(57)【要約】【課題】  ９００℃程度で焼成でき、また高い透磁率および高いキュリー温度（Ｔｃ）を有するフェライト材料、及びそれを用いた電子部品を提供すること。【解決手段】  主成分と副成分とを有し、前記主成分が、酸化鉄をＦｅ２Ｏ３換算で４８．６５〜４９．４５モル％、酸化銅をＣｕＯ換算で２〜１６モル％、酸化亜鉛をＺｎＯ換算で２８．００〜３３．００モル％、残部が酸化ニッケルで構成され、前記副成分として、酸化ホウ素を、前記主成分１００重量部に対してＢ２Ｏ３換算で５〜１００ｐｐｍ含有し平均結晶粒径が２〜３０μｍである、フェライト焼結体。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
主成分と副成分とを有し、
前記主成分が、酸化鉄をＦｅ２Ｏ３換算で４８．６５〜４９．４５モル％、酸化銅をＣｕＯ換算で２〜１６モル％、酸化亜鉛をＺｎＯ換算で２８．００〜３３．００モル％、残部が酸化ニッケルで構成され、
前記副成分として、酸化ホウ素を、前記主成分１００重量部に対してＢ２Ｏ３換算で５〜１００ｐｐｍ含有し
平均結晶粒径が２〜３０μｍである、フェライト焼結体。
【請求項２】
前記副成分として、酸化ケイ素を、前記主成分１００重量部に対してＳｉＯ２換算で５〜５００ｐｐｍ含有する、請求項１に記載のフェライト焼結体。
【請求項３】
前記副成分として、酸化ジルコニウムを、前記主成分１００重量部に対してＺｒＯ２換算で５〜１１００ｐｐｍ含有する、請求項１または２に記載のフェライト焼結体。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれかに記載のフェライト焼結体を有する電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、積層型インダクタなどの製造に好適なフェライト焼結体と、該焼結体を有する電子部品とに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、自動運転技術および電気自動車の発展にともない、自動車の電装化が急激に進展している。自動車の電装化において、電子部品の低周波帯域でのノイズ対策が必須になっている。また、車載用電子部品は１００℃を超える環境温度に耐え得ることが求められる。このような背景から１００℃を超える環境温度に耐える積層型ノイズフィルターが求められている。
【０００３】
このようなノイズフィルターに適用できるフェライト材料は、透磁率およびキュリー温度が高いことが好ましい。また、このようなノイズフィルターに用いられるフェライト材料は、９００℃程度の低温で焼成可能であることが求められる。ノイズフィルターに用いられる積層型電子部品は、生産性および信頼性を高めるために、フェライト材料と内部電極とを同時に焼成して製造される。このとき、低温で焼成可能なフェライト材料を用いれば、内部電極として比較的融点の低い材料を用いることができる。
【０００４】
特許文献１では、組成を所定の範囲内にすることで高透磁率、高いキュリー温度を有するフェライト材料が開示されている。しかし、特許文献１では、１０００〜１２００℃という比較的高い焼成温度で粒成長させることで高透磁率の達成している。そのため、このようなフェライト材料を融点の低い内部電極と同時焼成すると、信頼性が低下するおそれがある。
【０００５】
特許文献２には、ガラスを含有することを特徴とした磁性フェライト材料が開示されている。また、焼成温度は８００〜９３０℃と開示されている。しかし、特許文献２の磁性フェライト材料は、ガラス由来のＮａ２Ｏを含有する。Ｎａ２Ｏは、焼成時の粒成長を抑制する。そのため、特許文献２のフェライト材料を車載用ノイズフィルターに用いた場合に、信頼性が低下するおそれがある。
【０００６】
特許文献３には、Ｎｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライト粉末とＺｎ−Ｂ系ガラス粉末とからなるフェライト粉体が開示されている。特許文献３には、このようなフェライト粉体の低周波帯域での透磁率が開示されているが、近年ではより高い性能が求められている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００４−３３８９９７号公報
