(57)【要約】【課題】配線基板を個片化してパッケージ用基板を作製する際に、コア基板の切断面に破壊が生じることを抑制可能なパッケージ用基板及びその製造方法を提供する。【解決手段】パッケージ用基板は、コア基板と、前記コア基板の片面又は両面上に形成された絶縁層と、前記絶縁層上及び／又は前記絶縁層に設けられた１又は複数の配線層と、を含み、前記絶縁層の外周部分に溝構造を有する。前記絶縁層は、前記溝構造の底面から前記コア基板まで所定の長さを有する。【選択図】図１Ａ
2019009151.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コア基板と、前記コア基板の片面及び／又は両面上に形成された絶縁層と、前記絶縁層上及び／又は前記絶縁層内に形成された１又は複数の配線層と、を含むパッケージ用基板であって、
前記絶縁層の外周部分に溝構造を有し、
前記絶縁層は、前記溝構造の底面から前記コア基板まで所定の長さを有する
パッケージ用基板。
【請求項２】
前記コア基板は、ガラスで構成されている、請求項１に記載のパッケージ用基板。
【請求項３】
前記コア基板から前記溝構造の前記底面までの前記所定の長さは、８３μｍ以下である、請求項１又は２に記載のパッケージ用基板。
【請求項４】
前記溝構造の、前記コア基板の中心側に位置する内壁面の底端から、個片化断裁面までの長さは１００μｍ以上である、請求項１又は２に記載のパッケージ用基板。
【請求項５】
前記溝構造の、前記コア基板の中心側に位置する内壁面の底端から、個片化断裁面までの長さは４００μｍ以下である、請求項１又は２に記載のパッケージ用基板。
【請求項６】
パッケージ用基板の製造方法であって、
コア基板の片面及び／又は両面に少なくとも絶縁層を形成して、配線基板を形成する工程と、
前記絶縁層の所定の位置に、底面から前記コア基板まで所定の長さを有する溝構造を形成する工程と、
前記溝構造に隣接した位置において前記配線基板を切断し個片化することにより、前記溝構造を有する複数のパッケージ用基板を得る工程と、
を含む、パッケージ用基板の製造方法。
【請求項７】
前記コア基板は、ガラスで構成されている、請求項６に記載のパッケージ用基板の製造方法。
【請求項８】
前記溝構造を形成する工程は、前記配線基板の個片断裁面となる予定箇所から、前記パッケージ用基板の中心側に１つまたは複数の溝構造を形成する請求項６に記載のパッケージ用基板の製造方法。
【請求項９】
前記複数のパッケージ用基板を得る工程は、前記溝構造どうしの間の部分の中央部分において前記配線基板をダイシングすることにより前記配線基板を切断する、請求項６乃至８のいずれか１項に記載のパッケージ用基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パッケージ用基板、およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子部品等のパッケージ用基板は、コア基板に配線層と絶縁層とを積層して多数の配線パターンを備えた大判の配線基板を形成した後、配線基板を所要寸法にダイシングしてパッケージ用基板に個片化することにより製造される。
【０００３】
また、配線基板を作成する際に、コア基板上にコア基板とは線膨張係数の異なる樹脂層（絶縁層）と配線層とを複数積層するため、温度変化があると、線膨張係数の差により樹脂層、配線層、コア基板で膨張差が大きくなり、コア基板外周部に応力が発生することが知られている。
【０００４】
また、近年のパッケージ用基板で用いられるコア基板には、電気的特性には優れるものの、脆弱な材料により形成されたものがある。コア基板が割れの起きやすい脆性材料で構成されている場合、ダイシングによってコア基板を切断する際に発生する衝撃によりコア基板の切断面に微小なクラックが生じることがある。このコア基板断面の微小なクラックにより、ダイシング直後またはその後の工程での温度変化により、クラック部分からコア基板内部に蓄積された内部応力が開放されるため、クラックが広がり、コア基板が裂ける可能性がある。コア基板をガラス基板とする積層体の場合、数十μｍより厚いガラス基板では、その端面から割れる問題が起き易い。また、ガラス基板の場合、ダイシングの衝撃によりチッピングを生じ易い。
