【事件の表示】
　特願２００６−　　３３４３「露光装置、リソグラフィ装置及びデバイス製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年　７月２７日出願公開、特開２００６−１９６８９８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１８年１月１１日（パリ条約による優先権主張２００５年１月１２日、米国）の出願であって、平成２１年２月１３日付けで拒絶理由が通知され、同年８月１７日付けで意見書が提出されるとともに、同日付けで手続補正書が提出され、平成２２年１月５日付けで拒絶理由が通知され、同年７月５日付けで意見書が提出されるとともに、同日付けで手続補正書が提出され、同年１１月３０日付けで拒絶理由が通知され、平成２３年６月１日付けで意見書が提出されるとともに、同日付けで手続補正書が提出され、その後、同年１１月１５日付けで平成２２年１月５日付け拒絶理由通知書の理由により拒絶査定がなされた。これに対して、平成２４年３月１６日に拒絶査定に対する審判請求がなされ、同時に手続補正がなされたものである。
　その後、平成２４年９月１１日付けで、審判請求人に前置報告の内容を示し意見を求めるための審尋を行ったが、回答書は提出されなかった。さらに、平成２５年３月４日に本願の特許請求の範囲の記載についての問い合わせを電話にて行ったところ、同年３月１４日に電話にて回答がなされた。
　
第２　平成２４年３月１６日付けの手続補正についての補正の却下の決定
［補正の却下の決定の結論］
　平成２４年３月１６日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
１．補正後の請求項に記載された発明
　平成２４年３月１６日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）により、本願の特許請求の範囲の請求項１は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法（以下単に「特許法」という）第１７条の２第４項第２号に掲げられた特許請求の範囲の減縮を目的として補正された。
　よって、本件補正後の特許請求の範囲の請求項１に係る発明（以下「本件補正発明」という。）は、本件補正後の特許請求の範囲の請求項１に記載された、次のとおりのものである。
　
「放射ビームを供給するようになされた放射系と、
　所望のパターンに従って前記放射ビームをパターン形成するようになされたパターン形成装置と、
　基板を支持するようになされた基板テーブルと、
　パターン形成された前記放射ビームを前記基板のターゲット箇所に投影するようになされた投影系とを含み、前記基板テーブルの少なくともセンサーを含む一部がコーティングで被覆され、該コーティングは、金属酸化物、または光触媒、または半導体、またはそれらのいずれかの組合せを含み、光誘起親水性を有し、ＳｒＴｉＯ３、Ｆｅ２Ｏ３、ＺｒＯ２、ＷＯ３、ＣｄＳのうち少なくとも一つ以上をコーティングの全重量に対して少なくとも９５重量％含み、かつ、約１５〜１００ｎｍの範囲の厚さを有する、浸漬式リソグラフィ露光装置。」
　
　そこで、上記本件補正発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否か（特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するか否か）について、以下に検討する。
　
　また、本件補正発明の発明特定事項である「該コーティングは、金属酸化物、または光触媒、または半導体、またはそれらのいずれかの組合せを含み、光誘起親水性を有し、ＳｒＴｉＯ３、Ｆｅ２Ｏ３、ＺｒＯ２、ＷＯ３、ＣｄＳのうち少なくとも一つ以上をコーティングの全重量に対して少なくとも９５重量％含み、かつ、約１５〜１００ｎｍの範囲の厚さを有する」のうちの「光誘起親水性を有し」が示す構成について、以下に検討する。
