(57)【要約】      （修正有）【課題】傾斜領域が形成されることにより不要振動が抑えられる圧電デバイスの製造方法を提供する。【解決手段】圧電振動片１４０を有する圧電デバイスの製造方法は、圧電基板１４１の主面上にスパッタもしくは真空蒸着法によって金属膜を成膜して一対の励振電極１４２ａ、１４２ｂを形成する工程と、励振電極の外周の一部を所定幅で露出する第１開口５１を備えたマスク５０を、第１開口が励振電極の外周に一致するように配置する配置工程と、スパッタもしくは真空蒸着法で、第１開口から露出する圧電基板の傾斜領域１４８ｃに金属膜を形成する形成工程とを備える。【選択図】図４
2019092111.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電基板の主面上にスパッタもしくは真空蒸着法によって金属膜を成膜して一対の励振電極を形成する工程と、
前記励振電極の外周の一部を所定幅で露出する第１開口部を備えたマスクを、前記第１開口部が前記励振電極の外周に一致するように配置する配置工程と、
スパッタもしくは真空蒸着法で、前記第１開口部から露出する前記圧電基板の領域に金属膜を形成する形成工程と、
を備える圧電デバイスの製造方法。
【請求項２】
前記配置工程の前に、前記圧電デバイスの周波数調整のために前記励振電極の厚さを薄くする工程、を備える請求項１に記載の圧電デバイスの製造方法。
【請求項３】
前記圧電デバイスは、一対の前記励振電極から引き出される一対の引出電極を有し、
前記マスクは、一対の引出電極の少なくとも励振電極近傍部分を遮蔽する第１遮蔽部を有し、
前記配置工程において、前記第１遮蔽部が前記引出電極の前記近傍部分に重なるように配置する、請求項１又は請求項２に記載の圧電デバイスの製造方法。
【請求項４】
前記マスクは、前記励振電極の領域を遮蔽する第２遮蔽部を有し、
前記配置工程において、前記第２遮蔽部が前記励振電極に重なるように配置する、請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の圧電デバイスの製造方法。
【請求項５】
前記マスクは、前記励振電極の中央領域を露出した第２開口部と、前記第２開口部と前記第１開口部との間に設けられ前記励振電極の周縁領域を遮蔽する第３遮蔽部とを有し、
前記配置工程において、前記第２開口部が前記励振電極の中央領域に且つ前記第３遮蔽部が前記周縁領域に重なるように配置し、
前記第１開口部から露出する圧電基板の領域に金属膜を形成する形成工程にて、当該圧電デバイスの周波数調整も実施する、請求項１又は請求項３に記載の圧電デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、励振電極の周囲に傾斜部が形成された圧電デバイスの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
このような圧電振動片は、例えば圧電基板に励振電極が形成されることにより構成される。圧電基板は、周囲の厚さが薄いコンベックス形状に形成されることで振動エネルギーを閉じ込め、不要振動を抑圧することができる。しかし、圧電基板をコンベックス形状に形成するためには加工の手間及びコストがかかるという問題がある。これに対して、特許文献１では、圧電基板が平板状のまま両主面に形成される励振電極の周囲に励振電極の厚さが漸減する傾斜部を形成することで、圧電基板の加工の手間及びコストを削減する旨が示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００２−２１７６７５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、特許文献１に記載されるような傾斜部を形成しても傾斜面形状の寸法によって不要振動を抑える効果が大きく異なっている。また平板状に形成され厚みすべり振動で振動する圧電基板は、周波数調整をする際に傾斜部が削除されてしまったり、傾斜部の段差が滑らかでなかったりして不要振動が抑えられないという問題があった。
