【事件の表示】
　特願２００６−　１６４０２「半導体光素子」拒絶査定不服審判事件〔平成１９年　８月　９日出願公開、特開２００７−２０１０７２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
　
第１　手続の経緯
　本願は、平成１８年１月２５日の出願であって、平成２３年１０月２１日付けで拒絶理由が通知され、同年１２月２１日に手続補正がなされ、平成２４年２月９日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年５月１１日に拒絶査定不服審判請求がなされるとともに、同時に手続補正がなされたものである。
　
第２　平成２４年５月１１日になされた手続補正（以下「本件補正」という。）についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　本件補正を却下する。
　
［理由］
１　補正の内容
　本件補正は、補正前（平成２３年１２月２１日付け手続補正後のもの）の特許請求の範囲として
「【請求項１】
　ＩｎＰ基板上に、Ａｌを含有するアンドープの活性層と、亜鉛を含有する化合物半導体層とを有する化合物半導体積層体からなる半導体光素子であって、
　前記Ａｌを含有するアンドープの活性層と前記亜鉛を含有する化合物半導体層との間にｐ型にドーピングされているＩｎＧａＡｌＡｓ層が積層されている
ことを特徴とする半導体光素子。
【請求項２】
　請求項１において、
　前記ＩｎＰ基板は、ｎ型、もしくは半絶縁型のＩｎＰ基板である
ことを特徴とする半導体光素子。
【請求項３】
　請求項１において、
　前記ＩｎＧａＡｌＡｓ層にドーピングされているキャリア濃度は１〜１０×１０１７ｃｍ−３である
ことを特徴とする半導体光素子。
【請求項４】
　請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体光素子であって、
　前記Ａｌを含有するアンドープの活性層は、ＩｎＧａＡｌＡｓからなる井戸層と障壁層で構成されたアンドープ量子井戸層、もしくはＩｎＧａＡｓからなる井戸層とＩｎＡｌＡｓからなる障壁層で構成された多重量子井戸層を備えている
ことを特徴とする半導体光素子。
【請求項５】
　請求項１〜４のいずれか一項に記載の半導体光素子であって、
　前記ＩｎＧａＡｌＡｓ層の厚さは１０〜５０ｎｍであり、亜鉛を含有する化合物半導体層は亜鉛によりｐ型にドーピングがされているＩｎＰである
ことを特徴とする半導体光素子。
【請求項６】
　請求項１〜５のいずれか一項に記載の半導体光素子であって、
　半導体電界吸収型変調器、半導体マッハツェンダー型変調器、又はこれらのいずれかを集積したものである
ことを特徴とする半導体光素子。
【請求項７】
　請求項６に記載の半導体光素子を搭載した半導体素子モジュール。
【請求項８】
　請求項７に記載の半導体素子モジュールを搭載した光送信用モジュール、または光送受信モジュール。
【請求項９】
　請求項８に記載の、光送信用モジュール、または光送受信モジュールを搭載した、光伝送装置。」
とあったものを、補正後の特許請求の範囲として、
「【請求項１】
　ＩｎＰ基板上に、Ａｌを含有するアンドープの活性層を有する電界吸収型変調器と、Ａｌを含有しない活性層を有するレーザとが集積され、前記電界吸収型変調器と前記レーザの上部に亜鉛を含有する化合物半導体層を有する半導体光素子であって、
　前記電界吸収型変調器の前記Ａｌを含有するアンドープの活性層と前記亜鉛を含有する化合物半導体層との間にｐ型にドーピングされているＩｎＧａＡｌＡｓ層が積層されており、
　前記レーザ部の前記Ａｌを含有しない活性層と前記亜鉛を含有する化合物半導体層との間にｐ型にドーピングされているＩｎＧａＡｌＡｓ層が積層されていない、
ことを特徴とする半導体光素子。
【請求項２】
　請求項１において、
　前記ＩｎＰ基板は、ｎ型、もしくは半絶縁型のＩｎＰ基板である
ことを特徴とする半導体光素子。
【請求項３】
　請求項１において、
　前記ＩｎＧａＡｌＡｓ層にドーピングされているキャリア濃度は１〜１０×１０１７ｃｍ−３であることを特徴とする半導体光素子。
【請求項４】
　請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体光素子であって、
　前記電界吸収型変調器の前記Ａｌを含有するアンドープの活性層は、ＩｎＧａＡｌＡｓからなる井戸層と障壁層で構成されたアンドープ量子井戸層、もしくはＩｎＧａＡｓからなる井戸層とＩｎＡｌＡｓからなる障壁層で構成された多重量子井戸層を備えている
ことを特徴とする半導体光素子。
【請求項５】
　請求項１〜４のいずれか一項に記載の半導体光素子であって、
　前記ＩｎＧａＡｌＡｓ層の厚さは１０〜５０ｎｍであり、亜鉛を含有する化合物半導体層は亜鉛によりｐ型にドーピングがされているＩｎＰである
ことを特徴とする半導体光素子。
【請求項６】
　請求項５に記載の半導体光素子を搭載した半導体素子モジュール。
