(57)【要約】【課題】  排気コンダクタンスを広範囲にわたって連続的に変化させる制御が可能な真空処理装置用の排気配管、及びその排気配管を用いた排気方法を提供する。【解決手段】  排気配管は、メイン配管とバイパス配管とを有し、メイン配管は第１のバタフライバルブと第１の開閉バルブとを有し、バイパス配管は第２のバタフライバルブと第２の開閉バルブとを有し、パイパス配管は第１のバタフライバルブと第１の開閉バルブの間でメイン配管から分岐し、第１の開閉バルブをバイパスするように配置され、メイン配管の内径をＡ、バイパス配管の内径をＢとしたとき、Ｂ＜Ａであることを特徴とする。【選択図】  図１
2019157257.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空処理装置用の排気配管にであって、
前記排気配管は、メイン配管とバイパス配管とを有し、
前記メイン配管は、第１のバタフライバルブと第１の開閉バルブとを有し、
前記バイパス配管は、第２のバタフライバルブと第２の開閉バルブとを有し、
前記パイパス配管は、前記第１のバタフライバルブと前記第１の開閉バルブの間で前記メイン配管から分岐し、前記第１の開閉バルブをバイパスするように配置され、
前記メイン配管の内径をＡ、前記バイパス配管の内径をＢとしたとき、Ｂ＜Ａであること、
を特徴とする真空処理装置用の排気配管。
【請求項２】
請求項１に記載の排気配管を用いて真空処理装置内を排気する排気方法であって、
前記第１の開閉バルブを開け、前記第２の開閉バルブを閉じた状態で、前記第１のバタフライバルブにより排気抵抗を制御する第１の工程、
前記第２の開閉バルブを開ける第２の工程、
前記第１の開閉バルブを閉じる第３の工程、
前記第２のバタフライバルブにより排気抵抗を制御する第４の工程、
をこの順に有することを特徴とする排気方法。
【請求項３】
請求項１に記載の排気配管を用いて真空処理装置内を排気する排気方法であって、
前記第１の開閉バルブを閉じ、前記第２の開閉バルブを開けた状態で、前記第２のバタフライバルブにより排気抵抗を制御する第１の工程、
前記第１の開閉バルブを開ける第２の工程、
前記第２の開閉バルブを閉じる第３の工程、
前記第１のバタフライバルブにより排気抵抗を制御する第４の工程、
をこの順に有することを特徴とする排気方法。
【請求項４】
導電性基体上に積層構造を有する電子写真感光体の製造方法であって、
反応容器に前記導電性基体を設置する工程、
前記反応容器に原料ガスを供給し、請求項２または３に記載の排気方法により前記反応容器内の圧力を調整する工程、及び
前記反応容器内に電力を供給し、プラズマＣＶＤ法により前記導電性基体上に堆積膜を形成し、前記電子写真感光体を得る工程、
を有することを特徴とする電子写真感光体の製造方法。
【請求項５】
前記反応容器内に電力を供給し、プラズマＣＶＤ法により前記導電性基体上に堆積膜を形成し、前記電子写真感光体を得る工程が、
前記反応容器内に電力を供給し、プラズマＣＶＤ法により前記導電性基体上に中間層を形成し、電子写真感光体を得る工程である請求項４に記載の電子写真感光体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、真空処理装置用の排気配管、その排気配管を用いた排気方法、及び、その排気方法を用いた電子写真感光体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
真空処理装置は様々な分野で用いられている。例えば、一般的なプラズマＣＶＤ法は、真空に保持可能な反応容器内に基板を設置し、反応容器内に原料ガスを供給しつつ、反応容器内の圧力を調整し、高周波電力を印加することで原料ガスのプラズマを生成して基板上に薄膜を形成する。反応容器内を所望の圧力に調整するには、原料ガスの供給流量を制御したり、排気流量を制御したりする必要がある。排気流量を制御する手段として、バタフライバルブを用いて排気コンダクタンスを調整する手段が一般的に知られている。
