(57)【要約】【課題】ハードディスク用基板を安定した姿勢状態で支持することができ、ハードディスク用基板をめっきする際にハードディスク用基板のばたつきの発生を抑制することができるハードディスク用基板のめっき治具を提供する。【解決手段】ハードディスク用基板Ｐのめっき治具１０は、中心に貫通孔ｈを有するハードディスク用基板Ｐの貫通孔ｈに挿入され、ハードディスク用基板Ｐをめっきする際に支持する溝３０を備え、溝３０は、めっき治具１０の軸線方向に直交する方向に所定の幅Ｗ２および所定の深さＤＰ２で形成され、溝３０にハードディスク用基板Ｐが支持された状態で、ハードディスク用基板Ｐの厚みｔと前記溝３０の幅Ｗ２との差（クリアランスＣ（Ｗ２−ｔ））が、０．０４ｍｍ以上、かつ０．３ｍｍ以下になるように、形成される。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
中心に貫通孔を有するハードディスク用基板の前記貫通孔に挿入される軸本体と、該軸本体の表面に凹設されて前記軸本体に前記ハードディスク用基板をぶら下げて支持した状態で前記ハードディスク用基板の一部が入り込む溝とを備えたハードディスク用基板のめっき治具であって、
前記溝は、前記軸本体の軸線方向に直交する方向に所定の幅および所定の深さで形成され、前記溝に前記ハードディスク用基板の一部が入り込んだ状態で、前記ハードディスク用基板の厚みと前記溝の幅との差が、０．０４ｍｍ以上、かつ０．３ｍｍ以下になるように、前記溝の幅が形成されたことを特徴とするハードディスク用基板のめっき治具。
【請求項２】
前記溝の深さが、０．１ｍｍ以上、かつ１．０ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載のハードディスク用基板のめっき治具。
【請求項３】
前記溝の開口部の角が丸みを有する形状であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のハードディスク用基板のめっき治具。
【請求項４】
前記溝の底面が平坦であり、前記底面と、前記溝の内壁面とが直交していることを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載のハードディスク用基板のめっき治具。
【請求項５】
ハードディスク用基板のめっき治具の材質は、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ)、ポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、並びにポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）およびポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ)の混合材料のいずれかから選択されることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか一項に記載のハードディスク用基板のめっき治具。
【請求項６】
請求項１から請求項５のいずれか一項に記載のハードディスク用基板のめっき治具を用いることを特徴とするハードディスク用基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ハードディスク用基板をめっきする際に使用するめっき治具に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種のハードディスク用基板のめっき治具として、ハードディスク用基板をめっきする際に、ハードディスク用基板の中心の貫通孔に挿入されてハードディスク用基板をぶら下げた状態で支持するめっき軸が開示されている（特許文献１および特許文献２参照）。めっき軸は、ハードディスク用基板とともにめっき液に浸漬され、めっき液内で回転駆動され、めっき軸にぶら下げ支持されているハードディスク用基板をめっき液内で従動回転させるように構成されている。めっき軸の外周面には、周方向に沿って溝が設けられており、めっき軸にぶら下げ支持されているハードディスク用基板が軸方向に移動するのを規制している。
【０００３】
特許文献１に記載の溝は、断面がＶの字形状で、めっき軸の外周面からの深さが５ｍｍ以下で形成されている。ハードディスク用基板の厚みは、０．８ｍｍまたは１．３ｍｍのものが使用されている。特許文献２に記載の溝は、断面が方形で、めっき軸の外周面から幅０．５ｍｍ〜１．５ｍｍで、深さが１．５ｍｍ〜３ｍｍの寸法を有している。特に、ハードディスク用基板の厚みが０．８ｍｍのものに対しては、溝が幅１ｍｍで、深さが２．５ｍｍの寸法を有している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平９−１５７８５７号公報
【特許文献２】特開平９−７１８６９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１に記載の溝は、断面がＶの字形状で形成されているため、めっき軸にぶら下げ支持されたハードディスク用基板は、溝の内壁面に対してハードディスク用基板の貫通孔を形成する内壁の角部が点接触するだけである。したがって、ハードディスク用基板を安定した姿勢状態で支持することが困難で、ハードディスク用基板の支持が不十分となっている。断面がＶの字形状の溝は、具体的には、図７に示すように、めっき軸Ｊの外周面ｇに形成された一方の傾斜面ａと、一方の傾斜面ａに対向する他方の傾斜面ｂとを有する傾斜部Ｋを備えている。特許文献１に記載の溝では、めっき軸によりハードディスク用基板を従動回転させた際に、図８（ａ）に示すように、ハードディスク用基板Ｐに大きなばたつきが発生し、傾斜部Ｋの傾斜面ａ、ｂが削れてめっき液に異物となって混入し、めっき表面に付着してめっき不良になってしまうという、いわゆるノジュールの発生の問題がある。
【０００６】
また、図８（ｂ）に示すように、ハードディスク用基板Ｐ同士の間に、スペーサＳが設けられている場合には、ハードディスク用基板Ｐのばたつきによってハードディスク用基板Ｐの外周面部がスペーサＳに衝突して、スペーサＳが削られ、めっき液内に異物となって混入し、ハードディスク用基板Ｐのめっき面に付着してめっき不良になってしまうという、ノジュールの発生の問題がある。
【０００７】
特許文献２に記載の溝においても、特許文献１に記載の溝の場合と同様に、ハードディスク用基板の支持が不十分であり、ハードディスク用基板を従動回転させた際にハードディスク用基板に大きなばたつきが発生するおそれがある。したがって、他の部品への衝突によりハードディスク用基板のめっき表面に傷が付くおそれや、めっき軸が削られてめっき液内に異物として混入し、めっき表面に付着してめっき不良になってしまうという、いわゆるノジュールの発生の問題がある。特に、厚みが０．５ｍｍ〜０．６３ｍｍ程度の薄いハードディスク用基板の場合に、ばたつきの発生が顕著に顕れてしまうという問題がある。
