(57)【要約】【課題】簡易な方法で形成し得る新たなパターン形成用基体を提供する。【解決手段】少なくとも、基材と、パーフルオロ（ポリ）エーテル基含有シラン化合物に由来する部分とを有し、基材は、第１の領域、および、該第１の領域と隣接するパターン形成用領域である第２の領域を有する少なくとも１の主面を有し、パーフルオロ（ポリ）エーテル基含有シラン化合物に由来する部分は、第１の領域に配置されている、パターン形成用基体。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも、基材と、パーフルオロ（ポリ）エーテル基含有シラン化合物に由来する部分とを有し、
基材は、第１の領域、および、該第１の領域と隣接するパターン形成用領域である第２の領域を有する少なくとも１の主面を有し、
パーフルオロ（ポリ）エーテル基含有シラン化合物に由来する部分は、第１の領域に配置されている、パターン形成用基体。
【請求項２】
パーフルオロ（ポリ）エーテル基含有シラン化合物が、式（Ａ１）、（Ａ２）、（Ｂ１）、（Ｂ２）、（Ｃ１）、（Ｃ２）、（Ｄ１）または（Ｄ２）：
【化１】
2019031076.tif 000027
［式中：
ＰＦＰＥは、各出現においてそれぞれ独立して、式：
−（ＯＣ６Ｆ１２）ａ−（ＯＣ５Ｆ１０）ｂ−（ＯＣ４Ｆ８）ｃ−（ＯＣ３Ｆ６）ｄ−（ＯＣ２Ｆ４）ｅ−（ＯＣＦ２）ｆ−
（式中、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅおよびｆは、それぞれ独立して０以上２００以下の整数であって、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅおよびｆの和は少なくとも１であり、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅまたはｆを付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は式中において任意である。）
で表される基であり；
Ｒｆは、各出現においてそれぞれ独立して、１個またはそれ以上のフッ素原子により置換されていてもよい炭素数１〜１６のアルキル基を表し；
Ｒ１３は、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基または加水分解可能な基を表し；
Ｒ１４は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または炭素数１〜２２のアルキル基を表し；
Ｒ１１は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子またはハロゲン原子を表し；
Ｒ１２は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基を表し；
ｎ１は、（−ＳｉＲ１３ｎ１Ｒ１４３−ｎ１）単位毎に独立して、０〜３の整数であり；
ただし、式（Ａ１）、（Ａ２）、（Ｂ１）および（Ｂ２）において、少なくとも１つのｎ１が、１〜３の整数であり；
Ｘ１は、各出現においてそれぞれ独立して、単結合または２〜１０価の有機基を表し；
Ｘ２は、各出現においてそれぞれ独立して、単結合または２価の有機基を表し；
ｔは、各出現においてそれぞれ独立して、１〜１０の整数であり；
α１は、各出現においてそれぞれ独立して、１〜９の整数であり；
α１’は、それぞれ独立して、１〜９の整数であり；
Ｘ３は、各出現においてそれぞれ独立して、単結合または２〜１０価の有機基を表し；
β１は、各出現においてそれぞれ独立して、１〜９の整数であり；
β１’は、それぞれ独立して、１〜９の整数であり；
Ｘ５は、各出現においてそれぞれ独立して、単結合または２〜１０価の有機基を表し；
γ１は、各出現においてそれぞれ独立して、１〜９の整数であり；
γ１’は、それぞれ独立して、１〜９の整数であり；
Ｒａは、各出現においてそれぞれ独立して、−Ｚ３−ＳｉＲ７１ｐ１Ｒ７２ｑ１Ｒ７３ｒ１を表し；
Ｚ３は、各出現においてそれぞれ独立して、酸素原子または２価の有機基を表し；
Ｒ７１は、各出現においてそれぞれ独立して、Ｒａ’を表し；
Ｒａ’は、Ｒａと同意義であり；
Ｒａ中、Ｚ３基を介して直鎖状に連結されるＳｉは最大で５個であり；
Ｒ７２は、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基または加水分解可能な基を表し；
Ｒ７３は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基を表し；
ｐ１は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり；
ｑ１は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり；
ｒ１は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり；
ただし、（−Ｚ３−ＳｉＲ７１ｐ１Ｒ７２ｑ１Ｒ７３ｒ１）毎において、ｐ１、ｑ１およびｒ１の和は３であり、式（Ｃ１）および（Ｃ２）において、少なくとも１つのｑ１が１〜３の整数であり；
Ｒｂは、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基または加水分解可能な基を表し；
Ｒｃは、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基を表し；
ｋ１は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり；
ｌ１は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり；
ｍ１は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり；
ただし、（ＳｉＲａｋ１Ｒｂｌ１Ｒｃｍ１）毎において、ｋ１、ｌ１およびｍ１の和は３であり；
Ｘ７は、それぞれ独立して、単結合または２〜１０価の有機基を表し；
δ１は、それぞれ独立して、１〜９の整数であり；
δ１’は、それぞれ独立して、１〜９の整数であり；
Ｒｄは、各出現においてそれぞれ独立して、−Ｚ４−ＣＲ８１ｐ２Ｒ８２ｑ２Ｒ８３ｒ２を表し；
Ｚ４は、各出現においてそれぞれ独立して、酸素原子または２価の有機基を表し；
Ｒ８１は、各出現においてそれぞれ独立して、Ｒｄ’を表し；
Ｒｄ’は、Ｒｄと同意義であり；
Ｒｄ中、Ｚ４基を介して直鎖状に連結されるＣは最大で５個であり；
Ｒ８２は、各出現においてそれぞれ独立して、−Ｙ−ＳｉＲ８５ｎ２Ｒ８６３−ｎ２を表し；
Ｙは、各出現においてそれぞれ独立して、２価の有機基を表し；
Ｒ８５は、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基または加水分解可能な基を表し；
Ｒ８６は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基を表し；
ｎ２は、（−Ｙ−ＳｉＲ８５ｎ２Ｒ８６３−ｎ２）単位毎に独立して、０〜３の整数を表し；
Ｒ８３は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基を表し；
ｐ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり；
ｑ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり；
ｒ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり；
ただし、（−Ｚ４−ＣＲ８１ｐ２Ｒ８２ｑ２Ｒ８３ｒ２）毎において、ｐ２、ｑ２およびｒ２の和は３であり；
Ｒｅは、各出現においてそれぞれ独立して、−Ｙ−ＳｉＲ８５ｎ２Ｒ８６３−ｎ２を表し；
Ｒｆは、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基を表し；
ｋ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり；
ｌ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり；
ｍ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり；
ただし、（ＣＲｄｋ２Ｒｅｌ２Ｒｆｍ２）毎において、ｋ２、ｌ２およびｍ２の和は３であり、式（Ｄ１）および（Ｄ２）において、ｎ２が１以上である−Ｙ−ＳｉＲ８５ｎ２Ｒ８６３−ｎ２で表される基が２以上存在する。］
で表される少なくとも１種のパーフルオロポリエーテル基含有シラン化合物である、請求項１に記載のパターン形成用基体。
【請求項３】
請求項１または２に記載のパターン形成用基体、およびパターン部分を有し、
パターン部分が、パターン形成用基体の第２の領域に配置されている、パターン基体。
【請求項４】
パターン部分が、金属、およびその酸化物からなる群より選ばれる少なくとも１を含む、請求項３に記載のパターン基体。
【請求項５】
金属が、銀、金、白金、パラジウム、銅、インジウム、錫、アルミニウム、亜鉛、チタン、マグネシウム、およびそれらの合金からなる群より選ばれる少なくとも１を含む、請求項４に記載のパターン基体。
【請求項６】
基材の少なくとも１の主面に、パーフルオロ（ポリ）エーテル基含有シラン化合物に由来する部分、および、パターン形成用領域を形成し、パターン形成用基体を作製すること、を含む、パターン形成用基体の製造方法。
【請求項７】
基材の少なくとも１の主面に、パーフルオロ（ポリ）エーテル基含有シラン化合物に由来する部分、および、パターン形成用領域を形成し、パターン形成用基体を作製すること、および
パターン形成用基体のパターン形成用領域に、パターン部分を形成し、パターン基体を作製すること、
を含む、パターン基体の製造方法。
【請求項８】
パターン部分が、金属、およびその酸化物からなる群より選ばれる少なくとも１を含む、請求項７に記載のパターン基体の製造方法。
【請求項９】
金属が、銀、金、白金、パラジウム、銅、インジウム、錫、アルミニウム、亜鉛、チタン、マグネシウム、およびそれらの合金からなる群より選ばれる少なくとも１を含む、請求項８に記載のパターン基体の製造方法。
【請求項１０】
パターン部分が、蒸着法により形成される、請求項７〜９のいずれか１項に記載のパターン基体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パターン形成用基体に関する。
【背景技術】
【０００２】
基材の表面にパターンを形成し、パターンを有する基体（以下、「パターン基体」ともいう）を製造する方法については様々な検討が行われてきた。
【０００３】
例えば、特許文献１には、主表面に無機材料を含む基材に、ペルフルオロポリエーテルチオール化合物である、少なくとも１つの官能基形成性分子を含む少なくとも１つのパターン形成性組成物を塗布し、その後エッチングし、パターンを形成することが記載されている。
【０００４】
特許文献２には、表面にフッ素含有樹脂層が設けられた基材を準備し、このフッ素含有樹脂層に特定の処理を行ってカルボキシ基などの官能基を該フッ素含有樹脂層に形成させた後、特定の構造の保護剤で保護された金属粒子の分散液をさらに適用し、基材上に微細な金属パターンを形成することが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特表２０１２−５１１６３５号公報
【特許文献２】特開２０１６−４８６０１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１では、基材の主表面の無機材料がエッチングにより分解される。しかしながら、無機材料の分解には長時間が必要になり得る。特許文献２に記載された方法では、フッ素含有樹脂層が設けられた基材の準備、フッ素含有樹脂層の処理、および特定の構造の保護剤で保護された金属粒子の分散液の調製等の工程が必要となるため、該方法は煩雑である。
従って、より簡易な工程で形成し得るパターン基体が望まれる。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者は、鋭意検討の結果、パーフルオロ（ポリ）エーテル基含有シラン化合物を用いることによって、簡易な方法で形成し得る新たなパターン形成用基体を提供できることを見いだした。
【０００８】
即ち、本発明の第１の要旨によれば、
少なくとも、基材と、パーフルオロ（ポリ）エーテル基含有シラン化合物に由来する部分とを有し、
基材は、第１の領域、および、該第１の領域と隣接するパターン形成用領域である第２の領域を有する少なくとも１の主面を有し、
パーフルオロ（ポリ）エーテル基含有シラン化合物に由来する部分は、第１の領域に配置されている、パターン形成用基体、が提供される。
【０００９】
本発明の第２の要旨によれば、
上記本発明のパターン形成用基体、および、パターン部分を有し、
パターン部分が、パターン形成用基体の第２の領域に配置されている、パターン基体、が提供される。
【００１０】
本発明の第３の要旨によれば、
基材の少なくとも１の主面に、パーフルオロ（ポリ）エーテル基含有シラン化合物に由来する部分、および、パターン形成用領域を形成し、パターン形成用基体を作製すること、を含む、パターン形成用基体の製造方法、が提供される。
【００１１】
本発明の第４の要旨によれば、
基材の少なくとも１の主面に、パーフルオロ（ポリ）エーテル基含有シラン化合物に由来する部分、および、パターン形成用領域を形成し、パターン形成用基体を作製すること、および
パターン形成用基体のパターン形成用領域に、パターン部分を形成し、パターン基体を作製すること、
を含む、パターン基体の製造方法、が提供される。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、簡易な方法でパターンを形成し得る新たなパターン形成用基体が提供される。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明について説明するが、本発明は以下の記載に限定されるものではない。
【００１４】
（パターン形成用基体）
本発明のパターン形成用基体は、少なくとも、基材と、パーフルオロ（ポリ）エーテル基（以下、ＰＦＰＥと称することがある）含有シラン化合物に由来する部分とを有する。上記基材は、第１の領域、および、該第１の領域と隣接するパターン形成用領域である第２の領域を有する少なくとも１の主面を有する。上記ＰＦＰＥ含有シラン化合物に由来する部分は、第１の領域に配置されている。
【００１５】
本発明に使用可能な基材は、例えばガラス、樹脂（天然または合成樹脂、例えば一般的なプラスチック材料であってよく、板状、フィルム、その他の形態であってよい）、金属（アルミニウム、銅、鉄等の金属単体または合金等の複合体であってよい）、セラミックス、半導体（シリコン、ゲルマニウム等）、繊維（織物、不織布等）、毛皮、皮革、木材、陶磁器、石材等、建築部材等、任意の適切な材料で構成され得る。
【００１６】
上記ガラスとしては、サファイアガラス、ソーダライムガラス、アルカリアルミノケイ酸塩ガラス、ホウ珪酸ガラス、無アルカリガラス、クリスタルガラス、石英ガラスが好ましく、化学強化したソーダライムガラス、化学強化したアルカリアルミノケイ酸塩ガラス、および化学結合したホウ珪酸ガラスが特に好ましい。
樹脂としては、アクリル樹脂、ポリカーボネートが好ましい。
【００１７】
かかる基材としては、少なくともその表面部分が、水酸基を元々有する材料から成るものであってよい。かかる材料としては、ガラス、表面に自然酸化膜または熱酸化膜が形成される金属（特に卑金属）、セラミックス、半導体等が挙げられる。あるいは、樹脂等のように、水酸基を有していても十分でない場合や、水酸基を元々有していない場合には、基材に何らかの前処理を施すことにより、基材の表面に水酸基を導入したり、増加させたりすることができる。かかる前処理の例としては、プラズマ処理（例えばコロナ放電）や、イオンビーム照射が挙げられる。プラズマ処理は、基材表面に水酸基を導入または増加させ得ると共に、基材表面を清浄化する（異物等を除去する）ためにも好適に利用され得る。また、かかる前処理の別の例としては、炭素−炭素不飽和結合基を有する界面吸着剤をＬＢ法（ラングミュア−ブロジェット法）や化学吸着法等によって、基材表面に予め単分子膜の形態で形成し、その後、酸素や窒素等を含む雰囲気下にて不飽和結合を開裂する方法が挙げられる。
【００１８】
またあるいは、かかる基材としては、少なくともその表面部分が、別の反応性基、例えばＳｉ−Ｈ基を１つ以上有するシリコーン化合物や、アルコキシシランを含む材料から成るものであってもよい。
【００１９】
好ましい態様において、上記基材はガラスである。
【００２０】
上記基材の形状は特に限定されず、製造すべき物品の用途および具体的仕様等に応じて適宜決定され得る。
【００２１】
上記基材の厚みは、例えば、０．１ｍｍ〜３０ｍｍの範囲にあってもよい。
【００２２】
上記基材は、少なくとも１の主面に第１の領域、および、第２の領域を有する。該１の主面は、全体が第１の領域および第２の領域であってもよく、一部のみが第１の領域および第２の領域であってもよい。
【００２３】
一の態様において、上記基材は、その両主面に、第１の領域、および、第２の領域を有する。
【００２４】
別の態様において、上記基材は、いずれか一方の主面に、第１の領域、および、第２の領域を有する。
【００２５】
上記第２の領域は、上記第１の領域に隣接して存在する、パターン形成用領域である。パターン形成用領域とは、パターン部分を形成するための領域である。すなわち、パターン形成用基体がさらにパターン部分を有するとき（すなわち、パターン基体が形成されるとき）には、該パターン部分は上記パターン形成用領域に形成される。
【００２６】
上記第２の領域において、基材が露出していることが好ましい。
【００２７】
上記第２の領域は、後述するパターン部分形成用組成物に対して、毛管現象を発現する凹凸形状を有していてもよい。
【００２８】
好ましい態様において、本発明のパターン形成用基体において、複数の第１の領域および／または複数の第２の領域が存在する。
【００２９】
第１の領域および第２の領域は、パターン形成用基体（あるいは、パターン形成用基体を用いて形成されるパターン基体）の用途および具体的仕様等に適した形状とすることができる。例えば、第２の領域が格子形状であってもよく、直線形状の第１の領域および第２の領域が交互に存在した構成（ストライプ状に配置された構成）であってもよい。
【００３０】
上記態様において、各第１の領域、および各第２の領域は、それぞれ連続して存在することが好ましい。
【００３１】
例えば、第２の領域が格子形状にあるとき、格子の線幅は、０．１μｍ〜１００μｍの範囲にあってもよく、１μｍ〜５０μｍの範囲にあってもよく、１μｍ〜１０μｍの範囲にあってもよい。線間隔は、０．１μｍ〜１００μｍの範囲にあってもよく、１μｍ〜５０μｍの範囲にあってもよく、１μｍ〜１０μｍの範囲にあってもよい。
【００３２】
例えば、上記第１の領域および上記第２の領域がストライプ状に配置されているとき、本発明のパターン形成用基体の主面内において、互いに直交する２方向をＸ軸方向およびＹ軸方向としたときに、パターン形成用基体の主面内のＸ軸方向に第１の領域および第２の領域が交互に存在し、パターン形成用基体の主面内のＹ軸方向に第１の領域および第２の領域が連続して存在し得る。上記第１の領域のそれぞれの幅（上記Ｘ軸方向の幅）は、０．１μｍ〜１０μｍの範囲にあってもよい。上記第２の領域のそれぞれの幅（上記Ｘ軸方向の幅）は、０．１μｍ〜１０μｍの範囲にあってもよい。
【００３３】
上記基材の主面において、ＰＦＰＥ含有シラン化合物に由来する部分が凸形状を形成し、第２の領域が凹部として存在してもよい。
【００３４】
ＰＦＰＥ含有シラン化合物に由来する部分は、上記第１の領域に配置される。該部分は、その厚みが、例えば、１ｎｍ〜５０ｎｍ、好ましくは１ｎｍ〜３０ｎｍ、より好ましくは１ｎｍ〜１５ｎｍの範囲にあってもよい。上記ＰＦＰＥ含有シラン化合物に由来する部分は、いわゆる薄層であってもよい。
【００３５】
好ましい態様において、上記ＰＦＰＥ含有シラン化合物は、
（Ａ１）、（Ａ２）、（Ｂ１）、（Ｂ２）、（Ｃ１）、（Ｃ２）、（Ｄ１）または（Ｄ２）で表される化合物である。
【化１】
2019031076.tif 000002
【００３６】
以下、上記式（Ａ１）、（Ａ２）、（Ｂ１）、（Ｂ２）、（Ｃ１）、（Ｃ２）、（Ｄ１）および（Ｄ２）で表されるＰＦＰＥ含有シラン化合物について説明する。
【００３７】
本明細書において用いられる場合、「２〜１０価の有機基」とは、炭素を含有する２〜１０価の基を意味する。かかる２〜１０価の有機基としては、特に限定されないが、炭化水素基からさらに１〜９個の水素原子を脱離させた２〜１０価の基が挙げられる。２価の有機基としては、特に限定されるものではないが、炭化水素基からさらに１個の水素原子を脱離させた２価の基が挙げられる。
【００３８】
本明細書において用いられる場合、「炭化水素基」とは、炭素および水素を含む基であって、分子から１個の水素原子を脱離させた基を意味する。かかる炭化水素基としては、特に限定されるものではないが、１つまたはそれ以上の置換基により置換されていてもよい、炭素数１〜２０の炭化水素基、例えば、脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基等が挙げられる。上記「脂肪族炭化水素基」は、直鎖状、分枝鎖状または環状のいずれであってもよく、飽和または不飽和のいずれであってもよい。また、炭化水素基は、１つまたはそれ以上の環構造を含んでいてもよい。尚、かかる炭化水素基は、その末端または分子鎖中に、１つまたはそれ以上のＮ、Ｏ、Ｓ、Ｓｉ、アミド、スルホニル、シロキサン、カルボニル、カルボニルオキシ等を有していてもよい。
【００３９】
本明細書において用いられる場合、「炭化水素基」の置換基としては、特に限定されないが、例えば、ハロゲン原子；１個またはそれ以上のハロゲン原子により置換されていてもよい、Ｃ１−６アルキル基、Ｃ２−６アルケニル基、Ｃ２−６アルキニル基、Ｃ３−１０シクロアルキル基、Ｃ３−１０不飽和シクロアルキル基、５〜１０員のヘテロシクリル基、５〜１０員の不飽和ヘテロシクリル基、Ｃ６−１０アリール基および５〜１０員のヘテロアリール基から選択される１個またはそれ以上の基が挙げられる。
【００４０】
本明細書において、アルキル基およびフェニル基は、特記しない限り、非置換であっても、置換されていてもよい。かかる基の置換基としては、特に限定されないが、例えば、ハロゲン原子、Ｃ１−６アルキル基、Ｃ２−６アルケニル基およびＣ２−６アルキニル基から選択される１個またはそれ以上の基が挙げられる。
【００４１】
式（Ａ１）および（Ａ２）：
【化２】
2019031076.tif 000003
【００４２】
上記式中、Ｒｆは、各出現において独立して、１個またはそれ以上のフッ素原子により置換されていてもよい炭素数１〜１６のアルキル基を表す。
【００４３】
