【事件の表示】
　特許第６４４３６６８号発明「支持ガラス基板及びこれを用いた積層体」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第６４４３６６８号の特許請求の範囲を訂正請求書に添付した訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１〜１１〕について訂正することを認める。
　特許第６４４３６６８号の請求項１〜４、６〜１１に係る特許を維持する。
　特許第６４４３６６８号の請求項５に係る特許についての特許異議の申立てを却下する。
【理　由】
１　手続の経緯
　本件特許第６４４３６６８号（以下、「本件特許」という。）の請求項１〜１１に係る特許についての出願は、平成２６年１２月１７日になされ、平成３０年１２月７日に特許権の設定登録がなされ、同年同月２６日に特許掲載公報が発行されたものである。
　その後、本件特許の全請求項（請求項１〜１１）に係る特許に対し、特許異議申立人　安東和恭（以下、「異議申立人」という。）より、令和１年６月２１日付けで特許異議の申立てがなされた。
　以降の手続の経緯は次のとおりである。
　令和１年　９月２５日付け　　取消理由通知 
　　　同年１１月２１日　　　　意見書の提出及び訂正の請求(特許権者)
　令和２年　１月　６日　　　　意見書の提出（異議申立人）
　　　同年　１月２８日付け　　取消理由通知（決定の予告）
　　　同年　３月１９日　　　　意見書の提出及び訂正の請求(特許権者)
２　訂正の適否についての判断
　令和２年３月１９日になされた訂正の請求（以下、「本件訂正」という。）は、以下のとおり、適法になされたものと判断する。
　なお、先になされた令和１年１１月２１日付けの訂正の請求については、特許法第１２０条の５第７項の規定により取り下げられたものとみなす。
（１）訂正の内容（当審注：下線を付した部分が訂正箇所である。）
　本件訂正は、一群の請求項を構成する請求項１〜１１を訂正の単位として請求されたものであり、特許法第１２０条の５第４項の規定に従うものであるところ、その訂正の内容（訂正事項）は、次のとおりである。
ア　訂正事項１
　特許請求の範囲の請求項１に「２０〜２００℃の温度範囲における平均線熱膨張係数が２８×１０−７／℃超であり、且つ５０×１０−７／℃未満であり、板厚偏差が２μｍ以下であることを特徴とする」とあるのを、「
ガラス組成として、質量％で、ＳｉＯ２　５０〜０％、Ａｌ２Ｏ３　１５〜２５％、Ｂ２Ｏ３　０〜５％、ＭｇＯ　０〜５％、ＣａＯ　０〜５％、ＳｒＯ　０〜５％、ＢａＯ　０〜５％、ＺｎＯ　０〜５％、Ｌｉ２Ｏ＋Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏ　１〜１５％、Ｌｉ２Ｏ　０〜１０％、Ｎａ２Ｏ　０〜５％、Ｋ２Ｏ　０〜５％、ＴｉＯ２　０〜７％、ＺｒＯ２　０〜７％、Ｐ２Ｏ５　０〜１０％を含有し、
イ　訂正事項２
　特許請求の範囲の請求項２に「３０〜３８０℃の温度範囲における平均線熱膨張係数が３０×１０−７／℃超であり、且つ５０×１０−７／℃未満であり、板厚偏差が２μｍ以下であることを特徴とする」とあるのを、「
ガラス組成として、質量％で、ＳｉＯ２　５０〜８０％、Ａｌ２Ｏ３　１５〜２５％、Ｂ２Ｏ３　０〜５％、ＭｇＯ　０〜５％、ＣａＯ　０〜５％、ＳｒＯ　０〜５％、ＢａＯ　０〜５％、ＺｎＯ　０〜５％、Ｌｉ２Ｏ＋Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏ　１〜１５％、Ｌｉ２Ｏ　０〜１０％、Ｎａ２Ｏ　０〜５％、Ｋ２Ｏ　０〜５％、ＴｉＯ２　０〜７％、ＺｒＯ２　０〜７％、Ｐ２Ｏ５　０〜１０％を含有し、
ウ　訂正事項３
　特許請求の範囲の請求項５を削除する。
エ　訂正事項４
　特許請求の範囲の請求項６における引用項を「請求項５」から「請求項
１〜４の何れか
オ　訂正事項５
　特許請求の範囲の請求項７における引用項を「請求項１〜６の何れか」から「請求項１〜
４、
カ　訂正事項６
　特許請求の範囲の請求項８における引用項を「請求項１〜７の何れか」から「請求項１〜
４、６、
キ　訂正事項７
　特許請求の範囲の請求項９における引用項を「請求項１〜７の何れか」から「請求項１〜
４、６、
（２）訂正の目的の適否、新規事項の有無、及び特許請求の範囲の拡張・変更の存否（当審注：「…」は記載の省略を表す。以下、同じ。）
ア　訂正事項１について
　本件訂正前の請求項１の「支持ガラス基板」に対しては、ガラス組成についての特定がなかったところ、訂正事項１は、「ガラス組成として、質量％で、ＳｉＯ２　５０〜８０％、Ａｌ２Ｏ３　１５〜２５％、Ｂ２Ｏ３　０〜５％、ＭｇＯ　０〜５％、ＣａＯ　０〜５％、ＳｒＯ　０〜５％、ＢａＯ　０〜５％、ＺｎＯ　０〜５％、Ｌｉ２Ｏ＋Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏ　１〜１５％、Ｌｉ２Ｏ　０〜１０％、Ｎａ２Ｏ　０〜５％、Ｋ２Ｏ　０〜５％、ＴｉＯ２　０〜７％、ＺｒＯ２　０〜７％、Ｐ２Ｏ５　０〜１０％を含有」するとの特定事項を付加するものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　また、本件特許の願書に添付した明細書の段落【００２７】には、「本発明の支持ガラス基板は、ガラス組成として、質量％で、ＳｉＯ２　５０〜８０％、Ａｌ２Ｏ３　１５〜２５％、Ｂ２Ｏ３　０〜５％、ＭｇＯ　０〜５％、ＣａＯ　０〜５％、ＳｒＯ　０〜５％、ＢａＯ　０〜５％、ＺｎＯ ０〜５％、Ｌｉ２Ｏ＋Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏ　１〜１５％、Ｌｉ２Ｏ　０〜１０％、Ｎａ２Ｏ　０〜５％、Ｋ２Ｏ　０〜５％、ＴｉＯ２　０〜７％、ＺｒＯ２　０〜７％、Ｐ２Ｏ５　０〜１０％を含有することが好ましい。」という記載があるから、訂正事項１は、本件特許の願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内でしたものである。
　また、前記の特定事項の付加によって、訂正前の請求項１には包含されていなかった支持ガラス基板が、新たに加わるなどということはないから、訂正事項１は実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
イ　訂正事項２について
　訂正事項２は、上記アに示した訂正事項１と同様に、ガラス組成についての特定がなかった、本件訂正前の請求項２の「支持ガラス基板」について、「ガラス組成として、質量％で、ＳｉＯ２　５０〜８０％、Ａｌ２Ｏ３　１５〜２５％、Ｂ２Ｏ３　０〜５％、ＭｇＯ　０〜５％、ＣａＯ　０〜５％、ＳｒＯ　０〜５％、ＢａＯ　０〜５％、ＺｎＯ　０〜５％、Ｌｉ２Ｏ＋Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏ　１〜１５％、Ｌｉ２Ｏ　０〜１０％、Ｎａ２Ｏ　０〜５％、Ｋ２Ｏ　０〜５％、ＴｉＯ２　０〜７％、ＺｒＯ２　０〜７％、Ｐ２Ｏ５　０〜１０％を含有」するとの特定事項を付加するものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そして、訂正事項２も、本件特許の願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内でしたものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
ウ　訂正事項３について
　訂正事項３は、訂正前の請求項５を削除するというものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　また、訂正事項３は、訂正前の請求項５を削除するというものであるから、本件特許の願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内でしたものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
エ　訂正事項４〜７について
　訂正事項４〜７は、訂正事項３により削除した請求項５を引用しないように、引用請求項の中から請求項５を削除するものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　また、訂正事項４〜７は、引用請求項の中から請求項５を削除するものであるから、本件特許の願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内でしたものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
