【事件の表示】
　特願２００７−１３７６２「電子部品実装配線板、及び電子部品実装配線板の電磁ノイズ除去方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２０年８月７日出願公開、特開２００８−１８２０２４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１９年１月２４日の出願であって、平成２３年１０月２４日付けで拒絶査定がされ、これに対し、平成２４年１月２６日に拒絶査定不服審判の請求がされるとともに、その審判の請求と同時に明細書及び特許請求の範囲を補正する手続補正がされたものである。
　
第２　平成２４年１月２６日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成２４年１月２６日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
１　補正後の本願発明
　平成２４年１月２６日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）により、特許請求の範囲の請求項１は、次のように補正された。
「単一の絶縁部材を介して相対向するように配置された一対の配線パターンと、
　前記配線パターンに対してアクティブ面が下向きとなるようにしてフェイスダウンの状態で電気的に接続されてなる電子部品と、
　前記電子部品の、少なくとも前記アクティブ面と相対向して位置する裏面
から側面にまで延在して、
　前記導電性部材は、前記電子部品とともに前記単一の絶縁部材によって埋設され
、かつ一の面が前記電子部品と密着し、他の面が絶縁部材と密着している
　上記補正は、願書に最初に添付した明細書の段落【００２７】に「図１に示す電子部品内蔵配線板１０においては、電子部品３１のアクティブ面３１１と相対向する裏面３１２と側面３１３とを覆うようにしてグランド電位に保持された導電性部材３２が形成されている。」と記載され、段落【００３３】に「図１において、第１の絶縁部材２１〜第４の絶縁部材２４は、それぞれ互いに識別可能に記載されているが、これは製造工程において元部材であるプリプレグを形成するとともに加熱して、前記絶縁部材を順次に形成するために一般的な状態として識別可能としたものである。」と記載され、また、図１において、導電性部材３２が電子部品３１の裏面と側面に隙間なく接している態様、及び、導電性部材３２が第３の絶縁部材２３に隙間なく接している態様が図示されていることに基づいてなされたものであり、これらの記載からみて、導電性部材が電子部品の「裏面から側面にまで延在して」いること、及び、導電性部材の「一の面が前記電子部品と密着し、他の面が絶縁部材と密着している」ことが記載されていると認められるので、上記補正は、願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内においてしたものであり、特許法第１７条の２第３項の新規事項禁止の規定に違反するものではない。
　また、上記補正は、補正前の請求項１に記載された発明を特定するために必要な事項である「導電性部材」について、「裏面上」との事項を「裏面から側面にまで延在して」と限定するとともに、同じく「導電性部材」について、「一の面が前記電子部品と密着し、他の面が絶縁部材と密着している」との限定を付加したものであり、かつ、補正後の請求項１に記載された発明は、補正前の請求項１に記載された発明と、産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一であるので、上記補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号に規定された特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本件補正後の請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
２　引用例
（１）引用例１
