【事件の表示】
　特願２００９−５２４６５１「広範囲で誘発されるナノ構造物の組立て」拒絶査定不服審判事件〔平成２０年　８月　７日国際公開、ＷＯ２００８／０９４２１３、平成２２年　１月１４日国内公表、特表２０１０−５００９３１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続きの経緯
　本願は、平成１９年８月１３日（パリ条約による優先権主張、２００６年８月１５日、２００７年７月５日、米国）を国際出願日とする出願であって、平成２４年５月２２日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年９月２７日に審判請求がなされたものである。
　
第２　本願発明
　本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、その特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、次のとおりのものと認める。
　「表面を有する基板と、
　それぞれが第１の端部および第２の端部を有し、それぞれの前記第１の端部が前記表面に取り付けられる、複数のナノ構造物と、
を含み、
　前記複数のナノ構造物の前記第２の端部の少なくとも一部分が互いに向かって曲げられ、それぞれが２つ以上のナノ構造物を含む２つ以上の同じような構成のクランプを形成する、
装置。」
　
第３　刊行物に記載された発明
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先日前に頒布された刊行物である、特開２００６−１９６３６４号公報（以下「引用例１」という。）には、以下の記載がある。
　
（１）「【０００２】
　カーボンナノチューブのように、直径に対する長さの比が大きい針状の導電性物質は、電場中において先端の曲率半径が小さいために、先端において大きな電界集中がおこなわれる。そのために、比較的低い電場の下で大きな放出電流を与える電界電子放出素子として機能させることができる。それゆえカーボンナノチューブを利用した電界電子放出素子の開発が進められている。」
（２）「【０００６】
　他に、円錐状物質としてのカーボンナノチューブが密に成長・凝集し、自己組織化された状態で得られたカーボンナノチューブ集合体配列膜を用いる方法が知られている（特許文献１参照）。」
（３）「【０００７】
　しかしながら、上記電子ビーム露光による方法はコストがかかる上に、ドットのサイズの大きさに制限があり、直径１０ｎｍ以下のパターンニングは困難である。ＣＶＤ成長したカーボンナノチューブの直径は触媒のドットのサイズと相関関係があり、この方法においては電界集中に有利な直径10nm以下のカーボンナノチューブを用いることができない。ポリスチレン球を敷き詰めたものをマスクとして触媒金属を真空蒸着することにより、より低コストで触媒のドットの平均間隔を制御してパターニングをおこなえるが、直径の小さなドットのパターニングは困難である。」
（４）「【００１０】
　本発明は上記の問題点を解決すべくなされたもので、カーボンナノチューブのような針状導電体を基板上に配置した電界電子放出素子において、各々の針状導電体の先端において効果的に電界集中がおこなわれるように、カーボンナノチューブおよびカーボンナノチューブの束の位置と形状の制御をおこなうことにより、低い電圧において大きな放出電流を得る電界電子放出素子および、その作製方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
　上記の課題を解決するために本発明の電界電子放出素子は、基板上に形成された陰極配線と、前記陰極配線上にその一方の端が接着するように形成された複数の繊維状炭素と、前記陰極配線に対向する位置に配置される陽極とを具備し、複数の前記繊維状炭素の他方の端がそれぞれ先鋭に集合していることを特徴とする。」
（５）「【００１７】
　図１は本発明の実施例の電界電子放出素子の断面図である。この素子では、共通のゲート電極７に開けられた穴の中に、電界放出がおこなわれる複数のチィップが存在する構造になっている。この構造においては、ティップの先端での曲率半径を小さくすることのみならず、チィップの高さとと基板面内方向の平均間隔を調節することが、ティップ先端での電界集中を高めるために重要である。本発明の素子作製の方法で、これらの観点で最適
な素子を形状を制御つつ作製することが可能であることを以下に説明する。
【００１８】
　図１において、基板１上には厚さ3μmの絶縁層６が形成されている。本実施例においては、石英ガラス製の基板を用いた。基板には、他の耐熱性のガラスの他、シリコン単結晶基板、サファイア単結晶基板、ＭｇＯ単結晶基板などを用いても良い。後でおこなうカーボンナノチューブの成長温度に耐える耐熱性の表面が平滑な基板であれば利用可能である。
【００１９】
