【事件の表示】
　特願２００９−１９６４８２「歩留りベースの光近接効果補正法を用いたマスク・パターン生成方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２１年１１月２６日出願公開、特開２００９−２７６７９８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯
　本願は、平成１６年９月１６日（パリ条約による優先権主張２００３年９月１８日、米国）に出願した特願２００４−２６９１５４号の一部を平成２１年８月２７日に新たな特許出願としたものであって、平成２３年１１月８日付けで手続補正がなされ、その後、平成２４年３月２３日付けで拒絶査定がされた。
　本件は、これを不服として、同年７月１８日に請求された拒絶査定不服審判である。
 
２　本件出願の特許請求の範囲の記載
　本件出願の請求項１乃至４の記載は、平成２３年１１月８日付け手続補正書によって補正された特許請求の範囲の請求項１乃至４に記載された次のとおりのものである。
「【請求項１】
　基板上にレイアウト・フィーチャをリソグラフィによって作製する際に使用するのに適合したマスクのパターンを生成する方法であって、
　設計レイアウトの設計マスク・パターンを提供するステップと、
　前記設計マスク・パターンから予測される予測レイアウト・パターンを提供するステップと、
　前記予測レイアウト・パターンを横切るサンプリング線上の当該予測レイアウト・パターンのエッジ位置をサンプリングするステップと、
　前記予測レイアウト・パターンの前記エッジ位置と、当該エッジ位置に対応する前記サンプリング線上の前記設計マスク・パターンのエッジ位置との間の距離値を変数とする歩留り曲線を提供するステップと、
　前記予測レイアウト・パターン上の選択されたエッジ位置に関連した距離値を、前記歩留り曲線上の対応する値と比較して、当該選択されたエッジ位置に対する歩留り値を求めるステップと、を含む方法。
【請求項２】
　前記歩留り曲線から求められた前記選択されたエッジ位置での歩留り値が許容される歩留り値である場合、当該選択されたエッジ位置でのサンプリングを終了する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
　半導体基板上に集積回路をリソグラフィによって作製する際に使用するのに適合したマスクのパターンを生成するためのコンピュータ・プログラムであって、前記マスク・パターンは、前記基板上に前記マスクを使用して作製されるべきレイアウトに相当するパターンであり、前記コンピュータ・プログラムは、コンピュータを
　設計レイアウト・パターンから導き出された予測レイアウト・パターンと前記設計レイアウト・パターンとを横切るサンプリング線上の当該２つのパターンのエッジ位置間の距離値を求める手段、
　前記距離値を変数とする歩留り曲線を表す情報を記憶する手段、
　前記予測レイアウト・パターン上の選択されたエッジ位置に関連した距離値を、前記歩留り曲線上の対応する値と比較して、当該選択されたエッジ位置に対する歩留りを求める手段、として機能させるためのコンピュータ・プログラム。
【請求項４】
　半導体基板上に集積回路をリソグラフィによって作製する際に使用するのに適合したマスクのパターンを生成するためのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体であって、前記マスク・パターンは、前記基板上に前記マスクを使用して作製されるべき設計レイアウト・パターンに相当するパターンであり、前記プログラムがコンピュータを、
　前記設計レイアウト・パターンから導き出された予測レイアウト・パターンと前記設計レイアウト・パターンとを横切るサンプリング線上の当該２つのパターンのエッジ位置間の距離値を求める手段、
　前記距離値を変数とする歩留り曲線を表す情報を記憶する手段、
　前記予測レイアウト・パターン上の選択されたエッジ位置に関連した距離値を、前記歩留り曲線上の対応する値と比較して、当該選択されたエッジ位置に対する歩留りを求める手段として機能させる、プログラム記録媒体。」
　　　
３　原査定における拒絶理由
