【事件の表示】
　平成１１年特許願第３７５２９１号「フィルタ構造」拒絶査定不服審判事件〔平成１２年　８月２２日出願公開、特開２０００−２３２３３４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯及び本願発明
　
１．手続の経緯
　本願は，平成１１年１２月２８日（優先権主張　１９９８年１２月３０日　フィンランド（ＦＩ））を出願日とする出願であって，平成２１年１０月９日付けで拒絶理由が通知され，平成２２年１月１６日付けで意見書及び手続補正書の提出がなされ，同年４月５日付けで拒絶理由が通知され，同年７月１日付けで意見書の提出がなされ，同年９月３日付けで拒絶査定され，平成２３年１月１３日に拒絶不服審判の請求と同時に手続補正がなされたものである。
　
２．本願発明
　本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は，平成２３年１月１３日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
　
【請求項１】
・　第１信号線と、第２信号線と、第３信号線と、第４信号線とを有するフィルタ構造において、
・　実質的に第１の面積を有する第１バルク音波共振子と、
・　実質的に前記第１の面積を有する第２バルク音波共振子と、
・　実質的に第２の面積を有する第３バルク音波共振子と、
・　実質的に前記第２の面積を有する第４バルク音波共振子とを具備し、
・　前記第１バルク音波共振子は第１信号線と第３信号線との間に接続され、
・　前記第２バルク音波共振子は第２信号線と第４信号線との間に接続され、
・　前記第３バルク音波共振子は第１信号線と第４信号線との間に接続され、
・　前記第４バルク音波共振子は第２信号線と第３信号線との間に接続され、
・　前記第１の面積は前記第２の面積と実質的に異なることを特徴とする
フィルタ構造。
　
　
第２　引用刊行物
　
１．引用刊行物１
　原査定の理由に引用された”L.Mang, F.Hickernell，ZnO thin film resonator lattice filters，Proceedings of the 1996 IEEE International Frequency Control Symposium，１９９６年，p.363-p.365”（以下「引用刊行物１」という。）には，図面とともに次の事項が記載されている（下線は当審が付与。）。
　
（１）　　Abstract
ZnO Thin Film Resonator Lattice Filter results at GHz frequencies are reported. These filters are very compact, measuring 1mm by 1mm, have balanced input and output, and have insertion loss of approximately 1.5 dB at 1.5 GHz, while selectivity is over 30 dB. The performance of these lattice filters compares very favorably with ladder filters processed on the same silicon wafer with identical figure of merit, Q/r [l], having approximately double the bandwidth of the ladder filters. These filters are best used with ICs with differential I/O which are becoming commercially available from semiconductor companies.
　
（当審訳　要約　
　ＧＨｚの周波数でのＺｎＯ薄膜共振格子フィルタの結果が報告されています。これらのフィルタは，非常にコンパクトで１ｍｍ×１ｍｍの大きさ（計量値）を有し，平衡入出力を持っており，選択性が３０ｄＢを超えている一方で，１．５ＧＨｚで約１．５ｄＢの挿入損失を持っています。これらの格子フィルタの性能は同じ性能指数Ｑ／ｒを有し，同じシリコンウェハ上に形成されたラダーフィルタと比べてもそん色はなく，そのラダーフィルタの約２倍の帯域幅を有します。これらのフィルタは，半導体企業から市販になっている差動Ｉ／Ｏを装備したＩＣでとても良く使用されています。）
　
（２）　　Introduction
There is continued interest in the application of thin film resonators to filters at RF and microwave frequencies. These filters are extremely small in size, and are fabricated with a process compatible to semiconductor processing. These miniature filters as stand alone components are perceived to be ideal for hand-held wireless applications. Moreover, the potential for providing on chip selectivity when integrated into IC fabrication, a technology long sought by systems and semiconductor technologist, has sparked thin-film resonator filter research in several laboratories world-wide. Most of these filters published recently are single-ended or unbalanced such as ladder filters[2,3] or stacked crystal filters[4]. The performance results are approaching those of SAW filters, a technology that is much more mature and has already found much use in wireless receivers. At low frequencies, crystals have been used in lattice configurations; but only until recently are results of lattice filter at GHz frequencies in the form of SAW filters published [5,6]. 
