(57)【要約】【課題】テラヘルツ波を検出する複数の検出素子間の器差を適正に校正する技術を提供する。【解決手段】記憶部６２には、発振器５２がオフのときの強度（無透過強度Ａ０）、発振器５２がオンのときの強度（全透過強度Ａ１００）、および、校正用試料７０ａ〜７０ｄ（透過率５％，３０％，５８％，７０％）を透過したテラヘルツ波の透過強度Ａ５，Ａ３０，Ａ５８，Ａ７０が保存される。γ値決定部６３３は、検出素子５４０毎に、透過強度Ａ５，Ａ３０，Ａ５８，Ａ７０から求められる実測透過率を校正用試料７０ａ〜７０ｄの透過率に近似させるγ補正のγ値を決定する。補正部６３７は、複数の検出素子５４０が検出する強度を、検出素子５４０各々のγ値でγ補正する。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
測定対象物を透過したテラヘルツ波の強度を測定するテラヘルツ波透過測定システムであって、
テラヘルツ波を発振する発振器と、
テラヘルツ波を検出する複数の検出素子を有する検出器と、
前記発振器における前記テラヘルツ波の発振をオンオフ制御する制御部と、
前記テラヘルツ波に対して第１透過率の特性を有する第１校正用試料と、
前記第１校正用試料を、前記発振器と前記検出器の間において、前記複数の検出素子に対して相対移動可能に保持する試料保持部と、
前記検出素子各々について、
（Ａ）前記発振器から前記テラヘルツ波が発振されない状態で前記検出素子各々が検出する強度である無透過強度、
（Ｂ）前記発振器から前記テラヘルツ波が発振される状態で前記検出素子各々が検出する強度である全透過強度、および、
（Ｃ）前記発振器から前記テラヘルツ波が発振される状態で、前記テラヘルツ波が前記第１校正用試料を透過するときに前記検出素子各々が検出する強度である第１透過強度、
を記憶する強度記憶部と、
前記検出素子各々の前記無透過強度のうち最小値と、前記検出素子各々の前記全透過強度のうち最大値とに基づいて、前記検出素子各々の前記無透過強度、前記全透過強度および前記第１透過強度を正規化する正規化部と、
前記検出素子毎に、正規化された前記第１透過強度から求められる実測第１透過率をγ補正により前記第１透過率に近似させるγ値を決定するγ値決定部と、
前記検出素子各々が検出した強度を、前記γ値に基づいて補正する補正部と、
を備える、テラヘルツ波透過測定システム。
【請求項２】
請求項１のテラヘルツ波透過測定システムであって、
前記テラヘルツ波に対して前記第１透過率とは異なる第２透過率の特性を有する第２校正用試料、
をさらに備え、
前記試料保持部は、前記第２校正用試料を保持可能であり、
前記強度記憶部は、前記検出素子各々について、
（Ｄ）前記テラヘルツ波が前記第２校正用試料を透過したときに検出する第２透過強度、
を記憶し、
前記正規化部は、前記第２透過強度をさらに正規化し、
前記γ値決定部は、前記検出素子毎に、正規化された前記第１透過率および前記第２透過率をγ補正により前記第１透過率及び前記第２透過率に近似させるγ値を取得する、テラヘルツ波透過測定システム。
【請求項３】
請求項２のテラヘルツ波透過測定システムであって、
前記第１および第２校正用試料が、シート抵抗値が異なるシリコン基板である、テラヘルツ波透過測定システム。
【請求項４】
テラヘルツ波透過測定システムであって、
前記複数の検出素子のうちの１つが基準検出素子であり、
前記第１試料の前記第１透過率が、前記第１試料を透過した透過テラヘルツ波を前記基準検出素子で測定したときの強度に基づいて決定される、テラヘルツ波透過測定システム。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれか１項のテラヘルツ波透過測定システムであって、
検出素子毎に、所定の基準値から、前記γ値で全透過強度をγ補正して得られる補正後全透過強度を差し引くことにより、検出素子毎の強度差補正値を取得する強度差補正値取得部、
をさらに備え、
前記補正部は、前記複数の検出素子各々が検出した前記テラヘルツ波の強度に前記強度差補正値を加算する補正を行う、テラヘルツ波透過測定システム。
【請求項６】
請求項１から請求項５のいずれか１項のテラヘルツ波透過測定システムであって、
前記複数の検出素子が第１方向に所定のピッチで配置された検出素子群を含んでおり、
前記第１校正用試料が、前記検出素子群の両端の幅よりも短い幅寸法であり、
前記校正用試料保持部が、前記第１校正用試料を前記第１方向に沿って移動可能に保持する、テラヘルツ波透過測定システム。
【請求項７】
発振器から発振され測定対象物を透過したテラヘルツ波を複数の検出素子で検出するテラヘルツ波透過測定方法であって、
（ａ）前記複数の検出素子各々について、
（Ａ）前記発振器から前記テラヘルツ波が発振されない状態で前記検出素子各々が検出する強度である無透過強度、
（Ｂ）前記発振器から前記テラヘルツ波が発振される状態で前記検出素子各々が検出する強度である全透過強度、および
（Ｃ）前記発振器から前記テラヘルツ波が発振される状態で、前記テラヘルツ波が前記第１校正用試料を透過するときに前記検出素子各々が検出する強度である第１透過強度、
を記憶する工程と、
（ｂ）前記検出素子各々の前記無透過強度のうち最小値と、前記検出素子各々の前記全透過強度のうち最大値とに基づいて、前記検出素子各々の前記無透過強度、前記全透過強度および前記第１透過強度を正規化する工程と、
（ｃ）前記検出素子毎に、前記工程（ｂ）にて正規化された前記第１透過率から求められる実測第１透過率をγ補正により前記第１透過率に近似させるγ値を決定する工程と、
（ｄ）前記検出素子各々が検出した強度を、前記検出素子各々の前記γ値に基づいて補正する工程と、
を含む、テラヘルツ波透過測定方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、検査対象物を透過するテラヘルツ波を測定する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
周波数帯０．０３〜１０ＴＨｚの電磁波であるテラヘルツ波は、可視光と電波の中間の周波数帯に位置し、光の直進性と電波の透過性を併せ持つ。
【０００３】
特許文献１では、試料を透過したテラヘルツ波の強度分布を画像表示する異物検査システムが提案されている。このシステムでは、テラヘルツ波検出素子として、室温で２５ｐｓの応答速度を持つ１０２４個の素子を、３２個×３２個の二次元に配置している。そして、４ｃｍ角の試料を０．５秒程度で画像表示することが開示されている。
【０００４】
また、特許文献２では、燃料電池のＣＣＭ（Catalyst Coated Membrane）など、可視光では透過測定困難な素材に対して、テラヘルツ波を用いて分析することが提案されている。具体的には、テラヘルツ波の透過率と触媒塗工層内の白金触媒担持量の間に高い相関性があることを利用して、ＣＣＭ触媒塗工層内の白金触媒担持量を算出することが記載されている。
【０００５】
ところで、特許文献１のように、１つのテラヘルツ波源と、複数のテラヘルツ波検出素子を使って、試料におけるテラヘルツ波透過率分布を取得する場合、テラヘルツ波源に対する各テラヘルツ波検出素子の位置や入射強度によらず、同一試料の同一位置については、同一の透過率として検出されることが望ましい。そのため、一般的には、複数のテラヘルツ波検出素子毎に、テラヘルツ波源オフの状態（透過率０％）で得られるテラヘルツ波強度と、テラヘルツ波源オンの状態（透過率１００％）で得られるテラヘルツ波強度とを測定し、それらの値で線形補正する手法が用いられる。
【０００６】
また、ＣＣＤなどの光電変換素子においては、入力値に対する出力値は、次式（１）のγ特性による近似が有効であることが一般的に知られている（たとえば、特許文献３）。テラヘルツ波検出素子においても、γ補正を利用することが有効と考えられる。
【０００７】
ｘ’＝ａ×（ｘ／ａ）１／γ．．．（１）
【０００８】
式（１）において、ｘ’は出力値、ｘは入力値、ａは出力値の最大値である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】国際公開第２０１３／０９６８０５号
【特許文献２】特開２０１６−１５１５６２号公報
【特許文献３】特開２０１４−１８３２０６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、連続テラヘルツ波による透過率測定を行う装置において、テラヘルツ波源に対して、複数のテラヘルツ波検出素子が同一距離に配されていない場合がある。この場合、テラヘルツ波検出素子の位置毎にテラヘルツ波の強度差が大きくなるため、γ補正により素子間強度差を小さくしようとすると、γ値が相対的に大きくなる。しかしながら、γ値を大きくした場合、透過テラヘルツ強度が小さくなるほど（すなわち、試料の透過率が小さいほど）、γ補正後の透過テラヘルツ強度値が大きくなってしまう。この結果、透過率が実際よりも大きく算出される場合があり、試料の分析を適正に行うことが困難となるおそれがあった。
【００１１】