（３）　小括
　以上のとおりであるから、本件訂正は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる事項を目的とするものに該当し、かつ、同条第９項において準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合する。
　よって、本件特許の願書に添付した特許請求の範囲を、訂正請求書に添付した訂正特許請求の範囲のとおり、本件訂正後の請求項〔１−１１〕について訂正することを認める。
３　訂正後の本件発明
　上記２のとおり本件訂正は適法になされたものと認められるので、本件特許の特許請求の範囲の請求項１〜４、６〜１１に係る発明（以下、項番に合わせて「本件発明１」などといい、まとめて「本件発明」ということがある。）は、訂正請求書に添付した訂正特許請求の範囲の請求項１〜４、６〜１１に記載された事項により特定される、次のとおりのものである。
「【請求項１】
　ガラス組成として、質量％で、ＳｉＯ２　５０〜８０％、Ａｌ２Ｏ３　１５〜２５％、Ｂ２Ｏ３　０〜５％、ＭｇＯ　０〜５％、ＣａＯ　０〜５％、ＳｒＯ　０〜５％、ＢａＯ　０〜５％、ＺｎＯ　０〜５％、Ｌｉ２Ｏ＋Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏ　１〜１５％、Ｌｉ２Ｏ　０〜１０％、Ｎａ２Ｏ　０〜５％、Ｋ２Ｏ　０〜５％、ＴｉＯ２　０〜７％、ＺｒＯ２　０〜７％、Ｐ２Ｏ５　０〜１０％を含有し、２０〜２００℃の温度範囲における平均線熱膨張係数が２８×１０−７／℃超であり、且つ５０×１０−７／℃未満であり、板厚偏差が２μｍ以下であることを特徴とする支持ガラス基板。
【請求項２】
　ガラス組成として、質量％で、ＳｉＯ２　５０〜８０％、Ａｌ２Ｏ３　１５〜２５％、Ｂ２Ｏ３　０〜５％、ＭｇＯ　０〜５％、ＣａＯ　０〜５％、ＳｒＯ　０〜５％、ＢａＯ　０〜５％、ＺｎＯ　０〜５％、Ｌｉ２Ｏ＋Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏ　１〜１５％、Ｌｉ２Ｏ　０〜１０％、Ｎａ２Ｏ　０〜５％、Ｋ２Ｏ　０〜５％、ＴｉＯ２　０〜７％、ＺｒＯ２　０〜７％、Ｐ２Ｏ５　０〜１０％を含有し、３０〜３８０℃の温度範囲における平均線熱膨張係数が３０×１０−７／℃超であり、且つ５０×１０−７／℃未満であり、板厚偏差が２μｍ以下であることを特徴とする支持ガラス基板。
【請求項３】
　半導体パッケージの製造工程で加工される加工基板の支持に用いることを特徴とする請求項１又は２に記載の支持ガラス基板。
【請求項４】
　ヤング率が７５ＧＰａ以上であることを特徴とする請求項１〜３の何れかに記載の支持ガラス基板。
【請求項６】
　ガラス組成として、質量％で、ＳｉＯ２　５５〜７０％、Ａｌ２Ｏ３　２０〜２５％、Ｂ２Ｏ３　０〜３％、ＭｇＯ　０〜３％、ＣａＯ　０〜３％、ＳｒＯ　０〜３％、ＢａＯ　０〜３％、ＺｎＯ　０〜３％、Ｌｉ２Ｏ＋Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏ　１〜１０％、Ｌｉ２Ｏ　０〜７％、Ｎａ２Ｏ　０〜３％、Ｋ２Ｏ　０〜３％、ＴｉＯ２　０〜５％、ＺｒＯ２　０〜５％、Ｐ２Ｏ５　０〜５％を含有することを特徴とする請求項１〜４の何れかに記載の支持ガラス基板。
【請求項７】
　板厚が２．０ｍｍ未満であり、且つ板厚偏差が１μｍ以下であることを特徴とする請求項１〜４、６の何れかに記載の支持ガラス基板。
【請求項８】
　少なくとも加工基板と加工基板を支持するための支持ガラス基板とを備える積層体であって、支持ガラス基板が請求項１〜４、６、７の何れかに記載の支持ガラス基板であることを特徴とする積層体。
【請求項９】
　少なくとも加工基板と加工基板を支持するための支持ガラス基板とを備える積層体を用意する工程と、
　加工基板に対して、加工処理を行う工程と、を有すると共に、支持ガラス基板が請求項１〜４、６、７の何れかに記載の支持ガラス基板であることを特徴とする半導体パッケージの製造方法。
【請求項１０】
　加工処理が、加工基板の一方の表面に配線する工程を含むことを特徴とする請求項９に記載の半導体パッケージの製造方法。
【請求項１１】
　加工処理が、加工基板の一方の表面に半田バンプを形成する工程を含むことを特徴とする請求項９又は１０に記載の半導体パッケージの製造方法。」
４　取消理由通知（決定の予告）に記載した取消理由について
（１）取消理由の概要
　本件訂正前（令和１年１１月２１日付けの訂正後）の請求項１〜４、７〜１１に係る発明に対して、当審が令和２年１月２８日付けで特許権者に通知した取消理由の要旨は、次のとおりである。
ア　本件訂正前の請求項１〜４、７〜１１に係る特許は、特許請求の範囲の記載が不備のため、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであるから、取り消されるべきものである（以下、「取消理由１」という。）。
イ　本件訂正前の請求項１、２、４、７、８に係る発明は、本件特許の出願前に日本国内又は外国において頒布された下記引用例１に記載された発明であって、特許法第２９条第１項第３号に該当するから、本件訂正前の請求項１、２、４、７、８に係る特許は、特許法第２９条第１項の規定に違反してされたものであり、取り消されるべきものである（以下、「取消理由２」という。）。
ウ　本件訂正前の請求項３、４、７〜１１に係る発明は、本件特許の出願前に日本国内又は外国において頒布された下記引用例１〜２に記載された発明に基いて、本件特許の出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下、「当業者」という。）が容易に発明をすることができたものであるから、本件訂正前の請求項３、４、７〜１１に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであり、取り消されるべきものである（以下、「取消理由３」という。）。
　　　　　　　　　　　　　　　　記
　引用例１：特表２０１４−５１７８０５号公報（甲第５号証）
　引用例２：国際公開第２０１３／１４７３５８号（甲第４号証）
（２）当審の判断
ア　取消理由１について
　取消理由１は、サポート要件適合性に関し、次の点を指摘したものである。
　すなわち、本件発明の課題は、加工基板の寸法変化が生じ易いとの問題を解決することができる支持基板の提供にあるところ、発明の詳細な説明によれば、本件発明は、支持基板として、表面を平滑化し易く、且つ剛性を有する、ガラス基板を採択すると共に、このガラス基板の熱膨張係数を、２０〜２００℃の温度範囲における平均線熱膨張係数が２８×１０−７／℃超で５０×１０−７／℃未満、または、３０〜３８０℃の温度範囲における平均線熱膨張係数が３０×１０−７／℃超で５０×１０−７／℃未満に、厳密に規制することによって、半導体パッケージの高密度実装を行う場合の、加工基板と支持ガラス基板の熱膨張係数が整合し易くなるため、上記課題を解決し得るとの知見を得たとしながら、その知見を根拠付ける基板の具体例は限られたものであるため、当該知見を、支持ガラス基板のガラス組成について特定していない発明にまで拡張ないし一般化して考えることはできないというものであった。
　しかしながら、本件訂正により、当該支持ガラス基板のガラス組成は特定され、本件発明１〜４、６〜１１は、発明の詳細な説明において、上記課題が解決できることを当業者が認識できる範囲内のものとなったといえる。
　よって、本件発明１〜４、６〜１１は、発明の詳細な説明に記載されたものであるから、上記取消理由１は妥当しない。
イ　取消理由２、３について
（ア）引用例１（特表２０１４−５１７８０５号公報、甲第５号証）の記載事項
ａ　「【０００２】
　本開示は、未研磨ガラスウェハ…に関するものである。」
ｂ　「【０００６】
　３次元集積回路１１０（３ＤＩＣ １１０）は、能動電子部品群からなる２つ以上の層を垂直方向及び水平方向の両方向に集積して単一回路とした半導体回路である。…
【０００７】
…３ＤＩＣ １１０は、異なる層に在る部品群の全てがオンチップ制御素子と垂直方向または水平方向に関係なく通信するシングルチップとして機能する。３Ｄ ＩＣパッケージ封止に関連し、かつ性能向上を予測するムーアの法則を延長し易くし、場合によっては、性能向上を予測するムーアの法則を更に延長し易くすることができる多くの利点がある。これらの利点として：