　平成２５年３月４日に、請求人代理人に電話にて、「コーティングは、」「光誘起親水性を有し」は実質的に「コーティング」がＴｉＯ２を含むことであるかとの問い合わせを行ったところ、同年３月１４日に、請求人代理人から電話にて、「光誘起親水性を有し」はＴｉＯ２を含むことを意図するものではない、すなわち、上記発明特定事項において、「コーティング」が「光誘起親水性を有」するＴｉＯ２と、「ＳｒＴｉＯ３、Ｆｅ２Ｏ３、ＺｒＯ２、ＷＯ３、ＣｄＳのうち少なくとも一つ以上」との両方を含むことを意図するものではないとの回答があった。この回答及び「ＳｒＴｉＯ３、Ｆｅ２Ｏ３、ＺｒＯ２、ＷＯ３、ＣｄＳのうち少なくとも一つ以上をコーティングの全重量に対して少なくとも９５重量％含」むことにはＳｒＴｉＯ３、Ｆｅ２Ｏ３、ＺｒＯ２、ＷＯ３、ＣｄＳのうち少なくとも一つ以上をコーティングの全重量に対して１００重量％含むことが含まれることを勘案すると、上記発明特定事項における「光誘起親水性を有し」は、「コーティング」が「ＳｒＴｉＯ３、Ｆｅ２Ｏ３、ＺｒＯ２、ＷＯ３、ＣｄＳのうち少なくとも一つ以上」を含むことにより、「コーティング」に与えられる性質を意味するものと認められる。
　
２．引用例
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先日前の他の特許出願であって，その特許出願後に出願公開された特願２００４−２３７３４３号（以下「先願」という）の願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲及び図面（以下「先願明細書」という）には、下記の事項が記載されている（下線は、当審が付した。）
　なお、先願明細書に記載された発明は、先願に基づいて特許法第４１条第１項の規定による優先権を主張した特許出願である特願２００５−１７７６０１号（以下「優先権主張出願」という）の願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲及び図面にも記載されたものであって、優先権主張出願が特開２００６−１６５５０２号公報として出願公開されたから、特許法第４１条第３項の規定により上記出願公開がされた時に先願明細書に記載された発明は出願公開されたものとみなして、第２９条の２本文の規定が適用される。
　
（ａ）「【００２０】
　＜第１の実施形態＞
　
図１は本発明の露光装置の第１の実施形態を示す概略構成図
　【００２１】
　
露光室１００に収容されている露光装置本体ＥＸは、マスクＭを支持するマスクステージＭＳＴと、基板Ｐを支持する基板ステージＰＳＴと、マスクステージＭＳＴに支持されているマスクＭを露光光ＥＬで照明する照明光学系ＩＬと、露光光ＥＬで照明されたマスクＭのパターン像を基板ステージＰＳＴに支持されている基板Ｐに投影露光する投影光学系ＰＬと、光洗浄効果を有する所定の照射光Ｌｕを射出する光洗浄装置８０とを備えている。
　【００２２】
　また、露光装置ＥＸＳは、露光室１００に隣接する位置に、基板ステージＰＳＴに対し基板Ｐを搬入及び搬出する基板搬送系１５０を備えている。基板搬送系１５０は不図示の基板搬送系収容室に収容されている。同様に、不図示ではあるが、露光室１００に隣接する位置には、マスクステージＭＳＴに対してマスクＭを搬入及び搬出するマスク搬送系を収容するマスク搬送系収容室が設けられている。これら基板搬送系収容室及びマスク搬送系収容室は、露光室１００に対して機械室ＣＨ２とは反対側に設けられている。基板搬送系収容室及びマスク搬送系収容室のそれぞれは、露光室１００同様、空調系ＫＣによってその内部の環境をほぼ一定に維持されている。
　【００２３】
　
本実施形態の露光装置ＥＸＳ（露光装置本体ＥＸ）は、露光波長を実質的に短くして解像度を向上するとともに焦点深度を実質的に広くするために液浸法を適用した液浸露光装置であって
（ｂ）「【００６４】
　図３は基板ステージＰＳＴのＺチルトステージ５２を上方から見た平面図である。なお図３においては、基板Ｐは破線で仮想的に図示されている。平面視矩形状のＺチルトステージ５２の互いに垂直な２つの縁部に移動鏡５５が配置されている。また、Ｚチルトステージ５２のほぼ中央部に凹部３２が形成されており、この凹部３２に基板Ｐを保持する基板ホルダＰＨが配置されている。
　【００６５】
