(57)【要約】【課題】チップの表面を確実に露出させて樹脂充填性を高めたモールド金型、樹脂モールド装置及び樹脂モールド方法を提供する。【解決手段】トランスファ機構５の動作に伴って、チップ表面に押し当てられたチップ押さえ駒３ｅに対するキャビティ駒３ｆの位置を、キャビティ容積を拡大させた位置とキャビティ容積を縮小した位置との間で相対移動させてモールド樹脂Ｒを加圧成形する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
チップが搭載されたワークを支持する第一の金型と、チップ搭載部分に対向してキャビティ凹部が形成された第二の金型と、前記キャビティ凹部にモールド樹脂を圧送りするトランスファ機構とを備えたモールド金型であって、
前記第二の金型には、前記キャビティ凹部を形成する前記ワークをクランプするクランパと、前記クランパに囲まれて配置され、型閉じ状態でチップ表面に常時押し当てられるチップ押さえ駒と、前記チップ押さえ駒の周囲に相対移動可能に支持されたキャビティ駒と、を備え、
前記トランスファ機構の動作に伴って、チップ表面に押し当てられた前記チップ押さえ駒に対する前記キャビティ駒位置を、キャビティ容積を拡大させた位置とキャビティ容積を縮小した位置との間で相対移動させてモールド樹脂を加圧成形することを特徴とするモールド金型。
【請求項２】
前記キャビティ駒の少なくともランナゲート側の一部の前記チップ押さえ駒に対する相対移動を規制する規制部を備え、チップ表面に押し当てられた前記チップ押さえ駒に対して前記少なくとも一部のキャビティ駒がキャビティ容積を縮小させた位置で前記トランスファ機構の動作に伴ってモールド樹脂を前記キャビティ凹部内に充填させ、樹脂圧によりキャビティ容積を拡大した位置へ移動させて前記規制部により前記少なくとも一部のキャビティ駒のキャビティ容積を拡大する方向への移動が規制されると更なる型閉じ動作により当該キャビティ駒が再度キャビティ容積を縮小させた位置へ相対移動させる請求項１記載のモールド金型。
【請求項３】
前記第二の金型には、チェイスに対して前記チップ押さえ駒が第一付勢手段により付勢支持されており、前記キャビティ駒が第二付勢手段により付勢支持されており、前記キャビティ駒が樹脂圧により前記第二付勢手段の付勢に抗して押し戻された際にストッパーにより移動規制されて前記チップ押さえ駒に対して相対移動する請求項１又は請求項２記載のモールド金型。
【請求項４】
前記キャビティ駒は、型閉じ動作により前記チップ押さえ駒に押し当てられた前記チップの下面高さに相対移動し、樹脂圧により前記チップの上面高さ位置まで相対移動する請求項１乃至請求項３のいずれかに記載のモールド金型。
【請求項５】
前記チップ押さえ駒は、複数のチップに対向してチップ押さえ駒が各々配置されている請求項１乃至請求項４のいずれかに記載のモールド金型。
【請求項６】
前記第一の金型と前記第二の金型による型閉じ動作によりモールド金型内に減圧空間が形成される請求項１乃至請求項５のいずれかに記載のモールド金型。
【請求項７】
前記第二の金型の前記キャビティ凹部を含むクランプ面には、フィルムが吸着保持され、当該フィルムを介して前記チップ押さえ駒によりチップ表面に押し当てられる請求項１乃至請求項６のいずれかに記載のモールド金型。
【請求項８】
前記クランパには、前記キャビティ凹部内より溢れ出したモールド樹脂を収容するオーバーフローキャビティが設けられている請求項１乃至請求項７のいずれかに記載のモールド金型。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれかに記載のモールド金型を備えた樹脂モールド装置。
【請求項１０】
チップが搭載されたワークに対してチップ露出させてトランスファ成形する樹脂モールド方法であって、
モールド金型を型閉じし、キャビティ側部を形成するクランパによりワークをクランプする工程と、
キャビティ底部を形成するチップ押さえ駒をチップ表面に押し当てたまま当該チップ押さえ駒の周囲に設けられたキャビティ駒がキャビティ容積を縮小した第一位置へ相対移動させる工程と、
トランスファ機構を作動させて溶融したモールド樹脂をキャビティ内に圧送りする工程と、
前記キャビティ内に満充填された樹脂圧により前記キャビティ駒がキャビティ容積を拡大する第二位置へ退避させてモールド樹脂を充填する工程と、
前記キャビティ駒の第二位置への移動を規制したまま前記モールド金型の型閉じ動作を行い、前記キャビティ駒を第一位置へ相対移動させてキャビティ内樹脂を加圧しキャビティ外へ押し出す工程と、
を含むことを特徴とする樹脂モールド方法。
【請求項１１】
前記キャビティ駒をチップ下面高さ位置である第一位置に相対移動させてモールドする請求項１０記載の樹脂モールド方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、基板上に複数のチップが搭載されたワークを、チップ表面を露出させて樹脂モールドするモールド金型、樹脂モールド装置及び樹脂モールド方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年ＡＩ技術の普及にともなって、ＴＳＶ配線されたシリコン基板上にＧＰＵ（Graphics Processing Unit）のようなプロセッサユニットやその周囲にＨＢＭ(High Bandwidth Memory)を近接して配置し、チップ間を高密度配線で接続するＳＩＰ（System In Package）構造製品や同様の構成のＦＰＧＡ（Field-Programmable Gate Array）に関する製品が開発されている。例えば、ＧＰＵやＦＰＧＡやＨＢＭなどの半導体チップは、φ３００ｍｍのインターポーザとしてのウエハ上に多数搭載されており、これらの高さが異なる半導体チップ（以下単に「チップ」という）を、回路の保護や外部の周辺回路との接続を容易にするために、パッケージモールドして提供したいというニーズがある。
【０００３】
この場合、ＧＰＵは、例えば２０×３０ｍｍのように実装面積が大きく、極めて多数の素子が含まれ、ＨＢＭは多層に積層されていることで極めて多数の記憶素子が配置されており、これらが高周波信号で動作するため各々大量の発熱が発生する。このため、樹脂モールドにあたっては、各チップの表面を露出させて熱放散性を確保した状態で樹脂モールドする必要がある。また、各チップの高さが異なることから機械的なストレスに弱く歪みやすいという課題もある。
