(57)【要約】有機ＥＬ装置の表示部における反射を抑えることができ、表示品質を向上させることができる発光装置及び電子機器を実現するために、基板２上に形成された一対の電極７、８間に少なくとも発光層５を配置した構造の有機ＥＬ装置であって、基板２は透明基板からなり、前記一対の電極７、８は、発光層５の基板２側に配置された陽極７と、発光層５の基板２側の反対側に配置された陰極７とからなり、陽極７の付近に、基板２側から有機ＥＬ装置に入射した外光Ｒ０のうちの一部を透過させ他の一部を反射する半反射膜１を配置した。
2003096758.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光装置において、
基板と、
第１電極、第２電極及びそれらに挟まれた発光層と、を含む有機エレクトロルミネッセンス素子と、を具備してなり、
前記有機エレクトロルミネッセンス素子が、少なくとも光の一部を反射する半反射膜を備えることを特徴とする発光装置。
【請求項２】
請求項１に記載の発光装置において、
前記第１及び第２電極がそれぞれ陰極及び陽極であることを特徴とする発光装置。
【請求項３】
請求項１に記載の発光装置において、
前記第１電極が光透過性を有するとともに、前記第２電極が光反射性を有することを特徴とする発光装置。
【請求項４】
請求項１に記載の発光装置において、
前記半反射膜は、前記発光層の前記基板側に配置されていることを特徴とする発光装置。
【請求項５】
請求項１に記載の発光装置において、
前記第１電極及び前記第２電極のうち少なくとも一方が光反射性を具備しており、
前記発光装置に入射する光のうち前記半反射膜で反射する第１反射光と、前記反射性を具備する前記電極で反射する第２反射光とが、干渉して互いに弱め合うこととなるような厚さに、前記発光層の厚みが設定されてなることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項６】
請求項５に記載の発光装置において、
前記半反射膜は、前記第１反射光と前記第２反射光の強度が略同一となるようにその反射率が設定されてなることを特徴とする発光装置。
【請求項７】
請求項１に記載の発光装置において、
前記第１電極及び前記第２電極のうち少なくとも一方が光反射性を具備しており、
前記前記発光装置に入射する光のうち前記半反射膜で反射する第１反射光の位相と、前記光反射性を具備する前記電極で反射する第２反射光の位相とが、約１８０度ずれるよう前記発光層の厚みが設定されてなることを特徴とする発光装置。
【請求項８】
請求項７に記載の発光装置において、
前記半反射膜は、前記第１反射光と前記第２反射光の強度が略同一となるようにその反射率が設定されてなることを特徴とする発光装置。
【請求項９】
請求項１に記載の発光装置において、
前記半反射膜は、該半反射膜に入射した光のうちの約５０パーセントを透過させ、該入射した光のうちの約５０パーセントを反射するものからなることを特徴とする発光装置。
【請求項１０】
請求項１に記載の発光装置において、
前記発光層が配置される複数の画素開口部と、
前記画素開口部間に形成され前記発光層が配置されない画素間部と、
前記画素間部に設けられる透明層及び反射層を更に具備し、
前記画素間部に入射する光のうち前記半反射膜で反射して該画素間部から出射する第３反射光と、前記半反射膜及び前記透明層を透過し、前記反射層で反射される第４反射光とが、干渉して互いに弱め合うこととなるよう前記透明層の厚さが設定されてなることを特徴とする発光装置。
【請求項１１】
請求項１０に記載の発光装置において、
前記半反射膜は、前記画素間部に設けられてなることを特徴とする発光装置。
【請求項１２】
請求項１０に記載の発光装置において、
前記第３反射光と前記第４反射光の強度が略同一となるように前記半反射膜の反射率が設定されてなることを特徴とする発光装置。
【請求項１３】
請求項１に記載の発光装置において、
前記発光層が配置される複数の画素開口部と、
前記画素開口部間に形成され前記発光層が配置されない画素間部と、
前記画素間部に設けられる透明層及び反射層を更に具備し、
前記画素間部に入射する光のうち前記半反射膜で反射して該画素間部から出射した第３反射光の位相と、前記半反射膜及び前記透明層を透過し、前記反射層で反射される第４反射光の位相とが、約１８０度ずれよう前記透明層の厚さが設定されてなることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項１４】
