(57)【要約】ＬＣＤ用のＴＦＴで求められる大きい絶縁耐電圧及び小さい界面準位密度を有する絶縁膜を短時間で得るための方法を提供する。シリコン基体（１０１）をプラズマ酸化処理して第１の絶縁膜（１０２）を形成し、前記第１の絶縁膜（１０２）に第２の絶縁膜（１０３）をプラズマＣＶＤを使用して堆積させることにより、絶縁膜を形成する。
2004017396.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基体を変性処理して第１の絶縁膜を形成し、前記第１の絶縁膜に第２の絶縁膜を堆積させる堆積処理を行うことを含む、半導体基体上の絶縁膜を形成する方法。
【請求項２】
前記半導体基体上の絶縁膜がディスプレイ用薄膜トランジスタのゲート絶縁膜であり、且つ前記半導体基体がポリシリコン又は連続粒界結晶シリコンである、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第１の絶縁膜が酸化物膜であり、且つ前記第２の絶縁膜が窒化物膜である、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
前記第１の絶縁膜と前記半導体基体との界面準位密度が、１×１０１２ｅＶ−１・ｃｍ−２未満である、請求項１〜３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
前記第１の絶縁膜及び第２の絶縁膜を含む前記半導体基体上の絶縁膜の絶縁耐電圧が１０Ｖ超である、請求項１〜４のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
前記変性処理が前記半導体基体の熱又はプラズマ酸化又は窒化処理であり、且つ前記堆積処理がＣＶＤ処理である、請求項１〜５のいずれかに記載の方法。
【請求項７】
前記変性処理がプラズマ酸化処理であり、且つ前記堆積処理がプラズマＣＶＤ処理である、請求項１〜５のいずれかに記載の方法。
【請求項８】
前記プラズマ酸化処理の雰囲気が希ガス及び酸素を含有する、請求項６又は７に記載の方法。
【請求項９】
前記希ガスと酸素との比率が１００：３以下である、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記希ガスがクリプトンである、請求項８又は９に記載の方法。
【請求項１１】
前記プラズマＣＶＤ処理の雰囲気が酸素及びケイ素含有ガスを含有する、請求項７〜１０のいずれかに記載の方法。
【請求項１２】
プラズマの発生手段が、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）発生装置又はラジアルラインスロットアンテナ（ＲＬＳＡ）マイクロ波励起プラズマ発生装置である、請求項６〜１１に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】  本発明は、半導体デバイスの絶縁膜、特に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）のゲート絶縁膜、より特に液晶ディスプレイ等のディスプレイ（ＬＣＤ）のためのＴＦＴのゲート酸化物膜形成に関する。
【背景技術】  絶縁膜は様々な半導体デバイスで使用されており、絶縁膜形成のためには半導体基体の酸化又は窒化、ＣＶＤ（化学気相堆積）、ＰＶＤ（物理気相堆積）、コーティングのような様々な技術が使用されている。ここで、比較的高品質な絶縁膜が必要とされる用途、例えば集積回路のゲート絶縁膜の用途では、下地の膜を変性させる熱又はプラズマによる酸化又は窒化のような変性処理が使用され、また比較的大きい成膜速度が必要とされる用途、例えば保護層及びＬＣＤのゲート絶縁膜の用途では、ＣＶＤのような堆積処理が使用されることが多い。これは、これらの処理によって得られる膜質が異なること、例えばこのような変性処理によって得られる絶縁膜の界面順位密度が例えば５×１０１０ｅＶ−１・ｃｍ−２程度と比較的小さく、且つＣＶＤのような堆積処理によって得られる界面順位密度が例えば５×１０１２ｅＶ−１・ｃｍ−２程度と比較的大きいことによる。また、このような変性処理によって得られる膜の成膜速度が比較的小さく、且つ堆積処理によって得られる膜の成膜速度が比較的大きいことにもよる。
