【事件の表示】
　特願２００４−２７７６０１「記憶素子及びメモリ」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年　４月　６日出願公開、特開２００６−　９３４３２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯
　本願は、平成１６年９月２４日の出願であって、平成２２年６月２９日付けの拒絶理由通知に対して、同年９月２１日に意見書及び手続補正書が提出されたが、平成２３年６月１４日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年９月２１日に審判請求がなされたものである。
　
　
第２．本願発明に対する判断
１．本願発明
　本願の請求項１〜８に係る発明は、平成２２年９月２１日に提出された手続補正書により補正された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜８に記載されている事項により特定されるとおりのものであり、そのうちの請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、その請求項１に記載されている事項により特定される次のとおりのものである。
　
「情報を磁性体の磁化状態により保持する記憶層を有し、
　前記記憶層の上下に、それぞれ中間層を介して磁化固定層が設けられ、
　それぞれの前記中間層がいずれも絶縁層から成り、
　前記記憶層の上下の前記磁化固定層において、それぞれ前記記憶層に最も近い強磁性層の磁化の向きが互いに反対向きであり、
　積層方向に電流を流すことにより、前記記憶層の磁化の向きが変化して、前記記憶層に対して情報の記録が行われ、
　前記記憶層の上下２つの前記中間層は、面積抵抗値に有意差があり、面積抵抗値の高い方の前記中間層により形成された磁気抵抗効果素子の面積抵抗値は５Ωμｍ２〜１５０Ωμｍ２の範囲であり、面積抵抗値の低い方の前記中間層により形成された磁気抵抗効果素子の面積抵抗値は３００ｍΩμｍ２〜３０Ωμｍ２の範囲である
　記憶素子。」
　
２．引用刊行物の表示
　　特開２００４−１９３５９５号公報
　
３．引用例の記載事項と引用発明
３−１．引用例の記載事項
　原査定の根拠となった拒絶の理由に引用された、本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である特開２００４−１９３５９５号公報（以下「引用例」という。）には、「磁気セル及び磁気メモリ」（発明の名称）に関して、図９、図１、図３とともに、次の記載がある（下線は、参考のため、当審で付加したものである。以下、他の刊行物においても同じ。）。
　
ａ．「【特許請求の範囲】
【請求項１】
　
磁化が第１の方向に実質的に固定された第１の強磁性層
　
磁化が前記第１の方向とは反対の第２の方向に実質的に固定された第２の強磁性層
　前記第１の強磁性層と前記第２の強磁性層との間に設けられ、磁化の方向が可変の第３の強磁性層と、
　前記第１の強磁性層と前記第３の強磁性層との間に設けられた第１の中間層と、
　前記第２の強磁性層と前記第３の強磁性層との間に設けられた第２の中間層と、
　を備え、
　前記第１及び第２の強磁性層の間で電流を流すことによりスピン偏極した電子を前記第３の強磁性層に作用させて前記第３の強磁性層の磁化の方向を前記電流の向きに応じた方向に決定可能としたことを特徴とする磁気セル。」
　
ｂ．「【技術分野】
【０００１】
  本発明は、磁気セル及び磁気メモリに関し、特に
スピン偏極した電子を流すことにより書き込みが可能な磁気セル
　
ｃ．「【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
  しかしながら、現在のところ、磁化を反転させるための反転電流は、セルのサイズが１００ナノメータから数１０ナノメータ程度の場合でも、１０ｍＡ〜数ｍＡと極めて大きいという問題がある。つまり、電流による素子破壊を防止し、発熱を防止し、さらに低消費電力化のためには、できるだけ小さな電流で磁化反転するような磁気セル構造が望まれる。
【０００６】
  本発明は、かかる課題の認識に基づいてなされたものであり、その目的は、電流直接駆動による磁化反転の際の反転電流を低減させることができる磁気セル及びそれを用いた磁気メモリを提供することにある。」
　
ｄ．「【発明の効果】
【００３０】
  本発明によれば、微小サイズの磁性体に局所的に低消費電力で磁化を書き込むことができる磁気セルを提供でき、さらには、磁気抵抗効果を用いてその書き込み磁化を読み出すことが可能な磁気セルを提供できる。これらの磁気セルは極めて微小であるために、磁気素子の高密度化、高機能化、さらには磁気素子を含むデバイスの全体サイズ縮小化へ効果大であり産業上のメリットは多大である。」
　
ｅ．「【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
  以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について説明する。
【００３２】
  図１は、本発明の第１の実施の形態にかかる磁気セルの基本的な断面構造を例示する模式図である。この磁気セルは、
磁化Ｍ１、Ｍ２の向きが互いに反平行な２つの磁性固着層（磁性固着層）Ｃ１、Ｃ２
磁性記録層Ａと磁性固着層の間に中間層Ｂ１、Ｂ２を有する
【００３３】
  
電流Ｉを上下の固着層Ｃ１、Ｃ２間に流すことによって
磁性記録層Ａの磁化Ｍの方向を制御することができる。具体的には、電流Ｉの流れる向き（極性）を変えることで磁性記録層Ａの磁化Ｍの向きを反転させることができる。情報を記録させる場合には、磁化Ｍの方向に応じて、「０」と「１」とをそれぞれ割り当てればよい
　……（中略）……
【００３６】
  次に、本発明の磁気セルにおける「書き込み」のメカニズムについて説明する。
【００３７】
  図３は、図１に表した磁気セルにおける「書き込み」のメカニズムを説明するための模