請求項１３に記載の発光装置において、
前記半反射膜は、前記画素間部に設けられてなることを特徴とする発光装置。
【請求項１５】
請求項１３に記載の発光装置において、
前記第３反射光と前記第４反射光の強度が略同一となるように前記半反射膜の反射率が設定されてなることを特徴とする発光装置。
【請求項１６】
請求項１３に記載の発光装置において、
前記発光装置は、薄膜トランジスタを有し、前記反射層は、前記薄膜トランジスタ構造における電極として機能することを特徴とする発光装置。
【請求項１７】
請求項１に記載の発光装置において、
前記半反射膜が前記第１電極と前記第２電極のうちいずれか一方の電極付近に形成されてなることを特徴とする発光装置。
【請求項１８】
請求項３に記載の発光装置において、
前記第１電極が、前記半反射膜兼ねることを特徴とする発光装置。
【請求項１９】
前記発光装置は、マトリクス状に形成された複数の走査線及び複数のデータ線と、前記走査線とデータ線に接続されたスイッチング手段と、前記スイッチング手段に接続された画素電極とを有することを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項２０】
請求項１に記載の発光装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は、本発明は、携帯電話などの携帯機器、パーソナルコンピュータ又はテレビなどのディスプレイとして用いられる発光装置及び電子機器に関する。
背景技術
従来、ディスプレイとして用いられる有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）装置では、外光が表示部位で反射するいわゆる映り込みが生じて、表示品質の劣化を招いていた。この映り込みを減らすための方法、すなわち、表示部位での反射を減らす方法としては、ラクセル社（Ｌｕｘｅｌｌ：カナダ）においてブラック・レイア（ＢｌａｃｋＬａｙｅｒ）という技術が開発されていた。この従来の技術は、有機ＥＬ装置の片側の基板上に透明電極、ＥＬ層、半透過電極、透明導電層、反射電極を設けるものである。減反射の原理は、透明電極、ＥＬ層を透過した光のうち、一部の光が半透過電極で反射されて第１反射光となり、残りの光は半透過電極を透過し透明導電層を通過して反射電極で反射され、半透過電極越しに出射して第２反射光となり、第１反射光と第２反射光が干渉し合って、表示部位での反射強度を弱めるというものである。
発明の開示
しかしながら、上記従来の表示部位での反射削減方法では、干渉の度合いを調整するために透明導電層を必要とし、この透明導電層としてはインジウム錫酸化物（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）などで構成するので、透明導電層の製膜時に酸素を必要とし、有機ＥＬ装置の製造工程においては、活性なカルシウムなどの金属上にＩＴＯを製膜しなければならない。そこで、上記従来の表示部位での反射削減方法では、ＩＴＯを製膜するプロセスにおいて、活性なカルシウムなどの金属がほとんど酸化されてしまい、有機ＥＬ装置を実現することが非常に困難であった。
本発明の主題は、有機ＥＬ装置の表示部位における反射を抑えることができ、表示品質を向上させることができる発光装置及び電子機器の提供である。
本発明の電気光学装置は、基板と、第１電極、第２電極及びそれらに挟まれた発光層と、を含む有機エレクトロルミネッセンス素子と、を具備してなり、前記有機エレクトロルミネッセンス素子が、少なくとも光の一部を反射する半反射膜を備えることを特徴とする。このような装置によれば、発光装置に入射した光のうち半反射膜で反射して該発光装置から出射した反射光（第１反射光）と、該入射光のうち半反射膜を透過した後に陰極などで反射して該発光装置から出射した反射光（第２反射光）とを干渉させて、相互に弱め合うようにすることが可能となる。
したがって、本装置によれば、例えば、発光装置の画素開口部に入射した外光の反射光を低減することが可能となり、発光装置の画素開口部における「映り込み」を防止することができ、コントラストの高い高品質な表示をすることができる。第１及び第２電極はそれぞれ陰極及び陽極となる。
