【事件の表示】
　特願２０１１−　　４５０９「フィルタ構造」拒絶査定不服審判事件〔平成２３年　４月　７日出願公開、特開２０１１−　７２０４７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯及び本願発明
　
１．手続の経緯
　本願は，平成１１年１２月２８日（優先権主張　１９９８年１２月３０日　フィンランド（ＦＩ））を出願日とする特願平１１−３７５２９１号の一部を平成２３年１月１３日に新たな特許出願とする出願であって，同年６月１日付けで拒絶理由が通知され，同年９月６日付けで意見書及び手続補正書の提出がなされ，同年１０月２１日付けで拒絶査定され，平成２４年２月１日に拒絶査定不服審判の請求と同時に手続補正がなされたものである。
　
２．本願発明
　本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は，平成２４年２月１日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される次のとおりのものである（下線は請求人が付与。）。
　
【請求項１】
　第１信号線および第２信号線を備える第１ポートと；
　前記第１ポートの前記第１信号線および前記第２信号線とは異なる第１信号線および第２信号線を備える第２ポートと；
　前記第１ポートの前記第１信号線を前記第２ポートの前記第１信号線に接続する第１共振子と；
　前記第１ポートの前記第２信号線を前記第２ポートの前記第２信号線に接続する第２共振子と；
　前記第１ポートの前記第１信号線を前記第２ポートの前記第２信号線に接続する第３共振子と；
　前記第１ポートの前記第２信号線を前記第２ポートの前記第１信号線に接続する第４共振子と；
　
前記第２ポートの前記第１信号線を、別のポートの第１信号線に接続する第５共振子と；
　
前記第２ポートの前記第２信号線を、前記別のポートの第２信号線に接続する第６共振子と；
　
前記第２ポートの前記第１信号線を、前記別のポートの前記第２信号線に接続する第７共振子と；
　
前記第２ポートの前記第２信号線を、前記別のポートの前記第１信号線に接続する第８共振子と；
を有し、前記第１〜
第８
、前記第５共振子は、前記第６〜第８共振子と同じ面積を有し、前記第１〜第８共振子は、前記第１ポートと前記別のポートとの間で２つの格子フィルタのカスケード構造を形成す
　
　
第２　引用刊行物等
　
１．引用刊行物１
　原査定の理由に引用された”L.Mang, F.Hickernell，ZnO thin film resonator lattice filters，Proceedings of the 1996 IEEE International Frequency Control Symposium，１９９６年，p.363-p.365”（以下「引用刊行物１」という。）には，図面とともに次の事項が記載されている（下線は当審が付与。）。
　
（１）　　Abstract
ZnO Thin Film Resonator Lattice Filter results at GHz frequencies are reported. These filters are very compact, measuring 1mm by 1mm, have balanced input and output, and have insertion loss of approximately 1.5 dB at 1.5 GHz, while selectivity is over 30 dB. The performance of these lattice filters compares very favorably with ladder filters processed on the same silicon wafer with identical figure of merit, Q/r [l], having approximately double the bandwidth of the ladder filters. These filters are best used with ICs with differential I/O which are becoming commercially available from semiconductor companies.
　
（当審訳　要約　
　ＧＨｚの周波数でのＺｎＯ薄膜共振格子フィルタの結果が報告されています。これらのフィルタは，非常にコンパクトで１ｍｍ×１ｍｍの大きさ（計量値）を有し，平衡入出力を持っており，選択性が３０ｄＢを超えている一方で，１．５ＧＨｚで約１．５ｄＢの挿入損失を持っています。これらの格子フィルタの性能は同じ性能指数Ｑ／ｒを有し，同じシリコンウェハ上に形成されたラダーフィルタと比べてもそん色はなく，そのラダーフィルタの約２倍の帯域幅を有します。これらのフィルタは，半導体企業から市販になっている差動Ｉ／Ｏを装備したＩＣでとても良く使用されています。）
　
（２）　　Introduction
There is continued interest in the application of thin film resonators to filters at RF and microwave frequencies. These filters are extremely small in size, and are fabricated with a process compatible to semiconductor processing. These miniature filters as stand alone components are perceived to be ideal for hand-held wireless applications. Moreover, the potential for providing on chip selectivity when integrated into IC fabrication, a technology long sought by systems and semiconductor technologist, has sparked thin-film resonator filter research in several laboratories world-wide. Most of these filters published recently are single-ended or unbalanced such as ladder filters[2,3] or stacked crystal filters[4]. The performance results are approaching those of SAW filters, a technology that is much more mature and has already found much use in wireless receivers. At low frequencies, crystals have been used in lattice configurations; but only until recently are results of lattice filter at GHz frequencies in the form of SAW filters published [5,6]. 
