【事件の表示】
　特願２００６−５２０３０３「強靭なダイヤモンド及びその製法」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年　１月２７日国際公開、ＷＯ２００５／００７９３５、平成１９年１１月　８日国内公表、特表２００７−５３１６７９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯
　本願は、２００４年７月１４日（パリ条約による優先権主張　２００３年７月１４日、米国）を国際出願日とする国際出願であって、平成２２年７月６日付けで拒絶理由が起案され、同年１０月１４日付けで意見書と手続補正書が提出され、平成２３年１月２４日付けで拒絶査定が起案され、同年６月１日付けで拒絶査定不服審判が請求されるとともに手続補正書が提出され、平成２４年３月１９日付けで特許法第１６４条第３項の規定に基づく報告書を引用した審尋の起案がなされ、同年９月２７日に回答書が提出されたものである。
　
第２．平成２３年６月１日付け手続補正についての補正却下の決定
[補正却下の結論］
　平成２３年６月１日付け手続補正を却下する。
[理由］
１．平成２３年６月１日付け手続補正（以下「本件補正」という。）による特許請求の範囲に係る補正は、請求項１に関し、
「　　【請求項１】
　ホルダーに種晶ダイヤモンドを入れ、単結晶ダイヤモンドが６０〜７０ ＧＰａのビッカース硬さおよび１８〜２０ ＭＰａ ｍ1/2の破壊靱性を有するように１０００℃から１１００℃の温度で単結晶ダイヤモンドを成長させることを含み、
　単結晶ダイヤモンドを成長させるのにマイクロ波プラズマ化学蒸着を含み、
　１２０〜２２０トールの総合圧でＮ2／ＣＨ4＝０．２〜５．０％およびＣＨ4／Ｈ2＝１２〜２０％の雰囲気下にて単結晶ダイヤモンドを成長させる方法。」
と補正することを含むものである。
　この請求項１に係る補正は、本件補正前の請求項１、３〜５項を削除し、同請求項６の「１１〜２０ ＭＰａ ｍ1/2の破壊靭性」を「１８〜２０ ＭＰａ ｍ1/2の破壊靱性」と減縮して、新たな請求項１とするものであるから、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第１、２号に該当する。
２．そこで、本件補正後の請求項１に係る発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるかについて、以下に検討する。
（１）引用例
（１−１）引用例１
　原査定の拒絶の理由に引用された本願の優先日前に頒布された刊行物である米国特許公開第２００３／００８４８３９号明細書（以下、「引用例１」という。）には、以下の事項が記載されている。
（ア）「22. A method for producing diamond, comprising:
positioning diamond in a holder such that a thermal contact is made with a side surface of the diamond adjacent to an edge of a growth surface of the diamond; 
measuring temperature of the growth surface of the diamond to generate temperature measurements;
controlling temperature of the growth surface based upon the temperature measurements; and
growing single-crystal diamond by microwave plasma chemical vapor deposition on the growth surface, wherein a growth rate of the diamond is greater than 1 micrometer per hour.」（特許請求の範囲の請求項２２）
（当審訳：２２．ダイヤモンドを製造する方法であって、
前記ダイヤモンドの成長面の縁に隣接する前記ダイヤモンドの側面と熱的接触をするように、ホルダー内にダイヤモンドを配置するステップと、
前記ダイヤモンドの前記成長面の温度を測定して温度計測値をもたらすステップと、
前記温度測定値に基づいて前記成長面の温度を制御するステップと、そして、
前記ダイヤモンドの成長速度が１時間当たり１マイクロメートルより大きいマイクロ波プラズマ化学蒸着により、前記成長面に単結晶ダイヤモンドを成長させるステップとを含む方法。）
（イ）「[0004] The present invention relates to an apparatus and a method for producing diamond, and more particularly, for growing diamond using Microwave Plasma Chemical Vapor Deposition (MPCVD) within a deposition chamber.」（[0004]）
（当審訳：［０００４］本発明は、ダイヤモンドを製造するための、そしてさらに特定すれば、マイクロ波プラズマ化学蒸着（ＭＰＣＶＤ）を用いて成膜チャンバー内でダイヤモンドを成長させる装置及び方法に関する。」
（ウ）「[0069] ・・・・・・
　　　　　EXAMPLE 1
　
[0070] A diamond growth process was conducted in the above-described MPCVD chamber in FIG. 1. First, a commercial 3.5×3.5×1.6 mm3 high pressure high temperature (HPHT) synthetic type Ib diamond seed was positioned in the deposition chamber. The diamond seed has polished, smooth surfaces that were ultrasonically cleaned with acetone. The deposition surface was within two degrees of the {100} surface of the diamond seed.