　基板ホルダＰＨは、略円環状の周壁部３３と、この周壁部３３の内側に配置され、基板Ｐを保持（支持）する複数のピン状の支持部３４とを備えている。ピン状の支持部３４のそれぞれは、その上面３４Ａを基板Ｐの裏面に接触させて基板Ｐを保持する。なお、図においては、支持部３４は比較的大きく示されているが、実際には非常に小さなピン状の支持部が周壁部３３の内側に多数形成されている。
　【００６６】
　周壁部３３は支持部３４の周囲に配置されており、支持部３４は周壁部３３の内側において一様に配置されている。上述したように、基板ホルダＰＨに保持されている基板Ｐの側面とＺチルトステージ５２の上面３１との間には所定のギャップが形成されている。なお図においては、周壁部３３の上端面は比較的広い幅を有しているが、実際には１〜２ｍｍ程度の幅しか有していない。
　【００６７】
　基板ホルダＰＨの支持部３４以外の上面には、吸引口４１が複数設けられている。吸引口４１は、基板ステージＰＳＴ外部に設けられた真空ポンプを含む不図示の真空系に流路を介して接続されている。制御装置ＣＯＮＴは、真空系を駆動し、周壁部３３及び支持部３４を含む基板ホルダＰＨと支持部３４に支持された基板Ｐとの間に形成された空間３８内部のガス（空気）を吸引口４１より吸引してこの空間３８を負圧にすることで、支持部３４に基板Ｐを吸着保持する。すなわち、本実施形態における基板ホルダＰＨは、所謂ピンチャック機構を備えた構成である。
　【００６８】
　また、基板ステージＰＳＴ上において、基板Ｐの外側の所定位置には、光計測部として基準部材（計測部材）３００が配置されている。基準部材３００には、基板アライメント系３５０により検出される基準マークＰＦＭと、マスクアライメント系３６０により検出される基準マークＭＦＭとが所定の位置関係で設けられている。基準部材３００の上面はほぼ平坦面となっており、基板ステージＰＳＴに保持された基板Ｐ表面、及び基板ステージＰＳＴの上面３１とほぼ同じ高さ（面一）に設けられている。基準部材３００の上面は、フォーカス・レベリング検出系６０の基準面としての役割も果たすことができる。
　【００６９】
　また、
基板ステージＰＳＴ上のうち、基板Ｐの外側の所定位置には、光計測部として例えば特開昭５７−１１７２３８号公報に開示されているような照度ムラセンサ４００、例えば特開２００２−１４００５号公報に開示されているような空間像計測センサ５００、及び例えば特開平１１−１６８１６号公報に開示されているような照射量センサ（照度センサ）６００、特開昭６２−１８３５２２に開示されているような不図示の反射部材（計測部材）など、各種光計測部が設けられている。
（ｃ）「【０１１３】
　＜第６の実施形態＞
　
次に、第６の実施形態について図９を参照しながら説明する。上述した第１〜第５の各実施形態においては、露光装置ＥＸＳ（露光装置本体ＥＸ）は、１つの基板ステージＰＳＴを備えた構成であるが、本発明の光洗浄装置８０は、特開平１１−１３５４００号公報に開示されているような、２つのステージを備えた露光装置にも適用可能である。
【０１１４】
　
図９に示す露光装置本体ＥＸは、基板Ｐを保持する基板ホルダＰＨを有し、基板Ｐを保持した状態で移動可能な基板ステージＰＳＴ１と、基板ステージＰＳＴ１に並ぶ位置に設けられ、上述した光計測部３００、４００、５００、６００を備えた計測ステージＰＳＴ２とを備えている。
　【０１１５】
　各種計測処理を行う場合には、計測ステージＰＳＴ２が投影光学系ＰＬの下に配置され、その計測ステージＰＳＴ２上に液体ＬＱの液浸領域ＡＲ２が形成される。そして、その液浸領域ＡＲ２の液体ＬＱを介して、光計測部３００、４００、５００、６００を使った計測処理が行われる。計測ステージＰＳＴ２を使った計測処理を行っている間、基板ステージＰＳＴ１には未露光基板Ｐがロードされる。
　【０１１６】