In this paper we are reporting results of thin-film bulk acoustic wave resonator lattice filters fabricated with ZnO on silicon
　
（当審訳　序論　
　ＲＦ及びマイクロ波帯のフィルタへの薄膜共振器のアプリケーションに継続的な感心が注がれています。これらのフィルタは，サイズが非常に小さく，半導体プロセスに互換性のあるプロセスで製造されています。これらの独立型コンポーネントとしての小型フィルタは，携帯式のワイヤレス・アプリケーションに理想的であると認識されます。さらに，ＩＣの製造に統合する時のチップ選択性の提供の可能性は，システム，半導体技術者によって長く捜しもとめられた技術であり，いくつかの研究室における薄膜共振フィルタの研究を世界的に活気づけてきました。最近発表されたこれらのフィルタのほとんどは，ラダーフィルタあるいは積層水晶フィルタのようにシングルエンドまたは不平衡なものです。その性能は，はるかに成熟し，既に無線受信機で多く使用している技術であるＳＡＷフィルタに近づいています。低周波では，水晶は，格子構造で使用されてきています。しかし，ほんの最近まで，発表されたのはＳＡＷフィルタの形式でのＧＨｚ周波数の格子フィルタによるものです。
本稿では，シリコン上にＺｎＯを用いて製造された薄膜バルク弾性波共振格子フィルタの結果を報告しています
　
（３）　　Thin-Film Resonators and Lattice Filters
The resonators are fabricated using standard thin film techniques on silicon wafers. The silicon substrates are preprocessed by having sealed cavities on one surface which serves as the support for the resonators and acoustically isolates the resonators from the substrate. The ZnO films were sputter deposited using a DC triode system. Four resonators are fabricated as a set with two resonators mass-loaded to lower the resonant frequency such that the antiresonance is aligned with the resonance of the unloaded set. Since the resonators form their own bridge, there is no cross over of the input and output leads, and a planar layout is automatically achieved. Figure 1 shows a schematic of a full lattice, and figure 2 is a picture of a unit 4 resonator lattice filter. Higher order pole lattice filters can be formed by cascading more of these basic lattice filters together. 
When all the resonators have the same capacitance, the response is a single pole type filter. A zero in the transfer function can be introduced by changing the capacitance of an opposite resonator pair to a different value. 
　
（当審訳　薄膜共振器と格子フィルタ　
