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　特願２００６−５０３５２５「エッチング・システム及びエッチング方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　９月１０日国際公開、ＷＯ２００４／０７７５０５、平成１８年　８月２４日国内公表、特表２００６−５１９４９７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
［１］手続の経緯、本願発明
　本願は、２００４年２月１２日（パリ条約による優先権主張　平成１５年２月２７日、米国）を国際出願日とする出願であって、その請求項１−１４に係る発明は、平成２３年１２月２８日付け手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１−１４に記載された事項により特定されるものと認められるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、次のとおりである。
　
 「ウェーハの表面をエッチングするエッチング・システムにおいて、
　予め設定された複数の位置において前記ウェーハの表面上の微細寸法テストフィーチャを測定する装置と、
　前記ウェーハを保持するチャックと、前記チャック内に配置される複数の発熱体と、を有し前記測定装置から前記ウェーハを受け取るエッチングチャンバであって、それぞれの前記発熱体は前記ウェーハ上の予め設定された位置のそれぞれに隣接して配置される、エッチングチャンバと、
　前記測定装置および前記複数の発熱体に接続された制御装置であって、前記ウェーハの表面のエッチング処理中に前記複数の発熱体それぞれの温度を調整して、測定された前記微細寸法テストフィーチャに基づく前記ウェーハ用のカスタム温度プロファイルを実現し、かつ予め設定された複数の位置の間のエッチングフィーチャのばらつきを低減する制御装置と、を備えることを特徴とするエッチング・システム。」
　
［２］引用刊行物の記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用された、本出願の優先日前に外国に於いて頒布された欧州特許出願公開第１０７９４２８号明細書（以下、「引用刊行物１」という。）には、以下の事項が記載されている。
（１ａ）「Ｉｎ　ｔｈｅ　ｍａｎｕｆａｃｔｕｒｉｎｇ　ｐｒｏｃｅｓｓ，ｔｈｅ　ｃａｌｃｕｒａｔｅｄ　ｓｈａｐｅ　ａｎｄ　ｓｃａｌｅ　ａｎｄ
ｐｏｓｉｔｉｏｎａｌ　ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎ　ｃａｎ　ｂｅ　ｕｓｅ−ｄ　ｆｏｒ　ａｄｊｕｓｔｉｎｇ　ａ　ｓｕｂｓｅｑｕｅｎｔ　ｅｔｃｈ
ｐｒｏｃｅｓｓ　ｔｏ　ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅ　ｆｏｒ　ａｎｙ　ｄｅｆｅｃｔｓ　ｉｎ　ｔｈｅ　ｐａｔｔｅｒｎｅｄ　ｆｅａｔｕｒｅ．　Ｆｏｒ
ｅｘａｍｐｌｅ，　ｗｈｅｎ　ｔｈｅ　Ｔ−ｔｏｐ　ｏｆ　ＦＩＧＳ．９
ａｎｄ　１４　ｉｓ　ｄｅｔｅｒｍｉｎｅｄ　ｔｏ　ｅｘｉｓｔ，　ｉｔ　ｉｓ　ｐｏｓｓｉｂｌｅ　ｔｏ　ｃｈａｎｇｅ　ｔｈｅ　ｓｕｂｓｅｑｕｅｎｔ　ｅｔｃｈ　ｐｒｏｃｅｓｓ　ｔｏ　ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅ　ｆｏｒ
ｔｈｉｓ　ｄｅｆｅｃｔ　ｉｎ　ｔｈｅ　ｐａｔｔｅｒｎｅｄ　ｆｅａｔｕｒｅ．　Ｎｏｔ　ｏｎｌｙ　ｄｏｅｓ　ｔｈｅ　ｉｎｖｅｎｔｉｏｎ　ｄｉｓｔｉｎｇｕｉｓｈ　ｓｃａｌｅ　ａｎｄ　ｓｈａｐｅ，ｂｕｔ　ｔｈｅ
