【事件の表示】
　特願２００５−３７４８８９「ＳＯＩウエーハの製造方法及びＳＯＩウェーハ」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年　８月１０日出願公開、特開２００６−２１０８９９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１７年１２月２７日（優先権主張平成１６年１２月２８日）の出願であって、平成２４年４月５日付けの拒絶理由通知に対して、同年６月８日に手続補正書及び意見書が提出されたが、同年６月２９日付けで拒絶査定がなされ、それに対して、同年１０月２日に拒絶査定に対する審判請求がなされたものである。
　
２．本願発明
　本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成２４年６月８日になされた手続補正により補正された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載されている事項により特定される以下のとおりのものである。
　
「単結晶シリコンウェーハと透明絶縁性基板とを接合後、前記単結晶シリコンウェーハを薄膜化することにより前記透明絶縁性基板上にＳＯＩ層を形成してＳＯＩウェーハを製造する方法において、少なくとも、
　単結晶シリコンウェーハの表面から水素イオンまたは希ガスイオンの少なくとも一方を、イオン注入線量が、８×１０１６／ｃｍ２より大きく１×１０１７／ｃｍ２以下となるよう注入し、ウェーハ中にイオン注入層を形成する工程、
　該単結晶シリコンウェーハのイオン注入面及び／又は前記透明絶縁性基板の表面を、プラズマ及び／又はオゾンで処理する工程
　前記単結晶シリコンウェーハのイオン注入面と前記透明絶縁性基板の表面とを、前記処理をした表面を接合面として室温で密着させて接合する工程、
　前記イオン注入層に衝撃を与えて単結晶シリコンウェーハを機械的に剥離し、前記透明絶縁性基板上にＳＯＩ層を形成し、ＳＯＩウェーハを得る工程、
　前記得られたＳＯＩウェーハに、不活性ガス、水素ガス、あるいはこれらの混合ガス雰囲気下でＳＯＩ層表面を平坦化する熱処理を施す工程、
　を行なうことを特徴とするＳＯＩウエーハの製造方法。」
　
３．引用刊行物に記載された発明
（３−１）特表２００１−５１１６０８号公報
（３−１−１）原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先権主張の日前である平成１３年８月１４日に日本国内において頒布された特表２００１−５１１６０８号公報（以下「引用刊行物１」という。）には、図１、４〜９及び１６〜２１とともに、以下の事項が記載されている（なお、下線“
　
　
「　　　【０００５】
　　（発明の概要）
  
本発明によれば、ＳＯＩ基板を生産するための装置及び方法を含む技術が提供される。
「　　　【０００８】
　代替の特定の実施の形態においては、本発明は、新しいチャンバ構成並びに他の特色を使用する絶縁体上のシリコン基板を形成するための技術を提供する。
本方法は、例えばシリコンウェーハのようなドナー基板を準備するステップを使用する。ドナー基板はＰＩＩＩチャンバのような第１のチャンバ内に配置される。第１のチャンバにおいては、イオン注入またはＰＩＩＩによって、ドナー基板の表面を通して該表面の下の選択された深さまで粒子が導入される。選択された深さにおける粒子の濃度が、その選択された深さから上の基板材料が除去されることを限定する。次に、ドナー基板は第２のチャンバ（第１のチャンバと同一であることもできる）に配置される。結合チャンバである第２のチャンバにおいて、ドナー基板はレセプタまたはターゲット基板に結合され、多層にされた基板が形成される。多層にされた基板はＣＣＰチャンバのような第３のチャンバ内に配置され、基板の選択された領域にエネルギが供給されて基板の選択された深さにおいて、制御されたへき開（劈開：クリービング）動作が開始される。次いで、伝播へき開前端を使用してこのへき開動作が遂行され、基板材料の一部分を基板から除去する。好ましい実施の形態においては、結合ステップの前に、ドナー及びレセプタ基板の表面のプラズマクリーニングステップが遂行され、結合プロセスを強化する。
「　　　【００１１】
　　（特定実施例の説明）
  本発明は、クラスタツール配列に構成されている高容量ＰＩＩＩツールを使用して基板を製造する技術を提供する。詳述すれば、本発明は、絶縁体上のシリコン基板を製造することができる単一の（または複数の）ツールを提供する。殆どの製造ステップが単一のツール上で行われるので、基板製造はより費用有効であり、また粒子汚染等も受けにくい。本発明についての特定の詳細は、以下のセクションにおいて説明する。読み易くするために、セクションを (1) ＰＩＩＩを使用するクラスタツール、(2) 絶縁体上のシリコン基板に類別する。
　　　【００１２】
　１．
ＰＩＩＩを使用するクラスタツール
　 図１は、本発明によるＰＩＩＩを使用するクラスタツール１０の簡易図である。本図は単なる例示に過ぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。当業者には他の変形、変更、及び代替が明白であろう。クラスタツール１０は、円形、または丸くした環状形態に構成されている。即ち、ロボット２０を含む転送チャンバ１４が中央領域内に配置され、それを複数のチャンバ（少なくとも、番号１２、２２、２４、２６、２８、及び３２によって示されている）が取り巻いている。従ってロボット２０は、１つまたは複数のウェーハ１６を所望のアプリケーションに依存するチャンバの何れか１つへ挿入し、それから取り出すことができる。ロボット２０は、ウェーハ１６を保持するウェーハハンドラー１８を含んでいる。
