【事件の表示】
　特願２０００−５５６４０２「制御されたアニールによる炭化シリコンパワーデバイスの製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１１年１２月２９日国際公開、ＷＯ９９／６７８２５、平成１４年　７月　２日国内公表、特表２００２−５１９８５１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯
　本願は、１９９９年６月７日（パリ条約による優先権主張外国庁受理１９９８年６月８日、米国）を国際出願日とする出願であって、平成１２年１２月８日に国内書面が提出され、平成２２年５月１０日付けの拒絶理由通知に対して、同年８月４日に意見書及び手続補正書が提出されたが、同年９月８日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成２３年１月１４日に審判請求がされるとともに手続補正書が提出されたものである。
　そして、その後、平成２４年１月１８日付けで審尋がなされたが、これに対する回答書は提出されなかったものである。
　
　
第２．補正の却下の決定
【補正の却下の決定の結論】
　平成２３年１月１４日に提出された手続補正書による手続補正を却下する。
　
【理由】
１．補正の内容
　平成２３年１月１４日に提出された手続補正書による手続補正（以下「本件補正」という。）は、特許請求の範囲を補正するものであって、その内容は以下のとおりである。
　
〈補正事項１〉
　補正前の請求項１の「前記深いｐ型注入領域と前記浅いｎ型注入領域を１６５０℃未満でアニールする工程」を、補正後の請求項１の「前記深いｐ型注入領域と前記浅いｎ型注入領域を１５５０℃以上で１６００℃未満の温度において５分間〜１５分間にアニールする工程」と補正する。
　
〈補正事項２〉
　補正前の請求項２〜３を削除する。
　
〈補正事項３〉
　補正前の請求項４〜２０を補正後の請求項２〜１８に繰り上げる。
　
〈補正事項４〉
　補正前の請求項１１〜１２が引用する請求項は「請求項１０」であったものを、対応する補正後の請求項９〜１０は引用する請求項を「請求項８」に繰り上げ、補正前の請求項１３が引用する請求項を「請求項７」であったものを、対応する補正後の請求項は引用する請求項を「請求項５」に繰り上げ、そして、補正前の請求項１４〜１７が引用する請求項は「請求項１３」であったものを、対応する補正後の請求項１２〜１５が引用する請求項を「請求項１１」に繰り上げる。
　
〈補正事項５〉
　補正前の請求項１８の「前記炭化シリコン基板の温度を増大させる工程の後に、前記深いｐ型注入領域及び前記浅いｎ型注入領域をアニールする工程」を、補正後の請求項１６の「前記炭化シリコン基板の温度を増大させる工程の後に、前記深いｐ型注入領域及び前記浅いｎ型注入領域を１５５０℃以上で１６００℃未満の温度において５分間〜１５分間にアニールする工程」と補正する。
　
〈補正事項６〉
　補正前の請求項１９〜２０が引用する請求項は「請求項１８」であったものを、対応する補正後の請求項１７〜１８が引用する請求項を「請求項１６」に繰り上げる。
　
〈補正事項７〉
　補正前の請求項２１〜２３を削除する。
　
〈補正事項８〉
　補正前の請求項２４〜３５を補正後の請求項１９〜３０に繰り上げる。
　
〈補正事項９〉
　補正前の請求項２４〜２８が引用する請求項は「請求項１８」であったものを、対応する補正後の請求項１９〜２３は引用する請求項を「請求項１６」に繰り上げ、補正前の請求項２９〜３０が引用する請求項は「請求項２８」であったものを、対応する補正後の請求項２４〜２５が引用する請求項を「請求項２３」に繰り上げ、補正前の請求項３１が引用する請求項は「請求項２４」であったものを、対応する補正後の請求項２６が引用する請求項を「請求項１９」に繰り上げ、そして、補正前の請求項３２〜３５が引用する請求項は「請求項３１」であったものを、対応する補正後の請求項２７〜３０が引用する請求項を「請求項２６」に繰り上げる。
　
２．新規事項の有無
　補正事項１及び補正事項５の補正について、新規事項の有無を検討する。
　
ア．補正事項１及び補正事項５の補正は、いずれも、「アニールする工程」が、「前記深いｐ型注入領域」及び「前記浅いｎ型注入領域」を「１５５０℃以上で１６００℃未満の温度において５分間〜１５分間にアニールする工程」であると補正するものである。
　
イ．これに対して、特許法第１８４条の６第２項の規定により本願の願書に添付して提出した明細書及び図面とみなされる、平成１２年１２月８日付けで提出された、本願の国際出願日における明細書及び図面の翻訳文を提出した書面である国内書面には、「アニールする工程」に関して以下の事項が記載されている。
ａ．「【００２６】
  次に図１（Ｆ）参照すると、アニールは、深いｐ型注入領域１１８ａ、１１８ｂを横方向へそれぞれの浅いｎ型注入領域１２４ａ、１２４ｂを囲む炭化シリコン基板の表面１０２ａまで拡散させるのに十分で、それぞれの深いｐ型注入領域を縦方向にそれぞれの浅いｎ型注入領域１２４ａ、１２４ｂを通って、炭化シリコン基板の表面まで拡散させることのない温度と時間で実行される。例えば好ましくは、深いｐ型注入領域の浅いｎ型注入領域１２４ａ、１２４ｂ内への、その浅いｎ型注入領域１２４ａ、１２４ｂの厚さの５％未満までの縦方向の拡散が生じる。アニールは、例えば５分間１６００℃において生じて深いｐ型注入領域を約１μｍだけ拡散させる。しかしながら、他のアニール時間と温度を使用することもできる。例えば、約１５００℃〜約１６００℃の間のアニール温度と約１分〜約３０分の間のアニール時間とにより、ホウ素を深いｐ型注入領域から縦及び横方向へ約０．５μｍ〜３μｍ間の距離まで拡散させうることを利用してもよい。」
ｂ．「【００４９】
  次に図９を参照して、本発明による、アニール時間を一定としてアニール温度を変動させた場合の拡散を説明する。ホウ素と窒素の注入条件は図８に関連して説明されたものである。
　　　【００５０】
