(57)【要約】      （修正有）【課題】組み立てを容易にする積層回路基板の製造方法を提供する。【解決手段】セラミック積層母基板を分割して、複数個のセラミック積層基板を得る第１分割工程と、屈曲性を有する配線部を備える多層基板を複数個形成する為の多層母基板を作製する多層母基板工程と、多層母基板において、多層基板に対応させる為の区画を複数個決定して、前記区画にセラミック積層基板を設ける配列工程と、多層母基板に配列したセラミック積層基板と、多層母基板とを接合して、一体化母基板を得る一体化母基板工程と、一体化母基板を分割することで、セラミック積層基板と、屈曲性を有する配線部を備える多層基板と、を一体化した積層回路基板を複数個得る第２分割工程とを備える。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミック積層母基板を分割して、複数個のセラミック積層基板を得る第１分割工程と、
屈曲性を有する配線部を備える多層基板を複数個形成する為の多層母基板を作製する多層母基板工程と、
前記多層母基板において、前記多層基板に対応させる為の区画を複数個決定して、前記区画に前記セラミック積層基板を設ける配列工程と、
前記多層母基板に配列した前記セラミック積層基板と、前記多層母基板とを接合して、一体化母基板を得る一体化母基板工程と、
前記一体化母基板を分割することで、セラミック積層基板と、屈曲性を有する配線部を備える多層基板とを一体化した積層回路基板を複数個得る第２分割工程とを備えることを特徴とする積層回路基板の製造方法。
【請求項２】
前記一体化母基板工程は、熱圧着で接合を行うことを特徴とする請求項１に記載の積層回路基板の製造方法。
【請求項３】
前記第２分割工程は、前記区画に沿って前記一体化母基板を分割することを特徴とする請求項１に記載の積層回路基板の製造方法。
【請求項４】
前記配列工程は、連結した複数個の区画に、連結した複数個のセラミック積層基板を設けることを特徴とする請求項１に記載の積層回路基板の製造方法。
【請求項５】
前記配列工程において、前記区画に前記セラミック積層基板を位置決めする部材を用いることを特徴とする請求項１に記載の積層回路基板の製造方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれかに記載の積層回路基板の製造方法を用い、前記第２分割工程で得た前記積層回路基板に半導体素子を設けることを特徴とする積層モジュールの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、無線通信に使用する積層回路基板の製造方法および積層モジュールの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話等のモバイル機器を中心とした無線通信機器に用いられる無線通信モジュールは、端末の高機能化に伴い、筺体内の実装エリアの縮小が進んでおり、小型化・低背化が求められている。
【０００３】
従来、平面状のアンテナを有する基板では、裏面にＩＣ（ＩＣチップなどの半導体チップ）を搭載し、かつ、その基板をマザーボードに実装することが行われている。しかし、アンテナ面（上記基板でアンテナを有する側の面）をマザーボードの面に対向させるようにして上記基板に実装すると、十分な放射特性を出すことが難しい。そのため、ＩＣ面（上記基板でＩＣを搭載した側の面）でマザーボードと上記基板とを接続することになるが、上記基板と接続を確保する際の組み立てが難しくなったり、構造が複雑になったりするという問題があった。
【０００４】
また、高周波信号は減衰し易いため、無線通信モジュールへの信号入力又は信号出力は通常の端子からではなく、低損失な同軸ケーブルを利用する方が良い。しかし、同軸ケーブルを上記基板に取り付けると、マザーボートとの組み立てが難しくなるという問題があった。
【０００５】
なお、マザーボードが低損失材料の基板で作製されていた場合、同軸ケーブルでは無く、ＢＧＡ（半田ボールを用いたボールグリッドアレイ）を介して上記基板とマザーボード間で信号入力又は信号出力を行ったとしても、損失が低く実現できる可能性はあるが、低損失材料の基板は非常に高価であるため、工業的な大量生産をもってしても、それをマザーボード全体に使用することは現実的ではない。
【０００６】
たとえば、特許文献１は、可撓性を備えたフレキシブルプリント配線基板を開示しており、筐体への組み込みに用いることが記載されているが、組み立て性や接続性の向上を図るには十分とは言えない。同軸ケーブルと基板との接続や取り回しの詳細については、開示されていない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０１２−１５１８２９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明の目的は、マザーボード等との接続に際して、低損失であって、放熱に優れ、組み立てを容易にする積層回路基板の製造方法および積層モジュールの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の積層回路基板の製造方法は、
セラミック積層母基板を分割して、複数個のセラミック積層基板を得る第１分割工程と、
屈曲性を有する配線部を備える多層基板を複数個形成する為の多層母基板を作製する多層母基板工程と、
前記多層母基板において、前記多層基板に対応させる為の区画を複数個決定して、前記区画に前記セラミック積層基板を設ける配列工程と、