上記１個またはそれ以上のフッ素原子により置換されていてもよい炭素数１〜１６のアルキル基における「炭素数１〜１６のアルキル基」は、直鎖であっても、分枝鎖であってもよく、好ましくは、直鎖または分枝鎖の炭素数１〜６、特に炭素数１〜３のアルキル基であり、より好ましくは直鎖の炭素数１〜３のアルキル基である。
【００４４】
上記Ｒｆは、好ましくは、１個またはそれ以上のフッ素原子により置換されている炭素数１〜１６のアルキル基であり、より好ましくはＣＦ２Ｈ−Ｃ１−１５フルオロアルキレン基またはＣ１−１６パーフルオロアルキル基であり、さらに好ましくはＣ１−１６パーフルオロアルキル基である。
【００４５】
該炭素数１〜１６のパーフルオロアルキル基は、直鎖であっても、分枝鎖であってもよく、好ましくは、直鎖または分枝鎖の炭素数１〜６、特に炭素数１〜３のパーフルオロアルキル基であり、より好ましくは直鎖の炭素数１〜３のパーフルオロアルキル基、具体的には−ＣＦ３、−ＣＦ２ＣＦ３、または−ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ３である。
【００４６】
上記式中、ＰＦＰＥは、各出現において独立して、
−（ＯＣ６Ｆ１２）ａ−（ＯＣ５Ｆ１０）ｂ−（ＯＣ４Ｆ８）ｃ−（ＯＣ３Ｆ６）ｄ−（ＯＣ２Ｆ４）ｅ−（ＯＣＦ２）ｆ−
で表される基である。式中、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅおよびｆは、それぞれ独立して０以上２００以下の整数であって、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅおよびｆの和は少なくとも１である。好ましくは、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅおよびｆは、それぞれ独立して、０以上１００以下の整数である。好ましくは、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅおよびｆの和は５以上であり、より好ましくは１０以上である。好ましくは、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅおよびｆの和は２００以下であり、より好ましくは１００以下であり、例えば１０以上２００以下であり、より具体的には１０以上１００以下である。また、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅまたはｆを付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は式中において任意である。
【００４７】
これら繰り返し単位は、直鎖状であっても、分枝鎖状であってもよいが、好ましくは直鎖状である。例えば、−（ＯＣ６Ｆ１２）−は、−（ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２）−、−（ＯＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２）−、−（ＯＣＦ２ＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２）−、−（ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２ＣＦ２）−、−（ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２）−、−（ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ（ＣＦ３））−等であってもよいが、好ましくは−（ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２）−である。−（ＯＣ５Ｆ１０）−は、−（ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２）−、−（ＯＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２）−、−（ＯＣＦ２ＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２ＣＦ２）−、−（ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２）−、−（ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ（ＣＦ３））−等であってもよいが、好ましくは−（ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２）−である。−（ＯＣ４Ｆ８）−は、−（ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２）−、−（ＯＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２ＣＦ２）−、−（ＯＣＦ２ＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２）−、−（ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ（ＣＦ３））−、−（ＯＣ（ＣＦ３）２ＣＦ２）−、−（ＯＣＦ２Ｃ（ＣＦ３）２）−、−（ＯＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ（ＣＦ３））−、−（ＯＣＦ（Ｃ２Ｆ５）ＣＦ２）−および−（ＯＣＦ２ＣＦ（Ｃ２Ｆ５））−のいずれであってもよいが、好ましくは−（ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２）−である。−（ＯＣ３Ｆ６）−は、−（ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２）−、−（ＯＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２）−および−（ＯＣＦ２ＣＦ（ＣＦ３））−のいずれであってもよいが、好ましくは−（ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２）−である。また、−（ＯＣ２Ｆ４）−は、−（ＯＣＦ２ＣＦ２）−および−（ＯＣＦ（ＣＦ３））−のいずれであってもよいが、好ましくは−（ＯＣＦ２ＣＦ２）−である。
【００４８】
一の態様において、上記ＰＦＰＥは、−（ＯＣ３Ｆ６）ｄ−（式中、ｄは１以上２００以下、好ましくは５以上２００以下、より好ましくは１０以上２００以下の整数である）である。好ましくは、ＰＦＰＥは、−（ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２）ｄ−（式中、ｄは１以上２００以下、好ましくは５以上２００以下、より好ましくは１０以上２００以下の整数である）または−（ＯＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２）ｄ−（式中、ｄは１以上２００以下、好ましくは５以上２００以下、より好ましくは１０以上２００以下の整数である）である。より好ましくは、ＰＦＰＥは、−（ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２）ｄ−（式中、ｄは１以上２００以下、好ましくは５以上２００以下、より好ましくは１０以上２００以下の整数である）である。
【００４９】
別の態様において、ＰＦＰＥは、−（ＯＣ４Ｆ８）ｃ−（ＯＣ３Ｆ６）ｄ−（ＯＣ２Ｆ４）ｅ−（ＯＣＦ２）ｆ−（式中、ｃおよびｄは、それぞれ独立して０以上３０以下の整数であり、ｅおよびｆは、それぞれ独立して１以上２００以下、好ましくは５以上２００以下、より好ましくは１０以上２００以下の整数であり、ｃ、ｄ、ｅおよびｆの和は少なくとも５以上、好ましくは１０以上であり、添字ｃ、ｄ、ｅまたはｆを付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は、式中において任意である）である。好ましくは、ＰＦＰＥは、−（ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２）ｃ−（ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２）ｄ−（ＯＣＦ２ＣＦ２）ｅ−（ＯＣＦ２）ｆ−である。一の態様において、ＰＦＰＥは、−（ＯＣ２Ｆ４）ｅ−（ＯＣＦ２）ｆ−（式中、ｅおよびｆは、それぞれ独立して１以上２００以下、好ましくは５以上２００以下、より好ましくは１０以上２００以下の整数であり、添字ｅまたはｆを付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は、式中において任意である）であってもよい。
【００５０】
さらに別の態様において、ＰＦＰＥは、−（Ｒ６−Ｒ７）ｊ−で表される基である。式中、Ｒ６は、ＯＣＦ２またはＯＣ２Ｆ４であり、好ましくはＯＣ２Ｆ４である。式中、Ｒ７は、ＯＣ２Ｆ４、ＯＣ３Ｆ６、ＯＣ４Ｆ８、ＯＣ５Ｆ１０およびＯＣ６Ｆ１２から選択される基であるか、あるいは、これらの基から独立して選択される２または３つの基の組み合わせである。好ましくは、Ｒ７は、ＯＣ２Ｆ４、ＯＣ３Ｆ６およびＯＣ４Ｆ８から選択される基であるか、ＯＣ３Ｆ６、ＯＣ４Ｆ８、ＯＣ５Ｆ１０およびＯＣ６Ｆ１２から選択される基であるか、あるいは、これらの基から独立して選択される２または３つの基の組み合わせである。ＯＣ２Ｆ４、ＯＣ３Ｆ６およびＯＣ４Ｆ８から独立して選択される２または３つの基の組み合わせとしては、特に限定されないが、例えば−ＯＣ２Ｆ４ＯＣ３Ｆ６−、−ＯＣ２Ｆ４ＯＣ４Ｆ８−、−ＯＣ３Ｆ６ＯＣ２Ｆ４−、−ＯＣ３Ｆ６ＯＣ３Ｆ６−、−ＯＣ３Ｆ６ＯＣ４Ｆ８−、−ＯＣ４Ｆ８ＯＣ４Ｆ８−、−ＯＣ４Ｆ８ＯＣ３Ｆ６−、−ＯＣ４Ｆ８ＯＣ２Ｆ４−、−ＯＣ２Ｆ４ＯＣ２Ｆ４ＯＣ３Ｆ６−、−ＯＣ２Ｆ４ＯＣ２Ｆ４ＯＣ４Ｆ８−、−ＯＣ２Ｆ４ＯＣ３Ｆ６ＯＣ２Ｆ４−、−ＯＣ２Ｆ４ＯＣ３Ｆ６ＯＣ３Ｆ６−、−ＯＣ２Ｆ４ＯＣ４Ｆ８ＯＣ２Ｆ４−、−ＯＣ３Ｆ６ＯＣ２Ｆ４ＯＣ２Ｆ４−、−ＯＣ３Ｆ６ＯＣ２Ｆ４ＯＣ３Ｆ６−、−ＯＣ３Ｆ６ＯＣ３Ｆ６ＯＣ２Ｆ４−、および−ＯＣ４Ｆ８ＯＣ２Ｆ４ＯＣ２Ｆ４−等が挙げられる。上記ｊは、２以上、好ましくは３以上、より好ましくは５以上であり、１００以下、好ましくは５０以下の整数である。上記式中、ＯＣ２Ｆ４、ＯＣ３Ｆ６、ＯＣ４Ｆ８、ＯＣ５Ｆ１０およびＯＣ６Ｆ１２は、直鎖または分枝鎖のいずれであってもよく、好ましくは直鎖である。この態様において、ＰＦＰＥは、好ましくは、−（ＯＣ２Ｆ４−ＯＣ３Ｆ６）ｊ−または−（ＯＣ２Ｆ４−ＯＣ４Ｆ８）ｊ−である。
【００５１】
ＰＦＰＥにおいて、ｆに対するｅの比（以下、「ｅ／ｆ比」という）は、０．１以上１０以下であり、好ましくは０．２以上５以下であり、より好ましくは０．２以上２以下であり、さらに好ましくは０．２以上１．５以下であり、さらにより好ましくは０．２以上０．８５以下である。ｅ／ｆ比を１０以下にすることにより、この化合物から得られる層の滑り性、摩擦耐久性および耐ケミカル性（例えば、人工汗に対する耐久性）がより向上する。ｅ／ｆ比がより小さいほど、上記層の滑り性および摩擦耐久性はより向上する。一方、ｅ／ｆ比を０．１以上にすることにより、化合物の安定性をより高めることができる。ｅ／ｆ比がより大きいほど、化合物の安定性はより向上する。
【００５２】
一の態様において、上記式中、ＰＦＰＥは、各出現において独立して、
−（ＯＣ６Ｆ１２）ａ−（ＯＣ５Ｆ１０）ｂ−（ＯＣ４Ｆ８）ｃ−（ＯＣ３Ｆ６）ｄ−（ＯＣ２Ｆ４）ｅ−（ＯＣＦ２）ｆ−
で表される基であり、かつ、ＰＦＰＥ中に少なくとも１の分岐構造を有する。すなわち、本態様において、上記ＰＦＰＥは、少なくとも１のＣＦ３末端（具体的には、−ＣＦ３、−Ｃ２Ｆ５等、より具体的には−ＣＦ３）を有する。このような構造のＰＦＰＥを有することにより、上記化合物に由来する部分の紫外線耐久性、撥水性、撥油性、防汚性（例えば指紋等の汚れの付着を防止する）、耐ケミカル性、耐加水分解性、摩擦耐久性、耐熱性、防湿性等がより良好になり得る。
【００５３】
上記態様において、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅおよびｆは、それぞれ独立して０以上２００以下の整数であって、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅおよびｆの和は少なくとも１である。好ましくは、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅおよびｆは、それぞれ独立して、０以上１００以下の整数である。好ましくは、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅおよびｆの和は５以上であり、より好ましくは１０以上である。好ましくは、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅおよびｆの和は２００以下であり、より好ましくは１００以下であり、例えば１０以上２００以下であり、より具体的には１０以上１００以下である。また、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅまたはｆを付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は式中において任意である。
【００５４】
上記態様において、ＰＦＰＥは、分岐構造を少なくとも５有することが好ましく、１０有することがより好ましく、２０有することが特に好ましい。
【００５５】
上記態様において、ＰＦＰＥ構造中、繰り返し単位数の合計数（例えば、上記ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅおよびｆの和）１００に対して、分岐構造を有する繰り返し単位の数は４０以上であることが好ましく、６０以上であることがより好ましく、８０以上であることが特に好ましい。ＰＦＰＥ構造中、繰り返し単位数の合計数１００に対して、分岐構造を有する繰り返し単位の数は１００以下であってもよく、例えば９０以下であってもよい。
【００５６】
上記態様において、ＰＦＰＥ構造中、繰り返し単位数の合計数１００に対して、分岐構造を有する繰り返し単位の数は、４０〜１００の範囲にあることが好ましく、６０〜１００の範囲にあることがより好ましく、８０〜１００の範囲にあることが特に好ましい。
【００５７】
上記態様において、上記分岐構造における分岐鎖としては、例えばＣＦ３を挙げることができる。
【００５８】
上記態様において、分岐構造を有する繰り返し単位としては、例えば、−（ＯＣ６Ｆ１２）−としては、−（ＯＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２）−、−（ＯＣＦ２ＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２）−、−（ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２ＣＦ２）−、−（ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２）−、−（ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ（ＣＦ３））−等を挙げることができる。−（ＯＣ５Ｆ１０）−としては、−（ＯＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２）−、−（ＯＣＦ２ＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２ＣＦ２）−、−（ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２）−、−（ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ（ＣＦ３））−等を挙げることができる。−（ＯＣ４Ｆ８）−としては、−（ＯＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２ＣＦ２）−、−（ＯＣＦ２ＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２）−、−（ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ（ＣＦ３））−、−（ＯＣ（ＣＦ３）２ＣＦ２）−、−（ＯＣＦ２Ｃ（ＣＦ３）２）−、−（ＯＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ（ＣＦ３））−、−（ＯＣＦ（Ｃ２Ｆ５）ＣＦ２）−および−（ＯＣＦ２ＣＦ（Ｃ２Ｆ５））−を挙げることができる。−（ＯＣ３Ｆ６）−としては、−（ＯＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２）−および−（ＯＣＦ２ＣＦ（ＣＦ３））−を挙げることができる。−（ＯＣ２Ｆ４）−としては、−（ＯＣＦ（ＣＦ３））−を挙げることができる。
【００５９】
上記態様において、上記ＰＦＰＥは、分岐構造を有する繰り返し単位とともに、直鎖状の繰り返し単位を含み得る。直鎖状の繰り返し単位としては、−（ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２）−、−（ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２）−、−（ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２）−、−（ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２）−、−（ＯＣＦ２ＣＦ２）−を挙げることができる。
【００６０】
上記態様において、好ましくは、上記ＰＦＰＥ中、繰り返し単位−（ＯＣ６Ｆ１２）−、−（ＯＣ５Ｆ１０）−、−（ＯＣ４Ｆ８）−、および−（ＯＣ３Ｆ６）−が分岐構造を有する。
【００６１】
上記態様において、より好ましくは、ＰＦＰＥは、分岐構造の繰り返し単位ＯＣ６Ｆ１２、ＯＣ５Ｆ１０、ＯＣ４Ｆ８、およびＯＣ３Ｆ６からなる。
【００６２】
一の態様において、上記ＰＦＰＥは、−（ＯＣ３Ｆ６）ｄ−（式中、ｄは１以上２００以下、好ましくは５以上２００以下、より好ましくは１０以上２００以下の整数である）であり、ＰＦＰＥ中に少なくとも１の分岐構造を有する。
【００６３】
上記態様において、ＰＦＰＥは、さらに、直鎖状の繰り返し単位−（ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２）−を含んでいてもよい。
【００６４】
上記態様において、上記ＰＦＰＥは、分岐構造の繰り返し単位ＯＣ３Ｆ６からなることが好ましい。上記ＰＦＰＥは、式：−（ＯＣＦ２ＣＦ（ＣＦ３））ｄで表されることがより好ましい。上記式中、ｄは１以上２００以下であり、好ましくは５以上２００以下、より好ましくは１０以上２００以下の整数である。
【００６５】
別の態様において、ＰＦＰＥは、−（ＯＣ４Ｆ８）ｃ−（ＯＣ３Ｆ６）ｄ−（ＯＣ２Ｆ４）ｅ−（ＯＣＦ２）ｆ−（式中、ｃおよびｄは、それぞれ独立して０以上３０以下の整数であり、ｅおよびｆは、それぞれ独立して１以上２００以下、好ましくは５以上２００以下、より好ましくは１０以上２００以下の整数であり、ｃ、ｄ、ｅおよびｆの和は少なくとも５以上、好ましくは１０以上であり、添字ｃ、ｄ、ｅまたはｆを付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は、式中において任意である）であり、ＰＦＰＥ中に少なくとも１の分岐構造を有する。
【００６６】
さらに別の態様において、ＰＦＰＥは、−（Ｒ６−Ｒ７）ｊ−で表される基であり、ＰＦＰＥ中少なくとも１の分岐構造を有する。式中、Ｒ６は、ＯＣＦ２またはＯＣ２Ｆ４であり、好ましくはＯＣ２Ｆ４である。式中、Ｒ７は、ＯＣ２Ｆ４、ＯＣ３Ｆ６、ＯＣ４Ｆ８、ＯＣ５Ｆ１０およびＯＣ６Ｆ１２から選択される基であるか、あるいは、これらの基から独立して選択される２または３つの基の組み合わせである。好ましくは、Ｒ７は、ＯＣ２Ｆ４、ＯＣ３Ｆ６およびＯＣ４Ｆ８から選択される基であるか、ＯＣ３Ｆ６、ＯＣ４Ｆ８、ＯＣ５Ｆ１０およびＯＣ６Ｆ１２から選択される基であるか、あるいは、これらの基から独立して選択される２または３つの基の組み合わせである。ＯＣ２Ｆ４、ＯＣ３Ｆ６およびＯＣ４Ｆ８から独立して選択される２または３つの基の組み合わせとしては、特に限定されないが、例えば−ＯＣ２Ｆ４ＯＣ３Ｆ６−、−ＯＣ２Ｆ４ＯＣ４Ｆ８−、−ＯＣ３Ｆ６ＯＣ２Ｆ４−、−ＯＣ３Ｆ６ＯＣ３Ｆ６−、−ＯＣ３Ｆ６ＯＣ４Ｆ８−、−ＯＣ４Ｆ８ＯＣ４Ｆ８−、−ＯＣ４Ｆ８ＯＣ３Ｆ６−、−ＯＣ４Ｆ８ＯＣ２Ｆ４−、−ＯＣ２Ｆ４ＯＣ２Ｆ４ＯＣ３Ｆ６−、−ＯＣ２Ｆ４ＯＣ２Ｆ４ＯＣ４Ｆ８−、−ＯＣ２Ｆ４ＯＣ３Ｆ６ＯＣ２Ｆ４−、−ＯＣ２Ｆ４ＯＣ３Ｆ６ＯＣ３Ｆ６−、−ＯＣ２Ｆ４ＯＣ４Ｆ８ＯＣ２Ｆ４−、−ＯＣ３Ｆ６ＯＣ２Ｆ４ＯＣ２Ｆ４−、−ＯＣ３Ｆ６ＯＣ２Ｆ４ＯＣ３Ｆ６−、−ＯＣ３Ｆ６ＯＣ３Ｆ６ＯＣ２Ｆ４−、および−ＯＣ４Ｆ８ＯＣ２Ｆ４ＯＣ２Ｆ４−等が挙げられる。上記ｊは、２以上、好ましくは３以上、より好ましくは５以上であり、１００以下、好ましくは５０以下の整数である。上記式中、ＯＣ２Ｆ４、ＯＣ３Ｆ６、ＯＣ４Ｆ８、ＯＣ５Ｆ１０およびＯＣ６Ｆ１２は、分岐構造を有することが好ましい。
【００６７】
より好ましくは、上記態様において、ＰＦＰＥは、分岐構造の繰り返し単位ＯＣ６Ｆ１２、ＯＣ５Ｆ１０、ＯＣ４Ｆ８、およびＯＣ３Ｆ６からなる。
【００６８】
上記ＰＦＰＥ含有シラン化合物において、−ＰＦＰＥ−部分の数平均分子量は、特に限定されるものではないが、例えば５００〜３０，０００、好ましくは１，５００〜３０，０００、より好ましくは２，０００〜１０，０００である。上記数平均分子量は、１９Ｆ−ＮＭＲにより測定される値とする。
【００６９】
別の態様において、−ＰＦＰＥ−部分の数平均分子量は、５００〜３０，０００、好ましくは１，０００〜２０，０００、より好ましくは２，０００〜１５，０００、さらにより好ましくは２，０００〜１０，０００、例えば３，０００〜６，０００であり得る。
【００７０】
別の態様において、−ＰＦＰＥ−部分の数平均分子量は、４，０００〜３０，０００、好ましくは５，０００〜１０，０００、より好ましくは６，０００〜１０，０００であり得る。
【００７１】
上記式中、Ｒ１３は、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基または加水分解可能な基を表す。
【００７２】
