(57)【要約】    【課題】  電子部品間での情報伝達速度を高めたプリント配線板の提供    【解決手段】  第１ビアランド３４Ｒ間の第１配線３４Ｌの数が、金属ポスト形成ランド５８Ｒ間の第２配線５８Ｌの数よりも多くなるように、第１ビアランド３４Ｒの外径ｄ１は、金属ポスト形成ランド５８Ｒの外径ｄ４よりも小さい。内層側の第１配線３４Ｌの数を多くできるので、第１電子部品９０Ａと第２電子部品９０Ｍとの間の情報伝達速度を高めることができる。【選択図】  図１
2019149491.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１電子部品と第２電子部品が搭載されるプリント配線板であって、
第１ビアランドと第１配線とを備える第１導体層と、
前記第１導体層上の樹脂絶縁層と、
前記第１電子部品を搭載するための金属ポストの形成される金属ポスト形成ランドと、前記第２電子部品を搭載するためのバンプの形成されるパッド形成ランドと、第２配線と、を有する前記樹脂絶縁層上の第２導体層と、
前記樹脂絶縁層を貫通し、前記第１ビアランドと前記金属ポスト形成ランドを接続するビア導体と、
前記パッド形成ランド上にパッドを露出させる開口を有し、前記樹脂絶縁層及び前記第２導体層を被覆するソルダーレジスト層と、を有し、
前記金属ポストは前記ソルダーレジスト層から突出し、
前記金属ポスト形成ランドの形成される部位の前記ソルダーレジスト層よりも、前記開口の形成される部位の前記ソルダーレジスト層の厚みが厚く、
前記第１ビアランドと前記第１ビアランドとの間の前記第１配線の数が、前記金属ポスト形成ランドと前記金属ポスト形成ランドとの間の前記第２配線の数よりも多くなるように、前記第１ビアランドの径は、前記金属ポスト形成ランドの径よりも小さい。
【請求項２】
請求項１のプリント配線板であって、
前記第１配線と前記第２配線との配線幅、スペース幅は等しい。
【請求項３】
請求項１又は請求項２のプリント配線板であって、
前記ビア導体の前記樹脂絶縁層の上面における径は、前記金属ポストの径よりも小さい。
【請求項４】
請求項１〜請求項３のいずれか１のプリント配線板であって、
前記ソルダーレジスト層は、前記金属ポスト形成ランドの形成される部位と、前記開口の形成される部位との間に段差を有する。
【請求項５】
請求項１〜請求項４のいずれか１のプリント配線板であって、
前記第１配線には、前記第１電子部品と前記第２電子部品とを接続する専用配線が含まれる。
【請求項６】
請求項１〜請求項５のいずれか１のプリント配線板であって、
前記ソルダーレジスト層の前記開口の形成される部位の高さが、前記金属ポストの頂部の高さよりも高い。
【請求項７】
請求項１〜請求項６のいずれか１のプリント配線板であって、
前記第１電子部品はロジックチップであり、
前記第２電子部品はメモリチップである。
【請求項８】
請求項７のプリント配線板であって、
前記メモリチップは、前記ロジックチップの回りに複数個搭載される。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、第１電子部品と第２電子部品とを搭載するプリント配線板に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１は、絶縁層の表面から突出するビア導体の一部を電子部品に接続させるバンプとする配線基板を開示している。突出するビア導体の一部は、絶縁層内に位置するビア導体よりも幅広に形成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１０−３４３２４号公報
【発明の概要】
【０００４】