式断面図である。
２つの磁性固着層Ｃ１、Ｃ２を設け、これらの界面を横切るように電流Ｉを流して、磁性記録層Ａに対する書き込みを行う
【００３８】
  まず、図３（ａ）において、
磁化Ｍ１を有する第１の磁性固着層Ｃ１を通過した電子は、磁化Ｍ１の方向のスピンをもつようになり、これが磁性記録層Ａへ流れると、このスピンのもつ角運動量が磁性記録層Ａへ伝達され、磁化Ｍに作用する
第１の磁性固着層の磁化と同じ方向のスピン電子が、磁性記録層Ａに対して２回作用するため、実質的に２倍の書き込み作用が得られる。その結果として、磁性記録層Ａに対する書き込みを従来よりも小さい電流で実施できる
【００３９】
  また、図３（ｂ）は、電流Ｉを反転させた場合を表す。この場合には、
電流Ｉを構成する電子は、まず、第２の磁性固着層Ｃ２の磁化Ｍ２の作用を受けて、この方向（同図において左向き）のスピンを有する。このスピン電子は、磁性記録層Ａにおいてその磁化Ｍに作用する。
　
ｆ．「【００５１】
  次に、本実施形態の磁気セルにおける「読み出し」の方法について説明する。本実施形態の磁気セルにおいて、磁性記録層Ａの磁化Ｍの方向の検出は、各層の磁化の相対的な向きにより電気抵抗が変わる「磁気抵抗効果」を利用して行うことができる。
【００５２】
  図６は、本実施形態の磁気セルの読み出し方法を説明するための概念図である。すなわち、磁気抵抗効果を利用する場合、磁性固着層Ｃ１、Ｃ２のいずれかと磁性記録層との間でセンス電流Ｉを流し、磁気抵抗を測定すればよい。図６においては、第１の磁性固着層Ｃ１と磁性記録層Ａとの間で磁気抵抗を測定する場合を例示したが、これとは逆に、第２の磁性固着層Ｃ２と磁性記録層Ａとの間で磁気抵抗を測定してもよい。
　……（中略）……
【００５５】
  一方、
磁気セルの両端を介してセンス電流を流すことにより磁気抵抗を検出する
磁性固着層Ｃ１、Ｃ２から磁性記録層に作用する電子のスピン偏極度が同一であると、磁性記録層Ａの磁化Ｍがどちらの方向にある場合も、検出される磁気抵抗は、同一になってしまう。そこで、「非対称構造」を採用する必要がある
「【００５６】
  図８は、非対称構造の第１の具体例を表す模式断面図である。
【００５７】
  非対称構造の一例として、磁性固着層Ｃ１、Ｃ２の厚みや材料などを互いに異ならせることにより、磁化Ｍ１、Ｍ２の大きさを変えることができる。図８に表した具体例の場合、第２の磁性固着層Ｃ２を第１の磁性固着層Ｃ１よりも厚く形成することにより、磁性固着層Ｃ２によるスピン依存バルク散乱の寄与をＣ１のそれよりも大きくする。
このようにすれば、磁性固着層Ｃ１、Ｃ２を介してセンス電流を流して「読み出し」を行う場合に、磁性記録層Ａの磁化Ｍの方向に応じて、検出される磁気抵抗が異なる
【００５８】
  但し、図８に表したように第１及び第２の磁性固着層Ｃ１、Ｃ２の厚みを変える代わりに、それらの材料を変えることにより、磁性固着層Ｃ１、Ｃ２によるスピン依存散乱の大きさを変えてもよい。」
　
ｇ．「【００６２】
  図９（ｂ）は、
非対称構造の第３の具体例
中間層Ｂ１、Ｂ２の電気抵抗が互いに異なるものとされている
このためには、中間層Ｂ１、Ｂ２の材料や組成を互いに異なるものとした
【００６３】
  またさらに、中間層Ｂ１、Ｂ２の一方を銅（Ｃｕ）などの導電材料により形成し、他方を絶縁体により形成してもよい。
中間層Ｂ１（あるいはＢ２）を薄い絶縁体により形成すると、いわゆるトンネル磁気抵抗効果（tunneling magnetoresistance effect：ＴＭＲ）が得られ、磁性記録層Ａの磁化の読み出しに際して、大きな再生信号出力を得ることが可能となる
　
ｈ．「【００６４】
  図１０は、非対称構造の第４の具体例を表す模式断面図である。
【００６５】
  すなわち、本具体例の場合、中間層Ｂ２に中間物質層ＩＥが挿入されている。この中間物質層ＩＥは、磁気抵抗効果の増大を起こすためのものである。中間物質層ＩＥとしては
、例えば、不連続な絶縁性の薄膜を挙げることができる。すなわち、ピンホールなどを有する絶縁性の薄膜を中間層に挿入することにより、磁気抵抗効果を増大させることが可能となる。
【００６６】
  このような不連続な絶縁性の薄膜としては、例えば、ニッケル（Ｎｉ）と銅（Ｃｕ）の合金の酸化物または窒化物、ニッケル（Ｎｉ）と金（Ａｕ）の合金の酸化物または窒化物、アルミニウム（Ａｌ）と銅（Ｃｕ）の合金の酸化物または窒化物などを挙げることができる。」
　
ｉ．「【０１２９】
  一方、中間層Ｂ１、Ｂ２の材料としては、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、ルテニウム（Ｒｕ）あるいはこれらのいずれか一種以上を含む合金をはじめとし、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、シリコン（Ｓｉ）及び鉄（Ｆｅ）よりなる群から選択された少なくともいずれかの元素を含む酸化物あるいは窒化物、フッ化物からなる絶縁体を用いることができる。導電層の場合には、酸素等の異種元素が添加されていてもよい。また、異種元素が不連続な高電気抵抗薄膜を形成していてもよい。さらに、絶縁層の場合には磁性固着層ホールが形成され、そこに磁性層が進入していてもよい。
【０１３０】
  また、
中間層Ｂ１、Ｂ２の材料としては、いずれもノーマル（normal）タイプの磁気抵抗効果が得られるもの、または、いずれもリバース（reverse）タイプの磁気抵抗効果が得られるものを用いる
【０１３１】
  
本発明においては、いずれか一方がノーマルタイプで他方がリバースタイプとなるものを用いることは望ましくない
【０１３２】
