(57)【要約】【課題】樹脂コアバンプが形成された基板上に金属粒子が付着してマイグレーションによって広がることによる複数の配線間の絶縁性の低下を抑制できる半導体装置を提供する。【解決手段】この半導体装置は、基板に配置された複数の電極と、基板上において複数の電極と異なる位置に複数の電極よりも基板から突出して配置され、樹脂を含む突起部と、複数の電極にそれぞれ電気的に接続されると共に、突起部上に延在する複数の配線と、複数の配線が配置された領域間において突起部の縁部から基板の一部にかけて配置されたオーバーコート層とを備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に配置された複数の電極と、
前記基板上において前記複数の電極と異なる位置に前記複数の電極よりも前記基板から突出して配置され、樹脂を含む突起部と、
前記複数の電極にそれぞれ電気的に接続されると共に、前記突起部上に延在する複数の配線と、
前記複数の配線が配置された領域間において前記突起部の縁部から前記基板の一部にかけて配置されたオーバーコート層と、
を備える半導体装置。
【請求項２】
前記オーバーコート層が、前記複数の配線の一部を跨ぐように配置されている、請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記突起部が、前記複数の配線が配置された領域間に溝を有する、請求項１又は２記載の半導体装置。
【請求項４】
複数の電極が配置された基板上において前記複数の電極と異なる位置に、樹脂を含む突起部を形成する工程（ａ）と、
前記複数の電極にそれぞれ電気的に接続されると共に、前記突起部上に延在する複数の配線を形成する工程（ｂ）と、
前記複数の配線が配置された領域間において前記突起部の縁部から前記基板の一部にかけてオーバーコート層を形成する工程（ｃ）と、
前記複数の配線が配置された領域間に位置する前記突起部の少なくとも一部を除去する工程（ｄ）と、
を備える半導体装置の製造方法。
【請求項５】
工程（ｃ）が、前記複数の配線の一部を跨ぐように前記オーバーコート層を形成することを含む、請求項４記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
工程（ｄ）が、前記複数の配線及び前記オーバーコート層をマスクとして用いて前記突起部をエッチングすることにより、前記複数の配線が配置された領域間に位置する前記突起部の少なくとも一部を除去することを含む、請求項４又は５記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
工程（ｄ）の後に、前記半導体装置をスクラバー洗浄する工程（ｅ）をさらに備える、請求項６記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フリップチップ実装に適した半導体装置及びその製造方法等に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置をベース基板にフリップチップ実装するために、半導体装置の接続端子として、従来の金バンプや半田バンプに替えてレジン（樹脂）コアバンプを設けることが行われている。そのような半導体装置を製造する際には、例えば、コアとなる樹脂突起上に、電気接続用の複数の配線が形成される。
【０００３】
その後、半導体装置をベース基板に実装する際における接着剤の流動性を向上させると共に樹脂コアバンプの圧縮特性を調節するために、例えば、複数の配線をマスクとして用いてエッチングを行うことにより、それらの配線が配置された領域間の樹脂突起の少なくとも一部が除去される。
【０００４】
関連する技術として、特許文献１には、樹脂突起上に導電層が形成された樹脂コアバンプを外部端子とする半導体装置が開示されている。この半導体装置の製造方法は、電極パッド１６及びパッシベーション膜１８を有する基板１０の上方に樹脂層２０を形成する工程と、樹脂層２０をキュアすることにより樹脂突起４０を形成する工程と、電極パッド１６に電気的に接続されて樹脂突起４０の上方を通る導電層５０を形成する工程と、導電層５０をマスクとしてエッチングで樹脂突起４０を部分的に除去する工程とを含む。こうして製造された半導体装置は、接着剤を用いてベース基板に実装される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００７−１９１０４号公報（要約書、段落００３５、図９〜図１２）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記の半導体装置の製造工程において、導電層（複数の配線）をマスクとしてエッチングで樹脂突起を部分的に除去する際に、複数の配線もわずかにエッチングされる。エッチングされて配線から分離した金属粒子は、樹脂突起等の表面に再デポジションされて付着物（金属残渣）となる。この金属残渣を除去するために、樹脂突起をエッチングした後に、半導体装置をスクラバー洗浄することが行われている。
