【事件の表示】
　特願２００４−２０５７８５「バイポーラ集積回路のためのセル構造および方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年３月１０日出願公開、特開２００５−６４４７８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯
　本願は、平成１６年７月１３日（パリ条約に基づく優先権主張　２００３年８月８日、アメリカ合衆国）の特許出願であって、平成２０年９月２２日付けの拒絶理由通知に対して平成２１年１月２２日に意見書及び手続補正書が提出され、さらに、同年８月１０日付けの拒絶理由通知に対して同年１１月１７日に意見書及び手続補正書が提出されたが、平成２２年６月４日付けで拒絶査定がなされた。
　それに対して、同年１０月１４日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに手続補正書が提出され、その後、平成２３年１２月９日付けで審尋がなされ、平成２４年５月１４日に回答書が提出された。
　
第２．補正の却下の決定
【補正の却下の決定の結論】
　平成２２年１０月１４日に提出された手続補正書による補正を却下する。
　
【理由】
１．補正の内容
　平成２２年１０月１４日に提出された手続補正書による補正（以下「本件補正」という。）は、補正前の特許請求の範囲の請求項１〜３を補正して、補正後の請求項１〜３とするものであり、補正前後の請求項１は各々次のとおりである。
　
（補正前）
　「【請求項１】
　セル活性領域と、
　前記セル活性領域内のバイポーラ・トランジスタの第１アレイであって、第１機能のために構成され、前記第１アレイ内の前記バイポーラ・トランジスタは互いに平行かつ隣接しており、前記第１アレイ内の前記バイポーラ・トランジスタの少なくとも１つはベース／エミッタ／スペース／コレクタ構成であり、かつ前記第１アレイ内の前記バイポーラ・トランジスタの少なくとも１つはコレクタ／スペース／エミッタ／ベース構成である、第１アレイと、
　前記セル活性領域内のバイポーラ・トランジスタの第２アレイであって、前記第１機能とは異なる第２機能のために構成され、前記第２アレイ内の前記バイポーラ・トランジスタは互いに平行で、かつ前記第１アレイ内の前記バイポーラ・トランジスタとは異なる方角を向いている、第２アレイと、
　から成ることを特徴とするバイポーラ・セル。」
　
（補正後）
　「【請求項１】
　集積回路内で反復して形成されるセル活性領域と、
　前記セル活性領域内のスイッチング・デバイスとして形成されるバイポーラ・トランジスタの第１アレイであって、前記第１アレイ内の前記バイポーラ・トランジスタは互いに平行かつ隣接しており、前記第１アレイ内の前記バイポーラ・トランジスタの少なくとも１つはベース／エミッタ／スペース／コレクタ構成であり、かつ前記第１アレイ内の前記バイポーラ・トランジスタの少なくとも１つはコレクタ／スペース／エミッタ／ベース構成である、第１アレイと、
　前記セル活性領域内の電流源デバイスとして形成されるバイポーラ・トランジスタの第２アレイであって、前記第２アレイ内の前記バイポーラ・トランジスタは互いに平行で、かつ前記第１アレイ内の前記バイポーラ・トランジスタとは異なる方角を向いている、第２アレイと、
　から成ることを特徴とするバイポーラ・セル。」
　
２．補正事項の整理
　本件補正による補正事項を整理すると次のとおりである。
　
（１）補正事項１
　補正前の請求項１の「セル活性領域と、」を、「集積回路内で反復して形成されるセル活性領域と、」と補正して、補正後の請求項１とすること。
　
（２）補正事項２
　補正前の請求項１の「前記セル活性領域内のバイポーラ・トランジスタの第１アレイであって、第１機能のために構成され、」を、「前記セル活性領域内のスイッチング・デバイスとして形成されるバイポーラ・トランジスタの第１アレイであって、」と補正して、補正後の請求項１とすること。
　
（３）補正事項３
　補正前の請求項１の「前記セル活性領域内のバイポーラ・トランジスタの第２アレイであって、前記第１機能とは異なる第２機能のために構成され、」を、「前記セル活性領域内の電流源デバイスとして形成されるバイポーラ・トランジスタの第２アレイであって、」と補正して、補正後の請求項１とすること。
　
（４）補正事項４
　補正前の請求項２の「セル活性領域と、」を、「集積回路内で反復して形成されるセル活性領域と、」と補正して、補正後の請求項２とすること。
　
（５）補正事項５
　補正前の請求項２の「前記セル活性領域における第１部分内のバイポーラ・トランジスタの第１アレイであって、前記第１アレイ内の前記バイポーラ・トランジスタが互いに平行である、第１アレイと、」を、「前記セル活性領域における第１部分内のバイポーラ・トランジスタの第１アレイであって、前記第１アレイ内の前記バイポーラ・トランジスタが互いに平行であり、前記第１アレイ中の少なくとも１つのバイポーラ・トランジスタは、電流源として形成され、また前記第１アレイ中の少なくとも１つのバイポーラ・トランジスタは、スイッチング・デバイスとして形成される、第１アレイと、」と補正して、補正後の請求項２とすること。
　
（６）補正事項６
　補正前の請求項２の「前記セル活性領域における第２部分内のバイポーラ・トランジスタの第２アレイであって、前記第２アレイ内の前記バイポーラ・トランジスタが互いに平行であり、かつ前記バイポーラ・トランジスタの前記第１アレイにほぼ垂直であり、前記第２アレイ内の少なくとも１つのバイポーラ・トランジスタが、ベース／エミッタ／コレクタ／エミッタ／ベース構成から成る、第２アレイと、」を、「前記セル活性領域における第２部分内のバイポーラ・トランジスタの第２アレイであって、前記第２アレイ内の前記バイポーラ・トランジスタが互いに平行であり、かつ前記バイポーラ・トランジスタの前記第１アレイに対しほぼ垂直であり、前記第２アレイ内の少なくとも１つのバイポーラ・トランジスタが、ベース／エミッタ／コレクタ／エミッタ／ベース構成から成り、前記コレクタは、隣接するエミッタ間でコレクタ接地構成を形成し、また前記第２アレイ中の前記バイポーラ・トランジスタは、スイッチング・デバイスとして形成される、第２アレイと、」と補正して、補正後の請求項２とすること。
　
（７）補正事項７
　補正前の請求項３の「前記第２アレイ内の前記バイポーラ・トランジスタは互いに平行で、かつ前記第１アレイ内の前記バイポーラ・トランジスタにほぼ垂直であり、」を、「前記第２アレイ内の前記バイポーラ・トランジスタは互いに平行で、かつ前記第１アレイ内の前記バイポーラ・トランジスタに対しほぼ垂直であり、」と補正して、補正後の請求項３とすること。
　
（８）補正事項８
　補正後の請求項３の「さらに前記第１アレイ内の少なくとも１つのバイポーラ・トランジスタは、コレクタ／スペース／エミッタ／ベース構成であり、」を、「さらに前記第１アレイ内の少なくとも１つのバイポーラ・トランジスタは、コレクタ／スペース／エミッタ／ベース構成であり、前記第１アレイ内の少なくとも１つのバイポーラ・トランジスタは、ベース／エミッタ／スペース／コレクタ構成であり、」と補正して、補正後の請求項３とすること。
　
（９）補正事項９