ここで、第２電極が基板側となるように構成し、そして、第２電極が光透過性を有し、第１電極が光反射性を有するように構成すると、透明な陽極及び基板から光が出射する、所謂基板側発光型の有機ＥＬ装置が実現する。その場合にあっては、基板としては光透過性の基板を用いる必要がある。また、半反射膜は、発光層の基板側に配置されていると好ましい。
一方、第２電極が基板側となるように構成し、そして、第２電極が光反射性を有し、第１電極が光透過性を有するように構成すると、透明な陰極及び封止基板側から光が出射する、所謂、封止側発光型の有機ＥＬ装置が実現する。その場合にあっては、封止基板としては光透過性の基板を用いる必要がある。また、半反射膜は発光層の陰極側に配置されていると好ましい。
また、前記第１電極及び前記第２電極のうち少なくとも一方が光反射性を具備しており、発光装置に入射する光のうち半反射膜で反射する第１反射光と、反射性を具備する電極で反射する第２反射光とが、干渉して互いに弱め合うこととなるような厚さに、発光層の厚みが設定されてなると好ましい。このように構成することによって、発光層の厚さを調整して、半反射膜で反射した第１反射光と、半反射膜及び発光層を透過した後に陰極で反射した第２反射光とを干渉させることができるので、例えば、画素開口部に入射した外光の反射を大幅に低減することが可能となる。この場合、半反射膜は、第１反射光と第２反射光の強度が略同一となるようにその反射率が設定するとよい。
また、第１電極及び前記第２電極のうち少なくとも一方が光反射性を具備しており、発光装置に入射する光のうち半反射膜で反射する第１反射光の位相と、光反射性を具備する電極で反射する第２反射光の位相とが、約１８０度ずれるよう前記発光層の厚みが設定されてなることを特徴とする。このような構成によれば、半反射膜で反射した第１反射光と、半反射膜及び発光層を透過した後に陰極で反射した第２反射光とが干渉して、相互に弱め合って光強度をほとんど「ゼロ」にすることが可能となり、例えば、画素開口部に入射した外光の反射をほとんど「ゼロ」にまで低減することが可能となる。この場合も、半反射膜は、第１反射光と第２反射光の強度が略同一となるようにその反射率が設定するとよい。また、本発明の発光装置は、発光層が配置される複数の画素開口部と、画素開口部間に形成され発光層が配置されない画素間部と、画素間部に設けられる透明層及び反射層を更に具備し、画素間部に入射する光のうち半反射膜で反射して画素間部から出射する第３反射光と、半反射膜及び透明層を透過し、反射層で反射される第４反射光とが、干渉して互いに弱め合うこととなるよう前記透明層の厚さが設定されてなることを特徴とする。その場合、半反射膜は、画素間部に設けられてなると好ましく、更には第３反射光と第４反射光の強度が略同一となるように半反射膜の反射率が設定されてなること更に好ましい。このように構成することにより、発光装置の画素開口部のみならず、画素間部に入射した外光の反射をも大幅に低減することが可能となり、発光装置における「映り込み」を防止することができ、よりコントラストの高い高品質な表示をすることができる。
また、発光層が配置される複数の画素開口部と、画素開口部間に形成され前記発光層が配置されない画素間部と、画素間部に設けられる透明層及び反射層を更に具備し、画素間部に入射する光のうち半反射膜で反射して画素間部から出射した第３反射光の位相と、半反射膜及び透明層を透過し、反射層で反射される第４反射光の位相とが、約１８０度ずれよう前記透明層の厚さが設定されてなることを特徴とする。この場合にも上記同様、半反射膜は、前記画素間部に設けられてなると好ましく、第３反射光と第４反射光の強度が略同一となるように半反射膜の反射率が設定されてなるとより好ましい。
また、本発明の発光装置では、半反射膜は、該半反射膜に入射した光のうちの約５０パーセントを透過させ、該入射した光のうちの約５０パーセントを反射するものからなると好ましい。
また、本発明の発光装置は、薄膜トランジスタを有し、前記反射層は、前記薄膜トランジスタ構造における電極として機能すると好ましい。このような構成によれば、薄膜トランジスタ構造における電極が反射層として機能するので、製造工程が簡易化され、製造コストを低減することが可能となる。