　１．サイズ−３ＤＩＣ １１０の設置面積は、異なる技術を用いてパッケージ封止される同様の集積回路（ＩＣ）と比較してずっと小さい。…
【０００８】
　２．速度−伝搬遅延が配線長の２乗に比例して変化する場合、配線距離がずっと短いということは、３ＤＩＣ １１０の速度が、異なる技術を用いてパッケージ封止されるＩＣと比較してずっと速いことを意味する。
【０００９】
　３．電力−効率が高くなり、かつ経路長が短くなるので消費電力が１０倍改善される結果が、３ＤＩＣ １１０について、他のパッケージ封止技術で封止されるＩＣと比較したときに観察されている。
【００１０】
　４．コスト−非常に複雑（高価）なＩＣを幾つかの小規模ＩＣに細分化することができるということは、欠陥が、他のパッケージ封止技術で封止されるＩＣと比較したときに、完成品の３ＤＩＣ １１０のずっと小さな部分にしか影響しないことを意味する。
【００１１】
　従って、半導体産業では、正確に文書化される積極的なアプローチに着手して、出現したこの３ＤＩＣパッケージ封止技術を進展させ、そして改善してきた。この技術を実行し、そして複数ＩＣを３Ｄ ＩＣパッケージ内で積層するために、シリコンウェハは、標準的なシリコンウェハ厚さよりもずっと薄くする−約７００μｍから約５０μｍ〜６０μｍにする…−必要がある。薄厚化シリコンに対するこの要求は、ＩＴＲＳ（国際半導体技術）ロードマップにも明確に文書化されている。従って、シリコンウェハを数十マイクロメートルにまで薄厚化して３ＤＩＣパッケージ封止を利用する必要があることについては疑いの余地がない。
【００１２】
　シリコンウェハをこの厚さまで薄厚化するために、支持用ウェハまたは支持キャリアをシリコンウェハに仮接合接着して、余剰なシリコンをシリコンウェハから除去しながら機械的完全性を確保する。支持用ウェハは、２つの異なる基板、すなわちシリコンまたはガラスにより形成することができる。ガラスウェハは、コストの理由だけではなく、シリコンキャリアの熱膨張係数が低く、シリコンウェハとシリコンキャリアとの間の接合接着性の検査が不可能であり、そして更には、シリコンキャリアのフォームファクタに大きな制約があることから、主要キャリアとして現われた。…主要な半導体製造会社が開発を行なう際に最も広く利用されている薄厚化システムは、紫外線（ＵＶ）光源を利用して、キャリアとシリコンウェハとの間に挟まれる接合接着剤を固着させる接合システムと、そして接合接着剤を薄厚化プロセス後に除去するレーザと、を必要とする。シリコンウェハはＵＶ光またはレーザビームを透過しないので、これは、ガラスウェハが多くの薄厚化システムに広く利用されることになることを意味する。
【００１３】
　ガラスウェハの場合、同時に達成することがこれまで過去の経緯から困難であり、かつ莫大な費用を要していた少なくとも２つの物理的属性がある。これらの２つの物理的属性は：
　Ｉ．全体厚さバラツキ（ＴｏｔａｌＴｈｉｃｋｎｅｓｓ Ｖａｒｉａｔｉｏｎ：ＴＴＶ）−薄厚化対象のシリコンウェハのＴＴＶは、ガラスキャリアウェハのＴＴＶのみと同程度に良好である。シリコンウェハに関する要求が、更なる薄厚化に向かっているので、ＴＴＶは２．０μｍ未満にする必要がある。…
【００１４】
　II．反り（平坦度）−ガラスウェハの反りは、薄厚化シリコンウェハの性能にとって重要である。反りは、約６０μｍ未満にする必要がある。…
【００１７】
　今日まで、幾つかの異なる手法が半導体産業において行なわれて、所望のＴＴＶ（全体厚さバラツキ）属性及び反り属性の両方を有するガラスウェハをコスト効率良く形成しようとしてきた。ＴＴＶ属性及び反り属性を満たすために使用されてきた１つの手法では、ガラスウェハを研磨する。しかしながら、反り及びＴＴＶの両方を、ガラスウェハを研磨するときに制御するのは、反り及びＴＴＶが研磨プロセス中に互いに反対の方向に変化する場合が多いので困難である。…
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１９】
　従って、これらの不具合及び他の不具合を解決して、シリコンウェハを薄厚化するために効果的に使用することができるガラスウェハを提供する必要がある。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
　未研磨ガラスウェハ、薄厚化システム、未研磨ガラスウェハを使用して半導体ウェハを薄厚化する方法、及び未研磨ガラスウェハを製造する方法が本明細書において記載される。未研磨ガラスウェハ、薄厚化システム、未研磨ガラスウェハ使用して半導体ウェハを薄厚化する方法、及び未研磨ガラスウェハを製造する方法を含む更に別の実施形態についても記載される。」
ｃ　「【００２８】
　図７Ａ及び７Ｂを参照するに、例示的な未研磨ガラスウェハ７００の斜視図及び側面図がそれぞれ図示されている。図示のように、例示的なガラスウェハ７００は、互いに対して略平行な未研磨の第１表面７０４及び未研磨の第２表面７０６を有する本体７０２を含む。…本体７０２は、本明細書においてウェハ品質指標（ｗａｆｅｒｑｕａｌｉｔｙ ｉｎｄｅｘ）と表記される物理属性を有し、このウェハ品質指標は、約６．０未満、または約４．５未満、或いは約３．０未満である。ウェハ品質指標は、ＴＴＶ（μｍ）＋［反り（μｍ）／１０］に等しい。…
【００２９】
　ウェハ品質指標は、ＴＴＶ及び反りの個々の属性が、これらの属性自体で重要
であるだけでなく、ガラスウェハ７００の性能が、ＴＴＶ及び反りの相互関係に
よっても異なるので提案された。」
ｄ　「【００３０】
　ガラスウェハ７００は更に、望ましい幾つかの物理属性及び組成属性を持つことができるので、ガラスウェハ７００を効果的に利用して、半導体ウェハを薄厚化することができる。種々の物理属性及び組成属性は以下の通りとすることができる：
　１．熱膨張係数（ＣＴＥ）−−ガラスウェハ７００は、約３．０ｐｐｍ／℃〜３．５ｐｐｍ／℃の範囲のＣＴＥを有することができる。この場合、ガラスウェハ７００及び半導体ウェハのＣＴＥが一致する、または互いに少なくとも近接して一致し、この状態は、薄厚化プロセス中に、ガラスウェハ７００が半導体ウェハに接合され、そして複合構造が熱サイクルを受ける可能性があるので望ましい場合が多い。ガラスウェハ７００を当該ガラスウェハが約３．０ｐｐｍ／℃〜約３．５ｐｐｍ／℃の範囲のＣＴＥを有するように形成するために使用することができる例示的な組成は：ＳｉＯ２：６４．０〜７１．０；Ａｌ２Ｏ３：９．０〜１２．０；Ｂ２Ｏ３：７．０〜１２．０；ＭｇＯ：１．０〜３．０；ＣａＯ：６．０〜１１．５；ＳｒＯ：０〜２．０；ＢａＯ：０〜０．１の公称組成（酸化物基準のモル百分率表示）を有し、この場合：（ａ）１．００≦Σ［ＲＯ］／［Ａｌ２Ｏ３］≦１．２５の関係があり、式中、［Ａｌ２Ｏ３］は、Ａｌ２Ｏ３のモル百分率であり、そしてΣ［ＲＯ］は、ＭｇＯ，ＣａＯ，ＳｒＯ，及びＢａＯのモル百分率の合計に等しく、そして（ｂ）ガラスは、以下の組成物特性：（ｉ）酸化物基準で、ガラスが最大０．０５モル百分率のＳｂ２Ｏ３を含む；及び（ｉｉ）酸化物基準で、ガラスが最小０．０１モル百分率のＳｎＯ２を含むという（ｉ）及び（ｉｉ）のうちの少なくとも１つの組成物特性を有する（以後、この組成を“ｃｏｍｐｏｓｉｔｉｏｎｎｏ．１（組成番号１）”と表記する）。
…
【００３２】
　２．ＴＴＶ（全体厚さバラツキ）−−半導体ウェハのＴＴＶは、ガラスウェハ７００のＴＴＶと同程度に良好であるに過ぎない。その上、半導体ウェハの要求厚さがより薄くなるにつれて、ガラスウェハ７００のＴＴＶを更に小さくする必要がある。従って、例示的な実施形態では、ガラスウェハ７００は、約２．０μｍ以下または約１．０μｍ以下のＴＴＶを有する必要がある。
…
【００３７】
　４．反り−ガラスウェハ７００の反りは、薄厚化半導体ウェハの性能／特性に大きく影響してしまう。ガラスウェハ７００は、約６０μｍ未満、または３０μｍ未満、或いは２０μｍ未満の反りを有するようにする必要がある。
【００３８】
　５．サイズ−円形本体７０２を有するガラスウェハ７００の“高品質領域”のイズは、約３００ｍｍの外径にまで及ぶことができ、そして約４５０ｍｍまで
拡大して、将来の大口径半導体ウェハに合わせることができる。具体的には、円形本体７０２を有するガラスウェハ７００は、約１５０ｍｍ〜約４５０ｍｍの範囲の外径を有する必要がある。
【００３９】
