(57)【要約】【課題】半田付け実装の信頼性を確保することができる回路モジュール及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明の一形態に係る回路モジュールは、金属製のコア基材と、外装部と、第１の配線層と、第２の配線層と、封止部とを具備する。前記コア基材は、第１の主面と、前記第１の主面とは反対側の第２の主面と、側面と、前記側面から突出する突出部とを有する。前記外装部は、前記第１の主面を被覆する第１の絶縁層と、前記第２の主面を被覆する第２の絶縁層と、前記側面を被覆する第３の絶縁層とを有する。前記第１の配線層は、前記第１の絶縁層を介して前記第１の主面に設けられる。前記第２の配線層は、前記第２の絶縁層を介して前記第２の主面に設けられる。前記封止部は、前記外装部に埋設された絶縁材料からなり、前記突出部の端面を被覆する。【選択図】図３
2019153668.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の主面と、前記第１の主面とは反対側の第２の主面と、側面と、前記側面から突出する突出部とを有する金属製のコア基材と、
前記第１の主面を被覆する第１の絶縁層と、前記第２の主面を被覆する第２の絶縁層と、前記側面を被覆する第３の絶縁層とを有する外装部と、
前記第１の絶縁層を介して前記第１の主面に設けられた第１の配線層と、
前記第２の絶縁層を介して前記第２の主面に設けられた第２の配線層と、
前記外装部に埋設された絶縁材料からなり、前記突出部の端面を被覆する封止部と
を具備する回路基板。
【請求項２】
請求項１に記載の回路基板であって、
前記封止部は、
前記突出部の厚みと、前記第１の絶縁層の厚みと、前記第１の配線層の厚みとの総和に相当する第１の厚みを有し、前記外装部の周面と連続する外面部と、
前記突出部の厚みに相当する第２の厚みを有し、前記突出部の端面に隣接する内面部と
を有する
回路基板。
【請求項３】
請求項２に記載の回路基板であって、
前記外面部は、前記外装部の周面と同一平面上に形成される
回路基板。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１つに記載の回路基板であって、
前記突出部は、前記側面の高さ方向の中心よりも前記第１の主面側に位置し、
前記第３の絶縁層は、前記第１の絶縁層と前記第２の絶縁層との間に位置する第１の部分と、前記第２の絶縁層と前記突出部との間に位置する第２の部分とを有し、
前記封止部は、前記第２の部分に厚み方向に隣接して配置される
回路基板。
【請求項５】
請求項１〜４に記載の回路基板であって、
前記封止部は、前記外装部と同一の有機材料を含む絶縁材料で構成される
回路基板。
【請求項６】
分割ラインに沿って形成された開口部と、前記開口部を挟んで対向する複数のコア基材を相互に連結するブリッジ部分とを有する金属製の集合基板を準備し、
前記開口部を絶縁材料で充填し、
前記集合基板の両面に絶縁層を介して配線層を形成し、
前記絶縁層を部分的に除去して前記ブリッジ部分の一部を外部に露出させ、
前記ブリッジ部分の一部を溶解除去し、
前記絶縁層及び前記ブリッジ部分の除去領域に絶縁材料を充填する
回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、金属製コアを備えた回路基板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器に搭載される配線基板やパッケージ部品の更なる小型化、高密度実装化が求められている。中でも、部品内蔵基板は、実装密度を高くできるとともに、従来の部品実装基板と比べて基板を小型化することができるため、携帯電話、デジタルカメラ等の携帯型電子機器の小型化、薄型化に大きく貢献している。
