(57)【要約】本発明は、ウエハからチップをダイシングにより分離する際に、該チップの外周端部に発生するチッピング（切断面端の欠け）を防止することを目的とする。そのために、半導体チップの素子形成面及びその裏面の端部に面取りを施し、その面取り傾斜面の傾斜角度θを、９０°＜θ＜１８０°、より好ましくは、１００°≦θ≦１３５°とする。なお、半導体チップの四辺の面取り傾斜角度θが共に約１３５°のときが実用的に最も好ましい。本発明によるチップをＩＣカードへの実装に用いれば、補強板なしの構造としても信頼性の高い薄型ＩＣカードが実現できる。また、ＩＣタグへの実装に用いれば、高歩留まりかつ高信頼性のＩＣタグが実現できる。
2003056613.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも半導体チップの素子形成面及びその裏面の端部に面取りを施し、その面取り傾斜角度をθとしたとき、９０°＜θ＜１８０°の傾斜面を端部に有していることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求の範囲１において、面取り傾斜角度θを１００°≦θ≦１３５°としたことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
半導体ウエハからダイシング加工により半導体チップを切断、分離する工程を含む半導体装置の製造方法であって、前記ダイシング加工においては、前記半導体ウエハの一方の面から、所定の頂角θ′を有する第１のダイシングブレードを用いてスクライブラインに沿って前記半導体チップ厚みの少なくとも１／２の深さの第１溝を形成する工程と、前記半導体ウエハの裏面から所定の頂角θ′を有する第２のダイシングブレードを用いて前記スクライブラインに沿って第２溝を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求の範囲３において、頂角θ′が２０°〜９０°の第１及び第２のダイシングブレードを用いて、面取り傾斜角度θが１００°≦θ≦１３５°の端部を有する半導体チップを切断、分離する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
半導体ウエハからダイシング加工を含む半導体チップの切断、分離工程を有する半導体装置の製造方法であって、前記半導体チップの切断、分離工程においては、前記半導体ウエハの一方の面から、所定の頂角θ′を有するダイシングブレードを用いてスクライブラインに沿って前記半導体チップ厚みの少なくとも１／２の深さの溝を形成する工程と、前記半導体ウエハを反転し裏面から加圧することにより前記溝部分で半導体チップを劈開し分離する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
半導体ウエハからダイシング加工を含む半導体チップの切断、分離工程を有する半導体装置の製造方法であって、前記半導体チップの切断、分離工程においては、前記半導体ウエハの一方の面から、所定の頂角θ′を有するダイシングブレードを用いてスクライブラインに沿って前記半導体チップ厚みの少なくとも１／２の深さの溝を形成する工程と、前記溝部分をドライエッチングによって分離する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求の範囲１もしくは２記載の半導体装置を実装したことを特徴とするＩＣカード。
【請求項８】
請求の範囲１もしくは２記載の半導体装置を実装したことを特徴とするＩＣタグ。
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は、半導体装置及びその製造方法に係り、特に薄型ＩＣカード及びＩＣタグ等の高信頼性が要求されるＬＳＩチップに好適な半導体装置及びその製造方法に関する。
背景技術
以下、ＬＳＩチップがＩＣカードに使用される場合を例に背景技術を説明する。
従来のＩＣカードの製造方法については、例えば特開平１１−２９６６４２号公報に記載されている。図１（ａ）及び（ｂ）は、従来のＩＣカードの構造を示す平面図及び断面図である。
まず、ダイシング加工でウエハから分離された半導体チップ２３０の素子が形成されていない背面側に補強板３５０を重ねる。
次に、カード母材となるポリエチレンテレフタレート材（以下、ＰＥＴ材と略称する）３８０上に形成された銀ペースト配線３３０上に貼りつけられた異方導電性接着剤３１０を介して半導チップ２３０上に形成されているバンプ３４０と銀ペースト配線３３０とを接続する様に接着固定させて行なっていた。
