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　特願２００５−１０５０４５「サブマウント及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年１０月１９日出願公開、特開２００６−２８６９４４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯
　平成１７年　３月３１日　特許出願
　平成２３年　７月１１日　拒絶理由通知（同年７月１９日発送）
　平成２３年　９月１７日　意見書・手続補正書
　平成２４年　２月　９日　拒絶査定（同年２月２１日発送）
　平成２４年　５月２１日　審判請求書・手続補正書
　平成２４年　９月１８日　審尋（同年９月２５日発送）
　平成２４年１１月２６日　回答書
　平成２５年　３月２９日　拒絶理由通知（同年４月９日発送
　　　　　　　　　　　　　以下「当審拒絶理由通知」という。）
　平成２５年　６月　７日　意見書・手続補正書
　
２　本願発明
　本願の請求項に係る発明は、平成２５年６月７日付け手続補正により補正された請求項１−５に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ、請求項１は以下のとおりである。
「窒化アルミニウムを用いたサブマウント基板と、
　該サブマウント基板上に蒸着法で形成されるＡｕからなる電極層と、
　該電極層上に蒸着法で形成されるＡｇ及びＳｎを含む半田層と、を含み、
　上記サブマウント基板及び電極層の表面に付着した炭素化合物により、上記サブマウント基板と電極層との間に形成される界面近傍及び上記電極層と半田層との間に形成される界面近傍で測定される炭素濃度が、１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であることを特徴とする、サブマウント。」（以下「本願発明」という。）
　
３　引用発明
（１）引用する刊行物
　本願の出願前に公開され、当審拒絶理由通知で引用した刊行物１（特開２００３−２５８３６０号公報）には、図面とともに以下の事項が記載されている（当審注：下線は、引用発明の認定と特に関連する箇所に当審が付加した下線である。以下、同様である。）。
　
ア　「【００１８】
【発明の実施の形態】以下、図面に基づいて本発明の実施の形態を説明する。…
【００１９】図１は、本発明による半導体装置の実施の形態１を示す断面模式図である。図１に示すように、半導体装置１は、サブマウント３に半導体発光素子としてのレーザーダイオード２が搭載された構造を有している。
サブマウント３は、例えば、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）を含む焼結体からなるサブマウント用の基板４と、密着層としてのチタン（Ｔｉ）膜５ｂおよび拡散防止層としての白金（Ｐｔ）膜５ａの積層膜５（Ｔｉ／Ｐｔ積層膜５）と、このＴｉ／Ｐｔ積層膜５上に形成された電極層としての金（Ａｕ）膜６と、このＡｕ膜６上に形成され、白金（Ｐｔ）を含むはんだバリア層７と、はんだバリア層７上に形成された金（Ａｕ）錫（Ｓｎ）系はんだを含むはんだ層８とからなる
　
イ　「【００２７】…、
はんだ層８の材料としては、
銀錫（ＡｇＳｎ）系はんだなどの合金はんだ
を用いることができる。
　
ウ「【００３４】次に、図１に示した半導体装置の製造方法を、窒化アルミニウム焼結体を基板とした場合を想定して説明する。…
【００３５】まず第１工程として基板を製造する。…。基板４の材料としては窒化アルミニウム（ＡｌＮ）焼結体を用いる。…
【００３６】次に、第２工程として、第１工程である基板製造工程において製造した窒化アルミニウム焼結体からなる基板の表面を研磨する。…
【００３７】次に、図２で示すように、密着層としてのＴｉ膜５ｂ、拡散防止層としてのＰｔ膜５ａおよび電極層としてのＡｕ膜６を所定のパターンで形成するため、第３工程としてパターニング工程を行なう。このパターニング工程においては、フォトリソグラフィ法を用いて、Ｔｉ膜５ｂ、Ｐｔ膜５ａおよびＡｕ膜６が形成されるべき領域以外の領域について、基板表面にレジスト膜を形成する。
【００３８】次に、第４工程として、密着層を蒸着する。具体的には、密着層としてのＴｉ膜５ｂとなるべきＴｉ膜を基板表面に蒸着する。…
【００３９】次に、第５工程として、密着層としてのＴｉ膜５ｂとなるべきＴｉ膜上に、拡散防止層としてのＰｔ膜５ａとなるべきＰｔ膜を形成する。…　
【００４０】次に、第６工程として、
電極層としてのＡｕ膜６を蒸着法によって形成する