半反射膜の形成位置としては、第１電極と第２電極のうちいずれか一方の電極付近に形成してもよいし、また、透明な第１電極が電極が半反射膜を兼ねるよう構成してもよい。半反射膜を兼ねる第１電極を陰極とする場合には、第１電極として例えば、カルシスム（Ｃａ）、リチウム（Ｌｉ）、マグネシウム（Ｍｇ）などを薄く蒸着して用いることができる、一方、半反射膜を兼ねる第１電極を陽極とする場合には、第１電極として例えば、仕事関数の高い金属である銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）などを薄く蒸着することで、透明電極になるとともに半反射膜ともなる陽極を形成することができる。
また本発明の発光装置によれば、発光装置は、マトリクス状に形成された複数の走査線及び複数のデータ線と、走査線とデータ線に接続されたスイッチング手段と、スイッチング手段に接続された画素電極とを有することを特徴とする。このような構成によれば、アクティブ表示手段としての発光装置について、表示部に入射した外光の反射光を低減することが可能となり、表示部における「映り込み」を防止することができ、コントラストの高い高品質な表示をすることができる。
本発明の電子機器は、前記発光装置を備えたことを特徴とする。こうすれば、電子機器の表示部における外光の反射光を低減することが可能となり、表示部における「映り込み」を防止することができ、コントラストの高い高品質な表示をする電子機器を提供することができる。
発明を実施するための最良の形態
以下、本発明に係る発光装置の一例として有機ＥＬ装置を挙げて、図面を参照して説明する。本有機ＥＬ装置は、発光層を挟んでいる一対の電極（透明電極と反射電極）における透明電極付近に半反射膜を形成し、半反射膜で反射された光と、反射電極で反射された光とを干渉させることで、外光が有機ＥＬ装置の表示部位で反射することを低減するものである。
（第１実施形態）
本発明の第１実施形態に係る有機ＥＬ装置について図１を参照して説明する。図１は、第１実施形態に係る有機ＥＬ装置を示す要部断面図である。有機ＥＬ装置１０は、透明な基板２側から光を発する基板側発光型の有機ＥＬ装置である。
有機ＥＬ装置１０は、透明であって光を透過可能な基板２と、基板２の一方の面側に設けられた陰極（反射電極）７と、陽極（透明電極）８と、に挟持された有機エレクトロルミネッセンス材料からなる発光層（ＥＬ層）５と正孔輸送層（正孔注入層）６とからなる有機ＥＬ素子（発光素子）９と、その発光素子を封止する封止基板２０とを有している。ここで、陽極８は、発光層５の基板２側（発光側）に配置されており、陰極７は、発光層５の封止基板２０側（反射側）に配置されている。また、基板２と有機ＥＬ素子９との間に積層されている封止層（保護層）とを備えている。低屈折率層は封止層より基板２側に設けられている。尚、この低屈折率層及び封止層は設けなくてもよい。また、封止基板２０と基板２は接着層で接着されており、封止基板２０及び接着層によって有機ＥＬ素子９が封止されている。また、本実施形態の有機ＥＬ装置１０では、基板２と陽極８の間に半反射膜１を設けている。半反射膜１は、入射光の一部（例えば、入射光の５０パーセント）を透過させ、残りの光（例えば、入射光の５０パーセント）を反射するものである。
ここで、半反射膜１の反射率は、基板２側から有機ＥＬ装置１０に入射した外光Ｒ０のうち半反射膜１で反射して有機ＥＬ装置１０から出射した第１反射光Ｒ１の強度と、外光Ｒ０のうち半反射膜１を透過した後に陰極７で反射して有機ＥＬ装置１０から出射した第２反射光Ｒ２の強度とが、略同一となる反射率（又は透過率）であることが好ましい。
さらにまた、有機ＥＬ装置１０における発光層５の厚さｄは、第１反射光Ｒ１の位相と、第２反射光Ｒ２の位相とが約１８０度ずれることとなる厚さになっていることが好ましい。
例えば、外光Ｒ０５２０［ｎｍ］の波長成分を中心とするものであるとした場合、発光層５の厚さｄ＝Ｒ０の波長／４＝５２０／４＝１３０［ｎｍ］とする。
これらにより、第１反射光Ｒ１と第２反射光Ｒ２の関係は、図３に示すように光強度（振幅）が同一であり、且つ、相互に位相が１８０度ずれたものとなる。したがって、第１反射光Ｒ１と第２反射光Ｒ２とは干渉して、互いに打ち消し合い、有機ＥＬ装置１０に入射した外光Ｒ０に対して有機ＥＬ装置１０から放射される反射光は結局「ゼロ」となる。
（第２実施形態）
次に、本発明の第２実施形態に係る有機ＥＬ装置について図２を参照して説明する。図２は、第２実施形態に係る有機ＥＬ装置を示す要部断面図である。本有機ＥＬ装置１０’は、封止基板２０として透明なガラス缶等を用いて封止基板２０側から光を発する封止側発光型の有機ＥＬ装置である。
