(57)【要約】【課題】ハイパワーのプラズマを使用する際のウエハーの温度を低温に維持することができる。【解決手段】セラミックスヒーター１０は、ウエハーを載置可能なウエハー載置面１２ａを有するセラミックスプレート１２と、このセラミックスプレート１２に埋設されたヒーター電極１４と、セラミックスプレート１２のウエハー載置面１２ａとは反対側の面１２ｂに接合され、セラミックスプレート側からセラミックス中実部２２と金属中実部２４とがこの順に接合された中実シャフト２０とを備えたものである。【選択図】図２
0003156031.tif 000002
【実用新案登録請求の範囲】
【請求項１】
ウエハーを載置可能なウエハー載置面を有する窒化アルミニウム焼結体からなるセラミックスプレートと、
該セラミックスプレートに埋設されたヒーター電極と、
前記セラミックスプレートの前記ウエハー載置面とは反対側の面に接合され、前記セラミックスプレート側から窒化アルミニウム焼結体からなるセラミックス中実部とアルミニウム又はアルミニウム合金からなる金属中実部とがこの順に接続されたシャフトと、
を備えたセラミックスヒーター。
【請求項２】
前記シャフトは、前記セラミックス中実部の方が前記金属中実部より短い、
請求項１に記載のセラミックスヒーター。
【請求項３】
前記セラミックス中実部と前記金属中実部とは、それぞれの対向面が面接触するようにクランプにより加圧挟持されている、
請求項１又は２に記載のセラミックスヒーター。
【請求項４】
前記シャフトは、前記ヒータ電極に接続する金属ロッドを挿通するためのロッド挿通孔を有し、該ロッド挿通孔のうち前記金属中実部を通過する部分には前記金属ロッドが挿入される絶縁管が取り付けられている、
請求項１又は２に記載のセラミックスヒーター。
【請求項５】
前記セラミックス中実部は、前記金属中実部と対向する側にフランジを有し、
前記金属中実部は、前記セラミックス中実部と対向する側にフランジを有し、
前記シャフトは、前記セラミックス中実部のフランジに形成された円周溝と前記金属中実部のフランジに形成された円周溝とに嵌め込まれたシールリングを介して、前記セラミックス中実部と前記金属中実部のそれぞれの対向面が面接触するように前記セラミックス中実部と前記金属中実部とがクランプにより加圧挟持されている、
請求項４に記載のセラミックスヒーター。
【考案の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本考案は、セラミックスヒーターに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、半導体製造用の熱ＣＶＤ装置、プラズマＣＶＤ装置、プラズマエッチング装置等においては、ウエハー載置面に載置されたウエハーの温度を調節するセラミックスヒーターが使用されている。例えば特許文献１には、ヒーター電極（抵抗発熱体ともいう）が埋設された窒化アルミニウム質セラミックスプレートの下面中央に、窒化アルミニウム質セラミックス製で中空の筒状シャフトが接合されたセラミックスヒーターが開示されている。
【０００３】
こうしたセラミックスヒーターが使用されるのは、以下の理由による。すなわち、ウエハー載置面に置かれたウエハーにはプラズマからの入熱がある。一方、プラズマはオン／オフするため、常にプラズマからの入熱があるわけではない。また、プラズマからの入熱は、ウエハーを所定温度（数１００℃）まで速やかに上げるには十分大きくない。このため、プラズマだけの加熱にすると、ウエハーの温度が所定温度に達するまでに時間がかかり、スループットが悪くなる。こうしたことから、プラズマがオフ又は低いパワーの場合は、セラミックスヒーターのヒーター電極に電圧を印加してセラミックスプレートを加熱することによって、ウエハーが速やかに所定温度となるようにしたり、ウエハーがその温度で維持されるようにしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００３−２８８９７５号公報
