【事件の表示】
　特願２０１０−１５２９８８「レーザアニール処理装置およびレーザアニール処理方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２４年　１月１９日出願公開，特開２０１２−　１５４４５〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成２２年７月５日の出願であって，同年１０月１５日付けで拒絶の理由が通知され，同年１２月２０日に意見書が提出され，平成２３年２月２８日付けで拒絶査定がなされ，同年５月２４日に前記拒絶査定に対する不服審判が請求されるとともに手続補正書が提出され，平成２４年２月１６日付けで審尋をおこない，同年８月２１日付けで拒絶の理由を通知し，同年１０月１７日に意見書と手続補正書が提出され，同年１０月２４日付けで手続補正指令書（方式）を通知し，同年１１月１２日に前記平成２４年１０月１７に提出した手続補正書を補正する手続補正書が提出され，同年１２月７日付けで最後の拒絶の理由を通知し，平成２５年２月１２日に意見書と手続補正書が提出されたものである。
　
第２　補正の却下の決定
　
［補正の却下の決定の結論］
　平成２５年２月１２日に提出された手続補正書による補正を却下する。
　
［理　由］
１　補正の内容
　平成２５年２月１２日に提出された手続補正書による補正（以下「本件補正」という。）は，補正前の特許請求の範囲の請求項１−６を補正して，補正後の請求項１−６とするとともに明細書を補正するものであり，補正前後の請求項１は，各々次のとおりである。
　
（補正前）
「【請求項１】
　レーザ光を相対的に走査しつつ照射してアモルファスシリコン半導体膜を結晶化させるレーザアニール処理装置において，
　パルスレーザ光を出力するエキシマレーザ発振器からなるレーザ光源と，前記パルスレーザ光を整形してアモルファスシリコン半導体膜に導く光学系と，前記パルスレーザ光が照射される前記半導体膜を設置する移動可能なステージとを有し，前記半導体膜に照射されるパルスレーザ光が，一番目のピーク群の立ち上がり，立ち下がりが相対的に急峻なパルス波形を有するパルスレーザ光が重ね合わせまたは合成されて，一番目のピーク群の立ち上がり及び立ち下がりが相対的にブロードとなったパルス波形を有し，かつパルスエネルギー密度で最大高さの１０％から該最大高さに至るまでの立ち上がり時間が３０ｎ秒以下，前記最大高さから該最大高さの１０％に至るまでの立ち下がり時間が８０ｎ秒以上であることを特徴とするレーザアニール処理装置。」
　
（補正後）
「【請求項１】
　レーザ光を相対的に走査しつつ照射してアモルファスシリコン半導体膜を結晶化させるレーザアニール処理装置において，
　パルスレーザ光を出力するエキシマレーザ発振器からなるレーザ光源と，前記パルスレーザ光を整形してアモルファスシリコン半導体膜に導く光学系と，前記パルスレーザ光が照射される前記半導体膜を設置する移動可能なステージとを有し，前記半導体膜に照射されるパルスレーザ光が，一番目のピーク群の立ち上がり，立ち下がりが相対的に急峻なパルス波形を有するパルスレーザ光が重ね合わせまたは合成されて，一番目のピーク群の立ち上がり及び立ち下がりが相対的にブロードとなったパルス波形を有し，かつパルスエネルギー密度で最大高さの１０％から該最大高さに至るまでの立ち上がり時間が３０ｎ秒以下，前記最大高さから該最大高さの１０％に至るまでの立ち下がり時間が８０ｎ秒以上で，２００ｎｍ以上の粒径の結晶粒を形成するパルスエネルギー密度を有することを特徴とするレーザアニール処理装置。」
　
２　補正事項の整理
　本件補正の補正事項を整理すると次のとおりである。
　
（１）補正事項１
　補正前の請求項１及び請求項６に「２００ｎｍ以上の粒径の結晶粒を形成するパルスエネルギー密度を有する」ことを追加して，補正後の請求項１及び請求項６にすること。
　
（２）補正事項２
　補正前の明細書の【０００６】，【００１３】及び【００１９】を補正して，各々補正後の【０００６】，【００１３】及び【００１９】にすること。
　
３　新規事項追加の有無，及び，補正の目的の適否についての検討
（１）補正事項１について
　補正事項１により補正された部分は，本願の願書に最初に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面（以下「当初明細書等」という。また，本願の願書に最初に添付した明細書を「当初明細書」という。）に記載されているものと認められるから，補正事項１は，当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものである。
　したがって，補正事項１は，当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものであるから，特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たす。
　また，補正事項１は，補正前の請求項１に係る発明における，「パルスレーザ光」を限定しようとするものであるから，特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　したがって，補正事項１は，特許法第１７条の２第５項に規定する要件を満たす。
　
（２）補正事項２について
　補正事項２は，補正事項１と整合するように明細書の記載を修正するものであるから，特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすことは明らかである。
　
（３）新規事項追加の有無，及び，補正の目的の適否についてのまとめ
　以上検討したとおりであるから，本件補正は，特許法第１７条の２第３項及び第５項に規定する要件を満たすものである。
　そして，本件補正は，特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする補正を含むものであるから，本件補正による補正後の特許請求の範囲に記載されている事項により特定される発明が，特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否か，すなわち，本件補正がいわゆる独立特許要件を満たすものであるか否かについて，以下において更に検討する。
　
