【事件の表示】
　特願２００９−　９１５２５「インプリント・リソグラフィ」拒絶査定不服審判事件〔平成２１年　７月１６日出願公開、特開２００９−１５８９７２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１７年１２月２８日（パリ条約による優先権主張２００４年１２月３０日、米国）に出願した特願２００５−３７７６４０号の一部を平成２１年４月３日に新たな特許出願としたものであって、平成２３年１１月１４日付けで拒絶理由が通知され、平成２４年２月１４日付けで意見書が提出されるとともに、同日付けで手続補正書が提出され、同年３月１日付けで拒絶理由（最後）が通知され、同年６月４日付けで意見書が提出されたが、同年６月１９日付けで平成２３年１１月１４日付けの拒絶理由通知書に記載した理由によって拒絶査定がなされた。本件は、これに対して、平成２４年１０月１９日に拒絶査定に対する審判請求がなされたものである。
　
　
第２　本願発明について
　本願の特許請求の範囲の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成２４年２月１４日付けの手続補正により補正された、本願の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。
　
「インプリント方法であって、
　製造テンプレート基板上のインプリント可能媒体の第１の目標領域を親テンプレートと接触させて、前記媒体に第１のインプリントを形成する工程であって、前記第１のインプリントが第１のパターンのフィーチャ及び第１の厚さの減少した箇所を備え、かつ製造テンプレートパターンの一部分を画定するものである工程と、
　前記親テンプレートを前記インプリントされた媒体から分離する工程と、
　前記媒体の第２の目標領域を前記親テンプレートと接触させて、前記媒体に第２のインプリントを形成する工程であって、前記第２のインプリントが第２のパターンのフィーチャ及び第２の厚さの減少した箇所を備え、かつ前記製造テンプレートパターンの他の部分を画定するものである工程と、
　前記親テンプレートを前記インプリントされた媒体から分離する工程と、
　前記第１及び第２の厚さの減少した箇所に第１のエッチングを施して前記製造テンプレート基板の領域を露出させる工程と、
　前記製造テンプレート基板に前記製造テンプレートパターンを形成するように前記製造テンプレート基板の前記露出領域に第２のエッチングを施して、製造テンプレートを画定する工程と、
　デバイス基板上の第２のインプリント可能媒体と前記製造テンプレートとを接触させて、前記第２の媒体内に前記製造テンプレートのパターンに対応するインプリントを形成する工程と、
　前記製造テンプレートを前記インプリントされた第２の媒体から分離する工程と、を有する、
方法。」
　
２．引用例
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先日である２００４年１２月３０日前の２００４年１月１６日を優先日とする他の特許出願であって，その出願後に出願公開された特願２００５−９２１２号（以下「先願」という。特開２００５−２０３７９７号公報参照）の願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲及び図面（以下「先願明細書」という）には、下記の事項が記載されている（下線は、当審が付した。）
　
（ａ）「【技術分野】
【０００１】
　本発明は、ナノインプリントリソグラフィのための大面積スタンプ製作方法に関することである。
【背景技術】
【０００２】
　ナノインプリントリソグラフィ(Nanoimprint Lithography)技術は、1990年代中頃アメリカのプリンストン大学のStephen Y. Chou教授によって提案されたナノ素子製作方法で、低い生産性を有する電子ビームリソグラフィや高価の光学リソグラフィに代わる技術で注目されている。
【０００３】
　上記ナノインプリントの核心は、電子ビームリソグラフィの生産性問題を克服しようとすることであり、電子ビームリソグラフィや他の方法を利用してナノスケールの構造を有するスタンプを製作して、前記製作されたスタンプ(stamp)を高分子薄膜に印刷してナノスケールの構造を転写する動作を繰り返し使用する。