前記多層母基板に配列した前記セラミック積層基板と、前記多層母基板とを接合して、一体化母基板を得る一体化母基板工程と、
前記一体化母基板を分割することで、セラミック積層基板と、屈曲性を有する配線部を備える多層基板とを一体化した積層回路基板を複数個得る第２分割工程とを備えることを特徴とする。
【００１０】
前記一体化母基板工程は、熱圧着で接合を行うことが出来る。前記第２分割工程は、前記区画に沿って前記一体化母基板を分割してもよい。前記配列工程は、連結した複数個の区画に、連結した複数個のセラミック積層基板を配置してもよい。
【００１１】
前記配列工程において、前記区画に前記セラミック積層基板を位置決めする部材を用いてもよい。
【００１２】
本発明の積層モジュールの製造方法は、上記いずれかの積層回路基板の製造方法を用い、前記第２分割工程で得た前記積層回路基板に半導体素子を設けることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によって、マザーボード等との接続に際して、低損失であって、放熱に優れ、組み立てを容易にする積層回路基板の製造方法および積層モジュールの製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明に係る積層回路基板にＩＣチップを搭載した積層モジュールについて、概略を示す側面図である。
【図２】本発明に係る積層モジュールを携帯表示機器に搭載した様子を示す上面図である。
【図３】本発明に係る積層回路基板にＩＣチップを搭載した他の積層モジュールについて、概略を示す側面図である。
【図４】本発明に係る積層回路基板にＩＣチップを搭載した他の積層モジュールについて、概略を示す側面図である。
【図５】本発明に係る積層回路基板にＩＣチップを搭載した他の積層モジュールについて、概略を示す側面図である。
【図６】ＬＴＣＣ積層基板にＩＣチップを搭載したモジュール（参考形態）について、概略を示す側面図である。
【図７】参考形態に係るモジュールについて、マザーボードに搭載する様子を示す側面図である。
【図８】本発明に係る積層回路基板を示す正面図である。
【図９】(ａ)ＬＴＣＣ積層基板の上面図、(ｂ)ＬＣＰ積層基板の上面図、(ｃ)図６の積層回路基板の上面図、(ｄ)前記(ｃ)の積層回路基板の側面図である。
【図１０】本発明に係る積層回路基板の製造方法を説明する為の概略図であって、（ａ）ＬＣＰ積層母基板の上面図、（ｂ）ＬＴＣＣ積層母基板の上面図である。
【図１１】図１０より後の工程を説明する為の概略図であって、（ａ）ＬＣＰ積層母基板の上面図、（ｂ）ＬＴＣＣ積層母基板の上面図である。
【図１２】図１１より後の工程を説明する為の概略図であって、（ａ）ＬＴＣＣ積層基板を配列したＬＣＰ積層母基板の上面図、（ｂ）本発明に係る積層回路基板の上面図である。
【図１３】本発明に係る積層回路基板の製造方法を説明する為の概略図であって、（ａ）ＬＣＰ積層母基板の上面図、（ｂ）ＬＴＣＣ積層母基板の上面図である。
【図１４】図１３より後の工程を説明する為の概略図であって、（ａ）ＬＣＰ積層母基板の上面図、（ｂ）ＬＴＣＣ積層母基板の上面図である。
【図１５】図１４より後の工程を説明する為の概略図であって、（ａ）ＬＴＣＣ積層基板を配列したＬＣＰ積層母基板の上面図、（ｂ）本発明に係る積層回路基板の上面図である。
【図１６】(ａ)ＬＴＣＣ積層基板の上面図、(ｂ)ＬＣＰ積層基板の上面図、(ｃ)他の積層回路基板の上面図、(ｄ)前記(ｃ)の積層回路基板の側面図である。
【図１７】本発明に係る他の積層モジュールを携帯表示機器に搭載した様子を示す上面図である。
【図１８】本発明に係る積層回路基板の製造方法を説明する為の概略図であって、（ａ）ＬＣＰ積層母基板の上面図、（ｂ）ＬＴＣＣ積層母基板の上面図である。
【図１９】図１８より後の工程を説明する為の概略図であって、（ａ）ＬＣＰ積層母基板の上面図、（ｂ）ＬＴＣＣ積層母基板の上面図である。
【図２０】図１９より後の工程を説明する為の概略図であって、（ａ）ＬＴＣＣ積層基板を配列したＬＣＰ積層母基板の上面図、（ｂ）本発明に係る積層回路基板の上面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
本発明の実施形態を以下で図面に沿って説明するが、本発明は必ずしもそれらに限定されるものではない。説明は特に断りがなければ他の実施形態にも適用できる。なお、主に構造、製法の順に説明する方が判り易いので、まず、本発明に係る積層回路基板や参考形態に関して図１〜図７で説明する。そして、本発明に係る積層回路基板及びその製造方法に関して図８〜図２０で説明する。
【００１６】
１．構造の実施形態
（第１の実施形態）
