【事件の表示】
　特願２００６−５４２８０９「絶縁体構造を強化した電界効果トランジスタ」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年　６月２３日国際公開，ＷＯ２００５／０５７６２３，平成１９年１２月２０日国内公表，特表２００７−５３７５８０〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，２００４年１２月６日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００３年１２月５日，２００４年１２月３日，アメリカ合衆国）を国際出願日とする出願であって，平成２１年９月４日付けで拒絶理由が通知され，平成２２年２月８日に手続補正がされ，平成２３年１月２７日付けで最後の拒絶理由が通知され，平成２４年４月６日付けで拒絶査定がされ，これに対して，同年８月１０日に審判請求がされるとともに手続補正がされ，その後，同年１０月１８日付けで審尋がされ，平成２５年２月２１日に回答書が提出されたものである。
　
第２　補正の却下の決定
　
［補正の却下の決定の結論］
　平成２４年８月１０日にされた手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
　
［理由］
１　本件補正の内容
　本件補正は，特許請求の範囲を補正するものであり，特許請求の範囲は補正の前後で以下のとおりである。
　
〈補正前〉
「【請求項１】
　ＩＩＩ族窒化物素子であって，
　第１の組成を有する第１のＩＩＩ族窒化物材料からなる第１の層と，
　前記第１の組成とは異なる第２の組成を有する第２のＩＩＩ族窒化物材料からなり，前記第１の層と接触して配置された第２の層と，
　前記第１の層と前記第２の層とによって形成され，電流を伝えるための二次元電子ガスを供給する界面と，を備え，
　前記第１の層および前記第２の層は，前記第２の層の界面の面内における格子定数が，前記第１の層の界面の面内における格子定数以上になるように形成される，素子。
　　【請求項２】〜【請求項６】　（略）
　　【請求項７】
　ＩＩＩ族窒化物素子であって，
　第１の組成と第１のバンドギャップとを有する第１のＩＩＩ族窒化物材料からなる第１の層と，
　前記第１の組成とは異なる第２の組成と，前記第１のバンドギャップよりも大きな第２のバンドギャップとを有する第２のＩＩＩ族窒化物材料からなり，前記第１の層と接触して配置された第２の層と，
　前記第１の層と前記第２の層とによって形成され，電流を伝えるための二次元電子ガスを供給する界面と，を備え，
　前記第１の層および前記第２の層は，前記第２の層の界面の面内における格子定数が，前記第１の層の界面の面内における格子定数以上になるように形成される，素子。
　　【請求項８】
　電界効果トランジスタであって，
　ソース電極と，ゲート電極と，ドレイン電極とを備え，
　前記ソース電極と前記ドレイン電極との間のチャネルは，前記ゲート電極によって制御され，
　前記チャネルは，異なる組成を有する２つのＩＩＩ族窒化物材料の界面で得られた二次元電子ガスによって形成され，
　前記ＩＩＩ族窒化物材料の一方は，格子定数Ａを有し，前記ＩＩＩ族窒化物材料の他方は，格子定数Ｂを有し，
　前記ＩＩＩ族窒化物材料は，定数Ｂが定数Ａ以上になるような定数Ａと定数Ｂとの関係を実現するように形成される，トランジスタ。
　　【請求項９】
　請求項８に記載のトランジスタであって，格子定数Ｂを有する前記ＩＩＩ族窒化物材料は，前記ソースまたはドレイン電極の下と前記ゲート電極の下とで異なる厚さを有する，トランジスタ。
　　【請求項１０】
　請求項９に記載のトランジスタであって，格子定数Ｂを有する前記ＩＩＩ族窒化物材料は，良好なオーム接触を形成する，トランジスタ。
　　【請求項１１】
　請求項８に記載のトランジスタであって，前記ＩＩＩ族窒化物材料の一方はＧａＮであり，前記ＩＩＩ族窒化物材料の他方はＩｎＡｌＧａＮである，トランジスタ。
　　【請求項１２】
　請求項８に記載のトランジスタであって，定数Ａと定数Ｂとの前記関係が，前記界面の近くの自発分極電界と圧電分極電界との均衡を保つ傾向を持つことで，前記界面の電荷蓄積がゼロとなる，トランジスタ。
　　【請求項１３】
　請求項８に記載のトランジスタであって，定数Ａと定数Ｂとの前記関係は，自発分極電界と圧電分極電界との生成を制御するために提供される，トランジスタ。
　　【請求項１４】
　請求項８に記載のトランジスタであって，前記ＩＩＩ族窒化物材料は，バンドギャップ値をそれぞれ有しており，前記ＩＩＩ族窒化物材料の一方は，前記ＩＩＩ族窒化物材料の他方よりも大きいバンドギャップ値を有する，トランジスタ。
　　【請求項１５】
　請求項１４に記載のトランジスタであって，他方の前記ＩＩＩ族窒化物材料よりも大きいバンドギャップ値を有する前記ＩＩＩ族窒化物材料は，ＩｎＡｌＧａＮである，トランジスタ。
　　【請求項１６】
　ＩＩＩ族窒化物素子を形成するための方法であって，
　面内格子定数Ａを有する第１のＩＩＩ族窒化物材料の層を準備する工程と，
　面内格子定数Ｂを有する第２のＩＩＩ族窒化物材料の層を，前記第１のＩＩＩ族窒化物材料に重ねる工程と，
　定数Ｂが定数Ａ以上になるような定数Ａと定数Ｂとの関係を実現するように，前記第１のＩＩＩ族窒化物材料または前記第２のＩＩＩ族窒化物材料の組成を調節する工程と，を備える，方法。
　　【請求項１７】
　請求項１６に記載の方法であって，さらに，前記第１のＩＩＩ族窒化物材料と前記第２のＩＩＩ族窒化物材料のうちの一方としてＧａＮを準備する工程を備える，方法。
　　【請求項１８】
　請求項１７に記載の方法であって，さらに，前記第１のＩＩＩ族窒化物材料と前記第２のＩＩＩ族窒化物材料のうちの他方としてＩｎＡｌＧａＮを準備する工程を備える，方法。
　　【請求項１９】
　請求項１６に記載の方法であって，さらに，前記ＩＩＩ族窒化物材料の他方よりも大きい前記ＩＩＩ族窒化物材料の一方のバンドギャップ値を得る工程を備える，方法。
　　【請求項２０】
　ＩＩＩ族窒化物ベースの電界効果トランジスタを製造するための方法であって，
　２つのＩＩＩ族窒化物材料の界面における圧電分極電界と自発分極電界との均衡を保つ工程と，
　前記ＩＩＩ族窒化物材料の一方の面内格子定数を前記ＩＩＩ族窒化物材料の他方の面内格子定数以上にする工程と，
