【事件の表示】
　特許第６４１８３９８号発明「半導体素子搭載用基板及び半導体装置、並びにそれらの製造方法」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第６４１８３９８号の特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１−６〕、〔７−１０〕、〔１１−１３〕について訂正することを認める。
　特許第６４１８３９８号の請求項１ないし１３に係る特許を維持する。
【理　由】
第１　手続の経緯 
　特許第６４１８３９８号の請求項１ないし１３に係る特許についての出願は、平成２７年９月１日に出願され、平成３０年１０月１９日にその特許権の設定登録がされ、同年１１月７日に特許掲載公報が発行された。その後、その特許について、平成３１年４月２４日に特許異議申立人渡辺麻紀により特許異議の申立てがされ、そして、当審は、令和１年７月２２日付けで取消理由を通知し、特許権者は、その指定期間内である同年９月２０日に意見書の提出及び訂正の請求を行い、その訂正の請求に対して、特許異議申立人は、同年１１月２２日に意見書を提出した。
第２　訂正の適否についての判断
１．訂正の内容
　本件訂正請求による訂正の内容は、以下の（１）ないし（３）のとおりである。（下線は訂正箇所を示す。）
（１）請求項１ないし６からなる一群の請求項に係る訂正
ア．訂正事項１
　特許請求の範囲の請求項１に
「Ｐｄめっき層、Ａｕめっき層、Ｎｉめっき層、ボンディング用貴金属めっき層の順に積層されためっき層部分を含む半導体素子搭載用基板」とあるのを、
「Ｐｄめっき層、Ａｕめっき層、Ｎｉめっき層、ボンディング用貴金属めっき層の順に積層されためっき層部分を含
み、前記Ｎｉめっき層の厚さが、１０μｍ以上７０μｍ以下である
　また、請求項１の記載を引用する請求項２ないし６も同様に訂正する。
イ．訂正事項２
　特許請求の範囲の請求項５に
「前記導電性基板を該封止樹脂から引き剥がす際の前記導電性基板と前記リード部との間の密着力と略同一となるように設定された」とあるのを、
「前記導電性基板を該封止樹脂から引き剥がす際の前記導電性基板と前記リード部との間の密着力
と同
　また、請求項５の記載を引用する請求項６も同様に訂正する。
（２）請求項７ないし１０からなる一群の請求項に係る訂正
ア．訂正事項３
　特許請求の範囲の請求項７に
「Ｐｄめっき層、Ａｕめっき層、Ｎｉめっき層、ボンディング用貴金属めっき層の順に積層されためっき層部分を含む半導体装置」とあるのを、
「Ｐｄめっき層、Ａｕめっき層、Ｎｉめっき層、ボンディング用貴金属めっき層の順に積層されためっき層部分を含
み、前記Ｎｉめっき層の厚さが、１０μｍ以上７０μｍ以下である
　また、請求項７の記載を引用する請求項８ないし１０も同様に訂正する。
（３）請求項１１ないし１３からなる一群の請求項に係る訂正
ア．訂正事項４
　特許請求の範囲の請求項１１に
「該Ａｕめっき層上にＮｉめっき層を形成する工程と」とあるのを、
「該Ａｕめっき層上にＮｉめっき層を
１０μｍ以上７０μｍ以下の厚さで
　また、請求項１１の記載を引用する請求項１２及び１３も同様に訂正する。
イ．訂正事項５
　特許請求の範囲の請求項１３に
「前記導電性基板を前記封止樹脂から引き剥がす工程における前記Ｐｄめっき層と前記導電性基板との間の密着力と略同一となるように設定された」とあるのを、
「前記導電性基板を前記封止樹脂から引き剥がす工程における前記Ｐｄめっき層と前記導電性基板との間の密着力
と同
２．訂正の適否についての判断
（１）請求項１ないし６からなる一群の請求項に係る訂正について
ア．一群の請求項について
　訂正前の請求項１ないし６において、請求項２ないし６は、訂正する請求項１を引用しているものであるから、請求項１ないし６は、特許法第１２０条の５第４項に規定する一群の請求項である。
イ．訂正事項１について
（ア）訂正の目的について
　訂正事項１は、訂正前の請求項１の発明特定事項である「Ｎｉめっき層」について、その「厚さが、１０μｍ以上７０μｍ以下である」ことを特定するものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
（イ）願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であるか否かについて
　Ｎｉめっき層の厚さが１０μｍ以上７０μｍ以下であることは、明細書の段落【００４８】に記載されている。
　したがって、訂正事項１は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であるから、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第５項の規定に適合するものである。
（ウ）実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更する訂正であるか否かについて
　上記（ア）に示したとおり、訂正事項１は特許請求の範囲を減縮するものであるから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当せず、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第６項の規定に適合するものである。
ウ．訂正事項２について
（ア）訂正の目的について
　訂正事項２は、訂正前の請求項５に記載されていた「略同一」という不明瞭な記載を正すためのものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第３号に掲げる明瞭でない記載の釈明を目的とするものである。
（イ）願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であるか否かについて
　密着力が同一であること、すなわち、密着力に変化（あるいは差）がないことは、明細書の段落【００４０】及び【００８５】に記載されている。
　したがって、訂正事項２は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であるから、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第５項の規定に適合するものである。
（ウ）実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更する訂正であるか否かについて
　上記（ア）に示したとおり、訂正事項２は不明瞭な記載を正すだけのものであるから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当せず、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第６項の規定に適合するものである。
