(57)【要約】ポリカーボネート等で形成された平行な平面を有する基板の上に反射層、核形成下地層、核形成層、記録層がこの順に形成される積層構造の光記録媒体及び光磁気記録媒体であり、反射層と記録層との間に形成される核形成層の表面は、微小粒径の核（突起部）を有する微小な凹凸形状とされる。
2003090222.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に反射層及び記録層がこの順に形成され、該記録層側から光を照射して情報の記録／再生を行う光記録媒体であって、表面に凹凸を有する核形成層を前記反射層と記録層との間に備えることを特徴とする光記録媒体。
【請求項２】
前記核形成層は、Ｗ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｐｔ、Ｔｉ、Ｐ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｇ、Ｓｉ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｎｄ、及びＰｄからなる群から選択した１又は２以上の元素を含む材料で形成されることを特徴とする請求項１記載の光記録媒体。
【請求項３】
前記核形成層は、表面粗さが０．３ｎｍ乃至１．５ｎｍであることを特徴とする請求項１又は２記載の光記録媒体。
【請求項４】
前記核形成層は複数層形成してあり、記録層側に形成した核形成層の表面張力は反射層側に形成した核形成層の表面張力より強いことを特徴とする請求項１又は２記載の光記録媒体。
【請求項５】
前記記録層は、結晶状態及びアモルファス状態の間の相転移が可能であり、結晶状態での反射率とアモルファス状態での反射率とが異なることを特徴とする請求項１又は２記載の光記録媒体。
【請求項６】
基板上に反射層及び垂直磁気異方性を有する記録層がこの順に形成され、記録層側から光を照射して情報の記録／再生を行う光磁気記録媒体であって、表面に凹凸を有する核形成層を前記反射層と記録層との間に備えることを特徴とする光磁気記録媒体。
【請求項７】
前記核形成層は、Ｗ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｐｔ、Ｔｉ、Ｐ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｇ、Ｓｉ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｎｄ、及びＰｄからなる群から選択した１又は２以上の元素を含む材料で形成されることを特徴とする請求項６記載の光磁気記録媒体。
【請求項８】
前記核形成層は、表面粗さが０．３ｎｍ乃至１．５ｎｍであることを特徴とする請求項６又は７記載の光磁気記録媒体。
【請求項９】
前記核形成層は複数層形成してあり、記録層側に形成した核形成層の表面張力は反射層側に形成した核形成層の表面張力より強いことを特徴とする請求項６又は７記載の光磁気記録媒体。
【請求項１０】
前記記録層の磁化により生じる反磁界を打ち消すために、前記反射層と核形成層との間に垂直磁気異方性を有する記録補助層を備えることを特徴とする請求項６又は７記載の光磁気記録媒体。
【請求項１１】
前記記録層が遷移金属磁化優勢である場合は、前記記録補助層は希土類磁化優勢であることを特徴とする請求項１０記載の光磁気記録媒体。
【請求項１２】
前記記録層が希土類磁化優勢である場合は、前記記録補助層は遷移金属磁化優勢であることを特徴とする請求項１０記載の光磁気記録媒体。
【請求項１３】
前記記録層及び記録補助層が遷移金属磁化優勢である場合は、記録補助層のキュリー温度を記録層のキュリー温度より高くしてあることを特徴とする請求項１０記載の光磁気記録媒体。
【請求項１４】
前記記録層及び記録補助層が希土類磁化優勢である場合は、記録補助層のキュリー温度を記録層のキュリー温度より高くしてあることを特徴とする請求項１０記載の光磁気記録媒体。
【請求項１５】
請求項１又は２記載の光記録媒体又は請求項６又は７記載の光磁気記録媒体のいずれかを用いて情報の記録／再生を行う情報記録／再生装置。
【請求項１６】
基板上に熱拡散層及び垂直磁気異方性を有する記録層がこの順に形成され、前記熱拡散層及び記録層の間に形成され表面に凹凸を有する核形成層を備える磁気記録媒体を用いた情報記録／再生方法であって、前記磁気記録媒体へ光及び磁界を印加して情報の光磁気記録を行い、前記記録層側から磁束を検出して情報の磁気再生を行うことを特徴とする情報記録／再生方法。
【請求項１７】
基板上に熱拡散層及び垂直磁気異方性を有する記録層がこの順に形成され、前記熱拡散層及び記録層の間に形成され表面に凹凸を有する核形成層を備える磁気記録媒体と、該磁気記録媒体へ光及び磁界を印加して情報の記録を行う光磁気記録部と、前記記録層側から磁束を検出して情報の再生を行う磁気再生部とを有することを特徴とする磁気記録装置。
【請求項１８】
前記光を印加して前記磁気記録媒体を加熱するための素子、前記磁界を印加する素子及び前記磁束を検出する素子が搭載されている一つのスライダを有することを特徴とする請求項１７記載の磁気記録装置。
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は、光記録媒体、光磁気記録媒体、情報記録／再生装置、情報記録／再生方法及び磁気記録装置に関する。
背景技術
従来実用化されている光記録媒体、光磁気記録媒体の多くは、厚さ１．０ｍｍ程度の基板の上に、例えば保護層、記録層、反射層（放熱層）等を積層して、これら積層膜が存在しない基板側から光ビームを照射して、情報の記録／再生を行っている。このような基板越しの照射方式を便宜上従来方式と呼ぶ。従来方式を採用した光磁気記録媒体の一例が、例えば、特開２０００−８２２４５号公報に開示されている。
また、高密度な光記録媒体、光磁気記録媒体を実現する手段の一つとして、記録膜に照射される光ビームのスポットサイズを小さくすることが行われている。一般に、スポットサイズをφ、対物レンズの開口数をＮＡ、光ビーム（レーザ光）の波長をλとすると、φ＝λ／２ＮＡという関係式が成り立つ。つまり、スポットサイズφを小さくする為には、波長λを一定とすれば、対物レンズの開口数ＮＡを大きくすることが有効である。
しかし、開口数ＮＡを大きくすればするほど、焦点距離が短くなり、基板厚さのむらや基板の傾きが生じた場合の収差が大きくなるので、基板厚さをできるだけ薄くする必要がある。
したがって、高密度な光記録媒体、光磁気記録媒体を実現するためには、記録層等の積層膜が形成されている側からビーム光を照射して、記録／再生を行う方が好ましい。以下、記録層等の積層膜が形成されている側からビーム光を照射する方式を、便宜上フロントイルミネーション方式と呼ぶ。
第１図は、従来のフロントイルミネーション方式光磁気記録媒体の積層構造を示す模式図である。なお、第１図における積層構造は断面を示すが、理解の容易さ、見易さを考慮して断面を示す平行斜線は省略する（以下の各図における積層構造についても同様である）。光磁気記録媒体は、基板１の上に反射層２、記録層８、保護層１３、コート層１４がこの順に形成された積層構造である。この積層構造は、フロントイルミネーション方式に対応しており、コート層１４の外側から記録／再生用のビーム光（レーザ光）ＬＢが対物レンズＬを介してコート層１４、記録層８に向けて照射される。
基板１は、ポリカーボネート等で形成され平行な平面を有する。反射層２は、通常銀、アルミニウム等の金属膜や合金膜で形成され、入射されたビーム光ＬＢを入射側へ反射する。反射層２は、さらに、放熱作用も行う必要があることから、通常５０ｎｍ程度以上の膜厚とされる。
このような光磁気記録媒体による記録／再生においては、高密度の記録／再生をするために小さな記録マークを形成する必要がある。そのためには、記録層８が微細な粒子構造、表面構造を有する必要がある。しかし、記録層８は、表面に凹凸の多い反射層２、保護層１３と接しており、その凹凸の影響を受けるため、非常に荒れた粒子構造、表面構造となる。その結果、記録されるマークがいびつな形状となり、信号品質が低下する等の問題がある。
この問題は、光磁気記録媒体のみならず、相変化（相転移）光記録膜媒体等に共通の問題である。
また、光磁気記録媒体においては、記録層８の飽和磁化Ｍｓが大きいと、記録層８自体が有する反磁界の働きが大きくなることから、外部磁場を加えない状態や、消去方向の磁場を加えた状態においても記録がなされるという問題が生じる。消去方向の磁場でも記録がなされることは、磁界変調記録を行う場合に大きな記録磁場が必要になることから好ましくない。