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願前に頒布された刊行物である特開２００４−１３４６６９号公報（以下、「引用例１」という。）には、「ＩＣチップ内蔵多層基板及びその製造方法」に関して、図面とともに次の事項が記載されている。
　ア　「【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、ＩＣチップ内蔵多層基板およびその製造方法に関する。詳しくは、ＬＳＩチップ等のＩＣチップを多層基板に内蔵させると共に、該ＩＣチップの裏面と所定の基板のグランド配線との間に導電性の接続手段を設ける構成とすることによって、基板の薄型化、小型化ができると共に、ＩＣチップ部分にシールド効果を持たせ、ＩＣチップから発生するノイズを除去でき、かつ配線パターンを通じて効率良く放熱することができるようにしたＩＣチップ内蔵多層基板およびその製造方法に係るものである。」
　イ　「【０００８】
そこで、この発明は、基板の薄型化、小型化ができると共に、ＩＣチップ部分にシールド効果を持たせ、ＩＣチップから発生するノイズを除去でき、かつ配線パターンを通じて効率良く放熱することができるようにしたＩＣチップ内蔵多層基板等を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
この発明に係るＩＣチップ内蔵多層基板は、ＩＣチップ内蔵多層基板において、ＩＣチップを実装する第１の基板と、ＩＣチップを挿入する開孔が設けられ、第１の基板と積層する第２の基板と、第１の基板に実装されたＩＣチップを覆うように第２の基板と積層する第３の基板と、ＩＣチップの裏面と第１、第２または第３の基板のグランド配線とを接続する接地手段とを備えるものである。
【００１０】
例えば、接地手段は、ペースト状またはシート状の導電性材料からなり、該ペースト状またはシート状の導電性材料は、第２の基板のグランド配線と接続される。また例えば、接地手段は、金属箔からなり、この金属箔は第１の基板と接続される。また例えば、接地手段は、第３の基板に設けられ、第３基板のグランド配線と接続された金属突起物である。」
　ウ　「【００１３】
この発明においては、ＬＳＩチップ等のＩＣチップを実装する第１の基板と、ＩＣチップを挿入する開孔が設けられた第２の基板と、ＩＣチップを覆うように配置する第３の基板とを備えるＩＣチップ内蔵多層基板において、ＩＣチップを多層基板に内蔵させると共に、該ＩＣチップの裏面と所定の基板のグランド配線との間に導電性の接続手段を設けることにより、基板の薄型化、小型化ができると共に、ＩＣチップ部分にシールド効果を持たせ、ＩＣチップから発生するノイズを除去でき、かつ配線パターンを通じて効率良く放熱することが可能になる。」
　エ　「【００１６】
図１は、この発明の第１の実施の形態としてのＩＣチップ内蔵多層基板１００の構成を示している。この図１はＩＣチップ内蔵多層基板１００の断面構造を示している。
図１に示すように、ＩＣチップ内蔵多層基板１００は、ＩＣチップ１１と、第１の基板１２と、第２の基板１３と、第３の基板１４と、接地手段としてのペースト１５とから構成されている。
【００１７】
ＩＣチップ１１は、例えば、ベアチップ（ベア半導体チップ）である。このＩＣチップ１１は接着樹脂１６により第１の基板１２に装着されている。接着樹脂１６には、例えばエポキシ樹脂が用いられる。
【００１８】
第１、第２、第３の基板１２，１３，１４は、それぞれ絶縁樹脂板１７と、配線１８と、各層の配線を接続するための金属突起物１９とからなる。即ち、第１、第２、第３の基板１２，１３，１４は、パターンが形成された基板である。図２は、第１、第２、第３の基板の構成を示す図である。
【００１９】
図２（ａ）は第３の基板１４の構成例を示す図である。図２（ａ）に示すように、第３の基板１４は２層の配線基板からなる。２層の配線基板の間および上表面に配線パターンが形成されている。図２（ｂ）は第２の基板１３の構成例を示す図である。図２（ｂ）に示すように、第２の基板１３は、ＩＣチップ１１を挿入する開孔（窓枠）Ｗが設けられている。また、第２の基板１３の上表面に配線パターンが形成されている。図２（ｃ）は第１の基板１２の構成例を示す図である。この第１の基板１２は上下の表面に配線パターンが形成されている。また、上表面にＩＣチップ１１を配置するための電極端子である導体バンプＰが設けられている。」
