【事件の表示】
　特願２００３−５５０２３４「負の温度係数を有する電気デバイス」拒絶査定不服審判事件〔平成１５年　６月１２日国際公開、ＷＯ０３／４９１２６、平成１７年　４月２８日国内公表、特表２００５−５１２３１７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯
　本願は、２００２年１２月２日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００１年１２月４日、ドイツ連邦共和国）を国際出願日とする出願であって、平成２０年９月８日付けの拒絶理由通知に対して、平成２１年１月８日に意見書が提出され、同年１０月５日付けの拒絶理由通知に対して、平成２２年２月９日に意見書及び手続補正書が提出されたが、同年４月１４日付けで拒絶査定がされ、これに対し、同年８月１８日に審判請求がなされたものである。
　そして、平成２４年１月２７日付けの当審よりの拒絶理由通知に対して、同年５月３１日に意見書及び手続補正書が提出されたものである。
　
　
第２．本願発明に対する判断
１．本願発明
　本願の請求項１ないし請求項１４に係る発明は、平成２４年５月３１日に提出された手続補正書により補正された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし請求項１４に記載されるとおりのものであって、そのうちの、請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は次のとおりのものである。
　
【請求項１】
「電気デバイスにおいて、
前記の電気デバイスは、異なる材料からなるそれぞれ少なくとも１つの第１の空間的に形成されたセラミック部分領域（２）と少なくとも１つの第２の空間的に形成されたセラミック部分領域（５）とを有する基体を有し、
第１のセラミック部分領域の材料と第２のセラミック部分領域の材料とは、それぞれ負の温度係数を有する抵抗（ＮＴＣセラミック）を有し、
少なくとも１つの第１のコンタクト層（１０）と第２のコンタクト層（１５）とが基体の表面上に設けられていて、
２つのセラミック部分領域は第１のコンタクト層と第２のコンタクト層との間に配置されていて、
基体（１）中に間隔を置いて配置された複数の導電性電極層（２５）が存在し、この導電性電極層（２５）はそれぞれコンタクト層（１０，１５）の一方と導電性に接続していて、２つの電極積層体（３０，３５）を形成し、前記の電極積層体（３０，３５）はそれぞれ一方のコンタクト層と接触していて、かつ
電極層（２５）は第１のセラミック部分領域（２）中にだけ配置されていて、
２つのコンタクト層が基体（１）の相互に向かい合う面（４５，５０）上に配置されていて、
第２のセラミック部分領域は、第１のコンタクト層と第２のコンタクト層との間の第１のセラミック部分層の全ての表面上に設置されている、
電気デバイス。」
　
２．当審の拒絶理由
　平成２４年１月２７日付けで当審から通知した拒絶理由通知の概要は、次のとおりである。
　
「２．この出願の下記の請求項に係る発明は、その出願前日本国内又は外国において頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　　　　　　　　　　　　　　　　　記
　
　　　　　　　　　　　引　用　文　献　等　一　覧
　　　　　　　　　１．特開２０００−１２４００６号公報
　　　　　　　　　２．特開平０８−０１７６０６号公報
　　　　　　　　　３．特開昭６２−１０８５０３号公報
　　　　　　　　　４．特開平０３−１３６２０６号公報
　　　　　　　　　５．特公昭５０−０１１５８５号公報
　　　　　　　　　６．国際公開第０１／８２３１４号
　　　　　　　　　７．特開平０６−３１０３０４号公報
　　　　　　　　　８．特開平０４−２８３９０２号公報
　　　　　　　　　９．特開平０７−０７４００５号公報
　　　　　　　　１０．特開平０８−１９５３０２号公報
　　　　　　　　１１．特開平０６−２６３５１８号公報
　　　　　　　　１２．特開昭５７−０８８７０１号公報
　　　　　　　　１３．特開平０７−０６６００７号公報
　　　　　　　　１４．特開平０８−２０３７０５号公報
　
・請求項　　：１
・引用文献等：１〜８
・備考
　……（中略）……
　したがって、引用発明において、「積層型サーミスタ」の抵抗値を制御することで、「抵抗値設計」がさらに「容易」となるように、「内部電極２ａ、２ｂ」を、それぞれ、複数設けて、それぞれが電極積層体を形成するようにし、各電極積層体はそれぞれ一方の外部電極と接触させることは、当業者が適宜なし得たものと認められる。
　……（中略）……
・請求項　　：２〜６ 
・引用文献等：１〜８ 
・備考 
　引用発明において、「２つのセラミック層３ａ、３ｂはそれぞれ最外層となる」から、前記「２つのセラミック層３ａ、３ｂ」は「サーミスタ層１」の表面に設置されるものである。
　……（中略）……
・請求項　　：７ 
・引用文献等：１〜８ 
・備考 