　共振器は，シリコンウェハ上に標準的な薄膜技術を用いて製造されます。シリコン基板は，共振器のためのサポートとして機能し，音響的に基板から共振器を隔離する密閉された空洞を，一方の面に有するように前処理されます。ＺｎＯ薄膜は，ＤＣトライオードシステムを用いて蒸着スパッタされたました。４つの共振器は，反共振が無負荷のセットの共振に協調されるような共振周波数を下げるために質量負荷された２つの共振器とセットで制作されます。共振器は，独立したブリッジを形成するので，そこに入力及び出力リード線の重なり部分はなく，平面的なレイアウトが自動的に達成されます。図１は，完全な格子の模式図を示し，図２は，ユニット４共振器格子フィルタの写真です。高次の極格子フィルタは，これらの基本的な格子フィルタをより多く一緒にカスケード接続することにより形成することができます。
すべての共振器が，同じ容量を持っている場合，応答は単極型フィルタです。伝達関数のゼロは，向かい側の共振器対の静電容量を異なる値に変化させることにより導入することができます
　
（４）　　図１には，schematic of a thin film resonator full lattice filter　すなわち，薄膜共振フル格子フィルタの概略が記載されている。そして，該図１及び引用刊行物１の記載から，図１には，４つの薄膜共振器を有する格子フィルタが記載されているといえる。
　
　
　上記の記載によれば，引用刊行物１には，次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。
　
　シリコン上にＺｎＯを用いて製造された４つの薄膜共振器を有する薄膜バルク弾性波共振格子フィルタであって，
　すべての共振器が，同じ容量を持っている場合，応答は単極型フィルタであるが，
　伝達関数のゼロは，向かい側の共振器対の静電容量を異なる値に変化させることにより導入することができる
　薄膜バルク弾性波共振格子フィルタ。
　
２．引用刊行物２
　原査定の理由に引用された特開平９−２８９４３４号公報（平成９年１１月４日公開。以下「引用刊行物２」という。）には，図面とともに次の事項が記載されている（下線は当審が付与。）。
　
（１）　「【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、平衡型弾性表面波フィルタに関し、特に、高周波領域で使用される平衡型弾性表面波フィルタに関する。」
（公報第２ページ第１欄）
　
（２）　「【０００３】
【発明が解決しようとする課題】平衡型フィルタの開発は、最近の高周波回路の高性能化のために回路を平衡化しようという動きに対応したものであり、平衡型フィルタには高い特性精度が要求される。
【０００４】特に、携帯電話等の高周波回路部に使用される平衡型フィルタに要求される特性精度は非常に高い。従来、携帯電話等の高周波回路部における第１中間周波数は７０ＭＨｚ付近と低かったためにイメージ周波数などが比較的通過帯域の近傍にあったので、この周波数帯を減衰する特性が主として要求されていた。しかし、最近では、第１中間周波数が１００〜２００ＭＨｚと高周波化し、イメージ周波数が通過帯域から離れてきたが、送信フィルタであれば受信周波数の関係は変わらず、受信フィルタであれば送信周波数の関係は変わらず、しかも送信周波数と受信周波数は比較的近接して設定されているために、通過帯域の近傍と通過帯域から離れた領域の双方の周波数帯を減衰する特性が要求される場合が多くなっている。
図１３に、従来のフィルタの特性例を示す。図１３に示すように、通過帯域近傍の減衰量と通過帯域から離れた領域の減衰量の両方を両立させることは困難である
【０００５】また、従来は高周波回路部のインピーダンスのほとんどが５０Ωに設定されていたが、最近では平衡型回路の採用に伴ってさまざまな値が要求されるようになってきた。しかし、回路の入出力インピーダンスと平衡型弾性表面波フィルタの入出力インピーダンスが相違する場合には、信号反射や特性劣化等を引き起こすおそれがある。
【０００６】そこで、本発明者等は、対称格子型フィルタにおいて上記のような周波数特性を確保する手段について検討を重ねた。対称格子型フィルタの特性、特に減衰特性は、１段のフィルタを構成する第１及び第２の２種類の弾性表面波共振子のうち、第１の弾性表面波共振子の反共振周波数と第２の弾性表面波共振子の共振周波数をほぼ一致させた場合の、第１の弾性表面波共振子の等価並列容量と第２の弾性表面波共振子の等価並列容量の比によって決定される。ここで、
