(57)【要約】本発明は、接続信頼性に優れた被覆導電性微粒子、被覆導電性微粒子の製造方法、異方性導電材料、及び、導電接続構造体を提供することを目的とする。本発明は、導電性の金属からなる表面を有する粒子と、前記導電性の金属からなる表面を有する粒子の表面を被覆する絶縁粒子とからなる被覆導電性微粒子であって、前記絶縁粒子は、前記導電性の金属に対して結合性を有する官能基（Ａ）を介して前記導電性の金属からなる表面を有する粒子に化学結合することにより、単層の被覆層を形成している被覆導電性微粒子である。【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性の金属からなる表面を有する粒子と、前記導電性の金属からなる表面を有する粒子の表面を被覆する絶縁粒子とからなる被覆導電性微粒子であって、前記絶縁粒子は、前記導電性の金属に対して結合性を有する官能基（Ａ）を介して前記導電性の金属からなる表面を有する粒子に化学結合することにより、単層の被覆層を形成している
ことを特徴とする被覆導電性微粒子。
【請求項２】
導電性の金属からなる表面を有する粒子は、樹脂からなるコア粒子と前記コア粒子の表面に形成された導電性の金属層とからなることを特徴とする請求の範囲第１項記載の被覆導電性微粒子。
【請求項３】
導電性の金属からなる表面を有する粒子の表面積の５〜５０％が絶縁粒子により被覆されていることを特徴とする請求の範囲第１又は２項記載の被覆導電性微粒子。
【請求項４】
絶縁粒子は、平均粒子径が導電性の金属からなる表面を有する粒子の平均粒子径の１／１０以下であることを特徴とする請求の範囲第１、２又は３項記載の被覆導電性微粒子。
【請求項５】
絶縁粒子は、粒子径のＣＶ値が２０％以下であることを特徴とする請求の範囲第１、２、３又は４項記載の被覆導電性微粒子。
【請求項６】
絶縁粒子は、表面積の２０％以下が導電性の金属からなる表面を有する粒子の表面と接触していることを特徴とする請求の範囲第１、２、３、４又は５項記載の被覆導電性微粒子。
【請求項７】
絶縁粒子は、導電性の金属からなる表面を有する粒子よりも軟らかいことを特徴とする請求の範囲第１、２、３、４、５又は６項記載の被覆導電性微粒子。
【請求項８】
絶縁粒子は、架橋樹脂からなることを特徴とする請求の範囲第７項記載の被覆導電性微粒子。
【請求項９】
絶縁粒子は、導電性の金属からなる表面を有する粒子よりも硬いことを特徴とする請求の範囲第１、２、３、４、５又は６項記載の被覆導電性微粒子。
【請求項１０】
絶縁粒子は、正電荷を有するものであることを特徴とする請求の範囲第１、２、３、４、５、６、７、８又は９項記載の被覆導電性微粒子。
【請求項１１】
絶縁粒子は、アンモニウム基又はスルホニウム基を有する樹脂からなることを特徴とする請求の範囲第１、２、３、４、５、６、７、８、９又は１０項記載の被覆導電性微粒子。
【請求項１２】
金属に対して結合性を有する官能基（Ａ）は、チオール基又はスルフィド基であることを特徴とする請求の範囲第１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０又は１１項記載の被覆導電性微粒子。
【請求項１３】
請求の範囲第１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１又は１２項記載の被覆導電性微粒子を製造する方法であって、
少なくとも、
有機溶剤及び／又は水中において、導電性の金属からなる表面を有する粒子に絶縁粒子をファンデルワールス力又は静電相互作用により凝集させる工程１と、導電性の金属からなる表面を有する粒子と絶縁粒子とを化学結合させる工程２とを有する
ことを特徴とする被覆導電性微粒子の製造方法。
【請求項１４】
請求の範囲第１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１又は１２項記載の被覆導電性微粒子が絶縁性のバインダー樹脂中に分散されていることを特徴とする異方性導電材料。
【請求項１５】
バインダー樹脂は、熱及び／又は光により硬化する粘接着剤であることを特徴とする請求の範囲第１４項記載の異方性導電材料。
【請求項１６】
被覆導電粒子の絶縁粒子の有する官能基と、バインダー樹脂中の官能基とが化学結合することを特徴とする請求の範囲第１４又は１５項記載の異方性導電材料。
【請求項１７】
バインダー樹脂中の官能基と化学結合する、被覆導電性微粒子の絶縁粒子の有する官能基は、エポキシ基であることを特徴とする請求の範囲第１６項記載の異方性導電材料。
【請求項１８】
異方導電性接着剤であることを特徴とする請求の範囲第１４、１５、１６又は１７項記載の異方性導電材料。
【請求項１９】
請求の範囲第１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１又は１２項記載の被覆導電性微粒子又は請求の範囲第１４、１５、１６、１７又は１８項記載の異方性導電材料により導電接続されてなることを特徴とする導電接続構造体。
【発明の詳細な説明】
技術分野
接続信頼性に優れた被覆導電性微粒子、被覆導電性微粒子の製造方法、異方性導電材料、及び、導電接続構造体に関する。
背景技術
金属表面を有する粒子は種々の樹脂充填材、改質剤として用いられる他、導電性微粒子としてバインダー樹脂に混合され、液晶ディスプレイ、パーソナルコンピュータ、携帯通信機器等のエレクトロニクス製品において、半導体素子等の小型電機部品を基板に電気的に接続したり、基板同士を電気的に接続したりするためのいわゆる異方性導電材料としても用いられる。
近年、電子機器や電子部品が小型化するに伴い、基板等の配線が微細になってきたため、導電性微粒子の微粒子化や粒子径精度の向上が図られてきた。高い接続信頼性を確保するためには異方性導電材料中の導電性微粒子の配合量を増加させる必要があるが、このような微細な配線を有する基板等では、隣接する導電性微粒子同士による横方向の導通等が起こり、隣接電極間で短絡等が生じることがあるという問題があった。この問題を解決するため、導電性微粒子の表面を絶縁体で被覆した被覆導電性微粒子を用いた異方性導電材料が提案されている。
このような導電性微粒子の表面を絶縁体で被覆する方法としては、例えば、特開平４−３６２１０４号公報には導電性微粒子の存在下で界面重合、懸濁重合、乳化重合等を行い、樹脂によりマイクロカプセル化する方法が記載されており、特開昭６２−４０１８３号公報には樹脂溶液中へ導電性微粒子を分散した後乾燥させるディッピング法によりマイクロカプセル化する方法が記載されており、特開平７−１０５７１６号公報にはスプレードライ、ハイブリダイゼーションによる方法が記載されており、その他にも真空蒸着等による方法等が知られている。
しかしながら、このような方法では絶縁被覆層の厚さを一定にすることが困難であり、また、複数個の導電性微粒子を同時に被覆してしまうことがあった。被覆導電性微粒子を用いて導電接続を行う場合、導電性微粒子の粒子径を高度に制御しても、絶縁被覆層の厚みが不均一では、熱や圧力により電極間に固定する際に圧力が均等に伝わらず、導通不良を起こしやすくなる。例えば、上述のハイブリダイゼーションによる絶縁被覆の形成方法は、導電性微粒子の表面に被覆層となる絶縁粒子を物理的な力で付着させる方法であるため、導電性微粒子の表面に単層で被覆層を形成させることはできず絶縁被覆層の厚みの制御が困難であり、また、加熱や摩擦熱による熱や衝撃で樹脂粉末が溶融、変形するため、均一な被覆を行うことは困難であった。また、樹脂微粉末と金属表面との接触面積が大きくなるため、液晶素子のような熱や圧力をかけにくいデバイスに用いた場合には、絶縁被覆層が除去しにくく、その結果、導通不良が起こるといった問題があった。
特開平４−２５９７６６号公報及び特開平３−１１２０１１号公報には、絶縁粒子を静電相互作用やハイブリダイゼーション法により導電性微粒子の表面に弱く付着させてなる被覆導電性微粒子が記載されている。しかしながら、このような方法で得られた被覆導電性微粒子における、絶縁粒子と導電性微粒子との結合力はファンデルワールス力や静電気力のみに起因するため非常に弱く、バインダー樹脂中に分散させる際や隣接粒子の接触により絶縁粒子が剥がれ、充分な絶縁性が確保できないといった問題があった。
また、このような被覆導電性微粒子をバインダー樹脂中に分散させて異方性導電性材料を作製する場合、従来は、バインダー樹脂や溶媒等に非相溶性の被覆層を有する被覆導電性微粒子を用いていた。例えば、特開平４−３６２１０４号公報には、金属微粒子の表面にバインダー樹脂に非相溶なホモポリマー膜又はコポリマー膜を形成することを特徴とする金属微粒子のポリマー被覆方法が開示されており、特開昭６２−４０１８３号公報には、熱溶融型（ホットメルト型）絶縁性接着剤に導電性微粒子を分散させた連結シートにおいて、上記導電性微粒子を上記熱溶融型絶縁性接着剤に不溶な樹脂で被覆したことを特徴とする連結シートが開示されており、特開平７−１０５７１６号公報には、絶縁性芯材と該芯材の表面に形成された導電性層と該導電性層の面積の０．１〜９９．９％を被覆する絶縁層とからなることを特徴とする絶縁粒子が開示されている。
