(57)【要約】この回路基板は、絶縁セラミックス基板２の両面に導電層３がろう材４を介して接合されたものである。導電層３は９９．９８質量％以上のＡｌを含み、その平均結晶粒径は０．５ｍｍ以上かつ５ｍｍ以下であり、結晶粒径の標準偏差σは２ｍｍ以下である。導電層はいずれも２０ｐｐｍ以上のＣｕ、ＦｃおよびＳｉを含有する。導電層に含まれる最大結晶粒径を有する結晶の面積は、絶縁セラミックス基板２の面積の１５％以下である。
2003090277.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁セラミックス基板の両面に導電層が接合された回路基板であって、前記導電層は、９９．９８質量％以上のアルミニウムを含み、その平均結晶粒径は０．５ｍｍ以上かつ５ｍｍ以下であり、結晶粒径の標準偏差σは２ｍｍ以下である。
【請求項２】
請求項１記載の回路基板であって、前記導電層は、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｓｉのそれぞれを２０ｐｐｍ以上含有し、かつ圧延されている。
【請求項３】
請求項２記載の回路基板であって、前記導電層は、１５％以上の圧下率で圧延されている。
【請求項４】
請求項１記載の回路基板であって、前記導電層に含まれる最大結晶粒径を有する結晶の面積は、前記絶縁セラミックス基板の面積の１５％以下である。
【請求項５】
請求項１記載の回路基板であって、前記絶縁セラミックス基板は、Ａｌ２Ｏ３、ＡｌＮ、およびＳｉ３Ｎ４の少なくとも１種により形成されている。
【請求項６】
請求項１記載の回路基板であって、前記導電層は前記絶縁セラミックス基板表面にろう材を用いて接合され、前記ろう材は、Ａｌ−Ｓｉ系，Ａｌ−Ｇｅ系，Ａｌ−Ｍｎ系，Ａｌ−Ｃｕ系，Ａｌ−Ｍｇ系，Ａｌ−Ｓｉ−Ｍｇ系，Ａｌ−Ｃｕ−Ｍｎ系，およびＡｌ−Ｃｕ−Ｍｇ−Ｍｎ系のろう材から選択される１または２以上のろう材である。
【請求項７】
請求項２記載の回路基板であって、前記導電層に含まれる最大結晶粒径を有する結晶の面積は、前記絶縁セラミックス基板の面積の１５％以下であり、前記絶縁セラミックス基板は、Ａｌ２Ｏ３、ＡｌＮ、およびＳｉ３Ｎ４の少なくとも１種により形成されており、前記導電層は前記絶縁セラミックス基板表面にろう材を用いて接合され、前記ろう材は、Ａｌ−Ｓｉ系，Ａｌ−Ｇｅ系，Ａｌ−Ｍｎ系，Ａｌ−Ｃｕ系，Ａｌ−Ｍｇ系，Ａｌ−Ｓｉ−Ｍｇ系，Ａｌ−Ｃｕ−Ｍｎ系，およびＡｌ−Ｃｕ−Ｍｇ−Ｍｎ系のろう材から選択される１または２以上のろう材である。
【請求項８】
回路基板の製造方法であって、絶縁セラミックス基板上にろう材を介して、９９．９８質量％以上のアルミニウムを含む導電層を配置し、これらを５０ｋＰａ以上かつ３００ｋＰａ以下の力で圧接させつつ、真空中または不活性ガス中で６００℃以上に加熱することにより前記導電層と前記絶縁セラミックス基板とを前記ろう材で接合し、かつ、前記導電層の平均結晶粒径を０．５ｍｍ以上かつ５ｍｍ以下、結晶粒径の標準偏差σを２ｍｍ以下にする。
【請求項９】
請求項８記載の回路基板の製造方法であって、９９．９８質量％以上のアルミニウム、及びＣｕ、Ｆｅ、Ｓｉのそれぞれを２０ｐｐｍ以上含む板材を熱処理したのち１５％以上の圧下率で圧延を行うことにより前記導電層を得る工程をさらに有する。
【請求項１０】
請求項１記載の回路基板と、この回路基板を支持する放熱板とを有するパワーモジュール。
【請求項１１】
請求項１０のパワーモジュールであって、前記回路基板の前記導電層の少なくとも一部は、前記放熱板に対して、前記ろう材よりも融点の低いろう材により接合されている。
