【事件の表示】
　特許第３５９０４６４号に関する訂正審判事件について、次のとおり審決する。
【結　論】
　特許第３５９０４６４号に係る明細書及び図面を本件審判請求書に添付された訂正明細書及び図面のとおり訂正することを認める。
【理　由】
第１．手続の経緯
　本件訂正審判の請求に係る特許第３５９０４６４号（以下、「本件特許」ということがある。）は平成７年１２月８日に出願され、その請求項１ないし３に係る発明は平成１６年８月２７日にその特許権の設定登録がなされたものである。
　本件特許に対して、平成２５年２月２１日に本件訂正審判の請求がなされ、その後の方式上の手続を除く手続の経緯は次のとおりである。
　
平成２５年　４月　１日：訂正拒絶理由通知
平成２５年　４月２６日：意見書、手続補正書
平成２５年　５月２１日：上申書、手続補正書
　
第２．手続補正書の適否
１．平成２５年４月２６日付けの手続補正書について
　この手続補正書による補正は、平成２５年２月２１日付けの審判請求書における訂正事項に、新たに「訂正事項８」を付け加えるものであって、その内容は、「特許請求の範囲の請求項２を削除し、これに整合させるため、同請求項３の引用請求番号を１のみとし、発明の詳細な説明の段落【０００９】を削除する」ものである。
　かかる補正事項は、特許請求の範囲の請求項２を削除という訂正事項を追加する補正と、この補正に整合させるための明細書、特許請求の範囲についての訂正事項の補正であるから、審判請求書の要旨を変更しないものである。
　
２．平成２５年５月２１日付けの手続補正書について
　この手続補正書による補正は、審判請求書に添付された訂正明細書の段落【０００８】に記載された「本発明の単結晶炭化珪素の製造方法は、炭化珪素からなる原材料を加熱昇華させ、単結晶炭化珪素からなる種結晶上に供給し、この種結晶上に単結晶炭化珪素を成長する方法において、炭素原子位置に不純物を５×１０１８ｃｍ−３以上５×１０１９ｃｍ−３導入することを特徴とするものである。」とあるのを、「本発明の単結晶炭化珪素インゴットの製造方法は、炭化珪素からなる原材料を加熱昇華させ、単結晶炭化珪素からなる種結晶上に供給し、この種結晶上に単結晶炭化珪素を成長する方法において、炭素原子位置に窒素を５×１０１８ｃｍ−３以上５×１０１９ｃｍ−３以下導入することを特徴とするものである。」に補正するものである。この補正は、審判請求書において「訂正事項５」としてあげられていた訂正事項が、同請求書に添付された訂正明細書の段落【０００８】において正しく記載されていなかった不備を補正するものであるから、審判請求書の要旨を変更しないものである。
　
３．よって、上記１及び２の手続補正書による補正は、特許法第１３１条の２第１項の規定に適合する適法なものといえるので、これら補正を認める。
　
第３．請求の趣旨と訂正事項
　上記第２で述べたとおり、平成２５年４月２６日付け及び平成２５年５月２１日付けの手続補正書による補正は認められるので、本件訂正審判の請求の趣旨は、特許第３５９０４６４号の明細書、特許請求の範囲を平成２５年４月２６日付け及び平成２５年　５月２１日付けの手続補正書によって補正された審判請求書に添付され補正された全文訂正明細書（以下、「本件訂正明細書」ということがある。）のとおり訂正することを求めるものであって、次の訂正事項１〜８のとおりのものである。
　
（１）訂正事項１
　特許請求の範囲の請求項１に「炭素原子位置に不純物を」とあるのを「炭素原子位置に窒素を」に訂正する（請求項１の記載を引用する請求項２及び請求項３も同様に訂正する。）。
（２）訂正事項２
　特許請求の範囲の請求項１に「５×１０１８ｃｍ−３以上６×１０２０ｃｍ−３以下」とあるのを「５×１０１８ｃｍ−３以上５×１０１９ｃｍ−３以下」に訂正する（請求項１の記載を引用する請求項２及び請求項３も同様に訂正する。）。
（３）訂正事項３
　特許請求の範囲の請求項１に「４Ｈ型単結晶炭化珪素の製造方法」とあるのを「４Ｈ型単結晶炭化珪素インゴットの製造方法」に訂正する（請求項１の記載を引用する請求項２及び請求項３も同様に訂正する。）。
（４）訂正事項４
　特許請求の範囲の請求項２に「前記不純物が窒素である」とあるのを「単結晶炭化珪素を成長させる際に、雰囲気ガスとしてＡｒガスに窒素ガスを含んだ混合ガスを流入させる」に訂正する（請求項２の記載を引用する請求項３も同様である。）。
（５）訂正事項５
　願書に添付した明細書の段落【０００８】に記載された「本発明の単結晶炭化珪素の製造方法は、炭化珪素からなる原材料を加熱昇華させ、単結晶炭化珪素からなる種結晶上に供給し、この種結晶上に単結晶炭化珪素を成長する方法において、炭素原子位置に不純物を５×１０１８ｃｍ−３以上６×１０２０ｃｍ−３以下導入することを特徴とするものである。」とあるのを、「本発明の単結晶炭化珪素インゴットの製造方法は、炭化珪素からなる原材料を加熱昇華させ、単結晶炭化珪素からなる種結晶上に供給し、この種結晶上に単結晶炭化珪素を成長する方法において、炭素原子位置に窒素を５×１０１８ｃｍ−３以上５×１０１９ｃｍ−３以下導入することを特徴とするものである。」に訂正する。
（６）訂正事項６
　願書に添付した明細書の段落【０００９】に記載された「また本発明においては、前記不純物が窒素であることを特徴とする。」とあるのを、「また本発明においては、単結晶炭化珪素を成長させる際に、雰囲気ガスとしてＡｒガスに窒素ガスを含んだ混合ガスを流入させることを特徴とする。」に訂正する。
（７）訂正事項７
　願書に添付した明細書の段落【００１０】に記載された「さらに、本発明においては、前記４Ｈ型単結晶炭化珪素の製造方法に用いる炭化珪素原料として、粒径が１５０μｍ以上の炭化珪素粉末を使用することを特徴とする。」とあるのを、「さらに、本発明においては、前記４Ｈ型単結晶炭化珪素インゴットの製造方法に用いる炭化珪素原料として、粒径が１５０μｍ以上の炭化珪素粉末を使用することを特徴とする。」に訂正する。
（８）訂正事項８
　特許請求の範囲の請求項２を削除する訂正をし、この訂正に整合させるために、同請求項３の「請求項１または２記載の」を「請求項１記載の」と訂正し、願書に添付した明細書の段落【０００９】を削除する訂正をする。
　
第４．訂正拒絶理由通知の概要
　当審からの平成２５年４月１日付けで訂正拒絶理由通知の概要は次のとおりである。
（１）訂正事項４は、新たに、窒素の導入方法を特定するものであって、窒素の種類を限定するものでないし、誤記又は誤訳の訂正でも、明瞭でない記載の釈明でもないから、特許法第１２６条第１項ただし書きの何れをも目的とするものではない。
（２）本件訂正後の特許請求の範囲の請求項１〜３に係る発明（以下、それぞれ「本件訂正発明１〜３」ということがある。）は、引用例１〜６に記載された発明に基づいて、当業者であれば容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
（３）本件訂正発明１〜３は、引用例５、１及び４に記載された発明に基づいて、当業者であれば容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　引用例１〜６は、次のとおりのものである。
引用例１：John W. Palmour, et. al. Silicon Carbide Substrates and Power Devices Inst. Phys. Conf. Ser. No 141 :Chapter 4, Paper Presented at Inst. Symp. Compound Semicond., San Diego, 18-22 September 1994,pp377-382
引用例２：米国特許第４８６６００５号明細書
引用例３：マグローヒル　科学技術用語大辞典　第２版　株式会社日刊工業新聞社（昭和６０年３月２５日）
