【事件の表示】
　特願２００６−１３１４０５「半導体装置の製造方法、基板処理方法、及び基板処理装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１９年１１月２２日出願公開、特開２００７−３０５７３０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯  
　本願は、平成１８年５月１０日の出願であって、平成２３年１１月２８日付けで拒絶理由が通知され、平成２４年１月２６日付けで意見書及び手続補正書が提出され、同年３月２９日付けで拒絶査定がなされ、同年７月３日付けで拒絶査定不服審判が請求されるとともに手続補正書が提出され、その後、当審において同年９月５日付けで審尋がなされたものである。 
　
第２　平成２４年７月３日付けの手続補正についての補正の却下の決定 
［補正の却下の決定の結論］  
　平成２４年７月３日付けの手続補正を却下する。 
　
［理由］  
１　平成２４年７月３日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）の内容 
　本件補正は、特許請求の範囲についての補正であって、本件補正により補正される前の（すなわち、平成２４年１月２６日付け手続補正書により補正された）下記（１）に示す特許請求の範囲の記載を下記（２）に示す特許請求の範囲の記載へ補正したものである。　
（１）本件補正前の特許請求の範囲 
　「【請求項１】
一部分にＳｉ面が露出した基板を縦方向に保持可能なボートを処理室内に搬入する工程と、
前記処理室内の雰囲気を前記処理室外に設けられたヒータによって所定の温度に加熱する工程と、
前記処理室内に少なくとも塩素ガスを供給し、少なくとも前記Ｓｉ面の表面に存在する自然酸化膜または汚染物をエッチング処理する工程と、
前記処理室内に少なくともＳｉを含むガスまたはＳｉを含むガスとＧｅを含むガスを供給し、前記エッチング処理が施された前記Ｓｉ面の上に、ＳｉまたはＳｉＧｅのエピタキシャル膜を成長する工程と、
を有する半導体装置の製造方法。
　　【請求項２】
・・・（略）・・・
　　【請求項３】
一部分にＳｉ面が露出した基板を縦方向に保持可能なボートを処理室内に搬入する工程と、
前記処理室内の雰囲気を前記処理室外に設けられたヒータによって所定の温度に加熱する工程と、
前記処理室内に少なくとも塩素ガスを供給し、少なくとも前記Ｓｉ面の表面に存在する自然酸化膜または汚染物をエッチング処理する工程と、
前記処理室内に少なくともＳｉを含むガスまたはＳｉを含むガスとＧｅを含むガスを供給し、前記エッチング処理が施された前記Ｓｉ面の上に、ＳｉまたはＳｉＧｅのエピタキシャル膜を成長する工程と、
を有する基板処理方法。
　　【請求項４】
・・・（略）・・・
　　【請求項５】
一部分にＳｉ面が露出した基板を縦方向に保持可能なボートと、
前記処理室外に設けられ、前記処理室内の雰囲気を所定の温度に加熱するヒータと、
前記処理室内に少なくとも塩素ガスを供給し、少なくとも前記Ｓｉ面の表面に存在する自然酸化膜または汚染物をエッチング処理するエッチングガス供給手段と、
前記処理室内に少なくともＳｉを含むガスまたはＳｉを含むガスとＧｅを含むガスを供給し、前記エッチング処理が施された前記Ｓｉ面の上に、ＳｉまたはＳｉＧｅのエピタキシャル膜を成長する原料ガス供給手段と、
を有する基板処理装置。
　　【請求項６】
・・・（略）・・・
　　【請求項７】
・・・（略）・・・」 
　
（２）本件補正後の特許請求の範囲 
　「【請求項１】
一部分にＳｉ面が露出した基板を縦方向に保持
し、バッチ処理
に対して前記基板を搬送する基板カセットの内部から全ての前記基板を移載した後に、前記ボート
前記処理室内の雰囲気を前記処理室外に設けられたヒータによって所定の温度に加熱する工程と、
前記処理室内に少なくとも塩素ガスを供給し、少なくとも
前記ボートに保持された前記バッチ処理を行う
基板の
前記処理室内に少なくともＳｉを含むガスまたはＳｉを含むガスとＧｅを含むガスを供給し、前記エッチング処理が施された前記Ｓｉ面の上に、ＳｉまたはＳｉＧｅのエピタキシャル膜を成長する工程と、
を有する半導体装置の製造方法。
　　【請求項２】
・・・（略）・・・
　　【請求項３】
一部分にＳｉ面が露出した基板を縦方向に保持
し、バッチ処理
に対して前記基板を搬送する基板カセットの内部から全ての前記基板を移載した後に、前記ボート
前記処理室内の雰囲気を前記処理室外に設けられたヒータによって所定の温度に加熱する工程と、
