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　特願２００５−　１５７９０「半導体素子」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年　６月２３日出願公開，特開２００５−１６７２７５〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本件は，平成１３年９月４日に出願した特願２００１−２６７２９９号の一部を，平成１７年１月２４日（優先権主張平成１２年１２月７日，平成１３年５月２３日）に新たな出願としたものであって，平成２１年３月２４日付けで拒絶査定がされ，これに対して同年４月３０日に審判請求がされた。
　その後，平成２３年８月２９日付けの拒絶理由通知に対して同年１０月３１日に意見書及び手続補正書が提出され，さらに，平成２４年４月２３日付けの拒絶理由通知に対して，同年６月２５日に意見書及び手続補正書が提出された。
　
２．　本願発明について
（１）　本願発明
　本願の請求項１〜２５に係る発明は，平成２４年６月２５日に提出された手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１〜２５に記載されている事項により特定されるとおりのものであり，そのうち請求項１に係る発明は，特許請求の範囲の請求項１に記載されている次の事項により特定される以下のとおりのもの（以下「本願発明」という。）である。
「【請求項１】
　基板と，この基板上にエピタキシャル成長され，Ａｌ含有量が５０原子％以上であり，転位密度が１０１１／ｃｍ２以下であって，（００２）面におけるＸ線ロッキングカーブにおける半値幅が９０秒以下である第１の窒化物半導体からなる下地層と，この下地層上にエピタキシャル成長された，Ａｌ，Ｇａ，及びＩｎの少なくとも一つを含むとともに，Ａｌ含有量が前記下地層よりも小さく，転位密度が下地層より少なく，かつ，１０１０／ｃｍ２以下である第２の窒化物半導体からなる導電層とを実質的に具え，
　前記基板と前記下地層との界面に発生したミスフィット転位が前記基板と下地層との界面で絡まることにより，前記下地層内に伝播せず，
　前記下地層と前記導電層との界面において，前記下地層と前記導電層との格子定数差に起因して前記下地層の転位が絡まることを特徴とする，半導体素子。」
　
（２）刊行物に記載された発明
ア　特開平９−６４４７７号公報
　平成２４年４月２３日付けで通知した拒絶理由に引用され，本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である特開平９−６４４７７号公報（以下「引用例１」という。）には，図１〜図５及び図１０とともに，次の記載がある。（下線は当合議体において付加。以下同様。）
　
・「【請求項４】
サファイア基板上に該基板に直接接して形成された，Ｘ線ロッキングカーブの半値幅が９０秒以下の単結晶ＡｌＮバッファ層と，このバッファ層上に形成された，第１の閉じ込め層としてのＡｌ
p 
Ｇａ
1-p 
Ｎ（０＜ｐ≦１
　
・「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，III-Ｖ族化合物半導体，特にＡｌＧａＩｎＮ系材料を用いた半導体発光素子及びその製造方法に関する。」
　
・「【０００２】
【従来の技術】窒素を含むIII-Ｖ族化合物半導体の一つであるＧａＮ及びＧａＮ系混晶は，バンドギャップが３．４ｅＶ以上と大きく直接遷移型であるため，短波長半導体レーザ素子用材料として期待されており，発光ダイオードとしては１カンデラクラスの高輝度青色ＬＥＤが実現されている。しかし，半導体レーザとしては光励起によるパルス動作が報告されているのみであり，未だ電流注入によるレーザ動作は実現していない。