【０００４】
また、基板上に複数のチップがフリップチップ接続されたマトリクス配置で搭載されたワークをモールドアンダーフィルする場合、モールド樹脂は隙間の大きい場所から流れ込むため、フリップチップ接続されたチップと基板間や樹脂流動方向に対して直交方向のチップ間の隙間のような部分にはモールド樹脂が充填し難い。
【０００５】
モールド金型について樹脂充填性を改良する技術として、クランパによりワークをクランプしてキャビティ駒を後退位置でモールド樹脂をキャビティ内に充填した後、型閉じ動作によりキャビティ駒のクランパに対する相対位置を移動させて余剰樹脂を押し戻すＴＣＭ（Transfer Compression Mold）及び板厚調整機構を併用したモールド金型（特許文献１：特開２０１３−２８０８７号公報）、チップ表面をクランプ用駒で押さえたまま加圧用駒をチップ表面と同じ高さでトランスファ機構によりポットからキャビティ内に溶融したモールド樹脂を充填し、上型及び下型の型開閉動作を繰り返すことで加圧用駒によりキャビティ内の樹脂を加圧するモールド金型等が提案されている（特許文献２：ＷＯ２０１５／１５９７４３号公報）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１３−２８０８７号公報
【特許文献２】ＷＯ２０１５／１５９７４３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献１のように、チップと対向位置にあるキャビティ駒の隙間が狭小の場合に樹脂が流れ難くなり、チップ上面等に樹脂がのり難くなるのを防止する為、樹脂注入時はキャビティ駒を上昇させてキャビティ空間を広くさせる事で樹脂流動を良くして狭小部に樹脂を充填させる技術が存在するが、チップ露出には適していなかった。
また、特許文献２のように、モールド金型の型開閉動作を繰り返す場合には、プレス装置を高精度に位置制御する必要があり、装置構成が複雑化高度化する。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
以下に述べるいくつかの実施形態に適用される開示は、上記課題を解決すべくなされたものであり、その目的とするところは、チップの表面を確実に露出させてかつ樹脂充填性を高めてモールド可能なモールド金型、樹脂モールド装置及び樹脂モールド方法を提供することにある。
【０００９】
以下に述べるいくつかの実施形態に関する開示は、少なくとも次の構成を備える。即ち、チップが搭載されたワークを支持する第一の金型と、チップ搭載部分に対向してキャビティ凹部が形成された第二の金型と、前記キャビティ凹部にモールド樹脂を圧送りするトランスファ機構とを備えたモールド金型であって、前記第二の金型には、前記キャビティ凹部を形成する前記ワークをクランプするクランパと、前記クランパに囲まれて配置され、型閉じ状態でチップ表面に常時押し当てられるチップ押さえ駒と、前記チップ押さえ駒の周囲に相対移動可能に支持されたキャビティ駒と、を備え、前記トランスファ機構の動作に伴って、チップ表面に押し当てられた前記チップ押さえ駒に対する前記キャビティ駒位置を、キャビティ容積を拡大させた位置とキャビティ容積を縮小した位置との間で相対移動させてモールド樹脂を加圧成形することを特徴とする。
【００１０】
上記構成によれば、第一の金型と第二の金型でワークをクランプすると、チップ押さえ駒がチップ表面に常時押し当てられるので、トランスファ機構を作動させて溶融したモールド樹脂をキャビティ内に充填してもチップの表面を確実に露出させて成形することができる。
トランスファ機構の動作に伴って、チップ表面に押し当てられたチップ押さえ駒に対するキャビティ駒位置を樹脂圧によりキャビティ容積を縮小させた位置とキャビティ容積を拡大した位置との間で相対移動させてモールド樹脂を加圧成形するので、先ずアンダーフィルモールドを優先させ、その後樹脂流動性を高めてチップ間の隙間を埋めるように樹脂充填性を高めて加圧成形することができる。
【００１１】
前記キャビティ駒の少なくともランナゲート側の一部の前記チップ押さえ駒に対する相対移動を規制する規制部を備え、チップ表面に押し当てられた前記チップ押さえ駒に対して前記少なくとも一部のキャビティ駒がキャビティ容積を縮小させた位置で前記トランスファ機構の動作に伴ってモールド樹脂を前記キャビティ凹部内に充填させ、樹脂圧によりキャビティ容積を拡大した位置へ移動させて前記規制部により前記少なくとも一部のキャビティ駒のキャビティ容積を拡大する方向への移動が規制されると更なる型閉じ動作により当該キャビティ駒が再度キャビティ容積を縮小させた位置へ相対移動させるようにしてもよい。
これにより、キャビティ駒の少なくともランナゲート側の一部がチップ押さえ駒に対する相対移動が規制されたキャビティ容積を拡大させた位置から更なる型閉じ動作により当該キャビティ駒が再度キャビティ容積を縮小させた位置へ相対移動させることで、トランスファ成形以上に樹脂圧を高めて加圧成形でき、ボイドを可及的に減らしてチップ間の隙間やチップと基板の隙間等モールド樹脂が充填し難い領域まで充填することができる。特に、チップ押さえ駒以外のキャビティ容積を縮小することで最終的にアンダーフィルモールドと同じ高さにすることができるため、アンダーフィルモールドの樹脂充填性を向上しつつ成形品の使用樹脂量を減らすこともできる。
【００１２】
前記第二の金型には、チェイスに対して前記チップ押さえ駒が第一付勢手段により付勢支持されており、前記キャビティ駒が第二付勢手段により付勢支持されており、前記キャビティ駒が樹脂圧により前記第二付勢手段の付勢に抗して押し戻された際にストッパーにより移動規制されて前記チップ押さえ駒に対して相対移動するのが好ましい。
これにより、金型クランプによるチップ押さえ駒のチップに対する押圧力の強まりを第一付勢手段により逃がすことができるので、ワークに対して過度の機械的なストレスが作用することはない。
また、キャビティ駒は樹脂圧が作用すると第二付勢手段が撓んでチップ押さえ駒に対する相対位置が変化するので、キャビティ容積を可変とすることができる。よって、キャビティ駒がキャビティ容積を拡大させた状態でモールド樹脂をキャビティ凹部内に受け入れ、ストッパーにより可動位置が規制されると更なる型閉じ動作によりチップ押さえ駒に対して相対位置が下方に移動してキャビティ容積を縮小させて通常のトランスファ成形に比べて高い樹脂圧を作用させて加圧成形することができる。
【００１３】