　補正前の請求項３の「かつ前記第２アレイ内の少なくとも１つのバイポーラ・トランジスタは、コレクタ／ベース／エミッタ構成である、」を、「かつ前記第２アレイ内の少なくとも１つのバイポーラ・トランジスタは、コレクタ／ベース／エミッタ構成であり、前記第１アレイ中の少なくとも１つのバイポーラ・トランジスタは、スイッチング・トランジスタとして形成され、また前記第２アレイ中の少なくとも１つのバイポーラ・トランジスタは、電流源デバイスとして形成される、」と補正して、補正後の請求項３とすること。
　
３．新規事項の追加の有無、及び補正の目的の適否についての検討
（１）補正事項１について
　補正事項１により補正された部分は、本願の願書に最初に添付した明細書（以下「当初明細書」という。また、本願の願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面を「当初明細書等」という。）の００１２段落等に記載されているものと認められるから、補正事項１は、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものである。
　したがって、補正事項１は、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものであるから、特許法第１７条の２第３項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項をいう。以下同じ。）に規定する要件を満たす。
　また、補正事項１は、補正前の請求項１に係る発明の発明特定事項である「セル活性領域」に対して技術的限定を加えるものであるから、特許法第１７条の２第４項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項をいう。以下同じ。）第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　したがって、補正事項１は、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たす。
　
（２）補正事項２について
　補正事項２により補正された部分は、当初明細書の００１３段落及び００１４段落等に記載されているものと認められるから、補正事項２は、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものである。
　したがって、補正事項２は、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものであるから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たす。
　また、補正事項２は、補正前の請求項１に係る発明の発明特定事項である「バイポーラ・トランジスタの第１アレイ」に対して技術的限定を加えるものであるから、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　したがって、補正事項２は、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たす。
　
（３）補正事項３について
　補正事項３により補正された部分は、当初明細書の００１５段落等に記載されているものと認められるから、補正事項３は、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものである。
　したがって、補正事項３は、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものであるから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たす。
　また、補正事項３は、補正前の請求項１に係る発明の発明特定事項である「バイポーラ・トランジスタの第２アレイ」に対して技術的限定を加えるものであるから、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　したがって、補正事項３は、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たす。
　
（４）補正事項４について
　補正事項４は、補正事項１と同様に、特許法第１７条の２第３項及び第４項に規定する要件を満たす。
　
（５）補正事項５について
　補正事項５により補正された部分は、当初明細書の００２１段落等に記載されているものと認められるから、補正事項５は、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものである。
　したがって、補正事項５は、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものであるから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たす。
　また、補正事項５は、補正前の請求項２に係る発明の発明特定事項である「バイポーラ・トランジスタの第１アレイ」に対して技術的限定を加えるものであるから、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　したがって、補正事項５は、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たす。
　
（６）補正事項６について
　補正事項６により補正された部分は、当初明細書の００２２段落〜００２４段落等に記載されているものと認められるから、補正事項６は、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものである。
　したがって、補正事項６は、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものであるから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たす。
　また、補正事項６は、補正前の請求項２に係る発明の発明特定事項である「バイポーラ・トランジスタの第２アレイ」に対して技術的限定を加えるものであるから、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　したがって、補正事項６は、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たす。
　
（７）補正事項７について
　補正事項７により補正された部分は、当初明細書の００１５段落等に記載されているものと認められるから、補正事項７は、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものである。
　したがって、補正事項７は、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものであるから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たす。
　また、補正事項７は、補正前の請求項３に係る発明の発明特定事項である「バイポーラ・デバイス・アレイを形成する段階」に対して技術的限定を加えるものであるから、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　したがって、補正事項７は、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たす。