　
[0071] Then, the deposition chamber was evacuated to a base pressure of 10-3 torr. The infrared pyrometer 142 was focused though a quartz window at an incident angle of 65 degrees on the growth surface of the diamond and had a minimum 2 mm2 diameter spot size. Diamond growth was performed at 160 torr pressure using gas concentrations of 3% N2/CH4, and 12% CH4/H2. The process temperature was 1220℃, and gas flow rates were 500 sccm H2, 60 sccm CH4, and 1.8 sccm N2. Deposition was allowed to continue for 12 hours.
　
[0072] The resulting diamond was 4.2×4.2×2.3 mm3 unpolished, and represented about 0.7 mm of growth on the seed crystal that was grown at a growth rate 58 microns per hour. The growth morphology indicated that the 100 side growth rate was faster than the 111 corner growth rate. The growth parameter, α, was estimated at 2.5-3.0.
　
[0073] The deposited diamond was characterized using x-ray diffraction (XRD), Raman spectroscopy, photoluminescence (PL) spectroscopy and electron paramagnetic resonance (EPR). The X-ray diffraction study of the resulting diamond confirmed that it was a single crystal, with a small degree of polycrystallinity localized at the top edges of the diamond. ・・・・・・.
　
[0074] A number of MPCVD diamonds were produced according to the guidelines of Example 1 while varying the described process temperature. These experiments demonstrate the process temperature ranges for producing various types of diamond in the growth process according embodiments of the present invention. Table 1 sets forth the results of these additional experiments.
」（[0069]〜[0074]）
（当審訳：[００６９］・・・・・・
　　　　　　実施例１
　
[００７０］ダイヤモンド成長プロセスを上記の図１のＭＰＣＶＤチャンバー内で実施した。最初に、市販の３．５×３．５×１．６ｍｍ３の高圧高温（ＨＰＨＴ）合成タイプＩｂダイヤモンドの種を、成膜チャンバーに配置した。そのダイヤモンドの種は、アセトンで超音波洗浄してあり、磨かれた滑らかな表面を有する。蒸着面は、ダイヤモンドの種の｛１００｝表面の２度以内であった。
　
[００７１］次に、成膜チャンバーを１０−３トールのベースプレッシャーまで排気した。赤外線高温計１４２を、石英の窓を通して６５度の入射角でダイヤモンドの成長面に焦点を合わせたが、それは最低２ｍｍ２の直径のスポットサイズを有していた。ダイヤモンドの成長は、３％Ｎ２／ＣＨ４、及び１２％ＣＨ４／Ｈ２のガス濃度を用いて１６０トールの圧力で実施した。プロセス温度は１２２０℃であり、ガス流速は、Ｈ２が５００ｓｃｃｍ、ＣＨ４が６０ｓｃｃｍ、Ｎ２が１．８ｓｃｃｍであった。蒸着は１２時間継続した。
