【事件の表示】
　特願２００４−３２０２４３「ポリシリコン膜の形成方法、その方法で形成されたポリシリコン膜を備える薄膜トランジスタおよびその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年　６月　２日出願公開、特開２００５−１４２５６７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１６年１１月４日（パリ条約による優先権主張２００３年１１月４日、大韓民国）の出願であって、平成２３年６月２２日付けの拒絶理由通知に対して、同年９月２７日に手続補正書及び意見書が提出されたが、平成２４年４月５日付けで拒絶査定がなされ、それに対して、同年８月１０日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同日に手続補正がなされ、その後、同年１１月１９日付けで審尋がなされ、平成２５年２月１８日に回答書が提出されたものである。
　
２．補正の却下の決定
【補正の却下の決定の結論】
　平成２４年８月１０日になされた手続補正を却下する。
　
【理由】
（１）補正の内容
　平成２４年８月１０日になされた手続補正（以下「本件補正」という。）は、補正前の特許請求の範囲の請求項１ないし４６を、補正後の特許請求の範囲の請求項１ないし４６に補正するものであって、補正前後の請求項１、１１、２１、３０及び４０は、以下のとおりである。
　
（補正前）
　「【請求項１】
　基板と、
　前記基板上に積層された第１熱伝導膜と、
　前記第１熱伝導膜上の一部に積層された、前記第１熱伝導膜より熱伝導度の低い第２熱伝導膜と、
　前記第２熱伝導膜と前記第２熱伝導膜の両側の前記第１熱伝導膜上に積層されたポリシリコン膜と、
　前記第２熱伝導膜を覆う前記ポリシリコン膜上に積層されたゲート積層物と、を備え、
　前記ポリシリコン膜は、
　第１熱伝導膜とこの膜より熱伝導度の低い第２熱伝導膜とを含む下部膜を形成する第１段階と、
　前記第１熱伝導膜上に前記第２熱伝導膜を覆う非晶質シリコン膜を形成する第２段階と、
　前記非晶質シリコン膜を結晶化する第３段階と、を含む工程により形成される
　ことを特徴とする薄膜トランジスタ。」
「【請求項１１】
　基板と、
　前記基板上に互いに離隔して形成された複数の第１熱伝導膜と、
　前記複数の第１熱伝導膜相互の間の前記基板上に形成された前記第１熱伝導膜より熱伝導度の低い第２熱伝導膜と、
　前記第２熱伝導膜および前記第２熱伝導膜に隣接した前記第１熱伝導膜上に積層されたポリシリコン膜と、
　前記第２熱伝導膜上に形成された前記ポリシリコン膜上に積層されたゲート積層物と、を備える
　ことを特徴とする薄膜トランジスタ。」
「【請求項２１】
　基板上に第１熱伝導膜を形成する第１段階と、
　前記第１熱伝導膜の所定領域上に前記第１熱伝導膜より熱伝導度の低い第２熱伝導膜を形成する第２段階と、
　前記第１熱伝導膜上に前記第２熱伝導膜を覆う非晶質シリコン膜を形成する第３段階と、
　前記非晶質シリコン膜をポリシリコン膜に変化させる第４段階と、
　前記第２熱伝導膜上に形成された前記ポリシリコン膜上にゲート積層物を形成する第５段階と、を含む
　ことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。」
「【請求項３０】
　基板上に第１熱伝導膜を形成する第１段階と、
　前記第１熱伝導膜の一部を前記第１熱伝導膜より熱伝導度の低い第２熱伝導膜に代替する第２段階と、
　前記第１熱伝導膜上に前記第２熱伝導膜を覆う非晶質シリコン膜を形成する第３段階と、
　前記非晶質シリコン膜をポリシリコン膜に変化させる第４段階と、
　前記第２熱伝導膜を覆う前記ポリシリコン膜上にゲート積層物を形成する第５段階と、を含む
　ことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。」
「【請求項４０】
　第１熱伝導膜とこの膜より熱伝導度の低い第２熱伝導膜とを含む下部膜を形成する第１段階と、
　前記第１熱伝導膜上に前記第２熱伝導膜を覆う非晶質シリコン膜を形成する第２段階と、
　前記非晶質シリコン膜を結晶化する第３段階と、を含む
　ことを特徴とするポリシリコン膜の形成方法。」
　
（補正後）
「【請求項１】
　基板と、
　前記基板上に積層された第１熱伝導膜と、
　前記第１熱伝導膜上の一部に積層された、前記第１熱伝導膜より熱伝導度の低い第２熱伝導膜と、