[特許文献１の課題]
特許文献１では、外層、内層でビアランド径が同一であると推測される。ここで、外層、内層でビアランド径が同一であると、内層において外層よりも配線密度を高めることが難しいと考えられる。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明に係るプリント配線板は、第１電子部品と第２電子部品が搭載される。そして、第１ビアランドと第１配線とを備える第１導体層と、前記第１導体層上の樹脂絶縁層と、
前記第１電子部品を搭載するための金属ポストの形成される金属ポスト形成ランドと、前記第２電子部品を搭載するためのバンプの形成されるパッド形成ランドと、第２配線と、を有する前記樹脂絶縁層上の第２導体層と、前記樹脂絶縁層を貫通し、前記第１ビアランドと前記金属ポスト形成ランドを接続するビア導体と、前記パッド形成ランド上にパッドを露出させる開口を有し、前記樹脂絶縁層及び前記第２導体層を被覆するソルダーレジスト層と、を有し、前記金属ポストは前記ソルダーレジスト層から突出し、前記金属ポスト形成ランドの形成される部位の前記ソルダーレジスト層よりも、前記開口の形成される部位の前記ソルダーレジスト層の厚みが厚く、前記第１ビアランドと前記第１ビアランドとの間の前記第１配線の数が、前記金属ポスト形成ランドと前記金属ポスト形成ランドとの間の前記第２配線の数よりも多くなるように、前記第１ビアランドの径は、前記金属ポスト形成ランドの径よりも小さい。
【０００６】
[実施形態の効果]
本発明の実施形態によれば、第１ビアランドと第１ビアランドとの間の第１配線の数が、金属ポスト形成ランドと金属ポスト形成ランドとの間の第２配線の数よりも多くなるように、第１ビアランドの径は、金属ポスト形成ランドの径よりも小さい。内層側の第１配線数を多くできるので、第１電子部品と第２電子部品との接続配線の数を増やし第１電子部品と第２電子部品との間の情報伝達量を増大させることができる。また、第１電子部品は、金属ポストを介して接続するため、高密度実装の第１電子部品を搭載することができる。相対的に径の大きなパッド用の開口が形成され、強度が低下する部位のソルダーレジスト層の厚みを、相対的に径の小さな金属ポストが貫通し、強度低下の小さい部位のソルダーレジスト層の厚みよりも厚くすることで、第２電子部品との接続信頼性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】図１（Ａ）は本発明の実施形態に係るプリント配線板の断面図であり、図１（Ｂ）は実施形態のプリント配線板の応用例の断面図であり、図１（Ｃ）はプリント配線板の要部の断面図である。
【図２】図２（Ａ）は第１実施形態のプリント配線板の第１導体層の平面図であり、図２（Ｂ）は第２導体層の平面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
図１（Ａ）は本発明の実施形態に係るプリント配線板の断面図であり、図１（Ｂ）は実施形態のプリント配線板の応用例の断面図である。
プリント配線板１０は、第１電子部品（例えば、ロジックチップ）９０Ａと第２電子部品（例えば、メモリーチップ）９０Ｍを搭載し、該第１電子部品９０Ａと第２電子部品９０Ｍ間でデータ伝送を行わせるものである。第２電子部品９０Ｍは、第１電子部品９０Ａの回りに複数個搭載されている。
【０００９】
