(57)【要約】【課題】別途の機構を用いることなく基板を移動させながら、スパッタ粒子の入射角度を維持して成膜することができる成膜装置および成膜方法を提供する。【解決手段】成膜装置は、処理チャンバ内の処理空間でスパッタ粒子を放出させるためのターゲットを保持するターゲット保持部と、ターゲットからスパッタ粒子を放出させるスパッタ粒子放出手段と、スパッタ粒子が通過する通過孔を有するスパッタ粒子遮蔽板と、通過孔を遮蔽可能に設けられた遮蔽部材と、遮蔽部材を水平方向に移動させる移動機構と、制御部とを有する。制御部は、遮蔽部材の載置部に基板が載置された遮蔽部材を、水平方向の一方向に移動するように制御しつつ、ターゲットからスパッタ粒子を放出させる。通過孔を通過したスパッタ粒子が基板に堆積される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に対して成膜処理が行われる処理空間を規定する処理チャンバと、
前記処理空間でスパッタ粒子を放出させるためのターゲットを保持するターゲット保持部と、
前記ターゲット保持部に保持されたターゲットからスパッタ粒子を放出させるスパッタ粒子放出手段と、
放出された前記スパッタ粒子が通過する通過孔を有するスパッタ粒子遮蔽板と、
前記処理空間の前記スパッタ粒子遮蔽板を挟んで、前記ターゲット保持部と反対側に設けられ、前記通過孔を遮蔽可能に設けられた遮蔽部材と、
前記遮蔽部材を水平方向に移動させる移動機構と、
前記スパッタ粒子放出手段と前記移動機構を制御する制御部と
を有し、
前記遮蔽部材は、基板を載置する載置部を有し、
前記制御部は、前記載置部に基板が載置された前記遮蔽部材を、前記移動機構により水平方向の一方向に移動するように制御しつつ、前記スパッタ粒子放出手段に前記ターゲットからスパッタ粒子を放出させ、
前記通過孔を通過したスパッタ粒子が前記載置部上の基板に堆積されて成膜される、成膜装置。
【請求項２】
前記載置部は、基板を支持する複数の基板支持ピンを有する、請求項１に記載の成膜装置。
【請求項３】
前記通過孔はスリット状を有し、前記移動機構は前記通過孔に交差する一方向に前記遮蔽部材を移動させる、請求項１または請求項２に記載の成膜装置。
【請求項４】
前記移動機構は、前記遮蔽部材を回動させる、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の成膜装置。
【請求項５】
前記遮蔽部材は、基板を回転させるターンテーブルを有し、前記移動機構により前記遮蔽部材を回動させる際に、前記ターンテーブルにより基板を回転させる、請求項４に記載の成膜装置。
【請求項６】
前記移動機構は、前記遮蔽部材を直進させる、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の成膜装置。
【請求項７】
前記遮蔽部材は、基板を載置する前記載置部とは別個に、前記通過孔を遮蔽するための遮蔽部を有する、請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の成膜装置。
【請求項８】
前記遮蔽部材は、独立して移動可能な第１部材と第２部材が上下２段に設けられ、前記第１部材が前記載置部を有し、前記第２部材が他の機能を有する、請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の成膜装置。
【請求項９】
前記第１部材が下段、前記第２部材が上段となるように設けられ、前記第２部材は、前記第１部材の前記載置部に載置された基板を加熱するヒータを有する、請求項８に記載の成膜装置。
【請求項１０】
前記第２部材は、前記通過孔を遮蔽する遮蔽機能を有する、請求項８に記載の成膜装置。
【請求項１１】
成膜装置により所定の膜を成膜する成膜方法であって、
前記成膜装置は、
基板に対して成膜処理が行われる処理空間を規定する処理チャンバと、
前記処理空間でスパッタ粒子を放出させるためのターゲットを保持するターゲット保持部と、
前記ターゲット保持部に保持されたターゲットからスパッタ粒子を放出させるスパッタ粒子放出手段と、
放出された前記スパッタ粒子が通過する通過孔を有するスパッタ粒子遮蔽板と、
前記処理空間の前記スパッタ粒子遮蔽板を挟んで、前記ターゲット保持部と反対側に設けられ、前記通過孔を遮蔽可能に設けられた遮蔽部材と、
