(57)【要約】小型かつ高感度であって、集積回路を製造する際に通常使用される標準的な組立ラインにてパッケージ化することができる、大量生産に適した低コストな電流センサ、ならびに、その製造方法を提供する。さらに、磁束の検出感度を下げることなく、外乱磁束に対する十分なシールド効果が得られるようにする。第１の磁性体（５０）を電流導体（２２Ｃ）の下部に貼りつける。第１の磁性体（５０）は、被測定電流によって生じる磁束を収束・増幅する機能、および、外来磁束のシールド機能を果たす。磁気センサチップ（２０）の上方には、第２の磁性体（５１）を貼り付ける。第２の磁性体（５１）は、外部から入射する外乱磁束に対するシールド機能を果たす。
2003038452.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被測定電流が流れる金属導体部分上に磁気検出素子を設けた電流センサであって、
前記被測定電流により生じる磁束を収束させる磁束収束板に近接して前記磁気検出素子を配置し、且つ、
前記磁気検出素子の入出力端子を前記金属導体部分と同一面上に、もしくは、所定の段差をもった平面上に配置することを特徴とする電流センサ。
【請求項２】
請求項１に記載の電流センサにおいて、
前記磁束収束板は、所定幅の間隙を有する一対の部材で構成されることを特徴とする電流センサ。
【請求項３】
請求項１に記載の電流センサにおいて、さらに加えて、
前記磁気検出素子が配置されていない前記金属導体部分の裏面に、第１の磁性体を設けたことを特徴とする電流センサ。
【請求項４】
請求項３に記載の電流センサにおいて、さらに加えて、
前記磁気検出素子が配置されている前記金属導体部分の上方に、第２の磁性体を設けたことを特徴とする電流センサ。
【請求項５】
請求項４に記載の電流センサにおいて、
前記被測定電流により形成される磁束の方向に沿った、前記磁束収束板の全長をαとし、且つ、
前記磁気検出素子における磁気検出面と、前記第２の磁性体との間の距離をＸとしたとき、
０．１α≦Ｘ≦３．６α  の関係を満たすように、前記第２の磁性体の位置を設定することを特徴とする電流センサ。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれかに記載の電流センサにおいて、
前記磁気検出素子が載置されている前記金属導体の幅を狭めることにより、前記磁気検出素子の検出感度を実質的に上げることを特徴とする電流センサ。
【請求項７】
被測定電流が流れる金属導体部分上に磁気検出素子を設けた電流センサの製造方法であって、
前記被測定電流により生じる磁束を収束させる磁束収束板に近接して前記磁気検出素子を配置し、且つ、前記磁気検出素子の入出力端子を前記金属導体部分と同一面上に、もしくは、所定の段差をもった平面上に配置するに際して、
一枚の平板状材料に対するエッチング処理および／またはプレス処理を用いて、磁気検出素子用リードフレームおよび前記金属導体部分を同時に一体形成するステップと、
前記金属導体部分，前記リードフレーム、および、前記磁気検出素子を一体的に封止するステップと、
を有することを特徴とする電流センサ製造方法。
【請求項８】
被測定電流が流れる金属導体部分上に磁気検出素子を設けた電流センサの製造方法であって、
前記被測定電流により生じる磁束を収束させる磁束収束板に近接して前記磁気検出素子を配置し、且つ、前記磁気検出素子の入出力端子を前記金属導体部分と同一面上に、もしくは、所定の段差をもった平面上に配置するに際して、
一枚の平板状材料に対するエッチング処理および／またはプレス処理を用いて、磁気検出素子用リードフレームおよび前記金属導体部分を同時に一体形成するステップと、
前記磁気検出素子が配置されていない前記金属導体部分の裏面に第１の磁性体を設けるステップと、
前記金属導体部分，前記リードフレーム，前記第１の磁性体、および、前記磁気検出素子を一体的に封止するステップと、
を有することを特徴とする電流センサ製造方法。
【請求項９】
被測定電流が流れる金属導体部分上に磁気検出素子を設けた電流センサの製造方法であって、
前記被測定電流により生じる磁束を収束させる磁束収束板に近接して前記磁気検出素子を配置し、且つ、前記磁気検出素子の入出力端子を前記金属導体部分と同一面上に、もしくは、所定の段差をもった平面上に配置するに際して、
一枚の平板状材料に対するエッチング処理および／またはプレス処理を用いて、磁気検出素子用リードフレームおよび前記金属導体部分を同時に一体形成するステップと、
前記磁気検出素子が配置されていない前記金属導体部分の裏面に第１の磁性体を設けるステップと、
前記磁気検出素子が配置されている前記金属導体部分の上方に、第２の磁性体を設けるステップと、
前記金属導体部分，前記リードフレーム，前記第１の磁性体，前記磁気検出素子、および、前記第２の磁性体を一体構造とするステップと、
を有することを特徴とする電流センサ製造方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の電流センサ製造方法において、
前記被測定電流により形成される磁束の方向に沿った、前記磁束収束板の全長をαとし、且つ、
前記磁気検出素子における磁気検出面と、前記第２の磁性体との間の距離をＸとしたとき、
０．１α≦Ｘ≦３．６α  の関係を満たすように、前記第２の磁性体の位置を設定することを特徴とする電流センサ製造方法。
【請求項１１】
請求項７〜１０のいずれかに記載の電流センサ製造方法において、
前記磁気検出素子が載置されている前記金属導体の幅を狭めることにより、前記磁気検出素子の検出感度を実質的に上げることを特徴とする電流センサ製造方法。
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は、電流センサおよび電流センサ製造方法に関するものである。
さらに詳述すると、本発明は、測定しようとする電流により発生する磁束を磁気検出素子によって検出することで、電流強度を測定する磁電変換型の電流センサ、および、その製造方法に関するものである。
背景技術
一般に磁気センサとしては、ホール効果を利用したホールセンサ、磁気抵抗素子、磁気トランジスタ（これら単体あるいは増幅機能や補正機能を内蔵した磁気センサＡＳＩＣを含む）等が知られている。このような磁気センサを用いて、電流により発生する磁束をとらえ、電流強度を測定することが可能であり、従来から、図１に示すような構造を持つ電流センサが広く用いられている。
しかしながら、図１に示したような構造を有する電流センサでは、電流を流す金属導体２の周囲を囲む形状の磁気コア４が必須であるため小型化に適さず、更には磁気コア４とホール素子６を個別に製造して組み立てる必要があることから、コストがかかり、大量生産に適していなかった。
