(57)【要約】記憶装置は、光ビームを用いたＤ−ＲＡＤ光磁気記憶媒体に対するデータ読み取り前に、磁界発生部により磁場Ｈｆｒｏｎｔを発生させてフロントマスクを形成し、その後にＨｒ＜Ｈｆｒｏｎｔなる関係を満足する再生磁場Ｈｒによりデータを光磁気記憶媒体から読み取るように構成されている。
2003060898.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記憶装置において、光ビームを用いたＤ−ＲＡＤ方式の光磁気記憶媒体に対するデータ読み取り前に、磁界発生部により磁場Ｈｆｒｏｎｔを発生させてフロントマスクを形成する第１のステップと、
該第１のステップの後、Ｈｒ＜Ｈｆｒｏｎｔなる関係を満足する再生磁場Ｈｒによりデータを該光磁気記憶媒体から読み取る第２のステップとを含むことを特徴とする、光磁気再生方法。
【請求項２】
前記第１及び第２のステップは、前記磁界発生部に対する電気的な制御により行われることを特徴とする、請求の範囲第１項記載の光磁気再生方法。
【請求項３】
前記第１のステップは、前記記憶装置がリードコマンドに応答して、前記光磁気記憶媒体上の現在位置を認識し、該光磁気記憶媒体上指定された位置へのシークをし、該指定された位置を探す動作を行う間に磁場Ｈｆｒｏｎｔを発生させることを特徴とする、請求の範囲第１項又は第２項記載の光磁気再生方法。
【請求項４】
前記第１及び第２のステップは、前記フロントマスクを形成する磁場Ｈｆｒｏｎｔと、再生磁場Ｈｒと、リアマスクを形成する磁場Ｈｒｅａｒとの関係を、前記磁界発生部の電磁石のコアの形状と、透磁率と、前記光ビームの前記光磁気記憶媒体上の照射位置に対する該コアの配置とからなるグループから選択された少なくとも１つにより制御して、該光ビームが当たる前で磁場ＨｒｈがＨｒｈ＞Ｈｆｒｏｎｔなる関係を満足させ、且つ、Ｈｆｒｏｎｔ＞Ｈｒ＞Ｈｒｅａｒなる関係を満足させることを特徴とする、請求の範囲第１項記載の光磁気再生方法。
【請求項５】
前記透磁率は、前記電磁石のコアに設けられた遮蔽板により制御することを特徴とする、請求の範囲第４項記載の光磁気再生方法。
【請求項６】
前記第１のステップは、予め前記光磁気記憶媒体の記録面の全面に対して前記フロントマスクを形成することを特徴とする、請求の範囲第１項記載の光磁気再生方法。
【請求項７】
前記第１のステップは、前記光磁気記憶媒体上の再生するべき目的トラック及び隣接するトラックに対して前記フロントマスクを形成することを特徴とする、請求の範囲第１項記載の光磁気再生方法。
【請求項８】
光ビームを用いたＤ−ＲＡＤ方式の光磁気記憶媒体に対するデータ読み取り前に、磁界発生部により磁場Ｈｆｒｏｎｔを発生させてフロントマスクを形成する第１の手段と、
該フロントマスクを形成した後、Ｈｒ＜Ｈｆｒｏｎｔなる関係を満足する再生磁場Ｈｒによりデータを該光磁気記憶媒体から読み取る第２の手段とを備えたことを特徴とする、記憶装置。
【請求項９】
前記第１及び第２の手段は、前記磁界発生部に対する電気的な制御により磁場Ｈｆｒｏｎｔ及び再生磁場Ｈｒを制御することを特徴とする、請求の範囲第８項記載の記憶装置。
【請求項１０】
前記第１の手段は、前記記憶装置がリードコマンドに応答して、前記光磁気記憶媒体上の現在位置を認識し、該光磁気記憶媒体上の指定された位置へのシークをし、該指定された位置を探す動作を行う間に磁場Ｈｆｒｏｎｔを発生させることを特徴とする、請求の範囲第８項又は第９項記載の記憶装置。
【請求項１１】
前記第１及び第２の手段は、前記フロントマスクを形成する磁場Ｈｆｒｏｎｔと、再生磁場Ｈｒと、リアマスクを形成する磁場Ｈｒｅａｒとの関係を、前記磁界発生部の電磁石のコアの形状と、透磁率と、前記光ビームの前記光磁気記憶媒体上の照射位置に対する該コアの配置とからなるグループから選択された少なくとも１つにより制御して、該光ビームが当たる前で磁場ＨｒｈがＨｒｈ＞Ｈｆｒｏｎｔなる関係を満足させ、且つ、Ｈｆｒｏｎｔ＞Ｈｒ＞Ｈｒｅａｒなる関係を満足させることを特徴とする、請求の範囲第８項記載の記憶装置。
【請求項１２】
前記電磁石のコアは、前記透磁率を制御する遮蔽板を有することを特徴とする、請求の範囲第１１項記載の記憶装置。
【請求項１３】
前記電磁石のコアは、前記光磁気記憶媒体と対向する部分が、該光磁気記憶媒体の前記光ビームに対する相対移動方向上、該光磁気記憶媒体との距離が増加する形状を有することを特徴とする、請求の範囲第１１項記載の記憶装置。
【請求項１４】
前記距離は、連続的又は段階的に増加することを特徴とする、請求の範囲第１３項記載の記憶装置。
【請求項１５】
前記第１の手段は、予め前記光磁気記憶媒体の記録面の全面に対して前記フロントマスクを形成することを特徴とする、請求の範囲第８項記載の記憶装置。
【請求項１６】
前記第１の手段は、前記光磁気記憶媒体上の再生するべき目的トラック及び隣接するトラックに対して前記フロントマスクを形成することを特徴とする、請求の範囲第８項記載の記憶装置。
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は、光磁気再生方法及び記憶装置に係り、特に光磁気記憶媒体から情報を再生するための光磁気再生方法及びそのような光磁気再生方法を採用する記憶装置に関する。
背景技術
図１は、従来の光磁気記憶媒体の原理を説明する図である。同図に示す光磁気記憶媒体は、記録層１、中間層２及び再生層３を有する、所謂Ｄ−ＲＡＤ（Ｄｏｕｂｌｅｍａｓｋ−Ｒｅａｒ  Ａｐｅｒｔｕｒｅ  Ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ）方式の媒体（以下Ｄ−ＲＡＤ媒体と言う）である。Ｄ−ＲＡＤ媒体に磁場を加えると、中間層２と再生層３の交換結合により、Ｄ−ＲＡＤ媒体を走査する光ビームＬＢの前方にフロントマスク（Ｆｒｏｎｔ  ｍａｓｋ）ＦＭが形成される。本明細書では、光ビームＬＢの前方とは、光ビームのＤ−ＲＡＤ媒体に対する相対移動方向上の前方を言う。同図では、左向きの矢印が光ビームＬＢのＤ−ＲＡＤ媒体に対する相対移動方向を示し、右向きの矢印がＤ−ＲＡＤ媒体の光ビームに対する相対移動方向を示す。フロントマスクＦＭは、光ビームＬＢが当たらなくても、再生磁場Ｈｒが印加されるところで形成される。