前記キャビティ駒は、型閉じ動作により前記チップ押さえ駒に押し当てられた前記チップの下面高さに相対移動し、樹脂圧により前記チップの上面高さ位置まで相対移動することが好ましい。
これにより、トランスファ機構を作動させてキャビティ凹部内にモールド樹脂を充填する際に、キャビティ駒の位置を相対移動させることで、フリップチップ接続されたチップのモールドアンダーフィルを優先して行うことができ、樹脂圧が加わるとキャビティ凹部内の空間を広げて隙間にモールド樹脂を充填し易くすることができる。
また、キャビティ駒の最終型閉じ位置をチップの上面高さ位置より下方に抑えると、通常のトランスファ成形より高い加圧力で樹脂圧を作用させることができるのでボイドを可及的に減らし、しかも無駄な樹脂量を減らして樹脂モールドすることができる。
【００１４】
前記チップ押さえ駒は、複数のチップに対向してチップ押さえ駒が各々配置されていてもよい。これにより、チップ押さえ駒が対向するチップ毎にチップ表面を押さえることで、確実に露出成形することができる。
【００１５】
前記第一の金型と前記第二の金型による型閉じ動作によりモールド金型内に減圧空間が形成されることが好ましい。これにより、キャビティ凹部内に充填されるモールド樹脂に混入する気泡を減圧吸引により除去して成形品質を高めることができる。
【００１６】
前記第二の金型の前記キャビティ凹部を含むクランプ面には、フィルムが吸着保持され、当該フィルムを介して前記チップ押さえ駒によりチップ表面に押し当てられることが好ましい。これにより、チップ押さえ駒がチップに押し当てられる際にフィルムを緩衝材としてチップ面を保護することができるうえに、クランパ、チップ押さえ駒及びキャビティ駒が型閉じ動作により相対移動しキャビティ凹部の容積が変化しても、モールド樹脂が漏れることは無く、金型メンテナンスを容易化することができる。
【００１７】
前記クランパには、前記キャビティ凹部内より溢れ出したモールド樹脂を収容するオーバーフローキャビティが設けられていてもよい。
これにより、キャビティ凹部内に充填されるモールド樹脂が加圧されてオーバーフローすることでモールド樹脂の未充填エリアを可及的に無くして成形品質を向上させることができる。
【００１８】
樹脂モールド装置においては、上述したいずれかに記載のモールド金型を備えることで、チップの表面を確実に露出させると共に樹脂充填性を高める成形することで成形品質を高めかつ生産性を向上させることができる。
【００１９】
チップが搭載されたワークに対してチップ露出させてトランスファ成形する樹脂モールド方法であって、モールド金型を型閉じし、キャビティ側部を形成するクランパによりワークをクランプする工程と、キャビティ底部を形成するチップ押さえ駒をチップ表面に押し当てたまま当該チップ押さえ駒の周囲に設けられたキャビティ駒がキャビティ容積を縮小した第一位置へ相対移動させる工程と、トランスファ機構を作動させて溶融したモールド樹脂をキャビティ内に圧送りする工程と、前記キャビティ内に満充填された樹脂圧により前記キャビティ駒がキャビティ容積を拡大する第二位置へ退避させてモールド樹脂を充填する工程と、前記キャビティ駒の第二位置への移動を規制したまま前記モールド金型の型閉じ動作を行い、前記キャビティ駒を第一位置へ相対移動させてキャビティ内樹脂を加圧しキャビティ外へ押し出す工程と、を含むことを特徴とする。
【００２０】
上述した樹脂モールド方法を用いれば、トランスファ機構を作動させて溶融したモールド樹脂をキャビティ内に充填してもチップの表面を確実に露出させて成形することができるうえに、キャビティ駒がキャビティ容積を縮小した第一位置でアンダーフィルモールドを優先させ、その後キャビティ駒がキャビティ容積を拡大する第二位置へ退避させて樹脂流動性を高めてチップ間の隙間を埋めるように樹脂充填性を高めて加圧成形することができる。
また、キャビティ駒を再度第一位置へ相対移動させてキャビティ内樹脂を加圧してキャビティ外へ押し出すことにより、通常のトランスファ成形より高い加圧力で樹脂圧を作用させることができるので、ボイドを可及的に減らし、しかも最終成形品に無駄な樹脂量を減らして樹脂モールドすることができる。
よって、チップが搭載されたワークに対してアンダーフィルモールドを伴ってチップ露出させてトランスファ成形することができる。
【００２１】
前記キャビティ駒をチップ下面高さ位置である第一位置に相対移動させてモールドすることにより、アンダーフィルモールドの樹脂充填性を向上させることができ、かつ最終成形品に無駄な樹脂量を減らして樹脂モールドすることができる。
【発明の効果】
【００２２】
上記モールド金型、樹脂モールド装置及び樹脂モールド方法を用いれば、チップの表面を確実に露出させて樹脂充填性を高めてモールドすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】第一実施例に用いられる成形前のワークの平面図及び正面図、並びに成形後のワークの正面図である。
【図２】第一実施例に係るモールド金型の部分断面図である。
【図３】図２に続くモールド金型の部分断面図である。
【図４】図３に続くモールド金型の部分断面図である。
【図５】図４に続くモールド金型の部分断面図である。
【図６】図５に続くモールド金型の部分断面図である。
【図７】図６に続くモールド金型の部分断面図である。
【図８】図７に続くモールド金型の部分断面図である。
【図９】上型の部分平面図である。
【図１０】下型の部分平面図である。
【図１１】第二実施例に用いられるキャビティ凹部を含む上型面の拡大平面図である。
【図１２】第二実施例に係るモールド金型の部分断面図である。
【図１３】図１２に続くモールド金型の部分断面図である。
【図１４】図１３に続くモールド金型の部分断面図である。
【図１５】図１４に続くモールド金型の部分断面図である。
【図１６】図１５に続くモールド金型の部分断面図である。