【０００３】
例えば下記特許文献１には、電子部品を収容するキャビティを有する金属製のコア基材を備えた電子部品内蔵型多層配線基板が開示されている。この種の配線基板は、複数のコア基材が複数のブリッジ部分を介して相互に連接された集合基板を用いて製造され、配線層の形成及び部品の実装を一括して行った後、分割ラインに沿ってブリッジ部分をダイサーで切断することにより個片化される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特許第５４１５６４９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記のように製造される配線基板においては、個片化した際に、コア基材の一部であるブリッジ部分の端面が基板の周面から露出する。このため、この種の配線基板を備えた回路モジュールにおいては、マザーボードへの実装時に、上記ブリッジ部分の端面に半田が濡れ広がってショート不良を引き起こすおそれがある。
【０００６】
以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、半田付け実装の信頼性を確保することができる回路モジュール及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するため、本発明の一形態に係る回路モジュールは、金属製のコア基材と、外装部と、第１の配線層と、第２の配線層と、封止部とを具備する。
前記コア基材は、第１の主面と、前記第１の主面とは反対側の第２の主面と、側面と、前記側面から突出する突出部とを有する。
前記外装部は、前記第１の主面を被覆する第１の絶縁層と、前記第２の主面を被覆する第２の絶縁層と、前記側面を被覆する第３の絶縁層とを有する。
前記第１の配線層は、前記第１の絶縁層を介して前記第１の主面に設けられる。
前記第２の配線層は、前記第２の絶縁層を介して前記第２の主面に設けられる。
前記封止部は、前記外装部に埋設された絶縁材料からなり、前記突出部の端面を被覆する。
【０００８】
上記回路モジュールにおいては、コア基材の側面の突出部が封止部で被覆されているため、実装時に半田が突出部に接触することを防止し、これにより半田付け実装の信頼性を確保することができる。
【０００９】
前記封止部は、外面部と、内面部とを有してもよい。
前記外面部は、前記突出部の厚みと、前記第１の絶縁層の厚みと、前記第１の配線層の厚みとの総和に相当する第１の厚みを有し、前記外装部の周面と連続する。
前記内面部は、前記突出部の厚みに相当する第２の厚みを有し、前記突出部の端面に隣接する。
【００１０】
前記外面部は、前記外装部の周面と同一平面上に形成されてもよい。
【００１１】
前記突出部は、前記側面の高さ方向の中心よりも前記第１の主面側に位置し、前記第３の絶縁層は、前記第１の絶縁層と前記第２の絶縁層との間に位置する第１の部分と、前記第２の絶縁層と前記突出部との間に位置する第２の部分とを有し、前記封止部は、前記第２の部分に厚み方向に隣接して配置されてもよい。
【００１２】
前記封止部は、前記外装部と同一の有機材料を含む絶縁材料で構成されてもよい。
【００１３】
本発明の一形態に係る回路基板の製造方法は、分割ラインに沿って形成された開口部と、前記開口部を挟んで対向する複数のコア基材を相互に連結するブリッジ部分とを有する金属製の集合基板を準備することを含む。
前記開口部は、絶縁材料で充填される。
前記集合基板の両面に絶縁層を介して配線層が形成される。
前記絶縁層を部分的に除去して前記ブリッジ部分の一部が外部に露出される。
前記ブリッジ部分の一部が溶解除去される。
