(57)【要約】      （修正有）【課題】第２電極の抵抗を低減することが可能な表示装置を提供する。【解決手段】画素領域および、画素領域の外側の周辺領域が設けられた基板と、基板上の画素領域に、画素毎に設けられた第１電極２１と、第１電極に対向するとともに、複数の画素に共通して設けられた第２電極２３と、第２電極と第１電極との間に設けられ、発光層を含む有機層２２Ｂと、有機導電材料を含み、基板上の画素領域に配置されるとともに、第２電極に電気的に接続された補助導電層２６とを備えた表示装置。【選択図】図３
2019197621.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素領域および前記画素領域の外側の周辺領域が設けられた基板と、
前記基板上の前記画素領域に、画素毎に設けられた第１電極と、
前記第１電極に対向するとともに、複数の画素に共通して設けられた第２電極と、
前記第２電極と前記第１電極との間に設けられ、発光層を含む有機層と、
有機導電材料を含み、前記基板上の前記画素領域に配置されるとともに、前記第２電極に電気的に接続された補助導電層と
を備えた表示装置。
【請求項２】
前記画素は、前記基板上に前記第１電極、前記有機層および前記第２電極をこの順に有し、
前記画素領域には、複数の前記画素とともに、前記基板上に前記補助導電層および前記第２電極を有する補助導電部が設けられている。
請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記補助導電部は、複数の前記画素と重ならない位置に配置されている
請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記補助導電部では、前記基板上に前記補助導電層および前記第２電極がこの順に設けられている
請求項２に記載の表示装置。
【請求項５】
前記補助導電部では、前記基板上に前記第２電極および前記補助導電層がこの順に設けられている
請求項２に記載の表示装置。
【請求項６】
更に、前記基板と前記第１電極との間に設けられ、複数の配線を含む配線層を有し、
前記補助導電層は、前記配線に電気的に接続されている
請求項２に記載の表示装置。
【請求項７】
前記補助導電部で、前記補助導電層は前記配線に接している
請求項６に記載の表示装置。
【請求項８】
前記補助導電部は、前記画素領域に帯状に設けられている
請求項２に記載の表示装置。
【請求項９】
前記発光層および前記補助導電層は印刷層である
請求項１に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記第２電極は、前記発光層で生じる波長域の光に対して光透過性を有する
請求項１に記載の表示装置。
【請求項１１】
前記補助導電層は、前記発光層で生じる波長域の光に対して光透過性を有する
請求項１に記載の表示装置。
【請求項１２】
前記第１電極および前記第２電極が、前記発光層で生じる波長域の光に対して光透過性を有する
請求項１に記載の表示装置。
【請求項１３】
更に、前記第２電極を間にして前記基板に対向する調光膜を有し、
前記調光膜は、黒色および透明に可逆的に変化する
請求項１に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本技術は、有機ＥＬ（Electroluminescence）素子を用いた表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ素子は、第１電極と第２電極との間に発光層を含む有機層を有している（例えば、特許文献１，２）。この有機ＥＬ素子を用いた表示装置では、例えば、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）を含む駆動基板上に、第１電極、有機層および第２電極がこの順に設けられている。トップエミッション型の表示装置では、発光層で発生した光が第２電極側から取り出される。このため、第２電極は、発光層で発生する波長域の光（例えば、可視領域の光）に対して光透過性を有している。例えば、第２電極は、無機材料系の透明導電材料により構成される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００４−２０７２１７号公報
【特許文献２】特開２０１３−１９６９１９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
このような有機ＥＬ素子を用いた表示装置では、第２電極の抵抗を低減することが望まれている。
【０００５】
したがって、第２電極の抵抗を低減することが可能な表示装置を提供することが望ましい。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本開示の一実施の形態に係る表示装置は、画素領域および画素領域の外側の周辺領域が設けられた基板と、基板上の画素領域に、画素毎に設けられた第１電極と、第１電極に対向するとともに、複数の画素に共通して設けられた第２電極と、第２電極と第１電極との間に設けられ、発光層を含む有機層と、有機導電材料を含み、基板上の画素領域に配置されるとともに、第２電極に電気的に接続された補助導電層とを備えたものである。
【０００７】
本開示の一実施の形態に係る表示装置では、補助導電層が画素領域に設けられているので、画素近傍で第２電極に補助導電層が電気的に接続される。
【発明の効果】
【０００８】
本開示の一実施の形態に係る表示装置によれば、画素近傍で、第２電極を補助導電層に電気的に接続するようにしたので、画素領域内で第２電極とともに補助導電層に電流が流れる。よって、第２電極の抵抗を低減することが可能となる。なお、ここに記載された効果は必ずしも限定されるものではなく、本開示中に記載されたいずれの効果であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本開示の第１の実施の形態に係る表示装置の全体構成を表す平面模式図である。
【図２】図１に示した画素領域の構成の一例を表す平面模式図である。
【図３】図２に示したＩＩＩ−ＩＩＩ’線に沿った断面構成を表す模式図である。
【図４】図３に示した補助導電部の他の例（１）を表す断面模式図である。
【図５】図３に示した補助導電部の他の例（２）を表す断面模式図である。
【図６】図１に示した表示装置の機能構成の一例を表すブロック図である。
【図７】図６に示した画素回路の構成の一例を表す等価回路図である。
【図８Ａ】図３に示した表示装置の製造方法の一工程を表す断面模式図である。
【図８Ｂ】図８Ａに続く工程を表す断面模式図である。
【図８Ｃ】図８Ｂに続く工程を表す断面模式図である。
【図８Ｄ】図８Ｃに続く工程を表す断面模式図である。
【図８Ｅ】図８Ｄに続く工程を表す断面模式図である。
【図９Ａ】図３に示した表示装置の製造方法の一工程の他の例（１）を表す断面模式図である。
【図９Ｂ】図９Ａに続く工程を表す断面模式図である。
【図９Ｃ】図９Ｂに続く工程を表す断面模式図である。
【図１０Ａ】図３に示した表示装置の製造方法の一工程の他の例（２）を表す断面模式図である。
【図１０Ｂ】図１０Ａに続く工程を表す断面模式図である。
【図１１】図１０Ａに続く工程の他の例を表す断面模式図である。
【図１２】比較例１に係る表示装置の要部の構成を表す断面模式図である。
【図１３】比較例２に係る表示装置の要部の構成を表す断面模式図である。
【図１４】比較例３に係る表示装置の要部の構成を表す断面模式図である。
【図１５】変形例１に係る表示装置の要部の構成を表す断面模式図である。
【図１６】変形例２に係る表示装置の要部の構成を表す断面模式図である。
【図１７】本開示の第２の実施の形態に係る表示装置の要部の構成を表す断面模式図である。
【図１８】電子機器の構成を表すブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本技術の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