【０００８】
本発明は、このような問題を解決するためになされたもので、ハードディスク用基板を安定した姿勢状態で支持し、ハードディスク用基板をめっきする際にハードディスク用基板のばたつきの発生を抑制することができるハードディスク用基板のめっき治具を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
（１）本発明に係るハードディスク用基板のめっき治具は、中心に貫通孔を有するハードディスク用基板の前記貫通孔に挿入される軸本体と、該軸本体の表面に凹設されて前記軸本体に前記ハードディスク用基板をぶら下げて支持した状態で前記ハードディスク用基板の一部が入り込む溝とを備えたハードディスク用基板のめっき治具であって、前記溝は、前記軸本体の軸線方向に直交する方向に所定の幅および所定の深さで形成され、前記溝に前記ハードディスク用基板の一部が入り込んだ状態で、前記ハードディスク用基板の厚みと前記溝の幅との差が、０．０４ｍｍ以上、かつ０．３ｍｍ以下になるように、前記溝の幅が形成されたことを特徴とする。
【００１０】
（２）本発明に係るハードディスク用基板のめっき治具は、（１）に記載のハードディスク用基板のめっき治具であって、前記溝の深さが、０．１ｍｍ以上、かつ１．０ｍｍ以下であることを特徴とする。
【００１１】
（３）本発明に係るハードディスク用基板のめっき治具は、（１）または（２）に記載のハードディスク用基板のめっき治具であって、前記溝の開口部の角が丸みを有する形状であることを特徴とする。
【００１２】
（４）本発明に係るハードディスク用基板のめっき治具は、（１）〜（３）のいずれかに記載のハードディスク用基板のめっき治具であって、前記溝の底面が平坦であり、前記底面と、前記溝の内壁面とが直交していることを特徴とする。
【００１３】
（５）本発明に係るハードディスク用基板のめっき治具は、（１）〜（４）のいずれかに記載のハードディスク用基板のめっき治具であって、ハードディスク用基板のめっき治具の材質は、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）であり、ポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）であり、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、並びにポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）およびポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ)の混合材料のいずれかから選択されることを特徴とする。
【００１４】
（６）本発明に係るハードディスク用基板の製造方法は、（１）〜（５）のいずれかに記載のハードディスク用基板のめっき治具を用いることを特徴とする。
【００１５】
上記（１）に記載した本発明に係るハードディスク用基板のめっき治具は、ハードディスク用基板との間の幅方向のクリアランスが、０．０４ｍｍ以上、かつ０．３ｍｍ以下になる幅で、溝が形成されている。この構成により、０．３ｍｍを超える大きな隙間に起因するハードディスク用基板のばたつきの発生が抑制される。さらに、ばたつきに起因する内径付近の疵も防止することができる。また、０．０４ｍｍ未満となる小さな隙間に起因するめっき厚の薄膜化が防止される。
【００１６】
上記（２）に記載した本発明に係るハードディスク用基板のめっき治具は、深さが、０．１ｍｍ以上、かつ１．０ｍｍ以下の溝が形成されている。この構成により、深さが０．１ｍｍ未満となる浅い溝に起因するハードディスク用基板のばたつきの発生が抑制される。また、深さが１．０ｍｍを超える深い溝に起因するめっき厚の薄膜化が防止される。
【００１７】
上記（３）に記載した本発明に係るハードディスク用基板のめっき治具は、溝の開口部の角が丸みを有している。この構成により、開口部の角にバリが発生することが防止され、溝に支持されるハードディスク用基板に疵が付くことが防止される。
【００１８】
上記（４）に記載した本発明に係るハードディスク用基板のめっき治具は、溝の底面が平坦であり、底面と、溝の内壁面とが直交している。この構成により、ハードディスク用基板が安定した姿勢状態で支持され、ばたつきの発生が抑制される。
【００１９】
上記（５）に記載した本発明に係るハードディスク用基板のめっき治具は、ハードディスク用基板のめっき治具の材質は、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）であり、ポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）であり、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、またはポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）およびポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ)の混合材料である。この構成により、めっき治具の高い耐摩耗性、酸およびアルカリに対する高い耐薬品性、高い電気絶縁性および高い機械的強度が確保される。また、この構成により、めっき治具からの異物の発生が抑制される。
【００２０】
上記（６）に記載した本発明に係るハードディスク用基板の製造方法は、（１）〜（５）のいずれかに記載のめっき治具を用いてハードディスク用基板を製造するので、ハードディスク用基板を安定した姿勢状態で支持し、ハードディスク用基板をめっきする際にハードディスク用基板のばたつきの発生を抑制することができ、ばたつきに起因する内径付近の疵を抑制することもでき、また、小さな隙間に起因するめっき厚の薄膜化が防止される。
【００２１】
本発明によれば、ハードディスク用基板を安定した姿勢状態で支持することができ、ハードディスク用基板をめっきする際にハードディスク用基板のばたつきの発生を抑制することができるハードディスク用基板のめっき治具を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明の実施形態に係るハードディスク用基板のめっき治具により支持されるハードディスク用基板の図であり、図１（ａ）は、ハードディスク用基板の斜視図を示し、図１（ｂ）は、ハードディスク用基板の断面図を示す。
【図２】本発明の実施形態に係るハードディスク用基板のめっき治具の斜視図。
【図３】本発明の実施形態に係るハードディスク用基板のめっき治具の図であり、図３（ａ）は、ハードディスク用基板のめっき治具の側面図を示し、図３（ｂ）は、図３（ａ）のＡ−Ａで切断した断面図を示す。