　そして、上記計測処理を終えた後、制御装置ＣＯＮＴは、計測ステージＰＳＴ２上に形成されている液体ＬＱの液浸領域ＡＲ２を、基板Ｐを支持している基板ステージＰＳＴ１上に移動する。液浸領域ＡＲ２を計測ステージＰＳＴ２から基板ステージＰＳＴ１上に移動する場合には、制御装置ＣＯＮＴは、例えば計測ステージＰＳＴ２と基板ステージＰＳＴ１との間から液体ＬＱが漏出しない程度に互いを近接させた状態で、投影光学系ＰＬの像面側に形成されている液浸領域ＡＲ２に対して計測ステージＰＳＴ２と基板ステージＰＳＴ１とを一緒に移動する。そして、基板ステージＰＳＴ１上に液浸領域ＡＲ２を移動した後、制御装置ＣＯＮＴは、上記計測ステージＰＳＴ２を使って計測した計測結果に基づいて、基板Ｐのアライメント処理や、投影光学系ＰＬの結像特性調整（キャリブレーション）処理を行った後、基板ステージＰＳＴ１上の基板Ｐを液浸露光する。」
（ｄ）「【０１２７】
　＜第７の実施形態＞
　
次に、第７の実施形態について図１０を参照しながら説明する。図１０に示す露光装置ＥＸＳ（露光装置本体ＥＸ）は、図７（当審註：図９の誤記）を用いて説明した第６の実施形態同様、２つのステージを備えたものである。
　【０１２８】
　なお、投影光学系ＰＬの像面側に配置する光学部材７００としては、照射された光（露光光ＥＬ）を反射する反射部材に限られず、照射された光を散乱する散乱面を有する散乱部材であってもよい。光学部材７００として、散乱部材を用いることによって、散乱部材に照射された露光光ＥＬは、散乱して光学素子２の下面２Ａやノズル部材７０の下面７０Ａに達するため、光学素子２の下面２Ａやノズル部材７０の下面７０Ａの比較的広い領域に、光洗浄作用を有する露光光ＥＬと同一波長の照射光を照射することができる。更には、光学部材７００として、照射された光を回折する回折面を有する回折部材を用いてもよく、その場合においても、光学素子２の下面２Ａやノズル部材７０の下面７０Ａの比較的広い領域に、光洗浄作用を有する露光光ＥＬと同一波長の照射光を照射することができる。
　【０１２９】
　なお、計測ステージＰＳＴ２上に配置された光学部材（反射部材、回折部材、散乱部材）７００に露光光ＥＬを照射する場合、計測ステージＰＳＴ２をＸＹ方向に移動しながら、この光学部材７００に露光光ＥＬを照射するようにしてもよい。こうすることにより、光学素子２の下面２Ａやノズル部材７０の下面７０Ａの比較的広い領域に照射光（露光光）を照射して良好に光洗浄することができる。
　【０１３０】
　また、ノズル部材７０の下面７０Ａ（多孔部材２２Ｐを含む）に、光触媒作用を有す材料７０１を被覆しておいてもよい。そのような材料としては酸化チタンが挙げられる。ノズル部材７０の下面７０Ａに酸化チタン７０１を被覆した状態で、そのノズル部材７０の下面７０Ａに、光洗浄作用を有する露光光ＥＬと同一波長の光を照射することで、有機物などの汚染物は光触媒反応によって酸化分解されるので、より効果的に光洗浄することができる。また、光触媒反応により、ノズル部材７０の下面７０Ａの親液性が向上されるため、ノズル部材７０Ａの下に液浸領域ＡＲ２を良好に形成できるという効果も期待できる。
　【０１３１】
　また、図１０に示すように、光洗浄中においては、制御装置ＣＯＮＴは、液体供給機構１０及び液体回収機構２０を使って、投影光学系ＰＬと光学部材７００との間に、基板Ｐを液浸露光するときに用いる液体と同じ液体ＬＱを満たした状態で、投影光学系ＰＬ及び液体ＬＱを介して露光光ＥＬを光学部材７００に照射するようにしてもよい。光学部材７００から発生した露光光ＥＬと同一波長の光は、液浸領域ＡＲ２の液体ＬＱを介して光学素子２の下面２Ａやノズル部材７０の下面７０Ａに照射される。液体供給機構１０及び液体回収機構２０を使って液体ＬＱの供給及び回収を行いながら光洗浄することで、光洗浄したことによって光学素子２やノズル部材７０から発生した異物を、液体ＬＱとともに回収することができる。
　【０１３２】