ｐｒｅｓｅｎｔ　ｉｎｖｅｎｔｉｏｎ　ａｌｓｏ　ａｌｌｏｗｓ　ａ　ｐｏｓｉｔｉｏｎａｌ　ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎ　ｏｆ　ｓｃａｌｅ　ａｎｄｓｈａｐｅ　ｔｏ　ｂｅ　ｄｅｔｅｒｍｉｎｅｄ　ｂａｓｅｄ　ｕｐｏｎ　ｔｈｅ　ｓｃａｎｎｉｎｇ　ｓｔｅｐ．　Ｆｏｒ　ｅｘａｍｐｌｅ，　ｔｈｅ　ｅｄｇｅｓ　ｏｆ　ｔｈｅ　ｗａｆｅｒ　ｃｏｕｌｄ　ｂｅ　ｌａｒｇｅｒ　ｔｈａｎ　ｔｈｅ　ｃｅｎｔｅｒ　ｐｏｒｔｉｏｎ　ｏｆ　ｔｈｅ　ｗａｆｅｒ，　ｏｒ　ｔｈｅ　ｃｅｎｔｅｒ　ｐｏｒｔｉｏｎ　ｍａｙ　ｈａｖｅ　ａ　ｄｉｆｆｅｒｅｎｔ　ｓｈａｐｅ　ｔｈａｎ　ｔｈｅ　ｅｄｇｅｓ　ｏｒ　ａｎｙ　ｃｏｍｂｉｎａｔｉｏｎ．　Ｔｈｕｓ，　ｎｏｔ　ｏｎｌｙ　ｉｓ　ｔｈｅ　ｓｃａｌｅ　ａｎｄ　ｓｈａｐｅ　ｉｍｐｏｒｔａｎｔ，　ｂｕｔ　ｔｈｅ　ｐｏｓｉｔｉｏｎａｌ　ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎ　ｏｆ　ｔｈｅ　ｖａｒｉｏｕｓ　ｄｅｆｅｃｔｓ　ａｒｅ　ｉｍｐｏｒｔａｎｔ　ｆｏｒ　ａｄｊｕｓｔｉｎｇ　ｔｈｅ　ｅｔｃｈｉｎｇ　ｐｒｏｃｅｓｓ．　Ｆｏｒ　ｅｘａｍｐｌｅ，　１００　ｓｉｔｅｓ　ｏｎ　ａ　ｗａｆｅｒ　ｃｏｕｌｄ　ｂｅ　ｓｃａｎｎｅｄ　ｆｏｒｍｉｎｇ　ａ　ｍａｔｒｉｘ．　Ｔｈｅｓｅ　１００　ｐｏｉｎｔｓ　ａｒｅ　ｍｅａｓｕｒｅｄ　ｗｉｔｈ　ｔｈｅ　ｓｃａｌｅ　ａｎｄ　ｓｈａｐｅ　ａｎｄ　ｅａｃｈ　ｏｆ　ｔｈｅ　１００　ｐｏｉｎｔｓ　ｗｏｕｌｄ　ｈａｖｅ　ａ　ｓｐｅｃｉｆｉｃ　ｓｃａｌｅ　ａｎｄ　ｓｐｅｃｉｆｉｃ　ｓｈａｐｅ．Ｔｈｕｓ，　ｔｈｅ　ｅｔｃｈ　ｐｅｒｓｏｎｎｅｌ　ｗｏｕｌｄ　ｈａｖｅ　ｔｏ　ｋｎｏｗ　ｎｏｔ　ｏｎｌｙ　ｔｈｅ　ｓｃａｌｅ　ａｎｄ　ｓｈａｐｅ，　ｂｕｔ　ｔｈｅ　ｐｏｓｉｔｉｏｎａｌ　ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎ　ａｎｄ　ｔｈａｔ　ｉｎｆｏｒｍａｔｉｏｎ　ｗｏｕｌｄ　ｂｅ　ｕｓｅｄ　ｔｏ　ａｄｊｕｓｔ　ｔｈｅ　ｅｔｃｈｉｎｇ　ｐｒｏｃｅｓｓ　ｔｏ　ａｃｃｏｕｎｔ　ｆｏｒ　ｔｈｅ　ｓｃａｌｅ，　ｓｈａｐｅ　ａｎｄ　ｐｏｓｉｔｉｏｎａｌ　ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎ．
……Ｔｈｅ　ｓｃａｎｎｉｎｇ　ｅｌｅｃｔｒｏｎ　ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅｆｏｒｍｓ　ｍｕｌｔｉｐｌｅ　ｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔｓ　ａｎｄ　ｉｓｕｓｅｄ　ｆｏｒ　ｔｈｅ　ｃｏｍｐｕｔｅｒ　ｃａｌｃｕｌａｔｉｏｎ
ｏｆ　ｔｈｅ　ｓｈａｐｅ　ａｎｄ　ｓｉｚｅ　ｏｆ　ｔｈｅ　ｒｅｓｉｓｔ　ｏｒ　ｏｔｈｅｒ　ｆｅａｔｕｒｅｓ　ａｓ　ｎｏｔｅｄ　ｂｅｆｏｒｅ．　Ｔｈｉｓ　ｉｍｆｏｒｍａｔｉｏｎ　ｃａｎ　ｂｅ　ｆｅｄ　ｆｏｒｗａｒｄ　ｉｎ　ａ　ｓｕｂｓｅｑｕｅｎｔ　ｅｔｃｈ　ｓｔｅｐ，　ｗｈｅｒｅ　ｔｈｅ　ｉｎｆｏｒｍａｔｉｏｎ　ｉｓ　ｐｒｏｃｅｓｓｅｄ　ｔｏ　ｄｅｃｉｄｅ　ｏｎ　ｔｈｅ　ｍｏｓｔ　ａｐｐｒｏｐｒｉａｔｅ　ｍａｎｕｆａｃｔｕｒｉｎｇ　ｐｒｏｃｅｓｓ　ｔｏ　ｉｍｐｒｏｖｅ　ｓｈａｐｅ，　ｂｙ　ａｄｊｕｓｔｉｎｇ　ｄｉｆｆｅｒｅｎｔ　ｐａｒａｍｅｔｅｒｓ　ｓｕｃｈ　ａｓ　ｔｈｅ　ｐｒｅｓｓｕｒｅ，　ｇａｓ　ｍｉｘｔｕｒｅ　ａｎｄ　ｆｌｏｗ　ｒａｔｅｓ，　ｐｏｗｅｒ　ａｎｄ　ｍａｇｎｅｔｉｃ　ｆｉｅｌｄ，　ｆｏｒ　ｅｘａｍｐｌｅ，　ｉｎ　ａ　ｐｌａｓｍａ　ｅｔｃｈ　ｐｒｏｃｅｓｓ．　Ｔｈｕｓ，　ｃｅｒｔａｉｎ　ａｂｎｏｒｍａｌｉｔｉｅｓ　ａｎｄ　ｄｅｆｅｃｔｓ　ｐｒｅｓｅｎｔ　ａｆｔｅｒ　ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ　ｃａｎ　ｂｅ　ｃｏｒｒｅｃｔｅｄ　ｉｎ　ｔｈｅ　ｅｔｃｈ　ｐｒｏｃｅｓｓ，　ｉｍｐａｒｔｉｎｇ　ａ　ｍｏｒｅ　ｄｅｓｉｒａｂｌｅ　ｓｃａｌｅ　ａｎｄ　ｐｒｏｆｉｌｅ，　ｉ．ｅ．，ｓｈａｐｅ，ｔｏ　ｔｈｅ　ｆｉｎａｌ　ｐａｔｔｅｒｎｅｄ　ｆｅａｔｕｒｅ．」（第８頁第３９−５６行）
