【事件の表示】
　特願２００５−２７７００５「半導体デバイスにおける厚い酸化物領域およびその形成方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年　４月１３日出願公開、特開２００６−１００８２５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
本願は、平成１７年９月２６日（パリ条約による優先権主張２００４年９月２９日、アメリカ合衆国）の出願であって、平成２３年１１月１１日付けの拒絶理由通知に対して、平成２４年５月１５日に手続補正書及び意見書が提出されたが、同年８月９日付けで拒絶査定がなされ、それに対して、同年１２月１４日に拒絶査定に対する審判請求がなされたものである。
　
２．本願発明
　本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成２４年５月１５日になされた手続補正により補正された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載されている事項により特定される以下のとおりのものである。
　
「半導体デバイス内に酸化物領域を形成する方法であって、
　複数のトレンチをデバイスの半導体層内に互いに近接して形成する工程であって、該複数のトレンチは、２つの端部トレンチと、該各端部トレンチの間の２つ以上の内側トレンチとを含んでおり、該各内側トレンチの少なくとも一部の組は互いに異なる深さを有している工程と、
　該各トレンチの少なくとも側壁および底壁上に絶縁層が形成されるように該半導体層を酸化させる工程とを含み、
　該各トレンチが、該絶縁層が実質的に該各トレンチを充填し、かつ対応する各対の隣接したトレンチ間の該半導体層を実質的に消費するように構成され、それによって該複数のトレンチ全体にわたって実質的に連続した酸化物領域を形成する方法。」
　
３．先願明細書に記載された発明
（３−１）原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先権主張の日前の他の出願であって、その優先権主張の日後に出願公開された特願２００３−１６８８５１号（特開２００５−５５６１号公報参照。以下「先願」という。）の願書に最初に添付した明細書（以下「先願明細書」という。また、先願の図面を「先願図面」といい、これらをまとめて、「先願明細書等」という。）には、「半導体装置の製造方法」（発明の名称）に関して、先願図面の図１とともに、以下の事項が記載されている。
　
「【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置の製造方法に関し、特にシリコン酸化膜の形成方法に関する。本発明は、シリコン酸化膜を素子分離膜として用いた半導体素子、フォトダイオード、及び太陽電池、上記半導体素子をその一部として用いた集積回路、並びに部品として上記フォトダイオードや太陽電池を備える集積回路を備えるデジタルカメラや携帯電話等の情報端末機器の製造に適用することができる。
「【００２３】
【発明の実施の形態】
次に、添付図面を参照して本発明の実施形態を詳細に説明する。
【００２４】
（第１実施形態）
本発明の第１実施形態にかかる半導体装置の製造方法（シリコン酸化膜の形成方法）を、図１を参照して説明する。
【００２５】
まず、図１（ａ）に示すように、半導体基板（シリコン基板）１０３に、シリコン酸化膜１０２（本実施形態では、厚さ１０〜２０ｎｍ）及びシリコン窒化膜１０１（本実施形態では、厚さ１００〜２００ｎｍ）を順次形成する。
【００２６】
次に、図１（ｂ）に示すように、フォトリソグラフィー及びエッチング技術を用いて、溝（図１（ｃ）の符号１０７及び１０８参照）が形成される領域１０６，１０５のシリコン窒化膜１０１及びシリコン酸化膜１０２を選択的に除去し、半導体基板１０３の表面を部分的に露出させる。
【００２７】
次に、シリコン窒化膜１０１をマスクとして、露出面積が少ない部分より、露出面積の大きい部分の方がより多くエッチできるエッチング条件を用いて、半導体基板１０３をエッチングする。
