【事件の表示】
　特願２００１−１７１３６８「アモルファスカーボン層の堆積方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１４年　７月１０日出願公開、特開２００２−１９４５４７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１３年６月６日（パリ条約による優先権主張　２０００年６月８日　米国（ＵＳ））の出願であって、平成２３年１２月８日付けで拒絶査定がされ、これに対して、平成２４年３月２６日に審判請求がされるとともに、明細書の特許請求の範囲についての手続補正がされたものである。
　その後、当審において、同年６月１２日付けで前置報告書に基づく審尋がされ、同年８月２１日付けで回答書が提出されている。
　
第２　本願発明
　本願の発明は、平成２４年３月２６日付けの手続補正により補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１〜１５に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、次のとおりのものである。
　
　「ダマシン構造を作製する方法であって、
　基板上に４．５未満の誘電率を有する誘電層を形成するステップと、
　　堆積チャンバ内に基板を配置し、
　　堆積チャンバ内の圧力を１から２０Ｔｏｒｒの圧力に維持し、
　　炭化水素化合物と不活性ガスを含むガス混合物を堆積チャンバに供給し、
　　ガス混合物を加熱して、ガス混合物の炭化水素化合物を熱分解することで、
　誘電層上にアモルファスカーボン層を形成するステップと、
　アモルファスカーボン層をパターニングしてコンタクト又はバイアを形作るステップと、
　アモルファスカーボン層中に形成されたパターンを、誘電層に転写し、その中にコンタクト又はバイアを形成するステップと、
　パターニングされた誘電層から、アモルファスカーボン層を除去するステップと、
　誘電層中に形成されたコンタクト又はバイアを導電性材料で充填するステップと
を有する方法。」
　　
第３　原査定の拒絶理由の概要  
　原査定の拒絶理由の概要は、本願発明は、その優先権主張の前に日本国内又は外国において頒布された刊行物である以下の引用文献１〜４に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない、というものである。
　
　＜引用文献＞
１．特開平９−４５６３３号公報
２．国際公開第００／５７６３号
３．特開平１１−８２４８号公報
４．略
　
第４　当審の判断
１　引用文献１の記載事項
 ［１ａ］「【請求項１】（ａ）下層絶縁膜の上にアモルファスカーボン薄膜を形成する工程と、（ｂ）該アモルファスカーボン薄膜上にフォトレジスト薄膜を形成する工程と、（ｃ）フォトリソのパターニングを行い、前記フォトレジスト薄膜をマスクに前記アモルファスカーボン薄膜をエッチングし、そのパターニングされたアモルファスカーボン薄膜とフォトレジスト薄膜をマスクとして前記下層絶縁膜をエッチングしてホールを開口する工程とを施すことを特徴とする半導体集積回路装置の微細ホールの形成方法。」
　
 ［１ｂ］「【００２０】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照しながら詳細に説明する。図１は本発明の第１実施例を示す微細コンタクトホールの形成工程断面図（その１）、図２はその微細コンタクトホールの形成工程断面図（その２）である。
（ａ）まず、図１（ａ）に示すように、アクティブ領域やフィールド領域（フィールド酸化膜）２１、ゲート２２が形成された基板２０上に、ＣＶＤ酸化膜２３を３０００Å〜８０００Å生成する。
