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　特願２００６−３１４０５２「半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２０年　６月　５日出願公開、特開２００８−１３０７９９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
　
１　手続の経緯
　本願は、平成１８年１１月２１日の出願であって、平成２３年１１月１１日付けで手続補正がなされたが、平成２４年８月１４日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年９月１４日に拒絶査定不服審判請求がなされたものである。
　
２　本願発明
　本願の請求項に係る発明は、平成２３年１１月１１日付け手続補正後の特許請求の範囲の請求項１ないし１７に記載された事項により特定されるものであるところ、請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次のとおりのものである。
「導電性基板と、前記導電性基板上に形成された接着用金属層と、前記接着用金属層上に形成されたバリア層と、前記バリア層上に形成された反射層と、前記反射層上に形成されたオーミック電極層と、前記オーミック電極層上に形成された第２導電型半導体層と、前記第２導電型半導体層上に形成された発光層と、前記発光層上に形成された第１導電型半導体層と、を含み、
　前記第２導電型半導体層、前記発光層および前記第１導電型半導体層の外周が除去されており、
　前記外周の除去部分の少なくとも一部に絶縁膜が形成されており、
　前記絶縁膜は光取り出し用の開口部を有しており、
　前記絶縁膜の光取り出し用の開口部の面積が前記導電性基板の表面の面積の５０％以上９９％以下であって、
　前記第２導電型半導体層、前記発光層および前記第１導電型半導体層が窒化物半導体からなる、半導体発光素子。」
　
３　刊行物及び引用発明
（１）引用文献１
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願前に頒布された刊行物である、特開２００６−７３６１９号公報（以下「引用文献１」という。）には、以下の記載がある。
ア　「【請求項１】
導電性基板上に、第一のオーミック電極、第一の接着用金属層、第二の接着用金属層および第二のオーミック電極をこの順番で備え、該第二のオーミック電極上に窒化物系化合物半導体層を備える窒化物系化合物半導体発光素子であって、前記第二のオーミック電極の一表面が露出してい
【請求項２】
前記窒化物系化合物半導体は、少なくともＰ型層、発光層およびＮ型層からなる
窒化物系化合物半導体発光素子。
　
イ　「【００２７】（実施形態１）
　図１は、本発明の窒化物系化合物半導体発光素子の概略断面図である。図１において、本発明の窒化物系化合物半導体発光素子は、導電性基板１上に、少なくとも第一のオーミック電極、第一の接着用金属層２１、第二の接着用金属層３１および第二のオーミック電極３を含み、当該第二のオーミック電極３上に窒化物系化合物半導体層６０が形成されている。また、当該
窒化物系化合物半導体層
上には、
透明電極
が形成されている
【００２８】本発明において、上記窒化物系化合物半導体層は、図１に示すように、Ｐ型層４、発光層５およびＮ型層６をこの順に備える。このような半導体層の組成、層厚および物性等を調整することにより、所望の特性を有する発光を達成することができる。・・・
【００３７】次に、図３に示すように、
前記Ｐ型窒化物系化合物半導体層４上に、第二のオーミック電極３、反射金属層３２および第二の接着用金属３１を蒸着形成
【００３８】上記第二のオーミック電極３には、Ｐｄ材料を用いて、厚さ３ｎｍで形成することができる。また、反射金属層３２は、Ａｇ材料を用いて、厚さ１５０ｎｍで形成することができる。また、第二の接着用金属層３１は、ＡｕＳｎ材料を用い厚さ３μｍとしたものとＡｕ材料を用い厚さ１００ｎｍとしたものをこの順で形成したものを用いることができる。なお、上記
反射金属層３１と第二の接着用金属層３２との間には、
バリア層
を形成
　
ウ　「【００４２】次に、図７に示すように、Ｎ型層６上にレジスト１２を形成し、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）を用いて、Ｎ型層６側からＰ型層４まで完全に除去し、第二のオーミック電極３の一主面５０を露出させて溝を形成する。ここで、ＲＩＥで露出させた溝の幅Ｘは、１μｍ以上１００μｍ以下とすることが好ましい。１μｍ未満であると、露出させた溝の表面にチップ化するための溝を形成することが困難なため、チップ分割ができないおそれがあり、１００μｍを超えると、溝の幅を広く取りすぎるため、一枚のウェハからチップの取れ率が減少してしまう。より好ましくは、１０μｍ以上３０μｍ以下である。なお、実施形態１においては、５０μｍとしている。」
　
