(57)【要約】【課題】金属粒子を含有するはんだを必要とすることなく、はんだ層に最小限の厚みを確保する。【解決手段】本明細書が開示する半導体装置は、第１部材と、第１部材にはんだ層を介して接合される第２部材とを備える。第２部材のはんだ層に接する表面には、凹部とそれに隣接する凸部とを有する凹凸部が、複数個所に設けられており、複数の凹凸部は、平面視したときに、第１部材の中心から離れた位置に設けられている。また、各々の凹凸部は、凹部の深さ寸法が凸部の高さ寸法よりも大きくなるように、設けられていてもよい。【選択図】図２
2019149479.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１部材と、
前記第１部材にはんだ層を介して接合される第２部材と、
を備え、
前記第２部材の前記はんだ層に接する表面には、凹部とそれに隣接する凸部とを有する凹凸部が、複数個所に設けられており、
前記複数の凹凸部は、平面視したときに、前記第１部材の中心から離れた位置に設けられている、
半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本明細書が開示する技術は、半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１に、半導体装置が開示されている。この半導体装置では、半導体素子を含む複数の部材が、はんだ層を介して接合されている。いくつかのはんだ層には、金属粒子を含有するはんだが採用されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００５−１３６０１８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記した半導体装置では、はんだ層にボイドが存在していると、半導体装置の耐久性が大きく低下する。そのことから、半導体装置の製造工程では、例えば超音波を用いた検査を実施することによって、はんだ層に存在するボイドを検出している。超音波を用いた検査では、はんだ層が最小限の厚みを有していないと、ボイドを正しく検出することができない。この点に関して、特許文献１に記載のように、金属粒子を含有するはんだを採用することで、はんだ層に最小限の厚みを確保することも考えられる。これに対して、本明細書は、金属粒子を含有するはんだを必要とすることなく、はんだ層に最小限の厚みを確保し得る技術を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本明細書が開示する半導体装置は、第１部材と、第１部材にはんだ層を介して接合される第２部材とを備える。第２部材のはんだ層に接する表面には、凹部とそれに隣接する凸部とを有する凹凸部が、複数個所に設けられており、複数の凹凸部は、平面視したときに、第１部材の中心から離れた位置に設けられている。ここでいう平面視とは、第１部材と第２部材の間に位置するはんだ層に対して垂直な方向から観察することを意味し、当該方向における位置関係は無視される。
【０００６】
上記した半導体装置では、第２部材のはんだ層に接する表面に、複数の凸部が形成されている。このような構成によると、複数の凸部が、第１部材に当接することによって、はんだ層に最小限の厚みが確保される。特に、複数の凸部は、第１部材の中心から離れた位置に設けられているので、第１部材を安定して支持することができる。これにより、金属粒子を含有するはんだを用いることなく、はんだ層の厚みを確保することができる。
【０００７】
各々の凸部には、凹部が隣接して設けられている。凹部が形成された位置では、第１部材と第２部材との間の距離が大きくなるので、第１部材から第２部材への熱伝導性が局所的に低下する。その結果、第１部材では、第２部材の凹部に対向する位置において、その温度が比較的に高まりやすい。ここで、第２部材の複数の凹部は、第１部材の中心から離れた位置（即ち、第１部材の周縁部分）に設けられているので、第１部材の周縁部分の温度を上昇させることになる。通常、第１部材の温度は、中心部分で高くなりやすく、周縁部分で低くなりやすい。そのことから、第２部材に設けられた凹部により、第１部材の周縁部分の温度が上昇することによって、第１部材の中心部分と周縁部分との間で生じる温度差が緩和され、第１部材において生じる熱応力が低減される。
