(57)【要約】【課題】クリーニング後に部分的に除去しきれない薄膜が電極表面に残ったり、電極部材を過剰にエッチングしたりすることなく電極に堆積した膜を除去できる電極クリーニング機構を提供する【解決手段】プラズマＣＶＤ法によって基材に薄膜を形成する薄膜形成装置の電極クリーニング機構において、プラズマを発生させる電極に付着した薄膜を除去するためのクリーニングガスを供給するクリーニングガス供給部と、前記電極の表面に供給される前記クリーニングガスの供給量分布を調節するクリーニングガス分布調節手段と、を有する。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマＣＶＤ法によって基材に薄膜を形成する薄膜形成装置の電極クリーニング機構において、
プラズマを発生させる電極に付着した薄膜を除去するためのクリーニングガスを供給するクリーニングガス供給部と、
前記電極の表面に供給される前記クリーニングガスの供給量分布を調節するクリーニングガス分布調節手段と、
を有することを特徴とする、電極クリーニング機構。
【請求項２】
前記クリーニングガス供給部は前記クリーニングガスを吹き出す複数の開口部を有し、
前記クリーニングガス供給部の所定の区間ごとの前記開口部の開口面積の和を前記所定の区間ごとに調節したクリーニングガス分布調節手段であることを特徴とする、請求項１に記載の電極クリーニング機構。
【請求項３】
前記クリーニングガス供給部は複数設けられており、
複数の前記クリーニングガス供給部にそれぞれ供給されるクリーニングガスの供給量を個別に調節するクリーニングガス供給量制御手段を有することを特徴とする、請求項１または２に記載の電極クリーニング機構。
【請求項４】
前記クリーニングガス分布調節手段は、前記電極の表面近傍の前記クリーニングガスの圧力分布を調節する圧力分布調節手段であることを特徴とする、請求項１に記載の電極クリーニング機構。
【請求項５】
前記圧力分布調節手段は、前記クリーニングガスの排気側の前記クリーニングガスの流量分布を調節することを特徴とする、請求項４に記載の電極クリーニング機構。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基材上に薄膜を形成するための薄膜形成装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年では、プラスチックフィルムの表面に、例えば、酸化防止、水分浸入防止等を目的としたバリア膜を形成したバリアフィルムが使用されている。
【０００３】
このようなバリアフィルムは、例えば、下記特許文献１に示すような成膜装置によって、プラズマＣＶＤ法で基材にバリア膜を形成する。ここで、プラズマ化された原料ガスは、成膜室の内壁や製膜室内に設けられたプラズマを発生させるための電極等にも付着、堆積し膜となる。これらの成膜室内に付着、堆積した膜を放置すると、付着した膜が剥離しパーティクルとなって基材に付着するおそれがあった。また、電極に付着した膜はプラズマの発生に支障をきたし、薄膜形成装置の成膜能力が低下するおそれがあった。特許文献１では、クリーニングガスを成膜室内に導入し、成膜室内に設けられた電極によってクリーニングガスによるプラズマを発生させることで、成膜室内に付着、堆積した膜をエッチングすることが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−２０２０６９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１に示す成膜装置では、図１（Ａ）に示すように、成膜プロセスによって電極１に付着、堆積する膜２の厚み（Ｔ）をＺ軸方向、電極１の長手方向をＹ軸方向として電極１の表面に堆積する膜２の厚み（Ｔ）の分布を表した膜の堆積レート３は、電極１の長手方向（Ｙ軸方向）において一定値ではない。また、図１（Ｂ）に示すように、電極１の表面に堆積する膜２に対してクリーニングガスによるプラズマを発生させて膜２を除去するクリーニングプロセスを実施したときに、除去できる膜２の量であるエッチング量（Ｅ）をＺ軸方向に表し、電極１の長手方向をＹ軸方向としてクリーニングプロセスによる膜２のエッチング量（Ｅ）の分布を表したエッチングレート４と堆積レート３とが一致しない可能性がある。