これに関して近年では、半導体デバイスの製造工程において、成膜のためのプラズマ処理装置が使用される場合がある。例えば、典型的なマイクロ波プラズマ処理装置においては、２．４５ＧＨｚ程度のマイクロ波を、スロット電極に通過させて、半導体ウェハやＬＣＤ基板などの被処理体が配置された減圧処理室内に導入する。マイクロ波はこれらの反応体ガスをプラズマ化し、活性の強いラジカル及びイオンにし、被処理体と反応させて成膜処理が行われるようにする。ここでは一般的に、プラズマの励起を促進するアルゴンのような希ガスと反応体ガスとを処理室に導入する。
プラズマを使用して絶縁膜を作る場合、この反応体ガスは例えば、フィールド酸化と呼ばれる半導体基体の酸化処理では酸素及び場合によっては水素であり、ＣＶＤにおいてはテトラエチルオルトシリケート（ＴＥＯＳ）及び酸素である。特に、ＬＣＤの製造においては、トランジスタのゲート絶縁膜形成のために一般にプラズマＣＶＤ処理を行っている。これらの絶縁膜形成技術については、特開平第１１−２９３４７０号、特開平第２００１−２７４１４８号明細書等参照。
従来一般に行われてきたシリコン基板の熱酸化法を使用して二酸化ケイ素の絶縁膜を形成する場合約１０００℃の高温を必要とするが、プラズマシリコン酸化物膜は、熱酸化法よりも低温で成長できる。従って、高温を嫌うデバイスに好ましく、成長速度が大きく、圧縮応力膜が容易に得られ、膜が緻密であり、また酸化速度の面方位依存性がないといった特徴を有する。
従来の絶縁膜形成処理はそれぞれ利点を有するものの、現在及び将来にわたる膜質及び成膜速度の要求を必ずしも満たしているとはいえない。例えば絶縁膜の性質を表すパラメータとしては、界面準位密度で表されるタングリングボンド、絶縁耐電圧、膜密度、成膜速度等があるが、これらのパラメータの要求を柔軟に満たす成膜方法及び装置は現在も求められている。従って本発明は、絶縁膜の評価で使用されるパラメータに関する要求を満たすための方法を提供する。
従来、ＬＣＤのＴＦＴスイッチではアモルファスシリコンを使用し、そのゲート酸化物膜はＣＶＤプロセスで製造していた。しかしながら、近年開発されているポリシリコン及び連続粒界結晶シリコン（ＣＧＳ）ＴＦＴスイッチのゲート酸化物膜で求められる膜質をＣＶＤで達成するのは困難であると考えられる。
従ってプラズマ酸化のような既に堆積されているシリコン基体を酸化するいわゆるフィールド酸化処理を行って絶縁膜にすることも考えられる。しかしながらＣＶＤによる成膜速度が典型的に約１０００Å／分超であるのに対して、フィールド酸化による成膜速度は約２０Å／分程度である。更にフィールド酸化では、形成された酸化物膜を酸素が拡散することによって成膜処理が進行することから、膜厚が厚くなるに従って成膜速度が遅くなる。よってフィールド酸化を使用する場合には、ＬＣＤのＴＦＴ（例えば約１５Ｖ又は３５Ｖのゲート電圧を使用）で求められる大きい絶縁耐電圧及び酸化物膜の対応する比較的厚い膜厚（例えば１，０００Å）を達成するために長時間の成膜処理が必要となり現実的ではない。
【発明の開示】
そこで本発明では、短時間で要求される膜質を有する絶縁膜を得るための方法を提供する。
本発明は、半導体基体の変性処理を行って第１の絶縁膜を形成し、そして第１の絶縁膜に第２の絶縁膜を堆積させる堆積処理を行うことを含む、半導体基体上の絶縁膜を形成する方法である。この半導体基体上の絶縁膜は、特にゲート絶縁膜、より特にＴＦＴのゲート酸化物膜、更により特にＬＣＤ等のディスプレイのためのＴＦＴのゲート酸化物膜である。
本発明の１つの態様では、半導体基体がシリコン基体、例えばポリシリコン基体、連続粒界結晶シリコン基体又は単結晶シリコン基体である。
