【事件の表示】
　上記当事者間の特許第２７７８４０５号発明「窒化ガリウム系化合物半導体発光素子」の特許無効審判事件について、次のとおり審決する。
【結　論】
　訂正を認める。
　本件審判の請求は、成り立たない。
　審判費用は、請求人の負担とする。
【理　由】
第１　事案の概要 
　本件は、請求人が、被請求人が特許権者である特許第２７７８４０５号（以下「本件特許」という。平成５年３月１２日に特許出願した特願平５−７９０４６号に係るものであって、平成１０年５月８日特許権の設定の登録。登録時の請求項の数は４である。）の請求項１ないし４に係る発明についての特許を無効とすることを求める事案である。 
 　 
　　
第２　本件審判の経緯 
　本件審判の経緯は、次のとおりである。 
 　 
平成２３年１０月　５日　審判請求 
平成２３年１２月２６日　訂正請求及び審判事件答弁書提出 
平成２４年　３月　１日　審判事件弁駁書提出 
平成２４年　５月２３日　口頭審理陳述要領書提出（請求人及び被請求人）
平成２４年　６月　６日　口頭審理 
平成２４年　７月　４日　上申書提出（請求人及び被請求人） 
 　 
　なお、被請求人が平成２３年１２月２６日に請求した訂正（以下「本件訂正」という。）は、後記第３に詳述するとおり、本件特許の願書に添付した明細書（以下「本件特許明細書」という。）の特許請求の範囲の請求項１についての訂正、及び同訂正に伴う請求項２の削除、請求項３、４の項番の繰り上げ、及び、発明の詳細な説明の訂正をその内容とするものである。 
 　
　 
第３　訂正請求についての当審の判断 
１　訂正請求の内容 
　本件訂正の内容は、次のとおりである（訂正部分に下線を付した。）。 
 　 
（１）訂正事項１ 
　特許請求の範囲の請求項１について、訂正前の 
　「ｐ−ｎ接合を有するダブルヘテロ構造の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、Ｍｇがドープされたｐ型Ｇａ１−ｘＡｌｘＮ（但し、Ｘは０＜Ｘ＜０．５）クラッド層の上に、電極が形成されるべき層として、Ｍｇがドープされたｐ型ＧａＮコンタクト層を具備することを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。」 
　を、 
　「ｐ−ｎ接合を有するダブルヘテロ構造の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、
膜厚が１０オングストローム以上、０．２μｍ以下である
　のとおり訂正する。
　
（２）訂正事項２
　訂正事項１に伴い、請求項２を削除するとともに、請求項３、４の項番を繰り上げ、請求項２、３とする。
　　
（３）訂正事項３ 
　本件特許明細書の【０００７】について、訂正前の 
　「即ち、ｐ−ｎ接合を有するダブルヘテロ構造の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、Ｍｇがドープされたｐ型Ｇａ１−ｘＡｌｘＮ但し、Ｘは０＜Ｘ＜０．５）クラッド層の上に、電極が形成されるべき層として、Ｍｇがドープされたｐ型ＧａＮコンタクト層を具備することを特徴とし、」
　を、 
　「即ち、ｐ−ｎ接合を有するダブルヘテロ構造の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、
膜厚が１０オングストローム以上、０．２μｍ以下である
　のとおり訂正する。
　
２　訂正の適否 
（１）訂正事項１について 
　「
膜厚が１０オングストローム以上、０．２μｍ以下である
膜厚が１０オングストローム以上、０．２μｍ以下である
　そして、本件特許明細書には、「またさらに、このＭｇドープｐ型Ｇａ１−ｘＡｌｘＮクラッド層６の膜厚は、１０オングストローム以上、０．２μｍ以下の範囲にすることが好ましい。」（【００１２】）との記載があることに照らせば、本件特許明細書には、「Ｍｇドープｐ型Ｇａ１−ｘＡｌｘＮクラッド層」が「
膜厚が１０オングストローム以上、０．２μｍ以下である
　したがって、本訂正事項は、本件特許明細書に記載された事項の範囲内でするものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、または変更するものでもないので、特許法第１３４条の２第５項において準用する同法第１２６条第３項及び第４項の規定に適合するものである。 
 　 
（２）訂正事項２について 
　訂正事項１に伴う、請求項２の削除及び請求項３、４の項番を繰り上げは、特許請求の範囲について、訂正事項１（請求項１の訂正）との整合を図り記載を明りようにするために行うものと認められ、特許法第１３４条の２第１項第３号に掲げる明りようでない記載の釈明を目的とするものである。 
　そして、上記（１）における訂正事項１についての検討と同様の理由により、本訂正事項は、本件特許明細書に記載された事項の範囲内でするものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、または変更するものでもないので、特許法第１３４条の２第５項において準用する同法第１２６条第３項及び第４項の規定に適合するものである。 
 　 
（３）訂正事項３について 
　訂正事項１に伴う、本件特許明細書の【０００７】についての本訂正事項
は、特許請求の範囲についての訂正事項１（請求項１の訂正）との整合を図り、本件特許明細書の記載を明りようにするために行うものと認められ、特許法第１３４条の２第１項第３号に掲げる明りようでない記載の釈明を目的とするものである。 
　そして、本訂正事項は、本件特許明細書に記載された事項の範囲内でするものであることは明らかであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもないので、特許法第１３４条の２第５項において準用する同法第１２６条第３項及び第４項の規定に適合するものである。 
 　 
３　訂正請求についてのむすび 
　以上のとおりであるから、本件訂正を認める。 
 　 
　
第４　本件訂正発明 
　上記のとおり、本件訂正が認められたので、本件特許の請求項１ないし３に係る発明（以下、各請求項に係る発明を「本件訂正発明１」などといい、これらを総称して「本件訂正発明」ということがある。）は、次の各請求項に記載したとおりのものである。
 　 
　「【請求項１】 
　ｐ−ｎ接合を有するダブルヘテロ構造の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、
膜厚が１０オングストローム以上、０．２μｍ以下である
【請求項２】  
　前記ｐ型ＧａＮコンタクト層の膜厚は１０オングストローム以上、０．５μｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
【請求項３】
　ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層の上に、ｎ型Ｇａ１−ＹＡｌＹＮクラッド層（但し、Ｙは０＜Ｙ＜１）と、ｎ型ＩｎＺＧａ１−ＺＮ活性層（但し、Ｚは０＜Ｚ＜１）とが順に積層されており、そのｎ型ＩｎＺＧａ１−ＺＮ活性層の上に、前記ｐ型Ｇａ１−ｘＡｌｘＮクラッド層が積層されていることを特徴とする請求項１に記載の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。」 
   
   
第５　請求人の主張の概要 
１　無効理由
　請求人は訂正が認められることを前提として審判請求書で主張する無効理由１ないし４のうち、無効理由１と無効理由３を撤回した（口頭審理調書）。しかるところ、上記のとおり、本件訂正が認められたので、請求人が主張する無効理由は以下のとおり、無効理由２（特許法第２９条第２項違反）及び無効理由４（同法第３６条違反）であると認められる。
　
（１）　無効理由２（特許法第２９条第２項違反） 
　本件訂正発明１ないし３は、甲第１号証（特開平４−２４２９８５号公報）に記載された発明及び周知技術等に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、上記各請求項に係る発明についての特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであり、同法第１２３条第１項第２号に該当し、無効とすべきものである。 
 　 
（２）　無効理由４（特許法第３６条違反） 