【０００５】
このような割れを発生させない個片化法としては、例えばコア基板のパッケージ用基板外周部にあたる部分に金属層を形成し、個片化後に露出した金属層をエッチング処理により取り除き、コア基板と絶縁層で確定される溝部を作製する方法がある。この溝部により、コア基板の外周付近に応力が加わることを抑制することができるため、コア基板に破壊が生じることを、簡易な構成によって効果的に抑制することができる（例えば、特許文献１参照。）。
【０００６】
しかしながら、この方法では、コア基板上の金属層をダイシングブレードで切断するため、ダイシングブレードの目詰まりが生じることにより切削力が低下すると、コア基板断面にかえって多くのクラックを発生させてしまう。そのため、ダイシング工程により個片化した直後にコア基板の破壊が生じる懸念があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０１５−２３１００５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
そこで、本発明は、コア基板上に、絶縁層と配線層とを積層した配線基板を個片化してパッケージ用基板を作製する際または作製後に、温度変化によってコア基板の切断面に破壊が生じることを抑制可能なパッケージ用基板及びその製造方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一態様は、コア基板と、前記コア基板の片面又は両面上に形成された絶縁層と、前記絶縁層上及び／又は前記絶縁層内に形成された１又は複数の配線層と、を含むパッケージ用基板であって、前記絶縁層の外周部分に溝構造を有し、前記絶縁層は、前記溝構造の底面から前記コア基板まで所定の長さを有するパッケージ用基板である。  本発明の他の態様に係るパッケージ用基板では、前記コア基板は、ガラスで構成されている。
【００１０】
本発明のさらに他の態様に係るパッケージ用基板では、前記溝構造における前記コア基板から前記溝構造の底面までの長さは、８３μｍ以下である。
【００１１】
本発明のさらに他の態様に係るパッケージ用基板では、前記溝構造の、前記コア基板の中心側に位置する内壁面の底端から、個片化断裁面までの長さは１００μｍ以上である。
【００１２】
本発明のさらに他の態様に係るパッケージ用基板では、前記溝構造の、前記コア基板の中心側に位置する内壁面の底端から個片化断裁面までの長さは４００μｍ以下である。
【００１３】
本発明のさらに他の態様は、パッケージ用基板の製造方法であって、コア基板の片面及び／又は両面に少なくとも絶縁層を形成して、配線基板を形成する工程と、前記絶縁層の所定の位置に、底面から前記コア基板まで所定の長さを有する溝構造を形成する工程と、前記溝構造に隣接した位置において前記配線基板を切断することにより、前記溝構造を有する複数のパッケージ用基板を得る工程とを含む、パッケージ用基板の製造方法である。
【００１４】
本発明のさらに他の態様に係るパッケージ用基板の製造方法では、前記コア基板は、ガラスで構成されている。
【００１５】
本発明のさらに他の態様に係るパッケージ用基板の製造方法では、前記溝構造を形成する工程は、前記コア基板の個片化断裁面から、前記パッケージ用基板の中心側の位置に１つまたは複数の前記複数の溝構造を形成する。  本発明のさらに他の態様に係るパッケージ用基板の製造方法では、前記複数のパッケージ用基板を得る工程は、前記溝構造どうしの間の部分の中央部分において前記配線基板をダイシングすることにより前記配線基板を切断する。
【発明の効果】
【００１６】
本発明に係るパッケージ用基板及びその製造方法によれば、配線基板を個片化することにより作製されたパッケージ用基板に対し、作製時や実装時において大きな温度変化がかかっても、コア基板断面の割れが発生することを抑制可能な信頼性の高いパッケージ用基板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１Ａ】本発明の一実施形態に係るパッケージ用基板を示す断面図である。
