【事件の表示】
　特願２００６−１２４８９０「構造体、透過型液晶表示装置、半導体回路の製造方法および透過型液晶表示装置の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１９年１１月１５日出願公開、特開２００７−２９８６０２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１８年４月２８日の出願であって、平成２３年１０月２４日付けで手続補正がなされ、同年１１月１８日付けで拒絶の理由（最後）が通知され、これに対し、平成２４年１月２３日付けで手続補正がなされたものの、同年６月２１日付けで平成２４年１月２３日付けの手続補正についての補正の却下の決定がなされるとともに拒絶査定がなされた。
　本件は、これを不服として、平成２４年９月２５日に請求された拒絶査定不服審判であって、請求と同時に手続補正がなされ、その後、当審の同年１２月２０日付け審尋に対して平成２５年２月２２日に回答書が提出されたものである。 
　
第２　平成２４年９月２５日付けの手続補正についての補正の却下の決定
　［補正の却下の決定の結論］
　平成２４年９月２５日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
　［理由］
１　補正の内容
　本件補正の特許請求の範囲の第１項の補正は、補正前（平成２３年１０月２４日付けで補正、以下同様。）の
「【請求項１】
　実質的に透明な板状の第１の基材と、
　前記第１の基材の厚さ方向の一方の面に設けられたカラーフィルターと、
　前記カラーフィルターが前記第１の基材の反対側に臨む面に設けられた実質的に透明な板状の第２の基材と、
　前記第２の基材が前記カラーフィルターの反対側に臨む面に設けられた実質的に透明な半導体回路とを備え、
　前記半導体回路は、実質的に透明な薄膜トランジスタと、透明な導電性材料からなる画素電極と、前記トランジスタに導通された電気的接点を有する実質的に透明な導電性材料によって構成された配線とを有し、
　前記薄膜トランジスタは、透明な導電性材料からなるソース電極、ドレイン電極及びゲート電極と、透明な半導体活性層と、ゲート絶縁膜を有し、前記半導体活性層が酸化物半導体材料もしくは有機物半導体材料からなり、
　前記第１の基材の前記フィルター配列パターンと前記第２の基材の前記半導体回路とを位置合わせし前記第１の基材と前記第２の基材を前記カラーフィルターを介して重ね合わせて接合した、
　ことを特徴とする構造体。」を
「【請求項１】
　実質的に透明な板状の第１の基材と、
　前記第１の基材の厚さ方向の一方の面に設けられたカラーフィルターと、
　前記カラーフィルターが前記第１の基材の反対側に臨む面に設けられた実質的に透明な板状の第２の基材と、
　前記第２の基材が前記カラーフィルターの反対側に臨む面に設けられた実質的に透明な半導体回路とを備え、
　前記半導体回路は、実質的に透明な薄膜トランジスタと、透明な導電性材料からなる画素電極と、透明な導電性材料からなる補助コンデンサー電極と、前記トランジスタに導通された電気的接点を有する実質的に透明な導電性材料によって構成された配線とを有し、
　前記薄膜トランジスタは、ボトムコンタクト型であり、透明な導電性材料からなるソース電極、ドレイン電極及びゲート電極と、透明な半導体活性層と、ゲート絶縁膜を有し、
前記半導体活性層が酸化物半導体材料もしくは有機物半導体材料からなり、
　前記薄膜トランジスタの前記ゲート電極と前記補助コンデンサー電極とは同一の層に設けられ、前記画素電極は少なくとも前記補助コンデンサー電極上をすべて覆うように設けられ、
　前記第１の基材の前記フィルター配列パターンと前記第２の基材の前記半導体回路とを位置合わせし前記第１の基材と前記第２の基材を前記カラーフィルターを介して重ね合わせて接合した、
　ことを特徴とする構造体。」と補正するものである。
　
　上記補正は、補正前の発明特定事項である「半導体回路」に関し、「透明な導電性材料からなる補助コンデンサー電極」を有する構成を追加する補正（以下「補正事項１」という。）、補正前の発明特定事項である「薄膜トランジスタ」に関し、「ボトムコンタクト型」である構成を追加する補正（以下「補正事項２」という。）、「薄膜トランジスタの前記ゲート電極と前記補助コンデンサー電極とは同一の層に設けられ」ている構成を追加する補正（以下「補正事項３」という。）、及び、補正前の発明特定事項である「画素電極」に関し、「少なくとも前記補助コンデンサー電極上をすべて覆うように設けられ」ている構成を追加する補正（以下「補正事項４」という。）を含むものである。
　
２　新規事項の追加についての検討
　ここで、上記補正事項４が、願書に最初に添付された明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内において補正したものか否かを検討する。
　上記補正事項４に関し、本件の図１の表示装置の概略断面図において、補助コンデンサー電極７が画素電極１３の内側に形成されていることが記載されており、本件明細書【００１５】には、「図１は本発明の透過型液晶表示装置のほぼ１画素分の部分断面図・・・・・である。・・・・・ITO薄膜を所望の形状にパターニングし、ゲート電極６および補助コンデンサー電極７とした。・・・・・そして最後にITO膜をマグネトロンスパッタ法で５０nm成膜しパターニングを行い、画素電極１３とした。」と記載され、同【００１５】にも同様のことが記載されている。
　ここで、図１の表示装置の概略断面図においては、補助コンデンサー電極７が画素電極１３の内側に形成されているから、補助コンデンサー電極７のすべてを覆うように画素電極１３が形成されているといえる。
　しかしながら、図１の断面図は、あくまでも断面図であって１画素の全体を表現する図面ではないし、断面図であるから画素電極全周囲の特定の２箇所について記載されているにすぎないものであって、それ以外の箇所においても補助コンデンサー電極７のすべてを覆うように画素電極１３が形成されているとはいえない。
　また、例えば、特開２００６−３０７８２号公報の図４、国際公開２００６／０３８３８２号の図３乃至５にも記載されているように、画素電極が補助コンデンサー電極のすべてを覆わない技術も周知であるから、補助コンデンサー電極７のすべてを覆うように画素電極１３を形成することが技術常識であるともいえない。
　したがって、上記補正事項４は、願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内において補正したものではない。
　
３　補正の目的及び独立特許要件についての検討
（１）補正の目的についての検討
　上記補正事項１乃至４は、いずれも明らかに特許請求の範囲を限定して減縮するものであるから、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法（以下「平成１８年改正特許法」という。）第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする補正を含むものである。
　そこで、本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本件補正発明」という。）が平成１８年改正特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか、すなわち、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否かについて、以下検討する。
　
（２）本件補正発明
　本件補正発明は、本件補正後の特許請求の範囲の請求項１に記載された上記のとおりのものである。（「第２」［理由］「１」参照。）
　
（３）引用刊行物
ア　引用刊行物１
　これに対して、原査定における拒絶の理由で引用した、本願の出願前である平成１７年７月７日に頒布された「特開２００５−１８２０００号公報 」（以下「引用例１」という。）には、次の事項が記載されている。ただし、下線は当審で付した。
ａ　発明の詳細な説明の記載
「【００４５】
（第１実施形態）
本実施形態においては、プラスチック基板を用いて形成される光学フィルムを有する表示
装置の作製方法を、図１を用いて示す。
【００４６】