上記「加水分解可能な基」とは、本明細書において用いられる場合、加水分解反応を受け得る基を意味し、すなわち、加水分解反応により、化合物の主骨格から脱離し得る基を意味する。加水分解可能な基の例としては、−ＯＲ、−ＯＣＯＲ、−Ｏ−Ｎ＝ＣＲ２、−ＮＲ２、−ＮＨＲ、ハロゲン原子（これら式中、Ｒは、置換または非置換の炭素数１〜４のアルキル基を示す）などが挙げられ、好ましくは−ＯＲ（即ち、アルコキシ基）である。Ｒの例には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基などの非置換アルキル基；クロロメチル基などの置換アルキル基が含まれる。それらの中でも、アルキル基、特に非置換アルキル基が好ましく、メチル基またはエチル基がより好ましい。水酸基は、特に限定されないが、加水分解可能な基が加水分解して生じたものであってよい。
【００７３】
上記式中、Ｒ１４は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または炭素数１〜２２のアルキル基、好ましくは炭素数１〜４のアルキル基を表す。
【００７４】
上記式中、Ｒ１１は、各出現において、それぞれ独立して、水素原子またはハロゲン原子を表す。ハロゲン原子は、好ましくはヨウ素原子、塩素原子またはフッ素原子であり、より好ましくはフッ素原子である。
【００７５】
上記式中、Ｒ１２は、各出現において、それぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基を表す。低級アルキル基は、好ましくは炭素数１〜２０のアルキル基であり、より好ましくは炭素数１〜６のアルキル基であり、例えばメチル基、エチル基、プロピル基等が挙げられる。
【００７６】
上記式中、ｎ１は、（−ＳｉＲ１３ｎ１Ｒ１４３−ｎ１）単位毎に独立して、０〜３の整数であり、好ましくは１〜３であり、より好ましくは３である。式中、少なくとも１つのｎ１が１〜３の整数であり、即ち、すべてのｎ１が同時に０になることはない。換言すれば、式中、少なくとも１つはＲ１３が存在する。
【００７７】
一の態様において、式（Ａ１）および（Ａ２）において、水酸基または加水分解可能な基に結合したＳｉが少なくとも２つ存在する。即ち、式（Ａ１）および（Ａ２）において、ｎが１以上である−ＳｉＲ１３ｎ１Ｒ１４３−ｎ１構造（即ち、−ＳｉＲ１３部分）が少なくとも２つ存在する。
【００７８】
上記式中、Ｘ１は、それぞれ独立して、単結合または２〜１０価の有機基を表す。当該Ｘ１は、式（Ａ１）および（Ａ２）で表される化合物において、主に撥水性および表面滑り性等を提供するパーフルオロポリエーテル部（即ち、Ｒｆ−ＰＦＰＥ部または−ＰＦＰＥ−部）と、基材との結合能を提供するシラン部（即ち、α１を付して括弧でくくられた基）とを連結するリンカーと解される。従って、当該Ｘ１は、式（Ａ１）および（Ａ２）で表される化合物が安定に存在し得るものであれば、いずれの有機基であってもよい。
【００７９】
別の態様において、Ｘ１は、Ｘｅであり得る。Ｘｅは、単結合または２〜１０価の有機基を表し、好ましくは、単結合または−Ｃ６Ｈ４−（すなわち−フェニレン−。以下、フェニレン基を示す。）、−ＣＯ−（カルボニル基）、−ＮＲ４−および−ＳＯ２−からなる群より選ばれる少なくとも１つを有する２〜１０価の有機基を表す。上記Ｒ４は、それぞれ独立して、水素原子、フェニル基、またはＣ１〜６アルキル基（好ましくはメチル基）を表し、好ましくは水素原子、またはメチル基である。上記の−Ｃ６Ｈ４−、−ＣＯ−、−ＮＲ４−または−ＳＯ２−は、ＰＦＰＥ含有シラン化合物の分子主鎖中に含まれることが好ましい。ここで、分子主鎖とは、ＰＦＰＥ含有シラン化合物の分子中で相対的に最も長い結合鎖を表す。
【００８０】
Ｘｅは、より好ましくは、単結合または−Ｃ６Ｈ４−、−ＣＯＮＲ４−、−ＣＯＮＲ４−Ｃ６Ｈ４−、−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｃ６Ｈ４−、−ＳＯ２ＮＲ４−、−ＳＯ２ＮＲ４−Ｃ６Ｈ４−、−ＳＯ２−、および−ＳＯ２−Ｃ６Ｈ４−からなる群より選ばれる少なくとも１つを有する２〜１０価の有機基を表す。上記の−Ｃ６Ｈ４−、−ＣＯＮＲ４−、−ＣＯＮＲ４−Ｃ６Ｈ４−、−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｃ６Ｈ４−、−ＳＯ２ＮＲ４−、−ＳＯ２ＮＲ４−Ｃ６Ｈ４−、−ＳＯ２−、または−ＳＯ２−Ｃ６Ｈ４−は、ＰＦＰＥ含有シラン化合物の分子主鎖中に含まれることが好ましい。
【００８１】
上記式中、α１は１〜９の整数であり、α１’は１〜９の整数である。これらα１およびα１’は、Ｘ１の価数に応じて変化し得る。式（Ａ１）においては、α１およびα１’の和は、Ｘ１の価数と同じである。例えば、Ｘ１が１０価の有機基である場合、α１およびα１’の和は１０であり、例えばα１が９かつα１’が１、α１が５かつα１’が５、またはα１が１かつα１’が９となり得る。また、Ｘ１が２価の有機基である場合、α１およびα１’は１である。式（Ａ２）においては、α１はＸ１の価数から１を引いた値である。
【００８２】
上記Ｘ１は、好ましくは２〜７価であり、より好ましくは２〜４価であり、さらに好ましくは２価の有機基である。
【００８３】
一の態様において、Ｘ１は２〜４価の有機基であり、α１は１〜３であり、α１’は１である。
【００８４】
別の態様において、Ｘ１は２価の有機基であり、α１は１であり、α１’は１である。この場合、式（Ａ１）および（Ａ２）は、下記式（Ａ１’）および（Ａ２’）で表される。
【化３】
2019031076.tif 000004
【００８５】
上記Ｘ１の例としては、特に限定するものではないが、例えば、下記式：
−（Ｒ３１）ｐ’−（Ｘａ）ｑ’−
［式中：
Ｒ３１は、単結合、−（ＣＨ２）ｓ’−またはｏ−、ｍ−もしくはｐ−フェニレン基を表し、好ましくは−（ＣＨ２）ｓ’−であり、
ｓ’は、１〜２０の整数、好ましくは１〜６の整数、より好ましくは１〜３の整数、さらにより好ましくは１または２であり、
Ｘａは、−（Ｘｂ）ｌ’−を表し、
Ｘｂは、各出現においてそれぞれ独立して、−Ｏ−、−Ｓ−、ｏ−、ｍ−もしくはｐ−フェニレン基、−Ｃ（Ｏ）Ｏ−、−Ｓｉ（Ｒ３３）２−、−（Ｓｉ（Ｒ３３）２Ｏ）ｍ’−Ｓｉ（Ｒ３３）２−、−ＣＯＮＲ３４−、−Ｏ−ＣＯＮＲ３４−、−ＮＲ３４−および−（ＣＨ２）ｎ’−からなる群から選択される基を表し、
Ｒ３３は、各出現においてそれぞれ独立して、フェニル基、Ｃ１−６アルキル基またはＣ１−６アルコキシ基を表し、好ましくはフェニル基またはＣ１−６アルキル基であり、より好ましくはメチル基であり、
Ｒ３４は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子、フェニル基またはＣ１−６アルキル基（好ましくはメチル基）を表し、
ｍ’は、各出現において、それぞれ独立して、１〜１００の整数、好ましくは１〜２０の整数であり、
ｎ’は、各出現において、それぞれ独立して、１〜２０の整数、好ましくは１〜６の整数、より好ましくは１〜３の整数であり、
ｌ’は、１〜１０の整数、好ましくは１〜５の整数、より好ましくは１〜３の整数であり、
ｐ’は、０または１であり、
ｑ’は、０または１であり、
ここに、ｐ’およびｑ’の少なくとも一方は１であり、ｐ’またはｑ’を付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は任意である］
で表される２価の基が挙げられる。ここに、Ｒ３１およびＸａ（典型的にはＲ３１およびＸａの水素原子）は、フッ素原子、Ｃ１−３アルキル基およびＣ１−３フルオロアルキル基から選択される１個またはそれ以上の置換基により置換されていてもよい。
【００８６】
好ましくは、上記Ｘ１は、−（Ｒ３１）ｐ’−（Ｘａ）ｑ’−Ｒ３２−である。Ｒ３２は、単結合、−（ＣＨ２）ｔ’−またはｏ−、ｍ−もしくはｐ−フェニレン基を表し、好ましくは−（ＣＨ２）ｔ’−である。ｔ’は、１〜２０の整数、好ましくは２〜６の整数、より好ましくは２〜３の整数である。ここに、Ｒ３２（典型的にはＲ３２中の水素原子）は、フッ素原子、Ｃ１−３アルキル基およびＣ１−３フルオロアルキル基から選択される１個またはそれ以上の置換基により置換されていてもよい。
【００８７】
好ましくは、上記Ｘ１は、
単結合、
Ｃ１−２０アルキレン基、
−Ｒ３１−Ｘｃ−Ｒ３２−、または
−Ｘｄ−Ｒ３２−
［式中、Ｒ３１およびＲ３２は、上記と同意義である。］
であり得る。なお、アルキレン基とは、−（ＣδＨ２δ）−構造を有する基であり、置換または非置換であってよく、直鎖状または分枝鎖状であってもよい。
【００８８】
より好ましくは、上記Ｘ１は、
単結合、
Ｃ１−２０アルキレン基、
−（ＣＨ２）ｓ’−Ｘｃ−、
−（ＣＨ２）ｓ’−Ｘｃ−（ＣＨ２）ｔ’−
−Ｘｄ−、または
−Ｘｄ−（ＣＨ２）ｔ’−
［式中、ｓ’およびｔ’は、上記と同意義である。］
である。
【００８９】
上記式中、Ｘｃは、
−Ｏ−、
−Ｓ−、
−Ｃ（Ｏ）Ｏ−、
−ＣＯＮＲ３４−、
−Ｏ−ＣＯＮＲ３４−、
−Ｓｉ（Ｒ３３）２−、
−（Ｓｉ（Ｒ３３）２Ｏ）ｍ’−Ｓｉ（Ｒ３３）２−、
−Ｏ−（ＣＨ２）u’−（Ｓｉ（Ｒ３３）２Ｏ）ｍ’−Ｓｉ（Ｒ３３）２−、
−Ｏ−（ＣＨ２）u’−Ｓｉ（Ｒ３３）２−Ｏ−Ｓｉ（Ｒ３３）２−ＣＨ２ＣＨ２−Ｓｉ（Ｒ３３）２−Ｏ−Ｓｉ（Ｒ３３）２−、
−Ｏ−（ＣＨ２）u’−Ｓｉ（ＯＣＨ３）２ＯＳｉ（ＯＣＨ３）２−、
−ＣＯＮＲ３４−（ＣＨ２）u’−（Ｓｉ（Ｒ３３）２Ｏ）ｍ’−Ｓｉ（Ｒ３３）２−、
−ＣＯＮＲ３４−（ＣＨ２）u’−Ｎ（Ｒ３４）−、または
−ＣＯＮＲ３４−（ｏ−、ｍ−またはｐ−フェニレン）−Ｓｉ（Ｒ３３）２−
［式中、Ｒ３３、Ｒ３４およびｍ’は、上記と同意義であり、
ｕ’は１〜２０の整数、好ましくは２〜６の整数、より好ましくは２〜３の整数である。］を表す。Ｘｃは、好ましくは−Ｏ−である。
【００９０】
上記式中、Ｘｄは、
−Ｓ−、
−Ｃ（Ｏ）Ｏ−、
−ＣＯＮＲ３４−、
−ＣＯＮＲ３４−（ＣＨ２）u’−（Ｓｉ（Ｒ３３）２Ｏ）ｍ’−Ｓｉ（Ｒ３３）２−、
−ＣＯＮＲ３４−（ＣＨ２）u’−Ｎ（Ｒ３４）−、または
−ＣＯＮＲ３４−（ｏ−、ｍ−またはｐ−フェニレン）−Ｓｉ（Ｒ３３）２−
［式中、各記号は、上記と同意義である。］
を表す。
【００９１】
より好ましくは、上記Ｘ１は、
単結合、
Ｃ１−２０アルキレン基、
−（ＣＨ２）ｓ’−Ｘｃ−（ＣＨ２）ｔ’−、または
−Ｘｄ−（ＣＨ２）ｔ’−
［式中、各記号は、上記と同意義である。］
であり得る。
【００９２】
さらにより好ましくは、上記Ｘ１は、
単結合、
Ｃ１−２０アルキレン基、
−（ＣＨ２）ｓ’−Ｏ−（ＣＨ２）ｔ’−、
−（ＣＨ２）ｓ’−（Ｓｉ（Ｒ３３）２Ｏ）ｍ’−Ｓｉ（Ｒ３３）２−（ＣＨ２）ｔ’−、
−（ＣＨ２）ｓ’−Ｏ−（ＣＨ２）u’−（Ｓｉ（Ｒ３３）２Ｏ）ｍ’−Ｓｉ（Ｒ３３）２−（ＣＨ２）ｔ’−、または
−（ＣＨ２）ｓ’−Ｏ−（ＣＨ２）ｔ’−Ｓｉ（Ｒ３３）２ −（ＣＨ２）u’−Ｓｉ（Ｒ３３）２−（ＣvＨ２v）−
［式中、Ｒ３３、ｍ’、ｓ’、ｔ’およびｕ’は、上記と同意義であり、ｖは１〜２０の整数、好ましくは２〜６の整数、より好ましくは２〜３の整数である。］
である。
【００９３】
上記式中、−（ＣvＨ２v）−は、直鎖であっても、分枝鎖であってもよく、例えば、−ＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＨ（ＣＨ３）−、−ＣＨ（ＣＨ３）ＣＨ２−であり得る。
【００９４】
上記Ｘ１基は、フッ素原子、Ｃ１−３アルキル基およびＣ１−３フルオロアルキル基（好ましくは、Ｃ１−３パーフルオロアルキル基）から選択される１個またはそれ以上の置換基により置換されていてもよい。
【００９５】
一の態様において、Ｘ１基は、−Ｏ−Ｃ１−６アルキレン基以外であり得る。
【００９６】
別の態様において、Ｘ１基としては、例えば下記の基が挙げられる：
【化４】
2019031076.tif 000005
【化５】
2019031076.tif 000006
［式中、Ｒ４１は、それぞれ独立して、水素原子、フェニル基、炭素数１〜６のアルキル基、またはＣ１−６アルコキシ基、好ましくはメチル基であり；
Ｄは、
−ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）２−、
−ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）３−、
−ＣＦ２Ｏ（ＣＨ２）３−、
−（ＣＨ２）２−、
−（ＣＨ２）３−、
−（ＣＨ２）4−、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ２）３−、
−ＣＯＮ（ＣＨ３）−（ＣＨ２）３−、
−ＣＯＮ（Ｐｈ）−（ＣＨ２）３−（式中、Ｐｈはフェニルを意味する）、および
【化６】
2019031076.tif 000007
（式中、Ｒ４２は、それぞれ独立して、水素原子、Ｃ１−６のアルキル基またはＣ１−６のアルコキシ基、好ましくはメチル基またはメトキシ基、より好ましくはメチル基を表す。）
から選択される基であり、
Ｅは、−（ＣＨ２）ｎｅ−（ｎｅは２〜６の整数）であり、
Ｄは、分子主鎖のＰＦＰＥに結合し、Ｅは、ＰＦＰＥと反対の基に結合する。］
【００９７】
上記Ｘ１の具体的な例としては、例えば：
単結合
−ＣＨ２ＯＣＨ２−、
−ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）２−、
−ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）３−、
−ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）６−、
−ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）２ＯＳｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）２−、
−ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）２ＯＳｉ（ＣＨ３）２ＯＳｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）２−、
−ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ）２Ｓｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）２−、
−ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ）３Ｓｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）２−、
−ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ）１０Ｓｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）２−、
−ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ）２０Ｓｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）２−、
−ＣＨ２ＯＣＦ２ＣＨＦＯＣＦ２−、
−ＣＨ２ＯＣＦ２ＣＨＦＯＣＦ２ＣＦ２−、
−ＣＨ２ＯＣＦ２ＣＨＦＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２−、
−ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２ＯＣＦ２−、
−ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２ＯＣＦ２ＣＦ２−、
−ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２−、
−ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２ＯＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２ＯＣＦ２−、
−ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２ＯＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２ＯＣＦ２ＣＦ２−、
−ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２ＯＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２−、
−ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨＦＣＦ２ＯＣＦ２−、
−ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨＦＣＦ２ＯＣＦ２ＣＦ２−、
−ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨＦＣＦ２ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２−、
−ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨＦＣＦ２ＯＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２ＯＣＦ２−、
−ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨＦＣＦ２ＯＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２ＯＣＦ２ＣＦ２−、
−ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨＦＣＦ２ＯＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２−、
−ＣＨ２ＯＣＦ２ＣＨＦＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２−Ｃ（Ｏ）ＮＨ−ＣＨ２−、
−ＣＨ２ＯＣＨ２（ＣＨ２）７ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣＨ３）２ＯＳｉ（ＯＣＨ３）２（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＣＨ３）２ＯＳｉ（ＯＣＨ３）２（ＣＨ２）２−、
−ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣＨ３）２ＯＳｉ（ＯＣＨ３）２（ＣＨ２）３−、
−ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣＨ２ＣＨ３）２ＯＳｉ（ＯＣＨ２ＣＨ３）２（ＣＨ２）３−、
−ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣＨ３）２ＯＳｉ（ＯＣＨ３）２（ＣＨ２）２−、
−ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣＨ２ＣＨ３）２ＯＳｉ（ＯＣＨ２ＣＨ３）２（ＣＨ２）２−、
−（ＣＨ２）２−Ｓｉ（ＣＨ３）２−（ＣＨ２）２−、
−ＣＨ２−、
−（ＣＨ２）２−、
−（ＣＨ２）３−、
−（ＣＨ２）４−、
−（ＣＨ２）５−、
−（ＣＨ２）６−、
−ＣＯ−、
−ＣＯＮＨ−、
−ＣＯＮＨ−ＣＨ２−、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ２）２−、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ２）３−、
−ＣＯＮ（ＣＨ３）−（ＣＨ２）３−、
−ＣＯＮ（Ｐｈ）−（ＣＨ２）３−（式中、Ｐｈはフェニルを意味する）、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ２）６−、
−ＣＯＮ（ＣＨ３）−（ＣＨ２）６−、
−ＣＯＮ（Ｐｈ）−（ＣＨ２）６−（式中、Ｐｈはフェニルを意味する）、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ２）２ＮＨ（ＣＨ２）３−、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ２）６ＮＨ（ＣＨ２）３−、
−ＣＨ２Ｏ−ＣＯＮＨ−（ＣＨ２）３−、
−ＣＨ２Ｏ−ＣＯＮＨ−（ＣＨ２）６−、
−Ｓ−（ＣＨ２）３−、
−（ＣＨ２）２Ｓ（ＣＨ２）３−、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）２ＯＳｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）２−、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）２ＯＳｉ（ＣＨ３）２ＯＳｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）２−、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ）２Ｓｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）２−、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ）３Ｓｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）２−、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ）１０Ｓｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）２−、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ）２０Ｓｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）２−、
−Ｃ（Ｏ）Ｏ−（ＣＨ２）３−、
−Ｃ（Ｏ）Ｏ−（ＣＨ２）６−、
−ＣＨ２−Ｏ−（ＣＨ２）３−Ｓｉ（ＣＨ３）２−（ＣＨ２）２−Ｓｉ（ＣＨ３）２−（ＣＨ２）２−、
−ＣＨ２−Ｏ−（ＣＨ２）３−Ｓｉ（ＣＨ３）２−（ＣＨ２）２−Ｓｉ（ＣＨ３）２−ＣＨ（ＣＨ３）−、
−ＣＨ２−Ｏ−（ＣＨ２）３−Ｓｉ（ＣＨ３）２−（ＣＨ２）２−Ｓｉ（ＣＨ３）２−（ＣＨ２）３−、
−ＣＨ２−Ｏ−（ＣＨ２）３−Ｓｉ（ＣＨ３）２−（ＣＨ２）２−Ｓｉ（ＣＨ３）２−ＣＨ（ＣＨ３）−ＣＨ２−、
−ＯＣＨ２−、
−Ｏ（ＣＨ２）３−、
−ＯＣＦＨＣＦ２−、
【化７】
2019031076.tif 000008
などが挙げられる。
【００９８】