しかしながら、バインダー樹脂に非相溶性の被覆層を有する導電性微粒子を用いると、バインダー樹脂と被覆導電性微粒子との界面での密着性が悪く、バインダー樹脂中に分散させた被覆導電性微粒子が層分離等を起こしやすく、安定性が悪いという問題点があった。特に、バインダー樹脂として熱硬化性樹脂を用いた異方導電性フィルムや異方導電性粘接着剤の場合、バインダー樹脂と被覆導電性微粒子との界面での密着性が低いことから、熱圧着によりバインダー樹脂を硬化させた後、バインダー樹脂と被覆導電性微粒子との界面での剥離が起こり、長期的な接続の安定性や信頼性を確保できないという問題点があった。また、電極間や液晶パネル間のスペースを確保する目的でシール剤等のバインダー樹脂中に被覆導電性微粒子を分散させて熱圧着する場合、被覆層を形成する樹脂がバインダー樹脂に非相溶性であるため、熱溶融した被覆樹脂がブリードアウトして、電極や液晶等を汚染するという問題点もあった。
発明の要約
本発明は、接続信頼性に優れた被覆導電性微粒子、被覆導電性微粒子の製造方法、異方性導電材料、及び、導電接続構造体を提供することを目的とする。
第１の本発明は、導電性の金属からなる表面を有する粒子と、前記導電性の金属からなる表面を有する粒子の表面を被覆する絶縁粒子とからなる被覆導電性微粒子であって、前記絶縁粒子は、前記導電性の金属に対して結合性を有する官能基（Ａ）を介して前記導電性の金属からなる表面を有する粒子に化学結合することにより、単層の被覆層を形成している被覆導電性微粒子である。上記導電性の金属からなる表面を有する粒子は、樹脂からなるコア粒子と前記コア粒子の表面に形成された導電性の金属層とからなることが好ましい。上記絶縁粒子は、平均粒子径が導電性の金属からなる表面を有する粒子の平均粒子径の１／１０以下であることが好ましく、粒子径のＣＶ値が２０％以下であることが好ましく、表面積の２０％以下が導電性の金属からなる表面を有する粒子の表面と接触していることが好ましい。また、上記絶縁粒子は、導電性の金属からなる表面を有する粒子よりも軟らかくてもよく、この場合、架橋樹脂であってもよい。一方、上記絶縁粒子は、導電性の金属からなる表面を有する粒子よりも硬くてもよい。更に、上記絶縁粒子は、正電荷を有するものであることが好ましく、アンモニウム基又はスルホニウム基を有する樹脂からなることが好ましい。上記金属に対して結合性を有する官能基（Ａ）は、チオール基又はスルフィド基であることが好ましい。
第１の本発明の被覆導電性微粒子を製造する方法であって、少なくとも、有機溶剤及び／又は水中において、導電性の金属からなる表面を有する粒子に絶縁粒子をファンデルワールス力又は静電相互作用により凝集させる工程１と、導電性の金属からなる表面を有する粒子と絶縁粒子とを化学結合させる工程２とを有する被覆導電性微粒子の製造方法もまた、本発明の１つである。
第２の本発明は、第１の本発明の被覆導電性微粒子が絶縁性のバインダー樹脂中に分散されている異方性導電材料である。上記バインダー樹脂は、熱及び／又は光により硬化する粘接着剤であることが好ましい。また、被覆導電粒子の絶縁粒子の有する官能基と、バインダー樹脂中の官能基とが化学結合することが好ましく、この場合、上記バインダー樹脂中の官能基と化学結合する、被覆導電性微粒子の絶縁粒子の有する官能基は、エポキシ基であることが好ましい。上記異方性導電材料は、異方導電性接着剤であることが好ましい。
第３の本発明は、第１の本発明の被覆導電性微粒子又は第２の本発明の異方性導電材料により導電接続されてなる導電接続構造体である。
発明の詳細な開示
以下に本発明を詳述する。
第１の本発明の被覆導電性微粒子は、導電性の金属からなる表面を有する粒子（以下、金属表面粒子ともいう）と、上記金属表面粒子を被覆する絶縁粒子とからなる。このように金属表面粒子の表面を絶縁粒子により被覆することにより、第１の本発明の被覆導電性微粒子を用いて基板等の導電接続を行う場合、微細な配線を有する基板等であっても、隣接する導電性微粒子同士による横方向の導通等が起こることなく、また、縦方向には熱及び圧力を加えて熱圧着することにより金属表面粒子の金属表面が露出して確実に導通させることができる。
上記金属表面粒子としては最表層が導電性の金属からなるものであれば特に限定されず、例えば、金属のみからなる粒子；有機化合物又は無機化合物からなるコア粒子の表面に蒸着、メッキ、塗布等により金属層が形成された粒子；金属の微細粒子が絶縁性のコア粒子の表面に導入された粒子等が挙げられる。なかでも、樹脂からなるコア粒子の表面に導電性の金属層が形成されたものは、本発明の被覆導電性微粒子が異方性導電材料に用いられた場合に、電極間の圧着時に変形して接合面積が増やすことができることから、接続安定性の点で好ましい。
上記金属としては、導電性を有しているものであれば特に限定されず、例えば、金、銀、銅、白金、亜鉛、鉄、錫、鉛、アルミニウム、コバルト、インジウム、ニッケル、クロム、チタン、アンチモン、ビスマス、ゲルマニウム、カドミウム、珪素等の金属や、ＩＴＯ、ハンダ等の金属化合物が挙げられる。
上記金属層は、単層構造であってもよく、複数の層からなる積層構造であってもよい。積層構造からなる場合には、最外層は金からなることが好ましい。最外層を金からなるものにすることにより、耐食性が高く接触抵抗も小さいので、得られる被覆導電性微粒子は更に優れたものとなる。
上記樹脂からなるコア粒子の表面に導電性の金属層を形成する方法としては特に限定されず、例えば、物理的な金属蒸着法、化学的な無電解メッキ法等の公知の方法が挙げられるが、工程の簡便さから無電解メッキ法が好適である。無電解メッキ法で形成できる金属層としては、例えば、金、銀、銅、プラチナ、パラジウム、ニッケル、ロジウム、ルテニウム、コバルト、錫及びこれらの合金等が挙げられるが、本発明の被覆導電性微粒子においては、均一な被覆を高密度で形成できることから金属層の一部又は全部が無電解ニッケルメッキによって形成されたものであることが好ましい。
上記金属層の最外層に金層を形成する方法としては特に限定されず、例えば、無電解メッキ、置換メッキ、電気メッキ、スパッタリング等の既知の方法等が挙げられる。
上記金属層の厚みとしては特に限定されないが、好ましい下限は０．００５μｍ、好ましい上限は１μｍである。０．００５μｍ未満であると、導電層としての充分な効果が得られないことがあり、１μｍを超えると、得られる被覆導電性微粒子の比重が高くなりすぎたり、樹脂からなるコア粒子の硬さがもはや充分変形できる硬度ではなくなったりすることがある。より好ましい下限は０．０１μｍ、より好ましい上限は０．３μｍである。
また、上記金属層の最外層を金層とする場合には、金層の厚みの好ましい下限は０．００１μｍ、好ましい上限は０．５μｍである。０．００１μｍ未満であると、均一に金属層を被覆することが困難になり耐食性や接触抵抗値の向上効果が期待できないことがあり、０．５μｍを超えると、その効果の割には高価である。より好ましい下限は０．０１μｍ、より好ましい上限は０．１μｍである。
上記金属表面粒子が、有機化合物からなるコア粒子とその表面に形成された金属層とからなる場合には、上記コア粒子としては特に限定されず、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリプロピレン、ポリイソブチレン、ポリブタジエン等のポリオレフィン、ポリメチルメタクリレート、ポリメチルアクリレート等のアクリル樹脂、ポリアルキレンテレフタレート、ポリスルホン、ポリカーボネート、ポリアミド、フェノールホルムアルデヒド樹脂等のフェノール樹脂、メラミンホルムアルデヒド樹脂等のメラミン樹脂、ベンゾグアナミンホルムアルデヒド樹脂等のベンゾグアナミン樹脂、尿素ホルムアルデヒド樹脂、エポキシ樹脂、（不）飽和ポリエステル樹脂、ポリエチレンテレフタレート、ポリスルホン、ポリフェニレンオキサイド、ポリアセタール、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルスルホン等からなるものが挙げられる。なかでも、エチレン性不飽和基を有する種々の重合性単量体を１種又は２種以上重合させてなる樹脂を用いてなるものは、好適な硬さを得やすいことから好ましい。
上記エチレン性不飽和基を有する重合性単量体は、非架橋性の単量体でも架橋性の単量体でもよい。
上記非架橋性の単量体としては、例えば、スチレン、α−メチルスチレン、ｐ−メチルスチレン、ｐ−クロロスチレン、クロロメチルスチレン等のスチレン系単量体；（メタ）アクリル酸、マレイン酸、無水マレイン酸等のカルボキシル基含有単量体；メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、プロピル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレート、ラウリル（メタ）アクリレート、セチル（メタ）アクリレート、ステアリル（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、イソボルニル（メタ）アクリレート、エチレングリコール（メタ）アクリレート、トリフルオロエチル（メタ）アクリレート、ペンタフルオロプロピル（メタ）アクリレート等のアルキル（メタ）アクリレート類；２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、グリセロール（メタ）アクリレート、ポリオキシエチレン（メタ）アクリレート、グリシジル（メタ）アクリレート等の酸素原子含有（メタ）アクリレート類；（メタ）アクリロニトリル等のニトリル含有単量体；メチルビニルエーテル、エチルビニルエーテル、プロピルビニルエーテル等のビニルエーテル類；酢酸ビニル、酪酸ビニル、ラウリン酸ビニル、ステアリン酸ビニル、フッ化ビニル、塩化ビニル、プロピオン酸ビニル等の酸ビニルエステル類；エチレン、プロピレン、ブチレン、メチルペンテン、イソプレン、ブタジエン等の不飽和炭化水素等が挙げられる。