　
（８）補正事項８について
　補正事項８により補正された部分は、当初明細書の００１４段落等に記載されているものと認められるから、補正事項８は、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものである。
　したがって、補正事項８は、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものであるから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たす。
　また、補正事項８は、補正前の請求項３に係る発明の発明特定事項である「バイポーラ・デバイス・アレイを形成する段階」に対して技術的限定を加えるものであるから、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　したがって、補正事項８は、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たす。
　
（９）補正事項９について
　補正事項９により補正された部分は、当初明細書の００１３段落〜００１５段落等に記載されているものと認められるから、補正事項９は、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入しないものである。
　したがって、補正事項９は、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものであるから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たす。
　また、補正事項９は、補正前の請求項３に係る発明の発明特定事項である「バイポーラ・デバイス・アレイを形成する段階」に対して技術的限定を加えるものであるから、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　したがって、補正事項９は、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たす。
　
（１０）新規事項の追加の有無、及び補正の目的の適否についてのまとめ
　以上検討したとおりであるから、本件補正は、特許法第１７条の２第３項及び第４項に規定する要件を満たす。
　そして、本件補正は、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする補正を含むものであるから、本件補正による補正後の特許請求の範囲に記載されている事項により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否か、すなわち、本件補正がいわゆる独立特許要件を満たすものであるか否かにつき、以下において更に検討する。
　
４．独立特許要件についての検討
（１）補正後の発明
　本願の本件補正による補正後の請求項１〜３に係る発明は、本件補正により補正された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜３に記載されている事項により特定されるとおりのものであり、そのうちの請求項１に係る発明（以下「補正発明」という。）は、請求項１に記載されている事項により特定される上記第２．１．の「（補正後）」の箇所に記載したとおりのものであって、再掲すると次のとおりである。
　
　「【請求項１】
　集積回路内で反復して形成されるセル活性領域と、
　前記セル活性領域内のスイッチング・デバイスとして形成されるバイポーラ・トランジスタの第１アレイであって、前記第１アレイ内の前記バイポーラ・トランジスタは互いに平行かつ隣接しており、前記第１アレイ内の前記バイポーラ・トランジスタの少なくとも１つはベース／エミッタ／スペース／コレクタ構成であり、かつ前記第１アレイ内の前記バイポーラ・トランジスタの少なくとも１つはコレクタ／スペース／エミッタ／ベース構成である、第１アレイと、
　前記セル活性領域内の電流源デバイスとして形成されるバイポーラ・トランジスタの第２アレイであって、前記第２アレイ内の前記バイポーラ・トランジスタは互いに平行で、かつ前記第１アレイ内の前記バイポーラ・トランジスタとは異なる方角を向いている、第２アレイと、
　から成ることを特徴とするバイポーラ・セル。」
　
（２）引用刊行物に記載された発明
（２−１）本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布され、原査定の根拠となった拒絶の理由（平成２１年８月１０日付けの拒絶理由通知書に記載された理由１及び２をいう。以下同じ。）において引用された刊行物である特開平３−２４７６３号公報（以下「引用例」という。）には、第１図、第２図及び第５図とともに次の記載がある（ここにおいて、下線は当合議体にて付加したものである。）。
　
ａ．「［産業上の利用分野］
　
本発明は、複数の基本セルがマトリクス状に配設された内部アレイ領域に対し所望の配線接続を行うことにより、所望する回路を形成するマスタスライス方式集積回路装置の形成方法に関する
［従来の技術］
　従来からこの種のマスタスライス方式集積回路装置としては、ゲートアレイが知られている。
このゲートアレイは、基本的な論理回路を構成することが可能な複数のトランジスタ及び抵抗からなる基本セルを最小単位とし、この基本セルをマトリクス状に配設することにより内部論理回路領域を形成すると共に、この内部論理回路領域の周囲に内部論理回路と他の集積回路装置との間の入出力レベルを変換する入出力バッファ回路を構成するための入出力バッファセルが配設されたマスタ基板を予め製作しておき、配線工程で形成される配線パターンにより素子間を相互に結線し、所望の論理機能を実現するものである
　
ｂ．「［実施例］
　次に、本発明の実施例について添付の図面を参照して説明する。
第１図（ａ），（ｂ）は本発明の第１の実施例方法により基本セル１上に形成されたバッファ回路の論理機能ブロックの平面図である
　
第１図（ａ），（ｂ）において、先ず基本セル１上にトランジスタＱ
１１
〜Ｑ
１８
，Ｑ
２１
，Ｑ
２２
，Ｑ
３１
〜Ｑ
３８
及び抵抗Ｒ
１１
〜Ｒ
１４
，Ｒ
２１
〜Ｒ
２６
，Ｒ
３１
〜Ｒ
３４
を拡散工程によって形成し、基本セル１上の第二層配線層にフォトレジスト法によりＧＮＤ電源配線１１、Ｖ
ＥＥ
電源配線１２，１３、基準電圧供給配線１４，１５及び定電流源用基準電圧供給配線１６を形成する。なお、図中点線で囲まれた領域は、各々トランジスタ及び抵抗の素子領域を表し、点線で囲まれた領域内の実線は、各々トランジスタ及び抵抗の電極を表しており、特にトランジスタの電極内に記入してあるＣ，Ｅ，Ｂは、各々コレクタ、エミッタ、ベース電極を表わしている
　次に、第一配線層に斜線パターンで示す配線パターンと、×印及び×印を囲む実線矩形で示す第一配線層と第二配線層とを電気的に導通させるスルーホールとを形成する。