前記処理室内に少なくとも塩素ガスを供給し、少なくとも
前記ボートに保持された前記バッチ処理を行う
基板の
前記処理室内に少なくともＳｉを含むガスまたはＳｉを含むガスとＧｅを含むガスを供給し、前記エッチング処理が施された前記Ｓｉ面の上に、ＳｉまたはＳｉＧｅのエピタキシャル膜を成長する工程と、
を有する基板処理方法。
　　【請求項４】
・・・（略）・・・
　　【請求項５】
一部分にＳｉ面が露出した基板を縦方向に保持
し、バッチ処理が
であって前記基板を搬送する基板カセットの内部から全ての前記基板を前記ボートへ移載した後に処理室内に搬入される
処理室
前記処理室内に少なくとも塩素ガスを供給し、少なくとも前記
ボートに保持された前記バッチ処理を行う
基板の
前記処理室内に少なくともＳｉを含むガスまたはＳｉを含むガスとＧｅを含むガスを供給し、前記エッチング処理が施された前記Ｓｉ面の上に、ＳｉまたはＳｉＧｅのエピタキシャル膜を成長する原料ガス供給手段と、
を有する基板処理装置。
　　【請求項６】
・・・（略）・・・
　　【請求項７】
・・・（略）・・・」 
（なお、下線は、補正箇所を示すためのものである。） 
　
２　本件補正の目的  
　本件補正は、請求項１については、本件補正前の請求項１に記載された「一部分にＳｉ面が露出した基板を縦方向に保持可能なボートを処理室内に搬入する工程」及び「前記処理室内に少なくとも塩素ガスを供給し、少なくとも前記Ｓｉ面の表面に存在する自然酸化膜または汚染物をエッチング処理する工程」という発明特定事項を、それぞれ、「一部分にＳｉ面が露出した基板を縦方向に保持
し、バッチ処理
に対して前記基板を搬送する基板カセットの内部から全ての前記基板を移載した後に、前記ボート
前記ボートに保持された前記バッチ処理を行う
基板の
　また、本件補正は、請求項３については、本件補正前の請求項３に記載された「一部分にＳｉ面が露出した基板を縦方向に保持可能なボートを処理室内に搬入する工程」及び「前記処理室内に少なくとも塩素ガスを供給し、少なくとも前記Ｓｉ面の表面に存在する自然酸化膜または汚染物をエッチング処理する工程」という発明特定事項を、それぞれ、「一部分にＳｉ面が露出した基板を縦方向に保持
し、バッチ処理
に対して前記基板を搬送する基板カセットの内部から全ての前記基板を移載した後に、前記ボート
前記ボートに保持された前記バッチ処理を行う
基板の
　さらに、本件補正は、請求項５については、本件補正前の請求項５に記載された「一部分にＳｉ面が露出した基板を縦方向に保持可能なボート」及び「前記処理室内に少なくとも塩素ガスを供給し、少なくとも前記Ｓｉ面の表面に存在する自然酸化膜または汚染物をエッチング処理するエッチングガス供給手段」を、それぞれ、「一部分にＳｉ面が露出した基板を縦方向に保持
し、バッチ処理が
であって前記基板を搬送する基板カセットの内部から全ての前記基板を前記ボートへ移載した後に処理室内に搬入される
ボートに保持された前記バッチ処理を行う
基板の
処理室
　なお、請求項２、４、６及び７については、補正されていない。
　したがって、本件補正は、請求項１及び３については、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号に規定される特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当し、請求項５については、同じく改正前の特許法第１７条の２第４項第２号に規定される特許請求の範囲の減縮及び同第４号に規定される明りようでない記載の釈明を目的とするものに該当する。  
　
３　独立特許要件の検討
　そこで、本件補正後の特許請求の範囲の請求項３に係る発明（以下、「本願補正発明」という。）が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるかどうかについて、さらに検討する。  
　
（１）引用文献に記載された事項 
　原査定の拒絶の理由で引用した本願の出願前に日本国内で頒布された刊行物である特開２００６−５９８５８号公報（以下、「引用文献」という。）には、図面とともに次の事項が記載されている（以下、順に「摘記事項１ａ」ないし「摘記事項１ｉ」という。）。 
　
１ａ．「【００２９】
　石英製、炭化シリコン製、またはアルミナ製の処理容器としての反応管２０３は、水平方向に扁平な空間を有しており、内部の処理室に基板としての半導体ウェハ（以下シリコンウェハ）２００を収容する。反応管２０３内部にはシリコンウェハ２００を支持する基板保持手段としてのウェハ支持台２１７が設けられ、反応管２０３には気密にマニホールドとしてのガス導入フランジ２０９が設けられ、ガス導入フランジ２０９にはさらに仕切弁としてのゲートバルブ２４４を介して搬送室（図示せず）が連接されている。