　引用発明の「内部電極」は、文献１の図１に示されるように、「１つの電極対を形成」する他の「内部電極」と向かい合っており、２つの向かい合っている「電極対」は互いに平行に配置されて、前記「電極対」はそれぞれ一方の「外部電極」と接触しているものである。
　そして、請求項１について述べたとおり、前記「内部電極」をそれぞれ複数設けて、電極積層体を形成させることは、当業者が容易に想到し得たものと認められる。
……（以下、省略）」
　
３．各引用例の記載と引用発明
３−１．引用例１の記載
　本願のパリ条約による優先権主張の日（以下「優先日」という）前に日本国内において頒布された刊行物であり、当審の拒絶理由通知で「文献１」として引用された、特開２０００−１２４００６号公報（以下「引用例１」という。）には、「積層型サーミスタ」（発明の名称）に関して、図面とともに、次の記載がある（下線は、参考のため、当審において付したものである。以下、他の刊行物についても同様である。）。
　
　　ア．発明の背景
・「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は水晶発振子等の温度補償に使用する積層型サーミスタに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の積層型サーミスタは特公昭５０−１１５８５号公報に開示されており、その構造を図２に示す。積層型サーミスタはサーミスタ層５を挟んで一対の内部電極６ａ，６ｂを有し、この内部電極６ａ，６ｂの一方の端部はそれぞれ外部電極７ａ，７ｂに接続された構成となっている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、前記積層型サーミスタの抵抗値Ｒは、内部電極６ａ，６ｂ間の抵抗値ＲＡと、内部電極６ａの先端と外部電極７ｂ間、内部電極６ｂの先端部と外部電極７ａ間の抵抗値ＲＢ及び外部電極７ａ，７ｂ間の抵抗値ＲＣによって定まる。即ち、次式の関係が成立する。
【０００４】１／Ｒ＝１／ＲＡ＋１／ＲＢ＋１／ＲＣ従って、従来の積層型サーミスタのように、内部電極６ａ，６ｂ間及びその他の層を同一材料のセラミックで形成した場合は、ＲＡ要素のほかにＲＢ，ＲＣ要素の影響を受けて抵抗値設計が困難となり、歩留まりが低下すると共に、
この積層型サーミスタを厳しい環境下で長期間使用すると、外部電極７ａ，７ｂ間（特に表面層成分）の抵抗値Ｒ
Ｃ
の変化の影響を受け、全体の抵抗変化率が大きくなる
【０００５】
本発明は
抵抗値設計が容易なしかも耐環境性にすぐれた積層型サーミスタを提供する
　
　　 イ．課題を解決するための手段
・「【０００６】
【課題を解決するための手段】この課題を解決するために本発明の積層型サーミスタは、一対の外部電極とそれに電気的に接続された少なくとも一対以上の内部電極を有する積層型サーミスタにおいて、その最外層を内部電極間のサーミスタ層より比抵抗の高いセラミック層で形成することにより、内部電極ＲＡに対するＲＢとＲＣの影響度を小さくすると共に、外部電極間の表面層抵抗ＲＣの抵抗値変化の影響を小さくすることができ、これにより所期の目的を達成するものである。
　
　　ウ．発明の実施の形態
・「【０００７】
【発明の実施の形態】本発明の請求項１記載の発明は、一対の外部電極とそれに電気的に接続された少なくとも一対以上の内部電極を有する積層型サーミスタにおいて、
その最外層を前記内部電極間のサーミスタ層より比抵抗の高いセラミック層で形成した積層型サーミスタ
　
・「【００１１】以下、本発明の一実施の形態について、添付図面を用いて説明する。図１は本発明の一実施の形態における積層型サーミスタの断面図を示す。図において１はサーミスタ層、２ａ，２ｂは内部電極、３ａ，３ｂはセラミック層、４ａ，４ｂは外部電極である。得られた積層型サーミスタの抵抗Ｒは次式で表される。 
 【００１２】１／Ｒ＝１／Ｒ１＋１／Ｒ２＋１／Ｒ３但し、Ｒは積層型サーミスタの抵抗値
Ｒ１は内部電極２ａ，２ｂ間で発生する抵抗値
Ｒ２は内部電極２ａ先端部と外部電極４ｂ間、及び内部電極２ｂの先端部と外部電極４ａ間で発生する抵抗値
Ｒ３は外部電極４ａ，４ｂ間で発生する抵抗値
一般的に、サーミスタ層１、セラミック層３ａ，３ｂを同じ材料で形成した場合の抵抗値の大きさはＲ１＜Ｒ２＜Ｒ３の関係にある。また内部電極２ａ，２ｂ間の距離をＴ、内部電極２ａ，２ｂの対向面積をＳ、サーミスタ層１の比抵抗をｐ１とするとＲ１は次式で表される。
【００１３】Ｒ１＝ｐ１・Ｔ／Ｓ
サーミスタ層１よりセラミック層３ａ，３ｂの比抵抗を高い材料で構成しその比抵抗をｐ２、内部電極２ａまたは２ｂの先端部とそれに相対する外部電極４ｂ，４ａ間の距離をＬ、外部電極４ａ，４ｂ間の距離をＤとすると、Ｒ２はｐ１，ｐ２、Ｌに、Ｒ３はｐ１，ｐ２、Ｄに比例した値となる。」
　
 　　エ．実施例
・「【００１６】次に、本発明の具体的な実施例を説明する。
（実施例）公知の窯業的手法を用い、Ｍｎ：Ｎｉ：Ｃｒ＝８１．５：１７．５：１．０（ａｔ％）からなる比抵抗ｐ１＝２．４ｋΩ・cm、及びＭｎ：Ｎｉ：Ａｌ：Ｃｒ＝７２．５：１７．５：９．０：１．０（ａｔ％）からなる比抵抗ｐ２＝１２ｋΩ・cmのそれぞれの材料を作製した。
【００１７】次に、前記材料を公知のドクターブレード法を用い、それぞれ厚さ２５μｍのグリーンシートを作製した。
