(57)【要約】【課題】保護シート剥離工程での剥離ミスを低減する。【解決手段】保護シート剥離工程は、半導体ウェハから小片を分離するための分離起点部を半導体ウェハの裏面に形成する工程を有する（Ｓ２０１）。また、保護シート剥離工程は、平面視において分離起点部と重なるように、保護シート上に剥離シートを貼り付ける工程を有する（Ｓ２０２）。さらに、保護シート剥離工程は、剥離シートに引き剥がし力を加えることにより、分離起点部で小片を半導体ウェハから分離しながら、剥離シートとともに、小片が付着した保護シートを半導体ウェハから剥がす工程を有する（Ｓ２０３）。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）表面と、前記表面とは反対側に位置する裏面とを有するウェハの前記表面に保護シートを貼り付ける工程、
（ｂ）前記（ａ）工程の後、前記裏面に対して処理を実施する工程、
（ｃ）前記（ｂ）工程の後、前記表面から前記保護シートを剥離する工程、
を備える、半導体装置の製造方法であって、
前記（ｃ）工程は、
（ｃ１）前記ウェハから小片を分離するための分離起点部を前記裏面に形成する工程、
（ｃ２）平面視において前記分離起点部と重なるように、前記保護シート上に剥離シートを貼り付ける工程、
（ｃ３）前記剥離シートに引き剥がし力を加えることにより、前記剥離シートとともに、前記小片が付着した前記保護シートを前記ウェハから剥がす工程、
を有し、
前記（ｃ２）工程あるいは前記（ｃ３）工程において、前記分離起点部で前記小片を前記ウェハから分離する、半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｂ）工程は、前記裏面を研削する工程を含む、半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項２に記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｂ）工程の後における前記ウェハの厚さは、４００μｍ以下である、半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項３に記載の半導体装置の製造方法において、
前記保護シートは、前記ウェハの反りを抑制する、半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｂ）工程は、前記裏面に対してめっき膜を形成する工程を含む、半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項５に記載の半導体装置の製造方法において、
前記保護シートは、前記表面へのめっき液の浸入を抑制する、半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記分離起点部は、ダイヤモンドカッタで形成される、半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記分離起点部は、レーザ加工で形成される、半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記分離起点部の深さは、前記裏面の平均表面粗さよりも深い、半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の半導体装置の製造方法において、
前記分離起点部の深さは、０．２μｍよりも深い、半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｃ３）工程では、前記小片と平面的に重なる前記剥離シートの部分を上方に引っ張ることにより、前記小片を前記ウェハから分離する、半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｃ３）工程では、前記裏面のうちの前記小片となる領域を除く領域をチャックで吸着する、半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｃ１）工程では、前記分離起点部の延在方向を調整するために、前記ウェハの向きを調整した後、前記分離起点部を前記裏面に形成する、半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
請求項１３に記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｃ１）工程では、前記表面が（１１０）面の場合、前記分離起点部の延在方向が、前記ウェハの中心と前記ウェハに形成されたノッチとを結ぶ中心線の延在方向と並行または直交する方向となるように、前記ウェハの向きを調整する、半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
請求項１３に記載の半導体装置の製造方法において、
前記ウェハは、複数のチップ領域を区画するスクライブ領域を有し、
前記（ｃ１）工程では、前記表面が（１１０）面の場合、前記分離起点部の延在方向が、前記スクライブ領域の延在方向と並行する方向となるように、前記ウェハの向きを調整する、半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