【考案の概要】
【考案が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、将来的には、デバイスの微細化に伴い、デバイス製造のサーマルバジェットが小さくなることから、ハイパワーのプラズマを使用しウエハーの温度を低くするプロセスが考えられている。この場合、特許文献１のような従来のセラミックスヒーターでは、ハイパワーのプラズマからの入熱が大きすぎて、プラズマからの入熱量がウエハーからの放熱量を大きく上回り、ウエハーを所定温度に維持することができなくなるという問題が発生する。すなわち、ウエハーの熱は、セラミックスプレートに伝導したあと、主としてシャフトへの固体熱伝導によって系外へ運び出されるが、ウエハー温度を３５０℃以下に維持するには、従来のセラミックスヒーターでは、中空シャフトを通しての放熱量が低すぎるため、プラズマからの入熱でウエハーの温度が高くなりすぎるという問題が発生する。
【０００６】
本考案はこのような課題を解決するためになされたものであり、ハイパワーのプラズマを使用する際のウエハーの温度を低温に維持することができるセラミックスヒーターを提供することを主目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本考案のセラミックスヒーターは、
ウエハーを載置可能なウエハー載置面を有する窒化アルミニウム焼結体からなるセラミックスプレートと、
該セラミックスプレートに埋設されたヒーター電極と、
前記セラミックスプレートの前記ウエハー載置面とは反対側の面に接合され、前記セラミックスプレート側から窒化アルミニウム焼結体からなるセラミックス中実部とアルミニウム又はアルミニウム合金からなる金属中実部とがこの順に接続されたシャフトと、
を備えたものである。
【０００８】
本考案のセラミックスヒーターでは、セラミックスプレートのウエハー載置面に載置されたウエハーをハイパワーのプラズマを使用して処理する場合に、ウエハーの温度を比較的低温（例えば３５０℃以下）に維持することができる。具体的には、ハイパワーのプラズマを使用すると、プラズマからウエハーへの入熱量が大きくなるが、その熱はセラミックスプレートに伝導したあと、主としてシャフトへの固体熱伝導によって系外へ運び出される。ここで、シャフトは、従来のような中空ではなく中実（中身が詰まっている）のため、伝熱面積的に多くの熱をセラミックスプレートから奪うことが可能である。また、窒化アルミニウム焼結体よりもアルミニウム金属の方が熱伝導率が高く、セラミックス中実部から、より熱伝導率の高い金属中実部を経て系外へ熱を運び出すため、全体がセラミックス中実部で構成されている場合に比べて迅速に系外へ熱を運び出すことができる。
【０００９】
本考案のセラミックスヒーターにおいて、前記シャフトは、前記セラミックス中実部の方が前記金属中実部より短いことが好ましい。こうすれば、ウエハーに溜まった熱をより迅速に系外へ運び出すことができる。
【００１０】
本考案のセラミックスヒーターにおいて、前記セラミックス中実部と前記金属中実部とは、それぞれの対向面が面接触するようにクランプにより加圧挟持されていることが好ましい。こうすれば、セラミックス中実部と金属中実部とをロウ材により化学的に結合する場合に比べて、接合部分での折損などが起きにくいし、対向面同士が直接接触しているためセラミックス中実部から金属中実部への熱の伝導がスムーズになる。
【００１１】
