(57)【要約】【課題】突沸の発生を抑えて良好な蒸着が可能な蒸発源装置を提供する。【解決手段】蒸着材料が収容される容器と、容器を加熱する加熱手段と、加熱手段による加熱を制御する制御手段とを備える蒸発源装置であって、制御手段は、容器に収容される蒸着材料の下部の温度が容器に収容される蒸着材料の上部の温度よりも高い第一の加熱制御と、容器に収容される蒸着材料の上部の温度が容器に収容される蒸着材料の下部の温度よりも高い第二の加熱制御とを行うことができることを特徴とする蒸発源装置を用いる。【選択図】図４
2019031705.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
蒸着材料が収容される容器と、前記容器を加熱する加熱手段と、前記加熱手段による加熱を制御する制御手段とを備える蒸発源装置であって、
前記制御手段は、前記容器に収容される前記蒸着材料の下部の温度が前記容器に収容される前記蒸着材料の上部の温度よりも高い第一の加熱制御と、前記容器に収容される前記蒸着材料の上部の温度が前記容器に収容される前記蒸着材料の下部の温度よりも高い第二の加熱制御とを行うことができることを特徴とする蒸発源装置。
【請求項２】
前記制御手段は、前記第一の加熱制御を行った後、前記第二の加熱制御を行うことを特徴とする請求項１に記載の蒸発源装置。
【請求項３】
蒸着材料が収容される容器と、前記容器を加熱する加熱手段と、前記加熱手段による加熱を制御する制御手段とを備える蒸発源装置であって、
前記容器は、当該容器の高さ方向において、前記蒸着材料が蒸発するときに通過する開口を含む上部領域と、前記容器の底部を含む下部領域と、前記上部領域と前記下部領域との間に位置する中部領域とを有し、
前記制御手段は、前記中部領域の温度が前記下部領域の温度よりも低くなるように、前記加熱手段による加熱を制御することを特徴とする蒸発源装置。
【請求項４】
前記容器の中部領域は、前記蒸着材料が収容された状態で、前記蒸着材料の上面の位置を含むことを特徴とする請求項３に記載の蒸発源装置。
【請求項５】
蒸着材料と、前記蒸着材料が収容された容器と、前記容器を加熱する加熱手段と、前記加熱手段による加熱を制御する制御手段とを備える蒸発源装置であって、
前記容器は、当該容器の高さ方向において、前記蒸着材料が蒸発するときに通過する開口を含む上部領域と、前記容器の底部を含む下部領域と、前記上部領域と前記下部領域との間に位置する中部領域とを有し、
前記蒸着材料は、当該蒸着材料の上面の位置が、前記容器の高さ方向において前記中部領域に含まれるように、前記容器に収容されており、
前記制御手段は、前記中部領域の温度が前記下部領域の温度よりも低くなるように、前記加熱手段による加熱を制御することを特徴とする蒸発源装置。
【請求項６】
蒸着材料が収容される容器と、前記容器を加熱する加熱手段と、前記加熱手段による加熱を制御する制御手段とを備える蒸発源装置であって、
前記容器は、当該容器の同一側面の高さ方向において、前記蒸着材料が蒸発するときに通過する開口を含む上部領域と、前記容器の底部を含む下部領域とを有し、
前記制御手段は、前記下部領域の温度が前記上部領域の温度よりも高くなるような第一の加熱制御と、前記上部領域の温度が前記下部領域の温度よりも高くなるような第二の加熱制御とを行うことを特徴とする蒸発源装置。
【請求項７】
前記制御手段は、前記第一の加熱制御を行った後、前記第二の加熱制御を行うことを特徴とする請求項６に記載の蒸発源装置。
【請求項８】
前記加熱手段は、第１の加熱源、第２の加熱源、および、第１の保温材を有し、
前記第１の加熱源は、前記容器の上部に対向する位置に配置され、
前記第２の加熱源は、前記容器の下部に対向する位置に配置され、
前記第１の保温材は、前記容器の底部に対向する位置に配置されることを特徴とする請求項１ないし７のいずれか１項に記載の蒸発源装置。
【請求項９】
前記加熱手段は、第１の加熱源、第２の加熱源、および、第３の加熱源を有し、
前記第１の加熱源は、前記容器の上部に対向する位置に配置され、
前記第２の加熱源は、前記容器の下部に対向する位置に配置され、
前記第３の加熱源は、前記容器の底部に対向する位置に配置されることを特徴とする請求項１ないし７のいずれか１項に記載の蒸発源装置。
【請求項１０】
前記加熱手段は、前記第１の加熱源に対応する位置に配置された第２の保温材を有することを特徴とする請求項８又は９に記載の蒸発源装置。
【請求項１１】
蒸着材料が収容される容器と、前記容器を加熱する加熱手段と、前記加熱手段による加熱を制御する制御手段とを備える蒸発源装置であって、
前記加熱手段は、第１の加熱源、第２の加熱源、および、第１の保温材を有し、
前記第１の加熱源は、前記容器の上部に対向する位置に配置され、
前記第２の加熱源は、前記容器の下部に対向する位置に配置され、
前記第１の保温材は、前記容器の底部に対向する位置に配置されることを特徴とする蒸発源装置。
【請求項１２】
蒸着材料が収容される容器と、前記容器を加熱する加熱手段と、前記加熱手段による加熱を制御する制御手段とを備える蒸発源装置であって、
前記加熱手段は、第１の加熱源、第２の加熱源、および、第３の加熱源を有し、
前記第１の加熱源は、前記容器の上部に対向する位置に配置され、
前記第２の加熱源は、前記容器の下部に対向する位置に配置され、
前記第３の加熱源は、前記容器の底部に対向する位置に配置される
ことを特徴とする蒸発源装置。
【請求項１３】
前記加熱手段は、前記第１の加熱源に対応する位置に配置された第２の保温材を有することを特徴とする請求項１１又は１２に記載の蒸発源装置。
【請求項１４】
前記制御手段は、前記第２の加熱源の電力密度が、前記第１の加熱源の電力密度よりも高くなるような第一の加熱制御と、前記第１の加熱源の電力密度が、前記第２の加熱源の電力密度よりも高くなるような第二の加熱制御とを行うことができることを特徴とする請求項１１乃至１３のいずれか１項に記載の蒸発源装置。
【請求項１５】
前記制御手段は、前記第一の加熱制御を行った後、前記第二の加熱制御を行うことを特徴とする請求項１４に記載の蒸発源装置。