かかる不都合に対処するために、集積回路のプラスチックモールドを用いた「電流検出端子付き磁気センサ」（特開昭６１−８００７４号公報）が提案されている。この公開公報には、“電流検出用金属導体と、この導体の両端部以外の部分に固定された磁電変換素子チップと、このチップに各一端部が接続された複数個のリードフレームと、この各リードフレームの一端部および前記チップならびに前記金属導体のチップ固定部を一体的に封止する封止部とを具備し、前記金属導体の両端部を電流検出用外部端子として有することを特徴とする電流検出端子付き磁気センサ”が開示されている。
しかしながら、上記の特開昭６１−８００７４号公報に記載されている発明は、以下に列挙する問題点を有している。
（１）特開昭６１−８００７４号公報に記載されている発明は、金属導体に電流が流れるとき、その金属導体を中心として同心円状に生じる磁束を金属導体表面直近に置いた磁気センサチップによって検出しようとするものであるが、金属導体表面付近では磁束は導体表面にほぼ水平な成分のみとなり、更には磁気センサチップが主としてそのチップ表面に対して垂直な方向の磁束に対してのみ感度を持ち、水平な方向の磁束に対しては著しく弱い感度しか持ち得ないことから、良好な電流検出は困難である。
また、チップ表面に対して垂直な方向の磁束に対して感度を持つ磁気センサチップを、電流によって生じる磁束に対してチップ表面が垂直となるように、９０度回転させて電流導体上に配置することで電流の発生する磁束を検出することが可能となるが、磁気センサチップの電流導体上への固定方法や、センサチップ端子部とリードフレームのワイヤボンディング方法の煩雑さを考慮すると、実用性・量産性に乏しいといえる。
（２）電流センサが設置される環境においては、電流センサの周囲に被測定対象以外の電流が多数流れていることが想定されるが、特開昭６１−８００７４号公報に記載されている発明では、そのような環境下において、それら周囲の電流によって生じる外来磁束の影響を容易に受け、被測定対象の電流による磁束を正確に検出するのが困難である。
（３）特開昭６１−８００７４号公報に記載されている発明では、電流が流れる金属導体と、磁気センサチップの端子が接続されるリードフレーム部の表面が同一面で形成されず段差を持つことから、一体成型によるリードフレーム加工が困難となり、大量生産には不向きである。
（４）被測定電流により発生された磁束以外の磁束、すなわち外乱あるいは妨害に起因した磁束が磁気センサ周辺に存在する場合、適切なシールド対策が十分に行われていなかった。換言すると、測定すべき磁束を磁気検出素子に導きつつ、外乱となる磁束を取り除くことで測定誤差をもたらさず、且つ、磁気シールド効果を十分に発揮するための電流センサについては、未だ実現されていない。
よって本発明の目的は、上述の点に鑑み、小型かつ高感度であって、集積回路を製造する際に通常使用される標準的な組立ラインにてパッケージ化することができる、大量生産に適した低コストな電流センサ、ならびに、その製造方法を提供することにある。
本発明の他の目的は、外乱磁束に対して十分なシールド効果を有する、パッケージ化可能な電流センサ、ならびに、その製造方法を提供することにある。
発明の開示
上記の目的を達成するために、請求項１に係る本発明は、被測定電流が流れる金属導体部分上に磁気検出素子を設けた電流センサであって、前記被測定電流により生じる磁束を収束させる磁束収束板に近接して前記磁気検出素子を配置し、且つ、前記磁気検出素子の入出力端子を前記金属導体部分と同一面上に、もしくは、所定の段差をもった平面上に配置する。
請求項２に係る本発明は、請求項１に記載の電流センサにおいて、前記磁束収束板は、所定幅の間隙を有する一対の部材で構成される。
請求項３に係る本発明は、請求項１に記載の電流センサにおいて、さらに加えて、前記磁気検出素子が配置されていない前記金属導体部分の裏面に、第１の磁性体を設ける。
請求項４に係る本発明は、請求項３に記載の電流センサにおいて、さらに加えて、前記磁気検出素子が配置されている前記金属導体部分の上方に、第２の磁性体を設ける。
請求項５に係る本発明は、請求項４に記載の電流センサにおいて、前記被測定電流により形成される磁束の方向に沿った、前記磁束収束板の全長をαとし、且つ、前記磁気検出素子における磁気検出面と、前記第２の磁性体との間の距離をＸとしたとき、０．１α≦Ｘ≦３．６αの関係を満たすように、前記第２の磁性体の位置を設定する。
請求項６に係る本発明は、請求項１〜５のいずれかに記載の電流センサにおいて、前記磁気検出素子が載置されている前記金属導体の幅を狭めることにより、前記磁気検出素子の検出感度を実質的に上げる。
請求項７に係る本発明は、被測定電流が流れる金属導体部分上に磁気検出素子を設けた電流センサの製造方法であって、前記被測定電流により生じる磁束を収束させる磁束収束板に近接して前記磁気検出素子を配置し、且つ、前記磁気検出素子の入出力端子を前記金属導体部分と同一面上に、もしくは、所定の段差をもった平面上に配置するに際して、一枚の平板状材料に対するエッチング処理および／またはプレス処理を用いて、磁気検出素子用リードフレームおよび前記金属導体部分を同時に一体形成するステップと、前記金属導体部分，前記リードフレーム、および、前記磁気検出素子を一体的に封止するステップと、を有する。
請求項８に係る本発明は、被測定電流が流れる金属導体部分上に磁気検出素子を設けた電流センサの製造方法であって、前記被測定電流により生じる磁束を収束させる磁束収束板に近接して前記磁気検出素子を配置し、且つ、前記磁気検出素子の入出力端子を前記金属導体部分と同一面上に、もしくは、所定の段差をもった平面上に配置するに際して、一枚の平板状材料に対するエッチング処理および／またはプレス処理を用いて、磁気検出素子用リードフレームおよび前記金属導体部分を同時に一体形成するステップと、前記磁気検出素子が配置されていない前記金属導体部分の裏面に第１の磁性体を設けるステップと、前記金属導体部分，前記リードフレーム，前記第１の磁性体、および、前記磁気検出素子を一体的に封止するステップと、を有する。
請求項９に係る本発明は、被測定電流が流れる金属導体部分上に磁気検出素子を設けた電流センサの製造方法であって、前記被測定電流により生じる磁束を収束させる磁束収束板に近接して前記磁気検出素子を配置し、且つ、前記磁気検出素子の入出力端子を前記金属導体部分と同一面上に、もしくは、所定の段差をもった平面上に配置するに際して、一枚の平板状材料に対するエッチング処理および／またはプレス処理を用いて、磁気検出素子用リードフレームおよび前記金属導体部分を同時に一体形成するステップと、前記磁気検出素子が配置されていない前記金属導体部分の裏面に第１の磁性体を設けるステップと、前記磁気検出素子が配置されている前記金属導体部分の上方に、第２の磁性体を設けるステップと、前記金属導体部分，前記リードフレーム，前記第１の磁性体，前記磁気検出素子、および、前記第２の磁性体を一体構造とするステップと、を有する。
