【事件の表示】
　特願２００７−２８７６４「薄膜半導体の結晶性測定装置及びその方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２０年８月２１日出願公開，特開２００８−１９１１２３〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成１９年２月８日を出願日とする出願であって，平成２４年１月１１日付けで拒絶理由が通知され，同年３月１９日付けで手続補正がなされ，同年４月５日付で拒絶査定がされたのに対し，同年７月２日に拒絶査定不服の審判請求がされるとともに，同日付で手続補正（以下，「本件補正」という。）がなされた。これに対し，平成２５年４月９日付けで審尋がなされたが，請求人から回答がなかったものである。
　
第２　本件補正についての補正却下の決定
　
［補正却下の決定の結論］
　本件補正を却下する。
　
［理由］
１　補正後の請求項１に係る発明
　本件補正により，特許請求の範囲の請求項１は，
「【請求項１】
　所定の基板の表面に形成された半導体からなる薄膜試料の測定部位に対して励起光及び電磁波を照射し、前記励起光の照射により変化する前記電磁波の前記薄膜試料からの反射波の強度を検出し，その検出データに基いて前記薄膜試料の結晶性を測定する薄膜半導体の結晶性測定装置であって、
　前記薄膜試料に対して前記電磁波が照射される側と反対側に配置された導体部材と、
　前記導体部材の表面と前記薄膜試料の測定部位との間の距離が，その間の媒質における前記電磁波の波長の略四分の一の距離又はその距離に前記電磁波の波長の整数倍を加えた距離となるように前記薄膜試料を保持する試料保持手段と、
　前記試料保持手段により保持された前記薄膜試料に対する前記励起光の照射によって変化する，前記電磁波の前記薄膜試料からの反射波の強度を検出する電磁波強度検出手段と、
　前記電磁波強度検出手段により検出される前記反射波の強度の変化のピーク値を検出する強度ピーク値検出手段と、を備え、
　前記
試料
前記基板が配置されたときに前記電磁波の照射側から見て当該基板全体を含む大きさに形成され且つ
これら基板及び導体部材とそれぞれ接するように
　
２　補正事項について
（１）補正事項１
　補正前の「前記保持手段」を「前記
試料
（２）補正事項２
　「前記基板と前記導体部材との間に挿入される固形の誘電体」を「
前記基板が配置されたときに前記電磁波の照射側から見て当該基板全体を含む大きさに形成され且つ
これら基板及び導体部材とそれぞれ接するように
　そこで，本件補正後の前記請求項１に記載された発明（以下，「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
３　引用刊行物及びその記載事項
（１）引用刊行物の記載事項
　本願の出願前に頒布され，原査定の拒絶の理由に引用された刊行物である特開２００６−１９６６２１号公報（以下，「引用例１」という。）には，図面とともに，次の事項が記載されている。なお，以下の摘記事項においては，下記の引用発明の認定で使用した箇所に下線を付与した。
（１−ア）「【技術分野】
【０００１】
　本発明は、
半導体試料の内部欠陥を評価するために、半導体試料中に発生させたキャリアのライフタイムを測定するライフタイム測定装置
【背景技術】
【０００２】
　超大規模集積回路（略称ＬＳＩ）に代表される半導体デバイスの微細化に伴い、半導体デバイスに使用される半導体ウエハは、より厳しい品質管理が求められる。半導体ウエハを非破壊および非接触で検査する品質管理方法の１つとして、キャリアのライフタイムを測定するマイクロ波光電導減衰法（Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ　Ｐｈｏｔｏ　Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ　Ｄｅｃａｙ法：略称μ−ＰＣＤ法）がある。μ−ＰＣＤ法は、半導体ウエハなどの半導体試料に励起光を照射して、励起された過剰キャリアが再結合して消滅するときのライフタイムを、検出波であるマイクロ波などの電磁波の反射強度が時間的に減衰する減衰の時定数から測定する方法である。このライフタイムが長いほど欠陥や金属汚染などの少ない良い試料と評価することができる。」
　
（１−イ）「【００３０】
