【事件の表示】
　特願２００７−５４４５７４「空間温度分布の制御方法及び装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年　６月２９日国際公開、ＷＯ２００６／０６８８０５、平成２０年　６月２６日国内公表、特表２００８−５２２４４６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１７年１２月１日を国際出願日とする出願であって（パリ条約による優先権主張　２００４年１２月２日、米国）、平成１９年８月１日付けで手続補正書が提出され、平成２２年７月２７日付けで拒絶の理由を通知したところ、平成２３年１月２８日付けで意見書が提出されると共に同日付けで手続補正書が提出されたが、同年４月４日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年８月１１日に拒絶査定不服審判が請求されると共に同日付けで手続補正書が提出され、同年９月２８日付けで審判請求書の請求の理由を補正する手続補正書が提出されたものである。
　そして、前置審査において、平成２３年１２月１２日付けで最後の拒絶の理由を通知したところ、平成２４年６月１９日付けで意見書が提出されると共に同日付けで誤訳訂正書が提出され、その後当審において、同年８月２日付けで審尋が通知され、それに応答して同年１１月６日付けで回答書が提出されたものである。
　
第２　平成２４年６月１９日付けの誤訳訂正書による補正の却下の決定
　［補正の却下の決定の結論］
　平成２４年６月１９日付けの誤訳訂正書による補正（以下、「本件補正」という。）を却下する。
　
　［理由］
　１　本件補正前の特許請求の範囲の記載
　本件補正前の、平成２３年８月１１日付けの手続補正書により補正された特許請求の範囲の記載における請求項１〜２１は、以下のとおりである。
　「【請求項１】
　プラズマ処理装置用のチャックであって、
　加工物の所望温度以下の温度を有する温度制御式ベースを含み、上記加工物は、プラズマ加工を受け、上記プラズマ加工が上記加工物に温度の非均一性を引き起し、
　上記ベースの上に配置された断熱材料の層と、
　上記断熱材料の層の上に配置され、上記加工物を保持するための、静電気チャック電極（ＥＳＣ）を有する平坦支持体と、
　上記平坦支持体に結合され、上記平坦支持体の複数の加熱領域に対応する複数の加熱素子を含む加熱器と、を含み、
　上記加熱素子は、上記プラズマ加工中、上記加工物全体にわたってほぼ均一なエッチング結果を達成するように独立に加熱され、上記平坦支持体の厚み、上記加熱器の電力密度、及び上記断熱材料の層の熱抵抗は、上記平坦支持体に毎秒少なくとも１℃の温度変化を可能にし、
　上記複数の加熱領域に対応する複数のセンサを更に含み、各センサは、上記領域の温度を測定し且つ対応する加熱領域の温度を表す信号を送信し、
　上記信号を上記センサから受信するように構成されたコントローラを更に含み、該コントローラは、径方向温度勾配を誘発して局部リアクタント濃度の変化を補償するように、マルチステップエッチング中、加熱領域毎にセットポイントに基づいて各平面加熱素子の電力を調整するように構成される、上記チャック。
　　【請求項２】
　各加熱素子に供給される電力は、互いに独立に制御される、請求項１に記載のチャック。
　　【請求項３】
　上記平坦支持体と上記加工物との間に配置された熱導体を更に含む、請求項１に記載のチャック。
　　【請求項４】
　上記温度制御式ベースは、２０℃以下の一定温度に維持される、請求項１に記載のチャック。
　　【請求項５】
　上記加熱器は、複数の電気的抵抗加熱器を含む、請求項１に記載のチャック。
　　【請求項６】
　上記加熱器は、複数の誘導加熱器を含む、請求項１に記載のチャック。
　　【請求項７】
　上記加熱器は、複数の加熱ランプを含む、請求項１に記載のチャック。
　　【請求項８】
　上記加熱器は、複数の熱電気モジュールを含む、請求項１に記載のチャック。
　　【請求項９】
　上記平坦支持体は、セラミック静電気チャックを含む、請求項１に記載のチャック。
　　【請求項１０】
　プラズマ処理装置用のチャックであって、
　プラズマ加工からエッチングを受ける加工物の所望温度以下の温度を有する温度制御式ベースを含み、上記プラズマ加工が上記加工物に温度非均一性を引き起し、
　上記ベースの上に配置された断熱材料の層と、
　上記断熱材料の層の上に配置され、上記加工物を保持するための、静電気チャック電極（ＥＳＣ）を有する平坦支持体と、
　上記平坦支持体に結合され、上記平坦支持体の複数の加熱領域に対応する複数の加熱素子を含む加熱器と、を含み、上記加熱領域が上記加工物にわたって所望の温度プロフィールを達成するように上記加熱素子を介して独立に加熱され、
　第１の加熱領域がプラズマ加工中上記加工物の別の加熱領域よりも高い温度に加熱され、上記平坦支持体の厚み、上記加熱器の電力密度、及び上記断熱材料の層の熱抵抗は、上記平坦支持体に毎秒少なくとも１℃の温度変化を可能にし、
　上記複数の加熱領域に対応する複数のセンサを更に含み、各センサは、対応する加熱領域の温度を測定し、該温度を表す信号を送信し、
　上記センサから上記信号を受信するため、且つ、径方向温度勾配を誘発して局部リアクタント濃度の変化を補償するように、マルチステップエッチング中、加熱領域毎にセットポイントに基づいて各平面加熱素子の電力を調整するためのコントローラを更に含む、上記チャック。
　　【請求項１１】
　各平面加熱素子の電力は、独立に制御される、請求項１０に記載のチャック。
　　【請求項１２】
　上記平坦支持体と上記加工物との間に配置された熱導体を更に含む、請求項１０に記載のチャック。
　　【請求項１３】
　上記温度制御式ベースは、２０℃以下の一定温度に維持される、請求項１０に記載のチャック。
　　【請求項１４】
　上記加熱器は、複数の電気的抵抗加熱器を含む、請求項１０に記載のチャック。
　　【請求項１５】
　上記加熱器は、複数の誘導加熱器を含む、請求項１０に記載のチャック。
　　【請求項１６】
　上記加熱器は、複数の加熱ランプを含む、請求項１０に記載のチャック。
　　【請求項１７】
　上記加熱器は、複数の熱電気モジュールを含む、請求項１０に記載のチャック。
　　【請求項１８】
　上記平坦支持体は、静電気チャックを含む、請求項１０に記載のチャック。
　　【請求項１９】
　上記ベースの上記温度は、上記加工物の上記所望温度より５０℃以上低い、請求項１に記載のチャック。
　　【請求項２０】