そこで、本発明は、テラヘルツ波を検出する複数の検出素子間の器差を適正に校正する技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記課題を解決するため、第１態様は、測定対象物を透過したテラヘルツ波の強度を測定するテラヘルツ波透過測定システムであって、テラヘルツ波を発振する発振器と、テラヘルツ波を検出する複数の検出素子を有する検出器と、前記発振器における前記テラヘルツ波の発振をオンオフ制御する制御部と、前記テラヘルツ波に対して第１透過率の特性を有する第１校正用試料と、前記第１校正用試料を、前記発振器と前記検出器の間において、前記複数の検出素子に対して相対移動可能に保持する試料保持部と、前記検出素子各々について、（Ａ）前記発振器から前記テラヘルツ波が発振されない状態で前記検出素子各々が検出する強度である無透過強度、（Ｂ）前記発振器から前記テラヘルツ波が発振される状態で前記検出素子各々が検出する強度である全透過強度、および、（Ｃ）前記発振器から前記テラヘルツ波が発振される状態で、前記テラヘルツ波が前記第１校正用試料を透過するときに前記検出素子各々が検出する強度である第１透過強度、を記憶する強度記憶部と、前記検出素子各々の前記無透過強度のうち最小値と、前記検出素子各々の前記全透過強度のうち最大値とに基づいて、前記検出素子各々の前記無透過強度、前記全透過強度および前記第１透過強度を正規化する正規化部と、前記検出素子毎に、正規化された前記第１透過強度から求められる実測第１透過率をγ補正により前記第１透過率に近似させるγ値を決定するγ値決定部と、前記検出素子各々が検出した強度を、前記γ値に基づいて補正する補正部とを備える。
【００１３】
第２態様は、第１態様のテラヘルツ波透過測定システムであって、前記テラヘルツ波に対して前記第１透過率とは異なる第２透過率の特性を有する第２校正用試料、をさらに備え、前記試料保持部は、前記第２校正用試料を保持可能であり、前記強度記憶部は、前記検出素子各々について、（Ｄ）前記テラヘルツ波が前記第２校正用試料を透過したときに検出する第２透過強度、を記憶し、前記正規化部は、前記第２透過強度をさらに正規化し、前記γ値決定部は、前記検出素子毎に、正規化された前記第１透過率および前記第２透過率をγ補正により前記第１透過率及び前記第２透過率に近似させるγ値を取得する。
【００１４】
第３態様は、第２態様のテラヘルツ波透過測定システムであって、前記第１および第２校正用試料が、シート抵抗値が異なるシリコン基板である。
【００１５】
第４態様は、テラヘルツ波透過測定システムであって、前記複数の検出素子のうちの１つが基準検出素子であり、前記第１試料の前記第１透過率が、前記第１試料を透過した透過テラヘルツ波を前記基準検出素子で測定したときの強度に基づいて決定される。
【００１６】
第５態様は、第１態様から第４態様のいずれか１つのテラヘルツ波透過測定システムであって、検出素子毎に、所定の基準値から、前記γ値で全透過強度をγ補正して得られる補正後全透過強度を差し引くことにより、検出素子毎の強度差補正値を取得する強度差補正値取得部、をさらに備え、前記補正部は、前記複数の検出素子各々が検出した前記テラヘルツ波の強度に前記強度差補正値を加算する補正を行う。
【００１７】
第６態様は、第１態様から第５態様のいずれか１項のテラヘルツ波透過測定システムであって、前記複数の検出素子が第１方向に所定のピッチで配置された検出素子群を含んでおり、前記第１校正用試料が、前記検出素子群の両端の幅よりも短い幅寸法であり、前記校正用試料保持部が、前記第１校正用試料を前記第１方向に沿って移動可能に保持する。
【００１８】
第７態様は、発振器から発振され測定対象物を透過したテラヘルツ波を複数の検出素子で検出するテラヘルツ波透過測定方法であって、（ａ）前記複数の検出素子各々について、（Ａ）前記発振器から前記テラヘルツ波が発振されない状態で前記検出素子各々が検出する強度である無透過強度、（Ｂ）前記発振器から前記テラヘルツ波が発振される状態で前記検出素子各々が検出する強度である全透過強度、および（Ｃ）前記発振器から前記テラヘルツ波が発振される状態で、前記テラヘルツ波が前記第１校正用試料を透過するときに前記検出素子各々が検出する強度である第１透過強度、を記憶する工程と、（ｂ）前記検出素子各々の前記無透過強度のうち最小値と、前記検出素子各々の前記全透過強度のうち最大値とに基づいて、前記検出素子各々の前記無透過強度、前記全透過強度および前記第１透過強度を正規化する工程と、（ｃ）前記検出素子毎に、前記工程（ｂ）にて正規化された前記第１透過率から求められる実測第１透過率をγ補正により前記第１透過率に近似させるγ値を決定する工程と、（ｄ）前記検出素子各々が検出した強度を、前記検出素子各々の前記γ値に基づいて補正する工程とを含む。
【発明の効果】
【００１９】
第１態様のテラヘルツ波透過測定システムによると、検出素子毎に、実測により求めた実測第１透過率を校正用試料の第１透過率に近似させるγ補正のγ値が決定される。検出素子各々が検出した強度をそのγ値でγ補正することにより、複数の検出素子間の器差を適切に校正することができる。
【００２０】
第２態様のテラヘルツ波透過測定システムによると、γ値を決定するために透過率が異なる複数の校正用試料が用いられるため、１つの場合よりも、より最適なγ値を決定することができる。
【００２１】
第３態様のテラヘルツ波透過システムによると、シート抵抗値が異なるようにシリコン基板を加工することによって、テラヘルツ波の透過率を比較的容易に変更できる。また、表面にわたって、透過率を一様にできるこのため、２つ以上の検出素子について同時に校正用試料を透過したテラヘルツ波を測定することが可能となる。
【００２２】
第４態様のテラヘルツ波透過測定システムによると、基準検出素子にあわせて複数の検出素子間の器差を校正できる。
【００２３】
第５態様のテラヘルツ波透過測定システムによると、発振器に対する各検出素子の相対位置の相違に基づき、テラヘルツ波についての検出強度差が生じうる。そこで、所定の基準値とγ補正後の全透過強度との差分値である強度差補正値を、各検出素子が検出した強度に加算する補正を行うことによって、検出素子間の相対位置の相違に基づく検出強度誤差を小さくすることができる。
【００２４】
第６態様のテラヘルツ波透過測定システムによると、校正用試料保持部が第１校正用試料を第１方向に沿って移動可能に保持するため、一端から他端に向けて第１校正用試料を一方向に移動させることにより、第１方向に並ぶ検出素子群各々の第１透過率を効率的に求めることができる。
【００２５】
第７態様のテラヘルツ波透過測定方法によると、検出素子毎に、実測により求めた実測第１透過率を校正用試料の第１透過率に近似させるγ補正のγ値が決定される。検出素子各々が検出した強度をそのγ値でγ補正することにより、複数の検出素子間の器差を適切に校正することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】第１実施形態のテラヘルツ波透過測定システム１０の構成を示す概略側面図である。
【図２】第１実施形態の担持量測定部５０を示す概略斜視図である。
【図３】第１実施形態の検出器５４を示す概略側面図である。
【図４】第１実施形態の担持量測定部５０を示す概略正面図である。
【図５】第１実施形態のテラヘルツ波透過測定システム１０に係るバス配線を示す図である。
【図６】校正用試料７０を用いて検出器５４の校正処理を行う構成を示す概略斜視図である。
【図７】校正用試料７０を用いて検出器５４の校正処理を行う他の構成を示す概略側面図である。
【図８】校正用試料７０の表面における透過率分布を示す図である。
【図９】５つの検出素子５４０（素子１〜５）についての正規化された実測透過率を示す図である。
【図１０】図９に示す５つの検出素子５４０について、実測透過率をγ補正した後の透過率を示す図である。
【図１１】強度差補正値リスト６２１を示す図である。
【図１２】複数の検出素子５４０間の検出強度誤差を校正する校正処理の流れを示す図である。
【図１３】複数の検出素子５４０の実測透過率を示す図である。
【図１４】複数の検出素子５４０について、γ補正により得られる透過率を示す図である。
【図１５】第１実施形態の担持量測定の流れを示すフロー図である。
【図１６】第２実施形態のテラヘルツ波透過測定システム１０ａを示す概略側面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下、添付の図面を参照しながら、本発明の実施形態について説明する。なお、この実施形態に記載されている構成要素はあくまでも例示であり、本発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではない。図面においては、理解容易のため、必要に応じて各部の寸法や数が誇張又は簡略化して図示されている場合がある。
【００２８】
＜１．  第１実施形態＞
＜テラヘルツ波透過測定システム１０の構成＞
図１は、第１実施形態のテラヘルツ波透過測定システム１０の構成を示す概略側面図である。図２は、第１実施形態の担持量測定部５０を示す概略斜視図である。図３は、第１実施形態の検出器５４を示す概略側面図である。図４は、第１実施形態の担持量測定部５０を示す概略正面図である。図５は、第１実施形態のテラヘルツ波透過測定システム１０に係るバス配線を示す図である。
【００２９】
