(57)【要約】【課題】  反りの少ない両面研磨装置用キャリアを製造することができるキャリアの製造方法を提供する。【解決手段】  ウェーハの両面を研磨する両面研磨装置における、研磨布が貼付された上下定盤の間に配設され、研磨の際に前記上下定盤の間に挟まれる前記ウェーハを保持するための保持孔が形成されたキャリアを製造する方法であって、前記キャリアを製造するための材料となる原料板材を準備する工程と、前記原料板材に前記保持孔を形成する工程と、前記保持孔を形成した原料板材を、２５０μｍ以上のラップ代でラッピング加工する工程と、を有するキャリアの製造方法。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウェーハの両面を研磨する両面研磨装置における、研磨布が貼付された上下定盤の間に配設され、研磨の際に前記上下定盤の間に挟まれる前記ウェーハを保持するための保持孔が形成されたキャリアを製造する方法であって、
前記キャリアを製造するための材料となる原料板材を準備する工程と、
前記原料板材に前記保持孔を形成する工程と、
前記保持孔を形成した原料板材を、２５０μｍ以上のラップ代でラッピング加工する工程と、
を有することを特徴とするキャリアの製造方法。
【請求項２】
前記原料板材として、金属製の板材を用いることを特徴とする請求項１に記載のキャリアの製造方法。
【請求項３】
前記保持孔の形成をレーザー加工により行うことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のキャリアの製造方法。
【請求項４】
少なくとも前記保持孔を形成した後に、前記原料板材を熱処理する工程と、前記ラッピング加工した後に、前記原料板材をポリッシングする工程と、をさらに有することを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載のキャリアの製造方法。
【請求項５】
少なくとも前記保持孔を形成した後に、前記保持されるウェーハの周縁部に接する内周面を有するリング状のインサートを前記原料板材に形成された前記保持孔の内周に沿って配置させる工程を、さらに有することを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載のキャリアの製造方法。
【請求項６】
少なくとも前記ラッピング加工の前に、前記原料板材に対し、前記保持孔以外の孔を形成するとともに前記原料板材の外周をギア形状に加工することを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項に記載のキャリアの製造方法。
【請求項７】
前記ウェーハの両面を研磨する方法であって、研磨布が貼付された上下定盤の間に請求項１から請求項６のいずれか１項に記載のキャリアの製造方法によって製造されたキャリアを配設し、該キャリアに形成された前記保持孔に前記ウェーハを保持し、前記上下定盤の間に挟んで両面研磨することを特徴とするウェーハの両面研磨方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウェーハの両面を同時に研磨する際に用いる両面研磨装置用のキャリアの製造方法に関し、キャリアを用いてウェーハの両面を研磨する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウェーハ等のウェーハの研磨には両面研磨と片面研磨の手法がある。このうち、両面研磨を行うための装置は、上定盤と下定盤に研磨布（研磨パッドとも言う）を貼り付け、その間にキャリア（「加工キャリア」とも称される）を入れるという構成を有している（例えば、特許文献１、特許文献２）。両面研磨では、さらに、キャリアに形成されたウェーハ保持用の孔（ホール）にウェーハを仕込み、上定盤から研磨スラリを滴下して研磨を行う構成となっている。ここで、研磨布間に存在するキャリアを回転させてウェーハの両面研磨が行われる。そのようなキャリアの回転を行う構成は、通常、上下定盤の内外周にピンを配置し、そのピン間に、外周をギア形状としたキャリアを配置してキャリアを回転するというものである。
【０００３】
図１１は、一般的な両面研磨装置によるウェーハの研磨を説明する概略説明図である。図１１に示すように、両面研磨装置用キャリア１０１は、通常、ウェーハＷより薄い厚みに形成され、両面研磨装置１２０の上定盤１０８と下定盤１０９の間の所定位置にウェーハＷを保持するための保持孔１０４を備えている。
【０００４】
この保持孔１０４にウェーハＷが挿入されて保持され、上定盤１０８と下定盤１０９の対向面に設けられた研磨布１１０でウェーハＷの上下面が挟み込まれる。