４　独立特許要件についての検討
（１）補正後の発明
　本件補正による補正後の請求項１−６に係る発明は，本件補正により補正された明細書，特許請求の範囲及び図面の記載からみて，その特許請求の範囲の請求項１−６に記載されている事項により特定されるとおりのものであり，そのうちの請求項１に係る発明（以下「本願補正発明１」という。）は，請求項１に記載されている事項により特定される上記「第２　１　補正の内容」の「（補正後）」の箇所に記載したとおりのものであり，再掲すると次のとおりである。
　
「【請求項１】
　レーザ光を相対的に走査しつつ照射してアモルファスシリコン半導体膜を結晶化させるレーザアニール処理装置において，
　パルスレーザ光を出力するエキシマレーザ発振器からなるレーザ光源と，前記パルスレーザ光を整形してアモルファスシリコン半導体膜に導く光学系と，前記パルスレーザ光が照射される前記半導体膜を設置する移動可能なステージとを有し，前記半導体膜に照射されるパルスレーザ光が，一番目のピーク群の立ち上がり，立ち下がりが相対的に急峻なパルス波形を有するパルスレーザ光が重ね合わせまたは合成されて，一番目のピーク群の立ち上がり及び立ち下がりが相対的にブロードとなったパルス波形を有し，かつパルスエネルギー密度で最大高さの１０％から該最大高さに至るまでの立ち上がり時間が３０ｎ秒以下，前記最大高さから該最大高さの１０％に至るまでの立ち下がり時間が８０ｎ秒以上で，２００ｎｍ以上の粒径の結晶粒を形成するパルスエネルギー密度を有することを特徴とするレーザアニール処理装置。」
　
（２）引用例とその記載事項，及び，引用発明
　本願の出願前に頒布された刊行物である下記の引用例１には，次の事項が記載されている。（なお，下線は，当合議体において付したものである。以下同じ。）
　
ア　引用例１：特開２００１−３１９８９１号公報
（１ａ）「【請求項７】　薄膜に光ビームを照射することにより前記薄膜を処理する薄膜処理装置において，
　互いに異なるパルス波形を有する第１及び第２の光パルスを発生する第１及び第２のパルス光源と，
　前記光ビームの一照射単位が，前記第１及び前記第２の光パルスの前記薄膜への照射から構成され，上記一照射単位の照射を繰り返し行うことにより前記薄膜を処理する手段とを有することを特徴とする薄膜処理装置。
【請求項８】　請求項７に記載の薄膜処理装置において，
　前記光ビームの一照射単位が，前記第１の光パルスの前記薄膜への照射と，該
第１の光パルスの前記薄膜への照射の開始と実質的に同時に開始される，前記第２の光パルス
【請求項９】　請求項８に記載の薄膜処理装置において，
　前記第１及び前記第２の光パルスは，
　（前記第１の光パルスのパルス幅）＜（前記第２の光パルスのパルス幅）及び（前記第１の光パルスの照射強度）≧（前記第２の光パルスの照射強度）を満たすことを特徴とする薄膜処理装置。
【請求項１０】　請求項７に記載の薄膜処理装置において，
　前記光ビームの一照射単位が，前記第１の光パルスの前記薄膜への照射と，該
第１の光パルスの前記薄膜への照射の開始から時間的に遅延を持たせて開始される，前記第２の光パルス
【請求項１１】　請求項１０に記載の薄膜処理装置において，
　前記第１及び前記第２の光パルスは，
　（前記第１の光パルスのパルス幅）＜（前記第２の光パルスのパルス幅）を満たすことを特徴とする薄膜処理装置。
【請求項１２】　請求項１１に記載の薄膜処理装置において，
　前記第１及び前記第２の光パルスは，
　（前記第１の光パルスの照射強度）≧（前記第２の光パルスの照射強度）を更に満たすことを特徴とする薄膜処理装置。」（【特許請求の範囲】）
　
（１ｂ）「上記の方法で大面積基板上に薄膜半導体素子群を均一に形成するためには，特開平５−２１１１６７号公報（特願平３−３１５８６３号）に開示されているような，素子群をレーザのビームサイズよりも小さく分割し，ステップアンドリピートにより数パルス照射＋照射領域の移動＋数パルス照射＋照射領域の移動＋…を繰り返す方法が有効であることが知られている。図１６（２）に示すように，レーザの発振とステージ（すなわち基板もしくはビーム）の移動とが交互に行われる方法である。
ところが，本手法によっても現在入手しうる発振強度均一性±５〜１０％（連続発振時）程度のパルスレーザ装置を用い，たとえば１パルス／場所〜２０パルス／場所程度の照射を繰り返す場合，発振強度バラツキが±５〜１０％を超え，結果として得られる多結晶シリコン薄膜並びに多結晶シリコン薄膜トランジスタ特性が十分な均一性を有さないという問題があった
　さらにこれらの問題を回避すべく，特開平５−９０１９１号公報ではパルスレーザ光源を連続発振させると共にステージの移動期間には光遮蔽装置を用いて基板への照射を防ぐ方法が提案されている。すなわち，図１６（３）に示すようにレーザをある周波数で連続発振させ，所望の照射位置へのステージの移動と光路の遮蔽を同期させることによって，強度の安定したレーザ光を所望の照射位置へ照射を可能にした。ところが，本方法によればレーザビームの安定した基板への照射が可能になるものの，多結晶シリコン薄膜形成に寄与することのない無駄なレーザ発振が増え，高価なレーザ光源や励起ガスの寿命に対する多結晶シリコン薄膜の生産性及び，レーザ発振に要する電力等に対する多結晶シリコン薄膜の生産効率が低下するため，生産コストの上昇を招くという問題があった。また，レーザが露光される基板も，照射強度ばらつきによって所望の値に比べ過度な強光が照射されると，基板ダメージが生じる。LCD等のイメージングデバイスでは基板を透過する光が，基板上のダメージを受けた領域において散乱等を引き起こし画像品質の低下が生じるという問題があった。