【００１８】次いで、公知の積層セラミックコンデンサの製造方法に従って積層型サーミスタのグリーンブロックを作製した。
【００１９】先ず、
高比抵抗材料のＭｎ：Ｎｉ：Ａｌ：Ｃｒ系グリーンシートを５層積層加圧着し
【００２０】次に、セラミック層３ａのグリーンシート面に
低比抵抗材料のＭｎ：Ｎｉ：Ｃｒ系のグリーンシートを２層積層圧着した後、その面にスクリーン印刷によってＰｄを主成分とする電極ペーストで内部電極２ａを形成した低抵抗材料のＭｎ−Ｎｉ−Ｃｒ系グリーンシートの積層圧着を行い、続いて、その面に同様に内部電極２ｂを形成した低抵抗材料のＭｎ−Ｎｉ−Ｃｒ系グリーンシートを内部電極２ａの長手方向に所定寸法ずらし積層圧着を行う。更に低抵抗材料のＭｎ−Ｎｉ−Ｃｒ系グリーンシートを２層積層圧着を行い
最後に高比抵抗材料のＭｎ：Ｎｉ：Ａｌ：Ｃｒ系セラミック層３ｂのグリーンシートを積層圧着して
【００２１】その後、作製したグリーンブロックを、所定寸法に切断しグリーンチップを得る。
得られたグリーンチップは一方の端面に内部電極２ａの端面が、対向する他方の端面には低抵抗材料のＭｎ−Ｎｉ−Ｃｒ系グリーンシートを挟んで内部電極２ｂの端面が露出した状態となっている
【００２２】
得られたグリーンチップを大気中の１３５０℃の温度で焼成し焼結体を作製した
【００２３】続いて、
焼結体の両端面部に
外部電極４ａ，４ｂを形成した
【００２４】次に、外部電極４ａ，４ｂの面上に電解メッキ法により、ニッケル膜、更にその上に半田膜を形成し、図１に示す積層型サーミスタを完成させた。」 
　
・「【００２８】（表１）に示すように、
本発明の積層型サーミスタは従来例に比較し、抵抗値変動係数が１／２、湿中放置試験での抵抗変化率が１／５と小さくなっている
設計どおりの値を得ることができる
また湿中放置試験においても外部電極４ａ，４ｂ間のセラミック層３ａ，３ｂ表面の抵抗値Ｒ
３
変化の寄与度が小さくなり抵抗値変化率も小さくなったも
【００２９】従って、内部電極２ａ，２ｂの対向面積Ｓと距離Ｔを精度よく作製すれば、内部電極２ａ，２ｂの先端部と外部電極４ａ，４ｂの距離Ｌ、外部電極４ａ，４ｂ間の間隔Ｄのパラメータによる抵抗値変動要素の影響の少ない、対環境性の優れた積層型サーミスタを提供することができ、工業的に効果の高いものとなる。」
　
　　オ．効果
「【００３０】 
【発明の効果】以上本発明によれば、一対の外部電極とそれに電気的に接続された少なくとも一対以上の内部電極を有する積層型サーミスタにおいて、その最外層を前記内部電極間のサーミスタ層より比抵抗の高いセラミック層で形成することによって、
抵抗値設計が容易で、抵抗値バラツキが小さく、しかも耐湿性に優れた積層型サーミスタの提供が可能となる
　
　　カ．図面
　「本発明の一実施の形態の積層型サーミスタの断面図（図面の簡単な説明）」である図１には、前記「積層型サーミスタ」は、セラミック層３ｂ、サーミスタ層１、セラミック層３ａの順で各層を積層した積層体を備え、前記サーミスタ層１の内部に設けられた内部電極２ａ、２ｂが露出する前記積層体の両端面上に、外部電極４ａ、４ｂを形成したものであり、前記セラミック層３ｂ、前記サーミスタ層１、前記セラミック層３ａは、前記外部電極４ａ、４ｂの間に配置されることが、示されている。
　
３−２．引用発明
　前記エの「湿中放置試験においても外部電極４ａ，４ｂ間のセラミック層３ａ，３ｂ表面の抵抗値Ｒ３変化の寄与度が小さくなり抵抗値変化率も小さくなった」との記載は、前記ウの、「１／Ｒ＝１／Ｒ１＋１／Ｒ２＋１／Ｒ３」、「Ｒは積層型サーミスタの抵抗値」、「Ｒ３は外部電極４ａ，４ｂ間で発生する抵抗値」、「サーミスタ層１の比抵抗をｐ１とする」及び「サーミスタ層１よりセラミック層３ａ，３ｂの比抵抗を高い材料で構成しその比抵抗をｐ２……外部電極４ａ，４ｂ間の距離をＤとすると……Ｒ３はｐ１，ｐ２、Ｄに比例した値となる」との記載を参酌すれば、「湿中放置試験」、すなわち、高湿環境下における、「外部電極４ａ，４ｂ間で発生する抵抗値Ｒ３」のうちの「外部電極４ａ，４ｂ間のセラミック層３ａ，３ｂ表面の抵抗値」の「変化」の、「積層型サーミスタ」の抵抗値変化に対する「寄与度」が、「セラミック層３ａ，３ｂの比抵抗を高い材料で構成」するために「小さくなり」、前記積層型サーミスタの「抵抗値変化率も小さくなった」、ということである。
　
　したがって、前記ア〜カから、引用例１には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。
「積層型サーミスタにおいて、
　前記の積層型サーミスタは、低比抵抗材料のＭｎ：Ｎｉ：Ｃｒ系セラミックからなるサーミスタ層１と、高比抵抗材料のＭｎ：Ｎｉ：Ａｌ：Ｃｒ系セラミックからなる２つのセラミック層３ａ、３ｂとを備え、前記セラミック層３ｂ、前記サーミスタ層１、前記セラミック層３ａの順で各層を積層した積層体を有し、
　２つの外部電極４ａ、４ｂが、前記サーミスタ層１の内部に設けられた内部電極２ａ、２ｂが露出する前記積層体の両端面上に設けられていて、
　前記セラミック層３ｂ、前記サーミスタ層１、前記セラミック層３ａは、それぞれ、前記外部電極４ａ、４ｂの間に配置され、
