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　特願２００５−１７２９６０「導線近傍にスキャッタリング・バーを配置させてなる半導体デバイス」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年　１月　５日出願公開、特開２００６−　　５３５０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯・本願発明  
　本願は、平成１７年６月１３日（パリ条約による優先権主張２００４年６月１４日、アメリカ合衆国）の出願であって、平成２０年８月２５日付けの拒絶理由通知に対して，同年１２月１日に手続補正書及び意見書が提出されたが，同年１２月２６日付けで拒絶査定がされ，これに対し，平成２１年４月９日に審判請求がされ，その後当審において，平成２３年８月２９日付けで拒絶の理由が通知され，同年１２月２６日に手続補正書及び意見書が提出されたものである。 
　そして，その請求項１に係る発明は，平成２３年１２月２６日の手続補正書で補正された特許請求の範囲，明細書及び図面の記載からみて，特許請求の範囲の請求項１に記載されたとおりのものと認められるところ，その請求項１に記載された発明（以下「本願発明」という。）は次のとおりである。
　
　「【請求項１】
　ワークピースと、
　前記ワークピース上に配置され、密集領域と孤立領域を備える絶縁材料と、
　前記絶縁材料内の前記孤立領域内に配置され、第１の側辺およびこの第１の側辺に対向する第２の側辺を有すると共に、第１の長さを持っている少なくとも１本の第１の導線と、
　前記絶縁材料内であって前記第１の導線の第１の側辺側近傍に前記第１の導線の第１の側辺から離間させて配置され、前記第１の長さに略等しい第２の長さを持っているＮ本の第１のスキャッタリング・バーと、
　前記絶縁材料内であって前記第１の導線の第２の側辺側近傍に前記第１の導線の第２の側辺から離間させて配置され、前記第１の長さと略等しい第３の長さを持っているＮ本の第２のスキャッタリング・バーとを含み、
　前記第１の導線は電気的に活性であり、前記Ｎ本の第１のスキャッタリング・バーと前記Ｎ本の第２のスキャッタリング・バーは電気的に不活性であり、
　前記絶縁材料内の前記密集領域内に、前記第１の導線より高いパターン密度を有する複数の第２の導線が配置されており、前記第１の導線のシート抵抗と前記第２の導線のシート抵抗が等しくなるように、前記第１のスキャッタリング・バーと第２のスキャッタリング・バーを配置した半導体デバイス。」
　
２　引用例に記載された発明
（１）引用例１に記載された発明
　当審における，平成２３年８月２９日付けで通知した拒絶の理由に引用した本願の優先権主張の日前に頒布された特開２００１−１４８４２１号公報（以下「引用例１」という。）には，図１とともに、以下の記載がある（なお，下線は当合議体にて付加したものである。以下同様。）。 
　
 ア　「【００２６】 
 【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照しながら、本発明の実施の形態を説明する。
図１は本発明の一実施形態に係る半導体装置、即ちダマシン構造の多層微細配線を有する半導体装置を示す概略断面図である
 【００２７】図１に示されるように、各種のトランジスタ素子等が形成されている半導体基体（図示せず）上には、下層配線層としての微細な幅の第１配線層１０が形成されている。また、この第１配線層１０を含む基体全面には、第１層間絶縁膜１２が形成されている。そして、この第１配線層１０を被覆している第１層間絶縁膜１２の膜厚が均一化され、且つその表面が平坦化されている点に本実施形態の特徴がある。 