（１）原査定（平成２４年３月２３日付けの拒絶査定）は、「この出願については、平成２３年　８月２９日付け拒絶理由通知書に記載した理由１及び２（特許法第３６条第６項第２号及び第２９条第２項）によって、拒絶をすべきものです。」としたものであって、そのうち理由２（特許法第３６条第６項第２号）は次の通りである。
「補正後の請求項１に係る発明では、「歩留り曲線」が、「前記予測レイアウト・パターンの前記エッジ位置と、当該エッジ位置に対応する前記サンプリング線上の前記設計マスク・パターンのエッジ位置との間の距離値を変数とする歩留り曲線」であるように補正された。
　補正後の請求項３及び４に係る発明では、「歩留り曲線」が、「前記距離値を変数とする歩留り曲線」であるように補正された。
　そして、平成２３年１１月　８日付けの意見書において、「補正後の請求項１、３、４の記載により、予測レイアウト・パターン、サンプリングされるエッジ位置、エッジ位置間の距離値、距離値を変数とする歩留り曲線について、それぞれ明確になったものと考えます。また、補正後の請求項２の記載により、サンプリングが終了する場合が明確になったものと考えます。」と主張する。
　しかしながら、請求項１，３及び４に係る発明の記載では、「歩留り曲線」が、「前記予測レイアウト・パターンの前記エッジ位置と、当該エッジ位置に対応する前記サンプリング線上の前記設計マスク・パターンのエッジ位置との間の距離値を変数とする」とすることは理解できるものの、該「変数」に対してどのような曲線を形成しているのかは、依然として不明確であり、「歩留り曲線」自体が、如何なる事項を示しているのか不明である。」
　
４　審判請求人の主張
　上記の拒絶査定に対して、審判請求人は、審判請求書において、次の主張をしている。
「２．第３６条第６項第２号について 
 （１）原査定において指摘を受けた本願発明の「歩留り曲線」については、出願当初の明細書、図面において例えば以下のように記載されている。 
 （ｉ）図２に関して、 
 　「金属ブロックの幅およびスペースを変動させて、プロセス変動が歩留りにどのように影響するのかを知ることができる。線幅および線スペース（一対の線間のスペース）に対するこのような１つのタイプの歩留り曲線を図２に示す。」（段落００２１）、および 
 　「図２に、図示の範囲にわたる線幅およびスペース幅（ｘ軸）の変動の関数である歩留り曲線を示す。異なる記号は、１４０から１０，０００ｎｍまでの異なる線幅を表す。この特定の例では、歩留り（このケースでは金属線間の短絡として決定される）が、幅の広い金属線についてはスペース幅の強い関数となると考えられる。」（段落００２７）と記載されている。 
 　図２の記載および明細書のこれらの記載から、図２に例示される歩留り曲線は、線幅およびスペース幅を変動させた時に得られる（た）歩留り値をプロットし曲線として得られることは明らかである。 
 （ｉｉ）図５に関して、 
 　「本発明の原理に基づく修正メリット関数として使用することができる歩留りに基づく他のメリット関数の例として、図５に示す歩留り曲線を参照する。図５には、リソグラフィ限界歩留り（lithography limited yield）の歩留り曲線の一例が、所与の金属層プロセスの線幅（すなわち金属幅）対スペース幅（すなわち酸化物幅）の関数として示されている。これらの曲線は、プロセス窓情報ならびに露光ツールのドーズおよびフォーカスに対するプロセス制御の仮定を使用して導き出すことができる。・・・・リソグラフィ・プロセス窓は、上記の線幅条件が満たされるドーズ／フォーカス程度（plane）の許容される領域と定義される。ドーズ／フォーカス変動はランダムであると考えられる。しかし、ドーズおよびフォーカスの系統的な変動がリソグラフィ・プロセスを制御する場合には、同様の計算を実施することができる。歩留りは、この許容される領域に含まれるドーズ／フォーカス値の割合である。したがって、線とスペースのそれぞれの組合せごとに、歩留り数を計算することができる。」（段落００３４）と記載されている。 
 　図５の記載および明細書のこれらの記載から、図５に例示される歩留り曲線は、線とスペースのそれぞれの組合せごとに、線幅条件が満たされるドーズ／フォーカス程度（plane）の許容される領域に含まれるドーズ／フォーカス値の割合として表される歩留り数を計算することによって得られることは明らかである。 
