(57)【要約】  【課題】  長期信頼性に優れた検出素子搭載用基板、検出装置および検出モジュールを提供すること。  【解決手段】  検出素子搭載用基板１は、第１主面11ａと、第１主面11ａにＸ線を検出する検出素子２を搭載する第１搭載部12、および第１主面11ａに相対する第２主面11ｂ、および第２主面11ｂに電子素子３を搭載する第２搭載部13、および複数のビア14を含み、平面視で矩形状の絶縁基板11と、複数のビア14が群14を成しており、平面透視において格子状である格子部を有するビア群14Ｇと、平面透視において、格子部を覆うように設けられており、格子部の内側に設けられた切抜き部15ａ、および格子部と切抜き部15ａとに挟まれる領域の補助層部15を有し、補助層部15の幅は格子部の隅部側Ｗ１が格子部における辺の中央部側Ｗ２より大きい金属層16と、絶縁基板11の厚み方向に設けられ、切抜き部15ａを貫くように設けられた貫通導体17とを有している。【選択図】  図２
2019009380.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１主面と、該第１主面にＸ線を検出する検出素子を搭載する第１搭載部、および前記第１主面に相対する第２主面、および該第２主面に電子素子を搭載する第２搭載部、および複数のビアを含み、平面視で矩形状の絶縁基板と、
前記複数のビアが群を成しており、平面透視において格子状である格子部を有するビア群と、
平面透視において、前記格子部を覆うように設けられており、前記格子部の内側に設けられた切抜き部、および前記格子部と前記切抜き部とに挟まれる領域の補助層部を有し、該補助層部の幅は前記格子部の隅部側が前記格子部における辺の中央部側より大きい金属層と、
前記絶縁基板の厚み方向に設けられ、前記切抜き部を貫くように設けられた貫通導体とを有していることを特徴とする検出素子搭載用基板。
【請求項２】
平面透視において、前記補助層部の幅は、前記格子部の中央部側から前記格子部の隅部側にかけて漸次大きくなっていることを特徴とする請求項１に記載の検出素子搭載用基板。
【請求項３】
平面透視において、前記切抜き部は円状であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の検出素子搭載用基板。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の検出素子搭載用基板と、
前記第１搭載部に搭載された検出素子と、
前記第２搭載部に搭載された電子素子とを有することを特徴とする検出装置。
【請求項５】
接続パッドを有するモジュール基板と、
前記接続パッドにはんだを介して接続された請求項４に記載の検出装置とを有することを特徴とする検出モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、検出素子搭載用基板、検出装置および検出モジュールに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、絶縁基板の主面にＸ線検出素子を搭載する検出素子搭載用基板および検出装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
このような検出素子搭載用基板において、絶縁基板の内部に、Ｘ線を減衰するための複数のビアを配置しているものが知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開2009-032936号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、検出装置の高精度化、高機能化が求められてきている。このような場合、Ｘ線がビアにて反射し、ビア以外の部分に照射され、良好に減衰できず、検出素子搭載用基板を透過し、透過したＸ線が他の電子部品等に照射されてしまい、検出装置が誤動作してＸ線を良好に検出することが困難となることが懸念される。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一つの態様によれば、検出素子搭載用基板は、第１主面と、該第１主面にＸ線を検出する検出素子を搭載する第１搭載部、および前記第１主面に相対する第２主面、および該第２主面に電子素子を搭載する第２搭載部、および複数のビアを含み、平面視で矩形状の絶縁基板と、前記複数のビアが群を成しており、平面透視において格子状である格子部を有するビア群と、平面透視において、前記格子部を覆うように設けられており、前記格子部の内側に設けられた切抜き部、および前記格子部と前記切抜き部とに挟まれる領域の補助層部を有し、該補助層部の幅は前記格子部の隅部側が前記格子部における辺の中央部側より大きい金属層と、前記絶縁基板の厚み方向に設けられ、前記切抜き部を貫くように設けられた貫通導体とを有している。
【０００７】
本発明の一つの態様によれば、検出装置は、上記構成の検出素子搭載用基板と、前記第１搭載部に搭載された検出素子と、前記第２搭載部に搭載された電子素子とを有している。
