【事件の表示】
　特願２００８−１４３１２６「太陽電池、太陽電池の製造方法および太陽電池モジュール」拒絶査定不服審判事件〔平成２１年１２月１０日出願公開、特開２００９−２９０１０５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯 
　本願は、平成２０年５月３０日の出願であって、平成２４年９月１０日付けで拒絶の理由が通知され、同年１０月２５日に手続補正がされたが、平成２５年２月２５日付けで拒絶査定がされ、これに対して同年４月１２日に拒絶査定不服審判が請求されたものである。
 　 
第２　本願発明の認定 
　本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。） は、平成２４年１０月２５日に補正された本願の請求項１に記載された事項によって特定される次のとおりのものと認められる。
「シリコン基板とのコンタクト抵抗が７０ｍΩ・ｃｍ2以下である電極を有する太陽電池セルと、
　前記太陽電池セルの前記電極に電気的に接続するための導電性部材とを備え、
　前記太陽電池セルの前記電極が前記導電性部材に電気的に接続されるように前記導電性
部材上に前記太陽電池セルが配置されており、
　前記電極の厚さは２０μｍ以下であることを特徴とする、太陽電池。」
　
第３　刊行物の記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願前に頒布された刊行物である特開２００５−３４０３６２号公報（以下「引用例」という。）には、以下の１及び２の記載がある。
１　「【請求項１】
　半導体基板の一面にｐ電極とｎ電極とがそれぞれ点状に複数形成されている太陽電池ウエハと、絶縁性基板の一面にｐ配線とｎ配線とが互いに電気的に絶縁されて形成されている配線基板と、を含み、前記太陽電池ウエハの一面上に前記配線基板の一面が設置されて、前記ｐ電極が前記ｐ配線によって電気的に接続され、前記ｎ電極が前記ｎ配線によって電気的に接続されていることを特徴とする、太陽電池セル。
【請求項２】
　前記ｐ電極と前記ｎ電極とが銀を含む材料によって形成され、前記ｐ配線と前記ｎ配線とが銅を含む材料によって形成されており、前記ｐ電極と前記ｐ配線との接続および前記ｎ電極と前記ｎ配線との接続がそれぞれはんだを介して行われていることを特徴とする、請求項１に記載の太陽電池セル。」
　
２　「【００２６】
　図１に、
本発明の太陽電池セルの好ましい一例
【００２７】
　図２に、本発明の太陽電池セルの製造工程の好ましい一例のフローチャートを示す。まず、ステップ１（Ｓ１）において、半導体基板１としてたとえばｎ型単結晶シリコン基板を用意する。そして、ステップ２（Ｓ２）において、ＡＰＣＶＤ法（常圧ＣＶＤ法）を用いて、この半導体基板１の両面にＳｉＯx膜を堆積させる。そして、ステップ３（Ｓ３）において、この半導体基板１の裏面にホトエッチング法により櫛形状パターンの窓明けを行なった後にＢＢｒ3気相拡散を行なうことによってｐ+層６を形成する。続いて、ステップ４（Ｓ４）において、半導体基板１の受光面に耐酸性テープを貼り付けた後に裏面についてＨＦ（フッ化水素）によるクリーニングを行なう。そして、受光面の耐酸性テープを剥離した後に再度裏面にＳｉＯx膜を堆積させる。次いで、ステップ５（Ｓ５）において、半導体基板１の裏面に櫛形状のｐ+層６と向き合うようにしてホトエッチング法により櫛形状パターンの窓明けを行なった後にＰＯＣｌ3気相拡散によって櫛形状のｎ+層５を、ｐ+層６の櫛歯とｎ+層５の櫛歯とが向き合うようにして半導体基板１の裏面に沿ってこれらの櫛歯が交互に配列されるように形成する。そして、ステップ６（Ｓ６）において、半導体基板１の全面をＨＦによりクリーンニングした後、半導体基板１の受光面にたとえばプラズマＣＶＤ法などによりＳｉＮ膜を堆積させる。
【００２８】
　次に、ステップ７（Ｓ７）において、図３の模式的平面図に示すように、半導体基板１の裏面に形成されたｐ+層６の範囲内にｐ電極１１を、ｎ+層５の範囲内にｎ電極１２をそれぞれ複数の点状にスクリーン印刷し、その後焼成することにより形成する。ここで、太陽光の反射および導電性を向上させる観点からｐ電極１１およびｎ電極１２は銀からなり、スクリーン印刷材料としては銀ペーストが用いられる。そして、
