【事件の表示】
　特願２０１１−１０５４８９「放射線イメージセンサ及び光電変換素子アレイユニット」拒絶査定不服審判事件について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成２３年５月１０日の出願であって、同年７月２５日付けで手続補正がなされ、同年８月５日付けで拒絶査定がなされた。
　本件は、これを不服として、同年１１月９日に請求された拒絶査定不服審判事件であって、請求と同時に手続補正がなされ、その後、当審において平成２４年６月１２日付けで前置報告書の内容について意見を求めるための審尋を行ったところ、同年８月２日に回答書が提出された。
　
第２　平成２３年１１月９日付けの手続補正についての補正の却下の決定
　［補正の却下の決定の結論］
　平成２３年１１月９日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
　［理由］
１　補正の内容
　本件補正は、特許請求の範囲及び明細書を補正するものであって、そのうち特許請求の範囲の補正は、補正前（平成２３年７月２５日付けの手続補正で補正、以下同様。）の
「【請求項１】
　基板にシンチレータ層が設けられたシンチレータプレートと、
　光電変換素子アレイを構成する複数の光電変換素子が形成された光電変換素子層と、前記シンチレータプレートと前記光電変換素子層との間の距離を均一に保つべく前記シンチレータプレートにそれぞれ当接するとともに前記光電変換素子の非形成領域に相当する所定の位置に配置されたスペーサが複数形成されたスペーサ層と、が設けられた光電変換素子アレイユニットと、
　を備えた放射線イメージセンサ
【請求項２】
　前記所定の位置は、前記シンチレータ層から出射された蛍光の前記光電変換素子への入射を阻害しない位置である請求項１記載の放射線イメージセンサ。
【請求項３】
　前記スペーサは、互いに所定の間隔を介して周期的に配置されている請求項１又は請求項２記載の放射線イメージセンサ。
【請求項４】
　前記光電変換素子アレイユニットは、前記光電変換素子を保護する保護層を有し、
　前記スペーサは、前記保護層上に形成されている、請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の放射線イメージセンサ。
【請求項５】
　前記基板は、ガラス基板であり、前記ガラス基板上に反射膜を介して前記シンチレータ層が設けられている、請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の放射線イメージセンサ。
【請求項６】
　前記光電変換素子アレイから信号を読み出すための各光電変換素子と一対になったＴＦＴを有し、前記スペーサは、前記所定の位置として前記ＴＦＴの形成位置に相当する位置に設けられている、
　請求項１ないし請求項５のいずれかに記載の放射線イメージセンサ。
【請求項７】
　前記シンチレータ層を前記基板と前記光電変換素子アレイとの間に封止するシール部材を備えた請求項１乃至請求項６のいずれかに記載の放射線イメージセンサ。
【請求項８】
　前記シール部材により封止された空間内には不活性ガスが充填されている請求項７記載の放射線イメージセンサ。
【請求項９】
　前記不活性ガスの圧力は、大気圧より低く設定されている請求項８記載の放射線イメージセンサ。
【請求項１０】
　前記スペーサは、フォトリソグラフィにより形成されていることを特徴とする請求項１乃至請求項９のいずれかに記載の放射線イメージセンサ。
【請求項１１】
　光電変換素子アレイを構成する複数の光電変換素子を有し、入射放射線を蛍光に変換するシンチレータプレートに対向設置されて放射線イメージセンサを構成する光電変換素子アレイユニットにおいて、
　前記光電変換素子の非形成領域に相当する所定の位置に配置されるとともに、前記シンチレータプレートにそれぞれ当接されて前記シンチレータプレートと前記光電変換素子との間の距離を均一に保つ複数のスペーサが設けられている光電変換素子アレイユニット。」を
「【請求項１】
　基板にシンチレータ層が設けられたシンチレータプレートと、
　光電変換素子アレイを構成する複数の光電変換素子が形成された光電変換素子層と、前記光電変換素子を保護する保護層と、前記シンチレータプレートと前記光電変換素子層との間の距離を均一に保つべく前記シンチレータプレートにそれぞれ当接するとともに、前記光電変換素子の非形成領域に相当する前記シンチレータ層から出射された蛍光の前記光電変換素子への入射を阻害しない所定の位置に配置され、かつ、互いに所定の間隔を介して周期的に配置されたスペーサが前記保護層上に複数形成されたスペーサ層と、が設けられた光電変換素子アレイユニットと、
