【事件の表示】
　特願２００８−５１２２５９「高効率の白色発光ダイオード」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年１１月３０日国際公開、ＷＯ２００６／１２７０３０、平成２０年１１月２０日国内公表、特表２００８−５４１４７７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯・本願発明
　本願は、平成１７年９月１５日（パリ条約による優先権主張２００５年５月２０日、アメリカ合衆国）を国際出願日とする出願であって、平成２２年８月２７日付け及び平成２３年５月２日付けで手続補正がなされたところ、同年５月２３日付けで前記平成２３年５月２日付け手続補正が却下されるとともに同日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年９月３０日に拒絶査定不服審判請求がなされると同時に手続補正がなされ、その後、当審において平成２４年８月６日付けで拒絶理由が通知され、同年１１月３０日付けで誤訳訂正書が提出されたものである。
　
　そして、本願の請求項に係る発明は、平成２４年１１月３０日付け誤訳訂正書提出後の明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜３１に記載された事項によって特定されるものと認められるところ、その請求項１に係る発明は次のものである。
　
「発光ダイオード、カプセル用材、およびヘッダと、
　２０ミリアンペアの駆動電流において、１ワット当たり少なくとも７５ルーメンの出力と
　を備えている発光ソリッドステートランプであって、
　該ダイオードは、該ダイオードを横切る電流の適用下で所望の周波数の光子を生成するためのＩＩＩ族の窒化物の活性部分を備え、さらに、少なくとも１つのｐ型のＩＩＩ族の窒化物層と、該ｐ型の層に対するオーミックコンタクトとを備え、該オーミックコンタクトは、約１〜１０Åの平均厚さを有し、
　該ヘッダは、反射カップを備え、該反射カップは、該ダイオードを支持し、該ダイオードおよび該活性部分に電気的接触を提供し、
　該カプセル用材は、蛍光体を含み、該カプセル用材は、複数の部分を備え、該蛍光体は、該蛍光体が該ダイオードによって発せられる周波数によって励起されるときに、応答周波数を生成するために該カプセル用材の該複数の部分のうちの少なくとも１つに存在し、該カプセル用材の第１の部分は、該反射カップを部分的に満たし、該ダイオードを覆い、該カプセル用材の第２の部分は、該第１の部分の上部において該蛍光体を備え、該反射カップの残りを完全に満たす、発光ソリッドステートランプ。」（以下「本願発明」という。）
　
　
２　引用刊行物の記載事項
（１）引用刊行物１、引用発明１
　当審において通知した拒絶の理由に引用した、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開２００４−９５９６９号公報（以下「引用刊行物１」という。）には、図とともに下記の事項が記載されている。
　
　ア　「【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、波長変換素子に関し、特に家庭用照明や灯体等の光源に使用される例えば白色ＬＥＤ等の波長変換素子に関するものである。」
　
　イ　「【００４６】
次に、上記波長変換素子１０及び従来の波長変換素子として、図５（Ａ）及び（Ｂ）に示す白色ＬＥＤ４１，４２を作製して、その色むらの発生を比較した。
各白色ＬＥＤ４１，４２としては、それぞれ銅製放熱材内に形成された底面１２ｃの直径１．５ｍｍ，深さ０．５ｍｍ，端面傾斜角４５度の凹陥部１２内に、チップ高さ２５０μｍの端面傾斜型窒化ガリウム系青色ＬＥＤチップ１３（発光波長４６０ｎｍ）をＡｕ／Ｓｎ共晶材料により固定した。ここで、このＬＥＤチップ１３は、ＳｉＣ基板上にｎ型ＧａＮ系層，ｐ型ＧａＮ系層を順次に成長させることにより形成されている。
ここで、ＬＥＤチップ１３は、ｐｎ接合部が凹陥部１２の底面１２ｃに接近するように配置され、ｐ型電極は凹陥部１２の底面１２ｃに対して共晶材料により電気的に接続され、またｎ型電極は、ボンディングワイヤにより引出し電極１１ａと電気的に接続され得るようになっている。