【０００５】
そこで本発明では、平板状の圧電基板に形成される励振電極の周囲に寸法が適切に調整された傾斜領域が形成されることにより不要振動が抑えられる圧電デバイスの製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
この実施形態の圧電デバイスの製造方法は、圧電基板の主面上にスパッタもしくは真空蒸着法によって金属膜を成膜して一対の励振電極を形成する工程と、励振電極の外周の一部を所定幅で露出する第１開口部を備えたマスクを、第１開口部が励振電極の外周に一致するように配置する配置工程と、スパッタもしくは真空蒸着法で、第１開口部から露出する圧電基板の領域に金属膜を形成する形成工程とを備える。
【０００７】
別の実施形態の圧電デバイスの製造方法は、配置工程の前に、圧電デバイスの周波数調整のために励振電極の厚さを薄くする工程、を備えてもよい。
また別の実施形態では、圧電デバイスは、一対の励振電極から引き出される一対の引出電極を有している。そして、マスクは一対の引出電極各々の、少なくとも励振電極の近傍領域を遮蔽する第１遮蔽部を有し、配置工程において、第１遮蔽部が前記近傍領域に重なるように配置する。
【０００８】
別の実施形態の圧電デバイスの製造方法におけるマスクは、励振電極の領域を遮蔽する第２遮蔽部を有し、配置工程において、第２遮蔽部が励振電極に重なるように配置する。
別の実施形態では、マスクは、励振電極の中央領域を露出した第２開口部と励振電極の周縁領域を遮蔽する第３遮蔽部とを有し、配置工程において、第２開口部が励振電極の中央領域に且つ第３遮蔽部が周縁領域に重なるように配置し、第１開口部から露出する圧電基板の領域に金属膜を形成する形成工程にて、当該圧電デバイスの周波数調整も実施してもよい。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の圧電デバイスの製造方法によれば、不要振動の発生を抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】（ａ）は、圧電振動片１４０の下面図である。  （ｂ）は、リッド１２０が取り外された圧電デバイス１００の斜視図である。
【図２】（ａ）は、圧電振動片１４０の平面図である。  （ｂ）は、図２（ａ）のＡ−Ａ断面図である。
【図３】圧電デバイスを製造するフローチャートである。特に励振電極の質量を削減して周波数調整する工程を含んでいる。
【図４】圧電振動片の傾斜領域にターゲット材で形成する概念図である。
【図５】図３に示された製造工程で使用されるマスクの第１例と第２例である。
【図６】圧電デバイスを製造するフローチャートである。特に励振電極の質量を付加して周波数調整する工程を含んでいる。
【図７】圧電振動片に主厚部及び傾斜領域にターゲット材で形成する概念図である。
【図８】図６に示された製造工程で使用されるマスクの例である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、本発明の範囲は以下の説明において特に本発明を限定する旨の記載がない限り、これらの形態に限られるものではない。
【００１２】
＜圧電デバイス１００の構成＞
図１は圧電デバイス１００の説明図である。図１に示した圧電デバイス１００は圧電振動片１４０を含んでおり、圧電振動片１４０はＭ−ＳＣ（Ｍｏｄｉｆｉｅｄ−ＳＣ）カットの水晶材料で形成された圧電基板１４１を基材として形成されている。以降では、Ｍ−ＳＣカットの水晶材料が用いられる圧電振動片及び圧電デバイスについては説明する。
【００１３】
