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　特願２０１０−　３６２３５「薄膜太陽電池」拒絶査定不服審判事件〔平成２２年　５月２７日出願公開、特開２０１０−１１８６９３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１８年１０月２７日に出願した特願２００６−２９２６８５号の一部を平成２２年２月２２日に新たな特許出願としたものであって、平成２４年８月２１日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年１０月２３日付けで拒絶査定不服審判が請求されると同時に手続補正がなされたものである。
　なお、請求人は、当審における平成２５年２月１８日付けの審尋に対して同年４月１６日付けで回答書を提出している。
　
第２　平成２４年１０月２３日付け手続補正についての補正却下の決定
〔補正却下の決定の結論〕
　平成２４年１０月２３日付け手続補正を却下する。
　
〔理由〕
１　本件補正の内容
（１）平成２４年１０月２３日付け手続補正（以下「本件補正」という。）は、特許請求の範囲及び発明の詳細な説明についてするものであって、特許請求に範囲については、本件補正前の請求項１に、
「透明絶縁基板と、
　前記透明絶縁基板上に順次積層された、透明電極層と、半導体光電変換層と、裏面電極層と、を含み、
　少なくとも前記裏面電極層を分離する分離溝を備え、
　前記透明電極層が前記半導体光電変換層および前記裏面電極層よりも前記分離溝の長手方向に突出しており、
　前記透明電極層の前記突出している部分よりも外側に位置する前記透明電極層と前記半導体光電変換層と前記裏面電極層と
が除
　
「透明絶縁基板と、
　前記透明絶縁基板上に順次積層された、透明電極層と、半導体光電変換層と、裏面電極層と、を含み、
　少なくとも前記裏面電極層を分離する分離溝を備え、
　前記透明電極層が前記半導体光電変換層および前記裏面電極層よりも前記分離溝の長手方向に突出しており、
　前記透明電極層の前記突出している部分よりも外側に位置する前記透明電極層と前記半導体光電変換層と前記裏面電極層と
がレーザ光の照射によりすべて除
　
（２）本件補正後の請求項１に係る上記（１）の補正は、本件補正前の請求項１に係る発明を特定するために必要な事項である「『前記透明電極層の前記突出している部分よりも外側に位置する前記透明電極層と前記半導体光電変換層と前記裏面電極層と』の『除去』」が「『すべて』の除去」であり「『レーザ光の照射』による除去」であると限定するものである。
　
２　本件補正の目的
　本件補正後の請求項１に係る上記１（２）の補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　そこで、本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下検討する。
　
３　引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された「本願の出願前に頒布された刊行物である特開２００２−１６２６９号公報（以下「引用例」という。）」には、次の事項が図とともに記載されている。
（１）「【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、切断方法に関する。より詳細には、本発明は、薄膜薄膜太陽電池パネルを構成する薄膜にレーザビームを照射し、その薄膜を切断する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】太陽光のエネルギを直接電気エネルギに変換する光電変換装置である太陽電池の種類として、各種のものが実用化されている。なかでも、非晶質シリコン系の薄膜太陽電池は、製造のためのコストが小さく大面積化が容易である。そのため、非晶質シリコン系の薄膜太陽電池を使用した屋外用の大面積太陽電池の開発が進められている。薄膜太陽電池パネルの製造においては、
ＣＶＤ
法及びスパッタリング法のような薄膜の堆積工程と、レーザスクライブ法のようなパターンニング工程とが、組み合わせて行われ、所望の構造が形成され
薄膜太陽電池パネルは、通常、１枚の透明絶縁基板に複数の光電変換セルが電気的に直列接続された構造