　
[００７２］得られたダイヤモンドは、磨かないで、４．２×４．２×２．３ｍｍ３であり、種結晶に約０．７ｍｍの成長を示し、すなわちそれは、１時間当たり５８ミクロンの成長速度で成長したことになる。成長形態は、＜１００＞方向の成長速度が、＜１１１＞方向の成長速度より速いことを示した。成長パラメータαは、２．５〜３．０と判断された。
　
[００７３］蒸着したダイヤモンドを、Ｘ線回折（ＸＲＤ）、ラマン分光法、光ルミネセンス（ＰＬ）分光法、及び電子常磁性共鳴（ＥＰＲ）を用いて特性を明らかにした。得られたダイヤモンドのＸ線回折による検討で、わずかの多結晶性がダイヤモンドの上端に見つかったが、それが単結晶であることが確認された。・・・・・・。
　
[００７４］多数のＭＰＣＶＤダイヤモンドを実施例１の指針に従い、一方でプロセス温度を記載したように変化させて製造した。これらの実験は、本発明の実施形態と一致する成長プロセスにおいて、種々のタイプのダイヤモンドの製造に対しては、プロセス温度が変化することを立証する。表１は、これらの追加の実験の結果を示す。
　
）
（１−２）引用例２
　原査定の拒絶の理由に引用された本願の優先日前に頒布された刊行物である「Chih-Shiue Yan, et al，Very high growth rate chemical vapor deposition of single-crystal diamond，PANS，２００２年１０月１日，Vol.99, No.20，p.12523-12525」（以下、「引用例２」という。）には、以下の事項が記載されている。
（カ）「This study reports the successful production of high- quality single-crystal diamond with microwave plasma chemical  vapor deposition (MPCVD) techniques.」（１２５２３頁本文左欄３〜５行）
（当審訳：本研究論文は、マイクロ波プラズマ化学蒸着（ＭＰＣＶＤ）技術を用いた高品質の単結晶ダイヤモンドの製造に成功したことを報告する。）
（キ）「The depositions were conducted at the University of Alabama  in a 6-kW, 2.45-GHz MPCVD chamber with a volume of ? 5,000 cm3 (・・・・・・) evacuated to a base pressure of 10-3 torr (・・・・・・).・・・・・・The substrates were commercial 3.5 ×3.5 × 1.6-mm3 HPHT synthetic type Ib diamonds; the deposition surface was within 2°of the {100} top surface (Fig. 1). The substrates required polished, smooth surfaces that were cleaned ultrasonically with acetone and mechanically mounted on a molybdenum-substrate holder to ensure a uniform temperature.・・・・・・ The experiments were performed at a pressure of 160 torr, 3% N2/CH4, and a high percentage of methane (12% CH4/H2). Under these conditions a seed produced with a 1-inch-diameter plasma, the growth morphology and color strongly depend on temperature, with the smooth, dark brown at 1,000-1,100℃, brown at 1,100-1,200℃, and tinted yellow at 1,200-1,220℃.」（１２５３頁本文左欄下から４行〜同頁右欄下から１３行）