 （２）したがって、本願発明の「（ｄ）予測レイアウト・パターンのエッジ位置と、当該エッジ位置に対応するサンプリング線上の設計マスク・パターンのエッジ位置との間の距離値を変数とする歩留り曲線を提供するステップ」は、明確であってかついわゆる当業者が実施可能に発明の詳細な説明に記載されているものである。 
 　よって、本願請求項１〜４の各請求項に係る発明は、法第３６条第６項第２号の規定に基づき排斥されるものではない。」
　
５　本件出願の明細書の記載
　本件出願の明細書の発明の詳細な説明及び図面には、以下の記載がある。
ａ　発明の詳細な説明の記載
「【００２１】
　例えば、テスト・マクロを使用して歩留り関数を実験的に決定することができる。このようなテスト・マクロは、故障状況を詳細にシミュレートするように設計することができる。例えば、狭幅のスペースによって分離された２つの大きな金属ブロックに対する歩留り曲線を確立するマクロ・テストを開発することができる。このようなマクロは、金属ブロック間の電流を調べるように作用するであろう。電流は、あるプロセス変動が、金属ブロック間のブリッジまたは接続を生み出す場合に生じるであろう。例えば、レジストの崩壊を引き起こすリソグラフィにおけるフォーカスの変動、金属ブロック間に残留金属を残す不完全な化学機械研摩などのプロセス変動が、ブロック間の電流を引き起こす。金属ブロックの幅およびスペースを変動させて、プロセス変動が歩留りにどのように影響するのかを知ることができる。線幅および線スペース（一対の線間のスペース）に対するこのような１つのタイプの歩留り曲線を図２に示す。あるいは、シミュレーションまたは実験によって、フォーカスおよびドーズ値を変化させて、所与の構造がどの値で故障を起こすかを求めることができる。
【００２２】
　再び図１を参照する。本発明に基づくプロセスは、設計レイアウトに等しい設計マスク・パターンを従来の方法で生成、記憶するステップから開始される。このステップが、ブロック１の「マスクを所望のレイアウトに設定する」に示されている。既存のＯＰＣツールは次いで、このマスク・パターンに対するシミュレーションを実行し、ウェーハ基板上への光学投影後の実際のウェーハ・パターン・イメージを予測する。次いで、ブロック３に示すように、予測ウェーハ・パターン・イメージを記憶する。次いで、ブロック５のステップに示すように、予測ウェーハ・パターン・イメージ・エッジに沿ったサンプリング点を画定し、セットする。この点に関して、サンプリング点は、パターン・レイアウトの変化の程度およびレイアウト・フィーチャが故障を起こしやすい場所に基づいて選択することができる。例えば、パターンが急激に変化する場合には、直線が含まれる場所よりも多くのサンプリング点をとることができる。標準ＯＰＣプロセスを使用する場合には、予測ウェーハ・パターン・イメージ・エッジ上のサンプリング点の位置を、設計マスク・パターン・イメージ・エッジ上の対応する点の位置と比較する。この２つの点の位置が、互いのある所定の範囲内にある場合、この点のサンプリングは終了する。したがって、ここでのメリット関数は単に、指定された互いのある許容範囲内にある２つの点間の距離に基づく。
【００２３】
　本発明によれば、この近接効果メリット関数を、このサンプリング線に沿った特定のフィーチャの幾何学的位置に起因する故障メカニズムの事前の知識から導き出された歩留り関数に基づく修正メリット関数によって拡張する。これには、同じサンプリング線に沿って追加のサンプリング点を画定することが必要となる。ブロック７ではこれが「関連サンプリング点」として示されている。
【００２４】
　この関連サンプリング点を、図３を参照してより詳細に説明する。図３は、間に絶縁スペースを有する一対の金属線のサンプリング・パターンを示している。図３には、このプロセスのある時点における全体レイアウトの一部の断片と考えられるものが示されている。金属線は、陰影のついた領域３３および３５によって示されており、これらは金属レイアウトの設計幅を表す。陰影のついた領域３３と領域３５の間の領域３７は、金属線間の設計スペースである。点線３９、４１、４３および４５は、金属線３３および３５の予測ウェーハ・パターン・イメージ・エッジの位置を表し、×印のついた実線４７、４９、５１および５３は現在のマスク・エッジを表しており、現在の予測ウェーハ・パターン・イメージ・エッジはこのマスク・エッジから導き出されたものである。これによって、オリジナルの設計マスク・パターンから修正された現在のマスク・パターンを得るために少なくとも１回の補正が実施されたと考えられる。線５５は、現在のサンプリング線を表している。