【０００６】
この場合、図１（Ｃ）に示すように、エッチングレート４より膜の堆積レート３が大きい範囲Ｎ１については、電極１の表面に部分的に除去できない膜が残ってしまうおそれがあった。これに対して、クリーニングプロセスによる膜２のエッチング量を大きくするためにクリーニングガスの流量を増やしクリーニングガスによるプラズマを多く発生させると、図１（Ｄ）に示すように、エッチングレート４が部分的に膜の堆積レート３より多くなる箇所Ｎ２ができる。このＮ２の箇所では、電極１の部材が過剰にエッチングされてしまい、電極１の部材の寿命が短くなってしまうおそれがあった。
【０００７】
本発明は、上記の問題点を鑑みてなされたものであり、クリーニング後に部分的に除去しきれない薄膜が電極表面に残ったり電極部材を過剰にエッチングしたりすることなく、電極に堆積した膜を除去できる電極クリーニング機構を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
以上の課題を解決するために、本発明の電極クリーニング機構は、プラズマＣＶＤ法によって基材に薄膜を形成する薄膜形成装置の電極クリーニング機構において、プラズマを発生させる電極に付着した薄膜を除去するためのクリーニングガスを供給するクリーニングガス供給部と、前記電極の表面に供給される前記クリーニングガスの供給量分布を調節するクリーニングガス分布調節手段と、を有することを特徴とする。
【０００９】
電極に付着する薄膜の厚み分布に応じて電極表面に供給されるクリーニングガスの電極長手方向の供給量分布を調節することにより、堆積レートとエッチングレートを一致させることが可能であり、クリーニング後に部分的に除去しきれない薄膜が電極表面に残ったり、電極部材を過剰にエッチングし電極部材の寿命を縮めるたりすることを防ぐことができる。
【００１０】
また、前記クリーニングガス供給部は前記クリーニングガスを吹き出す複数の開口部を有し、前記クリーニングガス供給部の所定の区間ごとの前記開口部の開口面積の和を前記所定の区間ごとに調節したクリーニングガス分布調節手段であってもよい。
【００１１】
クリーニングガス供給部の開口部の穴径を部分的に大きくしたり、穴の数量を変化させたりしたクリーニングガス供給部を用いることで、クリーニングガスの供給量分布を調節できる。
【００１２】
また、前記クリーニングガス供給部は複数設けられており、複数の前記クリーニングガス供給部にそれぞれ供給されるクリーニングガスの供給量を個別に調節するクリーニングガス供給量制御手段を有していてもよい。
【００１３】
複数のクリーニングガス供給部へのクリーニングガス供給量を個別に調節することで、クリーニングガス供給部を改造したり交換したりしなくてもクリーニングガス供給量分布を調節できる。
【００１４】
また、前記クリーニングガス分布調節手段は、前記電極の表面近傍の前記クリーニングガスの圧力分布を調節する圧力分布調節手段を有していてもよい。
【００１５】
電極周辺の空間にクリーニングガスの圧力分布を調節することにより、電極長手方向のクリーニングガス供給量分布を調節できる。
【００１６】
前記圧力分布調節手段は、前記クリーニングガスの排気側の前記クリーニングガスの流量分布を調節してもよい。
【００１７】
クリーニングガスの排気側を調節しクリーニングガスの滞留しやすい箇所をつくることで、電極長手方向のクリーニングガスの圧力分布を調節できるので、電極と基材の間に特別な機構を設けることなく電極長手方向のクリーニングガス供給量分布を調節できる。
【発明の効果】
【００１８】
本発明の電極クリーニング機構を用いることで、クリーニング後に部分的に除去しきれない薄膜が電極表面に残ったり電極部材を過剰にエッチングしたりすることなく、電極に堆積した膜を除去できる
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】電極の長手方向に堆積する膜の厚み分布とクリーニングによる膜の除去の関係を説明する概念図である。
【図２】本発明の実施例１の電極クリーニング機構が用いられる成膜装置を説明する図である。
【図３】図２のａ矢視方向から見た図である。
【図４】本発明の実施例１の電極クリーニング機構を説明する図である。
