【事件の表示】
　特願２００６−　５１４４１「荷電粒子ビームのビーム強度分布測定方法及び荷電粒子ビーム装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１９年　９月１３日出願公開、特開２００７−２３４２６３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１８年２月２８日の出願であって、平成２３年８月１５日付けで拒絶理由が通知され、同年１０月１８日付けで意見書が提出されるとともに、同日付けで手続補正書が提出され、同年１１月１１日付けで拒絶理由が通知され、同年１２月２６日付けで意見書が提出されるとともに、同日付けで手続補正書が提出され、その後、平成２４年１月２７日付けで拒絶査定がなされた。これに対して、同年４月２７日に拒絶査定に対する審判請求がなされたものである。また、同年１１月２６日に面接を実施した。
　
第２　本願発明について
１．本願発明
　本願の特許請求の範囲の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成２３年１２月２６日付けの手続補正により補正された、本願の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。
「上面から下面に向かって所定の角度θで細くなる金属マーク上に荷電粒子ビームを走査させて、前記荷電粒子ビームのビーム強度分布を測定する荷電粒子ビームのビーム強度分布測定方法であって、
　ビーム強度分布をパラメータσを用いた誤差関数で近似し、誤差関数のパラメータσをビーム分解能として、１０ｎｍ以下のビーム分解能を得るために、前記金属マークとして、前記所定の角度θが１．５度以下で、前記金属マークの厚さｔが２００ｎｍ以下となるように形成された金属マークを用いることを特徴とする荷電粒子ビームのビーム強度分布測定方法。」
　
２．引用刊行物
（１）原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願前に頒布された刊行物である、特開平１０−１３５１１０号公報（以下「引用文献１」という。）には、以下の事項が記載されている。（下線は、当審が付した。）
（ａ）「【００１８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態の一例につき図面を参照して説明する。
本例は分割転写方式でマスクパターンの転写を行う電子線縮小転写装置用の投影系の結像特性を評価する場合に本発明を適用したものである。
先ず、本例の偏向照明系において、電子銃１０から放出された電子線ＥＢは、第１コンデンサレンズ１１Ａで一度集束された後、第２コンデンサレンズ１１Ｂで再び集束される。第２コンデンサレンズ１１Ｂの近傍にアパーチャ板３１が配置され、アパーチャ板３１の開口を通過した電子線ＥＢは、第１の視野選択偏向器１２Ａによって主にＹ方向に偏向され第３コンデンサレンズ１１Ｃで平行ビームにされた後、第２の視野選択偏向器１２Ｂによって振り戻されてマスク１の１つの小領域（副視野）上の照射領域３３に導かれる。
【００１９】
次に、マスク１を通過した電子線ＥＢは２段の電磁偏向器よりなる偏向器１３Ａにより所定量偏向された上で、投影レンズ１４により一度クロスオーバＣＯを結んだ後、対物レンズ１５及び２段の電磁偏向器よりなる偏向器１３Ｂを介して電子線レジストが塗布されたウエハ５上に集束され、ウエハ５上の所定位置にマスク１の１つの小領域内のパターンを所定の縮小倍率β（例えば１／４）で縮小した像が転写される。
【００２０】
マスク１はマスクステージ１６にＸＹ平面と平行に取り付けられている。マスクステージ１６は転写時には、駆動装置１７によりＸ方向に連続移動し、Ｙ方向にステップ移動する。