【０００７】
しかしながら、樹脂突起の縁部付近の基板上に付着した金属残渣はスクラバー洗浄では除去され難いので、除去されずに残った金属残渣がマイグレーションによって複数の配線間に広がって、複数の配線間の絶縁性が低下するおそれがある。特に、樹脂コアバンプの高さが高くなると、それに伴って樹脂突起のエッチング量も多くなり、基板上に付着する金属残渣の量も多くなるので、複数の配線間の絶縁性が低下するおそれが大きくなる。
【０００８】
そこで、上記の点に鑑み、本発明の第１の目的は、樹脂コアバンプが形成された基板上に金属粒子が付着してマイグレーションによって広がることによる複数の配線間の絶縁性の低下を抑制できる半導体装置を提供することである。また、本発明の第２の目的は、複数の配線間の絶縁性の低下を抑制しながら、接着剤を用いて半導体装置をベース基板等に実装する際における接着剤の流動性を向上させた半導体装置を提供することである。
【０００９】
さらに、本発明の第３の目的は、樹脂コアバンプにおいて複数の配線が配置された領域間の突起部の少なくとも一部を除去する際に配線から金属粒子が分離しても、樹脂コアバンプが形成された基板上に金属粒子が付着してマイグレーションによって広がることによる複数の配線間の絶縁性の低下を抑制できる半導体装置の製造方法等を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
以上の課題の少なくとも一部を解決するために、本発明の第１の観点に係る半導体装置は、基板に配置された複数の電極と、基板上において複数の電極と異なる位置に複数の電極よりも基板から突出して配置され、樹脂を含む突起部と、複数の電極にそれぞれ電気的に接続されると共に、突起部上に延在する複数の配線と、複数の配線が配置された領域間において突起部の縁部から基板の一部にかけて配置されたオーバーコート層とを備える。
【００１１】
本発明の第１の観点によれば、複数の配線が配置された領域間において突起部の縁部から基板の一部にかけてオーバーコート層を配置することにより、複数の配線間において突起部の縁部付近の基板がオーバーコート層で覆われる。従って、樹脂コアバンプが形成された基板上に金属粒子が付着してマイグレーションによって広がることによる複数の配線間の絶縁性の低下を抑制することができる。
【００１２】
ここで、オーバーコート層が、複数の配線の一部を跨ぐように配置されていても良い。それにより、オーバーコート層が複数の配線に対して突起部の長手方向に沿ってずれて配置されても、複数の配線間において突起部の縁部付近の基板をオーバーコート層で完全に覆うことができるので、複数の配線間の絶縁性の低下を抑制する効果が高められる。
【００１３】
また、突起部が、複数の配線が配置された領域間に溝を有しても良い。それにより、複数の配線間の絶縁性の低下を抑制しながら、接着剤を用いて半導体装置をベース基板等に実装する際における接着剤の流動性を向上させることができる。
【００１４】
本発明の第２の観点に係る半導体装置の製造方法は、複数の電極が配置された基板上において複数の電極と異なる位置に、樹脂を含む突起部を形成する工程（ａ）と、複数の電極にそれぞれ電気的に接続されると共に、突起部上に延在する複数の配線を形成する工程（ｂ）と、複数の配線が配置された領域間において突起部の縁部から基板の一部にかけてオーバーコート層を形成する工程（ｃ）と、複数の配線が配置された領域間に位置する突起部の少なくとも一部を除去する工程（ｄ）とを備える。
【００１５】
本発明の第２の観点によれば、複数の配線が配置された領域間において突起部の縁部から基板の一部にかけてオーバーコート層を形成することにより、複数の配線間において突起部の縁部付近の基板がオーバーコート層で覆われる。従って、樹脂コアバンプにおいて複数の配線が配置された領域間の突起部の少なくとも一部を除去する際に配線から金属粒子が分離しても、樹脂コアバンプが形成された基板上に金属粒子が付着してマイグレーションによって広がることによる複数の配線間の絶縁性の低下を抑制することができる。
【００１６】
ここで、工程（ｃ）が、複数の配線の一部を跨ぐようにオーバーコート層を形成することを含むようにしても良い。それにより、オーバーコート層が複数の配線に対して突起部の長手方向に沿ってずれて形成されても、複数の配線間において突起部の縁部付近の基板をオーバーコート層で完全に覆うことができるので、複数の配線間の絶縁性の低下を抑制する効果が高められる。
【００１７】
