(57)【要約】【課題】高硬度殺菌ＰＶＤフィルムの調製方法を提供することを課題とする。【解決手段】本発明は、高硬度抗菌ＰＶＤフィルムの調製方法であり、Ｗ−Ｔｉ合金ターゲット材を使用して工作物上に第１層の殺菌フィルムを堆積させ、Ｗの硬度が高く、かつ極めて強い殺菌力を持ち、Ｔｉ及びＷの結合は殺菌フィルム堆積時の付着力に有利となり、ＰＶＤフィルムの特性を向上でき、Ｗ−Ｔｉ殺菌フィルム上に堆積する第２層の殺菌フィルムはＷ−Ｔｉ−Ａｇであり、第２層の殺菌フィルム内にナノシルバーを加えると、殺菌フィルムの殺菌効果を増強でき、同時にＷの高硬度がナノシルバーを保護でき、Ｗ自体は、殺菌力を持つため、殺菌フィルムの最外層に少しナノシルバーを加えるだけでよく、Ｗの市場価格がナノシルバーより安いため、上記技術的解決策内の殺菌フィルムは殺菌フィルムの製造コストを削減できる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
高硬度ＰＶＤ殺菌フィルムの調製方法であって、
工作物表面の油汚れを洗浄して工作物表面の酸化膜を取り除き、次に工作物を真空炉内に入れる工作物の前処理ステップ１）と、
真空炉中に真空引きを行い、１２０〜１５０℃まで昇温させ、Ａｒを吹き込み、Ｔｉアークターゲットをスタートして工作物に対しイオン洗浄を行う工作物洗浄ステップ２）と、
Ｔｉアークターゲットをストップし、Ｔｉスパッタリングターゲットをスタートし、引き続きＡｒを吹き込み、−７０〜−９０Ｖのバイアス電圧を印加し、工作物の表面にチタンベースフィルムを堆積するベースフィルムステップ３）と、
Ｔｉスパッタリングターゲットをストップし、Ｗ−Ｔｉ合金アークターゲットをスタートし、Ａｒを吹き込んで−７０〜−９０Ｖのバイアス電圧を印加し、チタンフィルム上に第１層の殺菌フィルムを堆積する第１層の殺菌フィルムステップ４）と、
引き続きＷ−Ｔｉ合金アークターゲットをスタートし、同時にナノシルバースパッタリングターゲットをスタートし、３〜５分保持し、第２層の殺菌フィルムを堆積する第２層の殺菌フィルムステップ５）と、
を含むことを特徴とする高硬度ＰＶＤ殺菌フィルムの調製方法。
【請求項２】
前記方法は、第２層の殺菌フィルムの堆積を完了した後Ｗ−Ｔｉ合金アークターゲットやナノシルバースパッタリングターゲットのストップ及び全ての電源を切り、真空炉内で徐々に昇圧すると共に６５℃〜７５℃まで降温させた後、工作物を取り出すステップを更に含むことを特徴とする請求項１に記載の高硬度ＰＶＤ殺菌フィルムの調製方法。
【請求項３】
前記工作物洗浄の過程中は、真空炉内で−７００〜−９００Ｖのバイアス電圧状態において工作物に対しイオン洗浄を行うことを特徴とする請求項１に記載の高硬度ＰＶＤ殺菌フィルムの調製方法。
【請求項４】
前記第１層の殺菌フィルム堆積過程中、真空炉内の圧力は４．０×１０−３〜６．０×１０−３Ｐａとすることを特徴とする請求項１に記載の高硬度ＰＶＤ殺菌フィルムの調製方法。
【請求項５】
前記第１層の殺菌フィルム堆積過程中、Ｗ−Ｔｉ合金アークターゲットはＷ−Ｔｉスパッタリングターゲットを使用し、スパッタリング方式で成膜できることを特徴とする請求項１に記載の高硬度ＰＶＤ殺菌フィルムの調製方法。
【請求項６】
前記Ｗ−Ｔｉ合金のＷとＴｉの質量分率は、１：１〜９：１とすることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の高硬度ＰＶＤ殺菌フィルムの調製方法。
【請求項７】
前記第２層の殺菌フィルム内のナノシルバーの質量含有率は、２％〜５％とすることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の高硬度ＰＶＤ殺菌フィルムの調製方法。
【請求項８】
