(57)【要約】載置台上に被処理体を載置する際に、被処理体の裏面側の空間のガスを迅速に排除することにより、被処理体の位置ずれの発生を抑制することが可能な被処理体の昇降機構を提供する。真空引き可能になされた処理容器２２内に設けられた載置台３８に複数のピン挿通孔５０を形成し、前記ピン挿通孔に上下移動可能に押し上げピン５２を挿通して設け、前記押し上げピンを押し上げ部材により上下動させることにより被処理体Ｗを前記載置台上に載置させ得るようにした被処理体の昇降機構において、前記押し上げピンに、前記載置台の上方の空間Ｓ１と下方の空間Ｓ２とを連通するための連通路６６を形成する。これにより、載置台上に被処理体を載置する際に、被処理体の裏面側の空間のガスを迅速に排除することにより、被処理体の位置ずれの発生を抑制する。
2003034483.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空引き可能になされた処理容器内に設けられた載置台に複数のピン挿通孔を形成し、前記ピン挿通孔に上下移動可能に押し上げピンを挿通して設け、前記押し上げピンを押し上げ部材により上下動させることにより被処理体を前記載置台上に載置させ得るようにした被処理体の昇降機構において、
前記押し上げピンに、前記載置台の上方の空間と下方の空間とを連通するための連通路を形成するように構成したことを特徴とする被処理体の昇降機構。
【請求項２】
前記押し上げピンは、ピン本体と、このピン本体の先端部に設けられて降下した時に前記ピン挿通孔の上端の開口の周縁部に保持される鍔部とよりなることを特徴とする請求項１記載の被処理体の昇降機構。
【請求項３】
前記連通路の上方の開口部は、前記ピン本体の上端において上方に向けて開放されていることを特徴とする請求項２記載の被処理体の昇降機構。
【請求項４】
前記連通路の上方の開口部は、前記ピン本体の上端部において横方向に向けて開放されていることを特徴とする請求項２記載の被処理体の昇降機構。
【請求項５】
前記鍔部は、上方に向けて凸状に曲面形状に成形されていることを特徴とする請求項２乃至４のいずれかに記載の被処理体の昇降機構。
【請求項６】
前記鍔部には、前記開口部の一部を形成するための切り欠きが形成されていることを特徴とする請求項２乃至４のいずれかに記載の被処理体の昇降機構。
【請求項７】
前記ピン本体の下端は、前記押し上げ部材上に離間可能に載置状態で支持されていることを特徴とする請求項２乃至６のいずれかに記載の被処理体の昇降機構。
【請求項８】
前記押し上げピンの下端は、前記押し上げ部材に固定状態で支持されていることを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の被処理体の昇降機構。
【請求項９】
前記連通路の下方の開口部は、前記押し上げピンの下端部において横方向に向けて開放されていることを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の被処理体の昇降機構。
【請求項１０】
真空引き可能になされた処理容器内に設けられた載置台に複数のピン挿通孔を形成し、前記ピン挿通孔に上下移動可能に押し上げピンを挿通して設け、前記押し上げピンを上下動させることにより被処理体を前記載置台上に載置させ得るようにした被処理体の昇降機構において、
前記押し上げピンに、前記載置台の上方の空間と下方の空間とを連通するための連通路を形成し、
前記押し上げピンの連通路に摺動可能に挿入して前記押し上げピンを位置決めするとともに前記押し上げピンを上下駆動する位置決め駆動ピンを設け、
前記位置決め駆動ピンを押し上げ部材により上下動させ得るようにしたことを特徴とする被処理体の昇降機構。
【請求項１１】
前記押し上げピンは、筒状のピン本体を有し、前記ピン本体はその上端部に環状部または押し上げピンの下降時に前記ピン挿通孔の周縁部に保持される鍔部を設けられていることを特徴とする請求項１０に記載の被処理体の昇降機構。
【請求項１２】
前記環状部または前記鍔部は、上部が凸状の曲面形状に形成されていることを特徴とする請求項１１に記載の被処理体の昇降機構。
【請求項１３】
前記連通路の上方の開口部は、前記ピン本体の上端において上方または横方向に開放されていることを特徴とする請求項１０〜１２のいずれかに記載の被処理体の昇降機構。
【請求項１４】
前記位置決め駆動ピンは上昇時に前記押し上げピンの下端部と係合する突起または鍔を有することを特徴とする請求項１０〜１３のいずれかに記載の被処理体の昇降機構。
【請求項１５】
前記押し上げピンの連通路は、前記位置決め駆動ピンが上昇する時に前記位置決め駆動ピンの上端と係合する突起または小径部または段部を有することを特徴とする請求項１０〜１３のいずれかに記載の被処理体の昇降機構。
【請求項１６】
前記位置決め駆動ピンは上端部に膨出部を有し、前記押し上げピンの連通路は下端部に狭窄部を有し、前記膨出部の最大外径寸法は前記連通路の狭窄部の最小内径寸法より大きいことを特徴とする請求項１０〜１３のいずれかに記載の被処理体の昇降機構。
【請求項１７】
前記載置台のピン挿通孔は、下端部に前記押し上げピンが下降する時に前記押し上げピンの下端と係合する突起を有することを特徴とする請求項１０〜１６のいずれかに記載の被処理体の昇降機構。
【請求項１８】
前記位置決め駆動ピンの下端は、前記押し上げ部材上に摺動可能に支承されていることを特徴とする請求項１０〜１７のいずれかに記載の被処理体の昇降機構。
【請求項１９】
前記位置決め駆動ピンの下端は、前記押し上げ部材に固定状態で支持されていることを特徴とする請求項１０〜１７のいずれかに記載の被処理体の昇降機構。
【請求項２０】
真空引き可能になされた処理容器と、
被処理体を載置する載置台と、
請求項１乃至１９のいずれかに記載の被処理体の昇降機構を備えたことを特徴とする処理装置。
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は、半導体ウエハ等の被処理体の昇降機構及びこれを用いた処理装置に関する。
背景技術
一般に、半導体集積回路を製造するには、半導体ウエハ等の被処理体に、成膜処理、エッチング処理、熱処理、改質処理、結晶化処理等の各種の枚葉処理を繰り返し行なって、所望する集積回路を形成するようになっている。上記したような各種の処理を行なう場合には、その処理の種類に対応して必要な処理ガス、例えば成膜処理の場合には成膜ガスを、改質処理の場合にはオゾンガス等を、結晶化処理の場合にはＮ２ガス等の不活性ガスやＯ２ガス等をそれぞれ処理容器内へ導入する。