【図４】本発明の実施形態に係るハードディスク用基板のめっき治具の側面図であり、図４（ａ）は、溝の傾斜部および垂直部を示し、図４（ｂ）は、溝の垂直部を拡大した拡大側面図を示す。
【図５】本発明の実施形態に係るハードディスク用基板のめっき治具にハードディスク用基板を装着した状態のハードディスク用基板のめっき治具の図であり、図５（ａ）は、ハードディスク用基板のめっき治具の斜視図を示し、図５（ｂ）は、ハードディスク用基板のめっき治具の溝の部分で切断した部分横断面図を示す。
【図６】本発明の実施形態に係るハードディスク用基板のめっき治具の実施例および比較例の表であり、図６（ａ）は、ハードディスク用基板の厚みとめっき治具の構成を示し、図６（ｂ）は、実施例および比較例のノジュール発生率を示す。
【図７】従来のハードディスク用基板のめっき治具の溝を拡大した側面図。
【図８】従来のハードディスク用基板のめっき治具の図であり、図８（ａ）は、溝の拡大側面図を示し、図８（ｂ）は、ハードディスク用基板を装着した状態のハードディスク用基板のめっき治具の拡大側面図を示す。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
本発明に係るハードディスク用基板のめっき治具を適用した実施形態に係るハードディスク用基板のめっき治具１０について図面を参照して説明する。
【００２４】
まず、ハードディスク用基板のめっき治具１０に装着するハードディスク用基板Ｐについて説明する。ハードディスク用基板Ｐは、図１（ａ）、図１（ｂ）に示すように、厚みがｔ、外径がＤ、中心の貫通孔ｈの内径がｄの円盤で構成されている。厚みｔは０．５ｍｍ〜２ｍｍ程度、外径Ｄは、３０ｍｍ〜２７０ｍｍ程度、内径ｄは、１０ｍｍ〜７０ｍｍ程度の寸法を有している。
【００２５】
ハードディスク用基板Ｐの材料は、アルミニウム合金、ガラス、セラミックなどの板材からなる。ハードディスク用基板Ｐは、高い精度の平滑性と表面硬度を有しており、高速回転による振動の発生を抑制することができる高い剛性および耐衝撃性も有している。これらの特性を備えるためにハードディスク用基板Ｐは硬い素材で形成されている。
【００２６】
また、ハードディスク用基板Ｐは、下地の表面処理が行われ、表面処理の後にめっき処理が行われ、めっき処理後に、表面が研磨され鏡面化されるように構成されている。めっき処理として、本実施形態では、無電解ニッケル−りん（ＮｉＰ）めっきが行われる。
【００２７】
ハードディスク用基板Ｐのめっき治具１０は、図２、図３（ａ）、図３（ｂ）に示すように、ハードディスク用基板Ｐの貫通孔ｈに挿入されるめっき軸２０を備えている。めっき軸２０は、図３（ｂ）に示すように、軸本体２１と、芯材２２と、一対のキャップ２３を有している。軸本体２１には、軸線方向に貫通する貫通孔２１ａが形成されており、貫通孔２１ａには、芯材２２が挿入されている。キャップ２３は、芯材２２が挿入された後に貫通孔２１ａの両側の開口端を閉塞するように取り付けられている。
【００２８】
軸本体２１は、合成樹脂製材料によって構成されており、好ましくは、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）であり、より好ましくは、ポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）であり、最も好ましくは、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、またはポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）およびポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）の混合材料によって構成されている。これらの材料は、酸およびアルカリに対する高い耐薬品性を有しており、耐摩耗性、電気絶縁性、および機械的強度などの観点からバランスを見ていずれかを選択することができる。また、これらの合成樹脂製材料はハードディスク用基板の製造に支障のない範囲で他の成分との混合材料であってもよい。
【００２９】
軸本体２１は、ハードディスク用基板Ｐの貫通孔ｈよりも小径の外周面部２１ｂを有しており、その外周面部２１ｂには、溝３０が凹設されている。溝３０は、軸本体２１にハードディスク用基板Ｐをぶら下げて支持した状態でハードディスク用基板Ｐの一部である内周端部が入り込む大きさを有している。溝３０は、軸本体２１の軸線方向に直交する方向に所定の幅および所定の深さで形成されており、溝３０にハードディスク用基板Ｐの内周端部が入り込んだ状態で、ハードディスク用基板Ｐとの間の幅方向のクリアランスＣが、０．０４ｍｍ以上、かつ０．３ｍｍ以下になるように、溝３０の幅が形成されている。
【００３０】
複数の溝３０は、図３（ａ）、図３（ｂ）に示すように、それぞれ軸本体２１の周方向に沿って周状に連続して設けられており、軸本体２１の軸方向に所定間隔をおいて例えば６０個程度が設けられている。溝３０は、図４（ａ）、図４（ｂ）に示すように、外周面部２１ｂから、軸本体２１の軸心に向かって傾斜する傾斜部３１と、傾斜部３１の軸心側の端部から軸心に向かって垂直に形成された垂直部３２と、傾斜部３１と垂直部３２とが交わる角部３３とを有している。
【００３１】
傾斜部３１は、一方の傾斜面３１ａと、一方の傾斜面３１ａに対向する他方の傾斜面３１ｂとを有しており、傾斜面３１ａと傾斜面３１ｂとのなす角はθ（度）で形成され、傾斜部３１の開口は幅Ｗ１（ｍｍ）で形成されている。なす角θおよび幅Ｗ１は、めっき軸１０の構造、大きさ、形状などの設定諸元や実験値などのデータに基づいて適宜選択される。
【００３２】
ハードディスク用基板Ｐの貫通孔ｈに軸本体２１を挿通してハードディスク用基板Ｐをぶら下げ支持した場合に、ハードディスク用基板Ｐの内周端部が溝３０の垂直部３２に入り込み易いように、なす角θは、例えば１００度程度、幅Ｗ１は６ｍｍ程度、外周面部２１ｂから傾斜部３１と垂直部３２とが交わる角部３３までの深さＤＰ１は、２．２ｍｍ程度で形成されている。なお、この傾斜部３１を形成せずに、軸本体２１の外周面部２１ｂから直接、垂直部３２を形成するようにしても良い。
【００３３】
垂直部３２は、図４（ｂ）に示すように、一方の内壁面３２ａと、一方の内壁面３２ａと対向する他方の内壁面３２ｂと、底面３２ｃとを有している。一方の内壁面３２ａと他方の内壁面３２ｂとの間は、幅Ｗ２（ｍｍ）（図４（ａ）参照）で形成され、垂直部３２は、深さＤＰ２（ｍｍ）で形成されている。この幅Ｗ２は、ハードディスク用基板Ｐの厚みｔと幅Ｗ２との差（Ｗ２−ｔ）、即ちハードディスク用基板Ｐとの間の幅方向のクリアランスＣが、０．０４ｍｍ以上、かつ０．３ｍｍ以下となるように形成されている。なお、クリアランスＣは、幅Ｗ２の中心部にハードディスク用基板Ｐが位置した場合には、隙間Ｃ１と隙間Ｃ２との合計となる。
【００３４】