【０００３】（中略）
【０００４】（中略）
【０００５】しかし，このような高Ａｌ組成のＡｌＧａＮ層を平坦に厚く成長するには，従来技術では本質的な困難がある。ＧａＮ系材料は格子整合する良質な基板がないため，便宜上，サファイア基板上に成長することが多いが，サファイアとＧａＮは格子不整合が１５％程度と大きいために島状に成長しやすい。
【０００６】格子不整合の影響を緩和するために，サファイア基板上に極薄膜のアモルファス状又は多結晶のＡｌＮ又はＧａＮを低温成長によりバッファ層として形成した後，その上にＡｌＧａＮ層を形成する方法が用いられている。この場合，アモルファス状又は多結晶の層が熱歪を緩和し，バッファ層内部に含まれている微結晶が１０００℃の高温時に方位の揃った種結晶となり，その結果としてバッファ層上に形成するＡｌＧａＮ層の結晶品質が向上すると考えられている。
【０００７】この方法を用いた場合，例えばＸ線回折の半値幅で表される結晶の品質は下地のバッファ層の成長条件に大きく依存する。バッファ層が厚い場合，成長核となる種結晶の方位が乱れるために結晶品質が劣化する。バッファ層厚が薄くなるに従って半値幅は減少するが，１０ｎｍ以下のバッファ層では急に結晶の表面状態が劣化する。
【０００８】
このように従来の方法では，バッファ層上に成長する化合物半導体層の結晶品質が不十分であり，特にＡｌＧａＮでは１分以下のＸ線回折の半値幅は得られていない
【０００９】図１０に，Ａｌx Ｇａ1-x ＮのＡｌ組成とひび割れなく成長可能な最大膜厚との関係を示す。このように従来の方法では，バッファ層の成長条件が厳しく制限される上に，結晶品質も十分とはいえず，さらに高輝度の発光ダイオード或いは閉じ込め層として高品質かつ厚膜のＡｌＧａＮが必要となる半導体レーザ実現への大きな障害となっていた。」
　
・「【００１１】
【発明が解決しようとする課題】このように従来，格子整合しない基板上に高品質のＡｌＧａＩｎＮ系半導体層を再現性良く厚く成長することはできず，これが高輝度短波長発光素子や短波長半導体レーザの製造歩留まりを低下させる要因となっていた。
【００１２】
本発明は，上記事情を考慮して成されたもので，その目的とするところは，格子整合しない基板上にも高品質なＡｌＧａＩｎＮ系半導体層を再現性良く任意の厚さで成長することができ
　
・「【００１３】
【課題を解決するための手段】
（概要）上
記課題を解決するために本発明は，次のような構成を採用している。即ち本発明は，ＡｌＧａＩｎＮ系混晶材料を用いた半導体発光素子において，単結晶基板上に該基板に直接接して形成された単結晶Ａｌ
x 
Ｇａ
1-x 
Ｎ（０＜ｘ≦1 ）バッファ層と，このバッファ層上に形成されたＡｌ
x 
Ｇａ
y 
Ｉｎ
1-x-y 
Ｎ（０≦ｘ＋ｙ≦１，０≦ｘ，ｙ≦１）素子形成層とを具備してなることを特徴とする
【００１４】ここで，本発明の望ましい実施態様としては，次のものがあげられる。
(1) バッファ層のＸ線ロッキングカーブの半値幅が５分以下であること。さらに望ましくは，Ｘ線ロッキングカーブの半値幅が９０秒以下であること
(2) 素子形成層は，ヘテロ接合構造部を構成すること。
(3) ヘテロ接合構造部は，第１の閉じ込め層としてのＡｌp Ｇａ1-p Ｎ（０＜ｐ≦１），活性層としてのＧａＮ，ＧａＩｎＮ，ＡｌＧａＮ，若しくはＡｌＧａＩｎＮ，第２の閉じ込め層としてのＡｌq Ｇａ1-q Ｎ（０＜ｑ≦１）を順次積層してなること。また，第１の閉じ込め層の層厚が０．３μｍを超え，且つＡｌ組成ｐが０．２５＜ｐ≦１を満たすこと。さらに，基板と活性層間に第１の閉じ込め層よりもＡｌ組成の小さい層を含まないこと。
(4) 基板は，サファイア又はＳｉＣであること。
(5) バッファ層は，ＡｌＮであること。
【００１５】
また本発明は，ＡｌＧａＩｎＮ系混晶材料を用いた半導体発光素子の製造方法において，単結晶基板上に該基板に直接接して単結晶Ａｌ