　前記第２熱伝導膜と前記第２熱伝導膜の両側の前記第１熱伝導膜上に積層されたポリシリコン膜と、
　前記第２熱伝導膜を覆う前記ポリシリコン膜上に積層されたゲート積層物と、を備え、
　前記ポリシリコン膜は、
　第１熱伝導膜とこの膜より熱伝導度の低い第２熱伝導膜とを含む下部膜を形成する第１段階と、
　前記第１熱伝導膜上に前記第２熱伝導膜を覆う非晶質シリコン膜を形成する第２段階と、
　前記非晶質シリコン膜を結晶化する第３段階と、を含む工程により形成され、
　前記ポリシリコン膜は、前記第１熱伝導膜の少なくとも一表面と、前記第１熱伝導膜に隣接する前記第２熱伝導膜の少なくとも一表面と、の上に直接接触して形成され、ソース領域とドレイン領域とを含む
　ことを特徴とする薄膜トランジスタ。」
「【請求項１１】
　基板と、
　前記基板上に互いに離隔して形成された複数の第１熱伝導膜と、
　前記複数の第１熱伝導膜相互の間の前記基板上に形成された前記第１熱伝導膜より熱伝導度の低い第２熱伝導膜と、
　前記第２熱伝導膜および前記第２熱伝導膜に隣接した前記第１熱伝導膜上に積層されたポリシリコン膜と、
　前記第２熱伝導膜上に形成された前記ポリシリコン膜上に積層されたゲート積層物と、を備え、
　前記ポリシリコン膜は、前記第１熱伝導膜の少なくとも一表面と、前記第１熱伝導膜に隣接する前記第２熱伝導膜の少なくとも一表面と、の上に直接接触して形成され、ソース領域とドレイン領域とを含む
　ことを特徴とする薄膜トランジスタ。」
「【請求項２１】
　基板上に第１熱伝導膜を形成する第１段階と、
　前記第１熱伝導膜の所定領域上に前記第１熱伝導膜より熱伝導度の低い第２熱伝導膜を形成する第２段階と、
　前記第１熱伝導膜上に前記第２熱伝導膜を覆う非晶質シリコン膜を形成する第３段階と、
　前記非晶質シリコン膜をポリシリコン膜に変化させる第４段階と、
　前記第２熱伝導膜上に形成された前記ポリシリコン膜上にゲート積層物を形成する第５段階と、を含み、
　前記ポリシリコン膜は、前記第１熱伝導膜の少なくとも一表面と、前記第１熱伝導膜に隣接する前記第２熱伝導膜の少なくとも一表面と、の上に直接接触して形成され、ソース領域とドレイン領域とを含む
　ことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。」
「【請求項３０】
　基板上に第１熱伝導膜を形成する第１段階と、
　前記第１熱伝導膜の一部を前記第１熱伝導膜より熱伝導度の低く第２熱伝導膜に代替する第２段階と、
　前記第１熱伝導膜上に前記第２熱伝導膜を覆う非晶質シリコン膜を形成する第３段階と、
　前記非晶質シリコン膜をポリシリコン膜に変化させる第４段階と、
　前記第２熱伝導膜を覆う前記ポリシリコン膜上にゲート積層物を形成する第５段階と、を含み、
　前記ポリシリコン膜は、前記第１熱伝導膜の少なくとも一表面と、前記第１熱伝導膜に隣接する前記第２熱伝導膜の少なくとも一表面と、の上に直接接触して形成され、ソース領域とドレイン領域とを含む
　ことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。」
「【請求項４０】
　第１熱伝導膜とこの膜より熱伝導度の低い第２熱伝導膜とを含む下部膜を形成する第１段階と、
　前記第１熱伝導膜上に前記第２熱伝導膜を覆う非晶質シリコン膜を形成する第２段階と、
　前記非晶質シリコン膜を結晶化する第３段階と、を含み、
　前記ポリシリコン膜は、前記第１熱伝導膜の少なくとも一表面と、前記第１熱伝導膜に隣接する前記第２熱伝導膜の少なくとも一表面と、の上に直接接触して形成され、ソース領域とドレイン領域とを含む
　ことを特徴とするポリシリコン膜の形成方法。」
　
（２）新規事項追加の有無及び補正の目的の適否についての検討
　本件補正は、補正前の請求項１、１１、２１、３０及び４０に係る発明の発明特定事項である「ポリシリコン膜」について、「前記第１熱伝導膜の少なくとも一表面と、前記第１熱伝導膜に隣接する前記第２熱伝導膜の少なくとも一表面と、の上に直接接触して形成され、ソース領域とドレイン領域とを含む」と限定的に減縮する事項を付加する補正であり、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項（以下「特許法第１７条の２第４項」という。）第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そして、「前記第１熱伝導膜の少なくとも一表面と、前記第１熱伝導膜に隣接する前記第２熱伝導膜の少なくとも一表面と、の上に直接接触して形成され、ソース領域とドレイン領域とを含む」という事項は、本願の願書に最初に添付した明細書（以下「当初明細書」という。