(57)【要約】【課題】鉛を含まず、かつc軸方向に優れた結晶配向性を有する新規の非鉛強誘電体薄膜を提供すること。【解決手段】Ｂｉ、Ｔｉ、及びランタノイドを含有する酸化物からなり、ｃ軸方向に結晶配向性を有する非鉛強誘電体酸化物薄膜。好ましくは、前記ランタノイドが、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｌａ、及びＮｄからなる群より選択される少なくとも１種以上、より好ましくは、前記ランタノイドがＮｄ及びＥｕである。好ましくは、前記酸化物薄膜のｃ軸方向への配向率が９７．０％以上である。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｂｉ、Ｔｉ、及びランタノイドを含有する酸化物からなり、ｃ軸方向に結晶配向性を有する非鉛強誘電体酸化物薄膜。
【請求項２】
前記ランタノイドが、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｌａ、及びＮｄからなる群より選択される少なくとも１種以上である、請求項１記載の非鉛強誘電体酸化物薄膜。
【請求項３】
前記ランタノイドの含有量が２〜３０ａｔ％である、請求項１又は２記載の非鉛強誘電体酸化物薄膜。
【請求項４】
前記ランタノイドがＮｄ及びＥｕである、請求項１〜３のいずれかに記載の非鉛強誘電体酸化物薄膜。
【請求項５】
前記酸化物において、Ｂｉ、Ｔｉ、Ｎｄ及びＥｕの合計量に対するＢｉ、Ｔｉ、Ｎｄ及びＥｕそれぞれの元素比率が、４０〜６５ａｔ％、３５〜５５ａｔ％、１〜１５ａｔ％、及び、１〜１５ａｔ％である、請求項４記載の非鉛強誘電体酸化物薄膜。
【請求項６】
前記酸化物薄膜のｃ軸方向への配向率が９７．０％以上である、請求項１〜５のいずれかに記載の非鉛強誘電体酸化物薄膜。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれかに記載の非鉛強誘電体酸化物薄膜と、基板を含む、積層体。
【請求項８】
請求項１〜６のいずれかに記載の非鉛強誘電体酸化物薄膜又は請求項７に記載の積層体を含むマルチフェロイック素子。
【請求項９】
請求項１〜６のいずれかに記載の非鉛強誘電体酸化物薄膜又は請求項７に記載の積層体を含む圧電素子。
【請求項１０】
請求項１〜６のいずれかに記載の非鉛強誘電体酸化物薄膜又は請求項７に記載の積層体を含む強誘電体メモリ。
【請求項１１】
請求項１〜６のいずれかに記載の非鉛強誘電体酸化物薄膜又は請求項７に記載の積層体を含むセンサー又はアクチュエーター。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、非鉛強誘電体薄膜に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、強誘電性を示す組成物（強誘電体セラミックス）として、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）等の鉛を含む強誘電体組成物が広く知られている。このような強誘電体組成物は、誘電率や圧電性といった強誘電体としての性質（強誘電性）に優れ、様々な工業的分野において広く用いられている。
【０００３】
しかしながら、近年、環境保護の観点から、鉛を含まない物質や製品を使用する動きが広まっており、これは強誘電体組成物の分野においても同様である。よって、鉛を含まない強誘電体組成物、すなわち非鉛強誘電体組成物が求められている。
【０００４】
非鉛強誘電体組成物としては、例えば、チタン酸ビスマス（ＢＴ）やチタン酸ビスマスランタン（ＢＬＴ）等を含む組成物について研究が進んでいる（例えば特許文献１を参照）。しかし、これら非鉛強誘電体組成物でも、分極特性が十分ではなく、チタン酸ジルコン酸鉛等の鉛を含む強誘電体組成物を完全に代替するには至っていない。
