【事件の表示】
　特願２００６−５３３３５３「レーザ移動を用いて感熱基板上に移植した磁気ランダム・アクセス・メモリ（ＭＲＡＭ）デバイスおよびこれを製造する方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年１２月２９日国際公開、ＷＯ２００４／１１４３１２、平成１９年　２月１５日国内公表、特表２００７−５０３１２９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、２００４年５月２４日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００３年６月１２日、米国）を国際出願日とする出願であって、 平成２２年１２月２７日付けの拒絶理由通知に対して、平成２３年４月１８日に手続補正書及び意見書が提出されたが、平成２４年３月２７日付けで拒絶査定がなされ、それに対して、同年７月３１日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同日に手続補正書が提出され、その後、同年１０月１８日付けで審尋がなされ、平成２５年１月１７日に回答書が提出されたものである。
　
２．補正の却下の決定
【補正の却下の決定の結論】
　平成２４年７月３１日になされた手続補正を却下する。
　
【理由】
（１）補正の内容
　平成２４年７月３１日になされた手続補正（以下「本件補正」という。）は、補正前の特許請求の範囲の請求項１ないし１１を、補正後の特許請求の範囲の請求項１ないし１０に補正するものであり、補正前後の請求項は、以下のとおりである。
　
（補正前）
　「【請求項１】
　低温基板の上に磁気メモリ・デバイスを形成する方法であって、
　レーザ光に対して透過性の透明基板上に該レーザ光によって分解可能な材料層を付着するステップと、
　前記分解可能な材料層の上に前記磁気メモリ・デバイスを形成するステップと、
　前記低温基板上に有機トランジスタを形成するステップと、
　前記分解可能な材料層と前記磁気メモリ・デバイスからなる構造体を、前記磁気メモリ・デバイスを下にして前記低温基板に接着するステップであって、前記有機トランジスタと前記磁気メモリ・デバイスを相互接続するステップと、
　前記透明基板に背面からレーザ光を照射して前記分解可能な材料層の少なくも一部を分解するステップと、
　前記透明基板から前記分解可能な材料層と前記磁気メモリ・デバイスからなる構造体を分離するステップと
を含む、方法。
　　【請求項２】
　前記低温基板がプラスチック基板およびポリマ基板からなる群から選択される、請求項１に記載の方法。
　　【請求項３】
　前記透明基板がサファイア基板および石英基板からなる群から選択される、請求項１に記載の方法。
　　【請求項４】
　前記分解可能な材料層が窒化物材料を含む、請求項１に記載の方法。
　　【請求項５】
　前記窒化物材料は、窒化ガリウム、窒化アルミニウム、窒化インジウム、およびこれらの合金からなる群から選択される、請求項４に記載の方法。
　　【請求項６】
　前記分解可能な材料層が窒化物を含み、前記レーザ光による前記窒化物のメタライゼーションによる窒素の放出によって生じる圧力によって、前記透明基板と前記窒化物の剥離が起きる、請求項１に記載の方法。
　　【請求項７】
　前記磁気メモリ・デバイスは導電性配線および上部導電性配線を含み、前記上部導電性配線を下向きにして前記低温基板に接着される、請求項１に記載の方法。
　　【請求項８】
　前記窒化物材料の上にＳｉ層を成長させてトランジスタを形成し、前記磁気メモリ・デバイスを前記トランジスタと一体化させるステップをさらに含む、請求項４に記載の方法。
　　【請求項９】
　前記構造体を前記低温基板に接着した後に、前記分解可能な材料層をエッチング除去するステップを更に含む、請求項１に記載の方法。
　　【請求項１０】
　前記分解可能な材料層の厚さを調節することによって、前記透明基板における温度上昇を制御する、請求項１に記載の方法。
　　【請求項１１】
　磁気メモリ・デバイスであって、
　レーザ光に対して透過性の透明基板を被覆する該レーザ光によって分解可能な材料層の上に形成されたデバイスであって、第１の導電配線と、前記第１の導電配線に結合された磁気トンネル接合（ＭＴＪ）セルと、前記透明基板上に製造された第２の導電配線とを含むデバイスと、
　前記デバイスを受容する低温基板であって、基板上に有機トランジスタが形成された低温基板と
を含み、
　前記有機トランジスタと前記デバイスが相互接続されている
磁気メモリ・デバイス。」
　
（補正後）
　「【請求項１】