ウエハステージ２１は、転写時には駆動装置２２によりマスクステージ１６のＸ軸に沿った連続移動方向とは逆方向へ連続移動可能で、且つＹ方向へステップ移動可能である。Ｘ方向に逆方向としたのは、投影系１４，１５によりマスクパターン像が反転されるためである。但し、ウエハステージ２１は必要に応じてＸ方向、Ｙ方向への連続移動が可能である。
【００２１】
主制御装置１９は、マスクパターンの転写時には、後述の入力装置２４から入力される露光データと、レーザ干渉計１８，２３が検出するマスクステージ１６及びウエハステージ２１の位置情報とに基づいて、視野選択偏向器１２Ａ，１２Ｂ、及び偏向器１３Ａ，１３Ｂによる電子線ＥＢの偏向量を演算すると共に、マスクステージ１６及びウエハステージ２１の動作を制御するために必要な情報（例えば位置及び移動速度）を演算する。
【００２２】マスクステージ１６、及びウエハステージ２１の動作に関する演算結果はドライバ２７，２８にそれぞれ出力される。ドライバ２７，２８は演算結果に従ってステージ１６，２１が動作するように駆動装置１７，２２の動作を制御する。なお、入力装置２４としては、露光データの作成装置で作成した磁気記録情報を読み取る装置、マスク１やウエハ５に記録された露光データをこれらの搬入の際に読み取る装置等適宜選択してよい。
【００２３】さて、
本例の転写装置には、投影系１４，１５の結像特性を評価するための機構が組み込まれている。先ず、ウエハステージ２１上のウエハ５の近傍に、シリコン（Ｓｉ）の単結晶よりなる評価用基板３０が固定され
【００２４】図２は、図１の評価用基板３０及び電子線吸収体３２を示す拡大断面図であり、この図２において、評価用基板３０はウエハステージ２１の上板２１ａに設けられた開口を覆うように、その上板２１ａ上に取り付けられている。評価用基板３０はＸ方向の幅が３ｍｍ程度で、Ｙ方向の幅が２ｍｍ程度の矩形の平板状であり、この平板状の領域が厚さが１００μｍ程度で幅が１００μｍ程度の仕切部３１を挟んで、それぞれ厚さが２μｍ程度で１ｍｍ角程度の大きさの６個のマーク形成領域３６Ａ〜３６Ｆに分割されている。
評価用基板３０は、厚さが１００μｍ程度のシリコン単結晶の基板を、例えばマーク形成領域３６Ａ〜３６Ｆに対応する部分のみを２μｍ程度の厚さまでエッチングすることによって形成できる。
【００２５】
図３は、評価用基板３０上のそれぞれほぼ１ｍｍ角程度のマーク形成領域３６Ａ〜３７Ｆに形成されたマーカ３７Ａ〜３７Ｆを示す。
マーカ３７Ａ〜３７Ｆは厚さが０．０５μｍ程度の金（Ａｕ）の薄膜より形成され、これらのマーカからの反射電子が検出される。
【００２６】具体的に、
第１のマーク形成領域３６Ａの中央部には、
分解能、及び非点収差評価用のＸ軸のマーカ３７Ｂ、及びＹ軸のマーカ３７Ｃが形成されている。
【００２７】なお、
マーカ３７Ａ〜３７Ｆとしては、反射電子線量の多い平均原子番号が４７以上の材料が好適であり、金の他には例えばタングステン（Ｗ）、又は銀（Ａｇ）等が使用できる。
（ｂ）「【００３０】更に
図１において、対物レンズ１５の底面近傍にウエハ側からの反射電子を検出するための反射電子検出器２９が配置され、反射電子検出器２９からの反射電子信号ＲＥは主制御装置１９に供給されている。
【００３１】図４は、本例のマスク１とウエハ５との対応関係を示す斜視図であり、この図４において、マスク１は境界領域としてのストラット３によってＸ方向、及びＹ方向に所定ピッチで矩形の多数の小領域（副視野）２Ａ，２Ｂ，２Ｃ，…に分割され、転写対象の小領域（図２では小領域２Ａ）内の照射領域３３に電子線ＥＢが照射される。電子線転写用のマスク１としては、窒化シリコン（ＳｉＮ）等の薄膜にて電子線の透過部を形成し、その表面に適宜タングステン製の散乱部を設けた所謂散乱マスクと、シリコン製の散乱部に設けた抜き穴を電子線の透過部とする所謂穴空きステンシルマスク等が存在するが、本例では何れでも構わない。」