各図には、テラヘルツ波透過測定システム１０の各構成要素の位置関係などを理解容易にするために、ＸＹＺ直交座標系を付している。また、以下の説明では、矢印の先端が向く方を＋（プラス）方向とし、その逆方向を−（マイナス）方向とする。ただし、この直交座標系は、各構成要素の位置関係などを限定するものではない。
【００３０】
テラヘルツ波透過測定システム１０は、たとえば、固体高分子形燃料電池（ＰＥＦＣ）を製造するための装置であって、具体的には、シート状の電解質膜である基材９０の表面に白金などの金属触媒を塗工して、触媒層付電解質膜（ＣＣＭ）を製造するものである。
【００３１】
なお、テラヘルツ波透過測定システム１０は、ＣＣＭの触媒層にガス拡散層（ＧＤＬ）が形成した膜電極接合体（ＭＥＡ）を製造するように構成されていてもよい。担持量測定部５０は、ＣＣＭに形成された触媒層の担持量測定に好適であるが、ＭＥＡの触媒層における担持量測定にも適用し得る。
【００３２】
テラヘルツ波透過測定システム１０は、基材９０を搬送する搬送部２０、塗工部３０、乾燥部４０、担持量測定部５０および制御部６０を備える。後述するように、搬送部２０の供給用ローラ２２０、巻取用ローラ２２２、エンコーダ２２６、搬送補助ローラ２４０、ローラ駆動部２８、担持量測定部５０および制御部６０は、担持量測定装置の一例である。
【００３３】
＜搬送部２０＞
搬送部２０は、供給用ローラ２２０、巻取用ローラ２２２および搬送補助ローラ２４０、搬送用ローラ２６０，２６２，２６４を備える。また、搬送部２０は、巻取用ローラ２２２を回転させるローラ駆動部２８を備える。これらのローラ各々は、Ｙ軸方向に延びる円筒状に形成されている。
【００３４】
供給用ローラ２２０および巻取用ローラ２２２は、シート状の基材９０を巻回して保持可能に形成されている。供給用ローラ２２０は、ここでは金属触媒が未塗工の基材９０を巻回状態で保持する。供給用ローラ２２０から引き出された基材９０は、ローラ駆動部２８によって能動的に回転する巻取用ローラ２２２に巻き取られる。搬送用ローラ２６０，２６２，２６４および搬送補助ローラ２４０は、供給用ローラ２２０および巻取用ローラ２２２に掛け渡された基材９０の中間部分を支持するように配設されている。
【００３５】
巻取用ローラ２２２には、エンコーダ２２６が設けられている。エンコーダ２２６は、巻取用ローラ２２２の回転量を検出することによって、基材９０の移動距離を検出する。すなわち、エンコーダ２２６は、発振器５２および検出器５４に対する、基材９０のＸ軸方向（第２方向）への相対的な移動距離を検出する移動距離検出器である。供給用ローラ２２０および巻取用ローラ２２２によって搬送される基材９０の搬送速度は、任意に設定し得るが、たとえば、２５ｍｍ／ｓｅｃ以下とするとよい。
【００３６】
搬送用ローラ２６０，２６２，２６４は、供給用ローラ２２０から塗工部３０までの間に配設されており、基材９０に適度な引張を与えつつ搬送する。特に、搬送用ローラ２６４は、塗工部３０にて、基材９０の金属触媒が塗布される面とは反対側の面に接触して支持する位置に配設されている。
【００３７】
搬送補助ローラ２４０は、乾燥部４０の下流側に配設されており、基材９０を支持するとともに、基材９０を引張して基材９０からしわを除く位置にそれぞれ設けられている。搬送補助ローラ２４０の下流側には、担持量測定部５０が設けられており、そのエリアを通過する基材９０に発振器５２から出力されたテラヘルツ波が照射される。
【００３８】
＜塗工部３０＞
塗工部３０は、スリットノズル３２および塗工液供給部３４を備える。スリットノズル３２の下端部には、基材９０の幅方向（Ｙ軸方向）に沿って延びるスリット状に形成された吐出口が形成されている。塗工液供給部３４は、金属触媒の塗工液を貯留するタンク３４０、そのタンク３４０から塗工液をスリットノズル３２に供給するポンプ３４２、吐出口からの塗工液の吐出の開始および停止を実行する電磁弁３４４を備える。この電磁弁３４４の動作は制御部６０によって制御される。
【００３９】
スリットノズル３２の吐出口が形成された下端部は、搬送用ローラ２６４に近接する位置に配設されている。スリットノズル３２の吐出口から塗工液が吐出されることによって、搬送用ローラ２６４に支持された基材９０に塗工液が塗布される。
【００４０】
本例では、スリットノズル３２の吐出口は、基材９０の幅方向の長さよりも短くなっている。このため、基材９０のうち、幅方向の両端から所定の距離だけ隔てた内側の領域に塗工液が塗布される。その結果、図２に示すように、基材９０の両端部を除く内側の部分に金属触媒が塗工された触媒層９２が形成される。そして、基材９０の両端部に金属触媒が塗工されていない端部非塗工領域９０２が形成される。
【００４１】
また、本例では、スリットノズル３２からは、間欠的に塗工液が吐出される。詳細には、エンコーダ２２６によって基材９０が既定の距離分だけ移動したことが検出される都度、塗工液の吐出の開始あるいは停止が交互に行われる。これによって、図２に示すように、塗工領域９００が間欠的に形成される。すなわち、Ｘ軸方向において隣接する触媒層９２，９２の間に、金属触媒が塗工されていない中間非塗工領域９０４が形成される。中間非塗工領域９０４は、Ｙ軸方向に延びる領域である。
【００４２】
＜乾燥部４０＞
乾燥部４０は、基材９０が進入する進入口および基材９０が退出する退出口が両端に形成された筐体を有する。乾燥部４０は、その筐体の内部にて、基材９０の片面に塗布された塗工液の膜の乾燥処理を行う。一例として、乾燥部４０は、基材９０に向けて熱風を供給することによってその基材９０を加熱し、これによって、塗工液に含まれる水分などの溶媒を蒸発させる。
【００４３】
＜担持量測定部５０＞
担持量測定部５０は、乾燥部４０の下流側に設けられており、基材９０に形成された触媒層９２における金属触媒の担持量（触媒担持量）を測定する。担持量測定部５０は、発振器５２と、検出器５４とを備える。
【００４４】
発振器５２は、−Ｚ方向にある基材９０に向けてＹ軸方向（基材９０の幅方向）に広がる扇状のテラヘルツ波を出力する。このテラヘルツ波は、たとえば、０．０３ＴＨｚから１０ＴＨｚの電磁波である。発振器５２から出力されるテラヘルツ波は、ここでは連続波とされるが、パルス波であってもよい。発振器５２から基材９０に向けて扇状に出力されたテラヘルツ波は、基材９０に照射される。
【００４５】
図３などに示すように、検出器５４は、複数の検出素子５４０と、筐体５４２とを備える。なお、図３中、筐体５４２は断面図で示されている。複数の検出素子５４０は、筐体５４２の内部に収容されている。
【００４６】
複数（たとえば、２５６個）の検出素子５４０は、Ｙ軸方向（幅方向）に一列に配列されている。検出素子５４０各々は、発振器５２から出力されたテラヘルツ波の強度を検出する。検出素子５４０は、ショットキーバリアダイオード、プラズモニックディテクタ（米国特許8,159,667号、米国特許8,772,890号）、非線形光学結晶などの公知の検出器で構成され得る。検出素子５４０は、検出面に入射する電磁波（テラヘルツ波）の強度を電気信号に変換する。検出素子５４０各々が出力する電気信号は、制御部６０に取り込まれる。なお、検出素子５４０として、光伝導スイッチ（光伝導アンテナ）を備えていてもよい。
【００４７】
図４に示すように、複数の検出素子５４０は、一対の検出素子５４０ａ，５４０ａ、一対の検出素子５４０ｂ，５４０ｂおよび複数の検出素子５４０ｃを含む。
【００４８】
一対の検出素子５４０ａ，５４０ａは、Ｙ軸方向の両端に配設されている。一対の検出素子５４０ａ，５４０ａは、Ｚ軸方向から見て、基材９０よりもＹ軸方向外側に配設されている。一対の検出素子５４０ａ，５４０ａは、基材９０よりもＹ軸方向外側を通過するテラヘルツ波（基材外通過テラヘルツ波）を検出し得る位置に配設されている。
【００４９】
一対の検出素子５４０ｂ，５４０ｂは、一対の検出素子５４０ａ，５４０ａの内側に隣接する位置にそれぞれ配設されている。一対の検出素子５４０ｂ，５４０ｂは、基材９０の幅方向両側の端部非塗工領域９０２，９０２各々を透過するテラヘルツ波（端部透過テラヘルツ波）を検出し得る位置に配設されている。
【００５０】
複数の検出素子５４０ｃは、検出素子５４０ｂ，５４０ｂの間に配列されている。検出素子５４０ｃ各々は、塗工領域９００（触媒層９２）の各部分を透過したテラヘルツ波（塗工領域透過テラヘルツ波）を検出する。複数の検出素子５４０ｃは、たとえば、Ｙ軸方向において基材９０を０．１ｍｍ〜１０ｍｍの間隔で透過するテラヘルツ波各々を検出可能な間隔で配列するとよい。これによって、Ｙ軸方向について０．１ｍｍ〜１０ｍｍの分解能で担持量を測定できる。この分解能は、現行の打ち抜き重量測定法（触媒層９２が形成された基材９０の部分を打ち抜いてその打ち抜き部分の重量を計測し、担持量を特定する測定方法）と同等以上の分解能である。
【００５１】
図３に示すように、筐体５４２は、収容部５４２０とカバー部５４２２とを備える。なお、収容部５４２０は、複数の検出素子５４０が収容される直方体状の収容空間を形成する部分である。カバー部５４２２は、収容部５４２０の＋Ｚ側の開口を塞ぐ蓋部を構成している。カバー部５４２２は、アルミニウムなどの金属で形成された部材であり、収容部５４２０に収容された複数の検出素子５４０の上方（＋Ｚ側）を覆う部分でもある。
【００５２】
