【事件の表示】
　特許第６２６８５６８号発明「積層体の製造方法および積層体」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第６２６８５６８号の請求項１、３〜５、及び８に係る特許を取り消す。
　特許第６２６８５６８号の請求項６及び７に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　特許第６２６８５６８号（以下「本件特許」という。）の請求項１〜１０に係る特許についての出願は、平成２５年４月９日に出願され、平成３０年１月１２日にその特許権の設定登録（特許掲載公報発行日：平成３０年１月３１日）がされたものであって、その後の主な手続の経緯は以下のとおりである。 
　
平成３０年７月２０日：特許異議申立人　阿部紀子（以下「申立人Ａ」とい
　　　　　　　　う。）による請求項１、３〜５、８に係る特許に対する
　　　　　　　　特許異議の申立て
平成３０年７月３１日：特許異議申立人　松尾泰幸（以下「申立人Ｂ」とい
　　　　　　　　う。）による請求項１、３〜８に係る特許に対する
　　　　　　　　特許異議の申立て
平成３０年１０月２６日付け：取消理由通知
平成３０年１２月２７日：特許権者による意見書の提出及び訂正請求
平成３１年２月６日：申立人Ａによる意見書の提出
平成３１年３月２７日付け：取消理由通知（決定の予告）
令和元年５月３１日：特許権者による意見書の提出及び訂正請求
令和元年６月２５日付け：訂正拒絶理由通知
令和元年７月２２日：特許権者による手続補正書及び意見書の提出
　
　平成３０年１２月２７日付けの訂正請求につき、特許法第１２０条の５第５項の規定により、平成３１年１月８日付けで、訂正の請求があった旨の通知を申立人Ａ及びＢに送付したが、申立人Ｂから意見書は提出されなかった。
　なお、平成３０年１２月２７日付けの訂正請求は、特許法第１２０条の５第７項の規定により取り下げられたものとみなす。
　
　
２．訂正の適否についての判断
（１）訂正の内容
　令和元年５月３１日付けの訂正請求による訂正（以下「本件訂正」という）の内容は以下のとおりである。
（訂正箇所に下線を付す）
ア．請求項１に係る訂正
（ア）訂正事項１
　本件訂正前の特許請求の範囲の請求項１に、
「前記透明導電層が設けられた前記基材フィルムを大気環境下から真空環境下に置く準備工程」
と記載されているのを、
「前記透明導電層が設けられた前記基材フィルムを大気環境下から真空環境下に置く準備工程
であって、巻出装置において、前記基材フィルムが巻回されたシャフトを準備する工程と、排気手段によって前記巻出装置内の気体を外部に排出する工程と、を含む、準備工程
に訂正する（請求項１の記載を直接的又は間接的に引用する請求項３〜８も同様に訂正する）。 
　
（イ）訂正事項２
　本件訂正前の特許請求の範囲の請求項１に、
「前記準備工程の後、前記透明導電層の表面にガスイオンを照射する表面処理工程」
と記載されているのを、
「前記準備工程の後、
且つ前記透明導電層が設けられた前記基材フィルムを前記巻出装置内の真空環境下で５０〜１７０℃で加熱した後、前記巻出装置内において
に訂正する（請求項１の記載を直接的又は間接的に引用する請求項３〜８も同様に訂正する）。
　
（ウ）訂正事項３
　本件訂正前の特許請求の範囲の請求項１に、
「前記表面処理工程の後、前記透明導電層上に金属層を形成する金属層形成工程」
と記載されているのを、
「前記表面処理工程の後、
成膜装置において成膜用搬送ドラムによって前記基材フィルムを搬送しながら前記透明導電層上に金属層を形成する金属層形成工程であって、前記成膜装置の内部雰囲気は、ゲートバルブによって前記巻出装置の内部雰囲気から遮蔽されている、金属層形成工程
に訂正する（請求項１の記載を直接的又は間接的に引用する請求項３〜８も同様に訂正する）。
　
イ．請求項２に係る訂正（訂正事項４）
　本件訂正前の特許請求の範囲の請求項２に、
「前記透明導電層と前記金属層との間の界面における組成を分析する工程を更に備え、
　前記分析する工程において、Ｎａの検出強度が、Ｉｎ（１１３）に対して相対的感度で７％以下である、請求項１に記載の積層体製造方法。」
と記載されているのを、
「
基材フィルムに設けられた透明導電層上に遮光性を有する金属層を形成して積層体を製造する積層体製造方法であって、
　前記透明導電層が設けられた前記基材フィルムを大気環境下から真空環境下に置く準備工程と、
　前記準備工程の後、前記透明導電層の表面にガスイオンを照射する表面処理工程と、
　前記表面処理工程の後、前記透明導電層上に金属層を形成する金属層形成工程と、を備え、
　前記表面処理工程が実施されてから前記金属層形成工程が実施されるまでの間、前記基材フィルムが真空環境下に置かれ、
　前記透明導電層と前記金属層との間の界面における組成を分析する工程を更に備え、
　前記分析する工程において、Ｎａの検出強度が、Ｉｎ（１１３）に対して相対的感度で７％以下である、
積層体製造方法。
に訂正する（請求項２の記載を直接的又は間接的に引用する請求項３〜８も同様に訂正する）。
　
ウ．請求項６に係る訂正（訂正事項５）
　本件訂正前の特許請求の範囲の請求項６に、
「請求項１乃至５のいずれか一項」
と記載されているのを、
「請求項
２
に訂正する。 
　
エ．請求項７に係る訂正（訂正事項６）
　本件訂正前の特許請求の範囲の請求項７に、
「請求項１乃至６のいずれか一項」
と記載されているのを、
「請求項
２
に訂正する。
　
オ．新たな請求項１１に係る訂正（訂正事項７）
　本件訂正前の特許請求の範囲の請求項６に、
「前記透明導電層上に形成される前記金属層が、ＡＰＣ合金を含む、請求項１乃至５のいずれか一項に記載の積層体製造方法。」
とあるうち、請求項１を引用するものについて、独立形式に改め、
「
基材フィルムに設けられた透明導電層上に遮光性を有する金属層を形成して積層体を製造する積層体製造方法であって、
　前記透明導電層が設けられた前記基材フィルムを大気環境下から真空環境下に置く準備工程と、
　前記準備工程の後、前記透明導電層の表面にガスイオンを照射する表面処理工程と、
　前記表面処理工程の後、前記透明導電層上に金属層を形成する金属層形成工程と、を備え、
　前記表面処理工程が実施されてから前記金属層形成工程が実施されるまでの間、前記基材フィルムが真空環境下に置かれ、
　前記透明導電層上に形成される前記金属層が、ＡＰＣ合金を含む、
積層体製造方法。
と記載し、新たに請求項１１とする。 
  
カ．新たな請求項１２に係る訂正（訂正事項８）
　本件訂正前の特許請求の範囲の請求項７に
「前記透明導電層上に形成される前記金属層が、ＭｏＮｂ合金を含む、請求項１乃至６のいずれか一項に記載の積層体製造方法。」
とあるうち、請求項１を引用するものについて、独立形式に改め、
「
基材フィルムに設けられた透明導電層上に遮光性を有する金属層を形成して積層体を製造する積層体製造方法であって、
　前記透明導電層が設けられた前記基材フィルムを大気環境下から真空環境下に置く準備工程と、
　前記準備工程の後、前記透明導電層の表面にガスイオンを照射する表面処理工程と、
　前記表面処理工程の後、前記透明導電層上に金属層を形成する金属層形成工程と、を備え、
　前記表面処理工程が実施されてから前記金属層形成工程が実施されるまでの間、前記基材フィルムが真空環境下に置かれ、
　前記透明導電層上に形成される前記金属層が、ＭｏＮｂ合金を含む、
積層体製造方法。
と記載し、新たに請求項１２とする。
　
（２）手続補正について
ア．補正の内容
　令和元年７月２２日付けの手続補正書による補正（以下「変更補正」という）は、本件訂正後の請求項１について、以下のように補正することを含むものである。
（補正箇所に下線を付す）
　
　本件訂正後の特許請求の範囲の請求項１に、
「前記表面処理工程の後、成膜装置において成膜用搬送ドラムによって前記基材フィルムを搬送しながら前記透明導電層上に金属層を形成する金属層形成工程であって、前記成膜装置の内部雰囲気は、ゲートバルブによって前記巻出装置の内部雰囲気から遮蔽されている、金属層形成工程と、を備え、
　前記表面処理工程が実施されてから前記金属層形成工程が実施されるまでの間、前記基材フィルムが真空環境下に置かれる、積層体製造方法。」
と記載されているのを、
「前記表面処理工程の後、
成膜装置において成膜用搬送ドラムによって前記基材フィルムを搬送しながら
　前記表面処理工程が実施されてから前記金属層形成工程が実施されるまでの間、前記基材フィルムが真空環境下に置かれ
、
　前記巻出装置において、前記基材フィルムが巻回されたシャフトを準備する前記工程において、前記成膜装置の内部雰囲気は、ゲートバルブによって前記巻出装置の内部雰囲気から遮蔽されている
に補正する。
　
イ．変更補正の許否
　特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１３１条の２第１項は「請求書の補正は、その要旨を変更するものであつてはならない。」と規定している。そして、要旨を変更するとは、訂正請求書の記載事項のうち、請求の趣旨（訂正事項）の記載を変更することによって、補正の前後で請求の基礎である「訂正を申し立てている事項」の同一性や範囲を変更することであるところ、訂正請求書に添付した「訂正特許請求の範囲」は、その「請求の趣旨」と一体不可分のものであるから、当該「訂正特許請求の範囲」を補正することも、その「請求の趣旨」を変更する補正として扱われることとなる。
　
　この点を踏まえて変更補正をみると、「ゲートバルブによって前記巻出装置の内部雰囲気から遮蔽されている」構成を有する工程について、変更補正前、すなわち本件訂正における請求項１では「金属層形成工程」であったところ、変更補正後の請求項１では「金属層形成工程」ではなく、「前記基材フィルムが巻回されたシャフトを準備する前記工程」すなわち「準備工程」に変更するものである。
