(57)【要約】【課題】塗布性及び硬化性に優れ、かつ、低い誘電率を有する電子デバイス用光硬化性樹脂組成物を提供する。【解決手段】硬化性樹脂と重合開始剤とを含有する電子デバイス用光硬化性樹脂組成物であって、前記硬化性樹脂は、単官能重合性化合物と多官能カチオン重合性化合物とを含み、前記単官能重合性化合物は、置換されていてもよいジシクロペンテニル基を有する単官能重合性化合物、置換されていてもよいジシクロペンタニル基を有する単官能重合性化合物、及び、置換されていてもよいノルボルネニル基を有する単官能重合性化合物からなる群より選択される少なくとも１種を含み、２５℃、１００ｋＨｚの条件で測定した誘電率が、３．５以下である電子デバイス用光硬化性樹脂組成物。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
硬化性樹脂と重合開始剤とを含有する電子デバイス用光硬化性樹脂組成物であって、
前記硬化性樹脂は、単官能重合性化合物と多官能カチオン重合性化合物とを含み、
前記単官能重合性化合物は、置換されていてもよいジシクロペンテニル基を有する単官能重合性化合物、置換されていてもよいジシクロペンタニル基を有する単官能重合性化合物、及び、置換されていてもよいノルボルネニル基を有する単官能重合性化合物からなる群より選択される少なくとも１種を含み、
２５℃、１００ｋＨｚの条件で測定した誘電率が、３．５以下である
ことを特徴とする電子デバイス用光硬化性樹脂組成物。
【請求項２】
前記単官能重合性化合物は、下記式（１−１）で表される化合物、下記式（１−２）で表される化合物、下記式（１−３）で表される化合物、下記式（１−４）で表される化合物、下記式（１−５）で表される化合物、下記式（１−６）で表される化合物、及び、下記式（１−７）で表される化合物からなる群より選択される少なくとも１種を含む請求項１記載の電子デバイス用光硬化性樹脂組成物。
【化１】
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【請求項３】
前記多官能カチオン重合性化合物は、多官能脂環式エポキシ化合物、多官能脂肪族グリシジルエーテル化合物、及び、多官能オキセタン化合物からなる群より選択される少なくとも１種を含む請求項１又は２記載の電子デバイス用光硬化性樹脂組成物。
【請求項４】
前記多官能カチオン重合性化合物は、下記式（２−１）で表される化合物、下記式（２−２）で表される化合物、下記式（２−３）で表される化合物、及び、下記式（２−４）で表される化合物からなる群より選択される少なくとも１種を含む請求項３記載の電子デバイス用光硬化性樹脂組成物。
【化２】
2019189848.tif 000011
式（２−１）中、Ｒ１〜Ｒ１８は、水素原子、ハロゲン原子、酸素原子、酸素原子若しくはハロゲン原子を有していてもよい炭化水素基、又は、置換基を有していてもよいアルコキシ基を表し、それぞれ同一であってもよいし、異なっていてもよい。
式（２−２）中、Ｒ１９〜Ｒ３０は、水素原子、ハロゲン原子、酸素原子、酸素原子若しくはハロゲン原子を有していてもよい炭化水素基、又は、置換基を有していてもよいアルコキシ基を表し、それぞれ同一であってもよいし、異なっていてもよい。
式（２−３）中、Ｒ３１〜Ｒ４８は、水素原子、ハロゲン原子、酸素原子、酸素原子若しくはハロゲン原子を有していてもよい炭化水素基、又は、置換基を有していてもよいアルコキシ基を表し、それぞれ同一であってもよいし、異なっていてもよい。
式（２−４）中、Ｒ４９〜Ｒ６６は、水素原子、ハロゲン原子、酸素原子、酸素原子若しくはハロゲン原子を有していてもよい炭化水素基、又は、置換基を有していてもよいアルコキシ基を表し、それぞれ同一であってもよいし、異なっていてもよい。
【請求項５】
２５℃における粘度が５ｍＰａ・ｓ以上５０ｍＰａ・ｓ以下である請求項１、２、３又は４記載の電子デバイス用光硬化性樹脂組成物。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、塗布性及び硬化性に優れ、かつ、低い誘電率を有する電子デバイス用光硬化性樹脂組成物に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、タッチパネル用接着剤や回路基板用ソルダーレジスト等に用いられる電子デバイス用硬化性樹脂組成物として、適度な粘度を有して塗布性に優れ、かつ、光硬化性を有する材料が求められている。
【０００３】
タッチパネルは、携帯電話、スマートフォン、カーナビゲーション、パーソナルコンピューター等の電子機器に使用されている。なかでも、静電容量式のタッチパネルは、機能性に優れることから、急速に普及している。
静電容量式のタッチパネルは、一般に、カバーパネルと、接着剤層と、基板とが積層されて構成されている。上記接着剤層には、透明性、及び、被着体に対する接着力に優れていることが求められる。このような接着剤層として、例えば、特許文献１には、特定のモノマー成分を重合することにより得られた（メタ）アクリル系ポリマーを含む粘着剤層が開示されている。
【０００４】
一方、回路基板は、一般に、絶縁材料からなる基材上に形成された配線パターンによる回路を有し、最表面は、回路の保護、回路外部との絶縁等の目的でソルダーレジストと呼ばれる保護膜で被覆されている。また、ソルダーレジストを用いることにより、部品を実装したり、外部配線への接続を行ったりする際に、はんだが配線間に付着して短絡するハンダブリッジを防止することができる。ソルダーレジストには、例えば、特許文献２に開示されているように、パターンを形成するために感光性を有する硬化性樹脂組成物が使用されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１４−０３４６５５号公報
【特許文献２】特開平０８−２５９６６３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
近年、静電容量式のタッチパネルの薄型化及び大型化に伴い、タッチパネルの応答速度を低下させないために、上述した接着剤層に用いられる硬化性樹脂組成物には、更に、低誘電率、低誘電正接といった誘電特性を有することが求められている。
一方、特許文献２に開示されているような硬化性樹脂組成物に用いられる硬化性樹脂は、感光性を付与するために酸基等の極性基を有することから、誘電率及び誘電正接が高くなり、その結果、高周波の電圧を回路に印加した場合に伝達遅延や信号損失が生じたりするという問題があった。また、微細なソルダーレジストパターンを容易にかつ効率的に形成する方法として、印刷方式によりソルダーレジストパターンを形成する方法が行われているが、従来の硬化性樹脂組成物を特にインクジェット法等による印刷方式に適した塗布性を有するものとした場合、誘電率及び誘電正接を低くすることが困難となるという問題があった。