　始めに、図１（Ａ）に示すように、第１の基板１０１上に第１の金属膜１０２を形成する。第１の基板としては、耐熱性を有する材料、即ち後に形成される光学フィルターの作製工程及び剥離工程での加熱処理に耐えうる材料、代表的にはガラス基板、石英基板、セラミックス基板、シリコン基板、金属基板またはステンレス基板を用いる。
【００４７】
　第１の金属膜１０２としては、チタン（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、銅（Ｃｕ）、クロム（Ｃｒ）、ネオジム（Ｎｄ）、鉄（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ）、オスミウム（Ｏｓ）、イリジウム（Ｉｒ）から選ばれた元素、または元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料からなる単層、またはこれらの積層、或いは、これらの窒化物の単層、又はこれらの積層を用いればよい。なお、第１の金属膜の合金の金属組成比又は金属膜に含まれる酸素、又は窒素の組成比を適宜調節することにより、後の剥離工程の条件が異なる。このため、剥離工程を様々なプロセスに適応することが可能となる。第１の金属膜１０２は、膜厚１０ｎｍ〜２００ｎｍ、好ましくは５０ｎｍ〜７５ｎｍのものを、スパッタリング法、ＣＶＤ法、蒸着法等の公知の作製方法で形成する。
【００４８】
　次に、第１の金属膜１０２上に第１の酸化物膜１０３を形成する。このとき、第１の金属膜１０２と第１の酸化物膜１０３との間に第１の金属酸化物膜が形成される。後の工程で剥離する際、第１の金属酸化物膜中、第１の金属酸化物膜と第１の酸化物膜との界面、または第１の金属酸化物と第１の金属膜との界面で分離が生じる。第１の酸化物膜１０３としては、スパッタリング法又はプラズマＣＶＤ法により、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、又は金属酸化物からなる層を形成すればよい。第１の酸化物膜１０３の膜厚は、第１の金属膜１０２より厚く、好ましくは２倍以上、さらに好ましくは４倍以上であることが望ましい。ここでは、第１の酸化物膜１０３の膜厚は、２００〜３００ｎｍとする。
【００４９】
　　次に、第１の酸化物膜１０３上に、光学フィルター１０４を形成する。
光学フィルターの代表例としては、カラーフィルター
【００５０】
    次に、光学フィルター１０４表面に第１の接着剤１１１を用いて第２の基板１１２を貼り付ける。接着剤としては、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、紫外線硬化型接着剤等の光硬化型接着剤、嫌気硬化型接着剤などの各種硬化型接着剤が挙げられる。これらの材料の代表例としては、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコン樹脂等の有機樹脂が挙げられる。
【００５１】
　
第２の基板１１２としては、
ポリカーボネイト
【００５２】
　次に、第２の基板１１２上に第１の支持体１２１を第１の剥離可能な粘着媒体１２２で貼りつける。この際、第２の基板１１２と第１の剥離可能な粘着媒体１２２との間に気泡が入ると、後の剥離工程の際に光学フィルターにクラックが生じやすくなる。これを防止するため、第２の基板１１２と第１の剥離可能な粘着媒体１２２との間に気泡が入らないように接着する。なお、この工程にテープマウンター装置等を用いることにより、短時間でこれらの間に気泡が入らないように接着できる。
【００５３】
　第１の支持体１２１としては、第１の基板１０１及び第２の基板１１２よりも剛性の高い基板、代表的には、石英基板、金属基板、セラミックス基板を用いることが好ましい。
【００５４】
　また、剥離可能な粘着媒体１２２としては、有機樹脂からなる粘着剤で形成されるもの、代表例としては、反応剥離型粘着剤、熱剥離型粘着剤、紫外線剥離型粘着剤等の光剥離型粘着剤、嫌気剥離型粘着剤などの各種剥離型粘着剤、又は各種剥離型粘着剤で形成される粘着層を両面に有する部材（代表的には、両面テープ、両面シート）が挙げられる。
【００５５】
　図１（Ａ）において、第１の基板１０１及びそれに形成された第１の金属膜１０２を第１の剥離体１２３と呼ぶ。また、第１の酸化物膜１０３から第２の基板１１２（即ち、第１の金属膜１０２と第１の剥離可能な粘着媒体１２２とで挟まれた層）を第１の被剥離体１２４という。
【００５６】
　なお、第１の基板１０１に、各基板破損の防止のために剥離可能な粘着媒体で、支持体を接着することが好ましい。この支持体を接着することにより、後に示されるような剥離工程をより少ない力で行うことができる。支持体としては、第１の基板又よりも剛性の高い基板、代表的には石英基板、金属基板、セラミックス基板を用いることが好ましい。
【００５７】
　次いで図１（Ｂ）に示すように、剥離体１２３と被剥離体１２４とを、物理的手段により引き剥がす。物理的手段とは、例えば、人間の手、ノズルから吹付けられるガスの風圧、超音波、楔状の部材を用いた負荷等の比較的小さな力である。
【００５８】
　この結果、第１の金属膜内１０２、第１の金属酸化物膜中、第１の金属酸化物膜と第１の酸化物膜との界面、または第１の金属酸化物と第１の金属膜との界面で剥離が生じ、第１の剥離体１２３と第１の被剥離体１２４とを、比較的小さな力で引き剥がすことができる。
【００５９】
　なお、この剥離工程の前段階として、剥離しやすいように、前処理を行うことが好ましい。代表例としては、第１の金属膜１０２と第１の酸化物膜１０３との間の密着性を部分的に低下させる処理を行う。密着性を部分的に低下させる処理は、剥離しようとする領域の周縁に沿って第１の金属膜１０２にレーザ光を照射する処理、或いは、剥離しようとする領域の周縁に沿って外部から局所的に圧力を加えて第１の金属膜１０２の膜内または界面の一部分に損傷を与える処理である。具体的にはダイヤモンドペンなどで硬い針を垂直に押しつけて荷重をかけて動かせばよい。好ましくは、スクライバー装置を用い、押し込み量を０．１ｍｍ〜２ｍｍとし、圧力をかけて動かせばよい。このように、剥離を行う前に剥離現象が生じやすくなるような部分、即ち、きっかけをつくることが重要であり、密着性を選択的（部分的）に低下させる前処理を行うことで、剥離不良がなくなり、さらに歩留まりも向上する。
【００６０】
　以上の工程により、プラスチック基板上に設けられた光学フィルターを形成することができる。なお、ここではプラスチック及びその上に設けられた光学フィルター（即ち、第１の被剥離体１２４）を光学フィルムという。
【００６１】
　なお、本実施形態によって、光学フィルター１０４と第２の基板１１２との間に接着剤１１１である有機樹脂が介在する。また、有機樹脂と反対側の面には第１の酸化物膜１０３が形成されている。
【００６２】
　また、第２の基板１１２に偏光板、位相差板と偏光板とで形成される楕円偏光板又は円偏光板、反射防止フィルム、視野角改善フィルム、保護フィルム、輝度向上フィルム、プリズムシート等の光学フィルムを用いることができる。さらには、第２の基板表面、又は酸化物膜表面に、公知の反射防止膜を成膜することができる。この構造により、複数の光学的機能を有する光学フィルムを形成することができる。
【００６３】
　　次に、図１（Ｃ）に示すように、第３の基板１３１上に第２の金属膜１３２、第２の酸化物膜１３３を順次形成する。第３の基板としては、第１の基板と同様の材料で形成された基板を用いることができる。また、第２の金属膜１３２としては、第１の金属膜１０２と同様の作製工程、材料、及び構造を用いることができる。第２の酸化物膜１３３としては、第１の酸化物膜１０３と同様の作製工程、材料、及び構造を用いることができる。
【００６４】
　次に、第２の酸化物膜１３３上に、画素を有する層１３４を形成する。画素を有する層とは、表示装置において、画素として機能する素子又は電極、代表的には、液晶素子、発光素子、画素電極、マイクロミラーアレイ、電子放出部（エミッター）等が形成されている層である。また、画素を駆動する素子、代表的には、ＦＥＴ、ＴＦＴ、有機半導体トランジスタ、ダイオード、ＭＩＭ素子等が設けられていてもよい。
【００６５】
　次に、画素を有する層１３４表面に、第２の接着剤１３５を用いて第４の基板１３６を貼り付ける。ここで、第２の接着剤１３５は、第１の接着剤１１１と同様の材料を、第４の基板１３６は第２の基板１１２と同様の材料を適宜用いることができる。
