【事件の表示】
　特願２００８−１３６７８８「テトラヘドラル・アモルファス・カーボン膜を主体とする磁気記録媒体用保護膜の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２１年１２月　３日出願公開、特開２００９−２８３１０７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本件出願は、平成２０年５月２６日の出願であって、原審において平成２４年９月１８日付けで拒絶査定され、これに対し、平成２４年１２月１７日に審判請求がなされたものであるところ、
　本件出願の請求項１に係る発明は、特許請求の範囲、明細書及び図面の記載からみて、平成２３年１１月２８日付けで補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものである。（以下「本願発明」という。）
　
（本願発明）
「　　【請求項１】
　陰極ターゲットとして微細なグラファイト六角網構造がｓｐ３結合によってランダムに結びつけられたガラス状炭素を用いるフィルタード・カソーディック・アーク法によって磁気記録媒体用保護膜を形成することを特徴とする磁気記録媒体用保護膜の製造方法。」
　
　
２．引用例に記載された発明
Ａ．　原査定の拒絶理由に引用された刊行物である特開２００４−２４４６６７号公報（以下、「引用例１」という。）には、「真空アーク蒸着装置および磁気記録媒体」として図面と共に次の記載がある。
　
イ．「【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は真空アーク蒸着装置および磁気記録媒体に関し、特に詳細には、耐摺動部材または耐摩耗部材のコーティングに用いられる硬質被膜を形成するために用いられる真空アーク蒸着装置、および、該硬質被膜および該硬質被膜を保護膜として有する磁気記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】
耐摺動部材または耐摩耗部材のコーティングに用いられる硬質被膜のうち、カーボンを用いたものとしてダイヤモンド・ライク・カーボン（ＤＬＣ）膜がある。ＤＬＣ膜は、表面平滑性に優れ、硬さも大きいことから表面被膜として適している。
【０００３】
そのような硬質被膜を形成するために、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、または真空アーク蒸着法等が用いられてきている。従来の真空アーク蒸着装置の一例であるフィルタード・カソーディック・アーク（ＦＣＡ）蒸着装置の構成例を図１に示す。
【０００４】
図１の構成例において、アーク源Ｓａで発生させた陰極物質プラズマＰを、１／４円弧状に湾曲した磁気フィルター１０を用いて、真空成膜チャンバ１４に収容された被成膜基板１３まで陰極物質プラズマビームＰｂとして誘導し、被成膜基板１３上に陰極物質イオンから膜を形成する。この真空アーク蒸着装置において陰極物質として炭素（グラファイト）を用いた場合、形成される膜は水素を含まず、ｓｐ３結合炭素に富んだ硬さの大きいテトラヘドラル・アモルファス・カーボン（ｔａ−Ｃ）になることが知られている。
【０００５】
磁気フィルター１０はコアパイプ１１およびコアパイプ１１に巻いた電磁石コイル１２から成る。アーク放電時には陰極ターゲット１６からは陰極物質イオンの他にパーティクルも発生する。原理的には磁気フィルター１０は荷電粒子である電子および陰極物質イオンのみを誘導し、パーティクルは誘導しないが、実際には磁気フィルター１０内を反射して成膜面に入り込むパーティクルが存在する。このようにパーティクルが成膜面に流入することは、形成した膜を耐摺動部材または耐摩耗部材の表面被膜として用いる場合に好ましくない。
【０００６】
成膜面へのパーティクルの流入を防ぐ方法として、特許文献１にバッフルが示されている。
【０００７】
【特許文献１】
特開平１１−３３５８３７号公報
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
パーティクルはバッフルに衝突して除去され得るが、その効果は充分とは言えず、より顕著にその効果を得るためには、バッフルの形状を特定化する必要があると考えられる。
【０００９】
本発明の目的は、成膜時における成膜面へのパーティクルの流入をより顕著に低減できる特定形状のバッフルを有するプラズマ誘導手段を備えた真空アーク蒸着装置、および、該真空アーク蒸着装置を用いて成膜される高硬度の被膜を有する磁気記録媒体を提供することである。
」（３−４頁）
　
ロ．「【００１２】
【発明の実施の形態】
（実施形態１）
図１の構成例に示した装置を作製した。
【００１３】