【請求項７】
　請求項６に記載の半導体素子モジュールを搭載した光送信用モジュール、または光送受信モジュール。
【請求項８】
　請求項７に記載の、光送信用モジュール、または光送受信モジュールを搭載した、光伝送装置。」
と補正するものである。
　
２　特許法第１７条の２第４項（補正の目的）について
ア　本件補正は、請求項１について、補正前の「Ａｌを含有するアンドープの活性層」等を有する「半導体光素子」を、「Ａｌを含有するアンドープの活性層を有する電界吸収型変調器と、Ａｌを含有しない活性層を有するレーザとが集積され」る「半導体光素子」と補正するとともに、「前記レーザ部の前記Ａｌを含有しない活性層と前記亜鉛を含有する化合物半導体層との間にｐ型にドーピングされているＩｎＧａＡｌＡｓ層が積層されていない」構成を加える補正をするものである。
　
イ　上記アの補正は、本件補正前の請求項１に記載した発明特定事項を限定するものとはいえない。
　
ウ　よって、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものには該当しない。
　また、本件補正の上記本件補正事項は、請求項の削除、誤記の訂正、明りようでない記載の釈明のいずれにも該当しない。
　したがって、本件補正は、平成１８年法律第５５条改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項の規定に違反するものである。
　
３　特許法第１７条の２第３項（新規事項）について
（１）本件補正後の請求項１に係る発明
　本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本件補正発明」という。）は、上記「１　補正の内容」のとおりであるところ、これを分説すると、次のとおりである。
「Ａ　ＩｎＰ基板上に、
Ｂ　Ａｌを含有するアンドープの活性層を有する電界吸収型変調器と、
Ｃ　Ａｌを含有しない活性層を有するレーザとが集積され、
Ｄ　前記電界吸収型変調器と前記レーザの上部に亜鉛を含有する化合物半導体層を有する半導体光素子であって、
Ｅ　前記電界吸収型変調器の前記Ａｌを含有するアンドープの活性層と前記亜鉛を含有する化合物半導体層との間にｐ型にドーピングされているＩｎＧａＡｌＡｓ層が積層されており、
Ｆ　前記レーザ部の前記Ａｌを含有しない活性層と前記亜鉛を含有する化合物半導体層との間にｐ型にドーピングされているＩｎＧａＡｌＡｓ層が積層されていない、
Ｇ　ことを特徴とする半導体光素子。」
　
（２）本件出願当初の明細書及び図面の記載内容
　本件の願書に最初に添付された明細書又は図面（以下「出願当初の明細書」という。）には下記アないしオの事項が記載されている。
ア　「【背景技術】
【０００２】従来の技術について、２ｋｍ光伝送用の伝送速度４０Ｇｂｉｔ／ｓ波長１．５５μｍ帯リッジ導波路型半導体電界吸収型変調器集積レーザの例を用いて説明する。
【０００３】４０Ｇｂｉｔ／ｓ半導体電界吸収型変調器集積レーザ（以下、ＥＡ（Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ａｂｓｏｒｐｔｉｏｎ）変調器集積レーザ）は、一定電流により駆動させるＤＦＢレーザ（Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ　ｆｅｅｄｂａｃｋ　ｌａｓｅｒ）部と、変調電圧により動作させるＥＡ変調器部により構成されている。ＥＡ変調器とは、ＥＡ変調器部に電圧を印加することにより生じる量子閉じ込めシュタルク効果を利用して、ＥＡ変調器部活性層吸収端をシフトさせることにより、ＤＦＢレーザの光をオン・オフするＥＡ変調器である（非特許文献１参照）。
【０００４】このＥＡ変調器集積レーザの作製方法について以下に説明する。このＥＡ変調器は、例えば、「Ｎ．Ｓａｓａｄａ，　ｅｔ．ａｌ．，　“１．５５−μｍ　４０−Ｇｂｉｔ／ｓ　ｅｌｅｃｔｒｏ−ａｂｓｏｒｐｔｉｏｎ　ｍｏｄｕｌａｔｏｒ　Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ　ＤＦＢ　ｌａｓｅｒ　ｍｏｄｕｌｅｓ　ｆｏｒ　ｖｅｒｙ　ｓｈｏｒｔ　ｒｅａｃｈ　ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ”，　ＯＥＣＣ　２００５，　６Ｆ２−１．」に代表されるような、ＥＡ変調器集積レーザである。
【０００５】図１２は、かかる電界吸収型変調器集積レーザの上面図である。図１３は、リッジ型光導波路光軸方向（図１２のａ−ａ’）断面図である。図１４は、ＥＡ変調器部メサ垂直方向（図１２のｂ−ｂ’）断面図である。
【０００６】図１２に示すように、ｎ−ＩｎＰ半導体基板１００上にＥＡ変調器部分の結晶成長として、有機金属気相法を用いた公知の選択成長法によりｎ型ＩｎＰバッファ層１０１、ＩｎＧａＡｓＰ下側光ガイド層１０２、活性層であるＩｎＧａＡｓＰ井戸層と障壁層からなるアンドープ歪多重量子井戸層１０３、アンドープＩｎＧａＡｓＰ上側光ガイド層１０４、及び４×１０１７ｃｍ−３程度のｐ型ＩｎＰキャップ層１０５を形成する。