等価並列容量とは、弾性表面波共振子を等価回路で表した場合の並列容量である。第１の弾性表面波共振子の等価並列容量と第２の弾性表面波共振子の等価並列容量の比（第１の弾性表面波共振子の等価並列容量／第２の弾性表面波共振子の等価並列容量）の値が１よりも小さく、かつ、１に近い場合、通過帯域から離れた周波数における減衰量は確保できるが、通過帯域近傍の周波数における減衰量はそれほど大きくない。逆に、（第１の弾性表面波共振子の等価並列容量／第２の弾性表面波共振子の等価並列容量）の値が０に近い場合、通過帯域近傍の周波数における減衰量は確保できるが、通過帯域から離れた周波数における減衰量はそれほど大きくない
【０００７】
以上の検討の結果、本発明者等は、異なった等価並列容量比を有する対称格子型フィルタを縦続に接続すれば、通過帯域近傍の減衰量と通過帯域から離れた領域の減衰量の両方の要求を満たすことができると考え、本発明をするに至った。また、本発明者等は、回路の入出力インピーダンスと平衡型弾性表面波フィルタの入出力インピーダンスが相違する場合にも信号反射や特性劣化等を引き起こすことのない条件を見い出し、本発明をするに至った
【０００８】本発明は、従来技術における前記課題に鑑みてなされたものであり、平衡化された高周波回路のフィルタとして好適な平衡型弾性表面波フィルタを提供することを目的とする。
　
（３）　「【００１３】
【発明の実施の形態】以下、実施の形態を用いて本発明をさらに具体的に説明する。
〈第１の実施の形態〉図１は本発明に係る平衡型弾性表面波フィルタの第１の実施の形態を示す等価回路図である。
【００１４】
圧電基板として３６°回転ＹカットＸ伝搬のタンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ
３
）基板を使用
図１に示すように、直列腕の共振子１０１と並列腕の共振子１０２をそれぞれ２個ずつ用いて対称格子型に接続することにより、第１段目の弾性表面波フィルタを作製
直列腕の共振子１０３と並列腕の共振子１０４をそれぞれ２個ずつ用いて対称格子型に接続することにより、第２段目の弾性表面波フィルタを作製
そして、第１段目の弾性表面波フィルタと第２段目の弾性表面波フィルタを縦続に接続
図１中、１０５、１０６は入力端子であり、１０７、１０８は出力端子である
ここで、第１段目の弾性表面波フィルタにおいて、直列腕の共振子１０１の反共振周波数と並列腕の共振子１０２の共振周波数はほぼ一致している。また、第２段目の弾性表面波フィルタにおいて、直列腕の共振子１０３の反共振周波数と並列腕の共振子１０４の共振周波数はほぼ一致している
【００１５】
図２に、弾性表面波共振子のインピーダンスの周波数特性の虚数部を示す。ここでは、第１段目の弾性表面波フィルタを例に挙げて説明する
すなわち、対称格子型は回路的にはホイートストーンブリッジであり、直列腕の共振子１０１のインピーダンスの自乗と並列腕の共振子１０２のインピーダンスの自乗が等しくなる周波数、つまり直列腕の共振子１０１のインピーダンスと並列腕の共振子１０２のインピーダンスが等しくなる周波数において出力が出なくなるからである
【００１６】図２から分かるように、
フィルタの伝送特性が減衰極を有するのは、直列腕の共振子１０１の等価並列容量が並列腕の共振子１０２の等価並列容量よりも小さい場合に限られる
【００１７】直列腕の共振子１０１のインピーダンスをＩｍａｇ（Ｚ１０１）、並列腕の共振子１０２のインピーダンスをＩｍａｇ（Ｚ１０２）で表すと、フィルタの伝送特性が減衰極を有する条件、すなわち直列腕の共振子１０１のインピーダンスと並列腕の共振子１０２のインピーダンスが等しくなる条件は、共振周波数、反共振周波数の近傍以外でＩｍａｇ（Ｚ１０１）＜Ｉｍａｇ（Ｚ１０２）を満足することである。なぜなら、共振子１０１、１０２のインピーダンスＩｍａｇ（Ｚ）は、その共振周波数まで単調に増加し、直列腕の共振子１０１の共振周波数は並列腕の共振子１０２の共振周波数よりも低く設定されているので、Ｉｍａｇ（Ｚ１０１）＜Ｉｍａｇ（Ｚ１０２）であれば、確実にＩｍａｇ（Ｚ１０１）とＩｍａｇ（Ｚ１０２）が同じ値をとる周波数があるからである。ここで、Ｚ＝１／ｊωＣであるから、Ｉｍａｇ（Ｚ）＝−１／ωＣとなるので、Ｉｍａｇ（Ｚ１０１）＜Ｉｍａｇ（Ｚ１０２）を満足するためにはＣ１０１＜Ｃ１０２（Ｃ１０１、Ｃ１０２はそれぞれ直列腕の共振子１０１の等価並列容量、並列腕の共振子１０２の等価並列容量である。）となる。