前記第１層の殺菌フィルム堆積過程中、Ｎ２、Ｏ２又はＣ２Ｈ２のうちのいずれかのガスを吹き込むことを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の高硬度ＰＶＤ殺菌フィルムの調製方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＰＶＤ殺菌フィルム技術分野に関し、特に、高硬度殺菌ＰＶＤフィルムの調製方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＰＶＤ（Ｐｈｙｓｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）とは、物理的な過程を利用して物質移動を実現し、原子又は分子をソースから基板表面上に移動させる過程をいう。ＰＶＤ操作時、異なる金属を選択して蒸発させて電子状態として電離し、バイアス電圧によりイオンを工作物上に導き、堆積させて薄膜になる。イオンが工作物に堆積される前に、その他のイオンと反応や結合を行って複合薄膜を生成することもでき、硬度、輝度、摩擦係数、色等の面において変化させ、機能又は外観上の要求を満たすことができる。
【０００３】
現在環境汚染等の原因の影響により、人々が生活中に接触する非常に多くの物には往々にして大量の細菌が有り、細菌汚染源及び病気のまん延源となっている。よって、抗菌特性を有するコーティング製品の開発は、人々の生活環境の改善、人々の健康保護にとって十分重要で実質的な意義がある。ナノシルバーは、生活中によく見られる数十種類の病原微生物に対し強い抑制及び殺滅作用を有し、かつ薬剤耐性が生じないため、ナノシルバーが幅広く生活に活用されている。
【０００４】
従来の技術内においてナノシルバーを使って抗菌する時、通常ナノシルバーをその他の材質内に混入させ、コーティング方法で工作物の表面を保護し、又は直接工作物の表面にナノシルバーを含有する薄膜をめっきする。それらの方法は、ナノシルバーの分布が不均一であるか、又はコーティングの耐摩耗性が劣り、長時間持続的に抗菌できず、かつナノシルバーの価格が比較的高いため、経済性や実用性に劣る。従来技術では、タングステンも極めて強い殺菌力を持ち、かつタングステンの硬度が非常に高く、耐摩耗面において強大な利点を有するが、タングステンの殺菌力はナノシルバーより劣るため、現在タングステン及びナノシルバーの利点を結合すると、耐摩耗・経済的かつ殺菌効果が良いＰＶＤフィルムを調製できる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
そこで、本発明は、従来の殺菌ＰＶＤフィルム価格が高いか、又は耐摩耗性を持たない課題について、高硬度殺菌ＰＶＤフィルムの調製方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
高硬度ＰＶＤ殺菌フィルムの調製方法であって、
工作物表面の油汚れを洗浄して工作物表面の酸化膜を取り除き、次に工作物を真空炉内に入れる工作物の前処理ステップ１）と、
真空炉中に真空引きを行い、１２０〜１５０℃まで昇温させ、Ａｒを吹き込み、Ｔｉアークターゲットをスタートして工作物に対しイオン洗浄を行う工作物洗浄ステップ２）と、
Ｔｉアークターゲットをストップし、Ｔｉスパッタリングターゲットをスタートし、引き続きＡｒを吹き込み、−７０〜−９０Ｖのバイアス電圧を印加し、工作物の表面にチタンベースフィルムを堆積するベースフィルムステップ３）と、
Ｔｉスパッタリングターゲットをストップし、Ｗ−Ｔｉ合金アークターゲットをスタートし、Ａｒを吹き込んで−７０〜−９０Ｖのバイアス電圧を印加し、チタンフィルム上に第１層の殺菌フィルムを堆積する第１層の殺菌フィルムステップ４）と、
