【事件の表示】
　特願２００６−１５３５６６「有機電界発光表示装置及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１９年　８月　９日出願公開、特開２００７−２００８３８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯  
　本願は、平成１８年６月１日（優先権主張２００６年１月２７日、韓国）の出願であって、平成２１年１０月１９日付けで手続補正書が提出されたが、平成２２年１月１９日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年５月２６日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに同日付けで手続補正がなされたものである。その後、平成２３年４月１３日付けで、審判請求人に前置報告書の内容を示し意見を求めるための審尋を行ったところ、同年７月１９日付けで回答書が提出された。
　
第２　平成２２年５月２６日付けの手続補正の補正の却下の決定 
［補正の却下の決定の結論］ 
　　平成２２年５月２６日付けの手続補正を却下する。 
　
［理由］ 
１．補正後の請求項に記載された発明 
　平成２２年５月２６日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）により、本願の特許請求の範囲の請求項１は、特許請求の範囲の減縮を目的として、以下のように補正された。
　「少なくとも一つの有機発光ダイオードが形成された画素領域と、前記画素領域の外縁に形成される非画素領域を有し、前記非画素領域の一領域には凹凸部が形成された第１基板と、
　前記有機発光ダイオードが少なくとも密封されるように、前記第１基板と合着して形成された第２基板と、
　前記第１基板と前記第２基板の間に介在され、前記凹凸部と接触して形成されたフリットとを備え、
　前記フリットはレーザーまたは赤外線を吸収する吸収材を含み、
　前記フリットと接触する表面は無機膜層であることを特徴とする有機電界発光表示装置。」
　
　そこで、本願の補正後の上記請求項１に記載された発明（以下「補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否かについて、以下に検討する。
　
２．引用刊行物 
　
引用文献１：特開２００６−４９０９号公報
　
（１）原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先日前に頒布された刊行物である、上記引用文献１には、図面とともに以下の事項が記載されている。 
（１ａ）「【０００１】
　本発明は、電界発光ディスプレイ装置に係り、より詳細には、封止領域をより効果的に封じて耐久年限を延長させる構造を有する電界発光ディスプレイ装置に関する。」
（１ｂ）「【００１１】
　本発明によれば、次の通りの効果を得ることができる。
・・・
【００１３】
　第二に、本発明によれば、封止部に形成された凹溝部により、封止材との接触面積が増大することによって基板と封止基板との接合力を強化させることもできる。」
（１ｃ）「【００１８】
　図１は、本発明の実施の形態に係る電界発光ディスプレイ装置の概略的な斜視図である。図１に示すように、基板１１０の一面の上には、一つ以上の画素から構成される表示領域２００が形成され、この表示領域２００の外郭の少なくとも一側方には、一つ以上の端子から構成されるパッド部６００が配置される。表示領域２００とパッド部６００との間には、基板１１０と共に封止材３１０を通じて少なくとも表示領域２００を密封する封止部３００（図４参照）が配置される。
【００１９】
　なお、有機電界発光表示領域２００に電気的信号を供給する電気素子、例えば表示領域２００を構成する画素にスキャン信号及び／又はデータ信号を伝達するスキャンドライバ／データドライバのような垂直／水平駆動回路部が、表示領域２００と封止部３００との間の封止領域に配置されることもあるが、本実施の形態では、図１に示すように、垂直水平駆動回路部５００を封止の外側に配置している。このような垂直／水平駆動回路部は、ＣＯＧ（Ｃｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）の形態や、ＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）などを通じた外部電気要素から構成されることもあるなど、多様な構成を採用することができる。」