本発明の１つの態様では、第１の絶縁膜及び第２の絶縁膜が共に酸化物膜である。
本発明の１つの態様では、第１の絶縁膜が酸化物膜であり、且つ第２の絶縁膜が窒化物膜である。
本発明の１つの態様では、第１の絶縁膜の厚さが１０〜１００Å、特に１０〜３０Åである。また、第１の絶縁膜の厚さは、半導体基体／第１の絶縁膜の界面、例えばシリコン基体／酸化シリコンの界面の性質に関する要求を満たすのに十分な厚さでよい。
本発明の１つの態様では、第２の絶縁膜の厚さが１００〜２，０００Å、特に５００〜１，０００Åである。また、第２の絶縁膜の厚さは、第１の絶縁膜及び第２の絶縁膜を有する絶縁膜の絶縁耐電圧に関する要求を満たす厚さでよい。
本発明の１つの態様では、第１の絶縁膜と半導体基体との界面準位密度が、１０１２ｅＶ−１・ｃｍ−２未満、例えば１０１２〜１０１０ｅＶ−１・ｃｍ−２、好ましくは１０１０ｅＶ−１・ｃｍ−２未満、例えば１０１０〜１０９ｅＶ−１・ｃｍ−２である。
本発明の１つの態様では、第１の絶縁膜及び第２の絶縁膜を含む半導体基体上の絶縁膜の絶縁耐電圧が、所望の用途に適当な絶縁耐電圧を有し、例えばこの絶縁耐電圧が１０Ｖ超、２０Ｖ超、又は３０Ｖ超である。
本発明の１つの態様では、変性処理が半導体基体の熱又はプラズマ酸化又は窒化処理であり、且つ堆積処理がＣＶＤ処理である。尚、この堆積処理は、ＰＶＤ、コーティングであってよい。
本発明の１つの態様では、変性処理がプラズマ酸化処理であり、且つ堆積処理がプラズマＣＶＤ処理である。
本発明の１つの態様では、プラズマ酸化処理の雰囲気が希ガス及び酸素を含有する。ここで好ましくは、希ガスと酸素との流量比率が１００：３以下である。希ガスは例えばクリプトンである。
本発明の１つの態様では、プラズマＣＶＤ処理の雰囲気が酸素及びケイ素含有ガスを含有する。このケイ素含有ガスは例えば、モノシランＳＨ４である。
本発明の１つの態様では、第１の絶縁膜の平均成膜速度が１０〜１００Å／分、特に１０〜５０Å／分であり、且つ第２の絶縁膜の平均成膜速度が１００〜１０，０００Å／分、特に５００〜１，０００Å／分である。
また本発明は、第１の絶縁膜と第２の絶縁膜を含む絶縁膜を半導体基体上に作る方法であって、前記半導体基体に隣接する前記第１の絶縁膜の平均成膜速度と、前記半導体基体の反対側で前記第１の絶縁膜に隣接する前記第２の絶縁膜の成膜速度との比が、１：１，０００〜１：１、特に１：１００〜１：１０である、第１の絶縁膜と第２の絶縁膜を含む絶縁膜を半導体基体上に作る方法を提供する。
プラズマの発生手段は、例えば誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）発生装置、又はスロット放射型マイクロ波励起プラズマ発生装置、特にラジアルラインスロットアンテナ（ＲＬＳＡ）マイクロ波励起プラズマ発生装置のようなマイクロ波励起プラズマ発生装置である。この方法は、本明細書の記載から理解できる他の任意の特徴を有することができる。
本発明の他の目的及び更なる特徴は、以下添付図面を参照して説明される好ましい実施例によって明らかにされるであろう。
【図面の簡単な説明】  図１は、本発明の１つの態様で形成される絶縁体膜の成膜工程を表す図である。
図２は、本発明の１つの態様で使用するＲＬＳＡマイクロ波プラズマ処理装置の構造を示す概略ブロック図である。
図３は、図２のＲＬＳＡマイクロ波プラズマ処理装置で使用されるアンテナの平面図である。
図４は、図２のプラズマ処理装置を使用するクラスタツールの上面図である。
図５は、シリコン表面の直接酸化による成膜速度の時間依存性を示す図である。
図６は、ＣＶＤ酸化物膜の成膜速度を示す図である。
上記した図面中、各符号の意味は、以下の通りである。
１０１…シリコン基体
１０２…第１の絶縁膜
１０３…第２の絶縁膜
２００…ＲＬＳＡプラズマ処理装置
２０１…ゲートバルブ
２０２…処理室
２０４…サセプタ
２０６…真空ポンプ
２０８…天板
２１０…マイクロ波源
２４０，２７０…ガス供給管