請求項１０に係る本発明は、請求項９に記載の電流センサ製造方法において、前記被測定電流により形成される磁束の方向に沿った、前記磁束収束板の全長をαとし、且つ、前記磁気検出素子における磁気検出面と、前記第２の磁性体との間の距離をＸとしたとき、０．１α≦Ｘ≦３．６αの関係を満たすように、前記第２の磁性体の位置を設定する。
請求項１１に係る本発明は、請求項７〜１０のいずれかに記載の電流センサ製造方法において、前記磁気検出素子が載置されている前記金属導体の幅を狭めることにより、前記磁気検出素子の検出感度を実質的に上げる。
発明を実施するための最良の形態
実施の形態１
図２Ａは、本発明を適用した電流センサの全体構成を模式的に示した斜視図である。図２Ｂは、図２Ａに示した電流センサの断面構成を模式的に示した図である。これら本図において、２０はホール素子などの磁気検出素子を含む磁気センサチップ、２２Ａ〜２２Ｃは被測定電流を流すための電流導体、２４Ａ〜２４Ｄはリードフレームである。このリードフレーム２４Ａ〜２４Ｄと電流導体２２Ａ〜２２Ｃは、後に詳述するように、一枚の金属薄板から形成される（図４Ａ，図４Ｂ参照）。２６は、各リードフレーム２４Ａ〜２４Ｄと磁気センサチップ２０を接続するためのボンディングワイヤである。また、Ｍは、プラスチックモールドされる部分を示している。
図３Ａ，図３Ｂ，図３Ｃは、それぞれ、図２Ａに示した磁気センサチップ２０をより詳細に示す斜視図，断面図，表面図である。これらの図に示すように、磁気センサチップ２０全体は電流導体２２Ｃの上に載置されており、被測定電流により発生する誘導磁界の大きさを検出する。磁気センサチップ２０の表面側（すなわち、センサチップ基板３２から最も離れた側）には、２つの磁束収束板２８Ａ，２８Ｂが所定の間隔をおいて配置されている。これら２つの磁束収束板２８Ａ，２８Ｂの下方（すなわち、センサチップ３２側）であって且つ磁束密度が高まる領域には、２つのホール素子３０Ａ，３０Ｂが置かれている。
この図３Ａ，図３Ｂ，図３Ｃから明らかなように、被測定電流により発生する誘導磁界は、一方の磁束収束板２８Ａから一方のホール素子３０Ａを介し、さらに、他方のホール素子３０Ｂおよび他方の磁束収束板２８Ｂを介して、磁気センサチップ２０内を通過する。
なお、図示した磁気センサチップ２０自体については、本出願における発明者が既に米国特許公報（ＵＳＰ第５，９４２，８９５号：“ＭＡＧＮＥＴＩＣ  ＦＩＥＬＤ  ＳＥＮＳＯＲ  ＡＮＤ  ＣＵＲＲＥＮＴ  ＡＮＤ／ＯＲ  ＥＮＥＲＧＹ  ＳＥＮＳＯＲ”，  Ｐｏｐｏｖｉｃ  ｅｔ  ａｌ．）に開示してある。この磁気センサチップ２０を具備することにより、金属導体表面近傍に生じる（導体表面に水平な方向の）磁束を効率良く検出し、感度の良い電流センサが実現できる。
図４Ａおよび図４Ｂは、図２Ａ，図２Ｂおよび図３Ａ，図３Ｂ，図３Ｃに示した磁気センサチップ２０の製造過程を説明するための図である。図４Ａに示すように、複数チップ分の電流導体２２Ａ〜２２Ｃとリードフレーム２４Ａ〜２４Ｄは、一枚の金属薄板をエッチングまたはプレスすることにより同時に形成される。その結果、複数チップ分の電流導体２２Ａ〜２２Ｃとリードフレーム２４Ａ〜２４Ｄを同時に製造することが可能となる。１つのチップ領域から切り取られた加工済み金属薄片は、最終的には、図４Ｂに示すような外観となる。換言すると、図４Ｂに示すチップ外観図は、先に説明した図２Ａ（斜視図）と一致している。
本実施の形態による電流センサにおいて、被測定電流が流れる電流導体部分２２Ｃは、磁気センサチップの端子が接続されるリードフレーム２４Ａ〜２４Ｄと同一平面上に構成される。あるいは、ワイヤボンディングを容易にするために、磁気センサチップ２０が載置されている電流導体面２２Ｃをプレス加工により、チップ厚さ程度だけ下げることも可能である。このため、従来の集積回路用リードフレームを製造するのと同様に、一枚の平板状材料からエッチングやプレス等の手法を用いて、電流の流れる導体部と他のリードフレーム部を同時に一体形成でき、低コストで大量生産性が実現できる。
（実施例）
以下、図２Ａに対応した実施例を説明する。
金属薄板（図４Ａ参照）として厚さ０．４ｍｍの銅板を用い、電流導体２２Ａ〜２２Ｃおよびリードフレーム２４Ａ〜２４Ｄを一体形成した。既述の通り、図４Ａは、複数個分のチップがつながった状態を示しており、通常の集積回路用リードフレームと全く同様の工程で、容易かつ大量に製造することができた。その結果、図４Ｂに示すように、上記リードフレームを用いて、集積回路用のプラスチックモールドで形成した電流センサを構成することができた。
磁気センサチップ２０が載る電流導体中央部の幅は約２ｍｍ、プラスチックモールドの外側部分の幅は約５．５ｍｍであり、最大２５Ａの電流を連続通電することができた。磁気センサチップ２０には、図３Ｂ，図３Ｃに示したホールＡＳＩＣを用いた。このホールＡＳＩＣは、集積回路のダイスボンディングに用いられる絶縁性接着テープによって、電流導体のアイランド部へ固定した。このホールＡＳＩＣは、図３Ｂ，図３Ｃに示すように、ギャップによって隔てられた一対の磁束収束板（軟磁性体薄膜）２８Ａ，２８Ｂを持ち、各々の磁束収束板直下に各ホール素子を配置した。電流導体２２Ｃに電流が流れると、図３Ａ〜図３Ｃに示したように、電流導体表面に水平な磁束が発生するが、この磁束はホールＡＳＩＣチップ表面の一方の磁束収束板２８Ａを通り、磁束収束板ギャップ部にて円弧状の軌跡を描き、磁束収束板直下の各ホール素子を貫いて他方の磁束収束板２８Ｂに吸い込まれる。磁束が通過する各ホール素子では、その磁束密度に比例した起電力を生じる。その磁束密度は、電流導体を流れる電流強度に比例するので、結果として、流れる電流強度に比例した起電力がホール素子から発生し、電流強度の検出ができる。
この実施例では、電流に対する感度として、１アンペアの被測定電流あたり、ホール素子部に約１２ガウスの磁束密度を発生させることができた。
実施の形態２
図５Ａおよび図５Ｂは、他の実施の形態による電流センサの全体構成を示した模式的斜視図である。本図は、図２の構成に加えて、軟磁性体薄板５０を電流導体２２Ｃの下部（すなわち、磁気センサチップ２０と反対側）に貼りつけたものである。
図６Ａ，図６Ｂ，図６Ｃは、図５Ａ，図５Ｂに示した軟磁性体薄板５０の機能を示す説明図である。