【０００８】
本発明の一つの態様によれば、検出モジュールは、接続パッドを有するモジュール基板と、前記接続パッドにはんだを介して接続された上記構成の検出装置とを有している。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の一つの態様による検出素子搭載用基板において、第１主面と、該第１主面にＸ線を検出する検出素子を搭載する第１搭載部、および前記第１主面に相対する第２主面、および該第２主面に電子素子を搭載する第２搭載部、および複数のビアを含み、平面視で矩形状の絶縁基板と、複数のビアが群を成しており、平面透視において格子状である格子部を有するビア群と、平面透視において、格子部を覆うように設けられており、格子部の内側に設けられた切抜き部、および格子部と切抜き部とに挟まれる領域の補助層部を有し、補助層部の幅は格子部の隅部側が格子部における辺の中央部側より大きい金属層と、絶
縁基板の厚み方向に設けられ、切抜き部を貫くように設けられた貫通導体とを有している。上記構成により、補助層部に設けられた金属層によりビアで反射したＸ線を良好に遮蔽し、金属層は格子部の隅部においては辺部よりも幅広に設けられているので、格子部の隅部を挟む２辺のビアで反射したＸ線を良好に遮蔽してＸ線を減衰することができ、検出装置が良好に動作するものとなり、良好にＸ線を検出することができる。
【００１０】
本発明の一つの態様による検出装置において、上記構成の検出素子搭載用基板と、前記第１搭載部に搭載された検出素子と、前記第２搭載部に搭載された電子素子とを有していることによって、信頼性に優れた検出装置とすることができる。
【００１１】
本発明の一つの態様による検出モジュールにおいて、接続パッドを有するモジュール基板と、接続パッドにはんだを介して接続された上記構成の検出装置とを有していることによって、信頼性に優れた検出モジュールとすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】（ａ）は本発明の第１の実施形態における検出装置を示す上面図であり、（ｂ）は（ａ）の下面図である。
【図２】（ａ）は図１（ａ）に示した検出装置の内部上面透視図であり、（ｂ）は（ａ）のＢ部における要部拡大内部上面透視図である。
【図３】（ａ）は図１（ａ）に示した検出装置のＡ−Ａ線における縦断面図であり、（ｂ）は（ａ）のＣ部における要部拡大縦断面図である。
【図４】本発明の第１の実施形態における検出装置の他の例を示す要部拡大縦断面図である。
【図５】（ａ）および（ｂ）は、本発明の第１の実施形態の検出装置の他の例における要部拡大内部上面透視図である。
【図６】（ａ）は本発明の第２の実施形態における検出装置を示す上面図であり、（ｂ）は（ａ）の下面図である。
【図７】（ａ）は図６（ａ）に示した検出装置の第１の内部上面透視図であり、（ｂ）は第２の内部上面透視図である。
【図８】図７（ａ）のＢ部における第１の内部上面および第２の内部上面を透視した要部拡大内部上面透視図である。
【図９】（ａ）は図６（ａ）に示した検出装置のＡ−Ａ線における縦断面図であり、（ｂ）は（ａ）のＣ部における要部拡大縦断面図である。
【図１０】本発明の第３の実施形態における検出装置の要部拡大内部上面透視図である。
【図１１】（ａ）は本発明の第３の実施形態における検出装置の縦断面図であり、（ｂ）は（ａ）のＣ部における要部拡大縦断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
本発明のいくつかの例示的な実施形態について、添付の図面を参照しつつ説明する。
【００１４】
（第１の実施形態）
本発明の第１の実施形態における検出装置は、図１〜図３に示すように、検出素子搭載用基板１と、検出素子搭載用基板１の第１主面11ａに搭載された検出素子２と、検出素子搭載用基板１の第２主面11ｂに搭載された電子素子３とを含んでいる。検出装置は、例えば、検出モジュールを構成するモジュール基板上にはんだを用いて接続される。
【００１５】
本実施形態における検出素子搭載用基板１は、第１主面11ａと、第１主面11ａにＸ線を検出する検出素子２を搭載する第１搭載部12、および第１主面11ａに相対する第２主面11ｂ、および第２主面11ｂに電子素子３を搭載する第２搭載部13、および複数のビア14を含
み、平面視で矩形状の絶縁基板11と、複数のビア14が群14を成しており、平面透視において格子状である格子部を有するビア群14Ｇと、平面透視において、格子部を覆うように設けられており、格子部の内側に設けられた切抜き部15ａ、および格子部と切抜き部15ａとに挟まれる領域の補助層部15を有し、補助層部15の幅は格子部の隅部側が格子部における辺の中央部側より大きい金属層16と、絶縁基板11の厚み方向に設けられ、切抜き部15ａを貫くように設けられた貫通導体17とを有している。図１〜図３において、検出素子搭載用基板１および検出装置は仮想のｘｙｚ空間におけるｘｙ平面に実装されている。図１〜図３において、上方向とは、仮想のｚ軸の正方向のことをいう。なお、以下の説明における上下の区別は便宜的なものであり、実際に検出素子搭載用基板１等が使用される際の上下を限定するものではない。また、絶縁基板11の厚み方向とは、図１〜図３において、ｚ軸の方向のことをいう。