（２）請求項７ないし１０からなる一群の請求項に係る訂正について
ア．一群の請求項について
　訂正前の請求項７ないし１０において、請求項８ないし１０は、訂正する請求項７を引用しているものであるから、請求項７ないし１０は、特許法第１２０条の５第４項に規定する一群の請求項である。
イ．訂正事項３について
（ア）訂正の目的について
　訂正事項３は、訂正前の請求項７の発明特定事項である「Ｎｉめっき層」について、その「厚さが、１０μｍ以上７０μｍ以下である」ことを特定するものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
（イ）願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であるか否かについて
　Ｎｉめっき層の厚さが１０μｍ以上７０μｍ以下であることは、明細書の段落【００４８】に記載されている。
　したがって、訂正事項３は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であるから、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第５項の規定に適合するものである。
（ウ）実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更する訂正であるか否かについて
　上記（ア）に示したとおり、訂正事項３は特許請求の範囲を減縮するものであるから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当せず、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第６項の規定に適合するものである。
（３）請求項１１ないし１３からなる一群の請求項に係る訂正について
ア．一群の請求項について
　訂正前の請求項１１ないし１３において、請求項１２及び１３は、訂正する請求項１１を引用しているものであるから、請求項１１ないし１３は、特許法第１２０条の５第４項に規定する一群の請求項である。
イ．訂正事項４について
（ア）訂正の目的について
　訂正事項４は、訂正前の請求項１１の発明特定事項である「Ｎｉめっき層」について、「１０μｍ以上７０μｍ以下の厚さ」で形成することを特定するものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
（イ）願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であるか否かについて
　Ｎｉめっき層の厚さが１０μｍ以上７０μｍ以下であることは、明細書の段落【００４８】に記載されている。
　したがって、訂正事項４は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であるから、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第５項の規定に適合するものである。
（ウ）実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更する訂正であるか否かについて
　上記（ア）に示したとおり、訂正事項４は特許請求の範囲を減縮するものであるから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当せず、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第６項の規定に適合するものである。
ウ．訂正事項５について
（ア）訂正の目的について
　訂正事項５は、訂正前の請求項１３に記載されていた「略同一」という不明瞭な記載を正すためのものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第３号に掲げる明瞭でない記載の釈明を目的とするものである。
（イ）願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であるか否かについて
　密着力が同一であること、すなわち、密着力に変化（あるいは差）がないことは、明細書の段落【００４０】及び【００８５】に記載されている。
　したがって、訂正事項５は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であるから、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第５項の規定に適合するものである。
（ウ）実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更する訂正であるか否かについて
　上記（ア）に示したとおり、訂正事項５は不明瞭な記載を正すだけのものであるから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当せず、特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第６項の規定に適合するものである。
３．まとめ
　以上のとおりであるから、本件訂正請求による訂正は特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号及び第３号に掲げる事項を目的とするものであり、かつ、同条第４項、並びに、同条第９項において準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合する。なお、訂正前の全ての請求項に対して特許異議の申立てがなされているので、特許法第１２０条の５第９項において読み替えて準用する同法第１２６条第７項の独立特許要件は課されない。
　よって、訂正後の請求項〔１〜６〕〔７〜１０〕〔１１〜１３〕について訂正を認める。
第３　訂正後の本件発明
　本件訂正請求により訂正された請求項１ないし１３に係る発明（以下「本件発明１ないし１３」という。）は、訂正特許請求の範囲の請求項１ないし１３に記載された次の事項により特定されるとおりのものである。
「【請求項１】
　剥離除去可能な導電性基板と、
　該導電性基板の表面上に設けられた半導体素子搭載領域と、
　該半導体素子搭載領域の周囲に配置され、前記導電性基板の前記表面上にめっき層として形成されたリード部とを有し、
　該リード部を形成する前記めっき層は、前記導電性基板の前記表面上に、Ｐｄめっき層、Ａｕめっき層、Ｎｉめっき層、ボンディング用貴金属めっき層の順に積層されためっき層部分を含み、