スクリーン印刷されたｐ電極１１とｎ電極１２とを乾燥して銀ペーストに含まれる溶剤を蒸発させた後に酸化性雰囲気下で焼成する
【００２９】
　そして、ステップ８（Ｓ８）において、ｐ電極１１およびｎ電極１２はフラックスへ浸漬させられた後に乾燥される。その後、ｐ電極１１およびｎ電極１２ははんだ浴に浸漬させられた後に洗浄および乾燥されて
ｐ電極１１およびｎ電極１２の表面にはんだ１９がコーティングされ
【００３０】
　続いて、ステップ９（Ｓ９）において、絶縁性基板１６の一面上にたとえば
銅からなるｐ配線１４とｎ配線１５
銅からなる膜
ｐ配線１４とｎ配線１５の表面には、はんだがコーティングされる
【００３１】
　そして、この配線基板１８が太陽電池ウエハ１７の裏面上に設置され、図５の模式的平面図に示すように、ｐ電極１１上およびｎ電極１２上にそれぞれｐ配線１４およびｎ配線１５が設置される。そして、たとえば太陽電池ウエハ１７側から熱風を吹きつけて双方のはんだを溶解させた後に冷却することによって、太陽電池ウエハ１７と配線基板１８とが一体化された太陽電池セルが完成する。
【００３２】
　ここで、ＦＦ値の向上の観点から、図１に示す絶縁性基板１６のｐ配線１４とｎ配線１５とが形成されている側と反対側の面に蒸着法などによりアルミニウム膜を反射膜として形成することもできる。この場合には、反射膜によって反射した太陽光が絶縁性基板１６を透過する必要があるため、絶縁性基板１６は透明であることが必要である。
【００３３】
　このように、上記においては、表面がはんだ１９でコーティングされた銀からなる複数の点状のｐ電極１１およびｎ電極１２が、同じく表面がはんだ１９でコーティングされた銅からなるｐ配線１４およびｎ配線１５によってそれぞれはんだ１９を介して電気的に接続される。これにより、従来から大きな接触抵抗を引き起こしていた、銀ペーストを焼成して形成された点状の銀からなるｐ電極およびｎ電極と、同じく銀ペーストを焼成して形成された銀からなる連結電極との接触を回避することができる。したがって、本発明の太陽電池セルのＦＦ（Fill Factor）値を従来よりも向上させることができる。また、
連結電極の形成に用いられる銀ペースト量を減少させることができるため、従来よりも安価に製造することができる
　
第４　引用発明の認定
１　上記「第３　１」における、請求項１を引用する請求項２を、請求項１を引用しない独立の形式で記載すれば、次のとおりである。
「半導体基板の一面にｐ電極とｎ電極とがそれぞれ点状に複数形成されている太陽電池ウエハと、絶縁性基板の一面にｐ配線とｎ配線とが互いに電気的に絶縁されて形成されている配線基板と、を含み、前記太陽電池ウエハの一面上に前記配線基板の一面が設置されて、前記ｐ電極が前記ｐ配線によって電気的に接続され、前記ｎ電極が前記ｎ配線によって電気的に接続されており、
　前記ｐ電極と前記ｎ電極とが銀を含む材料によって形成され、前記ｐ配線と前記ｎ配線とが銅を含む材料によって形成されており、前記ｐ電極と前記ｐ配線との接続および前記ｎ電極と前記ｎ配線との接続がそれぞれはんだを介して行われていることを特徴とする、太陽電池セル。」
　
２　上記「第３　２」の【００２６】には、上記１の太陽電池セルの一例であって、スクリーン印刷した銀ペーストを焼成し、その表面にはんだをコーティングしてｐ電極とｎ電極とが形成され、銅からなる膜の表面にはんだをコーティングしてｐ配線とｎ配線とが形成されたものが記載されているものと認められる。
　
３　上記「第３　２」の【００２７】ないし【００３１】には、上記２の太陽電池セルの製造方法が記載されているものと認められる。
　
４　上記「第３　２」の【００２７】の「半導体基板１としてたとえばｎ型単結晶シリコン基板を用意する。」との記載によれば、上記２の太陽電池セルの半導体基板は、ｎ型単結晶シリコン基板であってもよいものと認められる。
　