（１ｄ）「【００２３】
　一方、図３は、図２の線Ｉ−Ｉに沿って切り取った部分断面図である。線Ｉ−Ｉの（ａ）−（ｅ）で表示された部分は、駆動薄膜トランジスタとしての第２の薄膜トランジスタ２が配置された部分の断面を示し、（ｅ）−（ｆ）部分は、画素開口部１９４を示し、（ｇ）−（ｈ）部分は、駆動ラインの断面３１を示す。第２の薄膜トランジスタ２において、基板１１０の一面上に形成されたバッファ層１２０の上には、第２の薄膜トランジスタ２の半導体活性層１３０が形成される。この半導体活性層１３０は、非晶質シリコン層から構成されるか、或いは多結晶シリコン層から構成されることもある。図面で詳細に示されていないが、半導体活性層１３０は、ｎ＋型又はｐ＋型のドーパント（不純物）がドーピングされたソース及びドレーン領域と、チャネル領域とから構成されるが、半導体活性層１３０は、有機半導体で構成してもよく、多用な構成を採用することが可能である。
【００２４】
　半導体活性層１３０の上には、第２の薄膜トランジスタのゲート電極１５０が配置されるが、ゲート電極１５０は、隣接層との密着性、積層される層の表面平坦性そして加工性などを考慮して、例えばＭｏＷ、Ａｌ／Ｃｕなどのような物質で形成されることが望ましい。
【００２５】
　ゲート電極１５０と半導体活性層１３０との間には、これらを絶縁させるためのゲート絶縁層１４０が配置されている。ゲート電極１５０及びゲート絶縁層１４０の上には、絶縁層としての中間層１６０が単一層及び／又は複数層として形成され、その上には、第２の薄膜トランジスタ２のソース／ドレーン電極１７０ａ，１７０ｂが形成される。ソース／ドレーン電極１７０ａ，１７０ｂは、ＭｏＷなどのような金属で形成されることがあり、半導体活性層１３０とのより円滑なオーミックコンタクトを成すために追って熱処理してもよい。
【００２６】
　ソース／ドレーン電極１７０ａ，１７０ｂの上部には、保護の目的や平坦化させるためのパッシベーション層や平坦化層から構成される保護層１８０が形成されている。この保護層１８０上には、第１の電極層１９０が形成されている。この第１の電極層１９０は、保護層１８０に形成されたビアホール１８１を通じてソース／ドレーン電極１７０ａ，１７０ｂと電気的に導通する。第１の電極層１９０は、背面発光型である場合、インジウム−ティン−オキシド（ＩＴＯ）などの透明電極から構成され、前面発光型である場合、Ａｌ／Ｃａの反射電極とＩＴＯなどの透明電極で形成することができる。なお、電極材料は、これらに限定されるものではない。
【００２７】
　また、本実施の形態では、第１の電極層１９０がアノード電極として作用する場合について適用したが、本発明はこれに限定されず、第１の電極層がカソード電極として構成されることもあるなど多様な構成が可能である。
【００２８】
　ところで、本実施の形態では、保護層１８０は、多様な形態から構成されうるが、無機物又は有機物で形成されることもあり、単層で形成されるか、又は下部にＳｉＮｘ層を備え、上部に例えばＢＣＢ（ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ）又はアクリルなどのような有機物層を備える二重層から構成されることもあるなど、多様な構成が可能である。
【００２９】
　保護層１８０の上には、第１の電極層１９０に対応する領域である画素開口部１９４を除外し、画素を限定するための画素限定層１９１が形成される。画素開口部１９４の第１の電極層１９０の一面上には、発光層を含む有機電界発光部１９２が配置される。
【００３０】
　有機電界発光部１９２は、低分子又は高分子有機膜から構成されうるが、低分子有機膜を使用する場合、ホール注入層（Ｈｏｌｅ Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ Ｌａｙｅｒ；ＨＩＬ）、ホール輸送層（Ｈｏｌｅ Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ Ｌａｙｅｒ；ＨＴＬ）、有機発光層（Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｌａｙｅｒ；ＥＭＬ）、電子輸送層（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ Ｌａｙｅｒ；ＥＴＬ）、電子注入層（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ Ｌａｙｅｒ；ＥＩＬ）などが単一或いは複合の構造で積層されて形成され、使用可能な有機材料も、銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）、Ｎ，Ｎ−ジ（ナフタリン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ベンジジン（ＮＰＢ）、トリス−８−ヒドロキシキノリンアルミニウム（Ａｌｑ３）などを始めとして多様な材料を適用することができる。これら低分子有機膜は、真空蒸着の方法で形成される。
【００３１】
　高分子有機膜の場合には、おおむねホール輸送層及び有機発光層で備えた構造を有することができ、この際、前記ホール輸送層としてＰＥＤＯＴ（ポリエチレンジオキシチオフェン）を使用し、発光層としてＰＰＶ（Ｐｏｌｙ−Ｐｈｅｎｙｌｅｎｅｖｉｎｙｌｅｎｅ）系及びポリフルオレン系など高分子有機物質を使用し、これをスクリーン印刷やインクジェット印刷方法などに形成することもできるなど多様な構成が可能である。
【００３２】
　有機電界発光部１９２の一面上部には、カソード電極としての第２の電極層２１９が全面蒸着されるが、第２の電極層２１０は、こうした全面蒸着形態に限定されるものではない。また、発光類型に応じてＡｌ／Ｃａ、ＩＴＯ、Ｍｇ−Ａｇなどのような材料で形成されることもあり、単一層ではない複数の層で形成されることもあり、ＬｉＦなどのようなアルカリ又はアルカリ土金属フルオライド層がさらに備えられることもあるなど、多様な類型から構成されうる。」
（１ｅ）「【００３３】
　本実施の形態に係る有機電界発光ディスプレイ装置は、封止部境界面を通じた透湿や透酸素を防止するために、基板側に封止部の対応位置の少なくとも一部に凹溝部が備えられる。
【００３４】
　図４及び図５には、本発明により凹溝部を備える有機電界発光ディスプレイ装置の概略的な平面図が示されているが、説明を容易にするために封止材３１０及び封止基板４００などの一部構成要素は省略している。凹溝部３１１は、基板１１０側に封止部３００に対応する位置の少なくとも一部に形成される。図４に示すように、凹溝部３１１は、表示領域２００の外側に断続的に形成されることもあり、図５に示されたように封止領域への酸素及び湿気の浸透をより確実に遮断することができるように、凹溝部３１１は、周回してループ状となる閉曲線を成すようにしてもよい。
【００３５】
　図６及び図７は、図５の線ＩＩ−ＩＩに沿って切り取った断面の一例として、本発明による凹溝部構造を示す。図６では、封止部３００で基板１１０の一面上には、凹溝部３１１が備えられる。こうした凹溝部３１１は、基板１１０に対して事前の加工処理で形成してもよいし、例えばエッチング、レーザ蝕刻などの多様な方法で形成してもよい。
【００３６】
　基板１１０は、封止基板４００と共に封止部３００に配置される封止材３１０を通じて密封されている。この封止部３００の封止材３１０は、凹溝部３１１内にも充填される。凹溝部３１１の幅Ｗｇは、封止部３００の幅Ｗｓと同一であることもあるが、封止領域に侵入する湿気や酸素の大部分は、基板１１０と封止材３１０との境界面を通じて入り込むという点で、透湿や透酸素をより効果的に防止する観点から、凹溝部３１１の幅Ｗｇが封止材３１０が配置される封止部３００の幅Ｗｓより狭く形成することにより、透湿／透酸素経路の方向をできる限り変更させる構造を採ることが望ましい。
【００３７】
　また、図７に示す本発明の他の実施の形態では、凹溝部を複数条の凸凹で形成している。図７に示すように、凸凹状の凹溝部３１１は、複数（本実施の形態では３つ）の凹溝３１１ａ，３１１ｂ，３１１ｃから構成されている。これら凹溝３１１ａ，３１１ｂ，３１１ｃの大きさは、相違することもあるが、工程上の便宜性を考慮して、同一であることが望ましい。凹溝の数が増えるほど封止部の封止材と基板との接触経路が増大されるが、封止部の幅は一定の制約があるため、凹溝３１１ａ、３１１ｂ、３１１ｃの幅を過度に縮めるときに、凹溝内に存在する気体や封止材の粘度などにより、封止材が凹溝に適切に密に充填できない場合は、効果的な封止構造を取ることもできない。また、凹溝部３１１が表示領域２００と端子部６００との間にも配置され（図５参照）る場合には、表示領域と電気的導通を成す配線が凹溝部を経由する場合、断線などによる製品不良が発生する点などを考慮して、凹溝部（凹溝）は、適切な幅と深さとを備えなければならない。」