本発明は、塗布性及び硬化性に優れ、かつ、低い誘電率を有する電子デバイス用光硬化性樹脂組成物を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、硬化性樹脂と重合開始剤とを含有する電子デバイス用光硬化性樹脂組成物であって、上記硬化性樹脂は、単官能重合性化合物と多官能カチオン重合性化合物とを含み、上記単官能重合性化合物は、置換されていてもよいジシクロペンテニル基を有する単官能重合性化合物、置換されていてもよいジシクロペンタニル基を有する単官能重合性化合物、及び、置換されていてもよいノルボルネニル基を有する単官能重合性化合物からなる群より選択される少なくとも１種を含み、２５℃、１００ｋＨｚの条件で測定した誘電率が、３．５以下である電子デバイス用光硬化性樹脂組成物である。
以下に本発明を詳述する。
【０００８】
本発明者らは、硬化性樹脂として、特定の構造を有する単官能重合性化合物と、多官能カチオン重合性化合物とを組み合わせて用いることにより、塗布性及び硬化性に優れ、かつ、低い誘電率を有する電子デバイス用光硬化性樹脂組成物を得ることができることを見出し、本発明を完成させるに至った。
【０００９】
本発明の電子デバイス用光硬化性樹脂組成物は、硬化性樹脂を含有する。
上記硬化性樹脂は、単官能重合性化合物を含む。
上記単官能重合性化合物は、置換されていてもよいジシクロペンテニル基を有する単官能重合性化合物、置換されていてもよいジシクロペンタニル基を有する単官能重合性化合物、及び、置換されていてもよいノルボルネニル基を有する単官能重合性化合物からなる群より選択される少なくとも１種を含む。以下、上記置換されていてもよいジシクロペンテニル基を有する単官能重合性化合物を「ジシクロペンテニル基含有単官能重合性化合物」ともいう。また、以下、上記置換されていてもよいジシクロペンタニル基を有する単官能重合性化合物を「ジシクロペンタニル基含有単官能重合性化合物」ともいう。更に、以下、上記置換されていてもよいノルボルネニル基を有する単官能重合性化合物を「ノルボルネニル基含有単官能重合性化合物」ともいう。上記ジシクロペンテニル基含有単官能重合性化合物、上記ジシクロペンタニル基含有単官能重合性化合物、及び、上記ノルボルネニル基含有単官能重合性化合物からなる群より選択される少なくとも１種を含有することで、本発明の電子デバイス用光硬化性樹脂組成物は、塗布性に優れ、かつ、低い誘電率を有するものとなる。
【００１０】
上記単官能重合性化合物は、１分子中に１つのカチオン重合性基又は１分子中に１つのラジカル重合性基を有する。
上記単官能重合性化合物の有するカチオン重合性基としては、例えば、エポキシ基、オキセタニル基、ビニルエーテル基等が挙げられ、ラジカル重合性基としては、例えば、アクリロイル基、メタクリロイル基、ビニル基、アリル基等が挙げられる。なかでも、エポキシ基、オキセタニル基、アクリロイル基が好ましい。
【００１１】
上記単官能重合性化合物は、具体的には、下記式（１−１）で表される化合物、下記式（１−２）で表される化合物、下記式（１−３）で表される化合物、下記式（１−４）で表される化合物、下記式（１−５）で表される化合物、下記式（１−６）で表される化合物、及び、下記式（１−７）で表される化合物からなる群より選択される少なくとも１種を含むことが好ましい。
【００１２】
【化１】
2019189848.tif 000002
【００１３】
上記硬化性樹脂１００重量部中における上記単官能重合性化合物の含有量の好ましい下限は２０重量部、好ましい上限は９０重量部である。上記単官能重合性化合物の含有量がこの範囲であることにより、得られる電子デバイス用光硬化性樹脂組成物が優れた硬化性を維持しつつ、より塗布性に優れ、かつ、より誘電率の低いものとなる。上記単官能重合性化合物の含有量のより好ましい下限は３０重量部、より好ましい上限は７０重量部である。
【００１４】
上記硬化性樹脂は、多官能カチオン重合性化合物を含む。
上記多官能カチオン重合性化合物を含有することにより、本発明の電子デバイス用光硬化性樹脂組成物は、硬化性に優れるものとなる。
【００１５】
上記多官能カチオン重合性化合物は、１分子中に２つ以上のカチオン重合性基を有する。
上記多官能カチオン重合性化合物の有するカチオン重合性基としては、上述した単官能重合性化合物の有するカチオン重合性基と同様のものが挙げられる。なかでも、エポキシ基、オキセタニル基が好ましい。
【００１６】
上記多官能カチオン重合性化合物は、得られる電子デバイス用光硬化性樹脂組成物が、低い誘電率を維持しつつ、硬化性により優れるものとなることから、多官能脂環式エポキシ化合物、多官能脂肪族グリシジルエーテル化合物、及び、多官能オキセタン化合物からなる群より選択される少なくとも１種を含むことが好ましい。
【００１７】
上記多官能脂環式エポキシ化合物は、脂環式エポキシ基を有する。
上記多官能脂環式エポキシ化合物は、１分子中に上記脂環式エポキシ基を２つ以上有するものであってもよいし、１分子中に１つの上記脂環式エポキシ基と１つ以上の脂環式でないエポキシ基を有するものであってもよい。
上記脂環式エポキシ基としては、エポキシシクロヘキシル基等が挙げられる。
【００１８】
上記多官能脂環式エポキシ化合物としては、具体的には例えば、下記式（２−１）で表される化合物、下記式（２−２）で表される化合物、下記式（２−３）で表される化合物、下記式（２−４）で表される化合物、１，２，８，９−ジエポキシリモネン、両末端脂環式エポキシ変性シリコーンオイル、側鎖型脂環式エポキシ変性シリコーンオイル等が挙げられる。なかでも、下記式（２−１）で表される化合物、下記式（２−２）で表される化合物、下記式（２−３）で表される化合物、及び、下記式（２−４）で表される化合物からなる群より選択される少なくとも１種が好ましく、下記式（２−１）で表される化合物がより好ましく、３，４，３’，４’−ジエポキシビシクロヘキサンが更に好ましい。
【００１９】
【化２】
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【００２０】
式（２−１）中、Ｒ１〜Ｒ１８は、水素原子、ハロゲン原子、酸素原子、酸素原子若しくはハロゲン原子を有していてもよい炭化水素基、又は、置換基を有していてもよいアルコキシ基を表し、それぞれ同一であってもよいし、異なっていてもよい。
式（２−２）中、Ｒ１９〜Ｒ３０は、水素原子、ハロゲン原子、酸素原子、酸素原子若しくはハロゲン原子を有していてもよい炭化水素基、又は、置換基を有していてもよいアルコキシ基を表し、それぞれ同一であってもよいし、異なっていてもよい。
式（２−３）中、Ｒ３１〜Ｒ４８は、水素原子、ハロゲン原子、酸素原子、酸素原子若しくはハロゲン原子を有していてもよい炭化水素基、又は、置換基を有していてもよいアルコキシ基を表し、それぞれ同一であってもよいし、異なっていてもよい。
式（２−４）中、Ｒ４９〜Ｒ６６は、水素原子、ハロゲン原子、酸素原子、酸素原子若しくはハロゲン原子を有していてもよい炭化水素基、又は、置換基を有していてもよいアルコキシ基を表し、それぞれ同一であってもよいし、異なっていてもよい。
【００２１】
