(57)【要約】【課題】部品点数を増やすこと無く、簡単な構造で、高周波集積回路から発せられる熱を、効率良く外部へ放熱する、冷却性能の良い高周波モジュールを得る。【解決手段】  発熱部を有する高周波電子部品（３）が実装された誘電体多層基板（２）と、誘電体多層基板（２）の上に形成され、高周波電子部品と接触している第１グランドパターン（２ａ）と、立壁部（５ｂ）及びこれを覆う蓋部（５ａ）から構成され、内部に高周波電子部品を収納し、高周波電子部品における第１グランドパターンと接触している面と反対側の面と蓋部との間に空洞部を設けたブロック（５）と、第１グランドパターンと離隔し、誘電体多層基板の上に形成され、立壁部と接触している第２グランドパターン（２ａ）とを備える。第１グランドパターンと第２グランドパターンは、誘電体多層基板の内部で接続されている。発熱部で発生した熱は、第１グランドパターンから第２グランドパターンを介し、ブロックに伝達される。【選択図】図１
2019009457.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発熱部を有する高周波電子部品が実装された誘電体多層基板と、前記誘電体多層基板の上に形成され、前記高周波電子部品と接触している第１グランドパターンと、立壁部及びこれを覆う蓋部から構成され、内部に前記高周波電子部品を収納し、前記高周波電子部品における前記第１グランドパターンと接触している面と反対側の面と前記蓋部との間に空洞部を設けたブロックと、前記第１グランドパターンと離隔し、前記誘電体多層基板の上に形成され、前記立壁部と接触している第２グランドパターンとを備え、前記第１グランドパターンと前記第２グランドパターンは、前記誘電体多層基板の内部で接続され、前記発熱部で発生した熱は、前記第１グランドパターンから前記第２グランドパターンを介し、前記ブロックに伝達されることを特徴とする高周波モジュール。
【請求項２】
前記第１グランドパターンは、前記誘電体多層基板に露出したメタルコアであることを特徴とする請求項１に記載の高周波モジュール。
【請求項３】
発熱部を有する高周波電子部品が実装された誘電体多層基板と、前記誘電体多層基板の上に形成され、前記高周波電子部品と接触している第１グランドパターンと、立壁部及びこれを覆う蓋部から構成され、内部に前記高周波電子部品を収納し、ねじにより前記高周波電子部品が前記蓋部に引き寄せられて、前記高周波電子部品における前記第１グランドパターンと接触している面と反対側の面と前記蓋部とが接触し、前記反対側の面と前記蓋部との間に空洞部を設けたブロックと、前記第１グランドパターンと離隔し、前記誘電体多層基板の上に形成され、前記立壁部と接触している第２グランドパターンと、前記第１グランドパターンと前記第２グランドパターンとの間の前記誘電体多層基板の上で、はんだ接続されている前記高周波電子部品のリード端面とを備え、前記第１グランドパターンと前記第２グランドパターンは、前記誘電体多層基板の内部で接続され、前記リード端面が曲げ構造であることを特徴とする高周波モジュール。
【請求項４】
前記高周波電子部品と前記第１グランドパターンとは、放熱シートを介して接触していることを特徴とする請求項３に記載の高周波モジュール。
【請求項５】
前記高周波電子部品及び前記ブロックは、前記誘電体多層基板の一方の面に実装され、前記誘電体多層基板の他方の面に前記高周波電子部品に接続されたアンテナ素子を備えたことを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、マイクロ波等の高周波信号を増幅する高周波集積回路を有する高周波モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