本発明に係る積層回路基板は、セラミック積層基板と、屈曲性を有する配線部を備える多層基板とが一体化したことを特徴とする。また、無線通信モジュールとは、本発明に係る積層回路基板と半導体素子（例えばＩＣチップなど）とを備えるもののことをいう。以下においては、積層回路基板を構成するセラミック積層基板の典型例としてＬＴＣＣ積層基板を用い、屈曲性を有する配線部を備える多層基板としてＬＣＰ積層基板を用いた例で説明する。本発明に係る積層回路基板にＩＣチップを搭載した積層モジュールについて、例えば図１の側面図に示す。図１に示す積層モジュール１００は、屈曲可能なケーブル部２０Ａを有するＬＣＰ積層基板２０と、第２の主面（図中で下面）に前記ＬＣＰ積層基板２０を熱圧着で接合したＬＴＣＣ積層基板１０と、前記ＬＴＣＣ積層基板１０の第１の主面（図中で上面）に搭載したＩＣチップ４０及びＩＣチップ４１とを備える。ケーブル部２０Ａが可撓性を有し、屈曲させることが出来るので、この積層モジュール１００を携帯表示機器などの装置内に設ける際には、筐体の形に合わせて、高い自由度をもってケーブル部２０Ａを曲げて配置することができ、組み立て性および実装性に優れている。ここで、ケーブル部２０Ａは、ＬＣＰ積層基板２０の一部であって、その側面に連続的且つ一体に形成されており、マザーボードと高周波信号をやりとりする際の低損失化に寄与している。ケーブル部２０Ａ内の配線は、ＬＣＰ積層基板２０内の配線、ＬＴＣＣ積層基板１０内の配線を介して、ＩＣチップ４０やＩＣチップ４１と接続され、信号等をやりとりすることが出来る。ＬＣＰ積層基板２０は、ＬＴＣＣ積層基板１０と接合している領域がリジッドとなるので、積層モジュールにおいてＩＣチップ４０等の配置がずれたりする心配は無い。なお、ＬＴＣＣ積層基板１０とＩＣチップ４０等との間には、配線や端子などのピッチを調整するために、微細配線層を設けても良い。
【００１７】
図１の構成において、ＬＣＰ積層基板２０およびケーブル部２０Ａは、例えば、液晶ポリマーを積層して一括プレスして形成したものであり、低誘電率で低損失化に寄与する。ＬＣＰ積層基板２０およびケーブル部２０Ａは、ＬＴＣＣ積層基板側或いはその反対側（例えばマザーボード等と接続する側）と電気的に接続する為の配線やビアホールを内部に形成していて、ケーブル部２０Ａ内の配線（図３の場合には内蔵のアンテナも含む）の少なくとも一部は高周波ＩＣや実装パッドと接続することができる。厚さの制約などが特に無い場合には、積層の際に内部に内蔵部品を収納してもよい。
【００１８】
ＬＴＣＣ積層基板１０は、例えば、ＬＴＣＣ用のグリーンシートを積層・圧着して焼成したものである。外側（ＩＣチップ搭載側或いはＬＣＰ積層基板２０側）または内側（受動部品などを層間に形成している場合、内部に相当する）と電気的に接続する為の配線やビアホールを内部に形成している。
【００１９】
ＩＣチップ４０等とＬＴＣＣ積層基板１０の間に、ＬＣＰの再配線層を設ける場合には、例えば、液晶ポリマーを積層して一括プレスして形成したもので再配線層を構成する。この再配線層は、積層の際に、ＩＣチップ４０等を搭載する側或いはＬＴＣＣ積層基板１０と対向する側について電気的に接続する為の配線やビアホールを内部に形成している。ここで、ＬＣＰは液晶ポリマー（Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｐｏｌｙｍｅｒ）を指す。再配線層（ＲＤＬ：Ｒｅｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎ  Ｌａｙｅｒ）は微細配線層と呼ばれることもある。電気的に接続する為の配線やビアホールは、ＡｇやＣｕなどを用いることができる。
【００２０】
製造手順は、例えば、ＬＴＣＣ積層基板１０を作製し、その一方の面（ＩＣチップを搭載しない側の面）にＬＣＰ積層基板２０を１層１層のＬＣＰのビルドアップで形成して熱圧着して一体化する方法、或いは、ＬＣＰシートを必要数積層後に得られたＬＣＰ積層基板をＬＴＣＣ積層基板と熱圧着して一体化する方法である。なお、ＬＣＰ積層基板内にも回路を形成するが、これはＬＣＰシートに導体薄膜を張り付け、エッチング処理にて回路パターンを形成したり、導体薄膜パターンをめっきやスクリーン印刷により形成したりする方法もある。ビア形成も同様なプロセスにて形成する。
【００２１】
（第２の実施形態）
本発明に係る積層回路基板を有する積層モジュールを携帯表示機器に搭載した様子について、例えば図２の上面図（携帯表示機器の内部を透視した上面図）に示す。携帯表示機器２００の内部において、一対の積層モジュール１００を対角近傍となるように配置する際に、ケーブル部２０Ｂを介して両者（積層モジュール１００同士）を接続することができるので、端から端に配線する際に有用である。このとき、ケーブル部は携帯表示機器のマザーボード(主基板ともいう)に接しても良いし、中空配置（マザーボードに接触せず、携帯表示機器内の中空にわたすように配置）でも良いし、また、蓋部（筐体の一部で蓋となっている箇所）の内壁に添うように配置しても良い。配線部に相当するケーブル部２０Ｂは、図１の構成を２つ作製し、ケーブル部２０Ａ同士を接続することで形成しても良い。また、１つのケーブル部２０Ｂ（ＬＣＰ積層基板と同じく液晶ポリマーを有する）の両端にＬＣＰ積層基板２０が一体に形成されていて、それぞれのＬＣＰ積層基板２０にＬＴＣＣ積層基板１０が接合されて一体化したものを用いても良い。積層モジュールは、実装パッド或いはケーブル部（更に追加したケーブル部）などを介して、マザーボードに接続することができる。
【００２２】
（第３の実施形態）
本発明に係る積層回路基板にＩＣチップを搭載した他の積層モジュールについて、例えば図３の側面図に示す。図３が図１と異なる点は、ケーブル部の先端近傍の内部にアンテナを内蔵させることで、ケーブル−アンテナ部２０Ｃとしたことである。ケーブル内の配線はケーブル−アンテナ部２０Ｃでアンテナに接続することが出来る。他の構成は図１と同様である。
【００２３】
（第４の実施形態）