有機ＥＬ装置１０’は、透明又は不透明な部材からなる基板２’と、基板２’の一方の面側に設けられ一対の陰極（透明電極）７’及び陽極（反射電極）８’に挟持された有機エレクトロルミネッセンス材料からなる発光層（ＥＬ層）５’と正孔輸送層（正孔注入層）６’とからなる有機ＥＬ素子（発光素子）９’と、発光素子を封止する封止基板２０’とを有している。ここで、陽極（反射電極）８’は、発光層５’の基板２’側（反射側）に配置されており、陰極（透明電極）７’は、発光層５’の封止基板２０’側（発光側）に配置されている。
また、基板２’と有機ＥＬ素子９’との間に積層されている封止層（保護層）とを備えている（図示せず）。低屈折率層は封止層より基板２’側に設けられている。この低屈折率層及び封止層は設けなくてもよい。また、封止基板２０’と基板２’は接着層で接着されており、封止基板２０’及び接着層によって有機ＥＬ素子９’が封止されている。
また、本実施形態の有機ＥＬ装置１０では、発光層５’の封止基板２０’側に半反射膜１’を設けている。半反射膜１’は、入射光の一部（例えば、入射光の５０パーセント）を透過させ、残りの光（例えば、入射光の５０パーセント）を反射するものである。
ここで、半反射膜１’の反射率は、封止基板２０’側から有機ＥＬ装置１０’に入射した外光Ｒ０’のうち半反射膜１’で反射して有機ＥＬ装置１０’から出射した第１反射光Ｒ１’の強度と、外光Ｒ０’のうち半反射膜１’を透過した後に陽極８’で反射して有機ＥＬ装置１０’から出射した第２反射光Ｒ２’の強度とが、略同一となる反射率（又は透過率）であることが好ましい。
さらにまた、有機ＥＬ装置１０’における発光層５’の厚さｄ’は、第１反射光Ｒ１’の位相と、第２反射光Ｒ２’の位相とが約１８０度ずれることとなる厚さになっていることが好ましい。
例えば、外光Ｒ０５２０［ｎｍ］の波長成分を中心とするものであるとした場合、発光層５’の厚さｄ’＝Ｒ０の波長／４＝５２０／４＝１３０［ｎｍ］とする。
これらにより、第１反射光Ｒ１’と第２反射光Ｒ２’の関係は、図３に示す第１反射光Ｒ１と第２反射光Ｒ２の関係と同様となる。すなわち、第１反射光Ｒ１’と第２反射光Ｒ２’の関係は、光強度（振幅）が同一であり、且つ、相互に位相が１８０度ずれたものとなる。したがって、第１反射光Ｒ１’と第２反射光Ｒ２’とは干渉して、互いに打ち消し合い、有機ＥＬ装置１０’に入射した外光Ｒ０’に対して有機ＥＬ装置１０’から放射される反射光は結局「ゼロ」となる。
（第３実施形態）
上記第１実施形態及び第２実施形態では、有機ＥＬ装置１０，１０’の発光層５，５’を有する部位である画素開口部に入射した外光Ｒ０，Ｒ０’の反射光を「ゼロ」にする構造について説明した。ところで、有機ＥＬ装置１０，１０’には、画素開口部と、発光層５，５’を有さない部位である画素間部とがある。この画素間部は、樹脂バンク３，３’が形成されている部位である。そこで、次に、画素間部に入射した外光の反射光を「ゼロ」にする構造について、図１を参照して説明する。
有機ＥＬ装置１０の画素間部に存在する樹脂バンク３は、発光層５及び正孔輸送層（正孔注入層）６などを形成するときの仕切部材として機能するものである。この樹脂バンク３は、例えば、ポリイミド等の感光性の絶縁性有機材料を成膜し、露光、現像後にキュア（焼成）することで形成する。
本実施形態の有機ＥＬ装置１０の画素間部には、半反射膜、透明層及び反射層を設ける。ここで、半反射膜は、上記第１実施形態で述べた半反射膜１に相当するものである。すなわち、半反射膜は、半反射膜１と同様に、基板２と陽極８の間に形成され、入射光の一部（例えば、入射光の５０パーセント）を透過させ、残りの光（例えば、入射光の５０パーセント）を反射するものとする。透明層は、半反射膜の封止基板２０側に配置された透明な層であり、例えば、樹脂バンク３を透明層として機能させてもよく、樹脂バンク３の基板２側に形成されているＳｉＯ２を透明層として機能させてもよく、別に透明層を設けてもよい。反射層は、透明層の基板２側に配置された反射率の高い層である。この反射層は、有機ＥＬ装置１０のＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：薄膜トランジスタ）構造における電極として機能する層を用いてもよい。