例えば半導体ウエハに対して１枚毎に熱処理を施す枚葉式の処理装置を例にとれば、真空引き可能になされた処理容器内に、例えば抵抗加熱ヒータを内蔵した載置台を設置し、この上面に半導体ウエハを載置した状態で所定の処理ガスを流し、所定のプロセス条件下にてウエハに各種の熱処理を施すようになっている。
ところで、この載置台には、周知のように処理容器内へ搬入されてきたウエハを載置台上に移載するために上下方向へ出没可能になされた押し上げピン（例えば特開平６−３１８６３０号公報）が設けられており、これを昇降させることにより、ウエハを載置台上に載置したり、或いは逆に、載置台上のウエハを上方へ突き上げたりできるようになっている。
この点について、図１８Ａ，１８Ｂを参照して詳しく説明する。
図１８Ａ，１８Ｂは処理装置の載置台に設けられた従来の被処理体の昇降機構を示す構成図である。図１８Ａ，１８Ｂに示すように載置台２には、複数、例えば３つのピン挿通孔４（図示例では２つのみ記す）が形成されており、各ピン挿通孔４には遊嵌状態で上下移動可能に押し上げピン６がそれぞれ挿通されている。
各押し上げピン６の下端は、図示しないアクチュエータにより昇降可能になされたリング状の押し上げ部材８により離脱可能に支持されている。また、各押し上げピン６の上端部には、拡径された鍔部１０が設けられており、この鍔部１０が、載置台２の上面に形成した凹部１２に、図１８Ｂに示すように嵌まり込んで支持されるようになっている。
ウエハＷを載置台２上に移載する場合には、図１８Ａに示すように押し上げピン６を上方へ上昇させた状態で、図示しない搬送アームからのウエハＷを上記押し上げピン６の上端で受け取って支持させる。次に、押し上げピン６を下方へ降下させることによって、図１８Ｂに示すように押し上げピンをピン挿通孔４内へ完全に没するようにして、これによりウエハＷを載置台２上に支持させることができる。尚、ウエハＷを処理容器内から搬出する場合には、上記操作と逆の操作を行えばよい。
ところで、図１８Ａに示す状態から図１８Ｂに示すように、ウエハＷを降下させて載置台２上に載置する場合、ウエハＷの裏面側の空間、すなわちウエハＷの裏面と載置台２の上面との間の空間Ｓ１におけるガスがウエハＷの周辺部から外側に向けて迅速に抜けたり、或いは図１８Ｂの矢印１２に示すようにピン挿通孔４を解して載置台２の裏面側の空間Ｓ２に迅速に抜ける場合には問題がない。
しかしながら、ウエハＷに対する処理が進んで、例えばピン挿通孔４の内壁に不要な膜が付着したり、或いはウエハＷのサイズが大きくなるなどして、この空間Ｓ１におけるガスの抜け速度が劣化すると、この空間Ｓ１における僅かなガス圧によりエアークッション作用が生じてウエハＷが非常に僅かな時間であるが浮いた状態となり、この時、ウエハＷが横すべりして位置ずれを生ずる、といった問題が発生した。
この場合、ピン挿通孔４の内径を、押し上げピン６の外径よりもかなり大きくしてこの部分の空隙をより広くして空間Ｓ１のガスの排出を促進させることも考えられるが、この場合には、押し上げピン６が垂直方向から大きく傾いてしまって、これを昇降移動すると、ウエハＷが水平方向へ許容量以上に位置ずれを生じてしまって、採用することはできない。
発明の開示
本発明の目的は、載置台上に被処理体を載置する際に、被処理体の裏面側の空間のガスを迅速に排除することにより、被処理体の位置ずれの発生を抑制することが可能な被処理体の昇降機構及びこれを用いた処理装置を提供することにある。
本発明は、真空引き可能になされた処理容器内に設けられた載置台に複数のピン挿通孔を形成し、前記ピン挿通孔に上下移動可能に押し上げピンを挿通して設け、前記押し上げピンを押し上げ部材により上下動させることにより被処理体を前記載置台上に載置させ得るようにした被処理体の昇降機構において、前記押し上げピンに、前記載置台の上方の空間と下方の空間とを連通するための連通路を形成するように構成したことを特徴とする被処理体の昇降機構である。
これにより、載置台上に被処理体を載置する際に、被処理体の裏面側の空間のガスを、押し上げピンに形成した連通路を介して載置台の裏面側へ迅速に排除することができるので、エアークッション作用が発生することがなくなって被処理体が載置台上を横スベリすることがなく、この位置ずれが生ずることを防止することが可能となる。
この場合、前記押し上げピンは、ピン本体と、このピン本体の先端部に設けられて降下した時に前記ピン挿通孔の上端の開口の周縁部に保持される鍔部とよりなるようにすることができる。
また、前記連通路の上方の開口部は、前記ピン本体の上端において上方に向けて開放されているようにすることができる。
また、前記連通路の上方の開口部は、前記ピン本体の上端部において横方向に向けて開放されているようにすることができる。
これによれば、押し上げピンの上方の開口部は、横方向に向けて開放されているので、この開口部が被処理体の裏面側で塞がれることを防止でき、被処理体の裏面側の空間のガスをより迅速に確実に排除することが可能となる。
また、前記鍔部は、上方に向けて凸状に曲面形状に成形されているようにすることができる。
この場合、前記鍔部には、前記開口部の一部を形成するための切り欠きが形成されているようにすることができる。
これによれば、押し上げピンの鍔部に、開口部の一部を形成する切り欠きを設けるようにしているので、この開口部が被処理体の裏面側で塞がれことを確実に防止することができ、これによって被処理体の裏面側の空間のガスを更に確実に排除することが可能となる。
また、前記ピン本体の下端は、前記押し上げ部材上に離間可能に載置状態で支持されるようにすることができる。或いは、前記押し上げピンの下端は、前記押し上げ部材に固定状態で支持されるようにすることができる。
また、前記連通路の下方の開口部は、前記押し上げピンの下端部において横方向に向けて開放されるようにすることができる。
これによれば、押し上げピンの下方の開口部が、横方向に向けて開放されているので、この開口部が、押し上げ部材によって塞がれることを確実に防止することが可能となる。
本発明による被処理体の昇降機構は、真空引き可能になされた処理容器内に設けられた載置台に複数のピン挿通孔を形成し、前記ピン挿通孔に上下移動可能に押し上げピンを挿通して設け、前記押し上げピンを上下動させることにより被処理体を前記載置台上に載置させ得るようにした被処理体の昇降機構において、前記押し上げピンに、前記載置台の上方の空間と下方の空間とを連通するための連通路を形成し、前記押し上げピンの連通路に摺動可能に挿入して前記押し上げピンを位置決めするとともに前記押し上げピンを上下駆動する位置決め駆動ピンを設け、前記位置決め駆動ピンを押し上げ部材により上下動させ得るようにしたことを特徴とするものである。