【図１Ｂ】本発明の一実施形態に係るパッケージ用基板を示す上面図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る配線基板の断面図である。
【図３】本発明の一実施形態に係るパッケージ用基板を製造する工程を説明する模式図である。
【図４】本発明の一実施形態に係るパッケージ用基板を製造する工程を説明する模式図である。
【図５】本発明の一実施形態に係るパッケージ用基板を製造する工程を説明する模式図である。
【図６】本発明の一実施形態に係るパッケージ用基板を製造する工程を説明する模式図である。
【図７】本発明の一実施形態に係るパッケージ用基板を製造する工程を説明する模式図である。
【図７Ａ】本発明の一実施形態に係る構造のコア基板の中心側の内壁面の底端を説明する断面図。
【図８】本発明の一実施形態の実施例２に係るパッケージ用基板を製造する工程を説明する模式図である。
【図９】本発明の一実施形態の実施例２に係るパッケージ用基板を製造する工程を説明する模式図である。
【図１０】本発明の一実施形態の実施例２に係るパッケージ用基板を製造する工程を説明する模式図である。
【図１１】本発明の一実施形態の実施例３に係るパッケージ用基板を製造する工程を説明する模式図である。
【図１２】本発明の一実施形態の実施例３に係るパッケージ用基板を製造する工程を説明する模式図である。
【図１３】本発明の一実施形態の実施例３に係るパッケージ用基板を製造する工程を説明する模式図である。
【図１４】本発明の一実施形態の実施例３に係るパッケージ用基板を製造する工程を説明する模式図である。
【図１５】本発明の一実施形態の実施例３に係るパッケージ用基板を製造する工程を説明する模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明の一実施形態に係るパッケージ用基板とその製造方法の実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、以下に示す実施形態は、本発明の単なる一例であって、適宜設計変更可能である。
【００１９】
本実施形態において、「パッケージ用基板」とは、配線基板を個片化したもの（積層体）をいう。また、「配線基板」とは、個片化される前のパッケージ用基板が連結された状態のものをいう。
【００２０】
上述のように、コア基板上に絶縁層及び配線層を形成し、ダイシングを行った場合、ダイシングの際に発生する衝撃によりコア基板の切断面に微小なクラックが発生し易いことが知られている。絶縁層及び配線層の熱応力がコア基板に引っ張り応力を発生させ、この引っ張り応力がコア基板のクラックを拡大させることでコア基板の割れにつながる。
【００２１】
そこで、本発明者は、コア基板の切断面付近においてコア基板上に形成された絶縁層を一部除去し、コア基板の表面上に溝構造を設けることにより、コア基板に加わる引っ張り応力を軽減してコア基板に割れが発生することを抑制できることを見出し、本発明に至った。
【００２２】
（パッケージ用基板）
図１Ａは、本発明に係るパッケージ用基板の断面図である。図１Ａに示されるように、パッケージ用基板２００は、コア基板１０と、コア基板１０の厚さ方向の両面に積層された１又は複数の配線層３０と、コア基板１０上および配線層３０上に形成された１又は複数の絶縁層２０とを含む。パッケージ用基板２００は、絶縁層２０に、溝構造４０を有する。図１Ｂにおけるパッケージ用基板２００の上面図に示すように、溝構造４０は、パッケージ用基板２００外周部分に設けられている。なお、図１Ｂでは、配線層３０は簡略化のため省略している。
【００２３】
図２は、本発明に係る配線基板１００の断面図である。図２に示す配線基板１００を、後述の方法によって個片化することにより、パッケージ用基板２００を作製することができる。図３乃至図１５は、本発明に係るパッケージ用基板を製造する工程を説明する模式図である。
【００２４】
（コア基板）