　本件訂正発明１及び本件特許明細書【０００７】において「電極」の材料が特定されていないから、本件特許明細書の発明の詳細な説明は、当業者が特許請求の範囲の請求項に係る発明の実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載したものでなく、特許請求の範囲の請求項に記載不備があり、平成１４年法律第２４号による改正前の特許法（以下「旧特許法」という。）第３６条第４項ないし第６項に規定する要件を満たしておらず、同請求項に係る特許は、旧特許法第３６条第４項ないし第６項に規定する要件を満たしていない出願に対してされたものであり、特許法第１２３条第１項第４号に該当し、無効とすべきものである。 
 　　 　  
２　甲号証 
　請求人が提出した甲号証は、以下のとおりである。 
　 
　甲第１号証：特開平４−２４２９８５号公報 
　甲第２号証：「Ｐ−ＧａＮ／Ｎ−ＩｎＧａＮ／Ｎ−ＧａＮ　Ｄｏｕｂｌｅ−Ｈｅｔｅｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ　Ｂｌｕｅ−Ｌｉｇｈｔ−Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｄｉｏｄｅｓ」、Ｓｈｕｊｉ　ＮＡＫＡＭＵＲＡ、Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．、Ｐａｒｔ２　Ｌｅｔｔｅｒｓ、Ｖｏｌ．３２、ｐ．Ｌ８−Ｌ１１（１９９３）
　甲第３号証：「ＧａＮｐｎ接合青色・紫外発光ダイオード」、天野浩、赤崎勇、応用物理、Ｖｏｌ．６０、Ｎｏ．２、ｐ．１６３−１６６（１９９１）
　甲第４号証：特開平２−２２９４７５号公報 
　甲第５号証：「ＪＵＮＣＴＩＯＮ　ＬＡＳＥＲＳ　ＷＨＩＣＨ　ＯＰＥＲＡＴＥ　ＣＯＮＴＩＮＵＯＵＳＬＹ　ＡＴ　ＲＯＯＭ　ＴＥＭＰＥＲＡＴＵＲＥ」、Ｉ．Ｈａｙａｓｈｉ、Ｍ．Ｂ．Ｐａｎｉｓｈ、Ｐ．Ｗ．Ｆｏｙ、Ｓ．Ｓｕｍｓｋｉ、ＡＰＰＬＹＥＤ　ＰＨＹＳＩＣＳ　ＬＥＴＴＥＲＳ、ＶＯＬＵＭＥ１７、ＮＵＭＢＥＲ３、ｐ．１０９−１１１、１　ＡＵＧＵＳＴ　１９７０
　甲第６号証：「ＨＥＴＥＲＯＳＴＲＵＣＴＵＲＥ　ＬＡＳＥＲＳ」、Ｈ．Ｃ．Ｃａｓｅｙ，Ｊｒ．、Ｍ．Ｂ．Ｐａｎｉｓｈ、ＡＣＡＤＥＭＩＣ　ＰＲＥＳＳ，ＩＮＣ．、ｐ．３２−３５、ＰＡＲＴ　Ａ、Ｆｕｎｄａｍｅｎｔａｌ　Ｐｒｉｎｃｉｐｌｅｓ、１９７８ 
　甲第７号証：特開昭５１−２５０８６号公報 
　甲第８号証：特開昭５２−２８８８７号公報 
　甲第９号証：特開昭５４−９３３８０号公報 
　甲第１０号証：特開平３−２５２１７７号公報 
　甲第１１号証：特開平５−２４３６１４号公報 
　甲第１２号証：「薄膜材料工学」、北田正弘、入戸野修、大坂敏明、海文堂出版株式会社、ｐ．１３５、ｐ．１３８、１９８９年１１月１日発行 
　甲第１３号証：東京高裁平成１２年（行ケ）第５３号判決（最高裁ホームページ） 
 （以上、審判請求書に添付して提出。） 
　甲第１４号証：特許第２５４０７９１号公報
　甲第１５号証：「ＧａＮ青色ＬＥＤ」、中村修二、平成４年電気学会電子・情報・システム部門第２回大会講演論文集、社団法人電気学会電子・情報・システム部門、ｐ．３９−４２、平成４年８月
　甲第１６号証：「半導体レーザ［基礎と応用］」、伊藤良一、中村道治、株式会社培風館、２枚目ないし３枚目、１９９３年１１月３０日
　甲第１７号証：「ＡｌｘＧａ１−ｘＮ／ＧａＮヘテロ接合および多層構造の作成と評価」、伊藤健治、川本武史、天野浩、平松和政、赤崎勇、電子情報通信学会技術研究報告ＣＰＭ９１−１〜１３［電子部品・材料］、ｐ．４１−４５、１９９１年５月２３日
　甲第１８号証：「ＰＲＥＰＡＲＡＴＩＯＮ　ＯＦ　ＡｌｘＧａ１−ｘＮ／ＧａＮ　ＨＥＴＥＲＯＳＴＲＵＣＴＵＲＥ　ＢＹ　ＭＯＶＰＥ」、Ｋｅｎｊｉ　ＩＴＯ、Ｋａｚｕｍａｓａ　ＨＩＲＡＭＡＴＳＵ、Ｈｉｒｏｓｈｉ　ＡＭＡＮＯ、Ｉｓａｍｕ　ＡＫＡＳＡＫＩ、Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　Ｃｒｙｓｔａｌ　Ｇｒｏｗｔｈ　１０４（１９９０）５３３−５３８、Ｎｏｒｔｈ−Ｈｏｌｌａｎｄ、１９９０
　甲第１９号証：特開平５−２９１６２１号公報 
 （以上、審判事件弁駁書に添付して提出。） 
　甲第２０号証：特開昭６４−２１９９１号公報
　甲第２１号証：特開平５−６３２９１号公報 
 （以上、口頭審理陳述要領書に添付して提出。）
　甲第２２号証：特開平５−６３２３６号公報 
 （以上、上申書に添付して提出。）
　
　
第６　被請求人の主張の概要 
１　無効理由２に対して 
　本件訂正発明１ないし３は、甲第１号証に記載された発明等に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。 
 　 
２　無効理由４に対して 
　本件訂正発明１は電極材料が特定されていないから記載不備であるとする請求人の主張には理由がない。また、本件明細書に電極としては「Ａｕ」のみが例示されているとしても、当業者が、「Ａｕ」とした場合に本件訂正発明１を実施できるのであるから、本件発明が不明瞭ということはできない。
　
３　乙号証
　被請求人が提出した乙号証は、以下のとおりである。 
 　 
　乙第１号証：特開平５−１９０８９８号公報 
　乙第２号証：「ワイドギャップ半導体光・電子デバイス」、長谷川文夫、吉川明彦、森北出版株式会社、ｐ．３８２−３８５、２００６年３月３１日
　乙第３号証：「アドバンスト　エレクトロニクス　シリーズ　１−２１　カテゴリー１：エレクトロニクス材料・物性・デバイス　ＩＩＩ族窒化物半導体」、赤崎勇、株式会社培風館、ｐ．５８−６１、１９９９年１２月８日
　乙第４号証：「ＩｎＧａＮコンタクト層によるｐ型ＧａＮ電極の接触抵抗低減」、森朋彦、小澤隆弘、大脇健史、多賀康訓、梅崎潤一、永井誠二、山崎史郎、小池正好、１９９６年（平成８年）秋季第５７回応用物理学会学術講演会講演予稿集、Ｎｏ．１、１０ａ−ＺＦ−９、平成８年
　乙第５号証：「ＩｎＧａＮコンタクト層を用いたｐ−ＧａＮに対する接触抵抗の温度特性」、熊倉一英、牧本俊樹、小林直樹、２００２年（平成１４年）春季第４９回応用物理学会関係連合講演会講演予稿集、Ｎｏ．１、２８ｐ−ＺＭ−２、平成１４年
　乙第６号証：「アドバンスト　エレクトロニクス　シリーズ　１−１　カテゴリー１：エレクトロニクス材料・物性・デバイス　ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体」、赤崎勇、株式会社培風館、ｐ．３０−３１、１９９４年５月２０日 
 （以上、審判事件答弁書に添付して提出。） 
 　 
　　
第７　無効理由２についての当審の判断 
　請求人が主張する無効理由２（本件訂正発明が、特許法第２９条第２項の規定に該当するか否か）につき検討する。
 　
１　甲号証の記載  
（１）本願の出願前に頒布された刊行物である甲第１号証（特開平４−２４２９８５号公報）には、以下の記載がある。 
　 
ア　「【特許請求の範囲】
・・・
【請求項４】禁制帯幅の比較的小さい窒化ガリウム系化合物半導体（（Ａｌｘ’Ｇａ１−ｘ’）ｙ’Ｉｎ１−ｙ’Ｎ：０≦ｘ’≦１，０≦ｙ’≦１，但しｘ’＝ｙ’＝１　は含まない）から成る層を、相互に禁制帯幅及び混晶組成が同一又は異なり、前記層に対して禁制帯幅の比較的大きい窒化ガリウム系化合物半導体（（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＮ：０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，ｘ≠ｘ’及び／又は　ｙ≠ｙ’）から成るｐ型導電性を示す層とｎ型導電性を示す層との２つの層で、両側から挟んだ構造の接合を有する窒化ガリウム系化合物半導体レーザダイオード。」
　
イ　「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、可視単波長、特に、青色領域から紫色領域まで、及び紫外光領域で発光可能な半導体レーザダイオードに関する。
【０００２】本発明の半導体レーザダイオードは、本発明者らにより初めて明らかにされた電子線照射処理による（（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＮ：０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１）層のｐ型化技術を基盤として、新たに開発さた技術を加えて、初めて、（（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＮ：０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１）半導体レーザダイオードの製作が可能となったものである。」 