【０００５】
また、近年ナノピラー型マルチフェロイックを構成する磁性体薄膜の下地材として、ｃ軸方向に結晶配向性を有し、ａ軸方向に沿う大きな自発分極をもつ非鉛強誘電体薄膜、中でもビスマス層状構造強誘電体（ＢＬＳＦｓ）薄膜の開発が求められている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００３−８２４７０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、上記現状に鑑み、鉛を含まず、かつc軸方向に優れた結晶配向性を有する新規の非鉛強誘電体薄膜を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記の課題を解決するために、本発明者らが種々検討を重ねたところ、Ｂｉ、Ｔｉ及びランタノイドを含有する酸化物からなる非鉛強誘電体薄膜が、c軸方向に優れた配向性を示すことを見出し、本発明に至った。
【０００９】
すなわち本発明は、Ｂｉ、Ｔｉ、及びランタノイドを含有する酸化物からなり、ｃ軸方向に結晶配向性を有する非鉛強誘電体酸化物薄膜に関する。好ましくは、前記ランタノイドが、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｌａ、及びＮｄからなる群より選択される少なくとも１種以上である。好ましくは、前記ランタノイドの含有量が２〜３０ａｔ％である。好ましくは、前記ランタノイドがＮｄ及びＥｕである。好ましくは、前記酸化物において、Ｂｉ、Ｔｉ、Ｎｄ及びＥｕの合計量に対するＢｉ、Ｔｉ、Ｎｄ及びＥｕそれぞれの元素比率が、４０〜６５ａｔ％、３５〜５５ａｔ％、１〜１５ａｔ％、及び、１〜１５ａｔ％である。好ましくは、前記酸化物薄膜のｃ軸方向への配向率が９７．０％以上である。また、本発明は、前記非鉛強誘電体酸化物薄膜と、基板を含む、積層体に関するものであってよい。本発明は、前記非鉛強誘電体酸化物薄膜又は前記積層体を含むマルチフェロイック素子、圧電素子、強誘電体メモリ、又は、センサー若しくはアクチュエーターであってもよい。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によると、鉛を含まず、かつｃ軸方向に優れた結晶配向性を有する新規の非鉛強誘電体薄膜を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】実施例１の酸化物薄膜の表面を電界放射型走査電子顕微鏡により撮影した写真
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の実施形態を詳細に説明する。
【００１３】
本発明に係る非鉛強誘電体薄膜は、鉛を含まず、ビスマス（Ｂｉ）、チタン（Ｔｉ）及びランタノイドを含有する酸化物からなるものである。前記ランタノイドとしては、サマリウム（Ｓｍ）、ユーロピウム（Ｅｕ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、テルビウム（Ｔｂ）、ランタン（Ｌａ）、及びネオジム（Ｎｄ）からなる群より選択される少なくとも１種であることが好ましく、ネオジム（Ｎｄ）及びユーロピウム（Ｅｕ）の双方を含有することがより好ましい。前記酸化物薄膜は、複合酸化物であっても良いし、単純酸化物及び／又は複合酸化物の混合物であってもよい。
【００１４】
