(57)【要約】積層セラミック電子部品は、セラミック層と内部電極とが交互に積層された積層体と、セラミック層と内部電極との間に少なくとも一種類以上の金属酸化物を有する。積層セラミック電子部品の製造方法は、セラミックシートと金属膜とを交互に積層して積層体を作製する第１の工程と、次に積層体を焼成する第２の工程とを備え、金属膜はシート状の第１の金属の表面に第１の金属よりも酸化されやすい第２の金属を有するものであり、第２の工程は前記第１の金属がほとんど酸化せずかつ、前記第２の金属が酸化する酸素分圧で行う。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミック層と内部電極とが交互に積層された積層体と、前記セラミック層と前記内部電極との間に少なくとも一種類以上の金属酸化物を有する積層セラミック電子部品。
【請求項２】
前記金属酸化物は、前記セラミック層と前記内部電極との接着強度を向上させるものである請求項１に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項３】
前記内部電極はＮｉを主成分とし、前記金属酸化物はＣｒ、Ｍｇ、Ａｌの少なくとも一つの酸化物である請求項１に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項４】
セラミックシートと金属膜とを交互に積層して積層体を作製する第１の工程と、次に前記積層体を焼成する第２の工程とを備え、前記金属膜はシート状の第１の金属の表面に前記第１の金属よりも酸化されやすい第２の金属を有するものであり、前記第２の工程は前記第１の金属がほとんど酸化せずかつ、前記第２の金属が酸化する酸素分圧で行う積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項５】
前記金属膜は前記第１の金属の表面を前記第２の金属で被覆したものである請求項４に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項６】
前記金属膜は有機物非含有である請求項４に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項７】
セラミックシートと金属膜とを交互に積層して積層体を作製する第３の工程と、次に前記積層体を焼成する第４の工程とを備え、前記金属膜は第３の金属を主成分とし、副成分として前記第３の金属より酸化しやすい第４の金属を添加したものであり、前記第４の工程は前記第３の金属がほとんど酸化せずかつ、前記第４の金属が酸化する酸素分圧で行うと共に、前記第４の金属の酸化物が前記セラミックシートと前記第３の金属との界面に存在するようにする積層セラミック電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は例えば積層セラミックコンデンサ等の積層セラミック電子部品及びその製造方法に関する。
背景技術
以下に従来の積層セラミックコンデンサとその製造方法について説明する。
図６は従来の積層セラミックコンデンサの断面図である。
まず、セラミック層１０１となるセラミックシートは、チタン酸バリウム等の誘電体材料と、ポリビニルブチラールと、アクリル等の樹脂と、溶剤等とを混合し、スラリー化した後、ドクターブレード法を用いて作製される。
次に、ニッケル粉末（以降、ニッケルをＮｉと記載する）とバインダなどの有機物とを混合して電極ペーストを形成し、所望の形状の内部電極１０２を形成した後、セラミックシートと交互に積層して積層体が作製される。次いで、この積層体を焼成した後、内部電極１０２の露出した両端面に外部電極１０３が形成される。
この方法においては、Ｎｉとセラミックシートはセラミックシートあるいは電極ペースト中の樹脂により接着されているが、焼成過程において樹脂が分解飛散した後は、両者の接着性がなくなる。その結果、Ｎｉとセラミックの焼結収縮率の差異により、デラミネーション１０４などの構造欠陥が発生してしまうといった問題点を有していた。