その後、ＬＥＤチップ１３の高さ付近まで、凹陥部１２内に透明シリコーン樹脂を充填して硬化させ、透明スペーサ層１４を形成した。
【００４７】
続いて、この透明スペーサ層１４の上に、ＬＥＤチップ１３からの青色励起光が入射したとき、補色である黄色光の蛍光を発生させるＣｅを添加したＹＡＧ系蛍光体を含有したシリコーン樹脂を用意する。
そして、白色ＬＥＤ４１については、上記シリコーン樹脂を凹陥部１２内に、塗布量を制御しながら、凹陥部１２の端面と中央部分との高さが０．２ｍｍになるように調整して充填し、硬化させることにより、凸状の波長変換層１５を形成した。
また、白色ＬＥＤ４２については、上記シリコーン樹脂を凹陥部１２内にて平坦になるように充填し、硬化させて、平坦な波長変換層１５’を形成した。
何れの白色ＬＥＤ４１，４２も、ＬＥＤチップ１３からの青色励起光と波長変換層１５，１５’からの黄色蛍光とが適宜の割合で混合されて、レンズ１６から白色光が照射されるようになっている。
最後に、銅製放熱材１１に対して、嵌め込み式レンズ１６を圧入して、白色ＬＥＤ４１，４２を作製した。
【００４８】
このようにして作製された本発明実施形態による波長変換素子としての白色ＬＥＤ４１と、従来の白色ＬＥＤ４２について、駆動して得られた白色光を比較したところ、どちらも色座標Ｘ＝０．３，Ｙ＝０．３であった。…」
　
　ウ　上記イ（【００４６】）に照らして図５（Ｂ）をみると、「（ＬＥＤチップ１３の高さ付近まで、凹陥部１２内に透明シリコーン樹脂を充填して硬化させて形成される）透明スペーサ層１４」は、「ＬＥＤチップ１３」を覆って形成されるものであることがみてとれる。
　
　上記の記載を総合すると、引用刊行物１には、次の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されていると認められる。
　
「銅製放熱材内に形成された底面１２ｃの直径１．５ｍｍ，深さ０．５ｍｍ，端面傾斜角４５度の凹陥部１２内に、チップ高さ２５０μｍの端面傾斜型窒化ガリウム系青色ＬＥＤチップ１３（発光波長４６０ｎｍ）をＡｕ／Ｓｎ共晶材料により固定し、
　その後、ＬＥＤチップ１３を覆って、凹陥部１２内に透明シリコン樹脂を充填して硬化させ、透明スペーサ層１４を形成し、
　続いて、この透明スペーサ層１４の上に、ＬＥＤチップ１３からの青色励起光が入射したとき、補色である黄色光の蛍光を発生させるＣｅを添加したＹＡＧ系蛍光体を含有したシリコーン樹脂を用意し、上記シリコーン樹脂を凹陥部１２内にて平坦になるように充填し、硬化させて、平坦な波長変換層１５’を形成し、
　最後に、銅製放熱材１１に対して、嵌め込み式レンズ１６を圧入した白色ＬＥＤ４２であって、
　ＬＥＤチップ１３は、ＳｉＣ基板上にｎ型ＧａＮ系層，ｐ型ＧａＮ系層を順次に成長させることにより形成されており、ＬＥＤチップ１３は、ｐｎ接合部が凹陥部１２の底面１２ｃに接近するように配置され、ｐ型電極は凹陥部１２の底面１２ｃに対して共晶材料により電気的に接続され、またｎ型電極は、ボンディングワイヤにより引出し電極１１ａと電気的に接続され得るようになっており、
　ＬＥＤチップ１３からの青色励起光と波長変換層１５，１５’からの黄色蛍光とが適宜の割合で混合されて、レンズ１６から白色光が照射されるようになっている、白色ＬＥＤ４２。」
　
（２）引用刊行物２、引用発明２
　当審において通知した拒絶の理由に引用した、本願の優先日前に頒布された刊行物である特表２００４−５２１４９４号公報（以下「引用刊行物２」という。）には、図とともに下記の事項が記載されている。
　
　ア　「【０００２】
［発明の分野］
本発明は、マイクロ電子デバイス及びその製造方法に関し、より詳細には、発光ダイオード（以下、「ＬＥＤ」とよぶ）及びその製造方法に関する。」
　
　イ　「【００２６】
図１は、本発明のいくつかの実施形態による発光ダイオードの断面図である。図１に示すように、これらの発光ダイオード１００は、第１及び第２の対向する面１１０ａ及び１１ｂ（審決注：「１１０ｂ」の誤りと認める。）を有し、所定の波長範囲の光放射に対して透明な炭化ケイ素の基板１１０を含む。ダイオード領域１７０は第２の面１１０ｂ上にあり、電圧がダイオード領域に対して、例えば、オーム接点１５０及び１６０に対して加えられると、所定の波長範囲の光放射に対して透明な炭化ケイ素の基板１１０内に所定の波長範囲の光を放射するように構成される。