１．第１の実施の形態（画素領域に補助導電層を有する表示装置）
２．変形例１（配線に非接続の補助導電層の例）
３．変形例２（第２電極上に設けられた補助導電層の例）
４．変形例３（透明有機導電材料により補助導電層を構成する例）
５．第２の実施の形態（ボトムエミッション型の表示装置）
６．適用例（電子機器の例）
【００１１】
＜１．第１の実施の形態＞
［基本構成］
図１は、本開示の第１の実施の形態に係る表示装置（表示装置１）の全体構成を模式的に表したものである。表示装置１は、例えば、有機電界発光素子を用いた有機ＥＬディスプレイ等であり、例えばＲ（赤），Ｇ（緑），Ｂ（青）のいずれかの色の光が上面側から出射される、上面発光型（トップエミッション型）の表示装置である。この表示装置１は、中央の画素領域１１０Ａと、この画素領域１１０Ａの外側の周辺領域１１０Ｂとを有している。画素領域１１０Ａは、例えば四角形状である。周辺領域１１０Ｂは、この画素領域１１０Ａを囲むように枠状に設けられている。
【００１２】
図２は、画素領域１１０Ａの平面構成の一例を表している。画素領域１１０Ａは、２次元配置された複数の画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂを有している。この画素領域１１０Ａは、例えばアクティブマトリクス方式により、外部から入力される映像信号に基づいて画像が表示される。画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂは、例えばそれぞれがサブピクセルに相当し、これらの画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂの組が１つのピクセル（画素Ｐｉｘ）を構成する。表示装置１では、画素領域１１０Ａに、画素Ｐｉｘとともに、補助導電部Ｃが設けられている。補助導電部Ｃは、平面（図２のＸＹ平面）視で、画素Ｐｉｘに重ならない位置に配置されている。
【００１３】
画素ｐｒ、ｐｇ、ｐｂの各面形状は、例えば矩形状を有し、全体としてストライプ状を成して配置されている。画素ｐｒ、ｐｇ、ｐｂの矩形状の長辺に沿った方向（図２の列方向）では、同じ発光色の画素が並んで配置されている。画素ｐｒは、赤色（Ｒ）の表示を行うものであり、画素ｐｇは、例えば緑色（Ｇ）の表示を行うものであり、画素ｐｂは、例えば青色（Ｂ）の表示を行うものである。補助導電部Ｃは、例えば、行方向に隣り合う画素Ｐｉｘの間、より具体的には画素ｐｂの列と画素ｐｒの列との間に、列方向に延在して、帯状に設けられている。画素領域１１０Ａには、例えば複数の補助導電部Ｃが設けられており、画素領域１１０Ａでは、複数の帯状の補助導電部Ｃが、例えば互いに平行に配置されている。即ち、補助導電部Ｃはストライプ状に設けられている。
【００１４】
図３は、図２に示したＩＩＩ−ＩＩＩ’線に沿った断面構成を表している。
【００１５】
表示装置１は、画素領域１１０Ａに、対向する駆動基板１０および対向基板３０の間に封止された有機ＥＬ素子２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂを有している。画素ｐｒに有機ＥＬ素子２０Ｒ、画素ｐｇに有機ＥＬ素子２０Ｇ、画素ｐｂに有機ＥＬ素子２０Ｂが各々設けられている。この表示装置１は、駆動基板１０上に、層間絶縁膜１１、配線層１２および平坦化膜１３をこの順に有している。有機ＥＬ素子２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂは、平坦化膜１３上に設けられ、平坦化膜１３に近い位置から、第１電極２１、発光層を含む有機層２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂおよび第２電極２３をこの順に有している。第１電極２１と第２電極２３との間には、隔壁２４が設けられており、この隔壁２４の開口が有機ＥＬ素子２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂの発光領域を構成している。有機ＥＬ素子２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂ上には、例えば、保護膜２５が設けられ、この保護膜２５上に封止層３１を介して対向基板３０が貼り合わされている。
【００１６】
駆動基板１０は、例えば、ガラス等からなる基板と、この基板上に設けられたＴＦＴとを含んでいる。基板は、石英，シリコン，樹脂材料または金属板等により構成されていてもよい。樹脂材料としては、例えばＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート），ＰＩ（ポリイミド），ＰＣ（ポリカーボネート）またはＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）などが挙げられる。
【００１７】
ＴＦＴは、例えば、後述の画素回路１４０の駆動トランジスタＴｒ１，書き込みトランジスタＴｒ２（後述の図７）に相当するものであり、画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂ毎に設けられている。このＴＦＴは、例えば、基板上の選択的な領域に、半導体層、ゲート絶縁膜およびゲート電極をこの順に有している。半導体層には、例えば酸化物半導体材料を用いることができる。ここでは、ＴＦＴとして、いわゆるトップゲート構造のものを説明したが、これに限定されるものではなく、ＴＦＴはいわゆるボトムゲート構造であってもよい。また、半導体層を非晶質シリコン（アモルファスシリコン）、多結晶シリコン（ポリシリコン）および微結晶シリコン等のシリコン系半導体により構成するようにしてもよい。
【００１８】
駆動基板１０上に設けられた層間絶縁膜１１は、例えば、ＴＦＴのゲート電極、ゲート絶縁膜およびゲート電極を覆っている。この層間絶縁膜１１上には、複数の配線を有する配線層１２が設けられている。配線層１２は、画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂ毎に配線を有しており、この配線が、層間絶縁膜１１に設けられた接続孔を通じて、ＴＦＴ（駆動基板１０）に電気的に接続されている。
【００１９】
層間絶縁膜１１は、例えば、無機絶縁材料または有機絶縁材料により構成されている。無機絶縁材料としては、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ2）または窒化シリコン（ＳｉＮ）等が挙げられる。有機絶縁材料としては、例えばポリイミド等の樹脂材料が挙げられる。層間絶縁膜１１は単層膜であってもよく、あるいは、層間絶縁膜１１を、例えば、無機絶縁材料および有機絶縁材料の積層膜で構成するようにしてもよい。配線層１２の配線は、例えば、導電性の金属材料により構成されている。
【００２０】
平坦化膜１３は、配線層１２を覆うように駆動基板１０の全面にわたって設けられている。この平坦化膜１３は、例えば、駆動基板１０側から無機絶縁膜と有機絶縁膜とをこの順に積層して構成するようにしてもよい。無機絶縁膜には、例えば、厚み２００ｎｍの酸化シリコン（ＳｉＯ2）膜を用いることができる。無機絶縁膜には、窒化シリコン（ＳｉＮ）膜または酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）膜等を用いるようにしてもよく、これらを積層して用いるようにしてもよい。有機絶縁膜には、例えば、ポリイミド樹脂膜を用いることができる。このポリイミド樹脂膜の厚みは、例えば３０００ｎｍである。有機絶縁膜には、エポキシ樹脂、ノボラック樹脂、またはアクリル樹脂等を用いるようにしてもよい。
【００２１】
