【事件の表示】
　特願２０１１−　７４３２７「パターン形成方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２３年　７月１４日出願公開、特開２０１１−１３９０９７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯 
　本願は、平成１８年４月２１日（優先権主張：平成１７年４月２５日）に出願した特願２００６−１１７５４９号の一部を平成２３年３月３０日に新たな特許出願としたものであって、平成２４年１０月３１日付け（平成２４年１１月６日：発送日）で拒絶査定がなされ、これに対し、平成２４年１２月２１日に拒絶査定不服審判の請求がなされるとともに、その請求と同時に特許請求の範囲及び明細書を補正する手続補正がなされたものである。
　 　 
第２．平成２４年１２月２１日付けの手続補正についての補正却下の決定 
［補正却下の決定の結論］ 
　平成２４年１２月２１日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）を却下する。 
 　 
［理由］ 
１．補正後の本件発明 
　本件補正は、平成２４年９月１０日付け手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１について、
「　【請求項１】
　基板上にパターンを形成する方法であって、
　前記基板を形成する基材を設ける工程と、
　前記基材の一方の面側に、第１の溝と、第１の溝に連通する第１の受液部とを形成する工程と、
　第１の受液部のみに複数の液滴を着弾させて、第１の受液部に連通する第１の溝に前記第１の溝に発生する毛管力の作用により前記第１の受液部に供給される液体を前記第１の溝に引き込み液体を充填する液体充填工程と、
　前記第１の溝に充填された前記液体を固化させる固化工程と、を含み、
　前記第１の溝の幅は前記液滴の径よりも小さく、
　前記基材の一方の面の撥液性は、前記第１の溝及び前記第１の受液部を画成する面の撥液性よりも高いことを特徴とするパターン形成方法。」
　とあったものを
「　【請求項１】
　基板上にパターンを形成する方法であって、
　前記基板を形成する基材を設ける工程と、
　前記基材の一方の面側に、第１の溝と、第１の溝に連通する第１の受液部とを形成する工程と、
　第１の受液部のみに複数の液滴を着弾させて、第１の受液部に連通する第１の溝に前記第１の溝に発生する毛管力の作用により前記第１の受液部に供給される液体を前記第１の溝に引き込み液体を充填する液体充填工程と、
　前記第１の溝に充填された前記液体を固化させる固化工程と、を含み、
　前記第１の溝の幅は前記液滴の径よりも小さく、
　前記基材の一方の面の撥液性は、前記第１の溝及び前記第１の受液部を画成する面の撥液性よりも高く、
　第１の溝が複数の溝を備え、第１の受液部が複数の受液部を備え、
　前記複数の溝は、前記複数の受液部の間隔より小さい間隔で形成されている
　と補正するものである。（下線は補正箇所を示すために審判請求人が付したものである。）
　
　上記補正は、補正前の請求項１に記載された発明を特定するために必要な事項としての「第１の溝」と「第１の受液部」に関して、
「第１の溝が複数の溝を備え、第１の受液部が複数の受液部を備え、前記複数の溝は、前記複数の受液部の間隔より小さい間隔で形成されている」と限定するものであり、補正後の請求項１に記載された発明は、補正前の請求項１に記載された発明と、産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一であるので、上記補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。そして、本件補正は、新規事項を追加するものではない。 
　そこで、本件補正後の前記請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　 
２．特許法第２９条第２項について
（１）引用文献の記載事項 