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は、パワーモジュール、およびパワーモジュールに使用される回路基板およびその製造方法に関する。この技術は特に、ＨＥＶ（Ｈｙｂｒｉｄ  Ｅｌｅｃｔｒｉｃ  Ｖｅｈｉｃｌｅ；ハイブリッド電気自動車）などに用いられる高信頼性インバータモジュール用パワーモジュール等に好適に適用できる。
背景技術
従来、パワーモジュール等に利用される半導体装置においては、アルミナ、ベリリア、窒化ケイ素、窒化アルミニウム等のセラミックス基板の表裏面に、Ｃｕ又はＡｌからなる導電層および放熱板がそれぞれ形成された回路基板が用いられている。このような回路基板は、樹脂基板と金属基板との複合基板、あるいは樹脂基板よりも、高絶縁性が安定して得られる。
導電層及び放熱板がＣｕである場合には、セラミックス基板やはんだとの熱膨張差に起因する熱応力の発生が避けられず、長期的な信頼性が不十分になりやすい。これに対し、導電層及び放熱板がＡｌである場合には、熱伝導性や電気伝導性ではＣｕよりも劣るものの、熱応力を受けた際に容易に塑性変形し、応力が緩和されるため、信頼性が高い利点がある。
特開２００１−５３１９９号公報、および特開平８−３３５６５２号公報には関連技術が開示されている。
ところで、絶縁セラミックスの両面に圧延材のＡｌ板を接合するには、ろう材を用いて５００℃以上の高温で接合する必要がある。この場合、ろう付けした後に常温状態で反りを生じることがあり、この反りが、回路基板製造工程やパワーモジュールを製造するアセンブリ工程での不良を発生する原因となっていた。
反りの原因は、図３Ａに示すように、ろう付け工程において導電層中のＡｌ結晶が異常に大きく成長することにあると考えられる。結晶粒径が著しく大きくなることにより、絶縁セラミックス基板の両面に形成された導電層の機械的特性に異方性が生じ、応力の不均衡から反りを生じるのである。絶縁セラミックス基板の表裏面に導電層が接合される場合、それぞれの導電層の厚みが等しくされることが応力均衡の点から好ましい。
Ａｌ結晶の粒径は添加元素を増加することによって抑制できるが、添加元素量が増えると応力緩和効果が低下する。このため、Ａｌの０．２％耐力や加工硬化指数が基準値よりも大きくなり、例えば−４０〜１２５℃の温度サイクル試験をおこなった際に、セラミックス基板に割れを生じる可能性がある。
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、回路基板の反りを低減すること、およびセラミックス基板の割れを防止することを課題とする。
発明の開示
本発明の回路基板は、絶縁セラミックス基板の両面に導電層が接合され、前記導電層は９９．９８質量％以上のアルミニウムを含み、その平均結晶粒径は０．５ｍｍ以上かつ５ｍｍ以下であり、結晶粒径の標準偏差σは２ｍｍ以下である。
導電層の結晶粒径は、導電層の表面をＮａＯＨ水溶液、ＨＦ、またはＧａなどでエッチングし、導電層のマクロ組織を露出させた後、光学顕微鏡もしくは電子顕微鏡（ＳＥＭ）により組織を観察することにより、測定できる。
前記導電層は、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｓｉのそれぞれを２０ｐｐｍ以上含有し、圧延されたものであってもよい。前記導電層は１５％以上の圧下率で圧延されていてもよい。この場合、Ａｌ結晶の異常成長を抑制でき、結晶粒径のばらつきを減らす効果が得られる。
最大結晶粒径を有する結晶の面積は、前記絶縁セラミックス基板の面積の１５％以下であってもよい。この場合、導電層の機械的特性に異方性が生じることを防止する効果がさらに高い。
