【事件の表示】
　特願２００７−５３４６８２「低マイクロパイプの１００ｍｍ炭化ケイ素ウェハ」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年　４月２０日国際公開、ＷＯ２００６／０４１６６０、平成２０年　５月１５日国内公表、特表２００８−５１５７４９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯
　本願は、２００５年９月２７日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００４年１０月１０日、米国）を国際出願日とする出願であって、平成２０年１０月２３日付けで拒絶理由が起案され、平成２１年４月２８日付けで意見書と特許請求の範囲の記載に係る手続補正書が提出され、同年８月２６日付で拒絶査定の起案がなされ、同年１２月２８日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに特許請求の範囲の記載に係る手続補正書が提出され、平成２３年１１月１７日付けで特許法第１６４条第３項の規定に基づく報告書を引用した審尋の起案がなされ、回答書が提出されなかったものである。
　
第２．平成２１年１２月２８日付けの特許請求の範囲の記載に係る手続補正についての補正却下の決定
　
１．補正却下の結論
　平成２１年１２月２８日付けの特許請求の範囲の記載に係る手続補正を却下する。
　
２．理由
（１）平成２１年１２月２８日付けの特許請求の範囲の記載に係る手続補正（以下、「本件補正」ということがある。）は、本件補正前の平成２１年４月２８日付けの特許請求の範囲の記載に係る手続補正書により補正された、
「　　【請求項１】
　ＳｉＣの高品質単結晶のウェハを形成する方法であって、
　少なくとも１００ｍｍの直径を有するＳｉＣブールを形成するステップと、
　前記ブールを複数のウェハにスライスし、各ウェハの表面上のマイクロパイプ密度が３０ｃｍ-2未満とするステップと、
　その後、前記ウェハを研磨するステップと、
　を備える方法。」
を
「　　【請求項１】
　ＳｉＣの高品質単結晶のウェハを形成する方法であって、
　研磨した種ウェハを用いて、少なくとも１００ｍｍの直径を有するＳｉＣブールを形成するステップと、
　前記ブールを複数のウェハにスライスし、各ウェハの表面上のマイクロパイプ密度が３０ｃｍ-2未満とするステップと、
　その後、前記ウェハを研磨するステップと、
　を備える方法。」
とすることを含むものである。
　この請求項１に係る補正は、本件補正前の請求項１及びこの請求項１を引用して記載された請求項には、「種ウエハ」に係る発明特定事項は記載されていないから、「研磨した種ウェハを用いて」なる発明特定事項の付加は、発明を特定するために必要な事項を限定するものとはいない。
　また、本件補正前の請求項１を引用するいずれの請求項にも、「研磨した種ウェハを用いて」に係る発明特定事項は記載されていないから、請求項の削除ではないし、誤記の訂正、明りょうでない記載の釈明のいずれでもないことも明らかである。
　したがって、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 
　
第３．本願発明
　平成２１年１２月２８日付けの特許請求の範囲の記載に係る手続補正は却下されたので、本願の請求項１〜３９に係る発明は、平成２１年４月２８日付けの特許請求の範囲に係る手続補正書によって補正された請求項１〜３９に記載された事項により特定されるものであり、そのうち請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は次のとおりのものである。
　
　　【請求項１】
　ＳｉＣの高品質単結晶のウェハを形成する方法であって、
　少なくとも１００ｍｍの直径を有するＳｉＣブールを形成するステップと、
　前記ブールを複数のウェハにスライスし、各ウェハの表面上のマイクロパイプ密度が３０ｃｍ-2未満とするステップと、
　その後、前記ウェハを研磨するステップと、
　を備える方法。
　
第４．引用例に記載された事項
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開平９−２２１３９７号公報（以下、「引用例１」という。）には、図面と共に次の事項が記載されている。
（１）「以下に上記した概略をさらに詳細に説明する。まず、図２（Ａ）に示すように、・・・・・・直径４インチのシリコンウエハ１４を用意し、その上に種結晶となる、表面が（１１０）面方位である立方晶炭化珪素単結晶層１５を化学的気相エピタキシャル成長法（ＣＶＤ）により成長させる。・・・・・。その後、図２（Ｂ）に示すように、フッ酸と硝酸の混酸中に浸し、シリコンウエハ１４を溶解して除去する。
このように、珪素を溶解する薬液による化学的方法にてシリコンウエハ１４が除去される。ここで、シリコンウエハ１４（・・・・・・）を除去する方法として、フッ酸と硝酸の混液を用いたが、機械的研磨による方法でもよい。