　電界を提供して，前記界面における二次元電子ガスの形成を許容または防止する工程と，を備える，方法。
　　【請求項２１】
　ＩＩＩ族窒化物素子であって，
　第１の組成を有する第１のＩＩＩ族窒化物材料からなる第１の層と，
　前記第１の組成とは異なる第２の組成を有する第２のＩＩＩ族窒化物材料からなり，前記第１の層と接触して配置された第２の層と，を備え，
　それにより，前記第１の層と前記第２の層との間の界面が，自発分極と圧電分極とが，互いにほぼ打ち消すよう構成されることで，前記界面における正味電荷がほぼゼロになる，素子。
　　【請求項２２】
　請求項２１に記載の素子であって，前記第１のＩＩＩ族窒化物材料と前記第２のＩＩＩ族窒化物材料との一方のバンドギャップは，他方のバンドギャップよりも大きい，素子。」
　
〈補正後〉
「【請求項１】
　ＩＩＩ族窒化物素子であって，
　第１の組成を有する第１のＩＩＩ族窒化物材料からなる第１の層と，
　前記第１の組成とは異なる第２の組成を有する第２のＩＩＩ族窒化物材料からなり，前記第１の層と接触して配置された第２の層と，
　前記第１の層と前記第２の層とによって形成され，電流を伝えるための二次元電子ガスを供給する界面と，を備え，
　前記第１の層および前記第２の層は，前記第２の層の界面の面内における格子定数が，前記第１の層の界面の面内における格子定数以上になるように形成され，
　前記第２の層は，ゲート電極の下になるべき部分の厚さと，ソース電極の下になるべき部分の厚さとが異なるものである
素子。
　　【請求項２】〜【請求項６】　（略）
　　【請求項７】
　ＩＩＩ族窒化物素子であって，
　第１の組成と第１のバンドギャップとを有する第１のＩＩＩ族窒化物材料からなる第１の層と，
　前記第１の組成とは異なる第２の組成と，前記第１のバンドギャップよりも大きな第２のバンドギャップとを有する第２のＩＩＩ族窒化物材料からなり，前記第１の層と接触して配置された第２の層と，
　前記第１の層と前記第２の層とによって形成され，電流を伝えるための二次元電子ガスを供給する界面と，を備え，
　前記第１の層および前記第２の層は，前記第２の層の界面の面内における格子定数が，前記第１の層の界面の面内における格子定数以上になるように形成され，
　前記第２の層は，ゲート電極の下になるべき部分の厚さと，ソース電極の下になるべき部分の厚さとが異なるものである
素子。
　　【請求項８】
　電界効果トランジスタであって，
　ソース電極と，ゲート電極と，ドレイン電極とを備え，
　前記ソース電極と前記ドレイン電極との間のチャネルは，前記ゲート電極によって制御され，
　前記チャネルは，異なる組成を有する２つのＩＩＩ族窒化物材料の界面で得られた二次元電子ガスによって形成され，
　前記ＩＩＩ族窒化物材料の一方は，格子定数Ａを有し，前記ＩＩＩ族窒化物材料の他方は，格子定数Ｂを有し，
　前記ＩＩＩ族窒化物材料は，定数Ｂが定数Ａ以上になるような定数Ａと定数Ｂとの関係を実現するように形成され，
　格子定数Ｂを有する前記ＩＩＩ族窒化物材料は，前記ソースまたはドレイン電極の下と前記ゲート電極の下とで異なる厚さを有する
トランジスタ。
　　【請求項９】
　請求項８に記載のトランジスタであって，格子定数Ｂを有する前記ＩＩＩ族窒化物材料は，良好なオーム接触を形成する，トランジスタ。
　　【請求項１０】
　請求項８に記載のトランジスタであって，前記ＩＩＩ族窒化物材料の一方はＧａＮであり，前記ＩＩＩ族窒化物材料の他方はＩｎＡｌＧａＮである，トランジスタ。
　　【請求項１１】
　請求項８に記載のトランジスタであって，定数Ａと定数Ｂとの前記関係が，前記界面の近くの自発分極電界と圧電分極電界との均衡を保つ傾向を持つことで，前記界面の電荷蓄積がゼロとなる，トランジスタ。
　　【請求項１２】
　請求項８に記載のトランジスタであって，定数Ａと定数Ｂとの前記関係は，自発分極電界と圧電分極電界との生成を制御するために提供される，トランジスタ。
　　【請求項１３】
　請求項８に記載のトランジスタであって，前記ＩＩＩ族窒化物材料は，バンドギャップ値をそれぞれ有しており，前記ＩＩＩ族窒化物材料の一方は，前記ＩＩＩ族窒化物材料の他方よりも大きいバンドギャップ値を有する，トランジスタ。
　　【請求項１４】
　請求項１３に記載のトランジスタであって，他方の前記ＩＩＩ族窒化物材料よりも大きいバンドギャップ値を有する前記ＩＩＩ族窒化物材料は，ＩｎＡｌＧａＮである，トランジスタ。
　　【請求項１５】
　ＩＩＩ族窒化物素子を形成するための方法であって，
　面内格子定数Ａを有する第１のＩＩＩ族窒化物材料の層を準備する工程と，
　面内格子定数Ｂを有する第２のＩＩＩ族窒化物材料の層であって，ゲート電極の下になるべき部分の厚さと，ソース電極の下になるべき部分の厚さとが異なる第２のＩＩＩ族窒化物材料の層を前記第１のＩＩＩ族窒化物材料に重ねる工程と，
　定数Ｂが定数Ａ以上になるような定数Ａと定数Ｂとの関係を実現するように，前記第１のＩＩＩ族窒化物材料または前記第２のＩＩＩ族窒化物材料の組成を調節する工程と，を備える，方法。
　　【請求項１６】
　請求項１５に記載の方法であって，さらに，前記第１のＩＩＩ族窒化物材料と前記第２のＩＩＩ族窒化物材料のうちの一方としてＧａＮを準備する工程を備える，方法。
　　【請求項１７】
　請求項１６に記載の方法であって，さらに，前記第１のＩＩＩ族窒化物材料と前記第２のＩＩＩ族窒化物材料のうちの他方としてＩｎＡｌＧａＮを準備する工程を備える，方法。
　　【請求項１８】
　請求項１５に記載の方法であって，さらに，前記ＩＩＩ族窒化物材料の他方よりも大きい前記ＩＩＩ族窒化物材料の一方のバンドギャップ値を得る工程を備える，方法。
　　【請求項１９】
　ＩＩＩ族窒化物ベースの電界効果トランジスタを製造するための方法であって，
　２つのＩＩＩ族窒化物材料の界面における圧電分極電界と自発分極電界との均衡を保つ工程と，
　前記ＩＩＩ族窒化物材料の一方の面内格子定数を前記ＩＩＩ族窒化物材料の他方の面内格子定数以上にする工程と，
　電界を提供して，前記界面における二次元電子ガスの形成を許容または防止する工程と，を備え，
　前記一方のＩＩＩ族窒化物材料は，ゲート電極の下になるべき部分の厚さと，ソース電極の下になるべき部分の厚さとが異なるものである
方法。
　　【請求項２０】
　ＩＩＩ族窒化物素子であって，
　第１の組成を有する第１のＩＩＩ族窒化物材料からなる第１の層と，
