【事件の表示】
　特願２００９−２５３８４２「電子部品の冷却システム」拒絶査定不服審判事件〔平成２２年　２月１２日出願公開、特開２０１０−　３３５９８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続きの経緯・本願発明
　本願は、平成１６年１１月３日（優先権主張２００３年１１月４日、米国）を国際出願日とする特願２００６−５３８４８３号（以下、「原出願」という。）の一部を、平成２１年１１月５日に新たに特許出願したものであって、平成２３年３月３０日付けで拒絶査定がなされ、それに対して同年８月４日に拒絶査定不服の審判請求がなされるとともに手続補正書が提出されたものであって、その請求項５に係る発明は、平成２３年８月４日に提出された手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項５に記載された次のとおりのものと認める。（以下、「本願発明」という。）
「電子部品の冷却システムであって：
　前記電子部品の複数の異なる領域上に置かれた複数の熱電素子群であり、前記領域がＸ及びＹ方向に互いに間隔をあけられた中心点を有する、複数の熱電素子群；
　該熱電素子群に接続され、該熱電素子群がそれぞれの前記領域から熱を排出するように該熱電素子群に電流を供給する複数の導体；
　前記導体に接続され、前記熱電素子群に供給される電流を相対的に制御する制御装置；
及び
　前記熱電素子群に供給される電力を制御するために、前記電子部品によって使用される電力を検出し、且つ検出された電力データを前記制御装置に提供する電力モニター回路；
　を有する冷却システム。」
　　　
第２　引用文献
　原査定の拒絶の理由に引用された米国特許第６２３０４９７号明細書（以下、「引用文献」という。）には、図面とともに次の記載がある。
（ア）「FIG.1 is a block diagram which generally depicts an apparatus 20 for monitoring and controlling temperatures at a semiconductor circuit 22. As shown in FIG.1, the apparatus has a cooling section 24 which is coupled to a controller 28. 
・・・中略・・・
 As will be explained in greater detail in FIGS.2 and 3, the cooling section 24 establishes an array of thermoelectric cooler cells which are disposed proximate the semiconductor circuit 22. The cooling section 24 has a grid of thermoelectric coolers preferably integrated with and co-located on the device dice of the semiconductor based circuit 22.」（第３欄第３行〜第１４行）
（当審訳：ＦＩＧ．１は、半導体回路２２の温度をコントロール及びモニタリングする装置２０を一般的に示すブロックダイヤグラムです。ＦＩＧ．１の中で示されるように、装置にはコントローラー２８につながれる冷却セクション２４があります。
・・・中略・・・
ＦＩＧ．２と３に、より非常に詳しく説明されるように、冷却セクション２４は、半導体回路２２に最も近く配置される熱電冷却セルの配列で成り立っています。冷却セクション２４は、熱電冷却素子のグリッド、好ましくは、半導体ベースの回路２２のデバイスダイス上に位置し、統合される熱電冷却素子のグリッドを有します。）　
　　
（イ）「The cooling section 24 may selectively include a temperature sensing element for monitoring local temperatures at respective thermoelectric cells, a memory device for storing the operational settings of individuals cells, and high speed switches for each cell to alter current flow in the cell thereby selectively removing heat or adding heat to the cell areas associated with the thermoelectric coolers of the cooling section. The controller 28 shown as an external microprocessor is coupled with the temperature-sensing elements, memory devices and high speed switches associated with each individual thermoelectric cooler cell to control the operational settings and, in turn, the temperature at the thermoelectric cooler cells proximate the semiconductor circuit 22. The semiconductor circuit may selectively be any electronic semiconductor based device such as an integrated circuit, Field Programmable Gate Array Chip memory devices, microprocessor, application specific integrated circuits, programmable logic devices, digital signal processing integrated circuits and the like.」（第３欄第１９行〜第３８行）
（当審訳：冷却セクション２４は、それぞれの熱電気セルで局所的な温度をモニターするための温度センシング要素、個々のセルの運用上のセッティングを格納するためのメモリ素子、および各々のセルが、冷却セクションの熱電冷却素子に関連したセル・エリアに選択的に排熱あるいは加熱するために、セル内の電流を切り替える高速スイッチを有しています。外部マイクロプロセッサーとして示されたコントローラー２８は、半導体回路２２に最も近い熱電冷却セルの温度を順番にコントロールするために、温度センシング要素、メモリ素子、および熱電冷却セルでの運用上のセッティングに関連した高速スイッチとつなげられます。半導体回路は、集積回路、フィールドプログラム可能なゲート・アレー・チップ・メモリ素子、マイクロプロセッサー、特定用途向けＩＣ、プログラム可能論理回路、デジタル信号処理集積回路のような任意の電子半導体ベースの装置であってもよい。）
　　　　
（ウ）「FIG.2 shows an array 32 of thermoelectric cooler cells 34 which controls temperatures at electrically active areas of the semiconductor device 22. The individual thermoelectric cooler cells 34 each have respective thermoelectric coolers 32. The thermoelectric coolers 38 each have a designated cell area 36. Heat is selectively added to and removed from the cell areas associated with various ones of the thermoelectric cooler cells based on the electrical activity at the cell areas of the array 32.」（第３欄第３９行〜第４７行）