【０００３】
特許文献１には、調整したい反応容器内の圧力に応じて排気の経路を切り替える技術が開示されている。これにより、０．１Ｔｏｒｒ〜７６０Ｔｏｒｒまでの広範囲にわたって、反応容器内の圧力を制御することを可能にしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平７−５８０３２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
バタフライバルブを用いて排気コンダクタンスを調整する場合においては、圧力の制御可能な範囲がある。即ち、バタフライバルブの開度が小さくなると、急激に圧力の制御性が低下し、実質的に圧力の制御が不可能な領域があることが知られている。このように、１台のバタフライバルブでは、限られた範囲でしか、高精度な排気コンダクタンス制御ができないのが現状である。このため、バタフライバルブの圧力の制御範囲を超えて、連続的に排気コンダクタンスを変化させる制御が必要な場合には、改善の余地を有していた。
【０００６】
特許文献１では、調整したい反応容器内の圧力に応じて排気の経路を切り替えることで、排気コンダクタンスを調整し、反応容器内の圧力を調整する技術が開示されている。しかしながら、排気径路を切り替えるときには、一旦、複数の排気径路を開ける状態が発生し、その状態において排気コンダクタンスは必然的に小さくなる。即ち、排気径路を切り替えるときに、一旦排気コンダクタンスが小さくなる状態を避けることはできず、排気コンダクタンスを連続的に変化させることができなくなる。このため、排気コンダクタンスを広範囲にわたって連続的に変化させる制御が必要な場合には、改善の余地を有しているものであった。
【０００７】
本発明は、この真空処理装置用の排気配管を用いた排気方法、及びその排気方法を用いた電子写真感光体の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、真空処理装置用の排気配管にであって、
前記排気配管は、メイン配管とバイパス配管とを有し、
前記メイン配管は、第１のバタフライバルブと第１の開閉バルブとを有し、
前記バイパス配管は、第２のバタフライバルブと第２の開閉バルブとを有し、
前記パイパス配管は、前記第１のバタフライバルブと前記第１の開閉バルブの間で前記メイン配管から分岐し、前記第１の開閉バルブをバイパスするように配置され、
前記メイン配管の内径をＡ、前記バイパス配管の内径をＢとしたとき、Ｂ＜Ａであること、
を特徴とする真空処理装置用の排気配管に関する。
【０００９】
また、本発明は、上記排気配管を用いて真空処理装置内を排気する排気方法であって、
前記第１の開閉バルブを開け、前記第２の開閉バルブを閉じた状態で、前記第１のバタフライバルブにより排気抵抗を制御する第１の工程、
前記第２の開閉バルブを開ける第２の工程、
前記第１の開閉バルブを閉じる第３の工程、
前記第２のバタフライバルブにより排気抵抗を制御する第４の工程、
をこの順に有することを特徴とする排気方法に関する。
【００１０】
また、本発明は、上記排気配管を用いて真空処理装置内を排気する排気方法であって、
前記第１の開閉バルブを閉じ、前記第２の開閉バルブを開けた状態で、前記第２のバタフライバルブにより排気抵抗を制御する第１の工程、
前記第１の開閉バルブを開ける第２の工程、
前記第２の開閉バルブを閉じる第３の工程、
前記第１のバタフライバルブにより排気抵抗を制御する第４の工程、
をこの順に有することを特徴とする排気方法に関する。
【００１１】
また、本発明は、導電性基体上に積層構造を有する電子写真感光体の製造方法であって、
反応容器に前記導電性基体を設置する工程、
前記反応容器に原料ガスを供給し、請求項２または３に記載の排気方法により前記反応容器内の圧力を調整する工程、及び
前記反応容器内に電力を供給し、プラズマＣＶＤ法により前記導電性基体上に堆積膜を形成し、前記電子写真感光体を得る工程、
