【事件の表示】
　特願２００６−１５９４９５「量子深井戸電界吸収型変調器」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年１２月２１日出願公開、特開２００６−３４３７５２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯 
　本願は、平成１８年６月８日（パリ条約による優先権主張２００５年６月８日、米国）の出願であって、拒絶理由の通知に応答して平成２３年５月２日に手続補正がされたが、同年５月１３日付けで拒絶査定がされ、これに対して同年９月２６日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに、これと同時に手続補正がされたものである。
 　 
第２　平成２３年９月２６日の手続補正について
１　本件補正の内容
　平成２３年９月２６日の手続補正（以下「本件補正」という。）は、特許請求の範囲についてする次のとおりのものである。 
補正前に 
「　【請求項１】
　基板と、
　前記基板上に形成されている複数の半導体層とからなり、
　前記複数の半導体層の１つが、第１の組成を有する第１の量子井戸領域及び第２の組成を有する第２の量子井戸領域からなり、
　前記第２の量子井戸領域が前記第１の量子井戸領域の中央に細い量子井戸として埋め込まれ、
　前記第２の組成が、前記第１の組成よりもインジウム及びヒ素の少なくとも一方をより多く含有する電界吸収型変調器。
　　【請求項２】
　前記半導体層の１つが引っ張り歪み層である請求項１記載の電界吸収型変調器。
　　【請求項３】
　前記引っ張り歪み層がGaAsPからなる請求項２記載の電界吸収型変調器。
　　【請求項４】
　前記第２の量子井戸領域が、インジウム、ガリウム、ヒ素を含む請求項１記載の電界吸収型変調器。
　　【請求項５】
　前記第２の量子井戸領域が、インジウム、ガリウム、窒素を含む請求項１記載の電界吸収型変調器。
　　【請求項６】
　前記第２の量子井戸領域が、インジウム、ガリウム、リンを含む請求項１記載の電界吸収型変調器。
　　【請求項７】
　前記第１の量子井戸領域がリンを含む請求項１記載の電界吸収型変調器。
　　【請求項８】
　前記第１の量子井戸領域がアンチモンを含む請求項１記載の電界吸収型変調器。
　　【請求項９】
　前記第２の量子井戸領域が、実質上前記第１の量子井戸領域の中央に埋め込まれている請求項１記載の電界吸収型変調器。
　　【請求項１０】
　前記第２の組成の第２のバンドギャップが、前記第１の組成の第１のバンドギャップよりも小さい値である請求項１記載の電界吸収型変調器。
　　【請求項１１】
　電界吸収型変調器を製造するための方法であって、
　基板を設け、
　前記基板上に複数の半導体層を形成し、該半導体層の１つが、第１の組成を有する第１の量子井戸領域からなり、
　前記第１の量子井戸領域の中央に細い量子井戸として第２の量子井戸領域を埋め込み、
該第２の量子井戸領域が第２の組成を有し、
　前記第２の組成が、前記第１の組成よりもインジウム及びヒ素の少なくとも一方をより多く含有することからなる方法。
　　【請求項１２】
　前記第２の組成の第２のバンドギャップが、前記第１の組成の第１のバンドギャップよりも小さい値である請求項１１記載の方法。
　　【請求項１３】
　前記第１の量子井戸領域がリンを含む請求項１１記載の方法。
　　【請求項１４】
　前記第２の量子井戸領域が、インジウム、ガリウム、ヒ素を含む請求項１１記載の方法。
　　【請求項１５】
　前記第２の量子井戸領域が、実質上前記第１の量子井戸領域の中央に埋め込まれている請求項１１記載の方法。
　　【請求項１６】
　前記第２の量子井戸領域が、インジウム、ガリウム、リンを含む請求項１１記載の方法。」（平成２３年５月２日の手続補正書参照。）
とあったものを、補正後に
「　【請求項１】
　基板と、
　前記基板上に形成されている複数の半導体層とからなり、
　前記複数の半導体層の１つが、第１の組成を有する第１の量子井戸領域及び第２の組成を有する第２の量子井戸領域からなり、
　前記第２の量子井戸領域が前記第１の量子井戸領域の中央に細い量子井戸として埋め込まれ、
　前記第２の組成が、前記第１の組成よりもインジウム及びヒ素の少なくとも一方をより多く含有する電界吸収型変調器。
　　【請求項２】
　前記半導体層の１つが引っ張り歪み層である請求項１記載の電界吸収型変調器。
　　【請求項３】
　前記引っ張り歪み層がGaAsPからなる請求項２記載の電界吸収型変調器。
　　【請求項４】
　前記第２の量子井戸領域が、インジウム、ガリウム、ヒ素を含む請求項１記載の電界吸収型変調器。
　　【請求項５】
　前記第２の量子井戸領域が、インジウム、ガリウム、窒素を含む請求項１記載の電界吸収型変調器。
　　【請求項６】
　前記第２の量子井戸領域が、インジウム、ガリウム、リンを含む請求項１記載の電界吸収型変調器。
　　【請求項７】
　前記第１の量子井戸領域がリンを含む請求項１記載の電界吸収型変調器。
　　【請求項８】
　前記第１の量子井戸領域がアンチモンを含む請求項１記載の電界吸収型変調器。
　　【請求項９】
　前記第２の組成の第２のバンドギャップが、前記第１の組成の第１のバンドギャップよりも小さい値である請求項１記載の電界吸収型変調器。
　　【請求項１０】
　電界吸収型変調器を製造するための方法であって、
　基板を設け、
　前記基板上に複数の半導体層を形成し、該半導体層の１つが、第１の組成を有する第１
の量子井戸領域からなり、
　前記第１の量子井戸領域の中央に細い量子井戸として第２の量子井戸領域を埋め込み、
該第２の量子井戸領域が第２の組成を有し、
　前記第２の組成が、前記第１の組成よりもインジウム及びヒ素の少なくとも一方をより多く含有することからなる方法。
　　【請求項１１】
　前記第２の組成の第２のバンドギャップが、前記第１の組成の第１のバンドギャップよりも小さい値である請求項１０記載の方法。