【図１７】図１６に続くモールド金型の部分断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、発明を実施するための一実施形態について添付図面に基づいて詳細に説明する。尚、モールド金型というときは、モールドベースに各々支持された上型及び下型を指し示すものとし、型開閉機構（プレス装置）を除いたものを指し示すものとする。また、樹脂モールド装置をいうときは、モールド金型とこれを開閉する型開閉機構（電動モータ及びねじ軸、トグルリンク機構等のプレス装置；図示せず）を少なくとも備えた装置で、さらに自動化のためには樹脂搬送装置またはワーク搬送装置、成形後のワーク搬出装置を備える装置である。トランスファ成形の場合ポットに挿入されたプランジャを作動させるトランスファ機構、更には型閉じした際に金型内に減圧空間を形成する減圧機構等を備えているものとする。以下、モールド金型の構成を中心に説明するものとする。また、ワークＷは、プロセッサやＨＢＭなどの半導体チップが多数搭載されたインターポーザ基板（半導体ウエハ、樹脂基板等）の他、ＭＥＭＳチップ等が搭載されたインターポーザ基板（半導体ウエハ、樹脂基板等）を樹脂モールドする場合を想定している。モールド金型は、一例として下型が可動型で上型が固定型として説明するが、上型が可動型で下型が固定型であっても良く、双方が可動型であってもよい。
【００２５】
ワークＷは、基板ＫとチップＴより構成され、チップＴは基板Ｋに電気的に接続（フリップチップ接続等）されている。チップＴは半導体チップの他、ＭＥＭＳチップ等の機能部品も含まれる。露出が必要なチップＴとして上述した半導体チップやＭＥＭＳチップ等を例示したが、これらに限定されるわけではなく例えば放熱板や撮像素子の表面を露出させる場合であっても適応可能である。チップＴは露出が必要な基板Ｋの搭載部品全体を指し示すものとする。このため、チップＴは必ずしもフリップチップ接続されているわけではない。
尚、以下ではフィルムＦを用いてチップＴを挟み込んで成形する場合について説明をするが、フィルムＦは必ずしも必要な部材ではなく、省略しても良い。
【００２６】
［第一実施例］
図１はワークＷとして１００ｍｍ×３００ｍｍの短冊状ストリップ基板（矩形基板）を用いてモールドアンダーフィルを行う場合について例示する。
図１Ａに示すように、基板Ｋ上にはチップＴがマトリクス配置で実装されている。図１Ｂに示すように、チップＴは、基板Ｋ上に形成された端子接続部にはんだバンプを介してフリップチップ接続されている。
図１Ｃに成形後のワークＷを示す。マトリクス配置された各チップＴはモールドアンダーフィルされかつチップ間の隙間までモールド樹脂Ｒによりモールドされている。図１では５行の例だが、図２以降省略して３行の例を示す。なお、行および列は一例であってこれに限定されるものではない。
【００２７】
次にモールド金型１の構成例について図２並びに図９及び図１０を参照して説明する。図２において、上型３（第二の金型）には、チップ搭載部分に対向してキャビティ凹部４が形成されている。下型２（第一の金型）には、チップＴが搭載されたワークＷが支持され、キャビティ凹部４にモールド樹脂Ｒを圧送りするトランスファ機構５が設けられている。
【００２８】
先ず下型２の構成について説明する。図示しない下型ベース上には、下型チェイス２ａが設けられている。下型チェイス２ａには、下型インサート２ｂ及び下型センターインサート２ｃが支持されている。下型センターインサート２ｃには、ポット孔（貫通孔）が形成された筒状のポット２ｄが組み付けられている（図２では１つのポット２ｄが描かれているが、紙面に垂直方向に複数本存在する。）。ポット２ｄ内にはプランジャ５ａが挿入されており、プランジャ５ａはトランスアファ機構５により昇降移動するようになっている。プランジャ５ａは、例えばトランスファ機構５に備えたコイルばねによりフローティング支持されている。尚、プランジャ５ａは、コイルばねによる支持に替えて油圧均等圧回路により支持されていてもよい。
【００２９】
また、下型インサート２ｂには、ワークＷを載置するワーク載置部２ｅが彫り込まれている。ワークＷは、ワーク載置部２ｅに載置されると吸着保持されるようになっていてもよい。尚、ワークＷは、ワーク載置部２ｅ又は下型インサート２ｂ上に載置されたままクランプ爪等により位置決めされるようにしてもよい。下型チェイス２ａの外周縁部には、環状のシール材２ｆが設けられている。シール材２ｆは後述する上型チェイス３ａとの間で挟み込まれてシールすることでモールド金型１内に閉鎖空間が形成される。また下型チェイス２ａには、閉鎖空間に接続する吸引路２ｇが設けられており、図示しない吸引機構に接続されている。上型３と下型２間のシール２ｆが接触した状態で、図示しない吸引機構を作動することでモールド金型１内に減圧空間が形成されるようになっている。下型２の平面レイアウトの一例を図１０に示す。ワークＷは、ワーク載置部２ｅに載置され、下型センターインサート２ｃの側面を位置決めガイドとして搭載される。尚、図示しない位置決めピンをワーク外周の孔に挿入させて位置決めするようにしても良い。
【００３０】
次に上型３の構成について説明する。図２において、図示しない上型ベースには、上型チェイス３ａが設けられている。上型チェイス３ａには、上型クランパ３ｂが第三コイルばね３ｃ（第三付勢手段）により吊り下げ支持されている。上型クランパ３ｂは、下型２のワーク載置部２ｅに載置されたワークＷ（基板Ｋの外周）をクランプする。上型クランパ３ｂのキャビティ底部に対応する部分には貫通孔３ｄが設けられている。貫通孔３ｄ内には、型閉じ状態でチップ表面に常時押し当てられるチップ押さえ駒３ｅと、チップ押さえ駒３ｅの周囲に上型キャビティ駒３ｆが相対移動可能に挿入されている。チップ押さえ駒３ｅはチップＴに対向して各々配置されている。これら、上型クランパ３ｂ、チップ押さえ駒３ｅ及び上型キャビティ駒３ｆとでキャビティ凹部４が形成されている。
【００３１】
具体的には、支持板３ｇには上型キャビティ駒３ｆが吊り下げ支持されている。支持板３ｇは上型チェイス３ａに対して第二コイルばね３ｈ（第二付勢手段）により吊り下げ支持されている。また、支持板３ｇの下面には支持ブロック３ｉが一体に支持されており、支持ブロック３ｉには吊り下げピン３ｊの上端部が係止して吊り下げられている。吊り下げピン３ｊの垂下した下端部にはチップ押さえ駒３ｅが連結されている。吊り下げピン３ｊは、支持ブロック３ｉ内に弾発して設けられた第一コイルばね３ｋ（第一付勢手段）によりピン頭部（上端部）が押し下げられた状態で吊り下げ支持されている。よって、支持板３ｇは、第二コイルばね３ｈが伸びた状態で上型チェイス３ａの底面（第一ストッパー３ｍ）より離間して吊り下げ支持されている。また、チップ押さえ駒３ｅは、第一コイルばね３ｋの弾発により支持ブロック３ｉの下端面（第二ストッパー３ｎ）より離間して吊り下げ支持されている。上型キャビティ駒３ｆの可動範囲は、チップ押さえ駒３ｅの可動範囲に比べて狭くなっている。即ち、支持板３ｇが上型チェイス３ａの底部に規制される可動範囲が、チップ押さえ駒３ｅがストッパー３ｍに規制される可動範囲より狭くなっている。