【００２５】
　従来のＯＰＣプロセスでは、サンプリング線５５上の予測ウェーハ・パターン・イメージ・サンプリング点５７の位置または値を、対応する設計パターン・イメージの点５９の位置または値と比較して、すなわち予測エッジ点を対応する設計エッジ点と比較して、それらの間の距離を求める。しかし、金属線幅および金属線間のスペース幅に関連した知られている故障メカニズムがあるため、本発明によれば、線幅および線スペースを求めるのに使用できる関連サンプリング点６１、６３および６５を識別する。
【００２６】
　それぞれのサンプリング点５７、６１、６３および６５と、図３のd_edge1、d_edge2、d_edge3およびd_edge4として識別される設計パターン・イメージ上の対応するそれぞれの点との間の距離は既知である（すなわち計算することができる）ので、予測線幅を求めることができる。すなわち、予測金属線幅＝設計線幅＋d_edge1＋d_edge3、予測金属スペース幅＝設計スペース幅−d_edge1−d_edge2である。
【００２７】
　図２に、図示の範囲にわたる線幅およびスペース幅（ｘ軸）の変動の関数である歩留り曲線を示す。異なる記号は、１４０から１０，０００ｎｍまでの異なる線幅を表す。この特定の例では、歩留り（このケースでは金属線間の短絡として決定される）が、幅の広い金属線についてはスペース幅の強い関数となると考えられる。スペース幅が約１６０ｎｍよりも大きい場合、全ての線幅に関して歩留りはほぼ最大となることが分かる。最適に近い歩留りを得るために必要な最低限必要なスペース幅は、線幅が小さいほど小さい。歩留りの観点から言えば、幅の広い金属線の場合にはスペースを多少広くすることが望ましい。図２のレイアウトは単に例示を目的にしたものであり、線幅の比較的に小さい低減（スペースの増大）は機能にほとんど影響しないが、歩留りには大きく影響することを示している。
【００２８】
　さらに詳細に説明するため、図３に基づくレイアウトおよび図１の流れ図を参照する。ブロック９からスタートする。このアルゴリズムの最初のステップでは、設計幅の線に沿ってサンプリング点を選択した（ブロック５のステップ）。これが点１、２、３および４で示されている。点１の関連サンプリング点セットには、スペース幅および線幅を定義する点３および２が含まれる（ブロック７のステップ）。マスク・レイアウト（線４７）に基づいて新しいエッジ配置が計算された、すなわち点６３、５７、６１および６５が既知であると仮定する。さらに、現在、点１のエッジ配置の質を評価していると仮定する。図３に示すとおり、メリット関数は、線幅（点６３と点５７の間の距離）およびスペース幅（点５７と点６１の間の距離）の関数である。今は点１に着目しているので、このアルゴリズムは、歩留りに関して点５７の現在位置が最適（または最適に近い）か否かを判断しなければならない。この問いの答えは、歩留り関数をd_edge1の関数と見ることによって与えられる。この特定の反復に関して、d_edge2、d_edge3、d_edge4は全て既知であり、固定のままである。したがって、図２に示した歩留り関数を、d_edge1のメリット関数に変換することができる。これだけを取りだして図４に概略的に示す。図１のプロセスが取り組む課題は、予測エッジ配置d_edge1は、最大歩留りが得られるエッジ配置にどれくらい近いのかということである。この問いの答えは、図１のブロック９、１０、１１および１３に示したステップで与えられる。ブロック９のステップでは、図３のサンプリング点５７など、このプロセスのさまざまなサンプリング点における予測線エッジの位置を決定する。次いで、ブロック１１のステップでは、関連サンプリング点および関係するメリット関数から変量の値を計算する。この点に関して、ブロック１１では「修正メリット関数」を参照する。この用語は、本発明に基づくプロセスを、メリット関数が単なる距離の関数である従来のＯＰＣプロセスから区別するために使用する。」