以上において、工程（ｄ）が、複数の配線及びオーバーコート層をマスクとして用いて突起部をエッチングすることにより、複数の配線が配置された領域間に位置する突起部の少なくとも一部を除去することを含むようにしても良い。それにより、複数の配線の形状に合わせて突起部に溝が形成されるので、接着剤を用いて半導体装置をベース基板等に実装する際における接着剤の流動性を向上させることができる。
【００１８】
また、本発明の第２の観点に係る半導体装置の製造方法は、工程（ｄ）の後に、半導体装置をスクラバー洗浄する工程（ｅ）をさらに備えるようにしても良い。それにより、複数の配線が配置された領域間に位置する突起部の少なくとも一部を除去する際に配線から分離した金属粒子が突起部又はオーバーコート層上に付着しても、突起部又はオーバーコート層上に付着した金属粒子を除去することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の構成例を示す平面図。
【図２】図１に示すII−IIにおける断面図。
【図３】第１の実施形態に係る半導体装置において溝が形成された状態を示す断面図。
【図４】本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の実装工程を示す断面図。
【図５】オーバーコート層が設けられていない半導体装置の一部を示す平面図。
【図６】本発明の第２の実施形態に係る半導体装置の構成例を示す平面図。
【図７】図６に示すVII−VIIにおける断面図。
【図８】第２の実施形態に係る半導体装置において溝が形成された状態を示す断面図。
【図９】第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための工程断面図。
【図１０】第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための工程断面図。
【図１１】第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための工程断面図。
【図１２】第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための工程断面図。
【図１３】第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための工程断面図。
【図１４】第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための工程断面図。
【図１５】第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための工程断面図。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。
＜第１の実施形態＞
図１は、本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の構成例を示す平面図であり、図２は、図１に示すII−IIにおける断面図である。図１及び図２に示すように、半導体装置１は、複数の電極（パッド）１１が配置された基板１０と、基板１０の主面（図中の上面）上に配置されて樹脂を含む突起部１３と、複数の電極１１にそれぞれ電気的に接続されると共に突起部１３上に延在する複数の配線１４と、突起部１３の縁部付近を覆うオーバーコート層１５とを含んでいる。
【００２１】
基板１０は、例えば、半導体チップであっても良い。基板１０には、トランジスター又はダイオード等の能動素子、抵抗又はキャパシター等の受動素子、又は、能動素子又は受動素子に電気的に接続された配線を含む回路１０ｃが形成されている。例えば、トランジスターは、シリコン等の半導体基板上にゲート絶縁膜を介して配置されたゲート電極と、ゲート電極の両側の半導体基板内に形成された不純物領域であるソース及びドレインとを有している。
【００２２】
また、複数の配線を含む配線層が、半導体基板上に層間絶縁膜を介して配置されている。層間絶縁膜及び配線層は、必要に応じて多層構造を有しても良い。層間絶縁膜は、例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＸＯＹ）又はＢＰＳＧ（Boron Phosphorus Silicon Glass）膜等で構成される。
【００２３】
複数の電極１１は、基板１０において最上層の層間絶縁膜上に配置され、何れかの配線層の配線に電気的に接続されている。図１には、図中の縦方向に２列に配列された複数の電極１１が示されているが、列の数及び電極１１の数は任意である。基板１０の配線及び電極１１は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、チタン（Ｔｉ）、又は、チタンナイトライド（ＴｉＮ）等の導電体を含んでいる。
