【事件の表示】
　特願２００６−１５７５９１「半導体装置及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１９年１２月２０日出願公開、特開２００７−３２８０４２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続きの経緯
　本願は、平成１８年６月６日の出願であって、平成２３年１０月１７日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成２４年２月１４日に拒絶査定に対する審判請求がなされ、同時に手続補正がなされたものである。
　その後、前置報告書の内容について、審判請求人の意見を求めるために平成２４年７月２０日付けで審尋がなされたが、当該審尋に対する回答書は提出されなかった。
　
第２　本願発明
１．本願発明
　本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成２４年２月１４日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、次のとおりのものと認める。
「文字を含むレチクルを形成する工程と、
前記レチクルの欠陥を検出する工程と、
前記レチクルの欠陥を検出する工程の後に、前記ステッパ光源により前記レチクルにおける文字を半導体ウエハ上に転写する工程を備え、
前記レチクルにおける文字は、直線部と直角部とからのみ構成されており、前記直線部の長さは、電子ビーム描画装置に応じた製造限界サイズを下回らず、かつ前記半導体ウエハ上に転写された文字の直線部の長さは、前記ステッパ光源の波長に応じた製造限界サイズを下回らないことを特徴とする半導体装置の製造方法。」
　
２．刊行物に記載された発明
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願前に頒布された刊行物である、特開平１−２１６３５９号公報（以下「引用例１」という。）には、以下の記載がある。
　
（１）第１頁左下欄１３〜１５行
「〔産業上の利用分野〕
　本発明は半導体チップ上に用いられる文字パターンのマスクパターン構造に関する。」
（２）第１頁右下欄５行〜第２頁左上欄７行
「〔従来の技術〕
　従来の半導体チップ上に用いられる文字パターンのマスクパターン構造は、文字パターン飛びを意識せず半導体マスク製造装置の機能制限内で自由なパターン構造が用いられたものであった。
〔発明が解決しようとする課題〕
　しかし前述の従来技術では、ＬＳＩの微細化傾向の中で文字パターンの微細化も集積度を向上させる為に必要であり、その為に自由な形で微細化した文字パターンをＬＳＩのチップ部同様に作成（第２図参照）した場合に、半導体チップ製造上のエッチング工程において、パターン的に小さく孤立したパターン断面（第４図参照）が細くなりそのパターンがパターンを維持できずどこかへ飛んでしまい、最悪そのパターがチップの他の部分に付いた場合、ショート等をしてしまい半導体チップの本来の機能動作をしなくなる。また文字パターンの一部欠落（第５図参照）により、本来の文字認識が不可能にするという問題を有する。
　そこで本発明はこのような問題点を解決するもので、その目的とするところは、半導体チップ上にてパターン飛びをしない文字認識のしやすい、文字パターンを提供するところにある。」
（３）第２頁左上欄８〜１４行
「〔課題を解決するための手段〕
　本発明の半導体マスクパターンは、ＬＳＩのマスクパターンにおいて、そのＬＳＩの機能認識等を目的とする機種名、パターンの識別認識を目的とするパターン名称およびパターンの版順認識を目的とする版番パターンに用いる文字パターンに対して、半導体チップ化する上でのパターン飛びを防止する矩形パターンを持つことを特徴とする。」
（４）第２頁左上欄１５行〜右上欄３行
「〔実施例〕
　第１図及び第３図は本発明の実施例における文字「Ｒ」のマスクパターン図および半導体チップのエッチング断面図であって、ドットマトリックス状に作成された字体のパターン孤立部に補強用の矩形パターンを追加することによりエッチング後半導体断面図に示すようパターンの残存部が大きくなることを示している。」
（５）第２頁右上欄４〜１７行
「〔発明の効果〕