【００１６】
また、図１に示す例において、平面透視にて、貫通導体17の側面と重なる部分を点線にて示している。図２に示す例において、平面透視にて、金属層16の縁と重なる部分を点線にて示している。また、図２（ｂ）に示す例において、補助層部15となる領域を長二点鎖線にて囲んでいる。また、図３（ｂ）および図４に示す例において、切欠き部15ａとなる領域を点線にて囲んでいる。
【００１７】
絶縁基板11は、第１主面11ａ（図１〜図３では上面）および第２主面11ｂ（図１〜図３では下面）と、側面とを有している。絶縁基板11は、複数の絶縁層11ｃからなり、平面視すなわち主面に垂直な方向から見ると矩形の板状の形状を有している。絶縁基板11は検出素子２および電子素子３を支持するための支持体として機能し、第１主面11ａの第１搭載部12上に検出素子２とが、第２主面11ｂの第２搭載部13上に電子素子３とが、はんだバンプ、金バンプまたは導電性樹脂（異方性導電樹脂等）等の接続部材４を介して接着されて固定される。
【００１８】
絶縁基板11は、例えば、酸化アルミニウム質焼結体（アルミナセラミックス），窒化アルミニウム質焼結体，窒化珪素質焼結体、ムライト質焼結体またはガラスセラミックス焼結体等のセラミックスを用いることができる。絶縁基板11は、例えば酸化アルミニウム質焼結体である場合であれば、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３），酸化珪素（ＳｉＯ２），酸化マグネシウム（ＭｇＯ），酸化カルシウム（ＣａＯ）等の原料粉末に適当な有機バインダーおよび溶剤等を添加混合して泥漿物を作製する。この泥漿物を、従来周知のドクターブレード法またはカレンダーロール法等を採用してシート状に成形することによってセラミックグリーンシートを作製する。次に、このセラミックグリーンシートに適当な打ち抜き加工を施すとともに、セラミックグリーンシートを複数枚積層して生成形体を形成し、この生成形体を高温（約1600℃）で焼成することによって絶縁基板11が製作される。
【００１９】
絶縁基板11の第１主面11ａに、検出素子２を搭載する第１搭載部12が設けられており、絶縁基板11の第２主面11ｂに、電子素子３を搭載する第２搭載部13が設けられている。絶縁基板11の第１主面11ａには、検出素子２と電気的に接続するための配線導体18が導出している。絶縁基板11の第２主面11ｂには、電子素子３と電気的に接続するための配線導体18が導出している。
【００２０】
配線導体18は、絶縁基板11の主面および内部に設けられている。配線導体18は、検出素子搭載用基板１に搭載された検出素子２および電子素子３とモジュール基板とを電気的に接続するためのものである。配線導体18は、絶縁基板11の表面または内部に設けられた配線層と、絶縁基板11を構成する絶縁層11ｃを貫通して上下に位置する配線層同士を電気的に接続する貫通導体17とを含んでいる。なお、配線導体18は、図１〜図３に示す例では、第１主面11ａから第２主面11ｂにかけて、絶縁基板11の複数の絶縁層11ｃを厚み方向（図１ではｚ方向）に貫通する貫通導体17が形成されている。
【００２１】
配線導体18は、例えばタングステン（Ｗ），モリブデン（Ｍｏ），マンガン（Ｍｎ）等を主成分とする金属粉末メタライズである。例えば、絶縁基板11が酸化アルミニウム質焼結体から成る場合であれば、Ｗ，ＭｏまたはＭｎ等の高融点金属粉末に適当な有機バインダーおよび溶媒等を添加混合して得たメタライズペーストを、絶縁基板11用のセラミックグリーンシートに予めスクリーン印刷法によって所定のパターンに印刷塗布して、絶縁基板11用のセラミックグリーンシートと同時に焼成することによって、絶縁基板11の所定位置に被着形成される。配線導体18は、例えば、絶縁基板11用のセラミックグリーンシートに配線導体18用のメタライズペーストをスクリーン印刷法等の印刷手段によって印刷塗布し、絶縁基板11用のセラミックグリーンシートとともに焼成することによって形成される。また、配線導体18が貫通導体17である場合は、例えば、絶縁基板11用のセラミックグリーンシートに金型またはパンチングによる打ち抜き加工またはレーザー加工等の加工方法によって貫通導体用の貫通孔を形成し、この貫通孔に貫通導体用のメタライズペーストを上記印刷手段によって充填しておき、絶縁基板11用のセラミックグリーンシートとともに焼成することによって形成される。メタライズペーストは、上述の金属粉末に適当な溶剤およびバインダーを加えて混練することによって、適度な粘度に調整して作製される。なお、絶縁基板11との接合強度を高めるために、ガラス粉末、セラミック粉末を含んでいても構わない。
【００２２】
