【事件の表示】
　特願２００３−５８６４０１「非極性（Ａｌ，Ｂ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ量子井戸、ならびにヘテロ構造材料およびデバイス」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年１０月３０日国際公開、ＷＯ０３／８９６９４、平成１７年　７月２８日国内公表、特表２００５−５２２８８８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１５年（２００３年）４月１５日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００２年４月１５日、米国）を国際出願日とする出願であって、平成１７年２月１日、平成２２年３月１日及び同年１１月８日に手続補正がなされたが、平成２３年１月１９日付けで平成２２年１１月８日になされた手続補正が却下されるとともに同日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年５月２４日に拒絶査定不服審判請求がなされるとともに、同時に手続補正がなされたものである。
　
第２　平成２３年５月２４日付け手続補正についての補正却下の決定
〔補正却下の決定の結論〕
　平成２３年５月２４日付け手続補正を却下する。
　
〔理由〕
１　本件補正の内容
（１）平成２３年５月２４日付け手続補正（以下「本件補正」という。）は、特許請求の範囲についてするものであって、請求項１について、本件補正前に、
「　窒化物半導体デバイスを形成するための方法であって、
　（ａ）１つ以上の非極性ＧａＮ層をｒ平面サファイア基板上で成長させる工程と、
　（ｂ）１つ以上の非極性（Ａｌ，Ｂ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ層を該非極性ＧａＮ層上で成長させる工程であって、該成長させられた非極性（Ａｌ，Ｂ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ層は、少なくとも５ナノメートルの厚さを有する少なくとも１つの量子井戸層を含む、工程と
　を包含する、方法。」
とあったものを、
　
「　窒化物半導体デバイスを形成するための方法であって、
　（ａ）１つ以上の非極性ＧａＮ層をｒ平面サファイア基板上で成長させる工程と、
　（ｂ）１つ以上の非極性（Ａｌ，Ｂ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ層を該非極性ＧａＮ層上で成長させる工程であって、該成長させられた非極性（Ａｌ，Ｂ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ層は、少なくとも５ナノメートルの厚さを有する少なくとも１つの量子井戸層を含む、工程と
　を包含
し、
　少なくとも５ナノメートルの厚さを有する量子井戸層に対するピーク光ルミネッセンス（ＰＬ）発光の波長および強度が、５ナノメートル未満の厚さを有する量子井戸層に対するピーク光ルミネッセンス（ＰＬ）発光の波長および強度に比べて大きくなるように、該量子井戸層の厚さが増加するにつれて該ピーク光ルミネッセンス（ＰＬ）発光の波長および強度が増加する、
とする補正を含むものである（下線は審決で付した。以下同じ。）。
　
（２）上記（１）の補正は、本件補正前の請求項１に係る発明を特定するために必要な事項である「少なくとも５ナノメートルの厚さを有する少なくとも１つの量子井戸層」について、「ピーク光ルミネッセンス（ＰＬ）発光の波長および強度が、５ナノメートル未満の厚さを有する量子井戸層に対するピーク光ルミネッセンス（ＰＬ）発光の波長および強度に比べて大きくなるように、該量子井戸層の厚さが増加するにつれて該ピーク光ルミネッセンス（ＰＬ）発光の波長および強度が増加する」との限定を付加するものである。
　
２　本件補正の目的
　本件補正は、上記１（２）のとおり、本件補正前の請求項１に係る発明を特定するために必要な事項を限定するものであるから、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　
　そこで、本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下検討する。
　
３　引用刊行物及び引用発明
　平成２１年８月２０日付け拒絶理由通知書及び平成２３年１月１９日付け補正の却下の決定の理由に引用された、優先日前に頒布された刊行物である特開平１０−１３５５７６号公報（以下「引用例」という。）には、以下の記載がある（下線は、審決で付した。）。
　