【０００８】
加えて、凹部に凸部が隣接していると、例えばプレス加工などにより、凹部と凸部とを同時に加工することができ、凹凸部を容易に形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】実施例の半導体装置１０の平面図。
【図２】半導体装置１０の内部構造を示す平面図。
【図３】図１のＩＩＩ−ＩＩＩ線における内部構造を示す断面図。
【図４】第１上側放熱板２２の下面図。
【図５】図４のＶ−Ｖ線における断面図。
【図６】図４のＶＩ−ＶＩ線における断面図。
【図７】第１上側放熱板２２の下面２２ｂにおける温度分布のシミュレーション結果を例示する。
【図８】第１上側放熱板２２の凹凸部２２ｆの形状の変形例を示す。
【図９】第１上側放熱板２２の凹凸部２２ｆの位置の変形例を示す。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
本技術の一実施形態において、各々の凹凸部は、凹部の深さ寸法が、凸部の高さ寸法よりも大きくなるように、設けられていてもよい。このような構成によると、第２部材の凹部と凹部以外との間の温度差が比較的に顕著となり、第１部材において生じる熱応力を低減し得る効果をより高めることができる。あるいは、凹凸部をプレス加工で形成するときに、凹部を比較的に深く形成することで、それに隣接する凸部を必要とされる高さ寸法で形成することができる。
【実施例】
【００１１】
図面を参照して、実施例の半導体装置１０について説明する。本実施例の半導体装置１０は、例えば電気自動車、ハイブリッド車、燃料電池車といった電動自動車において、コンバータやインバータといった電力変換回路に用いることができる。但し、半導体装置１０の用途は特に限定されない。半導体装置１０は、様々な装置や回路に広く採用することができる。
【００１２】
図１−図４に示すように、半導体装置１０は、第１半導体素子２０と、第２半導体素子４０と、封止体１２と、複数の外部接続端子１４、１５、１６、１８、１９とを備える。第１半導体素子２０と第２半導体素子４０は、封止体１２の内部に封止されている。封止体１２は、特に限定されないが、例えばエポキシ樹脂といった熱硬化性樹脂で構成されている。各々の外部接続端子１４、１５、１６、１８、１９は、封止体１２の外部から内部に亘って延びており、封止体１２の内部で第１半導体素子２０及び第２半導体素子４０の少なくとも一方に電気的に接続されている。一例ではあるが、複数の外部接続端子１４、１５、１６、１８、１９には、電力用であるＰ端子１４、Ｎ端子１５及びＯ端子１６と、信号用である複数の第１信号端子１８及び複数の第２信号端子１９が含まれる。
【００１３】
第１半導体素子２０は、上面電極２０ａと下面電極２０ｂとを有する。上面電極２０ａは、第１半導体素子２０の上面に位置しており、下面電極２０ｂは、第１半導体素子２０の下面に位置している。第１半導体素子２０は、上下一対の電極２０ａ、２０ｂを有する縦型の半導体素子である。同様に、第２半導体素子４０は、上面電極４０ａと下面電極４０ｂとを有する。上面電極４０ａは第２半導体素子４０の上面に位置しており、下面電極４０ｂは第２半導体素子４０の下面に位置する。即ち、第２半導体素子４０についても、上下一対の電極４０ａ、４０ｂを有する縦型の半導体素子である。本実施例における第１半導体素子２０と第２半導体素子４０は、互いに同種の半導体素子であり、詳しくはＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）とダイオードとを内蔵するＲＣ−ＩＧＢＴ（Reverse Conducting IGBT）素子である。