ビア14は、絶縁基板11の内部に、絶縁基板11の厚み方向（図１ではｚ方向）に設けられている。ビア14は、検出素子搭載用基板１の第１主面11ａ側に照射されたＸ線を減衰するものであり、絶縁基板1の第２主面11ｂ側に透過し、電子素子３に照射されるのを抑制す
るものである。ビア14は、タングステンまたはモリブデンを主原料とした材料が好適に使用され、上述の配線導体18の貫通導体と同様の方法により形成される。ビア14は、図１〜図３に示す例では、絶縁基板11を構成する複数に積層された絶縁層11ｃのうち、絶縁基板11の厚み方向の中央に設けられた絶縁層11ｃに設けられている。ビア14は、平面視において、円形状を有している。第１の実施形態の素子搭載用基板１において、ビア14は円柱状である。検出素子搭載用基板１は、絶縁基板11の内部に複数のビア14を有しており、複数のビア14は群14Ｇを成している。群14Ｇが格子状である格子部を有している。ここで、群14Ｇが格子部を有しているとは、図２に示す例のように、複数のビア14の群14Ｇが、格子状に配列されていることを示している。なお、図２に示す例においては、複数のビア14の群14Ｇは、平面透視において、配線導体18の貫通導体17を囲むように、格子状に配列されている。この場合、配線導体18の貫通導体17とビア14との間隔は、平面透視において、近傍に配置された隣接するビア14同士の間隔よりも大きく、複数のビア14は、隣接する配線導体18の貫通導体17同士の中央部に沿って配置されている。
【００２３】
検出素子搭載用基板１は、絶縁基板11の内部に複数のビア14を有しており、複数のビア14は群14Ｇを成している。群14Ｇが格子状である格子部を有している。ここで、群14Ｇが格子部を有しているとは、図２に示す例のように、複数のビア14の群14Ｇが、格子状に配列されていることを示している。なお、図２に示す例においては、複数のビア14の群14Ｇは、平面透視において、配線導体18の貫通導体を囲むように、格子状に配列されている。この場合、配線導体18の貫通導体とビア14との間隔は、平面透視において、近傍に配置された隣接するビア14同士の間隔よりも大きく、複数のビア14は、隣接する配線導体18の貫通導体同士の中央部に沿って配置されている。
【００２４】
ビア14は、平面透視において、Ｘ線を光に変換するシンチレータの非形成部を覆うように、複数のビア14が群14Ｇを成しており、平面透視において群14Ｇが格子状に設けられている。群14Ｇは、平面透視において、シンチレータの非形成部の幅よりも幅広に設けられている。絶縁基板11内を透過するＸ線が、検出素子搭載用基板１の第２搭載部13に搭載された電子素子３に照射されることを低減することで、電子素子３の機能低下を抑制するこ
とができ、電気信号を良好に検出し、処理することができる。
【００２５】
ビア14の厚み（絶縁基板11のＺ方向の長さ）は、Ｘ線の強度により設定され、例えば、100μｍ〜300μｍ程度に形成される。なお、ビア14は、図３に示す例では、絶縁基板11の厚み方向の中央部に配置された１つの絶縁層11ｃに形成しているが、図４に示す例のように、絶縁基板11の内部に、複数の絶縁層11ｃに形成しても構わない。例えば、100μｍの
厚さのビア14を２つの絶縁層11ｃにそれぞれ形成しておき、これらの絶縁層11ｃを絶縁基板11の厚み方向に積み重ねることにより、200μｍの厚さとなるビア14を形成しても構わ
ない。この場合、ビア14が設けられる１つの絶縁層11ｃの厚みを小さくすることで、検出素子搭載用基板１の製作時において、１つの絶縁層11ｃの厚みを大きくする場合と比較して、隣接するビア14間にクラックの発生を生じにくくすることができ、同一の絶縁層11ｃにおけるビア14間同士の間隔を小さくすることができるので、絶縁基板11内に複数のビア14を格子状に密集して設けることができ、検出装置の作動時に電子素子３等の熱が検出素子搭載用基板１に伝わり、絶縁層11ｃとビア14との熱膨張差による応力が発生しようとしても、複数のビア14による群14Ｇが有する格子部で応力が分散されて、検出素子搭載用基板１に歪みが生じることを抑制することができ、Ｘ線を良好に検出することができる。なお、ビア14が設けられる１つの絶縁層11ｃの厚みは、ビア14の径以下とすることが好ましい。また、それぞれの群14Ｇにおける効果を効率よくするため、それぞれの絶縁層11ｃの厚みが同じ大きさとなる、すなわち均等に設けることが好ましい。また、絶縁基板11の最外周側に配置されたビア14と絶縁基板11との間の間隔は、絶縁基板11の側面側に応力が加えられた際に、複数のビア14による群14Ｇの応力分散のバランスが崩れることを抑制するため、隣接するビア14間の間隔よりも大きくなるように配置されていることが好ましい。より好ましくは、絶縁基板11の最外周側に配置されたビア14と絶縁基板11との間の間隔は、隣接するビア14間の間隔の２倍以上である。
【００２６】
また、第１主面11ａ側の絶縁層11ｃの厚みおよび第２主面11ｂ側の絶縁層11ｃの厚みを、ビア14が設けられる絶縁層11ｃの厚みよりも大きくしておくと、ビア14が設けられた絶縁層11ｃを挟むようにして保持することにより、検出装置の作動時に発熱し、検出素子搭載用基板１に歪みが生じることを抑制することができ、Ｘ線を良好に検出することができる。