ここで、半反射膜の反射率は、基板２側から有機ＥＬ装置１０の画素間部に入射した外光（外光Ｒ０に相当）のうち半反射膜で反射して有機ＥＬ装置１０から出射した第３反射光（図示せず、第１反射光Ｒ１に相当）の強度と、外光（Ｒ０）のうち半反射膜を透過した後に反射層で反射して有機ＥＬ装置１０から出射した第４反射光（図示せず、第１反射光Ｒ２に相当）の強度とが、略同一となる反射率（又は透過率）であることが好ましい。
また、透明層の厚さは、第３反射光（第１反射光Ｒ１に相当）の位相と、第４反射光（第１反射光Ｒ２に相当）の位相とが約１８０度ずれることとなる厚さになっていることが好ましい。
透明層の厚さの具体的な値は、その透明層を形成する部材の成分などによって異なるが、例えば、外光（Ｒ０）が５２０［ｎｍ］の波長成分を中心とするものであるとした場合、透明層の厚さ＝Ｒ０の波長／４＝５２０／４＝１３０［ｎｍ］とする。
これらにより、第３反射光と第４反射光の関係は、図３に示す第１反射光Ｒ１と第２反射光Ｒ２の関係と同様となる。すなわち、第３反射光と第４反射光の関係は、光強度（振幅）が同一であり、且つ、相互に位相が１８０度ずれたものとなる。したがって、第３反射光と第４反射光とは干渉して、互いに打ち消し合い、有機ＥＬ装置１０の画素間部に入射した外光に対して有機ＥＬ装置１０の画素間部から放射される反射光は結局「ゼロ」となる。
なお、有機ＥＬ装置の画素間部に半反射膜、透明層及び反射層を設ける代わりに、画素間部にのみ、ブラック・レイア（ＢｌａｃｋＬａｙｅｒ）を設けてもよい。
また、上記第３実施形態では、基板側発光型有機ＥＬ装置の画素間部における反射を低減する構成について説明したが、封止側発光型有機ＥＬ装置の画素間部における反射を低減する構成も基板側発光型有機ＥＬ装置と同様にして実現することができる。
（有機ＥＬ装置のその他の構成例）
次に、図１又は図２に示す有機ＥＬ装置１，１’の上記以外の具体的構成例について述べる。
図１における基板２側から発光を取り出す基板側発光型有機ＥＬ装置１の基板２の形成材料としては、光を透過可能な透明あるいは半透明材料、例えば、透明なガラス、石英、サファイア、あるいはポリエステル、ポリアクリレート、ポリカーボネート、ポリエーテルケトンなどの透明な合成樹脂などが挙げられる。特に、基板２の形成材料としては、安価なソーダガラスが好適に用いられる。
一方、図２に示す有機ＥＬ装置１’のように基板２’の反対側（封止基板２０’側）から発光を取り出す封止側発光型の場合には、基板２’は不透明であってもよく、その場合、アルミナ等のセラミック、ステンレス等の金属シートに表面酸化などの絶縁処理を施したもの、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂などを用いることができる。
図１における陽極８は、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）等からなる透明電極であって光を透過可能である。正孔輸送層（正孔注入層）６は、例えば、トリフェニルアミン誘導体（ＴＰＤ）、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体等からなる。具体的には、特開昭６３−７０２５７号、同６３−１７５８６０号公報、特開平２−１３５３５９号、同２−１３５３６１号、同２−２０９９８８号、同３−３７９９２号、同３−１５２１８４号公報に記載されているもの等が例示されるが、トリフェニルジアミン誘導体が好ましく、中でも４，４’−ビス（Ｎ（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ）ビフェニルが好適とされる。
なお、正孔輸送層に代えて正孔注入層を形成するようにしてもよく、さらに正孔注入層と正孔輸送層を両方形成するようにしてもよい。その場合、正孔注入層の形成材料としては、例えば銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）や、ポリテトラヒドロチオフェニルフェニレンであるポリフェニレンビニレン、１，１−ビス−（４−Ｎ，Ｎ−ジトリルアミノフェニル）シクロヘキサン、トリス（８−ヒドロキシキノリノール）アルミニウム等が挙げられるが、特に銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）を用いるのが好ましい。