図１（ａ）は、圧電デバイス１００の斜視図である。圧電デバイス１００は、主に、パッケージ１１０、リッド１２０、及び所定の振動数で振動する圧電振動片１４０（図１（ｂ）参照）を含んで構成されている。圧電デバイス１００は、外側が主にパッケージ１１０及びリッド１２０により形成され、外形が例えば略直方体形状に形成されている。また、圧電デバイス１００の内部には圧電振動片１４０が内包されている。図１（ａ）に示される圧電デバイス１００は、長手方向がＸ’軸方向、圧電デバイス１００の高さ方向がＹ”軸方向、Ｘ’軸方向及びＹ”軸方向に垂直な方向がＺ’軸方向となるように形成されている。
【００１４】
パッケージ１１０の−Ｙ”軸側の面であり圧電デバイス１００が実装される面である実装面１１２ａには、実装端子１１１が形成されている。実装端子１１１は、圧電振動片１４０と接続される端子であるホット端子１１１ａと、接地用として使用可能な端子（以下、アース端子と仮称する）１１１ｂと、により構成されている。パッケージ１１０では、実装面１１２ａの＋Ｘ’軸側の−Ｚ’軸側の角及び−Ｘ’軸側の＋Ｚ’軸側の角にそれぞれホット端子１１１ａが形成され、実装面１１２ａの＋Ｘ’軸側の＋Ｚ’軸側の角及び−Ｘ’軸側の−Ｚ’軸側の角にそれぞれアース端子１１１ｂが形成されている。パッケージ１１０の＋Ｙ”軸側の面には圧電振動片１４０が載置される空間であるキャビティ１１３が形成されており（図１（ｂ）参照）、キャビティ１１３は封止材１３０を介してリッド１２０により封止されている。
【００１５】
図１（ｂ）は、リッド１２０が取り外された圧電デバイス１００の斜視図である。パッケージ１１０の＋Ｙ”軸側の面に形成されるキャビティ１１３は、実装面１１２ａの反対側の面であり圧電振動片１４０が載置される載置面１１２ｂと、載置面１１２ｂの周囲に形成される側壁１１４と、により囲まれている。また、載置面１１２ｂには、ホット端子１１１ａと電気的に接続される一対の接続電極１１５が形成されている。圧電振動片１４０は、圧電基板１４１の＋Ｙ”軸側及び−Ｙ”軸側の両主面に形成される励振電極１４２を有している。そして、励振電極１４２から引き出された引出電極１４３と接続電極１１５とが導電性接着剤１３１を介して電気的に接続されるように載置面１１２ｂに載置されている。
【００１６】
圧電デバイス１００の製造工程では、図１（ｂ）に示されたリッド１２０が取り外された状態で、圧電デバイス１００の励振状態を測定し、求められる周波数になるように、＋Ｙ”軸側の励振電極１４２の厚さを調整して周波数調整が行われる。
【００１７】
図２（ａ）は、周波数調整前の圧電振動片１４０の平面図である。圧電振動片１４０は、平板状に形成され厚みすべり振動で振動するＭ−ＳＣカットの水晶材料で形成された圧電基板１４１と、圧電基板１４１の＋Ｙ”軸側及び−Ｙ”軸側の両主面に形成される励振電極１４２と、励振電極１４２から圧電基板１４１の−Ｘ’軸側の辺の両端に引き出される引出電極１４４とを含んで構成されている。なお、引出電極１４４の圧電基板１４１の端部分上に当たる部分１４３（端部分１４３）は上記の導電性接着剤１３１と接続される部分に当たる。また、引出電極１４４、端部分１４３は、＋Ｙ”軸側及び−Ｙ”軸側で重ならないように配置される。不要な振動が発生しないようにするためである。圧電基板１４１は、長辺がＸ’軸方向に伸び、短辺がＺ’軸方向に伸びる長方形状の平面を有する平板状の基板である。また、励振電極１４２は円形状に形成されており、圧電基板１４１の＋Ｙ”軸側の面に形成される第１励振電極１４２ａと、圧電基板１４１の−Ｙ”軸側に形成される第２励振電極１４２ｂ（図２（ｂ）参照）とで構成されている。
【００１８】