アーク源Ｓａの陰極１６には純度９９．９９９％、直径３０ｍｍ、厚さ３０ｍｍの円柱状のグラファイト（炭素）を用い、これを直流アーク電源Ｅに接続した。また陰極表面に接触させてアーク放電を開始させるためのストライカー１５を設置してある。陰極１６、陽極１７はアーク放電時の加熱を防ぐために水冷式となっている（図示せず）。
【００１４】
磁気フィルター１０は外径７６ｍｍ、内径７０ｍｍ、曲率半径３００ｍｍの１／４円弧状のステンレスパイプ１１と、これをコアとして、線径２ｍｍのポリエステル被覆銅線を巻いた電磁石コイル１２からなる。電磁石コイル１２の単位長さ当たりの巻き数は１０００ターン／ｍである。
【００１５】
ステンレスパイプ１１の内側に、図２に示す通り、アーク放電時に陰極ターゲットから発生し磁気フィルター１０内を反射して成膜面に流入しようとするパーティクルの軌道を遮って、アーク放電により発生したパーティクルが真空成膜チャンバ１４（図１）へ流入することを阻止するための構造（以下、バッフル構造）を作製した。このバッフル構造は、外径６５ｍｍ、内径５０ｍｍ、厚さ０．２ｍｍの平板状のリング部材である薄板２０が、隣り合う薄板２０が互いに平行になるようにして薄板２０の内周部と外周部、円周方向には９０度ずつ４箇所の計８本のワイヤー２１で結合されて並設されたものである。ここでは、隣り合う薄板２０同士の間隔（板厚を考えない場合の間隔、つまりピッチ）は５ｍｍとした。
【００１６】
バッフル構造としては、後述の如く種々の変形例を実施することができる。
【００１７】
このようにして成るバッフル構造は、平板状のリング部材である薄板２０の外周側端面を覆うように、薄板２０とステンレスパイプ１１の間に配置されるシールド材２２とともに磁気フィルター１０の形状に沿って曲げられ、磁気フィルター１０への取り付け、取り外しを内部から自在に行なえるようになっている。シールド材２２には例えばアルミ箔、銅箔等を使用することができる。
【００１８】
磁気フィルター１０内に取り付けた場合、その曲率のため厳密にはバッフル構造の隣り合う薄板２０同士の相対角度は若干変わるが、ほぼ平行を保っている。ここで、平板状のリング部材である薄板２０の材質としてステンレスを用いたが、他の非磁性材料を用いてもよい。
【００１９】
真空成膜チャンバ１４内には直径６５ｍｍのアルミニウムディスクを被成膜基板１３として設置した。また、磁気フィルター１０と被成膜基板１３の間にはシャッター１９が設けられている。
【００２０】
ストライカー１５を陰極１６の表面に接触させてアーク放電を開始した後、シャッター１９を開けて成膜を行った。アーク放電中の陰極電圧は−３０Ｖ、放電電流は１２０Ａであり、磁気フィルター１０の内部磁場は被成膜基板１３に向かう向きで０．０１Ｔとした。また、プラズマビームＰｂをＸ方向のラスターコイル１８およびＹ方向のラスターコイル（図示せず）により走査し、被成膜基板１３全面に膜を形成した。膜厚は５ｎｍとした。
【００２１】
成膜面上のパーティクルを外観検査装置（Ｓｕｒｆａｃｅ  Ｄｅｆｅｃｔ  Ａｎａｌｙｚｅｒ）で評価した。被成膜基板１３の直径６５ｍｍの成膜面に存在する１μｍ以上の粒子をパーティクルとしてカウントした。
【００２２】
図２のバッフル構造を用いた場合、カウントされたパーティクル数は１４００個／面と少なかった。
【００２３】
また、実施形態１と同様の構成において、バッフル構造を修正して、平板状のリング部材である薄板２０として厚さ１．０ｍｍのものを用いた変形例の場合にも、カウントされたパーティクル数は２４００個／面と比較的少なかった。
【００２４】
いずれも、成膜実験を繰り返し行った後には、容易にバッフル構造を取り外して交換することができた。したがって、成膜を多く繰り返すとバッフル構造にパーティクルが溜まって、そのパーティクル低減効果が減少することや、成膜の繰り返しにより溜まったパーティクルが剥離して２次的なパーティクルの発生源となることを未然に防止することができる。
【００２５】
バッフル構造が磁気フィルタ１０の内壁を内側から完全に覆っているため、パーティクルによる磁気フィルター１０の内壁の汚染もなかった。したがって、磁気フィルター１０自体の清掃を別途必要とせず、メンテナンスが容易となる。」（４−６頁）
　
ハ．「【００５９】
（実施形態４）
実施形態１乃至３のいずれかの真空アーク蒸着装置を用い、真空成膜チャンバ１４に収容された磁気記録層まで形成されたディスクを被成膜基板１３として、その上に保護膜を形成して磁気記録媒体を製造することができる。」（９頁）
　
　
　上記引用例１の記載及び関連する図面ならびにこの分野における技術常識を考慮すると、
　まず、引用例１記載の「真空アーク蒸着装置」は、上記イ．【０００３】、【図１】にあるような「フィルタード・カソーディック・アーク（ＦＣＡ）蒸着装置」であって、
　上記イ．【０００１】、ハ．【００５９】によれば、該蒸着装置を用いて「硬質被膜を保護膜として有する磁気記録媒体」を製造しているから、『磁気記録媒体用保護膜の製造方法』の開示があるということができ、引用例には『フィルタード・カソーディック・アーク（ＦＣＡ）蒸着装置によって磁気記録媒体用保護膜を形成することを特徴とする磁気記録媒体用保護膜の製造方法』が記載されている。