【００３２】
このように、型閉じにおけるチップ押さえ駒３ｅのチップＴに対する押圧力の強まりを第一コイルばね３ｋの撓みにより吸収するので、ワークＷに対して過度の機械的なストレスが作用することはない。更に後述するフィルムＦを介してのクランプのため、更に機械的なストレスが少ない。
また、上型キャビティ駒３ｆは樹脂圧が作用すると第二コイルばね３ｈが撓んで樹脂圧を吸収することでチップ押さえ駒３ｅに対する相対位置が変化するので、キャビティ容積を可変とすることができる。
よって、上型キャビティ駒３ｆがキャビティ容積を拡大させた状態でモールド樹脂Ｒをキャビティ凹部４内に受け入れ、上型キャビティ駒３ｆが第一ストッパー３ｍにより可動位置が規制されると更なる型閉じ動作によりチップ押さえ駒３ｅに対して下方に相対移動してキャビティ容積を縮小させて通常のトランスファ成形に比べて高い樹脂圧を作用させて加圧成形することができる。
【００３３】
図２において、上型クランパ３ｂの外壁面と上型チェイス３ａの内壁面との間にはシール材３ｐが設けられている。また上型チェイス３ａには、吸引路３ｔが設けられており、図示しない吸引機構に接続されている。型閉じ状態で、吸引機構を作動することでモールド金型１内に減圧空間が形成されるようになっている。また、上型クランパ３ｂのクランプ面には、下型センターインサート２ｃに対する位置に、上型カル３ｑ及び上型ランナゲート３ｒ（樹脂路）が彫り込まれている（図９参照）。図９に示すように、上型ランナゲート３ｒの先端部は、キャビティ凹部４（上型キャビティ駒３ｆの外周縁部）に接続されている。
【００３４】
キャビティ凹部４及びこれに接続する樹脂路を含む上型クランプ面には、フィルムＦが吸着保持されている。フィルムＦは長尺状に連なるフィルムであっても、短冊状に切断されたフィルム（枚葉フィルム）であってもいずれでもよい。フィルムＦは例えば厚さ５０μｍ程度で耐熱性を有する離型フィルムが用いられる。離型フィルムは、金型面より容易に剥離するものであって、柔軟性、伸展性を有するもの、例えば、ＰＴＦＥ、ＥＴＦＥ、ＰＥＴ、ＦＥＰフィルム、フッ素含浸ガラスクロス、ポリプロピレンフィルム、ポリ塩化ビニリジン等を主成分とした単層又は複層膜が好適に用いられる。これにより、チップＴの表面を覆って高さのばらつきを吸収すると共にチップ表面ヘのモールド樹脂Ｒの浸入を防いで露出成形することができる。
【００３５】
また、フィルムＦは、水分等を通さず湿気や空気を逃がす濾過膜状の多孔質フィルム、例えばポアフロン（商標名）、マイクロポーラスフィルム等であってもよい。また、多孔質フィルムの場合には、モールド樹脂Ｒの浸入を許さずに空気を逃がすことができるので、減圧環境下でモールド樹脂Ｒに混入したエアや発生したガスを逃がすことで成形品質を高めることができる。
【００３６】
次に、ワークＷを用いた樹脂モールド動作について図２乃至図８を参照して説明する。図２は、モールド金型１を型開きした状態を示す。上型３の上型クランプ面にはフィルムＦが吸着保持されている。下型２のポット２ｄ内には固形樹脂（樹脂タブレット）が供給され、ワークＷがワーク載置部２ｅに位置決めされて支持されている。ワークＷ及びモールド樹脂Ｒは、図示しないローダー等により同時に搬入してもよいし、個別に搬入してもよい。また、支持板３ｇ及びチップ押さえ駒３ｅは、可動範囲の下端位置に吊り下げ支持された状態にある。
【００３７】
図３はモールド金型１の型閉じ動作が進行し、上型３に対して下型２が上動し、上型チェイス３ａと下型チェイス２ａとでシール材２ｆをクランプした状態を示す。図示しない吸引機構による吸引動作により、閉鎖空間が形成されたモールド金型１内に吸引路２ｇ，３ｔよりエア吸引を行って減圧空間が形成される。また、型閉じの進行と共にチップ押さえ駒３ｅがフィルムＦを介してチップＴの表面に押し当てられる。
【００３８】
図４は、下型２が更に上動し型閉じが進んだ状態を示す。上型クランパ３ｂがフィルムＦを介してワークＷ（基板Ｋ外周）及び下型インサート２ｂと当接してクランプする。また、チップ押さえ駒３ｅはチップＴに対する押圧力が強まるが、第一コイルばね３ｋが撓むためチップＴに過度のストレスが作用することはない。これにともない、上型キャビティ駒３ｆの下端部の高さがチップＴの端子（はんだバンプ）の高さ位置まで相対的に下がる。これにより、キャビティ内の樹脂注入高さはチップＴの有無に係わらず略同一の高さにすることができる。
【００３９】
この状態で、図５に示すように、トランスファ機構５が作動してプランジャ５ａが上昇し、ポット２ｄ内で加熱溶融したモールド樹脂Ｒを上型カル３ｑ及び上型ランナゲート３ｒを通じてキャビティ凹部４内に圧送りする。モールド金型１は、図示しないヒータにより加熱されている。このとき、モールド樹脂Ｒは、上型キャビティ駒３ｆの下端部の高さがチップＴの端子（はんだバンプ）の高さ位置（第一位置）にあるため、チップの有無に係わらずゲート側より順次注入される。図５は未だキャビティ凹部４にモールド樹脂Ｒが満充填になっていない状態を示す。尚、下型２の上動は一旦停止しているが、継続して上昇しても良い。第一位置の高さはチップＴの端子（はんだバンプ）の高さとしたが、樹脂がバンプ以外を流れる力よりもバンプ間を通過する力が大きい場合は、バンプに流れ難くなる為、第一位置の高さは更に狭く設定しバンプに優先的に流れるようにしても良い。
【００４０】
次に図６に示すように、トランスファ機構５によりキャビティ凹部４内がモールド樹脂Ｒで満たされるため、トランスファ動作の樹脂圧が高まり、上型キャビティ駒３ｆ及びこれを支持する支持板３ｇが樹脂圧により第二コイルばね３ｈの付勢に抗して上方に押し戻される。そして、支持板３ｇが第一ストッパー３ｍ（上型チェイス３ａの底面）に当接する位置（第二位置）まで押し戻される。
次に図７に示すように下型２の更なる上動により上型クランパ３ｂが第３コイルバネ３ｃの付勢に抗して押上げる。下型インサート２ｂに搭載されたワークＷが上昇し、チップ押さえ駒３ｅを押し上げるが、キャビティ駒３ｆは固定されたまま上昇できない。結果として上型キャビティ駒３ｆがチップ押さえ駒３ｅに対して相対的に下方に移動してモールド樹脂Ｒを押圧する。このとき、キャビティ容積の縮小により溢れ出したモールド樹脂Ｒは、樹脂路（上型ランナゲート３ｒ、上型カル３ｑ）を介してプランジャ５ａを押し下げてポット２ｄ内に戻される。或いはキャビティ容積の縮小によりモールド樹脂Ｒを上型クランパ３ｂに設けられた図示しないオーバーフローキャビティへ溢れ出させてもよい。