　６．厚さ−−ガラスウェハ７００は、公称約０．７ｍｍであり、そして約０．４ｍｍ以上、かつ約１．１ｍｍ以下である厚さを有する必要がある。」
ｅ　「【００４２】
　表１は、前述の組成番号１を有していた全ての８８枚のガラスウェハ７００の平均ＴＴＶ及び平均反りを示して、ガラス製造システムの再現性及び能力を強調している。
【００４３】
【表１】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
ｆ　「【００５５】…上に説明したように、約３００ｍｍの外径を有し、かつ研磨しない状態でＴＴＶが約２．０μｍ未満であり、そして反りが約３０μｍ未満である約０．７ｍｍの厚さのガラスウェハ７００をコスト効率良く製造した。これは、３ＤＩＣパッケージ封止技術にとって、コストの観点からだけではなく、属性向上の観点、クリーニング性向上の観点、再利用率向上の観点、更には接合性／接合分離性向上の観点からも極めて重要である。…」
ｇ　「
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
（イ）引用例１に記載された発明（引用１発明）
　上記ａ〜ｂによれば、引用例１には、３次元集積回路のパッケージ封止に利用されるシリコンウェハを薄厚化するための支持用ガラスウエハについて、所望のＴＴＶ（全体厚さバラツキ）属性及び反り属性の両方を有するガラスウェハを研磨によって得ることが困難であるとの問題を解決するための、未研磨ガラスウエハが記載されていると認められる。
　また、当該未研磨ガラスウェハは、上記ｃ〜ｇによれば、３００ｍｍの外径を有し、かつ研磨しない状態でＴＴＶ（全体厚さバラツキ）が２．０μｍ未満であり、そして反りが３０μｍ未満である０．７ｍｍの厚さの未研磨ガラスウェハであって、熱膨張係数（ＣＴＥ）が、半導体ウェハのＣＴＥと一致または近接する、３．０ｐｐｍ／℃〜３．５ｐｐｍ／℃の範囲である未研磨ガラスウエハであるとされており、さらに、半導体ウェハの要求厚さがより薄くなるにつれて、ガラスウェハ７００のＴＴＶを更に小さくする必要があり、１．０μｍ以下のＴＴＶを有する必要があり、また、このガラスウエアは、薄厚化プロセス中に半導体ウェハに接合されて、複合構造で熱サイクルを受けるとされている。
　そうすると、引用例１には、次の発明（以下、「引用１発明」という。）が記載されていると認められる。
　「３次元集積回路のパッケージ封止に利用されるシリコンウェハを薄厚化するための支持用の未研磨ガラスウエハであって、３００ｍｍの外径を有し、かつ研磨しない状態でＴＴＶ（全体厚さバラツキ）が１．０μｍ以下であり、そして反りが３０μｍ未満で、０．７ｍｍの厚さで、熱膨張係数（ＣＴＥ）が、半導体ウェハのＣＴＥと一致または近接する、３．０ｐｐｍ／℃〜３．５ｐｐｍ／℃の範囲である未研磨ガラスウェハ。」
（ウ）本件発明１について
ａ　本件発明１と引用１発明との対比
　本件発明１と、引用１発明とを対比すると、引用１発明における「３次元集積回路のパッケージ封止に利用される半導体ウェハを薄厚化するための支持用の未研磨ガラスウエハ」、「研磨しない状態でＴＴＶ（全体厚さバラツキ）が１．０μｍ以下であ」ることは、それぞれ、本件発明１における「支持ガラス基板」、「板厚偏差が２μｍ以下である」ことに相当する。
　したがって、両者は、以下の一致点及び相違点を有していると認められる。 
＜一致点＞ 
「板厚偏差が２μｍ以下である支持ガラス基板」の点。 
＜相違点＞ 
相違点１：本件発明１は、「ガラス組成として、質量％で、ＳｉＯ２　５０〜８０％、Ａｌ２Ｏ３　１５〜２５％、Ｂ２Ｏ３　０〜５％、ＭｇＯ　０〜５％、ＣａＯ　０〜５％、ＳｒＯ　０〜５％、ＢａＯ　０〜５％、ＺｎＯ　０〜５％、Ｌｉ２Ｏ＋Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏ　１〜１５％、Ｌｉ２Ｏ　０〜１０％、Ｎａ２Ｏ　０〜５％、Ｋ２Ｏ　０〜５％、ＴｉＯ２　０〜７％、ＺｒＯ２　０〜７％、Ｐ２Ｏ５　０〜１０％を含有」するとの発明特定事項を備えているのに対し、引用１発明は、当該発明特定事項を備えていない点。
相違点２：本件発明１は、「２０〜２００℃の温度範囲における平均線熱膨張係数が２８×１０−７／℃超であり、且つ５０×１０−７／℃未満であ」るとの発明特定事項を備えているのに対し、引用１発明は、熱膨張係数（ＣＴＥ）が、半導体ウェハのＣＴＥと一致または近接する、３．０ｐｐｍ／℃〜３．５ｐｐｍ／℃の範囲であるものの、当該発明特定事項を備えているのか明らかではない点。
ｂ　相違点１についての検討
　引用１発明の、熱膨張係数（ＣＴＥ）が３．０ｐｐｍ／℃〜３．５ｐｐｍ／℃の範囲である未研磨ガラスウエハについて、上記（ア）ｄによれば、「例示的な組成は：ＳｉＯ２：６４．０〜７１．０；Ａｌ２Ｏ３：９．０〜１２．０；Ｂ２Ｏ３：７．０〜１２．０；ＭｇＯ：１．０〜３．０；ＣａＯ：６．０〜１１．５；ＳｒＯ：０〜２．０；ＢａＯ：０〜０．１の公称組成（酸化物基準のモル百分率表示）」を有するとされており、実際、組成によって異なる所望のＣＴＥを有することができるとされている。
　ここで、前記の例示的な組成の範囲内で取り得る種々のガラス組成について、質量％への換算を行うと、ＳｉＯ２　５７．７〜６７．２質量％、Ａｌ２Ｏ３　１４．０〜１８．９質量％、ＭｇＯ　０．６〜１．９重量％、ＣａＯ　５．０〜１０．２質量％、ＳｒＯ　０〜３．２質量％、ＢａＯ　０〜０．２質量％であると導出できるが、これは本件発明１と異なるガラス組成であり、特に、「Ｌｉ２Ｏ＋Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏ」が１〜１５質量％でない点で大きく異なる。
　よって、相違点１は実質的な相違点であるから、本件発明１は、引用例１に記載された発明ではない。
　次に、相違点１に係る本件発明１の発明特定事項の容易想到性について検討すると、引用例１には、熱膨張係数（ＣＴＥ）が３．０ｐｐｍ／℃〜３．５ｐｐｍ／℃の範囲である未研磨ガラスウエハについて、本件発明１と同組成とすること、特に「Ｌｉ２Ｏ＋Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏ」を１〜１５質量％とすることの記載や示唆はなく、また、ガラスの物性はその組成に影響されることは本件特許の出願時の技術常識であることに照らすと、引用１発明の「所望のＴＴＶ（全体厚さバラツキ）属性及び反り属性の両方を有するガラスウェハをコスト効率良く形成」するという課題（上記（ア）ｂ【００１７】参照）を解決しつつ、本件発明１と同組成とすること、特に「Ｌｉ２Ｏ＋Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏ」を１〜１５質量％とすることが、単なる設計変更であるとはいえない（引用１発明の例示的な組成を変更しても、同様の効果を維持できると直ちに認めることはできない。）。
　したがって、引用１発明において、未研磨ガラスウエハの組成を本件発明１と同組成とすることは、当業者といえども容易に想到し得たことではない。
　さらに、本件発明１の効果についていうと、当該組成とすることで、加工基板を支持するための支持基板に関し、その加工基板内で半導体パッケージの高密度実装を行う場合に、当該加工基板の寸法変化が生じ易いという課題（本件特許の願書に添付した明細書の発明の詳細な説明【０００２】〜【０００８】参照）を解決できるという、本件発明１の格別顕著な効果は、当業者が予測し得たとは到底認められない。
　したがって、相違点２について検討するまでもなく、本件発明１は、引用例１に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものでもない。
（エ）本件発明２について
ａ　本件発明２と引用１発明との対比
　本件発明２と、引用１発明とを対比すると、引用１発明における「３次元集積回路のパッケージ封止に利用される半導体ウエハを薄厚化するための支持用の未研磨ガラスウエハ」、「研磨しない状態でＴＴＶ（全体厚さバラツキ）が１．０μｍ以下であ」ることは、それぞれ、本件発明２における「支持ガラス基板」、「板厚偏差が２μｍ以下である」ことに相当する。
　したがって、両者は、以下の一致点及び相違点を有していると認められる。 
＜一致点＞ 
「板厚偏差が２μｍ以下である支持ガラス基板」の点。 
＜相違点＞ 
