(57)【要約】【課題】ディザ制御の実行中における燃費の悪化を抑制することのできる内燃機関の制御装置を提供する。【解決手段】ＣＰＵ３２は、内燃機関１０が有する複数の気筒のうちの一部の気筒を、空燃比が理論空燃比よりもリーンであるリーン燃焼気筒とし、複数の気筒のうちの一部の気筒とは別の気筒を、空燃比が理論空燃比よりもリッチであるリッチ燃焼気筒とすべく、燃料噴射弁１６を操作するディザ制御処理を実行する。また、ＣＰＵ３２は、排気通路２０と吸気通路１２とを接続するＥＧＲ通路６０に設けられたＥＧＲバルブ６２を操作してＥＧＲ率を制御するＥＧＲ制御処理を実行する。そして、ＣＰＵ３２は、ＥＧＲ率が予め定められた閾値未満であることを含む実行条件が満たされるときにディザ制御処理を実行する。【選択図】図１
2019031960.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の気筒から排出された排気を浄化する触媒と、前記複数の気筒毎に設けられた燃料噴射弁と、排気通路と吸気通路とを接続するＥＧＲ通路と、前記ＥＧＲ通路の流路断面積を調整することによりＥＧＲ率を調整するＥＧＲバルブと、を備える内燃機関を制御対象とし、
前記複数の気筒のうちの一部の気筒を、空燃比が理論空燃比よりもリーンであるリーン燃焼気筒とし、前記複数の気筒のうちの前記一部の気筒とは別の気筒を、空燃比が理論空燃比よりもリッチであるリッチ燃焼気筒とすべく前記燃料噴射弁を操作するディザ制御処理と、
前記ＥＧＲバルブを操作して前記ＥＧＲ率を制御するＥＧＲ制御処理と、を実行し、
前記ディザ制御処理を、前記ＥＧＲ率が予め定められた閾値未満であることを含む実行条件が満たされるときに実行する
内燃機関の制御装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数の気筒から排出された排気を浄化対象とする触媒を備えた内燃機関を制御対象とする内燃機関の制御装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば特許文献１には、排気通路に設けられた触媒の硫黄被毒回復制御の実行要求が生じた場合、一部の気筒における空燃比を理論空燃比よりもリッチとし、残りの気筒における空燃比を理論空燃比よりもリーンとし、触媒に流入する排気の空燃比を目標空燃比に制御するディザ制御を実行する制御装置が記載されている。
【０００３】
また、内燃機関の制御装置としては、内燃機関の排気通路に排出された排気の一部を吸気通路に戻す、いわゆるＥＧＲ制御を実行するものが周知であり、こうしたＥＧＲ制御に通じてＥＧＲ率を高い値にしているときには、低い値にしているときに比べて燃費が向上することも知られている。
【０００４】
ところで、ＥＧＲ率を高い値にしているときにディザ制御を実行すると、ディザ制御を実行しない場合と比較して気筒での燃焼が不安定になり、トルク変動が大きくなるおそれがある。そのため、上記特許文献１に記載の装置では、ディザ制御を実行する場合には、ディザ制御を実行しない場合よりも、排気通路から吸気通路に戻される排気の量、いわゆる外部ＥＧＲ量が少なくなるように制限することにより、ディザ制御の実行中における燃焼状態の悪化を抑えるようにしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００７−２９７９４９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、上述したように外部ＥＧＲ量を少なくしてＥＧＲ率が小さくなるように制限すると、ＥＧＲ率を制限しない場合と比較して燃費が悪化してしまう。