上記架橋性の単量体としては、例えば、テトラメチロールメタンテトラ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタントリ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタンジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレート、グリセロールトリ（メタ）アクリレート；グリセロールジ（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート等の多官能（メタ）アクリレート類；トリアリル（イソ）シアヌレート、トリアリルトリメリテート、ジビニルベンゼン、ジアリルフタレート、ジアリルアクリルアミド、ジアリルエーテル等；γ―（メタ）アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、トリメトキシシリルスチレン、ビニルトリメトキシシラン等のシラン含有単量体；フタル酸等のジカルボン酸類；ジアミン類；ジアリルフタレート、ベンゾグアナミン、トリアリルイソシアネート等が挙げられる。
上記コア粒子の平均粒子径の好ましい下限は０．５μｍ、好ましい上限は１００μｍである。０．５μｍ未満であると、金属層を形成する際に凝集が生じやすく、凝集を起こしたコア粒子を用いて製造される被覆導電性微粒子は隣接電極間のショートを引き起こすことがあり、１００μｍを超えると、得られる被覆導電性微粒子の金属層が剥がれやすくなり信頼性が低下することがある。より好ましい下限は１μｍ、より好ましい上限は２０μｍである。なお、上記コア粒子の平均粒子径は光学顕微鏡、電子顕微鏡、コールタカウンター等を用いて計測した粒子径を統計的に処理して求めることができる。
上記コア粒子の平均粒子径の変動係数は１０％以下であることが好ましい。１０％を超えると、得られる被覆導電性微粒子を用いて相対向する電極間隔を任意に制御することが困難になる。なお、上記変動係数とは、粒子径分布から得られる標準偏差を平均粒子径で除して得られる数値である。
上記コア粒子の１０％Ｋ値の好ましい下限は１０００ＭＰａ、好ましい上限は１５０００ＭＰａである。１０００ＭＰａ未満であると、得られる被覆樹脂微粒子の強度が不充分であるため、圧縮変形させたときに粒子の破壊が生じ導電材料としての機能を果たさなくなることがあり、１５０００ＭＰａを超えると、電極を傷つけることがある。より好ましい下限は２０００ＭＰａ、より好ましい上限は１００００ＭＰａである。なお、上記１０％Ｋ値は、微小圧縮試験器（例えば、島津製作所製ＰＣＴ−２００等）を用い、粒子を直径５０μｍのダイアモンド製円柱からなる平滑圧子端面で、圧縮速度２．６ｍＮ／秒、最大試験荷重１０ｇの条件下で圧縮した場合の圧縮変位（ｍｍ）を測定し、下記式により求めることができる。
Ｋ値（Ｎ／ｍｍ２）＝（３／√２）・Ｆ−Ｓ−３／２・Ｒ−１／２
Ｆ：粒子の１０％圧縮変形における荷重値（Ｎ）
Ｓ：粒子の１０％圧縮変形における圧縮変位（ｍｍ）
Ｒ：粒子の半径（ｍｍ）
なお、１０％Ｋ値が上記条件を満たすコア粒子を得るためには、コア粒子は、上述のエチレン性不飽和基を有する重合性単量体を重合させてなる樹脂からなることが好ましく、この場合、構成成分として架橋性単量体を少なくとも２０重量％以上含有することがより好ましい。
上記コア粒子は、回復率が２０％以上であることが好ましい。２０％未満であると、得られる被覆導電性微粒子を圧縮した場合に変形しても元に戻らないため接続不良を起こすことがある。より好ましくは４０％以上である。なお、上記回復率とは、粒子に９．８ｍＮの荷重を負荷した後の回復率をいう。
上記絶縁粒子としては、絶縁性のものであれば特に限定されず、例えば、絶縁性の樹脂からなるものの他、シリカ等の絶縁性の無機物からなるもの等が挙げられる。なかでも絶縁性の樹脂からなるものが好ましい。上記絶縁性の樹脂としては特に限定されず、例えば、上述のコア粒子に用いられる樹脂等が挙げられる。これらの樹脂は単独で用いてもよく、２種以上を併用しても良い。
上記絶縁粒子の粒子径は、金属表面粒子の粒子径及び被覆導電性微粒子の用途によっても異なるが、金属表面粒子の粒子径の１／１０以下であることが好ましい。１／１０を超えると、絶縁粒子の粒子径が大きくなりすぎて、金属表面粒子を用いる効果が期待できなくなる。また、１／１０以下である場合、ヘテロ凝集法により本発明の被覆導電性微粒子を製造する際に、効率よく金属表面粒子上に絶縁粒子を吸着させることができる。また、本発明の被覆導電性微粒子を異方性導電材料として用いる場合は、上記絶縁粒子の粒子径は５〜１０００ｎｍであることが好ましい。５ｎｍ未満であると、隣接する被覆導電性微粒子間の距離が電子のホッピング距離より小さくなり、リークが起こりやすくなり、１０００ｎｍを超えると、熱圧着する際に必要な圧力や熱が大きくなりすぎることがある。より好ましくは１０〜５００ｎｍである。
なお、大きな絶縁粒子により被覆された隙間に小さな絶縁粒子が入り込み、被覆密度を向上できるため、粒子径の異なる２種以上の絶縁粒子を併用してもよい。この際、小さな絶縁粒子の粒子径は大きな絶縁粒子の粒子径の１／２以下であることが好ましく、また、小さな絶縁粒子の数は大きな絶縁粒子の数の１／４以下であることが好ましい。
上記絶縁粒子は、粒子径のＣＶ値が２０％以下であることことが好ましい。２０％を超えると、得られる被覆導電性微粒子の被覆層の厚さが不均一となり、電極間で熱圧着する際に均一に圧力がかけにくくなり、導通不良を起こすことがある。なお、上記粒子径のＣＶ値は、下記式により算出することができる。
粒子径のＣＶ値（％）＝粒子径の標準偏差／平均粒子径×１００
上記粒子径分布の測定方法としては、金属表面粒子を被覆する前は粒度分布計等で測定できるが、被覆した後はＳＥＭ写真の画像解析等で測定することができる。
上記絶縁粒子は、表面積の２０％以下が金属表面粒子の表面と接触していることが好ましい。２０％を超えると、上記絶縁粒子の変形が大きく、得られる被覆導電性微粒子の被覆層の厚さが不均一となったり、また、絶縁粒子と金属表面粒子の結合力が強くなりすぎて、電極間で圧着しても絶縁粒子が排除できずに、導通不良を起こしたりすることがある。なお、下限については特に限定されず、絶縁粒子と金属表面粒子とが、例えば鎖長の長いポリマー等により結ばれている場合には、実質的に０％であってもよい。
上記絶縁粒子は、正電荷を有するものであることが好ましい。正電荷を有することにより、後述するヘテロ凝集法を用いて、金属表面粒子との結合を行うことができ、また、上記絶縁粒子同士は静電反発することから、絶縁粒子同士が凝集することを抑制し、単層の被覆層を形成することができる。即ち、絶縁粒子が正に帯電している場合には、絶縁粒子は金属表面粒子上に単層で付着する。また、このような正電荷がアンモニウム基又はスルホニウム基による場合には、後述する金属に対して結合性を有する官能基（Ａ）としても作用し、絶縁粒子が直接金属表面粒子の表面の金属と化学結合を形成しやすくなる。従って、上記絶縁粒子はアンモニウム基又はスルホニウム基を有する樹脂からなることが好ましい。なかでも、スルホニウム基を有する樹脂からなることが更に好ましい。
上記正電荷を有する絶縁粒子としては、絶縁粒子の製造時に正電荷を有する重合性単量体を混入させたもの、正電荷を有するラジカル開始剤により重合を行ったもの、正電荷を有する分散安定剤又は乳化剤を用いて製造されたもの等が挙げられる。これらの方法は２種以上併用しても良い。これらのなかでも、正電荷を有する重合性単量体を用いる方法、ラジカル開始剤を用いる方法が好適である。
上記正電荷を有する重合性単量体としては、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノエチルメタクリレート、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノプロピルアクリルアミド、Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリメチル−Ｎ−２−メタクリロイルオキシエチルアンモニウムクロライド等のアンモニウム基含有モノマー、メタクリル酸フェニルジメチルスルホニウムメチル硫酸塩等のスルホニウム基を有するモノマー等が挙げられる。上記正電荷を有するラジカル開始剤としては、例えば、２，２’−アゾビス｛２−メチル−Ｎ−［２−（１−ヒドロキシ−ブチル）］−プロピオンアミド｝、２，２’−アゾビス［２−（２−イミダゾリン−２−イル）プロパン］、２，２’−アゾビス（２−アミジノプロパン）及びこれらの塩等が挙げられる。