【００６６】
　次に、図１（Ｄ）に示すように、図１（Ｂ）に示す工程と同様に、第２の酸化物膜１３３と第２の金属膜１３２との間を、物理的手段により引き剥がす。この工程により、第２の酸化物膜１３３から第３の基板１３１及び第２の金属膜１３２を剥離する。
【００６７】
　次に、図１（Ｅ）で示すように、図１（Ｂ）で作製した第１の被剥離体１２４、即ち光学フィルムを、画素を有する層に接着する。具体的には、第２の酸化物膜１３３又は第２の金属酸化物膜の表面に、第１の被剥離体１２４の第１の酸化物膜１０３を、第３の接着剤１４１を用いて接着する。第３の接着剤としては、第１の接着剤１１１と同様の材料を用いて形成することができる。
【００６８】
　次に、図１（Ｆ）に示すように、第２の基板１１２から、第１の剥離可能な粘着媒体１２２及び第１の支持体１２１を剥離する。
【００６９】
　　以上の工程により、プラスチック基板で形成される表示装置を作製することができる。即ち、プラスチック基板を用いて形成される光学フィルムを素子基板に用いる表示装置を作製することができる。このため、軽量で、薄型であり、かつ耐衝撃性が高い表示装置を形成することができる。また、曲面を有する表示装置、または変形が可能な表示装置を作製することができる。
【００７０】
　本発明により作製した光学フィルムを用いる表示装置は、素子を有する層と光学フィルムとを別々の工程により形成し、両者が完成した後に両者を貼り合わせる。このような構成により、表示素子又は半導体素子の歩留まりと、光学フィルムの歩留まりとを個別に管理することができ、表示装置全体としての歩留まり低下を抑制することができる。
【００７１】
　また、アクティブマトリクス基板を作製する製造工程と光学フィルムを作製する製造工程とを同時に流すことが可能となるため、表示装置としての製造期間を短縮することができる。
【００７２】
　また、半導体素子基板側に光学フィルムを設けるため、各画素と光学フィルムとの位置合わせが容易であり、高精細な表示が可能な表示装置を作製することができる。」
「【０１１９】
（第５実施形態）
　本実施形態では、複数の種類の基板を用いて作製される表示装置の作製方法について、図５を用いて説明する。
【０１２０】
　図５（Ａ）に示すように、第１実施形態と同様に、第１の基板１０１上に、第１の金属膜１０２、及び第１の酸化物膜１０３を順次形成し、第１の酸化物膜１０３上に光学フィルター１０４を形成する。なお、第１の金属膜と１０２第１の酸化物膜１０３との間には、第１の金属酸化物膜が形成される。
【０１２１】
　次に、光学フィルター１０４上に、第２の基板１１２を第１に接着剤１１１を用いて貼り付ける。次に、第２の基板１１２表面に、第１の支持体１２１を第１の剥離可能な粘着媒体１２２で貼りつける。ここでは、第１の基板１０１及びそれに形成された第１の金属膜１０２を第１の剥離体１２３と呼ぶ。また、第１の酸化物膜１０３及び光学フィルター１０４、第１の接着剤１１１、及び第２の基板１１２（即ち、金属膜１０２と第１の剥離可能な粘着媒体１２２とで挟まれた層）を第１の被剥離体１２４という。
【０１２２】
　次いで図５（Ｂ）に示すように、第１実施形態と同様に、第１の剥離体１２３と第１の被剥離体１２４とを、物理的手段により引き剥がす。この工程の前段階として、剥離しやすいように、第１実施形態に示されるような前処理を行うことが好ましい。第１の金属酸化物膜中、第１の金属酸化物膜と第１の酸化物膜との界面、または第１の金属酸化物と第１の金属膜との界面との間で剥離が生じ、第１の剥離体１２３と第１の被剥離体１２４とを、比較的小さな力で引き剥がすことができる。
【０１２３】
　以上の工程により、光学フィルムを形成することができる。即ち、
第２の基板１１２上に光学フィルター１０４を設ける
【０１２４】
　　次に、図５（Ｃ）に示すように
第３の基板１３１上に、画素を有する層１３４を形成する
【０１２５】
なお、第１実施形態で示される第３の基板は、耐熱性を有する基板で有り、代表的にはガラス基板、石英基板、セラミック基板、シリコン基板、金属基板等があげられる。
【０１２６】
　次に、画素を有する層１３４上に第４の基板１３６を第２の接着剤１３５を用いて貼り合わせる。なお、画素を有する層１３４に封止膜が形成されている場合、第４の基板１３６を設けなくともよい。
【０１２７】
　次に、図５（Ｄ）に示すように、
第３の基板１３１表面に
光学フィルムを接着する
【０１２８】
　次に、図５（Ｅ）に示すように、第１の剥離可能な粘着媒体１２２及び第１の支持体１２１を、第２の基板１１２から剥離する。
【０１２９】
　以上の工程により、複数の種類の基板を用いた表示装置を作製することができる。
【０１３０】
　なお、本実施形態では、第１実施形態を用いて光学フィルムを作製したが、この工程に代えて第２実施形態又は第３実施形態を用いてもよい。
【０１３１】
　本発明により、プラスチック基板を有する光学フィルムを有する表示装置を形成することができる。このため、軽量で、薄型であり、かつ耐衝撃性が高い表示装置を形成することができる。
【０１３２】
　また、本実施形態によって形成される表示装置は、複数の異なる基板を用いて作製されているため、プロセスの条件によって適する基板を採用することが可能である。また、一方に、プラスチック基板を用いているため、耐破壊強度が高い表示装置を作製することができる。
【０１３３】
　また、半導体素子基板側に光学フィルムを設けるため、各画素と光学フィルムとの位置合わせが容易であり、高精細な表示が可能な表示装置を作製することができる。」
「【実施例１】
【０１７３】
本発明の表示装置の一形態に相当する発光表示装置の作製工程について、図６乃至図８を用いて説明する。なお、本実施例において、光学フィルターの代表例として、カラーフィルターを用いるが、この他にも、色変換フィルター、フォログラムカラーフィルター等を用いることができる。
【０１７４】
　図６（Ａ）に示すように、ガラス基板（第１の基板６０１）上に剥離層を形成する。本実施例ではガラス基板としてＡＮ１００を用いる。このガラス基板上にスパッタリング法で第１の金属膜６０２、ここではモリブデン膜（膜厚１０ｎｍ〜２００ｎｍ、好ましくは５０ｎｍ〜７５ｎｍ）を形成し、次に、第１の酸化物膜６０３、ここでは酸化シリコン膜（膜厚２０ｎｍ〜８００ｎｍ、好ましくは、２００ｎｍ〜３００ｎｍ）を積層する。なお、積層の際、第１の金属膜６０２と第１の酸化シリコン膜６０３との間に第１の酸化金属膜（酸化モリブデン膜）が形成される。後の工程で剥離する際、第１の酸化モリブデン膜中、または第１の酸化モリブデン膜と第１の酸化シリコン膜との界面、または第１の酸化モリブデン膜と第１のモリブデン膜との界面で分離が生じる。
【０１７５】
　次に、第１の酸化物膜６０３上に、カラーフィルター６０９を形成する。カラーフィルターの作製方法としては、着色樹脂を用いたエッチング法、カラーレジストを用いたカラーレジスト法、染色法、電着法、ミセル電解法、電着転写法、フィルム分散法、インクジェット法（液滴吐出法）、銀塩発色法など公知の手法を用いることができる。
【０１７６】
本実施例では、顔料が分散された感光性樹脂を用いたエッチング法によって、カラーフィルターを形成する。はじめに、黒色顔料が分散された感光性アクリル樹脂を塗布法により酸化物膜６０３上に塗布する。次に、アクリル樹脂を乾燥し、仮焼きした後、露光及び現像し、２２０度の加熱によりアクリルを硬化し、膜厚０．５〜１．５μｍのブラックマトリックス６０４を形成する。次に、赤色顔料、緑色顔料、又は青色顔料が分散された感光性アクリル樹脂を塗布法によりそれぞれ塗布し、ブラックマトリックスと同様の工程によって、それぞれ膜厚１．０〜２．５μｍの赤色着色層（以下、着色層（Ｒ）と示す。）６０５、緑色着色層（以下、着色層（Ｇ）と示す。）６０６、青色着色層（以下、着色層（Ｂ）と示す。）６０７を形成する。この後、有機樹脂を塗布し保護膜（平坦化層）６０８を成膜して、カラーフィルター６０９を形成する。
【０１７７】
　　なお、本明細書において、着色層（Ｒ）は赤色の光（６５０ｎｍ付近にピーク波長をもつ光）を透過する着色層であり、着色層（Ｇ）は緑色の光（５５０ｎｍ付近にピーク波長をもつ光）を透過する着色層であり、着色層（Ｂ）は青色の光（４５０ｎｍ付近にピーク波長をもつ光）を透過する着色層を指す。
【０１７８】