　　【請求項１２】
　前記第１の量子井戸領域がリンを含む請求項１０記載の方法。
　　【請求項１３】
　前記第２の量子井戸領域が、インジウム、ガリウム、ヒ素を含む請求項１０記載の方法。
　　【請求項１４】
　前記第２の量子井戸領域が、インジウム、ガリウム、リンを含む請求項１０記載の方法。」
とする。 
 　 
　本件補正は、 補正前の請求項９、１５を削除し、該削除にともない補正前の請求項１０ないし１４及び１６の項番を繰り上げて、それぞれ請求項９ないし１４としたものである。
　
２　本件補正の適否　
　本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第１号に掲げる請求項の削除を目的としたものと認められる。 
　また、本件補正は、願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内においてしたものと認められるから、同法第１７条の２第３項の規定に適合する。 
　
第３　本願の請求項１に係る発明について  
１　本願発明の認定 
　本件補正は上記のとおり適法であるので、本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、本件補正後の請求項１に記載された事項により特定される次のとおりのものと認める。
「基板と、
　前記基板上に形成されている複数の半導体層とからなり、
　前記複数の半導体層の１つが、第１の組成を有する第１の量子井戸領域及び第２の組成を有する第２の量子井戸領域からなり、
　前記第２の量子井戸領域が前記第１の量子井戸領域の中央に細い量子井戸として埋め込まれ、
　前記第２の組成が、前記第１の組成よりもインジウム及びヒ素の少なくとも一方をより多く含有する電界吸収型変調器。」
　　 　 
２　引用例の記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先日前に頒布された刊行物である米国特許第５２８６９８２号明細書（以下「引用例」という。）には、以下の（１）ないし（３）の記載が図とともにある。 
（１）　「1. A high contrast ratio optical modulator comprising:
an aluminum gallium arsenide first confinement layer;
a gallium arsenide active layer on a first surface of the first confinement layer;
an aluminum gallium arsenide second confinement layer on the active layer wherein a first   surface of the second confinement layer is in contact with the active layer; and
a transition layer within the active layer of the modulator wherein the transition layer forms aquantum well that substantially maintains alignment between an electron wave function and a hole wave function of the modulator for voltage values applied to the modulator that are less  than a predetermined value which facilitates absorbing light within the active layer thereby  blocking light from passing through the modulator, and wherein the transition layer facilitatesshifting the electron wave function and the hole wave function at voltage values applied to the modulator that are greater than the predetermined value thereby transmitting light through    the modulator.」（第７欄７ないし３０行）
訳「１．高コントラスト比の光変調素子であって：
アルミニウムガリウムヒ素の第１封止層；
前記第１封止層の第１面上のガリウムヒ素能動層；
前記能動層上のアルミニウムガリウムヒ素の第２封止層であって、この第２封止層の第１面は前記能動層と接触している第２封止層；及び
前記変調素子の前記能動層内の遷移層であって、この遷移層は、前記変調素子に印加される所定の値よりも小さい電圧値に対して、前記変調素子の電子波動関数と正孔波動関数との間の整合性を実質的に維持する量子井戸を形成し、これが前記能動層内の光の吸収を容易にし、光が変調素子内を通過することを遮断する遷移層であり、この遷移層は前記変調素子に印加される前記所定の値よりも大きい電圧値において前記電子波動関数及び前記正孔波動関数のシフトを促進し、前記変調素子において光を透過させる遷移層；
によって構成される高コントラスト比の光変調素子。」
　
（２）　「Another suitable material combination includes using indium phosphide (InP) for confinement layers 11 and 16, and indium gallium arsenide for active layers 12 and 14.  