・・・・・
半導体試料の厚み寸法の違い、ならびに大きさ、反り、撓みおよびうねりなどの変形がある場合であっても、半導体試料における測定対象となる領域を、定在波の電界強度が極大、または、その付近となるように半導体試料、または、電磁波反射手段を配置することによって、Ｓ／Ｎ比を可及的に大きくすることができる。これによって半導体試料の全面にわたって同じ精度で簡便で短時間にライフタイムを測定することができる。」
　
（１−ウ）「【００５５】
（発明の実施形態１）
　図１から図６を参照しながら、本発明による実施形態１のライフタイム測定装置を説明する。
【００５６】
　図２は、ライフタイム測定装置のブロック構成図であり、図１、図５、図６は、図２のライフタイム測定装置２０の一部を拡大して示す断面図である。図３は、ライフタイム測定装置２０を用いてライフタイムを測定する場合のフローチャート、図４は、計測工程１に含まれる各工程のタイムチャートである。
【００５７】
　ライフタイム測定装置２０は、電磁波発振器２１、アッテネータ２６、サーキュレータ２７、導波管２８、検出手段２９、電磁波反射板２４、保持台３０、パルス状の電磁波発振器３１、および、移動機構３２を含んで構成される。ライフタイム測定装置２０は、半導体試料２３中に発生させた過剰キャリアのライフタイムを測定する装置である。ライフタイムは、パルス状の電磁波により半導体の価電子帯の電子を励起させることにより発生した過剰キャリアの濃度が再結合によって１／ｅに減衰するまでの時間である。このライフタイムは、不純物などが多いほど短く、これを測定することによって、半導体試料２３中の金属不純物および結晶欠陥などを評価することができる。半導体試料２３は、半導体装置などの材料として用いられる。したがって、ライフタイム測定装置２０で半導体試料２３のライフタイムを評価することによって、高品質の半導体試料２３を選択することができる。そして高品質の半導体試料２３を用いることにより、高品質の半導体装置などを製造することができる。本実施形態１では、半導体試料２３として、例えば、厚さが０．７ｍｍのガラス基板上に絶縁層を介して膜厚が１００ｎｍ程度のアモルファスシリコン薄膜を形成し、エキシマレーザーアニーリングなどの手法でアモルファスから多結晶化したものを用いるが、半導体試料としてはこれに限定されるものではない。
【００５８】
　
電磁波発振器２１は、照射手段であって、半導体試料２３に発生した過剰キャリアの濃度の変化によって反射率が変化する検出用電磁波２２を照射する
【００５９】
　
パルス光発振器３１は、励起手段であって、半導体試料２３の半導体層に過剰キャリアを発生させるための励起用電磁波であるパルス光３３を照射する
【００６０】
　
反射板２４は、電磁波反射手段であって、半導体試料２３に対して検出用電磁波２２の入射側とは反対側に設けられる
反射板２４の材料は、導電率の高い金属等の導電体から成る
　・・・・・
【００６３】
　
検出手段２９は、電磁波発振器２１によって照射された検出用電磁波２２の半導体試料２３と反射板２４による反射波の強度を検出する
　
（１−エ）「【００７１】
　検出工程（ａ３−３）では、
照射された検出用電磁波２２の半導体試料２３、及び、反射板による反射波の合成波の時間による強度変化を検出しその時の保持台、または、半導体試料の位置情報とあわせてデータとして蓄積する
　上記の計測工程１を所定時間行なった後、ステップａ４に移る。
【００７２】
　ステップａ４は、演算工程１であって、検出工程（ａ３−３）で
蓄積された複数データから強度変化量の最大値を求め
　
（１−オ）「【００７９】
　図１に示すように、
半導体試料２３に検出用電磁波２２を照射すると、検出用電磁波２２の大半は半導体試料２３を透過するので、反射板２４の表面２４ａが電磁波の固定端３８となる定在波２５が形成される。定在波２５の電界強度が極大となる位置３４は、反射板２４の表面２４ａから検出用電磁波２２の実効波長の１／４の位置と、その位置から１／２波長毎に離間する位置となる
　
（１−カ）「【００９３】
　前述のように本実施形態１では、半導体試料２３に対して検出用電磁波２２の入射側とは反対側に設けられる反射板２４を含んで構成される。反射板２４は、半導体試料２３を透過した検出用電磁波２２を反射する。
半導体試料２３は、移動手段により検出用電磁波２２の定在波２５の電界強度の極大位置３４、または、その付近に配置される