請求項１３に記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｃ１）工程では、前記表面が（１００）面の場合、前記分離起点部の延在方向が、前記ウェハの中心と前記ウェハに形成されたノッチとを結ぶ中心線の延在方向とのなす角度が＋４５°または−４５°の方向となるように、前記ウェハの向きを調整する、半導体装置の製造方法。
【請求項１７】
請求項１３に記載の半導体装置の製造方法において、
前記ウェハは、複数のチップ領域を区画するスクライブ領域を有し、
前記（ｃ１）工程では、前記表面が（１００）面の場合、前記分離起点部の延在方向が、前記スクライブ領域の延在方向とのなす角度が＋４５°または−４５°の方向となるように、前記ウェハの向きを調整する、半導体装置の製造方法。
【請求項１８】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記ウェハは、複数のチップ領域を有し、
前記複数のチップ領域のそれぞれには、パワートランジスタが形成されている、半導体装置の製造方法。
【請求項１９】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記ウェハは、複数のチップ領域を有し、
前記（ｃ１）工程では、平面視において、前記複数のチップ領域と重ならない領域に、前記分離起点部を形成する、半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造技術に関し、例えば、半導体ウェハの表面に貼り付けられた保護シートを剥がす工程を含む半導体装置の製造技術に適用して有効な技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
特開平１１−１６８６２号公報（特許文献１）には、保護シート上に貼り付けた剥離テープを使用して保護シートを剥離する工程での剥離ミスを防止する対策に関する技術が記載されている。具体的に、特許文献１には、剥離テープを保護シートに接着する際に、加圧処理や加熱処理を実施することにより、剥離テープと保護シートとの接着力を向上する技術が記載されている。
【０００３】
特開平１１−１６３１０５号公報（特許文献２）には、保護シート上に貼り付けた剥離テープを使用して保護シートを剥離する工程での剥離ミスを防止する対策に関する技術が記載されている。具体的に、特許文献２には、半導体ウェハと保護シートとの間の接着力を下げるために、半導体ウェハと保護シートとを接着する接着材として、紫外線硬化型接着材を使用し、半導体ウェハから保護シートを剥離する際、紫外線を照射することにより、紫外線硬化型接着材の接着力を下げる技術が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平１１−１６８６２号公報
【特許文献２】特開平１１−１６３１０５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
例えば、半導体ウェハの裏面に処理を実施する際、半導体ウェハの表面を保護するために、半導体ウェハの表面上に保護シートを貼り付けることが行なわれる。そして、半導体ウェハの裏面の処理が終了した後、半導体ウェハの表面に貼り付けられた保護シートは、半導体ウェハから剥がされる。ここで、半導体ウェハの表面から保護シートを剥離する工程においては、保護シートの剥離ミスが生じる場合があるため、保護シートの剥離ミスをできるだけ低減する工夫が望まれている。
【０００６】
その他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
一実施の形態における半導体装置の製造方法では、分離起点部で小片をウェハから分離しながら、剥離シートとともに、小片が付着した保護シートをウェハから剥がす。
【発明の効果】
【０００８】
一実施の形態によれば、保護シート剥離工程での剥離ミスを低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】半導体装置の製造工程の流れを示すフローチャートである。
【図２】関連技術に存在する改善の余地を説明する図である。
【図３】関連技術に存在する改善の余地を説明する図である。
【図４】関連技術に存在する改善の余地を説明する図である。
【図５】実施の形態を説明するフローチャートである。
【図６】実施の形態における半導体装置の製造工程を示す図である。
【図７】図６に続く半導体装置の製造工程を示す図である。
【図８】図７に続く半導体装置の製造工程を示す図である。
【図９】図８に続く半導体装置の製造工程を示す図である。
【図１０】図９に続く半導体装置の製造工程を示す図である。
【図１１】図１０に続く半導体装置の製造工程を示す図である。
【図１２】関連技術における剥離方法では、剥離ミスが生じやすくなるメカニズムを説明する図である。
【図１３】本実施の形態における剥離方法では、剥離ミスが生じにくくなるメカニズムを説明する図である。
【図１４】変形例を説明するフローチャートである。
【図１５】実施の形態におけるシート剥離装置の模式的な構成を示す図である。
