(57)【要約】【課題】環境や人体への悪影響を従来よりも低減でき、経済的に効率よく樹脂成型品を製造可能な樹脂成型品のめっき処理方法及びめっき処理された樹脂成型品を提供する。【解決手段】樹脂成型品１０のめっき処理方法は、樹脂製の成型部材１１の表面を粗面化処理することなくスパッタリングして、成型部材１１の表面に導電化膜１２を形成した後、この導電化膜１２の表面に電気めっき層１３を形成する。めっき処理された樹脂成型品１０は、表面が平滑状態となった樹脂製の成型部材１１と、成型部材１１の表面に直接形成された導電化膜１２と、導電化膜１２の表面に直接形成された電気めっき層１３とを有する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂製の成型部材の表面を粗面化処理することなくスパッタリングして、前記成型部材の表面に導電化膜を形成した後、該導電化膜の表面に電気めっき層を形成することを特徴とする樹脂成型品のめっき処理方法。
【請求項２】
請求項１記載の樹脂成型品のめっき処理方法において、前記導電化膜は、Ｎｉ、Ｎｉ合金、Ｃｕ、又は、Ｃｕ合金であることを特徴とする樹脂成型品のめっき処理方法。
【請求項３】
請求項１又は２記載の樹脂成型品のめっき処理方法において、前記導電化膜の厚みを０．００１〜１０μｍの範囲内にすることを特徴とする樹脂成型品のめっき処理方法。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の樹脂成型品のめっき処理方法において、前記電気めっき層は、Ｎｉ層とＣｒ層からなり、前記導電化膜の表面に前記Ｎｉ層と前記Ｃｒ層を順次形成することを特徴とする樹脂成型品のめっき処理方法。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の樹脂成型品のめっき処理方法において、前記電気めっき層の厚みを５〜５０μｍの範囲内にすることを特徴とする樹脂成型品のめっき処理方法。
【請求項６】
表面が平滑状態となった樹脂製の成型部材と、該成型部材の表面に直接形成された導電化膜と、該導電化膜の表面に直接形成された電気めっき層とを有することを特徴とするめっき処理された樹脂成型品。
【請求項７】
請求項６記載のめっき処理された樹脂成型品において、前記導電化膜は、Ｎｉ、Ｎｉ合金、Ｃｕ、又は、Ｃｕ合金であることを特徴とするめっき処理された樹脂成型品。
【請求項８】
請求項６又は７記載のめっき処理された樹脂成型品において、前記導電化膜の厚みが０．００１〜１０μｍの範囲内にあることを特徴とするめっき処理された樹脂成型品。
【請求項９】
請求項６〜８のいずれか１項に記載のめっき処理された樹脂成型品において、前記電気めっき層は、前記導電化膜の表面に形成されたＮｉ層と、該Ｎｉ層の表面に形成されたＣｒ層からなることを特徴とするめっき処理された樹脂成型品。
【請求項１０】
請求項６〜９のいずれか１項に記載のめっき処理された樹脂成型品において、前記電気めっき層の厚みが５〜５０μｍの範囲内にあることを特徴とするめっき処理された樹脂成型品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば、自動車部品や家電製品等に用いられる樹脂成型品のめっき処理方法及びめっき処理された樹脂成型品に関する。
【背景技術】
【０００２】
樹脂めっき表面の金属成膜方法には、下記の２点が技術的問題点として挙げられる。
その第一は、大部分の樹脂が導電性を有しないため、電気めっきを施すには導電性を付与する必要がある。
具体的な対策法として、現行の製造法ではＮｉ化学めっき法を用いている。この方法により、樹脂表面に極薄いＮｉ膜が形成され、導電性が付与されて、その後の電気めっきが可能となる。
今ひとつの問題点は、樹脂の熱膨張係数が金属のそれに対して、大であることである。熱膨張係数が大である樹脂表面に熱膨張係数が少である金属、例えばＮｉやＣｒをめっきすると、樹脂と金属めっき層の境界において、境界の樹脂側では圧縮応力が、境界の金属側では引っ張り応力が起因する内部応力により、金属めっき層の剥離や亀裂発生のような品質問題が発生することとなる。