引用例４：特開平６−３４０４９８号公報
引用例５：特開平６−３１６４９９号公報
引用例６：豊田中央研究所 RD レビュー　Vol. 30 No. 2 ( 1995. 6 ) 57-67頁
　
第５．判断
１．訂正の目的について
（１）訂正事項１について
　訂正事項１は、訂正後の請求項１〜３からなる一群の請求項の発明特定事項である請求項１に記載された「炭素原子位置に不純物を」の不純物について、その種類を特定しないものから「炭素原子位置に窒素を」と種類を窒素に限定するものであって、特許法第１２６条第１項ただし書き第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
（２）訂正事項２について
　訂正事項２は、訂正後の請求項１〜３からなる一群の請求項の発明特定事項である請求項１に記載された「５×１０１８ｃｍ−３以上６×１０２０ｃｍ−３以下」について、その上限を「５×１０１９ｃｍ−３以下」とするものであって、特許法第１２６条第１項ただし書き第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
（３）訂正事項３について
　訂正事項３は、訂正後の請求項１〜３からなる一群の請求項の発明特定事項である請求項１に記載された「４Ｈ型単結晶炭化珪素の製造方法」について、「４Ｈ型単結晶炭化珪素」の形態を「インゴット」に限定するものであって、特許法第１２６条第１項ただし書き第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
（４）訂正事項４、６及び８について
ア　訂正事項８によって、特許請求の範囲の請求項２を削除する訂正をし、この訂正に整合させるために、同請求項３の「請求項１または２記載の」を「請求項１記載の」と訂正することは、特許法第１２６条第１項ただし書き第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当し、願書に添付した明細書の段落【０００９】を削除する訂正は、特許請求の範囲の請求項２を削除する訂正によって生じる特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明との記載の齟齬を解消するものであるから、特許法第１２６条第１項ただし書き第３号に規定する明瞭でない記載の釈明を目的とするものに該当する。
イ　そして、この訂正事項８によって、訂正事項４及６は、実質的になくなったものといえ（以後、訂正事項４及６はなくなったものとして検討対象から外す。）、訂正事項４に係る訂正拒絶理由通知で指摘した不備は解消した。
（５）訂正事項５及び７について
　訂正事項５及び７は、訂正事項１〜３に係る訂正によって生じる特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明との記載の齟齬を解消するものであるから、特許法第１２６条第１項ただし書き第３号に規定する明瞭でない記載の釈明を目的とするものに該当する。
　
２．新規事項の追加の有無について
　訂正事項１〜３、５、７及び８が願書に添付した明細書に記載した事項の範囲内においてしたものであるか否かについて検討すると、訂正事項１〜３、５、７及び８に係る事項は、同明細書の段落【０００７】、【００１２】、【００１３】、【００２０】、【００２１】に記載されているから、訂正事項１〜３、５、７及び８は、いずれも同明細書に記載した事項の範囲内においてしたものであることは明らかである。
　したがって、訂正事項１〜３、５、７及び８は、特許法第１２６条第５項の規定に適合する。
　
３．特許請求の範囲の実質上の拡張・変更の存否について
　訂正事項１〜３、５、７及び８は、上記２．で述べたように特許請求の範囲の減縮または該減縮に伴う明瞭でない記載の釈明を目的とするものであるから、これら訂正事項によって、実質上特許請求の範囲が拡張されたり、変更されたりするものでもないことは明らかである。
　したがって、訂正事項１〜３、５、７及び８は、特許法第１２６条第６項の規定に適合する。
　
４．訂正の対象の一群の請求項について
（１）本件特許の特許請求の範囲の請求項１、３についてみてみると、訂正事項１〜３を含む請求項１を請求項３が引用しているから、訂正事項１〜３に係る訂正後の請求項１、３は一群の請求項を構成している。
　よって、本件請求は特許法第１２６条第３項に適合するものである。
　
５．本件訂正発明１〜３（本件訂正発明２は削除された。）に係る発明の独立特許要件について
（１）　訂正事項１〜３は、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであるから、本件訂正発明１〜３が、特許出願の際独立して特許を受けることができるかについて検討する。
（２）　本件訂正発明１〜３は、次のとおりである。
「【請求項１】　種結晶を用いた昇華再結晶法により単結晶炭化珪素を成長させる際に、炭素原子位置に窒素を５×１０１８ｃｍ−３以上５×１０１９ｃｍ−３以下導入することを特徴とする４Ｈ型単結晶炭化珪素インゴットの製造方法。
【請求項２】　（削除）
【請求項３】　前記４Ｈ型単結晶炭化珪素インゴットの製造方法に用いる炭化珪素原料として、粒径が１５０μｍ以上の炭化珪素粉末を使用することを特徴とする請求項１または２記載の４Ｈ型単結晶炭化珪素インゴットの製造方法。」
（３）引用例の記載事項
（３−１）本願出願前に頒布された刊行物である「John W. Palmour, et. al. Silicon Carbide Substrates and Power Devices Inst. Phys. Conf. Ser. No 141 :Chapter 4, Paper Presented at Inst. Symp. Compound Semicond., San Diego, 18-22 September 1994,pp377-382」（以下、「引用例１」という。）には次の事項が記載されている。
（ア）「1. Introduction
・・・・・・4H-SiC shows the best potential for high power operation because the electron mobility in 4H-SiC is almost double that of 6H-SiC.・・・・・・This paper presents results on several topics concerning growth of SiC bulk crystals. The development of heavily nitrogen doped 4H crystals up to 1020 cm-3 for use as low resistivity substrates, the production of 2 inch diameter 6H-SiC wafers and prospects for growing 4H and 6H crystals with diameters  2 inch will also be discussed.」（３７７頁本文１〜１６行）
（当審訳：１．序
・・・・・・４Ｈ−ＳｉＣの電子移動度は６Ｈ−ＳｉＣのそれのおおよそ倍あるから、４Ｈ−ＳｉＣは、高出力動作に対して最高の可能性を示している。・・・・・・本論文は、ＳｉＣバルク結晶の成長に関する幾つかの話題から得られた結果について記す。低抵抗基板として使用するための１０２０／ｃｍ３に至るまでの窒素をヘビードープした４Ｈ結晶の発展について、直径２インチの６Ｈ−ＳｉＣのウェハ生産について、及び２インチを超える直径の４Ｈと６Ｈ結晶の成長についての可能性について議論する。）
（イ）「2. SiC Substrates