　前記Ｎｉめっき層の厚さが、１０μｍ以上７０μｍ以下である半導体素子搭載用基板。
【請求項２】
　前記ボンディング用貴金属めっき層は、Ｐｄ、Ａｕ、Ａｇの単層めっき層又はＰｄ、Ａｕ、Ａｇのうち２種類以上からなる積層めっき層として構成された請求項１に記載の半導体素子搭載用基板。
【請求項３】
　前記Ｐｄめっき層の厚さが、０．０１μｍ以上０．１０μｍ以下である請求項１又は２に記載の半導体素子搭載用基板。
【請求項４】
　前記Ａｕめっき層の厚さが、０．０１μｍ以上０．１０μｍ以下である請求項１乃至３のいずれか一項に記載の半導体素子搭載用基板。
【請求項５】
　前記導電性基板と前記リード部との間の密着力が、前記半導体素子搭載領域に半導体素子を搭載して該半導体素子の電極を前記リード部にワイヤボンディングにより接続した後、前記導電性基板の前記表面上を封止樹脂で樹脂封止し、前記導電性基板を該封止樹脂から引き剥がす際の前記導電性基板と前記リード部との間の密着力と同一となるように設定された請求項１乃至４のいずれか一項に記載の半導体素子搭載用基板。
【請求項６】
　前記半導体素子搭載領域が、前記リード部を形成する前記めっき層と同一の積層構成を有するめっき層として形成された請求項１乃至５のいずれか一項に記載の半導体素子搭載用基板。
【請求項７】
　半導体素子搭載部と、
　該半導体素子搭載部の周囲に設けられためっき層からなるリード部と、
　前記半導体素子搭載部に搭載され、所定の電極を有する半導体素子と、
　該半導体素子の前記所定の電極と前記リード部とを電気的に接続するボンディングワイヤと、
　前記半導体素子搭載部及び前記リード部の底面のみが露出するように、前記半導体素子搭載部及び前記リード部の前記底面以外の領域と、前記半導体素子と、前記ボンディングワイヤとを封止する封止樹脂と、を有し、
　前記リード部を形成する前記めっき層は、前記底面から、Ｐｄめっき層、Ａｕめっき層、Ｎｉめっき層、ボンディング用貴金属めっき層の順に積層されためっき層部分を含み、
　前記Ｎｉめっき層の厚さが、１０μｍ以上７０μｍ以下である半導体装置。
【請求項８】
　前記ボンディング用貴金属めっき層は、Ｐｄ、Ａｕ、Ａｇの単層めっき層又はＰｄ、Ａｕ、Ａｇのうち２種類以上からなる積層めっき層として構成された請求項７に記載の半導体装置。
【請求項９】
　前記Ｐｄめっき層の厚さが、０．０１μｍ以上０．１０μｍ以下である請求項７又は８に記載の半導体装置。
【請求項１０】
　前記Ａｕめっき層の厚さが、０．０１μｍ以上０．１０μｍ以下である請求項７乃至９のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項１１】
　半導体素子搭載領域の周囲に、めっき層からなるリード部が設けられた半導体素子搭載用基板の製造方法であって、
　導電性基板の表面上の前記リード部が形成される箇所に、Ｐｄめっき層を形成する工程と、
　該Ｐｄめっき層上にＡｕめっき層を形成する工程と、
　該Ａｕめっき層上にＮｉめっき層を１０μｍ以上７０μｍ以下の厚さで形成する工程と、
　該Ｎｉめっき層上にボンディング用貴金属めっき層を形成する工程と、を有する半導体素子搭載用基板の製造方法。
【請求項１２】
　請求項１１に記載された半導体素子搭載用基板の製造方法により製造された半導体素子搭載用基板の前記半導体素子搭載領域上に、半導体素子を搭載する工程と、
　該半導体素子の電極と前記リード部とをボンディングワイヤを用いて電気的に接続する工程と、
　前記半導体素子搭載領域及び前記リード部の底面が露出するように、前記半導体素子搭載領域及び前記リード部の前記底面以外の領域と、前記半導体素子と、前記ボンディングワイヤとを封止樹脂により封止する工程と、
　前記導電性基板を前記封止樹脂から引き剥がす工程と、を有する半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
　前記Ｐｄめっき層を形成する工程で形成された前記Ｐｄめっき層と前記導電性基板との間の密着力が、
　前記導電性基板を前記封止樹脂から引き剥がす工程における前記Ｐｄめっき層と前記導電性基板との間の密着力と同一となるように設定された請求項１２に記載の半導体装置の製造方法。」
第４　取消理由通知に記載した取消理由について
１．取消理由の概要
　訂正前の請求項１ないし１３に係る特許に対して、当審が令和１年７月２２日付けで特許権者に通知した取消理由の要旨は、次のとおりである。
（１）請求項１ないし１３に係る発明は、下記引用文献１に記載された発明及び引用文献２に記載された技術事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１ないし１３に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであり、同法第１１３条第２号に該当し、取り消すべきものである。
（２）請求項５、６、及び１３に係る特許は、特許請求の範囲の記載が特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してなされたものであり、同法第１１３条第４号に該当し、取り消すべきものである。
　　　　　　　　　　　　　　　　記
　引用文献１：特開平１１−８２６０号公報（特許異議申立人が提出した甲第１号証） 
　引用文献２：特開平９−２２３７７１号公報（特許異議申立人が提出した甲第２号証） 
２．引用文献の記載
（１）引用文献１（特開平１１−８２６０号公報）
　引用文献１には、「樹脂封止型半導体装置の製造方法」について、図面とともに以下の記載がある。（なお、下線は当審で付与した。）
ア．「【特許請求の範囲】
【請求項１】　導電性基板と、
導電性基板上にめっきにより形成された導電性金属により少なくとも二次元的に形成された回路部等を有する半導体装置用の回路部材
少なくとも回路部の一部が、導電性基板の一面上に、直接または絶縁層を介してめっきにより形成されている回路部材
該導電性基板の各回路部毎に半導体素子を搭載し、必要な電気接続を行った後、順次、各半導体装置毎の樹脂封止とともに、
処理する複数個の半導体装置全てを封止用樹脂にて連結させた状態に樹脂封止する
処理する複数個の半導体装置全てを封止用樹脂にて連結させた状態で、導電性基板より剥離する
剥離後に、各半導体装置を互いに分離させる
イ．「【００１０】
【発明の実施の形態】本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法を図に基づいて説明する。　図１は本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法の実施の形態の１例を示したものである。　図１中、