また、本願の願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面を「当初明細書等」という。）の【００３３】段落及び図１等の記載に基づくものであって、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入しないものであり、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項（以下「特許法第１７条の２第３項」という。）に規定された新規事項の追加禁止の要件を満たしている。
　
（３）独立特許要件について
（３−１）はじめに
　上記（２）において検討したとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものであるから、本件補正が、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項（以下「特許法第１７条の２第５項」という。）において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか否かについて、検討する。
　
（３−２）補正後の請求項１に係る発明
　本件補正による補正後の請求項１ないし４６に係る発明は、平成２４年８月１０日になされた手続補正により補正された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし４６に記載されている事項により特定されるとおりのものであって、そのうちの補正後の請求項１に係る発明（以下「補正後の発明」という。）は、その特許請求の範囲の請求項１に記載されている事項により特定される上記２．（１）の補正後の請求項１として記載したとおりのものである。
　
（３−３）引用刊行物に記載された発明
（３−３−１）原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先権主張の日前である平成１３年２月２３日に日本国内において頒布された刊行物である特開２００１−５３２８５号公報（以下「引用刊行物」という。）には、図２、３、５、６及び８とともに、以下の事項が記載されている。なお、下線は、当合議体において付加したものである（以下同様。）。
　
「【００２１】
【発明の実施の形態】
[実施形態１]本発明の実施形態を図２を用いて説明する。図２（Ａ）において、基板５０１にはバリウムホウケイ酸ガラスやアルミノホウケイ酸ガラスなどの無アルカリガラス基板を用いる。
【００２２】
この基板５０１のＴＦＴを形成する表面に、透光性でかつ絶縁性を有し、熱伝導性の優れる熱伝導層５０２を形成する。熱伝導層５０２の厚さは５０〜５００nmとし、熱伝導率は１０Wm
-1
K
-1
以上であることが必要である。
「【００２４】
この上に第１の絶縁層５０３を形成する。第１の絶縁層の熱伝導率は１０Wm
-1
K
-1
未満である材料を用いる。このような材料として、酸化シリコン膜や窒化シリコン膜などを選択することができるが、好ましくは酸化窒化シリコン膜で形成すると良い。
【００２５】
第１の絶縁膜５０３は、図２（Ｂ）に示すようにエッチングして島状またはストライプ状に形成する。
島状に形成した第１の絶縁膜５０４、５０５の大きさは適宣決定されるものである。
少なくともＴＦＴのチャネル形成領域の位置と大きさに合わせて第１の絶縁層５０４、５０５を形成することにより、この上に形成される結晶質半導体膜の一つの結晶粒でチャネル形成領域を形成することが可能となる。
【００２６】
次に、２５〜８０nm（好ましくは３０〜６０nm）の厚さで非晶質構造を有する半導体膜５０６を、プラズマＣＶＤ法やスパッタ法などの公知の方法で形成する。
【００２７】
そして、レーザーアニール法を使用して非晶質半導体膜５０６を結晶化させる。
「【００３３】
レーザーアニール法では、照射するレーザービームの条件を最適なものとすることにより、結晶核の発生密度と、その結晶核からの結晶成長を制御している。領域Ａは加熱と冷却の温度変化が比較的おだやかなものとなるため、領域Ａにある半導体膜５０８はその中心から結晶粒が成長し、第１の絶縁層５０４、５０５上のほぼ全面に渡って単一の結晶粒を成長させることができる。一方、領域Ｂは急激に冷却されることにより、領域Ｂにある半導体膜５０７は小さな結晶粒しか成長しないので、複数の結晶粒が集合した構造となる。このようにして、結晶粒の位置を制御した結晶質半導体膜を形成することができる。