　を備えた放射線イメージセンサ
【請求項２】
　前記基板は、ガラス基板であり、前記ガラス基板上に反射膜を介して前記シンチレータ層が設けられている、請求項１記載の放射線イメージセンサ。
【請求項３】
　前記光電変換素子アレイから信号を読み出すための各光電変換素子と一対になったＴＦＴを有し、前記スペーサは、前記所定の位置として前記ＴＦＴの形成位置に相当する位置に設けられている、
　請求項１又は請求項２に記載の放射線イメージセンサ。
【請求項４】
　前記シンチレータ層を前記基板と前記光電変換素子アレイとの間に封止するシール部材を備えた請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の放射線イメージセンサ。
【請求項５】
　前記シール部材により封止された空間内には不活性ガスが充填されている請求項４記載の放射線イメージセンサ。
【請求項６】
　前記不活性ガスの圧力は、大気圧より低く設定されている請求項５記載の放射線イメージセンサ。
【請求項７】
　前記スペーサは、フォトリソグラフィにより形成されていることを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれかに記載の放射線イメージセンサ。
【請求項８】
　光電変換素子アレイを構成する複数の光電変換素子を有し、入射放射線を蛍光に変換するシンチレータプレートに対向設置されて放射線イメージセンサを構成する光電変換素子アレイユニットにおいて、
　光電変換素子アレイを構成する複数の光電変換素子が形成された光電変換素子層と、前記光電変換素子を保護する保護層と、を備え、さらに前記シンチレータプレートと前記光電変換素子層との間の距離を均一に保つべく前記シンチレータプレートにそれぞれ当接するとともに、前記光電変換素子の非形成領域に相当する前記シンチレータ層から出射された蛍光の前記光電変換素子への入射を阻害しない所定の位置に配置されるとともに、互いに所定の間隔を介して周期的に配置されて、前記シンチレータプレートにそれぞれ当接されて前記シンチレータプレートと前記光電変換素子との間の距離を均一に保つ複数のスペーサが前記保護層上に設けられている光電変換素子アレイユニット。」と補正するものである。
　
２　補正の目的についての検討
　本件補正のうち請求項１に係る発明についての補正は、本件補正前の請求項１に係る発明を補正したものであって、スペーサが「シンチレータ層から出射された蛍光の前記光電変換素子への入射を阻害しない所定の位置に配置され、かつ、互いに所定の間隔を介して周期的に配置された」点、及び、スペーサが「保護層上に」形成された点を追加する補正を含むものであり、これらの補正は明らかに限定的に減縮するものである。
　したがって、本件補正は、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする補正を含むものである。
　そこで、本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本件補正発明」という。）が、平成２３年法律第６３号改正附則第２条第１８項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２（以下単に「特許法第１７条の２」という。）第６項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか、すなわち、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否かについて、以下検討する。
　
３　本件補正発明
　本件補正発明は、本件補正後の特許請求の範囲の請求項１に記載された上記のとおりのものである。
　
４　引用刊行物
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願前である平成５年１１月２６日に頒布された「特開平５−３１２９６１号公報 」（以下「引用例」という。）には、次の事項が記載されている。（下線は当審において付した。）
ａ　発明の詳細な説明の記載
「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、第１の範囲の波長を有する入来電磁放射線を第２の異なる範囲の波長を有する出射電磁放射線に変換する電磁放射線変換層を担持する第１の基板と、電磁放射線変換層で出射された出射
電磁放射線を検出する
光検出器アレイ
画像検出器
