【事件の表示】
　特願２００６−１５７２５３「配線構造の形成方法，配線構造およびデュアルダマシン構造」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年１２月２１日出願公開，特開２００６−３４４９６５〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯
　本願は，平成１８年６月６日（パリ条約による優先権主張２００５年６月６日，アメリカ合衆国）の出願であって，平成２２年４月２８日付けの拒絶理由通知に対して，同年８月６日に手続補正書及び意見書が提出されたが，同年１０月２８日付けで拒絶査定がされ，これに対し，平成２３年２月２３日に審判請求がなされたものである。
　
２　本願発明  
　本願の請求項６に係る発明は，平成２２年８月６日の手続補正書で補正された明細書，特許請求の範囲及び図面の記載からみて，その特許請求の範囲の請求項６に記載されたとおりのものと認められるところ，その請求項６に記載された発明（以下「本願発明」という。）は次のとおりである。 
　 
　「導電部材を有する基板と，
　前記基板上に存在し，少なくとも１つの応力調整層が内部に介在される複合低ｋ誘電体層と，
　前記複合低ｋ誘電体層に形成され，前記少なくとも１つの応力調整層を貫通して，前記導電部材を電気的に接続する導電機構と，から構成され，
　前記複合低ｋ誘電体層内の応力を調整する前記応力調整層は，酸素を含有する炭化シリコン（ＳｉａＣｂＯｃ）で構成され，前記ａは０．８〜１．２であり，前記ｂは０．８〜１．２であり，前記ｃは０を含まない０〜０．８であることを特徴とする配線構造。」　
　 
３　引用例に記載された発明 
（１）引用例に記載された発明 
　本願の優先権主張の日前に頒布され，原査定の根拠となった拒絶の理由において引用された刊行物である米国特許出願公開第２００５／０００１３２１号明細書（以下「引用例」という。）には，（当審訳：「
配線構造
　 
　ア　「［0020] Referring to FIG.2, 
a substrate 200 is provided, wherein the substrate 200 has a metal layer 210, such as a copper layer already formed therein.
a cap layer 220 made of material
is already formed over the substrate 200.
an organic low dielectric constant (low-k) material layer 230 is formed over the substrate.
［0021］Still referring to FIG.2, 
a stress redistribution layer 232 is formed on the organic low-k material layer 230. 
The stress redistribution layer 232 may be made of material, such as silicon nitride, Blok
TM
 
An organic low-k material layer 234 is then formed on the stress redistribution layer 232
 [0022] Referring to FIG.3, 
a via opening 240 and a trench 250 above the via opening 240,
are formed in the organic low-k material layer  234, the stress redistribution layer 232, and the organic low-k material layer 230. The via opening 240 penetrates a bottom layer of the organic low-k material layer 234, the stress redistribution layer 232, the organic low-k material layer 230, and the cap layer 220 to expose a part of the metal layer 210. The trench 250 is formed on a top layer of the organic low-k material layer  234. Next, a barrier layer 260 is formed over a surface of the via opening 240 and trench 250.
The via opening 240 and the trench 250 are filled with a metal, such as copper to form a via 270 and a conductive line 280. 