The availability of relatively large, high quality wafers of silicon carbide (SiC) for device development has been a major factor in the recent increased interest in this material for electronic and optoelectronic applications. The method used by Cree Research to produce single crystal SiC boules, a modified seeded sublimation process, is described in detail elsewhere [6].・・・・・・We have recently produced heavily nitrogen doped 4H-SiC wafers as high as Nd = l×1020 cm-3 with resistivities as low as 0.0028Ω-cm.Advances in the production of this poiytype are of particular interest for power devices ・・・・・・.」（３７８頁１〜２１行）
（当審訳：２．ＳｉＣ基板
比較的大きく、デバイス開発用の高品質の炭化珪素（ＳｉＣ）ウェハの有用性は、この材料を電子的及び光電子的に応用する上で、最近の関心の高まりにおける主要な要因であった。単結晶ＳｉＣブール（boule）を製造するためにクリー研究所が用いた方法、すなわち改良された種付き昇華法は、他のところで詳細に述べられている［６］。・・・・・・われわれは最近、窒素をヘビードープした４Ｈ−ＳｉＣウェハであって、Ｎｄ＝１×１０２０ｃｍ−３の高さであり、抵抗率が０．００２８Ω−ｃｍの低さであるものを製造した。このポリタイプの生産の進歩は、パワーディバイスにとって特に興味深い・・・・・・。）
（ウ）「[6]　U.S. Patent No. 4,866,005 (September 12,1989) R.F. Davis, C.H. Carter, Jr. and C.E. Hunter (to North Carolina State University)」（３８２頁下から１１〜１０行）
（当審訳：米国特許第４８６６００５号明細書（１９８９年９月１２日）　R.F. Davis, C.H. Carter, Jr. and C.E. Hunter　（ノースカロライナ州立大学））
（３−２）本願出願前に頒布された刊行物である米国特許第４８６６００５号明細書（以下、「引用例２」という。）には次の事項が記載されている。
（カ）「1. A method of reproducibly controlling the growth of large single crystals of a single polytype of silicon carbide independent of the use of impurities as a primary mechanism for controlling polytype growth, and which crystals are suitable for use in producing electrical devices, the method comprising:
introducing a monocrystalline seed crystal of silicon carbide of desired polytype and a silicon carbide source powder into a sublimation system;
raising the temperature of the silicon carbide source powder to a temperature sufficient for the source powder to sublime; while
elevating the temperature of the growth surface of the seed crystal to a temperature approaching the temperature of the source powder, but lower than the temperature of the source powder and lower than that at which silicon carbide will sublime under the gas pressure conditions of the sublimation system; and
generating and maintaining a substantially constant flow of vaporized Si, Si2C, and SiC2 per unit area per unit time from the source powder to the growth surface of the seed crystal for a time sufficient to produce a desired amount of macroscopic growth of monocrystalline silicon carbide of desired polytype upon the seed crystal.」（請求項１）
（当審訳：ポリタイプの成長を制御する第１のメカニズムである不純物の使用に依存せず、そして、電気的デバイスの製造に好適に使用でき、炭化珪素の単一ポリタイプの大型単結晶の成長を再現よく制御する方法であって；
　所望ポリタイプの炭化珪素の種単結晶と、炭化珪素粉末源とを昇華系内へと導入すること；
　この炭化珪素粉末源の温度を炭化珪素が粉末源から昇華するのに充分な温度まで上昇させること；
　一方種晶の成長面の温度を、粉末源の温度に近く、しかしこの粉末源の温度よりは低くかつこの昇華系の気圧条件下で炭化珪素が昇華する温度よりも低い温度へと上昇させること；
及び
　種晶の上に所望ポリタイプの単結晶炭化珪素の巨視的成長を所望量製造するのに充分な時間の間、炭化珪素粉末源から炭化珪素種晶へのＳｉ、Ｓｉ２ＣとＳｉＣ２蒸気フローを生成し維持すること
を有する方法。）
（キ）「As used herein, the term constant polytype composition refers to a source powder or powders which are made up of a constant proportion of certain polytypes, including single polytypes. For example, a source powder which was formed substantially entirely of 6H alpha silicon carbide would exhibit a constant polytype composition, as would source powder that was 50 percent alpha polytype and 50 percent beta polytype. In other words, the composition--whether homogeneous or heterogeneous with respect to polytypes--must be controlled so as to remain the same throughout the sublimation process.