　
（以下、当審による翻訳。）
「製造プロセスにおいては、計算された形状、スケールおよび位置分布を用いて次のエッチング・プロセスを調整し、パターン・フィーチャの全ての欠陥を補償することができる。例えば、図９および図１４に示すようなＴ−トップの存在が確認された場合、パターン・フィーチャのその欠陥を補償するために、次のエッチング・プロセスを変更することができる。本発明は、スケールおよび形状を区別するだけでなく、走査ステップに基づいてスケールおよび形状の位置分布状態の判定を可能にしている。例えば、ウェハのエッジが、そのウェハの中心部分より大きくなることがあり、あるいは中心部分がエッジまたはいかなる組合せとも異なる形状になることがある。したがって、エッチング・プロセスを調整するためにはスケールおよび形状ばかりでなく、様々な欠陥の位置分布状態が重要である。例えば、ウェハ上の１００サイトを走査してマトリックスを作成することができる。これら１００ポイントのスケールおよび形状を測定し、それぞれに固有のスケールおよび固有の形状を持たせる。したがって、エッチング担当者は、スケールおよび形状だけはなく、位置分布状態を知る必要があり、その情報に基づいてエッチング・プロセスを調整し、スケール、形状および位置分布を補償することができる。
……走査電子顕微鏡は多重測定値を形成し、それを用いて、上記のようなレジストまたは他のフィーチャの形状およびサイズをコンピュータ計算する。この情報を次のエッチング工程に先送りし、エッチング工程でこの情報を処理し、例えばプラズマ・エッチング・プロセスにおける圧力、ガス混合物とその流量、電力と磁界など様々なパラメータを調整することによって、形状を改善するための最適製造プロセスが決定される。このように、リソグラフィ後に存在する異常および欠陥をエッチング・プロセスで修正し、より望ましいスケールおよびプロファイルすなわち形状を、最終パターン・フィーチャに付与することができる。」
　
　また、同じく、本出願の優先日前に日本国内において頒布された特開平１１−５４４８２号公報（以下、「引用刊行物２」という。）、特開平７−２０１８２２号公報（以下、「引用刊行物３」という。）には、それぞれ、以下の事項が記載されている。
・引用刊行物２（特開平１１−５４４８２号公報）
（２ａ）「【請求項１】　半導体ウエハを支持するワーク支持台が設けられた処理室内で前記半導体ウエハを処理する処理工程と、
前記処理工程の際に前記半導体ウエハの表面温度の分布を検出する温度検出工程と、
前記半導体ウエハの表面温度の分布に基づいて、前記処理工程の際に前記ワーク支持台を複数の領域毎に温度を制御する工程とを有し、
前記半導体ウエハの処理時にその表面温度を複数の領域毎に制御し得るようにしたことを特徴とする半導体装置の製造方法。」（第２頁第１欄第２−１２行）
　
（２ｂ）「このようなドライエッチング装置にあっては、ウエハの温度条件によってエッチレートおよびその均一性、下地やホトレジスト（マスク材料）との選択比、エッチプロファイルなどの特性が変化する。そのため、ウエハの大口径化、パターンの微細化が進むにつれ、エッチング処理におけるウエハ温度制御の重要性が増している。」（第２頁第２欄第３８−４４行）
　
（２ｃ）「（２）ワークを半導体ウエハとしてこれにドライエッチング処理を行う場合には、温度以外の要因に基づいてエッチ特性が半導体ウエハの位置によって相違しても、温度を下部電極の複数の領域についてそれぞれ独立して制御することによりエッチ特性を向上させることができる。
（３）ドライエッチング処理を行う場合に、ウエハ全体の温度分布のばらつきを抑制して、常に一定かつ均一なエッチ特性でエッチング処理することができる。」（第５頁第７欄第４６行−第８欄第８行）