　前記第１の組成とは異なる第２の組成を有する第２のＩＩＩ族窒化物材料からなり，前記第１の層と接触して配置された第２の層と，を備え，
　それにより，前記第１の層と前記第２の層との間の界面が，自発分極と圧電分極とが，互いにほぼ打ち消すよう構成されることで，前記界面における正味電荷がほぼゼロになり，
　前記第２の層は，ゲート電極の下になるべき部分の厚さと，ソース電極の下になるべき部分の厚さとが異なるものである
素子。
　　【請求項２１】
　請求項２０に記載の素子であって，前記第１のＩＩＩ族窒化物材料と前記第２のＩＩＩ族窒化物材料との一方のバンドギャップは，他方のバンドギャップよりも大きい，素子。」
　
２　補正事項の整理
　本件補正を整理すると以下のとおりとなる。
〈補正事項１〉
　補正前の請求項１の「前記第１の層および前記第２の層は，前記第２の層の界面の面内における格子定数が，前記第１の層の界面の面内における格子定数以上になるように形成される，」を，補正後の請求項１の「前記第１の層および前記第２の層は，前記第２の層の界面の面内における格子定数が，前記第１の層の界面の面内における格子定数以上になるように形成され，
　前記第２の層は，ゲート電極の下になるべき部分の厚さと，ソース電極の下になるべき部分の厚さとが異なるものである」と補正すること。
　
〈補正事項２〉
　補正前の請求項７の「前記第１の層および前記第２の層は，前記第２の層の界面の面内における格子定数が，前記第１の層の界面の面内における格子定数以上になるように形成される，」を，補正後の請求項７の「前記第１の層および前記第２の層は，前記第２の層の界面の面内における格子定数が，前記第１の層の界面の面内における格子定数以上になるように形成され，
　前記第２の層は，ゲート電極の下になるべき部分の厚さと，ソース電極の下になるべき部分の厚さとが異なるものである」と補正すること。
　
〈補正事項３〉
　補正前の請求項８の「前記ＩＩＩ族窒化物材料は，定数Ｂが定数Ａ以上になるような定数Ａと定数Ｂとの関係を実現するように形成される，」を，補正後の請求項８の「前記ＩＩＩ族窒化物材料は，定数Ｂが定数Ａ以上になるような定数Ａと定数Ｂとの関係を実現するように形成され，　格子定数Ｂを有する前記ＩＩＩ族窒化物材料は，前記ソースまたはドレイン電極の下と前記ゲート電極の下とで異なる厚さを有する」と補正すること。
　
〈補正事項４〉
　補正前の請求項９を削除すること。
　
〈補正事項５〉
　補正前の請求項１０〜１５を補正後の請求項９〜１４に番号を繰り上げるとともに，補正前の請求項１０が補正前の請求項９を引用していたところ，補正後の請求項９では補正後の請求項８を引用するものと補正し，補正前の請求項１５が補正前の請求項１４を引用していたところ，補正後の請求項１４では補正後の請求項１３を引用するものと補正すること。
　
〈補正事項６〉
　補正前の請求項１６〜２２を補正後の請求項１５〜２１に番号を繰り上げるとともに，このうち，従属形式で記載された補正前の請求項１７，１８，１９及び２２において，引用する請求項番号を１つ繰り上げて，それぞれ補正後の請求項１６，１７，１８及び２１とすること。
　
〈補正事項７〉
　補正前の請求項１６の「面内格子定数Ｂを有する第２のＩＩＩ族窒化物材料の層を，前記第１のＩＩＩ族窒化物材料に重ねる工程」を，補正後の請求項１５の「面内格子定数Ｂを有する第２のＩＩＩ族窒化物材料の層であって，ゲート電極の下になるべき部分の厚さと，ソース電極の下になるべき部分の厚さとが異なる第２のＩＩＩ族窒化物材料の層を前記第１のＩＩＩ族窒化物材料に重ねる工程」と補正すること。
　
〈補正事項８〉
　補正前の請求項２０の「電界を提供して，前記界面における二次元電子ガスの形成を許容または防止する工程と，を備える，」を，補正後の請求項１９の「電界を提供して，前記界面における二次元電子ガスの形成を許容または防止する工程と，を備え，　前記一方のＩＩＩ族窒化物材料は，ゲート電極の下になるべき部分の厚さと，ソース電極の下になるべき部分の厚さとが異なるものである」と補正すること。
　
〈補正事項９〉
　補正前の請求項２１の「前記界面における正味電荷がほぼゼロになる，」を，補正後の請求項２０の「前記界面における正味電荷がほぼゼロになり，　前記第２の層は，ゲート電極の下になるべき部分の厚さと，ソース電極の下になるべき部分の厚さとが異なるものである」と補正すること。
　
３　補正の目的の適否及び新規事項の追加の有無についての検討
　
　〈補正事項１及び２について〉
　補正事項１及び２は，補正前の各請求項における発明特定事項である「前記第２の層」について，「ゲート電極の下になるべき部分の厚さと，ソース電極の下になるべき部分の厚さとが異なるものである」として，その厚さについて技術的に限定するものであるから，特許法第１７条の２第４項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項をいう。以下同じ。）第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　また，「前記第２の層」が，「ゲート電極の下になるべき部分の厚さと，ソース電極の下になるべき部分の厚さとが異なるものである」ことは，本願の願書に最初に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面（以下「当初明細書等」という。）の段落【００２８】に記載されているから，補正事項１及び２は，特許法第１７条の２第３項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項をいう。以下同じ。）に規定する要件を満たすものである。
　
〈補正事項３について〉
　補正事項３は，補正前の請求項８における発明特定事項である「格子定数Ｂを有する前記ＩＩＩ族窒化物材料」について，「前記ソースまたはドレイン電極の下と前記ゲート電極の下とで異なる厚さを有する」として，その厚さについて技術的に限定するものであるから，特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　また，「格子定数Ｂを有する前記ＩＩＩ族窒化物材料」が，「前記ソースまたはドレイン電極の下と前記ゲート電極の下とで異なる厚さを有する」ことは，当初明細書等の段落【００２８】に記載されているから，補正事項３は，特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすものである。