この時の再生層磁化の向きは、イレーズ状態と同じ向きとなる。光ビームＬＢがＤ−ＲＡＤ媒体に照射されてある程度まで熱せられると、光ビームＬＢの中心部では、記録層１と再生層３の交換結合が強くなり、記録層１、中間層２及び再生層３の交換結合により、記録層１の磁界が再生層３に転写される。更にＤ−ＲＡＤ媒体が熱せられると、中間層２と再生層の交換結合が切れて、光ビームＬＢの後方にリアマスク（Ｒｅａｒ  ｍａｓｋ）ＲＭが形成される。本明細書では、光ビームＬＢの後方とは、光ビームＬＢのＤ−ＲＡＤ媒体に対する相対移動方向上の後方を言う。この時の磁界は、再生層３の保持力に影響される。このようにして、Ｄ−ＲＡＤ媒体においては、フロントマスクＦＭ及びリアマスクＲＭにより、光ビームＬＢの径より小さな信号を読み取ることが可能となる。
ここで、再生磁場をＨｒ、フロントマスクＦＭを形成する磁場をＨｆｒｏｎｔ、リアマスクＲＭを形成する磁場をＨｒｅａｒとすると、Ｈｒ＞Ｈｆｒｏｎｔ＞Ｈｒｅａｒなる関係が成り立つ。このように、Ｈｒ＞Ｈｆｒｏｎｔなる関係が成り立つため、かなり大きな再生磁場Ｈｒが必要であることがわかる。
ところで、再生磁場Ｈｒは、フロントマスクＦＭとリアマスクＲＭとにより囲まれた読み取り部分である開口部（アパーチャ）ＡＰの大きさにも影響しており、再生磁場Ｈｒが大きくなればなる程開口部ＡＰが大きくなる。開口部ＡＰが大きくなれば、隣接するトラックのデータの影響、即ち、クロストークが発生する。
図２は、Ｄ−ＲＡＤ媒体における再生磁場Ｈｒとビットエラーレート（ｂＥＲ）の関係を示す図である。同図中、実線は通常のＤ−ＲＡＤ媒体のプロットを示し、再生磁場Ｈｒを上げて行くとｂＥＲは小さくなり、磁場Ｈｆｒｏｎｔと等しい再生磁場ＨｒでｂＥＲが平らになる。更に再生磁場Ｈｒを上げて行くと、上記クロストークの影響により、ｂＥＲが大きくなって行く。しかしながら、Ｄ−ＲＡＤ媒体の記憶容量を大きくするためにトラックピッチを小さくして行くと、ｂＥＲの平らな部分が少なくなり、同図中破線で示すようになる。更にトラックピッチを小さくすると、一点鎖線で示すように、再生磁場Ｈｒが磁場Ｈｆｒｏｎｔと等しくなる前に、クロストークの影響によりｂＥＲの最低値が増加してしまう。
従って、予めフロントマスクＦＭが形成されていて、低い再生磁場Ｈｒで再生が可能であれば、クロストークの影響が少なく、大容量のＤ−ＲＡＤ媒体を実現することが可能である。
Ｄ−ＲＡＤ媒体に対するフロントマスクＦＭは、１度形成されれば、光ビームＬＢを当ててリアマスクを形成しない限り破壊されないと言う性質を持つ。そこで、従来より、Ｄ−ＲＡＤ媒体を収納するカートリッジ内に、光ビームＬＢの前方の位置にフロントマスクＦＭを形成するための磁石を設ける第１の方法と、記憶装置内に、光ビームＬＢの前方の位置にフロントマスクＦＭを形成するための磁石を設ける第２の方法とが知られている。
しかしながら、第１の方法は、Ｄ−ＲＡＤ媒体を収納するカートリッジ自体に永久磁石を取り付けなければならず、Ｄ−ＲＡＤ媒体を収納するカートリッジ自体の部品点数が増え、コストが増加してしまうと共に、磁気シールドが不完全な場合、可換媒体であるフロッピィーディスク等と一緒も保存したり、一緒に持ち運んだりした場合、永久磁石によりフロッピィーディスクに記憶したデータを消しかねないという問題があった。
又、第２の方法では、記憶装置自体に、永久磁石又は電磁石を設ける必要があり、記憶装置の部品点数が増え、記憶装置のコストが増加してしまうという問題があった。
発明の開示
本発明は、上記の問題を解決する新規、且つ、有用な光磁気再生方法及び記憶装置を提供することを概括的目的とする。
本発明のより具体的な目的は、シーク等のデータ読み取り前の動作で、記憶装置の磁界発生部により強磁場を発生させてフロントマスクを形成して情報再生を行う光磁気再生方法及び記憶装置を提供することにある。本発明になる光磁気再生方法及び記憶装置によれば、記憶装置の部品点数を増やさずに、再生磁界Ｈｒとフロントマスクを形成する磁場Ｈｆｒｏｎｔとの間でＨｒ＜Ｈｆｒｏｎｔなる関係を成立させることができる。
又、本発明のより具体的な目的は、記憶装置の磁界発生部の磁石を、フロントマスク側が高磁場となるような形状にして情報再生を行う光磁気再生方法及び記憶装置を提供することにある。本発明になる光磁気再生方法及び記憶装置によれば、記憶装置の部品点数を増やさずに、再生磁界Ｈｒとフロントマスクを形成する磁場Ｈｆｒｏｎｔとの間でＨｒ＜Ｈｆｒｏｎｔなる関係を成立させることができる。
本発明の他の目的は、記憶装置において、光ビームを用いたＤ−ＲＡＤ方式の光磁気記憶媒体に対するデータ読み取り前に、磁界発生部により磁場Ｈｆｒｏｎｔを発生させてフロントマスクを形成する第１のステップと、該第１のステップの後、Ｈｒ＜Ｈｆｒｏｎｔなる関係を満足する再生磁場Ｈｒによりデータを該光磁気記憶媒体から読み取る第２のステップとを含むことを特徴とする光磁気再生方法を提供することにある。本発明になる光磁気再生方法によれば、記憶装置の部品点数を増やさずに、再生磁界Ｈｒとフロントマスクを形成する磁場Ｈｆｒｏｎｔとの間でＨｒ＜Ｈｆｒｏｎｔなる関係を成立させることができる。
本発明の更に他の目的は、光ビームを用いたＤ−ＲＡＤ方式の光磁気記憶媒体に対するデータ読み取り前に、磁界発生部により磁場Ｈｆｒｏｎｔを発生させてフロントマスクを形成する第１の手段と、該フロントマスクを形成した後、Ｈｒ＜Ｈｆｒｏｎｔなる関係を満足する再生磁場Ｈｒによりデータを該光磁気記憶媒体から読み取る第２の手段とを備えたことを特徴とする記憶装置を提供することにある。本発明になる記憶装置によれば、記憶装置の部品点数を増やさずに、再生磁界Ｈｒとフロントマスクを形成する磁場Ｈｆｒｏｎｔとの間でＨｒ＜Ｈｆｒｏｎｔなる関係を成立させることができる。
本発明の更に他の目的及び特長は、以下図面と共に述べる説明より明らかとなろう。
発明を実施するための最良の形態
以下、本発明になる光磁気再生方法及び記憶装置の各実施例を、図３以降と共に説明する。