【特許文献２】特許第３３４３８１３号
【特許文献３】特許第４７５３０１６号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、このような実状に鑑みてなされ、その目的は、９００℃程度で焼成でき、また高い透磁率および高いキュリー温度（Ｔｃ）を有するフェライト材料、及びそれを用いた電子部品を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するために、本発明に係るフェライト焼結体は、
主成分と副成分とを有し、
前記主成分が、酸化鉄をＦｅ２Ｏ３換算で４８．６５〜４９．４５モル％、酸化銅をＣｕＯ換算で２〜１６モル％、酸化亜鉛をＺｎＯ換算で２８．００〜３３．００モル％、残部が酸化ニッケルで構成され、
前記副成分として、酸化ホウ素を、前記主成分１００重量部に対してＢ２Ｏ３換算で５〜１００ｐｐｍ含有し、
平均結晶粒径が２〜３０μｍであることを特徴とする。
【００１０】
上記フェライト焼結体は、好ましくは、前記副成分として、酸化ケイ素を、前記主成分１００重量部に対してＳｉＯ２換算で５〜５００ｐｐｍ含有する。
【００１１】
上記フェライト焼結体は、好ましくは、前記副成分として、酸化ジルコニウムを、前記主成分１００重量部に対してＺｒＯ２換算で５〜１１００ｐｐｍ含有する。
【００１２】
本発明に係る電子部品は、上記のフェライト焼結体を有する。
【００１３】
なお、本発明に係るフェライト焼結体は、積層型インダクタ、積層型Ｌ―Ｃフィルタ、積層型コモンモードフィルタ、その他の積層工法による複合電子部品等に好適に用いられる。たとえばＬＣ複合電子部品、ＮＦＣコイル、積層型インピーダンス素子、積層型トランスにも本発明に係るフェライト焼結体が好適に使用される。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、９００℃程度で焼成でき、また高い透磁率および高いキュリー温度（Ｔｃ）を有するフェライト材料、及びそれを用いた電子部品を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】図１は本発明の一実施形態に係る積層型インダクタの断面図である。
【図２】図２は本発明の一実施形態に係るＬＣ複合電子部品の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明を図面に示す実施形態に基づき説明する。
まず、本発明に係る電子部品の一実施形態として、積層型インダクタについて説明する。図１に示すように、本発明の一実施形態に係る積層型インダクタ１は、素子２と端子電極３とを有する。素子２は、フェライト層４を介してコイル導体５が３次元的かつ螺旋状に形成されたグリーンの積層体を焼成して得られる。フェライト層４は、本発明の一実施形態に係るフェライト焼結体で構成してある。素子２の両端に端子電極３を形成し、引出電極５ａ、５ｂを介して端子電極３と接続することで積層型インダクタ１が得られる。素子２の形状に特に制限はないが、通常、直方体状とされる。また、その寸法にも特に制限はなく、用途に応じて適当な寸法とすればよい。
【００１７】
コイル導体５および引出電極５ａ、５ｂの材質としては、特に限定はなく、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｌ、Ｐｄ、Ｐｄ／Ａｇ合金などが用いられる。なお、Ｔｉ化合物、Ｚｒ化合物、Ｓｉ化合物などを添加しても良い。
【００１８】
本実施形態に係るフェライト焼結体は、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライトであり、主成分として、酸化鉄、酸化銅、酸化亜鉛および酸化ニッケルを含有する。
【００１９】