有機ＥＬ素子２０Ｒは、平坦化膜１３上に、第１電極２１、有機層２２Ｒおよび第２電極２３をこの順に有している。有機ＥＬ素子２０Ｇは、平坦化膜１３上に、第１電極２１、有機層２２Ｇおよび第２電極２３をこの順に有している。有機ＥＬ素子２０Ｂは、平坦化膜１３上に、第１電極２１、有機層２２Ｂおよび第２電極２３をこの順に有している。有機ＥＬ素子２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂ各々の第１電極２１は、画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂ毎に分離して設けられている。第２電極２３は、全ての画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂに共通して設けられている。有機層２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂの発光層は、例えば、画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂ毎に分離して設けられている。
【００２２】
第１電極２１は、例えばアノードとして機能する反射電極である。この第１電極２１は、画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂ毎に配線層１２の配線を介して駆動基板１０のＴＦＴに電気的に接続されている。第１電極２１の端部は、隔壁２４に覆われている。
【００２３】
第１電極２１の構成材料としては、例えばアルミニウム（Ａｌ），クロム，金（Ａｕ），白金（Ｐｔ），ニッケル（Ｎｉ），銅（Ｃｕ），タングステンあるいは銀（Ａｇ）などの金属元素の単体または合金が挙げられる。また、第１電極２１は、これらの金属元素の単体または合金よりなる金属膜と、可視光透過性を有する導電性材料（透明導電膜）との積層膜を含んでいてもよい。透明導電膜としては、例えばＩＴＯ（酸化インジウム錫）、ＩＺＯ（酸化インジウム亜鉛）および酸化亜鉛（ＺｎＯ）系材料等が挙げられる。酸化亜鉛系材料としては、例えばアルミニウム（Ａｌ）を添加した酸化亜鉛（ＡＺＯ）、およびガリウム（Ｇａ）を添加した酸化亜鉛（ＧＺＯ）などが挙げられる。第１電極２１の厚みは、例えば、１００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下である。
【００２４】
補助導電部Ｃは、例えば平坦化膜１３上に、補助導電層２６および第２電極２３をこの順に有している。即ち、画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂには、有機ＥＬ素子２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂが設けられ、補助導電部Ｃには、補助導電層２６および第２電極２３が設けられている。補助導電部Ｃでは、例えば、補助導電層２６の上面が第２電極２３に接しており、これらが電気的に接続されている。即ち、画素領域１１０Ａ内で、第２電極２３とともに、補助導電層２６に電流が流れるようになっている。したがって、第２電極２３の抵抗が低減される。本実施の形態では、この補助導電層２６が、有機導電材料を含んでいる。これにより、補助導電層２６の厚みを大きくし易くなり、効果的に第２電極２３の抵抗を低減することができる。また、厚みの大きい補助導電層２６を、例えば、印刷法を用いて短時間で形成することが可能となる。例えば、金属材料を用いて配線を形成する場合には、スパッタ法等を用いて金属材料を成膜した後、フォトレジストを用いたマスキング、エッチング処理およびレジスト剥離等の工程が必要となる。これに対して、印刷法を用いることにより、大幅に工程を少なくすることができる。補助導電層２６は、フォトリソグラフィ法を用いて形成するようにしてもよい。このとき、例えば、感光性の有機導電材料を用いて補助導電層２６を形成する。
【００２５】
補助導電層２６は、例えば、導電性の樹脂材料により構成されている。具体的には、補助導電層２６には、芳香環を有する導電性高分子材料等を用いることができる。芳香環を有する導電性高分子材料としては、例えば、ポリチオフェンおよびポリアニリン等が挙げられる。あるいは、導電性の低い樹脂材料に、導電性の無機材料を含有させるようにしてもよい。補助導電層２６の厚みは、例えば５００ｎｍ〜１０μｍである。
【００２６】
補助導電部Ｃには、平坦化膜１３の接続孔が設けられており、補助導電層２６の下面は、この平坦化膜１３の接続孔を介して配線層１２の配線１２Ｗに接している。この配線１２Ｗは、例えば、周辺領域１１０Ｂ（図１）に設けられたカソードコンタクト部に接続されている。カソードコンタクト部は、例えば接地電位（ＧＮＤ）に接続されている（後述の図７）。
【００２７】
図４および図５は、補助導電部Ｃの他の構成を表している。補助導電部Ｃでは、補助導電層２６と配線１２Ｗとの間に、第１電極２１が設けられていてもよい。即ち、補助導電層２６は、第１電極２１を介して配線１２Ｗに電気的に接続されていてもよい。補助導電層２６が隔壁２４上に設けられ、隔壁２４の開口で補助導電層２６が第１電極２１に接していてもよい（図５）。
【００２８】
第１電極２１上および補助導電層２６上に設けられた隔壁２４は、第１電極２１の中央部および補助導電層２６を露出させる開口を有している。この隔壁２４は、有機ＥＬ素子２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂの第１電極２１と第２電極２３との間の絶縁性を確保するとともに、隣り合う画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂを分離するためのものである。また、製造工程では、この隔壁２４が、印刷法を用いて有機層２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂを形成する際の仕切りとして機能してもよい。この隔壁２４は、例えば、樹脂材料により構成されている。具体的には、隔壁２４には、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、フッ素系樹脂、シリコン系樹脂、フッ素系ポリマー、シリコン系ポリマー、ノボラック系樹脂、エポキシ系樹脂またはノルボルネン系樹脂等の感光性樹脂を用いることができる。あるいは、これらの樹脂材料に顔料を分散させたものが用いられてもよい。隔壁２４の高さは、例えば０．１μｍ〜５μｍである。
【００２９】
第１電極２１と第２電極２３との間に設けられた有機層２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂは、例えば第１電極２１に近い位置から、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層および電子注入層をこの順に有している。有機層２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂのうちの少なくとも発光層は、後述するように、例えば印刷法を用いて形成されている。有機層２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂは、例えば、互いに異なる色の発光層を有している。例えば、有機層２２Ｒの発光層は赤色を、有機層２２Ｇの発光層は緑色を、有機層２２Ｂの発光層は青色を、それぞれ発生させる。有機層２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂの正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層および電子注入層は、互いに同じ構成を有していてもよい。正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層および電子注入層は、画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂに共通して設けられていてもよい。