本発明は、そうした実情に鑑みてなされたものであり、その目的は、ディザ制御の実行中における燃費の悪化を抑制することのできる内燃機関の制御装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決する内燃機関の制御装置は、複数の気筒から排出された排気を浄化する触媒と、前記複数の気筒毎に設けられた燃料噴射弁と、排気通路と吸気通路とを接続するＥＧＲ通路と、前記ＥＧＲ通路の流路断面積を調整することによりＥＧＲ率を調整するＥＧＲバルブと、を備える内燃機関を制御対象としている。そして、この制御装置は、前記複数の気筒のうちの一部の気筒を、空燃比が理論空燃比よりもリーンであるリーン燃焼気筒とし、前記複数の気筒のうちの前記一部の気筒とは別の気筒を、空燃比が理論空燃比よりもリッチであるリッチ燃焼気筒とすべく前記燃料噴射弁を操作するディザ制御処理と、前記ＥＧＲバルブを操作して前記ＥＧＲ率を制御するＥＧＲ制御処理と、を実行する。そして、この制御装置は、前記ディザ制御処理を、前記ＥＧＲ率が予め定められた閾値未満であることを含む実行条件が満たされるときに実行する。
【０００８】
同構成によれば、ディザ制御処理は、ＥＧＲ率が予め定められた閾値未満であってＥＧＲ率が低い状態のときに実行される。このように、もともとＥＧＲ率が低い状態のときには、ディザ制御の実行中に排気を吸気通路に戻しても燃焼状態の悪化は抑えられるため、ＥＧＲ率が低くなるように制限する必要が無い状態となっている。そこで、同構成では、このようにＥＧＲ率を制限する必要が無い状態のときにディザ制御処理を実行するようにしているため、ディザ制御の実行中における燃費の悪化を抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】一実施形態における制御装置及び内燃機関を示す模式図。
【図２】同実施形態の制御装置が実行する処理の一部を示すブロック図。
【図３】同実施形態における目標ＥＧＲ率の設定態様を示す概念図。
【図４】同実施形態においてディザ制御の実行可否を判定するための処理手順を示すフローチャート。
【図５】同実施形態におけるディザ制御の実行可否の推移を示すタイミングチャート。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、内燃機関の制御装置の一実施形態について、図１〜図５を参照しつつ説明する。
図１に示すように、内燃機関１０は、直列に並んだ第１気筒＃１、第２気筒＃２、第３気筒＃３、及び第４気筒＃４といった４つの気筒を備えている。
【００１１】
内燃機関１０の吸気通路１２の空気は、第１気筒＃１〜第４気筒＃４のそれぞれの燃焼室１４に吸入される。
燃焼室１４には、燃料を噴射する燃料噴射弁１６や火花放電を生じさせる点火プラグ１８が突出しており、燃料噴射弁１６から噴射された燃料と吸気通路１２から燃焼室１４に吸入された空気との混合気は、燃焼室１４で燃焼される。
【００１２】
燃焼された混合気は、排気として排気通路２０に排出される。排気通路２０には、酸素吸蔵能力を有しており排気を浄化する三元触媒２２が設けられている。
吸気通路１２は、ＥＧＲ通路６０を介して排気通路２０に接続されている。ＥＧＲ通路６０には、その流路断面積を変更するＥＧＲバルブ６２が設けられている。このＥＧＲバルブ６２は、弁体を駆動するアクチュエータを備えている。
