【事件の表示】
　特願２００７−２７８３５９「半導体発光素子」拒絶査定不服審判事件〔平成２０年　２月１４日出願公開、特開２００８−　３４８８９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯・本願発明
　本願は、平成１４年３月１１日（優先権主張平成１３年７月１１日）に出願した特願２００２−６５４３１号（以下「原出願」という。）の一部を平成１９年１０月２６日に新たな特許出願としたものであって、平成２３年３月３１日付けで手続補正がなされたところ、同年１１月２２日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成２４年２月２７日に拒絶査定不服審判請求がなされたものである。
　
　そして、本願の請求項に係る発明は、平成２３年３月３１日付け手続補正による補正後の明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜８に記載された事項によって特定されるものと認められるところ、その請求項７に係る発明は次のものである。
　
「基板と窒素を含む活性層との間にＡｌを含む半導体層が設けられている半導体発光素子において、窒素を含む活性層のＡｌ濃度は２×１０１９ｃｍ−３未満であることを特徴とする半導体発光素子。」（以下「本願発明」という。）
　
　
２　引用刊行物の記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用された、原出願の優先日前に頒布された刊行物である特開平１０−１２６００４号公報（以下「引用刊行物」という。）には、図とともに下記の事項が記載されている。
　
（１）「【特許請求の範囲】
【請求項１】発光層とクラッド層、発光層とガイド層とクラッド層、あるいは、発光層とバリア層とガイド層とクラッド層が積層された積層構造からなる半導体発光素子において、前記発光層は、Ｎを含む混晶半導体ＧａａＩｎ１−ａＮｂＡｓｃＰ１−ｂ−ｃ（０≦ａ≦１、０＜ｂ＜１、０≦ｃ＜１）層で形成され、前記発光層と直接接する前記クラッド層、前記ガイド層あるいは前記バリア層は、Ａｌを含まない半導体層で形成されていることを特徴とする半導体発光素子。」
　
（２）「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法に関し、詳細には、半導体レーザーや発光ダイオード等に用いる半導体発光素子及びその半導体発光素子の製造方法に関する。」
　
（３）「【００１２】そこで、請求項１記載の発明は、Ｖ族にＮを含んだＮ系混晶半導体材料を活性層とした半導体発光素子において、発光層を、Ｎを含む混晶半導体ＧａaＩｎ１−aＮbＡｓcＰ１−b−c（０≦ａ≦１、０＜ｂ＜１、０≦ｃ＜１）層で形成し、発光層と直接接するクラッド層、ガイド層あるいはバリア層を、Ａｌを含まない半導体層で形成することにより、Ｎを含む混晶半導体に適した低い成長温度においても、Ａｌを含んだ層の成長表面に製造装置内や原料ボンベ内のＯ（酸素）が取り込まれて素子の劣化の起源となる非発光再結合センターを低減させ、発光効率が高く、寿命の長い半導体発光素子を提供することを目的としている。」
　
（４）「【００４３】図１〜図３は、本発明の半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法の第１の実施の形態を示す図であり、本実施の形態は、請求項１及び請求項２に対応するものである。
【００４４】図１は、本発明の半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法の第１の実施の形態を適用した半導体発光素子１の正面断面図である。
【００４５】図１において、半導体発光素子１は、ｎ型ＧａＡｓ層で形成された被成長基板２上にクラッド層３、活性層４、クラッド層５及びキャップ層６が順次積層されており、Ｖ族にＮを含んでＮ系混晶半導体材料であるＩｎＧａＮＡｓ層をＧａＡｓ基板２上に形成したものである。
