【事件の表示】
　特願２００６−２４４００２「液晶表示装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１９年　３月２９日出願公開、特開２００７−　７９５６８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯・本願発明
　本願は、平成１８年９月８日（パリ条約による優先権主張２００５年９月１５日、大韓民国）の出願であって、平成２３年５月６日付けで手続補正がなされたところ、同年１１月２５日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成２４年３月２９日に拒絶査定不服審判請求がなされるとともに、これと同時に手続補正がなされたものである。
　
　そして、本願の請求項に係る発明は、平成２４年３月２９日付け手続補正による補正後の明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜１３に記載された事項によって特定されるものと認められるところ、その請求項１に係る発明は次のものである。
　
「行列状に配列された複数の画素を有する薄膜トランジスタ基板を有する液晶表示装置であって、
　前記画素は、それぞれ、
　前記基板上に形成され、第１方向に延びるゲート線と、
　前記ゲート線と交差し、第２方向に延びるデータ線と、
　前記ゲート線と前記データ線とに接続された薄膜トランジスタと、
　前記データ線と同一層に形成され、前記第２方向に延びる維持電極線と、
　前記薄膜トランジスタに電気的に接続され、前記維持電極線と重畳することによってキャパシタが形成される画素電極と、を有し、
　各画素は２つの辺を有し、そのうちの第１辺は前記第１方向と平行で、第２辺は前記第２方向と平行で、前記第１辺の長さは前記第２辺の長さの３倍であり、
　前記維持電極線の茎部は、前記第２方向に沿って前記画素の中央を横切り、
　前記維持電極は前記茎部から左右に延びる枝部を有し、前記枝部はゲート線と平行で、前記枝部の少なくとも一部は前記画素の上端または下端の境界と前記ゲート線との間に配置される、液晶表示装置。」（以下「本願発明」という。）
　
　
２　引用刊行物の記載事項
（１）引用刊行物１
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開平１１−１６７１２７号公報（以下「引用刊行物１」という。）には、図とともに以下の記載がある。
　
　ア　「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、走査線上に蓄積容量部が形成されたアクティブマトリクス型液晶表示装置に関し、カラー表示のものにおいては複数の基本色、例えばＲ（赤色）、Ｇ（緑色）、Ｂ（青色）を組み合わせて１つの色を表示するアクティブマトリクス型液晶表示装置に関するものである。」
　
　イ　「【０００８】本発明は、…走査線上に蓄積容量部を形成したアクティブマトリクス型液晶表示装置において、従来以上に開口率を向上することができるアクティブマトリクス型液晶表示装置を提供することを目的とする。」
　
　ウ　「【００２１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の第１の実施の形態を図１および図２を参照して説明する。図１および図２は本実施の形態のアクティブマトリクス型液晶表示装置（以下、単に液晶表示装置と記す）の一方の基板である薄膜トランジスタアレイ基板を示す図であり、図１は走査線と信号線で区画された一つのドットを示す平面図、図２は同、断面図である。また、薄膜トランジスタとしては逆スタガ型（ボトムゲート型）のものが用いられている。
