【事件の表示】
　上記当事者間の特許第３６５００００号発明「窒化物系半導体レーザ素子および窒化物半導体レーザ装置の製造方法」の特許無効審判事件について、次のとおり審決する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３６５００００号の請求項１〜４に係る発明についての特許を無効とする。
　特許第３６５００００号の請求項５に係る発明についての審判請求は、成り立たない。
　審判費用は、その５分の１を請求人の負担とし、５分の４を被請求人の負担とする。
【理　由】
第１　本件の概要及び経緯  
　 
１ 本件の概要 
　 
　本件は、請求人（日亜化学工業株式会社）が、被請求人（三洋電機株式会社）が特許権者である特許第３６５００００号（以下「本件特許」という。登録時の請求項の数は５である。）の請求項１〜５に係る発明（以下「本件発明１」等という。）についての特許を無効とすることを求める事案である。 
　 
　  
２　出願の経緯  
　  
　本件特許の出願の経緯は、次のとおりである。  
　　  
　平成１２年　７月　４日　特許出願（特願２０００−２０２７８２号、以下「本願」という。）  
　 平成１５年　９月２２日　手続補正書  
　 平成１７年　１月３１日　特許査定  
　 平成１７年　２月２５日　特許第３６５００００号として設定登録  
　 平成１７年　５月１８日　特許公報発行  
　 
　  
３　本件審判の経緯  
　  
　本件審判の経緯は、次のとおりである。  
　  
　 平成２３年１０月　７日　特許無効審判請求  
　 平成２３年１２月２６日　訂正請求、答弁書提出  
　 平成２４年　３月　５日　口頭審理陳述要領書提出（請求人）  
　 平成２４年　３月１９日　口頭審理陳述要領書提出（被請求人）  
　 平成２４年　３月２６日　口頭審理  
　 平成２４年　４月　５日　上申書提出（請求人）  
　 平成２４年　４月２５日　答弁書提出  
　  
　 
４　証拠方法  
　 
　両当事者の各証拠方法は次のとおりである。  
　 
（１）請求人 
　 
　ア　　請求人が提出した甲号証は、以下のとおりである。 （以下、「甲第１号証」等を「甲１」等という。乙号証についても同じ。） 
　 
　甲１：特許第３６５００００号公報（本件特許） 
　甲２：特開平１１−３３０６１０号公報 
　甲３：特開２０００−１１４６６４号公報 
　甲４：特開昭５０−７９２８７号公報 
　甲５：特開平６−３７３８６号公報 
　甲６：特開平１０−２４２５８１号公報 
　甲７：特開平１１−３１２８２５号公報 
　甲８：口頭審理における技術説明で用いた資料 
　甲９：末松安晴ら著、「光ファイバ通信入門（改訂第３版）」、オーム社（１９８９年発行）p.96-103　 
　 
　 
（２）被請求人 
　 
　被請求人が提出した乙号証は以下のとおりである。  
　 
　乙１：特開２００２−２６４４３号公報（本件特許の公開公報） 
　乙２：平成１５年９月２２日付け手続補正書 　 
　乙３：新村出編、広辞苑第５版、岩波書店、１９９８年１１月１１日発行 　 
　 
　 
第２　両当事者の主張の概要 
　 
１　請求人の主張の概要 
　 
　請求人は、「特許第３６５００００号の請求項１〜５に係る発明についての特許を無効とする。審判費用は被請求人の負担とする。」との審決を求め、本件特許は次の理由により無効とすべきものであると主張している。　 
　 
（１）訂正前の各請求項についての無効理由（以下「無効理由１」という。）　 
 
　ア　訂正請求は、つぎのａ及びｂの点において特許法に規定された訂正要件に違反するものであり、認められるべきではない。 
　 
　ａ　「前記所定形状」を「前記所定領域」とする訂正は、訂正前の「前記所定形状」が何の誤記であるのか明らかではないので、誤記の訂正を目的とするものではなく（特許法第１３４条の２第１項第２号）、新規事項の追加であり（同法第１２６条第３項）、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものであって（同条第４項）、訂正要件に違反する。（口頭審理陳述要領書の第４〜９、１６〜１７頁の（２）（ａ）及び（ｃ）、上申書の第３〜６、９頁の（１）（ａ）及び（ｃ）。） 
　 
　ｂ　「平面視において、前記第２の窒化物系半導体層の領域から」を挿入する訂正は、これが特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当するか否かは措くとしても、素子の側面側を基準としていた訂正前の本願発明から、第２の窒化物半導体層の外周を基準とするものに変わっていることから、新規事項の追加であり（同法第１２６条第３項）、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものであるから（同条第４項）、訂正要件に違反する。（口頭審理陳述要領書の第９〜１７頁の（２）（ｂ）及び（ｃ）、上申書の第６〜９頁の（１）（ａ）及び（ｃ）。） 
　 
　イ　そして、訂正前の本件発明１〜５は、甲２に記載された発明と同一、または、甲２に記載された発明及び甲３〜５に記載された周知技術から容易に想到できたものであるので特許法第２９条第１項第３号ないしは同法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、本件発明１〜５についての本件特許は、同法第１２３条第１項第２号に該当し、無効とすべきものであり、また、本件の特許請求の範囲が明確ではなく、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていないから、本件発明１〜５についての本件特許は、同法１２３条第１項第４号に該当し、無効とすべきものである。（審判請求書の第１３〜３８頁。） 
　 
　 
（２）訂正後の各請求項についての無効理由  
　 
　仮に本件訂正が適法になされたものであるとしても、本件特許は次の理由により無効とすべきものである。以下、本件訂正による訂正後の請求項１〜５に係る特許発明を「本件訂正発明１〜５」という。 
　 
　ア　甲２を主引用例とする無効理由 
　 
　ａ　本件訂正発明１〜５は、甲２に記載された発明と同一、または、甲２に記載された従来技術及び甲３〜５，７，９に記載された周知技術、甲６に記載された構成を適用することによって容易に想到できたものであるので、特許法第２９条第１項第３号ないしは同法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、本件発明１〜５についての本件特許は、同法第１２３条第１項第２号に該当し、無効とすべきものである。（口頭審理陳述要領書の第１７〜２３頁の（３）（ａ）、上申書の第９〜１１頁の（２）（ａ）。以下「無効理由２」という。） 
　 
　ｂ　また、本件訂正発明１〜５は、甲２に従来技術として記載された発明と同一、または、甲２に従来技術として記載された発明に甲２，６及び７に記載された周知技術を適用することにより、当業者が容易に想到し得たものであるので、特許法第２９条第１項第３号ないしは同法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、本件発明１〜５についての本件特許は、同法第１２３条第１項第２号に該当し、無効とすべきものである。（口頭審理陳述要領書の第２３〜２８頁の（３）（ｂ）、上申書の第１１〜１３頁の（２）（ｂ）。以下「無効理由３」という。） 
　 
　 
　イ　甲６を主引用例とする無効理由 
　 
　本件訂正発明１〜５は、甲６に記載された発明に基づいて当業者が容易に想到し得たものであるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、本件発明１〜５についての本件特許は、同法第１２３条第１項第２号に該当し、無効とすべきものである。（口頭審理陳述要領書の第２８〜３５頁の（３）（ｃ）、上申書の第１３〜１４頁の（２）（ｃ）。以下「無効理由４」という。） 
　 
　 
　ウ　特許請求の範囲の記載不備に係る無効理由 
　 
　本件訂正発明１〜５は、第２のオーミック電極を形成する所定領域を第２の窒化物半導体層の外周を基準とする点において本件特許明細書によりサポートされていないものを含んでおり、かつ、第２のオーミック電極が「両端部近傍」や「所定領域」の全域に形成されなければならないのか「一部」でもよいのかが明確ではないので、訂正後の特許請求の範囲の記載が特許法第３６条第６項第１号及び特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていないものであるから、本件訂正発明１〜５についての本件特許は、同法１２３条第１項第４号に該当し、無効とすべきものである。（口頭審理陳述要領書の第３５〜３７頁の（４）、上申書の第１４〜１５頁の（３）。以下「無効理由５」という。） 
　 
　 
２　被請求人の主張の概要 
　 
　被請求人は、「本件請求は成り立たない。」との審決を求め、請求人が主張する無効理由はいずれも存在しないと主張している。　 
　 
　  
　 
第３　訂正請求についての当審の判断  
　 
１　訂正請求の内容  
　 
　被請求人が平成２３年１２月２６日にした訂正請求（以下、同訂正請求による訂正を「本件訂正」という。）は、本件特許の願書に添付した明細書（以下「本件明細書」という。）について、訂正請求書に添付した訂正明細書のとおりに訂正することを請求するものであって、以下の事項をその訂正内容とするものである（訂正による変更部分に下線を付した。）。 　  
　  
（１）訂正事項１  
　  
　本件特許における特許請求の範囲の請求項１及び５を、次のとおり訂正する。  
　  
（本件訂正前） 
「【請求項１】 
　導電性を有する透明基板の一方の面上に第１導電型の第１の窒化物系半導体層、能動素子領域、および共振器長方向に延びるストライプ状のリッジ部を有する第２導電型の第２の窒化物系半導体層が形成され、前記透明基板の他方の面上に第１のオーミック電極が形成されるとともに、前記第２の窒化物系半導体層上に第２のオーミック電極が形成されてなる窒化物系半導体レーザ素子であって、 
　前記第１のオーミック電極は、共振器の端面側の辺に沿ったストライプ状の領域を除く領域に形成され、 
　前記第２のオーミック電極は、前記リッジ部上のストライプ領域の両端部近傍上および前記ストライプ領域を含む所定領域上に形成され、 
　前記所定形状が、前記共振器の端面側の辺に沿ったストライプ状の領域ならびに素子の側面側の辺に沿ったストライプ状領域を除く領域であることを特徴とする窒化物系半導体レーザ素子。」 
　 
（本件訂正後） 
「【請求項１】  
　導電性を有する透明基板の一方の面上に第１導電型の第１の窒化物系半導体層、能動素子領域、および共振器長方向に延びるストライプ状のリッジ部を有する第２導電型の第２の窒化物系半導体層が形成され、前記透明基板の他方の面上に第１のオーミック電極が形成されるとともに、前記第２の窒化物系半導体層上に第２のオーミック電極が形成されてなる窒化物系半導体レーザ素子であって、  
　前記第１のオーミック電極は、共振器の端面側の辺に沿ったストライプ状の領域を除く領域に形成され、  
　前記第２のオーミック電極は、前記リッジ部上のストライプ領域の両端部近傍上および前記ストライプ領域を含む所定領域上に形成され、  
　前記所定
領域
