【事件の表示】
　特願２００４−１１４９２２「固体撮像素子の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年１０月２７日出願公開、特開２００５−３０２９０９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯
　本願は、平成１６年４月９日を出願日とする特許出願であって、平成２３年２月１７日付けの拒絶理由通知に対して同年４月２２日に意見書及び手続補正書が提出されたが、同年１１月３０日付けで拒絶査定がなされた。
　それに対して、平成２４年２月２４日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに手続補正書が提出され、その後、同年６月２５日付けで審尋がなされ、それに対する回答書は提出されなかった。
　
第２．補正の却下の決定
【結論】
　平成２４年２月２４日に提出された手続補正書による補正を却下する。
　
【理由】
１．補正の内容
　平成２４年２月２４日に提出された手続補正書による補正（以下「本件補正」という。）は、補正前の特許請求の範囲の請求項１〜１３を、補正後の特許請求の範囲の請求項１〜６に補正するとともに、明細書の補正を行うものであり、補正前の請求項８、及び補正後の請求項１は各々以下のとおりである。
　
（補正前）
　「【請求項８】
　半導体基板と、
　前記半導体基板に形成されたフォトダイオードと、
　前記半導体基板において前記フォトダイオードに隣接する領域に形成されたトレンチ内に、不純物元素をドープした多結晶シリコンが埋め込まれた素子分離領域と、
　前記不純物元素を前記素子分離領域の側壁部に拡散させたｐ層とを有し、
　前記フォトダイオードを構成するｎ層は、前記ｐ層に面する領域のドナー濃度が他の領域よりも高い固体撮像素子の製造方法であって、
　前記半導体基板の素子分離領域を形成する領域にトレンチを形成するトレンチ形成工程と、
　前記トレンチに不純物元素をドープした多結晶シリコンを埋め込む埋め込み工程と、
　前記不純物元素を熱拡散させて前記トレンチの側壁に前記ｐ層を形成する熱拡散工程とを有する
　固体撮像素子の製造方法。」
　
（補正後）
　「【請求項１】
　半導体基板と、
　前記半導体基板に形成されたフォトダイオードと、
　前記半導体基板において前記フォトダイオードに隣接する領域に形成されたトレンチ内に、不純物元素をドープした多結晶シリコンが埋め込まれた素子分離領域と、
　前記不純物元素を前記素子分離領域の側壁部に拡散させたｐ層とを有し、
　前記フォトダイオードを構成するｎ層は、前記ｐ層に面する領域のドナー濃度が他の領域よりも高い固体撮像素子の製造方法であって、
　前記半導体基板の素子分離領域を形成する領域にトレンチを形成するトレンチ形成工程と、
　前記トレンチに不純物元素をドープした多結晶シリコンを埋め込む埋め込み工程と、
　前記多結晶シリコンが埋め込まれた前記半導体基板上に酸化膜を形成する際、前記不純物元素を熱拡散させて前記トレンチの側壁に前記ｐ層を形成する熱拡散工程とを有する
　固体撮像素子の製造方法。」
　
２．補正事項の整理
　本件補正による補正事項を整理すると、次のとおりである。
　
（１）補正事項１
　補正前の請求項８の「前記不純物元素を熱拡散させて前記トレンチの側壁に前記ｐ層を形成する熱拡散工程」を、「前記多結晶シリコンが埋め込まれた前記半導体基板上に酸化膜を形成する際、前記不純物元素を熱拡散させて前記トレンチの側壁に前記ｐ層を形成する熱拡散工程」と補正して、補正後の請求項１とすること。
　
（２）補正事項２
　補正前の請求項１〜７を削除するとともに、当該削除に伴って補正前の請求項の番号及び引用する請求項の番号を補正すること。
　
（３）補正事項３
　補正前の明細書の発明の名称の「固体撮像素子及びその製造方法」を、「固体撮像素子の製造方法」と補正して、補正後の明細書の発明の名称とすること。
　
（４）補正事項４
　補正前の明細書の０００５段落を補正して、補正後の明細書の０００５段落とすること。
　
３．新規事項追加の有無及び補正の目的についての検討
（１）補正事項１について