先ず、本発明になる記憶装置の第１実施例を図３〜図１０と共に説明する。図３は、記憶装置の第１実施例の構成を示すブロック図である。記憶装置の第１実施例では、本発明がＤ−ＲＡＤ媒体である光磁気ディスクを用いる光磁気ディスク装置に適用されている。又、記憶装置の第１実施例は、本発明になる光磁気再生方法の第１実施例を採用する。
図３に示すように、光磁気ディスク装置は、大略コントロールユニット１０とエンクロージャ１１とからなる。コントロールユニット１０は、光磁気ディスク装置の全体的な制御を行うマイクロプロセッサユニット（ＭＰＵ）１２、ホスト装置（図示せず）との間でコマンド及びデータのやり取りを行うインタフェース１７、光磁気ディスク（図示せず）に対するデータのリード／ライトに必要な処理を行う光ディスクコントローラ（ＯＤＣ）１４、デジタルシグナルプロセッサ（ＤＳＰ）１６及びメモリ１８を有する。メモリ１８は、ＭＰＵ１２、ＯＤＣ１４及びインタフェース１７で共用され、例えばダイナミックランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）や、制御プログラムやフラグ情報等を格納する不揮発性メモリ等を含む。水晶振動子１０１は、ＭＰＵ１２と接続されている。
ＯＤＣ１４には、フォーマッタ１４−１と、誤り訂正符号（ＥＣＣ）処理部１４−２とが設けられている。ライトアクセス時には、フォーマッタ１４−１がＮＲＺライトデータを光磁気ディスクのセクタ単位に分割して記録フォーマットを生成し、ＥＣＣ処理部１４−２がセクタライトデータ単位にＥＣＣを生成して付加すると共に、必要に応じて巡回冗長検査（ＣＲＣ）符号を生成して付加する。更に、ＥＣＣ処理部１４−２はＥＣＣの符号化が済んだセクタデータを例えば１−７ランレングスリミテッド（ＲＬＬ）符号に変換する。
リードアクセス時には、セクタデータに対して１−７ＲＬＬの逆変換を行い、次にＥＣＣ処理部１４−２でＣＲＣを行った後にＥＣＣによる誤り検出及び誤り訂正を行う。更に、フォーマッタ１４−１でセクタ単位のＮＲＺデータを連結してＮＲＺリードデータのストリームとしてホスト装置に転送させる。
ＯＤＣ１４に対しては、リード／ライト大規模集積回路（ＬＳＩ）２０が設けられ、リード／ライトＬＳＩ２０は、ライト変調部２１、レーザダイオード制御回路２２、リード復調部２５及び周波数シンセサイザ２６を有する。レーザダイオード制御回路２２の制御出力は、エンクロージャ１１側の光学ユニットに設けられたレーザダイオードユニット３０に供給される。レーザダイオードユニット３０は、レーザダイオード３０−１とモニタ用ディテクタ３０−２とを一体的に有する。ライト変調部２１は、ライトデータをピットポジションモジュレーション（ＰＰＭ）記録（マーク記録とも言う）又はパルスウィドスモジュレーション（ＰＷＭ）記録（エッジ記録とも言う）でのデータ形式に変換する。
レーザダイオードユニット３０を使用してデータの記録再生を行う光磁気ディスク、即ち、書き換え可能な光磁気（ＭＯ）カートリッジ媒体として、本実施例では、ＰＰＭ記録と光磁気ディスク上のマークエッジの有無に対応してデータを記録するＰＷＭ記録の両方が採用されている。ここでは、光磁気ディスクの記録フォーマットは、ＰＷＭ記録方式で超解像技術（ＭＳＲ）を使用した２．３ＧＢフォーマットであり、ＺＣＡＶ方式を採用している。光磁気ディスク装置に光磁気ディスクをロードすると、先ず光磁気ディスクの識別（ＩＤ）部をリードしてそのピット間隔からＭＰＵ１２で光磁気ディスクの種別（３．５インチサイズ、１２８ＭＢ，２３０ＭＢ，５４０／６４０ＭＢ，１．３ＧＢ，２．３ＧＢ，．．．といった記憶容量、種別等）を認識し、種別の認識結果をＯＤＣ１４に通知し、種別に応じた各種パラメータの設定がなされる。
ＯＤＣ１４に対するリード系統としては、リード／ライトＬＳＩ２０が設けられ、リード／ライトＬＳＩ２０には上記の如くリード復調部２５と周波数シンセサイザ２６とが内蔵される。リード／ライトＬＳＩ２０に対しては、エンクロージャ１１に設けたＩＤ／ＭＯ用ディテクタ３２によるレーザダイオード３０−１からの光ビーム（レーザビーム）の戻り光の受光信号が、ヘッドアンプ３４を介してＩＤ信号（エンボスピット信号）及びＭＯ信号として入力されている。
リード／ライトＬＳＩ２０のリード復調部２５には、自動利得制御（ＡＧＣ）回路、フィルタ、セクタマーク検出回路等の回路機能が設けられ、リード復調部２５は入力されたＩＤ信号及びＭＯ信号からリードクロック及びリードデータを生成してＰＷＭデータを元のＮＲＺデータに復調する。又、ゾーンＣＡＶを採用しているため、ＭＰＵ１２からリード／ライトＬＳＩ２０に内蔵された周波数シンセサイザ２６に対してゾーン対応のクロック周波数を発生させるための分周比の設定制御が行われる。
周波数シンセサイザ２６は、プログラマブル分周器を備えたフェーズロックドループ（ＰＬＬ）回路であり、光磁気ディスク上のゾーン位置に応じて予め定めた固有の周波数を有する再生用基準クロックをリードクロックとして発生する。即ち、周波数シンセサイザ２６は、プログラマブル分周器を備えたＰＬＬ回路で構成され、通常モードでは、ＭＰＵ１２がゾーン番号に応じて設定した分周比ｍ／ｎに従った周波数ｆｏの記録／再生用基準クロックを、ｆｏ＝（ｍ／ｎ）・ｆｉに従って発生する。
ここで、分周比ｍ／ｎの分母の分周値ｎは、光磁気ディスクの種別に応じた固有の値である。又、分周比ｍ／ｎの分子の分周値ｍは、光磁気ディスクのゾーン位置に応じて変化する値であり、各光磁気ディスクに対してゾーン番号に対応した値のテーブル情報として予め準備されている。更に、ｆｉは、周波数シンセサイザ２６の外部で発生した記録／再生用基準クロックの周波数を示す。
リード／ライトＬＳＩ２０で復調されたリードデータは、ＯＤＣ１４のリード系統に供給され、１−７ＲＬＬの逆変換を行った後にＥＣＣ処理部１４−２の符号化機能によりＣＲＣ及びＥＣＣ処理を施され、ＮＲＺセクタデータに復元される。次に、フォーマッタ１４−１でＮＲＺセクタデータを繋げたＮＲＺリードデータのストリームに変換し、メモリ１８を経由してインタフェース１７からホスト装置に転送される。