さらに、記録層８の反磁界の影響により、記録時にマーク（記録マーク）がシフトするという問題もある。特に、長いマーク（長マーク）直後のマークにおいて実効的な記録磁界の増大（記録層８の反磁界に磁気ヘッドの磁界が加わることにより生じる）により、マークのシフトが生じやすく、ランダムパターンでのジッタの悪化の原因ともなっている。また、記録補助層を形成することにより、記録層による反磁界を低減して記録磁場を低減することが可能であるが、記録補助層の作用により、記録層の保磁力が低減するという問題があった。保磁力の低下は微小マークを安定に保持できなくなることから好ましくない。なお、記録補助層に係る技術を開示した文献として、特開平１１−１２６３８４号公報がある。
本発明は、斯かる事情に鑑みてなされたものであり、記録層の下地として核形成層を設け、記録層の微細化（微細粒子構造、微細表面構造）を図ることを目的とする。また、微細な粒子構造、表面構造を有する記録層を形成することにより、小さな記録マークを形成することが可能となり、高密度の記録／再生が可能な光記録媒体を提供することを目的とする。
また、本発明は、記録補助層を設けた場合においても記録層の保磁力を増加でき、高密度の記録／再生が可能な光磁気記録媒体を提供することを目的とする。
また、本発明は、上述した光記録媒体又は光磁気記録媒体を用いた情報記録／再生装置、情報記録／再生方法、磁気記録装置を提供することを目的とする。
発明の開示
第１発明の光記録媒体は、基板上に反射層及び記録層がこの順に形成され、記録層側から光を照射して情報の記録／再生を行う光記録媒体であって、表面に凹凸を有する核形成層を反射層と記録層との間に備える。
第２発明の光記録媒体は、第１発明において、核形成層を、Ｗ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｐｔ、Ｔｉ、Ｐ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｇ、Ｓｉ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｎｄ、及びＰｄからなる群から選択した１又は２以上の元素を含む材料で形成する。
第３発明の光記録媒体は、第１発明又は第２発明において、核形成層の表面粗さを０．３ｎｍ乃至１．５ｎｍとする。
第４発明の光記録媒体は、第１発明又は第２発明において、核形成層を複数層形成し、記録層側に形成した核形成層の表面張力は反射層側に形成した核形成層の表面張力より強いものとする。
第５発明の光記録媒体は、第１発明又は第２発明において、記録層は、結晶状態及びアモルファス状態の間の相変化が可能であり、結晶状態での反射率とアモルファス状態での反射率とが異なるものとする。
第１発明乃至第５発明の光記録媒体では、記録層の下地として核形成層を設けるので、記録層の微細化（微細粒子構造、微細表面構造）を実現できる。また、微細な粒子構造、表面構造を有する記録層を形成することにより、小さな記録マークを形成すること、つまり、高密度の記録／再生が可能な光記録媒体を提供することができる。
第６発明の光磁気記録媒体は、基板上に反射層及び垂直磁気異方性を有する記録層がこの順に形成され、記録層側から光を照射して情報の記録／再生を行う光磁気記録媒体であって、表面に凹凸を有する核形成層を反射層と記録層との間に備える。
第７発明の光磁気記録媒体は、第６発明において、核形成層を、Ｗ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｐｔ、Ｔｉ、Ｐ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｇ、Ｓｉ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｎｄ、及びＰｄからなる群から選択した１又は２以上の元素を含む材料で形成する。
第８発明の光磁気記録媒体は、第６発明又は第７発明において、核形成層の表面粗さを０．３ｎｍ乃至１．５ｎｍとする。
第９発明の光磁気記録媒体は、第６発明又は第７発明において、核形成層を複数層形成し、記録層側に形成した核形成層の表面張力は反射層側に形成した核形成層の表面張力より強いものとする。
第６発明乃至第９発明の光記録媒体では、記録層の下地として核形成層を設けるので、記録層の微細化（微細粒子構造、微細表面構造）を実現できる。また、微細な粒子構造、表面構造を有する記録層を形成することにより、小さな記録マークを形成すること、つまり、高密度の記録／再生が可能な光磁気記録媒体を提供することができる。
第１０発明の光磁気記録媒体は、第６発明又は第７発明において、記録層の磁化により生じる反磁界を打ち消すために、反射層と核形成層との間に垂直磁気異方性を有する記録補助層を備える。
第１１発明の光磁気記録媒体は、第１０発明において、記録層が遷移金属磁化優勢の磁性膜である場合は、記録補助層は希土類磁化優勢の磁性膜とする。
第１２発明の光磁気記録媒体は、第１０発明において、記録層が希土類磁化優勢の磁性膜である場合は、記録補助層は遷移金属磁化優勢の磁性膜とする。
第１３発明の光磁気記録媒体は、第１０発明において、記録層及び記録補助層が遷移金属磁化優勢の磁性膜である場合は、記録補助層のキュリー温度を記録層のキュリー温度より高いものとする。
第１４発明の光磁気記録媒体は、第１０発明において、記録層及び記録補助層が希土類磁化優勢の磁性膜である場合は、記録補助層のキュリー温度を記録層のキュリー温度より高いものとする。
第１０発明乃至第１４発明の光磁気記録媒体では、記録補助層を設けた場合においても記録層の保磁力を増加でき、高密度の記録／再生が可能な光磁気記録媒体を提供することを目的とする。
第１５発明の情報記録／再生装置は、第１発明又は第２発明の光記録媒体又は第６発明又は第７発明の光磁気記録媒体のいずれかを用いて情報の記録／再生を行うものとする。
第１５発明の情報記録／再生装置では、高密度の光記録媒体又は光磁気記録媒体のいずれかを用いて情報の記録／再生を行うことから、高密度な情報記録媒体の記録／再生が可能となる。
第１６発明および第１７発明の情報記録再生方法および装置では、基板上に熱拡散層及び垂直磁気異方性を有する記録層がこの順に形成された磁気記録媒体の熱拡散層と記録層との間に表面に凹凸を有する核形成層を備え、磁気記録媒体へ光と磁界を印加して情報の光磁気記録を行い、記録層側から磁束を検出して情報の磁気再生を行うものとする。
第１６発明および第１７発明の情報記録再生方法では、高密度の磁気記録媒体を用いて情報の記録再生を行うことから、高密度な情報記録媒体の記録再生が可能となる。
第１８発明では、光を印加して加熱するための素子と磁界を印加する素子と磁束を検出する素子が一つのスライダに搭載されているものとする。
発明を実施するための最良の形態
以下、本発明をその実施の形態を示す図面を参照して具体的に説明する。
（本発明に係る記録媒体の概略的な積層構造）
第２図は、本発明に係る光磁気記録媒体の概略的な積層構造を示す模式図である。本発明は光磁気記録媒体を例に示すが、光記録媒体においても同様に適用できる。なお、光記録媒体の場合には記録補助層は不要となる。
本発明に係る光磁気記録媒体は、基板１の上に反射層２、記録補助層３、核形成下地層４、核形成層５（２層以上の核形成層を積層する場合は、第１核形成層５）、記録層８、保護層１３、コート層１４がこの順に形成された積層構造である。この積層構造は、第１図と同様にフロントイルミネーション方式に対応しており、コート層１４の外側から記録／再生用のビーム光ＬＢが対物レンズＬを介してコート層１４、記録層８に向けて照射される。基板１は、従来の光磁気記録媒体と同様であり、ポリカーボネート等で形成され平行な平面を有する。記録補助層３、記録層８は垂直磁気異方性を有する磁性膜で構成され、例えば、記録補助層３は希土類磁化優勢とし、記録層８は遷移金属磁化優勢とする。核形成層５の表面は、微小粒径の核（突起部）５ａを有する微小な凹凸形状とされる。保護層１３は窒化膜等で形成され記録層８の酸化、窒化を防止する。コート層１４は塵埃や傷付きを防止する。
第３図（ａ）、（ｂ）は、反射層の形成状態を示す模式図である。反射層２は、放熱効果を得るため５０ｎｍ程度以上の膜厚とし、その下の基板１の形状を反映できるように平滑な表面にする。平滑な表面としては、表面荒さＲａが０．３ｎｍ程度以下のものが好ましい。なお、表面荒さＲａとは、表面の荒さの度合いを概略的に示し、一般には、山部の高さの平均値と谷部の高さの平均値との差で示される。
反射層２の成膜方法としては金属ターゲットを用いたスパッタ法がある。第３図（ａ）はＡｇのみからなる固体ターゲットを用いてスパッタ法により形成した反射層２の断面形状を示す。なお、第１図の積層構造の場合と同様に断面を示す平行斜線は省略する。膜厚５０ｎｍに対して、その半分（２５ｎｍ）程度の凹凸が生じていることから、平滑な表面ではない。