　
　また、上記イ．【０００４】、【０００５】、ロ．【００１３】によると、該蒸着装置の「陰極ターゲット１６」としては、「炭素（グラファイト）」が用いられている。
　
　したがって、上記引用例１には以下の発明（以下、「引用発明１」という。）が開示されている。
　
（引用発明１）
「陰極ターゲットとして炭素（グラファイト）を用いるフィルタード・カソーディック・アーク（ＦＣＡ）蒸着装置によって磁気記録媒体用保護膜を形成することを特徴とする磁気記録媒体用保護膜の製造方法」
　
　
Ｂ．　原査定の拒絶理由に引用された刊行物である米国特許第５４０１５４３号明細書（以下、「引用例２」という。）には、「Method for forming macroparticle-free DLC films by cathodic arc discharge」（邦訳：陰極のアーク放電によって巨視的粒子を含まないＤＬＣ膜を形成する方法）として図面と共に次の記載がある。
　なお、下記邦訳は上記米国特許出願の関連公報（特開平７−１８８９１６号公報）によった。
　
イ．「　  　　FIELD OF THE INVENTION
　The present invention relates to a method for producing diamond-like coatings and the coated articles made thereby. 
　　BACKGROUND OF THE INVENTION
　Amorphous carbon films having diamond-like properties of extreme hardness, extremely low electrical conductivity, low coefficients of friction, and optical transparency over a wide range of wavelengths, have widespread applications as optical coatings, low friction, anti-corrosion coatings and wear-resistant coatings and in various other applications such as surface finishing and in semiconductor manufacturing.
　Diamond-like carbon is a non-crystalline, or amorphous, material having two types of carbon-carbon bonds, i.e., hexagonal graphite bonds (sp2) and tetrahedral diamond bonds (sp3). Thus, diamond-like carbon has both limited long range order and two types of short range order.
　Diamond-like carbon may be hydrogenated or non-hydrogenated. Hydrogenated diamond-like carbon is produced from a hydrocarbon gas mixture using various energy sources, e.g., DC discharge, microwave and RF energy, oxyacetylene torches, and hot filaments. Non-hydrogenated diamond-like coatings can be produced using magnetron sputtering, electron beam evaporation, laser ablation and mass filtered carbon-ion beam deposition techniques, each of which has a very low deposition rate. Each method for producing the non-hydrogenated diamond-like carbon produces a hard carbon coating but the coatings have differing sp3 /sp2 bond ratios and, thus, the structural and physical characteristics differ.
