【事件の表示】
　特願２００９−２０７２２１「チューナにおける低騒音増幅回路」拒絶査定不服審判事件〔平成２２年　３月２５日出願公開、特開２０１０−　６８５２１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成２１年９月８日（パリ条約による優先権主張２００８年９月８日、韓国）の出願であって、平成２３年１月１７日付けの拒絶理由通知に対して、平成２３年４月２５日付けで手続補正がなされたが、平成２３年１０月１８日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成２４年２月２７日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同日付けで手続補正がなされたものである。
　なお、当審において、平成２４年８月７日付けで前置報告を引用した審尋をしたが、これに対して回答はなされていない。
　
第２　平成２４年２月２７日付けの手続補正についての補正却下の決定
[補正却下の決定の結論]
　平成２４年２月２７日付けの手続補正を却下する。
　
[理由]
１．補正後の本願発明
　平成２４年２月２７日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１は、以下のとおりである。
「【請求項１】
　信号入力端子と信号出力端子との間に取り付けられた高周波増幅トランジスタと、
　前記高周波増幅トランジスタにバイアス電圧として入力される内部電圧を印加する内部電圧入力端子と、
　前記内部電圧入力端子から前記高周波増幅トランジスタに印加されるバイアス電圧のスイッチングを行うことによって、前記高周波増幅トランジスタのバイアスを制御するポートと、
　前記内部電圧入力端子から内部電圧を受信する信号線と、を有し、
　前記内部電圧入力端子は、内部電圧を前記高周波増幅トランジスタのコレクタ端子に印加し、前記ポートは、前記高周波増幅トランジスタのベース端子に接続され、
　前記信号線は、一方の側が、
第１
第２
、
前記信号入力端子と前記高周波増幅トランジスタのベース端子との間および前記信号出力端子と前記高周波増幅トランジスタのコレクタ端子との間には、それぞれ、第３ダイオードおよび第４ダイオードが連結され
　
　上記補正は、請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項について限定を付加するものであって、特許法第１７条の２第５項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本件補正後の前記請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成２３年法律第６３号改正附則第２条第１８項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）否かについて以下に検討する。
　
２．引用文献
　原査定の拒絶の理由に引用された特開２００２−２６１５０１号公報（以下、「引用文献」という。）には、図面とともに次の（１）〜（２）の事項が記載されている。なお、下線は当審が付した。
　
（１）「【００２５】図１に示されるように、
この高周波信号切替回路１は、第１高周波信号路２と、第２高周波信号路３と、入力結合回路４と、高周波信号入力端子５と、高周波信号出力端子６と、電源端子７と、バンドデコーダ（切替電圧供給部）８とからなっている。
【００２６】また、
第１高周波信号路２は、増幅用電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）２
1
 と、第１ダイオード２
2 
と、第２ダイオード２
3 
と、バイアス電圧設定抵抗２
4
 、２
5 
、２
6
 と、ソース抵抗２7 と、バイパスコンデンサ２
8
 と、負荷インダクタ２
9 
と、負荷抵抗２
10
と、バイパスコンデンサ２
11
、２
15
と、直流阻止コンデンサ２
13
、２
17
と、バイアス電圧設定抵抗２
13
、２
14
、２
16
とからなる。第２高周波信号路２は、第３ダイオード２
1 
からなる。
【００２７】そして、
第１高周波信号路２において、増幅用電界効果トランジスタ２
1 
は、ゲートが第１ダイオード２
2
 のアノードとバイアス電圧設定抵抗２
5
 の一端にそれぞれ接続され、ソースがソース抵抗２
7
 とバイパスコンデンサ２
8 
の各一端に接続され、ドレインが負荷インダクタ２
9 
と直流阻止コンデンサ２
13
