(57)【要約】【課題】  装置の稼働率低下や部材交換による製造コストの上昇を抑え、低価格な製品を供給可能な基板処理装置を提供する。【解決手段】  本願発明は、  真空容器の内部に、基板の被処理面の裏面側から加熱するヒータと、  前記基板への電力印加手段と、  前記ヒータを囲むように配置され、前記ヒータに電力が印加しないように設けられた絶縁体と、を備える基板処理装置において、  前記絶縁体は、物性が異なる複数の部材を組み合わせた構造である。【選択図】  図１
2019189911.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空容器の内部に、基板の被処理面の裏面側から加熱するヒータと、
前記基板への電力印加手段と、
前記ヒータを囲むように配置され、前記ヒータに電力が印加しないように設けられた絶縁体と、を備える基板処理装置において、
前記絶縁体は、物性が異なる複数の部材を組み合わせた構造であることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記絶縁体は、アルミナセラミックス、ジルコニアセラミックス及び炭化ケイ素セラミックスの群から選択された少なくとも一種のセラミックスを用いて作製された第一の部材と、マシナブルセラミックス、窒化アルミセラミックス及び窒化ケイ素セラミックスの群から選択された少なくとも一種のセラミックスを用いて作製された第二の部材を有する請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記第一の部材が、アルミナセラミックスを用いて作製されたものであり、前記第二の部材が、マシナブルセラミックスを用いて作製されたものである請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記絶縁体は、第一の部材及び第二の部材を有し、
前記第一の部材の作製に用いられたセラミックスの最高使用温度が、１３００℃以上１７００℃以下であり、前記第二の部材の作製に用いられた絶縁体の最高使用温度が、９００℃以上１２００℃以下である請求項２又は３に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記絶縁体は、第一の部材及び第二の部材を有し、
前記第一の部材の作製に用いられたセラミックスの誘電率（１ＭＨｚ）が、９．０以上１０．０以下であり、前記第二の部材の作製に用いられた絶縁体の誘電率（１ＭＨｚ）が、５，５以上８．０以下である請求項２又は３に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記第一の部材の作製に用いられたセラミックスのかさ比重が、３．１（ｇ／ｃｍ３）以上６．５（ｇ／ｃｍ３）であり、前記第二の部材の作製に用いられた絶縁体のかさ比重が、２．３（ｇ／ｃｍ３）以上３．０（ｇ／ｃｍ３）以下である請求項２又は３に記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、被処理基板を加熱しながら、被処理基板に電力を印加して処理を行う基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、アモルファス材料などの非単結晶材料で構成された堆積膜が各種提案されている。例えば、アモルファスシリコン（以下「ａ−Ｓｉ」ともいう）の膜が、電子写真用感光体ドラムの堆積膜として用いられている。
【０００３】
ａ−Ｓｉ堆積膜が形成された電子写真用感光体ドラム（以下、単に「ａ−Ｓｉ感光体」ともいう）の作製には、プラズマＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法が用いられる。その製造法の中でも、円筒状の基板を加熱しながら、原料ガスを高周波電力（主に１３．５６ＭＨｚ）で分解して、円筒状の基板の表面上に堆積膜を形成する製造方法が実用化されている。
【０００４】
このａ−Ｓｉ感光体の高品質化を達成するために、堆積膜の均一性（膜厚及び膜質の均一性）を向上するための検討が、行われている。