  すなわち、リバースタイプの場合には、ノーマルタイプと逆向きのスピンが伝導に寄与する（トンネリングも含む）。このため、中間層の両側の磁性層の磁化が反平行時に抵抗が小さくなる。しかし、このように反平行の電子がトンネルに寄与すると、書き込み方向は、ノーマルタイプの場合とは逆になる。よって、磁性固着層Ｃ１（またはＣ２）から磁性記録層Ａに向けて電流を流すと、磁性記録層Ａの磁化は、磁性固着層Ｃ１（またはＣ２）の磁化に対して反平行となる。また、磁性記録層Ａから磁性固着層Ｃ１（またはＣ２）に向けて電流を流すと、磁性記録層Ａの磁化は磁性固着層Ｃ１（またはＣ２）の磁化に対して平行になる。このため、本発明においては、両側の磁性層との組合せで２つの中間層Ｂ１、Ｂ２のいずれか一方をノーマルタイプとし、いずれか他方をリバースタイプとして
も効果が得られない。つまり、
本発明においては、両端の磁性固着層Ｃ１、Ｃ２の磁化を反平行配置とし、磁性層及び中間層の材料を適宜組み合わせることにより、中間層Ｂ１を介した磁気抵抗効果と中間層Ｂ２を介した磁気抵抗効果がいずれもノーマルタイプ、あるいはいずれもリバースタイプとなるように構成することが必要である
　……（中略）……
【０１３４】
  中間層Ｂ１、Ｂ２の材料としてこれらの材料を用い、両側に配置される磁性固着層Ｃ１、Ｃ２、磁性記録層Ａの材料として、Ｃｏ，Ｆｅ，Ｎｉ、またはＣｏＦｅやＮｉＦｅなどのこれらおよびＭｎ，Ｃｒのいずれかを含む合金、あるいはＣｏＦｅＢ、ホイスラー合金などのいわゆる金属系強磁性体を組み合わせることで、磁性固着層Ｃ１と磁性記録層Ａとの間、および磁性固着層Ｃ２と磁性記録層Ａとの間でノーマルタイプの磁気抵抗効果が得られる。
　……（中略）……
【０１３６】
  なお、
リバースタイプの磁気抵抗効果を得るための中間層Ｂ１、Ｂ２の材料としては、酸化タンタル（Ｔａ‐Ｏ）などを挙げることができる
酸化タンタルの中間層Ｂ１、Ｂ２と組み合わせることでリバースタイプタイプの磁気抵抗効果が得られる
　
ｊ．「【０１５７】
    （第１の実施例）
  図２９（ａ）は、本実施例の磁気セルの要部断面構造を表す模式図であり、同図（ｂ）は、比較例の磁気セルの要部断面構造を表す模式図である。
【０１５８】
  すなわち、本実施例の磁気セル（サンプルＩ）は、電極ＥＬ１、
磁性固着層Ｃ１、中間層Ｂ１、磁性記録層Ａ、中間層Ｂ２、磁性固着層Ｃ２
が積層された構造を有する
　
    サンプルＩ：  ＥＬ１（Ｃｕ）／Ｃ１（Ｃｏ：２０ｎｍ）／Ｂ１（Ｃｕ：１０ｎｍ）
／Ａ（Ｃｏ：３ｎｍ）／Ｂ２（Ｃｕ：６ｎｍ）／Ｃ２（Ｃｏ：２０ｎｍ）／ＥＬ２（Ｃｕ）
　
    サンプルＩＩ：  ＥＬ１（Ｃｕ）／Ａ（Ｃｏ：３ｎｍ）／Ｂ（Ｃｕ：６ｎｍ）／Ｃ（Ｃｏ：２０ｎｍ）／ＥＬ２（Ｃｕ）
　
  これらの積層構造は、超高真空スパッタ装置によって下側の電極ＥＬ２の上に形成した。そして、さらにその上に、図示しないタンタル（Ｔａ）保護膜を形成してから、レジストを塗布しＥＢ（electron beam）露光してマスクを形成したのち、イオンミリングで加工した。セルの加工サイズは１００ｎｍ×５０ｎｍである。
　……（中略）……
【０１６１】
    （第２の実施例）
  次に、本発明の第２の実施例として、図１５に表した構造の磁気セルの実施例について説明する。なお、本実施例においては、図１５の上下を逆さにした積層構造の磁気セルを試作した。
【０１６２】
  まず、超高真空スパッタ装置を用いて、ウェーハ上にタンタル（Ｔａ）と銅（Ｃｕ）からなる下側電極ＥＬ１を形成したのち、その上にＰｔＭｎ２０ｎｍ（反強磁性層ＡＦ１）、ＣｏＦｅ５ｎｍ（磁性層ＦＭ）、Ｒｕ１ｎｍ（非磁性層ＡＣ）、ＣｏＦｅ２ｎｍ（磁性固着層Ｃ１）、Ｃｕ３ｎｍ（中間層Ｂ１）、ＣｏＦｅ２ｎｍ（磁性記録層Ａ）、Ｃｕ３ｎｍ（中間層Ｂ２）、ＣｏＦｅ４ｎｍ（磁性固着層Ｃ２）、ＰｔＭｎ２０ｎｍ（反強磁性層ＡＦ２）を形成した。さらに、この上に、銅（Ｃｕ）とタンタル（Ｔａ）からなる積層膜を形成した。
【０１６３】
  このウェーハを磁場中真空炉にて、２７０℃で１０時間、磁場中アニールして、一方向異方性を付与した。この時点でウェーハの一枚を取り出し、振動試料型磁束計（ＶＳＭ）により磁化の印加磁場依存性のヒステリシスループ測定を行い、Ｃ１とＣ２の反平行磁化固着を確認した。この膜に対し、ＥＢレジストを塗布してＥＢ露光したのち、リフトオフで所定の形状のマスクを形成した。次に、イオンミリング装置によりマスクに被覆されない領域をエッチングした。ここで、エッチング量の把握は、スパッタされた粒子を作動排気による四重極分析器に導入して質量分析することで、正確に把握することができる。
【０１６４】
  エッチング後、マスクを剥離し、さらにＳｉＯ２を成膜し、表面をイオンミリングにより平滑化し、タンタル（Ｔａ）面を露出させる「頭だし」の工程を行なった。このタンタル面の上に、上側の電極を形成した。このようにして図６相当の素子を作成した。
　……（中略）……
【０１６６】
    （第３の実施例）
  第２実施例と同様のプロセスを用い、図１６に表した構造の磁気セルを試作した。但し、本実施例においても、図１６の上下を逆さにした積層構造の磁気セルを試作した。各層の材料と膜厚は、以下の如くである。
　……（中略）……
  この構造においても、第２実施例に関して前述したものと同様のプロセスによって、磁性固着層Ｃ１、Ｃ２の磁化の方向を反平行に固着することができた。」
　
ｋ．「【０１６７】
    （第４の実施例）
  次に、本発明の第４の実施例として、２つの中間層Ｂ１、Ｂ２に非対称性を付与して磁気抵抗効果の検出が容易となるようなサンプル群（サンプルＩＩからサンプルＶ）を作製し、中間層が対称なサンプル（サンプルＩ）とともにその電流駆動磁化反転に伴う抵抗変化率を評価し、比較検討した。各サンプルの磁気セル中心部の構成は以下の如くである。
　
  サンプルＩ：    Ｃ１（ＣｏＦｅ：１０ｎｍ）／Ｂ１（Ｃｕ：８ｎｍ）／Ａ（ＣｏＦｅ：３ｎｍ）／Ｂ２（Ｃｕ：８ｎｍ）／Ｃ２（ＣｏＦｅ：１０ｎｍ）
　
  サンプルＩＩ：  Ｃ１（ＣｏＦｅ：１０ｎｍ）／Ｂ１（Ｃｕ：８ｎｍ）／Ａ（ＣｏＦｅ：３ｎｍ）／Ｂ２（Ｃｕ：４ｎｍ）／Ｃ２（ＣｏＦｅ：１０ｎｍ）
　
  サンプルＩＩＩ：  Ｃ１（ＣｏＦｅ：１０ｎｍ）／Ｂ１（Ｃｕ：８ｎｍ）／Ａ（ＣｏＦｅ：３ｎｍ）／Ｂ２（Ｃｕ：２ｎｍ）／ＩＥ（Ａｌ−Ｃｕ−Ｏ：０．６ｎｍ）／Ｂ２（Ｃｕ：２ｎｍ）／Ｃ２（ＣｏＦｅ：１０ｎｍ）
