【事件の表示】
　特願２００６−８８８２４「石英ガラス表面の粗面化方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１９年１０月１１日出願公開、特開２００７−２６１８７５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続きの経緯
　本願は、平成１８年３月２８日の出願であって、平成２２年１１月１７日付けの拒絶理由が通知され、平成２３年１月２１日付けで意見書及び手続補正書が提出され、同年２月４日付けの最後の拒絶理由が通知され、同年４月１４日付けで意見書及び手続補正書が提出されたが、同年５月２日付けで平成２３年４月１４日付け手続補正が却下されるとともに、同日付けで拒絶査定されたので、同年８月９日付けで拒絶査定不服審判が請求されたものである。
                         　
第２　補正却下の決定について
１　本件補正前及び補正後の本願発明
（１）平成２３年４月１４日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）は、特許請求の範囲についてするものであって、特許請求の範囲の請求項１に関する補正は、(1)本件補正前における「粒径１０μｍ〜１００μｍの石英粉末」を「１０μｍ〜２０μｍ未満の粒径と、２０μｍ〜１００μｍの粒径のものが混在している石英粉末」と補正し、(2)「乾燥・焼結によって」を、「４００〜６００℃で脱脂してバインダーを除去し、１１００〜１２００℃で焼結して」と補正するものであり、請求項２に関する補正は、補正前における「コーティングの回数が複数回」について「初回のコーティングにおいては、粒径１０μｍ〜２０μｍ未満の粒子径の割合をその後のコーティングよりも大きくする」という事項を加入するものであり、請求項３に関する補正は、本件補正前の「乾燥・焼結後に」を「塗布後に湿度７０％、温度約３０℃で乾燥させて焼結し、焼結後に」と補正するものである。
　これらの補正事項のうち、請求項１に関する(2)の補正は、発明の特定事項を限定するものとすることはできない。その理由は、次のとおりである。
　すなわち、補正前に「乾燥・焼結によって」としていた事項を、本件補正により「乾燥」工程を削除し、脱脂、焼結条件を具体的に限定している。たしかに、本願明細書の【００１１】段落の記載によれば、焼結は脱脂工程も兼ねるので、脱脂・焼結条件を具体化することは、本件補正前の「焼結」という特定事項を限定するものである。しかし、「乾燥」は、「スラリー濃度に応じて最適な環境（湿度及び温度）と乾燥時間を選択」（【００１１】段落）して行われるものであり、本件補正後の請求項３において特定される事項であるので、本件補正前の請求項１に係る発明における特定事項であったといえる。
　このため、本件補正の請求項１の(2)の補正は、請求項に記載した発明の特定事項の削除を含むものなので、特許請求の範囲の減縮を目的とするものではなく、誤記の訂正や不明瞭な記載の釈明を目的とするものでもない。
　したがって、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 
（２）上記したとおり、本件補正は、特許請求の範囲の減縮を目的としない補正を含むが、仮に、いずれの補正事項も本願発明の特定事項の限定を目的とする補正であるとした場合に、本件補正後における特許請求の範囲に記載されている事項により特定される発明が特許出願の際に独立して特許を受けることができるものであるかを、請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）について検討する。
　本願補正発明は、次のとおりのものである。
「１０μｍ〜２０μｍ未満の粒径と、２０μｍ〜１００μｍの粒径のものが混在している石英粉末とバインダーを含む水スラリーを石英ガラス表面にコーティングし、４００〜６００℃で脱脂してバインダーを除去し、１１００〜１２００℃で焼結して表面を凹凸状とする石英ガラス表面の粗面化方法。」
                                     　
２　刊行物に記載された発明
（１）引用例１の記載事項
　これに対し、本願出願日前に頒布され、原査定の拒絶の理由で引用された国際公開第２００６／０２１４１５号（以下「引用例１」という。）には、次の事項が記載されている。なお、記載事項の頁行数表示は引用例１の該当個所の表示であり、【】による表示は、仮訳として摘記した、引用例１に対応する公表特許公報（特表２００８−５１０６７６号公報）の該当個所の表示である。
（ア）「Verfahren zur Herstellung eines beschichteten Bauteils aus Quarzglas, indem die Oberflache eines Basiskorpers (30, 41) aus Quarzglas mindestens teilweise mit einer SiO2-Glasmasse (31 , 42) belegt wird, die sich in ihren optischen, physikalischen oder chemischen Eigenschaften vom Quarzglas des Basiskorpers (30, 41) unterscheidet, dadurch gekennzeichnet, dass ein amorphe SiO2-Teilchen enthaltender Schlicker erzeugt und auf der Oberflache des Basiskorpers (30, 41) unter Bildung einer Schlicker-Schicht aufgebracht wird, die Schlicker-Schicht getrocknet und anschliessend unter Bildung der SiO2-Glasmasse (31 , 42) verglast wird.」（第２４頁４〜１２行）