第１の本発明の被覆導電性微粒子においては、上記金属表面粒子と絶縁粒子とは、金属に対して結合性を有する官能基（Ａ）を介して化学結合されている。化学結合されることにより、ファンデルワールス力や静電気力のみによる結合に比べて結合力が強く、バインダー樹脂等に混練する際に絶縁粒子が剥がれ落ちたり、被覆導電性微粒子を異方性導電材料として用いたときに隣接粒子との接触により絶縁粒子が剥がれ落ちてリークが起こったりするのを防ぐことができる。また、この化学結合は金属表面粒子と絶縁粒子との間にのみ形成され、絶縁粒子同士が結合することはないので、絶縁粒子による被覆層は単層となる。このことから、金属表面粒子及び絶縁粒子として粒子径の揃ったものを用いれば、容易に本発明の被覆導電性微粒子の粒子径を均一なものとすることができる。
上記官能基（Ａ）としては、金属とイオン結合、共有結合、配位結合が可能な基であれば特に限定されず、例えば、シラン基、シラノール基、カルボキシル基、アミノ基、アンモニウム基、ニトロ基、水酸基、カルボニル基、チオール基、スルホン酸基、スルホニウム基、ホウ酸基、オキサゾリン基、ピロリドン基、燐酸基、ニトリル基等が挙げられる。なかでも、配位結合し得る官能基が好ましく、Ｓ、Ｎ、Ｐ原子を有する官能基が好適に用いられる。例えば、金属が金の場合には、金に対して配位結合を形成するＳ原子を有する官能基、特にチオール基、スルフィド基であることが好ましい。
このような官能基（Ａ）を用いて金属表面粒子と絶縁粒子とを化学結合させる方法としては特に限定されないが、例えば、１）官能基（Ａ）を表面に有する絶縁粒子を金属表面粒子の表面に導入する方法、２）官能基（Ａ）と反応性官能基（Ｂ）とを有する化合物を金属表面に導入し、その後一段階又は多段階の反応により反応性官能基（Ｂ）と絶縁粒子とを反応させて結合する方法等が挙げられる。
上記１）の方法において、官能基（Ａ）を表面に有する絶縁粒子を作製する方法としては特に限定されず、例えば、官能基（Ａ）を有するモノマーを絶縁粒子の製造時に混入させる方法；絶縁粒子の表面に化学結合により官能基（Ａ）を導入する方法；絶縁粒子の表面を化学処理し官能基（Ａ）に改質する方法；絶縁粒子の表面をプラズマ等で官能基（Ａ）に改質する方法等が挙げられる。
上記２）の方法としては、例えば、同一分子内に官能基（Ａ）とヒドロキシル基、カルボキシル基、アミノ基、エポキシ基、シリル基、シラノール基、イソシアネート基等の反応性官能基（Ｂ）とを有する化合物を金属表面粒子と反応させ、次いで、反応性官能基（Ｂ）に共有結合可能な官能基を表面に有する有機化合物粒子を反応させる方法等が挙げられる。このような同一分子内に官能基（Ａ）と反応性官能基（Ｂ）とを有する化合物としては、例えば、２−アミノエタンチオール、ｐ−アミノチオフェノール等が挙げられる。２−アミノエタンチオールを用いれば、金属表面粒子の表面にＳＨ基を介して２−アミノエタンチオールを結合させ、一方のアミノ基に対して例えば表面にエポキシ基やカルボキシル基等を有する絶縁粒子を反応させることにより、金属表面粒子と絶縁粒子とを結合することができる。
第１の本発明の被覆導電性微粒子を用いて電極間の接合を行う場合、熱及び圧力を加えて熱圧着することにより金属表面粒子の金属表面を露出させて導通を行う。ここで金属表面が露出するとは、金属表面粒子の金属表面が絶縁粒子に妨げられずに直接電極と接することができる状態になることをいう。なお、上記熱圧着の条件としては、異方性導電材料中の被覆導電性微粒子の密度や接続する電子部品の種類等により必ずしも限定されないが、通常は１２０〜２２０℃の温度で、９．８×１０４〜４．９×１０６Ｐａの圧力により行う。
金属表面粒子の金属表面が露出する態様としては、以下の３つの態様が考えられる。
第１の態様は、熱圧着することにより、絶縁粒子が溶融して、金属表面粒子の金属表面が露出するというものである。
第２の態様は、熱圧着することにより、絶縁粒子が変形して、金属表面粒子の金属表面が露出するというものである。
第３の態様は、熱圧着することにより、金属表面粒子と絶縁粒子とが剥離して、金属表面粒子の金属表面が露出するというものである。
なかでも、第２の態様により金属表面粒子の金属表面が露出して導電接続が行われることが好ましい。第１の態様による場合は、溶融した絶縁粒子がブリードアウトして、バインダー樹脂や基板を汚染したり、隣接する被覆導電性微粒子間を絶縁する被覆層までが溶融して充分な絶縁性を示さなかったりすることがあり、第３の態様による場合は、熱圧着時の金属表面粒子と絶縁粒子とが圧着する方向に並んでいる場合に絶縁粒子が金属表面粒子と基板との間にはさまり剥離することができずに、接続信頼性が低くなることがある。
このいずれの態様により金属表面粒子の金属表面が露出して導電接続が行われるかは、熱圧着条件等にもよるが、通常は、金属表面粒子の硬さと絶縁粒子の硬さとの相対関係により制御することができる。ここで粒子の硬さとは、熱圧着条件下における相対的な硬さをいい、例えば、金属表面粒子に比較して絶縁粒子の軟化温度が低く、熱圧着条件下では絶縁粒子のみが軟化する場合には、絶縁粒子の方が軟らかいといえる。
絶縁粒子が、金属表面粒子よりも軟らかい場合には、通常、上記第１又は第２の態様により金属表面粒子の金属表面が露出して導電接続が行われる。即ち、例えば、絶縁粒子として融点が熱圧着温度よりも低いものを用いた場合には、熱圧着条件下では絶縁粒子の方が柔らかく、絶縁粒子が溶融して流れ、金属表面粒子の金属表面が露出する。また、絶縁粒子として融点は熱圧着温度よりも高いが軟化温度は熱圧着温度よりも低いものを用いた場合には、熱圧着条件下では絶縁粒子の方が柔らかく、絶縁粒子が変形してつぶれ、金属表面粒子の金属表面が露出する。このように融点は熱圧着温度よりも高いが軟化温度は熱圧着温度よりも低いものとしては、例えば、架橋樹脂；天然ゴム、合成ゴム等のゴム等が挙げられる。
一方、絶縁粒子が、金属表面粒子よりも硬い場合には、通常、上記第３の態様により金属表面粒子の金属表面が露出して導電接続が行われる。即ち、このような被覆導電性微粒子を電極間に置き熱圧着すると、圧着により金属表面粒子と絶縁粒子の間に応力がかかり、この応力が化学結合による結合力を超えると絶縁粒子が金属表面粒子からはずれて金属表面粒子の金属表面が露出する。
上記金属表面粒子の硬さと絶縁粒子の硬さとの相対関係は、例えば、上記金属表面粒子として、樹脂からなるコア粒子とコア粒子の表面に形成された導電性の金属層とからなるものを用い、絶縁樹脂として、絶縁性の樹脂を用いる場合にあっては、ａ）金属表面粒子のコア粒子に用いる樹脂の種類と絶縁粒子に用いる樹脂の種類とを選択する、ｂ）金属表面粒子のコア粒子に用いる樹脂の架橋度と絶縁粒子に用いる樹脂の架橋度とを選択する、ｃ）金属表面粒子の金属層の金属種・厚さと絶縁粒子に用いる樹脂の種類とを適宜選択することにより調整することができる。
なお、金属表面粒子の金属表面を露出させるためには、絶縁粒子の被覆率、即ち金属表面粒子の表面積全体に占める絶縁粒子により被覆されている部分の面積を５〜５０％にすることが好ましい。５％未満であると隣接する被覆導電性微粒子同士の絶縁が不充分になることがあり、５０％を超えると、第１の態様の場合には、溶融排除しなければならない絶縁粒子量が増加することから、熱や圧力を必要以上にかけなければならなくなったり、排除された樹脂によりバインダー樹脂の性能を低下させたりすることがあり、第２の態様の場合には、絶縁粒子が変形してつぶれても金属表面が充分に露出しないことがあり、第３の態様の場合には、隣接する絶縁粒子を押し退け熱圧着方向の絶縁粒子が剥離するために圧力を必要以上にかけなければならなくなったり、金属表面粒子と電極の間に絶縁粒子が挟み込まれて導通できなくなる危険性が高くなったりすることがある。
このような金属表面粒子の硬さと絶縁粒子の硬さとの相対関係の調整について更に説明する。例えば、上記金属表面粒子として、銅、ニッケル、鉄、金等の比較的硬い金属；窒化アルミ等の比較的硬い金属酸化物；シリカ等の無機粒子；架橋性の単量体の配合量が５０重量％以上である樹脂からなるコア粒子に金属層を設けたもの等の比較的硬いものを選択した場合に、上記絶縁粒子として、下記のものを選択することにより、いずれの態様により金属表面粒子の金属表面が露出して導電接続が行われるかを調整することができる。
即ち、例えば、上記絶縁粒子として、架橋性の単量体の配合量が１重量％未満、かつ、溶融温度が６０〜２２０℃である樹脂を選択する場合には、第１の態様により金属表面粒子の金属表面が露出して導電接続が行われると考えられる。また、このとき絶縁粒子のゲル分率は５０％以下であることが好ましい。このような絶縁粒子としては、例えば、架橋性の単量体としてジビニルベンゼンやエチレングリコールジメタクリレートを０．５重量％程度含有するメタクリル酸メチル／スチレン共重合体等が挙げられる。なお、溶融温度が６０℃未満であると、輸送時や貯蔵時に被覆導電性微粒子同士が合着してしまうことがある。また、架橋性の単量体の配合量が０％である場合には、バインダー樹脂等の混練する際の有機溶剤に溶解してしまうことがある。