その対策として、樹脂および金属層（Ｎｉ化学めっき及び電気めっき層を含む）の界面での密着性を高める処理を施す。密着力を増す方法は樹脂を、高濃度のクロム酸（６価クロム）と硫酸の混酸を用いて選択的に溶解する。
樹脂表面を不均一に溶解除去することにより、微細な凹凸を形成する粗面化が施される。より具体的には、現状の樹脂めっきには樹脂材として、主にＡＢＳ樹脂を用いる。ＡＢＳ樹脂はブタジエンが樹脂中で微細に分散する不均一相を呈する樹脂であり、ブタジエンをクロム酸混酸により選択的に溶出することにより、樹脂表面は微細な凹凸が無数に形成されることとなる。
【０００３】
続くＮｉ化学めっき工程において、Ｎｉ層が粗面化された樹脂の凹部まで隙間無く入り込むことにより、アンカー効果となって、金属層の密着性を高める効果が得られる。この選択的エッチングを行うには、機材として用いられる樹脂材種が自ずと限られ、現状では主に、ＡＢＳ樹脂が用いられている。通常のエッチング工程及び導電化工程は、下記の工程で進められる。まず、エッチング工程は、エッチング工程及びエッチング中和工程から成り、樹脂表面の粗面化を施す。続くＮｉ化学めっき工程は、触媒付与工程及び導電化工程（無電解めっき等）から成る。
次工程として、電気めっきを施し、そのめっき内容は樹脂に近い側から順にＣｕ、Ｎｉ、Ｃｒめっきを施す。
Ｃｕめっきを施す主な理由は、樹脂と金属間の熱膨張係数の差から生じる内部応力をＣｕの柔軟性（塑性変形能）により、緩和する手段を用いている。
この樹脂めっきの基本である樹脂エッチング工程は、現在でも高濃度のクロム酸（６価クロム）と硫酸の混酸が使用されている。
このクロム酸を使ったエッチング工程はその廃液処理だけではなく、処理工程中の作業にも人体に悪影響を及ぼすおそれがある。
更に、金属膜の密着性を高める目的で選択エッチングを施すが、選択エッチングに適合する樹脂はＡＢＳ樹脂のように不均一相から成る樹脂である必要があるため、樹脂めっきに用いられる樹脂の材種は自ずと限られることとなる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−３１５５５号公報
【特許文献２】特開２００７−３９７７０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
現在は、このクロム酸を使ったエッチング処理工程を廃止すべく、様々な技術が提案されている。
クロム酸を使ったエッチング処理工程を、樹脂めっき成膜方法から除いためっき前処理技術としては、例えば、特許文献１に示すように、導電化と密着性を示す金属膜をスパッタリングする方法が提案されている。
スパッタリングによる金属膜は樹脂との密着性に優れるうえ、クロム酸混酸のような湿式での処理を必要としないので、廃液処理が不要であるだけでなく、人体への悪影響を及ぼす問題も不要となる。スパッタリングによる金属膜が樹脂との密着性に優れる理由は技術的に明確に開示されていないが、真空中でＡｒ等のプラズマにより樹脂及び金属表面が活性化され、清浄化されるため、密着性が強くなるといわれている。また、プラズマで発生した電荷粒子により、金属粒が加速され、高速で樹脂表面に衝突するためとも言われている。
このように、スパッタリング法による樹脂と金属の密着性は、従来のクロム酸混酸を用いたエッチング法に勝るとも劣らない導電化処理法であることが開示されている。
確かに、特許文献１には、樹脂との密着性に優れることが開示されており、有害なクロム酸混液に代わる導電化膜の形成方法として有用な技術開示である。しかしながら、後工程の電気めっきはＣｕめっき−Ｎｉめっき−Ｃｒめっきを順次行う方法をそのまま踏襲している。
また、特許文献２に示されたダイレクトめっき技術は、従来の樹脂めっき技術のうち、Ｃｕめっきのみを除いたプロセスである。この発想は従来法である、クロム酸混液による粗面化及びＮｉ化学めっき工程を用いることにより、十分な密着力が得られるため、続く電気めっき（Ｃｕ、Ｎｉ、及び、Ｃｒめっき）のうち、専ら応力緩和のためのＣｕめっきは省いても、金属めっき工程剥離や亀裂発生を生じることの無い品質が得られるとの提案である。