　
ウ　「【００３５】二つのヘテロ接合を形成する場合、禁制帯幅の比較的小さいｎ型の結晶の両側に各々禁制帯幅の大きいｎ型及びｐ型の結晶を接合し禁制帯幅の小さいｎ型の結晶を挟む構造とする。
【００３６】多数のヘテロ接合を形成する場合、ｎ型の比較的禁制帯幅の大きい薄膜結晶と比較的禁制帯幅の小さい薄膜結晶を複数接合し、その両側にそれぞれ更に禁制帯幅の大きいｎ型及びｐ型の結晶を接合し、多数のヘテロ接合を挟む。
【００３７】（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＮ　系単結晶の禁制帯幅付近での光の屈折率は禁制帯幅が小さい程大きいため、他の（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＡｓ系単結晶や（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＰ　系単結晶による半導体レーザダイオードと同様、禁制帯幅の大きい結晶で挟むヘテロ構造は光の閉じ込めにも効果がある。」 
　
エ　「【００３８】ヘテロ接合を利用する場合も、同一組成の結晶によるｐｎ接合の場合と同様に、オーム性電極組成を容易にするため電極と接触する部分付近のキャリア濃度は高濃度にしても良い。
【００３９】ｎ型結晶のキャリア濃度はドナー不純物のドーピング濃度により、またｐ型結晶のキャリア濃度はアクセプタ不純物のドーピング濃度及び電子線照射処理条件により制御する。又、特にオーム性電極形成を容易にするため高キャリア濃度実現が容易な結晶を金属との接触用に更に接合してもよい。」 
　
オ　「【００４１】（１）サファイア基板の場合図１は、サファイア基板を用いた半導体レーザダイオードの構造を示した断面図である。図１において、（０００１）面を結晶成長面とするサファイア基板１を有機洗浄の後、結晶成長装置の結晶成長部に設置する。成長炉を真空排気の後、水素を供給し１２００℃程度まで昇温する。これによりサファイア基板１の表面に付着していた炭化水素系ガスがある程度取り除かれる。
【００４２】次に、サファイア基板１の温度を６００℃程度まで降温し、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）及びアンモニア（ＮＨ３）を供給して、サファイア基板１上に５０ｎｍ程度の膜厚を持つＡｌＮ層２を形成する。次に、ＴＭＡの供給のみを止め、基板温度を１０４０℃まで上げ、ＴＭＡ，トリメチルガリウム（ＴＭＧ）及びシラン（ＳｉＨ４）を供給しＳｉドープｎ型ＧａＡｌＮ層３（ｎ層）を成長する。
【００４３】一旦、ウェハを成長炉から取り出し、ＧａＡｌＮ層３の表面の一部をＳｉＯ２でマスクした後、再び成長炉に戻して真空排気して水素及びＮＨ３を供給し１０４０℃まで昇温する。次に、ＴＭＧを供給して、ＳｉＯ２でマスクされていない部分に厚さ０．５μｍのＧａＮ層４を成長させる。次に、ＴＭＡ及びビスシクロペンタディエニルマクネシウム（Ｃｐ２Ｍｇ）を更に供給してドープＧａＡｌＮ層５（ｐ層）を０．５μｍ成長する。
【００４４】次に、マスクとして使用したＳｉＯ２を弗酸系エッチャントにより除去する。次に、ドープＧａＡｌＮ層５（ｐ層）上にＳｉＯ２層７を堆積した後、縦１ｍｍ、横５０μｍの短冊状に窓７Ａを開け、真空チャンバに移して、ドープＧａＡｌＮ層５（ｐ層）に電子線照射処理を行う。典型的な電子線照射処理条件を表に示す。
　
　
　
　
　
┌─────────┬──────────┐
│電子線加速電圧　　│１５ＫＶ　　　　　　│
├─────────┼──────────┤
│エミッション電流　│１２０μＡ以上　　　│
├─────────┼──────────┤
│電子線スポット径　│６０μｍφ　　　　　│
├─────────┼──────────┤
│試料温度　　　　　│２９７Ｋ　　　　　　│
└─────────┴──────────┘
　　
　
【００４５】次に、ドープＧａＡｌＮ層５（ｐ層）の窓８の部分と、Ｓｉドープｎ型ＧａＡｌＮ層３（ｎ層）に、それぞれ、金属電極を形成する。結晶成長は以上である。上記の構造は、特許請求の範囲請求項４に記載の発明に対応する。」
　
カ　「【００４９】（３）６Ｈ−ＳｉＣ基板の場合６Ｈ−ＳｉＣ基板上に作成したレーザダイオードを図３に示す。低抵抗ｎ型６Ｈ−ＳｉＣの（０００１）面基板１６を有機洗浄の後、王水系エッチャントによりエッチングの後、結晶成長部に設置する。成長炉を真空排気の後、水素を供給し、１２００℃まで昇温する。次に、成長炉に水素を供給し基板温度を１０４０℃にして、ＴＭＧ，ＳｉＨ４及びＮＨ３を供給してｎ型ＧａＮ緩衝層１７を０．５〜１μｍ程度成長する。次に、ＴＭＡを加え、ｎ型ＧａＮ緩衝層１７の上にｎ型ＧａＡｌＮ層１８（ｎ層）を成長する。
【００５０】次に、ｎ型ＧａＡｌＮ層１８の上に、前記のＳｉ基板を用いたレーザダイオードと同一構造に、同一ガスを用いて、同一成長条件で、それぞれ、ＧａＮ層１９を　０．５μｍ、ＭｇドープＧａＡｌＮ層２０（ｐ層）を０．５μｍの厚さに形成した。次に、ＭｇドープＧａＡｌＮ層２０上にＳｉＯ２層２２を堆積した後、縦１ｍｍ、横５０μｍの短冊状に窓２２Ａを開け、真空チャンバに移して、ＭｇドープＧａＡｌＮ層２０（ｐ層）に電子線を照射した。電子線の照射条件は前実施例と同様である。
【００５１】その後、ＳｉＯ２層２２側からＭｇドープＧａＡｌＮ層２０（ｐ層）に対する電極２１Ａを形成し、他方、基板１６の裏面にｎ型ＧａＡｌＮ層１８（ｎ層）に対する電極２１Ｂを形成した。」
　
　ここで、図１は次のものである。
　
　
　 　 
（２）同じく、甲第２号証（「Ｐ−ＧａＮ／Ｎ−ＩｎＧａＮ／Ｎ−ＧａＮ　Ｄｏｕｂｌｅ−Ｈｅｔｅｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ　Ｂｌｕｅ−Ｌｉｇｈｔ−Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｄｉｏｄｅｓ」、Ｓｈｕｊｉ　ＮＡＫＡＭＵＲＡ、Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．、Ｐａｒｔ２　Ｌｅｔｔｅｒｓ、Ｖｏｌ．３２（１９９３））には、以下の記載がある。 
　
ア　「Ａ　ｗｉｄｅ−ｂａｎｄ−ｇａｐ　ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ，　（Ｉｎ，Ｇａ，Ａｌ）Ｎ，　ａ　ＩＩＩ−Ｖ　ｃｏｍｐｏｕｎｄ　ｓｙｓｔｅｍ，　ｗａｓ　ｐｒｏｐｏｓｅｄ　ｂｙ　Ｍａｔｓｕｏｋａ　ｅｔ　ａｌ．　Ｕｔｉｌｉｚｉｎｇ　ｔｈｉｓ　ｓｙｓｔｅｍ，　ａ　ｂａｎｄ−ｇａｐ　ｅｎｅｒｇｙ　ｆｒｏｍ　２　ｔｏ　６．２ｅＶ　ｃａｎ　ｂｅ　ｃｈｏｓｅｎ．　Ｆｏｒ　ｈｉｇｈ−ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ　ｏｐｔｉｃａｌ　ｄｅｖｉｃｅｓ，　ａ　ｄｏｕｂｌｅ　ｈｅｔｅｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ　（ＤＨ）　ｉｓ　ｉｎｄｉｓｐｅｎｓａｂｌｅ．　Ｔｈｉｓ　ｍａｔｅｒｉａｌ　ｅｎａｂｌｅｓ　ＤＨ　ｃｏｎｓｔｒｕｃｔｉｏｎ．」（Ｌ８頁左欄第２４行ないし第２９行）
　
（訳文）
　「ワイドバンドギャップのＩＩＩ−Ｖ化合物である（Ｉｎ，Ｇａ，Ａｌ）Ｎ半導体が、松岡らにより提案された。この化合物では、２−６．２ｅＶのバンドギャップエネルギを選ぶことができる。高機能発光素子のためには、ダブルヘテロ構造（ＤＨ）が不可欠である。この材料によればＤＨ構造ができる。」
　