引き続きＷ−Ｔｉ合金アークターゲットをスタートし、同時にナノシルバースパッタリングターゲットをスタートし、３〜５分保持し、第２層の殺菌フィルムを堆積する第２層の殺菌フィルムステップ５）と、
を含む。
【０００７】
一実施例において、前記方法は、第２層の殺菌フィルムの堆積を完了した後Ｗ−Ｔｉ合金アークターゲットやナノシルバースパッタリングターゲットのストップ及び全ての電源を切り、真空炉内で徐々に昇圧すると共に６５℃〜７５℃まで降温させた後、工作物を取り出すステップを更に含む。
【０００８】
一実施例において、前記工作物洗浄の過程中は、真空炉内で−７００〜−９００Ｖのバイアス電圧状態において工作物に対しイオン洗浄を行う。
【０００９】
一実施例において、前記第１層の殺菌フィルム堆積過程中、真空炉内の圧力は４．０×１０−３〜６．０×１０−３Ｐａとする。
【００１０】
一実施例において、前記第１層の殺菌フィルム堆積過程中、Ｗ−Ｔｉ合金アークターゲットはＷ−Ｔｉスパッタリングターゲットを使用し、スパッタリング方式で成膜できる。
【００１１】
一実施例において、前記Ｗ−Ｔｉ合金のＷとＴｉの質量分率は、１：１〜９：１とする。
【００１２】
一実施例において、前記第２層の殺菌フィルム内のナノシルバーの質量含有率は、２％〜５％とする。
【００１３】
一実施例において、前記第１層の殺菌フィルム堆積過程中、Ｎ２、Ｏ２又はＣ２Ｈ２のうちのいずれかのガスを吹き込む。
【発明の効果】
【００１４】
以上述べた高硬度抗菌ＰＶＤフィルムの調製方法において、Ｗ−Ｔｉ合金ターゲット材を使用して工作物上に第１層の殺菌フィルムを堆積させ、Ｗの硬度が高く、かつ極めて強い殺菌力を持ち、Ｔｉ及びＷの結合は殺菌フィルム堆積時の付着力に有利となり、ＰＶＤフィルムの特性を向上でき、Ｗ−Ｔｉ殺菌フィルム上に堆積する第２層の殺菌フィルムはＷ−Ｔｉ−Ａｇであり、第２層の殺菌フィルム内にナノシルバーを加えると、殺菌フィルムの殺菌効果を増強でき、同時にＷの高硬度がナノシルバーを保護でき、Ｗ自体は、殺菌力を持つため、殺菌フィルムの最外層に少しナノシルバーを加えるだけでよく、Ｗの市場価格がナノシルバーより安いため、上記技術的解決策内の殺菌フィルムは殺菌フィルムの製造コストを削減できる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明に係る高硬度殺菌ＰＶＤフィルムの構造を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、添付図面及び実施形態を組み合わせて本発明について詳細な説明を行う。
【００１７】
図１に示すように、高硬度ＰＶＤ殺菌フィルムの調製方法であって、工作物１表面の油汚れを洗浄して工作物１表面の酸化膜を取り除き、次に工作物１を真空炉内に入れる工作物１の前処理ステップ１）と、真空炉中に真空引きを行い、１２０〜１５０℃まで昇温させ、Ａｒを吹き込み、Ｔｉアークターゲットをスタートして工作物１に対しイオン洗浄を行う工作物１洗浄ステップ２）と、Ｔｉアークターゲットをストップし、Ｔｉスパッタリングターゲットをスタートし、引き続きＡｒを吹き込み、−７０〜−９０Ｖのバイアス電圧を印加し、工作物１の表面にチタンベースフィルム２を堆積するベースフィルム２ステップ３）と、Ｔｉスパッタリングターゲットをストップし、Ｗ−Ｔｉ合金アークターゲットをスタートし、Ａｒを吹き込んで−７０〜−９０Ｖのバイアス電圧を印加し、チタンフィルム上に第１層の殺菌フィルム３を堆積する第１層の殺菌フィルム３ステップ４）と、引き続きＷ−Ｔｉ合金アークターゲットをスタートし、同時にナノシルバースパッタリングターゲットをスタートし、３〜５分保持し、第２層の殺菌フィルム４を堆積する第２層の殺菌フィルム４ステップ５）と、を含む。