５　上記「第３　２」の【００３３】によれば、従来、連結電極（ｐ配線とｎ配線に相当すると解される。）が銀ペーストで形成されていたところ、連結電極が銅膜で形成されている上記２の太陽電池セルは、連結電極の形成に用いられる銀ペースト量を減少させることができるため、従来よりも安価に製造することができるものと認められる。
　
６　上記１ないし４によれば、引用例には、次の発明（以下「引用発明」という。） が記載されているものと認められる。
「ｎ型単結晶シリコン基板の一面にｐ電極とｎ電極とがそれぞれ点状に複数形成されている太陽電池ウエハと、絶縁性基板の一面にｐ配線とｎ配線とが互いに電気的に絶縁されて形成されている配線基板と、を含み、前記太陽電池ウエハの一面上に前記配線基板の一面が設置されて、前記ｐ電極が前記ｐ配線によって電気的に接続され、前記ｎ電極が前記ｎ配線によって電気的に接続されており、
　前記ｐ電極と前記ｎ電極とが、スクリーン印刷した銀ペーストを焼成し、その表面にはんだをコーティングして形成され、前記ｐ配線と前記ｎ配線とが、銅膜の表面にはんだをコーティングして形成され、
　前記ｐ電極と前記ｐ配線との接続および前記ｎ電極と前記ｎ配線との接続がそれぞれはんだを介して行われている、太陽電池セル。」
　
第５　対比
　引用発明と本願発明とを対比する。
１　引用発明の「ｎ型単結晶シリコン基板」、「ｐ電極とｎ電極」及び「太陽電池セル」は、それぞれ、本願発明の「シリコン基板」、「電極」及び「太陽電池セル」に相当する。
　
２　引用発明の「ｐ配線とｎ配線」は、「ｐ電極とｎ電極」との接続が、はんだを介して行われているから、本願発明の「電極に電気的に接続するための導電性部材」に相当する。
　
３　引用発明の「太陽電池ウエハの一面上に配線基板の一面が設置されて、ｐ電極がｐ配線によって電気的に接続され、ｎ電極がｎ配線によって電気的に接続されており」は、本願発明の「太陽電池セルの電極が導電性部材に電気的に接続されるように前記導電性部材上に前記太陽電池セルが配置されており」に相当する。
　
４　引用発明の「ｐ電極とｎ電極」は、「シリコン基板」（ｎ型単結晶シリコン基板）の一面に点状に形成されたものであるから、所定の電気抵抗値（単位ｍΩ等）と、「シリコン基板」（ｎ型単結晶シリコン基板）と接する所定の面積値（単位ｃｍ2等）と、該電気抵抗値と該面積値との積である所定のコンタクト抵抗値（単位ｍΩ・ｃｍ2等）を有していることは明らかである。
　
５　上記１ないし４によれば、本願発明と引用発明とは、以下の＜一致点＞で一致し、以下の＜相違点＞で相違する。
＜一致点＞
「シリコン基板との間にコンタクト抵抗（単位ｍΩ・ｃｍ2）のある電極を有する太陽電池セルと、
　前記太陽電池セルの前記電極に電気的に接続するための導電性部材とを備え、
　前記太陽電池セルの前記電極が前記導電性部材に電気的に接続されるように前記導電性部材上に前記太陽電池セルが配置されている、
　太陽電池。」
　　
＜相違点＞
　本願発明の電極は、その厚さが２０μｍ以下であり、シリコン基板との間のコンタクト抵抗が７０ｍΩ・ｃｍ2以下であるのに対して、引用発明は、電極の厚さ及びシリコン基板との間のコンタクト抵抗の値が不明である点。
　
第６　判断
　＜相違点＞について検討する。
１　引用発明の「ｐ電極とｎ電極」の厚さ及びシリコン基板との間のコンタクト抵抗の値をどの程度とするかは設計事項と認められる。
　
２　そして、以下の（１）及び（２）によれば、該厚さを２０μｍ以下とすること、及び該コンタクト抵抗の大きさを７０ｍΩ・ｃｍ2以下とすることに格別の困難は認められない。
（１）　請求人が審判請求書で「過去の特許文献」として提示した、本願出願前に頒布された刊行物である特開２００７−１３４３８７号公報には、背景技術について、次のアの記載がある。
ア　「【０００３】
  このスクリーン印刷法によれば、ｎ＋ｐ型の太陽電池に対しては、受光面（ｎ＋面）電極の形成時に、Ａｇ粉末、ガラス粉末および有機樹脂を溶媒と共に混合して作製したＡｇ導電性ペーストを用いて、その受光面に、幅１〜２ｍｍ程度のメイン電極とこれに垂直に接する幅５０〜２００μｍ程度のサブ電極（グリッド状電極）とからなるパターンでスクリーン印刷を行ない、その後、乾燥、焼成して受光面電極を形成する。従来、サブ電極横断面のアスペクト比（高さ／線幅）は０．１〜０．２程度であり、サブ電極の単位長さ当たりの抵抗値はおおよそ０．１５〜０．７０Ω／ｃｍである。」