（当審訳：　蒸着は、アラバマ大学にある６ｋＷ、２．４５ＧＨｚの容量が大凡５０００ｃｍ３（・・・・・・）でベースプレッシャーを１０−３トール（・・・・・・）未満まで排気するＭＰＣＶＤのチャンバーによって行われた。・・・・・・基板は、市販の３．５×３．５×１．６ｍｍ３のＨＰＨＴ合成タイプＩｂダイヤモンドであった。蒸着面は、｛１００｝表面の２度以内であった（図１）。基板は、アセトンで超音波洗浄して、磨かれた滑らかな表面であり、等温とすべくモリブデン製の基板ホルダーに機械的にマウントされた。・・・・・・実験は、１６０トールの圧力、３％Ｎ２／ＣＨ４、高いパーセントのメタン（１２％ＣＨ４／Ｈ２）で行われた。これら条件下で、直径１インチのプラズマにより、種は製造され、その成長形態や色は温度に強く依存し、１，０００−１，１００℃では滑らかで暗褐色、１，１００−１２００℃では褐色、そして、１，２００−１，２２０℃では黄色がかった色であった。」
　
（２）対比・判断
（２−１−１）引用例１に記載された発明
ア　引用例１の（ア）の「ダイヤモンドを製造する方法」に関し、同（ウ）には、「ＭＰＣＶＤチャンバー内で実施した。・・・・・・合成タイプＩｂダイヤモンドの種を、成膜チャンバーに配置した。」（[００７０］）、「ダイヤモンドの成長は、３％Ｎ２／ＣＨ４、及び１２％ＣＨ４／Ｈ２のガス濃度を用いて１６０トールの圧力で実施した。プロセス温度は１２２０℃であり」（[００７１］）と記載されており、「ダイヤモンドを製造する方法」は、これらの操作を含むものといえる。
イ　また、同（ウ）には、「ダイヤモンドのＸ線回折による検討で、わずかの多結晶性がダイヤモンドの上端に見つかったが、それが単結晶であることが確認され」（[００７３］）、さらに、「多数のＭＰＣＶＤダイヤモンドを実施例１の指針に従い、一方でプロセス温度を記載したように変化させて製造した。・・・・・・表１は、これらの追加の実験の結果を示す。」（[００７４］）とも記載されており、表１をみると、上記アでみたプロセス温度１２２０℃の他に、プロセス温度範囲として１０００−１１００℃でもよいことが記載されていることが見て取れる。
ウ　上記ア及びイの検討を踏まえると、引用例１には、
「ＭＰＣＶＤチャンバー内に合成タイプＩｂダイヤモンドの種を配置し、３％Ｎ２／ＣＨ４、及び１２％ＣＨ４／Ｈ２のガス濃度を用いて１６０トールの圧力で、プロセス温度範囲として１０００−１１００℃とすることを含む単結晶ダイヤモンドを製造する方法」の発明（以下、「引用発明１」という。）が記載されていると認める。
（２−１−２）引用例２に記載された発明
ア　引用例２の（キ）の記載よれば、ＭＰＣＶＤのチャンバー内に、基板である合成タイプＩｂダイヤモンドをモリブデン製の基板ホルダーに機械的にマウントして、１６０トールの圧力、３％Ｎ２／ＣＨ４、１２％ＣＨ４／Ｈ２ 、１，０００−１，１００℃で種が製造されているといえる。
イ　また、同（カ）の記載を踏まえると、上記アの製造における「ＭＰＣＶＤ」、「種」とは、それぞれ、「マイクロ波プラズマ化学蒸着」、「単結晶ダイヤモンド」であることは明らかである。
ウ　そうすると、引用例２には、
「マイクロ波プラズマ化学蒸着チャンバー内に、基板である合成タイプＩｂダイヤモンドをモリブデン製の基板ホルダーに機械的にマウントして、１６０トールの圧力、３％Ｎ２／ＣＨ４、１２％ＣＨ４／Ｈ２ 、温度１，０００−１，１００℃で単結晶ダイヤモンドを製造する方法」の発明（以下、「引用発明２」という。）が記載されていると認める。
（２−２−１）本願補正発明と引用発明１との対比・判断
ア　本願補正発明と引用発明１とを対比する。
イ　引用発明１の「ＭＰＣＶＤ」とは、引用例１の（イ）の記載によれば、「マイクロ波プラズマ化学蒸着」のことであって、「合成タイプＩｂダイヤモンドの種を配置」することは同（ア）の記載によれば、「ホルダー内にダイヤモンドを配置する」ことであるから、「ＭＰＣＶＤチャンバー内に合成タイプＩｂダイヤモンドの種を配置し・・・・・・単結晶ダイヤモンドを製造する方法」とは、本願補正発明の「ホルダーに種晶ダイヤモンドを入れ・・・・・・結晶ダイヤモンドを成長させるのにマイクロ波プラズマ化学蒸着を含み・・・・・・単結晶ダイヤモンドを成長させる方法」に相当する。また、引用発明１の「プロセス温度」は、本願補正発明の「温度」に他ならない。