の各一端に接続される。第１ダイオード２
2
 は、カソードがバイアス電圧設定抵抗２
4 
と入力結合回路４のコンデンサ４
5
 の各一端に接続される。第２ダイオード２
3
 は、アノードがバイアス電圧設定抵抗２
14
の一端に接続され、カソードがバイアス電圧設定抵抗２
16
と直流阻止コンデンサ２
17
の各一端に接続される。
負荷インダクタ２
9
 は、他端が負荷抵抗２
10
の一端に接続される。負荷抵抗２
10
は、他端がバイパスコンデンサ２
11
の一端と電源端子７にそれぞれ接続される。
直流阻止コンデンサ２
17
は、他端が高周波信号出力端子６に接続される。
【００２８】
第２高周波信号路３において、第３ダイオード３
1
 は、アノードが第１ダイオード２
2 
のカソードに接続され、カソードが第２ダイオード２
3
 のカソードに接続される。
電源端子７は、テレビジョンチューナ９の電源端子１６に接続され、バンドデコーダ８は、入力端が電源端子７に接続される。
　
　なお、段落【００２６】の１番目及び２番目の文章に「また、・・・直流阻止コンデンサ
２
13
２
1
２
1
３
1
２
13
２
12
　
（２）「【００３４】この実施の形態においても、始めに、
高周波信号切替回路１を接続したテレビジョンチューナ９を弱電界領域、すなわち受信電界強度が弱い領域で使用するときは、高周波信号切替回路１のバンドデコーダ８を切り替え、その出力端から電源電圧に等しい電圧Ｖ
B
 、例えば５Ｖが出力されるように設定する。このような設定にしたとき、バンドデコーダ８から出力された電圧Ｖ
B
 は、バイアス電圧設定抵抗２
5
 を通して増幅用電界効果トランジスタ２
1
 のゲートに供給され、増幅用電界効果トランジスタ２
1
 を動作状態にする。これと同時に、電圧Ｖ
B
 に基づく電流がバイアス電圧設定抵抗２
5
 と第１ダイオード２
2
 とバイアス電圧設定抵抗２
4
 とを通して接地点に流れ、それにより第１ダイオード２
2 
がオンになり、また、電圧Ｖ
B
 に基づく電流が２つのバイアス電圧設定抵抗２
13
、２
14
と第２ダイオード２
3
 とバイアス電圧設定抵抗２
16
とを通して接地点に流れ、それにより第２ダイオード２
3
 もオンになる。この状態のとき、電源電圧を５Ｖとすると、第３ダイオード３
1
 のアノード電圧、すなわち図１及び図２のＡ点の電圧が２．５Ｖ、第３ダイオード３
1
 のカソード電圧、すなわち図１及び図２のＢ点の電圧が４．６Ｖになるように、それぞれのバイアス電圧設定抵抗２
4
 、２
5
 、２
13
、２
14
、２
16
の各抵抗値を選定すると、電圧Ｖ
B
 がバイアス電圧設定抵抗２
6
 を介して第３ダイオード３
1 
に逆バイアス電圧として加わり、第３ダイオード３
1
 がオフになる。
【００３５】このため、
第１高周波信号路２が能動状態になるのに対して、第２高周波信号路３が非能動状態になり、高周波信号入力端子５に供給された低レベルの高周波信号は、オンしている第１ダイオード２
2
 を通して動作状態にある増幅用電界効果トランジスタ２
1
 に供給され、増幅用電界効果トランジスタ２
1
 で所定レベルまで増幅された後、オンしている第２ダイオード２
3 
を通して高周波信号出力端子６に供給される。一方、このとき、第３ダイオード３
1
 がオフになっているので、高周波信号が第３ダイオード３
1
 を通して高周波信号出力端子６に伝送されることはない。
【００３６】次いで、
高周波信号切替回路１を接続したテレビジョンチューナ９を強電界領域、すなわち受信電界強度が強い領域で使用するときは、高周波信号切替回路１のバンドデコーダ８を切り替え、その出力端から接地電圧に等しい電圧Ｖ
E
 、例えば０Ｖが出力されるように設定する。このような設定にしたとき、バンドデコーダ８から出力された接地電圧Ｖ
E
 は、バイアス電圧設定抵抗２
5
 を通して増幅用電界効果トランジスタ２
1
 のゲートに供給されたとしても、増幅用電界効果トランジスタ２
1
 を動作状態にすることができずに非動作状態にする。これと同時に、接地電圧Ｖ
E
 の供給によっても、バイアス電圧設定抵抗２
5
 と第１ダイオード２
2 
とバイアス電圧設定抵抗２
4 
とを通して接地点に電流が流れず、それにより第１ダイオード２
2
 がオフになる。同じように、接地電圧Ｖ
E 
の供給によっても、２つのバイアス電圧設定抵抗２
13
、２
14
と第２ダイオード２
3
 とバイアス電圧設定抵抗２
16
を通して接地点に電流が流れず、それにより第２ダイオード２
3