を有することを特徴とする電子写真感光体の製造方法に関する。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、排気コンダクタンスを広範囲にわたって連続的に変化させる制御が可能な真空処理装置用の排気配管、この真空処理装置用の排気配管を用いた排気方法、及びその排気方法を用いた電子写真感光体の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の真空処理装置用の排気配管の一例を示す模式図である。
【図２】従来の真空処理装置用の排気配管の一例を示す模式図である。
【図３】バタフライバルブと開閉バルブとを配置した排気径路を、並列に２系統有する真空処理装置用の排気配管の一例を示す模式図である。
【図４】（ａ）バタフライバルブの開度を変化させたときの排気コンダクタンスを示すグラフ、及び、（ｂ）バタフライバルブの開度を変化させたときの排気抵抗の変化をセミログプロットしたグラフ、（ｃ）バタフライバルブの開度を変化させたときの排気抵抗の変化をリニアスケールでプロットしたグラフである。
【図５】図１に示す排気配管における排気抵抗の変化を模式的に表したグラフである。
【図６】図２に示す排気配管における排気抵抗の変化を模式的に表したグラフである。
【図７】図３に示す排気配管における排気抵抗の変化を模式的に表したグラフである。
【図８】電子写真感光体の層構成の一例を表す模式的断面図である。
【図９】電子写真感光体を成膜する装置の一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下に、本発明を適用できる実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。
【００１５】
図１は、真空処理装置用の排気配管の一例を示す模式図である。図１の排気配管は、メイン配管１０１とバイパス配管１０２とを有している。メイン配管１０１は、第１のバタフライバルブ１０３と第１の開閉バルブ１０４とが配置され、バイパス配管１０２は、第２のバタフライバルブ１０５と第２の開閉バルブ１０６とが配置されている。パイパス配管１０２は、第１のバタフライバルブ１０３と第１の開閉バルブ１０４の間でメイン配管１０１から分岐し、第１の開閉バルブ１０４をバイパスするように配置されている。そして、メイン配管の内径をＡ、バイパス配管の内径をＢとしたとき、Ｂ＜Ａであることを特徴としている。
【００１６】
図２は、従来の真空処理装置用の排気配管の一例を示す模式図である。図２の排気配管は、メイン配管２０１に、バタフライバルブ２０３と開閉バルブ２０４が配置された構成例を示している。また、図３は、バタフライバルブと開閉バルブとを配置した排気径路を、並列に２系統有する真空処理装置用の排気配管の一例を示す模式図である。図３の排気配管は、メイン配管３０１とバイパス配管３０２とを有している。そして、メイン配管３０１に、第１のバタフライバルブ３０３と第１の開閉バルブ３０４が配置され、バイパス配管３０２には、第２のバタフライバルブ３０５と第２の開閉バルブ３０６が配置されている。バイパス配管３０２が、第１のバタフライバルブ３０３と第１の開閉バルブ３０４とをバイパスするように配置されている点が図１と異なっている。
【００１７】
ここで、一般的なバタフライバルブの開度を変化させたときに、排気コンダクタンス、及び、排気抵抗がどのような変化するか説明する。図４において、（ａ）は一般的なバタフライバルブの開度を変化させたときの排気コンダクタンスの変化を示したグラフであり、（ｂ）は一般的なバタフライバルブの開度を変化させたときの排気抵抗の変化を示したグラフである。図４（ａ）は排気コンダクタンスの変化をセミログプロットしたグラフ、図４（ｂ）は排気抵抗をセミログプロットしたグラフ、図４（ｃ）は排気抵抗をリニアスケールでプロットしたグラフである。