平面視において、前記第２の窒化物系半導体層の領域から
の
　 
　
（２）訂正事項２  
　  
　本件特許における特許請求の範囲の請求項５を、次のとおり訂正する。  
　 
（本件訂正前） 
「【請求項５】 
　窒化物系半導体レーザ素子をサブマウントにジャンクションダウンで実装する窒化物系半導体レーザ装置の製造方法であって、 
　導電性を有する透明基板の一方の面上に第１導電型の第１の窒化物系半導体層、能動素子領域、および共振器長方向に延びるストライプ状のリッジ部を有する第２導電型の第２の窒化物系半導体層が形成され、前記透明基板の他方の面上に第１のオーミック電極が形成されるとともに、前記第２の窒化物系半導体層上に第２のオーミック電極が形成され、前記第１のオーミック電極は、共振器の端面側の辺に沿ったストライプ状の領域を除く領域に形成され、前記第２のオーミック電極は、前記リッジ部上のストライプ領域の両端部近傍上および前記ストライプ領域を含む所定領域上に形成され、前記所定形状が、前記共振器の端面側の辺に沿ったストライプ状の領域ならびに素子の側面側の辺に沿ったストライプ状領域を除く領域である窒化物系半導体レーザ素子を作製する工程と、 
　前記窒化物系半導体レーザ素子を前記透明基板側を上にして、該透明基板方向から前記ストライプ領域の端部に形成された前記第２のオーミック電極の形状を見ながら、ジャンクションダウンでサブマウントに実装する工程とを備えたことを特徴とする窒化物系半導体レーザ装置の製造方法。」 
　 
（本件訂正後） 
「【請求項５】  
　窒化物系半導体レーザ素子をサブマウントにジャンクションダウンで実装する窒化物系半導体レーザ装置の製造方法であって、  
　導電性を有する透明基板の一方の面上に第１導電型の第１の窒化物系半導体層、能動素子領域、および共振器長方向に延びるストライプ状のリッジ部を有する第２導電型の第２の窒化物系半導体層が形成され、前記透明基板の他方の面上に第１のオーミック電極が形成されるとともに、前記第２の窒化物系半導体層上に第２のオーミック電極が形成され、前記第１のオーミック電極は、共振器の端面側の辺に沿ったストライプ状の領域を除く領域に形成され、前記第２のオーミック電極は、前記リッジ部上のストライプ領域の両端部近傍上および前記ストライプ領域を含む所定領域上に形成され、前記所定
領域
平面視において、前記第２の窒化物系半導体層の領域から
の
　前記窒化物系半導体レーザ素子を前記透明基板側を上にして、該透明基板方向から前記ストライプ領域の端部に形成された前記第２のオーミック電極の形状を見ながら、ジャンクションダウンでサブマウントに実装する工程とを備えたことを特徴とする窒化物系半導体レーザ装置の製造方法。」  
　  
　  
（３）訂正事項３ 
　  
　本件特許における明細書の段落【０００７】を次のとおり訂正する。  
　 
（本件訂正前）　 
「一方、ｐ−コンタクト層５９上においては、共振器長方向の両端面（以下、共振器端面と呼ぶ）側の辺に沿ったストライプ状領域および共振器長方向と垂直な方向の両端面（以下、側面と呼ぶ）側の辺に沿ったストライプ状領域を除く領域にｐ電極６１が形成されている。このように、上記の半導体レーザ素子においては、ｐ電極６１が所定の形状にパターニングされており、両方の共振器端面側のストライプ状領域および両方の側面側のストライプ状領域においてはｐ−コンタクト層５９が露出している。」 
 
（本件訂正後） 
「一方、ｐ−コンタクト層５９上においては、共振器長方向の両端面（以下、共振器端面と呼ぶ）側の辺に沿ったストライプ状
の
の
の
の
　 
　 
（４）訂正事項４ 
　  
　本件特許における明細書の段落【００１６】の一部を次のとおり訂正する。  
　 
（本件訂正前） 
「所定形状が、共振器の端面側の辺に沿ったストライプ状の領域ならびに素子の側面側の辺に沿ったストライプ状領域を除く領域であることを特徴とするものである。」　  
　 
（本件訂正後） 
「所定
領域
平面視において、前記第２の窒化物系半導体層の領域から
の
　 
　 
（５）訂正事項５ 
　  
　本件特許における明細書の段落【００２５】の一部を次のとおり訂正する。  
　 
（本件訂正前） 
「所定形状が、共振器の端面側の辺に沿ったストライプ状の領域ならびに素子の側面側の辺に沿ったストライプ状領域を除く領域である窒化物系半導体レーザ素子を作製する工程と、」 
　 
（本件訂正後） 
「所定
領域
平面視において、前記第２の窒化物系半導体層の領域から
の
　 
　 
（６）訂正事項６ 
　  
　本件特許における明細書の段落【００９０】の一部を次のとおり訂正する。  
　 
（本件訂正前） 
「なお、この場合の四角形形状の所定領域とは、共振器端面Ａ，Ｂ側の辺に沿ったストライプ状の領域ならびに素子の両側面側の辺に沿ったストライプ状領域を除く領域のことである。」 
　 
（本件訂正後） 
「なお、この場合の四角形形状の所定領域とは、共振器端面Ａ，Ｂ側の辺に沿ったストライプ状の領域ならびに素子の両側面側の辺に沿ったストライプ状
の
　  
　 
２　訂正の可否に対する判断  
　  
（１）本件訂正の目的についての検討 
　 
　ア　訂正事項１〜３及び６における「ストライプ状領域」を「ストライプ状の領域」とする訂正について 
　  
　本件訂正前の「ストライプ状領域」を「ストライプ状の領域」とする訂正は、本件訂正前の明細書に記載された「ストライプ状の領域」と記載を統一するものであるから、特許法第１３４条の２第１項ただし書第３号に掲げる明りょうでない記載の釈明を目的とするものに該当する。
　
　　 
　イ　訂正事項１及び２における「前記所定形状」を「前記所定領域」とする訂正について 
  
　　本件訂正前の「前記所定形状」との記載は、その記載より前に「所定形状」が記載されていないことから、本件訂正前の「前記所定形状」との記載は明らかな誤記である。そして、本件訂正前の請求項１及び５には、「前記所定形状が…領域である」と記載されていることから、「前記所定形状」が何らかの領域であることは明らかであって、その前後の文脈からは、その直前に記載された「所定領域」を指していると解するのが相当である。
　よって、請求項１及び５における「前記所定形状」を「前記所定領域」とする訂正は、特許法第１３４条の２第１項ただし書第２号に掲げる誤記の訂正を目的とするものに該当する。 
　
　 
　ウ　訂正事項１及び２における「平面視において、前記第２の窒化物系半導体層の領域から」との記載を追加する訂正について 
 
　 「平面視において、前記第２の窒化物系半導体層の領域から」との記載を追加する訂正は、本件訂正前の「共振器の端面側の辺に沿ったストライプ状の領域ならびに素子の側面側の辺に沿ったストライプ状領域を除く領域」に、本件明細書の段落【００２１】の記載に基づいて「平面視において、前記第２の窒化物系半導体層の領域から」との限定を加えるものであるから、特許法第１３４条の２第１項ただし書第１号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。 
　
　
　エ　訂正事項４及び５について
　
　訂正事項４及び５は、段落【００１６】及び段落【００２５】に対して、訂正事項１及び２による本件訂正後の請求項１及び５の記載との関係において生じている不整合を正すためのものであるから、特許法第１３４条の２第１項ただし書第３号に掲げる明りょうでない記載の釈明を目的とするものに該当する。
　
　オ　訂正の目的についてのまとめ 
　  
　以上のとおりであるから、本件訂正は特許法第１３４条の２第１項ただし書に規定する要件を満たすものである。  
　  
　  
（２）新規事項の追加の有無、特許請求の範囲の拡張・変更の存否等についての検討  
　 
　本件訂正は、上記「（１）訂正の目的についての検討」において検討したとおり、特許明細書等に記載されている事項に基づいて特許請求の範囲の減縮、明りょうでない記載の釈明及び誤記の訂正をするものであり、特許明細書等に記載されている事項の範囲内においてなされたものであるから、新規事項の追加ではない。また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではないことは明らかである。
  
　したがって、本件訂正は、特許法第１３４条の２第５項において準用する同法第１２６条第３項及び第４項の規定に適合するものである。  
　 
　
（３）請求人の主張
　
　ア　請求人は、無効理由１において、次のａ及びｂの理由により、本件訂正は特許法第１３４条の２第１項ただし書及び同条第５項において準用する同法第１２６条第３項の規定に適合しないものであると主張している。 
　 
　ａ　「前記所定形状」を「前記所定領域」とする訂正に対する主張 
　 
　本件訂正前の「前記所定形状」が何らかの誤記であるとしても、何の誤記であるかは明らかではない。本件訂正前の「前記所定形状」の記載は、電極の「形状」（四角形形状）の特定が元々の意味として含意されているものであり、その記載を本件訂正により電極の形状の限定を伴わない「前記所定領域」に変更することは、用語の本来の意味内容を明らかにする「誤記の訂正」に該当しない。また、本件明細書の記載からは本件訂正前の「前記所定形状」の前に記載された「所定領域」が誤記と考えた方が本件明細書の記載とより整合しているといえるので、本件訂正前の「前記所定形状」を「前記所定領域」とする訂正は明らかな誤記の訂正に該当しない。 
　 
　ｂ「平面視において、前記第２の窒化物系半導体層の領域から」との記載を追加する訂正に対する主張 
　 
　本件訂正による「平面視において、前記第２の窒化物半導体層の領域から」を挿入する訂正は、素子の側面側を基準としていた訂正前の本願発明から、第２の窒化物半導体層の外周を基準とするものに変えるものであるから新規事項の追加であり、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものであるから、訂正要件に違反するものである。 
　 
　 
イ　請求人の主張に対する検討  
　 
　ａ　「前記所定形状」を「前記所定領域」とする訂正に対する主張について 
　 
　請求人が指摘する本件明細書や図面の記載は、あくまでも発明の実施の形態の例が記載されているのであって、本件訂正前の請求項に記載された「前記所定形状」を実施例における電極の形状に限定解釈しなければならない事情は見当たらない。
　訂正前の請求項には、「前記所定形状」については「前記共振器の端面側の辺に沿ったストライプ状の領域ならびに素子の側面側の辺に沿ったストライプ状領域を除く領域である」との限定が付されているだけであって「四角形形状」であるとの限定は付されていないのだから、訂正前の請求項の「前記所定形状」が「四角形形状」を意味するとの限定解釈を前提とした請求人の主張は、その前提を欠くものであって、採用することができない。
　さらに、本件訂正前の「所定形状」が誤記ではなく、「所定領域」の方が誤記であると考え得るとの上記請求人の主張も、本件明細書に基づいたものではないので、これを採用することはできない。 
　 
　ｂ　「平面視において、前記第２の窒化物系半導体層の領域から」との記載を追加する訂正に対する主張について 
　 
　本件明細書の段落【００２１】には次の記載がある。 
　 
「【００２１】第２のオーミック電極は、第２の窒化物系半導体層の少なくとも一辺に沿った所定領域が露出するように第２の窒化物系半導体層上に形成されてもよい。」 