「【００３５】
[実施形態２]図３に示す実施形態は、実施形態１と同様に基板５０１上に熱伝導層５０２を形成し、第１の絶縁層５０４、５０５を形成する。その後、熱伝導層および第１の絶縁層上に第２の絶縁層５１１を形成する。第２の絶縁層は第１の絶縁層と同様に酸化窒化シリコン膜で形成すると良い。第２の絶縁層５１１上には実施形態１と同様な手順により、島状半導体層５０９、５１０を形成する。
【００３６】
第２の絶縁層５１１はその膜厚を変化させることで、半導体膜から基板への熱が拡散する速度を制御することができる。
「【００４５】
【実施例】
［実施例１］本実施例では、ｎチャネル型ＴＦＴとｐチャネル型ＴＦＴでなるＣＭＯＳ回路の作製工程を図５と図６を用いて説明する。
【００４６】
図５（Ａ）において、基板１０１にはコーニング社の#７０５９ガラスや#１７３７ガラス基板などに代表されるバリウムホウケイ酸ガラスやアルミノホウケイ酸ガラスなどを用いる。
この基板１０１のＴＦＴを形成する表面に、透光性と絶縁性を有する熱伝導層１０２を少なくとも１層形成する。
【００４７】
そして、この上にプラズマＣＶＤ法でＳｉＨ
4
、Ｎ
2
Ｏから作製する酸化窒化シリコン膜を５０〜５００nmの厚さで形成し、フッ化水素（ＨＦ）やフッ化水素アンモニウム（ＮＨ
4
ＨＦ
2
）を含む溶液で部分的にエッチングして、島状に第１の絶縁膜１０３、１０４を形成する。
【００４８】
島状に形成した第１の絶縁膜１０３、１０４の大きさは、後の工程で活性層とすべく形成する島状半導体層の大きさと同じかそれよりも若干大きく形成する。もしくは、ＴＦＴのチャネル形成領域の大きさと同じか若干大きくする。
【００４９
】さらに、プラズマＣＶＤ法でＳｉＨ
4
、Ｎ
2
Ｏから作製する酸化窒化シリコン膜から成る第２の絶縁層１０５を形成する。
第２の絶縁層は実施形態１で示すように省略することもできる。
【００５０】
次に、２５〜８０nm（好ましくは３０〜６０nm）の厚さで非晶質構造を有する半導体層を、プラズマＣＶＤ法やスパッタ法などの公知の方法で形成する。
【００５１】
そして、実施形態１〜３に記載したいずれかの方法を選択し、結晶質半導体膜（ここでは結晶質シリコン膜）を形成し、エッチング処理をして島状半導体層１０７、１０８ａを形成する。
島状半導体層１０７、１０８ａはそれぞれ単一の結晶粒から成るものであり、エッチングによりパターン形成したものは実質的に単結晶とみなすことができた。
「【００５６】
ゲート絶縁膜１１３はプラズマＣＶＤ法またはスパッタ法を用い、膜厚を４０〜１５０nmとしてシリコンを含む絶縁膜で形成する。
【００５７
】図５（Ｅ）に示すように、ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成するために導電層を成膜する。
【００５８】導電層（Ａ）１１４は１０〜５０nm（好ましくは２０〜３０nm）とし、導電層（Ｂ）１１５は２００〜４００nm（好ましくは２５０〜３５０nm）とすれば良い。本実施例では、導電層（Ａ）１１４に３０nmの厚さのＴａＮ膜を、導電層（Ｂ）１１５には３５０nmのＴａ膜を用い、いずれもスパッタ法で形成した。ＴａＮ膜はＴａをターゲットとしてスパッタガスにＡｒと窒素との混合ガスを用いて成膜した。ＴａはスパッタガスにＡｒを用いた。また、これらのスパッタガス中に適量のＸｅやＫｒを加えておくと、形成する膜の内部応力を緩和して膜の剥離を防止することができる。α相のＴａ膜の抵抗率は２０μΩcm程度でありゲート電極に使用することができるが、β相のＴａ膜の抵抗率は１８０μΩcm程度でありゲート電極とするには不向きであった。ＴａＮ膜はα相に近い結晶構造を持つので、この上にＴａ膜を形成すればα相のＴａ膜が容易に得られた。尚、図示しないが、導電層（Ａ）１１４の下に２〜２０nm程度の厚さでリン（Ｐ）をドープしたシリコン膜を形成しておくことは有効である。これにより、その上に形成される導電膜の密着性向上と酸化防止を図ると同時に、導電層（Ａ）または導電層（Ｂ）が微量に含有するアルカリ金属元素がゲート絶縁膜１１３に拡散するのを防ぐことができる。いずれにしても、導電層（Ｂ）は抵抗率を１０〜５００μΩcmの範囲ですることが好ましい。
【００５９】
次に、所定のパターンのフォトレジストマスクを形成し、導電層（Ａ）１１４と導電層（Ｂ）１１５とを一括でエッチングしてゲート電極１１６、１１７を形成する。