本発明に係る積層回路基板にＩＣチップを搭載した他の積層モジュールについて、例えば図４の側面図に示す。図４が図１と異なる点は、ＬＴＣＣ積層基板１０の面（図４では上面に相当）にはＢＧＡ５０が設けられること、及び、ケーブル部２０Ｄ付きのＬＣＰ積層基板２０がＬＴＣＣ積層基板１０に熱圧着で接合されていて、複数のアンテナ３２（具体的にはアレイアンテナ）がＬＣＰ積層基板２０の面（図４では下面に相当）に形成されていることである。ケーブル部２０Ｄは、ＬＣＰ積層基板２０の一部であって、一体に形成されているので組み立て性および実装性に優れる。低損失のケーブル部２０を同軸ケーブルの代わりに用いることができる。さらに、アンテナ３２の表面を被覆層で覆うこともできる。
【００２４】
（第５の実施形態）
本発明に係る積層回路基板にＩＣチップを搭載した他の積層モジュールについて、例えば図５の側面図に示す。図５に示す積層モジュールは、屈曲可能なケーブル部２０Ｆを有するＬＣＰ積層基板２０と、第２の主面に前記ＬＣＰ積層基板２０を熱圧着で接合したＬＴＣＣ積層基板１０と、前記ＬＴＣＣ積層基板１０の第１の主面（図５で上面に相当）に形成した複数のアンテナ３４と、前記ＬＣＰ積層基板１０の面（図５で下面に相当）に搭載したＩＣチップ４０及びＩＣチップ４１とを備える。下面にＢＧＡ５０を配すれば、マザーボードと接続できるが、同軸ケーブルの代わりにケーブル部２０Ｆを高周波の信号の低損失なやりとりに使用する。図４や図５の積層モジュールをマザーボードと接続して無線通信モジュールを得ることができる。
【００２５】
（参考形態）
ＬＴＣＣ積層基板にＩＣチップを搭載したモジュール（参考形態）について、例えば図６の側面図に示す。なお、図６に限らず、図中の「実装面」の矢印が示す側は、マザーボードに実装する側であることを示す。図６に示すモジュールは、ＬＴＣＣ積層基板１０ｂの第２の主面（図中で下面）に複数のアンテナ３２ｂを有し、第１の主面（図中で上面）に搭載したＩＣチップ４０及びＩＣチップ４１と、第１の主面に形成したコネクタ４４を備えることを特徴とする。前記ＬＴＣＣ積層基板１０ｂの第１の主面には、マザーボートと接続する為のＢＧＡ（半田ボールによるボールグリッドアレイ）５０が準備されており、コネクタ４４には同軸ケーブル６０が接続されている。同軸ケーブル６０は、高周波で信号を伝送する際の損失を抑制するために使用する。なお、同軸ケーブルの右端の矢印は、同軸ケーブルが長いものであり、その重みがコネクタ４４に負荷をかけるものであることを示している。
【００２６】
参考形態に係る図６のモジュールをマザーボードに搭載する様子を、図７の側面図に示す。ＢＧＡ５０がマザーボード７０と接続するのを妨げないようにするため、同軸ケーブル６０を迂回させる必要があり、接続の邪魔になっている。通常、マザーボードに部品を実装する際には、マザーボードに半田印刷をして、マウンタにより部品を整列搭載後、半田リフローにより半田を溶融固化させる工程を通る。この時のリフロー温度は３００℃近い温度となるため、もし、同軸ケーブルを先に搭載してリフローした場合、同軸ケーブルの被覆や内部絶縁体は樹脂系材料のため、リフロー温度には耐えられず、現実的な使用方法ではない。一方、リフロー後に、同軸ケーブルを付けることは、外部から１ｍｍ以下の隙間に同軸ケーブルを差し込み、更に、コネクタに接続する必要があり、これもまた現実的な使用方法ではない。
【００２７】
図６及び図７に係る構成に比べて、図１や図３の構成はマザーボードとの接続や他所へのケーブル導出に際して、妨げられることなく、組立や接続を容易にするものとしてケーブル部を用いることができるので好ましい。
【００２８】
２．製造方法等の実施形態
（第６の実施形態）
本発明に係る積層回路基板について、例えば図８の正面図に示す。まず、図８(ａ)正面図のＬＴＣＣ積層基板１１０と、図８(ｂ)正面図のＬＣＰ積層基板１２０を別々に作製する。ついで、ＬＣＰ積層基板１２０の上面にＬＴＣＣ積層基板１１０の下面を重ねて、これらを熱圧着することで一体化して、図８(ｃ)正面図の積層回路基板１３０を得ることが出来る。上面側から見ると、図８(ａ)のＬＴＣＣ積層基板１１０の上面図は図９（ａ）となり、図８(ｂ)のＬＣＰ積層基板１２０の上面図は図９(ｂ)となり、図８(ｃ)の積層回路基板１３０の上面図は図９(ｃ)となる。なお、この積層回路基板１３０を側面からみると図９(ｄ)となり、多層基板に相当するＬＣＰ積層基板１３０において、ＬＴＣＣ積層基板１１０が載っていない細幅の箇所は、内部に配線を有する配線部に相当し、屈曲性に優れる。なお、図９において、ＬＴＣＣ積層基板１１０の外形とＬＣＰ積層基板１２０の外形がほぼ一致しているが、図１６に示すように、両者の外形は必ずしも一致する必要はなく、ＬＴＣＣ積層基板の方がより小さくても実施可能である。
【００２９】
図８及び図９に係る積層回路基板の製造方法について、例えば図１０〜図１２に示す。まず、図１０（ａ）のＬＣＰ積層母基板１２１（多層母基板に相当する）を作製して、その表面に複数の区画１２３を決定する。複数の区画１２３を囲む部分は枠部１２４に相当する。個々の区画１２３は、図９(ｂ)のＬＣＰ積層基板１２０（多層基板に相当する）に外形に対応するライン（点線で図示している）となっている。図１０（ａ）では、複数の区画１２３を横一列に規定しており、２つの“横一列”が２行分に相当する。この段階では、ラインの内側は分離されていないので、便宜的に符号を付ける（ＬＣＰ積層基板１２０ｂに相当する）。
【００３０】