上記式（２−１）で表される化合物、上記式（２−２）で表される化合物、上記式（２−３）で表される化合物、及び、上記式（２−４）で表される化合物は、例えば、特許第５２２６１６２号、特許第５９７９６３１号等に開示されている方法により製造することができる。
【００２２】
上記式（２−１）で表される化合物のうち市販されているものとしては、例えば、セロキサイド８０００（ダイセル社製）等が挙げられる。
上記式（２−２）で表される化合物のうち市販されているものとしては、例えば、ＴＨＩ−ＤＥ（ＪＸＴＧエネルギー社製）等が挙げられる。
上記式（２−３）で表される化合物のうち市販されているものとしては、例えば、ＤＥ−１０２（ＪＸＴＧエネルギー社製）等が挙げられる。
上記式（２−４）で表される化合物のうち市販されているものとしては、例えば、ＤＥ−１０３（ＪＸＴＧエネルギー社製）等が挙げられる。
【００２３】
上記両末端脂環式エポキシ変性シリコーンオイルとしては、例えば、下記式（３）で表される化合物等が挙げられる。
上記側鎖型脂環式エポキシ変性シリコーンオイルとしては、下記式（４）で表される化合物等が挙げられる。
【００２４】
【化３】
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【００２５】
式（３）中、Ｒ６７は、それぞれ独立に、炭素数１以上１０以下のアルキル基を表し、Ｒ６８は、それぞれ独立に、結合手又は炭素数１以上６以下のアルキレン基を表し、ｎは、０以上１０００以下の整数を表す。
【００２６】
【化４】
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【００２７】
式（４）中、Ｒ６９は、それぞれ独立に、炭素数１以上１０以下のアルキル基を表し、Ｒ７０は、結合手又は炭素数１以上６以下のアルキレン基を表し、Ｒ７１は、それぞれ独立に、炭素数１以上１０以下のアルキル基、又は、下記式（５−１）若しくは（５−２）で表される基を表す。ｌは、０以上１０００以下の整数を表し、ｍは、１以上１００以下の整数を表す。ただし、Ｒ７１がいずれも炭素数１以上１０以下のアルキル基である場合、ｍは、２以上１００以下の整数を表す。
【００２８】
【化５】
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【００２９】
式（５−１）及び（５−２）中、Ｒ７２は、結合手又は炭素数１以上６以下のアルキレン基を表し、＊は、結合位置を表す。
【００３０】
上記多官能脂肪族グリシジルエーテル化合物は、脂肪族骨格を有する。
上記多官能脂肪族グリシジルエーテル化合物は、上記脂肪族骨格として、直鎖状又は分岐鎖状の脂肪族骨格のみを有するものであってもよいし、環状の脂肪族骨格を有するものであってもよい。
【００３１】
上記多官能脂肪族グリシジルエーテル化合物としては、具体的には例えば、１，６−ヘキサンジオールジグリシジルエーテル、ネオペンチルグリコールジグリシジルエーテル、シクロヘキサンジメタノールジグリシジルエーテル、トリシクロデカンジオールジグリシジルエーテル等が挙げられる。
【００３２】
上記多官能オキセタン化合物としては、具体的には例えば、３−エチル−３−（（（３−エチルオキセタン−３−イル）メトキシ）メチル）オキセタン、１，４−ビス（（（３−エチルオキセタン−３−イル）メトキシ）メチル）ベンゼン、イソフタル酸ビス（（３−エチルオキセタン−３−イル）メチル）等が挙げられる。
【００３３】
上記硬化性樹脂１００重量部中における上記多官能カチオン重合性化合物の含有量の好ましい下限は１０重量部、好ましい上限は８０重量部である。上記多官能カチオン重合性化合物の含有量がこの範囲であることにより、得られる電子デバイス用光硬化性樹脂組成物が優れた塗布性及び低い誘電率を維持しつつ、硬化性により優れるものとなる。上記多官能カチオン重合性化合物の含有量のより好ましい下限は３０重量部、より好ましい上限は７０重量部である。
【００３４】
上記単官能重合性化合物と上記多官能カチオン重合化合物との比率（単官能重合性化合物：多官能カチオン重合化合物）は、重量比で、３：７から７：３であることが好ましい。上記単官能重合性化合物と上記多官能カチオン重合化合物との比率がこの範囲であることにより、高信頼性と低誘電率とを両立することが容易となり、電子デバイス用樹脂組成物としてより優れるものになる。上記単官能重合性化合物と上記多官能カチオン重合化合物との比率は、４：６から６：４であることがより好ましい。
【００３５】
上記硬化性樹脂は、本発明の目的を阻害しない範囲で、粘度調整による塗布性の向上等を目的として、上記単官能重合性化合物及び上記多官能カチオン重合性化合物に加えて、その他の硬化性樹脂を含有してもよい。
上記その他の硬化性樹脂としては、（メタ）アクリル化合物等が挙げられる。
なお、本明細書において上記「（メタ）アクリル」とは、アクリル又はメタクリルを意味し、「（メタ）アクリル化合物」とは、（メタ）アクリロイル基を有する化合物を意味し、「（メタ）アクリロイル」とは、アクリロイル又はメタクリロイルを意味する。
【００３６】
上記（メタ）アクリル化合物としては、例えば、グリシジル（メタ）アクリレート、１，６−ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、１，９−ノナンジオールジ（メタ）アクリレート、ジシクロペンテニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンテニルオキシエチル（メタ）アクリレート、ジシクロペンタニル（メタ）アクリレート、ベンジル（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アリレート、１，１２−ドデカンジオールジ（メタ）アクリレート、ラウリル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリル変性シリコーンオイル等が挙げられる。
これらの（メタ）アクリル化合物は、単独で用いられてもよいし、２種以上が組み合わせて用いられてもよい。
なお、本明細書において上記「（メタ）アクリレート」とは、アクリレート又はメタクリレートを意味する。
【００３７】
上記硬化性樹脂１００重量部中における上記その他の硬化性樹脂の含有量の好ましい下限は５重量部、好ましい上限は３０重量部である。上記その他の硬化性樹脂の含有量がこの範囲であることにより、得られる電子デバイス用光硬化性樹脂組成物の誘電特性等を悪化させることなく、塗布性を向上させる等の効果により優れるものとなる。上記その他の硬化性樹脂の含有量のより好ましい下限は１０重量部、より好ましい上限は２０重量部である。
【００３８】
本発明の電子デバイス用光硬化性樹脂組成物は、重合開始剤を含有する。
上記重合開始剤としては、光カチオン重合開始剤が好適に用いられる。また、上記その他の硬化性樹脂として上記（メタ）アクリル樹脂を含有する場合、上記重合開始剤として上記光カチオン重合開始剤と光ラジカル重合開始剤とを併用してもよい。更に、本発明の目的を阻害しない範囲で熱カチオン重合開始剤や熱ラジカル重合開始剤を用いてもよい。
