【事件の表示】
　特願２００７−５５７１８５「炭化珪素においてビアを形成する方法、及び得られるデバイスと回路」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年　８月３１日国際公開、ＷＯ２００６／０９１７８８、平成２０年　８月１４日国内公表、特表２００８−５３２２９０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、２００６年２月２２日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００５年２月２５日、アメリカ合衆国）を国際出願日とする出願であって、平成２３年４月１５日付けの拒絶理由通知に対して、同年８月４日付けで意見書及び手続補正書が提出されたが、同年１０月２０日付けで拒絶査定がなされた。
　これに対し、平成２４年２月２２日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに同日付けで手続補正書が提出され、その後、同年１２月１７日付けで審尋がなされ、平成２５年４月５日に回答書が提出された。
　
第２　平成２４年２月２２日付けの手続補正書による補正についての却下の決定
［補正の却下の決定の結論］ 
　平成２４年２月２２日付けの手続補正書による補正（以下「本件補正」という。）を却下する。 
　
［理由］ 
１　本件補正の内容
  本件補正は、補正前の明細書の特許請求の範囲の請求項１〜３１を、補正後の明細書の特許請求の範囲の請求項１〜１５と補正するものであり、補正前の請求項１０及び補正後の請求項１は、それぞれ次のとおりである。
　
（補正前）
「【請求項１０】
　集積回路においてワイヤーボンディングによる電気的接続の必要を排除する、炭化珪素ベースのトランジスタの製造方法であって、該方法は、
　炭化珪素基板上に、炭化珪素以外の半導体材料で作られる少なくとも一層のエピタキシャル層を形成する工程であって、前記炭化珪素基板は、前記炭化珪素基板の対向する側に第一及び第二表面を有し、前記少なくとも一層のエピタキシャル層は、前記炭化珪素基板の前記第二表面と接触する下部表面と、その上に半導体デバイスコンポーネントを製造するための最上位表面とを含むものである、少なくとも一層のエピタキシャル層を形成する工程；
　前記エピタキシャル層上に配置されるとオーミック（ohmic）作用を示す材料で、前記エピタキシャル層上の所定位置に、ソースコンタクトとドレインコンタクトを形成する工程；
　前記エピタキシャル層上に配置されると整流作用を示す材料で、前記エピタキシャル層上の所定位置に、ゲートコンタクトを形成する工程；
　前記ソースコンタクト、ゲートコンタクト、ドレインコンタクトの前記所定位置と対向する複数の導電性ビアに対して所定の配置を画成（define）するための、前記炭化珪素基板上の第一表面のマスキング工程；
　前記炭化珪素基板を貫通するとともに前記少なくとも一層のエピタキシャル層を貫通する複数の導電性ビアをエッチングし、前記炭化珪素基板の第一表面から、ソースコンタクト、ゲートコンタクト、ドレインコンタクトの各コンタクトに至る導電経路を提供するエッチング工程であって、炭化珪素は除去するもののエピタキシャル層の半導体材料は除去しないエッチング液で前記炭化珪素基板をエッチングし、その結果、炭化珪素のエッチングによる除去が前記少なくとも一層のエピタキシャル層で停止し、その後、前記少なくとも一層のエピタキシャル層の半導体材料は除去するものの炭化珪素、或いは前記ソースコンタクト、ゲートコンタクト、ドレインコンタクトを形成する材料を除去しないエッチング液で、前記少なくとも一層のエピタキシャル層をエッチングし、その結果、前記少なくとも一層のエピタキシャル層のエッチングがソースコンタクト、ゲートコンタクト、ドレインコンタクトの各コンタクトで停止する、エッチング工程；
　を含む炭化珪素ベースのトランジスタの製造方法。」
　
（補正後）
「【請求項１】
　集積回路においてワイヤーボンディングによる電気的接続の必要を排除する、炭化珪素ベースのトランジスタの製造方法であって、該方法は、
　炭化珪素基板上に、炭化珪素以外の半導体材料で作られる少なくとも一層のエピタキシャル層を形成する工程であって、前記炭化珪素基板は、前記炭化珪素基板の対向する側に第一及び第二表面を有し、前記少なくとも一層のエピタキシャル層は、前記炭化珪素基板の前記第二表面と接触する下部表面と、その上に半導体デバイスコンポーネントを製造するための最上位表面とを含むものである、少なくとも一層のエピタキシャル層を形成する工程；
前記エピタキシャル層上の所定位置に、ソースコンタクトとドレインコンタクトを形成する工程；
前記エピタキシャル層上の所定位置に、ゲートコンタクトを形成する工程；
　前記ソースコンタクト、ゲートコンタクト、ドレインコンタクトの前記所定位置と対向する複数の導電性ビアに対して所定の配置を画成（ｄｅｆｉｎｅ）するための、前記炭化珪素基板上の第一表面のマスキング工程；