薄膜太陽電池パネルには、更に、光電変換セルを取り囲むように、外周端部が設けられている
外周端部は、薄膜太陽電池パネルを保持するフレームと接触する部分である。この光電変換セルは、外周端部から電気的に絶縁されている必要がある。外周端部には、フレームと接触するために機械的な力が作用される。その力により、薄膜が損傷して上下の電極膜が電気的にショートして発電能力が大幅に低下する。光電変換セルと外周端部とが電気的に絶縁されていれば、発電能力の低下は起こらない
【０００３】
光電変換セルと外周端部との絶縁を確保するために、レーザビームを用いて薄膜太陽電池パネルを構成する薄膜を切断するレーザビーム加工法が知られている
【０００４】公知のその薄膜太陽電池パネルの製造方法（以下、「第１の公知の薄膜太陽電池パネルの製造方法」という。）では、図２１に示されているように、
透明基板５０１の上に順に形成された透明電極層５０２、半導体層５０３、及び裏面電極層５０４に、透明基板５０１側からレーザビーム５０５が入射される。これにより、透明電極層５０２、半導体層５０３、及び裏面電極層５０４を貫通する分離溝５０６が形成され、光電変換セル部５００と外周端部５１０との間の絶縁が確保される
【０００５】光電変換セル部５００と外周端部５１０との間には、絶縁がとられていなければならない。従って、光電変換セル部５００の透明電極層５０２ａと外周端部５１０の透明電極層５０２ｂとの間、及び、光電変換セル部５００の裏面電極層５０４ａと外周端部５１０の裏面電極層５０４ｂとは絶縁されていなければならない。
【０００６】
更に、光電変換セル部５００の透明電極層５０２ａと裏面電極層５０４ａとは短絡してはならない
薄膜太陽電池の正極及び負極である透明電極層５０２ａと裏面電極層５０４ａとが短絡していると、薄膜太陽電池の機能が損なわれるから
【０００７】しかし、第１の公知の薄膜太陽電池パネルの製造方法は、
透明電極層５０２を構成する物質がレーザビームのエネルギにより蒸発して飛散する際に、分離溝５０６の内壁５０６ａに付着し、透明電極層５０２ａと裏面電極層５０４ａの間を短絡するという問題がある
【０００８】公開特許公報（特開平１１−１８６５７３）には、
かかる問題を解決する
【０００９】第２の公知の
薄膜太陽電池パネルの製造方法では、まず、
透明基板５１１上に、透明電極層５１２が堆積され
【００１０】
続いて、
ガラス基板５１１側から透明電極５１２にレーザ光５１３が入射され、透明電極層５１２に透明電極層分離溝５１４が形成され
【００１１】
続いて、
半導体層５１５と裏面電極層５１６とが順次堆積される。半導体層５１５と裏面電極層５１６とが順次形成された後、公知のレーザパターニングが実施され、複数の光電変換セルが薄膜太陽電池パネル全面に形成され
【００１２】
続いて、
レーザ光５１７が入射されて半導体層５１５と裏面電極層５１６とが切断され、分離溝５１８が形成される。分離溝５１６により、外周端部と光電変換セルとが絶縁され
レーザ光５１７の光強度は、透明電極層５１２に損傷を与えることのない程度に選ばれている。透明電極層５１２を蒸発させるのに必要な単位面積あたりのレーザエネルギは、半導体層５１５のそれの１０倍程度である。従って、レーザ光５１７が、半導体層５１５のみを蒸発させるだけのエネルギを有するレーザ光であれば、透明電極層５１２に損傷が与えられることはない
このとき、裏面電極層５１６は、半導体層５１５が蒸発する際に、その半導体層から生ずるガスのガス圧力で除去される
【００１３】しかし、第２の公知の薄膜太陽電池パネルの製造方法は、以下に述べられているような問題点があった。
【００１４】
半導体層５１５と裏面電極層５１６を切断する分離溝は、透明電極層５１２を切断する分離溝の上に形成されなければならない
　
（２）図２２ないし図２５の記載から、半導体層及び裏面電極層の分離溝５１８は、透明電極層分離溝５１４をすっぽり覆う大きなものであり、前記透明電極層分離溝５１４の上に形成することにより、透明電極層、半導体層及び裏面電極層を貫通する分離溝を完成するものであることが見て取れる。
　また、図１のセル分離溝５を参照すると、レーザスクライブ法のような公知のレーザパターニング工程により光電変換セル部を電気的に直列接続された複数のものに分離する部分はセル分離溝というべきものであることがわかる。