したがって、ハードディスク用基板Ｐの厚みｔを含めて、幅Ｗ２は、ｔ＋Ｃとなるように形成されている。なお、ハードディスク用基板Ｐの厚みｔが０．６３ｍｍの場合は、幅Ｗ２は、０．６７ｍｍ〜０．７５ｍｍであることが好ましい。なお、この垂直部３２により、図５（ｂ）に示すように、ハードディスク用基板Ｐの貫通孔ｈの内周端部が支持されている。
【００３５】
なお、クリアランスＣが０．０４ｍｍ未満であると、隙間へのめっき液の浸入が不十分となりめっき厚が薄くなることがあり、ハードディスク用基板Ｐの貫通孔ｈの角部、即ちＩＤチャンファー付近に疵が発生することがある。クリアランスＣが０．３ｍｍを超えると、溝３０によるハードディスク用基板Ｐの支持が不十分となり、めっき軸２０によりハードディスク用基板Ｐを従動回転させたときにハードディスク用基板Ｐに大きなばたつきが発生することがある。
【００３６】
垂直部３２の深さＤＰ２は、垂直部３２と傾斜部３１とが交わる角部３３から底面３２ｃまでの距離（ｍｍ）で表される。具体的には、角部３３には後述する面取りＲが形成されており、深さＤＰ２は、角部３３の面取りＲの中心から底面３２ｃまでの距離で表される。
【００３７】
なお、深さＤＰ２は０．１ｍｍ以上、かつ１．０ｍｍ以下が好ましく、０．３ｍｍ以下がより好ましい。深さＤＰ２が０．１ｍｍ未満であると、溝３０によるハードディスク用基板Ｐの支持が不十分となり、大きなばたつきが発生することがある。深さＤＰ２が１．０ｍｍを超えると、隙間へのめっき液の浸入が不十分となりめっき厚が薄くなることがあり、ＩＤチャンファー付近に疵が発生することがある。
【００３８】
底面３２ｃは、軸本体２１の軸心に沿って平坦に形成され、底面３２ｃと垂直部３２の一方の内壁面３２ａとが直交し、底面３２ｃと垂直部３２の他方の内壁面３２ｂとが直交している。なお、底面３２ｃと一方の内壁面３２ａおよび他方の内壁面３２ｂとが直交する角部には、ハードディスク用基板Ｐの貫通孔ｈの角部が干渉しない範囲で小さな丸みや小さな傾斜があってもよい。
【００３９】
角部３３の面取りＲは、丸みを帯びていればよく、角部３３に丸みを形成することにより、角部に発生するバリが除去され、ハードディスク用基板Ｐの疵の発生が防止される。
【００４０】
芯材２２は、繊維強化プラスチックや金属などの高い剛性を有する材料からなり、軸本体２１に挿入されることで、めっき軸２０の機械的強度を高めている。一対のキャップ２３は、軸本体２１と同様の材料で形成されている。片方のキャップ２３は、図２に示すように、めっき設備に設けられている歯車に挿入され、この歯車によりめっき軸２０が回転するように構成されている。
【００４１】
めっき軸２０には、図５（ａ）に示すように、複数個の、例えば軸本体２１に形成された溝３０に対応して、６０個程度のハードディスク用基板Ｐが挿入される。さらに、めっき軸２０は、めっき設備に設けられているスペーサＳが各ハードディスク用基板Ｐの間にセットされるように構成されている。
【００４２】
めっき軸２０は、ハードディスク用基板ＰとスペーサＳがセットされた状態で、めっき設備に装着され、浴液内に浸漬された状態で回転駆動される。めっき軸２０にぶら下げ支持されているハードディスク用基板Ｐは、めっき軸２０によって浴内で従動回転して表面処理が施され、表面処理の終了後にめっき軸２０とともに浴から引き上げられる。
【００４３】
ハードディスク用基板Ｐは、（１）脱脂、（２）酸エッチング、（３）脱スマット、（４）１ｓｔジンケート、（５）脱ジンケート、（６）２ｎｄジンケート、（７）無電解ＮｉＰめっき、および各工程間での水洗、の各工程の浴液に浸漬されることでハードディスク用基板Ｐの表面に表面処理が施される。めっき軸２０は、前記（１）〜（７）に限られずハードディスク用基板Ｐを浴液に浸漬し、浴内で従動回転させる工程に使用することができ、例えば前記（１）〜（７）の一部の工程に使用されてもよいが、全ての工程で使用されるのが好ましい。
【００４４】
次いで、本実施形態に係るハードディスク用基板Ｐのめっき治具１０の実施例および比較例について説明する。本実施形態に係るハードディスク用基板Ｐのめっき治具１０の実施例に係るめっき治具および比較例に係るめっき治具を作製し、ハードディスク用基板Ｐをめっき治具に実装して、図６（ａ）の表に示す各項目について評価した。実施例１〜１５と、比較例１〜３についてそれぞれ評価した。以下、各実施例および各比較例について説明する。
【００４５】
（実施例１）
実施例１は、図６（ａ）に示すように、ハードディスク用基板Ｐとして、厚みｔが０．６３ｍｍ、外径Ｄが９５ｍｍ、内径ｄが２５ｍｍであるアルミニウム合金製のアルミ基板を使用した。めっき軸２０を構成する軸本体２１の溝３０の垂直部３２における幅Ｗ２を０．７０ｍｍとした。したがって、溝３０とハードディスク用基板Ｐとの間の幅方向のクリアランスＣは、Ｗ２−ｔ、即ち０．７０ｍｍ−０．６３ｍｍ＝０．０７ｍｍとなる。溝３０の角部３３における面取りＲは、０．２ｍｍとした。溝３０の垂直部３２における深さＤＰ２を０．８ｍｍとした。めっき軸２０を構成する軸本体２１および一対のキャップ２３をポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）で形成した。
【００４６】
実施例１においては、めっき軸２０を、実際のめっき設備を構成するめっき軸２０よりも長さを短く形成し、ハードディスク用基板Ｐを１０個程度支持できるものとした。めっき軸２０以外の他の構成は、実際のめっき設備を構成する構成要素と同様に構成した実験機により評価を行った。ハードディスク用基板Ｐは、下地の表面処理が行われ、表面処理の後に無電解ニッケル−りん（ＮｉＰ）めっきによるめっき処理を実際のめっき設備におけるめっき処理と同様に行った。
【００４７】
以上のように構成した実施例１に係るハードディスク用基板Ｐに対して、基板のばたつき、内径付近（内周端部）の疵、内径付近（内周端部）のめっき厚の３項目について評価を行った。基板のばたつきは、実験機によりめっき処理が施されているハードディスク用基板Ｐを目視により観察した。ハードディスク用基板Ｐのゆれがほとんどないものを◎で表示した。図７に示す従来のめっき軸Ｊに装着した実施例１と同様のハードディスク用基板Ｐに発生するばたつきと比較し、ハードディスク用基板Ｐのばたつきがかなり改善されたものを〇で表示した。
【００４８】
なお、従来のめっき軸Ｊは、実施形態に係るめっき軸２０と同様に構成され、めっき軸に形成された溝のみが異なっている。具体的には、従来のめっき軸Ｊの溝は、図７に示すように、傾斜部Ｋを備えている。傾斜部Ｋは、一方の傾斜面ａと、一方の傾斜面ａに対向する他方の傾斜面ｂとを有しており、傾斜面ａと傾斜面ｂとのなす角は１００度で形成され、傾斜部Ｋの開口は幅６．６ｍｍで形成されている。また、傾斜部Ｋの外周面部ｇからの深さは、２．２ｍｍで形成され、傾斜部の底部には面取りＲが０．２ｍｍで形成されている。