【０００４】
　ナノインプリント工程は、使用する有機薄膜の硬化方式によって大きく熱硬化方式と紫外線方式に分類される。
【０００５】
　
前記熱硬化方式のナノインプリント工程は、図１に図示されたものである。
　
図１aのようにシリコンのような基板(10)上に高分子薄膜(20)をスピンコーティングする。その後、予め製作されたスタンプ(30)と基板(10)を平行に置いて、前記高分子薄膜(20)をガラス転移温度まで加熱する。
【０００６】
　
前記高分子薄膜(20)の温度がガラス転移温度まで加熱されれば、図１bのようにスタンプ(30)のパターンを高分子薄膜(20)に物理的に接触させて所定の圧力を加えることで、スタンプ(30)のパターンが高分子薄膜(20)にインプリントされる。
【０００７】
　
そして、高分子薄膜(20)の温度がガラス転移温度以下になれば、図１cのようにスタンプ(30)を高分子薄膜(20)から分離させる。
【０００８】
　そして、高分子薄膜(20)にインプリントされた残った部分をエッチング(etching)すれば、図１dのように基板上に高分子薄膜パターン(21、22)が形成される。これに従ってナノインプリント工程によってスタンプ(30)上のナノパターンが高分子薄膜(20)に転写される。
【０００９】
　一方、紫外線硬化方式は、熱硬化方式と類似しているが、スタンプを透明な材料で使用しかつ紫外線硬化型高分子を利用して紫外線の照射を介して硬化する方式が、熱硬化方式との差である。このような紫外線硬化方式は、高い温度と圧力を必要としないため最近多く研究が実行されている方式である。
【００１０】
　最近では、関連装備技術の発達によって、図２で示すように小さな面積のスタンプを製作できるようになっている。
　図２は、従来のステップ反復インプリント工程を示した図である。
【００１１】
　図２ａを参照すれば、ナノパターンを有するスタンプ(70)を製作して、基板(40)上にポリマー(50)を蒸着させる。この時、光学素子(optics)及び撮像素子(CCD: Charge-Coupled Device)を利用した整列部(60)を介して前記スタンプ(70)の位置をポリマー(50)上に整合(align)させる。すなわち、ポリマー(50)とスタンプ(70)は、光学素子(OPTICS)を利用して位置整列させ、撮像素子(CCD)が整列可否を感知して位置制御する。
【００１２】
　このように位置制御が完了すれば、図２ｂのように基板(40)の一部分にスタンプ(70)のパターンに対してインプリント工程を実行して、その後、図２ｃのようにポリマー(50)を冷凍させた後、スタンプ(70)を基板から分離させる。図２dのように、スタンプ(70)を一定ステップだけ、位置移動させまたアライメントさせて、インプリント及びステップ移動を反復する過程を実行し、全体基板のポリマーにスタンプのパターンを転写する。このような方式をステップ反復(Step-and-repeat)方式と言う。
【００１３】
　一方、紫外線硬化方式とステップ反復方式が結合されたステップエンドフラッシュ・インプリントリソグラフィ(Step and Flash Imprint Lithography)方式は、技術的に一番進んでいると評価されている。
【００１４】
　このように、従来では、スタンプの大きさが、一回で印刷することができるパターン面積を決定するようになって、またナノインプリントの生産性を決定する重要な要因になっている。最近の研究は、6インチのウエハに数百nm間隔を有するた50nmパターンを印刷したことが報告されている。
【００１５】
　しかし、その密度のナノパターンを有する大面積スタンプを電子ビムリソグラフィで製作することは高費用が発生する問題がある。
　またステップ反復インプリント方式は、基板の大きさのスタンプを利用して一回で大面積を印刷する方式に比べて時間当り生産量が落ちるという問題を有している。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