【００２１】（ｂ）次に、図１（ｂ）に示すように、そのＣＶＤ酸化膜２３上にアモルファスカーボン薄膜２４を１００Å〜８００Å形成する。このアモルファスカーボン薄膜２４はスパッタ法或いはＣＶＤ法のどちらを用いてもよい。
（ｃ）次に、図１（ｃ）に示すように、フォトリソ工程に入り、パターニングのためのフォトレジスト薄膜２５を、３０００Å〜６０００Åの膜厚でアモルファスカーボン薄膜２４上に塗布する。ここでフォトレジスト薄膜２５の厚さを出来るだけ薄くすることが重要である。
【００２２】（ｄ）次に、図１（ｄ）に示すように、露光機（ステッパー）でフォトマスクを用いて必要な露光を行い、現像処理してフォトレジスト薄膜２５の不要な部分を除去し、開口２６を形成する。
（ｅ）次に、図２（ａ）に示すように、前記フォトレジストパターンをマスクとして、アモルファスカーボン薄膜２４をプラズマドライエッチング装置でエッチング処理し、不要な部分を除去して開口２７を形成する。
【００２３】（ｆ）次に、図２（ｂ）に示すように、ＣＶＤ酸化膜２３のエッチングを、やはりプラズマドライエッチング装置を用いてエッチング処理し、不要な部分を除去して開口２８を形成する。
（ｇ）次に、図２（ｃ）に示すように、不要となったフォトレジスト薄膜（マスク）及び、アモルファスカーボン薄膜２４をアッシング・洗浄除去することにより、微細コンタクトホール２９が形成される。アモルファスカーボン薄膜２４は従来のアッシング及び洗浄でレジストと同時に除去することが可能である。　
【００２４】このように構成したので、第１実施例によれば、ＣＶＤ酸化膜２３上にアモルファスカーボン薄膜２４を形成し、フォトレジスト膜厚を従来に比較して大幅に薄膜化した。これは、従来フォトレジストはＣＶＤ酸化膜をエッチングするためのマスクとして、ある程度の厚さが必要であったが、本発明ではレジストマスクはアモルファスカーボン薄膜２４のエッチングに耐え得る膜厚があればよい。それはアモルファスカーボン薄膜２４の耐エッチング性がレジストより数倍大きく、ＣＶＤ酸化膜２３のエッチング時はそのアモルファスカーボン薄膜２４がエッチングマスクとして大きな効果があるため、レジストの膜厚は薄くてよい。」
　
［１ｃ］「【００２５】このようにレジストの薄膜化を可能としたことで、エッチングアスペクト比が低下することになり、ＣＶＤ酸化膜のエッチングが容易になり、エッチングマージンの拡大が期待される。更に、レジストを薄膜化することでフォトパターンの解像力を向上することが可能となり、微細パターン形成のためのフォトリソマージンを拡大することが期待される。
【００２６】また、アモルファスカーボン薄膜は表面反射率が低いため、これによってもフォトリソマージンを拡大することが期待される。」
　
［１ｄ］「【００４０】…これまでの実施例ではアクティブ領域やゲートへのメタル配線接続のためのいわゆるコンタクトホール形成の場合について述べてきたが、本発明は、メタル配線とメタル配線を接続するためのいわゆるスルーホールの形成にも応用可能である。」
　　
２　引用発明
ア　引用文献１には、［１ａ］に記載の「（ａ）下層絶縁膜の上にアモルファスカーボン薄膜を形成する工程と、（ｂ）該アモルファスカーボン薄膜上にフォトレジスト薄膜を形成する工程と、（ｃ）フォトリソのパターニングを行い、前記フォトレジスト薄膜をマスクに前記アモルファスカーボン薄膜をエッチングし、そのパターニングされたアモルファスカーボン薄膜とフォトレジスト薄膜をマスクとして前記下層絶縁膜をエッチングしてホールを開口する工程とを施すことを特徴とする半導体集積回路装置の微細ホールの形成方法。」について、［１ｂ］には、下層絶縁膜は「ＣＶＤ酸化膜」であり、アモルファスカーボン薄膜は、「スパッタ法或いはＣＶＤ法」を用いて形成されるものであり、（ｃ）工程は、パターニングされたフォトレジスト薄膜をマスクとしてアモルファスカーボン薄膜をエッチングしパターニングする工程と、アモルファスカーボン薄膜とフォトレジスト薄膜をマスクとして下層絶縁膜をエッチングしてホールを開口する工程であり、この（ｃ）工程の後に、不要となったフォトレジスト薄膜及びアモルファスカーボン薄膜をアッシング・洗浄除去して微細コンタクトホールを形成する方法であることが記載されている。