発明の開示
積層セラミック電子部品は、セラミック層と内部電極とが交互に積層された積層体と、セラミック層と内部電極との間に少なくとも一種類以上の金属酸化物を有する。
積層セラミック電子部品の製造方法は、セラミックシートと金属膜とを交互に積層して積層体を作製する第１の工程と、次に積層体を焼成する第２の工程とを備え、金属膜はシート状の第１の金属の表面に第１の金属よりも酸化されやすい第２の金属を有するものであり、第２の工程は第１の金属がほとんど酸化せず且つ第２の金属が酸化する酸素分圧で行う。
発明を実施する最良の形態
本発明は、焼成過程において内部電極とセラミック層の接着性を向上させ、内部電極とセラミック層の焼結収縮率差による構造欠陥を抑制することができる積層セラミック電子部品及びその製造方法を提供するものである。
（実施の形態１）
以下、実施の形態１を用い、特に後述の本発明の請求項１〜６に記載の発明について、積層セラミックコンデンサを例に挙げて説明する。
図１は本発明の実施の形態１における焼成後の積層体の一部拡大断面図、図２は実施の形態１における積層セラミックコンデンサの一部切欠斜視図である。チタン酸バリウムを主成分とするセラミック層１１とＮｉを主成分とする内部電極１２とが交互に積層された積層体で、内部電極１２の露出した両端面に外部電極１３が形成される。また内部電極１２とセラミック層１１との界面には両者の接着強度を向上させるアルミニウム酸化物１４（以降、アルミニウムをＡｌと記載する）が介在している。
図３は本発明の実施の形態１における積層セラミックコンデンサの製造工程を説明するための断面図である。ポリエチレンテレフタレート（以降、ポリエチレンテレフタレートをＰＥＴと記載する）等のベースフィルム２１の上にシリコン（以降、シリコンをＳｉと記載する）などの離型層２２が形成され、この上にＡｌ薄膜２３、内部電極１２となるＮｉ薄膜２４、Ａｌ薄膜２５からなる金属膜２６が形成される。
まずチタン酸バリウム等の誘電体材料と、ポリビニルブチラール系のバインダと、可塑剤としてジブチルフタレートと、溶剤として酢酸ブチルを混合して、スラリー化した後、ドクターブレード法を用いてＰＥＴフィルム上に厚み８μｍのセラミック層１１となるセラミックシートが形成される。
一方、図３に示すように、チャンバー（図示せず）内にて、表面にシリコン樹脂からなる離型層２２を有するベースフィルム２１の上面にスパッタ法によりＡｌ薄膜２３が形成される。さらにその上に同様にしてＮｉ薄膜２４、Ａｌ薄膜２５を形成し、三層構造の金属膜２６が形成される。このとき、緻密な金属膜２６を得るためにチャンバー内は不活性ガスを注入し、ベースフィルム２１を１００℃〜１３０℃に加熱しながら上記のプロセスが実行される。
また、Ｎｉ薄膜２４は０．５μｍ、Ａｌ薄膜２３と２５は０．０５μｍ〜０．４μｍの厚みで製作される。Ａｌ薄膜２３と２５はこれ以上厚いと、内部電極１２が厚くなり、誘電率が低下し、大容量のコンデンサを得ることができない。
次に、この金属膜２６は内部電極１２の形状に加工される。このとき、レーザーを用いて加工すると、精度良く内部電極１２を形成することができるので望ましい。
次いで、図１に示す内部電極１２形状の金属膜２６とセラミックシートとを重ね合わせ、ベースフィルム２１を介して１３０℃に加熱したプレス板を用いて１０ＭＰａの圧力で押圧し、圧力を開放後、ベースフィルム２１を除去することでセラミックシート上に金属膜２６が転写される。この加熱、押圧により、セラミックシート中のバインダと可塑剤を軟化させることでセラミックシートと金属膜２６との接着性が向上すると共に、接触面積が増大する。
このとき、予め金属膜２６あるいはセラミックシート上に両者の接着性を向上させるような有機物を設けておくことが望ましい。具体的には、セラミックシート中のバインダとして用いたポリビニルブチラール樹脂などが用いられる。つまり、セラミックシート中のバインダとして用いた物質をセラミックシートの少なくとも金属膜２６と接触する部分に均一な厚みで設けておくことが望ましい。もちろん、可塑剤として用いた物質を用いても構わないが、バインダのほうがより接着効果は高い。