図４（ａ）〜（ｃ）から明らかなように、バタフライバルブの開度を１００％の状態から、徐々に閉じて開度を下げていくと、排気コンダクタンスが低下し、排気抵抗が上昇することが確認できる。そして、バタフライバルブの開度が１０％以下となると、開度に対する排気抵抗の変化がかなり急激になることが確認できる。バタフライバルブの開度が１０％以下となる領域では、わずかな開度の変化でも排気抵抗が大きく変化してしまうため、実質的に正確な制御ができない領域となる。このため、バタフライバルブの開度は、実質的に制御可能な範囲は１０％〜１００％の範囲に限定され、排気抵抗で考えると概ね２桁変化させることができる。
【００１８】
次に、図１〜３に示した排気配管を用いて、排気コンダクタンスを変化させる方法について説明する。まず、バタフライバルブの開度を１００％、即ち全開とした状態から、開度を下げていき排気コンダクタンスを下げていって、排気抵抗を大きくする場合を考える。反応容器の内圧を一定としながら、反応容器に供給するガス流量を減少させていく場合に有効な排気コンダクタンスの変化である。
【００１９】
図６は、図２に示した構成の排気配管における排気抵抗の変化を模式的に表したグラフである。図６（ａ）は、図２に示した構成の排気配管で、開閉バルブ２０４を開けて、バタフライバルブ２０３の開度を１００％の状態から、徐々に閉じた場合の排気抵抗の変化を示している。図６（ｂ）は、図２に示した構成の排気配管で、開閉バルブ２０４を開けて、バタフライバルブ２０３の開度を１０％の状態から、徐々にバタフライバルブを開いた場合の排気抵抗の変化を示している。図２のようにバタフライバルブを１つしか有さない排気配管の場合は、上述のように排気抵抗は２桁までしか変化させられないことが確認できる。
【００２０】
図７（ａ）は、図３に示した構成の排気配管で、第１のバタフライバルブ３０３、及び、第２のバタフライバルブ３０５の開度を徐々に閉じていく場合の排気抵抗の変化を示すグラフである。排気抵抗を具体的に変化させる方法は、以下に示すとおりである。まず、第１の開閉バルブ３０４を開けて、第２の開閉バルブ３０６を閉じた状態で、第１のバタフライバルブ３０３の開度を１００％の状態から徐々に閉じていく。第１のバタフライバルブ３０３の開度が１０％になったところで、排気径路を切り替える。このため、まず、第２の開閉バルブ３０６を開けて、次いで、第１の開閉バルブ３０４を閉じる。その後、第２のバタフライバルブ３０５の開度を１００％の状態から徐々に閉じていく。このような方法で、トータルの排気抵抗は４桁以上変化させることが、図７（ａ）より確認できる。しかしながら、排気径路を切り替えるため、第２の開閉バルブ３０６を開けたときには、その状態では径路が２系統となるため、排気抵抗が低下してしまうことが確認できる。排気抵抗の低下は、変化させたい方向、即ち、排気抵抗を大きくする方向とは逆方向となる負の変化となる。このような負の変化は、排気抵抗の変化の連続性を低下させる要因となって段差が形成されやすく、スムーズな連続的変化の妨げとなる場合がある。また、バタフライバルブを徐々に開けていき、排気抵抗を小さく連続的に変化させる場合についても同様である。図７（ｂ）は、図３に示した構成の排気配管で、第１のバタフライバルブ３０３、及び、第２のバタフライバルブ３０５の開度を徐々に開いていく場合の排気抵抗の変化を模式的に表したグラフである。具体的に変化させる方法は、以下に示すとおりである。まず、第１の開閉バルブ３０４を閉じて、第２の開閉バルブ３０６を開けた状態で、第２のバタフライバルブ３０５の開度を１０％の状態から徐々に開けていく。第２のバタフライバルブ３０５の開度が１００％になったところで、排気径路を切り替える。このため、まず、第１の開閉バルブ３０４を開ける。そして、第２の開閉バルブ３０６を閉じる。その後、第１のバタフライバルブ３０３の開度を１０％の状態から徐々に開けていく。このような方法で、トータルの排気抵抗は４桁以上変化させることが、図７（ｂ）より確認できる。