　　　【００１３】
　アプリケーションに依存して、チャンバは特定のプロセスレシピのために選択される。詳述すれば、本クラスタツールは、例えば、ＳＯＩウェーハ並びに他の基板及び集積回路を形成するために組合わせて使用することができるプラズマ侵入型注入チャンバ１２、制御されたへき開プロセスチャンバ２２、プラズマクリーンチャンバ２４、及び結合チャンバ２６を含むチャンバの新しい配列を使用する。クラスタツール１０は、処理中のウェーハをロードし、処理済みのウェーハをアンロードするために使用される入力／出力チャンバ２８を更に含む。付加的なチャンバ３２は、熱処理、化学蒸着（“ＣＶＤ”）、物理蒸着（“ＰＶＤ”）、プラズマまたは反応性イオンエッチング、その他のようなさまざまな他の処理を遂行することができる。勿論、本クラスタツールに使用されるチャンバの正確な構成はアプリケーションに依存する。」
「　　　【００２０】
　Ａ．
プラズマ侵入型イオン注入（“ＰＩＩＩ”）チャンバ
　ＰＩＩＩチャンバは、プラズマ侵入型イオン注入プロセスを行うアセンブリである。単なる例としての図４は、クラスタツール内に統合することができる本発明によるＰＩＩＩシステム４００の簡易図である。ＰＩＩＩシステム４００は、真空ポンプ（図示してない）に接続されている真空ポート４１８を有する真空チャンバ４１４を含んでいる。システム４００は、一連の誘電体窓４２６を含んでおり、これらの窓はOリングによって真空封じされ、また取り外し可能なクランプによって真空チャンバ４１４の上面４２２に取付けられている。これらの誘電体窓４２６の若干には、高周波プラズマ源４４０が、外側シールド／接地内に配置されているヘリカルまたはパンケーキアンテナ４４６を有するシステム内に取り外し可能なように取付けられている。各アンテナの冷却は、アンテナを通して冷却流体を通過させることによって達成される。典型的には、より高い電力の場合にだけ冷却が要求される。高周波プラズマ源４４０が取付けられていない窓４２６は、チャンバ４１４内を覗くポートとして使用できる。各プラズマ源４４０が取り外し可能になっているために、システム内の真空を破らずに組合わされている誘電体窓４２６を掃除することも、またはプラズマ源４４０を取り外すこともできる。ガラス窓が使用されているが、石英またはポリエチレンのような他の誘電体材料も窓材料として使用することができる。」
「　　　【００２３】
　特定の実施の形態においては、本ＰＩＩＩチャンバはいろいろな処理技術を遂行する。ＰＩＩＩプロセスの１例が、図５の簡易断面図５００に示されている。この図は単なる例示に過ぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。当業者には他の変形、変更、及び代替が明白であろう。
ＰＩＩＩチャンバにおいては、材料の薄膜と名付けた材料領域５０３の厚みを限定する選択された深さまで、シリコンウェーハ５０１の上面５０２を通して選択されたエネルギを持った粒子５０９が注入される。
粒子はドーピングの目的に使用される特定の濃度を有することができる。
「　　　【００２５】
　Ｂ．
制御されたへき開プロセス（“ＣＣＰ”）チャンバ
　ＣＣＰチャンバは、制御されたへき開プロセスを行うアセンブリである。ＣＣＰプロセスは、材料の膜を制御された技法でバルク基板から分離する。即ち、膜を切離す、即ち分離させるために使用されるエネルギは過大でなく、それによって実質的に滑らかな、そして均一に切離された膜が形成される。このプロセスは、材料の膜をバルク基板から切離すためのエネルギ（または応力）を供給できるアセンブリ内で行う。ＣＣＰプロセスの詳細に関しては、本明細書が参照しているHenleyらの暫定出願第60/046,276号（代理人ドケット第18419-000100）を参照されたい。
　　　【００２６】
　特定の実施の形態においては、
ＣＣＰチャンバは、膜の一部分をバルク基板から切離す、または分離させるために制御されたエネルギを使用する。
　　　【００２７】
　
１つの、または複数のインパルスがエネルギ源６１１を使用して供給される。源の例は、いろいろな源の中でも特に、化学的な源、機械的な源、電気的な源、及び熱シンクまたは源を含む。
他の実施の形態においては、機械的な源が、回転、並進、圧縮、膨張、または超音波エネルギから導出される。機械的な源は、フラッド、時間的な変化、空間的に変化、または連続として導入することができる。
　　　【００２８】
　特定の実施の形態においては、
エネルギ源は、本発明の実施の形態によって加圧された（例えば、圧縮された）流体ジェットであることができる。図７は、本発明の実施の形態による制御されたへき開プロセスを遂行するために使用される流体ノズル６０８からの流体ジェットの簡易断面図である。流体ジェット６０７（または、液体ジェットまたはガスジェット）は基板の縁領域に衝突して制御されたへき開プロセスを開始する。圧縮された、または加圧された流体源からの流体ジェットは、選択された深さ６０３におけるある領域に導かれ、例えば機械的な、化学的な、熱的な力を使用して基板からある厚みの材料領域６１２をへき開する。図示のように、流体ジェットは基板を、選択された深さ６０３において互いに他から分離した領域６０９及び領域６１１を含む２つの領域に分離する。