プリント配線板１０は、第１ビアランド３４Ｒとパッドビアランド３４Ｐと第１配線３４Ｌとを備える第１導体層３４を有する。第１導体層３４上に、電子部品９０Ａ、９０Ｍ側の第１面Ｆと第１面と反対側の第２面Ｓとを有する樹脂絶縁層５０が形成されている。樹脂絶縁層５０上に、第１電子部品９０Ａを搭載するための金属ポスト６２の形成される金属ポスト形成ランド５８Ｒと、第２電子部品９０Ｍを搭載するためのパッド７４の形成されるパッド形成ランド５８Ｐと、第２配線５８Ｌと、を有する第２導体層５８が形成されている。樹脂絶縁層５０には、樹脂絶縁層を貫通し第１ビアランド３４Ｒと金属ポスト形成ランド５８Ｒを接続する第１ビア導体６０Ｒと、パッドビアランド３４Ｐとパッド形成ランド５８Ｐを接続するパッドビア導体６０Ｐとが形成されている。樹脂絶縁層５０及び第２導体層５８上には、パッド形成ランド５８Ｐ上にパッド７４を露出させる開口７２を有するソルダーレジスト層７０が形成されている。図１（Ｂ）に示されるようにパッド７４上の半田バンプ７６を介して第２電子部品９０Ｍは実装される。樹脂絶縁層５０の第２面Ｓ側には、外部基板にプリント配線板１０を実装されるための図示されない樹脂絶縁層、ビア導体、導体層が形成されている。
【００１０】
図１（Ｃ）はプリント配線板の要部を示す。
第１ビアランド３４Ｒ−第１ビアランド３４Ｒ間、第１ビア導体６０Ｒ−第１ビア導体６０Ｒ間、金属ポスト形成ランド５８Ｒ−金属ポスト形成ランド５８Ｒ間、金属ポスト６２−金属ポスト６２間のピッチＰ１は８０μｍである。第１ビアランド３４Ｒの外径ｄ１は５４μｍである。第１ビアランド３４Ｒ、即ち、第１導体層３４の厚みｔ１は５μｍである。金属ポスト形成ランド５８Ｒの外径ｄ４は６４μｍである。金属ポスト形成ランド５８Ｒ、即ち、第２導体層５８の厚みｔ２は５μｍである。第１導体層３４と第２導体層５８との絶縁距離Ｓ３は１５μｍである。第１ビア導体６０Ｒの樹脂絶縁層５０の上面における外径ｄ２は３０μｍである。金属ポスト６２の外径ｄ３は４０μｍである。金属ポスト６２の高さｔ５は１０μｍである。金属ポスト６２の形成される金属ポスト形成ランド５８Ｒ上（部位α）のソルダーレジスト層７０の厚みｔ４は５μｍで、金属ポスト６２のソルダーレジスト層７０からの突出高さｔ３は５μｍである。パッド７４を露出する開口７２の周囲（部位β）では、ソルダーレジスト層７０の厚みｔ６は１１μｍである。金属ポスト形成ランド５８Ｒ上（部位α）のソルダーレジスト層７０の厚みｔ４と開口７２の周囲（部位β）のソルダーレジスト層７０の厚みｔ６とでは、差ｔ７が６μｍある。金属ポスト形成ランド５８Ｒ（部位α）上のソルダーレジスト層７０と開口７２の周囲（部位β）との間のソルダーレジスト層７０に段差７０Ｓが形成されている。ソルダーレジスト層７０の開口７２の形成される周囲（部位β）の高さは、金属ポスト６２の頂部６２Ｔの高さよりも高い。第１ビア導体６０Ｒの樹脂絶縁層５０の上面における外径ｄ２は、金属ポスト６２の外径ｄ３よりも小さい。金属ポスト６２を介して第１電子部品９０Ａ側からの応力を受ける金属ポスト形成ランド５８Ｒの外径ｄ４を大きくしているため、第１ビア導体６０Ｒの外径ｄ２を小さくすることができる。
【００１１】
金属ポスト６２を介して第１電子部品９０Ａ側からの応力を受ける金属ポスト形成ランド５８Ｒの外径ｄ４は、応力を直接は受けない第１ビアランド３４Ｒの外径ｄ１よりも大きい。ピッチＰ１（８０μｍ）で配置された外径ｄ４（６４μｍ）の金属ポスト形成ランド５８Ｒ−金属ポスト形成ランド５８Ｒ間のスペース間隔Ｓ２は１６μｍになる。金属ポスト形成ランド５８Ｒ−金属ポスト形成ランド５８Ｒ間のスペース間隔Ｓ２（１６μｍ）に、線幅ｗ２（４μｍ）の第２配線５８Ｌが１本、スペース幅（最小スペース幅）ｓ２（６μｍ）で配置される。即ち、線幅ｗ２（４μｍ）、スペース幅ｓ２（６μｍ）の第２配線５８Ｌが１本設けられるように、金属ポスト形成ランド５８Ｒ−金属ポスト形成ランド５８Ｒのスペース間隔Ｓ２（１６μｍ）が設けられる。