　さて上記のようなレーザ照射を行う際に，複数のパルスをある遅延時間をもたせて照射する方法が公知資料：Ryoichi Ishihara et al. “Effects of light pulse duration on excimer laser crystallization characteristics of silicon thin films”, Japanese journal of applied physics, vol. 34, No.4A, (1995) pp1759に開示されている。上記公知資料によれば，レーザ再結晶化プロセスにおける溶融シリコンの結晶化固化速度は１ｍ／ｓｅｃ以上であり，良好な結晶成長を得るためには，固化速度の低減が必要である。固化が完了した直後に第２のレーザパルスを照射することにより第２の照射によってより固化速度の小さな再結晶化過程を得られるというものである。さて，図１８に示すようなシリコンの温度変化（時間履歴曲線）によれば，レーザエネルギー（例えば図１９に示す強度パルス）の照射とともにシリコンの温度が上昇し，出発材料がａ−Ｓｉの場合，ａ−Ｓｉの融点を経た後さらに温度が上昇，エネルギーの供給が温度上昇に必要な値を下回ると，冷却が始まる。結晶Ｓｉの凝固点において，凝固時間を経て固化が終了した後，雰囲気温度まで冷却される。ここで，シリコンの固化がシリコン−基板界面を起点に膜厚方向に進むとすると，上記固化速度の平均値は以下のような式で表される。
　固化速度の平均値＝シリコンの膜厚／凝固時間
　すなわち，シリコンの膜厚が一定であれば，固化速度を小さくするためには凝固時間の長時間化が有効である。したがって，熱平衡学的に理想的な状態を維持したプロセスであれば，理想的な投入するエネルギーすなわちレーザ照射エネルギーを大きくすることで，凝固時間の拡大が可能である。ところが上記公知文書においても指摘されているとおり，
照射エネルギーの増大は膜の非晶質化，微結晶化を引き起こすという問題があった
特に冷却時の冷却速度が大きく過度の過冷却を経る場合，凝固点近傍での結晶化が生ずることなく，急速冷却固化によりアモルファス（非晶質）固体が形成されるためである。薄膜においては上記公知文献中でも述べられているとおり，条件によってアモルファスではなく，微結晶体を形成することもある。微結晶体は，多結晶薄膜あるいは単結晶薄膜に比べその粒径が極端に小さいために，粒界ポテンシャルの大きな結晶粒界が多数存在し，たとえば薄膜トランジスタへの応用ではオン電流の低下，あるいはオフリーク電流の増大を招くといった問題を有する
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は，上記述べてきた問題を克服すべく，トラップ準位密度の小さいシリコン薄膜を光照射によって形成する技術を提供すると共に，大面積基板上に再現性よくその技術を応用するための技術／装置を提供することにある
　
（１ｃ）「図１１に膜厚７５ｎｍのシリコン薄膜に波長３０８ｎｍのエキシマレーザを照射した場合の，数値計算から求めた最大冷却速度(Cooling rate, K/sec)と，レーザ照射後の膜のＳＥＭ観察から得られた結晶化−微結晶化の照射強度のしきい値を示す。
図１９は実験に用いたレーザの発光パルス波形である。３つの主ピークを有し発光時間は約１２０ｎｓｅｃに及ぶ
　
（１ｄ）「前出の図１１は図１２に示すようなシリコンの温度−時間曲線から各照射強度に対し発光終了後の最大冷却速度を見積もった結果である。照射強度の増大とともに冷却速度が増加することがわかる。一方，レーザ照射後のシリコン薄膜の構造を走査型電子顕微鏡を用いて観察したところ，図１３に示すように照射強度の増大とともにいったん粒径は増大するものの，４７０ｍＪ／ｃｍ２程度の設定照射強度条件において，微結晶化が観測された。同様に照射パルス数を３パルスにした場合，４７０ｍＪ／ｃｍ２程度の設定照射強度条件においても，部分的に微結晶化領域が残るものの１パルスの時とは異なり粒径の飛躍的な増大が観測された（図１３）。なお，実照射強度は，エキシマレーザの特に最初の数パルスにおいて，設定値に比べ５〜１０％程度高くなるため，微結晶化が生じるしきい強度は５００ｍＪ／ｃｍ２程度と見積もることができる。以上のような結果から，図１１の５００ｍＪ／ｃｍ２条件から冷却速度を見積もることにより，微結晶化は約１．６ｘ１０１０℃／ｓｅｃ以上の冷却速度条件で生じることがわかった。被照射膜がａ−Ｓｉの場合，約５００ｍＪ／ｃｍ２以上の照射強度で微結晶化が，同様に，被照射膜がｐｏｌｙ−Ｓｉの場合にこの冷却速度を当てはめると，ａ−Ｓｉに比べ約３０ｍＪ／ｃｍ２大きい照射強度が示唆される。したがって，
冷却速度を１．６ｘ１０
１０
℃／ｓｅｃ以下に制御することによって，微結晶化，アモルファス化を防ぐことができ，良好な結晶成長過程を得ることが可能になる
　
（１ｅ）「
第２のレーザ光を第１のレーザ光に遅延して導入した場合
更に付加的なエネルギーを投入することによって，それ以前の固化過程において急冷による非晶質化，微結晶化が生じていても，エネルギーは保存されている（ナノ秒オーダと短時間のため，基板への熱伝導，雰囲気への放射は小さいと考えられる。もちろん十分な熱の放出が可能な時間は考慮しない）ため一旦初期化され，再度固化過程を繰り返すものと考えられる。したがって再度投入されたエネルギーによる２次加熱終了後の冷却速度に注目することによって，良好な結晶成長が期待できる。図１４に示すように，遅延時間を制御することによって冷却速度を所望の値にコントロールする
　
（１ｆ）「【発明の実施の形態】図１は本願発明の実施の形態を表した例である。それぞれの発振開始タイミングは図横軸に表され，各照射エネルギーはパルスが表す面積で示される。
図1(a)は第1パルスレーザと第2パルスレーザを同時に発振
第1パルスに比べ第２パルスの発光時間が長いため，溶融固化過程において徐冷効果が高まる
第１パルスによる溶融過程においても，第２パルスの初期領域が寄与するため，一度に溶融できる面積が大きくなり，処理の高速化が可能になる
　
図１(b)は第１パルスの発振に遅延させて第２パルスを供給する形態を示す
第２パルスの遅延時間は，第一パルスの強度，パルス波形に依存するためあらかじめ実験で求めておく必要があるが，本実施例においては５０〜２００nsec程度が好適であった
第１パルスとして用いたパルス幅が１２０nsec程度であった
図１(c)に示すように，第１パルスの発光終了後に第２パルスが照射されるように制御
　
（１ｇ）「図２は本発明の実施の形態を表した例である。
第１のエキシマレーザEL1
第２のエキシマレーザEL2
パルスＵＶ光
ミラー類opt3, opt3'，レンズ類opt4を介してホモジナイザopt20'に導かれる
ビームの強度プロファイルが光学マスクopt21で所望の均一度，例えば面内分布±５％，になるように整形
上記光学マスクによって形成された光パターンは縮小投影露光装置opt23'，レーザ導入窓W0を介して，真空チャンバC0内に設置されたsub0基板に照射