　
  サンプルＩＶ：  Ｃ１（ＣｏＦｅ：１０ｎｍ）／Ｂ１（Ｃｕ：８ｎｍ）／Ａ（ＣｏＦｅ：３ｎｍ）／Ｂ２（Ａｌ２Ｏ３−ＣｏＦｅ：３ｎｍ）／Ｃ２（ＣｏＦｅ：１０ｎｍ）
　
  サンプルＶ：  Ｃ１（ＣｏＦｅ：２０ｎｍ）／Ｂ１（Ｃｕ：８ｎｍ）／Ａ（ＣｏＦｅ：３ｎｍ）／Ｂ２（Ｃｕ：８ｎｍ）／Ｃ２（Ｃｏ：２ｎｍ）
　
  ここでサンプルＩは中間層Ｂ１、Ｂ２が対称なもの、サンプルＩＩは中間層Ｂ１、Ｂ２の膜厚が非対称性されたもの（図９（ａ））、サンプルＩＩＩは片方の中間層Ｂ２に極薄の酸化物層（ＩＥ）が添加されたもの（図１０）、サンプルＩＶは片方の中間層Ｂ２がアルミナとＣｏＦｅの同時蒸着によりアルミナ中にＣｏＦｅを析出させて磁性体の微小接点を形成したもの（図１１）、サンプルＶは磁性固着層Ｃ１、Ｃ２の厚さと組成に非対称性を有するもの（図８）である。
【０１６８】
  なお、サンプルＩＶでは、接点部の格子整合をとるためのアニールを行った。また、それぞれのサンプルの下側にはＰｔＭｎ層／ＣｏＦｅ層／Ｒｕ層を設け、上側にはＰｔＭｎ層を設けて、第２実施例と同様の方法で２つの固着層Ｃ１、Ｃ２の磁化を反平行に固着した。
【０１６９】
  得られたサンプルに対して、電流をスイープさせ、磁性記録層Ａの磁化反転に伴う抵抗変化を求めた。その結果は、以下の如くである。
　
          サンプル番号     抵抗変化率
          サンプルＩ      ＜０．１％
          サンプルＩＩ      ０．４％ 
          サンプルＩＩＩ    ５．０％ 
          サンプルＩＶ        ２０％ 
          サンプルＶ        ０．６％
　
  この結果から、
非対称性を持たせると検出効率が高くなり、特に中間層Ｂ１、Ｂ２に非対称性を付与した場合に信号検出感度が高くなる
　
３−２．引用発明
　前記ａ〜ｋの記載を総合すると、引用文献１には、次の発明（以下「引用発明」という。）が開示されている。
「磁化Ｍの方向を制御することで、「０」または「１」の情報を保持する磁性記録層Ａを有し、
　磁化Ｍ１、Ｍ２の向きが互いに反平行な２つの磁性固着層Ｃ１及び磁性固着層Ｃ２が設けられ、
　前記磁性記録層Ａと前記磁性固着層Ｃ１の間、及び、前記磁性記録層Ａと前記磁性固着層Ｃ２の間に、それぞれ、中間層Ｂ１及び中間層Ｂ２を有して、
　上から、前記磁性固着層Ｃ１、前記中間層Ｂ１、前記磁性記録層Ａ、前記中間層Ｂ２、前記磁性固着層Ｃ２の順で積層された構造を有しており、
　前記中間層Ｂ１あるいは前記中間層Ｂ２は、薄い絶縁体により形成され、
　２つの前記磁性固着層Ｃ１、Ｃ２の界面を横切るように、前記磁性固着層Ｃ１、Ｃ２間に流す電流Ｉの流れる向きに応じて、前記電流Ｉを構成する電子が前記磁化Ｍ１ないし前記磁化Ｍ２の方向のスピンを持つようになり、このスピン電子が前記磁性記録層Ａの磁化Ｍに作用することで、前記磁性記録層Ａに対する書き込みが行われ、
　前記中間層Ｂ１、Ｂ２の材料や組成を互いに異なるものとしたことにより、前記中間層Ｂ１、Ｂ２の電気抵抗が互いに異なる非対称構造とした、
　スピン偏極した電子を流すことにより書き込みが可能な磁気セル。」
　
４．対比
４−１．本願発明と引用発明との対比
　次に、本願発明と引用発明とを対比する。
　
　引用発明の「磁性記録層Ａ」は、本願発明の「磁性体」に相当するとともに「記憶層」に相当し、引用発明の「磁性記録層Ａ」の「磁化Ｍの方向」は、本願発明の「磁性体の磁化状態」に相当する。したがって、引用発明の「磁化Ｍの方向を制御することで、「０」または「１」の情報を保持する磁性記録層Ａ」は、本願発明の「情報を磁性体の磁化状態により保持する記憶層」に相当する。
　
　引用発明において、「磁性固着層Ｃ１及び磁性固着層Ｃ２」が「前記磁性固着層Ｃ１、前記中間層Ｂ１、前記磁性記録層Ａ、前記中間層Ｂ２、前記磁性固着層Ｃ２の順で積層された」ことは、本願発明において、「前記記憶層の上下に、それぞれ中間層を介して磁化固定層が設けられ」たことに相当する。
　
　引用発明において、「前記中間層Ｂ１あるいは前記中間層Ｂ２は、薄い絶縁体により形成され」たことと、本願発明において、「それぞれの前記中間層がいずれも絶縁層から成」ることとは、それぞれの中間層の少なくとも１つが絶縁層から成る点で共通する。
　
　引用発明において、「上から、前記磁性固着層Ｃ１、前記中間層Ｂ１、前記磁性記録層Ａ、前記中間層Ｂ２、前記磁性固着層Ｃ２の順で積層され」ているから、「前記磁性固着層Ｃ１」は「前記磁性記録層Ａ」の上側の最も近い強磁性層であり、「前記磁性固着層Ｃ２」は「前記磁性記録層Ａ」の下側の最も近い強磁性層であることは、前記「３−１．引用例の記載事項」の項のａの「磁化が第１の方向に実質的に固定された第１の強磁性層」と「磁化が前記第１の方向とは反対の第２の方向に実質的に固定された第２の強磁性層」との記載から明らかである。
　したがって、引用発明の「２つの磁性固着層Ｃ１及び磁性固着層Ｃ２」の「磁化Ｍ１、Ｍ２の向きが互いに反平行」であることは、本願発明の「前記記憶層の上下の前記磁化固定層において、それぞれ前記記憶層に最も近い強磁性層の磁化の向きが互いに反対向きであ」ることに相当する。
　
　引用発明において、「前記磁性固着層Ｃ１、前記中間層Ｂ１、前記磁性記録層Ａ、前記中間層Ｂ２、前記磁性固着層Ｃ２の順で積層され」た、「前記磁性固着層Ｃ１、Ｃ２間」に「電流Ｉ」を「流す」ことは、本願発明において、「積層方向に電流を流す」ことに相当する。
　したがって、引用発明において、「２つの前記磁性固着層Ｃ１、Ｃ２の界面を横切るように、前記磁性固着層Ｃ１、Ｃ２間に流す電流Ｉの流れる向きに応じて、前記電流Ｉを構成する電子が前記磁化Ｍ１ないし前記磁化Ｍ２の方向のスピンを持つようになり、このスピン電子が前記磁性記録層Ａの磁化Ｍに作用することで、前記磁性記録層Ａに対する書き込みが行われ」ることは、本願発明において、「積層方向に電流を流すことにより、前記記憶層の磁化の向きが変化して、前記記憶層に対して情報の記録が行われ」ることに相当する。