３００…アンテナ
４００…クラスタツール
４１０…処理システム部
４３０…ロードロック室
４５０…搬送システム部
４７０…搬送ステージ
４８０…カセットステージ
【発明を実施するための最良の形態】  以下では、添付図面を参照して、本発明の例示の態様で使用する装置について説明する。尚、各図において同一の参照符号は同一部材を表している。
ここで図２は、本発明の絶縁膜を形成することができるラジアルラインスロットアンテナ（ＲＬＳＡ（Ｒａｄｉａｌ  Ｌｉｎｅ  Ｓｌｏｔ  Ａｎｔｅｎｎａ））プラズマ処理装置２００の概略ブロック図である。
尚、以下ではＲＬＳＡプラズマ処理装置に関して本発明を説明するが、本発明の絶縁膜はプラズマ処理装置以外の任意の装置を使用しても得ることができる。好ましくは本発明ではプラズマ処理装置を使用する。これはプラズマ処理装置が比較的低温での成膜及び良好な膜質を達成できることによる。より好ましくは高密度プラズマを発生させることができるＲＬＳＡプラズマ処理装置のようなマイクロ波プラズマ装置、ＩＣＰ（誘導結合型）プラズマ装置、ＥＣＲプラズマ装置等を使用する。
本実施例のマイクロ波プラズマ処理装置２００は、クラスタツール４００に連通されたゲートバルブ２０１と、半導体ウェハ基板やＬＣＤ基板などの被処理体Ｗを載置しているサセプタ２０４を収納可能な処理室２０２と、処理室２０２に接続されている真空ポンプ２０６と、天板２０８と、マイクロ波源２１０と、アンテナ３００と、ガス供給管２４０及び２７０とを有している。なお、プラズマ処理装置２００の制御系については図示が省略されている。
処理室２０２は側壁や底部がアルミニウムなどの導体により構成される。ここでは処理室２０２は例示的に円筒形状を有するが、その形状は任意である。処理室２０２内には、サセプタ２０４とその上に被処理体Ｗが支持されている。
天板２０８は、処理室２０２の上部を塞いでいる石英や窒化アルミニウムのような誘電体材料で作られている円筒形板状体である。
アンテナ３００には、図３に示すように、複数のスロット３１０が同心円上に存在している。このアンテナ３００は例えば厚さ１ｍｍ以下の銅板で作られており、天板２０８の上面に配置されている。各スロット３１０は略方形の貫通孔であり、隣接するスロットは互いに直交してアルファベットの「Ｔ」字状の形状を構成している。スロット３１０の配置、形状等は、マイクロ波発生源２１０で発生するマイクロ波の波長、必要とされるプラズマ等に依存して決定される。随意の遅波材２２４としては、マイクロ波の波長を短くするために所定の誘電率を有すると共に熱伝導率が高い所定の材料が選ばれる。
マイクロ波源２１０は、例えばマグネトロンからなり、通常２．４５ＧＨｚのマイクロ波（例えば５ｋＷ）を発生することができる。マイクロ波はその後、矩形導波管２１１、モード変換器２１２、円形同軸導波管２１３を通って、アンテナ部材３００に達する。尚、図２では、マグネトロンに戻る反射マイクロ波を吸収するアイソレータ等の装置は省略されている。
所望に応じてサセプタ２０４は、処理室２０２内で被処理体Ｗの温度制御を行うことができる。この場合には、温度調節装置（図示せず）がサセプタ２０４の温度を制御する。またサセプタ２０４は処理室２０２内で昇降可能に構成することができ、このサセプタ２０４に関しては当業者に既知のいかなる技術も適用することができる。
ガス供給管２４０及び２７０は、ガス供給源、バルブ、マスフローコントローラ等（図示せず）に接続されている。ここでは、直接に処理ガスを処理室２０２に供給しているが、処理室２０２の上部のシャワープレート（図示せず）を経由させて均一に供給できるようにすることもできる。
処理室２０２の内部は、真空ポンプ２０６によって所定の減圧を維持することができる。真空ポンプ２０６は処理室２０２を均一に排気して、プラズマ密度を均一に保ち、部分的にプラズマ密度が集中して被処理体Ｗの処理が不均一になることを防止する。