前記絶縁セラミックス基板は、Ａｌ２Ｏ３、ＡｌＮ、およびＳｉ３Ｎ４の少なくとも１種により形成されていてもよい。前記導電層は前記絶縁セラミックス基板表面にろう材を用いて接合されていてもよい。前記ろう材は、Ａｌ−Ｓｉ系，Ａｌ−Ｇｅ系，Ａｌ−Ｍｎ系，Ａｌ−Ｃｕ系，Ａｌ−Ｍｇ系，Ａｌ−Ｓｉ−Ｍｇ系，Ａｌ−Ｃｕ−Ｍｎ系，およびＡｌ−Ｃｕ−Ｍｇ−Ｍｎ系のろう材から選択される１または２以上のろう材であってもよい。この場合、導電層と絶縁セラミックス基板との接合が良好になる。
本発明のパワーモジュールは、前記回路基板と、この回路基板を支持する放熱板とを有する。前記回路基板の前記導電層の少なくとも一部は、前記放熱板に対して、前記ろう材よりも融点の低いろう材により接合されていてもよい。
一方、本発明の回路基板の製造方法は、絶縁セラミックス基板上にろう材を介して、９９．９８質量％以上のアルミニウムを含む導電層を配置し、これらを５０ｋＰａ以上かつ３００ｋＰａ以下の力で圧接させつつ、真空中または不活性ガス中で６００℃以上に加熱することにより前記導電層と前記絶縁セラミックス基板とを前記ろう材で接合し、かつ、前記導電層の平均結晶粒径を０．５ｍｍ以上かつ５ｍｍ以下、結晶粒径の標準偏差σを２ｍｍ以下にする。
前記製造方法は、９９．９８質量％以上のアルミニウムを含む板材を熱処理したのち、１５％以上の圧下率で圧延を行うことにより前記導電層を得る工程をさらに有していてもよい。最終の熱処理からの圧下率が１５％以上にされることにより、導電層の０．２％耐力を３５Ｎ／ｍｍ２程度以下、Ａｌ材の加工硬度指数を０．１８程度以下にすることができる。このため、繰り返し温度変化に曝された場合のセラミックス基板の割れ等を防ぐ効果が高められる。例えば、−４０℃〜１２５℃の温度サイクル試験をおこなった際に、基板に割れが生じるまでのサイクル数を高めることができる。温度サイクル試験とは、例えば、回路基板に冷熱衝撃試験器にて−４０℃×３０分および１２５℃×３０分を１サイクルとする温度処理を繰り返し行う試験である。
本発明によれば、導電層の平均結晶粒径が０．５ｍｍ以上５ｍｍ以下とされ、結晶粒径の標準偏差σが２ｍｍ以下であるから、導電層の機械的特性に異方性が生じにくく、回路基板の反りが低減できる。また、導電層は９９．９８質量％以上のアルミニウムを含有するから応力緩和能力も大きく、温度変化に曝されてもセラミックス基板の割れ等が生じにくい。したがって、本発明によれば、回路基板の反りを低減できるだけでなく、温度変化に曝された場合にもセラミックス基板に割れ等の不具合が生じることが防止できる。
導電層の平均結晶粒径が５ｍｍより大きいと導電層の機械的特性に異方性を生じて基板に反りが生じ易くなる。平均結晶粒径が０．５ｍｍより小さいと、加工硬化が大きくなるなど機械的特性が変化し、温度変化に曝された際に変形抵抗が増し、セラミックス基板の割れや、半導体チップをはんだ付けした部分にクラックが生じ易くなる。結晶粒径の標準偏差が２ｍｍ以上であると、導電層の結晶粒径のばらつきが大きくなりすぎ、機械的特性に異方性を生じる可能性がある。
前記導電層の平均結晶粒径は０．８ｍｍ以上１．５ｍｍ以下、結晶粒径の標準偏差σは１ｍｍ以下であるとより好ましい。この場合、温度変化に曝されたときのセラミックス基板の割れ等の不具合をさらに防止できる。
発明を実施するための最良の形態
以下、本発明に係る回路基板およびその製造方法の実施形態を図面に基づいて説明する。
図１は、本発明の第１実施形態の回路基板１を示す断面図であり、この回路基板１は、絶縁セラミック基板２の両面のそれぞれに、ろう材層４を介して、Ａｌ板（導電層）３を接合したものである。