　オ　「【００３０】
次に、図４および図５を参照しながら、この発明の第２の実施の形態について説明する。
図４は、この発明の第２の実施の形態としてのＩＣチップ内蔵多層基板２００の構成を示している。この図４はＩＣチップ内蔵多層基板２００の断面構造を示している。また、この図４において、図１と対応する部分には、同一符号を付し、その詳細説明は省略する。
【００３１】
図４に示すように、ＩＣチップ内蔵多層基板２００は、ＩＣチップ１１と、第１の基板１２と、第２の基板１３と、第３の基板１４と、接地手段としての金属箔２５とから構成されている。
【００３２】
ＩＣチップ内蔵多層基板２００の第１，第２及び第３の基板１２，１３，１４はＩＣチップ内蔵多層基板１００の各層基板とそれぞれ同様の構成を有する（図２参照）。
【００３３】
金属箔２５は、ＩＣチップ１１の裏面と第１の基板１２のグランド配線とを接続するものである。この金属箔２５は、熱伝導性、導電性の良いもの、例えば銅箔とされる。銅箔とＩＣチップ１１の裏面とは銀ペーストなど導電性ペースト使用し固着させる。また、金属箔２５は、第１の基板１２の表面まで貼り付けられ、第１の基板１２のグランド配線Ｇ１と接続するように配置されている。
【００３４】
また、金属箔２５の材料として、放熱効果を必要とするときは、熱伝導性の良いものを選び、シールド効果やグランドとしての効果を必要とするときは、導電性の高いものを選ぶことが可能とされる。」
　カ　「【００３５】
次に、図４に示すＩＣチップ内蔵多層基板２００の製造工程について、図５の工程図を参照して説明する。
まず、予め第１、第２及び第３の基板を形成して置く。そして、図５の工程図を示すように、ＩＣチップ１１を第１の基板１２に配置し、次に、ＩＣチップ１１を覆うように金属箔２５を配置し、次に、ＩＣチップ１１を挿入する開孔Ｗを有する第２の基板１３を積層し、最後に、第２の基板１３の上に、第３の基板１４を積層する。
【００３６】
図５（ａ）は、ＩＣチップ内蔵多層基板２００製造プロセス中のＩＣチップ実装工程で、ＩＣチップ１１が実装された状態を示している。この工程では、予め形成された第１の基板１２にＩＣチップ１１を実装する。この場合、接着樹脂１６を用いて、ＩＣチップ１１を第１の基板１２の導体バンプＰ上に固着させる。
【００３７】
図５（ｂ）は、金属箔２５を配置する工程で、金属箔２５が配置された状態を示している。この工程では、ＩＣチップ１１が実装された後、ＩＣチップ１１を覆うように金属箔２５を配置する。この場合、ＩＣチップ１１の裏面と金属箔２５との間に導電性ペースト、例えば銀ペーストを塗布し密着させ、また、第１の基板１２の上表面のグランド配線Ｇ１とを電気的に接続するように、金属箔２５をグランド配線Ｇ１まで配置する。
【００３８】
図５（ｃ）は、第２の基板１３を配置する工程で、第２の基板が積層された後の状態を示している。この工程では、予め形成された第２の基板１３を、ＩＣチップ１１が配置された第１の基板１２に積層する。この場合、ＩＣチップ１１が第２の基板１３の開孔Ｗに挿入するように、第２の基板１３を上から第１の基板１２上に積層する。
【００３９】
図５（ｄ）は、第３の基板１４を配置する工程で、第３の基板１４が配置された状態（完成状態）を示している。この工程では、金属箔２５が配置された後の第１と第２の基板１２，１３からなるユニットの上に第３の基板１４を積層し、ＩＣチップ１１覆うように配置する。第３の基板１４が配置された後、図４に示すＩＣチップ内蔵多層基板２００が得られる。」
　キ　「【００４０】
以上説明したように、第２の実施の形態においては、ＩＣチップ１１を実装する第１の基板１２と、ＩＣチップ１１を挿入する開孔Ｗが設けられた第２の基板１３と、ＩＣチップ１１を覆うように配置する第３の基板１４とを備えるＩＣチップ内蔵多層基板において、ＩＣチップ１１を多層基板に内蔵させると共に、このＩＣチップ１１の裏面と第１の基板１２のグランド配線Ｇ１との間に金属箔２５が設けられる。