（１−１）原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先権主張日前に頒布された刊行物である特開２００５−１２１８１号公報（以下、「引用文献１」という。）には、図面と共に、以下の事項が記載されている。　
　ア．「【０００１】
　本発明は、パターン形成方法、デバイス及びデバイスの製造方法、電気光学装置、電子機器並びにアクティブマトリクス基板の製造方法に関するものである。」
　　
　イ．「【０００８】
　本発明は、以上のような点を考慮してなされたもので、細い線状のパターンを、精度よく安定して形成することができるパターン形成方法、デバイス及びその製造方法、電気光学装置、並びに電子機器を提供することを目的とする。」
　
　ウ．「【００１３】
　また、上記のパターン形成方法において、前記機能液を、液滴吐出法を用いて前記領域に配置するとよい。
　この形成方法によれば、液滴吐出法を用いることにより、スピンコート法などの他の塗布技術に比べて、液体材料の消費に無駄が少なく、基板上に配置する機能液の量や位置の制御を行いやすい。
　なお、隣接するバンク間の幅は液滴の直径より狭くしてもよい。この場合、液滴状の機能液は、毛管現象などによりバンク間に入り込む。これにより、吐出する液滴の直径より狭い線幅のパターンが形成される。」
　
　エ「【００１５】
　次に、本発明の第２のパターン形成方法は、機能液を基板上に液滴吐出法を用いて吐出配置して所定のパターンを形成する方法であって、前記基板上に、前記機能液の飛翔径より大きな幅を有する幅広領域と当該幅広領域よりも狭い幅を有する幅狭領域とが接続されて配置されるようにバンクを形成する工程と、前記幅広領域に前記機能液を吐出配置して前記幅狭領域に前記機能液を流れ込ませることにより、前記幅広領域及び前記幅狭領域に前記機能液を配置する工程とを有することを特徴とする。
　このような特徴を有する本発明の第２のパターン形成方法では、バンクによって区画された幅広領域及び幅狭領域のうち、幅広領域に機能液が吐出配置され、この機能液が濡れ拡がることによって幅狭領域に流れ込む。このため、幅広領域のみに機能液を吐出することによって幅広領域及び幅狭領域に機能液を配置することができる。
　また、本発明の第２のパターン形成方法では、幅広領域が機能液の飛翔径よりも大きな幅を有しているため、機能液の一部がバンクの上面に触れることがない。このため、バンクの上面に機能液の残渣が残ることを防止することができる。
　したがって、本発明の第２のパターン形成方法では、所望の特性を発揮するパターンを安定して形成することができる。」
　
　オ．「【００３７】
　本発明における基板Ｐとしては、ガラス、石英ガラス、Ｓｉウエハ、プラスチックフィルム、金属板など各種のものが挙げられる。さらに、これら各種の素材基板の表面に半導体膜、金属膜、誘電体膜、有機膜などが下地層として形成されたものも含む。」
　
　カ．「【００５８】
（撥液化処理工程）
　続いて、バンクＢに対し撥液化処理を行い、その表面に撥液性を付与する。（略）」
　
　キ．「【００７０】
　図８において、基板Ｐ上には、バンクＢによって第１の幅Ｈ１を有する第１溝部３４Ａ（幅広領域）と、その第１溝部３４Ａに接続するように第２の幅Ｈ２を有する第２溝部３４Ｂ（幅狭領域）とが形成されている。第１の幅Ｈ１は機能液の飛翔径よりも大きく形成されている。第２の幅Ｈ２は第１の幅Ｈ１よりも狭くなっている。換言すれば、第２の幅Ｈ２は第１の幅Ｈ１以下である。また、第１溝部３４Ａは図８中、Ｘ軸方向に延びるように形成され、第２溝部３４ＢはＸ軸方向とは異なる方向のＹ軸方向に延びるように形成されている。」
　　
　ク．「【００７３】
