(57)【要約】【課題】電子部品の直上に位置する金属層が剥離し難い回路モジュールを提供する。【解決手段】回路モジュール２は、配線構造体４と、配線構造体４の上面に配置された少なくとも１つの電子部品６ａ，６ｂと、配線構造体４の上面に設けられて少なくとも１つの電子部品６ａ，６ｂを埋め込む絶縁樹脂層８と、絶縁樹脂層８の上面に設けられた金属層１０と、を備える。絶縁樹脂層８の上面における各電子部品の直上の部分Ｓ１の表面粗さがそれぞれＲ１と表される。絶縁樹脂層８の上面における全ての電子部品の直上の部分以外の部分Ｓ２の表面粗さがＲ２と表される。少なくとも一つのＲ１が、Ｒ１＞Ｒ２を満たす。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線構造体と、
前記配線構造体の上面に配置された少なくとも１つの電子部品と、
前記配線構造体の上面に設けられて少なくとも１つの前記電子部品を埋め込む絶縁樹脂層と、
前記絶縁樹脂層の上面に設けられた金属層と、
を備え、
前記絶縁樹脂層の上面における各前記電子部品の直上の部分の表面粗さがそれぞれＲ１と表され、前記絶縁樹脂層の上面における全ての前記電子部品の直上の部分以外の部分の表面粗さがＲ２と表されるとき、少なくとも一つのＲ１が、Ｒ１＞Ｒ２を満たす、回路モジュール。
【請求項２】
Ｒ１／Ｒ２が１．０１〜８．００である、請求項１に記載の回路モジュール。
【請求項３】
前記電子部品の上面の少なくとも一部が、凹形状又は凸形状を有する、請求項１又は２に記載の回路モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
配線構造体と、配線構造体の上面に配置された電子部品と、電子部品を埋め込む絶縁樹脂層とを備える回路モジュールが知られている。電子部品の電磁シールドのために、絶縁樹脂層の上面に金属層を設けることが知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１０−１１４２９１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
電子部品と絶縁樹脂層とでは熱膨張係数（ＣＴＥ：Ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ  ｏｆ  Ｔｈｅｒｍａｌ  Ｅｘｐａｎｓｉｏｎ）に差があるため、回路モジュールに熱処理を施すと、回路モジュール内に応力が生じる。従来の回路モジュールでは、応力が金属層にかかると、金属層が絶縁樹脂層から剥離し易い。特に、電子部品の直上に位置する金属層が剥離すると、電磁シールドの効果が著しく低下し易い。また金属層を配線層として利用した場合に電子部品と金属層間の浮遊容量が変わり、高周波域における電気的特性が設計意図に対してずれてしまう。
【０００５】
本発明は、上記従来技術の有する課題に鑑みてなされたものであり、電子部品の直上に位置する金属層が剥離し難い回路モジュールを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一側面に係る回路モジュールは、配線構造体と、配線構造体の上面に配置された少なくとも１つの電子部品と、配線構造体の上面に設けられて少なくとも１つの電子部品を埋め込む絶縁樹脂層と、絶縁樹脂層の上面に設けられた金属層と、を備える。絶縁樹脂層の上面における各電子部品の直上の部分の表面粗さがそれぞれＲ１と表され、絶縁樹脂層の上面における全ての電子部品の直上の部分以外の部分の表面粗さがＲ２と表されるとき、少なくとも一つのＲ１が、Ｒ１＞Ｒ２を満たす。
【０００７】
上記回路モジュールでは、Ｒ１＞Ｒ２であることにより、電子部品の直上の部分における絶縁樹脂層と金属層との密着性は、電子部品の直上の部分以外の部分における絶縁樹脂層と金属層との密着性よりも高い。したがって、電子部品の直上の部分における金属層は剥離し難い。また、熱処理等によって金属層が絶縁樹脂層から剥がれる場合、まず、電子部品の直上の部分以外の部分における金属層が剥離する。その後は、金属層が剥離した部分が存在することにより、金属層にかかる応力が緩和され、電子部品の直上の部分における金属層は更に剥離し難くなる。
【０００８】
本発明の一側面に係る回路モジュールでは、Ｒ１／Ｒ２が１．０１〜８．００であってよい。かかる態様によれば、電子部品の直上の部分における金属層は更に剥離し難い。
【０００９】