【０００５】
この両面研磨装置用キャリア１０１は、サンギア１１１とインターナルギア１１２とに噛合され、サンギア１１１の駆動回転によって自転・公転される。そして、研磨面に研磨剤を供給しながら上定盤１０８と下定盤１０９とを互いに逆回転させることにより、上下定盤に貼付された研磨布１１０でウェーハＷの両面を同時に研磨する。
【０００６】
このようなウェーハＷの両面研磨工程で使用している両面研磨装置用キャリア１０１は金属製のものが主流である。このため、ウェーハＷの周縁部を金属製のキャリア１０１によるダメージから保護するために、通常は樹脂製であるインサート１０３がキャリア１０１に形成された保持孔１０４の内周部に沿って取り付けられている。また、キャリア１０１には、保持孔１０４以外の孔１１３が形成されていてもよい。
【０００７】
通常、キャリアは、原料の板材をレーザー加工して、保持孔（ウェーハ仕込みホール）と捨て穴を形成するとともに外周にギア形状の加工を行った後、熱処理とラッピング、ポリッシング加工を行い、レーザー加工時の残留歪を除去するようにして作製されている。
【０００８】
ところが、従来の両面研磨装置用キャリアを用いた両面研磨では、ウェーハの研磨代のムラが大きく、フラットネス品質が低下する場合があるという問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２０１３−２３５８９８号公報
【特許文献２】特開２０１１−０２５３２２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
上記のように、両面研磨装置において、キャリアは上下の研磨布間を回転する。そのため、研磨対象のウェーハと共に研磨される。このとき、キャリアの反りが大きいと研磨布との接触圧力にムラが生じて、同時に加工しているウェーハのフラットネスが悪化する。これは、ウェーハのフラットネス形状コントロール手段であるウェーハとキャリア厚さのギャップのコントロールに狂いが生じるためである。
【００１１】
上述の問題点に鑑み、本発明は、反りの少ない両面研磨装置用キャリアを製造することができるキャリアの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記目的を達成するために、本発明は、ウェーハの両面を研磨する両面研磨装置における、研磨布が貼付された上下定盤の間に配設され、研磨の際に前記上下定盤の間に挟まれる前記ウェーハを保持するための保持孔が形成されたキャリアを製造する方法であって、前記キャリアを製造するための材料となる原料板材を準備する工程と、前記原料板材に前記保持孔を形成する工程と、前記保持孔を形成した原料板材を、２５０μｍ以上のラップ代でラッピング加工する工程と、を有することを特徴とするキャリアの製造方法を提供する。
【００１３】
このような本発明のキャリアの製造方法では、原料板材のラッピング加工において２５０μｍ以上のラップ代を確保するので、キャリアの残留歪を従来よりも小さくすることができる。そのため、本発明により、反りの少ない両面研磨装置用キャリアを製造することができる。
【００１４】
このとき、原料板材として、金属製の板材を用いることが好ましい。
【００１５】
このように金属製の原料板材を使用することにより、金属製のキャリアを製造することができる。このようなキャリアは両面研磨装置用キャリアとして好適に使用することができる。
【００１６】
また、前記保持孔の形成をレーザー加工により行うことが好ましい。
【００１７】
このように、保持孔をレーザー加工により形成することにより、簡便で精密に保持孔を形成することができる。また、本発明は、レーザー加工により保持孔を形成するキャリアの製造方法において、特に好適に採用することができる。
【００１８】
また、少なくとも前記保持孔を形成した後に、前記原料板材を熱処理する工程と、前記ラッピング加工した後に、前記原料板材をポリッシングする工程と、をさらに有することが好ましい。
【００１９】
このように、キャリアの製造の際にラッピング工程の他に熱処理工程及びポリッシング工程を有することにより、キャリアの残留歪除去をより効果的に行うことができる。
【００２０】
また、少なくとも前記保持孔を形成した後に、前記保持されるウェーハの周縁部に接する内周面を有するリング状のインサートを前記原料板材に形成された前記保持孔の内周に沿って配置させる工程を、さらに有することが好ましい。
【００２１】
このように、本発明では、保持孔にインサートを配置する工程を有することができる。また、保持孔にインサートを配置することにより、ウェーハの両面研磨の際に、保持孔によるウェーハの保持をより適切に行うことができる。