本考案のセラミックスヒーターにおいて、前記シャフトは、前記ヒータ電極に接続する金属ロッドを挿通するためのロッド挿通孔を有し、該ロッド挿通孔のうち前記金属中実部を通過する部分には前記金属ロッドが挿入される絶縁管が取り付けられていることが好ましい。こうすれば、金属ロッドがシャフトの金属中実部に接触し漏電してしまうのを防止することができる。こうした本考案のセラミックスヒーターにおいて、前記セラミックス中実部は、前記金属中実部と対向する側にフランジを有し、前記金属中実部は、前記セラミックス中実部と対向する側にフランジを有し、前記シャフトは、前記セラミックス中実部のフランジに形成された円周溝と前記金属中実部のフランジに形成された円周溝とに嵌め込まれたシールリングを介して、前記セラミックス中実部と前記金属中実部のそれぞれの対向面が面接触するように前記セラミックス中実部と前記金属中実部とがクランプにより加圧挟持されていることが好ましい。こうすれば、セラミックス中実部と金属中実部とをロウ材により化学的に結合する場合に比べて、接合部分での折損などが起きにくいし、対向面同士が直接接触しているためセラミックス中実部から金属中実部への熱の伝導がスムーズになる。しかも、シールリングはフランジに形成された円周溝に嵌め込まれているため、対向面同士の接触面積がシールリングによって減じられることもない。また、金属ロッドがシャフトの金属中実部に接触し漏電してしまうのを防止することができる。更に、プラズマ処理を実行する際には、セラミックスヒーターは真空チャンバー内に置かれるが、シャフトの内側空間（つまりロッド挿通孔あるいは絶縁管の内部空間）は大気雰囲気であるため、シャフトの内側空間から真空チャンバー内に大気が流入するおそれがあるが、ここではセラミックス中実部と金属中実部との接合部分がシールリングでシールされているため、そのようなおそれがない。なお、円周溝とは、フランジを平面視したときの全体形状が円周状である溝のことをいう。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本実施形態のセラミックスヒーター１０の裏面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ断面図である。
【図３】ヒーター電極１４をウエハー載置面１２ａに投影したときの様子を表す説明図である。
【考案を実施するための形態】
【００１３】
次に、本考案を実施するための形態を図面を用いて説明する。図１は本実施形態のセラミックスヒーター１０の裏面図、図２は図１のＡ−Ａ断面図、図３はヒーター電極１４をウエハー載置面１２ａに投影して上方から見たときの様子を表す説明図である。
【００１４】
セラミックスヒーター１０は、ハイパワーのプラズマを利用してＣＶＤやエッチングなどを行うウエハーを加熱するために用いられるものであり、図示しない半導体プロセス用の真空チャンバー内に設置される。このセラミックスヒーター１０は、図２に示すように、ウエハーＷを載置可能なウエハー載置面１２ａを有するセラミックスプレート１２と、このセラミックスプレート１２に埋設されたヒーター電極１４と、同じくセラミックスプレート１２に埋設されたＲＦ電極１６と、セラミックスプレート１２のウエハー載置面１２ａとは反対側の面（裏面）１２ｂに接合された中実シャフト２０とを備えている。
【００１５】
セラミックスプレート１２は、窒化アルミニウムを主成分とする円盤状の部材である。このセラミックスプレート１２の大きさは、特に限定するものではないが、例えば直径３３０〜３４０ｍｍ、厚さ１８〜３０ｍｍである。また、セラミックスプレート１２のウエハー載置面１２ａの温度は、図示しない熱電対により測定される。
【００１６】
ヒーター電極１４は、モリブデン製のコイルを図３に示すパターンに配線したものである。具体的には、ヒーター電極１４は、セラミックスプレート１２の略中央に位置するヒーター電極１４の一端である端子部１４ａから端を発し、いわゆる一筆書きの要領でセラミックスプレート１２のほぼ全面にわたって配線されたあと、セラミックスプレート１２の略中央に位置するヒーター電極１４の他端である端子部１４ｂに至っている。