【００３９】
上記光カチオン重合開始剤は、光照射によりプロトン酸又はルイス酸を発生するものであれば特に限定されず、イオン性光酸発生型であってもよいし、非イオン性光酸発生型であってもよい。
【００４０】
上記イオン性光酸発生型の光カチオン重合開始剤のアニオン部分としては、例えば、ＢＦ４−、ＰＦ６−、ＳｂＦ６−、（ＢＸ４）−（但し、Ｘは、少なくとも２つ以上のフッ素又はトリフルオロメチル基で置換されたフェニル基を表す）等が挙げられる。また、上記アニオン部分としては、ＰＦｍ（ＣｎＦ２ｎ＋１）６−ｍ−（但し、ｍは０以上５以下の整数であり、ｎは１以上６以下の整数である）等も挙げられる。
上記イオン性光酸発生型の光カチオン重合開始剤としては、例えば、上記アニオン部分を有する、芳香族スルホニウム塩、芳香族ヨードニウム塩、芳香族ジアゾニウム塩、芳香族アンモニウム塩、（２，４−シクロペンタジエン−１−イル）（（１−メチルエチル）ベンゼン）−Ｆｅ塩等が挙げられる。
【００４１】
上記芳香族スルホニウム塩としては、例えば、ビス（４−（ジフェニルスルホニオ）フェニル）スルフィドビスヘキサフルオロホスフェート、ビス（４−（ジフェニルスルホニオ）フェニル）スルフィドビスヘキサフルオロアンチモネート、ビス（４−（ジフェニルスルホニオ）フェニル）スルフィドビステトラフルオロボレート、ビス（４−（ジフェニルスルホニオ）フェニル）スルフィドテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、ジフェニル−４−（フェニルチオ）フェニルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート、ジフェニル−４−（フェニルチオ）フェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジフェニル−４−（フェニルチオ）フェニルスルホニウムテトラフルオロボレート、ジフェニル−４−（フェニルチオ）フェニルスルホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、トリフェニルスルホニウムテトラフルオロボレート、トリフェニルスルホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、ビス（４−（ジ（４−（２−ヒドロキシエトキシ））フェニルスルホニオ）フェニル）スルフィドビスヘキサフルオロホスフェート、ビス（４−（ジ（４−（２−ヒドロキシエトキシ））フェニルスルホニオ）フェニル）スルフィドビスヘキサフルオロアンチモネート、ビス（４−（ジ（４−（２−ヒドロキシエトキシ））フェニルスルホニオ）フェニル）スルフィドビステトラフルオロボレート、ビス（４−（ジ（４−（２−ヒドロキシエトキシ））フェニルスルホニオ）フェニル）スルフィドテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、トリス（４−（４−アセチルフェニル）チオフェニル）スルホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート等が挙げられる。
【００４２】
上記芳香族ヨードニウム塩としては、例えば、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロホスフェート、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジフェニルヨードニウムテトラフルオロボレート、ジフェニルヨードニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、ビス（ドデシルフェニル）ヨードニウムヘキサフルオロホスフェート、ビス（ドデシルフェニル）ヨードニウムヘキサフルオロアンチモネート、ビス（ドデシルフェニル）ヨードニウムテトラフルオロボレート、ビス（ドデシルフェニル）ヨードニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、４−メチルフェニル−４−（１−メチルエチル）フェニルヨードニウムヘキサフルオロホスフェート、４−メチルフェニル−４−（１−メチルエチル）フェニルヨードニウムヘキサフルオロアンチモネート、４−メチルフェニル−４−（１−メチルエチル）フェニルヨードニウムテトラフルオロボレート、４−メチルフェニル−４−（１−メチルエチル）フェニルヨードニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート等が挙げられる。
【００４３】
上記芳香族ジアゾニウム塩としては、例えば、フェニルジアゾニウムヘキサフルオロホスフェート、フェニルジアゾニウムヘキサフルオロアンチモネート、フェニルジアゾニウムテトラフルオロボレート、フェニルジアゾニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート等が挙げられる。
【００４４】
上記芳香族アンモニウム塩としては、例えば、１−ベンジル−２−シアノピリジニウムヘキサフルオロホスフェート、１−ベンジル−２−シアノピリジニウムヘキサフルオロアンチモネート、１−ベンジル−２−シアノピリジニウムテトラフルオロボレート、１−ベンジル−２−シアノピリジニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、１−（ナフチルメチル）−２−シアノピリジニウムヘキサフルオロホスフェート、１−（ナフチルメチル）−２−シアノピリジニウムヘキサフルオロアンチモネート、１−（ナフチルメチル）−２−シアノピリジニウムテトラフルオロボレート、１−（ナフチルメチル）−２−シアノピリジニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート等が挙げられる。
【００４５】
上記（２，４−シクロペンタジエン−１−イル）（（１−メチルエチル）ベンゼン）−Ｆｅ塩としては、例えば、（２，４−シクロペンタジエン−１−イル）（（１−メチルエチル）ベンゼン）−Ｆｅ（ＩＩ）ヘキサフルオロホスフェート、（２，４−シクロペンタジエン−１−イル）（（１−メチルエチル）ベンゼン）−Ｆｅ（ＩＩ）ヘキサフルオロアンチモネート、（２，４−シクロペンタジエン−１−イル）（（１−メチルエチル）ベンゼン）−Ｆｅ（ＩＩ）テトラフルオロボレート、（２，４−シクロペンタジエン−１−イル）（（１−メチルエチル）ベンゼン）−Ｆｅ（ＩＩ）テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート等が挙げられる。
【００４６】
上記非イオン性光酸発生型の光カチオン重合開始剤としては、例えば、ニトロベンジルエステル、スルホン酸誘導体、リン酸エステル、フェノールスルホン酸エステル、ジアゾナフトキノン、Ｎ−ヒドロキシイミドスルホネート等が挙げられる。