第３図（ｂ）はＡｇを主成分とする金属に例えば、Ｐｄ、Ｃｕ、Ｓｉ等を所定量添加してなる合金ターゲットを用いてスパッタ法により形成した反射層２の断面形状を示す。Ｐｄ、Ｃｕ、Ｓｉ等の添加により、膜厚５０ｎｍに対して、表面荒さＲａを０．３ｎｍ程度以下にできる。Ｐｄ等の添加材料がＡｇの粒径拡大を抑制するからである。
反射層２の表面を平滑化する方法として、Ｐｄ等の材料を添加する方法の他に、Ａｇをさらに厚く形成した後、表面をエッチングすることにより、平滑な表面を形成する方法もある。また、成膜時の処理室内の圧力を０．１Ｐａ程度以下の低いガス圧力にして成膜速度を遅くすることにより、緻密で平滑な表面とすることも有効な方法である。このように平滑化した反射層２を基板１の上に形成する。
平滑な反射層２の上に形成された記録補助層３は、記録用の磁界を印加した時に記録層８により生じる反磁界を打ち消すような方向に働く磁化を有する。つまり、記録補助層３は、記録磁場（記録時に必要な磁場）を低減することができる。記録層８が単層の場合には、特に長マーク（マークは同一の信号を有する信号領域であり、長マークとは、同一の信号を有する信号領域が続いている状態である）直後の信号領域において、記録時に信号領域の移動（シフト）が生じるが、反磁界を打ち消すような記録補助層３を設けることでシフトを無くし、ジッタを良くすることができる（第１５図、第１６図参照）。
記録補助層３として、例えば希土類磁化優勢である磁性膜を形成する。後に形成する記録層８の磁化の方向及び大きさを均一にするためには、下地である記録補助層３は低いガス圧で成膜して表面を平滑にすることが望ましい。このような記録補助層３を下地として、記録層８を成膜した場合は、反射層２の上に記録層８を直接成膜した場合に比較して、記録層８の保磁力Ｈｃが低下する。この理由は、記録層８の磁化とは反対方向に働く磁化を有する記録補助層３の影響により、記録層８の垂直磁気異方性が低下するからである。記録層８が保持できる最小の磁区（ドメイン）の大きさｄ（通常、最短マークの長さに対応する）と保磁力Ｈｃ、飽和磁化Ｍｓとの間には、ｄ＝σ／（２ＭｓＨｃ）の関係がある。なお、σは材料、成膜条件等により定まる定数である。
つまり、保磁力Ｈｃの低下は、最小の磁区の大きさｄを大きくすることになり、光磁気記録媒体の記録密度の低下をもたらす。したがって、高密度化をするためには、最小の磁区の大きさｄを小さくして保磁力Ｈｃを増大する必要がある。
最小の磁区の大きさｄを小さくするために、表面に凹凸形状を有する核形成層５を、記録補助層３と記録層８との間に形成する。核形成層５の表面は、６０ｎｍ程度以下の周期で、微小粒径の核５ａを有する微小な凹凸形状とすることが望ましい。核形成層５の表面形状の作用により、記録層８を磁化の方向が揃った微小な磁区（円柱状磁区）により構成することができる。記録層８における磁化の方向が揃うことから、記録層８の保磁力Ｈｃが増大し、最小磁区の大きさｄを小さくすることができる。つまり、核形成層５を形成することにより、高密度化が可能となる。
また、核形成層５の下地として、核形成層５を形成する前に核形成下地層４を形成する。核形成層５の表面張力より低い表面張力を有する核形成下地層４を形成することにより、核形成層５の表面の凹凸形状を確実に制御するためである。核形成下地層４の表面張力と核形成層５の表面張力との関係については、更に後述する（第９図参照）。
（第１実施の形態）
第４図は、本発明の第１実施の形態に係る光磁気記録媒体（以下、媒体Ａという）の積層構造を示す模式図である。媒体Ａは、基板１の上に、反射層２、記録補助層３、核形成下地層４、第１核形成層５、第２核形成層６（核助長層６）、記録層８、保護層１３及びコート層１４が、この順に形成された積層構造である。第１核形成層５の表面及び第２核形成層６の表面には、微小粒径の核５ａ、６ａが各々形成され、微小な凹凸形状の表面を構成している。フロントイルミネーション方式に対応していることは、第２図等と同様であり、詳細な説明は省略する。なお、構成を逆順に成膜して積層構造とし、基板越しに記録する従来方式の光磁気記録媒体に対しても、本発明を適用することは可能である。
媒体Ａの各層構成の詳細は次のとおりである。なお、数値等は、これに限定されるものではなく、適宜必要に応じて変更可能なものである。
基板１：直径１２０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍのガラス板の上にフォトポリマー製のランド・グルーブを形成。ランド及びグルーブの幅は各々０．２５μｍ。グルーブの（溝の）深さは３０ｎｍ。深紫外線（ＤＵＶ）照射処理をすることにより、表面荒さＲａ０．２５ｎｍ程度以下の極めて平滑な表面形状に形成。
反射層２：Ａｇを主成分とするＡｇ、Ｐｄ、Ｃｕ、Ｓｉ合金膜。厚さ５０ｎｍ
記録補助層３：ＧｄＦｅＣｏ磁性膜。厚さ５ｎｍ。記録層８が遷移金属磁化優勢であるから、記録補助層３は希土類磁化優勢の組成とし、記録層８のキュリー温度より高いキュリー温度とする。記録層８のキュリー温度においても垂直磁化を有し、飽和磁化Ｍｓが大きい組成とすると、記録磁場低減効果が大きい。ここでは、Ｇｄ２５：Ｆｅ４９：Ｃｏ２６の組成比とした。
核形成下地層４：ＳｉＮ膜、厚さ０．５ｎｍ
第１核形成層５：Ｃｒ膜、厚さ０．５ｎｍ
第２核形成層６：Ｃ膜、厚さ０．５ｎｍ
記録層８：ＴｂＦｅＣｏ（Ｔｂ１９：Ｆｅ６２：Ｃｏ１９）磁性膜、厚さ２５ｎｍ
保護層１３：ＳｉＮ膜、厚さ５０ｎｍ
コート層１４：透明紫外線硬化樹脂、厚さ１５μｍ
媒体Ａの各層成膜条件の詳細は次のとおりである。この条件は装置等によっても変動するものであり、これに限定されるものではなく、適宜必要に応じて変更可能なものである。
反射層２：Ａｇを主成分とし、Ｐｄ、Ｃｕが添加された合金ターゲット及びＳｉターゲットの同時スパッタ成膜。ガス圧は０．９５Ｐａ、投入電力は、合金ターゲットで５００Ｗ及びＳｉターゲットで３２０Ｗ。
記録補助層３：ＧｄＦｅＣｏの合金ターゲットのスパッタ成膜。ガス圧は０．５Ｐａ、投入電力は５００Ｗ。
核形成下地層４：ＢドープのＳｉターゲットを窒素ガス中でスパッタ成膜。ガス圧は０．３Ｐａ、投入電力は８００Ｗ。
第１核形成層５：Ｃｒターゲットのスパッタ成膜。ガス圧は０．５Ｐａ、投入電力は５００Ｗ。
第２核形成層６：Ｃターゲットのスパッタ成膜。ガス圧は０．５Ｐａ、投入電力は５００Ｗ。
記録層８：ＴｂＦｅＣｏの合金ターゲットのスパッタ成膜。ガス圧は１．０Ｐａ、投入電力は５００Ｗ。
保護層１３：ＢドープのＳｉターゲットを窒素ガス中でスパッタ成膜。ガス圧は０．５Ｐａ、投入電力は８００Ｗ。
コート層１４：スピンコート法で透明紫外線硬化樹脂を厚さ１５μｍ塗布した後、紫外線を３０秒程度照射して硬化。
媒体Ａと特性を比較するために、従来の構造をした光磁気記録媒体を２種類作成した。一つは、第１図に示す構造をした光磁気記録媒体（以下、媒体Ｂという）であり、他の一つは第５図に示す構造をした光磁気記録媒体（以下、媒体Ｃという）である。第５図は、媒体Ｃの積層構造を示す模式図である。媒体Ｂは媒体Ａにおける記録補助層３、核形成下地層４、第１核形成層５、第２核形成層６を省略した構造の光磁気記録媒体である。媒体Ｃは、媒体Ａにおける核形成下地層４、第１核形成層５、第２核形成層６を省略した構造の光磁気記録媒体である。媒体Ｂ、媒体Ｃとも、成膜方法、成膜条件、厚さ等は媒体Ａと同一である。
第６図は、媒体Ａ、Ｂ、ＣのＨｗ−ＣＮＲ特性を示すグラフである。横軸Ｈｗは記録磁場（単位：Ｏｅ）を示し、縦軸ＣＮＲ（Ｃａｒｒｉｅｒ  ｔｏ  Ｎｏｉｓｅ  Ｒａｔｉｏ）は信号対雑音比（単位：ｄＢ）を示す。回転速度は５．０ｍ／ｓ、マーク長は０．２５μｍ、記録パワー（記録時照射パワー）は９．０ｍＷ、再生パワー（再生時照射パワー）は３．４ｍＷである。
媒体Ｂと媒体Ｃとを比較すると、媒体Ｃでは、記録補助層３の効果により記録磁場Ｈｗが低減している。また、記録方向（Ｈｗ＞０）において、媒体Ａと比較して媒体Ｂ、媒体ＣともにＣＮＲが低下し外部磁場に弱くなる。これは、記録層８の保磁力Ｈｃが低下したことが原因である。
第７図は、媒体Ａ、Ｂ、Ｃの特性を比較する図表である。記録補助層３の有無、核形成層５の有無に対応させて、記録層保磁力Ｈｃ（ｋＯｅ）、記録磁場の閾値Ｈｗｔｈ（Ｏｅ）、マーク長が０．２０μｍ、０．２５μｍに対するＣＮＲ（ｄＢ）を示す。回転速度は５．０ｍ／ｓ、記録パワーは９．０ｍＷ、再生パワーは３．４ｍＷである。媒体Ｃに比較して、媒体Ａでは、記録層保磁力が増大し、特に短マーク長でのＣＮＲが向上している。つまり、核形成層５の作用により、高密度化が実現できたことが確認できる。
第８図は、媒体Ａ、Ｃのマーク長−ジッタ特性を示すグラフである。横軸にマーク長（単位：ｄＢ）、縦軸にランダムジッタ（単位：％）を示す。核形成層の作用により、記録時のシフトが低減され、特に短マーク長でのランダムジッタが改善されることが確認できる。