マイクロ波帯の通信用の通信機器、レーダ装置、電力伝送装置等には、マイクロ波信号を増幅するための高周波モジュールが用いられる。高周波モジュールは、ＦＥＴ（Ｆｉｅｌｄ  Ｅｆｆｅｃｔ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）やＭＭＩＣ（Ｍｏｎｏｌｉｔｈｉｃ  Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ  Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）等の高周波集積回路を備えている。高周波集積回路は、その消費電力などにより発熱するため、高周波モジュールは、高周波集積回路を冷却するための放熱ヒートシンクなどを備える。しかし、実装面積の制約や、高周波集積回路が実装される誘電体多層基板裏面にアンテナ素子が形成される場合等では、高周波集積回路接着面から直接放熱ヒートシンクへ放熱する手段がとれず、別の冷却手段を講じる必要がある。
【０００３】
例えば、特開平９−１０２５７９号公報（特許文献１参照）には、外装金属カバーで外部筐体が構成された高周波モジュールにおいて、外装金属カバーの内側に内装金属カバーの側面を内接させて設けたものが開示されている。特許文献１に開示された高周波モジュールは、外装金属カバーの内部に誘電体基板、高周波集積回路及び窓部を有している。誘電体多層基板は、内装金属カバーの内側に収納されている。高周波集積回路は、内装金属カバーの外側に搭載されている。窓部は、内装金属カバーを貫通して設けられ、高周波集積回路を誘電体多層基板に接続する配線を通す開口である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平９−１０２５７９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１に記載の高周波モジュールは、高周波集積回路を搭載した内装金属カバーを外装金属カバーに内接することにより、高周波集積回路から発せられる熱を外装金属カバーに伝達して、高周波集積回路から発せられる熱を外部へ放出している。そのため、このような高周波モジュールでは、搭載する高周波集積回路の数量の分だけ、内装金属カバーを加工する必要があり、高周波モジュールの構造が複雑となる。
【０００６】
この発明は上記のような問題点を解決するためになされたものであり、部品点数を増やすこと無く、簡単な構造で、高周波集積回路から発せられる熱を、効率良く外部へ放熱する、冷却性能の良い高周波モジュールを得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
この発明に係る高周波モジュールは、第１グランドパターンと第２グランドパターンが誘電体多層基板の内部で接続され、発熱部で発生した熱が第１グランドパターンから第２グランドパターンを介してブロックに伝熱される、又は、ねじにより高周波電子部品がブロックの蓋部に引き寄せられて、発熱部で発生した熱がブロックに伝熱されるものである。
【発明の効果】
【０００８】
この発明によれば、高周波電子部品より発生した熱を、誘電体多層基板の接地層を介してブロックに伝熱、又は、高周波電子部品より発生した熱を、ねじにより高周波電子部品をブロックの蓋部に引き寄せることでブロックに伝熱して放熱することにより、部品点数を増加させることなく簡単な構造で、高周波集積回路から発せられる熱を効率良く外部へ放熱する冷却性能の良い高周波モジュールを実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】この発明の実施の形態１に係る高周波モジュールの断面図である。
【図２】この発明の実施の形態１に係る高周波モジュールの放熱経路を示す断面図である。
【図３】この発明の実施の形態１に係る高周波モジュールの放熱経路を示す上面透視図である。
【図４】この発明の実施の形態２に係る高周波モジュールの断面図である。
【図５】この発明の実施の形態３に係る高周波モジュールの断面図である。
【図６】この発明の実施の形態４に係る高周波モジュールの断面図である。
【図７】この発明の実施の形態５に係る高周波モジュールの断面図である。
【図８】この発明の実施の形態６に係る高周波モジュールの断面図である。
【図９】この発明の実施の形態６に係る高周波モジュールの放熱経路を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