基板は，基板ステージS0上に載置
　
（１ｈ）「
膜厚75nmのa-Si薄膜に対して1mm x 50μｍのビームを短軸方向に０．５μｍピッチで走査
レーザ照射強度は照射面で470mJ/cm
2
第２光源を照射面で150mJ/cm
2
となるように，100nsec遅延させて照射
１．０μｍの走査ピッチ条件でも走査方向に連続する単結晶シリコン薄膜が得られた
　　図６は，本発明の実施の形態を示す半導体薄膜形成装置の側面図である。プラズマＣＶＤ室C2，レーザ照射室C5，基板搬送室C7から構成され，ゲートバルブGV2, GV5を介して基板の搬送が装置外部の雰囲気に触れることなく真空中，不活性ガス，窒素，水素，酸素等の雰囲気かつ高真空，減圧，加圧状態で可能である。レーザ照射室においては４００℃程度まで加熱可能なS5基板ステージ上にチャック機構を用いて基板が設置される。プラズマCVD室では，４００℃程度まで加熱可能な基板ホルダーS2上に基板が設置される。この例では
ガラス基板Sub0上にシリコン薄膜（Si 1）が形成された状態でレーザ照射室に導入され，表面のシリコン薄膜がレーザ照射により結晶性シリコン薄膜（Si 2）に改質され
　レーザ照射室に導入されるレーザ光は，エキシマレーザ１（EL 1），エキシマレーザ２（EL 2）から供給されるビームが第１のビームラインL 1，第２のビームラインL 2を通り，レーザ合成光学装置opt 1，ミラーopt 11，透過ミラーopt 12，レーザ照射光学装置opt 2，ホモジナイザopt 20，光学マスクステージopt 22に固定された光学マスクopt 21，投影光学装置opt 23，レーザ導入窓W 1を介して基板表面に到達する。
ここでは２台のエキシマレーザを図示したが，光源としては１台以上所望の台数を設置することもできる
　
（１ｉ）図１は，引用例１に記載された発明の実施の形態を説明するための光パルス波形図であって，上記摘記（１ｆ）の記載を参酌すれば，
・図１（ａ）から，２つの主ピークを発光時間の前半に有する第１パルスレーザと，
　１つの主ピークを有し発光時間が前記第１パルスレーザよりも長い第２パルスレーザであって，
　　前記１つの主ピークの照射強度の値が前記第１パルスレーザの２つの主ピークの照射強度の値よりも低く，
　　かつ，前記１つの主ピークの位置する時間が，前記第１パルスレーザの２つめの主ピークの位置する時間よりも遅い時間であって，前記第１パルスレーザの照射強度が最大値の略半分となる時間に位置する第２パルスレーザとを，
　
同時に発振
・図１（ｂ）から，２つの主ピークを発光時間の前半に有する第１パルスレーザと，
　１つの主ピークを有し発光時間が前記第１パルスレーザよりも長い第２パルスレーザであって，
　　前記１つの主ピークの照射強度の値が前記第１パルスレーザの２つの主ピークの照射強度の値よりも低く，
　　かつ，前記１つの主ピークの位置する時間が，前記第１パルスレーザの２つめの主ピークの位置する時間よりも遅い時間であって，前記第１パルスレーザの発光が終了するよりも前の時間に位置する第２パルスレーザを，
　
第１パルスの発振に遅延させて
・図１（ｃ）から，２つの主ピークを発光時間の前半に有する第１パルスレーザと，
　１つの主ピークを有し発光時間が前記第１パルスレーザよりも長い第２パルスレーザであって，
　　前記１つの主ピークの照射強度の値が前記第１パルスレーザの２つの主ピークの照射強度の値よりも低い第２パルスレーザを，
　
第１パルスの発光終了後に照射されるように制御
それぞれ読み取ることができる。
　
（１ｊ）図１９は，レーザパルス波形の一例を示した図であって，上記摘記（１ｃ）の記載を参酌すれば，同図から，
　３つの主ピークを有し発光時間は約１２０ｎｓｅｃに及ぶ引用例１に記載された実験に用いたレーザの発光パルス波形であって，当該発光パルス波形が，
・前記３つの主ピークの内，最初の主ピークの照射強度が最大高さを示し，
・前記発光パルスの照射強度で前記最大高さの１０％から前記最大高さに至るまでの立ち上がり時間が略１０ｎ秒であり，
・前記最初の主ピークから２つめの主ピークに至る途中において，前記発光パルスの照射強度は，前記最大高さの略２０％まで低下し，
・前記発光パルスの照射強度は，前記２つめの主ピークにおいて，前記最大高さの略半分を示し，
・前記２つめの主ピークから３つめの主ピークに至る途中において，前記発光パルスの照射強度は，前記最大高さの１０％を下回り，
・前記発光パルスの照射強度で前記最大高さから前記最大高さの１０％に至るまでの立ち下がり時間が略５０ｎ秒であり，
・前記発光パルスの照射強度は，前記３つめの主ピークにおいて，前記最大高さの略１０％を示すものである，発光パルス波形を読み取ることができる。
　
イ　引用発明
　引用例１の上記摘記（１ｃ）の「図１９は実験に用いたレーザの発光パルス波形である。３つの主ピークを有し発光時間は約１２０ｎｓｅｃに及ぶ。」，及び，上記摘記（１ｆ）の「第２パルスの遅延時間は，第一パルスの強度，パルス波形に依存するためあらかじめ実験で求めておく必要があるが，本実施例においては５０〜２００nsec程度が好適であった。第１パルスとして用いたパルス幅が１２０nsec程度であった」との記載に照らして，引用例１の実施の形態において用いられた「第１のエキシマレーザEL1」の有する発光パルス波形は，引用例１の上記摘記（１ｊ）に記載された「発光パルス波形」を示すものと解するのが自然であると認められる。
　そうすると，引用例１には，引用例１の上記摘記（１ａ）の【特許請求の範囲】に記載された，請求項７を引用する請求項１０を引用する請求項１１を引用する請求項１２に係る発明の実施の形態である，以下に示す「薄膜処理装置」の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
「パルスＵＶ光を供給する，第１のエキシマレーザEL1及び第２のエキシマレーザEL2であって，前記第１のエキシマレーザEL1及び前記第２のエキシマレーザEL2から発生する第１及び第２の光パルスの波形は互いに異なるものであり，かつ，前記第１及び前記第２の光パルスは，（前記第１の光パルスのパルス幅）＜（前記第２の光パルスのパルス幅）の条件を満たし，更に，前記第１及び前記第２の光パルスの照射強度は，それぞれ照射面において470mJ/cm2及び150mJ/cm2である第１のエキシマレーザEL1及び第２のエキシマレーザEL2と，
