(57)【要約】【課題】高温による影響を受け難い照明装置を提供する。【解決手段】照明装置は、熱伝導率が１Ｗ／ｍＫ以上の高分子量体からなり、一体型である冷却用ランプスタンド１００と、冷却用ランプスタンド１００上へ直接配置された回路２００と、回路２００と電気的に接続され、冷却用ランプスタンド１００上へ配置された少なくとも１つのＬＥＤ２１０と、ＬＥＤ２１０を覆う封止材２２０と、回路２００と電気的に接続され、電力を供給する電力変換器３００とを備える。【選択図】図１
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【実用新案登録請求の範囲】
【請求項１】
熱伝導率が１Ｗ／ｍＫ以上の高分子量体からなり、一体型である冷却用ランプスタンドと、
前記冷却用ランプスタンド上へ直接配置された回路と、
前記回路と電気的に接続され、前記冷却用ランプスタンド上へ配置された少なくとも１つのＬＥＤと、
前記ＬＥＤを覆う封止材と、
前記回路と電気的に接続され、電力を供給する電力変換器と、を備えることを特徴とする照明装置。
【請求項２】
前記ＬＥＤは、電気的に直列または並列に接続されることを特徴とする請求項１に記載の照明装置。
【請求項３】
前記ＬＥＤの２つの電極は、前記ＬＥＤの同じ側に設けられることを特徴とする請求項２に記載の照明装置。
【請求項４】
前記冷却用ランプスタンドは射出成形されることを特徴とする請求項１に記載の照明装置。
【請求項５】
前記高分子量体は、複数の熱伝導粒子を含むことを特徴とする請求項１に記載の照明装置。
【請求項６】
前記冷却用ランプスタンドは、前記回路および前記ＬＥＤが設けられた窪み部を有することを特徴とする請求項１に記載の照明装置。
【請求項７】
前記窪み部の深さは２ｍｍ以下であることを特徴とする請求項６に記載の照明装置。
【請求項８】
前記電力変換器は、前記冷却用ランプスタンド中に埋設されることを特徴とする請求項１に記載の照明装置。
【考案の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本考案はランプ（照明装置）に関し、特に、ＬＥＤを用いたランプに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来のＬＥＤランプは、ＬＥＤ、回路基板およびランプスタンドを含む。ＬＥＤは、ランプスタンドに設けられた回路基板上に搭載される。ＬＥＤの発光性能は、一般に高温による影響を受け易いため、回路基板を介してＬＥＤの熱を排出させるための冷却構造が必要であった。
【考案の概要】
【考案が解決しようとする課題】
【０００３】
本考案の目的は、高温による影響を受け難い照明装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
上記の課題を解決するために、請求項１の考案では、熱伝導率が１Ｗ／ｍＫ以上の高分子量体からなり、一体型である冷却用ランプスタンドと、前記冷却用ランプスタンド上へ直接配置された回路と、前記回路と電気的に接続され、前記冷却用ランプスタンド上へ配置された少なくとも１つのＬＥＤと、前記ＬＥＤを覆う封止材と、前記回路と電気的に接続され、電力を供給する電力変換器と、を備えることを特徴とする。
【０００５】
請求項２の考案では、請求項１の考案において、前記ＬＥＤは、電気的に直列または並列に接続されることを特徴とする。
【０００６】
請求項３の考案では、請求項２の考案において、前記ＬＥＤの２つの電極は、前記ＬＥＤの同じ側に設けられることを特徴とする。
【０００７】
請求項４の考案では、請求項１の考案において、前記冷却用ランプスタンドは射出成形されることを特徴とする。
【０００８】
請求項５の考案では、請求項１の考案において、前記高分子量体は、複数の熱伝導粒子を含むことを特徴とする。
【０００９】
請求項６の考案では、請求項１の考案において、前記冷却用ランプスタンドは、前記回路および前記ＬＥＤが設けられた窪み部を有することを特徴とする。
【００１０】
請求項７の考案では、請求項６の考案において、前記窪み部の深さは２ｍｍ以下であることを特徴とする。
【００１１】
請求項８の考案では、請求項１の考案において、前記電力変換器は、前記冷却用ランプスタンド中に埋設されることを特徴とする。
【考案の効果】
【００１２】
本考案の照明装置は、高温による影響を防ぐことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本考案の一実施形態による照明装置を示す斜視図である。
【図２】図１の線２−２に沿った断面図である。
【考案を実施するための形態】
【００１４】