　前記炭化珪素基板を貫通するとともに前記少なくとも一層のエピタキシャル層を貫通する複数の導電性ビアをエッチングし、前記炭化珪素基板の第一表面から、ソースコンタクト、ゲートコンタクト、ドレインコンタクトの各コンタクトに至る導電経路を提供するエッチング工程であって、炭化珪素は除去するもののエピタキシャル層の半導体材料は除去しないエッチング液で前記炭化珪素基板をエッチングし、その結果、炭化珪素のエッチングによる除去が前記少なくとも一層のエピタキシャル層で停止し、その後、前記少なくとも一層のエピタキシャル層の半導体材料は除去するものの炭化珪素、或いは前記ソースコンタクト、ゲートコンタクト、ドレインコンタクトを形成する材料を除去しないエッチング液で、前記少なくとも一層のエピタキシャル層をエッチングし、その結果、前記少なくとも一層のエピタキシャル層のエッチングがソースコンタクト、ゲートコンタクト、ドレインコンタクトの各コンタクトで停止する、エッチング工程；
　を含む炭化珪素ベースのトランジスタの製造方法。」
　
２　本件補正についての検討
（１）補正事項の整理
　本件補正を整理すると次のとおりである。
［補正事項１］
　補正前の請求項１０に記載された「前記エピタキシャル層上に配置されるとオーミック（ohmic）作用を示す材料で、」を削除する。
　
［補正事項２］
　補正前の請求項１０に記載された「前記エピタキシャル層上に配置されると整流作用を示す材料で、」を削除する。
　
［補正事項３］
　補正前の請求項１〜９及び２５〜３１を削除し、当該削除に対応して補正前の請求項１０〜２４の請求項の番号を繰上げ、補正後の請求項１〜１５とするとともに、さらに、補正後の請求項２〜６、８〜１５それぞれが引用する請求項の番号を修正し、補正後の請求項７において、補正前の請求項１６に記載された「１０記載の」を、「１記載の」とする。
　
（２）補正の目的の適否及び新規事項の追加の有無についての検討
　以下、補正事項１〜補正事項３について検討する。
　
ア　補正事項１について
　補正事項１は、補正前の請求項１０に記載された「前記エピタキシャル層上に配置されるとオーミック（ohmic）作用を示す材料で、前記エピタキシャル層上の所定位置に、ソースコンタクトとドレインコンタクトを形成する工程」を、「前記エピタキシャル層上の所定位置に、ソースコンタクトとドレインコンタクトを形成する工程」として、「ソースコンタクトとドレインコンタクトを形成する工程」について、「前記エピタキシャル層上に配置されるとオーミック（ohmic）作用を示す材料で、」との限定事項を削除する補正である。
　当該限定事項は、「明りょうでない記載」とも「誤記」であるとも認められないから、補正事項１は、明りょうでない記載の釈明、誤記の訂正のいずれを目的とするものにも該当しない。
　また、補正事項１は、請求項の削除、特許請求の範囲の減縮のいずれを目的とするものにも該当しないことは明らかである。
　したがって、補正事項１は、特許法第１７条の２第４項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項をいう。以下同じ。）第１号ないし第４号に掲げるいずれの事項を目的とするものにも該当しないから、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たしていない。
　
イ　補正事項２について
　補正事項２は、補正前の請求項１０に記載された「前記エピタキシャル層上に配置されると整流作用を示す材料で、前記エピタキシャル層上の所定位置に、ゲートコンタクトを形成する工程」を、「前記エピタキシャル層上の所定位置に、ゲートコンタクトを形成する工程」として、「ゲートコンタクトを形成する工程」について、「前記エピタキシャル層上に配置されると整流作用を示す材料で、」との限定事項を削除する補正であり、補正後は、「ゲートコンタクト」の材料として、「前記エピタキシャル層上に配置されると整流作用を示す材料」以外も含むものとする補正である。
　すなわち、補正後は、補正前の請求項１０には含まれなかった、例えば、「前記エピタキシャル層上に配置されるとオーミック作用を示す材料」をゲートコンタクトとする接合型トランジスタ（ＪＦＥＴ）の製造方法に係る発明も含まれることとなっているので、補正事項２は、特許請求の範囲を拡張するものに該当する。
　したがって、補正事項２は、請求項の削除、特許請求の範囲の減縮、誤記の訂正、明りょうでない記載の釈明のいずれを目的とするものにも該当しない。
　よって、補正事項２は、特許法第１７条の２第４項第１号ないし第４号に掲げるいずれの事項を目的とするものにも該当しないから、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たしていない。
　
ウ　補正事項３について