（ｃ）「【００３５】次に、
本例において投影系１４，１５の結像特性を評価する方法の一例につき図５及び図６を参照して説明する。先ず、本例のマスク１は結像特性の評価用のマスクであり、マスク１上の所定の複数の小領域にはそれぞれ評価用パターンが形成されている。
【００３６】そして、第１の評価用パターン３８Ａは、小領域内の中心を通る十字型の線上に、及び周辺を１周するように微小な矩形の基本パターン３９を一定間隔で多数配置した視野内強度分布評価用のパターンであり、基本パターン３９を投影系１４，１５を介して投影した像３９Ｗ（図５（ｂ）参照）は、図３のマーカ３７Ａと同じ０．２μｍ角程度の孤立パターンである。
【００３７】また、
マスク１上の第２及び第３の評価用パターン３８Ｂ，３８Ｃは、それぞれ小領域内の周辺部及び中心（光軸）を含むように３行×３列でＸ軸の基本パターン４０Ｘ、及びＹ軸の基本パターン４０Ｙを配置した分解能、及び非点収差評価用のパターンであり、基本パターン４０Ｘ及び４０Ｙを投影系１４，１５を介して投影した像４０ＸＷ及び４０ＹＷ（図５（ｃ）及び（ｄ）参照）は、図３のＸ軸のマーカ３７Ｂ、及びＹ軸のマーカ３７Ｃと同じ形状である。
（ｄ）「【００４０】次に、
投影系１４，１５のＸ方向のビーム分解能及び非点収差を評価する際には、図５（ａ）のマスク１のＸ軸の評価用パターン３８Ｂ上に電子線を照射し、評価用パターン３８Ｂの像が投影される領域内に図３の評価用基板３０上のマーク形成領域３６Ｂ内のＸ軸のマーカ３７Ｂを移動する。その後、主制御装置１９では、ウエハステージ２１、及び偏向器１３Ａ，１３Ｂを駆動してその評価用パターン３８Ｂの各基本パターン４０Ｘの像とマーカ３７ＢとをＸ方向に相対走査して、マーカ３７Ｂの位置に対応させて反射電子検出器２９からの反射電子信号ＲＥを取り込む。
【００４１】
図６（ａ）はその基本パターン４０Ｘの像４０ＸＷとマーカ３７ＢとをＸ方向に相対的に走査する様子を示し、図６（ｂ）はその際にマーカ３７ＢのＸ座標（マーカ３７Ｂ側を走査するとした場合の座標）に対応させて得られる反射電子信号ＲＥの一例を示している。
その反射電子信号ＲＥを位置Ｘについて１回微分するとビーム強度分布が得られ、その１回微分信号の立ち上がりの傾き角からビーム分解能が得られる。
（ｅ）
（ｆ）
（ｇ）
（ｈ）
（ｉ）
　
　上記引用文献１の記載事項から、引用文献１には、以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。
　「マスク１上の評価用パターン３８Ｂに電子線を照射し、評価用パターン３８Ｂの基本パターン４０Ｘの像４０ＸＷを評価用基板３０上に投影し、基本パターン４０Ｘの像４０ＸＷと評価用基板３０上の金（ＡＵ）の薄膜より形成されたマーカ３７Ｂとを相対的に走査して得られる反射電子信号ＲＥを１回微分してビーム強度分布を得る方法であって、
　 金（ＡＵ）の薄膜より形成されたマーカ３７Ｂの厚さが０．０５μｍ程度であるビーム強度分布を得る方法。」
　
（２）原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願前に頒布された刊行物である、特開平３−７６２１３号公報（以下「引用文献２」という）には、以下の事項が記載されている。
（ａ）「［従来装置］
　電子線描画装置においては、被加工材を照射する電子線の照射面上における円形状または矩形状の断面径を正確に測定することが必要で、通常は、照射面に設けたマークを垂直に横切るように電子線によって走査偏向し、マークから得られる反射電子線や吸収電子線の検出信号の変化から電子線の断面径を求測定している。