発光層５，５’の形成材料としては、低分子の有機発光色素や高分子発光体、すなわち各種の蛍光物質や燐光物質などの発光物質、Ａｌｑ３（アルミキレート錯体）などの有機エレクトロルミネッセンス材料が使用可能である。発光物質となる共役系高分子の中ではアリーレンビニレン又はポリフルオレン構造を含むものなどが特に好ましい。低分子発光体では、例えばナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、ペリレン誘導体、ポリメチン系、キサテン系、クマリン系、シアニン系などの色素類、８−ヒドロキノリンおよびその誘導体の金属錯体、芳香族アミン、テトラフェニルシクロペンタジエン誘導体等、または特開昭５７−５１７８１、同５９−１９４３９３号公報等に記載されている公知のものが使用可能である。陰極７はアルミニウム（Ａｌ）やリチウム（Ｌｉ），カルシウム（Ｃａ），マグネシウム（Ｍｇ），ストロンチウム（Ｓｒ），バリウム（Ｂａ）などのアルカリ土類、イッテルビウム（Ｙｂ），サマリウム（Ｓｍ）などの希土類、金（Ａｕ），銀（Ａｇ）などの仕事関数の低い金属電極である。
なお、陰極７，７’と発光層５，５’の間に、電子輸送層や電子注入層を設けることができる。電子輸送層の形成材料としては、特に限定されることなく、オキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタンおよびその誘導体、ベンゾキノンおよびその誘導体、ナフトキノンおよびその誘導体、アントラキノンおよびその誘導体、テトラシアノアンスラキノジメタンおよびその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレンおよびその誘導体、ジフェノキノン誘導体、８−ヒドロキシキノリンおよびその誘導体の金属錯体等が例示される。具体的には、先の正孔輸送層の形成材料と同様に、特開昭６３−７０２５７号、同６３−１７５８６０号公報、特開平２−１３５３５９号、同２−１３５３６１号、同２−２０９９８８号、同３−３７９９２号、同３−１５２１８４号公報に記載されているもの等が例示され、特に２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、ベンゾキノン、アントラキノン、トリス（８−キノリノール）アルミニウムが好適とされる。
図示しないが、本実施形態の有機ＥＬ装置１０，１０’はアクティブマトリクス型であり、実際には複数のデータ線と複数の走査線とが格子状に基板２，２’に配置される。そして、データ線や走査線に区画されたマトリクス状に配置された各画素毎に、スイッチングトランジスタやドライビングトランジスタ等の駆動用ＴＦＴを介して上記の有機ＥＬ素子９，９’が接続されている。そして、データ線や走査線を介して駆動信号が供給されると電極間に電流が流れ、有機ＥＬ素子９，９’の発光層５，５’が発光して基板２の外面側又は封止基板２０’の外面側に光が射出され、その画素が点灯する。
本実施形態の有機ＥＬ装置１０，１０’は、上記第１乃至第３実施形態の構成とすることにより、画素開口部又は画素間部に入射した外光の反射光をほとんど「ゼロ」にすることが可能であるので、有機ＥＬ装置１０，１０’の表示部における「映り込み」を防止することができ、野外などで用いてもコントラストの高い高品質の表示をすることができる。
また、本実施形態の有機ＥＬ装置１０，１０’は、外光の反射光を抑えるための構成部材として透明導電層を形成する必要がないので、従来のブラック・レイアを用いた方法に比べて、製造が極めて容易となり、製造コストを大幅に低減することができる。
図４は本実施形態に係る有機ＥＬ装置を、有機エレクトロルミネッセンス素子を用いたアクティブマトリクス型の表示装置（電気光学装置）に適用した場合の一例を示すものである。
この有機ＥＬ装置Ｓ１は、図１又は図２における基板２，２’上に形成された有機ＥＬ素子９，９’に相当し、回路図である図４に示すように基板上に、複数の走査線１３１と、これら走査線１３１に対して交差する方向に延びる複数の信号線１３２と、これら信号線１３２に並列に延びる複数の共通給電線１３３とがそれぞれ配線されたもので、走査線１３１及び信号線１３２の各交点毎に、画素（画素領域素）ＡＲが設けられて構成されたものである。
信号線１３２に対しては、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン、アナログスイッチを備えるデータ線駆動回路３９０が設けられている。