前記従来方法では、次の様な課題がある。すなわち、ダイシング加工によってウエハから分離された半導体チップの裏面側となるダイシングブレードの抜け側には、チッピング（切断面端の欠け）の発生が多く、この状態でＩＣカードの信頼性試験の項目に掲げられている曲げ試験を行なうことにより、ダイシングによって発生したチッピング箇所より、チップ破損が生じてしまった。
このチップ破損を防止するために、チップ２３０に剛性を持たせる必要があり、チップ裏面に補強板３５０を搭載していた。しかしながら、このような補強板入りＩＣカードに構成しても、曲げ試験等を行なうことにより補強板２５０の端部に配線基板（カード母材となるＰＥＴ材３８０が配線基板を兼ねている）が接触し、配線基板の断線、補強板３５０がＰＥＴ材３８０より飛び出してしまうことで半導体チップ２３０に応力が生じてチップ破損が発生していた。
また、補強板３５０が搭載された分だけＩＣカード内のスペーサ厚みを厚くする必要があるため、材料費が増えプロセス工程やカード作製までの時間も長くなり、経費を費すことになる。さらに、補強板入りカードのため、カード厚みが限定されてしまう問題点があった。
また、ＩＣタグの実装においても、ウエハからダイシング加工により分離された半導体チップを使用するものであり、ダイシング加工によるチッピング発生に基づくチップ破損の問題は共通の重要な課題である。
発明の開示
したがって、本発明の目的は、上記従来技術の問題点（課題）を解決することにあり、ウエハからＬＳＩチップをダイシングにより分離するに際して、チッピング（切断面端の欠け）の発生がないか、あるにしても実用上許容される程度に低減された半導体装置（ＬＳＩチップ）及びその製造方法を提供することにある。
具体的には、ウエハからＬＳＩチップをダイシングにより分離するに際して、ＬＳＩチップの外周端部に発生するチッピングを抑制することにより、ＩＣカードやＬＳＩタグの実装においては、シンプル構造で材料費や作製時間が削減でき、特にＩＣカードの実装においては、補強板なしの構造でも補強板が付いた状態と同様に信頼性の高い薄型ＩＣカードを、ＬＳＩタグの実装においては高歩留まり高信頼性のＬＳＩタグを、それぞれ提供することにある。
上記目的を達成するために、本発明の半導体装置においては、少なくとも半導体チップの素子形成面及びその裏面の端部に面取りを施し、その面取り傾斜角度をθとしたとき、９０°＜θ＜１８０°の傾斜面を端部に有していることを特徴とする。
そしてより好ましい面取り傾斜角度は１００°≦θ≦１３５°であり、さらには半導体チップの四辺の面取り傾斜角度θが共に約１３５°のとき実用的に最も好ましい。
上記半導体装置を得る製造方法の概要について述べる。
半導体ウエハから半導体チップをスクライブラインに沿ってダイシングブレードを用いて分離する際に、前記ウエハに半導体素子が形成されている面のスクライブラインを基準に先端形状が鋭利になったダイシングブレードを用いて、半導体ウエハの素子が形成されている面及びその裏面に所定の深さの溝加工を行なう方法である。
その後、形成された溝中央部に先端形状が更に鋭利なダイシングブレードを合わせて個々の半導体チップに分離する。分離された半導体チップ表裏の端部には、面取りされた半導体チップが作製される。半導体チップ表裏の端部が面取りされて形成される傾斜角度は、溝加工に使用するダイシングブレードの刃先の角度（頂角）θ′を選択することにより調節できる。
例えば、刃先の頂角θ′が２０°〜９０°のダイシングブレードを使用した場合には、面取り傾斜角θが１００°≦θ≦１３５°の端部を有する半導体チップを切断、分離することができる。したがって、刃先の頂角θ′が９０°のダイシングブレードを使用した場合には、分離された半導体チップの四辺の傾斜角θはそれぞれ１３５°となる。
なお、ウエハの両面に溝加工を行なう際に、ダイシングブレードの刃先の角度（頂角）θ′がそれぞれ異なるものを使用すれば、端部には表と裏で傾斜角度の異なる面取りされた半導体チップが得られる。
ここで、上記半導体装置を得る本発明の代表的な製造方法の特徴について説明する。
第１の製造方法の特徴は、半導体ウエハからダイシング加工により半導体チップを切断、分離する工程を含む半導体装置の製造方法であって、前記ダイシング加工においては、前記半導体ウエハの一方の面から、所定の頂角θ′を有する第１のダイシングブレードを用いてスクライブラインに沿って前記半導体チップ厚みの少なくとも１／２の深さの第１溝を形成する工程と、前記半導体ウエハの裏面から所定の頂角θ′を有する第２のダイシングブレードを用いて前記スクライブラインに沿って第２溝を形成する工程とを有する点にある。