１１０は回路部材、１１３は単位回路部、
１１７はダイパッド、１１８は端子部、
１つの半導体装置用の回路である単位回路部１１３を、
導電性基板１１０Ａの
一面に形成した回路部材１１０を用意する。
回路部の形成は、めっきレジストを導電性基板の表面処理面側にパターンニング形成し、露出した面にめっきを施すものである。半導体素子１個に対応する単位回路部１１３は、例えば、図１（ａ１）に示すような形状のものである。回路部のめっき構成は、特に限定されないが、ワイヤボンディング性等から、例えば、導電性基板側から、順に、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｐｄをそれぞれ０．１μｍ、５μｍ、０．１μｍの厚に形成するものが挙げられる。図１に示す回路部材は、導電性基板の一面に、回路部全体を直接めっき形成したものである
ウ．「【００１１】次いで、
半導体素子をそれぞれの単位回路部１１３のダイパッド１１７に搭載した後、半導体素子の端子部と単位回路部１１３の端子部１１８とワイヤボンディング接続を行った後、各半導体装置毎の樹脂封止とともに、
処理する複数個の半導体装置全てを封止用樹脂にて連結させた状態に樹脂封止する。
次いで、処理する複数個の半導体装置１４０全てを封止用樹脂１２０にて連結させた状態（１３０）で、導電性基板１１０Ａより剥離する。
剥離後、封止用樹脂からなる連結部１２５を除去するトリミング工程を行い、各半導体装置１４０を互いに分離させる。
エ．「
」
　そして、上記ア及びイと上記エの図１（ａ）とによれば、導電性基板１１０Ａの一面上に、１つの半導体装置用の回路である単位回路部１１３をめっきにより形成した回路部材１１０を用意する。
　また、上記イと上記エの図１（ａ１）とによれば、前記単位回路部１１３は、ダイパッド１１７と、その周囲に配置された端子部１１８とからなる。
　また、上記イによれば、前記単位回路部１１３のめっき構成は、前記導電性基板側から、順に、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｐｄをそれぞれ０．１μｍ、５μｍ、０．１μｍの厚に形成するものである。
　さらに、上記ア及びウと上記エの図１（ｂ）ないし（ｄ）とによれば、半導体素子を前記単位回路部１１３の前記ダイパッド１１７に搭載した後、半導体素子の端子部と前記単位回路部１１３の前記端子部１１８とのワイヤボンディング接続を行い、その後、封止用樹脂１２０にて樹脂封止し、次いで、前記導電性基板１１０Ａより剥離して半導体装置１４０を作製する。
　そこで、前記回路部材１１０に着目して、引用文献１に記載の上記事項を総合すると、引用文献１には次の発明（以下、「引用発明１」という。）が記載されている。
「　導電性基板１１０Ａと、
　前記導電性基板１１０Ａの一面上に、めっきにより形成された単位回路部１１３とを有し、
　前記単位回路部１１３は、半導体素子が搭載されるダイパッド１１７と、その周囲に配置された端子部１１８とからなり、
　前記単位回路部１１３のめっき構成は、前記導電性基板１１０Ａ側から、順に、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｐｄをそれぞれ０．１μｍ、５μｍ、０．１μｍの厚に形成したものである、
　回路部材１１０であって、
　該回路部材１１０の前記ダイパッド１１７に半導体素子を搭載し、前記半導体素子の端子部と前記単位回路部１１３の前記端子部１１８とのワイヤボンディング接続を行った後、封止用樹脂１２０にて樹脂封止し、次いで、前記導電性基板１１０Ａより剥離して半導体装置１４０が作製される、
　回路部材１１０。」
　また、前記半導体装置１４０に着目して、引用文献１に記載の上記事項を総合すると、引用文献１には次の発明（以下、「引用発明２」という。）が記載されている。
「　半導体素子が搭載されるダイパッド１１７と、その周囲に配置された端子部１１８とからなり、導電性基板１１０Ａの一面上に、めっきにより形成された単位回路部１１３と、
　前記ダイパッド１１７に搭載された前記半導体素子とを有し、
　前記半導体素子の端子部と前記単位回路部１１３の前記端子部１１８はワイヤボンディング接続され、その後、封止用樹脂１２０にて樹脂封止され、次いで、前記導電性基板１１０Ａより剥離され、
　前記単位回路部１１３のめっき構成は、前記導電性基板１１０Ａ側から、順に、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｐｄをそれぞれ０．１μｍ、５μｍ、０．１μｍの厚に形成したものである、
　半導体装置１４０。」 
　また、前記回路部材１１０を製造する方法に着目して、引用文献１に記載の上記事項を総合すると、引用文献１には次の発明（以下、「引用発明３−１」という。）が記載されている。
「　導電性基板１１０Ａと、
　前記導電性基板１１０Ａの一面上に、めっきにより形成された単位回路部１１３とを有し、
　前記単位回路部１１３は、半導体素子が搭載されるダイパッド１１７と、その周囲に配置された端子部１１８とからなる、
　回路部材１１０の製造方法であって、
　前記単位回路部１１３をめっきにより形成する際に、前記導電性基板１１０Ａ側から、順に、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｐｄをそれぞれ０．１μｍ、５μｍ、０．１μｍの厚に形成する、
　回路部材１１０の製造方法。」 
　さらに、上記引用発明３−１の製造方法により製造された回路部材１１０を用いて半導体装置１４０を製造する方法に着目して、引用文献１に記載の上記事項を総合すると、引用文献１には次の発明（以下、「引用発明３−２」という。）が記載されている。
「　引用発明３−１の製造方法により製造された回路部材１１０の単位回路部１１３のダイパッド１１７に半導体素子を搭載し、
　前記半導体素子の端子部と前記回路部材１１０の前記単位回路部１１３の端子部１１８をワイヤボンディング接続し、
　封止用樹脂１２０にて半導体装置を樹脂封止し、
　前記回路部材１１０の導電性基板１１０Ａより剥離する、
　半導体装置１４０の製造方法。」
（２）引用文献２（特開平９−２２３７７１号公報）
　引用文献２には、「電子部品用リード部材及びその製造方法」について、図面とともに以下の記載がある。（なお、下線は当審で付与した。）
ア．「【特許請求の範囲】
【請求項１】　
導電性基体上に、Ｎｉ
を主成分とする下地層と、前記下地層の上にＡｕ
を主成分とする中間層と、前記中間層の上に 0.001〜0.5 μｍ厚さのＰｄ
を主成分とする表面層とを有することを特徴とする電子部品用リード部材
　（中略）