【００４１】
これにより、チップＴ間の狭い隙間に対しても樹脂圧を高めて充填性を向上させることができる。このとき、チップ押さえ駒３ｅによるチップＴに対する押圧力が強まるが、第一コイルばね３ｋが撓むためチップＴに過度のストレスが作用することはない。上型キャビティ駒３ｆの下端面の高さは、チップＴの端子（はんだバンプ）の高さ位置（第一位置）でもよいし、チップＴの表面でもよい。この状態で、下型２の上動は停止し、樹脂圧を維持したままモールド樹脂Ｒを加熱硬化され、保圧させる。
尚、チップ押さえ駒３ｅは第二ストッパー３ｎに突き当たることがないので、チップＴに作用する押圧力の強まりは、第一コイルばね３ｋの撓みにより吸収される。また、上型クランパ３ｂを吊り下げ支持する第三コイルばね３ｃは、下型２が上動し続ける間は押し縮められて撓み続ける。
【００４２】
次に図８に示すように、モールド動作が完了すると、モールド金型１を型開きして、上型３のクランプ面に吸着保持されたフィルムＦを剥がして交換する。また、ワークＷ及び不要樹脂は、下型２のクランプ面に残存しているため、図示しないアンローダー等により搬出される。
【００４３】
以上説明したように、上型３と下型２とでワークWをクランプすると、チップ押さえ駒３ｅがチップ表面に常時押し当てられるので、トランスファ機構５を作動させて溶融したモールド樹脂Ｒをキャビティ内に充填してもチップＴの表面を確実に露出させて成形することができる。
また、モールド金型１を型閉じ動作を行いチップ表面に押し当てられたチップ押さえ駒３ｅに対し、上型キャビティ駒３ｆをキャビティ容積を縮小させた第一位置でトランスファ機構５の作動によりモールド樹脂Ｒがキャビティに注入され、上型キャビティ駒３ｆの高さがチップＴのアンダーフィル高さと略同じになっているため、モールド樹脂Ｒがゲートからその周囲の隙間に向かって順次充填され、キャビティ凹部４内に満充填することができる。
また、上型キャビティ駒３ｆの相対移動が規制され更なる型閉じ動作により当該上型キャビティ駒３ｆを、再度キャビティ容積を縮小させた第一位置へ相対移動させることでモールド樹脂Ｒを加圧成形するので、トランスファ成形以上に樹脂圧を高めて加圧成形でき、ボイドを可及的に減らしてチップＴ間の隙間やチップＴと基板Ｋの隙間等樹脂が充填し難い領域まで充填することができる。特に、チップ押さえ駒３ｅ以外のキャビティ容積を縮小することで最終的にアンダーフィルモールドと同じ高さにすることができるため、モールド樹脂Ｒの充填性を向上しつつ使用樹脂量を減らすこともできる。
【００４４】
［第二実施例］
次に、ワークＷとして、例えばφ３００ｍｍの円形状キャリア基板（半導体ウェハ）を用いてモールドアンダーフィルを行うモールド金型について例示する。上型３の平面図（図１１Ａ）に対応するように、チップＴの一例として、例えば２０×３０ｍｍサイズのＧＰＵとその周りにＨＢＭが近接して配置された半導体チップが円形キャリア基板Ｋに多数搭載されたＦＰＧＡ用基板である。チップＴは、基板Ｋ上に形成された端子接続部にはんだバンプを介してフリップチップ接続されている（図１２参照）。
実施例１ではマトリクスに配置したチップＴで、各チップＴ間にキャビティ駒を配置することができたが、実施例２では各チップ間が狭く隣合わせに配置しているためチップＴ間にはキャビティ駒は配置できない。
【００４５】
次にモールド金型１の構成例について図１１及び図１２を参照して説明する。第一実施例に係るモールド金型１と同一部材には同一番号を付して説明を援用するものとする。尚、図１２乃至図１７図は模式図であり、上型３のチップ押さえ駒３ｅの周囲（特に上型ランナゲートと反対側）に存在する上型キャビティ駒３ｆが説明上必要とされない限り正確に図示されていない。
図１２において、上型３（第二の金型）には、チップ搭載部分に対向してキャビティ凹部４が形成されている。また、下型２（第一の金型）にはチップＴが搭載されたワークＷが支持され、キャビティ凹部４にモールド樹脂Ｒを圧送りするトランスファ機構５が設けられている。
【００４６】
先ず下型２の構成について説明する。図１２において、図示しない下型ベース上には、下型チェイス２ａが設けられている。下型チェイス２ａには、第一下型インサート２ｂ１，第二下型インサート２ｂ２及び下型センターインサート２ｃが支持されている。下型センターインサート２ｃには、ポット孔（貫通孔）が形成された筒状のポット２ｄが組み付けられている（図１２では１つのポット２ｄが描かれているが、紙面に垂直方向に複数本存在してもよい。）。ポット２ｄ内にはプランジャ５ａが挿入されており、プランジャ５ａはトランスアファ機構５により昇降移動するようになっている。プランジャ５ａは、例えばトランスファ機構５に備えたコイルばねによりフローティング支持されている。尚プランジャ５ａは、コイルばねによる支持に替えて油圧均等圧回路により支持されていてもよい。
【００４７】
また、第一下型インサート２ｂ１にはワークＷが載置される。第二下型インサート２ｂ２及び下型センターインサート２ｃの上端面は第一下型インサート２ｂ１より高く形成されており、第一下型インサート２ｂ１の上面にワークＷが搭載される。ワークＷは、第一下型インサート２ｂ１に載置されると吸着保持されるようになっていてもよい。また、ポット２ｄの上端部には、フランジ状のワーク押さえ部２ｄ１が形成されており、円形状のワークＷを押さえて第一下型インサート２ｂ１の上面で位置決めするようになっている。ワーク押さえ部２ｄ１は、樹脂路（下型ランナゲート）を兼用してもよい。尚、ワークＷは、下型インサート２ｂ上に載置されたままクランプ爪等により位置決めされるようにしてもよい。下型チェイス２ａには、シール材２ｆが設けられている。シール材２ｆは後述する上型チェイスとの間で挟み込まれて金型内に閉鎖空間が形成される。また下型チェイス２ａには、吸引路２ｇが設けられており、図示しない吸引機構に接続されている。型閉じ状態で、吸引機構を作動することで金型内に減圧空間が形成されるようになっている。
【００４８】