図１０（ａ）の工程と並行して、図１０(ｂ)のＬＴＣＣ積層母基板１１１（セラミック積層母基板に相当する）を作製して、例えば機械加工で加工ライン１１３ａ（横の分割線）、加工ライン１１３ｂ（縦の分割線）を形成して、複数個のセラミック積層基板１１０ｂを枠部１１４内に形成する。加工ライン１１３ａ、１１３ｂがセラミック積層母基板１１１を貫通すれば、セラミック積層基板１１０ｂ同士は分割されて（第１分割工程に相当する）、其々がセラミック積層基板１１０（複数個のセラミック積層基板に相当）となる。加工ライン１１３ａ、１１３ｂが非貫通の場合、応力を加えればＬＴＣＣ積層母基板を分割できる程度に、加工ライン１１３ａ、１１３ｂの深さや幅などを調整する。
【００３１】
続いて、図１１（ａ）に示すように、ＬＣＰ積層母基板１２１の表面の区画のうち、広幅の部分にＬＴＣＣ積層基板１１０を設ける（これは、ＬＣＰ積層基板１２０ｂ上にＬＴＣＣ積層基板１１０を配置するに等しい）。図１１（ｂ）に示すように、ＬＴＣＣ積層基板１１０を１個ずつピックアップして、全ての区画１２３にＬＴＣＣ積層基板１１０を設ける（配列工程に相当）。ピックアップする際にはマウンタ装置を利用しても良い。配置後に、ＬＣＰ積層母基板１２１に配列したＬＴＣＣ積層基板１１０と、前記ＬＣＰ積層母基板１２１とを熱圧着で接合して、ＬＣＰ積層母基板１２１と複数個のＬＴＣＣ積層基板１１０とを有する一体化母基板を得る（一体化母基板工程に相当）。なお、配列工程では、ＬＣＰ積層基板１２０ｂの上に位置合わせ用の定規或いは冶具（位置決め手段に相当）を配置し、定規或いは冶具の直線状の部分にＬＴＣＣ積層基板１１０を突き合わせることで、前記区画内にＬＴＣＣ積層基板を配置していくことで、配列を行ってもよい。隣り合うＬＴＣＣ積層基板１１０の間にスペースを設けて配列できる場合には、ＬＴＣＣ積層基板１１０を挿入する孔を複数個有する枠体を位置決め手段として用いてもよい（但し、前記枠体は、熱圧着後に除去できるものを用いる）。
【００３２】
次いで、図１２(ａ)に示すように、１個の区画１２３の外周をレーザ加工等で切断し、図１２(ｂ)に示すように、ＬＴＣＣ積層基板１１０及びＬＰＣ積層基板１２０を有する積層回路基板１３０（図９（ｃ）と同じ）を得る。ＬＰＣ積層基板１２０の部分は、屈曲性を有する配線部を備える多層基板に相当する。レーザ加工によって、ＬＣＰ積層母基板１２１には開口１２６が形成される。続けて、他の区画１２３の外周をレーザ加工で切断し、一体化母基板を分割していく（第２分割工程に相当）ことで、同様の積層回路基板を多数個得ることができる。なお、区画１２３外周を切断して積層回路基板を取り出すには、金型による抜き加工やジェット水流による加工等を用いることもできる。そして、図１２（ｂ）の積層回路基板１３０において、ＬＣＰ積層基板１２０の部分（屈曲性を有する配線部）或いはＬＴＣＣ積層基板１１０にＩＣチップを搭載することで積層モジュールを得る。なお、積層モジュールの細部は、例えば、図１、図３〜図５のいずれかとしても良い。
【００３３】
（第７の実施形態）
他の積層回路基板の製造方法について、例えば図１３〜図１５に示す。この第７の実施形態は、図１３(ａ)に示すように区画１２３を増加して４行分とすることを除いて、第６の実施形態の製造方法と同様である。１行目と２行目が逆向きで結合し、３行目と４行目も同様に逆向きで結合する。第６の実施形態と同じ区画はＬＣＰ積層基板１２０ｃに対応する部位に相当し、第７の実施形態で加えられた区画はＬＣＰ積層基板１２０ｄに対応する部位に相当する。第６の実施形態に比べて、積層回路基板１３０の取れ数を増大させることが出来る。そして、図１５(ｂ)に示す夫々の積層回路基板１３０において、ＬＣＰ積層基板１２０の部分（屈曲性を有する配線部）或いはＬＴＣＣ積層基板１１０にＩＣチップを搭載することで積層モジュールを得る。
【００３４】
第６の実施形態及び第７の実施形態において、区画は予定されたものであるが、レーザ加工（より具体的にはレーザスクライブ）などの手法によって、破断可能な分割線で区画の輪郭を形成してもよい。例えば、手で持って応力を加えたり、或いは機械部品で挟んで応力を加えたりして、分割線で割断することによって、個々の積層回路基板に分離することが出来る。また、区画の輪郭を線で図示したが、余裕シロを加えたり、或いは複数の線で輪郭を構成したりしてもよい。
【００３５】
（第８の実施形態）
図１２や図１５では、セラミック積層基板１１０が横一列（１行に相当）に配列されていて、図１２では２行分あり、図１５では４行分ある。隣り合うセラミック積層基板１１０同士は、接続されていない。これに対して、図１０及び図１１のセラミック積層母基板から、セラミック積層基板のバー（セラミック積層基板１１０同士が分離されておらず、横１列に繋がった状態と言えるもの）を切り取り、このバーをＬＣＰ積層母基板の表面に配置してもよい（配列を一括して行う）。配置の際には、連結した複数個の区画に、セラミック積層基板のバー（複数個のセラミック積層基板に相当する）を設けることになる。ただし、セラミック積層基板のバーの未切断箇所（隣り合うセラミック積層基板の境界に相当する箇所）を、区画１２３の外周を例えばレーザ加工で切断する際に一緒に切断することで、積層回路基板を多数個得ることができる。そして、積層回路基板１３０において、ＬＣＰ積層基板１２０の部分（屈曲性を有する配線部）或いはＬＴＣＣ積層基板１１０にＩＣチップを搭載することで積層モジュールを得る。
【００３６】