x 
Ｇａ
1-x 
Ｎ（０＜ｘ≦1 ）バッファ層を形成する工程と，前記バッファ層上にＡｌ
x 
Ｇａ
y 
Ｉｎ
1-x-y 
Ｎ（０≦ｘ＋ｙ≦１，０≦ｘ，ｙ≦１）素子形成層を形成する工程とを含むことを特徴とする
【００１６】ここで，本発明の望ましい実施態様としては，次のものがあげられる。
(1) バッファ層の成長温度が，その上に形成する素子形成層の成長温度より高いこと
(2) バッファ層の成長温度が，１３００℃より高いこと
(3) バッファ層の成長において，窒素原料としてのＮＨ3 の流量を十分に低くすること。
（作用）　（後略）」
　
・「【００１８】結晶品質そのものを飛躍的に改善するためには，従来用いられてきた低温成長によるバッファ層ではバッファ層自身の結晶品質が劣るために，本質的な限界がある。このような観点から発明者らは鋭意検討を重ねた結果，バッファ層としてはＸ線半値幅の狭い単結晶，即ち良質の単結晶が適切であることが分かった。
【００１９】単結晶のバッファ層を成長するには高温成長が必要である。高温では前述したようにＮＨ3 と基板との反応が生じ，バッファ層の表面が荒れる。そこで本発明では，ＮＨ3 の流量を少なくし，高温で緩やかに成長を行うようにしている。これにより，従来にない高品質のバッファ層を成長することが可能となる。そしてこのバッファ層上にＡｌＧａＩｎＮ系の素子形成層を成長することにより，半導体レーザ等の高輝度短波長発光素子の実現が可能となる。」
　
・「【００２０】
【発明の実施の形態】まず，発明の実施形態を説明する前に，本発明の基本原理について説明する。
図１に，ＡｌＮバッファ層を用いた場合のバッファ層のＸ線半値幅とその上に成長したＡｌ
0.3 
Ｇａ
0.7 
Ｎのひび割れを生じない最大膜厚との関係を示す。Ａｌ
0.3 
Ｇａ
0.7 
Ｎの膜厚を厚くするためには，バッファ層のＸ線半値幅として９０秒以下である必要があり，特に６０秒以下が望ましいことが分かる
【００２１】図２に，ＡｌＮバッファ層を用いた場合のバッファ層のＸ線半値幅とその上に成長したＧａＮのひび割れを生じない最大膜厚の関係を示す。ＧａＮの膜厚を厚くするためには，バッファ層のＸ線半値幅として５分以下である必要があり，特に３分以下が望ましいことが分かる。図１よりも図２の方が最大膜厚が大きくかつ要求されるＸ線半値幅も緩いが，これはＧａＮの方がＡｌＧａＮよりもひび割れが生じにくいためである。
【００２２】
図３に，ＡｌＮバッファ層の成長温度とＸ線半値幅との関係を示す。成長温度が高いほどＸ線半値幅が小さくなっている。バッファ層上にＡｌ
0.3 
Ｇａ
0.7 
Ｎを成長する場合，前記したＸ線半値幅９０秒以下を達成するには１２００℃以上の成長温度が必要であり，更にＸ線半値幅６０秒以下を達成するには１３００℃以上の成長温度が必要である
【００２３】サファイア基板とＧａＮ及びＧａＮ系混晶では結晶方位がｃ軸を中心として３０°回転しているため格子定数としてはサファイア基板の方がａ軸方向の格子定数が小さい。従って，
よりなだらかに格子不整合を緩和するためには，バッファ層の格子定数がその上に成長する層よりも小さいことが望ましい
　
・「【００２４】バッファ層としてはまた，閉じ込め層を十分高温にて成長する必要があるため，バッファ層の成長可能温度は少なくとも閉じ込め層の成長可能温度よりも高い必要がある。成長可能な最高温度は主にＡｌの組成で決まり，バッファ層としては閉じ込め層よりもＡｌ組成の大きな層が必要である。
ＡｌＮは最も高い温度で成長可能であるので，格子不整合による欠陥及び歪の緩和には最も有効である
【００２５】バッファ層厚としては，基板表面を完全に被覆する必要があるのとひび割れが生じないようにするために，２０ｎｍから０．３μｍが望ましい。また，アニール温度としては１３５０℃から１５００℃が，アニール時間としては１０分から６０分間が適切である。