【０００７】次にプラズマＣＶＤによるＳｉＮ膜を形成したのち、ＥＡ変調器部となる領域にＳＩｎ膜にパターニングを施し、このＳｉＮ膜をマスクとして、ドライエッチング、及びウェットエッチングにて、ＥＡ変調器部となる領域以外のＥＡ変調器多層構造を除去する。
【０００８】次に第二回目の結晶成長として、ＥＡ変調器領域以外に有機金属気相法を用いて、レーザの多層成長である、ＩｎＧａＡｓＰ下側光ガイド層１０６、ＩｎＧａＡｓＰ井戸層と障壁層からなる量子井戸活性層１０７、ＩｎＧａＡｓＰ上側光ガイド層１０８、ＩｎＰスペーサ層１０９、及び回折格子層１１０を順次形成する。このとき、ＥＡ変調器とレーザ部は公知のバットジョイント技術により光学的に接続されている。
【０００９】さらに、ＥＡ変調器領域以外のＥＡ変調器多層を除去した手順と同様のプロセスにて、ＥＡ変調器領域とレーザ領域との間に、パッシブな光導波路部となるＩｎＧａＡｓＰ層１１１を結晶成長する。この時も、ＥＡ変調器とパッシブ導波路、及びレーザ部は公知のバットジョイント技術により光学的に接続されている。
【００１０】次に、レーザ部となる領域の回折格子層１１０に、フォトリソグラフを用いた干渉露光法により、半導体回折格子層に回折格子を形成し、さらに、ＥＡ変調器とパッシブ導波路、及びレーザ部上に、クラッド層となる６×１０１７ｃｍ−３程度のｐ型ＩｎＰクラッド層１１２、コンタクト層であるｐ型ＩｎＧａＡｓＰ層１１３とｐ型ＩｎＧａＡｓ層１１４、及びｐ型ＩｎＰキャップ層を結晶成長する。このｐ型ＩｎＰキャップ層は途中工程で除去されるものであり、最終構造には残らない。ここで、ｐ型のドーパントには、Ｚｎを用いている。このｐ−ＩｎＰクラッド層にドーピングされたＺｎは、結晶成長時の熱の影響等により、ＥＡ変調器領域において、その下のアンドープ層であるＩｎＧａＡｓＰ上側光ガイド層に拡散する。このことは、ＳＩＭＳ（ｓｅｃｏｎｄａｒｙ　ｉｏｎ　ｍａｓｓ　ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）分析にて判明している。
【００１１】その後、ＥＡ変調器からパッシブ導波路、及びレーザ部に渡って、リッジ型光導波路を、ウェットエッチングにて作製し、パッシベーション膜形成１１５、ポリイミド樹脂１１６塗布、及びエッチバックにより、光導波路の脇をポリイミドにて埋めこみ、スルーホール工程にて、ｐ側電極１１７をＥＢ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｂｅａｍ）蒸着法、及びイオンミリングにより形成する。そして、裏面研磨工程にて、ｎ型ＩｎＰ基板を約１００μｍ程度まで研磨し、ｎ側電極を形成１１８、電極アロイ処理を施し、ウエハ工程が完了する。
【００１２】続いてウエハを分割して、素子前端面に無反射コート、後端面に高反射率コートを施す。こうして電界吸収型変調器集積レーザが作成される。」
　
イ　「【００２８】＜実施例１＞実施例について、従来の技術と同様に２ｋｍ光伝送用の伝送速度４０Ｇｂｉｔ／ｓ波長１．５５μｍ帯リッジ導波路型半導体電界吸収型変調器集積レーザの例を用いて説明する。
【００２９】図１〜３は、本実施形態の４０Ｇｂｉｔ／ｓ　ＥＡ変調器集積レーザを示す。図１は素子上面図、図２は素子光軸方向断面（図１のｃ−ｃ’断面）、図３は、ＥＡ変調器部メサ垂直方向断面図（図１のｄ−ｄ’断面図）を示している。
【００３０】まず、このＥＡ変調器集積レーザの作製方法について以下に説明する。
【００３１】ｎ−ＩｎＰ半導体基板１００上に、ＥＡ変調器部分の結晶成長として、有機金属気相法を用いた公知の選択成長法によりＩｎＰバッファ層１０１、ＩｎＧａＡｓＰ下側光ガイド層１０２、活性層であるＩｎＧａＡｌＡｓ井戸層と障壁層からなるアンドープ量子井戸層１０３、アンドープＩｎＧａＡｓＰ上側光ガイド層１０４、ｐ型ＩｎＧａＡｌＡｓ拡散防止層２０１、及び６×１０１７ｃｍ−３のｐ型ＩｎＰキャップ層１０５を形成する。
【００３２】ここで、従来の技術と異なり、６×１０１７ｃｍ−３にｐドープした組成波長１．１５μｍのＩｎＧａＡｌＡｓ層２０１を３０ｎｍ成長することにより、これ以降の工程で結晶成長を行う、ｐ−ＩｎＰクラッド層１１１からの拡散を防止する。
【００３３】これ以降は、従来技術での説明と同様に、レーザ多層、及びパッシブ導波路の集積化をバットジョイント技術により行い、レーザ部となる領域の半導体に、フォトリソグラフを用いた干渉露光法により、半導体回折格子層に回折格子を形成する。」
　
ウ　「【００４１】＜実施例２＞実施例１は、ＥＡ変調器とＤＦＢレーザが同一ＩｎＰ基板上に集積された構造で説明したが、本願発明は、ＥＡ変調器単体の場合にも適用することができる。
【００４２】図４に、その構成を示す。図４（Ａ）は、上面図である。図４（Ｂ）は、ｅ−ｅ’断面図である。
【００４３】実施例１で述べたように、ＥＡ変調器単体においても、本発明の要点であるＩｎＧａＡｌＡｓ層挿入の効果は同様に得ることができる。」