　第４図は、この様な電子線断面径の測定方法を説明するための略図であり、被加工材１の表面上に蒸着された金属マーク２を電子線４が４ａから４ｂのように横切るよう偏向子３に偏向信号が供給される。この偏向時に発生する反射電子は、被加工材１とマーク２の材質が異なるため、電子線検出器５に検出される信号出力は、第５図のような変化を示す。第５図のグラフの横軸は偏向信号（従って加工材９面上における距離）を表しており、縦軸は電子線の検出信号出力強度を表している。第５図の信号波形は、マーク２のエツジ部分がシャープな理想的な状態のものであり、この場合には、信号変化の幅Ｄｉがそのまま電子線の断面径に相当すると判断することができる。しかしながら、第６図に示すように、マーク２のエツジ部が緩やかに傾斜していたり、或いはマークエツジ部に凹凸があってシャープでなかったり、マークエツジ部分と電子線の走査方向とが垂直でなかったりすると、マークエツジ部が一定の幅を有するのと同じ現象が生じ、同じ断面径を有する電子線の偏向で得られる信号波形は、７図に示す信号変化の幅Ｄ２が第５図のＤｌよりも大きなものとなる。この信号変化の幅Ｄ２に（よ、電子線の断面径に基づくもの以外にマーク２のエツジ部における欠陥の影響が加算されることになる。被加工材に形成するマークを、ミクロン以下の領域で正確に直線に形成することは実際には困難なので、前述したような従来方法による測定によっては、正確に電子線の断面径を測定することは出来なかった」（公報第１頁右下欄第１５行〜同第２頁右上欄第１２行）
（ｂ）
　上記記載事項において、特に第４、６図を参照すると、「マーク２」の「エッジ部」の「理想的な状態」が「被加工材１」の表面に垂直であることは明らかである。
　すると、上記引用文献２の記載事項から、引用文献２には、金属マークから得られる反射電子線や吸収電子線の検出信号の変化から電子線の断面径を測定する方法において、金属マークのエッジ部が理想的な状態である垂直なものに比べて、金属マークのエッジ部が傾斜しているものでは、電子線の検出信号出力強度にエッジ部の欠陥の影響が加算され、正確に電子線の断面径を測定できないという技術事項が記載されている。
　
３．対比
　本願発明と引用発明とを対比する。
　引用発明の「電子線」、「評価用基板３０上の金（ＡＵ）の薄膜より形成されたマーカ３７Ｂ」が本願発明の「荷電粒子ビーム」、「金属マーク」に相当する。
　また、引用発明の「マスク１上の評価用パターン３８Ｂに電子線を照射し、評価用パターン３８Ｂの基本パターン４０Ｘの像４０ＸＷを評価用基板３０上に投影し、基本パターン４０Ｘの像４０ＸＷと評価用基板３０上の金（ＡＵ）の薄膜より形成されたマーカ３７Ｂとを相対的に走査」することは、「マーカ３７Ｂ」上に「電子線」を走査させることであるといえる。
　また、引用発明の「反射電子信号ＲＥを１回微分してビーム強度分布を得る方法」が本願発明の「前記荷電粒子ビームのビーム強度分布を測定する荷電粒子ビームのビーム強度分布測定方法」に相当することは明らかである。
　したがって、引用発明の「マスク１上の評価用パターン３８Ｂに電子線を照射し、評価用パターン３８Ｂの基本パターン４０Ｘの像４０ＸＷを評価用基板３０上に投影し、基本パターン４０Ｘの像４０ＸＷと評価用基板３０上の金（ＡＵ）の薄膜より形成されたマーカ３７Ｂとを相対的に走査して得られる反射電子信号ＲＥを１回微分してビーム強度分布を得る方法」は、本願発明の「金属マーク上に荷電粒子ビームを走査させて、前記荷電粒子ビームのビーム強度分布を測定する荷電粒子ビームのビーム強度分布測定方法」に相当する。
　
　してみると、両者は、
「金属マーク上に荷電粒子ビームを走査させて、前記荷電粒子ビームのビーム強度分布を測定する荷電粒子ビームのビーム強度分布測定方法。」で一致し、次の点で相違する。
　
（イ）本願発明では「上面から下面に向かって所定の角度θで細くなる金属マーク」であるのに対して、引用発明では「マーカ３７Ｂ」の側壁の形状が不明である点。