Inserted between active layer 12 and active layer 14 is transition layer 13 which is a very thin layer of a material that has a smaller band gap than the band gap of active layers 12 and 14. For the two material combinations discussed above, transition layer 13 could be indium    arsenide (InAs) or indium antimonide (InSb) respectively. It should be noted that other   small band gap III-V semiconductor materials including, but not limited to, ternary         compounds such as indium arsenic antimonide (InAsSb) and indium gallium arsenide (InGaAs) are also applicable.」（第２欄４３ないし５６行）
訳「別の適切な材料の組み合わせとして、封止層１１、１６としてインジウムリン（ＩｎＰ）を利用し、能動層１２、１４としてインジウムガリウムヒ素を利用することが含まれる。能動層１２と能動層１４との間には遷移層１３が挿入され、この遷移層１３は能動層１２、１４のバンドギャップよりも小さいバンドギャップを有する材料の極めて薄い層である。上記の２つの材料の組み合わせでは、遷移層１３はそれぞれインジウムヒ素（ＩｎＡｓ）またはインジウムアンチモン（ＩｎＳｂ）でもよい。インジウムヒ素アンチモン（ＩｎＡｓＳｂ）やインジウムガリウムヒ素（ＩｎＧａＡｓ）などのＩＩＩ族化合物を含む他の狭バンドギャップのＩＩＩ−Ｖ族半導体材料も利用できるが、これらに限定されるものではないことに留意されたい。」
　
（３）　「Within quantum wells 28A and 28B, there are various quantized energy levels  that may be occupied by electrons. The lowest quantized energy level is the first to be occupied by an electron. Once a quantized energy level is occupied, the higher energy level of confinement layer energy levels 23A and 23B form a barrier that confines the electron within quantum wells 28A and 28B thereby confining the electron to transition layer 13 and active layers  12 and 14. 」（第４欄１２ないし２０行）
訳「量子井戸２８Ａ、２８Ｂ内では、電子によって占めることのできるさまざまな量子化されたエネルギーレベルが存在する。最低量子化エネルギーレベルは、電子によって占められる最初のレベルである。量子化エネルギーレベルが占められると、封止層のエネルギーレベル２３Ａ、２３Ｂのより高いエネルギーレベルが障壁を形成し、この障壁が電子を量子井戸２８Ａ、２８Ｂ内に閉じ込め、それにより電子を遷移層１３および能動層１２、１４に閉じ込める。」
　
３　引用発明の認定
（１）　上記「２　（１）」の光変調素子は、封止層がアルミニウムガリウムヒ素、能動層がガリウムヒ素であり、遷移層の材料は特定されていないが、上記（２）によれば、別の材料として、封止層にインジウムリン、能動層と遷移層にインジウムガリウムヒ素を利用できる。
　ただし、上記「２　（２）」に「この遷移層１３は能動層１２、１４のバンドギャップよりも小さいバンドギャップを有する材料の極めて薄い層である。」とあることから、遷移層の材料は、能動層のバンドギャップよりも小さいバンドギャップを有する材料である。
　
（２）　上記「２　（３）」には「この障壁が電子を量子井戸２８Ａ、２８Ｂ内に閉じ込め、それにより電子を遷移層１３および能動層１２、１４に閉じ込める。」とある。