　
エ　「【００４４】＜実施例３＞本実施例について、１０Ｇｂｉｔ／ｓ光伝送用波長１．５５μｍ帯リッジ導波路型半導体電界吸収型変調器集積レーザの例を用いて説明する。
【００４５】図５は、本実施例における電界吸収型変調器集積レーザのＥＡ変調器メサ垂直断面図である。なお、上面図は実施例１の図１と同等であるため省略する。
【００４６】本実施例は、文献「Ｓ．　Ｍａｋｉｎｏ，　“Ｗｉｄｅ　Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ　Ｒａｎｇｅ　（０　ｔｏ　８５°Ｃ），　４０−ｋｍ　ＳＭＦ　Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ　ｏｆ　ａ　１．５５−ｍｍ，　１０Ｇｂｉｔ／ｓ　ＩｎＧａＡｌＡｓ　Ｅｌｅｃｔｒｏａｂｓｏｒｐｔｉｏｎ　Ｍｏｄｕｌａｔｏｒ　Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ　ＤＦＢ　Ｌａｓｅｒ，”　Ｏｐｔｉｃａｌ　Ｆｉｂｅｒ　Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎ　Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ　（ＯＦＣ’０５），　２００５，　Ｐｏｓｔｄｅａｄｌｉｎｅ−ｐａｐｅｒ，　ＰＤＰ１４．」で示すような、広温度範囲にて動作するＥＡ変調器における例である。
【００４７】ｎ−ＩｎＰ半導体基板３００上にＥＡ変調器部分の結晶成長として、有機金属気相法を用いた公知の選択成長法によりｎ型ＩｎＰバッファ層３０１、ｎ型ＩｎＧａＡｓＰ下側光ガイド層３０２、ＩｎＧａＡｌＡｓ井戸層と障壁層からなるアンドープ量子井戸活性層３０３、アンドープＩｎＧａＡｓＰ上側光ガイド層３０４、６×１０７ｃｍ−３にｐドープした組成波長１．１５μｍのｐ型ＩｎＧａＡｌＡｓ拡散防止層３０５、及び６×１０７ｃｍ−３にドーピングしたｐ型ＩｎＰキャップ層３０６を形成する。
【００４８】ここでも、６×１０１７ｃｍ−３にｐドープした組成波長１．１５μｍのＩｎＧａＡｌＡｓ層を３０ｎｍ成長することにより、これ以降の工程で結晶成長を行う、ｐ−ＩｎＰクラッド層３０７からの拡散を防止する。
【００４９】次にプラズマＣＶＤによるＳｉＮ膜を形成したのち、ＥＡ変調器部となる領域にＳｉＮ膜にパターニングを施し、このＳｉＮ膜をマスクとして、ウェットエッチング等にて、ＥＡ変調器部となる領域以外のＥＡ変調器多層構造を除去する。
【００５０】このエッチング方法は、ドライエッチングであっても、本発明の効果を損なうものではない。これ以降は、実施例１と同様に、レーザ多層、及びパッシブ導波路の集積化をバットジョイント技術により行い、レーザ部となる領域の半導体に、フォトリソグラフを用いた干渉露光法により、半導体回折格子層に回折格子を形成する。
【００５１】これ以降も実施例１と同様に、ＥＡ変調器とパッシブ導波路、及びレーザ部上に同時に、８×１０１７７ｃｍ−３のｐ型ＩｎＰクラッド層３０７、ｐ型ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層３０８、ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層３０９、及びｐ型ＩｎＰキャップ層を結晶成長を行い、リッジ導波路形成、電極形成等を施す。」
　
オ　「【００５７】＜実施例４＞本実施例について、１０Ｇｂｉｔ／ｓ光伝送用波長１．５５μｍ帯Ｆｅ埋込み導波路型半導体電界吸収型変調器集積レーザの例を用いて説明する。
【００５８】図６は、Ｆｅ埋め込み導波路型半導体電界吸収型変調器集積レーザのＥＡ変調器メサ垂直方向の断面図である。なお、上面図は実施例１の図１とほぼ同等であるため省略する。
【００５９】まず、このＥＡ変調器集積レーザの作製方法について以下に説明する。実施例１と同様にｎ−ＩｎＰ半導体基板１００上にＥＡ変調器部分の結晶成長として、有機金属気相法を用いた公知の選択成長法によりＩｎＰバッファ層４００、ＩｎＧａＡｓＰ下側光ガイド層４０１、ＩｎＧａＡｌＡｓ井戸層と障壁層からなるアンドープ量子井戸活性層４０２、アンドープＩｎＧａＡｓＰ上側光ガイド層４０３、６×１０１７ｃｍ−３にｐドープした組成波長１．１５μｍ　ｐ型ＩｎＧａＡｌＡｓ拡散防止層４０４　３０ｎｍ、及び６×１０１７ｃｍ−３のｐ型ＩｎＰキャップ層４０５を形成する。
【００６０】これ以降も、実施例１と同様に、レーザ多層、及びパッシブ導波路の集積化をバットジョイント技術により行い、レーザ部となる領域の半導体に、フォトリソグラフを用いた干渉露光法により、半導体回折格子層に回折格子を形成する。
【００６１】さらに、ＥＡ変調器とパッシブ導波路、及びレーザ部上に同時に、８〜１０×１０１７ｃｍ−３のｐ型ＩｎＰクラッド層４０６、ｐ型ＩｎＧａＡｓＰ層４０７、ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層４０８、及びｐ型ＩｎＰキャップ層を結晶成長する。」