　前記積層体の前記サーミスタ層１の内部に間隔を置いて配置された前記内部電極２ａ、２ｂが存在し、前記内部電極２ａ、２ｂはそれぞれ前記外部電極４ａ、４ｂの一方と接続されていて、かつ、
　高湿環境下における、前記外部電極４ａ，４ｂ間で発生する抵抗値Ｒ３のうちの前記外部電極４ａ，４ｂ間の前記セラミック層３ａ，３ｂ表面の抵抗値の変化の、前記積層型サーミスタの抵抗値変化に対する寄与度が、前記セラミック層３ａ，３ｂを前記高比抵抗材料で構成するために小さくなり、前記積層型サーミスタの抵抗値変化率が小さくなることで耐湿性に優れているとともに、抵抗値設計が容易であることを特徴とする積層型サーミスタ。」
　
３−３．引用例２の記載
　本願の優先日前に日本国内において頒布された刊行物であり、当審の拒絶理由通知で「文献３」として引用された、特開昭６２−１０８５０３号公報（以下「引用例２」という。）には、「サーミスタ用酸化物半導体」（発明の名称）に関して、次の記載がある。
・「
本発明は
負の抵抗温度係数を有するサーミスタ用酸化物半導体に関する
・「実　施　例
　以下、本発明の実施例について説明する。
　市販の
原料ＭｎＣＯ
３
、ＮｉＯ、Ｃｒ
２
Ｏ
３
およびＬａ
２
Ｏ
３
を含有したＺｒＯ
２
を後述する表に示すようにそれぞれの原子％の組成になるように配合した
この成形体を１５００℃で２時間空気中で焼成した
　
３−４．引用例３の記載
　本願の優先日前に日本国内において頒布された刊行物であり、当審の拒絶理由通知で「文献４」として引用された、特開平０３−１３６２０６号公報（以下「引用例３」という。）には、「サーミスタ用酸化物半導体」（発明の名称）に関して、次の記載がある。
・「２、特許請求の範囲
（１）　
マンガンを主成分の一つとするスピネル型結晶構造を有する酸化物固溶体
Ｂサイト中のＭｎ（III）イオンの比率を、他の陽イオンを固溶させることにより５０％以下とした
サーミスタ用酸化物半導体
（２）
スピネル型結晶構造を有する酸化物固溶体への固溶金属元素がニッケル（Ｎｉ）及びクロム（Ｃｒ）
　３３ａｔ％≦（Ｎｉ）×２＋（Ｃｒ）≦６６ａｔ％
となる組成としたことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のサーミスタ用酸化物半導体。
　……（中略）……
（４）スピネル型結晶構造を有する酸化物固溶体への
固溶金属元素がニッケル（Ｎｉ），クロム（Ｃｒ）及びアルミニウム（Ａｌ）
　３３ａｔ％≦（Ｎｉ）×２＋（Ｃｒ）＋（Ａｌ）≦６６ａｔ％
となる組成としたことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のサーミスタ用酸化物半導体。」（第１頁下左欄第４行〜第１頁上右欄第１３行）
・「
本発明は
負の抵抗温度係数を持ち、一般にＡＢＯ（Ａ、Ｂは金属元素、Ｏは酸素元素を表し、ＡはＡサイト、ＢはＢサイトを表す。）で表されるスピネル型結晶構造で構成されているサーミスタ用酸化物半導体に関する
・「（実施例１）
　市販の
原料ＭｎＣＯ
３
、ＮｉＯ、Ｃｒ
２
Ｏ
３
、Ａｌ
２
Ｏ
３
を後述する表に示す組成になるように配合した
ディスク状に加圧成形し、これを空気中１３００℃の温度で２時間焼成した
　
３−５．引用例４の記載
　本願の優先日前に日本国内において頒布された刊行物であり、当審の拒絶理由通知で「文献５」として引用された、特公昭５０−０１１５８５号公報（以下「引用例４」という。）には、「積層形サーミスタ」（発明の名称）に関して、図面とともに次の記載がある。
・「この方法によりたとえばサーミスタ単位体の厚みを従来のディスク形サーミスタの１/１０にし、１０層の積層形を作ればサーミスタ常数Ｂを変えることなく初期抵抗値ＲＯを１／100にすることができる。すなわち、サーミスタ単位体を複数枚積層し、各サーミスタ単位体を並列に接続した場合には、各サーミスタ単位体の抵抗が並列に接続されたことになり、合成抵抗か減少するものである。なお
サーミスタの定数Ｂは材料によって決まるものであるので、本発明のようにサーミスタ単位体を複数枚積層し並列接続した場合には、サーミスタの定数Ｂを変えることなく初期抵抗値Ｒ
Ｏ
を小さくすることができる
　以上により明らかなように本発明に係る積層形サーξスタは，
両面に電極を有するサーミスタ単位体を積層させ、その各々が並列に接続されるように電極を取出してサーミスタ常数Ｂを変えることなく初期抵抗値Ｒ
Ｏ
を小さくする
　
３−６．引用例５の記載
　本願の優先日前に外国において頒布された刊行物であり、当審の拒絶理由通知で「文献６」として引用された、国際公開第０１／８２３１４号（以下「引用例５」という。）には、「ELECTRIC COMPONENT, METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF AND USE OF THE SAME」（発明の名称、翻訳：電気的構造素子、その製造方法および該構造素子の使用）に関して、図面とともに次の記載がある（なお、以下の摘記した原文の記載事項において、下線が付された英字は、引用例５の原文においては、ウムラウト記号が付されて表記されている。）。