（当審訳：ＦＩＧ．２は、半導体デバイス２２の電気的にアクティブなエリアの温度をコントロールする熱電冷却セル３４の配列３２を示します。個々の熱電冷却セル３４は、それぞれ熱電冷却素子３２（当審注：「３８」の誤記と認められる。）を有しています。各々の熱電冷却素子３８には指定のセル・エリア３６があります。配列３２のセル・エリアで電気的な活動に基づいた様々な熱電冷却セルに関連したセル・エリアに熱は選択的に加えられ、取り除かれます。）
　　
（エ）「FIG.3 depicts a side view of thermoelectric coolers 38 for the cooler cells which transfer heat at respectively associated cell areas 36. The thermoelectric coolers 38 are made of n-doped semiconductor material 40 and p-doped semiconductor material 42. The n-doped 40 and p-doped semiconductor material 42 are connected together by electrical connection 44 and are positioned such that current is permitted to flow through the n-p junction 46. The n-doped 40 and p-doped 42 semiconductor material may selectively be arranged in layers or in thin-film blocks(as seen in FIG.3).」（第３欄第４８行〜第５７行）
（当審訳：ＦＩＧ．３は、それぞれ関連するセル・エリア３６で熱を転送する冷却セルの熱電冷却素子３８の側面図を示しています。熱電冷却素子３８は、ｎドープ半導体４０およびｐドープ半導体４２で作られています。ｎドープ４０およびｐドープ半導体４２は、電気的結合４４によってともに接続され、電流がｎ−ｐ結合４６を通って流れることを許されるように位置します。ｎドープ４０およびｐドープ４２半導体は、層、あるいは薄膜ブロック(ＦＩＧ．３に見るように)において選択的に配置されるかもしれません。）
　　　
（オ）「The thermoelectric coolers 38 in the array 32 have an associated temperature-sensing elements 54 for taking temperature measurements at each of the thermoelectric cooler cells 34. The temperature-sensing elements 54 provided may be any temperature sensor which is capable of determining temperature at local areas at the semiconductor material of the thermoelectric coolers 38. For instance, forward-biased, constant-current diodes etched onto the semiconductor material 40, 42 of the thermoelectric coolers 38 may be employed. Alternatively, temperature measurements may be determined by measuring the voltage across the n-p junction 46, FIG. 3, of the n-doped 40 and p-doped semiconductor material 42. The measured temperature is proportional to the voltage across an n-p device such as a diode when a constant current source is used across it. It will be appreciated that in most cases, the temperature is a linear function of the voltage.」（第４欄第２２行〜第３８行）
（当審訳：配列３２中の熱電冷却素子３８は、熱電冷却セル３４の各々で温度測定するために関連する温度センシング要素５４を有しています。提供される温度センシング要素５４は、熱電冷却素子３８の半導体材料で局所的エリアで温度を決定することができるあらゆる温度センサーでかまいません。例えば、フォワードバイアスされた、熱電冷却素子２８の半導体４０および４２上にエッチングされた定電流ダイオードが使用されるかもしれません。あるいは、温度測定は、ＦＩＧ．３のｎドープ４０およびｐドープ４２の半導体のｎ−ｐ結合４６を横切る電圧を測定することにより決定されるかもしれません。測定された温度は、定電流源が使用される場合、ダイオードのようなｎ−ｐデバイスを横切る電圧に比例します。ほとんどの場合、温度は電圧の一次関数であることが認識されるでしょう。）
　　　
（カ）「As discussed above, the temperature-sensing elements 54, FIG. 2, RAM units 50 and switches 32 are coupled with and interact with the controller 28. The temperature-sensing elements 54, FIG. 2, are coupled with the controller 28 to provide temperature measurements to the controller. The controller 28, which preferably is a programmable microprocessor based device, employs a genetic algorithm in a real time control application which utilizes the temperature measurements received at the controller. Based on the temperature measurements received which correspond to individual thermoelectric cooler cells 34 and their associated cell areas in the array 32, the controller 28 utilizing the genetic algorithm determines the current direction and current amount needed for each thermoelectric cooler cell 34 of the array 32 in order to minimize temperature variation at the semiconductor circuit 22. Genetic algorithm (GA) is used to