イ　「Ｔｈｅｎ,　ｔｈｅ　ｓｕｂｓｔｒａｔｅ　ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅｗａｓ　ｌｏｗｅｒｅｄ　ｔｏ　５１０℃　ｔｏ　ｇｒｏｗ　ｔｈｅ　ＧａＮ　ｂｕｆｆｅｒ　ｌａｙｅｒ．・・・Ｎｅｘｔ,　ｔｈｅ　ｓｕｂｓｔｒａｔｅ　ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒ　ｗａｓ　ｅｌｅｖａｔｅｄ　ｔｏ　１０２０℃　ｔｏ　ｇｒｏｗ　ｔｈｅ　ＧａＮ　ｆｉｌｍｓ．・・・Ａｆｔｅｒ　ＧａＮ　ｇｒｏｗｔｈ,　ｔｈｅ　ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒ　ｗａｓ　ｄｅｃｒｅａｓｅｄ　ｔｏ　８００℃，ａｎｄ　ｔｈｅ　Ｓｉ−ｄｏｐｅｄ　ＩｎＧａＮ　ｆｉｌｍ　ｗａｓ　ｇｒｏｗｎ　ｆｏｒ　７　ｍｉｎｉｔｕｅｓ．・・・Ａｆｔｅｒ　ｔｈｅ　Ｓｉ−ｄｏｐｅｄ　ＩｎＧａＮ　ｇｒｏｗｔｈ,　ｔｈｅ　ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒ　ｗａｓ　ｉｎｃｒｅａｓｅｄ　ｔｏ　１０２０℃　ｔｏ　ｇｒｏｗ　Ｍｇ−ｄｏｐｅｄ　ｐ−ｔｙｐｅ　ＧａＮ　ｆｉｌｍ．・・・Ａｆｔｅｒ　ｔｈｅ　ｇｒｏｗｔｈ，　ｌｏｗ−ｅｎｅｒｇｙ　ｅｌｅｃｔｒｏｎ−ｂｅａｍ　ｉｒｒａｄｉａｔｉｏｎ（ＬＥＥＢＩ）　ｔｒｅａｔｍｅｎｔ　ｗａｓ　ｐｅｒｆｏｒｍｅｄ　ｔｏ ｏｂｔａｉｎ　ａ　ｈｉｇｈｌｙ　ｐ−ｔｙｐｅ　ＧａＮ　ｌａｙｅｒ　・・・．　Ｎｅｘｔ，ａｎ　Ａｕ　ｃｏｎｔａｃｔ　ｗａｓ　ｅｖａｐｏｒａｔｅｄ　ｏｎｔｏ　ｔｈｅ　ｐ−ｔｙｐｅ　ＧａＮ　ｌａｙｅｒ・・・．　Ｔｈｅ　ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ　ｏｆ　ａｎ　ＩｎＧａＮ／ＧａＮ／ＧａＮ　ＤＨ　ＬＥＤ　ｉｓ　ｓｈｏｗｎ　ｉｎ　Ｆｉｇ．１．」（Ｌ８頁右欄第２９行ないしＬ９頁左欄第２９行）
　
（訳文）
　「５１０℃に下げて、ＧａＮバッファ層を成長する。・・・次に、１０２０℃に上げて、ＧａＮ薄膜を成長する。・・・８００度に下げて、ＳｉドープＩｎＧａＮ薄膜を７分間成長する。・・・基板温度を１０２０度に上げて、Ｍｇドープｐ型ＧａＮ薄膜を成長する。・・・成長後、より高いｐ型ＧａＮ層を得るために、低エネルギ電子線照射処理（ＬＥＥＢＩ）を行う。・・・次に、ｐ型ＧａＮ層の上にＡｕコンタクトを蒸着する。・・・ＩｎＧａＮ／ＧａＮ　ＤＨ　ＬＥＤの構造を示している。」
　
（３）同じく、甲第３号証（「ＧａＮｐｎ接合青色・紫外発光ダイオード」、天野浩、赤崎勇、応用物理、Ｖｏｌ．６０、Ｎｏ．２（１９９１））には、以下の記載がある。 
　
ア　「・・・発光強度の温度変化からＭｇアクセプターの活性化エネルギーを求めると１５５〜１６５ｍｅＶとなる。この値はＺｎのイオン化エネルギーである２１０ｍｅＶと比較すると小さく，Ｚｎに比べＭｇがアクセプターとしてイオン化しやすいことを示している。・・・」（第１６４頁右欄下から第３行ないし第１６５頁左欄第２行）
　
（４）同じく、甲第４号証（特開平２−２２９４７５号公報）には、以下の記載がある。 
　
ア　「・・・また、Ｐ形電極のオーミック抵抗を下げるために、Ｐ形クラッド層と電極との間に低抵抗になり易いバンドギャップの狭いＩｎＧａＡｌＮ層のＰ形層をキャップ層として一層入れても良い。以上述べてきた素子構造の他に、他の素子構造であっても基仮とその上に成長した結晶の格子定数を一致させるという本発明の基本原理は、極めて有効であることは言うまでもないことである。・・・」（第６頁右上欄下から第６行ないし左下欄第４行）
　
イ　「【図面の簡単な説明】
・・・第１３図はＩＩＩ族元素（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）窒化物の（００１）面上の格子定数とバンドギャップエネルギとの関係を示す。」（第６頁右下欄下から第７行ないし下から第４行）
　
　ここで、図１３は次のものである。
　　
　　
   
（５）同じく、甲第５号証（「ＪＵＮＣＴＩＯＮ　ＬＡＳＥＲＳ　ＷＨＩＣＨ　ＯＰＥＲＡＴＥ　ＣＯＮＴＩＮＵＯＵＳＬＹ　ＡＴ　ＲＯＯＭ　ＴＥＭＰＥＲＡＴＵＲＥ」、Ｉ．Ｈａｙａｓｈｉ、Ｍ．Ｂ．Ｐａｎｉｓｈ、Ｐ．Ｗ．Ｆｏｙ、Ｓ．Ｓｕｍｓｋｉ、ＡＰＰＬＹＥＤ　ＰＨＹＳＩＣＳ　ＬＥＴＴＥＲＳ、ＶＯＬＵＭＥ１７、ＮＵＭＢＥＲ３、１　ＡＵＧＵＳＴ　１９７０）には、以下の記載がある。 
　
ア　「Ｄｏｕｂｌｅ−ｈｅｔｅｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ　ＧａＡｓ−ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ　ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ　ｌａｓｅｒｓ　ｗｈｉｃｈ　ｏｐｅｒａｔｅ　ｃｏｎｔｉｎｕｏｕｓｌｙ　ａｔ　ｈｅａｔ−ｓｉｎｋ　ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ　ａｓ　ｈｉｇｈ　ａｓ　３１１°Ｋ　ｈａｖｅ　ｂｅｅｎ　ｆａｂｒｉｃａｒｅｄ　ｂｙ　ｌｉｑｕｉｄ−ｐｈａｓｅ　ｅｐｉｔａｘｙ．」（第１０９頁要約欄）
　
（訳文）
　「３１１°Ｋという高いヒートシンク温度で連続動作するダブルヘテロ構造注入レ−ザＧａＡｓ−ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓうを液相エピタキシーで作製した。」
　
イ　「Ｔｈｅ　ｄｉｏｄｅｓ　ｗｅｒｅ　ｆｏｕｒ−ｌａｙｅｒ　ｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ　ｓｉｍｉｌａｒ　ｔｏ　ｔｈｏｓｅ　ｉｌｌｕｓｔｒａｔｅｄ　ｉｎ　Ｒｅｆ．２　ｅｘｃｅｐｔ　ｔｈａｔ　ａｎ　ａｄｄｉｔｉｏｎａｌ　ｌａｙｅｒ　（ｌａｙｅｒ　４）　ｏｆ　ＧａＡｓ　ｗａｓ　ｕｓｅｄ　ｔｏ　ｐｒｏｖｉｄｅ　ａ　ｂｅｔｔｅｒ　ｃｏｎｔａｃｔ　ｔｏ　ｔｈｅ　ｐ　ｓｉｄｅ　ｏｆ　ｔｈｅ　ｄｉｏｄｅ　ｔｈａｎ　ｗｉｔｈ　ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ．　Ｔｈｅ　ｌａｙｅｒｓ　ｗｅｒｅ　ｇｒｏｗｎ　ｏｎ　ｐｏｌｉｓｈｅｄ　ａｎｄ　ｅｔｃｈｅｄ　（１１１）　ａｎｄ　１００（）　ｆａｃｅｓ　ｏｆ　ｎ−ｔｙｐｅ　ＧａＡｓ　ｉｎ　ａｐｐａｒａｔｕｓ　ｓｈｏｗｎ　ｉｎ　Ｆｉｇ．１．　Ａｆｔｅｒ　ｃｏｏｌｉｎｇ　ｒａｔｅｓ　ｏｆ　１−３℃／ｍｉｎ　ｈａｄ　ｂｅｅｎ　ｅｓｔａｂｌｉｓｈｅｄ，　ｔｈｅ　ｓｏｌｕｔｉｏｎｓ　ｗｅｒｅ　ｓｕｃｃｅｓｓｉｖｅｌｙ　ｂｒｏｕｇｈｔ　ｉｎｔｏ　ｃｏｎｔａｃｔ　ｗｉｔｈ　ｓｅｅｄ．　Ｌａｙｅｒ　１　ｗａｓ　ｇｒｏｗｎ　ｆｒｏｍ　８４０　ｔｏ　８３０℃，　ａｎｄ　ｌａｙｅｒｓ２，３　ａｎｄ　４　ｂｙ　ａｌｌｏｗｉｎｇ　ｓｏｌｕｔｉｏｎｓ　２，３，　ａｎｄ　４　ｔｏ　ｒｅｍａｉｎ　ｏｎ　ｔｈｅ　ｓｅｅｄ　ｆｏｒ　１５　ｓｅｃ　ｅａｃｈ　ｗｈｉｌｅ　ｃｏｏｌｉｎｇ．　Ｔｈｅ　ｓｏｌｕｔｉｏｎ　ｃｏｍｐｏｓｉｔｉｏｎｓ　ａｎｄ　ｌａｙｅｒ　ｔｈｉｃｋｎｅｓｓｅｓ　ｆｏｒ　ａ　ｔｙｐｉｃａｌ　ｒｕｎ　ａｒｅｓｈｏｗｎ　ｉｎ　Ｔａｂｌｅ　Ｉ．」（第１０９頁右欄第１行ないし第１４行）
　
（訳文）
　「ＧａＡｓ−ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓよりもダイオードのｐ側へのコンタクトを改善するために、ＧａＡｓをもう１層（層４）使用した点を除いて、このダイオードは参考文献２に図示されているものと類似した４層構造である。この層は、図１に示す装置でｎ型ＧａＡｓの研磨、エッチした（１１１）と（１００）面上に成長した。１〜３℃／分の冷却温度を確立した後、溶液を連続的にシードと接触させた。層１は８４０から８３０℃で成長させ、層２、３及び４は、溶液２、３及び４を冷却する間、各々１５秒間シード上に留まらせて成長させた。典型的な実験例の溶液組成と層厚保を表１に示した。」
　
ウ　「ｃｏｎｔａｃｔｓ　ｗｅｒｅ　ｖａｐｏｒ　ｐｌａｔｅｄ　ｏｎ　ｔｈｅ　ｗａｆｅｒ，　Ｃｒ　ｔｈｅｎ　Ａｕ　ｏｎ　ｔｈｅ　ｐ　ｓｉｄｅ，　ａｎｄ　ａ　Ｓｎ−Ｐｔ−Ｓｎ　ｓａｎｄｗｉｃｈ　ｏｎ　ｔｈｅ　ｎｓｉｄｅ．」（第１１０頁左欄第２４行ないし第２６行）
　
（訳文）
　「コンタクトは、ｐ側にＣｒの次にＡｕ、ｎ側にＳｎ−Ｐｔ−Ｓｎサンドイッチを、ウエハ上に気相で製膜した。」
　
（６）同じく、甲第６号証（「ＨＥＴＥＲＯＳＴＲＵＣＴＵＲＥ　ＬＡＳＥＲＳ」、Ｈ．Ｃ．Ｃａｓｅｙ，Ｊｒ．、Ｍ．Ｂ．Ｐａｎｉｓｈ、ＡＣＡＤＥＭＩＣ　ＰＲＥＳＳ，ＩＮＣ．、ｐ．３２−３５、ＰＡＲＴ　Ａ、Ｆｕｎｄａｍｅｎｔａｌ　Ｐｒｉｎｃｉｐｌｅｓ、１９７８）には、以下の記載がある。
　