これら図５Ａ，図５Ｂおよび図６Ａ，図６Ｂ，図６Ｃに示すように、電流導体のアイランド部として構成された金属導体２２Ｃの裏面に高透磁率・高飽和磁束密度・低保磁力の軟磁性体薄板５０を貼り付けることで、外部から入射する外来磁束がこの軟磁性体薄板５０に吸い込まれて通過することにより、外来磁束による影響を低減することができる。加えて、この軟磁性体薄板５０は、被測定電流によって生じる磁束を収束・増幅する効果も併せ持つため、電流センサの感度を更に良くすることができる。
なお、これまで説明してきた実施の形態１，２では、２つの磁束収束板２８Ａ，２８Ｂの下に２つのホール素子３０Ａ，３０Ｂを配置したが、これら２つのホール素子３０Ａ，３０Ｂの替わりに、図７に示すような、単一ホール素子７０を配置することも可能である。この場合には、図７に示すように、２つの磁束収束板２８Ａ，２８Ｂおよびその間隙部にまたがって、単一ホール素子７０を配置する。
図７に示した単一ホール素子７０自体については、本出願における発明者が既に米国特許公報（ＵＳＰ第５，９４２，８９５号：“ＭＡＧＮＥＴＩＣ  ＦＩＥＬＤ  ＳＥＮＳＯＲ  ＡＮＤ  ＣＵＲＲＥＮＴ  ＡＮＤ／ＯＲ  ＥＮＥＲＧＹＳＥＮＳＯＲ”，Ｐｏｐｏｖｉｃ  ｅｔ  ａｌ．）に開示してある。
また、磁気センサチップとしては、チップ表面における水平方向の磁束に対して良好な感度を持つものであればホール素子に限らず、磁気抵抗素子，ＧＭＲでも構わない。
（実施例）
次に、図５Ａ，図５Ｂに対応した実施例を説明する。
軟磁性体薄板５０として、本実施例では、厚さ０．３５ｍｍ、縦１０ｍｍ×横７ｍｍの軟磁性体薄板を用いた。そして、電流導体裏面に、既述のホールＡＳＩＣをアイランド部へ貼り付ける際に使用したものと同様な絶縁性接着テープにて貼り付けた。その結果、この軟磁性体薄板５０を貼り付けない場合と比較して、被測定電流に対する感度は約１．８倍に向上し、且つ、図６Ａ，図６Ｂに示すような外来磁束に対する感度を約１／８に減少させることができた。
実施の形態３
図８Ａは、第３の実施の形態による電流センサの全体構成を示した模式的斜視図である。本実施の形態３は、図５Ａの構成に加えて、電流導体のアイランド部２２Ｃに載置した磁気センサチップ２０の上方に、第２の磁性体（シールド板）５１を配置した。
図８Ｂは、図８Ａに示した第２の磁性体５１の機能を示す説明図である。磁気センサチップ２０の上部に、高透磁率，高飽和磁束密度，低保磁率を有する磁性体（シールド板）を配置することにより、外部から入射する外乱磁束が第２の磁性体５１（シールド板）に吸い込まれて通過する。このことにより、外乱磁束による影響を低減できる。図８Ｂでは、図６Ｂのような、第１の磁性体５０による外来磁束のシールド作用を示す表現は省略した。
図９および図１０は、実施の形態３における主要要素を拡大して示した説明図である。厳密には、中心を横切る断面を表しているが、ＣおよびＧは磁性体板の全長（断面での長さの２倍）を表している。
図９において、ホール素子等を用いた磁気検出素子の感磁面と、磁束収束板の底面がある位置は、ほぼ同じである。そこの位置から、第２の磁性体５１の底辺までの距離をＸとする。被測定電流により形成される被測定磁界の流れる方向に沿って、２つある磁束収束板２８Ａ，２８Ｂと間隙をあわせた磁束収束板全体の長さをαとする。
図８Ｂおよび図９において、磁気シールド効果を保ちつつ充分な検出感度を得るためには、０．１α≦Ｘ≦３．６αなる条件を満たす領域が有効である。第１の磁性体と磁束収束板とで被測定磁界が磁路を形成する領域、すなわち、第２の磁性体（シールド板）５１による“磁束の引き込み”が被測定電流による被測定磁束ではなく外乱磁束が主となる実用的な特異領域は、上記の条件  ０．１α≦Ｘ≦３．６αを満たす領域である。ここで、下限値が０．１αである理由は、後に図１２Ａ〜図１２Ｃを参照して詳細に説明する。また、上限値が３．６αである理由は、後に図１３Ａ〜図１３Ｃを参照して詳細に説明する。この特異領域において、磁気検出感度を１以上に増幅させながら、顕著なシールド効果を得ることができる。
なお、図８Ａおよび図８Ｂにおいて、第１の磁性体５０および第２の磁性体５１は、モールド樹脂の内側のみに限定しない（モールド樹脂の表面にあってもよく、あるいは、モールド樹脂の外側にあってもよい）。
図１１は、図８Ａ，図８Ｂ，図９および図１０に示した実施の形態において、外乱電流線を上下に動かした場合の磁気シールド効果を示した数値解析結果である。
図１０において、第２の磁性体５１のサイズは、厚さＦ＝０．３５ｍｍ、縦Ｇ＝１０ｍｍ、横Ｅ＝７ｍｍである。第１の磁性体５０のサイズは、厚さＢ＝０．３５ｍｍ、縦Ｃ＝１０ｍｍ、横Ａ＝７ｍｍである。
この解析では、第２の磁性体５１の上方に、磁気センサチップの真上を横切るように、外乱電流線を配置して上下に動かした。これは、被測定磁界に外乱を最も大きく与えるケースである。
図１１には、“実施の形態１”と“実施の形態２”による磁気シールド効果を参考として併記した。また、数値解析（実線）による結果のほかに、実際の測定値（プロット点付き点線）も併記した。
実際の測定においては、電流センサの出力値を市販のデジタルボルトメータで読み取った。外乱の程度を調べるために検出感度を算出する必要があるので、被測定電流と外乱電流は共に２５アンペアを基本量とした。外乱電流線のサイズは、直径３ｍｍないし５ｍｍのものを用いた。
図１１の横軸は、外乱電流線の中心からホール素子の感磁面までの距離Ｘ（単位：ｍｍ）である。パッケージ表面からホール素子までの距離は、パッケージ試作時の設計寸法から算出した。図１１の縦軸は、出力変動（％）を示す。ここでは、外乱が無いときの検出感度［ｍＶ／Ａ］と、外乱電流線までの距離に対応した検出感度［ｍＶ／Ａ］を算出し、これら検出感度に基づき、外乱磁束に起因した“センサ出力の変動”を求めた。
数値解析には、市販の磁場解析ツールを用いた。外乱電流線には理想的なＤＣ線電流が流れるものと仮定した。そして、外乱が無い場合と有る場合の両方について、試作したホール素子の感磁面を横切る磁束を数値解析にて求め、後処理として感磁面全体の平均磁束密度を算出し、その結果から、外乱による“センサ出力の変動”を求めた。
図１１から明らかなように、実際の測定値に対して数値解析の結果は、よく再現されている。Ｘが小さい領域について着目すると、実施の形態１、実施の形態２、実施の形態３の順で、外乱に対する誤差が格段に低減されるのが判る。試作パッケージの上側表面に外乱電流線を近づけた場合、実施の形態３では、センサの出力変動が１％以下であった。