In this paper we are reporting results of thin-film bulk acoustic wave resonator lattice filters fabricated with ZnO on silicon
　
（当審訳　序論　
　ＲＦ及びマイクロ波帯のフィルタへの薄膜共振器のアプリケーションに継続的な感心が注がれています。これらのフィルタは，サイズが非常に小さく，半導体プロセスに互換性のあるプロセスで製造されています。これらの独立型コンポーネントとしての小型フィルタは，携帯式のワイヤレス・アプリケーションに理想的であると認識されます。さらに，ＩＣの製造に統合する時のチップ選択性の提供の可能性は，システム，半導体技術者によって長く捜しもとめられた技術であり，いくつかの研究室における薄膜共振フィルタの研究を世界的に活気づけてきました。最近発表されたこれらのフィルタのほとんどは，ラダーフィルタあるいは積層水晶フィルタのようにシングルエンドまたは不平衡なものです。その性能は，はるかに成熟し，既に無線受信機で多く使用している技術であるＳＡＷフィルタに近づいています。低周波では，水晶は，格子構造で使用されてきています。しかし，ほんの最近まで，発表されたのはＳＡＷフィルタの形式でのＧＨｚ周波数の格子フィルタによるものです。
本稿では，シリコン上にＺｎＯを用いて製造された薄膜バルク弾性波共振格子フィルタの結果を報告しています
　
（３）　　Thin-Film Resonators and Lattice Filters
The resonators are fabricated using standard thin film techniques on silicon wafers. The silicon substrates are preprocessed by having sealed cavities on one surface which serves as the support for the resonators and acoustically isolates the resonators from the substrate. The ZnO films were sputter deposited using a DC triode system. Four resonators are fabricated as a set with two resonators mass-loaded to lower the resonant frequency such that the antiresonance is aligned with the resonance of the unloaded set. Since the resonators form their own bridge, there is no cross over of the input and output leads, and a planar layout is automatically achieved. Figure 1 shows a schematic of a full lattice, and figure 2 is a picture of a unit 4 resonator lattice filter. Higher order pole lattice filters can be formed by cascading more of these basic lattice filters together. 
When all the resonators have the same capacitance, the response is a single pole type filter. A zero in the transfer function can be introduced by changing the capacitance of an opposite resonator pair to a different value.
　
（当審訳　薄膜共振器と格子フィルタ　