　このように、第１溝部３４Ａに機能液Ｌを配置することで、その第１溝部３４Ａに配置された機能液Ｌの自己流動（毛管現象）によって機能液Ｌを第２溝部３４Ｂに配置することができる。したがって、狭い幅Ｈ２の第２溝部３４Ｂに対してバンクＢ上より機能液Ｌの液滴を吐出しなくても、広い幅Ｈ１の第１溝部３４Ａに機能液Ｌの液滴を吐出することで、第２溝部３４Ｂに機能液Ｌを円滑に配置することができる。特に、第２溝部３４Ｂの幅Ｈ２が狭く、液滴吐出ヘッド１より吐出された液滴径（飛翔中の液滴径）が幅Ｈ２よりも小さい場合であっても、機能液Ｌの自己流動によって第２溝部３４Ｂに機能液Ｌを円滑に配置することができる。そして、第２溝部３４Ｂの幅Ｈ２は狭いので、機能液Ｌは毛管現象によって第２溝部３４Ｂに円滑に配置される。したがって、所望の形状を有するパターンを形成することができる。そして、狭い幅の第２溝部３４Ｂに機能液Ｌを円滑に配置できるので、パターンの細線化（微細化）を実現することができる。一方、第１溝部３４Ａの幅Ｈ１は広いので、第１溝部３４Ａに対してバンクＢ上より機能液Ｌの液滴を吐出しても、バンクＢの上面３８に機能液Ｌの一部がかかって残渣が残る不都合を回避できる。したがって、所望の特性を発揮するパターンＦを安定して形成することができる。
　【００７４】
　また、本実施形態によれば、第１溝部３４Ａのうち第１溝部３４Ａと第２溝部３４Ｂとが接続する接続部３７近傍に機能液Ｌが配置されるため、機能液Ｌが濡れ拡がる際に容易に第２溝部３４Ｂに流れ込ませることができ、より円滑に第２溝部３４Ｂに機能液Ｌを配置することが可能となる。
　【００７５】
　第１溝部３４Ａ及び第２溝部３４Ｂに機能液Ｌを配置した後、上述した第１実施形態同様、中間乾燥工程及び焼成工程を経ることによって、パターンＦを形成することができる。」
　
　ケ．「【００８２】
　また、図１５に示すように、堤防部３９としてバンクＢの内壁面Ｂｈを使うようにしてもよい。」
　
　コ．図１５を参酌すると、第１溝部３４Ａと同様に第２溝部３４ＢもバンクＢの内壁面Ｂｈにより区画されている。
　
　サ．記載事項カには、バンクＢに撥水性を付与することが記載されているから、バンクＢの表面の撥液性は、第２溝部３４Ｂの幅狭領域及び第１溝部３４Ａの幅広領域の撥液性よりも高いものといえる。
　
　これら記載事項、認定事項、及び図示内容を総合し、本願補正発明の記載ぶりに倣って整理すると、引用文献１には、次の発明（以下、「引用発明１」という。）が記載されている。 
　
「基板Ｐ上にパターンＦを形成する方法であって、
　前記基板Ｐを形成する素材基板を設ける工程と、
　前記素材基板上に、バンクＢの内壁面Ｂｈにより区画された第２溝部３４Ｂと、第２溝部３４Ｂに接続するバンクＢの内壁面Ｂｈにより区画された第１溝部３４Ａとを形成する工程と、
　第１溝部３４Ａのみに液滴を吐出配置させて、第１溝部３４Ａに接続する第２溝部３４Ｂに前記第２溝部３４Ｂに発生する毛管現象により前記第１溝部３４Ａに吐出配置される機能液Ｌを前記第２溝部３４Ｂに流れ込ませて機能液Ｌを配置する工程と、
　前記第２溝部３４Ｂに配置された前記機能液Ｌを焼成させる焼成工程と、を含み、
　前記第２溝部３４Ｂの幅は前記液滴の径よりも小さく、
　前記バンクＢの表面の撥液性は、前記第２溝部３４Ｂの幅狭領域及び前記第１溝部３４Ａの幅広領域の撥液性よりも高くするパターン形成方法。」 
　
（２−２）原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先権主張日前に頒布された刊行物である特開２００３−１８８４９７号公報（以下、「引用文献２」という。）には、図面と共に、以下の事項が記載されている。
　サ．「【請求項１】　所定の絶縁基体上に導体回路を形成するに際し、
前記絶縁基体の表面に撥水加工膜を形成した後、前記絶縁基体上に形成すべき導体回路の配線パターンに応じて上記撥水加工膜にレーザ光を照射して該レーザ光照射部位の撥水加工膜を除去し、
次いで前記絶縁基体の上記撥水加工膜の除去により露出した領域に、インクジェットノズルを用いて導電性の超微粒子を含むインク粒を噴射して前記配線パターンを描画してなることを特徴とする導体回路の形成方法。」
　
　シ．「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、所定の絶縁基板上に、例えば線幅２０μｍの微細な配線パターンからなる導体回路を形成するに好適な導体回路の形成方法に関する。」
　