【００１３】
制御装置３０は、内燃機関１０の各種制御を実行するために、燃料噴射弁１６、点火プラグ１８、ＥＧＲバルブ６２等の各種アクチュエータを操作する。制御装置３０は、各種制御を行うために、三元触媒２２の上流に設けられた空燃比センサ４０によって検出される空燃比Ａｆや、クランク角センサ４２によって検出される機関回転速度ＮＥ、エアフロメータ４４によって検出される吸入空気量Ｇａ等を参照する。制御装置３０は、中央処理装置（以下、ＣＰＵという）３２やメモリ３４等を備えており、メモリ３４に記憶されたプログラムをＣＰＵ３２が実行することにより、内燃機関１０の各種制御を実施する。
【００１４】
図２に、メモリ３４に記憶されたプログラムをＣＰＵ３２が実行することにより実現される処理の一部を示す。
ベース噴射量算出処理部Ｍ１０は、機関回転速度ＮＥ及び機関負荷ＫＬに基づき、燃焼室１４における混合気の空燃比を目標値Ａｆｐに制御するための開ループ操作量として、ベース噴射量Ｑｂを算出する。ここで、本実施形態では、目標値Ａｆｐを理論空燃比としている。また、本実施形態では、機関負荷ＫＬとして、現在の機関回転速度ＮＥにおける燃焼室１４への充填空気量の基準値に対する実際の充填空気量の割合である機関負荷率を使用している。この機関負荷率は、吸入空気量Ｇａ及び機関回転速度ＮＥに基づき算出される。
【００１５】
目標値設定処理部Ｍ１２は、燃焼室１４における混合気の空燃比の目標値Ａｆｐを設定する。
フィードバック処理部Ｍ１４は、空燃比センサ４０によって検出される空燃比Ａｆを目標値Ａｆｐにフィードバック制御するためのフィードバック補正値ＫＡＦを算出する。本実施形態では、目標値Ａｆｐから空燃比Ａｆを減算した値を入力とする比例要素、積分要素、及び微分要素の各出力値の和を、フィードバック補正値ＫＡＦとする。
【００１６】
要求噴射量算出処理部Ｍ１６は、ベース噴射量Ｑｂにフィードバック補正値ＫＡＦを乗算することによってベース噴射量Ｑｂを補正して要求噴射量Ｑｄを算出する。
要求値出力処理部Ｍ２０は、三元触媒２２の昇温要求が生じることを条件に、内燃機関１０の各気筒＃１〜＃４における空燃比の平均値を目標値Ａｆｐとしつつも、気筒間で空燃比を異ならせるディザ制御の噴射量補正要求値αを算出する。ここで、本実施形態にかかるディザ制御では、複数の気筒のうちの１つの気筒を、空燃比を目標値Ａｆｐよりもリッチとするリッチ燃焼気筒＃Ｒとし、残りの各気筒を、空燃比を目標値Ａｆｐよりもリーンとするリーン燃焼気筒＃Ｌとする。そして、リッチ燃焼気筒＃Ｒにおける噴射量を、上記要求噴射量算出処理部Ｍ１６の出力値の「１＋α」倍にする。また、リーン燃焼気筒＃Ｌにおける噴射量を、上記要求噴射量算出処理部Ｍ１６の出力値の「１−（α／３）」倍にする。
【００１７】
詳しくは、要求値出力処理部Ｍ２０は、機関回転速度ＮＥ及び機関負荷ＫＬに基づいて噴射量補正要求値αを可変設定する。この噴射量補正要求値αは、中負荷領域において最大とされる。これは、低負荷領域では中負荷領域と比較して燃焼が不安定なために、低負荷領域では中負荷領域よりも噴射量補正要求値αを大きくしにくいことと、高負荷領域では、ディザ制御を実行しなくても排気温度が高いこととを鑑みたものである。また、噴射量補正要求値αは、機関回転速度ＮＥが低い場合よりも高い場合に大きい値とされる。これは、機関回転速度ＮＥが低い場合よりも高い場合の方が燃焼が安定するために、噴射量補正要求値αを大きい値としやすいためである。