半導体基板１０３には深さの異なる溝（トレンチ）１０８及び１０７が形成される。
【００２８】
次に、図１（ｄ）に示すように、シリコン窒化膜１０１を耐酸化膜として溝１０７及び１０６の内壁を酸化雰囲気により酸化し、これらの内壁に約０．０９〜０．１１μｍのシリコン酸化膜ないしは熱酸化膜（以下、単に酸化膜という。）を形成する。溝１０７，１０８の両側にそれぞれ約０．０９〜０．１１μｍの酸化膜が形成され、溝１０７間の領域及び溝１０７と溝１０８の間の領域では半導体基板１０３を構成するシリコンがすべて酸化される。また、半導体基板１０３を構成するシリコンは、酸化により体積が約2倍になるので、酸化されたシリコンが内壁から溝１０７，１０８の内部に進出して溝１０７，１０８が消失する。
【００２９】
次に、図１（ｅ）に示すように、酸化工程により形成されたシリコン窒化膜１０１表面のシリコン酸化膜、シリコン窒化膜１０１、及びシリコン酸化膜１０２を除去する。以上の工程を経て、厚さの異なる（２種類の厚さを有する）酸化膜１０９が半導体基板１０３に形成される。
「【００３４】
本実施形態では、エッチングにより２種類の深さの溝１０７，１０８を形成しているが、３種類以上の深さの溝を形成することで３種類以上の厚さの異なる酸化膜を形成することができる。また、３種類のフォトレジストを同時にパターニングすれば、３種類の厚さの異なる膜を所望の領域にずれなく形成できる。
　
（３−２）図１の記載から、「第１実施形態」として記載されている方法においては、「半導体基板１０３」の端部に「溝１０８」及び「溝１０７」が位置し、その間に、３個の「溝１０７」が位置するように形成されていることが明らかである。
　
（３−３）上記記載からみて、先願明細書等には、以下の発明（以下「先願発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
「シリコンからなる半導体基板１０３に、シリコン酸化膜１０２及びシリコン窒化膜１０１を順次形成し、　
　フォトリソグラフィー及びエッチング技術を用いて、溝１０７及び溝１０８が形成される領域１０５，１０６の前記シリコン窒化膜１０１及び前記シリコン酸化膜１０２を選択的に除去し、前記半導体基板１０３の表面を部分的に露出させ、
　前記シリコン窒化膜１０１をマスクとして、露出面積が少ない部分より、露出面積の大きい部分の方がより多くエッチできるエッチング条件を用いて、前記半導体基板１０３をエッチングすることにより、前記半導体基板１０３に深さの異なる前記溝１０７及び前記溝１０８を、両端に前記溝１０８及び前記溝１０７が位置し、その間に、３個の前記溝１０７が位置するように形成し、
　前記溝１０７及び前記１０８の内壁を酸化雰囲気により酸化し、これらの内壁に酸化膜を形成し、その際、前記溝１０７間の領域及び前記溝１０７と前記溝１０８の間の領域では半導体基板１０３を構成するシリコンがすべて酸化され、酸化されたシリコンが内壁から前記溝１０７及び前記１０８の内部に進出して溝１０７及び前記１０８が消失し、
　前記酸化により形成された前記シリコン窒化膜１０１表面のシリコン酸化膜、前記シリコン窒化膜１０１及び前記シリコン酸化膜１０２を除去することにより、厚さの異なる酸化膜１０９を前記半導体基板１０３に形成する、
　シリコン酸化膜の形成方法。」
　
４．対比
（４−１）先願明細書の
「【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置の製造方法に関し、特にシリコン酸化膜の形成方法に関する。本発明は、シリコン酸化膜を素子分離膜として用いた半導体素子、フォトダイオード、及び太陽電池、上記半導体素子をその一部として用いた集積回路、並びに部品として上記フォトダイオードや太陽電池を備える集積回路を備えるデジタルカメラや携帯電話等の情報端末機器の製造に適用することができる。」
という記載から、先願発明の「半導体基板１０３」には、「半導体デバイス」が形成されていることが明らかであるから、先願発明の「シリコン酸化膜の形成方法」は、本願発明の「半導体デバイス内に酸化物領域を形成する方法」に相当する。