 Stated more directly, if the source powder is selected and controlled so that substantially it has a constant polytype composition, the relative amounts or ratios of Si, Si2C, and SiC2 which are generated will remain constant and the other parameters of the process can be appropriately controlled to result in the desired single crystal growth upon the seed crystal.」（７欄３〜２１行）
（当審訳：ここで使用したように、「一定のポリタイプ組成」という語は、一定比率の特定のポリタイプからなる粉末源に関するものであり、単一のポリタイプからなるものを含む。例えば、５０％がアルファポリタイプ、５０％がベータポリタイプである粉末源が一定のポリタイプ組成を示すように、実質的に完全に６Ｈアルフア炭素珪素からなる粉末源も一定のポリタイプ組成を示す。言い換えると、この組成は、ポリタイプに関して同質であろうと異種成分からなっていようと、昇華プロセスを通じて同じ組成を保つように制御しなければならない。
更に直接的に述べるならば粉末源が一定のポリタイプ組成を実質的に有するように選択し、制御すると、発生するＳｉ、Ｓｉ２Ｃ及びＳｉＣ２の相対量又は比率が一定に保たれ、このプロセスの他のパラメータを適切に制御でき、種晶上に所望の単結晶成長を生じさせる。）
（ク）「This technique is particularly important when a silicon carbide crystal is being doped with an impurity during sublimation growth.」（１０欄１７〜１９行）
（当審訳：昇華成長の間に炭化珪素結晶に不純物をドープする場合には、この技術が特に重要である。）
（ケ）「For example, doping with aluminum is known to favor growth of 4H silicon carbide, but 6H crystals of silicon carbide can be grown with aluminum doping according to the present invention if an off-axis seed is used.」（１０欄２２〜２６行）
（当審訳：例えば、アルミニウムをドーピングすると４Ｈ炭化珪素の成長に有利であることが知られているが、軸の外れた種を使用すると、本発明に従ってアルミニウムをドーピングすることで炭化珪素の６Ｈ結晶を成長させることができる。）
（コ）「EXAMPLE 1
 A seed was prepared from a 6H alpha polytype silicon carbide.・・・・・・The source powder consisted of 6H silicon carbide grains having the following size distribution:
・・・・・・
EXAMPLE 2
 A 6H Alpha-SiC seed was prepared by cutting the (0001) plane 3°towards the [1120] direction.・・・・・・The seed and source powder were loaded into the crucible, with the source powder having the same powder size distribution as set forth in Example 1.」（１２欄３０行〜１３欄２７行）
（当審訳：実施例１
６Ｈアルフアポリタイプ炭化珪素から種を準備した。・・・・・・この粉末源は、次の粒径分布を有する６Ｈ炭化珪素粒子からなる。
・・・・・・
実施例２
６Ｈアルフア−ＳｉＣ種を、この（０００１）平面を３°［１１２０］方向へと向かってカットすることによって準備した。・・・・・・。種と粉末源とをるつぼ内へと装備し、この粉末源は実施例１で記載したものと同じ粒径分布を有する。）
（３−３）本願出願前に頒布された刊行物である「マグローヒル　科学技術用語大辞典　第２版　株式会社日刊工業新聞社（昭和６０年３月２５日）」（以下、「引用例３」という。）には次の事項が記載されている。
（サ）「ボウル　boule　《結晶》　特別に設計された炉の中で、小さな種結晶を回転しながら、溶融物質からゆっくり引き上げて得られる、単結晶性の原子的構造をもつ、たとえばシリコンのような、純粋の結晶。」（１５５３頁の「ボウル」の項）
（３−４）本願出願前に頒布された刊行物である特開平６−３４０４９８号公報（以下、「引用例４」という。）には次の事項が記載されている。
（タ）「【請求項１】　粉末状ＳｉＣ原料を加熱昇華させて原料温度より低い温度に保ったＳｉＣ単結晶よりなる種結晶上にＳｉＣ単結晶を成長させる昇華再結晶法において、該粉末状ＳｉＣ原料の温度を成長時間の経過とともに徐々に下げることにより成長を行うことを特徴とするＳｉＣ単結晶の成長方法。」（特許請求の範囲の請求項１）
（チ）「実施例１
　種結晶として６Ｈ形の｛００００１｝面ウェハの（０００−１）Ｃ面（当審注：「−１」は１の直上にマイナスが付いたもの。以下同様である。）を使用し、成長スタート時の原料温度を２３８０℃、種結晶温度を２３２０℃、雰囲気圧力を２０Ｔｏｒｒとしてアンドープで成長を行った。成長中の原料温度のプロファイルを図３に示す。この図で示したように原料温度は成長開始２時間後から１時間に約１０℃の割合で降下させ、約８時間の成長を行った。一方、種結晶温度は成長開始２時間後から１時間に約６℃の割合で降下させた。
得られた結晶は上部に大きな（０００−１）ファセットを有し透明度がよかった。
このインゴットから｛０００１｝ウェハを切り出したところ、特に種結晶に近い部分のウェハは黒い結晶欠陥が多数見られた。しかし、インゴットの中央部と先端部から切り出したウェハにはこのような黒色の欠陥は見られなかった。また、種結晶に近い部分より取り出したウェハはアンドープにかかわらずやや緑がかっていた。またそのウェハの一部は多少黄色がかっていた。これは、系内に残っていた残留窒素がドープされたものと思われる。色の違いは多形の種類によるものと思われる。実際にラマン散乱でこの部分を調べると緑の部分は６Ｈ形、黄色の部分は４Ｈ形であった。一方、中央部・先端部より取り出したウェハは非常に透明でウェハ全体が６Ｈ形であることが確認された。」（段落【００１８】〜【００２２】）