前記遮蔽部材を水平方向に移動させる移動機構とを有し、
前記遮蔽部材は、基板を載置する載置部を有し、
前記遮蔽部材の前記載置部に、基板を載置する工程と、
前記載置部に基板が載置された前記遮蔽部材を、前記移動機構により水平方向の一方向に移動させつつ、前記スパッタ粒子放出手段に前記ターゲットからスパッタ粒子を放出させ、前記通過孔を通過したスパッタ粒子を前記載置部上の基板に堆積させる工程と
を有する、成膜方法。
【請求項１２】
前記基板を載置する工程に先立って、前記遮蔽部材を前記通過孔を遮蔽する位置に位置させた状態で、前記ターゲットから前記スパッタ粒子を放出させてコンデショニングを行う工程をさらに有する、請求項１１に記載の成膜方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、成膜装置および成膜方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスといった電子デバイスの製造においては、基板上に膜を形成する成膜処理が行われる。成膜処理に用いられる成膜装置としては、例えば、特許文献１に記載されたような成膜装置が知られている。
【０００３】
特許文献１に記載された成膜装置は、真空容器と、真空容器内に設けられた基板載置用のステージと、ターゲットとを有するスパッタ装置として構成されている。ターゲットは、ステージの上方に設けられている。この成膜装置では、ステージを回転させつつ、ターゲットから放出されたスパッタ粒子を基板上に堆積させることにより膜が形成される。
【０００４】
一方、特許文献２には、基板上のパターンに対して、スパッタ粒子入射方向を揃えた指向性の高い成膜を実現するための技術として、スパッタ粒子を基板に対して斜めに入射させる技術が提案されている。
【０００５】
特許文献２に記載された成膜装置は、真空容器と、真空容器内に設けられた基板保持台と、ターゲットを保持するターゲットホルダと、ターゲットホルダと基板保持台との間に設けられた、開口（通過孔）を有する遮蔽アッセンブリとを有する。そして、移動機構により基板保持台を移動させながら、ターゲットから放出されたスパッタ粒子を、遮蔽アッセンブリの開口を通過させて、スパッタ粒子を基板上に所定の角度で入射させる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】国際公開２０１３／１７９５７５号
【特許文献２】特開２０１５−６７８５６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本開示は、別途の機構を用いることなく基板を移動させながら、スパッタ粒子の入射角度を維持して成膜することができる成膜装置および成膜方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本開示の一態様に係る成膜装置は、基板に対して成膜処理が行われる処理空間を規定する処理チャンバと、前記処理空間でスパッタ粒子を放出させるためのターゲットを保持するターゲット保持部と、前記ターゲット保持部に保持されたターゲットからスパッタ粒子を放出させるスパッタ粒子放出手段と、放出された前記スパッタ粒子が通過する通過孔を有するスパッタ粒子遮蔽板と、前記処理空間の前記スパッタ粒子遮蔽板を挟んで、前記ターゲット保持部と反対側に設けられ、前記通過孔を遮蔽可能に設けられた遮蔽部材と、前記遮蔽部材を水平方向に移動させる移動機構と、前記スパッタ粒子放出手段と前記移動機構を制御する制御部とを有し、前記遮蔽部材は、基板を載置する載置部を有し、前記制御部は、前記載置部に基板が載置された前記遮蔽部材を、前記移動機構により水平方向の一方向に移動するように制御しつつ、前記スパッタ粒子放出手段に前記ターゲットからスパッタ粒子を放出させ、前記通過孔を通過したスパッタ粒子が前記載置部上の基板に堆積されて成膜される。
【発明の効果】
【０００９】
本開示によれば、別途の機構を用いることなく基板を移動させながら、スパッタ粒子の入射角度を維持して成膜することができる成膜装置および成膜方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】一実施形態に係る成膜装置を示す縦断面図である。