　　　【００２９】
　
好ましい実施の形態においては、エネルギ源は、例えば圧縮された静的な流体のような圧縮源であることができる。
制御されたへき開プロセスは、その厚みの材料６０９を基板材料６１１から分離させ、選択された深さにおいてその厚みの材料６０９を基板材料６１１から分割する。
「　　　【００４６】
　２．絶縁体上のシリコン基板
　本発明による絶縁体上のシリコン基板の製造プロセスを要約すれば、以下の通りである。
　1.　クラスタツール内にドナー基板を準備し、
　2.　ドナー基板を熱処理炉チャンバ内に配置し、
　3.　ドナー基板の表面を覆う酸化物層を形成させ、
  4.　ドナー基板をＰＩＩＩチャンバ内へ移動させ、
  
5.　ＰＩＩＩチャンバにおける膜の厚みを限定するために、選択された深さまでドナー基板内に粒子を導入し、
  6.　クラスタツール内にレセプタ基板を準備し、
  7.　レセプタ基板を熱処理炉チャンバ内に配置し、
  8.　レセプタ基板の表面を覆う酸化物層を形成させ、
  
9.　酸化物層を有するドナー基板及びレセプタ基板をクリーニングチャンバ内に配置し、
　
10.　基板のプラズマクリーニングを一緒に、または別個に遂行し、
　11.　板を結合チャンバ内に配置し、
　
12.　注入済みの面をレセプタ基板に接合させることによってドナー基板をレセプタ基板に結合し、
　13.　基板をＣＣＰチャンバ内に配置し、
　14.　へき開動作を開始させることなく、選択された深さにおける注入済みの領域のグローバル応力（または、エネルギ）を増加させ（オプション）、
　15.　結合された基板の選択された領域に応力（または、エネルギ）を与え、その選択された深さにおいて制御されたへき開動作を開始させ、
　
16.　結合された基板に付加的なエネルギを与えて制御されたへき開動作を持続させ、その厚みのシリコン膜をシリコンウェーハから自由にし、
　
17.　制御されたへき開プロセスにより分離された材料の膜を除去し、ドナー基板及びレセプタ基板からの膜を含む多層にされた基板を残し、
　18.　多層にされた基板を最終結合チャンバ内に配置し、
　19.　結合を完了させ、
　20.　もし必要ならば、多層にされた基板上のその厚みの膜の表面を研磨し、
そして
　21.　その厚みの膜上にエピタキシャル層を形成する（オプション）。
上記ステップのシーケンスは、多層にされた基板構造の１つまたは複数の選択された領域に加えられるエネルギを使用して制御されたへき開動作を開始させ、本クラスタツール装置による１つまたは複数のへき開前端を形成させるステップを提供する。この開始ステップは、基板に加えられるエネルギの量を制限することによって、へき開プロセスを制御された手法で開始させる。基板の選択された領域に付加的なエネルギを加えてへき開動作を持続させ、へき開動作のさらなる伝播を発生させることも、または開始ステップからのエネルギを使用してへき開動作のさらなる伝播を発生させることもできる。ステップのこのシーケンスは単なる例示であり、特許請求の範囲を限定するものではない。上記ステップのシーケンスに関するさらなる詳細を、図面を参照して以下に説明する。
　　　【００４７】
　図１６−２１は、本発明による絶縁体上のシリコン基板のための製造プロセスを受けている基板の簡易断面図である。図１６に示すように、
プロセスはシリコンウェーハ２１００のような半導体基板を準備することから開始される。
　　　【００４８】
　
ＰＩＩＩチャンバにおいて、シリコンウェーハの上面を通して選択された深さまで選択されたエネルギを持った粒子２１０９を注入し、材料の薄膜と名付けた材料領域の厚みを限定する。
　　　【００４９】
　アプリケーションに依存して、材料領域の損傷の可能性を減少させるために、一般的には小質量の粒子が選択される。即ち、小質量の粒子は、選択された深さまで基板材料を通って容易に走行し、粒子が横切る材料領域を実質的に損傷させることがない。例えば、小質量の粒子（即ち、エネルギを持った粒子）は、殆どどのような帯電した（例えば、正または負）、及び／または中性の原子または分子、または電子等であることができる。特定の実施の形態においては、
粒子は、水素及びその同位元素のイオン、ヘリウム及びその同位元素及びネオンのような希ガスイオンを含む中性の、及び／または帯電した粒子であることができる。
「　　　【００５１】
　
プロセスは、図１７に示すように、注入済みのシリコンウェーハを、加工片即ちターゲットウェーハに接合するステップを使用する。加工片は、誘電体材料（例えば、石英、ガラス、窒化シリコン、二酸化シリコン）、導電性材料（シリコン、ポリシリコン、III／V族材料、金属）、及びプラスチック（例えば、ポリイミドをベースとする材料）で作られているようなさまざまな他の型の基板であることもできる。
　　　【００５２】
　特定の実施の形態においては、
シリコンウェーハは、結合チャンバにおいて低温熱ステップを使用して互いに接合、または融合させる。
１つの面においては、低温結合プロセスは、自己結合プロセスによって遂行される。
　　　【００５３】
　好ましくは、
自己結合プロセスは、プラズマクリーニングチャンバにおけるプラズマクリーニングにより、結合されるウェーハ表面の一方を活性化することによって発生させる。