（当審訳：［００２０］　図２を参照すると，
銅層のような金属層２１０が形成されている基板２００がある
キャップ層２２０が基板２００上に形成され
有機低誘電率（ｌｏｗ−ｋ）材料の層２３０が基板上に形成される
［００２１］　引き続き図２を参照すると，
応力再分配層２３２は有機低誘電率材料層２３０上に形成され
応力再分配層２３２の材料は
主成分が炭化ケイ素（ＳｉＣ）のＢｌｏｋ（商標）
有機低誘電率材料層２３４は，応力再分配層２３２上に形成されている。
［００２２］　図３を参照すると，両者でデュアルダマシン開口部として知られている
ビア孔２４０とビア孔２４０上のトレンチ２５０は，有機低誘電率材料層２３４，応力再分配層２３２，及び有機低誘電率材料層２３０中に形成されている。ビア孔２４０は，有機低誘電率材料層２３４，応力再分配層２３２，有機低誘電率材料層２３０，キャップ層２２０の最下層を貫通し，金属層２１０の一部を露出させる
トレンチ２５０は，有機低誘電率材料層２３４の最上層に形成される。次に，バリア層２６０はビア孔２４０とトレンチ２５０の表面を覆って形成される
ビア孔２４０とトレンチ２５０には銅などの金属が充填され，ビア２７０と導線２８０を形成する
    
　イ　「［0028］Summarizing from the above,
 the organic low-k material layers 230 and 234 is separated by the stress redistribution layer 232
the stress resulted from the organic low-k material layers can be scattered
（当審訳：［００２８］以上まとめると，
有機低誘電率材料層230及び234は，応力再分配層232によって分離されており
有機低誘電率材料層に起因する応力は分散され得る
　
　ウ　
図３から，基板２００中に金属層２１０が形成され，その上にキャップ層２２０，有機低誘電率材料層２３０，応力再分配層２３２，有機低誘電率材料層２３４が順に積層され
有機低誘電率材料層２３４，応力再分配層２３２，有機低誘電率材料層２３０
を貫通し，金属層２１０に接続する
ビア２７０，導線２８０が設けられ
　  
　以上から，引用例には，以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。  
「銅層のような金属層２１０が形成されている基板２００と，
基板２００上に有機低誘電率材料層２３０，応力再分配層２３２，有機低誘電率材料層２３４と，
有機低誘電率材料層２３４，応力再分配層２３２，有機低誘電率材料層２３０，キャップ層２２０を貫通し，金属層２１０の一部に接続するビア２７０，導線２８０が設けられ，
　応力再分配層２３２の材料は，主成分が炭化ケイ素（ＳｉＣ）のＢｌｏｋ（商標）である配線構造」　　
　  
３　対比  
　引用発明の「金属層２１０」，「基板２００」，「応力再分配層２３２は，それぞれ本願発明の「導電部材」「基板」，「応力調整層」に相当し，
　引用発明の「応力再分配層２３２」は，「有機低誘電率材料層」２３０，２３４の間に形成されていることから，引用発明の「有機低誘電率材料層２３４」，「応力再分配層２３２」，「有機低誘電率材料層２３０」全体が本願発明の「少なくとも１つの応力調整層が内部に介在される複合低ｋ誘電体層」に相当し，
　引用発明の「ビア２７０」及び「導線２８０」は，「応力再分配層２３２」を貫通し，「金属層２１０」に接続しており，当該「金属層２１０」と電気的にも接続されていることはビア２７０と導線２８０が金属であることから明らかであるから，引用発明の「有機低誘電率材料層２３４，応力再分配層２３２，有機低誘電率材料層２３０，キャップ層２２０を貫通し，金属層２１０の一部に接続するビア２７０，導線２８０」が，本願発明の「複合低ｋ誘電体層に形成され，前記少なくとも１つの応力調整層を貫通して，前記導電部材を電気的に接続する導電機構」に相当する。
　また，引用発明の応力再分配層２３２の材料である「Ｂｌｏｋ（商標）」と，本願発明の応力調整層の材料である「酸素を含有する炭化シリコン（ＳｉａＣｂＯｃ）で構成され，前記ａは０．８〜１．２であり，前記ｂは０．８〜１．２であり，前記ｃは０を含まない０〜０．８である」とは，珪素と炭素を含む組成物である点で共通する。
　
　したがって，本願発明と，引用発明とを対比すると，両者は，  
「導電部材を有する基板と，
　前記基板上に存在し，少なくとも１つの応力調整層が内部に介在される複合低ｋ誘電体層と，
　前記複合低ｋ誘電体層に形成され，前記少なくとも１つの応力調整層を貫通して，前記導電部材を電気的に接続する導電機構と，から構成され，
　前記複合低ｋ誘電体層内の応力を調整する前記応力調整層は，珪素と炭素を含む組成物であることを特徴とする配線構造。」  
　である点で一致し，以下の点で相違する。  
　  
（相違点）  