次に上型３の構成について説明する。図１２において、図示しない上型ベースには、上型チェイス３ａが設けられている。上型チェイス３ａには、上型クランパ３ｂが第三コイルばね３ｃ（第三付勢手段）により吊り下げ支持されている。上型クランパ３ｂは、下型２の第一下型インサート２ｂ１に載置されたワークＷ（基板Ｋの外周）及び第二下型インサート２ｂ２の上面をクランプする。上型クランパ３ｂのキャビティ凹部４を形成する固定キャビティ駒３ｓの下面部は、モールド樹脂Ｒを加圧する加圧キャビティ部３ｂ２であり、加圧キャビティ部３ｂ２の外側はクランパ内キャビティ凹部３ｂ１である。クランパ内キャビティ凹部３ｂ１には図示しないオーバーフローキャビティを形成しても良い。
【００４９】
図１１Ａに示すように上型クランパ３ｂのキャビティ底部に対応する部分には貫通孔３ｄが設けられている。貫通孔３ｄ内には、型閉じ状態でチップ表面に常時押し当てられるチップ押さえ駒３ｅと、チップ押さえ駒３ｅの周囲に上型キャビティ駒３ｆが相対移動可能に挿入されている。チップ押さえ駒３ｅはチップＴに対向して各々配置されている。これら、上型クランパ３ｂ、チップ押さえ駒３ｅ及び上型キャビティ駒３ｆとでキャビティ凹部４が形成されている。尚、図１１Ａではチップ押さえ駒３ｅを囲むエリアがすべて上型キャビティ駒３ｆとなっているが、図１１Ｂに示すように、チップ押さえ駒３ｅに対して相対移動可能な上型キャビティ駒３ｆはランナゲート側の少なくとも樹脂流動に必要な一部に設けられ、他は固定キャビティ駒３ｓの加圧キャビティ部３ｂ２となっていてもよい。これら、上型クランパ３ｂ、チップ押さえ駒３ｅ及び上型キャビティ駒３ｆと加圧キャビティ部３ｂ２とでキャビティ凹部４が形成されている。
【００５０】
図１２において、上型チェイス３ａの底面には、固定キャビティ駒３ｓが支持固定されている。固定キャビティ駒３ｓには第一吊り下げピン３ｊ１が貫通孔に挿入されており、ピン下端部にはチップ押さえ駒３ｅが固定キャビティ駒３ｓの下面側に吊り下げ支持されている。また、第一吊り下げピン３ｊ１の上端部と上型チェイス３ａの底面との間には第一コイルばね３ｋ（第一付勢手段）が弾発して設けられている。
同様に固定キャビティ駒３ｓには第二吊り下げピン３ｊ２が貫通孔に挿入されており、ピン下端部には上型キャビティ駒３ｆが固定キャビティ駒３ｓの下面側に吊り下げ支持されている。図１２では、上型キャビティ駒３ｆはキャビティ凹部４内にモールド樹脂Ｒが最初に流れるゲート側の一部のみを図示しており、チップ押さえ駒３ｅまでの上型キャビティ駒３ｆの一部だけを図示している。また、第二吊り下げピン３ｊ２の上端部と上型チェイス３ａの底面との間には第二コイルばね３ｈ（第二付勢手段）が弾発して設けられている。
【００５１】
よって、上型キャビティ駒３ｆは、固定キャビティ駒３ｓの底面（第一ストッパー３ｍ）より離間して吊り下げ支持されている。また、チップ押さえ駒３ｅは、固定キャビティ駒３ｓの下端面（第二ストッパー３ｎ）より離間して吊り下げ支持されている。上型キャビティ駒３ｆの可動範囲は、チップ押さえ駒３ｅの可動範囲に比べて広くなっている。即ち、上型キャビティ駒３ｆが第一ストッパー３ｍに規制される可動範囲が、チップ押さえ駒３ｅが第二ストッパー３ｎに規制される可動範囲より広くなっている。
【００５２】
このように、型閉じにおけるチップ押さえ駒３ｅの押圧力の強まりを第一コイルばね３ｋの撓みにより吸収するので、ワークＷに対して過度の機械的なストレスが作用することはない。さらにフィルムＦを介してチップＴをクランプするため、機械的なストレスが少ない。
また、上型キャビティ駒３ｆは樹脂圧が作用すると第二コイルばね３ｈが撓んで樹脂圧を吸収することでチップ押さえ駒３ｅに対する相対位置が変化するので、キャビティ容積を可変とすることができる。
よって、上型キャビティ駒３ｆがキャビティ容積を拡大させた状態でモールド樹脂Ｒをキャビティ凹部４内に受け入れ、上型キャビティ駒３ｆが第一ストッパー３ｍにより可動位置が規制されると更なる型閉じ動作によりチップ押さえ駒３ｅに対して下方に相対移動してキャビティ容積を縮小させて通常のトランスファ成形に比べて高い樹脂圧を作用させて加圧成形することができる。
【００５３】
図１２において、上型クランパ３ｂの外壁面と上型チェイス３ａの内壁面との間にはシール材３ｐが設けられている。また上型チェイス３ａには、吸引路３ｔが設けられており、図示しない吸引機構に接続されている。型閉じ状態で、吸引機構を作動することでモールド金型１内に減圧空間が形成されるようになっている。また、上型クランパ３ｂのクランプ面には、下型センターインサート２ｃに対する位置に、上型カル３ｑ及び上型ランナゲート３ｒ（樹脂路）が彫り込まれている。上型ランナゲート３ｒの先端部は、上型キャビティ駒３ｆの外周部に接続されている。キャビティ凹部４及びこれに接続する樹脂路を含む上型クランプ面には、フィルムＦが吸着保持されている。フィルムＦは長尺状に連なるフィルムであっても、短冊状に切断されたフィルムであってもいずれでもよいのは第一実施例と同様である。
【００５４】
次に、ワークＷを用いた樹脂モールド動作について図１２乃至図１７に基づいて説明する。
図１２は、モールド金型１を型開きした状態を示す。上型３の上型クランプ面にはフィルムＦが吸着保持されている。ワークＷは第一下型インサート２ｂ１の上面に位置決めされて支持される。図１３に示すように、ワークＷは下型センターインサート２ｃと第二下型インサート２ｂ２に外周縁部を囲まれた状態で第一下型インサート２ｂ１の上面に載置され、ポット２ｄのワーク押さえ部２ｄ１をワークＷ（基板Ｋ）の上面に重ね合わせることにより位置決めされる。また、ポット２ｄ内には固形樹脂（モールド樹脂Ｒ：樹脂タブレット）が供給される。ワークＷ及びモールド樹脂Ｒは、図示しないローダー等により同時に搬入してもよいし、個別に搬入してもよい。また、上型キャビティ駒３ｆ及びチップ押さえ駒３ｅは、可動範囲の下端位置に吊り下げ支持された状態にある。このとき、上型チェイス３ａの吸引路３ｔ及び下型チェイス２ａの吸引路２ｇより吸引動作を開始してもよい。
【００５５】
図１４はモールド金型１の型閉じ動作が進行し、上型３に対して下型２が上動し、上型チェイス３ａと下型チェイス２ａとでシール材２ｆをクランプした状態を示す。図示しない吸引機構により吸引動作により閉鎖空間が形成されたモールド金型１内に吸引路２ｇ，３ｔより各々エア吸引を行って減圧空間が形成される。また、型閉じ動作の進行と共にチップ押さえ駒３ｅがフィルムＦを介してチップＴの表面に押し当てられる。
【００５６】