【図５】本発明の実施例２の電極クリーニング機構を説明する図である。
【図６】本発明の実施例３の電極クリーニング機構を説明する図である。
【図７】本発明の実施例４の電極クリーニング機構を説明する図である。
【図８】本発明のクリーニングガス供給量分布の調節の一例を説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下に本発明の実施例について説明する。
【実施例１】
【００２１】
本発明の電極クリーニング機構が用いられる成膜装置１００は、図２に示すように、帯状の基材１０１の幅方向（Ｙ軸方向）を中心軸方向として回転するメインロール１０２と、メインロール１０２に対向するようにメインロール１０２の周方向に形成された成膜部１０３と、基材１０１を搬送する図示しない基材搬送部と、を有している。
【００２２】
ここで、図示しない基材搬送部は、基材１０１をメインロール１０２に沿うように当接させ、所定の張力をかけながら基材１０１を搬送する。
【００２３】
また、成膜部１０３は、原料ガス供給部１０４、電極１０５、マスク１０６、電極クリーニング機構１０と成膜チャンバー１０７を有し、メインロール１０２の周方向に形成された間仕切られた空間を形成する成膜チャンバー１０７内に原料ガス供給部１０４、電極１０５、マスク１０６と電極クリーニング機構１０が設けられている。
【００２４】
電極１０５は図２のａ矢視方向から見た図である図３に示すようにＵ字形状の２か所の直線部が基材１０１の幅方向（Ｙ軸方向）に長い形状を有し、高周波電圧が印加されるＵ字形状の端部１０９と、端部１０９と反対側のＲ部１１０が成膜チャンバー１０７の外側にそれぞれ出ている。Ｕ字形状の電極１０５の2か所の直線部は、メインロール１０２の回転軸と平行であり２か所の直線部のそれぞれの電極表面からメインロール１０２のロール表面までの距離が等しい位置関係でメインロール１０２の周方向にメインロール１０２と対向している。
【００２５】
原料ガス供給部１０４は、図３に示すように基材１０１の幅方向（Ｙ軸方向）に長い形状を有し、図２に示すようにメインロール１０２のロール表面近傍で電極１０５に比較的近い位置で、メインロール１０２の回転軸と平行な位置関係でメインロール１０２の周方向にメインロール１０２と対向している。原料ガス供給部１０４の基材１０１と対向する面には基材１０１の幅方向にわたって複数の原料ガス供給口１０４ａが設けられ、基材１０１の幅方向にわたって略均等に薄膜の原料ガスが供給される。原料ガス供給部１０４から薄膜の原料ガスを供給した状態で電極１０５に高周波電圧を印加することにより、原料ガスはプラズマ化された状態となり、プラズマＣＶＤ法によって基材１０１に蒸着膜が形成される。ただし、その際に電極１０５などにもプラズマ化された原料ガスが蒸着膜として少なからず付着する。
【００２６】
マスク１０６は、メインロール１０２と原料ガス供給部１０４との間に位置し原料ガスを通過させる部分を制限するガス通過部を有する板状の部材であり、プラズマ化された原料ガスがマスク１０６のガス通過部を通過してから基材１０１に届くことで、基材１０１にプラズマ化した原料ガスが膜として付着する範囲を規制している。
【００２７】
原料ガス供給部１０４から供給された原料ガスを電極１０５にてプラズマ化させた状態で、図示しない基材搬送部により基材１０１をメインロール１０２に沿わせた状態で成膜部１０３を通過させることにより、基材１０１上に蒸着膜が形成される。
【００２８】
電極クリーニング機構１０は、クリーニングガス供給部１１を有している。クリーニングガス供給部１１は図３に示すように電極１０５の長手方向（Ｙ軸方向）に長い形状を有し、原料ガス供給部１０４よりも電極１０５に近い電極１０５の電極表面近傍で電極１０５と対向している。電極１０５と対向する面には、電極１０５の長手方向（Ｙ軸方向）にわたって複数の開口部であるクリーニングガス供給口１１ａが設けられている。
【００２９】
複数のクリーニングガス供給口１１ａからクリーニングガスを電極１０５に向けて吹き出すことによってクリーニングガスを電極１０５の表面に向けて供給し、この状態で電極１０５に高周波電圧を印加することにより、クリーニングガスはプラズマ化された状態となり、電極１０５に付着した薄膜を除去、すなわちエッチングする。