また離型層２２はシリコン樹脂からなるものであり、ベースフィルム２１と金属膜２６の離型性を高めるものである。従って、精度良く内部電極１２を形成でき、歩留まりを向上させることができる。
次にセラミックシートを複数枚積層したものの上に先ほど金属膜２６を形成したセラミックシートを積層し、ベースフィルム側から加熱転写が実行される。その後ベースフィルム２１が除去される。この上に、同様にして２００枚の金属膜２６が形成されたセラミックシートの加熱転写が繰り返される。複数枚のセラミックシートをその上に形成し、積層体ブロックが形成される。積層体ブロックの作製時の加熱は、セラミックシート中のバインダが十分軟化するように１００℃〜１３０℃とする。この範囲では温度が高いほどセラミックシートと金属膜２６との接着性が向上する。また加圧は、１０ＭＰａ以上で行うことにより更に両者の接着性を向上させることができる。なお、温度、圧力についてはセラミックシート上に金属膜２６を形成するときも、金属膜２６が形成されたセラミックシートを積層するときも同様である。ただし、積層体ブロックが過度に変形しないように、セラミックシートの厚み、バインダの種類、誘電体原料などを考慮して、温度及び圧力が決められる。
次に、積層体ブロックを切断し、個々の積層体に分離した後に脱脂と焼成を行い、焼結体が形成される。脱脂過程は、Ａｌ薄膜２３と２５は酸化しても構わないが、内部電極１２となるＮｉ薄膜２４を過度に酸化させないために３５０℃の窒素中で行なわれる。一方、焼成過程は、セラミックシートが十分焼結する温度である１３００℃まで加熱して行われる。昇温過程においては、水素ガス（以降、水素ガスをＨ２ガスと記載する）、炭酸ガス（以降、炭酸ガスをＣＯ２ガスと記載する）を用い、Ｎｉ薄膜２４が内部電極１２として機能するように過度に酸化せず、かつＡｌ薄膜２３と２５は酸化するように雰囲気が制御される。
特に、５００〜１３００℃、好ましくは６００〜１０００℃までは、セラミック層１１と内部電極１２の接着性を向上させるために、Ｎｉは酸化せずＡｌが酸化するような雰囲気となるようにＨ２ガス、ＣＯ２ガス比が調整される。このとき、セラミック層１１の焼結よりＮｉの焼結の方が早く始まる。焼結が始まるということは収縮が始まるということである。そこでＮｉとセラミック層１１との界面にＡｌ酸化物１４が存在することにより、Ｎｉの収縮が抑制され構造欠陥の発生も抑制できる。
また、降温過程では、内部電極１２の酸化を抑制しつつセラミック層１１の絶縁性を向上させるために１１００℃以下においてＨ２ガスの供給を停止し、酸素分圧を高めることが重要である。
この焼成過程において、Ａｌ薄膜２３と２５の一部がＡｌ酸化物となりセラミック層１１の粒内及び粒界に拡散するため、Ａｌ酸化物１４はセラミック層１１と内部電極１２との界面に非連続的に存在することとなる。Ａｌ薄膜２３と２５が酸化し、Ｎｉ薄膜２４とセラミック層１１の接着に寄与する。つまりＮｉ薄膜２４が独立して焼結収縮するのではなく、Ａｌ酸化物１４を介してセラミック層１１と一体化し、１１００℃以上でセラミック層１１と同時に収縮するようになり、構造欠陥の発生を抑制できるのである。またセラミック層１１に拡散したＡｌは、セラミック層１１の誘電率向上に寄与する。
Ａｌの一部がセラミック層１１に拡散するものの、その厚みはＮｉ薄膜２４同様ほとんど変化しない。つまり、薄膜形成時に所望の厚みに形成しておけば良いのである。
焼成後、積層体の角部を研磨し、両端面に外部電極１３として銅（以降、銅をＣｕと記載する）を塗布、焼付けて、積層セラミックコンデンサが形成される。
表１は、Ｎｉ薄膜２４の表面と裏面に設けたＡｌ薄膜２３と２５の厚みを０μｍ（０μｍの場合は、Ａｌ薄膜２３と２５形成されていないことを意味する）、０．０５μｍ、０．１μｍ、０．３μｍ、０．４μｍと変えた場合の構造欠陥の発生数を示している。