また、例えば、上記絶縁粒子として、架橋性の単量体の配合量が１〜２０重量％、かつ、軟化温度が６０〜２２０℃である樹脂を選択する場合には、第２の態様により金属表面粒子の金属表面が露出して導電接続が行われると考えられる。また、このとき絶縁粒子のゲル分率は５０％以上であることが好ましい。このような絶縁粒子としては、例えば、架橋性の単量体としてジビニルベンゼンを３重量％程度含有するメタクリル酸メチル／スチレン共重合体、ジビニルベンゼン又はエチレングリコールジメタクリレートを５重量％程度含有する樹脂等が挙げられる。
また、例えば、上記絶縁粒子として、架橋性の単量体の配合量が５０重量％以上、かつ、軟化しない樹脂や無機微粒子を選択する場合には、第３の態様により金属表面粒子の金属表面が露出して導電接続が行われると考えられる。また、このとき絶縁粒子のゲル分率は８０％以上であることが好ましい。このような絶縁粒子としては、例えば、架橋性の単量体としてジビニルベンゼンやペンタエリストールテトラアクリレートを８０重量％程度含有する樹脂、シリカ、窒化アルミニウム等が挙げられる。
なかでも、コア粒子として架橋性の単量体を５０重量％以上含有する樹脂、金属層としてニッケル／金層を有する金属表面粒子と、架橋性の単量体としてジビニルベンゼンやエチレングリコールジメタクリレート、ペンタエリストールテトラアクリレート等の多官能（メタ）アクリル酸エステルを２〜５重量％含有するスチレン共重合体樹脂からなる絶縁粒子の組み合わせは、接続信頼性の点で最も優れたものの１つであり、特に好ましい。
第１の本発明の被覆導電性微粒子を作製する方法としては、上記金属表面粒子の表面に上記絶縁粒子を接触させ化学結合させる方法であれば特に限定されないが、例えば、少なくとも、有機溶剤及び／又は水中において、導電性の金属からなる表面を有する粒子に絶縁粒子をファンデルワールス力又は静電相互作用により凝集させる工程１と、導電性の金属からなる表面を有する粒子と絶縁粒子とを化学結合させる工程２とを有する方法が好ましい。工程１の凝集法はヘテロ凝集法と呼ばれる方法であり、この方法を用いれば、溶媒効果により金属表面粒子と絶縁粒子との間の化学反応が迅速かつ確実に起こるため、必要以上の圧力を必要とせず、また、系全体の温度の制御も容易であるため、絶縁粒子が熱により変形等しにくい。これに比べて、従来の高速攪拌機やハイブリダイザー等を用いた乾式方法により絶縁粒子を導入すると、必要以上の圧力や摩擦熱等の負荷がかかりやすく、絶縁粒子が金属表面粒子より硬い場合には、金属表面粒子に傷がついたり、金属層が剥離したりすることもあり、また、絶縁粒子が金属表面粒子より柔らかい場合や、絶縁粒子のガラス転移点温度が低い場合には、金属表面粒子との衝突や摩擦熱により絶縁粒子が変形し、接触面積が大きくなったり、絶縁膜厚が不均一になったり、絶縁粒子が積層付着したり、絶縁粒子が溶融し被覆導電性微粒子同士が合着して単粒子化できなかったりすることがある。
上記有機溶剤としては、絶縁粒子を溶解しないのもであれば特に限定されない。
このような、第１の本発明の被覆導電性微粒子を作製する方法であって、少なくとも、有機溶剤及び／又は水中において、導電性の金属からなる表面を有する粒子に絶縁粒子をファンデルワールス力又は静電相互作用により凝集させる工程１と、導電性の金属からなる表面を有する粒子と絶縁粒子とを化学結合させる工程２とを有する被覆導電性微粒子の製造方法もまた、本発明の１つである。
第１の本発明の被覆導電性微粒子は、金属表面粒子と絶縁粒子とが化学結合していることにより、バインダー樹脂等に混練する際や隣接粒子と接触する際に、絶縁粒子と金属表面との結合力が弱すぎて絶縁粒子が剥がれ落ちたりすることがない。また、絶縁粒子は単層の被覆層を形成し、絶縁粒子の粒径分布が小さく、かつ、絶縁粒子と金属表面との接触面積が一定であるので、被覆導電性微粒子の粒子径を均一にすることができる。
第１の本発明の被覆導電性微粒子を異方性導電材料として用いた場合には、接続時には熱圧着することにより金属表面粒子の金属表面が露出して確実な導通が得られる一方、隣接粒子間にかかる圧力では絶縁粒子が金属表面粒子の表面から剥がれることはなく、確実な絶縁性が得られる。
第１の本発明の被覆導電性微粒子は、異方性導電材料、熱線反射材料、電磁波シールド材料等の用途に用いることができる。なかでも、絶縁性のバインダー樹脂中に分散させることにより異方性導電材料として好適に用いることができる。
第２の本発明は、第１の本発明の被覆導電性微粒子が絶縁性のバインダー樹脂中に分散されている異方性導電材料である。本明細書において、異方性導電材料には、異方性導電膜、異方性導電ペースト、異方性導電接着剤、異方性導電インク等が含まれる。
上記異方性導電膜を作製する方法としては特に限定されず、例えば、バインダー樹脂に溶媒を加えたものに本発明の被覆導電性微粒子を懸濁させ、この懸濁液を離型フィルム上に流延して被膜を作り、被膜から溶媒を蒸発させたものをロール上に巻き取る方法等が挙げられる。上記異方性導電膜による導電接続においては、被膜を離型フィルムとともに巻き出して、被膜を接着すべき電極上に置き、この上に対向電極を重ねて熱圧着することにより接続させる方法等が挙げられる。
上記異方性導電ペーストは、例えば、異方性導電接着剤をペースト状にすることにより作製することができ、これを適当なディスペンサーに入れ、接続すべき電極上に所望の厚みに塗り、この上に対向電極を重ね合わせ、熱圧着して樹脂を硬化させることにより、接続することができる。
上記異方性導電インクは、例えば、異方性導電接着剤に溶媒を加えて印刷に適した粘度を持たせることにより作製することができ、これを接着すべき電極上にスクリーン印刷し、その後溶媒を蒸発させ、この上に対向電極を重ねて熱圧着することにより接続することができる。
上記異方性導電材料の塗工膜厚としては、使用した本発明の被覆導電性微粒子の平均粒子径と接続電極の仕様とから計算し、接続電極間に被覆導電性微粒子が挟持され、接合基板間が接着層で充分に満たされるようにすることが好ましい。
上記絶縁性のバインダー樹脂としては、絶縁性であれば特に限定されないが、例えば、アクリル酸エステル、エチレン−酢酸ビニル樹脂、スチレン−ブタジエンブロック共重合体及びその水添物、スチレン−イソプレンブロック共重合体及びその水添物等の熱可塑性樹脂；エポキシ樹脂、アクリル酸エステル樹脂、メラミン樹脂、尿素樹脂、フェノール樹脂等の熱硬化性樹脂；多価アルコールのアクリル酸エステル、ポリエステルアクリレート、多価カルボン酸の不飽和エステル等の紫外線、電子線等により硬化する樹脂等が挙げられる。なかでも、熱及び／又は光により硬化する粘接着剤が好適である。
第２の本発明の異方性導電材料においては、含有される第１の本発明の被覆導電性微粒子の絶縁粒子に含まれる官能基と、バインダー樹脂中の官能基とが化学結合することが好ましい。上記絶縁粒子とバインダー樹脂とが化学結合することにより、バインダー樹脂中に分散された第１の本発明の被覆導電性微粒子の安定性に優れるとともに、熱溶融した絶縁粒子がブリードアウトして電極や液晶を汚染することがなく、かつ、長期的な接続の安定性や信頼性に優れる異方性導電材料となる。
このような絶縁粒子とバインダー樹脂との組み合わせとしては、例えば、絶縁粒子はカルボキシル基、エポキシ基、イソシアネート基、アミノ基、水酸基、スルホン酸、シラン基、シラノール基等の官能基を有することが好ましく、なかでもエポキシ基を有することがより好ましい。これに対して、バインダー樹脂は、常温下、加熱下又は光照射下でこれらの官能基と反応性の官能基を有する（共）重合体や、上記反応性の官能基を有し、重合反応や重縮合反応により（共）重合体や重縮合体を形成することができる単量体等を用いることが好ましい。これらのバインダー樹脂は、単独で用いられても良いし、２種類以上が併用されても良い。
上記（共）重合体としては特に限定されず、例えば、ポリエチレン、ポリブタジエン等のポリオレフィン；ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール等のポリエーテル；ポリスチレン、ポリ（メタ）アクリル酸、ポリ（メタ）アクリル酸エステル、ポリアクリルアミド、ポリビニルアルコール、ポリビニルエステル、フェノール樹脂、メラミン樹脂、アリル樹脂、フラン樹脂、ポリエステル、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリウレタン、フッ素樹脂、アクリロニトリル−スチレン共重合樹脂、スチレン−ブタジエン共重合樹脂、ビニル樹脂、ポリアミド樹脂、ポリカーボネート、ポリアセタール、ポリエーテルスルホン、ポリフェニレンオキシド、糖、澱粉、セルロース、ポリペプチド等が挙げられる。これらの（共）重合体は、単独で用いられても良いし、２種類以上が併用されても良い。
また、上記（共）重合体や重縮合体を形成することができる単量体としては特に限定されず、例えば、熱、光、電子線、ラジカル重合開始剤、重合触媒等により重合反応を行うビニル系単量体や重縮合反応を行う単量体等が挙げられる。これらの単量体は、単独で用いられても良いし、２種類以上が併用されても良い。