（ツ）「実施例２
実施例１と同じ成長条件で成長を行った。ただし成長速度を調べるため、約１時間毎に窒素ガスを流しマーキングを行った。成長した結晶をｃ軸を含む面で縦切りにしウェハを取り出した。窒素がドープされた部分は緑となるためこれより成長速度を見積った。成長開始直後の１時間でｃ軸方向に約１．６ｍｍ成長していた。これに対し成長終了前の１時間には約０．５ｍｍしか成長しておらず、成長速度は徐々に小さくなっていることが確認された。」（段落【００２３】）
（３−５）本願出願前に頒布された刊行物である特開平６−３１６４９９号公報（以下、「引用例５」という。）には次の事項が記載されている。
（ナ）「【産業上の利用分野】本発明は昇華再結晶法を用いた六方晶の炭化珪素単結晶を成長させる方法に関する。」（段落【０００１】）
（ニ）「図１（ａ）及び図１（ｂ）に基づき第１の実施例について説明する。
まず、種結晶として、成長面方位が（０００１）方向である六方晶型の炭化珪素単結晶からなる基板１を用意した。そして、この基板１を黒鉛製坩堝蓋４の内面に取り付けた。また、黒鉛製坩堝３の内部には、原料として高純度の珪素２ａ及び炭素粉末２ｂを充填した。珪素２ａとしては、粒状で２〜５ｍｍ破砕状で純度が５Ｎもの、炭素粉末２ｂとしては粒度が１０μｍで純度が４Ｎのものを用いた。次いで、原料を充填した黒鉛製坩堝３を、種結晶を取り付けた黒鉛製坩堝蓋４で閉じ、黒鉛の支持棒６により二重石英管５の内部に設置した。黒鉛製坩堝３の周囲には黒鉛製フェールト７で被覆した。そして、雰囲気ガスとしてアルゴンガス（Ａｒ）を、ステンレス製チャンバー１０の枝管９から二重石英管５の内部に流した。Ａｒガスの流量は１ｌ／分に設定した。次に、ワークコイル８に高周波電流を流し、高周波電流を調節することで珪素２ａと炭素粉末２ｂの温度が１７００℃、ワークコイルとして坩堝の位置を調節することで珪素２ａと炭素粉末２ｂの原料と種結晶１との温度差が無くなるようにした。この状態で２時間保持することで珪素と炭素が反応して炭化珪素２が形成される。続いて、高周波電流を調節して種結晶の温度を２１５０℃、ワークコイルと坩堝の位置を調節し炭化珪素２の温度を２２００℃に設定する。次に、真空ポンプ１３を用いて二重石英管５の内部を減圧した。この減圧は大気圧から〜３０Ｔｏｒｒまで２０分間かけて徐々に行い、３０Ｔｏｒｒの真空度で保持した。この状態で５時間保持することにより、約５ｍｍの厚さの炭化珪素単結晶が成長した。
このようにして得られた炭化珪素単結晶をＸ線回折法、ラマン分光法により分析したところ、六方晶の炭化珪素単結晶が成長していることがわかった。成長した結晶は種結晶上より成長最表面まで均一で欠陥も少なく（１０2ｃｍ-2 以下）、高品質の６Ｈ形炭化珪素単結晶である。」（段落【００１８】〜【００２０】）
（ヌ）「次に、図１（ａ）及び図１（ｃ）に基づき、第２の実施例について説明する。まず、原料となる高純度の珪素２ａと黒鉛ブロック２ｃを充填した。珪素２ａとしては、ＪＩＳ粒度が＃３００、黒鉛ブロック２ｃとしてはかさ密度が０．５の多孔質黒鉛を用いた。これらの原料を充填した黒鉛製坩堝３を、種結晶を取り付けていない黒鉛製坩堝蓋４で閉じ、黒鉛製の支持棒６により二重石英管５の内部に設置した。黒鉛製坩堝３の周囲には黒鉛製フェールト７で被覆した。そして、雰囲気ガスとしてＡｒガスを、ステンレス製チャンバー１０の枝管９から二重石英管５の内部に流した。Ａｒガスの流量は１ｌ／分に設定した。また、ワークコイル８に高周波電流を流し炭化珪素粉末の温度が１８００℃になるように調節し、３６０分保持した。この処理により珪素と多孔質黒鉛が反応して炭化珪素２が形成される。その後、種結晶として、成長面方位が（０００１）方向である六方晶型の４Ｈ型炭化珪素単結晶からなる基板１を用意した。そして、この基板１を黒鉛製坩堝蓋４の内面に取り付けた。
次に、原料を充填した黒鉛製坩堝３を、種結晶を取り付けた黒鉛製坩堝蓋４で閉じ、黒鉛製の支持棒６により二重石英管５の内部に設置した。黒鉛製坩堝３の周囲には黒鉛製フェールト７で被覆した。そして、雰囲気ガスとしてアルゴンガス（Ａｒ）、ｎ型不純物添加用の窒素ガス（Ｍ2）（当審注：「Ｎ2」の誤記と認める。）を、ステンレス製チャンバー１０の枝管９から二重石英管５の内部に流した。Ａｒガス、Ｎ2（当審注：「Ｎ2」の誤記と認める。）ガスの流量はそれぞれ１ｌ／分、０．８ｃｃ／分に設定した。また、ワークコイル８に高周波電流を流し基板１の温度が２２００℃、炭化珪素２（ｂ）の温度が２３００℃になるように調節した。続いて、Ａｒガスの流量を調節すると共に、真空ポンプ１３を用いて二重石英管５の内部を減圧した。この減圧は大気圧から１０Ｔｏｒｒまで６０分間かけて徐々に行い、１０Ｔｏｒｒの真空度で６時間保持した。この状態で８時間保持することにより、約８ｍｍの厚さの炭化珪素単結晶が成長した。
このようにして得られた炭化珪素単結晶をＸ線回折法、。（当審注：「。」は不要と認める。）ラマン分光法により分析したところ、成長面方位が（０００１）方向である六方晶型の４Ｈ型炭化珪素単結晶が成長していることがわかった。成長速度は１．０ｍｍ／時であり、抵抗率が０．１Ωｃｍであるｎ型炭化珪素単結晶である。透過特性も良好、均質で欠陥も少なく（１０2ｃｍ-2以下）、高品質のｎ型４Ｈ形炭化珪素単結晶である。」（段落【００２４】〜【００２６】）
（３−６）本願出願前に頒布された刊行物である「夫馬弘雄他、”ＳｉＣ半導体”、豊田中央研究所 RDレビュー　Vol.30　No.2　（１９９５．６）　５７〜６７頁」（以下、「引用例６」という。）には次の事項が記載されている。
（ハ）「さらにここで特記しておくことは，得られる成長結晶の多形の変化である。SiCにはSi-C二重原子層の0001軸に沿った積み重なり方が異なる多形 ( 3C， 4H，6H等 )が存在する。アチソン結晶として得られる結晶は，通常6Hである。昇華法による成長結晶の多形制御については，面極性によって4H，6Hの制御が可能であるという報告７）があるが，成長条件による多形の制御は現在のところ十分に確立されていない８）。我々は，C面を用いた実験で4H結晶が成長し，原料温度が高い条件で4H結晶が再現性良く得られる事を見いだした。」（５９頁右欄１〜１１行）
（４）引用例１に記載された発明
ア　引用例１の（イ）には、「窒素をヘビードープした４Ｈ−ＳｉＣウェハであって、Ｎｄ＝１×１０２０ｃｍ−３」のものが記載されている。
イ　このウェハは、同（イ）の記載からみて、「改良された種付き昇華法」によって製造されたとみることが自然である。
ウ　そうすると、引用例１には、
