【事件の表示】
　特願２００９−５４７２１８「ウェーハレベルの燐光体被覆方法およびその方法を利用して製作される装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２０年　７月３１日国際公開、ＷＯ２００８／０９１３１９、平成２２年　５月２０日国内公表、特表２０１０−５１７２８９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
　
１　手続の経緯
　本願は、平成１９年１１月２０日（パリ条約による優先権主張　２００７年１月２２日、２００７年９月７日　米国）の出願であって、平成２３年９月１６日付けで拒絶理由が通知され、同年１２月２１日に手続補正がなされたが、平成２４年３月８日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年７月１７日に拒絶査定不服審判請求がなされるとともに、同時に手続補正がなされ、同年８月１３日に審判請求書の理由補充（手続補正）がなされたものである。
　
２　本願発明
　本願の請求項に係る発明は、平成２４年７月１７日になされた手続補正後の特許請求の範囲の請求項１〜１６に記載された事項によって特定されるものであるところ、その請求項７に係る発明は次のとおりのものである。
　
「基板の表面に複数のＬＥＤを設けるステップと、
　前記ＬＥＤ上に脚柱を堆積させるステップであって、前記脚柱はそれぞれ前記ＬＥＤのうちの１つに電気的に接触するステップと、
　前記基板内に溝を形成するステップであって、前記溝のうちの少なくとも一部は隣接するＬＥＤ間に位置するステップと、
　前記ＬＥＤを覆って被覆を形成するステップであって、前記被覆は前記脚柱のうちの少なくとも一部を埋設し、前記被覆は、前記溝を少なくとも部分的に埋める、ステップと、
　前記埋設された脚柱のうちの少なくとも一部を露出させながら前記ＬＥＤ上に前記被覆のうちの少なくとも一部を残して前記被覆を薄層化するステップと
　を含むことを特徴とする発光ダイオード（ＬＥＤ）チップを製作する方法。」
（以下「本願発明」という。）
　
３　刊行物の記載
（１）原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開２００２−１１８２９３号公報（以下「引用文献」という。）には、下記の事項が記載されている。
ア　「【請求項６】
基板上に半導体層を有する発光素子と、該発光素子からの光の一部を吸収してそれよりも長波長の光が発光可能な蛍光物質と、該蛍光物質を有し前記発光素子の表面を包囲する透光性モールド部材とを有する発光装置の形成方法であって
ウエハーの状態で前記発光素子の電極上にバンプを形成する第１の工程と、前記発光素子の半導体層側に前記バンプを覆うように前記透光性モールド部材となる材料を被覆させる第２の工程と、研磨により半導体層側から前記ウエハー底面と平行にバンプの上面を露出させる第３の工程と、前記ウエハーをダイシング且つスクライブすることにより切断する第４の工程とを有する発光装置の形成方法
　
イ　「【００３６】（バンプ）本発明において、発光素子は電極上に少なくとも１つのバンプを有し、該バンプの上面は、前記バンプの側面に接して配置された透光性モールド部材の上面と略同一平面である。このように、バンプの上面及び透光性モールド部材の上面にて略同一平面を構成することにより、実装が容易で且つ信頼性の高い発光装置が得られる。
【００３７】前記バンプは、まず発光素子が個々に切断される前のウエハー状態において、各素子の電極のボンディング面上に形成される（第１の工程）。バンプの材料は、Ａｕ、Ｐｔ等の金属材料を用いると各電極との密着性及び導電性に優れたバンプを得ることができる。バンプボンダーにて前記金属材料を前記各ボンディング面上に圧着形成させる。バンプ上面の中央先端部分に生ずる突起部分をレベラーにて押圧し平坦化すると、底面側から上面側までほぼ等しい幅を有するバンプを形成することができる。また前記押圧を調整することでバンプの側面の形状を調整することができる。バンプの側面はテーパー形状であることが好ましく、透光性モールド部材中の蛍光物質及び発光素子から発光される光を前記側面にて良好に反射散乱させることで光の取り出し効率を向上させることができる。
【００３８】前記金属材料の場合、バンプは２０〜５０μｍの高さで形成することが好ましい。また、
バンプをメッキ等の材料を用いて厚膜に形成することも可能で
無電解Ｎｉメッキにて５〜１５０μｍの高さで形成することができ
　
ウ　「【００６４】［実施例１］
サファイア（Ｃ面）よりなる絶縁性基板１上に
半導体層２，３及び青色