周波数調整前の第１励振電極１４２ａと第２励振電極１４２ｂとは同じ平面形状、同じ面積に形成され、Ｙ”軸方向に全体が互いに重なるように形成されている。なお、第１励振電極１４２ａと第２励振電極１４２ｂとは、一部が重ならないよう所定関係でずれて対向するように形成されていても良い。第１励振電極１４２ａ及び第２励振電極１４２ｂは、一定の厚さに形成される主厚部１４８ａ及び主厚部１４８ａの周囲に一定の幅で形成され主厚部１４８ａに接する部分から第１励振電極１４２ａ又は第２励振電極１４２ｂの最外周にかけて厚さが徐々に薄くなるように形成される傾斜部１４８ｂを有している。
【００１９】
図２（ｂ）は、図２（ａ）のＡ−Ａ断面図である。第１励振電極１４２ａ及び第２励振電極１４２ｂの主厚部１４８ａは圧電基板１４１から所定の厚さＹＡとなるように形成されている。ここで、主厚部１４８ａは圧電基板１４１からほぼ平行に形成される。第１励振電極１４２ａ及び第２励振電極１４２ｂの各傾斜部１４８ｂは、上記したように傾斜状になっている。この実施形態の場合は、例えば、４つの段差が形成されることにより主厚部１４８ａ側から第１励振電極１４２ａ及び第２励振電極１４２ｂの最外周にかけて厚さが徐々に薄くなるように形成されている。傾斜部１４８ｂは、主厚部１４８ａ側から第１励振電極１４２ａ又は第２励振電極１４２の最外周までの幅がＸＡに形成されており、各段差間の幅がＸＢに形成されている。すなわち、図２（ｂ）に示されるように幅ＸＡは幅ＸＢの３倍の長さに形成されている。また、傾斜部１４８ｂの各段差の高さはＹＢに形成されている。そのため、厚さＹＡは高さＹＢの４倍の厚さとなっている。 
【００２０】
圧電振動片では、主振動（例えばＣモード）と共に主振動とは異なり設計上意図されない振動である不要振動が生じる。Ｍ−ＳＣカット等の水晶材料により形成され厚みすべり振動で振動する圧電基板により形成される圧電振動片では、不要振動として特に屈曲振動によるものの影響が大きい。屈曲振動は、主に励振電極の端部で振動エネルギーが屈曲振動に変換されることにより、それが主振動に重畳し、圧電振動片全体で振動するため、圧電振動片が保持される導電性接着剤に振動エネルギーが吸収される。傾斜部１４８ｂは、このような不要振動又は振動エネルギーの損失を抑えることができる。特に傾斜部１４８ｂの幅ＸＡが、屈曲振動の波長λの１〜２．５倍（１λ〜２．５λ）になるように形成されていると、圧電振動片の振動エネルギーの損失を低減できる。
【００２１】
図１及び図２ではＭ−ＳＣカットの例を示した。Ｍ−ＳＣカット、ＳＣカット、ＩＴカット、ＡＴカット各々は水晶の結晶軸であるＸ軸を回転中心軸としていわゆる方向角が３４〜３５度付近を持つことから、本発明で述べる傾斜幅と損失との関係も同様の傾向を示す。従って、本実施形態はＳＣカット、ＩＴカット、ＡＴカット等の他の厚みすべり振動する水晶振動子にも適用できる。また、例えばＬＴ（タンタル酸リチウム）等の圧電セラミックスにも適用できる。
上記のように傾斜部１４８ｂを持つ圧電デバイス１００の場合であっても、後述するような原因で傾斜部が損傷してしまって、傾斜部の利点が得られない場合が生じる。そこで、この発明では以下のような製法を講じる。
【００２２】
＜圧電デバイス１００の製造方法：質量削減調整＞
次に、図３を使って圧電デバイス１００の製造方法について説明する。図３は、圧電振動片を製造し、周波数調整してリッド１２０で封止するまでのフローチャートである。図３のフローチャートでは、励振電極１４２の質量をトリミング（削減）して、周波数を上昇させて周波数調整する場合を説明する。
【００２３】
まずステップＳ３１にて、Ｍ−ＳＣカットの水晶材料で形成された圧電基板１４１の、圧電基板１４１の＋Ｙ”軸側及び−Ｙ”軸側の両主面に、励振電極１４２、引出電極１４４及び端部分１４３が形成されて、圧電振動片１４０が製造される。図２に示したように、励振電極１４２は、主厚部１４８ａと傾斜部１４８ｂと含んで形成される。励振電極１４２の質量を削減して周波数調整するため、このステップＳ３１では主厚部１４８ａは目標周波数よりも若干低くなるように厚めに形成される。
【００２４】
