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　特願２００９−　９８００５「半導体装置及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２２年１１月　４日出願公開、特開２０１０−２５１４５７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯、本願発明
　本願は、平成２１年　４月１４日の出願であって、平成２４年１１月１９日付けで拒絶査定がされ、これに対し、平成２５年　２月２１日に拒絶査定に対する不服の審判が請求されると同時に手続補正がされたものである。
　　　　　
２．平成２５年　２月２１日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の結論］
　平成２５年　２月２１日付けの手続補正を却下する。
　　　　　
［理由］
（１）補正後の本願発明
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項２は、
「【請求項２】
　半導体素子と基板とが接合層によって接合された半導体装置であって、
　前記基板はその外表面が薄膜で覆われ、
　前記薄膜のうち、前記半導体素子と非接合な部分の薄膜には、前記接合層に接する表面側から前記基板に接する裏面側まで貫通しかつ前記半導体素子の外周に沿って一定幅を有する溝状空間部が形成され、前記基板上の薄膜は前記溝状空間部によって断続的に配置されていることを特徴とする半導体装置。」と補正された。
　　　　　
　上記補正は、請求項２に記載した発明を特定するために必要な事項である「溝状空間部」について「半導体素子の外周に沿って」との限定を付すものであって、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法（以下「平成１８年改正前特許法」という。）第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。 
　そこで、本件補正後の前記請求項２に記載された発明（以下「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。 
　　　　　
（２）引用文献及びその記載事項
（２−１）　原査定の拒絶の理由に引用され、本願出願日前に頒布された刊行物である特開２００６−２０２９３８号公報（以下「引用例」という。）には、図面とともに次の事項が記載されている。
　　　　　
　ア　「【請求項２】
　二つの対向する主面のうちの少なくとも一方の主面に第一の金属からなる第一の金属層を有する面実装タイプの半導体素子と、
　第四の金属からなる第四の金属層を少なくとも最表面に有している前記半導体素子を面実装する第二の金属からなる金属基板とを、
　平均直径が１００ｎｍ以下の第三の金属からなる超微粒子を有機系の溶媒中に分散させてなる金属ナノペーストを用いて接合する半導体装置の製造方法において、
　前記第一、第四および第三の金属が、金、銀、白金、銅、ニッケル、クロム、鉄、鉛、コバルトのうちのいずれかの金属、またはこれらの金属のうちの少なくとも一種を含む合金、またはこれら金属もしくは合金の混合物からなり、
　加熱、加圧、あるいはそれらの組合せにより前記溶媒を揮発させることによって、前記超微粒子が凝集することで形成される接合層を介在させて、前記第一の金属層と前記第四の金属層とを接合することを特徴とする半導体装置の製造方法。」（【特許請求の範囲】の【請求項２】）
　　　　　
　イ　「【０００７】
　以下、図面を用いて本発明の実施の形態について詳細に説明する。なお、以下で説明する図面で、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。  
　《第一の実施の形態》
　・・・（中略）・・・
【００１３】
　《第二の実施の形態》
　図２は、本発明の第二の実施の形態を示す接合前における半導体素子及び金属基板の断面図である。  
　図２において、２１は半導体素子１を面実装する第四の金属からなる第四の金属層である。  