「【０００８】取付手段は離散絶縁スペーサ部材と絶縁空間の境界をシールする接着剤からなってよい。離散絶縁スペーサ部材は例えばガラス繊維、球又は粒子でよく、一方例えばグルーラインを互いに接合さるべき２つの面の１つの周囲にプリントすることにより接着剤が設けられる。これは光検出器アレイと電磁放射線変換層が離散絶縁スペーサ部材により決定された小さく良く限定された距離だけ離間し、絶縁空間の境界をシールするのに用いられるグルーラインのプリンティングのような比較的簡単な技術を可能にすることを確実とする簡単だが効果的な方法を提供する。接着剤は又その内でスペーサ部材が分散され、共に接合さるべき２つの面の１つを覆うように用いられる層、例えばシリコンゴムの層として提供されうる。」
「【００１３】本発明による画像検出器１の一実施例の構成及び動作の原理を図１乃至図３を参照して説明する。図１乃至図３に示された例では、検出さるべき入来放射線Ａは典型的に４０−１２０ｋｅＶ（キロ電子ボルト）の範囲のエネルギーを有するＸ線からなる。入来Ｘ線Ａは、この例では、蛍光層の形の電磁放射線変換層１１により光ダイオードアレイ２１により検出される可視電磁放射線Ｂに変換される。この特別の例では、蛍光層１１は従来の基板１０、一般にアルミニウム基板上にデポジットされたタリウムドープされたセシウムヨウ素（ＣｓＩ）層からなる。図１に示されないが、ＣｓＩ層１１は保護層、例えばポリイミド層により被覆されてよい。
【００１４】蛍光層１１により出射された出射電磁放射線Ｂは、この例では画像検出器が人間又は動物の体の領域の診断Ｘ線画像を検出するのに用いられる所望の解像度を達成するよう典型的に２００μｍ（マイクロメートル）又はそれ以下のピッチ及び４００×４００ｍｍまでの全体寸法を有する
光ダイオード２２の２次元アレイからなる光検出器アレイ２１
光ダイオード２２は
基板にデポジットされたアモルファスシリコン（α−Ｓｉ）ダイオード
「【００１８】図３は単に例示的に光ダイオードアレイ２１を形成するのに用いられる薄膜構造の断面部分を示す。図３は関連した光ダイオード２４と種々の相互結合を有する（逆スタガートランジスタで示す如く）一つの薄膜トランジスタ２４を断面で示す。基板２０に設けられた第１の金属、一般的にクロム層３１はゲート金属３１ａとゲート相互結合３１ｂを画成するパターンとされる。続く絶縁層、一般的には窒化シリコン又は酸化シリコン３２はゲート絶縁体を画成し、トランジスタチャネル領域を設ける固有アモルファスシリコン層３３が後に続き、次にドープされたアモルファスシリコン層３４がトランジスタのソース及びドレーン領域の高ドープされた接触領域を形成するよう設けられる。次に更なる金属被覆レベル３５はトランジスタのソース及びドレーンへの接触を可能にするよう設けられる。光ダイオード２２はアモルファスシリコンｎ−ｉ−ｐ又はｐ−ｉ−ｎダイオードとしてドレーン金属層３５ａに設けられる。ドレーン金属層に設けられたｎ導電層を有するｎ−ｉ−ｐダイオードはそのより高い量子効果の故に望ましい。更なる絶縁層３６はトランジスタのソースへの相互接続３７を設けるよう金属被覆を接触させ、共通電極２３をダイオードのカソードに接触させうるデポジットされパターン形成される。
【００１９】上記の如く、蛍光層１１は蛍光層の従来のデポジット方法を用いて別個の、一般的にアルミニウムの基板１０上に設けられる。この例では、蛍光層は例えばアルミニウム基板１０上に蒸発又はスパッタリングでデポジットされたセシウムヨウ素層である。勿論他のＧｄ2 Ｏ2 Ｓ：Ｔｂのような適宜のリンを用いうる。他の蛍光体を用いうるが、タリウムドープされたセシウムヨウ素の使用は出射された電磁放射線のスペクトルがアモルファスシリコン光ダイオードの最も応答する範囲である４００−７００ｎｍ（ナノメートル）の範囲でピークを有するという利点を有する。加えて、セシウムヨウ素はスキャッタリング問題を減少するよう一種の光案内効果を提供する柱状構造を有する。
【００２０】
その基板２０上に光ダイオードアレイ２１を形成し、その基板１０上に蛍光層１１を別々に形成するのに、絶縁空間５０をその間に画成するよう基板１０を基板２０上に取付ける
【００２１】付着パターンは面の周囲２１ｂ又は１１ｂ回りの付着境界４２ａを含む。２つの基板は共にもたらされ、２つの対向する面２１及び１１の周囲２１ｂ，１１ｂの回りに付着剤シールを設けるよう接着硬化される。接着剤は高純度の従来の２部エポキシであるその基板１０で担持された蛍光層１１はその基板２０により担持された光検出器アレイ２１に取付けられ、絶縁空間５０が画成される。