　ところで、基板Ｐを液浸露光するときに用いる液体ＬＱは、液浸領域ＡＲ２における気泡発生の防止等を目的として、投影光学系ＰＬの像面側に供給される前に脱気処理されている。すなわち、液体供給機構１０（液体供給部１１）は、液体ＬＱ中の溶存酸素（溶存気体）を低減するための脱気装置を備えており、投影光学系ＰＬの像面側に供給する前の液体ＬＱに対して脱気処理を行った後に、その脱気処理した液体ＬＱを投影光学系ＰＬの像面側に供給している。一方で、光洗浄は、光洗浄効果を有する光を照射することによって汚染物（有機物）を酸化分解する構成であるため、光洗浄するときにおいては、液体ＬＱ中に所定濃度の酸素が存在（溶存）していることが望ましい。したがって、投影光学系ＰＬと光学部材７００との間に液体ＬＱを満たした状態で、光学部材７００に露光光ＥＬを照射して、光学素子２やノズル部材７０を光洗浄するときには、制御装置ＣＯＮＴは、投影光学系ＰＬの像面側に供給する液体ＬＱの酸素濃度を、基板Ｐを露光するときの液体ＬＱの酸素濃度よりも多くするようにしてもよい。すなわち、光洗浄するときには、制御装置ＣＯＮＴは、例えば脱気処理を施さない液体ＬＱを投影光学系ＰＬの像面側に供給する。あるいは、投影光学系ＰＬと光学部材７００との間に液体ＬＱを満たした状態で、光学部材７００に露光光ＥＬを照射して、光学素子２やノズル部材７０を光洗浄するときには、制御装置ＣＯＮＴは、基板Ｐの露光に用いる液体（純水）とは別の、例えば過酸化水素水を、投影光学系ＰＬの像面側に供給するようにしてもよい。
　【０１３３】
　なお本実施形態において、光学部材（反射部材、回折部材、散乱部材）７００の設置位置としては、計測ステージＰＳＴ２に限られず、例えば基板ステージＰＳＴ１の上面のうち、基板Ｐが配置される以外の領域に配置してもよい。更には、基板ステージＰＳＴ１及び計測ステージＰＳＴ２とは別の、投影光学系ＰＬの像面側に配置されている部材で支持するようにしてもよい。また、光学部材７００を、基板ステージＰＳＴや計測ステージＰＳＴ２に脱着可能とすることもできる。あるいは、基板ステージＰＳＴの基板ホルダに、反射面、回折面、及び散乱面のうち少なくともいずれか１つを有するダミー基板を配置し、そのダミー基板に露光光ＥＬを照射するようにしてもよい。
　【０１３４】
　また、光学部材７００からの光洗浄作用を有する光で、液浸領域ＡＲ２の近くに配置された基板アライメント系３５０の一部やフォーカス・レベリング検出系６０の一部を光洗浄処理するようにしてもよい。こうすることによって、基板アライメント系３５０の一部やフォーカス・レベリング検出系６０の一部に不純物や液滴が付着することによって生じる計測精度の劣化を防止することができる。
　【０１３５】
　なお、第７の実施形態においては、ノズル部材７０の下面７０Ａを酸化チタン（二酸化チタン）などの光触媒作用を有する親液性（親水性）の材料で被膜しているが、ノズル部材７０そのものを光触媒作用を有する材料で形成するようにしてもよい。
　【０１３６】
　また、光学素子２の下面２Ａを光触媒作用を有する酸化チタンなどの材料で被膜して、光学部材７００からの光により光洗浄を行ってもよい。このようにすることで、光学素子２の下面２Ａの汚染をより確実に防止することができる。
　【０１３７】
　また、上述の第５の実施形態で説明した光洗浄装置８０を用いる場合にも、ノズル部材７０の下面７０Ａや光学素子２の下面２Ａを酸化チタンなどの材料で被膜してもよい。
　【０１３８】
　また、
基板ステージＰＳＴ１の上面や計測ステージＰＳＴ２の上面（光計測部の上面を含む）の少なくとも一部を、必要に応じて酸化チタンなどの光触媒作用を有する材料で形成するようにしてもよい。この場合も、第１〜第４の実施形態及び第６の実施形態のように、光洗浄装置８０を用いることによって、基板ステージＰＳＴや計測ステージＰＳＴ２の上面の汚染を防止することができる。
（ｅ）「
　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 」
（ｆ）「
　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 」
（ｇ）「
　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 」
（ｈ）「
　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 」