　
（３）上記（１）及び（２）から、引用例には次の発明が記載されているものと認められる。
「ＣＶＤ法及びスパッタリング法のような薄膜の堆積工程と、レーザスクライブ法のようなパターンニング工程とが、組み合わせて行われ、１枚の透明絶縁基板にセル分離溝で分離された複数の光電変換セル部が電気的に直列接続された構造が形成され、更に、光電変換セル部を取り囲むように、薄膜太陽電池パネルを保持するフレームと接触する部分である外周端部が設けられ、該外周端部には、フレームと接触するために機械的な力が作用され、その力により薄膜が損傷して上下の電極膜が電気的にショートして発電能力が大幅に低下することがあるので、前記光電変換セル部は、前記外周端部から電気的に絶縁し、発電能力の低下が起こらないようにした構造の薄膜太陽電池パネルであって、
　前記透明絶縁基板の上に順に形成された透明電極層、半導体層及び裏面電極層に、透明絶縁基板側からレーザビームを入射することにより、薄膜太陽電池パネルを構成する薄膜を切断して、透明電極層、半導体層及び裏面電極層を貫通する分離溝を形成して前記光電変換セル部と前記外周端部との絶縁を確保した薄膜太陽電池パネルにおいて、
　薄膜太陽電池の正極及び負極である透明電極層と裏面電極層とが短絡していると、薄膜太陽電池の機能が損なわれるから、光電変換セル部の透明電極層と裏面電極層とは短絡してはならないところ、透明電極層を構成する物質がレーザビームのエネルギにより蒸発して飛散する際に、分離溝の内壁に付着し、透明電極層と裏面電極層の間を短絡するという問題があるので、
　かかる問題を解決するために、まず、透明絶縁基板上に、透明電極層が堆積され、続いて、透明絶縁基板側から透明電極層にレーザ光を入射し、透明電極層に透明電極層分離溝を形成し、続いて、半導体層と裏面電極層とを順次堆積し、半導体層と裏面電極層とが順次形成された後、公知のレーザパターニングを実施し、セル分離溝で分離された複数の光電変換セルを薄膜太陽電池パネル全面に形成し、続いて、透明電極層を蒸発させるのに必要な単位面積あたりのレーザエネルギは半導体層のそれの１０倍程度であるので、レーザ光が半導体層のみを蒸発させるだけのエネルギを有するレーザ光であれば透明電極層に損傷が与えられることはないから、レーザ光の光強度を透明電極層に損傷を与えることのない程度に選んで、前記透明電極層分離溝の上にレーザ光を入射させて半導体層を蒸発させ、この蒸発の際にその半導体層から生ずるガスのガス圧力で裏面電極層を除去し、半導体層と裏面電極層とを切断して前記透明電極層分離溝をすっぽり覆う大きな半導体層及び裏面電極層の分離溝を前記透明電極層分離溝の上に形成して前記貫通する分離溝を完成し、完成した貫通する分離溝によって外周端部と光電変換セル部とを絶縁することにより、透明電極層を構成する物質がレーザビームのエネルギにより蒸発して飛散する際に、貫通する分離溝の内壁に付着して透明電極層と裏面電極層の間を短絡することがないようにした、薄膜太陽電池パネル。」（以下「引用発明」という。）
　
４　対比
　本願補正発明と引用発明とを対比する。
（１）引用発明の「透明絶縁基板」、「透明電極層」、「半導体層」、「裏面電極層」、「セル分離溝」、「『レーザビーム』、『レーザ光』」及び「薄膜太陽電池パネル」は、それぞれ、本願補正発明の「透明絶縁基板」、「透明電極層」、「半導体光電変換層」、「裏面電極層」、「少なくとも前記裏面電極層を分離する分離溝」、「レーザ光」及び「薄膜太陽電池」に相当する。
　
（２）引用発明の「透明電極層」、「半導体光電変換層（半導体層）」及び「裏面電極層」は、「透明絶縁基板」の上に順に形成されたものであるから、本願補正発明の「透明電極層」、「半導体光電変換層」及び「裏面電極層」と、「透明絶縁基板上に順次積層された」点で一致する。
　
