有する複層膜である請求項１又は２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用透明性基板。
【請求項４】
光学干渉膜が、金属酸化物のゾルゲル材料を透明性基板に塗布焼成したものからなる請求項１、２又は３に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用透明性基板。
【請求項５】
金属酸化物のゾルゲル材料が、金属アルコキシドを酸性化合物又は塩基性化合物の存在下に有機溶媒中で重縮合反応して得られるものである請求項４に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用透明性基板。
【請求項６】
金属アルコキシドが、アルコキシシラン、又はチタニウム、ジルコニウム、アルミニウム若しくはタンタリウムのテトラアルコキシ化合物である請求項５に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用透明性基板。
【請求項７】
光学干渉膜が金属酸化物のゾルゲル材料をディップ法によって透明基板の両面に成膜焼成したものからなる請求項１〜６のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用透明性基板。
【請求項８】
透明性基板が、シリカガラス、ソーダガラス又は有機フィルムである請求項１〜７のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用透明性基板。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用透明性基板を有する有機エレクトロルミネッセンス素子。
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子用基板およびこれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。
背景技術
有機エレクトロルミネッセンス素子は近年のフラットディスプレイの需要の高まりから新たに注目されている素子である。素子の構成は、ガラス基板上に形成した陽極、ホール輸送層、電子輸送性発光層、陰極のものがＴａｎｇとＶａｎｓｌｙｋｅにより提案されている（Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，５１，９１３，１９８７）。この他には、ガラス基板のかわりにフィルム基板を用いて軽量化やかとう性を実現した素子（Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  ＦＰＤ  Ｗｏｒｌｄ  ２００１，６，１５２）、前記素子構成のうち陰極に透明性材料を用い、さらにその上に透明性フィルムを設置して陰極側から発光を取り出すトップエミッション方式を採用した素子（Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  ＦＰＤ  Ｗｏｒｌｄ  ２００１，４，１３６）などが知られている。有機エレクトロルミネッセンス素子は、従来フラットパネルディスプレイとして広く用いられてきた液晶素子に比較して優れた点を有する。
すなわち自発光素子であるがゆえに視野角依存性が少ないこと、消費電力が小さいこと、きわめて薄い素子にできることである。しかしながらフラットディスプレイとするにはいまだ解決すべき問題点も多い。そのうち一つは素子の発光寿命が短いことである。これに対しては現在、素子の構成要素のうち発光層材料を改良することによって１万時間程度の寿命が達成されているが、フラットディスプレイにこの素子を適用するためにはまだ満足できる寿命ではない。寿命が短いとフラットディスプレイに静止画を長時間表示した場合、点灯画素と非点灯画素の間に輝度の差が生じ残像として視認されるという、残像現象があるためである。
発光寿命に関係する要因は多々あるが、発光輝度を高めるためにより高い電圧を素子に印加すると、より寿命が短くなることが知られている。しかしながら有機エレクトロルミネッセンス素子を用いたディスプレイの発光輝度は、低電圧の印加状態では満足できるものではなく、昼間室外でのディスプレイの視認性を確保するためには素子に高い電圧を印加して発光輝度を高める必要がある。このように有機エレクトロルミネッセンス素子には、寿命を長くしようとすれば発光輝度を弱くせねばならず、視認性を高めようとすれば寿命が短くなるというジレンマに陥っていた。