【０００５】
例えば、高周波電力に替えて、周波数３ｋＨｚ以上３００ｋＨｚ以下の矩形波の交播電圧を電極と円筒状基板表面の間に印加して堆積膜を形成する技術が開示されている（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特許第４９５９０２９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上記の技術により、堆積膜の均一性が向上したａ−Ｓｉ感光体を得ることが可能になった。
【０００８】
しかしながら、電子写真感光体を用いた製品に対する市場の要求レベルは日々高まっており、高品質なだけでなく、低価格な製品を安定して供給することが求められている。
【０００９】
特許文献１に挙げた製造方法を実施するための製造装置は、真空容器の内部に、基板の被処理面の裏側から加熱するヒータ（接地されている）と基板への電力印加手段の間に、ヒータを囲むように絶縁体が配置されている。この絶縁体を設けることによって、ヒータの絶縁破壊を防止するべく、ヒータに電力が印加しない構成となっている。
【００１０】
この絶縁体は、大型で複雑な形状であるため一つの部品として成形加工することは難しく、複数の部材を組み合わせる構成となっている。そのため、部材を組み合わせる部分に不可避の隙間が生じ、堆積膜形成条件によっては隙間部分が原因で絶縁破壊が起こる場合があり、その際は堆積膜形成の停止が余儀なくされ、稼働率が低下する。絶縁破壊が起こると、その部分の両側の部材が溶けたり、割れたりして破損してしまう。破損した部材は交換する必要があり、交換部材の費用や、交換作業による装置停止によって製造コストが上昇する。また、絶縁体の部材の中には、高価なものや製作納期が長いものなどもあり、それぞれある程度の数の予備品を持つ必要があり、製造コストが上昇する。
【００１１】
このような製造コストの課題は、電子写真感光体の場合に限ったものではなく、他のデバイス製造においても同様に存在し、その解決が望まれている。
【００１２】
本発明は、上記した課題に鑑みてなされたものであり、稼働率の低下や部材交換などによる製造コストの上昇を抑え、低価格な製品を供給可能な基板処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明によれば、
真空容器の内部に、基板の被処理面の裏面側から加熱するヒータと、
前記基板への電力印加手段と、
前記ヒータを囲むように配置され、前記ヒータに電力が印加しないように設けられた絶縁体と、を備える基板処理装置において、
前記絶縁体は、複数の部材を組み合わせた構造を有し、
前記絶縁体は、物性が異なる複数の部材を組み合わせた構造であることを特徴とする基板処理装置が提供される。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、絶縁破壊による稼働率悪化を抑制でき、また、もし絶縁破壊が起きても、交換が必要な部材を限定することができるため、製造コスト抑えることができる。これにより、低価格な製品を供給可能な基板処理装置を提供することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明に係る基板処理装置の例を模式的に示す断面図
【図２】本発明に係る基板処理装置の絶縁体の上部を模式的に示す断面図
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明の具体的な実施形態について、図面を用いて説明する。
【００１７】
図１は、ａ−Ｓｉ感光体を製造するための基板処理装置の一例を示す模式図で、図１（ａ）は縦断面図、図１（ｂ）は横断面図である。
【００１８】
図１に示す基板処理装置１００では、周期的に変化する電圧（例えば、周波数３ｋＨｚ以上３００ｋＨｚ以下の矩形波の電圧）を第一の電極１０４と、これに対向する第二の電極である真空容器１１０との間に印加する。それにより、原料ガスを励起させてグロー放電を発生させ、円筒状基板１０１Ａ及び１０１Ｂの外周面（被処理面）に堆積膜を形成することができる。