「　　　【００５６】
　
ウェーハを図１８に示すようにサンドイッチ構造２３００に結合した後に、本方法は、基板材料を除去して絶縁体２３０５及びターゲットシリコンウェーハ２２０１の上を覆う基板材料の薄膜２１０１を得るための制御されたへき開動作を含む。制御されたへき開は、ＣＣＰチャンバにおいてエネルギ源によってドナー及び／またはターゲットウェーハ上に選択的にエネルギ２３０１、２３０３を加える、または位置決めする、またはターゲットにすることによって行われる。
「　　　【００６３】
　これもまた図１９に示すように、ウェーハを結合した後の絶縁体上のシリコンはターゲット基板を有し、その基板をシリコン材料の薄膜が覆っており、またターゲット基板とシリコン薄膜との間にはサンドイッチされた酸化物層を有している。シリコン材料の薄膜の切離された表面は粗く（２４０４）、仕上げが必要であることが多い。仕上げは、研削及び／または研磨技術の組合わせを使用して行われる。若干の実施の形態においては、切離された表面を覆う例えば研磨材料を回転させ、該表面から不完全性または表面粗さを除去するような技術を使用して、切離された表面を研削するステップを遂行する。Discoと呼ばれる会社製の“バックグラインダ”のような機械をこの技術に使用することができる。」
「　　　【００６７】
　
以上にシリコンウェーハについて説明したが、他の基板も使用することができる。例えば、基板は殆どどのような単結晶質、多結晶質であることも、または非晶質型基板であることさえできる。
　
（３−１−２）引用刊行物１における段落【０００８】の「本方法は、例えばシリコンウェーハのようなドナー基板を準備するステップを使用する。ドナー基板はＰＩＩＩチャンバのような第１のチャンバ内に配置される。第１のチャンバにおいては、イオン注入またはＰＩＩＩによって、ドナー基板の表面を通して該表面の下の選択された深さまで粒子が導入される。」、段落【００４９】の「粒子は、水素及びその同位元素のイオン、ヘリウム及びその同位元素及びネオンのような希ガスイオンを含む中性の、及び／または帯電した粒子であることができる。」及び段落【００６７】の「以上にシリコンウェーハについて説明したが、他の基板も使用することができる。例えば、基板は殆どどのような単結晶質、多結晶質であることも、または非晶質型基板であることさえできる。」という記載から、引用刊行物１には、「単結晶シリコンウェーハからなるドナー基板の表面を通して該表面の下の選択された深さまで、水素、希ガスイオンからなる粒子をイオン注入によって導入する」ことが記載されているものと認められる。
　
（３−１−３）引用刊行物１における段落【０００８】の「結合チャンバである第２のチャンバにおいて、ドナー基板はレセプタまたはターゲット基板に結合され、多層にされた基板が形成される。」、段落【００４６】の「9.　酸化物層を有するドナー基板及びレセプタ基板をクリーニングチャンバ内に配置し、　10.　基板のプラズマクリーニングを一緒に、または別個に遂行し、　11.　板を結合チャンバ内に配置し、　12.　注入済みの面をレセプタ基板に接合させることによってドナー基板をレセプタ基板に結合し、」、段落【００５１】の「プロセスは、図１７に示すように、注入済みのシリコンウェーハを、加工片即ちターゲットウェーハに接合するステップを使用する。加工片は、誘電体材料（例えば、石英、ガラス、窒化シリコン、二酸化シリコン）・・・で作られているようなさまざまな他の型の基板であることもできる。」、段落【００５２】の「シリコンウェーハは、結合チャンバにおいて低温熱ステップを使用して互いに接合、または融合させる。・・・１つの面においては、低温結合プロセスは、自己結合プロセスによって遂行される。」、段落【００５３】の「自己結合プロセスは、プラズマクリーニングチャンバにおけるプラズマクリーニングにより、結合されるウェーハ表面の一方を活性化することによって発生させる。・・・活性化されたウェーハ表面２２０３は、酸化物のコート２２０５をその上に有している他方のウェーハの面に対して配置される。これらのウェーハは、露出したウェーハ面を有するサンドイッチされた構造になる。一方のウェーハを他方に自己結合させるために、選択された量の力がウェーハの各露出面に加えられる。」及び段落【００６７】の「以上にシリコンウェーハについて説明したが、他の基板も使用することができる。例えば、基板は殆どどのような単結晶質、多結晶質であることも、または非晶質型基板であることさえできる。」という記載から、引用刊行物１には、「単結晶シリコンウェーハからなるドナー基板の注入済みの面及び石英からなるレセプタ基板の表面を、プラズマクリーニングする」こと、及び「単結晶シリコンウェーハからなるドナー基板の注入済みの面を石英からなるレセプタ基板に接合させる」ことが記載されているものと認められる。
　