【００１７】
ＲＦ電極１６は、セラミックスプレート１２よりも小径の円盤状の薄層電極であり、モリブデンを主成分とする細い金属線を網状に編みこんでシート状にしたメッシュで形成されている。このＲＦ電極１６は、セラミックスプレート１２のうちヒーター電極１４とウエハー載置面１２ａとの間に埋設されている。また、ＲＦ電極１６は、セラミックスプレート１２の略中央の位置に端子部１６ａが設けられている。
【００１８】
中実シャフト２０は、セラミックスプレート側から、窒化アルミニウム製の円柱で中身の詰まったセラミックス中実部２２と金属アルミニウム製の円柱で中身の詰まった金属中実部２４とがこの順に接続された部材である。
【００１９】
セラミックス中実部２２は、セラミックスプレート１２に対向する面がセラミックスプレート１２にＴＣＢ（ＴＣＢはThermal Compression Bondingの略）により接合されている。このセラミックス中実部２２は、セラミックスプレート１２に対向する面とは反対側の面つまり金属中実部２４と対向する面にフランジ２２ａを有している。このフランジ２２ａには、セラミックス中実部２２の主要部（フランジ２２ａを除く部分）の直径よりも大きな直径の円周溝２２ｂが形成されている。セラミックス中実部２２の主要部の直径は、例えば４２〜９８ｍｍ、円周溝２２ｂの直径は、例えば４６〜１０２ｍｍ、フランジ２２ａの直径は、例えば５６〜１１２ｍｍである。但し、特にこの数値範囲に限定されるものではない。
【００２０】
金属中実部２４は、セラミックス中実部２２に対向する面に先端フランジ２４ａを有し、セラミックス中実部２２に対向する面とは反対側の面に基端フランジ２４ｃを有している。先端フランジ２４ａは、セラミックス中実部２２のフランジ２２ａと同じ大きさであり、円周溝２２ｂと対向する位置に円周溝２４ｂが形成されている。セラミックス中実部２２と金属中実部２４は、円周溝２２ｂと円周溝２４ｂにメタル製のシールリング４４をはめ込んだ状態でそれぞれのフランジ２２ａ，２４ａをお互いの対向面が緊密に接するように加圧挟持するリング状のクランプ４６によって固定されている。この結果、セラミックス中実部２２と金属中実部２４との対向面同士は、直接強く密着した状態となる。また、この対向面同士が密着した領域は、シールリング４４がクランプ４６の加圧によって扁平化することによりシールリング４４の外側と完全にシールされた状態となる。金属中実部２４は、長さがセラミックス中実部２２よりも長く、主要部（先端フランジ２４ａ，基端フランジ２４ｃを除く部分）の直径がセラミックス中実部２２の主要部と同じになるように形成されている。また、金属中実部２４の基端フランジ２４ｃは、真空チャンバーの内壁７０に図示しない締結具（例えばボルトとかクランプなど）で締結固定されている。金属中実部２４の基端には、円形の絶縁板２６が嵌め込まれている。
【００２１】
この中実シャフト２０には、２本のヒーターロッド用絶縁管４８，５０と、１本のＲＦロッド用絶縁管５２と、１本の熱電対用絶縁管５４とが軸方向に沿って配置されている。各絶縁管４８，５０，５２，５４は、中実シャフト２０を軸方向に貫通するロッド挿通孔に挿入・固定されている。ヒーターロッド用絶縁管４８は、絶縁板２６から中実シャフト２０を経てヒーター電極１４の端子部１４ａまで到達している。もう一本のヒーターロッド用絶縁管５０も、これと同様にしてヒーター電極１４の端子部１４ｂまで到達している。そして、２本のヒーターロッド５６，５８は、絶縁板２６を貫通しヒーターロッド用絶縁管４８，５０を経てヒーター電極１４の端子部１４ａ，１４ｂにロウ材（金ロウなど）でそれぞれ接合されている。ＲＦロッド用絶縁管５２は、絶縁板２６から中実シャフト２０を経てＲＦ電極１６の端子部１６ａまで到達している。ＲＦロッド６０は、絶縁板２６を貫通しＲＦロッド用絶縁管５２を経てＲＦ電極１６の端子部１６ａにロウ材（金ロウなど）で接合されている。熱電対用絶縁管５４は、絶縁板２６から中実シャフト２０を経てウエハー載置面１２ａの近傍まで到達している。シース熱電対６２は、絶縁板２６を貫通し熱電対用絶縁管５４を経てウエハー載置面１２ａの近傍に至るように配置されている。