【００２２】
また、少なくとも前記ラッピング加工の前に、前記原料板材に対し、前記保持孔以外の孔を形成するとともに前記原料板材の外周をギア形状に加工することが好ましい。
【００２３】
原料板材をこのように加工することにより、キャリアに対し、保持孔の他に、保持孔以外の孔を形成することができ、また、キャリア外周をギア形状に加工することができる。このような形状を有するキャリアは、キャリアの両面研磨において好適に使用することができる。
【００２４】
また、本発明では、前記ウェーハの両面を研磨する方法であって、研磨布が貼付された上下定盤の間に上記のいずれかのキャリアの製造方法によって製造されたキャリアを配設し、該キャリアに形成された前記保持孔に前記ウェーハを保持し、前記上下定盤の間に挟んで両面研磨することを特徴とするウェーハの両面研磨方法を提供する。
【００２５】
本発明では、上記のように、反りの少ない両面研磨装置用キャリアを製造することができる。このような反りの少ないキャリアを用いてウェーハを両面研磨することにより、ウェーハ研磨中のウェーハの研磨代のムラを抑制できる。
【発明の効果】
【００２６】
本発明のキャリアの製造方法により、キャリアの残留歪を従来よりも小さくすることができる。そのため、本発明により、反りの少ない両面研磨装置用キャリアを製造することができる。また、そのような反りの少ないキャリアを用いてウェーハを両面研磨することにより、ウェーハ研磨中のウェーハの研磨代のムラを抑制できる。その結果、ウェーハのフラットネス品質を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】本発明のキャリアの製造フローと、キャリアにおける残留ダメージの変化を概略的に説明するための模式図である。
【図２】本発明のキャリアの製造方法の流れを示すフロー図である。
【図３】本発明のキャリアの反りを測定した結果を示す画像である（実施例１）。
【図４】実施例及び比較例において得られた、キャリアのラップ代と反り量の関係を示すグラフである。
【図５】ギャップ（キャリア厚さとウェーハ厚さの差）と、ウェーハフラットネスの関係を示すグラフである。
【図６】キャリア自体の反り量とラップ代の違いを示すグラフである。
【図７】キャリア間の反り量とラップ代の違いを示すグラフである。
【図８】実施例１及び比較例２のキャリアでウェーハ加工したときのウェーハのフラットネスを比較したグラフである。
【図９】従来のキャリアの製造フローと、キャリアにおける残留ダメージの変化を概略的に説明するための模式図である。
【図１０】従来のキャリアの反りを測定した結果を示す画像である（比較例２）。
【図１１】一般的に用いられる両面研磨装置を用いたウェーハの研磨を説明した概略説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
上述のように、ウェーハのフラットネスを良くするためにも、キャリアの反りは小さい方が望ましい。キャリアの反りは、キャリア原料の板材からレーザー加工によるキャリア形状への切断により発生する反りが大きく、従来より、加工後に、熱処理やラップにより加工残留歪を除去する工程で改善させている。しかしながら、本発明者らの検討によると、従来のラップ代（例えば８０μｍ）では、十分な加工残留歪を取りきるラップ取り代となっていないことが判明した。キャリアの反りは残留加工歪をできるだけ無くすことで小さくすることができ、また、残留加工歪を小さくするには、ラップの取り代を増やして残留歪を除去することで対応ができる。
【００２９】
上記のような従来の問題を解決するため、本発明者らは鋭意検討を重ね、以下のような本発明をなすに至った。本発明は、ウェーハの両面を研磨する両面研磨装置における、研磨布が貼付された上下定盤の間に配設され、研磨の際に上下定盤の間に挟まれるウェーハを保持するための保持孔が形成されたキャリアを製造する方法である。本発明では、少なくとも以下の工程を有する。まず、キャリアを製造するための材料となる原料板材を準備する（工程ａ）。次に、上記原料板材に保持孔を形成する（工程ｂ）。次に、保持孔を形成した原料板材を、２５０μｍ以上のラップ代でラッピング加工する（工程ｃ）。すなわち、本発明は、キャリア反りの少ないキャリアを製造するために加工残留歪がほとんど無いラップ代を規定したものである。
【００３０】
以下、本発明について、実施態様の一例として、図を参照しながら詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。図１は、本発明のキャリアの製造フローと、キャリアにおける残留ダメージの変化を概略的に説明するための模式図である。