 【００２８】また、第１配線層１０上方の第１層間絶縁膜１２に開口された配線孔１４にバリアメタル膜及び配線メタル膜が順に埋め込まれてなる接続層１８ａが、第１配線層１０表面に接続して形成されている。また、第１層間絶縁膜１２表面に形成され、配線孔１４を平面的に包摂する配線溝１６ａにバリアメタル膜及び配線メタル膜が順に埋め込まれてなる上層配線層としての微細な幅の第２配線層１８ｂ、即ちダマシン構造の第２配線層１８ｂが、接続層１８ａ表面に接続して形成されている。こうして、下層配線層としての第１配線層１０と上層配線層としてのダマシン構造の第２配線層１８ｂとの間には第１層間絶縁膜１２が介在していると共に、これら第１配線層１０と第２配線層１８ｂとが第１層間絶縁膜１２を貫通している接続層１８ａを介して接続されている多層微細配線構造が実現されている。 
 【００２９】また、第１層間絶縁膜１２表面における配線溝１６ａ表面の分布が相対的に粗の領域に形成されたダミー配線溝１６ｂにバリアメタル膜及び配線メタル膜が順に埋め込まれてなるダマシン構造のダミー配線層１８ｃが形成されている。こうして、
第１層間絶縁膜１２表面における第２配線層１８ｂ表面の分布に粗密があっても、その相対的に粗の領域にダミー配線層１８ｃが形成されているため、第１層間絶縁膜１２表面における第２配線層１８ｂ表面とダミー配線層１８ｃ表面とを合わせた分布の粗密は低減化され、第２配線層１８ｂ表面及びダミー配線層１８ｃ表面の分布が第１層間絶縁膜１２の全表面にわたって略均等になっている点にも本実施形態の特徴がある。
 　 
　イ 「【００４６】 
 【発明の効果】以上、詳細に説明した通り、本発明に係る半導体装置及びその製造方法によれば、次のような効果を奏することができる。即ち、請求項１に係る半導体装置の製造方法によれば、ダマシン法を用いて多層配線構造を形成することにより、エッチングの困難性等により配線材料としては敬遠されてきたＣｕ等のＥＭ耐性に優れたメタルを用いて多層微細配線構造を実現することが可能になるため、大電流密度が要求されるＬＳＩにおける多層微細配線の信頼性を向上することが可能になることに加え、
層間絶縁膜表面におけるダマシン構造の上層配線層を形成するための配線溝表面の分布に粗密があっても、配線溝表面の分布が相対的に粗の領域にダミー配線溝を形成して、層間絶縁膜表面における配線溝表面とダミー配線溝表面とを合わせた分布の粗密を低減化して、配線溝表面及びダミー配線溝表面の分布を層間絶縁膜の全表面にわたって略均等にすることにより
導電性物質の研削スピードを基体全面にわたって略均等にすることが可能になるため、間絶縁膜の膜厚を均一化し、且つその表面を平坦化することを容易に実現することができる。
 　 
 　以上から、引用例１には、以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。 
 「第１層間絶縁膜１２表面における第２配線層１８ｂ表面の分布に粗密があり、その相対的に粗の領域にダミー配線層１８ｃを形成することにより、第１層間絶縁膜１２表面における第２配線層１８ｂ表面とダミー配線層１８ｃ表面とを合わせた分布の粗密を低減化したダマシン構造の多層微細配線を有する半導体装置」 
 　 
 （２）　引用例２の記載
　当審における，平成２３年８月２９日付けで通知した拒絶の理由に引用した本願の優先権主張の日前に頒布された特開２００３−２７３２２１号公報（以下「引用例２」という。）には，図２，４とともに、以下の記載がある。 
　ア　「【００１０】
ＬＳＩの微細化が進むにつれて、配線パターンの密度に依存したプロセスバラツキの問題が発生している。
配線間に絶縁膜を埋め込んで平坦化するケミカル・メカニカル・ポリッシング工程があるが、配線パターン密度の違いにより、このポリッシング工程にバラツキが発生する。更に、露光工程における近接露光効果により、パターン密度が大きい場合と小さい場合とでは、現像後のパターン形状が露光パターンと異なることも知られている。
 【００１１】
上記のような配線パターン密度に起因したプロセス上のバラツキをなくすために、一旦レイアウトした配線パターンの間に、ダミーパターンを発生させて、パターン密度を均一化することが行われるようになっている。