さて、感度をある値レベルに保ちながら、磁気シールド効果を得る必要がある。そこで、第２の磁性体を配置して感度と磁気シールド効果の両方を満たす、実用的な距離Ｘの範囲を決める。ここで、磁束収束板と第１の磁性体との間で磁路を形成する上で大切な、被測定電流による誘導磁界を強くする電流導体幅Ｌと、誘導磁界を検出する磁束収束板の全体長αと、磁束収束板を含む磁気センサチップ２０に近接する第２の磁性体のサイズ（幅Ｅ，厚さＦ）を組み合わせて、それぞれについて距離Ｘを変えた磁場解析を実施した。
以下では、電流導体の高さＴ＝０．４ｍｍ，磁気検出素子から電流導体中心までの距離、および、第１の磁性体の形状（サイズ、幅Ａ＝７ｍｍ，厚さＢ＝０．３５ｍｍ），磁気検出素子の感磁面から第１の磁性体上面までの距離を一定値とした。まず、特異領域の下限を求める。
図１２Ａ，図１２Ｂおよび図１２Ｃは、図１１に示した数値計算で用いた磁気回路モデルを使い、磁場解析を行って求めた感度曲線を表している。具体的には、図１２Ａでは第２の磁性体５１におけるサイズ（幅Ｅ，厚さＦ）を変えた場合、図１２Ｂでは電流導体の幅Ｌを変えた場合、図１２Ｃではα（磁束収束板の全長：図１０参照）を変えた場合について、感度特性を示している。ここで、横軸は、第２の磁性体５１の底辺からホール素子の感磁面までの距離Ｘ（単位：α）である。縦軸は、第１の磁性体５０と第２の磁性体５１とが無い場合（実施の形態１：図２Ａ参照）の感度を１としたとき、Ｘに対する相対感度を示したものである。
図１２Ａにおいては、α＝１．７４ｍｍ、電流導体幅Ｌ＝１．１４９α（２ｍｍ）、高さＴ＝０．２２９α（０．４ｍｍ）とした（図１０参照）。また、第１の磁性体シールド板５０として、厚さＢ＝０．２０１α（０．３５ｍｍ）、縦Ｃ＝５．７４７α（１０ｍｍ）、横Ａ＝４．０２２α（７ｍｍ）とした（図１０参照）。第２の磁性体５１として、厚さＦ＝０．２０１α（０．３５ｍｍ）、縦Ｇ＝５．７４７α（１０ｍｍ）、横Ｅ＝４．０２２α（７ｍｍ）とした（図１０参照）。このときの感度特性を実線で示してある。また、厚さＦ＝０．０２８７α（０．０５ｍｍ），Ｆ＝０．５７４α（１ｍｍ）と変化させ、幅Ｅ＝１．１４９α（２ｍｍ），Ｅ＝２．２９８α（４ｍｍ），Ｅ＝４．０２２α（７ｍｍ），Ｅ＝４．８８５α（８．５ｍｍ）と変化させてみたが、感度特性は実線とほとんど同じであった（図１２Ａには図示せず）。
図１２Ａにおいて、感度１上の点線は“実施の形態１”に対応し、感度１．８付近の点線は“実施の形態２”に対応している。実線は、厚さＦ＝０．２０１α（０．３５ｍｍ）、縦Ｇ＝５．７４７α（１０ｍｍ）、横Ｅ＝４．０２２α（７ｍｍ）である“実施の形態３”に対応している。横Ｅが大きくなると、絶対的な感度は低下傾向にある。横Ｅが大きくなるにつれて感度は低下するが、その変化は小さくなり、横Ｅ＝２．２９８α（４ｍｍ）位からほとんど変わらないことが分かった（図１２Ａには図示せず）。また、厚みＦを変えても変化は微小である。
図１２Ａに示した例では、Ｘ＝０．２３α付近において、検出感度が１である。試作パッケージでの上側表面に第２の磁性体５１を配置したケースでは、Ｘ＝０．６８１αであり、検出感度は１．５３であった。
図１２Ｂは、電流導体の幅を狭めた場合における、感度特性を示す。
図１０において、基本として、α＝１．７４ｍｍ、電流導体幅Ｌ＝１．１４９α（２ｍｍ）に設定した。また、第１の磁性体５０として、厚さＢ＝０．２０１α（０．３５ｍｍ）、縦Ｃ＝５．７４７α（１０ｍｍ）、横Ａ＝４．０２２α（７ｍｍ）とした。第２の磁性体５１については、厚さＦ＝０．２０１α（０．３５ｍｍ）、縦Ｇ＝５．７４７α（１０ｍｍ）、横Ｅ＝４．０２２α（７ｍｍ）とした。
電流導体の幅Ｌ＝１．１４９α（２ｍｍ），Ｌ＝０．５７４α（１ｍｍ），Ｌ＝極限として線電流、の３パターンについて計算した。Ｌ＝２ｍｍ，１ｍｍの時の電流導体の高さＴは一定（０．４ｍｍ）である。極細の電流導体の極限として線電流による検討も行った。実施の形態２での絶対感度は、電流導体の幅Ｌ＝１．１４９α（２ｍｍ）のときを１とすると、Ｌ＝０．５７４α（１ｍｍ）のときには１．２６倍、線電流のときには１．３７倍に向上する。しかし図１２Ｂでは、各電流幅Ｌ毎の実施の形態１を基準として、Ｘを変化させた時の相対感度を同一スケール上に実線でプロットした。相対感度１．８付近、相対感度１．７付近、相対感度１．６付近に示した点線は、この順に電流導体の幅を狭めた場合の各実施の形態２での感度を示す。
電流導体の幅を狭めて、被測定磁界の強度を増やした場合も、本例では、何れもＸ＝０．２３α付近で感度＝１であった。
図１２Ｃは、磁束収束板全体の長さαを広げた場合の感度特性を示す。α＝３．０４ｍｍである。比較のために、α＝１．７４での曲線も併記した。ここでは、電流導体の幅Ｌ＝１ｍｍとし、第１の磁性体５０は厚さＢ＝０．３５ｍｍ，縦Ｃ＝１０ｍｍ，横Ａ＝７ｍｍであり、第２の磁性体５１は厚さＦ＝０．３５ｍｍ，縦Ｇ＝１０ｍｍ，横Ｅ＝７ｍｍを基本データとした。
“実施の形態１（図２Ａ，図２Ｂ参照）”での絶対感度は、磁束収束板全体の長さα＝１．７４ｍｍのとき１とすると、α＝３．０４ｍｍでは本例では相対的に２．４倍に向上した。本例では、各α毎の実施の形態１を基準として、Ｘを変化させた時の相対感度を同一図面上に実線でプロットした。相対感度１．７付近、および、相対感度１．８付近での点線は、この順に磁束収束板全体の長さαを広げた場合における“実施の形態２”での相対感度である。
α＝３．０４ｍｍの場合、電流導体の幅Ｌ＝０．３２８α（１ｍｍ）であり、第１の磁性体５０は厚さＢ＝０．１１５α（０．３５ｍｍ），縦Ｃ＝３．２８９α（１０ｍｍ），横Ａ＝２．３０２α（７ｍｍ）である。第２の磁性体５１も同寸法である。
図１２Ｃにおいて、実施の形態１での感度に相応する相対感度＝１となるＸの最小値は、Ｘ＝０．１３α付近である。さらに、Ｅ＝１．３１５α（４ｍｍ），Ｆ＝０．０１６４α（０．０５ｍｍ）とした。感度が上がり、αの下限としては小さくなる方向だが、計算では、Ｘの下限は０．１３αであった。以上から、実用的なＸの下限は、０．１αとした。
次に、特異領域の上限を求める。
図１３Ａ，図１３Ｂおよび図１３Ｃは、第２の磁性体５１によるシールド効果を検討するために、図１１に示した数値計算で用いた磁気回路モデルを使って、磁場解析を行ったものである。
感磁面から約２２ｍｍほど離れた一定位置に外乱電流線を配置し、磁気センサチップ２０と外乱電流線の間で第２の磁性体５１を上下に動かした。これら図面の横軸は、第２の磁性体５１の底辺からホール素子までの距離Ｘ（単位：α）である。縦軸は、第１の磁性体５０を備えた“実施の形態２（図５Ａ，図５Ｂ参照）”でのホール素子の感磁面を通る磁束密度（すなわち、感度）を１として、距離Ｘを変えたときの相対感度を示す。より正確に述べると、各磁束収束板の形状（サイズ），各電流導体の形状（サイズ），各磁性体の形状（サイズ）の組み合わせ毎において、磁気検出素子の感磁面を通る磁束密度を基に、相対感度（出力の変化）を示したものである（“実施の形態２”での磁束密度（すなわち、感度）を１として）。