　
（１−キ）「【０１２８】
（発明の実施形態４）
　図１２は、本発明の実施形態４のライフタイム測定装置７０の構成を示すブロック図である。図１３は、ライフタイム測定装置７０を構成する保持台７１を拡大して示す斜視図である。本実施形態４のライフタイム測定装置７０は、実施形態１から３のライフタイム測定装置２０，４０，６０と類似しており、本実施形態４の構成には前述のライフタイム測定装置２０，４０，６０における対応する構成と同一の参照符号を付し、異なる構成についてだけ説明し、同様の構成については説明を省略する。本実施形態４のライフタイム測定装置７０は、実施形態１から３のライフタイム測定装置とは保持台７１の構成が異なる。」
　
（１−ク）「【０１３７】
（発明の実施形態６）
　図１５は、実施形態６の保持台８４を拡大して示す平面図である。
保持台８３は、反射板２４に対して上下方向Ｚに変位する支持脚７３と、支持脚７３の先端部に設けられ、半導体試料２３を真空吸着する吸着部８１とを含んで構成される
吸着部８１の内部は、透過部８３によって構成される。透過部８３は、低誘電率および高剛性の材料から成る
【０１３８】
　このように保持台８３が構成されるので、半導体試料２３の裏面２３ｂが、吸着部８１の厚み方向他端面部が当接し、保持することができる。また
吸着部８１と透過部８３の両方で、半導体試料２３の裏面２３ｂの全体にわたって、支持することができるので、大型の半導体試料２３であっても自重などによる撓みが発生することを防ぐことができる
【０１３９】
　また
透過部８３は、低誘電率、および、高剛性の材料から成る。したがって半導体試料２３における検出用電磁波２２が照射される領域に臨む部分が、検出用電磁波２２の透過率が高くなるように構成されている
　なお，ここで「保持台８４」と「保持台８３」の記載があるが，保持台「８３」は保持台「８４」の誤記と認められる。
　
（１−ケ）「【０１４５】
　
半導体試料２３は、
ガラス基板などの絶縁性の基板上に薄膜の半導体が形成されたもの
　
（１−コ）図１２には，以下の図が記載されている。　　　
　
（２）引用発明
　図１２は（発明の実施形態４）に対応する装置の図面であるが，保持台（図１２において「３０」）以外は，（発明の実施形態１）についての摘記（１−ウ）〜（１−カ）で説明されている装置の構成要素と共通するものである。また，摘記（１−ク）で記載されている（発明の実施形態６）は，図１２の装置において，保持台である３０を「保持台８４」に替えたものである。
　なお，摘記（１−キ）では，図１２における保持台について「７１」の番号が付与されているが，図１２では「３０」と記載されているため，図１２の装置においては「保持台３０」と認められる。
　
　上記引用例１の記載事項を総合すると，引用例１には，以下の発明が記載されていると認められる。
「半導体試料２３に発生した過剰キャリアの濃度の変化によって反射率が変化する検出用電磁波２２を照射する電磁波発振器２１，
半導体試料２３の半導体層に過剰キャリアを発生させるための励起用電磁波であるパルス光３３を照射するパルス光発振器３１，
半導体試料２３に対して検出用電磁波２２の入射側とは反対側に設けられ，導電率の高い金属等の導電体から成る反射板２４，
半導体試料２３を保持する保持台，
電磁波発振器２１によって照射された検出用電磁波２２の半導体試料２３と反射板２４による反射波の強度を検出する検出手段２９，
を有する，半導体試料の内部欠陥を評価するための，半導体試料中に発生させたキャリアのライフタイムを測定するライフタイム測定装置において，
　上記保持台は，反射板２４に対して上下方向Ｚに変位する支持脚７３と，支持脚７３の先端部に設けられ，半導体試料２３を真空吸着する吸着部８１とを含んで構成され，吸着部８１の内部は，低誘電率および高剛性の材料から成り検出用電磁波２２の透過率が高い透過部８３によって構成されることにより，吸着部８１と透過部８３の両方で，半導体試料２３の裏面２３ｂの全体にわたって，支持することができるようになっている保持台８４であり，
　上記検出手段２９で検出された反射波の強度について，その時の保持台，または，半導体試料の位置情報とあわせてデータとして蓄積し，蓄積された複数データから強度変化量の最大値を求めるものであり，