 　 
　イ　「【００１４】図４に示した
ダミーパターンの形状は一例であり、それ以外の形状であっても良い。例えば、複数の小さな正方形を格子状に配列したパターン
 　 
 （３）　引用例３の記載
　当審における，平成２３年８月２９日付けで通知した拒絶の理由に引用した本願の優先権主張の日前に頒布された特開２０００−１７４０２０号公報（以下「引用例３」という。）には，以下の記載がある。 
 
　ア　「【請求項１】 
半導体装置の表面にレジスト膜を塗布した後、当該レジスト膜への露光を行い配線用パターンを形成するとともに、前記露光にて当該配線用パターンに近接するダミーパターンも同時に形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
　
　イ　「【０００６】
そして半導体装置において、一方の箇所では配線用パターンが密集しており、他方側の箇所では配線用パターンが疎である場合、ウェハ表面に紫外線を照射すると、レチクルを介してウェハ表面に照射された紫外線は、当該ウェハ表面に形成された各膜質によって反射し、反射した紫外線はレチクル（クロム製）にて再び反射し、二次光となって再びウェハ表面に照射される。しかし配線用パターンが密である場合は、光の干渉によりレジスト膜から反射する紫外線は少なくなり、当該レジスト膜に照射される二次光は少なくなる。一方配線用パターンが疎である場合は、周囲に配線用パターンが無いため光の干渉が生じることがなく、レジスト膜に照射される二次光の光量は多くなる。このため二次光の光量の差により、感光領域に差が生じ、もって配線用パターンの幅が異なるという問題点があった（レジスト感光剤がポジ型である場合、疎側の配線用パターンの幅が小さくなる）。
 【０００７】本発明は上記従来の問題点に着目し、
半導体装置の表面に形成される配線用パターンの引き回しに粗密が生じても、当該粗密により配線用パターンの幅が異なることがない半導体装置の製造方法を提供するこを目的
 【０００８】 
 【課題を解決するための手段】請求項１に記載の半導体装置の製造方法は、半導体装置の表面にレジスト膜を塗布した後、
当該レジスト膜への露光を行い配線用パターンを形成するとともに、前記露光にて当該配線用パターンに近接するダミーパターンも同時に形成することを特徴としている。請求項１に記載の半導体装置の製造方法によれば、ダミーパターンを設けたことにより、レジスト膜に紫外線を照射し、レジストパターンを形成する際、配線用パターンが疎の部分にも光の干渉が生じ、レジスト膜に照射した紫外線の二次光の光量を低減させることができる。このため配線用パターンの密疎にかかわらず均一のパターン幅を形成することが可能になる。
 　 
３　対比 
 　引用発明は「ダマシン構造の多層微細配線を有する半導体装置」であることから，引用発明は，当然本願発明の「ワークピース」に相当するものを有し，その上に配線等が形成されていることは当業者にとって明らかである。 
 　そして，引用発明の「第１層間絶縁膜１２」は，本願発明の「絶縁材料」に相当し，引用発明には，「第２配線層１８ｂ表面の分布に粗密があ」ることから，本願発明の「密集領域と孤立領域」に相当する領域があることが分かり，引用発明の「粗の領域」は，本願発明の「孤立領域」に相当するものである。
　また，引用発明の「配線」は，電気的に活性であることは自明であるから，本願発明の「第１の導線」に相当し，また，引用発明の「ダミー配線」は，電気的に不活性であることも自明であるから，引用発明の「ダミー配線」と本願発明の「スキャッタリング・バー」は，電気的に不活性である配線である点において共通する。そして，「配線」の形状として，所定幅で所定の長さを有する線形状がごく一般的であることから，引用発明の「配線」も，「第１の側辺およびこの第１の側辺に対向する第２の側辺を有すると共に、第１の長さを持っている」ものであることは当業者にとって自明である。 