　
〈補正事項４〜６について〉
　補正事項４〜６は，補正前の請求項９を削除するとともに，補正前の請求項１０以下の請求項番号を繰上げ，更に，従属形式で記載された各請求項における引用請求項番号を整合させるものであるから，特許法第１７条の２第４項第１号に掲げる請求項の削除を目的とするものである。
　また，補正事項４〜６が，特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすことは明らかである。
　
〈補正事項７について〉
　補正事項７は，補正前の請求項１６における発明特定事項である「第２のＩＩＩ族窒化物材料の層を前記第１のＩＩＩ族窒化物材料に重ねる工程」について，「第２のＩＩＩ族窒化物材料の層であって，ゲート電極の下になるべき部分の厚さと，ソース電極の下になるべき部分の厚さとが異なる第２のＩＩＩ族窒化物材料の層を前記第１のＩＩＩ族窒化物材料に重ねる」として，「第２のＩＩＩ族窒化物材料の層」について技術的に限定するものであるから，特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　また，「第２のＩＩＩ族窒化物材料の層であって，ゲート電極の下になるべき部分の厚さと，ソース電極の下になるべき部分の厚さとが異なる第２のＩＩＩ族窒化物材料の層を前記第１のＩＩＩ族窒化物材料に重ねる」ことは，当初明細書等の段落【００２８】に記載されているから，補正事項７は，特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすものである。
　
〈補正事項８について〉
　補正事項８は，補正前の請求項２０における発明特定事項である「前記一方のＩＩＩ族窒化物材料」について，「ゲート電極の下になるべき部分の厚さと，ソース電極の下になるべき部分の厚さとが異なるものである」として，その厚さについて技術的に限定するものであるから，特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　また，「前記一方のＩＩＩ族窒化物材料」について，「ゲート電極の下になるべき部分の厚さと，ソース電極の下になるべき部分の厚さとが異なるものである」ことは，当初明細書等の段落【００２８】に記載されているから，補正事項８は，特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすものである。
　
〈補正事項９について〉
　補正事項９は，補正前の請求項２１における発明特定事項である「前記第２の層」について，「ゲート電極の下になるべき部分の厚さと，ソース電極の下になるべき部分の厚さとが異なるものである」として，その厚さについて技術的に限定するものであるから，特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　また，前記第２の層」が，「ゲート電極の下になるべき部分の厚さと，ソース電極の下になるべき部分の厚さとが異なるものである」ことは，当初明細書等の段落【００２８】に記載されているから，補正事項９は，特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすものである。
　
　
　上記のとおり，本件補正は，特許請求の範囲の減縮を目的とするものを含むから，以下，本件補正後の特許請求の範囲に記載された発明が，特許出願の際独立して特許を受けることができるものか（平成１８年法律第５５号改正附則３条１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法１７条の２第５項において準用する同法１２６条５項に規定する独立特許要件を満たすか）どうかを，補正後の請求項１に係る発明について検討する。
　
４　独立特許要件についての検討
（１）本願補正発明
　本件補正後の請求項１に係る発明は，本件補正により補正された明細書，特許請求の範囲及び図面の記載から見て，その請求項１に記載された事項により特定される以下のとおりのものである。（再掲。以下「本願補正発明」という。）
「【請求項１】
　ＩＩＩ族窒化物素子であって，
　第１の組成を有する第１のＩＩＩ族窒化物材料からなる第１の層と，
　前記第１の組成とは異なる第２の組成を有する第２のＩＩＩ族窒化物材料からなり，前記第１の層と接触して配置された第２の層と，
　前記第１の層と前記第２の層とによって形成され，電流を伝えるための二次元電子ガスを供給する界面と，を備え，
　前記第１の層および前記第２の層は，前記第２の層の界面の面内における格子定数が，前記第１の層の界面の面内における格子定数以上になるように形成され，
　前記第２の層は，ゲート電極の下になるべき部分の厚さと，ソース電極の下になるべき部分の厚さとが異なるものである
素子。」
　
（２）刊行物に記載された発明
　引用例：　特開２０００−２２３６９７号公報
　原査定の拒絶の理由に引用され，本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である，特開２０００−２２３６９７号公報（以下「引用例」という。）には，図１〜６及び９とともに，以下の記載がある。（下線は当審において付加。以下同様。）
　
ア　発明の属する技術分野
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はヘテロ接合電界効果トランジスタ（Heterojunction Field Effect Transistor; HJFETと略する。）に関し，特に，しきい値電圧の制御性に優れたHJFETに関するものである。」
　
イ　従来の技術
「【０００２】
【従来の技術】図９（ａ）は，従来技術によるHJFETの素子構造を示す図である。このようなHJFETは，例えば，ミシュラ(U.K.Mishra)らによる文献，アイ・イー・イー・イー・トランザクションズ・オン・マイクロウェーブ・セオリー・アンド・テクニークス(IEEE Trans. Microwave Theory Tech.)，第46巻，第756頁，1998年）に報告されている。