【００２２】小さい間隙は絶縁空間５０が真空化され、次に接着剤でシールされることを可能にするよう接着境界４２ａに残される。真空絶縁空間５０を設けることは蛍光層１１と光検出器アレイ２１間の最も可能な電気的分離を与えなければならない。或いは、絶縁空間５０は真空の後不活性流体、例えばアルゴン又は窒素で充填されてもよい。絶縁空間５０は又反射又は散乱により電磁放射線の損失の可能性を減少すべき蛍光層１１に整合された反射インデックスを有する不活性液を充填されうる。かかる環境では接着剤が不活性流体を汚染する成分を含まない注意がなされるべきである。
【００２３】上記の例では、蛍光層１１はアルミニウム基板１０上に設けられ、しかし、他の基板の使用は可能であり、例えば２つの基板１０及び２０の熱膨張係数がより密接に整合されうるので大きい平坦検出器に対して利点を有する蒸発アルミニウム層で被覆されたガラス基板を用いてもよい。上記及び特に図４から分かる如く、蛍光層１１と光検出器アレイ２１は絶縁空間と境界を作る。これは、真空であれ或いは不活性剤を充填されてあり、絶縁空間が検出器を囲む領域にあるごみ粒子及び他の混入物から蛍光層１１及び光検出器アレイ２１を保護するよう少なくともある面で役立つことを意味する。加えて入来電磁放射線が初めてこの例で少なくとも一部がアルミニウムで形成される基板１０を貫通する際、基板１０は別な光反射層がこの目的の為必要とされないよう望ましくない電磁放射線（即ち、検出するのに望ましい範囲の外の放射線）から蛍光層１１を遮蔽するのに役立ちうる。」
　
ｂ　図面の記載
「
　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
「
　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
　上記図３の光検出器アレイの記載からして、図３には、光ダイオード２２及び薄膜トランジスタ２４を覆う絶縁層３６が形成され、
絶縁層３６は光ダイオード２２の上面の一部を露出する開口が形成されている
　また、上記図４の画像検出器の記載からして、図４には、
基板１０上に形成された蛍光層１１と基板２０上に形成された光ダイオードアレイ２１とにそれぞれ当接する複数の離散的絶縁スペーサ部材４１を有する
　
ｃ　引用例記載の発明
　上記ａ及びｂの記載事項によると、引用例には、以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「基板１０上に蛍光層１１を形成し、基板２０にデポジットされたアモルファスシリコン光ダイオード２２の２次元アレイである光ダイオードアレイ２１を基板２０上に形成し、
光ダイオード２２を覆う絶縁層３６に光ダイオード２２の上面の一部を露出する開口が形成され、
絶縁空間５０をその間に画成し、基板１０上に形成された蛍光層１１と基板２０上に形成された光ダイオードアレイ２１とにそれぞれ当接する複数の離散的絶縁スペーサ部材４１が設けられた
電磁放射線を検出する画像検出器」
　
５　本件補正発明と引用発明の対比
（１）引用発明の「蛍光層１１」は、本件補正発明の「シンチレータ層」に相当するから、引用発明の「蛍光層１１を形成」した「基板１０」は、本件補正発明における「基板にシンチレータ層が設けられたシンチレータプレート」に相当する。
   
（２）−１　引用発明の「光ダイオード２２」、「光ダイオードアレイ２１」は、本件補正発明の「光電変換素子」、「光電変換素子アレイ」にそれぞれ相当する。
　また、引用発明の「光ダイオードアレイ２１」は、「２次元アレイ」を構成するものであるから複数の「光ダイオード２２」を有することは明らかである。
　さらに、引用発明の「光ダイオード２２」は、「基板２０にデポジットされたアモルファスシリコン光ダイオード」であるから、引用発明は「光電変換素子が形成された光電変換素子層」を有するものであるといえる。
　そうすると、引用発明の「基板２０にデポジットされたアモルファスシリコン光ダイオード２２の２次元アレイである光ダイオードアレイ２１」が形成された点は、本件補正発明の「光電変換素子アレイを構成する複数の光電変換素子が形成された光電変換素子層」が設けられた点に相当する。
　
（２）−２　引用発明の「離散的絶縁スペーサ部材４１」は、本件補正発明の「スペーサ」に相当する。
　また、本件補正発明において、「スペーサ層」について本件明細書には特に説明はされていないが、その文言から「スペーサ」が形成された層であると解釈できる。