しかしながら、排気径路を切り替えるため、第１の開閉バルブ３０４を開けたときには、その状態では径路が２系統となって排気抵抗が低下し、その後、第２の開閉バルブ３０６を閉じると、径路が１系統となり、排気抵抗が上昇することが確認できる。排気抵抗の上昇は、変化させたい方向、即ち、排気抵抗を小さくする方向とは逆方向となる負の変化となる。このように、バタフライバルブの開度を徐々に開けていき、排気抵抗を徐々に小さくしていく場合においても、負の変化が発生することがわかる。上述のように、負の変化は、排気抵抗の変化の連続性を低下させる要因となって段差が形成されやすく、スムーズな連続的変化の妨げとなる場合がある。
【００２１】
これらに対し、本発明の構成となる図１に示す構成の排気配管における排気抵抗の変化について説明する。図５（ａ）は、図１に示した構成の排気配管で、第１のバタフライバルブ１０３、及び、第２のバタフライバルブ１０５の開度を徐々に閉じていく場合の排気抵抗の変化を模式的に表したグラフである。具体的に変化させる方法は、以下に示すとおりである。まず、第１の開閉バルブ１０４を開けて、第２の開閉バルブ１０６を閉じた状態で、第１のバタフライバルブ１０３の開度を１００％の状態から徐々に閉じていく。第１のバタフライバルブ１０３の開度が１０％になったところで、排気径路を切り替える。このため、まず、第２の開閉バルブ１０６を開ける。そして、第１の開閉バルブ１０４を閉じる。その後、第２のバタフライバルブ１０５の開度を１００％の状態から徐々に閉じていく。このような方法で、図５（ａ）に示したように、負の変化を発生させることなくトータルの排気抵抗を４桁以上変化させることが確認できる。これは、図１に示した構成の排気配管では、バイパス配管１０２が、第１の開閉バルブ１０４のみをバイパスするように配置されているためである。即ち、第１の開閉バルブ１０４を通るメイン径路の排気抵抗の方が、第２の開閉バルブ１０６を通るバイパス径路の排気抵抗に比べて充分に小さいためである。このため、排気径路を切り替える時に、第２の開閉バルブ１０６を開けて、径路が並列に２系統になったとしても、バイパス径路の影響は小さく、第２の開閉バルブ１０６の開け閉めが、トータルの排気抵抗に与える影響は小さい。このように、本発明の構成となる排気配管を用いることにより、排気抵抗の負の変化を発生させることなく、排気抵抗を４桁以上の広範囲にわたり、段差の無いスムーズな連続的変化が可能となることがわかる。
【００２２】
このように、電子写真感光体を成膜する上での条件の一つである排気抵抗を段差無くスムーズに、且つ連続的に変化させることによって、層間を連続的に変化させる層を形成する場合に、堆積膜の特性をスムーズに且つ連続的に変化させることが可能となる。
【００２３】
また、バタフライバルブを徐々に開けていき、排気抵抗を小さく変化させる場合についても同様である。図５（ｂ）は、図１に示した構成の排気配管で、第１のバタフライバルブ１０３、及び、第２のバタフライバルブ１０５の開度を徐々に開けていく場合の排気抵抗の変化を模式的に表したグラフである。具体的に変化させる方法は、以下に示すとおりである。まず、第１の開閉バルブ１０４を閉じて、第２の開閉バルブ１０６を開けた状態で、第２のバタフライバルブ１０５の開度を１０％の状態から徐々に開けていく。第２のバタフライバルブ１０５の開度が１００％になったところで、排気径路を切り替え、まず、第１の開閉バルブ１０４を開け、次いで、第２の開閉バルブ１０６を閉じる。その後、第１のバタフライバルブ１０３の開度を１０％の状態から徐々に開けていく。このような方法で、第１のバタフライバルブ１０３、及び、第２のバタフライバルブ１０５の開度を徐々に開けていくことにより、図５（ｂ）に示すように、負の変化を発生させることなくトータルの排気抵抗を４桁以上変化させることが確認できる。これは、上述のように、第１の開閉バルブ１０４を通るメイン径路の排気抵抗の方が、第２の開閉バルブ１０６を通るバイパス径路の排気抵抗に比べて充分に小さいためである。このため、排気径路を切り替える時に、第２の開閉バルブ１０６の開け閉めが、トータルの排気抵抗に与える影響は小さい。このように、本発明の構成となる排気配管を用いることにより、排気抵抗の負の変化を発生させることなく、排気抵抗を４桁以上の広範囲にわたり、段差の無いスムーズな連続的変化が可能となることがわかる。