ＭＰＵ１２に対しては、ＤＳＰ１６を経由してエンクロージャ１１側に設けた温度センサ３６の検出信号が供給されている。ＭＰＵ１２は、温度センサ３６で検出した光磁気ディスク装置内部の環境温度に基づき、レーザダイオード制御回路２２におけるリード、ライト及びイレーズの各発光パワーを最適値に制御する。
ＭＰＵ１２は、ＤＳＰ１６を経由してドライバ３８によりエンクロージャ１１側に設けたスピンドルモータ４０を制御する。本実施例では、光磁気ディスクの記録フォーマットがＺＣＡＶ方式であるため、スピンドルモータ４０は例えば３６３７ｒｐｍの一定速度で回転される。
又、ＭＰＵ１２は、ＤＳＰ１６を経由してドライバ４２を介してエンクロージャ１１側に設けた電磁石４４を制御する。電磁石４４は、磁界発生部を構成する。電磁石４４は、光磁気ディスク装置内にロードされた光磁気ディスクのビーム照射側と反対側に配置されており、記録時及び消去時に光磁気ディスクに外部磁界を供給する。ＭＳＲを用いた１．３ＧＢ又は２．３ＧＢフォーマットのＭＳＲ光磁気ディスク等のＤ−ＲＡＤ媒体では、再生を行う際にも外部磁界を供給する。
本実施例では、温度センサ３６等からの信号をＤＳＰ１６を経由してＭＰＵ１２に供給しているが、信号を直接ＭＰＵ１２に供給しても良く、回路構成は適宜変更可能であり、本実施例に限定されるものではない。
ＤＳＰ１６は、光磁気ディスクに対してレーザダイオード３０からの光ビームの位置決めを行うためのサーボ機能を備え、目的トラックにシークしてオントラックするためのシーク制御部及びオントラック制御部として機能する。このシーク制御及びオントラック制御は、ＭＰＵ１２による上位コマンドに対するライトアクセス又はリードアクセスに並行して同時に実行することができる。
ＤＳＰ１６のサーボ機能を実現するため、エンクロージャ１１側の光学ユニットに光磁気ディスクからのビーム戻り光を受光するフォーカスエラー信号（ＦＥＳ）用ディテクタ４５を設けている。ＦＥＳ検出回路４６は、ＦＥＳ用ディテクタ４５の受光出力からＦＥＳＥ１を生成してＤＳＰ１６に入力する。
エンクロージャ１１側の光学ユニットには、光磁気ディスクからのビーム戻り光を受光するトラッキングエラー信号（ＴＥＳ）用ディテクタ４７も設けられている。ＴＥＳ検出回路４８は、ＴＥＳ用ディテクタ４７の受光出力からＴＥＳＥ２を生成してＤＳＰ１６に入力する。ＴＥＳＥ２は、トラックゼロクロス（ＴＺＣ）検出回路５０にも入力され、ＴＺＣパルスＥ３が生成されてＤＳＰ１６に入力される。
エンクロージャ１１側には、光磁気ディスクに対して光ビームを照射する対物レンズの位置を検出するレンズ位置センサ５４が設けられており、レンズ位置センサ５４からのレンズ位置検出信号（ＬＰＯＳ）Ｅ４はＤＳＰ１６に入力される。ＤＳＰ１６は、光磁気ディスク上のビームスポットの位置を制御するため、ドライバ５８，６２，６６を介してフォーカスアクチュエータ６０、レンズアクチュエータ６４及びボイスコイルモータ（ＶＣＭ）６８を制御して駆動する。
図４は、エンクロージャ１１の概略構成を示す断面図である。図４に示すように、ハウジング６７内にはスピンドルモータ４０が設けられ、インレットドア６９側からＭＯカートリッジ７０を挿入することで、ＭＯカートリッジ７０に収納された光磁気ディスク（ＭＯディスク）７２のハブがスピンドルモータ４０のターンテーブルに装着されて光磁気ディスク７２が光磁気ディスク装置にロードされる。
ロードされたＭＯカートリッジ７０内の光磁気ディスク７２の下側には、ＶＣＭ６４により光磁気ディスク７２のトラックを横切る方向に、レール８４により案内されて移動自在なキャリッジ７６が設けられている。キャリッジ７６上には対物レンズ８０が搭載され、固定光学系７８に設けられているレーザダイオード３０−１からのビームを立ち上げミラー８２を介して入射して光磁気ディスク７２の記録面にビームスポットを結像する。
対物レンズ８０は、図３に示すエンクロージャ１１のフォーカスアクチュエータ６０により光軸方向に移動制御され、又、レンズアクチュエータ６４により光磁気ディスク７２のトラックを横切る半径方向に例えば数十トラックの範囲内で移動可能である。このキャリッジ７６に搭載されている対物レンズ８０の位置が、図３のレンズ位置センサ５４により検出される。レンズ位置センサ５４は、対物レンズ８０の光軸が直上に向かう中立位置でレンズ位置検出信号をゼロとし、光磁気ディスク７２のアウタ側への移動とインナ側への移動に対して夫々異なる曲性の移動量に応じたレンズ位置検出信号Ｅ４を出力する。
本実施例では、シーク等のデータ読み取り前の動作で、記憶装置のバイアスコイルにより強磁場を発生させてフロントマスクを形成する。つまり、１つのバイアスコイルで、先ず光磁気ディスク７２上の全ての領域でフロントマスクを形成した後、フロントマスクを形成する磁場をＨｆｒｏｎｔとすると、光磁気ディスク７２上の指定された箇所を、Ｈｒ＜Ｈｆｒｏｎｔなる関係を満足するような再生磁場Ｈｒで再生（リード）する。これにより、クロストークによる影響が改善される。フロントマスクを形成する磁場Ｈｆｒｏｎｔ及びリアマスクを形成する磁場Ｈｒｅａｒは、夫々光磁気ディスク７２により定められる固有の値を有する。従って、製造上の多少のばらつきはあるものの、同じ種類の光磁気記憶媒体であれば、磁場Ｈｆｒｏｎｔ，Ｈｒｅａｒは略一定の値に定まる。
光磁気ディスク７２上の全ての領域でフロントマスクを形成するには、次のようにする。
図５は、記憶装置の第１実施例の要部を示す図であり、同図（ａ）は平面図、同図（ｂ）は側面図である。図５中、図３及び図４と同一部分には同一符号を付し、その説明は省略する。図３に示す電磁石４４のバイアスコイル１４４に、図３に示すドライバ４２からのバイアス電流が印加すると、光磁気ディスク７２に対して磁場を加えることができる。図５に示す光磁気ディスク装置の要部の基本構成自体は周知である。