核形成層５の下地に核形成下地層４を形成するのは、核形成層５として用いたＣｒに比べて表面張力の低い下地を提供するためである。つぎに、積層構造における表面張力と表面形状の関係を説明する。
第９図（ａ）、（ｂ）は、積層構造における表面張力と表面形状の関係を説明する模式図である。第９図（ａ）は、核形成下地層４の表面張力γ１が核形成層５の表面張力γ２より低い場合を示す。この場合には、成膜時に核形成層５の材料が凝集して成長しやすくなり、核５ａの表面粒径周期λは図上λａで示すように短くなる。つまり、微小な凹凸をした表面形状となる。第９図（ｂ）は、核形成下地層４の表面張力γ１が核形成層５の表面張力γ２より高い場合を示す。この場合には、成膜時に核形成層５の材料が凝集しにくくなり、表面粒径周期λは図上λｂで示すように長くなり、核５ｂの粒径も大きくなる。つまり、長い周期の凹凸をしたなだらかな表面形状となる。
第１０図は、元素等の表面張力を示す図表である。元素等各種材料の３０℃における表面張力γを示す。核形成層５の表面形状を第９図（ａ）に示したような微小な凹凸形状とするには、材料の表面張力を参照して、核形成層５の材料に応じて、核形成下地層４の材料を適宜選択すれば良い。
媒体Ａでは、第１核形成層５のＣｒ膜の厚さを０．５ｎｍ、第２核形成層６のＣ膜の厚さを０．５ｎｍとした。厚さを０．５ｎｍ以上とした場合には、核５ａの表面粒径周期λは６０ｎｍ以上と長くなり、表面荒さＲａは１．５ｎｍ以上と大きくなる。表面粒径周期λが大きくなると、その上に形成する記録層８の粒径（磁区）も大きくなり、記録分解能が低下する。また、表面荒さＲａが大きくなると、記録層８の保磁力Ｈｃが高くなり、記録時に記録磁場が不足するという問題を生じる。つまり、核形成層５は、表面荒さＲａが０．５ｎｍ乃至１．５ｎｍ、表面粒径周期λが１０ｎｍ乃至６０ｎｍ程度が望ましい。
媒体Ａでは、第１核形成層５の材料をＣｒとしたが、核形成下地層４の材料をＳｉＮとした場合には、このＳｉＮより表面張力の大きい材料であれば、Ｃｒと同様な核５ａを形成することができる。また、第１核形成層５（核形成層５）の材料により、表面荒さＲａ、記録層保磁力Ｈｃを種々変更することができる。
第１１図は、核形成層材料による表面張力、表面荒さ、表面粒径周期、記録層保磁力等の特性を示す図表である。例えば、サンプル１は、核形成層材料がＣｒであり、形成した膜の厚さが１ｎｍの場合を示し、表面張力γは３０℃で２２９０ｍＮ／ｍ、表面荒さはＲａ１．３ｎｍ、表面粒径周期λは５４ｎｍ、記録層保磁力Ｈｃは１００℃で７ｋＯｅ、ＣＮＲはマーク長０．２μｍで４１．６ｄＢであることを示す。
媒体Ａでは、第２核形成層６を形成せずに、第１核形成層５（核形成層５）のみとしても、記録層保磁力Ｈｃを媒体Ｃより高い値にできる。しかし、第２核形成層６を形成することにより、第１核形成層５により形成された表面粒径周期λを維持した状態で、表面荒さＲａを更に助長して、記録層保磁力Ｈｃを更に大きくすることができる。
第１２図は、核形成層を積層した場合の特性を示す図表である。例えば、サンプル１８は、核形成層材料がＣｒであり、形成した膜の厚さが０．５ｎｍの場合を示し、表面荒さはＲａ１．１ｎｍ、表面粒径周期λは５０ｎｍ、記録層保磁力Ｈｃは１００℃で５．５ｋＯｅ、ＣＮＲはマーク長０．２μｍで４１ｄＢであることを示す。サンプル１９は、第２核形成層材料としてＣを用いているが、Ｃ以外の材料を用いることも可能である。サンプル２０はＷを、サンプル２１はＣｏを、サンプル２２はＴａを第２核形成層材料として用いた場合を示す。このように、核形成層を積層する場合は、第９図において説明したように、上層側の核形成層材料の表面張力が下層側の核形成層材料の表面張力より高い材料を選択すれば、材料が凝集して核が成長しやすくなり、表面粒径周期λを小さくして、適切な値とすることができる。
また、第２核形成層６の上にさらに第３核形成層、第４核形成層を形成することも可能であり、サンプル２３は第３核形成層を、サンプル２４は第４核形成層を形成した場合を示す。サンプル２４は、第１核形成層材料がＣｒであり、形成した膜の厚さが０．５ｎｍの場合を示し、第２核形成層材料がＣｏ、形成した膜の厚さが０．２ｎｍ、第３核形成層材料がＴａ、形成した膜の厚さが０．２ｎｍ、第４核形成層材料がＷ、形成した膜の厚さが０．２ｎｍ、表面荒さはＲａ１．５ｎｍ、表面粒径周期λは５８ｎｍ、記録層保磁力Ｈｃは１００℃で７．３ｋＯｅ、ＣＮＲはマーク長０．２μｍで４２．０ｄＢであることを示す。
複数層の核形成層を形成することにより、核形成層表面の表面荒さＲａ及び表面粒径周期λを変更することができ、記録層保磁力Ｈｃ及びＣＮＲをさらに改善することができる。
媒体Ａでは、記録層８は遷移金属磁化優勢である組成のＴｂＦｅＣｏ磁性膜、記録補助層３は希土類磁化優勢である組成のＧｄＦｅＣｏ磁性膜とした。しかし、記録層８が希土類磁化優勢である組成の場合は、記録補助層３を遷移金属磁化優勢である組成として、記録磁界の低減を図ることができる。いずれの場合も記録層８のキュリー温度Ｔｃｍ近傍で記録補助層３が垂直磁化を有する組成とすることが望ましい。
例えば、媒体Ａにおいて、記録層８のＴｂの組成比を変えて、記録層８を希土類磁化優勢である組成のＴｂＦｅＣｏ磁性膜とし、記録補助層３のＧｄの組成比を変えて、記録補助層３を遷移金属磁化優勢である組成のＧｄＦｅＣｏ磁性膜とした媒体を媒体Ｄとする。媒体Ｄにおいて、その他の成膜方法、成膜条件、厚さ等は媒体Ａの場合と同一とする。
第１３図は、媒体Ｄから記録補助層を除外した光磁気記録媒体（以下、媒体Ｅという）の積層構造を示す模式図である。媒体Ｅは、媒体Ｄと特性を比較するために、媒体Ｄの積層構造から記録補助層を除去した構成とし、その他の条件は媒体Ｄ（媒体Ａ）の場合と同一とする。したがって、媒体Ｅは基板１、反射層２、核形成下地層４、第１核形成層５、第２核形成層６、記録層８、保護層１３及びコート層１４の積層構造である。
第１４図は、媒体Ｄ、ＥのＨｗ−ＣＮＲ特性を示すグラフである。横軸Ｈｗは記録磁場（単位：Ｏｅ）を示し、縦軸ＣＮＲ（Ｃａｒｒｉｅｒ  ｔｏ  Ｎｏｉｓｅ  Ｒａｔｉｏ）は信号対雑音比（単位：ｄＢ）を示す。回転速度は５．０ｍ／ｓ、マーク長は０．２５μｍ、記録パワー（記録時照射パワー）は９．０ｍＷ、再生パワー（再生時照射パワー）は３．４ｍＷである。希土類磁化優勢の磁性膜とした記録層８及び遷移金属磁化優勢の磁性膜とした記録補助層３の組み合わせによっても記録磁場Ｈｗを低減する効果があることが示される。
（第２実施の形態）
第１５図（ａ）、（ｂ）は、本発明の第２実施の形態に係る光磁気記録媒体（媒体Ｆ）における記録補助層の作用を説明する模式図である。
第１５図（ａ）は、マーク長Ｌｍが長い場合を示し、第１５図（ｂ）は、マーク長Ｌｍが短い場合を示す。ビーム光（ＬＢ）の相対的進行方向を矢符ＬＢＳで示す。ビーム光の照射により媒体に生じる温度分布Ｔｍｅｄを模式的に示す（（ｂ）においては、（ａ）と同一の温度分布であるから図示を省略する）。記録補助層３のキュリー温度Ｔｃｓが記録層８のキュリー温度Ｔｃｍより高いことを温度分布Ｔｍｅｄに重ねて図示する。記録補助層３と記録層８の間には核形成下地層４、核形成層５が形成されている。
媒体Ａにおいて、記録補助層３を記録層８と同様の遷移金属磁化優勢の磁性膜とし、記録補助層３のキュリー温度Ｔｃｓを記録層８のキュリー温度Ｔｃｍより高くすることにより、記録時の磁区（マーク）のシフトを低減することができる。この条件を満たす媒体を媒体Ｆとする。媒体Ｆの構成は媒体Ａ、媒体Ｄの構成と基本的には同一であり、記録補助層３を遷移金属磁化優勢の磁性膜とし、キュリー温度Ｔｃｓをキュリー温度Ｔｃｍより高くしたことが媒体Ａ、媒体Ｄと異なる。例えば、キュリー温度Ｔｃｓは３５０℃であり、キュリー温度Ｔｃｍは３００℃とする。記録層８は、媒体Ａ、媒体Ｄと同様に遷移金属磁化優勢の磁性膜とする。媒体Ｆにおいて、その他の成膜方法、成膜条件、厚さ等は媒体Ａ、媒体Ｄと同一とする。
なお、記録層８を希土類優勢磁化の磁性膜とした場合に、記録補助層３を希土類優勢磁化の磁性膜とし、記録補助層３のキュリー温度Ｔｃｓを記録層８のキュリー温度Ｔｃｍより高くすることによっても、記録時の磁区（マーク）のシフトを低減することができる。
マーク長Ｌｍが長い場合（同図ａ）の記録時において、記録層８の領域（マーク境界）８ａ１、８ａ２に矢符で示す磁化が存在する場合を示す。また、記録補助層３には、領域８ａ１、８ａ２に対応して領域３ａ１、３ａ２が存在する。領域８ｂ１はキュリー温度Ｔｃｍ以上となることから磁化が消滅している状態を示し、これに対応して領域３ｂ１の磁化も消滅している。なお、記録層８の各領域の境界と記録補助層３の各領域の境界は、キュリー温度Ｔｃｓとキュリー温度Ｔｃｍとが異なることから、キュリー温度の差に応じてずれを生じる。