本発明の一側面に係る回路モジュールでは、電子部品の上面の少なくとも一部が、凹形状又は凸形状を有してよい。かかる態様によれば、電子部品の直上の部分における絶縁樹脂層と金属層との密着性が更に高くなり易く、それにより、電子部品の直上の部分における絶縁樹脂層と金属層との密着性と、電子部品の直上の部分以外の部分における絶縁樹脂層と金属層との密着性との差が更に大きくなり易い。その結果、電子部品の直上の部分における金属層は更に剥離し難い。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、電子部品の直上に位置する金属層が剥離し難い回路モジュールが提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】図１は、本発明の一実施形態に係る回路モジュールの断面図である。
【図２】図２は、電子部品の断面図である。
【図３】図３は、電子部品の上面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の好適な実施形態を詳細に説明する。図面において、同一又は同等の要素には同一の符号を付す。本明細書に記載される数値範囲の上限値及び下限値は、任意に組み合わせることができる。
【００１３】
図１を参照して、本実施形態に係る回路モジュール２を説明する。回路モジュール２は、配線構造体４と、電子部品６ａ，６ｂと、接続部２０，２２と、絶縁樹脂層８と、金属層１０と、を備える。
【００１４】
配線構造体４は、絶縁層２４と、絶縁層２４の上面に設けられた複数の配線層１２，１４とを有する。絶縁層２４の材料は、例えば、樹脂、セラミック、樹脂含浸ガラス繊維等であってよい。樹脂は、エポキシ樹脂又はポリイミド等であってよい。セラミックは、アルミナ等であってよい。セラミックは、ＬＴＣＣ（Ｌｏｗ  Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ｃｏ−ｆｉｒｅｄ  Ｃｅｒａｍｉｃｓ）、ＨＴＣＣ（Ｈｉｇｈ  Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ｃｏ−ｆｉｒｅｄ  Ｃｅｒａｍｉｃｓ）等であってよい。樹脂含浸ガラス繊維は、ＣＣＬ（Ｃｏｐｐｅｒ  Ｃｌａｄ  Ｌａｍｉｎａｔｅ）等であってよい。配線層１２，１４の材料は、例えば、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）等であってよい。
【００１５】
電子部品６ａは、配線構造体４の上面に配置されている。電子部品６ａは、本体部３６、及び、本体部３６の裏面に設けられた複数の端子部３７を備える。図示は省略するが、本体部３６には、各端子部３７に電気的に接続された素子が設けられている。電子部品６ａの上面の少なくとも一部は、凹凸を有する。
【００１６】
電子部品６ｂは、配線構造体４の上面に配置されている。電子部品６ｂは、本体部１６、及び、本体部１６の両側端部にそれぞれ設けられた一対の端子部１８を備える。図示は省略するが、本体部１６には、各端子部１８に電気的に接続された素子が設けられている。電子部品６ｂの上面の少なくとも一部は、凹凸を有する。
【００１７】
電子部品６ａ，６ｂの素子は、例えば、コンデンサ、インダクタ、抵抗体、半導体、ＳＡＷ（Ｓｕｒｆａｃｅ  Ａｃｏｕｓｔｉｃ  Ｗａｖｅ）フィルタ等であってよい。コンデンサは、積層セラミックコンデンサ（ＭＬＣＣ：Ｍｕｌｔｉ−Ｌａｙｅｒ  Ｃｅｒａｍｉｃ  Ｃａｐａｃｉｔｏｒ）等であってよい。インダクタは、樹脂系、アルミナ系、フェライト系、金属系等の材料で構成されていてよい。電子部品６ａ，６ｂは、集積回路（ＩＣ）であってもよい。
【００１８】
各接続部２０は、電子部品６ａの各端子部３７と配線構造体４の各配線層１２とを電気的に接続する。本実施形態において、接続部２０は、電子部品６ａの端子部３７に設けられたハンダバンプのリフローにより形成することができる。各接続部２２は、電子部品６ｂの各端子部１８と配線構造体４の各配線層１４とを電気的に接続する。接続部２２は、電子部品６ｂの端子部１８上に設けられた印刷ハンダのリフローにより形成できる。
【００１９】
絶縁樹脂層８は、配線構造体４の上面に設けられている。絶縁樹脂層８は、電子部品６ａ，６ｂを埋め込んでいる。絶縁樹脂層８は、樹脂を含む層である。樹脂は、例えば、エポキシ樹脂等であってよい。絶縁樹脂層８は、樹脂のみからなっていても、樹脂に加えて他の成分を含んでもよい。絶縁樹脂層８は、例えば、フィラーを含んでよい。
【００２０】
絶縁樹脂層８の上面は、凹凸を有する。絶縁樹脂層８の上面が有する凹凸の形状は、電子部品６ａ，６ｂの上面が有する凹凸の形状と対応していることができる。
【００２１】