　前記第１のエキシマレーザEL1及び第２のエキシマレーザEL2から供給されるパルスＵＶ光を，ビームの強度プロファイルが光学マスクopt21で所望の均一度，例えば面内分布±５％，になるように整形して，レーザ導入窓W0を介して，真空チャンバC0内に設置されたsub0基板に照射する，ミラー類opt3, opt3'，レンズ類opt4，ホモジナイザopt20'及び縮小投影露光装置opt23'を含む機構と，
　上記sub0基板を搭載する基板ステージS0と，
　を有する，
　ガラス基板Sub0上形成されたシリコン薄膜（Si 1）である，膜厚75nmのa-Si薄膜に対して，1mm x 50μｍのビームを短軸方向に１．０μｍピッチで走査して，結晶性シリコン薄膜（Si 2）である，走査方向に連続する単結晶シリコン薄膜を得る薄膜処理装置であって，
　前記第１の光パルスの波形は，３つの主ピークを有し発光時間は約１２０ｎｓｅｃに及び，前記３つの主ピークの内，最初の主ピークの照射強度が最大高さを示し，前記発光パルスの照射強度で前記最大高さの１０％から前記最大高さに至るまでの立ち上がり時間が略１０ｎ秒であり，前記最初の主ピークから２つめの主ピークに至る途中において，前記発光パルスの照射強度は，前記最大高さの略２０％まで低下し，前記発光パルスの照射強度は，前記２つめの主ピークにおいて，前記最大高さの略半分を示し，前記２つめの主ピークから３つめの主ピークに至る途中において，前記発光パルスの照射強度は，前記最大高さの１０％を下回り，前記発光パルスの照射強度で前記最大高さから前記最大高さの１０％に至るまでの立ち下がり時間が略５０ｎ秒であり，前記発光パルスの照射強度は，前記３つめの主ピークにおいて，前記最大高さの略１０％を示すものであり，
　前記第２の光パルスは，前記第１の光パルスから100nsec遅延させて照射されるものである薄膜処理装置。」
　
（３）本願補正発明１と引用発明との対比
ア　引用発明の「ガラス基板Sub0上形成されたシリコン薄膜（Si 1）である，膜厚75nmのa-Si薄膜に対して，1mm x 50μｍのビームを短軸方向に１．０μｍピッチで走査して，結晶性シリコン薄膜（Si 2）である，走査方向に連続する単結晶シリコン薄膜を得る薄膜処理装置」は，本願補正発明１の「レーザ光を相対的に走査しつつ照射してアモルファスシリコン半導体膜を結晶化させるレーザアニール処理装置」に相当する。
　
イ　引用発明の「パルスＵＶ光を供給する，第１のエキシマレーザEL1及び第２のエキシマレーザEL2」，「前記第１のエキシマレーザEL1及び第２のエキシマレーザEL2から供給されるパルスＵＶ光を，ビームの強度プロファイルが光学マスクopt21で所望の均一度，例えば面内分布±５％，になるように整形して，レーザ導入窓W0を介して，真空チャンバC0内に設置されたsub0基板に照射する，ミラー類opt3, opt3'，レンズ類opt4，ホモジナイザopt20'及び縮小投影露光装置opt23'を含む機構」，「sub0基板を搭載する基板ステージS0」は，それぞれ本願補正発明１の「パルスレーザ光を出力するエキシマレーザ発振器からなるレーザ光源」，「パルスレーザ光を整形してアモルファスシリコン半導体膜に導く光学系」，「パルスレーザ光が照射される半導体膜を設置する移動可能なステージ」に相当する。
　
ウ　本願の明細書の「また，上記立ち上がり時間および立ち下がり時間を有するパルス波形は，
複数のエキシマレーザ光源から出力されたパルスレーザ光
重ね合わせる
　
エ　引用発明の第１の光パルスは，３つの主ピークを有し発光時間は約１２０ｎｓｅｃであり，前記３つの主ピークの内，最初の主ピークの照射強度が最大高さを示し，前記発光パルスの照射強度で前記最大高さの１０％から前記最大高さに至るまでの立ち上がり時間が略１０ｎ秒であり，前記最大高さから前記最大高さの１０％に至るまでの立ち下がり時間が略５０ｎ秒である。
　一方，引用発明の第２の光パルスは，第１の光パルスから100nsec遅延させて照射するものである。
　そうすると，引用発明においては，前記第１の光パルスが最大高さから前記最大高さの１０％に至るまで立ち下がった後に，前記第２の光パルスが供給されるものということができるから，引用発明において，前記第１の光パルスと第２の光パルスを重ね合わせることで得た光パルスの波形の，パルスエネルギー密度で最大高さの１０％から該最大高さに至るまでの立ち上がり時間と，前記最大高さから該最大高さの１０％に至るまでの立ち下がり時間は，前記第２の光パルスの影響を受けることがなく，それぞれ，第１の光パルスのものと同じ，略１０ｎ秒及び略５０ｎ秒であるということができる。
　そして，前記「略１０n秒」は「３０n秒以下」の範囲に含まれることから，本願補正発明１と引用発明は，「パルスエネルギー密度で最大高さの１０％から該最大高さに至るまでの立ち上がり時間が３０ｎ秒以下」である点で一致する。
　
オ　したがって，上記ア−エの対応関係から，本願補正発明１と引用発明との一致点及び相違点は，次のとおりであるといえる。
　
＜一致点＞
　「レーザ光を相対的に走査しつつ照射してアモルファスシリコン半導体膜を結晶化させるレーザアニール処理装置において，
　パルスレーザ光を出力するエキシマレーザ発振器からなるレーザ光源と，前記パルスレーザ光を整形してアモルファスシリコン半導体膜に導く光学系と，前記パルスレーザ光が照射される前記半導体膜を設置する移動可能なステージとを有し，前記半導体膜に照射されるパルスレーザ光が，パルスレーザ光が重ね合わせまたは合成されて，パルスエネルギー密度で最大高さの１０％から該最大高さに至るまでの立ち上がり時間が３０ｎ秒以下であるレーザアニール処理装置。」
　
＜相違点＞
・相違点１：本願補正発明１のパルスレーザ光が「２００ｎｍ以上の粒径の結晶粒を形成するパルスエネルギー密度を有する」のに対して，引用発明の光パルスが「走査方向に連続する単結晶シリコン薄膜を得る」照射強度である点。
　
・相違点２：本願補正発明１では，重ね合わせまたは合成されたパルスレーザ光の最大高さから該最大高さの１０％に至るまでの立ち下がり時間が「８０ｎ秒以上」であるのに対して，引用発明では「略５０n秒」である点。
　