　そうすると、引用発明の「光ダイオード２２を覆う絶縁層３６に光ダイオード２２の上面の一部を露出する開口が形成され、絶縁空間５０をその間に画成し、基板１０上に形成された蛍光層１１と基板２０上に形成された光ダイオードアレイ２１とにそれぞれ当接する複数の離散的絶縁スペーサ部材４１が設けられた」点と本件補正発明の「シンチレータプレートと前記光電変換素子層との間の距離を均一に保つべく前記シンチレータプレートにそれぞれ当接するとともに、前記光電変換素子の非形成領域に相当する前記シンチレータ層から出射された蛍光の前記光電変換素子への入射を阻害しない所定の位置に配置され、かつ、互いに所定の間隔を介して周期的に配置されたスペーサが前記保護層上に複数形成されたスペーサ層と、が設けられた」点とは、「シンチレータプレートにそれぞれ当接するとともに、互いに所定の間隔を介して配置されたスペーサが複数形成されたスペーサ層が設けられた」点で一致する。
　　
（２）−３　（２）−１及び（２）−２の検討事項を考慮すると、引用発明の「基板２０にデポジットされたアモルファスシリコン光ダイオード２２の２次元アレイである光ダイオードアレイ２１を基板２０上に形成し、光ダイオード２２を覆う絶縁層３６に光ダイオード２２の上面の一部を露出する開口が形成され、絶縁空間５０をその間に画成し、基板１０上に形成された蛍光層１１と基板２０上に形成された光ダイオードアレイ２１とにそれぞれ当接する複数の離散的絶縁スペーサ部材４１が設けられた」点と、本件補正発明の「光電変換素子アレイを構成する複数の光電変換素子が形成された光電変換素子層と、前記光電変換素子を保護する保護層と、前記シンチレータプレートと前記光電変換素子層との間の距離を均一に保つべく前記シンチレータプレートにそれぞれ当接するとともに、前記光電変換素子の非形成領域に相当する前記シンチレータ層から出射された蛍光の前記光電変換素子への入射を阻害しない所定の位置に配置され、かつ、互いに所定の間隔を介して周期的に配置されたスペーサが前記保護層上に複数形成されたスペーサ層と、が設けられた光電変換素子アレイユニット」を備えた点とは、「光電変換素子アレイを構成する複数の光電変換素子が形成された光電変換素子層と、シンチレータプレートにそれぞれ当接するとともに、互いに所定の間隔を介して配置されたスペーサが複数形成されたスペーサ層が設けられた光電変換素子アレイユニット」を備えた点で一致する。
　
（３）引用発明の「電磁放射線を検出する画像検出器」は、本件補正発明の、「放射線イメージセンサ」に相当する。
　
　上記（１）〜（３）の点から、本件補正発明と引用発明は、
「基板にシンチレータ層が設けられたシンチレータプレートと、
　光電変換素子アレイを構成する複数の光電変換素子が形成された光電変換素子層と、シンチレータプレートにそれぞれ当接するとともに、互いに所定の間隔を介して配置されたスペーサが複数形成されたスペーサ層が設けられた光電変換素子アレイユニットと、
　を備えた放射線イメージセンサ」
で一致し、以下（ａ）乃至（ｃ）の各点で相違する。
　
（ａ）本件補正発明は、光電変換素子を保護する保護層が設けられ、スペーサが保護膜上に形成されているのに対し、引用発明は、光ダイオード２２を覆い、光ダイオード２２の上面の一部を露出する開口が形成された絶縁層３６が形成されているものの、保護層が設けられているか否か不明であって、スペーサ部材４１が光ダイオードアレイ２１と当接しているものの如何なる箇所に形成されているのか不明である点。
（ｂ）本件補正発明は、スペーサがシンチレータプレートと光電変換素子層との間の距離を均一に保つべく設けられているのに対し、引用発明は、そのようなことが特定されていない点。
（ｃ）本件補正発明は、スペーサが光電変換素子の非形成領域に相当するシンチレータ層から出射された蛍光の光電変換素子への入射を阻害しない所定の位置に配置され、かつ、互いに所定の間隔を介して周期的に配置されているのに対し、引用発明は、スペーサの配置箇所が不明である点。
　
６　当審の判断
　以下、上記各相違点について検討する。
（ａ）の点について
　引用発明における絶縁層３６は、光ダイオード２２の上面の一部を露出する開口が形成されているものの、光ダイオード２２を覆うものであるから、本件補正発明における「保護層」に相当するといえ、引用発明における絶縁層３６上にスペーサ層を形成することは、単なる設計的事項である。
　もし、引用発明における絶縁層３６が本件補正発明における「保護層」に相当するといえないとしても、イメージセンサにおいて光電変換素子を保護する保護層を設けることは、周知技術（例えば、特開２００８−３０６０８０号公報の【００８２】及び図８（ｑ）、実開平４−９２６５４号公報の【００１５】及び図１参照。）であり、引用発明において、光電変換素子を保護する保護層を採用することは格別困難なことではない。