電磁石４４は、光磁気ディスク７２上の読み取り可能な領域の半径方向上の幅に対応する長さを有するので、この読み取り可能な領域の半径方向上の幅にわたって磁場を加えることができる。従って、Ｈｆｒｏｎｔ以上の磁場を光磁気ディスク７２に加えるように電磁石４４を制御し、光磁気ディスク７２を１回転以上させれば、光ビームにより発生する熱とは関係なく、磁場のみにより、光磁気ディスク７２の読み取り可能な領域の全面にフロントマスクが形成される。又、リード前の、目的アドレスへの回転待ち中等の、目的アドレスへのシーク動作中に同時にフロントマスクの形成を行うことで、スループットの低下を極力避けることができる。ＩＤ（アドレス）リード時やシーク時にも光磁気ディスク７２に光ビームを照射しており、これによるフロントマスクの崩壊が懸念されるが、これらの場合に照射される光ビームは、夫々ＬＤ制御回路２２において光磁気ディスク７２上のピットのデータを読み取ったりサーボ信号の取り込んだりするために必要なパワーに制御されている。このため、ＩＤリード時やシーク時における光ビームは、データ信号を読み取る光ビームと比べるとパワーは弱く、例えば１／４以下であるため、リアマスクを形成してフロントマスクを崩壊させる程の光ビームが光磁気ディスク７２に照射されることはない。
先ず、本実施例の動作の理解が容易となるように、従来の記憶装置のリード時の動作を、図６と共に説明する。図６は、従来の記憶装置のリード時の動作を説明するタイムチャートであり、記憶装置の主な動作、レーザダイオード３０−１に対応するレーザダイオードの発光パワー（レーザパワー）及びバイアスコイル１４４に対応するバイアスコイルで構成される電磁石が発生する磁場を示す。Ｐｒはリードパワーを示し、ＩＤ＿ＰｒはＩＤ（アドレス）リード時のリードパワーを示す。記憶装置は、リードコマンドをホスト装置から受信すると、レーザパワーを初期状態からＩＤ＿Ｐｒに上げてＩＤをリードして、光ビームのスポット（レーザースポット）が現在光磁気ディスク上のどの位置にあるかを認識する。又、指定されたリードアドレスまでの光ビームスポットの移動制御量、即ち、現在の位置からの物理トラック数及びシーク方向（外側か内側か）を計算し、リードアドレスのトラックへシークし、ＩＤをリードし、指定されたリードアドレスを探す。一致するアドレスがあれば、レーザパワーをＩＤ＿ＰｒからＰｒへ上げると共に発生磁場をオフ状態からＨｒ＝Ｈｆｒｏｎｔへ上げてデータをリードする。リードの後、レーザパワーをＰｒから初期状態へ下げると共に発生磁場をＨｒ＝Ｈｆｒｏｎｔからオフ状態へ下げて、リードされたデータをホスト装置へ通知する。
図７は、記憶装置の第１実施例のリード時の動作を説明するタイムチャートであり、記憶装置の主な動作、レーザダイオード３０−１の発光パワー（レーザパワー）及びバイアスコイル１４４で構成される電磁石４４が発生する磁場を示す。Ｐｒはリードパワーを示し、ＩＤ＿ＰｒはＩＤ（アドレス）リード時のリードパワーを示す。記憶装置は、リードコマンドをホストから受信すると、レーザパワーを初期状態からＩＤ＿Ｐｒに上げてＩＤをリードして、レーザースポットが現在光磁気ディスク７２上のどの位置にあるかを認識する。この時、電磁石４４は、図６に示す従来の場合にはオフであるが、本実施例ではオフ状態からフロントマスクが形成できるくらいの磁場、即ち、Ｈｆｒｏｎｔ以上の磁場へ上げて、光磁気ディスク７２上の読み取り可能な領域の全面にフロントマスクを形成する。ただし、光磁気ディスク７２が１回転以上する間（１周以上）磁場を発生させた後には、電磁石４４をオフとしても良い。
又、指定されたリードアドレスまでの光ビームスポットの移動制御量、即ち、現在の位置からの物理トラック数及びシーク方向（外側か内側か）を計算し、リードアドレスのトラックへシークし、ＩＤをリードし、指定されたリードアドレスを探す。一致するアドレスがあれば、レーザパワーをＩＤ＿ＰｒからＰｒへ上げると共に発生磁場をＨｆｒｏｎｔからＨｒへ下げてデータをリードする。リードの後、レーザパワーをＰｒから初期状態へ下げると共に発生磁場をＨｒからオフ状態へ下げて、リードされたデータをホスト装置へ通知する。
図８は、記憶装置の第１実施例の変形例のリード時の動作を説明するタイムチャートであり、記憶装置の主な動作、レーザダイオード３０−１の発光パワー（レーザパワー）及びバイアスコイル１４４で構成される電磁石４４が発生する磁場を示す。Ｐｒはリードパワーを示し、ＩＤ＿ＰｒはＩＤ（アドレス）リード時のリードパワーを示す。本変形例では、図７の場合と異なり、ＩＤリード、シーク及びＩＤリードの動作時間の合計が、光磁気ディスク７２の１周に対してフロントマスクを形成する時間より短い。つまり、図８に示すように、光磁気ディスク７２の１周に対してフロントマスクを形成した後、ＩＤリードで所定のアドレスでデータリードし始める。
つまり、ＩＤをリードし、指定されたリードアドレスを探す間に、発生磁場をＨｆｒｏｎｔからオフ状態に下げ、一致するアドレスがあれば、レーザパワーをＩＤ＿ＰｒからＰｒへ上げると共に発生磁場をオフ状態からＨｒへ上げてデータをリードする。リードの後、レーザパワーをＰｒから初期状態へ下げると共に発生磁場をＨｒからオフ状態へ下げて、リードされたデータをホスト装置へ通知する。
本実施例においては、光磁気ディスク７２上の読み取り可能な領域の全面にフロントマスクを形成するために、光磁気ディスク７２の１周以上に対してフロントマスクを形成するための時間を管理する必要があり、この時間の管理は、ＤＳＰ１６で行われる。しかし、この時間の管理は、ＤＳＰ１６以外で行っても良く、例えば時間の管理専用のフロントマスク遅延回路を設けても良い。
次に、本発明になる記憶装置の第２実施例を説明する。記憶装置の第２実施例では、本発明がＤ−ＲＡＤ媒体である光磁気ディスクを用いる光磁気ディスク装置に適用されている。又、記憶装置の第２実施例は、本発明になる光磁気再生方法の第２実施例を採用する。
図９は、記憶装置の第２実施例の要部を示すブロック図である。又、図１０は、記憶装置の第２実施例の動作を説明するタイムチャートである。本実施例においては、光磁気ディスク７２の１周以上に対してフロントマスクを形成するための時間を管理するために、専用のフロントマスク遅延回路が設けられている点が上記第１実施例と異なる。図９中、図３と同一部分には同一符号を付し、その説明は省略する。