【００２２】図１において、横方向に延びる配線が走査線Ｇ１、Ｇ２、縦方向に延びる配線が信号線Ｓ１、Ｓ２である。本実施の形態の液晶表示装置はカラー表示であり、これら走査線Ｇ１、Ｇ２と信号線Ｓ１、Ｓ２で区画された領域が１つのドット（ただし、白黒表示の場合は１画素）となる。配線間のピッチに関しては、隣接する信号線間のピッチをＸ、隣接する走査線間のピッチをＹとすると、ＸはＹの３倍というようにＸ＞Ｙの関係であり、従来の構造とは逆にいわゆる横長のドットとなっている。そして、図１におけるドット内の左下の部分に、走査線Ｇ１、チャネル領域となる半導体能動膜１０、信号線Ｓ１から引き出されたソース電極１１、ドレイン電極１２がそれぞれ設けられて薄膜トランジスタＴが構成され、この薄膜トランジスタＴに画素電極１３が接続されている。ドット自体が横長であるから、当然ながら画素電極１３も走査線方向の幅が信号線方向の幅よりも大きく、この画素電極１３は隣接する画素電極を駆動するための前段の走査線Ｇ２上に延設されている。
【００２３】薄膜トランジスタＴ部分の断面構造は、図２に示すように、ガラス等の透明基板１４上に形成された走査線Ｇ１の上方にゲート絶縁膜１５を介して半導体能動膜１０が設けられ、半導体能動膜１０上には信号線Ｓ１から引き出されたソース電極１１とドレイン電極１２がそれぞれ設けられており、これら走査線Ｇ１、半導体能動膜１０、ソース電極１１、ドレイン電極１２等で逆スタガ型の薄膜トランジスタＴが構成されている。また、画素電極１３がソース電極１１とドレイン電極１２を覆うパッシベーション膜１６（層間絶縁膜）上に形成されており、図１に示すコンタクトホール１７を通じて薄膜トランジスタＴのドレイン電極１２と電気的に接続されている。そして、画素電極１３がパッシベーション膜１６およびゲート絶縁膜１５を介してその下の走査線Ｇ１と協働して蓄積容量部Ｃ１を構成している。…
【００２４】一方、この薄膜トランジスタアレイ基板と対向する対向基板側には、薄膜トランジスタＴや走査線Ｇ１、Ｇ２、信号線Ｓ１、Ｓ２等が設けられた領域で光を遮断するためのブラックマトリクスと共通電極（ともに図示せず）が設けられている。ブラックマトリクスは、図１における１点鎖線で示す矩形状の開口部１８を有しており、この開口部１８が光を透過して実質的に表示に寄与する有効表示領域となる。
【００２５】また、本実施の形態の薄膜トランジスタアレイ基板は、図１４に示す従来の薄膜トランジスタアレイ基板と同じデザインルールを用いて設計しており、蓄積容量部の面積も図１４に示す従来のものと等しいとする。ここで、本実施の形態の薄膜トランジスタアレイ基板における開口率を従来構造の場合と比較する。従来の技術の項でも述べたように、画素電極１３とブラックマトリクスとの重なり部分による遮光面積をＳ、開口部の走査線方向の幅をｘ、開口部の信号線方向の幅をｙとすると、Ｓ＝Ｗ×（ｘ＋２ｙ）（（１）式）が成り立つ。従来例ではｙがｘの３倍であるから、ｘ＝ａ、ｙ＝３ａ（ａ：定数）とおくと、Ｓ＝Ｗ×（ｘ＋２ｙ）＝７Ｗａとなる。一方、本実施の形態の場合、ｘがｙの３倍であるから、ｘ＝３ａ、ｙ＝ａ（ａ：定数）とおくと、Ｓ＝Ｗ×（ｘ＋２ｙ）＝５Ｗａとなる。すなわち、本実施の形態における遮光面積Ｓは従来構造における遮光面積Ｓの５／７（約７１％）と小さくなるため、開口率が従来より向上する。…」
　
　エ　上記ウ（【００２２】）を踏まえて図１をみると、「画素電極１３」は、「走査線Ｇ１、Ｇ２」と平行な辺、及び、「信号線Ｓ１、Ｓ２」と平行な辺を備えることが把握できる。
　
　上記の記載を総合すると、引用刊行物１には、次の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されていると認められる。
　
「アクティブマトリクス型液晶表示装置の一方の基板である薄膜トランジスタアレイ基板が、横方向に延びる走査線Ｇ１、Ｇ２、縦方向に延びる信号線Ｓ１、Ｓ２を有し、これら走査線Ｇ１、Ｇ２と信号線Ｓ１、Ｓ２で区画された領域が１つのドットとなり、配線間のピッチに関しては、隣接する信号線間のピッチをＸ、隣接する走査線間のピッチをＹとすると、ＸはＹの３倍というようにＸ＞Ｙの関係であり、ドット内の左下の部分に、走査線Ｇ１、チャネル領域となる半導体能動膜１０、信号線Ｓ１から引き出されたソース電極１１、ドレイン電極１２がそれぞれ設けられて薄膜トランジスタＴが構成され、この薄膜トランジスタＴに画素電極１３が接続されており、画素電極１３は、走査線Ｇ１、Ｇ２と平行な辺、及び、信号線Ｓ１、Ｓ２と平行な辺を備え、画素電極１３も走査線方向の幅が信号線方向の幅よりも大きく、この画素電極１３は隣接する画素電極を駆動するための前段の走査線Ｇ２上に延設されており、画素電極１３がパッシベーション膜１６およびゲート絶縁膜１５を介してその下の走査線Ｇ１と協働して蓄積容量部Ｃ１を構成しており、