図１Ａに示すように、コア基板１０は、配線基板１００および配線基板１００を個片化した後のパッケージ用基板２００の電気特性を向上させる材料で構成することができる。例えば、コア基板１０としては、ガラス基板、シリコン基板、セラミック基板、プラスチック板、プラスチックテープ等のいずれか１の脆性材料を用いることができ、好ましくはガラス基板を用いることができる。すなわち、コア基板１０は、ガラスで構成されることが好ましい。本発明のコア基板１０に用いるガラス基板としては、例えば、ソーダライムガラスやアルミノ珪酸塩ガラスが挙げられる。本発明のコア基板１０に用いるガラス基板は、その表面が当分野で一般的に行われている方法により処理されたものであってもよく、例えば、表面に粗化処理を行ったもの、フッ酸で処理したもの、または、ガラス基板表面にシリコン処理を施したものであってもよい。本発明の一態様において、コア基板１０に用いるガラス基板は表面に下地層（図示せず）を形成してもよい。コア基板１０の厚さは、特に限定されないが、好ましくは５０μｍ〜８００μｍである。なお、この範囲は、５０μｍ及び８００μｍを含む。
【００２５】
（配線層）
配線層３０は、コア基板１０の厚さ方向の表面上並びに／または絶縁層２０の表面上及び／若しくは内部に形成される。本発明の一態様において、少なくとも一部の配線層３０はコア基板１０に接するように形成される。また、本発明の他の態様において、配線層３０はコア基板１０と接しなくてもよい。配線層３０は一層であってもよく、また複数の層であってもよい。
【００２６】
配線層３０は、当分野で通常用いられる導電性材料を用いて形成することができる。具体的には、配線層３０は、銅、銀、すず、金、タングステン、導電性樹脂などのいずれか１つを用いて形成することができ、好ましくは銅が用いられる。
【００２７】
また、配線層３０は、当分野で一般的に行われている方法により形成することができる。配線層３０の形成方法は、これらに限定されないが、サブトラクティブ法、セミアディティブ法、インクジェット法、スクリーン印刷、グラビアオフセット印刷を用いることができ、好ましくはセミアディティブ法を用いることができる。配線層３０の厚さの合計は、形成方法によるが、例えば、１μｍ〜１００μｍである。この範囲は、１μｍ及び１００μｍを含む。
【００２８】
（絶縁層）
本発明の一態様において、絶縁層２０はコア基板１０及び配線層３０上に形成されており、その内部に配線層３０が埋め込まれている。絶縁層２０は一層であってもよく、また複数の層であってもよい。
【００２９】
絶縁層２０は、当分野で通常用いられる絶縁性材料を用いて形成することができる。具体的には、絶縁層２０は、エポキシ樹脂系材料、エポキシアクリレート系樹脂、ポリイミド系樹脂などを用いて形成することができる。これらの絶縁性材料は、充填剤を含んでもよい。絶縁層２０を形成する絶縁性材料としては、線膨張係数が７〜１３０ｐｐｍ／Ｋのエポキシ配合樹脂が一般的に入手し易く好ましい。なお、この範囲は、７ｐｐｍ／Ｋ、及び、１３０ｐｐｍ／Ｋを含む。
【００３０】
また、絶縁層２０を形成する絶縁性材料は、液状であっても、フィルム状であってもよい。絶縁性材料が液状の場合、絶縁層２０は、スピンコート法、ダイコータ法、カーテンコータ法、ロールコータ法、ドクターブレード法、スクリーン印刷などの当分野で一般的に行われている方法により形成することができる。絶縁性材料がフィルム状の場合、例えば真空ラミネート法により絶縁層２０を形成することができる。上記のように形成された絶縁層２０は、加熱または光照射により硬化させてもよい。絶縁層２０の厚さの合計は、形成方法によるが、例えば、１μｍ〜２００μｍである。この範囲は、１μｍ及び２００μｍを含んでいる。
【００３１】
（パッケージ用基板の形成）
本発明の一態様のパッケージ用基板２００は、これらに限定されるものではないが、図２〜図８に示す工程にしたがって形成することができる。
【００３２】
まず、図２に示すように、コア基板１０の厚さ方向の表面に、上述した方法を用いて配線層３０と絶縁層２０を形成する。
【００３３】
次いで、図３に示すように、配線基板１００における絶縁層２０の所定の位置に、第１のダイシングブレード６０を用いて片側面から、コア基板１０が露出しない深さの溝構造４０を形成する。次に、図４に示すように、裏面も同様にして、溝構造４０を形成する。なお、溝構造４０の底面４３からコア基板１０までの長さは、パッケージ用基板２００のコア基板１０の端面（個片化断裁面）に、絶縁層２０及び配線層３０の熱応力が作用した場合であっても、コア基板１０に割れが誘発されることが防止可能な長さである。この長さは、コア基板１０、絶縁層２０及び配線層３０のそれぞれの厚みや材質によって変わるが、例えば実験によって得ることができる。コア基板１０から溝構造４０の底面４３までの長さは、コア基板１０、絶縁層２０、及び配線層３０のそれぞれの厚みや材質によって変わるが、実験的に０より大きく８３μｍ以下であることが好ましいことがわかった。