【００１２】
図２（Ｂ）は、第２導体層５８の平面図である。
ピッチＰ１（８０μｍ）で配置された金属ポスト形成ランド５８Ｒ−金属ポスト形成ランド５８Ｒ間のスペース間隔Ｓ２（１６μｍ）に線幅ｗ２（４μｍ）、スペース幅ｓ２（６μｍ）の第２配線５８Ｌが１本設けられる。
【００１３】
第１ビアランド３４Ｒの外径ｄ１は、金属ポスト６２を介して第１電子部品９０Ａ側からの応力を直接受ける金属ポスト形成ランド５８Ｒの外径ｄ４より小さくすることができる。金属ポスト形成ランド５８Ｒ−金属ポスト形成ランド５８Ｒ間と同一のピッチＰ１（８０μｍ）で配置された外径ｄ１（５４μｍ）の第１ビアランド３４Ｒ−第１ビアランド３４Ｒ間のスペース間隔Ｓ１は２６μｍになる。第１ビアランド３４Ｒ−第１ビアランド３４Ｒ間のスペース間隔Ｓ１（２６μｍ）に、第２導体層５８の第２配線５８Ｌの線幅ｗ２と等しい線幅ｗ１（４μｍ）の第１配線３４Ｌが２本、第２導体層５８の第２配線５８Ｌのスペース幅ｓ２と等しいスペース幅（最小スペース幅）ｓ１（６μｍ）で配置される。即ち、線幅ｗ１（４μｍ）、スペース幅ｓ１（６μｍ）の第１配線３４Ｌが２本設けられるように、第１ビアランド３４Ｒ−第１ビアランド３４Ｒ間のスペース間隔Ｓ１（２６μｍ）が設けられる。
【００１４】
図２（Ａ）は、第１導体層３４の平面図である。
ピッチＰ１（８０μｍ）で配置された第１ビアランド３４Ｒ−第１ビアランド３４Ｒ間のスペース間隔Ｓ１（２６μｍ）に線幅ｗ１（４μｍ）、スペース幅ｓ１（６μｍ）の第１配線３４Ｌが２本設けられる。
【００１５】
第１導体層の第１配線３４Ｌには、第１電子部品９０Ａと第２電子部品９０Ｍとの間のデータ伝送用の専用配線が含まれる。ここで、内層に設けられる専用配線の一部は上層（第２導体層５８）と図示しない下層にベタ層が設けられ、マイクロストリップ構造にしてノイズが遮断されている。実施形態のプリント配線板１０によれば、第１ビアランド３４Ｒと第１ビアランド３４Ｒとの間の第１配線３４Ｌの数が、金属ポスト形成ランド５８Ｒと金属ポスト形成ランド５８Ｒとの間の第２配線５８Ｌの数よりも多くなるように、第１ビアランド３４Ｒの外径ｄ１は、金属ポスト形成ランド５８Ｒの外径ｄ４よりも小さい。内層側の第１配線３４Ｌの配線数を多くできるので、第１電子部品９０Ａと第２電子部品９０Ｍとの接続配線の数を増やし第１電子部品９０Ａと第２電子部品９０Ｍとの間の情報伝達量を増大させ、情報伝達速度を高めることができる。
【００１６】
実施形態のプリント配線板１０で、第１電子部品９０Ａは、金属ポスト６２を介して接続するため、高密度実装の第１電子部品９０Ａを搭載することができる。金属ポスト６２よりも相対的に径の大きなパッド７４用の開口７２が形成され、強度が低下する部位βのソルダーレジスト層７０の厚みを、相対的に径の小さな金属ポスト６２が貫通し、強度低下の小さい部位αのソルダーレジスト層７０の厚みよりも厚くすることで、ソルダーレジスト層が７０が剥がれ難くなり、第２電子部品９０Ｍとの接続信頼性を向上させることができる。金属ポスト６２が貫通する部位αのソルダーレジスト層７０の厚みを薄くすることで、金属ポスト６２の高さを低くし、第１電子部品９０Ａとプリント配線板１０との間の配線長を短縮し、熱伝導性を高めている。
【符号の説明】
【００１７】
３４Ｒ  第１ビアランド
３４Ｌ  第１配線
３４  第１導体層
５０  樹脂絶縁層
５８Ｒ  金属ポスト形成ランド
５８Ｌ  第２配線
５８  第２導体層  
６０  ビア導体
６２  金属ポスト
７０  ソルダーレジスト層
７４  パッド
【図１】
2019149491.tif 000003
【図２】
2019149491.tif 000004