【００１８】
この場合、直列腕の共振子１０１の等価並列容量と並列腕の共振子１０２の等価並列容量の比（直列腕の共振子の等価並列容量／並列腕の共振子の等価並列容量）が１に近ければ、図３に示すように通過帯域（９００ＭＨｚ帯）から離れた領域に減衰極が現れ
（直列腕の共振子の等価並列容量／並列腕の共振子の等価並列容量）が０に近ければ、図４に示すように通過帯域（９００ＭＨｚ帯）の近傍に減衰極が現れる
【００１９】
上記のような異なった等価並列容量比を有する２つの対称格子型弾性表面波フィルタを縦続に接続したところ、図５に示すように、通過帯域（９００ＭＨｚ帯）の近傍と通過帯域から離れた領域の双方に減衰極が現れた。従って、本実施の形態によれば、通過帯域の近傍と通過帯域から離れた領域の双方の周波数帯を減衰する特性が要求される平衡型高周波回路に好適な平衡型弾性表面波フィルタが得られる
（公報第３ページ第４欄〜第４ページ第６欄）
　
（４）　「【００３０】また、上記第１〜第３の実施の形態においては、弾性表面波共振子を形成する圧電基板として３６°回転ＹカットＸ伝搬の
ＬｉＴａＯ3 基板を使用したが、必ずしもこれに限定されるものではなく、例えばニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ3）基板や水晶基板を使用しても同様の効果が得られる
【００３１】また、上記第１〜第３の実施の形態においては、
弾性表面波共振子の構成について特に示していないが、電気的に共振特性が得られるものであればよい
（公報第５ページ第８欄）
　
（５）　「【００３３】【発明の効果】以上説明したように、
本発明によれば、大きな減衰量を広い帯域にわたって得ることのできる平衡型弾性表面波フィルタ
（公報第５ページ第８欄）
　
３．周知例
　本願優先日前に頒布された特開平９−１３０２００号公報（平成９年５月１６日公開。以下「周知例」という。）には，図面とともに次の事項が記載されている（下線は当審が付与。）。
　
（１）　「【００５５】
バルク超音波共振器の電極間容量Ｃ
０
は、通常の誘電体を導体で挟んだ場合と同様に、式９から求めることができる
式９：
【００５６】
【数９】
　
　　　Ｃ０＝εｒε０Ａ／ｈ
　
【００５７】
ここで、ε
ｒ
は圧電薄膜２の比誘電率、ε
０
は真空中の誘電率、Ａは上記上側電極６と上記下地導体５が交差する部分の面積、ｈは上記圧電薄膜２の厚みである
（公報第９ページ第１６欄〜第１０ページ第１７欄）
　
　
第３　当審の判断
　
１．対比
　本願発明と引用発明を比較する。
　
・引用発明の「薄膜共振器」が「バルク弾性波共振」をするものであることは明らかであるから，該薄膜共振器は，本願発明の「バルク音波共振子」に相当する。また，該薄膜共振器が，「面積」を有することは明白である。
　さらに，引用刊行物１の図１及び上記第２　１．（３）に摘記した記載事項からみて，引用発明における格子フィルタも，「２つのポートが，それぞれ２つの信号線を備えており，格子フィルタを構成する４つの薄膜共振器おのおのが，信号線と信号線の間に接続されている」構成を具備するものと認められる。
　よって，引用発明に係る「格子フィルタ」は，本願発明と同様の「第１信号線および第２信号線を備える第１ポートと；前記第１ポートの前記第１信号線および前記第２信号線とは異なる第１信号線および第２信号線を備える第２ポートと；前記第１ポートの前記第１信号線を前記第２ポートの前記第１信号線に接続する第１共振子と；前記第１ポートの前記第２信号線を前記第２ポートの前記第２信号線に接続する第２共振子と；前記第１ポートの前記第１信号線を前記第２ポートの前記第２信号線に接続する第３共振子と；前記第１ポートの前記第２信号線を前記第２ポートの前記第１信号線に接続する第４共振子と；を有し、前記第１〜第４共振子はいずれもバルク音波共振子であり、前記第１及び第２共振子は第１の面積を有し、前記第３及び第４共振子は第２の面積を有する」フィルタを開示しているといえる。
　
　よって，本願発明と引用発明は，次の点で一致，相違する。
　
［一致点］
　第１信号線および第２信号線を備える第１ポートと；
　前記第１ポートの前記第１信号線および前記第２信号線とは異なる第１信号線および第２信号線を備える第２ポートと；