　 
　上記段落【００２１】の記載において、第２のオーミック電極を形成する際に、「第２の窒化物系半導体層の少なくとも一辺に沿った所定領域が露出する」ことから、当該記載における第２の窒化物系半導体層が露出する所定領域は、本件訂正発明に記載された第２のオーミック電極が形成されている所定領域から除く領域に該当することは明らかである。 
　したがって、第２のオーミック電極が形成されている所定領域から除く領域である「共振器の端面側の辺に沿ったストライプ状の領域ならびに素子の側面側の辺に沿ったストライプ状領域」に対して「平面視において、前記第２の窒化物系半導体層の領域から」との限定を追加する訂正事項は、新規事項の追加にあたらない。 
　さらに、第２の窒化物半導体層の良識の外周が、素子の外周と一致するか、もしくは、それよりも内側に存在することは自明のことであるから、本件訂正後の「前記所定領域」が素子の外周よりも内側に存在する領域（リッジ部上のストライプ領域の両端部近傍を除く）となることは明らかである。したがって、本件訂正前の「前記所定形状」に含まれない領域が排除されていることは明らかであって、本訂正事項は、実質上特許請求の範囲を拡張し、または、変更するものでもない。 
　 
　 
３　本件訂正についてのむすび 
　  
　以上検討したとおり、本件訂正における訂正事項は、いずれも、特許法第１３４条の２第１項ただし書各号に掲げる事項を目的とするものに該当し、同条第５項において準用する同法第１２６条第３項及び第４項の規定に適合する。  
 
　 
　 
第４　本件発明  
　 
　上記のとおり、本件訂正が認められたので、本件特許の請求項１〜５に係る発明（以下、各請求項に係る発明を「本件訂正発明１」などという。）は、次の各請求項に記載したとおりのものと認められる。  
　 
　  
「【請求項１】  
　導電性を有する透明基板の一方の面上に第１導電型の第１の窒化物系半導体層、能動素子領域、および共振器長方向に延びるストライプ状のリッジ部を有する第２導電型の第２の窒化物系半導体層が形成され、前記透明基板の他方の面上に第１のオーミック電極が形成されるとともに、前記第２の窒化物系半導体層上に第２のオーミック電極が形成されてなる窒化物系半導体レーザ素子であって、  
　前記第１のオーミック電極は、共振器の端面側の辺に沿ったストライプ状の領域を除く領域に形成され、  
　前記第２のオーミック電極は、前記リッジ部上のストライプ領域の両端部近傍上および前記ストライプ領域を含む所定領域上に形成され、  
　前記所定領域が、平面視において、前記第２の窒化物系半導体層の領域から前記共振器の端面側の辺に沿ったストライプ状の領域ならびに素子の側面側の辺に沿ったストライプ状の領域を除く領域であることを特徴とする窒化物系半導体レーザ素子。」  
　 
【請求項２】 
　前記第１のオーミック電極は、前記共振器の両端面側の辺に沿ったストライプ状の領域ならびに前記窒化物系半導体素子の両側面側の辺に沿ったストライプ状の領域を除く領域に形成されていることを特徴とする請求項１記載の窒化物系半導体レーザ素子。 
　 
【請求項３】 
　前記基板は窒化ガリウムから構成されることを特徴とする請求項１または２のいずれかに記載の窒化物系半導体レーザ素子。 
　 
【請求項４】 
　前記第１および前記第２の窒化物系半導体層はガリウム、アルミニウム、インジウム、ホウ素およびタリウムの少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の窒化物系半導体レーザ素子。 
　 
【請求項５】  
　窒化物系半導体レーザ素子をサブマウントにジャンクションダウンで実装する窒化物系半導体レーザ装置の製造方法であって、  
　導電性を有する透明基板の一方の面上に第１導電型の第１の窒化物系半導体層、能動素子領域、および共振器長方向に延びるストライプ状のリッジ部を有する第２導電型の第２の窒化物系半導体層が形成され、前記透明基板の他方の面上に第１のオーミック電極が形成されるとともに、前記第２の窒化物系半導体層上に第２のオーミック電極が形成され、前記第１のオーミック電極は、共振器の端面側の辺に沿ったストライプ状の領域を除く領域に形成され、前記第２のオーミック電極は、前記リッジ部上のストライプ領域の両端部近傍上および前記ストライプ領域を含む所定領域上に形成され、前記所定領域が、平面視において、前記第２の窒化物系半導体層の領域から前記共振器の端面側の辺に沿ったストライプ状の領域ならびに素子の側面側の辺に沿ったストライプ状の領域を除く領域である窒化物系半導体レーザ素子を作製する工程と、  
　前記窒化物系半導体レーザ素子を前記透明基板側を上にして、該透明基板方向から前記ストライプ領域の端部に形成された前記第２のオーミック電極の形状を見ながら、ジャンクションダウンでサブマウントに実装する工程とを備えたことを特徴とする窒化物系半導体レーザ装置の製造方法。」  
　 
　 
　 
第５　無効理由１に対する判断
　
　１　本件訂正発明１〜５は、次の「第６」で詳述するとおり、甲２に記載された発明と同一であるとも、または、甲２に記載された発明及び甲３〜５に記載された周知技術から容易に想到できたものであるとも、することはできない。
　
　２　また、本件訂正は認められる（上記第３の３参照）ものであるところ、該訂正により誤記の訂正及び明りょうでない記載の釈明がなされ、訂正後の特許請求の範囲の記載が明確となったことから、訂正後の特許請求の範囲の記載が特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていないということはできない。
　
　
第６　無効理由２〜４（新規性、進歩性）に対する判断 
 
１　甲２〜９の記載事項 
 
　請求人が提出した甲２〜９のそれぞれには、次の記載がある。なお、下線は当審で付した。 
　 
（１）甲２ 
 
　ア「【請求項１】 
導電性基板(106)上に設けられた凸型ストライプ状導波路領域(115)と、該導波路領域から連続する略平滑面(116)とを有する窒化物半導体レーザー(100)
導波路領域上に設けられたストライプ状の第１電極(101)と、該第１電極と電気的に接続され絶縁性保護膜(104)、(105)を介して前記平滑面(116)上に配置されたワイヤボンディング用のパッド電極(102)と、導電性基板(106)を介して第１電極(101)と対向して設けられた第２電極(103)とを有する窒化物半導体レーザー。
　
【請求項２】 前記
第１電極(101)はストライプ状導波路領域(115)の端面に設けられた劈開面(201)上まで延びていると共に前記パッド電極(102)のストライプ状導波路領域と平行方向は第１電極より短く劈開面上まで達していない
　 
　イ「【０００２】
【従来技術】今日、光通信を始めＤＶＤなどに利用される種々の光半導体素子が実現されるにつれ、より高密度に情報の送信、記録などが可能な短波長半導体レーザーの開発がますます高まりを見せている。半導体レーザーは本質的にその半導体のバンドギャップエネルギーにより発振波長が制約される。そのため短波長レーザーとしてバンドギャップが大きい窒化物半導体が注目を浴びている。 
　 
【０００３】こうした現状の中、本出願人らは窒化物半導体基板上に活性層を含む窒化物半導体レーザーを作成して世界で初めて室温での連続発振１万時間以上を達成した（ICNS'97 予稿集,October 27-31,1997,P444-446、及びJpn.J.Appl.Phys.Vol.36(1997）pp.L1568-1571、Part2,No.12A,1 December 1997）。 
　 
【０００４】
このような窒化物半導体レーザーの模式的断面図を図５に示す。サファイア基板上に部分的に形成されたＳｉＯ
2
膜を介して選択成長させたｎ型ＧａＮよりなる窒化物半導体基板上にレーザー構造となる窒化物半導体層が形成されている。窒化物半導体層のうち、ｐ型ＡｌＧａＮ／ＧａＮの超格子構造からなるｐ型クラッド層とｐ型ＧａＮからなるｐ型コンタクト層から上にリッジが設けられている。リッジの側面とｐ型クラッド層の平面とに渡ってＳｉＯ
2
よりなる絶縁膜が形成され、その絶縁膜を介してｐ型ＧａＮ層と電気的に接続されたｐ型電極が形成されている。
　 
【０００５】そのため、
ｐ型電極から絶縁層を介したｐ型クラッド層上にｐ型パッド電極を形成させてある。窒化物半導体は他の半導体と異なり、比較的硬度が高いのでリッジ上に幅広の電極を形成することでワイヤボンディグ用のパッド電極を形成することができる。このような窒化物半導体レーザーの構造とするで比較的低電流で短波長が発振可能な半導体レーザーとすることができる。
　 
　ウ「【０００６】 
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、
このような半導体レーザーを量産時の如く、大量にワイヤボンディングさせると、ものによっては信頼性が低下する傾向にあった。また、より闘値を低下させ歩留まりの高い窒化物半導体レーザーが求められている現在においては、上記構成の窒化物半導体レーザーでは十分ではなくさらなる改良が求められている。
　 
【０００７】本発明者は種々の実験の結果、
ワイヤボンディングさせるパッド電極周辺を半導体素子の形状、絶縁層を考慮した新規な構造とすることにより半導体特性及び信頼性が向上することを見出し本発明を成すに至った。
　 
【０００８】即ち、リッジ、活性層を構成するストライプ幅も極めて狭い。また、気相成長させた窒化物半導体ではリッジやストライプ状の導波路を半導体で埋め込むことも難しい。そのため、絶縁層を介して凸型ストライプ状の導波路領域やリッジなどを保護する。　 
　 
【０００９】しかしながら、リッジ上からワイヤーボンディングすると、電極を介してリッジ表面に設けられた絶縁層に力が掛かる。特にリッジ形状やストライプが突起状となっていることからワイヤボンディング時に複雑な力が掛かる。そのため、絶縁膜に掛かる局所的な力がクラックなどを生じ信頼性が低下すると考えられる。
本発明は、比較的局所的な力が掛かりにくい、リッジやストライプ状導波路領域とは離れた平坦な絶縁層上のパッド電極を介してワイヤボンディングさせることができるものである。また、絶縁層のパッド電極を伝って、リッジ上に設けられた電極のみに集中して電力を供給することにより、闘値の低下及び信頼性とを同時に満たしたものである。
　 
　エ「【００１０】 
【課題を解決するための手段】
本発明は導電性基板上に設けられた凸型ストライプ状導波路領域と、導波路領域から連続する略平滑面とを有する窒化物半導体レーザーである。特に、導波路領域上に設けられたストライプ状の第１電極と、第１電極と電気的に接続され絶縁性保護膜を介して窒化物半導体の平滑面上に配置されたワイヤボンディング用のパッド電極と、導電性基板を介して第１電極と対向して設けられた第２電極とを有する窒化物半導体レーザーである。
　 
【００１１】これにより、
ワイヤボンディングをストライプ状の導波路領域をさけて形成できるため、ストライプ状の導波路領域や絶縁層に何ら影響を与えることなく、ワイヤボンディングすることができる。また、ストライプ状の導波領域と異なる位置にワイヤボンディングさせても窒化物半導体を介して垂直方向（層厚方向）に効率よく電流を注入することができる。そのため、偏在がなく効率よく半導体層に電流を流し闘値を下げることができる。
　 