　一方、引用例のＦＩＧ．２をみると、横軸における封止層１１、能動層１２、遷移層１３、能動層１４、封止層１６の各位置が、それぞれ、引用例の第３欄５９行で「electron energy diagram 24」（電子エネルギー図表２４）と呼ばれているグラフ２４における２３Ａ、２６Ａ、２８Ｂ、２６Ｂ、２３Ｂの各部分の位置に対応しており、量子井戸２８Ｂは遷移層１３に対応し、量子井戸２８Ａは、能動層１２、遷移層１３及び能動層１４に対応している。
　よって、上記「２　（１）」に「遷移層は、・・・量子井戸を形成し」とあって量子井戸であることが明記されている遷移層だけではなく、上記「２　（１）」の「『能動層内』に『遷移層』を有する『能動層』」も量子井戸である。
　
（３）　以上のことから、上記「２　（１）」ないし「２　（３）」の記載及びＦＩＧ．２を含む引用例には、次の発明（以下「引用発明」という。） が記載されていると認めることができる。
「高コントラスト比の光変調素子であって、
　インジウムリンの第１封止層、
　前記第１封止層の第１面上の量子井戸であるインジウムガリウムヒ素能動層、
　前記能動層上のインジウムリンの第２封止層であって、この第２封止層の第１面は前記能動層と接触している第２封止層、及び
　前記変調素子の前記能動層内の、前記能動層のバンドギャップよりも小さいバンドギャップを有する材料の極めて薄いインジウムガリウムヒ素の遷移層であって、この遷移層は、前記変調素子に印加される所定の値よりも小さい電圧値に対して、前記変調素子の電子波動関数と正孔波動関数との間の整合性を実質的に維持する量子井戸を形成し、これが前記能動層内の光の吸収を容易にし、光が変調素子内を通過することを遮断する遷移層であり、この遷移層は前記変調素子に印加される前記所定の値よりも大きい電圧値において前記電子波動関数及び前記正孔波動関数のシフトを促進し、前記変調素子において光を透過させる遷移層、
　によって構成される、高コントラスト比の光変調素子。」
　
４　対比
　引用発明と本願発明とを対比する。
　引用発明の「第１封止層、『層内』に『遷移層』がある能動層及び第２封止層」、「『層内』に『遷移層』がある能動層」、「量子井戸であるインジウムガリウムヒ素能動層」、「『量子井戸を形成し』ている『インジウムガリウムヒ素の遷移層』」、「『能動層内の、前記能動層のバンドギャップよりも小さいバンドギャップを有する材料の極めて薄い』『量子井戸を形成し』ている『遷移層』」及び「光変調素子」は、それぞれ、本願発明の「複数の半導体層」、「複数の半導体層の１つ」、「第１の組成を有する第１の量子井戸領域」、「第２の組成を有する第２の量子井戸領域」、「『第１の量子井戸領域の中央に細い量子井戸として埋め込まれ』た『第２の量子井戸領域』」及び「電界吸収型変調器」に相当する。
　
　してみると、本願発明と引用発明とは、以下の＜一致点＞で一致し、以下の＜相違点１＞及び＜相違点２＞で相違する。
＜一致点＞ 
「複数の半導体層とからなり、
　前記複数の半導体層の１つが、第１の組成を有する第１の量子井戸領域及び第２の組成を有する第２の量子井戸領域からなり、
　前記第２の量子井戸領域が前記第１の量子井戸領域の中央に細い量子井戸として埋め込まれた、
　電界吸収型変調器。」
　　
＜相違点１＞ 
　本願発明は、「基板」を備え、かつ「複数の半導体層」が「基板上に形成されている」と特定されているのに対して、引用発明は該特定を有しない点。
　
＜相違点２＞ 
　本願発明は、「第２の組成が、第１の組成よりもインジウム及びヒ素の少なくとも一方をより多く含有する」と特定されているのに対して、引用発明は、「第２の組成（インジウムガリウムヒ素の遷移層の組成）が、第１の組成（インジウムガリウムヒ素能動層の組成）よりもインジウム及びヒ素の少なくとも一方をより多く含有する」か否か不明であり、該特定を有しない点。
　
５　判断
　上記＜相違点１＞及び＜相違点２＞について検討する。
（１）　＜相違点１＞について
　複数の半導体層からなる光変調素子の製造において、基板上に複数の半導体層を形成することは周知である。例えば、原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開平１１−１４２７９９号公報及び特開昭６２−１６９１１５号公報の以下の記載参照。
ア　特開平１１−１４２７９９号公報の記載
「【００１３】