　そして、「金属層形成工程」と「準備工程」は、本件特許の積層体製造方法において全く異なる工程であるから、この変更は、補正前の「訂正を申し立てている事項」の範囲を実質的に変更するものである。
　
　したがって、変更補正は、本件訂正の「請求の趣旨」を変更する補正を含むから、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１３１条の２第１項の規定に違反しており、当該補正を許可することはできない。
　
（３）本件訂正の適否
ア．一群の請求項
　本件訂正前の請求項１〜８において、請求項２〜８は、請求項１を直接的又は間接的に引用しているから、本件訂正前の請求項１〜８は、特許法第１２０条の５第４項に規定する一群の請求項である。
　そして、本件訂正は、下記イ．で示すように請求項間の引用関係の解消を目的とする又は請求項の引用請求項数を削減する訂正事項４〜８を含むものではあるけれども、特定の請求項に係る訂正事項について別の訂正単位とする求めはされていないから、本件訂正請求は、一群の請求項である本件訂正前の請求項１〜８に対応する本件訂正後の請求項〔１〜８、１１、１２〕を訂正単位とするものであり、訂正事項１〜８は、一体の訂正事項として取り扱われるものである。
　
イ．本件訂正の目的の適否、新規事項の有無及び特許請求の範囲の拡張・変更の存否
（ア）訂正事項１について
　訂正事項１は、本件訂正前の請求項１における「前記透明導電層が設けられた前記基材フィルムを大気環境下から真空環境下に置く準備工程」について、「巻出装置において、前記基材フィルムが巻回されたシャフトを準備する工程と、排気手段によって前記巻出装置内の気体を外部に排出する工程と、を含む」ものであると限定するものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　そして、訂正事項１は、本件特許の願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面（以下「本件明細書等」という。）の「【００４４】（準備工程）はじめに、巻出装置２０において、中間積層体１１が巻回されたシャフト２１を準備する。次に、排気手段２２によって巻出装置２０内の気体を外部に排出する。このようにして、第１透明導電層１６ａが設けられた基材フィルム１２を含む中間積層体１１を真空環境下に置くことができる。」との記載からみて、新規事項を追加するものではなく、また、実質的に特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではないから、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合する。
　
（イ）訂正事項２について
　訂正事項２は、本件訂正前の請求項１における「前記透明導電層の表面にガスイオンを照射する表面処理工程」について、「前記準備工程の後」に行う工程であるということを、「前記準備工程の後、且つ前記透明導電層が設けられた前記基材フィルムを前記巻出装置内の真空環境下で５０〜１７０℃で加熱した後、前記巻出装置内において」行う工程であると限定するものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　そして、訂正事項２は、本件明細書等の「【００４４】（準備工程）はじめに、巻出装置２０において、中間積層体１１が巻回されたシャフト２１を準備する。次に、排気手段２２によって巻出装置２０内の気体を外部に排出する。このようにして、第１透明導電層１６ａが設けられた基材フィルム１２を含む中間積層体１１を真空環境下に置くことができる。・・・【００４５】（脱ガス工程）次に、シャフト２１から中間積層体１１を巻き出す。このとき、加熱機構２９によって中間積層体１１を５０〜１７０℃で加熱する。これによって、中間積層体１１に付着している水分や油分などの不純物を取り除くことができる。【００４６】（表面処理工程）その後、表面処理装置２３を用いて、第１透明導電層１６ａの表面にガスイオンを照射する表面処理工程を実施する。・・・」という記載と、加熱機構２９及び表面処理装置２３が巻出装置２０内に位置していることを図２から見て取れることとを考慮すると、新規事項を追加するものではなく、また、実質的に特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではないから、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合する。
　
（ウ）訂正事項３について
　訂正事項３は、本件訂正前の請求項１における「前記透明導電層上に金属層を形成する金属層形成工程」について、「前記表面処理工程の後」に行う工程であるということを、「前記表面処理工程の後、成膜装置において成膜用搬送ドラムによって前記基材フィルムを搬送しながら前記透明導電層上に金属層を形成する金属層形成工程であって、前記成膜装置の内部雰囲気は、ゲートバルブによって前記巻出装置の内部雰囲気から遮蔽されている」工程であると限定するものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　また、訂正事項３は、上記のとおり特許請求の範囲の減縮を目的とするものであって、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではなく、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項の規定に適合する。
　
　一方、本件明細書等には、金属層形成工程が、ゲートバルブによって巻出装置の内部雰囲気から遮蔽されている内部雰囲気を有する成膜装置において、成膜用搬送ドラムによって基材フィルムを搬送しながら実施されることについての直接的な記載はない。
　また、本件明細書等の段落【００３２】には「また図２に示すように、成膜装置３０の内部雰囲気を巻出装置２０の内部雰囲気に対して遮蔽するためのゲートバルブ（ロードロックバルブ）２８が設けられていてもよい。これによって、中間積層体１１の巻回体を巻出装置２０内に搬入するために巻出装置２０を大気に対して開放する際に、成膜装置３０内の真空度を維持することができる。」と記載されているけれども、この記載は、「中間積層体１１の巻回体を巻出装置２０内に搬入するために巻出装置２０を大気に対して開放する際」に「ゲートバルブ（ロードロックバルブ）２８」が「成膜装置３０の内部雰囲気を巻出装置２０の内部雰囲気に対して遮蔽する」ことを開示するものにすぎず、基材フィルムを搬送しながら実施される金属層形成工程において、「ゲートバルブ（ロードロックバルブ）２８」が「成膜装置３０の内部雰囲気を巻出装置２０の内部雰囲気に対して遮蔽する」ことを開示するものではない。
　さらに、基材フィルムを搬送しながら実施される金属層形成工程において、成膜装置の内部雰囲気を巻出装置の内部雰囲気に対して遮蔽するためには、ゲートバルブが、
巻出装置から成膜装置へ基材フィルムが搬送されている状態で
遮蔽することが可能
　そうすると、訂正事項３は、本件明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入するものであるから、本件明細書等に記載した事項の範囲内においてしたものとはいえない。
　よって、訂正事項３は、特許法第１２０条の５第９項で準用する第１２６条第５項の規定に適合しない。
　
（エ）訂正事項４について
　訂正事項４は、本件訂正前の請求項２が訂正前の請求項１の記載を引用するものであったところ、当該請求項１の記載を引用しない独立形式に改めるものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第４号に掲げる、他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとすることを目的とするものである。
　そして、訂正事項４は、実質的な内容の変更を伴うものではないため、新規事項を追加するものではなく、また、実質的に特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではないから、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合する。
　
（オ）訂正事項５について
　訂正事項５は、本件訂正前の請求項６が訂正前の請求項１乃至５のいずれか一項の記載を引用するものであったところ、そのうちの請求項１の記載を引用しないものとするものであるから、多数項を引用している請求項の引用請求項数を削減するものであり、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　そして、訂正事項５は、実質的な内容の変更を伴うものではないため、新規事項を追加するものではなく、また、実質的に特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではないから、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合する。
（カ）訂正事項６について
　訂正事項６は、本件訂正前の請求項７が訂正前の請求項１乃至６のいずれか一項の記載を引用するものであったところ、そのうちの請求項１の記載を引用しないものとするものであるから、多数項を引用している請求項の引用請求項数を削減するものであり、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　そして、訂正事項６は、実質的な内容の変更を伴うものではないため、新規事項を追加するものではなく、また、実質的に特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではないから、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合する。
　
（キ）訂正事項７について