工作物１の真空炉内における堆積フィルムの付着力を高めるため、工作物１の表面に対し前処理及び洗浄を行う必要があり、工作物１表面の油汚れは通常洗浄剤で洗浄され、超音波方法により工作物１表面の酸化膜を除去する。工作物１は、真空炉内においてＴｉアークターゲットを使用して工作物１の表面に対しイオン洗浄を行う主な目的は、工作物１表面の活性を増強して後のフィルムの堆積・付着力を向上させかつ均一させることである。第１層の殺菌フィルム３の堆積・生成前に、工作物１の表面に先にＴｉベースフィルム２を堆積させることは、ＷはＰＶＤ成膜過程中、結合力が強くないからであり、ＰＶＤフィルムの効果を増進するために、ＷとＴｉを結合させ、よって第一殺菌フィルムの前にＴｉベースフィルム２をめっきする。第２層の殺菌フィルム４は、Ｗ−Ｔｉ−Ａｇ膜とする。
【００１８】
本願明細書内の化学式は、均しく分子式で示され、Ａｒがアルゴンガスを表し、Ｗが金属タングステンを表し、Ｔｉが金属チタンを表し、Ａｇがナノシルバーを表す。
【００１９】
本願明細書内に使用されているターゲット材は、ナノ寸法の金属粉末を押出成形したものであるため、Ｗ−Ｔｉ合金ターゲットはナノ寸法のタングステン及びナノ寸法のチタンを一定の割合により均一に混合した後ターゲット材として押出され、ナノシルバーターゲット材はナノシルバーを押出されてターゲット材となる。
【００２０】
一実施例において、前記方法は、第２層の殺菌フィルム４の堆積を完了した後Ｗ−Ｔｉ合金アークターゲットやナノシルバースパッタリングターゲットのストップ及び全ての電源を切り、真空炉内で徐々に昇圧すると共に６５℃〜７５℃まで降温させた後、工作物１を取り出すステップを更に含む。
【００２１】
一実施例において、前記工作物１洗浄過程中、真空炉内で−７００〜−９００Ｖのバイアス電圧状態において工作物１に対しイオン洗浄を行う。
【００２２】
一実施例において、前記第１層の殺菌フィルム３堆積過程中、真空炉内の圧力は４．０×１０−３〜６．０×１０−３Ｐａとする。
【００２３】
一実施例において、前記第１層の殺菌フィルム３堆積過程中、Ｗ−Ｔｉ合金アークターゲットはＷ−Ｔｉスパッタリングターゲットを使用し、スパッタリング方式で成膜できる。ＰＶＤは様々な方法があり、第１層の殺菌フィルム３の堆積過程中、スパッタリングターゲットでアークターゲットを代替とすることができ、すなわち、スパッタリングメッキでアークメッキを代替として良好なめっき膜の効果を奏することができる。
【００２４】
一実施例において、前記Ｗ−Ｔｉ合金のＷ及びＴｉの質量分率は、１：１〜９：１とする。殺菌フィルムのめっき過程中、Ｔｉの働きは主に成膜効果を増強することであり、Ｗの主な働きが殺菌であり、かつＷの硬度が高く、耐摩耗性を有するため、Ｗ−Ｔｉ合金内のＷの割合がＴｉの割合より高くなければならない。
【００２５】
一実施例において、前記第２層の殺菌フィルム４内のナノシルバーの質量含有率は、２％〜５％とする。殺菌フィルムの殺菌効果を増強するため、第２層の殺菌フィルム４内に少量のナノシルバーを加え、かつナノシルバーはＷ−Ｔｉで保護され、寿命を延長できる。
【００２６】
一実施例において、前記第１層の殺菌フィルム３堆積過程中、Ｎ２、Ｏ２又はＣ２Ｈ２のうちのいずれかのガスを吹き込む。ＰＶＤフィルムは、めっき過程中、異なるガスを吹き込んむと最終的に成膜する色も異なり、Ｎ２を活性ガスとして使用した時、最終成膜が山吹色で、Ｏ２を活性ガスとして使用した時、最終成膜が青色で、Ｃ２Ｈ２を活性ガスとして使用した時、最終成膜が黒色となる。
【００２７】
以下に、具体的実施例を組み合わせて説明する。
【実施例１】
【００２８】