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表１において、Ａｌ薄膜２３と２５を形成していない場合についてはデラミネーションが発生しているが、Ａｌ薄膜２３と２５を形成している場合はデラミネーションの発生が抑えられている。この場合の内部電極１２とセラミック層１１の界面をＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）により確認した結果、図１に示すように明らかにＡｌ酸化物１４が介在しており、これが内部電極１２（Ｎｉ薄膜２４）とセラミック層１１の接着性を高めたものと考えられる。Ａｌ薄膜２３と２５は厚いほど十分な接着性を得ることができるが、Ｎｉ薄膜２４（内部電極１２）とセラミック層１１の間に介在するＡｌ酸化物（低誘電率層）も厚くなり、静電容量が低下することとなる。特に、セラミック層１１が薄い場合にはその影響度合いが大きい。現在では焼成後のセラミック層１１の厚みが３μｍ程度の積層セラミックコンデンサが商品化されており、今後さらにセラミック層１１は薄層化する傾向にある。従って、静電容量の低下を抑制しつつ、セラミック層１１と内部電極１２との密着性を向上させるためには、３μｍ未満のセラミック層１１の場合、０．３μｍ以下のＡｌ薄膜２３と２５をＮｉ薄膜２４の表面に形成することが好ましい。
また、このＡｌ薄膜２３と２５は上記実施の形態１で示したように連続体とすることによりセラミック層１１と内部電極１２との接着性は向上し構造欠陥の発生を抑制することができるが、セラミック層１１と内部電極１２の界面に存在する低誘電率層（Ａｌ酸化物）の影響が大きくなり電気特性が劣化する。一方、Ａｌ薄膜２３と２５を部分的に形成した場合は、電気特性の劣化は抑制できるが、上記実施の形態１ほど接着性に優れたものとはならない。従って、両者の兼ね合いを取りながらＡｌ薄膜２３と２５を設けることが好ましい。具体的には、内部電極１２の等価直列抵抗がＮｉの等価直列抵抗の１００倍以下となるようにすることが好ましい。
また、Ｎｉ薄膜２４（内部電極１２）の厚みは０．１μｍ〜０．７μｍとすることが好ましい。Ｎｉ薄膜２４の厚みが０．１μｍ未満の場合には、焼成中にＮｉ薄膜２４の連続性がなくなり、導電性が得られなくなるおそれが有るからである。一方、Ｎｉ薄膜２４が０．８μｍよりも厚い場合には、セラミックシート上に金属膜２６を形成し、積層する際に金属膜２６が形成されていない部分に圧力が十分にかからず、接着不良を招いてしまう恐れがあるからである。０．７μｍ以下であれば数百層におよぶ積層を行ったとしても金属膜２６が形成されていない部分についてもセラミックシート間の接着性を確保することができる。
なお、焼成時、Ａｌの一部がセラミック層１１に拡散することになるが、セラミック層１１に拡散したＡｌも両者の接着性の向上に役立っていると思われる。
なお、上記実施の形態１では、Ｎｉ薄膜２４の表面と裏面に、Ｎｉよりも酸化されやすい金属としてＡｌ薄膜２３と２５を設けた場合について説明したが、Ａｌ薄膜２３と２５に代えて、Ｃｒ薄膜あるいはＭｇ薄膜を形成しても構わない。しかしながら表面と裏面で異なる金属の薄膜を形成すると、内部電極１２とセラミック層１１の接着強度が異なることにより、構造欠陥が発生しやすくなると思われる。従って、Ｎｉ薄膜２４の上下には同一金属の薄膜を形成することが望ましい。
（実施の形態２）
以下実施の形態２を用いて、特に後述の本発明の請求項７について積層セラミックコンデンサを例に説明する。
図４は本実施の形態２における積層セラミックコンデンサの製造工程を説明するためのイメージ断面図である。ＰＥＴ等のベースフィルム２１の上にシリコンなどの離型層２２が形成され、この上にＮｉ−Ａｌの金属膜３１が形成されている。この金属膜３１はＮｉ粒子３２とＡｌ粒子３３が混ざり合った状態のものである。
まず、実施の形態１と同様にして誘電体セラミック層１１となるセラミックシートがＰＥＴフィルム上に作製される。
一方、図４に示されているようにベースフィルム２１上の全面にＮｉ−Ａｌの金属膜３１が実施の形態１と同様にして形成される。この金属膜３１は厚み０．７μｍで、Ｎｉが９０ｗｔ％、Ａｌが１０ｗｔ％の割合からなる。