【００２４】
回路１０ｃを保護するために、基板１０において複数の電極１１が形成された最上層の層間絶縁膜上にパッシベーション膜１２が配置されても良い。パッシベーション膜１２には、複数の電極１１に対応する位置に複数の開口が設けられている。例えば、パッシベーション膜１２は、シリコン酸化膜（ＳｉＸＯＹ）、シリコン窒化膜（ＳｉＸＮＹ）、又は、それらを含む多層膜等で構成される。
【００２５】
突起部１３は、基板１０（パッシベーション膜１２）上において、複数の電極１１と異なる位置にそれらの電極１１よりも基板１０から突出して配置され、樹脂コアバンプの樹脂コアを構成する。例えば、突起部１３は、ポリイミド樹脂、シリコーン変性ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン変性エポキシ樹脂、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ：benzocyclobutene）、ポリベンゾオキサゾール（ＰＢＯ：polybenzoxazole）、又は、フェノール系樹脂等の樹脂を含んでいる。
【００２６】
複数の配線１４は、複数の電極１１及びパッシベーション膜１２上に配置されており、突起部１３上に延在している部分が、半導体装置１の接続端子を構成する。例えば、配線１４は、チタンタングステン（ＴｉＷ）等のバリア層と、バリア層上に配置された金（Ａｕ）等の導電層とを含んでいる。図１には、複数の電極１１に対応して図中の縦方向に２列に配列された複数の配線１４が示されている。複数の配線１４は、複数の電極１１をそれぞれ介して、回路１０ｃの何れかの配線層の配線に電気的に接続されている。
【００２７】
オーバーコート層１５は、複数の配線１４が配置された領域間において、突起部１３の縁部から基板１０（パッシベーション膜１２）の一部にかけて配置されている。第１の実施形態においては、オーバーコート層１５が、複数の配線１４上に殆ど重ならないように配置されている。
【００２８】
図１に示すように、オーバーコート層１５は、各々の突起部１３の長手方向における２つの縁部にそれぞれ沿って配置された２つの部分を有している。オーバーコート層１５は、基板１０から配線１４の頂点までの高さの２０％〜８０％程度の高さを有し、突起部１３の長手方向と直交する方向において、突起部１３の縁部から少なくとも配線１４の端部まで延在することが望ましい。
【００２９】
例えば、オーバーコート層１５は、ポリイミド樹脂、シリコーン変性ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン変性エポキシ樹脂、ベンゾシクロブテン、ポリベンゾオキサゾール、又は、フェノール系樹脂等の樹脂を含み、突起部１３の材料と同一の材料で構成されることが望ましい。それにより、半導体装置１の製造設備を簡略化すると共に、突起部１３の熱膨張率とオーバーコート層１５の熱膨張率とを揃えて半導体装置１の耐熱特性を向上させることができる。
【００３０】
突起部１３上に延在している複数の配線１４の部分は、半導体装置１をベース基板等にフリップチップ実装する際に、半導体装置１とベース基板等との電気的な接続点となる。また、半導体装置１をベース基板等に実装する際における接着剤の流動性を向上させると共に樹脂コアバンプの圧縮特性を調節するために、複数の配線１４及びオーバーコート層１５で覆われていない突起部１３の少なくとも一部が除去されて溝が形成されても良い。
【００３１】
図３は、本発明の第１の実施形態に係る半導体装置において突起部に溝が形成された状態を示す断面図であり、図４は、本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の実装工程を示す断面図である。図３には、図１に示すIII−IIIにおける半導体装置の断面が示されており、図４には、図１に示すIV−IVにおける半導体装置の断面が示されている。
【００３２】
図３及び図４に示すように、突起部１３は、複数の配線１４が配置された領域間に溝１６を有している。一例として、基板１０上に配置された突起部１３の高さは、１３μｍ〜２８μｍの範囲内であり、突起部１３に形成された溝１６の深さは、５μｍ〜１０μｍの範囲内である。
【００３３】
突起部１３における溝１６の形成は、例えば、複数の配線１４及びオーバーコート層１５をマスクとして用いて突起部１３をエッチングすることによって行われる。それにより、図３に示すように、突起部１３の表面の位置が、破線で示すエッチング前の位置から実線で示すエッチング後の位置に後退する。その際に、複数の配線１４もわずかにエッチングされる。エッチングされて配線１４から分離した金属粒子は、突起部１３等の表面に再デポジションされて金属残渣となる。