【００３０】
　ガス導入フランジ２０９にはガス供給系としてのガス導入ライン２３２、バックフランジ２１０には排気管としての排気ライン２３１がそれぞれ接続されている。なお、ガス導入ライン２３２は、反応管２０３内に異なる処理ガスを導入する場合には、ガス導入フランジ２０９に複数本接続されている。排気ライン２３１には反応管２０３内の圧力を所定の圧力に制御する圧力制御手段（以下ＡＰＣ）２４２が設けられている。さらに排気ライン２３１には圧力ターボ分子ポンプ２３３が接続され、ターボ分子ポンプにより反応管２０３内を高真空に保つ。ガス導入ライン２３２には、反応管２０３内に導入するガスの流量を制御する流量制御手段２４１が設けられている。
【００３１】
　反応管２０３の上下にはそれぞれ加熱手段としての上ヒータ２０７ａ、下ヒータ２０７ｂが設けられ、反応管２０３内部を均一にもしくは所定の温度勾配を生じさせて加熱するようになっている。また、上ヒータ２０７ａ、下ヒータ２０７ｂには、それぞれのヒータ温度を制御する温度制御手段２４７が接続されている。また上ヒータ２０７ａ、下ヒータ２０７ｂおよび反応管２０３を覆うように断熱部材としての断熱材２０８が設けられている。
　なお、反応管２０３内の温度は温度制御手段２４７により所定の温度となるように制御される。また、反応管２０３内に供給するガスの流量は流量制御手段２４１により所定の流量となるよう制御される。さらに、反応管２０３内の圧力は、ＡＰＣ２４２により所定の圧力となるように制御される。これらの温度制御手段２４７、流量制御手段２４１およびＡＰＣ２４２は、主制御部２４９により制御される。」（段落【００２９】ないし【００３１】）
　
１ｂ．「【００３３】
　図１に、本実施の形態におけるエピタキシャルプロセスシーケンス例を示す。このエピタキシャルプロセスシーケンスは、クリーニングプロセスＡとエピタキシャル成長プロセスＢとを含む。クリーニングプロセスＡでは、不純物を除去するためのＳｉＨ４を、前述した予備的実験で行ったように、ウェハに単独で照射するのではなく、ＳｉＨ４、Ｃｌ２、Ｈ２をウェハに順次照射するシーケンスを採用している。このエピタキシャルプロセスシーケンスは、図５の構成を備えた枚葉ホットウォールタイプの処理炉を用いて行われる。また、このシーケンスが適用されるシリコンウェハ２００は、図２に示すように、ウェハ表面の一部に絶縁層１３を有すると共に、ソース／ドレインとなるべきシリコン層１１が絶縁層１３間に露出して構成されている。絶縁層１３は、Ｓｉ３Ｎ４膜もしくはＳｉＯ２膜で形成されている。」（（段落【００３３】）
　
１ｃ．「【００３４】
　（ステップ１０１：ウェハロード）上述したようなシリコンウェハ２００を、図示しないウェハ搬送ロボットにより反応管２０３内にロードする。このとき反応管２０３内の温度は、ヒータ２０７ａ、２０７ｂにより所定の温度に維持された状態にある。」（段落【００３４】）
　
１ｄ．「【００３５】
　（ステップ１０２：プレヒート）シリコンウェハ２００が反応管２０３内に搬入されると、主制御部２４９下で制御される温度制御手段２４７によって上ヒータ２０７ａ、下ヒータ２０７ｂが制御されて、搬入と同時にウェハ２００をクリーニング温度までプレヒートする。またＡＰＣ２４９によって反応管２０３内の圧力をクリーニング圧力とする。このときの好ましいクリーニング温度は４００〜５００℃、クリーニング圧力は１０Ｐａ以下、望ましくは１Ｐａ以下である。」（段落【００３５】）
　
１ｅ．「【００３７】
　（ステップ１０３：モノシランガス照射）ウェハ２００の温度がクリーニング温度まで加熱された後、クリーニングプロセスＡの第１ガス供給ステップとしての本ステップでは、ガス導入ライン２３２より、反応管２０３内のシリコンウェハ２００に処理ガスとしてモノシランガス（ＳｉＨ４）が供給（以下照射）される。ＳｉＨ４流量は流量制御手段２４１により流量制御され、このときの好ましい流量は１〜３００ｓｃｃｍである。
【００３８】
　シリコンウェハ２００に照射されたＳｉＨ４は分解し、シリコンウェハ２００のシリコン層１１上に付着している自然酸化膜（ＳｉＯ２）を除去する。このときの酸化膜は以下のような反応にて取り除かれると考えられる。
　　　ＳｉＨ４（ｇ）→ＳｉＨ３（ｇ）ｏｒ（ｓ）＋Ｈ＊（ｇ）　　（１）
　　　４Ｈ＊（ｇ）＋ＳｉＯ２（ｓ）→Ｓｉ（ｓ）＋２Ｈ２Ｏ（ｇ）（２）