【請求項５】　電子部品用リード部材がリードフレームであることを特徴とする請求項１記載の電子部品用リード部材。
【請求項６】　
リードフレーム
にＮｉ
を主成分とする下地層と、前記下地層の上に
Ａｕ
を主成分とする中間層と、前記中間層の上にＰｄ
を主成分とする表面層とを有する
　（中略）
【請求項８】　導電性基体上に、直接、又は
導電性基体上にＮｉ
を下地層としてめっきしたのち、Ａｕ
を中間層としてめっきし、その上にＰｄ
を 0.001〜0.5 μｍの厚さに層状にめっきする
　（以下省略）」
イ．「【０００７】又リード部材がリードフレームの場合は、前記のＰｄをめっきしたリードフレームでも、Ｐｄ層の厚さが 0.1μｍ以下では緻密性に劣り下地のリードフレームが酸化すること、Ｐｄ自身も 300℃以上の加熱で酸化し始めること、表面が活性となり有機物が吸着し易いこと等の為、組立工程後の半田付性が低下することが判った。これを改善する為に、Ｐｄ層の上にＡｕをオングストロームオーダーの厚さでフラッシュめっきする方法が提案された。これにより、組立工程後の半田付性はある程度改善されたが、Ａｕは柔らかい為、リードフレーム同士が擦れたり、めっき設備のロールやワイパー等と接触すると、下地層が局部的に露出して半田付性が低下すること、更に金が表面に露出しているとガルバニック腐食が加速して耐食性が劣化することが判明した。又この方法は、めっき厚さの制御や液の管理が困難であった。
本発明の目的は、劣悪な環境下においても腐食せず良好な半田付性が得られる電子部品用リード部材、中でも、組立工程後の半田付けが半田めっきなしで良好に行える半導体チップ実装用Ｐｄめっきリードフレーム、及びその製造方法を提供することにある。
ウ．「【０００９】
この発明のリード部材は、表面層に、電気接続性、耐酸化性、耐熱性に優れたＰｄ又はＰｄ合金層を薄くめっきし、この薄いＰｄ又はＰｄ合金層に存在するピンホールによる耐食性の低下を中間層により防止したものである。
エ．「【００２０】
リード部材がリードフレームの場合は、Ｐｄ
を主成分とする表面層は、半田付性、ボンディング性、耐食性、耐マイグレーション性等の諸特性を改善する。その厚さが0.01μｍ未満では前記諸特性が十分に改善されず、0.5μｍを超えると中間層からＡｕやＡｇが十分な量拡散されなくなり、表面層の酸化や活性化の抑制が不十分となり、半田付性が低下する。従って、表面層の厚さは0.01μｍ以上、 0.5μｍ以下が望ましい。
【００２１】この発明において、
中間層は、ピンホールが存在するような薄いＰｄ又はＰｄ合金層の耐食性の低下を防止する。中間層の厚さは 0.001μｍ未満ではその効果が十分に得られず、2.0μｍを超えてはその効果が飽和し不経済である。従って中間層は 0.001〜 2.0μｍの厚さに限定する。
Ａｕ
【００２２】
リード部材がリードフレームの場合は、中間層は、１（当審注：原文は丸囲み数字）組立工程時の半田付性の劣化を防止する、２（当審注：原文は丸囲み数字）下地層と表面層（Ｐｄ層等）との密着性を向上させる、３（当審注：原文は丸囲み数字）Ｐｄ層を緻密化して下地層の劣化を防止する、４（当審注：原文は丸囲み数字）組立工程時の熱によりＡｇ又はＡｕがＰｄ層中に拡散して表面層の酸化を抑制すると共に表面層の活性度を低下させて有機物の吸着を抑制する、等の効果を発現する。これらの効果を得るには、
Ａｕ
を主成分とする中間層が望ましく
【００２３】この発明において、
導電性基体上に、Ｎｉ
を主成分とする下地層を形成しておくと、導電性基体の成分が拡散して中間層やＰｄ層を汚染するのが防止される。
【００２４】
リード部材がリードフレームの場合は、前記下地層の厚さが 0.1μｍ未満ではその効果が十分に得られず、2.0μｍより厚くなるとアウターリードの曲げ加工時にクラックが発生することがある。従って下地層の厚さは 0.1〜2.0 μｍが望ましい。
この発明のリードフレームは、リードフレーム本体上に下地層（Ｎｉ等）、中間層（Ａｕ等）、表面層（Ｐｄ等）を順次形成することにより容易に製造できる。
オ．「【００３０】
【表１】
」
　上記アないしオの記載を総合すると、引用文献２には、
「導電性基体上に、Ｎｉを主成分とする厚さ0.1〜2.0μｍの下地層と、前記下地層の上にＡｕを主成分とする厚さ0.001〜 2.0μｍの中間層と、前記中間層の上に厚さ0.001〜0.5μｍのＰｄを主成分とする表面層とを有するＰｄめっきリードフレーム。」
という技術事項が記載されている。
３．当審の判断
（１）特許法第２９条第２項について
ア．請求項１（本件発明１）について
　本件発明１と引用発明とを対比する。
（ア）引用発明１の「導電性基板１１０Ａ」は、樹脂封止後に剥離されるものであるから、本件発明１の「剥離除去可能な導電性基板」に相当する。
（イ）引用発明１の単位回路部１１３の「ダイパッド１１７」は、導電性基板１１０Ａの一面上に設けられ、かつ、半導体素子が搭載されるものであるから、本件発明１の「該導電性基板の表面上に設けられた半導体素子搭載領域」に相当する。
（ウ）引用発明１の単位回路部１１３の「端子部１１８」は、ダイパッド１１７の周囲に配置され、導電性基板１１０Ａの一面上にめっきにより形成されるものであるから、本件発明１の「該半導体素子搭載領域の周囲に配置され、前記導電性基板の前記表面上にめっき層として形成されたリード部」に相当する。
（エ）引用発明１の端子部１１８のめっき構成は、前記導電性基板１１０Ａ側から、順に、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｐｄをそれぞれ０．１μｍ、５μｍ、０．１μｍの厚に形成したものであるから、導電性基板１１０Ａの表面上に「Ｐｄめっき層」、「Ｎｉめっき層」、「Ｐｄめっき層」の順に積層されたものであるということができ、さらに、上記２つの「Ｐｄめっき層」のうち、最後に積層された「Ｐｄめっき層」にはワイヤボンディング接続がなされるから、当該「Ｐｄめっき層」は、本件発明１の「ボンディング用貴金属めっき層」に相当する。したがって、引用発明１の端子部１１８は、「導電性基板の表面上に、Ｐｄめっき層、Ｎｉめっき層、ボンディング用貴金属めっき層の順に積層されためっき層部分を含む」ものであるといえる。
　ただし、引用発明の端子部１１８は、前記Ｐｄめっき層(最初に積層されたＰｄめっき層）と前記Ｎｉめっき層との間に「Ａｕめっき層」が形成されていない点で本件発明１のリード部とは相違する。
　さらに、Ｎｉめっき層の厚さが、引用発明１においては「５μｍ」であるのに対して、本件発明１においては「１０μｍ以上７０μｍ以下である」点でも相違する。
　以上を総合すると、本件発明１と引用発明１は、次の点で相違し、その余の点で一致する。 
＜相違点１＞ 