この問題を解決するために、従来より有機エレクトロルミネッセンス素子の発光層材料の改良が精力的に進められてきた。すなわちより低い電圧印加で高い発光輝度を実現するため、内部エネルギー効率の高い発光層材料を開発するものである。
一方、Ｔｈｏｍｐｓｏｎらによれば有機エレクトロルミネッセンス素子の発光効率を示す外部エネルギー効率は、素子の内部エネルギー効率と光取り出し効率との積であらわせる（Ｏｐｔｉｃｓ  Ｌｅｔｔｅｒｓ  ２２，６，３９６，１９９７）。すなわち有機エレクトロルミネッセンス素子の発光効率を向上するためには、内部エネルギー効率を向上させるほかに、光取り出し効率も向上させる必要がある。
光取り出し効率とは、素子の発光に対して素子の透明性基板正面から大気中に放出される発光の割合である。すなわち発光層での発光が大気中に放出されるには、幾つかの屈折率の異なる媒質の界面を通過する必要があるが、スネルの屈折の法則に従えば、各界面にその臨界角以上の角度で入射した光は、界面で全反射されて層中に導波し消失するか層側面より放出され、その分だけ素子正面からの光放出が減少する。
前記Ｔｈｏｍｐｓｏｎらによれば有機エレクトロルミネッセンス素子の光取り出し効率は約０．１７５であり、発光層で発生した光のおよそ１８％は素子外に取り出されるが、残り約８２％は素子中に封じ込められ消失するか素子側面から放出している。
このため、光取り出し効率を向上することが重要な課題であり、従来より様々な試みが行われている。透明電極や発光層に粒界を形成し可視光を散乱させるもの（特公平３−１８３２０号公報）、透明性基板として一方の表面が粗面化されたガラス基板を用いて発光を散乱させるもの、（特開昭６１−１５６６９１号公報）、電極と有機層との界面付近に散乱領域を設けたもの（特開平０９−１２９３７５号公報）が開示されている。しかしながらこれらの試みは全て素子各層の膜厚を乱す恐れがあり、絶縁破壊および素子発光の不均一性を生じる原因となるため、素子の量産性の観点からは満足できるものではなかった。
また、この他には透明性基板と発光層の間に光学干渉膜などの反射防止処理をおこなったものが開示されている（特開平２−５６８９２、特開平３−２９７０９０号公報）。しかし、これらは屈折率の大きな無機エレクトロルミネッセンス素子において効果のあるものであり、屈折率の比較的小さな有機エレクトロルミネッセンス素子の場合では、透明性基板と発光層側透明電極との界面だけではなく透明性基板と大気界面での全反射も大きな問題であるために十分な効果を上げられない。
さらに言えば、上記の発明は、外部光が透明性基板を透過し素子裏面の鏡面電極で反射し、コントラスト等素子の表示品質が低下することの防止を目的としたものであり、光取り出しという観点ではその屈折率、膜厚の設定が大きく異なる。
したがって有機エレクトロルミネッセンス素子の光取り出し効率が低いという問題点は依然解決されていない。
本発明は上述の背景に基づきなされてものであり、その目的は有機エレクトロルミネッセンス素子の光取り出し効率を改善することのできる透明性基板を提供し、これを用いることにより高い発光効率でありかつ量産性に優れた有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することにある。
発明の開示
本発明は、以下の特徴を有する有機エレクトロルミネッセンス素子用透明性基板、及びこれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子を提供する。
（１）有機エレクトロルミネッセンス素子の透明性基板において、該透明性基板の両面に、発光層からの発光に対して反射量が減少するような屈折率および膜厚を有する少なくとも１層からなる光学干渉膜を設けたことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子用透明性基板。
（２）光学干渉膜が、屈折率、１．１〜２．３及び膜厚１０〜２５，０００ｎｍを有する上記（１）記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用透明性基板。
（３）光学干渉膜が、高屈折率膜と低屈折率膜からなる複層膜、又は異なる膜厚を有する複層膜である上記（１）又は（２）に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用透明性基板。