主成分１００モル％中、酸化鉄の含有量は、Ｆｅ２Ｏ３換算で４８．６５〜４９．４５モル％であり、好ましくは４９．００〜４９．４５モル％、より好ましくは４９．１０〜４９．３０モル％、さらに好ましくは４９．２５〜４９．３５モル％である。酸化鉄の含有量を上記範囲とすることで、高い透磁率を有するフェライト焼結体が得られる。また、酸化鉄の含有量が多すぎる場合は、焼結性が劣化し、特に低温焼結時の焼結密度が低下するとともに電気抵抗率が低下する傾向にある。酸化鉄の含有量が少なすぎる場合は、高い透磁率が得られないおそれがある。
【００２０】
主成分１００モル％中、酸化銅の含有量は、ＣｕＯ換算で２〜１６モル％であり、好ましくは４〜１４モル％、より好ましくは６〜１２モル％、さらに好ましくは８〜１０モル％である。酸化銅の含有量を上記範囲とすることで、９００℃程度で焼成可能なフェライト焼結体が得られる。酸化銅の含有量が少なすぎると、焼結性が低下し、特に低温焼結時の焼結密度が低下するおそれがある。
【００２１】
主成分１００モル％中、酸化亜鉛の含有量は、ＺｎＯ換算で２８．００〜３３．００モル％であり、好ましくは２８．５０〜３２．００モル％、より好ましくは２９．００〜３１．００モル％、さらに好ましくは２９．９０〜３０．２０モル％である。酸化亜鉛の含有量を上記範囲とすることで、高いキュリー温度（Ｔｃ）と高い透磁率を有するフェライト焼結体が得られる。酸化亜鉛の含有量が多いほど初透磁率が上昇する傾向にあり、初透磁率が高くなるほどインダクタに適する。しかし、酸化亜鉛の含有量が多すぎると、キュリー温度が低下する傾向にある。
【００２２】
主成分の残部は、酸化ニッケルから構成される。
【００２３】
本実施形態に係るフェライト焼結体は、上記の主成分に加え、副成分として酸化ホウ素を含有し、さらに酸化ケイ素および酸化ジルコニウム等の化合物を含有してもよい。
【００２４】
主成分１００重量部に対して、酸化ホウ素の含有量は、Ｂ２Ｏ３換算で５〜１００ｐｐｍであり、好ましくは５〜８５ｐｐｍ、より好ましくは５〜６０ｐｐｍ、さらに好ましくは１０〜５０ｐｐｍである。酸化ホウ素の含有量を上記範囲とすることで、高い透磁率を有するフェライト焼結体が得られる。酸化ホウ素の含有量が多すぎると、焼成時に粒成長が抑制されて透磁率が低下するおそれがある。
【００２５】
主成分１００重量部に対して、酸化ケイ素の含有量は、ＳｉＯ２換算で好ましくは５〜５００ｐｐｍであり、より好ましくは５〜３５０ｐｐｍ、さらに好ましくは５〜２００ｐｐｍである。酸化ケイ素の含有量を上記範囲とすることで、焼結性の良好なフェライト焼結体が得られる。ケイ素化合物の含有量が多すぎると、焼結性が劣化し、特に低温焼結時の焼結密度が低下するおそれがある。
【００２６】
主成分１００重量部に対して、酸化ジルコニウムの含有量は、ＺｒＯ２換算で好ましくは５〜１１００ｐｐｍであり、より好ましくは５〜９００ｐｐｍ、さらに好ましくは５〜７００ｐｐｍである。酸化ジルコニウムの含有量を上記範囲とすることで、焼結性が良好で、高い透磁率を有するフェライト焼結体が得られる。
【００２７】
本実施形態に係るフェライト焼結体では、主成分を構成する各成分の含有量が上記の範囲に制御されていることに加え、副成分として酸化ホウ素等の化合物が所定範囲内で含有されている。その結果、焼結温度を低下させることができ、同時焼成される内部導体として、たとえばＡｇなどの比較的低融点な金属を用いることができる。さらに、低温焼成によって得られるフェライト焼結体は、初透磁率が高く、キュリー温度Ｔｃが高い。
【００２８】
また、本実施形態に係るフェライト焼結体は、上記副成分とは別に、さらにＭｎ３Ｏ４などのマンガン酸化物、酸化錫、酸化マグネシウム、ガラス化合物などの付加的成分を本発明の効果を阻害しない範囲で含有してもよい。これらの付加的成分の含有量は、特に限定されないが、例えば０．０５〜１０重量％程度である。
【００２９】
さらに、本実施形態に係るフェライト組成物には、不可避的不純物元素あるいはその酸化物が含まれ得る。
【００３０】