より好ましい態様において、Ｘ１は、Ｘｅ’を表す。Ｘｅ’は、単結合、炭素数１〜６のアルキレン基、−Ｒ５１−Ｃ６Ｈ４−Ｒ５２−、−Ｒ５１−ＣＯＮＲ４−Ｒ５２−、−Ｒ５１−ＣＯＮＲ４−Ｃ６Ｈ４−Ｒ５２−、−Ｒ５１−ＣＯ−Ｒ５２−、−Ｒ５１−ＣＯ−Ｃ６Ｈ４−Ｒ５２−、−Ｒ５１−ＳＯ２ＮＲ４−Ｒ５２−、−Ｒ５１−ＳＯ２ＮＲ４−Ｃ６Ｈ４−Ｒ５２−、−Ｒ５１−ＳＯ２−Ｒ５２−、または−Ｒ５１−ＳＯ２−Ｃ６Ｈ４−Ｒ５２−である。Ｒ５１およびＲ５２は、それぞれ独立して、単結合または炭素数１〜６のアルキレン基を表し、好ましくは単結合または炭素数１〜３のアルキレン基である。Ｒ４は上記と同意義である。上記アルキレン基は、置換または非置換であり、好ましくは非置換である。上記アルキレン基の置換基としては、例えばハロゲン原子、好ましくはフッ素原子を挙げることができる。上記アルキレン基は、直鎖状または分枝鎖状であり、直鎖状であることが好ましい。
【００９９】
さらに好ましい態様において、Ｘｅ’は、
単結合、
炭素数１〜６、好ましくは炭素数１〜３のアルキレン基
−Ｃ６Ｈ４−Ｒ５２’−、
−ＣＯＮＲ４’−Ｒ５２’−、
−ＣＯＮＲ４’−Ｃ６Ｈ４−Ｒ５２’−、
−ＣＯ−Ｒ５２’−、
−ＣＯ−Ｃ６Ｈ４−Ｒ５２’−、
−ＳＯ２ＮＲ４’−Ｒ５２’−、
−ＳＯ２ＮＲ４’−Ｃ６Ｈ４−Ｒ５２’−、
−ＳＯ２−Ｒ５２’−、
−ＳＯ２−Ｃ６Ｈ４−Ｒ５２’−、
−Ｒ５１’−Ｃ６Ｈ４−、
−Ｒ５１’−ＣＯＮＲ４’−、
−Ｒ５１’−ＣＯＮＲ４’−Ｃ６Ｈ４−、
−Ｒ５１’−ＣＯ−、
−Ｒ５１’−ＣＯ−Ｃ６Ｈ４−、
−Ｒ５１’−ＳＯ２ＮＲ４’−、
−Ｒ５１’−ＳＯ２ＮＲ４’−Ｃ６Ｈ４−、
−Ｒ５１’−ＳＯ２−、
−Ｒ５１’−ＳＯ２−Ｃ６Ｈ４−、
−Ｃ６Ｈ４−、
−ＣＯＮＲ４’−、
−ＣＯＮＲ４’−Ｃ６Ｈ４−、
−ＣＯ−、
−ＣＯ−Ｃ６Ｈ４−、
−ＳＯ２ＮＲ４’−、
−ＳＯ２ＮＲ４’−Ｃ６Ｈ４−、
−ＳＯ２−、または
−ＳＯ２−Ｃ６Ｈ４−
（式中、Ｒ５１’およびＲ５２’は、それぞれ独立して、炭素数１〜６、好ましくは炭素数１〜３の直鎖のアルキレン基であり、
Ｒ４’は、水素原子またはメチルである。）
であり得る。
【０１００】
本態様において、Ｘｅ’の具体例としては、例えば、
単結合、
炭素数１〜６のアルキレン基、
−ＣＯＮＨ−、
−ＣＯＮＨ−ＣＨ２−、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ２）２−、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ２）３−、
−ＣＯＮ（ＣＨ３）−、
−ＣＯＮ（ＣＨ３）−ＣＨ２−、
−ＣＯＮ（ＣＨ３）−（ＣＨ２）２−、
−ＣＯＮ（ＣＨ３）−（ＣＨ２）３−、
−ＣＨ２−ＣＯＮＨ−、
−ＣＨ２−ＣＯＮＨ−ＣＨ２−、
−ＣＨ２−ＣＯＮＨ−（ＣＨ２）２−、
−ＣＨ２−ＣＯＮＨ−（ＣＨ２）３−、
−ＣＯＮＨ−Ｃ６Ｈ４−、
−ＣＯＮ（ＣＨ３）−Ｃ６Ｈ４−、
−ＣＨ２−ＣＯＮ（ＣＨ３）−ＣＨ２−、
−ＣＨ２−ＣＯＮ（ＣＨ３）−（ＣＨ２）２−、
−ＣＨ２−ＣＯＮ（ＣＨ３）−（ＣＨ２）３−、
−ＣＯＮ（ＣＨ３）−Ｃ６Ｈ４−、
−ＣＯ−、
−ＣＯ−Ｃ６Ｈ４−、
−Ｃ６Ｈ４−、
−ＳＯ２ＮＨ−、
−ＳＯ２ＮＨ−ＣＨ２−、
−ＳＯ２ＮＨ−（ＣＨ２）２−、
−ＳＯ２ＮＨ−（ＣＨ２）３−、
−ＳＯ２ＮＨ−Ｃ６Ｈ４−、
−ＳＯ２Ｎ（ＣＨ３）−、
−ＳＯ２Ｎ（ＣＨ３）−ＣＨ２−、
−ＳＯ２Ｎ（ＣＨ３）−（ＣＨ２）２−、
−ＳＯ２Ｎ（ＣＨ３）−（ＣＨ２）３−、
−ＳＯ２Ｎ（ＣＨ３）−Ｃ６Ｈ４−、
−ＳＯ２−、
−ＳＯ２−ＣＨ２−、
−ＳＯ２−（ＣＨ２）２−、
−ＳＯ２−（ＣＨ２）３−、または
−ＳＯ２−Ｃ６Ｈ４−
などが挙げられる。
【０１０１】
一の態様において、Ｘｅ’は、単結合である。本態様において、ＰＦＰＥと基材との結合能を有する基（即ち、（Ａ１）および（Ａ２）においては、α１を付して括弧でくくられた基）とが直接結合している。
【０１０２】
さらに別の態様において、Ｘ１は、式：−（Ｒ１６）ｘ−（ＣＦＲ１７）ｙ−（ＣＨ２）ｚ−で表される基である。式中、ｘ、ｙおよびｚは、それぞれ独立して、０〜１０の整数であり、ｘ、ｙおよびｚの和は１以上であり、括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は式中において任意である。
【０１０３】
上記式中、Ｒ１６は、各出現においてそれぞれ独立して、酸素原子、フェニレン、カルバゾリレン、−ＮＲ１８−（式中、Ｒ１８は、水素原子または有機基を表す）または２価の有機基である。好ましくは、Ｒ１６は、酸素原子または２価の極性基である。
【０１０４】
上記「２価の極性基」としては、特に限定されないが、−Ｃ（Ｏ）−、−Ｃ（＝ＮＲ１９）−、および−Ｃ（Ｏ）ＮＲ１９−（これらの式中、Ｒ１９は、水素原子または低級アルキル基を表す）が挙げられる。当該「低級アルキル基」は、例えば、炭素数１〜６のアルキル基、例えばメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基であり、これらは、１個またはそれ以上のフッ素原子により置換されていてもよい。
【０１０５】
上記式中、Ｒ１７は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子、フッ素原子または低級フルオロアルキル基であり、好ましくはフッ素原子である。当該「低級フルオロアルキル基」は、例えば、炭素数１〜６、好ましくは炭素数１〜３のフルオロアルキル基、好ましくは炭素数１〜３のパーフルオロアルキル基、より好ましくはトリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、さらに好ましくはトリフルオロメチル基である。
【０１０６】
この態様において、Ｘ１は、好ましくは、式：−（Ｏ）ｘ−（ＣＦ２）ｙ−（ＣＨ２）ｚ−（式中、ｘ、ｙおよびｚは、上記と同意義であり、括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は式中において任意である）で表される基である。
【０１０７】
上記式：−（Ｏ）ｘ−（ＣＦ２）ｙ−（ＣＨ２）ｚ−で表される基としては、例えば、−（Ｏ）ｘ’−（ＣＨ２）ｚ”−Ｏ−［（ＣＨ２）ｚ’’’−Ｏ−］ｚ””、および−（Ｏ）ｘ’−（ＣＦ２）ｙ”−（ＣＨ２）ｚ”−Ｏ−［（ＣＨ２）ｚ’’’−Ｏ−］ｚ””（式中、ｘ’は０または１であり、ｙ”、ｚ”およびｚ’’’は、それぞれ独立して、１〜１０の整数であり、ｚ””は、０または１である）で表される基が挙げられる。なお、これらの基は左端がＰＦＰＥ側に結合する。
【０１０８】
別の好ましい態様において、Ｘ１は、−Ｏ−ＣＦＲ２０−（ＣＦ２）ｅ’−である。
【０１０９】
上記Ｒ２０は、それぞれ独立して、フッ素原子または低級フルオロアルキル基を表す。ここで低級フルオロアルキル基は、例えば炭素数１〜３のフルオロアルキル基、好ましくは炭素数１〜３のパーフルオロアルキル基、より好ましくはトリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、更に好ましくはトリフルオロメチル基である。
【０１１０】
上記ｅ’は、それぞれ独立して、０または１である。
【０１１１】
一の具体例において、Ｒ２０はフッ素原子であり、ｅ’は１である。
【０１１２】
さらに別の態様において、Ｘ１基の例として、下記の基が挙げられる：
【化８】
2019031076.tif 000009
［式中、
Ｒ４１は、それぞれ独立して、水素原子、フェニル基、炭素数１〜６のアルキル基、またはＣ１−６アルコキシ基、好ましくはメチル基であり；
各Ｘ１基において、Ｔのうち任意のいくつかは、分子主鎖のＰＦＰＥに結合する以下の基：
−ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）２−、
−ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）３−、
−ＣＦ２Ｏ（ＣＨ２）３−、
−ＣＨ２−、
−（ＣＨ２）２−、
−（ＣＨ２）３−、
−（ＣＨ２）4−、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ２）３−、
−ＣＯＮ（ＣＨ３）−（ＣＨ２）３−、
−ＣＯＮ（Ｐｈ）−（ＣＨ２）３−（式中、Ｐｈはフェニルを意味する）、または
【化９】
2019031076.tif 000010
［式中、Ｒ４２は、それぞれ独立して、水素原子、Ｃ１−６のアルキル基またはＣ１−６のアルコキシ基、好ましくはメチル基またはメトキシ基、より好ましくはメチル基を表す。］
であり、別のＴのいくつかは、分子主鎖のＰＦＰＥと反対の基に結合する−（ＣＨ２）ｎ”−（ｎ”は２〜６の整数）であり、存在する場合、残りのＴは、それぞれ独立して、メチル基、フェニル基、Ｃ１−６アルコキシ基またはラジカル捕捉基もしくは紫外線吸収基であり得る。
【０１１３】
ラジカル捕捉基は、光照射で生じるラジカルを捕捉できるものであれば特に限定されないが、例えばベンゾフェノン類、ベンゾトリアゾール類、安息香酸エステル類、サリチル酸フェニル類、クロトン酸類、マロン酸エステル類、オルガノアクリレート類、ヒンダードアミン類、ヒンダードフェノール類、またはトリアジン類の残基が挙げられる。
【０１１４】
紫外線吸収基は、紫外線を吸収できるものであれば特に限定されないが、例えばベンゾトリアゾール類、ヒドロキシベンゾフェノン類、置換および未置換安息香酸もしくはサリチル酸化合物のエステル類、アクリレートまたはアルコキシシンナメート類、オキサミド類、オキサニリド類、ベンゾキサジノン類、ベンゾキサゾール類の残基が挙げられる。
【０１１５】
好ましい態様において、好ましいラジカル捕捉基または紫外線吸収基としては、
【化１０】
2019031076.tif 000011
が挙げられる。
【０１１６】
この態様において、Ｘ１（および、下記するＸ３、Ｘ５およびＸ７）は、３〜１０価の有機基であり得る。
【０１１７】
上記式中、Ｘ２は、各出現においてそれぞれ独立して、単結合または２価の有機基を表す。Ｘ２は、好ましくは、炭素数１〜２０のアルキレン基であり、より好ましくは、−（ＣＨ２）ｕ−（式中、ｕは、０〜２の整数である）である。
【０１１８】
上記式中、ｔは、それぞれ独立して、１〜１０の整数である。好ましい態様において、ｔは１〜６の整数である。別の好ましい態様において、ｔは２〜１０の整数であり、好ましくは２〜６の整数である。
【０１１９】
好ましい式（Ａ１）および（Ａ２）で示される化合物は、下記式（Ａ１’）および（Ａ２’）：
【化１１】
2019031076.tif 000012
［式中：
ＰＦＰＥは、それぞれ独立して、式：
−（ＯＣ６Ｆ１２）ａ−（ＯＣ５Ｆ１０）ｂ−（ＯＣ４Ｆ８）ｃ−（ＯＣ３Ｆ６）ｄ−（ＯＣ２Ｆ４）ｅ−（ＯＣＦ２）ｆ−
（式中、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅおよびｆは、それぞれ独立して０以上２００以下の整数であって、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅおよびｆの和は少なくとも１である。ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅまたはｆを付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は式中において任意である。）
で表される基であり； 
Ｒｆは、各出現においてそれぞれ独立して、１個またはそれ以上のフッ素原子により置換されていてもよい炭素数１〜１６のアルキル基を表し；
Ｒ１３は、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基または加水分解可能な基を表し；
Ｒ１４は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または炭素数１〜２２のアルキル基を表し；
Ｒ１１は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子またはハロゲン原子を表し；
Ｒ１２は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基を表し；
ｎ１は、１〜３の整数であり、好ましくは３であり；
Ｘ１は、各出現においてそれぞれ独立して、−Ｏ−ＣＦＲ２０−（ＣＦ２）ｅ’−であり；
Ｒ２０は、各出現においてそれぞれ独立して、フッ素原子または低級フルオロアルキル基であり；
ｅ’は、各出現においてそれぞれ独立して、０または１であり；
Ｘ２は、−（ＣＨ２）ｕ−であり；
ｕは、各出現においてそれぞれ独立して、０〜２の整数であり；
ｔは、各出現においてそれぞれ独立して、２〜１０の整数である。］
で表される化合物である。
【０１２０】
上記式（Ａ１）および（Ａ２）で表される化合物は、例えば、Ｒｆ−ＰＦＰＥ−部分に対応するパーフルオロポリエーテル誘導体を原料として、末端にヨウ素を導入した後、−ＣＨ２ＣＲ１２（Ｘ２−ＳｉＲ１３ｎ１Ｒ１４３−ｎ１）−に対応するビニルモノマーを反応させることにより得ることができる。
【０１２１】
式（Ｂ１）および（Ｂ２）：
【化１２】
2019031076.tif 000013
【０１２２】
上記式（Ｂ１）および（Ｂ２）中、Ｒｆ、ＰＦＰＥ、Ｒ１３、Ｒ１４およびｎ１は、上記式（Ａ１）および（Ａ２）に関する記載と同意義である。
【０１２３】
上記式中、Ｘ３は、それぞれ独立して、単結合または２〜１０価の有機基を表す。当該Ｘ３は、式（Ｂ１）および（Ｂ２）で表される化合物において、主に撥水性および表面滑り性等を提供するパーフルオロポリエーテル部（即ち、Ｒｆ−ＰＦＰＥ部または−ＰＦＰＥ−部）と、基材との結合能を提供するシラン部（具体的には、−ＳｉＲ１３ｎ１Ｒ１４３−ｎ１）とを連結するリンカーと解される。従って、当該Ｘ３は、式（Ｂ１）および（Ｂ２）で表される化合物が安定に存在し得るものであれば、いずれの有機基であってもよい。
【０１２４】
別の態様において、Ｘ３は、Ｘｅを表す。Ｘｅは、上記と同意義である。
【０１２５】
上記式中のβ１は、１〜９の整数であり、β１’は、１〜９の整数である。これらβ１およびβ１’は、Ｘ３の価数に応じて変化し得る。式（Ｂ１）において、β１およびβ１’の和は、Ｘ３の価数と同じである。例えば、Ｘ３が１０価の有機基である場合、β１およびβ１’の和は１０であり、例えばβ１が９かつβ１’が１、β１が５かつβ１’が５、またはβ１が１かつβ１’が９となり得る。また、Ｘ３が２価の有機基である場合、β１およびβ１’は１である。式（Ｂ２）において、β１はＸ３の価数の値から１を引いた値である。
【０１２６】
上記Ｘ３は、好ましくは２〜７価、より好ましくは２〜４価、さらに好ましくは２価の有機基である。
【０１２７】
一の態様において、Ｘ３は２〜４価の有機基であり、β１は１〜３であり、β１’は１である。
【０１２８】
別の態様において、Ｘ３は２価の有機基であり、β１は１であり、β１’は１である。この場合、式（Ｂ１）および（Ｂ２）は、下記式（Ｂ１’）および（Ｂ２’）で表される。
【化１３】
2019031076.tif 000014
【０１２９】
［式中：
ＰＦＰＥは、それぞれ独立して、式：
−（ＯＣ６Ｆ１２）ａ−（ＯＣ５Ｆ１０）ｂ−（ＯＣ４Ｆ８）ｃ−（ＯＣ３Ｆ６）ｄ−（ＯＣ２Ｆ４）ｅ−（ＯＣＦ２）ｆ−
（式中、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅおよびｆは、それぞれ独立して０以上２００以下の整数であって、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅおよびｆの和は少なくとも１である。添字ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅまたはｆを付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は式中において任意である。）
で表される基であり；
Ｒｆは、各出現においてそれぞれ独立して、１個またはそれ以上のフッ素原子により置換されていてもよい炭素数１〜１６のアルキル基を表し；
Ｒ１３は、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基または加水分解可能な基を表し；
Ｒ１４は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または炭素数１〜２２のアルキル基を表し；
ｎ１は、１〜３の整数であり、好ましくは３であり；
Ｘ３は、−ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）２−、−ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）３−または−ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）６−である］
で表される化合物である。
【０１３０】
上記Ｘ３の例としては、特に限定するものではないが、例えば、Ｘ１に関して記載したものと同様のものが挙げられる。
【０１３１】
中でも、好ましい具体的なＸ３は、
−ＣＨ２ＯＣＨ２−、
−ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）２−、
−ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）３−、
−ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）６−、
−ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）２ＯＳｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）２−、
−ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）２ＯＳｉ（ＣＨ３）２ＯＳｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）２−、
−ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ）２Ｓｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）２−、
−ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ）３Ｓｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）２−、
−ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ）１０Ｓｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）２−、
−ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ）２０Ｓｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）２−、
−ＣＨ２ＯＣＦ２ＣＨＦＯＣＦ２−、
−ＣＨ２ＯＣＦ２ＣＨＦＯＣＦ２ＣＦ２−、
−ＣＨ２ＯＣＦ２ＣＨＦＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２−、
−ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２ＯＣＦ２−、
−ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２ＯＣＦ２ＣＦ２−、
−ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２−、
−ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２ＯＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２ＯＣＦ２−、
−ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２ＯＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２ＯＣＦ２ＣＦ２−、
−ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２ＯＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２−、
−ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨＦＣＦ２ＯＣＦ２−、
−ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨＦＣＦ２ＯＣＦ２ＣＦ２−、
−ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨＦＣＦ２ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２−、
−ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨＦＣＦ２ＯＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２ＯＣＦ２−、
−ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨＦＣＦ２ＯＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２ＯＣＦ２ＣＦ２−、
−ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨＦＣＦ２ＯＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２−、
−ＣＨ２ＯＣＦ２ＣＨＦＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２−Ｃ（Ｏ）ＮＨ−ＣＨ２−、
−ＣＨ２ＯＣＨ２（ＣＨ２）７ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣＨ３）２ＯＳｉ（ＯＣＨ３）２（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＣＨ３）２ＯＳｉ（ＯＣＨ３）２（ＣＨ２）２−、
−ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣＨ３）２ＯＳｉ（ＯＣＨ３）２（ＣＨ２）３−、
−ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣＨ２ＣＨ３）２ＯＳｉ（ＯＣＨ２ＣＨ３）２（ＣＨ２）３−、
−ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣＨ３）２ＯＳｉ（ＯＣＨ３）２（ＣＨ２）２−、
−ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣＨ２ＣＨ３）２ＯＳｉ（ＯＣＨ２ＣＨ３）２（ＣＨ２）２−、
−（ＣＨ２）２−Ｓｉ（ＣＨ３）２−（ＣＨ２）２−、
−ＣＨ２−、
−（ＣＨ２）２−、
−（ＣＨ２）３−、
−（ＣＨ２）４−、
−（ＣＨ２）５−、
−（ＣＨ２）６−、
−ＣＯ−、