前記押し上げピンは、筒状のピン本体を有し、前記ピン本体はその上端部に環状部または押し上げピンの下降時に前記ピン挿通孔の周縁部に保持される鍔部を設けられていてもよい。
前記環状部または前記鍔部は、上部が凸状の曲面形状に形成されていてもよい。
前記環状部または前記鍔部の上部が凸状の曲面形状に形成されている場合には、被処理体を支持する部分の接触面積が小さいため、押し上げピンの傾斜による位置ずれが小さい。
前記連通路の上方の開口部は、前記ピン本体の上端において上方または横方向に開放されていてもよい。
連通路の上方の開口部が横方向に向けて開放されている場合には、連通路の開口部が被処理体の裏面側で塞がれることがないので、被処理体の裏面側の空間のガスをより迅速に確実に排除することが可能となる。
前記位置決め駆動ピンは上昇時に前記押し上げピンの下端部と係合する突起または鍔を有するようにすることもできる。
前記押し上げピンの連通路は、前記位置決め駆動ピンが上昇する時に前記位置決め駆動ピンの上端と係合する突起または小径部または段部を有するようにすることもできる。
本発明によれば、位置決め駆動ピンが上昇する時に、位置決め駆動ピンの突起または鍔が押し上げピンの下端部と係合し、あるいは、位置決め駆動ピンの上端が押し上げピンの連通路内の突起または小径部または段部と係合し、押し上げピンを上方に移動させることができる。
前記位置決め駆動ピンは上端部に膨出部を有し、前記押し上げピンの連通路は下端部に狭窄部を有し、前記膨出部の最大外径寸法は前記狭窄部の最小内径寸法より大きいようにすることもできる。
本発明によれば、位置決め駆動ピンが下降するときに、位置決め駆動ピンの膨出部が押し上げピンの連通路の狭窄部と係合し、確実に押し上げピンを下方に移動させることができる。
前記載置台のピン挿通孔は、下端部に前記押し上げピンが下降する時に前記押し上げピンの下端と係合する突起を有するようにすることができる。
この場合、押し上げピンが下降する時にピン挿通孔の突起が押し上げピンと係合し、押し上げピンを支持することができる。
前記位置決め駆動ピンの下端は、前記押し上げ部材上に摺動可能に支承されているようにすることができる。前記位置決め駆動ピンの下端は、前記押し上げ部材に固定状態で支持されているようにすることができる。
本発明による被処理体の処理装置は、真空引き可能になされた処理容器と、
被処理体を載置する載置台と、上述したいずれかの被処理体の昇降機構を備えたことを特徴とするものである。
発明を実施するための最良の形態
以下に、本発明に係る被処理体の昇降機構及びこれを用いた処理装置の一実施形態を添付図面に基づいて詳述する。
図１は本発明に係る処理装置を示す断面構成図、図２は被処理体の昇降機構の押し上げ部材を示す平面図、図３Ａと図３Ｂは押し上げピンの構造を示す図（ＴｙｐｅＡ）、図４Ａ，４Ｂは被処理体の昇降機構の動作を説明するための動作説明図である。ここでは処理としては、ＴｉＮ膜を堆積させる場合を例にとって説明する。
図示するようにこの処理装置２０は、例えば断面の内部が略円形状になされたアルミニウム製の処理容器２２を有している。この処理容器２２内の天井部には必要な処理ガス、例えばＴｉＣｌ４ガスやＮＨ３ガス等を導入するためにガス供給手段であるシャワーヘッド構造２４が設けられており、この下面に設けた多数のガス噴射口２６Ａ、２６Ｂから処理空間Ｓに向けて処理ガスを噴射するようになっている。
このシャワーヘッド構造２４内は、例えば２つのガス空間２４Ａ、２４Ｂに分離区画されると共に各ガス空間２４Ａ、２４Ｂに上記各ガス噴射孔２６Ａ、２６Ｂがそれぞれ連通されており、シャワーヘッド構造２４の内部では２つのガスが混ざらないように別々の通路を経て処理空間Ｓで２つのガスが初めて混合し得るようになっている。尚、このガス供給形態をポストミックスと称する。
このシャワーヘッド構造２４の全体は、例えばニッケルやハステロイ等のニッケル合金等の導電体により形成されており、上部電極を兼ねている。この上部電極であるシャワーヘッド構造２４の外周側や上方側は、処理容器２２との接地を絶縁するために例えば石英やアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等よりなる絶縁体２７により全体が覆われており、上記シャワーヘッド構造２４はこの絶縁体２７を介して処理容器２２側に絶縁状態で取り付け固定されている。この場合、上記シャワーヘッド構造２４と絶縁体２７と処理容器２２の各接合部間には、例えばＯリング等よりなるシール部材２９がそれぞれ介在されており、処理容器１２内の気密性を維持するようになっている。
そして、このシャワーヘッド構造２４には、例えば４５０ＫＨｚの高周波電圧を発生する高周波電源３３がマッチング回路３５を介して接続されており、上記上部電極であるシャワーヘッド構造２４に必要に応じて高周波電圧を印加するようにしてもよい。尚、この高周波電圧の周波数は４５０ＫＨｚに限定されず、他の周波数、例えば１３．５６ＭＨｚ等を用いてもよい。
また、処理容器２２の側壁２２Ａには、この処理容器２２内に対して被処理体としての半導体ウエハＷを搬入搬出するための搬出入口２８が設けられると共に、この搬出入口２８には、気密に開閉可能になされたゲートバルブ３０が設けられている。
そして、この処理容器２２の底部２２Ｂに排気落とし込め空間３２が形成されている。具体的には、この容器底部２２Ｂの中央部には大きな開口３１が形成されており、この開口３１に、その下方へ延びる有底円筒体状の円筒区画壁３４を連結してその内部に上記排気落とし込め空間３２を形成している。そして、この空間３２を区画する円筒区画壁３４の底部３４Ａには、これより起立させて例えば円筒体状の支柱３６が設けられており、この上端部に図示しない円板メッシュ状の下部電極が埋め込まれた載置台３８が固定されている。
そして、上記排気落とし込め空間３２の入口開口部は、載置台３８の直径よりも小さく設定されており、上記載置台３８の周縁部の外側を流下する処理ガスが載置台３８の下方に回り込んで入口開口部へ流入するようになっている。そして、上記円筒区画壁３４の下部側壁には、この排気落とし込め空間３２に臨ませて真空排気口４０が形成されており、この真空排気口４０には、図示しない真空ポンプが介設された排気管４２が接続されて、処理容器２２内及び排気落とし込め空間３２の雰囲気を真空引きできるようになっている。
そして、この排気管４２の途中には、開度コントロールが可能になされた図示しない圧力調整弁が介設されており、この弁開度を自動的に調整することにより、上記処理容器２２内の圧力を一定値に維持したり、或いは所望する圧力へ迅速に変化させ得るようになっている。