　この絶縁層６はその一部が開口されており、ガラス基板１表面が一部露出している。この露出したガラス基板１上には、図１に示す１００ｎｍ程度の厚さのチタン膜からなる金属のカソード線１０が配線されている。その上に、５０ｎｍ程度の厚さのＣｏ−Ｎｉ合金からなる触媒膜２があり、触媒膜２の上を介して先端が先鋭化したカーボンナノチューブの束から構成されているティップ４が形成されている。このカーボンナノチューブの束からなるティップ４を構成するカーボンナノチューブは、本実施例では直径５０ｎｍ程度の多層カーボンナノチューブを用いたが、単層カーボンナノチューブを用いても構わない。これらのカーボンナノチューブの先端には1×109V/m以上の電界を発生させることが可能である。酸化膜６上にはゲート電極７が形成されており、複数のエミッタ電極４の上部の部分において開口されている。触媒膜２は、1〜２μm四方程度の大きさのパターンであり、これらの複数の触媒膜のパターンが一つの開口部の中に存在する。
【００２０】
　カーボンナノチューブの束の底辺に相当する領域は、触媒膜のパターニングにより制御ずることができる。従って、隣接する触媒膜の間隔を制御することにより、先鋭なカーボンナノチューブの束の先端の間隔を適度に疎らにすることができるため、結果としてそれぞれのカーボンナノチューブの束の先端での電界集中を高めて、低い引出し電圧で複数のカーボンナノチューブの束の先端から引き出されるエミッション電流の総和を大きくすることができる。
【００２１】
　図２は図１のカーボンナノチューブの束の一つの走査型電子顕微鏡写真である。図２に示すように、先鋭な先端を持つカーボンナノチューブの束が複数個形成される。写真のカーボンナノチューブの束を構成する１個の多層カーボンナノチューブの直径は約５０ｎｍ、である。
【００２２】
　次に、図１の、先鋭化したカーボンナノチューブ束を利用した３端子型電界電子放出素子の作製手順について、図３を用いて説明する。図３は本発明のカーボンナノチューブの製造方法のフローチャートである。
【００２３】
　まず、図３のＳ１に示すように、基板上にカーボンナノチューブのカソード線層、触媒金属層からなる触媒膜をスパッタ法により成膜する。本実施例では、カソード配線を兼ねた密着層として１００ｎｍ程度の厚さのチタン、触媒金属層として５０ｎｍ程度のＣｏ―Ｎｉ合金を用いた。その他、触媒金属層としてはカーボンナノチューブの気相成長に用いることができる他の触媒を利用しても良い。例えば、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉの鉄属の合金や、Ｌａ、Ｙなどの希土類、あるいはＰｔ、Ｐｄなどの貴金属などや、それらの合金などが触媒となり得る物質として知られている。そして、成膜後に図３のS２に示すように、フォトリソグラフィーなどで触媒膜のパターニングを行う。次に、図３のＳ３に示すように、マイクロ波プラズマＣＶＤ法により、垂直に配向したカーボンナノチューブを成長させる。成長に用いたガスはメタンと水素であり、７００℃で７分間の成長を行う。この成長により、長さ３μmのカーボンナノチューブが形成される。
【００２４】
　カーボンナノチューブ成長後、図３のＳ４に示すように、基板上に垂直配向したカーボンナノチューブをトルエン液中に１２０秒間浸した後に、基板を引き上げ、図３のＳ５に示すように、６０℃でホットプレート上でカーボンナノチューブを乾燥させると、その過程において、隣接するカーボンナノチューブ同士が寄り添うように集合し、図２のような、その先端が先鋭に集合したカーボンナノチューブが形成される。」
（６）「【００４９】
　次に、本発明における、基板上に垂直に配向して成長した多層カーボンナノチューブの束を先鋭化させて作製したティップを用いたゲート電極付電界電子放出素子の製造方法について説明する。
【００５０】
　作製の手順を、図１４から図２４に示す模式図に示す。
【００５１】
　まず図１４に示すように、石英基板１０１上に、カソード線の材料となるＴａ（厚さ５０ｎｍ）をスパッタリングにより堆積する。これをＣＦ4による反応性イオンエッチングによりカソード配線パターン１０２に加工する。加工後、ＰＧＭＥＡ(propyleneglycol monomethyl ether acetate)により希釈したノボラック系フォトレジストに、逆ミセル法により作製した直径２ｎｍから５ｎｍのＰｄの粒子を分散させ、これをスピンコート法により塗布し、下地層１０４を形成する。
【００５２】
　次に図１５に示すように、フォトリソグラフィによる露光・現像により下地層１０４をパターニングすることにより、カソード配線パターン１０２上にＰｄ粒子を分散させたレジストからなる５μｍ×５μｍの領域のパターンを形成する。その後、図１６に示すように、石英基板１０１を酸素中で６００℃にプラズマ加熱することで、下地層１０４のレジストを酸化分解させ、Ｐｄの粒子のみからなる触媒膜１０３を石英基板１０１上に形成する。
【００５３】