前記絶縁層及び前記ブリッジ部分の除去領域に絶縁材料が充填される。
【発明の効果】
【００１４】
以上述べたように、本発明によれば、回路基板の半田付け実装の信頼性を確保することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の一実施形態に係る回路基板を備えた回路モジュールの外観斜視図である。
【図２】図１におけるＬ１線で切断した概略断面図である。
【図３】図１におけるＬ２線で切断した概略断面図である。
【図４】上記回路基板の製造方法を説明する要部の概略工程図である。
【図５】上記回路基板の製造方法を説明する要部の概略工程図である。
【図６】上記回路基板の製造方法を説明する要部の概略工程図である。
【図７】上記回路基板の製造方法を説明する要部の概略工程図である。
【図８】上記回路基板の製造方法を説明する要部の概略工程図である。
【図９】上記回路基板の製造方法を説明する要部の概略側断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、図面を参照しながら、本発明の実施形態を説明する。
【００１７】
図１は、本発明の一実施形態に係る回路基板を備えた回路モジュールの外観斜視図、図２は、図１におけるＬ１線で切断した概略断面図、図３は、図１におけるＬ２線で切断した概略断面図である。
なお、各図においてＸ軸、Ｙ軸及びＺ軸は、相互に直交する３軸方向を示しており、図２及び図３はそれぞれＹ軸方向から見た断面図である。
【００１８】
本実施形態の回路モジュール１００は、回路基板１０と、回路基板１０の表面（部品実装面）に実装された複数の電子部品２１と、回路基板１０の内部に収容された内蔵部品２２と、電子部品２１を覆うモールド部３０とを備える。尚、内蔵部品２２は、省略される場合があり、その場合、内蔵領域のキャビティも省略される。
回路モジュール１００においては、電子部品２１と内蔵部品２２を含む所定の電子回路が三次元的に構築されている。
回路モジュール１００は、回路基板１０の裏面（端子面）に設けられた外部接続端子３１（図２参照）を介して、図示しない実装基板（マザーボード）上に半田付け実装することが可能に構成される。
【００１９】
続いて、回路基板１０の詳細について説明する。
【００２０】
［回路基板］
図２及び図３に示すように、回路基板１０は、金属製のコア基材１１０と、外装部１２０と、第１の配線層１３１と、第２の配線層１３２と、封止部１４０とを有する。
【００２１】
コア基材１１０は、銅や銅合金（銅を主材料とした金属）、ステンレス鋼、または鉄を主材料とした金属などの所定厚み（例えば、３５〜５００μｍ）の金属板で構成される。コア基材１１０の平面形状は矩形であり、第１の主面１１１と、第２の主面１１２と、４つの側面１１３とを有する。コア基材１１０の面内には、内蔵部品２２を収容する部品収容孔１１４ａと層間接続部Ｖを収容するビア収容孔１１４ｂ等を含む複数のキャビティ１１４が形成されている（図３参照）。
【００２２】
側面１１３の所定位置には、突出部１１５が設けられている。突出部１１５は、側面１１３に対して垂直方向に所定の長さだけ外方へ突出する。突出部１１５は、典型的には、コア基材１１０の４つの側面１１３にそれぞれ設けられる。突出部１１５の厚みは側面１１３の高さ（コア基材１１０の厚み）よりも小さく、例えば、側面１１３の高さと同等もしくはその１／２〜１／４の大きさである。突出部１１５の形成位置は特に限定されず、本実施形態では、側面１１３の厚み方向の中心よりも第１の主面１１１側に位置し、その一部（図中上面）は第１の主面１１１と同一の平面を形成する。
【００２３】