　The sp3 /sp2 bond ratio can be estimated from the plasmon energy determined by electron energy loss spectroscopy. The plasmon energy is proportional to the atom density and diamond has a greater atom density and plasmon energy than graphite. Polycrystalline graphite has a plasmon energy loss of about 25 electron volts (eV). Diamond has a plasmon energy loss of about 33 eV. Non-hydrogenated diamond-like carbon has a plasmon energy loss between about 26 and 32 eV, the higher plasmon energies corresponding to higher atom densities which are believed to be due to an increased sp3 bonding component.
　Hydrogen-free non-crystalline diamond-like carbon coatings can also be produced using cathodic arc plasma deposition, a process which provides high deposition rates and allows control over the incident ion kinetic energy and the substrate temperatures. The sp3 /sp2 bond ratio is believed to be dependent on the incident ion kinetic energy. Cathodic arc plasma deposition can produce diamond-like carbon coatings with higher plasmon energies than alternative processes, thus, yielding higher sp3 /sp2 bond ratios.
　A cathodic arc discharge occurs when a high current power source is connected between two sufficiently conductive electrodes and the electrodes are momentarily in contact, either physically or by another discharge. Arc spots form on the cathode surface as the electrodes are separated. These small, luminous regions are often very mobile and move rapidly over the cathode surface. Due to the high current density contained in each spot, rapid ebullition of the cathode material occurs, and this plasma material can be confined, transported using magnetic fields and deposited on substrates. The current density at each spot can reach 100,000 amperes per square centimeter and this contributes to the ionization of much of the outflowing vapor.
　One of the major problems associated with cathodic arc discharges is the production of macroparticles. Macroparticles are droplets or solid particles of the consumable cathode which range in size from about 0.1 micron to greater than about 50 microns, most being between about 0.5 and 20 microns. These macro particles are deposited with the plasma to produce unwanted particles in the final coating. Macroparticle production is particularly undesirable for diamond-like carbon coatings because they are graphite and become embedded in the diamond-like carbon coating. Much attention has been given to the removal of these particles.