【００３１】
［工程ａ：原料板材］
上記のように、工程ａにおいて、まず、キャリアを製造するための材料となる原料板材を準備する。このような原料板材は、金属製の板材であることが好ましい。金属として合金も用いることができる。具体的には、チタン製やステンレス鋼（ＳＵＳ）製の板材を用いることができる。原料板材は、通常、圧延等により板形状に加工されている。このとき、図１（ａ）に示したように、加工歪が原料板材１１に残留している。図中では、加工歪を縦線により模式的に示した。
【００３２】
［工程ｂ：保持孔の形成］
上記のように、工程ｂにおいては、原料板材に保持孔（ウェーハ仕込みホールとも言う）を形成する。このとき、保持孔の形成をレーザー加工により行うことが好ましい。簡便に精度良く保持孔を形成することができるからである。ただし、必要に応じてレーザー加工以外の方法も、レーザー加工に代えて、又は、レーザー加工に加えて採用することができる。
【００３３】
このとき、原料板材をほぼキャリアの形状に加工することが好ましい。具体的には、例えば、原料板材に対し、保持孔以外の孔を形成することができる。「保持孔以外の孔」とは、ウェーハを保持する孔以外の孔である。この孔は両面研磨装置において研磨スラリを通過させて供給する孔として機能させることができる。また、保持孔以外にも孔を有することによりキャリアの加工歪の影響を低減することもできる。これにより、キャリアの反りをより効果的に抑制することができる。このように、いわゆる「捨て穴」を板材に形成することもできる。また、保持孔の形成とともに原料板材の外周をギア形状に加工することもできる。このような保持孔以外の孔の形成、及び板材外周の形状加工は、保持孔の形成と同様にレーザー加工によって行うことが好ましい。
【００３４】
これらの原料板材に対する保持孔の形成、保持孔以外の孔の形成、外周の形状加工は、少なくともラッピング加工の前に行うことが必要である。
【００３５】
工程ｂにおいては、図１（ｂ）に示したように、保持孔等の形成により、キャリア形状に加工後の板材１２の加工歪が大きくなり、また板材の反りも生じている。
【００３６】
［工程ｃ：ラッピング加工］
上記のように、工程ｃにおいては、保持孔及び必要に応じて保持孔以外の孔及び外周のギア形状を形成した原料板材を、２５０μｍ以上のラップ代でラッピング加工する。ラッピング加工を経て図１（ｃ）に示したキャリア１３を得ることができる。本発明においては、このラッピング加工において、２５０μｍ以上のラップ代で加工することが特徴である。本発明においては、ラップ代を２５０μｍ以上と従来よりも大きく確保しているため、図１（ｃ）に示したように、キャリア１３において加工歪の残留量が低減されている。
【００３７】
［その他の工程］
本発明のキャリアの製造方法においては、熱処理、保持孔へのインサート挿入、ポリッシング等のその他の工程も有することができる。その他の工程も含む本発明のキャリアの製造方法の流れを図２に示した。
【００３８】
図２の工程Ｓ２１、Ｓ２２に示したように、原料板材を準備し、保持孔を形成する。これらの工程Ｓ２１、Ｓ２２は、それぞれ上記した工程ａ、工程ｂと同様である。本発明のキャリアの製造方法においては、図２の工程Ｓ２３に示したように、少なくとも保持孔を形成（工程Ｓ２２、工程ｂ）した後に、原料板材を熱処理する工程（工程Ｓ２３）を有することができる。この熱処理工程により、キャリアの残留歪除去をより効果的に行うことができる。
【００３９】
また、少なくとも保持孔を形成（工程Ｓ２２、工程ｂ）した後に、保持されるウェーハの周縁部に接する内周面を有するリング状のインサートを原料板材に形成された保持孔の内周に沿って配置させる工程（工程Ｓ２４）を有することができる。なお、インサートはアラミド樹脂等の樹脂製のものを好適に用いることができる。また、インサートとしては、予めリング状に成形したものを保持孔の内周に沿って配置してもよいし、特許文献２に記載されているように、母材を保持孔に装着した後、保持されるウェーハの周縁部に接するリング状の内周面を形成する加工を行ってもよい。インサートの配置（挿入）工程（工程Ｓ２４）は、インサートが通常、樹脂製であることから、熱処理工程（工程Ｓ２３）よりも後に行うことが好ましい。
【００４０】
さらに、ラッピング加工（工程Ｓ２５、工程ｃ）した後に、原料板材をポリッシングする工程をさらに有していてもよい。このようなポリッシング工程（工程Ｓ２６）により、キャリアの残留歪除去をより効果的に行うことができる。
【００４１】