　共振器は，シリコンウェハ上に標準的な薄膜技術を用いて製造されます。シリコン基板は，共振器のためのサポートとして機能し，音響的に基板から共振器を隔離する密閉された空洞を，一方の面に有するように前処理されます。ＺｎＯ薄膜は，ＤＣトライオードシステムを用いて蒸着スパッタされたました。４つの共振器は，反共振が無負荷のセットの共振に協調されるような共振周波数を下げるために質量負荷された２つの共振器とセットで制作されます。共振器は，独立したブリッジを形成するので，そこに入力及び出力リード線の重なり部分はなく，平面的なレイアウトが自動的に達成されます。図１は，完全な格子の模式図を示し，図２は，ユニット４共振器格子フィルタの写真です。高次の極格子フィルタは，これらの基本的な格子フィルタをより多く一緒にカスケード接続することにより形成することができます。
すべての共振器が，同じ容量を持っている場合，応答は単極型フィルタです。伝達関数のゼロは，向かい側の共振器対の静電容量を異なる値に変化させることにより導入することができます
　
（４）　　図１には，schematic of a thin film resonator full lattice filter　すなわち，薄膜共振フル格子フィルタの概略が記載されている。そして，該図１及び引用刊行物１の記載から，図１には，４つの薄膜共振器を有する格子フィルタが記載されているといえる。
　
　
　上記の記載によれば，引用刊行物１には，次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。
　
　シリコン上にＺｎＯを用いて製造された４つの薄膜共振器を有する薄膜バルク弾性波共振格子フィルタであって，
　すべての共振器が，同じ容量を持っている場合，応答は単極型フィルタであるが，
　伝達関数のゼロは，向かい側の共振器対の静電容量を異なる値に変化させることにより導入することができる
　薄膜バルク弾性波共振格子フィルタ。
　
２．引用刊行物２
　原査定の理由に引用された特開平９−１３０２００号公報（平成９年５月１６日公開。以下「引用刊行物２」という。）には，図面とともに次の事項が記載されている（下線は当審が付与。）。
　
（１）「【００５５】バルク超音波共振器の電極間容量Ｃ０は、通常の誘電体を導体で挟んだ場合と同様に、式９から求めることができる。
式９：
【００５６】
【数９】
　
　　　Ｃ０＝εｒε０Ａ／ｈ
　
【００５７】
ここで、ε
ｒ
は圧電薄膜２の比誘電率、ε
０
は真空中の誘電率、Ａは上記上側電極６と上記下地導体５が交差する部分の面積、ｈは上記圧電薄膜２の厚みである
（公報第９ページ第１６欄〜第１０ページ第１７欄）
　
第３　当審の判断
　
１．対比
　本願発明と引用発明を比較する。
　
・引用発明は「薄膜バルク弾性共振格子フィルタ」の構造を開示している。
　
・引用発明の「薄膜共振器」が「バルク弾性波共振」をするものであることは明らかであるから，該薄膜共振器は，本願発明の「バルク音波共振子」に相当する。
　さらに，格子フィルタを構成する４つの薄膜共振器おのおのが，信号線と信号線の間に接続されていることは当然である。
　よって，引用発明における「格子フィルタ」に関し，本願発明と同様の「第１バルク音波共振子と，第２バルク音波共振子と，第３バルク音波共振子と，第４バルク音波共振子とを具備し，前記第１バルク音波共振子は第１信号線と第３信号線との間に接続され，前記第２バルク音波共振子は第２信号線と第４信号線との間に接続され，前記第３バルク音波共振子は第１信号線と第４信号線との間に接続され，前記第４バルク音波共振子は第２信号線と第３信号線との間に接続される」構造を，引用発明は開示しているといえる。
　
　以上から，本願発明と引用発明は，次の点で一致，相違する。
　
［一致点］
・　第１信号線と，第２信号線と，第３信号線と，第４信号線とを有するフィルタ構造において，
・　第１バルク音波共振子と，
・　第２バルク音波共振子と，
・　第３バルク音波共振子と，
・　第４バルク音波共振子とを具備し，
・　前記第１バルク音波共振子は第１信号線と第３信号線との間に接続され，
・　前記第２バルク音波共振子は第２信号線と第４信号線との間に接続され，
・　前記第３バルク音波共振子は第１信号線と第４信号線との間に接続され，
・　前記第４バルク音波共振子は第２信号線と第３信号線との間に接続される，
フィルタ構造。
　
［相違点］
　本願発明では，第１バルク音波共振子と第２バルク音波共振子とが実質的に同じ第１の面積を有し，第３バルク音波共振子と第４バルク音波共振子とが実質的に同じ第２面積を有し，該第１の面積は該第２の面積と実質的に異なることを特定しているのに対して，引用発明では，各バルク音波共振子の面積の関係について，特定がなされていない点。