次に、保護膜（平坦化層）６０８に接着剤６１０を用いて第２の基板６１１（プラスチック基板）を貼り付ける。接着剤６１０としては、光硬化型接着剤であるエポキシ樹脂を用いる。第２の基板６１１としては、ポリカーボネイトフィルムを用いる。ここでは、カラーフィルター表面に形成されている酸化物膜、カラーフィルター、有機樹脂層、及びプラスチック基板を、カラーフィルターを有する基板６１４という。
【０１７９】
次に、図示しないが剥離処理を行いやすくするための前処理を行う。本実施例では、スクライバー装置を用い、押し込み量を０．１ｍｍ〜２ｍｍとし、圧力をかけて動かし、基板端面を除去する。このとき、第１の金属膜６０２と第１の酸化物膜６０３との間で剥がれる。この工程により、密着性を選択的（部分的）に低下させる前処理を行うことで、剥離不良がなくなり、さらに歩留まりも向上する。
【０１８０】
　次に、第１の剥離可能な粘着媒体６１２を用いて第１の支持体６１３を第２の基板表面に貼り付ける。ここでは、第１の剥離可能な粘着媒体６１２として両面テープを用い、第１の支持体６１３として石英基板を用いる。
【０１８１】
　次に、図６（Ｂ）に示すように、第２の剥離可能な粘着媒体６２１を用い、第１の基板６０１に第２の支持体６２２を貼り付ける。ここでは、第２の剥離可能な粘着媒体としては両面テープを用い、第２の支持体としては第１の支持体と同様に石英を用いる。
【０１８２】
　次に、図７（Ａ）に示すように、第１の基板６０１からカラーフィルターを有する基板６１４とを剥離する。第１の金属膜６０２と第１の酸化物膜６０３との間を物理的手段により引き剥がす。この工程は、比較的小さな力（例えば、部材を用いた負荷、人間の手、ノズルから吹付けられるガスの風圧、超音波等）で引き剥がすことができる。本実施例では、第１の金属膜６０２と第１の酸化物膜６０３との間に、楔等の鋭利な端部を有する部材の一部を挿入し、これら２つの層を引き剥がす。こうして、第１の酸化物膜６０３上に形成されたカラーフィルターを有する基板６１４を第１の基板６０１及び第１の金属膜６０２から分離することができる。なお、接着剤が残っていると不良の原因となるため、第１の酸化物膜６０３の表面をＯ2プラズマ照射、紫外線照射、又はオゾン洗浄等で清浄な表面とすることが好ましい。
【０１８３】
　以上の工程により、プラスチック基板上に第１の接着剤６１０である有機樹脂を介してカラーフィルター６０９が形成される。なお、カラーフィルターの表面には、第１の酸化物膜６０３が形成されている。
【０１８４】
　次に、図７（Ｂ）に示すように、第３の基板６３１上に、第２の金属膜６３２及び第２の酸化物膜６３３を成膜する。第２の金属膜６３２及び第２の酸化物膜６３３は、第１の金属膜６０２及び第１の酸化物膜６０３と同様の材料及び構造を適宜採用することができる。本実施例では、第２の金層層６３２として、スパッタリング法により膜厚１０〜２００ｎｍ、好ましくは５０〜７５ｎｍのタングステン膜を成膜する。また、第２の酸化物膜６３３として、スパッタリング法により膜厚１５０〜２００ｎｍの酸化ケイ素膜を成膜する。
【０１８５】
　次に、第２の酸化物膜６３３上に公知の手法により発光素子を形成する。なお、本実施例においては、発光素子を駆動する半導体素子を設けている。半導体素子として、公知の技術（固相成長法、レーザ結晶化方法、触媒金属を用いた結晶化方法など）を用いて形成された結晶性半導体膜を有する
ＴＦＴ６３４を形成する
アモルファスシリコン膜を
結晶化して結晶性半導体膜を形成した
半導体領域を形成し、それを活性領域とするＴＦＴを作製する
【０１８６】
　ＴＦＴ６３４に接続される導電膜を成膜し、画素の大きさにエッチングして第１の電極６３５を形成する。第１の電極６３５としては、透光性を有する導電膜、ここでは、ＩＴＯを用いて形成する。また、ＣＶＤ法、ＰＶＤ法、塗布法等の公知の手法により、第１の電極６３５の端部（および配線）を覆う絶縁物６４０（バンク、隔壁、障壁、土手などと呼ばれる）を形成する。絶縁物６４０としては、無機材料（酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコンなど）、感光性または非感光性の有機材料（ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリイミドアミド、レジストまたはベンゾシクロブテン）、またはこれらの積層などを用いることができる。
【０１８７】
　つぎに、発光物質を含む層６３６を、蒸着法、塗布法、インクジェット法、塗布法等を用いて形成する。発光物質を含む層には、発光層に対して正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層もしくは電子輸送層を組み合わせて用いるが、公知の如何なる構造を用いても良い。また、発光層の材料として有機材料を用いても無機材料を用いても良く、有機材料の場合は高分子材料でも低分子材料で良い。なお、信頼性を向上させるため、発光物質を含む層６３６の形成前に真空加熱を行って脱気を行うことが好ましい。例えば、蒸着法を用いる場合、真空度が５×１０-3Ｔｏｒｒ（０．６６５Ｐａ）以下、好ましくは１０-4〜１０-6Ｐａまで真空排気された成膜室で蒸着を行う。
【０１８８】
　次に、発光物質を含む層６３６上に第２の電極６３７を成膜する。第２の電極としては、遮光性を有する導電膜、ここでは、アルミニウムーリチウム合金を用いて成膜する。
【０１８９】
　なお、第１の電極６３５、発光物質を含む層６３６、第２の電極６３７を発光素子６３８という。
【０１９０】
　この後、第４の基板６４１と第２の電極６３７とをシール材６３９で貼り合わせる。シール材としては、本実施例では紫外線硬化樹脂を用いる。
【０１９１】
　次に、図８（Ａ）に示すように、また、第２の酸化物膜６３３から、第２の金属膜６３２及び第３の基板６３１を除去する。
【０１９２】
　次に、図８（Ｂ）に示すように、第２の酸化物膜６３３表面に第３の接着剤６４３を用いて、図７（Ａ）に示すカラーフィルターを有する基板６１４を貼り付ける。即ち、第２の酸化物膜６３３表面に第３の接着剤６４３を用いて、第１の酸化物膜６０３を貼り付ける。
【０１９３】
　次に、図８（Ｃ）に示すように、第２の基板６１１から第１の剥離可能な粘着媒体６２１及び第１の支持体６２２をはがす。以上の工程により、プラスチック基板とプラスチック基板上に形成されたカラーフィルターを用いた発光表示装置６５０を作製することができる。
【０１９４】
　なお、本実施例は第１実施形態の工程の代わりに、第２乃至第９実施形態を適応することができる。
【０１９５】
　本実施例により、プラスチック基板上にカラーフィルターを形成することができる。また、偏光板、位相差板、光拡散フィルム等の光学フィルム状に形成することにより、複数の機能が一体化した光学フィルムを形成することができる。
【０１９６】
　本実施例により、プラスチック基板を有する光学フィルムを有する表示装置を形成する
ことができる。このため、軽量で、薄型であり、かつ耐衝撃性が高い発光表示装置を形成することができる。また、曲面を有する発光表示装置、または変形が可能な発光表示装置を作製することができる。
【０１９７】
　また、本実施例により作製した発光表示装置は、発光素子、または半導体素子が形成される層とカラーフィルターを有する基板とを別々の工程により形成し、両者が完成した後に両者を貼り合わせる。このような構成により、発光素子又は半導体素子の歩留まりと、光学フィルムの歩留まりとを個別に管理することができ、発光表示装置全体としての歩留まり低下を抑制することができる。
【０１９８】
　また、アクティブマトリクス基板を作製する製造工程とカラーフィルターを有する基板を作製する製造工程とを同時に流すことが可能となるため、表示装置としての製造期間を短縮することができる。
【０１９９】
また、半導体素子基板側に光学フィルムを設けるため、各画素と光学フィルムとの位置合わせが容易であり、高精細な表示が可能な発光表示装置を作製することができる。」
「【実施例５】
【０２５９】
　次に、本発明の発光表示装置の画素の回路図について、図１５を用いて説明する。図１５（Ａ）は、画素の等価回路図を示したものであり、信号線１５１４、電源線１５１５、１５１７、走査線１５１６、発光素子１５１３、画素へのビデオ信号の入力を制御するＴＦＴ１５１０、発光素子１５１３の両電極間に流れる電流値を制御するＴＦＴ１５１１、該ＴＦＴ１５１１のゲート・ソース間電圧を保持する容量素子１５１２を有する。なお、図１５（Ａ）では、容量素子１５１２を図示したが、ＴＦＴ１５１１のゲート容量や他の寄生容量で賄うことが可能な場合には、設けなくてもよい。