【００２６】図４に，ＡｌＮを１３５０℃にて１００ｎｍ成長した後，１４５０℃にて３０分間アニールしたバッファ層上に各種の組成のＡｌx Ｇａ1-x Ｎ層を成長し，Ａｌ組成ｘとひび割れなく成長可能な最大膜厚との関係を測定した結果を示す。従来例における前記図１０と比較すると，全組成域にわたって成長可能な膜厚が改善されており，特にＡｌ組成ｘが０．２より大きな組成域では大幅な改善が達成されているのが分る。」
　
・「【００２７】以下，本発明の各実施形態について説明する。
（実施形態１）図５は，本発明の第１の実施形態に係わる緑青色発光ダイオードの素子構造を示す断面図である。
【００２８】
サファイアｃ面基板１０上に，厚さ１００ｎｍのＡｌＮバッファ層１１が１３５０℃にて成長され，１４００℃にてＮＨ
3 
と水素の混合雰囲気中で格子不整合による歪を除去するために３０分間アニールした後，第１のコンタクト層となる厚さ５．０μｍのＳｉドープｎ型ＧａＮ層１２が成長されている
【００２９】コンタクト層１２上には，素子として動作する厚さ０．３μｍのＳｉドープｎ型Ａｌ0.25Ｇａ0.75Ｎ第１閉じ込め層１３，ＺｎとＳｅを添加した厚さ０．０５μｍのＧａＮ活性層１４，厚さ０．３μｍのＭｇドープｐ型Ａｌ0.2 Ｇａ0.8 Ｎ第２閉じ込め層１５からなるダブルヘテロ構造部が成長形成されている。そしてその上に，第２のコンタクト層となる厚さ０．５μｍのＭｇドープｐ型ＧａＮ層１６が成長されている。」
　
　ここで，上記段落【００２３】には，「よりなだらかに格子不整合を緩和するためには，バッファ層の格子定数がその上に成長する層よりも小さいことが望ましい」と記載されているところ，バッファ層をＡｌＮにより形成し，当該バッファ層上にＡｌpＧａ1-pＮからなる層を成長させた場合，ＡｌpＧａ1-pＮについてはＡｌ組成比ｐが大きいほど格子定数が小さいから，ＡｌpＧａ1-pＮからなる層におけるＡｌ組成比ｐを１より小さいものとすることにより，上記「バッファ層の格子定数がその上に成長する層よりも小さい」状態にできることは明らかである。
　
　また，上記段落【００２７】〜【００２９】には，引用例１に記載された発明の実施形態として，ＡｌＮバッファ層１１上に，第１のコンタクト層となる厚さ５．０μｍのＳｉドープｎ型ＧａＮ層１２を成長することが記載されており，ＡｌＮバッファ層１１上にｎ型にドープされて導電性が付与された層，すなわち導電層を形成することが記載されているといえる。それゆえ，引用例１の【請求項４】に記載された「バッファ層上に形成された，第１の閉じ込め層としてのＡｌp Ｇａ1-p Ｎ（０＜ｐ≦１）」や，段落【００１３】に記載された「バッファ層上に形成されたＡｌx Ｇａy Ｉｎ1-x-y Ｎ（０≦ｘ＋ｙ≦１，０≦ｘ，ｙ≦１）素子形成層」についても，導電層として形成しうることは明らかである。
　
　以上を総合すると，引用例１には，以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　「サファイア基板と，該基板上に直接接して形成された，Ｘ線ロッキングカーブの半値幅が９０秒以下の単結晶ＡｌＮバッファ層と，このＡｌＮバッファ層上に成長された，ＡｌpＧａ1-pＮ（０＜ｐ＜１）からなる導電層とを具えた，半導体発光素子。」
　
イ　特開平１１−２９７６３１号公報
　当審において通知した拒絶理由に引用され，本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である特開平１１−２９７６３１号公報（以下「引用例２」という。）には次の記載がある。
・「【０００２】