【００３０】
正孔注入層は、リークを防止するための層であり、例えばヘキサアザトリフェニレン（ＨＡＴ）等により構成されている。正孔注入層の厚みは、例えば１ｎｍ〜２０ｎｍである。正孔輸送層は、例えばα−ＮＰＤ〔N,N'-di(1-naphthyl)-N,N'-diphenyl-〔1,1'-biphenyl 〕-4,4'-diamine 〕により構成されている。正孔輸送層の厚みは、例えば１５ｎｍ〜１００ｎｍである。
【００３１】
発光層は、正孔と電子との結合により、所定の色の光を発するように構成されており、例えば、５ｎｍ〜５０ｎｍの厚みを有している。有機層２２Ｒの発光層は、例えば、ピロメテンホウ素錯体がドーピングされたルブレンにより構成されている。このとき、ルブレンはホスト材料として用いられている。有機層２２Ｇの発光層は、例えばＡｌｑ3（トリスキノリノールアルミニウム錯体）により構成されている。有機層２２Ｂの発光層は、例えば、ジアミノクリセン誘導体がドーピングされたＡＤＮ（９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン）により構成されている。このとき、ＡＤＮは、ホスト材料として、正孔輸送層上に例えば厚み２０ｎｍで蒸着され、ジアミノクリセン誘導体は、ドーパント材料として、相対膜厚比で５％ドーピングされる。
【００３２】
電子輸送層は、ＢＣＰ（２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン）により構成されている。電子輸送層の厚みは、例えば１５ｎｍ〜２００ｎｍである。電子注入層は、例えばフッ化リチウム（ＬｉＦ）により構成されている。電子注入層の厚みは、例えば１５ｎｍ〜２７０ｎｍである。
【００３３】
有機層２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂを間にして第１電極２１に対向する第２電極２３は、例えばカソードとして機能するものであり、画素領域１１０Ａの全面にわたって（全ての画素Ｐｉｘに共通の電極として）形成されている。第２電極２３は、有機層２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂで発生した波長域の光（赤色波長域の光，緑色波長域の光，青色波長域の光）に対して光透過性を有しており、例えば透明導電膜により構成されている。透明導電膜としては、例えばＩＴＯ（酸化インジウム錫）、ＩＺＯ（酸化インジウム亜鉛）および酸化亜鉛（ＺｎＯ）系材料等が挙げられる。酸化亜鉛系材料としては、例えばアルミニウム（Ａｌ）を添加した酸化亜鉛（ＡＺＯ）、およびガリウム（Ｇａ）を添加した酸化亜鉛（ＧＺＯ）などが挙げられる。第２電極２３の厚みは、例えば、１ｎｍ〜１０μｍであり、導電性と可視光透過性とを考慮して設定されている。第２電極２３には、この他にも、マグネシウムと銀との合金（ＭｇＡｇ合金）が用いられてもよい。
【００３４】
保護膜２５は、第２電極２３を覆うように設けられ、例えば、窒化シリコンなどにより構成されている。この保護膜２５は、有機ＥＬ素子２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂへの水分の侵入を防ぎ、発光効率などの特性が変化するのを防止する保護膜としての機能を有している。
【００３５】
封止層３１は、保護膜２５と対向基板３０とを貼り合わせると共に、有機ＥＬ素子２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂを封止するものである。封止層３１の材料としては、例えば、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、フッ素系樹脂、シリコン系樹脂、フッ素系ポリマー、シリコン系ポリマー、ノボラック系樹脂、エポキシ系樹脂およびノルボルネン系樹脂等が挙げられる。あるいは、これらの樹脂材料に顔料を分散させたものが用いられてもよい。
【００３６】
対向基板３０は、封止層３１と共に有機ＥＬ素子２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂを封止するものである。この対向基板３０は、例えば、有機層２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂで発生した波長域の光に対して、光透過性を有する材料により構成されている。対向基板３０には、例えば、透明なガラスまたはプラスチックなどの材料を用いることができる。
【００３７】
対向基板３０には、カラーフィルタ層が設けられていてもよい。このカラーフィルタ層は、例えば、赤色フィルタ，緑色フィルタおよび青色フィルタを含んでいる。カラーフィルタ層は、例えば、対向基板３０の一面（例えば封止層３１側の面）に設けられている。画素ｐｒに対向する領域に赤色フィルタが、画素ｐｇに対向する領域に緑色フィルタが、画素ｐｂに対向する領域に青色フィルタが、それぞれ設けられている。これらの赤色フィルタ，緑色フィルタおよび青色フィルタは、顔料を混入した樹脂によりそれぞれ構成されている。
【００３８】
上記の赤色フィルタ，緑色フィルタおよび青色フィルタ間の領域（画素間の領域）にブラックマトリクス層を設けるようにしてもよい。このブラックマトリクス層は、例えば黒色の着色剤を混入した樹脂膜、または薄膜の干渉を利用した薄膜フィルタにより構成されている。薄膜フィルタは、例えば、金属，金属窒化物あるいは金属酸化物よりなる薄膜を１層以上積層し、薄膜の干渉を利用して光を減衰させるものである。薄膜フィルタとしては、具体的には、Ｃｒと酸化クロム（III）（Ｃｒ2Ｏ3）とを交互に積層したものが挙げられる。
【００３９】
［全体構成］
図６は、表示装置１の機能構成の一例を表すブロック図である。この表示装置１は、上述したように、画素領域１１０Ａおよび周辺領域１１０Ｂが設けられた駆動基板１０を有している。画素領域１１０Ａには画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂが設けられ、周辺領域１１０Ｂには、映像表示用のドライバである信号線駆動回路１２０および走査線駆動回路１３０が配設されている。
【００４０】
画素領域１１０Ａ内には、画素回路１４０が設けられている。図７は、この画素回路１４０の一例（画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂの画素回路の一例）を表したものである。画素回路１４０は、例えば、駆動基板１０に設けられたアクティブ型の駆動回路である。この画素回路１４０は、駆動トランジスタＴｒ１および書き込みトランジスタＴｒ２と、これら駆動トランジスタＴｒ１，書き込みトランジスタＴｒ２の間のキャパシタ（保持容量）Ｃｓとを有している。画素回路１４０はまた、第１の電源ライン（Ｖｃｃ）および第２の電源ライン（ＧＮＤ）の間において、駆動トランジスタＴｒ１に直列に接続された有機ＥＬ素子２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂを有している。駆動トランジスタＴｒ１および書き込みトランジスタＴｒ２は、例えばＴＦＴにより構成されている。
【００４１】
画素回路１４０において、列方向には信号線１２０Ａが複数配設され、行方向には走査線１３０Ａが複数配設されている。各信号線１２０Ａと各走査線１３０Ａとの交差点が、画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂのいずれか１つに対応している。各信号線１２０Ａは、信号線駆動回路１２０に接続され、この信号線駆動回路１２０から信号線１２０Ａを介して書き込みトランジスタＴｒ２のソース電極に画像信号が供給されるようになっている。各走査線１３０Ａは走査線駆動回路１３０に接続され、この走査線駆動回路１３０から走査線１３０Ａを介して書き込みトランジスタＴｒ２のゲート電極に走査信号が順次供給されるようになっている。