第２の製造方法の特徴は、半導体ウエハからダイシング加工を含む半導体チップの切断、分離工程を有する半導体装置の製造方法であって、前記半導体チップの切断、分離工程においては、前記半導体ウエハの一方の面から、所定の頂角θ′を有するダイシングブレードを用いてスクライブラインに沿って前記半導体チップ厚みの少なくとも１／２の深さの溝を形成する工程と、前記半導体ウエハを反転し裏面から加圧することにより前記溝部分で半導体チップを劈開し分離する工程とを有する点にある。
第３の製造方法の特徴は、半導体ウエハからダイシング加工を含む半導体チップの切断、分離工程を有する半導体装置の製造方法であって、前記半導体チップの切断、分離工程においては、前記半導体ウエハの一方の面から、所定の頂角θ′を有するダイシングブレードを用いてスクライブラインに沿って前記半導体チップ厚みの少なくとも１／２の深さの溝を形成する工程と、前記溝部分をドライエッチングによって分離する工程とを有する点にある。
この半導体チップを、例えばＩＣチップに使用すれば、チップ表裏の端部には、面取りされた半導体チップが作製されるため、補強板を使用しなくても機械的強度に優れ、信頼性の高いＩＣカードを得ることが可能となる。
また、この半導体チップをＩＣタグに実装すれば、実装歩留りが高く、しかも高信頼性のＩＣタグが得られる。
発明を実施するための最良の形態
以下、図面を用いた実施例により本発明を詳細に説明する。
＜実施例１＞
図２（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）は、本発明による薄型ＩＣカードの構造を示す平面図、断面図及び半導体チップの拡大図である。図に示した様に半導体チップ２３０の素子内に形成されているバンプ３４０側及びその裏面の端部には面取りがされた形状となっている。
図２（ｃ）に示すように、半導体チップ２３０の素子形成面及びその裏面に交差する端部の面取り角度（傾斜角度）θは、９０°＜θ＜１８０°の範囲内に、更に好ましくは１００°≦θ≦１３５°に規制されている。この半導体チップ２３０は、異方導電性接着剤３１０によってＰＥＴ材からなる基板３８０上の配線３３０に強固に保持されているため、互いに分離することはない。
このように本発明の薄型ＩＣカードは、上下にあるＰＥＴ材３８０でＩＣチップ２３０を挟み込み粘着剤１３０で固定されているため、ＰＥＴ材３８０表面には、凹凸がなく平坦に接着されたシンプル構造である。粘着剤１３０は、半導体チップ２３０に対してＰＥＴ材３８０が曲がってもＰＥＴ材３８０に半導体チップ２３０の端部が接触することもなく、応力集中する部分もない。したがって、本発明では半導体チップ２３０の端部が面取りされているためチッピングの発生が無く、図１に示した従来のＩＣカードでは必須とされていた補強板３５０を必要としない。
図３は、薄型ＩＣカードを実装する工程図を示す。
図３（ａ）に示すように、ウエハからダイシングによって分離された半導体チップ２３０は、加熱器２９０上に固定後、ダイシングテープ１２０に熱をかけて接着性を低下させ後、制御部３００でコントロールされた真空チャック１４０で半導体チップ２３０の素子面を吸着固定する。なお、半導体チップ２３０端部の面取り及びウエハから分離する具体的な製造方法の例については、実施例２〜６で詳細に述べる。
ダイシングによってウエハから分離された半導体チップの許容されるチッピングの大きさは、チップ厚さの約２分１程度でチップ厚みは、５０〜３００μｍ厚さの半導体チップを用いる。
次に、図３（ｂ）に示すように、もう一方の真空チャック１４０で先に吸着した半導体チップ２３０の裏面側を吸着し、予めＰＥＴ材３８０上に固定された異方導電性接着剤３１０上に仮接着固定後、本接着を行なう。
次に、図３（ｃ）に示すように、本接着された半導体チップ２３０の裏面側にＰＥＴ材３８０と粘着剤１３０を接着固定する。その後、カード全体に所定の圧力を加えて完成させる。
このようにして得られたＩＣカード構造にすることで、半導体チップ素子面と銀ペースト配線面に異方導電性接着剤３１０を介して接合する際に、チップ全体に圧力を加えても半導体チップ端部が面取りされているため、チップに応力が係らない構造体にすることで、薄くて、曲げに強く、機械的強度に優れたＩＣカードが得られる。
＜実施例２＞
図４は、ウエハから半導体チップ２３０をダイシングにより分離する本発明の製造工程図を示す。まず、図４（ａ）に示すように、半導体ウエハ上１００に積層された半導体素子表面を、ウエハリング１５０に取りつけられたダイシングテープ１２０上に粘着剤１３０で貼りつける。そして、真空チャック１４０上にダイシングテープ１２０を吸着固定後、砥石１１０でウエハ裏面を研削する。
