【事件の表示】
　特願２００６−３００８１２「太陽電池及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１９年　５月３１日出願公開、特開２００７−１３４３２８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１８年１１月６日（パリ条約による優先権主張、２００５年１１月１１日、韓国）の出願であって、平成２２年６月１８日付けで拒絶理由が通知され、同年９月２１日付けで手続補正がされ、平成２３年８月３０日付けで拒絶査定がなされ、平成２４年１月６日に拒絶査定に対する審判請求がなされると共に手続補正がされ、同年４月２５日付けで前置報告がなされ、これに基づく審尋が同年５月１６日付けで発せられたところ、平成２４年８月１６日に回答書が提出されたものである。
　
第２　平成２４年１月６日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）についての補正却下の決定
【補正却下の決定の結論】
　本件補正を却下する。
　
【理由】
１．本件補正の内容
　本件補正は、平成２４年１月６日付けで補正された特許請求の範囲の
「【請求項１】
　基板；
　前記基板に形成される電極；及び
　前記電極に形成される光吸収層；
を含み、
　前記電極と前記光吸収層の間に両者に対する接触面積を平坦面に比して増大させる形状の接触面積増大部が形成され、
　前記電極の表面粗度自乗平均値が３８ｎｍ乃至１２８０ｎｍであることを特徴とする太陽電池。」を、
「【請求項１】
　基板；
　前記基板に形成される電極；及び
　前記電極に形成される光吸収層；
を含み、
　前記電極と前記光吸収層の間に両者に対する接触面積を平坦面に比して増大させる形状の接触面積増大部が形成され、
　前記電極の表面粗度自乗平均値が７０ｎｍ乃至１２８０ｎｍであることを特徴とする太陽電池。」とするもの（以下、「補正事項ａ」という）を含むものである。
　
２．当審の判断
（１）本件補正は、限定的減縮を目的としていると認める。 
　そこで、当該補正後の請求項１に係る発明（以下、「本願補正後発明」という。）が独立して特許を受けることができるものであるか否かについて、以下に検討する。 
（２）刊行物１（特開２００５−８５４６８号公報：原査定における引用文献１）の記載事項
１−１
　「【請求項１】
導電層、色素により増感された半導体ナノ粒子層、電荷輸送層及び対極を有する光電変換素子において、前記導電層面がナノサイズの細孔を有し、前記半導体ナノ粒子層面の半導体ナノ粒子が前記細孔に嵌りつつ接触していることを特徴とする光電変換素子。」
　
１−２
　「【０００６】
  本発明者は鋭意研究の結果、導電層、色素により増感された半導体ナノ粒子層、電荷輸送層及び対極を有する光電変換素子において、前記導電層面がナノサイズの細孔を有し、前記半導体ナノ粒子層面の半導体ナノ粒子が前記細孔に嵌りつつ接触している光電変換素子は、光電変換性能を劣化させることなく、かつ、耐久性に優れていることを見出した。」
　
１−３
　「【０００９】
  （導電層）
  導電層は・・・導電層及び基板の複層からなる。・・・複層の場合は、半導体ナノ粒子層（以下、感光層ともいう）側に導電材料を含む導電層を有する基板を使用することができる。」
　
１−４
　「【００１３】
  （導電層面のナノサイズの細孔）
  導電層面にナノサイズの細孔を設けるのは、半導体粒子から導電層への電子の流れの効率を高めるためにできるだけ界面の表面積を大きくするためであるが、開口率、即ち、導電層に対して垂直方向の細孔の投影面積が全表面積に占める割合が１０〜９６％であることが好ましい。細孔の数が少く、開口率が１０％未満では電子の流れの効率への寄与が少なく、９６％以上では細孔の秩序性が破壊されて電子の流れの効率が低下して好ましくない。本発明におけるナノサイズの細孔は、形状が半球状で開口部の平均直径が１〜９００ｎｍの大きさで、１０〜７００ｎｍが好ましく、特に１５〜５００ｎｍが好ましい。」
　
１−５
　「【００２９】
  図１で（ａ）は従来の、（ｂ）は本発明のそれぞれ半導体ナノ粒子層面の半導体ナノ粒子と導電層面の接触状態を示す断面図である。（ａ）では半導体ナノ粒子層面の半導体ナノ粒子が導電層面に「点」で接触しているのに対し、（ｂ）では半導体ナノ粒子層面の半導体ナノ粒子が導電層面の細孔に嵌りつつ「面」で接触しており、本発明では半導体ナノ粒子と導電層面との接触界面の面積が大きいことが明らかで、従って本発明では半導体ナノ粒子から導電層への電子の流れの効率が高い。」
　
１−６
　「【００６２】
  〔色素を吸着したＴｉＯ2電極の作製〕
  （比較の導電層（細孔無し））
  フッ素をドープした酸化錫をコーティングした導電性ＰＥＮ（面積抵抗１０Ω／□、２５ｍｍ×２５ｍｍ）の導電面側に二酸化チタン層（膜厚８０ｎｍ）を形成した。・・・。