第２の本発明の異方性導電材料には、必須成分であるバインダー樹脂及び第１の本発明の被覆導電性微粒子以外に、本発明の課題達成を阻害しない範囲で必要に応じて、例えば、充填剤、増量剤、軟化剤、可塑剤、重合触媒、硬化触媒、着色剤、酸化防止剤、熱安定剤、光安定剤、紫外線吸収剤、滑剤、帯電防止剤、難燃剤等の各種添加剤の１種類又は２種類以上が添加されてもよい。
上記バインダー樹脂中に第１の本発明の被覆導電性微粒子を分散させる方法としては特に限定されず、従来公知の分散方法を用いることができ、例えば、バインダー樹脂中に被覆導電性微粒子を添加した後、プラネタリーミキサー等で混練して分散させる方法；被覆導電性微粒子を水や有機溶剤中にホモジナイザー等を用いて均一に分散させた後、バインダー樹脂中へ添加し、プラネタリーミキサー等で混練して分散させる方法；バインダー樹脂を水や有機溶剤等で希釈した後、被覆導電性微粒子を添加し、プラネタリーミキサー等で混練して分散させる方法等の機械的剪断力を付与する分散方法等が挙げられる。これらの分散方法は、単独で用いられても良いし、２種類以上が併用されても良い。
上記機械的剪断力を付与する方法としては特に限定されず、例えば、遊星式攪拌機、万能攪拌機、プラネタリーミキサー、ロール、プロペラ撹拌機、ディスパー等の各種混合攪拌機やこれらを用いる各種混合撹拌方法等が挙げられる。なお、上記機械的剪断力の付与に際しては、バインダー樹脂中に分散させる第１の本発明の被覆導電性微粒子の構造を破壊するほどの機械的剪断力を加えないような方法や条件を適宜選択して行うことが好ましい。
第２の本発明の異方性導電材料の形態としては特に限定されず、例えば、バインダー樹脂として絶縁性の液状もしくは固形の粘接着剤を用い、この粘接着剤中に本発明の被覆粒子を分散させてなる不定形の異方性導電接着剤であってもよいし、定形の異方性導電膜であってもよい。
第３の本発明は、第１の本発明の被覆導電性微粒子又は第２の本発明の異方性導電材料によりＩＣチップや基板等の電子部品が導電接続されてなる導電接続構造体である。
発明を実施するための最良の形態
以下に実施例を掲げて本発明を更に詳しく説明するが、本発明はこれら実施例のみに限定されるものではない。
１．絶縁粒子［１］〜［８］の作製
（１）絶縁粒子［１］の作製
４ツ口セパラブルカバー、攪拌翼、三方コック、冷却管、温度プローブを取り付けた１０００ｍＬ容セパラブルフラスコに、メタクリル酸メチル１００ｍｍｏｌ、Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリメチル−Ｎ−２−メタクリロイルオキシエチルアンモニウムクロライド１ｍｍｏｌ、２，２’−アゾビス（２−アミジノプロパン）二塩酸塩１ｍｍｏｌからなるモノマー組成物を固形分率が５重量％となるように蒸留水に秤取した後、２００ｒｐｍ．で攪拌し、窒素雰囲気下７０℃で２４時間重合を行った。反応終了後、凍結乾燥して、表面にアンモニウム基を有する平均粒子径２２０ｎｍ、粒子径のＣＶ値１０％の絶縁粒子［１］を得た。
（２）絶縁粒子［２］の作製
モノマー組成物を、スチレン５０ｍｍｏｌ、メタクリル酸グリシジル５０ｍｍｏｌ、２，２’−アゾビス（２−アミジノプロパン）二塩酸塩１ｍｍｏｌとしたこと以外は絶縁粒子［１］の作製方法と同様にして、表面にアミジノ基及びエポキシ基を有する平均粒子径２１０ｎｍ、粒子径のＣＶ値１３％の絶縁粒子［２］を得た。
（３）絶縁粒子［３］の作製
４ツ口セパラブルカバー、攪拌翼、三方コックを取り付けた１０００ｍＬ容セパラブルフラスコ中で、３−イソシアネートプロピルトリエトキシシラン１００ｍｍｏｌを脱水エタノール５００ｍＬに溶解させた。この溶液に、粒子径が約２００ｎｍのシリカ粒子１０ｇを窒素雰囲気下で分散させ、室温で１２時間攪拌した。遠心分離洗浄により未反応のアミノプロピルトリメトキシシランを除去し、更に、分散媒体をエタノールからトルエンに置換し、表面にイソシアネート基を有する絶縁粒子［３］のトルエン分散液（固形分率５％）を得た。
（４）絶縁粒子［４］の作製
モノマー組成物を、メタクリル酸グリシジル５０ｍｍｏｌ、メタクリル酸メチル５０ｍｍｏｌ、ジメタクリル酸エチレングリコール３ｍｍｏｌ、メタクリル酸フェニルジメチルスルホニウムメチル硫酸塩１ｍｍｏｌ、２，２’−アゾビス｛２−［Ｎ−（２−カルボキシエチル）アミジノ］プロパン｝２ｍｍｏｌとしたこと以外は絶縁粒子［１］の作製方法と同様にして、表面にスルホニウム基及びエポキシ基を有する平均粒子径１８０ｎｍ、粒子径のＣＶ値７％の絶縁粒子［４］を得た。
（５）絶縁粒子［５］の作製
モノマー組成物を、メタクリル酸イソブチル１００ｍｍｏｌ、ジメタクリル酸エチレングリコール３ｍｍｏｌ、メタクリル酸フェニルジメチルスルホニウムメチル硫酸塩３ｍｍｏｌ、２，２’−アゾビス｛２−［Ｎ−（２−カルボキシエチル）アミジノ］プロパン｝１ｍｍｏｌとしたこと以外は絶縁粒子［１］の作製方法と同様にして、表面にスルホニウム基を有する平均粒子径１９０ｎｍ、粒子径のＣＶ値１１％の絶縁粒子［５］を得た。
（６）絶縁粒子［６］の作製
モノマー組成物を、メタクリル酸ｔ−ブチル１００ｍｍｏｌ、ジメタクリル酸エチレングリコール５ｍｍｏｌ、Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリメチル−Ｎ−２−メタクリロイルオキシエチルアンモニウムクロライド１ｍｍｏｌ、２，２’−アゾビス（２−アミジノプロパン）二塩酸塩１ｍｍｏｌとしたこと以外は絶縁粒子［１］の作製方法と同様にして、表面にアンモニウム基を有する平均粒子径２１０ｎｍ、粒子径のＣＶ値１３％の絶縁粒子［６］を得た。
（７）絶縁粒子［７］の作製
モノマー組成物を、メタクリル酸グリシジル５０ｍｍｏｌ、スチレン５０ｍｍｏｌ、ジメタクリル酸エチレングリコール１０ｍｍｏｌ、ジビニルベンゼン１０ｍｍｏｌ、メタクリル酸フェニルジメチルスルホニウムメチル硫酸塩１ｍｍｏｌ、２，２’−アゾビス｛２−［Ｎ−（２−カルボキシエチル）アミジノ］プロパン｝２ｍｍｏｌとしたこと以外は絶縁粒子［１］の作製方法と同様にして、表面にスルホニウム基及びエポキシ基を有する平均粒子径１９０ｎｍ、粒子径のＣＶ値１０％の絶縁粒子［７］を得た。
（８）絶縁粒子［８］の作製
モノマー組成物を、スチレン５００ｍｍｏｌ、ｐ−スチレンスルホン酸ナトリウム２ｍｍｏｌ、過硫酸カリウム１ｍｍｏｌとし、固形分率が１０重量％になるように蒸留水を添加したこと以外は絶縁粒子［１］の作製方法と同様にして、表面にスルホン酸基を有する平均粒子径１２０ｎｍ、粒子径のＣＶ値１０％の絶縁粒子［８］を得た。
２．金属表面粒子［１］〜［２］の作製
（１）金属表面粒子［１］の作製
平均粒子径５μｍのテトラメチロールメタンテトラアクリレート／ジビニルベンゼンからなるコア粒子に、脱脂、センシタイジング、アクチベイチングを行い樹脂表面にＰｄ核を生成させ、無電解メッキの触媒核とした。次に、所定の方法に従って建浴、加温した無電解Ｎｉメッキ浴に浸漬し、Ｎｉメッキ層を形成した。次に、ニッケル層の表面に無電解置換金メッキを行い、金属表面粒子を得た。得られた金属表面粒子のＮｉメッキ厚みは９０ｎｍであり、金メッキの厚みは３０ｎｍであった。
（２）金属表面粒子［２］の作製
４ツ口セパラブルカバー、攪拌翼、三方コックを取り付けた２０００ｍＬ容セパラブルフラスコ中で、２−アミノエタンチオール２０ｍｍｏｌをメタノール１０００ｍＬに溶解させて反応溶液を得た。
金属表面粒子［１］２０ｇを窒素雰囲気下で反応溶液に分散させ、室温で３時間攪拌し、濾過により未反応の２−アミノエタンチオールを除去し、メタノールで洗浄後、乾燥し、表面に反応性の官能基であるアミノ基を有した金属表面粒子［２］を得た。
３．被覆導電性微粒子の作製
（実施例１）
絶縁粒子［１］を超音波照射下で蒸留水に分散させ、絶縁粒子［１］の１０重量％水分散液を得た。
金属表面粒子［１］１０ｇを蒸留水５００ｍＬに分散させ、絶縁粒子［１］の水分散液４ｇを添加し、室温で６時間攪拌した。３μｍのメッシュフィルターで濾過後、更にメタノールで洗浄、乾燥し、被覆導電性微粒子［１］を得た。
走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）により観察したところ、被覆導電性微粒子［１］では、金属表面粒子［１］の表面に絶縁粒子［１］による被覆層が１層のみ形成されていた。画像解析により被覆導電性微粒子の中心より２．５μｍの面積に対する絶縁粒子の被覆面積（即ち絶縁粒子の粒子径の投影面積）を算出したところ、被覆率は３０％であった。また、透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）による断面観察により、絶縁粒子と金属表面粒子との結合界面は絶縁粒子の円周の１２％であることから、金属表面粒子との界面結合面積は絶縁粒子の表面積の１２％であった。
被覆導電性微粒子［１］をｔ−ブチルアルコールに分散し、１０×１０ｍｍのシリコンウエハ上に乾燥後の被覆導電微粒子重量が０．００００４ｇ（約２４万個）となるように秤量し、乾燥後、１０×１０ｍｍのシリコンウエハをかぶせ、１００Ｎの加圧下、２００℃で３０秒間加熱した後、シリコンウエハを引き剥がし、ＳＥＭにより被覆粒子表面の絶縁粒子の状態を観察したところ、絶縁粒子［１］が溶融することにより、金属表面粒子［１］の金属表面が露出しており、シリコンウエハ側に付着した粒子も溶融していた。