【図２】図１のII−II線による水平断面図である。
【図３】一実施形態に係る成膜装置の成膜動作を示すフローチャートである。
【図４】一実施形態に係る成膜装置の成膜動作の工程を模式的に示す工程断面図である。
【図５】ディスクシャッタにターンテーブルを設けた例を示す断面図である。
【図６】ディスクシャッタの変形例を示す水平断面図である。
【図７】他の実施形態に係る成膜装置のディスクシャッタを示す図である。
【図８】さらに他の実施形態に係る成膜装置を示す水平断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、添付図面を参照して実施形態について具体的に説明する。
【００１２】
図１は一実施形態に係る成膜装置を示す縦断面図、図２は図１のII−II線による水平断面図である。
【００１３】
成膜装置１は、基板Ｗ上にスパッタリングによって膜を形成するものであり、処理チャンバ１０と、ターゲットホルダ１２と、電源１４と、ディスクシャッタ（遮蔽部材）１６と、スパッタ粒子遮蔽板１８と、排気装置２０とを有している。基板Ｗとしては、例えば半導体ウエハを挙げることができるがこれに限定されない。
【００１４】
処理チャンバ１０は、上部が開口されたチャンバ本体１０ａと、チャンバ本体１０ａの上部開口を塞ぐように設けられた蓋体１０ｂとを有する。処理チャンバ１０の内部は、成膜処理が行われる処理空間Ｓとなっている。
【００１５】
処理チャンバ１０の底部には排気口２１が形成され、上記排気装置２０はこの排気口２１に接続されている。排気装置２０は、圧力制御弁、および真空ポンプを含んでおり、排気装置２０により、処理空間Ｓが所定の真空度まで真空排気されるようになっている。
【００１６】
処理チャンバ１０の頂部には、処理空間Ｓ内にガスを導入するためのガス導入ポート２２が挿入されている。ガス導入ポート２２から、ガス供給部（図示せず）からのガス、例えば不活性ガスが、処理空間Ｓ内に導入される。
【００１７】
処理チャンバ１０の側壁には、基板Ｗを搬入出するための搬入出口２３が形成されている。搬入出口２３はゲートバルブ３０により開閉される。処理チャンバ１０は、搬送チャンバ５０に隣接して設けられており、ゲートバルブ３０が開かれることにより、処理チャンバ１０と搬送チャンバ５０が連通するようになっている。搬送チャンバ５０内は所定の真空度に保持され、その中に基板Ｗを処理チャンバ１０に対して搬入出するための搬送装置（図示せず）が設けられている。
【００１８】
スパッタ粒子遮蔽板１８は、処理チャンバ１０内に設けられている。スパッタ粒子遮蔽板１８は、略板状の部材として構成されており、処理空間Ｓの高さ方向の中間位置に水平に配置されている。スパッタ粒子遮蔽板１８の縁部は、チャンバ本体１０ａの側壁に固定されている。スパッタ粒子遮蔽板１８は、処理空間Ｓを第１空間Ｓ１と第２空間Ｓ２に区画している。第１空間Ｓ１はスパッタ粒子遮蔽板１８の上方の空間であり、第２空間Ｓ２はスパッタ粒子遮蔽板１８の下方の空間である。
【００１９】
スパッタ粒子遮蔽板１８には、スパッタ粒子を通過させるスリット状をなす通過孔１８ａが形成されている。通過孔１８ａは、スパッタ粒子遮蔽板１８の板厚方向（図１のＺ方向）に貫通している。通過孔１８ａは、図中の水平な一方向であるＹ方向を長手方向にして細長く形成されている。通過孔１８ａのＹ方向の長さは基板Ｗの直径よりも長く形成される。通過孔１８aを通過するスパッタ粒子の基板への入射角制御性を高めるため、通過孔１８a周囲にコリメータ機能としてのフィンを設置してもよい。
【００２０】
ターゲットホルダ１２は、スパッタ粒子遮蔽板１８の上方に配置されており、導電性を有する材料で形成されている。ターゲットホルダ１２は、絶縁性の部材を介して、処理チャンバ１０（本例では蓋体１０ｂ）に取り付けられている。
【００２１】
ターゲットホルダ１２は、第１空間Ｓ１内でターゲット２４を保持するように構成されている。ターゲットホルダ１２は、通過孔１８ａに対して斜め上方にターゲット２４が位置するように、当該ターゲット２４を保持する。ターゲット２４は、成膜しようとする膜の構成元素を含む材料からなり、導電性材料であっても誘電体材料であってもよい。
【００２２】