　一方、この薄膜トランジスタアレイ基板と対向する対向基板側には、薄膜トランジスタＴや走査線Ｇ１、Ｇ２、信号線Ｓ１、Ｓ２等が設けられた領域で光を遮断するためのブラックマトリクスと共通電極が設けられ、ブラックマトリクスは、矩形状の開口部１８を有しており、開口部の走査線方向の幅をｘ、開口部の信号線方向の幅をｙとすると、ｘがｙの３倍である、アクティブマトリクス型液晶表示装置。」
　
（２）引用刊行物２
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開平１０−２１３８１２号公報（以下「引用刊行物２」という。）には、図とともに以下の記載がある。
　
　ア　「【特許請求の範囲】
【請求項１】  スイッチング素子を制御するゲート配線及びデータ配線がそれぞれ直交するようにゲート絶縁膜を介して形成され、前記スイッチング素子の上層には有機絶縁膜を介して絵素電極が形成され、前記絵素電極は前記有機絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して前記スイッチング素子と電気的に接続されているアクティブマトリクス型液晶表示装置において、前記データ配線が形成されている層と同じ層にシールド電極が形成されていることを特徴とするアクティブマトリクス型液晶表示装置。
【請求項２】  前記シールド電極には、補助容量配線に入力される信号と同じ信号が入力されることを特徴とする請求項１記載のアクティブマトリクス型液晶表示装置。
【請求項３】  前記シールド電極は、前記ゲート絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して、前記補助容量配線と電気的に接続されていることを特徴とする請求項２記載のアクティブマトリクス型液晶表示装置。
【請求項４】  前記シールド電極の幅は、前記ゲート配線の幅と同等以上であることを特徴とする請求項１乃至請求項３記載のアクティブマトリクス型液晶表示装置。」
　
　イ　「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置に関するもので、特にアクティブマトリクス型液晶表示装置に関するものである。」
　
　ウ　「【００１９】本発明のアクティブマトリクス型液晶表示装置によれば、データ配線が形成されている層と同じ層にシールド電極が形成されていることにより、シールド電極を覆う絶縁膜を新たに形成する必要がなくなり、少ない工程数でシールド電極を有するアクティブマトリクス型液晶表示装置を構成することができ、絵素電極とゲート配線との間の静電容量を低減することができる。
【００２０】また、シールド電極には、補助容量配線に入力される信号と同じ信号が入力されることにより、シールド電極が浮遊容量を持つことによって静電シールド効果が減少することを防止することができる。
【００２１】また、シールド電極がゲート絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して補助容量配線と電気的に接続されていることにより、補助容量配線が一箇所断線した場合に生じる一列の絵素すべてが欠陥となる所謂線状欠陥を防止することができ、良品の状態を保つことができる。
【００２２】さらに、シールド電極の幅がゲート配線の幅と同等以上であることにより、シールド電極が十分な静電シールド効果を示し、絵素電極とゲート配線との間の静電容量を十分に低減することができる。」
　
　エ　「【００２４】図１及び図２に示すように、絶縁性基板１上にゲート配線２及び補助容量配線３を形成し、ゲート配線２及び補助容量配線３上にゲート絶縁膜４を形成する。そして、データ配線５、ドレイン電極６及びシールド電極７を形成する。補助容量配線３とシールド電極７とは、ゲート絶縁膜４に設けたシールド電極用コンタクトホール８を介して電気的に接続する。さらに、層間絶縁膜９を形成し、層間絶縁膜９上に絵素電極１０を形成する。絵素電極１０とドレイン電極６とは、層間絶縁膜９に設けた絵素電極用コンタクトホール１１を介して電気的に接続する。尚、１２はＴＦＴである。