【００２４】
図８は、本発明の真空処理装置用の排気配管を用いた成膜装置によって製造される電子写真感光体の層構成の一例を示した模式的断面図である。電子写真感光体は、導電性基体上８０１に、下部阻止層８０２、光導電層８０３、中間層（変化層）８０４、表面層８０５の順に積層した積層構造を有する。中間層（変化層）８０４は、光導電層８０３と表面層８０５との屈折率差と表面層８０５の膜厚によって生じる光の干渉を抑制するために、中間層（変化層）８０４において屈折率を連続的に変化させている。特に、光導電層８０３形成時と表面層８０５形成時のガス供給量の絶対値が大きく異なる場合には、中間層（変化層）を形成する際に、より広い範囲でガス流量を高精度に且つ連続的に変化させる制御が必要となる。このため、本発明の真空処理装置用の排気配管を用いた製造方法が特に適している。本発明の排気方法を用いて中間層を形成することで、より広範囲にわたって、排気コンダクタンスを段差無くスムーズに変化させることができ、その結果、より段差無くスムーズに連続的な変化層を形成することができる。
【００２５】
図９は、電子写真感光体を成膜することができる装置の一例を示した図であり、電源周波数としてＲＦ帯を用いた高周波プラズマＣＶＤ法による成膜装置の一例を模式的に示した図である。図９の成膜装置は、反応容器（真空処理装置）９１０１を有する堆積装置９１００、原料ガス供給装置９２００、及び、反応容器９１０１内を減圧するための排気装置（図示せず）から構成されている。排気装置としては、図１に示すような排気配管を有する排気装置が挙げられ、図１に示すような排気配管を用いて真空処理装置内（反応容器内）を排気する。堆積装置９１００中の反応容器９１０１内には、アースに接続された導電性基体８０１、基体加熱用ヒータ９１０２、原料ガス導入管９１０３が設置されている。更に、高周波マッチングボックス９１０４を介して高周波電源９１０５がカソード電極を兼ねる反応容器９１０１に接続されている。原料ガス供給装置９２００は、原料ガスボンベ９２２１〜９２２５、一次バルブ９２３１〜９２３５、圧力調整器９２６１〜９２６５、流入バルブ９２４１〜９２４５、流出バルブ９２５１〜９２５５、及び、マスフローコントローラ９２１１〜９２１５から構成される。各原料ガスを封入したガスのボンベは導入バルブ９２６０を介して、反応容器９１０１内の原料ガス導入管９１０３に接続されている。
【００２６】
この成膜装置を用いた成膜は、例えば以下のような手順によって行われる。
【００２７】
まず、反応容器９１０１内に導電性基体８０１を設置し、真空ポンプ等の排気装置（図示せず）により反応容器９１０１内を排気する。真空計の表示を見ながら、反応容器９１０１内の圧力が例えば１Ｐａ以下の所定の圧力になったところで、基体加熱用ヒータ９１０２に電力を供給し、導電性基体８０１の温度を２００℃〜３５０℃の所定の温度に加熱する。このとき、原料ガス供給装置９２００より、Ａｒ等の不活性ガスを反応容器９１０１に供給して、不活性ガス雰囲気中で加熱を行うこともできる。
【００２８】
次に、成膜用の原料ガスを、ガス供給装置９２００により流量制御し、反応容器９１０１内に供給する。すなわち、必要に応じて一次バルブ９２３１〜９２３５、流入バルブ９２４１〜９２４５、流出バルブ９２５１〜９２５５を開き、マスフローコントローラ９２１１〜９２１５によって流量設定を行う。そして、真空計の表示を見ながら、排気速度を調整することにより、反応容器９１０１内の圧力が所望の圧力になるように調整する。所望の圧力が得られたところで、高周波電源９１０５を所望の電力に設定して、高周波マッチングボックス９１０４を通じてカソード電極を兼ねる反応容器９１０１に電力を供給し、プラズマ放電を生起させる。放電に用いる周波数は１〜３０ＭＨｚのＲＦ帯が好適に使用できる。この放電エネルギーによって反応容器９１０１内に導入された各原料ガスが分解され、導電性基体８０１上に所定の堆積膜が形成される。所望の膜厚の形成が行われた後、高周波電力の供給を止め、ガス供給装置の各バルブを閉じて反応容器９１０１への各原料ガスの流入を止め、堆積膜の形成を終える。