　低温基板の上にＭＲＡＭアレイを形成する方法であって、
　レーザ光に対して透過性の透明基板上に該レーザ光によって分解可能な材料層を付着するステップと、
　前記分解可能な材料層の上に磁気トンネル接合（ＭＴＪ）セルを形成するステップと、
　前記低温基板上に有機トランジスタを形成するステップと、
　前記分解可能な材料層と前記磁気トンネル接合（ＭＴＪ）セルからなる構造体を、前記磁気トンネル接合（ＭＴＪ）セルを下にして前記低温基板に接着するステップであって、前記有機トランジスタと前記磁気トンネル接合（ＭＴＪ）セルを相互接続するステップと、
　前記透明基板に背面からレーザ光を照射して前記分解可能な材料層の少なくも一部を分解するステップと、
　前記透明基板から前記分解可能な材料層と前記磁気トンネル接合（ＭＴＪ）セルからなる構造体を分離するステップと
を含む、方法。
　　【請求項２】
　前記低温基板がプラスチック基板およびポリマ基板からなる群から選択される、請求項１に記載の方法。
　　【請求項３】
　前記透明基板がサファイア基板および石英基板からなる群から選択される、請求項１に記載の方法。
　　【請求項４】
　前記分解可能な材料層が窒化物材料を含む、請求項１に記載の方法。
　　【請求項５】
　前記窒化物材料は、窒化ガリウム、窒化アルミニウム、窒化インジウム、およびこれらの合金からなる群から選択される、請求項４に記載の方法。
　　【請求項６】
　前記分解可能な材料層が窒化物を含み、前記レーザ光による前記窒化物のメタライゼーションによる窒素の放出によって生じる圧力によって、前記透明基板と前記窒化物の剥離が起きる、請求項１に記載の方法。
　　【請求項７】
　前記磁気メモリ・デバイスは導電性配線および上部導電性配線を含み、前記上部導電性配線を下向きにして前記低温基板に接着される、請求項１に記載の方法。
　　【請求項８】
　前記構造体を前記低温基板に接着した後に、前記分解可能な材料層をエッチング除去するステップを更に含む、請求項１に記載の方法。
　　【請求項９】
　前記分解可能な材料層の厚さを調節することによって、前記透明基板における温度上昇を制御する、請求項１に記載の方法。
　　【請求項１０】
　ＭＲＡＭアレイであって、
　レーザ光に対して透過性の透明基板を被覆する該レーザ光によって分解可能な材料層の上に形成されたデバイスであって、第１の導電配線と、前記第１の導電配線に結合された磁気トンネル接合（ＭＴＪ）セルと、前記透明基板上に製造された第２の導電配線とを含むデバイスと、
　前記デバイスを受容する低温基板であって、基板上に有機トランジスタが形成された低温基板と
を含み、
　前記有機トランジスタと前記磁気トンネル接合（ＭＴＪ）セルが相互接続されてなるＭＲＡＭアレイ。」
　
（２）補正事項の整理
　本件補正の補正事項を整理すると、以下のとおりである。
　
（補正事項ａ）
（補正事項ａ−１）補正前の請求項１の「低温基板の上に磁気メモリ・デバイスを形成する方法であって、」を、補正後の請求項１の「低温基板の上にＭＲＡＭアレイを形成する方法であって、」と補正すること。
　
（補正事項ａ−２）補正前の請求項１の「前記分解可能な材料層の上に前記磁気メモリ・デバイスを形成するステップと、」を、補正後の請求項１の「前記分解可能な材料層の上に磁気トンネル接合（ＭＴＪ）セルを形成するステップと、」と補正すること。
　
（補正事項ａ−３）補正前の請求項１の「前記分解可能な材料層と前記磁気メモリ・デバイスからなる構造体を、前記磁気メモリ・デバイスを下にして前記低温基板に接着するステップであって、前記有機トランジスタと前記磁気メモリ・デバイスを相互接続するステップと、」を、補正後の請求項１の「前記分解可能な材料層と前記磁気トンネル接合（ＭＴＪ）セルからなる構造体を、前記磁気トンネル接合（ＭＴＪ）セルを下にして前記低温基板に接着するステップであって、前記有機トランジスタと前記磁気トンネル接合（ＭＴＪ）セルを相互接続するステップと、」と補正すること。
　
（補正事項ａ−４）補正前の請求項１の「前記透明基板から前記分解可能な材料層と前記磁気メモリ・デバイスからなる構造体を分離するステップと」を、補正後の請求項１の「前記透明基板から前記分解可能な材料層と前記磁気トンネル接合（ＭＴＪ）セルからなる構造体を分離するステップと」と補正すること。
　
（補正事項ｂ）補正前の請求項８を削除するとともに、当該削除に伴って、請求項の番号及び引用する請求項の番号を修正すること。
　
（補正事項ｃ）
（補正事項ｃ−１）補正前の請求項１１の「磁気メモリ・デバイスであって、」を、補正後の請求項１０の「ＭＲＡＭアレイであって、」と補正すること。
　