　オ「【００１２】本発明の請求項２に記載の窒化物半導体レーザーは、
第１電極がストライプ状導波路領域の端面に設けられた劈開面上まで延びていると共にパッド電極のストライプ状導波路領域と平行な方向は第１電極より短く劈開部まで達していない。
　 
【００１３】
そのため、劈開時にパッド電極が延び積層した窒化物半導体層を被覆することで窒化物半導体レーザーを短絡することがない。
　 
　カ「【００１７】 
【発明の実施の形態】
本発明の窒化物半導体レーザーを図１、図２、図３及び図４を用いて詳述する。図１は、エッチングにより形成した凸型ストライプ状の導波路領域に対し垂直方向、即ち共振面に対して平行方向で切断した断面図を示してある。
　 
【００１８】
ｎ型導電性を示す窒化物半導体基板１０６上に、ｎ型クラック防止層１０７、ｎ型クラッド層１０８、光ガイド層１０９、活性層１１０、ｐ型キャップ層１１１、光ガイド層１１２、ｐ型クラッド層１１３、ｐ型コンタクト層１１４を積層したもののうち、窒化物半導体基板までをエッチングにより凸型ストライプ状導波路領域１１５を形成させ完全屈折率型レーザー用とした。
　 
　キ「【００２５】
（第１電極１０１）第１電極１０１は窒化物半導体のコンタクト層１１４と直接接触するものであり、窒化物半導体とオーミック接触できる金属や合金さらにはこれらの多層膜が挙げられる。第１電極１０１は窒化物半導体と接触するだけでなく、第１の保護膜１０４上にも部分的に形成することができる。また、第１電極１０１はストライプ状導波路領域１１５に形成された窒化物半導体に均一に電力を供給する必要があるためストライプ長方向の全面に渡って形成されることが望ましい。
　 
【００２６】第１電極１０１の具体的材料として、窒化物半導体がｎ型の場合、具体的にはＡｕ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｗ、Ｉｎ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｉｒ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｔｉ、Ｃｏ、Ｓｎ、Ｐｂなどの金属、合金、これらの積層体やＰｔ、Ｗ、Ｍｏのシリサイドなどが好適に挙げられる。また、窒化物半導体がｐ型の場合、具体的にはＲｕ、Ｒｈ、ＯｓやＮｉ／Ａｕ（なお、／は積層体を示す。）、Ｃｏ／Ａｕ、Ｎｉ／Ｔｉ／Ａｕ、Ｃｕ／Ａｕ、Ｐｄ合金やＰｔ合金が好適に挙げられる。このような金属や合金などはマスクを介してスパッタリング法や真空蒸着法を利用することで所望の形状に形成することができる。」 
　 
　ク「【００２７】
（パッド電極１０２）パッド電極１０２は第１電極１０１と電気的に接続すると共に窒化物半導体上に形成された絶縁性保護膜１０５を介して平滑面１１６まで延在するものである。
　 
【００２８】また、
第１電極１０１及びパッド電極１０２は発熱量の多い凸型ストライプ状導波路領域１１５と直接或いは絶縁性保護膜１０４を介して被覆するため効率的に外部に熱を放出することができる。これにより窒化物半導体レーザーの特性を安定化させることに寄与することもできる。
　 
　ケ「【００２９】
（第２電極１０３）第２電極１０３は、導電性基板１０６を介して第１電極１０１と対向して設けられるものである。
　 
　コ「【００４７】（
凸型ストライプ状導波路領域１１５の形成
　 
【００４８】さらに、
ストライプ状の酸化珪素形成後、ＲＩＥによりＳｉＣｌ
4
ガスを用いて、ｎ側コンタクト層までエッチングする。
　 
　サ「【００５１】（
ｎ型電極１０３
ｎ型電極を形成させるために窒化物半導体基板上に格子状のフォトレジストを用いてｎ型電極を形成する。
フォトレジストを除去することにより窒化物半導体基板を介してｐ型電極と対応したｎ型電極が形成される。
　
　シ「【００５４】
こうして形成されたウエハのストライプ状の導波領域に垂直な方向で、基板側からバー状に劈開し、劈開面（Ｍ面＝六角柱状の結晶の側面に相当する面）に共振器を作成する。
　 
　ス「【００５５】この窒化物半導体レーザーをヒートシンクが設けられた駆動基板上に設置し、基板上の一方の電極と窒化物半導体基板とを半田により接続させた。また、パッド電極と駆動基板の他方の電極とをワイヤボンド機器を用いてワイヤボンドさせた。ワイヤボンドはキャピラリーに通した金線の先端に放電により予めボールを形成し、リッジと窒化物半導体レーザーとの間であって平滑なパッド電極の略中心にボールを押しつけ超音波を与えることによりボールボンディングさせた。他方、金線を延ばしながら駆動基板の電極上にキャピラリーごと金線を押しつけステッチボンディングさせた。こうして形成させた窒化物半導体レーザー１８０個に駆動基板から電流を注入した。発振波長４００から４２０ｎｍ、平均闘値電流密度２．８ｋＡ／ｃｍ2で室温連続発振した。いずれの窒化物半導体レーザーも駆動可能であった。なお、
本実施例においてｐ層側を下にしてヒートシンクにさせる場合は、第２電極であるｎ型電極をパッド電極として利用し、パッド電極をヒートシンクと電気的に接続させるための電極として利用することもできる。この場合、第２電極の何れにワイヤボンディングさせることもできる。
　 
　セ「【００５６】 
【発明の効果】以上説明したように、
本発明の窒化物半導体レーザーはワイヤボンディング用のパット電極がリッジ状の窒化物半導体と接続させた電極から延在しており、リッジから離れた保護膜上にも形成されている。ワイヤは保護膜上のパッド電極にワイヤボンディングされる。そのため、リッジを構成する絶縁性保護膜や窒化物半導体を損傷することがない。
　 
　ソ「甲２の図１、２及び５は次のとおりである。 
　図１は甲２記載の窒化物半導体レーザーの断面図であり、図２は甲２記載の窒化物半導体レーザーのパッド電極を形成した側から観察した上面図である。 
　図５は、甲２における従来技術の窒化物半導体レーザーの断面図である。 
図１ 　 
　 
　 
図２ 　 
　
　　 
図５ 　 
　
　」 
　 
　 
（２）甲３ 
　 
　ア「【００３２】また、
ｎ電極が基板裏面に形成される場合、基板裏面にベタにｎ電極を形成後裏面からスクライブスすると、ｎ電極に阻まれて窒化物半導体までスクライブが達しない場合があり、この問題点を防止するために、ウエハの基板裏面にパターン形状のｎ電極を形成することによりスクライブし易くなり、劈開性が向上する。パターン形状としては、ウエハを劈開して得られる１チップの形状が得られやすいように、チップの大きさとほぼ同程度の形状、例えば４００μｍ×４００μｍの形状、であることが好ましい。つまりスクライブライン上及び／または劈開面上にｎ電極が存在しないようにパターンをつけてｎ電極を形成する。
ｎ電極が裏面にパターン形状に形成される場合のチップ化の方法としては、例えば、裏面のｎ電極パターン間を裏面からスクライブによりバー状サンプルを作製し、端面へ反射ミラー形成後裏面からスクライブによりチップ化を行うことができる。
　 
　イ「甲３の図５の記載は次のとおりである。 
　図５は甲３に記載された窒化物半導体レーザ素子の断面図である。 
　 
図５ 　 
　 
」 
　 
　 
（３）甲４ 
　 
　ア「２　特許請求の範囲 
　所定の導電形を呈する第一の半導体層と、その上に前記第一の半導体層と反対の導電形を呈する第二の半導体層を設けてＰＮ接合を形成し、前記第一および第二の各半導体層の表面にオーミック金属を被着するとともに、前記ＰＮ接合をはさんで相対する一対の反射面を設けた
半導体レーザ素子において、前記第一および第二の半導体層上のオーミック金属の少なくとも一方をその表面の周辺部を除いて形成
　 
　イ「このようにして、半導体レーザダイオードのダイスを得るわけであるが、
反射面６および非反射面８はオーミック電極１および５が一部除去されている表面７において、へきかいおよびスクライブによつて形成される。このため従来方法で発生したオーミック電極用の金属がウエハと共に割れない場合がなくなる。さらにへきかいおよびスクライブする場所がＧａＡｓ結晶のみであるため、容易に反射面６および非反射面８を得ることができる。
　 
　ウ「甲４の第２図は次のとおりである。 
　第２図は、オーミック電極１，５が形成された半導体レーザダイオードを示している。 
　
 
」 
　 
　 
（４）甲５ 
　 
　ア「【請求項１】 半導体基板と、その上に形成された電流阻止層と、中央近傍で電流が流れ端面近傍で電流が流れない様に前記電流阻止層に形成されたストライプ溝と、前記電流阻止層上に形成されたクラッド層と、そのクラッド層上に形成された活性層と表面電極を具備し、その表面電極が前記活性層の巾全体に広がる
中央部電極及び前記ストライプ溝の上方に位置しかつ前記ストライプ溝の巾より大きく前記中央部電極の巾より小さい巾を有する端部電極からなる事を特徴とする半導体レーザ。
　　 
　イ「【００１１】
表面電極１０は金等からなりキャップ層９上に形成されている。表面電極１０は巾狭の端部電極１１と巾広の中央部電極１２から構成されている。中央部電極１２は活性層７の巾全体に広がる様に、すなわちキャップ層９の端から１０〜２０μｍを残してキャップ層９上に形成されている。端部電極１１はストライプ溝３の略真上のキャップ層９上に形成されている。端部電極１１の巾Ｄはストライプ溝３の巾Ｃよりも大きく中央部電極１２の巾よりも小さく設けられている。
　 
　エ「甲５の図１は次のとおりである。 
　図１は甲５に記載された半導体レーザの斜視図である。 
　
図１ 
　」 
　　 
　 
（５）甲６
　 
　ア「【０００８】 
【発明の実施の形態】図１及び
図２は本発明のレーザ素子を説明するためのレーザ素子の構造を示す斜視図である。
図２は基板１にＧａＮ
のような導電性、若しくは半導体基板を使用した場合のレーザ素子
　 
【０００９】本発明において、
活性層３と基板１との間に形成されるｎ型窒化物半導体層２は、ｎ型の窒化物半導体層を少なくとも１層有していれば良いし、また複数層を有していても良い。例えばレーザ素子であれば、活性層よりもバンドギャップエネルギーの大きなｎ型窒化物半導体よりなる光ガイド層、光閉じ込め層等が形成されて、複数のｎ型層からなるのが通常である。同様に活性層３と正電極５との間に形成されるｐ型窒化物半導体層４も少なくとも一層、若しくは複数層を有していれば良く、通常はｎ層側と同じく、活性層よりもバンドギャップエネルギーが大きいｐ型窒化物半導体よりなる光ガイド層、光閉じ込め層が形成され、一般に分離閉じ込め型のダブルへテロ構造とされている。活性層３は通常、その活性層が接するｎ型窒化物半導体層、及びｐ型窒化物半導体よりもバンドギャップエネルギーが小さい窒化物半導体で形成され、レーザ素子の場合では互いにバンドギャップエネルギーの異なる膜厚１００オングストローム以下の窒化物半導体層が積層された多重量子井戸構造とされる。
　
【００１０】
ｐ型窒化物半導体層４の一部に形成されるリッジストライプ４’は活性層の発光をリッジ下部に集中させて閾値電流を低下させる作用がある。図では台形で示した４’部分がリッジストライプに相当する。
　 
　イ「【００１３】図３は図１のレーザ素子の断面図を示し、
図４は図２のレーザ素子の断面図を示し、いずれもリッジストライプに対して垂直な方向で素子を切断した際の図を示している。
　 
【００１４】さらに、