次に実施の形態１と同様にしてこの金属膜３１を内部電極１２の形状に加工し、セラミックシートと重ね合わせ、金属膜３１付きセラミックシートが形成される。次いで実施の形態１と同様にして積層体が作製され、切断後、焼成される。
最後に外部電極１３を形成して、図２に示されている積層セラミックコンデンサが形成される。
実施の形態２においても、金属膜３１とセラミックシートとの界面部分に存在するＡｌ粒子３３が焼成時に酸化することにより、セラミック層１１と内部電極１２との接着強度が向上し、構造欠陥の発生が抑制される。
実施の形態２においては、Ｎｉ粒子３２が９０ｗｔ％、Ａｌ粒子３３が１０ｗｔ％からなる金属膜３１を用いたが、Ａｌ粒子３３の含有率は１０ｗｔ％以下（０ｗｔ％を除く）とすることが望ましい。何故ならば、セラミック層１１と内部電極１２との接着性向上に寄与するＡｌ粒子３３は金属膜３１の表面部分に位置するものだけであり、内部に存在するＡｌ粒子３３は酸化して内部電極１２の導電性が悪くなるからである。
なお、焼成時、Ａｌの一部がセラミック層１１に拡散することになるが、セラミック層１１に拡散したＡｌも両者の接着性の向上に役立っていると思われる。
また、Ｎｉ−Ａｌの合金を用いたが、Ａｌ以外にもＮｉよりも酸化されやすい金属であるクロム（以降、クロムをＣｒと記載しる）やマグネシウム（以降、マグネシウムをＭｇと記載する）を用いることができる。つまりＮｉとＡｌ、Ｃｒ、Ｍｇのうち１種類以上を含有する合金を用いて金属膜３１を形成することが望ましい。
上記実施の形態１と２において、薄膜形成法により内部電極１２を形成する場合、内部電極１２が薄すぎて焼成時にその連続性を失い、所望の導電性を得ることができない時がある。このような場合は、所望の厚みの内部電極１２を形成するため、例えば上記実施の形態１においては図３に示す金属膜２６を複数枚積層することが望ましい。
また、金属膜２６と３１はスパッタ法により作製されると記載したが、蒸着法やＣＶＤ法などの他の薄膜形成法により作製しても同様の効果が得られる。つまり本発明は、金属膜２６と３１中に樹脂などの有機物が存在しなくても、セラミック層１１と内部電極１２との接着強度を向上させることができるのである。
（実施の形態３）
以下、実施の形態３を用いて、特に後述の本発明の請求項１と７について説明する。
図５は本実施の形態３における焼成後の積層体の一部拡大断面図である。金属酸化物５１以外は図１と同様であるのでそれらの個々の説明を省略する。金属酸化物５１はＡｌとＭｇの酸化物である。
まず、チタン酸バリウム等の誘電体材料と、ポリビニルブチラール系のバインダと、可塑剤としてジブチルフタレートと、溶剤として酢酸ブチルとを混合して、スラリー化した後、ドクターブレード法を用いてベースフィルム２１上に厚み８μｍのセラミック層１１となるセラミックシートが形成される。
一方、Ｎｉ粉末、Ａｌ粉末、Ｍｇ粉末にポリビニルブチラール系のバインダと、可塑剤成分としてジブチルフタレートと、溶剤として酢酸ブチルとを混合して電極ペーストが作製される。Ｎｉ粉末を１００ｗｔ％とした時、Ａｌ粉末とＭｇ粉末は０．５〜６．０ｗｔ％、好ましくは０．５〜２．０ｗｔ％（ただし、Ｍｇは４ｗｔ％以下、Ａｌは２ｗｔ％以下）で混合される。
そして、シリコン樹脂からなる離型層を有するＰＥＴフィルム上に内部電極１２形状でスクリーン印刷される。このとき内部電極１２の厚みは２μｍである。
次いで、内部電極１２とセラミックシートとを重ね合わせ、ベースフィルムを介して、１３０℃に加熱したプレス板を用いて１０ＭＰａの圧力で押圧し、圧力を開放後、ベースフィルムを除去することでセラミックシート上に内部電極１２が転写される。この加熱、押圧により、セラミックシートおよび内部電極１２中のバインダを軟化させて、両者の接着性を向上させると共に接触面積を増大させる。また離型層はベースフィルムと内部電極１２の離型性を高めるものであり、これにより精度良く内部電極１２を転写でき、歩留まりを向上させることができる。