　訂正事項７は、本件訂正前の請求項６が訂正前の請求項１乃至５のいずれか一項の記載を引用するものであったところ、そのうちの請求項１を引用するものについて当該請求項１の記載を引用しない独立形式に改めるものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第４号に掲げる、他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとすることを目的とするものである。
　そして、訂正事項７は、実質的な内容の変更を伴うものではないため、新規事項を追加するものではなく、また、実質的に特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではないから、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合する。
　
（ク）訂正事項８について
　訂正事項８は、本件訂正前の請求項７が訂正前の請求項１乃至６のいずれか一項の記載を引用するものであったところ、そのうちの請求項１を引用するものについて当該請求項１の記載を引用しない独立形式に改めるものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第４号に掲げる、他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとすることを目的とするものである。
　そして、訂正事項８は、実質的な内容の変更を伴うものではないため、新規事項を追加するものではなく、また、実質的に特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではないから、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合する。
　
（４）小括
　上記（３）イ．（ウ）のとおり、訂正事項３は、特許法第１２０条の５第９項で準用する第１２６条第５項の規定に適合しないから、訂正事項３に係る訂正は認められない。
　そして、上記（３）ア．のとおり、訂正事項１〜８は、一体の訂正事項として取り扱われるものであるから、訂正事項３に係る訂正が認められない結果、訂正事項１、２、４〜８に係る訂正も認められない。
　よって、訂正事項１〜８からなる本件訂正は認められない。
　
　
３．特許異議の申立てについて
（１）本件発明
　上記２．のとおり、本件訂正は認められないから、本件特許の請求項１〜１０は、それぞれ、本件特許の設定登録時の特許請求の範囲の請求項１〜１０に記載された、次のとおりのものである。
　なお、請求項１に係る発明を、以下「本件発明１」という。請求項２〜１０に係る発明も同様。本件発明１〜１０をまとめて「本件発明」ということもある。
　
「【請求項１】
　基材フィルムに設けられた透明導電層上に遮光性を有する金属層を形成して積層体を製造する積層体製造方法であって、
　前記透明導電層が設けられた前記基材フィルムを大気環境下から真空環境下に置く準備工程と、
　前記準備工程の後、前記透明導電層の表面にガスイオンを照射する表面処理工程と、
　前記表面処理工程の後、前記透明導電層上に金属層を形成する金属層形成工程と、を備え、
　前記表面処理工程が実施されてから前記金属層形成工程が実施されるまでの間、前記基材フィルムが真空環境下に置かれる、積層体製造方法。
【請求項２】
　前記透明導電層と前記金属層との間の界面における組成を分析する工程を更に備え、
　前記分析する工程において、Ｎａの検出強度が、Ｉｎ（１１３）に対して相対的感度で７％以下である、請求項１に記載の積層体製造方法。
【請求項３】
　前記表面処理工程は、前記透明導電層の表面に不活性ガスおよび酸素ガスのイオンを照射する工程を含む、請求項１又は２に記載の積層体製造方法。
【請求項４】
　前記不活性ガスがアルゴンガスである、請求項３に記載の積層体製造方法。
【請求項５】
　前記準備工程において、前記透明導電層が設けられた前記基材フィルムが、１０Ｐａ以下の真空環境下に置かれる、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の積層体製造方法。
【請求項６】
　前記透明導電層上に形成される前記金属層が、ＡＰＣ合金を含む、請求項１乃至５のいずれか一項に記載の積層体製造方法。
【請求項７】
　前記透明導電層上に形成される前記金属層が、ＭｏＮｂ合金を含む、請求項１乃至６のいずれか一項に記載の積層体製造方法。
【請求項８】
　前記透明導電層が、ＩＴＯからなる、請求項１乃至７のいずれか一項に記載の積層体製造方法。
【請求項９】
　基材フィルムと、
　前記基材フィルムに設けられ、透光性および導電性を有する透明導電層と、
　前記透明導電層上に設けられ、遮光性および導電性を有する金属層と、を備え、
　前記金属層は、遮光導電層と、前記遮光導電層と前記透明導電層との間に配置され、ＭｏＮｂ合金を含む中間層と、を有し、
　前記透明導電層と前記金属層の前記中間層との間の界面における組成分析を実施した場合、Ｎａの検出強度が、Ｉｎ（１１３）に対して相対的感度で７％以下である、積層体。
【請求項１０】
　前記透明導電層と前記金属層の前記中間層との間の界面における組成分析を実施した場合、Ｎａの検出強度が、Ｉｎ（１１３）に対して相対的感度で２〜５％である、請求項９に記載の積層体。」
　
　
（２）取消理由（決定の予告）の概要
　当審において、本件発明に係る特許に対して、平成３１年３月２７日付けで通知した取消理由（決定の予告）の概要は、以下のとおりである。
　なお、申立人Ｂが申立てた理由のうち、本件発明１、３〜５及び８に対するものが通知され、本件発明６及び７に対するものは通知されなかった。
  
理由：本件特許の請求項１、３〜５、８に係る発明は、その出願前日本国内または外国において頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　　　　　　　　　　　　　　　　　記
　
［引用文献一覧］
１．特表２０１２−５０８９２３号公報
２．特開２０１０−２３８０５２号公報
３．特開２００６−１９０７０２号公報
４．特開２０１１−１４６５５３号公報
５．特開２０１２−１２３４５４号公報
６．特開２００３−２７２３４号公報 
７．中国実用新案第２０２５９５２６２号明細書 
　
　引用文献１〜４は、各々、申立人Ａの提出した特許異議申立書に記載された甲第１〜４号証であり、引用文献５は、申立人Ｂの提出した特許異議申立書に記載された甲第２号証である。
　また、引用文献６及び７は、各々、申立人Ａによる平成３１年２月６日付け意見書に記載された甲第７及び８号証である。
　
（３）取消理由についての判断
ア．引用文献に記載された事項
（ア）引用文献１について
　引用文献１には、図面と共に、以下の記載がある。
ａ．「【請求項６】
　ＩＴＯフィルムの収縮を防止するために熱処理するステップと、
　前記ＩＴＯフィルムの表面の不純物を除去して、前処理するステップと、
　前記前処理されたＩＴＯフィルムに金属層を真空蒸着するステップを含むことを特徴とするタッチスクリーンの製造方法。
【請求項７】
　前記ＩＴＯフィルムの表面の不純物を除去して、前処理するステップは、
　Ｏ２、Ｏ３、Ｎ２、Ｎ２Ｏ、ＮＯ２、ＣＯ２の内少なくともいずれか一つを用いたイオンビームを発生させ、前処理するステップを含むことを特徴とする請求項６に記載のタッチスクリーンの製造方法。
【請求項８】
　前記ＩＴＯフィルムの表面の不純物を除去して、前処理するステップは、
　Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ、Ｎｅの内少なくともいずれか一つを用いたプラズマを発生させ、前処理するステップを含むことを特徴とする請求項６に記載のタッチスクリーンの製造方法。
【請求項９】
　前記前処理されたＩＴＯフィルムに金属層を真空蒸着するステップは、
　Ａｇ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｌの内少なくともいずれか一つを真空蒸着して、導電体層を形成するステップを含むことを特徴とする請求項６に記載のタッチスクリーンの製造方法。」
　
ｂ．「【０００３】
　このようなタッチスクリーンは、透明電極を用いて、手やペンによるタッチ入力を感知する。透明電極は、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ）のような透明導電性酸化物フィルムに金属膜を配線して形成することができる。」
　
ｃ．「【００１２】
　図１は、本発明の第１実施例によるタッチスクリーンの断面図である。
　図１に示されているように、本発明の第１実施例によるタッチスクリーンは、フレキシブルプラスチックフィルム１０の上面に蒸着されたＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ）などの透明導電性フィルム２０と、透明導電性フィルム２０に蒸着された伝導体層３０を含む。
【００１３】
　フレキシブルプラスチックフィルム１０は基材であって、ＰＥＳ、ＰＣ、ＰＥ、ＰＩ、アクリルなどのフィルムを用いることができ、本発明の実施例では、ＰＥＴ（Ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ　ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ）フィルム１０を用いる場合を例示する。ここで、ＰＥＴフィルム１０は、１００〜１５０℃の範囲では収縮する特性がある。これに、透明導電性フィルム２０が蒸着されたＰＥＴフィルム１０をタッチスクリーンの製造に用いる場合、上下板の合着工程のための熱処理時のＰＥＴフィルム１０の収縮により、配列（ａｌｉｇｎ）が一致しない問題点がある。
【００１４】
　したがって、ＰＥＴフィルム１０を１５０℃付近で９０分間熱処理して、フィルムの収縮を予め発生させるアニーリング（ａｎｎｅａｌｉｎｇ）工程を行うことにより、金属層の蒸着と後工程で発生可能な収縮を除去することが好ましい。