【請求項１６】
蒸着材料が収容される容器と、前記容器を加熱する加熱手段とを備える蒸発源装置の制御方法であって、
前記容器に収容される前記蒸着材料の下部の温度が、前記容器に収容される前記蒸着材料の上部の温度よりも高くなるように前記加熱手段を制御する第一の加熱ステップと、
前記容器に収容される前記蒸着材料の上部の温度が、前記容器に収容される前記蒸着材料の下部の温度よりも高くなるように前記加熱手段を制御する第二の加熱ステップとを有することを特徴とする蒸発源装置の制御方法。
【請求項１７】
蒸着材料が収容される容器と、前記容器を加熱する加熱手段とを備える蒸発源装置の制御方法であって、
前記蒸着材料が蒸発するときに通過する開口を含む上部領域と前記容器の底部を含む下部領域との間に位置する中部領域の温度が、前記下部領域の温度より低くなるように前記加熱手段を制御する第一の加熱ステップと、
前記下部領域の温度が、前記中部領域の温度より低くなるように前記加熱手段を制御す
る第二の加熱ステップとを有することを特徴とする蒸発源装置の制御方法。
【請求項１８】
請求項１乃至請求項１５のいずれか１項に記載の蒸発源装置と、
前記蒸発源装置が配置され、前記蒸着材料の蒸着が行われる真空チャンバと、を備えることを特徴とする蒸着装置。
【請求項１９】
蒸着材料が収容される容器と、前記容器を加熱する加熱手段と、前記加熱手段による加熱を制御する制御手段とを備える蒸発源装置と、
前記蒸発源装置が配置され、前記蒸着材料の蒸着が行われる真空チャンバと、を備え、
前記制御手段は、前記蒸着材料の蒸着を行う前に、前記容器に収容される前記蒸着材料の下部の温度が前記容器に収容される前記蒸着材料の上部の温度よりも高くなるように第一の加熱制御を行い、
前記制御手段は、前記蒸着材料の蒸着を行うときに、前記容器に収容される前記蒸着材料の上部の温度が前記容器に収容される前記蒸着材料の下部の温度よりも高くなるように第二の加熱制御を行うことを特徴とする蒸着装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、蒸発源装置およびその制御方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ディスプレイの一種として、有機材料の電界発光を用いた有機ＥＬ素子を備えた有機ＥＬ装置が注目を集めている。かかる有機ＥＬディスプレイ等の有機電子デバイス製造において、蒸発源装置を用いて、基板上に有機材料や金属電極材料などの蒸着材料を蒸着させて成膜を行う工程がある。
【０００３】
蒸着工程で用いられる蒸発源装置は、蒸着材料が収容される容器としての機能と、蒸着材料の温度を上昇させて蒸発させ、基板の表面に付着させるための加熱機能を有する。従来、加熱機能を向上させて良好な成膜を行うために、蒸着材料を均一に加熱できるような蒸発源装置が提案されている。
【０００４】
特許文献１（特開平４−３４８０２２号公報）では、蒸着材料の容器（るつぼ）の底部を底上げしておき、容器の開口部と、底上げした部分に加熱用ヒータを設けることにより、蒸着材料を一様に加熱するとともに、蒸発した材料が該開口部に液滴として付着することを防いでいる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平４−３４８０２２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし従来、蒸発源装置が蒸着材料を加熱して温度を高める段階において、突沸が発生し、溶融した蒸着材料が噴出して飛び散ることがあった。
【０００７】
本発明は上記課題に鑑みてなされたものである。本発明の目的は、突沸の発生を抑えて良好な蒸着が可能な蒸発源装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的のため、本発明は以下の構成を採用する。すなわち、
蒸着材料が収容される容器と、前記容器を加熱する加熱手段と、前記加熱手段による加熱を制御する制御手段とを備える蒸発源装置であって、
前記制御手段は、前記容器に収容される前記蒸着材料の下部の温度が前記容器に収容される前記蒸着材料の上部の温度よりも高い第一の加熱制御と、前記容器に収容される前記蒸着材料の上部の温度が前記容器に収容される前記蒸着材料の下部の温度よりも高い第二の加熱制御とを行うことができることを特徴とする蒸発源装置である。
本発明はまた、以下の構成を採用する。すなわち、
蒸着材料が収容される容器と、前記容器を加熱する加熱手段と、前記加熱手段による加熱を制御する制御手段とを備える蒸発源装置であって、
前記容器は、当該容器の高さ方向において、前記蒸着材料が蒸発するときに通過する開口を含む上部領域と、前記容器の底部を含む下部領域と、前記上部領域と前記下部領域との間に位置する中部領域とを有し、
前記制御手段は、前記中部領域の温度が前記下部領域の温度よりも低くなるように、前記加熱手段による加熱を制御することを特徴とする蒸発源装置である。
本発明はまた、以下の構成を採用する。すなわち、
蒸着材料と、前記蒸着材料が収容された容器と、前記容器を加熱する加熱手段と、前記加熱手段による加熱を制御する制御手段とを備える蒸発源装置であって、
前記容器は、当該容器の高さ方向において、前記蒸着材料が蒸発するときに通過する開口を含む上部領域と、前記容器の底部を含む下部領域と、前記上部領域と前記下部領域との間に位置する中部領域とを有し、
前記蒸着材料は、当該蒸着材料の上面の位置が、前記容器の高さ方向において前記中部領域に含まれるように、前記容器に収容されており、
前記制御手段は、前記中部領域の温度が前記下部領域の温度よりも低くなるように、前記加熱手段による加熱を制御することを特徴とする蒸発源装置である。
本発明はまた、以下の構成を採用する。すなわち、
蒸着材料が収容される容器と、前記容器を加熱する加熱手段と、前記加熱手段による加熱を制御する制御手段とを備える蒸発源装置であって、
前記容器は、当該容器の同一側面の高さ方向において、前記蒸着材料が蒸発するときに通過する開口を含む上部領域と、前記容器の底部を含む下部領域とを有し、