図１および図２を参照する。図１は、本考案の一実施形態による照明装置を示す斜視図である。図２は、図１の線２−２に沿った断面図である。図１および図２に示すように、照明装置は、冷却用ランプスタンド１００、回路２００、少なくとも１つのＬＥＤ２１０、封止材２２０および電力変換器３００を含む。冷却用ランプスタンド１００は、熱伝導率が１Ｗ／ｍＫ以上である高分子量体からなり、一体型である。回路２００は、冷却用ランプスタンド１００上へ直接配置される。ＬＥＤ２１０は、冷却用ランプスタンド１００上に配置され、回路２００と電気的に接続される。さらに、ＬＥＤ２１０は、封止材２２０により覆われる。電力変換器３００は、回路２００と電気的に接続されて電源を供給する。
【００１５】
さらに詳細には、冷却用ランプスタンド１００は、製造コストを低減させるために、射出成形により製作してもよい。さらに、冷却用ランプスタンド１００を接合部分がない一体型で構成し、耐熱性を高めてもよい。高分子量体は、以下３つの成分からなるものとできる。
【００１６】
第１の成分は、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、ポリアリーレンサルファイド、液晶ポリマー、シンジオタクチックポリスチレン（ＳＰＳ）およびポリフタルアミドからなる群から１以上選択される。高分子量体の第１の成分は２０〜６５重量％である。
【００１７】
第２の成分は、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、炭化ケイ素および窒化ホウ素からなる群から１以上選択される。高分子量体の第２の成分は１５〜６０重量％である。
【００１８】
第３の成分は、ガラス繊維および炭素繊維からなる群から１以上選択される。高分子量体の第３の成分は５〜４５重量％である。
【００１９】
さらに、高分子量体には、熱伝導率を高めるために少量の熱伝導粒子を混入させてもよい。また、冷却用ランプスタンド１００の表面には、放熱効率を高めるために、多数のフィンを設けてもよい。
【００２０】
回路２００は、回路基板を全く使用せずに冷却用ランプスタンド１００上に直接設置してもよい。言い換えると、冷却用ランプスタンド１００は、電気伝導率が低くて熱伝導率が高いため、印刷回路基板および冷却構造の替わりに用いることができる。
【００２１】
ＬＥＤ２１０は、冷却用ランプスタンド１００上に配置され、回路２００と電気的に接続される。さらに詳細には、複数のＬＥＤ２１０を電気的に直列または並列に接続させてもよい。ＬＥＤは、ＬＥＤダイまたはＬＥＤパッケージでもよく、同じ側または互いに対向した位置に設けられた２つの電極を有してもよい。
【００２２】
さらに詳細には、回路２００は、少なくとも１つの高電圧線および少なくとも１つの低電圧線を含む。ＬＥＤ２１０は、高電圧線と低電圧線との間に位置し、ボンディング工程により形成されたボンディング線を介し、高電圧線および低電圧線とそれぞれ電気的に接続された２つの電極を有する。
【００２３】
ＬＥＤ２１０は封止材により覆われる。さらに詳細には、冷却用ランプスタンド１００は、回路２００およびＬＥＤ２１０が設けられた窪み部１１０を有するものとできる。窪み部１１０は、２ｍｍ以下の深さを有し、ＬＥＤ２１０を保護するために封止材２２０が中に充填されているものとできる。
【００２４】
回路２００には、電源を供給する電力変換器３００が電気的に接続されている。電力変換器３００は、冷却用ランプスタンド１００と分離して配置されたり、冷却用ランプスタンド１００中に埋設されたりしてもよい。電力変換器３００は、冷却用ランプスタンド１００中に埋設される場合、プラグを有する。また、冷却用ランプスタンド１００および電力変換器３００は、様々な標準規格（例えば、ＭＲ１６、Ｅ２７、ＰＡＲ３０、ＧＵ１０など）に基づいて製作することができる。
【００２５】
当該技術分野の当業者が実施できるように、本考案の好適な実施形態を前述の通り開示したが、これらは決して本考案を限定するものではない。本考案の主旨と領域を脱しない範囲内で各種の変更や修正を加えることができる。従って、本考案の実用新案登録請求の範囲は、このような変更や修正を含めて広く解釈されるべきである。
【符号の説明】
【００２６】
１００…冷却用ランプスタンド、
１１０…窪み部、
２００…回路、
２１０…ＬＥＤ、
２２０…封止材、
３００…電力変換器。
【図１】
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【図２】
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