次に、図４（ｂ）に示すように、アライメント用窓１８０が取りつけてある真空チャック１４０上にダイシングテープ１２０で保持され、研削された半導体ウエハ１００一式を真空チャック１４０上に吸着させる。
次に、半導体素子が形成されている面の上下に取り付けてある顕微鏡１６０を使いモニタ１７０上に表れる、予め半導体素子表面に形成されているスクライブラインを基準に第１のアライメント用窓１８０内で位置あわせ後、真空チャック１４０を左右に移動させて、第２のアライメント用窓１８１でも半導体素子表面に形成されているスクライブラインを基準に半導体ウエハ１００の平行だしを行ないながらダイシングラインを決定する。
次に、図４（ｃ）に示すように、先端形状が鋭利になった第１のダイシングブレード１９０でウエハ裏面（半導体素子が形成されていない面）のスクライブラインを基準に第１溝２００の加工を行う。その後、１００℃に設定された加熱器上にダイシングテープ１２０を載せ後、ダイシングテープ１２０の粘着剤１３０の接着性を取り除きダイシングテープ１２０から溝加工後の半導体ウエハ１００を取り外す。
次に、図４（ｄ）に示すように、再度ウエハリング１５０に取り付けられたダイシングテープ１２０の粘着剤１３０側にウエハを反転して第１溝２００を加工した面を貼りつけ後、先端形状が鋭利になった第２のダイシングブレード１９０で半導体素子が形成されている面のスクライブラインを基準に第２溝２１０加工を行う。
なお、第１及び第２の溝２００、２１０の傾斜角度は、溝加工に使用する第１及び第２のダイシングブレード１９０の刃先の角度（頂角）θ′を任意に選択することにより容易に調節できる。この実施例では第１、第２何れのダイシングブレードも刃先の頂角θ′が９０°のダイシングブレードを使用したので傾斜角θ＝１３５°の第１及び第２の溝２００、２１０が形成された。また、この場合、第１及び第２の溝（２００、２１０）の深さは、それぞれ半導体ウエハ厚みの約１／３程度である。
次に、図４（ｅ）に示すように、先端形状がフラットになった第３のダイシングブレード１９０′で、先に加工を行た第２溝２１０に位置合わせ後、第２溝幅より狭いダイシングブレード１９０で第３溝２２０を形成し、個々の半導体チップ２３０に分離する。
図４（ｆ）は、本工程によって得られた半導体チップ２３０の拡大斜視図を示す。
前記の第１溝２００、第２溝２１０、第３溝２２０は、一方向に溝を形成した後、半導体ウエハ１００を吸着した状態で真空チャック１４０を９０°回転させて、もう一方向の溝を形成する。
上記の構造にすることより、分離された半導体チップ端部にはチッピングが発生しない形状のため、半導体チップをＩＣカード等に搭載するときの応力集中によるチップの破損防止ができ、実装歩留まりや信頼性の高い、ＩＣカードが製造できる。
＜実施例３＞
この実施例のウエハからの半導体チップの分離方法も、基本的には先の実施例２と同じであるが、第１溝２００と第２溝２１０のとの手順が逆転している点で異なる。以下、図５の工程図にしたがって説明する。
まず、図５（ａ）に示すように、半導体ウエハ１００上に積層された半導体素子の裏面側に、ウエハリング１５０に取りつけられたダイシングテープ１２０を粘着剤１３０で貼りつける。その後、第１の真空チャック１４０上にダイシングテープ１２０を吸着固定後、半導体ウエハ上１００に積層された半導体素子内のスクライブラインに、先端形状が鋭利になった第１のダイシングブレード１９０を位置合わせして第１溝２００加工を行う。次に、１００℃に設定された加熱器上にダイシングテープ１３０を載せ後、ダイシングテープ上の粘着剤１３０の接着性を取り除きダイシングテープ１２０から溝加工された半導体ウエハ１００を取り外す（不図示）。
次に、図５（ｂ）に示すように、ウエハを反転し、ウエハリング１５０に取りつけられたダイシングテープ１２０の粘着剤１３０側に先に第１溝加工された面を貼り付けて、第２の真空チャック１４０上にダイシングテープ１２０を吸着固定後、砥石１１０でウエハ裏面を研削する。
次に、図５（ｃ）に示すように、アライメント用窓が取りつけてある第３の真空チャック１４０上にダイシングテープ１２０で保持され、研削された半導体ウエハ１００一式を真空チャック１４０上に吸着後、先に加工された第１溝２００を基準に半導体素子が形成されている面の上下に取り付けてある顕微鏡１６０を使いモニタ１７０上に、先に加工された第１溝２００を基準に第１のアライメント用窓１８０内であわせた後、真空チャック１４０を左右に移動させて、第２のアライメント用窓１８１も半導体素子表面に形成されている溝を基準に半導体ウエハ１００の平行だしを行ないながら第２溝の加工ラインを決定する。