これらの結果を表１に示した。
（実施例２）
絶縁粒子［２］を超音波照射下でアセトンに分散させ、絶縁粒子［２］の１０重量％アセトン分散液を得た。
金属表面粒子［１］をアセトン５００ｍＬに分散させ、絶縁粒子［２］のアセトン分散液４ｇを添加し、室温で１２時間攪拌した。３μｍのメッシュフィルターで濾過後、更にメタノールで洗浄、乾燥し、被覆導電性微粒子［２］を得た。
被覆導電性微粒子［２］では、金属表面粒子［１］の表面に絶縁粒子［２］による被覆層が１層のみ形成されていた。実施例１と同様の方法により測定したところ、被覆率は７０％であり、界面結合面積は絶縁粒子の表面積の１５％であった。また、実施例１と同様の方法により、シリコンウエハ間で熱圧着した後の状態をＳＥＭにより観察したところ、絶縁粒子［２］が溶融することにより、金属表面粒子［１］の金属表面が露出しており、シリコンウエハ側に付着した粒子も溶融していた。
これらの結果を表１に示した。
（実施例３）
絶縁粒子［３］を超音波照射下でトルエンに分散させ、絶縁粒子［３］の１０重量％トルエン分散液を得た。
金属表面粒子［２］をトルエン５００ｍＬに分散させ、絶縁粒子［３］のトルエン分散液４ｇを添加し、室温で４時間攪拌した。３μｍのメッシュフィルターで濾過後、更にアセトンで洗浄、乾燥し、被覆導電性微粒子［３］を得た。
被覆導電性微粒子［３］では、金属表面粒子［２］の表面に絶縁粒子［３］による被覆層が１層のみ形成されていた。実施例１と同様の方法により測定したところ、被覆率は４０％であり、界面結合面積は絶縁粒子の表面積の５％であった。また、実施例１と同様の方法により、シリコンウエハ間で熱圧着した後の状態をＳＥＭにより観察したところ、絶縁粒子［３］が剥離することにより、金属表面粒子［２］の金属表面が露出しており、また、被覆導電粒子の周辺にも剥離した絶縁粒子［３］が散見された。
これらの結果を表１に示した。
（実施例４）
絶縁粒子［４］を超音波照射下でアセトンに分散させ、絶縁粒子［４］の１０％アセトン分散液を得た。
金属表面粒子［２］をアセトン５００ｍＬに分散させ、絶縁粒子［４］のアセトン分散液１ｇを添加し、室温で１時間攪拌した。３μｍのメッシュフィルターで濾過後、更にメタノールで洗浄、乾燥し、被覆導電性微粒子［４］を得た。
被覆導電性微粒子［４］では、金属表面粒子［２］の表面に絶縁粒子［４］による被覆層が１層のみ形成されていた。実施例１と同様の方法により測定したところ、被覆率は８％であり、界面結合面積は絶縁粒子の表面積の１２％であった。また、実施例１と同様の方法により、シリコンウエハ間で熱圧着した後の状態をＳＥＭにより観察したところ、絶縁粒子［４］が変形することにより、金属表面粒子［２］の金属表面が露出しており、また、シリコンウエハ側に付着した絶縁粒子［４］も変形していた。しかし、溶融した絶縁粒子［４］や剥離した絶縁粒子［４］は認められなかった。
これらの結果を表１に示した。
（実施例５）
実施例４と同様の方法により、絶縁粒子［４］の１０重量％アセトン分散液を得た。
金属表面粒子［２］をアセトン５００ｍＬに分散させ、絶縁粒子［４］のアセトン分散液３ｇを添加し、室温で３時間攪拌した。３μｍのメッシュフィルターで濾過後、更にメタノールで洗浄、乾燥し、被覆導電性微粒子［５］を得た。
被覆導電性微粒子［５］では、金属表面粒子［２］の表面に絶縁粒子［４］による被覆層が１層のみ形成されていた。実施例１と同様の方法により測定したところ、被覆率は２０％であり、界面結合面積は絶縁粒子の表面積の１２％であった。また、実施例１と同様の方法により、シリコンウエハ間で熱圧着した後の状態をＳＥＭにより観察したところ、絶縁粒子［４］が変形することにより、金属表面粒子［２］の金属表面が露出しており、また、シリコンウエハ側に付着した絶縁粒子［４］も変形していた。しかし、溶融した絶縁粒子［４］や剥離した絶縁粒子［４］は認められなかった。
これらの結果を表１に示した。
（実施例６）
実施例４と同様の方法により、絶縁粒子［４］の１０重量％アセトン分散液を得た。
金属表面粒子［２］をアセトン５００ｍＬに分散させ、絶縁粒子［４］のアセトン分散液４ｇを添加し、室温で６時間攪拌した。３μｍのメッシュフィルターで濾過後、更にメタノールで洗浄、乾燥し、被覆導電性微粒子［６］を得た。
被覆導電性微粒子［６］では、金属表面粒子［２］の表面に絶縁粒子［４］による被覆層が１層のみ形成されていた。実施例１と同様の方法により測定したところ、被覆率は４０％であり、界面結合面積は絶縁粒子の表面積の１２％であった。また、実施例１と同様の方法により、シリコンウエハ間で熱圧着した後の状態をＳＥＭにより観察したところ、絶縁粒子［４］が変形することにより、金属表面粒子［２］の金属表面が露出しており、また、シリコンウエハ側に付着した絶縁粒子［４］も変形していた。しかし、溶融した絶縁粒子［４］や剥離した絶縁粒子［４］は認められなかった。
これらの結果を表１に示した。
（実施例７）
絶縁粒子［５］を超音波照射下でアセトンに分散させ、絶縁粒子［５］の１０重量％アセトン分散液を得た。
金属表面粒子［１］をアセトン５００ｍＬに分散させ、絶縁粒子［５］のアセトン分散液４ｇを添加し、室温で６時間攪拌した。３μｍのメッシュフィルターで濾過後、更にメタノールで洗浄、乾燥し、被覆導電性微粒子［７］を得た。
被覆導電性微粒子［７］では、金属表面粒子［１］の表面に絶縁粒子［５］による被覆層が１層のみ形成されていた。実施例１と同様の方法により測定したところ、被覆率は３０％であり、界面結合面積は絶縁粒子の表面積の１２％であった。また、実施例１と同様の方法により、シリコンウエハ間で熱圧着した後の状態をＳＥＭにより観察したところ、絶縁粒子［５］が変形することにより、金属表面粒子［１］の金属表面が露出しており、また、シリコンウエハ側に付着した絶縁粒子［５］も変形していた。しかし、溶融した絶縁粒子［５］や剥離した絶縁粒子［５］は認められなかった。
これらの結果を表１に示した。
（実施例８）
絶縁粒子［６］を超音波照射下でアセトンに分散させ、絶縁粒子［６］の１０重量％アセトン分散液を得た。
金属表面粒子［１］をアセトン５００ｍＬに分散させ、絶縁粒子［６］のアセトン分散液４ｇを添加し、室温で６時間攪拌した。３μｍのメッシュフィルターで濾過後、更にメタノールで洗浄、乾燥し、被覆導電性微粒子［８］を得た。
被覆導電性微粒子［８］では、金属表面粒子［１］の表面に絶縁粒子［６］による被覆層が１層のみ形成されていた。実施例１と同様の方法により測定したところ、被覆率は３０％であり、界面結合面積は絶縁粒子の表面積の１０％であった。また、実施例１と同様の方法により、シリコンウエハ間で熱圧着した後の状態をＳＥＭにより観察したところ、絶縁粒子［６］が変形することにより、金属表面粒子［１］の金属表面が露出しており、また、シリコンウエハ側に付着した絶縁粒子［６］も変形していた。しかし、溶融した絶縁粒子［６］や剥離した絶縁粒子［６］は認められなかった。
これらの結果を表１に示した。
（実施例９）
絶縁粒子［７］を超音波照射下でアセトンに分散させ、絶縁粒子［７］の１０重量％アセトン分散液を得た。
金属表面粒子［２］をアセトン５００ｍＬに分散させ、絶縁粒子［７］のアセトン分散液４ｇを添加し、室温で５時間攪拌した。３μｍのメッシュフィルターで濾過後、更にメタノールで洗浄、乾燥し、被覆導電性微粒子［９］を得た。
被覆導電性微粒子［９］では、金属表面粒子［２］の表面に絶縁粒子［７］による被覆層が１層のみ形成されていた。実施例１と同様の方法により測定したところ、被覆率は３５％であり、界面結合面積は絶縁粒子の表面積の８％であった。また、実施例１と同様の方法により、シリコンウエハ間で熱圧着した後の状態をＳＥＭにより観察したところ、絶縁粒子［７］が変形することにより、金属表面粒子［２］の金属表面が露出しており、また、シリコンウエハ側に付着した絶縁粒子［７］も変形していた。しかし、溶融した絶縁粒子［７］や剥離した絶縁粒子［７］は認められなかった。
これらの結果を表１に示した。
（比較例１）
絶縁粒子［８］を超音波照射下で蒸留水に分散させ、絶縁粒子［８］の１０重量％水分散液を得た。
金属表面粒子［１］を蒸留水５００ｍＬに分散させ、絶縁粒子［８］の水分散液４ｇを添加し、室温で６時間攪拌した。３μｍのメッシュフィルターで濾過後、更にメタノールで洗浄、乾燥し、被覆導電性微粒子［１０］を得た。
被覆導電性微粒子［１０］では、金属表面粒子［１］の表面に絶縁粒子［８］の凝集塊が形成されていた。実施例１と同様の方法により測定したところ、被覆率は５０％であり、界面結合面積は絶縁粒子の表面積の１２％であった。また、実施例１と同様の方法により、シリコンウエハ間で熱圧着した後の状態をＳＥＭにより観察したところ、被覆導電粒子［１０］上の絶縁粒子［８］は溶融しているものの、金属表面粒子［１］の金属表面が露出していない被覆導電粒子が散見され、また、シリコンウエハ側に付着した粒子も充分に溶融していないものも散見された。これは、被覆導電粒子［１０］では、絶縁粒子［８］が多層になっていたため、溶融排除しにくく、また、各絶縁粒子［８］に均一に圧力が掛からなかったためと考えられた。