　上記ベースの上記温度は、上記加工物の上記所望温度より５０℃以上低い、請求項１０に記載のチャック。
　　【請求項２１】
　プラズマ加工装置用のチャックであって、
　プラズマ加工中エッチングを受ける加工物の温度以下の温度を有するように構成されたベースを含み、上記プラズマ加工が上記加工物に温度非均一性を引き起し、
　上記ベースの上に配置された断絶材料の層と、
　上記断熱材料の層の上に配置され、上記加工物を保持するための、静電気チャック電極（ＥＳＣ）を有する平坦支持体と、を含み、上記プラズマ加工から生じた熱が上記平坦支持体及び上記断熱材を経て上記ベースに移動し、
　上記平坦支持体に結合され、上記加工物の対応する加熱領域を加熱するように構成された複数の加熱素子を含み、
　上記加熱素子の少なくとも一つには、上記加工物にわたって所望の横方向加工プロフィールを達成するために別の加熱領域の別の加熱素子よりも高い温度をその対応する加熱領域に生じさせるように電力が供給され、上記平坦支持体の厚み、上記加熱器の電力密度、及び上記断熱材料の層の熱抵抗は、上記平坦支持体に毎秒少なくとも１℃の温度変化を可能にする、上記チャック。」
　
　２　本件補正後の特許請求の範囲の記載
　本件補正により、特許請求の範囲の記載は、次のように補正された。
　「【請求項１】
　プラズマ処理装置用のチャックであって、
　加工物の所望温度以下の温度を有する温度制御式ベースを含み、上記加工物は、プラズマ加工を受け、上記プラズマ加工が上記加工物に温度の非均一性を引き起し、
　上記ベースの上に配置された断熱材料の層と、
　上記断熱材料の層の上に配置され、上記加工物を保持するための、静電気チャック電極（ＥＳＣ）を有する平坦支持体と、
　上記平坦支持体に結合され、上記平坦支持体の複数の加熱領域に対応する複数の加熱素子を含む加熱器と、を含み、
　上記加熱素子は、上記プラズマ加工中、上記加工物全体にわたってほぼ均一なエッチング結果を達成するように独立に加熱され、上記平坦支持体の厚み、上記加熱器の電力密度、及び上記断熱材料の層の熱抵抗は、上記平坦支持体に毎秒少なくとも１℃の温度変化を可能にし、
　上記複数の加熱領域に対応する複数のセンサを更に含み、各センサは、上記領域の温度を測定し且つ対応する加熱領域の温度を表す信号を送信し、
　上記信号を上記センサから受信するように構成されたコントローラを更に含み、該コントローラは、径方向温度勾配を誘発して局所的な反応物濃度の変化を補償するように、マルチステップエッチング中、加熱領域毎にセットポイントに基づいて各平面加熱素子の電力を調整するように構成され、
　上記温度制御式ベースは、２０℃以下の一定温度に維持される、上記チャック。
　　【請求項２】
　各加熱素子に供給される電力は、互いに独立に制御される、請求項１に記載のチャック。
　　【請求項３】
　上記平坦支持体と上記加工物との間に配置された熱導体を更に含む、請求項１に記載のチャック。
　　【請求項４】
　上記加熱器は、複数の電気的抵抗加熱器を含む、請求項１に記載のチャック。
　　【請求項５】
　上記加熱器は、複数の誘導加熱器を含む、請求項１に記載のチャック。
　　【請求項６】
　上記加熱器は、複数の加熱ランプを含む、請求項１に記載のチャック。
　　【請求項７】
　上記加熱器は、複数の熱電気モジュールを含む、請求項１に記載のチャック。
　　【請求項８】
　上記平坦支持体は、セラミック静電気チャックを含む、請求項１に記載のチャック。
　　【請求項９】
　プラズマ処理装置用のチャックであって、
　プラズマ加工からエッチングを受ける加工物の所望温度以下の温度を有する温度制御式ベースを含み、上記プラズマ加工が上記加工物に温度非均一性を引き起し、
　上記ベースの上に配置された断熱材料の層と、
　上記断熱材料の層の上に配置され、上記加工物を保持するための、静電気チャック電極（ＥＳＣ）を有する平坦支持体と、
　上記平坦支持体に結合され、上記平坦支持体の複数の加熱領域に対応する複数の加熱素子を含む加熱器と、を含み、上記加熱領域が上記加工物にわたって所望の温度プロフィールを達成するように上記加熱素子を介して独立に加熱され、
　第１の加熱領域がプラズマ加工中上記加工物の別の加熱領域よりも高い温度に加熱され、上記平坦支持体の厚み、上記加熱器の電力密度、及び上記断熱材料の層の熱抵抗は、上記平坦支持体に毎秒少なくとも１℃の温度変化を可能にし、
　上記複数の加熱領域に対応する複数のセンサを更に含み、各センサは、対応する加熱領域の温度を測定し、該温度を表す信号を送信し、
　上記センサから上記信号を受信するため、且つ、径方向温度勾配を誘発して局所的な反応物濃度の変化を補償するように、マルチステップエッチング中、加熱領域毎にセットポイントに基づいて各平面加熱素子の電力を調整するためのコントローラを更に含み、
　上記温度制御式ベースは、２０℃以下の一定温度に維持される、上記チャック。
　　【請求項１０】
　各平面加熱素子の電力は、独立に制御される、請求項９に記載のチャック。
　　【請求項１１】
　上記平坦支持体と上記加工物との間に配置された熱導体を更に含む、請求項１０に記載のチャック。
　　【請求項１２】
　上記加熱器は、複数の電気的抵抗加熱器を含む、請求項９に記載のチャック。
　　【請求項１３】
　上記加熱器は、複数の誘導加熱器を含む、請求項９に記載のチャック。
　　【請求項１４】
　上記加熱器は、複数の加熱ランプを含む、請求項９に記載のチャック。
　　【請求項１５】
　上記加熱器は、複数の熱電気モジュールを含む、請求項９に記載のチャック。
　　【請求項１６】
　上記平坦支持体は、静電気チャックを含む、請求項９に記載のチャック。
　　【請求項１７】
　上記ベースの上記温度は、上記加工物の上記所望温度より５０℃以上低い、請求項１に記載のチャック。
　　【請求項１８】
　上記ベースの上記温度は、上記加工物の上記所望温度より５０℃以上低い、請求項９に記載のチャック。
　　【請求項１９】
　プラズマ加工装置用のチャックであって、
　プラズマ加工中エッチングを受ける加工物の温度以下の温度を有するように構成されたベースを含み、上記プラズマ加工が上記加工物に温度非均一性を引き起し、
　上記ベースの上に配置された断絶材料の層と、
　上記断熱材料の層の上に配置され、上記加工物を保持するための、静電気チャック電極（ＥＳＣ）を有する平坦支持体と、を含み、上記プラズマ加工から生じた熱が上記平坦支持体及び上記断熱材を経て上記ベースに移動し、
　上記平坦支持体に結合され、上記加工物の対応する加熱領域を加熱するように構成された複数の加熱素子を含み、