　上記記載事項（ｃ）の「第６の実施形態について図９を参照しながら説明する。上述した第１〜第５の各実施形態においては、露光装置ＥＸＳ（露光装置本体ＥＸ）は、１つの基板ステージＰＳＴを備えた構成であるが、本発明の光洗浄装置８０は、特開平１１−１３５４００号公報に開示されているような、２つのステージを備えた露光装置にも適用可能である。」（段落【０１１３】）との記載から、「光洗浄装置８０」は、上記記載事項（ｂ）及び（ｆ）に記載されるような１つの「基板ステージＰＳＴ」を備えた露光装置と、上記記載事項（ｃ）（特に、段落【０１１４】）及び（ｇ）に記載されるような２つの「基板ステージＰＳＴ１」及び「基板ステージＰＳＴ２」を備えた露光装置との両方の露光装置に適用可能であるのであるという技術事項が記載されていることは明らかである。また、上記記載事項（ｄ）の「基板ステージＰＳＴ１の上面や計測ステージＰＳＴ２の上面（光計測部の上面を含む）の少なくとも一部を、必要に応じて酸化チタンなどの光触媒作用を有する材料で形成するようにしてもよい。この場合も、第１〜第４の実施形態及び第６の実施形態のように、光洗浄装置８０を用いることによって、基板ステージＰＳＴや計測ステージＰＳＴ２の上面の汚染を防止することができる。」（段落【０１３８】）の記載から、「基板ステージＰＳＴ１の上面や計測ステージＰＳＴ２の上面（光計測部の上面を含む）の少なくとも一部」を酸化チタンなどの光触媒作用を有する材料と「光洗浄装置８０」により光洗浄を行うという技術事項が記載されていることは明らかである。
　すると、これらの技術事項が記載された先願明細書には、上記記載事項（ｂ）及び（ｆ）に記載されるような１つの「基板ステージＰＳＴ」を備えた露光装置においても、光洗浄を行うために、その「基板ステージＰＳＴ」の光計測部上面を含む上面の少なくとも一部を酸化チタンなどの光触媒作用を有する材料で形成するという技術事項が記載されているに等しいと認められる。
　
　したがって、先願明細書の記載事項から、先願明細書には、以下の発明（以下「先願発明」という。）が記載されている。
　
「マスクＭを支持するマスクステージＭＳＴと、基板Ｐを保持する基板ホルダＰＨを有し、基板Ｐを保持した状態で移動可能であり、基板Ｐの外側の所定位置に照度ムラセンサ４００、空間像計測センサ５００、照射量センサ６００のような光計測部が設けられた基板ステージＰＳＴと、マスクステージＭＳＴに支持されているマスクＭを露光光ＥＬで照明する照明光学系ＩＬと、露光光ＥＬで照明されたマスクＭのパターン像を基板ステージＰＳＴに支持されている基板Ｐに投影露光する投影光学系ＰＬとを備えた液浸露光装置において、
　基板ステージＰＳＴの光計測部上面を含む上面が酸化チタンなどの光触媒作用を有する材料で形成される、液浸露光装置。」
　
３．対比
（１）本件補正発明と先願発明との対比
（ａ）先願発明の「マスクステージＭＳＴに支持されているマスクＭを露光光ＥＬで照明する照明光学系ＩＬ」、「マスクＭ」、「基板Ｐの外側の所定位置に照度ムラセンサ４００、空間像計測センサ５００、照射量センサ６００のような光計測部が設けられた基板ステージＰＳＴ」、「露光光ＥＬで照明されたマスクＭのパターン像を基板ステージＰＳＴに支持されている基板Ｐに投影露光する投影光学系ＰＬ」及び「液浸露光装置」が、それぞれ、本件補正発明の「放射ビームを供給するようになされた放射系」、「所望のパターンに従って前記放射ビームをパターン形成するようになされたパターン形成装置」、「基板を支持するようになされた基板テーブル」、「パターン形成された前記放射ビームを前記基板のターゲット箇所に投影するようになされた投影系」及び「浸漬式リソグラフィ露光装置」に相当する。
（ｂ）本件補正発明の「前記基板テーブルの少なくともセンサーを含む一部がコーティングで被覆され、該コーティングは、金属酸化物、または光触媒、または半導体、またはそれらのいずれかの組合せを含み、光誘起親水性を有し、ＳｒＴｉＯ３、Ｆｅ２Ｏ３、ＺｒＯ２、ＷＯ３、ＣｄＳのうち少なくとも一つ以上をコーティングの全重量に対して少なくとも９５重量％含み、かつ、約１５〜１００ｎｍの範囲の厚さを有する」において、「基板テーブルの少なくともセンサーを含む一部がコーティングで被覆され」ることが、「基板テーブル」の表面が「コーティング」材料で形成されることであることは明らかであり、また、先願発明の「基板ステージＰＳＴの光計測部上面を含む上面が酸化チタンなどの光触媒作用を有する材料で形成される」ことが、「基板ステージＰＳＴの光計測部上面を含む上面」の表面が「酸化チタンなどの光触媒作用を有する材料で形成される」ことは明らかである。