optimize the independent parameters to maximize or minimize a given function described by the parameters. In controller 28, the genetic algorithm is used to minimize the average die temperatures of the semiconductor circuit device or to obtain the desired die temperature profile by controlling the on/off switching at selected thermoelectric cooler cells 34. The genetic algorithm uses the real time behavior of the apparatus (temperature distribution on the array) for given inputs to generate the optimum configuration for the thermoelectric coolers 38. In response to the temperature measurements received from the temperature-sensing elements 54, the controller 28 determines the switch setting (such as heat, cool, off) for the thermoelectric cooler cells 34 in the array 32. If the determined switch setting is different from the existing setting, the controller 28 selectively changes the switch setting stored in RAM 50 for the appropriate cooler cells 34. The high-speed switches 52 are appropriately switched in accordance with the stored switch settings and the array is accordingly activated.」（第４欄第３９行〜第５欄第６行）　　　
（当審訳：上に議論したように、温度センシング要素５４、ＦＩＧ．２、ＲＡＭユニット５０およびスイッチ３２は、コントローラー２８とつなげられて互いにやり取りします。温度センシング要素５４(ＦＩＧ．２)はコントローラーに測定温度を供給するためにコントローラー２８につなげられます。コントローラー２８は、好ましくは、プログラム可能なマイクロプロセッサーベースの装置であり、コントローラーで受け取った測定温度を利用するリアル・タイム・コントロール・アプリケーションにおいて遺伝的アルゴリズムを使用します。個々の熱電冷却セル３４および配列３２中の関連するセル・エリアに該当する測定温度に基づいて、遺伝的アルゴリズムを利用するコントローラー２８は、半導体回路２２で温度差を最小化するために配列３２の各熱電冷却セル３４に必要とされる電流の方向および量を決定します。遺伝的アルゴリズム(ＧＡ)は、パラメーターによって記述された与えられた機能を最大限にするか最小化するように、独立したパラメーターを最適化するために使用されます。コントローラー２８では、遺伝的アルゴリズムは、半導体回路装置の平均ダイ温度を最小化するために、あるいは選択された熱電冷却セル３４においてオン/オフ・スイッチングをコントロールすることにより、所望のダイ温度プロファイルを得るために使用されます。熱電冷却素子３８の最適の配置を生成するために、遺伝的アルゴリズムは、装置のリアル・タイムの振る舞い(配列上の温度分布)を与えられた入力に使用します。温度センシング要素５４から受け取った測定温度に応じて、コントローラー２８は配列３２の熱電冷却セル３４のためにスイッチの設定(ヒート、クール、オフのような)を決定します。決定されたスイッチの設定が既存の設定とは異なる場合、コントローラー２８は適切な冷却セル３４のためにＲＡＭ５０に格納されたスイッチ設定に選択的に変更します。高速スイッチ５２は、格納されたスイッチの設定に従って適切にスイッチングされ、従って配列は活性化されます。）
　　
（キ）「The direction of current flow through the coolers 38 dictates whether the thermoelectric cooler “heats” or “cools”. The current direction is controlled by high speed switches 52 having their setting stored in RAM 50. By changing the direction of the current, the individual thermoelectric coolers 38 effectively remove heat from a small area of the semiconductor based circuit or locally adds heat to the area proximate the semiconductor circuit.」（第５欄第１５行〜第２２行）　　
（当審訳：冷却素子３８を流れる電流の方向は、熱電冷却素子の“heats”または“cools”どちらかを指示する。電流の方向は、ＲＡＭ５０にそれらのセッティングを格納する、高速スイッチ５２によってコントロールされます。電流の方向の変更によって、個々の熱電冷却素子３８は、半導体ベースの回路の小さなエリアから有効に排熱するか、あるいは、半導体回路の近接したエリアに局所的に加熱する。）
　　　
（ク）「This overcomes the problem of maintaining uniform temperatures on semiconductor based electronic devices in the presence of changing internal (FPGAs, central processing units, etc.) or external temperature (charged coupled display devices, infrared sensors etc.) by integrating a computer-controlled recongifurable temperature monitoring controlling and cooling apparatus onto a semiconductor circuit during manufacturing. The present invention has many advantages over conventional thermal management techniques by providing: precise temperature control at sub-device level; small size and high reliability; the ability to locally heat or cool; efficiency with the areas which require cooling being cooled; the ability to be added at manufacturing stage; intelligent operation by controller responding to changes in local activity on the semiconductor based circuit.