【００１４】
但し、第１半導体素子２０と第２半導体素子４０の各々は、ＲＣ−ＩＧＢＴ素子に限定されず、例えばＭＯＳＦＥＴ（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）素子といった他のパワー半導体素子であってもよい。あるいは、第１半導体素子２０と第２半導体素子４０の各々は、ダイオード素子とＩＧＢＴ素子（又はＭＯＳＦＥＴ素子）といった二以上の半導体素子に置き換えられてもよい。第１半導体素子２０と第２半導体素子４０の具体的な構成は特に限定されず、各種の半導体素子を採用することができる。この場合、第１半導体素子２０と第２半導体素子４０は、互いに異種の半導体素子であってもよい。また、第１半導体素子２０と第２半導体素子４０の各々は、例えばシリコン（Ｓｉ）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、又は窒化ガリウム（ＧａＮ）といった各種の半導体材料を用いて構成されることができる。第１半導体素子２０の上面電極２０ａ及び下面電極２０ｂを構成する材料には、特に限定されないが、例えばアルミニウム系又はその他の金属を採用することができる。同様に、第２半導体素子４０の上面電極４０ａ及び下面電極４０ｂを構成する材料には、特に限定されないが、例えばアルミニウム系又はその他の金属を採用することができる。
【００１５】
半導体装置１０は、第１上側放熱板２２と、第１導体スペーサ２４と、第１下側放熱板２６とをさらに備える。第１導体スペーサ２４は、例えば銅又はその他の金属といった導電性を有する材料を用いて構成されている。第１導体スペーサ２４は、概して板形状あるいはブロック形状の部材であり、上面２４ａと、上面２４ａとは反対側に位置する下面２４ｂとを有する。第１導体スペーサ２４は封止体１２内に位置している。第１導体スペーサ２４の上面２４ａは、第１上側放熱板２２にはんだ層２３を介して接合されている。第１導体スペーサ２４の下面２４ｂは、第１半導体素子２０の上面電極２０ａにはんだ層２５を介して接合されている。即ち、第１導体スペーサ２４は、第１半導体素子２０に電気的に接続されている。第１導体スペーサ２４は、必ずしも必要とされないが、第１信号端子１８を第１半導体素子２０に接続する際のスペースを確保する。ここで、第１導体スペーサ２４は、本明細書が開示する技術における第１部材の一例である。
【００１６】
第１上側放熱板２２及び第１下側放熱板２６は、例えば銅、アルミニウム又はその他の金属といった熱伝導性に優れた材料で構成されている。第１上側放熱板２２は、概して直方体形状又は板形状の部材であり、上面２２ａと、上面２２ａとは反対側に位置する下面２２ｂとを有している。第１上側放熱板２２の上面２２ａは、封止体１２の上面１２ａにおいて外部に露出されている。また、第１上側放熱板２２の下面２２ｂは、前述した第１導体スペーサ２４の上面２４ａにはんだ層２３を介して接合されている。即ち、第１上側放熱板２２は第１導体スペーサ２４を介して第１半導体素子２０と電気的及び熱的に接続されている。これにより、第１上側放熱板２２は、半導体装置１０の電気回路の一部を構成するだけでなく、第１半導体素子２０の熱を外部に放出する放熱板としても機能する。ここで、第１上側放熱板２２は、本明細書が開示する技術における第２部材の一例である。
【００１７】
第１下側放熱板２６は、概して直方体形状又は板形状の部材であり、上面２６ａと、上面２６ａとは反対側に位置する下面２６ｂとを有している。第１下側放熱板２６の下面２６ｂは、封止体１２の下面１２ｂにおいて外部に露出されている。また、第１下側放熱板２６の上面２６ａは、第１半導体素子２０の下面電極２０ｂにはんだ層２７を介して接合されている。即ち、第１下側放熱板２６は、第１半導体素子２０と電気的及び熱的に接続されている。これにより、第１下側放熱板２６においても半導体装置１０の電気回路の一部を構成するだけでなく、第１半導体素子２０の熱を外部に放出する放熱板としても機能する。このように、本実施例の半導体装置１０は、封止体１２の両面１２ａ、１２ｂに第１上側放熱板２２及び第１下側放熱板２６が露出される両面冷却構造を有する。