　そして、［１ｄ］の記載によると、このコンタクトホールは、「アクティブ領域やゲートへのメタル配線接続」や、「メタル配線とメタル配線を接続する」ために用いられるものである。
　
　以上によると、引用文献１には、以下の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　
　「半導体集積回路装置の配線接続のためのコンタクトホールを形成する方法であって、
　基板上に下層絶縁膜であるＣＶＤ酸化膜を形成する工程と、
　その下層絶縁膜上にＣＶＤ法又はスパッタ法でアモルファスカーボン薄膜を形成する工程と、
　該アモルファスカーボン薄膜上にフォトレジスト薄膜を形成し、
　フォトリソのパターニングを行い、前記フォトレジスト薄膜をマスクとして前記アモルファスカーボン薄膜をエッチングし、パターニングする工程と、
　そのパターニングされたアモルファスカーボン薄膜とフォトレジスト薄膜をマスクとして前記下層絶縁膜をエッチングしてコンタクトホールを開口する工程と
　フォトレジスト膜とアモルファスカーボン薄膜をアッシング・洗浄除去する工程を有する方法。」
　
３　本願発明と引用発明との対比
　本願発明を特定する事項である「ダマシン法」とは、半導体集積回路装置において、層間絶縁層に形成された孔又は溝を導電性材料で埋め込み、余分な導電性材料を化学機械研磨（ＣＭＰ）で除去して孔又は溝内に配線を形成する方法であるところ、引用発明は、「層間絶縁層」の第１層である「下層絶縁膜」にコンタクトホールを形成する方法の発明であるから、本願発明における「ダマシン構造を作製する方法」のうち、「誘電層を形成するステップ」と「誘電層…の中にコンタクト又はバイアを形作るステップ」を有する点で本願発明と一致する。
　そして、引用発明の「基板上に下層絶縁膜…を形成する工程」は、本願発明の「基板上に…誘電層を形成するステップ」に相当し、引用発明の「下層絶縁膜上に…アモルファスカーボン薄膜を形成する工程」は、アモルファスカーボン薄膜を堆積するための装置内に基板を配置するステップを含むことが明らかであるから、本願発明の「堆積チャンバ内に基板を配置し、…誘電層上にアモルファスカーボン層を形成するステップ」に相当し、以下、同様に「該アモルファスカーボン薄膜上にフォトレジスト薄膜を形成し、フォトリソのパターニングを行い、前記フォトレジスト薄膜をマスクとして前記アモルファスカーボン薄膜をエッチングし、パターニングする工程」は、「アモルファスカーボン層をパターニングしてコンタクト又はバイアを形作るステップ」に、「そのパターニングされたアモルファスカーボン薄膜とフォトレジスト薄膜をマスクとして前記下層絶縁膜をエッチングしてコンタクトホールを開口する工程」は、「アモルファスカーボン層中に形成されたパターンを、誘電層に転写し、その中にコンタクト又はバイアを形成するステップ」に、「フォトレジスト膜とアモルファスカーボン薄膜をアッシング・洗浄除去する工程」は、「パターニングされた誘電層から、アモルファスカーボン層を除去するステップ」に相当する。
　
　したがって、本願発明と引用発明とは、以下の点で一致し、以下の相違点を有する。
　
　＜一致点＞
　「基板上に誘電層を形成するステップと、
  　堆積チャンバ内に基板を配置し、
　誘電層上にアモルファスカーボン層を形成するステップと、
　アモルファスカーボン層をパターニングしてコンタクト又はバイアを形作るステップと、