【００２９】
同様の操作を複数回繰り返すことによって、所望の多層構造の感光層が形成される。また、膜形成の均一化を図るために、層形成を行っている間は、導電性基体８０１を駆動装置（不図示）によって所定の速度で回転させることも有効である。
【実施例】
【００３０】
以下、実施例によって、真空処理装置用の排気配管、及び、排気方法を更に具体的に説明するが、本発明は、これらの実施例に限定されるものではない。
【００３１】
（実施例１）
図９に示した成膜装置を用い、配管装置として図１に示した排気配管を有する配管装置を用いて、表１に示す条件で電子写真感光体を作製した。導電性基体としては、鏡面加工を施したアルミニウムシリンダーを用いた。中間層（変化層）形成時、排気配管のバタフライバルブの制御は、図５（ａ）で説明した方法で行った。
【００３２】
【表１】
2019157257.tif 000003
【００３３】
実施例１で作製した電子写真感光体について反射率の測定を行い、中間層（変化層）が段差無くスムーズに形成できているかを評価した。マルチチャンネル分光光度計（大塚電子（株）製、商品名：ＭＣＰＤ−２０００）を用いて、電子写真感光体の反射光スペクトルを可視光領域（３８０ｎｍ〜７８０ｎｍ）について測定した。反射光スペクトルの測定では、表面に２ｍｍのスポット径で電子写真感光体に対して垂直にハロゲン光を照射し、正反射光スペクトルを測定した。なお、鏡面加工を施したアルミニウムシリンダーをリファレンスとして、リファレンスの正反射光スペクトルが可視光領域全域で反射率１００％となるように補正してから測定を行った。
【００３４】
測定された反射光スペクトルの５００ｎｍから７００ｎｍの反射率の最大値と最小値の差を評価し、反射率の差が４ポイント未満の場合をＡ、４ポイント以上８ポイント未満をＢ、８ポイント以上をＣとして評価した。評価結果を表２に示す。
【００３５】
（比較例１）
図９に示した成膜装置を用い、排気装置として図３に示した排気配管を有する排気装置を用いた以外は、実施例１と同条件となるようにして表１に示す条件で電子写真感光体を作製した。
【００３６】
中間層（変化層）形成時、排気配管のバタフライバルブの制御は、図７（ａ）で説明した方法で行った。
【００３７】
作製した電子写真感光体について、実施例１と同様の評価方法で、反射光スペクトルの測定を行い、同様の基準で評価を行った。評価結果を表２に示す。
【００３８】
【表２】
2019157257.tif 000004
【００３９】
評価の結果、本発明の真空処理装置用の排気配管、及び、排気方法を用いて作製された実施例１の電子写真感光体の方が段差無くスムーズな中間層（変化層）を形成できることが確認できる。
【符号の説明】
【００４０】
１０１  メイン配管
１０２  バイパス配管
１０３  第１のバタフライバルブ
１０４  第１の開閉バルブ
１０５  第２のバタフライバルブ
１０６  第２の開閉バルブ
【図１】
2019157257.tif 000005
【図２】
2019157257.tif 000006
【図３】
2019157257.tif 000007
【図４】
2019157257.tif 000008
【図５】
2019157257.tif 000009
【図６】
2019157257.tif 000010
【図７】
2019157257.tif 000011
【図８】
2019157257.tif 000012
【図９】
2019157257.tif 000013