　
イ　厚さについて
　上記アの記載には、太陽電池の受光面に、Ａｇ導電性ペーストをスクリーン印刷し、その後、乾燥、焼成して形成される受光面電極のサブ電極について、幅５０〜２００μｍ程度、高さ／線幅０．１〜０．２程度、単位長さ当たりの抵抗値おおよそ０．１５〜０．７０Ω／ｃｍであることが記載されている。
　このサブ電極の厚さつまり高さは、高さ＝（高さ／線幅）×線幅≒（０．１〜０．２）×（５０〜２００）μｍ＝（５〜４０）μｍであるから、２０μｍ以下の範囲を含む。
　よって、上記サブ電極と同様に、銀ペーストをスクリーン印刷し、焼成して形成される電極である引用発明の「ｐ電極とｎ電極」について、その厚さを２０μｍ以下とすることが困難とは認められない。
　
ウ　コンタクト抵抗について
　上記アの記載におけるサブ電極について、その長さ１ｃｍの部分を考えると、その抵抗値はおおよそ０．１５〜０．７０Ω、その面積は長さ×幅＝１ｃｍ×５０〜２００μｍ程度≒（５０〜２００）／１００００ｃｍ２であるから、コンタクト抵抗＝抵抗値×面積≒（０．１５〜０．７０）Ω×（５０〜２００）／１００００ｃｍ２＝（０．１５〜０．７０）／１０００ｍΩ×（５０〜２００）／１００００ｃｍ２＝（０．７５〜１４）×１０−６ｍΩ・ｃｍ2であって、７０ｍΩ・ｃｍ2と比べて６桁以上小さい。
　よって、上記サブ電極と同様に、銀ペーストをスクリーン印刷し、その後、焼成して形成され、さらにはんだをコーティングして伝導性をよくした電極である引用発明の「ｐ電極とｎ電極」について、そのコンタクト抵抗の大きさを７０ｍΩ・ｃｍ2以下とすることが困難とは認められない。
　
（２）　原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願前に頒布された刊行物である特開２００５−１７５３９９号公報には、以下のア及びイの記載がある。
ア　「【０００６】
　ところが、
太陽電池セルの電極を、印刷・焼成して形成する方法は
電極とシリコン基板との間の電気抵抗（接触抵抗、コンタクト抵抗とも言われる）が高く
【０００７】
　そこで、従来は、
ペースト状の電極材料を印刷・焼成して、電極を形成
電極をハンダでコーティング
非特許文献１】太陽電池セルモジュール、光エネルギー、太陽電池セルとその応用、オーム社、２００２年５月、ｐ．７−１３
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
　しかしながら、電極が形成されたシリコン基板をハンダ槽に含浸させると、シリコン基板が加熱・冷却されるため、シリコン基板が破損してしまう場合があった。また、ハンダは光沢を有すると共にムラを生じやすいため、太陽電池セルの外観を著しく低下させるという問題もあった。
【０００９】
　そこで、本発明は、外観を低下させることなく、電極とシリコン基板との間の電気抵抗を低減可能とする太陽電池セルの製造方法、及び光エネルギーを電気エネルギーに高効率で変換可能とする太陽電池セルを提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
　前記課題を解決するための手段として本発明は、シリコン基板に、ペースト状の電極材料を印刷する第１工程と、当該電極材料が印刷されたシリコン基板を焼成して電極を形成する第２工程と、当該
電極に電流を流す第３工程
シリコン基板と前記電極との間の電気抵抗は、０．００５Ωｃｍ
2
以上０．０５０Ωｃｍ
2
以下
 
イ　「【００５０】
　第１フィンガー部２１及び第２フィンガー部３１の幅を０．２ｍｍ、長さを５０ｍｍとし、電流発生装置４１から、１０Ａの電流を０．１秒間流した。すなわち、電流密度は、１．０Ａ／ｍｍ2とした。そうすると、第１フィンガー部２１とｎ型櫛歯部分１１ａ（ｎ型高濃度部１１）との間の電気抵抗は
０．２Ωｃｍ
2
０．２５Ωｃｍ
2
　
ウ　上記アの記載によれば、従来、ペースト状の電極材料を印刷・焼成して形成した電極とシリコン基板との間のコンタクト抵抗が高かったので、電極をハンダでコーティングしてコンタクト抵抗を低減していたが、不都合があるので、ハンダでコーティングするのではなく、電極に電流を流す工程を施したところ、コンタクト抵抗の大きさを、０．００５Ωｃｍ2以上０．０５０Ωｃｍ2以下にできたものと認められる。
