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　特願２００１−５７９３１４「電気的構造素子、その製造法および該構造素子の使用」拒絶査定不服審判事件〔平成１３年１１月１日国際公開、ＷＯ０１／８２３１４、平成１５年１０月２８日国内公表、特表２００３−５３２２８４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯と本願発明
　本願は、平成１３年４月２５日（パリ条約による優先権主張外国庁受理　２０００（平成１２）年４月２５日　ドイツ連邦共和国（ＤＥ））を国際出願日とする出願であって、平成２２年６月２８日付けで通知した拒絶理由に対して、同年１０月７日付けで手続補正がされ、平成２２年１２月２７日付けで通知した拒絶理由に対して、平成２３年４月５日付けで手続補正がされたが、前記平成２２年１２月２７日付けで通知した拒絶理由により平成２３年７月１日付けで拒絶査定がされ、これに対し、同年１１月７日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに、同日付けで手続補正がされたものである。
　その後、当審において、平成２４年５月１０日付けで前置報告書を利用した審尋を行ったところ、同年９月１８日付けで回答書が提出された。
　
　本願の請求項１ないし１２係る発明は、平成２３年１１月７日付けで手続補正された特許請求の範囲の、請求項１ないし１２に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、次のとおりである。（当審注：下線は請求人による。）
「導電性セラミック層（１０）によって互いに分離されている重ね合わせた導電性電極層（３）からなる層スタックを有する基体（１）を備えた電気的構造素子において、
導電性セラミック層（１０）は比電気抵抗が負の温度係数を有するセラミックからなり、
導電性セラミック層（１０）が電極層（３）と一緒に焼結されたセラミック生フィルムから製造されており、
基体（１）の２つの対向する外面には、電極層（３）と導電的に結合されている外側電極（２）が配置されており
、
基体（１）が導電性被膜を含まない４つの側面を有する平行六面体の形を有して
おり、および
比抵抗の温度経過ρ（Ｔ）を示す、セラミックのＢ値が４０００Ｋよりも大きく、かつ構造素子の電気抵抗が２５℃で２ｋΩ未満である
ことを特徴する、電気的構造素子。」
　
２．引用発明
（１）原査定の拒絶の理由に引用された特開昭６２−１３７８０４号公報（以下、「引用例１」という。）には図面とともに、積層チップ型サーミスタについて、以下の事項が記載されている（なお、下線は当審で付した。）。
　
ア．「従来のサーミスタは、セラミックの組成の如何にかかわらず、Ｂ定数と初期の抵抗値との間に正の相関関係が成立し、Ｂ定数が大きくなればなるほど抵抗値も大きくなる傾向がある。
　ところが、最近のサーミスタの用途拡大に伴って、Ｂ定数が大きく初期の抵抗値が小さいサーミスタの開発が要望されるようになってきた。そこで、これに応えるべく新規サーミスタの開発研究が盛んに行われているようであるが、セラミック組成を変更することによって成功した例は現在のところないようである。
　本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、
構造的な改良を行うことによってＢ定数が大きいにもかかわらず小さな初期抵抗値を有し、しかも高温、高湿等の過酷な条件下においた後も抵抗の変化率が僅かな積層チップ型サーミスタ
（２頁左上欄４行〜２０行）
　
イ．「第１図は本発明に係る
積層チップ型サーミスタ
１はセラミック積層体を示しており、この実施例では５層のセラミック層１１・・・が積層され、焼結一体化されている
セラミックとしては、負の抵抗温度係数を有しＢ定数が約３０００以上と高いもの、例えば前述のようなＭｎ−Ｎｉ系セラミック、Ｍｎ−Ｎｉ−Ｃｏ系セラミック、Ｍｎ−Ｎｉ−Ｚｎ系セラミック等
　この
セラミック積層体１の両端には、例えばＡｇ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｚｎ、Ａｇ−Ｐｄ系の外部電極２ａ、２ｂが形成されており、またセラミック層１１・・・の各層間には、一方の外部電極２ａに接続する内部電極３ａと他方の外部電極２ｂに接続する内部電極３ｂとが交互に形成されている