（ロ）本願発明では、「ビーム強度分布をパラメータσを用いた誤差関数で近似し、誤差関数のパラメータσをビーム分解能として、１０ｎｍ以下のビーム分解能を得るために」「所定の角度θ」と「厚さｔ」とを特定の数値範囲に限定しているのに対して、引用発明では単に「厚さ」を特定の数値に限定しているのみである点。
（ハ）本願発明では、「前記金属マークとして、前記所定の角度θが１．５度以下で、前記金属マークの厚さｔが２００ｎｍ以下となるように形成された金属マークを用いる」構成であるのに対して、引用発明では「金（ＡＵ）の薄膜より形成されたマーカ３７Ｂの厚さが０．０５μｍ程度である」構成である点。
　
　４．判断
（１）上記相違点（イ）について検討する。
　引用文献２には、金属マークのエッジ部が垂直なものが理想的な状態であるが、金属マークのエッジ部が傾斜しているものもあるという技術事項が記載されており、また、電子ビームを試料に照射し、反射電子検出器によって電子ビーム反射量を測定し、その反射量の変化量を求めることによって電子照射強度分布を得る方法において、シリコン基板上に金属膜を上面から下面に向かって所定の角度で細くなる構造を有する試料を使用することが、特開平１１−２２４６４２号公報（特に、段落【０００２】〜【０００５】、図９、１０参照）に示されるように周知であるから、引用発明の「マーク３７Ｂ」として、その側壁の形状が上面から下面に向かって所定の角度で細くなる構造であるものを使用することは、当業者には容易である。
　
（２）上記相違点（ロ）について検討する。
　本願発明の「ビーム強度分布をパラメータσを用いた誤差関数で近似し、誤差関数のパラメータσをビーム分解能として、１０ｎｍ以下のビーム分解能を得るために」が本願発明の構成をどのように特定しているかについて検討する。
　本願の明細書段落【００３５】の「マーク側壁角度θが１．５度以下、ドットマーク１０の厚さｔが２００ｎｍ以下に形成されることにより、１０ｎｍ以下のビーム分解能σを得ることができる。」という記載及び平成２４年１１月２６日に行われた面接における確認事項である「θ≦１．５°、ｔ≦２００ｎｍの金属マークであれば、１０ｎｍ以下のビーム分解能が得られる。」（面接記録参照）から、本願発明の「ビーム強度分布をパラメータσを用いた誤差関数で近似し、誤差関数のパラメータσをビーム分解能として、１０ｎｍ以下のビーム分解能を得るために」は、本願発明の「前記金属マークとして、前記所定の角度θが１．５度以下で、前記金属マークの厚さｔが２００ｎｍ以下となるように形成された金属マークを用いる」構成により得られる作用・効果を記載することを意図するものであると解され、本願発明の構成を何ら特定するものではないと認める。
　してみると、上記相違点（ロ）は実質的な相違点ではない。
　
（３）上記相違点（ハ）について検討する。
　まず、本願発明の「前記金属マークとして、前記所定の角度θが１．５度以下で、前記金属マークの厚さｔが２００ｎｍ以下となるように形成された金属マークを用いる」構成において、「所定の角度θが１．５度以下」と「金属マークの厚さｔが２００ｎｍ以下」という２つの数値限定の技術上の意義、特に、臨界的意義について検討する。
（ａ）本願の明細書段落【００２７】の「ドットマーク１０は、上面から下面に向かってマーク側壁角度（所定の角度）θで細くなるように形成され、ドットマーク１０の厚さｔと所定の角度θとの積が、所望する電子ビーム２００のビーム分解能σ以下となるように形成されている。特に、マーク側壁角度θが１．５度以下となるように形成されると好適である。また、ドットマーク１０の厚さｔが２００ｎｍ以下に形成されると好適である。従来、かかるドットマーク１０の厚さｔとマーク側壁角度θとの関係が考慮されていなかったため、ドットマーク１０上に電子ビーム２００を走査した場合にドットマーク１０からの散乱の影響を排除することができなかった。