突出部１１５は、後述するように、回路基板１０の製造に際して用いられるコア基材１１０の集合基板において、隣接する複数のコア基材１１０の間を相互に連結するブリッジ部分の一部を形成する。突出部１１５は、側面１１３の高さ方向の中心よりも第１の主面１１１側に位置する例に限られず、第２の主面１１２側に位置してもよいし、第１の主面１１１側に位置するものと第２の主面１１２側に位置するものとが混在していてもよい。
【００２４】
外装部１２０は、第１の絶縁層１２１と、第２の絶縁層１２２と、第３の絶縁層１２３との積層構造を有する。第１の絶縁層１２１は、コア基材１１０の第１の主面１１１を被覆し、第２の絶縁層１２２は、コア基材１１０の第２の主面１１２を被覆する。第３の絶縁層１２３は、コア基材１１０の側面１１３を被覆する。
【００２５】
第３の絶縁層１２３は、図３に示すように、突出部１１５の側面１１３からの突出長よりも大きな厚み（深さ）で側面１１３を被覆する。第３の絶縁層１２３は、第１の絶縁層１２１と第２の絶縁層１２２との間に位置する第１の部分１２３ａと、第２の絶縁層１２２と突出部１１５との間に位置する第２の部分１２３ｂとを有する。つまり、コア基材１１０の側面１１３において、第１の部分１２３ａは、突出部１１５が形成されない領域を被覆し、第２の部分１２３ｂは、突出部１１５の直下の領域を被覆する。
【００２６】
第１の絶縁層１２１、第２の絶縁層１２２及び第３の絶縁層１２３は、典型的には、同一の合成樹脂材料で構成され、例えば、エポキシ樹脂、ＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂、ポリイミド樹脂、あるいはこれにガラス繊維等のフィラーが混合された複合材料で構成される。第３の絶縁層１２３を構成する樹脂材料は、コア基材１１０のキャビティ１１４にも充填される。第１の絶縁層１２１及び第２の絶縁層１２２は、同じ材料で構成されてもよいし、第３の絶縁層１２３は、第１の絶縁層１２１及び第２の絶縁層１２２とは異なる材料で構成されてもよい。
【００２７】
第１の配線層１３１は、第１の絶縁層１２１を介してコア基材１１０の第１の主面１１１に設けられる。第２の配線層１３２は、第２の絶縁層１２２を介してコア基材１１０の第２の主面１１２に設けられる。
【００２８】
第１の配線層１３１及び第２の配線層１３２は、典型的には銅箔で構成され、任意の形状にパターン形成される。第１の配線層１３１の一部は、第１の絶縁層１２１を貫通するビアを介してコア基材１１０の第１の主面１１１に接続される。第２の配線層１３２の一部は、第２の絶縁層１２２を貫通するビアを介してコア基材１１０の第２の主面１１２に接続される。
【００２９】
第１の配線層１３１及び第２の配線層１３２は、ソルダレジストＳＲ１、ＳＲ２等の絶縁性保護膜により被覆される。ソルダレジストＳＲ１，ＳＲ２は適宜の位置に開口部を有し、これらの開口部を介して、第１の配線層１３１が電子部品２１の端子部に、第２の配線層１３２が外部接続端子３１にそれぞれ接続される。尚、コア基材１１０の両面は、それぞれ少なくとも一層ずつ、絶縁層と導電層が積層される。図２は、コア基材１１０の両面にそれぞれ２層の導電パターンが形成された例を示すが、導電パターンは一層でもよい。
【００３０】
封止部１４０は、外装部１２０に埋設された絶縁材料からなり、突出部１１５の端面１１５ｓを被覆する。封止部１４０は、外装部１２０の周面（外周面）と同一平面上に形成される。封止部１４０は、図３に示すように、第３の絶縁層１２３の第２の部分１２３ｂに厚み方向（Ｚ軸方向）に隣接して配置され、突出部１１５の端面１１５ｓを被覆する厚肉部（図８における符号Ｔ２参照）と、その上の第１の絶縁層１２１を被覆する薄肉部（図８における符号Ｔ１参照）の多段構造を有する。
【００３１】