【００１９】
基板処理装置１００では、円筒状基板１０１Ａ及び１０１Ｂが、第一の電極１０４の一部を構成している。より具体的には、第一の電極１０４は、下部補助基板を兼ねた基板ホルダ１０３に円筒状基板１０１Ａと１０１Ｂ及び上部補助基板１０２を装着したものを、支軸１１２の上端の基板ホルダ支持台１１３に載置した状態で構成されている。
【００２０】
基板ホルダ１０３の内側には、円筒状基板１０１Ａ及び１０１Ｂを内周面側（被処理面の裏面側）から加熱するためのヒータ１２１が配置されている。ヒータ１２１は金属パイプの外周面に発熱体を巻き付けたもので、接地されている。
【００２１】
ヒータ１２１の内側には支軸１１２が配置される。支軸１１２は真空容器１１０の底板１０９の下部絶縁部材１２０を貫通して、真空容器１１０の外部でモータ１１６と接続し、基板ホルダ１０３を支持しながら回転可能としている。更に、支軸１１２は電力導入経路を兼ね、真空容器１１０の外部で電源１１４（電力印加手段）と接続している。支軸１１２と第一の電極１０４の一部である基板ホルダ１０３には電力が印加されるため、ヒータ１２１と支軸１１２、及び基板ホルダ１０３の間には、ヒータ１２１を囲むように絶縁体が設けられている。絶縁体に用いる材料は、耐熱性や堆積膜形成用の材料ガス、クリーニングガスへの耐久性の観点からセラミックスを用いることができる。
【００２２】
セラミックスは、アルミナセラミックス、炭化ケイ素セラミックス、ジルコニア、窒化アルミセラミックス、窒化ケイ素セラミックス及びマシナブルセラミックスを挙げることができる。
【００２３】
上述の絶縁体の構造について詳しく説明する。
【００２４】
基板処理装置１００は、円筒状基板１０１Ａ及び１０１Ｂを軸方向に重ねて処理する形態のため軸方向に細長い形状で、それに伴い、ヒータ１２１は軸方向に長く、ヒータ１２１の内外の空間は狭い。ヒータ１２１を囲むように設ける絶縁体は一つの部品として成形加工してあることが好ましいが、形状の点から製作が困難である。そのため、絶縁体を複数の部材を組み合わせた構造としている。
【００２５】
具体的には、ヒータ１２１の内側には支軸１１２との間に円筒状の内側絶縁部材１１７を、外側には基板ホルダ１０３との間に円筒状の外側絶縁部材１１８を配置している。内側絶縁部材１１７の下部は、下部絶縁部材１２０に嵌め合わせる構造としている。内側絶縁部材１１７と外側絶縁部材１１８の上部は、上部絶縁部材１１９を嵌め合わせている。こうしてヒータ１２１を各絶縁部材で囲み、ヒータ１２１に電源１１４からの電力が印加しないようにしている。
【００２６】
しかし、複数の部材を組み合わせた構造のために、堆積膜形成条件によっては不具合が起こる場合がある。具体的には、絶縁部材の熱膨張であり、その現象について図面を用いて説明する。図２は絶縁体の上部を模式的に示した断面図で、図２（ａ）は低温時、図２（ｂ）は高温時を示す。
【００２７】
外側絶縁部材１１８はヒータ１２１の発熱体側であるため、内側絶縁部材１１７よりも高温になる。また、ヒータ１２１は軸方向に細長い形状で、内側絶縁部材１１７と外側絶縁部材１１８も細長い形状である。これらにより、図２（ｂ）に示すように、高温時には内側絶縁部材１１７と外側絶縁部材１１８の高さに差が生じてしまい、内側絶縁部材１１７と上部絶縁部材１１９との間に軸方向に隙間２０２が生じる。また、低温になった場合に元に戻るように上部絶縁部材１１９と内側絶縁部材１１７及び外側絶縁部材１１８の横方向の隙間２０１がある程度必要である。この隙間２０１及び隙間２０２が、堆積膜形成時のガス条件や電力印加条件によっては許容できなくなる場合がある。その場合、絶縁破壊が起こり、絶縁破壊が起こった部分の両側の部材が溶けたり、割れたりし、堆積膜形成の停止が余儀なくされる。
【００２８】
この現象は、複数の部材を組み合わせた構造であるため不可避あるが、その損害を小さくするために検討を行った。内側絶縁部材１１７と上部絶縁部材１１９を比べると、上部絶縁部材１１９の方が小型のため安価で、部品交換も容易である。絶縁破壊が起こった場合、上部絶縁部材１１９のみが破損し、内側絶縁部材１１７は破損しないようすれば損害は小さい。また、破損する部材が上部絶縁部材１１９に限定されれば、交換用の予備品をその部材のみ保管し、内側絶縁部材１１７の予備品は最小限にすることができる。