【００４７】
上記光カチオン重合開始剤のうち市販されているものとしては、例えば、みどり化学社製の光カチオン重合開始剤、ユニオンカーバイド社製の光カチオン重合開始剤、ＡＤＥＫＡ社製の光カチオン重合開始剤、３Ｍ社製の光カチオン重合開始剤、ＢＡＳＦ社製の光カチオン重合開始剤、ローディア社製の光カチオン重合開始剤等が挙げられる。
上記みどり化学社製の光カチオン重合開始剤としては、例えば、ＤＴＳ−２００等が挙げられる。
上記ユニオンカーバイド社製の光カチオン重合開始剤としては、例えば、ＵＶＩ６９９０、ＵＶＩ６９７４等が挙げられる。
上記ＡＤＥＫＡ社製の光カチオン重合開始剤としては、例えば、ＳＰ−１５０、ＳＰ−１７０等が挙げられる。
上記３Ｍ社製の光カチオン重合開始剤としては、例えば、ＦＣ−５０８、ＦＣ−５１２等が挙げられる。
上記ＢＡＳＦ社製の光カチオン重合開始剤としては、例えば、ＩＲＧＡＣＵＲＥ２６１、ＩＲＧＡＣＵＲＥ２９０等が挙げられる。
上記ローディア社製の光カチオン重合開始剤としては、例えば、ＰＩ２０７４等が挙げられる。
【００４８】
上記光ラジカル重合開始剤としては、例えば、ベンゾフェノン系化合物、アセトフェノン系化合物、アシルフォスフィンオキサイド系化合物、チタノセン系化合物、オキシムエステル系化合物、ベンゾインエーテル系化合物、ベンジル、チオキサントン系化合物等が挙げられる。
【００４９】
上記光ラジカル重合開始剤のうち市販されているものとしては、例えば、ＢＡＳＦ社製の光ラジカル重合開始剤、東京化成工業社製の光ラジカル重合開始剤等が挙げられる。
上記ＢＡＳＦ社製の光ラジカル重合開始剤としては、例えば、ＩＲＧＡＣＵＲＥ１８４、ＩＲＧＡＣＵＲＥ３６９、ＩＲＧＡＣＵＲＥ３７９、ＩＲＧＡＣＵＲＥ６５１、ＩＲＧＡＣＵＲＥ８１９、ＩＲＧＡＣＵＲＥ９０７、ＩＲＧＡＣＵＲＥ２９５９、ＩＲＧＡＣＵＲＥ  ＯＸＥ０１、ルシリンＴＰＯ等が挙げられる。
上記東京化成工業社製の光ラジカル重合開始剤としては、例えば、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル等が挙げられる。
【００５０】
上記熱カチオン重合開始剤としては、アニオン部分がＢＦ４−、ＰＦ６−、ＳｂＦ６−、又は、（ＢＸ４）−（但し、Ｘは、少なくとも２つ以上のフッ素又はトリフルオロメチル基で置換されたフェニル基を表す）で構成される、スルホニウム塩、ホスホニウム塩、アンモニウム塩等が挙げられる。なかでも、スルホニウム塩、アンモニウム塩が好ましい。
【００５１】
上記スルホニウム塩としては、トリフェニルスルホニウムテトラフルオロボレート、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート等が挙げられる。
【００５２】
上記ホスホニウム塩としては、エチルトリフェニルホスホニウムヘキサフルオロアンチモネート、テトラブチルホスホニウムヘキサフルオロアンチモネート等が挙げられる。
【００５３】
上記アンモニウム塩としては、例えば、ジメチルフェニル（４−メトキシベンジル）アンモニウムヘキサフルオロホスフェート、ジメチルフェニル（４−メトキシベンジル）アンモニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジメチルフェニル（４−メトキシベンジル）アンモニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、ジメチルフェニル（４−メチルベンジル）アンモニウムヘキサフルオロホスフェート、ジメチルフェニル（４−メチルベンジル）アンモニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジメチルフェニル（４−メチルベンジル）アンモニウムヘキサフルオロテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、メチルフェニルジベンジルアンモニウムヘキサフルオロホスフェート、メチルフェニルジベンジルアンモニウムヘキサフルオロアンチモネート、メチルフェニルジベンジルアンモニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、フェニルトリベンジルアンモニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、ジメチルフェニル（３，４−ジメチルベンジル）アンモニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、Ｎ，Ｎ−ジメチル−Ｎ−ベンジルアニリニウムヘキサフルオロアンチモネート、Ｎ，Ｎ−ジエチル−Ｎ−ベンジルアニリニウムテトラフルオロボレート、Ｎ，Ｎ−ジメチル−Ｎ−ベンジルピリジニウムヘキサフルオロアンチモネート、Ｎ，Ｎ−ジエチル−Ｎ−ベンジルピリジニウムトリフルオロメタンスルホン酸等が挙げられる。
【００５４】
上記熱カチオン重合開始剤のうち市販されているものとしては、例えば、三新化学工業社製の熱カチオン重合開始剤、Ｋｉｎｇ  Ｉｎｄｕｓｔｒｉｅｓ社製の熱カチオン重合開始剤等が挙げられる。
上記三新化学工業社製の熱カチオン重合開始剤としては、例えば、サンエイドＳＩ−６０、サンエイドＳＩ−８０、サンエイドＳＩ−Ｂ３、サンエイドＳＩ−Ｂ３Ａ、サンエイドＳＩ−Ｂ４等が挙げられる。
上記Ｋｉｎｇ  Ｉｎｄｕｓｔｒｉｅｓ社製の熱カチオン重合開始剤としては、例えば、ＣＸＣ１６１２、ＣＸＣ１８２１等が挙げられる。
【００５５】
上記熱ラジカル重合開始剤としては、例えば、アゾ化合物、有機過酸化物等からなるものが挙げられる。
上記アゾ化合物としては、例えば、２，２’−アゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）、アゾビスイソブチロニトリル等が挙げられる。
上記有機過酸化物としては、例えば、過酸化ベンゾイル、ケトンパーオキサイド、パーオキシケタール、ハイドロパーオキサイド、ジアルキルパーオキサイド、パーオキシエステル、ジアシルパーオキサイド、パーオキシジカーボネート等が挙げられる。
【００５６】
上記熱ラジカル重合開始剤のうち市販されているものとしては、例えば、ＶＰＥ−０２０１、ＶＰＥ−０４０１、ＶＰＥ−０６０１、ＶＰＳ−０５０１、ＶＰＳ−１００１、Ｖ−５０１（いずれも富士フイルム和光純薬社製）等が挙げられる。
【００５７】
上記重合開始剤の含有量は、上記硬化性樹脂１００重量部に対して、好ましい下限が０．０１重量部、好ましい上限が１０重量部である。上記重合開始剤の含有量が０．０１重量部以上であることにより、得られる電子デバイス用光硬化性樹脂組成物が硬化性により優れるものとなる。上記重合開始剤の含有量が１０重量部以下であることにより、得られる電子デバイス用光硬化性樹脂組成物の硬化反応が速くなりすぎず、作業性により優れるものとなり、硬化物をより均一なものとすることができる。上記重合開始剤の含有量のより好ましい下限は０．０５重量部、より好ましい上限は５重量部である。
【００５８】