【従来の技術】窒化物系化合物半導体は，青色半導体レーザなどの半導体装置の材料として用いられている。窒化物系化合物半導体を用いた半導体装置の信頼性の向上や性能の向上には，結晶性の優れた窒化物系化合物半導体を基板上に成長させることが必要不可欠である。
従来，窒化物系化合物半導体の成長方法として，サファイア基板上に成長温度４００℃以上９００℃以下でＡｌＮバッファ層を成長させたのちに，その上に窒化物系化合物半導体を成長させる方法（特開平２−２２９４７６号公報）や，サファイア基板上に成長温度２００℃以上９００℃以下でＡｌＧａＮバッファ層を成長させたのちに，その上に窒化物系化合物半導体を成長させる方法（特開平７−３１２３５０号公報および特公平８−８２１７号公報）が知られている。これらの方法は，いずれもサファイア基板上に低温で多結晶のバッファ層を成長させ，昇温によってバッファ層を部分的に単結晶化させることにより，この部分的に単結晶化させたバッファ層を方位のそろった種結晶とし，この種結晶を核に窒化物系化合物半導体を成長させるものである
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところが，
上記従来の方法によりサファイア基板上に低温で成長させたバッファ層の上に成長させた窒化物系化合物半導体の断面を透過型電子顕微鏡などで詳細に調べると，基板にはほとんど欠陥がみられないが，基板と窒化物系化合物半導体との界面から欠陥が発生して，窒化物系化合物半導体中に転位密度が１×１０
9
ｃｍ
-2
〜１×１０
11
ｃｍ
-2
程度の多量の欠陥が存在することが認められた
　
ウ　特開平６−２９３５９３号公報
　当審において通知した拒絶理由に引用され，本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である特開平６−２９３５９３号公報（以下「引用例３」という。）には，図２及び図３とともに，次の記載がある。
・「【００２７】次に，図２は前記条件により合成されたＡｌＮ膜のＸ線回折（ＸＲＤ）パターンである。このＸＲＤパターンは，Ｘ線の散乱状態を示すものであり，横軸がＸ線ビームの入射角度（２θ）であり，縦軸がディテクタのカウント値（ＣＰＳ）である。図２から，ＡｌＮのＣ面の格子間隔に相当する回折ピークが支配的であることが解る。その他の回折ピークは基板であるサファイヤのものである。さらに
図３は，上記のＡｌＮ（００２）のＸ線回折におけるロッキングカーブを示している。このロッキングカーブにおけるピーク波形の半値幅Δは非常に小さくなり結晶配向性が高いことが解る。この半値幅は，上記（００２）配向のＡｌＮ膜の配向性がエピタキシャル膜の配向性と同等であることを意味している
　
（３）対比
　本願発明と引用発明とを対比する。
　
・引用発明における「サファイア基板」は，本願発明における「基板」に相当する。
　
・引用発明の「該基板上に直接接して形成された，Ｘ線ロッキングカーブの半値幅が９０秒以下の単結晶ＡｌＮバッファ層」において，「単結晶ＡｌＮバッファ層」は「基板上に直接接して形成された」ものであるから，当該「単結晶ＡｌＮバッファ層」は基板上にエピタキシャル成長されたものといえる。また，引用発明の「単結晶ＡｌＮバッファ層」は，Ａｌ含有量が５０原子％以上の窒化物半導体であることは明らかである。また，当該「単結晶ＡｌＮバッファ層」は，その上に「ＡｌpＧａ1-pＮ（０＜ｐ＜１）からなる導電層」が成長されるから，下地層を構成するものといえる。よって，引用発明の「該基板上に直接接して形成された，Ｘ線ロッキングカーブの半値幅が９０秒以下の単結晶ＡｌＮバッファ層」と，本願発明の「この基板上にエピタキシャル成長され，Ａｌ含有量が５０原子％以上であり，転位密度が１０１１／ｃｍ２以下であって，（００２）面におけるＸ線ロッキングカーブにおける半値幅が９０秒以下である第１の窒化物半導体からなる下地層」とは，「この基板上にエピタキシャル成長され，Ａｌ含有量が５０原子％以上であり，Ｘ線ロッキングカーブにおける半値幅が９０秒以下である第１の窒化物半導体からなる下地層」である点で共通する。