この状態で、記録補助層３が無いとすれば、領域８ｂ１にマークを記録しようとした場合に、磁気ヘッド（不図示）から加える記録磁界が反磁界Ｈｍｒａにより打ち消されることから、記録磁場不足となり、記録マークの位置（領域８ｂ１）がシフトする。しかし、ここでは、領域８ａ２に対応する領域３ａ２が存在するので、領域３ａ２による磁界Ｈｓｓａが反磁界Ｈｍｒａを打ち消すように働き、記録マークの位置のシフトを防止できる。
マーク長Ｌｍが短い場合（同図ｂ）の記録時において、記録層８の領域（マーク境界）８ａ３、８ａ４、８ａ５、８ａ６に矢符で示す磁化が存在する場合を示す。また、記録補助層３には、領域８ａ３、８ａ４、８ａ５、８ａ６に対応して領域３ａ３、３ａ４、３ａ５、３ａ６が存在する。領域８ｂ２はキュリー温度Ｔｃｍ以上となることから磁化が消滅している状態を示し、これに対応して領域３ｂ２の磁化も消滅している。
この状態で、記録補助層３が無いとすれば、領域８ａ６の磁化により生じる反磁界Ｈｍｒｂにより、領域８ｂ２の境界部分は磁化され、記録マークの位置がシフトする。しかし、ここでは、領域８ａ６に対応する領域３ａ６が存在することから、領域３ａ６による磁界Ｈｓｓｂが反磁界Ｈｍｒｂを打ち消すように働き、記録マークの位置のシフトを防止できる。
キュリー温度Ｔｃｍとキュリー温度Ｔｃｓとの差を適宜調整すれば、マーク長Ｌｍが長い場合の反磁界Ｈｍｒａに応じた磁界Ｈｓｓａが生じるようにでき、マーク長Ｌｍが短い場合の反磁界Ｈｍｒｂに応じた磁界Ｈｓｓｂが生じるようにすることができる。つまり、マーク長Ｌｍの長短いずれの場合においても、記録層８による反磁界の影響を低減でき、マークのシフトを防止できる。
なお、再生時には、核形成層５により記録補助層３と記録層８とは磁気的に分断されるから、記録補助層３の磁化状態が再生されることはない。
媒体Ｆの場合のように、記録補助層３の組成を記録層８と同一の磁化優勢の磁性膜として、キュリー温度Ｔｃｍとキュリー温度Ｔｃｓとの差を調整する方法においては、記録層８の反磁界を打ち消すための記録補助層３による磁化の大きさを微調整することは困難である。
第１６図は、本発明の第２実施の形態に係る光磁気記録媒体（媒体Ｇ）における記録補助層の作用を説明する模式図である。記録補助層３の記録分解能を悪くすることにより、記録層８の反磁界を打ち消すための記録補助層３による磁化の大きさを微調整することが可能となる。このような記録補助層３の記録分解能を悪くした媒体を媒体Ｇとする。記録補助層３の記録分解能は、記録補助層３の成膜条件のガス圧を変更することにより、制御が可能であるから比較的調整が容易である。媒体Ｇは、媒体Ｆと同一の構成とし、記録補助層３の成膜条件のガス圧を媒体Ｆ（媒体Ｄ、媒体Ａ）の場合の０．５Ｐａから、１．５Ｐａへと大きくした。
第１６図は、第１５図（ａ）と同一の状態を示す。記録層８は媒体Ｆと同一であり、領域８ａ１、８ａ２、８ｂ１の境界は、表面８ｓ側から見た場合を示す。また、第１５図（ａ）の領域８ａ１、８ａ２の磁化の方向を表面８ｓ側から見て、各々ＡＭ１、ＡＭ２として示す。領域３ａ１、３ａ２、３ｂ１の境界は、表面３ｓ側から見た場合を示す。縦の曲線は各領域の境界が相互に入り組んで、記録補助層３の記録分解能が悪くなっていることを示す。また、第１５図（ａ）の領域３ａ１、３ａ２の磁化の方向を表面３ｓ側から見て、各々ＡＭ３、ＡＭ４として示す。
第１７図は、媒体Ｃ、Ｆ、Ｇのマーク長−ジッタ特性を示すグラフである。横軸にマーク長（単位：ｄＢ）、縦軸にランダムジッタ（単位：％）を示す。記録補助層３のキュリー温度Ｔｃｓを記録層８のキュリー温度Ｔｃｍより高くした媒体Ｆ、記録補助層３の記録分解能を悪くした媒体Ｇにおいても、記録補助層３の作用により、各マーク長においてランダムジッタが改善されている。
（第３実施の形態）
第１８図は、本発明の第３実施の形態に係るＲＡＤ方式光磁気記録媒体（媒体Ｈ）の積層構造を示す模式図である。なお、ＲＡＤはＲｅａｒ  Ａｐｅｒｔｕｒｅ  Ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ  Ｒｅｓｏｌｕｔｉｏｎのことであり、この種の技術を開示した文献として特開平４−２７１０３９号公報がある。
媒体Ｈは、基板１の上に、反射層２、記録補助層３、核形成下地層４、第１核形成層５、第２核形成層６、記録層８、中間層９、再生層１２、保護層１３及びコート層１４が、この順に形成された積層構造である。つまり、従来のＲＡＤ方式光磁気記録媒体に対して、記録補助層３、核形成下地層４、第１核形成層５、第２核形成層６を追加した構成である。媒体Ａ（第４図）の構成に中間層９、再生層１２を追加した構成であり、フロントイルミネーション方式に対応していることは、第４図等と同様であり、詳細な説明は省略する。
媒体Ｈの各層構成は、基本的には媒体Ａと同一であり、詳細は省略する。主要構成は次のとおりである。
記録補助層３：ＧｄＦｅＣｏ（Ｇｄ２５：Ｆｅ４９：Ｃｏ２６）希土類磁化優勢磁性膜（記録層８が遷移金属磁化優勢であるから、希土類磁化優勢とする。）
核形成下地層４：ＳｉＮ膜、厚さ０．５ｎｍ
第１核形成層５：Ｃｒ膜、厚さ０．５ｎｍ
第２核形成層６：Ｃ膜、厚さ０．５ｎｍ
記録層８：ＴｂＦｅＣｏ（Ｔｂ２２：Ｆｅ６０：Ｃｏ１８）遷移金属磁化優勢磁性膜
中間層９：ＧｄＦｅＣｏＳｉ（Ｇｄ３０：Ｆｅ６０：Ｃｏ２：Ｓｉ８）磁性膜
再生層１２：ＧｄＦｅＣｏ（Ｇｄ２４：Ｆｅ６３：Ｃｏ１３）磁性膜
媒体Ｈの各層成膜条件は、基本的には媒体Ａと同一であり、以下の点が異なる。この条件は装置等によっても変動するものであり、これに限定されるものではなく、適宜必要に応じて変更可能なものである。
中間層９：ＧｄＦｅＣｏの合金ターゲットにＳｉチップを載せてスパッタ成膜。ガス圧は０．５４Ｐａ、投入電力は５００Ｗ。
再生層１２：ＧｄＦｅＣｏの合金ターゲットのスパッタ成膜。ガス圧は０．８６Ｐａ、投入電力は８００Ｗ。
第１９図は、従来のＲＡＤ方式光磁気記録媒体（媒体Ｉ）の積層構造を示す模式図である。媒体Ｉは、媒体Ｈから記録補助層３、核形成下地層４、第１核形成層５、第２核形成層６を除外した構成であり、成膜条件等は、媒体Ｈと同一である。
媒体Ｈにおいては、記録層８が遷移金属磁化優勢の磁性膜であることから、記録補助層３を希土類磁化優勢の磁性膜としたが、記録補助層３を遷移金属磁化優勢の磁性膜としても、記録時のマークのシフトを低減する効果がある。この理由は、第１５図において説明したとおりである。記録補助層３を記録層８と同様に遷移金属磁化優勢の磁性膜とした媒体を媒体Ｊとする。なお、記録補助層３のキュリー温度Ｔｃｓは３５０℃とし、記録層３のキュリー温度Ｔｃｍ３００℃より高くしている。
また、媒体Ｈにおいては、記録補助層３を形成する時のガス圧は０．５Ｐａであるが、媒体Ｊにおいては、記録補助層３を形成する時のガス圧は１．０Ｐａとして媒体Ｈにおける場合より高くした。このガス圧は、ランダムジッタが最小になるように適宜選定して決定する。これにより、記録補助層３の分解能が低下し、記録マークのシフトが低減できることは、第１６図において説明したとおりである。
第２０図は、媒体Ｈ、Ｉ、Ｊの特性を比較する図表である。媒体Ｈ、Ｉ、Ｊについて、記録層保磁力Ｈｃ（ｋＯｅ）、マーク長が０．２０μｍ、０．１５μｍに対するＣＮＲ（ｄＢ）、ランダムジッタ（％）を示す。媒体Ｉに対し媒体Ｈ、Ｊは記録層保磁力Ｈｃ、ＣＮＲ、ランダムジッタいずれの特性においても改善されている。つまり、第１核形成層５、第２核形成層６の効果により、記録層保磁力Ｈｃが増加し、短マーク記録時のＣＮＲが大きく改善されている。また、記録補助層３の効果により、記録磁場が低減し、短マークでのランダムジッタが大きく改善されている。
媒体Ｈと媒体Ｊとを比較すると、媒体Ｊの記録補助層３を変更（改善）したことから、媒体Ｊのランダムジッタはさらに改善されている。
（第４実施の形態）
第２１図は、本発明の第４実施の形態に係るＤＷＤＤ方式光磁気記録媒体（媒体Ｋ）の積層構造を示す模式図である。第２２図は、従来のＤＷＤＤ方式光磁気記録媒体（媒体Ｌ）の積層構造を示す模式図である。なお、ＤＷＤＤはＤｏｍａｉｎ  Ｗａｌｌ  Ｄｉｓｐｌａｃｅｍｅｎｔ  Ｄｅｔｅｃｔｉｏｎのことであり、この種の技術を開示した文献として特開平１−１４３０４１号公報がある。また、媒体Ｌは従来のＤＷＤＤをフロントイルミネーション方式に対応させたものである。
媒体Ｋは、基板１の上に、反射層２、記録補助層３、核形成下地層４、第１核形成層５、第２核形成層６、記録層８、スイッチング層１０、コントロール層１１、再生層１２、保護層１３及びコート層１４が、この順に形成された積層構造である。媒体Ｌは、基板１の上に、反射層２、誘電体層７、記録層８、スイッチング層１０、コントロール層１１、再生層１２、保護層１３及びコート層１４が、この順に形成された積層構造である。媒体Ｋの核形成下地層４は媒体Ｌの誘電体層７に対応するから、媒体Ｋは、従来のＤＷＤＤ方式光磁気記録媒体（媒体Ｌ）に対して、記録補助層３、第１核形成層５、第２核形成層６を追加した構成であり、フロントイルミネーション方式に対応していることは、第１８図等と同様であり、詳細な説明は省略する。