相違点１’：本件発明２は、「ガラス組成として、質量％で、ＳｉＯ２　５０〜８０％、Ａｌ２Ｏ３　１５〜２５％、Ｂ２Ｏ３　０〜５％、ＭｇＯ　０〜５％、ＣａＯ　０〜５％、ＳｒＯ　０〜５％、ＢａＯ　０〜５％、ＺｎＯ　０〜５％、Ｌｉ２Ｏ＋Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏ　１〜１５％、Ｌｉ２Ｏ　０〜１０％、Ｎａ２Ｏ　０〜５％、Ｋ２Ｏ　０〜５％、ＴｉＯ２　０〜７％、ＺｒＯ２　０〜７％、Ｐ２Ｏ５　０〜１０％を含有」するとの発明特定事項を備えているのに対し、引用１発明は、前記の発明特定事項を備えていない点。
相違点２’：本件発明２は、「３０〜３８０℃の温度範囲における平均線熱膨張係数が３０×１０−７／℃超であり、且つ５０×１０−７／℃未満であ」るとの発明特定事項を備えているのに対し、引用１発明は、熱膨張係数（ＣＴＥ）が、半導体ウエハのＣＴＥと一致または近接する、３．０ｐｐｍ／℃〜３．５ｐｐｍ／℃の範囲であるものの、前記の発明特定事項を備えているのか明らかではない点。
ｂ　相違点１’についての検討
　相違点１’は上記（ウ）ａの相違点１と同様の相違点であるので、相違点１’についても上記（ウ）ｂでの検討と同様、実質的なものであるとともに、当該相違点１’に係る本件発明２の発明特定事項は容易想到のものではない。
　したがって、本件発明２は、引用例１に記載された発明ではなく、また、引用例１に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものでもない。
（オ）本件発明３、４、６〜１１と引用１発明との対比・判断
　本件発明３、４、６〜１１は、上記（ウ）、（エ）において、引用例１に記載された発明ではなく、また、引用例１に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものでもないと判断した本件発明１又は２を直接的又は間接的に引用するものであるから、これらの発明と同様、本件発明３、４、６〜１１についても、引用例１に記載された発明ではなく、また、引用例１に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものでもない。
ウ　異議申立人の意見について
　本件発明１〜４に相当する本件訂正前の請求項５に係る発明について、当審は既に、令和１年９月２５日付け取消理由通知において特許法第２９条第１項又は特許法第２９条第２項所定の規定違反とはしていないが、この点について、令和２年１月６日提出の異議申立人の意見書に、特段の意見はなかった。
５　上記取消理由通知において採用しなかった特許異議申立理由について
（１）上記取消理由通知において採用しなかった特許異議申立理由
　異議申立人が、特許異議申立書において主張する特許異議申立理由のうち、当審が令和２年１月２８日付けで特許権者に通知した取消理由において採用しなかった特許異議申立理由は、以下のとおりである。
申立理由１：設定登録時の請求項１〜１１に係る発明は、甲第１号証に記載の発明であるか、又は、甲第１号証に記載された発明、及び、甲第２号証、甲第３号証又は甲第４号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、その特許は、特許法第２９条第１項または第２項の規定に違反してなされたものであり、取り消されるべきものである。
申立理由２：設定登録時の請求項１〜１１に係る発明は、甲第５号証に記載された発明、及び、甲第２号証又は甲第３号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、その特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであり、取り消されるべきものである。
＜甲号証一覧＞
甲第１号証：特開２０１０−４２４６９号公報
甲第２号証：特開２００５−３２０２３４号公報
甲第３号証：特開２０１３−６３８７０号公報
甲第４号証：国際公開第２０１３／１４７３５８号
甲第５号証：特表２０１４−５１７８０５号公報
甲第６号証：特開２０１３−１４５１０号公報
甲第７号証：国際公開第２０１３／１８３６８１号
甲第８号証：国際公開２０１４／０８７９７１号
甲第９号証：「機械工学便覧」，社団法人日本機械学会，１９８７，ｐ．Ｂ３−７５）
　なお、甲第６〜９号証は、周知技術などについて主張するための証拠である。
　以下、これら申立理由１、２について検討する。
（２）甲第１〜５号証の記載事項
ア　甲第１号証の記載事項
（ア）　「【０００１】
　本発明は、半導体ウエハ等の基板の加工工程において基板を支持するサポートプレートに…関する。」
（イ）　「【０００４】
　上述したような微細加工を行うためには、薄化後の基板の厚さのばらつきはできるだけ小さいほうが望ましい。そのため、特許文献１に記載のようなサポートプレートを用いて薄化した基板の厚さのばらつきを小さくするための技術が強く求められている。
【０００５】
　本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、サポートプレートを用いて薄化した基板の厚さのばらつきを小さくするための技術を提供することを主たる目的とする。」
（ウ）　「【００１０】
　図１は、本発明の一実施形態に係るサポートプレート１を示す断面図であり、図２は、基板３が張り合わされた状態のサポートプレート１を示す断面図であり、図３は、基板３が薄化されている状態のサポートプレート１を示す断面図である。
【００１１】
　サポートプレート１は、薄化される基板３を支持するサポートプレートである。サポートプレート１の面内の厚さのばらつきは、５μｍ以下であればよく、１μｍ以下であればより好ましい。…
【００１２】
　なお、本明細書において、用語「面内の厚さのばらつき」とは、サポートプレートの厚さの最大値と最小値との差を指し、ＴＴＶ（ＴｏｔａｌＴｈｉｃｋｎｅｓｓ Ｖａｒｉａｔｉｏｎ）またはＲａｎｇｅと称される場合もある。本実施形態において、上記「面内」とは、具体的には、サポートプレート１における基板３との接着面の面内を指す。すなわち、本実施形態におけるサポートプレート１の面内の厚さのばらつきは、図１のサポートプレート１において、基板３との接着面（上側）の任意の点から底面（下側）までの長さの最大値と最小値との差となる。
【００１３】
　サポートプレート１の面内の厚さのばらつきは、例えば、サポートプレート１の表面を研磨することにより調整することができる。または、研磨済のガラス板等を購入してサポートプレート１としてもよい。
【００１４】
　サポートプレート１の材質は、特に限定されず、ガラス、硬質プラスチック、金属、セラミック、シリコン等、貼り合わせる基板３の強度を保ち得る強度を有する物質から適宜選択することができるが、熱膨張係数が基板３の熱膨張係数に近似している物質を選択することが好ましい。
【００１５】
　サポートプレート１と基板３とで熱膨張係数が近似していれば、サポートプレート１に貼り合わされた基板３に対して、例えば、研磨処理のような熱が発生する処理を行ったとしても、サポートプレート１と基板３とを貼り合わせたものに反りが発生することを防止することができる。
…
【００２３】
　図２に示すようにサポートプレート１に貼り合わされた基板３を研削して、図３に示すように薄化された基板３を得る。薄化工程において、サポートプレート１は基板３を支持する役割を果たす。なお、基板３の薄化工程は、研磨熱により基板３が過熱することを防ぐために冷却水を噴きつけながら行ってもよい。基板３の薄化は、例えば、厚さが１０〜１５０μｍ程度となるまで行うことができる。
【００２４】
　ここで、サポートプレート１の面内の厚さのばらつきが小さければ、後述する実施例において示すように、薄化後の基板３の厚さのばらつきを小さくすることができる。…
【００２５】
　基板３には、上述の薄化工程以外の種々の加工工程を施してもよい。上記加工工程は、ウェットポリッシュ処理、エッチング処理、加熱処理、ＣＶＤ処理、ＰＶＤ処理、メッキ処理等の種々の処理を含んでよい。
【００２６】
　このように多様な処理を行う過程において、基板３を貼り合わせた状態のサポートプレート１が加熱されることによって、反りが発生する場合がある。この反りを抑制するために、サポートプレート１の熱膨張係数は基板３の熱膨張係数に近似していることが好ましい。サポートプレート１と基板３とで熱膨張係数が近似していれば、後述する実施例において示すように、サポートプレート１と基板３とを貼り合わせたものに反りが発生することを防止することができる。」
（エ）　「【実施例】
【００２８】
　〔実施例１〕
　面内の厚さのばらつきが異なるサポートプレートを用いた際の、薄化後の基板の厚さのばらつきを比較した。