【００３４】
図５は、比較例としてオーバーコート層が設けられていない半導体装置の一部を示す平面図である。図１に示す突起部１３又はオーバーコート層１５上に付着した金属残渣は、半導体装置１をスクラバー洗浄することによって除去することが可能であるが、図５に示すようにオーバーコート層１５が設けられていない場合に、図５に破線で示す後退する前の突起部１３の縁部付近の基板１０上に付着した金属残渣１７は、スクラバー洗浄では除去され難い。従って、基板１０上における突起部１３の裾野領域に金属残渣１７がトラップされる。さらに、トラップされた金属残渣１７がマイグレーションによって複数の配線１４間に広がると、複数の配線１４間の絶縁性が低下するおそれがある。
【００３５】
第１の実施形態によれば、図１等に示すように、複数の配線１４が配置された領域間において突起部１３の縁部から基板１０の一部にかけてオーバーコート層を配置することにより、複数の配線１４間において突起部１３の縁部付近の基板１０がオーバーコート層１５で覆われる。従って、樹脂コアバンプが形成された基板１０上に金属粒子が付着してマイグレーションによって広がることによる複数の配線１４間の絶縁性の低下を抑制することができる。
【００３６】
図４に示すように、半導体装置１をベース基板２にフリップチップ実装することにより、電子モジュールが製造される。ベース基板２の主面（図中の上面）上には、半導体装置１の複数の配線１４に対応して、複数の接続パッド２１が２列に配列されている。図４には、その内の１列に配列された接続パッド２１が示されている。
【００３７】
ベース基板２の主面上に接着剤３が配置されて、複数の配線１４が複数の接続パッド２１にそれぞれ電気的に接続されるように、半導体装置１がベース基板２に実装される。接着剤３としては、例えば、エポキシ系又はアクリル系の熱可塑性の樹脂や紫外線硬化系の樹脂等が用いられる。熱可塑性の樹脂は、加熱によって軟化して成形できるようになり、冷却すれば固化する特性を有する。
【００３８】
例えば、ベース基板２の主面において２列に配列された接続パッド２１の内側の領域に接着剤３が配置される。次に、ベース基板２上に半導体装置１が載置され、加熱によって接着剤３を軟化させながら半導体装置１がベース基板２に押圧される。その際に、突起部１３は、半導体装置１の基板１０において発生する応力を緩和する役割も果たすことができる。
【００３９】
軟化した接着剤３は、半導体装置１がベース基板２に押圧された際に、半導体装置１において２列に配列された配線１４の外側の領域まで広がることが望ましい。その状態で電子モジュールを冷却すると、接着剤３が固化して、半導体装置１がベース基板２に固定される。
【００４０】
あるいは、ベース基板２上に半導体装置１が載置され、半導体装置１がベース基板２に押圧された状態で、加熱によって接着剤３を軟化させながら接着剤３が半導体装置１とベース基板２との隙間に注入されても良い。軟化した接着剤３は、半導体装置１において２列に配列された配線１４の外側の領域から内側の領域まで広がることが望ましい。その状態で電子モジュールを冷却すると、接着剤３が固化して、半導体装置１がベース基板２に固定される。
【００４１】
図３及び図４に示すように、突起部１３に溝１６が形成されている場合には、接着剤３が、半導体装置１において２列に配列された配線１４の内側の領域と外側の領域との間で溝１６を通過して移動することができる。それにより、複数の配線１４間の絶縁性の低下を抑制しながら、接着剤３を用いて半導体装置１をベース基板２に実装する際における接着剤３の流動性を向上させることができる。また、従来よりも突起部１３のエッチング量を多くして、突起部１３における溝１６の深さを深くすることにより、接着剤３の流動性をさらに向上させることも可能である。
【００４２】
＜第２の実施形態＞
図６は、本発明の第２の実施形態に係る半導体装置の構成例を示す平面図であり、図７は、図６に示すVII−VIIにおける断面図である。第２の実施形態においては、オーバーコート層１５が、複数の配線１４の一部上にも配置されている。その他の点に関しては、第２の実施形態は第１の実施形態と同様でも良い。
【００４３】
図６及び図７に示すように、オーバーコート層１５は、複数の配線１４が配置された領域間において、突起部１３の縁部から基板１０（パッシベーション膜１２）の一部にかけて配置されると共に、複数の配線１４の一部を跨ぐように配置されている。それにより、オーバーコート層１５が複数の配線１４に対して突起部１３の長手方向に沿ってずれて配置されても、複数の配線１４間において突起部１３の縁部付近の基板１０をオーバーコート層１５で完全に覆うことができるので、複数の配線１４間の絶縁性の低下を抑制する効果が高められる。
【００４４】