また、上記載置台３８は、加熱手段として例えば内部に所定のパターン形状に配置された抵抗加熱ヒータ４４を有しており、この外側は焼結された例えばＡｌＮ等よりなるセラミックスにより構成され、上面に被処理体としての半導体ウエハＷを載置し得るようになっている。また、上記抵抗加熱ヒータ４４は上記支柱３６内を配設された給電線４６に接続されて、電力を制御しつつ供給できるようになっている。
この載置台３８には、本発明の特徴とする被処理体の昇降機構４８が設けられる。具体的には、上記載置台３８には、この上下方向に貫通して複数、例えば３本のピン挿通孔５０が形成されており（図１においては２つのみ示す）、上記昇降機構４８は、上記各ピン挿通孔５０に上下移動可能に遊嵌状態で挿通させた押し上げピン５２を有している。上記各押し上げピン５２の下端には、図２にも示すように、円形リング形状の一部を欠いてなる円弧形状に形成された例えばアルミナのようなセラミックス製の押し上げ部材５４が配置されており、この押し上げ部材５４の上面に、上記各押し上げピン５２の下端は離脱可能に載置状態で支持されている。すなわち、押し上げピン５２の下端は支持された状態で押し上げ部材５４との間で相対的に摺動可能になっている。具体的には、この円弧形状の押し上げ部材５４には、中心に対して略１２０度間隔で配置されたピン支持皿５６が設けられており、各ピン支持皿５６の上面で、上記押し上げピン５２の下端を受けて支持するようになっている。この押し上げ部材５４から延びるアーム部５４Ａは、容器底部２２Ｂの下面側に設けたアクチュエータ５８の出没ロッド６０の上端にボルト６２により連結されており、上記各押し上げピン５２をウエハＷの受け渡し時に各ピン挿通孔５０の上端から上方へ出没させるようになっている。また、アクチュエータ５８の出没ロッド６０は上記容器底部２２Ｂを貫通しており、この貫通部の下側に、伸縮可能なベローズ６４が介設されており、上記出没ロッド６０が処理容器２２内の気密性を維持しつつ昇降できるようになっている。
ここで、本発明の特徴とする上記押し上げピン５２は、全体が例えばアルミナにより形成されて、図３Ａ，３Ｂ及び図４Ａ，４Ｂにも示すように、内部が中空になされたパイプ状になっており、この中空部分が連通路６６として構成されている。これにより、図４Ａにも示すように、ウエハＷの裏面と載置台３８の上面との間の空間Ｓ１と、載置台３８の裏面側（下方）の空間Ｓ２とを連通するようになっている。
この押し上げピン５２は、パイプ状になされたピン本体６８と、このピン本体６８の先端部に設けられて拡径された鍔部７０とよりなり、上記連通路６６は上下方向に貫通して設けられる。尚、この鍔部７０は、例えば笠状、湾曲状に形成されるなど、どのような形状でもよい。また、上記鍔部７０より上方に突出する環状部６８Ａの直径は、ピン本体６８より小さく設定されている。
従って、ここでは上記連通路６６の上方の開口部６６Ａは、ピン本体６８の上端において上方に向けて開放されており、連通路６６の下方の開口部６６Ｂは、ピン本体６８の下端において下方に向けて開放されている。
そして、ここでは上記ピン本体６８の外径Ｄ１は２．８〜４．８ｍｍ程度、ピン挿通孔５０の内径Ｄ２は３〜５ｍｍ程度にそれぞれ設定されると共に、上記鍔部７０の直径Ｄ３は上記挿通孔５０の内径Ｄ２よりも大きい３〜７ｍｍ程度に設定されており、載置台３８の上面には、上記鍔部７０を収容できる大きさで凹部７２が形成されている。尚、連通路６６の内径Ｄ４（図３Ｂ）参照は１〜４ｍｍ程度である。また、上記ピン挿通孔５０の内径Ｄ２とピン本体６８の外径Ｄ１のクリアランスは０．１〜０．５ｍｍ程度、好ましくは０．２〜０．４ｍｍ程である。
これにより、図４Ｂに示すように、押し上げ部材５４が最下端へ降下した時に、上記鍔部７０が載置台３８の凹部７２内に没入し、押し上げピン５２はピン支持皿５６に支持される。また、押し上げピン５２の全体と離間した状態で載置台３８の凹部７２内に上記鍔部７０を没入した状態で保持されるようにしてもよい。
次に、以上のように構成された処理装置及び被処理体の昇降機構の動作について説明する。
まず、半導体ウエハＷの搬入に先立って、例えば図示しないロードロック室に接続されたこの処理装置２０の処理容器２２内は高真空に真空引きされており、また、ウエハＷを載置する載置台３８は加熱手段である抵抗加熱ヒータ４４によって所定の温度に昇温されて安定的に維持されている。
さて、このような状態において、まず、未処理の半導体ウエハＷは、図示しない搬送アームに保持されて開状態となったゲートバルブ３０、搬出入口２８を介して処理容器２２内へ搬入され、このウエハＷは、図４Ａに示すように上昇された押し上げピン５２に受け渡された後に、押し上げ部材５４を降下させてこの押し上げピン５２を降下させることにより、ウエハＷを載置台３８の上面に載置してこれを支持する。次に、シャワーヘッド構造２４から処理ガスとして例えばＴｉＣｌ４ガスやＮＨ３ガスをそれぞれ別々のガス噴射孔２６Ａ、２６Ｂを介して噴射供給すると共に、これらの両ガスを処理空間Ｓにて混合させ、そして、図示してないが排気管４２に設けた真空ポンプの駆動を継続することにより、処理容器２２内や排気落とし込め空間３２内の雰囲気を真空引きし、そして、圧力調整弁の弁開度を調整して処理空間Ｓの雰囲気を所定のプロセス圧力に維持する。これにより、半導体ウエハＷの表面に、ＴｉＣｌ４とＮＨ３とが熱反応によりＴｉＮ膜を堆積させることになる。また、上部電極であるシャワーヘッド構造２４と下部電極である載置台３８との間に高周波電力を印加して処理空間Ｓにプラズマを立てて成膜してもよい。
ここで、載置台３８上にウエハＷを載置する時の状況について詳しく説明する。
前述したように、図４Ａに示すように、最上端まで上昇した押し上げピン５２の上端に、ウエハＷを支持させた状態で、アクチュエータ５８（図１参照）を駆動することによって押し上げ部材５４を降下させると、これに支持されている上記押し上げピン５２も上記押し上げ部材と一体的に降下することになる。そして、この降下した押し上げピン５２は、最終的に図４Ｂに示すように、その押し上げピン５２の上部の鍔部７０が載置台３８の上面の凹部７２内に没入され、この時、押し上げピン５２に支持されていたウエハＷは載置台３８の上面側に移載されて配置されることになる。更に上記押し上げ部材５４に設けたピン支持皿５６に支持された押し上げピン５２の全体は、そのままの状態で支持される。また、上記鍔部７０が載置台３８の凹部７２内に没入した状態で押し上げピン５２を支持するようにしてもよい。
この際、従来の装置例にあっては、ウエハＷの裏面側と載置台３８との間の空間Ｓ１のガスが、前述したようにウエハＷが降下してきても押し上げピン５２とピン挿通孔５０の隙間より迅速には抜けきれなかったので、エアクッションの作用が生じてウエハＷが僅かな距離ではあるが、載置台３８の上面を横スベリして位置ずれを生ずる場合があった。