（３）引用発明の「薄膜太陽電池（薄膜太陽電池パネル）」は、まず、「透明絶縁基板」上に、「透明電極層」が堆積され、続いて、「透明絶縁基板」側から「透明電極層」に「レーザ光」を入射し、「透明電極層」に透明電極層分離溝を形成し、続いて、「半導体光電変換層（半導体層）」と「裏面電極層」とを順次堆積し、「半導体光電変換層」と「裏面電極層」とが順次形成された後、公知のレーザパターニングを実施し、「少なくとも前記裏面電極層を分離する分離溝（セル分離溝）」で分離された複数の光電変換セルを「薄膜太陽電池」全面に形成し、続いて、「透明電極層」を蒸発させるのに必要な単位面積あたりのレーザエネルギは半導体層のそれの１０倍程度であるので、「レーザ光」が「半導体光電変換層」のみを蒸発させるだけのエネルギを有する「レーザ光」であれば「透明電極層」に損傷が与えられることはないから、「レーザ光」の光強度を「透明電極層」に損傷を与えることのない程度に選んで、前記透明電極層分離溝の上に「レーザ光」を入射させて「半導体光電変換層」を蒸発させ、この蒸発の際にその「半導体光電変換層」から生ずるガスのガス圧力で「裏面電極層」を除去し、「半導体光電変換層」と「裏面電極層」とを切断して前記透明電極層分離溝をすっぽり覆う大きな半導体層及び裏面電極層の分離溝を前記透明電極層分離溝の上に形成して前記貫通する分離溝を完成し、完成した貫通する分離溝によって外周端部と光電変換セル部とを絶縁することにより、「透明電極層」を構成する物質が「レーザ光（レーザビーム）」のエネルギにより蒸発して飛散する際に、貫通する分離溝の内壁に付着して「透明電極層」と「裏面電極層」の間を短絡することがないようにしたものである。
　また、引用発明において、半導体層及び裏面電極層の分離溝は、「レーザ光」の光強度を「透明電極層」に損傷を与えることのない程度に選んで入射させて透明電極層分離溝の上に形成して透明電極層、半導体層及び裏面電極層を貫通する分離溝を完成するものであり、透明電極層分離溝をすっぽり覆う大きなものであるから、透明電極層、半導体層及び裏面電極層を貫通する分離溝の底において、大きな半導体層及び裏面電極層の分離溝にすっぽり覆われた透明電極層分離溝の両側の「透明電極層」の先端も大きな半導体層及び裏面電極層の分離溝に覆われて、「透明電極層」の先端の上部にあった「半導体光電変換層」及び「裏面電極層」は除去されて無くなっていることになる。
　してみると、透明電極層、半導体層及び裏面電極層を貫通する分離溝の底において、引用発明の「透明電極層」の先端は「半導体光電変換層」及び「裏面電極層」よりも突出しているといえ、この透明電極層、半導体層及び裏面電極層を貫通する分離溝は、光電変換セル部を外周端部から分離するものであるから、光電変換セル部の周りに形成され、「少なくとも前記裏面電極層を分離する分離溝」の長手方向にも長手方向に直交する方向にも形成されるものであるから、引用発明の「透明電極層」の先端は「半導体光電変換層」及び「裏面電極層」よりも「少なくとも前記裏面電極層を分離する分離溝」の長手方向に突出してといえる。
　したがって、引用発明の「透明電極層」と本願補正発明の「透明電極層」とは、「前記半導体光電変換層および前記裏面電極層よりも前記分離溝の長手方向に突出して」いる点で一致する。
　
（４）上記（１）ないし（３）から、本願補正発明と引用発明とは、
「透明絶縁基板と、
　前記透明絶縁基板上に順次積層された、透明電極層と、半導体光電変換層と、裏面電極層と、を含み、
　少なくとも前記裏面電極層を分離する分離溝を備え、
　前記透明電極層が前記半導体光電変換層および前記裏面電極層よりも前記分離溝の長手方向に突出している、薄膜太陽電池。」である点で一致し、次の点で相違する。
　
相違点：
　前記透明電極層の前記突出している部分よりも外側に位置する前記透明電極層と前記半導体光電変換層と前記裏面電極層とが、
　本願補正発明では、レーザ光の照射によりすべて除去されているのに対して、
　引用発明では、除去されていない点。
　
５　判断
　上記相違点について検討する。
（１）バックシートと周辺領域との接着性を向上されるため、あるいは、透明導電膜の周辺部の除去部の幅を０．５ｍｍ以上とした上でＪＩＳで定められた絶縁抵抗値を確保するため、周縁部（周囲領域、周辺領域）の透明電極層、半導体層及び裏面電極層が全周に亘りすべて除去されている薄膜太陽電池パネルは、本願の出願前に周知である（以下「周知技術１」という。例．特開２００６−２５３４１７号公報（４頁３２〜３７行【０００５】、１２頁３０〜４０行【００４５】参照。）、特開２００２−１１１０２３号公報（【請求項１】、【０００４】、【００２４】、【００１２】参照。）、原査定の拒絶の理由で引用された特開２００２−３１４１０４号公報（図３参照。））。
　