従って、クロム酸混液を用いる粗面化工程及びＮｉ化学めっきによる導電化処理工程は従来技術のままであり、後の電気めっき工程はＣｕめっきのみを省略したＮｉめっき−Ｃｒめっきからなる層で形成される旨の技術開示である。
【０００６】
本発明はかかる事情に鑑みてなされたもので、環境や人体への悪影響を従来よりも低減でき、経済的に効率よく樹脂成型品を製造可能な樹脂成型品のめっき処理方法及びめっき処理された樹脂成型品を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、スパッタリングによる導電化処理だけでなく、銅めっきの省略を同時に導入する点を見出してなされたものであり、その要旨は以下の通りである。
前記目的に沿う第１の発明に係る樹脂成型品のめっき処理方法は、樹脂製の成型部材の表面を粗面化処理することなくスパッタリングして、前記成型部材の表面に導電化膜を形成した後、該導電化膜の表面に電気めっき層を形成する。
【０００８】
第１の発明に係る樹脂成型品のめっき処理方法において、前記導電化膜は、Ｎｉ、Ｎｉ合金、Ｃｕ、又は、Ｃｕ合金であることが好ましい。
ここで、前記導電化膜の厚みを０．００１〜１０μｍの範囲内にするのがよい。
【０００９】
第１の発明に係る樹脂成型品のめっき処理方法において、前記電気めっき層は、Ｎｉ層とＣｒ層からなり、前記導電化膜の表面に前記Ｎｉ層と前記Ｃｒ層を順次形成することが好ましい。
ここで、前記電気めっき層の厚みを５〜５０μｍの範囲内にするのがよい。
【００１０】
前記目的に沿う第２の発明に係るめっき処理された樹脂成型品は、表面が平滑状態となった樹脂製の成型部材と、該成型部材の表面に直接形成された導電化膜と、該導電化膜の表面に直接形成された電気めっき層とを有する。
【００１１】
第２の発明に係るめっき処理された樹脂成型品において、前記導電化膜は、Ｎｉ、Ｎｉ合金、Ｃｕ、又は、Ｃｕ合金であることが好ましい。
ここで、前記導電化膜の厚みが０．００１〜１０μｍの範囲内にあるのがよい。
【００１２】
第２の発明に係るめっき処理された樹脂成型品において、前記電気めっき層は、前記導電化膜の表面に形成されたＮｉ層と、該Ｎｉ層の表面に形成されたＣｒ層からなることが好ましい。
ここで、前記電気めっき層の厚みが５〜５０μｍの範囲内にあるのがよい。
【発明の効果】
【００１３】
本発明に係る樹脂成型品のめっき処理方法及びめっき処理された樹脂成型品は、樹脂製の成型部材の表面を粗面化処理することなくスパッタリングして、成型部材の表面に導電化膜を形成するので、平滑状態の成型部材の表面に、導電化膜が形成されることになる。
ここで、導電化膜の形成に、クロム酸と硫酸の混酸のような化学薬品による湿式のエッチング工程を用いることなく、スパッタリングによる乾式の導電化付加技術を用いているため、平滑状態の成型部材の表面であっても、実用的に十分な密着性を得ることができる。
更には、クロム酸と硫酸の混酸による人体や環境に悪影響を及ぼすリスク回避ができるメリットを有する。そして、クロム酸と硫酸の混酸の使用後の廃液処理設備が不要となる利点も同時に生じる。
また、スパッタリングによる導電化付加技術を用いるので、ＡＢＳ樹脂に制限されることなく、所望の樹脂材種を用いることが可能となる。
そして、スパッタリングによる導電化処理は、樹脂との密着性が実用的に十分な強度を有することから、後工程の電気めっきにおいて、内部応力緩和に必要なＣｕめっきを省略することが可能となる。その効果として、Ｃｕの省資源化が可能となるばかりでなく、Ｃｕめっき工程を省くので、めっき設備のコスト低減が図れる。
従って、従来のような、応力緩和と密着性向上のための光沢Ｃｕめっき層の形成や、密着性向上のための成型部材表面の粗面化処理が不要となるため、樹脂成型品を、環境や人体への悪影響を従来よりも低減しながら、経済的に効率よく製造できる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の一実施の形態に係るめっき処理された樹脂成型品の断面図である。
【図２】（Ａ）は実施例に係るめっき処理された樹脂成型品の顕微鏡写真、（Ｂ）〜（Ｄ）はそれぞれ同樹脂成型品のＸ線分析の結果を示す写真である。