【００４６】クラッド層３は、ＧａＡｓである被成長基板２に格子整合しバンドギャップエネルギーが１．５３ｅＶであるＩｎＧａＡｓＰを用いた構造（ｎ型ＩｎＧａＡｓＰ層）となっており、Ａｌを含まない材料である。
【００４７】発光層である活性層４は、クラッド層３上に形成され、ＩｎＧａＮＡｓ層、すなわち、Ｎを含む混晶半導体であるＧａaＩｎ１−aＮbＡｓ１−b（０＜ｂ＜１）層で形成されている。
【００４８】クラッド層５は、活性層４上に形成され、ＩｎＧａＡｓＰを用いた構造（ｐ型ＩｎＧａＡｓＰ層）となっている。キャップ層６は、ｐ＋型ＧａＡｓ層で形成されている。
【００４９】次に、この半導体発光素子１の製造方法について、図２に基づいて説明する。図２は、ＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemical Vapor Deposition ）装置１０の反応室部分の概略構成図であり、ＭＯＣＶＤ装置１０は、横型炉である。
…
【００５１】このＭＯＣＶＤ装置１０を使用して半導体発光素子１を製造するには、カーボンサセプター１６に被成長基板２としてＧａＡｓ基板をセットし、図示しない排気装置により反応室１１内の圧力を１．３×１０４Ｐａに減圧する。そして、熱電対１８により温度検出を行いつつ、高周波加熱コイル１７によりカーボンサセプター１６を加熱して、被成長基板２であるＧａＡｓ基板を所定温度に加熱制御し、原料ガスとキャリアガスを同時にガス供給口１４から反応室１１内に供給することにより、被成長基板２であるＧａＡｓ基板上に順次クラッド層３、活性層４、クラッド層５及びキャップ層６を積層する。」
　
（５）「【００７９】図５は、本発明の半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法の第３の実施の形態を示す図であり、本実施の形態は、ＧａＡｓ基板に格子整合しているＩｎ０．１４Ｇａ０．８６Ｎ０．０５Ａｓ０．９５活性層を用いて積層構造を形成したもので、請求項１、請求項２及び請求項４に対応するものである。
【００８０】図５は、半導体発光素子３０の積層構造を示した正面断面図であり、半導体発光素子３０は、ｎ型ＧａＡｓ層である被成長基板３１上に、ｎ型ＡｌＧａＡｓ層で形成されたクラッド層３２、ＩｎＧａＡｓＰ層で形成されたガイド層３３、ＩｎＧａＮＡｓ層で形成された井戸層（発光層）３４、ＩｎＧａＡｓＰ層で形成されたガイド層３５、ｐ型ＡｌＧａＡｓ層で形成されたクラッド層３６及びｐ＋型ＧａＡｓ層で形成されたキャップ層３７が順次積層されている。そして、井戸層３４は、ＧａＡｓである被成長基板３１に格子整合しているＩｎ０．１４Ｇａ０．８６Ｎ０．０５Ａｓ０．９５層により形成されている。
…
【００８２】上記半導体発光素子３０は、発光層であるＩｎＧａＮＡｓ層で形成された井戸層３４にＡｌＧａＡｓ層で形成されたクラッド層３２、３６が直接接していない、すなわち、活性領域（発光層３４とガイド層３３、３５）が活性なＡｌを含んでいないので、Ｎを含む混晶半導体に適した低い成長温度においても、Ａｌを含んだ層の成長表面に形成されやすかった製造装置及び原料ボンベ内のＯ（酸素）が基板表面に取り込まれて発生する劣化の起源となるような非発光再結合センターを、低減させることができる。したがって、発光効率が高く、寿命の長いＧａＡｓ基板格子整合系長波長半導体レーザーを形成することができる。」
　
（６）上記（４）を踏まえて上記（５）を読むと、上記（５）に記載された第３の実施の形態の「ＧａＡｓ基板格子整合系長波長半導体レーザー」は、ＭＯＣＶＤ装置を用いて製造されるものであるといえる。
　
　上記の記載を総合すると、引用刊行物には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　