本発明のレーザ素子ではリッジ最上部に形成した正電極５と電気的に接続したボンディング用のパッド電極６を設けている。パッド電極６は実質的に正電極５の表面積を大きくしてワイヤーボンディング、ダイボンディング等のボンディング時にレーザ素子を他の部材と接続しやすくしている。
レーザ素子に正電極側にワイヤーボンディングすると、ワイヤー接続時に衝撃が係る。この衝撃がリッジストライプの真上に係ると、リッジ部の窒化物半導体の結晶が損ねられる可能性がある。特に窒化物半導体はダイヤモンドに近い非常に硬い物質であるため、衝撃が直接リッジのような微小領域に係ると、そのリッジ内部の結晶が他の半導体に比べて壊れやすい。しかしながら、本発明のレーザ素子ではリッジ部とボンディング部をずらしてあるため、リッジには直接真上から衝撃を受けないので、結晶が壊れにくくなって、素子寿命が長くなる。
　 
　ウ「【００１７】［実施例１］サファイア（Ｃ面）よりなる基板１を反応容器内にセットし、容器内を水素で十分置換した後、水素を流しながら、基板の温度を１０５０℃まで上昇させ、基板のクリーニングを行う。基板１にはサファイアＣ面の他、Ｒ面、Ａ面を主面とするサファイア、その他、スピネル（ＭｇＡ１2Ｏ4）のような絶縁性の基板の他、ＳｉＣ（６Ｈ、４Ｈ、３Ｃを含む）、ＺｎＳ、ＺｎＯ、ＧａＡｓ、
ＧａＮ
の半導体基板を用いることができる。
導電性基板の場合は図２、図４に示すように基板裏面側から負電極を形成することもできる。
　
【００１８】（バッファ層２０１）続いて、温度を５１０℃まで下げ、キャリアガスに水素、原料ガスにアンモニアとＴＭＧ（トリメチルガリウム）とを用い、基板１上にＧａＮよりなるバッファ層２０１を約２００オングストロームの膜厚で成長させる。バッファ層２０１はＡｌＮ、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ等が、９００℃以下の温度で、０．１μｍ以下、好ましくは数十オングストローム〜数百オングストロームで形成できる。このバッファ層は基板と窒化物半導体との格子定数不正を緩和するために形成されるが、窒化物半導体の成長方法、基板の種類等によっては省略することも可能である。
　
【００１９】（ｎ型コンタクト層２０２）バッファ層２０成長後、ＴＭＧのみ止めて、温度を１０５０℃まで上昇させる。１０５０℃になったら、同じく原料ガスにＴＭＧ、アンモニアガス、不純物ガスとしてシランガスを用い、Ｓｉを１×１０19／cm3ドープしたｎ型ＧａＮよりなるｎ型コンタクト層２０２を６μｍの膜厚で成長させる。
ｎ型コンタクト層２０２はｎ型のＩｎ
X
Ａｌ
Y
Ｇａ
1-X-Y
Ｎ（０≦X、０≦Y、X＋Y≦１）で構成でき、その組成は特に問うものではないが、好ましくはｎ型ＧａＮ、Y値が０．１以下のＡｌ
X
Ｇａ
1-X
Ｎとすると負電極７と良好なオーミックが得られやすい。
　
【００２０】（クラック防止層２０３）次に、温度を８００℃にして、原料ガスにＴＭＧ、ＴＭＩ（トリメチルインジウム）、アンモニア、シランガスを用い、Ｓｉを１×１０19／cm3ドープしたＩｎ0.1Ｇａ0.9Ｎよりなるクラック防止層２０３を５００オングストロームの膜厚で成長させる。このクラック防止層２０３はＩｎを含むｎ型の窒化物半導体、
好ましくはＩｎＧａＮで成長させることにより、Ａｌを含む窒化物半導体層中にクラックが入るのを防止することができる。
　
【００２１】（ｎ型クラッド層２０４）次に温度を１０５０℃にして、原料ガスにＴＭＡ（トリメチルアルミニウム）、ＴＭＧ、ＮＨ3、ＳｉＨ4を用い、
Ｓｉを１×１０
19
／cm
3
ドープしたｎ型Ａｌ
0.20
Ｇａ
0.80
Ｎよりなる第１の層を２０オングストロームとＳｉを１×１０
19
／cm
3
ドープしたｎ型ＧａＮよりなる第２の層を２０オングストローム成長させる。そしてこのペアを１２５回成長させ、総膜厚０．５μｍ（５０００オングストローム）の多層膜よりなるｎ型クラッド層２０４を成長させる。
　
【００２２】（
ｎ型光ガイド層２０５
１０５０℃でＳｉを１×１０
19
／cm
3
ドープしたｎ型ＧａＮよりなるｎ型光ガイド層２０５を０．２μｍの膜厚で成長
　
【００２３】（活性層３）次に、原料ガスにＴＭＧ、ＴＭＩ、アンモニア、シランガスを用いて活性層３を成長させる。活性層３は温度を８００℃に保持して、まずＳｉを８×１０18／cm3でドープしたＩｎ0.2Ｇａ0.8Ｎよりなる井戸層を２５オングストロームの膜厚で成長させる。次にＴＭＩのモル比を変化させるのみで同一温度で、Ｓｉを８×１０18／cm3ドープしたＩｎ0.01Ｇａ0.95Ｎよりなる障壁層を５０オングストロームの膜厚で成長させる。この操作を２回繰り返し、最後に井戸層を積層した多重量子井戸構造とする。活性層にドープする不純物は本実施例のように井戸層、障壁層両方にドープしても良く、いずれか一方にドープしてもよい。なおｎ型不純物をドープすると閾値が低下する傾向にある。
　
【００２４】（
ｐ型キャップ層４０１
ｐ型Ａｌ
0.1
Ｇａ
0.9
Ｎよりなるｐ型キャップ層４０１を３００オングストロームの膜厚で成長
　
【００２５】（
ｐ型光ガイド層４０２
Ｍｇドープｐ型ＧａＮよりなるｐ型光ガイド層４０２
　
【００２６】（
ｐ型クラッド層４０３
Ｍｇを１×１０
20
／cm
3
ドープしたｐ型Ａｌ
0.20
Ｇａ
0.80
Ｎよりなる第１の層を２０オングストロームと、Ｍｇを１×１０
20
／cm
3
ドープしたｎ型ＧａＮよりなる第２の層を２０オングストローム成長させる。そしてこのペアを１２５回成長させ、総膜厚０．５μｍ（５０００オングストローム）の多層膜よりなるｐ型クラッド層４０３を成長
　
【００２７】本実施例のように量子構造の井戸層を有する活性層を有するダブルへテロ構造の半導体素子の場合、その活性層３に接して、活性層３よりもバンドギャップエネルギーが大きい膜厚０．１μｍ以下の窒化物半導体よりなるキャップ層、好ましくはＡｌを含む窒化物半導体よりなるｐ型キャップ層４０１を設け、そのｐ型キャップ層４０１よりも活性層から離れた位置に、ｐ型キャップ層４０１よりもバンドギャップエネルギーが小さいｐ型光ガイド層４０２を設け、そのｐ型光ガイド層４０２よりも活性層から離れた位置に、ｐ型光ガイド層４０２よりもバンドギャップが大きい窒化物半導体、好ましくはＡｌを含む窒化物半導体を含むｐ型クラッド層４０３を設けることは非常に好ましい。しかもｐ型キャップ層４０１の膜厚を０．１μｍ以下と薄く設定してあるため、キャリアのバリアとして作用することはなく、ｐ層から注入された正孔が、トンネル効果によりｐ型キャップ層４０１を通り抜けることができて、活性層で効率よく再結合し、ＬＤの出力が向上する。つまり、注入されたキャリアは、ｐ型キャップ層４０１のバンドギャップエネルギーが大きいため、半導体素子の温度が上昇しても、あるいは注入電流密度が増えても、キャリアは活性層をオーバーフローせず、ｐ型キャップ層４０１で阻止されるため、キャリアが活性層に貯まり、効率よく発光することが可能となる。
　
【００２８】（
ｐ型コンタクト層４０４
ｐ型クラッド層４０３の上に、１０５０℃でＭｇを１×１０
20
／cm
3
ドープしたｐ型ＧａＮよりなるｐ型コンタクト層４０４を１５０オングストロームの膜厚で成長
　
　エ「【００３４】
基板研磨後、研磨面側をスクライブして、リッジストライプに垂直な方向でバー状に劈開し、劈開面に共振器長５００μｍの共振器を作製する。共振器面にＳｉＯ
2
とＴｉＯ
2
よりなる誘電体多層膜を形成し、最後にリッジストライプに平行な方向で、バーを切断してレーザチップとする。
　
【００３５】さらに
このレーザチップをフェースアップ（基板とヒートシンクとが対向した状態）でヒートシンクに設置し、それぞれの電極を金線よりなるワイヤー８でボンディングする。
　
　
　オ「甲６の図面の図２及び４は次のとおりである。 
　図２は甲６に記載された窒化物半導体レーザ素子の斜視図であり、図４は甲６に記載された窒化物半導体レーザ素子の断面図である。
　 
　図２ 　 　
 
　 
図４
　」 
　 
　 
（６）甲７ 
　 
　ア「【００５７】［実施例６］以下、図９を元に実施例６について説明する。
図９は本発明の成長方法により得られた窒化物半導体層を基板とする一実施の形態のレーザ素子の構造を示す模式断面図
　 
　イ「【００６８】反応終了後、反応容器内において、ウェーハを窒素雰囲気中、７００℃でアニーリングを行い、ｐ型層をさらに低抵抗化する。アニーリング後、ウェーハを反応容器から取り出し、
図９に示すように、ＲＩＥ装置により最上層のｐ型コンタクト層４９と、ｐ型クラッド層４８とをエッチングして、４μｍのストライプ幅を有するリッジ形状とし、リッジ表面の全面にＮｉ／Ａｕよりなるｐ電極５１を形成する。次に、図９に示すようにｐ電極５１を除くｐ側クラッド層４８、コンタクト層４９の表面にＳｉＯ
2
よりなる絶縁膜５０を形成し、この絶縁膜５０を介してｐ電極５１と電気的に接続したｐパッド電極５２を形成する。
　 
【００６９】
ｐ側電極形成後、第２の窒化物半導体層４の素子構造が形成されていない表面全面に、Ｔｉ／Ａｌよりなるｎ電極５３を０．５μｍの膜厚で形成し、その上にヒートシンクとのメタライゼーション用にＡｕ／Ｓｎよりなる薄膜を形成する。
　 
【００７０】その後、
ｎ電極側５３からスクライブし、第２の窒化物半導体層４のＭ面（１１−００、図５の六角柱の側面に相当する面）で第２の窒化物半導体層４を劈開し、共振面を作製する。
最後にｐ電極に平行な方向で、バーを切断してレーザチップとした。次にチップをフェースアップ（基板とヒートシンクとが対向した状態）でヒートシンクに設置し、ｐパッド電極５２をワイヤーボンディング
　 
　ウ「甲７に記載された図９は次のとおりである。 
　甲７に記載された窒化物半導体層を基板とするレーザ素子を示している。
図９ 　 
　」 
　 
　 
（７）甲８ 
　 
　甲８には、口頭審理時に請求人が行った技術説明の内容が記載されている。 
　 
　 
（８）甲９ 
　 
　甲９の第９８頁〜第１０３頁には、ＧａＡｌＡｓ系半導体レーザダイオードにおいて各種ストライプ構造が提案されていること、および、前記各種ストライプ構造として、プレーナストライプ、メサストライプなどが存在すること、が記載されている。 
　 
　 
２　甲２に記載された発明に基づく「無効理由２」について　 
　
（１） 本件訂正発明１について 
　 
　ア　甲２に記載された発明 
　 
　ａ　上記「１．（１）甲２」の記載を総合すると、甲２には次の発明（以下「甲第２号証発明」という。）が記載されているものと認められる。  
　 
　ｂ　「ｎ型導電性を示す窒化物半導体基板の一方の面上に、凸型ストライプ状導波路領域と、該凸型ストライプ状導波路領域から連続する略平滑面とを有し、ｎ型クラック防止層、ｎ型クラッド層、ｎ側光ガイド層、活性層、ｐ型キャップ層、ｐ側光ガイド層、ｐ型クラッド層、ｐ型コンタクト層を積層したものを窒化物半導体基板までエッチングして前記凸型ストライプ状導波路領域が形成され、前記窒化物半導体基板の他方の面上にｎ型電極が形成されるとともに、前記ｐ型コンタクト層上にｐ型電極およびパッド電極が形成されてなる窒化物半導体レーザーであって、  
　前記ｎ型電極は、窒化物半導体基板上に格子状のフォトレジストを用いて形成され、  
　前記ｐ型電極およびパッド電極は、前記凸型ストライプ状導波路領域と前記略平滑面とを含む所定領域上に形成され、  
　前記所定領域が、前記凸型ストライプ状導波路領域を被覆するようにストライプ長の全面に渡って形成された領域と、略平滑面上の領域のうち、劈開端面近傍および側面の近傍を除く領域から構成されている窒化物半導体レーザー。」  