　このとき、第１図（ｂ）に示す第一配線層により構成される配線パターン及びスルーホールのパターンが、第１図（ａ）に示すバッファ回路の第一配線層により構成された配線パターン及びスルーホールのパターンに比して、基本セル１の中心を通る垂直方向線を基準として線対称となるように配線パターンを形成する。この場合でも、バッファ回路の配線パターンデータとしては１つでよく、信号経路に応じて、計算機により座標交換を行うことにより、第１図（ａ）のバッファ回路の配線パターンデータから第１図（ｂ）のバッファ回路の配線パターンを容易に得ることができる。
　なお、第１図（ａ）において、定電流源を構成するトランジスタＱ２１には、図示してはいないが、左側に隣接する基本セルの定電流源用基準電圧供給配線から、定電流源用基準電圧が抵抗Ｒ２３を経て供給されているものとする。」（４ページ左上欄７行〜左下欄７行）
　
ｃ．「
第２図（ａ），（ｂ）は夫々第１図（ａ），（ｂ）のバッファ回路の回路図である。第２図（ａ）において、トランジスタＱ
２１
、抵抗Ｒ
２４
（下記注参照）及び発振防止抵抗Ｒ
２３
は、定電流源用基準電圧を与えることにより、定電流源として機能する。このバッファ回路は、入力端子ＩＮに印加される入力信号電圧と基準電圧との大小関係により、トランジスタＱ
１１
，Ｑ
１２
のいずれか一方に電流が流れ、抵抗Ｒ
１１
に電流が流れない場合は、電位降下がないため高レベル、抵抗Ｒ
１１
に電流が流れた場合には、電位降下が生じるため低レベルの論理が抵抗Ｒ
１１
の一端に得られる。抵抗Ｒ
１１
で得られた論理は、トランジスタＱ
３５
，Ｑ
３６
及び抵抗Ｒ
３３
からなるエミッタフォロワ回路を介して出力端子ＯＵＴから出力される
　第２図（ｂ）も同図（ａ）と同様の回路であり、トランジスタＱ１１，Ｑ１２，Ｑ２１，Ｑ３５，Ｑ３６及び抵抗Ｒ１１，Ｒ１２，Ｒ２３，Ｒ２４（下記注参照），Ｒ３３が夫々トランジスタＱ１５，Ｑ１６，Ｑ２２，Ｑ３１，Ｑ３２及び抵抗Ｒ１３，Ｒ１４，Ｒ２４，Ｒ２２，Ｒ３１に置き替わったものとなっている。
　このような回路形成方法によれば、第１図（ａ）は、入力信号端子ＩＮが基本セル１の図中左下側に位置し、出力信号端子ＯＵＴが基本セル１の図中右上側に位置しているため、信号経路が左から右へと流れる場合に用いられ、第１図（ｂ）は、入力信号端子ＩＮが基本セル１の図中右下側に位置し、出力信号端子ＯＵＴが基本セル１の図中左上側に位置しているため、信号経路が右から左へと流れる場合に用いることができる。これにより、各々の信号経路の設定自由度が増し、ブロック間を接続する配線の配線長を短くすることができる。」（４ページ左下欄８行〜右下欄１９行）
　
ｄ．「
第５図は本実施例方法により形成されたゲートアレイのチップの一例を示す図である。集積回路チップ４上には、複数のトランジスタ及び抵抗からなる基本セル１がマトリクス状に配設されて内部論理回路領域を構成している。
　
（審決注）
　引用例において、第２図（ａ）に記載された「Ｒ２４」及び上記ｃ．において注を付した「Ｒ２４」は、いずれも「Ｒ２１」の誤記であることが第１図（ａ）及び（ｂ）の記載等から明らかであるから、以下においてはそのように読み換える。
　
（２−２）ここにおいて、第１図（ａ）及び（ｂ）に記載された平面図並びに第２図（ａ）及び（ｂ）に記載された回路図から、以下の事項が見て取れる。
　
ａ．基本セル内に形成されたトランジスタＱ３１〜Ｑ３８は、横長で電極が横方向に配置され、トランジスタＱ３１〜Ｑ３８のうち、トランジスタＱ３１〜Ｑ３４は、左からエミッタ、ベース、コレクタの各電極が配置され、トランジスタＱ３５〜Ｑ３８は、左からコレクタ、ベース、エミッタの各電極が配置されている（ここにおいて、縦・横は、公報紙面上での向きをいう。以下同じ。）。
　そして、これらのトランジスタＱ３１〜Ｑ３８は、互いに平行に横方向に４行、縦方向に２列に並べて配置されている。
　また、これらのトランジスタは、エミッタフォロワに用いられている。
　
ｂ．基本セル内に形成されたトランジスタＱ２１及びＱ２２は、縦長で電極が縦方向に配置され、定電流源に用いられている。
　
（２−３）以上を総合すると、引用例には次の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されているものと認められる。
　
　「マスタスライス方式集積回路装置の内部論理回路領域にマトリクス状に配設された基本セルにおいて、
　前記基本セル内に、互いに平行に横方向に４行、縦方向に２列に並べて配置され、横長で電極が横方向に配置されたエミッタフォロワに用いられるトランジスタＱ３１〜Ｑ３８であって、そのうちのトランジスタＱ３１〜Ｑ３４は、左からエミッタ、ベース、コレクタの各電極が配置され、トランジスタＱ３５〜Ｑ３８は、左からコレクタ、ベース、エミッタの各電極が配置されているトランジスタＱ３１〜Ｑ３８と、
　前記基本セル内に配置され、縦長で電極が縦方向に配置された定電流源に用いられるトランジスタＱ２１及びＱ２２と、
　を備える基本セル。」
　
（３）補正発明と引用発明１との対比
（３−１）引用発明１の「基本セル」は、能動素子としてバイポーラトランジスタを含むものであるから、補正発明の「バイポーラ・セル」に相当する。
　また、引用発明１の「基本セル」内の素子が形成されている領域が、補正発明の「セル活性領域」に相当する。
　そして、引用発明１の「基本セル」は「マスタスライス方式集積回路装置の内部論理回路領域にマトリクス状に配設された」ものであるから、引用発明１の「基本セル」が、補正発明の「バイポーラ・セル」と同様に、「集積回路内で反復して形成されるセル活性領域」を備えていることは明らかである。
　
（３−２）引用発明１の「エミッタフォロワ」がスイッチングの機能を備えていることは、引用例の第２図（ａ）及び（ｂ）に記載された回路から当業者にとって明らかである。
　また、引用発明１の「トランジスタＱ３１〜Ｑ３８」は、「前記基本セル内に、互いに平行に横方向に４行、縦方向に２列に並べて配置され」たものであるから、これらのトランジスタがアレイを構成していることは明らかである。
　したがって、引用発明１の「前記基本セル内に、互いに平行に横方向に４行、縦方向に２列に並べて配置され、横長で電極が横方向に配置されたエミッタフォロワに用いられるトランジスタＱ３１〜Ｑ３８」は、補正発明の「前記セル活性領域内のスイッチング・デバイスとして形成されるバイポーラ・トランジスタの第１アレイ」に相当する。
　
（３−３）引用発明１の「トランジスタＱ３１〜Ｑ３８」が、「前記基本セル内に、互いに平行に横方向に４行、縦方向に２列に並べて配置され」ている構成と、補正発明の「前記第１アレイ内の前記バイポーラ・トランジスタは互いに平行かつ隣接して」いる構成とは、「前記第１アレイ内の前記バイポーラ・トランジスタは互いに平行」である点で一致する。
　
（３−４）引用発明１の「そのうちのトランジスタＱ３１〜Ｑ３４は、左からエミッタ、ベース、コレクタの各電極が配置され、トランジスタＱ３５〜Ｑ３８は、左からコレクタ、ベース、エミッタの各電極が配置されている」構成と、補正発明の「前記第１アレイ内の前記バイポーラ・トランジスタの少なくとも１つはベース／エミッタ／スペース／コレクタ構成であり、かつ前記第１アレイ内の前記バイポーラ・トランジスタの少なくとも１つはコレクタ／スペース／エミッタ／ベース構成である」こととは、「『前記第１アレイ内の前記バイポーラ・トランジスタの少なくとも１つは』コレクタが一端に設けられる構成であり、『かつ前記第１アレイ内の前記バイポーラ・トランジスタの少なくとも１つは』コレクタが他端に設けられる構成である」点で一致する。