　
２．検討
（１）
相違点について
　引用発明は，「すべての共振器が，同じ容量を持っている場合，応答は単極型フィルタであるが，伝達関数のゼロは，向かい側の共振器対の静電容量を異なる値に変化させることにより導入することができる」ものであるから，すべての共振器の静電容量を同じにすることを基本としつつ，向かい側の共振器対の静電容量を異ならせることで，伝達関数のゼロを実現できるものであるということができる。
　つまり，引用発明は，第１バルク音波共振子と第２バルク音波共振子の静電容量は同じ第１の静電容量とし，第３バルク共振子と第４バルク共振子も同じ静電容量であるものの，第１の静電容量とは異なる第２の静電容量とすることができるものである。
　ここで，薄膜バルク弾性波共振器の静電容量は，電極の面積あるいは電極間の間隔（圧電薄膜の厚み）を変えることによって，変化させることができることはいうまでもないことあり，引用刊行物２にも，薄膜バルク弾性波共振器の静電容量Ｃ０が，”Ｃ０＝εｒε０Ａ／ｈ（Ａは電極面積，ｈは電極間の間隔）”として求められることが記載（引用刊行物２の摘記（１）参照。）されている。
　それゆえ，引用発明において，静電容量を変化させるために，バルク音波共振子の面積を変えることによって，第１バルク音波共振子と第２バルク音波共振子とは実質的に同じ第１の面積を有し，第３バルク音波共振子と第４バルク音波共振子とは該第１の面積と実質的に異なる第２の面積を有するものとすることは，当業者が容易になしえたことである。
　
（２）
平成２４年６月２０日付け回答に対して
　審判請求人は，平成２４年６月２０日付け回答書において，引用文献６に記載されたものは，電極の面積の精度が高くないので，引用文献３及び引用文献６（引用発明）に接した当業者は，共振子ペア同士の面積を異ならせるために，電極の面積ではなく，電極間距離を変化させたであろうと考えられる旨，主張する（上記回答書「（ウ）拒絶理由に対する反論」参照。）。
（当審注　
（ａ）上記した審判請求人の主張中，引用文献３とは，この審決における引用刊行物２（特開平９−１３０２００号公報）に，また，引用文献６とは，この審決における引用刊行物１（Ｌ．Ｍａｎｇ ｅｔ ａｌ．著の文献）に該当する。
（ｂ）上記「共振子ペア同士の
面積
容量
　これを基に，審判請求人の主張について，以下に検討する。）
　しかし，引用発明は，第１バルク音波共振子と第２バルク音波共振子の静電容量を同じ第１の静電容量とし，第３バルク音波共振子と第４バルク音波共振子の静電容量を同じ第２の静電容量とするものであり，４つのバルク音波共振子は，同じウェハ上に製造されるものであるのだから，各バルク音波共振子の電極間距離のみならず，電極の面積についても，同じ静電容量を形成できるだけの精度を有していることを前提としていると理解できる。
　そうすると，引用発明が，同じ静電容量を形成できるだけの面積の形成精度があるのだから，これと異なる静電容量を形成する際にも，同程度の形成精度で面積を形成するものと解することができる。また，電極の面積を異ならせて静電容量を変化させることに阻害要因があるとすることはできず，審判請求人の主張は採用できない。　
　
（３）
まとめ
　したがって，引用発明を本願発明のように，実質的に第１の面積を有する第１バルク音波共振子と，実質的に前記第１の面積を有する第２バルク音波共振子と，実質的に第２の面積を有する第３バルク音波共振子と，実質的に前記第２の面積を有する第４バルク音波共振子とを具備し，前記第１の面積は前記第２の面積と実質的に異なるようにすることは，当業者が容易になしえたものである。　
　
　そして，本願発明のように構成したことによる効果も，引用発明から予測できる程度のものである。
　よって，本願発明（平成２３年１月１３日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載された発明）は，引用発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　
第４　むすび
　
　以上のとおり，本願発明は，引用発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　したがって，本願は，他の請求項について論及するまでもなく，拒絶すべきものである。
　
　よって，結論とおり審決する。