　上記半導体試料２３は，ガラス基板などの絶縁性の基板上に薄膜の半導体が形成されたものであって，移動手段により検出用電磁波２２の定在波２５の電界強度の極大位置３４に配置され，その位置３４は，反射板２４の表面２４ａから検出用電磁波２２の実効波長の１／４の位置である，ライフタイム測定装置。」（以下，「引用発明」という。）
　
４　対比・判断
（１）対比
　本願補正発明と引用発明とを対比する。
ア　引用発明の「半導体試料２３は，ガラス基板などの絶縁性の基板上に薄膜の半導体が形成されたもの」は，本願補正発明の「所定の基板の表面に形成された半導体からなる薄膜試料」に相当する。
　
イ　引用発明の「半導体試料２３に対して検出用電磁波２２の入射側とは反対側に設けられ，導電率の高い金属等の導電体から成る反射板２４」は，本願補正発明の「前記薄膜試料に対して前記電磁波が照射される側と反対側に配置された導体部材」に相当する。
　
ウ　引用発明の「半導体試料２３の半導体層に過剰キャリアを発生させるための励起用電磁波であるパルス光３３」及び「検出用電磁波２２」は，本願補正発明の「励起光」及び「電磁波」に他ならず，それらは「測定部位に対して」照射されるものである。
　
エ　引用発明における「半導体試料２３を保持する保持台」は，本願補正発明における「薄膜試料を保持する試料保持手段」に相当する。
　
オ　引用発明には，半導体試料２３にパルス光３３を照射することにより半導体試料２３の半導体層に過剰キャリアを発生させ，その過剰キャリアの濃度の変化によって検出用電磁波２２の反射率が変化することが記載されており，引用発明の「検出手段２９」で検出される「反射波の強度」は，パルス光３３の照射によって変化するものであるから，引用発明の「電磁波発振器２１によって照射された検出用電磁波２２の半導体試料２３と反射板２４による反射波の強度を検出する検出手段２９」は，本願補正発明と同じく「前記励起光の照射により変化する前記電磁波の前記薄膜試料からの反射波の強度を検出」するもので，本願補正発明の「前記試料保持手段により保持された前記薄膜試料に対する前記励起光の照射によって変化する，前記電磁波の前記薄膜試料からの反射波の強度を検出する電磁波強度検出手段」に相当する。
　
カ　引用発明の「半導体試料２３は、移動手段により検出用電磁波２２の定在波２５の電界強度の極大位置３４に配置され，その位置３４は、反射板２４の表面２４ａから検出用電磁波２２の実効波長の１／４の位置である」について，「移動手段」とは引用発明において「反射板２４に対して上下方向Ｚに変位する支持脚７３」のことで，これは「半導体試料２３を保持する保持台」の一部を構成している。
　また，「反射板２４の表面２４ａ」と「半導体試料２３」の「位置」との距離は，本願補正発明における「前記導体部材の表面と前記薄膜試料の測定部位との間の距離」に相当しており，反射板２４の表面２４ａと半導体試料２３の位置との間には，「透過部８３」であれ，空間としての空気であれ，「媒質」が存在するものである。
　そして，引用発明の「検出用電磁波２２の実効波長の１／４」は，本願補正発明の「前記電磁波の波長の略四分の一」のことである。
　してみれば，引用発明の「半導体試料２３は、移動手段により検出用電磁波２２の定在波２５の電界強度の極大位置３４に配置され，その位置３４は、反射板２４の表面２４ａから検出用電磁波２２の実効波長の１／４の位置である」ことは，本願補正発明の「前記導体部材の表面と前記薄膜試料の測定部位との間の距離が，その間の媒質における前記電磁波の波長の略四分の一の距離又はその距離に前記電磁波の波長の整数倍を加えた距離となるように前記薄膜試料を保持する」ことに相当する。
　
キ　引用発明の「強度変化量の最大値」は，本願補正発明の「強度の変化のピーク値」のことであるから，引用発明の「上記検出手段２９で検出された反射波の強度について，その時の保持台、または、半導体試料の位置情報とあわせてデータとして蓄積し，蓄積された複数データから強度変化量の最大値を求める」ことは，本願補正発明の「記電磁波強度検出手段により検出される前記反射波の強度の変化のピーク値を検出する強度ピーク値検出手段」が備えられていることに相当する。
　