　
・引用刊行物３（特開平７−２０１８２２号公報）
（３ａ）「【請求項１】　真空容器内に上下一対の電極を有し、この電極間に高周波電圧を印加して真空容器内の半導体基板をエッチングするドライエッチング装置において、前記一対の電極の少なくとも一方を複数のブロックに分割し、各ブロック毎に温度を独立して制御する温度制御部を備えることを特徴とするドライエッチング装置。」（第２頁第１欄第２−７行）
　
（３ｂ）「【発明の効果】……本発明は、上部電極および下部電極をブロック化し、各ブロック毎に温度制御を行えるようにしたので、エッチングの面内均一性を改善し、エッチング形状の面内差をなくすという効果を有する。」（第３頁第３欄第２３−２７行）
　
［３］引用刊行物１記載の発明
　上記記載事項によれば、引用刊行物１には、
「ウエハの表面をプラズマエッチングするシステムにおいて、
ウエハ表面上の１００ポイントのレジストの形状およびサイズを測定する走査電子顕微鏡と、
　前記走査電子顕微鏡から前記ウエハを受け取るプラズマエッチングチャンバと、
　測定された前記結果に基いて、プラズマエッチングプロセスにおける様々なパラメータを調整することによって、前記１００ポイントの間のエッチング形状のばらつきを低減する、エッチングシステム。」が記載されている。
　そして、プラズマエッチング装置では、ウエハを保持するチャックと、チャック内に配置された発熱体を有し、また、エッチングプロセスの調整は制御装置により行なわれるのが通常である。
　
　したがって、引用刊行物１には、　
「ウエハの表面をプラズマエッチングするシステムにおいて、
ウエハ表面上の１００ポイントのレジストの形状およびサイズを測定する走査電子顕微鏡と、
　前記ウエハを保持するチャックと、前記チャック内に配置された発熱体を有し、前記走査電子顕微鏡から前記ウエハを受け取るプラズマエッチングチャンバと、
　測定された前記結果に基いて、プラズマエッチングプロセスにおける様々なパラメータを調整することによって、前記１００ポイントの間のエッチング形状のばらつきを低減するエッチングプロセス制御装置と、を備えるエッチングシステム。」の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
［４］対比・判断
　本願発明と引用発明とを対比すると、引用発明における「ウエハ」は、本願発明における「ウェーハ」に相当する。
　また、本願発明における「微細寸法テストフィーチャ」とは、明細書中の「フォトリソグラフィ処理におけるばらつきは、エッチングパターンを定めるためにウェーハ表面上に置かれるフォトレジストマスクの非理想な寸法となる。」（【０００４】）、「測定装置は、複数の設定位置におけるウェーハのプロファイルに沿って微細寸法テストフィーチャ（ＣＤ）を測定する。……制御装置は、エッチング処理の前のリソグラフィ処理で生じるＣＤばらつきを補正するために」（【０００９】）との記載によれば、「レジスト」についての「微細寸法フィーチャ」を意味するものと解されるから、引用発明における「レジストの形状およびサイズ」に相当する。
　そして、引用発明における「ウエハ表面上の１００ポイント」とは、予めめその位置が設定される場合を含むことは明らかであるから、本願発明の「予め設定された複数の位置」に相当する。
　さらに、引用発明における「走査電子顕微鏡」、「測定された前記結果」は、本願発明における「装置」、「測定された前記微細寸法テストフィーチャ」に相当する。
　
　よって、両者は、
「ウェーハの表面をエッチングするエッチング・システムにおいて、
　予め設定された複数の位置において前記ウェーハの表面上の微細寸法テストフィーチャを測定する装置と、
　前記ウェーハを保持するチャックと、前記チャック内に配置された発熱体と、を有し前記測定装置から前記ウェーハを受け取るエッチングチャンバと、