より具体的に、封止部１４０は、図３に示すように、外面部１４１と、内面部１４２とを有する。外面部１４１は、外装部１２０の周面と連続する外表面を有し、突出部１１５の厚みと、第１の絶縁層１２１の厚みと、第１の配線層１３１の厚みとの総和に相当する第１の厚み（Ｚ軸方向に沿った高さ）を有する。一方、内面部１４２は、突出部１１５の厚みに相当する第２の厚みを有し、突出部１１５の端面１１５ｓに隣接する。
【００３２】
封止部１４０は、外装部１２０（第１の絶縁層１２１、第２の絶縁層１２２及び第３の絶縁層１２３）と同一の有機材料を含む絶縁材料で構成される。これにより、外装部１２０との親和性が高められるため、外装部１２０に対する封止部１４０の密着性が高まり、封止部１４０の脱落や剥離を防ぐことができる。封止部１４０は、外装部１２０の構成材料と同様に、ガラスまたは炭素からなる繊維、ガラスクロス、シリコン酸化物、酸化アルミニウム、炭酸カルシウム等の無機フィラーを含有してもよい。
【００３３】
以上のように構成される本実施形態の回路基板１０においては、コア基材１１０の側面１１３の突出部１１５が封止部１４０で被覆されているため、外装部１２０の周面から突出部１１５の端面１１５ｓが外部へ露出することが防止される。これにより、回路モジュール１００の実装時に半田が突出部１１５に接触することを防止することができるため、ショート不良等を生じさせることなく、半田付け実装の信頼性を確保することができる。
【００３４】
また、封止部１４０が外装部１２０の周面と同一平面上に形成されるため、外装部１２０の周面に段部を生じさせることなく平滑に仕上げることができる。これにより、ハンドリング時における治具との引っ掛かりや段部の欠け等による異物の発生を抑えることができる。
【００３５】
［回路基板の製造方法］
続いて、回路基板１０の製造方法について説明する。
図４〜図７は、回路基板１０の製造方法を説明する要部の概略工程図であり、図４及び図５は側断面図、図６及び図７は概略平面図である。
【００３６】
まず、図６Ａに示すように、分割ラインＬｄに沿って形成された開口部Ｈａと、開口部Ｈａを挟んで対向する複数のコア基材１１０を相互に連結するブリッジ部分１１５Ａとを有する金属製の集合基板１１０Ａを準備する。
別の表現をすれば、点線で示す分割ラインで成る矩形が、１ユニットである。このユニットが、マトリックス状に縦横に配置されて、集合基板１１０Ａと成っている。特にユニット内の矩形のコア基材が、縦横に並び、夫々の矩形のコア基材がブリッジ１１５Ａでリンクされ集合基板と成っている。
【００３７】
集合基板１１０Ａには、開口部Ｈａのほか、内蔵部品２２を収容するための開口部Ｈｂ（部品収容孔１１４ａに相当）、層間接続部Ｖを収容する開口部Ｈｃ（ビア収容孔１１４ｂに相当）、樹脂充填用の開口部Ｈｄを含む複数の開口部Ｈが穿設されている。ブリッジ部分１１５Ａは、コア基材１１０の側面１１３と一体的に形成され、開口部Ｈの形成と同時に形成される。
【００３８】
開口部Ｈのレイアウトは特に限定されず、製品の仕様やサイズ等に応じて適宜設定可能である。例えば図６Ａに示すように、比較的開口サイズの大きい部品収容用の開口部Ｈｂがコア基材１１０の一角部に接近させて形成されることで、他の開口部Ｈｃ，Ｈｄのための形成領域を確保しやすくなるという利点がある。
【００３９】
ブリッジ部分１１５Ａ及び複数の開口部Ｈは、典型的には、所定のエッチング液で集合基板１００Ａを厚み方向にエッチングすることで形成される。特に、複数の開口部Ｈはフルエッチングで、ブリッジ部分１１５Ａはハーフエッチングによってそれぞれ形成される。
尚、半導体リードフレームの如く、機械的なパンチングで形成しても良い。ただこのパンチングの前に、ブリッジだけは、エッチングで形成される。それぞれのブリッジの部分は、コア基材の厚みよりも薄いブリッジで構成されるためでる。