　また，引用発明の密集領域にも配線が配置されていることは当然のことであって，引用発明の密集領域にある配線が本願発明の「第２の導線」に相当するとともに，密集領域であるから，そのパターン密度は粗の領域の配線より高いパターン密度を有していることは自明のことである。
　
　したがって、本願発明と、引用発明とを対比すると、両者は、 
 「ワークピースと、 
　前記ワークピース上に配置され、密集領域と孤立領域を備える絶縁材料と、
　前記絶縁材料内の前記孤立領域内に配置され、第１の側辺およびこの第１の側辺に対向する第２の側辺を有すると共に、第１の長さを持っている少なくとも1本の第１の導線と、 
　前記絶縁材料内に，電気的に不活性である配線を含み、 
　前記第１の導線は電気的に活性であり， 
　前記絶縁材料内の前記密集領域内に、前記第１の導線より高いパターン密度を有する複数の第２の導線が配置されている半導体デバイス。」 
　である点で一致し、以下の点で相違する。 
 　 
 （相違点１） 
　本願発明は、電気的に不活性である配線が「第１の導線の第１の側辺側近傍に前記第１の導線の第１の側辺から離間させて配置され、前記第１の長さに略等しい第２の長さを持っているＮ本の第１のスキャッタリング・バー」及び「第１の導線の第２の側辺側近傍に前記第１の導線の第２の側辺から離間させて配置され、前記第１の長さと略等しい第３の長さを持っているＮ本の第２のスキャッタリング・バー」であるのに対して，引用発明では、ダマシンプロセスにおいて，「導電性物質の研削スピードを基体全面にわたって略均等」にするための「ダミー配線」であり，また，その具体的な長さ，本数，配置に関して特定がなされていない点。 
 　 
 （相違点２） 
　本願発明は、「第１の導線のシート抵抗と前記第２の導線のシート抵抗が等しい」ものであるのに対して，引用発明では、シート抵抗に関して特定がなされていない点。 
 　 
４　判断 
（１）相違点１について 
　ア　スキャタリング・バーについて 
　引用発明は，ダマシンプロセスにおける研削スピードを均等するにするためのダミー配線を有するものであるが，本願発明においては「スキャッタリング・バー１０８ａおよび１０８ｂは，孤立した導線１０６ｂのリソグラフィープロセスの光近接効果補正（ＯＰＣ）を達成」（段落【００４７】）するためのものである。 
　しかしながら，露光工程において近接露光効果の影響で，パターン密度に粗密があると，現像後のパターン形状（幅等）が異ってしまうため，パターン密度が低い領域に，ダミーパターンを設けることにより，均一のパターン幅を形成する技術は，引用例２，３に記載されているように当該技術分野において周知の技術である。
　また，引用例２の３（２）アによれば，ケミカル・メカニカル・ポリッシング工程のバラツキや，露光工程の近接露光効果によるパターン形状が異なるという課題を，ダミーパターンを形成することにより，パターン密度を均一化してプロセスバラツキを解決しているものであることが分かり，ダミーパターンの効果が，ケミカル・メカニカル・ポリッシング工程のバラツキの解消及び近接効果補正ができることは当該技術分野において一般的に知られていることである。そうすると，引用発明において，ダミー配線を設ければ，近接効果補正もなされることは当業者ならば直ちに察知し得たといえる。
　以上から，引用発明において，パターン密度の低い孤立領域に設けたダミーパターンにより，ダマシンプロセスにおける研削スピードを均等にするのみならず，光近接効果補正を行い，均一のパターン幅を得るようにすることは，当業者ならば適宜なし得たことである。 
 　 
　イ　バーの長さ，本数，配置について 
　スキャタリング・バーの長さ，本数，配置などは，目標とするパターンの精度に応じて，近接効果補正を勘案して，当業者が適宜設定する設計事項である。そして，引用例１の図１〜図５には，配線層１８ｂの両側にダミー配線１８ｃを設けることが開示されており，また，引用例２の図４を参照すると，接続配線と略等しい長さを持っている複数のダミーパターンが接続配線の両側辺近傍に離間して形成されており，導線と離間して，導線と略等しい長さを有する複数のスキャッタリング・バーを導線の両側に設けることはごく普通のことである。 