図９において、フロントマスク遅延管理９０は、ＤＳＰ１６及びスピンドルモータ４０に接続されている。光磁気ディスク装置は、Ｉ／Ｆ１７を介してホスト装置よりコマンドが受信する。ＯＤＣ１４は、受信コマンドをデコードし、ライト時には、ライトチャネル２０ａを介してレーザダイオードユニット３０のレーザダイオード３０−１を制御して光磁気ディスク７２にライトデータを書き込む。他方、リード時には、ＯＤＣ１４は、レーザダイオードユニットのモニタ用ディテクタ３０−２により読み取ったリードデータをリードチャネル２０ｂ及びＩ／Ｆ１７を介してホスト装置に通知する。ライトチャネル２０ａ及びリードチャネル２０ｂは、図３に示すリード／ライトＬＳＩ回路２０を構成する。ＤＳＰ１６は、ドライバ６６を介してＶＣＭ６８を制御してシークを行わせ、ドライバ５８を介してフォーカスアクチュエータ６０を制御して光磁気ディスク７２上の光ビームのフォーカスを合わせる。ＤＳＰ１６は、光磁気ディスク７２を回転させるスピンドルモータ４０と光磁気ディスク７２に磁場を印加するバイアスコイル１４４を夫々ドライバ３８，４２を介して制御する。
フロントマスク遅延回路９０は、ＤＳＰ１６から発行される図１０に示す如きフロントマスクスタート信号ｆｍｓと、スピンドルモータ４０の１回転に１発発行される図１０に示す如きスピンドルモータインデックス信号ｓｍｉに基づき、図１０に示す如きフロントマスクイネーブル信号ｆｍｅを生成し、ＤＳＰ１６に通知する。ＤＳＰ１６は、ドライバ４２及びバイアスコイル１４４を介して電磁石４４に磁場を発生させて、フロントマスクを形成させる。
上記の如き制御は、ＲＯＭ１８ｂに書かれたプログラムでＭＰＵ１２により行われる。ＲＡＭ１８ａは、演算結果を一時格納したり設定値を格納する。ＲＡＭ１８ａ及びＲＯＭ１８ｂは、図３に示すメモリ１８を構成する。不揮発性ＲＡＭの部分とＲＯＭの部分を、フラッシュメモリ（Ｆｌａｓｈ  Ｍｅｍｏｒｙ）に置き換えても良い。
図１０のタイムチャートに示すように、ＤＳＰ１６からフロントマスクスタート信号ｆｍｓの立ち上がりからスピンドルモータインデックス信号ｓｍｉの２発目までをフロントマスクイネーブル信号ｆｍｅとし、ＤＳＰ１６においてＨｆｒｏｎｔ以上の磁場Ｈをフロントマスクイネーブル信号ｆｍｅと同期させれば、確実に光磁気ディスク７２の１周以上に対して磁場Ｈｆｒｏｎｔが形成される。
ところで、上記第１及び第２実施例では、電気的にバイアスコイル１４４により構成される電磁石４４が発生する磁場を制御しているが、電磁石４４のコアの形状、透磁率や光ビームに対する配置を変更することで発生する磁場を制御することも可能である。つまり、電磁石４４のコアの形状、透磁率や配置により、フロントマスク側が高磁場となるようにすることも可能である。
図１１は、上記第１及び第２実施例で用いるバイアスコイル１４４を説明する図であり、同図（ａ）は断面図、同図（ｂ）は磁場特性を示す図である。図１１（ａ）中、光磁気ディスク７２の回転方向とは、光磁気ディスク７２の光ビームＬＢに対する相対移動方向に対応する。図１１（ｂ）中、縦軸はバイアスコイル１４４により構成される電磁石４４が発生する磁場Ｈを示し、横軸は光磁気ディスク７２の円周方向上、即ち、トラック方向上の位置を示す。図１２は、図１１に示すバイアスコイル１４４の斜視図である。図１１及び図１２中、図５と同一部分には同一符号を付し、その説明は省略する。又、図１１及び図１２中、ＬＢは光磁気ディスク７２上に照射される光ビームを示す。
図１１（ａ）に示すように、バイアスコイル１４４は、コア１４５に巻かれており、コア１４５の部分が光磁気ディスク７２の面と平行になる。このため、磁場Ｈは、図１１（ｂ）に示すように、コア１４５に対応する部分が平坦にＨｒとなる。リード時には、上記の如く、Ｈｒ＞Ｈｆｒｏｎｔの磁場Ｈが必要となる。
次に、本発明になる記憶装置の第３実施例を図１３〜図２０と共に説明する。記憶装置の第３実施例の基本構成は、上記第１実施例又は第２実施例と同じであるため、その図示及び説明は省略する。記憶装置の第３実施例では、本発明がＤ−ＲＡＤ媒体である光磁気ディスクを用いる光磁気ディスク装置に適用されている。又、記憶装置の第３実施例は、本発明になる光磁気再生方法の第３実施例を採用する。
上記第１及び第２実施例では、予め光磁気ディスク７２の１周以上、即ち、光磁気記憶媒体の記録面の全面に対してフロントマスクを形成してから、Ｈｆｒｏｎｔ＞Ｈｒ＞Ｈｒｅａｒなる関係を満足するように再生を行なう。これに対し、第３実施例では、予め光磁気ディスク７２の１周以上に対してフロントマスクを形成するのではなく、光ビームが当たる前にＨｒ＞Ｈｆｒｏｎｔを満足する磁場Ｈｒを印加することでフロントマスクを形成し、光ビームの当たる部分でＨｆｒｏｎｔ＞Ｈｒ＞Ｈｒｅａｒなる関係を満足するように再生を行なう。
図１３は、第３実施例で用いるバイアスコイル１４４の第１実施例を説明する図であり、同図（ａ）は断面図、同図（ｂ）は磁場特性を示す図である。図１３（ａ）中、光磁気ディスク７２の回転方向とは、光磁気ディスク７２の光ビームＬＢに対する相対移動方向に対応する。図１３（ｂ）中、縦軸はバイアスコイル１４４により構成される電磁石４４が発生する磁場Ｈを示し、横軸は光磁気ディスク７２の円周方向上の位置、即ち、トラック方向上の位置を示す。図１４は、図１３に示すバイアスコイル１４４の斜視図である。図１３及び図１４中、図１１及び図１２と同一部分には同一符号を付し、その説明は省略する。
図１３（ａ）に示すように、バイアスコイル１４４は、コア１４５−１に巻かれており、コア１４５−１の光磁気ディスク７２と対向する部分が、光磁気ディスク７２の面に対して斜めである。コア１４５−１の光磁気ディスク７２と対向する部分の傾斜は、光磁気ディスク７２の回転方向上、光磁気ディスク７２の面からの距離が連続的に増加するように設定されている。コア１４５−１の部分が光磁気ディスク７２から離れる程、漏れ磁場がふえて磁場Ｈが低下するので、磁場Ｈは図１３（ｂ）に示す如き分布となり、Ｈｒより大きな磁場Ｈｒｈの部分が得られる。