ア　「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体発光素子、光半導体素子、発光ダイオード及び表示装置に関するものであり、より詳しくは、青色から紫外にかけた波長帯の光を発光するGaN等のウルツ鉱型化合物半導体を発光部に有する半導体発光素子、光半導体素子、発光ダイオード及び表示装置に関するものである。」　
　
イ　「【０１３７】（略）
（第３実施形態）従来の発光ダイオードは、光の出射方向に対して円偏光であるので、直線偏光を得たい場合には、ポラロイド等の偏光子を通すことによって直線偏光した偏光光を得ていた。
【０１３８】また、直線偏光した偏光光を利用して立体画像を表示する場合、右目用画像と左目用画像を互いに偏光方向の異なる光で表示し、それを互いに偏光方向の異なる右目用偏光子と左目用偏光子を介して見ることによって立体画像として認識しており、特に、大型立体画像表示装置の場合には、投影方式を採用している。しかし、従来の発光ダイオードを用いて直線偏光を得ようとする場合には、偏光子を必要とするため部品点数が多くなるという問題があり、且つ、発光ダイオードと偏光子とを組み合わせる工程が必要になるため、生産コストが高くつくという問題がある。
【０１３９】また、偏光子を介して円偏光を特定の方向に偏光した直線偏光にしているので、偏光子の偏光方向と偏光方向の異なる光は取り出せず無駄になるので、発光効率が悪いという問題がある。さらに、大型立体表示装置の場合には、投影方式であるため、従来の投影方式の表示装置と同ように、明るいところでは表示画像が非常に見ずらくなり、実質的に利用できないという問題もある。
【０１４０】図１９は本実施形態の原理的構成の説明図であり、この図１９を参照して本発明における課題を解決するための手段を説明する。本実施形態は、図１９(a) 及び(b) に例示するように、発光ダイオード７０において、発光ダイオード７０を構成するウルツ鉱型化合物半導体結晶のｃ軸方向が光の放出方向とほぼ直交していることを特徴とする。
【０１４１】このようにGaN のようなウルツ鉱型化合物半導体を用いた場合、ウルツ鉱型化合物半導体は、GaAs等の他のIII-V 族化合物半導体と異なり六方晶系であり、このようなウルツ鉱型化合物半導体における発光は伝導帯から価電子帯のＨＨ（Heavy Hole）あるいはＬＨ（Light Hole）への遷移によって起こるが、これらはａ軸方向に関するバンドであるため、ｃ軸方向、即ち、＜０００１＞方向に垂直な方向に偏光した光が強く現れ、逆にｃ軸方向に平行に偏光した光はほとんど現れないので、偏光子を用いなくとも直線偏光した光が得られることになる。
【０１４２】なお、本発明において、ｃ軸方向が光の放出方向とほぼ直交するとは、ｃ軸と最も強度の大きな光の放出方向とが純粋に直交するもの以外に、±５°の範囲の角度を含むものである。また、本実施形態は、ウルツ鉱型化合物半導体結晶のｃ軸方向と結晶成長方向とがー致していることを特徴とする。
【０１４３】成長基板として、サファイアの｛０００１｝面、｛１１−２０｝面、６Ｈ−ＳｉＣの｛０００１｝面、或いは、スピネルの｛１１１｝面を用いた場合、ウルツ鉱型化合物半導体結晶の結晶成長方向はｃ軸方向となるので、図１(a) に示すように活性層に平行に光を取り出すことによって、直線偏光した光が得られる。なお、本明細書においては、“１バー 或いは“２バー 等の結晶方位を便宜的に、“−１ 或いは“−２ 等として表す。
【０１４４】また、本実施形態は、ウルツ鉱型化合物半導体結晶のｃ軸方向と結晶成長方向とがほぼ直交していることを特徴とする。成長基板の主面として、サファイア基板のｒ面、即ち、｛１−１０２｝面、又は、６Ｈ−ＳｉＣの｛１−１００｝面若しくは｛１１−２０｝面を用いた場合、ウルツ鉱型化合物半導体結晶の結晶成長方向はｃ軸方向とほぼ平行になるので、図１(b) に示すように活性層に垂直に光を取り出すことによって、直線偏光した光が得られ、且つ、広い面からの光が偏光光となるので、発光領域を大きく取ることができる。
【０１４５】また、本実施形態は、上記したウルツ鉱型化合物半導体が、III 族の窒化物からなるIII-V 族化合物半導体であることを特徴とする。このように、ウルツ鉱型化合物半導体として、安定な結晶構造を有するGaN 系化合物半導体等のIII 族の窒化物からなるIII-V 族化合物半導体を用いることによって、１. ９eV〜６. ２eVの広い範囲に渡り高効率の短波長発光が得られ、混晶比を調整することによって、所望の発光波長を得ることができる。
【０１４６】さらに、本実施形態は、表示装置において、光の放出方向がｃ軸方向とほぼ直交するウルツ鉱型化合物半導体結晶からなる複数の発光ダイオード７０を用い、この複数の発光ダイオード７０を、偏光方向がある方向ｕに偏光した右目用発光ダイオードと、右目用発光ダイオードの偏光方向ｕに垂直な方向ｖに偏光した左目用発光ダイオードとになるように配置し、立体表示を得るようにしたことを特徴とする。