具体的には、不可避的不純物元素としては、Ｃ、Ｓ、Ｃｌ、Ａｓ、Ｓｅ、Ｂｒ、Ｔｅ、Ｉや、Ｌｉ、Ｎａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｃａ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｓｒ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｂａ、Ｐｂ等の典型金属元素や、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｙ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｈｆ、Ｔａ等の遷移金属元素が挙げられる。また、不可避的不純物元素の酸化物は、フェライト組成物中に０．０５重量％以下程度であれば含有されてもよい。
【００３１】
特に、Ｎａは、多量に含まれると焼結時の粒成長を抑制し、透磁率が低下するおそれがある。そのため、Ｎａの含有量は、ＮａＯ換算で２００ｐｐｍ以下とすることが好ましい。
【００３２】
本実施形態に係るフェライト焼結体において、結晶粒子の平均結晶粒径は２〜３０μｍであり、好ましくは３〜２０μｍ、より好ましくは４〜１０μｍである。
なお、平均結晶粒径とは、所定数の結晶粒子の結晶粒径から算出された体積分布におけるメジアン径（Ｄ５０粒径、５０％粒径）のことである。具体的には、必要に応じて化学エッチングなどで適切に処理されたフェライト焼結体の切断面を、たとえば光学顕微鏡もしくはＳＥＭで観察して、所定数の結晶粒子の結晶粒径から体積分布が算出される。なお、各結晶粒子の粒径は、たとえば、各結晶粒子の面積に相当する円と仮定した円相当径（ヘイウッド径）として求めることができる。また、平均結晶粒径の測定を行う粒子の数は、通常１００個以上とする。
【００３３】
本実施形態に係るフェライト焼結体の密度は、好ましくは４．９０〜５．３０ｇ／ｃｍ３であり、より好ましくは５．００〜５．３０ｇ／ｃｍ３であり、さらに好ましくは５．１０〜５．３０ｇ／ｃｍ３である。
なお、フェライト焼結体の密度は、ディスク形状の成型体を９００℃で焼成して得られた焼結体の寸法および重量から算出する。
【００３４】
本実施形態に係るフェライト焼結体のキュリー温度Ｔｃは、好ましくは１００℃以上であり、より好ましくは１２５℃以上であり、さらに好ましくは１５０℃以上である。
なお、キュリー温度Ｔｃは、ＪＩＳ−Ｃ−２５６０−１、２に基づき測定する。
【００３５】
本実施形態に係るフェライト焼結体の比抵抗ρは、好ましくは１０６Ω・ｍ以上であり、より好ましくは１０７Ω・ｍ以上であり、好ましくは１０８Ω・ｍ以上である。
なお、比抵抗ρは、Ｉｎ−Ｇａ電極を付したフェライト焼結体の直流抵抗値を測定して求めることができる。比抵抗ρは、ＩＲメーターを用いて測定できる。
【００３６】
本実施形態に係るフェライト焼結体の周波数１００ｋＨｚにおける透磁率μ’は、好ましくは１０００以上であり、より好ましくは１１００以上であり、さらに好ましくは１２００以上である。
なお、透磁率μ’は、トロイダルコア形状のフェライト焼結体に銅線ワイヤを１０ターン巻きつけて測定する。透磁率μ’は、ＬＣＲメータを用いて測定できる。測定条件は、周波数１００ｋＨｚ、温度２５℃とする。
【００３７】
次に、本実施形態に係るフェライト焼結体の製造方法の一例を説明する。まず、出発原料（主成分の原料および副成分の原料）を、所定の組成比となるように秤量して混合し、原料混合物を得る。混合する方法としては、たとえば、ボールミルを用いて行う湿式混合や、乾式ミキサーを用いて行う乾式混合が挙げられる。なお、平均粒径が０．０５〜１．０μｍの出発原料を用いることが好ましい。
【００３８】
主成分の原料としては、酸化鉄（α−Ｆｅ２Ｏ３）、酸化銅（ＣｕＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）酸化ニッケル（ＮｉＯ）、あるいは複合酸化物などを用いることができる。さらに、その他、焼成により上記した酸化物や複合酸化物となる各種化合物等を用いることができる。焼成により上記した酸化物になるものとしては、たとえば、金属単体、炭酸塩、シュウ酸塩、硝酸塩、水酸化物、ハロゲン化物、有機金属化合物等が挙げられる。
【００３９】
副成分の原料としては、酸化ホウ素を含有する軟化点の低いガラスを用いることができる。このようなガラスとしては、Ｂ−Ｚｎ−Ｓｉ系ガラスを用いることができる。Ｂ−Ｚｎ−Ｓｉ系ガラスには、酸化ホウ素の他に、酸化亜鉛、酸化ケイ素、その他の微量成分が含まれてもよい。このようなガラスに含まれる成分の一部は、後述する仮焼き工程および焼成工程において失われることがある。