【００２９】
すなわち、
前記絶縁体は、物性が異なる複数の部材を組み合わせた構造であることが重要であることがわかった。
【００３０】
ここで、内側絶縁部材、外側絶縁部材及び下部絶縁部材を第一の部材、上部絶縁部材を第二の部材とする。
【００３１】
破損しないようにすることを目指した結果、より具体的には第一の部材と第二の部材において異なるセラミックスを用いた場合が、好適な場合である。第一の部材が、アルミナセラミックス、ジルコニアセラミックス及び炭化ケイ素セラミックスの群から選択された少なくとも一種のセラミックスを用いて作製されものである。
【００３２】
更に、第二の部材が、マシナブルセラミックス、窒化アルミセラミックス及び窒化ケイ素セラミックスの群から選択された少なくとも一種のセラミックスを用いて作製されたものである。
【００３３】
特に、第一部材が、アルミナセラミックスであり、第二の部材が、マシナブルセラミックスである場合が好ましい。
【００３４】
上述の絶縁体の物性が異なることの影響について具体的に説明する。
【００３５】
第一に熱的性質で、具体的には最高使用温度である。絶縁破壊が起こった場合、その部分が瞬間的に高温になる。この時、部材の最高使用温度に差があれば、低い方が先に破損する。絶縁破壊が起きると電力波形に変化が起きるため、それを検知して堆積膜形成を停止することで、それ以上の破壊を防止することができる。本形態の場合、上部絶縁部材１１９に最高使用温度が低い部材を、内側絶縁部材１１７に高い部材を用いて組み合わせることで、上部絶縁部材１１９を先に破損させることができる。
【００３６】
ここで、内側絶縁部材を第一の部材、上部絶縁部材を第二の部材とする。
【００３７】
本願発明は、前記第一の部材の作成に用いられたセラミックスの最高使用温度が、１３００℃以上１７００℃以下であり、前記第二の部材の作製に用いられたセラミックスの最高使用温度が、９００℃以上１２００℃以下である場合が好ましい。
【００３８】
第二に電気的性質、具体的には誘電率である。誘電率が小さいほど電圧がかかった時の電界が強くなるので、部材の誘電率に差があれば、小さい方が先に破損する。本形態の場合、上部絶縁部材１１９に誘電率が小さい部材を、内側絶縁部材１１７及び外側絶縁部材１１８に大きい部材を用いて組み合わせることで、上部絶縁部材１１９を先に破損させることができる。
【００３９】
ここで、内側絶縁部材及び外側絶縁部材を第一の部材とし、上部絶縁部材を第二の絶縁部材とする。
【００４０】
本願発明は、前記第一の部材の作製に用いられたセラミックスの誘電率（１ＭＨｚ）が、９．０以上１０．０以下である。更に、前記第二の部材の作製に用いられたセラミックスの誘電率（１ＭＨｚ）が、５，５以上８．０以下である場合が好ましい態様である。
【００４１】
第三に機械的性質で、具体的にはかさ比重である。セラミックスの場合、かさ比重が小さいほど強度や硬度は低くなる。絶縁破壊が起こった場合、その部分に大きな衝撃が加わる。この時、部材の強度や硬度に差があれば、低い方が先に破損する。本形態の場合、上部絶縁部材１１９にかさ比重が小さい部材を、内側絶縁部材１１７に大きい部材を用いて組み合わせることで、上部絶縁部材１１９を先に破損させることができる。
【００４２】
ここで、内側絶縁部材を第一の部材とし、上部絶縁部材を第二の絶縁部材とする。
【００４３】
本願発明は、第一の部材の作製に用いられたセラミックスのかさ比重が、３．１（ｇ／ｃｍ３）以上６．５（ｇ／ｃｍ３）以下である。そして、第二の部材の作製に用いられたセラミックスのかさ比重が、２．３（ｇ／ｃｍ３）以上３．０（ｇ／ｃｍ３）以下である場合が好ましい態様である。
【００４４】
上述の構成の基板処理装置１００について、図１を用いてさらに説明する。
【００４５】