（仮訳：石英ガラスの基体（３０、４１）の表面をその光学的、物理的または化学的特性が前記基体（３０、４１）の石英ガラスとは異なる二酸化珪素ガラス物質（３１、４２）により少なくとも部分的に被覆することにより石英ガラスの被覆部材を製造する方法において、非晶質二酸化珪素粒子を含むスリップ層が製造され、スリップ層を形成して前記基体（３０、４１）表面に塗布され、前記スリップ層が乾燥され、次いで二酸化珪素ガラス物質（３１、４２）を形成してガラス化されることを特徴とする石英ガラスの被覆部材を製造する方法。）（【特許請求の範囲】の【請求項１】）
（イ）「Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die SiO2-Teilchen Teilchengrossen im Bereich bis maximal 500 μm, vorzugsweise maximal 100μm, aufweisen, wobei SiO2-Teilchen mit Teilchengrossen im Bereich zwischen 1μm und 50μm den grossten Volumenanteil ausmachen」（第２４頁１３〜１６行）
（仮訳：前記二酸化珪素粒子が５００μｍ以下、好ましくは１００μｍ以下の範囲の粒子サイズを有すること、また１μｍから５０μｍの範囲の粒子サイズを持つ二酸化珪素粒子が最大の体積割合を占めることを特徴とする請求項１記載の方法。）（【特許請求の範囲】の【請求項２】）
（ウ）「Ausserdem tritt bei Halbleiterfertigungsprozessen, wie etwa bei Sputter- oder Aufdampfprozessen, haufig das Problem auf, dass sich Materialschichten auf allen Oberflachen innerhalb des Reaktors, und insbesondere auch auf den Quarzglasoberflachen, niederschlagen. Die Materialschichten konnen sich mit der ablosen und fuhren dann zu Partikelproblemen. ・・・Es ist bekannt, dass derartige Materialschichten an rauhen Oberflachen besser haften, und dadurch die Frequenz der erforderlichen Reinigungszyklen verringert und damit die Lebensdauer der - meist sehr teueren - Quarzglas-Bauteile verlangert werden kann. Die erforderliche Oberflachenrauigkeit wird durch mechanische Abtragverfahren erzeugt, wie etwa durch Schleifen oder Sandstrahlen, oder mittels spezieller Atzlosungen. Beide Verfahren  haben Nachteile. So werden bei der mechanischen Bearbeitung der Oberflache Risse erzeugt, die wiederum zu Partikelproblemen fuhren.」（第２頁１６行〜第３頁２行）
（仮訳：さらに半導体製造工程、例えばスパッタリングあるいは蒸着工程などでは、材料層が反応器内の全面上、特に石英ガラス表面にも堆積するという問題がしばしば生じる。これらの材料層が剥離すれば、粒状物子問題をもたらす。・・・そのような材料層が粗い表面に接着しやすいことが知られており、それにより所要のクリーニング回数を減らすと共に、極めて高価な石英ガラス部材の耐用期間を延長させることができる。必要な表面粗さは例えば研摩またはサンドブラストなどの機械的除去方法、あるいは特殊腐食液により獲得できる。但し、いずれの方法にも欠点がある。例えば、表面の機械的処理中に亀裂が生じて、それにより粒子に関する問題が発生する。）（【０００７】段落）
（エ）「Die Verglasungstemperatur liegt bei maximal 1700℃, vorzugsweise bei maximal 1400℃」（第１２頁１１〜１２行）
（仮訳：ガラス化温度は１７００℃以下、好ましくは１４００℃以下であり、・・・。）（【００５１】段落）
（オ）「Vorzugsweise ist die SiO2 -Glasmasse jedoch mit einer rissfrei und werkzeugfrei geformten Oberflache mit einer mittleren Oberflachenrauigkeit R a von mindestens 0,5μm ausgebildet.