また、本発明ではラッピング加工のラップ代を２５０μｍ以上とすればよく、上記の他にも必要な工程を追加することができる。
【００４２】
上記のように、本発明では、原料板材をラッピング加工する際に、２５０μｍ以上のラップ代で加工することが特徴である。これに対し、従来行われていたキャリアの製造は、例えば、厚さ８５０μｍの原料板材をレーザー加工後に熱処理を行い、ラップ代として８０μｍを狙い値としてラップ加工を行っていた。従来、キャリアの反りの規格は１５０μｍ以下のものであった（キャリアの反りが１５０μｍ以下であれば規格内として合格）。なお、キャリアの反り測定は基準石定盤にキャリアを乗せて、シックネスゲージにより変位を測定するものである。
【００４３】
上記のように本発明では２５０μｍ以上のラップ代が必要であるため、原料板材においてその分の厚さが必要である。キャリアの厚さ及び原料板材の厚さは、ウェーハ両面研磨装置において研磨するウェーハの厚さの規格等に応じて、それぞれ適宜設定することができる。例えば、原料板材の厚さを１１００μｍとし、ラップ代を２５０μｍと設定することができる。その他、ウェーハの厚さに応じて原料板材の厚さを８００μｍ以上１４００μｍ以下の範囲で設定し、ラップ代の範囲を２５０μｍ以上とすることができる。ラップ代は２５０μｍ以上とすることで十分であるが、３００μｍ以上とすることもできるし、３５０μｍ以上としてもよい。一方、ラップ代の範囲の上限は特に限定されないが、材料が無駄になるので、例えば５００μｍとすることができる。
【００４４】
キャリア材料の節約の面からは、ラップ代は少ない方がよく、そのため従来はラップ代８０μｍ等という小さい値であったが、本発明のキャリアの製造方法では、上記の理由により原料板材のラップ代を２５０μｍとする。
【００４５】
本発明者らの検討により、キャリアの厚さ調整で行われるラッピングの取り代（ラップ代）の違いによって、加工残留歪により加工キャリアの反りに違いがあり、そのキャリアの反りがウェーハ研磨中のウェーハ取り代（ウェーハの研磨代）のムラに影響し、フラットネス品質を低下させることがわかった。
【００４６】
両面研磨によるウェーハのフラットネス品質は、キャリア厚さとウェーハ厚さのギャップによってコントロールしている。このギャップ（キャリア厚さとウェーハ厚さの差）とウェーハのフラットネスの関係を図５に示した。ウェーハのフラットネスはＳＦＱＲで示している。
【００４７】
ＳＦＱＲは、表面基準のサイトフラットネス指標であり、各サイト毎に評価される。ＳＦＱＲは、半導体ウェーハ表面上に任意の寸法（例えば２６ｍｍ×８ｍｍ）のセルを決め、このセル表面について最小２乗法により求めた面を基準面としたときの、この基準面からの正および負の偏差の範囲と定義される。また、ＳＦＱＲｍａｘの値は所与のウェーハ上の各サイト中のＳＦＱＲの最大値を表す。
【００４８】
上記のように、両面研磨によるウェーハのフラットネス品質は、キャリア厚さとウェーハ厚さのギャップによってコントロールしている。しかしながら、キャリアの反りにより基準となるキャリア厚さがばらつくことで最良のギャップからズレてウェーハ外周部のフラットネスが悪化してしまう。図５からもわかるように、適正ギャップを外れるとウェーハのフラットネスが悪化する。
【００４９】
現在通常用いられているキャリアは、例えば、ラッピング代が狙い値で８０μｍの製品であり、反り量が８５μｍ程度ある。これはキャリアの材料となる原料板材の残留加工歪にばらつきが大きくあり、安定しているキャリア反り量では無いが、出荷検査で反り量１５０μｍ以下のものを合格として受け入れていることから、反り量が１５０μｍを超えることは無い。しかしながら、８５μｍの反り量のキャリアでも、近年フラットネス規格が厳しく成り、キャリア反り量によるフラットネス悪化の低減が必要である。
【００５０】
図９に、従来のキャリアの製造フローと、キャリアにおける残留ダメージの変化を概略的に説明するための模式図を示した。図９（ａ）、（ｂ）に示した工程では、図１（ａ）、（ｂ）で示したのと同様に、原料板材５１を準備し、保持孔を形成するなどしてキャリア形状に加工後の板材５２とする。従来はラップ代が８０μｍのように少なかったため、図９（ｃ）に示したように加工歪がキャリア５３においても残留していた。
【００５１】
［ウェーハの両面研磨方法］
上記のように本発明の製造方法により製造したキャリアを用いてウェーハを両面研磨することができる。具体的には、研磨布が貼付された上下定盤の間に本発明のキャリアの製造方法によって製造されたキャリアを配設する。次に、キャリアに形成された保持孔にウェーハを保持し、上下定盤の間に挟んで両面研磨する。
【実施例】
【００５２】