　アモルファスカーボン層中に形成されたパターンを、誘電層に転写し、その中にコンタクト又はバイアを形成するステップと、
　パターニングされた誘電層から、アモルファスカーボン層を除去するステップと
を有する方法。」
　
　＜相違点＞
　相違点１：本願発明は、「ダマシン構造を作製する方法」であって、「誘電層中に形成されたコンタクト又はバイアを導電性材料で充填するステップ」を有するのに対して、引用発明は、コンタクトホールを導電性材料で埋め込み、余分な導電性材料を化学機械研磨（ＣＭＰ）で除去してコンタクトホールを充填するステップを有するのか不明である点
　相違点２：本願発明は、層間絶縁層が「４．５未満の誘電率を有する誘電層」であるのに対して、引用発明は、ＣＶＤ酸化膜である点
　相違点３：本願発明は、誘電層上にアモルファスカーボン層を形成するステップが、
 「堆積チャンバ内の圧力を１から２０Ｔｏｒｒの圧力に維持し、
　炭化水素化合物と不活性ガスを含むガス混合物を堆積チャンバに供給し、
　ガス混合物を加熱して、ガス混合物の炭化水素化合物を熱分解する」ことによるのに対して、引用発明は、ＣＶＤ法又はスパッタ法による点
　
４　相違点についての判断
（１）相違点１について
　引用文献２の明細書第１頁第２３−３９行、Ｆｉｇ．１Ａ〜１Ｂには、従来のダマシンプロセスとして、基板１００上の第１絶縁層１０２に形成されたバイア１０４を金属層１０６の堆積により充填した後、化学機械研磨（ＣＭＰ）により平坦化された「プラグ１０８」(埋込構造)をバイア内に形成し、この「プラグ１０８」により内部配線を相互に導電接続することが記載されている。
　そうすると、引用発明においても、コンタクトホールは「配線接続のため」に形成されるのであるから、該コンタクトホールを導電性材料で埋め込み、余分な導電性材料を化学機械研磨（ＣＭＰ）で除去するステップを有するダマシン法を採用することは、当業者が容易になし得ることである。
　
（２）相違点２について
　引用文献２の明細書第５頁第３１行−第６頁第２行、Ｆｉｇ．３Ａ〜３Ｈには、層間絶縁層として、低誘電率を有するフッ化ケイ酸塩ガラス等の材料を使用することが記載されている。
　そして、配線層間の低誘電率絶縁膜として用いられるフッ化ケイ酸塩ガラスの比誘電率が４．５未満であることも、周知の事項である（要すれば、特開平３−９７２４７号公報　第２頁右上欄第１４行−同頁右下欄第５行、特開平８−１１５９７６号公報【００１４】参照）。
　したがって、引用発明において、層間絶縁膜として、比誘電率が４．５未満の誘電率を有するものとすることは、当業者が適宜なし得る材料の変換であるにすぎない。
　
（３）相違点３について
　引用文献３には、【０００１】に記載の「非晶質炭素皮膜を主体とする調整可能でかつ除去可能な反射防止コーティングの製法」について、【００１０】には、「本発明の広義の態様は、光学特性を調整できるａ−Ｃ：Ｘ：Ｈ皮膜（Ｘはフッ素、窒素、酸素、シリコン、またはこれらの組合せ）の気相付着である。」と記載され、この気相付着の態様に関して、【００２０】に「炭化水素、フルオロカーボン、水素、ヘリウム、およびアルゴン・ガスは、最初にアルゴン、水素、炭化水素、フルオロカーボン、およびヘリウムの合計圧力が１ミリトルないし１０００ミリトルになるような十分な流量に設定された、それぞれの流量制御装置を通過させて、チェンバ中に導入する。」と、【００２３】に「基板を約２５ないし４００℃の温度に加熱する」と記載されている。
　そして、図４（ｂ）、図７の記載によると、引用文献３に記載のａ−Ｃ：Ｘ：Ｈ皮膜は、ＡＲＣ（反射防止コーティング）として、層間絶縁層とフォトレジストとの間に設けられ、層間絶縁層にコンタクトホールを形成した後、フォトレジストとともに除去されているから、引用発明と同様の工程に用いられるものである。