（４）光学干渉膜が、金属酸化物のゾルゲル材料を透明性基板に塗布焼成したものからなる上記（１）、（２）又は（３）に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用透明性基板。
（５）金属酸化物のゾルゲル材料が、金属アルコキシドを酸性化合物又は塩基性化合物の存在下に有機溶媒中で重縮合反応して得られるものである上記（４）に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用透明性基板。
（６）金属アルコキシドが、アルコキシシラン、又はチタニウム、ジルコニウム、アルミニウム若しくはタンタリウムのテトラアルコキシ化合物である上記（５）に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用透明性基板。
（７）光学干渉膜が金属酸化物のゾルゲル材料をディップ法によって透明基板の両面に成膜焼成したものからなる上記（１）〜（６）のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用透明性基板。
（８）透明性基板が、シリカガラス、ソーダガラス又は有機フィルムである上記（１）〜（７）のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用透明性基板。
（９）上記（１）〜（８）のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用透明性基板を有する有機エレクトロルミネッセンス素子。
発明を実施するための最良の形態
本発明の透明性基板を用いた有機エレクトロルミネッセンス素子の例を図１に示す。図１の構成の素子は、通常本発明による透明性基板９の上に透明電極２、発光層を含む有機層３、電極４、を順次堆積してゆくことにより作成される。これらの堆積層の厚みは非常に薄く、透明性基板表面が粗面であると絶縁破壊をおこす恐れがある。したがって本発明による透明性基板９の素子側表面は充分に平滑化されている必要がある。
また、トップエミッション方式の素子構成にも本発明は適用でき、この方式には発光素子を別の基板に形成した後に本発明による透明性基板９を組み合わせて作成される。
本発明による光学干渉膜を備えた透明性基板９を用いると、有機エレクトロルミネッセンス素子の発光層３から垂直に近い角度で該透明基板９に入射した光については、各膜界面の反射光と入射光の位相が相反するために干渉作用がおこり反射光が減少するが、界面における光の運動量保存の法則により透過光がその分増加する。このため透明性基板正面から、より多くの光を取り出すことが出来るようになる。
一方、図２に示すように従来の光学干渉膜の設けられていない透明性基板１を用いた場合について、発光層３より発生した光のうち透明性基板１へ臨界角θ１以上の角度で入射した光５は全反射される。全反射された光はもう一方の電極表面４で再び全反射され、これを繰り返すことによって光は素子内を導波し消失する。臨界角θ１以下の角度で入射し透明性基板１内に入射した光であっても、透明性基板と大気界面において再び反射・屈折が起こり、臨界角θ２以上の角度で入射した光６は全反射されて、透明性基板１内を導波してしまい基板正面より光をとりだすことはできない。
ところが図３に示すように、本発明による光学干渉膜８を備えた透明性基板を用いると、原理は現時点では明らかではないが、発光層から透明性基板との界面に臨界角θ１およびθ２以上の角度で入射した光であっても、透明性基板正面より幾らか光を取り出すことが出来るようになる。したがって本発明による透明性基板を用いるだけで通常の有機エレクトロルミネッセンス素子の外部発光効率を大幅に向上させることができ、ひいては先述のように有機エレクトロルミネッセンス素子の発光輝度と寿命の両立を達成することが可能となる。
また本発明による透明性基板は、両面に光学干渉膜を持つ構造であるため、ディップ法など安価に大面積基板を作成できる塗布方法を適用できるというメリットがある。
本発明に用いる透明性基板とはシリカガラス、ソーダガラス、有機フィルムなどの透明な基体である。表面にカラーフィルタやブラックマトリクスが形成されているものでもよい。この透明性基板の両面に、発光素子からの発光に対して反射量が減少するような屈折率および膜厚を有する少なくとも１層からなる光学干渉膜を形成する。例えば１層の光学干渉膜を設置する場合は、次の式に基づき反射率が極小となるようにその膜厚および屈折率を設定する。