【０１４７】光の放出方向がｃ軸方向とほぼ直交するウルツ鉱型化合物半導体結晶からなる発光ダイオード７０は、ｃ軸方向に垂直に、即ち、a 軸方向に偏光しており、このａ軸方向に偏光した発光ダイオード７０を光の放出方向を軸として９０°回転させた場合には、ｃ軸方向に垂直で、且つ、回転させる前の偏光方向に対して垂直に偏光した直線偏光光となるため、一方を右目用とし、他方を左目用とすることによって、立体画像の表示が可能になる。」
　
ウ　「【０１５５】第２例
次に、図２２を参照して本発明の第２の例を説明する。まず、図２２(a) に示すように、
（１−１０２）面、即ち、Γ面を主面とするサファイア基板９１上に、ＭＯＶＰＥ法を用いて、厚さ５〜５０nm、例えば２０nmのGaN バッファ層９２、厚さ０. ５〜５. ０μｍ、例えば３. ０μｍのｎ型Al
0.05
Ga
0.95
N 層９３、厚さ１０〜１００nm、例えば５０nmのln
0.1
Ga
0.9
N 活性層９４、及び、厚さ０. １〜１. ０μｍ  、例えば０. ５μｍのｐ型Al
0.05
Ga
0.95
N 層９５を順次エピタキシャル成長させる。
【０１５６】
次いで、反応性イオンエッチング法によってｎ型Al
0.05
Ga
0.95
N 層９３の一部を露出させたのち、ｐ型Al
0.05
Ga
0.95
N 層９５の表面にｐ側電極として非常に薄いNiからなる半透明電極９６を設けるとともに、ｎ型Al
0.05
Ga
0.95
N 層９３の露出表面にｎ側電極としてTi電極９７を設ける。なお、この場合、GaN バッファ層９２からｐ型Al
0.05
Ga
0.95
N 層９５の各層のｃ軸の方向は、サファイア基板９１の基板面内の方向に向いて成長するので、ｃ軸は基板面と平行になる。
【０１５７】
そのようにして形成された発光ダイオード８４
【０１５８】この場合にも、第１例と同ように、光の放出方向はｃ軸に垂直であるので、ａ軸方向に偏光した光が得られ、ａ軸に対して９０°偏光した、即ち、ａ軸に垂直に偏光した光は殆ど得られない。したがって、本発明においては、偏光子等を用いることなく特定の方向に偏光した直線偏光光を得ることができるので、部品点数が増加することなく、且つ、発光ダイオードと偏光子の組み合わせ工程が不要になる。この結果、発光ダイオードの生産コストは低コストになる。
【０１５９】また、この第２例の場合は、面発光型であるので、上記の第１例に比べて発光領域を大きくすることができ、第１例と比べて１０倍程度の発光強度が期待できる。なお、第２例においては、基板として、ｒ面を主面とするサファイア基板を用いているが、ｒ面を主面とするサファイア基板に限られるものではなく、（１−１００）面を主面とするＳｉＣ基板、或いは、（１１−２０）面を主面とするＳｉＣ基板を用いても良いものである。
【０１６０】また、第２例においては、ｐ側電極として薄いNi膜からなる半透明電極９６を用いているが、半透明電極９６に限られるものではなく、通常の厚さのNi電極をメッシュ状に設けて、メッシュの間から光を取り出すようにしても良い。」
　
エ　上記ウによれば、引用例には次の発明が記載されているものと認められる。
　
「発光ダイオードを形成する方法であって、
　（１−１０２）面、即ち、Γ面を主面とするサファイア基板上に、ＭＯＶＰＥ法を用いて、厚さ２０nmのGaN バッファ層、厚さ３. ０μｍのｎ型Al0.05Ga0.95N 層、厚さ５０nmのln0.1Ga0.9N 活性層、及び、厚さ０. ５μｍのｐ型Al0.05Ga0.95N 層を順次エピタキシャル成長させ、
　次いで、反応性イオンエッチング法によって前記ｎ型Al0.05Ga0.95N 層の一部を露出させたのち、前記ｐ型Al0.05Ga0.95N 層の表面にｐ側電極として非常に薄いNiからなる半透明電極を設けるとともに、前記ｎ型Al0.05Ga0.95N 層の露出表面にｎ側電極としてTi電極を設け、
　前記GaN バッファ層から前記ｐ型Al0.05Ga0.95N 層の各層のｃ軸の方向は、サファイア基板の基板面内の方向に向いて成長するので、ｃ軸は基板面と平行になる方法。」（以下「引用発明」という。）
　
４　対比
　本願補正発明と引用発明とを対比する。
（１）引用発明の「GaN バッファ層」、「『ｎ型Al0.05Ga0.95N 層』、『ln0.1Ga0.9N 活性層』及び『ｐ型Al0.05Ga0.95N 層』」は、それぞれ本願補正発明の「ＧａＮ層」、「（Ａｌ，Ｂ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ層」に相当する。
　