ターゲットホルダ１２には、電源１４が電気的に接続されている。電源１４は、ターゲット２４が導電性材料である場合には、直流電源であってよく、ターゲット２４が誘電性材料である場合には、高周波電源であってよい。電源１４が高周波電源である場合には、整合器を介してターゲットホルダ１２に接続される。ターゲットホルダ１２に電圧が印加されることにより、ターゲット２４の周囲でガスが解離する。そして、解離したガス中のイオンがターゲット２４に衝突し、ターゲット２４からその構成材料の粒子であるスパッタ粒子が放出される。
【００２３】
上記ディスクシャッタ１６は、処理チャンバ１０の第２空間Ｓ２に設けられている。ディスクシャッタ１６は、コンデショニング等の際に、スパッタ粒子遮蔽板１８の通過孔１８ａを遮蔽してスパッタ粒子が第２空間Ｓ２内で拡散することを防止する機能を有している。
【００２４】
ディスクシャッタ１６は、通過孔１８ａを遮蔽する円形をなす本体部１６ａと、本体部１６ａから延出する延出部１６ｂとを有するしゃもじ状をなしている。延出部１６ｂは、Ｚ方向に延びる回動軸２５に固定されており、回動軸２５は処理チャンバ１０の下方に設けられたモータ等の駆動機構２６により回転されるようになっている。そして、駆動機構２６により回動軸２５を回転させることにより、ディスクシャッタ１６が水平面内で回動される。すなわち、ディスクシャッタ１６は、水平方向に移動可能となっており、通過孔１８ａを遮蔽する遮蔽位置と、遮蔽位置とは異なる位置との間で移動するようになっている。
【００２５】
ディスクシャッタ１６は、従来からこの種の成膜装置には搭載されている部材であるが、本実施形態では、このディスクシャッタ１６に基板載置台としての機能を持たせる。したがって、本実施形態の成膜装置１は、従来用いられていた専用の基板載置台を有さない。
【００２６】
ディスクシャッタ１６は、本体部１６ａに基板Ｗを支持するための複数（例えば４個）の基板支持ピン２７を有している。本体部１６ａは基板Ｗを載置する載置部として機能する。そして、ディスクシャッタ１６を所定位置に位置させた状態で、搬送チャンバ５０内の搬送装置により、基板支持ピン２７に対する基板Ｗの受け渡しが行われる。
【００２７】
基板支持ピン２７上に支持された基板Ｗは、ディスクシャッタ１６の回動機構を利用して、基板Ｗをスリット状の通過孔１８ａに交差する水平方向の一方向に移動させることができるようになっている。この一方向は円弧状であるが、基板Ｗが通過孔１８ａを通過する際には、基板Ｗの移動方向は通過孔１８ａの長手方向にほぼ直交する。
【００２８】
ディスクシャッタ１６の内部に基板Ｗを加熱するためのヒータを内蔵させてもよい。また、ディスクシャッタ１６に静電吸着機構を設けて基板Ｗを静電吸着するようにしてもよい。さらに、ディスクシャッタ１６に温度センサや静電センサ等の各種センサを内蔵させてもよい。
【００２９】
成膜装置１は、さらに制御部４０を有する。制御部４０は、コンピュータからなり、成膜装置１の各構成部、例えば、電源１４、排気装置２０、駆動機構２６等を制御する、ＣＰＵからなる主制御部と、キーボードやマウス等の入力装置、出力装置、表示装置、記憶装置とを有している。制御部４０の主制御部は、記憶装置に処理レシピが記憶された記憶媒体をセットすることにより、記憶媒体から呼び出された処理レシピに基づいて成膜装置１に所定の動作を実行させる。
【００３０】
次に、以上のように構成される成膜装置の成膜動作について説明する。図３は一実施形態に係る成膜装置の成膜動作を示すフローチャート、図４はその際の工程を示す工程断面図である。
【００３１】
まず、処理チャンバ１０内の処理空間Ｓを排気した後、ガス導入ポート２２から処理空間Ｓに例えば不活性ガスを導入して所定圧力に調圧する。そして、ディスクシャッタ１６を、スリット状の通過孔１８ａを遮蔽する位置に位置させた状態で電源１４から電圧を印加し、ターゲット２４からスパッタ粒子Ｐを放出させてコンデショニングを行う（ＳＴ１、図４の（ａ））。この際に、基板支持ピン２７が通過孔１８ａを避けた位置になるようにして、基板支持ピン２７にスパッタ粒子が堆積しないようにすることが好ましい。
【００３２】
次いで、ディスクシャッタ１６を基板受け渡し位置に位置させ、ゲートバルブ３０を開け、搬送チャンバ５０の搬送装置５１により、基板Ｗをディスクシャッタ１６の載置部（基板支持ピン２７上）に載置する（ＳＴ２、図４の（ｂ））。