本願の図面におけるＸ方向、Ｙ方向及びＺ方向は、それぞれ、高周波モジュール１の長手方向、短手方向及び厚み方向を示している。図１及び図２、並びに図４〜図９は、高周波モジュール１のＸＺ平面における固定ねじ６が形成されている箇所の含む位置の断面図を示している。なお、図７に関して、詳しくは、高周波モジュール１のＸＺ平面における固定ねじ６及びねじ１８が形成されている箇所の含む位置の断面図である。図３は、高周波モジュールのＸＹ平面における上面透視図を示している。具体的には、カットオフブロック５を透視して高周波モジュール１の内部を示している上面透視図である。
【００１１】
実施の形態１．
以下、図面を参照しながらこの発明の実施の形態１に係る高周波モジュールについて説明する。図１は、この発明の実施の形態１に係る高周波モジュールの断面図を示す。高周波モジュール１は、誘電体多層基板２上に任意の数の高周波集積回路３（ＦＥＴ：Ｆｉｅｌｄ  Ｅｆｆｅｃｔ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ，ＭＭＩＣ：Ｍｏｎｏｌｉｔｈｉｃ  Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ  Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔなど）および入力コネクタ４が搭載されている。入力信号および制御信号は、入力コネクタ４を介して高周波モジュール１へ入力される。誘電体多層基板２裏面には、アンテナ素子７が形成されている。アンテナ素子７は、高周波集積回路３により増幅されたマイクロ波等の高周波信号を、空間に放射する。アンテナ素子７から放射される高周波信号の電力（高周波電力）の評価のために、アンテナ素子７の入力端子の直前に、切替スイッチ付同軸コネクタ８が配置されている。
【００１２】
誘電体多層基板２には、空間の共振による高周波集積回路３の発振の抑制や電磁シールドを目的に、空間アイソレーションを確保し、共振が抑制されるよう最適な空間距離に設計されたカットオフブロック５が、ネジ６等の着脱容易な固定手段により取り付けられている。カットオフブロック５は、金属等の熱抵抗が小さく導電性を有する材料で形成されている。カットオフブロック５は、蓋部５ａとこの蓋部と一体に形成された複数の立壁部５ｂで構成されている。カットオフブロック５は、蓋部５ａ及び立壁部５ｂで形成されるカットオフブロック５の内部に高周波集積回路３を収納して、誘電体多層基板２に固定されている。カットオフブロック５の立壁部５ｂの蓋部５ａ側と反対側の端部は、誘電体多層基板２上に設けられるグラウンドパターン（接地層）２ａと接触している。高周波集積回路３で発生した熱は、誘電体多層基板２のグラウンドパターン（接地層）２ａに伝熱される。グラウンドパターン（接地層）２ａに伝熱した熱は、カットオフブロック５へ伝熱され、カットオフブロック５から高周波モジュール１の外部へ熱が放出される。
【００１３】
空間（空洞部）５ｃは、蓋部５ａ及び立壁部５ｂで形成されるカットオフブロック５の内部と誘電体多層基板２とで形成される空間である。カットオフブロック５は、グラウンドパターン（接地層）２ａに接続（接地）され、使用する高周波信号の周波数又は所定の周波数において、空間（空洞部）５ｃが、高周波信号の共振が抑制されるように最適な空間距離に設計されている。すなわち、カットオフブロック５の蓋部５ａの内面と誘電体基板２との間隔及びカットオフブロック５の対面する立壁部５ｂの間隔が、高周波集積回路３で増幅する高周波信号のカットオフ周波数となるように設定される。
【００１４】
カットオフ周波数はカットオフブロック５の対面する立壁部５ｂの間隔で決定され、対面する立壁部５ｂの間隔をＷとすると、カットオフ周波数の波長λｃは、λｃ＝２Ｗで表される。
ここで、カットオフ周波数ｆｃ＝ｃ／λｃ、ｃ＝光速。
【００１５】
金属で囲われた密閉空間の空間アイソレーション量は次式で簡易的に表現される。
【００１６】
【数１】
2019009457.tif 000003
【００１７】
ここで、α：単位長さあたりの空間アイソレーション量［ｄＢ／ｍｍ］、λｃ：カットオフ周波数の波長［ｍｍ］、λ：高周波集積回路３で増幅する周波数の波長［ｍｍ］。