本発明の電子デバイス用光硬化性樹脂組成物は、増感剤又は増感助剤を含有してもよい。上記増感剤又は増感助剤は、上記重合開始剤の重合開始効率をより向上させて、本発明の電子デバイス用光硬化性樹脂組成物の硬化反応をより促進させる役割を有する。  
【００５９】
上記増感剤としては、例えば、チオキサントン系化合物や、２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン、ベンゾフェノン、２，４−ジクロロベンゾフェノン、ｏ−ベンゾイル安息香酸メチル、４，４’−ビス（ジメチルアミノ）ベンゾフェノン、４−ベンゾイル−４’−メチルジフェニルサルファイド等が挙げられる。
上記チオキサントン系化合物としては、例えば、２，４−ジエチルチオキサントン等が挙げられる。
【００６０】
上記増感剤の含有量は、上記硬化性樹脂１００重量部に対して、好ましい下限が０．０１重量部、好ましい上限が３重量部である。上記増感剤の含有量が０．０１重量部以上であることにより、増感効果がより発揮される。上記増感剤の含有量が３重量部以下であることにより、吸収が大きくなりすぎずに深部まで光を伝えることができる。上記増感剤の含有量のより好ましい下限は０．１重量部、より好ましい上限は１重量部である。
【００６１】
本発明の電子デバイス用光硬化性樹脂組成物は、本発明の目的を阻害しない範囲で熱硬化剤を含有してもよい。
上記熱硬化剤としては、例えば、ヒドラジド化合物、イミダゾール誘導体、酸無水物、ジシアンジアミド、グアニジン誘導体、変性脂肪族ポリアミン、各種アミンとエポキシ樹脂との付加生成物等が挙げられる。
上記ヒドラジド化合物としては、例えば、１，３−ビス（ヒドラジノカルボノエチル）−５−イソプロピルヒダントイン、セバシン酸ジヒドラジド、イソフタル酸ジヒドラジド、アジピン酸ジヒドラジド、マロン酸ジヒドラジド等が挙げられる。
上記イミダゾール誘導体としては、例えば、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール、Ｎ−（２−（２−メチル−１−イミダゾリル）エチル）尿素、２，４−ジアミノ−６−（２’−メチルイミダゾリル−（１’））−エチル−ｓ−トリアジン、Ｎ，Ｎ’−ビス（２−メチル−１−イミダゾリルエチル）尿素、Ｎ，Ｎ’−（２−メチル−１−イミダゾリルエチル）−アジポアミド、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール等が挙げられる。
上記酸無水物としては、例えば、テトラヒドロ無水フタル酸、エチレングリコールビス（アンヒドロトリメリテート）等が挙げられる。
これらの熱硬化剤は、単独で用いられてもよいし、２種以上が組み合わせて用いられてもよい。
【００６２】
上記熱硬化剤のうち市販されているものとしては、例えば、大塚化学社製の熱硬化剤、味の素ファインテクノ社製の熱硬化剤等が挙げられる。
上記大塚化学社製の熱硬化剤としては、例えば、ＳＤＨ、ＡＤＨ等が挙げられる。
上記味の素ファインテクノ社製の熱硬化剤としては、例えば、アミキュアＶＤＨ、アミキュアＶＤＨ−Ｊ、アミキュアＵＤＨ等が挙げられる。
【００６３】
上記熱硬化剤の含有量は、上記重合性化合物１００重量部に対して、好ましい下限が０．５重量部、好ましい上限が３０重量部である。上記熱硬化剤の含有量がこの範囲であることにより、得られる電子デバイス用光硬化性樹脂組成物が優れた保存安定性を維持したまま、熱硬化性により優れるものとなる。上記熱硬化剤の含有量のより好ましい下限は１重量部、より好ましい上限は１５重量部である。
【００６４】
本発明の電子デバイス用光硬化性樹脂組成物は、更に、シランカップリング剤を含有してもよい。上記シランカップリング剤は、本発明の電子デバイス用光硬化性樹脂組成物と基板等との接着性を向上させる役割を有する。
【００６５】
上記シランカップリング剤としては、例えば、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−イソシアネートプロピルトリメトキシシラン等が挙げられる。これらのシラン化合物は単独で用いられてもよいし、２種以上が併用されてもよい。
【００６６】
上記シランカップリング剤の含有量は、上記硬化性樹脂１００重量部に対して、好ましい下限が０．１重量部、好ましい上限が１０重量部である。上記シランカップリング剤の含有量がこの範囲であることにより、余剰のシランカップリング剤によるブリードアウトを抑制しつつ、得られる電子デバイス用光硬化性樹脂組成物の接着性を向上させる効果により優れるものとなる。上記シランカップリング剤の含有量のより好ましい下限は０．５重量部、より好ましい上限は５重量部である。
【００６７】
本発明の電子デバイス用光硬化性樹脂組成物は、硬化遅延剤を含有してもよい。上記硬化遅延剤を含有することにより、得られる電子デバイス用光硬化性樹脂組成物のポットライフを長くすることができる。
【００６８】
上記硬化遅延剤としては、例えば、ポリエーテル化合物等が挙げられる。
上記ポリエーテル化合物としては、例えば、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、ポリテトラメチレングリコール、クラウンエーテル化合物等が挙げられる。なかでも、クラウンエーテル化合物が好適である。
【００６９】
上記硬化遅延剤の含有量は、上記硬化性樹脂１００重量部に対して、好ましい下限が０．０５重量部、好ましい上限が５．０重量部である。上記硬化遅延剤の含有量がこの範囲であることにより、得られる電子デバイス用光硬化性樹脂組成物を硬化させる際のアウトガスの発生を抑制しつつ、遅延効果をより発揮できる。上記硬化遅延剤の含有量のより好ましい下限は０．１重量部、より好ましい上限は３．０重量部である。
【００７０】
本発明の電子デバイス用光硬化性樹脂組成物は、更に、本発明の目的を阻害しない範囲において、表面改質剤を含有してもよい。上記表面改質剤を含有することにより、本発明の電子デバイス用光硬化性樹脂組成物に塗膜の平坦性を付与することができる。
上記表面改質剤としては、例えば、界面活性剤やレベリング剤等が挙げられる。
【００７１】
上記表面改質剤としては、例えば、シリコーン系、アクリル系、フッ素系等のものが挙げられる。
上記表面改質剤のうち市販されているものとしては、例えば、ビックケミー・ジャパン社製の表面改質剤、ＡＧＣセイミケミカル社製の表面改質剤等が挙げられる。
上記ビックケミー・ジャパン社製の表面改質剤としては、例えば、ＢＹＫ−３４０、ＢＹＫ−３４５等が挙げられる。
上記ＡＧＣセイミケミカル社製の表面改質剤としては、例えば、サーフロンＳ−６１１等が挙げられる。
【００７２】
本発明の電子デバイス用光硬化性樹脂組成物は、本発明の目的を阻害しない範囲で、組成物中に発生した酸と反応する化合物又はイオン交換樹脂を含有してもよい。
【００７３】