【０２６０】
　図１５（Ｂ）は、図１５（Ａ）に示した画素に、ＴＦＴ１５１８と走査線１５１９を新たに設けた構成の画素回路である。ＴＦＴ１５１８の配置により、強制的に発光素子１５１３に電流が流れない状態を作ることができるため、全ての画素に対する信号の書き込みを待つことなく、書き込み期間の開始と同時又は直後に点灯期間を開始することができる。従って、デューティ比が向上して、動画の表示は特に良好に行うことができる。
【０２６１】
　図１５（Ｃ）は、図１５（Ｂ）に示した画素に、新たにＴＦＴ１５２５と、配線１５２６を設けた画素回路である。本構成では、ＴＦＴ１５２５のゲート電極を一定の電位に保持した配線１５２６に接続することにより、このゲート電極の電位を固定し、なおかつ飽和領域で動作させる。また、ＴＦＴ１５２５と直列に接続させ、線形領域で動作するＴＦＴ１５１１のゲート電極には、ＴＦＴ１５１０を介して、画素の点灯又は非点灯の情報を伝えるビデオ信号を入力する。線形領域で動作するＴＦＴ１５１１のソース・ドレイン間電圧の値は小さいため、ＴＦＴ１５１１のゲート・ソース間電圧の僅かな変動は、発光素子１５１３に流れる電流値には影響を及ぼさない。従って、発光素子１５１３に流れる電流値は、飽和領域で動作するＴＦＴ１５２５により決定される。上記構成を有する本発明は、ＴＦＴ１５２５の特性バラツキに起因した発光素子１５１３の輝度ムラを改善して画質を高めることができる。なお、ＴＦＴ１５２５のチャネル長Ｌ1、チャネル幅Ｗ1、ＴＦＴ１５１１のチャネル長Ｌ2、チャネル幅Ｗ2は、Ｌ1／Ｗ1：Ｌ2／Ｗ2＝５〜６０００：１を満たすように設定するとよい。また、両ＴＦＴは同じ導電型を有していると作製工程上好ましい。さらに、ＴＦＴ１５２５には、エンハンスメント型だけでなく、ディプリーション型のＴＦＴを用いてもよい。
【０２６２】
　なお、本発明の発光装置において、画面表示の駆動方法は特に限定されず、例えば、点順次駆動方法や線順次駆動方法や面順次駆動方法などを用いればよい。代表的には、線順次駆動方法とし、時分割階調駆動方法や面積階調駆動方法を適宜用いればよい。また、発光装置のソース線に入力する映像信号は、アナログ信号であってもよいし、デジタル信号であってもよく、適宜、映像信号に合わせて駆動回路などを設計すればよい。
【０２６３】
　さらに、ビデオ信号がデジタルの発光装置において、画素に入力されるビデオ信号が定電圧（ＣＶ）のものと、定電流（ＣＣ）のものとがある。ビデオ信号が定電圧のもの（ＣＶ）には、発光素子に印加される電圧が一定のもの（ＣＶＣＶ）と、発光素子に印加される電流が一定のもの（ＣＶＣＣ）とがある。また、ビデオ信号が定電流のもの（ＣＣ）には、発光素子に印加される電圧が一定のもの（ＣＣＣＶ）と、発光素子に印加される電流が一定のもの（ＣＣＣＣ）とがある。
【０２６４】
　また、本発明の発光装置において、静電破壊防止のための保護回路（保護ダイオードなど）を、駆動回路または画素部に設けてもよい。」
　
ｂ　図面の記載
「【図１】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
「【図５】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
「【図６】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
「【図７】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
「【図８】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
「【図１５】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
　
ｃ．発明の詳細な説明及び図面の記載の考察
　引用例１において、第１実施形態である図１（Ｆ）に記載された装置と、実施例１である図８（Ｃ）に記載された発光表示装置とを比較すると、図１（Ｆ）に記載された装置の画素を有する層１３４が第２の酸化物層１３３と第２の接着剤１３５との間にあることから、図８（Ｃ）に記載された発光表示装置の第２の酸化物層６３３と第２の接着剤６３９（引用番号については、図７（Ｂ）参照。以下同様。）との間の層が、図１（Ｆ）に記載された装置の画素を有する層１３４に相当すると認められる。
　また、同様に、図８（Ｃ）に記載された発光表示装置の第２の酸化物層６３３と第２の接着剤６３９との間の層が、第５図（Ｅ）に記載された装置の画素を有する層１３４に相当すると認められる。
　さらに、図７（Ｂ）乃至図８（Ｃ）の発光表示装置の記載からみて、同図には、ＴＦＴ６３４に接続された配線が記載されているといえ、さらに、技術常識を考慮すると、該
ＴＦＴ６３４は、ソース電極、ドレイン電極及びゲート電極と、半導体活性領域と、ゲート絶縁膜を有する
　また、第５図（Ｅ）の装置の記載からみて、上面に画素を有する層１３４が形成された
第３の基板１３１の下に
光学フィルター１０４が備えられ
　さらに、「図１５（Ａ）は、画素の等価回路図を示したものであ」（【０２５９】）るから、図１５（Ａ）の発光表示装置における容量素子１５１２は、第５図（Ｅ）に記載された装置の「画素を有する層１３４」に設けられていると認められる。
　
ｄ　引用例１記載の発明
　上記ａ及びｂの記載事項並びに上記ｃの考察によると、引用例１には、以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「ポリカーボネイトからなる第２の基板１１２上に、カラーフィルターからなる光学フィルター１０４を設けた光学フィルムと、
第３の基板１３１と、を有し、
第３の基板１３１の下に光学フィルター１０４が備えられ、
第３の基板上に画素を有する層１３４を形成し、
画素を有する層１３４は、ＴＦＴと、透光性を有する導電膜からなる画素の大きさにエッチングされた第１の電極６３５と、容量素子と、ＴＦＴに接続された配線と、が形成され、
ＴＦＴは、ソース電極、ドレイン電極及びゲート電極と、アモルファスシリコンを結晶化した半導体活性領域と、ゲート絶縁膜を有し、
第３の基板１３１の表面に光学フィルムを接着する
表示装置。」
　
イ　引用刊行物２
　また、原査定における拒絶の理由で引用した、本願の出願前である平成１６年１月１５日に頒布された「特開２００４−１４９８２号公報 」（以下「引用例２」という。）には、次の事項が記載されている。
ａ　発明の詳細な説明の記載
「【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、実質透明な半導体回路に関するものであり、これを液晶素子や有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）表示素子を駆動するための選択駆動回路として用いた画像表示装置に関する。」
「【００１５】
以下本発明を詳細に説明する。
本発明に係る半導体回路は、実質透明なトランジスタと、該トランジスタと電気的接点を有する実質透明な導電性材料によって構成することができる。
【００１６】
ここで実質透明なトランジスタはソース、ドレイン、およびゲートの各電極と、半導体層および絶縁層を、透明な基板上に所望の構造にて配設したものである。実質的に透明とは可視光である波長４００ｎｍ〜７００ｎｍの範囲において７０％以上の透過率を有するものをさす。
【００１７】
本発明の薄膜トランジスタ（ＴＦＴともいう）と該トランジスタと電気的接点を有する実質透明な導電性材料によって構成する半導体回路に用いられる透明な基板としては、ガラスやフレキシブルな樹脂製シートが挙げられ、例えばプラスチックフィルムをシートとして用いることができる。前記プラスチックフィルムとしては、例えばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリフェニレンスルフィド、ポリアリレート、ポリイミド、ボリカーボネート（ＰＣ）、セルローストリアセテート（ＴＡＣ）、セルロースアセテートプロピオネート（ＣＡＰ）等からなるフィルム等が挙げられる。プラスチックフィルムを用いることで、ガラス基板を用いる場合に比べて軽量化を図ることができ、可撓性を有するため衝撃に対する耐性を向上できる。