　本実施の形態の半導体装置の製造方法は、二つの対向する主面のうちの少なくとも一方の主面に第一の金属からなる第一の金属層１１を有する面実装タイプの半導体素子１と、半導体素子１を面実装する第四の金属からなる第四の金属層２１を少なくとも最表面に有し、第二の金属からなる金属基板２とを、平均直径が１００ｎｍ以下の第三の金属からなる超微粒子を有機系の溶媒中に分散させてなる金属ナノペースト３を用いて接合する半導体装置の製造方法において、前記第一、第四および第三の金属が、金、銀、白金、銅、ニッケル、クロム、鉄、鉛、コバルトのうちのいずれかの金属、またはこれらの金属のうちの少なくとも一種を含む合金、またはこれら金属もしくは合金の混合物からなり、加熱、加圧、あるいはそれらの組合せにより前記溶媒を揮発させることによって、前記超微粒子が凝集することで形成される接合層（図１（ｂ）の符号４参照）を介在させて、第一の金属層１１と第四の金属層２１とを接合するという構成になっている。
【００１４】
　〈第一の実施の形態との違い〉
　第一の実施の形態との違いは、金属基板２を構成する第二の金属が先に限定した金属でない場合、例えば純アルミニウムからなる場合、メッキや蒸着等を利用して先に限定した金属、例えばＡｇメッキからなる第四の金属層２１をＡｌ金属基板２に形成している点である。純アルミニウムは、変形抵抗が小さく、良く伸びる材料としての特性から、異種材料との膨張係数差によってその接合部に生じる応力を緩和する効果をもたらすことができる。しかしながら、もし第二の金属を純アルミニウムとしてその他を第一の実施の形態に沿って接合を試みた場合、アルミニウムの最表面には強固な酸化膜が安定して存在しているため、Ａｇナノ粒子を用いて素子と接合することは非常に困難である。従って、アルミニウムの表面にＡｇメッキを施しておくことでこの問題を解決することができ、第一の実施の形態と同等の効果を得ることが可能となる。加えて、純アルミニウムによる接合部の応力緩和も可能となる。  
　このように本実施の形態の半導体装置の製造方法によれば、半導体素子１と金属基板２（第四の金属層２１）との接合部は、半導体素子１の表面の第一の金属層１１を構成する第一の金属、金属基板２の表面に形成された第四の金属層２１を構成する第四の金属、金属ナノペースト３の超微粒子を構成する第三の金属による結合構造であり、第一の実施の形態と同様の効果が得られる。加えて、金属基板２を構成する第二の金属として低い応力で変形し易いアルミニウム等の金属を用いることができるので、第一、第四、第三の金属だけでは得られない異種材料間の熱膨張係数差によって生じる接合部の応力緩和が可能となる。」（段落【０００７】〜【００１４】）
　　　　　
　上記の記載事項及び図面の記載を総合すると、引用例には次の発明（以下「引用発明」という。）が実質的に記載されている。
　「二つの対向する主面のうちの少なくとも一方の主面に第一の金属からなる第一の金属層を有する面実装タイプの半導体素子と、
　第四の金属からなる第四の金属層を少なくとも最表面に有している前記半導体素子を面実装する第二の金属からなる金属基板とを、
　第三の金属からなる超微粒子を有機系の溶媒中に分散させてなる金属ナノペーストを用いて接合した半導体装置において、
　前記溶媒を揮発させることによって、前記超微粒子が凝集することで形成される接合層を介在させて、前記第一の金属層と前記第四の金属層とを接合した半導体装置。」
　　　　　
（２−２）　原査定の拒絶の理由に引用され、本願出願日前に頒布された刊行物である実願昭６２−１８２９０９号（実開平１−８７５４７号）のマイクロフィルム（以下「引用例２」という。）には、図面とともに次の事項が記載されている。
　　　　　
　ウ　「ところで、このような従来の半導体素子の実装構造にあっては、金属ベース基板２を構成する部材、すなわち金属ベース３、絶縁層４、配線金属膜５の熱膨張率がそれぞれ異なり、またこれらの各部材３，４，５を密着して接合させているために、半導体素子１で熱が発生したときには熱応力によって金属ベース基板２が変形を起こし、半導体素子１の接触不良や破損を招くことがあるという不具合があった。
　そこで本考案の目的は、金属ベース基板の変形を防止して、半導体装置の信頼性を向上するとともにその寿命を延ばすことができるようにすることにある。」（明細書第２ページ第１２行〜第３ページ第４行。）
　　　　　