【００４２】
[製造方法]
このような表示装置１は、例えば、以下のようにして製造する（図８Ａ〜図８Ｅ）。
【００４３】
まず、図８Ａに示したように、駆動基板１０上に、層間絶縁膜１１および配線層１２をこの順に形成する。層間絶縁膜１１には、配線層１２の配線を駆動基板１０に接続するための接続孔を形成しておく、
【００４４】
次いで、図８Ｂに示したように、配線層１２上に平坦化膜１３を形成する。平坦化膜１３は、例えば、配線層１２を覆うように、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法を用いて酸化シリコン膜を成膜した後、感光性を有する材料からなる有機絶縁層を、例えばスピンコート法やスリットコート法により成膜して形成する。平坦化膜１３には、配線層１２の配線（配線１２Ｗを含む）に達する接続孔を形成しておく。
【００４５】
続いて、図８Ｃに示したように、平坦化膜１３上の選択的な領域に補助導電層２６を形成する。このとき、補助導電層２６は、平坦化膜１３の接続孔を介して配線１２Ｗに接続される。この補助導電層２６が設けられた領域が補助導電部Ｃとなる。補助導電層２６は、例えば、印刷法を用いて形成する。フォトリソグラフィ法を用いて補助導電層２６を形成するようにしてもよい。
【００４６】
次に、補助導電層２６の形成領域と重ならない領域（画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂが形成される領域）に、第１電極２１を形成する（図８Ｄ）。第１電極２１は、平坦化膜１３に形成した接続孔を埋め込むように、導電材料を例えばスパッタリング法により成膜した後、フォトリソグラフィおよびエッチングによりパターニングして形成する。
【００４７】
第１電極２１を形成した後、図８Ｅに示したように、第１電極２１上に隔壁２４を形成する。この隔壁２４には、第１電極２１の中央部および補助導電層２６を露出させる開口を設けておく。
【００４８】
続いて、この隔壁２４により区画された領域に、有機層２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂを形成する。有機層２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂは、例えば、画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂが形成される領域に各々形成する。有機層２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂは、例えば、有機層２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂの構成材料を、インクジェット法などの印刷法を用いて形成する。有機層２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂは、例えばディスペンサーを使用した印刷法を用いて形成するようにしてもよい。有機層２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂのうち、少なくとも発光層を、印刷法を用いて形成することが好ましい。即ち、発光層は印刷層であることが好ましい。これにより、例えば、表示装置１を容易に大型化することが可能となる。
【００４９】
有機層２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂを形成した後、有機層２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂ上および補助導電層２６上に、上述した材料よりなる第２電極２３を例えばスパッタリング法により形成する。次いで、この第２電極２３上に保護膜２５を例えばＣＶＤ法により成膜した後、この保護膜２５上に、封止層３１を間にして対向基板３０を貼り合わせる。例えば、この対向基板３０にはカラーフィルタ層を予め形成しておく。このようにして、表示装置１を完成させる。
【００５０】
図９Ａ〜図９Ｃに示したように、第１電極２１を形成した後に、補助導電層２６を形成するようにしてもよい。具体的には、以下のようにして補助導電層２６を形成するようにしてもよい。
【００５１】
まず、駆動基板１０上に、層間絶縁膜１１、配線層１２および平坦化膜１３をこの順に形成する。
【００５２】
次いで、図９Ａに示したように、平坦化膜１３上に第１電極２１を形成する。このとき、画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂが形成される領域とともに、補助導電部Ｃが形成される領域に第１電極２１を形成するようにしてもよい。
【００５３】
第１電極２１を形成した後、図９Ｂに示したように、補助導電部Ｃが形成される領域に補助導電層２６を形成する。この後、図９Ｃに示したように、隔壁２４を形成する。隔壁２４の形成以降の工程は、上記で説明したのと同様にして表示装置１を完成させればよい。
【００５４】
図１０Ａ，図１０Ｂに示したように、隔壁２４を形成した後に、補助導電層２６を形成するようにしてもよい。具体的には、以下のようにして補助導電層２６を形成するようにしてもよい。
【００５５】
まず、駆動基板１０上に、層間絶縁膜１１、配線層１２、平坦化膜１３および第１電極２１をこの順に形成する（図９Ａ）。このとき、画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂが形成される領域とともに、補助導電部Ｃが形成される領域に第１電極２１を形成するようにしてもよい。
【００５６】
次いで、図１０Ａに示したように、第１電極２１上に隔壁２４を形成する。続いて、図１０Ｂに示したように、補助導電部Ｃが形成される領域に補助導電層２６を形成する。この後、画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂが形成される領域に有機層２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂを形成する。有機層２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂの形成以降の工程は、上記で説明したのと同様にして表示装置１を完成させればよい。
【００５７】
図１１に示したように、隔壁２４を形成した後に、有機層２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂとともに、補助導電層２６を形成するようにしてもよい。具体的には、以下のようにして補助導電層２６を形成するようにしてもよい。
【００５８】
まず、図１０Ａで説明したのと同様にして、第１電極２１上に隔壁２４を形成する。この後、図１１に示したように、画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂが形成される領域に有機層２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂを形成し、補助導電部Ｃが形成される領域に補助導電層２６を形成する。有機層２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂおよび補助導電層２６は、例えば印刷法を用いて形成する。即ち、補助導電層２６は印刷層であってもよい。有機層２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂおよび補助導電層２６を形成した後は、上記で説明したのと同様にして表示装置１を完成させればよい。
【００５９】
［動作］