前記制御手段は、前記下部領域の温度が前記上部領域の温度よりも高くなるような第一の加熱制御と、前記上部領域の温度が前記下部領域の温度よりも高くなるような第二の加熱制御とを行うことを特徴とする蒸発源装置である。
本発明はまた、以下の構成を採用する。すなわち、
蒸着材料が収容される容器と、前記容器を加熱する加熱手段と、前記加熱手段による加熱を制御する制御手段とを備える蒸発源装置であって、
前記加熱手段は、第１の加熱源、第２の加熱源、および、第１の保温材を有し、
前記第１の加熱源は、前記容器の上部に対向する位置に配置され、
前記第２の加熱源は、前記容器の下部に対向する位置に配置され、
前記第１の保温材は、前記容器の底部に対向する位置に配置されることを特徴とする蒸発源装置である。
本発明はまた、以下の構成を採用する。すなわち、
蒸着材料が収容される容器と、前記容器を加熱する加熱手段と、前記加熱手段による加熱を制御する制御手段とを備える蒸発源装置であって、
前記加熱手段は、第１の加熱源、第２の加熱源、および、第３の加熱源を有し、
前記第１の加熱源は、前記容器の上部に対向する位置に配置され、
前記第２の加熱源は、前記容器の下部に対向する位置に配置され、
前記第３の加熱源は、前記容器の底部に対向する位置に配置される
ことを特徴とする蒸発源装置である。
本発明はまた、以下の構成を採用する。すなわち、
蒸着材料が収容される容器と、前記容器を加熱する加熱手段とを備える蒸発源装置の制御方法であって、
前記容器に収容される前記蒸着材料の下部の温度が、前記容器に収容される前記蒸着材料の上部の温度よりも高くなるように前記加熱手段を制御する第一の加熱ステップと、
前記容器に収容される前記蒸着材料の上部の温度が、前記容器に収容される前記蒸着材料の下部の温度よりも高くなるように前記加熱手段を制御する第二の加熱ステップとを有することを特徴とする蒸発源装置の制御方法である。
本発明はまた、以下の構成を採用する。すなわち、
蒸着材料が収容される容器と、前記容器を加熱する加熱手段とを備える蒸発源装置の制御方法であって、
前記蒸着材料が蒸発するときに通過する開口を含む上部領域と前記容器の底部を含む下部領域との間に位置する中部領域の温度が、前記下部領域の温度より低くなるように前記加熱手段を制御する第一の加熱ステップと、
前記下部領域の温度が、前記中部領域の温度より低くなるように前記加熱手段を制御する第二の加熱ステップとを有することを特徴とする蒸発源装置の制御方法である。
本発明はまた、以下の構成を採用する。すなわち、
蒸着材料が収容される容器と、前記容器を加熱する加熱手段と、前記加熱手段による加熱を制御する制御手段とを備える蒸発源装置と、
前記蒸発源装置が配置され、前記蒸着材料の蒸着が行われる真空チャンバと、を備え、
前記制御手段は、前記蒸着材料の蒸着を行う前に、前記容器に収容される前記蒸着材料の下部の温度が前記容器に収容される前記蒸着材料の上部の温度よりも高くなるように第一の加熱制御を行い、
前記制御手段は、前記蒸着材料の蒸着を行うときに、前記容器に収容される前記蒸着材料の上部の温度が前記容器に収容される前記蒸着材料の下部の温度よりも高くなるように第二の加熱制御を行うことを特徴とする蒸着装置である。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、突沸の発生を抑えて良好な蒸着が可能な蒸発源装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】有機電子デバイスの製造装置の構成の一部を示す断面図
【図２】蒸着材料の突沸について説明する図
【図３】実施形態１にかかる蒸発源装置の構成を示す図
【図４】実施形態１にかかる温度等の推移を示すグラフ
【図５】実施形態１の構成による制御の流れを示す図
【図６】実施形態２・３にかかる蒸発源装置の構成を示す図
【図７】有機ＥＬ表示装置の構造を示す図
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、図面を参照しつつ本発明の好適な実施形態及び実施例を説明する。ただし、以下の実施形態及び実施例は本発明の好ましい構成を例示的に示すものにすぎず、本発明の範囲をそれらの構成に限定されない。また、以下の説明における、装置のハードウェア構成及びソフトウェア構成、処理フロー、製造条件、寸法、材質、形状などは、特に特定的な記載がないかぎりは、本発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではない。
【００１２】
本発明は、蒸発源装置およびその制御方法に関し、特に、蒸着により被蒸着体に薄膜を形成するための蒸発源装置およびその制御方法に好適である。本発明はまた、制御方法をコンピュータに実行させるプログラムや、当該プログラムを格納した記憶媒体としても捉えられる。記憶媒体は、コンピュータにより読み取り可能な非一時的な記憶媒体であってもよい。本発明は、例えば、被蒸着体である基板の表面に真空蒸着により所望のパターンの薄膜（材料層）を形成する装置に好ましく適用できる。基板の材料としては、ガラス、樹脂、金属などの任意の材料を選択できる。なお、蒸発源装置の被蒸着体は、平板状の基板に限られない。例えば、凹凸や開口のある機械部品を被蒸着体としてもよい。また、蒸着材料としても、有機材料、無機材料（金属、金属酸化物など）などの任意の材料を選択できる。また、有機膜だけではなく金属膜を成膜することも可能である。本発明の技術は、具体的には、有機電子デバイス（例えば、有機ＥＬ表示装置、薄膜太陽電池）、光学部材などの製造装置に適用可能である。
【００１３】
＜実施形態１＞
＜蒸発源装置の概略構成＞
図１は、蒸着装置（成膜装置）の構成を模式的に示す断面図である。成膜装置は、真空チャンバ２００を有する。真空チャンバ２００の内部は、真空雰囲気か、窒素ガスなどの不活性ガス雰囲気に維持されている。真空チャンバ２００の内部には、概略、基板保持ユニット（不図示）によって保持された被蒸着体である基板１０と、マスク２２０と、蒸発