絶縁セラミック基板２の材質は限定されないが、好ましくはＳｉ３Ｎ４、ＡｌＮまたはＡｌ２Ｏ３から選択される１種または２種の複合材とされる。このなかでも、特にＡｌＮが好ましい。このＡｌＮは、熱伝導率が１７０〜２００Ｗ／ｍＫと高く、導電層のＡｌに近い値であるため、導電層上に搭載されるＳｉチップの熱を速やかに放熱させることができる。また、ＡｌＮの熱膨張係数が４．３×１０−６／℃と低く、Ｓｉチップの熱膨張係数に近い値であるため、Ｓｉチップを固定しているはんだにクラックを生じさせにくい。絶縁セラミックス基板２の厚さは限定されないが、一例として０．３〜１．５ｍｍ程度とされる。絶縁セラミック基板２の形状は一般的には矩形状であるが、その他の形状であってもよい。
Ａｌ板３は９９．９８質量％以上のＡｌを含有する。Ａｌ含有率がそれよりも低いと、Ａｌ板３の応力緩和効果が低下し、温度変化に曝された際に回路基板１の反りやセラミックス基板２の割れが生じやすくなる。Ａｌ板３の厚さは限定されないが、一例として０．２５〜０．６ｍｍにされる。より具体的な実施形態では、絶縁セラミック基板２は、例えば厚さ０．６３５ｍｍのＡｌＮ板、Ａｌ板３は、例えば厚さ０．４ｍｍとされる。Ａｌ板３はセラミックス基板２の全面に接合されていてもよいし、セラミックス基板２の一部にのみ接合されていてもよい。例えば、図１に示すようにセラミックス基板２の周辺部を除く部分にのみ形成されていてもよい。
ろう材４の厚さは限定されないが、一例として０．００５〜０．０５ｍｍとされる。より具体的な例では０．０３ｍｍ程度である。ろう材４の材質は限定されないが、好ましくは、Ａｌ−Ｓｉ系、Ａｌ−Ｇｅ系，Ａｌ−Ｍｎ系，Ａｌ−Ｃｕ系，Ａｌ−Ｍｇ系，Ａｌ−Ｓｉ−Ｍｇ系，Ａｌ−Ｃｕ−Ｍｎ系，およびＡｌ−Ｃｕ−Ｍｇ−Ｍｎ系のろう材から選択された１種または２種以上とされる。いずれのろう材もＡｌ含有量は７０〜９８質量％とされる。この中でも特に、Ａｌ−Ｓｉ系ろう材又はＡｌ−Ｇｅ系ろう材が好ましい。これらＡｌ−Ｓｉ系ろう材、Ａｌ−Ｇｅ系ろう材は、金属間化合物を生じ難いからであり、この金属間化合物が生じると、前述した−４０℃〜１２５℃程度の温度サイクル発生時に亀裂発生の原因となり易い。また、金属間化合物が生じ難いので、低い圧力下で接合することが可能になる。Ａｌ−Ｓｉ系ろう材の一例を挙げると、９５〜７５質量％のＡｌおよび３〜２０質量％のＳｉを含む合金であり、融点（共晶点）は５７７℃である。
Ａｌ板３の平均結晶粒径は０．５ｍｍ〜５ｍｍとされ、結晶粒径の標準偏差σは２ｍｍ以下とされている。平均結晶粒径が５ｍｍより大きいと、Ａｌ板３の機械的特性に異方性が生じ、温度変化に曝されると回路基板１に反りが生じる可能性がある。平均結晶粒径が０．５ｍｍより小さいと、加工硬化が大きくなり、温度サイクルによる変形抵抗が上昇し、セラミックスの割れやＳｉチップはんだ付け部のクラック発生が生じ易くなる。標準偏差が２ｍｍ以上の場合には、結晶粒径のばらつきが大きくなりすぎるため、機械的特性に異方性を生じる可能性がある。
Ａｌ板３の結晶粒径の測定は、以下のように行うことができる。絶縁セラミックス基板２と接合したＡｌ板３表面を、エッチングして導電層のマクロ組織を露出させる。エッチング液としてはＮａＯＨ水溶液や、ＨＦ、Ｇａなどが使用できる。エッチング後、水洗および乾燥して、光学顕微鏡もしくは電子顕微鏡（ＳＥＭ）により結晶粒の組織観察をおこなう。さらに、図３Ｂに示すように顕微鏡画像に対して画像処理をおこなうことにより、平均結晶粒径および標準偏差を測定する。同様に、最大結晶粒径も求めることができる。
画像解析の方法の一例は以下の通りである。まず、セラミックス基板２に接合されたＡｌ板３の表面を以下のいずれかの条件でエッチングし、マクロ組織すなわちＡｌの結晶粒界を観察できるサンプルを作製する。
エッチング条件（１）：例えば、Ａｌ板３の表面をフッ硝酸（酸性フッ化アンモニウム：１００ｇ／Ｌ，硝酸８００ｍＬ／Ｌ）で３分処理する。
エッチング条件（２）：例えば、Ａｌ板３の表面を４質量％ＮａＯＨ水溶液で２０分処理する。