しかしながら、本発明装置の場合には、上記空間Ｓ１のガスを上記押し上げピン５４に形成した連通路６６を介して、載置台３８の下方の空間Ｓ２側へ迅速に排除することができるので、上記したエアクッション作用がほとんど発生することもなく、従って、ウエハＷの横スベリも生ぜずに、このウエハＷを位置ずれさせることなく載置台３８上に適正な位置に支持させることができる。
すなわち、降下してきたウエハＷが、載置台３８の上面と接触して、この上に載置される時、このウエハＷの裏面側の空間Ｓ１のガスは、各押し上げピン５２のピン本体６８に形成した連通路６６内に入り込んでこれを介して載置台３８の下方の空間Ｓ２へ排出されることになる。特に、この空間Ｓ２の下方側は真空引きされているので、より迅速に空間Ｓ１のガスは排除されることになり、上述したようにエアクッションの作用を生ぜずにウエハＷに位置ずれが発生することを防止することができる。
この場合、ウエハＷが載置台３８上に載置されるまでは、この連通路６６の上方の開口部６６ＡはウエハＷの裏面で塞がれ、また、下方の開口部６６Ｂは押し上げ部材５４の上面により塞がれることになるが、この部分をミクロ的に見れば上記両開口部６６Ａ、６６Ｂは共に完全には塞がれてはおらずにガスが十分に流通できる程度の隙間が生じているので、空間Ｓ１のガスの排出をそれ程阻害することはない。
また、上述したように、空間Ｓ１のガスは主に連通路６６を介して排出され、また、ピン挿通孔５０の内壁と押し上げピン５２の外周面との間に形成される隙間は非常に小さいため空間Ｓ１のガスが流入することもない。従って、ウエハに成膜する前の載置台３８へ予めプリコート膜を形成した場合や、ウエハの成膜をしている際の成膜ガスの回り込みにより、この部分に不要な膜が堆積することも防止できるので、この押し上げピン５２の上下方向への稼働状態を妨げる恐れもなく、スムーズに行なうことができる。
更には、各押し上げピン５２に下端は、円弧状の押し上げ部材５４のピン支持皿５６上に固定されておらずに、ピン支持皿５６とは離間ぜずにピン支持皿５６と摺動可能に支持されているだけなので、この円弧状の押し上げ部材５４が熱伸縮しても、これを許容することができ、押し上げピン５２がこの押し上げ部材５４の熱伸縮によって押し上げピン５２とピン挿通孔５０との接触負荷によって破損することも防止できる。
なお、上記実施形態では、連通路６６は環状部６８Ａから上方に向かって開口している。しかし、連通路６６をピン本体６８の上端部で横方向に向けて開口させることができる。
図５Ａ，５Ｂ，５Ｃに連通路６６をピン本体６８の上端部で横方向に向けて開口させた押し上げピン５２を示す。図５Ａは押し上げピン５２を上方から見た平面図、図５Ｂは図５Ａの矢印Ａ−Ａ方向に見た押し上げピン５２の側断面図、図５Ｃは図５Ａの矢印Ｂ−Ｂ方向に見た押し上げピン５２の側面図を示している。
図５Ａ，５Ｂ，５Ｃに示すように、本実施形態では、環状部６８Ａの一部を切り欠き、鍔部７０にも一部溝を設けている。このような構成により、図５Ｂから明らかなように、連通路６６は上端部において横方向に開放するようになる。この場合、環状部６８Ａ上にウエハＷが載置されていても、連通路６６の上方の開口部６６ＡはウエハＷの裏面で塞がれることがない。したがって、気体が容易に流通できるので、空間Ｓ１の気体が容易に排出される。
尚、上記実施形態では、押し上げピン５２の上部の鍔部７０を平板状に成形したが、これに限定されず、図６Ａ，６Ｂ，６Ｃに示すように、上方に向けて凸状に曲面形状に成形するようにしてもよい（ＴｙｐｅＢ）。
図６Ａ，６Ｂ，６Ｃはこのような押し上げピンの変形例を示す図であり、図６Ａは側面図、図６Ｂは断面図である。図示するように、この変形例の押し上げピン５２Ａでは、鍔部７０は、上方に向けて所定の半径Ｒ１、例えば３〜８ｍｍ程度で凸状に曲面形状に成形されている。そして、連通路６６の上方の開口部６６Ａは、上記鍔部７０の中心部を上方へ向けて開口することにより形成されている。
これによれば、ＴｙｐｅＢのウエハＷの裏面に直接的に接触する開口部６６Ａとの接触部（図６Ｂ参照）が、図３Ｂに示すＴｙｐｅＡの場合の接触部よりも小さくなっているので、押し上げピン５２Ａが上下移動する際にこれが垂直方向から僅かに傾いたとしても、上記ＴｙｐｅＢの鍔部７０にウエハＷの裏面との接触面が曲面形状している分小さいため、ウエハＷの位置ずれ量を抑制することができる、という作用効果を発揮することができる。
尚、上記変形例の場合には、連通路６６の上方の開口部６６Ａを、ピン本体６８の上端において上方へ向けて開放するように設けたが、これに限定されず、ピン本体の上端部において横方向に向けて開放されるように設けてもよい。
図７Ａ，７Ｂ，７Ｃはこのような押し上げピン５２の変形例を示す図であり、図７Ａは側面図、図７Ｂは断面図、図７Ｃは上面図である。図示するように、この変形例の押し上げピン５２Ｂでは、図６Ａ，６Ｂの変形例と同様に鍔部７０は、上方に向けて所定の半径Ｒ１で凸状に曲面形状（ドーム状、笠状）に成形されている。そして、連通路６６の上方の開口部６６Ａは、上方に向けて開放されるのではなく、この押し上げピン５２の上端部において横方向、或いは水平方向へ向けて開放されている。図示例では左右反対方向へ一対の開口部６６Ａが形成されている場合を示す。この場合、図７Ｃに示すように上記鍔部７０の一部に切り欠き７４が形成されており、この切り欠き７４が上記開口部６６Ａの一部を構成している。
この場合には、このドーム状の鍔部７０の頂点Ｐ１にてウエハＷの裏面と接触してこれを支持するようになり、いわば点接触状態となるので、前述したように、押し上げピン５２Ｂが上下移動する際にこれが垂直方向から僅かに傾いたとしても、ウエハＷは点接触状態で支持されているので、ウエハＷの位置ずれ量を更に抑制することができる、という作用効果を発揮できる。
また、図３Ａ，３Ｂの実施形態、或いは図６Ａ，６Ｂの変形例では、上方の開口部６６ＡはウエハＷの裏面側と当接してある程度塞がれていて排気抵抗が少し存在したが、この図７Ａ，７Ｂの変形例では開口部６６Ａを横方向に向けて開放しているので、この開口部６６Ａは、ウエハＷで塞がれることなく常時開放されており、その分、ウエハＷの裏面側の空間Ｓ１のガスをより迅速に排除することが可能となり、結果的に、ウエハＷの位置ずれを更に抑制することが可能となる。
また、図３Ａ，３Ｂの実施形態、図５Ａ，５Ｂ，５Ｃの変形例、図６Ａ，６Ｂの変形例、及び図７Ａ，７Ｂ，７Ｃの変形例においては、ピン本体６８の上部に鍔部７０を設けた押し上げピンについて説明したが、本発明はこれに限定されず、鍔部７０を設けていない構造の押し上げピンとしてもよい。