次に、図５（ｄ）に示すように、再度ウエハリングに取り付けられたダイシングテープ１２０の粘着剤１３０側に第１溝２００加工したウエハ表面を貼りつけ後、先端形状が鋭利になった第２のダイシングブレード１９０で半導体素子が形成されている面のスクライブラインを基準に第２溝２１０の加工を行う。
次に、図５（ｅ）に示すように、先端形状がフラットになった第３のダイシングブレード１９０で、先に加工を行た第２溝２１０に位置合わせ後、第２溝幅より狭いこの第３のダイシングブレード１９０で第３溝２２０を形成し、個々の半導体チップ２３０に分離する。
上記の工程で得た構造にすることにより、半導体ウエハの表裏に係わらず、どちらか一方の面を基準にしてチップに切り出し加工を行っても実装歩留まりや信頼性に優れたＩＣカードが実現できる。
＜実施例４＞
この実施例は、実施例３に示した図５（ｅ）の第３のダイシングブレード１９０で第３溝２２０を形成する工程を省略し、第１及び第２のダイシングブレード１９０で第１溝２００及び第２溝２１０を形成する工程によりウエハから半導体チップ２３０を切断、分離する方法である。以下、図６の製造工程図にしたがって説明する。
図６（ａ）に示すように、半導体ウエハ上１００に積層された半導体素子の裏面側を、ウエハリング１５０に取りつけられたダイシングテープ１２０上に粘着剤１３０で貼りつける。その後、真空チャック１４０上にダイシングテープ１２０を吸着固定後、半導体ウエハ上１００に積層された半導体素子内のスクライブラインに合わせて先端形状が鋭利になった第１のダイシングブレード１９０で第１溝２００加工を行う。次に、１００℃に設定された不図示の加熱器上にダイシングテープ１２０を載せ、ダイシングテープの粘着剤１３０の接着性を取り除きダイシングテープ１２０から溝加工された半導体ウエハ１００を取り外す（ａ）。
次に、図６（ｂ）に示すように、ウエハリング１５０に取りつけられたダイシングテープ１２０の粘着剤１３０側に、ウエハを反転して先に溝加工された面を貼り付け、真空チャック１４０上にダイシングテープ１２０を吸着固定後、ウエハ裏面を砥石１１０で研削する。
次に、図６（ｃ）に示すように、アライメント用窓１８０が取りつけてある真空チャック１４０上にダイシングテープ１２０で保持され、裏面が研削された半導体ウエハ１００一式を真空チャック１４０上に吸着後、先に加工された第１溝２００を基準に半導体素子が形成されている面の上下に取り付けてある顕微鏡１６０を使いモニタ１７０上に、先に加工された第１溝２００を基準に第１のアライメント用窓１８０内で位置あわせ後、真空チャック１４０を左右に移動させて、もう一方の第２のアライメント用窓１８１でも半導体素子表面に形成されている溝を基準に半導体ウエハ１００の平行だしを行ないながら第２溝ラインを決定する。
次に、図６（ｄ）に示すように、先端形状が鋭利になった第２のダイシングブレード１９０を用いて、先に加工した第１溝２００の溝底と接する場所までフルカットダイシングを行い個々の半導体チップに分離する。
図６（ｅ）は、本製造工程によって得られた半導体チップ２３０の部分拡大断面模式図を示す。
なお、本実施例では、第１及び第２のダイシングブレード１９０共に、刃先の角度（頂角）θ′が６０°のものを使用し、第１溝２００の深さをウエハ厚さのほぼ半分とし、第２溝２１０で半導体チップをウエハから切り離した。半導体チップの端部の面取り傾斜角θは１２０°である。
このようにして得た半導体チップ２３０をＩＣカードに実装後、通常の信頼性試験より高いレベルにおいて曲げ試験を行なった場合でもチップ表裏の端部に形成された面取りラインがチップ厚みの中心で一致している形状のため、チップに直接ストレスが係った場合でも面取りラインでストレスが分散される構造体のため、信頼性に優れたＩＣカードが実現できる。また、チップ取得も２度のダイシング加工で達成できるため、時間の削減にもなる。
＜実施例５＞
この実施例は、ウエハから半導体チップを切断、分離する方法として、刃先に平坦部を有し、それに続いて頂角が所定角度θ′に規制されたダイシングブレードを用いて、少なくともウエハ厚さの中心点を越える深さの第１溝２００加工を行い、残りの厚さ分をドライエッチングで切り離すチップの製造方法を示すものである。以下、図７の製造工程図にしたがって説明する。
図７（ａ）に示すように、半導体ウエハ上１００に積層された半導体素子の反対面（ウエハ裏面）にレジスト２４０を塗布し乾燥後、ウエハリング１５０に取り付けられたダイシングテープ１２０の粘着剤１３０側に半導体素子表面を貼りつける。