「Ｎｄ＝１×１０２０ｃｍ−３である窒素をヘビードープした４Ｈ−ＳｉＣウェハを改良された種付き昇華法によって製造する方法」の発明（以下、「引用発明１」という。）が記載されていると認められる。
（５）引用例５に記載された発明
ア　引用例５の（ヌ）には、「炭化珪素２が形成される。その後、種結晶として、成長面方位が（０００１）方向である六方晶型の４Ｈ型炭化珪素単結晶からなる基板１を用意した。そして、この基板１を黒鉛製坩堝蓋４の内面に取り付けた。
次に、原料を充填した黒鉛製坩堝３を、種結晶を取り付けた黒鉛製坩堝蓋４で閉じ、黒鉛製の支持棒６により二重石英管５の内部に設置した。・・・・・・。そして、雰囲気ガスとしてアルゴンガス（Ａｒ）、ｎ型不純物添加用の窒素ガス・・・・・・を・・・・・・流した。・・・・・・基板１の温度が２２００℃、炭化珪素２（ｂ）の温度が２３００℃になるように調節した。続いて、Ａｒガスの流量を調節すると共に、真空ポンプ１３を用いて二重石英管５の内部を減圧した。この減圧は大気圧から１０Ｔｏｒｒまで６０分間かけて徐々に行い、１０Ｔｏｒｒの真空度で６時間保持した。この状態で８時間保持することにより、約８ｍｍの厚さの炭化珪素単結晶が成長した。
このようにして得られた炭化珪素単結晶を・・・・・・４Ｈ型炭化珪素単結晶が成長していることがわかった。」と記載されており、「４Ｈ型炭化珪素単結晶が成長」するために、「種結晶を用いた昇華再結晶法」を用いていることは明らかであり、このことは同（ナ）の記載とも整合する。
イ　上記アでみた記載の「約８ｍｍの厚さの炭化珪素単結晶」は、インゴットとみることが自然であるから、引用例５では「４Ｈ型炭化珪素単結晶インゴット」を製造しているとみることができる。
ウ　また、上記アでみた記載によれば、窒素を炭化珪素単結晶中に導入していることは明らかであり、その抵抗率は同（ヌ）の記載から「０．１Ωｃｍ」である。
エ　そうすると、引用例５には、
「種結晶を用いた昇華再結晶法を用いた、窒素が導入された抵抗率が０．１Ωｃｍの４Ｈ型炭化珪素単結晶インゴット製造方法」の発明（以下「引用発明２」という。）が記載されていると認められる。
（６）引用発明１との対比・判断
（６−１）本件訂正発明１について
ア　本件訂正発明１と引用発明１とを対比する。
イ　引用発明１の「改良された種付き昇華法」について
イ−１　引用例１の（イ）に「改良された種付き昇華法は、他のところで詳細に述べられている［６］。」と記載され、この「［６］」で表される文献は、同（ウ）の記載によれば、「米国特許第４８６６００５号明細書」、すなわち、引用例２である。
イ−２　そこで、引用例２の記載をみると、その（カ）の記載によれば、「改良された種付き昇華法」とは、「種晶の上に所望ポリタイプの単結晶炭化珪素の巨視的成長を所望量製造するのに充分な時間の間、炭化珪素粉末源から炭化珪素種晶へのＳｉ、Ｓｉ２ＣとＳｉＣ２蒸気フローを生成し維持する」方法といえ、この方法は、本件特許明細書の実施例に係る記載である段落【００１７】の「種結晶として用いた単結晶炭化珪素基板１の上に、原料である炭化珪素粉末２を昇華再結晶させることにより行われる」との記載をみると、本件訂正発明１の「種結晶を用いた昇華再結晶法により単結晶炭化珪素を成長させる」方法に相当する。
イ−３　そうすると、引用発明１の「４Ｈ−ＳｉＣウェハ」は、「４Ｈ型単結晶炭化珪素」であるといえる。
　なお、引用発明１の「４Ｈ−ＳｉＣウェハ」が「単結晶」であることは、引用例１の（イ）に、「単結晶ＳｉＣブール（boule）を製造するために・・・改良された種付き昇華法」と記載され、引用例３の（サ）に、ボウル（boule）とは、「単結晶性の原子的構造をもつ結晶」であること説明されていることからもいえることである。
ウ　炭化珪素（ＳｉＣ）に窒素をドープすれば、その窒素は炭素原子位置に導入されることは明らかであるし、引用例２の（ク）の記載をみると、昇華成長の間に炭化珪素結晶に不純物である窒素ををドープしているとみることができる。
エ　引用発明１のＮｄについて、引用例１には言及がされていないが、ドーパント濃度を示すものと認められ、「ヘビードープ」は「ドープ」（導入）と同義とみることが自然である。
オ　そうすると、両者は、
「種結晶を用いた昇華再結晶法により単結晶炭化珪素を成長させる際に、炭素原子位置に窒素を導入する４Ｈ型単結晶炭化珪素の製造方法」である点で一致し、次の点で相違している。
相違点１：窒素の導入量に関し、本件訂正発明１では、５×１０１８ｃｍ−３以上５×１０１９ｃｍ−３以下であるのに対し、引用発明１では、１×１０２０ｃｍ−３である点
相違点２：本件訂正発明１が「４Ｈ型単結晶炭化珪素インゴットの製造方法」であるのに対し、引用発明１は「ＳｉＣウェハを・・・・・・製造する方法」である点
カ　次に、まず、相違点１について検討する。なお、以下の検討では、「ドープ」と「導入」、「ポリタイプ」と「結晶型」は、それぞれ、同義として扱い区別して使用していない。
キ−１　引用例１の（ア）には、「heavily nitrogen doped 4H crystals up to 1020 cm-3」という記載があり、この記載の「up to」を「至るまで」（請求人が平成２５年４月２６日付けの意見書に添付した参考文献４である「研究社　新英和大辞典　第５版」　１９９８年　株式会社研究社　２３２５頁に記載された訳語）と訳せば、「１０２０／ｃｍ３に至るまでの窒素をヘビードープした４Ｈ結晶」となり、４Ｈ型単結晶炭化珪素の窒素ドープ量として１０２０／ｃｍ３未満のものも存在しているととれるような記載がなされているが、窒素をドープした４Ｈ結晶に関し、引用例１には、（イ）に記載されたＮｄ＝１×１０２０ｃｍ−３のもの以外の具体的な窒素ドープ量が記載されていないから、この（ア）の記載をもって、４Ｈ型単結晶炭化珪素の窒素ドープ量として１０２０／ｃｍ３未満のものが引用例１に記載されていると直ちに断言できない。
キ−２　そこで、引用発明１において、窒素導入量を５×１０１８ｃｍ−３以上５×１０１９ｃｍ−３以下として、本件訂正発明１を導出することが当業者であれば容易になし得るかについて検討する。
キ−３　引用発明１の「改良された種付き昇華法」は、上記イ−１で検討したように、引用例２に記載されたものであるから、引用例２の記載をみてみることにする。
　引用例２の（カ）に記載の方法は、「炭化珪素の単一ポリタイプの大型単結晶の成長を再現よく制御する方法」である。ここで、同（カ）に記載の方法を詳しくみてみると、「炭化珪素粉末源」に関し、同（キ）には、一定のポリタイプ組成を実質的に有するもの、すなわち、一定比率の特定のポリタイプからなるものとされているから、同（カ）に記載の方法は、炭化珪素の単一ポリタイプの大型単結晶の成長を再現よく制御するためには、所望のポリタイプの炭化珪素の種単結晶と、一定比率の特定のポリタイプからなる炭化珪素粉末源を昇華系内へと導入することが、少なくとも必要であると記載されているといえる。そして、引用例２の実施例１及び２には、種単結晶が６Ｈアルフアポリタイプで、炭化珪素粉末源は６Ｈのものが用いられている。