【００４０】
次に、原料混合物の仮焼きを行い、仮焼き材料を得る。仮焼きは、原料の熱分解、成分の均質化、フェライトの生成、焼結による超微粉の消失と適度の粒子サイズへの粒成長を起こさせ、原料混合物を後工程に適した形態に変換するために行われる。こうした仮焼きは、好ましくは５００〜９００℃の温度で、通常２〜１５時間程度行う。仮焼きは、通常、大気（空気）中で行うが、大気中よりも酸素分圧が低い雰囲気で行っても良い。なお、主成分の原料と副成分の原料との混合は、仮焼きの前に行なってもよく、仮焼き後に行なってもよい。
【００４１】
次に、仮焼き材料の粉砕を行い、粉砕材料を得る。粉砕は、仮焼き材料の凝集をくずして適度の焼結性を有する粉体とするために行われる。仮焼き材料が大きい塊を形成しているときには、粗粉砕を行ってからボールミルやアトライターなどを用いて湿式粉砕を行う。湿式粉砕は、粉砕材料の平均粒径が、好ましくは０．１〜１．０μｍ程度となるまで行う。
【００４２】
得られた粉砕材料を用いて、本実施形態に係る積層型インダクタを製造する。該積層型インダクタを製造する方法については制限されないが、以下では、シート法について説明する。
【００４３】
まず、得られた粉砕材料を、溶媒やバインダ等の添加剤とともにスラリー化し、ペーストを作製する。そして、このペーストを用いてグリーンシートを形成する。次いで、形成されたグリーンシートを所定の形状に加工し、脱バインダ工程、焼成工程を経て、例えば、図１に示すようなフェライト層４を介してコイル導体５が３次元的かつ螺旋状に形成された積層型インダクタ１が得られる。フェライト層４は、本発明の一実施形態に係るフェライト焼結体で構成される。焼成は、コイル導体５および引出電極５ａ，５ｂの融点以下の温度で行う。例えば、コイル導体５および引出電極５ａ，５ｂがＡｇ（融点９６２℃）の場合、好ましくは８５０〜９２０℃の温度で行う。焼成時間は、通常１〜５時間程度行う。また、焼成は、大気（空気）中で行ってもよく、大気中よりも酸素分圧が低い雰囲気で行っても良い。そして、素子２の両端に端子電極３を形成し、引出電極５ａ、５ｂを介して端子電極３と接続することで積層型インダクタ１が得られる。
【００４４】
以上、本発明の実施形態について説明してきたが、本発明はこうした実施形態に何等限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々なる態様で実施し得ることは勿論である。たとえば、図２に示すＬＣ複合電子部品１０におけるフェライト層４として、本発明のフェライト組成物を用いてもよい。なお、図２において、符号１２に示す部分がインダクタ部であり、符号１４に示す部分がコンデンサ部である。
【実施例】
【００４５】
以下、本発明を、さらに詳細な実施例に基づき説明するが、本発明は、これら実施例に限定されない。
【００４６】
まず、主成分の原料として、Ｆｅ２Ｏ３、ＮｉＯ、ＣｕＯ、ＺｎＯを準備した。副成分の原料として、Ｂ−Ｚｎ−Ｓｉ系ガラスを準備した。
【００４７】
次に、準備した主成分を、焼結体として表１に記載の組成になるように秤量した後、ボールミルで１６時間湿式混合して原料混合物を得た。
【００４８】
次に、得られた原料混合物を乾燥した後に、空気中において５００℃〜９００℃で仮焼して仮焼き粉とした。仮焼き粉および副成分の原料粉末を鋼鉄製ボールミルで７２時間湿式粉砕して粉砕粉を得た。
【００４９】
次に、この粉砕粉を乾燥した後、粉砕粉１００重量部に、バインダとしての６ｗｔ％濃度のポリビニルアルコール水溶液を１０．０重量部添加して造粒して顆粒とした。この顆粒を、加圧成形して、成形密度３．２０Ｍｇ／ｍ３となるようにトロイダル形状（寸法＝外径１３ｍｍ×内径６ｍｍ×高さ３ｍｍ）の成形体、およびディスク形状（寸法＝外径１２ｍｍ×高さ２ｍｍ）の成形体を得た。
【００５０】
次に、これら各成形体を、空気中において、Ａｇの融点（９６２℃）以下である９００℃で２時間焼成して、焼結体としてのトロイダルコアサンプルを得た。さらにサンプルに対し以下の特性評価を行った。試験結果を表１に示す。なお、下線を付したサンプルＮｏ．は、比較例である。