前記酸化物薄膜がビスマス（Ｂｉ）、チタン（Ｔｉ）、ネオジム（Ｎｄ）及びユーロピウム（Ｅｕ）を含有する場合、Ｂｉ、Ｔｉ、Ｎｄ及びＥｕの合計量に対するＢｉ、Ｔｉ、Ｎｄ及びＥｕそれぞれの元素比率が、４０〜６５ａｔ％、３５〜５５ａｔ％、１〜１５ａｔ％、及び、１〜１５ａｔ％であることが好ましい。各元素のモル数の割合が上記範囲内であると、非鉛強誘電体薄膜が示す分極性能をより良好なものとすることができる。Ｂｉ、Ｔｉ、Ｎｄ及びＥｕそれぞれの元素比率は、より好ましくは、４５〜６０ａｔ％、３７〜５４ａｔ％、１〜１０ａｔ％、及び、１．１〜１０ａｔ％であり、さらに好ましくは、４８〜５５ａｔ％、３７〜５２ａｔ％、１．１〜９ａｔ％、及び、１．２〜９ａｔ％である。
【００１５】
さらに、前記酸化物薄膜はｃ軸方向に優れた結晶配向性を有している。ｃ軸方向の配向率としては９７．０％以上が好ましく、９８．０％以上がより好ましい、９９．０％以上がさらに好ましい。該配向率が９７．０％以上であると、反応性イオンエッチング等によって酸化物薄膜にナノ加工を施し、ナノピラー型マルチフェロイックデバイスを構成する磁性体薄膜の下地材として使用することができ、このような用途に使用した場合、ａ／ｂ軸方向がピラーの側面に位置するため、効率よく分極軸を刺激することができ、高い電気磁気効果の発現が期待できる。なお、ａ軸方向とは、結晶の面成長方位を［ｈｋｌ］と表したとき［ｈ００］方向であることを意味し、ｃ軸方向とは［００ｌ］方向であることを意味する。
【００１６】
次に、本発明に係る薄膜を製造する方法を具体的に説明するが、本発明は以下の製造方法に限定されるものではない。
【００１７】
（原料準備工程）
まず、原料として酸化ビスマス又はその前駆体、酸化チタニウム又はその前駆体、及びランタノイドの酸化物又は前駆体を準備する。前記前駆体としては、後述する焼成工程等によって酸化物に変換し得る物質を使用することができ、具体的には、各元素の水酸化物、炭酸塩、硝酸塩等を使用することができる。
【００１８】
（粉砕及び混合工程）
次に、準備した各原料を粉砕及び混合する。粉砕及び混合は公知の方法を用いて行うことができる。混合方法は乾式混合であっても良いし、湿式混合であっても良いが、湿式混合の場合、メタノール又はエタノール等のアルコール溶媒中で湿式混合を行うことが好ましい。粉砕及び混合に使用する装置としては、例えば、ボールミル、乳鉢、及びスターラー等の各種混合装置を用いることができる。湿式混合を実施した後は、適宜乾燥させればよい。
【００１９】
（焼成工程）
次に、混合後の原料を焼成して非鉛強誘電体薄膜を構成する非鉛強誘電体組成物を製造する。焼成温度は、５００℃〜１０００℃の範囲内であることが好ましいが、原料の組成によって最適な温度を選択することができる。
【００２０】
また、焼成時間は、１時間〜１０時間の範囲内であることが好ましいが、原料の組成や原料の大きさによって最適な時間を選択することができる。焼成は、通常の大気雰囲気下、不活性ガスと酸素を混合した雰囲気下、又は酸素雰囲気下等、各種の条件で行うことができる。
【００２１】
（成形工程）
次に、焼成工程により得た非鉛強誘電体組成物の粉末を成形する。成形は、例えば、ダイスやプレス機等、各種公知の成形機器を用いて行うことができる。成形時にかける圧力は、例えば、１０ＭＰａ〜４００ＭＰａの範囲内とすることが好ましいが、組成物の組成や前記粉末の大きさによって最適な圧力を選択することができる。
【００２２】
この成形工程の圧力や時間を選択することによって、得られる成形体の相対密度を４０〜６０％とすることが好ましい。成形体の相対密度は、より好ましくは４２〜５５％、さらに好ましくは４４〜５０％である。
【００２３】
（焼結工程）
焼結体を製造する場合には、上述した各原料を混合してホットプレスによって焼結体を製造することができる。その場合、粉末状の各原料をカーボン製ダイスに充填し、温度５００〜１０００℃、圧力１０〜２００ＭＰａの条件でホットプレスを実施することができる。また、焼結体は、上述のように前記成形体を作製した後、該成形体を大気雰囲気中で焼成することでも製造することができる。焼結体を製造するにあたっては、成形補助材として水および／またはバインダー（例えば、ポリビニルアルコール等）を原料に加えてもよい。