　前記第１ポートの前記第１信号線を前記第２ポートの前記第１信号線に接続する第１共振子と；
　前記第１ポートの前記第２信号線を前記第２ポートの前記第２信号線に接続する第２共振子と；
　前記第１ポートの前記第１信号線を前記第２ポートの前記第２信号線に接続する第３共振子と；
　前記第１ポートの前記第２信号線を前記第２ポートの前記第１信号線に接続する第４共振子と；
を有し，前記第１〜第４共振子はいずれもバルク音波共振子であり，前記第１及び第２共振子は第１の面積を有し，前記第３及び第４共振子は第２の面積を有する，フィルタ。
　
［相違点１］
　本願発明における「第１ポートと第２ポートの間で形成される格子フィルタ」は，フィルタエッジの勾配を急にすべく，「第１及び第２共振子が有する第１の面積」が「第３及び第４共振子が有する第２の面積」より大きくなるように構成されているのに対し，引用発明における「格子フィルタ」は，本願発明のように，共振子の面積の大小についても，また，フィルタエッジの勾配を急にすることにつても特定がなされていない点。
　
［相違点２］
　本願発明における「フィルタ」は，「第２ポートの第１信号線を，別のポートの第１信号線に接続する第５共振子と，第２ポートの第２信号線を，別のポートの第２信号線に接続する第６共振子と，第２ポートの前記第１信号線を，別のポートの前記第２信号線に接続する第７共振子と，第２ポートの前記第２信号線を，別のポートの第１信号線に接続する第８共振子と」を有する
格子フィルタと
格子フィルタとの間でカスケード構造を形成するフィルタ
　
２．検討
・
相違点１及び２について
　引用発明は，「すべての共振器が，同じ容量を持っている場合，応答は単極型フィルタであるが，伝達関数のゼロは，向かい側の共振器対の静電容量を異なる値に変化させることにより導入することができる」ものであるから，すべての共振器の静電容量を同じにすることを基本としつつ，向かい側の共振器対の静電容量を異ならせることで，伝達関数のゼロを実現できるものであるということができる。
　つまり，引用発明は，第１バルク音波共振子と第２バルク音波共振子の静電容量は同じ第１の静電容量とし，第３バルク共振子と第４バルク共振子も同じ静電容量であるものの，第１の静電容量とは異なる第２の静電容量とすることができるものである。
　
（１）　引用刊行物２の図１及び上記第２　２．（３）及び（５）の記載事項からみて，引用刊行物２には，次の技術（以下「引用刊行物２記載技術」という。）が記載されているといえる。
　
　直列腕の共振子（１０１）と並列腕の共振子（１０２）をそれぞれ２個ずつ用いて対称格子型に接続することにより，第１段目の弾性表面波フィルタを作製し，
　また，直列腕の共振子（１０３）と並列腕の共振子（１０４）をそれぞれ２個ずつ用いて対称格子型に接続することにより，第２段目の弾性表面波フィルタを作製し，
　そして，第１段目の弾性表面波フィルタと第２段目の弾性表面波フィルタを縦続に接続し，
　第１段目の弾性表面波フィルタは，入力端子（１０５，１０６）を有し，
　第２段目の弾性表面波フィルタは，出力端子（１０７，１０８）を有し，
　また，それぞれの弾性表面波共振子を接続している接続ライン（１０９）は，等価的にインダクタで表され，
　ここで，第１段目の弾性表面波フィルタにおいて，直列腕の共振子（１０１）の反共振周波数と並列腕の共振子（１０２）の共振周波数はほぼ一致し，
　また，第２段目の弾性表面波フィルタにおいて，直列腕の共振子（１０３）の反共振周波数と並列腕の共振子（１０４）の共振周波数はほぼ一致し，
　一方の対称格子型弾性表面波フィルタの直列腕の共振子の等価並列容量と並列腕の共振子の等価並列容量の比（直列腕の共振子の等価並列容量／並列腕の共振子の等価並列容量）を１に近づけることによって，通過帯域から離れた領域に減衰極を設定し，
　他方の対称格子型弾性表面波フィルタの（直列腕の共振子の等価並列容量／並列腕の共振子の等価並列容量）を０に近づけることによって，通過帯域の近傍に減衰極を設定することで，通過帯域の近傍と通過帯域から離れた領域の双方に減衰極を設定し，
　通過帯域の近傍と通過帯域から離れた領域の双方の周波数帯を減衰し，
　大きな減衰量を広い帯域にわたって得ることのできる，
　平衡型弾性表面波フィルタ。　
　
