【事件の表示】
　特願２００６−５０６３５８「大型光超格子導波路を有する高出力半導体レーザー」拒絶査定不服審判事件〔平成１６年　９月３０日国際公開、ＷＯ２００４／０８４３６６、平成１８年　９月１４日国内公表、特表２００６−５２１０１２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯
　本願は、平成１６年３月１０日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００３年３月１９日、英国）を国際出願日とする特許出願であって、平成２２年７月１５日付けで拒絶理由が通知され、平成２３年１月１９日に特許請求の範囲の補正がなされたが、同年１２月２１日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、平成２４年５月１０日に拒絶査定不服審判の請求がなされると同時に特許請求の範囲の補正がなされたものである。（以下、この平成２４年５月１０日になされた補正を「本件補正」という。）
　
２　本件補正についての却下の決定
（１）結論
　 本件補正を却下する。
　
（２）理由
　ア　補正の内容
（ア）本件補正は、特許請求の範囲の請求項１及び３につき、補正前の
「【請求項１】
所定の波長のレーザー光線を発生させるための高出力半導体レーザーにおいて、前記レーザーが、
利得領域および出口平面へ向かって先細ることがない導波路を備える活性領域と、
その１つにおいて単一の大型光超格子構造（ＬＯＳＬ）を有する、１つまたは複数のクラッド層とを備え、
前記超格子構造が、それぞれの屈折率の異なる複数の少なくとも２つの交互に積み重ねられた超格子層であるか、または、それぞれの屈折率の異なる複数の少なくとも２つの交互に積み重ねられた超格子層を備え、前記各層が前記活性領域における電子のドブロイ波長より大きな厚さを有し、
前記交互に積層された層の異なる屈折率は、前記各層の材料組成および／またはドープレベルが、隣接する層の材料組成および／またはドープレベルと異なることによってもたらされ、
前記異なる屈折率により、前記超格子構造にわたる全体の屈折率の所定の分布がもたらされる、レーザー。」及び
「【請求項３】
前記異なる屈折率が、前記超格子層の異なる寸法によってもたらされる、請求項１に記載のレーザー。」
をそれぞれ、
「【請求項１】
1100ｎｍ以上
前記レーザーが、
利得領域および
出口面へ向かって先細りしない
その１つ
に単一の
前記超格子構造が、それぞれの屈折率の
異なる少なくとも
前記超格子層を備え、前記各超格子層が
前記超格子層の少なくとも１つには、IｎＰベースの化合物又はIｎＰが使用され、
前記交互に
積み重ねられた
寸法及び／又はドープレベルが隣接する層の寸法及び／又はドープレベルと異なることによって生じ、
前記異なる屈折率により、前記超格子構造
全体にわたる屈折率の所定分布が得られる、
「【請求項３】
前記異なる屈折率が、前記超格子層の異なる
材料組成
に補正する内容を含むものである（下線は、審決で付した。）。
　
（イ）上記（ア）の補正は、補正前の請求項１に係る「前記交互に積層された層の異なる屈折率は、前記各層の材料組成および／またはドープレベルが、隣接する層の材料組成および／またはドープレベルと異なることによってもたらされ、」を「前記交互に積み重ねられた超格子層の異なる屈折率は、前記各層の寸法及び／又はドープレベルが隣接する層の寸法及び／又はドープレベルと異なることによって生じ、」に変更するものである。
（ウ）また、上記（ア）の補正は、補正前の請求項３に係る「寸法」を「材料組成」に変更するものである。
　
　イ　補正の適否についての判断
（ア）上記ア（イ）で指摘した変更点は、「材料組成および／またはドープレベル」を「寸法及び／又はドープレベル」とするものであるから、「材料組成」を「寸法」に変更するものであって、本件補正前の請求項１に記載した発明特定事項を限定するものとはいえない。
（イ）また、上記ア（ウ）で指摘した変更点は、「寸法」を「材料組成」に変更するものであるから、本件補正前の請求項３に記載した発明特定事項を限定するものとはいえない。
（ウ）よって、上記ア（ア）の補正内容は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法（以下「平成１８年改正前特許法」という。）第１７条の２第４項第２号に掲げる事項を目的とするものとはいえない。また、同補正内容が、同条第４項第１号、第３号または第４号に掲げる事項を目的とするものともいえない。
　
　ウ　補正却下の決定の理由のむすび