　しかし、引用例２には、実際に４Ｈ型の炭化珪素単結晶が得られたことは記載されていおらず、４Ｈ型の炭化珪素単結晶を得るに当たり、どのような、一定比率の特定のポリタイプからなる炭化珪素粉末源を用いればよいのかを教示する記載はなく、引用例２の記載のみから、直ちに、４Ｈ型の炭化珪素単結晶を得ることは困難である。
　そして、引用例２には、アルミニウムをドープした際の結晶型については、同（ケ）に記載がなされているが、窒素をドープした際にどのような結晶型になるかについての記載は見当たらない。
　そうすると、引用例２には、そもそも、４Ｈ型の炭化珪素単結晶をどのようにしたら得ることができるのかの教示がないし、仮に、４Ｈ型の炭化珪素単結晶を得たとしても、窒素の導入量を５×１０１８ｃｍ−３以上５×１０１９ｃｍ−３以下としたときに、炭化珪素単結晶の結晶型がどのようになるのか、引用例２の記載からは予想することすらできない。
キ−４　しかし、引用例１の記載によれば、引用発明１は引用例２に記載された方法によって得ているのであるから、１×１０２０ｃｍ−３である窒素を導入した４Ｈ型の炭化珪素単結晶は引用例２の記載に基づいて製造できるものとして、引用例４及び５の記載を検討する。
キ−５　まず、引用例４には、その（タ）に「粉末状ＳｉＣ原料を加熱昇華させて原料温度より低い温度に保ったＳｉＣ単結晶よりなる種結晶上にＳｉＣ単結晶を成長させる昇華再結晶法において、該粉末状ＳｉＣ原料の温度を成長時間の経過とともに徐々に下げることにより成長を行う・・・・・・ＳｉＣ単結晶の成長方法」が記載され、その具体例が記載されている同（チ）には、「種結晶として６Ｈ形・・・・・・を使用し」たとき、「種結晶に近い部分より取り出したウェハはアンドープにかかわらずやや緑がかっていた。またそのウェハの一部は多少黄色がかっていた。これは、系内に残っていた残留窒素がドープされたものと思われる。色の違いは多形の種類によるものと思われる。・・・・・・緑の部分は６Ｈ形、黄色の部分は４Ｈ形であった。一方、中央部・先端部より取り出したウェハは非常に透明でウェハ全体が６Ｈ形であることが確認された。」と記載され、ＳｉＣ単結晶の中央部・先端部の残留窒素がなくなったと推定される部分は６Ｈ形結晶のものができ、残留窒素がドープされたと思われる種結晶に近い部分では４Ｈ形結晶のものが部分的にできているといえるから、窒素がドープされると４Ｈ形結晶のものができる可能性があり、引用発明１の４Ｈ型炭化珪素単結晶の単結晶さえ得られれば、窒素の導入量を調整して、本件訂正発明１の発明上記特定事項が導出できることを示唆しているとみることができなくもない。
　しかし、同（ツ）には、「約１時間毎に窒素ガスを流しマーキングを行った。成長した結晶をｃ軸を含む面で縦切りにしウェハを取り出した。窒素がドープされた部分は緑となるためこれより成長速度を見積った。」と記載され、窒素がドープされて緑色の部分ができることが示されており、この緑色部分は同（タ）の記載によれば、６Ｈ形単結晶であるといえる。
　そうすると、引用例４は、窒素ドープを行うことによって、６Ｈ形炭化珪素単結晶の他に４Ｈ形炭化珪素単結晶が部分的に生じる可能性を示すにとどまっており、窒素の導入と炭化珪素単結晶の結晶型との関係について導出できる事項はなく、引用発明１において、５×１０１８ｃｍ−３以上５×１０１９ｃｍ−３以下の窒素の導入量となるようにドープ量を調整した際に、どのような結晶型の炭化珪素単結晶ができるかについての教示はない。すなわち、引用発明１の１×１０２０ｃｍ−３である窒素をドープした４Ｈ型炭化珪素単結晶の単結晶を得ることができたとしても、この単結晶において窒素の導入量を調整させると、どのような結晶型の炭化珪素単結晶を得るかの予想がつかないことを示している。
キ−６　次に、引用例５の記載をみてみる。引用例５の（ニ）には、「第１の実施例について説明する。・・・・・・炭化珪素２が形成される。・・・・・・種結晶の温度を２１５０℃、・・・・・・炭化珪素２の温度を２２００℃に設定する。次に・・・・・・３０Ｔｏｒｒの真空度で保持した。この状態で５時間保持することにより、約５ｍｍの厚さの炭化珪素単結晶が成長した。・・・・・・成長した結晶は種結晶上より成長最表面まで均一で欠陥も少なく（１０2ｃｍ-2 以下）、高品質の６Ｈ形炭化珪素単結晶である。」と記載され、同（ヌ）には、「第２の実施例について説明する。・・・・・・雰囲気ガスとしてアルゴンガス（Ａｒ）、ｎ型不純物添加用の窒素ガス・・・・・・を、・・・・・・二重石英管５の内部に流した。・・・・・・基板１の温度が２２００℃、炭化珪素２（ｂ）の温度が２３００℃になるように調節した。・・・・・・１０Ｔｏｒｒの真空度で６時間保持した。この状態で８時間保持することにより、約８ｍｍの厚さの炭化珪素単結晶が成長した。・・・・・・４Ｈ型炭化珪素単結晶が成長していることがわかった。」と記載されており、雰囲気ガスに窒素を添加していない第１の実施例では６Ｈ型炭化珪素単結晶が、窒素を添加した第２の実施例では４Ｈ型炭化珪素単結晶ができていることが示されており、雰囲気ガスへの窒素の添加により４Ｈ型炭化珪素単結晶が得られるから、引用発明１において窒素の導入量を調整しても４Ｈ型炭化珪素単結晶のままで、上記本件訂正発明１の発明特定事項が導出できることを教示しているとみることができなくもない。
　しかし、第１の実施例と第２の実施例との製造条件の違いについて更にみてみると、雰囲気ガスへの窒素ガスの添加の有無という違いの他に、炭化珪素、すなわち炭化珪素原料の温度に関し、第１の実施例では２２００℃であり、第２の実施例では２３００℃であるという違いがある。
　ここで、引用例６の（ハ）の「原料温度が高い条件で４Ｈ結晶が再現性良く得られる事を見いだした」との記載をみると、炭化珪素原料の温度が高くなると４Ｈ型炭化珪素単結晶が再現良くできることが示されており、これを引用例５の上記実施例に当てはめてみてみると、第２の実施例では、炭化珪素原料の温度は２３００℃であって、第１の実施例の２２００℃よりも高いから、炭化珪素原料の温度が高いことにより４Ｈ型炭化珪素単結晶を得ているとみることもでき、この第２の実施例において、４Ｈ型炭化珪素単結晶が得られている理由は、炭化珪素原料の温度が原因とみることもできる。
　すなわち、引用例５は、窒素ドープによって、４Ｈ形単結晶が生じると断じるような事項の開示はなく、引用発明１において本件訂正発明１の窒素導入量が５×１０１８ｃｍ−３以上５×１０１９ｃｍ−３以下となるように窒素の導入量を調整したときにどのような結晶型になるかについて教示する記載は見当たらない。そうすると、引用発明１において窒素の導入量を調整させると、炭化珪素単結晶はどのような結晶型となるかの予想ができない。