−ＣＯＮＨ−、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ２）３−、
−ＣＯＮ（ＣＨ３）−（ＣＨ２）３−、
−ＣＯＮ（Ｐｈ）−（ＣＨ２）３−（式中、Ｐｈはフェニルを意味する）、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ２）６−、
−ＣＯＮ（ＣＨ３）−（ＣＨ２）６−、
−ＣＯＮ（Ｐｈ）−（ＣＨ２）６−（式中、Ｐｈはフェニルを意味する）、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ２）２ＮＨ（ＣＨ２）３−、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ２）６ＮＨ（ＣＨ２）３−、
−ＣＨ２Ｏ−ＣＯＮＨ−（ＣＨ２）３−、
−ＣＨ２Ｏ−ＣＯＮＨ−（ＣＨ２）６−、
−Ｓ−（ＣＨ２）３−、
−（ＣＨ２）２Ｓ（ＣＨ２）３−、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）２ＯＳｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）２−、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）２ＯＳｉ（ＣＨ３）２ＯＳｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）２−、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ）２Ｓｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）２−、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ）３Ｓｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）２−、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ）１０Ｓｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）２−、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ）２０Ｓｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）２−、
−Ｃ（Ｏ）Ｏ−（ＣＨ２）３−、
−Ｃ（Ｏ）Ｏ−（ＣＨ２）６−、
−ＣＨ２−Ｏ−（ＣＨ２）３−Ｓｉ（ＣＨ３）２−（ＣＨ２）２−Ｓｉ（ＣＨ３）２−（ＣＨ２）２−、
−ＣＨ２−Ｏ−（ＣＨ２）３−Ｓｉ（ＣＨ３）２−（ＣＨ２）２−Ｓｉ（ＣＨ３）２−ＣＨ（ＣＨ３）−、
−ＣＨ２−Ｏ−（ＣＨ２）３−Ｓｉ（ＣＨ３）２−（ＣＨ２）２−Ｓｉ（ＣＨ３）２−（ＣＨ２）３−、
−ＣＨ２−Ｏ−（ＣＨ２）３−Ｓｉ（ＣＨ３）２−（ＣＨ２）２−Ｓｉ（ＣＨ３）２−ＣＨ（ＣＨ３）−ＣＨ２−、
−ＯＣＨ２−、
−Ｏ（ＣＨ２）３−、
−ＯＣＦＨＣＦ２−、
【化１４】
2019031076.tif 000015
などが挙げられる。
【０１３２】
別の好ましい態様において、Ｘ３は、Ｘｅ’を表す。Ｘｅ’は、上記と同意義である。
【０１３３】
一の態様において、Ｘｅ’は、単結合である。本態様において、ＰＦＰＥと基材との結合能を有する基（即ち、（Ｂ１）および（Ｂ２）においては、β１を付して括弧でくくられた基）とが直接結合している。
【０１３４】
一の態様において、式（Ｂ１）および（Ｂ２）において、水酸基または加水分解可能な基に結合したＳｉが少なくとも２つ存在する。即ち、式（Ｂ１）および（Ｂ２）において、ＳｉＲ１３の構造が少なくとも２つ存在する。
【０１３５】
好ましい式（Ｂ１）および（Ｂ２）で示される化合物は、下記式（Ｂ１’）および（Ｂ２’）：
【化１５】
2019031076.tif 000016
［式中：
ＰＦＰＥは、それぞれ独立して、式：
−（ＯＣ６Ｆ１２）ａ−（ＯＣ５Ｆ１０）ｂ−（ＯＣ４Ｆ８）ｃ−（ＯＣ３Ｆ６）ｄ−（ＯＣ２Ｆ４）ｅ−（ＯＣＦ２）ｆ−
（式中、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅおよびｆは、それぞれ独立して０以上２００以下の整数であって、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅおよびｆの和は少なくとも１である。添字ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅまたはｆを付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は式中において任意である。）
で表される基であり；
Ｒｆは、各出現においてそれぞれ独立して、１個またはそれ以上のフッ素原子により置換されていてもよい炭素数１〜１６のアルキル基を表し；
Ｒ１３は、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基または加水分解可能な基を表し；
Ｒ１４は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または炭素数１〜２２のアルキル基を表し；
ｎ１は、１〜３の整数であり、好ましくは３であり；
Ｘ３は、−ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）２−、−ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）３−または−ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）６−である。］
で表される化合物である。
【０１３６】
上記式（Ｂ１）および（Ｂ２）で表される化合物は、公知の方法、例えば特開２０１３−１１７０１２号公報に記載の方法またはその改良方法により製造することができる。
【０１３７】
式（Ｃ１）および（Ｃ２）：
【化１６】
2019031076.tif 000017
【０１３８】
上記式（Ｃ１）および（Ｃ２）中、ＲｆおよびＰＦＰＥは、上記式（Ａ１）および（Ａ２）に関する記載と同意義である。
【０１３９】
上記式中、Ｘ５は、それぞれ独立して、単結合または２〜１０価の有機基を表す。当該Ｘ５は、式（Ｃ１）および（Ｃ２）で表される化合物において、主に撥水性および表面滑り性等を提供するパーフルオロポリエーテル部（即ち、Ｒｆ−ＰＦＰＥ部または−ＰＦＰＥ−部）と、基材との結合能を提供するシラン部（具体的には、−ＳｉＲａｋ１Ｒｂｌ１Ｒｃｍ１基）とを連結するリンカーと解される。従って、当該Ｘ５は、式（Ｃ１）および（Ｃ２）で表される化合物が安定に存在し得るものであれば、いずれの有機基であってもよい。
【０１４０】
別の態様において、Ｘ５は、Ｘｅを表す。Ｘｅは、上記と同意義である。
【０１４１】
上記式中のγ１は、１〜９の整数であり、γ１’は、１〜９の整数である。これらγ１およびγ１’は、Ｘ５の価数に応じて変化し得る。式（Ｃ１）において、γ１およびγ１’の和は、Ｘ５の価数と同じである。例えば、Ｘ５が１０価の有機基である場合、γ１およびγ１’の和は１０であり、例えばγ１が９かつγ１’が１、γ１が５かつγ１’が５、またはγ１が１かつγ１’が９となり得る。また、Ｘ５が２価の有機基である場合、γ１およびγ１’は１である。式（Ｃ２）において、γ１はＸ５の価数の値から１を引いた値である。
【０１４２】
上記Ｘ５は、好ましくは２〜７価、より好ましくは２〜４価、さらに好ましくは２価の有機基である。
【０１４３】
一の態様において、Ｘ５は２〜４価の有機基であり、γ１は１〜３であり、γ１’は１である。
【０１４４】
別の態様において、Ｘ５は２価の有機基であり、γ１は１であり、γ１’は１である。この場合、式（Ｃ１）および（Ｃ２）は、下記式（Ｃ１’）および（Ｃ２’）で表される。
【化１７】
2019031076.tif 000018
【０１４５】
上記Ｘ５の例としては、特に限定するものではないが、例えば、Ｘ１に関して記載したものと同様のものが挙げられる。
【０１４６】
中でも、好ましい具体的なＸ５は、
−ＣＨ２ＯＣＨ２−、
−ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）２−、
−ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）３−、
−ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）６−、
−ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）２ＯＳｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）２−、
−ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）２ＯＳｉ（ＣＨ３）２ＯＳｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）２−、
−ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ）２Ｓｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）２−、
−ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ）３Ｓｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）２−、
−ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ）１０Ｓｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）２−、
−ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ）２０Ｓｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）２−、
−ＣＨ２ＯＣＦ２ＣＨＦＯＣＦ２−、
−ＣＨ２ＯＣＦ２ＣＨＦＯＣＦ２ＣＦ２−、
−ＣＨ２ＯＣＦ２ＣＨＦＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２−、
−ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２ＯＣＦ２−、
−ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２ＯＣＦ２ＣＦ２−、
−ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２−、
−ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２ＯＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２ＯＣＦ２−、
−ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２ＯＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２ＯＣＦ２ＣＦ２−、
−ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２ＯＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２−、
−ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨＦＣＦ２ＯＣＦ２−、
−ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨＦＣＦ２ＯＣＦ２ＣＦ２−、
−ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨＦＣＦ２ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２−、
−ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨＦＣＦ２ＯＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２ＯＣＦ２−、
−ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨＦＣＦ２ＯＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２ＯＣＦ２ＣＦ２−、
−ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨＦＣＦ２ＯＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２−、
−ＣＨ２ＯＣＦ２ＣＨＦＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２−Ｃ（Ｏ）ＮＨ−ＣＨ２−、
−ＣＨ２ＯＣＨ２（ＣＨ２）７ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣＨ３）２ＯＳｉ（ＯＣＨ３）２（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＣＨ３）２ＯＳｉ（ＯＣＨ３）２（ＣＨ２）２−、
−ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣＨ３）２ＯＳｉ（ＯＣＨ３）２（ＣＨ２）３−、
−ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣＨ２ＣＨ３）２ＯＳｉ（ＯＣＨ２ＣＨ３）２（ＣＨ２）３−、
−ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣＨ３）２ＯＳｉ（ＯＣＨ３）２（ＣＨ２）２−、
−ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣＨ２ＣＨ３）２ＯＳｉ（ＯＣＨ２ＣＨ３）２（ＣＨ２）２−、
−（ＣＨ２）２−Ｓｉ（ＣＨ３）２−（ＣＨ２）２−、
−ＣＨ２−、
−（ＣＨ２）２−、
−（ＣＨ２）３−、
−（ＣＨ２）４−、
−（ＣＨ２）５−、
−（ＣＨ２）６−、
−ＣＯ−、
−ＣＯＮＨ−、
−ＣＯＮＨ−ＣＨ２−、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ２）２−、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ２）３−、
−ＣＯＮ（ＣＨ３）−（ＣＨ２）３−、
−ＣＯＮ（Ｐｈ）−（ＣＨ２）３−（式中、Ｐｈはフェニルを意味する）、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ２）６−、
−ＣＯＮ（ＣＨ３）−（ＣＨ２）６−、
−ＣＯＮ（Ｐｈ）−（ＣＨ２）６−（式中、Ｐｈはフェニルを意味する）、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ２）２ＮＨ（ＣＨ２）３−、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ２）６ＮＨ（ＣＨ２）３−、
−ＣＨ２Ｏ−ＣＯＮＨ−（ＣＨ２）３−、
−ＣＨ２Ｏ−ＣＯＮＨ−（ＣＨ２）６−、
−Ｓ−（ＣＨ２）３−、
−（ＣＨ２）２Ｓ（ＣＨ２）３−、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）２ＯＳｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）２−、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）２ＯＳｉ（ＣＨ３）２ＯＳｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）２−、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ）２Ｓｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）２−、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ）３Ｓｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）２−、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ）１０Ｓｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）２−、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ）２０Ｓｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）２−、
−Ｃ（Ｏ）Ｏ−（ＣＨ２）３−、
−Ｃ（Ｏ）Ｏ−（ＣＨ２）６−、
−ＣＨ２−Ｏ−（ＣＨ２）３−Ｓｉ（ＣＨ３）２−（ＣＨ２）２−Ｓｉ（ＣＨ３）２−（ＣＨ２）２−、
−ＣＨ２−Ｏ−（ＣＨ２）３−Ｓｉ（ＣＨ３）２−（ＣＨ２）２−Ｓｉ（ＣＨ３）２−ＣＨ（ＣＨ３）−、
−ＣＨ２−Ｏ−（ＣＨ２）３−Ｓｉ（ＣＨ３）２−（ＣＨ２）２−Ｓｉ（ＣＨ３）２−（ＣＨ２）３−、
−ＣＨ２−Ｏ−（ＣＨ２）３−Ｓｉ（ＣＨ３）２−（ＣＨ２）２−Ｓｉ（ＣＨ３）２−ＣＨ（ＣＨ３）−ＣＨ２−、
−ＯＣＨ２−、
−Ｏ（ＣＨ２）３−、
−ＯＣＦＨＣＦ２−、
【化１８】
2019031076.tif 000019
などが挙げられる。
【０１４７】
別の好ましい態様において、Ｘ５は、Ｘｅ’を表す。Ｘｅ’は、上記と同意義である。
【０１４８】
一の態様において、Ｘｅ’は、単結合である。本態様において、ＰＦＰＥと基材との結合能を有する基（即ち、（Ｃ１）および（Ｃ２）においては、γ１を付して括弧でくくられた基）とが直接結合している。
【０１４９】
上記式中、Ｒａは、各出現においてそれぞれ独立して、−Ｚ３−ＳｉＲ７１ｐ１Ｒ７２ｑ１Ｒ７３ｒ１を表す。
【０１５０】
式中、Ｚ３は、各出現においてそれぞれ独立して、酸素原子または２価の有機基を表す。
【０１５１】
上記Ｚ３は、好ましくは、２価の有機基であり、式（Ｃ１）または式（Ｃ２）における分子主鎖の末端のＳｉ原子（Ｒａが結合しているＳｉ原子）とシロキサン結合を形成するものを含まない。
【０１５２】
上記Ｚ３は、好ましくは、Ｃ１−６アルキレン基、−（ＣＨ２）ｇ−Ｏ−（ＣＨ２）ｈ−（式中、ｇは、１〜６の整数であり、ｈは、１〜６の整数である）または、−フェニレン−（ＣＨ２）ｉ−（式中、ｉは、０〜６の整数である）であり、より好ましくはＣ１−３アルキレン基である。これらの基は、例えば、フッ素原子、Ｃ１−６アルキル基、Ｃ２−６アルケニル基、およびＣ２−６アルキニル基から選択される１個またはそれ以上の置換基により置換されていてもよい。紫外線耐久性が特に良好な観点からは、上記Ｚ３は、より好ましくは、直鎖状または分枝鎖状のアルキレン基であり、さらに好ましくは直鎖状のアルキレン基である。上記Ｚ３のアルキレン基を構成する炭素数は、好ましくは１〜６の範囲にあり、より好ましくは１〜３の範囲にある。なお、アルキレン基については上記のとおりである。
【０１５３】
式中、Ｒ７１は、各出現においてそれぞれ独立して、Ｒａ’を表す。Ｒａ’は、Ｒａと同意義である。
【０１５４】
Ｒａ中、Ｚ３基を介して直鎖状に連結されるＳｉは最大で５個である。即ち、上記Ｒａにおいて、Ｒ７１が少なくとも１つ存在する場合、Ｒａ中にＺ３基を介して直鎖状に連結されるＳｉ原子が２個以上存在するが、かかるＺ３基を介して直鎖状に連結されるＳｉ原子の数は最大で５個である。なお、「Ｒａ中のＺ３基を介して直鎖状に連結されるＳｉ原子の数」とは、Ｒａ中において直鎖状に連結される−Ｚ３−Ｓｉ−の繰り返し数と等しくなる。
【０１５５】
例えば、下記にＲａ中においてＺ３基を介してＳｉ原子が連結された一例を示す。
【化１９】
2019031076.tif 000020
【０１５６】
上記式において、＊は、主鎖のＳｉに結合する部位を意味し、…は、Ｚ３Ｓｉ以外の所定の基が結合していること、即ち、Ｓｉ原子の３本の結合手がすべて…である場合、Ｚ３Ｓｉの繰り返しの終了箇所を意味する。また、Ｓｉの右肩の数字は、＊から数えたＺ３基を介して直鎖状に連結されたＳｉの出現数を意味する。即ち、Ｓｉ２でＺ３Ｓｉ繰り返しが終了している鎖は「Ｒａ中のＺ３基を介して直鎖状に連結されるＳｉ原子の数」が２個であり、同様に、Ｓｉ３、Ｓｉ４およびＳｉ５でＺ３Ｓｉ繰り返しが終了している鎖は、それぞれ、「Ｒａ中のＺ３基を介して直鎖状に連結されるＳｉ原子の数」が３、４および５個である。なお、上記の式から明らかなように、Ｒａ中には、Ｚ３Ｓｉ鎖が複数存在するが、これらはすべて同じ長さである必要はなく、それぞれ任意の長さであってもよい。
【０１５７】
好ましい態様において、下記に示すように、「Ｒａ中のＺ３基を介して直鎖状に連結されるＳｉ原子の数」は、すべての鎖において、１個（左式）または２個（右式）である。
【化２０】
2019031076.tif 000021
【０１５８】
一の態様において、Ｒａ中のＺ３基を介して直鎖状に連結されるＳｉ原子の数は１個または２個、好ましくは１個である。
【０１５９】
式中、Ｒ７２は、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基または加水分解可能な基を表す。「加水分解可能な基」は、上記と同意義である。
【０１６０】
好ましくは、Ｒ７２は、−ＯＲ（式中、Ｒは、置換または非置換のＣ１−３アルキル基、より好ましくはメチル基を表す）である。
【０１６１】
式中、Ｒ７３は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基を表す。該低級アルキル基は、好ましくは炭素数１〜２０のアルキル基、より好ましくは炭素数１〜６のアルキル基、さらに好ましくはメチル基である。
【０１６２】
式中、ｐ１は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり；ｑ１は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり；ｒ１は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数である。ただし、（−Ｚ３−ＳｉＲ７１ｐ１Ｒ７２ｑ１Ｒ７３ｒ１）毎において、ｐ１、ｑ１およびｒ１の和は３である。
【０１６３】
好ましい態様において、Ｒａ中の末端のＲａ’（Ｒａ’が存在しない場合、Ｒａ）において、上記ｑ１は、好ましくは２以上、例えば２または３であり、より好ましくは３である。
【０１６４】