【００３３】
次いで、搬送装置５１を搬送チャンバ５０に戻し、ディスクシャッタ１６を水平方向の一方向（矢印方向）に移動させながら、ターゲットからスパッタ粒子Ｐを放出させ、スリット状の通過孔１８ａを所定の角度で斜めに通過させ、基板Ｗ上に所定の膜を成膜する（ＳＴ３、図４の（ｃ））。このときのディスクシャッタ１６の移動方向は、円弧状をなしているが、通過孔１８ａの長手方向（Ｙ方向）にほぼ直交する方向である。なお、スパッタ粒子の放出は、電源１４からターゲットホルダ１２に電圧を印加して、ターゲット２４の周囲で解離したガス中のイオンがターゲット２４に衝突することによりなされる。
【００３４】
このように成膜することにより、基板Ｗの全面に、スパッタ粒子の入射角度をほぼ一定に維持した状態の斜め成膜を行うことができる。
【００３５】
斜め成膜の場合は、スパッタ粒子の入射角度をほぼ一定に維持したまま基板全面に成膜するために、成膜の際に基板を一方向に移動させる必要がある。そのため、特許文献２では、基板載置台を走行させる機構を別途設けている。
【００３６】
これに対して、本実施形態では、既存のディスクシャッタ１６の移動機構を利用して基板Ｗを移動させながら斜め成膜を行う。このため、基板を移動させる別途の機構を設けることなく、斜め成膜を行うことができる。
【００３７】
このとき、ディスクシャッタ１６は回動するため、その移動軌跡は円弧状となる。このため、スリット状の通過孔１８ａの幅が広いと、成膜が左右非対称となる。したがって、通過孔１８ａの幅を、左右非対称な成膜にならない程度の狭い幅にすることが好ましい。また、基板移動軌跡である円弧の外周に該当する箇所と内周に該当する箇所とで基板の移動速度が異なることに着目し、基板単位面積当たりのスリットへの露出時間を揃える目的で円弧外周側を広げた扇形のスリット形状としてもよい。
【００３８】
また、図５に示すように、ディスクシャッタ１６上にターンテーブル１７を介して基板Ｗを載置し、基板Ｗを回転可能としてもよい。ターンテーブル１７を設けることにより、ディスクシャッタ１６を回動させる際に、基板Ｗを回転させて、基板Ｗに対するスパッタ粒子の入射方向が基板の位置によって一定になるようにすることができる。
【００３９】
ディスクシャッタ１６は、図６に示すように、本体部１６ａが、通過孔１８ａを遮蔽するための遮蔽部１６ｃと、基板Ｗを載置する載置部１６ｄとを別個に有するものであってもよい。このようにすることにより、ディスクシャッタ１６の載置部１６ｄに基板Ｗを載置したまま、遮蔽部１６ｃによりスリット１８ａを遮蔽してコンデショニングを行うことができる。したがって、コンデショニングを行った後に基板Ｗを載置する必要がなく、工程を簡略化することができる。
【００４０】
次に、他の実施形態について説明する。
図７は、他の実施形態に係る成膜装置のディスクシャッタを示す図である。
【００４１】
本実施形態では、ディスクシャッタ１６が、それぞれ独立した回動軸を有する下段の第１部材１１６と上段の第２部材２１６が上下２段に配置された構成を有している。そして、下段の第１部材１１６に基板Ｗの載置部を有し、上段の第２部材２１６が他の機能を有する。
【００４２】
第１部材１１６は、Ｚ方向に延びる回動軸１２５に固定されており、回動軸１２５はモータ等の駆動機構１２６により、プーリ１２７およびベルト１２８を介して回転されるようになっている。また第２部材２１６は、回動軸１２５の内部に同軸的に設けられた回動軸２２５に固定されており、回動軸２２５はモータ等の駆動機構２２６により回転されるようになっている。そして、駆動機構１２６によって回動軸１２５を回転させることにより、第１部材１１６が水平面内で回動される。また、駆動機構２２６によって回動軸２２５を回転させることにより、第２部材２１６が水平面内で回動される。このように、第１部材１１６と第２部材２１６とは、異なる駆動機構によりそれぞれ独立して回動される。
【００４３】
本例では、第１部材１１６に基板Ｗが載置され、第２部材２１６にはヒータ２１７が設けられている。そして、適宜のタイミングで第２部材２１６を回動させて第１部材１１６の上方に位置させ、基板Ｗを加熱することができるようになっている。上方から加熱することにより、基板に与える熱を極力少なくして成膜に必要な熱を与えることができる。第２部材２１６には、温度センサや静電センサ等のセンサ類を設けて、基板Ｗの状態を検知してもよい。