・相違点３：本願補正発明１が「一番目のピーク群の立ち上がり，立ち下がりが相対的に急峻なパルス波形を有するパルスレーザ光」が重ね合わせまたは合成されて「一番目のピーク群の立ち上がり及び立ち下がりが相対的にブロードとなったパルス波形を有」するものとなるのに対して，引用発明はこのような構成を備えていない点。
　
（４）本願補正発明１と引用発明との相違点についての判断
・相違点１について
　引用発明の「走査方向に連続する単結晶シリコン薄膜」を構成するシリコン結晶粒の粒径は２００ｎｍ以上であるということができる。
　そうすると，このような薄膜を得るために照射される，引用発明の光パルスの照射強度は，「２００ｎｍ以上の粒径の結晶粒を形成するパルスエネルギー密度」という条件によって特定される本願補正発明１の条件を満たすものと認められる。
　したがって，上記相違点１は実質的なものではない。
　
　なお，仮に，引用発明の「走査方向に連続する単結晶シリコン薄膜」を構成するシリコン結晶粒の粒径を，２００ｎｍ以上であると認めることができなかったとしても，引用発明において，光パルスの照射強度を「２００ｎｍ以上の粒径の結晶粒を形成するパルスエネルギー密度を有する」ものとすることは当業者が容易になし得たことである。
　すなわち，引用例１の上記摘記（１ｄ）の「一方，レーザ照射後のシリコン薄膜の構造を走査型電子顕微鏡を用いて観察したところ，図１３に示すように照射強度の増大とともにいったん
粒径は増大
微結晶化が観測
粒径の飛躍的な増大
冷却速度を１．６ｘ１０
１０
℃／ｓｅｃ以下に制御することによって，微結晶化，アモルファス化を防ぐことができ，良好な結晶成長過程を得ることが可能
　
・周知例１：特開平１０−１２５４９号公報（平成２４年１２月７日付けの拒絶理由通知書で提示した引用文献５）
（周１ａ）「しかるに，４５０℃程度の
低温プロセスにてアニール処理を行なう具体的な方法として，エキシマレーザを用いたものがある
　図１１は
上記のようなアニール処理に用いられるレーザ発振装置の一般的な構成
（周１ｂ）「図１３はこの
パルス状のレーザ光の波形
第１のピークの時間幅は図示する如く２０［ｎＳ］〜３０［ｎＳ］程度
（周１ｃ）「上記のようなレーザアニール装置によって実際に薄膜トランジスタを製造する場合について説明する。図８は，ガラス基板３１上にＳｉ０x またはＳｉＮx からなるアンダーコート層３２をプラズマＣＶＤ法で形成した後，
アモルファスシリコン３３（ａ−Ｓｉ）を例えば５０［ｎｍ］プラズマＣＶＤ法で形成
　ここで，図中に矢印Ａで示す如く上記レーザアニール装置によるアニールプロセスを施すものとする。エキシマレーザの照射サイズは２００［ｍｍ］×０．４［ｍｍ］の線状ビームとし，基板上でのフルエンスは５０［ｍＪ／ｃｍ2 ］，オーバラップ率は９０［％］となるように設定する。レーザの繰返し周波数を２００［Ｈｚ］，基板を乗せたトレイを０．８［ｍｍ／Ｓ］で移動させて，基板全面に上記
エキシマレーザによるアニール
　こうしてアニールプロセスをａ−Ｓｉ３３に施すことにより，
平均結晶粒径を０．４［μｍ］とし
ポリシリコンに改質
ポリシリコン膜で半導体装置が得る
　
　上記記載から，上記周知例１には，アモルファスシリコンにエキシマレーザによるアニールを施すことにより，半導体装置用のポリシリコン膜として，平均結晶粒径を０．４［μｍ］のものを得ることが記載されているものと認められる。
　
・周知例２：特開２００２−２１７１０４号公報（平成２４年１２月７日付けの拒絶理由通知書で提示した引用文献６）
（周２ａ）「次に，上記
レーザアニール装置で製造されるポリシリコンを用いた薄膜トランジスタの製造方法
　まず，ガラス基板５の一主面に，シリコン酸化膜などをプラズマＣＶＤ法などで成膜形成してアンダーコート層６を形成し，連続して５０ｎｍの膜厚でアモルファスシリコン７を成膜する。
　そして，このアモルファスシリコン７を窒素雰囲気中において５００℃で１０分熱処理し，このアモルファスシリコン７中の水素濃度を低下させる。
　この後，ガラス基板５をレーザアニール装置に移す。
　そして，アモルファスシリコン７の水素濃度が低下されたガラス基板５をステージ40上に設置し，このステージ40を走査してガラス基板５を移動させながら，レーザ発振器11からエネルギ密度であるフルエンス(fluence)を３５０ｍＪ/ｃｍ２としたエキシマレーザビームＢを発振させて，この
エキシマレーザビームＢをガラス基板５上のアモルファスシリコン７に向けて照射
０．３μｍ程度の結晶粒径を有するポリシリコン２にする
　
　上記記載から，上記周知例２には，レーザアニール装置で製造されるポリシリコンを用いた薄膜トランジスタの製造方法において，エキシマレーザビームをガラス基板上のアモルファスシリコンに向けて照射して，このアモルファスシリコンをレーザーアニールし，このアモルファスシリコンを所望する，例えば０．３μｍ程度の結晶粒径を有するポリシリコン２にすることが記載されているものと認められる。
　
・周知例３：特開２００３−１６３１６７号公報（平成２４年１２月７日付けの拒絶理由通知書で提示した引用文献７）
（周３ａ）「【発明の属する技術分野】本発明は，結晶半導体膜の導電率等の特性を向上させるための好適な成膜方法を用いた結晶半導体薄膜及びその製造方法及びそれを用いた薄膜半導体素子に係り，特に，
結晶シリコン等の薄膜の形成プロセス
アモルファス薄膜にエキシマレーザ等を照射してアニール
（周３ｂ）「
図１８はエキシマレーザの時間に対する発振強度特性を示す波形図
通常エキシマレーザは放電回路にキャパシタ，インダクタを用いているため，図１８に示すように出力光波形に複数のピークが表れる
（周３ｃ）「また，図２４から明らかなように，結晶シリコン膜の結晶状態を原子間力顕微鏡で観察したところ，全時間にわたって図２０の３９０ｍＪ／ｃｍ2と同様な表面状態が観察された。これから，シリコン膜に照射される第１ピーク強度が一定となるようフィードバックをおこなうことで，
ほぼ一定な結晶粒径を得られる