「【００６１】
次いで、ｐチャネル型ＴＦＴを形成する島状半導体層１０７にソース領域およびドレイン領域とする不純物領域１１９を形成する。ここでは、ゲート電極１１６をマスクとしてｐ型を付与する不純物元素を添加し、自己整合的に不純物領域を形成する
「【００６７】
こうして図６（Ｅ）に示すように、基板１０１上に、ｎチャネル型ＴＦＴ１５１とｐチャネル型ＴＦＴ１５０とを完成させることができた。ｐチャネル型ＴＦＴ１５０には、島状半導体層１０７にチャネル形成領域１５２、ソース領域１５３、ドレイン領域１５４を有している。
「【００６９】
このようにして作製されたｐチャネル型ＴＦＴ１５０とｎチャネル型ＴＦＴ１５１とは、チャネル形成領域が単一の結晶粒、即ち単結晶で形成されている。
【００７０】
[実施例２]本実施例は図８を用い、実施例１で作製したＴＦＴに対し、下地層を異なる形態で作製するものについて説明する。図８で示すＴＦＴ断面構造は、実施例１の作製手順に従って形成されるものであり、ここでは、実施例１との差異について示す。
「【００７２】
図８（Ｂ）は第１の絶縁層１３４、１３５の大きさが島状半導体層１０７、１０８よりも相対的に小さくしたものである。第１の絶縁層上における結晶粒は大粒形化するが、このときチャネル形成領域１５２、１５５をこの部分に位置させると、チャネル形成領域内に結晶粒界を無くすことも可能である。
　
（３−３−２）まず、引用刊行物の［実施例１］に記載された「ＣＭＯＳ回路」における「ｐチャネル型ＴＦＴ」に着目する。
　
（３−３−３）［実施の形態１］の段落【００２２】の「この基板５０１のＴＦＴを形成する表面に、透光性でかつ絶縁性を有し、熱伝導性の優れる熱伝導層５０２を形成する。熱伝導層５０２の・・・熱伝導率は１０Wm-1K-1以上であることが必要である。このような材料として、・・・酸化窒化アルミニウム（ＡｌＮxＯ1-x：０．０２≦ｘ≦０．５）を用いても良いし、」及び段落【００４５】の「・・・熱伝導層１０２を少なくとも１層形成する。ここでは、酸化窒化アルミニウム（ＡｌＮxＯ1-x：０．０２≦ｘ≦０．５）を５０〜５００nmの厚さで形成する。」という記載から、［実施例１］に記載された「熱伝導層１０２」の熱伝導率が「１０Wm-1K-1以上」であることは明らかである。
　
（３−３−４）［実施の形態１］の段落【００２４】の「この上に第１の絶縁層５０３を形成する。第１の絶縁層の熱伝導率は１０Wm-1K-1未満である材料を用いる。このような材料として、・・・好ましくは酸化窒化シリコン膜で形成すると良い。」という記載及び[実施例１]の段落【００４７】の「そして、この上にプラズマＣＶＤ法でＳｉＨ4、Ｎ2Ｏから作製する酸化窒化シリコン膜を５０〜５００nmの厚さで形成し、フッ化水素（ＨＦ）やフッ化水素アンモニウム（ＮＨ4ＨＦ2）を含む溶液で部分的にエッチングして、島状に第１の絶縁膜１０３、１０４を形成する。・・・」という記載から、［実施例１］に記載された「第１の絶縁膜１０３」及び「第２の絶縁層１０５」の熱伝導率が、ともに１０Wm-1K-1未満であることは明らかである。
　
（３−３−５）［実施の形態１］の段落【００２６】の「次に、２５〜８０nm（好ましくは３０〜６０nm）の厚さで非晶質構造を有する半導体膜５０６を、プラズマＣＶＤ法やスパッタ法などの公知の方法で形成する。・・・」、段落【００２７】の「そして、レーザーアニール法を使用して非晶質半導体膜５０６を結晶化させる。」及び段落【００５１】の「そして、実施形態１〜３に記載したいずれかの方法を選択し、結晶質半導体膜（ここでは結晶質シリコン膜）を形成し、エッチング処理をして島状半導体層１０７、１０８ａを形成する。・・・」との記載から、［実施例１］に記載された「結晶質半導体膜」からなる「島状半導体層１０７」が、「レーザーアニール法」を使用して「非晶質構造を有する半導体層」を「結晶化」させることにより形成されたものであることは明らかである。
　
（３−３−６）そうすると、引用刊行物の[実施例１]には、以下のｐチャネル型ＴＦＴが記載されているものと認められる。
　
　「基板１０１と、
　前記基板１０１の表面に形成され、熱伝導率が１０Wm-1K-1以上である熱伝導層１０２と、
　前記熱伝導層１０２の上に形成され、熱伝導率が１０Wm-1K-1未満である第１の絶縁膜１０３と、
　前記第１の絶縁膜１０３の上に形成され、熱伝導率が１０Wm-1K-1未満である第２の絶縁層１０５と、
　前記第２の絶縁層１０５の上に形成され、結晶質半導体膜からなる島状半導体層１０７と、