感磁面での磁束密度は、外乱電流による外乱磁束と、被測定電流による被測定磁界とを合算した値として求められる。このとき、第２の磁性体５１においては、その位置により、感磁面に対して磁束の引き込み現象、換言すると、磁束の吸い込み現象が顕著となる。
図１３Ａから明らかなように、第２の磁性体５１の横Ｅ，厚みＦを変えることで、磁束の引き込みの程度が変わることが読み取れる。パラメータを変えたときの磁束引き込み差（すなわち、縦軸の値の差）は、シールド効果の違いに相当する。
図１３Ａにおいては、α＝１．７４ｍｍ、電流導体の幅Ｌ＝１．１４９α（２ｍｍ）、高さＴ＝０．２２９α（０．４ｍｍ）とし、第１の磁性体５０は、厚さＢ＝０．２０１α（０．３５ｍｍ），縦Ｃ＝５．７４７α（１０ｍｍ），横Ａ＝４．０２２α（７ｍｍ）とした。第２の磁性体５１の厚さＦをＦ＝０．０２８７α（０．０５ｍｍ）〜０．５７４α（１ｍｍ）として、横ＥについてＥ＝２．２９８α（４ｍｍ），Ｅ＝４．０２２α（７ｍｍ），Ｅ＝４．８８５α（８．５ｍｍ）としたときの感度変化を示す。点線で表されたＥ＝２．２９８α（４ｍｍ）より大きいサイズ（実線）では、磁束の引き込み効果に差がなく、従って磁気シールド効果に差が無い。本図から明らかなように、磁気シールド効果は、３．６α付近以下で顕現してくる。
図１３Ｂは、電流導体の幅を狭めた場合の、磁気シールド効果を示す。α＝１．７４ｍｍとして、第１の磁性体５０は、厚さＢ＝０．２０１α（０．３５ｍｍ），縦Ｃ＝５．７４７α（１０ｍｍ），横Ａ＝４．０２２α（７ｍｍ）とし、第２の磁性体５１は、厚さＦ＝０．２０１α（０．３５ｍｍ），縦Ｇ＝５．７４７α（１０ｍｍ），横Ｅ＝４．０２２α（７ｍｍ）とした。
電流導体の幅Ｌ＝１．１４９α（２ｍｍ），Ｌ＝０．５７４α（１ｍｍ），Ｌ＝極限として理想的な線電流、の３パターンについて計算した。幅Ｌが２ｍｍ，１ｍｍでは、電流導体の高さＴは一定（０．４ｍｍ）である。線電流の中心は、実際の断面積をもつ場合の中心位置と同じ位置にした。極細の電流導体の極限として、線電流についても検討した。
“実施の形態２（図５Ａ，図５Ｂ参照）”における絶対感度は、電流導体の幅Ｌ＝１．１４９α（２ｍｍ）のとき１とすると、Ｌ＝０．５７４α（１ｍｍ）では１．２６倍、理想的な線電流では１．３７倍と向上する。しかし、図１３Ｂでは、各電流幅ごとに実施の形態２での感磁面での磁束密度（感度）を１とした時にＸを変えたときの相対感度を、同一図面上に実線および点線で重ねて描いてある。点線はＬ＝１．１４９α（２ｍｍ）のときの特性を示し、菱形記号付実線はＬ＝０．５７４α（１ｍｍ）のときの特性を示し、＊記号付実線は線電流のときの特性を示す。
図１３Ｂから明らかなように、電流導体の幅を狭めて被測定磁界の強度を増した場合も、本例では、何れもＸ＝３．６α付近で磁気シールド効果が顕現してくるのが判った。
図１３Ｃは、磁束収束板全体の長さαを広げた場合の磁気シールド効果を示す。ここでも、外乱電流線の位置はホール素子の感磁面から上方約２２ｍｍに固定した。
まず、電流導体の幅Ｌ＝１ｍｍとし、第１の磁性体５０は厚さＢ＝０．３５ｍｍ，縦Ｃ＝１０ｍｍ，横Ａ＝７ｍｍであり、第２の磁性体５１は厚さＦ＝０．３５ｍｍ，縦Ｇ＝１０ｍｍ，横Ｅ＝７ｍｍとした。
図１３Ｃでは、各α毎の実施の形態２を基準として、Ｘを変化させた時の相対感度を、同一図面上に実線および点線で重ねて描いた。点線はα＝１．７４ｍｍのときの特性を示し、実線はα＝３．０４ｍｍのときの特性を示す。
α＝３．０４ｍｍの場合、電流導体の幅Ｌ＝０．３２８α（１ｍｍ）となり、第１の磁性体５０は厚さＢ＝０．１１５α（０．３５ｍｍ），縦Ｃ＝３．２８９α（１０ｍｍ），横Ａ＝２．３０２α（７ｍｍ）と表現される。さらに、Ｅ＝１．３１５α（４ｍｍ），Ｆ＝０．０１６４α（０．０５ｍｍ）とした。これは、αの上限としては下がる方向なので、Ｘ＝３．６αがＸの上限である。
図１３Ｃから明らかなように、磁気シールド効果は、最大Ｘ＝３．６α付近から顕現してくる。以上から、実用的なＸの上限は３．６αとした。
ここで、αとＸ（α）との関係に触れる。横軸をαの実寸（単位：ｍｍ）で表し、縦軸を特異領域のＸの上限・下限（単位：α）で表す時、Ｘの上限は、α＝１．２〜３．５ｍｍ付近では、αによらずＸが一定である（Ｘ＝３．６α）。Ｘの下限は、α＝１．２〜３．５ｍｍ付近ではαが大きくなると、０．１αからさらに０．１α以下となり得る。αがもっと大きい領域では、Ｘの下限は０に近づく。αがもっと小さい領域では、Ｘの下限は、０．２３αより大きくなる。
なお、これまでの説明は線電流による“外乱電流”が有ることを想定して行ったが、線電流以外の“外乱電流”もしくは外乱磁界、あるいは外乱電流の代わりに、外部磁性体等による磁界の外乱に対しても、同様なシールド効果が得られる。
また、これまで説明してきた実施の形態３では、先に説明した実施の形態１，２と同様、２つの磁束収束板２８Ａ，２８Ｂの下に２つのホール素子３０Ａ，３０Ｂを配置したが、これら２つのホール素子３０Ａ，３０Ｂの替わりに、図７に示すような、単一ホール素子７０を配置することも可能である。この場合には、図７に示すように、２つの磁束収束板２８Ａ，２８Ｂおよびその間隙部にまたがって、単一ホール素子７０を配置する。
図７に示した単一ホール素子７０自体については、本出願における発明者が既に米国特許公報（ＵＳＰ第５，９４２，８９５号：“ＭＡＧＮＥＴＩＣ  ＦＩＥＬＤ  ＳＥＮＳＯＲ  ＡＮＤ  ＣＵＲＲＥＮＴ  ＡＮＤ／ＯＲ  ＥＮＥＲＧＹ  ＳＥＮＳＯＲ”，Ｐｏｐｏｖｉｃ  ｅｔ  ａｌ．）に開示してある。
磁気センサチップとしては、チップ表面における水平方向の磁束に対して良好な感度を持つものであれば、磁気検出素子はホール素子に限らず、磁気抵抗素子，ＧＭＲでも構わない。
かくして、第３の実施の形態によれば、第２の磁性体５１にシールド効果を持たせると同時に、磁束収束板と第１の磁性体５０による磁路を形成することにより十分な感度を得ることができる。すなわち、磁気シールドを行う際に、被測定磁束が磁気シールドにより、磁気検出素子からそらされない磁気シールド構成を実現することができる。
（実施例）
次に、上記“実施の形態３”に対応した実施例を説明する。
図１４は、電流センサの上面図の一例である。本図においては、磁束収束板２８Ａ，２８Ｂを有する磁気検出部を符号２０で、第２の磁性体５１の幅Ｅを符号８１，長さＧを符号８２で、磁束収束板２８Ａ，２８Ｂを有する磁気検出部２０の全体長αを符号８５で、電流が流れる方向の長さを符号８６で、それぞれ示している。なお図１４では、第１の磁性体５０の各寸法を省略してある。