【００１８】
実質透明な薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を形成するためには、例えば有機半導体材料を用いて薄膜トランジスタを構成することが可能である。このような有機薄膜トランジスタの半導体層に用いることができる有機半導体の例としてはペンタセンやテトラセンなどのアセン類、ナフタレンテトラカルボン酸二無水物（ＮＴＣＤＡ）やナフタレンテトラカルボン酸ジイミド（ＮＴＣＤＩ）、あるいは「アドバンスド・マテリアル」３６８〜３７１ページ（２００２年）に記載のＮＴＣＤＩ類縁構造をもつ高分子や、当該分の技術者にはα−６Ｔとして知られるチオフェンが２位および５位で互いに結合した６量体やその誘導体もしくは類縁体、ポリチオフェンやポリアニリン、ポリ−ｐ−フェニレンビニレン、ポリアセチレン、ポリジアセチレン、ポリチエニレンビニレンといった共役高分子を挙げることができる。
【００１９】
これらの有機半導体材料を用いた半導体薄膜は蒸着によって形成することもできるし、溶媒に可溶もしくは分散可能な物質であれば塗布あるいはインクジェット法を含む印刷プロセスによって形成することが可能である。蒸着して金属光沢をもつ不透明な薄膜になる場合は膜厚を制御し、光が透ける膜厚に設定する。
【００２０】
実質的に透明な電極材料または配線材料に用いることのできる導電性材料としては例えば有機導電材料やＩＴＯ、ＺｎＯなどの金属酸化物膜、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｌｉなどの金属の薄膜にＩＴＯを積層したものなどを用いることが出来る。有機導電材料としては例えばポリ（ビスエチレンジオキシチオフェン）（ＰＥＤＯＴ）やポリアニリンなどにドーピングを施した導電性ポリマーや導電性ポリピロール、導電性ポリチオフェン、ポリエチレンジオキシチオフェンとポリスチレンスルホン酸の錯体なども好適に用いられる。
【００２１】
薄膜トランジスタの電極または配線等の形成方法としては、金属酸化物膜や金属の薄膜をもちいる場合、これらの材料を原料として蒸着やスパッタリング等の方法により形成した導電性薄膜を、公知のフォトリソグラフ法やリフトオフ法を用いてパターニングする方法やこれらの導電性薄膜上に熱転写、インクジェット等により、レジストを形成しエッチングする方法等がある。また導電性ポリマーの溶液あるいは分散液、導電性微粒子分散液等を直接インクジェット法によりパターニングしてもよいし、塗工膜からリソグラフやレーザーアブレーションなどにより形成してもよい。さらに導電性ポリマーや導電性微粒子を含むインク、導電性ペーストなどを凸版、凹版、平版、スクリーン印刷などの印刷法でパターニングする方法も用いることができる。
【００２２】
実質的に透明な絶縁層としては例えば有機絶縁層などを用いることが出来る。有機絶縁材料としては例えば、ＰＭＭＡ（ポリメチルメタクリレート）等のポリアクリレート、ＰＶＡ（ポリビニルアルコール）、ＰＳ（ポリスチレン）、ポリイミド、ポリアミド、ポリエステル、光ラジカル重合系、光カチオン重合系の光硬化性樹脂、あるいはアクリロニトリル成分を含有する共重合体、ポリビニルフェノール、ポリビニルアルコール、ノボラック樹脂、およびシアノエチルプルラン等が挙げられる。有機絶縁材料皮膜の形成方法としては、ディッピング、スピンコート、ナイフコート、バーコート、ブレードコート、スクイズコート、リバースロールコート、グラビアロールコート、カーテンコート、スプレイコート、ダイコートなどの塗布による方法、印刷やインクジェットなどのパターニング方法など、ウェットプロセスが好ましい。」
「【００４１】
図４に上記のアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置の構成の一例を断面図で示す。
【００４２】
但し上記のうち、選択ＴＦＴ１０４およびこれとデータ線１０２、駆動ＴＦＴ１０６との接続等については省略されている。
【００４３】
ガラス基板１１１上に駆動ＴＦＴ１０６を複数配置する。即ち、ガラス基板上に、先ず駆動ＴＦＴ１０６のゲート電極１０６Ｇを１００ｎｍの膜厚でＩＴＯ膜をパターニングして形成する。次いで、ＰＭＭＡからなる層間絶縁膜１１２をスピンコートにより形成する（厚み１５０ｎｍ）。次いで、やはり層間絶縁膜上にＩＴＯ膜を形成（厚み１００ｎｍ）しパターニングしてソース電極１０６Ｓ、ドレイン電極１０６Ｄを形成する。次いでマスクを重ねた後、ソース、ドレイン電極間に蒸着によってペンタセン膜からなる有機半導体チャネル１０６Ｃを形成する（厚み５０ｎｍ）。駆動ＴＦＴ１０６上に層間絶縁膜１１３をやはりＰＭＭＡをスピンコートして形成し（厚み１００ｎｍ）、その上にデータ線１０２および駆動線１０３をやはり全面にＩＴＯ膜を蒸着形成（厚み１００ｎｍ）した後、パターニングして配置する。こうして形成した駆動線１０３は、駆動ＴＦＴ１０６のドレイン電極１０６Ｄにコンタクトホールを介して接続させる。それらの上に、更に、厚み１００ｎｍでＰＭＭＡによる平坦化絶縁膜１１４をスピンコートする。平坦化絶縁膜１１４の上には以下のようにして、ＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ　ｔｉｎ　ｏｘｉｄｅ）透明電極よりなる陽極１１５を蒸着、パターニングして形成し（厚み１１０ｎｍ）、画素毎に有機ＥＬ表示素子１０７を配置する。即ち、即ち、ＰＭＭＡによる平坦化絶縁膜１１４をスピンコートした後、平坦化絶縁膜１１４および層間絶縁膜１１３を貫通して駆動ＴＦＴ１０６のソース電極１０６Ｓに達するコンタクトホール用の孔をエキシマレーザを用いて穿ち、平坦化絶縁膜１１４の表面およびコンタクトホール用の孔の内壁に同時にＩＴＯ膜を形成させ、その後表面のパターニングを行って、陽極１１５を形成すると共に、各陽極１１５と各駆動ＴＦＴ１０６のソース電極１０６ＳとをＩＴＯ膜によって電気的に接続する。
【００４４】
次いで、こうして形成したＩＴＯ膜からなる陽極上にホール輸送層１１６としてα―ＮＰＤ（４，４′−ビス〔Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ〕ビフェニル）を４０ｎｍの厚さに蒸着し、さらに、ＣＢＰ（４，４′−（Ｎ，Ｎ′−ビスカルバゾリル）ビフェニル）とトリス（２−フェニルピリジン）イリジウム錯体の蒸着速度が１００：７になるように調節し、２０ｎｍの厚さに蒸着した発光層１１７を設ける。
【００４５】
次いで、厚さ１０ｎｍのＢＣ（バソキュプロイン）からなるホールブロック層を設け（図では省略）、更に、Ａｌｑ３（トリス（８−キノリノラート）アルミニウム（ＩＩＩ））からなる膜厚４０ｎｍの電子輸送層１１８を蒸着同様に蒸着により設ける。さらに、陰極バッファー層として酸化リチウム（Ｌｉ２Ｏ）を０．５ｎｍ蒸着する（同じく図では省略）。以上の層上に、更にアルミニウムを真空蒸着によって、１１０ｎｍ積層し、前記陽極１１５に対向して陰極１１９を形成する。
【００４６】
この様にして形成された有機ＥＬ表示装置は、陽極１１５からホール輸送層１１６に注入されたホールと、陰極１１９から電子輸送層１１８に注入された電子とが発光層１１７の内部で再結合することにより光が放たれ、この光が図中矢印で示したように、透明な陽極１１５側からガラス基板１１１を透過して外部に放射される。陽極１１５は各画素毎に独立して形成され、ホール輸送層１１６、発光層１１７、電子輸送層１１８、陰極１１９は、ここにおいては各画素共通に形成される。
【００４７】
この有機ＥＬ表示素子はＴＦＴおよびこれと電気的接点を有する導電性材料からなる配線を含む駆動回路が実質的に透明な材料で形成されているために、通常は陽極側から観察するため（陰極としては、有機ＥＬ材料への電子注入しやすい金属でなければならないので、仕事関数の小さいものを使用しなければならないため、透明な電極が得られにくく、通常は陽極のＩＴＯ電極の側から観察するのが普通である）、画素の一部に駆動回路を構成するためのスペースが必要であり、画素全体を発光させる構成をとりにくいため、駆動回路を透明として、発光面積を大きくでき、明るい表示が可能である。一方、シリコン系の薄膜トランジスタを用いた場合には、駆動回路が電界発光の観察側になるために、駆動回路分の大きさだけ光取り出しの開口率が小さくなってしまう。」