本発明に係る構成によって、次のような効果も得ることができる。セラミック積層基板（例えば、ＬＴＣＣ積層基板）と、屈曲性を有する配線部を備える多層基板（例えば、ＬＣＰ積層基板）とを一体化（より好ましくは複合化）すると、前述のように同軸ケーブルを接続する難しい工程を経たり、複雑な構成にしたりすることが不要となる。したがって、部品数を低減し、組立工数を減らすことができるので、コスト削減にも寄与する。一体化する構成は、組み立て性および実装性に優れる。また、薄型化が可能になる。複雑な構成では端子や接続部が増加するが、それらの数を少なくできるので、特性の改善（高周波信号の減衰といった損失を低減すること）にも寄与する。
【００３７】
また、屈曲性を有する配線部を備える多層基板（例えば、ＬＣＰ積層基板）の一部にアンテナを備えると、空間に浮いた形のアンテナを作製することが可能になる。リジッドな基板（屈曲し難い基板）上にアンテナを配置すると、アンテナの背面が基板に遮られる配置となり、アンテナの特性を幾分かは妨げることがある。これに対して、アンテナを空間に浮いた形にすると、基板に遮られ難くなるので、アンテナの特性が改善する。また、アンテナを空間に配置した場合、アンテナを基板の面に実装するエリアが不要となるため、設計自由度が上がる。
【００３８】
本発明に係る構成によって、さらに次のような効果も得ることができる。多層基板として、特に、ＬＣＰ積層基板（液晶ポリマー積層基板）を用いると、一体化した（より好ましくは複合化した）積層回路基板を構成したときに、高周波における損失のレベルをＬＴＣＣ積層基板に近いレベルに抑制することができる。高周波における損失（高周波信号の減衰など）を、ポリイミドやＦＲ４（ガラス繊維にエポキシ樹脂を含侵させ熱硬化した材料）よりも低いレベルにできるので好ましい。
【００３９】
本発明に係る他の積層モジュールを携帯表示機器に搭載した様子について、例えば図１７の上面図（携帯表示機器の内部を透視した上面図）に示す。図１７が図２と異なる点は、ケーブル部２０Ｂ２の中央に制御半導体３００が接続されていることである。携帯表示機器２００内の中央部分に、両積層モジュール１００に中間周波数での信号を送信する制御半導体３００（ベースバンドＩＣやアプリケーションプロセッサ）が配置されることで、実質的に制御半導体３００が２つの積層モジュール１００を制御する。マザーボードには制御半導体３００を接続する（制御半導体および積層モジュールの少なくとも１つからマザーボードに接続することもできる）。なお、一方の積層モジュール１００（図１７中では右上）のケーブル部２０Ｂ２が中央に配置した制御半導体３００に接続され、他方の積層モジュール１００（図１７中では左下）のケーブル部２０Ｂ２が前記制御半導体３００に接続されているという形態にしても良い。また、第６〜第８の実施形態のいずれかに係る製造方法で作製した積層モジュールを、図２や図１７の携帯表示機器の作製に適用することも出来る。
【００４０】
図２や図１７の積層モジュール１００は携帯表示機器の内部の主面に配置されており、このタイプを横置きと呼ぶ。図２や図１７の構成について、積層モジュールを設ける位置を携帯表示機器の内壁に変更してもよい（このタイプを縦置きと呼ぶ）。また、図２や図１７では、２個の積層モジュールを図示しているが、更に多くても良い（３個以上の積層モジュール）。また、縦置きの積層モジュールと横置きの積層モジュールとを組み合わせて携帯表示機器内に配置しても良い（縦置き・横置きを混在）。ここで、携帯表示機器の内壁は、大まかに６面あるが、いずれの面に積層モジュールの積層回路基板を配置してもよい。配置の向きとして、前記６面の内の２面は一番広い面であり、  携帯表示機器内の基板（例えばマザーボード）の主面と並行な面に相当し、これらの面の少なくとも１つに配置した場合は横置きでの配置となる。配置の向きとして、残りの４面の少なくとも１つに配置した場合は縦置きの配置となる。
【００４１】
（第９の実施形態）
他の積層回路基板の製造方法について、例えば図１８〜図２０に示す。この第９の実施形態は、まず、図１８（ａ）のＬＣＰ積層母基板１２１（多層母基板に相当する）を作製して、その表面に複数の区画１２３を決定する。複数の区画１２３を囲む部分は枠部１２４に相当する。個々の区画１２３は、ケーブル部２０Ｂ２およびＬＣＰ積層基板（図１７で積層回路基板１００に隠されている）の外形に対応するライン（点線で図示している）であって傾斜している。図１８（ａ）では、複数の区画１２３を横一列に規定する。この段階では、ラインの内側は分離されていないので、便宜的に符号を付ける（ＬＣＰ積層基板１２０ｂに相当する）。図１８（ａ）の工程と並行して、図１０（ｂ）と同様の手法で図１８(ｂ)のＬＴＣＣ積層母基板１１１（セラミック積層母基板に相当する）を作製して、例えば機械加工で加工ライン１１３ａ（横の分割線）、加工ライン１１３ｂ（縦の分割線）を形成して、複数個のセラミック積層基板１１０ｂを枠部１１４内に形成する。加工ライン１１３ａ、１１３ｂがセラミック積層母基板１１１を貫通すれば、セラミック積層基板１１０ｂ同士は分割されて（第１分割工程に相当する）、其々がセラミック積層基板１１０（複数個のセラミック積層基板に相当）となる。
【００４２】
続いて、図１９（ａ）に示すように、ＬＣＰ積層母基板１２１の表面の各区画について、２か所の矩形状の部分（両端部）にＬＴＣＣ積層基板１１０を１個ずつ設ける。図１９（ｂ）のようにＬＴＣＣ積層基板１１０を１個ずつピックアップしていき、位置合わせ用の冶具を２本用いて、全ての区画１２３にＬＴＣＣ積層基板１１０を２個設ける（配列工程に相当）。配置後に、ＬＣＰ積層母基板１２１に配列したＬＴＣＣ積層基板１１０と、前記ＬＣＰ積層母基板１２１とを熱圧着で接合して、ＬＣＰ積層母基板１２１と複数個のＬＴＣＣ積層基板１１０とを有する一体化母基板を得る（一体化母基板工程に相当）。