ステップＳ３３にて、図１に示されたパッケージ１１０のキャビティ１１３に圧電振動片１４０が載置される。詳述すると、一対の接続電極１１５に導電性接着剤１３１が塗られており、導電性接着剤１３１に一対の引出電極１４３の端部分１４３が重なるように載置される。未だリッド１２０は封止されていない。
【００２５】
ステップＳ３５にて、圧電振動片１４０の周波数調整を行う。具体的には、例えばアルゴンガスのイオンを励振電極に照射して励振電極の一部を除去して電極の質量を軽減する。その際、圧電振動片の周波数をモニターしていて、その周波数が所望の値になった際に、アルゴンガスの照射を停止する。これら作業は所定の低圧容器を持つ周波数調整機で行われるが、詳細は省略する。
【００２６】
上記のイオン照射の際には、マスク等を使用して局部照射しているが、イオンが、傾斜部に及んで、傾斜部１４８ｂが少なくなったり無くなったりしてしまう。傾斜部１４８ｂが少なく又は無くなると、圧電振動片１４０の不要振動又は振動エネルギーの損失を抑えることができなくなる。
【００２７】
そこでステップＳ３７にて、マスク（図５を参照）を配置して、ステップＳ３９にてこのマスクを使って傾斜部１４８ｂが薄く又は無くなった箇所に再び傾斜領域を形成する。図４は、圧電振動片１４０の薄く又は無くなった箇所の傾斜部１４８ｂに対応する傾斜領域にスパッタによりターゲット材５５から飛び出した金属材料（Ａｕ，Ａｇ等）を付着させる例を示す。
【００２８】
図４に描かれる圧電振動片１４０は、周波数調整によるイオン照射により、＋Ｙ”側の第１励振電極１４２ａの主厚部１４８ａ及び傾斜部１４８ｂが削られて、＋Ｙ”側の第２励振電極１４２ｂの主厚部１４８ａ及び傾斜部１４８ｂよりも薄くなっており、第１励振電極１４２ａの傾斜部１４８ｂの一部が無くなっている。ここで傾斜部１４８ｂが本来形成される領域を傾斜領域１４８ｃという。図４に示されるように、載置されたターゲット材５５が圧電振動片１４０に向けて配置され、圧電振動片１４０とターゲット材５５との間にマスク５０が配置されている。マスク５０には開口５１が形成されている。開口５１は、圧電振動片１４０側方向（−Ｙ”方向）が末広がりに広がった断面形状が好ましい。その開口５１は一定に広がっても良いし、階段状に広がっても良い。またターゲット材５５がマスク５０の−Ｙ”側に回り込むように、圧電振動片１４０とマスク５０との間にある程度の隙間があることが好ましい。このような開口５１は、傾斜領域１４８ｃの両端（プラスマイナスＸ‘方向）で、傾斜領域１４８ｃと傾斜部１４８ｂとの段差もしくは傾斜領域１４８ｃと圧電基板１４１との段差を生じないようにする。
【００２９】
すでに周波数調整が完了しているため（ステップＳ３５）、励振電極１４２ａの傾斜領域１４８ｃにターゲット材５５を付加させる。真空中で不図示のプラズマ照射源からイオンをターゲット材５５に照射させ、スパッタによりターゲット材５５から飛び出した金属材料（Ａｕ，Ａｇ等）の原子を励振電極１４２ａの傾斜領域１４８ｃに付着させる。ターゲット材５５ａによる傾斜領域１４８ｃが、傾斜部１４８ｂの幅ＸＡ（０．８λ〜１．５λ）に対応するように形成されたので、圧電振動片１４０の不要振動又は振動エネルギーの損失を抑えることができる。なお、傾斜領域を形成する方法はスパッタに限られず真空蒸着法でももちろん良い。
【００３０】
図５は、傾斜領域の形成に使用されるマスク５０の例であり、このマスク５０を圧電振動片上に重ねた状態を示した図である。なお、圧電振動片の励振電極１４２、引出電極１４４及び端部分１４３を透視しそれらを一点破線により示してある。図５（ａ）が第１例のマスク５０ａであり、図５（ｂ）が第２例のマスク５０ｂであり、ともにマスク５０ａ、５０ｂは金属板からなる。図５（ａ）に示される第１例のマスク５０ａは、励振電極１４２の外周の一部を所定幅で露出する開口５１ａを有している。