【００２５】シールド電極７は、ゲート配線２と絵素電極１０との間に、それぞれゲート絶縁膜４と層間絶縁膜９とを介して形成されており、シールド電極７の電位を一定に保つ、または補助容量配線３に入力する信号と同じ信号を入力することにより、ゲート配線２と絵素電極１０との間の静電容量を低減することができ、高開口率構造のアクティブマトリクス型液晶表示装置の表示品位を向上させることができる。」
　
　オ　「【００２８】…ゲート配線２と絵素電極１０との間の電気力線は、シールド電極７の静電シールド効果により減少し、ゲート配線２と絵素電極１０との間の静電容量を低減することができる。
【００２９】シールド電極７が十分な静電シールド効果を示すためには、ゲート配線２上に形成するシールド電極７の線幅をゲート配線２の線幅と同等以上にすることが望ましい。シールド電極７の線幅をゲート配線２の線幅よりも太くし、ゲート配線２をシールド電極７で十分に覆うようにすることにより、ゲート配線２と絵素電極１０との間の静電容量を十分に低減することができる。
【００３０】シールド電極７をＴａまたはＡｌ等の金属薄膜の遮光膜で形成する場合には、絵素内をシールド電極７が横切るために開口率の低下は免れることができないが、開口率の低下を最小限にするために、ゲート配線２上に形成するシールド電極７の線幅をゲート配線２の線幅と同等にすることが望ましい。
【００３１】シールド電極７を透明導電膜で形成する場合には、開口率を低下させることがないため、ゲート配線２を十分に覆うように、ゲート配線２の線幅よりシールド電極７の線幅を太く形成することができ、ゲート配線２と絵素電極１０との間の静電容量を十分に低減することができる。」
　
　カ　上記エ及びオを踏まえて図１をみると、
　（ア）「絵素電極１０」（図１において矩形の実線で表された部分）は、その上端及び下端において、それぞれ、その上側及び下側に配置された「ゲート配線２」（図１において横方向の点線で表された部分）と重なっていること、
　（イ）「シールド電極７」（図１において点線で表された部分）は、
　　ａ　「シールド電極用コンタクトホール８」を介して「補助容量配線３」と電気的に接続される部分を含む、「データ配線５」と平行な部分（以下「データ配線平行部分」という。）と、
　　ｂ　「ゲート配線２」、「『絵素電極１０』の上端」及び「当該『絵素電極１０』の上隣にある別の『絵素電極１０』の下端」と重なっている、「ゲート配線２」と平行な部分（以下「ゲート配線平行部分」という。）と
からなること、
　（ウ）「シールド電極７」の前記「データ配線平行部分」は、「絵素電極１０」と重なっていること、
が把握できる。
　
　上記の記載を総合すると、引用刊行物２には、次の発明（以下「引用発明２」という。）が記載されていると認められる。
　
「スイッチング素子を制御するゲート配線及びデータ配線がそれぞれ直交するようにゲート絶縁膜を介して形成され、前記スイッチング素子の上層には有機絶縁膜を介して絵素電極が形成され、前記絵素電極は前記有機絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して前記スイッチング素子と電気的に接続されているアクティブマトリクス型液晶表示装置において、
　前記データ配線が形成されている層と同じ層にシールド電極が形成されており、
　前記シールド電極には、補助容量配線に入力される信号と同じ信号が入力され、
　前記シールド電極は、前記ゲート絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して、前記補助容量配線と電気的に接続されており、
　前記シールド電極の幅は、前記ゲート配線の幅と同等以上であり、
　絵素電極１０は、その上端及び下端において、それぞれ、その上側及び下側に配置されたゲート配線２と重なっており、