ここで、絶縁樹脂層８の上面を、電子部品６ａ又は６ｂの直上の部分Ｓ１、及び、全ての電子部品の直上の部分以外の部分（電子部品の直上でない部分）Ｓ２に分ける。そして、各部分Ｓ１の表面粗さをそれぞれＲ１とし、部分Ｓ２の表面粗さをＲ２とする。
【００２２】
本実施形態に係る回路モジュール２では、少なくとも一つの電子部品の直上の部分Ｓ１の表面粗さＲ１が、電子部品の直上でない部分Ｓ２の表面粗さＲ２よりも大きい。換言すれば、少なくとも一つのＲ１が、Ｒ１＞Ｒ２を満たす。
【００２３】
電子部品が複数ある場合、少なくとも一つの電子部品の直上の部分Ｓ１の表面粗さＲ１が、表面粗さＲ２よりも大きければよいが、複数の電子部品の直上の部分Ｓ１のそれぞれの表面粗さＲ１が、Ｒ２よりも大きくてもよい。
【００２４】
ここで、表面粗さとは、ＪＩＳ  Ｂ  ０６０１：２０１３に規定される算術平均粗さＲａを意味する。
【００２５】
Ｒ１／Ｒ２は、例えば、１．０１〜８．００、又は１．０３〜２．００であってよい。Ｒ１／Ｒ２が上記範囲内である場合、電子部品の直上の部分Ｓ１における金属層１０は更に剥離し難い。
【００２６】
Ｒ１は、例えば、０．２３〜２．３μｍであってよい。Ｒ２は、例えば、０．０５〜１．５μｍであってよい。表面粗さは、例えば、ＫＥＹＥＮＣＥ社製の形状測定レーザマイクロスコープ（型番：ＶＫ−Ｘ２００）を用いて測定することができる。このときのレンズ倍率としては、×２０または×５０を用いてよい。測定視野は、例えば、１５０μｍ×１５０μｍ〜７００μｍ×５００μｍであってよい。測定の際は、測定試料について表面粗さと反りとを区別するカットオフ波長λｃを設けることができる。λｃは、５０〜３００μｍであってよい。
【００２７】
金属層１０は、絶縁樹脂層８の上面に設けられている。金属層１０は、絶縁樹脂層８の側面、並びに、配線構造体４の側面に設けられていてもよい。金属層１０は、電子部品の素子の電磁シールドもしくは配線として機能する。金属層１０は、金属を含む層である。金属層１０の材料は、電磁シールドもしくは配線の材料であれば特に限定されない。金属層１０の材料は、例えば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ａｌ、Ａｇなどの導電性元素または磁性元素を含む材料であってよい。金属層１０は、単一層、複数層、樹脂との複合体等の各種の形態であってよい。
【００２８】
本実施形態に係る回路モジュール２は、例えば、以下の方法によって製造することができる。ただし、回路モジュール２の製造方法は、以下の方法に限定されるものではない。
【００２９】
まず、配線構造体４、及び、上面に凹凸を有する電子部品６ａ，６ｂを用意する。電子部品の上面に凹凸を設けて、上面に凹凸を有する電子部品６ａ，６ｂを形成してもよい。この場合、凹凸は、例えば、以下の方法によって形成することができる。例えば、レーザ加工機を用いて、レーザをデフォーカスした状態で電子部品の上面を走査することで、凹凸を形成してよい。電子部品の成形時に凹凸を転写してもよい。フォトリソグラフィ工法を利用して、電子部品に凹凸のパターンを形成してもよい。電子部品を構成する材料の粒子径を調整し、電子部品の表面に粒子の凹凸を残すことで、凹凸を形成してもよい。図２は、電子部品の断面図である。凹凸は、図２の（ａ）に示されるような凹形状であっても、図２の（ｂ）に示されるような凸形状であってもよい。換言すれば、電子部品の上面には、図２の（ａ）に示される凹部４２ａが形成されていても、図２の（ｂ）に示される凸部４２ｂが形成されていてもよい。図３は、電子部品の上面図である。凹凸は、図３の（ａ）に示されるように、一方向に延びる帯状の凹部４２ａまたは凸部４２ｂであってよい。凹凸は、図３の（ｂ）に示されるように、二方向に延びる帯状の凹部４２ａまたは凸部４２ｂであってもよい。凹凸は、図３の（ｃ）に示されるように、四角形状の凹部４２ａまたは凸部４２ｂであってもよい。凹凸は、図３の（ｄ）に示されるように、丸形の凹部４２ａまたは凸部４２ｂであってもよい。図示は省略するが、これら凹凸の大小、間隔等は、電子部品６a，６ｂに形成できる範囲であればよく、規則的な凹凸であってもよいし、不規則な凹凸であってもよい。また、図２において、凹部の内面及び凸部の外面は、電子部品の上面に対して、垂直又は平行であるが、傾斜していてもよい。凹部の内面及び凸部の外面は、平面であっても、曲面であってもよい。
【００３０】