【図３】（Ａ）は従来例に係るめっき処理された樹脂成型品の顕微鏡写真、（Ｂ）〜（Ｅ）はそれぞれ同樹脂成型品のＸ線分析の結果を示す写真である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
続いて、添付した図面を参照しつつ、本発明を具体化した実施の形態につき説明し、本発明の理解に供する。
図１に示すように、本発明の一実施の形態に係るめっき処理された樹脂成型品（以下、単に樹脂成型品ともいう）１０は、成型部材１１と、この成型部材１１の表面に形成された導電化膜１２と、この導電化膜１２の表面に形成された電気めっき層１３とを有している。以下、詳しく説明する。
【００１６】
樹脂成型品１０は、例えば、自動車部品（フロントグリル等）や家電製品等に用いられる製品（完成品）であり、この樹脂成型品１０と略同一形状（製品と略同一形状）の成型部材１１を有している。
成型部材１１は、例えば、ＡＢＳ（アクリロニトリルブタジエンスチレン）、ＰＣ（ポリカーボネート）、ＰＳ（ポリスチレン）等の樹脂（プラスチック）製のものであり、その樹脂の種類は、樹脂成型品１０の使用場所に応じて種々選択される。
【００１７】
成型部材１１の表面は、平滑状態となっている。
ここで、平滑状態とは、従来行われていた粗面化処理が施されていない状態を意味し、例えば、成型部材の製造時の状態（射出成型されたままの状態等）を意味している。
このため、従来、粗面化処理を行うために用いられていた、例えば、高濃度のクロム酸と硫酸の混酸等の化学薬品を使用する必要がなくなるため、廃液処理の問題がなく、作業者（人体）への悪影響もなくなる。
【００１８】
成型部材１１の表面には、導電化膜１２が直接形成されている。
導電化膜１２は、スパッタリング（乾式めっき法（真空めっき））により形成される。この導電化膜１２を形成するスパッタリングの方式は、特に限定されるものではなく、例えば、２極、３極、４極、ＲＦ（高周波）、マグネトロン、対向ターゲット、ミラートロン、ＥＣＲ（電子サイクロトロン共鳴）、ＰＥＭＳ（プラズマ促進マグネトロン）、イオンビーム、デュアルイオンビーム等がある。
【００１９】
このスパッタリングの方法について、以下簡単に説明する。
真空チャンバー内に、薄膜（導電化膜１２）としてつけたい金属からなるターゲットと基板（ここでは、成型部材１１）を設置し、このターゲットに、高電圧をかけてイオン化させた希ガス元素（通常はＡｒ（アルゴン）を用いる）や窒素（通常は空気由来）を衝突させる。
これにより、ターゲット表面の原子がはじき飛ばされ、基板に到達して成膜させる（導電化膜１２を形成する）ことができる（乾式導電化法）。 
【００２０】
上記した導電化膜１２は、後述する電気めっき層１３を形成するための膜である。
従って、導電化膜１２は、その表面に電気めっき法で成膜する電気めっき層１３とのめっき密着性を確保するための酸処理や希薄な酸化剤によるソフトエッチング、もしくは、電解活性化処理に耐え得る金属膜である必要がある。
このため、導電化膜１２の厚みを０．００１〜１０μｍ（下限を０．０５μｍ、更には０．１μｍ、上限を５μｍ、更には２μｍ）の範囲内にすることが好ましい。
【００２１】
また、導電化膜１２の材質は、成型部材１１との密着性が良好であり、更に、導電化膜１２の表面に形成される電気めっき層１３の前処理（後述する活性化処理）が簡単で密着性も高くできる金属であれば、特に限定されるものではないが、Ｎｉ（ニッケル）やＮｉ合金であることが好ましく、また、Ｃｕ（銅）やＣｕ合金を使用することもできる。
即ち、スパッタリングに用いるターゲットが、Ｎｉ製、Ｎｉ合金製、Ｃｕ製、又は、Ｃｕ合金製である。
【００２２】
ここで、上記したＮｉとは、工業的に電気めっき可能な純Ｎｉ、あるいは、電気めっきに用いられる微量の不純物（Ｓ（硫黄）等）を含むＮｉ合金である。
また、上記したＮｉ合金とは、Ｎｉ基超合金やＮｉ含有のステンレス鋼等である。
そして、上記したＣｕとは、例えば、純Ｃｕであり、上記したＣｕ合金とは、Ｃｕ−Ｚｎ等である。
【００２３】