【００２９】
　サポートプレートとしてガラス（直径１５０ｍｍ、厚さ０．７ｍｍ）を用い、基板としてウエハ（６ｉｎｃｈ Ｓｉ）を用いた。
ガラスとウエハとを接着剤を介して貼り付けた。貼り付けは２００℃で２分間行い、また貼り付け圧は０．３５ｋｇ／ｃｍ２とした。貼り付け後における接着層の厚さの平均は１５μｍ、厚さのばらつきは０．６μｍであった。
【００３０】
　その後、ウエハの厚さの平均が５０μｍとなるように研削を行い、当該ウエハを薄化した。
【００３１】
　貼り付け後におけるガラスと接着層との合計の厚さのばらつき、および薄化後におけるウエハの厚さのばらつきを測定した。上記の測定には、浜松ホトニクスＣ８１２６−０２を使用した。
【００３２】
　実施例として、サポートプレートとして用いるガラスに、面内の厚さのばらつきが０．９μｍである研磨品を用いた。接着層を介してウエハと貼り付けた後における、ガラスと接着層との合計の厚さのばらつきを測定したところ、１．０μｍであった。次にウエハを薄化し、薄化後におけるウエハの厚さのばらつきを測定したところ、１．９μｍであった。
【００３３】
　また、比較例として、サポートプレートとして用いるガラスに、面内の厚さのばらつきが８．７μｍである未研磨品を用いた。接着層を介してウエハと貼り付けた後における、ガラスと接着層との合計の厚さのばらつきを測定したところ、８．１μｍであった。次にウエハを薄化し、薄化後におけるウエハの厚さのばらつきを測定したところ、８．２μｍであった。
【００３４】
　上記実施例と比較例との比較により、用いるサポートプレートの面内の厚さのばらつきが、サポートプレートと接着層との合計の厚さのばらつきにそのまま影響し、さらに薄化後のウエハの厚さのばらつきにも影響することが示された。
【００３５】
　〔実施例２〕
　次に、熱膨張係数が異なる材質からなるサポートプレートを用いた場合の、貼り付け後、薄化後および加熱処理後における反り量を比較した。
【００３６】
　サポートプレートとして貫通穴を有するガラス（直径２００ｍｍ、厚さ０．７ｍｍ、穴直径０．３ｍｍ）を用い、基板としてウエハ（８ｉｎｃｈ）を用いた。なお、基板として用いたウエハの熱膨張係数は、３．２×１０−６であった。【００３７】
　ガラスとウエハとを接着剤を介して貼り付けた。貼り付けは２００℃、４５秒間行い、貼り付け圧は０．２ｋｇ／ｃｍ２とした。貼り付け後における接着層の厚さの平均は１５μｍであった。その後ウエハの厚さの平均が５０μｍとなるように研削を行い、当該ウエハを薄化した。さらに、２００℃において３０分間加熱処理を行った。
【００３８】
　貼り付け後、薄化後および加熱処理後における反り量を測定した。反り量は、図４に示すように、サンプルを定盤上に置き、サンプルの直径（２００ｍｍ）のうちの一方の端からの距離が０、５０、１００、１５０、および２００ｍｍの５箇所において、レーザー変位計を用いて変位量（反り量）を測定する方法にて行った。
【００３９】
　結果を図５〜９に示す。図５〜９では、サポートプレートとして、熱膨張係数３．７×１０−６のガラスを用いた場合の結果を「Ａ」、熱膨張係数３．２×１０−６ のシリコン（基板と同じ材質）を用いた場合を「Ｂ」、熱膨張係数３．４×１０−６のガラスを用いた場合の結果を「Ｃ」としてそれぞれ示した。
【００４０】
　図５は、貼り付け後の反り量を示すグラフであり、図６は薄化後の反り量を示すグラフであり、図７は加熱処理後の反り量を示すグラフである。図５〜７に示すように、基板との熱膨張係数の差が小さい程、反り量は小さくなっていた。」
（オ）　「【図１】
【図２】
【図３】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
（カ）　「【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
イ　甲第２号証の記載事項
（ア）　「【請求項１３】
　３．５〜５．０・１０６／Ｋの熱膨張係数α２０／３００、５８０〜７２０℃の転移温度Ｔｇ、及び１２４０〜１３４０℃の加工点をもつことを特徴とする請求項１〜１２のいずれか１項記載の平板フロートガラス。」
（イ）　「【００２９】
　本発明は、化学的及び熱的に焼戻し可能で経済的かつ環境的にやさしい製造に適した高耐熱性アルミノケイ酸リチウム平板フロートガラスを提供することを目的とする。」
（ウ）　「【０００１】
　本発明は化学的に及び熱的に焼戻し（ｔｅｍｐｅｒ）が可能な高熱安定性アルミノケイ酸リチウム平板フロートガラスに関する。」
（エ）　「【００８３】
　本発明に従った平板フロートガラスは、熱あるいは化学的焼戻し後、好ましくは強度及び／または引っ掻き傷耐久性に関して高度な要求が課される例えば宇宙船あるいは航空機の窓ガラス及び交通工学における安全ガラス、ボイラー検視窓、遠心機ガラス、時計ガラス、スキャナー機器カバー、ハードディスクメモリ基板、及び室内外間の温度勾配が大きい所での室内窓ガラス等の適用分野に使用される。その優れた熱安定性ゆえに、本発明に係るガラスは照明セクター、耐火窓ガラス、あるいはオーブン、暖炉覗き窓としての有利な使用にも適する。」
（オ）　「【００８６】
【表１】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
ウ　甲第３号証の記載事項
（ア）　「【００１２】
　本発明の目的は、酸化錫を用いて泡品位に優れた珪酸塩ガラスを容易に製造する方法を提供するものである。
（イ）　「【００７８】
　ＳｎＯ２は、清澄剤として作用するとともに、核形成剤としての機能も有しており、ＺｒＯ２−ＴｉＯ２−ＳｎＯ２系結晶核を形成する。ＳｎＯ２の含有量が少なすぎると清澄効果が十分ではなく、結晶性が低下する。一方、ＳｎＯ２の含有量が多すぎるとＦｅイオンによる着色が著しくなり好ましくない。またガラス溶融が困難になったり、失透しやすくなったりする。ＳｎＯ２含有量の好適な範囲は０．０１〜１．８％である。」
（ウ）　「【００８５】
【表２】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
（エ）　「【００８９】
　表１、２から明らかなように、実施例であるＮｏ．１〜３及びＮｏ．６〜８の各試料は、泡数が４０個／ｔ以下と少なく、フラットパネルディスプレイ装置や電子部品に用いられるガラス基板やとして問題なく使用できるものであった。」
エ　甲第４号証の記載事項
　甲第４号証には、ガラス基板を用いた半導体パッケージに関する記載があるが、当該ガラス基板の組成についての記載はない。
オ　甲第５号証の記載事項
　上記４（２）イ（ア）ａ〜ｇと同様である。
（３）　甲第１号証に記載された発明（甲第１号証発明）及び甲第５号証に記載された発明（甲第５号証発明）
ア　甲第１号証に記載された発明
　上記（２）ア（ア）、（ウ）及び（オ）によれば、甲第１号証には、半導体ウエハ等の基板の加工工程において基板を支持するサポートプレートに関し、面内の厚さのばらつきが１μｍ以下であるサポートプレートを用いれば、多様な加工工程を行う過程において面内の厚さのバラツキの小さい半導体ウエハ等の基板が得られ、そのサポートプレートの熱膨張係数が前記基板の熱膨張係数に近似していれば、前記基板に反りが発生することを防止できるということが記載されていると認められる。
　また、上記（２）ア（エ）及び（カ）によれば、上記サポートプレートは、具体的には、厚さ０．７ｍｍで面内の厚さのバラツキが１μｍ以下であるガラスであり、そのガラスの熱膨張係数は、シリコン基板の熱膨張係数の３．２×１０−６に近似している３．７×１０−６又は３．４×１０−６であったことが記載されていると認められる。
　そうすると、甲第１号証には、次の発明（以下、「甲第１号証発明」という。）が記載されていると認められる。
　「半導体ウエハ等の基板の加工工程においてその基板を支持するサポートプレートであって、厚さ０．７ｍｍで面内の厚さのバラツキが１μｍ以下のガラスでなり、熱膨張係数が、シリコン基板の熱膨張係数の３．２×１０−６に近似している、３．７×１０−６または３．４×１０−６であるサポートプレート。」
イ　甲第５号証に記載された発明
　甲第５号証は、上記引用例１のことであるから、甲第５号証には、上記４（２）イ（イ）において認定した引用１発明（以下では、「甲第５号証発明」ということとする。）が記載されていると認められる。
（４）　申立理由１についての判断
ア　本件発明１について
（ア）本件発明１と甲第１号証発明との対比