【００４１】次いで、第７工程としてリフトオフ工程を実施する。この工程では、第３工程のパターニング工程において形成したレジスト膜を、レジスト剥離液によって、そのレジスト膜上に位置していたＴｉ膜、Ｐｔ膜およびＡｕ膜の一部分をレジスト膜とともに除去する。この結果、基板上に所定のパターンを有するＴｉ膜５ｂ、Ｐｔ膜５ａおよびＡｕ膜６を形成することができる。
【００４２】次に、第８工程としてはんだバリア層７を形成する。…
【００４３】次に、第９工程として、
真空蒸着法により、はんだバリア層７上にはんだ層８を形成する
…
【００４８】次に、第１０工程として、上述のように第１工程で準備した基板の表面に所定の構造が形成された後、その基板を切断する切断工程を実施する。この結果、図１に示すサブマウント３を得ることができる。
【００４９】次に、第１１工程として、半導体発光素子としてのレーザーダイオード２の接合工程を実施する。…
【００５０】溶融したと判断されたはんだ層８に、レーザーダイオード２を配置する。このようにして、ＧａＡｓを用いたチップであるレーザーダイオード２をはんだ層８によってサブマウント３に接合する。このようにして、図１の半導体装置１が完成する。」
　
エ　図１は、以下のとおりのものである。
上記アの記載を踏まえて図１を見ると、以下の事項が理解できる。
「窒化アルミニウム（ＡｌＮ）を含む焼結体からなるサブマウント用の基板４と、
　サブマウント用の基板４上に形成された密着層としてのチタン（Ｔｉ）膜５ｂおよび拡散防止層としての白金（Ｐｔ）膜５ａの積層膜５（Ｔｉ／Ｐｔ積層膜５）と、
　積層膜５上に形成された電極層としての金（Ａｕ）膜６と、
　電極層としての金（Ａｕ）膜６上に形成された白金（Ｐｔ）を含むはんだバリア層７と、
　はんだバリア層７上に形成された金（Ａｕ）錫（Ｓｎ）系はんだを含むはんだ層８と、
からなるサブマウント３。」
　
（２）引用発明
ア　上記（１）ウ【００４０】の記載によれば、電極層としてのＡｕ膜６は、蒸着法によって形成される。
　
イ　上記（１）ウ【００４３】の記載によれば、はんだ層８は真空蒸着法により形成される。
　
ウ　上記（１）イの記載によれば、はんだ層８の材料としては、銀錫（ＡｇＳｎ）系はんだなどの合金はんだを用いることができる。
　
　上記ア〜ウ及び上記（１）エによれば、刊行物１には、以下の発明が記載されていると認められる。
「窒化アルミニウム（ＡｌＮ）を含む焼結体からなるサブマウント用の基板４と、
　サブマウント用の基板４上に形成された密着層としてのチタン（Ｔｉ）膜５ｂおよび拡散防止層としての白金（Ｐｔ）膜５ａの積層膜５（Ｔｉ／Ｐｔ積層膜５）と、
　積層膜５上に蒸着法によって形成される形成される電極層としての金（Ａｕ）膜６と、
　電極層としての金（Ａｕ）膜６上に形成された白金（Ｐｔ）を含むはんだバリア層７と、
　はんだバリア層７上に真空蒸着法により形成される銀錫（ＡｇＳｎ）系はんだなどのはんだ層８と、
からなるサブマウント３。」（以下「引用発明」という。）
　
４　対比
　本願発明と引用発明を対比する。
（１）引用発明の「窒化アルミニウム（ＡｌＮ）を含む焼結体からなるサブマウント用の基板４」は、本願発明の「窒化アルミニウムを用いたサブマウント基板」に相当する。
　
（２）引用発明の「蒸着法によって形成される形成される電極層としての金（Ａｕ）膜６」は、本願発明の「蒸着法で形成されるＡｕからなる電極層」に相当する。
　
（３）引用発明の「真空蒸着法により形成される銀錫（ＡｇＳｎ）系はんだなどのはんだ層８」は、本願発明の「蒸着法で形成されるＡｇ及びＳｎを含む半田層」に相当する。
　
（４）引用発明の「サブマウント３」は、本願発明の「サブマウント」に相当する。
　
（５）以上のことから、本願発明と引用発明は、
「窒化アルミニウムを用いたサブマウント基板と、
　該サブマウント基板上に蒸着法で形成されるＡｕからなる電極層と、
　該電極層上に蒸着法で形成されるＡｇ及びＳｎを含む半田層と、を含み、
　上記サブマウント基板及び電極層の表面に付着した炭素化合物により、上記サブマウント基板と電極層との間に形成される界面近傍及び上記電極層と半田層との間に形成される界面近傍で測定される炭素濃度が、１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であることを特徴とする、サブマウント。」
の点で一致し、以下の点で相違する。
　
相違点１：「電極層」の形成される場所が、本願発明では、「サブマウント基板上」であるのに対し、引用発明では、「サブマウント用の基板４上に形成された密着層としてのチタン（Ｔｉ）膜５ｂおよび拡散防止層としての白金（Ｐｔ）膜５ａの積層膜５（Ｔｉ／Ｐｔ積層膜５）」上である点。