ウ　引用発明１の「３％Ｎ２／ＣＨ４、及び１２％ＣＨ４／Ｈ２のガス濃度を用いて１６０トールの圧力」は、本願補正発明の「１２０〜２２０トールの総合圧でＮ2／ＣＨ4＝０．２〜５．０％およびＣＨ4／Ｈ2＝１２〜２０％の雰囲気下」と「１６０トールの総合圧でＮ2／ＣＨ4＝３％およびＣＨ4／Ｈ2＝１２％の雰囲気下」で一致している。
エ　そうすると、両者は、
「ホルダーに種晶ダイヤモンドを入れ、１０００℃から１１００℃の温度で単結晶ダイヤモンドを成長させることを含み、
　単結晶ダイヤモンドを成長させるのにマイクロ波プラズマ化学蒸着を含み、
　１６０トールの総合圧でＮ2／ＣＨ4＝３％およびＣＨ4／Ｈ2＝１２％の雰囲気下にて単結晶ダイヤモンドを成長させる方法」である点で一致し、次の点で相違している。
相違点１：単結晶ダイヤモンドに関し、本願補正発明が、６０〜７０ ＧＰａのビッカース硬さおよび１８〜２０ ＭＰａ ｍ1/2の破壊靱性を有するものであるのに対し、引用発明１は、かかるビッカース硬さや破壊靭性について特定がない点
オ　次に、この相違点１について検討する。
オ−１　本願補正発明において単結晶ダイヤモンドは、マイクロ波プラズマ化学蒸着を含む手段で成長されており、このマイクロ波プラズマ化学蒸着に係る条件をみてみると、１００℃から１１００℃の温度、１２０〜２２０トールの総合圧、Ｎ２／ＣＨ４＝０．２〜５．０％、ＣＨ４／Ｈ２＝１２〜２０％を特定しており、これらの条件によって、成長させた単結晶ダイヤモンドが「６０〜７０ ＧＰａのビッカース硬さおよび１８〜２０ ＭＰａ ｍ1/2の破壊靱性を有する」とみることが自然である。
オ−２　一方、引用発明１も結晶ダイヤモンドは、マイクロ波プラズマ化学蒸着を含む手段で成長されており、このこのマイクロ波プラズマ化学蒸着に係る条件をみてみると、１００℃から１１００℃の温度、１６０トールの総合圧、Ｎ２／ＣＨ４＝３％、ＣＨ４／Ｈ２＝１２％であって、これら条件のすべては本願補正発明の条件に含まれるものである。
オ−３　そうすると、引用発明１の「単結晶ダイヤモンドを製造する方法」においても、成長した単結晶ダイヤモンドは、「６０〜７０ ＧＰａのビッカース硬さおよび１８〜２０ ＭＰａ ｍ1/2の破壊靱性」を有するものとみることが自然である。
オ−４　よって、上記相違点１は実質的なものではなく、本願補正発明は、引用発明１と同一であり、本願補正発明は特許法第２９条第１項第３号に該当し、仮に、上記相違点１が実質的なものであったとしても微差といえ特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
（２−２−２）本願補正発明と引用発明２との対比・判断
ア　本願補正発明と引用発明２とを対比する。
イ　引用発明２の「基板である合成タイプＩｂダイヤモンド」は、本願補正発明の「種晶ダイヤモンド」であることは明らかであるから、引用発明２の「マイクロ波プラズマ化学蒸着チャンバー内に、基板である合成タイプＩｂダイヤモンドをモリブデン製の基板ホルダーに機械的にマウントして、・・・・・・単結晶ダイヤモンドを製造する方法」は、本願補正発明の「ホルダーに種晶ダイヤモンドを入れ・・・・・・結晶ダイヤモンドを成長させるのにマイクロ波プラズマ化学蒸着を含み・・・・・・単結晶ダイヤモンドを成長させる方法」に相当する。
ウ　引用発明２の「１６０トールの圧力、３％Ｎ２／ＣＨ４、１２％ＣＨ４／Ｈ２ 」は、本願補正発明の「１２０〜２２０トールの総合圧でＮ2／ＣＨ4＝０．２〜５．０％およびＣＨ4／Ｈ2＝１２〜２０％の雰囲気下」と「１６０トールの総合圧でＮ2／ＣＨ4＝３％およびＣＨ4／Ｈ2＝１２％の雰囲気下」で一致している。
エ　そうすると、両者は、
「ホルダーに種晶ダイヤモンドを入れ、１０００℃から１１００℃の温度で単結晶ダイヤモンドを成長させることを含み、
　単結晶ダイヤモンドを成長させるのにマイクロ波プラズマ化学蒸着を含み、
　１６０トールの総合圧でＮ2／ＣＨ4＝３％およびＣＨ4／Ｈ2＝１２％の雰囲気下にて単結晶ダイヤモンドを成長させる方法」である点で一致し、次の点で相違している。
相違点２：単結晶ダイヤモンドに関し、本願補正発明が、６０〜７０ ＧＰａのビッカース硬さおよび１８〜２０ ＭＰａ ｍ1/2の破壊靱性を有するものであるのに対し、引用発明２は、かかるビッカース硬さや破壊靭性について特定がない点
オ　この相違点２について検討すると、相違点２は相違点１と同じものであるから、相違点１の検討のところで述べたように、相違点２は実質的なものではなく、本願補正発明は、引用発明１と同一であり、本願補正発明は特許法第２９条第１項第３号に該当し、仮に、上記相違点２が実質的なものであったとしても微差といえ特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