クラスタツール４００は、図４で示されるようなクラスタツールでよい。このクラスタツール４００は、被処理基板としてのウェハＷに対して成膜処理、拡散処理、エッチング処理等の処理を行う処理システム部４１０と、この処理システム部４１０に対してウェハＷを搬入、搬出させる搬送システム部４５０とにより構成される。
処理システム４１０部は、真空引き可能に構成された移載室４１１と、ゲートバルブ２０１Ａ〜２０１Ｄを介して連結された４つの処理チャンバ２００Ａ〜２００Ｄよりなり、各チャンバ２００Ａ〜２００Ｄにおいては同種の或いは異種の処理をウェハＷに対して行うことができる。また移載室４１１内には、屈伸及び旋回自在に構成された移載アーム４１２が設けられ、各処理チャンバ２００Ａ〜２００Ｄや後述するロードロック室間４３０Ａ及びＢとウェハＷの受け渡しを行うようになっている。
一方、搬送システム部４５０は、キャリアカセットを載置するためのカセットステージ４８０とウェハＷを搬送して受け渡しを行うための搬送アーム４７１を移動させる搬送ステージ４７０よりなる。カセットステージ４８０には、容器載置台４８１が設けられ、ここに複数、図示例にあっては最大４つのキャリアカセット４８３を載置できるようになっている。キャリアカセット４８３には、例えば最大２５枚のウェハＷを等間隔で多段に載置して収容できるようになっている。
搬送ステージ４７０には、その中心部を長さ方向に沿って延びる案内レール４７２が設けられており、この案内レール４７２に上記搬送アーム４７１がスライド移動可能に支持されている。また、搬送ステージ４７０の他端には、ウェハＷの位置決めを行う方向位置決め装置としてのオリエンタ４７５が設けられている。
処理システム部４１０と搬送システム部４５０との間には、真空引き可能にされた２つのロードロック室４３０Ａ、４３０Ｂが設けられている。
以下では、本発明に係る絶縁膜の製造方法について説明する。
図１は、本発明の１つの態様に係る絶縁体膜の製造工程を示した垂直断面図である。この図１の（ａ）では、シリコン基体１０１が示されている。このシリコン基体１０１は、任意のシリコン基体、例えばシリコンウェハ、アモルファスシリコン、低温ポリシリコン、連続粒界結晶シリコン等であってよい。
図１の（ａ）のシリコン基体に変性処理を行うことによって図１の（ｂ）の第１の絶縁膜１０２を得る。この変性処理は、熱酸化、熱窒化、熱酸窒化、プラズマ酸化、プラズマ窒化、プラズマ酸窒化といった任意の変性処理でよい。従って、この図１の（ｂ）の第１の絶縁膜１０２は、いわゆるフィールド酸化、窒化、酸窒化物膜であってよい。
この第１の絶縁膜を製造するための変性処理においてプラズマ酸化を使用する場合、図２の処理装置１００の処理ガス供給路２４０及び２７０からアルゴン、クリプトンのような希ガス及び酸素を供給する。この場合の処理条件としては、８インチシリコンウェハに関して以下の条件を挙げることができる：
Ｏ２流量：１０〜１，０００ｓｃｃｍ、例えば１２０ｓｃｃｍ
Ｋｒ流量：１００〜１０，０００ｓｃｃｍ、例えば１５００ｓｃｃｍ
処理温度：１００〜５００℃、例えば２５０℃
圧力：１〜１，０００Ｐａ、例えば９０Ｐａ
プラズマ源出力：１００〜６，０００Ｗ、例えば２０００Ｗ
図１の（ｂ）の第１の絶縁膜１０２に堆積処理を行うことによって図１の（ｃ）の第２の絶縁膜１０３を得る。この堆積処理は、ＣＶＤ、ＰＶＤ、コーティングといった任意の変性処理でよい。従って、この図１の（ｃ）の第２の絶縁膜１０３は、いわゆるデポ（堆積）酸化物、窒化物、酸窒化物膜、ポリマー膜であってよい。
この第２の絶縁膜を製造するための堆積処理においてプラズマＣＶＤを使用して二酸化ケイ素層を形成する場合、図２の処理装置１００の処理ガス供給路２４０及び２７０からアルゴン、クリプトンのような希ガス、ＳｉＨ４又はＴＥＯＳようなケイ素含有ガスを供給する。尚、図２においては２つの供給路が示されているが、任意の数の供給路からガスを供給することができる。
この場合の処理条件としては、８インチシリコンウェハに関して以下の条件を挙げることができる：