内部電極３ａ、３ｂは、いずれもＰｔ、Ａｕ、Ａｇ、Ａｇ−Ｐｄ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ，等の貴金属よりなるもので、後述するように、いずれかの貴金属のペーストを未焼成のセラミックグリーンシート表面に塗布し、このグリーンシートの積層体を焼成して上記セラミック積層体１を形成するときに該貴金属ペーストを同時焼成することによって形成
（２頁左下欄７行〜右下欄９行）
　
ウ．「かかる構造の積層チップ型サーミスタでは、一つのセラミック層１１と該セラミック層の上面及び下面に位置する内部電極２ａ、２ｂとによって一つのサーミスタが構成されるので、全体としては内部電極の数から１を引いた個数、つまりこの実施例では３個のサーミスタが並列接続状態で形成されていることになる。従って、
個々のサーミスタが大きい抵抗値とＢ定数を有していても、各サーミスタが並列接続状態にあるためサーミスタ数が増すほど全体の抵抗値が下がる
内部電極２ａ、２ｂの間隔が小さくなり、個々のサーミスタの抵抗値が下がるので、上記の並列接続による抵抗低下と相まって全体の抵抗値が更に低下する
（２頁右下欄１０行〜３頁左上欄５行）
　
エ．「尚、この実施例では、５層のセラミック層１１でセラミック積層体１を構成し、内部電極を４個形成しているが、
セラミック層及び内部電極の数は増減自由であり、目的とする抵抗値が得られるように適宜決定すればよい
（３頁左上欄９行〜１３行）
　
オ．「第２図（イ）に示すように
セラミックのグリーンシート１１′を複数枚（この例では５枚）重ね
（３頁左上欄１６行〜１８行）
　
カ．「次いで、このグリーンシート１１′の熱圧着体を１２００℃前後で数時間焼成し、第２図（ロ）に示すようなセラミック積層体１を得る。この焼成の際、貴金属ペースト４は同時焼成され、
セラミック積層体１の各層１１間には、該積層体１の一端側に達する内部電極３ａと他端側に達する内部電極３ｂとが交互に形成される
　次いで、このセラミック積層体１の両端面に、例えばＡｇ、Ｎｉ、Ａｇ−Ｐｄ等の外部電極形成用ペーストを塗布し、自然雰囲気中で焼付けて、第２図（ハ）に示すように
外部電極２ａ、２ｂを形成する
（３頁右上欄６行〜１８行）
　
キ．「第３図のグラフを見れば、いずれのサーミスタも使用したセラミック材料の組成に対応して３７００．３９００．
４０００と高いＢ定数
内部電極の間隔が小さくなった分だけ抵抗値が低下
本発明に係る５層重ねの積層チップ型サーミスタ（２−Ａ）、（２−Ｂ）、（２−Ｃ）は、内部に３個のサーミスタが並列接続状態で形成されているため、３層重ねの積層チップ型サーミスタよりも更に抵抗値が低下している
　また、上記の本発明に係るそれぞれの積層チップ型サーミスタと上記の単層型サーミスタを、３００℃の高温雰囲気中で１０００時間保ち、その抵抗値の変化率を求めたところ、本発明に係る積層チップ型サーミスタの変化率はいずれも土１％以内であったのに対し、従来の単層型サーミスタの変化率はいずれも上２．０〜３．０％の範囲にあった。また相対湿度９５％、６０℃の高湿雰囲気中で１０００時間保ち、その抵抗値の変化率を求めたところ、上記と同様の結果が得られた。このことから、本発明の積層チップ型サーミスタは高温、高湿等の過酷な条件化における安定性が良好であることが判る。」
（３頁右下欄末行〜４頁右上欄６行）
　
ク．第２図（イ）には５枚のセラミックグリーンシート１１’と貴金属ペースト４が図示されている。
　第２図（ロ）には内部電極３ａ，３ｂとセラミック層１１で形成されたセラミック積層体１が図示されている。
　第２図（ハ）には、外部電極２ａ，２ｂがセラミック積層体１の両端面に図示されている。
　
ケ．第３図には、単層型のサーミスタ（３−Ａ）、（３−Ｂ）、（３−Ｃ）、３層重ねの積層チップ型サーミスタ（１−Ａ）、（１−Ｂ）、（１−Ｃ）、５層重ねの積層チップ型サーミスタ（２−Ａ）、（２−Ｂ）、（２−Ｃ）について、Ｂ定数及び抵抗がグラフに示されている。
　５層重ねの積層チップ型サーミスタ（２−Ｃ）について、Ｂ値が４０００で、かつ抵抗が３ｋ〜４ｋΩを示すグラフが図示されている。
　
　前記「ア．」ないし「ケ．」によれば、５枚重ねのセラミックグリーンシートで形成される積層チップ型サーミスタ（２−Ｃ）について、引用例１には次の発明（以下、「引用例１発明」という。）が記載されている。