　　　２Ｈ＊（ｇ）＋ＳｉＯ（ｓ）→Ｓｉ（ｓ）＋Ｈ２Ｏ（ｇ）　 （３）
　ここで＊印が付いた化学記号はその活性種を意味し、ＳｉＯは自然酸化膜のような弱い結合もしくは不完全な結合状態のものを意味する。このようにシリコンウェハ２００にＳｉＨ４を照射することにより、シリコン層１１上に形成しているＳｉＯ２を除去することができる。」（段落【００３７】及び【００３８】）
　
１ｆ．「【００４１】
　（ステップ１０４：塩素ガス照射）このため、ＳｉＨ４照射後の第２ガス供給ステップとしての本ステップでは、反応管２０３内のシリコンウェハ２００に塩素ガス（Ｃｌ２）を照射する。Ｃｌ２流量は流量制御手段２４１により流量制御され、このときの好ましい流量は１〜５００ｓｃｃｍである。
　これにより、酸素上に付着しているシリコン原子等およびＳｉ３Ｎ４膜もしくはＳｉＯ２膜上に付着しているシリコン原子等は
　　　Ｃｌ２（ｇ）＋Ｓｉ(ｓ)→ＳｉＣｌ２（ｇ）　　　　　　　　（４）
のような反応を経て取り除かれる。また、シリコン表面に付着している金属類も
　　　Ｃｌ２（ｇ）＋Ｍ（ｓ）→ＭＣｌ２（ｇ）　　　　　　　　　（５）
のような反応を経て取り除かれる。
　ここで、Ｍは金属原子を意味する。このように、第２ガス供給ステップ（１０４）を行うことにより、ＳｉＯ２膜もしくはＳｉ３Ｎ４膜上のシリコン原子等を取り除くことができると同時に、露出したシリコン層１１の表面に存在する酸素に付着したシリコン原子等も取り除くことができる。したがって、再度、ステップ１０３でＳｉＨ４をシリコンウェハ２００に照射することにより、式（２）もしくは式（３）による反応にてシリコン層１１上に残っている酸素を取り除くことができる。」（段落【００４１】）
　
１ｇ．「【００４３】
　（ステップ１０５：水素ガス照射）そこで、第３ガス供給ステップとして、反応管２０３内のシリコンウェハ２００に水素ガス（Ｈ２）を照射する。Ｈ２は流量制御手段２４１により流量制御され、このときの好ましい流量は１０〜５００００ｓｃｃｍである。これにより、シリコン層１１上および絶縁層１３上（Ｓｉ３Ｎ４膜もしくはＳｉＯ２膜上）に付着している塩素原子は
　　　Ｈ２（ｇ）＋２Ｃｌ（ｓ）→２ＨＣｌ（ｇ）　　　　　　　（６）
のような反応を経て取り除かれる。
【００４４】
　以上のように第１ガス供給ステップ１０３と、第２ガス供給ステップ１０４と、第３ガス供給ステップ１０５とを順次１回もしくは複数回繰り返すクリーニングプロセスＡを行うことにより、Ｓｉ３Ｎ４膜もしくはＳｉＯ２膜などの絶縁層１３上にシリコン原子等を形成することなく、露出したシリコン層１１の表面をクリーニングすることができ、ウェハ表面上を清浄化できる。」（段落【００４３】及び【００４４】）
　
１ｈ．「【００４６】
　ウェハ表面をクリーニングした後、Ｓｉ２Ｈ６、Ｃｌ２、Ｈ２などのガスを用いてエピタキシャル成長プロセスＢを行う。
・・・（略）・・・
【００４８】
　（ステップ１０６：ジシランガス照射）温度および圧力が安定したら、エピタキシャル成長プロセスＢの第１ガス供給ステップとして、反応管２０３内のウェハにジシランガス（Ｓｉ２Ｈ６）を照射する。・・・（略）・・・
【００５０】
（ステップ１０７：塩素ガス照射）そこで、Ｓｉ２Ｈ６照射後、第２ガス供給ステップとして、反応管２０３内のウェハにＣｌ２を照射する。・・・（略）・・・
【００５１】
　（ステップ１０８：水素ガス照射）Ｃｌ２照射後、第３ガス供給ステップとして、反応管２０３内のウェハに所定流量のＨ２を照射する。・・・（略）・・・
【００５２】
　そして、主制御部２４９によりステップ１０６とステップ１０７とステップ１０８とを順に複数回繰り返すエピタキシャル成長プロセスＢを行うことにより、露出したシリコン層１１の表面にエピタキシャル膜１２を成長させる。これにより、Ｓｉ３Ｎ４膜もしくはＳｉＯ２膜にシリコンを堆積することなく、シリコン層１１の表面上のみにシリコン膜のエピタキシャル成長を行うことができる。
・・・（略）・・・」（段落【００４６】ないし【００５２】）
　
１ｉ．「【００６５】
　なお、上記実施の形態では、クリーニングプロセスＡを５００℃以下の温度で行う場合について説明したが、より高い温度を含む温度範囲、例えば４００〜７００℃で行うことも可能である。その場合、第１ガス供給ステップのシラン系ガスまたはゲルマン系ガスの供給時間を、基板上にシリコンもしくはゲルマン原子が膜として成長しない時間以下とするようにすればよい。このようにすれば、基板上にシリコンもしくはゲルマン原子が膜として成長しないので、クリーニングプロセスＡと成長プロセスＢとを同一温度で行うこともできる。