一方、走査線１３１に対しては、シフトレジスタ及びレベルシフタを備える走査線駆動回路３８０が設けられている。また、画素領域ＡＲの各々には、走査線１３１を介して走査信号がゲート電極に供給される第１のトランジスタ３２２と、この第１のトランジスタ３２２を介して信号線１３２から供給される画像信号を保持する保持容量ｃａｐと、保持容量ｃａｐによって保持された画像信号がゲート電極に供給される第２のトランジスタ３２４と、この第２のトランジスタ３２４を介して共通給電線１３３に電気的に接続したときに共通給電線１３３から駆動電流が流れ込む画素電極３２３と、この画素電極（陽極）３２３と対向電極（陰極）２２２との間に挟み込まれる発光部（発光層）３６０とが設けられている。
このような構成のもとに、走査線１３１が駆動されて第１のトランジスタ３２２がオンとなると、そのときの信号線１３２の電位が保持容量ｃａｐに保持され、該保持容量ｃａｐの状態に応じて、第２のトランジスタ３２４の導通状態が決まる。そして、第２のトランジスタ３２４のチャネルを介して共通給電線１３３から画素電極３２３に電流が流れ、さらに発光層３６０を通じて対向電極２２２に電流が流れることにより、発光層３６０は、これを流れる電流量に応じて発光するようになる。
（電子機器）
上記実施形態の有機ＥＬ装置（電気光学装置）を備えた電子機器の例について説明する。
図５は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図５において、符号１０００は携帯電話本体を示し、符号１００１は上記の電気光学装置を用いた表示部を示している。
図６は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図６において、符号１１００は時計本体を示し、符号１１０１は上記の電気光学装置を用いた表示部を示している。
図７は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図７において、符号１２００は情報処理装置、符号１２０２はキーボードなどの入力部、符号１２０４は情報処理装置本体、符号１２０６は上記の電気光学装置を用いた表示部を示している。
図５から図７に示す電子機器は、上記実施形態の電気光学装置を備えているので、表示部における外光の反射をほとんど「ゼロ」とすることが可能となり、野外などで用いてもコントラストの高い高品質の表示をすることができる。
また、表示部の製造コストを大幅に低減することができるので、電子機器の製造コストを従来のものよりも低減することができる。
なお、本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能であり、実施形態で挙げた具体的な材料や層構成などはほんの一例に過ぎず、適宜変更が可能である。
上記実施形態の有機ＥＬ装置１，１’では、有機ＥＬ素子９，９’を接着層で封止する形態としているが、本発明はこれに限定されるものではなく、陰極７，７’上に接着層を設けずに、陰極７，７’上に空洞を設けた封止形態である所謂缶封止であってもよい。この缶封止構造の場合は、乾燥剤を画素領域以外の部位に配置してもよい。
以上の説明で明らかなように、本発明によれば、発光装置において陽極又は陰極の付近に半反射膜を配置したので、発光装置の表示部位における反射を抑えることができ、表示品質を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
図１は、本発明の第１実施形態に係る有機ＥＬ装置を示す断面図である。
図２は、本発明の第２実施形態に係る有機ＥＬ装置を示す断面図である。
図３は、第１反射光Ｒ１と第２反射光Ｒ２の関係を示す波形図である。
図４は、アクティブマトリクス型の表示装置を示す回路図である。
図５は、本実施形態の電気光学装置を備えた電子機器の一例を示す図である。
図６は、本実施形態の電気光学装置を備えた電子機器の一例を示す図である。
図７は、本実施形態の電気光学装置を備えた電子機器の一例を示す図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【国際調査報告】
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