　
・引用発明の「このＡｌＮバッファ層上に成長された，ＡｌpＧａ1-pＮ（０＜ｐ＜１）からなる導電層」における，「ＡｌpＧａ1-pＮ（０＜ｐ＜１）からなる導電層」は，Ｇａを含有するとともにＡｌの含有量がＡｌＮよりも少ない組成の窒化物半導体である。また，「ＡｌpＧａ1-pＮ（０＜ｐ＜１）からなる導電層」が，ＡｌＮバッファ層上にエピタキシャル成長されていることは明らかである。よって，引用発明の「このＡｌＮバッファ層上に成長された，ＡｌpＧａ1-pＮ（０＜ｐ＜１）からなる導電層」と，本願発明の「この下地層上にエピタキシャル成長された，Ａｌ，Ｇａ，及びＩｎの少なくとも一つを含むとともに，Ａｌ含有量が前記下地層よりも小さく，転位密度が下地層より少なく，かつ，１０１０／ｃｍ２以下である第２の窒化物半導体からなる導電層」とは，「この下地層上にエピタキシャル成長された，Ａｌ，Ｇａ，及びＩｎの少なくとも一つを含むとともに，Ａｌ含有量が前記下地層よりも小さい，第２の窒化物半導体からなる導電層」である点で共通する。
　
・引用発明においては，「単結晶ＡｌＮバッファ層」が「サファイア基板」「上に直接接して形成され」ており，「単結晶ＡｌＮバッファ層」と「サファイア基板」との間に，本願明細書の段落【００２０】〜【００２１】に記載されているような「ＳｉＯ２マスクなどが残留」していない。よって，引用発明と本願発明とは「基板と」「下地層と」「導電層とを」「実質的に具え」る点で共通するといえる。
　
・引用発明における「半導体発光素子」は，本願発明における「半導体素子」に相当する。
　
　よって，引用発明と本願発明とは，
「基板と，この基板上にエピタキシャル成長され，Ａｌ含有量が５０原子％以上であり，Ｘ線ロッキングカーブにおける半値幅が９０秒以下である第１の窒化物半導体からなる下地層と，この下地層上にエピタキシャル成長された，Ａｌ，Ｇａ，及びＩｎの少なくとも一つを含むとともに，Ａｌ含有量が前記下地層よりも小さい，第２の窒化物半導体からなる導電層とを実質的に具える，半導体素子。」
である点で一致する。
　
一方，両者は以下の各点で相違する。
　
《相違点１》
　本願発明においては，下地層については「転位密度が１０１１／ｃｍ２以下であって」，導電層については「転位密度が下地層より少なく，かつ，１０１０／ｃｍ２以下である」のに対して，引用発明においては転位密度についての特定がなされていない点。
　
《相違点２》
　下地層について，本願発明においては「（００２）面におけるＸ線ロッキングカーブにおける半値幅が９０秒以下である」のに対して，引用発明においては「Ｘ線ロッキングカーブの半値幅が９０秒以下」であるものの，当該「Ｘ線ロッキングカーブの半値幅」が「（００２）面における」ものであることまでは特定されていない点。
　
《相違点３》
　本願発明は，「前記基板と前記下地層との界面に発生したミスフィット転位が前記基板と下地層との界面で絡まることにより，前記下地層内に伝播せず，　前記下地層と前記導電層との界面において，前記下地層と前記導電層との格子定数差に起因して前記下地層の転位が絡まること」を特定しているのに対して，引用発明においては，このことが明らかでない点。
　
（４）判断
　上記各相違点について検討する。
　
《相違点２について》
　前記２．（２）ウに摘記した，引用例３の段落【００２７】にも記載されているように，ＡｌＮ膜の結晶配向性を測定するために，（００２）面におけるＸ線ロッキングカーブにおける半値幅を測定することは慣用手段であるから，引用発明におけるＸ線ロッキングカーブの半値幅も（００２）面におけるものといえる。また，仮にそうでないとしても，Ｘ線ロッキングカーブの半値幅を（００２）面において測定することは，当業者が適宜になし得たことである。
