【事件の表示】
　特願２００９−５３１１７１「化学機械研磨用水系分散体およびその調製方法、化学機械研磨用水系分散体を調製するためのキット、ならびに半導体装置の化学機械研磨方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２１年　３月１２日国際公開、ＷＯ２００９／０３１３８９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯  
　本件出願は、２００８年８月１２日（パリ条約による優先権主張２００７年９月３日　日本）を国際出願日とする特許出願であって、平成２４年５月３１日付けで拒絶の理由が通知され、同２４年７月３１日に意見書とともに特許請求の範囲について手続補正書が提出されたが、同２５年１月３０日付けで拒絶をすべき旨の査定がなされた。これに対し、平成２５年４月２２日に該査定の取消を求めて本件審判の請求がなされたものである。  
　　  
第２　本願発明  
　本願の請求項１ないし１１に係る発明は、平成２４年７月３１日提出の手続補正書によって補正された特許請求の範囲の請求項１ないし１１に記載された事項により特定されるとおりのものと認めるところ、その請求項１の記載は以下のとおりである。（以下請求項１に係る発明を「本願発明」という。）  
  
「【請求項１】
　（Ａ）スルホン酸基を有する水溶性高分子と、
　（Ｂ）アミノ酸と、（Ｃ）無機粒子と、（Ｄ）酸化剤と、
を含む、化学機械研磨用水系分散体。」 
　  
第３　引用刊行物に記載の発明及び事項等  
１　刊行物１
　これに対して、原審の平成２４年５月３１日付け拒絶の理由に引用された、本件出願の優先日前に頒布された刊行物である以下の文献には、以下の発明が記載されていると認められる。  
　  
　刊行物１：特開２００１−６４６８８号公報
　
（１）刊行物１記載の事項  
　刊行物１には、「半導体部品用洗浄剤、半導体部品の洗浄方法、研磨用組成物、および研磨方法」に関して、図表とともに、以下の事項が記載されている。（なお、下線は理解の便のため当審で付したものである。）  
　 
ア　特許請求の範囲の【請求項１】、【請求項５】及び【請求項７】　
 「【請求項１】  （ａ）スルホン酸（塩）基を有する単量体、カルボン酸（塩）基を有する単量体、水酸基を有する単量体およびエチレンオキサイドもしくはプロピレンオキサイドに由来する骨格を有する単量体の群から選ばれた少なくとも１種の単量体、ならびに（ｂ）窒素原子を有する単量体、からなる単量体成分を共重合してなる共重合体（塩）を主成分とする半導体部品用洗浄剤。」
【請求項５】  少なくとも研磨材、および請求項１または２記載の半導体部品洗浄剤からなる研磨助剤を含有することを特徴とする研磨用組成物。
【請求項７】  化学的機械研磨に使用する請求項５または６記載の研磨用組成物。」
　 
イ　段落【０００１】  
「【０００１】
【発明の属する技術分野】・・・（中略）・・・また、本発明は、研磨用組成物および研磨方法に関し、特に半導体基板などの半導体部品、記録媒体部品および光学用部品などの表面を研磨するために使用される研磨用組成物および研磨方法に関する。」 
　 
ウ　段落【０００７】  
「【０００７】
【発明が解決しようとする課題】・・・（中略）・・・また、本発明の目的は、半導体基板、層間絶縁膜などの半導体部品や、記録媒体部品および光学用部品などの
化学的機械研磨（ＣＭＰ）に適し
　 
エ　段落【０００８】 
「【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、（ａ）スルホン酸（塩）基を有する単量体、カルボン酸（塩）基を有する単量体、水酸基を有する単量体およびエチレンオキサイドもしくはプロピレンオキサイドに由来する骨格を有する単量体の群から選ばれた少なくとも１種の単量体、ならびに（ｂ）窒素原子を有する単量体、からなる単量体成分を共重合してなる共重合体（塩）を主成分とする半導体部品用洗浄剤に関する。・・・（中略）・・・さらに、本発明は、少なくとも研磨材、および、上記記載の半導体部品用洗浄剤からなる研磨助剤を含有することを特徴とする研磨用組成物に関する。上記研磨用組成物には、さらに溶剤を配合することが好ましい。また、上記研磨用組成物は、化学的機械研磨に使用することが好ましい。さらに、本発明は、上記研磨用組成物を使用して被研磨物を研磨することを特徴とする研磨方法に関する。」　 