・“Ziel der vorliegenden Erfindung ist es daher, ein elektrisches Bauelement anzugeben, das als NTC-Widerstand geeignet ist und das einen niedrigen Widerstandswert bei groβer Langzeitstabilit
a
o
o
　翻訳：「従って、
本発明の目的は、ＮＴＣ抵抗体として適しており
構造素子の目標の抵抗値にできるだけ正確に調節することを可能にする、電気構造素子の製造方法
・“Keramiken mit hohen B-Werten haben jedoch auch groβe spezifische Widerst
a
a
o
o
a
o
a
u
　翻訳：「しかし、
高いＢ値を有するセラミックは
電極層を電気構造素子の基体中に設けることによって、構造素子の電気抵抗を減少させることが可能である。これは、高い抵抗の多数の抵抗体の並列接続を電極層により実現させることによって成功する。
・“Eine weitere M
o
a
　翻訳：「もう１つの方法は、７０／２０／１０のＭｎ／Ｎｉ／Ｃｏの混合比を有するマンガン、ニッケルおよびコバルトからなる混合物である。最後に記載された混合物は、１００Ωｃｍの比抵抗およびほぼ３６００Ｋを上廻るＢ値を有している。」
　
３−７．引用例６の記載
　本願の優先日前に日本国内において頒布された刊行物であり、当審の拒絶理由通知で「文献７」として引用された、特開平０６−３１０３０４号公報（以下「引用例６」という。）には、「ＮＴＣサーミスタ」（発明の名称）に関して、図面とともに次の記載がある。
・「【００２７】図７の実施例では、内部電極２１、３１による電極対と、内部電極２２、３２による電極対の複数の電極対が備えられている。これらの
電極対（２１、３１）、（２２、３２）のそれぞれはセラミック基体１の厚み方向Ｔに間隔を隔てて配置されている。
ＲＨ１は内部電極２１と中間電極４１との間に生じるＮＴＣサーミスタ要素、ＲＨ２は内部電極２２と中間電極４１との間に生じるＮＴＣサーミスタ要素、ＲＨ３は内部電極３１と中間電極４１との間に生じるＮＴＣサーミスタ要素、ＲＨ４は内部電極２１と中間電極４１との間に生じるＮＴＣサーミスタ要素をそれぞれ示している。図８から明らかなように、図７に示される構造の場合、内部電極対数の選択により、外部端子電極５１ー６１間で見た合成抵抗値を調整できる
　
３−８．引用例７の記載
　本願の優先日前に日本国内において頒布された刊行物であり、当審の拒絶理由通知で「文献８」として引用された、特開平０４−２８３９０２号公報（以下「引用例７」という。）には、「ＮＴＣサーミスタ素子」（発明の名称）に関して、図面とともに次の記載がある。
・「【００３１】
　……（中略）……
内部電極数を変更した場合の特性
図８（ａ）及び（ｂ）に示すように、
第１，第２の内部電極が複数形成されたＮＴＣサーミスタ素子２１，３１
各ＮＴＣサーミスタ素子の２５℃における抵抗値
・前記表５には、「電極枚数」に応じて、「Ｒ２５℃」が変化することが示されている。
　
４．対比
４−１．本願発明と引用発明との対比
　次に、本願発明と引用発明とを対比する。
　　ア．引用発明の「積層型サーミスタ」は、「３−１．引用例１の記載」の「ア．発明の背景」に「水晶発振子等の温度補償に使用する」と記載されるように、電気デバイスとして使用されるものであるから、本願発明の「電気デバイス」に相当する。
　
　　イ．引用発明の「前記セラミック層３ｂ、前記サーミスタ層１、前記セラミック層３ａの順で各層を積層」した、「低比抵抗材料のＭｎ：Ｎｉ：Ｃｒ系セラミックからなるサーミスタ層１」と「高比抵抗材料のＭｎ：Ｎｉ：Ａｌ：Ｃｒ系セラミックからなる２つのセラミック層３ａ、３ｂ」は、本願発明の「それぞれ」が「異なる材料からなる」、「少なくとも１つの第１の空間的に形成されたセラミック部分領域（２）」と「少なくとも１つの第２の空間的に形成されたセラミック部分領域（５）」に相当する。
　したがって、引用発明の「低比抵抗材料のＭｎ：Ｎｉ：Ｃｒ系セラミックからなるサーミスタ層１と、高比抵抗材料のＭｎ：Ｎｉ：Ａｌ：Ｃｒ系セラミックからなる２つのセラミック層３ａ、３ｂとを備え、前記セラミック層３ｂ、前記サーミスタ層１、前記セラミック層３ａの順で各層を積層した積層体」は、本願発明の「異なる材料からなるそれぞれ少なくとも１つの第１の空間的に形成されたセラミック部分領域（２）と少なくとも１つの第２の空間的に形成されたセラミック部分領域（５）とを有する基体」に相当する。
　
　　ウ．引用例１には、「低比抵抗材料のＭｎ：Ｎｉ：Ｃｒ系セラミック」が「サーミスタ」を形成することは記載されているものの、前記「低比抵抗材料のＭｎ：Ｎｉ：Ｃｒ系セラミック」及び「高比抵抗材料のＭｎ：Ｎｉ：Ａｌ：Ｃｒ系セラミック」が、いかなる温度係数特性を有しているかについて、明示の記載はない。
　しかしながら、「Ｍｎ：Ｎｉ：Ｃｒ系セラミック」及び「Ｍｎ：Ｎｉ：Ａｌ：Ｃｒ系セラミック」は、いずれも、負の温度係数を持つ抵抗値を有するセラミック材料であることは、それぞれ、「３−３．引用例２の記載」及び「３−４．引用例３の記載」の項で摘記したように、引用例２及び引用例３に記載されるとおりである。