　補正前の請求項１６には、「前記少なくとも一層のエピタキシャル層」及び「とを更に含む１０記載の炭化珪素ベースのトランジスタの製造方法。」と記載されており、補正前の請求項１０には、「少なくとも一層のエピタキシャル層」の用語が記載されているとともに、「とを含む炭化珪素ベースのトランジスタの製造方法。」と記載されているから、補正前の請求項１６に記載された「１０記載の」は「請求項１０記載の」の誤記と認めた。
　同様な理由で、補正後の請求項７に記載された「１記載の」は「請求項１記載の」の誤記と認めた。
　したがって、補正事項３は、特許法第１７条の２第４項第１号に掲げる請求項の削除を目的とするものに該当するから、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たしている。
　また、補正事項３が、特許法第１７条の２第３項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項をいう。以下同じ。）に規定する要件を満たすことは明らかである。
　
エ　補正の目的の適否及び新規事項の追加の有無についてのまとめ
　以上のとおりであるから、本件補正は、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たしていない。
　
３　補正の却下の決定についてのむすび　 
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たしていないから、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
１　本願発明
　本件補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜３１に係る発明は、平成２３年８月４日付けの手続補正書により補正された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜３１に記載されている事項により特定されるものであり、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、
「【請求項１】
　半導体デバイスであって、
　炭化珪素基板；
　前記炭化珪素基板上の少なくとも一層のIII‐Ｖ族元素窒化物エピタキシャル層；
　前記少なくとも一層のIII‐Ｖ族元素窒化物エピタキシャル層の前記炭化珪素基板と対向する表面上のコンタクト；及び
　前記炭化珪素基板及び前記少なくとも一層のIII‐Ｖ族元素窒化物エピタキシャル層を貫通して延び前記コンタクトで終端する導電性ビア；
を備え、
　前記コンタクトは、コンタクトとして望ましい電気的特性を有する材料であって、前記少なくとも一層のIII‐Ｖ族元素窒化物エピタキシャル層をエッチングして、前記炭化珪素基板及び前記少なくとも一層のIII‐Ｖ族元素窒化物エピタキシャル層を貫通して延び前記コンタクトで終端する前記導電性ビアを形成するときにコンタクトにエッチング停止材の役割を果たすようにさせる材料で形成される、
　半導体デバイス。」
にあるものと認める。
　なお、請求項１には「前記前記炭化珪素基板及び前記少なくとも一層のIII‐Ｖ族元素窒化物エピタキシャル層を貫通して延び」と記載されているが、「前記前記炭化珪素基板」は「前記炭化珪素基板」の誤記と認め、本願発明を上記のように認定した。
　
２　引用例の記載と引用発明
（１）引用例１：特表２００３−５３０７１６号公報
　原査定の拒絶の理由で引用された、本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である特表２００３−５３０７１６号公報（原査定の拒絶理由で引用した「引用文献１」。以下「引用例１」という。）には、「炭化珪素においてビアを形成する方法、及び得られるデバイスと回路」（発明の名称）に関して、図１〜１２とともに以下の事項が記載されている（下線は当審で付加した。以下同じ。）。
　
ア　「【特許請求の範囲】
    【請求項１】  それぞれ第一表面及び第二表面を有する炭化珪素基板；
  
該炭化珪素基板を完全に貫通して延びている導電性ビア
  
該炭化珪素基板の該第一表面上において該ビアの上にある導電性コンタクト
  該導電性コンタクトが電気的コンタクトを含んでいる該基板において形成されるデバイス
を含む、炭化珪素基板において形成される半導体デバイス。
    【請求項２】  該導電性ビアを金属化する請求項１記載の半導体デバイス。
    【請求項３】  該炭化珪素基板の少なくともいくつかの部分が、半絶縁性である請求項１記載の半導体デバイス。
    【請求項４】  該導電性コンタクトが、インジウム・錫・酸化物を含む請求項１記載の半導体デバイス。
    【請求項５】  該インジウム・錫・酸化物コンタクトを、貴金属でコーティングする請求項４記載の半導体デバイス。
    【請求項６】  