　上記加熱素子の少なくとも一つには、上記加工物にわたって所望の横方向加工プロフィールを達成するために別の加熱領域の別の加熱素子よりも高い温度をその対応する加熱領域に生じさせるように電力が供給され、上記平坦支持体の厚み、上記加熱器の電力密度、及び上記断熱材料の層の熱抵抗は、上記平坦支持体に毎秒少なくとも１℃の温度変化を可能にする、上記チャック。」
　
　３　補正の内容及び補正の目的に係る要件
　本件補正は、本件補正前の請求項１及び１０について、それぞれ、「加工物の所望温度以下の温度を有する温度制御式ベース」が、「２０度以下の一定温度に維持される」ものであるとし、「局部リアクタント濃度」を「局所的な反応物濃度」としたものであり、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例とされる同法による改正前の特許法（以下、「改正前特許法」という。）第１７条の２第１項第３号の「拒絶理由通知を受けた後更に拒絶理由通知を受けた場合において、最後に受けた拒絶理由通知に係る第五十条の規定により指定された期間内にするとき。」になされたものであるところ、同法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮及び明りようでない記載の釈明を目的とするものに該当する。
　そこで、本件補正後の請求項１に記載された発明（以下、「本件補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか。）について以下に検討する。
　
　４　本件補正発明の独立特許要件
　（１）刊行物
　ア．刊行物１
　本願優先日前に日本国内において頒布され、原査定の拒絶の理由に引用された引用文献１である、特表２００４−５３３７１８号公報（以下、「刊行物１」という。）には、図面とともに次の事項（以下、「記載事項」という。）が記載されている。
　
　・記載事項ア１　「【請求項１】
ワークの所望温度以下の温度を有する温度制御型ベースと、
該ベース上に配置される断熱材と、
ワークを保持する平支持体とを有し、該平支持体は断熱材の上に配置され、
平支持体内に埋設されたヒータを更に有することを特徴とするプラズマ加工機のチャック。
・・・（中略）・・・
【請求項５】
前記ヒータは複数の平加熱要素を更に有することを特徴とする請求項１記載のチャック。
【請求項６】
前記複数の平加熱要素は、対応する複数の加熱ゾーンをワーク上に形成することを特徴とする請求項５記載のチャック。
【請求項７】
前記平加熱要素の各々の出力は独立的に制御されることを特徴とする請求項６記載のチャック。
【請求項８】
前記複数の加熱ゾーンに対応する複数のセンサを更に有し、各センサは、各加熱ゾーンの温度を表す信号を測定しかつ出力することを特徴とする請求項７記載のチャック。
【請求項９】
前記センサから前記信号を受け、各加熱ゾーンについての設定位置に基いて各平加熱要素の出力を調節するコントローラを更に有することを特徴とする請求項８記載のチャック。
【請求項１０】
ワークの所望温度以下の温度を有する温度制御型ベースと、
該ベース上に配置される断熱材と、
ワークを保持する平支持体とを有し、該平支持体は断熱材の上に配置され、
平支持体の下面上に配置されたヒータを更に有することを特徴とするプラズマ加工機のチャック。
・・・」（【特許請求の範囲】）
　・記載事項ア２　「【技術分野】
【０００１】
本発明は基板支持体に関し、より詳しくは、プラズマ加工中に基板内に均一温度分布を達成する方法および装置に関する。」（段落【０００１】）
　・記載事項ア３　「【０００３】
一般的なプラズマエッチング作業では、プラズマガスの反応性イオンが、半導体ウェーハの面上の材料の部分と化学的に反応する。ウェーハの或る程度の加熱は幾つかの方法によって行なわれるが、殆どの加熱はプラズマにより行われる。一方、ガス（イオンおよびラジカル）とウェーハ材料との化学反応は、ウェーハの温度上昇により或る程度まで加速される。局部的ウェーハ温度およびウェーハ上の各顕微鏡的箇所での化学反応は、ウェーハ表面を横切る温度が大きく変化する場合に、ウェーハ表面上の材料のエッチングの有害な不均一性が容易に生じる度合いに関係している。殆どの場合、エッチングはほぼ完全な度合いまで均一であることが望まれている。・・・（中略）・・・
【０００４】
リアクティブ・イオンエッチング（reactive ion etching：ＲＩＥ）中のウェーハの温度上昇の問題は良く知られており、これまで、エッチング中のウェーハの温度を制御する種々の試みがなされている。
・・・（中略）・・・
【０００５】
・・・（中略）・・・図２には、ウェーハ１０４上の典型的な温度分布が示されている。ウェーハ１０４の周辺部での圧力損失により、ウェーハ１０４は、周辺部が非常に熱くなる。
【０００６】
・・・（中略）・・・
例えば、約１Ｗ／ｃｍ2の均一熱流束および約３ｍｍのシーリングランドで、中央部に、ウェーハ周辺部近くで１０〜３０℃の温度上昇をもたらす縁部熱勾配を与えることができる。この大きさの熱勾配は、プロセス制御パラメータとして非常に有効である。しかしながら、他の加工例えば低出力でのポリゲート加工法は、僅かに０．２Ｗ／ｃｍ2の熱流束を有する。平均伝導が極めて小さくされない限り（これは、制御が極めて困難でかつ全体的冷却が不充分なものとなる）、一般に５℃以下の非常に小さい温度差になってしまうであろう。」（段落【０００３】−【０００６】）
　・記載事項ア４　「【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
従って、大きいプラズマ熱流束を要せずして、リアクティブ・イオンエッチングおよび同様な加工法の間に半導体ウェーハの温度を制御する方法および装置が要望されている。本発明の第一目的は、これらの要望を解決しかつ他の関連長所を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明によるプラズマ加工機のチャックは、温度制御型ベースと、断熱材と、平支持体と、ヒータとを有している。温度制御型ベースは、ワークの所望温度以下の温度を有する。温度制御型ベース上には断熱材が配置される。断熱材上には平支持体が配置され、該平支持体はワークを保持する。ヒータは、平支持体内に埋設されおよび／または平支持体の下面上に配置される。ヒータは、複数の対応加熱ゾーンを加熱する複数の加熱要素を有している。各加熱要素に供給される電力および／または各加熱要素の温度は独立的に制御される。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