（補正事項ｃ−２）補正前の請求項１１の「前記有機トランジスタと前記デバイスが相互接続されている磁気メモリ・デバイス」を、補正後の請求項１０の「前記有機トランジスタと前記磁気トンネル接合（ＭＴＪ）セルが相互接続されてなるＭＲＡＭアレイ」と補正すること。
　
（３）新規事項追加の有無及び補正の目的の適否についての検討
（３−１）補正事項ａについて
（３−１−１）補正事項ａ−１について
　補正事項ａ−１は、補正前の請求項１に係る発明の発明特定事項である「磁気メモリ・デバイス」について、「ＭＲＡＭアレイ」と限定的に減縮する補正である。
　そして、この補正は、本願の願書に最初に添付した明細書（以下「当初明細書」という。また、本願の願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面を「当初明細書等」という。）の【００２５】及び【００２６】段落の記載に基づく補正である。
　したがって、補正事項ａ−１は、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入しないものであり、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項（以下「特許法第１７条の２第３項」という。）に規定された新規事項の追加禁止の要件を満たしており、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項（以下「特許法第１７条の２第４項」という。）第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　
（３−１−２）補正事項ａ−２ないしａ−４について
　補正事項ａ−２ないしａ−４は、補正前の請求項１に係る発明の発明特定事項である「磁気メモリ・デバイス」について、「磁気トンネル接合（ＭＴＪ）セル」と限定的に減縮する補正である。
　そして、この補正は、当初明細書の【００２９】、【００３０】、【００３２】及び【００３６】段落の記載に基づく補正である。
　したがって、補正事項ａ−２ないしａ−４は、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入しないものであり、特許法第１７条の２第３項に規定された新規事項の追加禁止の要件を満たしており、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　
（３−２）補正事項ｂについて
  補正事項ｂは、特許法第１７条の２第４項第１号に掲げる請求項の削除を目的とするものである。
　
（３−３）補正事項ｃについて
　補正事項ｃ（補正事項ｃ−１及びｃ−２）は、補正前の請求項１１に係る発明の発明特定事項である「磁気メモリ・デバイス」及び「デバイス」について、各々「ＭＲＡＭアレイ」及び「磁気トンネル接合（ＭＴＪ）セル」と限定的に減縮する事項を付加する補正である。
　そして、この補正は、当初明細書の【００２９】及び【００３６】段落の記載に基づく補正である。
　したがって、補正事項ｃは、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入しないものであり、特許法第１７条の２第３項に規定された新規事項の追加禁止の要件を満たしており、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　
（３−４）新規事項追加の有無及び補正の目的の適否についてのまとめ
　以上、検討したとおりであるから、本件補正は、特許法第１７条の２第３項及び第４項に規定する要件を満たすものである。
　
（４）独立特許要件について
（４−１）はじめに
　上記（３）において検討したとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする補正を含むものであるから、本件補正が、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項（以下「特許法第１７条の２第５項」という。）において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか否かについて、検討する。
　
（４−２）補正後の請求項１に係る発明
　本件補正による補正後の請求項１に係る発明（以下「補正後の発明」という。）は、平成２４年７月３１日になされた手続補正により補正された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載されている事項により特定される上記２．（１）の補正後の請求項１として記載したとおりのものである。