「【００３４】
　本発明の原理に基づく修正メリット関数として使用することができる歩留りに基づく他のメリット関数の例として、図５に示す歩留り曲線を参照する。図５には、リソグラフィ限界歩留り（lithography limited yield）の歩留り曲線の一例が、所与の金属層プロセスの線幅（すなわち金属幅）対スペース幅（すなわち酸化物幅）の関数として示されている。これらの曲線は、プロセス窓情報ならびに露光ツールのドーズおよびフォーカスに対するプロセス制御の仮定を使用して導き出すことができる。図５によって表されたレイアウト配置もやはり、線およびスペースの配置である（ｎｍ）。この線幅／スペース幅範囲の故障は、線幅が、標的線幅からある割合の範囲以内にない場合に生じると考えられる。さらに、線幅の変動は、使用するリソグラフィ・プロセスのドーズおよびフォーカスのプロセス誘導性の変化によって引き起こされると考えられる。リソグラフィ・プロセス窓は、上記の線幅条件が満たされるドーズ／フォーカス程度（plane）の許容される領域と定義される。ドーズ／フォーカス変動はランダムであると考えられる。しかし、ドーズおよびフォーカスの系統的な変動がリソグラフィ・プロセスを制御する場合には、同様の計算を実施することができる。歩留りは、この許容される領域に含まれるドーズ／フォーカス値の割合である。したがって、線とスペースのそれぞれの組合せごとに、歩留り数を計算することができる。リソグラフィ・プロセス窓は、使用するジオメトリに依存するため、図５に示すような歩留り曲線が得られる。見て分かるとおり、分離されたスペースに対する歩留りは、分離された線に対する歩留りよりも劇的に低下する。これらの曲線は、プロセス窓情報ならびに露光ツールのドーズおよびフォーカスに対するプロセス制御の仮定を使用して導き出すことができる。修正メリット関数として、本発明に基づく説明したプロセスにおいて、これを、線幅対スペース幅の組合せに関して最適な歩留りをテストすることができる。
【００３５】
　本発明の原理に基づく修正メリット関数として使用することができる歩留りに基づく他のメリット関数の例を図６に示す。この例は図７に示すレイアウト配置に基づく。図７は、幅の広い金属線とそれらの間の狭幅のスペースとを含む図３に示したレイアウトの拡張を示す。ただしこのケースでは、第１の金属線のエッジ７３の近くにコンタクト７１が配置されている。サンプリング点１および関連サンプリング点２、３および４は、図３と同様に配置されている。歩留りに関するここでの追加の関心事は、接触抵抗を十分に低くするために十分なコンタクト・カバレージを達成することである。この例では、オーバレイなどの配置およびリソグラフィ制御情報を含むレベル間パラメータが、コンタクトおよび金属線の配置に含まれることが明らかである。コンタクト・カバレージの大きさと故障とに基づく、この例に対する修正メリット関数を得るための歩留り曲線は容易に作成することができる。」
「【００３８】
　図６に、設計エッジ０に対するエッジ移動d_edge1に基づくこのような歩留り曲線を示す。コンタクト・カバレージが損なわれるので、あまりに大きな（負の方向の）エッジ移動は歩留りにかなりの影響を与えることが分かる。そのため、歩留り関数はスペースを広くするだろうが、追加のコンタクト・カバレージ要件が、スペースの拡張をかなり低減する。このようなメリット関数に対するテストを、あまりに大きな移動に対するセーフガードとして使用することもできる。エッジ配置誤差を唯一の入力変数として使用したさまざまな実施態様が可能である。さまざまな線幅およびスペース幅に対するこれまでの歩留り曲線は一般に、スペース幅の増大とともに増大する歩留りを示すことが分かる。図６の歩留り関数は、より小さいエッジ移動に対してより高い歩留りを示すため、この関数は、オリジナルのレイアウトを保持することに基礎を置く。したがって、全般的に最適化された解決策は、これらの対抗する歩留り関数間のトレードオフによって見いだされるだろう。
【００３９】