ア　「Ｔｈｅ　ｕｓｕａｌ　ｌａｙｅｒ　ｃｏｎｆｉｇｕｒａｔｉｏｎ　ｏｆ　ｔｈｅ　ＤＨ　ｌａｓｅｒ　ｉｓ　ｓｈｏｗｎ　ｉｎ　Ｆｉｇ．　２．３−１．　Ｂｅｃａｕｓｅ　ｏｆ　ｔｈｅ　ｍｕｌｔｉｐｌｅ　ｌａｙｅｒｓ　ｏｆ　ＧａＡｓ　ａｎｄ　ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ，　ｉｔ　ｉｓ　ｃｏｎｖｉｎｉｅｎｔ　ｔｏ　ｄｅｓｉｇｎａｔｅ　ｔｈｅ　ｎ−　ｏｒ　ｐ−ｔｙｐｅ　ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ　ｌａｙｅｒｓ　ｂｙ　Ｎ　ｏｒ　Ｐ　ａｎｄ　ｔｈｅ　ｎ−　ｏｒ　ｐ−ｔｙｐｅ　ＧａＡｓ　ｌａｙｅｒｓ　ｂｙ　ｎ　ｏｒ　ｐ．　Ｔｈｅ　ＡｌＡｓ　ｍｏｌｅ　ｆｒａｃｔｉｏｎ　ｉｓ　ｄｅｓｉｇｎａｔｅｄ　ｂｙ　ｘ　ａｎｄ　ｙ．　Ｔｈｅ　ｔｏｐ　ｐ＋−ＧａＡｓ　ｌａｙｅｒ　ｆａｃｉｌｉｔａｔｅｓ　ｏｈｍｉｃ　ｃｏｎｔａｃｔ，
・・・．　Ｐｒｏｐｅｒｌｙ　ｄｅｓｉｇｎａｔｅｄ　ＤＨ　ｌａｓｅｒｓ　ｈａｖｅ　ｖａｌｕｅｓ　ｏｆ　ｌａｙｅｒ　ｔｈｉｃｋｎｅｓｓｅｓ　ｄ１　ａｎｄ　ｄ３　ｓｕｆｆｉｃｉｅｎｔｌｙ　ｌａｒｇｅ　ｔｏ　ｐｒｅｖｅｎｔ　ｔｈｅ　ｉｎｔｅｒｆａｃｅｓ　ｗｉｔｈ　ｔｈｅ　ｐ＋−ＧａＡｓ　ｃｏｎｔａｃｔ　ｌａｙｅｒ　ｏｒ　ｔｈｅ　ｎ＋　ｓｕｂｓｔｒａｔｅ　ｆｒｏｍ　ｉｎｆｌｕｅｎｃｉｎｇ　ｔｈｅ　ｏｐｔｉｃａｌ　ｆｉｅｌｄｓ．」（第３３頁第７行ないし第３４頁第３行）
　
（訳文）
　「ＤＨレーザーの通常の層構成を図２．３−１に示す。多層のＧａＡｓ及びＡｌｘＧａ１−ｘＡｓのため、Ｎ又はＰによってｎ型又はｐ型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層を示すこと、また、ｎ又はｐによってｎ型又はｐ型のＧａＡｓ層を示すことが都合がよい。ＡｌＡｓのモル分率はｘとｙによって示される。最上のｐ＋−ＧａＡｓ層はオーミックコンタクトを容易にする、・・・最適に設計されたＤＨレーザは、ｐ＋−ＧａＡｓコンタクト層又はｎ＋ 基板との界面がオプチカル領域に影響を与えないよう十分に大きい層厚ｄ１及びｄ３の値を有する。」
　
（７）同じく、甲第７号証（特開昭５１−２５０８６号公報）には、以下の記載がある。
　
ア　「・・・直接電極を設けるため、従来ダブルヘテロ接合レーザで行われてきたようにオーム接触を良好とするために成長層表面に付加されていたＧａＡｓ層を必要としない点があげられる。このＧａＡｓ層は、第１図に示した従来例においては、説明の便宜上その記載を省略しているが、第２のＧａＡｌＡｓ層（４）と電極（６ａ）との接触抵抗を下げるために設けられているものであり、更にこのＧａＡｓ層を設けると、このＧａＡｓ層を通るリーク電流を阻止するために第２のＧａＡｌＡｓ層（４）はｎ型とｐ型の２層に形成されており、複雑な構成となつている。しかるに、この発明により上記のオーミツクコンタクトをとるためのＧａＡｓ層は不要となり、従つて、第２のＧａＡｌＡｓ層（４）も１層構造とすることができるため、製造工程が簡単となる。・・・」（第２頁左下欄下から第４行ないし右下欄第１２行）
　
（８）同じく、甲第８号証（特開昭５２−２８８８７号公報）には、以下の記載がある。
　
ア　「・・・続いてその上に光及びキヤリアの閉じ込め層となるＰ型のガリウム・アルミニウム・砒素（Ｇａ１−ｘＡｌｘＡｓ）層７を成長させる。ガリウム・アルミニウム・砒素の基礎層の上にさらにガリウム・アルミニウム・砒素層を成長させる場合、基礎層におけるアルミニウム（Ａｌ）を含有量が３０［％］を越えていると、・・・。次にガリウム・アルミニウム・砒素層７の上に、Ｐ型のガリウム・砒素（ＧａＡｓ）層８を形成する。この層８はその表面全面に設ける電極９の金属とオーミツクなコンタクトを形成するためのものである。電極９はＰ型ガリウム・砒素層８全面にコンタクトするので、そのコンタクト抵抗は十分低い。・・・」（第２頁右上欄第８行ないし左下欄第１０行）
　
（９）同じく、甲第９号証（特開昭５４−９３３８０号公報）には、以下の記載がある。
　
ア　「（３）多層液層エピタキシヤル成長法を適用してｎ型ＧａＡｌＡｓ結晶からなるクラツド層４、ＧａＡｓ結晶からなる活性層５、ｐ型ＧａＡｌＡｓ結晶からなるクラツド層６、ｐ型ＧａＡｓ結晶からなる電極コンタクト層７を成長させる。」（第２頁左上欄第１行ないし第５行）
　
（１０）同じく、甲第１０号証（特開平３−２５２１７７号公報）には、以下の記載がある。
　
ア　「【課題を解決するための手段】
本発明は、Ｎ型の窒化ガリウム系化合物半導体（ＡｌＸＧａ１−ＸＮ；Ｘ＝０を含む）からなるＮ層と、Ｐ型不純物を添加したＩ型の窒化ガリウム系化合物半導体（ＡｌＸＧａ１−ＸＮ；Ｘ＝０を含む）からなるＩ層とを有する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、Ｎ層をＩ層と接合する側から順に、低キャリア濃度Ｎ層と高キャリア濃度Ｎ＋層との二重層構造とし、Ｉ層をＮ層と接合する側から順に、Ｐ型不純物が比較的低濃度の低不純物濃度ＩＬ層とＰ型不純物が比較的高濃度の高不純物濃度ＩＨ層との二重層構造としたことを特徴とする。」（第２頁左上欄第３行ないし第１３行）
　
イ　「又、上記低不純物濃度ＩＬ層のＰ型不純物濃度は１×１０１６〜５×１０１９／ｃｍ３で膜厚は０．０１〜１μｍが望ましい。Ｐ型不純物濃度が５×１０１９／ｃｍ３以上となると発光ダイオードの直列抵抗が増大したり立上がり電圧が上昇するので望ましくなく、１×１０１６／ｃｍ３以下となるとＮ導電型となるので望ましくない。又、膜厚が１μｍ以上となると発光ダイオードの直列抵抗が増大したり立上がり電圧が上昇するので望ましくなく、膜厚が０．０１μｍ以下となると従来構造と等しくなるので望ましくない。更に、高不純物濃度ＩＨ層の不純物濃度は１×１０１６〜５×１０２０／ｃｍ３で膜厚は０．０２〜０．３μｍが望ましい。不純物濃度が５×１０２０／ｃｍ３以上となると結晶性が悪化するので望ましくなく、１×１０１６／ｃｍ３以下となると発光強度が低下するので望ましくない。又、膜厚が０．３μｍ以上となると高抵抗となるので望ましくなく、膜厚が０．０２μｍ以下となるとＩ層が破壊されるので望ましくない。」（第２頁右上欄第１２行ないし左下欄第９行）
　
ウ　「・・・膜厚０．２μｍ、ＧａＮから成るＺｎ濃度２×１０２０／ｃｍ３の高不純物濃度ＩＨ層６を形成した。・・・」（第３頁左下欄第９行ないし第１０行）
　
エ　「・・・高不純物濃度ＩＨ層６の電極７を形成した。・・・」（第４頁左上欄第３行ないし第４行）
　 　 
２　甲第１号証発明 
　上記１（１）によれば、甲第１号証には、次の発明（以下「甲第１号証発明」という。）が記載されているものと認められる。　 
　 
　「ＧａＡｌＮ層３に厚さ０．５μｍのＧａＮ層４を成長させ、ＭｇドープＧａＡｌＮ層５（ｐ層）を０．５μｍ成長し、ＭｇドープＧａＡｌＮ層５（ｐ層）の窓８の部分と、Ｓｉドープｎ型ＧａＡｌＮ層３（ｎ層）に、それぞれ、金属電極を形成した、禁制帯幅の比較的小さい窒化ガリウム系化合物半導体（（Ａｌｘ’Ｇａ１−ｘ’）ｙ’Ｉｎ１−ｙ’Ｎ：０≦ｘ’≦１，０≦ｙ’≦１，但しｘ’＝ｙ’＝１　は含まない）から成る層を、相互に禁制帯幅及び混晶組成が同一又は異なり、前記層に対して禁制帯幅の比較的大きい窒化ガリウム系化合物半導体（（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＮ：０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，ｘ≠ｘ’及び／又は　ｙ≠ｙ’）から成るｐ型導電性を示す層とｎ型導電性を示す層との２つの層で、両側から挟んだ構造の接合を有する窒化ガリウム系化合物半導体レーザダイオード。」
 　 
３　本件訂正発明との対比・判断 
（１）本件訂正発明１について 
ア　対比  
　本件訂正発明１と甲第１号証発明とを対比する。 
　
（ア）甲第１号証発明の「禁制帯幅の比較的小さい窒化ガリウム系化合物半導体（（Ａｌｘ’Ｇａ１−ｘ’）ｙ’Ｉｎ１−ｙ’Ｎ：０≦ｘ’≦１，０≦ｙ’≦１，但しｘ’＝ｙ’＝１　は含まない）から成る層を、ｐ型導電性を示す層とｎ型導電性を示す層との２つの層で、両側から挟んだ構造の接合を有する窒化ガリウム系化合物半導体レーザダイオード」は、本件訂正発明１における「ｐ−ｎ接合を有するダブルヘテロ構造の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子」に相当する。
（イ）甲第１号証発明の「ＭｇドープＧａＡｌＮ層５」は、本件訂正発明１の「Ｍｇがドープされたｐ型Ｇａ１−ｘＡｌｘＮクラッド層」に相当する。
（ウ）甲第１号証発明の「（ＭｇドープＧａＡｌＮ層５（ｐ層）の窓８の部分に形成された）金属電極」は、本件訂正発明１の「（Ｍｇがドープされたｐ型Ｇａ１−ｘＡｌｘＮクラッド層の上に形成された）電極」に相当する。
　
　以上によれば、本件訂正発明１と甲第１号証発明とは、  