【００１８】
半導体装置１０は、第２上側放熱板４２と、第２導体スペーサ４４と、第２下側放熱板４６とをさらに備える。第２導体スペーサ４４は、例えば銅又はその他の金属といった導電性を有する材料を用いて構成されている。第２導体スペーサ４４は、概して板形状あるいはブロック形状の部材であり、上面４４ａと、上面４４ａとは反対側に位置する下面４４ｂとを有する。第２導体スペーサ４４は封止体１２内に位置している。第２導体スペーサ４４の上面４４ａは、第２上側放熱板４２にはんだ層４３を介して接合されている。第２導体スペーサ４４の下面４４ｂは、第２半導体素子４０の上面電極４０ａにはんだ層４５を介して接合されている。即ち、第２導体スペーサ４４は、第２半導体素子４０に電気的に接続されている。第２導体スペーサ４４は、必ずしも必要とされないが、第２信号端子１９を第２半導体素子４０に接続する際のスペースを確保する。
【００１９】
第２上側放熱板４２及び第２下側放熱板４６は、例えば銅、アルミニウム又はその他の金属といった熱伝導性に優れた材料で構成されている。第２上側放熱板４２は、概して直方体形状又は板形状の部材であり、上面４２ａと、上面４２ａとは反対側に位置する下面４２ｂとを有している。第２上側放熱板４２の上面４２ａは、封止体１２の上面１２ａにおいて外部に露出されている。また第２上側放熱板４２の下面４２ｂは、前述した第２導体スペーサ４４の上面４４ａにはんだ層４３を介して接合されている。即ち、第２上側放熱板４２は第２導体スペーサ４４を介して第２半導体素子４０と電気的及び熱的に接続されている。これにより、第２上側放熱板４２は、半導体装置１０の電気回路の一部を構成するだけでなく、第２半導体素子４０の熱を外部に放出する放熱板としても機能する。
【００２０】
第２下側放熱板４６は、概して直方体形状又は板形状の部材であり、上面４６ａと、上面４６ａとは反対側に位置する下面４６ｂを有している。第２下側放熱板４６の下面４６ｂは、封止体１２の下面１２ｂにおいて外部に露出されている。また、第２下側放熱板４６の上面４６ａは、第２半導体素子４０の下面電極４０ｂにはんだ層４７を介して接合されている。即ち、第２下側放熱板４６は、第２半導体素子４０と電気的及び熱的に接続されている。これにより、第２下側放熱板４６においても半導体装置１０の電気回路の一部を構成するだけでなく、第２半導体素子４０の熱を外部に放出する放熱板としても機能する。このように、本実施例の半導体装置１０は、封止体１２の両面１２ａ、１２ｂに第２上側放熱板４２及び第２下側放熱板４６が露出される両面冷却構造を有する。第２下側放熱板４６は、後述する第１継手部２２ｃ及び第２継手部４６ｃを介して、第１上側放熱板２２に接続されている。
【００２１】
上述したように、半導体装置１０は外部接続端子として、Ｐ端子１４、Ｎ端子１５及びＯ端子１６を備える。本実施例におけるＰ端子１４、Ｎ端子１５及びＯ端子１６は、銅で構成されている。但し、Ｐ端子１４、Ｎ端子１５及びＯ端子１６は、銅に限定されず、他の導体で構成されてもよい。Ｐ端子１４は、封止体１２の内部において、第１下側放熱板２６の上面２６ａに接続されている。Ｎ端子１５は、封止体１２の内部において、第２上側放熱板４２の下面４２ｂに接続されている。そして、Ｏ端子１６は、第２下側放熱板４６の上面４６ａに接続されている。一例ではあるが、Ｐ端子１４及びＯ端子１６は、それぞれ第１下側放熱板２６及び第２下側放熱板４６に一体に形成されている。但し、Ｐ端子１４及びＯ端子１６の一方又は両方は、それぞれ第１下側放熱板２６及び第２下側放熱板４６に例えば溶接によって接合されてもよい。また、Ｎ端子１５は、後述するが、第２上側放熱板４２の継手部４２ｃにはんだ付けによって接合されている。半導体装置１０は外部接続端子として、複数の第１信号端子１８及び複数の第２信号端子１９もまた備える。本実施例における複数の信号端子１８、１９は、第１半導体素子２０及び第２半導体素子４０にそれぞれボンディングワイヤ１８ａ、１９ａによって接続されている。