  図９に示されているように、注入された窒素と比較すると１６００℃では窒素の極めてわずかな拡散しか生じない。しかしながら、１６５０℃では、窒素拡散が生じ始める。図９はまた、１５００℃または１６００℃において、浅い窒素注入領域へのホウ素の極めてわずかなホウ素の拡散しか生じないことも示している。しかしながら、１６５０℃では、深いホウ素注入領域から浅い窒素注入領域への著しいホウ素拡散が生じる。したがって、アニールは、好ましくは１６５０℃未満、しかし好ましくは１５５０℃以上の温度で行われる。より好ましくは、アニールは約１６００℃で行われる。
　　　【００５１】
  いかなる動作原理によって拘束されることは望まないが、１５５０℃未満の温度では、不十分な熱エネルギーが、実用的な時間内において、深いｐ型注入領域から浅いｎ型注入領域を囲む炭化シリコンの表面への拡散を可能にするように与えられることが考えられる。それとは対照的に、１６５０℃を越える温度においては、深いｐ型注入領域が浅いｎ型注入領域を通る炭化シリコンの表面と縦方向に顕著に拡散する。この著しい縦方向拡散はデバイス性能を劣化させることがあり、また浅い窒素注入領域を囲む炭化シリコン基板の表面へ側方拡散して残存するホウ素量を減少させることもある。したがって、アニール温度は１５５０℃〜１６５０℃の間が好ましい。このことは、公開されたＰＣＴ国際特許出願ＷＯ９８／０２９１６においてアニール時間が１６５０℃〜１８００℃の間で行われていることと、はっきりと対照的である。」
ｃ．「【００５２】
  次に図１０を参照すると、アニール時間もデバイス性能に対して重大な影響があり得ることも見出されている。特に、図１０は、１６００℃において５分間、１０分間及び２０分間のアニール中の注入されたホウ素及び窒素の拡散をグラフで示している。図１０の注入条件は図８のそれと同一である。
　　　【００５３】
  図１０に示されているように、５分間１６００℃におけるアニールでは、窒素は全く拡散せず、顕著でない量のホウ素が浅いｎ型注入領域内に拡散する。１０分間のアニールでは、窒素の若干の縦方向の拡散とホウ素の浅い窒素注入領域内への若干の拡散とが存在するが、これらの量は著しくデバイス性能を劣化させるものではないであろう。それとは対照的に、２０分間のアニールでは、ホウ素の浅い窒素注入領域への著しい縦方向の拡散が生じる。したがって、５分間〜１５分間の多様な温度が好ましいが、１０分間のある１つの温度が最も好ましい。
　　　【００５４】
  いかなる動作原理によっても拘束されることは望まないが、１５分よりも長いアニール時間では、ホウ素の浅い窒素注入領域内への著しい拡散が、低いアニール温度でも生じることがあるということが考えられる。さらに、５分未満のアニール時間では、基板表面への側方拡散を満足するｐ+拡散領域を形成するにはホウ素の深いｐ型注入領域からの拡散が不十分であることもある。」
　
ウ．前記ａには、「深いｐ型注入領域の浅いｎ型注入領域１２４ａ、１２４ｂ内への、その浅いｎ型注入領域１２４ａ、１２４ｂの厚さの５％未満までの縦方向の拡散が生じる」ことが「好まし」いこと、そのため、「５分間１６００℃」の「アニール」で「深いｐ型注入領域を約１μｍだけ拡散させる」こと、「約１５００℃〜約１６００℃の間のアニール温度と約１分〜約３０分の間のアニール時間とにより、ホウ素を深いｐ型注入領域から縦及び横方向へ約０．５μｍ〜３μｍ間の距離まで拡散させうることを利用してもよい。」ことが記載されている。
　前記ｂには、「アニール時間を一定としてアニール温度を変動させた場合の拡散」の結果から、「アニール温度は１５５０℃〜１６５０℃の間が好ましい。」こと、「より好ましくは、アニールは約１６００℃で行われる」ことが記載されているが、図９を参照しても、上記「一定」の「アニール時間」は何分であるのか不明である。
　前記ｃには、「１６００℃において５分間、１０分間及び２０分間のアニール中の注入されたホウ素及び窒素の拡散」の結果から、「２０分間のアニールでは、ホウ素の浅い窒素注入領域への著しい縦方向の拡散が生じる。したがって、５分間〜１５分間の多様な温度が好ましい」こと、「１５分よりも長いアニール時間では、ホウ素の浅い窒素注入領域内への著しい拡散が、低いアニール温度でも生じ」、「５分未満のアニール時間では、基板表面への側方拡散を満足するｐ+拡散領域を形成するにはホウ素の深いｐ型注入領域からの拡散が不十分である」ことが記載されている。
　
エ．前記ａが、「前記深いｐ型注入領域」及び「前記浅いｎ型注入領域」を「１５５０℃以上で１６００℃未満の温度において５分間〜１５分間にアニールする工程」を開示したものでないことは明らかである。
　前記ｂには、「アニール時間を一定としてアニール温度を変動させた場合」は「アニール温度は１５５０℃〜１６５０℃の間が好ましい。」こと、「より好ましくは、アニールは約１６００℃で行われる」ことが記載されているものの、その時の「一定」の「アニール時間」は何分であるのか、図９を参照しても、不明である。そして、前記「約１６００℃」で行われる「アニール」は、「一定」の「アニール時間」で行われるものであり、「５分間〜１５分間」というアニール時間範囲が好ましいことを開示したものではない。
　また、前記ｃは、「１６００℃」という特定のアニール温度のときに、「５分間〜１５分間」というアニール時間が好ましいことを開示したものであって、「１５５０℃以上で１６００℃未満」の温度範囲内において当該アニール時間でアニールを行うことを記載したものではない。
　そして、国内書面の他の記載を参照しても、「前記深いｐ型注入領域」及び「前記浅いｎ型注入領域」を「１５５０℃以上で１６００℃未満の温度において５分間〜１５分間にアニールする」ことは、記載も示唆もされていない。また、「前記深いｐ型注入領域」及び「前記浅いｎ型注入領域」を「１５５０℃以上で１６００℃未満の温度において５分間〜１５分間にアニールする」ことが、国内書面の記載から自明な事項であるとも認められない。
　
オ．以上から、補正事項１及び補正事項５の本件補正は、願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてしたものでなく、よって、補正事項１及び補正事項５の本件補正は、願書に最初に添付した明細書又は図面のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入する補正であると認められる。