（３−１−４）引用刊行物１における段落【００２６】の「ＣＣＰチャンバは、膜の一部分をバルク基板から切離す、または分離させるために制御されたエネルギを使用する。」、段落【００２７】の「１つの、または複数のインパルスがエネルギ源６１１を使用して供給される。源の例は、いろいろな源の中でも特に、化学的な源、機械的な源、電気的な源、及び熱シンクまたは源を含む。・・・他の実施の形態においては、機械的な源が、回転、並進、圧縮、膨張、または超音波エネルギから導出される。」、段落【００２８】の「エネルギ源は、本発明の実施の形態によって加圧された（例えば、圧縮された）流体ジェットであることができる。」、段落【００２９】の「好ましい実施の形態においては、エネルギ源は、例えば圧縮された静的な流体のような圧縮源であることができる。・・・制御されたへき開プロセスは、その厚みの材料６０９を基板材料６１１から分離させ、選択された深さにおいてその厚みの材料６０９を基板材料６１１から分割する。」、段落【００４６】の「14.　へき開動作を開始させることなく、選択された深さにおける注入済みの領域のグローバル応力（または、エネルギ）を増加させ（オプション）、　15.　結合された基板の選択された領域に応力（または、エネルギ）を与え、その選択された深さにおいて制御されたへき開動作を開始させ、　16.　結合された基板に付加的なエネルギを与えて制御されたへき開動作を持続させ、その厚みのシリコン膜をシリコンウェーハから自由にし、　17.　制御されたへき開プロセスにより分離された材料の膜を除去し、ドナー基板及びレセプタ基板からの膜を含む多層にされた基板を残し、」、段落【００５６】の「ウェーハを図１８に示すようにサンドイッチ構造２３００に結合した後に、本方法は、基板材料を除去して絶縁体２３０５及びターゲットシリコンウェーハ２２０１の上を覆う基板材料の薄膜２１０１を得るための制御されたへき開動作を含む。制御されたへき開は、ＣＣＰチャンバにおいてエネルギ源によってドナー及び／またはターゲットウェーハ上に選択的にエネルギ２３０１、２３０３を加える、または位置決めする、またはターゲットにすることによって行われる。」及び段落【００６７】の「以上にシリコンウェーハについて説明したが、他の基板も使用することができる。例えば、基板は殆どどのような単結晶質、多結晶質であることも、または非晶質型基板であることさえできる。」という記載から、引用刊行物１には、「機械的なエネルギ源を使用して、制御されたへき開動作により、選択された深さにおいて、単結晶シリコンウェーハからなるドナー基板のその厚みの材料を除去して、石英からなるレセプタ基板の上を覆う単結晶シリコンの薄膜を得る」ことが記載されているものと認められる。
　
（３−１−５）そうすると、引用刊行物１には、以下の発明（以下「刊行物発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
「単結晶シリコンウェーハからなるドナー基板の表面を通して該表面の下の選択された深さまで、水素、希ガスイオンからなる粒子をイオン注入によって導入し、
　前記単結晶シリコンウェーハからなるドナー基板の注入済みの面及び石英からなるレセプタ基板の表面を、プラズマクリーニングし、
　前記単結晶シリコンウェーハからなるドナー基板の注入済みの面を、前記石英からなるレセプタ基板に接合させ、
　機械的なエネルギ源を使用して、制御されたへき開動作により、前記選択された深さにおいて、前記単結晶シリコンウェーハからなるドナー基板のその厚みの材料を除去して、前記石英からなるレセプタ基板の上を覆う単結晶シリコンの薄膜を得る
　ＳＯＩ基板を生産するための方法。」
　
（３−２）特開２０００−３６５８３号公報
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先権主張の日前である平成１２年２月２日に日本国内において頒布された特開２０００−３６５８３号公報（以下「引用刊行物２」という。）には、図１とともに、以下の事項が記載されている。
　
「【００９６】本発明において、低欠陥層１２内部に、イオン注入の投影飛程Ｒp （注入深さ）があるようイオン注入を行なうことが、均一な注入深さを得るという点でも好ましいものである。ＳＯＩ層１６の厚さは、一般的には、数ｎｍ〜5μｍである。
【００９７】イオン注入により形成される分離層１４の層厚は、一般的には０．５ミクロン以下、特に第２の基板１５上に移設される薄膜１２を均質な厚さに形成するためにも数千Å以下であることがより好ましい。分離層１４は、その一例としてイオン注入の投影飛程を含むものである。
【００９８】
注入線量は、１．０×１０
15
／ｃｍ
2 
〜１．０×１０
18
／ｃｍ
2 
の間で、より好ましくは１．０×１０
16
／ｃｍ
2 
〜２．０×１０
17
／ｃｍ
2 
行なうことが可能である。
「【０２６６】（実施例４）ＣＺ法により作製した第１の単結晶Ｓｉ基板（８インチ）を用意し、以下に示す条件下で熱処理を行い表面層の高品質化を行った。
【０２６７】Ｈ2 ガス１００％で、１１００℃、４時間水素アニールを行った。
【０２６８】さらに、基板表面に熱酸化により２００ｎｍのＳｉＯ2 層を形成した。
表面のＳｉＯ
2 
層を通してＨ
+ 
を４０ｋｅＶで５×１０
16
ｃｍ
-2
イオンを注入した。
【０２６９】各基板のＳｉＯ2 層表面と別に用意した溶融石英基板（第２の基板）の表面をプラズマ処理し、水洗した後、重ね合わせ、接触させた。６００℃でアニールしたところ、イオン注入の投影飛程付近で２枚に分離された。
イオン注入層は多孔質状になっているため、分離した表面は荒れている。
【０２７０】イオン注入層は、この選択エッチングの他に非選択エッチングや研磨によっても除去できる。研磨の場合、水素中での熱処理による平坦化は行なわなくてもよい。ただし、研磨ダメージが残る場合は熱処理や表面層除去した方が好ましい。