　ス．「【００１６】（略）この点、上述したように絶縁基板１の表面にコーティングした撥水加工膜５にレーザ光を照射し、絶縁基板１に形成すべき導体回路の配線パターン幅に応じた領域だけを露出させ、この露出領域にインク粒６を噴射すれば、そのインクは撥水加工膜５により撥水されて絶縁基板１の露出領域にだけ付着することになる。この結果、微小径のインク粒６は絶縁基板１の表面に拡がることなく、レーザ光の照射により撥水加工膜５を除去して開口した絶縁基板１の露出領域にだけ付着することになり、ここに微細な線幅の導体回路を高精度に描画形成することが可能となる。」
　
　セ．「【００１７】特に前述したようにレーザ光の照射により絶縁基板１の表面を粗地化しておけばインクの付着強度を効果的に高めることができるので、耐剥離性（密着性）に優れた導体回路を容易に形成することが可能となる等の実用上多大なる効果が奏せられる。また導電性のナノ粒子を含むインク粒６をジェット噴射して導電回路を描画形成するので、電気伝導度の高い、つまり導電抵抗の小さい微細パターンからなる導電回路を容易に形成することができる等の効果が奏せられる。」
　
　これら記載事項、図示内容を総合すると、引用文献２には、次の発明（以下、「引用発明２」という。）が記載されている。
　
「絶縁基体の表面に撥水加工膜を形成した後、配線パターンに応じて上記撥水加工膜にレーザ光を照射して該レーザ光照射部位の撥水加工膜を除去し、露出した領域に、インクジェットノズルを用いて導電性の超微粒子を含むインク粒を噴射して前記配線パターンを描画する導体回路の形成方法。」
　　　
（３）対比 
　本願補正発明と引用発明１とを対比すると、その意味、機能または構造からみて、
　後者の「基板Ｐ」は、前者の「基板」に相当する。以下同様に、
　「パターンＦ」は、「パターン」に、
　「素材基板」は、「基材」に、
　「素材基材上」は、「基材の一方の面側」に、
　「バンクＢの内壁面Ｂｈにより区画された第２溝部３４Ｂ」は、「第１の溝」に、
　「接続する」は、「連通する」に、
　「バンクＢの内壁面Ｂｈにより区画された第１溝部３４Ａ」は、「第１の受液部」に、
　「吐出配置させて」は、「着弾させて」に、 　
　「機能液Ｌ」は、「液体」に、
　「第１溝部３４Ａに接続する第２溝部３４Ｂに前記第２溝部３４Ｂに発生する毛管現象により前記第１溝部３４Ａに吐出配置される機能液Ｌを前記第２溝部３４Ｂに流れ込ませて機能液Ｌを配置する機能液Ｌを配置する工程」は、
　「第１の受液部に連通する第１の溝に前記第１の溝に発生する毛管力の作用により前記第１の受液部に供給される液体を前記第１の溝に引き込み液体を充填する液体充填工程」に、
　「前記第２溝部３４Ｂに配置された前記機能液Ｌを焼成させる焼成工程」は、
　「前記第１の溝に充填された前記液体を固化させる固化工程」に、
　それぞれ相当する。
　
　そこで、両者は、本願補正発明の用語を用いて表現すると、次の点で一致する。 
[一致点] 
「基板上にパターンを形成する方法であって、
　前記基板を形成する基材を設ける工程と、
　前記基材の一方の面側に、第１の溝と、第１の溝に連通する第１の受液部とを形成する工程と、
　第１の受液部のみに液滴を着弾させて、第１の受液部に連通する第１の溝に前記第１の溝に発生する毛管力の作用により前記第１の受液部に供給される液体を前記第１の溝に引き込み液体を充填する液体充填工程と、
　前記第１の溝に充填された前記液体を固化させる固化工程と、を含み、
　前記第１の溝の幅は前記液滴の径よりも小さくするパターン形成方法。」
　
　そして、両者は次の点で相違する。 
[相違点１]  
　「第１の受液部のみに液滴を着弾させて」に関して、
　本願補正発明は、「複数」の液滴であるのに対して、
　引用発明１は、「複数」の液滴であるか明らかでない点。
　
[相違点２]
　本願補正発明は、「基材の一方の面の撥液性は、前記第１の溝及び前記第１の受液部を画成する面の撥液性よりも高く」するのに対して、
　引用発明１は、「バンクＢの表面の撥液性は、前記第２溝部３４Ｂ及び前記第１溝部３４Ａの撥液性よりも高く」する点。
　
[相違点３] 
　本願補正発明は、「第１の溝が複数の溝を備え、第１の受液部が複数の受液部を備え、前記複数の溝は、前記複数の受液部の間隔より小さい間隔で形成されている」のに対して、