もオフになる。この状態のとき、電源端子７からバイアス電圧設定抵抗２
6
 を通して第２ダイオード２
2
 のカソードと第３ダイオード３
1
 のアノードにバイアス電圧が供給され、図１及び図２のＡ点の電圧が１．６Ｖになり、第３ダイオード３
1
 のカソード電圧、すなわち図１及び図２のＢ点の電圧が０．９Ｖになり、第３ダイオード３
1 
に順バイアス電圧が供給され、第３ダイオード３
1
 がオンになる。
　図２（ｂ）には、第３ダイオード３1からなる第３スイッチ１７4が高周波信号入力端子５と高周波信号出力端子６との間を接続することが記載されている。
　
（３）上記（１）〜（２）の記載を総合すれば、引用文献には、以下の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。
「第１高周波信号路２と、第２高周波信号路３と、入力結合回路４と、高周波信号入力端子５と、高周波信号出力端子６と、電源端子７と、バンドデコーダ（切替電圧供給部）８とからなる高周波信号切替回路１であって、
　第１高周波信号路２は、増幅用電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）２1 と、第１ダイオード２2 と、第２ダイオード２3 と、バイアス電圧設定抵抗２4 、２5 、２6 と、ソース抵抗２7 と、バイパスコンデンサ２8 と、負荷インダクタ２9 と、負荷抵抗２10と、バイパスコンデンサ２11、２15と、直流阻止コンデンサ２12、２17と、バイアス電圧設定抵抗２13、２14、２16とからなる。第２高周波信号路２は、第３ダイオード３1 からなり、
　第１高周波信号路２において、増幅用電界効果トランジスタ２1 は、ゲートが第１ダイオード２2 のアノードとバイアス電圧設定抵抗２5 の一端にそれぞれ接続され、ソースがソース抵抗２7 とバイパスコンデンサ２8 の各一端に接続され、ドレインが負荷インダクタ２9 と直流阻止コンデンサ２12の各一端に接続され、第１ダイオード２2 のカソードがバイアス電圧設定抵抗２4 と入力結合回路４のコンデンサ４5 の各一端に接続され、負荷インダクタ２9 は、他端が負荷抵抗２10の一端に接続され、負荷抵抗２10は、他端がバイパスコンデンサ２11の一端と電源端子７にそれぞれ接続され、第２ダイオード２3 は、アノードがバイアス電圧設定抵抗２14の一端に接続され、カソードがバイアス電圧設定抵抗２16と直流阻止コンデンサ２17の各一端に接続され、直流阻止コンデンサ２17の直流阻止コンデンサ２17の他端が高周波信号出力端子６に接続され、
　第２高周波信号路３において、第３ダイオード３1 は、アノードが第１ダイオード２2 のカソードに接続され、カソードが第２ダイオード２3 のカソードに接続され、
　電源端子７は、テレビジョンチューナ９の電源端子１６に接続され、バンドデコーダ８は、入力端が電源端子７に接続され、
　バンドデコーダ８の出力端から電源電圧に等しい電圧ＶBが出力される設定にしたとき、バンドデコーダ８から出力された電圧ＶB は、バイアス電圧設定抵抗２5 を通して増幅用電界効果トランジスタ２1 のゲートに供給され、増幅用電界効果トランジスタ２1 を動作状態にし、第１ダイオード２2 及び第２ダイオード２3 がオンになり、第３ダイオード３1 がオフになり、
　バンドデコーダ８の出力端から接地電圧に等しい電圧ＶEが出力される設定にしたとき、バンドデコーダ８から出力された接地電圧ＶE は、バイアス電圧設定抵抗２5 を通して増幅用電界効果トランジスタ２1 のゲートに供給されたとしても、増幅用電界効果トランジスタ２1 を動作状態にすることができずに非動作状態にし、第１ダイオード２2 及び第２ダイオード２3がオフになり、電源端子７からバイアス電圧設定抵抗２6 を通して第２ダイオード２2 のカソードと第３ダイオード３1 のアノードにバイアス電圧が供給されて、第３ダイオード３1 に順バイアス電圧が供給され、第３ダイオード３1 がオンになって、高周波信号入力端子５と高周波信号出力端子６との間を接続するものである、高周波信号切替回路。」
　
３．　対比・判断
（１）本願補正発明と引用発明との対比
　電界効果トランジスタはトランジスタの一種であって、引用発明の「増幅用電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）２1」は、本願補正発明の「高周波増幅トランジスタ」に対応し、引用発明の「増幅用電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）２1」の「ドレイン」、「ゲート」が、それぞれ、本願補正発明の「高周波増幅トランジスタ」の「コレクタ端子」、「ベース端子」に対応する。