　
（３−５）引用発明１の「定電流源に用いられるトランジスタＱ２１及びＱ２２」が電流源デバイスであることは、当業者にとって自明である。
　また、引用発明１の「トランジスタＱ２１及びＱ２２」は、「縦長で電極が縦方向に配置された」ものであるから、「トランジスタＱ３１〜Ｑ３８」と異なる方向を向いていることは明らかである。
　したがって、引用発明１の「前記基本セル内に配置され、縦長で電極が縦方向に配置された定電流源に用いられるトランジスタＱ２１及びＱ２２」と、補正発明の「前記セル活性領域内の電流源デバイスとして形成されるバイポーラ・トランジスタの第２アレイであって、前記第２アレイ内の前記バイポーラ・トランジスタは互いに平行で、かつ前記第１アレイ内の前記バイポーラ・トランジスタとは異なる方角を向いている、第２アレイ」とは、「『前記セル活性領域内の電流源デバイスとして形成されるバイポーラ・トランジスタ』『であって、』『前記バイポーラ・トランジスタは』『前記第１アレイ内の前記バイポーラ・トランジスタとは異なる方角を向いている、』バイポーラトランジスタ」である点で一致する。
　
（３−６）以上を総合すると、補正発明と引用発明１とは、
　「集積回路内で反復して形成されるセル活性領域と、
　前記セル活性領域内のスイッチング・デバイスとして形成されるバイポーラ・トランジスタの第１アレイであって、前記第１アレイ内の前記バイポーラ・トランジスタは互いに平行であり、前記第１アレイ内の前記バイポーラ・トランジスタの少なくとも１つはコレクタが一端に設けられる構成であり、かつ前記第１アレイ内の前記バイポーラ・トランジスタの少なくとも１つはコレクタが他端に設けられる構成である、第１アレイと、
　前記セル活性領域内の電流源デバイスとして形成されるバイポーラ・トランジスタであって、前記バイポーラ・トランジスタは前記第１アレイ内の前記バイポーラ・トランジスタとは異なる方角を向いている、バイポーラトランジスタと、
　から成ることを特徴とするバイポーラ・セル。」
　
　である点で一致し、次の点で相違する。
　
（相違点１）
　補正発明は、「前記第１アレイ内の前記バイポーラ・トランジスタは互いに」「隣接して」いるのに対して、引用発明１は、「トランジスタＱ３１〜Ｑ３８」が、「トランジスタＱ３１」〜「トランジスタＱ３４」及び「トランジスタＱ３５」〜「トランジスタＱ３８」は各々隣接しているものの、「トランジスタＱ３１」〜「トランジスタＱ３４」と「トランジスタＱ３５」〜「トランジスタＱ３８」とは、間に抵抗が存在していて互いに隣接する構造となっていない点。
　
（相違点２）
　補正発明は、「コレクタが一端に設けられる」「バイポーラ・トランジスタ」が「ベース／エミッタ／スペース／コレクタ構成」となっており、「コレクタが他端に設けられる」「バイポーラ・トランジスタ」が「コレクタ／スペース／エミッタ／ベース構成」となっているのに対して、引用発明１は、「コレクタが一端に設けられる」「バイポーラ・トランジスタ」が「左からエミッタ、ベース、コレクタの各電極が配置され」る構成となっており、「コレクタが他端に設けられる」「バイポーラ・トランジスタ」が「左からコレクタ、ベース、エミッタの各電極が配置され」る構成となっている点。
　
（相違点３）
　補正発明は、「前記セル活性領域内の電流源デバイスとして形成されるバイポーラ・トランジスタ」が「バイポーラ・トランジスタの第２アレイ」を構成しており、「前記第２アレイ内の前記バイポーラ・トランジスタは互いに平行で」あるのに対して、引用発明１は、「前記セル活性領域内の電流源デバイスとして形成されるバイポーラ・トランジスタ」が各々単独に配置された「トランジスタＱ２１及びＱ２２」である点。
　
（４）相違点についての当審の判断
（４−１）相違点１について
（４−１−１）引用発明１においても、「トランジスタＱ３１」〜「トランジスタＱ３４」及び「トランジスタＱ３５」〜「トランジスタＱ３８」は各々隣接しており、引用発明１の「トランジスタＱ３１〜Ｑ３８」は、その縦方向において互いに隣接する構成となっているものであるところ、補正発明は、「前記第１アレイ内の前記バイポーラ・トランジスタは互いに」「隣接しており」という特定がなされているにとどまり、「前記第１アレイ内の前記バイポーラ・トランジスタ」が縦方向及び横方向の両方向で互いに隣接していることは特定されていないから、補正発明の「前記第１アレイ内の前記バイポーラ・トランジスタ」には、縦方向にのみ互いに隣接しているものも含まれることは明らかである。
　したがって、相違点１は存在しない。
　
（４−１−２）相違点１については以上のとおりであるが、仮に、補正発明の「前記第１アレイ内の前記バイポーラ・トランジスタは互いに」「隣接しており」が、「前記第１アレイ内の前記バイポーラ・トランジスタ」が縦方向及び横方向の両方向で互いに隣接していることを意味するものであり、相違点１が存在する場合についても予備的に検討する。
　一般に、マスタスライス方式集積回路装置は、同一構造の基本セルが設けられたマスタウエハに対して、様々な配線を敷設することにより、最終的に所望の機能を実現するものであるところ、基本セルにおけるトランジスタや抵抗等の各素子の配置をどのようにするかは、実現しようとする機能や回路構成、配線レイアウト等に応じて当業者が適宜設定し得る設計的事項あり、その一例として、各基本セルを縦方向及び横方向の両方向で互いに隣接する構成とする（各セル間に他の素子を介在させない構成とする）ことも、例えば引用例の第１図（ａ）及び（ｂ）におけるトランジスタＱ１１〜Ｑ１４がそのような構成となっていることからも分かるように、当業者において従来から普通に行われてきていることである。
　
（４−１−３）一方、補正発明においては、「バイポーラセル」を用いて最終的にどのような機能を実現するのかということ、どのような回路構成とするのかということ、どのような配線レイアウトとするのかということ等が何ら特定されていないことを勘案すると、本願の明細書及び図面全体の記載を精査しても、補正発明において、「前記第１アレイ内の前記バイポーラ・トランジスタ」が縦方向及び横方向の両方向で互いに隣接する構成を採用することにより、予測を超える顕著な効果が生じていることを当業者が認識できる記載は見いだせない。
　したがって、引用発明１において、「トランジスタＱ３１」〜「トランジスタＱ３４」と「トランジスタＱ３５」〜「トランジスタＱ３８」との間に抵抗を介在する構成に換えて、これらのトランジスタを抵抗を介さずに隣接する構成とすること、すなわち、補正発明のように、「前記第１アレイ内の前記バイポーラ・トランジスタ」が縦方向及び横方向の両方向で互いに隣接する構成を採用することは、当業者が適宜なし得たことである。
　したがって、たとえ相違点１が存在していたとしても、当該相違点１は当業者が適宜なし得た範囲に含まれる程度のものである。
　
（４−２）相違点２について
（４−２−１）一般に、マスタスライス方式集積回路装置の基本セルにおけるトランジスタの電極端子をどのような配置とするかは、実現しようとする機能や回路構成、配線のレイアウト等に応じて当業者が適宜設定し得る設計的事項あり、その一例として、２つのバイポーラトランジスタの一方をベース、エミッタ、コレクタの各電極が配置される構成とし、他方をコレクタ、エミッタ、ベースの各電極が配置される構成とすることも、例えば、引用例の第１図（ａ）及び（ｂ）におけるトランジスタＱ１１〜Ｑ１４がそのような構成となっていることからも分かるように、当業者において従来から普通に行われてきていることである。