　以上述べた発明によれば、半導体チップの文字パターンにおいてパターン飛びを防止する矩形パターンを半導体チップを作成するマスクパターンに有することにより、そのマスクパターンを用いて作成される半導体チップの文字パターンのエッチング断面が大きくなる為に半導体チップより文字パターンが飛び散りによる半導体チップの本来の機能をそこねるという問題を防止し、歩留を向上させることができる。また本来の文字パターンの字体を失わず文字認識できる。さらには、この補強パターンを矩形にすることによりドットマトリックス状に字体を維持でき文字パターンの自動作成が有効になる。という効果を有する。」
（６）「第１図
」
　
　上記各記載を含む引用例１全体の記載及び当業者の技術常識を総合的に勘案すると、引用例１には、以下の発明が記載されているものと認められる。
　
「半導体マスク製造装置で製造されたドットマトリックス状に作成された字体パターンを有するマスクを用いて半導体チップを製造する方法。」（以下「引用発明」という。）
　
３．対比・判断
　本願発明と引用発明を対比する。
（１）引用発明の「字体パターンを有するマスク」は本願発明の「文字を含むレチクル」に相当するから、同「字体パターンを有するマスク」を「半導体マスク製造装置で製造」することは、本願発明の「文字を含むレチクルを形成する工程」に相当する。
（２）引用発明の「半導体チップ」は本願発明の「半導体装置」に相当する。
　また、マスクを用いて半導体チップを製造する方法において、ステッパ光源によりマスクパターンを半導体ウエハ上に転写する工程を有することは、当業者にとって自明な事項であるから、引用発明の「字体パターンを有するマスクを用いて半導体チップを製造する方法」が本願発明の「ステッパ光源によりレチクルにおける文字を半導体ウエハ上に転写する工程」に相当する工程を有することは明らかである。
（３）引用発明の「字体パターン」が「ドットマトリックス状に作成され」ていることは、本願発明の「文字は、直線部と直角部とからのみ構成されて」いることに相当する。
　
　したがって両者は、
「文字を含むレチクルを形成する工程と、
前記ステッパ光源により前記レチクルにおける文字を半導体ウエハ上に転写する工程を備え、
前記レチクルにおける文字は、直線部と直角部とからのみ構成されている半導体装置の製造方法。」
の点で一致し、以下の各点で相違している。
　
（相違点１）
　本願発明が「レチクルにおける文字を半導体ウエハ上に転写する工程」に先だって「レチクルの欠陥を検出する工程」を有するのに対して、引用発明が当該工程を有するかどうか不明な点。
（相違点２）
　レチクルにおける文字が、本願発明では「直線部の長さは、電子ビーム描画装置に応じた製造限界サイズを下回らず、かつ半導体ウエハ上に転写された文字の直線部の長さは、ステッパ光源の波長に応じた製造限界サイズを下回らない」のに対して、引用発明では、直線部の長さが不明な点。
　
　上記各相違点について検討する。
（相違点１について）
　当該技術分野に限らず、製造に用いる装置や部品の欠陥を排除することは、装置の製造に際して当然考慮すべき技術常識である。
　引用例１にはマスクの文字パターンの欠陥により、文字認識が不可能になるという問題点が指摘（上記摘記事項（２）参照）されており、引用発明はこのような問題点を排除するものであるから、引用発明においても、製造に先立って、用いるレチクルの欠陥の有無を検出することは、当業者が当然考慮すべき技術常識である。
（相違点２について）
　当該技術分野において、電子ビーム描画装置に応じた製造限界サイズが存在することも、ステッパ光源の波長に応じた製造限界サイズが存在することも、ともに当業者間の技術常識である。
　そして、そのようなサイズ以下では種々の問題が生じる（上記摘記事項（２）の〔発明が解決しようとする課題〕参照）から、マスクパターンがそれらの製造限界サイズを下回らないように設計することも、当業者にとって技術常識（上記摘記事項（２）の〔従来の技術〕参照）である。
　してみると、引用発明に上記相違点２に係る構成を採用することは、当業者が当然考慮すべき事項である。
　
　また、本願発明の作用・効果も引用発明から当業者が予測し得る範囲のものであって格別なものではない。
　
　したがって、本願発明は、引用発明に基づき当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
第３　むすび
　以上のとおりであるから、本願の他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願発明は特許を受けることができない。
　したがって、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。