　本件発明１と、甲第１号証発明とを対比すると、甲第１号証発明における「半導体ウエハ等の基板の加工工程においてその基板を支持するサポートプレートであって、」「ガラスでな」る「サポートプレート」は、本件発明１における「支持ガラス基板」に相当し、また、甲第１号証発明における「厚さ０．７ｍｍで面内の厚さのバラツキが１μｍ以下」であることは、本件発明１における「板厚偏差が２μｍ以下である」ことに相当する。　
　してみると、両者は、以下の一致点及び相違点を有していると認められる。
＜一致点＞ 
「板厚偏差が２μｍ以下である支持ガラス基板」の点。
＜相違点＞
相違点３：本件発明１は、「ガラス組成として、質量％で、ＳｉＯ２　５０〜８０％、Ａｌ２Ｏ３　１５〜２５％、Ｂ２Ｏ３　０〜５％、ＭｇＯ　０〜５％、ＣａＯ　０〜５％、ＳｒＯ　０〜５％、ＢａＯ　０〜５％、ＺｎＯ　０〜５％、Ｌｉ２Ｏ＋Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏ　１〜１５％、Ｌｉ２Ｏ　０〜１０％、Ｎａ２Ｏ　０〜５％、Ｋ２Ｏ　０〜５％、ＴｉＯ２　０〜７％、ＺｒＯ２　０〜７％、Ｐ２Ｏ５　０〜１０％を含有」するとの発明特定事項を備えているのに対し、甲第１号証発明は、当該発明特定事項を備えていない点。
相違点４：本件発明１は、「２０〜２００℃の温度範囲における平均線熱膨張係数が２８×１０−７／℃超であり、且つ５０×１０−７／℃未満であ」るとの発明特定事項を備えているのに対し、甲第１号証発明は、熱膨張係数が、シリコン基板の熱膨張係数の３．２×１０−６に近似している、３．７×１０−６または３．４×１０−６であるものの、当該発明特定事項を備えているのか明らかではない点。
（イ）　相違点３についての検討
　相違点３は実質的な相違点であるから、本件発明１は、甲第１号証に記載された発明ではない。
　次に、相違点３に係る本件発明１の発明特定事項の容易想到性について検討する。
　甲第１号証には、サポートプレートのガラス組成について何ら記載や示唆はなく、また、ガラスの物性はその組成に影響されることは本件特許の出願時の技術常識であり、「サポートプレートを用いて薄化した基板の厚さのばらつきを小さくする」という課題（上記（２）ア（イ）参照）を解決しつつ、本件発明１と同組成とすることが、単なる設計変更であるともいえない。
　さらに、本件発明１のガラス組成に関し、上記（２）イのとおり、甲第２号証の実施例３（上記（２）イ（オ）参照）には、ＳｉＯ２　６６．３重量％、Ａｌ２Ｏ３　２３．４重量％、Ｂ２Ｏ３　３．０重量％、ＭｇＯ　０．８重量％、ＣａＯ　０．５重量％、Ｌｉ２Ｏ　４．２重量％、Ｎａ２Ｏ　０．８重量％、ＺｒＯ２　０．５重量％、ＳｎＯ２　０．５重量％であり、熱膨張係数α２０／３００が４．２８・１０６／Ｋであり、ハードディスクメモリ基板等に使用される平板フロートガラス（上記（２）イ（エ）参照）が記載されている。
　同様に、上記（２）ウのとおり、甲第３号証の実施例Ｎｏ．６〜８（上記（２）ウ（ウ）参照）には、ＳｉＯ２　６５．０〜６８．０重量％、Ａｌ２Ｏ３　２０．５〜２２．０重量％、Ｐ２Ｏ５　１．０〜１．５重量％、ＭｇＯ　１．０重量％、Ｌｉ２Ｏ　４〜４．５重量％、Ｎａ２Ｏ　０．５重量％、Ｋ２Ｏ　０．５重量％、ＺｒＯ２　２．０重量％、ＳｎＯ２　０．５〜０．８重量％であり、フラットパネルディスプレイ装置や電子部品に用いられるガラス基板に使用されるガラス基板（（２）ウ（エ）参照）が記載されている。
　しかしながら、甲１号証発明は、「半導体ウエハ等の基板の加工工程においてその基板を支持するサポートプレートであって、」「ガラスでな」る「サポートプレート」であるのに対し、甲第２号証に記載の平板フロートガラス及び甲第３号証に記載のガラス基板はいずれも、そのようなサポートプレートではなく、甲１号証発明とは技術分野が異なる。
　また、甲第１号証発明は、「サポートプレートを用いて薄化した基板の厚さのばらつきを小さくする」ことを課題（上記（２）ア（イ）参照）としているのに対し、甲第２号証記載のものは、「化学的及び熱的に焼戻し可能で経済的かつ環境的にやさしい製造に適した高耐熱性アルミノケイ酸リチウム平板フロートガラスを提供すること」（上記（２）イ（イ）参照）、甲第３号証記載のものは「酸化錫を用いて泡品位に優れた珪酸塩ガラスを容易に製造する方法を提供する」こと（上記（２）ウ（ア）参照）を、それぞれ課題としており、いずれも甲１号証発明とは課題が異なる。
　そして、甲第１号証発明と、甲第２号証及び甲第３号証に記載されたものとでは、上記のとおり技術分野及び課題が異なることから、これに付随してガラス組成が果たす作用や機能が異なることも明らかである。
　さらに、ガラスの物性はその組成に影響されるという本件特許の出願時の技術常識からすれば、甲第１号証発明において、当該甲第１号証発明とは技術分野も課題も作用機能も異なる甲第２号証や甲第３号証に記載のガラス組成を採用した場合、「サポートプレートを用いて薄化した基板の厚さのばらつきを小さくする」という甲第１号証発明の効果を維持できるかは不明である。
　これらを考え合わせると、甲第１号証発明において、甲第２号証又は甲第３号証に記載されたガラス組成を採用することは、動機付けが存在せず、当業者といえども容易に想到し得たことではないというほかない。
　そして、仮に甲第１号証発明に甲第２号証又は甲第３号証に記載されたガラス組成を転用することに想到し得たとしても、その結果として、加工基板を支持するための支持基板に関し、その加工基板内で半導体パッケージの高密度実装を行う場合に、当該加工基板の寸法変化が生じ易いという課題（本件特許の願書に添付した明細書の発明の詳細な説明【０００２】〜【０００８】参照）を解決できるという、本件発明１の格別顕著な効果が得られることを、当業者が予測し得たとまでは認められない。
　また、甲第４号証（上記（２）エ参照）は、本件発明１のガラス組成に相当するガラス組成が記載されたものではないので、これによって、相違点３に係る本件発明１の発明特定事項が、当業者において容易に想到し得るものではないことは明らかである
　したがって、相違点４について検討するまでもなく、本件発明１は、甲第１号証に記載された発明、及び、甲第２号証、甲第３号証又は甲第４号証に記載された事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　なお、甲第６号証〜甲第９号証は、本件発明１のガラス組成に相当するガラス組成が記載されたものではない。
イ　本件発明２について
（ア）　本件発明２と甲第１号証発明との対比
　本件発明２と、甲第１号証発明とを対比すると、甲第１号証発明における「半導体ウエハ等の基板の加工工程においてその基板を支持するサポートプレートであって、」「ガラスでな」る「サポートプレート」は、本件発明２における「支持ガラス基板」に相当し、また、甲第１号証発明における「厚さ０．７ｍｍで面内の厚さのバラツキが１μｍ以下」であることは、本件発明２における「板厚偏差が２μｍ以下である」ことに相当する。　
　してみると、両者は、以下の一致点及び相違点を有していると認められる。
＜一致点＞ 
「板厚偏差が２μｍ以下である支持ガラス基板」の点。
＜相違点＞
相違点３’：本件発明２は、「ガラス組成として、質量％で、ＳｉＯ２　５０〜８０％、Ａｌ２Ｏ３　１５〜２５％、Ｂ２Ｏ３　０〜５％、ＭｇＯ　０〜５％、ＣａＯ　０〜５％、ＳｒＯ　０〜５％、ＢａＯ　０〜５％、ＺｎＯ　０〜５％、Ｌｉ２Ｏ＋Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏ　１〜１５％、Ｌｉ２Ｏ　０〜１０％、Ｎａ２Ｏ　０〜５％、Ｋ２Ｏ　０〜５％、ＴｉＯ２　０〜７％、ＺｒＯ２　０〜７％、Ｐ２Ｏ５　０〜１０％を含有」するとの発明特定事項を備えているのに対し、甲第１号証発明は、当該発明特定事項を備えていない点。
相違点４’：本件発明２は、「３０〜３８０℃の温度範囲における平均線熱膨張係数が３０×１０−７／℃超であり、且つ５０×１０−７／℃未満であ」るとの発明特定事項を備えているのに対し、甲第１号証発明は、熱膨張係数が、シリコン基板の熱膨張係数の３．２×１０−６に近似している、３．７×１０−６または３．４×１０−６であるものの、当該発明特定事項を備えているのか明らかではない点。
（イ）相違点３’についての検討
　相違点３’は上記ア（ア）の相違点３と同様の相違点であるので、相違点３’については上記ア（イ）での検討と同様である。