【００１８】
カットオフブロック５の対面する立壁部５ｂの間隔を、高周波集積回路３で増幅する周波数ｆの波長λより小さくすることにより、高周波モジュール１のカットオフブロック５の内部の空間アイソレーション量が改善される。
【００１９】
カットオフブロック５の蓋部５ａの内面と誘電体基板２との間隔で規定されるカットオフ周波数の波長λｃについても、カットオフブロック５の対面する立壁部５ｂの間隔で規定されるカットオフ周波数の波長λｃと同様である。詳しくは、カットオフブロック５の蓋部５ａの内面と誘電体基板２のグラウンドパターン（接地層）２ａとの間隔をＷとして、カットオフ周波数の波長λｃが、λｃ＝２Ｗで表される。
【００２０】
アンテナ素子７の入力端子の直前には、切替スイッチ付同軸コネクタ８が設けられ、高周波モジュール１の単体の特性の評価を実施できるようになっている。切替スイッチ付同軸コネクタ８では、同軸ケーブル接続時はアンテナ素子へは高周波信号は入力されず、テストポートへ出力されるため高周波モジュール１の単体の特性評価を行うことができる。通常運用時は、同軸ケーブルを接続しないことにより、アンテナ素子７端へ高周波波信号が入力される。切替スイッチ付同軸コネクタ８自身の損失が高周波モジュール１の特性へ影響する場合は、特性評価後に切替スイッチ付同軸コネクタ８を取り外し、金リボンなどで短絡させて損失を抑える方法をとっても良い。
【００２１】
図２は、この発明の実施の形態１に係る高周波モジュールの放熱経路を示す断面図であり、図３は、この発明の実施の形態１に係る高周波モジュールの放熱経路を示す鳥瞰図である。図２及び図３において、白抜き矢印は熱の伝熱経路を示している。図２及び図３において、高周波集積回路３は、誘電体多層基板２のグラウンドパターン（接地層）２ａに接触して実装されているので、高周波集積回路３で発生した熱は、放熱経路９ａを通ってグラウンドパターン（接地層）２ａに伝熱される。グラウンドパターン（接地層）２ａに伝熱された高周波集積回路３で発生した熱は、放熱経路９ｂを通ってグラウンドパターン（接地層）２ａ内を伝熱し、グラウンドパターン（接地層）２ａとカットオフブロック５との接触部からカットオフブロック５へ伝熱される。カットオフブロック５へ伝熱された高周波集積回路３で発生した熱は、放熱経路９ｃにてカットオフブロック５内を伝熱し、カットオフブロック５の表面から空間に放熱される。このように、高周波集積回路３で発生した熱を誘電体多層基板２のグラウンドパターン（接地層）２ａを介してカットオフブロック５に伝熱させ、空間に放熱することにより、高周波信号の空間アイソレーションと放熱の両機能を向上した高周波モジュール１が得られる。
【００２２】
図２が示す断面においては、高周波集積回路３が接触しているグラウンドパターン（接地層）２ａが切断されて、グラウンドパターン（接地層）２ａとカットオフブロック５とが直接接触していない図となっている。しかし、実際の構造は、図３に示すように、グラウンドパターン（接地層）２ａが、誘電体多層基板２の中で、高周波集積回路３を迂回してカットオフブロック５と接触している。よって、高周波集積回路３から発生した熱は、グラウンドパターン（接地層）２ａを介して、カットオフブロック５に伝熱される。
【００２３】
高周波モジュール１の放熱効果を高めるためには、グラウンドパターン（接地層）２ａの金属膜厚を厚くする方法がある。また、高周波集積回路３等の発熱素子近傍にグラウンドビアを多数設けることにより、放熱経路を増やすことにより外部への放熱面積を増大させ、放熱効率を向上させることが可能である。金属層であるグラウンドパターン（接地層）２ａだけではなく、誘電体多層基板の誘電体層を介して裏面に形成されたアンテナ素子７へ伝熱し、アンテナ素子７をヒートシンクとして用いて放熱効果を高めても良い。
【００２４】
実施の形態２．
この発明の実施の形態２に係る高周波モジュールについて、図を用いて説明する。図４は、この発明の実施の形態２に係る高周波モジュールの断面図を示す。図４において、図１〜図３と同一若しくは同等の構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する。この発明の実施の形態２は、この発明の実施の形態１における誘電体多層基板２内に、アルミコア材などのメタルコア材１２を埋め込んだものである。メタルコア材１２は、グラウンドビア２ｄによってグラウンドパターン（接地層）２ａに電気的且つ熱的に接続されている。