カバー部５４２２のＸ軸方向中央部には、Ｙ軸方向に沿って延びる孔５４３が形成されており、その孔５４３を塞ぐ樹脂製の窓部５４４が設けられている。窓部５４４は、発振器５２が出力するテラヘルツ波を透過させる素材（具体的には、樹脂（特に好ましくはテフロン（登録商標）などのフッ素系合成樹脂））で構成される。発振器５２から出力されたテラヘルツ波は、この窓部５４４を透過して検出素子５４０各々に入射する。
【００５３】
カバー部５４２２が複数の検出素子５４０の＋Ｚ側を覆うことによって、複数の検出素子５４０を保護できる。さらには、複数の検出素子５４０が収容部５４２０およびカバー部５４２２を含む筐体５４２内に収容されることによって、複数の検出素子５４０周辺に配された部材から適切に保護できる。
【００５４】
＜制御部６０＞
制御部６０は、テラヘルツ波透過測定システム１０全体の動作を制御する。制御部６０のハードウェアとしての構成は、一般的なコンピュータと同様である。すなわち、制御部６０は、各種演算処理を行うＣＰＵ、基本プログラムを記憶する読み出し専用のメモリであるＲＯＭ、各種情報を記憶する読み書き自在のメモリであるＲＡＭを備える。制御部６０は、制御用アプリケーションまたは各種データを記憶する記憶部６２に接続されている。
【００５５】
制御部６０は、発振器５２からのテラヘルツ波の発振をオンオフ制御する。すなわち、制御部６０が発振器５２をオフからオンに切り換えることにより、発振器５２から検出器５４に向けて扇状にテラヘルツ波（連続波）が出力される状態となる。また、制御部６０が発振器５２をオンからオフに切り換えることにより、発振器５２からのテラヘルツ波の出力が停止された状態となる。
【００５６】
図５に示すホワイトノイズ取得部６０２、リファレンス取得部６０３、担持量特定部６１、および、通知部６０６は、制御部６０のＣＰＵがアプリケーションに従って動作することによってソフトウェア的に実現される機能モジュールである。なお、これらの機能モジュールは、専用回路などのハードウェア構成によって構成されていてもよい。
【００５７】
ホワイトノイズ取得部６０２は、発振器５２からのテラヘルツ波が入射しないときに検出素子５４０各々から出力される電気信号のホワイトノイズ強度（定常雑音）を取得する。ホワイトノイズ取得部６０２は、発振器５２がオフの状態で、検出素子５４０各々によって検出された電界強度をホワイトノイズ強度として取得する。なお、発振器５２がオフの状態は、検出素子５４０側から見ると、発振器５２と検出素子５４０との間にテラヘルツ波を全吸収する試料（すなわち、透過率０％の試料）が配されることで、発振器５２からのテラヘルツ波が無透過となる状態ともいえる。そこで、以下の説明では、このホワイトノイズ強度を「無透過強度」とも称する。ホワイトノイズ取得部６０２は、検出素子５４０各々が検出したホワイトノイズ強度を、無透過強度Ａ０として記憶部６２に保存する。
【００５８】
リファレンス取得部６０３は、発振器５２から出力されるテラヘルツ波を、検出素子５４０各々で検出したときの電界強度を取得する。リファレンス強度の取得は、発振器５２と検出器５４との間に基材９０などの異物が存在しない状態で行われる。なお、リファレンス強度は、発振器５２と検出素子５４０との間に、テラヘルツ波を全透過させる試料（すなわち、透過率１００％の試料）が配された状態ともいえる。そこで、以下の説明では、このリファレンス強度を「全透過強度」とも称する。リファレンス取得部６０３は、検出素子５４０各々が検出したリファレンス強度を、全透過強度Ａ１００として記憶部６２に保存する。
【００５９】
なお、発振器５２および検出器５４を、Ｙ軸方向に移動させるＹ軸方向移動部を設けてもよい。この場合、基材９０が一対の補助ローラ５８２，５８２に支持された状態であっても、発振器５２および検出器５４をＹ軸方向にずらすことによって、全透過強度Ａ１００を取得できる。
【００６０】
＜校正用試料透過強度取得部６０４＞
校正用試料透過強度取得部６０４は、検出素子５４０毎に、発振器５２がオンの状態で校正用試料７０を透過したテラヘルツ波を検出したときの透過強度を取得する。後述するように、校正用試料透過強度取得部６０４は、校正用試料７０を保持する校正用試料保持部７２を、校正用試料移動部７４を制御する。
【００６１】
＜校正用試料７０＞
図６は、校正用試料７０を用いて検出器５４の校正処理を行う構成を示す概略斜視図である。校正用試料７０は、複数の検出素子５４０間の器差を校正するために準備される基準試料である。校正用試料７０は、均一な厚さを有する矩形板状に形成されたシリコン基板である。ここでは、テラヘルツ波の透過率が互いに異なる複数の校正用試料７０が準備される。たとえば、シリコン基板に対する不純物のドープ量を変更することにより、透過率の異なる校正用試料７０が作製される。なお、ドープ量を変更することにより、シート抵抗値が変更される。ここでは、校正用試料７０として、シート抵抗値が、１〜２［Ω・ｃｍ］、５〜６［Ω・ｃｍ］の、１０〜２０［Ω・ｃｍ］、７００〜１０００Ω・ｃｍのシリコン基板が校正用試料７０ａ〜７０ｄとして準備されているものとする。
【００６２】
なお、校正用試料７０は、膜厚均一性が高い樹脂膜上に金属薄膜を形成したものともし得る。この場合においても、金属薄膜の厚さを、数ナノメートル〜数十ナノメートレベルで異ならせることにより、透過率の異なる校正用試料７０を得ることができる。
【００６３】
＜校正用試料保持部７２＞
校正用試料保持部７２は、校正用試料７０を、発振器５２と検出器５４の間において、複数の検出素子５４０に対して相対移動可能に保持する。ここでは、校正用試料保持部７２は、検出器５４のカバー部５４２２の上部に配設されており、校正用試料７０をＸ軸方向の両側（−Ｘ側および＋Ｘ側）から挟持する一対の挟持部材７２１，７２１を備えている。
【００６４】
校正用試料移動部７４は、校正用試料保持部７２をＹ軸方向（第１方向）に移動させる。校正用試料移動部７４は、校正用試料透過強度取得部６０４によって制御される駆動部７４１と、一対のガイドレール７４２，７４２を備える。駆動部７４１は、リニアモータ、スライダ側のナット部材が螺合するネジ軸をサーボモータの駆動により回転駆動する電動スライダ機構などを用いることができる。一対のガイドレール７４２，７４２は、検出器５４のカバー部５４２２の上部に設けられており、検出器５４の長手方向、すなわちＹ軸方向に延びている。一対のガイドレール７４２，７４２のうち、一方は孔５４３の＋Ｘ側に設けられており、他方は孔５４３の−Ｘ側に設けられている。
【００６５】
図６に示すように、校正用試料７０のＹ軸方向の長さは、一列に並ぶ複数の検出素子５４０のうち両端の検出素子５４０，５４０間（検出素子５４０ａ，５４０ａ間）の幅寸法（Ｙ軸方向の距離）よりも短い幅寸法となっている。このため、校正用試料７０は、一度に全ての検出素子５４０を覆うことはできない。そこで、校正用試料移動部７４は、校正用試料７０を保持した校正用試料保持部７２を、複数の検出素子５４０が並ぶ方向であるＹ軸方向に移動させる。これにより、校正用試料７０が複数の検出素子５４０に対して相対的に移動するため、全ての検出素子５４０上に校正用試料７０を配することができる。
【００６６】
校正用試料移動部７４は、校正用試料保持部７２を検出素子５４０の配列ピッチｄの整数倍（ｎ倍）のピッチ（＝ｎｄ）で移動させるとよい。これにより、たとえば端の検出素子５４０（検出素子５４０ａ）から順に、一度に少なくともｎ個の検出素子５４０についてテラヘルツ波の透過強度を測定できる。
【００６７】
なお、校正用試料移動部７４は、必須の構成ではなく、省略することも可能である。図７は、校正用試料７０を用いて検出器５４の校正処理を行う他の構成を示す概略側面図である。ここでは、カバー部５４２２における、孔５４３の＋Ｘ側およびーＸ側縁部にＹ軸方向に沿って延びる一対の帯状のテープ部材７６が取り付けられている。テープ部材７６は、非導電性の素材で形成される。このように、図７に示す例では、校正用試料７０は、一対のテープ部材７６を介して、カバー部５４２２に保持された状態となる。このように、一対のテープ部材７６、７６を設けることにより、シリコン基板である校正用試料７０が直接カバー部５４２２に接することを抑制できるため、校正用試料７０の透過特性が変化することを抑制できる。
【００６８】
＜校正用試料７０の透過率の決定方法＞
校正用試料７０ａ〜７０ｄ各々の透過率は、複数の検出素子５４０のうちから任意に選ばれた１つの検出素子（以下、「基準検出素子」と称する。）５４０を用いて決定するとよい。具体的には、校正用試料保持部７２に校正用試料７０ａ〜７０ｄのいずれかを順に保持させて、校正用試料７０ａ〜７０ｄ各々を透過したテラヘルツ波の強度を、基準検出素子で検出する。これにより、校正用試料７０ａ〜７０ｄ毎の透過強度が取得される。そして、基準検出素子の全透過強度Ａ１００に対する、校正用試料７０ａ〜７０ｄ各々の透過強度の割合（％）が求められる。基準検出素子の、全透過強度Ａ１００は、上述したように、透過率１００％の試料を透過したテラヘルツ波を検出したときの強度と見ることができる。このため、全透過強度Ａ１００に対する各透過強度の割合を求めることにより、各校正用試料７０ａ〜７０ｄの透過率が決定される。
【００６９】