本願明細書に組込まれかつこの一部を形成する添付図面は、本発明の１以上の実施形態を示しかつ詳細な説明と相俟って本発明の原理および実施を説明する機能を有している。
本発明の実施形態は、ワーク支持体の表面を横切る空間温度分布を制御する方法および装置に関連して説明する。・・・」（段落【０００７】−【０００９】）
　・記載事項ア５　「【００１１】
本発明の装置は、例えば５℃を超える正確な大きい温度差を達成することを探求するものであるが、例えば２Ｗ／ｃｍ2以下のように、大きいプラズマ熱流束を必要としないものである。図３Ａは、本発明の一実施形態によるワーク温度制御装置を示す概略側面図である。ベース３０２すなわち熱交換器が断熱材３０４を支持している。該断熱材３０４上には、好ましくは平支持体３０６が取付けられている。支持体３０６内には、ヒータ３０８が埋設されている。支持体３０６上には、ウェーハのようなワーク３１０が配置されている。・・・（中略）・・・
【００１２】
一実施形態によれば、ベース３０２は、冷却／加熱流体ループのような慣用の熱交換システムを通して比較的一定温度に維持される金属材料（好ましくはアルミニウムベースの冷却板）で構成される。他の実施形態によれば、ベース３０２は、窒化アルミニウムのような非金属材料で構成することもできる。しかしながら、ベース３０２は、ヒータ３０８を用いない標準的作動時におけるよりも大きく冷却されなければならない。例えば、ベース３０２の温度は、ワーク３１０の所望温度よりも１０〜５０℃低くすることができる。ベース３０２はまた、プラズマ加熱の場合の熱シンクを形成する。ベースプレート３０２の温度を維持するため、外部クーラント冷却器（図示せず）を使用することもできる。外部クーラント冷却器により除去される熱量およびクーラントの温度は、それぞれ、２０００Ｗおよび−２０℃以下に制限できる。・・・（中略）・・・
【００１３】
一実施形態によれば、断熱材３０４は、支持体３０６とベース３０２との間の大きい熱インピーダンス断熱層（thermal impedance break）として機能する。断熱材３０４は、ポリマー、プラスチックまたはセラミックで作られた厚いＲＴＶ接着層で構成できる。しかしながら、断熱材３０４の熱インピーダンス断熱層は、ウェーハ３１０の冷却が不充分になるほど過度のものであってはならない。例えば、断熱材は、約０．０５〜０．２０Ｗ／ｍＫの範囲の熱伝導率を有するのが好ましい。この場合、断熱材３０４は、耐熱要素として、および支持体３０６とベース３０２との接合材としての両機能を有する。また、断熱材３０４は、プラズマとベース３０４との間に充分なＲＦカップリングが維持されるものでなくてはならない。また、断熱材３０４は、層の上下に存在する異なる材料および温度による大きい熱−機械的剪断を許容できなくてはならない。一実施形態によれば、断熱材３０４の厚さは２ｍｍ以下にすべきである。断熱材３０４には、ヒータ用給電線３１２および他のサービスラインを収容するための、ベース３０４のキャビティに隣接する幾つかのキャビティまたはバイア（vias）（図示せず）を設けることができる。
【００１４】
一実施形態によれば、支持体３０６はセラミック材料で構成される。・・・（中略）・・・ワーク３０６は慣用の静電チャックで構成するか、ウェーハ３１０を保持する機械的クランプを備えたセラミックで構成できる。・・・（中略）・・・
【００１５】
ヒータ３０８は、少なくとも１つの抵抗要素を有している。一実施形態によれば、ヒータ３０８は、クランプ電極平面の下で支持体３０６内に埋設でき、かつ例えば対称的または任意の所望パターンの形状にすることができる。ヒータ３０８は、１以上の平加熱要素で構成することもできる。各加熱要素は、独立的に制御される加熱ゾーンまたは領域を形成する。多ゾーンパターンは、支持体３０６への伝導冷却（conduction cooling）とは逆に作用する１以上の平加熱要素を有している。各加熱ゾーンに関連するセンサ３０９は、各加熱ゾーンの温度を測定しかつ信号をコントローラまたはコンピュータ（図７参照）に送って、個々の平加熱要素をモニタしかつ制御する。・・・（中略）・・・
【００１６】
一実施形態によれば、ヒータ３０８は誘導ヒータで構成される。他の実施形態によれば、ヒータ３０８は、クリプトンランプまたは石英ランプ等の加熱ランプで構成される。更に別の実施形態によれば、ヒータ３０８は、冷却または加熱が可能な熱電モジュールで構成できる。・・・」（段落【００１１】−【００１６】）
　・記載事項ア６　「【００１７】
図３Ｂには、本発明の他の実施形態が示されている。図３Ｂの実施形態では、ヒータ３０８は、薄膜ヒータのような蝕刻箔技術で形成される。ヒータ３０８はワーク支持体３０６内に埋設するか、ワーク支持体３０６の背面上に取付けることができる（図示せず）。・・・」（段落【００１７】）
　・記載事項ア７　「【００１８】
図３Ｃは、図３Ａの装置における熱流量力学を示す簡単化された概略図である。進入するプラズマ熱流束Ｑ１は、ウェーハ３１０の表面上の温度Ｔ１に寄与する。ヒータ３０８は、ウェーハ３１０に熱Ｑ３を供給する。ワーク支持体３０６を通り冷却されたベース３０２に入る、システムからの外出熱流束Ｑ２は、進入熱流束Ｑ１およびＱ３の合計にほぼ等しく、従って次式のように表される。
Ｑ１＋Ｑ３＝Ｑ２
定義により、ウェーハ３１０の温度Ｔ１と、断熱材３０４を通る温度ΔＴとの合計は、冷却されたベース３０２の温度Ｔ１に等しい。
Ｔ１＝Ｔ２＋ΔＴ
ΔＴは、断熱材３０４の熱伝導率により定められることに留意されたい。かくして、ヒータ３０８により発生される進入熱流束Ｑ３はΔＴを制御する。従って、ヒータ３０８の出力は、Ｑ１の範囲でウェーハの表面上に所望温度Ｔ１が得られるように調節される。
【００１９】
好ましくは、ベース３０２の温度は、進入熱流束Ｑ１が存在せず、かつ最大熱流束Ｑ３が最大熱流束Ｑ１にほぼ等しいとき、最大進入熱流束Ｑ３の約１／２の外出熱流束Ｑ２を発生するように設定される。すなわち、
Ｑ１＝０でありかつＱ３max≒Ｑ１maxであるとき、
Ｑ２≒１／２・Ｑ３max　
【００２０】
この好ましいスキームでは、Ｔ１が変化できる範囲は最大化される。すなわち、ウェーハの局部的温度は、ヒータ３０８のゾーンの加熱出力を制御することにより調節できる。一実施形態によれば、ベース３０２の温度すなわちクーラント温度は、最大値Ｑ１と最大値Ｑ３との合計が最大値Ｑ２に等しくなる慣用装置よりも約２０℃低く設定される。