【００４０】
回路基板１０の製造に際しては、開口部Ｈｂに内蔵部品２２が収容された後、図６Ａに示すように集合基板１１０Ａの複数の開口部Ｈが絶縁材料４１で充填される。絶縁材料４１は、回路基板１０における第３の絶縁層１２３に相当する（図２，３参照）。
【００４１】
続いて図４Ａに示すように、集合基板１１０Ａの両面（コア基材１１０の第１及び第２の主面１１１，１１２）に第１の絶縁層１２１及び第２の絶縁層１２１がそれぞれ形成され、さらにその上に、第１の金属層１３１Ａ及び第２の金属層１３２Ａがそれぞれ積層される。第１及び第２の金属層１３１Ａ，１３２Ａは、例えば、銅めっき層あるいは銅箔で構成される。
【００４２】
典型的には、第１及び第２の金属層１３１Ａ，１３２Ａの形成に先立ち、第１及び第２の絶縁層１２１，１２２に対して、コア基材１１０あるいは内蔵部品２２と第１及び第２の金属層１３１Ａ，１３２Ａとを電気的に接続するビアが形成される。また必要により層間接続部（スルーホール）Ｖもコア基材に形成される。よってこの銅メッキ工程では、コア基材の表裏、ビア、層間接続部にも銅材が被覆または埋め込まれる。
【００４３】
次に、図４Ｂに示すように、第１の金属層１３１及び第２の金属層を所定形状にパターニングすることで、導電パターンである第１及び第２の配線層１３１，１３２を形成する（図２，３参照）。第１及び第２の配線層１３１，１３２の形成方法は特に限定されず、典型的には、フォトリソグラフィ技術が用いられる。配線層１３１，１３２の形成工程には、層間接続部Ｖの接続部や層間接続部と電気的に接続された導電パターンが形成される。尚、ここで言う導電パターンとは、電極、配線、配線と一体の電極、電極は、実装部品との接続電極、外部接続電極などの総称を言う。
【００４４】
続いて図４Ｃ及び図６Ｂに示すように、集合基板１１０Ａのブリッジ部分１１５Ａを被覆する第１の絶縁層１２１を部分的に除去して、ブリッジ部分１１５Ａの一部を外部に露出させる窓部Ｗを形成する。
【００４５】
窓部Ｗの形成方法としては、例えばＣＯ２レーザ等のレーザ光の照射による第１の絶縁層１２１のアブレーションが挙げられるが、勿論これに限られず、エッチング法、ドリル、サンドブラスト等の他の手法が採用可能である。
【００４６】
ここで、図８Ｂに示すように窓部Ｗの大きさ（幅Ｗａ×長さＷｂ）とした場合、原則以下となる。
仮に図８Ａに示すように、ブリッジ部分１１５Ａの幅をＷｄ１（ダイシングライン（分割線Ｌｄ）に沿った長さ）、ブリッジ部分１１５Ａの長さをＷｄ２（ユニットとなるコア基材１１０間の距離）とすると、ＷａはＷｄ１以上であり、ＷｂはＷｄ２よりも小さい、おおよそ矩形または楕円となる。尚、ダイシングブレードの通過があるため、Ｗｂは、ブレード幅よりも大きい。
窓部Ｗの形状やサイズはこれに限定されず、ブリッジ部分１１５Ａを幅Ｗｄ１方向に切断できる大きさであれば十分であり、形状等も図示する矩形状に限られず、円形、楕円形等であってもよい。
【００４７】
続いて、図４Ｄ及び図６Ｃに示すように、窓部Ｗを介して外部へ露出したブリッジ部分１１５Ａの一部が溶解除去される。溶解方法は特に限定されず、本実施形態ではウェットエッチング法が採用される。図４Ｄにおいて符号ＰＲは、めっきレジストである。
【００４８】
一般に、ウェットエッチング法は等方エッチング性を有するため、ブリッジ部分１１５Ａは、その厚み方向だけでなく面内方向（水平方向）にもエッチングされる（サイドエッチング）。このためブリッジ部分１１５Ａは、窓部Ｗのよりも長いエリア、広い面積でオーバーエッチングされることになる結果、ブリッジ部分１１５Ａの溶解断面は、図４Ｄ及び図８Ｃに示すように窓部Ｗを形成する第１の絶縁層１２１の開口周縁部よりも内面側に引っ込んだ位置に形成される。図６（ｃ）において灰色で塗りつぶした領域Ｒは、ブリッジ部分１１５Ａにおけるオーバーエッチング領域に相当し、窓部Ｗよりもコア基材１１０側に入り込んでいる様子がわかる。