（２）　フィルタにおいて，広い帯域にわたって大きな減衰量を得ようとすることは，引用例を提示するまでもなく周知の課題である。
　それゆえ，当業者が，広い帯域にわたって大きな減衰量を得るために，引用刊行物２記載技術を基に，引用発明における「薄膜バルク弾性波共振格子フィルタ」を２つ用いて，縦続，すなわちカスケード構造を形成し，一方の対称格子型フィルタの直列腕の共振子の等価並列容量と並列腕の共振子の等価並列容量の比（直列腕の共振子の等価並列容量／並列腕の共振子の等価並列容量）を１に近づけることによって，通過帯域から離れた領域に減衰極を設定し，他方の対称格子型フィルタの（直列腕の共振子の等価並列容量／並列腕の共振子の等価並列容量）を０に近づけることによって，通過帯域の近傍に減衰極を設定することで，通過帯域の近傍と通過帯域から離れた領域の双方に減衰極を設定しようとすることは，当業者が容易になしえたことである。
　ここで，引用発明に対して，（ａ）直列腕の共振子の等価並列容量と並列腕の共振子の等価並列容量の比を１に近づけることは，４つのバルク音波共振子の静電容量をほぼ同じ容量にすることを技術的に意味し，（ｂ）直列腕の共振子の等価並列容量と並列腕の共振子の等価並列容量の比を０に近づけることは，４つのバルク音波共振子において，２組の向かい側共振子対うちの一対の静電容量を大きくすることを技術的に意味するものであるということができる。
　また，通過帯域の近傍に減衰極を設定することにより，「通過帯域のエッジの勾配が急になる」ことは明らかである。
　そして，上記（１）に記載したとおり，引用発明は，すべての共振器の静電容量を同じにすることを基本としたものである。
　また，薄膜バルク弾性波共振器の静電容量は，電極の面積あるいは電極間の間隔（圧電薄膜の厚み）を変えることによって，変化させることができることはいうまでもないことあり，周知例にも，薄膜バルク弾性波共振器の静電容量Ｃ０が，”Ｃ０＝εｒε０Ａ／ｈ（Ａは電極面積，ｈは電極間の間隔）”として求められることが記載（周知例の摘記（１）参照。）されている。
　よって，一方の格子フィルタの有する４つのバルク音波共振子の静電容量をそれぞれ同じとするために，各バルク音波共振子の電極面積を同じとし，他方の格子フィルタの有する４つのバルク音波共振子の静電容量を変えるために，該格子フィルタにおける２組の向かい側のバルク音波共振子対うちの一対の静電容量を大きくするようにすることは，当業者が適宜なしえたことである。
　つまり，第１〜第４バルク音波共振子を有する格子フィルタと，第５〜第８バルク音波共振子とによりカスケード構造を形成するようにし，第１及び第２バルク音波共振子は同じ第１の面積を有し、第３及び第４バルク音波共振子は同じ第２の面積を有するものであって，該第１の面積が該第２の面積よりも大きくなるようにし，また，第５バルク音波共振子が，第６〜第８バルク音波共振子と同じ面積となるようにすることは，当業者が適宜なしえたことである。
　
（３）　まとめ
　以上から，引用発明及び引用刊行物２記載技術に基づいて，相違点１及び２のように，「第２ポートの第１信号線を，別のポートの第１信号線に接続する第５共振子と，第２ポートの第２信号線を，別のポートの第２信号線に接続する第６共振子と，第２ポートの前記第１信号線を，別のポートの前記第２信号線に接続する第７共振子と，第２ポートの前記第２信号線を，別のポートの第１信号線に接続する第８共振子と」を有する
格子フィルタと
格子フィルタとの間でカスケード構造を形成するフィルタ
　
　そして，本願発明（平成２４年２月１日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載された発明）のように構成したことによる効果も，引用発明及び引用刊行物２記載事項から，当業者が予測できる範囲のものである。
　したがって，本願発明は，引用発明及び引用刊行物２記載事項に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　
第４　むすび
　
　以上のとおり，本願発明は，引用発明及び引用刊行物２記載事項に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　したがって，本願は，他の請求項について論及するまでもなく，拒絶すべきものである。
　
　よって，結論のとおり審決する。