　補正事項１は、各々補正前の請求項８に記載されていた発明特定事項である「熱拡散工程」の時期を「前記多結晶シリコンが埋め込まれた前記半導体基板上に酸化膜を形成する際」に限定するものであるから、特許法第１７条の２第４項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項をいう。以下同じ。）第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　したがって、補正事項１は、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たす。
　また、補正事項１により補正された部分は、本願の願書に最初に添付した明細書（以下「当初明細書」という。また、本願の願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面を「当初明細書等」という。）の０００６段落、及び００１０段落等に記載されているものと認められるから、補正事項１は、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものである。
　したがって、補正事項１は、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものであるから、特許法第１７条の２第３項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項をいう。以下同じ。）に規定する要件を満たす。
　
（２）補正事項２について
　補正事項２は、特許法第１７条の２第４項第１号に掲げる請求項の削除を目的とするものに該当する。
　したがって、補正事項２は、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たす。
　また、補正事項２が特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすことは明らかである。
　
（３）補正事項３及び４について
　補正事項３及び４は、補正事項１〜２により補正された特許請求の範囲と整合を取るために明細書を補正するものであるから、補正事項１〜２と同様に特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たす。
　
（４）補正の目的の適否、及び新規事項の追加の有無についてのまとめ
　以上検討したとおりであるから、本件補正は特許法第１７条の２第３項及び第４項に規定する要件を満たす。
　そして、本件補正は特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする補正を含むものであるから、本件補正による補正後の特許請求の範囲に記載されている事項により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否か、すなわち、本件補正がいわゆる独立特許要件を満たすものであるか否かにつき、以下において更に検討する。
　
４．独立特許要件について
（１）補正後の発明
　本願の本件補正による補正後の請求項１に係る発明は、本件補正により補正された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載されている事項により特定されるとおりのものであり、その請求項１に係る発明（以下「補正発明」という。）は、請求項１に記載されている事項により特定される、上記１．の「（補正後）」の箇所に記載したとおりのものであり、再掲すると次のとおりである。
　
　「【請求項１】
　半導体基板と、
　前記半導体基板に形成されたフォトダイオードと、
　前記半導体基板において前記フォトダイオードに隣接する領域に形成されたトレンチ内に、不純物元素をドープした多結晶シリコンが埋め込まれた素子分離領域と、
　前記不純物元素を前記素子分離領域の側壁部に拡散させたｐ層とを有し、
　前記フォトダイオードを構成するｎ層は、前記ｐ層に面する領域のドナー濃度が他の領域よりも高い固体撮像素子の製造方法であって、
　前記半導体基板の素子分離領域を形成する領域にトレンチを形成するトレンチ形成工程と、