エッチング条件（３）：Ａｌ板３の表面を研磨したうえＧａを塗布し、５０℃×２ｈでＡｌの粒界にＧａを拡散させた後、さらに表面を鏡面研磨する。
得られたサンプルを光学顕微鏡またはＳＥＭなどで写真撮影し、写真中の各結晶粒境界を簡易ＣＡＤソフトなどで取り込み、画像処理を行うことにより個々の結晶粒の面積Ｓを求める。これを以下の式から平均粒径に変換する。
平均粒径＝２×√（Ｓ／π）
さらに、写真全体における平均粒径の分布から、平均値および標準偏差を算出すればよい。
最大結晶粒径を有する結晶の面積が、絶縁セラミックス基板２の面積に占める割合は、１５％以下であることが好ましい。その場合には、回路基板１の反り量を低減することができる。
Ａｌ板３を絶縁セラミックス基板２と接合した場合、Ａｌ結晶が異常成長するとセラミックス基板２両面のＡｌ板３の機械的特性に異方性を生じ、反り量が大きくなってしまうが、上記のようにＡｌ板３の結晶粒径を設定すると、Ａｌ板３の機械的特性に異方性を低減でき、回路基板１の反りが低減できる。
絶縁セラミックス基板２の表裏に接合されるＡｌ板３は、それぞれの厚みが等しくされることが好ましい。Ａｌ板３は絶縁セラミックス基板２の両面に接合されることが好ましい。片側のみであると絶縁セラミックス基板２に反りが発生しやすいためである。ただし、必要に応じては片側のみでもよい。
Ａｌ板３は、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｓｉをいずれも２０ｐｐｍ以上含有していることが好ましい。この場合には、Ａｌ結晶の過度の成長が抑制され、結晶粒径のばらつきが低減されるため、一部の結晶粒の粗大化が生じにくく、機械的異方性の原因となりにくい。より好ましくは、Ｃｕが２０〜６０ｐｐｍ、Ｆｅが２０〜４０ｐｐｍ、Ｃｕが２０〜８０ｐｐｍとされる。これらの上限値を超えると、０．２％耐力や加工硬度指数が前述した値（０．２％耐力が３５Ｎ／ｍｍ２程度以下、加工硬度指数が０．１８程度以下）より大きくなって、温度サイクル発生時に絶縁セラミックス基板との界面や導電層の上に搭載されるＳｉチップのはんだ付け面に応力発生し、絶縁セラミックス基板やはんだの亀裂発生の原因となる。
次に、上記回路基板１の製造方法を説明する。
Ａｌ板３の上に順に、シート状のろう材４、絶縁セラミック基板２、シート状のろう材４、およびＡｌ板３を重ねる。これらに５０〜３００ｋＰａ（０．５〜３ｋｇｆ／ｃｍ２）の圧力を加えつつ、真空中または不活性ガス中（例えばＡｒガス雰囲気中）で６００℃以上かつＡｌ板３の融点以下の温度に加熱する。これによりろう材４が溶け、セラミックス基板２とＡｌ板３が強固に接合される。このときの加熱条件は、先に述べた結晶粒径条件を満たすように設定される。ろう付け後、室温まで冷却し、片面のＡｌ板３を所定のパターンにエッチングし、回路を形成する。
貼り合わせの際の圧力が５０ｋＰａ未満では接合ムラが生じるおそれがある。３００ｋＰａよりも大きいと接合時にセラミックス基板２に割れが発生しやすい。加熱温度が６００℃未満であると、接合が不十分になりやすくなる。また、上記範囲を外れると前述した結晶粒径の条件を満たしにくくなる。
回路基板１の反り量を計るには、１００ｍｍ角の回路基板１の対角線上に１００ｍｍ間隔で２点をとり、この２点間の断面曲線を３次元測定装置またはレーザー変位計を用いて測定する。図２に示すように、この断面曲線と平面Ｐとの間隔のうち最大変位Ｃを測定する。回路基板１の交差する対角線のそれぞれに沿って測定した値のうち、大きい方を反り量として定義する。