突起部１３上に延在している複数の配線１４の部分は、半導体装置１をベース基板等にフリップチップ実装する際に、半導体装置１とベース基板等との電気的な接続点となる。また、半導体装置１をベース基板等に実装する際における接着剤の流動性を向上させると共に樹脂コアバンプの圧縮特性を調節するために、複数の配線１４及びオーバーコート層１５で覆われていない突起部１３の少なくとも一部が除去されて溝が形成されても良い。
【００４５】
図８は、本発明の第２の実施形態に係る半導体装置において突起部に溝が形成された状態を示す断面図である。図８には、図６に示すVIII−VIIIにおける半導体装置の断面が示されている。図８及び図４に示すように、突起部１３は、複数の配線１４が配置された領域間に溝１６を有している。
【００４６】
突起部１３に溝１６が形成されている場合には、接着剤３（図４）が、半導体装置１において２列に配列された配線１４の内側の領域と外側の領域との間で溝１６を通過して移動することができる。それにより、複数の配線１４間の絶縁性の低下を抑制しながら、接着剤３を用いて半導体装置１をベース基板２に実装する際における接着剤３の流動性を向上させることができる。また、従来よりも突起部１３のエッチング量を多くして、突起部１３における溝１６の深さを深くすることにより、接着剤３の流動性をさらに向上させることも可能である。
【００４７】
＜半導体装置の製造方法１＞
次に、本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法について説明する。
図９〜図１５は、本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための工程断面図である。図９〜図１５には、図１に示すII−IIにおける半導体装置の一部の断面が示されている。
【００４８】
第１の工程において、図９に示すように、複数の電極１１が配置された基板１０が用意される。基板１０の詳細については、図１及び図２を参照しながら説明した通りである。また、基板１０は、複数の電極１１に対応する位置に開口が設けられたパッシベーション膜１２を有しても良い。
【００４９】
次に、第２の工程において、複数の電極１１が配置された基板１０上においてそれらの電極１１と異なる位置に、樹脂を含む突起部１３（図１１）が形成される。例えば、基板１０の主面上に液状の感光性樹脂材料（感光性ポリイミド等）を塗布し、フォトリソグラフィー技術によって露光及び現像を行うことにより、図１０に示すように、基板１０の主面上に樹脂材料１３１が配置される。その後、基板１０を熱処理して、樹脂材料１３１をベークキュアすることにより、図１１に示すように、樹脂コアバンプのコアとなる突起部１３が形成される。
【００５０】
次に、第３の工程において、複数の電極１１にそれぞれ電気的に接続されると共に突起部１３上に延在する複数の配線１４（図１４）が形成される。例えば、図１２に示すように、突起部１３が形成された基板１０の主面の全面に、スパッター法によって、チタンタングステン（ＴｉＷ）等のバリア層１４１及び金（Ａｕ）等の導電層１４２が順に形成される。
【００５１】
その後、図１３に示すように、フォトリソグラフィー技術によって、所望の配線パターンを有するフォトレジストＰＨ１が、導電層１４２上に形成される。このフォトレジストＰＨ１をマスクとして用いて、配線領域以外の導電層１４２が、エッチングによって除去される。
【００５２】
さらに、フォトレジストＰＨ１が剥離され、配線領域の導電層１４２をマスクとして用いて、配線領域以外のバリア層１４１がエッチングによって除去される。その結果、図１４に示すように、パターニングされたバリア層１４１及び導電層１４２を含む複数の配線１４が形成される。第３の工程におけるエッチングとしては、例えば、ウェットエッチングが用いられる。
【００５３】
次に、第４の工程において、突起部１３の縁部付近を覆うオーバーコート層１５（図１及び図２）が形成される。例えば、複数の配線１４等が形成された基板１０の主面上に液状の感光性樹脂材料（感光性ポリイミド等）を塗布することにより、図１５に示すように、基板１０の主面上に樹脂材料１５１が配置される。その後、フォトリソグラフィー技術によって露光及び現像を行うことにより、樹脂材料１５１が整形される。
【００５４】
さらに、基板１０を熱処理して、樹脂材料１５１をベークキュアしても良い。その結果、図１及び図２に示すように、複数の配線１４が配置された領域間において、突起部１３の縁部から基板１０の一部にかけてオーバーコート層１５が形成される。第１の実施形態においては、オーバーコート層１５が複数の配線１４上に殆ど重ならないように形成される。
【００５５】