  FIG.4A depicts an example of electrical activity occurring at the semiconductor circuit in relation to the cell areas 36 associated with the thermoelectric coolers of the array 32. The darker areas on the grid of array 32 reflect very active areas generating higher levels of heat and the generally clear areas reflect cooler areas having less activity or are inactive.」（第５欄第３６行〜第５７行）
（当審訳：これは、製造の間に半導体回路上へ、コンピュータ制御され、再配置可能な温度監視、制御および冷却装置を統合することにより、内部温度(ＦＰＧＡ、中央処理装置など)または外部温度(電荷結合ディスプレイデバイス，赤外線センサー等)が変化している状態の半導体ベースの電子デバイスに関して一定の温度を維持する問題を克服します。本発明は、次の事項を提供することにより従来の熱の管理技術より多くの長所を有します。：サブデバイスレベルの正確な温度調節； 小さいサイズと高い信頼度；局所的に熱くする、又は冷やす能力；冷やされることを要求するエリアを冷やす効率；製造段階で加えられる能力；半導体ベースの回路の局所的活動の変化に応答するコントローラーによる知的なオペレーション。
 ＦＩＧ．４Ａは、配列３２の熱電冷却素子に関連した、セル・エリア３６に関しての半導体回路で生じる電気的な活動の例を示します。配列３２のグリッドのより暗いエリアは、より高いレベルの熱を発する非常に活発なエリアを反映します。また、一般に明るいエリアは、より活動が少ないか、不活動である冷たいエリアを反映します。）
　　
（ケ）「FIG.4C depicts the subsequent nearly-uniform temperature at the cell areas 36 of the array 32 disposed at the semiconductor circuit. Upon determining the proper switch settings, the controller 28 changes the necessary switch settings and the entire array 32 is activated. The dark areas represent hot areas and clear areas represent cool areas. FIG.4C illustrates the even and nearly-uniform distribution of heat across the entire array 32.
The thermoelectric coolers 38 are able to be integrated on a chip level of the semiconductor circuit 22 during manufacturing. ・・・中略・・・
  FIG.5A illustrates device die being supported by ceramic substrate 60 with an array of thermoelectric cooler cells also in communication with the back side of ceramic substrate.」（第６欄第８行〜第２９行）
（当審訳：ＦＩＧ．４Ｃは、半導体回路に配置された配列３２のセル・エリア３６のその後のほぼ一様な温度を示します。適切なスイッチの設定を決定する際、コントローラー２８は必要なスイッチの設定を変更し、全配列３２が活性化されます。暗いエリアはホットエリアを表わし、明るいエリアはクールエリアを表わします。ＦＩＧ．４Ｃは、全配列３２を横切る熱がほぼ等しく一様な分布であることを示します。
熱電冷却素子３８は、製造の間に半導体回路２２のチップ・レベルに統合されることができます。 ・・・中略・・・
　ＦＩＧ．５Ａは、裏側に熱電冷却セルの配列を備えたセラミック基板６０でサポートされているデバイスダイを示します。）
　　　　　　　　　　　
　以上の記載によれば、この引用文献には以下のような発明（以下、「引用発明」という。）が開示されていると認められる。
「半導体回路２２の温度をコントロール及びモニタリングする装置２０であって、
　半導体回路２２の基板の裏側に配置される熱電冷却セル３４の配列３２で構成される冷却セクション２４とコントローラー２８を有し、