ここで図４Ａの概略側面図を参照すると、ここには、本発明の他の実施形態に従ってワークの温度を制御する一体型単一平層電極／ヒータを備えた装置が示されている。ベース４０２は断熱材４０４を支持している。断熱材４０４上には平支持体４０６が取付けられている。一実施形態によれば、平支持体４０６は内側スパイラル４０８および外側スパイラル４１０を有し、これらの両スパイラル４０８、４１０は、ワークおよびワークをクランプする電極を加熱するヒータとして使用される。両ヒータおよび電極は、平支持体４０６により表される単一平層構造を形成するように一体化されている。図４Ｂは平支持体４０６の平面図である。内側スパイラル４０８と外側スパイラル４１０との間には差動高電圧ＨＶ４１２が印加され、平支持体４０６の静電クランプ機能を発生させる。差動高電圧ＨＶ４１２がアース（接地）に対して内側スパイラル４０８および外側スパイラル４１０の両者に印加される場合には、平支持体４０６は単極静電チャックとして機能する。差動高電圧ＨＶが内側スパイラル４０８と外側スパイラル４１０との間に印加される場合には、平支持体４０６は双極チャックとして機能する。内側コイル４０８には第一制御電源４１４が接続され、第一加熱ゾーンを発生させる。外側コイル４１０には第二制御電源４１４が接続され、第二加熱ゾーンを発生させる。」（段落【００１８】−【００２０】）
　・記載事項ア８　「【００２２】
図６は、本発明の一実施形態によるチャックの温度を制御する方法を示すフローチャートである。より詳しくは、図６は、２つの別個のサーマルゾーンを備えたチャックの温度制御方法を示すものである。当業者ならば、本発明の方法が１以上のサーマルゾーンを有するチャックに適用できることが理解されよう。第一ブロック６０２では、第一組のセンサを用いて第一ゾーンの温度が測定される。これらの測定値に基いて、ブロック６０４では、第一ゾーンの温度に影響を与える加熱要素の出力を制御して、第一ゾーンの温度を、ユーザおよび／またはコンピュータにより設定された温度に調節する。第二ブロック６０６では、第二組のセンサを用いて第二ゾーンの温度が測定される。これらの測定値に基いて、ブロック６０８では、第二ゾーンの温度に影響を与える加熱要素の出力を制御して、第二ゾーンの温度を、ユーザおよび／またはコンピュータにより設定された温度に調節する。
【００２３】
図７は、本発明の一実施形態によるチャックの温度制御システムを示す概略図である。ユーザ７０２はコンピュータ７０４に１組のパラメータを入力する。このようなパラメータの組として、例えば、チャックの第一ゾーンの所望温度およびチャックの第二ゾーンの所望温度がある。当業者ならば、チャックに１以上のゾーンを設けることができることは理解されよう。コンピュータ７０４は、図６のアルゴリズム、コンピュータ７０４の入力および出力を記憶している記憶要素７０６と通信する。第一組のセンサ７０８がチャックの第一ゾーンを測定し、第２組のセンサ７１０がチャックの第二ゾーンを測定する。第一組のセンサ７０８の温度測定値に基いて、コンピュータ７０４は、第一組の加熱要素７１２を制御してチャックの第一ゾーンの温度を調節する。第二組のセンサ７１０の温度測定値に基いて、コンピュータ７０４は、第二組の加熱要素７１４を制御してチャックの第二ゾーンの温度を調節する。」（段落【００２２】−【００２３】）
　
　ここで、上記記載事項ア３より、リアクティブ・イオンエッチング等のプラズマエッチング作業を行う際には、温度制御を行わなければ、ワークの周縁部が非常に熱くなる等の温度分布が生じることが記載されている。また、上記記載事項ア５より、支持体の形状は、慣用ディスクにするのが好ましく、また、支持体の構造は、ベースに接合された薄いディスクであるから、支持体は、ディスクの形状を備えることが記載されている。なお、上記記載事項ア４〜７より、「平支持体」と「支持体」と「ワーク支持体」は、同一の部材を示すことが理解される。
　よって、これら記載事項ア１ないしア８によれば、本件補正発明の表現に則って整理すると、刊行物１には、次の発明（以下、「刊行物発明」という。）が記載されている。
　「プラズマ加工機のチャックであって、
ワークの所望温度以下の温度を有する温度制御型ベースを含み、上記ワークは、プラズマエッチング作業を受け、上記プラズマエッチング作業が上記ワークに、ワークの周縁部が非常に熱くなる等、温度分布を生じさせ、
上記ベースの上に配置された熱インピーダンス断熱層として機能する断熱材と、
上記断熱材の上に配置され、上記ワークを保持するための、静電チャックのクランプ電極を有する、ディスクの形状をした支持体と、
上記平支持体内に埋設するか、または、上記支持体の下面上に取り付けられ、誘導ヒータ、加熱ランプ、熱電モジュール等から構成され、上記支持体の複数の加熱ゾーンに対応する複数の加熱要素を含むヒーターと、を含み、
上記加熱要素は、上記プラズマエッチング作業中、独立に加熱され、上記支持体を通り冷却されたベースに入る熱流速Ｑ２、ヒータにより供給される熱流速Ｑ３、断熱材の熱伝導率により定められる、断熱材を通る温度ΔＴを考慮し、ウェーハの所望の温度Ｔ１が得られるようにし、
上記複数の加熱ゾーンに対応する複数のセンサを更に含み、各センサは、上記加熱ゾーンの温度を測定し且つ対応する加熱ゾーンの温度を表す信号を出力し、
上記信号を上記センサから受けるように構成されたコントローラを更に含み、該コントローラは、上記支持体の表面を横切る空間温度分布を制御して、プラズマエッチング作業中、加熱ゾーン毎に設定された温度に基づいて各加熱要素の出力を制御するように構成され、
上記温度制御型ベースは、温度を維持するために、外部クーラント冷却器を使用してクーラントの温度を−２０℃以下に制限したり、慣用装置よりも約２０℃低く設定したりすることができる、上記チャック。」
　
　イ．刊行物２
　本願優先日前に日本国内において頒布され、原査定の拒絶の理由に引用された引用文献２である、特開平１０−１４４６５５号公報（以下、「刊行物２」という。）には、図面とともに次の事項（以下、「記載事項」という。）が記載されている。
　
　・記載事項イ１　「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、主に半導体装置の製造に適用されるドライエッチング処理方法と、この方法を実施するのに好適なドライエッチング装置に関する。」（段落【０００１】）