第二の電極である真空容器１１０は、ゲート弁１０５、上蓋１０６、円筒状の側壁１０７、ガスブロック１０８、底板１０９により構成され、接地されている。側壁１０７の一方向には、複数の排気口１２２を設けた排気部１２３が接続され、さらに、排気管１２４及び排気バルブ１２５を介して不図示の排気装置（真空ポンプ）が接続されており、真空容器１１０の内部が減圧可能となっている。
【００４６】
ガスブロック１０８は、側壁１０７に、第一の電極１０４を取り囲むように複数個（本形態では７個）備えられている。ガスブロック１０８の内部には原料ガス経路となる管状空洞部１２９を有し、管状空洞部１２９に連通するガス穴１３０が、ガスブロック１０９の第一の電極１０４に対向する面で軸方向に複数形成されている。さらに、ガスブロック１０８は供給配管１２６を介して、原料ガスの流量を調整するためのマスフローコントローラ（不図示）を内在するミキシング装置１２８と原料ガス導入バルブ１２７とからなるガス供給系に接続されている。これらにより、真空容器１１０の内部に原料ガスが供給可能となっている。
【００４７】
（ａ−Ｓｉ感光体の製造）
以上のように構成された基板処理装置１００を用いて、ａ−Ｓｉ感光体を製造する一例について説明する。
【００４８】
まず、旋盤を用いて表面に鏡面加工を施した円筒状基板１０１Ａと１０１Ｂ、及び上部補助基板１０２を、基板ホルダ１０３に装着する。
【００４９】
次に、真空容器１１０の内部を大気圧にして、ゲート弁１０５を開け、基板ホルダ１０３を基板ホルダ支持台１１３に載置する。
【００５０】
次に、ゲート弁１０５を閉じ、排気バルブ１２５を開いて、真空容器１１０の内部を排気する。真空計１１１の読みが所定の圧力（例えば０．６７Ｐａ）以下になった時点で、加熱用の不活性ガス（例えばアルゴンガス）を真空容器１１０に導入する。そして、真空容器１１０の内部が所定の圧力になるように加熱用の不活性ガスの流量、不図示の排気装置の排気速度を調整する。
【００５１】
その後、温度コントローラ（不図示）を作動させてヒータ１２１を起動し、円筒状基板１０１Ａ及び１０１Ｂの温度を所定の温度（例えば２０〜５００℃）に制御する。円筒状基板１０１Ａ及び１０１Ｂが所定の温度に加熱されたところで、不活性ガスを徐々に止める。これと並行して、堆積膜形成用の原料ガスを徐々に導入する。
【００５２】
原料ガスとしては、例えば、ＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６、ＣＨ４、Ｃ２Ｈ６、ＮＯのような材料ガスや、Ｂ２Ｈ６、ＰＨ３のようなドーピングガス、Ｈ２、Ｈｅ、Ａｒのような希釈ガスが挙げられる。次に、ミキシング装置１２８内のマスフローコントローラ（不図示）によって、各原料ガスが所定の流量になるように調整する。その際、真空容器１１０の内部が所定の圧力（例えば１〜５００Ｐａ）に維持されるように、真空計１１１を見ながら排気装置の排気速度を調整する。この時、モータ１１６によって支軸１１２を回転させ、円筒状基板１０１Ａと１０１Ｂ、上部補助基板１０２を装着した基板ホルダ１０３を回転させる。
【００５３】
以上の手順によって堆積膜形成の準備を完了した後、円筒状基板１０１Ａ及び１０１Ｂの外周面に堆積膜の形成を行う。具体的には、真空容器１１０の内部の圧力が安定したことを確認した後、電源１１４から円筒状基板１０１Ａ及び１０１Ｂを含む第一の電極１０４に電圧を印加し、第一の電極１０４と接地された第二の電極である真空容器１１０との間に放電を生起させる。この放電により、原料ガスが分解され、円筒状基板１０１Ａ及び１０１Ｂの外周面に所定の堆積膜が形成される。
【００５４】
所望の膜厚の堆積膜の形成を行った後、電圧の印加を止め、真空容器１１０への各原料ガスの流入を止めて、一旦高真空になるように真空容器１１０の内部を排気する。上記のような操作を繰り返し行うことによって、所定の層構成のａ−Ｓｉ堆積膜を形成することができる。
【００５５】
その後、必要に応じて、真空容器１１０の内部に堆積した堆積膜及び副生成物をクリーニング処理する。まず、基板ホルダ１０３の代わりに、同一形状のダミーホルダ（不図示）を、真空容器１１０の内部に載置する。
【００５６】