【００２７】
さらに図１を参照すると、ダイオード領域１７０は、ｎ型層１２０と、活性領域１３０と、ｐ型層１４０とを含む。オーム接点１５０及び１６０は、ｐ型層１４０及びｎ型層１２０にそれぞれ設けられ、陽極及び陰極をそれぞれ形成する。ｎ型層１２０、活性領域１３０、及び／又はｐ型層１４０を含むダイオード領域１７０は、窒化ガリウムベースの半導体層から構成することが好ましい。これらの半導体層は、窒化インジウムガリウム、及び／又は、窒化アルミニウムインジウムガリウムなどの窒化ガリウムの合金を含む。…
【００２８】
活性領域１３０は、ｎ型若しくはｐ型の単一の層又は本質的な窒化ガリウムベースの材料、別のホモ構造（homostructure）、単一のヘテロ構造、二重ヘテロ構造、及び／又は、量子井戸構造から構成する。…さらに、この活性領域１３０は、１つ以上のクラッド層によって囲まれた光放射層を含む。ｎ型の窒化ガリウム層１２０がシリコンをドープした窒化ガリウムから成り、一方、ｐ型の窒化ガリウム層１４０がマグネシウムをドープした窒化ガリウムから構成することが好ましい。その上、活性領域１３０は、少なくとも１つの窒化インジウムガリウムの量子井戸を含むことが好ましい。
【００２９】
いくつかの実施形態では、ｐ型の窒化ガリウム層１４０用のオーム接点１５０は、プラチナ、ニッケル、及び／又は、チタン若しくは金を含む。別の実施形態では、例えば、アルミニウム及び／又は銀から構成する反射形オーム接点を使用する。ｎ型の窒化ガリウム１２０用のオーム接点１６０は、アルミニウム及び／又はチタンから構成することが好ましい。…」
　
　ウ　「【００４０】
ここで図２を参照すると、本発明の実施形態による発光ダイオードの別の実施形態が示されている。図２では、結合領域２２０及び２３０を用いて、ヒートシンクのような取付け支持体２１０の上にフリップチップ式にすなわち上下逆に取り付けられた発光ダイオード２００が示されている。これらの結合領域２２０及び２３０は、はんだのプリフォームを含む。はんだのプリフォームは、ダイオード領域及び／又は取付け支持体２１０に取り付けられ、従来のはんだリフロー技術を用いて、オーム接点１５０及び１６０を取付け支持体２１０に取り付けるために再流動することができる。別の結合領域２２０及び２３０は
、金、インジウム、及び／又は、真鍮から構成する。さらに図２に示すように、フリップチップすなわちアップサイドダウン式のパッケージング構成では、炭化ケイ素の基板１１０は取付け支持体２１０から離して上側に配置され、ダイオード領域１７０は取付け支持体２１０に隣接して下側に配置される。…」
　
　エ　「【００４６】
図４は、本発明の実施形態による他のＬＥＤを図示する。これらのＬＥＤ４００では、アノード接点は、薄い透明なオーム接点４１２及び反射材４１４を始めとする複数の層から成るオーム・反射領域４１０を含む。この薄い透明なオーム接点４１２は、プラチナを含み、好ましくは、光がかなり吸収されることを避けるためにできるだけ薄くする必要がある。薄い透明なオーム接点４１２の厚さは、プラチナの透明な電極４１２用に約１０Åと約１００Åとの間であることが好ましい。他の実施形態では、薄い透明なオーム接点４１
２は、約１０Åと約１００Åとの間の厚さを有する、ニッケル／金、酸化ニッケル／金、酸化ニッケル／プラチナ、チタン、及び／又は、チタン／金を含む。…」
　
　オ　上記イ、ウ、図１、図２を踏まえて、上記エ及び図４をみると、図４に示された「ＬＥＤ４００」は、「（所定の波長範囲の光放射に対して透明な）炭化ケイ素の基板１１０」の「面１１０ｂ」上に、「ｎ型の窒化ガリウム層１２０」、「（少なくとも１つの窒化インジウムガリウムの量子井戸を含む）活性領域１３０」、「ｐ型の窒化ガリウム層１４０」を積層した発光ダイオードを、「取付け支持体２１０」の上にフリップチップ式にすなわち上下逆に取り付けたものであること、がみてとれる。
　
　上記の記載を総合すると、引用刊行物２には、次の発明（以下「引用発明２」という。）が記載されていると認められる。
　