上記した導電化膜１２の形成に際しては、スパッタリングを１回のみ行って（導電化膜を１層のみで構成して）いるが、これに限定されるものではなく、例えば、必要に応じて、スパッタリングを２回以上の複数回行って（導電化膜を２層以上の複数層で構成して）もよい。
以上に示したように、スパッタリングにより、導電化膜１２を成型部材１１の表面に直接形成することで、成型部材１１に対する導電化膜１２の十分な密着強度が得られる。
【００２４】
導電化膜１２の表面には、電気めっき層１３が直接形成されている。
電気めっき層１３は、樹脂成型品１０の使用用途に応じて種々選択できるが（従来のＣｕめっき層は含まない）、通常は、Ｎｉ層１４とＣｒ層１５からなり、導電化膜１２の表面にＮｉ層１４が形成され、このＮｉ層１４の表面にＣｒ層１５が形成されている。
ここで、Ｎｉ層１４は、例えば、ストライクＮｉめっき、半光沢Ｎｉめっき、光沢Ｎｉめっき、マイクロポーラスＮｉ（ＭＰ−Ｎｉ）めっきを順次行うことで形成できる。
【００２５】
なお、電気めっき層１３の厚みは、得に限定されるものではないが、例えば、樹脂成型品１０の製品品質の観点から、５〜５０μｍの範囲内にあることが好ましい。
ここで、電気めっき層１３が、例えば、Ｎｉ層１４とＣｒ層１５からなる場合、Ｎｉ層１４の厚みは５〜４０μｍの範囲に収めることが望ましく、また、Ｃｒ層１５の厚みは０．０５〜１μｍの範囲に収めることが望ましい。
【００２６】
続いて、本発明の一実施の形態に係る樹脂成型品のめっき処理方法について、図１を参照しながら説明する。
【００２７】
（準備工程）
まず、成型部材１１を準備する。
この成型部材１１は、製品である樹脂成型品１０と略同一形状のものであり、例えば、射出成型等により製造できる。
【００２８】
（導電化膜成膜工程）
この工程では、以下の方法により、成型部材１１の表面に導電化膜１２を形成する導電化処理を行う。
まず、スパッタリング装置の真空チャンバー内に、成型部材１１と、成膜したい金属からなるターゲットを入れる。なお、成型部材１１の表面には、従来のような粗面化処理が施されていない。また、ターゲットには、形成する導電化膜１２の材質に応じて、Ｎｉ、Ｎｉ合金、Ｃｕ、又は、Ｃｕ合金を使用することが好ましい。
【００２９】
そして、真空装置により、例えば、真空チャンバー内の雰囲気を（１〜８）×１０−３Ｐａ程度の高真空状態とした後、プラズマ形成用のＡｒを導入し、（１〜８）×１０−１Ｐａ程度の真空雰囲気でスパッタリングする。
これにより、成型部材１１の表面に直接、導電化膜１２が形成される。なお、導電化膜１２の厚みは、０．００１〜１０μｍ（下限を０．０５μｍ、更には０．１μｍ、上限を５μｍ、更には２μｍ）の範囲内にすることが好ましい。
【００３０】
上記したように、成型部材１１の表面を粗面化処理することなくスパッタリングして、成型部材１１の表面に導電化膜１２を形成しているので、従来行っていた工程、即ち、エッチング処理工程、エッチング中和工程、触媒付与工程、及び、導電化工程が不要になる（従来の湿式導電化法を乾式導電化法へ変更）。
これにより、これら各工程で使用する薬品量の減少とラインの簡略化が可能となり、製造コストの低減が図れる。
【００３１】
（電気めっき工程）
この工程では、以下の方法により、導電化膜１２の表面に電気めっき層１３を形成する。
まず、真空チャンバー内を常圧状態とした後、導電化処理を施した導電化膜１２が形成された成型部材１１を、真空チャンバー内から取り出す。
そして、導電化膜１２が形成された成型部材１１を活性化処理して、導電化膜１２を活性化させる。
【００３２】
上記した活性化処理とは、導電化膜１２と電気めっき層１３との密着性を確保させるための処理である。
この処理方法としては、例えば、導電化膜１２がＮｉで構成されている場合、導電化膜１２が形成された成型部材１１を、１０ｖｏｌ％の硫酸水溶液に数分間（ここでは１分間）浸漬させる方法等がある。
【００３３】
そして、活性化処理された導電化膜１２の表面に、半光沢Ｎｉめっき、光沢Ｎｉめっき、マイクロポーラスＮｉめっき、及び、Ｃｒめっきを順次施すことで、導電化膜１２の表面に直接、Ｎｉ層１４とＣｒ層１５からなる電気めっき層１３が形成される。