該炭化珪素基板上に少なくとも１つのエピタキシャル層を更に含み、且つ該ビアが、該エピタキシャル層を完全に貫通し、また該基板を貫通して延びている
    【請求項７】  
該デバイスを該エピタキシャル層において形成し、該導電性コンタクトが該エピ層に対して存在している
…（略）…
    【請求項１８】  該基板の反対側上に第一表面と第二表面を有する炭化珪素基板上にデバイスを作製する方法であって、該方法が：
  炭化珪素基板の第一表面上に所定の位置に
誘電性エッチング停止材料
  該エッチング停止材料のための所定の配置から反対に存在するビアのための所定の位置を画成するために該炭化珪素基板の第二表面をマスキングする工程；
  
該エッチングしたビアが完全に該基板を貫通して該誘電性エッチング停止材料に達するまで
該基板中のビアをエッチングする
  該基板の第一表面上の誘電性エッチング停止材料を該基板の第一表面上のデバイス中に組み込む工程
  を含む方法。
    【請求項１９】  該基板をマスキング及びエッチングする工程の前に、該デバイス中に
該導電性エッチング停止材料
…（略）…」）
　
イ　「【０００１】
　本発明は、半導体材料において形成される集積回路に関するものであり、詳しくは、半導体基板にビア開口部を形成する方法及び該方法から得られる構造に関する。更に詳しくは、本発明は、炭化珪素（ＳｉＣ）においてモノリシックマイクロ波集積回路（ＭＭＩＣｓ）を形成するための前記ビアの使用に関する。」
　
ウ　「【０００３】
ＭＭＩＣｓ
　最も基本的な意味では、モノリシックマイクロ波集積回路は、
集積回路であり；すなわち、複数のデバイスから形成される回路
　
エ　「【００１０】
  ワイヤーボンドに代えて
導電性ビア（すなわち、金属で充填され又はコーティングされたビア開口部）
　
オ　「【００２７】
  本発明は、基板の反対側上に第一表面及び第二表面を有する炭化珪素基板上にビアをエッチングする方法によって上記目的を達成する。そのような方法は、
炭化珪素基板の第一表面上の所定の位置に導電性エッチング停止材料を配置する
基板中のビアをエッチングする工程
基板の第二表面に対して、基板の第一表面上にある導電性エッチング停止材料を接続する
　
カ　「【００３２】
　
図１から図１１には、本発明方法の態様の基礎的工程を、連続的に図示してある
　　　【００３３】
　図１は、
括弧２１によって示されているデバイス部分
本発明の目的は、ＳｉＣ基板２０中にビアを形成し、そのビアを用いて、基板２０を通ってデバイス２１までの電路を提供すること
　　　【００３４】
　而して、
図１は、
ソース部分２２、ゲート部分２３及びドレイン部分２４を有する金属半導体電界効果トランジスタ（ＭＥＳＦＥＴ）のようなデバイス
ソース２２、ゲート２３、及びドレイン２４をすべて
例えば炭化珪素、又はある種のＩＩＩ−Ｖ窒化物、例えば窒化ガリウム（ＧａＮ）、及びそれに関連する
第三のＩＩＩ−Ｖ化合物、例えばＡｌＧａＮ及びＩｎＡｌＧａＮで形成する
　　　【００３５】
　それぞれ第一表面２６及び第二表面２７を有する炭化珪素基板２０上にデバイスを形成する。
　
図２には、図１と同じデバイスが図示してあるが、第一表面２６上の適所に導電性コンタクト２５を有している
デバイスが、ゲート２３及びドレイン２４に対するコンタクトを含む
そのようなコンタクトは図１〜図１１に示されていない
図２は、例示デバイスのソース領域２２に対する導電性コンタクト２５を単純に示している
　　　【００３６】
　別法として、どんな方法でも本発明から逸脱せずに、
基板は、デバイス部分２１が形成される１又はそれ以上のエピタキシャル層（エピ層）を含む
第一表面２６は、エピタキシャル層の（図１〜４の配向における）頂部表面と呼称される
エピ層の使用、それらの製造方法、及び得られる構造は、当業において充分に理解されているので、また本発明に関する差は、最小又は存在していないので、「基板」という用語は、これらの構造を呼称するために本明細書で用いられ、その構造とはエピタキシャル層を含むこともできることが理解される
　　　【００３７】
　而して、
図２は、好ましい態様ではインジウム・錫・酸化物（「ＩＴＯ」）コンタクト２５である導電性エッチング停止材料が、炭化珪素基板２０の第一表面２６上の所定の位置に配置されている
　　　【００３８】
　
図３は、
インジウム・錫・酸化物コンタクト２５が
金である貴金属３０で
更にコーティングされている
　　　【００３９】
　この点で、本発明の特有な利点の一つを強調することができる：すなわち、
エッチング停止として導電性ＩＴＯを用いると、エッチング工程それぞれの前及び後に、別のエッチング停止材料を加えることも除去する必要も無くなる
ＩＴＯによるエッチング停止は、そのような二重の役割を担う
…（略）…
　　　【００４２】