　前記トレンチに不純物元素をドープした多結晶シリコンを埋め込む埋め込み工程と、
　前記多結晶シリコンが埋め込まれた前記半導体基板上に酸化膜を形成する際、前記不純物元素を熱拡散させて前記トレンチの側壁に前記ｐ層を形成する熱拡散工程とを有する
　固体撮像素子の製造方法。」
　
（２）先願発明
（２−１）原査定の拒絶の理由で引用された他の特許出願であって、本願の出願日前である平成１４年１１月２０日の特許出願であって、本願の出願後である平成１６年６月１７日に出願公開（特開２００４−１７２３９４号）がなされた特願２００２−３３６７９８号特許出願（以下「先願」という。）の願書に最初に添付された明細書（以下、先願の願書に最初に添付された明細書、図面を、各々「先願明細書」、「先願図面」といい、これらをまとめて「先願明細書等」という。）には、先願図面の図１〜４とともに、次の記載がある（ここにおいて、下線は当合議体が付加したものである。以下同じ。）。 
　
ａ．「【００１４】
《第１の実施形態》
第１の実施形態は、請求項１〜３に対応する実施形態である。
図１は、第１の実施形態における固体撮像装置１０の画素領域の概略平面図である。図２は、図１に示したＣ１−Ｃ１ラインの断面図である。なお、図１および図２に示す構成要素の内、前述した図５および図６と同等の構成要素には、同一の参照符号を付与し、ここでの説明を省略する。
【００１５】
以下、
図１および図２を用いて、固体撮像装置１０の構成を説明する
まず、
半導体基板１は、画素領域１００Ａと周辺回路領域１００Ｂとに区分される。この画素領域１００Ａには、ｐウェル領域２ａが形成される。このｐウェル領域２ａには、複数の単位画素ＰＸＬがアレイ状に配置される
一方、周辺回路領域１００Ｂには、単位画素ＰＸＬを制御するための垂直走査回路、水平走査回路、および信号処理回路が、ＣＭＯＳ回路として形成される。
【００１６】
このＣＭＯＳ回路のｎＭＯＳトランジスタＴｎは、半導体基板１のｐウェル領域２ｂに形成される。一方、ｐＭＯＳトランジスタ回路Ｔｐは、半導体基板１のｎウェル領域３に形成される。
さらに、所定の部分が開口されるようにパターニングされた層間絶縁膜５が形成され、その上に上述した各素子の導電領域と電気的に接続される配線６がパターニングされる。
【００１７】
この配線６の上には、さらに層間絶縁膜７が形成される。この層間絶縁膜７上には、金属等からなる遮光膜８が形成される。
この遮光膜８には、ホトダイオードＰＤに対応する箇所のみ開口部が設けられる
また、
単位画素ＰＸＬの間にはフィールド酸化膜４が形成される。このフィールド酸化膜４の下には、トレンチ分離領域９が形成される
このトレンチ分離領域９の溝には、ポリシリコン１０ｃが埋め込まれる。このポリシリコン１０ｃは、ボロン（Ｂ）を１Ｅ１９ｃｍ
−３
以上の高濃度で含む
このようなトレンチ分離領域９の形成方法としては、例えば、次の手順が好ましい。
【００１８】
（１）まず、
フィールド酸化膜４を形成する以前に異方性エッチングを実施し、トレンチ分離領域９の溝を形成する
（２）続いて、
ボロンがドープされたポリシリコン１０ｃを、減圧ＣＶＤ法を用いて、トレンチ分離領域９の溝に堆積させる
（３）
トレンチ分離領域９の溝以外に堆積したポリシリコン１０ｃは、ウエハ全面をドライエッチングすることによって除去される
（４）
その後の熱処理工程（例えばフィールド酸化等）において、トレンチ分離領域９の溝の内壁には、ポリシリコン１０ｃからボロンが拡散し、拡散層９ａが形成される
　
ｂ．「【００２８】
《第２の実施形態》
第２の実施形態は、請求項１〜３に対応する実施形態である。
図３は、第２の実施形態における固体撮像装置２０の画素領域の概略平面図である。
図３に示すように、固体撮像装置２０の画素領域２０ａには単位画素２０ＰＸＬがアレイ状に形成される。これらの単位画素２０ＰＸＬは、ホトダイオード２０ＰＤ、および垂直ＣＣＤ３３の１段分を備えて構成される。
一方、固体撮像装置２０の周辺回路領域２０ｂには、水平ＣＣＤ３９および出力部４０が設けられる。
【００２９】
図４は、図３に示したＣ２−Ｃ２ラインの画素断面図である。