【００１５】
　ＩＴＯフィルム２０には、導電体層３０が蒸着される。タッチスクリーンが抵抗膜または静電容量方式で動作する場合、ＩＴＯフィルム２０面はタッチ入力を感知する機能を果たし、導電体層３０は電荷が移動する電極として用いられる。これに、導電体層３０は、ＩＴＯフィルム２０よりも抵抗値が低い導電性金属を用いて形成する。導電体層３０は、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｌなどの伝導性に優れた金属をＲＦスパッタ、ＤＣスパッタ、ＣＶＤ等の真空蒸着技術を用いて形成することができる。このような導電体層３０は、タッチスクリーンの感度に直接影響を及ぼすため、抵抗値が０．１Ω／□（ｓｑｕａｒｅ）以下に調節できるように、蒸着金属及び厚さを調節することができる。
【００１６】
　一方、導電体層３０を真空蒸着技術を用いて蒸着する場合、ＩＴＯフィルム２０と導電体層３０の密着力を改善するために、ＩＴＯフィルム２０の表面の不純物をプラズマまたはイオンビームを用いて除去する前処理過程を行うことができる。」
　
ｄ．「【００２７】
　金属層の密着力を向上させるために、プラズマまたはイオンビームを用いてＩＴＯフィルム２０の表面を前処理する（Ｓ１２０）。ここで、イオンビームの発生のための反応性ガスとして、Ｏ２、Ｏ３、Ｎ２、Ｎ２Ｏ、ＮＯ２、ＣＯ２の中から選び、または、不活性ガスとして、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ、Ｎｅのいずれかを選択する。また、反応性ガスや不活性ガスを単独または混合した状態で適用することができる。そして、イオンビームの照射量は、１Ｘ１０１５／ｃｍ２〜１Ｘ１０１８／ｃｍ２の範囲で用いる。
【００２８】
　前処理されたＩＴＯフィルム２０に第１の金属層であるバッファ層４０を蒸着する（Ｓ１３０）。バッファ層４０は、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｎｉ−Ｃｒ、Ｔｉ、Ｓｎ、Ｍｏなどの金属をＲＦスパッタ、ＤＣスパッタ、ＣＶＤ技術などの真空蒸着方法を用いて形成する。
【００２９】
　第１の金属層の上に導電体層３０である第２の金属層を蒸着する（Ｓ１４０）。導電体層３０は、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｌなどの金属をＲＦスパッタ、ＤＣスパッタ、ＣＶＤ技術などの真空蒸着方法を用いて形成する。」
　
ｅ．「【図１】
」
　
ｆ．「【図３】
」
　
　よって、引用文献１には以下のような発明（以下「引用発明１」という。）が記載されている。
「ＰＥＴフィルム１０に設けられた透明導電性フィルム２０上に導電体層３０を形成してタッチスクリーンを製造するタッチスクリーンの製造方法であって、
　前記透明導電性フィルム２０の表面に反応性ガスのイオンビームを照射する前処理過程と、
　前記前処理過程の後、前記透明導電性フィルム２０上に導電体層３０を形成する、タッチスクリーンの製造方法。」
　
（イ）引用文献２について
　引用文献２には、図面と共に、以下の記載がある。
ａ．「【００５９】
・・・本実施の形態においては、第１取出導電体４３および第２取出導電体４８は、第１透明導電体４０および第２透明導電体４５をなす材料よりも高い導電率（電気伝導率）を有する材料から形成されている。具体的には、遮光性を有するとともに、ＩＴＯ等の透明導電体よりも格段に高い導電率を有する、例えばアルミニウム、モリブデン、銀、クロム、銅等の金属材料を用いて、第１取出導電体４３および第２取出導電体４８を形成することができる。」
　
（ウ）引用文献３について
　引用文献３には、図面と共に、以下の記載がある。
ａ．「【０００４】
　上記問題を解決するために、上記Ｃｕ層の形成までの工程を１つの真空槽内において行うことが考えられるが、Ｃｕ層を形成する際に可撓性基材に与える熱と、形成されたＣｕ層により生じる応力により、フレキシブルプリント基材に皺やカーリングが生じるという問題があった。」
　
ｂ．「【０００９】
　次に、図面を参照して本発明の一実施の形態について説明する。
　図１に示されるフレキシブルプリント基材製造装置１は、真空槽２内において、可撓性基材３（以下、「基材」とする。）を搬送するために、アンワインダー４、メインローラー５及びワインダー６を備えている。
　前記アンワインダー４は、巻回された前記基材３をメインローラー５に送り出すために使用される。アンワインダー４とメインローラー５との間には、プラズマ処理手段７が設けられる。
　前記メインローラー５は、基材３を密着させながら回転搬送するとともに、基材３を加熱するために使用される。このメインローラー５を中心として、その外周の真空槽２内の空間は、隔壁８，９，１０，１１により区割され、前記基材３の搬送方向に、シード層を形成するためのシード層形成手段１２、中間室１３及び金属薄膜層を形成する金属薄膜層形成手段１４が配置又は形成される。尚、各形成手段１２，１４及び中間室１３は、メインローラー５と各隔壁８，９，１０，１１により設計可能な範囲で区割され、雰囲気分離されている。尚、ここでいう雰囲気分離とは、完全な空間の分離を意味するのではなく、各形成手段１２，１４における処理が、支障のない程度に空間雰囲気の分離がなされていることをいうものとする。
　そして、ワインダー６は、メインローラー４により搬送される基材３を巻き取るために使用される。ワインダー６とメインローラー５との間には、加熱圧延手段１５が設けられる。
　尚、本発明における基材３には、絶縁性を有するポリマーフィルム等を使用することができ、具体的には、ポリイミドフィルムを使用することができる。また、その厚さについても、特に制限はなく、通常は、５μｍ〜２００μｍの範囲のものが使用される。
【００１０】
　前記プラズマ処理手段７においては、プラズマ放電を生じさせて、プラズマ中の陽イオンガス種を基材３の表裏に衝突させることにより、前記基材３表面の水分が除去するとともにカーボン系の不純物を除去する等の洗浄処理がなされる。
　図示されるプラズマ処理手段７では、円筒形状のＲＦイオンボンバード電極１６，１６が、その間に、基材３を通過できるように配置され、各電極１６，１６の基材３に対向する側以外は、隔壁１７，１７により覆われ、隔壁１７，１７外の空間から雰囲気分離ができるようになっている。
　この雰囲気分離された隔壁１７，１７内へは図示しないガス導入系からガス導入管１８を介して放電ガスが導入され、前記電極１６，１６にＲＦ電力を印加してプラズマを生じさせる。そして、プラズマ中の陽イオンガス種が基材３の表裏へ衝突することにより、前記基材３表面の水分が除去されるとともにカーボン系の不純物が除去される等の洗浄処理がなされる。導入された放電ガスは、真空ポンプ２９により排気される。尚、導入されるガスとしては、Ａｒ、Ｎ２、Ｏ２やこれらの混合ガスを使用することができる。また、前記電極１６，１６周囲の雰囲気圧力を保ちＲＦ放電を維持するために、前記隔壁１７，１７と前記基材３との間隙を狭くして、隔壁１７，１７内の圧力を隔壁１７，１７外より高くなるようにしている。」
　
ｃ．「【００１７】
　上記実施の形態において図１を用いて説明した製造装置１を用いて、具体的にフレキシブルプリント基材を製作した例について説明する。
　基材３として、幅２５０ｍｍ、長さ１５０ｍ、厚さ２５μｍのポリイミドフィルムを巻回したもの（商品名：カプトンＥＮ、東レ・デュポン株式会社製）を使用し、これをアンワインダー４に装着して、真空槽２の圧力が１×１０−４Ｐａとなるまで、真空ポンプ２０，２３，２５，２９により真空排気した。
　そして、アンワインダー４からの基材３の送り速度を２ｍ／ｍｉｎとして、次のように連続して処理を行った。
　まず、プラズマ処理手段７では、隔壁１７，１７内にＡｒガスを導入してＲＦ印加電極１６，１６の雰囲気圧力を１．５Ｐａとし、周波数１３．５６ＭＨｚのＲＦ電力３００ＷをＲＦ印加電極１６，１６に投入して放電させ、基材３の表面の洗浄を行った。・・・」
　
ｄ．「【図１】
」
　
（エ）引用文献４について
　引用文献４には、図面と共に、以下の記載がある。
ａ．「【０００９】
　本発明によれば、前プラズマ工程を行うことにより、フィルム状基材から水分等の不純物が除去され、その後の成膜工程でフィルム状基材に形成される電極膜の密着性が向上する。・・・」
　
ｂ．「【００１７】
　成膜ユニット５は、ルツボ５１に収納したアルミニウム等の金属材料を電子銃５２からの電子ビーム５２ａで加熱蒸発させるＥＢ蒸着方式のものである。尚、成膜ユニット５として、抵抗加熱蒸着方式、誘導加熱蒸着方式、スパッタ方式等のＥＢ蒸着方式以外のものを用いることも可能である。
【００１８】
　プラズマ発生ユニット６は、図２に示す如く、フィルム状基材ａが通過する一対のスリット状開口部６１ａ，６１ｂを形成した導電性の箱体６１内に、フィルム状基材ａを挟んで対向するように円筒状の一対のカソード電極６２，６２を配置したものである。そして、箱体６１内に、これに形成したガス導入口６３から雰囲気ガスを導入し、カソード電極６２に直流又は交流を印加し、雰囲気ガス中で放電させてプラズマｐを発生させることにより、フィルム状基材ａや電極膜ｂに電子、イオンを照射するプラズマ処理を行う。
【００１９】
　尚、雰囲気ガスとしては、Ａｒ（アルゴン）、Ｏ２（酸素）、Ｎ２（窒素）、Ｈｅ（ヘリウム）、ＣＦ４（四フッ化炭素）、ＣＯ２（二酸化炭素）、ＣＨ４（メタン）、Ｃ２Ｈ２（アセチレン）の中から選ばれた１種類のガス又は２種類以上の混合ガスを用いることができる。また、カソード電極６２の内部や周囲に図示省略したマグネットを配置して、雰囲気ガス中でマグネトロン放電やぺニング放電させるが、放電形式はこれに限定されない。また、カソード電極６２は平板状であってもよい。」
　
ｃ．「【００２６】
　（実施例１）