【００４９】
ブリッジ部分１１５Ａのサイドエッチング量は、ブリッジ部分１１５Ａの厚みや窓部Ｗの開口幅、エッチングレート等によって決まる。ブリッジ部分１１５Ａのサイドエッチング量が大きすぎると、コア基材１１０の側面が浸食されることになる。コア基材１１０の側面がエッチングされてもよいが、実装エリアに影響を及ぼすことがあり、これを避けるため、ブリッジ部分１１５Ａの溶解除去工程は、コア基材１１０の側面にブリッジ部分１１５Ａの一部を残して終了する条件に設定される。ブリッジ部分１１５Ａの残留部は、コア基材１１０の突出部１１５を構成し、ブリッジ部分１１５Ａの溶解断面は突出部１１５の端面１１５ｓを形成する（図３参照）。
【００５０】
なお、ブリッジ部分１１５Ａの切断後においても、各コア基材１１０が第１の絶縁層１２１、第２の絶縁層１２２及び第３の絶縁層（絶縁材料４１）に支持されるため、各々の相対位置はそのまま維持される。
【００５１】
続いて、図５Ａ及び図７Ａに示すように、第１の絶縁層１２１及びブリッジ部分１１５Ａの除去領域、すなわち窓部Ｗの内部に、絶縁材料４２が充填される。絶縁材料４２には、封止部１４０を構成する樹脂材料が用いられる。
【００５２】
絶縁材料４２の充填方法は特に限定されず、真空印刷法、スクリーン印刷法、ポッティング法、パッド印刷法等の印刷方法、あるいはディスペンサノズルを用いた樹脂充填法などが採用可能である。充填後、絶縁材料４２は、加熱により硬化する
【００５３】
絶縁材料４２に用いられる樹脂は特に限定されず、典型的には上述のように、エポキシ系樹脂が用いられる。第１〜第３の絶縁層１２１〜１２３で構成される外装部１２０に充填される性質上、絶縁材料４２には、硬化後の収縮がきわめて少なく、微細な隙間へ充填が可能な程度の流動性を有するものが好ましい。この種の樹脂材料としては、例えば、太陽インキ製造株式会社製「ＴＨＰ−１００  ＤＸ１」等が挙げられる。
【００５４】
絶縁材料４２の硬化処理後、図５Ｂ及び図７Ｂに示すように、絶縁材料４２の頂部（盛り上がり部）を平坦化する処理が実施される。平坦化処理としては、例えば、バフ研磨が採用される。平坦化処理では、第１の絶縁層１２１の上面から突出する絶縁材料４２の盛り上がり部が除去される。
【００５５】
仮に、絶縁材料４２の盛り上がり部が図５（Ａ）の様に残っていると、以下の問題がある。
第１に、この盛り上がりは、基板の４辺に存在し、盛り上がり量の違いも相まって、基板の平坦化が損なわれて安定した配置にならない場合がある。第２に、盛り上がり部が基板の裏面側に形成される場合、マザーボードに実装する際、マザーボードと隙間を発生させる。これは、基板裏面の半田高さによっては、接続不良を発生する。第３に、盛り上がり部が基板の表面側に形成される場合、実装エリアにかかったりすると、部品の傾き、接続不良などを招く。よって図５（Ｂ）の如く、絶縁材料４２の平坦化処理が求められる場合がある。尚、この平坦度は、基板表面と実質平坦な面になる様な加工を行えば良く、完全な平坦に加工することも無い。ただこれらの課題を無視する場合は、平坦化加工は必要ない。
【００５６】
続いて、図示しないダイサーによって、図５Ｃ及び図７Ｃに示すように、分割線Ｌｄに沿って集合基板１１０Ａがコア基材１１０ごとに個片化される。これにより、開口部Ｈａに充填された絶縁材料（第３の絶縁層１２３）及び封止部１４０が切断され、これらの切断面を周面に有する外周部１２０を備えた回路基板１０が作製される。