　「ｐ−ｎ接合を有するダブルヘテロ構造の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、Ｍｇがドープされたｐ型Ｇａ１−ｘＡｌｘＮクラッド層の上に、電極が形成された窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。」 
である点で一致し、以下の（ａ）ないし（ｃ）の点で相違するものと認められる。 
 　  
（ａ）　本件訂正発明１は、ｐ型Ｇａ１−ｘＡｌｘＮクラッド層の上に、電極が形成されるべき層として「Ｍｇがドープされたｐ型ＧａＮコンタクト層」を具備するのに対し、甲第１号証発明は、そのような「Ｍｇがドープされたｐ型ＧａＮコンタクト層」を備えていない点（以下「相違点１」という。）。
（ｂ）　本件訂正発明１は、ｐ型ＧａＡｌＮクラッド層のＡｌ比率Ｘが０＜Ｘ＜０．５であるのに対し、甲第１号証発明は「（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＮ：０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、但し、ｘ≠ｘ’及び／又はｙ≠ｙ’）」とされている点（以下「相違点２」という。）。 
（ｃ）　本件訂正発明１は、ｐ型クラッド層の膜厚が、１０オングストローム以上、０．２μｍ以下であるのに対し、甲第１号証発明は、ＭｇドープＧａＡｌＮ層が０．５μｍの厚さであって、膜厚が異なる点（以下「相違点３」という。）。 
　
イ　判断 
（ア）相違点１について 
ａ　請求人は、以下のように主張する。
　
（ａ）　甲第１号証に係る発明では、コンタクト層について「オーム性電極形成を容易にするため高キャリア濃度実現が容易な結晶」と記載されていて、直接、Ｍｇドープｐ型ＧａＮコンタクト層とは記載されていない点で相違する可能性があるが、この相違する可能性がある点は、甲第１号証に周知・慣用技術（甲第２〜９号証）を適用することにより容易に克服できた程度の僅かな相違にすぎない（審判請求書第３３頁第２５行ないし末行）。
　　
（ｂ）　すなわち、甲第１号証には、Ｍｇドープｐ型ＧａＮコンタクト層は明らかに開示されており、甲第１号証に記載の「オーム性電極形成を容易にするため高キャリア濃度実現が容易な結晶」は、ｐ型ＧａＡｌＮクラッド層と電極との間に形成されるｐ型コンタクト層であって、ＭｇドープＧａＮを実質的に意味している、あるいは少なくとも強力に示唆しており（審判請求書第３４頁第１行ないし第７行）、電極とのオーミックコンタクトを得るために、Ｍｇドープｐ型ＧａＮ層の上に電極を形成することは、例えば甲第２又は３号証のとおり、周知・慣用技術である（審判請求書第３５頁第２１行ないし第２３行）。
　　
（ｃ）　さらにヒ化ガリウム系化合物半導体発光素子においては、ｐ型ＧａＡｌＮクラッド層と電極との間に接合するｐ型コンタクト層としてＧａＡｓを用いることは、例えば甲第５、６、７、８又は９号証のとおり、周知・慣用技術であり、現実に広く実施されている技術であるとし（審判請求書第３５頁末行ないし第３６頁第３行）、ｐ型結晶の下層となるＡｌＧａＩｎＮクラッド層は、仮に電子線照射処理を適切に実施することができないとしても、アニーリングによりｐ型化できることが当業者に周知であって（弁駁書第４頁第２９行ないし第５頁第１行）、仮に、バンドギャップエネルギーの大小と結晶性の良否との間に明瞭な関連性が認められないとしても、甲第１号証の「オーム性電極形成を容易にするため高キャリア濃度実現が容易な結晶」の材料選択の良否という観点からは、バンドギャップエネルギーの小さい化合物半導体の方が良好であることが当業者に自明であり（弁駁書第５頁第１６行ないし第２０行）、ＡｌＧａＮよりもバンドギャップエネルギーが小さい化合物半導体は、ＧａＮとＩｎＧａＮに限られるわけではなく、ＩｎＮ、ＩｎＡｌＮ、及びＩｎＡｌＧａＮも存在するが、ＡｌＧａＮよりもバンドギャップエネルギーが小さい化合物半導体が複数存在するからといって、ＧａＮを選択することが何ら困難となるわけではなく（弁駁書第６頁第１８行ないし第２４行）、コンタクト層については、バンドギャップエネルギーのみならず、下層となるクラッド層との格子整合性が重要であり、かかる格子整合性を考慮すると、被請求人が候補に挙げる組成（ＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＩｎＮ、ＩｎＡｌＮ、及びＩｎＡｌＧａＮ）の中からＧａＮを選択することは、技術的に当然であり（弁駁書第６頁第２５行ないし第２９行）、３元混晶・４元混晶は、ＧａＮの結晶中のＧａ原子の一部をＩｎ原子又はＡｌ原子に置換したものであり、かかる置換により、Ｇａ原子とＮ原子から形成されているＧａＮ結晶の結晶格子の規則的周期性が乱れることになるから、いずれもＧａＮより結晶性が劣ることが当業者に自明であり（弁駁書第７頁第１７行ないし第２０行）、本件発明の出願当時、ｐ型の窒化ガリウム系化合物半導体としては、ｐ型ＧａＮが最も一般的であったから（弁駁書第７頁第２１行ないし第２６行）、甲１号証の「オーム性電極形成を容易にするため高キャリア濃度実現が容易な結晶」の材料としてＧａＮを選択することは、当業者にとって極めて容易であり、技術的にも当然の選択であるし（弁駁書第７頁第２７行ないし第２９行）、甲第４号証に記載された発明は、基板とその上に成長させる結晶の格子整合に関する発明であり、クラッド層とコンタクト層との格子整合に関する発明ではないから、甲第４号証の発明を甲第１号証に適用することに阻害要因はなく（弁駁書第９頁第１３行ないし第１６行）、高キャリア濃度を実現するための母材とドーパントの組合せが複数存在するとしても、ＧａＮとＭｇの組合せを選択することが何ら困難となるわけではない（弁駁書第９頁第２９行ないし第１０頁第２行）。
　　
ｂ　請求人の上記主張について以下に検討する。
　
（ａ）甲第１号証の「オーム性電極形成を容易にするため高キャリア濃度実現が容易な結晶を金属との接触用にさらに接合してもよい」との記載のみによって、「Ｍｇドープｐ型ＧａＮコンタクト層」を備えると認めることはできない。
　
（ｂ）また、上記１（２）ア及びイによれば、甲第２号証に記載されたＰ−ＧａＮ／Ｎ−ＩｎＧａＮ／Ｎ−ＧａＮダブルヘテロ構造の青色発光ダイオードは「Ｎ−ＩｎＧａＮ」発光層を「Ｐ−ＧａＮ」層と「Ｎ−ＧａＮ」層で挟むものであり、同ダイオードにおける「Ｍｇ−ｄｏｐｅｄ　ｐ−ｔｙｐｅ　ＧａＮ　ｆｉｌｍ」は、「Ｎ−ＩｎＧａＮ」発光層のクラッド層に当たるものであって、本件訂正発明１の「（Ｍｇがドープされたｐ型Ｇａ１−ｘＡｌｘＮ）クラッド層」に相当するものであるから、「クラッド層」上に形成された「Ｍｇドープｐ型ＧａＮコンタクト層」であるとは認められない。
　
（ｃ）さらに、上記１（３）アによれば、甲第３号証の「ＧａＮｐｎ接合青色・紫外発光ダイオード」の「Ｍｇアクセプター」を有する「ＧａＮ」は、発光層そのものであるから、本件訂正発明１のような、「クラッド層」の上に形成された「Ｍｇドープｐ型ＧａＮコンタクト層」を設けることを示唆するものとは認められない。
　
（ｄ）次に、請求人は、甲第４号証の第１３図のＩＩＩ族元素（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）窒化物の（００１）面上の格子定数とバンドギャップエネルギとの関係に基づいてコンタクト層の選択候補を検討すれば、ＧａＮを選択肢として挙げることは当業者であれば容易に想到し得る、と主張するが、そもそも甲第４号証からは、本件訂正発明１のような、「クラッド層」上に「Ｍｇドープｐ型ＧａＮコンタクト層」を設けることは読み取れず、かかる技術が周知・慣用技術であるとは言えない。
　
（ｅ）そして、上記１（５）ないし（９）によれば、請求人は、ｐ型ＧａＡｌＮクラッド層の上に、電極が形成されるべき層として「ｐ型ＧａＮコンタクト層」を具備することが周知・慣用技術であるというが、甲第５ないし９号証は、ヒ化ガリウム系化合物半導体発光素子において、ｐ型ＧａＡｌＮクラッド層と電極との間に接合するｐ型コンタクト層としてＧａＡｓを用いることが周知・慣用技術であることを示すにとどまり、ｐ型ＧａＡｌＮクラッド層の上に、電極が形成されるべき層として「ｐ型ＧａＮコンタクト層」を具備することが周知・慣用技術であることを示すものとは認められない。
　
（ｆ）以上の検討に照らすと、上記各甲号証に記載された内容から、ｐ型Ｇａ１−ｘＡｌｘＮクラッド層の上に、電極が形成されるべき層として「Ｍｇがドープされたｐ型ＧａＮコンタクト層」を具備することが、本件特許の出願時において周知・慣用技術であると認めることはできない。 