　図１の真空巻取成膜装置を用い、真空チャンバ１内を４．７×１０−３Ｐａまで真空引きした後に、第１の巻出巻取ローラ２１から第２の巻出巻取ローラ２２にフィルム状基材ａ（材質ＰＰ、厚さ１２μｍ、幅２２０ｍｍ）を３．０ｍ／ｍｉｎの速度で搬送しつつ、プラズマ発生ユニット６に雰囲気ガスとして酸素を３００ｓｃｃｍの流量で導入すると共に、カソード電極６２に直流電圧を印加し、電流０．１Ａ、電圧２５０Ｖの条件でフィル状基材ａの表面にプラズマ処理を施す前プラズマ工程を行った。次に、第２の巻出巻取ローラ２２から第１の巻出巻取ローラ２１にフィルム状基材ａを搬送しつつ、成膜ユニット５のルツボ５１内のアルミ材料（純度９９．９％）をパワー５．８ｋＷの電子ビーム５２ａで加熱し、成膜時の圧力１．０〜１．４×１０−２Ｐａ、冷却ドラム３とルツボ５１間の距離２７５ｍｍ、基材張力２４．５Ｎ、冷却ドラム３の周面温度２０℃の条件で、フィルム状基材ａのプラズマ処理面にアルミ材料から成る電極膜ｂを形成する成膜工程を行った。・・・」
　
ｄ．「【図１】
」
　
（オ）引用文献５について
　引用文献５には、図面と共に、以下の記載がある。
ａ．「【００１４】
　上記透明導電フィルムにおいて、上記金属細線の厚みは、２０ｎｍ〜１μｍである。
　上記金属細線の厚みが２０ｎｍ未満の場合には、金属細線の抵抗が高くなり、透明電極層の低抵抗化を図ることが困難となるおそれがある。一方、厚みが１μｍを超える場合には、例えば、金属膜をエッチングして金属細線を形成する場合に、そのエッチング時間が長くなり、エッチング液の浸み込みによる透明導電層の剥がれが生じるおそれがある。」
　
ｂ．「【００１８】
　また、上記透明導電層としては、例えば、ＩＴＯ（インジウム−スズ酸化物）、ＺｎＯ（酸化亜鉛）、ＳｎＯ２（酸化スズ）、ＩＺＯ（酸化インジウム−酸化亜鉛）等の金属酸化物を用いることができる。
　また、上記金属細線としては、例えば、金属の中でも抵抗の低いＣｕ（銅）、Ａｇ（銀）、Ａｌ（アルミニウム）等を用いることができる。」
　
ｃ．「【００５４】
（実施例３）
　本例は、図１６に示すごとく、さらに別のスパッタリング装置６を用いて透明導電フィルム１を製造した例である。
　なお、本例において製造する透明導電フィルム１は、実施例１と同様の構成である（図１参照）。
【００５５】
　本例の透明導電フィルム１を製造するに当たっては、実施例１と同様の構成のスパッタリング装置５（図４参照）を用いて、基材フィルム１１の一方の面にコーティングされた光学調整層１２の表面にＳｉＯ２からなる金属酸化物層１３（図５参照）及びＩＴＯからなる透明導電膜２１０（図５参照）を順に成膜する。そして、基材フィルム１１を一旦、大気開放させる。
【００５６】
　次いで、図１６に示すごとく、別のスパッタリング装置６における２つのロール６１１、６１２に、金属酸化物層１３及び透明導電膜２１０を成膜した基材フィルム１１を取り付ける。このとき、基材フィルム１１を台座ドラム６２に沿わせるにようにして配置する。そして、チャンバー内を真空排気し、その真空度を８×１０−４Ｐａ以下にする。
　なお、スパッタリング装置６は、チャンバー内にＣｕ（銅）のターゲット６４１を２つ備えており、さらに加熱装置６３を備えている。
【００５７】
　次いで、基材フィルム１１を７．５ｍ／分の速度でロール６１１からロール６１２（Ａ方向）に送りながら、基材フィルム１１の表面温度、つまり透明導電膜２１０の表面温度が８０℃となるように、加熱装置６３によって透明導電膜２１０の表面の水分やハイドロカーボンを蒸発除去させる。
　次いで、Ｃｕのターゲット６４１を備えたＣｕ成膜用のチャンバー内に、アルゴンガス（流量：３５０ｃｃ／分）を導入する。そして、ＤＣパルス電源を用いて２５ｋＷの電力を供給することにより、基材フィルム１１の透明導電膜２１０の表面にＣｕからなる金属膜２２（図５参照）を成膜する。
【００５８】
　これにより、図５を参照のごとく、基材フィルム１１の表面に、光学調整層１２、金属酸化物層１３、透明導電膜２１０及び金属膜２２０を順に形成した中間フィルム１００を得ることができる。
　その後、実施例１と同様に、金属膜２２０をエッチングして金属細線２２をパターン形成し、さらに透明導電膜２１０をエッチングして透明導電層２１をパターン形成する。
　以上により、本例の透明導電フィルム１（図１）を得ることができる。
【００５９】
　次に、本例の透明導電フィルム１における作用効果について説明する。
　本例の透明導電フィルム１の製造方法において、金属膜２２０を成膜する前に、加熱装置６３によって透明導電膜２１０の表面の水分やハイドロカーボンを蒸発除去させる。そのため、透明導電膜２１０に対する金属膜２２０の密着性を高めることができる。これにより、透明導電層２１に対する金属細線２２の密着性も高めることができる。
　その他、実施例１と同様の作用効果を有する。」
　
ｄ．「【図５】
」
　
ｅ．「【図１６】
」
　
　ｃ．の【００５６】には「そして、チャンバー内を真空排気し、その真空度を８×１０−４Ｐａ以下にする。なお、スパッタリング装置６は、チャンバー内にＣｕ（銅）のターゲット６４１を２つ備えており、さらに加熱装置６３を備えている。」と記載されていることから、加熱装置６３による処理からターゲット６４１による処理は真空環境下にあると理解できる。
　
　よって、引用文献５には以下のような発明（以下「引用発明２」という。）が記載されている。
「基材フィルム１１に設けられた透明導電膜２１０上に金属膜２２０を形成して透明導電フィルム１を製造する透明導電フィルムの製造方法であって、
　前記透明導電膜２１０を成膜した前記基材フィルム１１をスパッタリング装置６に取り付けてチャンバー内を真空排気し、
　その後、加熱装置６３によって前記透明導電膜２１０の表面の水分やハイドロカーボンを蒸発除去し、
　その後、ターゲット６４１によって前記透明導電膜２１０上に金属膜２２０を成膜し、
　加熱装置６３による処理からターゲット６４１による処理は真空環境下に置かれる、透明導電フィルムの製造方法。」
　
（カ）引用文献６について
　引用文献６には、図面と共に、以下の記載がある。
ａ．「【０００２】
【従来の技術】従来より、真空下において、連続シート状材料に対しプラズマ等による表面改質処理や、スパッタ、ＣＶＤ、蒸着等による成膜処理などの表面処理を行う表面処理装置がある。
【０００３】かかる表面処理装置においては、シート状材料の表面や内部に存在する水などの不純ガス分子をシート状材料から除去したり、成膜性の向上や汚れ除去、表面の活性化などの目的として、上記表面処理に先立ってシート状材料を加熱処理したりプラズマ処理したりする場合がある。このような前処理により真空中に放出された不純ガスが、その後の成膜等の表面処理室内に入り込むと、満足のいく表面処理を行うことが難しい。とりわけ、金属膜、酸化膜、窒化膜などの成膜には、必要なガス分子以外のガスが混入することを極力避けねばならない。」
　
ｂ．「【００１５】本発明の表面処理装置においては、上記第２の処理がプラズマ、スパッタ、ＣＶＤ、蒸着等の表面処理であり、上記第１の処理が該表面処理に先立ってシート状材料に施される加熱処理やプラズマ処理などの前処理である場合がある。より具体的には、第１の処理（前処理）が加熱処理であり、第２の処理（表面処理）がプラズマによる表面改質処理、又はスパッタ、ＣＶＤ、蒸着等の成膜処理であってもよい。また、第１の処理（前処理）がプラズマによる表面改質処理であり、第２の処理（表面処理）がスパッタ、ＣＶＤ、蒸着等の成膜処理であってもよい。
【００１６】更に、前処理として加熱処理とプラズマ処理を行ってから、成膜処理を施してもよい。その場合、前処理を施す第１処理室が、シート状材料を加熱する加熱処理室と、加熱処理したシート状材料に対してプラズマによる表面改質を行うプラズマ処理室とからなり、該加熱処理室とプラズマ処理室との間に仕切壁が設けられ、該仕切壁に前記開口と前記一対のシールロールとが設けられていることが好ましい。」 
　
ｃ．「【００１９】本体１０の天井面には、複数の排気装置１２が取り付けられており、これらの排気装置１２を動作させることによって、本体１０内は大気圧状態から真空状態に真空引きできるようになっている。」
　
ｄ．「【００２２】加熱処理室１６は、巻出室１４から引き出されたシート状材料Ｓを、真空中で加熱して、脱ガス（主として水分子）を行う処理室であり、加熱源としての赤外線ヒータ３２がシート表面に赤外線を照射するように配設されている。また、赤外線の反射板３４が、ヒータ３２の背後と、シート状材料Ｓを挟んで反対側とに、対向して配置されている。
【００２３】プラズマ処理室１８は、脱ガスされたシート状材料Ｓに対し、真空中で成膜の前処理としてプラズマによる表面改質を行う処理室であり、プラズマ源となる電極３６がシート状材料Ｓと相対するように配されている。
【００２４】成膜室２２は、プラズマにより表面改質されたシート状材料Ｓに対して真空中で成膜する処理室であり、シート状材料Ｓの加熱又は冷却を行うバックアップロール３８と、このロール３８に沿って走行するシート状材料Ｓと相対するように配されたスパッタ源又はＣＶＤ用プラズマ源となる複数の電極４０とを備える。」
　
ｅ．「【図１】
」
　
（キ）引用文献７について
　引用文献７には、図面と共に、以下の記載がある。
ａ．「
」
（当審和訳
［０００１］　本実用新案は新型巻回式成膜機に関し、前記巻回式成膜機は可撓性材料に金属または化合物、例えばＩＴＯ透明導電膜を成膜するのに用いることができる。）
ｂ．「
」
（当審和訳
［０００７］　本実用新案の赤外線ヒーターは主に薄膜中に含まれる水分を除去し、水分過多で成膜製品に不良を引き起こすのを防止し、温度は（０〜３００）℃の間で調節することができる。ガイドローラとガイドローラは成膜ドラムと水平であり、ガイドローラとガイドローラの作用により薄膜が成膜表面に密着し、成膜ドラムの表面温度が−１５℃から室温の間で調節でき、零下の温度に調整して成膜時に発生する余分な熱を防止し、フィルムシートがしわになることを防止する。