　図６は、好ましい方法の次の工程では、実質的に透明になるまで半導体基板２０を研削し研磨した。研削及び研磨は、少なくとも三つの理由で行った。第一のの理由は、炭化珪素をエッチングすることは、いかなる状況下でも難しいので、炭化珪素基板２０の厚さを最小にして、エッチングプロセス全体を容易にするのに役立つ。第二の理由は、実質的に透明になるまで基板２０を研削し研磨することによって、基板２０の第二表面２７から金属コンタクト２５まで適当な光路を画成することができ、その結果、残りの図面に関して本明細書で説明しているように、所望の方法で、ビアのための適当な位置をコンタクト２５に位置合わせしエッチングすることができる。第三の理由は、得られたより薄い基板（すなわち、より少ない質量）により、得られるデバイス又はＭＭＩＣに対して熱に関する利点を提供する。
　　　【００４３】
　本発明によれば、
ビアをエッチングする場合、集積回路を形成している複数の層が接続され、それによって集積回路がその所望の機能を発揮できるように、前側エッチング停止パッドは導電性であるべき
　　　【００４４】
　図７は、本発明の好ましい方法の次の工程において、基板２０の第二表面２１をインジウム・錫・酸化物（ＩＴＯ）の層３４でコーティングしている状態を図示している。ＩＴＯは、少なくとも二つの理由から選択され組み込まれる。第一には、ＩＴＯ層３４は透明であるように形成することができ、その結果、本発明の方法は、半導体の設計及び製造で用いられる典型的なマイクロリソグラフィー及びマスキング技術を取り入れることができる。第二には、以下に記載した実験の項で考察しているように、エッチングプロセス中に所望され且つ必要とされる方法で、所望のエッチング液が、ＳｉＣとＩＴＯとの間を識別するので、ＩＴＯは良好なマスキング材料を提供する。
…（略）…
　　　【００４７】
　図８は、フォトレジスト３５がマスクされ、露光され、及び現像された後の前駆体構造、及びプロセス及び材料の残りと整合性があるという条件の下で、従来の方法で行うことができる工程を図示している。フォトレジストを開放させると、フォトレジスト層３５において、画成された開口部３６が形成され、その開口部により、ＩＴＯ層３４は、適当に開放され、次に、
図９
ビア３７
　　　【００４８】
　
図９に図示してあるように、ビアはエッチング工程で形成され
　　　【００４９】
　特に有利な工程では、本発明の方法は、
エッチング停止として元の導電性コンタクト２５を組み入れる
分離エッチング停止を加え、次に分離エッチング停止を除去するための追加の工程及び（しばしば同様に重要なことには）材料を用いることが回避される
　　　【００５０】
　図１０は、好ましい態様において、
金属
で
ビアがコーティング
コーティングは、図１０では４０として示されている
コーティング４０を、貴金属４１で
電気メッキして、基板２０の第二表面２７から第一表面２６までの完全なコンタクト、更に好ましくは、デバイス部分２１の一部であるコンタクト２５までの完全なコンタクトを形成する
　
キ　「【００５４】
　本発明は、マスキング材料、プラズマパラメーター、及び化学を選択することによってこれらの完全に相反する要件を満たす。
　本発明では、インジウム・錫・酸化物（「ＩＴＯ」）は、いくつかの理由から、炭化珪素中ビアのための好ましいエッチングマスクである。第一に、ＩＴＯは、炭化珪素をエッチングするためには最も効率的であり、好ましいフッ素化学中で安定であってエッチングされない。第二に、他の硬質金属マスクと違って、ＩＴＯは、炭化珪素結合を破壊するのに充分なイオンエネルギーでスパッタされないので、炭化珪素をエッチングすることができる。第三に、ＩＴＯは、透明でもあり、ウェーハを通してエッジパッド（edge pads）に対してエッチングマスクを位置合わせできる。
第四に、ＩＴＯは、導電性であり、且つエッチングが停止する材料として機能することができるので、エッチング停止のために用いることもできる
　
ク　引用例１の上記摘記事項「カ」の段落【００３２】には、「図１から図１１には、本発明方法の態様の基礎的工程を、連続的に図示してる。」と記載されており、図９〜１０及び当該摘記事項「カ」の段落【００３８】、【００４７】〜【００５０】を勘案すると、引用例１の図１１から、炭化珪素基板２０上の層であって、デバイス部分２１のソース部分２２、ゲート部分２３及びドレイン部分２４が形成されている層；当該層の炭化珪素基板２０と対向する第一表面２６上のコンタクト２５；及び炭化珪素基板２０及び前記層を貫通して延びコンタクト２５で終端するビア３７；を備え、ビア３７内は貴金属４１で充填され、コンタクト２５は金３０でコーティングされている、デバイスが見てとれる。
  
（２）引用発明
ア　引用例１の上記摘記事項「カ」の段落【００３６】を参照すると、引用例１には、図１１に示された「デバイス部分２１のソース部分２２、ゲート部分２３及びドレイン部分２４が形成される層」は「１又はそれ以上のエピタキシャル層」であることが開示されており、当該摘記事項「カ」の段落【００４８】には、「図９に図示してあるように、ビアはエッチング工程で形成され」ることが記載されている。