　したがって、本件補正は、平成１４年法律第２４号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項の規定に違反する。
　
３．補正目的の適否
　前項で述べたように、補正事項１及び補正事項５の本件補正は、願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてしたものでない。
　しかし、仮に、補正事項１及び補正事項５の本件補正が、願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてしたものであるとして、補正事項１〜９の補正目的について検討する。
　
ア．補正事項１についての補正は、「前記深いｐ型注入領域と前記浅いｎ型注入領域」の「アニール」条件を、補正前の請求項１においては「１６５０℃未満でアニールする」であったものを、補正後の請求項１においては「１５５０℃以上で１６００℃未満の温度において５分間〜１５分間にアニールする」と限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮（発明を特定するために必要な事項を限定するものであつて、その補正前の当該請求項に記載された発明とその補正後の当該請求項に記載される発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一であるものに限る。）を目的とするものである。
　
イ．補正事項５における、補正前の請求項１８を補正後の請求項１６に繰り上げるとともに、補正前の請求項１８の「前記炭化シリコン基板の温度を増大させる工程の後に、前記深いｐ型注入領域及び前記浅いｎ型注入領域をアニールする工程」を、補正後の請求項１６の「前記炭化シリコン基板の温度を増大させる工程の後に、前記深いｐ型注入領域及び前記浅いｎ型注入領域を１５５０℃以上で１６００℃未満の温度において５分間〜１５分間にアニールする工程」とする補正は、補正前の請求項１８にあっては特に限定されていなかった前記「アニール」の条件を、補正後の請求項１６においては「１５５０℃以上で１６００℃未満の温度において５分間〜１５分間にアニールする」と限定するものであるから、前記特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　
ウ．補正事項２及び補正事項７における補正前の請求項２〜３及び２１〜２３を削除する補正、補正事項３及び補正事項８における補正前の請求項を繰り上げる補正、また、補正事項４、６、９における引用する請求項を繰り上げる補正は、いずれも、請求項の削除を目的とするものである。
　
エ．したがって、本件補正は、平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項の規定に適合する。
　
４．独立特許要件
　前項で述べたように、本件補正は、平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする補正を含むものであるから、本件補正後の特許請求の範囲に記載されている事項により特定される発明が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否か、すなわち、本件補正がいわゆる独立特許要件を満たすものであるか否かについて、以下において検討する。
　
（１）本件補正後の発明
　本件補正による補正後の請求項１〜３０に係る発明は、本件補正により補正された明細書及び図面の記載からみて、その明細書の特許請求の範囲の請求項１〜３０に記載されている事項により特定されるとおりのものであり、そのうちの請求項１に係る発明（以下「補正発明」という。）は、補正後の請求項１に記載されている事項により特定される、次のとおりのものである。
　
　「【請求項１】　炭化シリコン基板の一表面をマスク（１１２）して該表面に開口部を確定する工程と、
　前記開口部を通して前記炭化シリコン基板内にｐ型ドーパント（１１６）を、深いｐ型注入領域（１１８ａ）を形成する注入エネルギー及び注入量で注入する工程と、
　前記開口部を通して前記炭化シリコン基板内にｎ型ドーパント（１２２）を、前記深いｐ型注入領域と比較して浅いｎ型注入領域（１２４ａ）を形成する注入エネルギー及び注入量で注入する工程と、
　前記深いｐ型注入領域と前記浅いｎ型注入領域を１５５０℃以上で１６００℃未満の温度において５分間〜１５分間にアニールする工程と、
　を有することを特徴とする炭化シリコン・パワーデバイスの製造方法。」
　
（２）引用例及び引用例に記載された発明
（２−１）引用例１の記載
　本願の優先権主張の日前に外国において頒布され、原査定の根拠となった拒絶の理由において「引用文献１」として引用された刊行物である、Jayarama N. Shenoy et al.，“High-Voltage Double-Implanted Power MOSFET's in 6H-SiC”，IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS，１９９７年３月１日，vol.18，No.3，pp.93-95（以下「引用例１」という。）には、Ｆｉｇ．１とともに、次の記載がある（下線は、参考のため、当審において付したものである。以下、他の刊行物についても同様である。）。
　
ａ．“Abstract−We report on the first planar high-voltage MOSFET’s in 6H-SiC. A double-implant MOS (DIMOS) process is used. The planar structure ameliorates the high-field stressing encountered by SiC UMOS transistors fabricated by other groups. Blocking mode operation of up to 760 V is demonstrated, which is nearly three times higher than previously reported operating voltages for SiC MOSFET’s. ”