　引用発明の「高周波信号入力端子５」、「高周波信号出力端子６」は、それぞれ、本願補正発明の「信号入力端子」、「信号出力端子」に相当する。
　それゆえ、本願補正発明と引用発明とは、「信号入力端子と信号出力端子との間に取り付けられた高周波増幅トランジスタと」を備える点で共通する。
　
　引用発明の「電源端子７」は、「負荷抵抗２10」と「負荷インダクタ２9」を介して「増幅用電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）２1」の「ドレイン」に接続されているので、前記「電源端子７」は、内部電圧を「増幅用電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）２1」の「ドレイン」に印加するものであるということができることから、引用発明の「電源端子７」は、本願補正発明の「内部電圧入力端子」に相当し、本願補正発明と引用発明とは、「前記高周波増幅トランジスタにバイアス電圧として入力される内部電圧を印加する内部電圧入力端子」を備え、「前記内部電圧入力端子は、内部電圧を前記高周波増幅トランジスタのコレクタ端子に印加」する点で共通する。
　
　引用発明は、「バンドデコーダ８の出力端から電源電圧に等しい電圧ＶBが出力される設定にしたとき、バンドデコーダ８から出力された電圧ＶB は、バイアス電圧設定抵抗２5 を通して増幅用電界効果トランジスタ２1 のゲートに供給され、増幅用電界効果トランジスタ２1 を動作状態にし、」「バンドデコーダ８の出力端から接地電圧に等しい電圧ＶEが出力される設定にしたとき、バンドデコーダ８から出力された接地電圧ＶE は、バイアス電圧設定抵抗２5 を通して増幅用電界効果トランジスタ２1 のゲートに供給されたとしても、増幅用電界効果トランジスタ２1 を動作状態にすることができずに非動作状態に」するものであるから、「バンドデコーダ８の出力端」は、「増幅用電界効果トランジスタ２1」のバイアスのスイッチングを行っているということができる。
　引用発明の「バンドデコーダ８の出力端」は、本願補正発明の「ポート」に対応し、本願補正発明と引用発明とは、「前記内部電圧入力端子から前記高周波増幅トランジスタに印加されるバイアス電圧のスイッチングを行うことによって、前記高周波増幅トランジスタのバイアスを制御するポート」を備え、「前記ポートは、前記高周波増幅トランジスタのベース端子に接続され」ている点で共通する。
　
　引用発明は、「第２高周波信号路３において、第３ダイオード３1 は、アノードが第１ダイオード２2 のカソードに接続され、カソードが第２ダイオード２3 のカソードに接続され」ているものであり、「バンドデコーダ８の出力端から接地電圧に等しい電圧ＶEが出力される設定にしたとき、・・・電源端子７からバイアス電圧設定抵抗２6 を通して第２ダイオード２2 のカソードと第３ダイオード３1 のアノードにバイアス電圧が供給されて、第３ダイオード３1 に順バイアス電圧が供給され、第３ダイオード３1 がオンになる」のであるから、「第３ダイオード３1」を含む「第２高周波信号路３」は、（本願補正発明の「内部電圧入力端子」に相当する）「電源端子７」からの電圧を受ける「信号線」ということができる。
　それゆえ、本願補正発明と引用発明とは、「前記内部電圧入力端子から内部電圧を受信する信号線」を備える点で一致する。
　
　引用発明は、「増幅用電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）２1 と、第１ダイオード２2 と、第２ダイオード２3 と」を備える「第１高周波信号路２」が「高周波信号入力端子５」と「高周波信号出力端子６」との間に接続されるものであって、「増幅用電界効果トランジスタ２1 は、ゲートが第１ダイオード２2 のアノード」に接続され、「高周波信号出力端子６」側に接続される「第２ダイオード２3」のアノードが「増幅用電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）２1」のドレイン側に接続されるものであるから、本願補正発明と引用発明とは、「前記信号入力端子と前記高周波増幅トランジスタのベース端子との間および前記信号出力端子と前記高周波増幅トランジスタのコレクタ端子との間には、それぞれ、第３ダイオードおよび第４ダイオードが連結される」点で共通する。
　