【００４１】
これにより、従来のようにシールドケースを用いることがなく、基板の実装面積を有効に利用し、製品の小型化ができると共に、ＩＣチップ１１の部分にシールド効果を持たせ、ＩＣチップ１１から発生するノイズを除去できる。
【００４２】
また、従来のように放熱板を用いた自然放熱（空気による）ではなく、製品の薄型化ができると共に、配線パターンを通じて効率良く放熱することができる。また、ＩＣチップ（ベアチップ）１１の裏面にグランド配線が必要な場合でもフリップチップ実装することが可能になる。
また、上述した第２の実施の形態のＩＣチップ内蔵多層基板２００は、金属箔２５が第１の基板１２の表面まで配置されるため、より良いシールド効果が得られる。」
　ク　図４及び図５（ａ）〜（ｄ）には、第１の基板１２の上表面の配線パターンに対してアクティブ面が下向きとなるようにしてフェイスダウンの状態で電気的に接続されてなるＩＣチップ１１が図示されている。また、図４及び図５（ｂ）〜（ｄ）には、ＩＣチップ１１のアクティブ面と相対向して位置する裏面から側面にまで延在して、グランド配線Ｇ１に電気的に接続する金属箔２５が図示されている。
　ケ　図４及び図５（ｄ）には、金属箔２５と一緒にＩＣチップ１１が第１の基板１２、第２の基板１３、及び第３の基板１４を構成する絶縁樹脂板１７に埋設されている態様が図示されている。また、図４及び図５（ｄ）には、金属箔２５の内側の面がＩＣチップ１１の裏面と密着するとともにＩＣチップ１１の側面との間に空隙を有し、また、金属箔２５の外側の面が第３の基板１４を構成する絶縁樹脂板１７に密着するとともに、第２の基板１３を構成する絶縁樹脂板１７との間に空隙を有している態様が図示されている。
　
　これら記載事項及び図示内容を総合し、本願補正発明の記載ぶりに倣って整理すると、引用例１には、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「第１の基板１２、第２の基板１３、及び第３の基板１４を構成する絶縁樹脂板１７と、第１の基板１２の上表面に形成された配線パターン、第２の基板１３の上表面に形成された配線パターン、及び第３の基板１４の上表面に形成された配線パターンと、
　第１の基板１２の上表面の配線パターンに対してアクティブ面が下向きとなるようにしてフェイスダウンの状態で電気的に接続されてなるＩＣチップ１１と、
　前記ＩＣチップ１１の、少なくとも前記アクティブ面と相対向して位置する裏面から側面にまで延在して、グランド配線Ｇ１に電気的に接続する金属箔２５とを備え、
　前記金属箔２５は、前記ＩＣチップ１１とともに前記絶縁樹脂板１７によって埋設され、かつ内側の面が前記ＩＣチップ１１の裏面と密着するとともにＩＣチップ１１の側面との間に空隙を有し、外側の面が第３の基板１４を構成する絶縁樹脂板１７に密着するとともに、第２の基板１３を構成する絶縁樹脂板１７との間に空隙を有している、ＩＣチップ内蔵多層基板。」
　
（２）引用例２
　同じく原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願前に頒布された刊行物である特開２００６−１１４６２１号公報（以下、「引用例２」という。）には、「部品内蔵配線板、部品内蔵配線板の製造方法」に関して、図面とともに次の事項が記載されている。
　サ　「【０００１】
　本発明は、電気／電子部品を絶縁層中に埋め込み有する部品内蔵配線板およびその製造方法に係り、特に、生産性向上に適する部品内蔵配線板およびその製造方法に関する。」
　シ　「【００３４】
　次に、本発明の別の実施形態に係る部品内蔵配線板を図３を参照して説明する。図３は、本発明の別の実施形態に係る部品内蔵配線板の構成を示す模式的断面図である。この実施形態の部品内蔵配線板では、上記実施形態に比較してより大型の（厚さが厚い）電気／電子部品を内蔵することができる。
【００３５】
　その構成として、この部品内蔵配線板は、図３に示すように、絶縁層３１、３２、３３、配線層３４、３５、３６、３７（＝合計４層）、導電性バンプ（第１の導電体）３８、３９、導電性バンプ（第２の導電体）４０、チップ部品（電気／電子部品）４１、スルーホール導電体４２を有する。