　引用発明１は、かかる構造を備えていない点。
　
（４）判断 
（４−１）上記相違点１について検討する。 
　引用文献１の記載事項ウに「液滴吐出法を用いることにより、スピンコート法などの他の塗布技術に比べて、液体材料の消費に無駄が少なく、基板上に配置する機能液の量や位置の制御を行いやすい。」と記載されているように、引用発明１は機能液Ｌの量を制御するものである。
　そして、第２溝部３４Ｂ及び第１溝部３４Ａに機能液Ｌを配置するための必要な機能液Ｌの量は、各溝部の大きさや長さ等によって変化するものであり、１つの液滴を吐出配置させたのみでは各溝部に機能液Ｌが十分に配置されない場合に、機能液Ｌの量を増やすために複数の液滴を続けて供給することに格別の困難性を見出すことはできない。
　よって、引用発明１において、上記相違点１に係る本願補正発明の発明特定事項とすることは、当業者が容易に想到し得たことである。
　
（４−２）上記相違点２について検討する。
　引用文献２の上記記載事項サ、ス及びセを参酌すると、引用発明２は、噴射されるインク粒６が絶縁基板１の表面に拡がることを防止するために、予め絶縁基体の表面に撥水加工膜を形成することで、絶縁基体の表面の撥液性を配線パターンを描画するレーザ光照射の領域の撥液性よりも高くしているものといえる。
　そして、引用発明１と引用発明２は、電子機器パターン形成方法という共通の技術分野に属し、機能液を吐出配置して微細な配線パターンを、精度よく安定して形成するという課題と、その課題を解決する手法として機能液を吐出配置する領域を区画する部材に撥水化処理を施す点でも一致しているので、引用発明１の「素材基板上に、バンクＢの内壁面Ｂｈにより区画された第２溝部３４Ｂと、第２溝部３４Ｂに接続するバンクＢの内壁面Ｂｈにより区画された第１溝部３４Ａとを形成する工程」における各溝部をバンクＢの内壁面Ｂｈにより区画する手法に代えて、引用発明２の「絶縁基体の表面に撥水加工膜を形成した後、配線パターンに応じて上記撥水加工膜にレーザ光を照射して該レーザ光照射部位の撥水加工膜を除去」して区画する手法を採用し、引用発明１の第２溝部３４Ｂ及び第１溝部３４Ａを、素材基板の撥水加工膜にレーザ光を照射して該レーザ光照射部位の撥水加工膜を除去することで形成する工程に変更することは当業者であれば適宜になし得ることである。
　そしてこの場合に、引用発明１の「バンクＢの表面の撥液性は、前記第２溝部３４Ｂの幅狭領域及び前記第１溝部３４Ａの幅広領域の撥液性よりも高くする」構成から、「素材基板上の撥液性は第２溝部３４Ｂ及び前記第１溝部３４Ａの撥液性よりも高くする」構成に自ずと変更されることになる。
　よって、引用発明１において、上記相違点２に係る本願補正発明の発明特定事項とすることは、当業者が容易に想到し得ることである。
　
（４−３）上記相違点３について検討する。
　引用文献１の図１５には、一組の第２溝部３４Ｂ及び第１溝部３４Ａが開示されているに止まっているが、電子機器等の電子回路又は集積回路では、複数の電子素子が配置され、該電子素子も多数の接続部を有するところ、その配線パターンも複数配置さるのが通常であるから、引用発明１の第２溝部３４Ｂ及び第１溝部３４Ａをそれぞれ複数備えて配線パターンをを形成することは当業者であれば適宜になし得ることである。
　そして、第２溝部３４Ｂ及び第１溝部３４Ａをそれぞれ複数配置する場合には、液滴が吐出される領域である第１溝部３４Ａ（本願補正発明の「第１の受液部」）は、ノズルから液滴を高速で吐出される場合や、ノズルの位置決め精度が不十分な場合等も考慮しなくてはならないので、短絡防止のために間隔を大きくとることが必要であり、他方、機能液Ｌが毛細管現象により流れ込む第２溝部３４Ｂ（本願補正発明の「第１の溝」）は、可能な限り間隔を小さくして配線密度を高くすることが肝要である。
　してみると、「複数の第２溝部３４Ｂは、複数の第１溝部３４Ａの間隔より小さい間隔で形成されている」ことは、自然かつ合理的な発想であり、当業者であれば適宜になし得ることである。