その後、アライメント用窓１８０が取り付けてある真空チャック１４０上にダイシングテープ１２０を吸着固定後、半導体素子が形成されている面の上下に取り付けてある顕微鏡１６０を使いモニター１７０上に半導体素子表面に形成されているスクライブラインを基準に第１のアライメント用窓１８０内であわせ後、真空チャック１４０を左右に移動させて、もう一方の第２のアライメント用窓１８１でも半導体素子表面に形成されているスクライブラインを基準に半導体ウエハ１００の平行だしを行ないながら第１溝２００加工位置を決める。
次に、図７（ｂ）に示すように、先端形状が凸（平坦部）で凸サイドにアール及び多角になった刃先（ここでは所定の頂角θ′に規制されたと表示）を有するダイシングブレード１９０で第１溝２００加工を行う。この時、加工された第１溝２００部の端部形状は、ダイシングブレードの先端形状を選択することによって所定の形状が得られる。
次に、図７（ｃ）に示すように、レジスト２４０をマスクに周知のドライエッチング用ガス２５０で先に加工した第１溝２００をエッチングすることにより、個々の半導体チップに分離する。
上記の構造にすることより、溝加工後、ドライエッチングにより一括でチップ分離が実現できるため、分離する際の時間短縮と分離されたチップ内には、ダメージが残らず、チップ端部には、チッピングの発生しない加工法のため、このチップを用いてＩＣカードを製造する際には、実装工程での破損防止ができ、歩留まり向上と信頼性に優れたＩＣカードが実現できる。
＜実施例６＞
この実施例は、実施例５のドライエッチングで切断分離する工程の代わりに結晶の劈開を利用するものである。以下、図８の製造工程図にしたがって説明する。
まず、図８（ａ）に示すように、半導体ウエハ上１００に積層された半導体素子表面を、ウエハリング１５０に取りつけられたダイシングテープ１２０の粘着剤１３０側に貼りつける。次に、真空チャック１４０上にダイシングテープ１２０を吸着固定後、ウエハ裏面を砥石１１０で研削する。
次に、図８（ｂ）に示すように、先端形状が凸で凸サイドにアール及び多角になったダイシングブレード１９０で第１溝２００加工を行う（実施例５の図７（ｂ）工程と同様）。この時、加工された第１溝２００部の端部形状は、ダイシングブレードの先端形状を選択することによって所定の形状が得られる。
次に、図８（ｃ）に示すように、真空チャック１４０から取り外し、テーブル２８０上に置かれた厚さ１ｍｍ程度のテープ２７０上に、ウエハを反転して載置し、先に溝加工した半導体ウエハ１００の裏面に貼り付けられたダイシングテープ１２０側から溝加工ラインに平行にローラ２６０で加圧することにより、溝部分で半導体ウエハ１００を劈開させて個々の半導体チップ２３０に分離する。
次に、図８（ｄ）に示すように、個々に分離された半導体チップ２３０は、まだダイシングテープ１２０上に粘着剤１３０で貼り付いているが、この状態で全体を反転し、予め１００℃に設定した加熱器２９０上に載置し、加熱することによりダイシングテープ１２０の粘着剤１３０を低下させて半導体チップ２３０を剥離する。
このような方法で得られた半導体チップは、通常のダイシング加工のみでは得られない曲げ強度に強いチップが得られる。また、半導体チップの切断端部には、ダメージが残らない構造であるため、このチップをＩＣカードに実装すれば機械的強度に優れたＩＣカードが実現できる。
上記ＩＣカードに用いる半導体チップの厚みは、いずれも５０〜３００μｍであり、これにより薄型ＩＣカードが実現できる。
＜実施例７＞
この実施例はいずれも上記実施例２〜６で得られた半導体チップ２３０を半導体タグ（ＩＣタグ）にＩＣチップとして実装した例を示すものである。ＩＣタグは、周知のように半導体チップ内部のメモリ部に記憶された情報をアンテナを介して外部のリーダライタと非接触で交信し対象物を認識する電子装置である。
図９は、ＩＣタグの断面構造を模式的に示したものである。このＩＣタグに実装されるＩＣチップ１４が無線チップとも呼ばれる半導体チップであり、本実施例では上記実施例２〜６で得られた半導体チップ２３０をＩＣチップ（無線チップ）１４として使用した。同図において、リード線１１は台座（ジュメット線）１２に接続されて一体ものとして形成されており、アンテナとなる。
アンテナから電力を得て動作するＩＣチップ（無線チップ）１４はジュメット線により挟まれた構造を有する。ガラス１３は管状であり、無線チップ及び、ジュメットの一部がガラス１３で封止されている。図９（ａ）は、無線チップ１４の対角線の長さがジュメット１２の直径よりも大きく、図９（ｂ）はでは小サイズ無線チップ１４ａの対角線の長さはジュメット１２の直径よりも小さい。
図１０（ａ）及び図１０（ｂ）は、図９のＩＣチップ（無線チップ）１４が薄膜化された薄型無線チップ３１ａを使用した例を示している。