　本発明は、数百ナノメートルの微細線幅パターンを有する小型スタンプを利用してステップ反復インプリント方式で大面積のスタンプを製作することを目的としている。」
　
（ｂ）「【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
　本発明の実施形態によるナノインプリントリソグラフィ用大面積スタンプ製作方法を添付された図面を参照して、以下で説明する。
【００２２】
　図３は、本発明によるナノインプリントリソグラフィ用大面積スタンプ製作方法を示したフローチャートである。
【００２３】
　図３を参照すれば、数百ナノメートル(nm)以下の小型線幅を有する小型スタンプを製作して(S101)、前記製作された小型スタンプを使用してステップ反復インプリント方式で基板の大きさの大型スタンプを製作する(S102)。そして、基板の大きさの大面積スタンプは高密度の数百ナノメートルのパターンを有して形成されるので、これを利用して一回で基板の全面積を印刷する(S103)。
【００２４】
　前記段階S101の小型のスタンプは希望する数百ナノメートル(例: 200nm)以下の微細線幅を有するパターンを与えるように蒸着、露光及び現象、エッチング等の半導体工程を介して製作される。前記小型スタンプの材料では、シリコン(Si)、酸化シリコン等の半導体材料、ニッケル等の金属材料、石英(Quartz) 等の透明な材料及び高分子物質等を使用することができる。
【００２５】
　また、前記インプリント方式では、熱を加えて高分子を成型する熱硬化方式のインプリント技法と、小型スタンプで押しながら紫外線を利用して高分子を硬化して成型する紫外線硬化方式のインプリント技法が使われる。
【００２６】
　ここで、小型スタンプ材料で使用する上記の半導体材料、透明な材料及び高分子物質等の材料等は、全て熱硬化方式で使うことができるし、その中で石英、透明高分子材料は紫外線硬化方式でも使うことができる。また、小型スタンプがニッケルスタンプの場合、ニッケルメッキ工程を介して製作することができる。
【００２７】
　また、小型スタンプに数百ナノメートル以下の線幅を有するパターンを製作するために、電子ビムリソグラフィ、レーザー干渉リソグラフィ、光学リソグラフィ等を使うことができる。すなわち、小型スタンプはインプリント方式ではない他のリソグラフィ方法を利用して製作することもできる。
【００２８】
　このような方式に製作された小型スタンプを使ってステップ反復インプリント方式で大面積スタンプを製作する。ここで、ステップ反復インプリント方式は、アライメント、インプリント、分離及び位置移動、またアライメントの順で反復実行する。前記アライメントは、光学素子を利用して実行するようになって、位置移動対象が基板または小型スタンプである。
【００２９】
　具体的に、図４を参照して本発明の実施形態によるナノインプリントリソグラフィを利用した大面積スタンプ製作方法に対して説明すれば次のようである。
　図４を参照すれば、数百ナノメートルのパターンを有する小型スタンプが準備された状態で、基板上にシリコン薄膜を蒸着させた後(S111)、前記薄膜上にレジスト材料をコーティングする(S112)。
【００３０】
　そして、前記準備した小型スタンプを利用して基板に対して局部的にインプリント工程を実行して(S113)、インプリントされる小型スタンプを基板上で分離してまた移動して前記のインプリント工程を反復実行する(S114)。すなわち、ステップ反復インプリント方式を利用して全体基板に対してインプリントを実行する。
【００３１】
　以後、全体基板に対して小型スタンプによるレジスターパターンが形成(S115)した後、エッチングを介して残留レイヤーを取り除いて高分子薄膜をパターニングする(S116)。その後、高分子薄膜上にコーティングされたレジストを取り除いて小型スタンプの数百ナノメートルパターンが形成された大面積スタンプの製作を完成する(S117)。
【００３２】
　
図５は、本発明の実施形態によるナノインプリントリソグラフィを利用した大面積スタンプ製作方法を示したフローチャートである。
　
図５a、図５bのように基板(110)上に高分子薄膜(120)が蒸着される.