（２）太陽電池の分野において、１回のレーザービームの走査によって透明電極層、半導体層及び裏面電極層などの層を除去する幅が除去を必要とされる幅に達しないとき、必要な回数走査することにより必要とされる幅の透明電極層、半導体層及び裏面電極層などの層を除去するレーザースクライブ法は、本願の出願前に周知である（以下「周知技術２」という。例．特開平１１−１８６５７３号公報（【００２０】参照。）、上記特開２００２−１１１０２３号公報（２頁右欄４７行〜３頁左欄１０行【０００７】参照。））。
　
（３）引用発明において、周辺領域にバックシートをしっかり接着させるため、あるいは、透明電極層、半導体層及び裏面電極層の周辺部の幅を０．５ｍｍ以上とし周辺部の透明電極層、半導体層及び裏面電極層をすべて除去してＪＩＳで定められた絶縁抵抗値を確保するために、光電変換セル部と外周端部との絶縁を確保する透明電極層、半導体層及び裏面電極層を貫通する分離溝の外側の透明電極層をレーザービームの複数回の走査で全周に亘りすべて除去し、同じく半導体層及び裏面電極層もレーザービームの複数回の走査で全周に亘りすべて除去し、あるいは、必要な場合には透明電極層分離溝及び半導体層及び裏面電極層の分離溝の同時形成も含め、貫通する分離溝の外側の透明電極層、半導体層及び裏面電極層をレーザービームの複数回の走査で全周に亘りすべて一度に除去し、場合によってはさらに仕上げ研磨や洗浄処理（上記特開２００６−２５３４１７号公報の１２頁３８〜４０行参照。）をすること、すなわち、引用発明において、前記透明電極層の前記突出している部分よりも外側に位置する前記透明電極層と前記半導体光電変換層と前記裏面電極層とをレーザ光の照射によりすべて除去し、上記相違点に係る本願補正発明の構成となすことは、当業者が周知技術１及び周知技術２に基づいて容易になし得た程度のことである。
　
（４）本願補正発明の奏する効果は、当業者が引用発明の奏する効果、周知技術１の奏する効果及び周知技術２の奏する効果から予測することができた程度のものである。
　
（５）したがって、本願補正発明は、当業者が引用発明、周知技術１及び周知技術２に基づいて容易に発明をすることができたものである。
　本願補正発明は、当業者が引用発明、周知技術１及び周知技術２に基づいて容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
６　小括
　以上のとおり、本願補正発明は、特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
１　本願発明
　本件補正は上記第２のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし４に係る発明は、新たな特許出願の願書に最初に添付された特許請求の範囲の請求項１ないし４に記載された事項によって特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明は、新たな特許出願の願書に最初に添付された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、上記「第２〔理由〕１（１）」に本件補正前の請求項１として記載したとおりのものと認める。
　
２　引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例及びそれらの記載事項は、上記「第２〔理由〕３」に記載したとおりである。
　
３　対比・判断
　本件補正は、上記「第２〔理由〕１（２）」のとおり、本願発明を特定するために必要な事項を限定するものであるから、本件補正発明は、本願発明を特定するために必要な事項を限定したものに相当する。
　そうすると、本願発明の構成要件をすべて含み、さらに限定を付加したものに相当する本願補正発明が、上記「第２〔理由〕５」に記載したとおり、当業者が引用発明、周知技術１及び周知技術２に基づいて容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も同様の理由により、当業者が引用発明、周知技術１及び周知技術２に基づいて容易に発明をすることができたものである。
　
４　むすび
　本願発明は、以上のとおり、当業者が引用発明、周知技術１及び周知技術２に基づいて容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。