　
　引用発明において、「前記中間層Ｂ１、Ｂ２の材料や組成を互いに異なるものとしたことにより、前記中間層Ｂ１、Ｂ２の電気抵抗が互いに異なる」ことと、本願発明において、「前記記憶層の上下２つの前記中間層は、面積抵抗値に有意差があり、面積抵抗値の高い方の前記中間層により形成された磁気抵抗効果素子の面積抵抗値は５Ωμｍ２〜１５０Ωμｍ２の範囲であり、面積抵抗値の低い方の前記中間層により形成された磁気抵抗効果素子の面積抵抗値は３００ｍΩμｍ２〜３０Ωμｍ２の範囲である」こととは、記憶層の上下２つの中間層は、抵抗値に有意差がある点で共通する。
　
　そして、引用発明の「スピン偏極した電子を流すことにより書き込みが可能な磁気セル」は、本願発明の「記憶素子」に相当する。
　
４−２．一致点及び相違点
　そうすると、本願発明と引用発明との一致点及び相違点は、次のとおりとなる。
　
《一致点》
「情報を磁性体の磁化状態により保持する記憶層を有し、
　前記記憶層の上下に、それぞれ中間層を介して磁化固定層が設けられ、
　それぞれの前記中間層の少なくとも１つが絶縁層から成り、
　前記記憶層の上下の前記磁化固定層において、それぞれ前記記憶層に最も近い強磁性層の磁化の向きが互いに反対向きであり、
　積層方向に電流を流すことにより、前記記憶層の磁化の向きが変化して、前記記憶層に対して情報の記録が行われ、
　前記記憶層の上下２つの前記中間層は、抵抗値に有意差がある、
　記憶素子。」
　
《相違点１》
　本願発明は、「それぞれの前記中間層がいずれも絶縁層から成」るのに対して、引用発明は、「前記中間層Ｂ１あるいは前記中間層Ｂ２は、薄い絶縁体により形成され」る点。
　
《相違点２》
　本願発明は、「前記記憶層の上下２つの前記中間層は、面積抵抗値に有意差があり、面積抵抗値の高い方の前記中間層により形成された磁気抵抗効果素子の面積抵抗値は５Ωμｍ２〜１５０Ωμｍ２の範囲であり、面積抵抗値の低い方の前記中間層により形成された磁気抵抗効果素子の面積抵抗値は３００ｍΩμｍ２〜３０Ωμｍ２の範囲である」のに対して、引用発明は、「前記中間層Ｂ１、Ｂ２の材料や組成を互いに異なるものとしたことにより、前記中間層Ｂ１、Ｂ２の電気抵抗が互いに異なる」点。
　
５．当審の判断
５−１．相違点１についての検討
　　ア．審判請求人は、審判請求書において、「引用文献１には、中間層をいずれも絶縁層とすることにより、スピン流の減衰を抑えて記憶層の磁化反転を効率良く行うことができることは、記載も示唆もありません。」と主張している。
　しかしながら、引用例には、前記「３−１．引用例の記載事項」の項において「ｉ．」で摘記したとおり、「中間層Ｂ１、Ｂ２の材料としては、いずれもノーマル（normal）タイプの磁気抵抗効果が得られるもの、または、いずれもリバース（reverse）タイプの磁気抵抗効果が得られるものを用いることが望ましい。」、「本発明においては、いずれか一方がノーマルタイプで他方がリバースタイプとなるものを用いることは望ましくない。」と記載され、「中間層Ｂ１を介した磁気抵抗効果と中間層Ｂ２を介した磁気抵抗効果」をいずれもリバースタイプとさせるために、「リバースタイプの磁気抵抗効果を得るための中間層Ｂ１、Ｂ２の材料としては、酸化タンタル（Ｔａ‐Ｏ）など」を用いることで、「磁性固着層Ｃ１、Ｃ２および磁性記録層Ａの材料として、前記したいわゆる金属系強磁性体を用いた場合、酸化タンタルの中間層Ｂ１、Ｂ２と組み合わせることでリバースタイプタイプの磁気抵抗効果が得られる。」ことが記載されている。
　ここで、前記「酸化タンタル」が絶縁体であることは、技術常識である。
　すなわち、引用例には、前記「中間層Ｂ１を介した磁気抵抗効果と中間層Ｂ２を介した磁気抵抗効果」をいずれも「リバースタイプ」とさせるために、前記「中間層Ｂ１」と前記「中間層Ｂ２」とを、いずれも、前記「酸化タンタル（Ｔａ‐Ｏ）など」という絶縁体の「層」で形成することが記載されている。
　そして、引用例の上記の各記載から、「前記中間層Ｂ１、Ｂ２の材料や組成を互いに異なるものとしたことにより、前記中間層Ｂ１、Ｂ２の電気抵抗が互いに異なる非対称構造とした」引用発明の「磁気セル」においても、「中間層Ｂ１」と「中間層Ｂ２」とを、いずれも、「酸化タンタル（Ｔａ‐Ｏ）など」という絶縁体の「層」で形成することが、引用例に記載、または、少なくとも示唆されていると認められる。
　
　したがって、相違点１は実質的な相異点ではない。
　
５−２．相違点２についての検討
　　ア．本願明細書には、段落【００４４】に、「この高抵抗側の磁気抵抗効果素子の面積抵抗値ＲＡ（Ωμｍ２）は、５Ωμｍ２〜１５０Ωμｍ２の範囲であることが望ましい。」、「面積抵抗値ＲＡが５Ωμｍ２以下である場合には、充分な磁気抵抗効果を得られるように絶縁層の膜厚を薄くすると、ピンホール形成が頻発することになり、均一な絶縁層を安定して得ることができない。」及び「また、面積抵抗値ＲＡが１５０Ωμｍ２以上である場合には、抵抗値が高くなり過ぎるため、記憶層の磁化の向きを反転させるための最小電流値（反転電流値）が高くなる。そのため、反転電流値以上の電流を流すと、絶縁層の絶縁耐圧を超えて、絶縁層が破壊されてしまう。」と記載されている。
　また、同段落【００４５】には、「この低抵抗側の磁気抵抗効果素子の面積抵抗値ＲＡ（Ωμｍ２）は、３００ｍΩμｍ２〜３０Ωμｍ２の範囲が望ましい。」、「面積抵抗値ＲＡが３００ｍΩμｍ２以下である場合には、酸化或いは窒化の度合いが小さ過ぎて、金属的になってしまい、絶縁層としての特性を果たせなくなってしまう。」及び「また、面積抵抗値ＲＡが３０Ωμｍ２以上である場合には、もう一方の高抵抗側の磁気抵抗効果素子の面積抵抗値との差が少なくなるため、磁気抵抗変化の作用が相殺される量が無視できなくなり、記憶素子全体として抵抗変化率が小さくなってしまう。」と記載されている。