【００４４】
また、第２部材２１６に、他の機能として、酸素や窒素といった反応性ガス供給源や、ＵＶや電子線などのエネルギー供給源としての機能を持たせてもよい。こうすることにより、スパッタ後に基板を処理チャンバから搬出することなく、スパッタ膜の酸化・窒化や、ＵＶ照射による有機物分解効果を利用した基板表面のクリーニングを実施することが可能となる。また、反応性ガス供給源とエネルギー供給源とを組み合わせることも有効である。第１部材１１６と第２部材２１６の間に局所的空間が形成されるため、局所的空間にガスを供給することにより、局所的に圧力を調整することが可能になるとともに、反応性ガスにＵＶ等を照射することでイオン化したガスを基板に供給することできる。このため、最適な条件でスパッタ膜の反応を促進することができる。さらに、第１部材１１６および第２部材２１６の一方に基板Ｗを載置して移動させる機能を持たせ、他方にスリット１８ａを遮蔽する機能を持たせてもよい。
【００４５】
このように、ディスクシャッタ１６を、独立に移動可能な第１部材１１６と第２部材２１６とを有する構造とすることにより、より自由度の高い処理を行うことができる。
【００４６】
なお、図７では、回動軸１２５と回動軸２２５とを同軸的に設けた例を示しているが、これらを別個に設けてもよい。
【００４７】
次に、さらに他の実施形態について説明する。
図８は、さらに他の実施形態に係る成膜装置を示す水平断面図である。
【００４８】
本実施形態の成膜装置１′は、ディスクシャッタ１６の駆動手法を従前の実施形態と異ならせている。本実施形態のディスクシャッタ１６は、スリット状の通過孔１８ａを遮蔽する円形をなす本体部１６ａと、本体部１６ａから延出する延出部１６ｂとを有するしゃもじ状をなしている点は従前の実施形態と同様である。ただし、延出部１６ｂはＸ方向に延びており、延出部１６ｂには２本のピン７２、７３が立っている。そして、カム７０が駆動機構（図示せず）により回動軸７１により回動するように設けられており、カム７０の回動軸７１を支点とした回動により、ピン７２、７３を介してディスクシャッタ１６が直線駆動するようになっている。ディスクシャッタ１６は、適宜の支持機構（図示せず）により、移動可能に支持されている。
【００４９】
このような構成により、単純な構成でディスクシャッタ１６の機能を実現させることができる。また、成膜に際しては、基板Ｗをディスクシャッタ１６上に載置した状態で、ディスクシャッタ１６を一方向に移動させながら、放出されたスパッタ粒子をスリット状の通過孔１８ａを所定の角度で斜めに通過させ、基板Ｗ上に所定の膜を成膜する。
【００５０】
本実施形態では、ディスクシャッタ１６を直線的に移動させることができるので、基板Ｗを載置して移動させながら成膜する際に、成膜が左右非対称となることがない。
【００５１】
以上、実施形態について説明したが、今回開示された実施形態は、全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の特許請求の範囲およびその主旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
【００５２】
例えば、上記実施形態のスパッタ粒子を放出させる手法は例示であり、他の方法でスパッタ粒子を放出させてもよい。また、上記実施形態では、ターゲットを斜めに配置した例を示したが、これに限るものではない。
【符号の説明】
【００５３】
１；成膜装置
１０；処理チャンバ
１０ａ；チャンバ本体
１０ｂ；蓋体
１２；ターゲットホルダ
１６；ディスクシャッタ（遮蔽部材）
１８；スパッタ粒子遮蔽板
１８ａ；通過孔
２０；排気機構
２２；ガス導入ポート
２４；ターゲット
２５，１２５，２２５；回動軸
２６，１２６，２２６；駆動機構
２７；基板支持ピン
Ｓ；処理空間
Ｓ１；第１空間
Ｓ２；第２空間
Ｗ；基板
【図１】
2019189908.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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