(57)【要約】【課題】中間めっき層による表面めっき層の変形を促進させ、接点部における接触抵抗の低下を向上することができる接点めっき構造を提供する。【解決手段】互いに接触可能な接点部３と、接点部３の最表面に形成された表面めっき層５と、接点部３の母材７と表面めっき層５との間に形成されニッケルからなる下地めっき層９と、表面めっき層５と下地めっき層９との間に形成され錫からなる中間めっき層１１とを有する接点めっき構造１とした。【選択図】図２
2019085627.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに接触可能な接点部と、
前記接点部の最表面に形成された表面めっき層と、
前記接点部の母材と前記表面めっき層との間に形成されニッケルからなる下地めっき層と、
前記表面めっき層と前記下地めっき層との間に形成され錫からなる中間めっき層と、
を有することを特徴とする接点めっき構造。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、接点めっき構造に関する。詳細には、互いに接触可能な接点部の表面に形成されるめっきを有する接点めっき構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、接点めっき構造としては、互いに接触可能な接点部と、接点部の最表面に形成された表面めっき層と、接点部の母材と表面めっき層との間に形成されニッケルからなる下地めっき層と、表面めっき層と下地めっき層との間に形成され多孔質のニッケルからなる中間めっき層としての多孔質めっき層とを備えたものが知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
この接点めっき構造では、多孔質めっき層を形成することにより、多孔質めっき層の表面が凹凸を有し、その上に形成される表面めっき層の厚みが不均一となり、腐食電流の集中を防止し、耐食性を向上させている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】国際公開第２０１３／０９４７６６号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、上記特許文献１のような接点めっき構造では、表面めっき層とニッケルからなる下地めっき層との間に、ニッケルより硬度の低い多孔質ニッケルからなる中間めっき層が形成されている。
【０００６】
このような中間めっき層を形成することにより、接点部が接触したときに、中間めっき層を形成していないときに比較して、表面めっき層が延びや易くなり、接点部の接触面積が増大し、接点部における接触抵抗を低くすることができる。
【０００７】
しかしながら、中間めっき層を多孔質ニッケルで形成してしまうと、ニッケルの硬度が高く、ニッケルを多孔質にしたとしても、大きく硬度が低くなることがなく、表面めっき層の変形が少なく、接点部の接触面積を増大させ、接点部におけるさらなる接触抵抗の低下が望まれていた。
【０００８】
そこで、この発明は、中間めっき層による表面めっき層の変形を促進させ、接点部における接触抵抗の低下を向上することができる接点めっき構造の提供を目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
請求項１記載の発明は、互いに接触可能な接点部と、前記接点部の最表面に形成された表面めっき層と、前記接点部の母材と前記表面めっき層との間に形成されニッケルからなる下地めっき層と、前記表面めっき層と前記下地めっき層との間に形成され錫からなる中間めっき層とを有することを特徴とする接点めっき構造である。
【００１０】
この接点めっき構造では、表面めっき層と下地めっき層との間に、錫からなる中間めっき層が形成されているので、ニッケルより大きく硬度の低い錫を用いることにより、中間めっき層に多孔質ニッケルを用いたときに比較して、接点部が接触したときの表面めっき層の変形を促進でき、接点部の接触面積を増大し、接点部における接触抵抗を低下することができる。
【００１１】
従って、このような接点めっき構造では、中間めっき層が錫からなるので、中間めっき層による表面めっき層の変形を促進させ、接点部における接触抵抗の低下を向上することができる。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、中間めっき層による表面めっき層の変形を促進させ、接点部における接触抵抗の低下を向上することができる接点めっき構造を提供することができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の実施の形態に係る接点めっき構造が適用される一例としての雄端子と雌端子との断面図である。
【図２】本発明の実施の形態に係る接点めっき構造の断面図である。
【図３】本発明の実施の形態に係る接点めっき構造の接続部側の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
まず、図１を用いて本発明の実施の形態に係る接点めっき構造が適用される全体的な構造の一例について説明する。
【００１５】
本発明の実施の形態に係る接点めっき構造は、例えば、図１に示すように、雄端子１３と、雌端子１５との電気的な接続を行う接点部３に適用される。
【００１６】
雄端子１３は、銅（Cu）や銅合金などの銅系金属からなる薄板状の母材に対して、加工を施すことにより、タブ状の接続部１７を有している。
【００１７】
この雄端子１３は、接続部１７と反対側が電源や機器などに電気的に接続され、接続部１７が雌端子１５の箱状の接続部１９に挿入されることにより、雄端子１３と雌端子１５とが電気的に接続される。
【００１８】