　そして、引用発明１の「トランジスタＱ３１〜Ｑ３８」が、コレクタ、ベース、エミッタの各電極間に各々何らかのスペースを有していることは自明であるから、「スペース」の有無について、補正発明と引用発明１との間に違いはない。
　また、仮に、補正発明の「スペース」が、他の電極間のスペースと比較して広いスペースを意味するものであり、「スペース」の有無について、補正発明と引用発明１との間に違いがあったとしても、一般に、マスタスライス方式集積回路装置の基本セルにおいて、トランジスタの各電極端子間のスペースを均等とせず、コレクタと他の電極とのスペースを、他の電極間のスペースよりも広く取ることは、例えば、引用例の第１図（ａ）及び（ｂ）におけるトランジスタＱ２１及びＱ２２がそのような構成となっていることからも分かるように、当業者において従来から普通に行われてきていることである。
　
（４−２−２）一方、補正発明においては、「バイポーラセル」を用いて最終的にどのような機能を実現するのかということ、どのような回路構成とするのかということ、どのような配線レイアウトとするのかということ等が何ら特定されていないことを勘案すると、本願の明細書及び図面全体の記載を精査しても、補正発明において、「コレクタが一端に設けられる」「バイポーラ・トランジスタ」を「ベース／エミッタ／スペース／コレクタ構成」とし、「コレクタが他端に設けられる」「バイポーラ・トランジスタ」を「コレクタ／スペース／エミッタ／ベース構成」とすることにより、予測を超える顕著な効果が生じていることを当業者が認識できる記載は見いだせない。
　したがって、引用発明１において、「コレクタが一端に設けられる」「バイポーラ・トランジスタ」を補正発明のように「ベース／エミッタ／スペース／コレクタ構成」とし、「コレクタが他端に設けられる」「バイポーラ・トランジスタ」を補正発明のように「コレクタ／スペース／エミッタ／ベース構成」とすることは、当業者が適宜なし得たことである。
　したがって、相違点２は当業者が適宜なし得た範囲に含まれる程度のものである。
　
（４−３）相違点３について
（４−３−１）一般に、マスタスライス方式集積回路装置の基本セルにおいて、トランジスタを単独で設ける構成とするか、複数のトランジスタを平行に並べて設ける構成とするかは、当該トランジスタに担わせる機能に応じて当業者が適宜選択し得る設計的事項であり、必要に応じて、複数のトランジスタを平行に並べて設けることは、当業者において従来から普通に行われてきていることである（例えば、引用発明１の「トランジスタＱ３１〜Ｑ３８」がそのようになっている。）。
　定電流源に用いられるトランジスタについても当然例外ではなく、駆動能力を向上させるために複数のトランジスタを並列接続できるよう、複数のトランジスタを平行に並べて設けることは、例えば、本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布され、原査定の根拠となった拒絶の理由において引用された刊行物である下記周知例（特開昭６０−７４４５５号公報）にも記載されているように、当業者における周知技術である（なお、平成２１年８月１０日付けの拒絶理由通知書には、「特開昭６０−７４４５５号公報」が、誤って「特開平０２−０４６０２１号公報」と記載されているが、その後の審判請求人と原審審査官との電話での応対により、「特開平０２−０４６０２１号公報」が「特開昭６０−７４４５５号公報」の誤記であることを審判請求人が認識したものと認められるので、上のように認定した。）
　
ａ．周知例：特開昭６０−７４４５５号公報
　上記周知例には、第１０図〜第１３図とともに次の記載がある。
　「発明の技術分野
　
本発明は、マスタスライス集積回路、特に１つのゲート回路がスイッチング部と電流源とから構成される、例えばＥＣＬ（Emitter Coupled Logic）ゲートより構成されるマスタスライス集積回路に関する
　「
従来の回路（第２図）と類似の回路を本発明に基づいて配線した場合の回路図を第１０図に図示する。
　
第１０図の電流源ＰＷＲ１〜ＰＷＲ４の各回路は例示としては、第１１図に図示のものを用いる。すなわちトランジスタＱ
０
のベースにバイアス電圧Ｖ
ＣＳ
が印加され、エミッタには抵抗器ｒを介して電源Ｖ
ＥＥ
が印加され、そのコレクタがＥＣＬゲートのエミッタ共通接続点に接続される
　ここでは、ＰＷＲ１〜ＰＷＲ４は全て同じ値、例えば５００μＡを供給する電流源とする。
従って、低消費電力ゲートが必要な時は５００μＡの電流源ＰＷＲ１のみ用い、高消費電力ゲートが必要な時はＰＷＲ１とＰＷＲ２とを第１０図に於いて破線で示す如く並列にして１ｍＡの電流源として用いる
　
先ず第１２図を参照し、電流源セル２４内の配線について述べる。隣接するバイアス回路２５で電源Ｖ
ＥＥ
にもとづき発生された電源電圧Ｖ
ＣＥ
のラインが、上層に布線され（実線部）、ａ点において下層に落ち、各電源ＰＷＲ１〜ＰＷＲ４のトランジスタＱ
０
のベースに接続される。同様にＶ
ＥＥ
ラインも上層からｂにおいて下層に落ち、抵抗器ｒに接続され、抵抗器ｒの他方の端子はトランジスタＱ
０
のエミッタＥに接続される
（途中略）
　
以上の如く接続された後、第１０図に図示の回路接続を完成するには次の如く配線する。電流源セル２４のＰＷＲ１のコレクタＣからトランジスタＱ
１
のエミッタＥに配線を行う
（途中略）
　
高消費電力回路にするには、第１３図（審決注：「第１２図」の誤記）において残っているＰＷＲ２のコレクタＣからトランジスタＱ
１
のエミッタＥに接続し、これに応じて、残っている抵抗器Ｒの他端とトランジスタＱ
７
のベースＢ（又はトランジスタＱ
１
のコレクタＣ）に接続する
　
　したがって、上記周知例には、マスタスライス集積回路（マスタスライス方式集積回路装置）において、セル内に電流源として用いる複数のバイポーラトランジスタＰＷＲ１〜ＰＷＲ４を平行に並べて設け、駆動能力を向上させるために、バイポーラトランジスタＰＷＲ１及びＰＷＲ２とを並列接続することが記載されているものと認められる。
　
（４−３−２）したがって、引用発明１に接した当業者であれば、上記周知技術を勘案することにより、引用発明１の「定電流源に用いられるトランジスタＱ２１及びＱ２２」を、各々単独で設ける構成に換えて、各々複数のトランジスタを平行に並べて設ける構成とすること、すなわち、補正発明のように、「前記セル活性領域内の電流源デバイスとして形成されるバイポーラ・トランジスタの第２アレイであって、前記第２アレイ内の前記バイポーラ・トランジスタは互いに平行で、かつ前記第１アレイ内の前記バイポーラ・トランジスタとは異なる方角を向いている、第２アレイ」を備える構成とすることは、容易になし得たことである。
　よって、相違点３は当業者が容易になし得た範囲に含まれる程度のものである。
　
（４−４）判断についてのまとめ
　以上検討したとおりであるから、補正発明は、周知技術を勘案することにより、引用発明１に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　したがって、補正発明は、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