Die Oberflache der SiO2-Glasmasse ist nach dem Verglasen nicht besonders glatt, sondern im Gegenteil, sie ist vielmehr durch eine gewisse Oberflachenrauigkeit gekennzeichnet. Die Oberflachenrauigkeit ergibt sich infolge ihrer Herstellung mittels des erfindungsgemassen Verfahrens durch den Einsatz eines SiO2 -Teilchen enthaltenden Schlickers fur die Bildung der Glasmasse. Je nach Grosse und Grossenverteilung der im Schlicker enthaltenen amorphen SiO2-Teilchen stellt sich nach dem Verglasen eine Rauigkeit der Oberflache automatisch ein, ohne dass hierfur weitere Massnahmen, wie etwa ein aufrauhendes Atzen oder eine mechanisch aufrauhende Oberflachenbearbeitung erforderlich sind.
Die naturliche Rauigkeit der Oberflache des erfindungsgemassen Bauteils pradestiniert es zum Einsatz in der Halbleiterfertigung. Denn sie bewirkt eine bessere Haftung von Materialschichten und fuhrt damit zu einer geringeren Partikelbelastung beim Einsatz des Bauteils bei der Halbleiterfertigung. Ausserdem erlaubt das Bauteil eine Verlangerung der Reinigungszyklen und zeigt damit einhergehend eine hohere Lebensdauer.」（第１３頁７〜２４行）
（仮訳：しかし、二酸化珪素ガラス物質は好ましくは亀裂がなく、またツールを用いずに形成された表面を有し、その平均表面粗さＲａは少なくとも０．５μｍである。
　ガラス化後に、二酸化珪素ガラス物質の表面はあまり平滑ではない。逆に、それはむしろ一定の表面粗さを特徴とする。この表面粗さは、ガラス物質を生成するための二酸化珪素粒子を含むスリップ層の使用を前提とする本発明に基づく方法による製造から達成される。スリップ層に含まれる非晶質二酸化珪素粒子のサイズおよびサイズ分布に応じて、粗化エッチング工程または機械的な表面処理などの以後の措置を要することなく、表面粗さがガラス化後に自動的に得られる。
　本発明の部材表面の「自然な」粗さは半導体製造での使用の前提であり、それは材料層の付着性を向上させ、それにより半導体製造における前記部材の使用中の小粒子負荷に寄与する。さらに、前記部材によりクリーニング周期が長くなり、耐用期間を延長することができる。）（【００５５】〜【００５７】段落）
（カ）「Die nach dem Vermahlen der Quarzglaskornung erhaltenen SiO2-Teilchen im Schlicker 14 zeigen eine Teilchengrossenverteilung, die durch einen D50-Wert von etwa 8μm und durch einen D90-Wert von etwa 40μm gekennzeichnet ist.」（第１６頁７〜１０行）
（仮訳：スリップ層１４中の石英ガラス粒状物の粉砕後に得られた二酸化珪素粒子は、およそ８μｍのＤ５０値およびおよそ４０μｍのＤ９０値を特徴とする粒子サイズ分布を示した。）（【００７０】段落）
（キ）「Beispiel 2・・・Die nach dem Vermahlen der Quarzglaskornung erhaltenen SiO2-Teilchen im Schlicker 14 zeigen eine Teilchengrossenverteilung, die durch einen D50-Wert von etwa 14μm und durch einen D90-Wert von etwa 40 μm gekennzeichnet ist.」（第１７頁１〜１１行）