　・記載事項イ２　「【００１０】このような不都合を解消するためには、例えば反応生成物の蒸気圧の異なる材料をそれぞれエッチングする間や、ジャストエッチングとオーバーエッチングとの間等でウエハ等からなる試料の設定温度を変えることが考えられる。しかし、このような設定温度の変更をエッチング処理の最中に行うのでは、当然スループットが小さくなってしまい、コスト的に不利を招いてしまう。
・・・（中略）・・・
【００１２】本発明は前記事情に鑑みてなされもので、その目的とするところは、高選択比と高精度微細加工とを両立させることができ、かつスループットに悪影響を及ぼすことがなく、しかもエッチングの進行の不均一性にも影響を受けないドライエッチング処理方法と、この方法の実施に好適なドライエッチング装置を提供することにある。」（段落【００１０】−【００１２】）
　・記載事項イ３　「【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明における請求項１記載のドライエッチング処理方法では、試料に対して複数のステップからなるエッチング処理を同一の処理装置内で行うに際し、前記ステップのうち一のステップのエッチング処理とこれに続くステップのエッチング処理とを異なる温度で行うとともに、これらステップ間において、前記一のステップでの温度からこれに続くステップでの温度に漸次温度を変化させつつ、エッチング処理を行うことを前記課題の解決手段とした。
【００１４】このドライエッチング処理方法によれば、一のステップのエッチング処理とこれに続くステップのエッチング処理とを異なる温度で行う・・・（中略）・・・
【００１５】また、これら一のステップとこれに続くステップとの間において、該一のステップでの温度からこれに続くステップでの温度に漸次温度を変化させつつ、エッチング処理を行う・・・（中略）・・・さらに、各エッチング処理を同一の処理装置内で行い、かつ、ステップ間においてもエッチング温度を変更させつつエッチング処理し、さらに引き続いて続くステップのエッチング処理を行うので、エッチング温度を変更するだけに費やすような時間のロスをなくすことが可能になる。」（段落【００１３】−【００１５】）
　・記載事項イ４　「【００１９】
【発明の実施の形態】本発明のドライエッチング装置について説明する。図１は、本発明のドライエッチング装置の一実施形態例を示す図であり、図１中符号１はウエハステージ、１０はドライエッチング装置である。・・・（中略）・・・
【００２０】このウエハステージ１は、図２に示すように金属製ジャケット２上に、静電チャック３が載置固定されて構成されたものである。金属製ジャケット２は、真空精密鋳造法によって形成されたアルミニウム製のもので、その内部にヒータ４と冷媒配管５とを埋め込んだものである。ヒータ４は、金属製ジャケット２の面積（底面積）に応じた大型で大容量のシーズヒータからなるもので、図示しない配線を介して電源に接続されたものである。冷媒配管５は、後述する冷却手段に接続されたＡｌやＣｕなどの熱伝導率が高い金属からなるもので、冷却手段から供給されたガス冷媒を金属製ジャケット２内に流し、金属製ジャケット２との間で熱交換を行わせるためのものである。」（段落【００１９】−【００２０】）
　・記載事項イ５　「【００３２】また、制御装置２９は、冷却手段による冷却の度合いやヒータ４による加熱の度合いだけでなく、ウエハＷを温度変化させる際の温度変化速度（温度勾配）、具体的には降温速度や昇温速度をも調整するものとなっている。すなわち、この制御装置２９は、単に設定温度（所望温度）だけでなく温度変化速度（温度勾配）、具体的には１秒あたりに何℃降温させる、あるいは昇温させる、といったように設定されると、予め設定されたウエハＷの温度（所望温度）との差、およびウエハステージ１全体の熱容量やウエハＷの熱容量、さらに拡散チャンバー１１の熱容量等から、前記冷却手段およびヒータ４の両方あるいは一方のみを予め実験や計算によって決定された度合いで機能させ、初期温度から別に設定された所望温度までの間、設定された温度変化速度でウエハＷを降温しあるいは昇温させるのである。・・・（中略）・・・
【００３３】・・・（中略）・・・また、制御装置２９によって冷却手段による冷却の度合いとヒータ４による加熱の度合いとを調整するすることにより、ウエハＷの温度を所定の温度勾配で変化させ得るようにしたので、この制御装置２９を動作させることにより、例えばステップ毎の処理を異なる温度で行う場合に、ステップ間の温度変更を行う際、その温度勾配、すなわち昇温速度あるいは降温速度を所望する速度にすることができる。」（段落【００３２】−【００３３】）
　・記載事項イ６　「【００４０】・・・（中略）・・・第１に、第１ステップでのウエハ温度である５０℃から出発し、２５秒間で−２０℃に至るように、すなわち約−７０／２５〔℃／ｓｅｃ〕の速度（温度勾配）で降温しつつ、エッチング処理を行う。・・・（中略）・・・ここで、ウエハ温度調整については、前記第１ステップの場合と同様にヒータ４による加熱と冷却手段による冷却とを併用するとともに、予め設定した降温速度（温度勾配）となるように制御装置２９で加熱および冷却の度合いを調整し、ウエハ温度を調整した。・・・」（段落【００４０】）
　・記載事項イ７　「【００４７】・・・（中略）・・・第１に、第１ステップでのウエハ温度である１００℃から出発し、４０秒間で０℃に至るように、すなわち約−１００／４０〔℃／ｓｅｃ〕の速度（温度勾配）で降温しつつ、エッチング処理を行う。・・・（中略）・・・ここで、ウエハ温度調整についても、先の第１の具体例の場合と同様に、ヒータ４による加熱と冷却手段による冷却とを併用するとともに、予め設定した降温速度（温度勾配）となるように制御装置２９で加熱および冷却の度合いを調整し、ウエハ温度を調整した。・・・」（段落【００４７】）
　・記載事項イ８　「【００５３】本発明のドライエッチング装置は、金属製ジャケットから誘電体への熱伝導を速やかにしたことにより、ウエハステージ上に保持される試料の温度を速やかに変化させ得るようにしたものであるから、例えばエッチング処理を複数のステップに分け、これらステップ毎の処理を異なる温度で行う場合に、ステップ間での温度変更を短時間で行うことができ、これにより、スループットを大きく低下させることなく、これらのエッチング処理を行うことができる。
【００５４】また、試料の温度を所定の温度勾配で変化させるよう冷却手段による冷却の度合いとヒータによる加熱の度合いとを調整する制御手段が設けられているので、この制御手段を動作させることにより、例えば前述したようにステップ毎の処理を異なる温度で行う場合に、ステップ間の温度変更を行う際、その温度勾配、すなわち昇温速度あるいは降温速度を所望する速度にすることができ、したがって、前記のドライエッチング処理方法を容易かつ確実に実施することができる。・・・」（段落【００５３】−【００５４】）