「ＭＯＣＶＤ装置を用いて製造される、ＧａＡｓ基板格子整合系長波長半導体レーザーであって、
　ｎ型ＧａＡｓ層である被成長基板３１上に、ｎ型ＡｌＧａＡｓ層で形成されたクラッド層３２、ＩｎＧａＡｓＰ層で形成されたガイド層３３、ＩｎＧａＮＡｓ層で形成された井戸層（発光層）３４、ＩｎＧａＡｓＰ層で形成されたガイド層３５、ｐ型ＡｌＧａＡｓ層で形成されたクラッド層３６及びｐ＋型ＧａＡｓ層で形成されたキャップ層３７が順次積層されてなり、
　発光層であるＩｎＧａＮＡｓ層で形成された井戸層３４にＡｌＧａＡｓ層で形成されたクラッド層３２、３６が直接接しておらず、すなわち、活性領域（発光層３４とガイド層３３、３５）が活性なＡｌを含んでいないので、Ｎを含む混晶半導体に適した低い成長温度においても、Ａｌを含んだ層の成長表面に形成されやすかった製造装置及び原料ボンベ内のＯ（酸素）が基板表面に取り込まれて発生する劣化の起源となるような非発光再結合センターを、低減させることができ、これにより、発光効率が高く、寿命の長いものを形成することができる、ＧａＡｓ基板格子整合系長波長半導体レーザー。」
　
　
３　対比
　本願発明と引用発明を対比する。
　
　引用発明の「ｎ型ＧａＡｓ層である被成長基板３１」、「ＩｎＧａＮＡｓ層で形成された井戸層（発光層）３４」、「ｎ型ＡｌＧａＡｓ層で形成されたクラッド層３２」及び「ＧａＡｓ基板格子整合系長波長半導体レーザー」は、それぞれ、本願発明の「基板」、「窒素を含む活性層」、「（基板と窒素を含む活性層との間に設けられている）Ａｌを含む半導体層」及び「半導体発光素子」に相当する。
　
　よって、本願発明と引用発明とは、
「基板と窒素を含む活性層との間にＡｌを含む半導体層が設けられている半導体発光素子。」
の点で一致し、以下の点で相違するものと認められる。  
 　  
　窒素を含む活性層のＡｌ濃度が、本願発明では、２×１０１９ｃｍ−３未満であるのに対し、引用発明では、どの程度の値であるのか不明である点（以下「相違点」という。）
　
　
４　判断
　上記相違点につき検討する。
　本願発明において、窒素を含む活性層のＡｌ濃度を２×１０１９ｃｍ−３未満としたことの技術上の意義は、「室温連続発信可能な半導体レーザ」を提供することである（本願明細書【００２７】、【００６５】）。一方、引用発明の「ＧａＡｓ基板格子整合系長波長半導体レーザー」は、「発光層であるＩｎＧａＮＡｓ層で形成された井戸層３４」にＡｌが含まれないようになし、Ｏ（酸素）が取り込まれることにより発生する劣化の起源となる非発光再結合センターを低減させることにより、発光効率の高い、寿命の長いものを提供するものである。したがって、両者は、窒素を含む活性層（ＩｎＧａＮＡｓ層で形成された井戸層３４）に含まれるＡｌ濃度を極力低減することにより、発光特性の良好な半導体レーザを提供する点において、共通する技術思想を有するものといえる。
　しかるところ、引用発明において、発光効率の高い、寿命の長いものを提供するべく、その「井戸層３４」に含まれるＡｌの許容濃度をどの程度とするかは、当該引用発明を実施する上で当業者が適宜に定めるべき事項であって、そのＡｌ許容濃度を２×１０１９ｃｍ−３未満と定めることが当業者において格別困難なことであるとはいえない。
　よって、引用発明において、上記相違点に係る本願補正発明の構成となすことは、当業者が適宜になし得ることである。
　
　また、本願発明の奏する効果が、引用発明から当業者が予測困難な程の格別顕著なものということはできない。
　
　したがって、本願発明は、引用刊行物に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　
５　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用刊行物に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。