　リード部を形成するめっき層について、本件発明１は、Ｐｄめっき層とＮｉめっき層との間に「Ａｕめっき層」が積層されているのに対して、引用発明１においては、Ｐｄめっき層とＮｉめっき層との間に「Ａｕめっき層」が積層されていない点。
＜相違点２＞ 
　Ｎｉめっき層の厚さが、本件発明１においては「１０μｍ以上７０μｍ以下である」のに対して、引用発明１においては「５μｍ」である点。
　事案に鑑み、まず上記相違点２について検討する。
　引用発明１の回路部材１１０は、「該回路部材１１０の前記ダイパッド１１７に半導体素子を搭載し、前記半導体素子の端子部と前記単位回路部１１３の前記端子部１１８とのワイヤボンディング接続を行った後、封止用樹脂１２０にて樹脂封止し、次いで、前記導電性基板１１０Ａより剥離して半導体装置１４０が作製される」のように、半導体装置１４０が作製される際に導電性基板１１０Ａより剥離されるものであるが、引用文献１には、端子部１１８と封止用樹脂１２０の密着性については何ら言及がなく、また、上記剥離の際に端子部１１８と封止用樹脂１２０の密着不足による端子部１１８の脱落や剥がれという問題について記載も示唆もされていない。
　また、引用文献１に「近年、半導体装置は、
電子機器の
軽薄短小化の傾向（時流）
　そうすると、引用発明１において、端子部１１８を構成するＮｉめっき層の厚さを２倍以上も厚くする動機付けは、引用文献１には記載も示唆もされておらず、周知のものであるとも認められない。
　一方、引用文献２には上記２（２）で説示した技術事項が記載されているが、引用文献２に記載のＰｄめっきリードフレームは、そもそも導電性基体を剥離するものではないから、「樹脂封止後、基板を引きはがし除去する時、リード部と封止樹脂の密着不足によるリード部の脱落や剥がれ等を防止することができる半導体素子搭載用基板及び半導体装置、並びにそれらの製造方法を提供することを目的とする。」（本願明細書の【００１２】参照。）という本件発明１の課題を有していない。さらに、引用文献２に記載のＮｉを主成分とする層は、導電性基体上に表面層を設けるための「下地層」であって、その厚さも「0.1〜2.0 μｍ」にすぎず、「１０μｍ以上７０μｍ以下」の厚さを有するＮｉめっき層については記載も示唆もされていない。
　以上のとおりであるから、引用文献２に記載の技術事項を参酌しても、引用発明１におけるＮｉめっき層の厚さを、「１０μｍ以上７０μｍ以下」とすることは、当業者が容易になし得ることであるということはできない。
　この点に関して、特許異議申立人は、令和１年１１月２２日提出の意見書において、Ｎｉめっき層の厚み寸法を１０μｍ以上７０μｍ以下とすることは、本件特許明細書の先行技術文献の欄に特許文献１として挙げられた特開２００９−５５０５５号公報及び特許文献２として挙げられた特開２００７−１０３４５０号公報に記載されているから、上記相違点２に係る本件発明１の発明特定事項は当業者が容易に発明することができたものである旨を主張する。
　しかしながら、上記特許文献１には、ニッケルからなるリード層１２の厚みを「６０〜８０μｍ」とすること（【００１９】参照。）が記載されてはいるが、その形状は樹脂層の中で張り出すような特殊な形状であり、また、上記特許文献２には、メッキ層中のニッケルメッキの厚みを「１８μｍ」とすること（【００２３】参照。）が記載はされているが、その形状は逆台形という特殊な形状である。さらに、上記特許文献１及び特許文献２に記載のものは、いずれも導電性基板に接する層として金メッキを用いているから、積層構造も引用発明１とは異なる積層構造のものである。
　したがって、特殊な形状とすることを前提とし、かつ、積層構造も引用発明とは異なる特許文献１及び特許文献２から、Ｎｉめっき層の厚みのみを取り出して引用発明１に適用する合理的な根拠を見出すことはできないから、特許異議申立人の上記主張を採用することはできない。
　さらに、特許異議申立人は、同意見書において、実験的に数値限定範囲を最適化又は好適化することは、当業者の通常の創作能力の発揮にすぎないから、Ｎｉめっき層の厚み寸法の下限値と上限値とを特定することでは取消理由は解消しない旨も主張する。
　しかしながら、引用発明１は前提となるめっき層の積層構造が本件発明１とは異なるものであって（上記相違点１参照。）、かつ、最適化又は好適化すべき課題（剥離の際の端子部１１８の脱落や剥がれという問題）について上述のとおり引用文献１には記載も示唆もされていないから、引用発明１について単に実験を繰り返したとしても、「１０μｍ以上７０μｍ以下」というＮｉめっき層の厚さを導き出すことはできない。
　したがって、引用発明１において、Ｎｉめっき層の厚さを「５μｍ」とすることに代えて、本願発明１と同様の「１０μｍ以上７０μｍ以下である」とすることが、当業者の通常の創作能力の発揮にすぎないということはできないから、特許異議申立人の上記主張を採用することはできない。
　以上のとおりであるから、上記相違点１について検討するまでもなく、本件発明１は、引用発明１及び引用文献２に記載された技術事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。
イ．請求項２ないし６（本件発明２ないし６）について
　上記請求項１を引用する請求項２ないし６に係る発明である本件発明２ないし６も、本件発明１と同様の理由によって、引用発明１及び引用文献２に記載された技術事項とに基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。
ウ．請求項７ないし１０（本件発明７ないし１０）について
　本件発明１と引用発明１との対比の際に説示した事項（上記アの（ア）ないし（エ））に加えて、
（オ）引用発明２の半導体素子の「端子部」は、本件発明７の半導体素子の「所定の電極」に相当する。
（カ）引用発明２において、「前記導電性基板１１０Ａより剥離され」ると、ダイパッド１１７及び端子部１１８の導電性基板１１０Ａ側の面（すなわち底面）が露出することは明かである。
という事項を踏まえて、本件発明７と引用発明２とを対比すると、本件発明７と引用発明２は、次の点で相違し、その余の点で一致する。 
＜相違点３＞ 
　リード部を形成するめっき層について、本件特許発明７は、Ｐｄめっき層とＮｉめっき層との間に「Ａｕめっき層」が積層されているのに対して、引用発明２においては、Ｐｄめっき層とＮｉめっき層との間に「Ａｕめっき層」が積層されていない点。
＜相違点４＞ 
　Ｎｉめっき層の厚さが、本件発明７においては「１０μｍ以上７０μｍ以下である」のに対して、引用発明２においては「５μｍ」である点。
　そこで、上記相違点４について検討すると、上記アで説示したとおり、引用文献２に記載の技術事項を参酌しても、引用発明２におけるＮｉめっき層の厚さを、「１０μｍ以上７０μｍ以下」とすることは、当業者が容易になし得ることであるということはできない。