【００３３】
　
その後、図５cのように前記基板(110)に蒸着された高分子薄膜(120)上にレジスト(130)材料をコーティングさせて、予め製作された小型スタンプ(140)を整列させる。
　小型スタンプ(140)は、数百ナノメートル(例200nm)以下の線幅を有するパターン(143)の陽刻(141)及び陰刻(142)が形成された構造である。
【００３４】
　
そして、図５d及び図５eのように、前記コーティングされたレジスト(130)上に予め製作された小型スタンプ(140)を利用して局部的にインプリント工程を実行する。
　上記のインプリント方法では、熱を加えて高分子を成型する熱硬化方式のインプリント技法と、スタンプで押しながら紫外線を利用して高分子を硬化して成型する紫外線硬化方式の２つのインプリント技法がある。
【００３５】
　また、インプリント工程において、紫外線硬化方式の場合は粘度が低い液体レジストを局部的に落として、インプリント工程を実行する方法を使うこともできる。またはエッチングしようとする薄膜の種類やパターンの構造によって、エッチングのためのハードマスクを中間に使うこともできる。
【００３６】
　
その後、図５fのように小型スタンプ(140)を移動しながらインプリント工程を反復実行して、全体基板に対してレジスト(130)パターンの陽刻(131)及び陰刻(132)を形成する。
【００３７】
　
そして、図５gのように、基板(110)全体にかけたレジストパターン(130)の形成が完了すれば、酸素プラズマエッチングを介して残留レイヤー(インプリント過程でパターンされないで残るようになる部分)が除去されて、高分子薄膜(120)が乾式または湿式エッチングの方法でパターニングされる。
【００３８】
　
最後に、図５hのようにレジスト(130)を取り除いて、基板(110)上に高分子薄膜(120)に形成されたパターンを有する大面積スタンプ(150)の製作が完成される。
【００３９】
　また、本発明は、多様な半導体材料、金属材料、透明な材料、高分子物質等が適用されることによって半導体工程技術が多様な形態で使うできる。」
　
（ｃ）「
　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 」
　
（ｄ）「
　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 」
　
（ｅ）「
　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 」
　
（ｆ）「
　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 」
　
（ｇ）「
　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 」
　
　上記記載事項から、「大面積スタンプ(150)」は「ナノインプリントリソグラフィ」に使用されることは明らかであって、「ナノインプリントリソグラフィ」として、具体的には段落【０００５】〜【０００８】に記載されるような「ナノインプリント工程」が含まれることも明らかであるから、先願明細書には、「大面積スタンプ(150)」は、「シリコンのような基板(10)上に高分子薄膜(20)をスピンコーティングし、その後、大面積スタンプ(150)と基板(10)を平行に置いて、大面積スタンプ(150)のパターンを高分子薄膜(20)に物理的に接触させて所定の圧力を加えることで、大面積スタンプ(150)のパターンが高分子薄膜(20)にインプリントされ、大面積スタンプ(150)を高分子薄膜(20)から分離させる」工程に使用されることが開示されていると認められる。
　
　すると、上記先願明細書の記載事項から、先願明細書には、以下の発明（以下「先願発明」という。）が記載されている。
　
「基板(110)上に高分子薄膜(120)が蒸着され、その後、前記基板(110)に蒸着された高分子薄膜(120)上にレジスト(130)材料をコーティングさせて、予め製作された小型スタンプ(140)を整列させ、そして、前記コーティングされたレジスト(130)上に予め製作された小型スタンプ(140)を利用して局部的にインプリント工程を実行し、その後、小型スタンプ(140)を移動しながらインプリント工程を反復実行して、全体基板に対してレジスト(130)パターンの陽刻(131)及び陰刻(132)を形成し、そして、基板(110)全体にかけたレジスト(130)パターンの形成が完了すれば、酸素プラズマエッチングを介して残留レイヤー(インプリント過程でパターンされないで残るようになる部分)が除去されて、高分子薄膜(120)が乾式または湿式エッチングの方法でパターニングされ、最後に、レジスト(130)を取り除いて、基板(110)上に高分子薄膜(120)に形成されたパターンを有する大面積スタンプ(150)の製作が完成し、