次にセラミックシートを複数枚積層したものの上に先ほど内部電極１２を転写したセラミックシートを積層し、ベースフィルム側から加熱転写される。その後ベースフィルムは除去される。この上に、同様にして２００枚の内部電極１２が形成されたセラミックシートの加熱転写が繰り返される。複数枚のセラミックシートをその上に形成し、積層体ブロックが形成される。
積層体ブロックの作製時の加熱は、セラミックシート及び内部電極１２中のバインダが十分軟化するように１００℃〜１３０℃とする。この範囲では温度が高いほどセラミックシートと内部電極１２との接着性が向上する。また加圧は、１０ＭＰａ以上で行うことにより更に両者の接着性を向上させることができる。なお、温度、圧力についてはセラミックシート上に内部電極１２を転写するときも、内部電極１２が形成されたセラミックシートを積層するときも同様である。ただし、積層体ブロックが過度に変形しないように、セラミックシートおよび内部電極１２の厚み、バインダの種類、誘電体原料、内部電極材料などを考慮して、温度及び圧力が決められる。
次に、積層体ブロックを切断し、個々の積層体に分離した後に脱脂、焼成を行い焼結体が形成される。脱脂過程は、ＡｌとＭｇは酸化しても構わないが、内部電極１２となるＮｉを過度に酸化させないために３５０℃の窒素中で実行される。一方、焼成過程は、セラミックシートが十分焼結する温度である１３００℃まで加熱し実行される。昇温過程においてはＨ２ガス、ＣＯ２ガスを用い、Ｎｉが内部電極１２として機能するように過度に酸化せず、かつＡｌ、Ｍｇは酸化するように雰囲気が制御される。
特に、５００〜１３００℃、好ましくは６００〜１０００℃は、セラミック層１１と内部電極１２の接着性を向上させるために、Ｎｉは酸化せずＡｌ、Ｍｇが酸化するような雰囲気となるようにＨ２ガス、ＣＯ２ガス比が調整される。このとき、セラミック層１１の焼結よりＮｉの焼結の方が早く始まる。焼結が始まるということは収縮が始まるということである。そこでＮｉとセラミック層１１との界面にＡｌ酸化物およびＭｇ酸化物５１が存在することにより、Ｎｉの収縮が抑制され構造欠陥の発生も抑制できる。
また、降温過程は、内部電極１２の酸化を抑制しつつセラミック層１１の絶縁性を向上させるために１１００℃以下においてＨ２ガスの供給を停止し、酸素分圧を高めることが重要である。
この焼成過程において、ＡｌとＭｇの一部が酸化物となりセラミック層１１の粒内と粒界に拡散するため、これらの金属酸化物５１はセラミック層１１と内部電極１２との界面に非連続的に存在し、内部電極１２とセラミック層１１の接着に寄与する。つまり内部電極１２が独立して焼結収縮するのではなく、ＡｌとＭｇの酸化物である金属酸化物５１を介してセラミック層１１と一体化し、１１００℃以上でセラミック層１１と同時に収縮するようになり、構造欠陥の発生を抑制できるのである。またセラミック層１１に拡散したＡｌとＭｇの酸化物は、セラミック層１１の誘電率向上に寄与する。
焼成後、積層体の角部を研磨し、両端面に外部電極１３としてＣｕを塗布、焼付けて、積層セラミックコンデンサが形成される。
このようにして得られた積層セラミックコンデンサは、実施の形態１と同様、静電容量の低下を抑制しつつ、セラミック層１１と内部電極１２との密着性が向上し、デラミネーションなどの構造欠陥のないものである。
なお、本実施の形態においては、金属ペーストをＮｉとＡｌとＭｇとを混合して作製した。これに限らず、ＮｉにＡｌ、Ｍｇ、Ｃｒの内少なくとも１種類以上を加え、それらはＮｉが１００ｗｔ％に対して５ｗｔ％以下、好ましくは２ｗｔ％以下添加することにより同様に、セラミック層１１と内部電極１２の接着性に優れた積層セラミックコンデンサを得ることができる。
なお、実施の形態１〜３においては、内部電極１２としてＮｉを用いたが、これ以外の金属を用いて作製する場合は、その金属よりも酸化されやすく、かつ得ようとする電気特性に悪影響を及ぼさない金属を内部電極１２となる金属の表面に設けることが望ましい。