　よって，相違点２は実質的なものでなく，仮にそうではないとしても当業者が適宜になし得た範囲に含まれる程度のものである。
　
《相違点３について》
，及び，と釈明している。
　本願発明の「下地層」に対応する引用発明の「単結晶ＡｌＮバッファ層」は，Ａｌ含有量が５０原子％以上であることは明らかであり，下地層の「Ａｌ含有量が５０原子％以上である」という条件を満たすものであるから，平成２４年６月２５日に提出された意見書における「「前記基板と前記下地層との界面に発生したミスフィット転位が前記基板と下地層との界面で絡まること」を実現するための具体的な条件は，段落［００１２］等に記載されている下地層の「Ａｌ含有量が５０原子％以上である」ことです。」という記載からも明らかなように，引用発明においても「前記基板と前記下地層との界面に発生したミスフィット転位が前記基板と下地層との界面で絡まることにより，前記下地層内に伝播」しなくなるものと認められる。
　また，引用発明は「単結晶ＡｌＮバッファ層と，このＡｌＮバッファ層上に成長された，ＡｌpＧａ1-pＮ（０＜ｐ＜１）からなる導電層」を具え，ＡｌpＧａ1-pＮ（０＜ｐ＜１）からなる導電層のＡｌ含有量が，単結晶ＡｌＮバッファ層よりも小さく，このことにより導電層の格子長が単結晶ＡｌＮバッファ層の格子長よりも小さくなることは明らかであるから，上記意見書における，「「前記下地層と前記導電層との界面において，前記下地層と前記導電層との格子定数差に起因して前記下地層の転位が絡まること」を実現するための，具体的な条件は，上述の「１．「転位が絡まる」について」で説明したとおり，導電層のＡｌ含有量が下地層よりも小さく，このことにより導電層の格子長が，下地層の格子長よりも小さくなることです。」という記載からも明らかなように，引用発明においても，「前記下地層と前記導電層との界面において，前記下地層と前記導電層との格子定数差に起因して前記下地層の転位が絡まる」ことになるものと認められる。
　よって，相違点３は，実質的な相違点ではない。
　
《相違点１について》
　前記２．（２）イに摘記したとおり，引用例２の段落【０００２】に従来の技術として記載された，「窒化物系化合物半導体の成長方法として，サファイア基板上に成長温度４００℃以上９００℃以下でＡｌＮバッファ層を成長させたのちに，その上に窒化物系化合物半導体を成長させる方法」は，前記２．（２）アに摘記した，引用例１の段落【０００６】において従来の技術として記載された「格子不整合の影響を緩和するために，サファイア基板上に極薄膜のアモルファス状又は多結晶のＡｌＮ又はＧａＮを低温成長によりバッファ層として形成した後，その上にＡｌＧａＮ層を形成する方法」と同じものといえるところ，引用例２の段落【０００３】には，「上記従来の方法によりサファイア基板上に低温で成長させたバッファ層の上に成長させた窒化物系化合物半導体の断面を透過型電子顕微鏡などで詳細に調べると，基板にはほとんど欠陥がみられないが，基板と窒化物系化合物半導体との界面から欠陥が発生して，窒化物系化合物半導体中に転位密度が１×１０9ｃｍ-2〜１×１０11ｃｍ-2程度の多量の欠陥が存在することが認められた」と記載されており，引用例１における前記従来技術においても，バッファ層上に成長された窒化物系化合物半導体中に転位密度が１×１０9ｃｍ-2〜１×１０11ｃｍ-2程度の欠陥が生じているものといえる。
