【事件の表示】
　特願２０１０−２１２１４９「改質方法および改質装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２３年　３月　３日出願公開、特開２０１１−　４１９４７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
［１］手続の経緯
　本願は、平成１６年４月２３日に出願した特願２００４−１２８８２３号（優先権主張　平成１５年１１月２５日）（以下、「本願の原出願」という。）の一部を平成２２年９月２２日に新たな特許出願としたものであって、平成２４年５月２３日付けで拒絶理由が通知され、同年７月３０日付けで意見書及び手続補正書が提出され、同年８月１４日付けで拒絶査定がなされ、同年１１月２１日に拒絶査定不服審判の請求がなされたものである。
　
［２］本願発明
　本願の請求項１−７に係る発明は、平成２４年７月３０日付け手続補正書により補正された請求項１−７に記載されたとおりのものと認められるところ、その請求項１に係る発明は以下のとおりである。
　「ｎ形シリコン基板の主表面側に強電界ドリフト層が形成され、強電界ドリフト層上に金属薄膜よりなる表面電極が形成され、ｎ形シリコン基板と当該ｎ形シリコン基板の裏面に形成されたオーミック電極とで下部電極が構成され、さらに、強電界ドリフト層が、少なくとも下部電極の表面側に列設された柱状の多結晶シリコンのグレインと、グレインの表面に形成されたシリコン酸化膜と、グレイン間に介在する多数のシリコン微結晶と、シリコン微結晶の表面に形成され当該シリコン微結晶の結晶粒径よりも小さな膜厚の絶縁膜とから構成される冷電子放出素子よりなる面放射型電子源から放出される電子を物体に照射することで当該物体をイオン化することを特徴とする改質方法。」（以下、「本願発明」という。）　
　
［３］引用刊行物の記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の原出願の優先日前に日本国内において頒布された、特開平４−２４４２１３号公報（以下、「引用刊行物１」という。）、特開２０００−１００３１６号公報（以下、「引用刊行物２」という。）には、それぞれ、以下の事項が記載されている。
　
（１）引用刊行物１（特開平４−２４４２１３号公報）
 （１ａ）「【特許請求の範囲】
【請求項１】混合ガス中に電子ビームを照射し、特定のガスを選択的にイオン化させた後、この混合ガスの流れに垂直に電磁界を印加してガスの流れ方向を成分毎に偏向させて分離することを特徴とするガス分離方式。」（第２頁第１欄第１−５行）
　
（１ｂ）【０００９】図１に本発明のガス分離方式を概念図で示す。本発明のガス分離方式は、まず混合ガス中に電子ビームを照射し、混合ガス中の各ガス成分を選択的にイオン化させる。即ち、ガスはその種類により電荷の受け方に差があるため、同じエネルギー分布を持つ電子ビームが一様に照射されると、成分毎に異なる量の電子を付着させたりイオン化されることから、照射電子ビームエネルギーをコントロールすることによって、流れている混合ガス中の特定のガスを選択的に電子付着またはイオン化させることができる。」（第２頁第２欄第９−１８行）
　
（１ｃ）「【００１１】例えば、火力発電所の排ガス中からＣＯ２を分離する場合を例に挙げて説明すると、次のようにして分離される。混合ガスに照射される電子エネルギーが１００ｅＶ以上ではほとんどの気体は電離してしまうが、数１０ｅＶ位までの領域例えば１〜４０ｅＶではガス成分毎にイオン化断面積に差が生ずる。……そこで、１〜４０ｅＶの電子エネルギーにおけるＮ２とＣＯ２のイオン化断面積の差を利用して特定ガスのイオン化の割合を制御することにより、混合ガスの流れに電磁界を印加した場合に各ガス成分が受ける影響の差によって特定のガス成分の流れの方向を他の成分とは変えて分離することができる。……
【００１２】ここで、電子ビームを照射する手段としては、例えば電子ビーム照射装置等が使用可能である。そして、照射するエネルギーは混合ガスの性状及び分離対象ガスの性状等によって異なるが、概ね１ｅＶ〜５０ｅＶの範囲のエネルギーが照射される。」（第２頁第２欄第２６行−第３頁第３欄第１行）
　
（２）引用刊行物２（特開２０００−１００３１６号公報）
（２ａ）「【０００５】また、近年では、…シリコン基板などの単結晶の半導体基板を用い、その半導体基板の主表面側を陽極酸化することにより多孔質半導体層（例えば、ポーラスシリコン層）を形成して、その多孔質半導体層上に金属薄膜を形成し、半導体基板と金属薄膜との間に電圧を印加して電子を放射させるように構成した電界放射型電子源（半導体冷電子放出素子）が提案されている。」（第２頁第２欄第２０−２７行）
　
（２ｂ）「【００１３】
【発明の実施の形態】図２に本実施形態の電解放射型電子源１０の概略構成図を、図３（ａ）〜（ｅ）に電界放射型電子源１０の製造方法における主要工程断面図を示す。なお、本実施形態では、導電性基板としてｎ形シリコン基板１（抵抗率が略０．１Ωｃｍの（１００）基板）を用いている。
【００１４】本実施形態の電界放射型電子源１０は、図２に示すように、ｎ形シリコン基板１の主表面上に急速熱酸化されたポリシリコン層５が形成され、該ポリシリコン層５上に急速熱酸化された多孔質ポリシリコン層６が形成され、該多孔質ポリシリコン層６上に金属薄膜たる金薄膜７が形成されている。また、ｎ形シリコン基板１の裏面にはオーミック電極２が形成されている。