本実施の形態では、ドットマーク１０の厚さｔとマーク側壁角度θとの関係を考慮することで、ドットマーク１０からの散乱の影響を低減、或いは排除することができる。」との記載からは、本願発明の発明特定事項ではない「ドットマーク１０の厚さｔと所定の角度θとの積が、所望する電子ビーム２００のビーム分解能σ以下となるように形成されている」という構成を前提として、「マーク側壁角度θが１．５度以下となるように形成される構成及び「ドットマーク１０の厚さｔが２００ｎｍ以下に形成される」構成が「特に」「好適である」と記載されるのみであって、当該両構成自体に、格別な技術上の意義は見いだせない。
（ｂ）本願の明細書段落【００３５】の「図７に示すように、ドットマーク１０の厚さｔを薄くしていくと、下地のＳｉとの間でのコントラストが劣化し、Ｓ／Ｎ比がとれなくなる。また、例えば、所望するビーム分解能σが１０ｎｍ以下の場合、１０ｎｍ以上となるマーク側壁角度θとマーク厚さｔとの組み合わせでは、分解能不足となってしまう。また、マーク側壁角度θについてもマーク厚さｔが大きくなるに従って精度よく加工できる範囲に限界がある。よって、図７に示すこれらの条件を全て満たす領域がドットマーク１０の使用可能領域となる。」という記載は、「ドットマーク１０の厚さｔを薄くしていくと、下地のＳｉとの間でのコントラストが劣化し、Ｓ／Ｎ比がとれなくなる。」、「例えば、所望するビーム分解能σが１０ｎｍ以下の場合、１０ｎｍ以上となるマーク側壁角度θとマーク厚さｔとの組み合わせでは、分解能不足となってしまう。」及び「マーク側壁角度θについてもマーク厚さｔが大きくなるに従って精度よく加工できる範囲に限界がある。」という３つ要因を挙げて、図７で示される三角形状の領域が「使用可能領域」となることを示していると解される。
　図７を参照すると、該三角形状の領域が、「所定の角度θが１．５度以下」、「金属マークの厚さｔが２００ｎｍ以下」という２つの条件で表現できるとは到底認められず、本願発明の「前記金属マークとして、前記所定の角度θが１．５度以下で、前記金属マークの厚さｔが２００ｎｍ以下となるように形成された金属マークを用いる」構成と「使用可能領域」との関係は認められない。
（ｃ）本願の明細書段落【００３５】の「ここで、図７では、マーク厚みとマーク側壁角度については、任意単位［ａ．ｕ．］で示しているが、上述したドットマーク１０の材料では、いずれを用いた場合でもマーク側壁角度θが１．５度以下、ドットマーク１０の厚さｔが２００ｎｍ以下に形成されると好適である。」という記載について、「任意単位［ａ．ｕ．］」が如何なるものであるのかが不明であって、「マーク側壁角度θが１．５度以下、ドットマーク１０の厚さｔが２００ｎｍ以下」という数値の図７における位置付けが特定できない。さらに、図７には「ドットマーク１０」の材料に関する記載はなく、図７を参照しても、「ドットマーク１０の材料では、（当審註：段落【００２６】に記載された「タングステン（Ｗ）、タンタル（Ｔａ）等の高融点金属や、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）等の重金属」の）いずれを用いた場合でもマーク側壁角度θが１．５度以下、ドットマーク１０の厚さｔが２００ｎｍ以下に形成されると好適である。」とする根拠が見あたらない。
（ｄ）本願の明細書段落【００３５】の「マーク側壁角度θが１．５度以下、ドットマーク１０の厚さｔが２００ｎｍ以下に形成されることにより、１０ｎｍ以下のビーム分解能σを得ることができる。」という記載について、上記（ｂ）、（ｃ）で指摘したことから、「マーク側壁角度θが１．５度以下、ドットマーク１０の厚さｔが２００ｎｍ以下に形成されること」と「１０ｎｍ以下のビーム分解能σを得ることができる。」こととの関係は見いだせない。