　
（３）判断
　上記（２）によれば、出願当初の明細書には、従来技術として、「ＩｎＧａＡｓＰ井戸層と障壁層からなるアンドープ歪多重量子井戸層」を活性層とするＥＡ変調器と、「ＩｎＧａＡｓＰ井戸層と障壁層からなる量子井戸活性層」を活性層とする（ＤＦＢ）レーザが記載され、実施例では、「ＩｎＧａＡｌＡｓ井戸層と障壁層からなるアンドープ量子井戸活性層」を活性層とするＥＡ変調器と、「レーザ多層及びパッシブ導波路の集積化」を従来技術と同様に行うことが記載されているにとどまり、Ａｌの有無に着目して、「Ａｌを含有する」アンドープの活性層を有するＥＡ変調器（電界吸収型変調器）と、「Ａｌを含有しない」活性層を有する（ＤＦＢ）レーザとすることは記載されていない。
　したがって、出願当初の明細書に「Ａｌを含有するアンドープの活性層を有する電界吸収型変調器」（構成Ｂ）と、「Ａｌを含有しない活性層を有するレーザとが集積され」（構成Ｃ）とを備える本件補正発明が記載されていたものということはできない。
　また、構成Ｃを備える本件補正発明が、出願当初の明細書に記載した事項から当業者が自明に理解できるものともいえない。
　
（４）小括
　以上によれば、前記（１）の内容を含む本件補正は、出願当初の明細書に記載した事項の範囲内においてしたものとはいえず、特許法第１７条の２第３項の規定に違反するものである。
　
４　まとめ
　したがって、本件補正は、平成１８年法律第５５条改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項の規定、ならびに、特許法第１７条の２第３項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
１　本願発明
　本件補正は上記第２のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、上記第２、１において補正前のものとして示したとおりのものであるところ、その請求項１に係る発明は次のとおりのものである。
「ＩｎＰ基板上に、Ａｌを含有するアンドープの活性層と、亜鉛を含有する化合物半導体層とを有する化合物半導体積層体からなる半導体光素子であって、
　前記Ａｌを含有するアンドープの活性層と前記亜鉛を含有する化合物半導体層との間にｐ型にドーピングされているＩｎＧａＡｌＡｓ層が積層されている
ことを特徴とする半導体光素子。」（以下「本願発明」という。）
　
２　刊行物の記載
（１）原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願前に頒布された刊行物である特開２００１−３５２１３１号公報（以下「引用文献１」という。）には、下記の事項が記載されている（下線は当審にて付した。以下同じ。）。
ア　「【請求項１】
第１導電型の基板と
前記基板上に設けられ、少なくとも２つの側面を有し、活性領域を含むメサ構造とを具え
前記活性領域を少なくとも一方の側においてドーパント阻止層によって境界付け、前記ドーパント阻止層がＩｎＡｌＡｓ及びＩｎＧａＡｌＡｓから成るグループから選択された材料を具える
【請求項１５】請求項１に記載の光電装置において、
前記ドーパント阻止層が少なくとも１つのＩｎＧａＡｌＡｓ層を具える
光電装置
　
イ　「【０００１】【発明の属する技術分野】本発明は、
レーザ、変調器、光増幅器及び検出器のような光電装置
【０００４】図１を参照し、埋設リッジを有するレーザダイオードを製造するプロセスステップは、ｎ−ＩｎＰ基板１０における多層構造１００の形成で開始する。第１ｎ−ＩｎＰクラッド層１２、活性層１４、第２ｎ−ＩｎＰクラッド層１６及び４基材料（Ｑ）の層１８の多層構造１００を形成する。層１２、１４、１６及び１８を連続的に形成し、連続的にエピタキシャル成長させ、第１結晶成長を完成させる。活性層１４を、例えば、ドープされていないＩｎＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰ対によって形成され、有機金属化学蒸着（ＭＯＣＶＤ）又は有機金属気相エピタキシ（ＭＯＶＰＥ）によって形成された多重量子井戸構造（ＭＱＷ）とすることができる。また、第２クラッド層１６に、ｐ型ドーパント、最も一般的には亜鉛（Ｚｎ）をドープしてもよい。」
　
ウ　「【００２８】ここで、同様の要素を同様の参照符によって示す図面を参照し、図８〜１３は、前記光電装置の活性領域へのＺｎ拡散を抑制する、本発明の埋設半絶縁リッジへテロ構造２０１（図１３）の第１実施形態の製造方法を説明する。
【００２９】第１に、図８に示すように、好適には、＜１００＞面を主面として有する
ｎ−ＩｎＰ基板１１０
ｎ−ＩｎＰの第１クラッド層１１２と、ＩｎＧａＡｓＰの量子井戸構造を有する活性層１１４と
【００３０】さらに、本発明の実施形態を、異なった形式のドーパント不純物の拡散及び／又は相互拡散を阻止するＩｎＡｌＡｓ層に関して説明するが、同じプロセス条件及び進行を、