　したがって、本件発明２は、甲第１号証に記載された発明ではなく、また、甲第１号証に記載された発明、及び、甲第２号証、甲第３号証又は甲第４号証に記載された事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
ウ　本件発明３、４、６〜１１について
　本件発明３、４、６〜１１は、上記ア〜イにおいて、甲第１号証に記載された発明ではなく、また、甲第１号証に記載された発明、及び、甲第２号証、甲第３号証又は甲第４号証に記載された事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものではないと判断した本件発明１又は２を直接的又は間接的に引用するものであるから、これらの発明と同様、本件発明３、４、６〜１１についても、甲第１号証に記載された発明ではなく、また、甲第１号証に記載された発明、及び、甲第２号証、甲第３号証又は甲第４号証に記載された事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
（５）　申立理由２についての判断
ア　本件発明１について
（ア）　本件発明１と甲第５号証発明との対比
　本件発明１と甲第５号証発明とは、上記４（２）イ（ウ）ａにおいて認定したのと同様の一致点及び相違点１、２を有する。
（イ）　相違点１についての検討
　上記４（２）イ（ウ）ｂで検討したとおり、相違点１は実質的な相違点であり、また、甲第５号証発明の課題を解決しつつ、本件発明１と同組成とすること、特に「Ｌｉ２Ｏ＋Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏ」を１〜１５質量％とすることが、単なる設計変更であるとはいえない。
　さらに、上記（４）ア（イ）のとおり、甲第２号証及び甲第３号証には、本件発明１のガラス組成に関する記載が認められるものの、甲５号証発明は、「３次元集積回路のパッケージ封止に利用されるシリコンウエハを薄厚化するための支持用の未研磨ガラスウエハ」であるのに対し、甲第２号証に記載の平板フロートガラス及び甲第３号証に記載のガラス基板は、そのような「支持用」のガラスウェハではなく、甲５号証発明とは技術分野が異なるし、甲第５号証発明は、所望のＴＴＶ（全体厚さバラツキ）属性及び反り属性の両方を有するガラスウェハをコスト効率良く形成することを課題としているのに対し、甲第２、３号証に記載されたものは、化学的及び熱的に焼戻し可能で経済的かつ環境的にやさしい製造に適した高耐熱性アルミノケイ酸リチウム平板フロートガラスを提供すること、及び、酸化錫を用いて泡品位に優れた珪酸塩ガラスを容易に製造する方法を提供することをそれぞれ課題としており、甲５号証発明とは課題が異なるものである。
　その上、このような技術分野及び課題の違いに起因する、ガラス組成が果たす作用や機能の違いをも考慮すると、当該甲第２号証や甲第３号証に記載のガラス組成を採用した場合にあっても、甲第５号証発明の効果が奏されるとは限らないから、当業者といえども甲第５号証発明において、甲第２号証又は甲第３号証に記載されたガラス組成を採用することには、困難性があるといわざるを得ない。
　また、これらの証拠からみて、本件発明１の効果が予測可能であるものとも認められない。
　したがって、本件発明１は、甲第５号証に記載された発明、及び、甲第２号証又は甲第３号証に記載された事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
イ　本件発明２について
（ア）　本件発明２と甲第５号証発明との対比
　両者は上記４（２）イ（エ）ａと同様の一致点及び相違点１’、２’を有するものである。
（イ）　相違点１’についての検討
　相違点１’は上記ア（ア）の相違点１と同様の相違点であるので、相違点１’については上記ア（イ）での検討と同様である。
　したがって、本件発明２は、甲第５号証に記載された発明、及び、甲第２号証又は甲第３号証に記載された事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
ウ　本件発明３、４、６〜１１について
　本件発明３、４、６〜１１は、上記ア〜イにおいて、甲第５号証に記載された発明、及び、甲第２号証又は甲第３号証に記載された事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものではないと判断した本件発明１又は２を直接的又は間接的に引用するものであるから、これらの発明と同様、本件発明３、４、６〜１１についても、甲第５号証に記載された発明、及び、甲第２号証又は甲第３号証に記載された事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
６　むすび
　以上のとおりであるから、取消理由通知（決定の予告）に記載した取消理由及び特許異議申立書に記載した特許異議申立理由によっては、本件特許の請求項１〜４、６〜１１に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件特許の請求項１〜４、６〜１１に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　さらに、本件特許の特許請求の範囲の請求項５は、本件訂正により削除された。これにより、当該請求項５に係る特許についての特許異議の申立ては、申立ての対象が存在しないものとなったため、特許法第１２０条の８第１項で準用する同法第１３５条の規定により却下する。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
令和２年６月８日（２０２０．６．８）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】
　
ガラス組成として、質量％で、ＳｉＯ２　５０〜８０％、Ａｌ２Ｏ３　１５〜２５％、Ｂ２Ｏ３　０〜５％、ＭｇＯ　０〜５％、ＣａＯ　０〜５％、ＳｒＯ　０〜５％、ＢａＯ　０〜５％、ＺｎＯ　０〜５％、Ｌｉ２Ｏ＋Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏ　１〜１５％、Ｌｉ２Ｏ　０〜１０％、Ｎａ２Ｏ　０〜５％、Ｋ２Ｏ　０〜５％、ＴｉＯ２　０〜７％、ＺｒＯ２　０〜７％、Ｐ２Ｏ５　０〜１０％を含有し、
　【請求項２】
　
ガラス組成として、質量％で、ＳｉＯ２　５０〜８０％、Ａｌ２Ｏ３　１５〜２５％、Ｂ２Ｏ３　０〜５％、ＭｇＯ　０〜５％、ＣａＯ　０〜５％、ＳｒＯ　０〜５％、ＢａＯ　０〜５％、ＺｎＯ　０〜５％、Ｌｉ２Ｏ＋Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏ　１〜１５％、Ｌｉ２Ｏ　０〜１０％、Ｎａ２Ｏ　０〜５％、Ｋ２Ｏ　０〜５％、ＴｉＯ２　０〜７％、ＺｒＯ２　０〜７％、Ｐ２Ｏ５　０〜１０％を含有し、
　【請求項３】
　半導体パッケージの製造工程で加工される加工基板の支持に用いることを特徴とする請求項１又は２に記載の支持ガラス基板。
　【請求項４】
　ヤング率が７５ＧＰａ以上であることを特徴とする請求項１〜３の何れかに記載の支持ガラス基板。
　【請求項５】
（削除）
　【請求項６】
　ガラス組成として、質量％で、ＳｉＯ２　５５〜７０％、Ａｌ２Ｏ３　２０〜２５％、Ｂ２Ｏ３　０〜３％、ＭｇＯ　０〜３％、ＣａＯ　０〜３％、ＳｒＯ　０〜３％、ＢａＯ　０〜３％、ＺｎＯ　０〜３％、Ｌｉ２Ｏ＋Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏ　１〜１０％、Ｌｉ２Ｏ　０〜７％、Ｎａ２Ｏ　０〜３％、Ｋ２Ｏ　０〜３％、ＴｉＯ２　０〜５％、ＺｒＯ２　０〜５％、Ｐ２Ｏ５　０〜５％を含有することを　特徴とする請求項
１〜４の何れか
　【請求項７】
　板厚が２．０ｍｍ未満であり、且つ板厚偏差が１μｍ以下であることを特徴とする請求項１〜
４、
　【請求項８】
　少なくとも加工基板と加工基板を支持するための支持ガラス基板とを備える積層体であって、支持ガラス基板が請求項１〜
４、６、
　【請求項９】
　少なくとも加工基板と加工基板を支持するための支持ガラス基板とを備える積層体を用意する工程と、
　加工基板に対して、加工処理を行う工程と、を有すると共に、支持ガラス基板が請求項１〜
４、６、
　【請求項１０】
　加工処理が、加工基板の一方の表面に配線する工程を含むことを特徴とする請求項９に記載の半導体パッケージの製造方法。
　【請求項１１】
　加工処理が、加工基板の一方の表面に半田バンプを形成する工程を含むことを特徴とする請求項９又は１０に記載の半導体パッケージの製造方法。