【００５１】
平均結晶粒径
フェライト焼結体の切断面を必要に応じて化学エッチングなどで適切に処理し、光学顕微鏡もしくはＳＥＭで観察して、１００個以上の結晶粒子の結晶粒径から体積分布を算出した。そして、その体積分布におけるメジアン径（Ｄ５０粒径、５０％粒径）を平均結晶粒径とした。なお、各結晶粒子の粒径は、各結晶粒子の面積に相当する円と仮定した円相当径（ヘイウッド径）に基づいて求めた。
【００５２】
成分の含有量の測定
サンプルに含まれる成分の含有量を、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｎｉについては蛍光Ｘ線分析装置（ＸＲＦ）を用いて測定し、Ｂ、Ｓｉ、ＺｒについてはＩＣＰ発光分光分析法（ＩＣＰ―ＡＥＳ）またはＩＣＰ質量分析計（ＩＣＰ−ＭＳ）を用いて測定した。なお、表１に記載した各成分の含有量は、それぞれＦｅ２Ｏ３、ＣｕＯ、ＺｎＯ、ＮｉＯ、Ｂ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＺｒＯ２に換算した値である。
【００５３】
密度
フェライト焼結体の密度は、ディスク形状の成型体を９００℃で焼成して得られた焼結体の寸法および重量から算出した。
【００５４】
透磁率μ’
トロイダルコアサンプルに銅線ワイヤを１０ターン巻きつけ、ＬＣＲメーター（ヒューレットパッカード社製４２８５Ａ）を使用して、透磁率μ’を測定した。測定条件としては、測定周波数１００ｋＨｚ、測定温度２５℃とした。
【００５５】
比抵抗ρ
ディスクサンプルの両面にＩｎ−Ｇａ電極を塗り、直流抵抗値を測定し、比抵抗ρを求めた（単位：Ω・ｍ）。測定はＩＲメーター（ＨＥＷＬＥＴＴ  ＰＡＣＫＡＲＤ社製４３２９Ａ）を用いて行った。
【００５６】
キュリー温度（Ｔｃ）
キュリー温度Ｔｃは、ＪＩＳ−Ｃ−２５６０−１、２に基づき測定した。
【００５７】
【表１】
2019123642.tif 000003
【００５８】
表１より、酸化鉄をＦｅ２Ｏ３換算で４８．６５〜４９．４５モル％、酸化銅をＣｕＯ換算で２〜１６モル％、酸化亜鉛をＺｎＯ換算で２８．００〜３３．００モル％を含み、さらに酸化ホウ素をＢ２Ｏ３換算で５〜１００ｐｐｍ含むフェライト焼結体（サンプルＮｏ．１〜８、１３〜１７、２０〜２５）では、１００ｋＨｚにおける透磁率が良好であった。
【００５９】
一方、酸化鉄の含有量がＦｅ２Ｏ３換算で４８．６５〜４９．４５モル％の範囲を外れる場合（サンプルＮｏ．９〜１２）では、１００ｋＨｚにおける透磁率が低下した。また、酸化ホウ素の含有量がＢ２Ｏ３換算で５ｐｐｍより小さい場合（サンプルＮｏ．１８）では１００ｋＨｚにおける透磁率が低下し、１００ｐｐｍより大きい場合（サンプルＮｏ．１９）は比抵抗ρが低下した。
【符号の説明】
【００６０】
１…  積層型インダクタ
２…  素子
３…  端子電極
４…  積層体
５…  コイル導体
５ａ、５ｂ…  引出電極
１０…  ＬＣ複合電子部品
１２…  インダクタ部
１４…  コンデンサ部
【図１】
2019123642.tif 000004
【図２】
2019123642.tif 000005
【手続補正書】
【提出日】平成31年3月15日(2019.3.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主成分と副成分とを有し、
前記主成分が、酸化鉄をＦｅ２Ｏ３換算で４８．６５〜４９．４５モル％、酸化銅をＣｕＯ換算で４〜１４モル％、酸化亜鉛をＺｎＯ換算で２８．００〜３２．００モル％、残部が酸化ニッケルで構成され、
前記副成分として、酸化ホウ素を、前記主成分１００重量部に対してＢ２Ｏ３換算で５〜１００ｐｐｍ含有し、酸化ケイ素を、前記主成分１００重量部に対してＳｉＯ２換算で５〜５００ｐｐｍ含有し、酸化ジルコニウムを、前記主成分１００重量部に対してＺｒＯ２換算で５〜９００ｐｐｍ含有し、
平均結晶粒径が４〜３０μｍである、フェライト焼結体。
【請求項２】
請求項１に記載のフェライト焼結体を有する電子部品。