【００２７】
また、平面透視において、複数のビア14による群14Ｇは格子部から延出された延出部Ｌを有している。このような構成により、検出装置の作動時に電子素子３等の熱が検出素子搭載用基板１に伝わり、絶縁体である絶縁層11ｃと金属導体であるビア14との熱膨張差による応力が発生しようとしても、複数のビア14による群14Ｇが有する格子部および格子部から延出された延出部Ｌで応力が分散されて、格子部の外側近傍においても歪みが生じることを抑制することができ、Ｘ線を良好に検出することができる。
【００２８】
なお、延出部Ｌにおいても、絶縁基板11の最外周側に配置されたビア14と絶縁基板11との間の間隔は、上述と同様に、隣接するビア14間の間隔の２倍以上であることが好ましい。
【００２９】
平面透視において、格子部から延出された延出部Ｌは絶縁基板11の周縁部に設けられている。このような構成により、検出装置の作動時に電子素子３等の熱が検出素子搭載用基板１に伝わり、検出素子搭載用基板１の周縁部（外縁）において、絶縁体である絶縁層11ｃと金属導体であるビア14との熱膨張差による応力が発生しようとしても、複数のビア14による群14Ｇが有する格子部および格子部から延出された延出部Ｌで応力が分散されて、検出素子搭載用基板１の周縁部においても歪みが生じることを抑制することができ、Ｘ線を良好に検出することができる。
【００３０】
検出素子搭載用基板１は、平面透視において、格子部を覆うように設けられており、格子部の内側に設けられた切抜き部15ａ、および格子部と切抜き部15ａとに挟まれる領域の補助層部15を有し、補助層部15の幅において、格子部の隅部側Ｗ１が格子部の辺の中央部側Ｗ２より大きい金属層16を有している（Ｗ１＞Ｗ２）。また、検出素子搭載用基板１は、絶縁基板11の厚み方向に設けられ、切抜き部15ａを貫くように設けられた貫通導体17を有している。
【００３１】
金属層16は、平面透視において、ビア14と同様に、Ｘ線を光に変換するシンチレータの非形成部に重なるように、格子状に設けられており、平面透視において、複数のビア14の群14Ｇと重なるように設けられている。金属層16の幅（隣接する切抜き部15ａ間の間隔）は、複数のビア14の幅（隣接する補助層部15間の間隔）よりも大きくなるように設けられる。金属層16が複数のビア14の群14Ｇと重なるように設けておくと、金属層16に複数のビア14を良好に保持するとともに、検出素子搭載用基板１の歪みを抑制し、ビア14によりＸ線を良好に減衰し、Ｘ線を良好に検出することができる。
【００３２】
このような金属層16は、タングステンまたはモリブデンを主原料とした材料が好適に使用され、上述の配線導体18と同様の製造方法により、製作することができる。金属層16は、平面視において、金属層16の幅を格子部の幅よりも大きくしておくと、複数のビア14を良好に保持し、検出装置の作動時に、検出素子搭載用基板１に歪みが生じることを抑制することができ、Ｘ線を良好に検出することができる。
【００３３】
配線導体18の絶縁基板11から露出する表面には、電気めっき法または無電解めっき法によって金属めっき層が被着される。金属めっき層は、ニッケル，銅，金等の耐食性および接続部材４との接続性に優れる金属から成るものであり、例えば厚さ0.5〜５μｍ程度の
ニッケルめっき層と0.1〜３μｍ程度の金めっき層とが順次被着される。これによって、
配線導体18が腐食することを効果的に抑制できるとともに、配線導体18と接続部材４との接合、ならびに配線導体18とモジュール基板に形成された接続用の接続パッドとの接合を強固にできる。
【００３４】
検出素子搭載用基板１の第１主面11ａの第１搭載部12上に検出素子２を搭載し、検出素子搭載用基板１の第２主面11ｂの第２搭載部13上に電子素子３を搭載することによって、検出装置を作製できる。
【００３５】
検出素子２は、検出素子搭載用基板１に入射されるＸ線を、電気信号に変換するための素子である。検出素子２は、例えば、Ｘ線を光に変換するシンチレータと、光を電気信号に変換するフォトダイオードとを有している。検出装置に入射されたＸ線をシンチレータにより光に変換し、その光をフォトダイオードにより電気信号に変換する。電子素子３は、検出素子２から出力される電気信号を検出し、情報として処理するための素子であり、例えば、集積回路デバイスである。検出素子２および電子素子３は、例えば、はんだバンプ、金バンプまたは導電性樹脂（異方性導電樹脂等）等の接続部材４を介して、検出素子２の電極または電子素子３の電極と配線導体18とが電気的および機械的に接続されることによって検出素子搭載用基板１に搭載される。
【００３６】
本実施形態の検出装置の配線導体18が、モジュール基板の接続パッドにはんだを介して接続されて、検出モジュールとなる。
【００３７】