好ましい態様において、Ｒａの末端部の少なくとも１つは、−Ｓｉ（−Ｚ３−ＳｉＲ７２ｑ１Ｒ７３ｒ１）２または−Ｓｉ（−Ｚ３−ＳｉＲ７２ｑ１Ｒ７３ｒ１）３、好ましくは−Ｓｉ（−Ｚ３−ＳｉＲ７２ｑ１Ｒ７３ｒ１）３であり得る。式中、（−Ｚ３−ＳｉＲ７２ｑ１Ｒ７３ｒ１）の単位は、好ましくは（−Ｚ３−ＳｉＲ７２３）である。さらに好ましい態様において、Ｒａの末端部は、すべて−Ｓｉ（−Ｚ３−ＳｉＲ７２ｑ１Ｒ７３ｒ１）３、好ましくは−Ｓｉ（−Ｚ３−ＳｉＲ７２３）３であり得る。
【０１６５】
上記式（Ｃ１）および（Ｃ２）においては、少なくとも１つのｑ１が１〜３の整数であり、すなわち、少なくとも１つのＲ７２が存在する。
【０１６６】
一の態様において、式（Ｃ１）および（Ｃ２）においては、水酸基または加水分解可能な基に結合したＳｉが少なくとも２つ存在する。即ち、ＳｉＲ７２および／またはＳｉＲｂの構造が少なくとも２つ存在する。
【０１６７】
上記式中、Ｒｂは、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基または加水分解可能な基を表す。
【０１６８】
上記Ｒｂは、好ましくは、水酸基、−ＯＲ、−ＯＣＯＲ、−Ｏ−Ｎ＝Ｃ（Ｒ）２、−Ｎ（Ｒ）２、−ＮＨＲ、ハロゲン（これら式中、Ｒは、置換または非置換の炭素数１〜４のアルキル基を示す）であり、より好ましくは−ＯＲである。Ｒは、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基などの非置換アルキル基；クロロメチル基などの置換アルキル基が含まれる。それらの中でも、アルキル基、特に非置換アルキル基が好ましく、メチル基またはエチル基がより好ましい。水酸基は、特に限定されないが、加水分解可能な基が加水分解して生じたものであってよい。より好ましくは、Ｒｂは、−ＯＲ（式中、Ｒは、置換または非置換のＣ１−３アルキル基、より好ましくはメチル基を表す）である。
【０１６９】
上記式中、Ｒｃは、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基を表す。該低級アルキル基は、好ましくは炭素数１〜２０のアルキル基、より好ましくは炭素数１〜６のアルキル基、さらに好ましくはメチル基である。
【０１７０】
式中、ｋ１は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり；ｌ１は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり；ｍ１は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数である。ただし、（ＳｉＲａｋ１Ｒｂｌ１Ｒｃｍ１）毎において、ｋ１、ｌ１およびｍ１の和は、３である。
【０１７１】
一の態様において、ｋ１は、１〜３であることが好ましく、３であることがより好ましい。
【０１７２】
上記式（Ｃ１）および（Ｃ２）で表される化合物は、例えば、Ｒｆ−ＰＦＰＥ−部分に対応するパーフルオロポリエーテル誘導体を原料として、末端に水酸基を導入した後、末端に不飽和結合を有する基を導入し、この不飽和結合を有する基とハロゲン原子を有するシリル誘導体とを反応させ、さらにこのシリル基に末端に水酸基、次いで不飽和結合を有する基を導入し、最後に導入した不飽和結合を有する基とシリル誘導体とを反応させることにより得ることができる。例えば、国際公開第２０１４／０６９５９２号に記載のように合成することができる。
【０１７３】
式（Ｄ１）および（Ｄ２）：
2019031076.tif 000022
【０１７４】
上記式（Ｄ１）および（Ｄ２）中、ＲｆおよびＰＦＰＥは、上記式（Ａ１）および（Ａ２）に関する記載と同意義である。
【０１７５】
上記式中、Ｘ７は、それぞれ独立して、単結合または２〜１０価の有機基を表す。当該Ｘ７は、式（Ｄ１）および（Ｄ２）で表される化合物において、主に撥水性および表面滑り性等を提供するパーフルオロポリエーテル部（即ち、Ｒｆ−ＰＦＰＥ部または−ＰＦＰＥ−部）と、基材との結合能を提供する部（即ち、δ１を付して括弧でくくられた基）とを連結するリンカーと解される。従って、当該Ｘ７は、式（Ｄ１）および（Ｄ２）で表される化合物が安定に存在し得るものであれば、いずれの有機基であってもよい。
【０１７６】
別の態様において、Ｘ７は、Ｘｅを表す。Ｘｅは、上記と同意義である。
【０１７７】
上記式中、δ１は１〜９の整数であり、δ１’は１〜９の整数である。これらδ１およびδ１’は、Ｘ７の価数に応じて変化し得る。式（Ｄ１）においては、δ１およびδ１’の和は、Ｘ７の価数と同じである。例えば、Ｘ７が１０価の有機基である場合、δ１およびδ１’の和は１０であり、例えばδ１が９かつδ１’が１、δ１が５かつδ１’が５、またはδ１が１かつδ１’が９となり得る。また、Ｘ７が２価の有機基である場合、δ１およびδ１’は１である。式（Ｄ２）においては、δ１はＸ７の価数から１を引いた値である。
【０１７８】
上記Ｘ７は、好ましくは２〜７価、より好ましくは２〜４価、さらに好ましくは２価の有機基である。
【０１７９】
一の態様において、Ｘ７は２〜４価の有機基であり、δ１は１〜３であり、δ１’は１である。
【０１８０】
別の態様において、Ｘ７は２価の有機基であり、δ１は１であり、δ１’は１である。この場合、式（Ｄ１）および（Ｄ２）は、下記式（Ｄ１’）および（Ｄ２’）で表される。
【化２１】
2019031076.tif 000023
【０１８１】
上記Ｘ７の例としては、特に限定するものではないが、例えば、Ｘ１に関して記載したものと同様のものが挙げられる。
【０１８２】
中でも、好ましい具体的なＸ７は、
−ＣＨ２ＯＣＨ２−、
−ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）２−、
−ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）３−、
−ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）６−、
−ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）２ＯＳｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）２−、
−ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）２ＯＳｉ（ＣＨ３）２ＯＳｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）２−、
−ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ）２Ｓｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）２−、
−ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ）３Ｓｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）２−、
−ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ）１０Ｓｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）２−、
−ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ）２０Ｓｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）２−、
−ＣＨ２ＯＣＦ２ＣＨＦＯＣＦ２−、
−ＣＨ２ＯＣＦ２ＣＨＦＯＣＦ２ＣＦ２−、
−ＣＨ２ＯＣＦ２ＣＨＦＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２−、
−ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２ＯＣＦ２−、
−ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２ＯＣＦ２ＣＦ２−、
−ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２−、
−ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２ＯＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２ＯＣＦ２−、
−ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２ＯＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２ＯＣＦ２ＣＦ２−、
−ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＦ２ＣＦ２ＯＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２−、
−ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨＦＣＦ２ＯＣＦ２−、
−ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨＦＣＦ２ＯＣＦ２ＣＦ２−、
−ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨＦＣＦ２ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２−、
−ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨＦＣＦ２ＯＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２ＯＣＦ２−、
−ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨＦＣＦ２ＯＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２ＯＣＦ２ＣＦ２−、
−ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨＦＣＦ２ＯＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２−、
−ＣＨ２ＯＣＦ２ＣＨＦＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２−Ｃ（Ｏ）ＮＨ−ＣＨ２−、
−ＣＨ２ＯＣＨ２（ＣＨ２）７ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣＨ３）２ＯＳｉ（ＯＣＨ３）２（ＣＨ２）２Ｓｉ（ＯＣＨ３）２ＯＳｉ（ＯＣＨ３）２（ＣＨ２）２−、
−ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣＨ３）２ＯＳｉ（ＯＣＨ３）２（ＣＨ２）３−、
−ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣＨ２ＣＨ３）２ＯＳｉ（ＯＣＨ２ＣＨ３）２（ＣＨ２）３−、
−ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣＨ３）２ＯＳｉ（ＯＣＨ３）２（ＣＨ２）２−、
−ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣＨ２ＣＨ３）２ＯＳｉ（ＯＣＨ２ＣＨ３）２（ＣＨ２）２−、
−（ＣＨ２）２−Ｓｉ（ＣＨ３）２−（ＣＨ２）２−、
−ＣＨ２−、
−（ＣＨ２）２−、
−（ＣＨ２）３−、
−（ＣＨ２）４−、
−（ＣＨ２）５−、
−（ＣＨ２）６−、
−ＣＯ−、
−ＣＯＮＨ−、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ２）３−、
−ＣＯＮ（ＣＨ３）−（ＣＨ２）３−、
−ＣＯＮ（Ｐｈ）−（ＣＨ２）３−（式中、Ｐｈはフェニルを意味する）、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ２）６−、
−ＣＯＮ（ＣＨ３）−（ＣＨ２）６−、
−ＣＯＮ（Ｐｈ）−（ＣＨ２）６−（式中、Ｐｈはフェニルを意味する）、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ２）２ＮＨ（ＣＨ２）３−、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ２）６ＮＨ（ＣＨ２）３−、
−ＣＨ２Ｏ−ＣＯＮＨ−（ＣＨ２）３−、
−ＣＨ２Ｏ−ＣＯＮＨ−（ＣＨ２）６−、
−Ｓ−（ＣＨ２）３−、
−（ＣＨ２）２Ｓ（ＣＨ２）３−、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）２ＯＳｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）２−、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）２ＯＳｉ（ＣＨ３）２ＯＳｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）２−、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ）２Ｓｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）２−、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ）３Ｓｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）２−、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ）１０Ｓｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）２−、
−ＣＯＮＨ−（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ（Ｓｉ（ＣＨ３）２Ｏ）２０Ｓｉ（ＣＨ３）２（ＣＨ２）２−、
−Ｃ（Ｏ）Ｏ−（ＣＨ２）３−、
−Ｃ（Ｏ）Ｏ−（ＣＨ２）６−、
−ＣＨ２−Ｏ−（ＣＨ２）３−Ｓｉ（ＣＨ３）２−（ＣＨ２）２−Ｓｉ（ＣＨ３）２−（ＣＨ２）２−、
−ＣＨ２−Ｏ−（ＣＨ２）３−Ｓｉ（ＣＨ３）２−（ＣＨ２）２−Ｓｉ（ＣＨ３）２−ＣＨ（ＣＨ３）−、
−ＣＨ２−Ｏ−（ＣＨ２）３−Ｓｉ（ＣＨ３）２−（ＣＨ２）２−Ｓｉ（ＣＨ３）２−（ＣＨ２）３−、
−ＣＨ２−Ｏ−（ＣＨ２）３−Ｓｉ（ＣＨ３）２−（ＣＨ２）２−Ｓｉ（ＣＨ３）２−ＣＨ（ＣＨ３）−ＣＨ２−、
−ＯＣＨ２−、
−Ｏ（ＣＨ２）３−、
−ＯＣＦＨＣＦ２−、
【化２２】
2019031076.tif 000024
などが挙げられる。
【０１８３】
より好ましい態様において、Ｘ７は、Ｘｅ’を表す。Ｘｅ’は、上記と同意義である。
【０１８４】
一の態様において、Ｘｅ’は、単結合である。本態様において、ＰＦＰＥと基材との結合能を有する基（即ち、（Ｄ１）および（Ｄ２）においては、δ１を付して括弧でくくられた基）とが直接結合している。このような構造を有することによって、ＰＦＰＥとδ１を付して括弧でくくられた基との結合力がより強くなると考えられる。また、ＰＦＰＥと直接結合する炭素原子（即ち、δ１を付して括弧でくくられた基においてＲｄ、ＲｅおよびＲｆと結合する炭素原子）は電荷の偏りが少なく、その結果、上記炭素原子において求核反応等が生じにくく、当該化合物は基材と安定に結合すると考えられる。このような構造は、ＰＦＰＥシラン化合物により形成される層の摩擦耐久性をより向上させることができｒので、有利である。
【０１８５】
上記式中、Ｒｄは、各出現においてそれぞれ独立して、−Ｚ４−ＣＲ８１ｐ２Ｒ８２ｑ２Ｒ８３ｒ２を表す。
【０１８６】
式中、Ｚ４は、各出現においてそれぞれ独立して、酸素原子または２価の有機基を表す。
【０１８７】
上記Ｚ４は、好ましくは、Ｃ１−６アルキレン基、−（ＣＨ２）ｇ−Ｏ−（ＣＨ２）ｈ−（式中、ｇは、０〜６の整数、例えば１〜６の整数であり、ｈは、０〜６の整数、例えば１〜６の整数である）または、−フェニレン−（ＣＨ２）ｉ−（式中、ｉは、０〜６の整数である）であり、より好ましくはＣ１−３アルキレン基である。これらの基は、例えば、フッ素原子、Ｃ１−６アルキル基、Ｃ２−６アルケニル基、およびＣ２−６アルキニル基から選択される１個またはそれ以上の置換基により置換されていてもよい。
【０１８８】
式中、Ｒ８１は、各出現においてそれぞれ独立して、Ｒｄ’を表す。Ｒｄ’は、Ｒｄと同意義である。
【０１８９】
Ｒｄ中、Ｚ４基を介して直鎖状に連結されるＣは最大で５個である。即ち、上記Ｒｄにおいて、Ｒ８１が少なくとも１つ存在する場合、Ｒｄ中にＺ４基を介して直鎖状に連結されるＣ原子が２個以上存在するが、かかるＺ４基を介して直鎖状に連結されるＣ原子の数は最大で５個である。なお、「Ｒｄ中のＺ４基を介して直鎖状に連結されるＣ原子の数」とは、Ｒｄ中において直鎖状に連結される−Ｚ４−Ｃ−の繰り返し数と等しくなる。
【０１９０】
好ましい態様において、下記に示すように、「Ｒｄ中のＺ４基を介して直鎖状に連結されるＣ原子の数」は、すべての鎖において、１個（左式）または２個（右式）である。
【化２３】
2019031076.tif 000025
【０１９１】
一の態様において、ＲｄのＺ４基を介して直鎖状に連結されるＣ原子の数は１個または２個、好ましくは１個である。
【０１９２】
式中、Ｒ８２は、各出現においてそれぞれ独立して、−Ｙ−ＳｉＲ８５ｎ２Ｒ８６３−ｎ２を表す。
【０１９３】
Ｙは、各出現においてそれぞれ独立して、２価の有機基を表す。
【０１９４】
好ましい態様において、Ｙは、Ｃ１−６アルキレン基、−（ＣＨ２）ｇ’−Ｏ−（ＣＨ２）ｈ’−（式中、ｇ’は、０〜６の整数、例えば１〜６の整数であり、ｈ’は、０〜６の整数、例えば１〜６の整数である）または、−フェニレン−（ＣＨ２）ｉ’−（式中、ｉ’は、０〜６の整数である）である。これらの基は、例えば、フッ素原子、Ｃ１−６アルキル基、Ｃ２−６アルケニル基、およびＣ２−６アルキニル基から選択される１個またはそれ以上の置換基により置換されていてもよい。
【０１９５】
一の態様において、Ｙは、Ｃ１−６アルキレン基または−フェニレン−（ＣＨ２）ｉ’−であり得る。Ｙが上記の基である場合、光耐性、特に紫外線耐性がより高くなり得る。
【０１９６】
上記Ｒ８５は、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基または加水分解可能な基を表す。
【０１９７】
上記「加水分解可能な基」とは、式（Ｃ１）および（Ｃ２）と同様のものが挙げられる。
【０１９８】
好ましくは、Ｒ８５は、−ＯＲ（式中、Ｒは、置換または非置換のＣ１−３アルキル基、より好ましくはエチル基またはメチル基、特にメチル基を表す）である。
【０１９９】
上記Ｒ８６は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基を表す。該低級アルキル基は、好ましくは炭素数１〜２０のアルキル基、より好ましくは炭素数１〜６のアルキル基、さらに好ましくはメチル基である。
【０２００】
ｎ２は、（−Ｙ−ＳｉＲ８５ｎ２Ｒ８６３−ｎ２）単位毎に独立して、０〜３の整数を表し、好ましくは１〜３の整数、より好ましくは２または３、特に好ましくは３である。
【０２０１】
上記Ｒ８３は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基を表す。該低級アルキル基は、好ましくは炭素数１〜２０のアルキル基、より好ましくは炭素数１〜６のアルキル基、さらに好ましくはメチル基である。
【０２０２】
式中、ｐ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり；ｑ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり；ｒ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数である。ただし、（−Ｚ４−ＣＲ８１ｐ２Ｒ８２ｑ２Ｒ８３ｒ２）毎において、ｐ２、ｑ２およびｒ２の和は３である。
【０２０３】
好ましい態様において、Ｒｄ中の末端のＲｄ’（Ｒｄ’が存在しない場合、Ｒｄ）において、上記ｑ２は、好ましくは２以上、例えば２または３であり、より好ましくは３である。
【０２０４】
好ましい態様において、Ｒｄの末端部の少なくとも１つは、−Ｃ（−Ｙ−ＳｉＲ８５ｎ２Ｒ８６３−ｎ２）２または−Ｃ（−Ｙ−ＳｉＲ８５ｎ２Ｒ８６３−ｎ２）３、好ましくは−Ｃ（−Ｙ−ＳｉＲ８５ｎ２Ｒ８６３−ｎ２）３であり得る。式中、（−Ｙ−ＳｉＲ８５ｎ２Ｒ８６３−ｎ２）の単位は、好ましくは（−Ｙ−ＳｉＲ８５３）である。さらに好ましい態様において、Ｒｄ１の末端部は、すべて−Ｃ（−Ｙ−ＳｉＲ８５ｎ２Ｒ８６３−ｎ２）３、好ましくは−Ｃ（−Ｙ−ＳｉＲ８５３）３であり得る。
【０２０５】
上記式中、Ｒｅは、各出現においてそれぞれ独立して、−Ｙ−ＳｉＲ８５ｎ２Ｒ８６３−ｎ２を表す。ここに、Ｙ、Ｒ８５、Ｒ８６およびｎ２は、上記Ｒ８２における記載と同意義である。
【０２０６】
上記式中、Ｒｆは、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基を表す。該低級アルキル基は、好ましくは炭素数１〜２０のアルキル基、より好ましくは炭素数１〜６のアルキル基、さらに好ましくはメチル基である。
【０２０７】
式中、ｋ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり；ｌ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり；ｍ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数である。ただし、ｋ２、ｌ２およびｍ２の和は３である。
【０２０８】
一の態様において、少なくとも１つのｋ２は２または３であり、好ましくは３である。
【０２０９】
一の態様において、ｋ２は２または３であり、好ましくは３である。
【０２１０】
一の態様において、ｌ２は２または３であり、好ましくは３である。
【０２１１】
上記式（Ｄ１）および（Ｄ２）において、−Ｙ−ＳｉＲ８５で表される基が２以上存在する。より好ましくは、２以上の−Ｙ−ＳｉＲ８５に結合した炭素原子が１以上存在する。即ち、−Ｃ−（Ｙ−ＳｉＲ８５ｎ２Ｒ８６３−ｎ２）２で表される基が１以上存在することが好ましい（式中、ｎ２は１〜３の整数である。）。
【０２１２】
上記式（Ｄ１）および（Ｄ２）中、ｎ２は１〜３の整数であり、および、少なくとも１つのｑ２は２または３であるか、あるいは、少なくとも１つのｌ２は２または３である。即ち、式中、少なくとも２つの−Ｙ−ＳｉＲ８５ｎ２Ｒ８６３−ｎ２基が存在する。
【０２１３】