源装置２４０が設けられる。基板保持ユニットは、基板１０を載置するための受け爪などの支持具や、基板を押圧保持するためのクランプなどの押圧具によって基板を保持する。
【００１４】
基板１０は、搬送ロボット（不図示）により真空チャンバ２００内に搬送されたのち、基板保持ユニットによって保持され、成膜時には水平面（ＸＹ平面）と平行となるよう固定される。マスク２２０は、基板１０上に形成する所定パターンの薄膜パターンに対応する開口パターンをもつマスクであり、例えばメタルマスクである。成膜時にはマスク２２０の上に基板１０が載置される。
【００１５】
真空チャンバ内には、その他、基板１０の温度上昇を抑制する冷却板（不図示）を備えていてもよい。また、真空チャンバの上には、基板１０のアライメントのための機構、例えばＸ方向またはＹ方向のアクチュエータや、基板保持のためのクランプ機構用アクチュエータなどの駆動手段や、基板１０を撮像するカメラ（いずれも不図示）を備えていてもよい。
【００１６】
蒸発源装置２４０は概略、内部に蒸着材料２４２を収容可能な容器２４４と、加熱を行うためのヒータ２４６と、加熱効率を高めるための保温材であるリフレクタ２４８とを備える。図１ではヒータ２４６は容器上部と下部に、リフレクタ２４８は容器上部と底部に設けられているが、後述するように、これ以外の配置も可能である。その他に、蒸発源装置２４０の構成要素全体を格納できる筐体、シャッタ、膜厚モニタなどを備えていてよい（いずれも不図示）。また、成膜を一様に行うために蒸発源装置２４０を移動させる、蒸発源駆動機構２５０を備えてもよい。これらの各構成要素については、後ほど詳しく述べる。なお、図１における蒸発源装置２４０の各構成要素の形状、位置関係、サイズ比は例示にすぎない。なお、後述する制御部２７０については、本明細書では蒸発源装置の一部として捉えているが、蒸発源装置とは別のものとして捉えてもよい。
【００１７】
容器２４４の材質としては、例えばセラミック、金属、カーボン材料などが知られているが、これに限定されず、蒸着材料２４２の物性やヒータ２４６による加熱温度との関係で好ましいものを用いる。ヒータ２４６としては、例えばシースヒータや金属ワイヤ線などの抵抗加熱式のヒータが知られているが、これに限定されず、蒸着材料２４２を蒸発させる加熱性能があればよい。後述するように、容器２４４の複数の部位を個別に温度制御しながら加熱できるものであれば、種類は問わない。またヒータの形状についても、図１のようなワイヤ状のほか、プレート状、メッシュ状など任意の形状を採用できる。リフレクタ２４８は熱効率を高める保温材（断熱材）であり、例えば金属等を利用できるが、これに限定されない。
【００１８】
成膜装置は制御部２７０を有する。制御部２７０は、蒸発源装置２４０の制御、例えば加熱の開始や終了のタイミング制御、温度制御、シャッタを設ける場合はその開閉タイミング制御、蒸発源駆動機構を設ける場合はその移動制御などを行う。なお、複数の制御手段を組み合わせて制御部２７０を構成してもよい。複数の制御手段とは例えば、加熱制御手段、シャッタ制御手段、蒸発源駆動制御手段などである。また、ヒータ２４６を部位ごとに制御可能とした場合、それぞれの部位ごとに加熱制御手段を設けてもよい。加熱制御については、後ほど別項を設けて詳述する。制御部２７０は、基板１０の搬送およびアライメント制御手段など、蒸発源装置２４０以外の機構の制御手段を兼ねていてもよい。
【００１９】
制御部２７０は、例えば、プロセッサ、メモリ、ストレージ、Ｉ／Ｏ、ＵＩなどを有するコンピュータにより構成可能である。この場合、制御部２７０の機能は、メモリ又はストレージに記憶されたプログラムをプロセッサが実行することにより実現される。コンピュータとしては、汎用のコンピュータを用いてもよいし、組込型のコンピュータ又はＰＬＣ（ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ  ｌｏｇｉｃ  ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）を用いてもよい。
あるいは、制御部２７０の機能の一部又は全部をＡＳＩＣやＦＰＧＡのような回路で構成してもよい。なお、成膜装置ごとに制御部２７０が設けられていてもよいし、１つの制御部２７０が複数の成膜装置を制御してもよい。
【００２０】
容器内部に蒸着材料２４２が収容され、基板１０のマスク２２０への載置やアライメントなどの準備が完了すると、制御部２７０の制御によってヒータ２４６が動作を開始し、蒸着材料２４２が加熱される。温度が十分に高まると、蒸着材料２４２が蒸発して基板１０の表面に付着し、薄膜を形成する。複数の容器に別種の蒸着材料を収容しておくことで共蒸着も可能である。形成された膜を膜厚モニタ（不図示）等で測定しながら制御を行うことで、基板上に所望の厚さを持った膜が形成される。一様な厚さで成膜するために、例えば、基板１０を回転させたり、蒸発源駆動機構により蒸発源装置を移動させたりしながら蒸着を行ってもよい。また、基板の大きさによっては、複数の蒸発源を並行して加熱することも好ましい。容器２４４の形状は任意である。また、蒸発源の種類も、点状の蒸発源、線状の蒸発源、面状の蒸発源のいずれでも構わない。
【００２１】
後述するように、ある種類の蒸着材料が成膜された基板上に別種の蒸着材料を成膜することで、複層構造を形成できる。その場合、容器内の蒸着材料を交換したり、容器自体を別種の蒸着材料が格納されたものに交換したりしてもよい。また、真空チャンバ内に複数の蒸発源装置を設けて交換しながら用いてもよいし、基板１０を現在の成膜装置から搬出し、別種の蒸着材料が収納された蒸発源装置を備える他の成膜装置に搬入してもよい。
【００２２】
＜蒸着材料の突沸の原因＞
図２（ａ）〜図２（ｄ）は、突沸の原因を説明するための図であり、従来の蒸着方式における加熱開始以降の容器２４４の内部の様子を順次示したものである。
【００２３】
まず図２（ａ）において、ヒータ２４６によって蒸着材料２４２の加熱が開始される。このとき蒸着材料は、全体が固体の状態（２４２ａ）である。加熱が進行すると、図２（ｂ）に示すように、蒸着材料の下部が固体の状態（２４２ａ）であるのに対して、蒸着材料の上部が溶融して液体の状態（２４２ｂ）になる。