U.S. Pat. No. 4,452,686 (Axenov et at.) describes one means of macroparticle removal via filtration. A cylindrically shaped current coil and a central axially mounted, football-shaped coil produce a magnetic field that guides the plasma around the central coil and through the plasma guide system. Macroparticles, which are much heavier than the plasma particles are not guided by the magnetic field and, thus, are blocked by the central coil. Downstream, the plasma macroparticle density is significantly reduced.
　I. I. Aksenov et at., Transport of Plasma Streams in a Curvilinear Plasma Optics System, Soviet Journal Physics, 4(4), July-August 1978, pp. 425-428, describes a vacuum apparatus using curvilinear magnetic and electric fields to steer and focus the plasma and remove macroparticles from the plasma stream.
　Although such filtration means do reduce the macroparticle density in the coatings, they do not completely remove all macroparticles. Typically, the larger macroparticles are filtered, but the submicron particles are not completely filtered. This can occur as the submicron particles bounce around in the vacuum system. This can also result from momentum transfer from the plasma to the particles. Furthermore, plasma filters typically reduce the plasma flux by 30 to 50 percent, leading to reduced deposition rates.」（５頁１欄１１行−２欄４６行）
　
（イ．邦訳：
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ダイヤモンド様の被膜の作製方法及びそれにより作製された被覆製品に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】極度の硬度、極度に低い導電率、低摩擦係数、及び広波長領域に渡る光学的透明度とを持つダイヤモンドのような性質を有する非晶質炭素膜は、光学的被膜、低摩擦、腐食防止被膜及び耐侯性被膜としての用途、及び表面仕上げのような他の種々の用途において、及び半導体の製造において、広く用いられている。
【０００３】ダイヤモンド様の炭素は、非結晶質すなわち非晶質であって、六方晶グラファイト結合（ｓｐ2)及び正方晶ダイヤモンド結合（ｓｐ3)という二つの形式の炭素−炭素結合を持つ物質である。したがって、ダイヤモンド様の炭素は、わずかに長範囲規則性があると同時に二つの形式の短範囲規則性を持っている。ダイヤモンド様の炭素は、水素化している場合としていない場合がある。水素化したダイヤモンド様の炭素は、種々のエネルギー源、例えばＤＣ放電、マイクロ波やＲＦ（高周波）のエネルギー、オキシアセチレンのトーチ、及び熱フィラメントを用いて、炭化水素ガス混合物から製造する。水素化してないダイヤモンド様被膜は、マグネトロンスパッタ、電子ビーム蒸着、レーザー融蝕と質量分析炭素イオンビーム堆積法を用いて生成することができるが、これらはいずれも非常に低い堆積速度である。非水素化ダイヤモンド様の炭素を生成する各方法では、いずれも固い炭素被膜が生成するが、それぞれの被膜はｓｐ3 ／ｓｐ2 結合比率が異なるため、その構造及び物理的性質も相違する。
【０００４】ｓｐ3 ／ｓｐ2 の結合比率は、電子エネルギー損失分光法により決定されるプラズモンエネルギーから見積もることができる。プラズモンエネルギーは原子密度に比例し、ダイヤモンドはグラファイトより大きな原子密度とプラズモンエネルギーを有する。多結晶グラファイトは、約２５エレクトロンボルト（ｅＶ）のプラズモンエネルギー損失がある。ダイヤモンドは約３３ｅＶのプラズモンエネルギー損失がある。非水素化ダイヤモンド様の炭素は、約２６から３２ｅＶのプラズモンエネルギー損失があり、高原子密度に対応するこの高いプラズモンエネルギーは、ｓｐ3 結合する構成要素の増加によると考えられる。
【０００５】水素を含まない非結晶ダイヤモンド様の炭素被膜は、陰極アークプラズマ堆積法を用いて生成することもできる。この方法は、高堆積速度が得られ入射イオン運動エネルギーと基板温度の制御が可能である。ｓｐ3 ／ｓｐ2結合比率は、入射イオン運動エネルギーに依存すると考えられる。陰極アークプラズマ堆積法は、他の処理方法より高いプラズモンエネルギーを有するダイヤモンド様の炭素被膜を生成することができ、したがって、より高いｓｐ3 ／ｓｐ2 結合比率を生じる。