【００６６】
　また、上記実施形態では枚葉ホットウォールタイプの装置を用いる場合について説明したが、本発明はこれに限らず、基板処理装置全般、例えば枚葉コールドウォール装置やバッチタイプの装置にも適用することができる。・・・（略）・・・」（段落【００６５】及び【００６６】）
　
（２）引用文献に記載された発明  
　引用文献の摘記事項１ｂの「図２に示すように、ウェハ表面の一部に絶縁層１３を有すると共に、ソース／ドレインとなるべきシリコン層１１が絶縁層１３間に露出して構成されている。」という記載によると、引用文献には、「一部分にシリコン層が露出した基板」が記載されている。
　引用文献の摘記事項１ａの「石英製、炭化シリコン製、またはアルミナ製の処理容器としての反応管２０３は、水平方向に扁平な空間を有しており、内部の処理室に基板としての半導体ウェハ（以下シリコンウェハ）２００を収容する。」という記載及び摘記事項１ｃの「（ステップ１０１：ウェハロード）上述したようなシリコンウェハ２００を、図示しないウェハ搬送ロボットにより反応管２０３内にロードする。」という記載によると、引用文献には、「基板を保持し、処理室内に搬入するステップ」が記載されている。
　引用文献の摘記事項１ａの「反応管２０３の上下にはそれぞれ加熱手段としての上ヒータ２０７ａ、下ヒータ２０７ｂが設けられ、反応管２０３内部を均一にもしくは所定の温度勾配を生じさせて加熱するようになっている。」という記載及び摘記事項１ｄの「（ステップ１０２：プレヒート）シリコンウェハ２００が反応管２０３内に搬入されると、主制御部２４９下で制御される温度制御手段２４７によって上ヒータ２０７ａ、下ヒータ２０７ｂが制御されて、搬入と同時にウェハ２００をクリーニング温度までプレヒートする。」という記載によると、引用文献には、「処理室内の雰囲気を前記処理室外に設けられたヒータによってクリーニング温度に加熱するステップ」が記載されている。
　引用文献の摘記事項１ｅの「（ステップ１０３：モノシランガス照射）ウェハ２００の温度がクリーニング温度まで加熱された後、クリーニングプロセスＡの第１ガス供給ステップとしての本ステップでは、ガス導入ライン２３２より、反応管２０３内のシリコンウェハ２００に処理ガスとしてモノシランガス（ＳｉＨ４）が供給（以下照射）される。」及び「シリコンウェハ２００に照射されたＳｉＨ４は分解し、シリコンウェハ２００のシリコン層１１上に付着している自然酸化膜（ＳｉＯ２）を除去する。このときの酸化膜は以下のような反応にて取り除かれると考えられる。
　　　ＳｉＨ４（ｇ）→ＳｉＨ３（ｇ）ｏｒ（ｓ）＋Ｈ＊（ｇ）　　（１）
　　　４Ｈ＊（ｇ）＋ＳｉＯ２（ｓ）→Ｓｉ（ｓ）＋２Ｈ２Ｏ（ｇ）（２）
　　　２Ｈ＊（ｇ）＋ＳｉＯ（ｓ）→Ｓｉ（ｓ）＋Ｈ２Ｏ（ｇ）　 （３）
　ここで＊印が付いた化学記号はその活性種を意味し、ＳｉＯは自然酸化膜のような弱い結合もしくは不完全な結合状態のものを意味する。このようにシリコンウェハ２００にＳｉＨ４を照射することにより、シリコン層１１上に形成しているＳｉＯ２を除去することができる。」という記載、摘記事項１ｆの「（ステップ１０４：塩素ガス照射）このため、ＳｉＨ４照射後の第２ガス供給ステップとしての本ステップでは、反応管２０３内のシリコンウェハ２００に塩素ガス（Ｃｌ２）を照射する。」及び「また、シリコン表面に付着している金属類も
　　　Ｃｌ２（ｇ）＋Ｍ（ｓ）→ＭＣｌ２（ｇ）　　　　　　　　 （５）
のような反応を経て取り除かれる。」という記載並びに摘記事項１ｇの「（ステップ１０５：水素ガス照射）そこで、第３ガス供給ステップとして、反応管２０３内のシリコンウェハ２００に水素ガス（Ｈ２）を照射する。」及び「シリコン層１１上および絶縁層１３上（Ｓｉ３Ｎ４膜もしくはＳｉＯ２膜上）に付着している塩素原子は
　　　Ｈ２（ｇ）＋２Ｃｌ（ｓ）→２ＨＣｌ（ｇ）　　　　　　　（６）
のような反応を経て取り除かれる。」という記載によると、引用文献には、「処理室内にモノシランガス、塩素ガス及び水素ガスを供給し、基板のシリコン層の表面に付着している自然酸化膜または金属類を取り除くステップ」が記載されている。