【００２２】
次に、本実施形態のセラミックスヒーター１０の使用例について説明する。セラミックスヒーター１０のウエハー載置面１２ａにウエハーＷを載置し、ＲＦロッド６０を介してＲＦ電極１６に交流高電圧を印加することにより、真空チャンバー内の上方に設置された図示しない対向水平電極とセラミックスヒーター１０に埋設されたＲＦ電極１６とからなる平行平板電極間にプラズマを発生させ、そのプラズマを利用してウエハーＷにＣＶＤ成膜を施したりエッチングを施したりする。時には、ＲＦ電極１６に直流高電圧を印加することにより静電気的な力を発生させ、それによってウエハーＷをウエハー載置面１２ａに吸着することもできる。一方、シース熱電対６２の検出信号に基づいてウエハーＷの温度を求め、その温度が設定温度（例えば３５０℃とか３００℃）になるように２本のヒーターロッド５６，５８の間に印加する電圧の大きさやオンオフを制御する。
【００２３】
以上詳述した本実施形態のセラミックスヒーター１０によれば、セラミックスプレート１２のウエハー載置面１２ａに載置されたウエハーＷをハイパワーのプラズマを使用して処理する場合に、ウエハーＷの温度を比較的低温（例えば３５０℃以下）に維持することができる。具体的には、ハイパワーのプラズマを使用すると、プラズマからウエハーＷへの入熱量が大きくなるが、その熱はセラミックスプレート１２に伝導したあと、主として中実シャフト２０への固体熱伝導によって系外へ運び出される。ここで、中実シャフト２０は、従来のように中空ではなく中実のため、熱容量的に多くの熱をセラミックスプレート１２から奪うことが可能であるし、セラミックス中実部２２から熱伝導率の高い金属中実部２４を経て系外へ熱を運び出すため、全体がセラミックス中実部で構成されている場合に比べて迅速に系外へ熱を運び出すことができる。
【００２４】
また、中実シャフト２０は、セラミックスよりも金属の方が熱伝導率が高く、セラミックス中実部２２の方が金属中実部２４より短いため、全体がセラミックスでできているときよりも、ウエハーＷの熱をより迅速に系外へ運び出すことができる。
【００２５】
更に、セラミックス中実部２２と金属中実部２４とは、それぞれの対向面が面接触するようにクランプ４６により加圧挟持されているため、セラミックス中実部２２と金属中実部２４とをロウ材により化学的に結合する場合に比べて、接合部分での折損などが起きにくいし、対向面同士が直接接触しているためセラミックス中実部２２から金属中実部２４への熱の伝導がスムーズになる。しかも、シールリング４４はフランジ２２ａや先端フランジ２４ａに形成された円周溝２２ｂ，２４ｂに嵌め込まれているため、対向面同士の接触面積がシールリング４４によって減じられることもない。
【００２６】
更にまた、各ロッド５６，５８，６０は、それぞれ絶縁管４８，５０，５２を挿通するように構成されているため、中実シャフト２０の金属中実部２４に接触し漏電してしまうのを防止することができる。
【００２７】
そしてまた、プラズマ処理を実行する際には、セラミックスヒーター１０は真空チャンバー内に置かれるが、中実シャフト２０の内側空間（つまり絶縁管４８，５０，５２，５４の内部空間）は大気雰囲気であるため、中実シャフト２０の内側空間から真空チャンバー内に大気が流入するおそれがある。しかし、本実施形態ではセラミックス中実部２２と金属中実部２４との接合部分がシールリング４４でシールされているため、そのようなおそれがない。