　したがって、引用発明において、「低比抵抗材料のＭｎ：Ｎｉ：Ｃｒ系セラミック」が「比抵抗」が「低」い抵抗値を有する「セラミック」「材料」であり、「高比抵抗材料のＭｎ：Ｎｉ：Ａｌ：Ｃｒ系セラミック」が「比抵抗」が「高」い抵抗値を有する「セラミック」「材料」であることは、本願発明において、「第１のセラミック部分領域の材料と第２のセラミック部分領域の材料とは、それぞれ負の温度係数を有する抵抗（ＮＴＣセラミック）を有し」ていることに相当する。
　
　　エ．引用発明において、「２つの外部電極４ａ、４ｂが、前記サーミスタ層１の内部に設けられた内部電極２ａ、２ｂが露出する前記積層体の両端面上に設けられてい」ることは、本願発明において、「少なくとも１つの第１のコンタクト層（１０）と第２のコンタクト層（１５）とが基体の表面上に設けられていて」、「２つのコンタクト層が基体（１）の相互に向かい合う面（４５，５０）上に配置されて」いることに相当する。
　
　　オ．引用発明の「前記セラミック層３ｂ、前記サーミスタ層１、前記セラミック層３ａは、それぞれ、前記外部電極４ａ、４ｂの間に配置され」ていることは、本願発明の「２つのセラミック部分領域は第１のコンタクト層と第２のコンタクト層との間に配置されてい」ることに相当する。
　
　　カ．引用発明において、「前記積層体の前記サーミスタ層１の内部に間隔を置いて配置された前記内部電極２ａ、２ｂが存在し、前記内部電極２ａ、２ｂはそれぞれ前記外部電極４ａ、４ｂの一方と接続されてい」ることと、本願発明において、「基体（１）中に間隔を置いて配置された複数の導電性電極層（２５）が存在し、この導電性電極層（２５）はそれぞれコンタクト層（１０，１５）の一方と導電性に接続していて、２つの電極積層体（３０，３５）を形成し、前記の電極積層体（３０，３５）はそれぞれ一方のコンタクト層と接触してい」ることとは、基体（１）中に間隔を置いて配置された複数の導電性電極層（２５）が存在し、この導電性電極層（２５）はそれぞれコンタクト層（１０，１５）の一方と導電性に接続している点で共通する。
　
　　キ．引用発明において、「内部電極２ａ、２ｂ」が「前記サーミスタ層１の内部に設けられ」、「前記積層体の前記サーミスタ層１の内部に間隔を置いて配置され」ていることは、本願発明の「電極層（２５）は第１のセラミック部分領域（２）中にだけ配置されて」いることに相当する。
　
　　ク．引用発明において、「前記セラミック層３ｂ、前記サーミスタ層１、前記セラミック層３ａの順で各層を積層」するとともに、「前記セラミック層３ｂ、前記サーミスタ層１、前記セラミック層３ａは、それぞれ、前記外部電極４ａ、４ｂの間に配置され」ている。
　したがって、引用発明の「前記セラミック層３ｂ」及び「前記セラミック層３ａ」は、「前記外部電極４ａ、４ｂの間に配置され」た「前記サーミスタ層１」の対向する１組の表面上に設けられているが、「前記サーミスタ層１」の対向するもう１組の表面は外部に露出していると認められる。
　してみれば、引用発明において、「前記セラミック層３ｂ、前記サーミスタ層１、前記セラミック層３ａの順で各層を積層」するとともに、「前記セラミック層３ｂ、前記サーミスタ層１、前記セラミック層３ａは、それぞれ、前記外部電極４ａ、４ｂの間に配置され」ていることと、本願発明において、「第２のセラミック部分領域は、第１のコンタクト層と第２のコンタクト層との間の第１のセラミック部分層の全ての表面上に設置されている」こととは、第２のセラミック部分領域は、第１のコンタクト層と第２のコンタクト層との間の第１のセラミック部分層の表面上に設置されている点で共通する。
　
４−２．一致点及び相違点
　以上、ア〜クから、本願発明と引用発明の一致点及び相違点は、次のとおりとなる。
　
《一致点》
「電気デバイスにおいて、
前記の電気デバイスは、異なる材料からなるそれぞれ少なくとも１つの第１の空間的に形成されたセラミック部分領域（２）と少なくとも１つの第２の空間的に形成されたセラミック部分領域（５）とを有する基体を有し、
第１のセラミック部分領域の材料と第２のセラミック部分領域の材料とは、それぞれ負の温度係数を有する抵抗（ＮＴＣセラミック）を有し、
少なくとも１つの第１のコンタクト層（１０）と第２のコンタクト層（１５）とが基体の表面上に設けられていて、
２つのセラミック部分領域は第１のコンタクト層と第２のコンタクト層との間に配置されていて、
基体（１）中に間隔を置いて配置された複数の導電性電極層（２５）が存在し、この導電性電極層（２５）はそれぞれコンタクト層（１０，１５）の一方と導電性に接続していて、かつ
電極層（２５）は第１のセラミック部分領域（２）中にだけ配置されていて、
２つのコンタクト層が基体（１）の相互に向かい合う面（４５，５０）上に配置されていて、
第２のセラミック部分領域は、第１のコンタクト層と第２のコンタクト層との間の第１のセラミック部分層の表面上に設置されている、
電気デバイス。」
　
《相違点》
《相違点１》