　
オ　段落【０００９】〜【００１０】 
「【０００９】
【発明の実施の形態】本発明の半導体部品用洗浄剤の主成分である共重合体（塩）は、（ａ）スルホン酸（塩）基を有する単量体、カルボン酸（塩）基を有する単量体、水酸基を有する単量体およびエチレンオキサイドもしくはプロピレンオキサイドに由来する骨格を有する単量体の群から選ばれた少なくとも１種の単量体、ならびに（ｂ）窒素原子を有する単量体からなる単量体成分を共重合してなる。
【００１０】ここで、
スルホン酸（塩）基を有する
アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸
　
カ　段落【００２６】
「【００２６】なお、本発明の共重合体（塩）は、半導体部品用洗浄剤とするために、
水溶性
　
キ　段落【００３７】 
「【００３７】また、本発明の半導体部品洗浄剤は、半導体基板などの半導体部品、記録媒体部品および光学用部品などの表面を研磨するのに使用される、研磨用組成物中の研磨助剤としても使用できる。上記研磨材としては、研磨砥粒として通常使用されるものを適宜使用できる。研磨粒径として、・・・（中略）・・・半導体基板、記録媒体用基板および光学用部品などの研磨用としては、中でも、アルミナ粒子、ＳｉＣ粒子、酸化セリウム粒子、酸化ジルコニウム粒子、ヒュームドシリカ粒子、コロイダルシリカ粒子などが挙げられ、好ましくは
アルミナ粒子
　
ク　段落【００４７】 
「【００４７】本発明の研磨用組成物は、主として、半導体用部品、記録媒体部品および光学用部品の研磨のために使用される。これら被研磨物の材質としては、例えば、半導体製造過程で使用されるタングステン、銅、アルミニウムなどが配線された金属膜、・・・（中略）・・・などが挙げられる。」
　
ケ　段落【００５３】〜【００５４】
「【００５３】研磨
粗研磨により表面粗さを０．１μｍとした直径２．５インチの銅膜付きウェハ基板を研磨用組成物を用いて、両面研磨機により研磨加工を行った。なお、被研磨物の表面粗さ（中心線平均粗さＲａ）は、ランク・テーラーホブソン社製のタリ０ステップを用いて測定した。・・・（中略）・・・
【００５４】研磨速度
銅膜付きウェハ基板を、上記と同条件で研磨し、下式（IV）により研磨速度（μｍ／分）を求めた。
  研磨速度（μｍ／分）＝〔研磨前の銅膜の厚さ（μｍ）−研磨後の銅膜の厚さ
（μｍ）〕／研磨時間（分）・・・（後略）」 
　
コ　段落【００５８】
「【００５８】参考例３
参考例１において、２０％濃度のアクリルアミド水溶液４９ｇを２０％濃度のジメチルアクリルアミド水溶液５４ｇに、２０％濃度のアクリル酸水溶液４５２ｇを２０％濃度の
アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸水溶液
ジメチルアクリルアミド／アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸共重合体
（Ｃ）
　
サ　段落【００６９】
「【００６９】実施例１１〜２０
研磨材として
アルミナ砥粒
過酸化水素水
（Ａ〜Ｇ）
水を溶剤として
　
シ　表２
　上記摘記事項コの共重合体
（Ｃ）
　
（２）刊行物１記載の発明 
　刊行物１は「半導体部品用洗浄剤、半導体部品の洗浄方法、研磨用組成物、および研磨方法」に関するものであるが、上記摘記事項アないしエ、キ及びサの記載から、刊行物１の記載事項を研磨用組成物として認定できることは明らかである。また、上記摘記事項コでいう「ジメチルアクリルアミド／アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸共重合体」（Ｃ）をスルホン酸基を有する高分子と呼ぶことができることは自明であるし、上記摘記事項サの記載からみて、当該（Ｃ）が水溶性であることも明らかである。
　そこで、上記摘記事項アないしシを、特に「表２」で示される「実施例１３」に着目して、図表を参照しつつ技術常識を踏まえて本願発明に照らして整理すると、刊行物１には以下の発明が記載されていると認められる。（以下「刊行物１発明」という。）   