　エ　「以下、添付図面に基づいて本考案の実施例を説明する。第１図は本考案に係る半導体素子の実装構造の一例を示すものである。同図において、１１はパワートランジスタ等の半導体素子、１２は金属ベース基板で、この金属ベース基板１２は、厚さ１〜２ｍｍ程度のアルミ軽金属からなる金属ベース１３と、エポキシ樹脂，セラミック等からなる厚さ５０μｍ程度の絶縁層１４と、厚さ３５μｍ程度で銅箔等により所定パターンに形成された配線金属膜１５とからなっており、前記半導体素子１１がハンダ１６等の接合材料を用いて配線金属膜１５に接合し、また半導体素子１１の入出力端子と配線金属膜１５とを金のワイヤ（Ａｕ線）１８で接続する構造となっている。また、同図に示すように、半導体素子１１の近傍には先端が金属ベース１３に達するＶ字状の溝１７を形成する。　次に作用を説明する。
　半導体素子１１で発生する熱が金属ベース１３に伝達される際、金属ベース基板１２を構成する部材、すなわち配線金属膜１５、絶縁層１４、金属ベース１３にはそれぞれ熱応力が働らくが、半導体素子１１の近傍にはＶ字状の溝１７が存在するため、各部材１３，１４，１５に働らく応力は平面方向へ逃げることが可能となり、この結果、金属ベース基板１２の変形が抑えられ、半導体素子１１の接触不良，破損等の問題が解消される。」（明細書第３ページ第１３行〜第４ページ第１９行。）
　　　　　
　オ　「尚、溝１７は必ずしも半導体素子１１の周囲を囲むように設けなくとも、配線金属膜１５のパターン等により特に変形を生じ易い部分にだけ設けても構わない。」（明細書第６ページ第１７行〜第７ページ第１行。）
　　　　　
　カ　「以上説明したように、本考案に係る半導体素子の実装構造によれば、熱発生源である半導体素子の周辺に金属ベースに達するＶ字状の溝を設けたから、金属ベース基板を構成する部材の熱応力を平面方向に逃がすことが可能となり、その変形を防止することができる。従って、半導体素子の接触不良、破損が起こらなくなり、半導体装置の信頼性が向上し、また寿命も延長することができる。」（明細書第７ページ第３行〜第１１行。）
　　　　　
（３）対比
　本願補正発明と引用発明とを対比する。
　引用発明の「半導体素子」、「金属基板」、「接合層」、「第四の金属層」及び「半導体装置」は、本願補正発明の「半導体素子」、「基板」、「接合層」、「薄膜」及び「半導体装置」に、それぞれ相当する。
　引用発明の金属基板は、「第四の金属からなる第四の金属層を少なくとも最表面に有している」から、引用発明は本願補正発明の「基板はその外表面が薄膜で覆われ」ている構成を備えている。
　引用発明では、半導体素子はその一方の主面に「第一の金属層」を有し、また、金属基板の最表面に「第四の金属層」を有し、「接合層を介在させて、前記第一の金属層と前記第四の金属層とを接合」しているから、引用発明は本願補正発明の「半導体素子と基板とが接合層によって接合された半導体装置」なる構成を備えている。
　以上のことから、本願補正発明と引用発明とは次の点で一致する。
「半導体素子と基板とが接合層によって接合された半導体装置であって、
　前記基板はその外表面が薄膜で覆われている半導体装置。」
　　　　　
　一方で、両者は次の点で相違する。
［相違点］
　薄膜に関して、本願補正発明では、「半導体素子と非接合な部分の薄膜には、前記接合層に接する表面側から前記基板に接する裏面側まで貫通しかつ前記半導体素子の外周に沿って一定幅を有する溝状空間部が形成され、前記基板上の薄膜は前記溝状空間部によって断続的に配置されている」のに対して、引用発明では、薄膜（第四の金属層）に溝状空間は形成されていない点。
　　　　　
（４）判断
　上記相違点について検討する。
　引用例２（引用例２の記載事項ウ、エ、カを参照。）には、半導体素子の実装構造において、金属ベース基板を構成する部材、すなわち金属ベース（本願補正発明の「基板」、引用発明の「金属基板」に相当。）、絶縁層（本願補正発明の「薄膜」、引用発明の「第四の金属層」に相当。）、配線金属膜の熱膨張率がそれぞれ異なり、またこれらの各部材を密着して接合させているために、半導体素子で熱が発生したときには熱応力によって金属ベース基板が変形を起こすので、半導体素子の近傍（本願補正発明の「半導体素子と非接合な部分」に相当。）に先端が金属ベースに達する溝（本願補正発明の「溝状空間部」に相当。）を形成することにより、各部材に働らく応力は平面方向へ逃げることが可能となり、金属ベース基板の変形が抑えられることが記載されている。