表示装置１では、走査線駆動回路１３０から各画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂの書き込みトランジスタＴｒ２へ選択パルスが供給されることで、画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂが選択される。この選択された画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂに、信号線駆動回路１２０から映像信号に応じた信号電圧が供給され、保持容量Ｃｓに保持される。保持容量Ｃｓに保持された信号に応じて駆動トランジスタＴｒ１がオンオフ制御され、有機ＥＬ素子２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂに駆動電流が注入される。これにより、有機ＥＬ素子２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂ（有機層２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂの発光層）では、正孔と電子とが再結合して発光を生じる。この光は、各画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂから、例えば第２電極２３、保護膜２５、封止層３１および対向基板３０を透過して取り出される。これにより、画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂから赤色光、緑色光および青色光が射出され、これらの色光の加法混色により、カラーの映像表示がなされる。
【００６０】
［作用、効果］
ここで、本実施の形態では、補助導電層２６が画素領域１１０Ａに設けられているので、画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂ近傍の補助導電部Ｃで、第２電極２３に補助導電層２６が電気的に接続される。したがって、画素領域１１０Ａ内で、第２電極２３とともに補助導電層２６に電流が流れ、第２電極２３の抵抗を低減することが可能となる。以下、この作用、効果について説明する。
【００６１】
図１２は、比較例１に係る表示装置（表示装置１０１）の要部の模式的な平面構成を表している。この表示装置１０１は、表示装置１と同様にトップエミッション型の表示装置であり、透明導電膜からなる第２電極２３を有している。表示装置１０１では、画素領域１１０Ａの全面にわたって設けられた第２電極２３が、周辺領域１１０Ｂの配線２０ＷＢに接続されている。
【００６２】
この第２電極２３は、無機材料により構成されている。このため、第２電極２３の厚みを大きくすると、成膜時間が長くなり、歩留まりを低下させる。また、第２電極２３の厚みを大きくすると、透過率が下がり、光取り出し効率が低下する。このため、第２電極２３の厚みを大きくすることができず、第２電極２３のシート抵抗は高くなる。この高いシート抵抗を有する第２電極２３は、消費電力の増加を引き起こすおそれがある。また、表示装置１０１では、周辺領域１１０Ｂで第２電極２３を配線１２ＷＢに接続しているので、画素領域１１０Ａ内での発光状態が不均一になりやすい。これは、以下のような理由による。表示装置１０１では、配線１２ＷＢが周辺領域に設けられているので、画素領域１１０Ａ内の電流全てが、第２電極２３を介して周辺領域１１０Ｂに流れる。したがって、画素領域１１０Ａの中央部の画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂと、より周辺領域１１０Ｂに近い部分の画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂとでは、第２電極２３の配線抵抗の差が大きくなる。
【００６３】
図１３，図１４に比較例２，３に係る表示装置（表示装置１０２，１０３）の要部の断面構成を示す。比較例２に係る表示装置１０２（図１３）では、第２電極２３の抵抗を低減するため、画素領域１１０Ａ内で、第２電極２３を配線１２Ｗに接続している。比較例３に係る表示装置１０３（図１４）では、第２電極２３の抵抗を低減するため、画素領域１１０Ａ内で、第２電極２３を導電膜３３に接続している。このような表示装置１０２，１０３では、画素領域１１０Ａ内で、第２電極２３を配線２０Ｗまたは導電膜３３に接続しているので、消費電力の増加が抑えられ、また、画素領域１１０Ａ内での位置による発光状態のばらつきの発生を抑えることができる。
【００６４】
しかし、表示装置１０２では、例えば蒸着法により形成した第２電極２３を配線１２Ｗに直接接続するために金属マスクが用いられる。しかし、この方法では表示装置１０２を大型化することが困難である。また、第２電極２３は、無機材料により構成されているので、上記のように第２電極２３の厚みを大きくすることは困難である。
【００６５】
表示装置１０３では、カラーフィルタ層３２と封止層３１との間に設けた導電膜３３に第２電極２３を接続するので、封止層３１等に貫通電極を設ける必要がある。この貫通電極の形成に起因して、コストが高くなる。また、歩留まりも低下する。
【００６６】
これに対し、本実施の形態では、画素領域１１０Ａ内に、有機導電材料を含む補助導電層２６を設け、この補助導電層２６に第２電極２３を接続している。有機導電材料を含む補助導電層２６は、例えば、印刷法を用いて形成することが可能であり、表示装置１を容易に大型化することができる。また、有機導電材料を含む補助導電層２６は、容易に厚みを大きくすることができるので、効果的に第２電極２３の抵抗が低減される。
【００６７】
更に、補助導電層２６は、第２電極２３と配線層１２（配線１２Ｗ）との間に設けられているので、貫通電極等が不要であり、容易に配線１２Ｗに接続することができる。したがって、コストの増加および歩留まりの低下を抑えることができる。
【００６８】
以上のように、表示装置１では、画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂ近傍の補助導電部Ｃで、第２電極２３を補助導電層２６に電気的に接続するようにしたので、画素領域１１０Ａ内で第２電極２３とともに補助導電層２６に電流が流れる。よって、第２電極２３の抵抗を低減することが可能となる。これにより、消費電力の増加が抑えられ、また、画素領域１１０Ａ内での位置による発光状態のばらつきの発生を抑えることができる。
【００６９】
また、補助導電層２６が有機導電材料を含んでいるので、容易に補助導電層２６の厚みを大きくすることができる。したがって、効果的に第２電極２３の抵抗が低減される。更に、補助導電層２６は、例えば印刷法を用いて形成することが可能であり、表示装置１を容易に大型化することができる。
【００７０】
加えて、補助導電層２６と配線１２Ｗとの接続には、貫通電極等が不要である。したがって、貫通電極等に起因したコストの増加および歩留まりの低下を抑えることができる。
【００７１】
以下、上記第１の実施の形態の変形例および他の実施の形態について説明するが、以降の説明において上記実施の形態と同一構成部分については同一符号を付してその説明は適宜省略する。
【００７２】
＜２．変形例１＞
図１５は、上記第１の実施の形態の変形例１に係る表示装置（表示装置１Ａ）の要部の断面構成を模式的に表したものである。この表示装置１Ａでは、補助導電層２６が配線層１２の配線に接続されていない。表示装置１Ａでは、例えば、第２電極２３が、周辺領域１１０Ｂに設けられたカソードコンタクト部に接続されている。この点を除き、表示装置１Ａは上記実施の形態の表示装置１と同様の構成を有し、その作用および効果も同様である。
【００７３】
＜３．変形例２＞
図１６は、上記第１の実施の形態の変形例２に係る表示装置（表示装置１Ｂ）の要部の断面構成を模式的に表したものである。この表示装置１Ｂの補助導電部Ｃには、駆動基板１０上に、第２電極２３および補助導電層２６がこの順に設けられている。例えば、補助導電部Ｃに設けられた凹部に、第２電極２３および補助導電層２６がこの順に設けられ、補助導電層２６の下面および側面が第２電極２３に接している。この点を除き、表示装置１Ａは上記実施の形態の表示装置１と同様の構成を有し、その作用および効果も同様である。