図４に示すように、ｎ型半導体基板３１には、ｐウェル領域３２が設けられる。このｐウェル領域３２には、埋め込み型のホトダイオード２０ＰＤ、ｐ型高濃度表面層３４、および垂直ＣＣＤ３３のＣＣＤ拡散層３３ａが形成される。このＣＣＤ拡散層３３ａの上には、信号電荷転送用の電極３５がゲート酸化膜３７を介して形成される。これらの各素子は、シリコンの酸化物あるいは窒化物からなる平坦化膜３８で覆われている。
【００３０】
さらに、単位画素２０ＰＸＬの境界間には、ｐウェル領域３２を分断するように、トレンチ分離領域３６が設けられる。（ただし、ＣＣＤ拡散層３３ａにはトレンチ分離領域３６を設けない。）
このトレンチ分離領域３６の溝には、ポリシリコン３６ａが埋め込まれている。このポリシリコン３６ａは、ボロン（Ｂ）を１Ｅ１９ｃｍ−３以上の高濃度で含む。
【００３１】
また、トレンチ分離領域３６の溝の内壁には、ポリシリコン３６ａ内のボロンが拡散することにより、拡散層３６ｂが形成される。なお、このようなボロンの拡散では、高不純物濃度のポリシリコン３６ａのボロン濃度はほとんど変化しない。なお、このトレンチ分離領域３６の形成方法については、第１の実施形態と同様であるため、説明を省略する。」
　
（２−２）以上を総合すると、先願明細書等には、次の発明（以下「先願発明」という。）が記載されている。
　
　「半導体基板１と、
　前記半導体基板１の画素領域１００Ａの単位画素ＰＸＬに形成されたホトダイオードＰＤと、
　前記半導体基板１において、前記単位画素ＰＸＬの間の前記ホトダイオードＰＤに隣接する領域に形成されたフィールド酸化膜４、及びトレンチ分離領域９の溝内にボロン（Ｂ）を高濃度で含むポリシリコン１０ｃが埋め込まれたトレンチ分離領域９と、
　前記ボロン（Ｂ）をトレンチ分離領域９の溝の内壁に拡散させた拡散層９ａとを有する固体撮像装置１０の製造方法であって、
　前記フィールド酸化膜４を形成する以前に異方性エッチングを実施し、トレンチ分離領域９の溝を形成する工程と、
　前記トレンチ分離領域９の溝にボロンがドープされたポリシリコン１０ｃを堆積し、前記トレンチ分離領域９の溝以外に堆積した前記ポリシリコン１０ｃを除去する工程と、
　その後のフィールド酸化等の熱処理工程において、前記ポリシリコン１０ｃからボロンを拡散させ、前記トレンチ分離領域９の溝の内壁に拡散層９ａを形成する工程とを有する
　固体撮像装置１０の製造方法。」
　
（３）補正発明と先願発明との対比
（３−１）先願発明の「半導体基板１」、「固体撮像装置１０」は、各々補正発明の「半導体基板」、「固体撮像素子」に相当する。
　
（３−２）先願発明の「ホトダイオードＰＤ」は、補正発明の「フォトダイオード」に相当する。
　よって、先願発明の「前記半導体基板１の画素領域１００Ａの単位画素ＰＸＬに形成されたホトダイオードＰＤ」は、補正発明の「前記半導体基板に形成されたフォトダイオード」に相当する。
　
（３−３）先願発明の「トレンチ分離領域９」、「トレンチ分離領域９の溝」、「ボロン（Ｂ）」、「含む」、「ポリシリコン１０ｃ」は、各々補正発明の「素子分離領域」、「トレンチ」、「不純物元素」、「ドープした」、「多結晶シリコン」に相当する。
　よって、先願発明の「前記半導体基板１において、前記単位画素ＰＸＬの間の前記ホトダイオードＰＤに隣接する領域に形成されたフィールド酸化膜４、及びトレンチ分離領域９の溝内にボロン（Ｂ）を高濃度で含むポリシリコン１０ｃが埋め込まれたトレンチ分離領域９」は、補正発明の「前記半導体基板において前記フォトダイオードに隣接する領域に形成されたトレンチ内に、不純物元素をドープした多結晶シリコンが埋め込まれた素子分離領域」に相当する。
　
（３−４）先願発明の「トレンチ分離領域９の溝の内壁」は、補正発明の「素子分離領域の側壁部」に相当する。
　また、ボロン（Ｂ）がｐ型の不純物であることは当業者の技術常識であるから、先願発明の「ボロン（Ｂ）」を「拡散させた拡散層９ａ」がｐ型の層となることは自明である。
　よって、先願発明の「前記ボロン（Ｂ）をトレンチ分離領域９の溝の内壁に拡散させた拡散層９ａ」は、補正発明の「前記不純物元素を前記素子分離領域の側壁部に拡散させたｐ層」に相当する。
　
