(57)【要約】【課題】本発明は、抵抗値変動が生じる可能性を低減できるチップ抵抗器を提供することを目的とするものである。【解決手段】本発明のチップ抵抗器は、絶縁基板１１と、前記絶縁基板１１の上面の両端部に設けられた一対の上面電極１２と、前記絶縁基板１１の上面に設けられ、かつ前記一対の上面電極１２間に形成された抵抗体１３と、前記抵抗体１３と前記一対の上面電極１２の一部を覆うように設けられた樹脂またはガラスからなる保護膜１４と、露出する前記一対の上面電極１２に形成されためっき層１６とを備え、前記めっき層１６と前記保護膜１４の間に物理気相成長法で形成された金属層１７を設けるようにしたものである。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板と、前記絶縁基板の上面の両端部に設けられた一対の上面電極と、前記絶縁基板の上面に設けられ、かつ前記一対の上面電極間に形成された抵抗体と、前記抵抗体と前記一対の上面電極の一部を覆うように設けられた樹脂またはガラスからなる保護膜と、前記保護膜から露出する前記一対の上面電極に形成されためっき層とを備え、前記めっき層と前記保護膜の間に物理気相成長法で形成された金属層を設けるようにしたチップ抵抗器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、各種電子機器に使用される厚膜抵抗体で形成された小形のチップ抵抗器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来のこの種のチップ抵抗器は、図２に示すように、絶縁基板１と、この絶縁基板１の上面の両端部に設けられた一対の上面電極２と、絶縁基板１の裏面の両端部に設けられた一対の裏面電極２ａと、絶縁基板１の上面に設けられ、かつ一対の上面電極２間に形成された抵抗体３と、露出する抵抗体３と一対の上面電極２の一部を覆うように設けられた樹脂またはガラスからなる保護膜４と、一対の上面電極２、一対の裏面電極２ａと電気的に接続されるように絶縁基板１の両端面に設けられた一対の端面電極５と、露出する一対の上面電極２と一対の端面電極５の表面に保護膜４と接するように形成されためっき層６とを備えていた。
【０００３】
なお、この出願の発明に関する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献１が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１３−１７５５２３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記した従来のチップ抵抗器においては、めっき層６と直接接している保護膜４は樹脂またはガラスで形成されているため、めっき層６と保護膜４との密着性が弱くなり、これにより、熱衝撃による応力が加わると、めっき層６と保護膜４とが剥離する可能性があった。
【０００６】
そして、めっき層６と保護膜４との剥離による亀裂が進行して、一対の上面電極２とめっき層６との間にも亀裂が生じ、この結果、抵抗値が変動する可能性があるという課題を有していた。
【０００７】
本発明は上記従来の課題を解決するもので、抵抗値変動が生じる可能性を低減できるチップ抵抗器を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するために本発明は、絶縁基板と、前記絶縁基板の上面の両端部に設けられた一対の上面電極と、前記絶縁基板の上面に設けられ、かつ前記一対の上面電極間に形成された抵抗体と、前記抵抗体と前記一対の上面電極の一部を覆うように設けられた樹脂またはガラスからなる保護膜と、前記保護膜から露出する前記一対の上面電極の表面に形成されためっき層とを備え、前記めっき層と前記保護膜の間に物理気相成長法で形成された金属層を設けるようにしている。
【発明の効果】
【０００９】
本発明のチップ抵抗器は、物理気相成長法で形成された金属層は保護膜との密着性がよく、また、めっき層と金属層は金属同士であるため、密着性がよく、これにより、めっき層と保護膜との密着性を向上させることができるため、めっき層と保護膜との剥離を防止
でき、この結果、めっき層と保護膜との剥離による亀裂が、一対の上面電極とめっき層との間にも進行するのを防ぐことができ、抵抗値変動が生じる可能性を低減できるという優れた効果を奏するものである。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の一実施の形態におけるチップ抵抗器の断面図
【図２】従来のチップ抵抗器の断面図
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の一実施の形態におけるチップ抵抗器について、図面を参照しながら説明する。
【００１２】
図１は本発明の一実施の形態におけるチップ抵抗器の断面図である。
【００１３】
