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　特願２００６−５０２００４「高周波電極および温度調節手段が組込まれた静電チャック」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　８月１９日国際公開、ＷＯ２００４／０７０８２９、平成１８年　７月２０日国内公表、特表２００６−５１７３４１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯・本件出願の発明
　本件出願は、２００４年２月５日（パリ条約による優先権主張２００３年２月５日、フランス）を国際出願日とする特許出願であって、平成２１年１２月４日付けの拒絶理由通知に対して、応答がなかったので、平成２２年７月２６日付けで拒絶の査定がなされ、それに対して同年１１月２９日付けで拒絶の査定を不服とする審判の請求がなされ、同時に手続補正書が提出された。その後、平成２３年１２月２８日付けで当審から拒絶の理由が通知され、それに対して、平成２４年４月２７日に意見書及び手続補正書が提出され、その後、さらに、同年７月１１日付けで当審から拒絶の理由が通知され、それに対して平成２５年１月１０日に意見書及び手続補正書が提出された。そして、平成２５年４月２３日に、本件出願について、当審と本件代理人との間で面接が行われた。
　本件出願の特許請求の範囲の請求項１ないし９に係る発明は、平成２５年１月１０日付けの手続補正書によって補正された特許請求の範囲及び明細書、出願当初の図面の記載からみて、その請求項１ないし９に記載された事項により特定されるとおりのものであると認められるところ、請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次のとおりである。
「　　【請求項１】
　支持体（２３０、３３０）に担持される静電チャック（２５０、３５０）であって、
　処理されるべき基板（２００、３００）を担持するのに適した上方セラミック体（２０５、３０５）、
　平板電極である高周波電極（２２０、３２０）および加熱用構成要素（２２５、３２５）がそれぞれ上下面に配置される下方セラミック体（２１５、３１５）を包含し、
　前記高周波電極（２２０、３２０）は前記上方セラミック体（２０５、３０５）と前記下方セラミック体（２１５、３１５）との間に接合材（２６０、３６０）と共に配置され、
　前記上方セラミック体（２０５、３０５）と前記下方セラミック体（２１５、３１５）とは互いに恒久的に接合されており、かつ、
　前記上方セラミック体（２０５、３０５）及び下方セラミック体（２１５、３１５）は加熱されたガラスからなる接合材（２６０、３６０）によって互いに接合されており、
　前記加熱用構成要素（２２５、３２５）は平板電極であり、
　前記加熱用構成要素（２２５、３２５）及び前記高周波電極（２２０、３２０）を包含する前記下方セラミック体（２１５、３１５）は、前記支持体（２３０、３３０）にろう接合または熱接着されていることを特徴とする静電チャック（２５０、３５０）。」
　
第２　引用例
　これに対して、当審の平成２４年７月１１日付けの拒絶の理由に引用された本件出願の優先権主張日前に頒布された刊行物である特開２００２−５７２０７号公報（以下「刊行物」という。）の記載内容は以下のとおりである。
１　刊行物記載の事項
　刊行物には以下の事項が記載されている。
ア　段落【０００１】
「【発明の属する技術分野】この発明は、半導体製造装置用ウェハ保持体とその製造方法に関する。保持体としては、半導体ウェハを下から加熱する機能を有したヒーター、半導体ウェハとの間に静電力を発生させて半導体ウェハを固定するために用いられる静電チャック用電極、およびプラズマを発生させるために用いられるプラズマ下部電極の少なくともいずれか１つを有する保持体を含む。」
イ　段落【００５５】
「図１に示すように、プラズマＣＶＤ装置やプラズマエッチング装置用のチャンバ１０１の内部には、処理されるべき半導体ウェハ３を配置する。半導体ウェハ３はウェハ保持体１の上に固定される。ウェハ保持体１は支持体２に取付けられている。ウェハ保持体１は、窒化アルミニウム焼結体等のセラミックス焼結体から形成され、その内部に導電層としてヒーター回路パターン１１、プラズマ下部電極１２、静電チャック用電極１３を備えている。チャンバ１０１の上部にはプラズマ下部電極１２に対向するようにプラズマ上部電極５が設けられている。膜形成用の反応ガスやエッチング用のガスはガス導入口２００から導入され、ガスシャワー体４を通じて半導体ウェハ３の上に供給される。チャンバ１０１の内部ではプラズマ放電が行なわれ、供給されたガスによって半導体ウェハ３の表面上に所定の膜が形成され、または半導体ウェハ３の表面上でエッチングが行なわれる。なお、チャンバ１０１の内部を排気するために排気口３００が設けられている。」