【００２２】
図２、図３、図４に示すように、半導体装置１０の第１上側放熱板２２は、導体で構成された第１継手部２２ｃをさらに有する。同様に第２下側放熱板４６は、導体で構成された第２継手部４６ｃをさらに有する。第１継手部２２ｃ及び第２継手部４６ｃは、封止体１２の内部に位置している。第１上側放熱板２２の第１継手部２２ｃは、第２下側放熱板４６の第２継手部４６ｃにはんだ層５０を介して接合されている。即ち、第１継手部２２ｃ及び第２継手部４６ｃは、第１上側放熱板２２と第２下側放熱板４６との間を電気的に接続している。これにより、第１半導体素子２０と第２半導体素子４０は、第１継手部２２ｃ及び第２継手部４６ｃを介して直列に接続される。第１継手部２２ｃ及び第２継手部４６ｃは、例えば銅で構成されることができる。第１継手部２２ｃと第１上側放熱板２２とは、一体に形成されていてもよいし、互いに接合されていてもよい。この場合の接合手法は、特に限定されず、例えば溶接によって接合されていてもよい。同様に、第２継手部４６ｃの第２下側放熱板４６とは、一体に形成されていてもよいし、互いに接合されていてもよい。この場合の接合手法においても、特に限定されず、例えば溶接によって接合されていてもよい。
【００２３】
第１上側放熱板２２の下面２２ｂには、はんだ層２３を取り囲むようにはんだ吸収溝２２ｄが設けられている。このはんだ吸収溝２２ｄにより、第１導体スペーサ２４と第１上側放熱板２２とをはんだ付けする際に、余剰なはんだは収容され、意図しない範囲まではんだが濡れ広がることを防止することができる。同様に、第２上側放熱板４２の下面４２ｂには、はんだ層４３を取り囲むようにはんだ吸収溝４２ｄが設けられている。このはんだ吸収溝４２ｄにより、第２導体スペーサ４４と第２上側放熱板４２とをはんだ付けする際に、余剰なはんだは収容され、意図しない範囲まで濡れ広がることを防止することができる。一例ではあるが、本実施例の半導体装置１０では、第１上側放熱板２２と第２上側放熱板４２とに、同じ形状の部材が採用されている。
【００２４】
第１上側放熱板２２では、第１継手部２２ｃにも、はんだ吸収溝２２ｅが設けられている。はんだ吸収溝２２ｅは、第２継手部４６ｃとの間に位置するはんだ層５０を取り囲むように設けられている。このはんだ吸収溝２２ｅにより、第１継手部２２ｃと第２継手部４６ｃとをはんだ付けする際に、余剰なはんだは収容され、意図しない範囲まではんだが濡れ広がることを防止することができる。同様に、第２上側放熱板４２の継手部４２ｃにも、はんだ吸収溝４２ｅが設けられている。このはんだ吸収溝４２ｅは、Ｎ端子１５との間に位置するはんだ層（不図示）を取り囲むように設けられている。このはんだ吸収溝４２ｅにより、第２上側放熱板４２の継手部４２ｃとＮ端子１５とをはんだ付けする際に、余剰なはんだは収容され、意図しない範囲まで濡れ広がることを防止することができる。
【００２５】
加えて、本実施例の半導体装置１０では、図４に示すように、第１上側放熱板２２の下面２２ｂに複数の凹凸部２２ｆが設けられている。複数の凹凸部２２ｆは、第１上側放熱板２２と第１導体スペーサ２４との間のはんだ層２３に接する範囲に設けられている。複数の凹凸部２２ｆは、平面視したときに、第１導体スペーサ２４の中心２４ｇから離れた位置に設けられている。即ち、複数の凹凸部２２ｆの各々は、第１導体スペーサ２４の中心２４ｇから離れた周縁部分に対向している。
【００２６】