具体的には、開口５１ａが、励振電極１４２の外周であって、圧電振動片表裏の引出電極１４４上方に当たる部分とそれら間の円弧状の部分とは露出しないように、設けられたマスクとなっている。すなわち、第１例のマスク５０ａは、全周の約３００度の範囲で開口５１ａを持つマスクとなっている。この開口５１ａの幅ＷＷは、傾斜部１４８ｂの幅ＸＡと同じ幅又は同じ幅よりやや狭い幅で形成されている。図５（ｂ）に示される第２例のマスク５０ｂは、第１の例のマスク５０ａに対し、さらに、圧電振動片表裏の引出電極１４４の間の部分を露出する開口５１ｂを設けたものである。すなわち、第２例のマスク５０ｂは、全周の約３００度の範囲の開口５１ａと、約２０度の範囲の開口５１ｂとを有したものである。この開口５１ｂの幅ＷＷも、傾斜部１４８ｂの幅ＸＡと同じ幅又は同じ幅よりやや狭い幅で形成されている。配線電極１４４と重なる領域にターゲット材５５を付着させてしまうと不要な振動が発生してしまう恐れがあるからである。
【００３１】
再び図３に戻り、フローチャートを説明する。圧電振動片１４０の周波数が調整され及びターゲット材５５ａによる傾斜領域１４８ｃが形成されたので、ステップＳ４１にて、パッケージ１１０にリッド１２０が載置され、リフロー炉で封止材１３０が熱で溶かされ、リッド１２０がパッケージを封止し、図１（ａ）で示された状態になる。
【００３２】
＜圧電デバイス１００の製造方法：質量付加調整＞
周波数調整前の圧電デバイス１００において、励振電極の傾斜部が所望の形状でない場合も生じる場合がある。一方、圧電デバイス１００を製造する場合、その周波数調整を圧電振動片の励振電極に質量を付加して行う方法もある。この質量付加により周波数調整をする際に、励振電極の傾斜部に加工を施すことで、傾斜部の調整が可能である。この実施形態はその例である。これについて、図６を使って説明する。図６は、圧電振動片を製造し、周波数調整してリッド１２０で封止するまでのフローチャートである。図６のフローチャートでは、励振電極１４２の質量を付加して、周波数を下降させて周波数調整する場合を説明する。
【００３３】
まずステップＳ６１にて、Ｍ−ＳＣカットの水晶材料で形成された圧電基板１４１に、圧電基板１４１の＋Ｙ”軸側及び−Ｙ”軸側の両主面に励振電極１４２、引出電極１４３及び配線電極１４４が形成されて、圧電振動片１４０が製造される。励振電極１４２の質量を付加して周波数調整するため、このステップＳ６１では主厚部１４８ａは目標周波数よりも若干高くなるように薄めに形成される。
【００３４】
ステップＳ６３にて、パッケージ１１０のキャビティ１１３に圧電振動片１４０が載置される。この状態ではリッド１２０は封止されていない。そしてステップＳ６５にて、図８に示されるマスク５０ｃが配置される。なお、図８の場合も、図５と同様に、マスクを圧電振動片上に重ね、圧電振動片を透視した状態で示している。
【００３５】
ステップＳ６７にて、圧電振動片１４０の周波数調整と、傾斜部１４８ｂに傾斜領域１４８ｃを付加する。図７は、圧電振動片１４０の主厚部１４８ａ及び傾斜部１４８ｂに対応する傾斜領域にスパッタによりターゲット材５５を付着させる例を示す。
【００３６】
図７において、大気中又は真空中で不図示のプラズマ照射源からイオンをターゲット材５５に照射させ、スパッタによりターゲット材５５から飛び出した金属材料（Ａｕ，Ａｇ等）の原子を、マスク５０ｃを介して励振電極１４２ａの主厚部１４８ａ及び傾斜部１４８ｂに付着させる。励振電極１４２の主厚部１４８ａに質量が付加されて、周波数を下降させる。質量付加の際には、リアルタイムで圧電振動片１４０の共振周波数を測定し、プラズマ発生量を制御して圧電デバイス１００は目標周波数に調整される。
【００３７】