が発光可能な発光層
をＭＯＶＰＥ法により形成する
【００６５】次に、パターニングにより、各電極のボンディング部のみを露出させ素子全体を覆うようにＳｉＯ２よりなる絶縁性保護膜７を４７０ｎｍの波長において光透過率が９０％となるように膜厚２μｍで形成する。
【００６６】以上のようして
形成された窒化物半導体ウエハーにおいて、
ダイシングにより半導体層側面に蛍光物質含有の透光性モールド部材を設けるための凹部を形成する
ダイシング後、各電極の各ボンディング面上にバンプボンバーにてバンプ８の材料であるＡｕを高さ５０μｍで圧着させる
【００６７】一方、蛍光物質として（Ｙ０．８Ｇｄ０．２）３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅを８０重量部、エポキシ樹脂１００重量部と酸無水物、硬化促進剤及び拡散剤としてＳｉＯ２を６５℃で十分に攪拌させ、蛍光物質含有の透光性モールド部材９となる材料を形成する。このときのエポキシ樹脂の粘度は７００ｃｐである。このように形成された
蛍光物質含有の透光性モールド部材となる材料を、ディップにより前記バンプを覆うように膜厚１５０μｍで被覆させる
【００６８】次に、
発光素子の発光面から該透光性モールド部材上面が４０μｍとなるように、各バンプ８及び蛍光物質含有の透光性モールド部材９を半導体層側から共に研磨してバンプ８の表面を露出させる
　
エ　図３（ａ）ないし（ｃ）は次のものである。
オ　上記ア及びウを踏まえて、エの図３（ａ）をみると、図３（ａ）において、ダイシングにより設けられた絶縁性基板１に達する凹部を挟んで形成された、ＬＥＤ素子がみてとれる。また、上記ア及びウを踏まえて、エの図３（ａ）及び（ｂ）を比較すると、図３（ｂ）に記載されたものは、図３（ａ）のウエハー上に、バンプ８を形成し、前記バンプ８を覆い、かつ、前記凹部を埋めるように透光性モールド９を被覆させたものであることがみてとれる。
　
（２）上記（１）アないしオによれば、引用文献には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「基板上に半導体層を有する発光素子と、該発光素子からの光の一部を吸収してそれよりも長波長の光が発光可能な蛍光物質と、該蛍光物質を有し前記発光素子の表面を包囲する透光性モールド部材とを有する発光装置の形成方法であって、
　ウエハーの状態で前記発光素子の電極上にバンプを形成する第１の工程と、
　前記発光素子の半導体層側に前記バンプを覆うように前記透光性モールド部材となる材料を被覆させる第２の工程と、
　研磨により半導体層側から前記ウエハー底面と平行にバンプの上面を露出させる第３の工程と、
　前記ウエハーをダイシング且つスクライブすることにより切断する第４の工程と
　を有する発光装置の形成方法において、
　前記基板上に半導体層を有する発光素子は、サファイア（Ｃ面）よりなる絶縁性基板上に半導体層及び青色が発光可能な発光層をＭＯＶＰＥ法により形成するものであり、
　前記第１の工程の前に、前記ウエハーに、ダイシングにより半導体層側面に蛍光物質含有の透光性モールド部材を設けるための凹部を形成する工程を有し、前記工程により、ＬＥＤ素子が、ダイシングにより設けられた絶縁性基板に達する凹部を挟んで形成され、
　前記第１の工程は、各電極の各ボンディング面上にバンプボンバーにてバンプの材料であるＡｕを高さ５０μｍで圧着させる工程であり、
　バンプをメッキ等の材料を用いて厚膜に形成することも可能であり、無電解Ｎｉメッキにて５〜１５０μｍの高さで形成することができ、
　前記第２の工程は、蛍光物質含有の透光性モールド部材となる材料を、ディップにより前記バンプを覆うように膜厚１５０μｍで被覆させる工程であり
　前記第３の工程は、発光素子の発光面から該透光性モールド部材上面が４０μｍとなるように、各バンプ及び蛍光物質含有の透光性モールド部材を半導体層側から共に研磨してバンプの表面を露出させる工程である
発光装置の形成方法。」
　
４　対比・判断
（１）本願発明と引用発明を対比する。
ア　引用発明の「基板上に半導体層を有する発光素子」は、「サファイア（Ｃ面）よりなる絶縁性基板上に各半導体層及び青色）が発光可能な発光層をＭＯＶＰＥ法により形成するものであ」り、「前記ウエハーに、ダイシングにより半導体層側面に蛍光物質含有の透光性モールド部材を設けるための凹部を形成する工程」により、ＬＥＤ素子が、ダイシングにより設けられた絶縁性基板に達する凹部を挟んで形成されるものであるから、引用発明は、本願発明の、「基板の表面に複数のＬＥＤを設けるステップ」及び「前記基板内に溝を形成するステップであって、前記溝のうちの少なくとも一部は隣接するＬＥＤ間に位置するステップ」を備える。