【００７４】
表示装置１Ｂでは、例えば、第２電極２３が、周辺領域１１０Ｂに設けられたカソードコンタクト部に接続されている。あるいは、補助導電部Ｃで、第２電極２３を配線層１２の配線に接続するようにしてもよい。
【００７５】
＜４．変形例３＞
上記表示装置１，１Ａ，１Ｂの補助導電層２６（図３，図１５，図１６）が、発光層で生じる波長域の光に対して光透過性を有していてもよい。これにより、表示装置１，１Ａ，１Ｂを透明ディスプレイとすることが可能となる。この表示装置１，１Ａ，１Ｂでは、例えば、有機ＥＬ素子２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂの発光時には映像が表示され、有機ＥＬ素子２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂの非発光時には、駆動基板１０から対向基板３０を外光が透過する。即ち、有機ＥＬ素子２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂの非発光時には、駆動基板１０の裏面側が透けて見える。
【００７６】
補助導電層２６は、例えば、可視領域の波長の光に対して光透過性を有する有機導電材料により構成されている。このような透明有機導電材料としては、例えば芳香環を有する導電性高分子材料等が挙げられる。芳香環を有する導電性高分子材料としては、例えば、ポリチオフェンおよびポリアニリン等が挙げられる。あるいは、導電性の低い透明樹脂材料に、導電性の透明無機材料を含有させるようにしてもよい。
【００７７】
透明ディスプレイを構成する表示装置１，１Ａ，１Ｂでは、配線層１２の配線（配線１２Ｗを含む）および第１電極２１を、透明導電材料により構成するようにしてもよい。例えば、第１電極２１を透明導電材料により構成すると、有機ＥＬ素子２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂの非発光時の光透過率が高くなる。
【００７８】
＜４．第２の実施の形態＞
図１７は、本開示の第２の実施の形態に係る表示装置（表示装置２）の要部の断面構成を表している。この表示装置２は、下面発光型（ボトムエミッション型）の表示装置であり、発光層で発生した光は、駆動基板１０側から取り出されるようになっている。即ち、表示装置２では、第１電極２１が発光層で生じる波長域の光に対して光透過性を有している。このボトムエミッション型の表示装置２に、補助導電層２６を設けるようにしてもよい。
【００７９】
上記変形例３で説明したのと同様に、表示装置２が、透明ディスプレイを構成するようにしてもよい。このとき、補助導電層２６は、例えば、可視領域の波長の光に対して光透過性を有しており、透明有機導電材料により構成されている。
【００８０】
補助導電部Ｃには、駆動基板１０側から、補助導電層２６および第２電極２３がこの順に設けられている。補助導電層２６は、配線層１２の配線に接続されていなくてもよく、配線層１２の配線（例えば、図３の配線１２Ｗ）に接続されていてもよい。補助導電部Ｃに、駆動基板１０側から、第２電極２３および補助導電層２６をこの順に設けるようにしてもよい（図１６参照）。
【００８１】
表示装置２は、例えば、透明表示モードと黒表示モードとの切り替えが可能な表示装置であってもよい。この表示装置２は、第２電極２３上に、調光膜２７および導電膜２８をこの順に有している。調光膜２７および導電膜２８は、第２電極２３を間にして駆動基板１０に対向しており、例えば画素領域１１０Ａの全面にわたって設けられている。
【００８２】
第２電極２３と導電膜２８との間に設けられた調光膜２７は、透明表示モードと黒表示モードとの切り替えを行うためのものであり、不透明（黒色）および透明に可逆的に変化する。この調光膜２７は、例えば、第２電極２３および導電膜２８のオンオフ動作により、不透明と、透明とが瞬時に切り替わるように構成された機能膜である。電気化学的に調光膜２７の材料に酸化還元反応を生じさせ、調光膜２７の光学状態が変化するようになっていてもよい。あるいは、電気的に調光膜２７中の粒子の配向を制御することにより、光の透過および散乱を制御し、調光膜２７の光透過率を調整するようにしてもよい。調光膜２７を間にして第２電極２３に対向する導電膜２８は、調光膜２７に電圧を印加するためのものであり、発光層で生じる波長域の光に対して光透過性を有している。導電膜２８は、例えば無機透明導電材料により構成されている。
【００８３】
例えば、黒表示モードでは、調光膜２７が黒色になり、有機ＥＬ素子２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂが発光する。これにより映像が表示される。例えば、透明表示モードでは、調光膜２７が透明となり、かつ、有機ＥＬ素子２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂが非発光となる。これにより、対向基板３０から駆動基板１０を外光が透過し、対向基板３０の裏面側が透けて見える。
【００８４】
＜５．適用例（電子機器）＞
上記実施の形態等において説明した表示装置１，１Ａ，１Ｂ，２は、様々なタイプの電子機器に用いることができる。図１８に、電子機器６の機能ブロック構成を示す。電子機器６としては、例えばテレビジョン装置、パーソナルコンピュータ（ＰＣ）、スマートフォン、タブレット型ＰＣ、携帯電話機、デジタルスチルカメラおよびデジタルビデオカメラ等が挙げられる。
【００８５】
電子機器６は、例えば上述の表示装置１，１Ａ，１Ｂ，２と、インターフェース部６０とを有している。インターフェース部６０は、外部から各種の信号および電源等が入力される入力部である。このインターフェース部６０は、また、例えばタッチパネル、キーボードまたは操作ボタン等のユーザインターフェースを含んでいてもよい。
【００８６】
以上、実施の形態および変形例を挙げて説明したが、本技術は上記実施の形態等に限定されるものではなく、種々変形が可能である。例えば、上記実施の形態等に記載した各層の材料、厚み、または成膜方法および成膜条件等は列挙したものに限定されるものではなく、他の材料、厚みまたは成膜方法および成膜条件としてもよい。
【００８７】
また、有機層２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂは、少なくとも発光層を含んでいればよく、例えば、有機層２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂが発光層のみにより構成されていてもよい。
【００８８】
また、上記実施の形態等では、アクティブマトリクス型の表示装置の場合について説明したが、本開示はパッシブマトリクス型の表示装置への適用も可能である。また、アクティブマトリクス駆動のための画素回路１４０の構成は、上記実施の形態で説明したものに限られず、必要に応じて容量素子やトランジスタを追加してもよい。その場合、画素回路１４０の変更に応じて、走査線駆動回路１３０および信号線駆動回路１２０の他に、必要な駆動回路を追加してもよい。
【００８９】
また、図２に補助導電部Ｃの配置の一例を示したが、補助導電部Ｃの配置はこれに限らない。
【００９０】
上記実施の形態において説明した効果は一例であり、本開示の効果は、他の効果であってもよいし、更に他の効果を含んでいてもよい。
【００９１】
尚、本技術は以下のような構成を取ることも可能である。
（１）
画素領域および前記画素領域の外側の周辺領域が設けられた基板と、
前記基板上の前記画素領域に、画素毎に設けられた第１電極と、
前記第１電極に対向するとともに、複数の画素に共通して設けられた第２電極と、
前記第２電極と前記第１電極との間に設けられ、発光層を含む有機層と、