　しかしながら、本願明細書の段落【０１０２】の表２及び段落【０１０４】には、サンプルNo.３、７、１０、１３及び１５の各サンプルは、「高抵抗側の磁気抵抗効果素子の面積抵抗値ＲＡ」と「低抵抗側の磁気抵抗効果素子の面積抵抗値ＲＡ」とが、上記段落【００４４】及び【００４５】記載の条件、すなわち、本願発明の条件を満たしているにもかかわらず、「ＴＭＲ比」が不十分である等の理由で「比較例」にすぎないことが示されている。
　また、同表には、サンプルNo.４及び１１の各サンプルは、「素子破壊」を起こしたものの、「素子破壊」を起こさなかった他のサンプルと比較して「第１の面積抵抗値」に大きな差があるため、同表のみからでは、前記「第１の面積抵抗値」の「素子破壊」防止に対する寄与の程度が不明である。
　以上から、本願発明において、面積抵抗値の高い方の中間層により形成された磁気抵抗効果素子の「面積抵抗値が５Ωμｍ２〜１５０Ωμｍ２の範囲」であり、面積抵抗値の低い方の中間層により形成された磁気抵抗効果素子の「面積抵抗値は３００ｍΩμｍ２〜３０Ωμｍ２の範囲」であることに、臨界的な意義が存するとは認められない。
　
　　イ．さて、本願発明のようにトンネル磁気抵抗効果を利用する素子の技術分野において、単位記号が「Ωμｍ２」で表される素子の「抵抗値」、すなわち、前記素子の単位面積当たりの「抵抗値」である「面積抵抗値」は、中間層の材料とともに、該中間層の厚さによって決まることは、以下に示す周知例１〜４に記載されるように、周知の事項にすぎない。
　また、前記素子の抵抗変化率（ＭＲ比）は、前記素子の「面積抵抗値」に依存ないし関連することも、周知例１〜４に記載されるように周知の事項である。そして、周知例１及び２には、大きい抵抗変化率を得るために、前記素子の「面積抵抗値」を特定の範囲に設定することが記載されており（周知例１にあっては「１００Ωμｍ２以下」、周知例２にあっては「１０Ωμｍ２以下」に設定している。）、このことはトンネル磁気抵抗効果を利用する素子の技術分野において周知技術である。
　そして、前記素子の破壊が引き起こされないことを考慮して、前記素子の「面積抵抗値」を「約数Ωμｍ２」に設定することも、以下に示す周知例５に記載され、周知技術である。
　さらに、中間層を酸化タンタルで形成することも、周知例１、３及び５に記載され、トンネル磁気抵抗効果を利用する素子の技術分野において周知慣用の事項にすぎない。
　
　　ウ．一方、引用例には、「磁気セル」の「前記磁性固着層Ｃ１、前記中間層Ｂ１、前記磁性記録層Ａ、前記中間層Ｂ２、前記磁性固着層Ｃ２の順で積層された構造」の製造方法に関して、前記「３−１．引用例の記載事項」の項において「ｊ．」で摘記したとおり、「これらの積層構造は、超高真空スパッタ装置によって下側の電極ＥＬ２の上に形成した。そして、さらにその上に、図示しないタンタル（Ｔａ）保護膜を形成してから、レジストを塗布しＥＢ（electron beam）露光してマスクを形成したのち、イオンミリングで加工した。セルの加工サイズは１００ｎｍ×５０ｎｍである。」と、あるいは、「形成」した「積層膜」に対し「ＥＢレジストを塗布してＥＢ露光したのち、リフトオフで所定の形状のマスクを形成した。」と記載されている。
　すなわち、引用発明の「前記磁性固着層Ｃ１、前記中間層Ｂ１、前記磁性記録層Ａ、前記中間層Ｂ２、前記磁性固着層Ｃ２の順で積層された構造」は、形成した積層膜をイオンミリングでエッチング加工することで製造することが、引用例には記載されている。
　してみれば、引用発明の「中間層Ｂ１」と「中間層Ｂ２」の、それぞれの面積は、基本的には等しいと認められ、このことは、引用例の例えば図１〜図１６に図示されるとおりである。
　したがって、「電気抵抗が互いに異なる」引用発明の「前記中間層Ｂ１、Ｂ２」において、一方の「中間層」の「電気抵抗」が他方の「中間層」の「電気抵抗」より高いのであるから、単位面積当たりの「電気抵抗」値である「面積抵抗値」も、前記一方の「中間層」の方が前記他方の「中間層」より高くなることは、明らかである。
　
　　エ．前記イで指摘したように、大きい抵抗変化率を得るために、トンネル磁気抵抗効果を利用する素子の「面積抵抗値」を例えば「１０Ωμｍ２以下」に設定すること、及び、前記素子の破壊が引き起こされないように、前記素子の「面積抵抗値」を「約数Ωμｍ２」に設定することは、いずれも、周知技術である。
　この点を考慮すれば、「前記中間層Ｂ１、Ｂ２の材料や組成を互いに異なるものとしたことにより、前記中間層Ｂ１、Ｂ２の電気抵抗が互いに異なる非対称構造とした」ことで、一方の「中間層」の「面積抵抗値」を他方の「中間層」の「面積抵抗値」より高くした引用発明の「磁気セル」において、「面積抵抗値」が高い方の「中間層」で形成されるトンネル磁気抵抗効果を利用する素子と、「面積抵抗値」が低い方の「中間層」で形成されるトンネル磁気抵抗効果を利用する素子とのいずれにおいても、各素子の「面積抵抗値」を、例えば「１０Ωμｍ２以下」であって、「約数Ωμｍ２」に該当する数値範囲の中央の値である５Ωμｍ２程度の範囲で設定することは、必要とする抵抗変化率と破壊に対する耐性に応じて各「中間層」の「材料や組成」と厚さを適宜に選択することで、当業者が適宜なし得たものと認められる。
　
　　オ．周知例１：特開２００２−２０４００２号公報
　本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である特開２００２−２０４００２号公報には、「スピントンネル磁気抵抗効果膜及び素子及びそれを用いた磁気抵抗センサー、及び磁気装置及びその製造方法」（発明の名称）に関して、次の記載がある。
ａ．「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気媒体等に記録された情報である磁界強度を信号として読みとるためのスピントンネル磁気抵抗効果素子およびそれに用いるスピントンネル磁気抵抗効果膜に関し、更に詳しくは
小さい外部磁界で大きな出力を実現するスピントンネル磁気抵抗効果膜、スピントンネル磁気抵抗効果素子
　
ｂ．「【００８２】作成したスピントンネル磁気抵抗効果膜を以下に示す。
　……（中略）……
3.