　
ｃ　したがって、甲第２〜９号証をもって、甲第１号証発明において、相違点１に係る本件訂正発明１の構成を採用することにつき、当業者が容易になし得たということはできない。また、本件各証拠を通じてみても、甲第１号証発明において、相違点１に係る本件訂正発明１の構成を採用することにつき、当業者が容易になし得たと認めるに足りる根拠を見出すことはできない。　 
 　 
（イ）相違点２及び３について 
ａ　請求人は、以下のように主張する。
　
（ａ）　相違点２について、ｐ型クラッド層６のＡｌ含有率と、ＧａＮからなるコンタクト層との格子整合性、及びＩｎＧａＮからなる活性層５との格子整合性の観点から予測の範囲内であり（審判請求書第４０頁末行ないし第４１頁第２行）、Ａｌの割合ｘを０．５未満とすることが格別の意義ないし困難性を有するものということはできず、この点は単なる設計的事項にすぎず（審判請求書第４１頁第８行ないし第１０行）、窒化ガリウム系化合物半導体は、その名称が示すように２元混晶のＧａＮが基本であり、ＧａＮの結晶格子中のＧａ原子をＡｌ原子で置換してＡｌＧａＮが得られるのであり、Ａｌ組成比ｘを０＜ｘ＜０．５の範囲とすることは何ら特別の限定ではなく、余程特別の理由がない限り、Ａｌ組成比ｘを０．５以上とすることなどなく（弁駁書第１５頁第８行ないし第１２行）、甲第１７号証及び甲第１８号証は、ＡｌｘＧａ１−ｘＮ／ＧａＮのヘテロ接合に関し、ＡｌｘＧａ１−ｘＮの組成及び膜厚を変えてクラックの発生頻度等を検討した刊行物であるが、記載された全ての実施例において、ＡｌｘＧａ１−ｘＮのＡｌ組成比ｘは、０．５未満であるから、ｐ型ＡｌｘＧａ１−ｘＮクラッド層のＡｌ組成比ｘを０＜ｘ＜０．５とすることは、当業者にとって日常的な設計事項に過ぎず、本件発明１の進歩性を基礎づけるものではない（弁駁書第１５頁第１９行ないし第２１行）。 
　
（ｂ）　また、相違点３について、甲第１号証には、ｐ型ＧａＡｌＮクラッド層を膜厚０．５μｍに成長した旨の記載があるが、この膜厚０．５μｍは、「１００Å〜０．２μｍ」とは相違しているが、大きな範囲で特定された「１０Å〜０．２μｍ」は、窒化ガリウム系化合物半導体発光素子におけるｐ型ＧａＡｌＮ層の膜厚として、周知の常識的な範囲にすぎず（審判請求書第４２頁第３行ないし第８行）、甲第１号証に例示されたｐ型ＧａＡｌＮクラッド層の膜厚０．５μｍに代えて、周知の膜厚範囲ないし甲第１０号証に開示されたｐ型ＧａＡｌＮ層の膜厚０．０１〜１μｍ及び０．０２〜０．３μｍを適用し、本件発明１に係る発明に至るくらいのことは、単なる設計事項にすぎず、当業者であれば容易であり（審判請求書第４２頁第２５行ないし第２９行）、本件発明１のｐ型ＡｌＧａＮクラッド層の膜厚に係る構成のうち「１０Å以上」は、甲第１号証にＡｌＧａＮ層の膜厚を０．５μｍとする旨記載があることから、甲第１号証に開示されていることが明らかであり、また、本件発明１のｐ型ＡｌＧａＮクラッド層の膜厚に係る構成のうち「０．２μｍ以下」は、結晶にクラックが入ることを防止する作用効果を狙ったものであり、クラッド層としての機能とは無関係であって（弁駁書第１６頁第７行ないし第１２行）、ＡｌＧａＮクラッド層とＧａＮコンタクト層を接合する場合、ＡｌＧａＮクラッド層にクラックが入ることを防止するためにＡｌＧａＮ層の膜厚を０．２μｍ以下とすることは、当業者にとって単なる設計事項であることが明らかであり、本件発明１の進歩性を基礎づけるものではない（弁駁書第１８頁下から第４行ないし末行）。 
　
ｂ　請求人の上記主張について以下に検討する。
　
（ａ）　上記（ア）のとおり、そもそも、甲第１号証発明において、相違点１に係る本件訂正発明１の構成である「Ｍｇドープｐ型ＧａＮコンタクト層」を採用することにつき、当業者が容易になし得たことということはできない以上、甲第１号証発明において、相違点２及び３に係る本件訂正発明１の構成であるｐ型ＧａＡｌＮクラッド層のＡｌ比率及び膜厚を採用することが当業者にとって単なる設計事項であるかにかかわらず、本件訂正発明１が、甲第１号証発明等に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。
　
（ウ）小括 
　以上のとおりであるから、本件訂正発明１は、甲第１号証発明等に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。
　 　
（２）本件訂正発明２及び３について  
　前記第４のとおり、本件訂正発明２及び３は、本件訂正発明１の特定事項をすべて含むものであるから、本件訂正発明１が、甲第１号証発明等に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない以上、本件訂正発明２及び３が、当業者が容易に発明をすることができたものといえないことは明らかである。 
 　 
（３）まとめ 
　以上のとおりであるから、本件訂正発明１ないし３についての特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものではなく、同法第１２３条第１項第２号に該当しないから、無効とすることはできない。 　
  　　
　　
第８　無効理由４（特許法第３６条違反）についての当審の判断 
１　本件特許明細書（以下、本件訂正後のものをいう。）には、以下の記載がある。
　
（１）　「【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ｐ−ｎ接合の半導体発光素子は、ホモ構造よりもダブルへテロ構造の方が発光出力が大きく、またレーザー素子は少なくともへテロ構造でなければ実現できないことは知られている。しかしながら、ダブルヘテロ構造の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子を実現した場合、用いられる窒化ガリウム系化合物半導体の種類、組成比等の要因により、窒化ガリウム系化合物半導体の結晶性が著しく異なってくるので発光出力に大きな差が現れる。極端な場合には全く発光を示さない素子ができてしまうのが現実である。しかも、実際に電極を設けて素子構造とした場合、窒化ガリウム系化合物半導体のｐ型結晶と、そのｐ型結晶に形成する電極とがオーミック接触していないため、定められた順方向電流に対し、順方向電圧（Ｖｆ）が高くなり、発光効率が低下するという問題がある。このため、未だ窒化ガリウム系化合物半導体発光素子では、ヘテロ構造の発光ダイオードは製品化されておらず、レーザー素子に至っては発振さえしていないのが実状である。
【０００６】従って、本発明の第１の目的は、ｐ型結晶とオーミック接触が得られる窒化ガリウム系化合物半導体の構造を提供することによりＶｆを低下させ、発光効率を向上させることにある。また、第２の目的はその窒化ガリウム系化合物半導体を用いて、新規なダブルヘテロ構造の発光素子の構造を提供することにより、発光素子の発光出力を向上させることにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】我々は、特定のｐ型窒化ガリウム系化合物半導体の上に積層したｐ型窒化ガリウムに電極を形成することにより、電極とｐ型窒化ガリウム層とのオーミック接触が得られ、発光効率が向上することを新たに見いだした。さらにそのｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層を用いた発光素子を特定のダブルヘテロ構造とし、ダブルヘテロ構造を構成する窒化ガリウム系化合物半導体の種類を限定することにより、最も結晶性に優れた窒化ガリウム系化合物半導体を積層した素子が得られ、発光出力が向上することを見いだした。即ち、本発明の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子は、ｐ−ｎ接合を有するダブルヘテロ構造の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、Ｍｇがドープされたｐ型Ｇａ１−ｘＡｌｘＮ（但し、Ｘは０＜Ｘ＜０．５）クラッド層の上に、電極が形成されるべき層として、Ｍｇがドープされたｐ型ＧａＮコンタクト層を具備することを特徴とし、さらに特定のダブルヘテロ構造の発光素子は、ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層の上に、ｎ型Ｇａ１−ＹＡｌＹＮクラッド層（但し、Yは０＜Y＜１）と、ｎ型ＩｎＺＧａ１−ＺＮ活性層（但し、Zは０＜Z＜１）と、前記ｐ型Ｇａ１−ｘＡｌｘＮクラッド層と、前記ｐ型ＧａＮコンタクト層とが積層されていることを特徴とする。