　引用文献の摘記事項１ｈの「ウェハ表面をクリーニングした後、Ｓｉ２Ｈ６、Ｃｌ２、Ｈ２などのガスを用いてエピタキシャル成長プロセスＢを行う。」、「（ステップ１０６：ジシランガス照射）温度および圧力が安定したら、エピタキシャル成長プロセスＢの第１ガス供給ステップとして、反応管２０３内のウェハにジシランガス（Ｓｉ２Ｈ６）を照射する。」、「（ステップ１０７：塩素ガス照射）そこで、Ｓｉ２Ｈ６照射後、第２ガス供給ステップとして、反応管２０３内のウェハにＣｌ２を照射する。」、「（ステップ１０８：水素ガス照射）Ｃｌ２照射後、第３ガス供給ステップとして、反応管２０３内のウェハに所定流量のＨ２を照射する。」及び「そして、主制御部２４９によりステップ１０６とステップ１０７とステップ１０８とを順に複数回繰り返すエピタキシャル成長プロセスＢを行うことにより、露出したシリコン層１１の表面にエピタキシャル膜１２を成長させる。これにより、Ｓｉ３Ｎ４膜もしくはＳｉＯ２膜にシリコンを堆積することなく、シリコン層１１の表面上のみにシリコン膜のエピタキシャル成長を行うことができる。」という記載によると、引用文献には、「処理室内にジシランガス、塩素ガス及び水素ガスを供給し、クリーニングされた基板のシリコン層の上に、シリコンのエピタキシャル膜を成長するステップ」が記載されている。
　
　したがって、引用文献には、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認める。  
　
　「一部分にシリコン層が露出した基板を保持し、処理室内に搬入するステップと、
前記処理室内の雰囲気を前記処理室外に設けられたヒータによってクリーニング温度に加熱するステップと、
前記処理室内にモノシランガス、塩素ガス及び水素ガスを供給し、基板のシリコン層の表面に付着している自然酸化膜または金属類を取り除くステップと、
前記処理室内にジシランガス、塩素ガス及び水素ガスを供給し、クリーニングされた基板のシリコン層の上に、シリコンのエピタキシャル膜を成長するステップと、
を有する基板処理方法。」  
　
（３）対比 
　本願補正発明と引用発明を対比する。 
　引用発明における「シリコン層」は、本願補正発明における「Ｓｉ面」に相当し、以下、同様に、「クリーニング温度」は「所定温度」に相当し、「付着している」は「存在する」に相当し、「金属類」は「汚染物」に相当し、「シリコンのエピタキシャル膜」は「ＳｉまたはＳｉＧｅのエピタキシャル膜」に相当する。 
　引用発明における「ステップ」は、本願補正発明における「工程」に相当する。
　本願補正発明における「前記処理室内に少なくとも塩素ガスを供給し、少なくとも
前記ボートに保持された前記バッチ処理を行う
基板の
　引用発明における「自然酸化膜または金属類を取り除く」は、引用文献の摘記事項１ｅないし１ｆに記載されているように、自然酸化膜（ＳｉＯ２）や金属原子を化学反応させて取り除くものであるから、引用発明における「自然酸化膜または金属類を取り除く」は、本願補正発明における「自然酸化膜または汚染物をエッチング処理する」に相当する。
　引用文献においては、クリーニングが自然酸化膜または金属類を取り除くことを意味しているから、引用発明における「クリーニングされた」は、本願補正発明における「前記エッチング処理が施された」に相当する。
　「ジシランガス」は化学式がＳｉ２Ｈ６であり、Ｓｉを構成元素とするものであるから、引用発明における「ジシランガス、塩素ガス及び水素ガス」は、本願補正発明における「少なくともＳｉを含むガスまたはＳｉを含むガスとＧｅを含むガス」に相当する。
　引用発明における「一部分にシリコン層が露出した基板を保持し、処理室内に搬入するステップ」は、本願補正発明における「一部分にＳｉ面が露出した基板を縦方向に保持し、バッチ処理可能なボートに対して前記基板を搬送する基板カセットの内部から全ての前記基板を移載した後に、前記ボートを処理室内に搬入する工程」と、「一部分にＳｉ面が露出した基板を保持し、処理室内に搬入する工程」である限りにおいて一致する。
　引用発明における「基板のシリコン層の表面に付着している自然酸化膜または金属類を取り除くステップ」は、本願補正発明における「少なくとも前記ボートに保持された前記バッチ処理を行う前記基板のＳｉ面の表面に存在する自然酸化膜または汚染物をエッチング処理する工程」と、「少なくとも前記基板のＳｉ面の表面に存在する自然酸化膜または汚染物をエッチング処理する工程」である限りにおいて一致する。
　
　したがって、両者は、 
　「一部分にＳｉ面が露出した基板を保持し、処理室内に搬入する工程と、
前記処理室内の雰囲気を前記処理室外に設けられたヒータによって所定の温度に加熱する工程と、
前記処理室内に少なくとも塩素ガスを供給し、少なくとも前記基板のＳｉ面の表面に存在する自然酸化膜または汚染物をエッチング処理する工程と、
