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　特願２００７−２４３８６０「ＳＯＩウエーハの製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２０年　２月　７日出願公開、特開２００８−　２８４１５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、２０００年１０月１３日（優先権主張１９９９年１０月１４日、日本国）を国際出願日とする特願２００１−５３０１２０号の一部を平成１９年９月２０日に新たな特許出願としたものであって、 平成２４年２月１０日付けの拒絶理由通知に対して、同年４月４日に手続補正書及び意見書が提出されたが、同年７月３０日付けで拒絶査定がなされ、それに対して、同年１１月６日に拒絶査定に対する審判請求がなされたものである。
　
２．本願発明
　本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成２４年４月４日になされた手続補正により補正された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載されている事項により特定される以下のとおりのものである。
　
「少なくとも、ベースウエーハとガスイオンの注入により形成された微小気泡層を有するボンドウエーハとを接合する工程と、前記微小気泡層を境界としてＳＯＩ層を有するウエーハを剥離する工程とを含む水素イオン剥離法によってＳＯＩウエーハを製造する方法において、前記ボンドウエーハとして、結晶全体のＣＯＰを低減した単結晶インゴットから作製されたＣＺウエーハを使用し、前記剥離工程後、水素またはアルゴンを含む雰囲気下で、前記ＳＯＩ層を有するウエーハにバッチ式炉で熱処理を施し、かつ、
　前記剥離工程において剥離したボンドウェーハを、別のＳＯＩウェーハの製造でのボンドウェーハとして再利用することを、複数回行うことを特徴とするＳＯＩウエーハの製造方法。」
　
３．引用刊行物に記載された発明
（３−１）原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先権主張の日前である１９９９年５月２７日に日本国内において頒布された三谷清，Smart Cut(R) ＳＯＩ技術の進捗と動向，第33回　超ＬＳＩウルトラクリーンテクノロジーシンポジウム，ＵＣＳ半導体基盤技術研究会，第１１９−１２６頁（以下「引用刊行物１」という。）には、以下の事項が記載されている（なお、下線は、当審において付与したものである。以下、同じ。）。
　
「2.　Smart Cut(R)法とSOI作製工程
　　　水素イオン注入によりSiウェーハ表層部に折り目を付け、別に準備されたSiウェーハに、折り目の部分から剥離し転写する手法をSmart Cut(R)法と言い、Bruelらによって提案された。この手法でできた薄膜SOIをUnibond(R)ウェーハと言う。
　　　
Smart Cut(R)SOI工程は次の４工程からなる。i) 水素イオンを通常熱酸化したSiウェーハに打ち込み、表面より１μｍ前後の深さに欠陥層を形成する。
ii) 水素注入したウェーハを、基板となるベースウェーハに貼り合わせる。
iii) ２段階の熱処理を行う。まず400〜600℃の低温熱処理で、水素が打ち込まれた欠陥層に存在するマイクロキャビテイー成長拡大させ、亀裂及び剥離を起こす。これにより薄いSi層が剥離転写され、SOI構造が形成される。
iv) タッチポリッシュにより剥離面を研磨し、SOI表面層を改質する。
「3.2.　結晶性：　活性SOI層の結晶性は、原材料Siの欠陥に強く依存するHF欠陥と、Smart Cut(R)プロセス条件に依存するSecco欠陥に大別できる。
SOIキラーと呼ばれるHF欠陥（希釈しないHF液中にSOI試料を浸漬したときに現れる欠陥）は、ボンドウェーハに使われるSi原材料のCOP(Crystal Originated Particle)が原因であることがわかった。COPフリーの材料であるFZウェーハ、エピウェーハが当面用いられるであろう。CZ結晶もCOPフリー化することで復活するであろう。
　
　そうすると、引用刊行物１には、以下の発明（以下「刊行物発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
「水素イオンを通常熱酸化したSiウェーハに打ち込み、表面より１μｍ前後の深さに欠陥層を形成し、
　水素注入したウェーハを、基板となるベースウェーハに貼り合わせ、