【０２７１】すなわち、透明な石英基板上に０．２μｍの厚みを持った単結晶Ｓｉ層が形成できた。形成された単結晶Ｓｉ層の膜厚を面内全面について１００点を測定したところ、膜厚の均一性は２０１ｎｍ±６ｎｍであった。単結晶Ｓｉ層表面のＣＯＰの数を測定したところ、およそ８０個／ｗであった。
【０２７２】さらに水素中で１１００℃で熱処理を１時間施した。表面粗さを原子間力顕微鏡で評価したところ、５０μｍ角の領域での平均２乗粗さ（Ｒｒｍｓ）は、およそ０．２ｎｍで通常市販されているＳｉウエハと同等であった。
【０２７３】
イオン注入層の除去を行なわず、そのまま水素中で熱処理してもＳｉのマイグレーションにより微小孔や欠陥の排除と平坦化が同時に起こり結果としてイオン注入層が消滅する。
　
４．対比
（４−１）刊行物発明の「単結晶シリコンウェーハからなるドナー基板」は、本願発明の「単結晶シリコンウェーハ」に相当するから、刊行物発明の「単結晶シリコンウェーハからなるドナー基板の表面を通して該表面の下の選択された深さまで、水素、希ガスイオンからなる粒子をイオン注入によって導入」することと、本願発明の「単結晶シリコンウェーハの表面から水素イオンまたは希ガスイオンの少なくとも一方を、イオン注入線量が、８×１０１６／ｃｍ２より大きく１×１０１７／ｃｍ２以下となるよう注入し、ウェーハ中にイオン注入層を形成する工程」とは、「単結晶シリコンウェーハの表面から水素イオンまたは希ガスイオンの少なくとも一方を注入し、ウェーハ中にイオン注入層を形成する工程」という点で共通する。
　
（４−２）刊行物発明の「石英からなるレセプタ基板」は、本願発明の「透明絶縁性基板」に相当し、刊行物発明の「プラズマクリーニング」することは、本願発明の「プラズマ」「で処理する」ことに相当するから、刊行物発明の「前記単結晶シリコンウェーハからなるドナー基板の注入済みの面及び石英からなるレセプタ基板の表面を、プラズマクリーニング」することは、本願発明の「該単結晶シリコンウェーハのイオン注入面及び／又は前記透明絶縁性基板の表面を、プラズマ」「で処理する工程」に相当する。
　
（４−３）引用刊行物１における段落【００５２】の「シリコンウェーハは、結合チャンバにおいて低温熱ステップを使用して互いに接合、または融合させる。低温熱処理は、一般的に注入された粒子が過大な応力を材料領域に加えないようにする（過大な応力が加わるとへき開動作は制御できなくなる）。」及び段落【００５３】の「活性化されたウェーハ表面２２０３は、酸化物のコート２２０５をその上に有している他方のウェーハの面に対して配置される。これらのウェーハは、露出したウェーハ面を有するサンドイッチされた構造になる。一方のウェーハを他方に自己結合させるために、選択された量の力がウェーハの各露出面に加えられる。」という記載から、刊行物発明の「前記単結晶シリコンウェーハからなるドナー基板の注入済みの面を、前記石英からなるレセプタ基板に接合させ」る処理は、特に熱を加えない状態、すなわち、室温で行われていることが明らかであり、刊行物発明の「前記単結晶シリコンウェーハからなるドナー基板の注入済みの面を、前記石英からなるレセプタ基板に接合させ」ることは、本願発明の「前記単結晶シリコンウェーハのイオン注入面と前記透明絶縁性基板の表面とを、前記処理をした表面を接合面として室温で密着させて接合する工程」に相当する。
　
（４−４）刊行物発明の「機械的なエネルギ源を使用して、制御されたへき開動作により、」「前記単結晶シリコンウェーハからなるドナー基板のその厚みの材料を除去」することは、本願発明の「前記イオン注入層に衝撃を与えて単結晶シリコンウェーハを機械的に剥離」に相当し、刊行物発明の「単結晶シリコンの薄膜」は、本願発明の「ＳＯＩ層」に相当するから、刊行物発明の「機械的なエネルギ源を使用して、制御されたへき開動作により、前記選択された深さにおいて、前記単結晶シリコンウェーハからなるドナー基板のその厚みの材料を除去して、前記石英からなるレセプタ基板の上を覆う単結晶シリコンの薄膜を得る」ことは、本願発明の「前記イオン注入層に衝撃を与えて単結晶シリコンウェーハを機械的に剥離し、前記透明絶縁性基板上にＳＯＩ層を形成し、ＳＯＩウェーハを得る工程、
」に相当する。
　
（４−５）刊行物発明の「ＳＯＩ基板を生産するための方法」は、本願発明の「ＳＯＩウエーハの製造方法」に相当する。
　
（４−６）そうすると、本願発明と刊行物発明とは、
「単結晶シリコンウェーハと透明絶縁性基板とを接合後、前記単結晶シリコンウェーハを薄膜化することにより前記透明絶縁性基板上にＳＯＩ層を形成してＳＯＩウェーハを製造する方法において、少なくとも、
　単結晶シリコンウェーハの表面から水素イオンまたは希ガスイオンの少なくとも一方を注入し、ウェーハ中にイオン注入層を形成する工程、
　該単結晶シリコンウェーハのイオン注入面及び／又は前記透明絶縁性基板の表面を、プラズマで処理する工程
　前記単結晶シリコンウェーハのイオン注入面と前記透明絶縁性基板の表面とを、前記処理をした表面を接合面として室温で密着させて接合する工程、
　前記イオン注入層に衝撃を与えて単結晶シリコンウェーハを機械的に剥離し、前記透明絶縁性基板上にＳＯＩ層を形成し、ＳＯＩウェーハを得る工程、
　を行なうことを特徴とするＳＯＩウエーハの製造方法。」
である点で一致し、次の２点で相違する。
　