　そして、上記イによれば、従来の、ハンダコーティングも電流を流す工程も施さない電極は、シリコン基板との間のコンタクト抵抗が、例えば、０．２Ωｃｍ2及び０．２５Ωｃｍ2であるものと認められる。
　一方、引用発明は、上記の、電極をハンダでコーティングしてコンタクト抵抗を低減させるものに相当するから、引用発明の「電極」（ｐ電極とｎ電極）のコンタクト抵抗の大きさは、電極をハンダでコーティングしない従来のものの値である０．２Ωｃｍ2及び０．２５Ωｃｍ2、すなわち０．０００２ｍΩｃｍ2及び０．０００２５Ωｃｍ2よりは小さいものと認められる。
　よって、引用発明の「ｐ電極とｎ電極」のコンタクト抵抗の大きさを、７０ｍΩ・ｃｍ2以下とすることが困難とは認められない。
　
３　上記１及び２によれば、引用発明において、本願発明の＜相違点＞に係る構成を備えることは、当業者が、適宜なし得たことと認められる。
　また、かかる構成を採用することによる効果は、当業者が予測し得る程度のものと認められる。例えば、電極を薄くすれば、本願明細書に「【００３５】・・・電極の細線化と併せて電極の薄型化が可能となり、電極ペーストの使用量を低減することができる傾向が大きくなる。」とあるとおり、電極ペースト使用量低減の効果が生じることが予想されるが、電極ペースト使用量低減が望ましいことは、引用例にも記載されている（上記「第４　５」参照。）。
  したがって、本願発明は、当業者が、引用発明に基づいて容易に発明をすることができたものと認められる。
　
４　請求人の主張について
（１）　請求人は、審判請求書において、次のとおり主張する。
「審査官殿は、上記の拒絶査定におきまして、「なお、本願の［００５０］には、２０μｍがスクリーン印刷で可能な限界の厚さとの記載がなされている。」と述べられています。
　この知見は、本願明細書の段落［００５０］に記載されていると審査官殿が認定しておられますように、本願の出願前の知見ではありませんので、このような知見に基づく拒絶査定は妥当ではないと考えられます。 
　また、スクリーン印刷により形成される電極の厚さは、ペーストの仕様（粘度やチクソ性など）と、スクリーンマスクの仕様（紗厚、乳剤厚、開口幅など）に大きく影響を受けます。上記の知見にもございますように、従来の太陽電池におきましては、電極の高さを高くするための工夫が色々となされており、スクリーン印刷によって、電極の厚さを２０μｍよりも高くした例は、特許文献等の過去の文献に数多く記載されています（たとえば特開２００７−１３４３８７号公報には、第１電極導電性ペーストおよび第２電極導電性ペーストを用いたスクリーン印刷法によって、実施例１の太陽電池セルのサブ電極の高さを３４μｍとしています（特開２００７−１３４３８７号公報の段落［００５０］等）。」（４頁８行ないし２２行。）
　
（２）　しかしながら、上記「第６　２　（１）　イ」で検討したとおり、上記特開２００７−１３４３８７号公報には、太陽電池の基板に、スクリーン印刷で形成される電極の厚さを、５〜４０μｍとすることが記載されており、この範囲は２０μｍ以下を含む。
　よって、太陽電池の基板に、スクリーン印刷で形成される電極の厚さを、２０μｍ以下とすることが、本願出願前に知られていなかったとは認められない。
　
（３）　請求人が、上記（１）において、実施例１ではサブ電極の高さを３４μｍとしている旨を指摘するに際して引用した同公報の【００５０】に示された表２を見ると、実施例２のサブ電極の高さは１７μｍであり、比較例３のサブ電極の高さは６μｍであり、ともに２０μｍ以下である。
　よって、表２には、サブ電極の高さを２０μｍより大きくすることのみが記載されているのではない。
　
（４）　上記（２）及び（３）によれば、請求人の上記（１）の主張は採用できない。
　
第７　むすび
　上記のとおり、本願発明は、当業者が、引用発明に基づいて容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。