（３−５）先願発明の「トレンチ分離領域９の溝」が「半導体基板１」の「トレンチ分離領域９」を形成する領域に形成されることは明らかである。
　よって、先願発明の「前記フィールド酸化膜４を形成する以前に異方性エッチングを実施し、トレンチ分離領域９の溝を形成する工程」は、補正発明の「前記半導体基板の素子分離領域を形成する領域にトレンチを形成するトレンチ形成工程」に相当する。
　
（３−６）先願発明の「前記トレンチ分離領域９の溝にボロンがドープされたポリシリコン１０ｃを堆積し、前記トレンチ分離領域９の溝以外に堆積した前記ポリシリコン１０ｃを除去する工程」によって、「トレンチ分離領域９の溝内にボロン（Ｂ）を高濃度で含むポリシリコン１０ｃが埋め込まれたトレンチ分離領域９」が形成されることは明らかである。
　よって、先願発明の「前記トレンチ分離領域９の溝にボロンがドープされたポリシリコン１０ｃを堆積し、前記トレンチ分離領域９の溝以外に堆積した前記ポリシリコン１０ｃを除去する工程」は、補正発明の「前記トレンチに不純物元素をドープした多結晶シリコンを埋め込む埋め込み工程」に相当する。
　
（３−７）先願発明の「フィールド酸化等の熱処理工程」は、「フィールド酸化膜４」を形成する工程を意味することは明らかである。また、当該「熱処理工程」は、「前記トレンチ分離領域９の溝にボロンがドープされたポリシリコン１０ｃを堆積し、前記トレンチ分離領域９の溝以外に堆積した前記ポリシリコン１０ｃを除去する工程」の後に実施される工程であり、さらに、先願図面の図２を参照すれば、「フィールド酸化膜４」は「ポリシリコン１０ｃ」が埋め込まれた「半導体基板１」上に形成されることは明らかである。
　よって、先願発明の「その後のフィールド酸化等の熱処理工程において、前記ポリシリコン１０ｃからボロンを拡散させ、前記トレンチ分離領域９の溝の内壁に拡散層９ａを形成する工程」は、補正発明の「前記多結晶シリコンが埋め込まれた前記半導体基板上に酸化膜を形成する際、前記不純物元素を熱拡散させて前記トレンチの側壁に前記ｐ層を形成する熱拡散工程」に相当する。
　
（３−８）したがって、補正発明と先願発明とは、
　「半導体基板と、
　前記半導体基板に形成されたフォトダイオードと、
　前記半導体基板において前記フォトダイオードに隣接する領域に形成されたトレンチ内に、不純物元素をドープした多結晶シリコンが埋め込まれた素子分離領域と、
　前記不純物元素を前記素子分離領域の側壁部に拡散させたｐ層とを有する固体撮像素子の製造方法であって、
　前記半導体基板の素子分離領域を形成する領域にトレンチを形成するトレンチ形成工程と、
　前記トレンチに不純物元素をドープした多結晶シリコンを埋め込む埋め込み工程と、
　前記多結晶シリコンが埋め込まれた前記半導体基板上に酸化膜を形成する際、前記不純物元素を熱拡散させて前記トレンチの側壁に前記ｐ層を形成する熱拡散工程とを有する
　固体撮像素子の製造方法。」
である点で一致し、次の点で一応相違する。
　
（相違点）
　補正発明では、「前記フォトダイオードを構成するｎ層は、前記ｐ層に面する領域のドナー濃度が他の領域よりも高い固体撮像素子の製造方法」であるのに対し、先願発明は、そのような特定がなされていない点。
　
（４）相違点についての判断
（４−１）一般に、フォトダイオードを備えた固体撮像素子において、蓄積電荷量を増大させるために、フォトダイオードを構成するｎ型層をｐ型の素子分離領域と面するように構成し、その接合面近傍の当該ｎ型層の不純物濃度、すなわちドナー濃度を他の領域よりも高くすることは、例えば、本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である下記周知例１〜２にも記載されているとおり、当業者における周知技術である。
　したがって、上記相違点は、課題解決のための具体化手段における微差（周知技術の付加）にすぎないものであり、実質的なものではない。
　
ａ．周知例１：特開昭６３−１８６６５号公報
　本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である、特開昭６３−１８６６５号公報（以下「周知例１」という。）には、第１図とともに、次の記載がある。