　したがって、上記ア（ア）の補正内容を含む本件補正は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第４項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
３　本願発明について
（１）本願発明
　上記のとおり、本件補正が却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成２３年１月１９日に補正された特許請求の範囲の請求項１ないし請求項２５に記載された事項によってそれぞれ特定されるものであるところ、請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、上記２（２）ア（ア）に補正前の請求項１として示したとおりのものである。
　
（２）刊行物の記載内容
　ア　刊行物の記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願優先日前に頒布された刊行物である　IEEE JOURNAL OF SELECTED TOPICS IN QUANTUM ELECTRONICS,VOL. 6, NO. 4, JULY/AUGUST 2000,pp.571-575（以下「引用刊行物」という。）には、以下の記載がある（訳文を付した。）。
　　
（ア）「THE efficient coupling of laser radiation from a semiconductor diode to single-mode or multimode fiber is critical in the performance/cost ratio in applications from pump laser diodes for optical amplifiers to industrial and medical optical power delivery systems.」
（５７１頁左欄１５行〜１９行。訳文：半導体ダイオードからシングルモードファイバあるいはマルチモードファイバへのレーザ放射の効果的な結合は、工業及び医療用光パワー供給システムの光増幅器にポンプレーザダイオードを適用するにあたって、コストパフォーマンスの点で重要である。）
　
（イ）「A schematic of our layer design using two quantum wells and optical mode control layers is shown in Fig.1 along with a reference conventional SQW-SCH waveguide structure for a 980-nm laser. The mode control layers are arranged symmetrically about the core. The cladding is composed of Al0.4Ga0.6As with Al0.3Ga0.7As mode control layers with thicknesses of 20,80, and 100 nm spaced 300,520,and 900 nm from the 44-nm-thick waveguide core.」（５７２頁左欄１７行〜２４行。訳文：２つの量子井戸と光モードコントロール層を用いる我々のレーザ設計がＦｉｇ．１に模式的に示されている。参考のために９８０ｎｍレーザの従来型のＳＱＷ−ＳＣＨ導波構造も示されている。前記モードコントロール層は、コアに関して対称に配置されている。そのクラッドは、厚さがそれぞれ２０、８０及び１００ｎｍのＡｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓモードコントロール層を、４４ｎｍ厚さの前記導波コアからそれぞれ、３００、５２０及び９００ｎｍの位置に有するＡｌ０．４Ｇａ０．６Ａｓで構成されている。）
　
（ウ）「A 980-nm wafer with an active region of two strained InGaAs quantum wells with GaAs barriers and mode control layers according to the structure in Fig.1 was grown by MOVPE.」（５７４頁右欄４行〜６行。訳文：ＧａＡｓバリア層を伴う２つの歪みＩｎＧａＡｓ量子井戸層の活性領域とモードコントロール層を有するＦｉｇ．１の構造に従う９８０ｎｍウエーハがＭＯＶＰＥによって成長された。）
　