１）工作物１の前処理：工作物１表面の油汚れを洗浄して工作物１表面の酸化膜を取り除き、次に工作物１を真空炉内に入れ；２）工作物１洗浄：真空炉中に真空引きを行い、１２０℃まで昇温させ、−９００Ｖのバイアス電圧を印加し、Ａｒを吹き込み、Ｔｉアークターゲットをスタートして工作物１に対しイオン洗浄を行い；３）ベースフィルム２：Ｔｉアークターゲットをストップし、Ｔｉスパッタリングターゲットをスタートし、引き続きＡｒを吹き込み、−９０Ｖのバイアス電圧を印加し、工作物１の表面にチタンベースフィルム２を堆積させ；４）第１層の殺菌フィルム３：Ｔｉスパッタリングターゲットをストップし、Ｗ−Ｔｉ合金アークターゲットをスタートし、Ａｒを吹き込んで−９０Ｖのバイアス電圧を印加し、真空炉内の圧力は４．０×１０−３Ｐａとし、チタンフィルム上に第１層の殺菌フィルム３を堆積させ、Ｗ−Ｔｉ合金のＷとＴｉの質量分率を１：１とし；５）第２層の殺菌フィルム４：引き続きＷ−Ｔｉ合金アークターゲットをスタートし、同時にナノシルバースパッタリングターゲットをスタートし、３分保持し、第２層の殺菌フィルム４を堆積させ、ナノシルバーの質量含有率を２％とし；６）第２層の殺菌フィルム４の堆積を完了した後Ｗ−Ｔｉ合金アークターゲットやナノシルバースパッタリングターゲットのストップ及び全ての電源を切り、真空炉内で徐々に昇圧すると共に７５℃まで降温させた後、工作物１を取り出す。
【実施例２】
【００２９】
１）工作物１の前処理：工作物１表面の油汚れを洗浄して工作物１表面の酸化膜を取り除き、次に工作物１を真空炉内に入れ；２）工作物１洗浄：真空炉中に真空引きを行い、１５０℃まで昇温させ、−７００Ｖのバイアス電圧を印加し、Ａｒを吹き込み、Ｔｉアークターゲットをスタートして工作物１に対しイオン洗浄を行い；３）ベースフィルム２：Ｔｉアークターゲットをストップし、Ｔｉスパッタリングターゲットをスタートし、引き続きＡｒを吹き込み、−７０Ｖのバイアス電圧を印加し、工作物１の表面にチタンベースフィルム２を堆積させ；４）第１層の殺菌フィルム３：Ｔｉスパッタリングターゲットをストップし、Ｗ−Ｔｉ合金アークターゲットをスタートし、Ａｒ及びＮ２を吹き込んで−７０Ｖのバイアス電圧を印加し、真空炉内の圧力は６．０×１０−３Ｐａとし、チタンフィルム上に堆積した第１層の殺菌フィルム３が山吹色を呈し、Ｗ−Ｔｉ合金のＷとＴｉの質量分率を９：１とし；５）第２層の殺菌フィルム４：引き続きＷ−Ｔｉ合金アークターゲットをスタートし、同時にナノシルバースパッタリングターゲットをスタートし、５分保持し、第２層の殺菌フィルム４を堆積させ、ナノシルバーの質量含有率を５％とし；６）第２層の殺菌フィルム４の堆積を完了した後Ｗ−Ｔｉ合金アークターゲットやナノシルバースパッタリングターゲットのストップ及び全ての電源を切り、真空炉内で徐々に昇圧すると共に６５℃まで降温させた後、工作物１を取り出す。
【実施例３】
【００３０】
１）工作物１の前処理：工作物１表面の油汚れを洗浄して工作物１表面の酸化膜を取り除き、次に工作物１を真空炉内に入れ；２）工作物１洗浄：真空炉中に真空引きを行い、１３５℃まで昇温させ、−８００Ｖのバイアス電圧を印加し、Ａｒを吹き込み、Ｔｉアークターゲットをスタートして工作物１に対しイオン洗浄を行い；３）ベースフィルム２：Ｔｉアークターゲットをストップし、Ｔｉスパッタリングターゲットをスタートし、引き続きＡｒを吹き込み、−８０Ｖのバイアス電圧を印加し、工作物１の表面にチタンベースフィルム２を堆積させ；４）第１層の殺菌フィルム３：Ｔｉスパッタリングターゲットをストップし、Ｗ−Ｔｉ合金アークターゲットをスタートし、Ａｒ及びＯ２を吹き込んで−８０Ｖのバイアス電圧を印加し、真空炉内の圧力は５．０×１０−３Ｐａとし、チタンフィルム上に堆積した第１層の殺菌フィルム３が青色を呈し、Ｗ−Ｔｉ合金のＷとＴｉの質量分率を５：１とし；５）第２層の殺菌フィルム４：引き続きＷ−Ｔｉ合金アークターゲットをスタートし、同時にナノシルバースパッタリングターゲットをスタートし、４分保持し、第２層の殺菌フィルム４を堆積させ、ナノシルバーの質量含有率を３％とし；６）第２層の殺菌フィルム４の堆積を完了した後Ｗ−Ｔｉ合金アークターゲットやナノシルバースパッタリングターゲットのストップ及び全ての電源を切り、真空炉内で徐々に昇圧すると共に７０℃まで降温させた後、工作物１を取り出す。