［０００８］　本成膜工程前に、フィルムシートにプラズマ前処理を行い、一般にアルゴンガスと酸素ガスを充填し、アルゴンガスをプラズマとしてイオン化して薄膜の表面に衝突して不純物の元素の一部を除去し、酸素ガスが薄膜の表面から叩き出された元素と反応し、生成された酸化物を真空ポンプで吸引する。）
ｃ．「
」
（当審和訳
［００１１］　新型巻回式マグネトロンスパッタリング成膜機は、巻き出し室１、繰り出しロール２、赤外ヒーター３、成膜ドラム４、前処理装置５、処理室６、真空ロック７、巻き取りロール８、水分含有量検出器９、オンライン抵抗測定装置１０、薄膜光学特性計測装置１１、巻き取り室１２、ガイドロール（１）１３、ガイドロール（２）１４、第１の成膜室１５、第２の成膜室１６、第３の成膜室１７、第４の成膜室１８、第５の成膜室１９、及び第６の成膜室２０を備え、巻き出し室１、処理室６、巻き取り室１２が互いに連通し、真空ロック７は、処理室６と巻き取り室１２との間に存在し、ガイドロール（１）１３、ガイドロール（２）１４と、成膜ドラム４とが水平位置に保持されている。）
　
ｄ．「図１
」
　
イ．本件発明１について
（ア）本件発明１は、上記（１）において示したとおりのものである。
　
（イ）本件発明１と引用発明１の対比・判断
　本件発明１と引用発明１とを対比すると、以下のとおりとなる。
　引用発明１の「ＰＥＴフィルム１０」「透明導電性フィルム２０」「導電体層３０」は、各々、本件発明１の「基材フィルム」「透明導電層」「金属層」に相当する。
　また、引用発明１の「タッチスクリーン」は、複数の層の積層体である点で、本件発明１の「積層体」に相当する。
　そして、引用発明１の「前記透明導電性フィルム２０の表面に反応性ガスのイオンビームを照射する前処理過程」は、本件発明１の「前記透明導電層の表面にガスイオンを照射する表面処理工程」に相当する。
　よって、本件発明１と引用発明１とを対比すると、以下の構成において一致する。
「基材フィルムに設けられた透明導電層上に金属層を形成して積層体を製造する積層体製造方法であって、
　前記透明導電層の表面にガスイオンを照射する表面処理工程と、
　前記表面処理工程の後、前記透明導電層上に金属層を形成する金属層形成工程とを備える、積層体製造方法。」
　
　そして、本件発明１と引用発明１は、以下の点で相違する。
［相違点１］
　本件発明１は、金属層が「遮光性を有する」のに対して、引用発明１は、導電体層３０が遮光性を有するかどうかが明らかでない点。
　
［相違点２］
　本件発明１は、「前記透明導電層が設けられた前記基材フィルムを大気環境下から真空環境下に置く準備工程」を有するのに対して、引用発明１は、準備工程を有するかどうかが明らかでない点。
　
［相違点３］
　本件発明１は、「前記表面処理工程が実施されてから前記金属層形成工程が実施されるまでの間、前記基材フィルムが真空環境下に置かれる」のに対して、引用発明１は、前処理過程が実施されてから導電体層３０を形成するまでの間、ＰＥＴフィルム１０が真空環境下に置かれるかどうかが明らかでない点。
  
　上記相違点１について検討する。
　本件特許の明細書には、積層体が「第１遮光導電層１７ａ」や「第２遮光導電層１７ｂ」を備えることは記載されているものの、積層体製造方法において当該導電層が遮光性を有することの効果や技術的意義は記載されていない。
　一方で、引用発明１の導電体層３０は、タッチスクリーンに求められる性能に応じて厚さが調節され得るものであり（上記ア．（ア）ｃ．で指摘した引用文献１の段落【００１５】を参照。）、導電体層３０を構成する金属として例示されているＡｇ、Ｃｕ、Ａｌといった金属（上記ア．（ア）ｄ．で指摘した引用文献１の段落【００２９】を参照。）は、遮光性を有する導電体層の素材として本件特許に係る発明の出願前に周知である（例えば、引用文献２を参照。）から、導電体層３０は遮光性を有し得るものであると解される。
　よって、相違点１は実質的な相違点ではないか、相違点であるとしても適宜変更し得るものである。
　
　上記相違点２について検討する。
　引用発明１は、透明導電性フィルム２０の表面に反応性ガスのイオンビームを照射する前処理過程を有するが、このような処理が真空環境下で行われることは周知である（例えば、引用文献３や引用文献４等を参照）。
　そして、引用文献３には、積層体製造方法において、基材３をアンワインダー４に装着してから真空環境下に置き、表面処理工程への準備を行うことが記載されている。ここで、基材３の設置後に真空排気するのだから、基材３の設置時には大気環境下であると解される。
　また、引用文献４には、積層体製造方法において、フィルム状基材ａを真空環境下に置き、表面処理工程への準備を行うことが記載されている。ここで、明記はされていないものの、第１の巻出巻取ローラ２１及び第２の巻出巻取ローラ２２にフィルム状基材ａを設置する工程が最初に存在することは自明であり、フィルム状基材ａの設置後に真空チャンバ１内を真空引きするのだから、フィルム状基材ａの設置時には大気環境下であると解される。
　よって、引用文献３または４には、積層体製造方法において、基材となるフィルムを製造装置に設置し、大気環境下から真空環境下に置き、表面処理工程への準備を行うことが、実質的に記載されていると把握できる。
　引用発明１においても、透明導電性フィルム２０の表面に反応性ガスのイオンビームを照射する表面処理工程は真空環境下で行われると解されるから、その準備工程として引用文献３または４に記載された事項を適用し、基材となるフィルムを製造装置に設置し、大気環境下から真空環境下に置き、前処理過程への準備をすることは、当業者が適宜なし得たことである。
　
　上記相違点３について検討する。
　積層体の製造方法において、基材の表面処理工程から金属層形成工程までの一連の工程を、真空環境下で行うことは、本件特許に係る発明の出願前に周知の技術である（例えば、引用文献３、引用文献４または引用文献５等を参照。）。
　引用発明１は、前処理過程及び導電体層３０の形成過程を含んでいるから、作業の効率性や前処理過程後の基材の汚染防止等を考慮すると、周知技術のように一連の工程を真空環境下で行うようにすることは、当業者が適宜なし得たことである。
　
　よって、本件発明１は、引用発明１、引用文献３または４に記載された事項、及び、周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであり、その特許は特許法第１１３条第２項に該当する。
　
（ウ）本件発明１と引用発明２の対比・判断
　本件発明１と引用発明２とを対比すると、以下のとおりとなる。
　引用発明２の「基材フィルム１１」「透明導電膜２１０」「金属膜２２０」は、各々、本件発明１の「基材フィルム」「透明導電層」「金属層」に相当する。
　また、引用発明２の「透明導電フィルム１」は、複数の層の積層体である点で、本件発明１の「積層体」に相当する。
　引用発明２は「前記透明導電膜２１０を成膜した前記基材フィルム１１をスパッタリング装置６に取り付けてチャンバー内を真空排気」するものであって、この取り付けの際には大気環境下であると考えられるから、本件発明１の「前記透明導電層が設けられた前記基材フィルムを大気環境下から真空環境下に置く準備工程」に相当する工程を備えているといえる。
　引用発明２は「加熱装置６３によって前記透明導電膜２１０の表面の水分やハイドロカーボンを蒸発除去」するものであるが、これは透明導電膜２１０の表面に対して行う処理である限りにおいて、本件発明１の「表面処理工程」に相当する。
　引用発明２は「ターゲット６４１によって前記透明導電膜２１０上に金属膜２２０を成膜」するものであるから、本件発明１の「前記透明導電層上に金属層を形成する金属層形成工程」に相当する工程を有しているといえる。
　そして、引用発明２は「加熱装置６３による処理からターゲット６４１による処理は真空環境下に置かれる」から、本件発明１の「前記表面処理工程が実施されてから前記金属層形成工程が実施されるまでの間、前記基材フィルムが真空環境下に置かれる」に相当する。
　よって、本件発明１と引用発明２とを対比すると、以下の構成において一致する。
「基材フィルムに設けられた透明導電層上に金属層を形成して積層体を製造する積層体製造方法であって、
　前記透明導電層が設けられた前記基材フィルムを大気環境下から真空環境下に置く準備工程と、
　前記準備工程の後、前記透明導電層の表面を処理する表面処理工程と、
　前記表面処理工程の後、前記透明導電層上に金属層を形成する金属層形成工程と、を備え、
　前記表面処理工程が実施されてから前記金属層形成工程が実施されるまでの間、前記基材フィルムが真空環境下に置かれる、積層体製造方法。」
　
　そして、本件発明１と引用発明２は、以下の点で相違する。
［相違点５］
　本件発明１は、金属層が「遮光性を有する」のに対して、引用発明２は、金属膜２２０が遮光性を有するかどうかが明らかでない点。
　
　上記相違点５について検討する。
　本件特許の明細書には、積層体が「第１遮光導電層１７ａ」や「第２遮光導電層１７ｂ」を備えることは記載されているものの、積層体製造方法において当該導電層が遮光性を有することの効果や技術的意義は記載されていない。
　一方で、引用発明２の金属膜２２０（引用文献５の段落【００４４】に記載されているとおり、金属細線２２を元にして形成されるものである。）を構成する金属として例示されているＣｕ、Ａｇ、Ａｌといった金属（引用文献５の段落【００１８】を参照。）は、遮光性を有する導電体層の素材として本件特許に係る発明の出願前に周知である（例えば、引用文献２の段落【００５９】等を参照。）から、金属膜２２０は遮光性を有し得るものであると解される。
　よって、相違点５は実質的な相違点ではないか、相違点であるとしても適宜変更し得るものである。
  
　よって、本件発明１は、引用発明２に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであり、その特許は特許法第１１３条第２項に該当する。
　
（エ）特許権者の主張について