【００１８】
なお、本実施形態では、昇温要求は、三元触媒２２の暖機要求が生じる場合や、三元触媒２２の硫黄被毒回復処理の実行条件が成立する場合に生じるものとなっている。
三元触媒２２の暖機要求は、始動からの積算空気量が規定値以上となることにより、触媒の先端温度が活性温度となっていると判定されてから、内燃機関１０の冷却水の温度が所定温度以下且つ積算空気量が所定値（＞規定値）以下である場合に生じる要求となっている。
【００１９】
一方、硫黄被毒回復処理の実行条件は、三元触媒２２の硫黄被毒量が予め定められた判定値ＳＨ以上となる場合に成立する。なお、硫黄被毒量は周知の方法で算出可能である。例えば、機関回転速度ＮＥが高いほど、あるいは機関負荷ＫＬが高いほど、硫黄被毒量の増加量を多く算出して、その増加量を積算することによって算出してもよい。
【００２０】
リッチ補正係数算出処理部Ｍ２２は、噴射量補正要求値αに「１」を加算することにより、リッチ燃焼気筒＃Ｒに関し、要求噴射量算出処理部Ｍ１６の出力値を補正する補正係数であるリッチ補正係数ＲＨ（＝１＋α）を算出する。
【００２１】
乗算処理部Ｍ２４は、噴射量補正要求値αを「−１／３」倍する。
リーン補正係数算出処理部Ｍ２６は、乗算処理部Ｍ２４の出力値「−α／３」に「１」を加算することにより、リーン燃焼気筒＃Ｌに関し、要求噴射量算出処理部Ｍ１６の出力値を補正する補正係数であるリーン補正係数ＬＨ（＝１−（α／３））を算出する。
【００２２】
ディザ補正処理部Ｍ２８は、要求噴射量算出処理部Ｍ１６の出力値に上記リッチ補正係数ＲＨを乗算することによって、リッチ燃焼気筒＃Ｒの噴射量指令値であるリッチ気筒噴射量指令値Ｑｐ（Ｒ）を算出する。
【００２３】
ディザ補正処理部Ｍ３０は、要求噴射量算出処理部Ｍ１６の出力値に上記リーン補正係数ＬＨを乗算することによって、リーン燃焼気筒＃Ｌの噴射量指令値であるリーン気筒噴射量指令値Ｑｐ（Ｌ）を算出する。
【００２４】
噴射量制御処理部Ｍ５０は、リッチ気筒噴射量指令値Ｑｐ（Ｒ）及びリーン気筒噴射量指令値Ｑｐ（Ｌ）に基づき、リッチ燃焼気筒＃Ｒに設定された気筒及びリーン燃焼気筒＃Ｌに設定された気筒のそれぞれに設けられた各燃料噴射弁１６の操作信号ＭＳ１を生成して各燃料噴射弁１６に出力する。そして、リッチ燃焼気筒の燃料噴射弁１６から噴射される燃料量がリッチ気筒噴射量指令値Ｑｐ（Ｒ）となり、リーン燃焼気筒の燃料噴射弁１６から噴射される燃料量がリーン気筒噴射量指令値Ｑｐ（Ｌ）となるように、各燃料噴射弁１６を操作する。なお、各気筒＃１〜＃４のうちでリッチ燃焼気筒＃Ｒとなる気筒は、１燃焼サイクルよりも長い周期で変更されることが望ましい。また、噴射量補正要求値αが「０（ゼロ）」の場合には、ディザ補正処理部Ｍ２８，Ｍ３０によって、要求噴射量Ｑｄに「１」が乗算される。そのため、噴射量補正要求値αが「０」の場合には要求噴射量Ｑｄがそのまま各気筒＃１〜＃４の噴射量指令値となる。つまり、噴射量補正要求値αが「０」の場合にはディザ制御は実行されないことになる。
【００２５】
ＥＧＲ率設定処理部Ｍ３２は、機関回転速度ＮＥ及び機関負荷ＫＬに基づき、ＥＧＲ通路６０を介して吸気通路１２に流入する排気の量（ＥＧＲ量）を調整するための指令値である目標ＥＧＲ率Ｅｐを算出する。なお、ＥＧＲ率とは、筒内充填ガス総量に対するＥＧＲ量の比率のことである。
【００２６】