　前記結晶質半導体膜からなる島状半導体層１０７の上に形成されたゲート絶縁膜１１３と、
　前記ゲート絶縁膜１１３の上に形成されたゲート電極１１６と、
　前記ゲート電極１１６をマスクとして、前記結晶質半導体膜からなる島状半導体層１０７に不純物元素を添加することにより、自己整合的に形成された不純物領域１１９からなるソース領域およびドレイン領域とからなり、
　前記結晶質半導体膜からなる島状半導体層１０７は、
　前記熱伝導層１０２の上に前記第１の絶縁膜１０３を形成し、
　前記第１の絶縁膜１０３の上に前記第２の絶縁層１０５を形成し、
　前記第２の絶縁層１０５の上に非晶質構造を有する半導体層を形成し、
　レーザーアニール法を使用して前記非晶質構造を有する半導体層を結晶化させることにより形成されたものである
　ｐチャネル型ＴＦＴ。」
　
（３−３−７）次に、「実施例１で作製したＴＦＴに対し、下地層を異なる形態で作製するもの」（段落【００７０】）である[実施例２]の図８（Ｂ）に記載された「ＣＭＯＳ回路」における「ｐチャネル型ＴＦＴ」（図中左側のＴＦＴ）に着目する。
　
（３−３−８）段落【００７２】の「図８（Ｂ）は第１の絶縁層１３４、１３５の大きさが島状半導体層１０７、１０８よりも相対的に小さくしたものである。第１の絶縁層上における結晶粒は大粒形化するが、このときチャネル形成領域１５２、１５５をこの部分に位置させると、チャネル形成領域内に結晶粒界を無くすことも可能である。」という記載を参照すると、図８（Ｂ）に記載された「ｐチャネル型ＴＦＴ」において、「第１の絶縁層１３４」は、「熱伝導層」上の一部に積層されており、「第２の絶縁層」は、「第１の絶縁層１３４」と前記「第１の絶縁層１３４」の両側の「熱伝導層」上に積層されていることが見て取れる。そして、段落【００３３】の「レーザーアニール法では、照射するレーザービームの条件を最適なものとすることにより、結晶核の発生密度と、その結晶核からの結晶成長を制御している。領域Ａは加熱と冷却の温度変化が比較的おだやかなものとなるため、領域Ａにある半導体膜５０８はその中心から結晶粒が成長し、第１の絶縁層５０４、５０５上のほぼ全面に渡って単一の結晶粒を成長させることができる。一方、領域Ｂは急激に冷却されることにより、領域Ｂにある半導体膜５０７は小さな結晶粒しか成長しないので、複数の結晶粒が集合した構造となる。このようにして、結晶粒の位置を制御した結晶質半導体膜を形成することができる。」という記載を参照すると、図８（Ｂ）に記載された「ｐチャネル型ＴＦＴ」において、「第１の絶縁層１３４」の上方における結晶粒は、大粒形化し、前記「第１の絶縁層１３４」の両側の「熱伝導層」の上方における結晶粒は、小さな結晶粒しか成長せず、これらの結晶粒は、全体として、「結晶質半導体膜からなる島状半導体層」を形成しているものと認められる。
　
（３−３−９）そうすると、引用刊行物の［実施例２］の図８（Ｂ）には、以下の発明（以下「刊行物発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
「基板と、
　前記基板の表面に形成され、熱伝導率が１０Wm-1K-1以上である熱伝導層と、
　前記熱伝導層上の一部に形成され、熱伝導率が１０Wm-1K-1未満である第１の絶縁層１３４と、
　前記第１の絶縁層１３４と前記第１の絶縁層１３４の両側の前記熱伝導層上に積層され、熱伝導率が１０Wm-1K-1未満である第２の絶縁層と、
　前記第２の絶縁層の上に形成され、結晶質半導体膜からなる島状半導体層と、
　前記結晶質半導体膜からなる島状半導体層の上に形成されたゲート絶縁膜と、
　前記ゲート絶縁膜の上に形成されたゲート電極と、
　前記ゲート電極をマスクとして、前記結晶質半導体膜からなる島状半導体層に不純物元素を添加することにより、自己整合的に形成された不純物領域からなるソース領域およびドレイン領域とからなり、
　前記結晶質半導体膜からなる島状半導体層は、
　前記熱伝導層の上に前記第１の絶縁層を形成し、
　前記第１の絶縁層の上に前記第２の絶縁層を形成し、
　前記第２の絶縁層の上に非晶質構造を有する半導体層を形成し、
　レーザーアニール法を使用して前記非晶質構造を有する半導体層を結晶化させることにより形成されたものである
　ｐチャネル型ＴＦＴ。」
　
（３−４）対比
（３−４−１）刊行物発明の「熱伝導率が１０Wm-1K-1以上である熱伝導層」及び「熱伝導率が１０Wm-1K-1未満である第１の絶縁層１３４」は、各々補正後の発明の「第１熱伝導膜」及び「前記第１熱伝導膜より熱伝導度の低い第２熱伝導膜」に相当する。