翻訳：「アブストラクト−我々は、
６Ｈ−ＳｉＣを用いる最初のプレーナ形高電圧ＭＯＳＦＥＴ
　
ｂ．“II. DEVICE FABRICATION
　Two n-type 6H-SiC wafers are used to fabricate DIMOS transistors in this report. Both have 10-μm thick n−epilayers of dopings 1.7×1016cm-3 (wafer D1) and 6.5×1015cm-3 (wafer D2), respectively. The p-type wells are created by multiple energy boron implants performed at 650℃ through a polysilicon mask. The desired implant profiles are calculated from the empirical data of Ahmed et al. [11], and the implant mask thickness is calculated using TRIM [12]. The first wafer has a retrograde implant profile at energies of 30, 50,100,160,240, and 360 keV with doses of 1.5,2.0,3.0,8.0,28,and 36×1013cm-2, respectively. The second wafer has a box profile implant with the same energies but with doses of 1.5,2.0,3.0,8.0,14,and 18×1013cm-2,respectively.”（第９３頁右欄第１１〜２５行）
翻訳：「II．　デバイスの製造
　この報告では、２つの
ｎ型６Ｈ−ＳｉＣウエハがＤＩＭＯＳトランジスタを製造するために使用される。両者は、それぞれ、1.7×10
16
cm
-3
 (wafer D1) と6.5×10
15
cm
-3
 (wafer D2) の不純物濃度を有する厚さ１０μｍのｎ
−
エピ層を有している。ｐ型ウェルが、ポリシリコン・マスクを通って６５０℃で行なわれる多数のエネルギーのホウ素の注入によって作成される。
第１のウエハーは、それぞれ、３０，５０，１００，１６０，２４０及び３６０ｋｅｖの注入エネルギーで、注入量が１．５，２．０，３．０，８．０，２８及び３６×１０
１３
ｃｍ
−２
の、逆の注入プロファイルを有する。第２のウエハーは、同じ注入エネルギーだが、注入量が１．５，２．０，３．０，８．０，１４及び１８×１０
１３
ｃｍ
−２
のボックス注入プロファイルを有する
　
ｃ．“On test wafers used for implant activation studies, we have found B-implanted profiles to be deeper by 40-45% than their predicted values and the activation to be about 6% after a 1600℃ implant activation anneal. The profiles were measured by CV profiling, and the 6H-SiC test wafers were given a single-dose implant at 240 keV. The increased implant depths may be caused by in-diffusion of boron during the activation anneal [13]. Nitrogen implants are performed with a second implant mask layer aligned to the first one. A multiple nitrogen implant profile at energies of 30, 70,120, and 190 keV with doses of 4.0, 6.5, 8.0, and 11×1014cm-2, respectively, is used for both wafers. The implant mask for this step is thermally evaporated Cr-Au patterned by a liftoff technique. Both implants are activated simultaneously in an alumina lined tube furnace at 1600℃ for 30 min in an argon ambient.”（第９３頁右欄第３０行〜第９４頁左欄第１１行）
翻訳：「注入の活性化の研究のために用いたテストウェハにおいて、ホウ素の注入プロファイルは、その予測値より４０〜４５％深く、
１６００度のアニール
窒素の注入は、最初のマスクに一直線に合わせられた第２の注入マスクにより行なわれる。前記二つのウェハを使用して、それぞれ、３０，７０，１２０と１９０ｋｅｖの注入エネルギーで、注入量が４．０，６．５，８．０と１１×１０
１４
ｃｍ
−２
で、窒素が注入される。
両方の注入は、筒型炉に並べられたアルミナ上で、アルゴン雰囲気下で１６００℃３０分の条件で処理することで、同時に活性化される
　
ｄ．“The next photoresist layer is used to open windows in the oxide over the n+ source regions and to lift off nickel contacts to the source. Nickel is deposited by electron-beam evaporation to a thickness of 100 nm and the contacts are not annealed in the devices reported here.”（第９４頁左欄第２０〜２４行）