　前記配列３２のそれぞれの熱電冷却セル３４は、個々のセル３４の運用上のセッティングを格納するためのメモリ素子（ＲＡＭ）５０、高速スイッチ５２、及び複数の熱電冷却素子３８を有し、
　前記熱電冷却素子３８は、熱電冷却セル３４の各々での温度測定に関連する温度センシング要素５４を有し、
　個々の熱電冷却素子３８は、指定のセル・エリア３６があり、流れる電流の方向の変更によって、半導体回路２２の小さなエリアから有効に排熱するか、あるいは、半導体回路２２の近接したエリアに局所的に加熱し、
　前記温度センシング要素５４は、コントローラー２８に測定温度を供給し、コントローラー２８は、受け取った個々の熱電冷却セル３４および配列３２の関連するセル・エリア３６に該当する測定温度に基づいて、半導体回路２２の局所的活動の変化に応答し、温度差を最小化するために、配列３２の各熱電冷却セル３４に必要とされる電流の方向および量を決定し、高速スイッチの設定(ヒート、クール、オフのような)を決定し、選択された熱電冷却セル３４においてオン/オフ・スイッチングをコントロールし、配列３２のセル・エリア３６の温度分布をほぼ一様にする半導体回路２２の温度をコントロール及びモニタリングする装置２０。」
　　
第３　対　比
　本願発明と引用発明とを対比する。
（ア）引用発明の「半導体回路２２」は、本願発明の「電子部品」に相当する。
　　
（イ）引用発明において「半導体回路２２の基板の裏側に配置される熱電冷却セル３４の配列３２」の「それぞれの熱電冷却セル３４」が有する「複数の熱電冷却素子３８」は、「指定のセル・エリア３６」に配置されており、当該「セル・エリア３６」は、「熱電冷却セル３４の配列３２」の個々の領域に対応しているから、引用発明の「セル・エリア３６」は本願発明の「前記電子部品の複数の異なる領域」に相当するといえ、引用発明の「複数の熱電冷却素子３８」は、本願発明の「前記電子部品の複数の異なる領域上に置かれた複数の熱電素子群」に相当するといえる。
　　　
（ウ）引用発明の「熱電冷却素子３８」は、「流れる電流の方向の変更によって、半導体回路２２の小さなエリアから有効に排熱するか、あるいは、半導体ベース回路の近接したエリアに局所的に加熱する」から、熱電冷却素子３８に電流を供給する複数の導体を有することは明らかであり、この構成は、本願発明の「該熱電素子群に接続され、該熱電素子群がそれぞれの領域から熱を排出するように該熱電素子群に電流を供給する複数の導体」に相当するといえる。
　　　
（エ）引用発明の「コントローラー２８」は、「受け取った個々の熱電冷却素子セル３４および配列３２中の関連するセル・エリアに該当する測定温度に基づいて、半導体回路２２の局所的活動の変化に応答し、温度差を最小化するために、配列３２の各熱電冷却セル３４に必要とされる電流の方向および量を決定し、高速スイッチの設定(ヒート、クール、オフのような)を決定し、選択された熱電冷却セル３４においてオン/オフ・スイッチングをコントロールし、配列３２のセル・エリア３６の温度分布をほぼ一様にする」から、本願発明の「前記導体に接続され、前記熱電素子群に供給される電流を相対的に制御する制御装置」に相当するといえ、さらに、本願発明の「前記熱電素子群に供給される電力を制御するために、前記電子部品によって使用される電力を検出し、且つ検出された電力データを前記制御装置に提供する電力モニター回路」と「前記熱電素子群に供給される電力を制御するために、検出されたデータを前記制御装置に提供するモニター回路」の点で共通するといえる。　　　
　　　
（オ）引用発明の「半導体回路２２の温度をコントロール及びモニタリングする装置２０」は、本願発明の「冷却システム」に相当するといえる。
　　　　
　したがって、本願発明の用語を用いて表現すると両者は、
「電子部品の冷却システムであって：
　前記電子部品の複数の異なる領域上に置かれた複数の熱電素子群；
　該熱電素子群に接続され、該熱電素子群がそれぞれの前記領域から熱を排出するように該熱電素子群に電流を供給する複数の導体；
　前記導体に接続され、前記熱電素子群に供給される電流を相対的に制御する制御装置；
及び
　前記熱電素子群に供給される電力を制御するために、データを前記制御装置に提供するモニター回路；
　を有する冷却システム。」
で一致するものであり、次の（１）、（２）の点で相違している。
　　　
（１）本願発明は、複数の熱電素子群が置かれる電子部品の複数の異なる「領域がＸ及びＹ方向に互いに間隔をあけられた中心点を有する」のに対して、引用発明は、そのような構成が明記されていない点。　　
　　　
（２）本願発明は、「前記熱電素子群に供給される電力を制御するために、前記電子部品によって使用される電力を検出し、且つ検出された電力データを前記制御装置に提供する電力モニター回路」を有するのに対して、引用発明は、温度をモニターしており、電子部品によって使用される電力をモニターするものではない点。