（１ｆ）「【００３８】
　本発明のさらに他の実施の形態としては、基板側に形成される凹溝部は、基板の一面上に形成された一層以上の絶縁層に備えれる構成である。図８に示すように、基板１１０の一面上に少なくとも封止部に対応する領域まで薄膜トランジスタ層（図３参照）のバッファ層１２０が延びている。バッファ層１２０の一面上には、薄膜トランジスタ層の半導体活性層１３０とゲート電極１５０とを絶縁させるゲート絶縁層１４０が延びて形成されている。また、ゲート絶縁層１４０の一面上には、ゲート電極１５０とソース／ドレーン電極１７０とを絶縁させる中間層１６０が介在され、その上部には保護層１８０が配置される。
【００３９】
　図８に示すように、本発明による凹溝部３１１は、保護層１８０に形成されることもあり、また、図９に示すように、下部絶縁層全てに形成してもよい。この実施の形態でも、上記の実施の形態と同様に、透湿や透酸素をより効果的に防止することができるように、凹溝部３１１は、その幅Ｗｇが封止材３１０が配置される封止部３００の幅Ｗｓより狭く形成されることが望ましい。
【００４０】
　また、凹溝部は、凸凹状で形成されることもあり、図１０で凸凹状の凹溝部３１１は、
数個の凹溝３１１ａ，３１１ｂ，３１１ｃから構成されるが、凹溝の大きさは、相違することもあるが、工程上の便宜性を考慮して凹溝の大きさは同一であることが望ましい。図１０に示すように、凹溝部３１１を構成する凹溝３１１ａ，３１１ｂ，３１１ｃは、３個から構成されたが、これに限定されず、上記の実施の形態と同様に凹溝の個数及び幅は、設計仕様により適切に選択されなければならない。
【００４１】
　さらに、凹溝部は、基板の一面上に封止部に対応する位置に形成される一層以上の絶縁層中の少なくとも一部に選択的に形成されてもよい。すなわち、図１０に示すように、封止部３００の対応位置に基板１１０の一面上に形成された絶縁層１２０，１４０，１６０，１８０のうちいずれか一層以上の絶縁層１４０，１６０に選択的に形成してもよい。但し、この場合にも図８の場合と同様に、凹溝部３１１の幅Ｗｇは、封止部３００の幅Ｗｓより狭く形成されることが望ましい。」
　
　これらの記載事項及び図面を含む引用文献１全体の記載並びに当業者の技術常識を総合すれば、引用文献１には、以下の発明が記載されている。
　「基板（１１０）の一面の上に、有機電界発光部（１９２）を有する有機電界発光表示領域（２００）が形成され、
　該表示領域の外側には、基板と共に封止材（３１０）を通じて表示領域を密封する封止部（３００）が配置され、
　基板の封止部に対応する位置に、表示領域の外側に周回してループ状となる閉曲線を成すように、複数条の凸凹を有する凹溝部（３１１）が形成され、
　基板は、封止基板（４００）と共に、封止部に配置され凹溝部内にも充填される封止材を通じて密封されている有機電界発光ディスプレイ装置。」（以下「引用発明」という。）
　
３．対比 
　補正発明と引用発明を比較すると、引用発明の「有機電界発光部」は、補正発明の「有機発光ダイオード」に相当するから、引用発明の「有機電界発光表示領域」は、補正発明の「画素領域」に相当する。
　同様に「複数条の凸凹を有する凹溝部」、「基板」、「表示領域の外側」、「封止基板」及び「有機電界発光ディスプレイ装置」は、ぞれぞれ、「凹凸部」、「第１基板」、「非画素領域」、「第２基板」及び「有機電界発光表示装置」に相当する。
　また、引用発明の「封止材」と補正発明の「フリット」は「第１基板と前記第２基板の間に介在され、前記凹凸部と接触して形成された封止部材」である点で共通している。
　してみると両者は、 
　「少なくとも一つの有機発光ダイオードが形成された画素領域と、前記画素領域の外縁に形成される非画素領域を有し、前記非画素領域の一領域には凹凸部が形成された第１基板と、
　前記有機発光ダイオードが少なくとも密封されるように、前記第１基板と合着して形成された第２基板と、
　前記第１基板と前記第２基板の間に介在され、前記凹凸部と接触して形成された封止部材とを備えた有機電界発光表示装置。」
の点で一致し、次の点で相違している。
　
（相違点）
　補正発明では、封止部材がレーザーまたは赤外線を吸収する吸収材を含むフリットであって、フリットと接触する表面は無機膜層であるのに対して、引用発明では、封止部材及び該封止部材と接触する表面の構成が明らかでない点。