図１５は、第３実施例で用いるバイアスコイル１４４の第２実施例を説明する図であり、同図（ａ）は断面図、同図（ｂ）は磁場特性を示す図である。図１５（ａ）中、光磁気ディスク７２の回転方向とは、光磁気ディスク７２の光ビームＬＢに対する相対移動方向に対応する。図１５（ｂ）中、縦軸はバイアスコイル１４４により構成される電磁石４４が発生する磁場Ｈを示し、横軸は光磁気ディスク７２の円周方向上の位置、即ち、トラック方向上の位置を示す。図１６は、図１５に示すバイアスコイル１４４の斜視図である。図１５及び図１６中、図１１及び図１２と同一部分には同一符号を付し、その説明は省略する。
図１５（ａ）に示すように、バイアスコイル１４４は、コア１４５−２に巻かれており、コア１４５−２の光磁気ディスク７２と対向する部分が、光磁気ディスク７２の面に対して階段状である。コア１４５−１の光磁気ディスク７２と対向する部分の階段形状は、光磁気ディスク７２の回転方向上、光磁気ディスク７２の面からの距離が段階的に増加するように設定されている。コア１４５−２の部分が光磁気ディスク７２から離れる程、漏れ磁場がふえて磁場Ｈが低下するので、磁場Ｈは図１５（ｂ）に示す如き分布となり、Ｈｒより大きな磁場Ｈｒｈの部分が得られる。
図１７は、第３実施例で用いるバイアスコイル１４４の第３実施例を説明する図であり、同図（ａ）は断面図、同図（ｂ）は磁場特性を示す図である。図１７（ａ）中、光磁気ディスク７２の回転方向とは、光磁気ディスク７２の光ビームＬＢに対する相対移動方向に対応する。図１７（ｂ）中、縦軸はバイアスコイル１４４により構成される電磁石４４が発生する磁場Ｈを示し、横軸は光磁気ディスク７２の円周方向上の位置、即ち、トラック方向上の位置を示す。図１８は、図１７に示すバイアスコイル１４４の斜視図である。図１７及び図１８中、図１１及び図１２と同一部分には同一符号を付し、その説明は省略する。
図１７（ａ）に示すように、バイアスコイル１４４は、コア１４５に巻かれており、コア１４５の光磁気ディスク７２と対向する回転方向側の部分には、磁場Ｈの遮蔽板１４６が設けられている。遮蔽板１４６の回転方向上の幅は、図１７（ｂ）の如き電磁石４４が発生するべき磁場Ｈに応じて設定すれば良い。遮蔽板１４６は、コア１４５に接着されていても、塗布されていても良い。この遮蔽板１４６を設けることにより、透磁率を制御して、回転方向側の磁場Ｈを下げることができるので、磁場Ｈは図１７（ｂ）に示す如き分布となり、Ｈｒより大きな磁場Ｈｒｈの部分が得られる。つまり、遮蔽板１４６を設けることにより、コア１４５の光磁気ディスク７２と対向する部分が、光磁気ディスク７２の回転方向上、光磁気ディスク７２の面からの距離が段階的に増加するような形状を有する場合と同様の効果を得ることができる。遮蔽板１４６は、磁界の全てをシールドするものでなく、空気の透磁率よりも低い物を使用すれば良い。
図１９は、第３実施例で用いるバイアスコイル１４４の第４実施例を説明する図であり、同図（ａ）は断面図、同図（ｂ）は磁場特性を示す図である。図１９（ａ）中、光磁気ディスク７２の回転方向とは、光磁気ディスク７２の光ビームＬＢに対する相対移動方向に対応する。図１９（ｂ）中、縦軸はバイアスコイル１４４により構成される電磁石４４が発生する磁場Ｈを示し、横軸は光磁気ディスク７２の円周方向上の位置、即ち、トラック方向上の位置を示す。図２０は、図１９に示すバイアスコイル１４４の斜視図である。図１９及び図２０中、図１１及び図１２と同一部分には同一符号を付し、その説明は省略する。
図１９（ａ）に示すように、バイアスコイル１４４は、コア１４５に巻かれており、コア１４５の光磁気ディスク７２と対向する部分は、光ビームの照射位置に対して回転方向とは反対方向側にずらして配置されている。コア１４５の中心部が光磁気ディスク７２の光ビームの照射位置と対向しないようにすることにより、光ビームの照射位置での磁場Ｈを下げることができるので、磁場Ｈは図１９（ｂ）に示す如き分布となり、Ｈｒより大きな磁場Ｈｒｈの部分が得られる。
このように、図１１及び図１２に示すバイアスコイル１４４では、第１実施例又は第２実施例のような電気的な制御を行うことでＨｒ＞Ｈｆｒｏｎｔを実現する。これに対し、図１３〜図２０に示すバイアスコイル１４４を用いた電磁石４４では、フロントマスクを形成する磁場Ｈｆｒｏｎｔと、再生磁場Ｈｒと、リアマスクを形成する磁場Ｈｒｅａｒを、コア１４５−１，１４５−２の形状、又は、透磁率、又は、光ビームの照射位置に対するコア１４５の配置により制御して、光ビームが当たる前で磁場ＨｒｈがＨｒｈ＞Ｈｆｒｏｎｔなる関係を実現し、且つ、Ｈｆｒｏｎｔ＞Ｈｒ＞Ｈｒｅａｒなる関係を実現し、再生磁場Ｈｒを下げることで隣接トラックからのクロストークを低減することが可能となる。
通常、１．３ＭＢのＤ−ＲＡＤ光磁気ディスクの場合、Ｈｆｒｏｎｔ＝１８〜２９ｋＡ／ｍ，Ｈｒｅａｒ＝１０〜２２ｋＡ／ｍ程度である。図１３から図２０と共に説明したバイアスコイル１４４により構成される電磁石４４の場合、単純にＨｒｈ＞Ｈｒとなるような設定であっても、本発明の効果はある程度は期待できる。しかし、使用する光磁気ディスクに対するＨｆｒｏｎｔ／Ｈｒｅａｒの最大値を実測又は計算により求め、Ｈｆｒｏｎｔ／Ｈｒｅａｒ（最大値）＝Ｈｒｈ／Ｈｒとなるような設定とすれば、最適な磁場分布を実現できる。これは、Ｈｆｒｏｎｔ／Ｈｒｅａｒが最大となるような設定とすれば、テストライトリードで再生磁場を設定したときに、光ビームスポットでの再生磁場ＨｒがＨｒ＝Ｈｒｅａｒとなり、Ｈｒｅａｒに依存するようになるからである。従って、Ｈｒｈ＞Ｈｆｒｏｎｔであるが、光ビームが当たる温度上昇が生じる前の状態なので、Ｈｒｈ（初期化磁場）は大きくてもリードデータが書き換えられるような二次障害は発生しない。
上記各実施例によれば、再生磁場Ｈｒが抑えられ、初期化用に磁石を使用する従来の第１及び第２の方法の代替え手段として使用でき、又、部品点数が増えないため、より安価に記憶装置を構成できる。
尚、上記第１及び第２実施例では、本発明を用いない場合と比較すると数十ゲートのロジックの追加になるが、ロジック系はＬＳＩ化されているため、ＬＳＩを設計し直すだけで、コストの増大にはつながらない。