（仮訳：【実施例２】・・・石英ガラス粒状物の粉砕後に得られたスリップ１４中の二酸化珪素粒子は、およそ１４μｍのＤ５０値およびおよそ４０μｍのＤ９０値を特徴とする粒子サイズ分布を示した。）（【００７４】段落）
　　　　　
（２）引用例１に記載された発明
　記載事項（ア）によれば、引用例１には、二酸化珪素粒子を含むスリップを石英ガラス基体表面に塗布し、これを乾燥しガラス化して、二酸化珪素ガラス物質で被覆する方法が記載されている。これは、同（ウ）（オ）によれば、半導体製造工程で石英ガラス表面に堆積する材料層の付着性を向上させることを目的としているので、本願補正発明と同一の課題解決を目的とするものである。
　そして、同（イ）によれば、該二酸化珪素粒子は、１００μｍ以下の範囲の粒子サイズを有すること、また１μｍから５０μｍの範囲の粒子サイズを持つ二酸化珪素粒子が最大の体積割合を占めるものである。
　また、形成された二酸化珪素ガラス物質は、同（エ）によれば、１７００℃以下、好ましくは１４００℃以下のガラス化温度で形成されたもので、同（オ）によれば、ガラス化後に粗化エッチング工程や機械的な表面処理を経ることなく、少なくとも０．５μｍの平均表面粗さＲａを有している。
　このような表面粗さを有することで、半導体製造において使用された場合に、材料層の付着性を向上させるので、クリーニング周期と耐用期間を長くすることができる。
　したがって、引用例１には次の発明（以下「引用例１発明」という。）が記載されているとすることができる。
「１００μｍ以下の範囲の粒子サイズの二酸化珪素粒子を含むスリップを石英ガラス基体表面に塗布し、これを乾燥し、１７００℃以下、好ましくは１４００℃以下の温度でガラス化して、少なくとも０．５μｍの平均表面粗さＲａを有する二酸化珪素ガラス物質で被覆する方法。」
                                 　
３　対比と判断
３−１　対比
　本願補正発明と引用例１発明とを比較する。
（１）本願補正発明における「１０μｍ〜２０μｍ未満の粒径と、２０μｍ〜１００μｍの粒径のものが混在している石英粉末」の具体的内容については、実施例の記載を参照すれば、次のとおりとなる。
　すなわち、実施例１では、「石英粉末として市販の平均粒径８０μｍ〜１１０μｍの合成シリカ粉の粉砕をおこない、粒径１０μｍ〜４０μｍの粒度に調整した。」（【００１６】段落）とされ、実施例２では「実施例１と同様の平均粒径８０μｍ〜１１０μｍの合成シリカ粉の粉砕をおこない、１０μｍ〜６０μｍ以下の粒度に調整した。」（【００１９】段落）と記載されている。
　このため、本願補正発明で使用する石英粉末は、平均粒径が１０μｍ〜２０μｍ未満の石英粒子と、平均粒径が２０μｍ〜１００μｍの石英粒子が混在しているといっても、それぞれの数値範囲の粒径を有する粒子が混在していればよいものと理解できる。
　一方、引用例１発明においては、記載事項（イ）によれば、１００μｍ以下の範囲の粒子サイズを有することが好ましいとされているが、同（カ）（キ）によれば、実施例１、２では、いずれも、二酸化珪素粒子は石英ガラス粒状物の粉砕によって得られ、およそ８μｍのＤ５０値およびおよそ４０μｍのＤ９０値の粒子サイズ分布（同（カ））、およそ１４μｍのＤ５０値およびおよそ４０μｍのＤ９０値の粒子サイズ分布（同（キ））を有している。このため、実施例１、２では使用する二酸化珪素粒子は、１００μｍ以下のそれぞれの数値範囲の粒子径を有する粒子が混在している、つまり、１０μｍ〜２０μｍ未満の石英粒子と、２０μｍ〜１００μｍのものが混在しているとすることができる。　
　したがって、引用例１発明で使用する「１００μｍ以下の範囲の粒子サイズの二酸化珪素粒子」は、本願補正発明と同様に「１０μｍ〜２０μｍ未満の粒径と、２０μｍ〜１００μｍの粒径のものが混在している石英粉末」であるといえる。
            　
（２）そして、引用例１発明は「少なくとも０．５μｍの平均表面粗さＲａを有する二酸化珪素ガラス物質で被覆する方法」であるが、上記したように、引用例１発明と本願補正発明は同一の課題解決を目的としているので、引用例１発明は、実質的には本願補正発明と同じ「石英ガラス表面の粗面化方法」であるといえる。
　また、本願補正発明の「石英粉末」、「水スラリー」、「コーティング」及び「焼結」は、それぞれ引用例１発明の「二酸化珪素粒子」、「スリップ」、「塗布」及び「ガラス化」に相当することは明らかであるので、両者の一致点と相違点は次のとおりとなる。
(i)一致点
　「１０μｍ〜２０μｍ未満の粒径と、２０μｍ〜１００μｍの粒径のものが混在している石英粉末を含む水スラリーを石英ガラス表面にコーティングし、焼結して表面を凹凸状とする石英ガラス表面の粗面化方法。」
(ii)相違点