次に、真空容器１１０の内部が真空計１１１の読みで所定の圧力（例えば０．６７Ｐａ）以下になるまで、排気バルブ１２５を開いて不図示の排気装置で排気する。所定の圧力になった時点で、クリーニング性ガスを真空容器１１０の内部に導入する。クリーニング性ガスとしては、例えばＣＦ４、ＣＦ４／Ｏ２、ＳＦ６、ＮＦ３、ＣｌＦ３（三フッ化塩素）が挙げられ、必要に応じて希釈用の不活性ガス（例えばアルゴンガス）を用いる。そして、真空容器１１０の内部が所定の圧力になるようにクリーニング性ガス及び希釈用の不活性ガスの流量、不図示の排気装置の排気速度を調整する。
【００５７】
真空容器１１０の内部の圧力が安定したことを確認した後、必要に応じて、電源１１４からダミーホルダに電圧を印加し、ダミーホルダと真空容器１１０との間に放電を生起させる。これにより、真空容器１１０の内部がクリーニング処理される。
【００５８】
所望のクリーニング処理が終わった後、電圧の印加を止め、真空容器１１０へガスの流入を止めて、一旦高真空になるように真空容器１１０の内部を排気し、ダミーホルダを真空容器１１０の内部から取り出す。
【００５９】
上記の操作を繰り返し行うことによって、ａ−Ｓｉ感光体を製造することができる。
【実施例】
【００６０】
以下実施例により、本発明の効果を具体的に説明するが、本発明は、これにより何ら限定されるものではない。
【００６１】
以下の各実施例及び比較例では、図１に示す基板処理装置１００を用いた。また、用いた絶縁体（セラミックス）の材料及び物性値を表１に示す
【００６２】
【表１】
2019189911.tif 000003
【００６３】
〔実施例１〕
上部絶縁部材１１９の材料にマシナブルセラミックスの一種であるホトベール（商品名）を、内側絶縁部材１１７、外側絶縁部材１１８及び下部絶縁部材１２０の材料にアルミナセラミック（Ａｌ２Ｏ３＝９９％以上）を用いた。
【００６４】
この構成で、表２に示す条件で、電源１１４から供給する電圧を絶縁破壊が起きるまで上げ、絶縁破壊を起こした。この時の絶縁破壊部分を目視観察すると、上部絶縁部材１１９のみ破損しており、その他は破損していなかった。
【００６５】
【表２】
2019189911.tif 000004
【００６６】
〔実施例２〕
上部絶縁部材１１９の材料にマシナブルセラミックスの一種であるシェイパルＭソフト（商品名）を用いた。それ以外は実施例１と同じとした。そして、実施例１と同様に電圧を上げ、絶縁破壊を起こした。この時の絶縁破壊部分を目視観察すると、上部絶縁部材１１９のみ破損しており、その他は破損していなかった。
【００６７】
〔実施例３〕
上部絶縁部材１１９の材料にマシナブルセラミックスの一種であるマコール（商品名）を用いた。それ以外は実施例１と同じとした。そして、実施例１と同様に電圧を上げ、絶縁破壊を起こした。この時の絶縁破壊部分を目視観察すると、上部絶縁部材１１９のみ破損しており、その他は破損していなかった。
【００６８】
〔比較例〕
上部絶縁部材１１９、内側絶縁部材１１７、外側絶縁部材１１８及び下部絶縁部材１２０の全ての材料にアルミナセラミック（Ａｌ２Ｏ３＝９９％以上）を用いた。そして、実施例１と同様に電圧を上げ、絶縁破壊を起こした。この時の絶縁破壊部分を目視観察すると、上部絶縁部材１１９と内側絶縁部材１１７が破損していた。
【００６９】
上記実施例及び比較例の結果をまとめると、表３となる。
【００７０】
【表３】
2019189911.tif 000005
【００７１】
各実施例は、上部絶縁部材１１９のみ破損し、その他の絶縁部材は破損しなかった。つまり、物性の異なる部材に材料を変更することで、交換が必要な部材を限定することができる。
【符号の説明】
【００７２】
１０１Ａ、１０１Ｂ  円筒状基板
１０２  上部補助基板
１０３  基板ホルダ
１０４  第一の電極
１１０  真空容器（第二の電極）
１１２  支軸
１１４  電源（電力印加手段）
１１３  基板ホルダ支持台
１１７  内側絶縁部材
１１８  外側絶縁部材
１１９  上部絶縁部材
１２０  下部絶縁部材
１２１  ヒータ
【図１】
2019189911.tif 000006
【図２】
2019189911.tif 000007