「セラミック層の各層間の内部電極がセラミック積層体の両端に交互に達するように形成された積層チップ型サーミスタにおいて、
　セラミック層は負の抵抗温度係数を有するセラミックからなり、
　セラミック層が、焼成することより内部電極が形成される貴金属のペーストが表面に塗布されたセラミックグリーンシートを焼成して形成され、
　セラミック積層体の両端面には内部電極と接続する外部電極が形成されており、
　セラミック積層体はセラミックグリーンシートの５枚重ねで形成され、
　セラミックのＢ定数が４０００、かつ抵抗が３ｋ〜４ｋΩを示す積層チップ型サーミスタ。」
　
（２）原査定の拒絶の理由に引用された特開昭５６−１６４５１４号公報（以下、「引用例２」という。）には図面とともに、積層型コンデンサの製造方法について、以下の事項が記載されている（なお、下線は当審で付した。）。
「第２図は表面に導電性ペーストを設けたセラミック生シートを複数枚積層した積層体１で、これをカッターなどを用いて、第３図に示すように、未焼成チップの外部電極を塗布する端面すなわち、内部電極８が露出し、かつ未焼成生チップが複数枚連続しているように分断する。
　分断された短冊状の積層体２の内部電極露出面に、スクリーン印刷法、ディップ法、ロール法などを用いて、ガラス、セラミックと同一材料などの無機結合剤を含有する、金属電極ペーストを塗布し、乾燥し、第４図に示すようにする。この外部電極４を塗布した短冊状の積層体２をカッターなどを用いて、第５図に示すようにそれぞれ未焼成チップに分断し、焼結工程で、セラミックの焼結と外部電極を焼付を同時に行う。」（２頁右上欄３〜１８行）
　
（３）原査定の拒絶の理由に引用された特開平３−１４８８１３号公報（以下、「引用例３」という。）には図面とともに、セラミック部品への導電端子の形成方法について、以下の事項が記載されている（なお、下線は当審で付した。）。
「キャパシター１０は、未焼結セラミック材料で構成された
セラミック本体もしくはブロック１２を有する。矩形の本体１２内
　この発明によれば、本体１２の側面１８，２０は、図面に示すように薄層２２，２４で被覆されている。各
々の層２２，２４は、通常の有機物の液状もしくはペースト状のセラミック材料、好ましくはセラミック本体１２の組成と同じもしくはほぼ同様の組成のもの、と混合された白金、パラジウム、金等のような微粉砕金属で構成されている。層２２、２４は、通常、０．００１インチ厚以下であり、全側面１８，２０を覆うことができ、本体１２または、それぞれの電極１４，１６の露出した端部２１，２３を覆うために充分なこれらの側面の部分のみを被覆する
　この段階で、第５図に示すキャパシター１０’は、セラミックブロックまたは本体１２、電極１４，１６、および層２２，２４を硬化するために焼成され、第７図に示されるモノリシック一体キャパシター構造１０’’を形成する。その後、次の段階で半田２６を、硬化された端子層２２’，２４’の外側およびキャパシター１０’’を仕上げるために与えられるリード２８に付与する。」（４頁右下欄６行〜５頁左上欄１４行）
　
（４）原査定の拒絶の理由に引用された特開平１−２５３２０４号公報（以下、「引用例４」という。）には図面とともに、積層型チップサーミスタについて、以下の事項が記載されている（なお、下線は当審で付した。）。
「第１図は上記実施例における積層形チップサーミスタを示し、１はＭｎ−Ｎｉ−Ｃｒ系酸化物スピネルのサーミスタ単位体、２はＰｄ電極からなる内部電極、３はＡｇ電極、４はＮｉメッキ層、６はＳｎメッキ層で、６はこれらＡｇ電極３，Ｎｉメッキ層４およびＳｎメッキ層５から構成される外部電極である。
　そして、上記のようにして得られた
素子の電気特性は、Ｒ
２５
＝８０ＫΩ±６．０％（ｎ＝１００ケ）で、サーミスタ定数Ｂは、Ｂ＝４０４５Ｋ±０．９％であった。この抵抗値およびＢ定数は、材料特性に一致するものである
　
（５）原査定の拒絶の理由に引用された特開平５−２４３００７号公報（以下、「引用例５」という。）には図面とともに、積層サーミスタについて、以下の事項が記載されている（なお、下線は当審で付した。）。