（相違点１）本願発明では、「単結晶シリコンウェーハの表面から水素イオンまたは希ガスイオンの少なくとも一方を、イオン注入線量が、８×１０１６／ｃｍ２より大きく１×１０１７／ｃｍ２以下となるよう注入」するのに対して、刊行物発明では、「水素、希ガスイオンからなる粒子をイオン注入によって導入」する際の、イオン注入量について、特定がなされていない点。
（相違点２）本願発明では、「前記得られたＳＯＩウェーハに、不活性ガス、水素ガス、あるいはこれらの混合ガス雰囲気下でＳＯＩ層表面を平坦化する熱処理を施す工程」を有するのに対し、刊行物発明では、「前記石英からなるレセプタ基板の上を覆う単結晶シリコンの薄膜を得」た後に，そのような工程が特定されていない点。
　
５．判断
　以下、上記相違点について、検討する。
（５−１）相違点１について
　引用刊行物１の段落【００２３】に「ＰＩＩＩチャンバにおいては、材料の薄膜と名付けた材料領域５０３の厚みを限定する選択された深さまで、シリコンウェーハ５０１の上面５０２を通して選択されたエネルギを持った粒子５０９が注入される。・・・粒子はドーピングの目的に使用される特定の濃度を有することができる。」と記載されているように、刊行物発明において、「水素、希ガスイオンからなる粒子をイオン注入によって導入」する際に、イオン注入量をどのような値に設定するかは、当業者が必要に応じて、適宜設定し得る設計的事項である。そして、刊行物発明のような、いわゆる「スマートカット法」によるＳＯＩウェーハの製造方法において、イオン注入量を「１０１６〜１０１７／ｃｍ２」程度とすることは、引用刊行物２及び以下の周知例１、２にも記載されているように、通常行われることである。
　
（周知例１）特開２００４−２９６４８７号公報には、図１〜１０とともに、以下の事項が記載されている。
「【００２３】
［電気光学装置の製造方法］
次に、本発明の電気光学装置の製造方法の一例として、図１，図２に示した液晶パネルを製造する方法を、図３〜図１０を参照して説明する。
まず、図３（ａ）に示すように、単結晶シリコン基板２０６の表面に、熱酸化により酸化膜２０６ｂを形成する。なお、単結晶シリコン基板２０６には、予め水素イオン（Ｈ+）が打ち込まれており、水素イオンが注入された部分（図３（ａ）の点線で示す位置）において表層部の半導体が基板から剥離し易くなっている。
水素イオンは例えば加速電圧１００ｋｅＶ、ドーズ量１０×１０
16
／ｃｍ
2
にて注入されている。
「【００２７】
一方、図４（ａ）に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０の基板本体となる石英基板１０Ａを用意し、この基板１０Ａの表面に、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ及びＰｂのうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド等を、スパッタリング法、ＣＶＤ法、電子ビーム加熱蒸着法などにより、例えば１５０〜２００ｎｍの膜厚に堆積することにより、遮光層１１を形成する。
次に、基板本体１０Ａの表面上の全面にフォトレジストを形成し、最終的に形成する第１遮光膜１１ａのパターンを有するフォトマスクを用いてフォトレジストを露光する。その後、フォトレジストを現像することにより、図４（ｂ）に示すように、最終的に形成する第１遮光膜１１ａのパターンを有するフォトレジスト３０１を形成する。」
「【００３０】
次に、図５（ａ）に示すように、単結晶シリコン基板２０６の酸化膜２０６ｂを介して、基板本体１０Ａと単結晶シリコン基板２０６とを貼り合わせる。この貼り合わせ工程は、例えば３００℃で２時間熱処理することにより２枚の基板１０Ａ，２０６を直接貼り合わせる方法を採用することができる。なお、図５（ａ）では、図４（ｅ）の基板本体１０Ａの一部を取り出して異なる尺度で示している。
【００３１】
なお、貼り合わせ強度をさらに高めるためには、熱処理温度を上げて４５０℃程度にする必要があるが、石英などからなる基板本体１０Ａの熱膨張係数と単結晶シリコン基板２０６の熱膨張係数とには大きな差があるため、このまま加熱すると単結晶シリコン層にクラックなどの欠陥が発生し、製造されるＴＦＴアレイ基板１０の品質が劣化する恐れがある。クラックなどの欠陥の発生を抑制するためには、一度３００℃にて貼り合わせのための熱処理を行った単結晶シリコン基板２０６を、ウエットエッチングまたはＣＭＰによって１００〜１５０μｍ程度まで薄くし、その後、さらに高温の熱処理を行うことが望ましい。例えば、８０℃のＫＯＨ水溶液を用いて単結晶シリコン基板２０６の厚さが１５０μｍとなるようにエッチングし、その後、基板本体１０Ａとの貼り合わせを行い、さらに４５０℃にて再び熱処理することにより貼り合わせ強度を高めることが望ましい。
【００３２】
次に、図５（ｂ）に示すように、貼り合わせた単結晶シリコン基板２０６の貼り合わせ面側の酸化膜２０６ｂと、埋め込み絶縁層２０７，２０８及びこれらの絶縁層を介して積層された半導体膜２０６ｃ、２０６ｄとを残したまま、単結晶シリコン基板２０６を基板本体１０Ａから剥離（分離）するための熱処理を行なう。
この基板の剥離現象は、単結晶シリコン基板２０６中に導入された水素イオンによって、単結晶シリコン基板２０６の表面近傍のある層でシリコンの結合が分断されるために生じるものである。ここでの熱処理は、例えば、貼り合わせた２枚の基板を毎分２０℃の昇温速度にて６００℃まで加熱することにより行なうことができる。この熱処理によって、貼り合わせた単結晶シリコン基板２０６が基板本体１０Ａと分離し、基板本体１０Ａの表面上には埋め込み絶縁層２０６ｃにより絶縁された単結晶シリコンからなる半導体膜２０６ｃ、２０６ｄの積層膜が形成される。」