　400〜600℃の低温熱処理で、水素が打ち込まれた欠陥層に存在するマイクロキャビテイー成長拡大させ、亀裂及び剥離を起こすことにより薄いSi層を剥離転写してSOI構造を形成し、
　タッチポリッシュにより剥離面を研磨し、SOI表面層を改質する
　Smart Cut(R)SOI工程。」
　
（３−２）特開平１０−２７５９０５号公報
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先権主張の日前である平成１０年１０月１３日に日本国内において頒布された特開平１０−２７５９０５号公報（以下「引用刊行物２」という。）には、図１ないし３とともに、以下の事項が記載されている。
　
「【０００８】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態を図を参照して説明する。なお、図中、同一の符号は同一または相当の部分を示す。
実施の形態１．図１は、この発明の実施の形態１のＳＯＩウェーハの製造方法を説明する図であり、（ａ）〜（ｆ）は、各工程の断面図を示す。この製造方法について説明すると、先ず図１（ａ）に示すように、シリコンウェーハ材１を準備し、図２（ｂ）に示すように、シリコンウェーハ材１を熱酸化して表面にシリコン酸化膜２を形成する。次に、図１（ｃ）に示すように、シリコンウェーハ材１の一つの表面から、２×１０16〜１×１０17／ｃｍ2の水素イオン注入を行なって、水素注入層４を形成する。その後、図１（ｄ）に示すように、シリコンウェーハ材１の水素注入をした表面の側に、別のシリコンウェーハ材（ベースウェーハ）などの適当な基板材５を貼り合わせる。
【０００９】
その後、このシリコンウェーハ材１を４００〜６００℃に加熱すると、図５（ｅ）（当審注：「図１（ｅ）」の誤記と認められる。）に示すように、基板材５が張り合わされた側のシリコンウェーハ材１の表面部分を水素注入層４から剥がすことができる。こうして基板材５の上に薄いシリコン層６を形成したＳＯＩ構造のシリコンウェーハ７を得る。この時、薄いシリコン層６の剥がし面には２０ｎｍ程度の凸凹が形成される。そのため、必要に応じて、図５（ｆ）（当審注：「図１（ｆ）」の誤記と認められる。）に示すように、シリコン層６の表面を化学的機械的に研磨し平滑化する。ここまでの工程は、いわゆるスマートカット法と称される方法と同様である。
【００１０】
次に、シリコンウェーハ７を、水素雰囲気中でアニールする。図２は、アニールを行うためのアニール装置（炉）をしめす。図２において、７はアニールをするシリコンウェーハ、８はこのウェーハを保持する保持具、９は炉体である。
これにより図１（ｆ）に示すような表面の平坦なシリコンウェーハ７が得られる。
【００１１】上記のように水素雰囲気中でのアニールにより、シリコンウェーハの表面が平坦になるのは、表面のシリコン原子が再配列する等の効果による。シリコン原子の再配列の様子を図３に示す。図３（ａ）は、アニールする前のシリコン表面を拡大して模式的に示した断面図である。水素雰囲気中で加熱すると、図３（ｂ）に示すように、水素の効果によりシリコン表面が活性化され、シリコン原子が表面を動き回わりエネルギー安定点に移動する。この結果、図３（ｃ）に示すように、表面が平坦になる。
【００１２】
アニールするシリコンウェーハは、図１（ｅ）の段階で表面が剥がれたままでアニールすると、化学的機械的研磨の影響のないシリコンウェーハが製造できる。
　
４．対比
（４−１）刊行物発明の「Siウェーハ」、「水素イオン」及び「欠陥層」は、各々本願発明の「ボンドウエーハ」、「ガスイオン」及び「微小気泡層」に相当するから、刊行物発明の「水素イオンを通常熱酸化したSiウェーハに打ち込み、表面より１μｍ前後の深さに欠陥層を形成し、水素注入したウェーハを、基板となるベースウェーハに貼り合わせ」ることは、本願発明の「ベースウエーハとガスイオンの注入により形成された微小気泡層を有するボンドウエーハとを接合する工程」に相当する。
　
（４−２）刊行物発明の「SOI構造」は、本願発明の「ＳＯＩ層を有するウエーハ」に相当するから、刊行物発明の「400〜600℃の低温熱処理で、水素が打ち込まれた欠陥層に存在するマイクロキャビテイー成長拡大させ、亀裂及び剥離を起こすことにより薄いSi層を剥離転写してSOI構造を形成」することは、本願発明の「前記微小気泡層を境界としてＳＯＩ層を有するウエーハを剥離する工程」に相当する。
　
（４−３）刊行物発明の「Smart Cut(R)SOI工程」は、本願発明の「ＳＯＩウエーハの製造方法」に相当する。
　