（５）独立特許要件についてのまとめ
　以上のとおり、本件補正は、補正後の請求項１に記載されている事項により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項をいう。以下同じ。）の規定に適合しない。
　
５．補正の却下の決定のむすび
　以上検討したとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないものであるから、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３．本願発明について
１．本願発明についての検討
　平成２２年１０月１４日に提出された手続補正書による補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜３に係る発明は、平成２１年１１月１７日に提出された手続補正書により補正された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜３に記載されている事項により特定されるとおりのものであり、そのうちの請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、請求項１に記載されている事項により特定される、上記第２．１．の「補正前」の箇所に記載したとおりのものである。
　一方、本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である特開平３−２４７６３号公報（引用例）には、上記第２．４．（２）に記載したとおりの事項及び発明（引用発明１）が記載されているものと認められる。
　そして、本願発明に対して技術的限定を加えた発明である補正発明は、上記第２．４．において検討したとおり、引用発明１に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も当然に、引用発明１に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　よって、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
２．補足的な検討
（１）はじめに
　上に述べたとおり、本願発明は、補正発明から技術的限定を除外したものであるが、技術的限定を除外したことで生ずる新たな拒絶の理由について、以下において検討する。
　
（２）本願発明
　本願発明を再掲すると次のとおりである。
　「【請求項１】
　セル活性領域と、
　前記セル活性領域内のバイポーラ・トランジスタの第１アレイであって、第１機能のために構成され、前記第１アレイ内の前記バイポーラ・トランジスタは互いに平行かつ隣接しており、前記第１アレイ内の前記バイポーラ・トランジスタの少なくとも１つはベース／エミッタ／スペース／コレクタ構成であり、かつ前記第１アレイ内の前記バイポーラ・トランジスタの少なくとも１つはコレクタ／スペース／エミッタ／ベース構成である、第１アレイと、
　前記セル活性領域内のバイポーラ・トランジスタの第２アレイであって、前記第１機能とは異なる第２機能のために構成され、前記第２アレイ内の前記バイポーラ・トランジスタは互いに平行で、かつ前記第１アレイ内の前記バイポーラ・トランジスタとは異なる方角を向いている、第２アレイと、
　から成ることを特徴とするバイポーラ・セル。」
　
（３）引用刊行物に記載された発明
（３−１）本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布され、原査定の根拠となった拒絶の理由において引用された刊行物である特開平３−２４７６３号公報（引用例）には、第１図、第２図及び第５図とともに、上記第２．４．（２）（２−１）に摘記したとおりの事項が記載されている。
　
（３−２）また、第１図（ａ）及び（ｂ）に記載された平面図並びに第２図（ａ）及び（ｂ）に記載された回路図から、上記第２．４．（２）（２−２）に記載した事項に加え、次の事項が見て取れる。
　
ａ．基本セル内のトランジスタＱ１１〜Ｑ１４及びＱ１５〜Ｑ１８は、縦長で電極が縦方向に配置され、トランジスタＱ１１、Ｑ１３、Ｑ１５及びＱ１７は、上からベース、エミッタ、コレクタの各電極が配置され、トランジスタＱ１２、Ｑ１４、Ｑ１６及びＱ１８は、上からコレクタ、エミッタ、ベースの各電極が配置されている。
　そして、トランジスタＱ１１〜Ｑ１４及びＱ１５〜Ｑ１８は、各々互いに平行かつ隣接しており、横方向に２行、縦方向に２列に並べて配置されている。
　また、これらのトランジスタは、差動増幅回路に用いられている。
　
（３−３）以上を総合すると、引用例には次の発明（以下「引用発明２」という。）が記載されているものと認められる。
　
　「マスタスライス方式集積回路装置の内部論理回路領域にマトリクス状に配設された基本セルにおいて、
　前記基本セル内に、互いに平行かつ隣接しており、平行に横方向に２行、縦方向に２列に並べて配置され、縦長で電極が縦方向に配置され、差動増幅器に用いられるトランジスタＱ１１〜Ｑ１４及びＱ１５〜Ｑ１８であって、そのうちのトランジスタＱ１１、Ｑ１３、Ｑ１５及びＱ１７は、上からベース、エミッタ、コレクタの各電極が配置され、トランジスタＱ１２、Ｑ１４、Ｑ１６及びＱ１８は、上からコレクタ、エミッタ、ベースの各電極が配置されているトランジスタＱ１１〜Ｑ１４及びＱ１５〜Ｑ１８と、
　前記基本セル内に、互いに平行に横方向に４行、縦方向に２列に並べて配置され、横長で電極が横方向に配置されたエミッタフォロワに用いられるトランジスタＱ３１〜Ｑ３８であって、そのうちのトランジスタＱ３１〜Ｑ３４は、左からエミッタ、ベース、コレクタの各電極が配置され、トランジスタＱ３５〜Ｑ３８は、左からコレクタ、ベース、エミッタの各電極が配置されているトランジスタＱ３１〜Ｑ３８と、
　を備える基本セル。」
　
（４）本願発明と引用発明２との対比
（４−１）引用発明２の「基本セル」は、能動素子としてバイポーラトランジスタを含むものであるから、本願発明の「バイポーラ・セル」に相当する。
　また、引用発明２の「基本セル」内の素子が形成されている領域が、本願発明の「セル活性領域」に相当する。
　そして、引用発明２の「基本セル」は「マスタスライス方式集積回路装置の内部論理回路領域にマトリクス状に配設された」ものであるから、引用発明２の「基本セル」が、本願発明の「バイポーラ・セル」と同様に、「集積回路内で反復して形成されるセル活性領域」を備えていることは明らかである。
　
（４−２）引用発明２の「差動増幅器」は、本願発明の「第１機能」に相当する。
　また、引用発明２の「トランジスタＱ１１〜Ｑ１４及びＱ１５〜Ｑ１８」は、「前記基本セル内に、互いに平行かつ隣接しており、平行に横方向に２行、縦方向に２列に並べて配置され」たものであるから、「トランジスタＱ１１〜Ｑ１４及びＱ１５〜Ｑ１８」が各々アレイを構成していることは明らかである。
　したがって、引用発明２の「前記基本セル内に、互いに平行かつ隣接しており、平行に横方向に２行、縦方向に２列に並べて配置され、縦長で電極が縦方向に配置され、差動増幅器に用いられるトランジスタＱ１１〜Ｑ１４及びＱ１５〜Ｑ１８」は、各々本願発明の「前記セル活性領域内のバイポーラ・トランジスタの第１アレイであって、第１機能のために構成され」ているものに相当する。