エ　上記アないしウによれば、引用文献１には次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「導電性基板上に、第一のオーミック電極、第一の接着用金属層、第二の接着用金属層および第二のオーミック電極をこの順番で備え、該第二のオーミック電極上に窒化物系化合物半導体層を備え、前記第二のオーミック電極の一表面が露出している窒化物系化合物半導体発光素子であって、
　前記窒化物系化合物半導体は、少なくともＰ型層、発光層およびＮ型層からなり、
　前記Ｐ型層（Ｐ型窒化物系化合物半導体層）上に、第二のオーミック電極、反射金属層および第二の接着用金属を蒸着形成し、
　前記反射金属層と第二の接着用金属層との間には、バリア層を形成し、
　前記窒化物系化合物半導体層上には、透明電極が形成されている窒化物系化合物半導体発光素子。」
　
（２）引用文献２
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願前に頒布された刊行物である、特開２０００−１０６４７３号公報（以下「引用文献２」という。）には、以下の記載がある。
「【００８７】最後に、図６に示すように、ｎ−ＧａＮ層５上の中央部の領域を除いてＧａＮ系半導体層１８の上面および側面ならびにオーミック電極１５ａの表面に、短絡防止用のＳｉＯ2膜１６を形成した後、ｎ−ＧａＮ層５上およびＳｉＯ2膜１６上に厚さ１００ÅのＴｉおよび厚さ２０００ÅのＡｌからなるｎ電極１７を形成する。」
　
（３）引用文献３
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願前に頒布された刊行物である、特開２００６−７３６１８号公報（以下「引用文献３」という。）には、以下の記載がある。
「【００１８】絶縁層１６は、ＳｉＯ２からなり、ＧａＮ系半導体層の側面を覆うように設けられてｎ外部電極１７およびｐ外部電極１８がＧａＮ系半導体層１００と短絡することを防止する。なお、ＳｉＯ２に代えてＳｉＮ等の他の絶縁性材料を用いることもできる。」
　
４　対比・判断
（１）本願発明と引用発明を対比する。
ア　引用発明の「導電性基板」、「『第一の接着用金属層』及び『第二の接着用金属層』」、「第二のオーミック電極」、「『Ｐ型層』及び『Ｐ型窒化物系化合物半導体層』」、「発光層」、「Ｎ型層」、「反射金属層」、「バリア層」及び「窒化物系化合物半導体発光素子」は、本願発明の「導電性基板」、「接着用金属層」、「オーミック電極層」、「第２導電型半導体層」、「発光層」、「第１導電型半導体層」、「反射層」、「バリア層」及び「半導体発光素子」にそれぞれ相当する。
　
イ　引用発明の「窒化物系化合物半導体発光素子」は、「導電性基板上に、第一のオーミック電極、第一の接着用金属層、第二の接着用金属層および第二のオーミック電極をこの順番で備え、該第二のオーミック電極上に窒化物系化合物半導体層を備え」るものであって、かつ、「前記窒化物系化合物半導体」は、「Ｐ型層、発光層およびＮ型層からな」り、さらに、「前記Ｐ型層（Ｐ型窒化物系化合物半導体層）上」に、「第二のオーミック電極、反射金属層および第二の接着用金属を蒸着形成」し、「反射金属層と第二の接着用金属層との間には、バリア層を形成」したものであるから、引用発明の「窒化物系化合物半導体発光素子」は、導電性基板上に、第一のオーミック電極、第一の接着用金属層、第二の接着用金属層、バリア層、反射金属層および第二のオーミック電極をこの順番で備え、該第二のオーミック電極上にＰ型層、発光層およびＮ型層からなる窒化物系化合物半導体層を備えるものであるといえる。
　そうすると、引用発明の「窒化物系化合物半導体発光素子」は、「導電性基板と、前記導電性基板上に形成された接着用金属層と、前記接着用金属層上に形成されたバリア層と、前記バリア層上に形成された反射層と、前記反射層上に形成されたオーミック電極層と、前記オーミック電極層上に形成された第２導電型半導体層と、前記第２導電型半導体層上に形成された発光層と、前記発光層上に形成された第１導電型半導体層と、を含み、前記第２導電型半導体層、前記発光層および前記第１導電型半導体層が窒化物半導体からなる」点で、本願発明の「半導体発光素子」と一致する。
　
ウ　引用発明の「窒化物系化合物半導体発光素子」の「第二のオーミック電極」は「一表面が露出してい」るものであるところ、上記３（１）ウによれば、「Ｎ型層６側からＰ型層４まで完全に除去し、第二のオーミック電極３の一主面５０を露出させて溝を形成する」ことにより「第二のオーミック電極」の「一表面が露出してい」るものとなるから、上記溝の形成に伴い、Ｐ型層、発光層およびＮ型層からなる窒化物系化合物半導体も除去されているといえる。
　また、上記３（１）ウによれば、上記溝は一枚のウェハからチップを取るためのチップ分割のための溝であるから、溝はチップを分割する箇所であるチップの外周に形成されるものであると認められる。
　そうすると、引用発明の「窒化物系化合物半導体発光素子」の「溝」は、チップの外周に設けられ、溝の形成に伴い、Ｐ型層、発光層およびＮ型層からなる窒化物系化合物半導体が除去されるから、引用発明の「窒化物系化合物半導体発光素子」は、本願発明の「半導体発光素子」において、「前記第２導電型半導体層、前記発光層および前記第１導電型半導体層の外周が除去されて」いるとの事項を備える。