　
（３−４−２）刊行物発明の「結晶質半導体膜からなる島状半導体層」は、補正後の発明の「ポリシリコン膜」に相当する。
　
（３−４−３）刊行物発明の「ゲート絶縁膜」及び「前記ゲート絶縁膜の上に形成されたゲート電極」は、全体として補正後の発明の「ゲート積層物」に相当する。
　
（３−４−４）刊行物発明の「ｐチャネル型ＴＦＴ」は、補正後の発明の「薄膜トランジスタ」に相当する。
　
（３−４−５）そうすると、補正後の発明と刊行物発明とは、
「基板と、
　前記基板上に積層された第１熱伝導膜と、
　前記第１熱伝導膜上の一部に積層された、前記第１熱伝導膜より熱伝導度の低い第２熱伝導膜と、
　ポリシリコン膜と、
　前記ポリシリコン膜上に積層されたゲート積層物と、を備え、
　前記ポリシリコン膜は、
　第１熱伝導膜とこの膜より熱伝導度の低い第２熱伝導膜とを含む下部膜を形成する第１段階と、
　非晶質シリコン膜を形成する第２段階と、
　前記非晶質シリコン膜を結晶化する第３段階と、を含む工程により形成され、
　ソース領域とドレイン領域とを含む
　ことを特徴とする薄膜トランジスタ。」
である点で一致し、次の４点で相違する。
　
（相違点１）補正後の発明では、「ポリシリコン膜」は、「前記第２熱伝導膜と前記第２熱伝導膜の両側の前記第１熱伝導膜上に積層され」ているのに対し、刊行物発明では、「結晶質半導体膜からなる島状半導体層」について、そのような特定がなされていない点。
　
（相違点２）補正後の発明では、「ポリシリコン膜」が「第２熱伝導膜を覆う」のに対して、刊行物発明の「結晶質半導体膜からなる島状半導体層」について、そのような特定がなされていない点。
　
（相違点３）補正後の発明では、「前記第１熱伝導膜上に前記第２熱伝導膜を覆う非晶質シリコン膜を形成する」のに対し、刊行物発明では、「非晶質構造を有する半導体層を形成」する際に、そのような特定がなされていない点。
　　
（相違点４）補正後の発明では、「前記ポリシリコン膜は、前記第１熱伝導膜の少なくとも一表面と、前記第１熱伝導膜に隣接する前記第２熱伝導膜の少なくとも一表面と、の上に直接接触して形成され」ているのに対し、刊行物発明では、「結晶質半導体膜からなる島状半導体層」について、そのような特定がなされていない点。
　
（３−５）判断
　以下、相違点１ないし４について、検討する。
　
　引用刊行物の［実施例１］の段落【００４９】には、「さらに、プラズマＣＶＤ法でＳｉＨ4、Ｎ2Ｏから作製する酸化窒化シリコン膜から成る第２の絶縁層１０５を形成する。・・・第２の絶縁層は実施形態１で示すように省略することもできる。」と記載されており、引用刊行物において、「実施例１で作製したＴＦＴに対し、下地層を異なる形態で作製するもの」（段落【００７０】）である[実施例２]の図８（Ｂ）に記載された「ＣＭＯＳ回路」における「ｐチャネル型ＴＦＴ」、すなわち、刊行物発明においても、「第２の絶縁層」の形成を省略できるものといえる。
　そうすると、刊行物発明において、「前記第１の絶縁層１３４と前記第１の絶縁層１３４の両側の前記熱伝導層上に積層された熱伝導率が１０Wm-1K-1未満である第２の絶縁層」の形成を省略した場合には、
（ア）刊行物発明において、「結晶質半導体膜からなる島状半導体層」は、「前記第１の絶縁層１３４と前記第１の絶縁層１３４の両側の前記熱伝導層上に形成され」ることから、補正後の発明のように、「前記第２熱伝導膜と前記第２熱伝導膜の両側の前記第１熱伝導膜上に積層されたポリシリコン膜」という構成を有し（「相違点１」に対応）、
（イ）その結果、「結晶質半導体膜からなる島状半導体層」は、「第１の絶縁層１３４」を覆うことから、補正後の発明のように、「前記第２熱伝導膜を覆う前記ポリシリコン膜」という構成を有し（「相違点２」に対応）、
（ウ）刊行物発明において、「前記第１の絶縁層の上に」「非晶質構造を有する半導体層を形成」することから、補正後の発明のように、「前記第１熱伝導膜上に前記第２熱伝導膜を覆う非晶質シリコン膜を形成する」構成を有し（「相違点３」に対応）、
（エ）刊行物発明において、「結晶質半導体膜からなる島状半導体層」は、「前記第１の絶縁層１３４」の一表面と、「前記第１の絶縁層１３４」に隣接する「前記熱伝導層上に」直接接触して形成されることから、補正後の発明のように、「前記ポリシリコン膜は、前記第１熱伝導膜の少なくとも一表面と、前記第１熱伝導膜に隣接する前記第２熱伝導膜の少なくとも一表面と、の上に直接接触して形成され」る構成を有している（「相違点４に対応」）ものと認められ、相違点１ないし４は、実質的なものでない。