翻訳：「
ｎ
＋
ソース領域
　
ｅ．ダブル注入ＭＯＳトランジスタの断面図を図示するＦｉｇ．１には、ｎ＋ドレインコンタクトの上に形成されたｎ−ドリフト領域の上部に、２つのｐウェルが設けられており、前記２つのｐウェル内に、それぞれ、ｎ＋領域が設けられていることが、図示されている。
　
（２−２）引用発明
　以上のａ〜ｅから、引用例１には次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
「ｎ型６Ｈ−ＳｉＣウエハが有するｎ−エピ層上に設けられたポリシリコン・マスクを通ってホウ素を、所定の注入エネルギーと所定の注入量で注入することで、ｐ型ウェルを形成するステップと、
　前記ポリシリコン・マスクに一直線に合わせられた第２の注入マスクにより、窒素を、所定の注入エネルギーと所定の注入量で注入することで、前記ｐ型ウェル内にｎ＋ソース領域を形成するステップと、
　アルゴン雰囲気下で１６００℃３０分の条件でアニールすることで、両方の前記注入を同時に活性化するステップと、
　を有することを特徴とする６Ｈ−ＳｉＣを用いる高電圧ＤＩＭＯＳトランジスタの製造方法。」
　
（２−３）引用例２の記載
　本願の優先権主張の日前に外国において頒布され、原査定の根拠となった拒絶の理由において「引用文献２」として引用された刊行物である、国際公開第９８／０２９１６号（以下「引用例２」という。）には次の記載がある。
　
ｆ．“First of all an insulating layer 1 of AlN is applied on top of a SiC-layer 2 being lightly n- doped preferably at a doping concentration of about 1015 cm-3 with a suitable donor, such as for instance N or P. The SiC-layer is monocrystalline, and due to the good lattice- match of monocrystalline AlN with SiC the AlN-layer may be applied on the SiC-layer while obtaining a high interface quality between the layers 1 and 2 by for instance CVD. A further layer 3 of a refractory material being a conductor of electricity, in this case TiN, is applied on top of the AlN-layer. An aperture 4 is then etched through the layers 1 and 3 and to the surface of the SiC-layer 2. n-type dopants are then implanted into an area of the SiC-layer defined by said aperture for forming a high doping concentration of donors in a surface-near layer 5 of the SiC-layer under said area. Any type of donors suitable for SiC may be used, such as for instance N and P. After that p-type dopants having a considerably higher diffusion rate in SiC than the n-type dopants implanted for forming the layer 5 are implanted into the area of the SiC-layer defined by said aperture to such a degree that the doping type of said surface-near layer is maintained, i.e. the donors do still dominate in this layer. The implantation of the p-type dopants are carried out to different depths, i.e. while using different acceleration energies therefor, into said SiC-layer, so that p-type dopants are implanted deeply into this area when high energies, such as 300 keV, are used for creating a deep layer 6 of p-type under the layer 5. This implantation is preferably carried out so that the layer 6 will be highly doped. Acceptors having a reasonable high diffusion rate in SiC are boron, beryllium and aluminium. Boron is the preferred one, since beryllium is highly toxic and aluminium requires temperatures of about 2 000℃ for obtaining a reasonable diffusion rate, whereas the corresponding temperature for boron is about 1 700℃.”（明細書の第８頁第４〜３３頁）
翻訳：「先ず最初に、