媒体Ｋの各層構成は、基本的には媒体Ａ、Ｈと同一であり、詳細は省略する。主要構成は次のとおりである。
記録補助層３：ＧｄＦｅＣｏ（Ｇｄ２３：Ｆｅ５１：Ｃｏ２６）磁性膜。記録層８が希土類磁化優勢の磁性膜であるから、遷移金属磁化優勢の磁性膜とする。
核形成下地層４：ＳｉＮ膜、厚さ０．５ｎｍ
第１核形成層５：Ｃｒ膜、厚さ０．５ｎｍ
第２核形成層６：Ｃ膜、厚さ０．５ｎｍ
記録層８：ＴｂＦｅＣｏ（Ｔｂ２４：Ｆｅ５６：Ｃｏ２０）磁性膜
スイッチング層１０：ＴｂＦｅＣｏ（Ｔｂ１８：Ｆｅ８０：Ｃｏ２）磁性膜
コントロール層１１：ＴｂＦｅＣｏ（Ｔｂ１９：Ｆｅ７４：Ｃｏ７）磁性膜
再生層１２：ＧｄＦｅＣｏ（Ｇｄ２５：Ｆｅ６５：Ｃｏ１０）磁性膜
媒体Ｋの各層成膜条件は、基本的には媒体Ａ、Ｈと同一であり、以下の点が異なる。この条件は装置等によっても変動するものであり、これに限定されるものではなく、適宜必要に応じて変更可能なものである。
スイッチング層１０：ＴｂＦｅの合金ターゲットにＣｏチップを載せてスパッタ成膜。ガス圧は０．５Ｐａ、投入電力は５００Ｗ。
コントロール層１１：ＴｂＦｅＣｏの合金ターゲットのスパッタ成膜。ガス圧は０．８Ｐａ、投入電力は８００Ｗ。
媒体Ｌの成膜条件等は、媒体Ｋと同一である。
なお、媒体Ｌにおいては、反射層２と記録層８との間に誘電体層７を形成している。誘電体層７により放熱性をさらに制御できるから、より良好なマークが記録される。媒体Ｋの核形成下地層４は、この放熱性の制御に加え、核５ａ、６ａの形成が適切にできるように表面張力の調整をすることは、既述したとおりである。
媒体Ｋにおいては、記録層８が希土類磁化優勢の磁性膜であることから、記録補助層３を遷移金属磁化優勢の磁性膜としたが、記録補助層３を希土類磁化優勢の磁性膜としても、記録時のマークのシフトを低減する効果がある。この理由は、第１５図において説明したとおりである。記録補助層３を記録層８と同様に希土類磁化優勢の磁性膜とした媒体を媒体Ｍとする。なお、記録補助層３のキュリー温度Ｔｃｓは３５０℃とし、記録層３のキュリー温度Ｔｃｍ３００℃より高くしている。
また、媒体Ｋにおいては、記録補助層３を形成する時のガス圧は０．５Ｐａであるが、媒体Ｍにおいては、記録補助層３を形成する時のガス圧は１．０Ｐａとして媒体Ｋにおける場合より高くした。これにより、記録補助層３の分解能が低下し、記録マークのシフトが低減できることは、第１６図において説明したとおりである。
第２３図は、媒体Ｋ、Ｌ、Ｍの特性を比較する図表である。媒体Ｌ、Ｋ、Ｍについて、記録層保磁力Ｈｃ（ｋＯｅ）、マーク長が０．１２μｍ、０．１０μｍに対するＣＮＲ（ｄＢ）、マーク長が０．１５μｍ、０．１０μｍに対するランダムジッタ（％）を示す。媒体Ｌに対し媒体Ｋ、Ｍは記録層保磁力Ｈｃ、ＣＮＲ、ランダムジッタいずれの特性においても改善されている。つまり、第１核形成層５、第２核形成層６の効果により、記録層保磁力Ｈｃが増加し、短マーク記録時のＣＮＲが改善されている。また、記録補助層３の効果により、記録磁場が低減し、短マークでのランダムジッタが大きく改善されている。
媒体Ｋと媒体Ｍとを比較すると、媒体Ｍの記録補助層３を変更（改善）したことから、媒体Ｍのランダムジッタはさらに改善されている。
（第５実施の形態）
第２４図は、本発明の第５実施の形態に係る相変化方式光記録媒体（媒体Ｎ）の積層構造を示す模式図である。フロントイルミネーション方式に対応していることは、第４図等と同様であり、詳細な説明は省略する。なお、構成を逆順に成膜して積層構造とし、基板越しに記録する従来方式の光記録媒体に対しても、本発明を適用することは可能である。
媒体Ｎは、基板１の上に、反射層２、核形成下地層４、第１核形成層５、第２核形成層６、記録層８、保護層１３及びコート層１４が、この順に形成された積層構造である。
媒体Ｎの各層構成は、基本的には媒体Ａと同一であり、異なるのは、記録層３のみである。記録層８の構成及び成膜条件等は次のとおりである。
記録層８：ＧｅＳｂＴｅ（Ｇｅ７０：Ｓｂ２１：Ｔｅ：９）の相変化膜。ここで形成した相変化膜は、例えば、結晶状態とアモルファス状態とにおける反射率が異なる膜である。所定組成の合金ターゲットのスパッタ成膜。ガス（Ａｒ）圧は０．５Ｐａ、投入電力は５００Ｗ。
媒体Ｎと特性を比較するために、従来の構造をした光記録媒体（以下、媒体Ｐという）を作成した。媒体Ｐは、第１図の光磁気記録媒体と同様な構成であり、媒体Ｎから核形成下地層４、第１核形成層５、第２核形成層６を除外した構成である。なお、他の媒体と同様にフロントイルミネーション方式である。
第２５図は、媒体Ｎ、Ｐの特性を比較する図表である。媒体Ｎにおいては、核形成層（第１核形成層５、第２核形成層６）を形成したことにより、特に短マーク長においてランダムジッタが大幅に改善されている。
（第６実施の形態）
第２６図は、本発明の第６実施の形態に係る情報記録／再生装置の概略を示すブロック図である。情報記録／再生装置として、光磁気記録再生装置３０を用いた場合を説明するが、光記録／再生装置についても同様に適用可能である。
スピンドルモータ３１により、本発明に係る光磁気記録媒体３２（以下、媒体３２という）を所定の回転速度で回転させる。媒体３２に対し、レーザダイオード３３からレーザ光を照射する。レーザ光はコリメートレンズ３４により平行光とされ、ビームスプリッタ３５を通過し、対物レンズ３６により集光され、媒体３２の記録膜上に焦点を結ぶように制御される。レーザダイオード３３は、レーザ駆動手段３７におけるパルス変調手段（図示省略）により高レベルの光出力と低レベルの光出力がでるように調整される。
情報の記録時においては、レーザ光は記録すべき情報に従ってパルス変調手段によりパルス状に変調されて、媒体３２に照射される。そして、記録用に制御されたレーザ光の照射により媒体３２の表面部に形成したレーザスポットの近辺にはバイアス磁界印加手段３９により、例えば、図面上、上向き方向で、所定の大きさの直流磁界を印加することにより情報を記録できる。なお、バイアス磁界印加手段３９は、コントローラ３８により制御される。
情報の消去時においては、消去用に制御されたレーザ光の照射により媒体３２の表面部に形成したレーザスポットの近辺に、例えば、図面上、下向き方向の磁界を印加することにより、情報を消去できる。
再生時においては、コントローラ３８によりレーザ駆動手段３７を介してレーザダイオード３３を直流的に駆動してレーザ光を照射し、記録時と同方向の再生磁界を印加する。再生用に制御されたレーザ光の照射により媒体３２の表面部に温度分布が生じる。この温度分布により、マスク領域と開口領域が形成され、開口領域から反射光が得られる。反射光は、ビームスプリッタ３５により光路を変更されレンズ４０に導かれる。レンズ４０は反射光を集光して光検出器４１へ導く。集光された反射光を光検出器４１により検出し、コントローラ３８により信号処理をすることにより、記録された情報を良好なＣＮＲをもって再生できる。
なお、フロントイルミネーション方式の場合には、バイアス磁界印加手段３９は、媒体３２と対物レンズ３６との間に配置され、レーザスポットは媒体３２の表面に焦点が合わせられる。
（第７実施の形態）
第２７図は、本発明の第７実施の形態に係る磁気記録装置の概略を示す図である。
スピンドル５１により本発明に係る記録媒体（磁気記録媒体）５２を所定の回転速度で回転させる。記録媒体５２の表面に形成された記録層６８に対し、レーザダイオード５３からレーザ光を照射する。レーザ光はコリメートレンズ５４により平行光とされ、ビームスプリッタ５５を通過し、光学ヘッドスライダ５８に搭載された対物レンズ５６により集光され、記録層６８に焦点を結ぶように制御される。レーザダイオード５３は、レーザ駆動回路６３によりパルス変調され高レベルの光出力と低レベルの光出力が可能となっている。
情報の記録時においては、レーザ光は記録すべき情報に従ってレーザ駆動回路６３によりパルス状に変調されて、記録層６８に照射される。そして、記録用に制御されたレーザ光の照射により記録層６８の表面に形成したレーザスポットの近辺には記録用コイル５９により、図面上、上向き方向で、所定の大きさの直流磁界を印加することにより上向きの磁界の情報を、また、下向き方向の磁界を印加することにより下向きの磁界の情報を磁区として記録できる。記録用コイル５９を記録層６８に近接させることで記録用コイル５９を極めて小さく構成することが可能となる。記録用コイル５９を十分に小さくすることで磁界変調記録が可能となる。なお、記録用コイル５９は、記録用コイル駆動回路６７により制御される。光学ヘッドスライダ５８、記録用コイル５９などが光磁気記録部を構成する。