・・・・・・シリコンウエハ１４の除去により露出した（１１０）面立方晶炭化珪素単結晶層１５の表面を黒鉛製ルツボの蓋材４ｂに接合剤としての接着剤１６で接合して、（１１０）面立方晶炭化珪素単結晶層１５を黒鉛製ルツボの蓋材４ｂに固定する。
・・・・・・
そして、図１に示すように、黒鉛製ルツボの蓋材４ｂを結晶成長装置２０に装着する。・・・・・・。
一方、図１における黒鉛製ルツボ４には炭化珪素原料粉末１７が１００ｇ充填されている。・・・・・・。
・・・・・・
その後、誘導コイル１０に電力を供給して再び温度を上昇させて黒鉛製ルツボ４の温度を２３００〜２３５０℃にして炭化珪素原料粉末１７の昇華温度にする。・・・・・・。
炭化珪素原料粉末１７から昇華したガスは種結晶である炭化珪素単結晶層１５との温度差を駆動力として（１１０）面立方晶炭化珪素単結晶層１５まで到達して、結晶成長が進行する。・・・・・・。
・・・・・・
その結果、図２（Ｄ）に示すように、種結晶である（１１０）面立方晶炭化珪素単結晶層１５上に（１１２* ０）面α型炭化珪素単結晶（炭化珪素単結晶インゴット）１９が形成される。（１１２* ０）面α型炭化珪素単結晶（炭化珪素単結晶インゴット）１９はその厚さが２ｍｍ、直径が４インチである。図４に六方晶型結晶の（１１２* ０）面を示す。さらに、図２（Ｅ）に示すように、（１１２* ０）面α型炭化珪素単結晶（炭化珪素単結晶インゴット）１９を黒鉛製ルツボの蓋材４ｂから取り外し、得られた結晶をスライス、研磨して半導体基板とする。この基板を５００℃の溶解ＫＯＨ中で１０分間エッチングして、エッチピット観察したところ、マイクロパイプ欠陥の存在を示す六角形状の大エッチピットは観察されなかった。このようにして、大口径かつマイクロパイプ欠陥のない炭化珪素単結晶インゴットが得られる。
・・・・・・
・・・・・・（１１２* ０）面成長ではらせん転位が存在せず、らせん転位に起因するマイクロパイプが発生しない。」（【００２９】〜【００４２】）
（２）「（１１２* ０）面α型炭化珪素単結晶の製造工程を説明するための断面図である」と説明されている図２（Ａ）〜（Ｅ）をみると、上記（１）の摘示事項を窺うことができる。
　
第５．引用例１に記載された発明
ア　引用例１の（１）の「（１１２* ０）面α型炭化珪素単結晶（炭化珪素単結晶インゴット）１９を黒鉛製ルツボの蓋材４ｂから取り外し、得られた結晶をスライス、研磨して半導体基板とする。」との記載をみると、引用例１では、炭化珪素単結晶インゴットをスライス、研磨して半導体基板を得ているといえ、この半導体基板は炭化珪素、すなわち、ＳｉＣ半導体基板であることは明らかである。
イ　引用例１の（１）の「（１１２* ０）面α型炭化珪素単結晶（炭化珪素単結晶インゴット）１９はその厚さが２ｍｍ、直径が４インチである。」との記載をみると、引用例１の炭化珪素単結晶インゴットの直径は４インチであるといえる。
ウ　引用例１の（１）の「半導体基板とする。この基板を５００℃の溶解ＫＯＨ中で１０分間エッチングして、エッチピット観察したところ、マイクロパイプ欠陥の存在を示す六角形状の大エッチピットは観察されなかった。」との記載をみると、引用例１の半導体基板はマイクロパイプ欠陥がないといえる。
エ　上記ア〜ウの検討を踏まえ、本願発明の記載ぶりに則して引用例１の記載を整理すると、引用例１には、
「ＳｉＣ半導体基板を得る方法であって、
４インチの直径を有する炭化珪素単結晶インゴットを形成し、
前記炭化珪素インゴットをスライスし研磨してマイクロパイプ欠陥がないＳｉＣ半導体基板を得る方法。」の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認める。
　
第６．本願発明と引用発明との対比・判断
ア　本願発明と引用発明とを対比する。
イ　引用発明の「炭化珪素単結晶インゴット」、「ＳｉＣ半導体基板」は、それぞれ、本願発明の「ＳｉＣブール」、「ＳｉＣの単結晶ウェハ」に相当するから、引用発明の「ＳｉＣ半導体基板を得る方法」は、「ＳｉＣ単結晶のウェハを形成する方法」とみることができる。
ウ　引用発明の「炭化珪素単結晶インゴット」は４インチ、すなわち、１０１．６（＝４×２５．４）ｍｍの直径を有しているから、引用発明の「４インチの直径を有する炭化珪素単結晶インゴットを形成し」は、一つの「ステップ」といえ、本願発明の「少なくとも１００ｍｍの直径を有するＳｉＣブールを形成するステップ」に相当する。
エ　引用発明の「炭化珪素インゴットをスライスし・・・・・・ＳｉＣ半導体基板を得る」ことは、一つの「ステップ」といえる。
　また、引用例１の（１）に「（炭化珪素単結晶インゴット）１９はその厚さが２ｍｍ」と記載され、スライスして半導体基板、すなわち、ＳｉＣウェハを得ているから、スライスに当たり、複数枚の半導体基板を得ていることは明らかである。
オ　そうすると、本願発明と引用発明は、
「ＳｉＣの単結晶のウェハを形成する方法であって、
　少なくとも１００ｍｍの直径を有するＳｉＣブールを形成するステップと、
　前記ブールを複数のウェハにスライスするステップ、