　
（４−３）引用刊行物に記載された発明
（４−３−１）原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された特開平１１−２５１５１８号公報（以下「引用刊行物」という。）には、図１ないし８とともに、以下の事項が記載されている。なお、下線は、当審において付与したものである（以下、同じ。）。
　
「【０００１】
【発明が属する技術分野】
本発明は、３次元デバイスに関するものである。
「【００３１】
図１〜図８は、それぞれ、本発明における薄膜構造の転写方法の実施例の工程を模式的に示す断面図である。
【００３２】
〈１〉　図１に示すように、基板１の片面（分離層形成面１１）に、分離層（光吸収層）２を形成する。
【００３３】
基板１は、基板１側から照射光７を照射する場合、その照射光７が透過し得る透光性を有するものであるのが好ましい。
「【００４３】分離層２は、後述する照射光７を吸収し、その層内および／または界面２ａまたは２ｂにおいて剥離（以下、「層内剥離」、「界面剥離」と言う）を生じるような性質を有するものであり、好ましくは、照射光７の照射により、分離層２を構成する物質の原子間または分子間の結合力が消失または減少すること、換言すれば、アブレーションを生ぜしめることにより層内剥離および／または界面剥離に至るものである。
【００４４】
さらに、照射光７の照射により、分離層２から気体が放出され、分離効果が発現される場合もある。すなわち、分離層２に含有されていた成分が気体となって放出される場合と、分離層２が光を吸収して一瞬気体になり、その蒸気が放出され、分離に寄与する場合とがある。
「【００６６】なお、このような中間層３は、同一または異なる組成のものを２層以上形成することもできる。
また、本発明では、中間層３を形成せず、分離層２上に直接被転写層４を形成してもよい。
【００６７】〈３〉　
図３に示すように、中間層３の上に被転写層（被剥離物）４を形成する。
「【００６９】被転写層４の形成目的、種類、形態、構造、組成、物理的または化学的特性等は、特に限定されないが、転写の目的や有用性を考慮して、薄膜、特に機能性薄膜または薄膜デバイスであるのが好ましい。
【００７０】機能性薄膜および薄膜デバイスとしては、例えば、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、薄膜ダイオード、その他の薄膜半導体デバイス、電極（例：ＩＴＯ、メサ膜のような透明電極）、太陽電池やイメージセンサ等に用いられる光電変換素子、スイッチング素子、メモリー、圧電素子等のアクチュエータ、マイクロミラー（ピエゾ薄膜セラミックス）、
磁気記録媒体
薄膜高透磁材料およびそれらを組み合わせたマイクロ磁気デバイス
【００７１】このなかでも、特に、薄膜デバイス、マイクロ磁気デバイス、マイクロ三次元構造物の構成、アクチュエータ、マイクロミラー等に適用することの有用性が高く、好ましい。」
「【００７７】〈４〉　
図４に示すように、被転写層（被剥離物）４上に接着層５を形成し、該接着層５を介して転写体６を接着（接合）する。
「【００８２】
転写体６としては、特に限定されないが、基板（板材）、特に透明基板が挙げられる。
【００８３】
また、転写体６は、前記基板１に比べ、耐熱性、耐食性等の特性が劣るものであってもよい。
「【００８６】このような転写体６の構成材料としては、各種合成樹脂または各種ガラス材が挙げられ、特に、各種合成樹脂や通常の（低融点の）安価なガラス材が好ましい。」
「【００９０】
なお、転写体６は、例えば、液晶セルのように、それ自体独立したデバイスを構成するものや、例えばカラーフィルター、電極層、誘電体層、絶縁層、半導体素子のように、デバイスの一部を構成するものであってもよい。
「【００９２】〈５〉　
図５に示すように、基板１の裏面側（照射光入射面１２側）から照射光７を照射する。この照射光７は、基板１を透過した後、界面２ａ側から分離層２に照射される。これにより、図６または図７に示すように、分離層２に層内剥離および／または界面剥離が生じ、結合力が減少または消滅するので、基板１と転写体６とを離間させると、被転写層４が基板１から離脱して、転写体６へ転写される。
【００９３】なお、図６は、分離層２に層内剥離が生じた場合を示し、図７は、分離層２に界面２ａでの界面剥離が生じた場合を示す。
分離層２の層内剥離および／または界面剥離が生じる原理は、分離層２の構成材料にアブレーションが生じること、また、分離層２内に内蔵しているガスの放出、さらには照射直後に生じる溶融、蒸散等の相変化によるものであることが推定される。
【００９４】