　本願発明の「導電性電極層（２５）」は「２つの電極積層体（３０，３５）を形成し、前記の電極積層体（３０，３５）はそれぞれ一方のコンタクト層と接触していて」いるものであるのに対して、引用発明の「内部電極２ａ、２ｂ」は、それぞれ、一層の「電極」であるため、「電極積層体」を形成していない点。
　
《相違点２》
　本願発明の「第２のセラミック部分領域」は、「第１のコンタクト層と第２のコンタクト層との間の第１のセラミック部分層の全ての表面上に設置されている」のに対して、引用発明の「前記セラミック層３ｂ」及び「前記セラミック層３ａ」は、「前記外部電極４ａ、４ｂの間に配置され」た「前記サーミスタ層１」の対向する１組の表面上に設けられているが、「前記サーミスタ層１」の対向するもう１組の表面は外部に露出している点。
　
５．当審の判断
５−１．相違点１について
　　ア．引用発明は、「積層型サーミスタ」の「抵抗値設計」を「容易」にさせようとするものである。
　
　　イ．そして、サーミスタデバイスにおいて、対向する外部電極に接続される内部電極を、それぞれ、複数設け、前記複数の内部電極のそれぞれに電極積層体を形成させることで、当該サーミスタデバイスの抵抗値を調整することは、「３−５．引用例４の記載」〜「３−８．引用例７の記載」で摘記したように、引用例４〜引用例７に記載され、サーミスタデバイスの技術分野において、きわめて周知な常套手段にすぎない。
　
　　ウ．したがって、引用発明において、「積層型サーミスタ」の「抵抗値設計」がさらに「容易」となるように、「内部電極２ａ、２ｂ」を、それぞれ、複数設けて、それぞれに電極積層体を形成させて、各電極積層体をそれぞれ一方の外部電極と接続させることは、当業者が適宜なし得たものと認められる。 
　
５−２．相違点２について
　　ア．引用発明は、「耐湿性」を改善するために、「前記外部電極４ａ、４ｂの間に配置され」た「前記サーミスタ層１」の対向する１組の表面上に設けられている「セラミック層３ａ，３ｂ」を「高比抵抗材料」で形成することにより、「高湿環境下における、前記外部電極４ａ，４ｂ間で発生する抵抗値Ｒ３のうちの前記外部電極４ａ，４ｂ間の前記セラミック層３ａ，３ｂ表面の抵抗値の変化の、前記積層型サーミスタの抵抗値変化に対する寄与度が、前記セラミック層３ａ，３ｂを前記高比抵抗材料で構成するために小さくなり、前記積層型サーミスタの抵抗値変化率が小さく」するものである。
　
　　イ．したがって、前記「高比抵抗材料」で形成された「セラミック層３ａ，３ｂ」は、引用発明においては、「積層型サーミスタ」の「抵抗」要素であるとともに、「高湿環境下」における前記「積層型サーミスタ」の「抵抗値変化率」を「小さく」するための、当該「積層型サーミスタ」における「サーミスタ層１」の保護層として機能していると認められる。
　
　　ウ．しかしながら、引用発明の「積層型サーミスタ」の「積層体」は「前記セラミック層３ｂ、前記サーミスタ層１、前記セラミック層３ａの順で各層を積層」したものであり、「前記セラミック層３ｂ、前記サーミスタ層１、前記セラミック層３ａは、それぞれ、前記外部電極４ａ、４ｂの間に配置され」たものであるから、前記「積層体」の「前記セラミック層３ｂ」及び「前記セラミック層３ａ」が表面上に設けられていない１組の表面では、「前記サーミスタ層１」の「積層」厚み方向の側面が外部に露出している。
　
　　エ．引用発明は、「高湿環境下」における「前記外部電極４ａ，４ｂ間の前記セラミック層３ａ，３ｂ表面の抵抗値」の変化の「前記積層型サーミスタの抵抗値変化に対する寄与度が、前記セラミック層３ａ，３ｂを前記高比抵抗材料で構成するために小さく」したことで、「前記積層型サーミスタの抵抗値変化率が小さくなることで耐湿性」を向上させたものと認められる。
　ところが、「前記外部電極４ａ，４ｂ間」の「前記サーミスタ層１」の「積層」厚み方向の側面が外部に露出している前記「積層体」の表面に関しては、「前記サーミスタ層１」の「積層」厚み方向の側面は露出面積は小さいとしても、「前記サーミスタ層１」が「低比抵抗材料」で構成されるため、「前記外部電極４ａ，４ｂ間」の「前記サーミスタ層１」の「積層」厚み方向の側面が外部に露出している「表面の抵抗値」の「変化」の、「前記積層型サーミスタの抵抗値変化に対する寄与度」が「小さく」なるかどうかは不明である。
　
　　オ．よって、引用発明の「積層型サーミスタの抵抗値変化率が小さくなる」ことを確実にさせるという意味で「前記サーミスタ層１」を「高湿」から保護して、前記「積層型サーミスタ」の「耐湿性」を良好にするために、「積層型サーミスタ」の「積層体」における「前記サーミスタ層１」の「前記外部電極４ａ、４ｂの間」の４つの表面、すべての上に「セラミック層」を設けることは、当業者であれば、ごく自然に想起すると認められる。
　そして、セラミック製のサーミスタの技術分野において、セラミック製サーミスタを湿気から保護するためのセラミック製の保護層を、前記セラミック製サーミスタの対向する端面に設けられた外部電極間の、前記セラミック製サーミスタの４つの表面上のすべてに設けることは、以下の周知例１及び周知例２に記載されるように、周知技術である。
　