【００２４】
焼結工程の温度や圧力、時間を選択することによって、得られる焼結体の相対密度を８０％以上１００％以下とすることが好ましい。焼結体の相対密度は、より好ましくは８５％以上、さらに好ましくは９０％以上、特に好ましくは９５％以上である。
【００２５】
（酸化物薄膜の製造工程）
本発明の非鉛強誘電体薄膜は、例えば、スパッタリング法によって製造することができる。具体的には、非鉛強誘電体組成物の成形体又は焼結体からなるターゲットを用意し、高周波マグネトロンスパッタ装置等を利用することによって、基板上に当該酸化物薄膜を形成することができる。
【００２６】
基板を構成する材料としては、本発明の非鉛強誘電体酸化物薄膜がｃ軸方向にエピタキシャル成長し、優れた結晶配向性を示すものであればよく、例えば、酸化マグネシウム単結晶、チタン酸ストロンチウム単結晶、酸化コバルト単結晶、酸化銅単結晶を使用することができる。また、基板上に白金膜を形成し、その上に本発明の非鉛強誘電体酸化物薄膜を形成してもよい。
【００２７】
本発明の非鉛強誘電体酸化物薄膜の厚さは、特に限定されないが、５００ｎｍ〜５０００ｎｍの範囲内にあることが好ましい。
【００２８】
なお、スパッタリングの条件や焼結体の製造条件によってビスマスが試料表面から再蒸発する可能性がある場合は、再蒸発するビスマスを補償することで所期に設計した化学組成を維持することを目的として、成形体または焼結体に対して、薄膜における所望量よりも過剰に酸化ビスマス又はその前駆体を添加しておくことができる。
【００２９】
非鉛強誘電体酸化物薄膜のｃ軸方向の結晶配向率は、スパッタリング時の基板の温度によってコントロールすることができる。スパッタリング装置や酸化物薄膜の組成により最適な温度範囲が異なる場合があるが、例えばＢｉ、Ｔｉ、Ｎｄ及びＥｕそれぞれの元素比率が、５４ａｔ％、３６ａｔ％、８ａｔ％、及び、２ａｔ％の場合は、基板温度を６００〜７００℃にすると、ｃ軸方向の配向率が９８．０％を超える酸化物薄膜を製造することができる。
【００３０】
その他のスパッタリング条件としては、例えば、雰囲気ガスとしてアルゴンと酸素の任意の混合割合の混合ガスを用い、流量を１０〜１００ｓｃｃｍ、真空度を１．０×１０−３Ｐａ以下、成膜時間を３０〜３００ｍｉｎ、有効電力を１００〜２００Ｗに設定することができる。
【００３１】
本発明の非鉛強誘電体酸化物薄膜は、上記の方法によって製造されたものに限定されない。最終的に得られる酸化物薄膜が所定の組成を有し、ｃ軸方向の配向率が所定の範囲であれば良い。上述した方法以外の、非鉛強誘電体酸化物薄膜を製造する方法としては、例えば、成形体又は焼結体の非鉛強誘電体組成物を介さずに、ゾル−ゲル法、塗布法、有機金属化学気相成長法（ＭＯＣＶＤ）、物理的気相成長法（ＰＶＤ）、又は、化学気相成長法（ＣＶＤ）により薄膜を形成する方法や、成形体を焼成した後、高周波マグネトロンスパッタリング装置を用いて薄膜を形成する方法が挙げられる。
【００３２】
本発明の非鉛強誘電体酸化物薄膜を適用する具体的な用途としては、特に限定されず、例えば、マルチフェロイック素子、圧電素子、強誘電体メモリ、センサー又はアクチュエーター等を挙げることができる。
【実施例】
【００３３】
以下に実施例を掲げて本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
【００３４】
（実施例１〜４及び比較例１）
原料準備工程
原料として粉末状の酸化ビスマス（純度９９．９％以上、粒子径２．６μｍ）、粉末状の酸化チタン（純度９９．９％以上、粒子径３．１μｍ）、粉末状の酸化ネオジム（純度９９．９％以上、粒子径１．６μｍ）、及び、粉末状の酸化ユーロピウム（純度９９．９％以上、粒子径１．８μｍ）を準備した。各原料を最終的に得られる元素比率が表１記載の元素比率になるように調整して秤量した。