　
相違点２：「半田層」の形成される場所が、本願発明では、「電極層上」であるのに対し、引用発明では、「電極層としての金（Ａｕ）膜６上に形成された白金（Ｐｔ）を含むはんだバリア層７」上である点。
　
相違点３：本願発明では、「サブマウント基板及び電極層の表面に付着した炭素化合物により、上記サブマウント基板と電極層との間に形成される界面近傍及び上記電極層と半田層との間に形成される界面近傍で測定される炭素濃度が、１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下である」のに対し、引用発明では炭素濃度がそのような値であるのか否か不明である点。
　
５　判断
　以下、上記相違点について検討する。
（１）相違点１、２について
ア　はじめに、本願発明において、「サブマウント基板上に…形成される…電極層」が有する技術上の意義と、「電極層上に…形成される…半田層」が有する技術上の意義について、本願の発明の詳細な説明の記載を参酌して検討する。
　
イ　本願の発明の詳細な説明には、以下の記載がある。（当審注：下線は当審が付加した。）
（ア）「【００１８】以下、本発明の実施の形態を図面により詳細に説明する。本発明のサブマウントの構造について、図を参照しながら説明する。図１は、本発明のサブマウント１の構造を模式的に示す断面図である。本発明のサブマウント１は、図１に示すように、
サブマウント基板２の片面又は両面に、サブマウント基板２の一部又は全部を覆うように電極層３が形成され、この電極層３の表面の所定箇所に半田層４が形成されている
　
（イ）「【００２３】図２は、図１とは異なるサブマウント１５の構造を模式的に示す断面図である。サブマウント１５が図１に示したサブマウント１と異なる点は、
サブマウント基板２と電極層３との間に、サブマウント基板２の一部又は全部を覆うように基板保護層５を設けた
　
（ウ）「【００２５】さらに、これらの変形例として、図３に示すサブマウント２０のように、さらに、
電極層３と半田層４との間に密着層６を介在させる
　
（エ）図１〜図３は、以下のとおりのものである。
上記（ア）〜（ウ）の記載を踏まえて図１〜図３を見ると、本願発明のサブマウントの構造（異なる構造、変形例を含む）として、「サブマウント基板」上に「電極層」を直接形成した構造（上記（ア）と図１参照）と、「サブマウント基板」上に「基板保護層」を介して「電極層」を形成した構造（上記（イ）と図２、図３参照）が見て取れる。
　また、「電極層」上に「半田層」を直接形成した構造（上記（ア）と図１、図２参照）と、「電極層」上に「密着層」を介して「半田層」を形成した構造（上記（ウ）と図３参照）が見て取れる。
　
ウ　上記イによれば、本願発明における「サブマウント基板上に…形成される…電極層」が有する技術上の意義、あるいは「電極層上に…形成される…半田層」が有する技術上の意義は、「サブマウント基板」あるいは「電極層」に「電極層」や「半田層」を直接形成するものに限るものではなく、「基板保護層」や「密着層」などのチタン（Ｔｉ）や白金（Ｐｔ）層を介して形成するものを含むものと解される。
　
エ　そこで上記相違点１、相違点２について検討する。
　本願発明の「サブマウント基板上に…形成される…電極層」が有する技術上の意義に照らせば、引用発明の「電極層としての金（Ａｕ）膜６」が「サブマウント用の基板４上に形成された密着層としてのチタン（Ｔｉ）膜５ｂおよび拡散防止層としての白金（Ｐｔ）膜５ａの積層膜５（Ｔｉ／Ｐｔ積層膜５）」上に形成されることは、本願発明の「電極層」が「サブマウント基板上」に形成されることに相当するから、相違点１は実質的な相違点では無い。
　また、本願発明の「電極層上に…形成される…半田層」が有する技術上の意義に照らせば、引用発明の「はんだ層８」が「電極層としての金（Ａｕ）膜６上に形成された白金（Ｐｔ）を含むはんだバリア層７」上に形成されることは、本願発明の「半田層」が「電極層上」に形成されることに相当するから、相違点２は実質的な相違点では無い。
　
（２）相違点３について
ア　本願の出願前に公開され、当審拒絶理由通知で引用した刊行物２（特表２００４−５０９４７０号公報）には、図面とともに以下の事項が記載されている。
　
（ア）「【００１１】
発明の詳細な説明
図１と図２は、本発明に従って構成された照明装置を示している。装置１０は基板１２を含み、基板は本発明の１つの実施例では、ガラス、石英または結晶などの透明または半透明の材料で作られている。基板１２は、図１に示すような円形とするか、または長方形、正方形、あるいはその他の任意の規則的または不規則な形とすることができる。