有機導電材料を含み、前記基板上の前記画素領域に配置されるとともに、前記第２電極に電気的に接続された補助導電層と
を備えた表示装置。
（２）
前記画素は、前記基板上に前記第１電極、前記有機層および前記第２電極をこの順に有し、
前記画素領域には、複数の前記画素とともに、前記基板上に前記補助導電層および前記第２電極を有する補助導電部が設けられている。
前記（１）に記載の表示装置。
（３）
前記補助導電部は、複数の前記画素と重ならない位置に配置されている
前記（２）に記載の表示装置。
（４）
前記補助導電部では、前記基板上に前記補助導電層および前記第２電極がこの順に設けられている
前記（２）または（３）に記載の表示装置。
（５）
前記補助導電部では、前記基板上に前記第２電極および前記補助導電層がこの順に設けられている
前記（２）または（３）に記載の表示装置。
（６）
更に、前記基板と前記第１電極との間に設けられ、複数の配線を含む配線層を有し、
前記補助導電層は、前記配線に電気的に接続されている
前記（２）ないし（５）のうちいずれか１つに記載の表示装置。
（７）
前記補助導電部で、前記補助導電層は前記配線に接している
前記（６）に記載の表示装置。
（８）
前記補助導電部は、前記画素領域に帯状に設けられている
前記（２）ないし（７）のうちいずれか１つに記載の表示装置。
（９）
前記発光層および前記補助導電層は印刷層である
前記（１）ないし（８）のうちいずれか１つに記載の表示装置。
（１０）
前記第２電極は、前記発光層で生じる波長域の光に対して光透過性を有する
前記（１）ないし（９）のうちいずれか１つに記載の表示装置。
（１１）
前記補助導電層は、前記発光層で生じる波長域の光に対して光透過性を有する
前記（１）ないし（１０）のうちいずれか１つに記載の表示装置。
（１２）
前記第１電極および前記第２電極が、前記発光層で生じる波長域の光に対して光透過性を有する
前記（１）ないし（１１）のうちいずれか１つに記載の表示装置。
（１３）
更に、前記第２電極を間にして前記基板に対向する調光膜を有し、
前記調光膜は、黒色および透明に可逆的に変化する
前記（１）ないし（１２）のうちいずれか１つに記載の表示装置。
【符号の説明】
【００９２】
１，１Ａ，１Ｂ，２…表示装置、１０…駆動基板、１１…層間絶縁膜、１２…配線層、１２Ｗ…配線、１３…平坦化膜、２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂ…有機ＥＬ素子、２１…第１電極、２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂ…有機層、２３…第２電極、２４…隔壁、２５…保護膜、２６…補助導電層、３０…対向基板、３１…封止層、１１０Ａ…画素領域、１１０Ｂ…周辺領域、Ｔｒ１…駆動トランジスタ、Ｔｒ２…書き込みトランジスタ、Ｃｓ…保持容量、１２０…信号線駆動回路、１３０…走査線駆動回路、１４０…画素回路、６…電子機器、６０…インターフェース部、ｐｒ，ｐｇ，ｐｂ…画素、Ｃ…補助導電部。
【図１】
2019197621.tif 000003
【図２】
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【図３】
2019197621.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
2019197621.tif 000008
【図７】
2019197621.tif 000009
【図８Ａ】
2019197621.tif 000010
【図８Ｂ】
2019197621.tif 000011
【図８Ｃ】
2019197621.tif 000012
【図８Ｄ】
2019197621.tif 000013
【図８Ｅ】
2019197621.tif 000014
【図９Ａ】
2019197621.tif 000015
【図９Ｂ】
2019197621.tif 000016
【図９Ｃ】
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【図１０Ａ】
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【図１０Ｂ】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【手続補正書】
【提出日】令和1年8月8日(2019.8.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
駆動基板１０上に設けられた層間絶縁膜１１は、例えば、ＴＦＴの半導体層、ゲート絶縁膜およびゲート電極を覆っている。この層間絶縁膜１１上には、複数の配線を有する配線層１２が設けられている。配線層１２は、画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂ毎に配線を有しており、この配線が、層間絶縁膜１１に設けられた接続孔を通じて、ＴＦＴ（駆動基板１０）に電気的に接続されている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
発光層は、正孔と電子との再結合により、所定の色の光を発するように構成されており、例えば、５ｎｍ〜５０ｎｍの厚みを有している。有機層２２Ｒの発光層は、例えば、ピロメテンホウ素錯体がドーピングされたルブレンにより構成されている。このとき、ルブレンはホスト材料として用いられている。有機層２２Ｇの発光層は、例えばＡｌｑ3（トリスキノリノールアルミニウム錯体）により構成されている。有機層２２Ｂの発光層は、例えば、ジアミノクリセン誘導体がドーピングされたＡＤＮ（９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン）により構成されている。このとき、ＡＤＮは、ホスト材料として、正孔輸送層上に例えば厚み２０ｎｍで蒸着され、ジアミノクリセン誘導体は、ドーパント材料として、相対膜厚比で５％ドーピングされる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６１】
図１２は、比較例１に係る表示装置（表示装置１０１）の要部の模式的な断面構成を表している。この表示装置１０１は、表示装置１と同様にトップエミッション型の表示装置であり、透明導電膜からなる第２電極２３を有している。表示装置１０１では、画素領域１１０Ａの全面にわたって設けられた第２電極２３が、周辺領域１１０Ｂの配線１２ＷＢに接続されている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
図１３，図１４に比較例２，３に係る表示装置（表示装置１０２，１０３）の要部の断面構成を示す。比較例２に係る表示装置１０２（図１３）では、第２電極２３の抵抗を低減するため、画素領域１１０Ａ内で、第２電極２３を配線１２Ｗに接続している。比較例３に係る表示装置１０３（図１４）では、第２電極２３の抵抗を低減するため、画素領域１１０Ａ内で、第２電極２３を導電膜３３に接続している。このような表示装置１０２，１０３では、画素領域１１０Ａ内で、第２電極２３を配線１２Ｗまたは導電膜３３に接続しているので、消費電力の増加が抑えられ、また、画素領域１１０Ａ内での位置による発光状態のばらつきの発生を抑えることができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７３】
＜３．変形例２＞
図１６は、上記第１の実施の形態の変形例２に係る表示装置（表示装置１Ｂ）の要部の断面構成を模式的に表したものである。この表示装置１Ｂの補助導電部Ｃには、駆動基板１０上に、第２電極２３および補助導電層２６がこの順に設けられている。例えば、補助導電部Ｃに設けられた凹部に、第２電極２３および補助導電層２６がこの順に設けられ、補助導電層２６の下面および側面が第２電極２３に接している。この点を除き、表示装置１Ｂは上記実施の形態の表示装置１と同様の構成を有し、その作用および効果も同様である。