　シリコンのような基板(10)上に高分子薄膜(20)をスピンコーティングし、その後、大面積スタンプ(150)と基板(10)を平行に置いて、大面積スタンプ(150)のパターンを高分子薄膜(20)に物理的に接触させて所定の圧力を加えることで、大面積スタンプ(150)のパターンが高分子薄膜(20)にインプリントされ、大面積スタンプ(150)を高分子薄膜(20)から分離させる、
ナノインプリントリソグラフィ。」
　
３．対比
（１）先願発明と本願発明との対比
（ａ）先願発明の「インプリントリソグラフィ」、「小型スタンプ(140)」、「大面積スタンプ(150)」、「レジスト(130)」、「陽刻(131)」、「陰刻(132)」、「シリコンのような基板(10)」、「高分子薄膜(20)」は、それぞれ、本願発明の「インプリント方法」、「親テンプレート」、「製造テンプレート」、「インプリント可能媒体」、「厚さの減少した箇所」、「パターンのフィーチャ」、「デバイス基板」、「第２のインプリント可能媒体」に相当する。
　
（ｂ）先願発明の「前記コーティングされたレジスト(130)上に予め製作された小型スタンプ(140)を利用して局部的にインプリント工程を実行し、その後、小型スタンプ(140)を移動しながらインプリント工程を反復実行」する工程中に、「小型スタンプ(140)」を「レジスト(130)」から分離する工程が含まれることは、先願明細書の段落【００３０】の「・・小型スタンプを基板上で分離してまた移動して・・」という記載からみても、明らかであるから、先願発明の「基板(110)上に高分子薄膜(120)が蒸着され、その後、前記基板(110)に蒸着された高分子薄膜(120)上にレジスト(130)材料をコーティングさせて、予め製作された小型スタンプ(140)を整列させ、そして、前記コーティングされたレジスト(130)上に予め製作された小型スタンプ(140)を利用して局部的にインプリント工程を実行し、その後、小型スタンプ(140)を移動しながらインプリント工程を反復実行して、全体基板に対してレジスト(130)パターンの陽刻(131)及び陰刻(132)を形成」することは、本願発明の「製造テンプレート基板上のインプリント可能媒体の第１の目標領域を親テンプレートと接触させて、前記媒体に第１のインプリントを形成する工程であって、前記第１のインプリントが第１のパターンのフィーチャ及び第１の厚さの減少した箇所を備え、かつ製造テンプレートパターンの一部分を画定するものである工程と、前記親テンプレートを前記インプリントされた媒体から分離する工程と、前記媒体の第２の目標領域を前記親テンプレートと接触させて、前記媒体に第２のインプリントを形成する工程であって、前記第２のインプリントが第２のパターンのフィーチャ及び第２の厚さの減少した箇所を備え、かつ前記製造テンプレートパターンの他の部分を画定するものである工程と、前記親テンプレートを前記インプリントされた媒体から分離する工程」に相当する。
　
（ｃ）先願発明において、「基板(110)全体にかけたレジスト(130)パターンの形成が完了すれば、酸素プラズマエッチングを介して残留レイヤー(インプリント過程でパターンされないで残るようになる部分)が除去され」ることにより、「高分子薄膜(120)」のうちの「陽刻(131)」に対応する領域が露出されることは明らかである。また、「高分子薄膜(120)が乾式または湿式エッチングの方法でパターニングされ」ることにより、「高分子薄膜(120)に」最終的なインプリントパターンを形成することは明らかである。
　
　また、本願発明の「前記第１及び第２の厚さの減少した箇所に第１のエッチングを施して前記製造テンプレート基板の領域を露出させる工程」の「前記第１及び第２の厚さの減少した箇所に第１のエッチング」が何に施されるのかの明示はないが、本願発明では「製造テンプレート基板上」には「インプリント可能媒体」が設けられていることが規定されるのみであるから、「第１のエッチング」は「インプリント可能媒体」に施されると解するのが相当である。また、「前記製造テンプレート基板に前記製造テンプレートパターンを形成するように前記製造テンプレート基板の前記露出領域に第２のエッチングを施して、製造テンプレートを画定する工程」により、最終的なインプリントパターンを形成することは明らかである。
　さらに、先願発明の「高分子薄膜(120)」と先願発明の「製造テンプレート基板」は、最終的なインプリントパターンを形成する層である点で一致するから、