「【００４９】
【発明の効果】
実質透明な薄膜トランジスタおよび導電性材料により実質透明な半導体回路が得られるために、液晶表示素子や有機ＥＬ表示素子等のディスプレイの開口率がアップする他、半導体回路を透明化でき、これを有する半導体装置の外観やデザインを損なうことがない。」
　
ｂ　図面の記載
「【図４】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
　
（４）本件補正発明と引用発明との対比
　ここで、本件補正発明と引用発明とを対比する。
ア　引用発明の「カラーフィルターからなる光学フィルター１０４」及び「第２の基板１１２」が、本件補正発明の「カラーフィルター」及び「第１の基材」にそれぞれ相当する。
　そして、ポリカーボネートは実質的に透明であるいうことができるから、引用発明の「ポリカーボネイトからなる第２の基板１１２上に、カラーフィルターからなる光学フィルター１０４を設けた光学フィルム」を有する構成は、本件補正発明の「実質的に透明な板状の第１の基材と、前記第１の基材の厚さ方向の一方の面に設けられたカラーフィルターと」を備える構成に相当する。
　
イ　引用発明の「第３の基板１３１」は、本件補正発明の「第２の基材」に相当する。
　また、引用発明は、「第２の基板１１２上に、カラーフィルターからなる光学フィルター１０４を設けた光学フィルム」を有するものであるから、引用発明の「第３の基板１３１」「を有し、第３の基板１３１の下に光学フィルター１０４が備えられ」る構成と、本件補正発明の「カラーフィルターが前記第１の基材の反対側に臨む面に設けられた実質的に透明な板状の第２の基材」を備える構成は、「カラーフィルターが前記第１の基材の反対側に臨む面に設けられた板状の第２の基材」を備える構成で一致する。
　
ウ　引用発明の「画素を有する層１３４」は、本件補正発明の「半導体回路」に相当する構成を有することは明らかである。
　また、引用発明は、「第３の基板１３１の下に光学フィルター１０４が備えられ」た構成を有するものであるから、引用発明の「第３の基板上に画素を有する層１３４を形成」する構成と、本件補正発明の「第２の基材が前記カラーフィルターの反対側に臨む面に設けられた実質的に透明な半導体回路」「を備え」た構成とは、「第２の基材が前記カラーフィルターの反対側に臨む面に設けられた半導体回路」を備えた構成で一致する。
　
エ　引用発明の「ＴＦＴ」及び「透光性を有する導電膜からなる画素の大きさにエッチングされた第１の電極６３５」は、本件補正発明の「薄膜トランジスタ」及び「透明な導電性材料からなる画素電極」にそれぞれ相当する。
　また、技術常識からみて、引用発明の「容量素子」は、本件補正発明における「補助コンデンサー電極」に相当する構成を有することは明らかである。
　そうすると、引用発明の「画素を有する層１３４は、ＴＦＴと、透光性を有する導電膜からなる画素の大きさにエッチングされた第１の電極６３５と、容量素子と、ＴＦＴに接続された配線と、が形成され」た構成と、本件補正発明の「半導体回路は、実質的に透明な薄膜トランジスタと、透明な導電性材料からなる画素電極と、透明な導電性材料からなる補助コンデンサー電極と、前記トランジスタに導通された電気的接点を有する実質的に透明な導電性材料によって構成された配線とを有」する構成とは、「半導体回路は、薄膜トランジスタと、透明な導電性材料からなる画素電極と、導電性材料からなる補助コンデンサー電極と、前記トランジスタに導通された電気的接点を有する導電性材料によって構成された配線とを有」する構成で一致する。
　
オ　引用発明の「ＴＦＴは、ソース電極、ドレイン電極及びゲート電極と、アモルファスシリコンを結晶化した半導体活性領域と、ゲート絶縁膜を有」する構成と、本件補正発明の「薄膜トランジスタは、ボトムコンタクト型であり、透明な導電性材料からなるソース電極、ドレイン電極及びゲート電極と、透明な半導体活性層と、ゲート絶縁膜を有し、前記半導体活性層が酸化物半導体材料もしくは有機物半導体材料からな」る構成とは、「薄膜トランジスタは、導電性材料からなるソース電極、ドレイン電極及びゲート電極と、半導体活性層と、ゲート絶縁膜を有」する構成で一致する。
　
カ　一般的に、画素を有する層とカラーフィルターを接着する際に、位置合わせを行うことは表示装置の分野における技術常識であるから、引用発明の「第３の基板１３１の表面に光学フィルムを接着する」構成は、本件補正発明の「第１の基材の前記フィルター配列パターンと前記第２の基材の前記半導体回路とを位置合わせし前記第１の基材と前記第２の基材を前記カラーフィルターを介して重ね合わせて接合した」構成に相当する。
　
キ　引用発明の「表示装置」は本件補正発明の「構造体」に相当する。
　
　上記ア〜キの点から、本件補正発明と引用発明は、
「実質的に透明な板状の第１の基材と、
　前記第１の基材の厚さ方向の一方の面に設けられたカラーフィルターと、
　前記カラーフィルターが前記第１の基材の反対側に臨む面に設けられた板状の第２の基材と、
　前記第２の基材が前記カラーフィルターの反対側に臨む面に設けられた半導体回路とを備え、
　前記半導体回路は、薄膜トランジスタと、透明な導電性材料からなる画素電極と、導電性材料からなる補助コンデンサー電極と、前記トランジスタに導通された電気的接点を有する導電性材料によって構成された配線とを有し、
　前記薄膜トランジスタは、導電性材料からなるソース電極、ドレイン電極及びゲート電極と、半導体活性層と、ゲート絶縁膜を有し、
　前記第１の基材の前記フィルター配列パターンと前記第２の基材の前記半導体回路とを位置合わせし前記第１の基材と前記第２の基材を前記カラーフィルターを介して重ね合わせて接合した、
　ことを特徴とする構造体。」
で一致し、以下ａ乃至ｄの点で相違する。
　
（相違点）
ａ　第２の基材、半導体回路、薄膜トランジスタ、補助コンデンサー電極、トランジスタに導通された配線、ソース電極、ドレイン電極、ゲート電極及び半導体活性層が、本件補正発明は、実質的に透明であり、半導体活性層が酸化物半導体材料もしくは有機物半導体材料からなるのに対し、引用発明は、そのような特定がない点。
ｂ　薄膜トランジスタが、本件補正発明は、ボトムコンタクト型であるのに対し、引用発明には、そのような特定がない点。
ｃ　本件補正発明は、薄膜トランジスタのゲート電極と補助コンデンサー電極とが同一の層に設けられているのに対し、引用発明には、そのような特定がない点。
ｄ　本件補正発明は、画素電極が補助コンデンサー電極上をすべて覆うように設けられているのに対し、引用発明には、そのような特定がない点。
　
（５）当審の判断
　以下、上記ａ乃至ｄの相違点について検討する。
＜相違点ａについて＞
　有機ＥＬ表示素子ディスプレイの開口率を上げるために、ガラス基板１１１（本件補正発明の「第２の基材」に相当。）、駆動ＴＦＴ１０６（本件補正発明の「薄膜トランジスタ」に相当。）、データ線１０２及び駆動線１０３（ともに本件補正発明の「トランジスタに導通された配線」に相当。）、ソース電極１０６Ｓ、ドレイン電極１０６Ｄ、ゲート電極１０６Ｇ、及び、有機半導体チャネル１０６Ｃ（本件補正発明の「半導体活性層」に相当。）を実質的に透明なものとし、半導体チャネルを有機物半導体材料で構成することが、引用例２（引用例２では、【００４３】〜【００４７】、【００４９】、図４参照。）に記載されている。
　そして、ディスプレイの開口率を上げることは表示装置の分野における周知の課題（例えば、特開２００３−３０８０３１号公報の【００１５】、特開２００４−２５３５１１号公報の【００６１】参照。）であって引用発明も有する課題であるといえるから、引用発明において、引用例２記載の事項を適用して、第２の基材、半導体回路、薄膜トランジスタ、トランジスタに導通された配線、ソース電極、ドレイン電極、ゲート電極及び半導体活性層を、実質的に透明なものとし、半導体活性層を有機物半導体材料とすることは、当業者が容易になし得たことである。
　さらに、引用例２記載の事項は、半導体回路の半導体領域、電極、配線等を透明にすることによって開口率を上げるものであるから、上記適用の際に、引用発明における補助コンデンサー電極を実質的に透明とすることに格別の困難性はない。
　したがって、上記相違点ａに係る本件補正発明の発明特定事項を得ることは、当業者が容易になしえたことである。
　
＜相違点ｂについて＞