式（Ｄ１）または式（Ｄ２）で表されるＰＦＰＥ含有シラン化合物は、公知の方法を組み合わせることにより製造することができる。例えば、Ｘ７が２価である式（Ｄ１’）で表される化合物は、限定するものではないが、以下のようにして製造することができる。
【０２１４】
ＨＯ−Ｘ７−Ｃ（ＹＯＨ）３（式中、Ｘ７およびＹは、それぞれ独立して、２価の有機基である。）で表される多価アルコールに、二重結合を含有する基（好ましくはアリル）、およびハロゲン（好ましくはブロモ）を導入して、Ｈａｌ−Ｘ７−Ｃ（Ｙ−Ｏ−Ｒ−ＣＨ＝ＣＨ２）３（式中、Ｈａｌはハロゲン、例えばＢｒであり、Ｒは二価の有機基、例えばアルキレン基である。）で表される二重結合含有ハロゲン化物を得る。次いで、末端のハロゲンと、ＲＰＦＰＥ−ＯＨ（式中、ＲＰＦＰＥは、パーフルオロポリエーテル基含有基である。）で表されるパーフルオロポリエーテル基含有アルコールとを反応させて、ＲＰＦＰＥ−Ｏ−Ｘ７−Ｃ（Ｙ−Ｏ−Ｒ−ＣＨ＝ＣＨ２）３を得る。次いで、末端の−ＣＨ＝ＣＨ２と、ＨＳｉＣｌ３およびアルコールまたはＨＳｉＲ８５３と反応させて、ＲＰＦＰＥ−Ｏ−Ｘ７−Ｃ（Ｙ−Ｏ−Ｒ−ＣＨ２−ＣＨ２−ＳｉＲ８５３）３を得ることができる。
【０２１５】
上記したＰＦＰＥ含有シラン化合物は、特に限定されるものではないが、５×１０２〜１×１０５の数平均分子量を有し得る。かかる範囲のなかでも、２，０００〜３０，０００、より好ましくは２，５００〜１２，０００、さらに好ましくは３，０００〜６，０００の数平均分子量を有することが、摩擦耐久性の観点から好ましい。なお、本発明において、数平均分子量は、１９Ｆ−ＮＭＲにより測定される値とする。
【０２１６】
以下、パターン形成用基体の製造に特に適した方法の例を用いて、本発明のパターン形成用基体について説明するが、本発明のパターン形成用基体およびその製造方法が、以下の記載に限定されないことは言うまでもない。なお、上記してきた内容と記載が重複する場合については、説明を省略することがある（以下においても同様である）。
【０２１７】
本態様のパターン形成用基体の製造方法は、
基材の少なくとも１の主面に、ＰＦＰＥ含有シラン化合物に由来する部分、および、パターン形成用領域を形成し、パターン形成用基体を作製すること（以下、工程（Ｉ）と称することがある）、を含む。
【０２１８】
上記工程（Ｉ）は、例えば、
基材の少なくとも１の主面に、ＰＦＰＥ含有シラン化合物を含む処理剤（以下、「処理剤」と称することがある）を適用して、ＰＦＰＥ含有シラン化合物に由来する層を形成すること、および、形成された層を除去することによりパターン形成用領域を形成することによって、ＰＦＰＥ含有シラン化合物に由来する部分、および、パターン形成用領域を有するパターン形成用基体を作製すること（以下、工程（ＩＡ）と称することがある）、
基材の少なくとも１の主面に、パターン形成用領域に対応する部分にＰＦＰＥ含有シラン化合物に由来する層が形成されないように前処理（例えば、マスキング処理等）を施し、その後、ＰＦＰＥ含有シラン化合物を含む処理剤を適用して、ＰＦＰＥ含有シラン化合物に由来する層（または部分）を形成することによって、ＰＦＰＥ含有シラン化合物に由来する部分、および、パターン形成用領域を有するパターン形成用基体を作製すること（以下、工程（ＩＢ）と称することがある）、または
基材の少なくとも１の主面に、ＰＦＰＥ含有シラン化合物を含む処理剤を選択的に適用して、ＰＦＰＥ含有シラン化合物に由来する層（または部分）を形成することによって、ＰＦＰＥ含有シラン化合物に由来する部分、および、パターン形成用領域を有するパターン形成用基体を作製すること（以下、工程（ＩＣ）と称することがある）、の少なくともいずれか１を含む。
【０２１９】
以下、工程（ＩＡ）について説明する。
【０２２０】
上記処理剤は、上記ＰＦＰＥ含有シラン化合物を含む。該処理剤において、上記ＰＦＰＥ含有シラン化合物は、処理剤１００質量部に対して、好ましくは０．０１〜１００質量部、より好ましくは０．１〜３０質量部含まれる。
【０２２１】
上記処理剤は、溶媒で希釈されていてもよい。このような溶媒としては、特に限定するものではないが、例えば：
パーフルオロヘキサン、ＣＦ３ＣＦ２ＣＨＣｌ２、ＣＦ３ＣＨ２ＣＦ２ＣＨ３、ＣＦ３ＣＨＦＣＨＦＣ２Ｆ５、１，１，１，２，２，３，３，４，４，５，５，６，６−トリデカフルオロオクタン、１，１，２，２，３，３，４−ヘプタフルオロシクロペンタン（（ゼオローラＨ（商品名）等）、Ｃ４Ｆ９ＯＣＨ３、Ｃ４Ｆ９ＯＣ２Ｈ５、ＣＦ３ＣＨ２ＯＣＦ２ＣＨＦ２、Ｃ６Ｆ１３ＣＨ＝ＣＨ２、キシレンヘキサフルオリド、パーフルオロベンゼン、メチルペンタデカフルオロヘプチルケトン、トリフルオロエタノール、ペンタフルオロプロパノール、ヘキサフルオロイソプロパノール、ＨＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２ＯＨ、メチルトリフルオロメタンスルホネート、トリフルオロ酢酸およびＣＦ３Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｍ１（ＣＦ２Ｏ）ｎ１ＣＦ２ＣＦ３［式中、ｍ１およびｎ１は、それぞれ独立して０以上１０００以下の整数であり、ｍ１またはｎ１を付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は式中において任意であり、但しｍ１およびｎ１の和は１以上である。］、１，1−ジクロロ−２，３，３，３−テトラフルオロ−１−プロペン、１，２−ジクロロ−１，３，３，３−テトラフルオロ−１−プロペン、１，２−ジクロロ−３，３，３−トリフルオロ−１−プロペン、１，１−ジクロロ−３，３，３−トリフルオロ−１−プロペン、１，１，２−トリクロロ―３，３，３−トリフルオロ−１−プロペン、１，１，１，４，４，４−ヘキサフルオロ−２−ブテンからなる群から選択されるフッ素原子含有溶媒等が挙げられる。これらの溶媒は、単独で、または、２種以上の混合物として用いることができる。
【０２２２】
上記溶媒中に含まれる水分含有量は、２０質量ｐｐｍ以下であることが好ましい。上記水分含有量は、カールフィッシャー法を用いて測定することができる。このような水分含有量であることによって、処理剤の保存安定性が向上し得る。
【０２２３】
上記処理剤は、上記ＰＦＰＥ含有シラン化合物に加え、他の成分を含んでいてもよい。かかる他の成分としては、特に限定されるものではないが、例えば、含フッ素オイルとして理解され得る（非反応性の）フルオロポリエーテル化合物、好ましくはパーフルオロ（ポリ）エーテル化合物（以下、「含フッ素オイル」と言う）、シリコーンオイルとして理解され得る（非反応性の）シリコーン化合物（以下、「シリコーンオイル」と言う）、触媒、低級アルコール、遷移金属、ハロゲン化物イオン、分子構造内に非共有電子対を有する原子を含む化合物などが挙げられる。
【０２２４】
上記含フッ素オイルとしては、特に限定されるものではないが、例えば、以下の一般式（１）で表される化合物（パーフルオロ（ポリ）エーテル化合物）が挙げられる。
Ｒｆ５−（ＯＣ４Ｆ８）ａ’−（ＯＣ３Ｆ６）ｂ’−（ＯＣ２Ｆ４）ｃ’−（ＯＣＦ２）ｄ’−Ｒｆ６      ・・・（１）
式中、Ｒｆ５は、１個またはそれ以上のフッ素原子により置換されていてもよい炭素数１〜１６アルキル基（好ましくは、Ｃ１―１６のパーフルオロアルキル基）を表し、Ｒｆ６は、１個またはそれ以上のフッ素原子により置換されていてもよい炭素数１〜１６アルキル基（好ましくは、Ｃ１−１６パーフルオロアルキル基）、フッ素原子または水素原子を表し、Ｒｆ５およびＲｆ６は、より好ましくは、それぞれ独立して、Ｃ１−３パーフルオロアルキル基である。
ａ’、ｂ’、ｃ’およびｄ’は、ポリマーの主骨格を構成するパーフルオロ（ポリ）エーテルの４種の繰り返し単位数をそれぞれ表し、互いに独立して０以上３００以下の整数であって、ａ’、ｂ’、ｃ’およびｄ’の和は少なくとも１、好ましくは１〜３００、より好ましくは２０〜３００である。添字ａ’、ｂ’、ｃ’またはｄ’を付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は、式中において任意である。これら繰り返し単位のうち、−（ＯＣ４Ｆ８）−は、−（ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２）−、−（ＯＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２ＣＦ２）−、−（ＯＣＦ２ＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２）−、−（ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ（ＣＦ３））−、−（ＯＣ（ＣＦ３）２ＣＦ２）−、−（ＯＣＦ２Ｃ（ＣＦ３）２）−、−（ＯＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ（ＣＦ３））−、−（ＯＣＦ（Ｃ２Ｆ５）ＣＦ２）−および−（ＯＣＦ２ＣＦ（Ｃ２Ｆ５））−のいずれであってもよいが、好ましくは−（ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２）−である。−（ＯＣ３Ｆ６）−は、−（ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２）−、−（ＯＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２）−および−（ＯＣＦ２ＣＦ（ＣＦ３））−のいずれであってもよく、好ましくは−（ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２）−である。−（ＯＣ２Ｆ４）−は、−（ＯＣＦ２ＣＦ２）−および−（ＯＣＦ（ＣＦ３））−のいずれであってもよいが、好ましくは−（ＯＣＦ２ＣＦ２）−である。
【０２２５】
上記一般式（１）で表されるパーフルオロ（ポリ）エーテル化合物の例として、以下の一般式（１ａ）および（１ｂ）のいずれかで示される化合物（１種または２種以上の混合物であってよい）が挙げられる。
Ｒｆ５−（ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２）ｂ’’−Ｒｆ６                  ・・・（１ａ）
Ｒｆ５−（ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２）ａ’’−（ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２）ｂ’’−（ＯＣＦ２ＣＦ２）ｃ’’−（ＯＣＦ２）ｄ’’−Ｒｆ６              ・・・（１ｂ）
これら式中、Ｒｆ５およびＲｆ６は上記の通りであり；式（１ａ）において、ｂ’’は１以上１００以下の整数であり；式（１ｂ）において、ａ’’およびｂ’’は、それぞれ独立して１以上３０以下の整数であり、ｃ’’およびｄ’’はそれぞれ独立して１以上３００以下の整数である。添字ａ’’、ｂ’’、ｃ’’、ｄ’’を付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は、式中において任意である。
【０２２６】
上記含フッ素オイルは、１，０００〜３０，０００の数平均分子量を有していてよい。特に、式（１ａ）で表される化合物の数平均分子量は、２，０００〜８，０００であることが好ましい。かかる数平均分子量を有することにより、高い表面滑り性を得ることができる。一の態様において、式（１ｂ）で表される化合物の数平均分子量は、３，０００〜８，０００である。別の態様において、式（１ｂ）で表される化合物の数平均分子量は、８，０００〜３０，０００である。
【０２２７】
上記処理剤中、含フッ素オイルは、上記ＰＦＰＥ含有シラン化合物１００質量部に対して、例えば０〜５００質量部、好ましくは０〜１００質量部、より好ましくは１〜５０質量部、さらに好ましくは１〜５質量部で含まれ得る。
【０２２８】
また、別の観点から、含フッ素オイルは、一般式Ｒｆ’−Ｆ（式中、Ｒｆ’はＣ５−１６パーフルオロアルキル基である。）で表される化合物であってよい。また、クロロトリフルオロエチレンオリゴマーであってもよい。Ｒｆ’−Ｆで表される化合物およびクロロトリフルオロエチレンオリゴマーは、ＲｆがＣ１−１６パーフルオロアルキル基である上記ＰＦＰＥ含有シラン化合物と高い親和性が得られる点で好ましい。
【０２２９】
含フッ素オイルは、処理剤により形成された層の表面滑り性を向上させるのに寄与する。
【０２３０】
上記シリコーンオイルとしては、例えばシロキサン結合が２，０００以下の直鎖状または環状のシリコーンオイルを用い得る。直鎖状のシリコーンオイルは、いわゆるストレートシリコーンオイルおよび変性シリコーンオイルであってよい。ストレートシリコーンオイルとしては、ジメチルシリコーンオイル、メチルフェニルシリコーンオイル、メチルハイドロジェンシリコーンオイルが挙げられる。変性シリコーンオイルとしては、ストレートシリコーンオイルを、アルキル、アラルキル、ポリエーテル、高級脂肪酸エステル、フルオロアルキル、アミノ、エポキシ、カルボキシル、アルコールなどにより変性したものが挙げられる。環状のシリコーンオイルは、例えば環状ジメチルシロキサンオイルなどが挙げられる。
【０２３１】
上記処理剤中、かかるシリコーンオイルは、上記ＰＦＰＥ含有シラン化合物１００質量部（２種以上の場合にはこれらの合計、以下も同様）に対して、例えば０〜５０質量部、好ましくは０〜５質量部で含まれ得る。
【０２３２】
シリコーンオイルは、上記処理剤により形成される層の表面滑り性を向上させるのに寄与する。
【０２３３】
上記触媒としては、酸（例えば酢酸、トリフルオロ酢酸等）、塩基（例えばアンモニア、トリエチルアミン、ジエチルアミン等）、遷移金属（例えばＴｉ、Ｎｉ、Ｓｎ等）等が挙げられる。
【０２３４】
触媒は、上記ＰＦＰＥ含有シラン化合物の加水分解および脱水縮合を促進し、上記処理剤により形成される層の形成を促進する。
【０２３５】
上記他の成分としての低級アルコールとしては、炭素数１〜６のアルコール化合物が挙げられる。
【０２３６】
上記遷移金属としては、白金、ルテニウム、ロジウム等が挙げられる。
【０２３７】
上記ハロゲン化物イオンとしては、塩化物イオン等が挙げられる。
【０２３８】
上記分子構造内に非共有電子対を有する原子を含む化合物しては、ジエチルアミン、トリエチルアミン、アニリン、ピリジン、ヘキサメチルホスホルアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルピロリドン、テトラメチル尿素、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、テトラメチレンスルホキシド、メチルフェニルスルホキシド、ジフェニルスルホキシド等を挙げられる。これらの化合物の中で、ジメチルスルホキシド、またはテトラメチレンスルホキシドを用いることが好ましい。
【０２３９】
他の成分としては、上記以外に、例えば、テトラエトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、メチルトリアセトキシシラン等も挙げられる。
【０２４０】
一の態様において、上記処理剤は、上記他の成分である含フッ素オイル、シリコーンオイル、触媒、低級アルコール、遷移金属、ハロゲン化物イオン、分子構造内に非共有電子対を有する原子を含む化合物を含まない。
【０２４１】
上記処理剤は、多孔質物質、例えば多孔質のセラミック材料、金属繊維、例えばスチールウールを綿状に固めたものに含浸させて、ペレットとすることができる。当該ペレットは、例えば、真空蒸着に用いることができる。
【０２４２】
基材の少なくとも１の主面に、上記処理剤を適用することによって、ＰＦＰＥ含有シラン化合物に由来する層が形成される。ＰＦＰＥ含有シラン化合物に由来する層の形成は、基材上に上記処理剤の膜を形成し、この膜を必要に応じて後処理することによって形成されてもよい。上記基材としては、必要に応じて、マスキング等によって部分的に保護されたものを用いてもよい。
【０２４３】
上記処理剤の膜の形成は、上記処理剤を基材の主面に対して、該主面を被覆するように適用することによって実施できる。被覆方法は、特に限定されない。例えば、湿潤被覆法および乾燥被覆法を使用できる。
【０２４４】
湿潤被覆法の例としては、浸漬コーティング、スピンコーティング、フローコーティング、スプレーコーティング、ロールコーティング、グラビアコーティングおよび類似の方法が挙げられる。
【０２４５】
乾燥被覆法の例としては、蒸着（通常、真空蒸着）、スパッタリング、化学蒸着（ＣＶＤ）および類似の方法が挙げられる。蒸着法（通常、真空蒸着法）の具体例としては、抵抗加熱、電子ビーム、マイクロ波等を用いた高周波加熱、イオンビームおよび類似の方法が挙げられる。ＣＶＤ方法の具体例としては、プラズマ−ＣＶＤ、光学ＣＶＤ、熱ＣＶＤおよび類似の方法が挙げられる。
【０２４６】
更に、常圧プラズマ法による被覆も可能である。
【０２４７】
次に、必要に応じて、膜を後処理する。この後処理は、特に限定されないが、例えば、水分供給および乾燥加熱を逐次的に、または同時に実施するものであってよい。
【０２４８】
上記のようにして、基材の主面に、ＰＦＰＥ含有シラン化合物に由来する層が形成される。これにより得られる層は、帯電性が低い。また、この処理剤により形成された層は、低帯電性であることに加えて、使用する処理剤の組成にもよるが、撥水性、撥油性、防汚性（例えば指紋等の汚れの付着を防止する）、防水性（電子部品等への水の浸入を防止する）、表面滑り性（または潤滑性、例えば指紋等の汚れの拭き取り性や、指に対する優れた触感）、摩擦耐久性、透明性などを有する機能性薄膜となり得る。
【０２４９】
次いで、形成された処理剤の層の一部を除去することにより、パターン形成用領域を形成する。
【０２５０】
パターン形成用領域の形成には、レーザー、プラズマ、紫外線（ＵＶ）、真空紫外線（ＶＵＶ）照射等を用いることが好ましい。
【０２５１】
ＵＶ照射等においては、例えば、フォトマスク（例えば、レチクル）を用いた露光処理を行い得る。上記フォトマスクを用いた処理としては、例えば、パターンを有するフォトマスクを、ＰＦＰＥ含有シラン化合物に由来する層に密着させ、ここにＵＶを照射することによって行い得る。
【０２５２】
上記方法においては、非接触の露光方式（プロキシミティ露光、プロジェクション露光）、および、接触の露光方式（コンタクト露光）を用いて露光処理を行い得る。プロキシミティ露光においては、マスクとＰＦＰＥ含有シラン化合物を含む処理剤を用いて形成された層との間隔を、１０μｍ以下とすることが好ましく、３μｍ以下とすることがより好ましい。
【０２５３】
本発明の上記のパターン形成用領域の形成において、ＰＦＰＥ含有シラン化合物を含む処理剤により形成された層（ＰＦＰＥ含有シラン化合物に由来する層）が分解および除去される。ＰＦＰＥ含有シラン化合物に由来する層は、有機材料からなる層であるため、レーザー照射等によって（例えば、無機材料よりも）容易に分解され得る。従って、本発明においては、パターンの形成がより容易になり得、短時間でのパターニングが可能になり得る。本発明のパターン形成用基材およびその製造方法は、生産効率の向上に寄与し得る。
【０２５４】
従来、基材の主面にパターンを形成する方法として、フォトレジストを用いてパターンを形成することが行われてきた。このようなフォトレジストを用いた方法では、通常、煩雑な工程が必要になる。これに対して、本発明における上記パターン形成用領域の形成は、より簡易な工程によって行い得る。従って、本発明における上記パターン形成用領域の形成は、コストの低減にも寄与し得る。
【０２５５】
以下、工程（ＩＢ）について説明する。
【０２５６】
工程（ＩＢ）では、まず、基材の少なくとも１の主面に、パターン形成用領域に対応する部分にＰＦＰＥ含有シラン化合物に由来する層が形成されないように前処理（例えば、マスキング処理等）を施す。
【０２５７】
上記マスキング処理としては、通常行われる方法を用いることができる。例えば、メタルマスクを用い得る。
【０２５８】
その後、ＰＦＰＥ含有シラン化合物を含む処理剤を適用して、ＰＦＰＥ含有シラン化合物に由来する層（または部分）が形成される。該層（または部分）の形成については、上記工程（ＩＡ）に記載した、ＰＦＰＥ含有シラン化合物に由来する層の形成方法と同様の方法を用いることができる。
【０２５９】
より具体的な態様においては、工程（ＩＢ）では、メタルマスクを用いてマスキング処理を施し、その後、マスキング処理を施した基材に蒸着法（通常、真空蒸着法）を用いてＰＦＰＥ含有シラン化合物を含む処理剤を適用して、ＰＦＰＥ含有シラン化合物に由来する層（または部分）を形成することによって、ＰＦＰＥ含有シラン化合物に由来する部分、および、パターン形成用領域を有するパターン形成用基体を作製し得る。
【０２６０】
ＰＦＰＥ含有シラン化合物を含む処理剤を用いて層を形成した後、必要に応じて、マスキングに用いた材料の除去を行い、パターン形成用基体を作製し得る。
【０２６１】
ＰＦＰＥ含有シラン化合物を含む処理剤を用いて層を形成した後、必要に応じて、ＰＦＰＥ含有シラン化合物に由来する層の分解および除去を行ってもよい。ＰＦＰＥ含有シラン化合物に由来する層の分解および除去は、工程（ＩＡ）に記載した方法と同様に行い得る。
【０２６２】
以下、工程（ＩＣ）について説明する。
【０２６３】
工程（ＩＣ）では、基材の少なくとも１の主面に、ＰＦＰＥ含有シラン化合物を含む処理剤を選択的に適用して、ＰＦＰＥ含有シラン化合物に由来する層（または部分）を形成することによって、ＰＦＰＥ含有シラン化合物に由来する部分、および、パターン形成用領域を有するパターン形成用基体を作製する。
【０２６４】
ＰＦＰＥ含有シラン化合物を含む処理剤を選択的に適用する方法としては、インクジェット方式等を用い得る。インクジェット方式は、通常行い得る方法を用いることができるが、例えば、ＰＦＰＥ含有シラン化合物を含む処理剤をノズルにて吐出し、基材上に選択的にパターン部分を形成し得る。
【０２６５】
ＰＦＰＥ含有シラン化合物に由来する層（または部分）を形成した後、必要に応じて、ＰＦＰＥ含有シラン化合物に由来する層の分解および除去を行ってもよい。ＰＦＰＥ含有シラン化合物に由来する層の分解および除去は、工程（ＩＡ）に記載した方法と同様に行い得る。
【０２６６】
上記工程（ＩＡ）、（ＩＢ）および（ＩＣ）によれば、基材の少なくとも１の主面に、ＰＦＰＥ含有シラン化合物に由来する部分、および、パターン部分を、より簡易な方法で設け得る。
【０２６７】
（パターン基体）
本発明のパターン基体においては、本発明のパターン形成用基体、およびパターン部分を有し、該パターン部分が、パターン形成用基体の第２の領域に配置されている。
【０２６８】
すなわち、本発明のパターン基体は、
少なくとも、基材、ＰＦＰＥ含有シラン化合物に由来する部分、および、パターン部分を有し、
基材は、第１の領域、および、該第１の領域と隣接する第２の領域を有する少なくとも１の主面を有し、
ＰＦＰＥ含有シラン化合物に由来する部分は、第１の領域に配置され、
パターン部分が、第２の領域に配置されている。
【０２６９】