　「本発明は上記事情を考慮してなされたもので、
電荷蓄積容量が大きく、かつ残像の少ない固体撮像装置を提供することを目的とする
〔発明の構成〕
　（問題点を解決するための手段）
　
上記目的は第１導電型の半導体基板上に形成された第２導電型不純物領域を有し、入射光量に応じた信号電荷を発生する複数の光電変換素子と、これら光電変換素子間を分離する第１導電型の不純物領域と、前記光電変換素子で発生された信号電荷を転送する電荷転送部とを備えた固体撮像装置において、前記光電変換素子の第２導電型の不純物領域は、前記第１導電型不純物領域との接合面近傍において不純物濃度が高く、この接合面から離れるに従って不純物濃度が低くなることを特徴とする固体撮像装置によって達成される
　（作　用）
　本発明による固体撮像装置は上述の如く構成されているで、電荷移送に伴なう高い逆バイアス状態においては、第２導電型の不純物領域の高濃度部分が空乏化し、
電荷蓄積時の低い逆バイアス状態においては前記高濃度部分が非空乏状態となることにより、
電荷蓄積時の接合容量が大幅に大きくなる
　（実施例）
　本発明の第１の実施例による固体撮像装置を第１図に示す。第１図（ａ）はこの固体撮像装置の平面図で第１図（ｂ）はＩｂ−Ｉｂ線断面図である。ｐ型の半導体基板１の表面に島状のｎ型で低濃度のｎ−不純物領域１７が形成されている。
ｐ型の半導体基板１とｎ
−
不純物領域１７のｐｎ接合により光電変換素子が形成されている。
島状のｎ
−
不純物領域２は互いに高濃度のｐ型のｐ
＋
不純物領域３により分離されている。
　
本実施例による固体撮像装置はさらにｎ
−
不純物領域１７とｐ
＋
不純物領域３との間に高濃度のｎ
＋
不純物領域１８を備えている点に特徴がある。すなわちｐ
＋
不純物領域３との接合面近くは高濃度のｎ
＋
不純物領域１８があり、このｎ
＋
不純物領域１８は低濃度のｎ
−
不純物領域１７を囲んでいる。
　次に本実施例の動作を第１図（ｄ）、（ｅ）の電位分布図を用いて説明する。第１図は（ｄ）は電荷蓄積状態の電位分布図で第１図（ｅ）は電荷転送状態の電位分布図である。ｎ−不純物領域１７、ｎ＋不純物領域１８に光が入射すると半導体基板１とｎ−不純物領域１７、ｎ＋不純物領域１８とのｐｎ接合面に信号電荷が発生し、電荷転送電極５の電位がＬレベルの場合にはこの発生した信号電荷２２，２３は第１図（ｄ）に示すようにｎ−不純物領域１７、ｎ＋不純物領域１８に蓄積される。ここでレベル８は素子分離用のｐ＋不純物領域３の電位レベルであり、レベル７は電荷転送電極５がＬレベルの場合の移送チャネル１６のレベルである。
　（中略）
さらに
蓄積電荷量が増加してｎ
−
不純物領域１７、ｎ
＋
不純物領域１８とｐ
＋
不純物領域３の間の逆バイアス電圧が低くなると空乏層は急激にその幅が狭くなり、ｐｎ接合容量が増加する。従ってこのｐｎ接合容量によって定まる最大蓄積電荷量は増大する
　
ｂ．周知例２：特開２０００−１２８３０号公報
　本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である、特開２０００−１２８３０号公報（以下「周知例２」という。）には、図１、及び図５とともに、次の記載がある。
　「【００２１】フォトダイオード面積が小さくなると、面積比よりも電荷量が確保できないのは、フォトダイオード中心付近と周辺では、電荷蓄積領域を構成する不純物の濃度が異なり、周辺では濃度が薄くなり電荷が蓄積し難くなるためである。そのため
フォトダイオード周辺では、むしろ中心付近よりも不純物濃度を高くなければならない。従って、電荷蓄積領域が素子分離領域となすジャンクション面の近傍に、電荷蓄積領域と同導電型の不純物を追加注入する領域を設ければ、蓄積電荷量を増加できる
　「【００２４】
【発明の実施の形態】次に、本発明の第１の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。