【０００３】図９（ａ）においてサファイア（Ａｌ2Ｏ3）基板90に接して，窒化アルミニウム（ＡｌＮ）と窒化ガリウム（ＧａＮ）の積層構造からなるバッファ層91が形成され，さらに，バッファ層91に接して窒化ガリウム（ＧａＮ）からなるチャネル層92が形成される。さらに，ＧａＮチャネル層92に接してアンドープＡｌＧａＮからなるゲート絶縁層93が形成されている。 そして，チャネル層92中には2次元電子94が形成され，ゲート絶縁層93上に形成されたソース電極97S，ドレイン電極97Dとチャネル層92との間にはオーム性接触が取られている。さらに，ソース電極97Sとドレイン電極97Dの間にはゲート電極99が形成され，ゲート絶縁層93との間にショトキー性接触が取られている。」
　
ウ　発明が解決しようとする課題
「【０００４】
【発明が解決しようとする課題】図９（ｂ）は従来技術によるＨＪＦＥＴのゲート電極99とＧａＮチャネル層92間における伝導帯エネルギーの概略図である。ゲート絶縁層93を形成するＡｌＧａＮの格子定数（a軸）がバッファ層91を形成するＧａＮより短いため，基板から表面に向かう方向にピエゾ電界が生じ，ゲート電圧が0 Vにおいてもチャネル層92に2次元電子94が生成される。このため，従来技術によるＨＪＦＥＴは，しきい値電圧を制御することが難しく，通常は，ディプレッション型となって，エンハンスメント型ＦＥＴが作製しにくいという問題があった。
【０００５】本発明の目的は，上記問題点を解消し，
しきい値電圧の制御性を改善することで，ディプレッション型，エンハンスメント型ＦＥＴの作り分けが可能なＨＪＦＥＴ構造を提供すること
　
エ　発明の実施の形態
「【０００７】
【発明の実施の形態】従来技術において，しきい値電圧を制御しにくかったのは，ゲート絶縁層を形成するＡｌＧａＮの格子定数（a軸）がバッファ層を形成するＧａＮより短いために，ピエゾ効果でチャネル層中に２次元電子が生成されてしまうためであった。したがって，
しきい値電圧の制御性を改善することで，デプレッション型ＦＥＴ，エンハンスメント型ＦＥＴの作り分けを可能にするためには，ａ軸長をＧａＮの格子定数（ａ軸）の周囲で変化できる材料によりゲート絶縁層を形成すればよい。これは，４元系半導体であるＩｎ
x
Ａｌ
y
Ｇａ
1-x-y
Ｎにおいて，組成比ｘ，ｙを適当に設定することによって実現可能である
　
オ　
「【０００８】
本発明では，ＧａＮバッファ層，Ｉｎ
z
Ｇａ
1-z
Ｎチャネル層（０≦ｚ＜１）を有するＨＪＦＥＴにおいて，ゲート絶縁層としてＩｎ
x
Ａｌ
y
Ｇａ
1-x-y
Ｎ（ｘ＞０，ｙ＞０，ｘ＋ｙ≦１）を用いる
【０００９】
チャネル層としてＩｎ
z
Ｇａ
1-z
Ｎ（ｚ≠0）を用いた場合でも，膜厚が薄い場合は歪み層の効果により結晶転移の発生しない良好な結晶が形成される。この時，Ｉｎ
z
Ｇａ
1-z
Ｎ（ｚ≠0）チャネル層のａ軸長はバッファ層ＧａＮのそれと等しくなることが既に知られている
【００１０】ＩｎxＡｌyＧａ1-x-yＮのａ軸長は，
ａ（ｘ，ｙ）＝３．５４８ｘ＋３．１１２ｙ＋３．１８９（１−ｘ−ｙ）Å
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　・・・（１）
と表わされる。
Ｉｎ
x
Ａｌ
y
Ｇａ
1-x-y
Ｎのａ軸長がバッファ層ＧａＮ（ａ＝３．１８９Å），より小さくなる条件は，ａ（ｘ，ｙ）＜３．１８９Å，
ｙ＞４．６６ｘ・・・（２）
この時は，従来技術の場合と同様に，基板から表面に向かう方向にピエゾ電界が発生するため，ディプレッション型ＦＥＴを作製し易くなる
【００１１】
Ｉｎ
x
Ａｌ
y
Ｇａ
1-x-y
Ｎのａ軸長がバッファ層ＧａＮより大きくなる条件は，ａ（ｘ，ｙ）＞３．１８９Å，
ｙ＜４．６６ｘ・・・（３）
この時は，従来技術の場合とは逆に，表面から基板に向かう方向にピエゾ電界が発生する。このため，ゲート電圧が0 Vの時にはチャネル層が空乏化され，エンハンスメント型ＦＥＴが作製し易くなる
　
カ　
「【００１２】望ましくは，ゲート絶縁層を形成するＩｎxＡｌyＧａ1-x-yＮとバッファ層を形成するＧａＮのａ軸長の差は，ＡｌＮ（ａ＝３．１１２Å）とＧａＮ（ａ＝３．１８９Å）とのａ軸長差以下にすればよい。こうすれば，結晶転位が発生する臨界膜厚が増加して，しきい値電圧の制御性が向上する。ＩｎxＡｌyＧａ1-x-yＮとＧａＮとのａ軸長の差がＡｌＮとＧａＮとのａ軸長の差より小さくなる条件は，｜ａ（ｘ，ｙ）−３．１８９｜＜３．１８９−３．１１２Åとなる。これより，｜ｙ−４．６６ｘ｜＜１・・・（４）
【００１３】
さらに望ましくは，Ｉｎ
x
Ａｌ
y
Ｇａ
1-x-y
Ｎのａ軸長がバッファ層ＧａＮと等しくなる場合で，この条件は，ａ（ｘ，ｙ）＝３．１８９Å
この時，結晶転位が発生しないので，ゲート絶縁層の膜厚が自由になり，しきい値電圧の制御性が格段に改善される
｜ｙ−４．６６ｘ｜＜０．０５・・・（５）
【００１４】また，リーク電流が小さい良好なゲート絶縁層として機能するためには，ゲート絶縁層のバンドギャップはチャネル層を形成するＩｎzＧａ1-zＮより大きくする必要がある。ＩｎxＡｌyＧａ1-x-yＮのバンドギャップは，
Ｅｇ（ｘ，ｙ）＝１．８９ｘ＋６．２ｙ＋３．３９（１−ｘ−ｙ）［ｅＶ］
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　・・・（６）
と表わされる。一方，ＩｎzＧａ1-zＮのバンドギャップは，
Ｅｇ（ｚ）＝１．８９ｚ＋３．３９（１−ｚ）［ｅＶ］・・・（７）
と表わされるから，ＩｎxＡｌyＧａ1-x-yＮのバンドギャップがＩｎzＧａ1-zＮより大きくなる条件は，Ｅｇ（ｘ，ｙ）＞Ｅｇ（ｚ），これより，下式を得る。
ｙ＞０．５３３（ｘ―ｚ）・・・（８）」
　
キ　第二の実施例
「【００２１】（第二の実施例）
図２（ａ）は本発明による第二の実施例の構造図である。このＨＪＦＥＴ構造では，チャネル層22としてアンドープＧａＮが，ゲート絶縁層23としてｎ型Ｉｎ
0.1
Ａｌ
0.7
Ｇａ
0.2
Ｎが用いられている
【００２２】このようなHJFETのゲート電極19とチャネル層22間における伝導帯エネルギーの概略図を図２（ｂ）に示す。
ゲート絶縁層23（電子供給層）を形成するＩｎ
0.1
Ａｌ
0.7
Ｇａ
0.2
Ｎのａ軸長は3.17Åと，バッファ層11を形成するＧａＮ（3.19Å）より小さいため，基板から表面に向かう方向にピエゾ電界が発生する。したがって，ゲート電圧が0 Vの時にはチャネル層22内に二次元電子24が形成されて，ディプレッション型となる。また，Ｉｎ