ウ　段落【００６１】
「また、図５に示すように、セラミックス焼結体１０ａの一方の表面上にヒーター回路パターン１１を形成し、もう１つのセラミックス焼結体１０ｂとの間にガラス層１４ａを配置してセラミックス焼結体１０ａと１０ｂを接合する。さらにもう１つのセラミックス焼結体１０ｃの一方の表面上に導電層としてプラズマ下部電極１２を基板外周から０．１〜２０ｍｍ程度プルバックをとった円形に形成し、ガラス層１４ｂを用いてセラミックス焼結体１０ａの他方表面と接合する。さらに、もう１つの別のセラミックス焼結体１０ｄの一方の表面上に導電層として静電チャック用電極１３を形成し、セラミックス焼結体１０ｃの他方の表面上にガラス層１４ｃを用いて接合する。このようにして、静電チャック機能、プラズマ下部電極およびヒーター機能を備えたウェハ保持体１が構成される。」
エ　段落【００１９】〜【００２０】
「この発明の製造方法（１）と（２）においては、予め焼結されたセラミックス焼結体の表面上に金属粒子を含むペーストを塗布して焼成することによって導電層を形成する。セラミックス焼結体は、金属粒子を含むペーストが塗布される前に高い熱伝導率を有するように予め焼結されることによって準備される。このため、保持体の材料として高い熱伝導率を有するように高温で長時間焼結することによってセラミックス焼結体を準備することができる。
　また、予め準備されたセラミックス焼結体の表面上に、金属粒子を含むペーストを、熱収支等を考慮したパターンに高精度で塗布して焼成することができる。この金属粒子の焼成温度は、セラミックス焼結体の焼結温度よりも低い温度で行なわれるので、ベースとなるセラミックス焼結体が収縮せず、塗布時のペーストのパターンの精度を高く維持した状態で、セラミックス焼結体の表面上に高い精度の導電層を形成することができる。」
オ　ここで、摘記事項イの「ウェハ保持体１は支持体２に取付けられている。」の記載から、図面の図５に記載されたウェハ保持体１も、支持体２に取付けられているものであることは明らかである。また、図面の図５及び図１を参照することにより、セラミックス焼結体１０ｄにより半導体ウェハ３を担持するものであることは明らかである。さらに、図５を参照することにより、セラミックス焼結体１０ｄの下面に静電チャック用電極１３が、セラミックス焼結体１０ｃの下面にプラズマ下部電極１２が、また、セラミックス焼結体１０ａの下面にヒーター回路パターン１１が、それぞれ設けられていることは明らかである。
２　刊行物記載の発明
　上記アないしエの摘記事項、及びオの認定事項をもとに、技術常識を考慮しながら、本願発明に照らして整理すると、刊行物には以下の発明が記載されていると認める。
「支持体２に取付けられている半導体装置製造用ウェハ保持体１であって、
　半導体ウェハ３を担持するセラミックス焼結体１０ｄ、セラミックス焼結体１０ｄの下面に形成された静電チャック用電極１３、セラミックス焼結体１０ｃ、セラミックス焼結体１０ｃの下面に形成され、基板外周から０．１〜２０ｍｍ程度プルバックをとった円形のプラズマ下部電極１２、セラミックス焼結体１０ａ、セラミックス焼結体１０ａの下面に形成されたヒーター回路パターン１１、セラミックス焼結体１０ｂを包含し、
　前記セラミックス焼結体１０ｄの下面と前記セラミックス焼結体１０ｃとはガラス層１４を用いて接合され、前記プラズマ下部電極１２は前記セラミックス焼結体１０ａとガラス層１４ｂを用いて前記セラミックス焼結体１０ａと接合され、前記セラミックス焼結体１０ａの下面と前記セラミックス焼結体１０ｂとはガラス層１４ａを用いて接合された半導体製造装置用ウェハ保持体１。」（以下、「引用発明」という。）
　
第３　対比
　本願発明と引用発明とを対比すると以下のとおりである。
　引用発明の「半導体ウェハ３」、「支持体２」、「プラズマ下部電極」、「セラミックス焼結体１０ａ」、「ヒーター回路パターン１１」、「ガラス層１４ｂ」は、それぞれ、本願発明の「処理されるべき基板」、「支持体」、「高周波電極」、「下方セラミック体」、「加熱用構成要素」、「ガラスからなる接合材」に相当する。