ここで、電気めっき層１３の厚みは、５〜５０μｍの範囲内にすることが好ましい。
これにより、従来行われていた銅めっき処理が不要となり、銅めっきに使用する薬品量の減少と処理の短時間化が可能となり、製造コストを低減できる。
【００３４】
以上の方法で得られた樹脂成型品１０に、必要に応じて後処理を施し、製品として使用する。
従って、樹脂成型品１０を、環境や人体への悪影響を従来よりも低減でき、経済的に効率よく製造できる。
【実施例】
【００３５】
次に、本発明の作用効果を確認するために行った実施例について説明する。
ここでは、スパッタリングによる導電化膜成膜工程を経てめっき処理した樹脂成型品（実施例）と、クロム酸エッチング後の化学ニッケルによる導電化工程を経てめっき処理した樹脂成型品（比較例）との比較を行った。
なお、スパッタリングは、神港精機（株）製のバッチタイプの高周波スパッタリング装置（型式：ＳＲＶ４３１１）を用いて行った。
【００３６】
実施例と比較例の比較は、樹脂埋めされた樹脂成型品の断面を、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）とエネルギー分散型Ｘ線分析（ＥＤＸ）を用いて、それぞれ観察して行った。観察した結果を、図２（Ａ）〜（Ｄ）と図３（Ａ）〜（Ｅ）にそれぞれ示す。
この図２（Ａ）〜（Ｄ）は実施例の観察結果であり、図３（Ａ）〜（Ｅ）は比較例の観察結果である。また、図２（Ａ）と図３（Ａ）は、走査型電子顕微鏡の観察結果であり、図２（Ｂ）〜（Ｄ）と図３（Ｂ）〜（Ｅ）は、エネルギー分散型Ｘ線分析の結果である。なお、図２（Ｂ）〜（Ｄ）はそれぞれ、Ｃ、Ｎｉ、ＣｒのＸ線分析結果を示しており、図３（Ｂ）〜（Ｅ）はそれぞれ、Ｃ、Ｃｕ、Ｎｉ、ＣｒのＸ線分析結果を示している。
【００３７】
実施例の樹脂成型品は、図２（Ａ）〜（Ｄ）に示すように、成型部材の表面に、Ｎｉ層とＣｒ層が順次形成されている。なお、Ｎｉ層には、スパッタリングにより成型部材の表面に形成されたＮｉの導電化膜も含まれている。
一方、比較例の樹脂成型品は、図３（Ａ）〜（Ｅ）に示すように、成型部材の表面に、Ｎｉ層、Ｃｕ層、Ｎｉ層、及び、Ｃｒ層が順次形成されている。
【００３８】
上記した実施例と比較例の樹脂成型品を用いて、サーマルサイクル試験を行った結果について説明する。
このサーマルサイクル試験は、−３０℃の環境下で１時間放置した後、７０℃の環境下で１時間放置する操作を１セットとし、２０セット繰り返すことで行った。なお、実施例の樹脂成型品は、スパッタリングにより形成されたＮｉの導電化膜の表面に形成したＮｉ層の厚みが８μｍ以上、Ｃｒ層の厚みが０．２μｍ以上である。
この試験を行った結果、実施例の樹脂成型品は、従来例の樹脂成型品と同程度の耐久性（金属めっき層の剥がれ抑制効果）が得られることを確認できた。
【００３９】
以上のことから、本発明の樹脂成型品のめっき処理方法及びめっき処理された樹脂成型品により、環境や人体への悪影響を従来よりも低減でき、経済的に効率よく樹脂成型品を製造できることを確認できた。
【００４０】
以上、本発明を、実施の形態を参照して説明してきたが、本発明は何ら上記した実施の形態に記載の構成に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載されている事項の範囲内で考えられるその他の実施の形態や変形例も含むものである。例えば、前記したそれぞれの実施の形態や変形例の一部又は全部を組合せて本発明の樹脂成型品のめっき処理方法及びめっき処理された樹脂成型品を構成する場合も本発明の権利範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００４１】
１０：めっき処理された樹脂成型品、１１：成型部材、１２：導電化膜、１３：電気めっき層、１４：Ｎｉ層、１５：Ｃｒ層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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