ＳｉＨ４流量：１〜１，０００ｓｃｃｍ、例えば５０〜２００ｓｃｃｍ
Ｏ２流量：１０〜１０，０００ｓｃｃｍ、例えば１，０００ｓｃｃｍ
処理温度：１００〜５００℃、例えば３５０℃
圧力：１〜１，０００Ｐａ、例えば１０Ｐａ
プラズマ源出力：１００〜６，０００Ｗ、例えば２，０００Ｗ
上述のように第１の絶縁膜及び第２の絶縁膜を形成することによって本発明の絶縁膜が形成される。
本明の方法によれば、半導体基体の変性処理とその後の堆積処理との組み合わせによって独自の絶縁膜を得ることができる。
好ましくは本発明の方法は、半導体基体の変性処理によって得られる界面に関する性質と、その後の堆積処理によって得られるバルクに関する性質とを調節して得ることができる。
好ましくは、変性処理及び堆積処理のいずれもがプラズマを使用する処理である。この場合、上述のように得られるデバイスの信頼性、プロセスの柔軟性等に関して好ましい。また上述のように得られる膜質も一般に好ましい。更に、変性処理と堆積処理のいずれもがプラズマプロセスであることによって、これらの処理を同一の装置内で行うことが可能になる。
好ましくは、半導体基体の変性処理によって得られる良好な界面特性の利点と、堆積処理によって得られる迅速な成膜の利点を両立させる。すなわち例えば、半導体基体のプラズマ酸化処理によって得られる良好な界面特性の利点と、プラズマＣＶＤ処理によって得られる大きい成膜速度の利点とを両立させる。
好ましくは、本発明の方法で得られる絶縁膜は全体として、ＬＣＤ用ＴＦＴゲート絶縁膜のようなゲート絶縁膜での使用に耐える絶縁耐圧を有する。また好ましくは、プラズマ酸化処理において希ガス及び酸素含有雰囲気を使用し、希ガスと酸素との流量比率が１００：３以下にして、特に液晶ディスプレイ等のディスプレイのＴＦＴに適当な、良質且つ厚膜のシリコン酸化膜を作成するようにする。
また更に本発明の１つの態様は、第１の絶縁膜と第２の絶縁膜を含む絶縁膜を半導体基体上で作る方法であって、半導体基体に隣接する第１の絶縁膜の平均成膜速度と、半導体基体の反対側で第１の絶縁膜に隣接する第２の絶縁膜の平均成膜速度との比が、１：１，０００〜１：１である、第１の絶縁膜と第２の絶縁膜を含む絶縁膜を半導体基体上で作る方法である。すなわち、半導体デバイス製造では形成される膜の膜質と成膜速度の両方が問題となるが、界面部分とバルク部分との成膜速度を変化させることによって、膜質を調節し且つ良好な成膜速度を得ることが可能になる。
尚、ここでは半導体基体としてシリコン基体について説明したが、本発明の方法はシリコン基体に限定されず、同様な処理が適用できる任意の他の半導体基体に適用することができる。また、ここではクラスター装置に接続されたプラズマ処理装置を使用して本発明の絶縁膜を作っているが、本発明は任意の装置で行うことができ、例えば現在検討されているいわゆるフロープロセスにも適用できると考える。この場合には、本発明の迅速な絶縁膜形成が大きな利益を提供すると考えられる。
【実施例】  本発明の絶縁膜形成に関して、クリプトンと酸素によるシリコン表面直接酸化、及びシランと酸素による酸化物膜ＣＶＤを行った。
シリコン表面直接酸化
この試験は、図２に示す装置を使用して一般に入手可能なシリコンウェハ（８インチウェハ）に対して行った。表面直接酸化のための条件は以下に示すようなものであった：
Ｏ２流量：１２０ｓｃｃｍ
Ｋｒ流量：１５００ｓｃｃｍ
処理温度：２５０℃
圧力：９０Ｐａ
プラズマ源出力：２０００Ｗ
得られた結果は図５で示している。従って成膜速度は、２０Åの酸化物膜を形成するときには約２０Å／分、２５Åの酸化物膜を形成するときには約１２Å／分、２７Åの酸化物膜を形成するときには約９Å／分である。容易に理解されるように、成膜速度は形成された酸化物膜の厚さが増加するにつれて遅くなっている。これは、酸化物膜形成のためには、酸素原子が既に形成された酸化物膜を拡散しなければならないことによると考えられる。従ってシリコン表面の直接酸化のみによって比較的厚い絶縁膜、例えばＬＣＤのゲート絶縁膜を作ることは長い時間がかかり現実的ではない。