【００３４】
その後、図５及び図６に示すように、溝構造４０どうしの間の部分中央部分の位置で、第２のダイシングブレード７０によってダイシングして配線基板１００を個片化することにより、複数のパッケージ用基板２００を形成する。
【００３５】
溝構造４０は個片化用のダイシングラインから等距離の部分にあるため、第２のダイシングブレード７０で配線基板１００を切断することにより作製されたパッケージ用基板２００は、外周付近の表面上に格子状の溝構造４０を有する。溝構造４０は、パッケージ用基板２００の中心側、すなわちコア基板１０の中心側に位置する内壁面４１、内壁面４１に対して外側に位置する内壁面４２、及び、底面４３を有している。内壁面４１，４２は、コア基板１０の厚み方向に平行な平面である。底面４３は、コア基板１０の表面に例えば平行な平面である。
【００３６】
図７に示すように、パッケージ用基板２００の前記溝構造４０のコア基板１０の中心側の内壁面４１の底端４４から個片化断裁面までの長さｗ２、すなわち溝構造４０では基板中心側に位置する内壁面４１から、個片化断裁面までの長さｗ２は、絶縁層２０及び配線層３０の厚みや材質によって変わるが、実験的に１００μｍ以上４００μｍ以下が好ましいことが分かった。ここで、配線基板１００の一方の面及び他方の面で、長さｗ２が異なるように構成してもよい。なお、長さｗ２は、溝構造４０を形成する第１のダイシングブレード６０の厚みと、溝構造４０の外側の内壁面４２から個片化断裁面１までの長さｗ３の合計値である。なお、内壁面４１は、内壁面４１と底面４３との間の稜部Ｒが曲面となる場合は、この曲面となる稜部Ｒを含まない。例えば、第１のダイシングブレード６０の角が直角ではなく曲面となっている場合では、この曲面により稜部Ｒが曲面に形成される。この点について、図７Ａを用いて説明する。図７Ａは、内壁面４１及び底面４３の間の稜部Ｒ及びその近傍を示す断面図である。稜部Ｒが曲面に形成された場合では、図７Ａに示すように、内壁面４１の底端４４は、曲面に形成された稜部Ｒと平面に形成された内壁面４１との交線となる。内壁面４１と底面４３とが直交する場合は、すなわち、稜部Ｒが互いに直交する平面により構成される場合は、内壁面４１と底面４３との交線が、内壁面４１の底端４４となる。なお、稜部Ｒが直交する場合だけでなく、稜部Ｒが互いに所定の角度で交差する平面により構成される場合であっても、同様にこの交線が内壁面４１の底端４４となる。
【００３７】
以上のようにして、配線基板１００が溝構造４０どうしの間の部分の中央部分でスクライブ又はダイシングして個片化することにより、図７に示すようなパッケージ用基板２００が複数形成されることになる。
【００３８】
このようなパッケージ用基板２００とすることにより、パッケージ用基板全体の絶縁層２０の熱応力と配線層３０の熱応力が緩和される。このことにより、コア基板１０の端面（個片化断裁面）に作用する引っ張り応力が低減するので、コア基板１０の割れの発生を低減することができる。また、溝構造４０により、コア基板１０が変位しやすくなり、第２のダイシングブレード７０からの衝撃を吸収しやすくなる。この為、第２のダイシングブレード７０を用いて、配線基板１００を個片化する際に、コア基板１０のチッピングを抑制することができる。ここで、パッケージ用基板２００の両面に溝構造４０を形成する例を示したが、これに限定されず、片面のみに溝構造４０を形成するように構成してもよい。
【００３９】
（実施例１）
以下、本発明の各実施例について説明するが、以下の実施例は本発明の適用範囲を限定するものではない。
【００４０】
コア基板１０をアルミノ珪酸塩ガラスで構成し、コア基板１０の板厚寸法を３００μｍとした。コア基板１０の厚さ方向の両面に、セミアディティブ法を使用して銅めっきにより５μｍの厚みの配線層３０を形成した。コア基板１０に配線層３０を積層した後は、コア基板１０の両面から線膨張係数が２３ｐｐｍ／Ｋのエポキシ配合樹脂である絶縁性材料を１００℃で真空ラミネートすることにより積層し、絶縁層２０を形成した。