【００２５】
高周波集積回路３は、誘電体多層基板２に露出したメタルコア材１２に接触して実装されている。高周波集積回路３で発生した熱は、メタルコア材１２に伝熱され、メタルコア材１２は、導電性材料で形成されたグラウンドビア２ｄによってグラウンドパターン（接地層）２ａに電気的且つ熱的に接続されているので、グラウンドパターン（接地層）２ａに伝熱される。また、メタルコア材１２は、導電性材料で形成されたグラウンドビア２ｄによってグラウンドパターン（接地層）２ａに電気的且つ熱的に接続されているので、グラウンドパターン（接地層）２ａと同電位であり、接地されている。グラウンドパターン（接地層）２ａに伝熱してからのカットオフブロック５からの放熱経路については、この発明の実施の形態１と同様である。
【００２６】
メタルコア材１２は、ねじ山を形成することにより、カットオフブロックの固定ねじ６をアンテナ素子７側からカットオフブロック５を取り付けるのではなく、カットオフブロック５側からねじを取り付けることが可能となる。固定ねじ６は、Ｚ方向において挿入されている。このため、メタルコア材１２に伝熱された高周波集積回路３で発生した熱は、メタルコア材１２から直接カットオフブロック５に伝熱されるので、グラウンドパターン（接地層）２ａを介する伝熱経路よりも熱抵抗が下がり、放熱効率が向上する。
【００２７】
メタルコア材１２とは反対側のカットオフブロック５の表面（ＸＹ平面上の面）からメタルコア材１２に亘り、ねじ山を形成することで、金属製の固定ねじ６がアンテナ素子７側に露出しないようにすることができる。よって、高周波モジュール１は、カットオフブロック５を取り付けのために設けているアンテナ素子７側の金属製の固定ねじ６がないので、アンテナ素子７の放射特性に与える影響を小さくすることが可能となる。換言すると、高周波モジュール１への固定ねじ６の取り付けレイアウトの自由度が向上するといえる。
【００２８】
実施の形態３．
この発明の実施の形態３に係る高周波モジュールについて、図を用いて説明する。図５は、この発明の実施の形態３に係る高周波モジュールの断面図を示す。図５において、図１〜図３と同一若しくは同等の構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する。この発明の実施の形態３は、この発明の実施の形態１におけるカットオフブロック５に放熱フィン１３を形成したものである。
【００２９】
カットオフブロック５に放熱フィン１３を形成することにより、大気との熱交換面積を増大させることができ、高周波モジュール１の放熱効率が向上する。
【００３０】
この発明の実施の形態３では、制御用ＩＣ１６及び制御用チップ素子１７を実装した制御回路１５を、カットオフブロック５に載置して実装している。
【００３１】
誘電体多層基板２の裏面にアンテナ素子７を形成した構成において、アクティブフェーズドアレイアンテナとして、複数個の高周波モジュール１を連結した場合、アンテナ素子７のアンテナピッチは、高周波モジュール１面積により制限される。この発明の実施の形態３では、高周波性能に比較的影響の少ない制御基板を別基板として作製し、ケーブルなどで高周波基板と制御基板を接続する場合に、高周波モジュール１の面積を削減することが可能となる。複数個の高周波モジュール１を連結するアクティブフェーズドアレイアンテナを形成した場合では、削減した面積の分だけアンテナピッチの距離の制約を小さくにすることが可能となる。
【００３２】
実施の形態４．
この発明の実施の形態４に係る高周波モジュールについて、図を用いて説明する。図６は、この発明の実施の形態４に係る高周波モジュールの断面図を示す。図６において、図１〜図３と同一若しくは同等の構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する。この発明の実施の形態４は、この発明の実施の形態１におけるカットオフブロック５に水冷用ヒートパイプ１４を形成したものである。