　
　上記記載事項イ６には、ウエハ温度が、約−７０／２５〔℃／ｓｅｃ〕の速度（温度勾配）で降温すること、すなわち、毎秒約２．８℃の温度変化を可能とすることが、上記記載事項イ７には、ウエハ温度が、約−１００／４０〔℃／ｓｅｃ〕の速度（温度勾配）で降温すること、すなわち、毎秒約２．５℃の温度変化を可能とすることが記載されている。ウエハ温度を上述のように変化させるためには、ウエハを支持する静電チャックの温度が、毎秒少なくとも１℃の温度変化が可能となるよう構成されていることは明らかである。
　よって、これら記載事項イ１ないしイ８によれば、刊行物２には、次の事項（以下、「刊行物２事項」という。）が記載されている。
　「スループットの向上やエッチングの進行の不均一性に影響を及ぼさないようにするために、一のステップのエッチング処理とこれに続くステップのエッチング処理とを異なる温度で行うものにおいて、ステップ間の温度変更を、静電チャックが毎秒少なくとも１℃の温度変化を可能にするように構成されているウエハステージ。」
　
　（２）対比
　ア．本件補正発明と刊行物発明とを対比すると、その構成又は機能等からみて、刊行物発明における「プラズマ加工機のチャック」、「ワーク」、「温度制御型ベース」、「プラズマエッチング作業」、「熱インピーダンス断熱層として機能する断熱材」、「静電チャックのクランプ電極」、「加熱ゾーン」、「加熱要素」、「ヒーター」、「信号を出力」、「センサから受ける」、「設定された温度」は、それぞれ、本件補正発明における「プラズマ処理装置用のチャック」、「加工物」、「温度制御式ベース」、「プラズマ加工」、「断熱材料の層」、「静電気チャック電極（ＥＳＣ）」、「加熱領域」、「「加熱素子」及び「平面加熱素子」」、「加熱器」、「信号を送信」、「センサから受信」、「セットポイント」に相当する。
　刊行物発明における「支持体」は、上記記載事項ア５より、慣用ディスク、あるいは、ベースに接合された薄いディスクなのであるから、その形状が平坦なものであることは明らかである。
　また、刊行物発明における「プラズマエッチング作業を受け、上記プラズマエッチング作業が上記ワークに、ワークの周縁部が非常に熱くなる等、温度分布を生じ」ることは、本件補正発明における「プラズマ加工を受け、上記プラズマ加工が上記加工物に温度の非均一性を引き起」こすことに相当することは明らかであり、同様に、刊行物発明において、ヒーターが、「上記平支持体内に埋設するか、または、上記平支持体の下面上に取り付けられ」ることが、本件補正発明において、加熱器が、「上記平坦支持体に結合され」る形態に相当することは明らかである。
　さらに、刊行物発明において、「コントローラは、ワーク支持体の表面を横切る空間温度分布を制御」すること、「誘導ヒータ、加熱ランプ、熱電モジュール等」からなる「各加熱要素の出力を制御する」こと、及び、「温度制御型ベース」が「温度を維持する」ことは、それぞれ、本件補正発明における「コントローラは、径方向温度勾配を誘発」すること、「各平面加熱素子の電力を調整する」こと、及び、「温度制御式ベース」を「一定温度に維持」することに相当することも、明らかである。
　ここで、上記記載事項ア３には、ガスとウェーハ材料との化学反応がウェーハの温度に関係し、一般的なプラズマエッチング作業において、ウェーハ表面を横切る温度が大きく変化する場合、ウェーハ表面の材料のエッチングの有害な不均一性が容易に生じること、製造される集積回路デバイスが、望まれる規格から外れないようにするために、エッチングは、ほぼ完全な度合いまで均一であることが望まれていること、従来、エッチング中のウェーハの温度を制御する種々の試みがなされていること、が記載されており、刊行物発明は、それらを踏まえた上で、ワーク支持体の表面を横切る空間温度分布を制御する（上記記載事項ア４参照。）のであるから、刊行物発明におけるチャックの温度制御は、ワーク全体にわたってほぼ均一なエッチング結果を達成するようになされるものであると認められる。
　そして、上記記載事項ア５には、ベースプレートの温度を維持するため、外部クーラント冷却器のクーラントの温度が−２０℃であることが記載され、また、上記記載事項ア７には、ベースの温度がすなわちクーラント温度であり、当該温度が、慣用装置よりも約２０℃低く設定されていることが記載されていることから、刊行物発明においては、ベース温度を−２０℃程度の温度にするものと理解され、このことは、本件補正発明において温度制御型ベースを「２０℃以下の」一定温度に維持することに相当する。
　
　イ．一致点
　以上を踏まえ、両者の一致点を本件補正発明の用語を用いて記載すると、次のとおりである。
　「プラズマ処理装置用のチャックであって、
　加工物の所望温度以下の温度を有する温度制御式ベースを含み、上記加工物は、プラズマ加工を受け、上記プラズマ加工が上記加工物に温度の非均一性を引き起し、
　上記ベースの上に配置された断熱材料の層と、
　上記断熱材料の層の上に配置され、上記加工物を保持するための、静電気チャック電極（ＥＳＣ）を有する平坦支持体と、
　上記平坦支持体に結合され、上記平坦支持体の複数の加熱領域に対応する複数の加熱素子を含む加熱器と、を含み、
　上記加熱素子は、上記プラズマ加工中、上記加工物全体にわたってほぼ均一なエッチング結果を達成するように独立に加熱され、
　上記複数の加熱領域に対応する複数のセンサを更に含み、各センサは、上記領域の温度を測定し且つ対応する加熱領域の温度を表す信号を送信し、
　上記信号を上記センサから受信するように構成されたコントローラを更に含み、該コントローラは、径方向温度勾配を誘発して、加熱領域毎にセットポイントに基づいて各平面加熱素子の電力を調整するように構成され、
　上記温度制御式ベースは、２０℃以下の一定温度に維持される、上記チャック。」
　
　ウ．相違点
　そして両者は次の点で相違する。
　［相違点］
　本件補正発明においては、平坦支持体の厚み、加熱器の電力密度、及び断熱材料の層の熱抵抗は、平坦支持体に毎秒少なくとも１℃の温度変化を可能にし、局所的な反応物濃度の変化を補償するように、マルチステップエッチング中、各平面加熱素子の電力を調整すると特定されているのに対し、刊行物発明においては、そのような特定がない点。
　　
　（３）相違点についての判断