【００２４】
ここで、蒸着材料によっては、加熱による温度の上昇に伴って、図２（ｃ）に示すように蒸着材料から不純物であるガス成分２５２が放出される場合がある。このガス離脱現象は「デガス（ｄｅｇａｓｉｆｉｃａｔｉｏｎ）」とも呼ばれ、蒸着材料２４２から抜け出たガス成分２５２は上部に抜け出ていく。しかし、デガスによるガス成分２５２が抜け切る前に、図２（ｂ）のように上部の蒸着材料が溶融して液体の状態（２４２ｂ）になっていると、上部に抜け出そうとするガス成分２５２に対して蓋をしてしまう。
【００２５】
加熱によるガス成分２５２の離脱が進行すると、液体の状態の蒸着材料（２４２ｂ）の下でガス圧が高まる。さらにこのガス圧が高まると、図２（ｄ）に示すように、行き場の無くなったガス成分２５２が噴出して蒸着材料が飛散してしまう。この現象が出願人らの検討により明らかになった突沸の原因であり、良好な成膜を妨げる要因となる。
【００２６】
出願人が鋭意検討した結果、上記の蒸着材料が突沸を起こす原因を追求し、更に下記に記載した蒸発源装置の構成および制御方法を着想するに至った。本発明により、蒸着材料の突沸を抑制する蒸発源装置および蒸発源装置の制御方法を提供する。
【００２７】
＜蒸発源装置の詳細構成＞
図３（ａ）は、本実施形態の蒸発源装置２４０の構成を説明するために、蒸発源装置２４０のうち、蒸着材料の収容および加熱に関連する構成要素を示した概略断面図である。図３（ｂ）は、容器２４４の各部位を指し示す用語について説明する図である。本実施形
態においては、ヒータ２４６は、容器の上部領域２４４ａに対向する位置に配置される上部ヒータ２４６ａと、容器の下部領域２４４ｂに対向する位置に配置される下部ヒータ２４６ｂを含んでいる。なお、「対向する位置」という文言は厳格に捉える必要はなく、多少の高さ方向の位置ずれがあったとしても、加熱対象位置の温度に影響を与えられれば構わない。
【００２８】
制御部２７０は、上部ヒータ２４６ａと下部ヒータ２４６ｂを、それぞれ独立して制御可能である。制御内容としては、加熱の開始／終了や温度変更などがある。また、リフレクタ２４８は、容器の上部領域２４４ａに対応する上部リフレクタ２４８ａと、容器の底部２４４ｄに対向する底部リフレクタ２４８ｂとを含んでいる。なお、底部リフレクタ２４８ｂは、容器の底部２４４ｄの下側にしか存在できないわけではなく、その一部が容器の底部２４４ｄの上側に延伸していてもよい。底部リフレクタ２４８ｂは、要するに、下部ヒータ２４６ｂが容器内の蒸着材料の下部を加熱するために配置される。
【００２９】
図３（ｂ）を参照して、本明細書中の用語について説明する。容器２４４のうち、少なくとも上面を含む領域のことを容器の「上部領域２４４ａ」と呼ぶ。上部領域２４４ａは、蒸着材料２４２が蒸発するときに通過する開口を含む。上部領域同様に、容器のうち少なくとも底面を含む領域のことを「下部領域２４４ｂ」と呼ぶ。上部領域と下部領域のそれぞれが容器の高さの中で占める割合は必ずしも特定の範囲に限定されるものではなく、蒸発源装置ごとに異なっていてもよい。上述のように、容器上面を含んでいれば上部領域と言える。また該上部領域に対応する位置に設けられ、該上部領域を加熱可能なヒータは上部ヒータと言える。また、容器底面を含んでいれば下部領域と言える。また該下部領域に対応する位置に設けられ、該下部領域を加熱可能なヒータは下部ヒータと言える。
【００３０】
また、容器の高さ方向を、上部領域と下部領域のいずれかに分類しなければならないわけではなく、両者の間に「中部領域２４４ｃ」を設定してもよい。また、容器の底面のことを、下部領域２４４ｂとは別に「底部２４４ｄ」と呼ぶ場合もある。なお、容器２４４が、当該容器の上面から突出したノズル状の部位を備える場合のように、高さ方向において複数の側面が存在する場合がある。その場合、上部領域は、少なくとも容器の上面を含む領域のことを指す。また、下部領域は、当該上部領域と同一側面（同一の上面と底面を有する側面）に設定される。
【００３１】
蒸着材料および／または容器の加熱に用いられるヒータ２４６とリフレクタ２４８のことを、「加熱手段」とも呼ぶ。加熱手段のうち、ヒータは加熱源であり、リフレクタは保温材と呼べる。また、加熱のタイミングや温度にも用いられる制御部２７０のことを、蒸発源装置の加熱に関する「制御手段」とも呼ぶ。ただし制御部２７０とは別に、加熱に関する制御手段として機能する温度制御ユニットを設けても構わない。上部ヒータ２４６ａ、下部ヒータ２４６ｂ、底部ヒータ２４６ｃ、上部リフレクタ２４８ａ、底部リフレクタ２４８ｂは、それぞれ本発明の第１の加熱源、第２の加熱源、第３の加熱源、第２の保温材、第１の保温材に相当する。
【００３２】
また、加熱手段や制御手段を、容器の高さ方向での位置に応じて分類することもできる。例えば、上部ヒータ２４６ａおよび上部リフレクタ２４８ａを、容器の上部領域２４４ａの加熱、または、蒸着材料２４２の上部の加熱に関連する第一の加熱手段として定義できる。同様に、下部ヒータ２４６ｂおよび底部リフレクタ２４８ｂを、容器の下部領域２４４ｂの加熱、または、蒸着材料２４２の下部の加熱に関連する第二の加熱手段として定義できる。また、後述する実施形態のように蒸発源装置２４０が上部リフレクタ２４８ａを含まない場合、上部ヒータ２４６ａのみをもって第一の加熱手段としてもよい。また、蒸発源装置２４０が底部ヒータ２４６ｃを含む場合、該底部ヒータ２４６ｃを第二の加熱手段に含めてもよい。また、蒸発源装置２４０が底部リフレクタ２４８ｂを含まない場合
、下部ヒータ２４６ｂのみ、または、下部ヒータ２４６ｂおよび底部ヒータ２４６ｃをもって第二の加熱手段としてもよい。また、制御部２７０を、第一の加熱手段に対応する第一の制御手段と、第二の加熱手段に対応する第二の加熱手段に分類してもよい。
【００３３】