図５、図６に示すように、各々の凹凸部２２ｆは、凹部２２ｒと、凹部２２ｒに隣接する凸部２２ｐとを有する。一例ではあるが、本実施例における凹部２２ｒは、スロット状の開口形状を有しており、長手方向の寸法Ｗ１は、幅方向（短手方向）の寸法Ｗ２よりも大きい。そして、凸部２２ｐは、凹部２２ｒの幅方向の両側にそれぞれ設けられている。第１上側放熱板２２の下面２２ｂに、複数の凸部２２ｐが形成されていると、第１上側放熱板２２と第１導体スペーサ２４とをはんだ付けする際に、複数の凸部２２ｐが第１導体スペーサ２４に当接する。これにより、半導体装置１０が製造されるときに、はんだ層２３に最小限の厚みが確保される。特に、複数の凸部２２ｐは、第１導体スペーサ２４の中心２４ｇから離れた位置に設けられているので、第１導体スペーサ２４を安定して支持することができる。これにより、金属粒子を含有するはんだを用いることなく、はんだ層２３の厚みを確保することができる。はんだ層２３に最小限の厚みが確保されることで、はんだ層２３に存在するボイドを、例えば超音波を用いて正しく検査することができる。
【００２７】
加えて、凹部２２ｒが形成された位置では、第１導体スペーサ２４と第１上側放熱板２２との間の距離が大きくなるので、第１導体スペーサ２４から第１上側放熱板２２への熱伝導性が局所的に低下する。その結果、第１導体スペーサ２４では、第１上側放熱板２２の凹部２２ｒに対向する位置において、その温度が比較的に高まりやすい。前述したように、複数の凹部２２ｒは、第１導体スペーサ２４の中心２４ｇから離れた位置（即ち、第１導体スペーサ２４の周縁部分）に設けられている。従って、複数の凹部２２ｒは、第１導体スペーサ２４の周縁部分の温度を上昇させることになる。通常、第１導体スペーサ２４の温度は、中心部分で高くなりやすく、周縁部分で低くなりやすい。そのことから、第１上側放熱板２２に設けられた凹部２２ｒにより、第１導体スペーサ２４の周縁部分の温度が上昇することによって、第１導体スペーサ２４の中心部分と周縁部分との間で生じる温度差が緩和され、第１導体スペーサ２４において生じる熱応力が低減される。即ち、第１導体スペーサ２４に接合される第１半導体素子２０においても、その中心部分と周縁部分との間で生じる温度差は緩和され、第１半導体素子２０において生じる熱応力が低減される。凹部２２ｒの断面形状については特に限定されない。一例ではあるが、本実施例における凹部２２ｒは、図５に示すように、その長手方向において緩やかに湾曲する形状を有するとともに、図６に示すように、その幅方向においては、くさび状の断面形状を有している。なお、他の実施形態として、各々の凹凸部２２ｆに複数の凹部２２ｒが設けられてもよい。
【００２８】
図７は、半導体装置１０の使用時を想定した条件下において、第１上側放熱板２２の下面２２ｂにおける温度分布をシミュレーションした結果の一例を示す。図７に例示するように、第１上側放熱板２２の下面２２ｂでは、第１導体スペーサ２４にはんだ層２３を介して対向している面において温度が高くなっており、特に第１導体スペーサ２４の中心部分と対向する位置において、その温度が比較的に高くなっている。加えて、第１上側放熱板２２の凹部２２ｒが形成された位置では、その周囲に位置する部分と比較して、第１上側放熱板２２の下面２２ｂにおける温度が上昇していることが確認される。これにより、第１上側放熱板２２に設けられた凹部２２ｒが、第１導体スペーサ２４の周縁部分における温度や、それに接合された第１半導体素子２０の周縁部分における温度も上昇させることが推察される。
【００２９】
また、本実施例のように、凹部２２ｒに凸部２２ｐが隣接していると、例えばプレス加工などにより、凹部２２ｒと凸部２２ｐとを同時に加工することができ、凹凸部２２ｆを容易に形成することができる。この方法を適用することにより、金属粒子を含有するはんだを用いる場合と比較して、はんだ層２３の厚みの確保を安価に実現することができる。凹凸部２２ｆの寸法（高さ、深さ、幅等）は特に限定されないが、凸部２２ｐの高さ寸法Ｈは、超音波を用いた検査によってボイドの検出が可能となる最小限の厚みをはんだ層２３に確保できる値であればよく、例えば約８０±２０マイクロメートルとすることができる。また、一例ではあるが、凹部２２ｒの長手方向の寸法Ｗ１は約２．２ミリメートル程度であってよく、凹部２２ｒの幅方向の寸法Ｗ２は約０．７５ミリメートル程度であってよい。
【００３０】