「【００２４】従来品…従来品として、図１５（ａ）に示すように、幅１．０ｍｍ、長さ１．９ｍｍの大きさの領域に導電ペーストを塗布することにより電極４０，４１が形成されたセラミックグリーンシート４２，４３を積層し、上下に適宜の枚数のセラミックグリーンシートを積層して厚み１．４ｍｍの積層体を得た。以後の工程については本発明品１を得た場合と同様にして従来品の積層サーミスタを作製した。上記のようにして作製された本発明品１〜４及び従来品の積層サーミスタ各２０個につき、
２５℃における抵抗値Ｒ
25
及びＢ定数を測定
　
「【００２７】また、
セラミック材料として、負特性を発揮し得るマンガン−ニッケル系半導体磁器を用いたが、これに限るものではなく、他の負特性を発揮し得るセラミック材料を用いることができる
　
３．対比
　本願発明と引用例１発明とを対比する。
　引用例１発明の「セラミック層」「内部電極」「セラミック積層体」は、その機能・構成からみて、本願発明の「導電性セラミック層」「導電性電極層」「基体」に相当する。
　引用例１発明の「セラミック層の各層間の内部電極がセラミック積層体の両端に交互に達するように形成された」ことは、本願発明の「導電性セラミック層によって互いに分離されている重ね合わせた導電性電極層からなる層スタックを有する基体（１）を備えた」ことに相当する。
　引用例１発明の「積層チップ型サーミスタ」は、本願発明の「電気的構造素子」に相当する。
　
　引用例１発明の「負の抵抗温度係数」は、温度上昇に伴い対数的に電気抵抗が減少する性質を示すもので、本願発明の「比電気抵抗が負の温度係数」に相当し、引用例１発明の「セラミック層は、負の抵抗温度係数を有するセラミックからなり」は、本願発明の「導電性セラミック層は比電気抵抗が負の温度係数を有するセラミックからなり」に相当する。
　
　引用例１発明の「セラミックグリーンシート」は、本願発明の「セラミック生フィルム」に相当し、引用例１発明の「セラミック層が焼成することより内部電極が形成される貴金属のペーストが表面に塗布されたセラミックグリーンシートを焼成して形成され」は、セラミックグリーンシートと貴金属のペーストが一緒に焼成されて、セラミック層と内部電極が形成されることから、本願発明の「導電性セラミック層が電極層と一緒に焼結されたセラミック生フィルムから製造されており」に相当する。
　
　引用例１発明の「セラミック積層体の両端面」「外部電極」は、本願発明の「基体の２つの対向する外面」「外側電極」に相当し、引用例１発明の「セラミック積層体の両端面には内部電極と接続する外部電極が形成され」ていることは、内部電極はセラミック積層体の両端で外部電極と結合されており、本願発明の「基体の２つの対向する外面には、電極層と導電的に結合されている外側電極が配置され」に相当する。
　
　引用例１発明の「セラミック積層体はセラミックグリーンシートの５枚重ねで形成され」た形状は、上下、両端、側面が平行な平行六面体であることは明らかであり、本願発明の「基体が」「平行六面体の形を有しており」に相当する。
　
　引用例１発明の「Ｂ定数」は２点の温度と抵抗値により算出され、本願発明の「比抵抗の温度経過のρ（Ｔ）を示すセラミックのＢ値」に相当し、引用例１発明の「Ｂ定数」の「４０００」は、本願発明の「比抵抗の温度経過のρ（Ｔ）を示すセラミックのＢ値」の「４０００Ｋ」に相当する。
　　
　以上のことから、引用例１発明と本願発明の一致点及び相違点は、次のとおりである。
〈一致点〉
「導電性セラミック層によって互いに分離されている重ね合わせた導電性電極層からなる層スタックを有する基体を備えた電気的構造素子において、
導電性セラミック層は比電気抵抗が負の温度係数を有するセラミックからなり、
導電性セラミック層が電極層と一緒に焼結されたセラミック生フィルムから製造されており、
基体の２つの対向する外面には、電極層と導電的に結合されている外側電極が配置されており、
基体が平行六面体の形を有しており、および比抵抗の温度経過ρ（Ｔ）を示す、セラミックのＢ値が４０００Ｋである、
電気的構造素子。」
　
〈相違点〉
ａ．基体を、本願発明は「導電性被膜を含まない４つの側面を有する」と特定するのに対して、引用例１発明はこのように特定していない点。
ｂ．比抵抗の温度経過のρ（Ｔ）を示すセラミックのＢ値を、本願発明は「４０００Ｋよりも大きく」するのに対して、引用例１発明では「４０００」である点。
ｃ．電気的構造素子の電気抵抗を、本願発明は「２５℃で２ｋΩ未満である」と特定するのに対して、引用例1発明はこのように特定していない点。
　
４．当審の判断
　上記相違点について検討する。
ａ．相違点ａについて