　
イ　そうすると、図１〜１１を参酌してまとめると、引用例１には以下の発明（以下「引用発明」という。）が開示されている。
　
「ソース部分２２、ゲート部分２３及びドレイン部分２４を有するＭＥＳＦＥＴのようなデバイスであって、
　炭化珪素基板２０；
　前記炭化珪素基板２０上の１又はそれ以上のエピタキシャル層であって、デバイス部分２１のソース部分２２、ゲート部分２３及びドレイン部分２４が形成されており、ソース２２、ゲート２３、及びドレイン２４はすべてワイドバンドギャップ材料で、例えば炭化珪素、又はある種のＩＩＩ−Ｖ窒化物、例えば窒化ガリウム（ＧａＮ）、及びそれに関連する第三のＩＩＩ−Ｖ化合物、例えばＡｌＧａＮ及びＩｎＡｌＧａＮで形成される、エピタキシャル層；
　前記１又はそれ以上のエピタキシャル層の炭化珪素基板２０と対向する第一表面２６上のコンタクト２５；及び
　前記炭化珪素基板２０及び前記１又はそれ以上のエピタキシャル層を貫通して延びコンタクト２５で終端するビア３７；
を備え、
　前記ビア３７は、エッチング工程で形成され、金属４０でビア３７はコーティングされ、コーティング４０は貴金属４１で電気メッキされてビア３７内は充填されており、
　前記コンタクト２５は、導電性エッチング停止材料で形成され、好ましい態様ではインジウム・錫・酸化物（「ＩＴＯ」）コンタクト２５であり、金３０で更にコーティングされている、
　デバイス。」
　
３　対比・判断
（１）対比
　本願発明と引用発明とを対比する。
　
ア　引用発明の「ソース部分２２、ゲート部分２３及びドレイン部分２４を有するＭＥＳＦＥＴのようなデバイス」は、本願発明の「半導体デバイス」に相当する。
　
イ　引用発明の「１又はそれ以上の」は、本願発明の「少なくとも一層の」に相当するとともに、引用発明の「エピタキシャル層」は、「デバイス部分２１のソース部分２２、ゲート部分２３及びドレイン部分２４が形成されており、ソース２２、ゲート２３、及びドレイン２４はすべてワイドバンドギャップ材料で、例えば炭化珪素、又はある種のＩＩＩ−Ｖ窒化物、例えば窒化ガリウム（ＧａＮ）、及びそれに関連する第三のＩＩＩ−Ｖ化合物、例えばＡｌＧａＮ及びＩｎＡｌＧａＮで形成される、エピタキシャル層」であるから、本願発明の「III‐Ｖ族元素窒化物エピタキシャル層」に相当する。
　したがって、本願発明と引用発明とは、「前記炭化珪素基板上の少なくとも一層のIII‐Ｖ族元素窒化物エピタキシャル層」を備える点で一致する。
　
ウ　引用発明は、「前記炭化珪素基板２０及び前記１又はそれ以上のエピタキシャル層を貫通して延びコンタクト２５で終端するビア３７」を備え、「金属４０でビア３７はコーティングされ、コーティング４０は貴金属４１で電気メッキされてビア３７内は充填されてお」るものであり、本願の明細書の段落【００１７】には、「導電性ビア（すなわち、金属で充填され又はコーティングされたビア開口部）」と記載されているから、本願発明と引用発明とは、「前記炭化珪素基板及び前記少なくとも一層のIII‐Ｖ族元素窒化物エピタキシャル層を貫通して延び前記コンタクトで終端する導電性ビア」を備える点で一致する。
　
エ　引用発明の「前記コンタクト２５」は、「導電性エッチング停止材料で形成され、好ましい態様ではインジウム・錫・酸化物（「ＩＴＯ」）コンタクト２５であり」、引用例１の上記「２（１）引用例１」の上記摘記事項「カ」の段落【００３９】及び【００４９】を参照するとともに、技術常識を勘案すると、引用発明の「前記コンタクト２５」は、本願発明の「コンタクトとして望ましい電気的特性を有する材料」で形成されるものに相当する。
　
オ　以上をまとめると、本願発明と引用発明の一致点及び相違点は次のとおりである。
＜一致点＞
「半導体デバイスであって、
　炭化珪素基板；
　前記炭化珪素基板上の少なくとも一層のIII‐Ｖ族元素窒化物エピタキシャル層；
　前記少なくとも一層のIII‐Ｖ族元素窒化物エピタキシャル層の前記炭化珪素基板と対向する表面上のコンタクト；及び
　前記炭化珪素基板及び前記少なくとも一層のIII‐Ｖ族元素窒化物エピタキシャル層を貫通して延び前記コンタクトで終端する導電性ビア；
を備え、
　前記コンタクトは、コンタクトとして望ましい電気的特性を有する材料で形成される、
　半導体デバイス。」
　
＜相違点１＞
　「コンタクト」の材料について、本願発明では、「前記コンタクトは、コンタクトとして望ましい電気的特性を有する材料であって、前記少なくとも一層のIII‐Ｖ族元素窒化物エピタキシャル層をエッチングして、前記炭化珪素基板及び前記少なくとも一層のIII‐Ｖ族元素窒化物エピタキシャル層を貫通して延び前記コンタクトで終端する前記導電性ビアを形成するときにコンタクトにエッチング停止材の役割を果たすようにさせる材料で形成される」のに対し、引用発明では、「前記コンタクト２５は、導電性エッチング停止材料で形成され、好ましい態様ではインジウム・錫・酸化物（「ＩＴＯ」）コンタクト２５であり、金３０で更にコーティングされている」ものの、「『ソース２２、ゲート２３、及びドレイン２４はすべて』、『ある種のＩＩＩ−Ｖ窒化物、例えば窒化ガリウム（ＧａＮ）、及びそれに関連する第三のＩＩＩ−Ｖ化合物、例えばＡｌＧａＮ及びＩｎＡｌＧａＮで形成される』、エピタキシャル層」をエッチングして、ビア３７を形成するときにコンタクト２５にエッチング停止材の役割を果たすようにさせる材料で形成されることは特定されていない点。