次に、第５の工程において、複数の配線１４が配置された領域間に位置する突起部１３の少なくとも一部が除去される。その結果、図４に示すように、複数の配線１４が配置された領域間に位置する突起部１３の少なくとも一部に溝１６が形成される。例えば、複数の配線１４及びオーバーコート層１５をマスクとして用いて突起部１３をエッチングすることにより、複数の配線１４が配置された領域間に位置する突起部１３の少なくとも一部が除去される。
【００５６】
それにより、複数の配線１４の形状に合わせて突起部１３に溝１６が形成されるので、接着剤３を用いて半導体装置１をベース基板２等に実装する際における接着剤３の流動性を向上させることができる。第４の工程におけるエッチングとしては、例えば、ドライエッチングの一種である反応性イオンエッチング（ＲＩＥ： Reactive Ion Etching）が用いられる。反応性イオンエッチングによれば、通常のドライエッチングと異なり、異方性エッチングも可能となる。
【００５７】
突起部１３に溝１６が形成された半導体装置１は、図３に示す断面を有している。図３において、破線は、エッチング前における突起部１３の表面の位置を示しており、実線は、エッチング後における突起部１３の表面の位置を示している。突起部１３をエッチングする際に配線１４から分離した金属粒子は、突起部１３等の表面に再デポジションされて金属残渣となる。
【００５８】
そこで、第６の工程において、半導体装置１をスクラバー洗浄しても良い。それにより、複数の配線１４が配置された領域間に位置する突起部１３の少なくとも一部を除去する際に配線１４から分離した金属粒子が突起部１３又はオーバーコート層１５上に付着しても、突起部１３又はオーバーコート層１５上に付着した金属粒子を除去することができる。第６の工程においては、例えば、半導体装置１が洗浄装置内に載置され、洗浄液として水等の溶媒を噴霧することによって洗浄される。
【００５９】
しかしながら、図５に示すようにオーバーコート層１５が設けられていない場合に、図５に破線で示す後退する前の突起部１３の縁部付近の基板１０上に付着した金属残渣１７は、スクラバー洗浄では除去され難い。さらに、除去されずに残った金属残渣１７がマイグレーションによって複数の配線１４間に広がると、複数の配線１４間の絶縁性が低下するおそれがある。
【００６０】
第１の実施形態によれば、複数の配線１４が配置された領域間において突起部１３の縁部から基板１０の一部にかけてオーバーコート層１５を形成することにより、複数の配線１４間において突起部１３の縁部付近の基板１０がオーバーコート層で覆われる。従って、樹脂コアバンプにおいて複数の配線１４が配置された領域間の突起部１３の少なくとも一部を除去する際に配線１４から金属粒子が分離しても、樹脂コアバンプが形成された基板１０上に金属粒子が付着してマイグレーションによって広がることによる複数の配線１４間の絶縁性の低下を抑制することができる。
【００６１】
＜半導体装置の製造方法２＞
次に、本発明の第２の実施形態に係る半導体装置の製造方法について説明する。
第２の実施形態に係る半導体装置の製造方法は、オーバーコート層１５を形成する第４の工程が第１の実施形態と異なっており、その他の点に関しては、第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法と同様でも良い。
【００６２】
即ち、基板１０の主面上に図１５に示す樹脂材料１５１を配置して整形することにより、複数の配線１４が配置された領域間において突起部１３の縁部から基板１０の一部にかけてオーバーコート層１５を形成する際に、図６及び図７に示すように、複数の配線１４の一部を跨ぐようにオーバーコート層１５が形成される。
【００６３】
それにより、オーバーコート層１５が複数の配線１４に対して突起部１３の長手方向に沿ってずれて形成されても、複数の配線１４間において突起部１３の縁部付近の基板１０をオーバーコート層１５で完全に覆うことができるので、複数の配線１４間の絶縁性の低下を抑制する効果が高められる。
【００６４】
本発明は、以上説明した実施形態に限定されるものではなく、当該技術分野において通常の知識を有する者によって、本発明の技術的思想内で多くの変形が可能である。
【符号の説明】
【００６５】
１…半導体装置、２…ベース基板、３…接着剤、１０…基板、１０ｃ…回路、１１…電極、１２…パッシベーション膜、１３…突起部、１３１…樹脂材料、１４…配線、１４１…バリア層、１４２…導電層、１５…オーバーコート層、１５１…樹脂材料、１６…溝、１７…金属残渣、２１…接続パッド、ＰＨ１…フォトレジスト
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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