２本の導線１４と１６が、あとで詳しく説明するように半導体形成技術を用いて基板１２上に形成されている。
【００１２】
導線１４と１６は、基板１２の縁部の近くに配置された２個のコネクタ１８Ａと１８Ｂから延びている。導線１４と１６のもう一方の端部は、それぞれ結合パッド２０Ａと２０Ｂで構成されている。パッド２０Ａと２０Ｂには発光素子２２が固定されている（図１では、素子２２は点線により示されている）。…」
　
（イ）「【００１５】
導線１４と１６を、
技術上で公知の標準的薄膜技術
ａ．フォトレジスト材料を、たとえば、スピンコーターを用いて、基板１２に塗布する。
ｂ．基板を、フォトレジストを硬化させるのに充分な時間（たとえば３０分間）焼成する。
ｃ．導線の形に対応するパターンが形成されたネガ型マスクを、アライナーを用いてフォトレジスト上に配置する。
ｄ．マスクを紫外線に露出する。
ｅ．基板をフォトレジスト現像液中に浸して、露光したフォトレジストを除去する。
ｆ．酸素で清浄化するために、基板をプラズマアッシャー内に装填する。
ｇ．基板を真空槽内に入れる。ｈ．電子ビーム真空蒸着手段を用いて基板上に金属を蒸着させる。
ｉ．基板を放置冷却し、真空槽から取り出す。
ｊ．基板をアセトンに浸して、残っているフォトレジストを除去する。
好ましくは、数個の照明装置を、たとえば２次元配列に配置して同時に形成できるように、この工程は大きい基板シート上で行う。
【００１６】
段階（ｊ）のあと、最終製品を検査し、次に所望のサイズと形に切断する。
導線は、上記の方法、または他の類似の方法を用いて基板上に一体的に形成し、金、銀、銅、ニッケル、ならびに比較的電気抵抗率の低い各種合金から作ることができる。…」
　
イ　上記アの記載によれば、以下のａ〜ｊからなる半導体形成技術は、公知の標準的薄膜技術と認められる。
ａ．フォトレジスト材料を、たとえば、スピンコーターを用いて、基板１２に塗布する。
ｂ．基板を、フォトレジストを硬化させるのに充分な時間（たとえば３０分間）焼成する。
ｃ．導線の形に対応するパターンが形成されたネガ型マスクを、アライナーを用いてフォトレジスト上に配置する。
ｄ．マスクを紫外線に露出する。
ｅ．基板をフォトレジスト現像液中に浸して、露光したフォトレジストを除去する。
ｆ．酸素で清浄化するために、基板をプラズマアッシャー内に装填する。
ｇ．基板を真空槽内に入れる。
ｈ．電子ビーム真空蒸着手段を用いて基板上に金属を蒸着させる。
ｉ．基板を放置冷却し、真空槽から取り出す。
ｊ．基板をアセトンに浸して、残っているフォトレジストを除去する。（以下、上記ａ〜ｊからなる半導体形成技術を「公知の標準的薄膜技術」という。）
　
ウ　そこで、上記相違点３について検討する。
　引用発明は、「電極層としての金（Ａｕ）膜６」、「はんだ層８」は何れも蒸着法で形成するところ、その形成方法として上記公知の標準的薄膜技術を採用することは、当業者が容易に想到しうることである。そしてその際、薄膜を形成する下地表面の汚れが、薄膜の外観、物性、機械的強度等に影響を及ぼすことは技術常識であることを考慮すると、上記公知の標準的薄膜技術の「ｆ．酸素で清浄化するために、基板をプラズマアッシャー内に装填する。」工程におけるプラズマアッシャー内における酸素での清浄化をどの程度行うかは、必要とする外観、物性、機械的強度等に応じて当業者が適宜決定し得る事項であり、界面近傍における炭素濃度が、１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下となる程度に清浄化することに困難性は無い。
　そうすると、引用発明において、「電極層としての金（Ａｕ）膜６」、「はんだ層８」を形成する蒸着法として、上記公知の標準的薄膜技術を採用し、上記相違点３に係る本願発明の発明特定事項と為すことは、当業者が容易に想到し得たことと認められる。
　
（３）作用効果について
　本願発明が奏する作用効果は、引用発明と刊行物２に記載された公知の標準的薄膜技術に基づいて当業者が予測しうる程度のものであって、格別のものとは認められない。
　
（４）小括
　以上のとおり、本願発明は、引用発明と刊行物２に記載された公知の標準的薄膜技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものと認める。
　
６　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用発明と刊行物２に記載された公知の標準的薄膜技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。　
　よって、上記結論のとおり審決する。