また、記録層で反射した光はビームスプリッタ５５により、図中右側へ光路を変更され光検出器６４により電気信号に変換されフォーカス信号検出回路６５にて、フォーカス方向が検出される。フォーカス信号検出回路６５にて検出されたフォーカス方向によってフォーカス用コイル駆動回路６６が制御され、フォーカス用コイル５７にフォーカス電流が流れ、対物レンズ５６を図中上下に動作させて、レーザスポットが記録層６８に集光するよう制御される。
一方、再生時においては、磁気ヘッドスライダ６１に搭載された磁束を検出する素子である磁気再生素子６０により磁区の変化を検出（磁区の磁束を検出）し、再生素子駆動検出回路６２により、高密度に記録された情報を良好なＣＮＲをもって再生できる。磁気再生素子６０、磁気ヘッドスライダ６１などが磁気再生部を構成する。
本発明の第７実施の形態に係る記録媒体（磁気記録媒体）５２の構成は次の通りである。基板の上に熱拡散層、核形成層（記録層側の表面に凹凸を有する）、記録層（垂直磁気異方性を有する）、保護層、及び潤滑層が形成されている。ここで、熱拡散層は照射した光によって発生する熱を調整するものであることから、第６実施の形態で説明した反射層と基本的にはほぼ同じ役割を担っている。
次にこの記録媒体５２の作製方法を説明する。
基板には、フラットなガラス基板を用い、ディスク径２．５インチとした。熱拡散層には、金属あるいは合金系材料を用いることができ、ここでは、ＡｌＳｉ（Ａｌ６０：Ｓｉ４０）組成で、膜厚は４０ｎｍである。その上に核形成層を形成した。核形成層は２層構成として、まず、ＲｕＯを１ｎｍ形成して、次にＡｇを１ｎｍ形成した。記録層は単層膜として、ＴｂＦｅＣｏ（Ｔｂ２１：Ｆｅ４０：Ｃｏ３９）を２５ｎｍ形成した。保護層には、ＳｉＮを３ｎｍ、Ｃｒを１ｎｍ、Ｃを１ｎｍ形成した。これらの層は、通常のマグネトロンスパッタ法で形成した。また、各層はそれぞれの材料のターゲットを用いて、スパッタガスにはＡｒを用いた。なお、ＲｕＯの形成は、Ｒｕターゲットを用い、Ａｒと酸素（Ｏ２）の混合ガスで反応性スパッタによって形成した。ＳｉＮの形成も、Ｓｉターゲットを用い、Ａｒと窒素（Ｎ２）の混合ガスで反応性スパッタによって形成した。このようにして作製した記録媒体５２の表面に潤滑材を塗布した。潤滑材としては、フッ素系樹脂を用いて、スピンコート法によって塗布した。この潤滑材の膜厚は１ｎｍ以下である。
このようにして形成された記録媒体５２の温度に対する保磁力の変化と飽和磁化の一例を第２８図に示す。室温における保磁力は１０ｋＯｅ以上あるが、昇温すると図中実線で示すとおり、室温で１０ｋＯｅ以上ある保磁力は小さくなりおおよそ３５０℃で０となる。光学用スライダ５８に搭載された記録用コイル５９で発生した記録磁界により記録可能な保磁力となる温度まで加熱すれば、記録することが可能となる。
また、この記録媒体５２の室温における飽和磁化の値は図中点線で示すように１００ｅｍｕ／ｃｃ以上あるので、記録されたマークからの磁束を通常の磁気抵抗素子によって再生することが可能である。
第２７図を用いて情報記録／再生方法について説明する。記録は光の照射により記録媒体５２を昇温して記録層の保磁力を下げた状態で磁界を印加することにより記録（磁区を記録）する。その後、記録された磁区からの漏洩磁束を検出することで、信号を再生する。
まず、原理実験を確認する為に、小さな空芯コイル（記録用コイル５９）を浮上スライダ（光学ヘッドスライダ５８）に形成して、空芯部分から光を入射させた。光を照射することで、記録媒体５２の保磁力は低下するので、その状態で空芯コイルに電流を流して磁界を発生させる。この磁界は、記録したい磁区のサイズに合わせて磁束の方向を上向きと下向きに変える。磁束検出するために、磁気再生ヘッド（磁気ヘッドスライダ６１）を用いた。磁気再生ヘッドはスライダに磁気抵抗素子（磁気再生素子６０）が取り付けられたものである。
第２９図は本発明の磁気記録媒体のレーザ記録パワーに対するＣＮＲの変化を示す。ここで、記録磁界は４００エルステッドとした。また、記録したマークのサイズは５０ｎｍである。使用した磁気再生ヘッドの再生コア幅は０．２μｍ、シールドギャップ長は０．０９μｍである。記録用レーザの波長は４０５ｎｍ、対物レンズの開口数ＮＡは０．８５である。
第２９図の実線で示すようにレーザ記録パワーを１５ｍＷにすることで、再生特性はほぼ飽和している。磁気再生することで、このような微小なマークでも再生可能となり、熱磁気記録したものを光で再生するよりは、再生特性が非常に改善されていることが分かる。
（第８実施の形態）
第７実施の形態では、熱拡散層としてＡｌＳｉ膜を用いた。しかし、実際には、ここに軟磁性膜を用いてもよい。その理由は、金属や合金の熱伝導率は材料によって異なるが、誘電体に比べてその値ははるかに大きいからである。また、軟磁性膜を用いることで記録用コイルの磁界が記録膜に集中するので、大きな磁界を得ることができる。この例を説明する。なお、媒体や測定系は、第７実施の形態とほぼ同じである。
ここでは軟磁性膜としてＣｏＺｒＮｂ、ＦｅＣＳｉ、ＮｉＦｅを用い、膜厚を８０ｎｍとした。これらの記録媒体（磁気記録媒体）のレーザ記録パワーに対するＣＮＲの変化を第２９図に点線で示す。軟磁性膜の熱伝導率がＡｌＳｉより小さいために、低パワーで記録できることが分かる。更に、ＣＮＲはＡｌＳｉと同程度であるか若干の増大が見込まれる。これは、媒体上の磁界を大きくできたことによる効果が大きい。
（第９実施の形態）
第３０図は、本発明の磁気記録装置の記録／再生に用いられる一体型ヘッドを示す構成図である。光学系（レーザ光照射部：光開口部７４、導波路７５、光導入口８１などで構成）と記録用コイル７９と磁気再生素子（磁気抵抗素子７７）を一体化した一体型ヘッド７１Ｈを一つのスライダ７０に搭載した形態を示す。光学系は、導波路タイプを使用した。記録用コイル７９は、記録媒体（磁気記録媒体）に照射する光が出射される光開口部７４より後ろ側に形成した。この理由は、記録媒体が高速に回転していると、実際に温度が上昇する箇所はスポット位置より後ろ側にずれるからである。磁束を検出する磁気抵抗素子７７は、光開口部７４と記録用コイル７９の間に形成した。
同図（Ａ）は、スライダ７０を構成するスライダ基板７１の端部に一体型ヘッド７１Ｈを搭載した状態を示す。
同図（Ｂ）は同図（Ａ）の矢符Ｂ方向から見た図である。つまり、スライダ面（記録媒体に対向する面）から見た図である。スライダ基板７１にはＡｌＴｉＣを用いた。スライダ基板７１は一枚のウエーハから切り出した状態を示している。スライダ基板７１の表面に下地用に平坦化層７２の一部を形成した。その後、光シールド部７３に使用するＡｕを蒸着する。この膜厚は１００ｎｍである。ホトリソグラフィ技術（レジストとエッチングとを用いるプロセス）で、光シールド部７３の下部面をパターニング形成する。その上に光開口部７４に対応する部分とその他の不要な部分とをレジストでマスクしてＡｕを蒸着する。その後、リフトオフ法などによりレジストを除去して光開口部７４と光シールド部７３を形成した。このようにして形成した光開口部７４の大きさは図中の幅方向が１００ｎｍ、高さ方向が６０ｎｍで、光シールド部７３は導波路７５に対して５０ｎｍ厚である。
光シールド部７３の上にアルミナをスパッタ法で形成して、平面になるように研磨して平坦化層７２を形成した。平坦化層７２の上に厚み２００ｎｍのパーマロイ（第１のシールド層７６）を形成した後、ホトリソグラフィ技術でパターニングしながら磁束を検出する素子としての磁気抵抗素子７７を形成した。その上に２００ｎｍのＦｅＣｏ（第２のシールド層７８）を形成した。さらに１μｍのレジストを形成し、更にその上に記録用コイル７９および記録用磁極８０を形成した。記録用磁極８０のサイズは、幅＝１００ｎｍ、高さ＝５０ｎｍとした。記録用コイル７９および記録用磁極８０は記録媒体に磁界を印加する素子となる。
同図（Ｃ）は同図（Ａ）の矢符Ｃ方向から見た図である。つまり、一体型ヘッド７１Ｈの側面図を示す。同図（Ｂ）では表し難かった記録用コイル７９を示している。ここで、第２のシールド層７８と記録用磁極８０は上下方向（（Ｂ）での上下方向。（Ｃ）では紙面手前から紙面背面側方向）にＦｅＣｏでつながっており、磁路に空隙はない。なお、光導入口８１はスライダ７０の外部から光ファイバなどを介してレーザ光を導光し、光開口部７４から記録媒体へ光を照射（印加）することができる。
このようにして試作した一体型ヘッド７１Ｈで記録／再生特性を調べた。第３１図は本発明の磁気記録媒体の記録電流に対するＣＮＲ特性を示すグラフである。測定したマーク長は５０ｎｍである。ここでは、記録媒体（磁気記録媒体）として、熱拡散層に軟磁性膜を用いたものを利用している。その方が記録用磁極（８０）から出た磁束が軟磁性膜を通って第２のシールド層（７８）に帰っていくことから、記録しようとする磁区に対する磁界が大きくなる。