　　カ．以上から、引用発明において、「セラミック層」を、「前記外部電極４ａ、４ｂの間に配置され」た「前記サーミスタ層１」のすべての表面上に設けることは、当業者が容易に想到し得たものと認められる。
　
　　キ．周知例１：特開昭６３−１７７４０２号公報
　本願の優先日前に日本国内において頒布された刊行物である上記周知例１には、「負特性サーミスタ」（発明の名称）に関して、図面とともに、次の記載がある。
・「第１図は本発明の一実施例としての負特性サーミスタを示し、図中１は厚さ０．５０mm、巾１．１mm、長さ３．２mmのサーミスタ素子、
２ａ、２ｂは各々該サーミスタ素体１の表裏両面および両側面に設けられた例えばアルミナ等の無機物よりなる厚さ０．２５mm、長さ３．２mmの被覆層で、これによって前記サーミスタ素体１が被覆されている。
　この様な構造の
負特性サーミスタはサーミスタ素体が緻密な無機物よりなる被覆層に覆われているので
実装後も外部の湿気やガス等も侵入する恐れがない。
　上記のような構造の負特性サーミスタは次の如くして製造できる。例えば
マンガン、ニッケルの酸化物からなるスラリーを作成し、
サーミスタ素体シート１１を作成
アルミナからなるスラリーを２枚作成し
アルミナシート１２ａ、１２ｂを作成する
このアルミナシート１２ａ、１２ｂは、サーミスタ素体シート１１よりも幅広に形成してある
圧着すると、
アルミナシート１２ａ、１２ｂが互いにサーミスタ素体シート１１の側面部において圧着され、サーミスタ素体シート１１の両側面をも被覆する
チップを作製する。このチップを例えば１３００〜１４００°Ｃで２Ｈｒ時間焼成し、チップ型負特性サーミスタ素体を作製する
サーミスタ素体が露出している端面及び該端面よりの被覆層の一部に、例えば銀−パラジウムよりなる電極ペーストを塗布乾燥し、焼付ける
　
　　ク．周知例２：特開平０６−２９５８０３号公報
　本願の優先日前に日本国内において頒布された刊行物である上記周知例２には、「チップ型サーミスタ及びその製造方法」（発明の名称）に関して、図面とともに、次の記載がある。
・「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、各種電子機器の温度補償用のセンサに、また表面温度測定用のセンサにそれぞれ適するチップ型サーミスタに関する。更に詳しくは、
プリント回路基板等に表面実装されるチップ型のＮＴＣサーミスタ
・「【０００３】このはんだ耐熱性とはんだ付着性を向上させるために、チップ型コンデンサと同様に、焼付け電極の表面にめっき層を設けることが考えられるが、サーミスタ素体はコンデンサ用のセラミック素体と異なり導電性を有するため、この
サーミスタ素体を露出したままめっき処理した場合、素体表面にめっきが付着してサーミスタの抵抗値が所期の値と異なり、しかもサーミスタ素体がめっき液で浸食されてサーミスタの信頼性が低下する等の不具合を生じる
・「【００１１】以下、本発明を詳述する。
(a) サーミスタ素体の製造
本発明のサーミスタ素体は次の方法により作られる。先ず
Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ａｌ等の金属の酸化物粉末を１種又は２種以上採取して混合する
これを焼成して図３（ｂ）に示すチップ状のサーミスタ素体１０を得る
・「【００１３】(c) サーミスタ素体への絶縁性無機物層の被覆
内包電極１１が形成されたサーミスタ素体１０はその全面に厚さ０．１〜１０μｍの絶縁性無機物層が被覆される
この絶縁性無機物層１４（図１及び図２）を例示すると
５０重量％以上のＳｉＯ
２
と残部がＡｌ
２
Ｏ
３
，ＭｇＯ，ＺｒＯ
２
及びＴｉＯ
２
の１種又は２種以上の酸化物により構成された薄膜
６００〜８５０℃であるため、この温度より高い融点又は軟化点を有するものが選ばれる。
・「【００２０】
【発明の効果】以上述べたように、従来の製造方法では、工程数が多く複雑であったものが、本発明の製造方法によれば、少ない工程で比較的容易にチップ型サーミスタの端子電極を形成できるため、量産に適し、電極形成コストが安価になる。また
本発明のチップ型サーミスタは、外包電極が接触する部分を除いてサーミスタ素体が絶縁性無機物層で被覆され、サーミスタ素体がこの無機物層で保護されているため、めっき処理してもめっき液の素体への浸食やめっき付着による特性の変化がない。
　
５−３．小括
　以上のとおりであるから、引用発明を、相違点１〜２に係る構成とすることは、引用例１に記載の事項、常套手段及び周知技術から、当業者が容易に想到し得たものと認められる。そして、本願発明の効果も、引用発明、常套手段及び周知技術から、当業者が予期し得たものである。
　したがって、本願発明は、引用発明、常套手段及び周知技術から、当業者が容易に発明をすることができたものと認められる。
　
　
第３．結言
　以上のとおり、本願発明は、引用発明、常套手段及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条２項の規定により、特許を受けることができない。
　したがって、本願は、他の請求項について検討するまでもなく、拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。