　シールド電極７は、シールド電極用コンタクトホール８を介して補助容量配線３と電気的に接続される部分を含む、データ配線５と平行な部分（データ配線平行部分）と、ゲート配線２、絵素電極１０の上端及び当該絵素電極１０の上隣にある別の絵素電極１０の下端と重なっている、ゲート配線２と平行な部分（ゲート配線平行部分）とからなり、
　シールド電極７の前記データ配線平行部分は絵素電極１０と重なっている、アクティブマトリクス型液晶表示装置。」
　
　
３　対比
　本願発明と引用発明１を対比する。
（１）引用発明１は、「アクティブマトリクス型液晶表示装置の一方の基板である薄膜トランジスタアレイ基板が、横方向に延びる走査線Ｇ１、Ｇ２、縦方向に延びる信号線Ｓ１、Ｓ２を有し、これら走査線Ｇ１、Ｇ２と信号線Ｓ１、Ｓ２で区画された領域が１つのドットとなり、…ドット内の左下の部分に、走査線Ｇ１、チャネル領域となる半導体能動膜１０、信号線Ｓ１から引き出されたソース電極１１、ドレイン電極１２がそれぞれ設けられて薄膜トランジスタＴが構成され、この薄膜トランジスタＴに画素電極１３が接続されて」いるものであるから、
　ア　引用発明１の「横方向に延びる走査線Ｇ１、Ｇ２」、「縦方向に延びる信号線Ｓ１、Ｓ２」、「（走査線Ｇ１、Ｇ２と信号線Ｓ１、Ｓ２で区画された領域の１つのドット内の左下の部分に構成される）薄膜トランジスタＴ」、「（走査線Ｇ１、Ｇ２と信号線Ｓ１、Ｓ２で区画された領域に設けられる薄膜トランジスタＴに接続される）画素電極１３」、「（走査線Ｇ１、Ｇ２と信号線Ｓ１、Ｓ２で区画され、画素電極１３を有する領域を複数有する）薄膜トランジスタアレイ基板」及び「（前記薄膜トランジスタアレイ基板を有する）アクティブマトリクス型液晶表示装置」は、それぞれ、本願発明の「（基板上に形成され、第１方向に延びる）ゲート線」、「（前記ゲート線と交差し、第２方向に延びる）データ線」、「（前記ゲート線と前記データ線とに接続された）薄膜トランジスタ」、「（前記薄膜トランジスタに電気的に接続される）画素電極」、「（行列状に配列された複数の画素を有する）薄膜トランジスタ基板」及び「（行列状に配列された複数の画素を有する薄膜トランジスタ基板を有する）液晶表示装置」に相当し、
　イ　引用発明１は、本願発明の「行列状に配列された複数の画素を有する薄膜トランジスタ基板を有する液晶表示装置であって、前記画素は、それぞれ、前記基板上に形成され、第１方向に延びるゲート線と、前記ゲート線と交差し、第２方向に延びるデータ線と、前記ゲート線と前記データ線とに接続された薄膜トランジスタと、を有し」との事項を備え、
　ウ　引用発明１は、本願発明の「前記薄膜トランジスタに電気的に接続され」「る画素電極と、を有し」との事項を備える。
　
（２）引用発明１は、「走査線Ｇ１、Ｇ２と信号線Ｓ１、Ｓ２で区画された領域が１つのドットとなり、…ドット内の左下の部分に…薄膜トランジスタＴが構成され、この薄膜トランジスタＴに画素電極１３が接続されており、画素電極１３は、走査線Ｇ１、Ｇ２と平行な辺、及び、信号線Ｓ１、Ｓ２と平行な辺を備え」るものであるから、引用発明１は、本願発明の「各画素は２つの辺を有し、そのうちの第１辺は前記第１方向と平行で、第２辺は前記第２方向と平行で」あり、との事項を備える。
　
（３）よって、本願発明と引用発明１とは、
「行列状に配列された複数の画素を有する薄膜トランジスタ基板を有する液晶表示装置であって、
　前記画素は、それぞれ、
　前記基板上に形成され、第１方向に延びるゲート線と、
　前記ゲート線と交差し、第２方向に延びるデータ線と、
　前記ゲート線と前記データ線とに接続された薄膜トランジスタと、
　前記薄膜トランジスタに電気的に接続される画素電極と、を有し、
　各画素は２つの辺を有し、そのうちの第１辺は前記第１方向と平行で、第２辺は前記第２方向と平行である、液晶表示装置。」
の点で一致し、以下の点で相違するものと認められる。  
 　  
　ア　本願発明は、各画素の第１辺の長さが第２辺の長さの３倍であるのに対し、引用発明１は、ブラックマトリクスの矩形状の開口部１８の走査線方向の幅ｘが、開口部の信号線方向の幅ｙの３倍であるものの、各画素の第１辺の長さが第２辺の長さの３倍であるのか否か明らかではない点（以下「相違点１」という。）