次に、公知のリフロー法などにより、接続部２０，２２を介して配線構造体４の配線層と各電子部品６ａ，６ｂの端子部とを接続する。その後、配線構造体４の上面に絶縁樹脂層８を形成し、電子部品６ａ，６ｂを封止する。絶縁樹脂層８を形成する際に、電子部品６ａ，６ｂの上面の凹凸の形状に沿って絶縁樹脂層８が変形することにより、絶縁樹脂層８の上面に、電子部品６ａ，６ｂの上面の凹凸に対応する凹凸が形成される。絶縁樹脂層８の形成方法は、例えば、トランスファー成形、コンプレッション成形、印刷法、ラミネート法、注型法等であってよい。絶縁樹脂層８の形成方法は、絶縁樹脂層８の表面に効率よく凹凸を形成させる観点から、コンプレッション成形が好ましい。
【００３１】
その後、絶縁樹脂層８の上面及び側面に金属層１０を形成する。金属層１０の形成方法は、例えば、めっき、スパッタリング等であってよい。
【００３２】
本実施形態に係る回路モジュール２では、絶縁樹脂層８の上面における少なくとも一つの電子部品の直上の部分Ｓ１の表面粗さＲ１が、電子部品の直上でない部分Ｓ２の表面粗さＲ２よりも大きい。これにより、電子部品の直上の部分Ｓ１における絶縁樹脂層８と金属層１０との密着性は、電子部品の直上でない部分Ｓ２における絶縁樹脂層８と金属層１０との密着性よりも高い。したがって、電子部品の直上の部分Ｓ１における金属層１０は剥離し難い。また、熱処理等による熱応力によって金属層１０が絶縁樹脂層８から剥がれる場合、まず、電子部品の直上でない部分Ｓ２における金属層１０が剥離する。その後は、金属層１０が剥離した部分が存在することにより、金属層１０にかかる応力が緩和され、電子部品の直上の部分Ｓ１における金属層１０は更に剥離し難くなる。このように、金属層１０に不慮の剥離が発生したとしても、電子部品の直上の部分Ｓ１における金属層１０の剥離を抑制することで、回路モジュール２における電気特性への影響を最小限にすることができる。
【００３３】
以上、本発明の実施形態を詳細に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。
【００３４】
例えば、回路モジュール２において、配線構造体４が有する絶縁層２４の下面に配線層が更に設けられていてもよい。絶縁層２４の内部に配線層が更に設けられていてもよい。配線構造体４は、単層であっても、多層基板（ビルドアップ基板）であってもよい。配線構造体４は、絶縁層２４の上面に設けられた絶縁被覆層を更に備えてよい。絶縁被覆層は、配線層１２，１４の一部を覆っていてよい。絶縁被覆層は、例えば、ソルダーレジスト層等であってよい。
【００３５】
回路モジュール２において、電子部品の数は２つであるが、少なくとも１つあればよく、１つ、或いは、３つ以上であってよい。電子部品のサイズ及び形状も特に限定されない。電子部品の端子部の数、配線構造体の配線層の数、及び、接続部の数も特に限定されない。
【００３６】
回路モジュール２において、電子部品６ａの上面に凹凸が設けられているが、電子部品６ａの下面又は側面に更に凹凸が設けられていてもよく、電子部品６ａの表面全体に凹凸が設けられていてもよい。また、電子部品６ｂの本体部１６の上面に凸凹が設けられているが、本体部１６の下面、各端子部１８の上面、又は各端子部１８の側面に凹凸が更に設けられていてもよく、電子部品６ｂの表面全体に凹凸が設けられていてもよい。
【００３７】
絶縁樹脂層８の上面には、絶縁樹脂層８で電子部品６ａ，６ｂを封止する際に、電子部品６ａ，６ｂの上面の凹凸に対応する凹凸が形成されるが、その後、絶縁樹脂層８の上面に別の凹凸を更に設けてもよい。絶縁樹脂層８は、上面に加えて側面に凹凸を有していてもよい。
【００３８】
電子部品６ａ，６ｂが上面に凹凸を有していない場合であっても実施は可能である。この場合、絶縁樹脂層８を形成するモールド（型）の表面に、あらかじめ、電子部品の直上となる位置に凹凸を設けておけば、絶縁樹脂層８の上面における部分Ｓ１に凹凸を形成できる。また、レーザ加工機を用いて、レーザをデフォーカスした状態で絶縁樹脂層８の上面を走査することで、絶縁樹脂層８の上面を粗くして凹凸を形成することもできる。
【００３９】
回路モジュール２において、金属層１０は、絶縁樹脂層８の上面及び側面、並びに配線構造体４の側面に設けられているが、少なくとも絶縁樹脂層８の上面に設けられていればよい。
【符号の説明】
【００４０】
２…回路モジュール、４…配線構造体、６ａ，６ｂ…電子部品、８…絶縁樹脂層、１０…金属層、１２，１４…配線層、１６，３６…本体部、１８，３７…端子部、２０，２２…接続部、２４…絶縁層。
【図１】
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【図２】
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【図３】
2019149466.tif 000005