　ここで，引用例２の段落【０００３】に記載されているとおり，「このような欠陥が存在した窒化物系化合物半導体を用いて半導体装置を作成した場合，欠陥が非発光のキャリア捕獲中心として働くことで発光効率の低下をまねいたり，さらには欠陥に起因する素子の破壊などの信頼性の問題が発生したりする」ものであるから，従来より，転位密度は，成長された窒化物系化合物半導体についての主たる評価指標の一つとして慣用されているものであるところ，引用例１に記載された発明は，前記従来技術よりも「高品質なＡｌＧａＩｎＮ系半導体層を再現性良く任意の厚さで成長することができ」ものとされているのであるから，引用例１に記載された発明によりバッファ層上に形成されたＡｌＧａＩｎＮ系半導体層は，転位密度についても，当然に，従来技術における１×１０9ｃｍ-2〜１×１０11ｃｍ-2程度に比して劣るものではないことが明らかである。また，一般に，バッファ層を介した結晶成長は，バッファ層よりも欠陥が少ない半導体層を形成するための技術であるから，引用発明においても，「単結晶ＡｌＮバッファ層」よりも転位密度が少ない「ＡｌpＧａ1-pＮ（０＜ｐ＜１）からなる導電層」が形成されていることは，バッファ層を設ける目的に照らして明らかなことである。
　そうすると，引用発明における「単結晶ＡｌＮバッファ層」の転位密度が１×１０１０ｃｍ-2程度であり，「ＡｌＮバッファ層上に成長された，ＡｌpＧａ1-pＮ（０＜ｐ＜１）からなる導電層」の転位密度が「単結晶ＡｌＮバッファ層」よりも少ない１×１０９ｃｍ-2程度のものとして，相違点１に係る構成を具えるようにすることは，当業者が適宜になし得たことといえる。
　よって，相違点１は，当業者が適宜になし得た範囲に含まれる程度のものである。
　なお，本願明細書の段落【００１５】〜【００１７】には，「特定の条件でサファイア基板上にＡｌＮ膜をエピタキシャル成長させると，ＡｌＮ膜と基板との間に生じる格子定数差に起因して，ＡｌＮ膜／基板界面に発生したミスフィット転位が界面で絡まり，エピタキシャル膜中に伝播しなくなることを見出した。…（中略）…　したがって，エピタキシャル成長させたＡｌＮ膜中の転位密度を著しく低減できるとともに，結晶性をも向上させることができ，上述したＧａＮ 系／基板界面ではこれまで認められなかった，驚くべき現象を見出した。上記のようにして作製したＡｌＮ膜は，転位密度が１０１１／ｃｍ２以下であって，Ｘ線ロッキングカーブにおける半値幅が９０秒以下である優れた結晶性を有する。…（中略）…上記のＡｌＮ膜上にＧａＮ膜を成膜すると，前記ＡｌＮ膜と前記ＧａＮ膜との間に生じる格子定数差に起因して，前記ＡｌＮ膜内の転位がＡｌＮ膜／ＧａＮ膜界面で絡まり，前記ＧａＮ膜中に伝播しなくなることを見出した。このようにして作製したＧａＮ膜は，転位密度が１０１０／ｃｍ２以下であって，Ｘ線ロッキングカーブにおける半値幅は１５０秒以下の優れた結晶性を有する。」と記載されており，ＡｌＮ膜の転位密度が１０１１／ｃｍ２以下であって，ＧａＮ膜の転位密度が１０１０／ｃｍ２以下となるのは，「ＡｌＮ膜／基板界面に発生したミスフィット転位が界面で絡まり，エピタキシャル膜中に伝播しなくなること」及び「前記ＡｌＮ膜内の転位がＡｌＮ膜／ＧａＮ膜界面で絡まり，前記ＧａＮ膜中に伝播しなくなること」の両現象に起因するものと解される。そして，前記《相違点３について》において述べたように，引用発明においても上記両現象は同様に生じているものといえるから，本願発明の下地層に対応する，引用発明の「単結晶ＡｌＮバッファ層」については「転位密度が１０１１／ｃｍ２以下であって」，引用発明の「導電層」については「転位密度が下地層より少なく，かつ，１０１０／ｃｍ２以下である」構成を具えているものともいえる。
　
（５）まとめ
　以上検討したとおり，本願発明は，引用発明，引用例２に記載された発明，及び引用例３に記載された発明，並びに従来周知の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
３．　むすび
　以上のとおりであるから，他の請求項について検討するまでもなく，本願は拒絶すべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。