【００２８】
なお、本考案は上述した実施形態に何ら限定されることはなく、本考案の技術的範囲に属する限り種々の態様で実施し得ることはいうまでもない。
【００２９】
例えば、上述した実施形態では、セラミックス中実部２２は、セラミックスプレート１２とＴＣＢで接合したが、絶縁性の接合材を介して接合してもよい。例えば５４重量％ＣａＯ−４６重量％Ａｌ2Ｏ3の組成比となるように炭酸カルシウムとアルミナ粉末を少量の水に混合してペースト状にしたものを接合材として接合面に塗布し、窒素ガス中で接合面同士を１４５０℃で加圧しながら焼成して拡散接合してもよい。あるいは、セラミックス中実部２２をセラミックスプレート１２と一体成形してもよい。
【００３０】
上述した実施形態では、ＲＦ電極１６は、モリブデン製のメッシュで形成されたものとしたが、モリブデン製の平板で形成されたものとしてもよい。また、ＲＦ電極１６を省略してもよい。
【００３１】
上述した実施形態では、シールリング４４は、断面がＯ字状のＯリングを用いたが、断面がＣ字状のＣリングを用いてもよい。
【００３２】
上述した実施形態では、各絶縁管４８，５０，５２，５４は中実シャフト２０を貫通しセラミックスプレート１２まで入り込むようにしたが、これはセラミックスプレート１２とセラミックス中実部２２とをＴＣＢ接合したためである。すなわち、ＴＣＢ接合では、両者の間に金属箔を挟んでその金属を完全に溶かすことなく熱間押圧接合するため、絶縁管４８，５０，５２，５４がＴＣＢ接合部分に存在しないと各ロッド５６，５８，６０やシース熱電対５２の金属サヤがＴＣＢ接合部分で導通してしまうからである。セラミックスプレート１２とセラミックス中実部２２とをＴＣＢ接合ではなく、上述した絶縁性の接合材を介して接合したり両者を一体成形した場合には、各絶縁管４８，５０，５２，５４はセラミックスプレート１２まで入り込む必要はなく、少なくとも金属中実部２４を貫通していればよい。
【００３３】
上述した実施形態では、絶縁基板２６の中心が中実シャフト２０の中心からずれているものとしたが、絶縁基板２６の中心が中実シャフト２０の中心と一致するようにしてもよい。この場合、ヒーターロッド５６，５８やＲＦロッド６０、シース熱電対７０などの位置も適宜変更してもよい。
【実施例】
【００３４】
［実施例１］
実施例１として、上述した実施形態のセラミックスヒーター１０のうちＲＦ電極１６やＲＦロッド用絶縁管５２，ＲＦロッド６０，絶縁板２６を省略した簡易版セラミックスヒーターを作製した。
【００３５】
はじめに、セラミックスプレートを作成した。まず、イットリアを５重量％含む窒化アルミニウム粉末（純度９９．５％）３０重量部に対し、ポリビニルアルコール０．５重量部を有機バインダーとして水１００重量部と混合してスラリーとし、スプレードライして造粒粉を調製した。次に、内径３５０ｍｍの金型内に先ほどの造粒粉を敷き、溝形成型ダイスで押圧してヒーター電極の配線パターンと同一の溝パターン（縦断面が半円状）を形成した。次に、この溝パターンに合わせて、モリブデン単線の径が０．５ｍｍで巻径が３ｍｍのコイルを設置し、その上から造粒粉を金型内に充填し、平面ダイスで１０ＭＰａで押圧してヒーター電極が埋設された窒化アルミニウム成形体を得た。なお、ヒーター電極の両端には、モリブデンからなる直径３ｍｍの小球を取り付けた。この成形体を黒鉛ダイに設置し、黒鉛ホットプレス炉に入れて、圧力１０ＭＰａで一軸プレスしながら、窒素雰囲気１．０２気圧、昇温速度５００℃／ｈで加熱し最高温度１６５０℃を１時間維持した後、炉内で冷却して焼成した。得られた焼成体を外径３４０ｍｍ，厚み１８ｍｍとなるように研削加工した。また、セラミックスプレートの裏面から、ヒーター電極の両端に取り付けた小球に到達するように直径７ｍｍの２つのヒータ露出孔を開け、その孔を通じて小球の一部を削り平面とし、それを端子部とした。更に、セラミックスプレートの裏面から、ウエハー載置面の近傍に到達するようにシース熱電対の先端を受け入れるための直径３ｍｍの熱電対受入孔を開けた。