本実施形態における検出素子搭載用基板１は、第１主面11ａと、第１主面11ａにＸ線を検出する検出素子２を搭載する第１搭載部12、および第１主面11ａに相対する第２主面11ｂ、および第２主面11ｂに電子素子３を搭載する第２搭載部13、および複数のビア14を含み、平面視で矩形状の絶縁基板11と、複数のビア14が群14を成しており、平面透視におい
て格子状である格子部を有するビア群14Ｇと、平面透視において、格子部を覆うように設けられており、格子部の内側に設けられた切抜き部15ａ、および格子部と切抜き部とに挟まれる領域の補助層部15を有し、補助層部15の幅は格子部の隅部側Ｗ１が格子部における辺の中央部側Ｗ２より大きい金属層16と、絶縁基板11の厚み方向に設けられ、切抜き部15ａを貫くように設けられた貫通導体17とを有している。上記構成により、補助層部15に設けられた金属層16によりビアで反射したＸ線を良好に遮蔽し、金属層16は、格子部の隅部においては辺部よりも幅広に設けられているので、格子部の隅部を挟む２辺のビアで反射したＸ線を良好に遮蔽してＸ線を減衰することができ、検出装置が良好に動作するものとなり、良好にＸ線を検出することができる。
【００３８】
切抜き部15ａは、図５（ａ）に示す例のように、平面透視において四角形状、または図５（ｂ）に示す例のように、平面透視において八角形状等の多角形状であっても構わない。なお、図５に示す例において、図２（ｂ）に示す例と同様に、平面透視にて、金属層16の縁と重なる部分を点線にて示しており、補助層部15となる領域を長二点鎖線にて囲んでいる。
【００３９】
なお、平面透視において、補助層部15の幅は、格子部の中央部側Ｗ２から格子部の隅部側Ｗ１にかけて漸次大きくなっていると、隅部のみの補助層部15の幅を大きくしたものと比較して、格子部の隅部近傍にて反射したＸ線が補助層部15の金属層16にて遮蔽しやすくし、格子部の隅部を挟む２辺のビアで反射したＸ線を良好に遮蔽してＸ線を減衰することができ、検出装置が良好に動作するものとなり、良好にＸ線を検出することができる。
【００４０】
また、平面透視において、切抜き部15ａは円状であると、格子部の隅部近傍にて反射したＸ線が補助層部15の金属層16にて遮蔽しやすくし、隅部を挟む２辺方向から反射したＸ線を良好に遮蔽してＸ線を減衰することができ、良好にＸ線を検出することができる。
【００４１】
また、金属層16は、ビア14よりも面密度が高いと、補助層部15の金属層16により良好に反射したＸ線を減衰することができる。例えば、ビア14内におけるタングステンまたはモリブデンの含有比率よりも金属層16内におけるタングステンまたはモリブデンの含有比率を大きくすればよい。また、ビア14がモリブデンを主原料とした金属導体である場合、金属層16は、タングステンを主原料とした金属導体とし、金属層16の面密度が、ビア14の面密度よりも大きくなるようにしても構わない。
【００４２】
本発明の一つの態様による検出装置において、上記構成の検出素子搭載用基板１と、第１搭載部12に搭載された検出素子２と、第２搭載部13に搭載された電子素子３とを有していることによって、信頼性に優れた検出装置とすることができる。
【００４３】
本発明の一つの態様による検出モジュールにおいて、接続パッドを有するモジュール基板と、接続パッドにはんだを介して接続された上記構成の検出装置とを有していることによって、信頼性に優れた検出モジュールとすることができる。
【００４４】
（第２の実施形態）
次に、本発明の第２の実施形態による検出装置について、図６〜図９を参照しつつ説明する。
【００４５】
本発明の第２の実施形態における検出装置において、上記した第１の実施形態の検出装置と異なる点は、複数のビア14（一方のビア14ａおよび他方のビア14ｂ）が、２つの絶縁層11ｃに設けられており、一方のビア14ａと他方のビア14ｂとが、平面透視において互いにずれて設けられている点である。
【００４６】
また、図６に示す例において、平面透視にて、貫通導体17の側面と重なる部分を点線にて示している。図７および図８に示す例において、平面透視にて、金属層16の縁と重なる部分および他方のビア14ｂの側面と重なる部分を点線にて示している。また、図８に示す例において、補助層部15となる領域を長二点鎖線にて囲んでいる。また、図９に示す例において、切欠き部15ａとなる領域を点線にて囲んでいる。
【００４７】
本発明の第２の実施形態における検出素子搭載用基板１によれば、第１の実施形態の検出装置用基板１と同様に、補助層部15に設けられた金属層16によりビアで反射したＸ線を良好に遮蔽し、金属層16は、格子部の隅部においては辺部よりも幅広に設けられているので、格子部の隅部を挟む２辺のビアで反射したＸ線を良好に遮蔽してＸ線を減衰することができ、検出装置が良好に動作するものとなり、良好にＸ線を検出することができる。
【００４８】
また、平面方向にずれて複数のビア14が設けられているので、ビア14の反射を低減し、補助層部15の切抜き部15ａ側に照射することが低減され、より良好にＸ線を検出することができる。
【００４９】