次に、図１１の工程図によりＩＣタグの製造方法の概略を説明する。この例は、図９（ｂ）及び図１０（ｂ）に示したように、無線チップの対角線の長さがジュメット１２の直径よりも小さいサイズのチップを用いて実装する場合を示している。
図１１（ａ）に示すように、先ず、リード線１１に接続され、垂直に立てられたジュメット１２の上端をガラス管１３の下部から挿入する。次いで、図１１（ｂ）に示すように、ガラス管１３に挿入されたジュメット１２の上部に無線チップ１４（３１ａ）を載せる。
次に、図１１（ｃ）に示すように、ガラス管１３の上部からもう一つのジュメット１２を挿入し、無線チップ１４（３１ａ）を挟み込む。このときジュメット１２に印加される圧力は５〜１０ＭＰａである。これにより、無線チップの主面及び裏面に設けられたそれぞれの電極とジュメット１２とは電気的に接続される。
その後、図１１（ｄ）に示すように、ガラス管１３を高温で加熱し、ガラスを溶かしてジュメット１２に付着させる。
このようにして得られたＩＣタグは、チップ１４の端部が好ましい面取り角度に規制されているため、ＩＣチップの実装時、特にガラス封止時にチップに損傷を与えることが少ないので、製造歩留まりが高く、ＩＣタグの信頼性も高い。
次に、ＩＣタグのリード（アンテナ）１１の長さの通信距離に及ぼす影響について図１２を用いて説明する。この図の横軸はＩＣタグ（トランスポンダ）のリードの長さを示しており、縦軸はトランスポンダと読み取り機の間の通信距離を示している。
リードの長さは使用する搬送波の半分のときが共振する条件として最もふさわしく（２．４５ＧＨｚでは約６ｃｍ）、通信距離が大きい。それよりリード長が小さくなるにしたがって通信距離は短くなるが、長くなる分には極端な通信距離の低下はみられない。リード長としては、搬送波の１／２波長から１波長程度までを用いることができる。
産業上の利用可能性
以上に詳しく説明した様に、半導体チップの両面に特定の角度で面取りされた本発明に係る半導体装置を、例えばＩＣカードに実装することで機械的強度に耐えられる構造のため、補強板が必要なく、高信頼性のある薄型ＩＣカードを得ることが可能となった。さらに、機械的強度等を得るための補強板等がないことにより、製造コストの削減にもなった。
また、本発明に係る半導体装置をＩＣタグの無線チップに使用すれば、製造歩留まりが高く、かつ装置の信頼性も高いＩＣタグを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
図１は従来の半導体チップを用いてＩＣカード作成する方法を示す説明図、
図２は本発明の半導体チップを用いて作成されたＩＣカードの説明図、
図３は本発明の半導体チップを用いてＩＣカード作成する工程図、
図４は半導体ウエハから半導体チップを分離する本発明の実施例となる工程図、
図５は半導体ウエハから半導体チップを分離する本発明の他の実施例となる工程図、
図６は半導体ウエハから半導体チップを分離する本発明の他の実施例となる工程図、
図７は半導体ウエハから半導体チップを分離する本発明の他の実施例となる工程図、
図８半導体ウエハから半導体チップを分離する本発明の他の実施例となる工程図、
図９は本発明の半導体チップを用いて作成したＩＣタグの断面図、
図１０は本発明の半導体チップを用いて作成したＩＣタグの断面図、
図１１は本発明の半導体チップを用いてＩＣタグを作成する工程図、
図１２は本発明の半導体チップを用いて作成したＩＣタグの特性図である。
なお、各図面の符号の説明は次の通りである。１１…リード線（アンテナ）、１２…ジュメット、１３…ガラス管、１４，３１（１４ａ、３１ａ）…ＩＣチップ（無線チップ）、１００…半導体ウエハ、１１０…砥石、１２０…ダイシングテープ、１３０…粘着剤、１４０…真空チャック、１５０…ウエハリング、１６０…顕微鏡、１７０…モニタ、１８０…アライメント用窓１、１８１…アライメント用窓２、１９０…ダイシングブレード、２００…第１溝、２１０…第２溝、２２０…第３溝、２３０…半導体チップ、２４０…レジスト、２５０…ドライエッチング用ガス、２６０…ローラ、２７０…テープ、２８０…テーブル、２９０…加熱器、３００…制御部、３１０…異方導電性接着剤、３２０…異方導電性粒子、３３０…銀ペースト配線、３４０…バンプ、３５０…補強板、３６０…ＩＣカード、３７０…コイル、３８０…ＰＥＴ材、３９０…θ（角度）。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【手続補正書】