【発明の実施の形態】以下この発明の実施の形態を図を参照して説明する。図１は、この発明の実施の形態における光変調器の構成である。この光変調器の構成に関して説明すると、まず、ｎ−ＩｎＰからなる基板１０１上に、ｎ−ＩｎＰからなる下部クラッド層１０２が形成されている。また、その下部クラッド層１０２上には、ノンドープのＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＧａＡｓＰからなる多重量子井戸構造からなる光吸収層１０３が形成されている。そして、光吸収層１０３上に、ｐ−ＩｎＰからなる上部クラッド層１０４、及びｐ−ＩｎＧａＡｓからなるバッファ層１０５が順次積層されている。」
　
イ　特開昭６２−１６９１１５号公報の記載
「第７図（ａ）に本発明の第１の実施例を斜視図で示し、同図（ｂ）にこの実施例における多重量子井戸構造を拡大断面図で示す、この実施例は、分子線エピタキシー（MBE）法により製作したものである。この実施例の製作に当っては、まずSiドープｎ型GaAs基板71上に厚さ1.0μmのSiドープｎ型GaAsバッファー層72、厚さ2.0μmのSiドープｎ型Al0.4Ga0.6Asクラッド層73を積層する。次にAl組成比xを0から0.075まで連続的に変化させた厚さ45ÅのノンドープAlxGa1-xAs層741と、厚さ10ÅのノンドープGaAs742と、Al組成比xを0.075から0.15まで連続的に変化させた厚さ45ÅのノンドープAlxGa1-xAs層743の３つの層をこの順に積層してなり全体として厚さが100Åである量子井戸層74と、厚さ80ÅのノンドープAl0.4Ga0.6As障壁層75とを交互に30周期積層する。その上に厚さ2.0μmのBeドープｐ型Al0.4Ga0.6Asクラッド層76、厚さ0.5μmのBeドープｐ型GaAsコンタクト層77を成長して多層構造を製作した。」（３頁左下欄）
　
　よって、引用発明において、本願発明の＜相違点１＞に係る構成を備えることは、当業者が、周知技術に基づいて、容易に想到し得たことである。
　
（２）　＜相違点２＞について
　引用発明の「インジウムガリウムヒ素の遷移層」は、「インジウムガリウムヒ素能動層」のバンドギャップよりも小さいバンドギャップを有する材料からなる。
　一方、インジウムガリウムヒ素の半導体材料で、インジウムの濃度が高くなると、バンドギャップが小さくなることは技術常識である。例えば、原査定の備考で引用された米津宏雄著「光通信素子工学−発光・受光素子−」工学図書株式会社、２０００年５月２０日発行、第６版、Ｐ．７６の図２．２２からは、ＩｎＧａＡｓＰ系及びＩｎＧａＡｓ系の半導体材料においてインジウム又はヒ素の濃度が高くなると、バンドギャップが小さくなることが看取できる。
　してみると、引用発明において、「インジウムガリウムヒ素の遷移層」のバンドギャップを、「インジウムガリウムヒ素能動層」のバンドギャップよりも小さくする一つの手法として、「インジウムガリウムヒ素の遷移層」に、「インジウムガリウムヒ素能動層」よりもインジウムを多く含有させて、本願発明の＜相違点２＞に係る構成を備えることは、当業者が、技術常識に基づいて、容易に想到し得たことである。
　
（３）　まとめ
　上記「（１）　＜相違点１＞について」及び「（２）　＜相違点２＞について」のとおり、引用発明において、本願発明の＜相違点１＞及び＜相違点２＞に係る構成を備えることは、当業者が、周知技術及び技術常識に基づいて、容易に想到し得たことである。
　また、かかる構成を採用することによる効果は、当業者が予測し得る程度のものである。
  
（４）　請求人の主張について
　請求人は、平成２４年５月１８日の上申書の２頁１２ないし３０行の記載において、本願明細書の【００１０】及び【００１６】に記載された量子深井戸層は約１ｎｍの厚みであり、本願でいう「細い」は約１ｎｍの厚みであるのに対して、引用例記載の光変調素子の、ＩｎＡｓの遷移層を有する実施例は、遷移層の厚さがＩｎＡｓ分子相当の０．６０６ｎｍかそれ以下であるから、「ＩｎＧａＡｓＰ系及びＩｎＧａＡｓ系の半導体材料においてインジウム又はヒ素の濃度が高くなると、バンドギャップが小さくなること」が周知であっても、該遷移層の厚みを本願発明のように細くすることはできない旨を主張している。
　しかしながら、本願発明は、「第２の量子井戸領域」を「細い」とするのみであり、厚さ約１ｎｍとしていない。
　また、引用発明は、遷移層がインジウムガリウムヒ素であり、引用例に記載された遷移層がＩｎＡｓである実施例とは異なる。
　よって、上記主張は採用できない。
　
第４　むすび
　したがって、本願発明は、引用発明、周知技術及び技術常識に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。