「（Ａ）スルホン酸基を有する水溶性高分子と、
（Ｃ）アルミナ砥粒と、（Ｄ）過酸化水素水と、
を含む、化学的機械研磨（ＣＭＰ）に適する水系研磨用組成物。」 
　
２　従来周知の事項
　また、原審の上記平成２４年５月３１日付け拒絶の理由において、従来周知の事項として例示された、本件出願の優先日前に頒布された刊行物である以下の文献には、以下の事項が記載されていると認められる。  
　
　刊行物２：特開２００４−７１６７３号公報
　刊行物３：特開２００７−７３５４８号公報
　 
（１）刊行物２
　刊行物２には、「銅系金属研磨スラリー」に関して、図表とともに、以下の事項が記載されている。（なお、下線は理解の便のため当審で付したものである。） 
　 
ア　特許請求の範囲の【請求項１】及び【請求項２】　
 「【請求項１】
シリカ研磨材、酸化剤、アミノ酸、トリアゾール系化合物および水を含有する研磨スラリーであって、
前記トリアゾール系化合物に対する前記アミノ酸の含有量比（アミノ酸／トリアゾール系化合物（質量比））が５〜８である銅系金属研磨スラリー。
【請求項２】
前記アミノ酸がグリシンである請求項１記載の銅系金属研磨スラリー。」
　
イ　段落【０００１】
「【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置の銅系金属配線の形成工程において実施される化学的機械的研磨に好適な銅系金属研磨スラリーに関する。」
　
ウ　段落【００１３】
「【００１３】
そこで本発明の目的は、ディッシングの発生を十分に抑制しながら、銅系金属膜を高い研磨速度で研磨できるＣＭＰ用スラリーを提供することにある。」
　
エ　段落【００１７】〜【００１８】
「【００１７】
本発明の銅系金属研磨スラリーは、シリカ研磨材（研磨粒子）、酸化剤、アミノ酸、トリアゾール系化合物を含有する。
【００１８】
本発明における研磨材としては、研磨面にスクラッチが生じにくく、分散安定性に優れる点から、コロイダルシリカやヒュームドシリカ等のシリカ研磨材を用いることが好ましい。なかでも、コロイダルシリカは、粒子が球状で粒度が均一であるため特にスクラッチが生じにくく、また高純度であり、粒径のグレードも多種類あるため好ましい。」
　
オ　段落【００２１】
「【００２１】
本発明における酸化剤は、研磨効率や研磨精度等を考慮して、水溶性の酸化剤から適宜選択して用いることができる。例えば、金属イオンのコンタミネーションを起こさないものとして、Ｈ２Ｏ２、・・・（中略）・・・などの過酸化物、次亜塩素酸（ＨＣｌＯ）、過塩素酸、硝酸、オゾン水、過酢酸、ニトロベンゼン、有機過酸化物を挙げることができる。なかでも、金属成分を含有せず、有害な副生成物を発生しない過酸化水素（Ｈ２Ｏ２）が好ましい。」
　
カ　段落【００２４】〜【００２５】
「【００２４】
本発明の研磨スラリーはアミノ酸を必須成分として含有する。このアミノ酸を、後述するようにトリアゾール系化合物と特定の比率で含有することにより、ディッシングを抑制し、且つ高い研磨速度で銅系金属膜を研磨することが可能となる。
【００２５】
本発明におけるアミノ酸は、単体で添加される場合もあれば、塩および水和物の状態で添加される場合もある、・・・（中略）・・・
これらのアミノ酸の中でも、研磨速度およびディッシングの抑制効果の点から、グリシンが好ましい。
　
キ　段落【００４３】
「【００４３】
〔研磨スラリーの調製および評価結果〕
コロイダルシリカ（多摩化学社製ＴＳＯＬシリーズ、一次粒子径：約３０ｎｍ）５質量％、３０ｗｔ％過酸化水素水２質量％（Ｈ２Ｏ２量：０．６質量％）、１，２，４−トリアゾール、グリシン、及び水を含有するスラリーを調製した。各スラリーの１，２，４−トリアゾール、グリシンの含有量は表１に示す。また、各スラリーのｐＨは、アンモニア水を用いて６．５〜７の範囲内に調整した。」
　
　上記摘記事項アないしキを、技術常識を踏まえて本願発明に照らして整理すると、刊行物２には以下の事項が記載されていると認められる。（以下「刊行物２事項」という。）   
「（Ｂ）ディッシングを抑制し、銅系金属膜を高い研磨速度で研磨するためのグリシンと、（Ｃ）コロイダルシリカと、（Ｄ）酸化剤と、