【図１６】シート剥離装置の分離起点形成部によって、ウェハ上に形成された分離起点部の一例を示す図である。
【図１７】シート剥離装置の分離起点形成部によって、ウェハ上に形成された分離起点部の他の一例を示す図である。
【図１８】ウェハの裏面のうちの小片となる領域を除く領域をチャックで吸着することを説明する図である。
【図１９】実施の形態におけるシート剥離装置の動作を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下の実施の形態においては便宜上その必要があるときは、複数のセクションまたは実施の形態に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらはお互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、詳細、補足説明等の関係にある。
【００１１】
また、以下の実施の形態において、要素の数等（個数、数値、量、範囲等を含む）に言及する場合、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合等を除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でもよい。
【００１２】
さらに、以下の実施の形態において、その構成要素（要素ステップ等も含む）は、特に明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。
【００１３】
同様に、以下の実施の形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に明らかにそうではないと考えられる場合等を除き、実質的にその形状等に近似または類似するもの等を含むものとする。このことは、上記数値および範囲についても同様である。
【００１４】
また、実施の形態を説明するための全図において、同一の部材には原則として同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。なお、図面をわかりやすくするために平面図であってもハッチングを付す場合がある。
【００１５】
＜半導体装置の製造工程＞
まず、半導体装置の製造工程について、図１を参照しながら説明する。
【００１６】
図１は、半導体装置の製造工程の流れを示すフローチャートである。例えば、シリコン単結晶からなるウェハ（半導体ウェハ）を準備する（Ｓ１０１）。そして、通常の半導体製造プロセスを使用することにより、このウェハにトランジスタを形成する（Ｓ１０２）。具体的に、酸化技術、フォトリソグラフィ技術、エッチング技術、イオン注入技術、成膜技術および熱処理技術などを使用することにより、パワーＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）やＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）に代表されるパワートランジスタを形成する。
【００１７】
その後、成膜技術、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術などを使用することにより、ウェハ上に配線層を形成する。続いて、パターニング技術を使用することにより、最上層の配線層にパッドを形成する。次に、成膜技術を使用することにより、パッドを覆うパッシベーション膜（表面保護膜）を形成した後、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を使用することにより、パッシベーション膜に開口部を形成する。このとき、この開口部からパッドの表面が露出する（Ｓ１０３）。
【００１８】
続いて、パッシベーション膜上に保護シートを貼り付ける（Ｓ１０４）。そして、ウェハの裏面を研削する（Ｓ１０５）。これにより、例えば、約７５０μｍ程度の厚さを有するウェハが薄厚化されて、約４００μｍ以下の厚さを有するウェハを形成することができる。このとき、ウェハの表面に貼り付けられている保護シートは、ウェハの裏面を研削する際において、ウェハの表面を保護する機能を有する。さらには、ウェハの裏面を研削する工程においては、製品によって、約７５μｍ程度の厚さまで研削する場合もある。このような厚さまでウェハの裏面を研削すると、ウェハに反りが発生しやすくなることから、ウェハの表面に貼り付けられている保護シートは、ウェハの反りを抑制する機能も有する。
【００１９】
次に、ウェハの裏面に裏面電極を形成する（Ｓ１０６）。この裏面電極は、例えば、スパッタリング法で形成することができる。裏面電極は、パワートランジスタのドレイン電極として機能する。さらに、パワートランジスタのオン抵抗を低減するため、裏面電極の厚膜化を図る場合もある。この場合、例えば、めっき法を使用することにより、裏面電極の厚膜化を図ることができる。ここで、めっき法では、めっき液を使用し、このめっき液がウェハの表面に入り込むと、ウェハの裏面だけでなく、ウェハの表面においても、意図しない不要なめっき膜の形成が行なわれてしまう。このことから、ウェハの表面に貼り付けられた保護シートは、さらに、ウェハの表面へのめっき液の入り込みを抑制する機能も有することになる。以上のように、ウェハの表面に貼り付けられた保護シートは、基本機能として、ウェハの表面を保護する機能を有するとともに、薄厚化されたウェハの反りを抑制する機能や、めっき膜を含む裏面電極をウェハの裏面に形成する工程におけるウェハの表面へのめっき液の入り込みを抑制する機能も有していることになる。