0.1
Ａｌ
0.7
Ｇａ
0.2
Ｎのバンドギャップは5.21eVと，ＧａＮ（3.39eV）より大きいため，良好なゲート絶縁層となる
【００２３】本実施例では，チャネル層をアンドープＧａＮで，ゲート絶縁層をｎ型ＩｎＡｌＧａＮで形成している。電子が走行するチャネル層内の不純物濃度が低いため，第一の実施例と比べて，電子移動度が向上，高周波特性が改善される。」
　
ク　第六の実施例
「【００３４】（第六の実施例）
図６（ａ）は本発明によるＨＪＦＥＴの第六の構造図である。このＨＪＦＥＴでは，チャネル層62はアンドープＧａＮにより，ゲート絶縁層63はｎ型Ｉｎ
0.05
Ａｌ
0.23
Ｇａ
0.72
Ｎを用いている
【００３５】
このようなＨＪＦＥＴのゲート電極59とチャネル層62間における伝導帯エネルギーの概略図を図６（ｂ）に示す
ゲート絶縁層63を形成するＩｎ
0.05
Ａｌ
0.23
Ｇａ
0.72
Ｎのａ軸長は3.19Åと，バッファ層51及びチャネル層62を形成するＧａＮ（3.19Å）と同等であるため，格子歪みの無い良好な結晶が得られる。このため，ゲート絶縁層の膜厚の制限が無くなり，しきい値電圧の制御性が向上する。また，Ｉｎ
0.05
Ａｌ
0.23
Ｇａ
0.72
Ｎのバンドギャップは3.96eVと，チャネル層62を形成するＧａＮ（3.39eV）より大きいため，良好なゲート絶縁層となる
【００３６】本実施例では，チャネル層をアンドープＧａＮで，ゲート絶縁層をｎ型ＩｎＡｌＧａＮで形成している。電子が走行するチャネル層内の不純物濃度が低いため，第五の実施例と比べて，電子移動度が向上，高周波特性が改善される。」
　
　ここで，段落【０００３】〜【０００４】，【０００８】及び【００２１】の記載とともに図９及び図２を参照すると，図２（ａ）に記載されたＨＪＦＥＴにおいては，バッファ層，チャネル層及びゲート絶縁層がこの順に積層された構造を有することがわかる。
　また，段落【０００４】〜【０００５】，【０００９】の記載から，ＩｎzＧａ1-zＮチャネル層（０≦ｚ＜１）の格子定数（ａ軸）が，バッファ層ＧａＮのそれと等しいことがわかる。
　
　以上を総合し，図２（ａ）に記載されたものに注目すると，引用例には，以下の発明が記載されているものと認められる。（以下「引用発明」という。）
　
「バッファ層ＧａＮ，ＩｎzＧａ1-zＮチャネル層（０≦ｚ＜１）及びＩｎxＡｌyＧａ1-x-yＮゲート絶縁層（ｘ＞０，ｙ＞０，ｘ＋ｙ≦１）がこの順に積層された構造を有するＨＪＦＥＴにおいて，
　ＩｎzＧａ1-zＮチャネル層（０≦ｚ＜１）は，ＧａＮと格子定数（ａ軸）が等しいものであり，
　ＩｎxＡｌyＧａ1-x-yＮゲート絶縁層（ｘ＞０，ｙ＞０，ｘ＋ｙ≦１）の組成比ｘ，ｙを適当に設定することによって，その格子定数（ａ軸）を，ＩｎzＧａ1-zＮチャネル層（０≦ｚ＜１）の格子定数（ａ軸）の周囲で変化させることで，デプレッション型ＦＥＴ，エンハンスメント型ＦＥＴの作り分けを可能としたＨＪＦＥＴであって，
　チャネル層22としてアンドープＧａＮが，ゲート絶縁層23としてｎ型Ｉｎ0.1Ａｌ0.7Ｇａ0.2Ｎを用いたものにあっては，ゲート絶縁層23（電子供給層）を形成するＩｎ0.1Ａｌ0.7Ｇａ0.2Ｎのａ軸長は3.17Åと，バッファ層11及びチャネル層22を形成するＧａＮ（3.19Å）より小さいため，基板から表面に向かう方向にピエゾ電界が発生し，ゲート電圧が0 Vの時にはチャネル層22内に二次元電子24が形成されて，ディプレッション型となるＨＪＦＥＴ。」
　
（３）対比
　本願補正発明と引用発明とを比較する。
　
・引用発明においては，「チャネル層22としてアンドープＧａＮが，ゲート絶縁層23としてｎ型Ｉｎ0.1Ａｌ0.7Ｇａ0.2Ｎを用いたものにあっては，」「ゲート電圧が0 Vの時にはチャネル層22内に二次元電子24が形成され」るから，当該構成は，本願補正発明の「第１の組成を有する第１のＩＩＩ族窒化物材料からなる第１の層と，　前記第１の組成とは異なる第２の組成を有する第２のＩＩＩ族窒化物材料からなり，前記第１の層と接触して配置された第２の層と，　前記第１の層と前記第２の層とによって形成され，電流を伝えるための二次元電子ガスを供給する界面と，を備え」るものに相当する。
　
・引用発明の「ゲート絶縁層23（電子供給層）を形成するＩｎ0.1Ａｌ0.7Ｇａ0.2Ｎのａ軸長は3.17Åと，バッファ層11及びチャネル層22を形成するＧａＮ（3.19Å）より小さい」ことと，本願補正発明の「前記第１の層および前記第２の層は，前記第２の層の界面の面内における格子定数が，前記第１の層の界面の面内における格子定数以上になるように形成され」ることとは，「前記第１の層および前記第２の層は，前記第２の層の界面の面内における格子定数と，前記第１の層の界面の面内における格子定数とが異なるように形成され」る点で共通する。
　
・引用発明に係る「ＨＪＦＥＴ」は，「バッファ層ＧａＮ，ＩｎzＧａ1-zＮチャネル層（０≦ｚ＜１）及びＩｎxＡｌyＧａ1-x-yＮゲート絶縁層（ｘ＞０，ｙ＞０，ｘ＋ｙ≦１）がこの順に積層された構造を有」し，ＩＩＩ族窒化物半導体により構成されているから，本願補正発明の「ＩＩＩ族窒化物素子」に相当する。
　
　したがって，引用発明と本願補正発明とは，
「　ＩＩＩ族窒化物素子であって，
　第１の組成を有する第１のＩＩＩ族窒化物材料からなる第１の層と，
　前記第１の組成とは異なる第２の組成を有する第２のＩＩＩ族窒化物材料からなり，前記第１の層と接触して配置された第２の層と，
　前記第１の層と前記第２の層とによって形成され，電流を伝えるための二次元電子ガスを供給する界面と，を備え，
　前記第１の層および前記第２の層は，前記第２の層の界面の面内における格子定数と，前記第１の層の界面の面内における格子定数とが異なるように形成された素子。」
である点で一致する。
　
　一方両者は，以下の各点で相違する。
《相違点１》
　本願補正発明においては，「前記第１の層および前記第２の層は，前記第２の層の界面の面内における格子定数が，前記第１の層の界面の面内における格子定数以上になるように形成され」ているのに対して，引用発明においては「ゲート絶縁層23（電子供給層）を形成するＩｎ0.1Ａｌ0.7Ｇａ0.2Ｎのａ軸長は3.17Åと，バッファ層11及びチャネル層22を形成するＧａＮ（3.19Å）