【提出日】平成14年6月10日(2002.6.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも半導体チップの素子形成面及びその裏面の端部に面取りを施し、その面取り傾斜角度をθとしたとき、９０°＜θ＜１８０°の傾斜面を端部に有していることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求の範囲１において、面取り傾斜角度θを１００°≦θ≦１３５°としたことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
半導体ウエハからダイシング加工により半導体チップを切断、分離する工程を含む半導体装置の製造方法であって、前記ダイシング加工においては、前記半導体ウエハの一方の面から、所定の頂角θ′を有する第１のダイシングブレードを用いてスクライブラインに沿って前記半導体チップ厚みの少なくとも１／２の深さの第１溝を形成する工程と、前記半導体ウエハの他方の面から所定の頂角θ′を有する第２のダイシングブレードを用いて前記スクライブラインに沿って第２溝を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求の範囲３において、頂角θ′が２０°〜９０°の第１及び第２のダイシングブレードを用いて、面取り傾斜角度θが１００°≦θ≦１３５°の端部を有する半導体チップを切断、分離する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
半導体ウエハからダイシング加工を含む半導体チップの切断、分離工程を有する半導体装置の製造方法であって、前記半導体チップの切断、分離工程においては、前記半導体ウエハの一方の面から、所定の頂角θ′を有するダイシングブレードを用いてスクライブラインに沿って前記半導体チップ厚みの少なくとも１／２の深さの溝を形成する工程と、前記半導体ウエハを反転し他方の面から加圧することにより前記溝部分で半導体チップを劈開し分離する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
半導体ウエハからダイシング加工を含む半導体チップの切断、分離工程を有する半導体装置の製造方法であって、前記半導体チップの切断、分離工程においては、前記半導体ウエハの一方の面から、所定の頂角θ′を有するダイシングブレードを用いてスクライブラインに沿って前記半導体チップ厚みの少なくとも１／２の深さの溝を形成する工程と、前記溝部分をドライエッチングによって分離する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求の範囲１もしくは２記載の半導体装置を実装したことを特徴とするＩＣカード。
【請求項８】
請求の範囲１もしくは２記載の半導体装置を実装したことを特徴とするＩＣタグ。
【請求項９】
リード線を有する台座間に無線チップを挟みガラス管で封止するＩＣタグであって、前記無線チップの素子形成面の端部に面取りが施されていることを特徴とするＩＣタグ。
【請求項１０】
請求の範囲９において、前記面取り傾斜角度をθとしたとき、９０°＜θ＜１８０°の傾斜面を端部に有することを特徴とするＩＣタグ。
【請求項１１】
請求の範囲９において、前記無線チップの対角線の長さは台座の直径よりも大きいことを特徴とするＩＣタグ。
【請求項１２】
請求の範囲９において、前記無線チップの対角線の長さは台座の直径よりも小さいことを特徴とするＩＣタグ。
【請求項１３】
素子形成面及びそれと対向する裏面それぞれの端部に面取りが施された無線チップを準備する工程、前記無線チップをガラス管に挿入されたリードを有する第１の台座上に載せる工程、リードを有する第２の台座を前記第１の台座と向かい合うように前記ガラス管に挿入してそれらの間に前記無線チップを挟みこむ工程、前記ガラス管を加熱してガラスを溶かして台座に付着させる工程とを有することを特徴とするＩＣタグの製造方法。
【請求項１４】
素子形成面の端部及び裏面の端部それぞれに面取りが施された半導体チップが配線基板に形成された配線に導電性接着剤により接続され、前記半導体チップの裏面側に接着剤を介して他の基板が接着されていることを特徴とするＩＣカード。
【請求項１５】
素子形成面の端部及び裏面の端部それぞれに面取りが施された半導体チップの裏面側をチャックで固定して基板上の配線に導電性接着剤を介して固着する工程、前記固着された半導体チップの裏面側に他の基板を粘着剤を介して接着する工程とを有することを特徴とするＩＣカードの製造方法。
【国際調査報告】
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