一方、本実施例の第１上側放熱板２２における各々の凹凸部２２ｆは、凹部２２ｒの深さ寸法が、凸部２２ｐの高さ寸法Ｈよりも大きく設けられている。このような構成によると、第１上側放熱板２２の凹部２２ｒと凹部２２ｒ以外の部分との間の温度差が比較的に顕著となり、第１導体スペーサ２４において生じる熱応力が低減し得る効果をより高めることができる。あるいは、凹凸部２２ｆをプレス加工で形成するときに、凹部２２ｒを比較的に深く形成することで、それに隣接する凸部２２ｐを必要とされる高さ寸法Ｈ（例えば、超音波を用いた検査で必要とされる高さ寸法）で形成することができる。
【００３１】
なお、本実施例では第１上側放熱板２２と同様に、第２上側放熱板４２にも同様に複数の凹凸部４２ｆが設けられている（図２参照）。本実施例のように凹凸部２２ｆ、４２ｆが六個以上設けてあると、第１上側放熱板２２と第２上側放熱板４２とに、同じ形状の部材を採用することができる。但し、凹凸部２２ｆ、４２ｆの個数は六個以上に限定されず、導体スペーサ２４、４４を支えることができるように、三個以上設けられていればよい。また、本実施例では、複数の凹凸部２２ｆ、４２ｆは、導体スペーサ２４、４４にはんだ層２３、４３を介して対向している面上の周縁側に形成されており、その面の中心部分から周縁部分に向かって延びている。このように凹凸部２２ｆ、４２ｆが長手方向や幅方向を有している場合に、上側放熱板２２、４２において、長手方向とはんだ吸収溝２２ｄとが平行に位置しないように設けられているとよい。これにより、凹凸部２２ｆの凹部２２ｒによって、導体スペーサ２４、４４の中心部分と周縁部分との間に生じる温度差が導体スペーサ２４、４４全体において一様に緩和されやすい。それに伴って、導体スペーサ２４、４４や半導体素子２０、４０において生じる熱応力も低減されやすくなる。
【００３２】
図８、図９を参照して、本実施例の第１上側放熱板２２の変形例を説明する。図８に示すように、第１上側放熱板２２における各々の凹凸部２２ｆの形状（特に、凹部２２ｒの形状）は特に限定されず、矩形、菱形、丸形、又は三角形形状であってもよい。また、各々の凹凸部２２ｆの位置も同様に限定されない。図９（Ａ）に示すように、第１上側放熱板２２のはんだ吸収溝２２ｄの角部の近傍に各々の凹凸部２２ｆが配置されていてもよく、図９（Ｂ）に示すように、各々の凹凸部２２ｆが等間隔になるように配置されていてもよい。
【００３３】
また、本明細書に開示する技術は、凹凸部２２ｆ、４２ｆが設けられる部材が上側放熱板２２、４２に限定されず、はんだ層と接する部材であれば同様に適用することができる。一例ではあるが、下側放熱板２６、４６又は導体スペーサ２４、４４に、同様の凹凸部が設けられていてもよい。
【００３４】
以上、いくつかの具体例を詳細に説明したが、これらは例示に過ぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。本明細書又は図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものである。
【符号の説明】
【００３５】
１０：半導体装置
１２：封止体
１４：Ｐ端子
１５：Ｎ端子
１６：Ｏ端子
１８、１９：信号端子
２０、４０：半導体素子
２２：第１上側放熱板
２２ｃ、４２ｃ、４６ｃ：継手部
２２ｄ、４２ｄ：上側放熱板のはんだ吸収溝
２２ｅ、４２ｅ：継手部のはんだ吸収溝
２２ｆ、４２ｆ：凹凸部
２２ｐ：凸部
２２ｒ：凹部
２３、２５、２７、４３、４５、４７、５０：はんだ層
２４：第１導体スペーサ
２４ｇ：第１導体スペーサの中心
２６、４６：下側放熱板
４２：第２上側放熱板
４４：第２導体スペーサ
Ｈ：凸部の高さ寸法
Ｗ１：凹部の長手方向の寸法
Ｗ２：凹部の幅方向の寸法
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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