Ａｌ板３の結晶成長は添加元素を増加することによって抑制可能であるが、この添加元素の濃度すなわちＡｌの純度により、Ａｌ自体の機械的特性が著しく変化する。上記の結晶粒径を実現するために、Ａｌ板３は、９９．９８質量％以上のアルミニウムを含む板材を２００〜４５０℃で最終熱処理したのち、１５％以上の圧下率で圧延することにより得られていることが好ましい。これにより、Ａｌ板３の０．２％耐力を３５Ｎ／ｍｍ２程度以下、導電層の加工硬度指数を０．１８程度以下にすることが容易になる。したがって、応力緩和効果を向上することができ、−４０℃〜１２５℃の温度サイクル試験をおこなった際に回路基板に割れが生じることを防止できる。また、Ａｌ板３において、最終熱処理からの圧下率が１５％以上であれば、結晶粒の粗大化が進行しにくくなる。
本実施形態によれば、絶縁セラミックス基板２が、ヤング率が３２０ＧＰａ程度で、反り抑制措置が必要な必要なアルミナ、ＡｌＮ、または、Ｓｉ３Ｎ４などから形成され、かつ、ろう材４が、導電層の結晶粒の成長がおきる５００℃以上の温度領域、特に６００℃以上の熱処理を必要としているＡｌ−Ｓｉ系のようなろう材とされた場合であっても、Ａｌ板３の平均結晶粒径が０．５ｍｍ〜５ｍｍ程度の範囲とされ、かつ、結晶粒径の標準偏差σが２ｍｍ程度以下に設定されることにより、Ａｌ板３の機械的特性に異方性が生じることを低減できる。従って、絶縁セラミックス基板２およびＡｌ板３の熱膨張差に起因する熱応力の発生を低減し、回路基板１に反りやクラックが生じることを防ぎ、回路基板の長期的な信頼性を向上することが可能となる。
次に、本発明の第２実施形態であるパワーモジュールを説明する。本実施形態のパワーモジュール１０には、前述の第１実施形態に係る回路基板１が実装されている。図４はパワーモジュール１０の断面図である。
図４に示すように、パワーモジュール１０は、放熱板１１の一方の主面に１又は２以上の方形の回路基板１が固着されたものである。放熱板１１はＡｌ系合金板からなる板材であって、絶縁セラミックス基板と同様、熱伝導率が高く（例えば１５０Ｗ／ｍＫ以上）、熱膨張係数が低い（例えば１０×１０−６／℃以下）ものが好ましく、ＡｌＳｉＣからなるもの、あるいは、孔明きＦｅ−Ｎｉ合金板の両面にＡｌを接合した三層構造のものが好適である。また、放熱板１１の厚さは限定されないが、一例として３〜１０ｍｍのものが使用される。回路基板１は、前述した第１実施形態と同様のものとされ、ＡｌＮ等からなる例えば厚さ０．３〜１．５ｍｍの絶縁セラミック基板２と、絶縁セラミック基板２の両面に接合された第１および第２のＡｌ板３を備える。第１及び第２Ａｌ板３は、例えば厚さが０．２５〜０．６ｍｍとされる。回路基板１は例えば一辺が３０ｍｍ以下の方形状とされる。
回路基板１は、放熱板１１にろう材によりろう付けされている。ろう材としては、Ａｌ−Ｓｉ系，Ａｌ−Ｃｕ系，Ａｌ−Ｍｇ系，Ａｌ−Ｍｎ系およびＡｌ−Ｇｅ系のろう材から選ばれる１又は２以上を用いることが好ましい。回路基板１を放熱板１１へろう付けするには、放熱板１１の上にろう材のシートおよび回路基板１をこの順序で重ね、これらに圧力５０〜３００ｋＰａを加え、真空中または不活性ガス中で５８０〜６５０℃に加熱してろう材を溶融させ、その後冷却する。上記ろう材としては、融点がろう材４の融点以下であり、より好ましくは５００〜６３０℃、例えば５７５℃程度のものが好適である（ただし、融点とは液相線を越える点とする）。この場合、絶縁セラミック基板２とＡｌ板３を接合したろう材４は完全には溶融せずに、放熱板１１と第１Ａｌ板３とを接合させることができる。
このように構成されたパワーモジュール１０は、放熱板１１の隅に形成された取付孔１１ａに雄ねじ１３が挿入され、これら雄ねじ１３が水冷式ヒートシンク１４に形成された雌ねじ１４ａにそれぞれ螺合されることにより、放熱板１１の他方の面が、例えばＡｌ合金からなる水冷式のヒートシンク１４に密着接合される。