【００２０】
続いて、ウェハの表面に貼り付けられた保護シートを剥離する（Ｓ１０７）。そして、ウェハの裏面にダイシングテープを貼り付けた後（Ｓ１０８）、ウェハをダイシングする（Ｓ１０９）。これにより、ウェハに形成されている複数のチップ領域が個片化されて、１枚のウェハから複数の半導体チップを取得することができる。次に、例えば、リードフレームに形成されているチップ搭載部（タブ）上に半田を介して半導体チップを搭載する（Ｓ１１０）。そして、リードフレームに形成されているリードと、半導体チップの表面側に形成されているパッドとを、ワイヤで接続する（ワイヤボンディング）（Ｓ１１１）。その後、半導体チップおよびワイヤを封止する樹脂からなる封止体を形成する（モールド）（Ｓ１１２）。次に、例えば、リードの切断工程と、リードの表面への外装めっき工程と、リードの成形工程などを経ることにより、半導体装置を製造することができる。
【００２１】
＜改善の検討＞
次に、ウェハから保護シートを剥がす工程（図１のＳ１０７）において、本発明者が見出した改善の余地について、図面を参照しながら説明する。
【００２２】
まず、ウェハから保護シートを剥がす関連技術について説明する。
【００２３】
ここで、本明細書でいう「関連技術」は、新規に発明者が見出した課題を有する技術であって、公知である従来技術ではないが、新規な技術的思想の前提技術（未公知技術）を意図して記載された技術である。
【００２４】
ウェハＷＦの表面に貼り付けられている保護シートＰＳに剥離シートＲＳを貼り付けた後、図２に示すように、剥離シートＲＳと密着するローラＲＬを回転させながら、図２の矢印の方向に移動させる。すなわち、図３に示すように、剥離シートＲＳを斜め上方向の引っ張りながら、回転するローラＲＬを矢印の方向に移動させる。このとき、図４に示すように、例えば、ウェハＷＦと保護シートＰＳとの間の接着力よりも剥離シートＲＳと保護シートＰＳとの間の接着力が弱いと、剥離シートＲＳと一体化した保護シートＰＳがウェハＷＦから剥がれるのではなく、剥離シートＲＳが保護シートＰＳから剥がれてしまう。この結果、関連技術では、剥離シートＲＳだけが保護シートＰＳから剥がれてしまい、剥離シートＲＳと一体的に保護シートＰＳをウェハＷＦから剥がすことができなくなる。つまり、関連技術では、保護シートＰＳの剥離ミスが生じるおそれが高くなることを本発明者は新規に見出した。特に、本発明者は、例えば、図１に示す裏面電極形成工程（Ｓ１０６）であるめっき膜形成工程が存在すると、保護シートＰＳの剥離ミスが生じやすくなることを新たに見出した。
【００２５】
めっき膜形成工程では、めっき液が使用されるが、ウェハＷＦとウェハＷＦの表面に貼られた保護シートＰＳとの密着力が弱いと、ウェハＷＦと保護シートＰＳとの間にめっき液が入り込む結果、ウェハＷＦの表面にもめっき膜が形成されてしまう。このことから、めっき膜形成工程が存在する場合、ウェハＷＦと保護シートＰＳとの間にめっき液が入り込むことに起因するウェハＷＦの表面へのめっき膜の形成を防止するために、ウェハＷＦと保護シートＰＳとの間の接着力を高めることが行なわれる。これにより、ウェハＷＦと保護シートＰＳとの間にめっき液が入り込むことを防止できる。
【００２６】
一方、ウェハＷＦと保護シートＰＳとの間の接着力が剥離シートＲＳと保護シートＰＳとの間の接着力よりも大幅に強くなるため、剥離シートＲＳを使用して、ウェハＷＦから保護シートＰＳを引き剥がす際、剥離シートＲＳだけが保護シートＰＳから剥がれてしまい、剥離シートＲＳと一体的に保護シートＰＳをウェハＷＦから剥がすことができなくなるという課題が顕在化する。
【００２７】
この点に関し、例えば、ウェハＷＦと保護シートＰＳとを接着する接着材として、紫外線硬化型接着材を使用して、保護シートＰＳをウェハＷＦから引き剥がす際には、まず、紫外線硬化型接着材に紫外線を照射して、ウェハＷＦと保護シートＰＳとの接着力を弱めることが考えられる。ただし、この場合、高価な紫外線硬化型接着材を使用することになるので、半導体装置の製造コストが上昇することになる。
【００２８】
したがって、半導体装置の製造コストの上昇を抑制しながら、剥離シートＲＳと一体的に保護シートＰＳをウェハＷＦから剥がすことができなくなるという剥離ミスを防止できる工夫が望まれている。つまり、製造コストの上昇を招く接着材の材料変更に頼ることなく、剥離ミスを防止できる工夫が望まれている。
【００２９】
そこで、本実施の形態では、製造コストの上昇を抑制しながら、剥離ミスを低減できる工夫を施している。以下では、この工夫を施した本実施の形態における保護シートの剥がし工程の概要について説明する。
【００３０】
＜実施の形態＞
＜＜保護シートの剥がし工程の概要＞＞
図５は、本実施の形態における保護シートの剥がし工程（Ｓ１０７）の詳細を説明するフローチャートである。
【００３１】