【０００８】本発明の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の構造を示す断面図を図１に示す。下から順に、基板１の上に、バッファ層２と、ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層３と、ｎ型Ｇａ１−ＹＡｌＹＮ（０＜Y＜１）クラッド層４と、ｎ型ＩｎＺＧａ１−ＺＮ（０＜Z＜１）活性層５と、Ｍｇドープｐ型Ｇａ１−ｘＡｌｘＮ（０＜X＜０．５）クラッド層６と、Ｍｇドープｐ型ＧａＮコンタクト層７とが順に積層された構造を有する。なお、８はＭｇドープｐ型ＧａＮコンタクト層７に設けられた電極、９はｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層３に設けられた電極である。基板１にはサファイア、ＺｎＯ、ＳｉＣ、Ｓｉ等が使用される。バッファ層２にはＡｌＮ、ＧａＮ、ＧａＡｌＮ等が使用される。」
　
（２）　「【００１５】
【作用】ｐ−ｎ接合を用いたダブルへテロ構造の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、Ｍｇドープｐ型Ｇａ１−ｘＡｌｘＮクラッド層６の上に、Ｍｇドープｐ型ＧａＮコンタクト層７を形成し、そのＧａＮコンタクト層の上に電極８を形成することによりオーミック接触が得られ、発光効率が向上する。詳しい原理は不明であるが、我々がそれらの層のホールキャリア濃度を測定した結果、ｐ型Ｇａ１−ｘＡｌｘＮ層はおよそ１０１６／cm３であり、ｐ型ＧａＮ層はおよそ１０１７／cm３と一桁高かった。つまり、ホールキャリア濃度の大きい層の方に電極を形成する方がオーミック接触が得られやすいのではないかと推察する。また、ｐ型ＧａＡｌＮクラッド層６の上に組成の異なるｐ型ＧａＮコンタクト層７を形成することにより、ｐ型ＧａＮ層にミスフィットによる格子欠陥が生じやすくなり、結晶性が低下する。ミスフィットを少なくするには、ｐ型ＧａＡｌＮクラッド層６のＡｌ混晶比は少ない方がよい。従って、ｐ型ＧａＮコンタクト層７の結晶性がよく、電極８とオーミックコンタクトが得られる限界値、即ち、X値０．５未満を限定値とした。
【００１６】
【実施例】以下有機金属気相成長法により、本発明の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子を製造する方法を述べる。
【００１７】［実施例１］サファイア基板１を反応容器内に配置し、サファイア基板１のクリーニングを行った後、成長温度を５１０℃にセットし、キャリアガスとして水素、原料ガスとしてアンモニアとＴＭＧ（トリメチルガリウム）とを用い、サファイア基板上にＧａＮバッファ層２を約２００オングストロームの膜厚で成長させる。
【００１８】バッファ層２成長後、ＴＭＧのみ止めて、温度を１０３０℃まで上昇させる。１０３０℃になったら、同じく原料ガスにＴＭＧとアンモニアガス、ドーパントガスにシランガスを用い、Ｓｉをドープしたｎ型ＧａＮ層３を４μｍ成長させる。
【００１９】ｎ型ＧａＮ層３成長後、原料ガス、ドーパントガスを止め、温度を８００℃にして、原料ガスとしてＴＭＧとＴＭＡ（トリメチルアルミニウム）とアンモニア、ドーパントガスとしてシランガスを用い、ｎ型クラッド層４としてＳｉドープＧａ０．８６Ａｌ０．１４Ｎ層を０．１５μｍ成長させる。
【００２０】次に、原料ガス、ドーパントガスを止め、温度を８００℃にして、キャリアガスを窒素に切り替え、原料ガスとしてＴＭＧとＴＭＩ（トリメチルインジウム）とアンモニア、ドーパントガスとしてシランガスを用い、ｎ型活性層５としてＳｉドープＩｎ０．０１Ｇａ０．９９Ｎ層を１００オングストローム成長させる。
【００２１】次に、原料ガス、ドーパントガスを止め、再び温度を１０２０℃まで上昇させ、原料ガスとしてＴＭＧと、ＴＭＡと、アンモニア、ドーパントガスとしてＣｐ２Ｍｇ（シクロペンタジエニルマグネシウム）とを用い、ｐ型クラッド層６として、Ｍｇをドープしたｐ型Ｇａ０．８６Ａｌ０．１４Ｎ層を０．１５μｍ成長させる。
【００２２】次に、ＴＭＡのみ止めて、ｐ型コンタクト層７として、Ｍｇドープｐ型ＧａＮ層を０．４μｍ成長させる。
【００２３】成長後、基板を反応容器から取り出し、アニーリング装置にて窒素雰囲気中、７００℃で２０分間アニーリングを行い、ｐ型Ｇａ０．８６Ａｌ０．１４Ｎ層、ｐ型ＧａＮコンタクト層をさらに低抵抗化する。
【００２４】以上のようにして得られたウエハーを図１に示すようにエッチングして、ｎ型ＧａＮ層３を露出させ、ｐ型ＧａＮコンタクト層７にはＡｕよりなる電極８、ｎ型ＧａＮ層３にはＡｌよりなる電極９を設け、５００℃で再度アニーリングを行い電極と窒化ガリウム系化合物半導体とをなじませる。後は、常法に従い５００μｍ角のチップにカットした後、発光ダイオードとしたところ、順方向電流２０ｍＡにおいて、Ｖｆは５Ｖ、発光波長３７０ｎｍで発光出力は７００μＷ、発光効率０．７％と優れた特性を示した。」
　
（３）　「【００３２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子は、ｐ型ＧａＡｌＮクラッド層の上に、コンタクト層としてｐ型ＧａＮ層を具備しているため、Ｖｆが低く発光効率に優れた素子とすることができる。しかもｐ型ＧａＡｌＮ層のＡｌ混晶比を限定することにより結晶性に優れた前記ｐ型クラッド層、前記ｐ型コンタクト層を得ることができ、Ｖｆ低下に大きく寄与している。」
 　 
２　判断 
（１）上記１によれば、本件訂正発明は、ｐ型結晶とオーミック接触が得られる窒化ガリウム系化合物半導体の構造を提供することによりＶｆを低下させ、発光効率を向上させることを第１の目的とするものであって、その窒化ガリウム系化合物半導体を用いて、新規なダブルヘテロ構造の発光素子の構造を提供することにより、発光素子の発光出力を向上させることを第２の目的とするものである。
　
（２）また、本件訂正発明の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子は、ｐ−ｎ接合を有するダブルヘテロ構造の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、膜厚が１０オングストローム以上、０．２μｍ以下であるＭｇがドープされたｐ型Ｇａ１−ＸＡｌＸＮ（但し、Ｘは０＜Ｘ＜０．５）クラッド層の上に、電極が形成されるべき層として、Ｍｇがドープされたｐ型ＧａＮコンタクト層を具備する構成によって、上記目的を達成し、オーミック接触が得られ、Ｖｆが低く発光効率に優れた素子を得るという作用効果を奏するものと認められる。
　
（３）そして、本件訂正明細書には、具体的にｐ型ＧａＮコンタクト層にＡｕよりなる電極８を設けた実施例などが記載されており、本件訂正明細書は、当業者は本件訂正発明を実施できる程度に記載されたものと認められる。
　
（４）したがって、発明の詳細な説明には、当業者が容易に本件訂正発明を実施することができる程度に、発明の目的、構成及び効果が記載されている。
　
（５）なお、請求人は、「・・・コンタクト層と電極とのオーミック接触を得るためには、フェルミ準位の観点から、コンタクト層と電極の双方の材料が具体的に特定されなければならない。」と主張するが（審判請求書第４９頁下から第４行ないし下から第２行）、上記１によれば、本件訂正発明は、
コンタクト層と電極の双方の材料を特定するとの技術的思想に係るものとは認められない。そして、どのような電極を採用するかは、コンタクト層と電極とのオーミック接触を得るとの観点から適宜選択される設計的事項に過ぎないものというべきであるから、特許請求の範囲において、電極の材料が特定されなければならないものとはいえない。
　
（６）よって、本件訂正発明ならびに本件特許明細書の記載は、旧特許法第３６条第４項ないし第６項の規定に違反しているとはいえない。 
　
３　まとめ
　したがって、本件訂正発明についての特許は、旧特許法第３６条第４項ないし第６項の規定に違反してなされたものではなく、特許法第１２３条第１項第４号に該当しないから、無効とすることはできない。 
 　 
　　
第９　むすび 
　以上のとおり、請求人が主張する無効理由によっては、本件訂正発明１ないし３についての特許を無効とすることはできない。 
　審判に関する費用については、特許法第１６９条第２項の規定で準用する民事訴訟法第６１条の規定により、請求人が負担すべきものとする。 
　よって、結論のとおり審決する。