このように構成されたパワーモジュール１０では、第１実施形態と同様の効果を奏する。このような回路基板１を実装したことにより、熱サイクル時に生じる回路基板１の縁における収縮量の相違も比較的小さく抑制できて、パワーモジュール１０の熱サイクル寿命を延ばすことができる。その結果、パワーモジュールとしての信頼性を向上できる。
実施例
以下、本発明の実施例について説明する。
＜実施例１＞
図４に示す構造のパワーモジュールを作成した。
５０ｍｍ×５０ｍｍ×０．６３５ｍｍのＡｌＮ製セラミック基板２の両面に、縦横寸法が絶縁セラミック基板２と同一で、厚さが０．４ｍｍのＡｌ板３をそれぞれ接合して回路基板１を作成した。Ａｌ板３は、４５０℃での最終熱処理後、圧下率３０％で圧延を行ったもので、９９．９９質量％のＡｌ、２３ｐｐｍのＣｕ、３０ｐｐｍのＳｉ、３３ｐｐｍのＦｅを含有していた。ろう材４は、８質量％のＳｉを含有するＡｌ−Ｓｉ系ろう材とした。このろう材の融点は６２６℃であった。Ａｌ板３、Ａｌ−Ｓｉ系ろう材４、絶縁セラミック基板２、Ａｌ−Ｓｉ系ろう材４、Ａｌ板３をこの順序で重ねた状態で、これらに圧力２００ｋＰａを加えつつ、真空中で６３０℃に加熱し、１０分経過後冷却することによりこれらを接合した。
次に、１００ｍｍ×１００ｍｍ×３ｍｍのＡｌＳｉＣからなる放熱板１１と、Ｓｉチップ１６を用意し、回路基板１と放熱板１１とＳｉチップ１６をハンダでろう付けしてパワーモジュール１０を得た。こうして得られたパワーモジュールを３０個用意し実施例１の試料とした。
＜実施例２〜１２および比較例１〜６＞
表１に示すように、絶縁セラミックス基板の材料、ろう材、最終圧延率、Ａｌ純度、Ｃｕ量、Ｓｉ量、Ｆｅ量を種々変化させて、パワーモジュールをそれぞれ３０個作成した。比較例については、比較例１がＣｕ量、比較例２がＳｉ量、比較例３がＦｅ量、比較例４が最終圧延率、比較例５がＡｌ純度をそれぞれ本発明のねらいとする範囲から外して作成した。また、比較例６は絶縁セラミックス基板の片面にのみＡｌ板を接合した。
実施例１〜１２、比較例１〜６のそれぞれのＡｌ板３の表面を、２〜５％ＮａＯＨ水溶液でエッチングしてマクロ組織を露出させ、電子顕微鏡（ＳＥＭ）で結晶粒の組織観察をおこなって画像処理し、平均結晶粒径、標準偏差、最大結晶粒径、および導電層に含まれる最大結晶粒径を有する結晶の面積が絶縁セラミックス基板２の面積に占める割合を測定した。結晶粒径については、結晶粒の面積（Ｓ）を測定し、これを円周率（π）で割ったものの平方根から半径を求めて２倍した（２×√（Ｓ／π））。結果を表１に併記する。
2003090277.tif 000003
＜比較試験及び評価＞
実施例１〜１２および比較例１〜６のパワーモジュールを、冷熱衝撃試験器にセットし、−４０℃×３０分、室温×３０分、１２５℃×３０分、および室温×３０分を１サイクルとする熱処理を繰り返した。温度サイクルを１００回繰り返した時点で、回路基板１と放熱板１１との間、および、絶縁セラミック基板２とＡｌ板３との間の剥離の有無を観察し、剥離が確認されない場合には更に温度サイクルを１００回繰り返した。この工程を繰り返して、剥離が確認されるまでの温度サイクル回数を温度サイクル寿命として測定した。剥離の有無は拡大鏡により確認することにより行った。この結果を表２に示す。
各回路基板１において反り量を測定し、３０個のうち、Ａｌ板３接合後の製造工程中に発生した不具合数をカウントした。不具合数とは、回路基板製造工程や、この絶縁回路基板を用いパワーモジュールを製造するアセンブリ工程での不具合を生じたパワーモジュールの個数である。不具合とは、具体的には、反り量が大きいために回路パターン形成用のレジスト印刷工程中に基板固定のための吸着ステージ上でセラミックス基板が割れたり、ヒートシンクはんだ付け中に反りに起因したはんだボイドが発生するなどである。これらの結果を表２に併記する。