図１４に示した本実施例では、磁束収束板２８Ａ，２８Ｂが占める領域のうち磁気検出部の全体長αである８５は、約１．７ｍｍ〜約３ｍｍとした。
第２の磁性体５１の幅８１，長さ８２および厚み８３は、ある程度の大きさを持てば十分な磁気シールド効果があり、その選択にはある程度の余裕がある。例えば、幅８１は７ｍｍ、長さ８２は１０ｍｍ、厚さ８３は０．３５ｍｍとすればよい。第１の磁性体５０も、磁気シールド効果および磁気ヨークとして機能させる際、同程度の効果を得るのに選択の幅がある。例えば、幅は７ｍｍ，長さは１０ｍｍ，厚さは０．３５ｍｍとすればよい。
磁気センサチップ２０の上下に配置した２つの磁性体５０，５１は、同じ形状・サイズに限定されない。また、各磁性体５０，５１は、薄板形状に限定されるものではない。
本発明の本質は、少なくとも２枚の磁性体５０，５１をそれぞれ適切な位置に配置して、電流導体２２Ｃおよび磁気センサチップ２０を挟み込む構造とすることにあるので、本実施例によれば、測定感度と磁気シールド効果をバランスをとりながら実現させることができる。既に詳述したように、第２の磁性体５１とホール素子等の磁気検出素子の感磁面との距離Ｘが重要である。
通常、電流導体２２Ｃおよび磁気センサチップ２０の中心と、第１の磁性体５０，第２の磁性体５１の中心が上方からみて一致するように配置されるが、実際にはある程度のずれが相互に合っても十分な磁気シールド効果を有する。
第２の磁性体５１は、磁束収束板を含む磁気センサチップの被測定電流方向の長さ８６，全体長α８５に対して余裕のある大きさであれば、被測定磁界と直角な方向（電流の流れる方向）に大きくずれても、測定感度および磁気シールド効果に大きな変化はない。被測定磁界９２と平行な方向のずれに関していえば、０．１ｍｍ程度の精度があれば十分である。
このように、モールドパッケージの上面からみて、第２の磁性体５１が磁束収束板を含む磁気検出部をある程度大きめに覆っていれば、上面から見たときの磁性体の位置ずれに精密さを求めずに、所定の測定感度および磁気シールド効果を実現することができる。
パッケージの上側・下側・横側に配置された、感磁面に平行・直角な電流線のほか、外部からの平行磁界、外部の磁性体などによる磁界の乱れにも、磁気シールド効果を発揮する。
例えば、第１の磁性体５０（縦１０ｍｍ×横７ｍｍ×厚み０．３５ｍｍ）のみを有する実施の形態２の場合において、同じ形状（サイズ）の別の第１の磁性体５０を電流センサの上方に配置したときは、距離が上方約１０ｍｍより近づくとき、センサ出力変動率は１％を超えるようになる。
このように、近接した磁性体による外乱に対しても、第２の磁性体５１により、顕著な磁気シールド効果が得られる。
第１の磁性体５０および第２の磁性体５１は、電流導体および磁気センサチップに平行に配置されているが、例えば、第１の磁性体５０および第２の磁性体５１がハの字状の関係にあって、その間に電流導体・磁気センサチップがある場合でも、磁気シールド効果が得られる。同様に、第１の磁性体５０および第２の磁性体５１が平行であって、その中の電流導体および磁気センサチップの配置が第１の磁性体５０，第２の磁性体５１に対して平行でなくて傾斜があった場合でも、磁気シールド効果が得られる。
また、磁気センサチップ２０と電流導体２２Ｃを挟む磁性体は、上下に一枚づつと限定するものではない。
第２の磁性体５１の厚さが極端に薄いことに起因して磁気シールド効果が落ちるような場合にも、複数枚の磁性体を上下に重ねることにより、磁気シールド効果を向上させることが可能である。
第２の磁性体５１のサイズＥ，Ｇ（図１０参照）が小さい場合には、複数枚の磁性体を水平に並べることにより、磁気シールド効果を向上させることができる。
本実施例では、磁性体の２層構造を採ることにより、外部の磁束に対する磁気シールド効果だけでなく、電流センサ内部からセンサ周辺外部に対しても磁束を漏洩しにくくする効果を有する。
次に、図１５Ａ〜図１５Ｃを参照しながら、実施の形態３の製造方法について説明する。図では、ＤＩＰ型で表現されているが、これに限定されない。例えば、ＳＯＰ型のような表面実装型のパッケージでもよい。また、測定端子の脚の形状，曲げ方は図のような形状に限定されない。本例では、第１の磁性体は、例えば電流導体２２Ｃに最近接させられた状態でモールドパッケージに組み込まれた場合を示す。ここでは、始めからモールドパッケージに第２の磁性体５１が組み込まれていない場合の製造方法について説明する。
第２の磁性体（シールド板）５１をモールドパッケージの上表面に配置する場合、接着剤・樹脂等またはカバー等にて固着する。
モールドパッケージの上表面から持ち上げた状態で第２の磁性体（シールド板）５１を装着する場合は、厚さが正確に制御された非磁性体によるスペーサを挿入して、接着剤・樹脂等またはカバー等にて固着する。または、非磁性スペーサそのもので固定してもよい。
モールドパッケージの上表面よりも下方に第２の磁性体（シールド板）５１を装着する場合は、例えば産業用冶具を用いて、電流導体２２Ｃ，磁束収束板を含む磁気センサチップ２０，第１の磁性体５０と略平行に、掘り込み面を掘り下げる。図１５Ａは、モールドパッケージの上表面を掘り下げた例である。
図１５Ｂは、掘り下げた穴に第２の磁性体５１を挿入した図である。
図１５Ｃは、第２の磁性体５１を挿入した後に、蓋をした例である。蓋は板状のものに限定せずに、樹脂・繊維等を薄く塗ることにより、蓋代わりにしてもよい。
あるいは、掘り下げ方として、モールドパッケージを作成する際、アイランド上面部に後から軟磁性体を挿入できるように、初めからモールド金型に凹面を形成しておく。
第１の磁性体５０および第２の磁性体５１として板状磁性体を使う場合は、センサ組み立てが簡単である。すなわち、わざわざ折り曲げて挿入する工程が不要となるので、平板の方が工作上優位である。
図１６は、第２の磁性体５１を始めから組み込んだ電流センサの製造方法を示す。本図は、電流センサ成型器の断面を示している。モールド金型は、成型器に対応している。モールド金型底部には、例えば、図示したような突起部９１Ａ，９１Ｂを設け、第２の磁性体５１をモールド金型底部に入れ、突起部９１Ａ，９１Ｂにて金型底面から浮かせる。
なお、突起部９１Ａ，９１Ｂは、必ずしも図１６のような形状に限定されない。例えば、９１Ａ，９１Ｂの代わりに、横に伸びた棒状の形状でもよい。
電流導体２２Ｃには磁束収束板２８Ａ，２８Ｂを含む磁気センサチップがダイボンディングずみである。また、第１の磁性体５０も電流導体２２Ｃに固着されている。リードフレーム２４Ａ〜２４Ｄと電流導体２２Ａ〜２２Ｃとは、一体的に形成されているので（図４Ａ参照）、リードフレームと電流導体ごと上下逆さにしてモールド金型上に配置されている。磁気センサチップと測定端子の間はワイヤーボンディングされている。図１６では、タイバーが入る溝穴が描かれているが、タイバーの位置にくるリードフレームは省略されている。