【００３６】
　絶縁層３２およびその上下面に位置する配線層３５、３６の部分は、コア板の部分であり、このコア板は、スルーホール導電体４２により配線層３５、３６間の電気的導通が得られるように構成されている。また、内蔵されたチップ部品４１に相当する位置部分が開口部となっており、より厚さの厚いチップ部品４１を内蔵するための空間を提供する。絶縁層３２の厚さは例えば３００μｍであり、例えばガラスエポキシ樹脂のようなリジッドな素材である。配線層３５、３６は、厚さ例えば１８μｍの金属（銅）配線パターンである。
【００３７】
　絶縁層３１、これを貫通する導電性バンプ３８、導電性バンプ３８に導通する下面の配線層３４、絶縁層３１内に埋め込み設けられた導電性バンプ４０、および、導電性バンプ４０により配線層３４に電気的導通するチップ部品４１の部分は、上記コア板に積層された下側のビルドアップ部分である。また、絶縁層３３、これを貫通する導電性バンプ３９、および、導電性バンプ３９に導通する上面の配線層３７の部分は、上記コア板に積層された上側のビルドアップ部分である。
【００３８】
　絶縁層３１、３３は、内蔵されたチップ部品４１のための、絶縁層３２の開口部、および絶縁層３２のスルーホール導電体４２内部の空間を埋めるように変形進入しており内部に空隙となる空間は存在しない。絶縁層３１、３３は例えばガラスエポキシ樹脂のようなリジッドな絶縁樹脂からなり、その層としての厚さは例えばそれぞれ１００μｍである。配線層３４、３７は、厚さ例えば１８μｍの金属（銅）配線パターンである。」
　ス　「【００４２】
　図４、図５、図６は、それぞれ、図３に示した部品内蔵配線板の製造過程の一部を模式的断面で示す工程図、図３に示した部品内蔵配線板の製造過程の別の一部を模式的断面で示す工程図、図３に示した部品内蔵配線板の製造過程のさらに別の一部を模式的断面で示す工程図である。これらの図において、図３中に示した構成要素と同一または同一相当のものには同一符号を付してある。
【００４３】
　図４は、換言すると、コア板に積層される下側のビルドアップ部分の製造工程を示す図である。その思想としては、図４（ａ）、（ｂ）、（ｃ）それぞれ、図２に示した先の実施形態の製造工程における（ａ）、（ｂ）、（ｃ）と一部を除き同様である。」
　セ　「【００４４】
　まず、図４（ａ）に示すように、配線層３４とすべき厚さ例えば１８μｍの金属箔（電解銅箔）３４Ａを用意し、その所定位置に層間接続とする導電性バンプ３８と部品接続用の導電性バンプ４０とを例えば導電性組成物ペーストをスクリーン印刷することにより形成する。スクリーン板（メタルマスク）には径の異なる２種のピットが穿設されたものを用いる。このようなスクリーン板を使用して、層間接続とする導電性バンプ３８は例えば底面径２００μｍ、高さ１６０μｍ、部品接続用の導電性バンプ４０は、例えば底面径５０μｍ、高さ３０μｍに形成する。
【００４５】
　次に、図４（ｂ）に示すように、例えばマウンタを用いてチップ部品４１を、その両端子が導電性バンプ４０上に載るように金属箔３４Ａ上に載置する。マウンタによる部品載置が終了したら、導電性バンプ３８、４０を乾燥して硬化させ導電性バンプ４０を介してチップ部品４１を金属箔３４Ａ上に機械的に固定する。
【００４６】
　次に、図４（ｃ）に示すように、絶縁層３１とすべき公称厚さ例えば１００μｍのＦＲ−４のプリプレグ３１Ａを金属箔３４Ａ上にプレス機を用い積層する。このとき、プリプレグ３１Ａとしてチップ部品４１の位置に相当する部分に開口が設けられたものを用い、また、プリプレグ３１Ａの上側にはチップ部品４１の厚さを吸収できるクッション材（不図示）を介在させて加圧・加熱する。これにより、より確実に、導電性バンプ３８の頭部がプリプレグ３１Ａを貫通するようになる。なお、図４（ｃ）における導電性バンプ３８の頭部の破線は、この段階で導電性バンプ３８の頭部を塑性変形させてつぶしておく場合と塑性変形させない場合の両者あり得ることを示す。以上により、図４（ｃ）に示すような、コア板に積層される下側のビルドアップ部分の配線板素材１が得られる。」