　引用発明の「高周波信号切替回路」は、アンテナに接続される「高周波信号入力端子５」からの入力信号を「増幅用電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）２1」によって増幅するものであるから「増幅回路」を内在し、「テレビジョンチューナ９」に増幅した信号を出力するものである。
　そして、引用文献の「【０００２】【従来の技術】従来、テレビジョンチューナにおいては、強電界状態及び弱電界状態の双方に対応できるように、テレビジョンチューナの入力側に高周波信号切替回路を接続配置したものが知られている。」との記載、「【００３８】この後、高周波信号切替回路１を通った高周波信号は、高周波信号出力端子６から次続するテレビジョンチューナ９に供給される。」との記載、及び、図１に示される回路図を総合すれば、「高周波信号切替回路１」と「テレビジョンチューナ９」とは別ユニットを構成するとはいえ、離隔して配置するよりも一体に配置することを想定しているととらえられるから、引用発明の「高周波信号切替回路」は、「テレビジョンチューナ９」と一体となったものということができ、また、この技術分野の通常の技術観念からすれば、「テレビジョンチューナ９」に入力される微細な信号を増幅する「増幅回路」は、「低雑音増幅回路」であるということができる。
　
　したがって、本願補正発明と引用発明とは、以下の点で一致し、相違する。
　なお、下記［相違点１］に示すとおり、引用発明の高周波増幅トランジスタは電界効果トランジスタであって、例えば、本願発明の「ベース」は、引用発明の電界効果トランジスタにおいては「ゲート」が対応するが、下記［一致点］においては、便宜上、本願発明の用語である「ベース」あるいは「コレクタ」を用いて記載した。
　
［一致点］
「信号入力端子と信号出力端子との間に取り付けられた高周波増幅トランジスタと、
　前記高周波増幅トランジスタにバイアス電圧として入力される内部電圧を印加する内部電圧入力端子と、
　前記内部電圧入力端子から前記高周波増幅トランジスタに印加されるバイアス電圧のスイッチングを行うことによって、前記高周波増幅トランジスタのバイアスを制御するポートと、
　前記内部電圧入力端子から内部電圧を受信する信号線と、を有し、
　前記内部電圧入力端子は、内部電圧を前記高周波増幅トランジスタのコレクタ端子に印加し、前記ポートは、前記高周波増幅トランジスタのベース端子に接続され、
　前記信号入力端子と前記高周波増幅トランジスタのベース端子との間および前記信号出力端子と前記高周波増幅トランジスタのコレクタ端子との間には、それぞれ、第３ダイオードおよび第４ダイオードが連結される、チューナにおける低雑音増幅回路。」
　
［相違点１］
　本願補正発明は、高周波増幅トランジスタが、コレクタ端子及びベース端子を有するものであることから、バイポーラトランジスタであるのに対して、
　引用発明は、高周波増幅トランジスタが、電界効果トランジスタである点。
　
［相違点２］
　本願補正発明は、信号線は、一方の側が、第１ダイオードを介して前記信号入力端子と前記高周波増幅トランジスタのベース端子との間に接続され、他方の側は、第２ダイオードを介して前記信号出力端子と前記高周波増幅トランジスタのコレクタ端子との間に接続されるのに対して、
　引用発明は、信号線には、２つのダイオードが介在するものではなく、１つのダイオードのみを介在させるものであって、前記信号線は、一方の側が、第３ダイオードを介して前記信号入力端子と前記高周波増幅トランジスタのベース端子との間に接続され、他方の側は、前記第３ダイオードを介して前記信号出力端子と前記高周波増幅トランジスタのコレクタ端子との間に接続されるものである点。
　
（２）相違点に対する判断
［相違点１について］
　高周波増幅用のトランジスタとして、電界効果トランジスタもバイポーラトランジスタも、ともにごく普通に用いられるものであって、一方を他方に置き換えることはごく普通に行われることである。
　一方を他方に置き換えたときに、多少の動作特性の違いによる動作点設定などに違いはあるものの、それらを踏まえて置き換えることは、通常行われる範囲内のことであって、単なる設計的事項にすぎない。
　したがって、相違点１は格別なものではない。
　
［相違点２について］
　本願発明における「信号線は、一方の側が、第１ダイオードを介して前記信号入力端子と前記高周波増幅トランジスタのベース端子との間に接続され、他方の側は、第２ダイオードを介して前記信号出力端子と前記高周波増幅トランジスタのコレクタ端子との間に接続され」る点は、「ポート」の電圧によって「第３のダイオード」及び「第４のダイオード」をスイッチングするとともに、「第１ダイオード」及び「第２ダイオード」をスイッチングするためととらえられる。