ここで、アブレーションとは、照射光を吸収した固体材料（分離層２の構成材料）が光化学的または熱的に励起され、その表面や内部の原子または分子の結合が切断されて放出することを言い、主に、分離層２の構成材料の全部または一部が溶融、蒸散（気化）等の相変化を生じる現象として現れる。
【００９５】分離層２が層内剥離を生じるか、界面剥離を生じるか、またはその両方であるかは、分離層２の組成や、その他種々の要因に左右され、その要因の１つとして、照射光７の種類、波長、強度、到達深さ等の条件が挙げられる。
【００９６】
照射光７としては、分離層２に層内剥離および／または界面剥離を起こさせるものであればいかなるものでもよく、例えば、Ｘ線、紫外線、可視光、赤外線（熱線）、レーザ光、ミリ波、マイクロ波、電子線、放射線（α線、β線、γ線）等が挙げられるが、そのなかでも、分離層２の剥離（アブレーション）を生じさせ易いという点で、レーザ光が好ましい。
「【０２８８】図２６に示す第８実施例の３次元デバイスは、システムＩＣ（システムＬＳＩ）である。システムＩＣ（システムＬＳＩ）１０ｂは、基板（転写側基板）２１と、
この基板２１上に積層されたロジック回路７７と、メモリセルアレイ７１とを有している。
【０２９０】
メモリセルアレイ７１は、ロジック回路７７により駆動制御される。
　
（４−３−２）そうすると、引用刊行物には、以下の発明（以下「刊行物発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
「レーザ光からなる照射光７が透過し得る透光性を有する基板１の片面（分離層形成面１１）に、分離層（光吸収層）２を形成し、
　前記分離層２上に、機能性薄膜または薄膜デバイスからなる被転写層（被剥離物）４を形成し、
  前記被転写層４上に接着層５を形成し、前記接着層５を介して合成樹脂からなる転写体６を接着（接合）し、
　前記基板１の裏面側（照射光入射面１２側）から前記照射光７を前記分離層２に照射して、前記分離層２に層内剥離および／または界面剥離を生じさせることにより、前記被転写層４を前記基板１から離脱させて、前記転写体６へ転写すること
含む、薄膜構造の転写方法。」
　
（４−４）対比
（４−４−１）刊行物発明の「レーザ光からなる照射光７が透過し得る透光性を有する基板１」は、補正後の発明の「レーザ光に対して透過性の透明基板」に相当する。また、引用刊行物の「【００９３】・・・分離層２の層内剥離および／または界面剥離が生じる原理は、分離層２の構成材料にアブレーションが生じること、・・・によるものであることが推定される。」、「【００９４】ここで、アブレーションとは、照射光を吸収した固体材料（分離層２の構成材料）が光化学的または熱的に励起され、その表面や内部の原子または分子の結合が切断されて放出することを言い、・・・」及び「【００９６】照射光７としては、・・・分離層２の剥離（アブレーション）を生じさせ易いという点で、レーザ光が好ましい。」という記載から、刊行物発明の「分離層２」は、補正後の発明の「レーザ光によって分解可能な材料層」に相当するから、刊行物発明の「レーザ光からなる照射光７が透過し得る透光性を有する基板１の片面（分離層形成面１１）に、分離層（光吸収層）２を形成」することは、補正後の発明の「レーザ光に対して透過性の透明基板上に該レーザ光によって分解可能な材料層を付着するステップ」に相当する。
　
（４−４−２）刊行物発明の「機能性薄膜または薄膜デバイスからなる被転写層（被剥離物）４」と、補正後の発明の「磁気トンネル接合（ＭＴＪ）セル」は、「デバイス」という点で共通するから、刊行物発明の「分離層２上に、機能性薄膜または薄膜デバイスからなる被転写層（被剥離物）４を形成」することと、補正後の発明の「分解可能な材料層の上に磁気トンネル接合（ＭＴＪ）セルを形成するステップ」は、「分解可能な材料層の上にデバイスを形成するステップ」という点で共通する。
　
（４−４−３）刊行物発明の「被転写層４上に接着層５を形成し、前記接着層５を介して合成樹脂からなる転写体６を接着（接合）」することと、補正後の発明の「分解可能な材料層と」「磁気トンネル接合（ＭＴＪ）セルからなる構造体を、前記磁気トンネル接合（ＭＴＪ）セルを下にして」「低温基板に接着するステップ」とは、「分解可能な材料層とデバイスからなる構造体を、前記デバイスを下にして低温基板に接着するステップ」という点で共通する。
　