また、セラミック層１１と内部電極１２との間に介在する金属酸化物の体積が大きすぎると所望の電気特性を得ることができない場合がある。従って、この金属酸化物はセラミック層１１と内部電極１２との接着強度を向上させることができる最小限の量を有すれば良い。そのために内部電極１２となる金属の表面全体に金属酸化物となる金属を設けるのではなく、部分的に形成しても構わない。またその金属も一種類だけでなく複数種類を用いても構わない。
積層体の焼成は、内部電極１２が酸化せず、この表面に設けた金属が酸化する雰囲気中で行われる。従って、内部電極１２となる金属とこの表面に設けた金属の平衡酸素分圧の差が大きいほど良い。
また、上記各実施の形態においては、積層セラミックコンデンサを例に説明したが、セラミック層、内部電極となる金属、セラミック層と内部電極の界面に存在する金属酸化物（あるいは焼成により金属酸化物となる金属）とを一体焼成することができるような積層セラミック電子部品においては同様の効果が得られるものである。
以上本発明によると、セラミック層と内部電極との間に金属酸化物を介在させることにより、両者の接着強度を向上させて、デラミネーションなどの構造欠陥を抑制することができる。
また、金属酸化物はセラミック層と内部電極との接着強度を向上させるものであり、構造欠陥を抑制することができる。
また、内部電極はＮｉを主成分とし、金属酸化物はＣｒ、Ｍｇ、Ａｌの少なくとも一つの酸化物であり、金属酸化物がセラミック層と内部電極との接着強度を向上させ、構造欠陥を抑制することができる。
また、積層体を焼成する金属膜はシート状の第１の金属の表面にこの第１の金属よりも酸化されやすい第２の金属を有するものであり、第１の金属がほとんど酸化されずかつ、第２の金属が酸化される酸素分圧で積層体が焼成される。そうして、第２の金属の酸化物がセラミック層と内部電極となる第１の金属との接着強度を向上させ、構造欠陥の発生を抑制することができる。
また、金属膜はシート状の第１の金属の表面を第２の金属で被覆したものであり、積層体を焼成する際、第２の金属が酸化し、セラミック層と第１の金属との接着強度が向上し、構造欠陥の発生を抑制することができる。
また、有機物非含有の金属膜を用いるものであっては、金属密度の高いものなので、薄くて連続性の高い内部電極を得ることができる。
また、積層体を構成する金属膜は、第３の金属を主成分とし、副成分としてこの第３の金属より酸化しやすい第４の金属を添加したものである。第３の金属はほとんど酸化されずかつ、第４の金属が酸化される酸素分圧で積層体を焼成するので、第４の金属が酸化し、セラミック層と第３の金属との界面に析出し、両者の接着強度が向上することにより、構造欠陥の発生を抑制することができる。
産業の利用可能性
本発明の積層セラミック電子部品及びその製造方法は、セラミック層と内部電極との間に金属酸化物を介在させることにより、両者の接着強度を向上させて、デラミネーションなどの構造欠陥を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
図１は、本発明の実施の形態１における焼成後の積層体の一部拡大断面図である。
図２は、本発明の実施の形態１における積層セラミックコンデンサの一部切欠斜視図である。
図３は、本発明の実施の形態１における積層セラミックコンデンサの製造工程を説明するための断面図である。
図４は、本発明の実施の形態２における積層セラミックコンデンサの製造工程を説明するための断面図である。
図５は、本発明の実施の形態３における焼成後の積層体の一部拡大断面図である。
図６は、従来の積層セラミックコンデンサの断面図である。
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【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【国際調査報告】
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