　ソ　「【００４７】
　図５は、言い換えるとコア板の部分の製造工程を示す図である。まず、図５（ａ）に示すように、両面に例えば厚さ１８μｍの金属箔（電解銅箔）３５Ａ、３６Ａが積層された例えば厚さ３００μｍのＦＲ−４の絶縁層３２を用意し、その所定位置にスルーホール導電体を形成するための貫通孔５２をあけ、かつ内蔵するチップ部品４１に相当する部分に開口部５１を形成する。
【００４８】
　次に、無電解めっきおよび電解めっきを行い、図５（ｂ）に示すように、貫通孔５２の内壁にスルーホール導電体４２を形成する。このとき開口部５１の内壁にも導電体が形成される。さらに、図５（ｃ）に示すように、金属箔３５Ａ、３６Ａを周知のフォトリソグラフィを利用して所定にパターニングする（配線層３５、３６）。配線層３５、３６のパターニング形成により、開口部５１の内壁に形成された導電体も除去される。以上により、コア板の部分の配線板素材２を得ることができる。」
　タ　「【００４９】
　図６は、換言すると、コア板部分の配線板素材２の上下両面に、上側のビルドアップ部分の配線板素材３と下側のビルドアップ部分の配線板素材１とを積層する配置関係を示す図である。ここで、上側の配線板素材３は、下側の配線板素材１と同様な工程を適用することで得られたものである。ただし、部品（チップ部品４１）を接続するために生じる部位（導電性バンプ４０、プリプレグ３３Ａの開口）のない構成である。そのほかは、金属箔（電解銅箔）３７Ａ、導電性バンプ３９、プリプレグ３３Ａとも、それぞれ配線板素材１の金属箔３４Ａ、導電性バンプ３８、プリプレグ３１Ａと同じである。」
　チ　「【００５０】
　図６に示すような配置で各配線板素材１、２、３を積層配置してプレス機で加圧・加熱する。これにより、プリプレグ３１Ａ、３３Ａが完全に硬化し全体が積層・一体化する。このとき、加熱により得られるプリプレグ３１Ａ、３３Ａの流動性により、チップ部品４１の周りの空間にはプリプレグ３１Ａ、３３Ａが変形進入し空隙は発生しない。また、配線層３５、３６は、導電性バンプ３８、３９にそれぞれ電気的に接続される。この積層工程の後、上下両面の金属箔３４Ａ、３７Ａを周知のフォトリソグラフィを利用して所定にパターニングし、図３に示すような部品内蔵配線板を得ることができる。なお、金属箔３４Ａのパターニングは、当然ながら、内蔵されたチップ部品４１の両端子に接続される配線層３４のパターンが分離するように行う。」
　ツ　「【００５４】・・・（省略）・・・以降は図４ないし図６の工程を適用することにより、図７に示すような部品内蔵配線板を得ることができる。」
　
３　対比
　そこで、本願補正発明と引用発明とを対比すると、その意味、機能又は作用などからみて、後者の「ＩＣチップ１１」は前者の「電子部品」に相当し、以下同様に、「グランド配線Ｇ１に電気的に接続する」ことは、「グランド電位に保持されるようにして形成された」ことに、「金属箔２５」は「導電性部材」に、「内側の面」は「一の面」に、「外側の面」は「他の面」に、「ＩＣチップ内蔵多層基板」は「電子部品実装配線板」に、それぞれ相当する。
　また、後者の「第１の基板１２、第２の基板１３、及び第３の基板１４を構成する絶縁樹脂板１７」と前者の「単一の絶縁部材」とは、ともに「絶縁部材」である点で共通する。
　更に、後者の「第１の基板１２の上表面に形成された配線パターン」及び「第３の基板１４の上表面に形成された配線パターン」と前者の「単一の絶縁部材を介して相対向するように配置された一対の配線パターン」とは、「絶縁部材を介して相対向するように配置された一対の配線パターン」である点で共通する。
　
　したがって、両者は、本願補正発明の用語を用いて表現すると、
[一致点]
「絶縁部材を介して相対向するように配置された一対の配線パターンと、
　前記配線パターンに対してアクティブ面が下向きとなるようにしてフェイスダウンの状態で電気的に接続されてなる電子部品と、
　前記電子部品の、少なくとも前記アクティブ面と相対向して位置する裏面から側面にまで延在して、グランド電位に保持されるようにして形成された導電性部材とを備え、