【００４９】
また、従来のめっき軸Ｊに装着したハードディスク用基板Ｐに発生するばたつきと比較し、ハードディスク用基板Ｐのばたつきがやや改善されたものを△で表示した。さらに、従来のめっき軸Ｊに装着したハードディスク用基板Ｐに発生するばたつきと同等のばたつきを×で表示した。
【００５０】
内径付近（内周端部）の疵は、ハードディスク用基板Ｐの貫通孔ｈの角部付近、即ちＩＤチャンファー付近を光学顕微鏡で観察し、疵の程度を、従来のめっき軸Ｊを使用してめっきしたハードディスク用基板ＰのＩＤチャンファー付近の疵と比較して判定した。従来と同等の疵を〇で表示し、従来に比べて疵が僅かに多いものを△で表示し、従来に比べて疵が多数存在しているものを×で表示した。
【００５１】
内径付近（内周端部）のめっき厚は、ハードディスク用基板Ｐの外周付近から貫通孔ｈに向かう平面部からＩＤチャンファー付近までの高さ、即ち厚みをレーザー顕微鏡で測定した。ＩＤチャンファー付近の厚みが薄くなっているものについては、断面を観察し、平面部に比べてめっき厚が薄くなっているか否かを検証した。従来のめっき軸Ｊを使用してめっきしたハードディスク用基板ＰのＩＤチャンファー付近のめっき厚と比較して評価した。
【００５２】
従来と同等のめっき厚を〇で表示し、従来に比べて薄く見えるが、断面観察の結果めっき厚が平面部に比べ８０％の厚みが確保されているものを△で表示し、断面観察の結果めっき厚が平面部に比べ８０％厚を確保できていないものを×で表示した。
【００５３】
実施例１に係るハードディスク用基板Ｐを評価した結果、基板のばたつきは◎、内径付近の疵は△、内径付近のめっき厚は△であった。したがって、実施例１に係るめっき軸２０は良好であることが確認された。
【００５４】
（実施例２）
実施例２は、実施例１と同様に、ハードディスク用基板Ｐは、厚みｔが０．６３ｍｍ、外径Ｄが９５ｍｍ、内径ｄが２５ｍｍで、アルミニウム合金からなるアルミ基板を使用した。めっき軸２０を構成する軸本体２１の溝３０の垂直部３２における幅Ｗ２を０．７０ｍｍとし、クリアランスＣを０．０７ｍｍとした。溝３０の角部３３における面取りＲは、１．０ｍｍとした。溝３０の垂直部３２における深さＤＰ２を０．１ｍｍとした。めっき軸２０を構成する軸本体２１および一対のキャップ２３をポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）で形成した。
【００５５】
実施例１と同様に、実験機によりめっき処理を行い、実施例２に係るハードディスク用基板Ｐに対して、基板のばたつき、内径付近の疵、内径付近のめっき厚の３項目について実施例１と同様に評価を行った。
【００５６】
実施例２に係るハードディスク用基板Ｐを評価した結果、基板のばたつきは〇、内径付近の疵は〇、内径付近のめっき厚は〇であった。したがって、実施例２に係るめっき軸２０は良好であることが確認された。
【００５７】
（実施例３）
実施例３は、実施例１と同様に、ハードディスク用基板Ｐは、厚みｔが０．６３ｍｍ、外径Ｄが９５ｍｍ、内径ｄが２５ｍｍで、アルミニウム合金からなるアルミ基板を使用した。めっき軸２０を構成する軸本体２１の溝３０の垂直部３２における幅Ｗ２を０．７０ｍｍとし、クリアランスＣを０．０７ｍｍとした。溝３０の角部３３における面取りＲは、０．４ｍｍとした。溝３０の垂直部３２における深さＤＰ２を０．１５ｍｍとした。めっき軸２０を構成する軸本体２１および一対のキャップ２３をポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）で形成した。
【００５８】
実施例１と同様に、実験機によりめっき処理を行い、実施例３に係るハードディスク用基板Ｐに対して、基板のばたつき、内径付近の疵、内径付近のめっき厚の３項目について実施例１と同様に評価を行った。
【００５９】
実施例３に係るハードディスク用基板Ｐを評価した結果、基板のばたつきは〇、内径付近の疵は〇、内径付近のめっき厚は〇であった。したがって、実施例３に係るめっき軸２０は良好であることが確認された。
【００６０】
（実施例４）
実施例４は、実施例１と同様に、ハードディスク用基板Ｐは、厚みｔが０．６３ｍｍ、外径Ｄが９５ｍｍ、内径ｄが２５ｍｍで、アルミニウム合金からなるアルミ基板を使用した。めっき軸２０を構成する軸本体２１の溝３０の垂直部３２における幅Ｗ２を０．７０ｍｍとし、クリアランスＣを０．０７ｍｍとした。溝３０の角部３３における面取りＲは、０．４ｍｍとした。溝３０の垂直部３２における深さＤＰ２を０．２５ｍとした。めっき軸２０を構成する軸本体２１および一対のキャップ２３をポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）で形成した。
【００６１】
実施例１と同様に、実験機によりめっき処理を行い、実施例４に係るハードディスク用基板Ｐに対して、基板のばたつき、内径付近の疵、内径付近のめっき厚の３項目について実施例１と同様に評価を行った。
【００６２】
実施例４に係るハードディスク用基板Ｐを評価した結果、基板のばたつきは〇、内径付近の疵は〇、内径付近のめっき厚は〇であった。したがって、実施例４に係るめっき軸２０は良好であることが確認された。
【００６３】
（実施例５）
実施例５は、実施例１と同様に、ハードディスク用基板Ｐは、厚みｔが０．６３ｍｍ、外径Ｄが９５ｍｍ、内径ｄが２５ｍｍで、アルミニウム合金からなるアルミ基板を使用した。めっき軸２０を構成する軸本体２１の溝３０の垂直部３２における幅Ｗ２を０．７０ｍｍとし、クリアランスＣを０．０７ｍｍとした。溝３０の角部３３における面取りＲは、０．２ｍｍとした。溝３０の垂直部３２における深さＤＰ２を０．３ｍｍとした。めっき軸２０を構成する軸本体２１および一対のキャップ２３をポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）で形成した。
【００６４】
実施例１と同様に、実験機によりめっき処理を行い、実施例５に係るハードディスク用基板Ｐに対して、基板のばたつき、内径付近の疵、内径付近のめっき厚の３項目について実施例１と同様に評価を行った。
【００６５】
実施例５に係るハードディスク用基板Ｐを評価した結果、基板のばたつきは◎、内径付近の疵は〇、内径付近のめっき厚は〇であった。したがって、実施例５に係るめっき軸２０は良好であることが確認された。
【００６６】
（実施例６）
実施例６は、実施例１と同様に、ハードディスク用基板Ｐは、厚みｔが０．６３ｍｍ、外径Ｄが９５ｍｍ、内径ｄが２５ｍｍで、アルミニウム合金からなるアルミ基板を使用した。めっき軸２０を構成する軸本体２１の溝３０の垂直部３２における幅Ｗ２を０．７０ｍｍとし、クリアランスＣを０．０７ｍｍとした。溝３０の角部３３における面取りＲは、０．２ｍｍとした。溝３０の垂直部３２における深さＤＰ２を０．３ｍｍとした。めっき軸２０を構成する軸本体２１および一対のキャップ２３をポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ)で形成した。