Ｒ＝｛（ｎ２−ｎｇ×ｎｔ）÷（ｎ２＋ｎｇ×ｎｔ）｝２
透明性基板は透明性電極と接しており反射性界面を形成しているが、該界面に単層膜を置き特定波長λでの反射がゼロになる条件は、光学干渉膜の膜厚をｄ、その屈折率をｎ、透明性基板の屈折率をｎｇ、透明性電極の屈折率をｎｔ、任意の自然数をＮとすると、ｎ＝（ｎｇ×ｎｔ）１／２、かつｎ×ｄ＝（λ÷４）×Ｎとなる。通常、ディスプレイの反射防止膜に適用する場合は、可視光全域の反射を考慮するのでλは中心波長である５２０ｎｍをもとに設定する。なお、本発明でＮは通常１〜５０の範囲で用いられる。
上記の式はすなわち膜の屈折率が基板の屈折率の２乗根となる振幅条件およびその光学的厚さが中心波長の１／４のＮ倍になる位相条件が必要であることを表している。例えば透明性基板の屈折率が１．５であり透明性電極の屈折率が２．０である場合、用いるべき単層膜の屈折率は１．７３となり、さらに中心波長を５２０ｎｍに設定すればｎ×ｄ＝１３０ｎｍとなり、単層膜の膜厚は約７５ｎｍのＮ倍とすればよい。このようにして、本発明における光学干渉膜は、屈折率が通常、好ましくは１．１〜２．３、特に好ましくは１．２〜１．９である。また、膜厚は通常、好ましくは１０〜５００ｎｍのＮ倍、特に好ましくは５０〜２００ｎｍのＮ倍を有するのが好適であり、通常好ましくは１０〜２５，０００ｎｍ、特に好ましくは５０〜１０，０００ｎｍを有する。
また、さらに広い波長範囲にて比較的低反射に抑える目的では２層膜などの複層膜を用いてもよい。２層膜の構成としては好ましくは二通りある。その一つは、屈折率の差が好ましくは０．０１〜１．００異なる、高屈折率膜と低屈折率膜を順次重ねて成膜するものであり、各々の膜においての反射率を抑えた膜厚に設定する。もう一つは構造は同じで各々の膜厚が、好ましくは中心波長の１／４のＮ倍と１／２のＮ倍になるタイプである。
さらに、より広い波長範囲で低反射率に抑えるためには光学干渉膜を３層膜以上の多層膜にしてもよい。本発明による光学干渉膜の構成材料は、上記の式に基づき得られる適切な屈折率と膜厚を実現することの出来るものであれば有機単分子、有機高分子、無機金属酸化物を問わず使用することができるが、金属アルコキシドの重縮合物であるゾルゲル材料が好ましい。このゾルゲル材料は、金属アルコキシドを酸性化合物又は塩基性化合物の存在下に有機溶媒中で重縮合反応することによって得られる。
この酸性化合物としては、例えば硝酸、塩酸等の鉱酸やシュウ酸、酢酸等の有機酸が挙げられる。また塩基性化合物としては、例えばアンモニア等が挙げられる。上記金属アルコキシドとしては、例えばテトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラプロポキシシラン、テトラブトキシシラン等のテトラアルコキシシラン類、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、プロピルトリメトキシシラン、プロピルトリエトキシシラン、ブチルトリメトキシシラン、ブチルトリエトキシシラン、ペンチルトリメトキシシラン、ペンチルトリエトキシシラン、ヘキシルトリメトキシシラン、ヘキシルトリエトキシシラン、ヘプチルトリメトキシシラン、ヘプチルトリエトキシシラン、オクチルトリメトキシシラン、オクチルトリエトキシシラン、ステアリルトリメトキシシラン、ステアリルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、３−クロロプロピルトリメトキシシラン、３−クロロプロピルトリエトキシシラン、３−ヒドロキシプロピルトリメトキシシラン、３−ヒドロキシプロピルトリエトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシトリエトキシシラン、３−メタクリルオキシトリメトキシシラン、３−メタクリルオキシトリエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、トリフルオロプロピルトリメトキシシラン、トリフルオロプロピルトリエトキシシラン等のトリアルコキシシラン類、又は、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン等のジアルコキシシラン類等、チタニウムテトラエトキシド、チタニウムテトラプロポキシド、チタニウムテトラブトキシド等のチタニウムテトラアルコキシド化合物、ジルコニウムテトラエトキシド、ジルコニウムテトラプロポキシド、ジルコニウムテトラブトキシド等のジルコニウムテトラアルコキシド化合物、アルミニウムトリブトキシド、アルミニウムトリイソプロポキシド、アルミニウムトリエトキシド等のアルミニウムトリアルコキシド化合物、バリウムジエトキシド等のバリウムジアルコキシド化合物、タンタリウムペンタプロポキシド、タンタリウムペンタブトキシド等のタンタリウムペンタアルコキシド化合物、セリウムテトラメトキシド、セリウムテトラプロポキシド等のセリウムテトラアルコキシド化合物、イットリウムトリプロポキシド等のイットリウムトリアルコキシド化合物、ニオビウムペンタメトキシド、ニオビウムペンタエトキシド、ニオビウムペンタブトキシド等のニオビウムペンタアルコキシド化合物、カドミウムジメトキシド、カドミウムジエトキシド等のカドミウムジアルコキド化合物等が挙げられ、これらを単独で又は２種以上組み合わせて用いる事が出来る。
上記アルコキシシランの中でも、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン等のテトラアルコキシシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン等のトリアルコキシシラン、チタニウムテトラアルコキシド化合物、ジルコニウムテトラアルコキシド化合物、アルミニウムトリアルコキシド化合物、タンタリウムペンタアルコキシド化合物を好ましく用いる事が出来る。
上記のアルコキシシラン及び金属アルコキシドの重縮合反応、並びに金属塩の溶解の際に使用する有機溶剤は、例えばメタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール等のアルコール類、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン類、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類、エチレングリコール、プロピレングリコール、ヘキシレングリコール等のグリコール類、エチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、エチルカルビトール、ブチルカルビトール、ジエチルセロソルブ、ジエチルカルビトール等のグリコールエーテル類、Ｎ−メチルピロリドン、ジメチルフォルムアミド等が挙げられ、それらを単独で又は２種以上混合して使用する事が出来る。また、塗布液の長期保存性を高める為や、塗布液を基材に塗布した際の乾燥むらを防止する目的で、加水分解終了後、副生する低沸点のアルコール類を留去して、塗布液中の溶剤を高沸点化、高粘度化する事が出来る。
次に、本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子用透明性基板の製造方法の一例について説明する。まず、上記の金属アルコキシド重縮合物を上記の有機溶媒に溶解させた塗布液を作成する。
この塗布液は、ディッピング、スピンコート、転写印刷、刷毛塗り、ロールコート、スプレー等の通常使用される塗布法により透明性基材の両面に塗布する。量産性の観点からは、一度の操作で両面に平滑に塗布でき大面積化も容易なディップ法を用いることが好ましい。得られた塗布膜は、その材質にもよるが金属アルコキシドを原料とした者は５０〜８０℃の温度で乾燥した後、１００℃以上、好ましくは１００〜５００℃の温度で０．５〜１時間で焼成させる。この加熱硬化は、オーブン炉、ホットプレート等の装置を用いて行うことが出来る。
この後、塗布膜を形成した透明性基板を必要に応じ研磨、プレス、透明性平坦化膜の塗布などの方法によって平滑化することができる。
またここでは単層膜の場合を述べたが、上記の工程を繰り返すことにより複数層の光学干渉膜とすることができる。当然ながら複数層の光学干渉膜にする場合は、その構成する各層の組成、膜厚、屈折率はおのおの独立していてもかまわない。
以下、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、これらは例示的なものであって、本発明をなんら限定するものではない。
実施例１