「所定の波長範囲の光放射に対して透明な炭化ケイ素の基板１１０の面１１０ｂ上に、ｎ型の窒化ガリウム層１２０、少なくとも１つの窒化インジウムガリウムの量子井戸を含む活性領域１３０、ｐ型の窒化ガリウム層１４０を積層した発光ダイオードを、取付け支持体２１０の上にフリップチップ式にすなわち上下逆に取り付けたＬＥＤ４００において、
　そのアノード接点は、薄い透明なオーム接点４１２及び反射材４１４を始めとする複数の層から成るオーム・反射領域４１０を含み、この薄い透明なオーム接点４１２は、プラチナを含み、好ましくは、光がかなり吸収されることを避けるためにできるだけ薄くする必要があり、薄い透明なオーム接点４１２の厚さは、プラチナの透明な電極４１２用に約１０Åと約１００Åとの間であることが好ましい、ＬＥＤ４００。」
　
　
３　対比
　本願発明と引用発明１を対比する。
　
（１）引用発明１の「（端面傾斜型窒化ガリウム系青色）ＬＥＤチップ１３」及び「（凹陥部１２を有する）銅製放熱材」は、それぞれ、本願発明の「発光ダイオード」及び「ヘッダ」に相当する。
　
（２）引用発明１は、「銅製放熱材内に形成された底面１２ｃの…凹陥部１２内に、…端面傾斜型窒化ガリウム系青色ＬＥＤチップ１３…をＡｕ／Ｓｎ共晶材料により固定」するものであって、「ＬＥＤチップ１３は、ＳｉＣ基板上にｎ型ＧａＮ系層，ｐ型ＧａＮ系層を順次に成長させることにより形成されており、ＬＥＤチップ１３は、ｐｎ接合部が凹陥部１２の底面１２ｃに接近するように配置され、ｐ型電極は凹陥部１２の底面１２ｃに対して共晶材料により電気的に接続され」るものであるから、
　ア　引用発明１の「ｐｎ接合部（『ｎ型ＧａＮ系層』と『ｐ型ＧａＮ系層』の境界部分）」、「ｐ型ＧａＮ系層」、「ｐ型電極」及び「（銅製放熱材内に形成された）凹陥部１２」は、それぞれ、本願発明の「（ダイオードをを横切る電流の適用下で所望の周波数の光子を生成するためのＩＩＩ族の窒化物の）活性部分」、「（少なくとも１つの）ｐ型のＩＩＩ族の窒化物層」、「（ｐ型の層に対する）オーミックコンタクト」及び「反射カップ」に相当し、
　イ　引用発明１は、本願発明の「該ダイオードは、該ダイオードを横切る電流の適用下で所望の周波数の光子を生成するためのＩＩＩ族の窒化物の活性部分を備え、さらに、少なくとも１つのｐ型のＩＩＩ族の窒化物層と、該ｐ型の層に対するオーミックコンタクトとを備え」との事項、及び、「該ヘッダは、反射カップを備え、該反射カップは、該ダイオードを支持し、該ダイオードおよび該活性部分に電気的接触を提供し」との事項を備える。
　
（３）引用発明１は、「（銅製放熱材の凹陥部１２内に固定された）ＬＥＤチップ１３を覆って、凹陥部１２内に透明シリコン樹脂を充填して硬化させ、透明スペーサ層１４を形成し、続いて、この透明スペーサ層１４の上に、ＬＥＤチップ１３からの青色励起光が入射したとき、補色である黄色光の蛍光を発生させるＣｅを添加したＹＡＧ系蛍光体を含有したシリコーン樹脂を用意し、上記シリコーン樹脂を凹陥部１２内にて平坦になるように充填し、硬化させて、平坦な波長変換層１５’を形成」するものであるから、
　ア　引用発明１の「『（銅製放熱材の凹陥部１２内に透明シリコン樹脂を充填して硬化させて形成する）透明スペーサ層１４』及び『（透明スペーサ層１４の上に形成され、ＬＥＤチップ１３からの青色励起光が入射したとき、補色である黄色光の蛍光を発生させるＣｅを添加したＹＡＧ系蛍光体を含有したシリコーン樹脂を凹陥部１２内にて平坦になるように充填し、硬化させた）平坦な波長変換層１５’』」は、本願発明の「（反射カップを部分的に満たし、該ダイオードを覆う第１の部分と、該第１の部分の上部において該蛍光体を備え、該反射カップの残りを完全に満たす第２の部分を備える）カプセル用材」に相当し、
　イ　引用発明１は、本願発明の「該カプセル用材は、蛍光体を含み、該カプセル用材は、複数の部分を備え、該蛍光体は、該蛍光体が該ダイオードによって発せられる周波数によって励起されるときに、応答周波数を生成するために該カプセル用材の該複数の部分のうちの少なくとも１つに存在し、該カプセル用材の第１の部分は、該反射カップを部分的に満たし、該ダイオードを覆い、該カプセル用材の第２の部分は、該第１の部分の上部において該蛍光体を備え、該反射カップの残りを完全に満たす」との事項を備える。
　