　しかし、増幅回路をバイパスする信号線を、２つのダイオードを含む回路で構成するとともに、増幅回路の入力側と出力側とにそれぞれダイオードを接続し、制御電圧によって、それらのダイオードの対を交互にオン・オフさせることは、例えば特開２００１−１７７４２９号公報に示されるように周知のことである。
　特開２００１−１７７４２９号公報には、（本願補正発明の「内部電圧入力端子」に相当する）「電源ライン４４」から内部電圧を受信する「信号線」に相当する「接続点４２」を含む信号線を有し、該信号線は、一方の側が、「スイッチングダイオード４０」を介して信号入力端子と低雑音増幅器３２の入力端子との間に接続され、他方の側が、「スイッチングダイオード４１」を介して低雑音増幅器３２の出力端子との間に接続され、低雑音増幅器３２の入力側及び出力側にそれぞれ接続された「スイッチングダイオード２９」と「スイッチングダイオード３３」との対と、「スイッチングダイオード４０」と「スイッチングダイオード４１」との対とを、（本願補正発明の「ポート」に相当する）ＰＬＬ端子３７の電圧によって交互にオン・オフさせる点が記載されている。
　
　引用発明において、１つのダイオードによって増幅回路をバイパスする代わりに、周知例のように２つのダイオードによって増幅回路をバイパスするようにし、「信号線は、一方の側が、第１ダイオードを介して前記信号入力端子と前記高周波増幅トランジスタのベース端子との間に接続され、他方の側は、第２ダイオードを介して前記信号出力端子と前記高周波増幅トランジスタのコレクタ端子との間に接続され」るようにすることに何ら困難な点はない。
　
　以上のとおりであるから、本願補正発明は、引用発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
４．まとめ
　したがって、本件補正は、平成２３年法律第６３号改正附則第２条第１８項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
１．本願発明の認定
　平成２４年２月２７日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成２３年４月２５日付けで手続補正された特許請求の範囲の請求項１〜４に記載された事項により特定されるものと認められるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は以下のとおりのものである。
「【請求項１】
　信号入力端子と信号出力端子との間に取り付けられた高周波増幅トランジスタと、
　前記高周波増幅トランジスタにバイアス電圧として入力される内部電圧を印加する内部電圧入力端子と、
　前記内部電圧入力端子から前記高周波増幅トランジスタに印加されるバイアス電圧のスイッチングを行うことによって、前記高周波増幅トランジスタのバイアスを制御するポートと、
　前記内部電圧入力端子から内部電圧を受信する信号線と、を有し、
　前記内部電圧入力端子は、内部電圧を前記高周波増幅トランジスタのコレクタ端子に印加し、前記ポートは、前記高周波増幅トランジスタのベース端子に接続され、
　前記信号線は、一方の側が、ダイオードを介して前記信号入力端子と前記高周波増幅トランジスタのベース端子との間に接続され、他方の側は、ダイオードを介して前記信号出力端子と前記高周波増幅トランジスタのコレクタ端子との間に接続される、チューナにおける低雑音増幅回路。」
　
２．引用文献
　原審拒絶理由に引用された文献、および、その記載事項は、前記第２　２．に記載したとおりである。
　
３．対比・判断
　本願発明は、前記第２で検討した本願補正発明の限定事項である構成を省いたものである。
　そうすると、本願発明の特定事項を全て含み、さらに他の特定事項を付加したものに相当する本願補正発明が、前記第２　３．に記載したとおり、引用発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、引用発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４．まとめ
　したがって、本願発明は、引用発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
第４　むすび
　以上のとおりであるから、本願は、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。