を含む、化学的機械的研磨に好適な銅系金属研磨スラリー。」 
　
（２）刊行物３
　刊行物３には、「研磨方法」に関して、図表とともに、以下の事項が記載されている。（なお、下線は理解の便のため当審で付したものである。）
　
ア　段落【００１４】
「【００１４】
　導体層１４は、バリア層１３の形成に引き続いて、少なくともトレンチ１１が埋まるようにバリア層１３の上に形成される。導体層１４は、例えば、銅又は銅合金から形成される。」
　 
イ　段落【００１６】
「【００１６】
　最初の導体層１４の外側部分の大半を除去するための研磨では第１研磨用組成物（第１予備研磨用組成物）が使用される。続く導体層１４の外側部分の残部の一部を除去するための研磨では第２研磨用組成物（第２予備研磨用組成物）が使用される。最後の少なくとも導体層１４の外側部分の残部及びバリア層１３の外側部分を除去するための研磨では第３研磨用組成物（仕上げ研磨用組成物）が使用される。以下、第１〜第３研磨用組成物を順に説明する。」
　
ウ　段落【００２３】
「【００２３】
　《第２研磨用組成物》
　第２研磨用組成物は、所定量の保護膜形成剤と酸化剤とエッチング剤（錯形成剤）と砥粒と水とを混合することによってｐＨが８以上になるように製造される。従って、第２研磨用組成物は、保護膜形成剤、酸化剤、エッチング剤、砥粒及び水から実質的になる。」
　
エ　段落【００３３】
「【００３３】
　第２研磨用組成物中の酸化剤は、研磨対象物を酸化する作用を有し、導体層１４の酸化を通じて導体層１４を研磨する第２研磨用組成物の能力の向上に寄与する。第２研磨用組成物に含まれる酸化剤は、酸化剤に由来する研磨対象物の金属汚染を低減するためには、過酸化水素であることが好ましい。」
　
オ　段落【００３５】
「【００３５】
　第２研磨用組成物中のエッチング剤は、研磨対象物をエッチングする作用を有し、導体層１４のエッチングを通じて導体層１４を研磨する第２研磨用組成物の能力の向上に寄与する。第２研磨用組成物に含まれる
エッチング剤は、例えば、グリシンやアラニン、バリンのようなα−アミノ酸
　
カ　段落【００３７】
「【００３７】
　第２研磨用組成物中の砥粒は、研磨対象物を機械的に研磨する役割を担い、導体層１４を研磨する第２研磨用組成物の能力の向上に寄与する。第２研磨用組成物に含まれる砥粒は、例えば、焼成粉砕シリカやフュームドシリカ、コロイダルシリカのようなシリカであっても、コロイダルアルミナのようなアルミナであってもよい。研磨後の研磨対象物の表面欠陥を低減するためにはシリカが好ましく、その中でもコロイダルシリカが特に好ましい。」
  　
　上記摘記事項ウにおける「第２研磨用組成物」は、水を含み、摘記事項カにあるように研磨対象物を機械的に研磨するものであることから、化学機械研摩用水系組成物、ということができる。
　そこで、上記摘記事項アないしカを、技術常識を踏まえて本願発明に照らして整理すると、刊行物３には以下の事項が記載されていると認められる。（以下「刊行物３事項」という。）   
「（Ｂ）研磨対象物をエッチングするためのアミノ酸と、（Ｃ）アルミナと、（Ｄ）酸化剤と、
を含む、銅からなる導体層を除去するための化学機械研摩用水系組成物。」 
（３）従来周知の事項
　さらに、（ア）本件出願の優先日前に頒布された刊行物である特開２００１−５７３６７号公報には、「金属（Ｃｕ）表面にディッシング現象が生じる状況」（段落【０００６】）に関し、「【００１０】従来、ＣＭＰの際のディッシング現象を防ぐために、機械的、材料的、化学的或いはその他の種々の対策が実施されている。例えば、・・（中略）・・・化学的対策として、研摩スラリへのグリシン（ＣＨ２ＮＨ２ＣＯＯＨ）・Ｈ２Ｏ２の混合液を添加することが推奨されており」と記載されている。
　また、（イ）同じく、特開２０００−１６０１４１号公報には、「【００４７】また、本発明の研磨用組成物において、過酸化水素は酸化作用を及ぼすものと考えられる。このような作用は一般的なＣＭＰ加工において利用されているものであるが、本発明においては、前記のα−アラニンによるキレート効果と過酸化水素の酸化作用との組み合わせにより研磨が一層効果的に促進される。従って、これらのバランスが最適化されたときに銅膜に対する研磨速度が極大を示すため、過酸化水素の含有量が過大であっても、逆に過小であっても研磨速度は小さくなる傾向にある。」との記載がある。