（２）引用発明の「発光ダイオード」は、GaN バッファ層、ｎ型Al0.05Ga0.95N 層、ln0.1Ga0.9N 活性層、及びｐ型Al0.05Ga0.95N 層を有するものであるから、本願補正発明の「窒化物半導体デバイス」に相当する。したがって、引用発明の「発光ダイオードを形成する方法」は、「窒化物半導体デバイスを形成するための方法」であるといえ、この点で、本願補正発明と一致する。
　
（３）引用発明の「（１−１０２）面、即ち、Γ面を主面とするサファイア基板」は、（１−１０２）面がｒ平面であるから、本願補正発明の「ｒ平面サファイア基板」に相当する。
　
（４）引用発明は、「（１−１０２）面、即ち、Γ面を主面とするサファイア基板上に、ＭＯＶＰＥ法を用いて、厚さ２０nmのGaN バッファ層、厚さ３. ０μｍのｎ型Al0.05Ga0.95N 層、厚さ５０nmのln0.1Ga0.9N 活性層、及び、厚さ０. ５μｍのｐ型Al0.05Ga0.95N 層を順次エピタキシャル成長させ」るものであるから、「１つ以上のＧａＮ層をｒ平面サファイア基板上で成長させる工程と、
　１つ以上の（Ａｌ，Ｂ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ層を該ＧａＮ層上で成長させる工程を包含」する点で、本願補正発明と一致する。
　
（５）上記（１）ないし（４）によれば、本願補正発明と引用発明とは、
　「窒化物半導体デバイスを形成するための方法であって、
　（ａ）１つ以上のＧａＮ層をｒ平面サファイア基板上で成長させる工程と、
　（ｂ）１つ以上の（Ａｌ，Ｂ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ層を該ＧａＮ層上で成長させる工程と
　を包含する方法。」
である点で一致し、次の点で相違する。
　
ア　ＧａＮ層及び（Ａｌ，Ｂ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ層が、本願補正発明では、非極性とされているのに対して、引用発明では、非極性とされていない点（以下「相違点１」という。）。
　
イ　（Ａｌ，Ｂ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ層が、本願補正発明では、少なくとも５ナノメートルの厚さを有する少なくとも１つの量子井戸層を含むものであるのに対して、引用発明では、量子井戸層を含まない点（以下「相違点２」という。）。
　
ウ　本願補正発明では、「少なくとも５ナノメートルの厚さを有する量子井戸層に対するピーク光ルミネッセンス（ＰＬ）発光の波長および強度が、５ナノメートル未満の厚さを有する量子井戸層に対するピーク光ルミネッセンス（ＰＬ）発光の波長および強度に比べて大きくなるように、該量子井戸層の厚さが増加するにつれて該ピーク光ルミネッセンス（ＰＬ）発光の波長および強度が増加する」のに対して、引用発明では、そのような限定がなされていない点（以下「相違点３」という。）。
　
５　判断
（１）相違点１について
ア　非極性ＧａＮ層及び非極性（Ａｌ，Ｂ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ層について、本願明細書の発明の詳細な説明には、以下の記載がある（審決注、表記の都合上、結晶方位を表す数字のうち、バー（アッパーライン）が付くものは−１のように記載した。）。
　
（ア）「【０００３】
　（１．発明の分野）
　本発明は、半導体材料、方法、およびデバイスに関し、そしてより具体的には、
非極性
　
（イ）「【０００８】
　
非極性
非極性
非極性
【０００９】
　最近、２つのグループが、
非極性
非極性
【００１０】
　これらの結果にもかかわらず、
非極性
　
（ウ）「【発明の開示】
【課題を解決するための手段】
【００１１】
　（発明の要旨）
　本発明は、
非極性
非極性
【００１２】
【数１】
（１１−２０）
ａ平面ＧａＮ薄膜が、
【００１３】
【数２】
（１−１０２）
ｒ平面サファイア基板上に、金属・有機化学気相成長（ＭＯＣＶＤ）を使用して成長される。これらの
非極性
【００１４】
【数３】
（１１−２０）
ａ平面ＧａＮ薄膜は、
非極性
　
（エ）「【００１７】
　（概説）
　本発明の目的は、
非極性
【００１８】
【数４】
（１１−２０）
ａ平面ＧａＮ薄膜をテンプレートとして使用して、
非極性
【００１９】
　デバイス品質の
非極性
【００２０】
【数５】
（１１−２０）
ａ平面ＧａＮ薄膜を、ＭＯＣＶＤを介して、
【００２１】
【数６】
（１−１０２）