　図８に、ゲート線が活性領域をまたぐごく一般的なレイアウト・パターンを示す。ここでの起こり得る故障は例えば、その下の基板の効果による反射機構に起因する。図示のとおり、ゲート７７は、その下の基板によって引き起こされる反射率の変動の影響を受ける可能性がある活性領域７９をまたいでいる。これによって、ゲート性能に影響を及ぼす望ましくない線幅の変動が生じる可能性がある。図から分かるとおり、ここでも、ゲートの線幅にわたって図３で使用したのと同じサンプリング・アプローチを使用することができる。したがって、それぞれのサンプリング点に対する変量には、ゲートのエッジ配置誤差および活性領域ＲＸのエッジまでの距離が含まれるであろう。このような条件に対する歩留り曲線を図９に示す。この構成では、活性領域と周囲の酸化物との間の境界に高さの差が存在すると考えられる。一般的なゲート・プロセスでは、この段差が、ゲート・リソグラフィ・プロセスの間、その上に反射防止材料およびレジストがコーティングされるゲート・スタックによってカバーされるだろう。使用される有機コーティングの平坦化特性は、活性領域と酸化物の間の境界からある距離でのゲートの反射ノッチングにつながる。この距離は、図９のｙ軸上にプロットされている。この配置の歩留りは、所望のゲート幅を、一般に非常に狭いある許容範囲内に維持する能力によって決定される。最適な歩留りを維持するためには、図９に示すように、エッジから約２００ｎｍの距離のところでゲート幅の反作用的拡張が必要である。」
ｂ　図面の記載
「【図３】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
　　
６　当審の判断
　本件出願の請求項１には、「設計マスク・パターンから予測される予測レイアウト・パターンを提供するステップ」、及び、「予測レイアウト・パターンの前記エッジ位置と、当該エッジ位置に対応する前記サンプリング線上の前記設計マスク・パターンのエッジ位置との間の距離値を変数とする歩留り曲線を提供するステップ」と記載されており、また、本件出願の請求項３及び４には、「レイアウト・パターンから導き出された予測レイアウト・パターンと前記設計レイアウト・パターンとを横切るサンプリング線上の当該２つのパターンのエッジ位置間の距離値を求める手段、前記距離値を変数とする歩留り曲線を表す情報を記憶する手段」と記載されている。
　ここで、請求項１に記載された「設計マスク・パターンから予測される予測レイアウト・パターンを提供するステップ」において、「設計マスク・パターン」は技術常識からみて当然ある一つのパターンであると認められ、また、「予測レイアウト・パターン」は、「設計マスク・パターンから予測され」「提供」されるものであるから、ある一つのパターンであると認められる。
　そうすると、「予測レイアウト・パターンの前記エッジ位置と、当該エッジ位置に対応する前記サンプリング線上の前記設計マスク・パターンのエッジ位置との間の距離値を変数とする歩留り曲線を提供するステップ」において、「予測レイアウト・パターンの前記エッジ位置と、当該エッジ位置に対応する前記サンプリング線上の前記設計マスク・パターンのエッジ位置との間の距離値」はある一つの特定の値となって「変数」とはなり得ないから、「予測レイアウト・パターンの前記エッジ位置と、当該エッジ位置に対応する前記サンプリング線上の前記設計マスク・パターンのエッジ位置との間の距離値を変数とする歩留り曲線」とはどのような事項を特定しようとするものなのか不明である。
　また、同様に、請求項３及び４の記載においても、「予測レイアウト・パターン」は「レイアウト・パターンから導き出された」ものであって、「レイアウト・パターンから導き出された予測レイアウト・パターンと前記設計レイアウト・パターンと」「のパターンのエッジ位置間の距離値」は「変数」とはなり得ないから、「レイアウト・パターンから導き出された予測レイアウト・パターンと前記設計レイアウト・パターンと」「のパターンのエッジ位置間の距離値」「を変数とする歩留り曲線」とはどのような事項を特定しようとするものなのか不明である。
　
　したがって、本件出願は、請求項１、３及び４並びに請求項１を引用する請求項２に係る発明が明確でないから、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。
　
７　むすび
　以上のとおり、本件出願は、第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。
　よって、結論のとおり審決する。