上述の構成によれば、低いレーザ記録パワーでも記録可能となる。記録の際の記録電流Ｉｗ（記録用コイルに流す電流）は２０ｍＡとした。また、磁気抵抗素子（７７）に流すセンス電流Ｉｓは３ｍＡとした。これらは、通常の磁気記録に用いられる値程度である。
図中実線は、熱拡散層に非磁性層を用いた場合のＣＮＲ特性を表し、点線は、熱拡散層に軟磁性膜を用いた場合のＣＮＲ特性を表している。図から明らかなように熱拡散層に軟磁性膜を用いた方が少ない記録電流により高いＣＮＲ特性を有する。
（第１０実施の形態）
第３２図は、本発明に用いる磁気記録媒体の下地層構造に対するＣＮＲ特性を示す図表である。ここでは、下地層（核形成層）の効果を確認するために下地層を種々変更した記録媒体（磁気記録媒体）を作製して、特性評価を行った。基本的な作製方法は上述した通りであるが、次の構成のサンプルを作製した。
基板／熱拡散層（軟磁性膜：１００ｎｍ）／下地層（核形成層）／記録層（２０ｎｍ）／保護層（５ｎｍ）
記録層には、ＴｂＦｅＣｏ（Ｔｂ１９：Ｆｅ５０：Ｃｏ３１）を用いた。下地層には、ＳｉＮだけを利用したもの、その他本発明の特徴として請求の範囲に記載した材料の一例を利用したものなどを調べた。第３２図にサンプル３０〜４０として示す。
記録／再生をするヘッドとしては、第９実施の形態の一体型ヘッドを用いた。記録／再生の評価には５０ｎｍのマーク長（ＭＬ）に対するＣＮＲを調べた。第３２図にその結果を示す。なお下地層材料で構成が２層になっているものは、左側が熱拡散層に近い層である。この結果から、明からに下地層に核形成層を利用することが有効であることが分かった。なお、記録電流は記録用コイルに流す電流である。
産業上の利用可能性
本発明の光記録媒体、光磁気記録媒体は、ランダムジッタ特性、ＣＮＲが良く、記録磁場も小さくできることから、高密度化が可能な情報記録媒体を提供できる。
本発明の情報記録／再生装置、情報記録／再生方法及び磁気記録装置は、高密度な情報記録媒体の記録／再生が可能な情報記録／再生装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
第１図は、従来のフロントイルミネーション方式光磁気記録媒体の積層構造を示す模式図である。
第２図は、本発明に係る光磁気記録媒体の概略的な積層構造を示す模式図である。
第３図  （ａ）、（ｂ）は、反射層の表面形状状態を示す模式図である。
第４図は、本発明の第１実施の形態に係る光磁気記録媒体（媒体Ａ）の積層構造を示す模式図である。
第５図は、従来の光磁気記録媒体（媒体Ｃ）の積層構造を示す模式図である。
第６図は、媒体Ａ、Ｂ、ＣのＨｗ−ＣＮＲ特性を示すグラフである。
第７図は、媒体Ａ、Ｂ、Ｃの特性を比較する図表である。
第８図は、媒体Ａ、Ｃのマーク長−ジッタ特性を示すグラフである。
第９図  （ａ）、（ｂ）は、積層構造における表面張力と表面形状の関係を説明する模式図である。
第１０図は、元素等の表面張力を示す図表である。
第１１図は、核形成層材料による表面張力、表面荒さ、表面粒径周期、記録層保磁力等の特性を示す図表である。
第１２図は、核形成層を積層した場合の特性を示す図表である。
第１３図は、媒体Ｄから記録補助層を除外した光磁気記録媒体（媒体Ｅ）の積層構造を示す模式図である。
第１４図は、媒体Ｄ、ＥのＨｗ−ＣＮＲ特性を示すグラフである。
第１５図（ａ）、（ｂ）は、本発明の第２実施の形態に係る光磁気記録媒体（媒体Ｆ）における記録補助層の作用を説明する模式図である。
第１６図は、本発明の第２実施の形態に係る光磁気記録媒体（媒体Ｇ）における記録補助層の作用を説明する模式図である。
第１７図は、媒体Ｄ、Ｆ、Ｇのマーク長−ジッタ特性を示すグラフである。
第１８図は、本発明の第３実施の形態に係るＲＡＤ方式光磁気記録媒体（媒体Ｈ）の積層構造を示す模式図である。
第１９図は、従来のＲＡＤ方式光磁気記録媒体（媒体Ｉ）の積層構造を示す模式図である。
第２０図は、媒体Ｈ、Ｉ、Ｊの特性を比較する図表である。
第２１図は、本発明の第４実施の形態に係るＤＷＤＤ方式光磁気記録媒体（媒体Ｋ）の積層構造を示す模式図である。
第２２図は、従来のＤＷＤＤ方式光磁気記録媒体（媒体Ｌ）の積層構造を示す模式図である。
第２３図は、媒体Ｋ、Ｌ、Ｍの特性を比較する図表である。
第２４図は、本発明の第５実施の形態に係る相変化方式光記録媒体（媒体Ｎ）の積層構造を示す模式図である。
第２５図は、媒体Ｎ、Ｐの特性を比較する図表である。
第２６図は、本発明の第６実施の形態に係る情報記録／再生装置の概略を示すブロック図である。
第２７図は、本発明の第７実施の形態に係る磁気記録装置の概略を示す図である。
第２８図は、本発明の磁気記録媒体の保磁力と飽和磁化の温度変化を説明する図である。
第２９図は、本発明の磁気記録媒体のレーザ記録パワーに対するＣＮＲ特性を示すグラフである。
第３０図は、本発明の磁気記録装置に用いられる一体型ヘッドを示す図である。
第３１図は、本発明の磁気記録媒体の記録電流に対するＣＮＲ特性を示すグラフである。
第３２図は、本発明の磁気記録媒体の下地層構造に対するＣＮＲ特性を示す図表である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【手続補正書】
【提出日】平成16年5月27日(2004.5.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に反射層及び記録層がこの順に形成され、該記録層側から光を照射して情報の記録／再生を行う光記録媒体であって、表面に凹凸を有する核形成層を前記反射層と記録層との間に備えることを特徴とする光記録媒体。
【請求項２】
前記核形成層は、Ｗ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｐｔ、Ｔｉ、Ｐ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｇ、Ｓｉ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｎｄ、及びＰｄからなる群から選択した１又は２以上の元素を含む材料で形成されることを特徴とする請求項１記載の光記録媒体。
【請求項３】
前記核形成層は複数層形成してあり、記録層側に形成した核形成層の表面張力は反射層側に形成した核形成層の表面張力より強いことを特徴とする請求項１又は２記載の光記録媒体。
【請求項４】
基板上に反射層及び垂直磁気異方性を有する記録層がこの順に形成され、記録層側から光を照射して情報の記録／再生を行う光磁気記録媒体であって、表面に凹凸を有する核形成層を前記反射層と記録層との間に備えることを特徴とする光磁気記録媒体。
【請求項５】
前記核形成層は、Ｗ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｐｔ、Ｔｉ、Ｐ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｇ、Ｓｉ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｎｄ、及びＰｄからなる群から選択した１又は２以上の元素を含む材料で形成されることを特徴とする請求項４記載の光磁気記録媒体。
【請求項６】
前記記録層の磁化により生じる反磁界を打ち消すために、前記反射層と核形成層との間に垂直磁気異方性を有する記録補助層を備えることを特徴とする請求項４又は５記載の光磁気記録媒体。
【請求項７】
請求項１又は２記載の光記録媒体又は請求項４又は５記載の光磁気記録媒体のいずれかを用いて情報の記録／再生を行う情報記録／再生装置。
【請求項８】
基板上に熱拡散層及び垂直磁気異方性を有する記録層がこの順に形成され、前記熱拡散層及び記録層の間に形成され表面に凹凸を有する核形成層を備える磁気記録媒体を用いた情報記録／再生方法であって、前記磁気記録媒体へ光及び磁界を印加して情報の光磁気記録を行い、前記記録層側から磁束を検出して情報の磁気再生を行うことを特徴とする情報記録／再生方法。
【請求項９】
基板上に熱拡散層及び垂直磁気異方性を有する記録層がこの順に形成され、前記熱拡散層及び記録層の間に形成され表面に凹凸を有する核形成層を備える磁気記録媒体と、該磁気記録媒体へ光及び磁界を印加して情報の記録を行う光磁気記録部と、前記記録層側から磁束を検出して情報の再生を行う磁気再生部とを有することを特徴とする磁気記録装置。
【請求項１０】
前記光を印加して前記磁気記録媒体を加熱するための素子、前記磁界を印加する素子及び前記磁束を検出する素子が搭載されている一つのスライダを有することを特徴とする請求項９記載の磁気記録装置。
【国際調査報告】
2003090222.tif 000035
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