本発明の一実施の形態におけるチップ抵抗器は、図１に示すように、絶縁基板１１と、前記絶縁基板１１の上面の両端部に設けられた一対の上面電極１２と、前記絶縁基板１１の上面に設けられ、かつ前記一対の上面電極１２間に形成された抵抗体１３と、前記抵抗体１３と前記一対の上面電極１２の一部を覆うように設けられた保護膜１４と、前記一対の上面電極１２と電気的に接続されるように前記絶縁基板１１の両端面に設けられた一対の端面電極１５と、露出する前記一対の上面電極１２と前記一対の端面電極１５の表面に形成されためっき層１６とを備えている。
【００１４】
また、前記めっき層１６と前記保護膜１４との間に、スパッタで形成された金属層１７が設けられている。
【００１５】
上記構成において、前記絶縁基板１１は、Ａｌ2Ｏ3を９６％含有するアルミナで構成され、その形状は矩形状となっている。
【００１６】
また、前記一対の上面電極１２は、絶縁基板１１上面の両端部に設けられ、銀、銀パラジウム、または銅からなる厚膜材料を印刷、焼成することによって形成されている。
【００１７】
なお、前記一対の上面電極１２上にさらに別の上面電極を形成してもよく、また、絶縁基板１１裏面の両端部に裏面電極１２ａを形成してもよい。
【００１８】
さらに、前記抵抗体１３は、絶縁基板１１の上面において、一対の上面電極１２間に、銀パラジウム、酸化ルテニウム、または銅ニッケルからなる厚膜材料を印刷した後、焼成することによって形成されている。
【００１９】
そして、抵抗体１３を覆うようにプリコートガラスなどの保護ガラス層を設けてもよい。さらに、抵抗体１３に抵抗値調整用のトリミング溝（以下、図示せず）を設けてもよい。
【００２０】
また、前記保護膜１４は、一対の上面電極１２の一部と抵抗体１３を覆うように、エポキシ樹脂からなる厚膜材料またはガラスにより設けられている。
【００２１】
前記一対の端面電極１５は、絶縁基板１１の両端部に設けられ、一対の上面電極１２と電気的に接続されるように、Ａｇと樹脂からなる材料を印刷することによって形成される。
【００２２】
さらに、この一対の端面電極１５の表面には、Ｎｉめっき層、Ｓｎめっき層からなるめ
っき層１６が形成されている。このとき、めっき層１６は、保護膜１４から露出した一対の上面電極１２を覆うように一対の上面電極１２と接続され、かつ保護膜１４と接する。
【００２３】
そして、前記金属層１７は、めっき層１６と保護膜１４との間に設けられ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕのうち少なくとも１つからなる金属を、マグネトロンスパッタ、ＲＦマグネトロンスパッタによってスパッタリングすることによって形成されたスパッタ層である。
【００２４】
したがって、めっき層１６と保護膜１４の両端部とは金属層１７を介して配置されている。また、金属層１７は、一対の上面電極上に位置している。
【００２５】
さらに、金属層１７として、真空蒸着などの他の物理気相成長法（物理蒸着法、ＰＶＤ）で形成してもよい。金属層１７は、めっき層１６と保護膜１４間において上方に露出し、また、樹脂を含まず、ほぼ純金属で構成されている。
【００２６】
金属層１７は、めっき層１６となる部分と保護膜１４との間に隙間が形成されるようにマスクし、上方からスパッタ、蒸着することによって形成する。金属層１７の形成後にめっき層１６を形成する。
【００２７】
上記したように本発明の一実施の形態においては、金属層１７をスパッタで形成しているため、金属層１７と保護膜１４との密着性がよく、また、めっき層１６と金属層１７とは金属同士であるため、密着性がよい。
【００２８】
これにより、めっき層１６と保護膜１４との密着性を向上させることができるため、めっき層１６と保護膜１４との剥離を防止でき、この結果、めっき層１６と保護膜１４との剥離による亀裂が、一対の上面電極１２と（さらに別の上面電極を設ける場合は別の上面電極と）めっき層１６との間にも進行するのを防ぐことができ、抵抗値変動が生じる可能性を低減できるという効果が得られるものである。
【００２９】
すなわち、特に金属層１７をスパッタで形成することによって、金属層１７を構成する金属粒子の持つエネルギーが大きくなり、絶縁物の保護膜１４であっても金属層１７との付着力が大きくなる。また、金属層１７を、樹脂を含まないほぼ純金属で構成できるため、めっき層１６との密着性も向上する。
【００３０】
なお、金属層１７の代わりに樹脂を含有する材料を用いた場合は、樹脂とめっき層１６との密着性が悪いため、採用できない。
【産業上の利用可能性】
【００３１】
本発明に係るチップ抵抗器は、抵抗値変動が生じる可能性を低減できるという効果を有するものであり、特に、各種電子機器に使用され厚膜抵抗体で形成された小形のチップ抵抗器等において有用となるものである。
【符号の説明】
【００３２】
１１  絶縁基板
１２  一対の上面電極
１３  抵抗体
１４  保護膜
１６  めっき層
１７  金属層
【図１】
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【図２】
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