ク　引用発明において，「保持台」を構成する「低誘電率および高剛性の材料から成り検出用電磁波２２の透過率が高い透過部８３」は，「低誘電率」と記載されているものの，それは「誘電体」の範疇に入るものであり，「高剛性の材料から成り検出用電磁波２２の透過率が高い」ことから，「固形の誘電体」に相当するものである。そして，それは半導体材料２３と反射板２４との間に半導体材料２３と接するように挿入されているといえるから，引用発明の「反射板２４に対して上下方向Ｚに変位する支持脚７３と，支持脚７３の先端部に設けられ，半導体試料２３を真空吸着する吸着部８１とを含んで構成され，吸着部８１の内部は，低誘電率および高剛性の材料から成り検出用電磁波２２の透過率が高い透過部８３によって構成されることにより，吸着部８１と透過部８３の両方で，半導体試料２３の裏面２３ｂの全体にわたって，支持することができるようになっている保持台８４」と本願補正発明の「試料保持手段は、前記基板が配置されたときに前記電磁波の照射側から見て当該基板全体を含む大きさに形成され且つ前記基板と前記導体部材との間にこれら基板及び導体部材とそれぞれ接するように挿入される固形の誘電体である」とは，「試料保持手段」として「前記基板と前記導体部材との間に基板と接するように挿入される固形の誘電体」の点で共通するものである。
　
ケ　本願補正発明における「結晶性」とは，本願明細書の【０００２】には「ここでいう結晶性とは，ダングリングボンドに起因する試料中の欠陥の量（欠陥の存在度合い）や結晶粒径のことである。」と記載されており，一方，摘記（１−ウ）には「このライフタイムは、不純物などが多いほど短く、これを測定することによって、半導体試料２３中の金属不純物および結晶欠陥などを評価することができる。」と記載されているから，引用発明の「半導体試料の内部欠陥を評価するための、半導体試料中に発生させたキャリアのライフタイムを測定するライフタイム測定装置」は，本願補正発明の「検出データに基いて前記薄膜試料の結晶性を測定する薄膜半導体の結晶性測定装置」に相当する。
　
　してみれば，本願補正発明と引用発明とは，
（一致点）
「所定の基板の表面に形成された半導体からなる薄膜試料の測定部位に対して励起光及び電磁波を照射し、前記励起光の照射により変化する前記電磁波の前記薄膜試料からの反射波の強度を検出し，その検出データに基いて前記薄膜試料の結晶性を測定する薄膜半導体の結晶性測定装置であって、
　前記薄膜試料に対して前記電磁波が照射される側と反対側に配置された導体部材と、
　前記導体部材の表面と前記薄膜試料の測定部位との間の距離が，その間の媒質における前記電磁波の波長の略四分の一の距離又はその距離に前記電磁波の波長の整数倍を加えた距離となるように前記薄膜試料を保持する試料保持手段と、
　前記試料保持手段により保持された前記薄膜試料に対する前記励起光の照射によって変化する，前記電磁波の前記薄膜試料からの反射波の強度を検出する電磁波強度検出手段と、
　前記電磁波強度検出手段により検出される前記反射波の強度の変化のピーク値を検出する強度ピーク値検出手段と、
　前記試料保持手段として，前記基板と前記導体部材との間に基板と接するように挿入される固形の誘電体と，
を備えた薄膜半導体の結晶性測定装置。」
の点で一致し，以下の点で相違する。
　
（相違点）
　本願補正発明の試料保持手段は，「前記基板が配置されたときに前記電磁波の照射側から見て当該基板全体を含む大きさに形成され」，かつ，「基板」及び「導体部材」とそれぞれ接するように挿入されるのに対し，引用発明の保持台は，「前記基板が配置されたときに前記電磁波の照射側から見て当該基板全体を含む大きさに形成され」たもの，「導体部材と接する」とは特定されていない点で相違する。
　
（２）当審の判断
ア　相違点について
　引用発明においては，反射板２４の表面２４ａと半導体試料２３の位置との距離が，検出用電磁波２２の実効波長の１／４となるように，「上下方向Ｚに変位する支持脚７３」で調整しているのに対し，本願補正発明では，本願明細書【００１６】に「前記基板保持部１２は，前記試料台１０に対してその上側に固定された固形の誘電体であり，前記試料台１０（導体部材）の上面と前記薄膜試料２０ａの測定部位（前記薄膜試料２０ａの表面）との間の距離が，その間の媒質における前記第１マイクロ波Ｏｐ１の波長λmの四分の一の距離又はその距離に波長の整数倍を加えた距離（λm／４＋ｎ・λm：ｎは０以上の整数）となるように，前記薄膜試料２０ａを含む前記試料基板２０を保持するものである（前記試料保持手段の一例）。」，本願明細書【００１７】に「前記基板保持部１２の厚みは，前記試料基板２０の既知の厚みに応じて決定される。また，厚みが異なる複数種類の前記試料基板２０が測定対象となる場合は，厚みが異なる複数種類の前記基板保持部１２を用意して，それを前記試料台１０に対して着脱自在（交換可能）に構成し，前記試料基板２０の厚みに応じた前記基板保持部１２を前記試料台１０に対して装着すればよい。」と記載されているように，導体部材の表面と薄膜試料の測定部位との間の距離が，その間の媒質における電磁波の波長の略四分の一になるように，基板と導体部材との間に挿入する「固形の誘電体」の厚さによって調整している。