【０００６】大電流電源を二つの高導電性電極間に接続し、物理的に又は他の放電により、電極同士を瞬時に接触させると、陰極アーク放電が生じる。電極間を離すと、陰極表面上にアークスッポトが形成される。これらの小さな発光領域は、多くの場合非常に移動しやすく、陰極表面上を急激に動き回る。個々のスポットは電流密度が高いため、陰極物質の急激な沸騰が起き、このプラズマ物質は閉じ込められ、磁場を用いて輸送され、そして、基板上に堆積されることができる。個々のスポットでの電流密度は平方ｃｍ当たり１００，０００アンペアに達することがあり、これが大量に流出する蒸気をイオン化するのに寄与する。
【０００７】陰極放電に伴う重大な課題の一つは、巨視的粒子の生成である。巨視的粒子は、約０．１μｍから約５０μｍの大きさ、ほとんどが約０．５μｍ〜２０μｍの範囲にある消耗陰極の液体粒子或いは固体粒子である。これらの巨視的な粒子は、生成プラズマとともに堆積し最終的な被膜中に好ましくない粒子をする。巨視的粒子はグラファイトであり、ダイヤモンド様の炭素被膜中に埋め込まれるため、巨視的粒子の生成は、ダイヤモンド様炭素被膜に特に望ましくない。これらの粒子を除去するために、これまで多くの配慮が成されてきた。
【０００８】米国特許第４，４５２，６８６号（Axenov等）には、濾過により巨視的粒子を除去する一手段が記載されている。筒形の電流コイルと中央の軸に設けられたフットボール形のコイルとによって生成した磁場が、中央のコイルを取り囲みこのプラズマ案内組体を貫通してプラズマを案内する。巨視的粒子は、プラズマ粒子より重いので、磁場によって案内されないため、中央コイルによって阻止される。下流では、プラズマ巨視的粒子密度が、著しく減少する。
【０００９】１９７８年７月〜８月号Soviet Jounal Physics 誌４（４）の４２５頁から４２８頁、I.I. Aksenov等の「曲線型のプラズマ光学機器によるプラズマ流の輸送」に記載されている真空装置は、曲線型の磁場及び電場を用いて、プラズマを指向性をもたせて焦点を絞り、プラズマ流から巨視的粒子を取り除く。このような濾過手段は、被膜中の巨視的粒子の密度を非常に減少するが、巨視的粒子を全て完全に取り除けない。典型的には、比較的大きな巨視的粒子は濾過されるが、サブミクロンの粒子は完全には濾過されない。その原因としては、真空機器内でサブミクロン粒子があちこちに跳ね返りを起すことが考えられる。また、プラズマからこれらの粒子への運動量輸送も原因となりうる。さらにその上、プラズマ濾過は、典型的にプラズマ束を３０から５０パーセント減少して、堆積速度の減少をもたらす。」
　
ロ．「        SUMMARY OF THE INVENTION
　The present invention provides a method for producing a diamond-like carbon coating comprising the steps of providing a substrate to be coated, providing a cathode of vitreous carbon or pyrolytic graphite and initiating a cathodic arc discharge with the arc spot on the cathode surface and directing the resulting carbon plasma toward the substrate to form a coating on said substrate, said coating being substantially macroparticle free. The discharge may optionally be carried out in a magnetic field. The present invention overcomes the problem of macroparticles in diamond-like carbon coatings produced using a cathodic arc generator. The method of the present invention produces high quality, non-hydrogenated diamond-like coatings at high deposition rates.
　The present invention utilizes the cathodic arc process to produce non-hydrogenated, non-crystalline, diamond-like carbon coatings and films which are essentially macroparticle free. Unlike the prior art where the removal or filtration of the macroparticles was of prime concern, the present invention utilizes a cathodic arc carbon cathode material which does not generate macroparticles in the plasma discharge.」（５頁２欄４３行−６頁３欄３行）
　
（ロ．邦訳：
【００１０】
【課題を解決するための手段及び作用】本発明は、被覆する基板を設ける工程、ガラス質の炭素又は熱分解グラファイトの陰極を設ける工程、前記陰極上にアークスポットが位置する陰極アーク放電を開始させる工程、及び生じた炭素プラズマを前記基板の方へ向けて実質的に巨視的粒子を含まない被膜を前記基板上に形成する工程を含んで成るダイヤモンド様の炭素被膜を作製する方法を提供する。放電は任意に磁場中で行ってもよい。本発明は、陰極アーク発生器を用いて生成させたダイヤモンド様の炭素被膜における巨視的粒子の課題を克服する。本発明の方法は、高品位で非水素化のダイヤモンド様の被膜を、高堆積速度で生成する。