（４−４−４）引用刊行物の「【００９３】・・・分離層２の層内剥離および／または界面剥離が生じる原理は、分離層２の構成材料にアブレーションが生じること、・・・によるものであることが推定される。」、「【００９４】ここで、アブレーションとは、照射光を吸収した固体材料（分離層２の構成材料）が光化学的または熱的に励起され、その表面や内部の原子または分子の結合が切断されて放出することを言い、・・・」及び「【００９６】照射光７としては、・・・分離層２の剥離（アブレーション）を生じさせ易いという点で、レーザ光が好ましい。」という記載から、刊行物発明において、「分離層２に
層内剥離
　
（４−４−５）刊行物発明では、「分離層２に
層内剥離
　
（４−４−６）そうすると、補正後の発明と刊行物発明とは、
「レーザ光に対して透過性の透明基板上に該レーザ光によって分解可能な材料層を付着するステップと、
　前記分解可能な材料層の上にデバイスを形成するステップと、
　前記分解可能な材料層と前記デバイスからなる構造体を、前記デバイスを下にして前記低温基板に接着するステップと、
　前記透明基板に背面からレーザ光を照射して前記分解可能な材料層の少なくも一部を分解するステップと、
　前記透明基板から前記分解可能な材料層と前記デバイスからなる構造体を分離するステップと
を含む、方法。」
である点で一致し、次の５点で相違する。
　
（相違点１）補正後の発明は、「低温基板の上にＭＲＡＭアレイを形成する方法」であるのに対し、刊行物発明である「薄膜構造の転写方法」では、「合成樹脂からなる転写体６」の上に転写される「機能性薄膜または薄膜デバイスからなる被転写層（被剥離物）４」について、具体的に特定されていない点。
　
（相違点２）補正後の発明では、「分解可能な材料層の上に磁気トンネル接合（ＭＴＪ）セルを形成する」のに対し、刊行物発明では、「分離層２」の上に形成される「機能性薄膜または薄膜デバイスからなる被転写層（被剥離物）４」について、具体的に特定されていない点。
　
（相違点３）補正後の発明では、「低温基板上に有機トランジスタを形成する」のに対し、刊行物発明では、「合成樹脂からなる転写体６」について、そのような特定がなされていない点。
　
（相違点４）補正後の発明では「分解可能な材料層と」「磁気トンネル接合（ＭＴＪ）セルからなる構造体を、」「磁気トンネル接合（ＭＴＪ）セルを下にして前記低温基板に接着する」のに対し、刊行物発明では、「合成樹脂からなる転写体６」に接着する「機能性薄膜または薄膜デバイスからなる」「被転写層４」について、具体的に特定されていない点。
　
（相違点５）補正後の発明では「有機トランジスタと」「磁気トンネル接合（ＭＴＪ）セルを相互接続する」のに対し、刊行物発明では、そのような特定がなされていない点
　
（相違点６）補正後の発明では、「透明基板から」「分解可能な材料層と」「磁気トンネル接合（ＭＴＪ）セルからなる構造体を分離する」のに対し、刊行物発明では、「基板１から離脱させ」る「機能性薄膜または薄膜デバイスからなる」「被転写層４」について、具体的に特定されていない点。
　
（４−５）判断
　以下、上記相違点について、検討する。
（４−５−１）相違点１、２、４及び６について
引用刊行物には、「【００７０】機能性薄膜および薄膜デバイスとしては、例えば・・・
薄膜高透磁材料およびそれらを組み合わせたマイクロ磁気デバイス
　
（ア）周知例１
　特開２００３−８６７７４号公報には、以下の事項が記載されている。
「【０００３】そこで、
近年では磁気抵抗効果素子を用いた磁気メモリ装置（ＭＲＡＭ：Magnetic Random Access Memory）が研究開発されている。
【０００４】
この磁気メモリ装置のメモリセルには、磁気抵抗効果素子が設けられている。このような磁気抵抗効果素子としては、スピン依存トンネル磁気抵抗効果素子（ＴＭＲ素子）が好適である。
　
　そうすると、刊行物発明において、「機能性薄膜または薄膜デバイスからなる被転写層（被剥離物）４」として、「マイクロ磁気デバイス」の一種として周知のデバイスである「磁気トンネル接合（ＭＴＪ）セル」あるいは「ＭＲＡＭアレイ」を採用することにより、補正後の発明のように、「低温基板の上にＭＲＡＭアレイを形成する方法」において、「前記分解可能な材料層の上に磁気トンネル接合（ＭＴＪ）セルを形成するステップと、」「前記分解可能な材料層と前記磁気トンネル接合（ＭＴＪ）セルからなる構造体を、前記磁気トンネル接合（ＭＴＪ）セルを下にして前記低温基板に接着するステップ」と、「前記透明基板から前記分解可能な材料層と前記磁気トンネル接合（ＭＴＪ）セルからなる構造体を分離するステップと」を有する構成とすることは、当業者が必要に応じて、適宜なし得たことである。
　よって、相違点１、２、４及び６は、当業者が容易になし得た範囲に含まれる程度のものである。
　
（４−５−２）相違点３及び５について