以下、本発明の実施例及び比較例を示して本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００５３】
（実施例、比較例）
同一ロットの原料板材を用いてラップ代を変えてキャリアの反りを調べた。その結果、以下に示すように、２５０μｍ以上のラップ代でラッピング加工することにより、キャリアの反り量が飽和状態になることを確認できた。このように、ラップ代を２５０μｍ以上にしたキャリアにすることで問題を解決できることがわかった。
【００５４】
実施例及び比較例のキャリアの製造は、図２と同じフローとした。原料板材（チタン製）を準備（工程Ｓ２１）した後、レーザー加工により保持孔と保持孔以外の孔を形成し、外周にギア形状の加工を行った（工程Ｓ２２）。その後、熱処理（工程Ｓ２３）とインサート挿入（工程Ｓ２４）、ラッピング加工（工程Ｓ２５）、ポリッシング加工（工程Ｓ２６）を行い、レーザー加工時の残留歪を除去した。ラッピング加工におけるラップ代は、４２．５μｍ（比較例１）、８０μｍ（比較例２）、１７０μｍ（比較例３）、２５０μｍ（実施例１）、３４０μｍ（実施例２）、４２５μｍ（実施例３）、５１０μｍ（実施例４）とした。また、製造するキャリアの厚さが７７５μｍで一定となるように原料板材の厚さを調整した。
【００５５】
図３に、実施例１（ラップ代２５０μｍ）のキャリアの反りの分布を示した。反り量は３８μｍであった。図１０に、比較例２（ラップ代８０μｍ）のキャリアの反りの分布を示した。反り量は８５μｍであった。
【００５６】
各実施例及び比較例で製造したキャリアを用いて半導体ウェーハの両面研磨を行った。ウェーハの両面研磨加工条件及び品質評価条件は以下の通りとした。
研磨加工条件
装置          ：  不二越機械製両面研磨機    ＤＳＰ−Ｃ７０
加工ウェーハ  ：  直径３００ｍｍ  Ｐ−品＜１１０＞
加工部材      ：  研磨布  硬質発泡ウレタンパッド
研磨スラリー  ＮａＯＨベースコロイダルシリカ
加工加重  １５０ｇ／ｃｍ２
加工回転  上定盤  −１３．４ｒｐｍ    下定盤  ３５ｒｐｍ
インターナルギア回転  ７ｒｐｍ        サンギア回転  ２５ｒｐｍ
品質評価条件
装置：  ＷａｆｅｒＳｉｇｈｔ２  ＫＬＡ製平坦度テスター
【００５７】
図４は、各実施例及び比較例のキャリアのキャリア反り量を比較したグラフである。ラップ代が２５０μｍ以上であればキャリアの反りの改善はほぼ飽和状態であることがわかる。
【００５８】
実施例１と比較例２の比較のため、図６に、キャリア自体の反り量とラップ代の違いを示すグラフを示し、図７に、キャリア間の反り量の差とラップ代の違いを示すグラフを示した。キャリアラップ代を変えてキャリアの反り量低減が可能となることで、両面研磨加工時の例えば５枚仕込みキャリア間でのバラツキが小さくなる。更にキャリア自体での反り量が小さくなり、両面研磨におけるウェーハのフラットネス品質を決める、キャリア厚さとウェーハ厚さのギャップコントロールの精度が上がり、ウェーハ外周部のフラットネスが良くなる。
【００５９】
図８に、実施例１及び比較例２のキャリアでウェーハ加工したときのウェーハのフラットネス（ＳＦＱＲ（ｍａｘ）、サイト２６×８ｍｍ、最外周除外領域２ｍｍ）を比較したグラフを示した。これは、上記品質評価装置を用いて測定した結果である。また、表１に結果を示した。
【００６０】
【表１】
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【００６１】
実施例１のようにラップ代を２５０μｍにすることで、ラップ代が８０μｍである比較例２よりも、ウェーハのフラットネスを改善することができた。
【００６２】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【符号の説明】
【００６３】
１１、５１…原料板材、
１２、５２…キャリア形状に加工後の板材、
１３、５３…キャリア、
１０１…キャリア、  １０３…インサート、  １０４…保持孔、
１０８…上定盤、  １０９…下定盤、  １１０…研磨布、  １１１…サンギア、
１１２…インターナルギア、  １１３…保持孔以外の孔、
１２０…両面研磨装置。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
2019123059.tif 000009
【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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