以下では、上記手法により、校正用試料７０ａ（１〜２Ω・ｃｍ）の透過率が５％、校正用試料７０ｂ（５〜６Ω・ｃｍ）の透過率が３０％、校正用試料７０ｃ（１０〜２０Ω・ｃｍ）の透過率が５８％、校正用試料７０ｄの透過率が７０％と決定されたものとして、説明する。また、校正用試料７０ａ〜７０ｄ各々を透過したテラヘルツ波を、複数の検出素子５４０のそれぞれで検出したときの各透過強度を、透過強度Ａ５，Ａ３０，Ａ５８，Ａ７０とする。図５に示すように、校正用試料透過強度取得部６０４は、測定により取得した透過強度Ａ５，Ａ３０，Ａ５８，Ａ７０を記憶部６２に保存する。
【００７０】
図８は、校正用試料７０の表面における透過率分布を示す図である。図８に示す校正用試料７０は、シート抵抗値が１〜２［Ω・ｃｍ］となるように不純物をドープした透過率５％の校正用試料７０ａである。図８に示すように、校正用試料７０ａは、縦幅が約６５ｍｍ、横幅が約１００ｍｍである。この校正用試料７０ａにおいて、テラヘルツ波の透過率分布を調べたところ、４辺の縁部周辺を除く内側の領域では、透過率の誤差が０．５％となっている。このように、シリコン基板に不純物をドープ処理することにより、透過率分布が均一な校正用試料７０を得ることができる。
【００７１】
なお、図８に示すように、校正用試料７０ａにおける長手方向の両端部１０ｍｍは、内側の領域よりも透過率が不均一である。このため、両端部の領域については、透過テラヘルツ波の測定には不向きであると考えられる。また、校正用試料７０のＸ軸方向の両側の端部付近では、テラヘルツ波の回折（テラヘルツ波の裏側への回り込み）が起こる。このため、この端部付近を透過テラヘルツ波の測定に用いた場合、その透過テラヘルツ波が入射する検出素子５４０に、回折したテラヘルツ波が入射することによって、透過強度を正しく測定できなくなるおそれがある。この理由から、Ｘ軸方向の両側端部（幅１０ｍｍの領域）については、透過テラヘルツ波の測定には不向きと考えられる。これらの理由から、各校正用試料７０について、Ｘ軸方向の両側端部の領域（たとえば幅１０ｍｍの領域）を除く内側の領域を、透過テラヘルツ波の測定に用いるとよい。
【００７２】
＜担持量特定部６１＞
担持量特定部６１は、基材９０に塗工された金属触媒の担持量を特定する。担持量特定部６１は、位置特定部６１１および透過率算出部６３を備える。
【００７３】
位置特定部６１１は、複数の検出素子５４０各々に入射するテラヘルツ波が透過した基材９０上の位置（透過位置）を特定する。図６に示すように、位置特定部６１１は、検出素子５４０ｃ各々に入射するテラヘルツ波が透過した基材９０上の透過位置各々を特定する。透過位置各々は、発振器５２、基材９０、検出素子５４０各々の位置関係（発振器５２、基材９０、および検出素子５４０各々のＸＹＺ直交座標系における座標位置）、および、エンコーダ２２６の出力から特定される基材９０の移動距離に基づいて特定される。
【００７４】
ここでは、図６に示すように、発振器５２および複数の検出素子５４０の中心が、Ｙ軸方向において一致しているものとする。ここで、中心からＬ（ｊ）の位置にある特定の検出素子５４０に着目し、この検出素子５４０に入射するテラヘルツ波が透過する基材９０上の透過位置をＬＰ１として、中心から透過位置ＬＰ１までの距離をＬ（ｉ）とおく。また、発振器５２から基材９０までの距離をＤｂ、基材９０から検出素子５４０までの距離をＤｄとおく。すると、距離Ｌ（ｉ）は、以下の式で表される。
【００７５】
Ｌ（ｉ）＝Ｌ（ｊ）×Ｄｂ÷（Ｄｂ＋Ｄｄ）・・・式（２）
【００７６】
この式（２）に基づき、検出器５４の検出素子５４０各々に入射するテラヘルツ波が透過した、基材９０における幅方向（Ｙ軸方向）の位置が特定される。
【００７７】
また、位置特定部６１１は、エンコーダ２２６の出力に基づき、検出素子５４０各々に入射したテラヘルツ波が透過した、基材９０における長さ方向（Ｘ軸方向）の位置を特定する。具体的には、位置特定部６１１は、特定の検出素子５４０にてテラヘルツ波を検出した時点での、基材９０の移動距離（検出器５４に対する相対的な移動距離）をエンコーダ２２６の出力に基づいて特定する。これによって、そのテラヘルツ波が透過した、基材９０における長さ方向の位置が特定される。
【００７８】
以上のように、位置特定部６１１が、基材９０におけるテラヘルツ波各々が透過した幅方向の位置および長さ方向の位置を特定することによって、テラヘルツ波各々についての基材９０上の透過位置が特定される。
【００７９】
＜透過率算出部６３＞
透過率算出部６３は、検出素子５４０各々が検出した電界強度から、基材９０を透過したテラヘルツ波の透過率を算出する。なお、透過率算出部６３は、後述するように、複数の検出素子５４０間の器差、および、発振器５２に対する複数の検出素子５４０の位置に応じた強度差の補正を行い、透過率を算出する。
【００８０】
透過率算出部６３は、正規化部６３１、γ値決定部６３３、強度差補正値取得部６３５および補正部６３７を備える。以下、これら各部の機能について説明する。
【００８１】
＜正規化部６３１＞
正規化部６３１は、検出素子５４０各々の無透過強度Ａ０のうち最小値であるA0min、および、検出素子５４０各々の全透過強度Ａ１００のうち最大値であるA100maxを特定する。そして、正規化部６３１は、検出素子５４０毎に、無透過強度Ａ０と全透過強度Ａ１００の差が最小値A0minと最大値A100maxの差に一致するように、検出された強度を正規化する線形補正を行う。具体的に、−Ｙ側から数えてｉ番目の検出素子５４０について、無透過強度Ａ０がA0i、全透過強度Ａ１００がA100iとする。この場合、正規化部６３１は、次式（３）に基づく線形補正による正規化を行う。
【００８２】
ｙ=（A100max−A0min）／（A100i−A0i）×（ｘ−（A0i））・・・（３）
【００８３】
式（３）において、ｘはｉ番目の検出素子５４０が検出した強度である。また、ｙはｘを線形補正により得られる正規化された強度である。たとえば、正規化部６３１は、校正処理において、検出素子５４０各々の透過強度Ａ５，Ａ３０，Ａ５８，Ａ７０（第１透過強度、第２透過強度）を上記式（３）により正規化する。
【００８４】
なお、上記最小値A0minは、全ての検出素子５４０の無透過強度Ａ０のうちの最小値であることは必須ではない。すなわち、任意に選択された一部の検出素子５４０群における無透過強度Ａ０の中で最小のものをA0minとしてもよい。同様に、上記最大値A100maxについても、一部の検出素子５４０群の全透過強度Ａ１００の中で最大のものをA100maxとしてもよい。
【００８５】
また、正規化部６３１は、上記のような正規化の代わりに、各検出素子５４０の無透過強度Ａ０と全透過強度Ａ１００の差を、任意の検出素子５４０の無透過強度Ａ０と全透過強度Ａ１００の差に一致させる線形補正を行ってもよい。この場合、上記式（３）において、「A100max」を任意の検出素子５４０の全透過強度Ａ１００に、「A0min」を任意の検出素子５４０の無透過強度Ａ０に、それぞれ置換するとよい。
【００８６】
＜γ値決定部６３３＞
γ値決定部６３３は、検出素子５４０毎に、正規化部６３１により正規化後の透過強度Ａ５，Ａ３０，Ａ５８，Ａ７０から求められる実測透過率を、γ補正により校正用試料７０ａ〜７０ｄ各々の透過率５％，３０％，５８％，７０％に近似させるためのγ値を取得する。実測透過率は、正規化後の全透過強度Ａ１００に対する各透過強度Ａ５，Ａ３０，Ａ５８，Ａ７０の割合である。
【００８７】
γ値決定部６３３は、予め定められたγ値の範囲でフィッティングを行う。すなわち、γ値決定部６３３は、たとえばγ値の範囲を０．５〜２とし、０．０１刻みでγ値を変更していく。そして、γ値決定部６３３は、検出素子５４０毎に、各γ値における実測透過率のγ補正済みの値と校正用試料７０ａ〜７０ｄの透過率との差が最小二乗法により最小となるγ値を決定する。γ値決定部６３３は、検出素子５４０別に決定したγ値を示す情報であるγ値情報６２０を記憶部６２に保存する。γ補正は、次式（４）を適用するとよい。
【００８８】
ｘ’＝ａ×（ｘ／ａ）１／γ．．．（４）
【００８９】
式（４）において、ｘ’はγ補正済みの値、ｘはγ補正前の値、ａは出力値の最大値である。なお、出力値を２５６階調で表現する場合、ａを「２５５」として、０〜２５５の２５６階調の出力値が得られる。
【００９０】
図９は、５つの検出素子５４０（素子１〜５）についての正規化された実測透過率を示す図である。また、図１０は、図９に示す５つの検出素子５４０について、実測透過率をγ補正した後の透過率を示す図である。図９および図１０において、横軸は校正用試料７０ａ〜７０ｄの透過率（基準検出素子による透過率）を示しており、縦軸が実測透過率を示している。また、「素子１」〜「素子５」は、複数の検出素子５４０のうちの５つの検出素子５４０のそれぞれに対応する。
【００９１】
図９および図１０に示す例では、γ値は、素子１で「１．２８」、素子２で「１．０５」、素子３で「１．０４」、素子４で「１．１８」、素子５で「１．１８」となっている。図９および図１０を比較すると、たとえば、透過率５８％の校正用試料７０ｃについての素子１〜５の実測透過率は、γ補正前では図９に示すように透過率５８％から離れた値（４５％〜５３％）に分散しているが、γ補正後では図１０に示すように全体的に５８％に近づく。また、透過率７０％の校正用試料７０ｄについての素子１〜５の実測透過率は、γ補正後においてγ補正前よりもばらつきが抑えられている。このように、検出素子５４０毎に最適なγ値を決定してγ補正を行うことにより、検出素子間の機差を抑制することができる。