　
（２）判断
ア　相違点１について
（ア）引用発明の「ビア３７」は、「前記炭化珪素基板２０及び前記１又はそれ以上のエピタキシャル層を貫通して延びコンタクト２５で終端するビア３７」であり、「前記ビア３７は、エッチング工程で形成され」るものである。
　したがって、引用例１の図９も参照すると、引用発明において、「『前記炭化珪素基板２０上の１又はそれ以上のエピタキシャル層であって』、『ソース２２、ゲート２３、及びドレイン２４はすべて』、『ある種のＩＩＩ−Ｖ窒化物、例えば窒化ガリウム（ＧａＮ）、及びそれに関連する第三のＩＩＩ−Ｖ化合物、例えばＡｌＧａＮ及びＩｎＡｌＧａＮで形成される』、エピタキシャル層」（以下「当該窒化物系エピタキシャル層」という。）を備える場合においても、「ビア３７」は、「炭化珪素基板２０及び『当該窒化物系エピタキシャル層』を貫通して延びコンタクト２５で終端するビア３７」であるとともに、「『当該窒化物系エピタキシャル層』をエッチングして」、「コンタクト２５で終端するビア３７を形成する」ものであることは当業者には明らかである。
　さらに、引用発明では、「前記コンタクト２５は、導電性エッチング停止材料で形成され」るものであり、引用発明において、「『前記炭化珪素基板２０上の１又はそれ以上のエピタキシャル層であって』、『当該窒化物系エピタキシャル層』」を備える場合においても、当然、「前記コンタクト２５は、導電性エッチング停止材料で形成され」るものであるといえる。
　したがって、引用例１には明記されていないものの、引用発明において、「『前記炭化珪素基板２０上の１又はそれ以上のエピタキシャル層であって』、『当該窒化物系エピタキシャル層』」を備える場合においても、引用発明も本願発明のように、「コンタクト２５」は、「１又はそれ以上のエピタキシャル層」をエッチングして、「炭化珪素基板２０及びエピタキシャル層を貫通して延びコンタクト２５で終端するビア３７」を形成するときに「コンタクト２５にエッチング停止材の役割を果たすようにさせる材料で形成される」ものと認められる。
　よって、相違点１は実質的なものではない。
　以上のとおりであるから、本願発明の構成は全て引用例１に示されているものであって、本願発明は引用発明と同一ということとなる。
　
（イ）また、仮に相違点１が実質的なものであったとしても、上記「２（１）引用例１」の上記摘記事項「ア」の請求項１、６、７、１８及び１９、上記摘記事項「オ」の段落【００２７】、並びに上記摘記事項「カ」の段落【００３６】、【００３９】、【００４３】及び【００４９】を参照するとともに、技術常識を勘案すると、上記（ア）において検討したように、引用発明において、上記「『前記炭化珪素基板２０上の１又はそれ以上のエピタキシャル層であって』、『当該窒化物系エピタキシャル層』」を備える場合においても、「コンタクト２５」は、「１又はそれ以上のエピタキシャル層」をエッチングして、「炭化珪素基板２０及びエピタキシャル層を貫通して延びコンタクト２５で終端するビア３７」を形成するときに「コンタクト２５にエッチング停止材の役割を果たすようにさせる材料で形成される」ものとすることが望ましいことは当業者であれば直ちに察知し得たことである。
　
（ウ）さらに、単結晶基板上のＧａＮ系半導体層に形成されたＧａＮ系デバイスであって、前記ＧａＮ系半導体層の表面上のコンタクト、並びに、前記単結晶珪素基板及び前記ＧａＮ系半導体層を貫通して延び前記コンタクトで終端するビアを備え、前記単結晶基板として炭化珪素基板を用い、前記ビアの形成は、前記ＧａＮ系半導体層をエッチング除去し、前記コンタクトを露出させるものであって、エッチングの際には、コンタクト材料に対する当該ＧａＮ系半導体層のエッチング速度の比を所定値以上として、コンタクトを十分な厚さ残すこととすることは、下記の周知例１に記載されているように、周知技術である。
　
ａ　周知例１：特開平１１−４５８９２号公報（原査定の拒絶の理由で請求項１０〜２４に対して引用された引用文献２）
・「【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体装置およびその製造方法に関し、特に、
窒化ガリウム（ＧａＮ）などの窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を用いた半導体装置
　
・「【００１０】したがって、この発明の目的は、サファイア基板や
ＳｉＣ基板などの