【００３６】
次に、セラミックス中実部となるセラミックスシャフトを用意した。このセラミックスシャフトは、直径４２ｍｍ、長さ３２ｍｍの中実円柱体であり、後述するアルミシャフトと接合する面のフランジは厚さ７ｍｍ、直径５２ｍｍとした。フランジには、直径４６ｍｍの円に沿って円周溝（断面矩形状）を形成した。また、中央付近に直径７ｍｍの孔を２つと、直径３ｍｍの孔を１つあけた。セラミックスシャフトは、セラミックスプレートを作製したのと同じ窒化アルミ原料粉をＣＩＰ成形して窒素１気圧中１７５０℃で圧力１０ＭＰａでホットプレス焼成した窒化アルミセラミックスから研削加工して得た。このセラミックスシャフトとセラミックスプレートとの間にＭｇとＳｉとを含むＡｌ合金箔（厚さ０．４ｍｍ）を挟んで、５００ｋｇの荷重をかけながら５４０℃の温度に昇温することで、Ａｌ合金箔を完全に溶かすことなくＴＣＢ接合し、セラミックスシャフトとセラミックスプレートとを接合した。なお、接合する前に、セラミックスシャフトの直径７ｍｍの２つの孔がセラミックスプレートのヒータ露出孔と一致し、セラミックスシャフトの直径３ｍｍの穴がセラミックスプレートの熱電対受入孔と一致するように位置決めした。
【００３７】
次に、金属中実部となるアルミシャフトを用意した。このアルミシャフトは、直径４２ｍｍ、長さ１２０ｍｍの中実円柱体であり、先端面つまりセラミックスシャフトと接合する面のフランジ（先端フランジ）は厚さ７ｍｍ、直径５２ｍｍ、基端面つまり真空チャンバーの内壁に取り付けられる面のフランジ（基端フランジ）は厚さ７ｍｍ、直径６５ｍｍとした。先端フランジには、直径４６ｍｍの円に沿って円周溝（断面矩形状）を形成した。また、中央付近に直径７ｍｍの孔を２つと、直径３ｍｍの孔を１つあけた。そして、セラミックスシャフトの円周溝にメタル製のＯリングをはめ込み、そのＯリングがアルミシャフトの円周溝にもはまるようにセラミックスシャフトとアルミシャフトの対向面同士を向かい合わせた。この状態で、両者のフランジをＮｉメッキＳＵＳ製のクランプで挟み込んで締結した。なお、締結する前に、セラミックスシャフトの直径７ｍｍの２つの孔がアルミシャフトの直径７ｍｍの２つの孔に一致し、セラミックスシャフトの直径３ｍｍの穴がアルミシャフトの直径３ｍｍの穴に一致するように位置決めした。
【００３８】
次に、アルミシャフトの２つの直径７ｍｍの孔にヒーター電極の端子部まで届く長さの絶縁管を端子部に到達するまで挿入し、その絶縁管にＮｉ製のヒーターロッドを挿通し、ヒーターロッドの先端をヒーター電極の端子部にロウ付けした。また、アルミシャフトの直径３ｍｍの孔に熱電対受入孔まで届く長さの絶縁管を熱電対受入孔に入り込むまで挿入し、その絶縁管にシース熱電対を挿入した。以上のようにして、実施例１のセラミックスヒーターを完成した。
【００３９】
［比較例１］
実施例１と同様にしてセラミックスプレートを製造した。一方、窒化アルミニウム粉末に０．５重量％のイットリア粉末を混合した混合粉を金型を用いて冷間静水圧成形（ＣＩＰ成形）により筒状に成形し、常圧の窒素中で焼成して、研削加工し、中空の筒状シャフトを得た。筒状シャフトは、厚さ４ｍｍ、直径４２ｍｍ、長さ１５２ｍｍとした。次に、この筒状シャフトをセラミックスプレートの裏面中央に接合した。接合にあたっては、接合する表面の平坦度を１０μｍ以下にし、筒状シャフトの接合面に、接合剤の量が１４ｇ／ｃｍ2となるように均一に塗布した。セラミックスプレートと筒状シャフトとの接合面同士を貼り合わせ、窒素ガス中で、接合温度１４５０℃で２時間保持した。昇温速度は３．３℃／分とし、窒素ガス（Ｎ2  １．５ａｔｍ）は１２００℃から導入した。