　したがって、上記相違点３について検討するまでもなく、本件発明７は、引用発明２及び引用文献２に記載された技術事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　また、上記請求項７を引用する請求項８ないし１０に係る発明である本件発明８ないし１０も、本件発明７と同様の理由によって、引用発明２及び引用文献２に記載された技術事項とに基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。
エ．請求項１１ないし１３（本件発明１１ないし１３）について
　本件発明１と引用発明１との対比の際に説示した事項（上記アの（ア）ないし（エ））を踏まえて、本件発明１１と引用発明３−１とを対比すると、本件発明１１と引用発明３−１は、次の点で相違し、その余の点で一致する。 
＜相違点５＞ 
　リード部を形成する際に、本件特許発明１１は、「Ｐｄめっき層を形成する工程」と「Ｎｉめっき層を形成する工程」との間に「Ｐｄめっき層上にＡｕめっき層を形成する工程」を有しているのに対して、引用発明３−１においては、「Ｐｄめっき層を形成する工程」と「Ｎｉめっき層を形成する工程」との間に「Ｐｄめっき層上にＡｕめっき層を形成する工程」を有していない点。
＜相違点６＞ 
　Ｎｉめっき層の厚さが、本件発明１１においては「１０μｍ以上７０μｍ以下である」のに対して、引用発明３−１においては「５μｍ」である点。
　また、本件発明１と引用発明１との対比の際に説示した事項（上記アの（ア）ないし（エ））、及び、本件発明７と引用発明２との対比の際に説示した事項（上記ウの（オ）及び（カ））を踏まえて、本件発明１２と引用発明３−２とを対比すると、本件発明１２と引用発明３−２は、次の点で相違し、その余の点で一致する。 
＜相違点７＞ 
　リード部を形成する際に、本件特許発明１２は、「Ｐｄめっき層を形成する工程」と「Ｎｉめっき層を形成する工程」との間に「Ｐｄめっき層上にＡｕめっき層を形成する工程」を有しているのに対して、引用発明３−２においては、「Ｐｄめっき層を形成する工程」と「Ｎｉめっき層を形成する工程」との間に「Ｐｄめっき層上にＡｕめっき層を形成する工程」を有していない点。
＜相違点８＞ 
　Ｎｉめっき層の厚さが、本件発明１２においては「１０μｍ以上７０μｍ以下である」のに対して、引用発明３−２においては「５μｍ」である点。
　そこで、上記相違点６及び８について検討すると、上記アで説示したとおり、引用文献２に記載の技術事項を参酌しても、引用発明３−１及び３−２におけるＮｉめっき層の厚さを、「１０μｍ以上７０μｍ以下」とすることは、当業者が容易になし得ることであるということはできない。
　したがって、上記相違点５について検討するまでもなく、本件発明１１は、引用発明３−１及び引用文献２に記載された技術事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　また、上記相違点７について検討するまでもなく、本件発明１２は、引用発明３−２及び引用文献２に記載された技術事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　さらに、上記請求項１２を引用する請求項１３に係る発明である本件発明１３も、本件発明１２と同様の理由によって、引用発明３−２及び引用文献２に記載された技術事項とに基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。
オ．まとめ
　以上のとおりであるから、本件発明１ないし１３は、引用文献１に記載された発明及び引用文献２に記載された技術事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるということはできない。
　よって、請求項１ないし１３に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものではない。
（２）特許法第３６条第６項第２号について
　訂正前の請求項５及び１３の「略同一」という不明瞭な記載は、本件訂正によって「同一」という明確な記載に正された（上記第２の１（１）イの訂正事項２、及び１（３）イの訂正事項５を参照）。
）。
　したがって、請求項５及びそれを引用する請求項６と、請求項１３とに係る発明は明確でないということはできない。
　よって、請求項５、６、及び１３に係る特許は、特許請求の範囲の記載が特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してなされたものではない。
第５　特許異議申立人の意見について
　特許異議申立人は、令和１年１１月２２日提出の意見書において、上記第４の３（１）アで検討した主張に加えて、Ｎｉめっき層の厚さが「１０μｍ以上７０μｍ以下である」ことに関して次の以下の点も主張している。
（１）「本件特許発明のリード部を形成するめっき層は、Ｎｉめっき層のみからなるものではなく、それ以外にＰｄめっき層、Ａｕめっき層、ボンディング用貴金属めっき層をも含むものであるから、Ｎｉめっき層の厚みの寸法の下限値と上限値を特定するだけで、めっき層の厚み寸法を一義的に規定することは不可能であり、当然に、Ｎｉめっき層の厚み寸法の下限値と上限値を特定するだけで、めっき層の全体寸法に由来する封止樹脂との密着性を適切に保つことができるという作用効果や、生産性の向上を図ることができるといったような作用効果を一義的に得ることも不可能である。」から、Ｎｉめっき層の厚さが「１０μｍ以上７０μｍ以下である」ことの技術的意義が不明である。
（２）「本件特許明細書には、Ｎｉめっき層の厚み寸法の下限値（１０μｍ）や上限値（７０μｍ）の臨界的意義を裏付ける実施例や比較例の記載は皆無である。」から、Ｎｉめっき層の厚さが「１０μｍ以上７０μｍ以下である」ことの裏付けがない。
　そこで、まず上記（１）の主張について検討すると、本件特許明細書の【００４８】の「Ｎｉめっき層３３の厚さが１０μｍ未満の場合、リード部３０やダイパッド部２０を形成した時の全体の厚さが薄くなってしまい、樹脂封止する封止樹脂８０との密着性を保つことができない。」という記載からみて、めっき層の厚さが増すほど封止樹脂との密着性がよくなることは明かであるから、Ｎｉめっき層の厚みに対して、Ｐｄめっき層、Ａｕめっき層、ボンディング用貴金属めっき層の厚みが足されたとしても、封止樹脂との密着性が悪化することはないと解される。