【００４３】
次いで、図２０(ａ)に示すように、図１２と同様の手法で１個の区画１２３の外周をレーザ加工等で切断し、図２０(ｂ)に示すように積層回路基板１３０を得る。この積層回路基板１３０は、ＬＰＣ積層基板の部分が屈曲性を有する配線部（ケーブル部２０Ｂ２）を備える多層基板に相当し、ＬＰＣ積層基板の矩形状の部分（ＬＣＰ積層基板１２０相当）の上にＬＴＣＣ積層基板１１０が接合されており、矩形状の部分同士はケーブル部２０Ｂ２で接続されている。レーザ加工によって、ＬＣＰ積層母基板１２１には開口１２６が形成される。続けて、他の区画１２３の外周をレーザ加工で切断し、一体化母基板を分割していく（第２分割工程に相当）ことで、同様の積層回路基板１３０を多数個得ることができる。そして、図２０（ｂ）の積層回路基板１３０において、ＬＣＰ積層基板１２０の部分（屈曲性を有する配線部）或いはＬＴＣＣ積層基板１１０にＩＣチップを搭載することで積層モジュールを得る。
【００４４】
（付記）
以下では、ＬＴＣＣ積層基板などの要素や構成について説明する。ＬＴＣＣ積層基板は、いわゆる同時焼成セラミック基板とすることができる。同時焼成セラミック基板は、複数のセラミック層の境界に位置する配線パターンと、複数のセラミック層を介して設けられたビア配線部（導体ビアとも呼ぶ）を備えていてもよい。電極やパッドなどを備えていてもよい。さらに受動部品のパターンとして、例えば、導電性層あるいは所定の抵抗値を有する層（導電性の酸化物の層、ガラス層、或いはそれらのいずれか１種と導体の混合物の層など)であって、インダクタ、コンデンサ、抵抗等を構成しているものを加えてもよい。また、ビア配線部および配線パターンは、受動部品パターン等と接続され、所定の回路を構成していてもよい。受動部品をＬＴＣＣ積層基板に設けることが出来て、ＬＣＰ積層基板及びそのケーブル部の中に受動部品を形成しないでも済む場合、ＬＣＰ積層基板及びそのケーブル部の中にはストリップパターンや配線を設けることに留まるので、ＬＣＰ積層基板及びそのケーブル部を形成するコストの抑制につながるというメリットがある。また、ＬＴＣＣ回路基板は、ＩＣチップとＬＣＰ積層基板との接続を中継する際に、電極や配線に係るピッチや位置の違いを調整して導通を確保することに寄与できる。
【００４５】
配線パターンは例えば配線を構成する層である。ビア配線部は例えば導体ペーストでビアホールを埋めて形成された層間をつなぐ配線に相当する。電極は例えばグランド層(ＧＮＤ層)やベタ電極層（ビアホールよりも面積の大きい平面的な層）である。
【００４６】
ＬＴＣＣ積層基板は、グリーンシートを積層し、焼成させることによって得られた複数のセラミック層を有する。ＬＴＣＣ積層基板は、複数のセラミック層間の明瞭な境界が存在しない場合もある。各セラミック層は、１つのグリーンシートに対応する。
【００４７】
ＬＴＣＣ積層基板は、第１の主面或いは第２の主面の少なくとも一方に、例えば、半導体チップ或いは他の基板と接続するための電極を有していたり、受動部品等を接続するための電極が位置していたりしてもよい。ビア配線部は、電極と配線パターン等とを電気的に接続している。
【００４８】
半導体チップは、典型的には、大規模集積回路が形成された半導体素子であるが、通信回路または電力回路が形成された半導体素子であってもよい。チップを構成する半導体は、単結晶シリコンに限定されず、炭化ケイ素および窒化ガリウムなどのワイドバンドギャップ半導体であってもよい。一方、他の基板は、典型的には、有機基板(樹脂基板、ＰＣＢ(Printed circuit board))であり、ＦＲ４材が一般的に用いられる。ＬＴＣＣ積層基板を介して半導体チップが実装された他の基板は、携帯端末、情報機器、家電機器、自動車部品、および産業用機械など種々の装置または機器に使用され得る。
【００４９】
ＩＣチップなどの半導体チップとＬＴＣＣ積層基板との間には、さらに微細配線層（或いは再配線層）を設けていてもよい。前記微細配線層は、微細な配線を有するセラミック層でも良いし、或いは微細な配線と樹脂層等を備えるものでも良い。
【００５０】
ＬＴＣＣ積層基板は、より詳細には、低温焼成セラミック（ＬＴＣＣ：Ｌｏｗ  Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ｃｏ−ｆｉｒｅｄ  Ｃｅｒａｍｉｃｓ）基板を用いて構成する。低温焼成セラミック基板を用いるのは、高周波特性、高速伝送特性の観点で好ましいためである。ＬＴＣＣ積層基板におけるセラミック層、受動部品パターン、配線（配線パターン、ビア配線部、電極（グランド電極やベタ電極）など）には、焼成温度、用途等や周波数等に応じたセラミック材料および導電性材料が用いられる。受動部品パターン、配線などを形成するための導電性ペーストと、ＬＴＣＣ積層基板のセラミック層を形成するためのグリーンシートが同時に焼成（Ｃｏ−ｆｉｒｅｄ）される。低温焼成セラミック基板としては、８００℃から１０００℃程度の温度範囲で焼結することができるセラミック材料および導電性材料を用いる。例えばＡｌ、Ｓｉ、Ｓｒを主成分とし、Ｔｉ、Ｂｉ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｎａ、Ｋを副成分とするセラミック材料が用いられる。また、ＡｇまたはＣｕを含む導電性材料が用いられる。セラミック材料の誘電率は、たとえば３〜１５程度である。
【００５１】