図３に、本実施形態での目標ＥＧＲ率Ｅｐの設定態様を示す。なお、図３に示す設定態様は一例であり、適宜変更することができる。同図３に示すように、本実施形態では、混合気の燃焼安定性が許容範囲内となる条件下において、目標ＥＧＲ率Ｅｐは極力高い値（ＥＧＲ量が多くなる値）に設定される。これは、ＥＧＲ率が高い場合は、低い場合よりも内燃機関１０の燃費が向上するためである。詳しくは、本実施形態では、ＥＧＲ率が高い順に、第１ＥＧＲ率Ａ、第２ＥＧＲ率Ｂ、第３ＥＧＲ率Ｃが設定されている。そして、中回転中負荷領域では目標ＥＧＲ率Ｅｐとして第１ＥＧＲ率Ａが設定される。また、第１ＥＧＲ率Ａが設定される運転領域よりも外側の運転領域では目標ＥＧＲ率Ｅｐとして第２ＥＧＲ率Ｂが設定される。また、第２ＥＧＲ率Ｂが設定される運転領域よりも外側の運転領域では目標ＥＧＲ率Ｅｐとして第３ＥＧＲ率Ｃが設定される。そして、第３ＥＧＲ率Ｃが設定される運転領域よりも外側の運転領域では目標ＥＧＲ率Ｅｐが「０」に設定される。
【００２７】
開口量操作処理部Ｍ３４は、目標ＥＧＲ率Ｅｐ及び吸入空気量Ｇａに基づき、実際のＥＧＲ率が目標ＥＧＲ率ＥｐとなるようにＥＧＲバルブ６２の開口量を操作する操作信号ＭＳ３をＥＧＲバルブ６２に出力して、同ＥＧＲバルブ６２の開口量を操作する。
【００２８】
次に、図４を用いて、要求値出力処理部Ｍ２０が実行する処理の一部について説明する。この図４に示す処理は、メモリ３４に記憶されたプログラムをＣＰＵ３２が所定周期で繰り返し実行することにより実現される。なお、以下では、先頭に「Ｓ」が付与された数字によって、ステップ番号を表現する。
【００２９】
図４に示す一連の処理において、ＣＰＵ３２は、硫黄被毒回復処理の実行要求があるか否かを判定する（Ｓ１００）。このＳ１００では、三元触媒２２の硫黄被毒量が上記判定値ＳＨ以上となっており、硫黄被毒回復処理の実行条件が成立しているときに、硫黄被毒回復処理の実行要求があると判定される。
【００３０】
そして、硫黄被毒回復処理の実行要求がないときには（Ｓ１００：ＮＯ）、ＣＰＵ３２は、ディザ制御を非実行とする（Ｓ１５０）。こうしたディザ制御の非実行は、上述した噴射量補正要求値αを「０」に設定することなどによって実施される。そして、ＣＰＵ３２は、本処理を一旦終了する。
【００３１】
一方、硫黄被毒回復処理の実行要求があるときには（Ｓ１００：ＹＥＳ）、ＣＰＵ３２は、内燃機関１０が始動してからの吸入空気量Ｇａの積算値ＩｎＧが予め定められた閾値ＩｎｔｈＬ以上であるか否かを判定する（Ｓ１１０）。この吸入空気量Ｇａの積算値ＩｎＧが閾値ＩｎｔｈＬ以上である旨の条件は、三元触媒２２の上流側の端部の温度が、触媒活性温度に達していることを判定するための条件である。この条件は、リッチ燃焼気筒＃Ｒから排出された排気中の未燃燃料成分や不完全燃焼成分と、リーン燃焼気筒＃Ｌから排出された排気中の酸素との反応を三元触媒２２によって促進し、効果的に三元触媒２２を昇温させるための条件である。ちなみに、積算値ＩｎＧは、内燃機関１０の始動時以降、燃焼室１４にて混合気が燃焼することにより三元触媒２２が受熱した熱エネルギの総量と相関を有する値として利用しており、上記積算値ＩｎＧとは異なる値を使って、三元触媒２２の上流側の端部の温度が触媒活性温度に達していることを判定してもよい。
【００３２】
そして、吸入空気量Ｇａの積算値ＩｎＧが閾値ＩｎｔｈＬ未満であるときには（Ｓ１１０：ＮＯ）、ＣＰＵ３２は、ディザ制御を非実行として（Ｓ１５０）、本処理を一旦終了する。
【００３３】