　
イ　引用発明の「第１の工程」は、「各電極の各ボンディング面上にバンプボンバーにてバンプの材料であるＡｕを高さ５０μｍで圧着させる」工程であり、「バンプをメッキ等の材料を用いて厚膜に形成することも可能であり、無電解Ｎｉメッキにて５〜１５０μｍの高さで形成することができ」るから、バンプは発光素子に電気的に接触していると認められ、バンプは無電解Ｎｉメッキにて堆積されて形成されたものということができる。
　そうすると、引用発明は、本願発明の、「ＬＥＤ上に脚柱を堆積させるステップであって、前記脚柱はそれぞれ前記ＬＥＤのうちの１つに電気的に接触するステップ」を備える。
　
ウ　引用発明の「第２の工程」は、「蛍光物質含有の透光性モールド部材となる材料を、ディップにより前記バンプを覆うように膜厚１５０μｍで被覆させる工程であ」るから、発光素子を被覆させるものであり、透光性モールド部材をバンプを覆って埋設するものであり、上記３（１）オによれば、透光性モールドは、「凹部を埋めるように被覆させている」ものであることに照らして、引用発明は、本願発明の、「前記ＬＥＤを覆って被覆を形成するステップであって、前記被覆は前記脚柱のうちの少なくとも一部を埋設し、前記被覆は、前記溝を少なくとも部分的に埋める、ステップ」を備える。
　
エ　引用発明の「第３の工程」は、「バンプを覆うように前記透光性モールド部材となる材料」を「膜厚１５０μｍで被覆さ」せた後で、「発光素子の発光面から該透光性モールド部材上面が４０μｍとなるように、各バンプ及び蛍光物質含有の透光性モールド部材を半導体層側から共に研磨してバンプの表面を露出させる工程である」から、「バンプを覆う」透光性モールド部材を、「バンプの表面を露出させ」ながら透光性モールド部材を膜厚１５０μｍから４０μｍ残して研磨して薄くするものであるといえる。
　そうすると、引用発明は、本願発明の、「前記埋設された脚柱のうちの少なくとも一部を露出させながら前記ＬＥＤ上に前記被覆のうちの少なくとも一部を残して前記被覆を薄層化するステップ」を備える。
　
オ　引用発明の「発光装置の形成方法」は、本願発明の「発光ダイオード（ＬＥＤ）チップを製作する方法」に相当する。
　
　以上によれば、両者は
「基板の表面に複数のＬＥＤを設けるステップと、
　前記ＬＥＤ上に脚柱を堆積させるステップであって、前記脚柱はそれぞれ前記ＬＥＤのうちの１つに電気的に接触するステップと、
　前記基板内に溝を形成するステップであって、前記溝のうちの少なくとも一部は隣接するＬＥＤ間に位置するステップと、
　前記ＬＥＤを覆って被覆を形成するステップであって、前記被覆は前記脚柱のうちの少なくとも一部を埋設し、前記被覆は、前記溝を少なくとも部分的に埋める、ステップと、
　前記埋設された脚柱のうちの少なくとも一部を露出させながら前記ＬＥＤ上に前記被覆のうちの少なくとも一部を残して前記被覆を薄層化するステップと
　を含む発光ダイオード（ＬＥＤ）チップを製作する方法。。」
で一致する。
　
　以上ア〜オの検討によれば、引用発明は本願発明の構成をすべて備えている。
　よって、本願発明は、引用文献に記載された発明である。
　
（２）請求人の主張
　請求人は平成２４年７月１７日に拒絶査定不服審判請求（同年８月１３日の審判請求書の理由補充（手続補正書））において
「請求項７に係る発明の特徴は、『前記ＬＥＤ上に脚柱を堆積させ』、『前記被覆は前記脚柱のうちの少なくとも一部を埋設し、前記被覆は、前記溝を少なくとも部分的に埋める』ことであり、当該特徴は、引用文献１，２には記載も示唆もされていない。また、当該特徴は、被覆が基板の上面より下方へ進む（本願明細書の段落［００６０］）ことを許容し、より多くの光が被覆を通過することを保証し、発光体の効率を増加させるという有利な効果を奏する。・・・別の有利な効果として、『亀裂および炭化が生じる危険を低減し、かつ製作の速度を維持する』・・・」と主張している。
　また、平成２５年２月２１日付けの回答書においても、請求項７（回答書の補正案の請求項６）に関して、上記審判請求書の理由補充（手続補正書））と同様の主張を行っている。
　しかしながら、上記３（１）オのとおり、引用発明は、本願発明の構成を全て備えているから、本願発明と同様の効果を奏するものであると認められる。
　したがって、請求人の上記主張は、採用できない。
　
５　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用文献に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。