【００３０】
本発明の実施例１の電極クリーニング機構１０のクリーニングガス供給部１１は、電極１０５の表面に供給されるクリーニングガスの電極１０５の長手方向の供給量分布を調節するクリーニングガス分布調節手段の機能を兼ね備えていることを特徴としている。これについて図４を用いて説明する。図４（Ａ）は、図２の電極クリーニング機構１０のｂ矢視であり、図４（Ｂ）は図４（Ａ）のｃ矢視である。
【００３１】
実施例１の電極クリーニング機構１０の複数の開口部であるクリーニングガス供給口１１ａは、図４（Ａ）に示すようにそれぞれ等しい開口面積を有しており、図２の電極１０５の長手方向（Ｙ軸方向）に電極１０５に対応するように分割した区間Ｚ１、Ｚ２、Ｚ３、Ｚ４、Ｚ５ごとの開口面積の区間ごとの和を個別に調節するようにクリーニングガス供給口１１ａの区間ごとの数が変えられている。具体的には、上述の図１（Ａ）、（Ｂ）を用いて説明した電極１０５の長手方向（Ｙ軸方向）に電極１０５の表面に堆積する膜の堆積レートと一致したエッチングレートになるようなクリーニングガスの供給量分布にするために、区間Ｚ１、Ｚ２、Ｚ３、Ｚ４、Ｚ５ごとに設けられるクリーニングガス供給口１１ａの数量とその配置間隔があらかじめ調節されている。
【００３２】
本実施例では図４（Ａ）に示すように区間Ｚ１、Ｚ３、Ｚ４のクリーニングガス供給口１１ａの数量を区間Ｚ２、Ｚ３と比較して少なくしている。こうすることにより電極の長手方向（Ｙ軸方向）におけるクリーニングガスの供給量の分布を図４（Ｂ）に示すような区間Ｚ２，Ｚ３で多くなるような分布に調節する。こうすることにより、理想的なエッチングレートになるように調節できる。
【００３３】
ここで、この所定の区間ごとのクリーニングガス供給口１１ａの開口面積の和を所定の区間ごとにする調節は、たとえば、同じ開口面積を有するクリーニングガス供給口１１ａを電極１０５の長手方向（Ｙ軸方向）にクリーニングガス供給部１０の電極１０５と対向する部分に設けておき、まず、その状態でクリーニングガスをクリーニングガス供給部１０より供給し、電極１０５に高周波電圧を印加しクリーニングを行い、電極１０５の長手方向（Ｙ軸方向）に堆積した膜の除去結果を確認し、その膜の除去結果から、複数のクリーニングガス供給口１１ａのうち、いくつかを塞ぐことによって、供給されるクリーニングガスの流量分布を変化させ、理想的なエッチングレートになるように調節するトライアンドエラーによる調節であってもよい。また、シミュレーション等による調節でもよい。
【００３４】
この電極クリーニング機構１０により、電極１０５の長手方向に関して、電極１０５の成膜レートと一致したエッチングレートになるような供給量の分布でクリーニングガスが供給される。こうすることで、電極１０５に堆積した膜を均一に除去できる。
【実施例２】
【００３５】
実施例２の電極クリーニング機構２０について、図２および図５を用いて説明する。図５（Ａ）は、図２のｂ矢視の方向からみた電極クリーニング機構２０を表す図であり、図５（Ｂ）は図５（Ａ）のｄ矢視である。
【００３６】
実施例２の電極クリーニング機構２０は、実施例１の電極クリーニング機構１０と比べて、クリーニングガス供給部２１に設けられた複数の開口部であるクリーニングガス供給口２１ａはそれぞれ等しい開口面積ではなく、異なる開口面積であることが異なる。
【００３７】
本実施例では図５（Ａ）に示すように区間Ｚ１、Ｚ４．Ｚ５のクリーニングガス供給口１１ａの各区間の５つの開口は全て同じ開口面積であるのに対して、区間Ｚ２、Ｚ３のクリーニングガス供給口２１ａの各区間の５つの開口のうち３つについて、他の開口面積より大きい開口を有するクリーニングガス供給口２１ａ’にしている。こうすることにより電極の長手方向（Ｙ軸方向）におけるクリーニングガスの供給量の分布を図５（Ｂ）に示すような区間Ｚ２，Ｚ３で多くなるような分布にしている。こうすることにより、理想的なエッチングレートになるようにあらかじめ所定の区間ごとの開口面積の和を調節できる。
【００３８】
ここでクリーニングガス供給口２１ａにあらかじめされる調節は、複数のクリーニングガス供給口２１ａを同じ開口面積にしておき、この状態でのクリーニングプロセスによるエッチングレートと膜の堆積レートとの差から、複数のクリーニングガス供給口２１ａのうち、いくつかのクリーニングガス供給口２１ａの開口の大きさを変更するトライアンドエラーによる調節でもよいし、シミュレーション等による調節でもよい。