さらにレーザビア加工によるビアの作製と配線層３０の形成と絶縁層２０の形成を繰り返すことで、図２に示すように、コア基板１０の両面に、４層の配線層３０と３層の絶縁層２０を積層して、配線基板１００を作製した。
【００４１】
次に、図３に示すように、配線基板１００を個片化するための所定の切断ラインから所定距離離れた箇所に、第１のダイシングブレード６０により、片面側から、底面の溝幅１５０μｍの溝構造４０を絶縁層２０に設けた。溝構造４０の底面４３は、図７に示すように、コア基板からｄｍの長さがあり、ｄｍは５μｍとした。次に、図４に示すように、裏面側からも同様の溝構造４０を絶縁層２０に設けた。
【００４２】
次に図５に示すように溝構造４０どうしの間の部分の中央部分の位置で、上述の所定の断裁ラインで個片化されるように、幅ｗ１の第２のダイシングブレード７０によって配線基板１００を個片化することにより、図６に示すようなパッケージ用基板２００を得た。パッケージ用基板２００の平面形状の大きさは、その平面形状が１００ｍｍ×１００ｍｍとした。第１のダイシングブレード６０の幅ｗ１は１５０μｍとし、第２のダイシングブレード７０の幅ｗ１は１５０μｍ、溝構造４０のコア基板１０の中心側の内壁面４１の底端４４から個片化断裁面１までの長さｗ２は４００μｍとした。
【００４３】
実施例において作製した１０個のパッケージ用基板２００に対し、１２５℃から−５５℃の温度変化を与える試験ＭＩＬ−ＳＴＤ−８８３Ｈを１０００サイクル行った。その結果、作製したパッケージ用基板２００においてコア基板１０に割れが生じず、パッケージ用基板２００の信頼性の低下は起きなかった。
【００４４】
（実施例２）
実施例１と同様の手法により配線基板１００を作製した後に、図８に示すように、配線基板１００を個片化するための所定の切断ラインからｗ２離れた箇所に、レーザ加工または第１のダイシングブレード６０による加工により、片面側から、底面の溝幅１５０μｍの溝構造５０を絶縁層２０に設けた。溝構造５０は、例えば、パッケージ用基板２００の表面からコア基板１０に向かうにつれて幅が漸次小さくなる形状に形成されている。溝構造５０は、コア基板１０の中心側に位置する内壁面５１、内壁面５１に対して反対側に位置する内壁面５２、及び、底面５３を有する。内壁面５１，５２は、コア基板１０の厚み方向に対して傾斜する平面である。内壁面５１，５２の間の長さは、底端に向かうにつれて漸次短くなる。底面５３は、例えばコア基板１０の表面に平行な平面である。溝構造５０の底面５３は、図１０に示すようにコア基板１０からｄｍの長さがあり、ｄｍは５μｍとした。次に、図９に示すように、裏面側からも同様の溝構造５０を絶縁層２０に設けた。
【００４５】
なお、溝構造５０においても、溝構造４０のように、底面５３からコア基板１０までの長さｄは、実験的に、０より大きく８３μｍ以下であることが好ましい。コア基板１０の中心側の内壁面５１の底端５４から個片化断裁面１までの長さｗ２は、実験的に、１００μｍ以上であって４００μｍ以下であることが好ましい。
【００４６】
次に図１０に示すように溝構造５０どうしの間の部分の中央部分の位置で、幅ｗ１の第２のダイシングブレード７０によって配線基板１００を個片化することにより、図１０に示すようなパッケージ用基板２００を得た。パッケージ用基板２００の平面形状の大きさは１００ｍｍ×１００ｍｍとした。第１のダイシングブレード６０の幅ｗ１は１５０μｍとし、第２のダイシングブレード７０の幅ｗ１は１５０μｍとした。溝構造５０中心側の内壁面５１の底端から個片化断裁面１までの長さｗ２は４００μｍとした。  なお、内壁面５１は、内壁面５１と底面５３との間の稜部が曲面となる場合は、この曲面を含まない。例えば、第１のダイシングブレード６０の角が直角ではなく曲面となっている場合では、この曲面が稜部となる。この場合では、内壁面５１の底端５４は、曲面に形成された稜部と平面に形成された内壁面４１との交線となる。内壁面５１と底面５３とが直交する場合は、内壁面５１と底面５３との交線が、内壁面５１の底端となる。