図８Ａ，８Ｂはこのような本発明の変形例を示す図であり、図８Ａは側面図を示し、図８Ｂは断面図を示す。図示するように、この変形例の押し上げピン５２Ｃでは、拡径された鍔部７０（図７Ａ，７Ｂ，７Ｃ参照）を有しておらず、連通路６６が形成されたピン本体６８の上端を順次縮径して円錐状に成形しており、その先端部を開口してここに上方の開口部６６Ａを設けている。
この場合には、鍔部７０を設けていないので、この押し上げピン５２Ｃは載置台３８で保持されることなく、常時、押し上げ部材５４（図４Ａ，４Ｂ参照）の上面でその下端が保持されることになる。
また、上記実施形態及び各変形例においては、ピン本体６８の下端に下方の開口部６６Ｂを設けていたが、これに代えて、或いはこれと共に、図９の断面図に示すようにピン本体（押し上げピン）６８の例えば下端部においてその側壁を開口することにより、横方向に向けて開放された別の開口部６６Ｃを設けるようにしてもよい。図示例では一対の別の開口部６６Ｃを設けた場合を示している。この開口部６６Ｃは、ピン本体６８の下端部に限らず、その途中のどの部分に設けてもよい。図１０は図３Ａ，３Ｂに示すＴｙｐｅＡの押し上げピン５２に上記開口部６６Ｃを設けた状態を示す断面図である。
これによれば、押し上げピンの下方の開口部６６Ｃは押し上げ部材５４に塞がれることなく常時開放されているので、ウエハＷの裏面側の空間Ｓ１（図４Ａ参照）のガスをより迅速に載置台３８の裏面側の空間Ｓ２に向けて排除することが可能となる。
また更に、図９に示すように下方の開口部６６Ｃをピン本体６８の下端部においてその側壁に形成した場合には、図１１に示すようにピン本体６８の下端部を、上下の締め付けネジ８０により押し上げ部材５４側に固定的に接続してこれに支持させるようにしてもよい。
次に、本発明の他の実施形態について説明する。
図１２は本実施形態による被処理体の昇降機構を示している。図１２に示すように、本実施形態では、押し上げピン５２が短く形成され、連通路６６に押し上げピン５２の位置決めをするとともに押し上げピン５２を上下駆動する位置決め駆動ピン９０の上端部９０Ａが摺動可能に挿入されている。
位置決め駆動ピン９０の上端部９０Ａの外径は好ましくは連通路６６の内径よりわずかに小さく形成され、上端部９０Ａの外周面と連通路６６の内側面との間に隙間が形成されている。
位置決め駆動ピン９０の上端部９０Ａの外周面にピンの長さ方向に複数の溝を設けてもよい。この場合、位置決め駆動ピン９０の上端部９０Ａの最大外径部分によって押し上げピン５２を位置決めするとともに、溝部分によってガスの流通空間を確保することができる。溝の代わりに、位置決め駆動ピン９０の上端部９０Ａの横断面をたとえば４角形にしてもよい。このことは以下に説明する各実施形態について共通である。
位置決め駆動ピン９０の上端部９０Ａは位置決め駆動ピン９０の下端部９０Ｂより相対的に小径に形成されていてもよい。連通路６６の内側面との間の隙間を確保するとともに、位置決め駆動ピン９０の剛性を確保するためである。
位置決め駆動ピン９０の一部には、図１２に示すように、突起または鍔９１が設けられている。突起または鍔９１は押し上げピン５２の下端部と係合する寸法を有している。突起または鍔９１が突起である場合は、突起は位置決め駆動ピン９０の外周面から半径方向外方に突出する複数の突起物であればよい。半径方向外方に突出する複数の突起物の間の隙間により、連通路６６が塞がれることがなく、容易に気体を流通させることができる。なお、突起または鍔９１が鍔である場合も、ミクロ的には鍔と押し上げピン５２の下端部との間には隙間があり、押し上げピン５２を下降させる時のウエハＷと載置台２の間のガスを十分に排出することができる。
位置決め駆動ピン９０の下端部は押し上げ部材５４に固定されている。
図１２の状態から位置決め駆動ピン９０が上昇すれば、突起または鍔９１が押し上げピン５２の下端部と係合して押し上げピン５２を上方に移動させ、ウエハＷを持ち上げる。また、図１２の状態から位置決め駆動ピン９０が下降すれば、押し上げピン５２の頭部が載置台３８の凹部７２に没入し、鍔部７０が載置台３８と係止する。
本実施形態の被処理体の昇降機構によれば、押し上げピン５２の位置は位置決め駆動ピン９０の位置によって定めら、位置決め駆動ピン９０の位置は押し上げ部材５４によって定められるので、押し上げピン５２が常に一定の場所でウエハＷを支持することができる。
本実施形態の被処理体の昇降機構によれば、押し上げピン５２が位置決め駆動ピン９０によって垂直に保持されるので、押し上げピン５２の上下動をスムーズに行わせ、押し上げピン５２が傾斜して上下動できなくなることを防止することができる。
ウエハＷを載置台３８上に降ろす時に、ウエハＷと載置台３８の間のガスを連通路６６を介して載置台３８の下方の空間Ｓ２に逃がし、ウエハＷの位置ずれを防止することは前述した他の実施形態の被処理体の昇降機構と同様である。
本実施形態では位置決め駆動ピン９０の下端部は押し上げ部材５４に固定されているが、位置決め駆動ピン９０による位置決めの要求が厳しくない場合には、位置決め駆動ピン９０の下端部を押し上げ部材５４上に摺動可能に支承させることができる。この場合には、押し上げ部材５４の熱伸縮による影響を軽減させることができる。
本実施形態においては、押し上げピン５２は載置台２の内部に埋没する程度に短く形成されているが、押し上げピン５２の下端部が載置台２の下面から下方に突出させてもよい。
また、本実施形態においては、突起または鍔９１の最大外径寸法が載置台２のピン挿通孔５０の内径より小さく、突起または鍔９１がピン挿通孔５０の内部に進入できるようになっているが、突起または鍔９１の最大外径寸法が載置台２のピン挿通孔５０の内径より大きくなるように形成してもよい。
図１３は、上記押し上げピン５２の下端部が載置台２の下面から下方に突出する構成と、上記突起または鍔９１の最大外径寸法が載置台２のピン挿通孔５０の内径より大きい構成の二つの構成をともに具備する実施形態を示している。
図１３に示した実施形態によれば、図１２の作用効果をすべて具備するとともに、位置決め駆動ピン９０を上昇させる時に、所定の高さで突起または鍔９１が載置台３８の下面と係合する。これにより、載置台３８の上面からの押し上げピン５２の突出高さが規定されるので、全部の押し上げピン５２の載置台３８上面からの突出高さを正確に等しくすることができる。
上記図１２，１３の実施形態において、鍔部７０を図６Ａ，６Ｂのように凸状の曲面形状にすることができる。また、連通路６６の上方開口部を図５Ａ，５Ｂ，５Ｃ及び図７Ａ，７Ｂのように横方向に開口させることができる。押し上げピン５２の上端部を図８Ａ，８Ｂに示すように、漸次縮径して円錐状にすることもできる。