　したがって，孤立領域において導線の両側辺近傍に，導線と略等しい長さのスキャタリング・バーを複数設けることは当業者ならば適宜なし得たことである。
　
　以上から，周知の技術を勘案し，引用発明において，近接露光補正を行い均一のパターン幅となるよう，導線の両側辺側近傍に，略等しい長さを持っている複数の第１，第２のスキャッタリング・バーを離間して配置すること，すなわち本願発明のごとく「第１の導線の第１の側辺側近傍に前記第１の導線の第１の側辺から離間させて配置され、前記第１の長さに略等しい第２の長さを持っているＮ本の第１のスキャッタリング・バー」及び「第１の導線の第２の側辺側近傍に前記第１の導線の第２の側辺から離間させて配置され、前記第１の長さと略等しい第３の長さを持っているＮ本の第２のスキャッタリング・バー」を配置することは，当業者ならば適宜なし得たことである。 
 　 
 （２）相違点２について 
　引用発明に引用例２，３に記載の周知技術を適用し，スキャタリング・バーで近接露光効果補正を行うことによって，均一のパターン幅の配線が形成できることは，上記（１）で検討したとおりであり，そうすることにより，第１の導線のシート抵抗と第２の導線のシート抵抗が等しくなることは，当然の効果であって，当然当業者の予測の範囲内であるとともに，また何ら新たな構成要件でないことは明らかである。
　また，審判請求人は，平成２３年１２月２６日の意見書において，本願発明は，「『導線パターンの両側近傍にスキャッタリング・バーパターンを配置するため、導線パターンの焦点深度が改善すると共に、リソグラフィープロセスの解像度が向上する。…密集領域と孤立領域における導線の外形寸法が等しい半導体デバイスを作製することができ、これによって、半導体デバイスの性能が改善され、ダイの異なる領域における抵抗率Ｒｓが均一となる。』という作用効果が発揮され」，引用例１〜３には、この点の示唆もなく引用発明に，引用例２，３を適用する動機付けがない旨主張している。
　しかしながら，パターンニングの際，繰り返しのダミーパターン（本願発明のスキャタリング・バーパターン）を形成することにより，解像度が向上すると共に，焦点深度の範囲が広がることは以下の周知例１，２にも記載されているように露光技術の分野において周知の技術である。そして，高精度のパターンにより外形寸法が等しい半導体デバイスを作成できれば抵抗率Ｒｓすなわちシート抵抗が均一にできることは当業者にとって明らかである。
　以上から，引用発明において，周知の技術を勘案し，第１の導線のシート抵抗と前記第２の導線のシート抵抗が等しくなるよう第１，第２のスキャッタリング・バーを配置することは，当業者ならば適宜なし得たことである。 
　
　ア　周知例１：特開平８−４５８１０号公報
　（ア）　「【００１０】
繰り返しパターンは、回折光の影響でＦｏｃｕｓの変動に対する許容度が高く、またレンズ収差の影響も受けにくい。すなわち、焦点深度曲線は単独パターンＡ〜Ｅでは上向き凸でカーブもきついが、繰り返しパターンの中央パターンＦ〜Ｊは下向き凸でカーブがゆるい。
【００１１】そこで、この発明は
単独パターンのレジストパターンを、所望のパターン寸法に近い高精度のパターンとして得ることができ、しかも焦点深度のレンジを拡げることができるレジストパターン形成方法
　
　（イ）　「【００２０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は
繰り返しパターン等の露光精度の良好な複数のパターンが配置されたマスクを用いて一旦露光した
（所望パターン）を高精度に得ることができると共に、焦点深度の範囲を拡げることができる。
【００２１】更にまた、