【００１５】ところで、本実施形態では、導電性基板としてｎ形シリコン基板１を用いているが、導電性基板は、電界放射型電子源１０の負極を構成するとともに真空中において上述の多孔質ポリシリコン層６を支持し、なお且つ、多孔質ポリシリコン層６へ電子を注入するものである。
【００１６】また、上述の多孔質ポリシリコン層６は、導電性基板と金属薄膜との間に電圧を印加したときに導電性基板から注入された電子がドリフトする強電界ドリフト層である。」（第３頁第３欄第３５行−第４欄第８行）
　
（２ｃ）「【００３１】……急速熱酸化された多孔質ポリシリコン層６（ＲＴＯ−ＰＰＳ層６）は、つまり、強電界ドリフト層は、図１に示すように、少なくとも、柱状の半導体結晶であるポリシリコン６１と、ポリシリコン６１の表面に形成された薄いシリコン酸化膜と６２と、柱状のポリシリコン６１間に介在するナノメータオーダの半導体微結晶である微結晶シリコン層６３と、微結晶シリコン層６３の表面に形成され当該微結晶シリコン層６３の結晶粒径よりも小さな膜厚の絶縁膜であるシリコン酸化膜６４とから構成されると考えられる。」（第５頁第７欄第１３−２３行）
　
（２ｄ）「３　放出電子のエネルギ分布（丸数字は、単に数字で表記した）
本実施形態の電界放射型電子源１０から放射される電子のエネルギＮ（Ｅ）のエネルギ分布を測定した結果を図９に示す。図９において、イは直流電圧Ｖｐｓを１２Ｖとした場合、ロは直流電圧Ｖｐｓを１５Ｖとした場合、ハは直流電圧Ｖｐｓを１８Ｖとした場合、をそれぞれ示す。
【００３９】図９から、電子のエネルギＮ（Ｅ）のエネルギ分布は比較的ブロードであって、しかも数ｅＶの高エネルギ成分を含んでおり、印加する直流電圧Ｖｐｓの増加とともにピーク位置が高エネルギ側へシフトすることがわかった。」（第６頁第９欄第１１−２１行）
　
（２ｅ）【図９】には、放出電子のエネルギ分布が示され、略０〜７．５ｅＶの範囲に分布する様子が示されている。
　
［４］引用刊行物１記載の発明
　引用刊行物１には、上記記載事項（１ａ）−（１ｃ）によれば、混合ガスの性状及び分離対象ガスの性状に応じ、混合ガスに、概ね数ｅＶ程度のエネルギー領域の電子ビームを照射し、混合ガス中の各ガス成分を選択的にイオン化させる改質方法が記載されているといえる。
　よって、引用刊行物１には、
「混合ガスに、概ね数ｅＶ程度のエネルギー領域の電子ビームを照射し、混合ガス中の各ガス成分を選択的にイオン化させる改質方法。」（以下、「引用発明」という。）が記載されている。
　
［５］対比・判断
　本願発明と引用発明とを対比すると、本願発明における改質対象、すなわち「物体」は、「気体」を含むものであり（本願明細書【００２９】）、また、本願発明は、物体に電子（電子線）を照射するものである（本願明細書【００２８】【００２９】）から、引用発明における「混合ガスに、概ね数ｅＶ程度のエネルギー領域の電子ビームを照射」は、本願発明における「電子を物体に照射」に相当する。
　
　よって、両者は、
「電子を物体に照射することで当該物体をイオン化する改質方法。」である点で一致し、以下の点で相違する。
　
（相違点）
　物体に照射される電子が、本願発明では、「ｎ形シリコン基板の主表面側に強電界ドリフト層が形成され、強電界ドリフト層上に金属薄膜よりなる表面電極が形成され、ｎ形シリコン基板と当該ｎ形シリコン基板の裏面に形成されたオーミック電極とで下部電極が構成され、さらに、強電界ドリフト層が、少なくとも下部電極の表面側に列設された柱状の多結晶シリコンのグレインと、グレインの表面に形成されたシリコン酸化膜と、グレイン間に介在する多数のシリコン微結晶と、シリコン微結晶の表面に形成され当該シリコン微結晶の結晶粒径よりも小さな膜厚の絶縁膜とから構成される冷電子放出素子よりなる面放射型電子源から放出される電子」であるのに対し、引用発明では、そのような限定がない点。
　
　上記相違点について検討する。
　引用刊行物２には、上記記載事項（２ａ）−（２ｃ）によれば、「ｎ形シリコン基板の主表面側に強電界ドリフト層が形成され、強電界ドリフト層上に金属薄膜よりなる表面電極が形成され、ｎ形シリコン基板と当該ｎ形シリコン基板の裏面に形成されたオーミック電極とで下部電極が構成され、さらに、強電界ドリフト層が、少なくとも下部電極の表面側に列設された柱状の多結晶シリコンのグレインと、グレインの表面に形成されたシリコン酸化膜と、グレイン間に介在する多数のシリコン微結晶と、シリコン微結晶の結晶粒径よりも小さな膜厚の絶縁膜とから構成される冷電子放出素子よりなる面放射型電子源」という発明が記載されている。
　そして、同（２ｄ）（２ｅ）によれば、上記面放射型電子源から放出される電子は、数ｅＶ（略０〜７．５ｅＶ）のエネルギー成分を含むものであることから、引用発明における「概ね数ｅＶ程度のエネルギー領域の電子ビームを照射」する手段として、上記面放射型電子源を採用することは、当業者が適宜なしえた事項である。
　そして、そうすることにより、相乗的な格別の効果を奏するものとも認められない。
　
　よって、本願発明は、引用刊行物１、２に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
［６］むすび
　以上のとおり、本願請求項１に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
　したがって、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。