制御部２７０は加熱手段の種類に応じた方法で上部ヒータ２４６ａと下部ヒータ２４６ｂそれぞれを制御する。例えば抵抗加熱式ヒータを用いる場合は発熱線への通電を制御する。より具体的には、抵抗加熱式ヒータの電流密度を高くしたり低くしたりすることで、温度を高くしたり低くしたりする。制御部２７０は、ユーザがコンピュータのＵＩ等を介して入力した入力値や、装置構成および蒸着材料に関する条件（例えば、ヒータの性能、容器の形状や材質、リフレクタの配置や特性、その他成膜装置の特性、蒸着材料の種類、容器内に収容される蒸着材料の量）などに応じて制御条件を決定する。温度センサ（不図示）を設置しておき、その検出値を制御に用いることも好ましい。また、蒸着材料や装置構成に応じた好ましい制御条件を、予めメモリにテーブルや数式の形式で格納しておき、制御部２７０に参照させることも好ましい。
【００３４】
＜加熱制御＞
図４は、図３（ａ）に示した蒸発源装置２４０を用いた加熱制御について説明するグラフであり、（１）蒸着材料の上部の温度、（２）蒸着材料の下部の温度、（３）容器の上部領域の温度、（４）容器の下部領域の温度、（５）蒸着材料の蒸発レート、（６）デガスにより発生するガスの圧力、の推移を示している。図４の横軸は時間の経過を示す。縦軸は、（１）〜（４）に関しては温度を、（５）に関しては単位時間当たりの蒸発量を、（６）に関しては圧力を、それぞれ表す。
【００３５】
蒸着材料を加熱する期間をフェーズ１、蒸着材料が蒸発を始めて以降の期間であり、被蒸着体への蒸着段階をフェーズ２とする。本発明の構成および制御方法は、制御部２７０が、フェーズ１の期間では、材料の下部が材料の上部よりも高温になるような第一の加熱制御を行う点に特徴がある。加熱手段が抵抗加熱式ヒータの場合、下部ヒータ（第２の加熱源）の電力密度が、第１の加熱源（上部ヒータ）の電力密度よりも高くすることで、第一の加熱制御を実現できる。
【００３６】
本発明の構成または制御方法のより好ましい特徴は、フェーズ２の期間では、材料の上部が材料の下部よりも高温になるような第二の加熱制御を行う点である。フェーズ２における第二の加熱制御は、容器の上部領域を容器の下部領域よりも高温にする制御、と言い換えることもできる。また、容器の上部領域の温度を、少なくとも開口部への材料堆積を抑制できる程度に高くできれば、フェーズ２（第二の加熱制御）においてある程度の効果が得られる。加熱手段が抵抗加熱式ヒータの場合、第１の加熱源（上部ヒータ）の電力密度が、第２の加熱源（下部ヒータ）の電力密度よりも高くすることで、第二の加熱制御を実現できる。
【００３７】
なお、上記では材料の加熱段階のことをフェーズ１と呼んだが、蒸発が少しでも始まったら直ちにフェーズ１の制御を終了しなければならないわけではない。例えば、蒸発レートが所定のレベルを超えるまでの間は、フェーズ１の制御を行っていてもよい。あるいは、突沸が発生しない程度にデガスが進行したら、フェーズ２に切り替えてもよい。また、フェーズ移行期間において、上部と下部の温度を同程度にしてもよい。図４では、蒸発レートが上昇したのち安定的な蒸着が始まるタイミング（ｔ２）以降をフェーズ２としているが、このタイミングは厳密なものではない。
【００３８】
まず、図４のタイミングｔ０において加熱が開始されたときの蒸発源装置２４０の様子を図５（ａ）に示す。このとき制御部２７０は、固体状態の蒸着材料２４２ａの下部の温度が、上部の温度よりも高くなるように、上部ヒータ２４６ａの温度と下部ヒータ２４６
ｂの温度を制御する。例えば、容器の高さ方向において、個体状態の蒸着材料２４２ａの収容量と、上部／下部ヒータの位置関係が図５（ａ）のような場合、容器の下部領域２４４ｂに対応する下部ヒータ２４６ｂの温度を、容器の上部領域２４４ａに対応する上部ヒータ２４６ａの温度よりも高くする。
【００３９】
本実施形態のフェーズ１においては、底部リフレクタ２４８ｂが存在することにより、容器の下部領域２４４ｂの温度を効率的に上昇させることができ、ひいては蒸着材料の下部の温度を高めることができる。なお、容器の中部領域２４４ｃに対応する部位にはリフレクタを設けていない。かかる構成により中部領域２４４ｃから熱を逃がすことが可能になり、蒸着材料の上部の温度が過度に上昇することを抑制できる。
【００４０】
このようなフェーズ１の加熱制御によれば、蒸着材料において比較的高温な下部の側から、比較的低温な上部に向かって順にデガスが起こる。そのため、図４のタイミングｔ１においてガス圧力が増大した場合でも、図５（ｂ）に示すように、蒸着材料の上部は固体のため、ガス成分２５２が蒸着材料の間を通ることが可能になり、スムーズに容器外へ離脱する。したがって、ガスが抜けきる前に蒸着材料の上部が溶融してフタになることが無いので、突沸は起こらない。
【００４１】
デガスの完了後さらに温度が上昇すると、徐々に蒸着材料が溶融していき、やがて図５（ｃ）に示すように液体の状態２４２ｂになる。制御部２７０は、突沸が発生しない程度までガス離脱が進んだら、容器の上部領域２４４ａの温度が、下部領域２４４ｂの温度よりも高くなるように、上部ヒータ２４６ａの温度と下部ヒータ２４６ｂの温度を制御する。例えば、フェーズ１とは逆に、容器の下部領域２４４ｂに対応する下部ヒータ２４６ｂの温度を、容器の上部領域２４４ａに対応する上部ヒータ２４６ａの温度よりも低くする。その結果、図４においては、タイミングｔ２以降のフェーズ２において、容器上部が容器下部よりも高温になっている。また、それに伴い、材料上部が材料下部より高温になっている。
【００４２】
本実施形態のフェーズ２においては、上部リフレクタ２４８ａが存在することにより、容器の上部領域２４４ａの温度を効率的に上昇させることができ、ひいては材料堆積を効果的に抑制できる。
【００４３】
このようなフェーズ２の加熱制御によれば、容器の上部領域が高温に加熱されるため、蒸発した蒸着材料が容器の開口部で凝縮して堆積することがないので、安定した蒸着が可能になる。
【００４４】
以上のように、本実施形態の蒸発源装置の構成および制御方法によれば、加熱時には蒸着材料の下部が上部よりも高温になるため、ガスがスムーズに離脱し、突沸を防止することができる。その結果、蒸着の際に突沸を起こさずに良好な成膜が可能になる。さらにフェーズ２のような、より好ましい制御方法によれば、蒸着時に容器の上部領域を高温にすることにより、凝縮を効果的に防いで材料堆積を防ぐことができる。