目標周波数と共振周波数との差が小さい場合には、主厚部１４８ａに付加されるターゲット材５５ａ及び傾斜部１４８ｂに付加されるターゲット材５５ａは少ない。傾斜部１４８ｂに付加されるターゲット材５５ａが少なくても、すでに傾斜部１４８ｂの幅ＸＡ（０．８λ〜１．５λ）が適切に形成されているため、圧電振動片１４０の不要振動又は振動エネルギーの損失等の問題は生じない。一方、目標周波数と共振周波数との差が大きい場合には、傾斜部１４８ｂに付加されるターゲット材５５ａは多いが、コンベックス形状に近い形状になるため、圧電振動片１４０の不要振動又は振動エネルギーの損失等の問題は生じない。
【００３８】
図８は、傾斜領域の形成に使用されるマスク５０ｃの例である。図５と同様に、マスクを圧電振動片上に重ね、圧電振動片を透視した状態で示している。このマスク５０ｃは、上述したマスク５０ｂの構成に加えて、励振電極１４２の一部を露出する第２開口５２を有したことが特徴である。以下、詳述する。このマスク５０ｃは、配線電極１４４と重ならないように第１遮蔽部５３ａ及び主厚部１４８ａと重ならないように第２遮蔽部５３ｂが形成される。マスク５０ｃは、全周の約３００度の範囲で開口５１ａを形成し、約２０度の範囲の開口５１ｂを形成している。この開口５１ａ及び５１ｂの幅ＷＷは、傾斜部１４８ｂの幅ＸＡと同じ幅又は同じ幅よりやや狭い幅で形成されている。またマスク５０ｃは、主厚部１４８ａの中央領域と重なるように、円形の第２開口５２を有している。この第２開口５２を介して付加されたターゲット材５５ａ（図７参照）で、周波数調整されている。またマスク５０ｃは、開口５１ａ及び５１ｂと第２開口５２との間を塞ぐように第３遮蔽部５３ｃが形成される。
【００３９】
再び図６に戻り、フローチャートを説明する。圧電振動片１４０の周波数が調整され及びターゲット材５５ａによる傾斜領域１４８ｃが形成されたので、ステップＳ６９にて、パッケージ１１０にリッド１２０が載置され、リフロー炉で封止材１３０が熱で溶かされ、リッド１２０がパッケージを封止し、図１（ａ）で示された状態になる。
【００４０】
以上、本発明の最適な実施形態について詳細に説明したが、当業者に明らかなように、本発明はその技術的範囲内において実施形態に様々な変更・変形を加えて実施することができる。
【００４１】
例えば、上記実施形態における傾斜部の段差は４段であるが、段差は４段に限らず、これよりも多くても少なくとも良い。また励振電極は、円形状であったが、長軸がＸ’軸方向に伸び短軸がＺ’軸方向に伸びる楕円形状に形成されてもよい。また、圧電デバイスは、パッケージに発振回路が取り付けられた圧電発振器として形成されても良い。さらに、上記の実施形態は様々に組み合わせて実施されても良い。
【符号の説明】
【００４２】
５０（５０ａ、５０ｂ）  …  マスク
５１  …  開口
５５  …  ターゲット材
１００  …  圧電デバイス
１１０  …  パッケージ
１１１  …  実装端子
１１１ａ  …  ホット端子、  １１１ｂ  …  アース端子
１１２ａ  …  実装面、  １１２ｂ  …  載置面
１１３  …  キャビティ、  １１４  …  側壁、  １１５  …  接続電極
１２０  …  リッド
１３０  …  封止材、    １３１  …  導電性接着剤
１４０  …  圧電振動片
１４１  …  圧電基板、  １４２  …  励振電極
１４２ａ  …  励振電極１４２の一方、  １４２ｂ  …  励振電極１４２の他方
１４３  …  引出電極の端部分
１４４  …  引出電極
１４８ａ  …  主厚部、    １４８ｂ  …  傾斜部、    １４８ｃ  …  傾斜領域
ＸＡ  …  傾斜部の幅、    ＸＢ  …  各段差間の幅
ＹＡ  …  励振電極１４２の主厚部１４８ａの高さ（厚さ）
ＹＢ  …  各段差の高さ（厚さ）
ＷＷ  …  開口の幅
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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