ｒ平面サファイア基板上に成長させるための方法は、同時係属中の、同一人に譲渡された、米国仮特許出願番号６０／３７２，９０９（発明の名称「ＮＯＮ−ＰＯＬＡＲ  ＧＡＬＬＩＵＭ  ＮＩＴＲＩＤＥ  ＢＡＳＥＤ  ＴＨＩＮ  ＦＩＬＭＳ  ＡＮＤ  ＨＥＴＥＲＯＳＴＲＵＣＴＵＲＥ  ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ」、２００２年４月１５日出願、Ｍｉｃｈａｅｌ  Ｄ．Ｃｒａｖｅｎ，Ｓｔａｃｉａ  Ｋｅｌｌｅｒ，Ｓｔｅｖｅｎ  Ｐ．ＤｅｎＢａａｒｓ，Ｔａｌ  Ｍａｒｇａｌｉｔｈ，Ｊａｍｅｓ  Ｓ．Ｓｐｅｃｋ，Ｓｈｕｊｉ  Ｎａｋａｍｕｒａ，およびＵｍｅｓｈ  Ｋ．Ｍｉｓｈｒａ、代理人文書番号３０７９４．９５−ＵＳ−Ｐ１）、および同時係属中の、同一人に譲渡された米国特許出願番号−−／−−−，−−−、発明の名称「ＮＯＮ−ＰＯＬＡＲ  Ａ−ＰＬＡＮＥ  ＧＡＬＬＩＵＭ  ＮＩＴＲＩＤＥ  ＴＨＩＮ  ＦＩＬＭＳ  ＧＲＯＷＮ  ＢＹ  ＭＥＴＡＬＯＲＧＡＮＩＣ  ＣＨＥＭＩＣＡＬ  ＶＡＰＯＲ  ＤＥＰＯＳＩＴＩＯＮ」、本願と同日に出願、Ｍｉｃｈａｅｌ  Ｄ．ＣｒａｖｅｎおよびＪａｍｅｓ  Ｓ．Ｓｐｅｃｋ、代理人文書番号３０７９４．１００−ＵＳ−Ｐ１）に記載されており、これらの出願の両方が、本明細書中に参考として援用される。
【００２２】
　本発明は、（Ａｌ，Ｂ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ量子井戸、およびヘテロ構造材料の、引き続く
【００２３】
【数７】
（１１−２０）
ａ平面ＧａＮ層上への成長に焦点を当てる。これらの構造のルミネッセンス特徴は、分極によって誘導される電場がこれらの電子帯構造に影響を与えず、その結果、分極のない構造が得られることを示す。
非極性
【００２４】
　
非極性
【００２５】
【数８】
（１１−２０）
ａ平面ＧａＮ層上に堆積される潜在的なデバイス層としては、レーザーダイオード（ＬＤ）、発光ダイオード（ＬＥＤ）、共振空洞ＬＥＤ（ＲＣ−ＬＥＤ）、垂直空洞表面発行レーザー（ＶＣＳＥＬ）、高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）、ヘテロ結合双極トランジスタ（ＨＢＴ）、ヘテロ結合電場効果トランジスタ（ＨＦＥＴ）ならびにＵＶ光検出器および近ＵＶ光検出器が挙げられる。」
　
（オ）「【００２６】
　（プロセス工程）
　図１は、本発明の好ましい実施形態に従って、
非極性
【００２７】
【数９】
（１１−２０）
ａ平面ＧａＮ層の成長、引き続く、量子井戸およびヘテロ構造のための異なる合金組成を有する層の成長を包含する。
【００２８】
　ブロック１００は、サファイア基板を、垂直な、間隔の狭い、回転ディスクのＭＯＣＶＤ反応器への装填を示す。この工程について、＋／−２°以内のサファイアｒ平面
【００２９】
【数１０】
（１−１０２）
で結晶学的に配向した表面を有する、準備前のサファイア基板が、市場の販売者から入手され得る。エキソサイチュ（ｅｘ−ｓｉｔｕ）ではない調製は、サファイア基板をＭＯＣＶＤ反応器に装填する前に実施される必要があるが、サファイア基板のエキソサイチュクリーニングは、予防上の手段として使用され得る。
【００３０】
　ブロック１０２は、サファイア基板をインサイチュで高温（＞１０００℃）でアニールすることを表し、これは、原子規模で、基板表面の質を改善する。アニール後、基板の温度は、引き続く低温核生成層堆積のために低下される。
【００３１】
　ブロック１０４は、薄い、低温の、低圧の窒化物ベースの核生成層を、緩衝層として、サファイア基板上に堆積させることを表す。このような層は、通常、ｃ平面（０００１）窒化物半導体のヘテロエピタキシャル成長において使用される。好ましい実施形態において、この核生成層は、１〜１００ナノメートル（ｎｍ）のＧａＮからなるが、これに限定されず、そして約４００〜９００℃および１ａｔｍで堆積される。
【００３２】
　核生成層を堆積させた後に、反応温度は高温に上昇され、そしてブロック１０６は、エピタキシャル
【００３３】
【数１１】
（１１−２０）
ａ平面ＧａＮ層を、約１．５μｎの厚さで成長させることを表す。この高温成長条件としては、約１１００℃の成長温度、約０．２ａｔｍ以下の成長圧力、１分間あたり３０μｍｏｌのＧａフロー、および１分間あたり４０，０００μｍｏｌのＮフローが挙げられるが、これらに限定されず、これによって、約１３００のＶ／ＩＩＩ比を与える。好ましい実施形態において、第ＩＩＩ族の供給源および第Ｖ族の供給源として使用される前駆体は、それぞれ、トリメチルガリウムおよびアンモニアであるが、代替の前駆体が同様に使用され得る。さらに、成長条件は、本発明の範囲から逸脱せずに、異なる成長速度（例えば、１秒間あたり５Åと９Åとの間）を生じるために変動され得る。
【００３４】
　高温成長工程の完了の際に、ブロック１０８は、エピタキシャル