（４−４）以上より、本願発明と刊行物発明とは、
「少なくとも、ベースウエーハとガスイオンの注入により形成された微小気泡層を有するボンドウエーハとを接合する工程と、前記微小気泡層を境界としてＳＯＩ層を有するウエーハを剥離する工程とを含む水素イオン剥離法によってＳＯＩウエーハを製造する方法。」
である点で一致し、次の３点で相違する。
　
（相違点１）、本願発明では、「前記ボンドウエーハとして、結晶全体のＣＯＰを低減した単結晶インゴットから作製されたＣＺウエーハを使用」するのに対して、刊行物発明では、「Siウェーハ」について、そのような特定がなされていない点。
　
（相違点２）本願発明では、「前記剥離工程後、水素またはアルゴンを含む雰囲気下で、前記ＳＯＩ層を有するウエーハにバッチ式炉で熱処理を施」すのに対して、刊行物発明では、「薄いSi層を剥離転写してSOI構造を形成し」た後に、「タッチポリッシュにより剥離面を研磨し」ている点。
　
（相違点３）本願発明では、「前記剥離工程において剥離したボンドウェーハを、別のＳＯＩウェーハの製造でのボンドウェーハとして再利用することを、複数回行う」のに対して、刊行物発明では、そのような特定がなされていない点。
　
５．判断
　以下、上記相違点について、検討する。
（５−１）相違点１について
  引用刊行物１には、「SOIキラーと呼ばれるHF欠陥・・・は、ボンドウェーハに使われるSi原材料のCOP(Crystal Originated Particle)が原因であることがわかった。COPフリーの材料であるFZウェーハ、エピウェーハが当面用いられるであろう。CZ結晶もCOPフリー化することで復活するであろう。」（１１９頁３段落９〜１３行）と記載されており、刊行物発明の「Siウェーハ」として、「COPフリー化」された「CZ結晶」からなるウェーハを使用することにより、本願発明のように、「前記ボンドウエーハとして、結晶全体のＣＯＰを低減した単結晶インゴットから作製されたＣＺウエーハを使用」することは、当業者が容易になし得たことである。
　したがって、上記相違点１は、当業者が容易になし得た範囲に含まれる程度のものである。
　
（５−２）相違点２について
　引用刊行物２の段落【０００８】〜【００１０】には、スマートカット法において、基板材５が張り合わされた側のシリコンウェーハ材１の表面部分を水素注入層４から剥がすことにより得られたＳＯＩ構造のシリコンウェーハ７のシリコン層６の表面を化学的機械的に研磨して平滑化し、その後、当該シリコンウェーハ７を、図２に示されたアニール装置（炉）を用いて、水素雰囲気中でアニールすることにより、表面の平坦なシリコンウェーハが得られることが記載されているものと認められる。そして、段落【００１２】の「アニールするシリコンウェーハは、図１（ｅ）の段階で表面が剥がれたままでアニールすると、化学的機械的研磨の影響のないシリコンウェーハが製造できる。」という記載からは、剥がされたシリコン層６の表面を化学的機械的に研磨することなく、水素雰囲気中でアニールすることによっても、表面の平坦なシリコンウェーハが得られることが記載されているものと認められる。また、図２に示されたアニール装置には、複数枚のウェーハが載置されていることから、当該アニール装置（炉）は、バッチ式炉であると認められる。
　そうすると、刊行物発明における、「タッチポリッシュにより剥離面を研磨」することに換えて、引用刊行物に記載された、「アニール装置（炉）」を用いて、「水素雰囲気中でアニールする」方法を適用することにより、本願発明のように、「前記剥離工程後、水素」「を含む雰囲気下で、前記ＳＯＩ層を有するウエーハにバッチ式炉で熱処理を施」す構成とすることは、当業者が容易になし得たことである。
　したがって、上記相違点２は、当業者が容易になし得た範囲に含まれる程度のものである。
　
（５−３）相違点３について
　一般に、スマートカット法において、剥離工程で剥離した「ボンドウェーハ」を、別のＳＯＩウェーハの製造での「ボンドウェーハ」として再利用することは、例えば、以下の周知例１及び２に記載されているように、従来から周知の技術思想であり、刊行物発明に対して、このような周知の技術思想を適用することは、当業者が容易になし得たことであり、その際に、剥離した「ボンドウェーハ」を再利用することを複数回行うことも、資源を有効活用し、コストの低減を図るために、当業者が必要に応じて、適宜なし得る程度のことと認められる。
　
（ア）周知例１
　本願の優先日前に日本国内において頒布された特開平１１−１５００８０号公報には、図５とともに、以下の事項が記載されている。