　更に、引用例２（引用例２の記載事項オを参照。）には、溝を必ずしも半導体素子の周囲を囲むように設けなくとも構わない旨が記載されていることから、その前提として、溝を半導体の周囲を囲むように設けること（本願補正発明の「半導体素子の外周に沿って」形成されていることに相当。）が示唆されているといえる。
　ここで、引用例２に記載のように、先端が金属ベースに達する溝を形成する際には、その溝の形状及び深さとして、あえて異なるようにする必要性があるわけではないから、同じ形状及び深さとすることは、当然行う程度の設計事項であり、そして、溝が同じ形状及び深さであれば、おのずと「一定幅を有する溝状空間部」が形成されることなる。
　また、引用発明において、引用例２に記載のように、先端が金属ベースに達する溝を設けた場合には、薄膜に設けられる溝は、「接合層に接する表面側から前記基板に接する裏面側まで貫通」するものとなり、更に「基板上の薄膜は前記溝状空間部によって断続的に配置されている」ものとなることは明らかである。
　すると、引用発明において、半導体素子の近傍の薄膜に先端が基板に達する溝を形成し、その際に、半導体の周囲を囲む同じ深さの溝とすることにより、「半導体素子と非接合な部分の薄膜には、前記接合層に接する表面側から前記基板に接する裏面側まで貫通しかつ前記半導体素子の外周に沿って一定幅を有する溝状空間部が形成され、前記基板上の薄膜は前記溝状空間部によって断続的に配置されている」構成、すなわち本願補正発明の上記相違点に係る構成とすることは、引用例２に記載の事項から当業者が容易になし得たものといえる。
　そして、本願補正発明により得られる作用効果も、引用発明及び引用例２に記載の事項から当業者であれば予測できる程度のものであって、格別のものとはいえない。  
　以上のことから、本願補正発明は、引用発明及び引用例２に記載の事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。 
 　　　　　 
（５）むすび  
　以上のとおり、本件補正は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。  
 　　　　　 
３．本願発明について  
（１）本願発明 
　平成２５年　２月２１日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項２に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成２４年１１月　１日付け手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項２に記載された事項により特定される以下のとおりのものである。 
「【請求項２】
　半導体素子と基板とが接合層によって接合された半導体装置であって、
　前記基板はその外表面が薄膜で覆われ、
　前記薄膜のうち、前記半導体素子と非接合な部分の薄膜には、前記接合層に接する表面側から前記基板に接する裏面側まで貫通しかつ一定幅を有する溝状空間部が形成され、前記基板上の薄膜は前記溝状空間部によって断続的に配置されていることを特徴とする半導体装置。」
 　　　　　 
（２）引用文献及びその記載事項 
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献、及びその記載事項は、前記２．（２）に記載したとおりである。  
　　　　　 
（３）対比・判断  
　本願発明は、前記２．で検討した本願補正発明から、前記限定事項を省いたものに相当する。  
　そうすると、本願発明の構成要件をすべて含み、さらに他の構成要件を付加したものに相当する本願補正発明が、前記２．（４）に記載したとおり、引用発明及び引用例２に記載の事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も同様の理由により、当業者が容易に発明をすることができたものである。  
　　　　　 
（４）むすび  
　以上のとおり、本願発明は、引用発明及び引用例２に記載の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、他の請求項に係る発明については検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。 
　よって、結論のとおり審決する。