（ｅ）本願の明細書段落【００３６】の「マーク側壁角度θが１．５度以下、ドットマーク１０の厚さｔが２００ｎｍ以下の場合、ドットマーク１０の厚さｔと所定の角度θとの積が、０．８程度となるが、実際にはドットマーク１０からの散乱を完全には排除できないので、所望する電子ビーム２００のビーム分解能σが１０ｎｍ以下の場合には、マーク側壁角度θが１．５度以下、ドットマーク１０の厚さｔが２００ｎｍ以下に形成されると好適である。」という記載では、「マーク側壁角度θが１．５度以下、ドットマーク１０の厚さｔが２００ｎｍ以下」が良くない（「実際にはドットマーク１０からの散乱を完全には排除できない」）のか、良い（「好適である」）のかが不明な文章であり、「マーク側壁角度θが１．５度以下、ドットマーク１０の厚さｔが２００ｎｍ以下」の技術上の意義は見いだせない。
（ｆ）本願の明細書段落【００３６】の「Ｓ／Ｎ比がとれる厚さｔでマーク側壁角度θが値０度（すなわち、ドットマーク１０の側壁が上面に対して直角）により近づくほど高いビーム分解能σを得ることができる。」という記載について、「Ｓ／Ｎ比がとれる厚さｔで」は「厚さｔ」に下限値があることを示唆する記載であるから、２００ｎｍという上限値とは無関係であり、また、「マーク側壁角度θが値０度（すなわち、ドットマーク１０の側壁が上面に対して直角）により近づくほど」も１．５度という上限値とは無関係であるから、この記載からも、本願発明の「前記所定の角度θが１．５度以下で、前記金属マークの厚さｔが２００ｎｍ以下となるように形成された」構成の技術上の意義は見いだせない。
　
　上記（ａ）〜（ｆ）で示したように、「所定の角度θが１．５度以下」と「金属マークの厚さｔが２００ｎｍ以下」という２つの数値限定に技術上の意義、特に、臨界的意義は認められない。
　
　以下、上記相違点（ハ）を、「所定の角度θ」と「金属マークの厚さｔ」という２つの観点に分けて検討する。
　まず、本願発明では「所定の角度θが１．５度以下」「となるように形成された」構成であるのに対して、引用発明では「マーカ３７Ｂ」の側壁の角度が不明である点について検討する。
　引用文献２に記載された技術事項から、電子線の検出信号出力強度を正確に測定するには、金属マークの側壁が垂直であることが理想である、つまり、金属マークの側壁の角度が小さい方が電子線の検出信号出力強度をより正確に測定できることは当業者には明らかである
　そして、引用発明においても、「ビーム強度分布」をより正確に測定するという課題が存在することは当業者には明らかであるから、引用発明の「マーカ３７Ｂ」の側壁の角度をより小さくしようとすることは当業者が容易に想到し得ることである。
　また、本願発明の「１．５度」という上限値について、上述のように臨界的意味は見当たらないことを考慮すれば、引用発明の「マーカ３７Ｂ」の側壁の角度をより小さくしようとする際に、その角度を１．５度以下とすることは，当業者が適宜設定し得ることといえる。
　次に、本願発明では「金属マークの厚さｔが２００ｎｍ以下となるように形成された」構成であるのに対して、引用発明では「マーカ３７Ｂの厚さが０．０５μｍ程度である」点について検討する。
　「０．０５μｍ程度」は「２００ｎｍ以下」であるから、この点は相違点ではない。なお、本願発明の「２００ｎｍ」という上限値についても、「金属マークの厚さ」を不必要に厚くする必要はない（十分なＳ／Ｎ比がとれればよい）という技術常識と、上述のように臨界的意味は見当たらないことを考慮すれば、当業者が適宜設定し得ることといえる。
　
　そして、本願発明が奏し得る効果は、引用発明、引用文献２に記載された技術事項及び周知技術から当業者が予測し得る範囲のものであって格別なものではない。
　
　５．むすび
　したがって、本願発明は、引用発明、引用文献２に記載された技術事項及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって結論のとおり審決する。