単結晶基板上に窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を用いた素子を形成する場合に
基板への貫通穴の形成により、高周波動作化
を図ることができる半導体装置
　
・「【００１６】次に、貫通穴の形成方法としては、従来のＲＩＥのようなドライエッチングは採用することができない。そこで、次のような方法を用いることを考える。すなわち、例えば、図１に示すように、
サファイア基板１の表面に
ＧａＮ系半導体層２を成長させ、このＧａＮ系半導体層２にＧａＮ系ＦＥＴ３を形成した後、このＧａＮ系ＦＥＴ３用の金属配線およびパッドを形成する
符号４はこのＧａＮ系ＦＥＴ３のソースと電気的に接続されたＡｕパッドを示す
のＧａＮ系半導体層２のエッチングの際には
Ａｕに対するエッチング速度の比は約３以上あるので
Ａｕパッド４を十分な厚さ残すことができる
　
・「【００４０】この第１の実施形態においては、まず、図６に示すように、サファイア基板２１の表面にＧａＮ系半導体層２２を成長させてこのＧａＮ系半導体層２２にＧａＮ系ＦＥＴ２３を形成する。ここで、サファイア基板２１の厚さは例えば約４００μｍ、ＧａＮ系半導体層２２の厚さは例えば約４μｍである。次に、このＧａＮ系ＦＥＴ２３用の金属配線およびパッドを形成する。
符号２４はＧａＮ系ＦＥＴ２３のソースと電気的に接続されたＡｕパッド
　
・「【００４４】次に、図９に示すように、Ａｕパッド２４に対応する部分におけるサファイア基板２１の裏面に、フォトリソグラフィー法により、形成すべき貫通穴に対応する形状を有するレジストパターン（図示せず）を形成した後、その上に例えば厚さ２０ｎｍのＣｒ膜および例えば厚さ０．１μｍのＰｔ膜を例えば真空蒸着法により順次形成する。この後、リフト法により、レジストパターンをその上に形成されたＣｒ膜およびＰｔ膜とともに除去する。このようにして、Ｃｒ／Ｐｔ膜からなるエッチングマスク３４が形成される。次に、このエッチングマスク３４を用いて、サファイア基板２１の裏面を、上述と同様に、例えば２８５℃のＨ3 ＰＯ4 ／Ｈ2 ＳＯ4 混合液からなるエッチング液に例えば約３時間浸し、このサファイア基板２１を、ＧａＮ系半導体層２２が露出するまで選択的にエッチングする。これによって、サファイア基板２１に貫通穴３５が形成される。
【００４５】次に、このサファイア基板２１を図示省略したＲＩＥ装置に導入し、例えばＣｌ2 ガスをエッチングガスとして用いて、サファイア基板２１の裏面側から、このサファイア基板２１をマスクとして、
ＧａＮ系半導体層２２を選択的にエッチング
ＧａＮ系半導体層２２をエッチング除去し、Ａｕパッド２４を露出させる
　
（エ）そして、（ア）において検討したとおり、引用発明において、上記「『前記炭化珪素基板２０上の１又はそれ以上のエピタキシャル層であって』、『当該窒化物系エピタキシャル層』」を備える場合においても、「ビア３７」は、「炭化珪素基板２０」及び『当該窒化物系エピタキシャル層』を貫通して延びコンタクト２５で終端するビア３７」であるとともに、「『当該窒化物系エピタキシャル層』をエッチングして」、「コンタクト２５で終端するビア３７を形成する」ものであるから、引用発明において、「コンタクト２５」を、「１又はそれ以上のエピタキシャル層」をエッチングして、「炭化珪素基板２０及びエピタキシャル層を貫通して延びコンタクト２５で終端するビア３７」を形成するときに、コンタクト２５として、当該コンタクト材料に対する『当該窒化物系エピタキシャル層』のエッチング速度の比が所定値以上の十分に大きい比のものを選択し、「コンタクト２５にエッチング停止材の役割を果たすようにさせる材料で形成される」ものとすることは、当業者であれば適宜なし得たことである。
　よって、仮に相違点１が実質的なものであったとしても、相違点１は、当業者が容易になし得た範囲に含まれる程度のものである。
　
イ　判断についてのまとめ、
　以上のとおりであるから、本願発明の構成はすべて引用例１に示されているものであって、本願発明は引用発明と同一ということとなり、引用例１に記載された発明である。
　よって、本願発明は、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。
　または、上記「ア　相違点１について」の「（イ）〜（エ）」で検討したとおり、仮に相違点１が実質的なものであったとしても、当業者が容易になし得た範囲に含まれる程度のものであるから、本願発明は、引用発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　よって、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
  
第４　むすび
　以上のとおりであるから、他の請求項について検討するまでもなく、本願は拒絶をすべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。