拡散阻止層として使用するＩｎＧａＡｌＡｓ層
【００３１】次に図９において示すように、ＩｎＡｌＡｓ層１１５を活性層１１４の上部に形成する。ＩｎＡｌＡｓ層１１５を、例えば、約３００オングストロームないし約８００オングストロームの厚さに、ＭＯＶＰＥ又はＬＰＥ法のいずれかによってエピタキシ成長させてもよい。本発明の実施形態を、
活性層１１４の上部に形成されたＩｎＡｌＡｓ及び／又はＩｎＧａＡｌＡｓ層１１５
ＩｎＡｌＡｓ層１１５は、亜鉛拡散バリア層として作用し、その後に成長させた上部層から活性層１１４へのＺｎ原子の拡散を阻止する
【００３２】ＩｎＡｌＡｓの薄膜の結合は、追加の利点を提供する。すなわち、ＩｎＡｌＡｓ層は、隣接する層、活性層（例えば、図１０の活性層１１４）及びクラッド層（例えば、図１０のクラッド層１１６）とタイプIIのヘテロ接合を形成するため、多数キャリアすなわちホールに対する過度の能力のバリアをもたらさない。前記ＩｎＡｌＡｓ層は、前記活性領域のバンドギャップ（Ｅ＝０．８ｅＶ）より高く、前記隣接クラッド層のバンドギャップ（例えば、ＩｎＰクラッド層１１６に関してＥ＝１．３５ｅＶ）より高いバンドギャップを有する。これらの相違のため、キャリアのボディが、前記バンドギャップのラインアップのため、前記クラッド層と活性領域との間に形成されない。
【００３３】次に、ＩｎＡｌＡｓ層１１５の形成後、レーザダイオードの半絶縁埋設リッジの形成に関するプロセスステップは、図１−５の参照と共に説明したステップにしたがって、先行技術にしたがって進む。そういうものとして、好適には
Ｚｎをドープしたｐ−ＩｎＰの第２クラッド層１１６と、Ｑ層１１８
　
エ　図１３は、次のものである。
オ　上記アないしウを踏まえて、エの図１３をみると、上記アの「基板上に設けられ、少なくとも２つの側面を有し、活性領域を含むメサ構造」は、ｎ−ＩｎＰ基板１１０上に、ｎ−ＩｎＰの第１クラッド層１１２と、ＩｎＧａＡｓＰの量子井戸構造を有する活性層１１４と、活性層１１４の上部に形成されたＩｎＧａＡｌＡｓ層１１５と、Ｚｎをドープしたｐ−ＩｎＰの第２クラッド層１１６と、Ｑ層１１８からなるものであることが見てとれる。
　
カ　よって、これらの記載を総合すると、引用文献１には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「第１導電型の基板と、
前記基板上に設けられ、少なくとも２つの側面を有し、活性領域を含むメサ構造とを具え、前記活性領域を少なくとも一方の側においてドーパント阻止層によって境界付け、前記ドーパント阻止層がＩｎＡｌＡｓ及びＩｎＧａＡｌＡｓから成るグループから選択された材料を具え
　前記ドーパント阻止層が少なくとも１つのＩｎＧａＡｌＡｓ層を具える光電装置において、
　前記第１導電型の基板は、ｎ−ＩｎＰ基板１１０であり、
　上記活性領域を含むメサ構造は、ｎ−ＩｎＰの第１クラッド層１１２と、ＩｎＧａＡｓＰの量子井戸構造を有する活性層１１４と、活性層１１４の上部に形成されたＩｎＡｌＡｓ及び／又はＩｎＧａＡｌＡｓ層１１５と、Ｚｎをドープしたｐ−ＩｎＰの第２クラッド層１１６と、Ｑ層１１８からなるものであって、
　活性層１１４の上部に形成されたＩｎＧａＡｌＡｓ層１１５は、拡散（ドーパント）阻止層として使用するＩｎＧａＡｌＡｓ層であってもよく、
　前記ＩｎＧａＡｌＡｓ層は、亜鉛拡散バリア層として作用し、その後に成長させた上部層から活性層１１４へのＺｎ原子の拡散を阻止するものである、レーザ、変調器、光増幅器及び検出器のような光電装置。」
　
（２）原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願前に頒布された刊行物である特開２００５−２０９９０９号公報（以下「引用文献２」という。）には、下記の事項が記載されている。
ア　「【請求項１】ｐ型半導体基板上に、少なくともｐ型のクラッド層、活性層及びｎ型クラッド層からなる積層体がメサストライプ状に加工され、該積層体の両側がルテニウム（Ｒu）を添加した半絶縁性半導体結晶で埋め込まれた半導体光素子において、
前記ｐ型半導体基板及びその上の前記積層体と前記半絶縁性半導体結晶の間に
挿入
半導体光素子
【請求項３】請求項１において、該ｐ型ドーパントの拡散緩和層がｐ型低濃度ドープの半導体結晶であることを特徴とする半導体光素子。
【請求項４】請求項３において、該ｐ型ドーパントの拡散緩和層となるｐ型低濃度ドープの半導体結晶がｐ型低濃度ドープＩnＰ結晶、ｐ型低濃度ドープＩnＧaＡs結晶、ｐ型低濃度ドープＩnＡlＡs結晶或いはｐ型低濃度ドープＩnＧaＡsＰ結晶であることを特徴とする半導体光素子。」
　
イ　「【００２２】従来の技術では、Ｚnをドーパントとしたｐ型半導体基板上に鉄（Ｆe）をドーパントとした半絶縁性半導体埋込み層を成長すると、ＦｅとＺnの相互拡散によりＺnがＦeをドープした埋め込み層中に深く拡散し、埋め込み層の半絶縁性を劣化させ、電流ブロック機能を低下させるため、素子特性の劣化の要因となっていた。