【実施例４】
【００３１】
１）工作物１の前処理：工作物１表面の油汚れを洗浄して工作物１表面の酸化膜を取り除き、次に工作物１を真空炉内に入れ；２）工作物１洗浄：真空炉中に真空引きを行い、１４０℃まで昇温させ、−８５０Ｖのバイアス電圧を印加し、Ａｒを吹き込み、Ｔｉアークターゲットをスタートして工作物１に対しイオン洗浄を行い；３）ベースフィルム２：Ｔｉアークターゲットをストップし、Ｔｉスパッタリングターゲットをスタートし、引き続きＡｒを吹き込み、−７５Ｖのバイアス電圧を印加し、工作物１の表面にチタンベースフィルム２を堆積させ；４）第１層の殺菌フィルム３：Ｔｉスパッタリングターゲットをストップし、Ｗ−Ｔｉ合金アークターゲットをスタートし、Ａｒ及びＣ２Ｈ２を吹き込んで−８５Ｖのバイアス電圧を印加し、真空炉内の圧力は４．０×１０−３Ｐａとし、チタンフィルム上に堆積した第１層の殺菌フィルム３が黒色を呈し、Ｗ−Ｔｉ合金のＷとＴｉの質量分率を７：１とし；５）第２層の殺菌フィルム４：引き続きＷ−Ｔｉ合金アークターゲットをスタートし、同時にナノシルバースパッタリングターゲットをスタートし、３分保持し、第２層の殺菌フィルム４を堆積させ、ナノシルバーの質量含有率を４％とし；６）第２層の殺菌フィルム４の堆積を完了した後Ｗ−Ｔｉ合金アークターゲットやナノシルバースパッタリングターゲットのストップ及び全ての電源を切り、真空炉内で徐々に昇圧すると共に７２℃まで降温させた後、工作物１を取り出す。
【実施例５】
【００３２】
１）工作物１の前処理：工作物１表面の油汚れを洗浄して工作物１表面の酸化膜を取り除き、次に工作物１を真空炉内に入れ；２）工作物１洗浄：真空炉中に真空引きを行い、１３０℃まで昇温させ、−７５０Ｖのバイアス電圧を印加し、Ａｒを吹き込み、Ｔｉアークターゲットをスタートして工作物１に対しイオン洗浄を行い；３）ベースフィルム２：Ｔｉアークターゲットをストップし、Ｔｉスパッタリングターゲットをスタートし、引き続きＡｒを吹き込み、−８５Ｖのバイアス電圧を印加し、工作物１の表面にチタンベースフィルム２を堆積させ；４）第１層の殺菌フィルム３：Ｔｉスパッタリングターゲットをストップし、Ｗ−Ｔｉ合金アークターゲットをスタートし、Ａｒを吹き込んで−８０Ｖのバイアス電圧を印加し、真空炉内の圧力は６．０×１０−３Ｐａとし、チタンフィルム上に第１層の殺菌フィルム３を堆積させ、Ｗ−Ｔｉ合金のＷとＴｉの質量分率を３：１とし；５）第２層の殺菌フィルム４：引き続きＷ−Ｔｉ合金アークターゲットをスタートし、同時にナノシルバースパッタリングターゲットをスタートし、５分保持し、第２層の殺菌フィルム４を堆積させ、ナノシルバーの質量含有率を５％とし；６）第２層の殺菌フィルム４の堆積を完了した後Ｗ−Ｔｉ合金アークターゲットやナノシルバースパッタリングターゲットのストップ及び全ての電源を切り、真空炉内で徐々に昇圧すると共に７５℃まで降温させた後、工作物１を取り出す。
【００３３】
なお、本発明では具体的実施例を前述の通り開示したが、これらは決して本発明の構造特徴を限定するものではなく、当該技術を熟知する者なら誰でも、本発明の領域を脱しない範囲で行われる変化又は修飾が本発明の特許請求の範囲内に含まれることは勿論である。
【図１】
2019157259.tif 000003