一方、吸入空気量Ｇａの積算値ＩｎＧが閾値ＩｎｔｈＬ以上であるときには（Ｓ１１０：ＹＥＳ）、ＣＰＵ３２は、現在設定されている目標ＥＧＲ率Ｅｐが閾値Ｍ未満であるか否かを判定する（Ｓ１２０）。この閾値Ｍには、ディザ制御の実行中にＥＧＲ制御を通じて排気の一部を吸気通路１２に戻すと、許容できない程度に燃焼が悪化する場合のＥＧＲ率の下限値が設定されている。一例として本実施形態では、可変設定される上記目標ＥＧＲ率Ｅｐの最大値である上記第１ＥＧＲ率Ａが設定されているが、他の値を設定してもよい。
【００３４】
そして、目標ＥＧＲ率Ｅｐが閾値Ｍ未満ではないときには（Ｓ１２０：ＮＯ）、つまり目標ＥＧＲ率Ｅｐが閾値Ｍ以上であって高いＥＧＲ率が設定されているときには、ＣＰＵ３２は、ディザ制御を非実行として（Ｓ１５０）、本処理を一旦終了する。
【００３５】
一方、目標ＥＧＲ率Ｅｐが閾値Ｍ未満であるときには（Ｓ１２０：ＹＥＳ）、ＣＰＵ３２は、ディザ制御を実行する（Ｓ１４０）、こうしたディザ制御の実行は、上述した機関回転速度ＮＥ及び機関負荷ＫＬに基づく噴射量補正要求値αの設定を実施することによって実行される。そして、ＣＰＵ３２は、本処理を一旦終了する。
【００３６】
次に、図５を参照して、先の図４に示した処理の作用を説明する。なお、図５に示す状態では、吸入空気量Ｇａの積算値ＩｎＧがすでに上記閾値ＩｎｔｈＬ以上になっている。
図５に示すように、機関運転中は硫黄被毒量が徐々に増大していき、時刻ｔ１において判定値ＳＨに達することにより、硫黄被毒回復処理の実行条件が成立する。しかし、時刻ｔ１以降において目標ＥＧＲ率Ｅｐが上記閾値Ｍ（＝第１ＥＧＲ率Ａ）以上になっている場合には、先の図４に示したステップＳ１２０の処理において否定判定されるため、ディザ制御は実行されない。
【００３７】
そして、時刻ｔ１以降の時刻ｔ２において、目標ＥＧＲ率Ｅｐが閾値Ｍ未満になると、先の図４に示したステップＳ１２０の処理において肯定判定されるため、ディザ制御が実行される。
【００３８】
このように、本実施形態では先の図３に示すように、第１ＥＧＲ率Ａが目標ＥＧＲ率Ｅｐとして設定されることによりＥＧＲ率が高くなる運転領域（斜線で示す領域）は、ディザ制御の非実行領域となっている。一方、第１ＥＧＲ率Ａ以外の値が目標ＥＧＲ率Ｅｐとして設定されることによりＥＧＲ率が低くなる運転領域は、ディザ制御の実行領域となっている。
【００３９】
以上説明した本実施形態によれば、次の効果を得ることができる。
（１）ＥＧＲ率が低い状態のときには、ディザ制御の実行中に排気を吸気通路１２に戻しても燃焼状態の悪化は抑えられるため、ＥＧＲ率が低くなるように制限する必要が無い状態となっている。そこで、本実施形態では、目標ＥＧＲ率Ｅｐが閾値Ｍ未満であることを含む実行条件が満たされることにより、実際のＥＧＲ率が低い状態になるとき、つまり燃焼状態の悪化を抑えるためのＥＧＲ率の制限を実施する必要が無い状態のときにディザ制御が実行されるため、ディザ制御の実行中における燃費の悪化を抑えることができる。
【００４０】
なお、上記実施形態は、以下のように変更して実施することもできる。
・上記実施形態では、実際のＥＧＲ率が目標ＥＧＲ率ＥｐになるようにＥＧＲバルブ６２が制御されることを鑑み、先の図４に示したステップＳ１２０では目標ＥＧＲ率Ｅｐと閾値Ｍとを比較した。この他、ＥＧＲバルブ６２の実際の開口量、吸入空気量Ｇａ、機関回転速度ＮＥ、機関負荷ＫＬ等に基づいて実際のＥＧＲ率を算出し、その算出した値と閾値Ｍとを比較してもよい。
【００４１】