　測定された前記微細寸法テストフィーチャに基づき、予め設定された複数の位置の間のエッチングフィーチャのばらつきを低減する制御装置と、を備えることを特徴とするエッチング・システム。」である点で一致し、以下の点で相違する。
　
（相違点）
　本願発明では、前記発熱体が「複数」あって、「それぞれの」「発熱体は前記ウェーハ上の予め設定された位置のそれぞれに隣接して配置され」、前記制御装置は「前記測定装置および前記複数の発熱体に接続され」、「前記ウェーハの表面のエッチング処理中に前記複数の発熱体それぞれの温度を調整して、測定された前記微細寸法テストフィーチャに基づく前記ウェーハ用のカスタム温度プロファイルを実現」するのに対し、引用発明では、それらについて明らかでない点。
　
　上記相違点について検討する。
　プラズマエッチング工程では、レジストの微細寸法（ＣＤ）シフトと基板温度との間に相関関係があることは周知の事項である（例えば、下記周知例１には、基板表面の温度に応じて、レジストがエッチングされてレジスト幅の減少が生じることが、また、同２には、逆に、基板表面の温度に応じて、形成される化合物等がレジスト側壁を覆うことによりレジスト幅の拡大が生じることが示されている。）。
・周知例１：特開平８−１８１１２６号公報
　「基板表面温度が、１００℃以上１５０℃以下の範囲では、マスクとして　レジストを用いることができるが、レジストの側壁がエッチングされて後　退するため０．１〜０．２μｍの寸法シフトが生じる。」（第６頁第９欄　第６−９行）
　
・周知例２：特表２００１−５２３８８８号公報
　「臨界寸法の成長は、エッチングされた材料、及び／又はエッチングされ　た材料とエッチングされるフィーチャの側壁上の処理ガスの化合物の堆積　、及びフォトレジストによる。上述したプロセスを使用して，半導体ウェ　ハ上のプラチナ層をエッチングすると仮定すると、エッチングにより、プ　ラチナ、及び／又はプラチナと塩素の化合物が、フィーチャとフォトレジ　ストの側壁表面に固着する。もし、フィーチャが低温なら、材料は側壁に　固着し易い。」（第１３頁第１３−１８行）
　
　よって、該周知事項を勘案すれば、ウエハ表面上の１００ポイントのレジストの形状およびサイズについての測定結果に基いて、１００ポイントの間のエッチング形状のばらつきを低減すべく、プラズマエッチングプロセスにおける様々なパラメータを調整する引用発明において、該パラメータとして基板温度も含まれることは、当業者が認識しうることである。
　とすると、前記１００ポイントの間のエッチング形状のばらつきを低減するために、上記引用刊行物２、３に記載されるような、複数の発熱体をウエハ支持台（「チャック」に相当）に設け、対応する領域毎に温度制御する手段を採用し、所望とするウエハ表面温度分布を得ること、すなわち、「前記ウェーハ用のカスタム温度プロファイルを実現」することに格別の困難性は認めらず、その際、「それぞれの」「発熱体は前記ウェーハ上の１００ポイント（予め設定された位置）のそれぞれに隣接して配置」するとともに、前記制御装置は「前記電子顕微鏡（測定装置）および前記複数の発熱体に接続され」るようにすることは、所望に応じ適宜なしえた設計的な事項にすぎない。
　そして、本願発明が、引用発明、引用刊行物２、３の記載事項および周知技術からは予想しえない格別の効果を奏するものとは認められない。
　よって、本願発明は、引用刊行物１−３記載の発明および周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
［５］むすび
　以上のとおりであるから、本願の請求項１に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、他の請求項について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。