上記組成物中に発生した酸と反応する化合物としては、酸と中和する物質、例えば、アルカリ金属若しくはアルカリ土類金属の炭酸塩又は炭酸水素塩等が挙げられる。具体的には例えば、炭酸カルシウム、炭酸水素カルシウム、炭酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウム等が用いられる。
【００７４】
上記イオン交換樹脂としては、陽イオン交換型、陰イオン交換型、両イオン交換型のいずれも使用することができるが、特に塩化物イオンを吸着することのできる陽イオン交換型又は両イオン交換型が好適である。
【００７５】
また、本発明の電子デバイス用光硬化性樹脂組成物は、必要に応じて、補強剤、軟化剤、可塑剤、粘度調整剤、紫外線吸収剤、酸化防止剤等の公知の各種添加剤を含有してもよい。
【００７６】
本発明の電子デバイス用光硬化性樹脂組成物を製造する方法としては、例えば、ホモディスパー、ホモミキサー、万能ミキサー、プラネタリーミキサー、ニーダー、３本ロール等の混合機を用いて、硬化性樹脂と、重合開始剤と、必要に応じて添加するシランカップリング剤等の添加剤とを混合する方法等が挙げられる。
【００７７】
本発明の電子デバイス用光硬化性樹脂組成物は、２５℃、１００ｋＨｚの条件で測定した誘電率の上限が３．５である。上記誘電率が３．５以下であることにより、本発明の電子デバイス用光硬化性樹脂組成物は、タッチパネル用接着剤や回路基板用ソルダーレジスト等の電子デバイス用接着剤や電子デバイス用コーティング剤等に好適に用いることができる。上記誘電率の好ましい上限は３．３、より好ましい上限は３．０である。
また、上記誘電率の好ましい下限は特にないが、実質的な下限は２．２である。
なお、上記「誘電率」は、誘電率測定装置を用いて測定することができる。
【００７８】
本発明の電子デバイス用光硬化性樹脂組成物は、インクジェット法による塗布に好適に用いることができる。
上記インクジェット法としては、非加熱式インクジェット法であってもよいし、加熱式インクジェット法であってもよい。
なお、本明細書において、上記「非加熱式インクジェット法」は、２８℃未満の塗布ヘッド温度でインクジェット塗布する方法であり、上記「加熱式インクジェット法」は、２８℃以上の塗布ヘッド温度でインクジェット塗布する方法である。
【００７９】
上記加熱式インクジェット法には、加熱機構を搭載したインクジェット用塗布ヘッドが用いられる。インクジェット塗布ヘッドが加熱機構を搭載していることにより、電子デバイス用光硬化性樹脂組成物を吐出する際に粘度と表面張力を低下させることができる。
【００８０】
上記加熱機構を搭載したインクジェット用塗布ヘッドとしては、例えば、コニカミノルタ社製のＫＭ１０２４シリーズや、富士フイルムＤｉｍａｔｉｘ社製のＳＧ１０２４シリーズ等が挙げられる。
【００８１】
本発明の電子デバイス用光硬化性樹脂組成物を上記加熱式インクジェット法による塗布に用いる場合、塗布ヘッドの加熱温度は、２８℃〜８０℃の範囲であることが好ましい。上記塗布ヘッドの加熱温度がこの範囲であることにより、電子デバイス用光硬化性樹脂組成物の経時的な粘度上昇が更に抑制され、吐出安定性により優れるものとなる。
【００８２】
本発明の電子デバイス用光硬化性樹脂組成物は、２５℃における粘度の好ましい下限が５ｍＰａ・ｓ、好ましい上限が５０ｍＰａ・ｓである。上記２５℃における粘度がこの範囲であることにより、インクジェット法によって好適に塗布することができる。
本発明の電子デバイス用光硬化性樹脂組成物の２５℃における粘度のより好ましい下限は８ｍＰａ・ｓであり、更に好ましい下限は１０ｍＰａ・ｓである。また、本発明の電子デバイス用光硬化性樹脂組成物の２５℃における粘度のより好ましい上限は４０ｍＰａ．ｓであり、更に好ましい上限は３０ｍＰａ．ｓである。
なお、本明細書において上記「粘度」は、Ｅ型粘度計を用いて、２５℃、１００ｒｐｍの条件で測定される値を意味する。上記Ｅ型粘度計としては、例えば、ＶＩＳＣＯＭＥＴＥＲ  ＴＶ−２２（東機産業社製）等が挙げられ、ＣＰ１型のコーンプレートを用いることができる。
【００８３】
本発明の電子デバイス用光硬化性樹脂組成物は、２５℃における表面張力の好ましい下限が１５ｍＮ／ｍ、好ましい上限が３５ｍＮ／ｍである。上記２５℃における表面張力がこの範囲であることにより、インクジェット法によって好適に塗布することができる。上記２５℃における表面張力のより好ましい下限は２０ｍＮ／ｍ、より好ましい上限は３０ｍＮ／ｍ、更に好ましい下限は２２ｍＮ／ｍ、更に好ましい上限は２８ｍＮ／ｍである。
なお、上記表面張力は、動的濡れ性試験機によりＷｉｌｈｅｌｍｙ法によって測定された値を意味する。上記動的濡れ性試験機としては、例えば、ＷＥＴ−６１００型（レスカ社製）等が挙げられる。
【００８４】
本発明の電子デバイス用光硬化性樹脂組成物は、３００ｎｍ以上４００ｎｍ以下の波長及び３００ｍＪ／ｃｍ２以上３０００ｍＪ／ｃｍ２以下の積算光量の光を照射することによって好適に硬化させることができる。
【００８５】
上記光照射に用いる光源としては、例えば、低圧水銀灯、中圧水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、エキシマレーザ、ケミカルランプ、ブラックライトランプ、マイクロウェーブ励起水銀灯、メタルハライドランプ、ナトリウムランプ、ハロゲンランプ、キセノンランプ、ＬＥＤランプ、蛍光灯、太陽光、電子線照射装置等が挙げられる。これらの光源は、単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
これらの光源は、上記光カチオン重合開始剤や上記光ラジカル重合開始剤の吸収波長に合わせて適宜選択される。
【００８６】
本発明の電子デバイス用光硬化性樹脂組成物への光の照射手段としては、例えば、各種光源の同時照射、時間差をおいての逐次照射、同時照射と逐次照射との組み合わせ照射等が挙げられ、いずれの照射手段を用いてもよい。
【００８７】
本発明の電子デバイス用光硬化性樹脂組成物は、タッチパネル用接着剤や回路基板用ソルダーレジスト等の電子デバイス用接着剤や電子デバイス用コーティング剤として好適に用いられる。また、本発明の電子デバイス用光硬化性樹脂組成物は、有機ＥＬ表示素子等の表示素子用封止剤としても好適に用いられる。
【発明の効果】
【００８８】
本発明によれば、塗布性及び硬化性に優れ、かつ、低い誘電率を有する電子デバイス用光硬化性樹脂組成物を提供することができる。
【発明を実施するための形態】
【００８９】
以下に実施例を掲げて本発明を更に詳しく説明するが、本発明はこれら実施例のみに限定されない。
【００９０】
（実施例１〜１６、比較例１〜３）
表１〜３に記載された配合比に従い、各材料を、ホモディスパー型撹拌混合機を用い、撹拌速度３０００ｒｐｍで均一に撹拌混合することにより、実施例１〜１６及び比較例１〜３の電子デバイス用光硬化性樹脂組成物を作製した。ホモディスパー型撹拌混合機としては、ホモディスパーＬ型（プライミクス社製）を用いた。