【００６７】
実施例１と同様に、実験機によりめっき処理を行い、実施例６に係るハードディスク用基板Ｐに対して、基板のばたつき、内径付近の疵、内径付近のめっき厚の３項目について実施例１と同様に評価を行った。
【００６８】
実施例６に係るハードディスク用基板Ｐを評価した結果、基板のばたつきは◎、内径付近の疵は〇、内径付近のめっき厚は〇であった。したがって、実施例６に係るめっき軸２０は良好であることが確認された。
【００６９】
（実施例７）
実施例７は、実施例１と同様に、ハードディスク用基板Ｐは、厚みｔが０．６３ｍｍ、外径Ｄが９５ｍｍ、内径ｄが２５ｍｍで、アルミニウム合金からなるアルミ基板を使用した。めっき軸２０を構成する軸本体２１の溝３０の垂直部３２における幅Ｗ２を０．７０ｍｍとし、クリアランスＣを０．０７ｍｍとした。溝３０の角部３３における面取りＲは、０．２ｍｍとした。溝３０の垂直部３２における深さＤＰ２を０．３ｍｍとした。めっき軸２０を構成する軸本体２１および一対のキャップ２３をポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）およびポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ)の混合材料で形成した。
【００７０】
実施例１と同様に、実験機によりめっき処理を行い、実施例７に係るハードディスク用基板Ｐに対して、基板のばたつき、内径付近の疵、内径付近のめっき厚の３項目について実施例１と同様に評価を行った。
【００７１】
実施例７に係るハードディスク用基板Ｐを評価した結果、基板のばたつきは◎、内径付近の疵は〇、内径付近のめっき厚は〇であった。したがって、実施例７に係るめっき軸２０は良好であることが確認された。
【００７２】
（実施例８）
実施例８は、実施例１と同様に、ハードディスク用基板Ｐは、厚みｔが０．６３ｍｍ、外径Ｄが９５ｍｍ、内径ｄが２５ｍｍで、アルミニウム合金からなるアルミ基板を使用した。めっき軸２０を構成する軸本体２１の溝３０の垂直部３２における幅Ｗ２を０．７０ｍｍとし、クリアランスＣを０．０７ｍｍとした。溝３０の角部３３における面取りＲは、０．２ｍｍとした。溝３０の垂直部３２における深さＤＰ２を０．３ｍｍとした。めっき軸２０を構成する軸本体２１および一対のキャップ２３をポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）で形成した。
【００７３】
実施例１と同様に、実験機によりめっき処理を行い、実施例８に係るハードディスク用基板Ｐに対して、基板のばたつき、内径付近の疵、内径付近のめっき厚の３項目について実施例１と同様に評価を行った。
【００７４】
実施例８に係るハードディスク用基板Ｐを評価した結果、基板のばたつきは◎、内径付近の疵は〇、内径付近のめっき厚は〇であった。したがって、実施例８に係るめっき軸２０は良好であることが確認された。
【００７５】
（実施例９）
実施例９は、実施例１と同様に、ハードディスク用基板Ｐは、厚みｔが０．６３ｍｍ、外径Ｄが９５ｍｍ、内径ｄが２５ｍｍで、アルミニウム合金からなるアルミ基板を使用した。めっき軸２０を構成する軸本体２１の溝３０の垂直部３２における幅Ｗ２を０．６７ｍｍとし、クリアランスＣを０．０４ｍｍとした。溝３０の角部３３における面取りＲは、０．２ｍｍとした。溝３０の垂直部３２における深さＤＰ２を０．３ｍｍとした。めっき軸２０を構成する軸本体２１および一対のキャップ２３をポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）で形成した。
【００７６】
実施例１と同様に、実験機によりめっき処理を行い、実施例９に係るハードディスク用基板Ｐに対して、基板のばたつき、内径付近の疵、内径付近のめっき厚の３項目について実施例１と同様に評価を行った。
【００７７】
実施例９に係るハードディスク用基板Ｐを評価した結果、基板のばたつきは◎、内径付近の疵は〇、内径付近のめっき厚は〇であった。したがって、実施例９に係るめっき軸２０は良好であることが確認された。
【００７８】
（実施例１０）
実施例１０は、実施例１と同様に、ハードディスク用基板Ｐは、厚みｔが０．６３ｍｍ、外径Ｄが９５ｍｍ、内径ｄが２５ｍｍで、アルミニウム合金からなるアルミ基板を使用した。めっき軸２０を構成する軸本体２１の溝３０の垂直部３２における幅Ｗ２を０．８０ｍｍとし、クリアランスＣを０．１７ｍｍとした。溝３０の角部３３における面取りＲは、０．２ｍｍとした。溝３０の垂直部３２における深さＤＰ２を０．２ｍｍとした。めっき軸２０を構成する軸本体２１および一対のキャップ２３をポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）で形成した。
【００７９】
実施例１と同様に、実験機によりめっき処理を行い、実施例１０に係るハードディスク用基板Ｐに対して、基板のばたつき、内径付近の疵、内径付近のめっき厚の３項目について実施例１と同様に評価を行った。
【００８０】
実施例１０に係るハードディスク用基板Ｐを評価した結果、基板のばたつきは〇、内径付近の疵は〇、内径付近のめっき厚は〇であった。したがって、実施例１０に係るめっき軸２０は良好であることが確認された。
【００８１】
（実施例１１）
実施例１１は、実施例１と同様に、ハードディスク用基板Ｐは、厚みｔが０．６３ｍｍ、外径Ｄが９５ｍｍ、内径ｄが２５ｍｍで、アルミニウム合金からなるアルミ基板を使用した。めっき軸２０を構成する軸本体２１の溝３０の垂直部３２における幅Ｗ２を０．９０ｍｍとし、クリアランスＣを０．２７ｍｍとした。溝３０の角部３３における面取りＲは、０．２ｍｍとした。溝３０の垂直部３２における深さＤＰ２を０．２ｍｍとした。めっき軸２０を構成する軸本体２１および一対のキャップ２３をポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）で形成した。
【００８２】
実施例１と同様に、実験機によりめっき処理を行い、実施例１１に係るハードディスク用基板Ｐに対して、基板のばたつき、内径付近の疵、内径付近のめっき厚の３項目について実施例１と同様に評価を行った。
【００８３】
実施例１１に係るハードディスク用基板Ｐを評価した結果、基板のばたつきは△、内径付近の疵は〇、内径付近のめっき厚は〇であった。したがって、実施例１１に係るめっき軸２０は良好であることが確認された。
【００８４】
（実施例１２）