図２１は、現在市販されている、１．３ＧＢ光磁気ディスクよりトラックピッチを狭くした光磁気ディスク７２を使用して、上記第１実施例の再生特性を測定した結果を示す図である。同図中、縦軸はビットエラーレート（ｂＥＲ）、横軸はリードパワー（リード時のレーザパワー）Ｐｒを示す。測定の対象となる測定トラックと隣接するトラックに、測定トラックとは異なるパターンを書き込んでおき、測定トラックを再生した場合の、測定トラックのＰｒ依存性を磁場Ｈｒ＝Ｈｆｒｏｎｔで測定したものが▲印（Ｈｒ≒３６ｋＡ／ｍ）で示され、磁場Ｈｆｒｏｎｔで初期化した後に磁場Ｈｒ＝Ｈｒｅａｒで測定したＰｒ依存性が●印（Ｈｒ≒１６ｋＡ／ｍ）で示されている。測定トラックを再生した際のビットエラーレートｂＥＲから、隣接トラックからのクロストークの影響を知ることができる。図２１からもわかるように、磁場Ｈｒを下げることにより、ビットエラーレートｂＥＲが低くなり、クロストークの影響が少なくなるので良い条件での再生が可能となることがわかる。従って、クロストークの悪影響を抑制してトラックピッチを狭くすることが可能となり、高い信頼性を保ちつつ記録容量の拡大が可能となる。
クロストークは、光ビームのリードパワーＰｒと光ビームの当たっている部分の再生磁場Ｈｒにより影響される。クロストークは、図２１からもわかるように、リードパワーＰｒが大きければ大きい程、又、再生磁場Ｈｒが大きければ大きい程、大きくなりビットエラーレートｂＥＲを悪化させる。このため、本来であればＨｒ＝Ｈｒｅａｒが望ましいが、従来例では１つの電磁石によりフロントマスク及びリアマスクを形成しなければならないために、必然的にＨｒ＝Ｈｆｒｏｎｔとなってしまい、図２１中▲印で示す如き測定結果となってしまう。これに対して、本発明ではフロントマスクを形成しておいてから再生するので、Ｈｒ＝Ｈｒｅａｒで良く、図２１中●印で示す如き測定結果となる。
つまり、光ビームの当たっている部分の開口部（アパーチャ）の大きさによる影響で、リードパワーＰｒが大きければ大きい程、且つ、光ビームの当たっている部分の再生磁場Ｈｒが大きければ大きい程、開口部が大きくなる。開口部が大きくなりすぎると、本来再生するべき目的トラックに隣接するトラックのデータまで読み取られてしまう。このため、図２１中▲印で示す如き測定結果は、●印で示す如き測定結果と比べると、光ビームの当たる部分での再生磁場Ｈｒが大きく開口部が隣接トラックまで達しているため、隣接トラックの影響を受けてビットエラーレートｂＥＲが悪化している。
言い換えると、本発明では、磁場Ｈｆｒｏｎｔを発生させてフロントマスクを目的トラック及びその隣接トラックに対しても形成しておき、再生時にはＨｒ＜Ｈｆｒｏｎｔなる小さな再生磁場Ｈｒで再生することで、クロストークの悪影響を抑制している。
上記各実施例では、磁界発生部が電磁石の場合について説明したが、磁界発生部の構成はこれに限定されるものではない。例えば、互いに異なる強度の磁場を発生する２つの永久磁石を用いて、スライダ機構や回転機構等の移動機構によりフロントマスク形成用と再生磁場発生用の永久磁石を切り替えて使用可能とする構成を用いることも可能である。
尚、本発明は、上記実施例に限定されるものではなく、本発明の範囲内で種々の改良及び変更が可能であることは、言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
図１は従来の光磁気記憶媒体の原理を説明する図、
図２はＤ−ＲＡＤ媒体における再生磁場とビットエラーレートの関係を示す図、
図３は本発明になる記憶装置の第１実施例の構成を示すブロック図、
図４はエンクロージャの概略構成を示す断面図、
図５は記憶装置の第１実施例の要部を示す図、
図６は従来の記憶装置のリード時の動作を説明するタイムチャート、
図７は記憶装置の第１実施例のリード時の動作を説明するタイムチャート、
図８は記憶装置の第１実施例の変形例のリード時の動作を説明するタイムチャート、
図９は本発明になる記憶装置の第２実施例の要部を示すブロック図、
図１０は記憶装置の第２実施例の動作を説明するタイムチャート、
図１１は第１及び第２実施例で用いるバイアスコイルを説明する図、
図１２は図１１に示すバイアスコイルの斜視図、
図１３は第３実施例で用いるバイアスコイル第１実施例を説明する図、
図１４は図１３に示すバイアスコイルの斜視図、
図１５は第３実施例で用いるバイアスコイル第２実施例を説明する図、
図１６は図１５に示すバイアスコイルの斜視図、
図１７は第３実施例で用いるバイアスコイル第３実施例を説明する図、
図１８は図１７に示すバイアスコイルの斜視図、
図１９は第３実施例で用いるバイアスコイル第４実施例を説明する図、
図２０は図１９に示すバイアスコイルの斜視図、
図２１は第１実施例の再生特性を測定した結果を示す図である。
【図１】
2003060898.tif 000003
【図２】
2003060898.tif 000004
【図３】
2003060898.tif 000005
【図４】
2003060898.tif 000006
【図５】
2003060898.tif 000007
【図６】
2003060898.tif 000008
【図７】
2003060898.tif 000009
【図８】
2003060898.tif 000010
【図９】
2003060898.tif 000011
【図１０】
2003060898.tif 000012
【図１１】
2003060898.tif 000013
【図１２】
2003060898.tif 000014
【図１３】
2003060898.tif 000015
【図１４】
2003060898.tif 000016
【図１５】
2003060898.tif 000017
【図１６】
2003060898.tif 000018
【図１７】
2003060898.tif 000019
【図１８】
2003060898.tif 000020
【図１９】
2003060898.tif 000021
【図２０】
2003060898.tif 000022
【図２１】
2003060898.tif 000023
【国際調査報告】
2003060898.tif 000024
2003060898.tif 000025