得られた各電子デバイス用光硬化性樹脂組成物をＰＥＴフィルム上に１００μｍの厚みに塗布し、ＬＥＤ  ＵＶランプを用いて３９５ｎｍの紫外線を３０００ｍＪ／ｃｍ２照射して硬化させた。ＬＥＤ  ＵＶランプとしては、ＳＱシリーズ（クオークテクノロジー社製）を用いた。その後、硬化した膜の両面に、対向する様に金電極を直径２ｃｍの円形に０．１μｍ厚に真空蒸着し、誘電率測定用試験片を作製した。得られた試験片について、誘電率測定装置を用いて、２５℃、１００ＭＨｚの条件で誘電率を測定した。誘電率測定装置としては、１２６０型インピーダンスアナライザー（ソーラートロン社製）及び１２９６型誘電率測定インターフェイス（ソーラートロン社製）を用いた。結果を表１〜３に示した。
【００９１】
＜評価＞
実施例及び比較例で得られた各電子デバイス用光硬化性樹脂組成物について以下の評価を行った。結果を表１〜３に示した。
【００９２】
（１）粘度
実施例及び比較例で得られた各電子デバイス用光硬化性樹脂組成物について、Ｅ型粘度計を用い、ＣＰ１型のコーンプレートにて、２５℃、１００ｒｐｍの条件における粘度を測定した。Ｅ型粘度計としては、ＶＩＳＣＯＭＥＴＥＲ  ＴＶ−２２（東機産業社製）を用いた。
【００９３】
（２）塗布性
実施例及び比較例で得られた各電子デバイス用光硬化性樹脂組成物を、インクジェットプリンターを用いて、アルカリ洗浄した無アルカリガラス上に１０ピコリットルの液滴量にて２５μｍピッチで格子状に印刷する塗布試験を行った。インクジェットプリンターとしては、マテリアルプリンタＤＭＰ−２８３１（富士フイルム社製）を用い、無アルカリガラスとしては、ＡＮ１００（ＡＧＣ社製）を用いた。
印刷領域に未塗布部分及びむらがなく均一に印刷されていた場合を「○」、未塗布部分はないがスジ状のむらが見られた場合を「△」、未塗布部分があった場合を「×」として塗布性を評価した。
【００９４】
（３）硬化性
実施例及び比較例で得られた各電子デバイス用光硬化性樹脂組成物について、ＬＥＤ  ＵＶランプを用いて３９５ｎｍの紫外線を３０００ｍＪ／ｃｍ２照射して硬化させた。ＬＥＤ  ＵＶランプとしては、ＳＱシリーズ（クオークテクノロジー社製）を用いた。硬化前の組成物と硬化物とについて、フーリエ変換赤外分光光度計にてＦＴ−ＩＲ分析を行った。フーリエ変換赤外分光光度計としては、ｉＳ−５（ニコレー社製）を用いた。エポキシ基の場合は９１５ｃｍ−１のピークの硬化後の減少率、また、オキセタニル基の場合は９８０ｃｍ−１のピークの硬化後の減少率をそれぞれ硬化率（カチオン重合性基の反応率）として算出した。
硬化率が９０％以上であった場合を「○」、７０％以上９０％未満であった場合を「△」、７０％未満であった場合を「×」として硬化性を評価した。
（４）有機ＥＬ表示素子の信頼性
（４−１）有機発光材料層を有する積層体が配置された基板の作製
長さ２５ｍｍ、幅２５ｍｍ、厚さ０．７ｍｍのガラスにＩＴＯ電極を１０００Åの厚さとなるように成膜したものを基板とした。上記基板をアセトン、アルカリ水溶液、イオン交換水、及び、イソプロピルアルコールにてそれぞれ１５分間超音波洗浄した後、煮沸させたイソプロピルアルコールにて１０分間洗浄し、更に、ＵＶ−オゾンクリーナにて直前処理を行った。ＵＶ−オゾンクリーナとしては、ＮＬ−ＵＶ２５３（日本レーザー電子社製）を用いた。
次に、直前処理後の基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、素焼きの坩堝にＮ，Ｎ’−ジ（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジン（α−ＮＰＤ）を２００ｍｇ入れ、別の素焼き坩堝にトリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ３）を２００ｍｇ入れ、真空チャンバー内を、１×１０−４Ｐａまで減圧した。その後、α−ＮＰＤの入った坩堝を加熱し、α−ＮＰＤを蒸着速度１５Å／ｓで基板に堆積させ、膜厚６００Åの正孔輸送層を成膜した。次いで、Ａｌｑ３の入った坩堝を加熱し、１５Å／ｓの蒸着速度で膜厚６００Åの有機発光材料層を成膜した。その後、正孔輸送層及び有機発光材料層が形成された基板を、タングステン製抵抗加熱ボートを有する別の真空蒸着装置に移し、真空蒸着装置内のタングステン製抵抗加熱ボートの１つにフッ化リチウム２００ｍｇを入れ、別のタングステン製抵抗加熱ボートにアルミニウム線１．０ｇを入れた。その後、真空蒸着装置の蒸着器内を２×１０−４Ｐａまで減圧してフッ化リチウムを０．２Å／ｓの蒸着速度で５Å成膜した後、アルミニウムを２０Å／ｓの速度で１０００Å成膜した。窒素により蒸着器内を常圧に戻し、１０ｍｍ×１０ｍｍの有機発光材料層を有する積層体が配置された基板を取り出した。
【００９５】
（４−２）無機材料膜Ａによる被覆
得られた積層体が配置された基板に１３ｍｍ×１３ｍｍの開口部を有するマスクを設置し、プラズマＣＶＤ法にて該積層体全体を覆うように無機材料膜Ａを形成した。
プラズマＣＶＤ法は、原料ガスとしてＳｉＨ４ガス及び窒素ガスを用い、各々の流量をＳｉＨ４ガス１０ｓｃｃｍ、窒素ガス２００ｓｃｃｍとし、ＲＦパワーを１０Ｗ（周波数２．４５ＧＨｚ）、チャンバー内温度を１００℃、チャンバー内圧力を０．９Ｔｏｒｒとする条件で行った。
形成された無機材料膜Ａの厚さは、約１μｍであった。
【００９６】
（４−３）樹脂保護膜の形成
得られた基板に対し、実施例及び比較例で得られた各有機ＥＬ表示素子用封止剤を、インクジェット吐出装置を使用して基板にパターン塗布した。インクジェット吐出装置としては、ＮａｎｏＰｒｉｎｔｅｒ５００（マイクロジェット社製）を用いた。
その後、ＬＥＤランプを用いて波長３６５ｎｍの紫外線を３０００ｍＪ／ｃｍ２照射して有機ＥＬ表示素子用封止剤を硬化させて樹脂保護膜を形成した。
【００９７】
（４−４）無機材料膜Ｂによる被覆
樹脂保護膜を形成した後、１２ｍｍ×１２ｍｍの開口部を有するマスクを設置し、プラズマＣＶＤ法にて該樹脂保護膜の全体を覆うように無機材料膜Ｂを形成して有機ＥＬ表示素子を得た。
プラズマＣＶＤ法は、上記「（３−２）無機材料膜Ａによる被覆」と同様の条件で行った。
形成された無機材料膜Ｂの厚さは、約１μｍであった。
【００９８】
（４−５）有機ＥＬ表示素子の発光状態
得られた有機ＥＬ表示素子を、温度８５℃、湿度８５％の環境下で１００時間暴露した後、３Ｖの電圧を印加し、有機ＥＬ表示素子の発光状態（ダークスポット及び画素周辺消光の有無）を目視で観察した。
ダークスポットや周辺消光が無く均一に発光した場合を「○」、ダークスポットや周辺消光はないものの輝度に僅かな低下が認められた場合を「△」、ダークスポットや周辺消光が認められた場合を「×」として有機ＥＬ表示素子の信頼性評価した。
【００９９】
【表１】
2019189848.tif 000007
【０１００】
【表２】
2019189848.tif 000008
【０１０１】
【表３】
2019189848.tif 000009
【産業上の利用可能性】
【０１０２】
本発明によれば、塗布性及び硬化性に優れ、かつ、低い誘電率を有する電子デバイス用光硬化性樹脂組成物を提供することができる。