　
　そして、上記刊行物２事項、刊行物３事項、（ア）及び（イ）はいずれも同様な技術的事項であるところ、これらの共通点として、以下の事項を従来周知の事項ということができる。（以下「従来周知の事項Ａ」という。）
　
【従来周知の事項Ａ】
「銅系金属の研摩速度の向上及び／またはディッシング抑制のために、化学機械研摩用水系組成物に、（Ｂ）アミノ酸と、（Ｄ）酸化剤とを含ませること。」
　
第４　対比  
　本願発明と刊行物１発明とを対比すると以下のとおりである。  
　まず、刊行物１発明の「アルミナ砥粒」が本願発明の「無機粒子」に相当することは、技術常識に照らして明らかであり、同様に「過酸化水素水」が「酸化剤」に、「化学的機械研磨（ＣＭＰ）に適する水系研磨用組成物」が「化学機械研磨用水系分散体」に相当することも明らかである。 
　したがって、本願発明と刊行物１発明とは、以下の点で一致しているということができる。  
＜一致点＞  
「（Ａ）スルホン酸基を有する水溶性高分子と、
（Ｃ）無機粒子と、（Ｄ）酸化剤と、
を含む、化学機械研磨用水系分散体」  
　  
　そして、本願発明と刊行物１発明とは、以下の点で相違している。  
＜相違点１＞  
　本願発明は（Ｂ）アミノ酸を含むのに対し、刊行物１発明はそのようなものではない点。 
　　　  
第５　相違点の検討  
１　＜相違点１＞について  
　上記第３の２（３）にて指摘したように、従来周知の事項Ａは「銅系金属の研摩速度の向上及び／またはディッシング抑制のために、化学機械研摩用水系組成物に、（Ｂ）アミノ酸と、（Ｄ）酸化剤とを含ませること。」というものである。
　ところで、刊行物１発明は、「化学的機械研磨（ＣＭＰ）に適し、被研磨物の表面を平坦にし、かつ研磨速度を高くできる研磨用組成物および研磨方法を提供すること」（上記摘記事項第３の１（１）ウ）を目的とするものであるし、上記第３の１（１）ク及びケで摘記したようにように、研磨対象として銅を想定していることから、従来周知の事項Ａに接した当業者が、かかる目的をより確実に達成するために、同じ銅を研磨対象として「研摩速度の向上及び／またはディッシング抑制のため」「（Ｂ）アミノ酸と、（Ｄ）酸化剤とを含ませる」従来周知の事項Ａを適用することを試みることは格別困難ではない。
　よって、刊行物１発明に、上記従来周知の事項Ａを適用して、（Ｄ）酸化剤のみならず（Ｂ）アミノ酸を加えて、相違点１に係る発明特定事項を本願発明のものとすることは、当業者が容易に想到し得るところというべきである。 
　
　これに関し、請求人は、審判請求書にて「（Ａ）スルホン酸基を有する水溶性高分子」が銅膜の表面に吸着することによって研磨速度を低下させる場合がありますが、「（Ｂ）アミノ酸」の作用により銅膜の研磨速度を増大させ、しかも「（Ｂ）アミノ酸」は、銅膜の研磨により化学機械研磨用水系分散体へ溶出してくる銅イオンへ容易に配位することができ、研磨中の銅膜表面を適度に保護することができるので、スクラッチや表面荒れ等の研磨欠陥を抑制することもできます。」と主張する（審判請求書第５ページ）。しかしながら、「（Ｂ）アミノ酸」の研磨速度を増大させる効果は、本願発明のようにスルホン酸基を有する水溶性高分子を含むか否かにかかわらず得られるものであり、また、「（Ｂ）アミノ酸」の研磨欠陥を抑制する効果も、研摩対象が銅系金属であれば、上記スルホン酸基を有する水溶性高分子の存否を問わないものであるから、請求人のかかる主張には理由がない。
　
２　小括
　したがって、本願発明は、刊行物１発明及び従来周知の事項Ａに基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。　  
　  
第６　むすび  
　以上のとおり、本願発明は、刊行物１発明及び従来周知の事項Ａに基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。  
　したがって本願はその余の請求項２ないし１１に係る発明について検討するまでもなく、拒絶されるべきものである。  
　よって、結論のとおり審決する。