さらに、上記図１２，１３の実施形態において、図９に示すように、押し上げピン５２のピン本体６８の下端部の側壁に開口を設けることにより、横方向に向けて開放する開口を設けることができる。
次に、本発明のさらに他の実施形態について説明する。
図１４に本実施形態による被処理体の昇降機構を示す。
図１４に示すように、本実施形態は、押し上げピンの連通路６６に、位置決め駆動ピン９０が上昇する時に位置決め駆動ピン９０の上端と係合する突起９２を設けている。
突起９２は、連通路６６の内面の全周にわたって設けてもよいが、連通路６６の内面の周方向に断続的に設けられた内方に突出する複数の突起であればよい。
本実施形態は、押し上げピン５２が短く形成され、連通路６６に位置決め駆動ピン９０の上端部が摺動可能に挿入されている。突起９２の最小内側寸法は位置決め駆動ピン９０の上端部９０Ａの外径よりわずかに小さく形成されている。また、位置決め駆動ピン９０と連通路６６の間には気体を流通させるのに十分な隙間が形成されている。
位置決め駆動ピン９０の下端部は押し上げ部材５４に固定されている。
図１４の状態から位置決め駆動ピン９０が上昇すれば、突起９２が位置決め駆動ピン９０の上端と係合して押し上げピン５２を上方に移動させ、ウエハＷを持ち上げる。また、図１４の状態から位置決め駆動ピン９０が下降すれば、押し上げピン５２の頭部が載置台３８の凹部７２に没入し、鍔部７０が載置台３８と係止する。
本実施形態の被処理体の昇降機構においても、ウエハＷと載置台３８の間のガスが連通路６６を通じて逃がされること、押し上げピン５２の位置が一定に維持されること、及び押し上げピン５２が位置決め駆動ピン９０によって垂直に維持されて傾斜によって上下動できなくなることを防止すること、等の作用効果を奏することができる。
また、本実施形態の被処理体の昇降機構においても、位置決め駆動ピン９０の下端部を押し上げ部材５４上に摺動可能に支承させること、押し上げピン５２の下端部が載置台２の下面から下方に突出させること、鍔部７０を図６Ａ，６Ｂのように凸状の曲面形状にすること、連通路６６の上方開口部を図５Ａ，５Ｂ，５Ｃ及び図７Ａ，７Ｂのように横方向に開口させること、鍔部７０の代わりに押し上げピン５２の上端部を図８Ａ，８Ｂに示すように円錐状にすること、押し上げピン５２のピン本体６８の下端部の側壁に開口を設けて横方向に向けて開放させること等の改変を加えることができる。
さらに、突起９２の代わりに図１５に示すように、連通路６６の上部を小径部９３に形成することができる。小径部９３の内径は位置決め駆動ピン９０の外径よりわずかに小さく形成する。この場合も位置決め駆動ピン９０が上昇すると、位置決め駆動ピン９０の上端部が小径部９３の下端と係合し、押し上げピン５２を上方に移動させる。また、図１５の状態から位置決め駆動ピン９０が下降すれば、押し上げピン５２の頭部が載置台３８の凹部７２に没入し、鍔部７０が載置台３８と係止する。
小径部９３は押し上げピン５２の長さ方向に所定の距離だけ形成した後に再び拡径させてもよい。この場合、小径部９３の下端部には位置決め駆動ピン９０の上端と係合する段部が形成されているので、図１４や図１５の実施形態と全く同じ作用効果を奏することができる。
次に、本発明のさらに他の実施形態について説明する。
図１６に本実施形態による被処理体の昇降機構を示す。
本実施形態は、押し上げピン５２を下降させるときに、確実に押し上げピン５２を引き下ろす構成を有していることを特徴とするものである。
図１６に示すように、本実施形態は位置決め駆動ピン９０の上端部に膨出部９４を有し、連通路６６の下端部に狭窄部９５を有している。膨出部９４の最大外径寸法は狭窄部９５の最小内径寸法より大きく形成されている。膨出部９４と狭窄部９５はたとえばねじを設けることによって形成することができる。位置決め駆動ピン９０の先端部を挿入するときはねじ込むことによって位置決め駆動ピン９０の先端部を挿入することができ、通常の運転時では、ねじ山同士が係合する。ねじのほかに、挿入してから回転させることができる任意の嵌め合い形状にすることができる。
位置決め駆動ピン９０の下端部は押し上げ部材５４に固定されている。
図１６の状態から位置決め駆動ピン９０が上昇すれば、位置決め駆動ピン９０の上端と連通路の小径部９３が係合して押し上げピン５２を上方に移動させ、ウエハＷを持ち上げる。押し上げピン５２が上方に移動した状態で位置決め駆動ピン９０が下降するときは、仮に押し上げピン５２が何らかの原因によって下降しない場合は、膨出部９４が狭窄部９５と係合し、確実に押し上げピン５２を引き下ろすことができる。これにより、押し上げピン５２が引き込まないトラブルを防止することができる。
本実施形態の被処理体の昇降機構においても、ウエハＷと載置台３８の間の気体が連通路６６を通じて逃がされること、押し上げピン５２の位置が一定に維持されること、及び押し上げピン５２が位置決め駆動ピン９０によって垂直に維持されること、等の作用効果を奏することができる。
また、本実施形態の被処理体の昇降機構においても、押し上げピン５２の下端部が載置台２の下面から下方に突出させること、鍔部７０を図６Ａ，６Ｂのように凸状の曲面形状にすること、連通路６６の上方開口部を図５Ａ，５Ｂ，５Ｃ及び図７Ａ，７Ｂのように横方向に開口させること、押し上げピン５２の上端部を図８Ａ，８Ｂに示すように、漸次縮径して円錐状にすること、押し上げピン５２のピン本体６８の下端部の側壁に開口を設けて横方向に向けて開放させること、小径部９３の代わりに突起や段部にすること等の改変を加えることができる。
次に、本発明のさらに他の実施形態について説明する。
図１７に本実施形態による被処理体の昇降機構を示す。本実施形態は載置台のピン挿通孔の下端部で押し上げピンの下端を保持できるようにしたものである。
図１７に示すように、本実施形態の載置台３８はピン挿通孔５０を有し、ピン挿通孔５０の下端部には突起９６が設けられている。突起９６はピン挿通孔５０の内面周方向の全周にわたって設けられていてもよいが、周方向に断続的に複数の内方に突出する突起物としてもよい。
ピン挿通孔５０には押し上げピン５２が上方から嵌挿されている。押し上げピン５２の下端は突起９６と係合する。押し上げピン５２の内部には連通路６６が設けられている。連通路６６の内部には突起９２が設けられている。突起９２は連通路６６の内面全周にわたって連続的に、すなわちリング状に形成されていてもよい。また、突起９２の代わりに、前述した小径部９３あるいは段部としてもよい。
連通路６６には位置決め駆動ピン９０の上端部が挿入されている。位置決め駆動ピン９０の下端部は押し上げ部材５４に固定されている。