　
（４−３）引用発明２の「トランジスタＱ１１〜Ｑ１４及びＱ１５〜Ｑ１８」が「前記基本セル内に、互いに平行かつ隣接しており、平行に横方向に２行、縦方向に２列に並べて配置され、縦長で電極が縦方向に配置され」ている構成は、本願発明の「前記第１アレイ内の前記バイポーラ・トランジスタは互いに平行かつ隣接して」いる構成に相当する。
　
（４−４）引用発明２の「そのうちのトランジスタＱ１１、Ｑ１３、Ｑ１５及びＱ１７は、上からベース、エミッタ、コレクタの各電極が配置され、トランジスタＱ１２、Ｑ１４、Ｑ１６及びＱ１８は、上からコレクタ、エミッタ、ベースの各電極が配置されている」構成と、本願発明の「前記第１アレイ内の前記バイポーラ・トランジスタの少なくとも１つはベース／エミッタ／スペース／コレクタ構成であり、かつ前記第１アレイ内の前記バイポーラ・トランジスタの少なくとも１つはコレクタ／スペース／エミッタ／ベース構成である」こととは、「『前記第１アレイ内の前記バイポーラ・トランジスタの少なくとも１つはベース／エミッタ／』『コレクタ』の順に電極が並んだ『構成であり、かつ前記第１アレイ内の前記バイポーラ・トランジスタの少なくとも１つはコレクタ／』『エミッタ／ベース』の順に電極が並んだ『構成である』」点で一致する。
　
（４−５）引用発明２の「前記基本セル内に、互いに平行に横方向に４行、縦方向に２列に並べて配置され、横長で電極が横方向に配置されたエミッタフォロワに用いられるトランジスタＱ３１〜Ｑ３８」は、本願発明の「前記セル活性領域内のバイポーラ・トランジスタの第２アレイ」に相当する。
　また、引用発明２の「エミッタフォロワ」は、本願発明の「前記第１機能とは異なる第２機能」に相当する。
　さらに、引用発明２の「トランジスタＱ３１〜Ｑ３８」は、「横長で電極が横方向に配置され」たものであるから、「トランジスタＱ１１〜Ｑ１４及びＱ１５〜Ｑ１８」と異なる方向を向いていることが明らかである。
　したがって、引用発明２の「前記基本セル内に、互いに平行に横方向に４行、縦方向に２列に並べて配置され、横長で電極が横方向に配置されたエミッタフォロワに用いられるトランジスタＱ３１〜Ｑ３８であって、そのうちのトランジスタＱ３１〜Ｑ３４は、左からエミッタ、ベース、コレクタの各電極が配置され、トランジスタＱ３５〜Ｑ３８は、左からコレクタ、ベース、エミッタの各電極が配置されているトランジスタＱ３１〜Ｑ３８」は、本願発明の「前記セル活性領域内のバイポーラ・トランジスタの第２アレイであって、前記第１機能とは異なる第２機能のために構成され、前記第２アレイ内の前記バイポーラ・トランジスタは互いに平行で、かつ前記第１アレイ内の前記バイポーラ・トランジスタとは異なる方角を向いている、第２アレイ」に相当する。
　
（４−６）以上を総合すると、本願発明と引用発明２とは、
　
　「セル活性領域と、
　前記セル活性領域内のバイポーラ・トランジスタの第１アレイであって、第１機能のために構成され、前記第１アレイ内の前記バイポーラ・トランジスタは互いに平行かつ隣接しており、前記第１アレイ内の前記バイポーラ・トランジスタの少なくとも１つはベース／エミッタ／コレクタの順に電極が並んだ構成であり、かつ前記第１アレイ内の前記バイポーラ・トランジスタの少なくとも１つはコレクタ／エミッタ／ベースの順に電極が並んだ構成である、第１アレイと、
　前記セル活性領域内のバイポーラ・トランジスタの第２アレイであって、前記第１機能とは異なる第２機能のために構成され、前記第２アレイ内の前記バイポーラ・トランジスタは互いに平行で、かつ前記第１アレイ内の前記バイポーラ・トランジスタとは異なる方角を向いている、第２アレイと、
　から成ることを特徴とするバイポーラ・セル。」
　
　である点で一致し、次の点で一応相違する。
　
（相違点４）
　本願発明は、「ベース／エミッタ／コレクタの順に電極が並んだ」「バイポーラ・トランジスタ」が「ベース／エミッタ／スペース／コレクタ構成」であり、「コレクタ／エミッタ／ベースの順に電極が並んだ」「バイポーラ・トランジスタ」が「コレクタ／スペース／エミッタ／ベース構成」である、すなわち、これらの「バイポーラ・トランジスタ」がコレクタ電極とエミッタ電極の間に「スペース」を有しているのに対して、引用発明２は、「トランジスタＱ３１〜Ｑ３８」がそのような「スペース」を有することが特定されていない点。
　
（５）相違点についての当審の判断
（５−１）引用発明２の「トランジスタＱ３１〜Ｑ３８」がコレクタ、ベース、エミッタの各電極間に各々何らかのスペースを有していることは自明であるから、相違点４は実際には存在しない。
　
（５−２）相違点４については以上のとおりであるが、仮に、本願発明の「スペース」が、他の電極間のスペースと比較して広いスペースを意味するものであり、本願発明と引用発明２との間に相違点４が存在したとしても、一般に、マスタスライス方式集積回路装置の基本セルにおいて、トランジスタの各電極端子間のスペースを均等とせず、コレクタと他の電極とのスペースを、他の電極間のスペースよりも広く取ることは、例えば、引用例の第１図（ａ）及び（ｂ）におけるトランジスタＱ２１及びＱ２２がそのような構成となっていることからも分かるように、当業者において従来から普通に行われてきていることである。
　一方、本願発明においては、「バイポーラセル」を用いて最終的にどのような機能を実現するのかということ、どのような回路構成とするのかということ、どのような配線レイアウトとするのかということ等が何ら特定されていないことを勘案すると、本願の明細書及び図面全体の記載を精査しても、本願発明において、「ベース／エミッタ／コレクタの順に電極が並んだ」「バイポーラ・トランジスタ」を「ベース／エミッタ／スペース／コレクタ構成」とし、「コレクタ／エミッタ／ベースの順に電極が並んだ」「バイポーラ・トランジスタ」を「コレクタ／スペース／エミッタ／ベース構成」とすること、すなわち、これらの「バイポーラ・トランジスタ」をコレクタ電極とエミッタ電極の間に「スペース」を有する構成とすることにより予測を超える顕著な効果が生じていることを当業者が認識できる記載は見いだせない。
　したがって、引用発明２において、「トランジスタＱ３１〜Ｑ３８」を、コレクタ電極とエミッタ電極の間に「スペース」を有する構成とすることは当業者が適宜なし得たことであるから、相違点４は、当業者が適宜なし得た範囲に含まれる程度のものである。
　
（６）補足的な検討のまとめ
　以上検討したとおりであるから、本願発明は、引用例に記載された発明（引用発明２）であり、また、仮に引用例に記載された発明であるとまではいえないものであったとしても、引用例に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　したがって、本願発明は、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができず、また、仮に、本願発明が特許法第２９条第１項第３号に該当するとまではいえなかったとしても、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
第４．むすび
　以上のとおりであるから、他の請求項について検討するまでもなく、本願は拒絶をすべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。