僅かにｎ−ドープした、好ましくは適当なドナー、例えば、Ｎ
のようなドナー
でドープしたＳｉＣ層２の上表面の上にＡｌＮの絶縁層１を適用する
ＳｉＣ層上に、例えばＣＶＤによりＡｌＮ層を適用する。電気伝導体である耐火性材料、この場合にはＴｉＮである耐火性材料の層３をＡｌＮ層の上表面の上に更に適用する
層１及び３を通ってＳｉＣ層２の表面まで孔４をエッチングする。
前記孔によって定められたＳｉＣ層領域中にｎ−型ドーパントをインプラントし
ｐ−型ドーパントを、前記孔によって定められたＳｉＣ層領域内に、前記表面近辺層のドーピング型が維持され、即ち、この層内でドナーが依然として優勢であるような程度にインプラントする。
ＳｉＣ中で合理的な大きな拡散速度を有するアクセプタは
ホウ素が好ましい
　
（３）対比
（３−１）補正発明と引用発明との対比
　補正発明と引用発明とを対比する。
　
ア．引用発明は「ｎ型６Ｈ−ＳｉＣウエハが有するｎ−エピ層上に設けられたポリシリコン・マスクを通ってホウ素を、所定の注入エネルギーと所定の注入量で注入することで、ｐ型ウェルを形成する」ものである。
　したがって、「ホウ素」を「注入」して「ｐ型ウェルを形成」するためには、引用発明の「ｐ型ウェルを形成するステップ」に先立って、「ｎ型６Ｈ−ＳｉＣウエハが有するｎ−エピ層上に設けられたポリシリコン・マスク」に、「ｎ−エピ層」の「ｐ型ウェルを形成」しようとする部分の表面が露出するように、開口を設けていることは、明らかである。
　そして、この、引用発明の「ｐ型ウェルを形成するステップ」に先立って、「ｎ型６Ｈ−ＳｉＣウエハが有するｎ−エピ層上に設けられたポリシリコン・マスク」に、「ｎ−エピ層」の「ｐ型ウェルを形成」しようとする部分の表面が露出するように、開口を設けるステップは、補正発明の「炭化シリコン基板の一表面をマスク（１１２）して該表面に開口部を確定する工程」に相当する。
　
イ．引用発明は、「前記ｐ型ウェル内にｎ＋ソース領域を形成する」から、「ｐ型ウェル」は、「ｎ＋ソース領域」と比較して深い注入領域である。
　したがって、引用発明の「ｎ型６Ｈ−ＳｉＣウエハが有するｎ−エピ層上に設けられたポリシリコン・マスクを通ってホウ素を、所定の注入エネルギーと所定の注入量で注入することで、ｐ型ウェルを形成するステップ」は、補正発明の「前記開口部を通して前記炭化シリコン基板内にｐ型ドーパント（１１６）を、深いｐ型注入領域（１１８ａ）を形成する注入エネルギー及び注入量で注入する工程」に相当する。
　
ウ．引用発明は、「前記ｐ型ウェル内にｎ＋ソース領域を形成する」から、「ｎ＋ソース領域」は、「ｐ型ウェル」と比較して浅い注入領域である。そして、引用発明において、「窒素」を「注入する」ための「第２の注入マスク」は、「前記ポリシリコン・マスクに一直線に合わせられ」ているものの、「前記ポリシリコン・マスク」とは異なるものである。
　これに対して、補正発明において、「ｎ型ドーパント（１２２）」を「注入する」ときと、「ｐ型ドーパント（１１６）」を「注入する」ときとで、同じ「マスク（１１２）」の同じ「前記開口部」を利用している。
　したがって、引用発明の「前記ポリシリコン・マスクに一直線に合わせられた第２の注入マスクにより、窒素を、所定の注入エネルギーと所定の注入量で注入することで、前記ｐ型ウェル内にｎ＋ソース領域を形成するステップ」と、補正発明の「前記開口部を通して前記炭化シリコン基板内にｎ型ドーパント（１２２）を、前記深いｐ型注入領域と比較して浅いｎ型注入領域（１２４ａ）を形成する注入エネルギー及び注入量で注入する工程」とは、開口部を通して前記炭化シリコン基板内にｎ型ドーパント（１２２）を、前記深いｐ型注入領域と比較して浅いｎ型注入領域（１２４ａ）を形成する注入エネルギー及び注入量で注入する工程である点で共通する。
　
エ．引用発明の「アルゴン雰囲気下で１６００℃３０分の条件でアニールすることで、両方の前記注入を同時に活性化するステップ」と、補正発明の「前記深いｐ型注入領域と前記浅いｎ型注入領域を１５５０℃以上で１６００℃未満の温度において５分間〜１５分間にアニールする工程」とは、前記深いｐ型注入領域と前記浅いｎ型注入領域をアニールする工程である点で共通する。
　
オ．引用発明の「６Ｈ−ＳｉＣを用いる高電圧ＤＩＭＯＳトランジスタ」は、補正発明の「炭化シリコン・パワーデバイス」に相当する。
　
（３−２）一致点及び相違点
　以上、ア〜オを総合すると、補正発明と引用発明とは、以下の点で一致し、また、相違する。
（一致点）
「炭化シリコン基板の一表面をマスク（１１２）して該表面に開口部を確定する工程と、
　前記開口部を通して前記炭化シリコン基板内にｐ型ドーパント（１１６）を、深いｐ型注入領域（１１８ａ）を形成する注入エネルギー及び注入量で注入する工程と、
　開口部を通して前記炭化シリコン基板内にｎ型ドーパント（１２２）を、前記深いｐ型注入領域と比較して浅いｎ型注入領域（１２４ａ）を形成する注入エネルギー及び注入量で注入する工程と、
　前記深いｐ型注入領域と前記浅いｎ型注入領域をアニールする工程と、
　を有することを特徴とする炭化シリコン・パワーデバイスの製造方法。」
　
（相違点１）
　補正発明では、「深いｐ型注入領域（１１８ａ）を形成する注入エネルギー及び注入量で注入する工程」と「浅いｎ型注入領域（１２４ａ）を形成する注入エネルギー及び注入量で注入する工程」とで、同じ「マスク」の同じ「開口部」を用いるのに対して、引用発明は、「前記ｐ型ウェル内にｎ＋ソース領域を形成するステップ」においては、「ｐ型ウェルを形成するステップ」で用いた「前記ポリシリコン・マスク」とは異なる「前記ポリシリコン・マスクに一直線に合わせられた第２の注入マスク」を用いる点。
　
（相違点２）
　補正発明では、「前記深いｐ型注入領域と前記浅いｎ型注入領域をアニールする工程」を「１５５０℃以上で１６００℃未満の温度において５分間〜１５分間」行うのに対して、引用発明は、「アルゴン雰囲気下で１６００℃３０分の条件でアニールすることで、両方の前記注入を同時に活性化する」点。
　
（４）相違点についての当審の判断
（４−１）相違点１について