【００３５】
【数１２】
（１１−２０）
ａ平面ＧａＮ層の、窒素過剰圧力下での冷却を表す。
【００３６】
　最後に、ブロック１１０は、異なる合金組成、および従って、異なる電気的特性を有する、
非極性
【００３７】
【数１３】
（１１−２０）
ａ平面ＧａＮ層上に成長された
非極性
非極性
【００３８】
　量子井戸は、異なる帯域幅の交互の層を使用し、その結果、「井戸」が、この構造のエネルギー帯プロフィールにおいて形成される。構造における層の正確な数は、所望の量子井戸の数に依存する。励起の際に、電子およびホールが、それぞれ伝導帯および価電子帯の井戸内に蓄積する。バンドからバンドへの再結合が、井戸層において起こる。なぜなら、状態密度が、これらの位置において最高であるからである。従って、量子井戸は、所望の発光特徴および利用可能なエピタキシャル性超能力に従って、操作され得る。
【００３９】
  
非極性
【００４０】
【数１４】
（１１−２０）
ａ平面ＧａＮ層上で首尾よく成長した層の見かけの厚さおよび組成としては、以下：
　８ｎｍのＳｉドープしたＩｎ０．０３ＧａＮ障壁
　１．５ｎｍ、２．５ｎｍまたは５ｎｍのＩｎ０．１ＧａＮ井戸
が挙げられるが、これらに限定されない。
【００４１】
　さらに、上記ブロックは、必要に応じて繰り返され得る。１つの実施形態において、ブロック１１０は、ＧａＮでキャップされて（Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ層の一体性を維持するＭＱＷ構造を形成するために、５回繰り返された。この例において、ＭＱＷ構造を含む層は、８２５℃の温度および大気圧で、ＭＯＣＶＤを介して成長された。
【００４２】
　この構造のルミネッセンス特徴は、分極により誘導される電場が帯域プロフィールに影響を与えず、そして量子井戸が分極なしであるとみなされ得ることを示す。例えば、図２は、室温で測定される場合に１．５ｎｍ、２．５ｎｍおよび５．０ｎｍの見かけの井戸幅を有する、５周期のａ平面Ｉｎ０．１ＧａＮ／Ｉｎ０．０３ＧａＮ  ＭＱＷ構造の光ルミネッセンス（ＰＬ）スペクトルを示す。ピークＰＬ発光の波長および強度は、井戸の深さの増加とともに増加する。
【００４３】
　さらに、図３は、種々のポンプ電力について測定された、５．０ｎｍの見かけの井戸幅を有する、ａ平面Ｉｎ０．０３Ｇａ０．９７Ｎ／Ｉｎ０．１Ｇａ０．９Ｎ  ＭＱＷ構造のＰＬスペクトルを示す。ＰＬ強度は、予測どおりに、ポンプ電力とともに増加するが、一方でピークの発光波長は、ポンプの電力に依存しない。このことは、帯域プロフィールが、分極によって誘導される電場によって影響を受けないことを示す。
【００４４】
　（Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ量子井戸に加えて、（Ａｌ，Ｇａ）Ｎ／ＧａＮ超格子を含むヘテロ構造もまた、
非極性
【００４５】
【数１５】
（１１−２０）
ａ平面ＧａＮ層上で成長され得る。例えば、ヘテロ構造は、代表的に、２つの層（最も通常には、ＧａＮ上の（ＡｌＧａ）Ｎ）からなり、トランジスタ作動のために必要な電子チャネルを生じる。超格子層の厚さおよび組成としては、以下：
　９ｎｍのＡｌ０．４ＧａＮ障壁
　１１ｎｍのＧａＮ井戸
が挙げられるが、これらに限定されない。
【００４６】
　１つの実施例においてブロック１１０は、１１ｎｍのＧａＮ井戸層で終結する１０周期のＡｌ０．４Ｇａ０．６Ｎ／ＧａＮ超格子を形成するために、１０回繰り返された。この超格子は、下にあるテンプレート層について使用された条件（約１１００℃の成長温度、約０．１ａｔｍ以下の成長圧力、３８μｍｏｌ／分のＡｌフロー、２０μｍｏｌ／分のＧａフロー、および４０，０００μｍｏｌ／分のＮフロー）と類似の条件で、ＭＯＣＶＤを介して成長された。Ａｌフローが簡単に遮断され、ＧａＮ井戸層を形成する。首尾よい成長条件は、上に提供される値によって厳密に規定されない。（Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ量子井戸と同様に、上記超格子のルミネッセンス特徴は、分極場が構造に影響を与えないことを示す。
【００４７】
　図４（ａ）は、１０周期のＡｌ０．４Ｇａ０．６Ｎ／ＧａＮ超格子の２θ−ωｘ線回折走査を示し、これは、明らかに規定されたサテライトピークを明らかにする。一方で、図４（ｂ）は、図４（ａ）において特徴付けられた超格子のＰＬスペクトルを示す。分極によって誘導される電場の非存在は、超格子の３．４５ｅＶ（約３６０ｎｍ）の帯域境界発光によって証拠付けられた。帯域境界発光は、ｃ平面の超格子に存在するわずかな赤色シフトを経験しなかった。」
　
（カ）「【００４９】
（略）
　（結論）