　すると、先願発明の「基板ステージＰＳＴの光計測部上面を含む上面が酸化チタンなどの光触媒作用を有する材料で形成される」ことと、本件補正発明の「前記基板テーブルの少なくともセンサーを含む一部がコーティングで被覆され、該コーティングは、金属酸化物、または光触媒、または半導体、またはそれらのいずれかの組合せを含み、光誘起親水性を有し、ＳｒＴｉＯ３、Ｆｅ２Ｏ３、ＺｒＯ２、ＷＯ３、ＣｄＳのうち少なくとも一つ以上をコーティングの全重量に対して少なくとも９５重量％含み、かつ、約１５〜１００ｎｍの範囲の厚さを有する」こととは、「基板テーブルの少なくともセンサーを含む一部の表面が、金属酸化物、または光触媒、または半導体、またはそれらのいずれかの組合せを含む材料で形成される」点で一致する。
　
（２）一致点
　してみると、両者は、
「放射ビームを供給するようになされた放射系と、
　所望のパターンに従って前記放射ビームをパターン形成するようになされたパターン形成装置と、
　基板を支持するようになされた基板テーブルと、
　パターン形成された前記放射ビームを前記基板のターゲット箇所に投影するようになされた投影系とを含み、前記基板テーブルの少なくともセンサーを含む一部の表面が、金属酸化物、または光触媒、または半導体、またはそれらのいずれかの組合せを含む材料で形成される、浸漬式リソグラフィ露光装置。」
で一致し、次の各点で相違する。
　
（３）相違点
（イ）基板テーブルの少なくともセンサーを含む一部の表面が、金属酸化物、または光触媒、または半導体、またはそれらのいずれかの組合せを含む材料で形成される構成について、本件補正発明では、基板テーブルの少なくともセンサーを含む一部が「約１５〜１００ｎｍの範囲の厚さを有する」「コーティングで被覆され」るのに対して、先願発明では、基板テーブルの少なくともセンサーを含む一部の表面が該材料で形成される点。
　
（ロ）基板テーブルの少なくともセンサーを含む一部の表面を形成する材料について、本件補正発明では、「光誘起親水性を有し、ＳｒＴｉＯ３、Ｆｅ２Ｏ３、ＺｒＯ２、ＷＯ３、ＣｄＳのうち少なくとも一つ以上をコーティングの全重量に対して少なくとも９５重量％含」むものであるのに対して、先願発明では、「酸化チタンなどの光触媒作用を有する材料」である点。
　
４．判断
（１）上記相違点（イ）について検討する。
　一般に、物の表面にある特定の性質を与えるための手段として、物の表面をその特定の性質を与える材料のコーティングで被覆すること、物自体をその特定の性質を与える材料で形成することは、いずれも普通に使用される周知の手段であって、適宜選択して使用するものである（先願明細書においても、上記記載事項（ｄ）の段落【０１３５】に「ノズル部材７０の下面７０Ａを酸化チタン（二酸化チタン）などの光触媒作用を有する親液性（親水性）の材料で被膜しているが、ノズル部材７０そのものを光触媒作用を有する材料で形成するようにしてもよい。」との記載がある。）から、先願発明において、基板テーブル（自体）が該材料で形成される構成に換えて、基板テーブルがコーティングで被覆される構成を採用することは、周知技術の転換であって、新たな効果を奏するものではない。
　また、一般に、コーティングの厚さは適宜設計し得るものであり、本件補正発明の「約１５〜１００ｎｍ」という数値に格別な技術的意味も認められないから、該数値は単なる設計的事項にすぎない。
　すると、上記相違点（イ）は実質的な相違点ではない。
　
（２）上記相違点（ロ）について検討する。
　先願発明では、「酸化チタンなどの光触媒作用を有する材料」として、酸化チタンが例示されているが、光触媒作用を有する材料としては、特開２００２−７５８３９号公報（段落【００８７】）、特開２００１−１０９１０３号公報（【請求項３】、特開２０００−３１１９３３号公報（段落【００３８】）に示されるように、酸化チタンの他に、ＳｒＴｉＯ３、Ｆｅ２Ｏ３、ＺｒＯ２、ＷＯ３、ＣｄＳはいずれも周知の材料であるから、先願発明の「酸化チタンなどの光触媒作用を有する材料」として、周知のＳｒＴｉＯ３、Ｆｅ２Ｏ３、ＺｒＯ２、ＷＯ３、ＣｄＳが含まれることは、当業者には自明である。そして、先願発明において、「酸化チタンなどの光触媒作用を有する材料」として、ＳｒＴｉＯ３、Ｆｅ２Ｏ３、ＺｒＯ２、ＷＯ３、ＣｄＳのいずれかを採用したものは、ＳｒＴｉＯ３、Ｆｅ２Ｏ３、ＺｒＯ２、ＷＯ３、ＣｄＳのいずれかを１００重量％含むものであることは明らかである。