　 
　 
　イ　本件訂正発明１と甲第２号証発明との対比 
　 
　ａ　甲第２号証発明における「ｎ型導電性を示す窒化物半導体基板」、「ｎ型クラック防止層、ｎ型クラッド層、ｎ側光ガイド層」、「活性層」、「ｐ型キャップ層、ｐ側光ガイド層、ｐ型クラッド層、ｐ型コンタクト層」及び「窒化物半導体レーザー」は、本件訂正発明１の「導電性を有する透明基板」、「第１導電型の第１の窒化物系半導体層」、「能動素子領域」、「第２導電型の第２の窒化物系半導体層」及び「窒化物系半導体レーザ素子」に相当する。 
　 
　ｂ　甲第２号証発明における「ｎ型電極」及び「ｐ型電極およびパッド電極」は、本件訂正発明１の「第１のオーミック電極」及び「第２のオーミック電極」に相当する。 
　 
　ｃ　甲第２号証発明における「ｐ型電極およびパッド電極」（第２のオーミック電極）が形成される「所定領域」が「凸型ストライプ状導波路領域を被覆するようにストライプ長の全面に渡って形成された領域」であり、「略平滑面上の領域のうち、劈開端面近傍および側面の近傍を除く領域」であることは、本件訂正発明１における「所定領域」が「ストライプ領域の両端部近傍上および前記ストライプ領域を含む所定領域」であり、「平面視において、」「共振器の端面側の辺に沿ったストライプ状の領域ならびに素子の側面側に沿ったストライプ状の領域を除く領域」に相当する。 
　 
　ｄ　したがって、両者は、  
　  
「 導電性を有する透明基板の一方の面上に第１導電型の第１の窒化物系半導体層、能動素子領域、および第２導電型の第２の窒化物系半導体層が形成され、前記透明基板の他方の面上に第１のオーミック電極が形成されるとともに、前記第２の窒化物系半導体層上に第２のオーミック電極が形成されてなる窒化物系半導体レーザ素子であって、  
前記第２のオーミック電極は、ストライプ領域の両端部近傍上および前記ストライプ領域を含む所定領域上に形成され、  
前記所定領域が、平面視において、前記共振器の端面側の辺に沿ったストライプ状の領域ならびに素子の側面側の辺に沿ったストライプ状の領域を除く領域である窒化物系半導体レーザ素子。」  
　  
　で一致し、次の点で一応相違する。  
　  
　ｅ　相違点１ 
　本件訂正発明１における第１のオーミック電極が「共振器の端面側の辺に沿ったストライプ状の領域を除く領域に形成」されているのに対して、甲第２号証発明では第１のオーミック電極が「窒化物半導体基板上に格子状のフォトレジストを用いて形成」されたものであるものの、第１のオーミック電極が、どのような領域に形成されているのかが明らかではない点。 
　 
　ｆ　相違点２ 
　本件訂正発明１の「ストライプ領域」は「第２導電型の第２の窒化物系半導体層」の「ストライプ状のリッジ部」により構成され、第２のオーミック電極が形成される所定領域は「第２導電型の第２の窒化物系半導体層」に形成された「リッジ部上のストライプ領域の両端部近傍上および前記ストライプ領域を含む所定領域」とし、「平面視において、前記第２の窒化物系半導体層の領域から前記共振器の端面側の辺に沿ったストライプ状の領域ならびに素子の側面側の辺に沿ったストライプ状の領域」を前記所定領域から除く領域とするのに対して、甲第２号証発明では、第１の窒化物系半導体層、能動素子領域及び第２の窒化物系半導体層で「ストライプ領域」を形成しており第２導電型の第２の窒化物系半導体層が「ストライプ状のリッジ部」を有する構成ではないため、第２のオーミック電極は「第２導電型の第２の窒化物系半導体層」の「リッジ部上のストライプ領域の両端部近傍上および前記ストライプ領域を含む所定領域上に形成」する構成を有しておらず、さらに、第２のオーミック電極が形成される所定領域から除かれる「共振器の端面側の辺に沿ったストライプ状の領域ならびに素子の側面側の辺に沿ったストライプ状の領域」が、第２の窒化物系半導体層がエッチングにより除去された「略平滑面上」であり平面視において第２の窒化物系半導体層よりも外周側である点。  
　 
　ウ　相違点１に対する判断 
　　 
　ａ　請求人は、甲２には、第１のオーミック電極を形成する際に、格子状のフォトレジストを用いていることから、甲第２号証発明は、相違点２に係る構成を有している旨を主張している。（審判請求書の第２８〜３０頁の（ｂ）。） 
　 
　ｂ　一方、被請求人は、乙３の記載から「格子状」という言葉は、「縦横の方向、あるいはそのどちらかの方向の間をすかしている状態を意味するもの」であるから、上記「格子状」と記載されているだけからは、甲第２号証に第１のオーミック電極を「共振器の端面側の辺に沿ったストライプ状の領域を除く領域に形成」することが開示されているとは認められない旨、及び、甲３は本件訂正発明１の格別の効果を奏するための構成を示唆するものではなく甲４，５は透明ではないＧａＡｓ基板を用いたものであるから、甲３〜５から相違点２に係る構成を想到することはできない旨、を主張している。（平成２４年４月２５日付け答弁書の第７〜８頁の「・甲第２号証について」。） 
　 
　ｃ　上記ｂの被請求人の主張のとおり、甲２の記載において「格子状」との記載のみでは、第１のオーミック電極が、どのような形状であるのかは明確に把握することはできない。 
　 
　ｄ　しかし、甲２において第１のオーミック電極を形成する際に、格子状のフォトレジストを用いる理由を検討すると、基板の裏面全面に第１のオーミック電極を形成するのに比べて、格子状に形成することでコストが増加することは明らかであることから、格子状のフォトレジストを用いることには何らかの理由があるものと解され、その理由は、他に合理的な理由が見当たらないことから、甲３に記載された劈開性の向上であると推察される。 
　 
　ｅ　よって、相違点１に係る構成は甲２に記載されているに等しい事項であり、相違点１は、本件訂正発明１と甲第２号証発明の実質的な相違点とはいえない。 
　 
　 
　エ　相違点２に対する判断 
　 
　ａ　請求人が提出した各甲号証を検討しても、甲２に記載された発明において、第２の窒化物系半導体層に「ストライプ状のリッジ部」を設け、第２のオーミック電極が形成される所定領域を「リッジ部上のストライプ領域の両端部近傍上および前記ストライプ領域を含む所定領域」とし、「平面視において、前記第２の窒化物系半導体層の領域から前記共振器の端面側の辺に沿ったストライプ状の領域ならびに素子の側面側の辺に沿ったストライプ状の領域」を前記所定領域から除く領域として、その結果、上記相違点２に係る本件訂正発明１の構成とすることについて、当業者が容易に想到しうることを示す記載及び示唆を見いだすことはできない。 
　 
　ｂ　相違点２について請求人は、半導体レーザにおいてストライプ状のリッジを設けることは甲９に示されているとおり特別なことではなく、さらに、窒化物半導体レーザ素子において第２の窒化物半導体層にストライプ状のリッジ部を設ける構造は甲２の図５、甲６の図４、甲７の図９に記載されたとおり周知な構造であるから、甲第２号証発明において当該周知な構造を採用することは容易であること、甲２の記載を検討しても、上記周知な構造を採用することに阻害要因はないこと、さらに、甲２と同様の効果を謳っている甲６からも甲第２号証発明に上記周知な構造を採用することは明らかなこと、を主張している。（口頭審理陳述要領書の第１７〜２３頁の（３）（ａ）、上申書の第９〜１１頁の（２）（ａ）。） 
　 
　ｃ　上記主張について検討する。 
　 
　甲２の図５、甲６及び甲７には、上記ｂの主張のとおり窒化物半導体レーザ素子において第２の窒化物半導体層にストライプ状のリッジ部を設ける構造が記載されている。（上記１（１）のソ、１（５）のオ及び１（６）のウ参照。）
　しかし、甲第２号証発明は、甲２の図５で示される従来技術が有する課題を解決して、より閾値が低く、歩留まりの高い窒化物半導体レーザを得るものであり、そのような課題を解決していない従来技術の構造を、例え周知な構造であったとしても、課題を解決した甲第２号証発明に採用するには、何らかの積極的な動機付けが必要である。上記主張や提出された各甲号証の記載を検討しても、甲第２号証発明において、上記請求人が主張する周知な構造を採用する動機付けは見出せない。 
　 
　　 
（２）本件訂正発明２〜５の検討
　
　本件訂正発明２〜４は本件訂正発明１の特定事項をすべて含むものであり、本件訂正発明５は物の発明である本件訂正発明１が有する構成をすべて備えた物の製造方法に係る発明である。 
　そして、本件訂正発明１が、甲第２号証に記載された発明であるとはいえず、また、甲第２〜７及び９号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない以上、本件訂正発明２乃至５も、甲第２号証に記載された発明であるとはいえず、また、甲第２〜７及び９号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものといえないことは明らかである。
　
　
３　甲２の従来技術に記載の発明に基づく「無効理由３」について 
　
（１） 本件訂正発明１の検討
　 
　ア　甲２の従来技術に記載された発明 
　 
　ａ　上記「１．（１）甲２」の段落【０００４】、【０００５】、図５の記載を総合すると、甲２には従来技術として次の発明（以下「甲第２号証従来発明」という。）が記載されているものと認められる。 
　 
　ｂ　「サファイア基板上に部分的に形成されたＳｉＯ２膜を介して選択成長させたｎ型ＧａＮよりなる窒化物半導体基板の一方の面上にｎ−Ｉｎ０．１Ｇａ０．９Ｎ、ｎ−Ａｌ０．１４Ｇａ０．８６Ｎ／ＧａＮ　ＭＤ−ＳＬＳ，ｎ−ＧａＮ、Ｉｎ０．０２Ｇａ０．９８Ｎ／Ｉｎ０．１５Ｇａ０．８５Ｎ　ＭＱＷ、および共振器長方向に延びるリッジを形成するｐ型クラッド層及びｐ型コンタクト層と、が形成され、前記窒化物半導体基板の一方の面上にｎ型電極が形成されるとともに、前記ｐ型コンタクト層上にｐ型電極とｐ型パッド電極とが形成されてなる窒化物半導体レーザであって、 
　前記ｐ型電極とｐ型パッド電極とは、前記リッジ上のストライプ領域の両端部近傍上および前記ストライプ領域を含む所定領域上に形成され、 
　前記所定領域が、平面視において、前記ｐ型クラッド層及びｐ型コンタクト層の領域から素子の側面側の辺に沿ったストライプ状の領域を除く領域である窒化物半導体レーザ。」 
　 
　イ　本件訂正発明１と甲第２号証従来発明に記載の発明との対比 
　 
　ａ　甲第２号証従来発明における「ｎ−Ｉｎ０．１Ｇａ０．９Ｎ、ｎ−Ａｌ０．１４Ｇａ０．８６Ｎ／ＧａＮ　ＭＤ−ＳＬＳ，ｎ−ＧａＮ」、「Ｉｎ０．０２Ｇａ０．９８Ｎ／Ｉｎ０．１５Ｇａ０．８５Ｎ　ＭＱＷ」及び「共振器長方向に延びるリッジを形成するｐ型クラッド層及びｐ型コンタクト層」は、本件訂正発明１の、「第１導電型の第１の窒化物系半導体層」、「能動素子領域」及び「共振器長方向に延びるストライプ状のリッジ部を有する第２導電型の第２の窒化物系半導体層」に相当する。 
　 
　ｂ　甲第２号証従来発明における「ｎ型電極」及び「ｐ型電極およびｐ型パッド電極」は、本件訂正発明１の「第１のオーミック電極」及び「第２のオーミック電極」に相当する。 
　 