　次に図１７に示すように、触媒膜１０３上に高周波プラズマＣＶＤ法により基板に垂直に配向したカーボンナノチューブ１０５を成長させる。高周波プラズマＣＶＤ法を用いた本プロセスにおいては、水素ガスとメタンガスが原料ガスとしてＣＶＤチャンバー内に供給され、その流量比は８２．５：１７．５であった。プラズマの入力電力は２００Ｗ、圧力は２３０Ｐａで２０分間カーボンナノチューブの成長を行った。成長したカーボンナノチューブ１０５の長さは約５μm、直径（外形）は約２０ｎｍであった。
【００５４】
　次に成長したカーボンナノチューブ１０５の先端をトルエン中に１分浸した後、６０℃に加熱したホットプレート上で１０分間乾燥させることにより、図１８に示すようにカーボンナノチューブ１０５の束の先端を先鋭化させ、エミッタのティップを形成する。」
（７）「【図３】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
（８）「【図１８】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
　
　上記各記載事項を含む引用例１全体の記載及び当業者の技術常識を総合すると、引用例１には以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
「基板上に形成された陰極配線と、前記陰極配線上にその一方の端が接着するように形成された複数の繊維状炭素と、前記陰極配線に対向する位置に配置される陽極とを具備し、複数の前記繊維状炭素の他方の端がそれぞれ先鋭に集合している電界電子放出素子であって、
　隣接する触媒膜の間隔をパターニングにより制御することにより、カーボンナノチューブおよびカーボンナノチューブの束の位置と形状の制御をおこない、
　隣接するカーボンナノチューブ同士が寄り添うように集合した構成の複数のチィップを有する、
電界電子放出素子。」
　
第４　対比・判断
１．対比
　本願発明と引用発明を対比する。
（１）引用発明の「陰極配線」、「基板」、「一方の端」、「他方の端」、「繊維状炭素」及び「電界電子放出素子」は、それぞれ本願発明の「表面」、「基板」、「第１の端部」、「第２の端部」、「ナノ構造物」及び「装置」に相当する。
（２）引用発明の「隣接するカーボンナノチューブ同士が寄り添うように集合した構成の複数のチィップ」は、本願発明の「複数のナノ構造物の前記第２の端部の少なくとも一部分が互いに向かって曲げられ、それぞれが２つ以上のナノ構造物を含む」「クランプを形成する」構成に相当する。
　
　してみると両者は、
「表面を有する基板と、
　それぞれが第１の端部および第２の端部を有し、それぞれの前記第１の端部が前記表面に取り付けられる、複数のナノ構造物と、
を含み、
　前記複数のナノ構造物の前記第２の端部の少なくとも一部分が互いに向かって曲げられ、それぞれが２つ以上のナノ構造物を含むクランプを形成する、
装置。」
の点で一致し、以下の点で相違している。
　
（相違点）
　形成するクランプが、本願発明は「２つ以上の同じような構成」であるのに対して、引用発明はどのような構成であるのか不明な点。
　
２．判断
　上記相違点について検討する。
　本願発明における「同じような構成」の指し示す技術的意味は必ずしも明確ではないものの、本願明細書の段落【００１３】の「本明細書で使用される「同じような構成」という用語は、クランプ１４０が、当技術分野で見られるような不規則なナノ構造物のクランプではなく、互いに概して類似性を有する（例えば、同数のナノ構造物を含む、ある程度類似した形状を有するなど）ように意図的に形成される（例えば、非自明）、ことを意味する。」の記載を参酌すれば、「ある程度類似した形状を有するように意図的に形成されること」を意味するものと認められる。
　一方、引用例１の上記各摘記事項を参酌すれば、引用発明の「隣接するカーボンナノチューブ同士が寄り添うように集合した構成の複数のチィップ」がある程度類似した形状を有するものであることは明らかである。
　そして、当該構成は、「カーボンナノチューブおよびカーボンナノチューブの束の位置と形状の制御をおこない」形成されているから、意図的に形成されることも明らかである。
　さらに、本願明細書及び図面の記載と引用例１の記載を参酌する限りにおいて、本願発明及び引用発明において、クランプを形成する際に「ある程度類似した形状を有するように意図的に形成される２つ以上の同じような構成のクランプ」とすることに格別の差異があるとは認められない。
　してみると、引用発明に上記相違点に係る構成を採用することは、当業者が容易になしうる事項である。
　
（本願発明の効果）
　そして、本願発明の効果も引用発明から当業者が予測し得る範囲のものであって格別なものではない。
　
３．小括
　したがって、本願発明は、引用発明に基き当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
第５　むすび  
　以上のとおり、本願発明は特許を受けることができないから、本願の他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。