　また、「光誘起親水性」については、本件補正発明においても、「コーティング」が「ＳｒＴｉＯ３、Ｆｅ２Ｏ３、ＺｒＯ２、ＷＯ３、ＣｄＳのうち少なくとも一つ以上」を含むことにより、「コーティング」に与えられる性質であるから、先願発明において、「酸化チタンなどの光触媒作用を有する材料」として、ＳｒＴｉＯ３、Ｆｅ２Ｏ３、ＺｒＯ２、ＷＯ３、ＣｄＳのいずれかを採用したものも当然に有する性質である。
　すると、上記相違点（ロ）は実質的な相違点ではない。
　
（３）したがって、本件補正発明は先願発明と実質的に同一であり、しかも、本件補正発明の発明者が先願発明の発明者と同一であるとも、また、本願の出願時に、その出願人が先願の出願人と同一であるとも認められないので、本件補正発明は特許法第２９条の２の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
５．小括
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
１．本願発明
　平成２４年３月１６日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の特許請求の範囲の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成２３年６月１日付けの手続補正により補正された、本願の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。
　
「放射ビームを供給するようになされた放射系と、
　所望のパターンに従って前記放射ビームをパターン形成するようになされたパターン形成装置と、
　基板を支持するようになされた基板テーブルと、
　パターン形成された前記放射ビームを前記基板のターゲット箇所に投影するようになされた投影系とを含み、前記基板テーブルの少なくともセンサーを含む一部がコーティングで被覆され、該コーティングは、金属酸化物、または光触媒、または半導体、またはそれらのいずれかの組合せを含み、光誘起親水性を有し、かつＳｒＴｉＯ３ 、Ｆｅ２Ｏ３、ＺｒＯ２、ＷＯ３、ＣｄＳのうち少なくとも一つ以上を含む浸漬式リソグラフィ露光装置。」
　
２．引用例
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先日前の他の出願である、上記先願の先願明細書の記載内容及び先願発明は、上記「第２」「［理由］」「２．」に記載したとおりである。
　
３．対比・判断
　本願発明は、上記「第２」で検討した本件補正発明から、「コーティングの全重量に対して少なくとも９５重量％」、「約１５〜１００ｎｍの範囲の厚さを有する」が削除されたものである。
　そうすると、本願発明の発明特定事項をすべて含み、さらに限定したものに相当する本件補正発明が、上記「第２」「［理由］」「４．」に記載したとおり、先願発明と同一であり、しかも、本件補正発明の発明者が先願発明の発明者と同一であるとも、また、本願の出願時に、その出願人が先願の出願人と同一であるとも認められないから、本願発明も、同様の理由により、先願発明と同一であり、しかも、本願発明の発明者が先願発明の発明者と同一であるとも、また、本願の出願時に、その出願人が先願の出願人と同一であるとも認められない。
　
第４　むすび
　以上のとおり、本願発明は先願発明と同一であり、しかも、本願発明の発明者が先願発明の発明者と同一であるとも、また、本願の出願時に、その出願人が先願の出願人と同一であるとも認められず、特許法第２９条の２の規定により特許を受けることができないから、本願の他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。