　これは、発明の好ましい実施形態の説明を結論付ける。以下は、本発明を達成するための、いくつかの代替の実施形態を記載する。
【００５０】
　例えば、
非極性
【００５１】
　さらに、特定のＭＯＣＶＤ成長条件は、量子井戸構造の層の寸法および組成を決定する。この点に関して、ＭＯＣＶＤ成長条件は、反応器に依存性であり、そして特定の反応器設計の間で変動し得る。このプロセスの多くのバリエーションが、産業および学問において現在使用される種々の反応器の設計を用いて、可能である。
【００５２】
　成長温度、成長圧力、Ｖ／ＩＩＩ比、前駆体フロー、および原料のような条件におけるバリエーションが、本発明の範囲から逸脱することなく可能である。界面の質の制御は、このプロセスの別の重要な局面であり、そして特定の反応器設計のフロー切り替え能力に直接関連する。成長条件の連続した最適化が、上記一体化された量子井戸層のより正確な組成および厚さの制御を生じる。
【００５３】
　
さらに、ＭＯＣＶＤ以外の多数の異なる成長方法が、本発明において使用され得る。例えば、成長方法はまた、分子線エピタキシー（ＭＢＥ）、液相エピタキシー（ＬＰＥ）、水素化物蒸気相エピタキシー（ＨＶＰＥ）、昇華、およびプラズマ増強化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）であり得る。
【００５４】
　
さらに、非極性のａ平面ＧａＮ薄膜が、本明細書中に記載されるが、同じ技術が、非極性のｍ平面ＧａＮ薄膜に対して適用可能である。
非極性
【００５５】
　最後に、サファイア基板以外の基板が、
非極性
【００５６】
　要約すると、本発明は、
非極性
非極性
【００５７】
【数１６】
（１１−２０）
ａ平面ＧａＮ薄膜層が、
【００５８】
【数１７】
（１−１０２）
ｒ平面サファイア基板上に、ＭＯＣＶＤを使用して成長される。これらの
非極性
【００５９】
【数１８】
（１１−２０）
ａ平面ＧａＮ層は、
非極性
　
イ　上記アによれば、本願補正発明において、「非極性ＧａＮ層」とは、ｒ平面サファイア基板上に、金属・有機化学気相成長（ＭＯＣＶＤ）、分子線エピタキシー（ＭＢＥ）、液相エピタキシー（ＬＰＥ）、水素化物蒸気相エピタキシー（ＨＶＰＥ）、昇華、またはプラズマ増強化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）を使用して成長される（１１−２０）ａ平面またはｍ平面のＧａＮ薄膜であり、「非極性（Ａｌ，Ｂ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ層」とは、当該ＧａＮ薄膜の上に形成される（Ａｌ，Ｂ，Ｉｎ，Ｇａ）層であると認められる（【００１１】−【００１４】、【００１７】−【００１８】、【００２６】−【００２７】、【００２８】−【００３８】、【００４４】−【００４５】、【００５３】−【００５４】及び【００５６】−【００５９】参照。）。
　他方、引用発明において、「GaN バッファ層」は、上記４（３）を踏まえると、「ｒ平面サファイア基板」上に、ＭＯＶＰＥ法、すなわち金属・有機化学気相成長（ＭＯＣＶＤ）を用いるエピタキシャル成長法により成長したものといえ、そのｃ軸が基板面と平行であることに照らして、ｃ軸に平行な結晶面、すなわち、（１１−２０）ａ平面または（１−１００）ｍ平面を有するものと認められる。そうすると、引用発明の「GaN バッファ層」は、本願補正発明の「非極性ＧａＮ層」と実質的に異なるところがない。
　また、引用発明において、「『ｎ型Al0.05Ga0.95N 層』、『ln0.1Ga0.9N 活性層』及び『ｐ型Al0.05Ga0.95N 層』」は、「GaN バッファ層」の上に順次エピタキシャル成長させたものであるから、本願補正発明の「非極性（Ａｌ，Ｂ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ層」と実質的に異なるところがない。
　
ウ　以上によれば、相違点１は、実質的な相違点ではない。
　
（２）相違点２について
　lnGaN からなる活性層を有する発光ダイオードにおいて、活性層を少なくとも１つの量子井戸層を含むものによって構成することは、本願優先日時点で周知の技術であって、量子井戸層の厚さを５ナノメートル以上のものとすることに格別の困難があるものではない（必要であれば、特開２００１−７３９６号公報の【００２７】、特開２０００−２７７８５５号公報の【００５０】、特開平１１−３４０５８０号公報の【００９８】、【０２１８】、【０２２３】−【０２２５】、【０２３０】、【０２３７】、【０２４６】、【０２５６】、【０２６３】、【０２７８】、【０２８８】、【０２９６】、【０３０２】、【０３１０】、【０３１８】、【０３２７】、【０３３２】、【０３４５】、【０３５１】、【０３６２】、【０３７０】、【０３７９】、【０４６５】等を参照。）。したがって、発光ダイオードがInGaN活性層を有する引用発明において、相違点２に係る本願補正発明の構成とすることは、当業者が容易に想到できたことである。