前記処理室内に少なくともＳｉを含むガスまたはＳｉを含むガスとＧｅを含むガスを供給し、前記エッチング処理が施された前記Ｓｉ面の上に、ＳｉまたはＳｉＧｅのエピタキシャル膜を成長する工程と、
を有する基板処理方法。」 
である点で一致し、以下の点で相違する。 
　 
＜相違点＞ 
  「一部分にＳｉ面が露出した基板を保持し、処理室内に搬入する工程」及び「少なくとも前記基板のＳｉ面の表面に存在する自然酸化膜または汚染物をエッチング処理する工程」に関して、本願補正発明では、一部分にＳｉ面が露出した基板を「縦方向に」保持し、「バッチ処理可能なボートに対して前記基板を搬送する基板カセットの内部から全ての前記基板を移載した後に、前記ボートを」処理室内に搬入するものであり、また、エッチング処理される基板のＳｉ表面が「ボートに保持されたバッチ処理を行う」基板のＳｉ表面であるのに対し、引用発明では、一部分にＳｉ面が露出した基板を保持し、エッチング処理される基板のＳｉ表面を処理するものではあるが、本願補正発明のように特定されたものではない点。 
　
（４）相違点についての判断
　引用文献の摘記事項１ｉに「本発明はこれに限らず、基板処理装置全般、例えば枚葉コールドウォール装置やバッチタイプの装置にも適用することができる。」と記載されているように、引用発明は、バッチタイプの基板処理装置を用いた基板処理方法を含み得ることが示唆されている。
　また、一部分にＳｉ面が露出した基板を縦方向に保持し、バッチ処理可能なボートに対して前記基板を搬送する基板カセットの内部から全ての前記基板を移載した後に、前記ボートを処理室内に搬入するようにしたバッチ式の基板処置装置は、周知である（必要であれば、下記の周知文献の記載を参照。以下、「周知技術」という。）。
　したがって、引用発明において、周知技術を適用し、一部分にＳｉ面が露出した基板を「縦方向に」保持し、「バッチ処理可能なボートに対して前記基板を搬送する基板カセットの内部から全ての前記基板を移載した後に、前記ボートを」処理室内に搬入するようにすることは、当業者であれば容易に想到し得たことである。また、そうすれば、エッチング処理される基板のＳｉ表面は、必然的に「ボートに保持されたバッチ処理を行う」基板のＳｉ表面となるものである。
　そして、本願補正発明によって、引用発明及び周知技術からみて格別顕著な効果が奏されるともいえない。 
　
・周知文献（原査定で引用した本願の出願前に外国において頒布された刊行物である国際公開第２００５／０８８６８８号。）の記載
　「本発明の一態様によれば、
　少なくとも一つの製品用基板を収容する処理室と、
　前記処理室の外部に配置され、前記製品用基板を加熱する加熱部材と、
　前記処理室に連接された処理ガス供給系と、排気系とを有し、
　前記製品用基板のＳｉ表面にＳｉを含むエピタキシャル膜を選択成長させるホットウォール式の基板処理装置であって、
　前記製品用基板の選択成長させる面と対向して、Ｓｉ膜が露出した部材を配置して、前記製品用基板上にＳｉを含むエピタキシャル膜を選択成長させる基板処理装置が提供される。」（段落［０００８］）
　
　「本実施例のホットウォール式縦型減圧ＣＶＤ装置２００は、反応炉１００と、制御装置１４１と、ガス供給装置１４２と、真空排気装置１４３とを備えている。図２を参照すれば、反応炉１００は、ベース１１２と、その上に設けられたマニホールド１１１と、アウターチューブ１０３と、その内部に設けられたインナーチューブ１０４と、アウターチューブ１０３の外部に設けられたヒータ１０１と、ヒータ１０１とアウターチューブ１０３を覆って設けられた断熱材１０２とを備えている。ヒータ１０１と断熱材１０２とによりアウターチューブ１０３内部全体を加熱する。アウターチューブ１０３はマニホールド１１１の上部フランジ１１８上に設けられ、インナーチューブ１０４はマニホールド１１１の中程で内側に向かって突きだしたフランジ１１９上に設けられている。」（段落［００１９］）
　
　「ウエハカセット１５２により投入されたウエハ（Ｓｉ基板）１３０は移載機１５１によりウエハカセット１５２からボート１０５に移載される。全てのウエハ１０５の移載が完了するとボート１０５はインナーチューブ１０４内へ挿入され、アウターチューブ１０３内は真空排気装置１４３により減圧される。そしてヒータ１０１により所望の温度に加熱し温度が安定したところでガス供給装置１４２により供給管１１５を介して原料ガスを供給し、ウエハ（Ｓｉ基板）１３０上にＣＶＤ反応によりＳｉまたはＳｉＧｅを選択成長させる。」（段落［００２４］）
　