ステッパーの解像力を向上させる方法の一つである、光を斜め方向から入射させる方法（斜入射照明等）は繰り返しパターンにのみ有効であるが、本発明による繰り返しパターンを利用した単独ラインにも応用することが可能
　
　イ　周知例２：特開平１１−１４５０３０号公報
　（ア）　「【請求項１】  所望パターンを覆う形状のダミーパターン消去用パターンを露光するための第１の露光用マスクを用いて基板上のレジストを第１露光し、
次に、前記所望パターンと前記ダミーパターン消去用パターンより外側に配置されたダミーパターンとを露光するための第２の露光用マスクを用い、該第２の露光用マスクによってレジストに露光される所望パターンが、前記第１露光時前記ダミーパターン消去用パターンによってレジストに形成された未露光部における、前記所望パターンの予定位置に合致するように基板上のレジストを第２露光し、
最後に、レジストを現像することによって、基板上に前記所望パターンを形成することを特徴とするレジストパターン形成方法。
【請求項２】  前記第２の露光用マスクが、
所望パターンと該所望パターンの両側にスペース部を隔てて配置されたダミーパターンとを露光するためのものであることを特徴とする請求項１記載のレジストパターン形成方法
　
　（イ）　「【００１５】
【作用】この発明の構成では、基板上のレジストに対して、第１露光工程で、第１の露光用マスクを用いて所望パターンを覆う形状のダミーパターン消去用パターンを露光し、次に第２露光工程で、第２の露光用マスクを用いて所望パターンとダミーパターン消去用パターンより外側に配置されたダミーパターンとを露光し、その後、現像工程でレジストを現像して、基板上に所望パターンを形成する。従って、所望パターンを露光する第２露光工程の直後にレジストの現像が行なわれるので、露光後からレジスト現像までの待ち時間の影響で、レジストパターンの形状劣化や寸法変化が生じることはない。一方、第２露光工程での所望パターンの露光時には、
ダミーパターンが同時に露光されるので、露光時の解像度劣化，焦点深度の減少が防止される。
所望パターン露光時の解像度劣化や焦点深度の減少の防止
　
　（ウ）　「【００２８】
【発明の効果】以上説明したように、この発明の構成によれば、化学増幅レジストを用いるレジストパターン形成工程において、露光後から現像までの間に、露光部の酸と空気中からレジスト内に拡散した不純物が反応して、酸が不活性化されることによって、レジストの形状劣化や寸法変化が生じる場合でも、第１露光時には、所望パターンを覆う形状に未露光部を生じているため、所望パターンの部分は、第１露光後から第２露光までの待ち時間に基づく、レジストの形状劣化や寸法変化が生じる虞がない。また、第２露光直後に現像処理を行なうようにすれば、第２露光後の時間経過によるレジストの形状劣化や寸法変化も殆どない。従って、本発明のレジストパターン形成方法によれば、従来技術の場合のように、第１露光後から現像までの待ち時間の影響によって、レジストの形状劣化や寸法変化を生じることがなくなる。さらに、第２露光時
、所望パターンをその周辺に設けたダミーパターンと共に露光するので、所望パターン露光時の焦点深度の改善や解像度向上の効果が併せて得られる。
 　 
 （３）　判断についてのまとめ  
　以上検討したとおり，本願発明は，引用発明に基づき，当該技術分野における周知の技術を勘案することにより，当業者が容易に発明をすることができたものである。  
 　したがって，本願発明は特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。  　 
 
 ５　むすび  
 　以上のとおり，本願の請求項１に係る発明は特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから，他の請求項に係る発明について検討するまでもなく，本願は拒絶をすべきものである。  
 　  
 　よって，結論のとおり審決する。