ア．引用発明は、「前記ｐ型ウェル内にｎ＋ソース領域を形成するステップ」においては、「ｐ型ウェルを形成するステップ」で用いた「前記ポリシリコン・マスク」に「一直線に合わせられ」ているものの、当該「ポリシリコン・マスク」とは異なる「第２の注入マスク」を用いている。すなわち、引用発明においては、前記互いに異なる「ポリシリコン・マスク」と「第２の注入マスク」という２つの「マスク」に、それぞれ、「ホウ素」ないし「窒素」を「注入する」ための開口を設けるステップが必要となる。
　
イ．これに対して、前記「（２−３）引用例２の記載」の項において摘記したように、引用例２には、
　ｎ−型ドーパントとして好ましくは窒素で僅かにｎ−ドープしたＳｉＣ層２の上表面の上に、ＡｌＮの絶縁層１とＴｉＮである耐火性材料層３を形成し、前記絶縁層１及び耐火性材料層３を通ってＳｉＣ層２の表面までエッチングして孔４を開口することで、前記絶縁層１及び耐火性材料層３に開口して設けた前記孔４を、前記孔４によって定められたＳｉＣ層２の領域に対するｎ−型ドーパントのインプラントと、前記孔４によって定められたＳｉＣ層の領域に対する好ましくはホウ素であるｐ−型ドーパントのインプラントとに共用すること、
が記載されている。
　
ウ．さて、半導体デバイスの製造方法に限らず、一般の製造方法において、使用する材料や道具を共有化して、製造工程を簡素化しようとすることは、共通する技術課題であると認められる。
　
エ．してみれば、引用例２に記載の公知技術と同様に、「ｎ型６Ｈ−ＳｉＣウエハが有するｎ−エピ層」表面の、「マスク」に設けた開口によって定められる領域に、「ホウ素」と「窒素」とを「注入する」引用発明において、前記「ホウ素」の「注入」と前記「窒素」の「注入」とで、同じ「マスク」の同じ開口を用いることは、当業者が容易に想到し得たものと認められる。
　
（４−２）相違点２について
ア．前記「２．新規事項の有無」の項で指摘したように、「前記深いｐ型注入領域」及び「前記浅いｎ型注入領域」を「１５５０℃以上で１６００℃未満の温度において５分間〜１５分間にアニールする」ことは、本願の願書に添付して提出した明細書及び図面とみなされる国内書面には記載されておらず、また、国内書面の記載から自明な事項であるとも認められない。
　また、本願明細書の発明の詳細な説明に、「前記深いｐ型注入領域」及び「前記浅いｎ型注入領域」を「１５５０℃以上で１６００℃未満の温度において５分間〜１５分間にアニールする」ことによって、何らかの臨界的な効果を奏することが記載されているとも認められない。
　
イ．請求人は、審判請求書の請求の理由の「５．本発明が特許されるべき理由」の項で「引用文献１には、ＳｉＣ基板上にＤＩＭＯＳを形成するために、Ｂをイオン注入した後にＮをイオン注入する工程と、１６００℃で３０分間熱処理を行う技術が記載されて」いるが「本発明の「１５５０℃以上で１６００℃未満の温度において５分間〜１５分間にアニールする」という特徴は、引用文献１にもその他の引用文献にも記載も示唆もされておりませんし、当業者が容易に想到し得ることではありません」と主張している。
　
ウ．しかしながら、所望の拡散領域の大きさを考慮して、アニール温度やアニール時間を設定することは慣用技術であり、また、不純物がどのように拡散するのかは、アニール条件だけではなく、ドーパントの注入量等によっても異なるものであるから、アニール温度及びアニール時間によって一義的に決定するものではない。
　したがって、アニール温度やアニール時間をどの程度とするかは、所望の拡散領域の大きさや、ドーパントの注入量等を考慮して、当業者が適宜選択し得るものである。
　よって、引用発明において、「１５５０℃以上で１６００℃未満の温度において５分間〜１５分間にアニールする」ことによって、「両方の前記注入を同時に活性化する」ことは、当業者であれば適宜なし得たものと認められる。
　
エ．なお、請求人は、審判請求書の請求の理由の「５．本発明が特許されるべき理由」の項で「深いｐ型注入領域から浅いｎ型注入領域を囲む炭化シリコンの表面への好ましい拡散を可能にするという本発明の格別な効果についても、当業者が容易に予測できるものでもありません。」とも主張している。
　
オ．しかしながら、本願明細書の段落【００２６】には、
・「アニールは、深いｐ型注入領域１１８ａ、１１８ｂを横方向へそれぞれの浅いｎ型注入領域１２４ａ、１２４ｂを囲む炭化シリコン基板の表面１０２ａまで拡散させるのに十分で、それぞれの深いｐ型注入領域を縦方向にそれぞれの浅いｎ型注入領域１２４ａ、１２４ｂを通って、炭化シリコン基板の表面まで拡散させることのない温度と時間で実行される。」こと、
・「好ましくは、深いｐ型注入領域の浅いｎ型注入領域１２４ａ、１２４ｂ内への、その浅いｎ型注入領域１２４ａ、１２４ｂの厚さの５％未満までの縦方向の拡散が生じる。アニールは、例えば５分間１６００℃において生じて深いｐ型注入領域を約１μｍだけ拡散させる。」こと、
・「他のアニール時間と温度を使用することもできる。例えば、約１５００℃〜約１６００℃の間のアニール温度と約１分〜約３０分の間のアニール時間とにより、ホウ素を深いｐ型注入領域から縦及び横方向へ約０．５μｍ〜３μｍ間の距離まで拡散させうる」こと、
が記載されている。
　すなわち、引用発明の「１６００℃３０分の条件でアニールする」とのアニール条件は、前記段落【００２６】に記載された「炭化シリコン基板の表面まで拡散させることのない温度と時間」の「他のアニール時間と温度」である、「約１５００℃〜約１６００℃の間のアニール温度と約１分〜約３０分の間のアニール時間」というアニール条件に包含されている。
　
カ．したがって、上記エの主張は、当を得ておらず、これを採用することはできない。
　
（４−３）判断のまとめ
　以上のとおりであるから、相違点１、２は、いずれも格別のものではなく、引用発明を相違点１、２に係る構成とすることは、当業者が容易に想到し得たものと認められる。
　そして、補正発明の効果も、引用発明から当業者が予期し得たものである。
　したがって、補正発明は、引用発明及び引用例２に記載された公知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
（５）独立特許要件についてのまとめ
　以上のとおり、補正発明は特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反する。