このダイシング工程では、窓部Ｗの部分は、図８Ｃに示すように、オーバーエッチングで、コア基材側に埋め込む樹脂が入り込んでいるので、ブレードの力で抜けることも無く良好に切断できる。
【００５７】
なお、個片化の前に、第１の配線層１３１及び第２の配線層１３２にソルダレジストＳＲ１，ＳＲ２や外部接続端子３１の形成工程、電子部品２１の実装工程、モールド部３０の形成工程が行われることで、図１〜図３に示した回路モジュール１００が一括的に作製される。
【００５８】
以上のように本実施形態においては、回路基板１０の作製工程に複数のコア基材１１０を連結するブリッジ部分１１５Ａを溶解除去する工程と、溶解除去したブリッジ部分１１５Ａの空隙に絶縁材料４２を充填して封止部１４０を形成する工程を有している。このため、製造された回路基板１０（あるいは回路モジュール１００）の外装部１２０の周面には、突出部１１５の先端１１５ｓではなく、当該先端部１１５ｓを被覆する封止部１４０が外部へ露出することになる。これにより、半田付け実装時におけるショート不良等の接続不良が回避されるため、実装信頼性が確保された回路モジュール１００を作製することができる。
【００５９】
また、本実施形態においては、ブリッジ部分１１５Ａの溶解除去にウェットエッチング法が採用されているため、サイドエッチングを利用したブリッジ部分１１５Ａの溶解断面の位置調整が可能となる。
例えば図９に示すように、ブリッジ部分１１５Ａを溶解除去する際に形成される窓部Ｗの幅Ｘ１（図８ＡのＷｂに相当）は、ダイサーの幅Ｘ２よりも大きく、ブリッジ部分１１５Ａのエッチング幅Ｘ３よりも小さい。また、窓部Ｗの幅Ｘ１は、ブリッジ部分１１５Ａによって連結される２つのコア基材１１０の側面１１３間の距離Ｘ４としたとき、エッチング幅Ｘ３が距離Ｘ４を超えないように窓部Ｗの幅Ｘ１を設定すればよい。
【００６０】
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上述の実施形態にのみ限定されるものではなく種々変更を加え得ることは勿論である。
【００６１】
例えば以上の実施形態では、回路基板１０の両主面に形成される配線層の数をそれぞれ１層としたが、これに限られず、２層以上の多層配線構造が採用されてもよい。この場合、配線層１３１，１３２の上に層間絶縁膜を介して配線層がさらに形成される。
【００６２】
また、以上の実施形態では、部品収容孔１１４ａを有するコア基材１１０を例に挙げて説明したが、これに限られず、部品収容孔１１４ａは複数個所に設けられてもよいし、あるいは、部品収容孔１１４ａは形成されていなくてもよい。
【００６３】
また図１では、モールド部３０が設けられたが、省略されても良い。
前述したが、封止部１４０が側面にあることで、半田ショートが防止できる。またこの封止部の表面または裏面は、図５Ａの様な盛り上がりを無くすことで、実装性の改善、半田不良などを無くすことが可能である。
一方、裏面の盛り上がりを敢えて残せば、マザーボードとの半田溶融の時、ある程度半田の高さ（厚み）を確保でき、信頼性が改善される事も考えられ得る。
【符号の説明】
【００６４】
１０…回路基板
１００…回路モジュール
１１０…コア基材
１１１…第１の主面
１１２…第２の主面
１１３…側面
１１５…突出部
１２０…外装部
１２１…第１の絶縁層
１２２…第２の絶縁層
１２３…第３の絶縁層
１３１…第１の配線層
１３２…第２の配線層
１４０…封止部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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