また、ビア14の群14Ｇは、それぞれの絶縁層11ｃにおいて、格子状である格子部を有している。一方のビア14ａと他方のビア14ｂは、同じ直径および同じ厚みにてそれぞれの絶縁層11ｃに設けられている。また、円形状の一方のビア14ａおよび他方のビア14ｂは、平面透視において、互いにずれて配置されている。すなわち、一方の絶縁層11ｃに設けられたビア14ｂは、図４〜図７に示される例のように、平面透視おいて、他方の絶縁層11ｃに設けられた複数のビア14ａ同士の間を覆うように配置されている。また、他方の絶縁層11ｃに設けられた複数のビア14ａは、同様に、平面透視において、一方のビア14ｂ同士の間を覆うように配置されている。これにより、平面透視において、複数のビア14の群14Ｇにおけるビア14の非形成部を少なくし、検出素子搭載用基板１の第１主面11ａ側に照射されたＸ線を良好に遮断して、絶縁基板11の第２主面11ｂ側に透過し、電子素子３に照射されるのを良好に抑制することができる。
【００５０】
なお、一方のビア14ａおよび他方のビア14ｂが設けられる絶縁層11ｃの厚みは、それぞれのビア14の径以下とすることが好ましい。また、それぞれの群14Ｇの効果を効率よくするため、一方のビア14ａおよび他方のビア14ｂが設けられる絶縁層11ｃａの絶縁層11ｃの厚みが同じ大きさとなることが好ましい。
【００５１】
また、延出部Ｌは、上述と同様の理由により、図６に示す例のように、一方のビア14ａが設けられた絶縁層11ｃおよび他方のビア14ｂが設けられた絶縁層11ｃに設けることが好ましい。
【００５２】
第２の実施形態の検出素子搭載用基板１は、上述の第１の実施形態の検出素子搭載用基板１と同様の製造方法を用いて製作することができる。
【００５３】
（第３の実施形態）
次に、本発明の第３の実施形態による検出装置について、図10および図11を参照しつつ説明する。上記した実施形態の検出装置と異なる点は、複数のビア14からなるビア14ａが、３つの絶縁層11ｃに設けられており、３つの絶縁層11ｃに設けられたビア14（第１のビア14ｃ、第２のビア14ｄ、第３のビア14ｅ）が、平面透視において、それぞれのビア14が、互いにずれて配置されている点である。
【００５４】
また、図９に示す例において、平面透視にて、金属層16の縁と重なる部分および第１のビア14ｃの側面と重なる部分、ならびに第３のビア14ｅの側面と重なる部分とをそれぞれを点線にて示している。また、図９に示す例において、補助層部15となる領域を長二点鎖
線にて囲んでいる。また、図10に示す例において、縦断面透視にて、第１のビア14ｃの側面と重なる部分および第３のビア14ｅの側面と重なる部分を点線にて示しており、切欠き部15ａとなる領域を点線にて囲んでいる。
【００５５】
本発明の第３の実施形態における検出素子搭載用基板１によれば、第１の実施形態の検出装置用基板１と同様に、補助層部15に設けられた金属層16でビアにて反射したＸ線を良好に遮蔽し、金属層16は、格子部の隅部においては辺部よりも幅広に設けられているので、格子部の隅部を挟む２辺のビアで反射したＸ線を良好に遮蔽してＸ線を減衰することができ、検出装置が良好に動作するものとなり、良好にＸ線を検出することができる。
【００５６】
また、平面方向にずれて複数のビア14が設けられているので、ビア14の反射を低減し、補助層部15の切抜き部15ａ側に照射することが低減され、より良好にＸ線を検出することができる。
【００５７】
本発明の第３の実施形態における検出素子搭載用基板１によれば、第１の実施形態の検出装置用基板１と同様に、検出装置の作動時に電子素子３等の熱が検出素子搭載用基板１に伝わり、絶縁層11ｃとビア14との熱膨張差による応力が発生しようとしても、複数のビア14による群14Ｇが有する格子部で応力が分散されて、検出素子搭載用基板１に歪みが生じることを抑制することができ、Ｘ線を良好に検出することができる。
【００５８】
また、ビア14の群14Ｇは、それぞれの絶縁層11ｃにおいて、格子状である格子部を有している。第１のビア14ｃと第２のビア14ｄと第３のビア14ｅとは、同じ直径および同じ厚みにてそれぞれの絶縁層11ｃに設けられている。また、それぞれの絶縁層11ｃに設けられたビア14同士が、平面透視において、互いにずれて配置されている。すなわち、第１のビア14ｃは、平面透視において、第２のビア14ｄと第３のビア14ｅとの間を覆うように設けられている。第１の絶縁層11ｃに設けられた第１のビア14ｃと、第２の絶縁層11ｃに設けられた第２のビア14ｄと、第３の絶縁層11ｃに設けられたビア14ｃとは、平面透視において隣接するそれぞれの円形状のビア14の中心を結ぶ仮想線が三角形状となるように配置されている。この構成により、平面透視において、第１のビア14ｃが、第２のビア14ｄおよび第３のビア14との間を覆うように配置され、複数のビア14の群14Ｇにおけるビア14の非形成部を少なくし、検出素子搭載用基板１の第１主面11ａ側に照射されたＸ線を良好に遮断して、第２主面11ｂ側に透過し、電子素子３に照射されるのを良好に抑制することができる。なお、第１のビア14ｃと、第２のビア14ｄと、第３のビア14ｅとは、それぞれのビア14の中心を結ぶ仮想線が、平面透視において、正三角形状となるように配置されていることがより好ましい。上述の場合、３つの絶縁層11ｃに設けられるビア14（第１のビア14ｃ、第２のビア14ｄ、第３のビア14ｃ）は、平面透視で、同じ絶縁層11ｃに設けられるビア14同士の間隔を直径の２倍としておくと、互いのビア14の間を良好に覆うことができる。