ク　さらに、引用例６の記載をみてみると、（ハ）には、「成長条件による多形の制御は現在のところ十分に確立されていない」、すなわち「成長条件による６Ｈと４Ｈの制御は十分に確立されていない」とも記載されており、窒素の導入量の調整の他に炭化珪素単結晶を得るための成長条件を操作しても、４Ｈ型炭化珪素単結晶を得ることは一般的に困難である旨の記載がなされているから、引用発明１において、窒素の導入量の調整に加えて、他の炭化珪素単結晶の成長条件を操作しても、４Ｈ型炭化珪素単結晶を得ることは困難といえる。
ケ　そうすると、引用例１に「１×１０２０ｃｍ−３未満の窒素をドープした」４Ｈ型単結晶炭化珪素が記載されていたとして引用例４及び５の記載を参照しても、窒素をドープした４Ｈ型単結晶炭化珪素を製造するためにどのような手段をとってよいのか、当業者であってもその指針となる事項すら得ることができないから、相違点１に係る本件訂正発明１の発明特定事項をなすことはできない。
　なお、後述する「相違点３」検討のところで述べるように、引用例５の（ヌ）の「第２の実施例」に記載されている、抵抗率が０．１Ωｃｍとなる４Ｈ型炭化珪素単結晶の窒素含有量は、本件訂正発明の窒素含有量に比べて著しく低いものであって、引用発明１と同実施例の製造方法を組み合わせても、相違点１に係る本件訂正発明１を導出することはできない。
コ　そうすると、相違点２についての検討をするまでもなく、本件訂正発明１は引用例１〜６の記載に基づいて容易に発明をすることができたものではない。
ケ　本件訂正発明１と引用発明２とを対比する。
サ　引用例５の（ニ）には「雰囲気ガスとしてアルゴンガス（Ａｒ）、ｎ型不純物添加用の窒素ガス・・・・・・を・・・・・・流した。」と記載されているから、「種結晶を用いた昇華再結晶法により単結晶炭化珪素を成長させる際に、窒素を導入」しているといえる。
シ　また、炭化珪素（ＳｉＣ）に窒素をドープすれば、その窒素は炭素原子位置に導入されることは明らかであり、また、窒素ドープ量により抵抗率が決まることは技術常識である。
ス　そうすると、両者は、
「種結晶を用いた昇華再結晶法により単結晶炭化珪素を成長させる際に、炭素原子位置に窒素を導入する４Ｈ型単結晶炭化珪素インゴットの製造方法。」である点で一致し、次の点で相違している。
相違点３：窒素ドープ量に関し、本件訂正発明１では、「５×１０１８ｃｍ−３以上５×１０１９ｃｍ−３以下」であるのに対し、引用発明２では、抵抗率が０．１Ωｃｍとなるドープ量である点
セ　次に、この相違点３について検討する。
セ−１　まず、本件訂正発明１〜３は、本件訂正明細書の段落【００２３】によれば、「高耐圧・耐環境電子デバイスを製作」するためのものであり、「高耐圧・耐環境電子デバイス」とは、「高耐圧パワーディバイス」のことであることは技術常識である。
セ−２　本件訂正明細書には、本件訂正発明１〜３に係る「窒素を５×１０１８ｃｍ−３以上５×１０１９ｃｍ−３以下導入した４Ｈ型単結晶炭化珪素」の電気抵抗率についての記載はなされていない。
セ−３　ここで、引用例１の記載をみると、その（イ）には、「Ｎｄ＝１×１０２０ｃｍ−３の高さであり、抵抗率が０．００２８Ω−ｃｍの低さであるものを製造した。このポリタイプの生産の進歩は、パワーディバイスにとって特に興味深い」とあり、窒素を１×１０２０ｃｍ−３ドープすると、抵抗率が０．００２８Ω−ｃｍとなりパワーディバイスとして用いられる旨が記載されている。
　また、請求人が参考文献３として提出した本願出願後に公開された「岡本篤人他、”昇華法によって育成した窒素含有６H-SiC単結晶の評価”、豊田中央研究所RDレビュー　Vol.33　No.2　（１９９８．６）　５５〜６１頁」には、その５６頁右欄２２〜３０行には、高耐圧パワーディバイス基板にSiC単結晶を用いる場合、抵抗率が０．００１６Ωｃｍという低い値のものが求められていること、同５９頁左欄１４〜１６行には「パワーディバイス用SiC基板の電気抵抗率の目標としては、パワーディバイス用Si基板並の電気抵抗率（０．０１Ωｃｍ以下）が望まれている」との記載がなされている。
セ−４　そうすると、「高耐圧パワーディバイス」を製作するための本件訂正発明１〜３に係る「窒素を５×１０１８ｃｍ−３以上５×１０１９ｃｍ−３以下導入した４Ｈ型単結晶炭化珪素」の電気抵抗率は、引用例１の上記（イ）に記載された窒素ドープ量が１×１０２０ｃｍ−３のとき０．００２８Ωｃｍであることを考慮すれば、１／１００〜１／１０００Ωｃｍの範囲にあると推認され、このことは、上記請求人が提出した参考文献３の記載とも整合する。
セ−５　一方、ドーパントである窒素のドープ量と炭化珪素単結晶の電気抵抗率は相関関係があって、電気抵抗率が低いことは窒素のドープ量が多いことを意味することは技術常識である。ここで、引用発明２の電気抵抗率は０．１Ωｃｍであって、本件訂正発明１〜３の電気抵抗率の推定値１／１００〜１／１０００Ωｃｍの範囲より高いから、その窒素ドープ量は、本件訂正発明１〜３の窒素ドープ量よりも少ないということができる。
セ−６　よって、上記相違点３は、窒素ドープ量に関し、本件訂正発明１では、「５×１０１８ｃｍ−３以上５×１０１９ｃｍ−３以下」であるのに対し、引用発明２では、それよりも少ないドープ量である、と言い換えることができる。
セ−７　次に、この言い換えた相違点３について検討すると、上記相違点１の検討のところで述べたことと同じ理由により、引用発明２において窒素の導入量の調整に加えて、他の炭化珪素単結晶の成長条件を操作しても、５×１０１８ｃｍ−３以上５×１０１９ｃｍ−３以下の窒素導入量の４Ｈ型炭化珪素単結晶を得ることは困難である。
　よって、当業者であっても相違点１に係る本件訂正発明１の発明特定事項をなすことはできない。
ソ　また、他に本件訂正発明１が特許出願の際独立して特許を受けることができないとする理由を発見しない。
タ　よって、本件訂正発明１は、特許出願の際独立して特許を受けることができるものである。
（６−２）本件訂正発明３について
ア　本件訂正発明３は、本件訂正発明１の発明特定事項を含むものであるから、本件訂正発明１についての検討のところで述べたものと同じ理由により、当業者であっても容易に発明をすることができたものではない。
イ　また、他に本件訂正発明３が特許出願の際独立して特許を受けることができないとする理由を発見しない。
ウ　よって、本件訂正発明３は、特許出願の際独立して特許を受けることができるものである。
（７）　よって、本件訂正は、特許法第１２６条第７項の規定に適合する。
　
第６．むすび
　以上のとおりであるから、本件審判の請求は、特許法第１２６条第１項、第３項ないし第７項の規定に適合する。
　よって、結論のとおり審決する。