【００４７】
実施例において作製した１０個のパッケージ用基板２００に対し、１２５℃から−５５℃の温度変化を与える試験ＭＩＬ−ＳＴＤ−８８３Ｈを１０００サイクル行った。その結果、作製したパッケージ用基板２００においてコア基板１０の割れが生じず、パッケージ用基板２００の信頼性の低下は起きなかった。
【００４８】
（実施例３）
図１１に示すように実施例１と同様の手法により配線基板１００を作製した後に、図１２及び図１５に示すように、配線基板１００を個片化するための所定の切断ラインから所定距離離れた箇所と、断裁予定の箇所に、それぞれ、レーザ加工または第１のダイシングブレード６０により、片面側から、底面の溝幅１５０μｍの溝構造５０を絶縁層２０に設けた。次に図１３に示すように、断裁予定の箇所に形成された溝構造５０の底面５３の溝幅内の中央部分の位置で、幅ｗ１の第２のダイシングブレード７０によって配線基板１００を個片化することにより、図１５に示すようなパッケージ用基板２００を得た。パッケージ用基板２００の平面形状の大きさは１００ｍｍ×１００ｍｍとした。溝構造５０を第１のダイシングブレード６０で形成する場合、第１のダイシングブレード６０の幅ｗ１は１５０μｍとし、第２のダイシングブレード７０の幅は１５０μｍとした。溝構造５０のコア基板１０の中心側の内壁面５２の底端５４から個片化断裁面１までの長さｗ２は４００μｍとした。
【００４９】
実施例において作製した１０個のパッケージ用基板２００に対し、１２５℃から−５５℃の温度変化を与える試験ＭＩＬ−ＳＴＤ−８８３Ｈを１０００サイクル行った。その結果、作製したパッケージ用基板２００においてコア基板１０に割れが生じず、パッケージ用基板２００の信頼性の低下は起きなかった。
【００５０】
以上のように、本発明に係るパッケージ用基板は、コア基板１０上に形成された絶縁層２０の一部を除去することにより作られた溝構造４０または溝構造５０を有している。それにより、溝構造４０または溝構造５０においてコア基板１０上に絶縁層２０が薄くなっていることにより絶縁層２０と配線層３０の熱応力を緩和できるため、コア基板１０の端部に発生した微小なクラックが、絶縁層２０と配線層３０の熱応力によって拡大することを抑制し、コア基板１０に割れが発生することを抑制することができる。
【００５１】
なお、本実施形態では、コア基板１０の両面に、配線層３０及び絶縁層２０が積層されている。さらに、絶縁層２０内に配線層３０が形成されている。さらに、絶縁層２０の両表面に配線層３０が形成されている。他の例では、コア基板１０の片面のみに、上述のように絶縁層２０及び配線層３０が形成されてもよい。配線層３０は、コア基板１０の片面及びまたは両面に形成されなくてもよい。配線層３０は、絶縁層２０の表面に形成されなくてもよい。配線層３０は、絶縁層２０の内部に形成されなくてもよい。
【００５２】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で種々に変形することが可能である。また、各実施形態は適宜組み合わせて実施してもよく、その場合組み合わせた効果が得られる。更に、上記実施形態には種々の発明が含まれており、開示される複数の構成要件から選択された組み合わせにより種々の発明が抽出され得る。例えば、実施形態に示される全構成要件からいくつかの構成要件が削除されても、課題が解決でき、効果が得られる場合には、この構成要件が削除された構成が発明として抽出され得る。
【符号の説明】
【００５３】
１…個片化断裁面
１０…コア基板
２０…絶縁層
３０…配線層
４０…溝構造
４１…内壁面
４２…内壁面
４３…底面
４４…底端
５０…溝構造
５１…内壁面
５２…内壁面
５３…底面
５４…底端
６０…第１のダイシングブレード
７０…第２のダイシングブレード
１００…配線基板
２００…パッケージ用基板
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図７Ａ】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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