　そして、その際に、保護層上にスペーサ層を形成することは、単なる設計的事項である。
　よって、相違点（ａ）に係る本件補正発明の発明特定事項を得ることは、当業者が容易になしえたことである。
　
（ｂ）の点について
　イメージセンサーにおいて、均一な条件で光電変換素子に受光できるようにシンチレータと光電変換素子層との間の距離を均一に保つことは、周知技術（例えば、特開２０１０−４３８８７号公報の【００６５】〜【００６６】及び図１１、特開平１１−１８６５３２号公報の【００２３】、【００２６】及び図３参照。）であり、引用発明においても、均一な条件で光電変換素子が受光することは当然有しうる課題である。
　したがって、引用発明において、上記周知技術を採用し、シンチレータと光電変換素子層との間の距離を均一に保つようにすることは、当業者が容易になしえたことである。
　よって、相違点（ｂ）に係る本件補正発明の発明特定事項を得ることは、当業者が容易になしえたことである。
　
（ｃ）の点について
　引用例には、「スペーサ部材は・・・・・他の光ダイオード（画素）２２に届くよう目的とする電磁放射線を視差又は分散することで解像度の損失を生じるほど大きくあるべきでない。」（【００２０】）と記載されており、引用例には、スペーサ部材の大きさについてではあるが、シンチレータ層から出射された蛍光の光電変換素子への入射をスペーサ部材が阻害することを避けるようにすべきであることが示唆されているといえる。
　そして、スペーサ部材の配置箇所によっては、シンチレータ層から出射された蛍光の光電変換素子への入射をスペーサ部材が阻害することもありうることは、当業者であれば当然想到しうることであるから、引用発明において、スペーサを光電変換素子の非形成領域に相当するシンチレータ層から出射された蛍光の光電変換素子への入射を阻害しない所定の位置に配置することは、当業者が容易になしえたことである。
　そして、その際に、イメージセンサの機械的強度等を考慮してスペーサ部材を互いに所定の間隔を介して周期的に配置することは、格別困難なことではない。
　よって、相違点（ｃ）に係る本件補正発明の発明特定事項を得ることは、当業者が容易になしえたことである。
　
　相違点（ａ）乃至（ｃ）については上記のとおりであり、本件補正発明によってもたらされる効果は、引用発明及び上記周知技術から当業者が当然に予測できる範囲内のものと認められる。
　よって、本件補正発明は、引用発明及び上記周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
７　本件補正についての補正の却下の決定のむすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
１　本願発明
　平成２３年１１月９日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、同年７月２５日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載されたとおりのものである。（第２［理由］１参照。）
　
２　引用刊行物
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願前に頒布された刊行物及びその記載事項、ならびに引用発明は、上記第２［理由］４に記載したとおりである。
　
３　対比及び当審の判断
　本願発明は、本件補正発明の発明特定事項から「光電変換素子を保護する保護層」が設けられた点、スペーサが「シンチレータ層から出射された蛍光の前記光電変換素子への入射を阻害しない所定の位置に配置され、かつ、互いに所定の間隔を介して周期的に配置された」点、及び、スペーサ層が「保護層上に」形成された点を削除したものである。
　したがって、本願発明の発明特定事項を全て含み、さらに上記各点を追加した本件補正発明が、上記第２［理由］６に記載したとおり、引用発明及び周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も同様の理由により、引用発明及び周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用発明及び周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、その余の請求項に係る発明について言及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。