　そうすると、引用発明におけるアモルファスカーボン薄膜も、［１ｃ］の記載によると、反射防止という光学特性を有する膜であるから、引用文献３の反射防止コーティングであるａ−Ｃ：Ｘ：Ｈ皮膜（Ｘはフッ素、窒素、酸素、シリコン、またはこれらの組合せ）の製造方法を参酌して、炭化水素、ヘリウム及びアルゴンを含むガス混合物を、堆積チャンバの圧力が１〜１０００ミリトル（０．００１〜１Ｔｏｒｒ）となるように導入し、ガス混合物を基板上で熱分解するＣＶＤ法により形成することは、当業者が容易に想到し得ることであるし、さらに、反射防止性や、除去性の観点から、堆積チャンバの圧力を１Ｔｏｒｒより高い条件に設定してみることも、当業者が適宜なし得る設計的事項である。
　
（４）補足　−　請求人の主張に対して
　なお、相違点３に関して、請求人は、審判請求書において、引用文献３は、「炭化水素、フルオロカーボン、水素、ヘリウム、およびアルゴン・ガスは、合計圧力が１ミリトルないし１０００ミリトルになるような十分な流量」を採用することを開示するから、炭化水素と不活性ガス（ヘリウム及びアルゴン）のみを用いて１Ｔｏｒｒの圧力を生成するとは理解されない、と主張している。
　しかし、本願発明は、「炭化水素化合物と不活性ガスを含むガス混合物」を用いるものであって、本願明細書【００２６】に記載の「水素（Ｈ2）、窒素（Ｎ2）、アンモニア（ＮＨ3）、又はこれらの化合物を、必要に応じて混合ガスに加えてもよい」のであるから、本願発明を炭化水素と不活性ガスのみを用いて１Ｔｏｒｒの圧力を生成するものと解することは前提において当を得ていない。
　
　また、請求人は、審判請求書において、「ガス混合物の組成の変更は、往々にして堆積チャンバ内の圧力の変化をもたらします。ここで、本願発明は、炭化水素化合物と不活性ガスを含むガス混合物を堆積チャンバに供給して、堆積チャンバ内の圧力を１から２０Ｔｏｒｒの範囲で制御することにより、生成するアモルファスカーボン層の特性を広い範囲で調節することが可能にするという発想に基づいています。本願発明の堆積チャンバ内の圧力範囲で、ガス混合物を堆積チャンバ内に導入することで、所望の特性のアモルファスカーボン層を、高い均一性で、再現性良く形成することができます。」と、本願発明の効果を主張している。
　しかし、本願明細書には、【００２９】〜【００３１】に、炭素：水素比や、堆積温度、混合ガス中の添加物により、アモルファスカーボン層の光学的性質やエッチング選択性を調節できることは記載されているが、堆積チャンバ内の圧力に関しては、【００２８】に、堆積チャンバに応じて適宜変化できるパラメータとして記載されているにすぎず、堆積チャンバ内の圧力を１から２０Ｔｏｒｒの範囲で制御することにより、より低い圧力の場合と比べて、所望の特性のアモルファスカーボン層を、高い均一性で、再現性良く形成することができることが技術常識であるとも認められない。
　したがって、上記の効果に関する主張も受け入れることができない。
　
　さらに、請求人は、回答書において、ガス混合物について、「炭化水素化合物塗布活性ガスからなるガス混合物または、炭化水素化合物と不活性ガスに加え窒素、酸素またはその組合せからなるガス混合物」と限定する旨の補正案を示している。
　しかし、仮に上記の補正案を受け入れたとしても、上記（３）に示す理由により、その発明に進歩性を認めることはできない。
　
（５）小括
　以上のとおりであるから、本願発明は引用発明、及び引用文献２，３に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
第５　むすび
　以上のとおりであるから、本願は、原査定の拒絶理由によって拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。