実施例１２は、実施例１と同様に、ハードディスク用基板Ｐは、厚みｔが０．６３ｍｍ、外径Ｄが９５ｍｍ、内径ｄが２５ｍｍで、アルミニウム合金からなるアルミ基板を使用した。めっき軸２０を構成する軸本体２１の溝３０の垂直部３２における幅Ｗ２を０．９０ｍｍとし、クリアランスＣを０．２７ｍｍとした。溝３０の角部３３における面取りＲは、０．２ｍｍとした。溝３０の垂直部３２における深さＤＰ２を０．８ｍｍとした。めっき軸２０を構成する軸本体２１および一対のキャップ２３をポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）で形成した。
【００８５】
実施例１と同様に、実験機によりめっき処理を行い、実施例１２に係るハードディスク用基板Ｐに対して、基板のばたつき、内径付近の疵、内径付近のめっき厚の３項目について実施例１と同様に評価を行った。
【００８６】
実施例１２に係るハードディスク用基板Ｐを評価した結果、基板のばたつきは◎、内径付近の疵は〇、内径付近のめっき厚は〇であった。したがって、実施例１２に係るめっき軸２０は良好であることが確認された。
【００８７】
（実施例１３）
実施例１３は、実施例１と同様に、ハードディスク用基板Ｐは、厚みｔが０．５０ｍｍ、外径Ｄが９５ｍｍ、内径ｄが２５ｍｍで、アルミニウム合金からなるアルミ基板を使用した。めっき軸２０を構成する軸本体２１の溝３０の垂直部３２における幅Ｗ２を０．５５ｍｍとし、クリアランスＣを０．０５ｍｍとした。溝３０の角部３３における面取りＲは、０．２ｍｍとした。溝３０の垂直部３２における深さＤＰ２を０．３ｍｍとした。めっき軸２０を構成する軸本体２１および一対のキャップ２３をポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）で形成した。
【００８８】
実施例１と同様に、実験機によりめっき処理を行い、実施例１３に係るハードディスク用基板Ｐに対して、基板のばたつき、内径付近の疵、内径付近のめっき厚の３項目について実施例１と同様に評価を行った。
【００８９】
実施例１３に係るハードディスク用基板Ｐを評価した結果、基板のばたつきは◎、内径付近の疵は〇、内径付近のめっき厚は〇であった。したがって、実施例１３に係るめっき軸２０は良好であることが確認された。
【００９０】
（実施例１４）
実施例１４は、実施例１と同様に、ハードディスク用基板Ｐは、厚みｔが０．５０ｍｍ、外径Ｄが９５ｍｍ、内径ｄが２５ｍｍで、アルミニウム合金からなるアルミ基板を使用した。めっき軸２０を構成する軸本体２１の溝３０の垂直部３２における幅Ｗ２を０．５７ｍｍとし、クリアランスＣを０．０７ｍｍとした。溝３０の角部３３における面取りＲは、０．２ｍｍとした。溝３０の垂直部３２における深さＤＰ２を０．３ｍｍとした。めっき軸２０を構成する軸本体２１および一対のキャップ２３をポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）で形成した。
【００９１】
実施例１と同様に、実験機によりめっき処理を行い、実施例１４に係るハードディスク用基板Ｐに対して、基板のばたつき、内径付近の疵、内径付近のめっき厚の３項目について実施例１と同様に評価を行った。
【００９２】
実施例１４に係るハードディスク用基板Ｐを評価した結果、基板のばたつきは◎、内径付近の疵は〇、内径付近のめっき厚は〇であった。したがって、実施例１４に係るめっき軸２０は良好であることが確認された。
【００９３】
（実施例１５）
実施例１５は、実施例１と同様に、ハードディスク用基板Ｐは、厚みｔが０．８０ｍｍ、外径Ｄが９５ｍｍ、内径ｄが２５ｍｍで、アルミニウム合金からなるアルミ基板を使用した。めっき軸２０を構成する軸本体２１の溝３０の垂直部３２における幅Ｗ２を０．８７ｍｍとし、クリアランスＣを０．０７ｍｍとした。溝３０の角部３３における面取りＲは、０．２ｍｍとした。溝３０の垂直部３２における深さＤＰ２を０．３ｍｍとした。めっき軸２０を構成する軸本体２１および一対のキャップ２３をポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）で形成した。
【００９４】
実施例１と同様に、実験機によりめっき処理を行い、実施例１５に係るハードディスク用基板Ｐに対して、基板のばたつき、内径付近の疵、内径付近のめっき厚の３項目について実施例１と同様に評価を行った。
【００９５】
実施例１５に係るハードディスク用基板Ｐを評価した結果、基板のばたつきは◎、内径付近の疵は〇、内径付近のめっき厚は〇であった。したがって、実施例１５に係るめっき軸２０は良好であることが確認された。
【００９６】
（比較例１）
比較例１は、実施例１と同様に、ハードディスク用基板Ｐは、厚みｔが０．６３ｍｍ、外径Ｄが９５ｍｍ、内径ｄが２５ｍｍで、アルミニウム合金からなるアルミ基板を使用した。めっき軸は、図７に示す従来のめっき軸Ｊを使用した。したがって、図６（ａ）に示すように、実施例１と同様の溝３０の垂直部３２は形成されておらず、溝無しと表示している。めっき軸Ｊを構成する軸本体および一対のキャップをポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）で形成した。
【００９７】
実施例１と同様に、実験機によりめっき処理を行い、比較例１に係るハードディスク用基板Ｐに対して、基板のばたつき、内径付近の疵、内径付近のめっき厚の３項目について実施例１と同様に評価を行った。
【００９８】
比較例１に係るハードディスク用基板Ｐを評価した結果、基板のばたつきは×、内径付近の疵は〇、内径付近のめっき厚は〇であった。したがって、比較例１に係るめっき軸Ｊは基板のばたつきが大きく、めっき軸に適していないことが確認された。
【００９９】
（比較例２）
比較例２は、実施例１と同様に、ハードディスク用基板Ｐは、厚みｔが０．６３ｍｍ、外径Ｄが９５ｍｍ、内径ｄが２５ｍｍで、アルミニウム合金からなるアルミ基板を使用した。めっき軸２０を構成する軸本体２１の溝３０の垂直部３２における幅Ｗ２を１．００ｍｍとし、クリアランスＣを０．３７ｍｍとした。溝３０の角部３３における面取りＲは、０．２ｍｍとした。溝３０の垂直部３２における深さＤＰ２を０．２ｍｍとした。めっき軸２０を構成する軸本体２１および一対のキャップ２３をポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）で形成した。
【０１００】
実施例１と同様に、実験機によりめっき処理を行い、比較例２に係るハードディスク用基板Ｐに対して、基板のばたつき、内径付近の疵、内径付近のめっき厚の３項目について実施例１と同様に評価を行った。
【０１０１】
比較例２に係るハードディスク用基板Ｐを評価した結果、基板のばたつきは×、内径付近の疵は〇、内径付近のめっき厚は〇であった。したがって、比較例２に係るめっき軸Ｊは基板のばたつきが大きく、めっき軸に適していないことが確認された。
【０１０２】
（比較例３）