　ｃ　甲第２号証従来発明における「ｐ型電極およびｐ型パッド電極」（第２のオーミック電極）が形成される「所定領域」が「ｐ型クラッド層及びｐ型コンタクト層の領域から素子の側面側の辺に沿ったストライプ状の領域を除く領域」であることは、本件発明１の「所定領域」が「平面視において、前記第２の窒化物系半導体層の領域から素子の側面側の辺に沿ったストライプ状の領域を除く領域」であることに相当する。 
　
　
　ｄ　したがって、両者は、  
　  
「導電性を有する透明基板の一方の面上に第１導電型の第１の窒化物系半導体層、能動素子領域、および共振器長方向に延びるストライプ状のリッジ部を有する第２導電型の第２の窒化物系半導体層が形成され、前記第２の窒化物系半導体層上に第２のオーミック電極が形成されてなる窒化物系半導体レーザ素子であって、  
前記第２のオーミック電極は、前記リッジ部上のストライプ領域の両端部近傍上および前記ストライプ領域を含む所定領域上に形成され、  
前記所定領域が、平面視において、前記第２の窒化物系半導体層の領域から素子の側面側の辺に沿ったストライプ状の領域を除く領域であることを特徴とする窒化物系半導体レーザ素子。」  
　  
　で一致し、次の点で相違する。  
　  
　ｅ　相違点３　  
　本件訂正発明１の第１のオーミック電極が「透明基板の他方の面上」に「共振器の端面側の辺に沿ったストライプ状の領域を除く領域に形成」されているのに対して、甲第２号証従来発明では、透明基板の「一方の面上」に形成されている点。  
　  
　ｆ　相違点４ 
　本件訂正発明１では第２のオーミック電極が形成される所定領域から、「平面視において、前記第２の窒化物系半導体層の領域から前記共振器の端面側の辺に沿ったストライプ状の領域」が除かれるのに対して、甲第２号証従来発明では第２のオーミック電極が「平面視において、前記第２の窒化物系半導体層の領域から前記共振器の端面側の辺に沿ったストライプ状の領域」にも形成されている点。　 
　 
　 
　ウ　相違点３及び４に対する当審の判断
　
　ａ　請求人は、相違点３及び４の両相違点について、甲２に記載された構成であり、そのような構成を甲第２号証従来発明に適用することは容易に想到しうるものである旨を主張している（口頭審理陳述要領書の第２３〜２８頁の（３）（ｂ）、上申書の第１１〜１３頁の（２）（ｂ）。） 
　 
　ｂ　しかし、上記相違点３及び４に係る本件発明の構成は上記２（１）アで認定した甲第２号証発明の構成の一部である。甲第２号証発明は、甲第２号証従来発明が有する上記１（１）ウの段落【０００９】に記載された課題を解決するために、上記相違点３及び４の構成に加えて基板までエッチングして凸型ストライプ状導波路領域を形成するという構成を採用し、ワイヤボンディング時に局所的な力が加わらないようにするという技術思想を開示するものである。
　
　ｃ　そうすると、甲第２号証従来発明において、甲第２号証発明の構成を採用するならば、甲２に記載された上記従来技術が有する課題を解決するために、その全ての構成を採用するのが当然であり、採用した結果として得られるものは甲第２号証発明でしかない。
　
　ｄ　そして、甲２に記載された上記の課題及び解決手段を無視して、甲第２号証発明の一部の構成を抽出し、甲第２号証従来発明に採用することは、甲２の記載事項を鑑みると、容易に想到しうるものとすることはできない。例え、相違点３及び４に係る構成が甲２以外から周知の技術であったとしても、同様である。
　
　
（２）本件訂正発明２〜５について
　
　ア　本件訂正発明２〜４は本件訂正発明１の特定事項をすべて含むものであり、本件訂正発明５は物の発明である本件訂正発明１が有する構成をすべて備えた物の製造方法に係る発明である。
　 
　イ　そして、本件訂正発明１が、甲第２号証の従来技術に記載された発明であるとはいえず、また、甲第２〜７及び９号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない以上、本件訂正発明２乃至５も、甲第２号証に記載された発明であるとはいえず、また、甲第２〜７及び９号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものといえないことは明らかである。
　　 
　　 
４　甲６に記載された発明に基づく「無効理由４」について 
　 
（１）本件訂正発明１について　
　
　ア　甲６に記載された発明 
　 
　ａ　上記「１（５）甲６」の記載を総合すると、甲６には次の発明（以下「甲第６号証発明」という。）が記載されているものと認められる。 
　 
　ｂ　「導電性のＧａＮ基板１の一方の面上にｎ型窒化物半導体層２、活性層３、および共振器長方向に延びるリッジストライプ４’を有するｐ型窒化物半導体層４が形成され、前記ＧａＮ基板１の他方の面上に負電極７が形成されるとともに、前記ｐ型窒化物半導体層４上に正電極５とパッド電極６とが形成されてなる窒化物半導体レーザ素子であって、 
　前記負電極７は、共振器の側面側の辺に沿ったストライプ状の領域を除く領域に形成され、 
　前記正電極５とパッド電極６とは、前記リッジストライプ４’上のストライプ領域の両端部近傍上および前記ストライプ領域を含む所定領域上に形成され、 
　前記所定領域が、平面視において、前記ｐ型窒化物半導体層４の領域から素子の側面側の辺に沿ったストライプ状の領域を除く領域である窒化物半導体レーザ素子。」 
　 
　 
　イ　本件訂正発明１と甲第６号証発明との対比 
　　 
　ａ　甲第６号証発明における「導電性のＧａＮ基板１」は、本件訂正発明１の「導電性を有する透明基板」に相当する。 
　 
　ｂ　甲第６号証発明における「ｎ型窒化物半導体層２」、「活性層３」及び「共振器長方向に延びるリッジストライプ４’を有するｐ型窒化物半導体層４」は、本件訂正発明１の「第１の窒化物系半導体層」、「能動素子領域」及び「共振器長方向に延びるストライプ状のリッジ部を有する第２導電型の第２の窒化物系半導体層」に相当する。 
　 
　ｃ　甲第６号証発明における「負電極７」及び「正電極５とパッド電極６」は、本件訂正発明１の「第１のオーミック電極」及び「第２のオーミック電極」に相当する。 
　 
　ｄ　請求人は、甲６記載の発明は本件訂正発明１の構成である「第１のオーミック電極は、共振器の端面側の辺に沿ったストライプ状の領域を除く領域に形成」する点を有していると主張している（口頭審理陳述要領書、平成２４年４月５日付け上申書。）が、甲６を精査しても、「第１のオーミック電極は、共振器の端面側の辺に沿ったストライプ状の領域を除く領域に形成」することは記載されていないし、記載されているに等しい事項とも認められない。 
　 
　ｅ　したがって、両者は、  
　  
「導電性を有する透明基板の一方の面上に第１導電型の第１の窒化物系半導体層、能動素子領域、および共振器長方向に延びるストライプ状のリッジ部を有する第２導電型の第２の窒化物系半導体層が形成され、前記透明基板の他方の面上に第１のオーミック電極が形成されるとともに、前記第２の窒化物系半導体層上に第２のオーミック電極が形成されてなる窒化物系半導体レーザ素子であって、  
　前記第２のオーミック電極は、前記リッジ部上のストライプ領域の両端部近傍上および前記ストライプ領域を含む所定領域上に形成され、  
　前記所定領域が、平面視において、前記第２の窒化物系半導体層の領域から素子の側面側の辺に沿ったストライプ状の領域を除く領域である 
　窒化物系半導体レーザ素子。」  
　  
　で一致し、次の点で相違する。 
　 
　ｆ　相違点５ 
　本件訂正発明１では第１のオーミック電極が「共振器の端面側の辺に沿ったストライプ状の領域を除く領域に形成」されているのに対して、甲第６号証発明では、「共振器の端面側の辺に沿ったストライプ状の領域を除く領域に形成」されているのか否か不明である点。 
　 
　ｇ　相違点６ 
　本件訂正発明１では第２のオーミック電極が形成される所定領域から、「平面視において、前記第２の窒化物系半導体層の領域から前記共振器の端面側の辺に沿ったストライプ状の領域」が除かれるのに対して、甲第６号証発明では第２のオーミック電極が「平面視において、前記第２の窒化物系半導体層の領域から前記共振器の端面側の辺に沿ったストライプ状の領域」にも形成されている点。 
　 
　 
　ウ　相違点５に対する判断 
　 
　ａ　甲３には、透明基板の裏面にｎ電極（第１のオーミック電極）を形成した窒化物系半導体レーザ素子において、スクライブライン上及び／または劈開面上にｎ電極が存在しないようにパターンをつけてｎ電極を形成して、裏面のｎ電極パターン間を裏面からスクライブによりバー状サンプルを作製し、端面へ反射ミラー形成後裏面からスクライブによりチップ化を行うことで、スクライブし易くなり、劈開性が向上することが記載されている。（上記１（２）ア参照。）
　
　ｂ　甲６に、甲第６号証発明に係る窒化物系半導体レーザ素子の共振器面を形成する方法について明記はされていない。しかし、甲６に記載された図１及び３に記載された窒化物系半導体レーザ素子が、基板の窒化物半導体を積層した面と反対側をスクライブし劈開することにより共振器面を形成していることから、甲第６号証発明に係る窒化物系半導体レーザ素子においても、共振器面を形成する際に劈開を行っていると解される。
　
　ｃ　甲第６号証発明に係る窒化物系半導体レーザ素子において劈開により共振器面を形成する際に、上記ａの甲３に記載された事項に基づいて、スクライブライン上及び／または劈開面上に第１のオーミック電極が存在しないようにパターンをつけて第１のオーミック電極を形成してスクライブ及び劈開を行って、窒化物系半導体レーザ素子を得ることは容易に想到しうるものである。
　
　
　エ　相違点６に対する判断 
　 
　ａ　甲２には、第２のオーミック電極がパッド電極及び第１電極からなる窒化物系半導体レーザ素子において、共振器面を形成する「劈開時にパッド電極が延び積層した窒化物半導体層を被覆することで窒化物半導体レーザーを短絡する」課題が記載されている（上記１（１）オ参照。）。さらに、甲２には、該窒化物系半導体レーザ素子が、第１電極からストライプ状導波路領域に形成された窒化物系半導体に均一に電力を供給しなければならない課題を有することも記載されている（上記１（１）キ参照。）。 
　
　ｂ　そして、甲２には、上記ａの２つの課題を解決するために、「第１電極がストライプ状導波路領域の端面に設けられた劈開面上まで延びていると共にパッド電極のストライプ状導波路領域と平行な方向は第１電極より短く劈開部まで達していない」構成を採用することが記載されている（上記１（１）オ及びキ参照。）。
　 
　ｃ　甲第６号証発明に係る窒化物系半導体レーザ素子は、第２のオーミック電極はパッド電極と正電極（第１電極）からなるものであり（上記１（５）ウ及びエ参照。）、上記ウのｂで示したとおり劈開により共振器面を形成していると解されるから、甲第６号証発明において甲２に記載された上記ａの「共振器面を形成する劈開時にパッド電極が延び積層した窒化物半導体層を被覆することで窒化物半導体レーザを短絡することを防止する課題」を有していることは明らかである。さらに、上記ａの「ストライプ状導波路領域に形成された窒化物系半導体に均一に電力を供給しなければならない課題」はストライプ状導波路領域を備えた窒化物系半導体レーザ素子が有する一般的な課題であるから、ストライプ状導波路領域を備えた甲第６号証発明が該課題を有していることは明らかである。 
　 
　ｄ　甲第６号証発明において、上記ｃの課題を解決するために甲２に記載された「第１電極がストライプ状導波路領域の端面に設けられた劈開面上まで延びていると共にパッド電極のストライプ状導波路領域と平行な方向は第１電極より短く劈開部まで達していない」構成を採用することは当業者が容易に想到し得るものである。 