・昇温対象となる触媒としては、三元触媒２２に限らない。例えば三元触媒を備えたガソリンパティキュレートフィルタ（ＧＰＦ）であってもよい。ここで、ＧＰＦを上記三元触媒２２の下流に設ける場合には、三元触媒２２においてリッチ燃焼気筒＃Ｒの未燃燃料成分や不完全燃焼成分がリーン燃焼気筒＃Ｌの酸素によって酸化する際に生じる酸化熱を利用して、ＧＰＦを昇温してもよい。なお、ＧＰＦの上流に酸素吸蔵能力を有した触媒が存在しない場合、ＧＰＦに酸素吸蔵能力を有した触媒を備えることが望ましい。
【００４２】
・昇温要求としては、上記実施形態において例示したものに限らない。たとえば、三元触媒２２に硫黄が堆積しやすい運転領域（たとえばアイドリング運転領域）である場合に、昇温要求を生じさせてもよい。また、上述したＧＰＦを備える内燃機関１０を制御対象とする場合には、ＧＰＦ内の微粒子状物質を燃焼させるためにディザ制御による昇温要求を生じさせてもよい。
【００４３】
・上記実施形態では、リーン燃焼気筒＃Ｌの数をリッチ燃焼気筒＃Ｒの数よりも多くしたが、これに限らない。たとえば、リーン燃焼気筒＃Ｌの数とリッチ燃焼気筒＃Ｒの数とを同一にしてもよい。なお、リーン燃焼気筒＃Ｌの数とリッチ燃焼気筒＃Ｒの数との合計が、内燃機関１０の気筒数に一致することも必須ではなく、例えば特定の気筒についてその燃焼室１４における空燃比を理論空燃比とすることにより、リーン燃焼気筒＃Ｌ及びリッチ燃焼気筒＃Ｒのいずれでもない気筒としてもよい。
【００４４】
・制御装置３０としては、ＣＰＵ３２とメモリ３４とを備えて、ソフトウェア処理を実行するものに限らない。たとえば、上記実施形態においてソフトウェア処理されたものの少なくとも一部を、ハードウェア処理する専用のハードウェア回路（たとえばＡＳＩＣ等）を備えてもよい。すなわち、制御装置は、以下の（ａ）〜（ｃ）のいずれかの構成であればよい。なお、処理装置及びメモリの組や、専用のハードウェア回路は複数であってもよい。
【００４５】
（ａ）上記処理の全てを、プログラムに従って実行する処理装置と、プログラムを記憶するメモリとを備える。
（ｂ）上記処理の一部をプログラムに従って実行する処理装置及びプログラムを記憶するメモリと、残りの処理を実行する専用のハードウェア回路とを備える。
【００４６】
（ｃ）上記処理の全てを実行する専用のハードウェア回路を備える。
・内燃機関１０としては、４気筒の内燃機関に限らない。たとえば直列６気筒の内燃機関でもよい。また、例えば、Ｖ型の内燃機関等、第１の触媒と第２の触媒とを備え、それぞれによって排気が浄化される気筒が異なるものであってもよい。
【００４７】
・燃料噴射弁１６としては、燃焼室１４に燃料を直接噴射するものに限らず、たとえば吸気通路１２に燃料を噴射するものでもよい。
【符号の説明】
【００４８】
１０…内燃機関、１２…吸気通路、１４…燃焼室、１６…燃料噴射弁、１８…点火プラグ、２０…排気通路、２２…三元触媒、３０…制御装置、３２…中央処理装置（ＣＰＵ）、３４…メモリ、４０…空燃比センサ、４２…クランク角センサ、４４…エアフロメータ、６０…ＥＧＲ通路、６２…ＥＧＲバルブ、＃１…第１気筒、＃２…第２気筒、＃３…第３気筒、＃４…第４気筒。
【図１】
2019031960.tif 000003
【図２】
2019031960.tif 000004
【図３】
2019031960.tif 000005
【図４】
2019031960.tif 000006
【図５】
2019031960.tif 000007