【００９２】
＜強度差補正値取得部６３５＞
強度差補正値取得部６３５は、検出素子５４０毎の強度差補正値を取得する。強度差補正値は、各検出素子５４０の発振器５２に対する相対位置の相違に基づく検出強度差を補正するための補正値である。一般的に、発振器５２から検出素子５４０までの距離が大きくなるほど、検出素子５４０で検出されるテラヘルツ波の強度は弱まる。強度差補正値取得部６３５は、そのような相対位置の相違に基づく検出素子５４０間の検出強度差を補正するための強度差補正値を、検出素子５４０毎に求める。
【００９３】
詳細には、強度差補正値取得部６３５は、検出素子５４０毎に、全透過強度Ａ１００をγ値決定部６３３で決定されたγ値でγ補正し、γ補正後の全透過強度Ａ１００を算出する。そして、強度差補正値取得部６３５は、検出素子５４０毎に、所定の基準値からγ補正後の全透過強度Ａ１００を差し引いた値を強度差補正値として求める。
【００９４】
所定の基準値は、ここでは、基準検出素子の全透過強度Ａ１００のγ補正後の値とする。ただし、基準検出素子以外の検出素子５４０における全透過強度Ａ１００のγ補正後の値としてもよい。また、所定の基準値は、任意の値としてもよい。強度差補正値取得部６３５は取得した強度差補正値をリスト化した強度差補正値リスト６２１を記憶部６２に保存する（図５参照）。
【００９５】
図１１は、強度差補正値リスト６２１を示す図である。図１１において、検出素子１〜３および検出素子ｉは、複数の検出素子５４０の一部に相当する。図１１に示す例では、基準検出素子のγ補正後の全透過強度Ａ１００（基準全透過強度）は「６０００」である。これに対して、検出素子１〜３および検出素子ｉのγ補正後の全透過強度Ａ１００は「５６００」、「５６５０」、「５７００」および「６２００」である。このため、基準値（＝６０００）から各γ補正後の全透過強度Ａ１００を差し引くと、「＋４００」、「＋３５０」、「＋３００」および「−２００」が得られる。これらの値が、強度差補正値となる。
【００９６】
＜補正部６３７＞
補正部６３７は、検出素子５４０各々が検出した電界強度を補正する。具体的には、補正部６３７は、検出素子５４０各々が検出した電界強度を、γ値決定部６３３が取得した検出素子５４０毎のγ値でγ補正を行う。このγ補正により、複数の検出素子５４０間の器差を補正することができる。また、補正部６３７は、γ補正後の電界強度に対して、強度差補正値を加算する強度差補正を行う。この強度差補正により、複数の検出素子５４０間の発振器５２に対する相対位置の相違に基づく検出強度誤差を補正することができる。
【００９７】
また、補正部６３７は、検出素子５４０が検出した電界強度から、外部的原因によって生じた誤差成分を取り除く補正処理を行ってもよい。
【００９８】
たとえば、補正部６３７は、一対の検出素子５４０ａが検出する基材外通過テラヘルツ波の強度に基づき、検出素子５４０ｃ各々が検出する塗工領域透過テラヘルツ波の強度を補正してもよい。基材外通過テラヘルツ波は、基材９０または基材９０上に形成された触媒層９２以外の環境的変化（湿度変化、温度変化など）の情報を含む。そこで、基材外通過テラヘルツ波の強度変化に基づいて、塗工領域透過テラヘルツ波の電界強度を補正することによって、環境的要因によって生じた誤差成分を除去できる。特に、テラヘルツ波は水分に吸収されやすいという性質を持つため、環境的要因の誤差成分を除去することは、触媒担持量を高精度に特定する上で極めて有効である。
【００９９】
基材外通過テラヘルツ波の電界強度に基づいて塗工領域透過テラヘルツ波を補正する場合、たとえば、あるタイミングにて検出素子５４０ｃが検出した塗工領域透過テラヘルツ波の電界強度を、同タイミングにて検出素子５４０ａが検出した基材外通過テラヘルツ波の電界強度で標準化するとよい。または、基材外通過テラヘルツ波の電界強度が、所定の基準値から所定の閾値を超えて増加または減少した場合、その増減値に応じた値を、塗工領域透過テラヘルツ波の電界強度に適宜減算または加算してもよい。
【０１００】
また、透過率算出部６３は、一対の検出素子５４０ｂが検出する端部透過テラヘルツ波に基づいて、検出素子５４０ｃ各々が検出した塗工領域透過テラヘルツ波の電界強度を補正してもよい。端部透過テラヘルツ波は、触媒層９２が形成されていない基材９０の部分を透過したテラヘルツ波である。このため、この端部透過テラヘルツ波の強度に基づいて、塗工領域透過テラヘルツ波を補正することによって、基材９０自体を透過することによって生じた誤差成分を補正し得る。
【０１０１】
端部透過テラヘルツ波の電界強度に基づいて補正する場合、たとえば、端部透過テラヘルツ波の電界強度が、所定の基準値から所定の閾値を超えて増加または減少した場合に、その増減値に応じた値を、塗工領域透過テラヘルツ波の電界強度に適宜減算または加算するとよい。
【０１０２】
また、透過率算出部６３は、中間非塗工領域９０４を透過した非塗工領域透過テラヘルツ波の強度に基づいて、検出素子５４０ｃ各々が検出した塗工領域透過テラヘルツ波の電界強度を補正してもよい。非塗工領域透過テラヘルツ波も、端部透過テラヘルツ波と同様に、基材９０のうち触媒層９２が形成されてない部分を透過したテラヘルツ波である。この非塗工領域透過テラヘルツ波の強度に基づいて、塗工領域透過テラヘルツ波を補正することによって、基材９０の透過によって生じた誤差成分を補正し得る。
【０１０３】
端部塗工領域透過テラヘルツ波は、塗工領域透過テラヘルツ波を検出する検出素子５４０ｃではなく、一対の検出素子５４０ｂによって検出される。一対の検出素子５４０ｂと複数の検出素子５４０ｃとは、位置が異なるため、テラヘルツ波の受光エネルギーが相違するほか、検出感度に個体差がある場合もあり得る。これに対して、非塗工領域透過テラヘルツ波は、塗工領域透過テラヘルツ波を検出する検出素子５４０ｃ各々自身によって検出される。したがって、検出素子５４０ｃごとに、それぞれが検出した非塗工領域透過テラヘルツ波の電界強度に基づいて、補正処理を行うことができる。したがって、受光エネルギーの相違あるいは検出感度の個体差に関わらず、塗工領域透過テラヘルツ波の電界強度に含まれる誤差成分を好適に補正し得る。
【０１０４】
図２に示すように、中間非塗工領域９０４が所定の間隔で間欠的に形成される場合、非塗工領域透過テラヘルツ波の電界強度もその間隔（基材９０の長さ方向に隣接する２つの中間非塗工領域９０４，９０４間の間隔）に合わせて検出される。このため、上記補正処理を行う場合には、直前に検出された直近の中間非塗工領域９０４を透過した非塗工領域透過テラヘルツ波の電界強度に基づいて、各塗工領域透過テラヘルツ波を補正するとよい。これによって、近い位置の中間非塗工領域９０４を透過したテラヘルツ波の電界強度で補正できるため、誤差成分を好適に除去し得る。
【０１０５】
透過率算出部６３は、上記補正部６３７により補正された補正済みの電界強度に基づいて透過率を求める。透過率算出部６３は、検出素子５４０毎の全透過強度Ａ１００に対する補正部６３７による補正済みの電界強度の割合を透過率として算出する。
【０１０６】
担持量特定部６１は、透過率算出部６３が算出した透過率と、記憶部６２に格納された対応情報６２２とに基づいて、触媒担持量を特定する。対応情報６２２は、触媒層を透過するテラヘルツ波の透過率と触媒担持量の相関を示す情報である。テラヘルツ波は、金属触媒に照射されると、金属触媒の密度に応じてその一部が吸収または反射されるため、テラヘルツ波の透過率と触媒担持量との間には高い相関を有する。このため、テラヘルツ波の透過率と、対応情報６２２とに基づいて、塗工領域９００の透過位置各々における触媒担持量を精密に算出できる。
【０１０７】
対応情報６２２は、予め、触媒担持量が既知である触媒層が形成された試料（基準試料）を用い、担持量測定部５０において透過したテラヘルツ波の透過率を測定することによって取得するとよい。このとき、触媒担持量が異なる幾つかの基準試料を用いることによって、対応情報６２２を取得するとよい。対応情報６２２は、透過率と触媒担持量とが１対１の関係で対応づけされたテーブルデータとしてもよいし、透過率と触媒担持量の関係を示す１次式または多項式の関係式を示す検量線データとしてもよい。
【０１０８】
担持量特定部６１は、特定した触媒担持量を、位置特定部６１１が特定した基材９０上の透過位置に対応づけし、触媒担持量データ６２４として記憶部６２に保存する。
【０１０９】
なお、担持量特定部６１の測定頻度（検出素子５４０各々から電界強度を取り込む単位時間あたりの回数）は、特に限定されないが、たとえば１Ｈｚ以上とするとよい。検出素子５４０各々が検出する電界強度を、たとえば０．５秒ごとに１回取得するとした場合、基材９０の搬送速度が１０ｍｍ／ｓｅｃであれば、５ｍｍごとに電界強度を取得できる。０．１ｍｍ〜１０ｍｍの測定間隔で電界強度を取得することによって、Ｙ軸方向について０．１ｍｍ〜１０ｍｍの分解能で触媒担持量を測定できる。この分解能は、現行の打ち抜き重量測定法と同等以上の分解能である。
【０１１０】