比較例３は、実施例１と同様に、ハードディスク用基板Ｐは、厚みｔが０．６３ｍｍ、外径Ｄが９５ｍｍ、内径ｄが２５ｍｍで、アルミニウム合金からなるアルミ基板を使用した。めっき軸２０を構成する軸本体２１の溝３０の垂直部３２における幅Ｗ２を０．７０ｍｍとし、クリアランスＣを０．０７ｍｍとした。溝３０の角部３３における面取りＲは、０．２ｍｍとした。溝３０の垂直部３２における深さＤＰ２を１．１ｍｍとした。めっき軸２０を構成する軸本体２１および一対のキャップ２３をポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）で形成した。
【０１０３】
実施例１と同様に、実験機によりめっき処理を行い、比較例３に係るハードディスク用基板Ｐに対して、基板のばたつき、内径付近の疵、内径付近のめっき厚の３項目について実施例１と同様に評価を行った。
【０１０４】
比較例３に係るハードディスク用基板Ｐを評価した結果、基板のばたつきは◎、内径付近の疵は×、内径付近のめっき厚は×であった。したがって、比較例３に係るめっき軸Ｊは基板のばたつきは良好であったが、内径付近の疵は×、内径付近のめっき厚は×で、めっき軸に適していないことが確認された。
【０１０５】
なお、図６（ｂ）に示すように、実施例５、実施例７、実施例９、実施例１５および比較例１に対して、実際のめっき設備でめっきを行い、ノジュール発生率（個／面）について検証した。ノジュール発生率については、光学式表面検査装置により、ハードディスク用基板Ｐの表面を検査し、欠点となる突起の個数を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）または原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）で、カウントした。判定基準は、０．００３個／面とした。なお、光学式表面検査装置は、日立ハイテクファインシステムズ社製の型式ＲＳ１３９０を使用した。
【０１０６】
ノジュール発生率は、実施例５が０．００２、実施例７、実施例９および実施例１５が０．００１で、判定基準を満たしており、めっき軸に適していることが確認された。これに対して、比較例１のノジュール発生率は、０．０１０であり、判定基準を満たしておらず、めっき軸に適していないことが確認された。なお、図６（ｂ）に示す「−」は検証が未実施であることを示しているが、他の未実施の各実施例についても、ハードディスク用基板Ｐに対する基板のばたつき、内径付近の疵、内径付近のめっき厚の３項目について良好な評価結果が得られているので、ノジュール発生率も判定基準を満たすことが推定される。
【０１０７】
以下、本実施形態に係るハードディスク用基板Ｐのめっき治具１０の効果について説明する。
【０１０８】
本実施形態に係るハードディスク用基板Ｐのめっき治具１０は、ハードディスク用基板Ｐの厚みｔと溝３０の幅Ｗ２とのクリアランスＣが、０．０４ｍｍ以上、かつ０．３ｍｍ以下になる幅Ｗ２で、溝３０が形成されている。この構成により、０．３ｍｍを超えるクリアランスＣに起因するハードディスク用基板のばたつきの発生が抑制され、０．０４ｍｍ未満となるクリアランスＣに起因するめっき厚の薄膜化が防止されるという効果が得られる。さらに、ばたつきに起因する内径付近の疵も防止されるという効果が得られる。
【０１０９】
また、本実施形態に係るハードディスク用基板Ｐのめっき治具１０は、深さが、０．１ｍｍ以上、かつ１．０ｍｍ以下で溝３０が形成されている。この構成により、深さが０．１ｍｍ未満となる溝３０に起因するハードディスク用基板Ｐのばたつきの発生が抑制されるという効果が得られる。また、深さが１．０ｍｍを超える溝３０に起因するめっき厚の薄膜化が防止されるという効果が得られる。
【０１１０】
また、本実施形態に係るハードディスク用基板Ｐのめっき治具１０は、溝３０の開口部の角が丸みを有している。この構成により、開口部の角にバリが発生することが防止され、溝３０に支持されるハードディスク用基板Ｐに疵が付くことが防止されるという効果が得られる。
【０１１１】
また、本実施形態に係るハードディスク用基板Ｐのめっき治具１０は、溝３０の底面３２ｃが平坦であり、底面３２ｃと、溝３０の一方の傾斜面３１ａおよび他方の傾斜面３１ｂとが直交している。この構成により、ハードディスク用基板Ｐが溝３０の底面３２ｃで安定した姿勢状態で支持され、ばたつきの発生が抑制されるという効果が得られる。
【０１１２】
また、本実施形態に係るハードディスク用基板Ｐのめっき治具１０は、ハードディスク用基板Ｐのめっき治具１０の材質が、好ましくは、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ)であり、より好ましくは、ポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）であり、最も好ましくは、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、またはポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）およびポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ)の混合材料で構成されている。この構成により、めっき治具１０の高い耐摩耗性、酸およびアルカリに対する高い耐薬品性、高い電気絶縁性および高い機械的強度が確保されるという効果が得られる。また、本実施形態に係るハードディスク用基板Ｐのめっき治具１０は、高い耐摩耗性、耐薬品性を有するため、めっき治具１０からの異物の発生が抑制されるという効果が得られる。
【０１１３】
以上、本発明の実施形態について詳述したが、本発明は、前記の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の精神を逸脱しない範囲で、種々の設計変更を行うことができるものである。
【符号の説明】
【０１１４】
１０・・・めっき治具
２０・・・めっき軸（めっき治具）
２１・・・軸本体
２１ａ、ｈ・・・貫通孔
２１ｂ・・・外周面部
２２・・・芯材
２３・・・キャップ
３０・・・溝
３１・・・傾斜部
３１ａ・・・一方の傾斜面
３１ｂ・・・他方の傾斜面
３２・・・垂直部
３２ａ・・・一方の内壁面
３２ｂ・・・他方の内壁面
３２ｃ・・・底面
３３・・・角部
Ｃ、Ｃ１、Ｃ２・・・クリアランス
Ｄ・・・外径
ｄ・・・内径
ＤＰ１、ＤＰ２・・・深さ
Ｐ・・・ハードディスク用基板
ｔ・・・厚み
Ｒ・・・面取り
Ｗ１、Ｗ２・・・幅
【図１】
2019189886.tif 000003
【図２】
2019189886.tif 000004
【図３】
2019189886.tif 000005
【図４】
2019189886.tif 000006
【図５】
2019189886.tif 000007
【図６】
2019189886.tif 000008
【図７】
2019189886.tif 000009
【図８】
2019189886.tif 000010