　引用発明の「半導体製造装置用ウェハ保持体１」は、静電チャック用電極１３を有するので、本願発明の「静電チャック」に相当する。
　引用発明の「半導体ウェハ３を担持するセラミックス焼結体１０ｄ、セラミックス焼結体１０ｄの下面に形成された静電チャック用電極１３、セラミックス焼結体１０ｃ」は、合わせて、本願発明の「処理されるべき基板を担持するのに適した上方セラミック体」に相当する。なお、本願発明において、上方セラミック体内に静電チャック用電極が設けられているものであることは、平成２５年４月２３日の面接において確認している（同日付けの面接記録参照。）。
　引用発明の「取付けられる」ことは、本願発明の「担持される」ことに相当する。
　プラズマ下部電極１２がセラミックス焼結体１０ｃの下面に形成されており、「セラミックス焼結体１０ｃ」が本願発明の「上方セラミック体」の一部を構成するのであるから、引用発明の「プラズマ下部電極１２はセラミックス焼結体１０ａとガラス層１４ｂを用いてセラミックス焼結体１０ａと接合された」ことは、本願発明の「上方セラミック体及び下方セラミック体はガラスからなる接合材によって互いに接合され」ることに相当する。
　したがって、本願発明と引用発明とは、以下の点で一致しているということができる。
＜一致点＞
「支持体に担持される静電チャックであって、
　処理されるべき基板を担持するのに適した上方セラミック体、
　高周波電極、加熱用構成要素が下面に配置される下方セラミック体を包含し、
　前記上方セラミック体及び下方セラミック体はガラスからなる接合材によって互いに接合されている静電チャック。」
　そして、本願発明と引用発明とは、以下の点で相違している。
＜相違点１＞
　高周波電極及び加熱用構成要素につき、本願発明では、ともに、「平板電極」であるとしているのに対して、引用発明では、高周波電極に相当するプラズマ下部電極１２は、基板外周から０．１〜２０ｍｍ程度プルバックをとった円形のものであり、加熱用構成要素に相当するのはヒーター回路パターン１１であって、平板電極かどうかは不明な点。
＜相違点２＞
　高周波電極の配置につき、本願発明では、高周波電極は下方セラミック体の「上面」に配置されるものであり、その結果として、「高周波電極は上方セラミック体と下方セラミック体との間に接合材と共に配置され」るものであるのに対して、引用発明では、高周波電極に相当するプラズマ下部電極１２は、上方セラミック体の一部を構成するセラミックス焼結体１０ｃの下面に形成されるものである点。
＜相違点３＞
　本願発明では、「上方セラミック体と下方セラミック体とは互いに恒久的に接合されて」いるものであると特定しているのに対して、引用発明では、上方セラミック体に相当する「半導体ウェハ３を担持するセラミックス焼結体１０ｄ、セラミックス焼結体１０ｄの下面に形成された静電チャック用電極１３、セラミックス焼結体１０ｃ」と、下方セラミック体に相当する「セラミックス焼結体１０ａ」とが恒久的に接合されているものであるのかどうか不明な点。
＜相違点４＞
　上方セラミック体と下方セラミック体とのガラスからなる接合材による接合に関して、本願発明では、「加熱された」ガラスによって接合されると特定しているのに対して、引用発明では、ガラスからなる接合材を用いているものの、ガラスを加熱によって接合するものであるのかどうか不明な点。
＜相違点５＞
　下方セラミック体の支持体への担持に関して、本願発明では、「加熱用構成要素及び高周波電極を包含する下方セラミック体は、支持体にろう接合または熱接着されている」と特定しているのに対して、引用発明では、セラミックス焼結体１０ａの下面に形成されたヒーター回路パターン１１に加えてセラミックス焼結体１０ｂを有し、それが支持体２に取り付けられている点。
　
第４　相違点についての検討
１　＜相違点１＞について
　刊行物において摘記事項エに「予め焼結されたセラミックス焼結体の表面上に金属粒子を含むペーストを塗布して焼成することによって導電層を形成する」とあるところから、電極となる導電層はペーストを塗布して作成するものであることが刊行物には示されており、ペーストを塗布して導電層とすると、通常平板状の電極が形成されるものである。してみると、引用発明において、加熱用構成要素であるヒーター回路パターン１１や高周波電極であるプラズマ下部電極１２もペーストを塗布して導電層としたものを用いることは、当業者が容易に想到し得たものであり、そのような電極は通常平板状となるものである。