　
（４−２）先願発明において、「溝１０７」及び「溝１０８」が、「互いに近接して」いることは、先願図面の図１等から明らかであるから、先願発明の「前記半導体基板１０３に深さの異なる前記溝１０７及び前記溝１０８を形成」することは、本願発明の「複数のトレンチをデバイスの半導体層内に互いに近接して形成する工程」に相当する。
　また、先願発明は、「両端に前記溝１０８及び前記溝１０７が位置し、その間に、３個の前記溝１０７が位置するように形成」するものであるから、本願発明と先願発明とは、「該複数のトレンチは、２つの端部トレンチと、該各端部トレンチの間の２つ以上の内側トレンチとを含んで」いる点で、一致する。
　
（４−３）先願発明の「前記溝１０７及び前記１０８の内壁を酸化雰囲気により酸化し、これらの内壁に酸化膜を形成」することは、本願発明の「該各トレンチの少なくとも側壁および底壁上に絶縁層が形成されるように該半導体層を酸化させる工程」に相当する。
　そして、先願発明において、
・「溝１０７」及び「溝１０８」の側壁及び低壁上に酸化膜が形成されていること、
・酸化膜が、「溝１０７」及び「溝１０８」を実質的に充填し、「溝１０７」と「溝１０８」の間の「半導体基板１０３」が実質的に消費するように構成されていること、
・「溝１０７」及び「溝１０８」の全体にわたって実質的に連続した酸化物領域が形成されていることは明らかである。
　
（４−４）そうすると、本願発明と先願発明とは、
「半導体デバイス内に酸化物領域を形成する方法であって、
　複数のトレンチをデバイスの半導体層内に互いに近接して形成する工程であって、該複数のトレンチは、２つの端部トレンチと、該各端部トレンチの間の２つ以上の内側トレンチとを含んでいる工程と、
　該各トレンチの少なくとも側壁および底壁上に絶縁層が形成されるように該半導体層を酸化させる工程とを含み、
　該各トレンチが、該絶縁層が実質的に該各トレンチを充填し、かつ対応する各対の隣接したトレンチ間の該半導体層を実質的に消費するように構成され、それによって該複数のトレンチ全体にわたって実質的に連続した酸化物領域を形成する方法。」
という点で一致し、次の点で一応相違する。
　
（相違点）本願発明は、「該各内側トレンチの少なくとも一部の組は互いに異なる深さを有している」のに対し、先願発明では、「溝１０７」及び「溝１０８」について、そのような特定がなされていない点。
　
５．判断
（５−１）上記相違点について、以下、検討する。
　先願明細書には、「【００３４】
本実施形態では、エッチングにより２種類の深さの溝１０７，１０８を形成しているが、３種類以上の深さの溝を形成することで３種類以上の厚さの異なる酸化膜を形成することができる。また、３種類のフォトレジストを同時にパターニングすれば、３種類の厚さの異なる膜を所望の領域にずれなく形成できる。」と記載されており、当該記載に従い、例えば、４種類以上の深さの溝を形成した場合には、２つの端部の溝と、該端部の溝の間に異なる深さの２つ以上の溝を含む構成となることは明らかであり、また、先願明細書等を精査しても、先願発明において、このような構成を採用することにより、格別な効果を奏するものとは認められず、当該構成に格別の技術的な意義を認めることはできない。
　したがって、「該各内側トレンチの少なくとも一部の組は互いに異なる深さを有している」か否かは、課題解決のための具体化手段における微差にすぎないものであるから、上記相違点は、実質的なものではない。
　
（５−２）まとめ
　以上、検討したとおり、本願発明と先願発明との相違点は、実質的なものでなく、本願発明は、先願明細書等に記載された発明と同一であり、しかも、本願発明の発明者が上記先願明細書等に記載された発明の発明者と同一であるとも、また、本願の出願の時点において、その出願人が上記他の出願の出願人と同一であるとも認められないので、本願発明は、特許法第２９条の２の規定により特許を受けることができない。
　
６．むすび
　以上のとおりであるから、本願は、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。