　前記導電性部材は、前記電子部品とともに前記絶縁部材によって埋設される、電子部品実装配線板。」
である点で一致し、次の点で相違する。
　
[相違点]
　本願補正発明では、絶縁部材が「単一の」絶縁部材であり、導電性部材は、電子部品とともに「単一の」絶縁部材によって埋設され、「かつ一の面が前記電子部品と密着し、他の面が絶縁部材と密着している」のに対して、引用発明では、絶縁樹脂板１７は単一の絶縁樹脂板１７ではなく、「前記金属箔２５は、前記ＩＣチップ１１とともに前記絶縁樹脂板１７によって埋設され、かつ内側の面が前記ＩＣチップ１１の裏面と密着するとともにＩＣチップ１１の側面との間に空隙を有し、外側の面が第３の基板１４を構成する絶縁樹脂板１７に密着するとともに、第２の基板１３を構成する絶縁樹脂板１７との間に空隙を有している」点。
　
４　判断
　上記相違点について検討する。
　引用例１には、ＩＣチップ内蔵多層基板の製造工程に関して、「まず、予め第１、第２及び第３の基板を形成して置く。そして、図５の工程図を示すように、ＩＣチップ１１を第１の基板１２に配置し、次に、ＩＣチップ１１を覆うように金属箔２５を配置し、次に、ＩＣチップ１１を挿入する開孔Ｗを有する第２の基板１３を積層し、最後に、第２の基板１３の上に、第３の基板１４を積層する。」（摘記事項カの段落【００３５】参照）と記載され、引用発明においては、第１の基板１２と第２の基板１３と第３の基板１４を順次積層して多層基板を形成することが記載されている。しかし、引用例１には、単に「積層」すると記載されているだけで、積層したこれらの基板１２、１３、１４を具体的にどのような方法で一体化するかについては明確な記載はない。
　ところで、引用例２には、その図３に、絶縁層３１、３３にチップ部品４１を埋設した部品内蔵配線板の断面図が図示されており、一体化した絶縁層３１、３３の下面及び上面にそれぞれ配線層３４、３７を有し、チップ部品４１が絶縁層３１、３３によって埋設され、チップ部品４１と絶縁層３１、３３が密着している態様が図示されている。そして、引用例２の段落【００５０】には、図３に図示された部品内蔵配線板の製造方法について、「図６に示すような配置で各配線板素材１、２、３を積層配置してプレス機で加圧・加熱する。これにより、プリプレグ３１Ａ、３３Ａが完全に硬化し全体が積層・一体化する。このとき、加熱により得られるプリプレグ３１Ａ、３３Ａの流動性により、チップ部品４１の周りの空間にはプリプレグ３１Ａ、３３Ａが変形進入し空隙は発生しない。」（摘記事項チ参照）と記載されている。
　ここで、部品内蔵配線板における「絶縁層３１、３３」は、上記のとおり、配線素材１、２、３を積層配置してプレス機で加圧・加熱してプリプレグ３１Ａと３３Ａとが完全に硬化し全体が積層・一体化し、単一の絶縁層となったものである。そして、このような積層方法によれば、「加熱により得られるプリプレグ３１Ａ、３３Ａの流動性により、チップ部品４１の周りの空間にはプリプレグ３１Ａ、３３Ａが変形進入し空隙は発生しない」（摘記事項チ参照）という作用効果を奏することができる。なお、このようなプリプレグを用いた積層方法は、例えば、特開２００６−３０３２０２号公報（「図２（ａ）に示される構造体で積層加熱プレスを行なうことにより、加熱にてプリプレグ２４内の樹脂２６の成分が流れ、電子部品６の周辺を隙間無く、密封封止状態にすると共に、両面銅張り積層板２０のスルーホール２３内を隙間無く充填し、積層終了後には図２（ｂ）に示されるＬ１からＬ４の４層構造の部品内蔵型のプリント配線板が得られる。」（段落【００３２】参照）などにも示されるように従来周知の技術にすぎず、また、絶縁部材に埋設した電子部品の周りに隙間が発生しないという作用効果も周知の事項にすぎない。
　そして、引用発明と引用例２に記載された発明とは、どちらも電子部品を絶縁部材に埋設した電子部品実装配線板に関するものであり、同一技術分野に属するものである。また、引用発明においては、第１の基板１２の上表面に形成された配線パターン（即ち第２の基板１３の下表面に形成された配線パターン）と、第３の基板１４の上表面に形成された配線パターンとで一対の配線パターンを形成しているが、一方、引用例２に記載された発明においても、絶縁層３１の下表面に形成された配線層と絶縁層３３の上表面に形成された配線層とで一対の配線層を形成しているから、引用発明の第２の基板１３及び第３の基板１４と引用例２に記載された絶縁層３１、３２、３３は、どちらも絶縁部材を介して相対向するように配置された一対の配線パターンを有する点で積層構造が共通するものである。