通知部６０６は、触媒担持量データ６２４に基づいて、基材９０における触媒担持量に関するデータを外部に出力する。たとえば、通知部６０６は、触媒担持量データ６２４に基づいて、基材９０における触媒担持量の分布を示す、触媒担持量分布画像を表示部６４に表示する。触媒担持量分布画像は、各透過位置における触媒担持量の大きさを色または模様などで表現した二次元画像、もしくは、各透過位置における触媒担持量の大きさを三次元グラフで表現した三次元画像としてもよい。
【０１１１】
また、通知部６０６は、触媒担持量が既定の上限値を超える透過位置、および、触媒担持量が既定の下限値を超えない透過位置がある場合に、外部に通知する。上限値および下限値は、触媒担持量の正常な範囲を示す値である。上限値および下限値は、オペレータが、入力デバイスで構成される操作入力部６６を介して、制御部６０に入力できるようにするとよい。上限値および下限値は、それぞれ上限値データ６２６および下限値データ６２８として記憶部６２に格納される。
【０１１２】
通知部６０６は、触媒担持量が上限値を超える透過位置、または、下限値を超えない透過位置が存在することを外部に通知することによって、触媒担持量が正常値の範囲外にあることを、オペレータが容易に認識できる。このとき、その透過位置を触媒担持量分布画像上において所定の方法で表示することによって、オペレータがその位置を容易に特定できる。なお、通知部６０６は、触媒担持量の異常の有無を、たとえばランプの点灯などによって外部に通知してもよい。
【０１１３】
＜検出器５４の校正処理＞
次に、検出器５４の複数の検出素子５４０間の検出誤差を校正する校正処理について説明する。図１２は、複数の検出素子５４０間の検出強度誤差を校正する校正処理の流れを示す図である。校正処理が開始されると、まず、複数の検出素子５４０毎に、全透過強度Ａ１００および無透過強度Ａ０が取得される（ステップＳ１０）。全透過強度Ａ１００は、発振器５２と検出器５４の間に基材９０や校正用試料７０などの異物が無い状態で、発振器５２から発振されたテラヘルツ波を各検出素子５４０で検出することにより取得される。また無透過強度Ａ０は、発振器５２がオフの状態で、各検出素子５４０が電界強度を検出することにより取得される。
【０１１４】
続いて、複数の校正用試料７０ａ〜７０ｄのうち１つの校正用試料７０が、校正用試料保持部７２に保持されることにより、校正用試料７０が検出器５４上に設置される（ステップＳ１１）。この校正用試料７０の設置は、人間によって行われてもよいし、不図示の搬送装置によって行われてもよい。
【０１１５】
続いて、校正用試料透過強度取得部６０４が、校正用試料移動部７４を制御して、校正用試料７０を適宜の位置に移動させる（ステップＳ１２）。校正用試料７０の初期位置は、たとえば、複数の検出素子５４０のうち、最も端にある検出素子５４０ａに入射するテラヘルツ波が、校正用試料７０の内側領域（両端１０ｍｍを除く領域）の端部を通過する位置にするとよい。
【０１１６】
続いて、校正用試料透過強度取得部６０４が、発振器５２からテラヘルツ波を発振させることにより、複数の検出素子５４０のうち一部の検出素子群で、校正用試料７０を透過したテラヘルツ波の強度である透過強度を測定する（ステップＳ１３）。たとえば、ステップＳ１２において、校正用試料７０が上記初期位置に配された場合、ステップＳ１３では、校正用試料７０のうち内側領域を透過したテラヘルツ波が、最も端の検出素子５４０ａから内側のｎ個の検出素子５４０に同時に入射することとなる。これにより、１回の測定で、ｎ個の検出素子５４０単位で、透過強度を取得できる。校正用試料７０が、たとえば、透過率５％の校正用試料７０ａである場合、ステップＳ１２にて、ｎ個の検出素子５４０単位で検出素子５４０毎の透過強度Ａ５が取得されることとなる。
【０１１７】
続いて、校正用試料透過強度取得部６０４は、全ての検出素子５４０について、透過強度の測定が完了したかどうかを判定する（ステップＳ１４）。校正用試料７０についての透過強度が未測定である検出素子５４０がある場合（ステップＳ１４においてＮＯ）、校正用試料透過強度取得部６０４は再びステップＳ１２を実行する。透過強度をｎ個の検出素子５４０単位で測定する場合、このステップＳ１２では、校正用試料透過強度取得部６０４が校正用試料７０を検出素子５４０の配列ピッチｄのｎ倍のピッチ（＝ｎｄ）で移動させるとよい。これにより、次のｎ個の検出素子（ｎ＋１番目の検出素子５４０から数えてｎ個の検出素子５４０）で透過強度を測定できる。
【０１１８】
ステップＳ１４において、校正用試料透過強度取得部６０４が全ての検出素子５４０について透過強度が取得されたと判定した場合（ステップＳ１４においてＹＥＳ）、校正用試料透過強度取得部６０４は、全ての校正用試料で透過強度が計測されたか否かを判定する（ステップＳ１５）。校正用試料透過強度取得部６０４が判定していないと判定した場合（ステップＳ１５においてＮＯ）、ステップＳ１１が実行される。このステップＳ１１では、複数の校正用試料７０ａ〜７０ｂのうち、透過強度が未測定の校正用試料７０が選択され、検出器５４上に設置される。
【０１１９】
ステップＳ１５において、全ての校正用試料７０ａ〜７０ｄについて透過強度の測定が完了したと判定された場合（ステップＳ１５においてＹＥＳ）、γ値決定部６３３が、検出素子５４０毎に、γ値を決定する（ステップＳ１６）。上述したように、γ値決定部６３３は、検出素子５４０毎に、正規化された透過強度Ａ５，Ａ３０，Ａ５８，Ａ７０から実測透過率を算出する。そして、この実測透過率をγ補正により校正用試料７０ａ〜７０ｄの透過率５％，３０％，５８％，７０％に近似させるγ値を検出素子５４０毎に決定する。
【０１２０】
続いて、強度差補正値取得部６３５が、検出素子５４０毎に、強度差補正値を取得する（ステップＳ１７）。上述したように、強度差補正値取得部６３５は、全透過強度Ａ１００をステップＳ１６で決定されたγ値でγ補正する。そして、強度差補正値取得部６３５は、γ補正された基準検出素子の全透過強度Ａ１００の値を基準値として、当該基準値から各検出素子５４０の全透過強度Ａ１００を差し引くことにより、検出素子５４０毎の強度差補正値を算出する。
【０１２１】
図１３は、複数の検出素子５４０の実測透過率を示す図である。また、図１４は、複数の検出素子５４０について、γ補正により得られる透過率を示す図である。図１３および図１４において、横軸は検出素子５４０の番号を示しており、縦軸は算出された透過率を示している。また、図１３及び図１４に示す透過率は、校正用試料７０ａ〜７０ｄ各々が、番号２５〜１００の検出素子５４０上に設置されたときに各検出素子５４０で検出される電界強度に基づいて求められたものである。
【０１２２】
図１３に示す実測透過率は、検出素子５４０毎に、校正用試料７０ａ〜７０ｄを用いて測定された透過強度Ａ５，Ａ３０，Ａ５８，Ａ７０のそれぞれを全透過強度Ａ１００で割ることにより算出されるものである。この場合、検出素子間で大きくばらついていることがわかる。
【０１２３】
図１４に示す透過率は、検出素子５４０毎に、補正（γ補正および強度差補正）済みの透過強度Ａ５，Ａ３０，Ａ５８，Ａ７０それぞれを、補正済みの全透過強度Ａ１００で割ることによって算出したものである。図１４に示すように、補正を行うことによって、検出素子間のばらつきが大きく抑えられるとともに、透過強度Ａ５，Ａ３０，Ａ５８，Ａ７０から求められる透過率が、基準検出素子で求めた校正用試料７０ａ〜７０ｄの透過率に近い値を示している。このように、校正処理を行うことにより、検出素子５４０間の検出誤差を適切に校正することができる。
【０１２４】
＜担持量測定＞
次に、テラヘルツ波透過測定システム１０において実施される担持量測定の流れについて説明する。担持量測定は、測定対象物である基材９０を透過したテラヘルツ波の強度を測定し、その基材９０に形成された触媒層９２における金属触媒の担持量を測定するものである。すなわち、担持量測定は、テラヘルツ波透過測定の一実施形態と捉えることができる。
【０１２５】
図１５は、第１実施形態の担持量測定の流れを示すフロー図である。図１５に示す各工程は、特に断らない限り、制御部６０がテラヘルツ波透過測定システム１０の各要素の動作を制御することによって行われるものとする。
【０１２６】
まず、基材９０が搬送部２０にセットされる（ステップＳ２０）。詳細には、供給用ローラ２２０から引き出された基材９０の端部が、各ローラに掛け渡されるとともに、巻取用ローラ２２２に取り付けられる。
【０１２７】
続いて、制御部６０は、基材９０の搬送を開始する（ステップＳ２１）。詳細には、制御部６０がローラ駆動部２８を制御して、巻取用ローラ２２２を回転させる。これにより、供給用ローラ２２０から基材９０を送り出させるとともに、巻取用ローラ２２２にて基材９０の巻取りが行われる。
【０１２８】
基材９０の搬送が開始されると、制御部６０は、基材９０の塗工処理を開始する（ステップＳ２２）。詳細には、制御部６０がポンプ３４２を制御することにより、塗工部３０のスリットノズル３２から基材９０の表面に白金などの金属触媒を含む塗工液が塗布される。基材９０における金属触媒の塗工液が塗工された部分（塗工領域９００）には、乾燥部４０にて乾燥処理を受けることによって、触媒層が形成される。ここでは、図２に示すように、触媒層が間欠的に行われるため、基材９０には、長手方向において、触媒層に対応する塗工領域９００と、中間非塗工領域９０４とが交互に形成される。