図１は本発明の第１の実施例を示す。ａは一画素を上から見たもので、ｂはａのＡ、Ａ´での断面である。上面図ａにおいて、画素は１のフォトダイオード、２のＣＣＤ領域、３の素子分離領域、４の電荷読出し領域からなる。１０のＮ型不純物追加領域は、１のフォトダイオードと３の素子分離領域のジャンクションを挟んで両方にまたがっている。断面図ｂにおいて、フォトダイオードは、５のＰ＋層、６のＮ型層、７のＰ型層、８のＮ型基板からなっている
１０のＮ型不純物追加領域は、電荷読出し領域に面した電荷蓄積領域の端及び、電荷蓄積領域をなす６のＮ型層が素子分離領域となすジャンクション面を含み、電荷蓄積領域と素子分離領域の異なる導電領域にまたがっている。このようなセル構成にすることで、蓄積電荷量を稼ぎ、シャッターパルス電圧増加の抑制が行える
　「【００２９】次に、本発明の第２の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。
図５は本発明の第５の実施例を示す。
上面図ａにおいて、画素は図１のａとほぼ同じ構成で、違いは１０のＮ型不純物追加領域が、１のフォトダイオード内の６のＮ型層の中に止まっていることである。断面図ｂにおいて、フォトダイオードは、図１のｂとほぼ同じ構成で、違いは１０のＮ型不純物追加領域は、１のフォトダイオード内の６のＮ型層の中に止まっていることである。このようなセル構成にすることで、蓄積電荷量を稼ぐことができる
　
（４−２）以上検討したとおり、補正発明と先願発明との一応の相違点は実質的なものではないから、補正発明は先願発明と実質的に同一である。
　
（５）独立特許要件についてのまとめ
　以上検討したとおり、補正発明は、先願明細書等に記載された発明と実質的に同一であり、補正発明の発明者は先願発明の発明者と同一ではなく、また、本願の出願の時に、その出願人が先願の出願人と同一でもないから、補正発明は、特許法第２９条の２の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　したがって、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項をいう。以下同じ。）の規定に適合しない。
　
５．補正の却下の決定のむすび
　以上検討したとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないものであるから、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３．本願発明について
　平成２４年２月２４日に提出された手続補正書による補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項８に係る発明は、平成２３年４月２２日に提出された手続補正書により補正された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項８に記載されている事項により特定されるとおりのものであり、その請求項８に係る発明（以下「本願発明」という。）は、請求項８に記載されている事項により特定される、上記第２．１．の「（補正前）」の箇所に記載したとおりのものである。
　一方、原査定の拒絶の理由で引用された他の特許出願であって、本願の出願日前である平成１４年１１月２０日の特許出願であって、本願の出願後である平成１６年６月１７日に出願公開（特開２００４−１７２３９４号）がなされた特願２００２−３３６７９８号特許出願（先願）の願書に最初に添付された明細書、又は図面（先願明細書等）には、上記第２．４．（２）に記載したとおりの事項、及び発明（先願発明）が記載されているものと認められる。
　そして、本願発明に対して技術的限定を加えた発明である補正発明は、上記第２．４．において検討したとおり、先願発明と実質的に同一であるから、本願発明も当然に、先願発明と実質的に同一である。
　
第４．むすび
　本願発明は、先願明細書等に記載された発明と実質的に同一であり、本願発明の発明者は先願発明の発明者と同一ではなく、また、本願の出願の時に、その出願人が先願の出願人と同一でもないから、本願発明は、特許法第２９条の２の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本願は拒絶をすべきものである。
　よって、上記結論のとおり審決する。