【００３５】
粉砕及び混合工程
次に、用意した各原料の粉末を粉砕及び混合した。当該粉砕及び混合は乳鉢を用いて、エタノール湿式混合により行った。その後、乾燥機（タバイ製  Ｌａｂｏｓｔａｒ  ＧＲＡＶＩＴＹ  ＯＶＥＮ  ＬＧ−１２２型）を使用して９０℃で２時間乾燥させた。
【００３６】
焼成工程
次に、混合した原料を焼成して非鉛強誘電体組成物を製造した。焼成は、大気雰囲気中で電気炉（アズワン製  ＭＰＨ−１Ｎ型）を用いて７５０℃、３時間の条件で行った。なお、昇温速度は５℃／分とし、冷却速度は４℃／分とした。焼成後、常温まで冷却して粉末状の非鉛強誘電体組成物を得た。
【００３７】
成形工程
次に、非鉛強誘電体組成物を成形した。成形は、直径１００ｍｍの金型を用い、４０ＭＰａの圧力を２分間維持することにより行った。これにより直径１００ｍｍ、厚さ約５ｍｍの円柱状の、非鉛強誘電体組成物で構成された相対密度４８％の成形体を得た。
【００３８】
成膜工程
成膜用の基板として、ＭｇＯ単結晶基板を用いた。基板の大きさは７．０×７．０ｍｍ、厚さ０．４ｍｍである。
【００３９】
成形工程で得られた非鉛強誘電体組成物で構成された成形体をターゲットとして、高周波マグネトロンスパッタリング装置（アネルバ株式会社製  ＳＰＦ−２１０Ｂ）を用いて、前記ＭｇＯ単結晶基板上に、膜厚１．８μｍの非鉛強誘電体組成物から構成されるｃ軸方向に優れた結晶配向性を有する酸化物薄膜を成膜した。なお、スパッタリングは以下の条件で行った。
・雰囲気：Ａｒ／Ｏ２＝９：１  （５０ｓｃｃｍ）
・基板温度：５８０〜６５０℃（表１に表示）
・真空度：５．０×１０−４Ｐａ
・成膜時間：２００ｍｉｎ
・有効電力：１２０Ｗ
【００４０】
高周波多層スパッタリング装置（アネルバ株式会社製）を用いて、前記ＭｇＯ単結晶基板の裏面にＴｉ電極を作製し、さらに、前記非鉛強誘電体組成物から構成される酸化物薄膜の上面にＰｔ電極を作製した後、前記非鉛強誘電体組成物から構成される酸化物薄膜の特性を評価した。
【００４１】
（評価方法）
（ＦＥ−ＳＥＭ観察）
電界放射型走査電子顕微鏡（ＪＥＯＬ製  ＪＳＭ−７００１Ｆ）を用いて、加速電圧５ｋＶ、及び、ＷＤ１０ｍｍの条件で、酸化物薄膜の表面を観察した。実施例１の酸化物薄膜の表面を撮影した顕微鏡写真を図１に示す。
【００４２】
（酸化物薄膜の元素比率の測定方法）
電界放射型走査電子顕微鏡（ＪＥＯＬ製  ＪＳＭ−７００１Ｆ）に付属のエネルギー分散型Ｘ線分光器を用いて、加速電圧１５ｋＶ、倍率５００倍の条件で、計数カウントが８０００ｃｐｓ以上になるよう照射電流を調整して測定を行なった。５視野撮影して得た５つの値の平均値を表１に示した。
【００４３】
（膜厚の測定方法）
触針式表面形状測定器（Ｂｒｕｋｅｒ社製  Ｄｅｋｔａｋ−３０３０）により白金下部電極から当該酸化物薄膜まで走査し、計測した段差を膜厚とした。
【００４４】
（結晶方位の測定方法）
２次元検出器を搭載したＸ線回折（Ｂｒｕｋｅｒ社製  Ｄ８μ−ＨＲ）を用いて結晶方位を測定した。測定条件は、管電圧４０ｋＶ、管電流４０ｍＶ、ステップ時間２００ｓ／ステップ、２θ：１０−５５°とした。得られたＸ線回折ピークから次式によりｃ軸方向の配向率を算出した。
配向率＝（［００ｌ］のＸ線回折ピークの積分強度の総和÷全Ｘ線回折ピークの積分強度の総和）×１００）
ただし、基板及び電極由来のＸ線回折ピークは除く。
【００４５】
【表１】
2019189919.tif 000002
表１より、実施例１〜４は、ｃ軸方向に結晶配向性が優れていることが分かる。一方、比較例１は、実施例１〜４と比較して低いｃ軸方向の配向率を示した。
【図１】
2019189919.tif 000003