ＬＴＣＣ積層基板は、例えば、Ａｌ−Ｓｉ−Ｓｒ−Ｏ系誘電体材料であれば、主成分としてＡｌ、Ｓｉ、Ｓｒ、Ｔｉの酸化物を含む場合は、主成分であるＡｌ、Ｓｉ、Ｓｒ、ＴｉをそれぞれＡｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＳｒＯ、ＴｉＯ２に換算したとき、Ａｌ２Ｏ３：１０〜６０質量％、ＳｉＯ２：２５〜６０質量％、ＳｒＯ：７．５〜５０質量％、ＴｉＯ２：２０質量％以下（０を含む）を含有することが好ましい。また、その主成分１００質量部に対して、副成分として、Ｂｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｃｏの群のうちの少なくとも１種をＢｉ２Ｏ３換算で０．１〜１０質量部、Ｎａ２Ｏ換算で０．１〜５質量部、Ｋ２Ｏ換算で０．１〜５質量部、ＣｏＯ換算で０．１〜５質量部含有することが好ましく、更に、Ｃｕ、Ｍｎ、Ａｇの群のうちの少なくとも１種をＣｕＯ換算で０．０１〜５質量部、Ｍｎ３Ｏ４換算で０．０１〜５質量部、Ａｇを０．０１〜５質量部含有することが好ましい。その他不可避不純物を含有することもできる。
【００５２】
ＬＴＣＣ積層基板における複数のセラミック層は、それぞれ同じ組成を有し、同じ材料によって形成されていてもよい。一部のセラミック層は、他のセラミック層と異なる組成を有し、異なる材料によって形成されていてもよい。
【００５３】
ＬＴＣＣ積層基板を製造するには、例えば、まず、上述した元素を含むセラミック材料を用意し、必要に応じて、７００℃〜８５０℃で仮焼し、粉砕することにより造粒する。セラミック材料にガラス成分の粉末、有機バインダ、可塑剤、溶剤を添加し、これらの混合物のスラリーを得る。誘電率を異ならせるため等により、セラミック層を異なる材料によって形成する場合には、異なる材料を含む２種類のスラリーを用意する。また、上述した導電性材料の粉末を有機バインダおよび溶剤等と混合し、導電ペーストを得る。
【００５４】
ドクターブレード法、圧延（押し出し）法、印刷法、インクジェット式塗布法、転写法等を用いて、スラリーから所定の厚さの層をキャリアフィルム上に形成し、乾燥させる。スラリーの層を切断することによって、セラミックグリーンシートを得る。
【００５５】
次に、ＬＴＣＣ積層基板内で構成する回路（電気的な回路）に従い、レーザ、メカ式パンチャ等を用いて複数のセラミックグリーンシートにビアホールを形成し、スクリーン印刷法を用いて各ビアホールに導電ペーストを充填する。また、スクリーン印刷等によって、導電ペーストをセラミックグリーンシートに印刷し、配線パターンや受動部品パターンをセラミックグリーンシートに形成する。
【００５６】
上述した導電ペーストが配置されたセラミックグリーンシートを、仮圧着を行いながら順次積層し、グリーンシート積層体を形成する。その後、グリーンシート積層体からバインダを除去し、脱バインダ後のグリーンシート積層体を焼成する。これらの方法によって、ＬＴＣＣ積層基板を得ることができる。
【００５７】
本発明に係る積層回路基板、積層モジュールおよび携帯表示機器は、例えば、準マイクロ波・センチメートル波・準ミリ波・ミリ波帯域の無線通信に利用可能である。準マイクロ波帯域の無線通信は、波長が１０ｃｍ〜３０ｃｍであり、１ＧＨｚから３ＧＨｚの周波数の電波を搬送波として用いる。センチメートル波帯域の無線通信は、波長が１ｃｍ〜１０ｃｍであり、３ＧＨｚから３０ＧＨｚの周波数の電波を搬送波として用いる。ミリ波帯域の無線通信は、波長が１ｍｍ〜１０ｍｍであり、３０ＧＨｚから３００ＧＨｚの周波数の電波を搬送波として用いる。準ミリ波帯域の無線通信は、波長が１０ｍｍ〜３０ｍｍであり、１０ＧＨｚから３０ＧＨｚの周波数の電波を搬送波として用いる。これらの帯域の無線通信では、アンテナ（アンテナ層）のサイズは数センチからサブミリメートルのオーダーになる。例えば、準マイクロ波・センチメートル波・準ミリ波・ミリ波無線通信回路を、本発明に係る積層モジュールを用いて作製することができる。搬送波の一例として、たとえば、搬送波の周波数が３０ＧＨｚであり、搬送波の波長λが１０ｍｍであるものを用いることが出来る。
【符号の説明】
【００５８】
１０：ＬＴＣＣ積層基板、
１０ｂ：ＬＴＣＣ積層基板、
２０：ＬＣＰ積層基板（液晶積層基板）、
２０Ａ：ケーブル部、
２０Ｂ：ケーブル部、
２０Ｂ２：ケーブル部、
２０Ｃ：ケーブル−アンテナ部、
２０Ｄ：ケーブル部、
２０Ｆ：ケーブル部、
３２：アンテナ、
３４：アンテナ、
３２ｂ：アンテナ、
４０：ＩＣチップ、
４１：ＩＣチップ、
４４：コネクタ、
５０：ＢＧＡ（半田ボールによるボールグリッドアレイ）、
６０：同軸ケーブル、
７０：マザーボード、
１００：積層モジュール、
１１０：ＬＴＣＣ積層基板（セラミック積層基板）、
１１０ｂ：ＬＴＣＣ積層基板（セラミック積層基板）、
１１１：ＬＴＣＣ積層母基板（セラミック積層母基板）、
１１３ａ、１１３ｂ：加工ライン、
１１４：枠部、
１２０：ＬＣＰ積層基板（多層基板）、
１２０ｂ、１２０ｃ：ＬＣＰ積層基板（多層基板）、
１２１：ＬＣＰ積層母基板（多層母基板）、
１２１ｂ：ＬＣＰ積層母基板（多層母基板）、
１２３：区画、
１２４：枠部、
１２６：開口、
１３０：積層モジュール（積層回路基板）、
２００：携帯表示機器、
３００：制御半導体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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