　してみると、引用発明において、ヒーター回路パターン１１やプラズマ下部電極１２を平板電極とすることは、当業者にとって格別困難なことではない。
２　＜相違点２＞について
　高周波電極を上方セラミック体の一方の面、すなわち、上方セラミック体の下面に形成することに代えて、下方セラミック体の上面に形成するようにしても、そのことによる格別な作用ないし効果が認められず、また、セラミック体の上面に電極を設けること自体は、例えば、特開平１１−１７６９１９号公報（焼結セラミクスからなる中間層１３上の電極層１４を参照。）、特開２０００−３０６９８６号公報（アルミナ基板５上の電極層４を参照。）に記載されているように従来周知の事項であることからすれば、引用発明において、高周波電極に相当するプラズマ下部電極１２を、セラミックス焼結体１０ｃの下面に設けることに代えて、セラミックス焼結体１０ａの上面に設けるようにすることは、当業者にとって格別困難なことではない。
　この点につき、請求人は、平成２５年１月１０日付け意見書において、「一般に、セラミックスは高温になると電気抵抗が小さくなります。静電チャックは、表面の静電気によって処理されるべき基板を担持する装置ですから、この静電気が漏れないようにする必要があります。
　本願発明１のように、高周波電極と上方セラミック体との間にガラス層が存在していると、ガラス層は高温下でも絶縁性は良好ですから、静電チャックとして良好に作動します。
　それに対し、刊行物１（当審注：刊行物である特開２００２−５７２０７号公報）に記載の発明のようにプラズマ下部電極１２がセラミック焼結体１０ｃに設けられていると、高温下では静電チャック用電極１３に基づく電荷がプラズマ下部電極１２に漏れてしまいますので、本願発明１よりも劣る効果しか得られないはずです。
　従いまして、本願発明１は、刊行物１に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものではないと思量いたします。」（第７ページ第１０行〜第２１行。）と主張している。
　しかしながら、高温になると電気抵抗が低下するセラミックもあるが、すべてのセラミックが高温で電気抵抗がガラスの電気抵抗に比べて低下するものではないこと、及び、引用発明においても、静電チャック用電極１３の下面にはガラス層１４ｃが設けられており、静電チャック用電極１３とプラズマ下部電極１２との間にはガラス層が存在することは明らかであること、以上の点から、上記主張を採用することができない。
３　＜相違点３＞について
　引用発明においても、上方セラミック体に相当するセラミックス焼結体１０ｃとセラミックス焼結体１０ａとはガラス層１４ｂにより接合されているものである。そして、接合されたガラス層１４ｂの接合を分離するとすれば、ガラス層を溶融するか、ガラス層を破壊するしかなく、通常、「恒久的に接合されている」とみるのが相当である。
　してみると、相違点３は実質的な相違点ではない。
４　＜相違点４＞について
　ガラスにより接合する際には、通常、ガラスを加熱溶融して接合するものであることからすれば、引用発明においても、ガラス層１４ｂによる接合は、ガラス層１４ｂを加熱溶融することにより行うものと考えざるを得ない。
　したがって、相違点４は実質的な相違点ではない。
５　＜相違点５＞について
　支持体にろう接合により静電チャックを接合することは、例えば、特開平１１−１７６１９号公報（段落【００１１】及び図面の図１（２）参照。）に記載されているように従来周知の事項であることから、引用発明においても、ウェハ保持体１を支持体２に対してろう接合することに、格別の困難性を有するものではない。
６　作用・効果について 
　本願発明の採用する構成によってもたらされる効果も、引用発明及び上記従来周知の事項から当業者であれば予測できる程度のものであって格別のものではない。
　
第５　むすび
　したがって、本件出願の請求項１に係る発明は、刊行物記載の発明、及び従来周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許をすることができない。
　よって、本件出願の請求項２ないし９に係る発明について検討するまでもなく、本件出願は拒絶されるべきであるから、結論のとおり審決する。