　
　一方，引用発明のライフタイム測定装置は，一般に，摘記（１−ア）に記載されているように「μ−ＰＣＤ法」といわれる技術であり，当該技術において，反射マイクロ波の反射強度を最大にするために，半導体材料とマイクロ波を反射する金属面との距離を両者に挟装する石英ガラス板の厚さによって調整することは本出願前周知のことである（特開平２−２４８０６１号公報の２頁右下欄１２行〜３頁左下欄６行，第１図参照）。ここで，石英ガラスは「固形の誘電体」に他ならず，その第１図には，石英ガラス板が，マイクロ波の照射側から見て半導体材料全体を含む大きさに形成されていることが記載されており，さらに，「挟装」との記載及び第１図より，石英ガラスは半導体材料及び金属面とそれぞれ接するように配置されている。
　
　引用発明においては，「上下方向Ｚに変位する支持脚７３」で反射板２４の表面２４ａと半導体試料２３の位置との距離を調整するのであるが，試料保持手段として「前記基板と前記導体部材との間に基板と接するように挿入される固形の誘電体」を含むものであるから，上記周知技術を鑑みれば，基板のみならず「導体部材」とも接するように「固形の誘電体」を基板と導体部材との間に挿入し，この「固形の誘電体」の厚さによって反射板２４の表面２４ａと半導体試料２３の位置との距離を調整してみようとすることは当業者ならば容易に想到することであり，また，装置の発明においてその構成部品を少なくし簡略化することは当業者ならば常に考慮する一般的な技術課題であるから，「上下方向Ｚに変位する支持脚７３」に替えて「固形の誘電体の厚さ」によって上記距離の調整を行うことは十分に動機付けがあり，当業者が容易になし得ることである。その際，「固形の誘電体」を「前記基板が配置されたときに前記電磁波の照射側から見て当該基板全体を含む大きさに形成」することは，例えば，上記周知技術が記載されいてる特開平２−２４８０６１号公報を参酌しても，当業者において格別の創意工夫を必要とすることではない。
　
イ　本願補正発明の効果について
　本願明細書で本願補正発明の効果を，
「【発明の効果】
【０００８】
　本発明によれば，数ｎｍ〜数十ｎｍ程度の厚みのポリシリコンからなる半導体薄膜や，数μｍ以下の厚みの単結晶シリコンからなる半導体薄膜（薄膜試料）について，結晶性評価の指標となる測定値（反射電磁波の強度）を，高い空間分解能で（ごく微小な領域を），非破壊及び非接触で，かつ短時間及び高精度で測定できる。」と記載している。
　しかしながら，引用例１の摘記（１−ウ）には，測定対象の半導体薄膜として「半導体試料２３として、例えば、厚さが０．７ｍｍのガラス基板上に絶縁層を介して膜厚が１００ｎｍ程度のアモルファスシリコン薄膜を形成し、エキシマレーザーアニーリングなどの手法でアモルファスから多結晶化したもの」が記載されており，さらに，摘記（１−イ）には「半導体試料の厚み寸法の違い、ならびに大きさ、反り、撓みおよびうねりなどの変形がある場合であっても、半導体試料における測定対象となる領域を、定在波の電界強度が極大、または、その付近となるように半導体試料、または、電磁波反射手段を配置することによって、Ｓ／Ｎ比を可及的に大きくすることができる。これによって半導体試料の全面にわたって同じ精度で簡便で短時間にライフタイムを測定することができる。」と記載されていることから，上記本願補正発明の効果は，引用発明の効果と比較して格別顕著なものとはいえない。