　表示装置において、薄膜トランジスタをボトムコンタクト型とすることは周知技術（例えば、特開２００６−１１４８７３号公報の図４、特開２００５−２２３０４８号公報の図１（Ａ）、特開２００６−５８７３０号公報の図１参照。）である。
　そして、ＴＦＴをボトムコンタクトとするかトップコンタクトとするかは二者択一であって、引用発明において、ＴＦＴをボトムコンタクト型とすることに格別の困難性はない。
　したがって、上記相違点ｂに係る本件補正発明の発明特定事項を得ることは、当業者が容易になしえたことである。
　なお、請求人は平成２５年２月２２日付けの回答書において、薄膜トランジスタをボトムコンタクト型にすることにより半導体活性層に対するダメージを低減できる効果を主張している。
　しかしながら、請求人が主張するように、ボトムコンタクト型薄膜トランジスタであれば半導体活性層に対するダメージを低減できるとしても、上記のようにボトムコンタクト型薄膜トランジスタ自体が周知のものであって、周知のボトムコンタクト型薄膜トランジスタであれば上記の効果を奏することは明らかであるから、上記の効果は引用発明にボトムコンタクト型薄膜トランジスタを適用することによって生じる格別の効果ということもできない。
　したがって、請求人の主張は採用できない。
　
＜相違点ｃについて＞
　表示装置において、薄膜トランジスタのゲート電極と補助コンデンサー電極とを同一の層に設けることは周知技術（例えば、特開２００６−５８７３０号公報の【００３２】〜【００３３】、図１、特開２００６−９８５４２号公報の【００６４】、図１１参照。）であり、引用発明において、そのゲート電極とコンデンサ電極とを同一の層に設けることは、回路設計上当業者が適宜なし得たことである。
　したがって、上記相違点ｃに係る本件補正発明の発明特定事項を得ることは、当業者が容易になしえたことである。
　
＜相違点ｄについて＞
　上記「＜相違点ａについて＞」で述べたように、ディスプレイの開口率を上げることは表示装置の分野における周知の課題であって、また、画素電極を大きくすれば大きくするほど開口率が上がることは自明の事項である。
　そして、画素電極が補助コンデンサー電極上をすべて覆うようにすることは周知の技術（例えば、特開２００３−３０８０３１号公報の【００３１】、図３、特開２００４−２５３５１１号公報の【００５１】、図１、図３参照。）であるから、引用発明において、開口率を上げるために画素電極を大きくして、画素電極が補助コンデンサー電極上をすべて覆うようにすることは、当業者が容易になし得たことである。
　したがって、上記相違点ｄに係る本件補正発明の発明特定事項を得ることは、当業者が容易になしえたことである。
　
　　相違点ａ乃至ｄについては上記のとおりであり、本件補正発明によってもたらされる効果は、引用発明及び引用例２記載の事項並びに周知技術から当業者が当然に予測できる範囲内のものと認められる。
　よって、本件補正発明は、引用発明及び引用例２記載の事項並びに周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
４　本件補正についての補正の却下の決定のむすび
　以上のとおり、本件補正は、平成１８年改正特許法第１７条の２第３項又は同条第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　　
第３　本願発明について
１　本願発明
　平成２４年９月２５日付けの手続補正は、上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成２３年１０月２４日付け手続補正書によって補正された特許請求の範囲の請求項１に記載されたとおりのものである。（上記「第２」［理由］「１」参照。）
　
２　引用刊行物
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された本願の出願前に頒布された引用刊行物１、２及びその記載事項、ならびに引用発明は、上記「第２」［理由］「３」「（３）」に記載したとおりである。
　
３　本願発明と引用発明の対比
　本願発明は、上記「第２」［理由］「１」及び「３」「（１）」で検討したとおり、本件補正発明の発明特定事項である「半導体回路」が「透明な導電性材料からなる補助コンデンサー電極」を有する構成を除き、本件補正発明の発明特定事項である「薄膜トランジスタ」が「ボトムコンタクト型」である構成を除き、「薄膜トランジスタの前記ゲート電極と前記補助コンデンサー電極とは同一の層に設けられ」ている構成を除き、本件補正発明の発明特定事項である「画素電極」が「少なくとも前記補助コンデンサー電極上をすべて覆うように設けられ」ている構成を除いたものである。
　ここで、本願発明と引用発明との対比は、上記「第２」［理由］「３」「（４）」で本件補正発明と引用発明とを対比した事項と同様に行うことができるから、本願発明と引用発明は、
「実質的に透明な板状の第１の基材と、
　前記第１の基材の厚さ方向の一方の面に設けられたカラーフィルターと、
　前記カラーフィルターが前記第１の基材の反対側に臨む面に設けられた板状の第２の基材と、
　前記第２の基材が前記カラーフィルターの反対側に臨む面に設けられた半導体回路とを備え、
　前記半導体回路は、薄膜トランジスタと、透明な導電性材料からなる画素電極と、前記トランジスタに導通された電気的接点を有する導電性材料によって構成された配線とを有し、
　前記薄膜トランジスタは、導電性材料からなるソース電極、ドレイン電極及びゲート電極と、半導体活性層と、ゲート絶縁膜を有し、
　前記第１の基材の前記フィルター配列パターンと前記第２の基材の前記半導体回路とを位置合わせし前記第１の基材と前記第２の基材を前記カラーフィルターを介して重ね合わせて接合した、
　ことを特徴とする構造体。」
で一致し、以下Ａの点で相違する。
　
（相違点）
Ａ　第２の基材、半導体回路、薄膜トランジスタ、トランジスタに導通された配線、ソース電極、ドレイン電極、ゲート電極及び半導体活性層が、本件補正発明は、実質的に透明なものであり、半導体活性層が酸化物半導体材料もしくは有機物半導体材料からなるのに対し、引用発明は、そのような特定がない点。
　
４　当審の判断
　有機ＥＬ表示素子ディスプレイの開口率を上げるために、ガラス基板１１１（本願発明の「第２の基材」に相当。）、駆動ＴＦＴ１０６（本願発明の「薄膜トランジスタ」に相当。）、データ線１０２及び駆動線１０３（ともに本願発明の「トランジスタに導通された配線」に相当。）、ソース電極１０６Ｓ、ドレイン電極１０６Ｄ、ゲート電極１０６Ｇ、及び、有機半導体チャネル１０６Ｃ（本願発明の「半導体活性層」に相当。）を実質的に透明なものとし、半導体チャネルを有機物半導体材料で構成することが、引用例２（引用例２では、【００４３】〜【００４７】、【００４９】、図４参照。）に記載されている。
　そして、ディスプレイの開口率を上げることは表示装置の分野における周知の課題（例えば、特開２００３−３０８０３１号公報の【００１５】、特開２００４−２５３５１１号公報の【００６１】参照。）であって引用発明も有する課題であるといえるから、引用発明において、引用例２記載の事項を適用して、第２の基材、半導体回路、薄膜トランジスタ、トランジスタに導通された配線、ソース電極、ドレイン電極、ゲート電極及び半導体活性層を、実質的に透明なものとし、半導体活性層を有機物半導体材料とすることは、当業者が容易になし得たことである。
　したがって、上記相違点Ａに係る本願発明の発明特定事項を得ることは、当業者が容易になしえたことである。
　
　相違点Ａについては上記のとおりであり、本願発明によってもたらされる効果は、引用発明及び引用例２記載の事項から当業者が当然に予測できる範囲内のものと認められる。
　よって、本願発明は、引用発明及び引用例２記載の事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
５　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用発明及び引用例２記載の事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、その余の請求項に係る発明について言及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。