「【００５２】さらに、本実施形態において形成するＳＯＩ基板１１を得るときに、単結晶シリコン基板１８は、単結晶シリコン薄膜１７の品質を確保するために、通常半導体装置を形成する場合のものと同様に不純物濃度が一定値に管理された製品ウェハを用いることが望ましいのに対して、貼り合わせる支持基板としての単結晶シリコン基板１２は、酸化膜１４を介して単結晶シリコン薄膜１７を保持する基板としての機能を果すことで十分であるから、不純物濃度を特に管理していないダミーウェハを用いることができる。
【００５３】したがって、単結晶シリコン基板１２としては安価なものを用いることができ、さらに、
半導体層用基板としての単結晶シリコン基板１８は、剥離後に表面を研磨等の平坦化処理を行うことで再び他のＳＯＩ基板１１を製造するための半導体層用基板として使用することができるようになり（リサイクル可能となる）、資源の有効活用ができると共に、総じてコストの低減を図ることができるものである。
　ここで、「半導体層用基板としての単結晶シリコン基板１８」は、本願発明の「ボンドウェーハ」に相当する。
　
（イ）周知例２
　本願の優先日前に日本国内において頒布された特開平１１−３８４２号公報には、図１〜４とともに、以下の事項が記載されている。
「【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面にもとづいて説明する。図１〜図４は本発明に係る半導体電子素子用基板の製造方法を工程順に説明する概略図であり、まず図１に示すように、１〜２ｍｍの厚みｔを有するＳｉＣ単結晶ウエハ１およびベース基板部の一例であるＳｉ単結晶基板部２の表面それぞれを１０００℃以上に加熱することにより、ＳｉＣ単結晶ウエハ１およびＳｉ単結晶基板部２の表面にそれぞれ１μｍ程度の酸化層（ＳｉＯ2 ）１ａ，２ａを形成する。
【００１３】次に、上記ＳｉＣ単結晶ウエハ１中に水素イオンＨ+ を注入する。・・・
【００１４】しかる後、上記ＳｉＣ単結晶ウエハ１および上記Ｓｉ単結晶基板部２をＲＣＡ洗浄などの方法によりそれぞれの表面の酸化層（ＳｉＯ2 ）１ａ，２ａをＯＨ基や水分子が高密度に存在する親水性とした上で、図３に示すように、上記ＳｉＣ単結晶ウエハ１と上記Ｓｉ単結晶基板部２とを室温で重ね合わせることにより、両者１，２を上記酸化層１ａ，２ａを介して接合一体化する。・・・
【００１５】その後、接合一体化された上記ＳｉＣ単結晶ウエハ１および上記Ｓｉ単結晶基板部２を５００℃以上に第１段加熱処理することにより、上記ＳｉＣ単結晶ウエハ１を上記水素イオンの注入時にコントロールされた厚さｔ１が０．２μｍの水素原子の濃度分布のピーク域、すなわち、平均水素イオン注入深さで２分割させて、図４に示すように、厚さの薄い（０．２μｍ）ＳｉＣ単結晶ウエハ部分１Ａを補強材としての役割を持つベース基板部２側に接着残存させたままのＳＣＯＩ構造の半導体電子素子用基板３が製造される一方、
他の厚さの厚いＳｉＣ単結晶ウエハ部分１Ｂは次の半導体電子素子用基板の製造時におけるＳｉＣ単結晶ウエハ１としてリサイクルし再利用される。
　ここで、「ＳｉＣ単結晶ウエハ１」は、本願発明の「ボンドウェーハ」に相当する。
　
　そうすると、刊行物発明において、「400〜600℃の低温熱処理で、水素が打ち込まれた欠陥層に存在するマイクロキャビテイー成長拡大させ、亀裂及び剥離を起こすことにより薄いSi層を剥離転写」した際に剥離した「Siウェーハ」を、別の「Smart Cut(R)SOI工程」での「Siウェーハ」として再利用することを、複数回行うことにより、本願発明のように、「前記剥離工程において剥離したボンドウェーハを、別のＳＯＩウェーハの製造でのボンドウェーハとして再利用することを、複数回行う」構成とすることは、当業者が容易になし得たことである。
　したがって、上記相違点３は、当業者が容易になし得た範囲に含まれる程度のものである。
　
（５−４）まとめ
　以上検討したとおり、本願発明と刊行物発明との相違点は、引用刊行物２に記載された技術及び周知技術を勘案することにより、当業者が容易に想到し得た範囲に含まれる程度のものにすぎず、本願発明は、引用刊行物１及び２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
６．むすび
　以上のとおりであるから、本願は、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、拒絶をすべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。