　特許権者は、平成３０年１２月２７日付け意見書（以下「意見書」という）において、引用発明１に引用文献３または４に記載された事項を適用すると、透明導電性フィルムが設けられていない基材を大気環境下から真空環境下に置き、真空環境下において、基材に透明導電性フィルムを設ける工程、透明導電性フィルムの表面処理工程、及び透明導電性フィルム上に導電体層を形成する工程が順次実施されることになると主張する（意見書８ページ６〜１８行を参照。）。
　しかし、引用発明１は、透明導電性フィルム２０の表面に反応性ガスのイオンビームを照射する前処理過程を有するものであり、このような処理が真空環境下で行われることは周知であるから、引用発明１においても前処理過程は真空環境下で行われると解される。
　そこで、引用発明１を実施する際、前処理過程に先だって、透明導電性フィルム２０をどのように真空環境下に置くかを検討する際に、その具体的手法として、引用文献３または４に記載されたように、当該フィルムを製造装置に設置し、大気環境下から真空環境下に置くようにすることは、当業者が容易になし得たことである。
　よって、特許権者の上記主張は当を得たものでない。
　
ウ．本件発明３について
（ア）本件発明３は、上記（１）において示したとおりのものである。
　
（イ）本件発明３と引用発明１の対比・判断
　引用文献１の段落【００２７】には、「金属層の密着力を向上させるために、プラズマまたはイオンビームを用いてＩＴＯフィルム２０の表面を前処理する（Ｓ１２０）。ここで、イオンビームの発生のための反応性ガスとして、Ｏ２、Ｏ３、Ｎ２、Ｎ２Ｏ、ＮＯ２、ＣＯ２の中から選び、または、不活性ガスとして、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ、Ｎｅのいずれかを選択する。」と記載されている。
　ここで、「反応性ガスとして、Ｏ２、Ｏ３、Ｎ２、Ｎ２Ｏ、ＮＯ２、ＣＯ２の中から」「Ｏ２」を選んだ場合の引用発明１は、本件発明３の「酸素ガス」に相当するガスを使用するものである。
　また、上記「不活性ガス」は、本件発明３の「不活性ガス」に相当する。
よって、本件発明３と引用発明１とを対比すると、上記相違点１〜３で相違する他は、一致している。
　
　したがって、本件発明３は、引用発明１、引用文献３または４に記載された事項、及び、周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであり、その特許は特許法第１１３条第２項に該当する。
　
（ウ）本件発明３と引用発明２の対比・判断
　本件発明３と引用発明２とを対比すると、上記相違点５で相違し、さらに以下の相違点で相違する。
［相違点７］
　本件発明３は、「前記表面処理工程は、前記透明導電層の表面に不活性ガスおよび酸素ガスのイオンを照射する工程を含む」のに対して、引用発明２は、何らかのイオンを照射する工程を含んでいない点。
　
　上記相違点７について検討する。
　積層体の製造方法の技術分野において、成膜の前処理として、まず、基材フィルムを真空環境下において赤外線ヒータ等で加熱し、その次に、プラズマによる表面処理を行うことは、本件特許に係る発明の出願前に周知の技術である（例えば、引用文献６や、引用文献７等を参照。）。
　引用発明２は、透明導電膜２１０の表面を加熱装置６３によって処理しており、そこでは水分の除去のみならずハイドロカーボンの蒸発除去も目的としている（引用文献５の段落【００５７】を参照。）から、除去が求められる汚染物質に応じて、加熱装置６３による処理を、周知技術である加熱処理とプラズマによる表面処理の二段階の表面処理に変更することは、当業者が適宜なし得たことである。
　そして、プラズマによる表面処理において、透明導電層の表面に不活性ガスおよび酸素ガスのイオンを照射することは、本願出願時の技術常識であって（例えば、引用文献１の段落【００２７】や、引用文献３の段落【００１０】や、引用文献４の段落【００１９】の記載を参照。）、引用発明２においてもそのようにすることは、当業者が適宜なし得たことである。
　したがって、本件発明３は、引用発明２及び周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであり、その特許は特許法第１１３条第２項に該当する。
　
　なお、特許権者は、意見書において、引用発明２における加熱装置６３による処理をプラズマ処理に変更する動機は存在しないと主張している（意見書１０ページ２５行〜１１ページ３行を参照。）。
　しかし、積層体の製造方法の技術分野において、成膜の前処理として、まず、基材フィルムを真空環境下において赤外線ヒータ等で加熱し、その次に、プラズマによる表面処理を行うことは、本件特許に係る発明の出願前に周知の技術である（例えば、引用文献６や、引用文献７等を参照。）。
　引用発明２は、透明導電膜２１０の表面を加熱装置６３によって処理しており、そこでは水分の除去のみならずハイドロカーボンの蒸発除去も目的としている（引用文献５の段落【００５７】を参照。）から、除去が求められる汚染物質に応じて、加熱装置６３による処理を、周知技術である加熱処理とプラズマによる表面処理の二段階の表面処理に変更することは、当業者が適宜なし得たことである。
　よって、特許権者の上記主張は当を得たものでない。 
　
エ．本件発明４について
（ア）本件発明４は、上記（１）において示したとおりのものである。
　
（イ）本件発明４と引用発明１の対比・判断
　引用文献１の段落【００２７】には、「金属層の密着力を向上させるために、プラズマまたはイオンビームを用いてＩＴＯフィルム２０の表面を前処理する（Ｓ１２０）。ここで、イオンビームの発生のための反応性ガスとして、Ｏ２、Ｏ３、Ｎ２、Ｎ２Ｏ、ＮＯ２、ＣＯ２の中から選び、または、不活性ガスとして、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ、Ｎｅのいずれかを選択する。」と記載されている。
　ここで、「不活性ガスとして、Ａｒ・・・を選択」した場合の引用発明１は、本件発明４の「アルゴンガス」に相当するガスを使用するものである。
　よって、本件発明４と引用発明１とを対比すると、上記相違点１〜３で相違する他は、一致している。　
　したがって、本件発明４は、引用発明１、引用文献３または４に記載された事項、及び、周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであり、その特許は特許法第１１３条第２項に該当する。
　
（ウ）本件発明４と引用発明２の対比・判断
　本件発明４と引用発明２とを対比すると、上記相違点５で相違し、さらに以下の相違点で相違する。
［相違点８］
　本件発明４は、「前記不活性ガスがアルゴンガスである」のに対して、引用発明２は、何らかのイオンを照射する工程を含んでいない点。
　
　上記相違点８について検討する。
　上記ウ．（ウ）で触れたように、引用発明２の加熱装置６３による処理を、周知技術である加熱処理とプラズマによる表面処理の二段階の表面処理に変更することは、当業者が適宜なし得たことである。
　そして、プラズマによる表面処理において、アルゴンガスを照射することは、本願出願時の技術常識であって（例えば、引用文献１の段落【００２７】や、引用文献３の段落【００１０】や、引用文献４の段落【００１９】の記載を参照。）、引用発明２においてもそのようにすることは、当業者が適宜なし得たことである。
　
　したがって、本件発明４は、引用発明２及び周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであり、その特許は特許法第１１３条第２項に該当する。
　
オ．本件発明５について
（ア）本件発明５は、上記（１）において示したとおりのものである。
　
（イ）本件発明５と引用発明１の対比・判断
　本件発明５と引用発明１とを対比すると、上記相違点１〜３で相違し、さらに以下の相違点で相違する。
［相違点９］
　本件発明５は、「前記準備工程において、前記透明導電層が設けられた前記基材フィルムが、１０Ｐａ以下の真空環境下に置かれる」のに対して、引用発明１は、準備工程を有するかどうかが明らかでない点。
　
　上記相違点９について検討する。
　上記イ．（イ）で触れたように、引用発明１においても、透明導電性フィルム２０の表面に反応性ガスのイオンビームを照射する表面処理工程は真空環境下で行われると解されるから、その準備工程として引用文献３または４に記載された事項を適用し、基材となるフィルムを製造装置に設置し、大気環境下から真空環境下に置き、前処理過程への準備をすることは、当業者が適宜なし得たことである。
　そして、引用文献３の段落【００１７】には、真空度を１×１０−４Ｐａとして、Ａｒガスを導入してＲＦ印可電極の雰囲気圧力を１．５Ｐａとすることが記載されている。また、引用文献４の段落【００２６】には、真空度を４．７×１０−３Ｐａ以下とすることが記載されている。さらに、引用文献５の段落【００５６】には、真空度を８×１０−４Ｐａ以下とすることが記載されている。
　これらの記載からみて、引用発明１において、準備工程に相当する工程において１０Ｐａ以下とすることは、当業者が適宜なし得たことである。
　
　したがって、本件発明５は、引用発明１、引用文献３または４に記載された事項、及び、周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであり、その特許は特許法第１１３条第２項に該当する。
　
（ウ）本件発明５と引用発明２の対比・判断
　本件発明５と引用発明２とを対比すると、上記相違点５、７及び８で相違し、さらに以下の相違点で相違する。
［相違点１０］
　本件発明５は、「前記準備工程において、前記透明導電層が設けられた前記基材フィルムが、１０Ｐａ以下の真空環境下に置かれる」のに対して、引用発明２は、「前記透明導電膜２１０を成膜した前記基材フィルム１１をスパッタリング装置６に取り付けてチャンバー内を真空排気」する際に、どの程度の真空度にするかが明らかでない点。
　
　上記相違点１０について検討する。