 　
　
　
　オ　被請求人の主張
　
　ａ　被請求人は、甲第６号証発明に、甲２と甲３に記載された構成を組み合わせることに対して、次のｂ〜ｄの点を主張をしている。（平成２４年４月２５日付け答弁書の第６〜８頁。）
　
　ｂ　本件訂正発明は、第２のオーミック電極のストライプ領域の端部以外で、第１のオーミック電極と第２のオーミック電極の両方が共振器の端面側の辺に沿ったストライプ状の領域を除く領域上に形成されることにより、「リッジ部の両端部にまで均一に電流を注入することができるとともに、劈開によって第１のオーミック電極、第２のオーミック電極の両方が共振器端面にかぶさるおそれがなく、さらには、第１のオーミック電極間で露出した基板の所定領域を分割の目印として利用することができたり、透明基板を透過して第１オーミック電極と第２オーミック電極との位置を確認できたりする」効果をはじめて奏するものである。
　
　ｃ　甲２には、基板の共振器の端面側の辺に沿ったストライプ状の領域を除いてｎ型電極（第１のオーミック電極）を形成することは開示されていない。
　
　ｄ　甲３に記載されているのは、ウエハの基板裏面にパターン形状のｎ電極（第１のオーミック電極）を形成することで劈開性を向上させることのみであって、ｐ電極（第２のオーミック電極）については本件訂正発明１と異なっており、本件訂正発明１の格別の効果を奏するための構成を示唆するものではない。
　
　ｅ　上記ｂ〜ｄの被請求人の主張を検討する。
　
　ｆ　第２のオーミック電極のストライプ領域の端部以外で、第１のオーミック電極と第２のオーミック電極の両方が共振器の端面側の辺に沿ったストライプ状の領域を除く領域上に形成される窒化物系半導体レーザ素子は、甲第６号証発明並びに甲２及び甲３に記載された技術から容易に発明し得る（上記ウ及びエ参照。）ところ、該窒化物系半導体レーザ素子が上記ｂ及びｄで主張された効果を奏することは当業者が予測できた程度のことである。
　
　ｇ　上記ｃの主張における「基板の共振器の端面側の辺に沿ったストライプ状の領域を除いてｎ型電極（第１のオーミック電極）を形成すること」は甲３に基づいて容易に想到し得たことである（上記ウ参照）。なお、「基板の共振器の端面側の辺に沿ったストライプ状の領域を除いてｎ型電極（第１のオーミック電極）を形成すること」は、上記２（１）のウにおいて述べたとおり、甲２に記載されているに等しい事項にすぎない。
　
　ｈ　上記ｆ及びｇの理由により、被請求人が主張する上記ｂ〜ｄの事項を採用することができない。
　
　カ　本件訂正発明１についてのまとめ　
　 
　以上のとおりであるから、本件訂正発明１は、甲第６号証発明並びに甲２及び甲３に記載された技術、に基づいて当業者が容易に発明しうるものである。
　
　 
（２）　本件訂正発明２〜４について  
　
　ア　本件訂正発明２について
　
　ａ　本件訂正発明２における「前記第１のオーミック電極は、…前記窒化物系半導体素子の両側面側の辺に沿ったストライプ状の領域を除く領域に形成されている」構成は、甲６の図２及び４に記載されている。（上記１（５）オ参照。）本件訂正発明２における「前記第１のオーミック電極は、前記共振器の両端面側の辺に沿ったストライプ状の領域…を除く領域に形成されている」構成は、上記（１）ウで示したとおり当業者が容易に想到しうるものである。
　
　ｂ　よって、本件訂正発明２は、本件訂正発明１と同様に、甲第６号証発明並びに甲２及び甲３に記載された技術、に基づいて当業者が容易に発明しうるものである。
　
　
　イ　本件訂正発明３について
　
　ａ　本件訂正発明３における「前記基板は窒化ガリウムから構成されること」は、甲６に記載されていることである。（上記１（５）ア及びウ参照。）
　
　ｂ　よって、本件訂正発明３は、本件訂正発明１と同様に、甲第６号証発明並びに甲２及び甲３に記載された技術、に基づいて当業者が容易に発明しうるものである。
　
　
　ウ　本件訂正発明４について
　
　ａ　本件訂正発明４における「前記第１および前記第２の窒化物系半導体層はガリウム、アルミニウム、インジウム、ホウ素およびタリウムの少なくとも一つを含むこと」は、甲６に記載されていることである。（上記１（５）ウ参照。）
　
　ｂ　よって、本件訂正発明４は、本件訂正発明１と同様に、甲第６号証発明並びに甲２及び甲３に記載された技術、に基づいて当業者が容易に発明しうるものである。
　 
　　　 
（３）　本件訂正発明５について
　
　ア　本件訂正発明５は「前記窒化物系半導体レーザ素子を前記透明基板側を上にして、該透明基板方向から前記ストライプ領域の端部に形成された前記第２のオーミック電極の形状を見ながら、ジャンクションダウンでサブマウントに実装する工程」を有する「窒化物系半導体レーザ装置の製造方法」発明である。
　
　イ　一方、甲６には、窒化物系半導体レーザ素子を実装する工程について、窒化物系半導体レーザ素子をフェースアップ（基板とヒートシンクが対向した状態）でヒートシンク（サブマウント）に設置して電極にワイヤーボンディングすることが記載されている。（上記１（５）エの段落【００３５】参照。）さらに、甲６には、甲第６号証発明の目的は、窒化物系半導体レーザ素子の正電極（第２のオーミック電極）側にワイヤーボンディングする際の衝撃によりリッジ部の結晶が壊れることの防止であることが記載されている。（上記１（５）イの段落【００１４】参照。）
　
　ウ　上記イの甲第６号証発明の目的における「正電極（第２のオーミック電極）側にワイヤーボンディング」する工程は、窒化物系半導体レーザ素子をフェースアップで実装した際に行われる工程であり、本件訂正発明５におけるジャンクションダウンによる実装では行われないことである。
　
　エ　したがって、甲第６号証発明に係る窒化物系半導体レーザ素子は、窒化物系半導体レーザ素子をフェースアップで実装する工程において第２のオーミック電極にワイヤボンディングを行う際に生じる課題を解決することを目的とするものであるから、そのようなフェースアップでの実装を前提とした甲第６号証発明を用いて窒化物系半導体レーザ装置を製造する際に、本件訂正発明５が有するジャンクションダウンでサブマウントに実装する工程を用いる動機付けは見出せない。
　
　オ　さらに、本件訂正発明５は窒化物系半導体レーザ素子をジャンクションダウンでサブマウントに実装する際に「透明基板を透過して第１オーミック電極と第２のオーミック電極との位置を確認することができる」効果を有するものであるが、当該効果も各甲号証の記載から当業者が予測しうるものではない。
　
　カ  よって、本件訂正発明５は、甲第６号証発明並びに甲２及び甲３に記載された技術、に基づいて当業者が容易に発明しうるものということはできない。
　 
４　無効理由２〜４（新規性、進歩性）に対する判断のむすび 
　 
　ア　以上のとおりであるから、本件訂正発明１〜４は、甲第６号証に記載された発明並びに甲第２号証及び甲第３号証に記載された技術から当業者が容易に発明することができたものである。
　
　イ　本件訂正発明５は、甲第２〜７，９号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。  
　 
　 
　 
第７　無効理由５（特許請求の範囲の記載不備）に対する判断 
　 
（１）請求人の主張  
　 
　無効理由５についての請求人の主張を整理すると、次のとおりである。  
　 
　ア　本件訂正発明１及び５には、第２のオーミック電極を形成する所定領域から除く領域について、「平面視において、前記第２の窒化物半導体層の領域から共振器の端面側の辺に沿った領域」と記載されている。当該記載は第２のオーミック電極を形成する所定領域から除く領域を第２の窒化物半導体層の外周を基準として規定しているが、本件明細書及び図面には、素子の劈開面及び側面を基準にして第２のオーミック電極を形成することしか記載されていない。したがって、本件訂正発明は、サポート要件違反である。（口頭審理陳述要領書の第３５頁第７行〜最終行。） 
　 
　イ　本件訂正発明１及び５には第２のオーミック電極を形成する領域について「両端部近傍」及び「所定領域」と記載されているが、訂正により「所定形状」が「所定領域」に変更された結果、当該記載において、第２のオーミック電極が「両端部近傍」及び「所定領域」の「全域」に形成されなければならないのか、それとも、「一部」でもよいのか、が不明確となっている。仮に「一部」でもよいとすれば、そのような発明は本件明細書に記載されていないのでサポート要件違反である。（口頭審理陳述要領書の第３６頁第１行〜第３７頁第４行。） 
　 
　 
（２）記載不備に対する判断 
　 
　ア　（１）アの請求人の主張について 
　 
　ａ　本件明細書の段落【００２１】には、「第２のオーミック電極は、第２の窒化物半導体層の少なくとも一辺に沿った所定領域が露出するように第２の窒化物半導体層上に形成」することが記載されている。 
　 
　ｂ　当該記載において、第２の窒化物半導体層が露出した領域は、本件訂正発明１及び５における「第２のオーミック電極を形成する所定領域から除く領域」に該当するものであり、上記第２の窒化物半導体層が露出した領域が第２のオーミック電極の外周と第２の窒化物系半導体層の外周との間の領域であることは明らかである。 
　 
　ｃ　そうすると、本件明細書には、「第２のオーミック電極を形成する所定領域から除く領域」を第２の窒化物系半導体層の外周を基準として規定することが記載されていると認められる。 
　 
　ｄ　したがって、上記（１）アの請求人の主張は当を得たものではなく、採用することができない。 
　 
　 
　イ　（１）イの請求人の主張について 
　 
　ａ　本件訂正発明１及び５において、第２のオーミック電極が「両端部近傍」及び「所定領域」の「全域」に形成されなければならないのか、それとも、「一部」でもよいのか、は、本件明細書を検討しても、特許請求の範囲において規定しなければ発明が不明確となる事項とは認められない。当該認定は、訂正前の「所定形状」との記載を用いた際にも同様であり、訂正によりサポート要件違反が生じたとも認められない。 
　 
　ｂ　したがって、上記（１）イの請求人の主張は当を得たものではなく、採用することができない。 
　 
（３）無効理由５（特許請求の範囲の記載不備）に対する判断のまとめ 
　 
　　以上のとおりであるから、本件特許の訂正後の特許請求の範囲の記載が、特許法第３６条第６項第１号及び第２号に規定された要件を満たしていないとはいえない。 
　 
　 
　 
第８　むすび  
　 
　以上検討したとおり、訂正請求は認めることができる。
　
　そして、本件訂正発明１〜４は、無効理由４により、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない発明であるため、本件訂正発明１〜４についての特許は、同法第１２３条第１項第２号に該当し、無効とすべきものである。
　
　一方、本件訂正発明５についての特許は、請求人の主張する無効理由及び証拠方法によっては、無効とすることができない。
　
　
　審判に関する費用については、特許法第１６９条第２項の規定で準用する民事訴訟法第６４条の規定により、その５分の１を請求人が負担すべきものとし、５分の４を被請求人が負担すべきものとする。 
　　 
　よって、結論のとおり審決する。