より小さ
より小さく
　
《相違点２》
　本願補正発明においては，「前記第２の層は，ゲート電極の下になるべき部分の厚さと，ソース電極の下になるべき部分の厚さとが異なるものである」構成を備えるが，引用発明はこのような構成を備えない点。
　
（４）判断
　上記各相違点について検討する。
《相違点１について》
　引用発明は，「バッファ層ＧａＮ，ＩｎzＧａ1-zＮチャネル層（０≦ｚ＜１）及びＩｎxＡｌyＧａ1-x-yＮゲート絶縁層（ｘ＞０，ｙ＞０，ｘ＋ｙ≦１）がこの順に積層された構造を有するＨＪＦＥＴにおいて，　ＩｎzＧａ1-zＮチャネル層（０≦ｚ＜１）は，ＧａＮと格子定数（ａ軸）が等しいものであり，　ＩｎxＡｌyＧａ1-x-yＮゲート絶縁層（ｘ＞０，ｙ＞０，ｘ＋ｙ≦１）の組成比ｘ，ｙを適当に設定することによって，その格子定数（ａ軸）を，ＩｎzＧａ1-zＮチャネル層（０≦ｚ＜１）の格子定数（ａ軸）の周囲で変化させることで，デプレッション型ＦＥＴ，エンハンスメント型ＦＥＴの作り分けを可能としたＨＪＦＥＴであ」る構成を備えるところ，当該引用発明を認定する上で注目した，引用例の図２（ａ）に記載されたものは，「ゲート電圧が0 Vの時にはチャネル層22内に二次元電子24が形成されて，ディプレッション型となるＨＪＦＥＴ」となるように，「ゲート絶縁層23（電子供給層）を形成するＩｎ0.1Ａｌ0.7Ｇａ0.2Ｎのａ軸長は3.17Åと，バッファ層11及びチャネル層22を形成するＧａＮ（3.19Å）より小さ」くされたものである。
　それゆえ，引用発明においてエンハンスメント型ＦＥＴとすべく，しきい値電圧を制御するために，引用例の図２（ａ）に記載されたものとは異なり，ゲート絶縁層23（電子供給層）を形成するＩｎＡｌＧａＮの格子定数（ａ軸）を，バッファ層11及びチャネル層22を形成するＧａＮの格子定数（ａ軸）より大きくすることも，当業者であれば直ちに察知し得たことである。それゆえ，引用発明において，ゲート絶縁層23（電子供給層）を形成するＩｎＡｌＧａＮの格子定数（ａ軸）を，バッファ層11及びチャネル層22を形成するＧａＮの格子定数（ａ軸）より大きくして，相違点１に係る「前記第１の層および前記第２の層は，前記第２の層の界面の面内における格子定数が，前記第１の層の界面の面内における格子定数以上になるように形成され」ることに対応する構成を備えることは，当業者が適宜になし得たことである。
　よって，相違点１は当業者が適宜になし得た範囲に含まれる程度のものである。
　
《相違点２について》
　窒化ガリウム系の半導体材料によって形成され，ヘテロ構造を備え二次元電子ガスが形成される界面を有するトランジスタにおいて，当該二次元電子ガスが形成される界面上に形成される半導体層について，その厚さを，ゲート電極の下になる部分と，ソース電極の下になる部分とで異なるようにすることにより，ＦＥＴの動作を安定化させたり，オン抵抗あるいはコンタクト抵抗を小さくすることは，以下の周知例１〜３にも記載されているように，従来より周知の技術である。
　そして，ＦＥＴの動作を安定化させたり，オン抵抗あるいはコンタクト抵抗を小さくすることは，ＦＥＴにおける不断の技術課題というべきものであるから，引用発明において，上記周知の技術を適用することにより，相違点２に係る「前記第２の層は，ゲート電極の下になるべき部分の厚さと，ソース電極の下になるべき部分の厚さとが異なるものである」構成を備えることは，当業者が適宜になし得たことである。
　よって，相違点２は当業者が適宜になし得た範囲に含まれる程度のものである。
　
周知例１：　特開２００２−２８９８３７号公報
　平成２１年９月４日付けの拒絶理由通知で引用され，本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である，特開２００２−２８９８３７号公報（以下「周知例１」という。）には，図３とともに，以下の記載がある。
・「【００５５】図３は，第２の実施形態に係る半導体装置，具体的には電界効果型トランジスタ（ＦＥＴ）の断面図である。
【００５６】図３に示すように，サファイア又はＳｉＣからなる基板２０１上には，膜厚１００ｎｍ程度のＡｌＮ膜２０２を介して，膜厚２０００ｎｍ程度のＧａＮ膜からなるバッファー層２０３，及び膜厚１００ｎｍ程度のｎ型のＩｎＧａＡｌＮ膜からなる電子供給層２０４が順次形成されている。また，
電子供給層２０４の所定の領域に設けられた深さ８０ｎｍ程度の凹部及びその上部に，ゲート電極２０５が形成されていると共に，電子供給層２０４の上におけるゲート電極２０５の両側にソース電極２０６及びドレイン電極２０７が形成されている
【００５７】尚，第２の実施形態においては，電子供給層２０４に対して選択的にドライエッチングを行なってゲート電極形成領域となる凹部を形成した。
【００５８】また，
第２の実施形態においては，バッファー層２０３における電子供給層２０４との界面近傍に高濃度の二次元電子ガス２０８が形成されるので，ゲート電極２０５に印加する電圧により二次元電子ガス２０８の濃度を制御することによってＦＥＴとしての動作が実現される
　・・・（中略）・・・
【００６５】以上に説明したように，第２の実施形態によると，バッファー層２０３となるＧａＮ膜と，電子供給層２０４となるｎ型のＩｎＧａＡｌＮ膜とのヘテロ構造の上にソース電極２０６及びドレイン電極２０７が形成されている。このため，
ＩｎＧａＡｌＮ膜を厚く形成することによって，ヘテロ構造の表面から，ヘテロ構造における二次元電子ガス２０８が形成されるチャンネル層までの距離を増大させることができる。従って，ヘテロ構造の表面におけるポテンシャル変動がチャンネル層のポテンシャルに及ぼす影響を軽減できるので，ドレイン電流の減少を確実に防止してＦＥＴの動作を安定させることができると共にＦＥＴを高出力化することができる
　
周知例２：　特開２００３−５９９４６号公報
　本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である，特開２００３−５９９４６号公報（以下「周知例２」という。）には，図１とともに，以下の記載がある。