　しかし、Ｒuをドーピングした半絶縁性半導体結晶を用いることで、相互拡散がほとんどなくなり、Ｚnが埋め込み層中に深く拡散することはなくなる。
【００２３】更にｐ型半導体基板とその上のメサストライプ状の積層体とルテニウム（Ｒu）を添加した半絶縁性半導体埋込み層の間にｐ型ドーパントの拡散緩和層を挿入させることで格子間Ｚnの埋め込層への拡散を抑制することができる。
　
ｐ型ドーパントの拡散緩和層にｐ型低濃度ドープの半導体結晶
拡散してきた格子間Ｚnをそこでトラップする
　
ウ　「【００５０】そして、実施例では、半導体レーザについて述べたが、
光変調器、
等の
半導体素子
　
エ　よって、これらの記載を総合すると、引用文献２には、次の事項（以下「引用文献２に記載の技術」という。）が記載されていると認められる。
　
「光変調器等の半導体光素子において、拡散してきた格子間Ｚnをそこでトラップするために、ｐ型半導体基板及びその上の積層体と半絶縁性半導体結晶の間に、ｐ型低濃度ドープの半導体結晶からなるｐ型ドーパントの拡散緩和層を挿入したこと。」
　
（３）原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願前に頒布された刊行物である特開２００４−１０９５９４号公報（以下「引用文献３」という。）には、下記の事項が記載されている。
ア　「【請求項１】ｐ型クラッド層、導波層およびｎ型クラッド層を備える導波路型半導体素子において、
前記ｐ型クラッド層と前記導波層との間および前記ｎ型クラッド層と前記導波層との間の少なくとも一方に、前記導波層に接する不純物層が設けられ、
前記不純物層は、
前記ｐ型クラッド層と前記導波層との間に設けられる場合は、その不純物濃度が、前記ｐ型クラッド層の不純物濃度の１０分の１以上かつ３分の１以下であり、
前記ｎ型クラッド層と前記導波層との間に設けられる場合は、その不純物濃度が、前記ｎ型クラッド層の不純物濃度の１０分の１以上かつ３分の１以下であることを特徴とする半導体素子。」
　
イ　「【００１０】
【発明の実施の形態】
以下に、添付の図面を参照して、本発明の実施の形態について説明する。
実施の形態１．
図１は、本実施の形態による導波路型半導体素子の断面図である。この半導体素子は、埋め込み型構造をしており、その中央部にストライプ状の導波層を備える。この
半導体素子は、ＥＡ変調器として用いられる
【００１１】通常、１．３μｍから１．６μｍの波長帯で用いられる光通信用光変調器は、有機金属気相成長法を用いて、ＩｎＰ基板上にＩｎ、Ｇａ，Ａｓ、Ｐをベースとした結晶を成長することによって製造される。有機金属気相成長法を用いる場合、ｐ型半導体用不純物として、一般的に、Ｚｎ（亜鉛）が用いられる。Ｚｎは、所期の不純物濃度を容易に得られるという長所がある。本実施の形態によるＥＡ光変調器においても、ｐ型半導体用不純物（アクセプタ）としてＺｎを用いる。なお、Ｚｎは、比較的拡散しやすいという短所があるが、本実施の形態による光変調器においては、光吸収層へのＺｎ拡散を十分に低減できる。
【００１２】本実施の形態による導波路型半導体素子２においては、光吸収層６と第２のｐ型クラッド層１８との間に、第１のｐ型ＩｎＰクラッド層８を設ける。この
第１のｐ型ＩｎＰクラッド層８は、第２のｐ型ＩｎＰクラッド層１８と比較して、Ｚｎ濃度が低
第１のｐ型ＩｎＰクラッド層８は、ｐ型半導体層から光吸収層６へのＺｎ拡散を防止する役割を果たす
　
ウ　よって、これらの記載を総合すると、引用文献３には、次の事項（以下「引用文献３に記載の技術」という。）が記載されていると認められる。
　
「ＥＡ変調器として用いられる半導体素子において、ｐ型半導体層から光吸収層へのＺｎ拡散を防止する役割を果たす第１のｐ型ＩｎＰクラッド層は、第２のｐ型ＩｎＰクラッド層と比較して、Ｚｎ濃度が低いこと。」
　
３　対比
（１）本願発明と引用発明を対比する。
ア　引用発明の「『ｎ−ＩｎＰ基板１１０であ』る『第１導電型の基板』」、「Ｚｎをドープしたｐ−ＩｎＰの第２クラッド層１１６」、「（ｎ−ＩｎＰの第１クラッド層１１２と、ＩｎＧａＡｓＰの量子井戸構造を有する活性層１１４と、活性層１１４の上部に形成されたＩｎＡｌＡｓ及び／又はＩｎＧａＡｌＡｓ層１１５と、Ｚｎをドープしたｐ−ＩｎＰの第２クラッド層１１６と、Ｑ層１１８からなる）活性領域を含むメサ構造」及び「（レーザ、変調器、光増幅器及び検出器のような）光電装置」は、本願発明の「ＩｎＰ基板」、「亜鉛を含有する化合物半導体層」、「化合物半導体積層体」及び「半導体光素子」にそれぞれ相当する。
　
イ　引用発明の「ＩｎＧａＡｓＰの量子井戸構造を有する活性層１１４」は、上記２（１）イの「活性層１４を、例えば、ドープされていないＩｎＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰ対によって形成され・・・多重量子井戸構造（ＭＱＷ）とすることができ」るとの記載に照らして、「ドープされていないＩｎＧａＡｓＰの量子井戸構造を有する活性層１１４」であってもよいといえる。