　先願発明の「基板(110)全体にかけたレジスト(130)パターンの形成が完了すれば、酸素プラズマエッチングを介して残留レイヤー(インプリント過程でパターンされないで残るようになる部分)が除去されて、高分子薄膜(120)が乾式または湿式エッチングの方法でパターニングされ、最後に、レジスト(130)を取り除いて、基板(110)上に高分子薄膜(120)に形成されたパターンを有する大面積スタンプ(150)の製作が完成」することと、本願発明の「前記第１及び第２の厚さの減少した箇所に第１のエッチングを施して前記製造テンプレート基板の領域を露出させる工程と、前記製造テンプレート基板に前記製造テンプレートパターンを形成するように前記製造テンプレート基板の前記露出領域に第２のエッチングを施して、製造テンプレートを画定する工程」とは、「前記第１及び第２の厚さの減少した箇所に第１のエッチングを施して最終的なインプリントパターンを形成する層の領域を露出させる工程と、最終的なインプリントパターンを形成する層に最終的なインプリントパターンを形成するように最終的なインプリントパターンを形成する層の前記露出領域に第２のエッチングを施して、製造テンプレートを画定する工程」で一致する。
　
（ｄ）先願発明の「シリコンのような基板(10)上に高分子薄膜(20)をスピンコーティングし、その後、大面積スタンプ(150)と基板(10)を平行に置いて、大面積スタンプ(150)のパターンを高分子薄膜(20)に物理的に接触させて所定の圧力を加えることで、大面積スタンプ(150)のパターンが高分子薄膜(20)にインプリントされ、大面積スタンプ(150)を高分子薄膜(20)から分離させる」ことは、本願発明の「デバイス基板上の第２のインプリント可能媒体と前記製造テンプレートとを接触させて、前記第２の媒体内に前記製造テンプレートのパターンに対応するインプリントを形成する工程と、前記製造テンプレートを前記インプリントされた第２の媒体から分離する工程」に相当する。
　
（２）一致点
　してみると、両者は、
「インプリント方法であって、
　製造テンプレート基板上のインプリント可能媒体の第１の目標領域を親テンプレートと接触させて、前記媒体に第１のインプリントを形成する工程であって、前記第１のインプリントが第１のパターンのフィーチャ及び第１の厚さの減少した箇所を備え、かつ製造テンプレートパターンの一部分を画定するものである工程と、
　前記親テンプレートを前記インプリントされた媒体から分離する工程と、
　前記媒体の第２の目標領域を前記親テンプレートと接触させて、前記媒体に第２のインプリントを形成する工程であって、前記第２のインプリントが第２のパターンのフィーチャ及び第２の厚さの減少した箇所を備え、かつ前記製造テンプレートパターンの他の部分を画定するものである工程と、
　前記親テンプレートを前記インプリントされた媒体から分離する工程と、
　前記第１及び第２の厚さの減少した箇所に第１のエッチングを施して最終的なインプリントパターンを形成する層の領域を露出させる工程と、
　最終的なインプリントパターンを形成する層に最終的なインプリントパターンを形成するように最終的なインプリントパターンを形成する層の前記露出領域に第２のエッチングを施して、製造テンプレートを画定する工程と、
　デバイス基板上の第２のインプリント可能媒体と前記製造テンプレートとを接触させて、前記第２の媒体内に前記製造テンプレートのパターンに対応するインプリントを形成する工程と、
　前記製造テンプレートを前記インプリントされた第２の媒体から分離する工程と、を有する、
方法。」
で一致し、次の点で相違する。
　
（３）相違点
　最終的なインプリントパターンを形成する層が、本願発明では「製造テンプレート基板」であるのに対して、引用発明では「基板(110)上に蒸着された高分子薄膜(120)」である点。
　
 ４．判断
　上記相違点について検討する。
　一般に、インプリントリソグラフィに使用されるテンプレートにおいて、最終的なインプリントパターンを基板に形成すること及び基板上に設けられた層に形成することは、いずれも、特開２０００−１９４１４２号公報（段落【０００４】、図３（ａ）、【００１２】〜【００１３】、図１（ａ）〜（ｂ）参照）、米国特許出願公開第２００３／０２０５６５７号明細書(全文全図参照)、特開２００４−２８８７８３号公報（段落【００２５】、図６参照）に記載されるように周知技術であることを参酌すれば、上記相違点は、課題解決のための具体化手段における微差（周知技術の転換であって、新たな効果を奏するものではないもの）であるから、実質的な相違点ではない。
　
　すると、本願発明は、先願発明と実質的に同一である。
　
　したがって、本願発明は、先願発明と実質的に同一であり、本願の発明者が先願の発明者と同一ではなく、また本願の出願時において、本願の出願人が先願の出願人と同一でもないので、特許法第２９条の２の規定により特許を受けることができない。
　
第３　むすび
　以上のとおり、本願発明は、先願発明と実質的に同一であり、本願の発明者が先願の発明者と同一ではなく、また本願の出願時において、本願の出願人が先願の出願人と同一でもないので、特許法第２９条の２の規定により特許を受けることができないから、本願の他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。