又、接合面と垂直な方向から窒化アルミニウム焼結体同士を押しつけるように加圧した。加圧は、圧力４ＭＰａで行い、１２００℃から開始し、接合温度１４５０℃で保持している間続け、７００℃に冷却した時点で終了した。接合材は５４重量％ＣａＯ−４６重量％Ａｌ2Ｏ3の組成比となるように炭酸カルシウムとアルミナ粉末を少量の水に混合してペースト状にしたものを用いた。こうして、セラミックスプレートと筒状シャフトとを接合したのち、セラミックスプレートの直径７ｍｍの２つの孔に金ロウを用いて、Ｎｉ製のヒーターロッドをコバール金属を介在させてヒーター電極の端子部にロウ付け接合した。また、セラミックスプレートの直径３ｍｍの孔にシース熱電対を挿入固定した。以上のようにして、比較例１のセラミックスヒーターを完成した。
【００４０】
［評価］
実施例１、比較例１のセラミックスヒーターをそれぞれ真空チャンバー内に設置し、次の評価試験を行った。なお、真空チャンバー内のヒータープレート上方にはプラズマからの入熱を模擬するための加熱ランプを設置した。また、シース熱電対の検出信号は図示しない温度コントローラーに出力されるように配線し、温度コントローラーはその検出信号に基づいてセラミックスプレートの表面温度（ウエハー載置面の温度）が所定の設定温度となるようにヒーターロッド間への印加電圧を制御するものとした。なお、設定温度は３００℃とした。
【００４１】
さて、真空チャンバー内を１０Ｔｏｒｒに排気したのち、２本のヒーターロッド間に電圧を印加してヒーター電極を加熱し、セラミックスプレートの表面温度が３００℃になるようにした。次に、加熱ランプに電力を投入し、セラミックスプレートを加熱した。加熱ランプからの入熱に伴い、温度コントローラーは２本のヒーターロッド間への印加電圧を減少させていった。加熱ランプへの電力投入後のセラミックスプレートの温度変化を測定した。
【００４２】
その結果、比較例１では、３６秒まではセラミックスプレートの表面温度は３００℃のままであったが、その後、７℃／分の速度で昇温していき、３分後に３２１℃に到達し、表面温度を３００℃に維持できなかった。なお、この温度上昇時には温度コントローラーは２本のヒーターロッド間の印加電圧をゼロにしていた。このことから、比較例１ではランプ加熱による入熱を放散できないため、温度が３００℃に維持できないことがわかる。
【００４３】
一方、実施例１では、加熱ランプへの電力投入後も、セラミックスプレートの表面温度は３００℃に維持されていた。すなわち、加熱ランプへの電力投入後８５秒までは２本のヒーターロッド間の印加電圧は減少していったが、その後は印加電圧は加熱ランプ投入前の３４％でほぼ一定の値であった。このことから、実施例１では、ランプ加熱による入熱を高熱伝導の中実シャフトで真空チャンバー側へ放散することができるため、ヒーター温度が３００℃に維持できることがわかる。
【符号の説明】
【００４４】
１０  セラミックスヒーター、１２  セラミックスプレート、１２ａ  ウエハー載置面、１４  ヒーター電極、１４ａ，１４ｂ  端子部、１６  ＲＦ電極、１６ａ  端子部、２０  中実シャフト、２２  セラミックス中実部、２２ａ  フランジ、２２ｂ  円周溝、２４  金属中実部、２４ａ  先端フランジ、２４ｂ  円周溝、２４ｃ  基端フランジ、２６  絶縁板、４４  シールリング、４６  クランプ、４８，５０  ヒーターロッド用絶縁管、５２  ＲＦロッド用絶縁管、５４  熱電対用絶縁管、５６，５８  ヒーターロッド、６０  ＲＦロッド、６２  シース熱電対、７０  内壁、１１０  セラミックスヒーター。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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