（４）引用発明１の「（「ＬＥＤチップ１３」、「『透明スペーサ層１４』及び『平坦な波長変換層１５’』」及び「銅製放熱材」を備える）白色ＬＥＤ」は、本願発明の「（発光ダイオード、カプセル用材、およびヘッダとを備えている）発光ソリッドステートランプ」に相当する。
　
　よって、本願発明と引用発明１とは、
「発光ダイオード、カプセル用材、およびヘッダと、
　を備えている発光ソリッドステートランプであって、
　該ダイオードは、該ダイオードを横切る電流の適用下で所望の周波数の光子を生成するためのＩＩＩ族の窒化物の活性部分を備え、さらに、少なくとも１つのｐ型のＩＩＩ族の窒化物層と、該ｐ型の層に対するオーミックコンタクトとを備え、
　該ヘッダは、反射カップを備え、該反射カップは、該ダイオードを支持し、該ダイオードおよび該活性部分に電気的接触を提供し、
　該カプセル用材は、蛍光体を含み、該カプセル用材は、複数の部分を備え、該蛍光体は、該蛍光体が該ダイオードによって発せられる周波数によって励起されるときに、応答周波数を生成するために該カプセル用材の該複数の部分のうちの少なくとも１つに存在し、該カプセル用材の第１の部分は、該反射カップを部分的に満たし、該ダイオードを覆い、該カプセル用材の第２の部分は、該第１の部分の上部において該蛍光体を備え、該反射カップの残りを完全に満たす、発光ソリッドステートランプ。」
の点で一致し、以下の点で相違するものと認められる。  
 　  
　本願発明は、オーミックコンタクトが、約１〜１０Åの平均厚さを有し、２０ミリアンペアの駆動電流において、１ワット当たり少なくとも７５ルーメンの出力を備えるのに対し、引用発明は、オーミックコンタクトの平均厚さが不明であり、また、２０ミリアンペアの駆動電流において、どの程度の出力を備えるのか明らかではない点（以下「相違点」という。）。
　
　
４　判断
　上記相違点につき検討する。
　上記２（２）によれば、引用刊行物２には、上記のとおりの引用発明２が記載され、「炭化ケイ素の基板１１０」の「面１１０ｂ」上に、「ｎ型の窒化ガリウム層１２０」、「窒化インジウムガリウムの量子井戸を含む活性領域１３０」、「ｐ型の窒化ガリウム層１４０」を積層した発光ダイオードを、「取付け支持体２１０」の上にフリップチップ式に取り付けた「ＬＥＤ４００」において、そのアノード接点の「薄い透明なオーム接点４１２」が光を吸収するのを避けるべく、該「薄い透明なオーム接点４１２」をできるだけ薄くすることが示されているから、引用発明１の「白色ＬＥＤ４２」において、その「ｐ型電極」が光を吸収するのを避けるべく、当該「ｐ型電極」の厚さをできるだけ薄くすることは当業者が容易になし得ることである。そして、その際、当該「ｐ型電極」の厚さを具体的にどの程度とするかは、当業者が必要に応じて適宜に定めるべき設計的事項であるところ、本願明細書の記載をみても、本願発明において、オーミックコンタクトの平均厚さを約１〜１０Åに設定した点に設計的事項の域を超えるほどの格別の技術的意義があるものとは認められない。
　また、白色発光半導体素子において、所定の駆動電流を印加した際に、得られる発光出力を極力大きくすべきことは、本願の優先日時点で周知の課題であったと認められるところ、「２０ｍＡ」の駆動電流において「８０ｍ／Ｗ」程度の発光出力を得る白色発光半導体素子が本願の優先日時点で知られていたことに照らせば（例えば、特開２００２−３６８２６７号公報（【００７３】、【００７５】）、特開２００２−２６１３２４号公報（【００３３】、【００５０】）参照）、上記の「白色ＬＥＤ４２」において、その具体的発光出力の値を、「２０ミリアンペアの駆動電流において、１ワット当たり少なくとも７５ルーメン」と定めることが、当業者において格別困難なことであったとは認められない。
　したがって、引用発明１において、上記相違点に係る本願発明の構成となすことは、当業者が適宜になし得ることである。
　
　よって、本願発明は、引用刊行物１、２に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　
５　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用刊行物１、２に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。