１　本願補正発明における水スラリーは、バインダーを含有し、４００〜６００℃で脱脂してバインダーを除去する工程が必要であるが、引用例１発明では、バインダーを含有することは明記されていないので、脱脂工程も記載されていない点。
２　本願補正発明では、焼結温度を１１００〜１２００℃とするが、引用例１発明では、ガラス化温度は１７００℃以下、好ましくは１４００℃以下としている点。
　　　　　　　
３−２　判断
（１）相違点１について
　石英粉末や二酸化珪素粉末は通常は非晶質であるのでシリカガラス粉末と同義であるが、シリカガラス粉末からなるスラリーを基板上に塗布してガラス層を形成する際に、該スラリー中にバインダーを添加することは、周知の技術である。
　これは、例えば、原査定の拒絶の理由で引用された特開２００４−１３１３１７号公報（以下「引用例２」という。）には、【００１１】段落に、「石英ガラス粉末層の他の形成方法として、石英ガラス粉末のスラリーにバインダーを加え、これを石英ガラス部材表面に塗布し固化させて石英ガラス粉末層を形成しても良い。」と記載されているし、国際公開WO９６／２７６９４号公報（以下「周知例１」という。）には、「上記の調整後は、フリット粉末を、酢酸イソアルミ、イソプロピルアルコール、ニトロセルローズなどの有機バインダーを加えることによって、アンダーコートの溶射皮膜表面にスプレー塗布することも可能である。その後は１１０〜１２０℃で０．５〜２時間乾燥して水分を蒸発除去する。その後３００〜４００℃に上昇して有機バインダーを燃焼除去し、さらにフリット材の融点（通常５００〜９５０℃）に加熱焼成する・・・。」（第１３頁６〜１１行）と記載されていることからも明らかである。
　また、バインダーの脱脂温度についても、上記した周知例１には、有機バインダーを燃焼除去する温度として３００〜４００℃が記載されている。
　さらに、特開平５−１９３９８９号公報（以下「周知例２」という。）には、「無機化合物粉末とポリアルキレンカーボネート・・・からなるペーストで描いた模様を加熱脱脂しついで無機化合物の軟化点以上に加熱することを特徴とする模様の形成方法。」（特許請求の範囲の請求項１）が記載されており、「ペーストにはその流動性とか描いた形状の保持のため高分子化合物がバインダーとして用いられておりその分解温度が低くしかも分解速度が速いことが必要となる。この目的にあったものとしてポリアルキレンカーボネートが挙げられる」（【０００３】段落）、「本発明において用いられる無機化合物粉末としては種々の金属の酸化物、例えば・・・珪素、・・・などの酸化物あるいはその混合物、複合体などが示される。」（【０００６】段落）ので、周知例２には、珪素酸化物粉末とバインダーからなるペーストにより、基板上に模様を描き、これを加熱脱脂の後に珪素酸化物の軟化点以上に加熱することが記載されている。そして、該ペーストの脱脂に関しては、「ペーストによって模様を描いた後の乾燥、脱脂、融解の方法については特に制限は無く従来より知られている方法が利用でき、２００℃以下の比較的低温で乾燥した後、２００〜４００℃で脱脂し、ついで無機化合物の軟化温度以上に加熱する」（【００１１】段落）ことが記載されている。
　したがって、石英粉末や二酸化珪素粉末からなるスラリーにバインダーを添加して基体上に塗布すること、及び、そのバインダーを脱脂する温度として４００℃程度とすることは、本願補正発明の出願前に周知の技術であり、本願補正発明において、当該周知技術を採用することは、当業者であれば適宜なしうるところである。
　　　　
（２）相違点２について
　引用例１発明では、ガラス化温度に関して１４００℃以下が好ましいとしているが、１１００〜１２００℃について具体的に言及していない。
　しかし、引用例２の【０００７】段落には次の記載がある。
「石英ガラス粉末層は１０００℃近傍からガラス粉末の焼結が始まり多孔質ガラス層になる。また、この焼結により多孔質ガラス層は石英ガラス表面に焼き付けられ、石英ガラス表面と石英ガラス多孔質層とが一体化する。さらに１３００℃近傍まで温度を上げると、多孔質層の粉末粒子表面から結晶化が進行するため、塊状の石英部材よりも迅速に結晶化する。」
　すなわち、石英ガラス表面に付着した石英ガラス粉末は、１０００℃近傍から徐々に焼結が開始し、１３００℃近傍になると結晶化が進行するとされているが、これは、ガラス粉末層の一般的な熱的性質を示すもので、当業者には周知の技術常識であるといえる。
　そして、引用例１発明では、ガラス化温度として１４００℃以下が好ましいとし、上記技術常識からすればガラス粉末の焼結は１０００℃から徐々に開始するので、引用例１発明に接した当業者であれば、ガラス粉末層のガラス化（焼結）温度として、１０００〜１４００℃を一応の目安とすることは当然のことである。