トンネルバリア層Ta-Ox
a.   Sub/CoZrX(1μｍ)/(Ta,Zr,Hf,Ti)(10-100Å)/NiMn(30-400)/CoFe(10-100)/
Ta(3-20)-Ox
b.   Sub/CoZrX(1μｍ)/(Ta,Zr,Hf,Ti)(10-100Å)/PdMn(30-400)/CoFe(10-100)/
Ta(3-20)-Ox
c.   Sub/CoZrX(1μｍ)/(Ta,Zr,Hf,Ti)(10-100Å)/PtMn(30-400)/CoFe(10-100)/
Ta(3-20)-Ox
　……（中略）……
【００８３】尚、
本発明に於て使用される接合抵抗は、素子サイズを１μｍ角に加工した時の抵抗として規格化したもの
　
ｃ．「【００８９】更に前述の図６を参照すると、この場合、
接合抵抗を１００Ωμｍ
２
以下（μｍ各の素子抵抗で１００Ω以下）とする為には、トンネルバリア層厚は更に薄い１２オングストローム以下とする
トンネルバリア層１２オングストローム以下で、且つ表面平均凹凸５オングストローム以下とすることで、高抵抗変化率と高周波応答特性とを両立出来る
　
　　カ．周知例２：国際公開０３／０９２０８４号
　本願の出願前に外国において頒布された刊行物である国際公開０３／０９２０８４号には、“MAGNETORESISTIVE ELEMENT,MANUFACTURING METHOD THEREOF,MAGNETIC HEAD,MAGNETIC MEMORY,AND MAGNETIC RECORDING DEVICE USING THE SAME”（発明の名称、翻訳：「磁気抵抗効果素子とその製造方法ならびにこれを用いた磁気ヘッド、磁気メモリおよび磁気記録装置」）に関して、次の記載がある。
ａ．「近年、高度通信網が発展するにしたがって、大量の情報を高速に扱うことができるデバイスが求められている。例えば、大容量かつ高速なデバイスとして、
トンネル磁気抵抗効果（ＴＭＲ効果）を利用した
磁気メモリ（ＭＲＡＭ）
　ＴＭＲ効果は、トンネル絶縁層を介して積層された一対の磁性層の磁化方向の相対角度に応じて抵抗値が異なる現象である。この現象を利用した磁気抵抗効果素子（ＴＭＲ素子）では、異方性磁気抵抗効果（ＡＭＲ効果）や巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ効果）を利用した素子に比べて、微小磁界における磁気抵抗変化率（ＭＲ比）が非常に大きい。このため、ＴＭＲ素子を次世代の磁気ヘッドやＭＲＡＭに応用するための開発が盛んに行われている。
　ＴＭＲ素子を構成する各層の厚さは非常に薄く、数ｎｍ〜数十ｎｍのオーダーである。磁気抵抗特性（ＭＲ特性）に優れるＴＭＲ素子とするためには、これら各層の制御が重要になる。なかでも、
トンネル絶縁層の状態が、素子のＭＲ特性に大きな影響を与える
　例えば、ＴＭＲ素子を磁気ヘッドなどのデバイスに応用する場合、
大きなＭＲ比を実現するとともに、素子の接合抵抗値（素子の膜面方向とは垂直な方向に電流を流した場合の単位面積あたりの抵抗値）をできるだけ小さくする（例えば、１０Ω・μｍ
２
以下）ことが好ましい。
接合抵抗値を小さくするためには、例えば、トンネル絶縁層の膜厚を薄くすればよい
　
ｂ．「ＭＲ比を求めるための磁気抵抗の測定は、素子の固定磁性層の磁化容易軸方向と同方向に最大８×１０４Ａ／ｍ（１ｋＯｅ）の外部磁界を印加しながら、直流四端子法を用いて行った。ＭＲ比は、磁気抵抗の測定で得られた最大抵抗値をＲｍａｘ、最小抵抗値をＲｍｉｎとして、次式（１）により算出した。
  ＭＲ比＝｛（Ｒｍａｘ−Ｒｍｉｎ）／Ｒｍｉｎ｝×１００（％）    （１）
  また、
Ｒ
ｍｉｎ
（Ω）×素子面積（μｍ
２
）を素子の接合抵抗値（Ω・μｍ
２
）とした
　
ｃ．「表１に、各サンプルにおけるＸの組成、膜厚とともに、各サンプルにおけるＭＲ比（％）および接合抵抗値（Ω・μｍ２）の結果を示す。」（明細書の第３３頁第２〜３行）
　
ｄ．明細書の第３３頁の表１には、
サンプル１−１、１−２及び１−３の接合抵抗値が、それぞれ、７、６、４（Ω・μｍ
２
）である
　
　　キ．周知例３：特開２００２−３１９７２２号公報
　本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である特開２００２−３１９７２２号公報には、「磁気抵抗効果素子とその製造方法」（発明の名称）に関して、次の記載がある。
ａ．「【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ＴＭＲ素子を、磁気ヘッド、ＭＲＡＭ等の磁気デバイスに用いるためには、磁気記録密度やメモリ実装密度の向上の要請から、素子サイズを小さくすることが望まれる。
素子サイズの減少に伴ってトンネル接合抵抗は上昇するから、単位面積あたりの接合抵抗値
接合抵抗値を低下させる有効な方法の一つはトンネル層の膜厚の減少である。
【０００５】
トンネル層の薄膜化を進めていくと、ＭＲ比も低下する。
　
ｂ．「【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好ましい実施形態について説明する。
【００１１】中間層に含まれるＦ、Ｏ、Ｎ、ＣおよびＢから選ばれた少なくとも１種の元素は、素子の耐熱性向上に効果がある。耐熱性の向上はＭＲ比の向上をもたらす。上記元素は、同時に障壁高さの上昇をもたらすが、本発明では、中間層に、この元素を含む少なくとも３種の元素を含ませることにより、障壁高さ（バリア高さ）を適度に低くした。したがって、高いＭＲ比と低い接合抵抗とが実現できる。
【００１２】中間層は、膜厚方向については絶縁体または半導体として機能し、さらにトンネル層またはホットエレクトロン導電層として機能する。中間層は、磁性層との界面近傍または中間層内部で、量子準位を形成すること、あるいは伝導スピンと混成軌道を形成すること等により、さらにスピンと相互作用する層として用いてもよい。」
　
ｃ．「【００６２】こうして
作製した磁気抵抗効果素子について、
中間層単位面積（１μｍ
２
）あたりの接合抵抗値（ＲＡ）を測定した
　
ｄ．「【００６４】Ａｌ２Ｏ３層については、ＲＡを減少させるために、上記よりも中間層前駆体の膜厚を漸次減少させたサンプルを作製して同様の測定を実施した。表１において、＊を付したサンプルが
他の材料のサンプル
　
ｅ．段落【００６５】の表１−１には、
「中間層」が「Ａｌ
２
Ｏ
３
・Ｔａ
２
Ｏ
５
」のサンプルは、「ＭＲ（％）」が「３８」であり、「ＲＡ（Ωμｍ
２
）」が「１８」である
　
　　ク．周知例４：特表２００２−５２０８８３号公報
　本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である特表２００２−５２０８８３号公報には、「低抵抗磁気トンネル接合」（発明の名称）に関して、次の記載がある。
ａ．「　【０００２】
  
磁気トンネル接合(MJT: Magnetic tunneling junction)構造またはセルは、少なくとも1対の磁性層を有し、これらの間には非磁性および非導電性トンネル層（これらは一般に障壁層と呼ばれる。）が挟まれている。