　イ　本願発明は、データ線と同一層に形成され、第２方向に延びる維持電極線を有し、画素電極が、前記維持電極線と重畳することによってキャパシタを形成し、前記維持電極線の茎部は、前記第２方向に沿って前記画素の中央を横切り、前記維持電極は前記茎部から左右に延びる枝部を有し、前記枝部はゲート線と平行で、前記枝部の少なくとも一部は前記画素の上端または下端の境界と前記ゲート線との間に配置されるのに対し、引用発明１は、そのような維持電極線を有しない点（以下「相違点２」という。）。
　
　
４　判断
（１）相違点１について
　引用発明１の「アクティブマトリクス型液晶表示装置」は、「（ブラックマトリクスの矩形状の）開口部の走査線方向の幅をｘ、開口部の信号線方向の幅をｙ」としたとき、「ｘがｙの３倍である」ものであるから、その「走査線Ｇ１、Ｇ２と信号線Ｓ１、Ｓ２で区画された領域（ドット）」あるいは「（『走査線Ｇ１、Ｇ２と平行な辺』及び『信号線Ｓ１、Ｓ２と平行な辺』を備える）画素電極１３」の「走査線Ｇ１、Ｇ２と平行な辺」の長さと「信号線Ｓ１、Ｓ２と平行な辺」との長さの関係を、前記開口部の走査線方向の幅（ｘ）及び信号線方向の幅（ｙ）とほぼ同程度となすことが、当業者にとって格別困難なことではない。
（２）相違点２について
　引用発明１は、「画素電極１３」が「隣接する画素電極を駆動するための前段の走査線Ｇ２上に延設され」、「画素電極１３がパッシベーション膜１６およびゲート絶縁膜１５を介してその下の走査線Ｇ１と協働して蓄積容量部Ｃ１を構成して」なるものであるところ、複数の画素電極を有するアクティブマトリクス型液晶表示装置において、当該画素電極との間で蓄積容量を形成する維持電極線（維持キャパシタ電極線、維持配線）を形成するものは、本願の優先日時点で周知（必要なら、特表２００５−５０６５７５号公報（【００４０】〜【００４６】、ＦＩＧ．１）、特表２００５−５２７８５７号公報（【００２７】、【００４７】、図４）、特開平６−３０１０５９号公報（【０１１５】、【０１１６】、図１６）参照。）であったから、引用発明１において、「（「画素電極１３」と「下の走査線Ｇ１」とで構成される）蓄積容量部Ｃ１」に換えて、「画素電極１３」との間で蓄積容量を形成する維持電極線を設けるようになすことは、当業者が適宜になし得ることである。しかるところ、上記２（２）によれば、引用刊行物２には、「データ配線が形成されている層と同じ層に（データ配線平行部分とゲート配線平行部分とからなる）シールド電極」を形成するとともに、「前記シールド電極には、補助容量配線に入力される信号と同じ信号」を入力し、「絵素電極１０」が「その上端及び下端において、それぞれ、その上側及び下側に配置されたゲート配線２と重な」り、「シールド電極７の前記データ配線平行部分」が「絵素電極１０と重なっている」「アクティブマトリクス型液晶表示装置」の発明（引用発明２）が記載され、当該「シールド電極７」が「絵素電極１０」との間で蓄積容量を形成するものであることは当業者において明らかであるから、引用発明１において、上記周知技術を適用するに際し、引用発明２の上記「シールド電極７」の構成を採用することは、当業者が容易になし得ることである。そして、その際、その「（シールド電極７の）データ配線平行部分」を「画素電極１３」の中央を横切るようになすことは、当業者が必要に応じて適宜になし得る程度のことである。
（３）効果について
　そして、本願発明の奏する効果が、引用発明１、２及び上記周知技術から当業者が予測困難な程の格別顕著なものということはできない。
（４）小括
　したがって、本願発明は、引用刊行物１、２に記載された発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　
５　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用刊行物１、２に記載された発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。