また、下型２が更に上動し型閉じが進むと、上型クランパ３ｂがフィルムＦを介してワークＷ（基板Ｋ外周）及び下型クランプ面（第一下型インサート２ｂ１及び第二下型インサート２ｂ２）と当接してクランプする。また、チップ押さえ駒３ｅはチップＴに対する押圧力が強まるが、第一コイルばね３ｋが撓むためチップＴに過度のストレスが作用することはない。これにともない、図１４に示すように、上型キャビティ駒３ｆの下端部の高さがチップＴの端子（はんだバンプ）の高さ位置まで相対的に下がる。
【００５７】
この状態で、トランスファ機構５が作動してプランジャ５ａが上昇し、ポット２ｄ内で溶融したモールド樹脂Ｒを上型カル３ｑ及び上型ランナゲート３ｒ及びワーク押さえ部２ｄ１との間の樹脂路を通じてキャビティ凹部４内に圧送りする。このとき、モールド樹脂Ｒは、上型キャビティ駒３ｆの下端部の高さがチップＴの端子（はんだバンプ）の高さ位置（第一位置）にあるため、チップの有無に係わらずゲート側より順次注入される。図１４は未だキャビティ凹部４に未充填の状態を示す。尚、下型２の上動は一旦停止しているが、継続して上昇しても良い。
【００５８】
次に図１５に示すように、トランスファ機構５によるトランスファ動作が完了し、キャビティ凹部４内がモールド樹脂Ｒで満たされるため、トランスファ動作により樹脂圧が高まり、上型キャビティ駒３ｆが樹脂圧により第二コイルばね３ｈの付勢に抗して上方に押し戻される。そして、上型キャビティ駒３ｆが第一ストッパー３ｍ（固定キャビティ駒３ｓの底面）に当接する位置（第二位置）まで押し戻され、本図ではチップＴの上面より上に位置しても良い実施例を示している。図１６に示すように下型２の更なる上動により上型キャビティ駒３ｆ及び固定キャビティ駒３ｓの加圧キャビティ部３ｂ２がチップ押さえ駒３ｅに対して相対的に下方に移動してモールド樹脂Ｒを押圧する。このとき、キャビティ容積の縮小により溢れ出したモールド樹脂Ｒは、樹脂路（上型ランナゲート３ｒ及びワーク押さえ部２ｄ１、上型カル３ｑ）を介してプランジャ５ａを押し下げてポット２ｄ内に戻される。或いはキャビティ容積の縮小によりモールド樹脂Ｒは上型クランパ３ｂに設けられたオーバーフローキャビティへ溢れ出すようにしてもよい。実施例１では最終的にバンプの高さに樹脂厚が成形されたが、実施例２ではチップＴの表面まで樹脂厚が成形される例である。図１７は他の実施例で、実施例１と同様に、キャビティ凹部４内のチップ押さえ駒３ｅ以外はすべて上型キャビティ駒３ｆの実施例である。
【００５９】
これにより、チップＴ間の狭い隙間に対しても樹脂圧を高めて充填性を向上させることができる。このとき、チップ押さえ駒３ｅによるチップＴに対する押圧力が強まるが、第一コイルばね３ｋが撓むためチップＴに過度のストレスが作用することはない。上型キャビティ駒３ｆの下端面の高さは、チップＴの端子（はんだバンプ）の高さ位置（第一位置）でもよいし、チップ表面でもよい。この状態で、下型２の上動は停止し、樹脂圧を維持したままモールド樹脂Ｒを加熱硬化及び保圧させる。
尚、チップ押さえ駒３ｅは第二ストッパー３ｎに突き当たることがないので、チップＴに作用する押圧力の強まりは、第一コイルばね３ｋの撓みにより吸収される。また、上型クランパ３ｂを吊り下げ支持する第三コイルばね３ｃは、下型２とクランプしたときから下型２が上動し続ける間は押し縮められて撓み続ける。
【００６０】
モールド動作が完了すると、モールド金型１を型開きして、上型３のクランプ面に吸着保持されたフィルムＦを剥がして交換する。また、ワークＷ及び不要樹脂は、下型２のクランプ面に残存しているため、図示しないアンローダー等により搬出される。
【００６１】
以上説明したように、上型３と下型２とでワークWをクランプすると、チップ押さえ駒３ｅがチップ表面に常時押し当てられるので、トランスファ機構５を作動させて溶融したモールド樹脂Ｒをキャビティ内に充填してもチップＴの表面を確実に露出させて成形することができる。
また、モールド金型１の型閉じ動作を行いチップ表面に押し当てられたチップ押さえ駒３ｅに対し、上型キャビティ駒３ｆをキャビティ容積を縮小させた第一位置からトランスファ機構５の作動に伴ってキャビティ容積を拡大させた第二位置へ相対移動させてランナゲートからその周囲の隙間へ向かってモールド樹脂Ｒの充填を促しながらキャビティ凹部４内に充填することができる。
また、上型キャビティ駒３ｆの相対移動が規制され更なる型閉じ動作により当該上型キャビティ駒３ｆを再度キャビティ容積を縮小させた第一位置へ相対移動させることでモールド樹脂Ｒを加圧成形するので、トランスファ成形以上に樹脂圧を高めて加圧成形でき、ボイドを可及的に減らしてチップＴ間の隙間やチップＴと基板Ｋの隙間等樹脂が充填し難い領域まで充填することができる。特に、チップ押さえ駒３ｅ以外のキャビティ容積を縮小することで最終的にアンダーフィルモールドと同じ高さにすることができるため、モールド樹脂Ｒの充填性を向上しつつ使用樹脂量を減らすこともできる。
【００６２】
上述した実施例では、トランスファ機構５は、下型２に設けられていたが、上型３に設けられていてもよい。またキャビティ凹部４は上型３に設けられていたが下型２に設けられていてもよい。
【符号の説明】
【００６３】
Ｗ  ワーク  Ｔ  チップ  Ｋ  基板  Ｒ  モールド樹脂  Ｆ  フィルム１  モールド金型  ２  下型  ２ａ  下型チェイス  ２ｂ  下型インサート  ２ｂ１  第一下型インサート  ２ｂ２  第二下型インサート  ２ｃ  下型センターインサート  ２ｄ  ポット    ２ｄ１  ワーク押さえ部  ２ｅ  ワーク載置部  ２ｆ，３ｐ  シール材  ２ｇ，３ｔ  吸引路  ３  上型  ３ａ  上型チェイス  ３ｂ  上型クランパ  ３ｂ１  クランパ内キャビティ凹部  ３ｂ２  加圧キャビティ部  ３ｃ  第三コイルばね  ３ｄ  貫通孔  ３ｅ  チップ押さえ駒  ３ｆ  上型キャビティ駒  ３ｆ１  固定キャビティ駒  ３ｆ２  可動キャビティ駒  ３ｇ  支持板  ３ｈ  第二コイルばね  ３ｉ  支持ブロック  ３ｊ  吊り下げピン  ３ｊ１  第一吊り下げピン  ３ｊ２    第二吊り下げピン  ３ｋ  第一コイルばね  ３ｍ  第一ストッパー  ３ｎ  第二ストッパー  ３ｑ  上型カル  ３ｒ  上型ランナゲート  ３ｓ  固定キャビティ駒  ４  キャビティ凹部  ５  トランスファ機構  ５ａ  プランジャ  
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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