　さらに，上記相違点に基づく効果として，本願明細書【０００４】に「前記試料保持手段が，例えば前記基材と前記導体部材との間に挿入される固形の誘電体（固体）であることが考えられる。これにより，前記基材を前記導体部材との間に空間を設けて支持する場合に比べ，前記基材に重力による歪が生じにくい。特に，前記基材が大きい（面積が広い）場合，重力による歪が生じやすくなるが，前記試料保持手段によってその歪の発生を防止できる。」，本願明細書【００１６】に「図１に示すように，前記基板保持部１２は，前記基板２０ｂ（基材）と前記試料台１０（導体部材）との間に挿入される固形の誘電体であり，その材質は，例えば，ガラスやセラミック等の比較的屈折率の大きな誘電体である。これにより，前記基板保持部１２を媒質とするマイクロ波の波長が短くなり，前記基板保持部１２としてより厚みの薄い軽量なものを採用できる。」との記載もあるが，前者については摘記（１−ク）に「半導体試料２３の裏面２３ｂの全体にわたって、支持することができるので、大型の半導体試料２３であっても自重などによる撓みが発生することを防ぐことができる。」と記載されており，後者については，上記周知技術で石英ガラスを採用しており，材質としても何ら格別のものではない。
　
　したがって，本願補正発明は，引用発明及び周知技術に基いて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法２９条２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
５　まとめ
　以上のとおり，本件補正は，改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであり，同法１５９条１項において読み替えて準用する同法５３条１項の規定により却下されるべきものである。
　
第３　本願発明について
　
１　本願発明
　本件補正は上記のとおり却下されることとなるので，本願の請求項に係る発明は，平成２４年３月１９日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１〜５に記載された事項により特定されるものであるところ，その請求項１に係る発明（以下，「本願発明」という。）は，次のとおりのものである。
「【請求項１】
　所定の基板の表面に形成された半導体からなる薄膜試料の測定部位に対して励起光及び電磁波を照射し，前記励起光の照射により変化する前記電磁波の前記薄膜試料からの反射波の強度を検出し，その検出データに基いて前記薄膜試料の結晶性を測定する薄膜半導体の結晶性測定装置であって，
　前記薄膜試料に対して前記電磁波が照射される側と反対側に配置された導体部材と，
　前記導体部材の表面と前記薄膜試料の測定部位との間の距離が，その間の媒質における前記電磁波の波長の略四分の一の距離又はその距離に前記電磁波の波長の整数倍を加えた距離となるように前記薄膜試料を保持する試料保持手段と，
　前記試料保持手段により保持された前記薄膜試料に対する前記励起光の照射によって変化する，前記電磁波の前記薄膜試料からの反射波の強度を検出する電磁波強度検出手段と，
　前記電磁波強度検出手段により検出される前記反射波の強度の変化のピーク値を検出する強度ピーク値検出手段と、を備え、
　前記保持手段は、前記基板と前記導体部材との間に挿入される固形の誘電体であることを特徴とする薄膜半導体の結晶性測定装置。」
　
２　引用刊行物及びその記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用された刊行物である上記引用例１の記載事項は，上記「第２」「３　引用刊行物及びその記載事項」に記載したとおりである。
　
３　対比・判断
　上記「第２」「２　補正事項について」に記載したとおり，本願補正発明は，本願発明の誤記を訂正し，本願発明にさらに限定事項を追加したものであるから，本願発明は，本願補正発明から限定事項を省いた発明といえる。その本願補正発明が，前記「第２」「４　対比・判断」に記載したとおり，引用発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明することができたものである以上，本願発明も同様の理由により，当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
第４　むすび
　以上のとおり，本願発明は，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから，その余の請求項に係る発明について言及するまでもなく，本願は拒絶されるべきものである。
　
　よって，結論のとおり，審決する。