　図２５はシリコン膜に照射するレーザ光のエネルギ密度に対する図２０の結晶粒径のヒストグラムであり，縦軸は粒径毎の占有面積を，縦軸は粒径毎の占有面積比を示す。図２５（ａ）は３８０ｍＪ／ｃｍ2の場合を，図２５（ｂ）は３８５ｍＪ／ｃｍ2の場合を，図２５（ｃ）は３９０ｍＪ／ｃｍ2の場合を，図２５（ｄ）は３９５ｍＪ／ｃｍ2の場合を，図２５（ｅ）は４００ｍＪ／ｃｍ2の場合を，図２５（ｆ）は４０５ｍＪ／ｃｍ2の場合を示す。エネルギ密度が３８０から３９０ｍJ／ｃｍ2へと大きくなっていくに従い，０μｍ付近のピークが減少し，１μｍ付近に新たなピークが生じる。これは，エネルギ密度が大きくなるに従い結晶の融合が起り，大粒径の結晶が生成されるためである。平均粒径が大きくしかも粒径ばらつきが小さいと考えられるのは，上記で得られた３９０ｍＪ／ｃｍ２のエネルギ密度のもので，結晶粒径の平均値に対する標準偏差の比が，正方向で１００％，負方向で５０％以下となっている。また，微小粒径の結晶が存在すると素子特性を低下させる要因となるが，３９０〜４００ｍＪ／ｃｍ２のエネルギ密度では，
粒径が０．２５μｍ以上の結晶が９０％以上を占め
　そして好ましくは，薄膜半導体の粒径が０．５μｍ以上である結晶の占める面積が９０％以上であり，また，０．５μｍ以上の結晶であって，結晶粒径の平均値に対する標準偏差の比が，正方向で１００％，負方向で５０％以下であれば，薄膜トランジスタの特性は更に向上する。更に好ましくは，薄膜半導体の平均粒径が１．０μｍ以上であり，かつ，その粒径が０．３μｍ以下の結晶が占める面積が０．１％以下であるようにすれば，薄膜トランジスタの特性，特に電子移動度が単結晶の場合に限りなく近づいた極めて良好な特性を示す。
　上記に説明したように，本発明によれば，
多結晶シリコン膜の粒径が大きく，均一度が高いもの
電子移動度等の性能の良好な製品を得ることが出来る
　
　上記記載から，上記周知例３には，アモルファス薄膜にエキシマレーザ等を照射してアニールする技術において，薄膜半導体の粒径が０．２５μｍ以上の結晶が９０％以上を占め，また０．２５μｍ以下の結晶が５％以下である場合に，得られた薄膜トランジスタは良好な素子特性が得られることが記載されているものと認められる。
　
・相違点２について
　引用例１の上記摘記（１ａ）の「【請求項８】　請求項７に記載の薄膜処理装置において，前記光ビームの一照射単位が，前記
第１の光パルスの前記薄膜への照射と，該第１の光パルスの前記薄膜への照射の開始と実質的に同時に開始される，前記第２の光パルス
図1(a)は第1パルスレーザと第2パルスレーザを同時に発振
第1パルスに比べ第２パルスの発光時間が長いため，溶融固化過程において徐冷効果が高まる
第１パルスによる溶融過程においても，第２パルスの初期領域が寄与するため，一度に溶融できる面積が大きくなり，処理の高速化が可能になる
　一方，処理の高速化は，一般的な解決すべき課題であると認められる。
　してみれば，引用例１の上記記載に接した当業者であれば，引用発明の第１パルスによる溶融過程において，第２パルスの初期領域を寄与させて，一度に溶融できる面積を大きくして，処理を高速化するために，引用発明において，前記第２の光パルスの薄膜への照射の開始のタイミングと前記第１の光パルスの薄膜への照射の開始のタイミングとが近接するように，第２の光パルスの遅延時間を短くすることは容易に想到し得たことと認められる。
　そして，引用発明の第２の光パルスのパルス幅が第１の光パルスよりも広く，また，前記第２の光パルスが前記第１の光パルスよりも所定の遅延時間だけ遅れて照射されることに照らして，引用発明の，２つめの主ピークから３つめの主ピークに至る途中において発光パルスの照射強度が最大高さの１０％を下回る時間領域を有する第１の光パルスの，前記照射強度が最大高さの１０％を下回る時間領域の照射強度を，前記第２の光パルスを重畳することによって高めて，前記第１及び第２の光パルスを重ね合わせたパルスレーザ光のパルス波形を，パルスレーザ光の最大高さから前記最大高さの１０％まで減少する時間が８０ｎ秒以上であるものとすることに格別の困難は認められない。
　したがって，引用発明において，上記相違点２について本願補正発明１の構成となすことは当業者にとって容易である。また，このような構成を採用したことによる効果は当業者が予測する範囲内のものである。
　
　なお，審判請求人は，平成２５年２月１２日に提出した意見書において「本願発明の立ち上がり時間，立ち下がり時間は，格別な効果を得るために必須の構成であり」と主張する。
　しかしながら，本願の明細書等には，「図示しない基板上に５０ｎｍ厚で形成されている。」（【００２１】），「波長３０８ｎｍ，繰り返し発振周波数３００Ｈｚ，パルス立ち上がり時間＜５ｎ秒，パルス立ち下がり時間約４５ｎ秒のパルスレーザ光」（【００２２】），「パルスレーザ光の照射面形状は，４６５ｎｍ，幅０．４ｍｍのラインビーム形状」（【００２７】）の条件のもと，図３に示される５つの特定の形状を有するパルス波形の場合においてのみ効果を検討したものが示されているにすぎない。
　そして，薄膜の再結晶化において，薄膜の厚さ，当該薄膜を形成する基板の熱伝導率，パルス波形のパルス立ち上がり時間，パルス立ち下がり時間，及び，重ね合わせ前後の第１ピーク群のブロードの相対的な関係以外の形状等が影響を与えることは明らかといえる。
　例えば，パルス立ち上がり時間＜５ｎ秒のパルスレーザ光を重ね合わせて，重ね合わせたパルスレーザ光のパルス立ち上がり時間及びパルス立ち下がり時間がそれぞれ２２ｎ秒，８７ｎ秒と同じであり，かつ，一番目のピーク群の立ち上がり，立ち下がりが相対的にブロードとなったパルス波形を有するパルスレーザ光があったとしても，本件出願の図面の図３の上段中央に図示されているような，照射強度が，パルスレーザ光の最大高さまで直線状に高まり，また，パルスレーザ光の最大高さから前記最大高さの１０％まで直線状に低下するパルス波形を有するものと，照射強度が２２ｎ秒で最大高さに上昇した後，急速に前記最大高さの１０％をわずかに超える強度にまで減少し，その強度を約８７ｎ秒間維持した後，前記最大高さの１０％を下回るまで減少する，下に凹型のパルス波形を有するもの，あるいは，照射強度が２２ｎ秒で最大高さに上昇した後，これよりもわずかに低い強度を８７ｎ秒間維持した後に，急速に前記最大高さの１０％を下回る強度にまで減少する，略台形状のパルス波形を有するものとでは，パルス波形のパルス立ち上がり時間，パルス立ち下がり時間，及び，重ね合わせ前後の第１ピーク群のブロードの相対的な関係が同じであったとしても，当該各パルス波形を有するそれぞれのパルスレーザ光を用いた薄膜のアニールの際には，アニールによる再結晶の挙動に差異が生じることは明らかであると認められる。