　引用文献３の段落【００１７】には、真空度を１×１０−４Ｐａとして、Ａｒガスを導入してＲＦ印可電極の雰囲気圧力を１．５Ｐａとすることが記載されている。また、引用文献４の段落【００２６】には、真空度を４．７×１０−３Ｐａ以下とすることが記載されている。さらに、引用文献５の段落【００５６】には、真空度を８×１０−４Ｐａ以下とすることが記載されている。
　これらの記載からみて、引用発明２において、「前記透明導電膜２１０を成膜した前記基材フィルム１１をスパッタリング装置６に取り付けてチャンバー内を真空排気」する際において、１０Ｐａ以下とすることは、当業者が適宜なし得たことである。
　
　したがって、本件発明５は、引用発明２及び周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであり、その特許は特許法第１１３条第２項に該当する。
　
カ．本件発明８について
（ア）本件発明８は、上記（１）において示したとおりのものである。
　
（イ）本件発明８と引用発明１の対比・判断
　引用文献１の段落【００１２】には、透明導電性フィルム２０として、ＩＴＯが例示されている。
　よって、本件発明８と引用発明１とを対比すると、上記相違点１〜３及び９で相違する他は、一致している。
　
　したがって、本件発明８は、引用発明１、引用文献３または４に記載された事項、及び、周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであり、その特許は特許法第１１３条第２項に該当する。
　
（ウ）本件発明８と引用発明２の対比・判断
　引用文献５の段落【００５５】には、透明導電膜２１０が、ＩＴＯからなることが記載されている。
　よって、本件発明８と引用発明２とを対比すると、上記相違点５、７、８及び１０で相違する他は、一致している。
　
　したがって、本件発明８は、引用発明２及び周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであり、その特許は特許法第１１３条第２項に該当する。
　
キ．小括
　以上のとおり、本件発明１、３〜５及び８に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであるから、同法第１１３条第２号に該当し、取り消されるべきものである。
　
（４）取消理由としなかった異議申立理由について
ア．申立人Ｂが申立てた理由のうち、本件発明１、３〜５及び８に対するものが通知され、本件発明６及び７に対するものは通知されなかった。
　この、本件発明６及び７に対する申立人Ｂの異議申立理由について、念のために検討すると、以下のとおりである。
　なお、ここでいう甲第１号証とは、申立人Ｂの提出した特許異議申立書（以下「申立書Ｂ」という）に記載された甲第１号証である。以下、甲第１号証を「甲１」といい、甲１に記載された発明を「甲１発明」、甲１に記載された事項を「甲１記載事項」という。甲第２号証についても同様。
　
（ア）異議申立理由１（甲１を主とする特許法第２９条第１項第３号）
　本件発明６、７は、甲１発明であるから、特許法第２９条第１項第３号の規定により特許を受けることができないものであるから、本件発明６、７に係る特許は特許法１１３条２号に該当し、取り消されるべきものである。
（イ）異議申立理由２（甲１を主とする特許法第２９条第２項）
　本件発明６、７は、甲１発明、及び甲２記載事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであり、その特許は特許法第１１３条第２項に該当する。
　
（ウ）異議申立理由３（甲２を主とする特許法第２９条第１項第３号）
　本件発明６は、甲２発明であるから、特許法第２９条第１項第３号の規定により特許を受けることができないものであるから、本件発明６に係る特許は特許法１１３条２号に該当し、取り消されるべきものである。
　
イ．異議申立理由１（甲１を主とする特許法第２９条第１項第３号）についての検討
（ア）本件発明６について
　申立人Ｂは、甲１の段落【００６１】に、金属電極の材料として、Ｃｕ、Ａｇ等の単体もしくは２種以上からなる合金が記載されていることをもって、本件発明６は甲１から容易に想到し得る事項であると主張（申立書Ｂの２０ページ１６〜２０行を参照）している。
　しかしながら、甲１の段落【００６１】には、「Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｉ／Ｃｒ、Ｔｉ等単体若しくは２種以上からなる合金」とは記載されていてもＡＰＣ合金であることまでは記載されてないから、本件発明６は、甲１発明であるとはいえない。
　さらに、本件発明６は甲１から容易に想到し得る事項であるとの主張は、特許法第２９条第１項第３号に関するものではない。
　
（イ）本件発明７について
　申立人Ｂは、甲１の段落【００６４】に、金属電極の下及び上に、Ｍｏ他の高融点金属層を形成してもよいことが記載されており、Ｍｏを含む合金である例えばＭｏＮｂは高融点の合金であることが周知の事項であることをもって、本件発明７は甲１から容易に想到し得る事項であると主張（申立書Ｂの２０ページ下から４行〜２１ページ１行を参照）している。
　しかしながら、甲１の段落【００６４】には、「Ｎｉ、Ｎｉ／Ｃｒ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｍｏ他の高融点金属層及びこれらの酸化物層」とは記載されていてもＭｏＮｂ合金であることまでは記載されていないから、本件発明７は、甲１発明であるとはいえない。
　さらに、本件発明７は甲１から容易に想到し得る事項であるとの主張は、特許法第２９条第１項第３号に関するものではない。
　
ウ．異議申立理由２（甲１を主とする特許法第２９条第２項）についての検討
（ア）本件発明６について
　甲１の段落【００６１】には、「Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｉ／Ｃｒ、Ｔｉ等単体若しくは２種以上からなる合金」とは記載されていてもＡＰＣ合金（Ａｇ、Ｐｄ、Ｃｕ合金）であることまでは記載されていないし、「Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｉ／Ｃｒ、Ｔｉ」の中からＣｕとＡｇの２種を選択した上で、甲１に記載されていないＰｄを追加してＡＰＣ合金とすることについての示唆もなく、ＡＰＣ合金とすることについての根拠となる他の証拠も提出されていない。
　よって、本件発明６は、甲１発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。
　
（イ）本件発明７について
　甲１の段落【００６４】には、「Ｎｉ、Ｎｉ／Ｃｒ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｍｏ他の高融点金属層及びこれらの酸化物層」とは記載されていてもＭｏＮｂ合金であることまでは記載されていないし、「Ｎｉ、Ｎｉ／Ｃｒ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｍｏ」の中からＭｏを選択した上で、甲１に記載されていないＮｂを追加してＭｏＮｂ合金とすることについての示唆もない。
　また、申立人Ｂは、ＭｏＮｂは高融点の合金であることが周知の事項であると主張しているけれども、周知技術であることを示す証拠は提示されていないし、周知技術であるとしても、単にＭｏＮｂ合金が高融点合金であるからということのみでは、Ｎｂも合金であることも記載されていない甲１において、「高融点金属層及びこれらの酸化物層」としてＭｏＮｂ合金を選択することの動機付けにはならない。
　よって、本件発明７は、甲１発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。
　
エ．異議申立理由３（甲２を主とする特許法第２９条第１項第３号）についての検討
　申立人Ｂは、甲２の段落【００１８】に、金属細線がＡｇによって形成されてよいことが記載されていることをもって、本件発明６は甲２から容易に想到し得る事項であると主張（申立書Ｂの２４ページ１〜５行を参照）している。
　しかしながら、甲２には、Ａｇであることは記載されていてもＡＰＣ合金であることまでは記載されてないから、本件発明６は、甲２発明であるとはいえない。
　さらに、本件発明６は甲２から容易に想到し得る事項であるとの主張は、特許法第２９条第１項第３号に関するものではない。
　
　なお念のために、本件発明６について甲２を主とする特許法第２９条第２項について検討すると、甲２の段落【００１８】には、「上記金属細線としては、例えば、金属の中でも抵抗の低いＣｕ（銅）、Ａｇ（銀）、Ａｌ（アルミニウム）等を用いることができる。」と記載されているのであって、合金とは記載されていないし、ましてやＡＰＣ合金（Ａｇ、Ｐｄ、Ｃｕ合金）であることは記載されておらず、「Ｃｕ（銅）、Ａｇ（銀）、Ａｌ（アルミニウム）等」の中からＣｕとＡｇの２種を選択した上で、甲２に記載されていないＰｄを追加してＡＰＣ合金とすることについての示唆もなく、ＡＰＣ合金とすることについての根拠となる他の証拠も提出されていない。
　よって、本件発明６は、甲２発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。
　
　
５．むすび
　以上のとおりであるから、取消理由通知（決定の予告）に記載した取消理由によって、本件発明１、３〜５及び８に係る特許は、取り消されるべきものである。
　また、本件発明６及び７に係る特許は、特許異議申立書に記載した異議申立理由によっては取り消すことはできない。さらに、他に本件発明６及び７に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　したがって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
令和１年１２月１０日（２０１９．１２．１０）