本実施形態によれば、位置決め駆動ピン９０が上昇すると、突起９２が位置決め駆動ピン９０の上端と係合して押し上げピン５２を上方に移動させ、ウエハＷを持ち上げる。また、位置決め駆動ピン９０が下降すると、押し上げピン５２の下端が突起９６と係合し、下降を停止する。
本実施形態の被処理体の昇降機構においても、ウエハＷと載置台３８の間のガスが連通路６６を通じて逃がされること、押し上げピン５２の位置が一定に維持されること、押し上げピン５２が位置決め駆動ピン９０によって垂直に維持されて傾斜によって上下動できなくなることを防止すること、等の作用効果を奏することができる。
また、本実施形態の被処理体の昇降機構においても、位置決め駆動ピン９０の下端部を押し上げ部材５４上に摺動可能に支承させること、図３Ａ，３Ｂのような鍔部７０を設けること、その鍔部７０を図６Ａ，６Ｂのように凸状の曲面形状にすること、押し上げピン５２の上端部を図８Ａ，８Ｂに示すように円錐状にすること、連通路６６の上方開口部を図５Ａ，５Ｂ，５Ｃ及び図７Ａ，７Ｂのように横方向に開口させること、押し上げピン５２のピン本体６８の下端部の側壁に開口を設けて横方向に向けて開放させること等の改変を加えることができる。
尚、上記実施形態では、ウエハ表面にＴｉＮ膜を成膜する場合を例にとって説明したが、これに限定されず、他の膜種を堆積させる場合、或いは成膜処理に限らず、熱処理、改質処理、エッチング処理、スパッタ処理、プラズマを用いた各種の枚葉処理を行う場合にも本発明を適用できるのは勿論である。
また、本実施形態では、被処理体として半導体ウエハを例にとって説明したが、これに限定されず、ＬＣＤ基板、ガラス基板等にも適用できるのは勿論である。
以上説明したように、本発明の被処理体の昇降機構及びこれを用いた処理装置によれば、次のように優れた作用効果を発揮することができる。
本発明によれば、載置台上に被処理体を載置する際に、被処理体の裏面側の空間のガスを、押し上げピンに形成した連通路を介して載置台の裏面側へ迅速に排除することができるので、エアークッション作用が発生することがなくなって被処理体が載置台上を横スベリすることがなく、この位置ずれが生ずることを防止することができる。
本発明によれば、押し上げピンの連通路に位置決め駆動ピンが挿入され、押し上げピンの位置が位置決め駆動ピンによって位置決めされ、ウエハの位置ずれを防止することができる。
本発明によれば、押し上げピンの連通路に位置決め駆動ピンが挿入され、押し上げピンが位置決め駆動ピンによって垂直に保持されるので、押し上げピンの上下動をスムーズに行わせ、押し上げピンが傾斜して上下動できなくなることを防止することができる。
本発明によれば、押し上げピンの上方の開口部は、横方向に向けて開放されているので、この開口部が被処理体の裏面側で塞がれることを防止でき、被処理体の裏面側の空間のガスをより迅速に、且つスムーズに確実に排除することができる。
本発明によれば、押し上げピンの鍔部に、開口部の一部を形成する切り欠きを設けるようにしているので、この開口部が被処理体の裏面側で塞がれることを確実に防止することができ、これによって被処理体の裏面側の空間のガスを更に確実に排除することができる。
本発明によれば、押し上げピンの下方の開口部が、横方向に向けて開放されているので、この開口部が、押し上げ部材によって塞がれることを確実に防止することができる。
【図面の簡単な説明】
図１は本発明に係る処理装置を示す断面構成図である。
図２は被処理体の昇降機構の押し上げ部材を示す平面図である。
図３Ａは押し上げピンの構造を示す側面図である。
図３Ｂは押し上げピンの構造を示す断面図である。
図４Ａは被処理体の昇降機構の動作を説明するための動作説明図である。
図４Ｂは被処理体の昇降機構の動作を説明するための動作説明図である。
図５Ａは連通路をピン本体の上端部で横方向に向けて開口させた押し上げピンの平面図である。
図５Ｂは図５Ａの矢印Ａ−Ａ方向に見た押し上げピンの断面図である。
図５Ｃは図５Ａの矢印Ｂ−Ｂ方向に見た押し上げピンの側面図である。
図６Ａは鍔部を凸状の曲面形状にした押し上げピンの側面図である。
図６Ｂは鍔部を凸状の曲面形状にした押し上げピンの断面図である。
図７Ａは鍔部を凸状の曲面形状にするとともに連通路をピン本体の上端部で横方向に向けて開口させた押し上げピンの側面図である。
図７Ｂは鍔部を凸状の曲面形状にするとともに連通路をピン本体の上端部で横方向に向けて開口させた押し上げピンの断面図である。
図７Ｃは鍔部を凸状の曲面形状にするとともに連通路をピン本体の上端部で横方向に向けて開口させた押し上げピンの平面図である。
図８Ａは押し上げピンの上端部を円錐状にした押し上げピンの側面図である。
図８Ｂは押し上げピンの上端部を円錐状にした押し上げピンの断面図である。
図９は押し上げピンの下端部の側壁に開口部を設けた時の状態を示す部分断面図である。
図１０は図３Ａ，３Ｂに示すＴｙｐｅＡの押し上げピンに開口部を設けた状態を示す断面図である。
図１１は押し上げピンの下端を押し上げ部材に固定した時の状態を示す部分断面図である。
図１２は位置決め駆動ピンに突起または鍔を設けた本発明の他の実施形態に係る被処理体の昇降機構を示す断面構成図である。
図１３は図１２の実施形態の変形例に係る被処理体の昇降機構を示す断面構成図である。
図１４は連通路に突起を設けた本発明の他の実施形態に係る被処理体の昇降機構を示す断面構成図である。
図１５は連通路に小径部を設けた本発明の他の実施形態に係る被処理体の昇降機構を示す断面構成図である。
図１６は位置決め駆動ピンに膨出部を設け連通路に狭窄部を設けた本発明の他の実施形態に係る被処理体の昇降機構を示す断面構成図である。
図１７はピン挿通孔の下端に突起を設けた本発明の他の実施形態に係る被処理体の昇降機構を示す断面構成図である。
図１８Ａは処理装置の載置台に設けられた従来の被処理体の昇降機構を示す構成図である。
図１８Ｂは処理装置の載置台に設けられた従来の被処理体の昇降機構を示す構成図である。
【図１】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図５Ｃ】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図７Ｃ】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８Ａ】
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【図１８Ｂ】
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【国際調査報告】
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