　一方、引用例１発明は、二酸化珪素粒子を含むスリップを石英ガラス基体表面に塗布し、これを乾燥・ガラス化して、少なくとも０．５μｍの平均表面粗さを得ようとするものであるから、ガラス化する二酸化珪素粒子が適切な表面粗さを維持しつつ石英ガラス基体と一体化する温度を設定しようとすることは当然のことである。このため、その温度範囲として上記１０００〜１４００℃のうちから、石英ガラス粉末のガラス化による表面状態の変化（表面粗さの程度）を考慮して１１００〜１２００℃の温度範囲を設定することは、ガラス粉末層の表面状態の変化の観察を通じて当業者が容易になしうるところであると認める。
                                 　
４　本件補正についての結び
　以上のとおり、本願補正発明は、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際に独立して特許を受けることができないものであるから、本件補正が仮に特許請求の範囲の減縮にあたるとしても、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　                                   　
第３　本願発明について
１　本願発明
　平成２３年４月１４日付けの手続補正は、上記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜４に係る発明は、同年１月２１日付け手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１〜４に記載された事項により特定されるものであるところ、請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次のとおりのものである。
「粒径１０μｍ〜１００μｍの石英粉末とバインダーの水スラリーを石英ガラス表面にコーティングし、乾燥・焼結によって表面に凹凸状の粗面化層を形成する石英ガラス表面の粗面化方法。」
　　　　　　　
２　刊行物に記載された発明
（１）原査定の拒絶の理由で引用された引用例１に記載された発明は、前記「第２、２（２）」において認定したとおり、次のものである。
「１００μｍ以下の範囲の粒子サイズの二酸化珪素粒子を含むスリップを石英ガラス基体表面に塗布し、これを乾燥し、１７００℃以下、好ましくは１４００℃以下の温度でガラス化して、少なくとも０．５μｍの平均表面粗さＲａを有する二酸化珪素ガラス物質で被覆する方法。」
　　　　　　
３　対比と判断
（１）対比
　本願発明と引用例１発明を対比する。
　引用例１発明においては、二酸化珪素粒子の粒子サイズは１００μｍ以下であるが、これは、本願発明における石英粉末が粒径１０μｍ〜１００μｍであることと、粒径が１０〜１００μｍの範囲で重複する。
　また、引用例１発明は「少なくとも０．５μｍの平均表面粗さを有する二酸化珪素ガラス物質で被覆する方法」であるが、これは、実質的には「表面に凹凸状の粗面化層を形成する石英ガラス表面の粗面化方法」とみることができることは、上記「第２、３、３−１（２）」で述べたとおりである。
　そして、引用例１発明における「二酸化珪素粒子」、「スリップ」及び「乾燥・ガラス化」は、本願発明における「石英粉末」、「水スラリー」及び「乾燥・焼結」に相当する。
　したがって、本願発明と引用例１発明の一致点と相違点は次のとおりとなる。
(i)一致点
「粒径１０μｍ〜１００μｍの石英粉末を含む水スラリーを石英ガラス表面にコーティングし、乾燥・焼結によって表面に凹凸状の粗面化層を形成する石英ガラス表面の粗面化方法。」
(ii)相違点
　本願発明では、水スラリー中にバインダーを含有するのに対し、引用例１発明では、バインダーを含むことを明記していない点。
（２）判断
　上記「第２、３，３−２、（１）相違点１の判断について」において述べたとおり、石英粉末や二酸化珪素粉末からなるスラリーを基板上に塗布してガラス層を形成する際に、該スラリー中にバインダーを添加することは、引用例２、周知例１、２から明らかなように本願出願前に周知の技術である。
　このため、引用例１発明において、水スラリー中にバインダーを添加してみようとすることは、当業者であれば容易になしうるところに過ぎず、その効果も格別のものとすることはできない。
  したがって、本願発明は、引用例１に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易になしえたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
          　
第４　むすび
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。したがって、その余の請求項について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。