図１６に示された状態において、モールド樹脂をモールド金型に流し込む。
キュアー後、モールド金型から取り出されたモールドパッケージには、上面（あるいは横面）に、第２の磁性体板５１をモールド金型内に支持したときの孔が開くこととなる。そこで、必要に応じて、塗装・樹脂・繊維・接着剤・蓋等でこの孔をふさぐ。
以上により、モールドパッケージ内に、電流導体と磁束収束板を含む磁気センサチップを挟むように配置された、２つの磁性体５０，５１を有する電流センサの量産が可能になる。
産業上の利用可能性
以上説明した通り、本発明によれば、小型かつ高感度であって、集積回路を製造する際に通常使用される標準的な組立ラインにてパッケージ化することができる、大量生産に適した低コストな電流センサ、ならびに、その製造方法を実現することができる。
また本発明によれば、アイランド部裏面に第１の磁性体を付加することで、量産性を犠牲にすることなく、外来磁束による影響を有効に低減し、かつ感度を向上させることができる。
さらに本発明によれば、第２の磁性体の追加により磁束の検出感度を下げることなく、外乱磁束に対する十分なシールド効果を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
図１は、従来から知られている電流センサを示す説明図である。
図２Ａは、本発明の実施の形態１による電流センサを示す図である。
図２Ｂは、本発明の実施の形態１による電流センサを示す図である。
図３Ａは、図２Ａおよび図２Ｂに示した磁気センサチップ２０をより詳細に示す図である。
図３Ｂは、図２Ａおよび図２Ｂに示した磁気センサチップ２０をより詳細に示す図である。
図３Ｃは、図２Ａおよび図２Ｂに示した磁気センサチップ２０をより詳細に示す図である。
図４Ａは、磁気センサチップ２０の製造過程を示す説明図である。
図４Ｂは、磁気センサチップ２０の製造過程を示す説明図である。
図５Ａは、本発明の実施の形態２による電流センサを示す図である。
図５Ｂは、本発明の実施の形態２による電流センサを示す図である。
図６Ａは、図５Ａおよび図５Ｂに示した軟磁性体薄板（第１の磁性体）５０の機能を示す説明図である。
図６Ｂは、図５Ａおよび図５Ｂに示した軟磁性体薄板（第１の磁性体）５０の機能を示す説明図である。
図６Ｃは、図５Ａおよび図５Ｂに示した軟磁性体薄板（第１の磁性体）５０の機能を示す説明図である。
図７は、本発明の他の実施の形態として、単一ホール素子７０を備えた磁気センサチップを示す説明図である。
図８Ａは、本発明の実施の形態３による電流センサを示す図である。
図８Ｂは、本発明の実施の形態３による電流センサを示す図である。
図９は、本発明の実施の形態３による電流センサを示す図である。
図１０は、本発明の実施の形態３による電流センサを示す図である。
図１１は、図８Ａ，図８Ｂ，図９および図１０に示した実施の形態において、外乱電流線を上下に動かした場合のシールド効果を示す図である。
図１２Ａは、実施の形態３における特異領域の下限値を示す特性図である。
図１２Ｂは、実施の形態３における特異領域の下限値を示す特性図である。
図１２Ｃは、実施の形態３における特異領域の下限値を示す特性図である。
図１３Ａは、実施の形態３における特異領域の上限値を示す特性図である。
図１３Ｂは、実施の形態３における特異領域の上限値を示す特性図である。
図１３Ｃは、実施の形態３における特異領域の上限値を示す特性図である。
図１４は、実施の形態３における製造方法を示した説明図である。
図１５Ａは、実施の形態３における製造方法を示した説明図である。
図１５Ｂは、実施の形態３における製造方法を示した説明図である。
図１５Ｃは、実施の形態３における製造方法を示した説明図である。
図１６は、実施の形態３における製造方法を示した説明図である。
【図１】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図６Ｃ】
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【図７】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２Ａ】
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【図１２Ｂ】
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【図１２Ｃ】
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【図１３Ａ】
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【図１３Ｂ】
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【図１３Ｃ】
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【図１４】
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【図１５Ａ】
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【図１５Ｂ】
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【図１５Ｃ】
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【図１６】
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【手続補正書】
【提出日】平成15年2月14日(2003.2.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
被測定電流が流れる金属導体部分上に磁気検出素子を設けた電流センサであって、
前記被測定電流により生じる磁束を収束させる磁束収束板に近接して前記磁気検出素子を配置し、且つ、
前記磁気検出素子の入出力端子を前記金属導体部分と同一面上に、もしくは、所定の段差をもった平面上に配置することにより、
単一のパッケージとして構成したことを特徴とする電流センサ。
【国際調査報告】
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