（エ）「Improvements in the performance of the device could be achieved  （中略） by using asymmetric structure to further reduce the wave guide losses by reducing the free carrier absorption in p-doped laysers.」（５７５頁右欄１１行〜１５行。訳文：ｐドープ層におけるフリーキャリア吸収の減少によるさらなる導波ロスの減少のために非対称構造を採用することによって、（中略）デバイスのパフォーマンスの改良が達成されるであろう。）
　
（オ）Ｆｉｇ．１は次のものである。
　
　イ　引用発明
　上記（イ）、（ウ）及び（オ）によれば、引用刊行物には、「ＧａＡｓバリア層中に２つのＩｎＧａＡｓ井戸層を有する厚さ４４ｎｍの導波コアでなる活性領域と、この活性領域の両側に、順に厚さ３００ｎｍのＡｌ０．４Ｇａ０．６Ａｓ層、厚さ２０ｎｍのＡｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓ層、厚さ２００ｎｍのＡｌ０．４Ｇａ０．６Ａｓ層、厚さ８０ｎｍのＡｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓ層、厚さ３００ｎｍのＡｌ０．４Ｇａ０．６Ａｓ層、厚さ１００ｎｍのＡｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓ層及び厚さ１６００ｎｍのＡｌ０．４Ｇａ０．６Ａｓ層を備える９８０ｎｍ半導体レーザ。」（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
（３）対比・判断
　本願発明と引用発明を対比する。
　
　ア　引用発明の「半導体レーザ」は、上記（２）ア（ア）に記載されるように、光を増幅するためのポンプレーザとして使用される９８０ｎｍ半導体レーザであるから、本願発明と同様の「所定の波長のレーザー光線を発生させるための高出力半導体レーザー」といえる。
　
　イ　引用発明の「ＩｎＧａＡｓ井戸層」、「導波コア」及び「活性領域」が本願発明の「利得領域」、「導波路」及び「活性領域」にそれぞれ相当するところであり、また、引用発明の導波コアは、出口平面へ向かって先細るようなものではないから、本願発明と引用発明は、「利得領域および出口平面へ向かって先細ることがない導波路を備える活性領域」を備えるものである点で一致する。
　
　ウ　引用発明の「厚さ３００ｎｍのＡｌ０．４Ｇａ０．６Ａｓ層、厚さ２０ｎｍのＡｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓ層、厚さ２００ｎｍのＡｌ０．４Ｇａ０．６Ａｓ層、厚さ８０ｎｍのＡｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓ層、厚さ３００ｎｍのＡｌ０．４Ｇａ０．６Ａｓ層、厚さ１００ｎｍのＡｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓ層及び厚さ１６００ｎｍのＡｌ０．４Ｇａ０．６Ａｓ層」は、導波コアの両側のそれぞれの側において「単一の大型光超格子構造（ＬＯＳＬ）」を形成している「クラッド層」であると認められ、本願発明と引用発明は、「その１つにおいて単一の大型光超格子構造（ＬＯＳＬ）を有する、１つまたは複数のクラッド層とを備え」るものである点で一致する。
　
　エ　引用発明の「厚さ３００ｎｍのＡｌ０．４Ｇａ０．６Ａｓ層、厚さ２０ｎｍのＡｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓ層、厚さ２００ｎｍのＡｌ０．４Ｇａ０．６Ａｓ層、厚さ８０ｎｍのＡｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓ層、厚さ３００ｎｍのＡｌ０．４Ｇａ０．６Ａｓ層、厚さ１００ｎｍのＡｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓ層及び厚さ１６００ｎｍのＡｌ０．４Ｇａ０．６Ａｓ層」は、「Ａｌ０．４Ｇａ０．６Ａｓ層」と「Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓ層」を交互に積み重ねたものであり、「Ａｌ０．４Ｇａ０．６Ａｓ層」と「Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓ層」の屈折率が異なることは、当業者に明らかな事項であるから、本願発明と引用発明は、「前記超格子構造が、それぞれの屈折率の異なる複数の少なくとも２つの交互に積み重ねられた超格子層であるか、または、それぞれの屈折率の異なる複数の少なくとも２つの交互に積み重ねられた超格子層を備え」るものである点で一致する。
　