検出電流に対する抵抗が最大になるのは、1対の磁性層の磁気ベクトルが反平行になるときであり、最少になるのは1対の磁性層の磁気ベクトルが平行になるときである。最大および最少抵抗間の相違は、一般に磁気抵抗比(MR ratio)と呼ばれている
　　　【０００３】
  
ＭＴＪセルの最少抵抗（一般に面積抵抗(areal resistance)と呼ばれる）は、ＭＴＪセルの構造および材料により決定される。
ＭＴＪセルの抵抗を減少させるために使用されている主な方法は、障壁層をより薄く形成する
　
　　ケ．周知例５：国際公開２００４／０２９９７３号
　本願の出願前に外国において頒布された刊行物である国際公開０４／０２９９７３号には、“THERMALLY STABLE MAGNETIC ELEMENT UTILIZING SPIN TRANSFER AND AN MRAM DEVICE USING THE MAGNETIC ELEMENT”（発明の名称、翻訳：「スピントランスファを利用する熱安定性磁性素子およびその磁性素子を用いるＭＲＡＭデバイス」）に関して、次の記載がある。
ａ．“FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to magnetic memory systems, and more particularly to a method and system for providing a more thermally stable element that employs a spin transfer effect in switching and that can be used in a magnetic memory such as magnetic random access memory (MRAM).”（明細書の第１頁第７〜１１行）
　翻訳：「発明の分野
  本発明は磁気メモリシステムに関し、より詳細には、切り替わる際にスピントランスファ効果を利用し、磁気ランダムアクセスメモリ（「ＭＲＡＭ」）のような磁気メモリにおいて用いることができるより熱安定性の高い素子を設けるための方法およびシステムに関する。」
　
ｂ．“The barrier layer 160 is thin enough to allow the tunneling of electrons through the barrier layer 160 and is preferably composed of alumina. In alternate embodiments, the barrier layer 160 may include other dielectric materials including, but not limited to, A1N, Ta2O5, SiO2, HfO2, ZrO2, MgO, MgF2 and CaF2.”（明細書の第１８頁第３〜６行）
　翻訳：「
障壁層１６０は、電子が障壁層１６０を突き抜けることができるようにするほど十分に薄く
障壁層１６０は、限定はしないが
Ｔａ
２
Ｏ
５
を含む
　
ｃ．“During reading, the properties of the spin tunneling junction portion of the magnetic element 100 are preferably exploited. Because of the existence of the insulating barrier 110 and the second pinned layer 112, the spin tunneling portion of the magnetic element 100 dominates the output signal. Although writing to the magnetic element 100 sets the magnetization of the free layer 108 with respect to the first pinned layer 104, the magnetization of the free layer 108 with respect to the second pinned layer 110 dominates the output signal of the magnetic element, both in total resistance and in magnetoresistance changes. Because the magnetoresistance due to the spin tunneling junction portion of the magnetic element 100 is much larger than (preferably at least twenty times) that from spin-valve portion in the CPP configuration, the magnetic element 100 provides a sufficient signal at lower current densities in the CPP configuration.”（明細書の第２０頁第６〜２２行）
　翻訳：「読出し中に、磁性素子１５０のスピントンネル接合部分の特性が利用されることが好ましい。絶縁性障壁１６０および第１のピン止め層１５８が存在することにより、磁性素子１５０のスピントンネル部分が出力信号を支配する。すなわち、磁性素子１５０に書込みを行うことにより、自由層１６２の磁化が第２のピン止め層１６６に対して設定されるが、第１のピン止め層１５８に対する自由層１６２の磁化が、全抵抗および磁気抵抗の変化の両方において、磁性素子の出力信号を支配する。したがって、読出し中に、第１のピン止め層１５８に対する自由層１６２の状態が、第１のピン止め層１５８に対して反平行（高抵抗）であるか、平行（低抵抗）であるかによって、磁性素子１５０の出力が決定される。
磁性素子１５０のためのＲａは約数Ωμｍ
２
であることが好ましい。結果として、磁性素子１５０を破壊することなく、約１０７Ａｍｐｓ／ｃｍ
２
の、より高い電流密度を与えることができる。
　
５−３．検討のまとめ
　以上のとおりであるから、相違点１及び相違点２は格別のものではない。
　したがって、本願発明は、引用発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に想到し得たものと認められる。
　
　
第３．結言
　以上のとおり、本願発明は、引用発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
　したがって、本願は、他の請求項について検討するまでもなく、拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。