　
５．小括
　以上のとおりであるので、本件補正は、平成１４年法律第２４号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　そして、仮に、本件補正が前記改正前の特許法第１７条の２第３項の規定に適合するとしても、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
　
第３．本願発明について
１．本願発明
　平成２３年１月１４日に提出された手続補正書による補正は前記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜３５に係る発明は、平成２２年８月４日に提出された手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その明細書の特許請求の範囲の請求項１〜３５に記載されている事項により特定されるとおりのものであり、そのうちの請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、その請求項１に記載されている事項により特定される、以下のとおりのものである。
　
　「　【請求項１】
　炭化シリコン基板の一表面をマスク（１１２）して該表面に開口部を確定する工程と、
　前記開口部を通して前記炭化シリコン基板内にｐ型ドーパント（１１６）を、深いｐ型注入領域（１１８ａ）を形成する注入エネルギー及び注入量で注入する工程と、
　前記開口部を通して前記炭化シリコン基板内にｎ型ドーパント（１２２）を、前記深いｐ型注入領域と比較して浅いｎ型注入領域（１２４ａ）を形成する注入エネルギー及び注入量で注入する工程と、
　前記深いｐ型注入領域と前記浅いｎ型注入領域を１６５０℃未満でアニールする工程と、
　を有することを特徴とする炭化シリコン・パワーデバイスの製造方法。」
　
２．引用例及び引用例に記載された発明
　本願の優先権主張の日前に外国において頒布され、原査定の根拠となった拒絶の理由において引用された刊行物である引用例１及び引用例２には、「第２．補正の却下の決定」の「４．独立特許要件」の「（２）引用例及び引用例に記載された発明」において、「（２−１）引用例１の記載」及び「（２−３）引用例２の記載」の項で摘記したとおりの事項が記載されている。
　そして、引用例１には、同「（２）引用例及び引用例に記載された発明」において、「（２−２）引用発明」の項に記載したとおりの発明（引用発明）が記載されている。
　
３．対比
ア．本願発明は、補正発明の「前記深いｐ型注入領域と前記浅いｎ型注入領域を１５５０℃以上で１６００℃未満の温度において５分間〜１５分間にアニールする工程」を、「前記深いｐ型注入領域と前記浅いｎ型注入領域を１６５０℃未満でアニールする工程」に置き換えたものである。
　
イ．そして、引用発明の「アルゴン雰囲気下で１６００℃３０分の条件でアニールすることで、両方の前記注入を同時に活性化するステップ」において、「アルゴン雰囲気下で１６００℃３０分の条件でアニールする」というアニール条件は、本願発明の「１６５０℃未満でアニールする」というアニール条件に包含される。
　よって、引用発明の「アルゴン雰囲気下で１６００℃３０分の条件でアニールすることで、両方の前記注入を同時に活性化するステップ」は、本願発明の「前記深いｐ型注入領域と前記浅いｎ型注入領域を１６５０℃未満でアニールする工程」に相当する。
　
ウ．してみれば、本願発明と引用発明とは、以下の点で一致し、また、相違している。
（一致点）
「炭化シリコン基板の一表面をマスク（１１２）して該表面に開口部を確定する工程と、
　前記開口部を通して前記炭化シリコン基板内にｐ型ドーパント（１１６）を、深いｐ型注入領域（１１８ａ）を形成する注入エネルギー及び注入量で注入する工程と、
　開口部を通して前記炭化シリコン基板内にｎ型ドーパント（１２２）を、前記深いｐ型注入領域と比較して浅いｎ型注入領域（１２４ａ）を形成する注入エネルギー及び注入量で注入する工程と、
　前記深いｐ型注入領域と前記浅いｎ型注入領域を１６５０℃未満でアニールする工程と、
　を有することを特徴とする炭化シリコン・パワーデバイスの製造方法。」
　
（相違点３）
　補正発明では、「深いｐ型注入領域（１１８ａ）を形成する注入エネルギー及び注入量で注入する工程」と「浅いｎ型注入領域（１２４ａ）を形成する注入エネルギー及び注入量で注入する工程」とで、同じ「マスク」の同じ「開口部」を用いるのに対して、引用発明は、「前記ｐ型ウェル内にｎ＋ソース領域を形成するステップ」においては、「ｐ型ウェルを形成するステップ」で用いた「前記ポリシリコン・マスク」とは異なる「前記ポリシリコン・マスクに一直線に合わせられた第２の注入マスク」を用いる点。
　
４．判断
　前記相違点３は、「第２．補正の却下の決定」の「４．独立特許要件」の「（３）対比」の「（３−２）一致点及び相違点」の項において記載した、補正発明と引用発明との相違点の一つである相違点１と、同一の相違点である。
　したがって、「第２．補正の却下の決定」の「４．独立特許要件」の「（４）相違点についての当審の判断」における「（４−１）相違点１について」の項で記載したと同じ理由により、引用例２に記載の公知技術と同様に、「ｎ型６Ｈ−ＳｉＣウエハが有するｎ−エピ層」表面の、「マスク」に設けた開口によって定められる領域に、「ホウ素」と「窒素」とを「注入する」引用発明において、前記「ホウ素」の「注入」と前記「窒素」の「注入」とで、同じ「マスク」の同じ開口を用いることは、当業者が容易に想到し得たものと認められる。
　したがって、本願発明は、引用発明及び引用例２に記載された公知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　
第４．むすび
　したがって、本願発明は、引用発明及び引用例２に記載された公知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　以上のとおりであるから、他の請求項について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。