　
（周知例２）特開２０００−１８３３１６号公報には、図１とともに、以下の事項が記載されている。
「【００２１】
【発明の実施の形態】（第１の実施形態）以下、本発明の第１の実施形態について図１を参照して説明する。本実施形態における半導体基板１は、同図（ｈ）に示すように、支持基板としての高融点金属板２上に絶縁膜としての酸化シリコン膜３および半導体層としてのシリコン単結晶薄膜４を積層するＳＯＩ（Silicon On Insulator）構造とされている。この構成において、支持基板としての高融点金属板２は、タンタルあるいはモリブデンなどを用いたもので、外周面にはこれらを熱酸化して得られる高融点金属酸化膜５が形成されている。」
「【００２６】次に、上記した半導体基板１の製造方法について説明する。まず、シリコン単結晶薄膜４を形成するために用いるシリコン単結晶基板６（同図（ａ）参照）の表面にシリコン酸化膜３を形成する。シリコン酸化膜３は熱酸化法あるいはＣＶＤ法などによって形成する（同図（ｂ）参照）。次に、
イオン注入層形成工程では、シリコン酸化膜３を形成した側から水素イオンをイオン注入法により例えば１×１０
１７
 atoms／cm
２
程度のドーズ量で注入し、イオン注入層７を所定深さの領域に形成する（同図（ｃ）参照）。
【００２７】次に、支持基板としての高融点金属板２（同図（ｄ）参照）を酸素雰囲気中あるいは水蒸気雰囲気中で熱処理し、表面を酸化させて所定膜厚の高融点金属酸化膜５を形成する（同図（ｅ）参照）。この高融点金属酸化膜５は、ＣＶＤ法やスパッタリング法などで形成することもできる。また、高融点金属板２と同種の高融点金属酸化膜５の形成に代えて、全く別の酸化膜たとえばシリコン酸化膜や窒化シリコン膜，アルミニウム酸化膜あるいはモリブデン酸化膜などを形成するようにしても良い。
【００２８】続いて、イオン注入層７を形成したシリコン単結晶基板６と高融点金属板２とを、それぞれ洗浄処理を含めた所定の前処理を行なって貼り合わせ面を清浄な状態にしておき、この後、両者を貼り合わせて一体化させる（同図（ｆ）参照）。この状態では、まだ両基板が確実に密着した状態とはなっていないが、熱処理を行なうことにより貼り合わせた界面部分の水分を除去して密着させることができる。そして、この熱処理を行なうことにより、前述したイオン注入層７部分でイオン注入されている高濃度の水素イオンの作用によりこの領域内で剥離現象が生じ、シリコン単結晶薄膜４に対応する部分を高融点金属板２側に残して分離するようになる（同図（ｇ）参照）。」
　
　そうすると、刊行物発明において、「水素、希ガスイオンからなる粒子をイオン注入によって導入」する際のイオン注入量を、いわゆる「スマートカット法」によるＳＯＩウェーハの製造方法において、通常採用しうる値である「１０１６〜１０１７／ｃｍ２」程度とすることにより、本願発明のように、「単結晶シリコンウェーハの表面から水素イオンまたは希ガスイオンの少なくとも一方を、イオン注入線量が、８×１０１６／ｃｍ２より大きく１×１０１７／ｃｍ２以下となるよう注入」する構成とすることは、当業者が容易になし得たことである。
　したがって、上記相違点１は、当業者が容易になし得た範囲に含まれる程度のものである。
　
（５−２）相違点２について
　一般に、いわゆるスマートカット法によるＳＯＩウェーハの製造方法において、分離したウェーハの表面が荒れており、平坦化が必要なことは、例えば、引用刊行物１の段落【００６３】にも記載されているように、当業者における技術常識であるところ、平坦化の手法としては、引用刊行物１の段落【００６３】に記載されている研削、研磨の他に、水素中の熱処理を用いても、優れた平坦化が行えることは、例えば、引用刊行物２の段落【０２６９】にも記載されているように、当業者において、一般に知られていたことである。
　したがって、刊行物発明に接した当業者にとって、分離後のウェーハの表面を平坦化するに際し、引用刊行物２に記載された技術を適用して、「前記石英からなるレセプタ基板の上を覆う単結晶シリコンの薄膜を得」た後に，該「単結晶シリコンの薄膜」を水素中で熱処理して、その表面を平坦化することにより、本願発明のように、「前記得られたＳＯＩウェーハに、不活性ガス、水素ガス、あるいはこれらの混合ガス雰囲気下でＳＯＩ層表面を平坦化する熱処理を施す工程」を有する構成とすることは、当業者が容易になし得たことである。
　したがって、上記相違点２は、当業者が容易になし得た範囲に含まれる程度のものである。
  
（５−３）まとめ
　以上検討したとおり、本願発明と刊行物発明との相違点は、引用刊行物２に記載された技術を勘案することにより、当業者が容易に想到し得た範囲に含まれる程度のものにすぎず、本願発明は、引用刊行物１及び２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
６．むすび
　以上のとおりであるから、本願は、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、拒絶をすべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。