【００３３】
カットオフブロック５に水冷用ヒートパイプ１４を形成することにより、強制的にカットオフブロック５を冷却するので、熱交換効率を増大させることができ、高周波モジュール１の放熱効率が向上する。
【００３４】
実施の形態５．
この発明の実施の形態５に係る高周波モジュールについて、図を用いて説明する。図７は、この発明の実施の形態５に係る高周波モジュールの断面図を示す。図７において、図１〜図３と同一若しくは同等の構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する。この発明の実施の形態５は、この発明の実施の形態１において、高周波集積回路３のパッケージを上下逆に実装した構造とし、カットオフブロック５と高周波集積回路３を直接接触させたものである。伝熱量を増大させるためには、高周波集積回路３のパッケージとカットオフブロック５の接触性を良くする必要がある。高周波集積回路３のパッケージへねじ加工処理を施し、カットオフブロック５を誘電体多層基板２に取り付ける。このように、取り付けた後、ねじ１８を用いて、高周波集積回路３のパッケージとカットオフブロック５の接触性を向上させる。具体的には、カットオフブロック５側から通したねじ１８を用いて、高周波集積回路３のパッケージに設けたねじ加工部と嵌合させ、カットオフブロック５側に引き寄せることにより接触性を高める。ねじ１８は、Ｚ方向において挿入されている。
【００３５】
高周波集積回路３からの発熱を、誘電体多層基板２側からも放熱させたい場合には、放熱シート１９などを介してこの発明の実施の形態１のように誘電体多層基板２を介して放熱させても良い。
【００３６】
上記の構成をとることにより、主要放熱経路に誘電体多層基板２を介さないため、誘電体多層基板２の温度条件の制約を受けることなく実装が可能となる。また、カットオフブロック５は一般的に金属など熱伝導の良い材料が用いられるため、高周波モジュール１の放熱効率を向上させることが可能となる。
【００３７】
また、高周波集積回路３のリード端面３ａは、はんだ接続されている。高周波集積回路３をカットオフブロック５と接触させるため、ねじ１８により高周波集積回路３をカットオフブロック５側へ引き寄せると、リード端面３ａへ応力集中が起こりクラックの発生などの信頼性の懸念が生じる。リード構造を曲げ構造とすることにより、はんだクラックなどの信頼性への影響なく取り付けを行うことができる。
【００３８】
実施の形態６．
この発明の実施の形態６に係る高周波モジュールについて、図を用いて説明する。図８は、この発明の実施の形態６に係る高周波モジュールの断面図を示す。図８において、図１〜図３と同一若しくは同等の構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する。この発明の実施の形態６は、この発明の実施の形態１に加えて、アンテナ素子７も放熱経路とするものである。
【００３９】
アンテナ素子７において、マイクロストリップアンテナ、逆Ｆアンテナ等の平面アンテナの場合は、アンテナ素子７内の電界強度分布において電界強度が零電位となる零点が存在する。この零点を機械的に、導体で強制的にグラウンドパターン（接地層）と接続しても、アンテナ素子７の電気的特性には影響しない。すなわち、アンテナ素子７の零点を導体でグラウンドパターン（接地層）と接続することにより、アンテナ素子７の電気的特性には影響させずに高周波集積回路３で発生した熱を放熱させることできる。具体的には、グラウンドパターン（接地層）に伝熱された高周波集積回路３で発生した熱は、グラウンドパターン（接地層）から、アンテナ素子７の零点を経由して、誘電体多層基板２の裏面に設けられ外部空間に露出しているアンテナ素子７に伝熱される。そして、伝熱した熱はアンテナ素子７の表面から外部空間へ放熱される。
【００４０】
図８において、アンテナ素子７はマイクロストリップアンテナであり、アンテナ素子７の給電線７ａと高周波集積回路３のリードが、誘電体多層基板２の表面に設けられた信号パターン２ｂを介して接続している。
【００４１】