【００４５】
なお、蒸発が進行するに連れて容器中の蒸着材料２４２の量は減少していく。そのため、容器の高さ方向における、上部／下部ヒータの位置と、蒸着材料の上面の位置の関係も徐々に変化する。したがって、本発明の制御の効果を大きくするためには、初期状態（タイミングｔ０）における蒸着材料２４２の上面の位置や、蒸発が始まって以降の蒸着材料２４２の上面の位置を考慮して、上部／下部ヒータの加熱制御を行うことが好ましい。例えば初期状態で、蒸着材料２４２の量が多く、容器の高さ方向において、蒸着材料２４２の上面が上部ヒータ２４６ａに対応する位置（容器の上部領域）にある場合、上部ヒータの温度を高くしすぎることは好ましくない。一方、初期状態では、容器の高さ方向におい
て、蒸着材料２４２の上面が中部領域に対応する位置にある場合、中部領域からは熱が外部に逃げやすいため、フェーズ１の制御が好適に行われる。
【００４６】
＜実施形態２＞
本発明の実施形態２を、図面を参照しつつ説明する。実施形態１と共通する構成については同じ符号を付し、説明を簡略化する。図６（ａ）は、本実施形態の蒸発源装置のうち、材料の加熱に関連する構成要素を示した概略断面図である。ヒータ２４６は、容器の上部領域２４４ａに対応する上部ヒータ２４６ａと、容器の下部領域２４４ｂに対応する下部ヒータ２４６ｂを含んでおり、それぞれ独自に制御可能である。また、リフレクタ２４８は、容器の底面に対応する底部リフレクタ２４８ｂを含んでいる。一方、本実施形態の蒸発源装置は、上部リフレクタ２４８ａを含んでいない。
【００４７】
このような構成によっても、実施形態１で説明したような、蒸着材料の加熱段階（フェーズ１）において材料の下部を材料の上部よりも高温にする制御は可能である。また、蒸着材料が蒸着する段階（フェーズ２）においても、材料の上部を材料の下部よりも高温にする制御（または、容器の上部領域を容器の下部領域よりも高温にする制御、あるいは、容器の上部領域を、開口部への材料堆積を抑制できる程度の温度にする制御）は可能である。本実施形態の加熱手段が抵抗加熱式ヒータである場合、実施形態１と同様に、フェーズ１では下部ヒータ２４６ｂの電力密度を上部ヒータ２４６ａより高くし、フェーズ２では上部ヒータ２４６ａの電力密度を下部ヒータ２４６ｂより高くするとよい。
【００４８】
なお、本実施形態では上部リフレクタ２４８ａを設けていないため、フェーズ１において、材料の上部の温度が、実施形態１の場合と比べて上昇しにくい。そのため、突沸抑制の効果を比較的得やすい。一方、フェーズ２においては、開口部への材料堆積を防止するために、上部ヒータ２４６ａの加熱制御を効率的に行う必要がある。
【００４９】
以上のように、本実施形態の蒸発源装置の構成および制御方法によっても、突沸を起こさずに良好な成膜が可能になる。また、より好ましい制御方法によれば、蒸着時の材料堆積防止という効果が得られる。
【００５０】
＜実施形態３＞
本発明の実施形態３を、図面を参照しつつ説明する。実施形態１・２と共通する構成については同じ符号を付し、説明を簡略化する。図６（ｂ）は、本実施形態の蒸発源装置のうち、材料の加熱に関連する構成要素を示した概略断面図である。ヒータ２４６は、容器の上部領域２４４ａに対応する上部ヒータ２４６ａと、容器の下部領域２４４ｂに対応する下部ヒータ２４６ｂに加え、容器の底面に対応する底部ヒータ２４６ｃを含んでいる。上部ヒータ２４６ａ、下部ヒータ２４６ｂ、底部ヒータ２４６ｃは、制御部２７０によってそれぞれ独立して制御可能である。なお、図６（ｂ）ではリフレクタ２４８は設けていない。ただし、本実施形態の特徴は底部ヒータ２４６ｃを設けた点にあるので、図６（ｂ）の構成に加えて上部リフレクタ２４８ａおよび底部リフレクタ２４８ｂの少なくとも一方を設けてもよい。
【００５１】
このような構成によっても、実施形態１・２で説明したような、蒸着材料の加熱段階（フェーズ１）において材料の下部を材料の上部よりも高温にする制御は可能である。また、蒸着材料が蒸着する段階（フェーズ２）においても、材料の上部を材料の下部よりも高温にする制御（または、容器の上部領域を容器の下部領域よりも高温にする制御、あるいは、容器の上部領域を、開口部への材料堆積を抑制できる程度の温度にする制御）は可能である。なお、本実施形態では底部ヒータ２４６ｃを設けているため、フェーズ１において材料の下部の温度を上昇させやすい。そのため材料下部からのガス離脱を効果的に促進できる。
【００５２】
本実施形態の加熱手段が抵抗加熱式ヒータである場合、フェーズ１では、上部ヒータ２４６ａの電力密度を下部ヒータ２４６ｂおよび底部ヒータ２４６ｃより低くする。また、フェーズ１において、底部ヒータ２４６ｃの電力密度を、下部ヒータ２４６ｂの電力密度以上としてもよい。さらに、フェーズ２では、上部ヒータ２４６ａの電力密度を下部ヒータ２４６ｂおよび底部ヒータ２４６ｃより高くする。また、フェーズ２において、下部ヒータ２４６ｂの電力密度を、底部ヒータ２４６ｃの電力密度以上としてもよい。あるいは、フェーズ２において、底部ヒータ２４６ｃには電源を入れなくてもよい。これにより、レート制御をスムーズに行うことができる。
【００５３】
以上のように、本実施形態の蒸発源装置の構成および制御方法によっても、突沸を起こさずに良好な成膜が可能になる。また、より好ましい制御方法によれば、蒸着時の材料堆積防止という効果が得られる。
【００５４】
＜変形例＞
上記各実施形態では、加熱手段を最大で上部・下部・底部の３系統に区分した。しかし、加熱段階において材料の下部を上部より高温にできるのであれば、これ以外の区分方法でも構わない。容器のサイズや想定される蒸着材料の収容量に応じてより細かい制御をできるように、系統を増やしてもよい。
【００５５】
また、上記各実施形態で示した蒸発源装置の容器の形状は、本発明の適用対象の一例にすぎない。また、容器の上面の、蒸着材料が蒸発してできた粒子が射出される部分に、粒子の指向性制御などの目的でノズルやスリットを設けてもよい。容器の上面から突出したノズルを設ける場合も、上記各実施形態と同様に、少なくとも容器の上面を含む領域のことを上部領域と呼べる。また、蒸着時（フェーズ２）においては、材料堆積を抑制するために、ヒータによってノズルを含んだ部位を高温に制御することが好ましい。