　上記記載事項ア３及びア４には、ガスとウェーハ材料との化学反応がウェーハの温度に関係し、一般的なプラズマエッチング作業において、ウェーハ表面を横切る温度が大きく変化する場合、ウェーハ表面の材料のエッチングの有害な不均一性が容易に生じること、製造される集積回路デバイスが、望まれる規格から外れないようにするために、エッチングは、ほぼ完全な度合いまで均一であることが望まれていること、均一性を確保するために、エッチング中のウェーハの温度を制御するよう試みることが記載されている。
　そもそも、一般に、処理ガスをウェーハ中央上部から導入する、周知のプラズマエッチング装置においては、エッチングの不均一が、ガスの濃度分布やウェーハの温度分布等により生じること、ウェーハ中央部とウェーハ周縁部とでは、反応ガスの濃度が異なること等は、プラズマエッチングを行う技術分野において周知の技術的事項である（必要であれば、特開平４−３６０５２６号公報（段落【０００８】、【００１２】参照。）、登録実用新案第３０１０４４３号公報（段落【０００６】、【００２２】参照。）、特開平９−３６０５２号公報（段落【００１３】参照。）、特開平７−３０７３３４号公報（段落【００２７】、【００３１】参照。）等参照。）。
　当該周知の技術的事項を踏まえ、刊行物発明において、エッチングの均一性を確保する制御手段である、ウェーハの温度を制御する際に、エッチングの不均一を引き起こすガスの濃度分布も考慮して制御することは、当業者が通常の創作能力をもって採用することにすぎない。
　
　ここで、エッチングステップ間で温度変更を行うもの、すなわち、マルチステップエッチングを行うものはよく知られており、そのようなマルチステップエッチングを行うものにおいて、ウエハを支持する部材が、毎秒少なくとも１℃の温度変化を可能にするように構成されているものは、上記刊行物２事項にあるように、既に公知である。
　（なお、エッチングステップ間で温度変更を行うものにおいて、毎秒少なくとも１℃の温度変化を可能にするように構成されているものは、周知の技術的事項であるとさえいえる（必要であれば、米国特許第６７０５３９４号明細書（第１欄第１７−２５行、第５欄第３７−５５行等参照。）、特開平１０−２５６３５９号公報（段落【０００２】、【００３２】−【００３４】等参照。）、特表２００３−５２６９２１号公報（段落【０００２】、【０００５】、【００１４】−【００１７】等参照。）、特開平９−２６０４７４号公報（段落【０００９】、【００３０】−【００３８】等参照。）等参照。）。）
　
　なお、上記記載事項ア７に記載されるように、刊行物発明は、支持体を通りベースに入る熱流速Ｑ２、ヒータにより供給される熱流速Ｑ３、断熱材を通る温度ΔＴを考慮して、ウェーハの温度Ｔ１が所望の温度となるように制御するのであり、支持体の厚みや支持体の素材等が熱流速Ｑ２に関係するパラメータであること、ヒーターへ供給する電力やヒータの電気抵抗値等、すなわち、ヒータにおける電力密度やヒータの素材等が熱流速Ｑ３に関係するパラメータであること、熱インピーダンス断熱層として機能する断熱材の熱伝導率等、すなわち、断熱層の熱抵抗等が温度ΔＴに関係するパラメータであることは、いずれも、当業者が当然考慮すべきことであるから、刊行物発明において、ウェーハの温度を所望の温度とする制御が可能とするような、支持体の厚み、ヒータの電力密度、断熱層の熱抵抗を選択することは、当業者が当然に採用する構成であるといえる。　
　
　以上より、刊行物２事項及び周知の技術的事項を踏まえれば、刊行物発明において上記相違点に係る本件補正発明の発明特定事項を採用することは、当業者が格別の創作能力を要さずになし得たことである。
　
　そして、本件補正発明により、刊行物発明、刊行物２事項及び周知の技術的事項からみて格別顕著な効果が奏されるものでもない。
　
　したがって、本件補正発明は、刊行物発明、刊行物２事項及び周知の技術的事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
　（４）小括
　以上のとおり、本件補正は、改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明
　１　本件補正は、上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成２３年８月１１日付け手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項より特定される、「第２　１」の請求項１のとおりのものである。
　
　２　刊行物の記載事項及び刊行物発明
　原査定の拒絶の理由に引用された刊行物及びその記載事項並びに刊行物発明は、前記「第２　４（１）」に記載したとおりである。
　
　３　対比・判断
　本願発明と刊行物発明とを対比すると、その構成又は機能等からみて、前記「第２　４（３）」に記載したと同様の相当関係がある。
　また、本願発明は、前記「第２　２」に本件補正後の発明として記載した発明、すなわち本件補正発明から、「、上記温度制御式ベースは、２０℃以下の一定温度に維持され」との限定事項を省き、本件補正発明における「局所的な反応物濃度」を「局部リアクタント濃度」としたものである。
　ここで、本願発明における「局部リアクタント濃度」を本件補正発明における「局所的な反応物濃度」とした補正は、上記「第２　３」において述べたとおり、明りようでない記載の釈明を目的とするものであったから、本件補正発明における「局所的な反応物濃度」は本願発明における「局部リアクタント濃度」に相当するものであることは明らかである。
　そうすると、本願発明の発明特定事項をすべて含み、さらに、他の発明特定事項を付加したものに相当する本件補正発明が、前記「第２　４（３）」に記載したとおり、刊行物発明、刊行物２事項及び周知の技術的事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も同様に、刊行物発明、刊行物２事項及び周知の技術的事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　４　むすび
　以上のとおり、本願発明は、刊行物発明、刊行物２事項及び周知の技術的事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
   したがって、本願は、他の請求項について検討するまでもなく、拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。