マイクロストリップアンテナにおいては、アンテナ素子７の中央部が零点となる。アンテナ素子７の中央部の零点は、接地線７ｂにて、誘電体多層基板２の内層に形成された内層グラウンドパターン（接地層）２ｃに接続されている。内層グラウンドパターン（接地層）２ｃは、導体材料で形成されたグラウンドビア２ｄにて、高周波集積回路３が接触している誘電体多層基板２の表面に設けられたグラウンドパターン（接地層）２ａに接続されている。
【００４２】
図９は、この発明の実施の形態６に係る高周波モジュールの放熱経路を示す断面図である。図９において、白抜き矢印は熱の伝熱経路を示している。図９において、高周波集積回路３は、誘電体多層基板２のグラウンドパターン（接地層）２ａに接触して実装されているので、高周波集積回路３で発生した熱は、放熱経路９ａを通ってグラウンドパターン（接地層）２ａに伝熱される。グラウンドパターン（接地層）２ａに伝熱された高周波集積回路３で発生した熱は、放熱経路９ｂを通ってグラウンドパターン（接地層）２ａ内を伝熱し、グラウンドパターン（接地層）２ａとカットオフブロック５との接触部からカットオフブロック５へ伝熱される。カットオフブロック５へ伝熱された高周波集積回路３で発生した熱は、放熱経路９ｃにてカットオフブロック５内を伝熱し、カットオフブロック５の表面から空間に放熱される。
【００４３】
図９が示す断面においては、高周波集積回路３が接触しているグラウンドパターン（接地層）２ａが切断されて、グラウンドパターン（接地層）２ａとカットオフブロック５とが直接接触していない図となっている。しかし、実際の構造は、図３に示すように、グラウンドパターン（接地層）２ａが、誘電体多層基板２の中で、高周波集積回路３を迂回してカットオフブロック５と接触している。よって、高周波集積回路３から発生した熱は、グラウンドパターン（接地層）２ａを介して、カットオフブロック５に伝熱される。
【００４４】
図９において、高周波集積回路３は、誘電体多層基板２のグラウンドパターン（接地層）２ａに接触して実装されているので、高周波集積回路３で発生した熱は、放熱経路９ａを通ってグラウンドパターン（接地層）２ａに伝熱される。グラウンドパターン（接地層）２ａに伝熱された高周波集積回路３で発生した熱は、グラウンドビア２ｄを通って内層グラウンドパターン（接地層）２ｃに伝熱される。内層グラウンドパターン（接地層）２ｃに伝熱された高周波集積回路で発生した熱は、放熱経路９ｂを通って内層グラウンドパターン（接地層）２ｃ内を伝熱し、接地線７ｂに伝熱される。接地線７ｂに伝熱された高周波集積回路で発生した熱は、放熱経路９ｄを通って接地線７ｂ内を伝熱し、アンテナ素子７に伝熱され、アンテナ素子７の表面から空間に放熱される。
【００４５】
このように、高周波モジュール１は、高周波集積回路３で発生した熱を誘電体多層基板２のグラウンドパターン（接地層）２ａを介してカットオフブロック５及びアンテナ素子７に伝熱させ、空間に放熱するものである。よって、高周波信号の空間アイソレーションと放熱の両機能を向上した高周波モジュール１が得られる。
【００４６】
この発明の実施の形態１から６で説明した高周波モジュール１の構成は、それぞれ単独での実施に加えて、それぞれの実施の形態を組み合わせても良い。
【符号の説明】
【００４７】
１  高周波モジュール、２  誘電体多層基板、２ａ  グラウンドパターン（接地層）、２ｂ  信号パターン、２ｃ  内層グラウンドパターン（接地層）、２ｄ  グラウンドビア、３  高周波集積回路、３ａ  リード端面、４  入力コネクタ、５  カットオフブロック、５ａ  蓋部、５ｂ  立壁部、５ｃ  空間（空洞部）、６  固定ねじ、７  アンテナ素子、７ａ  給電線、７ｂ  接地線、８  切替スイッチ付同軸コネクタ、９ａ、９ｂ、９ｃ、９ｄ  放熱経路、１２  メタルコア材、１３  放熱フィン、1４  水冷用ヒートパイプ、１５  制御回路、１６  制御用ＩＣ、１７  制御用チップ素子、１８  ねじ、１９  放熱シート。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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