（２−３）なお、請求人は回答書において、「引用文献１および２（当審注：「引用例１、２」のこと。以下、同様である。）は、高い破壊靱性等を有する単結晶ダイヤモンドを成長させるためのパラメータの組み合わせ、特に、上述の『ＣＨ4／Ｈ2＝１２〜２０％』というＨ2に対するＣＨ4の高い濃度を示すパラメータ、および温度に関して『１０００℃から１１００℃の温度』という特定の狭い範囲を示すパラメータを含む組み合わせを示唆していません。このことからも明らかであるように、引用文献１および２は、本願発明の方法により成長した単結晶ダイヤモンドのように高い破壊靱性等を有する単結晶ダイヤモンドを、開示も示唆もしていません。」と主張するが（「（ｂ２）理由［２］請求項１の進歩性について」の７番目の段落）、上述のとおり、引用例１、２には、これらパラメータ範囲を満たす値が記載されているから、請求人の主張は採用できないし、仮に、引用例１、２には記載されていない条件、操作によって、上記相違点１、２に係る本願補正発明の発明特定事項が導出されるとしても、かかる条件、操作に関する事項は本願補正発明の発明特定事項ではないし、本願明細書の発明の詳細な説明、図面のいずれにも記載されていないので、本件補正後の本願の特許請求の範囲、明細書の発明の詳細な説明、図面の記載は特許法第３６条第４項第１号及び同法同条第６項第１号の規定を満たしていない。
３．補正却下のむすび
　したがって、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３．本願発明
　平成２３年６月１日付けの手続補正書による補正は、上記第２のとおり補正却下の決定がなされたから、本願の請求項１〜６に係る発明は、平成２２年１０月１４日付けの手続補正書によって補正された特許請求の範囲の請求項１〜６に記載された事項により特定されるとおりのものであって、そのうち請求項５に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、次のとおりのものである。
　
　　【請求項５】
　ホルダーに種晶ダイヤモンドを入れ、単結晶ダイヤモンドが１１〜２０ ＭＰａ ｍ1/2の破壊靱性を有するように１０００℃から１１００℃の温度で単結晶ダイヤモンドを成長させることを含み、
　単結晶ダイヤモンドを成長させるのにマイクロ波プラズマ化学蒸着を含み、
　１２０〜２２０トールの総合圧でＮ2／ＣＨ4＝０．２〜５．０％およびＣＨ4／Ｈ2＝１２〜２０％の雰囲気下にて単結晶ダイヤモンドを成長させる方法。
　
第４．引用例
　引用例１、２の記載事項は、上記第２の２．（１）に記載したとおりである。
　
第５．対比・判断
　本願発明は、上記第２．で検討した本願補正発明において、「単結晶ダイヤモンドが６０〜７０ ＧＰａのビッカース硬さおよび１８〜２０ ＭＰａ ｍ1/2の破壊靱性を有するように」を「単結晶ダイヤモンドが１１〜２０ ＭＰａ ｍ1/2の破壊靱性を有するように」と拡張するものである。
　してみると、本願発明の発明特定事項のうち「単結晶ダイヤモンドが１１〜２０ ＭＰａ ｍ1/2の破壊靱性を有するように」を「単結晶ダイヤモンドが６０〜７０ ＧＰａのビッカース硬さおよび１８〜２０ ＭＰａ ｍ1/2の破壊靱性を有するように」と限定したものに相当する本願補正発明が、上記第２．に記載したとおり、引用例１または２に記載された発明、あるいは、引用例１または２に記載された発明に基づいて当業者であれば容易に発明をすることができた発明であるから、本願補正発明と同様の理由により本願発明も引用例１または２に記載された発明であるか、仮にそうでないとしても、引用例１または２に記載された発明に基づいて当業者であれば容易に発明をすることができたものである。
　
第６．むすび
　以上のとおり、本願発明は引用例１または２に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、あるいは、引用例１または２に記載された発明に基づいて当業者であれば容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
　したがって、その余の請求項に係る発明に論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。