　引用例２には、内部電極が露出した短冊状の積層体の露出面に導電性ペーストを塗布し、この短冊状の積層体をカッターなどを用いて、未焼成チップに分断し、焼結工程で、セラミックの焼結と外部電極の焼付を行う、積層コンデンサの製造方法が記載されている。
　導電性ペーストの塗布には、スクリーン印刷法を用いられることが記載されている。　導電性ペーストは塗布面以外の面に回り込まずに塗布され、チップに分断される前に塗布されており、積層コンデンサの外部電極は積層体の両端のみに形成され、他の４面には導電性被膜が形成されないことが示されている。
　
　引用例３には、キャパシターの矩形のセラミック本体の内部の電極が露出する側面の部分のみが、薄層で被覆されることが記載されている。
　外部電極に相当する薄層は、キャパシターのセラミックブロックの両側面のみを被覆して、セラミックブロックの４面は薄層で被覆されないことが示されている。
　
　引用例２，３に示されているように、内部の電極が露出した面のみに外部電極が形成されて、４面に外部電極による被膜が形成されていない電子部品は周知である。
　また、電子部品のサーミスタにおいても、電極形成面の電極層以外の他の４面に外部電極になる被膜が形成されていないものが周知（特開平５−３３５１１３号公報の板状の焼成体の両面に電極層３を形成してから切断したサーミスタ１、図１，２のサーミスタ１の両面の電極層３，３を参照。）である。
　
　引用例１発明のチップ型積層サーミスタにおいて、引用例２，３の記載及び周知技術の構成から、外部電極が形成される両端面以外の４つの側面の導電被膜に影響されず、セラミック積層体の抵抗値の測定や制御が正確になされるように、セラミック積層体の４つの側面に導電性被膜が含まれない構成とすることは、当業者が容易に想到しうることである。
　　　
ｂ．相違点ｂについて
　引用例４には、積層形チップサーミスタの電気特定について、サーミスタ定数Ｂ（Ｂ定数）が４０４５Ｋ±０．９％であることが記載されている。
　引用例１には、サーミスタの用途拡大に伴って、Ｂ定数が大きく初期抵抗値が小さいサーミスタが要望されていることが記載されている。
　Ｂ定数は２点の温度と抵抗値より算出される値であり、Ｂ定数が大きいほど、温度変化に対する抵抗変化率が大きく、温度に対して高い感度を示す。
　
　Ｂ定数が４０００の積層チップ型サーミスタの引用例１発明において、さらに高い感度が得られるように、引用例４に記載されている４０００ｋ以上のセラミックを利用し、抵抗の温度経過のρ（Ｔ）を示すセラミックのＢ値を４０００Ｋよりも大きくすることは、当業者が容易に想到しうることである。
　
ｃ．相違点ｃについて
　引用例１発明は、用途拡大に伴って、Ｂ定数が大きいにもかかわらず小さな初期抵抗値を有する積層チップ型サーミスタを開発したもので、サーミスタの並列接続や、内部電極間の間隔を小さくすることにより、全体の抵抗値が下げられることが記載されている。
　また、セラミック層及び内部電極の数は増減自由であり、目的とする抵抗値が得られるように適宜決定すればよいことが記載されている。
　
　引用例４には、積層型チップサーミスタの素子の抵抗値について、Ｒ２５＝８０ＫΩ±６．０％と記載され、抵抗Ｒ２５は２５℃の環境で測定されることが示されている。
　引用例５には、積層サーミスタの抵抗値Ｒ25を、２５℃で測定したことが記載されている。
　引用例４，５には、サーミスタの電気抵抗は、２５℃の環境で測定されることが記載され、サーミスタの電気抵抗は特段の記載がなされていない場合には、２５℃で測定されることが周知である。
　
　したがって、積層チップ型サーミスタの用途拡大に伴って、用途に対応して、引用例１発明における、積層チップ型サーミスタの電気抵抗を、大きなＢ定数でありながら、２５℃での環境での電気抵抗を２ｋΩ未満とすることは、当業者が適宜になしえることである。
　
　本願発明の効果は、各引用例に記載された発明から当業者が十分に予測可能なものであって、格別顕著なものがあるとはいえない。
　
５．むすび
　以上のとおりであるから、本願の請求項１に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。 
　したがって、その余の請求項について論及するまでもなく、本願は、拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。