本発明において、上記パターン部分は、第２の領域に直接（即ち、他の層または部分を介することなく）設けられる。従って、本発明においては、パターン部分と他の層または部分とを結合するための加工工程は特に必要とされない。
【０２７０】
上記パターン部分の厚みは、例えば、１ｎｍ〜１０μｍの範囲にあってもよい。
【０２７１】
一の態様において、上記パターン部分は、実質的に金属またはその酸化物のみからなる。
【０２７２】
好ましい態様において、本発明のパターン基体において、複数のＰＦＰＥ含有シラン化合物に由来する部分およびパターン部分が存在する。
【０２７３】
上記パターン部分は、金属、およびその酸化物からなる群より選ばれる少なくとも１を含み得る。
【０２７４】
上記金属としては、例えば、銀、金、白金、パラジウム、銅、インジウム、錫、アルミニウム、亜鉛、チタン、マグネシウム、およびそれらの合金を挙げることができる。上記酸化物としては、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、アルミドープ酸化亜鉛（ＡＺＯ（Ａｌ２Ｏ３、ＺｎＯ））、フッ素ドープ酸化錫（ＦＴＯ）、酸化錫（ＳｎＯ２）、ガリウムドープ酸化亜鉛（ＧＺＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ（Ｉｎ２Ｏ３、ＺｎＯ））等を挙げることができる。
【０２７５】
好ましい態様において、上記パターン部分は、銀、金、白金、パラジウム、銅、インジウム、錫、アルミニウム、亜鉛、チタン、マグネシウム、および、これらの合金、並びに、これらの金属および合金の酸化物からなる群より選ばれる少なくとも１を含むことが好ましい。上記パターン部分は、より好ましくは、銀、金、銅、およびインジウム錫酸化物からなる群より選ばれる少なくとも１を含む。このようなパターン部分は、導電性に優れ電極材料等として特に有用である。
【０２７６】
一の態様において、上記パターン部分は、透明電極、または電極配線を形成する。
【０２７７】
本態様において、上記パターン部分は、電極または配線として機能し得るように、連続した構造を有することが好ましい。本態様において、ＰＦＰＥ含有シラン化合物に由来する部分は、絶縁部分として機能し得る。従って、ＰＦＰＥ含有シラン化合物に由来する部分は、電極または配線間を絶縁し得るように配置されていることが好ましい。
【０２７８】
上記透明電極は、例えば、透明酸化物半導体を主成分とする無機透明導電体、または、導電性高分子を主成分とする有機透明導電体から形成される。
【０２７９】
上記透明酸化物半導体としては、例えば、インジウム錫酸化物、酸化亜鉛、アルミドープ酸化亜鉛、フッ素ドープ酸化錫、酸化錫、ガリウムドープ酸化亜鉛（ＧＺＯ）、酸化インジウム亜鉛等を挙げることができる。
【０２８０】
上記導電性高分子としては、例えば、ポリチオフェン系、ポリアニリン系、ポリピロール系等の導電性高分子材料を挙げることができ、ポリチオフェン系の導電性高分子材料を用いることが好ましい。ポリチオフェン系の導電性高分子材料としては、ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）にポリスチレンスルホン酸（ＰＳＳ）をドーピングしたＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ系の材料を挙げることができる。
【０２８１】
電極配線を構成する金属としては、パターン部分を形成する金属、その合金、またはその酸化物として記載したものを用いるとができ、好ましくは、金、銀、銅等を用いることができる。
【０２８２】
以下、パターン基体の製造に特に適した方法の例を用いて、本発明のパターン基体について説明するが、本発明のパターン基体およびその製造方法が、以下の方法に限定されないことは言うまでもない。
【０２８３】
本態様のパターン基体の製造方法は、工程（Ｉ）で得られたパターン形成用基体のパターン形成用領域に、パターン部分を形成し、パターン基体を作製すること（以下、工程（ＩＩ）と称することがある）、を含む。
【０２８４】
即ち、本態様のパターン基体の製造方法は、
基材の少なくとも１の主面に、ＰＦＰＥ含有シラン化合物に由来する部分、および、パターン形成用領域を形成し、パターン形成用基体を作製すること（工程（Ｉ））、および
パターン形成用基体のパターン形成用領域に、パターン部分を形成し、パターン基体を作製すること（工程（ＩＩ））、を含む。
【０２８５】
工程（Ｉ）は、上記と同様に行うことができる。
【０２８６】
以下、工程（ＩＩ）について説明する。
【０２８７】
上記パターン部分は、乾式法または湿式法のいずれで形成してもよい。
【０２８８】
上記湿式法は、パターン部分形成用組成物（いわゆる、導電性インク）を、該組成物をパターン形成用基体のパターン形成用領域に適用することによって行い得る。適用方法としては、具体的には、塗布、浸漬などを挙げることができ、より具体的には、浸漬コーティング、スピンコーティング、フローコーティング、スプレーコーティング、ロールコーティング、グラビアコーティングおよび類似の方法が挙げられる。
【０２８９】
上記パターン部分形成用組成物は、導電性材料を含有し、必要に応じて、バインダ、溶媒を含有し得る。上記パターン部分形成用組成物は、分散助剤、硬化促進剤、レベリング剤、沈降防止剤、導電性材料の被覆材、カップリング剤または消泡剤等の添加剤をさらに含有していてもよい。このようなパターン部分形成用組成物により形成されたパターン部分は、配線パターン（導電パターン部）または電極として機能し得る。
【０２９０】
一の態様において、上記パターン部分形成用組成物は、樹脂材料等のバインダを含有する。本態様においては、導電性材料間が互いに接触するようにして導電性材料が固定されることが好ましい。
【０２９１】
上記バインダとしては、樹脂材料を用いることができる。上記樹脂材料としては、例えば、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂またはエネルギー線照射型樹脂を用いることができ、具体的には、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、メラミン樹脂、尿素樹脂やポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）、アルカリ樹脂等を挙げることができる。これらの樹脂材料は、単独で用いてもよいし、２種以上を用いてもよい。上記エネルギー線としては、例えば、電子線、紫外線、可視光線、ガンマ線、電子線など挙げることができ、生産設備の観点からは紫外線を用いることが好ましい。
【０２９２】
上記パターン部分形成用組成物に含まれ得る溶媒としては、導電性材料およびバインダを分散し得るものであれば特に限定されない。例えば、溶媒として、揮発性の溶剤を用いることができる。例えば、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール等のアルコール類；ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタン、デカン、ドデカン、テトラデカン、トルエン、キシレン、シメン、デュレン、インデン、ジペンテン、テトラヒドロナフタレン、デカヒドロナフタレン、シクロヘキシルベンゼン等の炭化水素系化合物；エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、１，２−ジメトキシエタン、ビス（２−メトキシエチル）エーテル、ｐ−ジオキサン等のエーテル系化合物；プロピレンカーボネート、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、シクロヘキサノン等の極性化合物を挙げることができる。これらのうち、導電性材料の分散性と分散液の安定性が良好な観点から、アルコール類、炭化水素系化合物、エーテル系化合物を用いることが好ましい。そのほか、溶媒として水を用いてもよい。
【０２９３】
上記パターン部分形成用組成物を、パターン形成用基体のパターン形成用領域に適用後、必要に応じて、乾燥、加熱、焼成などにより上記パターン部分形成用組成物を固化し得る。固化方法としては、レーザー照射、プラズマ処理、エネルギー線照射等を用いてもよい。
【０２９４】
湿式法を用いて形成されるパターン部分の厚みは、例えば、１０ｎｍ〜１０μｍの範囲にあってもよい。
【０２９５】
上記乾式法としては、例えばスパッタリング、蒸着（通常、真空蒸着）、ＣＶＤ、および類似の方法を用いることができる。蒸着法（通常、真空蒸着法）の具体例としては、抵抗加熱、電子ビーム、マイクロ波等を用いた高周波加熱、イオンビームおよび類似の方法が挙げられる。ＣＶＤ方法の具体例としては、プラズマ−ＣＶＤ、光学ＣＶＤ、熱ＣＶＤおよび類似の方法が挙げられる。
【０２９６】
更に、常圧プラズマ法による被覆も可能である。
【０２９７】
上記乾式法は、パターン部分を形成する化合物のみを使用し得る（有機溶剤などを用いた希釈を特に必要としない）ため、有機物などの不純物が混合しにくいという観点から、有利である。乾式法によれば、実質的に金属またはその酸化物のみからなるパターン部分を形成し得る。上記乾式法は、細かいパターン部分の形成においても有利である。
【０２９８】
上記パターン形成用領域の形成において、乾式法、特に蒸着、好ましくは真空蒸着を用いることが、好ましい。
【０２９９】
乾式法を用いて形成されるパターン部分の厚みは、例えば、１ｎｍ〜１０００ｎｍの範囲にあってもよい。
【０３００】
次に、必要に応じて、上記パターン部分の形成された基体を後処理する。この後処理は、特に限定されないが、例えば、水分供給および乾燥加熱を逐次的に、または同時に実施するものであってよい。
【０３０１】
必要に応じて、ＰＦＰＥ含有シラン化合物に由来する層を、基材の主面から除去する工程をさらに行ってもよい。
【０３０２】
一の態様においては、ＰＦＰＥ含有シラン化合物に由来する層は、基材の主面から、除去されない。
【０３０３】
上記パターン部分が、導電性材料を含むとき、本発明のパターン基体は、回路用基体として用いることができる。この場合、上記ＰＦＰＥ含有シラン化合物に由来する部分は、絶縁領域として機能し得る。ＰＦＰＥ含有シラン化合物に由来する部分が絶縁層として機能し得る範囲であれば、ＰＦＰＥ含有シラン化合物に由来する部分にパターン部分が不連続的に形成されてもよい。
【実施例】
【０３０４】
（実施例１）
以下のように、ＰＦＰＥ含有シラン化合物を用いてパターンを形成した。
ガラス基材上にメタルマスクを施し、その後、真空蒸着法により下記構造を有するＰＦＰＥ含有シラン化合物１を基材上に処理した。真空蒸着は、チャンバー内圧力１０−３Ｐａで、ＰＦＰＥシラン化合物１をチャンバー内にセットし３００℃に加熱することで行った。処理後の基材を室温２４時間静置し、ＰＦＰＥ含有シラン化合物で処理されたパターン形成用基体を作製した。
・ＰＦＰＥ含有シラン化合物１
ＣＦ３ＣＦ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｎＣＦ２（ＣＨ２ＣＨ[Ｓi（ＯＣＨ３）３]）３Ｈ  （ｎ＝２５）
【０３０５】
上記で得られたパターン形成用基体に、以下のように、金属パターニングを施した。
マグネトロンスパッタ法により純度９９．９％の白金を、上記パターン形成用基体上にスパッタ処理した。上記マグネトロンスパッタ法において、スパッタ時のチャンバー内圧力を０．１Ｐａとし、アルゴンガスを用いて１０ｎｍの膜厚になるようにスパッタ蒸着を実施した。上記のようにして、白金で処理された基体を得た。
【０３０６】
（実施例２）
ＰＦＰＥ含有シラン化合物１の代わりに、以下のＰＦＰＥ含有シラン化合物２を用いた以外は、実施例１と同様の操作を行い、白金で処理された基体を得た。
・ＰＦＰＥ含有シラン化合物２
ＣＦ３Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｍ（ＣＦ２Ｏ）ｌＣＦ２（ＣＨ２ＣＨ[Ｓi（ＯＣＨ３）３]）３Ｈ  （ｍ＝２３、ｌ＝１８）
【０３０７】
（実施例３）
白金の代わりに銀を用いた以外は、実施例１と同様の操作を行い、銀で処理された基体を得た。
【０３０８】
（比較例１）
ＰＦＰＥ含有シラン化合物１の代わりに、トリメトキシプロピルシランを用いた以外は、実施例１と同様の操作を行い、白金で処理された基体を得た。
【０３０９】
（パターニング性の評価）
得られた各基体において、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）を用いて、ＰＦＰＥ含有シラン化合物に由来する部分［Ａ］および金属を含むパターン部分［Ｂ］に含まれる金属元素（実施例１、２および比較例１では白金元素、実施例３では銀元素）の強度測定を実施した。ＸＰＳ測定の結果から、ＡおよびＢの各領域で得られた金属元素の強度の比率（Ｂ／Ａ）を計算し、パターニング性の評価とした。表１に結果を示す。なお、表１において、Ｂ／Ａの値が１に近い程パターニング性が低く、１から離れる程パターニング性が優れることを示す。
【０３１０】
【表１】
2019031076.tif 000026
【産業上の利用可能性】
【０３１１】
本発明のパターン形成用基体は、パターン基体の形成に用いられる。本発明のパターン基体は、様々な分野において使用できる。
【手続補正書】
【提出日】平成30年10月4日(2018.10.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも、基材と、パーフルオロ（ポリ）エーテル基含有シラン化合物に由来する部分とを有し、
基材は、第１の領域、および、該第１の領域と隣接するパターン形成用領域である第２の領域を有する少なくとも１の主面を有し、
パーフルオロ（ポリ）エーテル基含有シラン化合物に由来する部分は、第１の領域に配置されており、
前記第２の領域において、前記基材は露出している、パターン形成用基体。
【請求項２】
パーフルオロ（ポリ）エーテル基含有シラン化合物が、式（Ａ１）、（Ａ２）、（Ｂ１）、（Ｂ２）、（Ｃ１）、（Ｃ２）、（Ｄ１）または（Ｄ２）：
【化１】
2019031076.tif 000028
［式中：
ＰＦＰＥは、各出現においてそれぞれ独立して、式：
−（ＯＣ６Ｆ１２）ａ−（ＯＣ５Ｆ１０）ｂ−（ＯＣ４Ｆ８）ｃ−（ＯＣ３Ｆ６）ｄ−（ＯＣ２Ｆ４）ｅ−（ＯＣＦ２）ｆ−
（式中、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅおよびｆは、それぞれ独立して０以上２００以下の整数であって、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅおよびｆの和は少なくとも１であり、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅまたはｆを付して括弧でくくられた各繰り返し単位の存在順序は式中において任意である。）
で表される基であり；
Ｒｆは、各出現においてそれぞれ独立して、１個またはそれ以上のフッ素原子により置換されていてもよい炭素数１〜１６のアルキル基を表し；
Ｒ１３は、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基または加水分解可能な基を表し；
Ｒ１４は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または炭素数１〜２２のアルキル基を表し；
Ｒ１１は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子またはハロゲン原子を表し；
Ｒ１２は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基を表し；
ｎ１は、（−ＳｉＲ１３ｎ１Ｒ１４３−ｎ１）単位毎に独立して、０〜３の整数であり；
ただし、式（Ａ１）、（Ａ２）、（Ｂ１）および（Ｂ２）において、少なくとも１つのｎ１が、１〜３の整数であり；
Ｘ１は、各出現においてそれぞれ独立して、単結合または２〜１０価の有機基を表し；
Ｘ２は、各出現においてそれぞれ独立して、単結合または２価の有機基を表し；
ｔは、各出現においてそれぞれ独立して、１〜１０の整数であり；
α１は、各出現においてそれぞれ独立して、１〜９の整数であり；
α１’は、それぞれ独立して、１〜９の整数であり；
Ｘ３は、各出現においてそれぞれ独立して、単結合または２〜１０価の有機基を表し；
β１は、各出現においてそれぞれ独立して、１〜９の整数であり；
β１’は、それぞれ独立して、１〜９の整数であり；
Ｘ５は、各出現においてそれぞれ独立して、単結合または２〜１０価の有機基を表し；
γ１は、各出現においてそれぞれ独立して、１〜９の整数であり；
γ１’は、それぞれ独立して、１〜９の整数であり；
Ｒａは、各出現においてそれぞれ独立して、−Ｚ３−ＳｉＲ７１ｐ１Ｒ７２ｑ１Ｒ７３ｒ１を表し；
Ｚ３は、各出現においてそれぞれ独立して、酸素原子または２価の有機基を表し；
Ｒ７１は、各出現においてそれぞれ独立して、Ｒａ’を表し；
Ｒａ’は、Ｒａと同意義であり；
Ｒａ中、Ｚ３基を介して直鎖状に連結されるＳｉは最大で５個であり；
Ｒ７２は、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基または加水分解可能な基を表し；
Ｒ７３は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基を表し；
ｐ１は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり；
ｑ１は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり；
ｒ１は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり；
ただし、（−Ｚ３−ＳｉＲ７１ｐ１Ｒ７２ｑ１Ｒ７３ｒ１）毎において、ｐ１、ｑ１およびｒ１の和は３であり、式（Ｃ１）および（Ｃ２）において、少なくとも１つのｑ１が１〜３の整数であり；
Ｒｂは、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基または加水分解可能な基を表し；
Ｒｃは、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基を表し；
ｋ１は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり；
ｌ１は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり；
ｍ１は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり；
ただし、（ＳｉＲａｋ１Ｒｂｌ１Ｒｃｍ１）毎において、ｋ１、ｌ１およびｍ１の和は３であり；
Ｘ７は、それぞれ独立して、単結合または２〜１０価の有機基を表し；
δ１は、それぞれ独立して、１〜９の整数であり；
δ１’は、それぞれ独立して、１〜９の整数であり；
Ｒｄは、各出現においてそれぞれ独立して、−Ｚ４−ＣＲ８１ｐ２Ｒ８２ｑ２Ｒ８３ｒ２を表し；
Ｚ４は、各出現においてそれぞれ独立して、酸素原子または２価の有機基を表し；
Ｒ８１は、各出現においてそれぞれ独立して、Ｒｄ’を表し；
Ｒｄ’は、Ｒｄと同意義であり；
Ｒｄ中、Ｚ４基を介して直鎖状に連結されるＣは最大で５個であり；
Ｒ８２は、各出現においてそれぞれ独立して、−Ｙ−ＳｉＲ８５ｎ２Ｒ８６３−ｎ２を表し；
Ｙは、各出現においてそれぞれ独立して、２価の有機基を表し；
Ｒ８５は、各出現においてそれぞれ独立して、水酸基または加水分解可能な基を表し；
Ｒ８６は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基を表し；
ｎ２は、（−Ｙ−ＳｉＲ８５ｎ２Ｒ８６３−ｎ２）単位毎に独立して、０〜３の整数を表し；
Ｒ８３は、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基を表し；
ｐ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり；
ｑ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり；
ｒ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり；
ただし、（−Ｚ４−ＣＲ８１ｐ２Ｒ８２ｑ２Ｒ８３ｒ２）毎において、ｐ２、ｑ２およびｒ２の和は３であり；
Ｒｅは、各出現においてそれぞれ独立して、−Ｙ−ＳｉＲ８５ｎ２Ｒ８６３−ｎ２を表し；
Ｒｆは、各出現においてそれぞれ独立して、水素原子または低級アルキル基を表し；
ｋ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり；
ｌ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり；
ｍ２は、各出現においてそれぞれ独立して、０〜３の整数であり；
ただし、（ＣＲｄｋ２Ｒｅｌ２Ｒｆｍ２）毎において、ｋ２、ｌ２およびｍ２の和は３であり、式（Ｄ１）および（Ｄ２）において、ｎ２が１以上である−Ｙ−ＳｉＲ８５ｎ２Ｒ８６３−ｎ２で表される基が２以上存在する。］
で表される少なくとも１種のパーフルオロポリエーテル基含有シラン化合物である、請求項１に記載のパターン形成用基体。
【請求項３】
請求項１または２に記載のパターン形成用基体、およびパターン部分を有し、
パターン部分が、パターン形成用基体の第２の領域に配置されている、パターン基体。
【請求項４】
パターン部分が、金属、およびその酸化物からなる群より選ばれる少なくとも１を含む、請求項３に記載のパターン基体。
【請求項５】
金属が、銀、金、白金、パラジウム、銅、インジウム、錫、アルミニウム、亜鉛、チタン、マグネシウム、およびそれらの合金からなる群より選ばれる少なくとも１を含む、請求項４に記載のパターン基体。
【請求項６】
基材の少なくとも１の主面に、パーフルオロ（ポリ）エーテル基含有シラン化合物に由来する部分、および、パターン形成用領域を形成し、パターン形成用基体を作製すること、を含み、前記パターン形成用領域において前記基材が露出している、パターン形成用基体の製造方法。
【請求項７】
基材の少なくとも１の主面に、パーフルオロ（ポリ）エーテル基含有シラン化合物に由来する部分、および、前記基材が露出しているパターン形成用領域を形成し、パターン形成用基体を作製すること、および
パターン形成用基体のパターン形成用領域に、パターン部分を形成し、パターン基体を作製すること、
を含む、パターン基体の製造方法。
【請求項８】
パターン部分が、金属、およびその酸化物からなる群より選ばれる少なくとも１を含む、請求項７に記載のパターン基体の製造方法。
【請求項９】
金属が、銀、金、白金、パラジウム、銅、インジウム、錫、アルミニウム、亜鉛、チタン、マグネシウム、およびそれらの合金からなる群より選ばれる少なくとも１を含む、請求項８に記載のパターン基体の製造方法。
【請求項１０】
パターン部分が、蒸着法により形成される、請求項７〜９のいずれか１項に記載のパターン基体の製造方法。