　そうすると、引用発明において、第１の基板１２に対して第２の基板１３及び第３の基板１４を積層するに当たり、引用例２に記載された絶縁層３１、３２、３３の積層方法のような従来周知の積層方法を採用することは、当業者であれば容易に想到できたことである。そして、引用発明において、そのような積層方法を採用した場合、金属箔２５はＩＣチップ１１とともに単一の絶縁部材に埋設され、ＩＣチップと金属箔２５の間、及び金属箔２５と絶縁部材との間に隙間がなくなることは、上記作用効果からみて当然の結果であり、技術的に自明の事項である。
　したがって、相違点に係る本願補正発明の発明特定事項は、当業者が容易に想到できたものである。
　
　そして、本願補正発明が奏する効果は、引用例１及び２に記載された発明並びに周知技術から当業者が予測し得る範囲内のものであって格別なものとはいえない。
　
　したがって、本願補正発明は、引用例１及び２に記載された発明並びに周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
５　むすび
　以上のとおり、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
１　本願発明
　本件補正は、上記のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし１０に係る発明は、平成２３年１０月７日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし１０に記載された事項により特定されるとおりのものであると認められるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、次のとおりである。
「単一の絶縁部材を介して相対向するように配置された一対の配線パターンと、
　前記配線パターンに対してアクティブ面が下向きとなるようにしてフェイスダウンの状態で電気的に接続されてなる電子部品と、
　前記電子部品の、少なくとも前記アクティブ面と相対向して位置する裏面上に、グランド電位に保持されるようにして形成された導電性部材とを備え、
　前記導電性部材は、前記電子部品とともに前記単一の絶縁部材によって埋設されていることを特徴とする、電子部品実装配線板。」
　
２　引用例
　引用例１及び２の記載事項並びに引用発明は、前記「第２」の「２」に記載したとおりである。
　
３　対比・判断
　本願発明は、前記「第２」の「１」の本願補正発明から、「導電性部材」についての限定事項である、「裏面から側面にまで延在して」との事項を「裏面上に」と拡張し、同じく「導電性部材」についての限定事項である「一の面が前記電子部品と密着し、他の面が絶縁部材と密着している」との事項を省いたものである。
　そうすると、本願発明の発明特定事項をすべて含み、さらに、発明特定事項を限定したものに相当する本願補正発明が、前記「第２」の「３」及び「４」に記載したとおり、引用例１及び２に記載された発明並びに周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、実質的に同様の理由により、引用例１及び２に記載された発明並びに周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４　むすび
　以上のとおり、本願発明（請求項１に係る発明）は、引用例１及び２に記載された発明並びに周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、他の請求項について検討するまでもなく、本願は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。