【００３９】
この電極クリーニング機構２０により、電極１０５の長手方向（Ｙ軸方向）に関して、電極１０５の成膜レートと一致したエッチングレートになるような供給量分布でクリーニングガスが供給される。こうすることで、電極クリーニング機構２０によるクリーニング後に部分的に除去しきれない薄膜が電極１０５の表面に残ったり、電極１０５の電極部材を過剰にエッチングしたりすることなく電極１０５に堆積した膜を除去できる。
【実施例３】
【００４０】
実施例３の電極クリーニング機構３０について、図２および図６を用いて説明する。図６（Ａ）は、図２のｂ矢視の方向からみた電極クリーニング機構３０を表す図であり、図６（Ｂ）は図６（Ａ）のｅ矢視である。
【００４１】
実施例３の電極クリーニング機構３０は、電極１０５の長手方向（Ｙ軸方向）に複数設けられたクリーニングガス供給部３１（３１ａ、３１ｂ、３１ｃ、３１ｄ、３１ｅ）と、複数のクリーニングガス供給部３１（３１ａ、３１ｂ、３１ｃ、３１ｄ、３１ｅ）にそれぞれ連通し図示しないクリーニングガス供給源からクリーニングガスを複数のクリーニングガス供給部３１（３１ａ、３１ｂ、３１ｃ、３１ｄ、３１ｅ）にそれぞれ供給する複数の配管３２（３２ａ、３２ｂ、３２ｃ、３２ｄ、３２ｅ）と、複数の配管３２（３２ａ、３２ｂ、３２ｃ、３２ｄ、３２ｅ）の途中にそれぞれ設けられクリーニングガス供給部３１（３１ａ、３１ｂ、３１ｃ、３１ｄ、３１ｅ）へのクリーニングガスの流量を個別に調節するクリーニングガス供給量制御手段である複数の流量制御バルブ３３（３３ａ、３３ｂ、３３ｃ、３３ｄ、３３ｅ）とを有している。
【００４２】
この流量制御バルブ３３（３３ａ、３３ｂ、３３ｃ、３３ｄ、３３ｅ）を個別に調節することにより電極１０５の長手方向（Ｙ軸方向）へのクリーニングガス供給量分布を電極１０５の成膜レートと一致したエッチングレートになるような供給量分布でクリーニングガスが供給される。
【００４３】
具体的には、たとえば、流量調節バルブ３３ｂ、３３ｃの開度を流量調節バルブ３３ａ、３３ｄ、３３ｅより大きくすることにより、図６（Ｂ）に示すような区間Ｚ２、Ｚ３のクリーニングガス供給量が区間Ｚ１、Ｚ４、Ｚ５より大きいクリーニングガス供給量分布となるように調節できる。こうすることで、クリーニングガス供給部を改造したり交換したりしなくてもクリーニングガス供給量分布を調節でき、クリーニング後に部分的に除去しきれない薄膜が電極１０５の表面に残ったり、電極１０５の電極部材を過剰にエッチングしたりすることなく電極１０５に堆積した膜を除去できる。
【実施例４】
【００４４】
実施例４の電極クリーニング機構４０について、図７を用いて説明する。図７は、図２のｂ矢視の方向からみた電極クリーニング機構４０を表す図である。
【００４５】
実施例４のクリーニング機構４０は、クリーニングガス供給部４１と、成膜部１０３の排気口１０８と電極１０５との間に位置する電極１０５の表面近傍のクリーニングガスの圧力分布を調節する圧力分布調節手段である邪魔板４５とを有している。
【００４６】
クリーニングガス供給部４１は、電極１０５と対向するように設けられており、クリーニングガス供給部４１の電極１０５と対向する部分には、電極１０５の長手方向（Ｙ軸方向）にわたって複数のクリーニングガス供給口４１ａが均等な間隔で設けられており、電極１０５の長手方向（Ｙ軸方向）に略均等な供給量分布でクリーニングガスが供給される。
【００４７】
邪魔板４５は、電極１０５の長手方向（Ｙ軸方向）の一部の範囲において、電極１０５に対向するように設けられている。邪魔板４５と電極１０５との間の空間のクリーニングガス供給部４１から供給されたクリーニングガスが排気口１０８に向かう流れは、邪魔板４５がない空間のクリーニングガスが排気口１０８へ向かう流れと比べて遅くなり、邪魔板４５と電極１０５との間の空間にクリーニングガスの滞留が生じる。このクリーニングガスの滞留によって電極１０５周辺にクリーニングガスの圧力分布が生じ、この影響を受けて電極１０５の長手方向（Ｙ軸方向）のクリーニングガス供給量分布が変化する。この現象を利用し、邪魔板４５の位置をあらかじめ変化させて電極１０５の表面近傍のクリーニングガスの圧力分布を調節し、電極１０５の長手方向（Ｙ軸方向）のクリーニングガス供給量分布を調節する。具体的には図７に示すように電極１０５の長手方向（Ｙ軸方向）に分割した区間Ｚ１、Ｚ２、Ｚ３、Ｚ４、Ｚ５のうち、区間Ｚ１、Ｚ２，Ｚ３のクリーニングガス供給部４１を挟んで向こう側の排気口１０８とクリーニングガス供給部４１との間に邪魔板４５を設ける。こうすることにより、邪魔板４５が抵抗となり、図７に破線の矢印で表した区間Ｚ１、Ｚ２へ吹き出されたクリーニングガスの排気口１０８に向かう流れは、図７に太い実線の矢印で表した区間Ｚ４、Ｚ５へ吹き出されたクリーニングガスの排気口１０８へ向かう流れより流れにくくなる。これにより区間Ｚ１、Ｚ２で電極１０５の表面にクリーニングガスの滞留が生じ、区間Ｚ１、Ｚ２の電極表面近傍のクリーニングガスの圧力が高くなる。この結果区間Ｚ１、Ｚ２のクリーニングプロセスによるエッチングレートが区間Ｚ３、Ｚ４より高くなる。このようにすることで、電極と基材の間に特別な機構を設けることなく電極長手方向（Ｙ軸方向）のクリーニングガス供給量分布を調節できる。
【００４８】
以上の電極クリーニング機構により、電極表面に部分的に除去できない膜が残ったり、電極部材が過剰にエッチングされてしまい、電極部材の寿命が短くなってしまったりすることなく、電極に堆積した膜を除去できる。
【００４９】
本発明の電極クリーニング機構は、以上で説明した形態に限らず、本発明の範囲内において他の形態であってもよい。たとえば、本発明の電極クリーニング機構を枚葉方式の成膜装置に用いてもよい。
【００５０】
また、電極はＵ字形状以外の形状であってもよい。たとえば、棒状でもよいし、容量結合型プラズマ（ＣＣＰ）電極に用いられるような平板形状をしていてもよいし、他の形状でもよい。
【００５１】
また、クリーニングガスの供給量分布を調節する方向は電極の長手方向でなくても別の方向でもよい。たとえば、Ｕ字の電極の２つの直線部にそれぞれ供給するクリーニングガスの供給量のバランスを調節するものであってもよい。
【００５２】
また、クリーニングガスの供給量分布を調節する方向は一つの直線方向だけでなくてもよく、複数方向でもよい。
【００５３】
また、電極の面全体に対してクリーニングガス供給量の分布を持たせてもよい。たとえば、図８にて平板形状の電極１の表面を格子状に分割した所定の区間（Ｚ１１〜Ｚ４５）ごとのクリーニングガス供給量をハッチングの濃淡で表したように平板形状の電極の表面を格子状に分割した所定の区間ごとのクリーニングガス供給量のバランスを調節してもよい。
【００５４】
また、原料ガス供給部とクリーニングガス供給部とを一緒にしてもよい。たとえば、図６、図７のような実施形態であれば、ガス供給部を一緒にしても原料ガス供給時とクリーニングガス供給時のそれぞれのガスの供給量分布を調節できるので、原料ガス供給時は基材の幅方向に均一な量の供給量分布で原料ガスの供給を行い、クリーニングガス供給時には電極の成膜レートと一致するエッチングレートとなるクリーニングガスの供給量分布となるように切り替えることができる。
【００５５】
また、たとえば、実施例４の邪魔板に変えて複数の排気口を成膜部に設け、それぞれの排気口を流れるクリーニングガスの流量を流量制御バルブで調節するようにしてもよい。
【符号の説明】
【００５６】
１    電極
２    膜
３    膜の堆積レート
４    エッチングレート
１０、２０、３０、４０    電極クリーニング機構
１１、２１、３１、４１、    クリーニングガス供給部
１１ａ、２１ａ、３１ａ、４１ａ    クリーニングガス供給口
３２    配管
３３    流量制御バルブ
４５    邪魔板
１００    成膜装置
１０１    基材
１０２    メインロール
１０３    成膜部
１０４    原料ガス供給部
１０４ａ    原料ガス供給口
１０５    電極
１０６    マスク
１０７    成膜チャンバー
１０８    排気口
１０９    端部
１１０    Ｒ部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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