　
以上によれば両者は、
「導電性基板と、前記導電性基板上に形成された接着用金属層と、前記接着用金属層上に形成されたバリア層と、前記バリア層上に形成された反射層と、前記反射層上に形成されたオーミック電極層と、前記オーミック電極層上に形成された第２導電型半導体層と、前記第２導電型半導体層上に形成された発光層と、前記発光層上に形成された第１導電型半導体層と、を含み、
　前記第２導電型半導体層、前記発光層および前記第１導電型半導体層の外周が除去されており、
　前記第２導電型半導体層、前記発光層および前記第１導電型半導体層が窒化物半導体からなる、半導体発光素子。」
である点で一致し、以下の点で相違する。
　
　本願発明では、「外周の除去部分の少なくとも一部に絶縁膜」が形成されており、「前記絶縁膜は光取り出し用の開口部を有しており、前記絶縁膜の光取り出し用の開口部の面積が前記導電性基板の表面の面積の５０％以上９９％以下であ」るのに対して、引用発明は、このような「絶縁膜」は備えていない点（以下「相違点」という。）で相違するものと認められる。
　
（２）判断
　上記相違点について検討する。
ア　引用発明の「窒化物系化合物半導体発光素子」は、上記（１）ウによれば、溝がチップの外周に設けられ、溝の形成に際して、Ｐ型層、発光層およびＮ型層からなる窒化物系化合物半導体が除去されるものであって、Ｐ型層、発光層およびＮ型層からなる窒化物系化合物半導体の側面は露出しているものであるところ、このような窒化物系化合物半導体の側面はｎ型半導体層とｐ型半導体層との間の短絡という課題があるため、絶縁膜の保護膜で保護して短絡を防止することは従来周知である（必要ならば、上記３（２）及び上記３（３）参照）。
　そして、窒化物系化合物半導体の側面を絶縁膜の保護膜で保護すれば、短絡を防止できるだけでなく、コンタミネイションから保護できることも当然予測できる効果である。
　さらに、絶縁膜の保護膜を窒化物系化合物半導体の上面にも設けることは引用文献２に記載されている（上記３（２）の「ｎ−ＧａＮ層５上の中央部の領域を除いてＧａＮ系半導体層１８の上面および側面ならびにオーミック電極１５ａの表面に、短絡防止用のＳｉＯ2膜１６を形成し」との記載参照）ことに照らして、引用発明において、「外周の除去部分の少なくとも一部に絶縁膜」を形成し、あわせてＮ型層からなる窒化物系化合物半導体の上面に「開口部を有」する絶縁膜の保護膜を設けることは、当業者が容易になし得たことである。
　
イ　ここで、引用発明において、どの方向が光の出射方向であるか引用文献１に明記されていないが、Ｐ型層側に反射金属層を設け、Ｎ型層側に透明電極を設けていることから、Ｎ型層側が光の出射方向であると認められる。
　そうすると、引用発明に、引用文献２の、ｎ−ＧａＮ層上の中央部の領域を除いてＧａＮ系半導体層の上面および側面に、短絡防止用のＳｉＯ2膜を形成する構成を適用して、光の出射を考慮してＳｉＯ2膜を形成することが除かれる「中央部の領域」の比率を適宜のものとなし、あわせて、Ｎ型層の上面に形成した保護膜が剥離することのないよう考慮することは、引用発明を実施するに際して当業者が考慮すべき設計的事項である。
　そして、本願の明細書の記載をみても、表面の面積の５０％以上９９％以下の範囲内とすることに格別の意義を見いだすことができない。
　また、本願発明の構成により得られる効果は、当業者が予測し得る程度のものである。
　したがって、引用発明において、Ｐ型層、発光層およびＮ型層からなる窒化物系化合物半導体の側面に上記従来周知の保護膜としての絶縁膜を適用し、また、Ｎ型層の上面に上記引用文献２に記載された保護膜としての絶縁膜を適用し、かつ、適宜の比率で中央部の領域を除いたものとなして、本願発明における上記相違点の構成とすることは、当業者が容易になし得たことである。
　
（３）請求人の主張について
　請求人は、平成２４年９月１４日付けの審判請求書において、
「Ａ１２．前記絶縁膜の光取り出し用の開口部の面積が前記導電性基板の表面の面積の５０％以上９９％以下であって、・・・・本願請求項１に係る発明におきましては、上記の構成要件Ａ１２のように、絶縁膜の光取り出し用の開口部の面積を導電性基板の表面の面積の５０％以上９９％以下とすることによって、発光層からの光の光取り出し効率を大きく向上させることができるとともに、絶縁膜が剥がれにくくなるという、引用文献１〜２１からは予期できない優れた効果を奏します（本願明細書の段落［００７７］等）。」と主張する。
　しかしながら、「絶縁膜の光取り出し用の開口部の面積」を設けるに際して、表面の面積の５０％以上９９％以下の範囲内とすることによる格別の意義を見いだすことができず、効果も当業者が予測し得る程度のものであることは、上記（２）イで検討したとおりである。
　
５　むすび
　以上の検討によれば、本願発明は、引用発明、引用文献２に記載の技術及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができないものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。