【０１２９】
塗工処理が開始された後、制御部６０は、担持量測定部５０において、発振器５２から基材９０に対するテラヘルツ波の照射を開始する（ステップＳ２３）。詳細には、制御部６０が発振器５２をオン状態にして、発振器５２から扇状に広がるようにテラヘルツ波が出力される。
【０１３０】
テラヘルツ波の照射が開始されると、制御部６０は、検出器５４の複数の検出素子５４０において、電界強度の測定を開始する（ステップＳ２４）。また、位置特定部６１１が、複数の検出素子５４０に入射するテラヘルツ波が透過した基材９０上を特定する（ステップＳ２５）。すなわち、位置特定部６１１が、基材９０におけるテラヘルツ波が入射している位置（基材９０における、発振器５２を通るＹＺ平面が交差する辺の位置）を特定する。この位置は、テラヘルツ波が入射している時点で触媒担持量を測定する測定位置となる。ステップＳ２４の測定により得られた電界強度は、制御部６０が適宜のタイミングで記憶部６２に保存する。
【０１３１】
この基材９０における入射位置の特定は、エンコーダ２２６から送られてくるパルス信号などを監視することにより実現されうる。なお、エンコーダ２２６は、巻取用ローラ２２２以外のローラに接続され、その接続されたローラの回転量を検出してもよい。また、基材９０の移動量を直接的に検出してもよい。たとえば、接触式もしくは非接触式のセンサーのいずれであってもよい。非接触式のセンサーとしては、光学センサー（イメージセンサ）を採用するとよい。たとえば、制御部６０が、光学センサーによって塗工領域９００と中間非塗工領域９０４とを画像処理により識別し、これに基づいて基材９０の移動量を計測してもよい。
【０１３２】
続いて、制御部６０は、テラヘルツ波の測定を完了するか否か判定する（ステップＳ２６）。たとえば、制御部６０は、ステップＳ２５において特定された測定位置が、基材９０において予め設定された測定対象範囲内側かあるいは外側かに基づいて判定するとよい。制御部６０が測定を継続すると判定した場合（ステップＳ２６においてＮＯ）、ステップＳ２４の電界強度の測定およびステップＳ２５の測定位置の特定を繰り返し行う。ステップＳ２４における電界強度の測定頻度を１Ｈｚとした場合、これに合わせてステップＳ２５の測定位置の特定頻度も１Ｈｚとされる。
【０１３３】
一方、制御部６０が測定を完了すると判定した場合（ステップＳ２６においてＹＥＳ）、制御部６０は、基材９０の搬送及び塗工処理を停止させる（ステップＳ２７）。詳細には、制御部６０は、巻取用ローラ２２２を停止させて、基材９０の供給用ローラ２２０からの送出しおよび巻取用ローラ２２２による巻取りを停止させる（ステップＳ２７）。また、制御部６０は、ポンプ３４２を停止させることにより、スリットノズル３２からの塗工液の吐出を停止させる。
【０１３４】
続いて、制御部６０は、テラヘルツ波の照射を停止する（ステップＳ２８）。詳細には、制御部６０が発振器５２をオフ状態に切り換えることにより、テラヘルツ波の発振を停止させる。
【０１３５】
続いて、検出素子５４０毎に、ステップＳ２４で得られた電界強度について、正規化、γ補正、及び、強度差補正が行われる（ステップＳ２９）。詳細には、ステップＳ２４で得られた電界強度に対して、正規化部６３１が線形補正による正規化を行う。そして、正規化された電界強度に対して、補正部６３７がγ補正を行う。このγ補正で使用されるγ値は、図１２で示すステップＳ１６にてγ値決定部６３３が検出素子５４０毎に決定した値である。また、補正部６３７は、γ補正済みの電界強度を、強度差補正値で補正する。この強度差補正値（図１１参照）は、図１２に示すステップＳ１７にて強度差補正値取得部６３５により取得された値である。
【０１３６】
このように、検出素子５４０毎に、検出された電界強度にγ補正を適用することによって、検出素子５４０間の器差を補正することができる。また、検出素子５４０毎に、γ補正済みの電界強度を強度差補正値で補正することによって、発振器５２に対する相対位置の相違に基づく検出強度差を補正することができる。
【０１３７】
続いて、透過率算出部６３が、基材９０の各測定位置の透過率を算出する（ステップＳ３０）。詳細には、当該透過率は、ステップＳ２９で得られた補正済みの電界強度を、補正済みの全透過強度Ａ１００で割ることにより得られる。
【０１３８】
続いて、担持量特定部６１が、対応情報６２２を参照して、ステップＳ３０で算出された測定位置毎の透過率から触媒担持量を特定する。これにより、触媒担持量の分布情報が得られる（ステップＳ３１）。
【０１３９】
＜２．  第２実施形態＞
次に、第２実施形態について説明する。なお、以降の説明において、既に説明した要素と同様の機能を有する要素については、同じ符号又はアルファベット文字を追加した符号を付して、詳細な説明を省略する場合がある。
【０１４０】
第１実施形態のテラヘルツ波透過測定システム１０では、塗工部３０および乾燥部４０を備えている。しかしながら、塗工部３０および乾燥部４０を備えることは必須では無い。
【０１４１】
図１６は、第２実施形態のテラヘルツ波透過測定システム１０ａを示す概略側面図である。テラヘルツ波透過測定システム１０では、表面に触媒層９２が形成された基材９０が供給用ローラ２２０に巻回されており、その供給用ローラ２２０から送り出された基材９０が巻取用ローラ２２２に巻き取られる。そして、担持量測定部５０は、そのロールｔｏロールで搬送される基材９０の中間部に発振器５２からテラヘルツ波を照射し、基材９０を透過したテラヘルツ波を検出器５４で検出する。このような構成においても、本発明は有効である。
【０１４２】
＜３．  変形例＞
以上、実施形態について説明してきたが、本発明は上記のようなものに限定されるものではなく、様々な変形が可能である。
【０１４３】
上記実施形態では、検出器５４の校正処理において、４種類の透過率の異なる校正用試料７０ａ〜７０ｄ（透過率が０％より大きく、１００％よりも小さい試料）が用いられている。しかしながら、１つの校正用試料７０のみを用いて、校正処理が行われてもよい。なお、複数の校正用試料７０を利用することにより、適切なγ値を求めることができる。このとき、複数の校正用試料７０として、透過率が０％より大きく５０％以下の試料と、透過率が５０％以上で１００％未満の試料とを含めることが望ましい。これにより、γ値決定部６３３がγ値を決定する際に、５０％以下の領域と、５０％以上の領域とでフィッティングを行うことができるため、より最適なγ値を得ることができる。
【０１４４】
また、検出素子５４０各々は、Ｙ軸方向に一列に並んでいることは必須ではない。複数の検出素子５４０を、Ｘ軸方向にずらしつつ、Ｙ軸方向に配列してもよい。例えば、複数の検出素子５４０をＹ軸方向に沿って二列に配列し、一方の列の検出素子５４０群を他方の列の検出素子５４０群に対してＹ軸方向にずらしてもよい。このように配列することにより、Ｙ軸方向に関してより多くの検出素子５４０を配列できるため、Ｙ軸方向の分解能を向上できる。また、検出器５４に搭載された検出素子５４０の数量が少ない場合には、複数台の検出器５４をＹ軸方向に並べてもよい。このとき、複数の検出器５４をＸ軸方向にずらしつつＹ軸方向に並べてもよい。
【０１４５】
上記実施形態では、テラヘルツ波透過測定システム１０は、金属触媒の触媒層９２が形成された基材９０を測定対象物とする例について説明した。しかしながら、テラヘルツ波透過測定システム１０の測定対象物は、このような基材９０に限定されるものではない。
【０１４６】
この発明は詳細に説明されたが、上記の説明は、すべての局面において、例示であって、この発明がそれに限定されるものではない。例示されていない無数の変形例が、この発明の範囲から外れることなく想定され得るものと解される。上記各実施形態及び各変形例で説明した各構成は、相互に矛盾しない限り適宜組み合わせたり、省略したりすることができる。
【符号の説明】
【０１４７】
１０，１０ａ  テラヘルツ波透過測定システム
２０  搬送部
２２０  供給用ローラ
２２２  巻取用ローラ
２２６  エンコーダ
２８  ローラ駆動部
５０  担持量測定部
５２  発振器
５４  検出器
５４０  検出素子
５４２  筐体
５４２０  収容部
５４２２  カバー部
６０  制御部
６０２  ホワイトノイズ取得部
６０３  リファレンス取得部
６０４  校正用試料透過強度取得部
６０６  通知部
６１  担持量特定部
６１１  位置特定部
６２  記憶部
６２０  γ値情報
６２１  強度差補正値リスト
６３  透過率算出部
６３１  正規化部
６３３  γ値決定部
６３５  強度差補正値取得部
６３７  補正部
７０，７０ａ〜７０ｄ  校正用試料
７２  校正用試料保持部
７２１  挟持部材
７４  校正用試料移動部
７４０  駆動部
７４１  駆動部
７４２  ガイドレール
９０  基材
９２  触媒層
Ａ０  無透過強度
Ａ５，Ａ３０，Ａ５８，Ａ７０  透過強度
Ａ１００  全透過強度
【図１】
2019060829.tif 000003
【図２】
2019060829.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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