　また、Ｐｄめっき層、Ａｕめっき層、及びボンディング用貴金属めっき層の厚みは、その機能やコストを鑑みれば、Ｎｉめっき層の厚さ「１０μｍ以上７０μｍ以下」よりも大幅に薄いものである（例えば、Ｐｄめっき層は本件発明３では「０．０１μｍ以上０．１０μｍ」であり、Ａｕめっき層は本件特許発明４では「０．０１μｍ以上０．１０μｍ」である。）から、Ｐｄめっき層、Ａｕめっき層、ボンディング用貴金属めっき層の厚みを加えても、めっき層全体の厚さが、Ｎｉめっき層の厚さ「１０μｍ以上７０μｍ以下」よりも大幅に厚くなることはない、すなわち、生産性が大きく低下することはないと解される。
　したがって、Ｐｄめっき層、Ａｕめっき層、ボンディング用貴金属めっき層の厚みが特定されていないからといって、Ｎｉめっき層の厚さが「１０μｍ以上７０μｍ以下である」ことの技術的意義が不明であるということはできない。
　次に、上記（２）の主張について検討すると、本件特許明細書の【００４８】には「Ｎｉめっき層３３の厚さは、１０μｍ以上７０μｍ以下であることが好ましい。」と明記されており、かつ、同段落には「Ｎｉめっき層３３の厚さが１０μｍ未満の場合、リード部３０やダイパッド部２０を形成した時の全体の厚さが薄くなってしまい、樹脂封止する封止樹脂８０との密着性を保つことができない。一方、Ｎｉめっき層３３の厚さが７０μｍを超えると、機能的には支障はないが、めっき層を厚く形成する分、生産性が悪くなり、かつ、本実施形態に係る半導体装置１００の特徴である薄型化が出来なくなる。」のように下限値及び上限値の技術的意義についても記載されている。
　したがって、数値範囲の一部の実施例しかないからといって、あるいは、上限値及び下限値近辺の実施例及び比較例がないからといって、Ｎｉめっき層の厚さが「１０μｍ以上７０μｍ以下である」ことの裏付けがないということはできない。
　以上のとおりであるから、特許異議申立人の上記各主張を採用することはできない。
第６　むすび
　以上のとおりであるから、取消理由通知に記載した取消理由及び特許異議申立書に記載した特許異議申立理由によっては、本件請求項１ないし１３に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件請求項１ないし１３に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
令和２年１月２９日（２０２０．１．２９）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】
　剥離除去可能な導電性基板と、
　該導電性基板の表面上に設けられた半導体素子搭載領域と、
　該半導体素子搭載領域の周囲に配置され、前記導電性基板の前記表面上にめっき層として形成されたリード部とを有し、
　該リード部を形成する前記めっき層は、前記導電性基板の前記表面上に、Ｐｄめっき層、Ａｕめっき層、Ｎｉめっき層、ボンディング用貴金属めっき層の順に積層されためっき層部分を含
み、
　
前記Ｎｉめっき層の厚さが、１０μｍ以上７０μｍ以下である
　【請求項２】
　前記ボンディング用貴金属めっき層は、Ｐｄ、Ａｕ、Ａｇの単層めっき層又はＰｄ、Ａｕ、Ａｇのうち２種類以上からなる積層めっき層として構成された請求項１に記載の半導体素子搭載用基板。
　【請求項３】
　前記Ｐｄめっき層の厚さが、０．０１μｍ以上０．１０μｍ以下である請求項１又は２に記載の半導体素子搭載用基板。
　【請求項４】
　前記Ａｕめっき層の厚さが、０．０１μｍ以上０．１０μｍ以下である請求項１乃至３のいずれか一項に記載の半導体素子搭載用基板。
　【請求項５】
　前記導電性基板と前記リード部との間の密着力が、前記半導体素子搭載領域に半導体素子を搭載して該半導体素子の電極を前記リード部にワイヤボンディングにより接続した後、前記導電性基板の前記表面上を封止樹脂で樹脂封止し、前記導電性基板を該封止樹脂から引き剥がす際の前記導電性基板と前記リード部との間の密着力
と同
　【請求項６】
　前記半導体素子搭載領域が、前記リード部を形成する前記めっき層と同一の積層構成を有するめっき層として形成された請求項１乃至５のいずれか一項に記載の半導体素子搭載用基板。
　【請求項７】
　半導体素子搭載部と、
　該半導体素子搭載部の周囲に設けられためっき層からなるリード部と、
　前記半導体素子搭載部に搭載され、所定の電極を有する半導体素子と、
　該半導体素子の前記所定の電極と前記リード部とを電気的に接続するボンディングワイヤと、
　前記半導体素子搭載部及び前記リード部の底面のみが露出するように、前記半導体素子搭載部及び前記リード部の前記底面以外の領域と、前記半導体素子と、前記ボンディングワイヤとを封止する封止樹脂と、を有し、
　前記リード部を形成する前記めっき層は、前記底面から、Ｐｄめっき層、Ａｕめっき層、Ｎｉめっき層、ボンディング用貴金属めっき層の順に積層されためっき層部分を含
み、
　
前記Ｎｉめっき層の厚さが、１０μｍ以上７０μｍ以下である
　【請求項８】
　前記ボンディング用貴金属めっき層は、Ｐｄ、Ａｕ、Ａｇの単層めっき層又はＰｄ、Ａｕ、Ａｇのうち２種類以上からなる積層めっき層として構成された請求項７に記載の半導体装置。
　【請求項９】
　前記Ｐｄめっき層の厚さが、０．０１μｍ以上０．１０μｍ以下である請求項７又は８に記載の半導体装置。
　【請求項１０】
　前記Ａｕめっき層の厚さが、０．０１μｍ以上０．１０μｍ以下である請求項７乃至９のいずれか一項に記載の半導体装置。
　【請求項１１】
　半導体素子搭載領域の周囲に、めっき層からなるリード部が設けられた半導体素子搭載用基板の製造方法であって、
　導電性基板の表面上の前記リード部が形成される箇所に、Ｐｄめっき層を形成する工程と、
　該Ｐｄめっき層上にＡｕめっき層を形成する工程と、
　該Ａｕめっき層上にＮｉめっき層を
１０μｍ以上７０μｍ以下の厚さで
　該Ｎｉめっき層上にボンディング用貴金属めっき層を形成する工程と、を有する半導体素子搭載用基板の製造方法。
　【請求項１２】
　請求項１１に記載された半導体素子搭載用基板の製造方法により製造された半導体素子搭載用基板の前記半導体素子搭載領域上に、半導体素子を搭載する工程と、
　該半導体素子の電極と前記リード部とをボンディングワイヤを用いて電気的に接続する工程と、
　前記半導体素子搭載領域及び前記リード部の底面が露出するように、前記半導体素子搭載領域及び前記リード部の前記底面以外の領域と、前記半導体素子と、前記ボンディングワイヤとを封止樹脂により封止する工程と、
　前記導電性基板を前記封止樹脂から引き剥がす工程と、を有する半導体装置の製造方法。
　【請求項１３】
　前記Ｐｄめっき層を形成する工程で形成された前記Ｐｄめっき層と前記導電性基板との間の密着力が、
　前記導電性基板を前記封止樹脂から引き剥がす工程における前記Ｐｄめっき層と前記導電性基板との間の密着力
と同