【００６３】
  （本発明の導電層（細孔有り））
  比較導電層と同様に作製した・・・。
【００６４】
  （導電層面の細孔化）
  電解液は、塩酸１質量％水溶液、液温３５℃であった。交流電源波形は電流値がゼロからピークに達するまでの時間が０．５ｍｓｅｃ、周波数は表１に記載した種類を採用した。台形の矩形波交流を用いて、カーボン電極を対極として電気化学的な細孔化処理を行った。電流密度は電流のピーク値で５０ｍＡ／ｄｍ2、電気量は細孔の開口率が８０％±１０になるまで通電した（ほぼ５０〜３００クーロン／ｄｍ2）。その後、スプレーによるメタノール水洗を行った。細孔の確認は原子間顕微鏡にて行った。細孔径及び深さの測定結果を表１に示す。細孔を形成した導電層上に半導体ナノ粒子層を形成させた。」
　
１−７
　「【００６８】
  （光電変換素子の作製）
  ・・・電極と電荷輸送層との組み合わせは表１に示す。」
　
１−８
【表１】
　
（３）刊行物１に記載された発明について
　刊行物１には、「導電層、色素により増感された半導体ナノ粒子層、電荷輸送層及び対極を有する光電変換素子において、前記導電層面がナノサイズの細孔を有し、前記半導体ナノ粒子層面の半導体ナノ粒子が前記細孔に嵌りつつ接触していることを特徴とする光電変換素子」に関して（１−１）、前記導電層について、「導電層及び基板の複層からなる」こと、その場合「半導体ナノ粒子層（以下、感光層ともいう）側に導電材料を含む導電層を有する基板を使用する」ことが記載され（１−３）、前記導電層面のナノサイズの細孔について、「半導体ナノ粒子から導電層への電子の流れの効率を高めるためにできるだけ界面の表面積を大きくする」ためのものであって、当該界面が「半導体ナノ粒子層面の半導体ナノ粒子と導電層面との接触」界面であることが記載されている（１−４、１−５）。
　また、「電極と電荷輸送層との組み合わせは表１に示す。」と記載され（１−７）、表１には「導電層」、「半導体組成」、「電荷輸送層」の項目があり、「半導体組成」と「電荷輸送層」が電極でないことは明らかであるから、前記「導電層」は、「電極」といえるものである。
　
　したがって、刊行物１には、以下の発明が記載されていると認められる。
　
「基板、
前記基板と複層をなす導電層（電極）
前記導電層に接する半導体ナノ粒子層（感光層）、
を含み、
前記導電層は、前記半導体ナノ粒子層との界面に、半導体ナノ粒子から導電層への電子の流れの効率を高めるために表面積を大きくするためのナノサイズの細孔を有する
光電変換装置」
　
（４）対比・判断
ア．対比
　刊行物１発明の「基板と複層をなす導電層（電極）」、「導電層に接する半導体ナノ粒子層（感光層）」は、本願補正後発明の「基板に形成される電極」、「電極に形成される光吸収層」に相当し、刊行物１発明の導電層が「前記半導体ナノ粒子層との界面に、半導体ナノ粒子から導電層への電子の流れの効率を高めるために表面積を大きくするためのナノサイズの細孔を有する」ことは、本願補正後発明の「電極と前記光吸収層の間に両者に対する接触面積を平坦面に比して増大させる形状の接触面積増大部が形成され」ていることに相当する。
　そうすると、両者は、「基板；
　前記基板に形成される電極；及び
　前記電極に形成される光吸収層；
を含み、
　前記電極と前記光吸収層の間に両者に対する接触面積を平坦面に比して増大させる形状の接触面積増大部が形成された太陽電池。」で一致している。
　しかしながら、本願発明では、電極の表面粗度自乗平均値が７０ｎｍ乃至１２８０ｎｍであるのに対し、刊行物１発明では、これが明らかでない点（相違点）で相違する。
　
イ．判断
　刊行物１には、刊行物１発明の具体例として、導電層上に形成された細孔の深さが６０ｎｍや６１ｎｍで細孔の開口率が８０％±１０であるものが記載されており（１−６、１−８）、表面粗度自乗平均値とは、深さの二乗を平均したものであるから、刊行物１発明の表面粗度自乗平均値は、本願発明のそれとほぼ同じ程度のものであるばかりでなく、「ナノサイズの細孔は、形状が半球状で開口部の平均直径が１〜９００ｎｍの大きさ」であって（１−４）、細孔の深さも９００ｎｍまでは含まれるから、刊行物１発明は、本願発明の表面粗度自乗平均値と重複するものを優に含み得ると解するのが相当である。
　そうすると、上記相違点は、実質的な相違点ではないというべきである。
　仮にそうでないとしても、刊行物１発明において、「導電層面にナノサイズの細孔を設けるのは、半導体粒子から導電層への電子の流れの効率を高めるためにできるだけ界面の表面積を大きくするためである」から（１−４、１−２）、半導体粒子から導電層への電子の流れの効率をより高めるためには、表面粗度自乗平均値をより高めることは合理的に推考できる。