　を備える方法。」である点で一致し、次の点で一応相違している。
相違点１：本願発明は、「前記ブールを複数のウェハにスライスし、各ウェハの表面上のマイクロパイプ密度が３０ｃｍ-2未満とするステップと、その後、前記ウェハを研磨するステップと、を備え」ているのに対し、引用発明は、「前記炭化珪素インゴットをスライスし研磨してマイクロパイプ欠陥がないＳｉＣ半導体基板を得」ている点
相違点２：ＳｉＣ単結晶のウェハに関し、本願発明は「高品質」であるのに対し、引用発明はかかる事項が記載されていない点
カ　そこで、これら相違点について検討する。
・相違点１について
　本願発明の「前記ブールを複数のウェハにスライスし、各ウェハの表面上のマイクロパイプ密度が３０ｃｍ-2未満とするステップと、その後、前記ウェハを研磨するステップ」について、本願明細書の記載をみてみると、その【００２８】に、「本発明は、・・・・・・別の態様として、種結晶を用いた昇華システムで、高品質の炭化ケイ素バルク単結晶を製造する方法であり、・・・・・・少なくとも約１００ｍｍの直径を有し、約２０ｃｍ-2未満のマイクロパイプ密度を有するＳｉＣブールを成長させ、その後、好ましくは機械的に、ＳｉＣブールをウェハにスライシングすることを含み、各ウェハは、表面上に約２０ｃｍ-2未満のマイクロパイプ密度を有する。」と記載されており、マイクロパイプ密度はＳｉＣブールもウェハも同じであるから、ＳｉＣブールを複数のウェハにスライスすることによってマイクロパイプ密度は変化しないといえる。
　また、マイクロパイプは、バーガーズベクトルがｃ軸に沿った中空孔の大型らせん転位であるから、研磨によって消滅するものでもないことは明らかである。
　そうすると、本願発明の「前記ブールを複数のウェハにスライスし、各ウェハの表面上のマイクロパイプ密度が３０ｃｍ-2未満とするステップと、その後、前記ウェハを研磨するステップ」とは、「マイクロパイプ密度が３０ｃｍ-2未満の前記ブールを複数のウェハにスライスするステップと、その後、前記ウェハを研磨するステップを経て、表面上のマイクロパイプ密度が３０ｃｍ-2未満のウェハとする」こととみることができる。
　一方、引用発明は、マイクロパイプ欠陥がないのであるからウェハ表面上及び炭化珪素インゴットのマイクロパイプ密度は３０ｃｍ-2未満であることは明らかであり、このことは、引用例１の（１）の「得られた結晶をスライス、研磨して半導体基板とする。この基板を５００℃の溶解ＫＯＨ中で１０分間エッチングして、エッチピット観察したところ、マイクロパイプ欠陥の存在を示す六角形状の大エッチピットは観察されなかった。このようにして、大口径かつマイクロパイプ欠陥のない炭化珪素単結晶インゴットが得られる」ことからいえることである。
　そして、引用発明の「前記炭化珪素インゴットをスライスし研磨してマイクロパイプ欠陥がないＳｉＣ半導体基板を得」ていることは、「マイクロパイプ欠陥のない炭化ケイ素インゴットをスライスし研磨してマイクロパイプ欠陥のない複数のＳｉＣ半導体基板を得ているもの」であるから、言い換えると、「マイクロパイプ密度が３０ｃｍ-2未満のＳｉＣブールを複数のウェハにスライスするステップと、その後、前記ウェハを研磨するステップを経て、表面上のマイクロパイプ密度が３０ｃｍ-2未満の複数のウェハとする」ことであり、本願発明の「前記ブールを複数のウェハにスライスし、各ウェハの表面上のマイクロパイプ密度が３０ｃｍ-2未満とするステップと、その後、前記ウェハを研磨するステップ」に実質的に相当するといえる。
　よって、相違点１は形式的なものである。
・相違点２について
　本願発明の「ＳｉＣの高品質単結晶のウェハ」と「マイクロパイプ密度」について、本願明細書の記載をみてみる。
「３０ｃｍ-2未満のマイクロパイプ密度」についての記載は見当たらないが、その【００１９】に「本発明は、その一態様として、・・・・・・約２５ｃｍ-2未満、より好ましくは約２０ｃｍ-2未満、最も好ましくは約１０ｃｍ-2未満のマイクロパイプ密度とを有するＳｉＣの高品質単結晶ウェハである。」との記載がなされており、この記載をみると、「ＳｉＣの高品質単結晶のウェハ」とは、マイクロパイプ密度が低いＳｉＣの単結晶のウェハということができる。
　一方、上記相違点１の検討のところで述べたように引用例１の半導体基板（すなわち、ＳｉＣ単結晶のウェハ）はマイクロパイプを有していない。
　そうすると、引用例１の半導体基板（すなわち、ＳｉＣ単結晶のウェハ）も高品質であるといえる。
　よって、相違点２も形式的なものである。
キ　そうすると、本願発明と引用発明は実質的に同一であり、相違するところがない。
　
第７．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例１に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し特許を受けることができない。
　したがって、その余の請求項について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。