　そして、本願明細書の記載を見ても、量子井戸層の厚さを少なくとも５ナノメートルとするか否かで当業者が予測困難なほどの作用、効果の差異が生じるものと認めることはできず、相違点２のように量子井戸層の厚さが特定された点に格別の臨界的な意義があるものとは認められない。　
　
（３）相違点３について
ア　上記（１）ア（オ）、特に【００４２】の記載によれば、相違点３に係る本願補正発明の構成「少なくとも５ナノメートルの厚さを有する量子井戸層に対するピーク光ルミネッセンス（ＰＬ）発光の波長および強度が、５ナノメートル未満の厚さを有する量子井戸層に対するピーク光ルミネッセンス（ＰＬ）発光の波長および強度に比べて大きくなるように、該量子井戸層の厚さが増加するにつれて該ピーク光ルミネッセンス（ＰＬ）発光の波長および強度が増加する」は、本願補正発明の「（ａ）１つ以上の非極性ＧａＮ層をｒ平面サファイア基板上で成長させる工程と、
　（ｂ）１つ以上の非極性（Ａｌ，Ｂ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ層を該非極性ＧａＮ層上で成長させる工程であって、該成長させられた非極性（Ａｌ，Ｂ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ層は、少なくとも５ナノメートルの厚さを有する少なくとも１つの量子井戸層を含む、工程と
　を包含」する（以下「本願補正発明の構成Ａ」という。）との方法で形成される窒化物半導体デバイスの量子井戸層の厚さとピークＰＬ発光の波長および強度の関係を表現した以上の技術的意義を有するものではなく、窒化物半導体デバイスの形成方法を具体的に特定するものではないと認められる。
　
イ　しかるに、上記（１）及び（２）で検討したとおり、引用発明において、上記本願補正発明の構成Ａを備えることは、当業者が容易に想到できたことであるところ、これにより形成される発光ダイオードの量子井戸層の厚さとピークＰＬ発光の波長および強度の関係は、相違点３のものとなると解される。
　すなわち、引用発明において、上記本願補正発明の構成Ａを備えることにともなって、相違点３に係る本願補正発明の構成も導かれるものと解される。
　
（４）本願補正発明の効果
　本願補正発明の奏する効果が、引用発明及び周知技術の奏する効果から、当業者が予測可能な域を超える程度の顕著なものとは認められない。
　
（５）まとめ
　したがって、本願補正発明は、当業者が、引用例に記載された発明及び周知技術に基づいて容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
６　小括
　以上のとおり、本願補正発明は、特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものである。
　したがって、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
１　本願発明
　本件補正は上記第２のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成２２年３月１日付けで補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項によって特定されるものであるところ、本願発明は、平成２２年３月１日付けで補正された特許請求の範囲、明細書及び図面の記載からみて、上記「第２〔理由〕１（１）」に本件補正
前の請求項１として記載したとおりのものである。
　
２　引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例の記載事項は、上記「第２〔理由〕３」に記載したとおりである。
　
３　対比・判断
　本願補正発明は、上記「第２〔理由〕１（２）」のとおり、本願発明を特定するために必要な事項をさらに限定するものである。
　そうすると、本願発明の構成要件をすべて含み、さらに限定を付加したものに相当する本願補正発明が、上記「第２〔理由〕５」に記載したとおり、当業者が、引用例に記載された発明及び周知技術に基づいて容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も同様の理由により、当業者が、引用例に記載された発明及び周知技術に基づいて容易に発明をすることができたものである。
　
４　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。