　引用刊行物には、「【００９０】なお、転写体６は、・・・例えば・・・半導体素子のように、デバイスの一部を構成するものであってもよい。」と記載されている。一方、補正後の発明の「低温基板」に相当する「ポリイミドからなる基板」の上に「有機トランジスタ」を形成することは、以下の周知例２に記載されているように従来から周知である。
　
（イ）周知例２
　特開２００３−１２３０４７号公報には、図３とともに、以下の事項が記載されている。
「【００３４】
表示素子２、駆動回路２ｂ、記憶素子４およびプロセッサ３などを形成する３端子素子の有機トランジスタの作製方法の具体的な一例を図３（ａ）に示す。まず、ポリイミドからなる基板６の表面に親水性処理を行う。
この上にFluorene-Bithiophene共重合体のキシレン溶液を用いてスピンコート法により約５０ｎｍの厚さのｐ型有機半導体層２５を形成した。
　
　そうすると、刊行物発明において、「合成樹脂からなる転写体６」に、周知の「半導体素子」である「有機トランジスタ」を形成することにより、補正後の発明のように、「低温基板上に有機トランジスタを形成するステップ」を有する構成とすることは、当業者が必要に応じて、適宜なし得たことである。
　また、引用刊行物には、「【０２８８】図２６に示す第８実施例の３次元デバイスは、システムＩＣ（システムＬＳＩ）である。システムＩＣ（システムＬＳＩ）１０ｂは、基板（転写側基板）２１と、
この基板２１上に積層されたロジック回路７７と、メモリセルアレイ７１とを有している。
メモリセルアレイ７１は、ロジック回路７７により駆動制御される。
　よって、相違点３及び５は、当業者が容易になし得た範囲に含まれる程度のものである。
　
（４−６）独立特許要件についてのまとめ
　以上検討したとおり、補正後の発明と刊行物発明との相違点は、いずれも、当業者が周知技術を勘案することにより、容易に想到し得た範囲に含まれる程度のものにすぎず、補正後の発明は、引用刊行物に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際、独立して特許を受けることができない。
　
（５）補正の却下についてのむすび
　本件補正は、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする補正を含むものであるが、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないものである。
　したがって、本件補正は、特許法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
３．本願発明
　平成２４年７月３１日になされた手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成２３年４月１８日になされた手続補正により補正された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載されている事項により特定されるとおり上記２．（１）の補正前の請求項１として記載したとおりのものである。
　
４．刊行物に記載された発明
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された刊行物には、上記２．（４−３−１）及び（４−３−２）に記載したとおりの事項及び発明が記載されているものと認められる。
　
 ５．判断
　上記２．（３）において検討したとおり、補正後の請求項１に係る発明は、補正前の請求項１に係る発明の発明特定事項である「磁気メモリ・デバイス」について、「ＭＲＡＭアレイ」あるいは「磁気トンネル接合（ＭＴＪ）セル」と限定的に減縮する補正である。逆に言えば本件補正前の請求項１に係る発明（本願発明）は，補正後の発明から上記の限定をなくしたものである。
　そうすると、上記２．（４）において検討したように、補正後の発明が，引用刊行物に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、当然に、引用刊行物に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものといえる。
　したがって、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
６．むすび
　以上のとおりであるから、本願は、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、拒絶をすべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。