【００５６】
＜実施形態４＞
＜有機電子デバイスの製造方法の具体例＞
本実施形態では、蒸発源装置を備える蒸着装置（成膜装置）を用いた有機電子デバイスの製造方法の一例を説明する。以下、有機電子デバイスの例として有機ＥＬ表示装置の構成及び製造方法を例示する。まず、製造する有機ＥＬ表示装置について説明する。図７（ａ）は有機ＥＬ表示装置６０の全体図、図７（ｂ）は１画素の断面構造を表している。本実施形態の成膜装置が備える蒸発源装置２４０としては、上記の各実施形態にいずれかに記載の装置を用いる。
【００５７】
図７（ａ）に示すように、有機ＥＬ表示装置６０の表示領域６１には、発光素子を複数備える画素６２がマトリクス状に複数配置されている。詳細は後で説明するが、発光素子のそれぞれは、一対の電極に挟まれた有機層を備えた構造を有している。なお、ここでいう画素とは、表示領域６１において所望の色の表示を可能とする最小単位を指している。本図の有機ＥＬ表示装置の場合、互いに異なる発光を示す第１発光素子６２Ｒ、第２発光素子６２Ｇ、第３発光素子６２Ｂの組合せにより画素６２が構成されている。画素６２は、赤色発光素子と緑色発光素子と青色発光素子の組合せで構成されることが多いが、黄色発光素子とシアン発光素子と白色発光素子の組み合わせでもよく、少なくとも１色以上であれば特に制限されるものではない。
【００５８】
図７（ｂ）は、図７（ａ）のＡ−Ｂ線における部分断面模式図である。画素６２は、被蒸着体である基板６３上に、第１電極（陽極）６４と、正孔輸送層６５と、発光層６６Ｒ，６６Ｇ，６６Ｂのいずれかと、電子輸送層６７と、第２電極（陰極）６８と、を備える有機ＥＬ素子を有している。これらのうち、正孔輸送層６５、発光層６６Ｒ，６６Ｇ，６
６Ｂ、電子輸送層６７が有機層に当たる。また、本実施形態では、発光層６６Ｒは赤色を発する有機ＥＬ層、発光層６６Ｇは緑色を発する有機ＥＬ層、発光層６６Ｂは青色を発する有機ＥＬ層である。発光層６６Ｒ，６６Ｇ，６６Ｂは、それぞれ赤色、緑色、青色を発する発光素子（有機ＥＬ素子と記述する場合もある）に対応するパターンに形成されている。また、第１電極６４は、発光素子ごとに分離して形成されている。正孔輸送層６５と電子輸送層６７と第２電極６８は、複数の発光素子６２Ｒ，６２Ｇ，６２Ｂと共通で形成されていてもよいし、発光素子毎に形成されていてもよい。なお、第１電極６４と第２電極６８とが異物によってショートするのを防ぐために、第１電極６４間に絶縁層６９が設けられている。さらに、有機ＥＬ層は水分や酸素によって劣化するため、水分や酸素から有機ＥＬ素子を保護するための保護層７０が設けられている。
【００５９】
次に、有機ＥＬ表示装置の製造方法の例について具体的に説明する。
まず、有機ＥＬ表示装置を駆動するための回路（不図示）および第１電極６４が形成された基板６３を準備する。
【００６０】
第１電極６４が形成された基板６３の上にアクリル樹脂をスピンコートで形成し、アクリル樹脂をリソグラフィ法により、第１電極６４が形成された部分に開口が形成されるようにパターニングし絶縁層６９を形成する。この開口部が、発光素子が実際に発光する発光領域に相当する。
【００６１】
絶縁層６９がパターニングされた基板６３を第１の成膜装置に搬入し、基板保持ユニットにて基板を保持し、正孔輸送層６５を、表示領域の第１電極６４の上に共通する層として成膜する。正孔輸送層６５は真空蒸着により成膜される。実際には正孔輸送層６５は表示領域６１よりも大きなサイズに形成されるため、高精細なマスクは不要である。ここで、本ステップでの成膜や、以下の各レイヤーの成膜において用いられる成膜装置は、上記各実施形態のいずれかに記載された蒸発源装置を備えている。蒸発源装置が上記実施形態の構成を持ち、上記実施形態に記載の加熱制御を行うことにより、成膜中の突沸が抑制される。
【００６２】
次に、正孔輸送層６５までが形成された基板６３を第２の成膜装置に搬入し、基板保持ユニットにて保持する。基板とマスクとのアライメントを行い、基板をマスクの上に載置し、基板６３の赤色を発する素子を配置する部分に、赤色を発する発光層６６Ｒを成膜する。本例によれば、マスクと基板とを良好に重ね合わせることができ、高精度な成膜を行うことができる。
【００６３】
発光層６６Ｒの成膜と同様に、第３の成膜装置により緑色を発する発光層６６Ｇを成膜し、さらに第４の成膜装置により青色を発する発光層６６Ｂを成膜する。発光層６６Ｒ、６６Ｇ、６６Ｂの成膜が完了した後、第５の成膜装置により表示領域６１の全体に電子輸送層６７を成膜する。電子輸送層６５は、３色の発光層６６Ｒ、６６Ｇ、６６Ｂに共通の層として形成される。
【００６４】
電子輸送層６５までが形成された基板をスパッタリング装置に移動し、第２電極６８を成膜し、その後プラズマＣＶＤ装置に移動して保護層７０を成膜して、有機ＥＬ表示装置６０が完成する。
【００６５】
絶縁層６９がパターニングされた基板６３を成膜装置に搬入してから保護層７０の成膜が完了するまでは、水分や酸素を含む雰囲気にさらしてしまうと、有機ＥＬ材料からなる発光層が水分や酸素によって劣化してしまうおそれがある。従って、本例において、成膜装置間の基板の搬入搬出は、真空雰囲気または不活性ガス雰囲気の下で行われる。
【００６６】
このようにして得られた有機ＥＬ表示装置は、発光素子ごとに発光層が精度よく形成される。従って、上記製造方法を用いれば、発光層の位置ずれに起因する有機ＥＬ表示装置の不良の発生を抑制することができる。本実施形態に係る成膜装置によれば、蒸発源装置の加熱を適切に制御することにより突沸が抑制されるため、良好な蒸着が可能となる。
【符号の説明】
【００６７】
２４０：蒸発源装置、２４２：蒸着材料、２４４：容器、２４６：ヒータ、２４８：リフレクタ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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