　そうすると、刊行物１発明において、導電層上に形成された細孔の深さが６０ｎｍや６１ｎｍで同じあること及び「ナノサイズの細孔は、形状が半球状で開口部の平均直径が１〜９００ｎｍの大きさ」であること（１−４、１−６）から、表面粗度自乗平均値を７０ｎｍ乃至１２８０ｎｍとすることは、当業者が容易に推及できることというべきである。
　なお、請求人が主張するように（平成２４年３月１日付けの手続補正書第３頁）、仮に、刊行物１発明の細孔径の深さが単純な平均値であるとしても、表面粗度自乗平均値＝単純な平均値＋σx2であり、単純な平均値は、表面粗度自乗平均値より小さくなるのだから、単純な平均値である６０ｎｍや６１ｎｍの細孔の深さを表面粗度自乗平均値に変換すれば、より大きい値となり、結論に消長をきたさない。
　よって、上記相違点は、当業者が適宜成し得る設計的事項にとどまる。
　また、本願補正後発明の効果についても（【００１１】）、「導電層面にナノサイズの細孔を設けるのは、半導体粒子から導電層への電子の流れの効率を高めるためにできるだけ界面の表面積を大きくするためである」（１−４）、「本発明では半導体ナノ粒子と導電層面との接触界面の面積が大きいことが明らかで、従って本発明では半導体ナノ粒子から導電層への電子の流れの効率が高い」（１−５）の記載に照らし、刊行物１発明の作用効果に比し格別に顕著であるとはいえない。
　
　したがって、本願補正後発明は、刊行物１発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、又は刊行物１発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、独立して特許を受けることができない。 
　
　よって、補正事項ａを含む本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第５項に違反するものであるから、特許法第１５９条第１項で読み替えて準用する特許法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 
　
第３　本願発明について
１．本願発明
　平成２４年１月６日付けの手続補正は、上記第２に記載したとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明は、平成２２年９月２１日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。
「【請求項１】
　基板；
　前記基板に形成される電極；及び
　前記電極に形成される光吸収層；
を含み、
　前記電極と前記光吸収層の間に両者に対する接触面積を平坦面に比して増大させる形状の接触面積増大部が形成され、前記電極の表面粗度自乗平均値が３８ｎｍ乃至１２８０ｎｍであることを特徴とする太陽電池。」
（以下、「本願発明」という。）。
　
２．原査定の理由の概要
　
　引用文献１（刊行物１　特開２００５−８５４６８号公報）には、細孔化処理によって細孔を形成した導電層上に半導体ナノ粒子層を形成した色素電池が記載され、細孔として、細孔径６０ｎｍで細孔深さ６０ｎｍのものが記載されている（引用文献１の【００２９】、【００６４】、【００７０】等参照）。
　そうしてみると、引用文献１記載の発明の細孔は、本願発明の接触面積増大部に相当し、引用文献１記載の発明の細孔の径や深さからみて、引用文献１記載の発明の表面粗度自乗平均値は、本願発明のそれと重複していると認められる。
　したがって、本願発明は、引用文献１に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、あるいは、引用文献１に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
３．刊行物の記載事項
　「第２　２．（２）」で記載したものと同じである。
　
４．刊行物１に記載された発明について
　「第２　２．（３）で記載したものと同じである。
　
４．対比・判断
　本願発明は、本願補正後発明の上位概念に相当する発明であるから、本願補正後発明が刊行物１発明である、又は刊行物１発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである以上、本願発明も刊行物１発明である、又は刊行物１発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
第３　結論
　以上のとおり、本願発明は、刊行物１発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、又は刊行物１発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　そうすると、請求項２から１０については検討するまでもなく、原査定は妥当である。
　よって、結論のとおり審決する。