ガラス基板の両面にディップ法により、シリカ系のゾルゲルコーティング材（日産化学工業社製  商品名  ＬＲ−２０１Ａ）を膜厚１０３ｎｍになるように成膜した。この基板をオーブンで３０分間、５１０℃に加熱して焼成した。オーブンから取り出して、この塗膜の屈折率を測定したところ１．２６であった。また、この基板の５５０ｎｍの波長の光における反射率を測定したところ２％であった。本処理を施していないガラス基板の反射率は４％であることから、本処理によって反射率が減少していることがわかった。
実施例２
ガラス基板の両面にディップ法により、（シリカ＋無機酸化物）系のゾルゲルコーティング材（日産化学工業社製  商品名  Ｈ−７０００、Ｈ−１０００、ＬＲ−２０２）をおのおの膜厚１０３ｎｍになるように積層成膜した。この基板をオーブンで３０分間、５１０℃に加熱して焼成した。オーブンから取り出して、この基板の５５０ｎｍの波長の光における反射率を測定したところ０．３％であった。本処理を施していないガラス基板の反射率は４％であることから、本処理によって反射率が減少していることがわかった。
実施例３
上記実施例１と実施例２より得られた光学干渉層を有する透明性基板、および光学干渉層を形成していない透明性基板を比較例として用いて、それぞれ有機エレクトロルミネッセンス素子を作成した。それぞれの透明性基板の一方の光学干渉層の上に、透明性電極としてスパッタ法によりインジウムチンオキサイド（ＩＴＯ）を１００ｎｍの厚みで成膜した。このときのシート抵抗値は２０Ω／ｃｍ２であった。
この表面にホール輸送層材料としては本出願人が先に出願した特願２０００−３４１７７５号に記載のオリゴアニリン誘導体（アニリン５量体をＤＭＦに溶解させそれに３倍モル当量の５−スルホサリチルをドーピングしたもの）を７０ｎｍの厚みで、発光層としてはＮ，Ｎ’−ビス（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−１，１’−ビスフェニル−４，４’−ジアミン（α−ＮＰＤ）を５０ｎｍの厚みで、電子輸送層としてはトリス（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウム（Ａｌｑ３）を５０ｎｍの厚みで順次形成した。続いて陰極としてマグネシウム−銀合金を蒸着し形成した。このときの陰極の膜厚は２００ｎｍとした。
このようにして作成した有機エレクトロルミネッセンス素子の両電極に電圧を１０Ｖ印加し、透明性基板正面からの発光量を測定し、比較例の測定値を１として実施例１と実施例２の透明性基板より作成した素子の測定値と比較した。
その結果、実施例１の素子では１．２、実施例２の素子では１．３となり、このことから本発明による透明性基板を用いることで従来構造の有機エレクトロルミネッセンス素子の面発光輝度を大幅に上昇させることを確認するに至った。
産業上の利用可能性
以上、詳述したようにこの発明の有機エレクトロルミネッセンス素子用基板は量産性に優れ、かつこの基板を用いて素子を構成することにより、光の外部取り出し効率を向上させた有機エレクトロルミネッセンス素子を作成することができる。
【図面の簡単な説明】
図１：本発明による透明性基板を有機エレクトロルミネッセンス素子に適用したものを示した断面図。
図２：従来の透明性基板を用いた場合の発光層からの光の内部閉じ込めを示したものを示した断面図。
図３：本発明による透明性基板を用いた場合の発光層からの光の、基板正面からの取り出しを示したものを示した断面図。
符号の説明
１．透明性基板
２．透明性電極
３．発光層を有する有機層
４．電極
５．透明性電極と透明性基板との界面で反射し素子内を導波する光
６．透明性基板と大気との界面で反射し素子内を導波する光
７．界面で全反射せず、素子より取り出される光
８ａおよび８ｂ．本発明による光学干渉層
９．本発明による有機エレクトロルミネッセンス素子用透明性基板
１０．本発明による光学干渉層の作用により素子外へ取り出された光
１１．本発明による光学干渉層の作用により素子外へ取り出された光
θ１．透明性電極と透明性基板との界面の全反射角
θ２．透明性基板と大気との界面の全反射角
【図１】
2003026356.tif 000003
【図２】
2003026356.tif 000004
【図３】
2003026356.tif 000005
【国際調査報告】
2003026356.tif 000006
2003026356.tif 000007