　本願発明は，応力調整層の材料は，「酸素を含有する炭化シリコン（ＳｉａＣｂＯｃ）で構成され，前記ａは０．８〜１．２であり，前記ｂは０．８〜１．２であり，前記ｃは０を含まない０〜０．８」であるのに対して，引用発明では，「主成分が炭化ケイ素（ＳｉＣ）のＢｌｏｋ（商標）」である点。  
　  
４　判断  
（１）相違点について  
　Ｂｌｏｋ（商標）が，有機珪素を用いてＰＥＣＶＤ法により形成されたＳｉＣ膜（プロセス上，不可避の元素を含む）であることは，以下の周知例にもあるように当該技術分野において，周知である。
　そして，引用発明の応力調整層の材料を，本願発明にならって組成式で表すとＳｉａＣｂＯｃ（ａ≒１，ｂ≒１，ｃ：不可避に混在する程度の微量）に該当することが分かる。
　まずＯの組成比ｃについて検討する。Ｏの組成比についは，引用発明はｃ不可避に混在する程度の微量であるが，本願発明も，ｃ＝０に限りなく近いもの，すなわち不可避的に含まれるような微量の場合も含まれていることは明らかであるから，本願発明と引用発明との間に，ｃについての実質的な相違は存在しない。
　次にＳｉ，Ｃの組成比ａ及びｂについて検討する。引用発明のａ，ｂはほぼ１であるから，引用発明において，ａ，ｂの組成比を，ａ＝０．８〜１．２，ｂ＝０．８〜１．２の範囲とすること自体は，当業者にとって困難ではないことが明らかである。一方，本願明細書を見ても，応力調整層の組成比を「ａ＝０．８〜１．２，ｂ＝０．８〜１．２」としたことによる効果も記載されておらず，応力調整層の組成比を「ａ＝０．８〜１．２，ｂ＝０．８〜１．２」としたことによる臨界的意義は認められない。
　したがって，応力調整層の材料の組成比ａ及びｂについてａは０．８〜１．２，ｂは０．８〜１．２とすることは当業者が容易になし得たことである。
　以上から，引用発明において，応力調整層の材料を，周知技術を勘案し，本願発明のように「酸素を含有する炭化シリコン（ＳｉａＣｂＯｃ）で構成され，前記ａは０．８〜１．２であり，前記ｂは０．８〜１．２であり，前記ｃは０を含まない０〜０．８」とすることは当業者が容易に想到し得たといえる。
　
　ア　周知例： Ping Xu et al., BLOκTM-a low-κ dielectric barrier/etch stop film for copper damascene applications,Interconnect Technology, 1999. IEEE International Conference , アメリカ合衆国，1999年，109 - 111ページ 
　
　（ア）　「
This film is amorphous and composed of silicon, carbon and hydrogen (a-SiC:H).
（当審訳：
このフィルムは，非晶質で，シリコン，炭素と水素で構成されている（α-ＳｉＣ：Ｈ）
　  
　（イ）　「The basic properties of silicon carbide suggest good utility in damascene processes. 
But the carbide film deposited with SiH
4
, and CH
4
, (which we will refer to as conventional SiC:H in this paper) has high dielectric constant, high leakage current and low breakdown strength.
In this paper, we report the results of our development of BLOK, a low-κ barrier/etch stop film based on the PECVD of Dow Corning(R）organosilicon gas.
（当審訳：炭化ケイ素の基本的な性質から，ダマシンプロセスにおいて有用であることが示唆されている。しかし，
ＳｉＨ
４
とＣＨ
４
で成膜される炭化物皮膜（本稿では，従来のＳｉＣ：Ｈという。）は，誘電率が高く，リーク電流が高く，破壊強度が低いものである。
本稿では，ダウコーニング(Ｒ)社製の有機ケイ素ガスを用いたＰＥＣＶＤによる低誘電率バリア/エッチング停止膜であるＢＬＯＫの開発の成果報告を行う。
　  
（２）　判断についてのまとめ  
　以上検討したとおり，本願発明は，引用発明に基づき，当該技術分野における周知の技術を勘案することにより，当業者が容易に発明をすることができたものである。  
　したがって，本願発明は特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない。 
　  
 ５　むすび  
　以上のとおり，本願の請求項６に係る発明は特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから，他の請求項に係る発明について検討するまでもなく，本願は拒絶をすべきものである。  
　  
　よって，結論のとおり審決する。