これらの結果を表１に示した。
（比較例２）
フッ化ビニリデン樹脂１ｇと金属表面粒子［１］１０ｇとをハイブリダイゼーションシステムに導入して９０℃で３分間処理を行い、被覆導電性微粒子［１１］を得た。
被覆導電性微粒子［１１］では、金属表面粒子［１］の表面にフッ化ビニリデン樹脂からなる樹脂層が形成されており、実施例１と同様の方法により測定したところ、被覆率は６０％であった。また、実施例１と同様の方法により、シリコンウエハ間で熱圧着した後の状態をＳＥＭにより観察したところ、被覆導電粒子［１１］上のフッ化ビニリデン樹脂は完全に溶融し、金属表面粒子［１］の金属表面が露出していた。
これらの結果を表１に示した。
（比較例３）
絶縁粒子［３］の作製に用いたシリカ粒子１ｇと金属表面粒子［１］１０ｇとをボールミルに入れ、２０分間混合し、静電付着させることにより被覆導電性微粒子［１２］を得た。
被覆導電性微粒子［１２］では、金属表面粒子［１］の表面にシリカ粒子が１層のみ形成されていた。実施例１と同様の方法により測定したところ、被覆率は３０％であり、界面結合面積は絶縁粒子の表面積の５％であった。また、実施例１と同様の方法により、シリコンウエハ間で熱圧着した後の状態をＳＥＭにより観察したところ、シリカ粒子が剥離することにより、金属表面粒子［１］の金属表面が露出しており、また、被覆導電粒子の周辺にも剥離したシリカ粒子が散見された。
これらの結果を表１に示した。
（比較例４）
実施例４と同様の方法により、絶縁粒子［４］の１０重量％アセトン分散液を得た。
金属表面粒子［２］をアセトン５００ｍＬに分散させ、絶縁粒子［４］のアセトン分散液６ｇを添加し、室温で１２時間攪拌した。３μｍのメッシュフィルターで濾過後、更に、メタノールで洗浄、乾燥し、被覆導電性微粒子［１３］を得た。
被覆導電性微粒子［１３］では、金属表面粒子［２］の表面に絶縁粒子［４］による被覆層が１層のみ形成されていた。実施例１と同様の方法により測定したところ、被覆率は６０％であり、界面結合面積は絶縁粒子の表面積の１２％であった。また、実施例１と同様の方法により、シリコンウエハ間で熱圧着した後の状態をＳＥＭにより観察したところ、絶縁粒子［４］は変形していたものの、金属表面粒子［２］の金属表面が露出していない被覆導電粒子が散見された。これは絶縁粒子による高被覆密度又は多層被覆であるため、金属表面が露出しにくくなったためと考えられる。
これらの結果を表１に示した。
（比較例５）
絶縁粒子［４］１ｇと金属表面粒子［１］１０ｇとをボールミルに入れ、２０分間混合し、静電付着させることにより被覆導電性微粒子［１４］を得た。
被覆導電性微粒子［１４］では、金属表面粒子［１］の表面に絶縁粒子［４］による被覆層が１〜３層形成されており、実施例１と同様の方法により測定したところ、被覆率は３０％であり、界面結合面積は絶縁粒子の表面積の８％であった。また、実施例１と同様の方法により、シリコンウエハ間で熱圧着した後の状態をＳＥＭにより観察したところ、絶縁粒子［４］の一部は変形していたものの、多数は剥離し、金属表面粒子［１］の金属表面が露出しており、また、被覆導電粒子の周辺にも剥離した絶縁粒子が散見された。
これらの結果を表１に示した。
（比較例６）
絶縁粒子［４］１ｇと金属表面粒子［２］１０ｇとをハイブリダイゼーションシステムに導入して１２０℃で３分間処理を行い、被覆導電性微粒子［１５］を得た。
被覆導電性微粒子［１５］では、金属表面粒子［２］の表面を被覆している絶縁粒子［４］は、熱及び衝撃により変形しており、また、被覆層は多層になっていた。実施例１と同様の方法により測定したところ、被覆率は７０％であり、界面結合面積は絶縁粒子の表面積の４０％であった。また、実施例１と同様の方法により、シリコンウエハ間で熱圧着した後の状態をＳＥＭにより観察したところ、絶縁粒子［４］は変形していたものの、金属表面粒子［２］の金属表面が露出していない被覆導電粒子が散見された。これは絶縁粒子による高被覆密度又は多層被覆であるため、金属表面が露出しにくくなったためと考えられる。
これらの結果を表１に示した。
2003025955.tif 000002
４．異方性導電材料の作製
（実施例１０）
バインダー樹脂としてエポキシ樹脂（油化シェルエポキシ社製：「エピコート８２８」）１００部及びトリスジメチルアミノエチルフェノール、トルエン１００部を、遊星式攪拌機を用い、充分に分散混合させ、離型フィルム上に乾燥後の厚みが１０μｍとなるように一定の厚みで塗布し、トルエンを蒸発させ、被覆導電性微粒子を含有しない接着性フィルムを得た。
また、バインダー樹脂としてエポキシ樹脂（油化シェルエポキシ社製：「エピコート８２８」）１００部及びトリスジメチルアミノエチルフェノール、トルエン１００部に被覆導電性微粒子［１］を添加し、遊星式攪拌機を用い、充分に分散混合させ、バインダー樹脂分散体を得た後、離型フィルム上に乾燥後の厚みが７μｍとなるように一定の厚みで塗布し、トルエンを蒸発させ、被覆導電性微粒子［１］を含有する接着性フィルムを得た。なお、被覆導電性微粒子［１］の添加量は、異方性導電膜［１］中の含有量が２０万個／ｃｍ２となるように設定した。
得られた被覆導電性微粒子［１］を含有する接着性フルムに被覆導電性微粒子を含有しない接着性フィルムを常温でラミネートすることにより、２層構造を有する厚さ１７μｍの異方性導電フィルム［１］を得た。
なお、被覆導電性微粒子［１］を含有したバインダー樹脂分散体の一部をトルエン中で洗浄し、被覆導電性微粒子［１］を取り出した後、ＳＥＭにより観察したところ、被覆導電性微粒子から絶縁粒子が剥離しているのは認められなかった。
（実施例１１〜１８、比較例７〜１２）
実施例２〜９及び比較例１〜６で得られた被覆導電性微粒子［２］〜［１５］をそれぞれ用いた以外は実施例１０と同様の方法により、異方性導電フィルム［２］〜［１５］を得た。異方性導電フィルムの厚みは全て１７μｍ、被覆導電性微粒子の含有量は全て２０万個／ｃｍ２とした。
なお、被覆導電性微粒子を含有したバインダー樹脂分散体の一部をトルエン中で洗浄し、被覆導電性微粒子を取り出した後、ＳＥＭにより観察したところ、被覆導電性微粒子から絶縁粒子が剥離しているのは認められなかった。しかし、被覆導電性微粒子［１０］では、積層していた絶縁粒子が剥がれたためか、ほぼ単層被覆になっていたが、被覆率は５０％から７０％に増加していた。これは、剥がれた絶縁粒子が再付着したためと考えられる。また、被覆導電性微粒子［１２］及び［１４］では、被覆率がそれぞれ３０％から５％未満に低下しており、分散中に剥がれ落ちたと考えられる。
実施例１０〜１８及び比較例７〜１２で得られた異方性導電膜［１］〜［１５］について、下記の方法により絶縁／導通性、及び、密着性の評価を行った。結果を表２に示した。
（隣接電極間の絶縁性試験）
４×１８ｍｍの大きさに切断した異方性導電膜を、図１に示した櫛形パターン（ライン本数４００本、重なり部の長さ２ｍｍ、ライン幅２０μｍ、ライン間隔２０μｍ、ライン高さ１８μｍ）を有するシリコンウエハ基板上に貼り付け、２×１２．５ｍｍ、厚さ１ｍｍの平板ガラスで挟み、下記条件１及び条件２で熱圧着を行った後、電極間の抵抗値を測定して、１０８Ω以上の割合を求めた。本試験はｎ＝２０で行った。
条件１：２０Ｎの加圧下、１５０℃で３０分間加熱
条件２：２００Ｎの加圧下、２００℃で３０秒間加熱
（上下導通試験）
ＩＴＯ電極（幅１００μｍ、高さ０．２μｍ、長さ２ｃｍ）を有したガラス基盤（幅１ｃｍ、長さ２．５ｃｍ）の一方に、異方性導電膜を５×５ｍｍに切断し、ほぼ中央部に貼り付けた後、同じＩＴＯ電極を有したガラス基盤を互いの電極が９０度に重なるように位置合わせを行って貼り付けた。ガラス基盤の接合部を条件１及び条件２により熱圧着した後、４端子法により抵抗値を測定し、５Ω以下の割合を求めた。本試験はｎ＝２０で行った。
条件１：２０Ｎの加圧下、１５０℃で３０分間加熱
条件２：２００Ｎの加圧下、２００℃で３０秒間加熱
また、異方性導電フィルム［２］、［６］、［８］及び［１１］については、条件１にて熱圧着した後のガラス基盤を、更に、５５℃×６時間−１２０℃×６時間のサイクル下で３００時間放置した後、４端子法により抵抗値を測定し、５Ω以下であるものの割合を求めて、３００時間後導通性とした。
（密着性の評価）
異方性導電フィルム［２］、［６］、［８］及び［１１］について、条件１で上下導通試験を行い、更に、５５℃×６時間−１２０℃×６時間のサイクル下で３００時間放置した後に断面をＳＥＭで観察して、導電性微粒子−絶縁粒子間、絶縁粒子−バインダー樹脂間の界面剥離の有無を観察した。
2003025955.tif 000003
産業上の利用可能性
本発明によれば、接続信頼性に優れた被覆導電性微粒子、被覆導電性微粒子の製造方法、異方性導電材料、及び、導電接続構造体を提供できる。
【図面の簡単な説明】
図１は、実施例において用いた櫛形パターンを有するシリコンウエハ基板を示す模式図である。
【図１】
2003025955.tif 000004
【国際調査報告】
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