　そうすると、引用発明の「ドープされていないＩｎＧａＡｓＰの量子井戸構造を有する活性層１１４」は、本願発明と、「アンドープの活性層」である点で一致する。
　
ウ　引用発明の「ドーパント阻止層」が「少なくとも１つのＩｎＧａＡｌＡｓ層を具え」るものであって、「ＩｎＧａＡｓＰの量子井戸構造を有する活性層１１４と、活性層１１４の上部に形成されたＩｎＡｌＡｓ及び／又はＩｎＧａＡｌＡｓ層１１５と、Ｚｎをドープしたｐ−ＩｎＰの第２クラッド層１１６と」からなり、さらに、「拡散（ドーパント）阻止層として使用するＩｎＧａＡｌＡｓ層であってもよく、前記ＩｎＧａＡｌＡｓ層は、亜鉛拡散バリア層として作用し、その後に成長させた上部層から活性層１１４へのＺｎ原子の拡散を阻止するものである」ことに照らして、引用発明の「拡散（ドーパント）阻止層」は、「ドープされていないＩｎＧａＡｓＰの量子井戸構造を有する活性層１１４」と「Ｚｎをドープしたｐ−ＩｎＰの第２クラッド層１１６」との間に「ＩｎＧａＡｌＡｓ層１１５」が積層されているものであるといえる。
　そうすると、引用発明の上記「ＩｎＧａＡｌＡｓ層１１５」は、本願発明と、「アンドープの活性層と前記亜鉛を含有する化合物半導体層との間にＩｎＧａＡｌＡｓ層が積層されている」点で一致する。
　
エ　以上によれば、両者は
「ＩｎＰ基板上に、アンドープの活性層と、亜鉛を含有する化合物半導体層とを有する化合物半導体積層体からなる半導体光素子であって、
　前記アンドープの活性層と前記亜鉛を含有する化合物半導体層との間にＩｎＧａＡｌＡｓ層が積層されている半導体光素子。」
である点一致し、
　
（ア）本願発明の「アンドープの活性層」は、「Ａｌを含有するアンドープの活性層」であるのに対して、引用発明の「ドープされていないＩｎＧａＡｓＰの量子井戸構造を有する活性層１１４」は、Ａｌを含有するものではない点（以下「相違点１」という。）、及び、
　
（イ）本願発明の「ＩｎＧａＡｌＡｓ層」は、「ｐ型にドーピングされているＩｎＧａＡｌＡｓ層」であるのに対して、引用発明の「ＩｎＧａＡｌＡｓ層」はｐ型にドーピングされているか否か明らかではない点（以下「相違点２」という。）
で相違するものと認められる。
　
４　判断
ア　上記相違点１について検討する。
　引用発明の「ドープされていない量子井戸構造を有する活性層」はＡｌを含まないが、「ドープされていない量子井戸構造を有する活性層」において、どのような量子井戸構造を採用するかは、発明を実施するに際して当業者が適宜選ぶ設計的事項であり、また、Ａｌを含む「ドープされていない量子井戸構造を有する活性層」は例を挙げるまでもなく従来周知のものであるから、引用発明の「ドープされていない量子井戸構造」にかえて、「Ａｌを含むドープされていない量子井戸構造」を採用して、上記相違点１に係る本願発明の構成とすることは、当業者の必要に応じて容易になしうる事項にすぎない。
　また、本願明細書を見ても、「ドープされていない量子井戸構造」を、「Ａｌを含むドープされていない量子井戸構造」とすることに格別の技術的な意義があるものとは認められない。
　
イ　上記相違点２について検討する。
　引用発明の「ＩｎＧａＡｌＡｓ層」は、ドープされていないか、あるいは、ｐ型にドーピングされているか、明らかではないが、「変調器のような光電装置」である引用発明と同じ変調器におけるＺｎの拡散を防止する拡散防止層がｐ型にドーピングされていてもよいことは、「光変調器等の半導体光素子において、拡散してきた格子間Ｚnをそこでトラップするために、ｐ型半導体基板及びその上の積層体と半絶縁性半導体結晶の間に、ｐ型低濃度ドープの半導体結晶からなるｐ型ドーパントの拡散緩和層を挿入したこと」（上記（２）エ）として引用文献２に記載された技術に見られ、また、「ＥＡ変調器として用いられる半導体素子において、ｐ型半導体層から光吸収層へのＺｎ拡散を防止する役割を果たす第１のｐ型ＩｎＰクラッド層は、第２のｐ型ＩｎＰクラッド層と比較して、Ｚｎ濃度が低いこと」（上記２（３）ウ）として引用文献３に記載された技術に見られるように従来周知のことであるから、引用発明の「ＩｎＧａＡｌＡｓ層」は、ｐ型にドーピングされていてもよいものであるといえる。
　また、本願明細書及び図面を見ても、Ｚｎの拡散を防止する拡散防止層をｐ型にドーピングすることに格別の技術的な意義があるものとは認められない。
　
５　小括
　以上のとおり、本願発明は、引用文献１に記載された発明、及び、引用文献２及び３の記載に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
第４　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用文献１に記載された発明、及び、引用文献２及び３の記載に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。