　また、仮に、実質的なものでないとまではいえないとしても、刊行物発明において、「前記第１の絶縁層１３４と前記第１の絶縁層１３４の両側の前記熱伝導層上に積層された熱伝導率が１０Wm-1K-1未満である第２の絶縁層」の形成を省略することにより、補正後の発明の構成とすることは、当業者が必要に応じて、適宜なし得たことである。
　よって、相違点１ないし４は、実質的なものでないか、仮に実質的なものでないとまではいえないとしても、当業者が容易になし得た範囲に含まれる程度のものである。
　
（３−６）独立特許要件についてのまとめ
　以上検討したとおり、補正後の発明と刊行物発明との相違点は、実質的なものでないか、当業者が容易に想到し得た範囲に含まれる程度のものにすぎず、補正後の発明は、引用刊行物に記載された発明であり、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許出願の際独立して特許を受けることができず、仮にそうでないとしても、引用刊行物に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
（４）補正の却下についてのむすび
　本件補正は、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする補正を含むものであるが、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないものである。
　したがって、本件補正は、特許法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
３．本願発明
　平成２４年８月１０日になされた手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし４６に係る発明は、平成２３年９月２７日になされた手続補正により補正された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし４６に記載されている事項により特定されるとおりのものであって、そのうちの請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、その特許請求の範囲の請求項１に記載されている事項により特定される上記２．（１）の補正前の請求項１として記載したとおりのものである。
　
４．刊行物に記載された発明
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された刊行物には、上において検討したとおり、上記２．（３−３−１）に記載したとおりの事項及び（３−３−９）で認定したとおりの発明（刊行物発明）が記載されているものと認められる。
　
 ５．判断
　上記２．（２）において検討したとおり、補正後の請求項１に係る発明は、補正前の請求項１に係る発明の発明特定事項である「ポリシリコン膜」について、「前記第１熱伝導膜の少なくとも一表面と、前記第１熱伝導膜に隣接する前記第２熱伝導膜の少なくとも一表面と、の上に直接接触して形成され、ソース領域とドレイン領域とを含む」と限定したものである。逆に言えば本件補正前の請求項１に係る発明（本願発明）は，補正後の発明から上記の限定をなくしたものである。
　そうすると、上記２．（３）において検討したように、補正後の発明が，引用刊行物に記載された発明であり、仮にそうでないとしても、引用刊行物に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、当然に、引用刊行物に記載された発明であり、仮にそうでないとしても、引用刊行物に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものといえる。
　したがって、本願発明は、特許法第２９条第１項第３号に該当し、仮にそうでないとしても、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
６．むすび
　以上のとおりであるから、本願は、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、拒絶をすべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。