【００１１】本発明は、実質的に巨視的粒子を含まない、非水素化で非結晶質の、ダイヤモンド様の炭素被膜及び膜を生成するため陰極アークプロセスを利用する。巨視的粒子の除去或いは濾過が主たる関心事であった先行技術とは異なり、本発明は、プラズマ放電中に巨視的粒子を発生しない陰極アーク炭素物質を利用する。）
　
　上記引用例２の記載及び関連する図面ならびにこの分野における技術常識を考慮すると、
上記ロ．邦訳【００１０】にあるように、引用例２には陰極として「ガラス質の炭素又は熱分解グラファイト」を用いる「陰極アーク放電」によって基板上に被膜を形成する方法が記載されている。
　
したがって、上記引用例２には以下の発明（以下、「引用発明２」という。）が開示されている。
　
（引用発明２）
「陰極としてガラス質の炭素又は熱分解グラファイトを用いる陰極アーク放電によって基板上に被膜を形成する方法。」
　
　
３．対比・判断
　本願発明と上記引用発明１を対比する。
　すると、引用発明１の「炭素（グラファイト）」と、本願発明の「グラファイト六角網構造がｓｐ３結合によってランダムに結びつけられたガラス状炭素」とは、少なくとも「炭素」である点で一致する。
　
　また、引用発明１の「フィルタード・カソーディック・アーク（ＦＣＡ）蒸着装置」は、「フィルタード・カソーディック・アーク（ＦＣＡ）法」を実装した装置であることは自明であるから、引用発明１と本願発明は「フィルタード・カソーディック・アーク法」による製造方法の点で一致する。
　
　したがって、本願発明と引用発明１とは、以下の点で一致し、また相違する。
　
（一致点）
「陰極ターゲットとして炭素を用いるフィルタード・カソーディック・アーク法によって磁気記録媒体用保護膜を形成することを特徴とする磁気記録媒体用保護膜の製造方法。」
　
（相違点）
「陰極ターゲット」として用いられる「炭素」に関し、本願発明は「微細なグラファイト六角網構造がｓｐ３結合によってランダムに結びつけられたガラス状炭素」であるのに対して、引用発明１は「炭素（グラファイト）」である点。
　
　当該相違点の「炭素」について検討する。
　すると、引用例２には前記のように、「陰極としてガラス質の炭素又は熱分解グラファイトを用いる陰極アーク放電によって基板上に被膜を形成する方法。」（引用発明２）の記載があり、ここで「陰極」は、被膜の原料である炭素の供給元となる対象物であるから、引用発明１の「陰極ターゲット」に相当する。
　また、引用例１の上記イ．【０００６】、【０００９】には、陰極１６からのパーティクルが成膜面へ流入することを防止することが記載されており、引用例２のイ．邦訳【０００７】、【００１１】には、陰極からの巨視的粒子が被膜に埋め込まれないよう巨視的粒子を発生しないようにすることが記載されており、引用例１及び２は被膜に対するパーティクルの除去という点で共通の課題を有するものである。
　したがって、引用発明１に引用発明２を適用し、引用発明１の「炭素（グラファイト）」を「ガラス質の炭素」すなわち「ガラス状炭素」とすることに、特段の阻害要因は認められない。
　ここで、「ガラス質」、「ガラス状」とは一般に、分子配列がランダムな非晶質（アモルファス）の構造であって、ランダムに種々の結合構造を含むものであるが、
　「ガラス状炭素」（ガラス状カーボン）が微細な「六角網構造」をランダムに結びつけた構造であることは、例えば特開平０５−１３５３４１号公報の【００１５】及び【００２０】や、特開２００１−２８４１１４号公報の【０００６】にあるように周知のことであって、該「六角網構造」が基本的にグラファイトのような、平面上に延びた炭素の３本の「ｓｐ２結合」からなることも技術常識であり、
　また、「ガラス状炭素」（グラッシーカーボン）が、前記「ｓｐ２結合」のほか、立体的（正四面体的：テトラヘドラル）に延びた炭素の４本の「ｓｐ３結合」をも有することも、引用例２の上記イ．邦訳【０００３】のほか、特開平０５−２７１９４１号公報の【００２２】や特開２００３−１４８６３０号公報の【００２３】にもあるように周知のことであるから、
　結局、「ガラス状炭素」において、「ｓｐ２結合」からなる前記「六角網構造」をランダムに結びつける結合が、「ｓｐ３結合」も含んでなるのは当然のことである。
　したがって、「ガラス状炭素」を「微細なグラファイト六角網構造がｓｐ３結合によってランダムに結びつけられたガラス状炭素」とすることは、分子構造の表現と言う程度のことであって格別のことではない。
　よって、「炭素」を「微細なグラファイト六角網構造がｓｐ３結合によってランダムに結びつけられたガラス状炭素」とする本相違点も、引用発明１に引用発明２を適用し、周知技術および技術常識からその結合構造を限定することによって、当業者が適宜なし得る事項にすぎず、格別のことではない。
　
　なお、本願明細書には、「陰極ターゲット」として用いる「ガラス状炭素」が、「微細なグラファイト六角網構造がｓｐ３結合によってランダムに結びつけられた」構造であるとの記載はあるが、それ以外の構造と比較して有利な点は記載されていない。
　つまり、本願明細書には、「ガラス状炭素」として、「微細なグラファイト六角網構造がｓｐ３結合によってランダムに結びつけられた」構造を選択することによる格別の効果は記載されていないので、格別有利な効果も見出せない技術事項に過ぎない。
　
　そして、本願発明の効果も引用発明１、２及び技術常識、周知事項から当業者が容易に予測し得る範囲のものである。
　
　
４．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用発明１、２及び技術常識、周知事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。