雌端子１５は、銅や銅合金などの銅系金属からなる薄板状の母材に対して、加工を施すことにより、箱状の接続部１９を有している。
【００１９】
この雌端子１５は、接続部１９と反対側が電源や機器などに電気的に接続され、雄端子１３のタブ状の接続部１７が挿入される接続部１９内に、タブ状の接続部１７に接触される接触部２１が設けられている。
【００２０】
接触部２１は、接続部１９内で弾性変形可能に設けられた弾性片２３に突設され、接続部１９内にタブ状の接続部１７が挿入された状態で、弾性片２３の付勢力によってタブ状の接続部１７に接触され、雄端子１３と雌端子１５とを電気的に接続させる。
【００２１】
以下、図２，図３を用いて、このような雄端子１３の接続部１７と雌端子１５の接触部２１との接触のような接点部３における本発明の実施の形態に係る接点めっき構造について説明する。
【００２２】
本実施の形態に係る接点めっき構造１は、互いに接触可能な接点部３と、接点部３の最表面に形成された表面めっき層５と、接点部３の母材７と表面めっき層５との間に形成されニッケル（Ni）からなる下地めっき層９と、表面めっき層５と下地めっき層９との間に形成され錫（Sn）からなる中間めっき層１１とを有する。
【００２３】
図２，図３に示すように、接点部３における雄端子１３（図１参照）の接続部１７の少なくとも雌端子１５（図１参照）の接触部２１と接触する部分の近傍には、表面めっき層５と、下地めっき層９と、中間めっき層１１とが形成されている。
【００２４】
なお、本実施の形態においては、表面めっき層５と下地めっき層９と中間めっき層１１とが接触部２１側にも設けられているが、接続部１７側のめっき層と同様の構成であるので、同様の符号を記して接触部２１側の説明については省略する。
【００２５】
表面めっき層５は、表面めっき層５は、金（Au）、或いは銀（Ag）からなり、接点部３（接続部１７）の最表面に形成されている。
【００２６】
この表面めっき層５は、接点部３において、接触部２１が接続部１７に接触したときに、接触部２１の表面に接触し、Au、或いはAgで構成することにより、接触抵抗を低減する。
【００２７】
下地めっき層９は、ニッケル（Ni）からなり、接点部３の母材７と表面めっき層５との間で、接点部３の母材７の表面に一体に形成されている。
【００２８】
この下地めっき層９は、接点部３の母材７を構成する銅（Cu）が、温度の上昇によって、母材７からCu原子が表面めっき層５の表面に拡散して酸化物を形成することを抑制する。
【００２９】
中間めっき層１１は、表面めっき層５と下地めっき層９との間で、表面めっき層５の表面と下地めっき層９の表面とに一体に形成されている。
【００３０】
ここで、表面めっき層５と下地めっき層９との間に中間めっき層１１を設けていない場合、接点部３の母材７の表面に下地めっき層９が一体に形成され、下地めっき層９の表面に表面めっき層５が一体に形成されていることになる。
【００３１】
このようなめっき構造において、下地めっき層９（Ni）は、表面めっき層５（Au，Ag）に比較して硬度が高く、下地めっき層９の硬度が高いと、接触部２１が接続部１７に接触したときに、表面めっき層５に変形が生じ難く、接触部２１に対する接続部１７の接触面積を稼ぐことが困難であった。
【００３２】
そこで、中間めっき層１１は、接触部２１が接続部１７に接触したときに、表面めっき層５を変形し易くする材料からなる。
【００３３】
詳細には、中間めっき層１１は、表面めっき層５のAuやAgより硬度の低い錫（Sn）からなる。
【００３４】
この中間めっき層１１を設けることにより、表面めっき層５の下地が軟らかくなって、表面めっき層５が中間めっき層１１に追従して変形し易くなる。
【００３５】
このため、表面めっき層５は、接触部２１が接続部１７に接触したときに、中間めっき層１１の変形に追従して延びやすくなり、接触部２１に対する接続部１７の接触面積を稼ぐことができる。
【００３６】
このように中間めっき層１１にSnを用いることにより、中間めっき層１１に多孔質ニッケルを用いた場合に比較して、中間めっき層１１の硬度を大きく低下させて変形し易くすることができ、接触部２１が接続部１７に接触したときの表面めっき層５の変形を促進することができる。
【００３７】
このため、中間めっき層１１に多孔質ニッケルを用いたときよりも、接触部２１が接続部１７に接触したときの接触部２１に対する接続部１７の接触面積を増大させることができ、接点部３における接触抵抗を低下させることができる。
【００３８】
このような接点めっき構造１では、表面めっき層５と下地めっき層９との間に、錫からなる中間めっき層１１が形成されているので、ニッケル（Ni）より大きく硬度の低い錫（Sn）を用いることにより、中間めっき層１１に多孔質ニッケルを用いたときに比較して、接点部３が接触したときの表面めっき層５の変形を促進でき、接点部３の接触面積を増大し、接点部３における接触抵抗を低下することができる。
【００３９】
従って、このような接点めっき構造１では、中間めっき層１１が錫（Sn）からなるので、中間めっき層１１による表面めっき層５の変形を促進させ、接点部３における接触抵抗の低下を向上することができる。
【００４０】
なお、本実施の形態に係る接点めっき構造では、雄端子と雌端子との接点部を例示しているが、これに限らず、電気的な接続を断続するスイッチ部における接点部など、互いに接触して導通する接点部であれば、どのような接点部であってもよい。
【符号の説明】
【００４１】
１…接点めっき構造
３…接点部
５…表面めっき層
７…母材
９…下地めっき層
１１…中間めっき層
【図１】
2019085627.tif 000003
【図２】
2019085627.tif 000004
【図３】
2019085627.tif 000005