　よって、引用発明１において、上記相違点３に係る本願補正発明の発明特定事項とすることは、当業者が容易に想到し得たことである。
　
（４−４）格別な効果について
　本願補正発明による効果も、引用発明１及び引用発明２から当業者が予測し得た程度のものであって、格別のものとはいえない。
　
（５）まとめ
　したがって、本願補正発明は、引用発明１及び引用発明２に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
３．特許法第３６条第６項第１号について
　本願補正発明の「前記複数の溝は、前記複数の受液部の間隔より小さい間隔で形成されている」の構成は、平成２４年９月１０日付けの手続補正により請求項１７として導入されたものであり、審判請求人は、その補正の根拠とし同日付け意見書において、段落００４１、００４５、００６６、００６７、図１、１０、１２、１８等の記載を根拠としている。
　しかしながら、各段落からは、第１の溝のピッチ（間隔）が狭くなっていることは理解できるが、第１の受液部の間隔と比べて狭くなっていることまでは把握できない。
　また、図１においても、紙面一番上の受液部と紙面二番目でＸ方向にずれている受液部とのＹ方向の間隔は殆どないのに対して、紙面一番上の溝と紙面二番目の溝との間隔はある程度あり、受液部同士の間隔より広くなっているので、本願補正発明の記載と矛盾する。さらに、紙面一番上の受液部と紙面三番目でＸ方向同じ位置にある受液部とを比較しても、溝の間隔が受液部同士の間隔より小さくなっているとはいえない。
　同様に、図１０、１２、１８を参酌しても図１と同様のことがいえるだけである。
　よって、本願補正発明の「前記複数の溝は、前記複数の受液部の間隔より小さい間隔で形成されている」の構成は、本願明細書及び図面において記載されていない。
　
　したがって、本願補正発明は、発明の詳細な説明に記載されているものでないから、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていないので、特許出願の際独立して特許を受けることができない。　　
 
４．むすび 
　以上のとおり、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　　　 　 
第３．本願発明について 
１．本願発明 
　本件補正は、上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明は、平成２４年９月１０日付け手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定されるとおりのものであると認められるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、前記「第２．［理由］１．」に記載したとおりである。
 　 
２．引用文献の記載事項 
　各引用文献の記載事項は、前記「第２．２．（１）」に記載したとおりである。 
 　 
３．対比・判断 
　本願発明は、本願補正発明から、前記「第２．［理由］１．」に記載した各限定事項を省くものである。そうすると、本願発明の発明特定事項をすべて含み、さらに、前記「第２．［理由］１．」の限定事項により減縮したものに相当する本願補正発明が、前記「第２．２．（３）（４）」に記載したとおり、引用発明１及び引用発明２に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、実質的に同様の理由により、引用発明１及び引用発明２に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。 　
　　 
４．むすび 
　以上のとおり、本願発明（請求項１に係る発明）は、引用発明１及び引用発明２に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。 
　そして、本願の請求項１に係る発明が特許を受けることができない以上、本願の請求項２ないし２１に係る発明については検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。