酸化物膜ＣＶＤ
この試験は図２に示す装置を使用して一般に入手可能なシリコンウェハ（８インチウェハ）に対して行った。ＣＶＤ酸化物膜形成のための条件は以下に示すようなものである：
ＳｉＨ４流量：５０〜２００ｓｃｃｍ
Ｏ２流量：１，０００ｓｃｃｍ
処理温度：３５０℃
圧力：１０Ｐａ
プラズマ源出力：２，０００Ｗ
得られた結果は図６で示している。この図で示されているように、ＣＶＤ酸化物膜の成膜速度は１，０００Å／分〜４，５００Å／分にも達している。この成膜速度は、シリコン表面の直接酸化による酸化物膜の成膜速度よりも明らかに大きく、例えばＬＣＤのゲート絶縁膜のような比較的厚い酸化物膜を実用的な時間で作ることを可能にする。
従ってこれらの実験によって示されるように、本発明の絶縁膜製造方法は、半導体デバイスの絶縁膜、特にゲート絶縁膜、より特にＬＣＤ等のためのＴＦＴのゲート酸化物膜形成方法を提供する。
以上、本発明の好ましい実施例を説明したが、本発明はその要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。
【産業上の利用可能性】  上述したように本発明によれば、所望の膜質を有する絶縁膜を（好ましくは短時間で）得るための方法が提供される。
【図１】
2004017396.tif 000003
【図２】
2004017396.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【手続補正書】
【提出日】平成16年4月19日(2004.4.19)
【手続補正００１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【書類名】特許請求の範囲
【請求項１】誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）発生装置またはラジアルラインスロットアンテナ（ＲＬＳＡ）マイクロ波励起プラズマ発生装置によりプラズマを励起してディスプレイ用薄膜トランジスタ上にゲート絶縁膜を形成する方法において、
酸素とクリプトンとを少なくとも含む雰囲気におけるプラズマ酸化により、ディスプレイ用薄膜トランジスタ用の半導体基体との界面準位密度が１×１０１０〜１０９ｅＶ−１・ｃｍ−２である第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜上に、前記プラズマ発生装置を用い連続して第２の絶縁膜を形成することを特徴とするゲート絶縁膜の形成方法。
【請求項２】前記第２の絶縁膜が二酸化ケイ素からなる請求項１に記載のゲート絶縁膜の形成方法。
【請求項３】前記第２の絶縁膜が窒化物からなる請求項１に記載のゲート絶縁膜の形成方法。




【手続補正書】
【提出日】平成17年2月14日(2005.2.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）発生装置またはマイクロ波励起プラズマ発生装置によりプラズマを励起してディスプレイ用薄膜トランジスタ上にゲート絶縁膜を形成する方法において、
酸素とクリプトンとを少なくとも含む雰囲気におけるプラズマ酸化により、ディスプレイ用薄膜トランジスタ用の半導体基体との界面準位密度が１×１０10〜１０9ｅＶ-1・ｃｍ-2である第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜上に、前記プラズマ発生装置を用い連続して第２の絶縁膜を形成することを特徴とするゲート絶縁膜の形成方法。
【請求項２】
前記第２の絶縁膜が二酸化ケイ素からなる請求項１に記載のゲート絶縁膜の形成方法。
【請求項３】
前記第２の絶縁膜が窒化物からなる請求項１に記載のゲート絶縁膜の形成方法。
【国際調査報告】
2004017396.tif 000009
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