・「【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明者らは，ＧａＮ系材料のヘテロ接合界面に形成される２次元電子ガス層の電子ガス濃度は高く，また，例えばアンドープＡｌＧａＮとアンドープＧａＮのヘテロ接合界面の場合，アンドープＡｌＧａＮが薄くなればなるほどアンドープＧａＮ内の２次元電子ガス層のしみ出し効果でアンドープ層のキャリアが実効的に増加するため，抵抗が小さくなるという現象に着目した。
【００１０】そして，ソース電極とドレイン電極を形成する領域におけるアンドープＡｌＧａＮ層を選択的に薄層化すれば，その領域は従来のコンタクト層と同等の機能を発揮することができるのではないかとの着想を抱き，種々の実験を重ねてその着想の正しさを確認し，本発明のＧａＮ系半導体装置を開発するに至った。すなわち，本発明のＧａＮ系半導体装置は，全体がＧａＮ系半導体材料で構成され，
第１のアンドープ材料から成る下層と前記第１のアンドープ材料よりもバンドギャップエネルギーが大きい第２のアンドープ材料から成る上層との層構造が基板の上に形成され，前記上層の表面には，ゲート電極，ソース電極，およびドレイン電極が形成されているＧａＮ系半導体装置であって，前記ソース電極と前記ドレイン電極の形成領域における前記上層の厚みが，他の領域における厚みよりも薄くなっていることを特徴とする
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明のＧａＮ系半導体装置の１例Ａを図１に示す。この装置Ａは，半絶縁性基板１の上に，例えばＧａＮから成るバッファ層２，後述する第１のアンドープ材料から成る下層３，第２のアンドープ材料から成る上層４が順次積層された層構造が形成されている。そして全体の表面は例えばＳｉＯ2のような保護膜７で被覆されている。
【００１２】そして，
上層４の一部領域４Ａは他の領域４Ｂに比べて薄くなっていて，その薄い領域４Ａにソース電極Ｓとドレイン電極Ｄのそれぞれが形成され，上記した厚い他の領域４Ｂにはゲート電極Ｇが形成されている
・「【００２７】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように，
本発明のＧａＮ系半導体装置は，上層におけるソース電極とドレイン電極の形成領域の厚みを薄くすることにより動作時のオン抵抗は小さくなり，大電流動作が可能になっている
　
周知例３：　特開２００３−１００７７８号公報
　本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である，特開２００３−１００７７８号公報（以下「周知例３」という。）には，図１〜６とともに，以下の記載がある。
・「（第２の実施例）図６は，本発明の第２の実施例としてのヘテロ接合電界効果トランジスタの要部断面構造を表す模式図である。同図については，図１乃至図５に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
本実施例のトランジスタの場合は，Ａｌ
ｘ
Ｇａ
（１―ｘ）
Ｎ層１２Ａは従来のトランジスタと同様に，所望の閾値電圧となるように厚く形成しておく。そして，オーミック電極１８，１９の下部１２Ｂを１ｎｍ〜６ｎｍの範囲まで薄層化する構造とする
本実施例の電界構造トランジスタについて，ソース電極１８，ドレイン電極１９のコンタクト抵抗を測定したところ，従来構造の１／１０に低減できた
　
（５）小括
　以上のとおり，本願補正発明は，周知技術を勘案して，引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により，特許を受けることができない。
　よって，本願補正発明は，特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
５．むすび
　したがって，本件補正は，平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する特許法第１２６条第５項の規定に違反するので，同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
１　本願発明
　平成２４年８月１０日にされた手続補正は，上記のとおり却下されたので，本願の請求項１に係る発明は，平成２２年２月８日にされた手続補正により補正された明細書，特許請求の範囲及び図面の記載から見て，その請求項１に記載された事項により特定される以下のとおりのものである。（以下「本願発明」という。）
　
「【請求項１】
　ＩＩＩ族窒化物素子であって，
　第１の組成を有する第１のＩＩＩ族窒化物材料からなる第１の層と，
　前記第１の組成とは異なる第２の組成を有する第２のＩＩＩ族窒化物材料からなり，前記第１の層と接触して配置された第２の層と，
　前記第１の層と前記第２の層とによって形成され，電流を伝えるための二次元電子ガスを供給する界面と，を備え，
　前記第１の層および前記第２の層は，前記第２の層の界面の面内における格子定数が，前記第１の層の界面の面内における格子定数以上になるように形成される，素子。」
　
２　引用発明
　引用発明は，前記第２の４「（２）刊行物に記載された発明」に記載したとおりのものである。
　
３　対比・判断
　前記第２「１　本件補正の内容」〜第２「３　補正の目的の適否及び新規事項の追加の有無についての検討」において記したように，本願補正発明は，本件補正前の請求項１の発明特定事項である「前記第２の層」について，「ゲート電極の下になるべき部分の厚さと，ソース電極の下になるべき部分の厚さとが異なるものである」として，その厚さについて技術的に限定を付したものである。言い換えると，本願発明は，本願補正発明から前記限定を除いたものである。
　そうすると，本願発明の構成要件をすべて含み，これをより限定したものである本願補正発明が，前記第２の４「（３）対比」〜第２の４「（５）小括」において検討したとおり，周知技術を勘案して，引用発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，本願発明も同様の理由により，当業者が容易に発明をすることができたものである。
　よって，本願発明は特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
第４　むすび
　以上のとおりであるから，本願は，他の請求項に係る発明について検討するまでもなく，拒絶すべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。