　なお、請求人は、審判請求書において、「バッチ式の基板処理装置を引用文献２記載の発明に適用すると、上述した理由により枚葉型の基板処理装置に比べて大量のシラン系またはゲルマン系ガスを供給する必要があるため、シリコンもしくはゲルマン原子が成長して膜を形成してしまうこととなる。
すなわち、基板上に存在する自然酸化膜や不純物をシリコン含有膜またはゲルマン含有膜によってコーティングしてしまうこととなるため、その後エッチングガス等によってエッチング処理をしたとしても自然酸化膜や不純物を除去することが不可能となってしまう。以上のことから、バッチ式の基板処理装置を引用文献２記載の発明に適用することは不可能であり、仮に適用したとしても、引用文献２に記載されているように「所定の反応を経て」塩素ガスを照射する以上、自然酸化膜や不純物をコーティングすることとなってしまうため、本願発明が有する効果を奏することは到底不可能である。」旨主張するが、引用文献の摘記事項１ｉに「なお、上記実施の形態では、クリーニングプロセスＡを５００℃以下の温度で行う場合について説明したが、より高い温度を含む温度範囲、例えば４００〜７００℃で行うことも可能である。その場合、第１ガス供給ステップのシラン系ガスまたはゲルマン系ガスの供給時間を、基板上にシリコンもしくはゲルマン原子が膜として成長しない時間以下とするようにすればよい。このようにすれば、基板上にシリコンもしくはゲルマン原子が膜として成長しないので、クリーニングプロセスＡと成長プロセスＢとを同一温度で行うこともできる。」と記載されているように、引用文献には、自然酸化膜や金属類を除去する工程では、シリコンもしくはゲルマン原子が膜として成長しないように温度、ガスの供給時間といったファクターを制御すべきであるとの認識が示されており、引用発明を、バッチタイプの基板処理装置を用いた基板処理方法に適用する際にも、当然、自然酸化膜や金属類を除去する工程では、シリコンもしくはゲルマン原子が膜として成長しないような温度、ガスの供給時間を採用して、自然酸化膜や不純物をコーティングすることにはならないようにするものというべきであるので、請求人の上記主張は採用できない。
　
（５）むすび 
　したがって、本願補正発明は、引用発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないので、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。  
　
第３　本願発明について  
１　本願発明  
　以上のとおり、本件補正は却下されたため、本願の特許請求の範囲の請求項１ないし７に係る発明は、平成２４年１月２６日付け手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし７に記載された事項により特定されるとおりのものであると認められるところ、特許請求の範囲の請求項３に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、上記「第２［理由］１（１）」の請求項３に記載された事項により特定されるとおりのものである。
　　
２　引用文献に記載された事項及び引用文献に記載された発明 
　原査定の拒絶の理由で引用した本願の出願前に日本国内で頒布された刊行物である特開２００６−５９８５８号公報（以下、上記「第２［理由］３（１）」と同様に「引用文献」という。）には、上記「第２［理由］３（１）」のとおりの事項が記載されている。 
　そして、引用文献には、上記「第２［理由］３（２）」のとおりの発明（以下、上記「第２［理由］３（２）」と同様に「引用発明」という。）が記載されていると認める。 
　
３　対比・判断 
　上記「第２［理由］２」で検討したように、本願補正発明は本願発明の発明特定事項に限定を加えたものである。そして、本願発明の発明特定事項に限定を加えた本願補正発明が上記「第２［理由］３」のとおり、引用発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである以上、本願発明も、同様に、引用発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。 
　
４　むすび 
　以上のとおり、本願発明は、引用発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。 
　したがって、本願は、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、拒絶されるべきものである。  
　
　よって、結論のとおり審決する。