　オ　引用発明の「厚さ３００ｎｍのＡｌ０．４Ｇａ０．６Ａｓ層、厚さ２０ｎｍのＡｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓ層、厚さ２００ｎｍのＡｌ０．４Ｇａ０．６Ａｓ層、厚さ８０ｎｍのＡｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓ層、厚さ３００ｎｍのＡｌ０．４Ｇａ０．６Ａｓ層、厚さ１００ｎｍのＡｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓ層及び厚さ１６００ｎｍのＡｌ０．４Ｇａ０．６Ａｓ層」において、最も薄い層の厚さは「２０ｎｍ」であるところ、本願明細書【００２８】に「ＬＯＳＬ層の典型的な厚さは、２０ｎｍから５００ｎｍの範囲に及ぶ。下限は、キャリアの共振反射のような望ましくない効果となる量子効果の発生によって与えられている。これは、２０ｎｍ以下の範囲かもしれない材料内のドブロイ波長より大きい下限の厚さ許容値に対応する。」と記載され、また、本願明細書【００３８】に「より低バンドギャップ材料の個々の厚さを横方向電子運動の量子化が起こる典型的な厚さより上に、すなわち、典型的に２０ｎｍ以下かもしれないドブロイ波長より上に保つよう注意を払わなければならない。」と記載されていることからすれば、引用発明も本願発明と同様に「前記各層が前記活性領域における電子のドブロイ波長より大きな厚さを有」するものであると認められる。
　
　カ　引用発明は、「Ａｌ０．４Ｇａ０．６Ａｓ層」と「Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓ層」という材料組成の異なる層を交互に積み重ねたものであるから、本願発明と同様に「前記交互に積層された層の異なる屈折率は、前記各層の材料組成および／またはドープレベルが、隣接する層の材料組成および／またはドープレベルと異なることによってもたらされ」たものといえる。
　
　キ　本願明細書【００２８】には「ＬＯＳＬの個々の層の厚さは、導波モード、すなわち、近視野モードがＬＯＳＬ層の光学的性質の平均を「見る」、すなわち屈折率を平均するように選択される。…。ＬＯＳＬ層の典型的な厚さは、２０ｎｍから５００ｎｍの範囲に及ぶ。…。上限値は、近視野モードで見られる個々の層の光学的性質の平滑化が不完全になり始める材料内の光の波長によって決定される。」と記載されるところ、引用発明においても、最外層より内側にある層、すなわち「厚さ３００ｎｍのＡｌ０．４Ｇａ０．６Ａｓ層、厚さ２０ｎｍのＡｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓ層、厚さ２００ｎｍのＡｌ０．４Ｇａ０．６Ａｓ層、厚さ８０ｎｍのＡｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓ層、厚さ３００ｎｍのＡｌ０．４Ｇａ０．６Ａｓ層、厚さ１００ｎｍのＡｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓ層」の厚さは、最大で３００ｎｍであり、これらの層の屈折率が異なることにより全体の屈折率がもたらされる点において、本願発明と格別相違するところはないから、本願発明と同様に「前記異なる屈折率により、前記超格子構造にわたる全体の屈折率の所定の分布がもたらされる」ものであると認められる。
　
　ク　以上のとおり、引用発明は、本願発明の構成をすべて備えるものであって、本願発明と引用発明との間に格別の相違は認められないから、本願発明は、引用刊行物に記載された発明である。
　
　ケ　なお、原査定の理由は、本願発明が特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないとするものであるが、請求人は、平成２３年１月１９日提出の意見書及び審判請求書において、引用刊行物である「引用文献２」と本願発明の相違について意見を述べているところであり、本願発明と引用発明の同一性についても検討していることは明らかである。
　そして、例えば審判請求書において、引用文献２の発明は、本願発明のような層構造全体にわたる屈折率の分布を目的としたものではない点で本願発明によるＯＳＬとは異なる旨主張するが、上記キでの検討に照らして採用できないし、その他の意見の内容についてみても、本願発明の構成に基づく主張ではないから、採用できない。
　
４　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用刊行物に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号の発明に該当し、特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。