　
４．判断 
　上記相違点について検討する。
　２枚の基板間に封止部材を介在させて密封領域を形成する場合に、封止部材としてレーザーまたは赤外線を吸収する吸収材を含むフリットを用いることは、周知の技術（国際公開第２００４／０９５５９７号、第８頁１３行〜第９頁２３行参照）である。
　引用発明の封止部材として当該周知のフリットを用いることは、その必要に応じて当業者が適宜採用しうる事項である。
　また、レーザーまたは赤外線を吸収する吸収材を含むフリットを用いる際に、フリットと接触する表面が高温に曝されることは、当業者であれば容易に理解しうる事項である。そして、有機電界発光表示装置の基板として、ガラス基板のような無機材料を用いることが、ごく普通に行われている事項（同文献、同箇所参照）であることを考慮すれば、引用発明の基板を無機材料で形成することにより、上記相違点に係る構成を採用することは、当業者が容易になし得る事項である。
　なお、補正発明の「無機膜層」の指し示す技術的意味は、本願明細書の【００４４】〜【００４６】に記載された第３実施例に関する記述から、上記のとおり「第１基板自体を無機材料で形成したもの」を含むことは明らかであるが、本願明細書に第１及び第２実施例として記載されたような、平坦化層あるいは層間絶縁層を無機膜層で形成したものに限定したとしても、引用文献１には、凹溝部を平坦化層（１８０）や絶縁層（１６０）と接触して設けた態様が記載（上記摘記事項（１ｄ）及び（１ｆ）参照）されており、しかも、平坦化層や絶縁層を無機材料で形成することは、ごく普通に行われている周知技術であることから、上記判断に変わりはない。
　 また、請求人が上記回答書に添付した補正案の内容を検討しても同様である。
　
　そして、補正発明全体の効果も、引用発明及び周知技術から当業者が予測し得る範囲のものであって格別なものではない。
　
　したがって、補正発明は、引用発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。 
　
５．小括 
　以上のとおり、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項の規定において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 
　よって、上記［補正の却下の決定の結論］のとおり、決定する。
 　
第３　本願発明について 
　平成２２年５月２６日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の特許請求の範囲の請求項１に係る発明は、平成２１年１０月１９日付けの手続補正で補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。
「少なくとも一つの有機発光ダイオードが形成された画素領域と、前記画素領域の外縁に形成される非画素領域を有し、前記非画素領域の一領域には凹凸部が形成された第１基板と、
　前記有機発光ダイオードが少なくとも密封されるように、前記第１基板と合着して形成された第２基板と、
　前記第１基板と前記第２基板の間に介在され、前記凹凸部と接触して形成されたフリットとを備え、
　前記フリットはレーザーまたは赤外線を吸収する吸収材を含む有機電界発光表示装置。」（以下「本願発明」という。）
　
１．引用刊行物
　原査定に引用され、本願出願前に頒布された刊行物及びその記載内容は、前記「第２」の「２．」に記載したとおりである。
　
２．対比
　本願発明は、前記「第２」で検討した補正発明から「フリットと接触する表面は無機膜層である」という特定事項を削除したものである。
　そうすると、本願発明の発明特定事項をすべて含み、更に限定したものに相当する補正発明が、前記「第２」の「４．」に記載したとおり、引用発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、引用発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
第５　むすび 
　以上のとおり、本願発明は、引用発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は、拒絶されるべきものである。 
　よって、結論のとおり審決する。