【００５９】
また、絶縁基板11内の１つの絶縁層11ｃにおけるビア14を少なくしても、平面透視において、格子状の複数の群14Ｇを絶縁基板11内に密集して設けることできるので、検出素子搭載用基板１の製作時において、１つの絶縁層11ｃにおける隣接するビア14間にクラックの発生を生じにくくすることができる。
【００６０】
なお、第１のビア14ｃ、第２のビア14ｄ、第３のビア14ｅが設けられる絶縁層11ｃの厚みは、それぞれのビア14の径以下とすることが好ましい。また、それぞれの群14Ｇの効果を効率よくするため、第１のビア14ｃ、第２のビア14ｄ、第３のビア14ｅが設けられる絶縁層11ｃの絶縁層11ｃの厚みが同じ大きさとなることが好ましい。
【００６１】
なお、それぞれのビア14（14ｃ〜14ｅ）の厚みは、平面透視における隣接するビア14（
14ｃ〜14ｅ）の間隙以上としておくことが好ましい。
【００６２】
また、第３の実施形態の素子搭載用基板１においても、上述と同様の理由により、第１のビア14ｃ、第２のビア14ｄ、第３のビア14ｅが設けられた３つの絶縁層11ｃのそれぞれに延出部Ｌを設けることが好ましい。
【００６３】
第３の実施形態の検出素子搭載用基板１は、上述の第１の実施形態の検出素子搭載用基板１と同様の製造方法を用いて製作することができる。
【００６４】
本発明は、上述の実施の形態の例に限定されるものではなく、種々の変更は可能である。例えば、絶縁基板11は、平面視において、側面または角部に切欠き部や面取り部を有している矩形状であっても構わない。
【００６５】
また、第１の実施形態の検出素子搭載用基板１において、図４に示す例のように、ビア14を複数の絶縁層11ｃに配置し、平面透視においてこれらのビア14同士が互いに重なるように設けている例を示しているが、第２、第３の実施形態の検出素子搭載用基板１においても、ビア14を複数の絶縁層11ｃに配置し、平面透視において、これらのビア14同士が互いに重なるように設けても構わない。
【００６６】
また、第１の実施形態の検出素子搭載用基板１〜第３の実施形態の検出素子搭載用基板１において、ビア14の群14Ｇは、厚み方向において絶縁基板11の中央部に設けられているが、絶縁基板11の一方の主面側に偏倚して設けられていても構わない。ビア14の群14Ｇは、例えば、検出素子２が搭載される搭載される第１主面11ａ側に偏倚して設けていても構わない。検出素子２に近い第１主面11ａ側に設けるので、シンチレータの非形成部を介して絶縁基板11の第１主面11ａに照射されたＸ線に対するビア14の位置ずれを抑制し、良好にビア14の群14Ｇおよび金属層16によりＸ線を遮蔽することができる。
【００６７】
また、第３の実施形態の検出素子搭載用基板１において、３層からなる絶縁層11ｃに第１のビア14ｃ、第２のビア14ｄ、第３のビア14ｅを設けているが、これらの３層からなる絶縁層11ｃを１つの組として複数の組を厚み方向に設けても構わない。例えば、６層の絶縁層11ｃに、第１のビア14ｃ、第２のビア14ｄ、第３のビア14ｅ、第１のビア14ｃ、第２のビア14ｄ、第３のビア14ｅの順にビア14を形成しても構わない。これにより、より効果的にＸ線を遮蔽することができる。
【００６８】
また、検出素子搭載用基板１は、多数個取り検出素子搭載用基板の形態で製作されていてもよい。
【符号の説明】
【００６９】
１・・・・検出素子搭載用基板
11・・・・絶縁基板
11ａ・・・第１主面
11ｂ・・・第２主面
12・・・・第１搭載部
13・・・・第２搭載部
14（14ａ、14ｂ）・・・・ビア
14ｃ・・・第１のビア
14ｄ・・・第２のビア
14ｅ・・・第３のビア
14Ｇ・・・（複数のビアの）群
15・・・・補助層部
15ａ・・・切抜き部
16・・・・金属層
17・・・・貫通導体
18・・・・配線導体
15・・・・配線導体
16・・・・金属層
２・・・・検出素子
３・・・・電子素子
４・・・・接続部材
【図１】
2019009380.tif 000003
【図２】
2019009380.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
2019009380.tif 000008
【図７】
2019009380.tif 000009
【図８】
2019009380.tif 000010
【図９】
2019009380.tif 000011
【図１０】
2019009380.tif 000012
【図１１】
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