2003090277.tif 000004
＜評価＞
表１に示すように、実施例１〜１２では、Ａｌ板３を最終圧下率１５％以上、純度９９．９８質量％以上、２０ｐｐｍ以上のＣｕ、２０ｐｐｍ以上のＳｉ、２０ｐｐｍ以上のＦｅが含有されたものとすることにより、平均結晶粒径が０．５ｍｍ〜５ｍｍ、結晶粒径の標準偏差σが２ｍｍ以下となった。実施例１〜１２のパワーモジュールは、いずれも良好な温度サイクル寿命を有していた。
これに対して、上記条件からはずれた比較例１〜６では、平均結晶粒径および標準偏差が本発明範囲を満たさず、温度サイクル寿命が短くなった。
図５は、実験により得られた平均結晶粒径と温度サイクル寿命との関係を示す。図５から、平均結晶粒径が０．５より小さいと温度サイクル寿命が３１００回以下と極端に短くなっているのがわかる。また、導電層の平均結晶粒径が０．８ｍｍ以上１．５ｍｍ以下の範囲であると５０００回程度と温度サイクル寿命が非常に長くなっていることがわかる。
図６は、導電層に含まれる最大結晶粒径を有する結晶の面積が絶縁セラミックス基板の面積に占める割合と反り量との関係を示す。図６から、最大結晶粒径部分が、基板全体の１５％を超えると５０ｍｍあたりの基板の反り量が１２０μｍ以上に急増することがわかる。
一方、Ａｌ板内のＳｉ濃度を測定した結果、Ａｌ板／ＡｌＮ基板の接合時には、ろう材に含まれるＳｉがＡｌ板中へ拡散していることが確認された。図７はＡｌ／ＡｌＮの接合界面からＡｌ板内へ向かう距離Ｘと、Ｓｉ濃度との関係を示すグラフである。このグラフに示されるように、Ｓｉが拡散する深さは、Ａｌ／ＡｌＮの接合界面から０．１ｍｍ程度であった。したがって、Ａｌ板の表層部（例えば厚さ０．１ｍｍ程度の範囲）について元素分析を行えば、ろう材からのＳｉ拡散の影響を受けることなく、Ａｌ板材そのものの組成を測定することができる。よって、Ｓｉ：２０〜６０ｐｐｍ、Ｆｅ：２０〜４０ｐｐｍ、Ｃｕ：２０〜８０ｐｐｍといった微量分析も十分に可能である。
図７に示すように、Ａｌ板／ＡｌＮ基板の接合界面付近では、０．１質量％程度のＳｉが拡散し、Ａｌ純度が９９．９０質量％程度までに減少している。このようなＳｉ拡散によって、Ａｌ板の接合界面付近は相対的に高強度となり、クラックの進展を防止する効果が得られる。Ａｌ板の残りの部分（表面側の約３／４の領域）については、高純度Ａｌの状態が確保されているため、変形抵抗が小さく、温度サイクル試験時に、ＡｌＮ基板にかかる応力を低減できる。
産業上の利用の可能性
本発明によれば、回路基板の反りを低減できるだけでなく、温度変化に曝された場合にもセラミックス基板に割れ等の不具合が生じることが防止できる。
【図面の簡単な説明】
図１は、本発明に係る回路基板の実施形態を示す断面図である。
図２は、反り量を説明するための断面図である。
図３Ａおよび図３Ｂは、結晶粒径測定を説明するための模式図であり、図３Ａは従来技術における結晶例を示し、図３Ｂは本発明の回路基板の導電層における結晶の例を示す。
図４は、本発明に係るパワーモジュールの実施形態を示す断面図である。
図５は、本発明に係る実施例において、平均結晶粒径と温度サイクル寿命の関係を示すグラフである。
図６は、本発明に係る実施例において、セラミックス基板面積に占める最大結晶の面積の割合と反り量との関係を示すグラフである。
図７は、接合後のＡｌ板中に拡散したＳｉの濃度分布を示すグラフである。
【図１】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【国際調査報告】
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