　　
第４　当審の判断
・相違点（１）について
　引用文献のＦＩＧ．２及びＦＩＧ．４Ａ〜４Ｃには、各セル・エリア３６が略正方形状の領域であり、グリッド状に配列されていることが示されている。
　したがって、引用発明において、「複数の熱電冷却素子３８」を配置する各セル・エリア３６をＸ及びＹ方向に互いに間隔をあけられた中心点を有する複数の異なる領域とすることは容易になし得ることである。
　
・相違点（２）について
　電子部品の冷却システムにおいて、熱電素子に供給される電力を制御するために、電子部品によって使用される電力を検出し、且つ検出された電力データを制御装置に提供する電力モニター回路を設けることは、原出願の優先権主張の日前に周知技術（例えば、特開２００１−１５６２２８号公報段落【００３８】〜【００４２】「冷却素子ブロック３の冷却能力が、図６に示すように、消費電力検出部２１によって検出された半導体デバイス１の消費電力に基づいて、制御部２２によって制御されるようになっている。・・・中略・・・消費電力の検出は温度の検出よりも高速で行うことができるため、消費電力による制御は温度による制御に比して応答が速いという利点があり、これによって、冷却素子ブロック３の冷却能力の制御をより高精度に行うことができる。」の記載、特開２０００−１５６５８３号公報段落【００１４】〜【００１９】「半導体モジュールへの給電は電源５により行う。電源５には半導体モジュールに給電した電力を検出するための電力検出器として、半導体モジュールへ給電する電流値や電圧値を検出する電力検出器６が設けられている。・・・中略・・・半導体モジュールの発熱量と蒸発器の冷力との差を補完する補完手段を設けた。すなわち、電力検出器６によって半導体モジュールの発熱量の変化を検出し、それによってコントローラ１２を介して電気ヒータ１１の加熱量を制御し、蒸発器７への熱負荷が常に一定になるようにしている（図２参照）。【００１９】これにより、冷凍機ユニットの信頼性を確保しながら、半導体チップを低温に保つことが可能になる。また、本実施形態では、冷凍機ユニットの蒸発器を半導体モジュールに直接取り付けているので、コンパクトな冷却システムを得ることができる。」段落【００２１】「本実施形態では、蒸発器７に、半導体モジュールの発熱量と蒸発器の冷力との差を補完する補完手段として、電気ヒータ１１に加えて、冷却装置であるペルチェ素子１３が設けられている。ペルチェ素子１３はコントローラ１４によって制御される。」の記載、特開平１０−１４３２５７号公報段落【００３８】「本第１の実施の形態の電源装置も、上記従来技術と同様に、装置内を冷却するためのファン８を有しているが、本第１の実施の形態が、上記従来技術と異なるところは、装置内の温度を検出し、その検出した温度に応じて上記ファン８の回転数を変化させるよう構成したところである。そのために、後述する制御信号に応じてファン８を駆動する駆動部１０と、装置内の温度を検出する温度検出器２０と、この温度検出器２０から出力される温度検出信号に応じてファン８を駆動するようその指令となる上述の制御信号を出力する制御部３０を備えている。」、段落【００６３】「また強制冷却手段としてファン８を用いた場合について説明したが、例えば水冷式における循環ポンプや、電子冷却式におけるペルチェ素子等の駆動制御にも、本技術を適用できる。」、段落【００７５】、【００７６】「即ち、本第３の実施の形態によれば、装置内の温度と相関のある負荷の消費電力を捉えることによって、装置内の温度を間接的に検出し、これに応じてファン８の回転数を変化させている。従って、上述した第１の実施の形態と同様の作用及び効果を奏する。【００７６】ところで、装置内の温度は、上記負荷の消費電力が変化することによって変化するので、この負荷の消費電力の変化、・・・中略・・・を捉えることによって、装置内の温度の変化を実際の温度変化よりも早めに検出することができる。従って、上述した第１の実施の形態に比べて、装置内の温度変化に対して素早い応答（冷却）を実現できる。」の記載参照。）である。
　そうすると、引用発明において、上記周知技術を適用し、複数の熱電冷却素子３８に供給される電力を制御するために、電子回路２２によって使用される電力を検出し、且つ検出された電力データをコントローラー２８に提供する電力モニター回路を有するようにすることは、当業者が容易になし得ることである。
　　　　　
　また、本願発明の作用効果も、引用発明及び周知技術から、当業者であれば予想できる範囲内のものである。　　　
　　　
第５　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本願は、その余の請求項について論及するまでもなく、拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。