　したがって，本願補正発明１で規定する，立ち上がり時間及び立ち下がり時間の，「３０ｎ秒」及び「８０ｎ秒」という値に臨界的な意義を認めることはできないので，審判請求人の前記主張を採用することはできない。
　
・相違点３について
　照射の開始の時期が近接した複数のパルスを重ね合わせたパルス波形の立ち上がり及び立ち下がりが，重ね合わせ前のパルス波形に対して，相対的にブロードとなることは下記の周知例４の記載からも明らかなように格別のこととは認められない。
　したがって，引用発明において，前記「・相違点２について」で検討したように，第２の光パルスの遅延時間を短くして，前記第２の光パルスの薄膜への照射の開始のタイミングと前記第１の光パルスの薄膜への照射の開始のタイミングとを近接させることが容易である場合において，一番目のピーク群の立ち上がり，立ち下がりが相対的に急峻なパルス波形を有するパルスレーザ光を重ね合わせて一番目のピーク群の立ち上がり及び立ち下がりが相対的にブロードとなったパルス波形を有するものとすることに格別の困難は認められない。
　
　なお，審判請求人は，平成２５年２月１２日に提出した意見書において「特に立ち上がりでは，引用発明１は，重ね合わせ前後で波形の変化は殆どない。」として，本願発明において，立ち上がりを相対的にブロードとしたことによる進歩性を特に主張する。
　しかしながら，上記で検討したように，第２の光パルスの薄膜への照射の開始のタイミングと第１の光パルスの薄膜への照射の開始のタイミングとが近接している場合に，重ね合わされた光パルスの一番目のピーク群の立ち上がり及び立ち下がりが相対的にブロードとなることは格別のこととは認められないし，また，本願の明細書等の記載からは，明細書の【００１５】の「なお，立ち上がり時間が３０ｎ秒を越えると，結晶化に適したパルスエネルギー密度が大きくなり，パルスレーザ光の照射面積を小さくする必要が生じる。このため，立ち上がり時間は３０ｎ秒以下とする。」との記載から，本願補正発明１において，立ち上がり時間が短いことが望ましいことは理解できるが，パルスレーザ光を重ね合わせることによって，パルスレーザ光の立ち上がりを相対的にブロードにしたことによる格別の効果を認めることはできない。
　したがって，審判請求人の前記主張は採用することはできない。
　
・周知例４：特開２００３−２７３０４０号公報（平成２４年１２月７日付けの拒絶理由通知書で提示した引用文献３）
（周４ａ）図４には，レーザパルスを重合させて整形した周知例４に記載された発明のパルス波形が図示されており，同図から，一番目のピークの立ち上がり，立ち下がりが相対的に急峻なパルス波形を有するパルスレーザ光が重ね合わせまたは合成されて一番目のピークの立ち上がり及び立ち下がりが相対的にブロードとなったパルス波形を読み取ることができる。
　
（５）本願補正発明１についての判断
　相違点１−３については，以上のとおりであるから，本願補正発明１は，上記引用例１に記載された発明と周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　したがって，本願補正発明１は，特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
５　補正の却下の決定のむすび
　したがって，本件補正は，平成２３年法律第６３号改正附則第２条第１８項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので，同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
１　本願発明
　平成２５年２月１２日に提出された手続補正書による補正を上記のとおり却下したので，本願の請求項１−６に係る発明は，平成２４年１１月１２日に提出された手続補正書により補正された平成２４年１０月１７日に提出された補正書によって補正される明細書，特許請求の範囲及び図面の記載からみて，その特許請求の範囲の請求項１−６に記載されている事項により特定されるとおりのものであるところ，そのうち，請求項１に係る発明（以下「本願発明１」という。）は，次のとおりであると認める。
　
「【請求項１】
　レーザ光を相対的に走査しつつ照射してアモルファスシリコン半導体膜を結晶化させるレーザアニール処理装置において，
　パルスレーザ光を出力するエキシマレーザ発振器からなるレーザ光源と，前記パルスレーザ光を整形してアモルファスシリコン半導体膜に導く光学系と，前記パルスレーザ光が照射される前記半導体膜を設置する移動可能なステージとを有し，前記半導体膜に照射されるパルスレーザ光が，一番目のピーク群の立ち上がり，立ち下がりが相対的に急峻なパルス波形を有するパルスレーザ光が重ね合わせまたは合成されて，一番目のピーク群の立ち上がり及び立ち下がりが相対的にブロードとなったパルス波形を有し，かつパルスエネルギー密度で最大高さの１０％から該最大高さに至るまでの立ち上がり時間が３０ｎ秒以下，前記最大高さから該最大高さの１０％に至るまでの立ち下がり時間が８０ｎ秒以上であることを特徴とするレーザアニール処理装置。」
　
２　進歩性について
（１）引用例及びその記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用され，本願の出願前に頒布された刊行物である引用例１に記載されている事項は，上記「第２　４　（２）引用例とその記載事項，及び，引用発明」の項で指摘したとおりである。
　
（２）当審の判断
　本願発明１を特定するに必要な事項を全て含み，さらに具体的に限定したものに相当する本願補正発明１が，前記「第２　４　（４）本願補正発明１と引用発明との相違点についての判断」に記載したとおり，引用例１に記載された発明と周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，本願発明１も同様に，引用例１に記載された発明と周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。 
　
第４　むすび 
　以上のとおり，本願の請求項１に係る発明は，引用例１に記載された発明と周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。したがって，本願の他の請求項に係る発明については検討するまでもなく，本願は拒絶をすべきものである。
　
　よって，結論のとおり審決する。