ウェハの表面に保護シートを貼り付ける工程（Ｓ１０４）から裏面電極の形成工程（Ｓ１０６）は前述の通りである。
【００３２】
裏面電極の形成工程後、ウェハの裏面に分離起点部を形成する（Ｓ２０１）。分離起点部とは、ウェハから小片を分離するための起点である。次に、保護シート上に剥離シートを貼り付けた後（Ｓ２０２）、剥離シートとともに保護シートを剥がす（Ｓ２０３）。本実施の形態では、この剥離シートを剥がす工程において、ウェハの裏面に形成されている分離起点部を起点とするウェハの割れが発生して、ウェハから小片が分離される。さらに、本実施の形態では、保護シートを剥がす工程において、ウェハから分離された小片が付着した保護シートは、剥離シートと一体化して、ウェハから剥がれる。
【００３３】
以上のようにして、剥離シートを使用した保護シートのウェハからの剥離が実施される。
【００３４】
＜＜保護シートの剥がし工程の詳細＞＞
以下では、具体的に、剥離シートを使用した保護シートのウェハからの剥離工程の詳細について、図面を参照しながら説明する。
【００３５】
まず、図６に示すように、表面と、表面とは反対側に位置する裏面とを有するウェハＷＦの表面に保護シートＰＳを貼り付ける。そして、ウェハＷＦの裏面に対して、裏面処理を実施した後、図７に示すように、ウェハＷＦから小片を分離するための分離起点部ＳＬをウェハＷＦの裏面に形成する。ここで、分離起点部ＳＬは、例えば、ウェハ外周部において、保護シートをウェハから剥がす方向と交差する方向に延在している。この分離起点部ＳＬは、例えば、ダイヤモンドカッタで形成することができるし、または、レーザ加工で形成することもできる。このとき、分離起点部ＳＬの深さは、例えば、ウェハＷＦの裏面における平均表面粗さ（Ｒａ）よりも深くなっている。例えば、分離起点部ＳＬの深さは、０．２μｍよりも深い。
【００３６】
次に、図８に示すように、例えば、ローラＲＬを回転させながらウェハＷＦ上を移動させることにより、平面視において分離起点部ＳＬと重なるように、保護シートＰＳ上に剥離シートＲＳを貼り付ける。その後、図９に示すように、ローラＲＬを逆回転させて移動させることにより、剥離シートＲＳに引き剥がし力を加える。このとき、図１０に示すように、剥離シートＲＳに加えられている引き剥がし力によって、剥離シートＲＳに貼り付けられている保護シートＰＳの先端部と、保護シートＰＳの先端部と接着しているウェハＷＦの先端部とが、斜め上方向に引っ張られる。この結果、図１０に示すように、ウェハＷＦの裏面に形成されている分離起点部ＳＬにストレスが加わることになり、これによって、分離起点部ＳＬを起点としたウェハＷＦの割れが発生して、ウェハＷＦから小片ＦＧが分離する。すなわち、本実施の形態では、ローラＲＬを逆回転させながら移動させることにより、小片ＦＧと平面的に重なる剥離シートＲＳの部分が斜め上方に引っ張られることになる結果、小片ＦＧがウェハＷＦから分離される。その後、図１１に示すように、引き続き、ローラＲＬを逆回転させてウェハＷＦ上を移動させて、剥離シートＲＳに引き剥がし力を加え続けると、剥離シートＲＳとともに、小片ＦＧが付着した保護シートＰＳがウェハＷＦから剥がれる。以上のようにして、本実施の形態によれば、ウェハＷＦの表面から保護シートＰＳを剥離することができる。
【００３７】
＜＜実施の形態における特徴＞＞
本実施の形態における特徴点は、例えば、図７〜図１１に示すように、保護シートＰＳを貼り付けたウェハＷＦから小片ＦＧを分離するための分離起点部ＳＬをウェハＷＦの裏面に形成した後、保護シートＰＳ上に剥離シートＲＳを貼り付けて、この剥離シートＲＳに引き剥がし力を加えることにより、分離起点部ＳＬで小片ＦＧをウェハＷＦから分離する点にある。これにより、本実施の形態によれば、剥離シートＲＳとともに、小片ＦＧが付着した保護シートＰＳをウェハＷＦから容易に剥がすことができる。
【００３８】
以下では、上述した本実施の形態における特徴点によれば、ウェハＷＦの表面から保護シートＰＳを剥がす際の剥離ミスを防止できるメカニズムについて説明する。
【００３９】
例えば、図１２は、図３〜図４に示す関連技術における剥離方法では、剥離ミスが生じやすくなるメカニズムを説明する図である。図１２において、ウェハに貼り付けられた保護シートＰＳ上には、剥離シートＲＳが貼り付けられている。そして、関連技術では、この剥離シートＲＳを剥がす際、保護シートＰＳもウェハから一体的に剥がすことになるが、実際には、剥離シートＲＳだけが剥がれて、保護シートＰＳがウェハに貼り付いた状態が維持される剥離ミスが生じる。具体的に、図１２に示す関連技術において、剥離シートＲＳによるウェハからの保護シートＰＳの剥離開始時点では、剥離シートＲＳと保護シートＰＳとの接触部分のうちの点領域１００（ピンポイント領域）に引き剥がし力が加わる。このとき、点領域１００の面積は非常に小さいことから、点領域１００における剥離シートＲＳと保護シートＰＳとの接着力は非常に弱い。この状態で、剥離シートＲＳに引き剥がし力を加え続けると、点領域１００における剥離シートＲＳと保護シートＰＳとの接着力が非常に弱いことに起因して、保護シートＰＳとウェハとの間の接着が剥がれる前に、点領域１００における剥離シートＲＳと保護シートＰＳとの剥離が生じてしまう。この結果、関連技術では、剥離シートＲＳだけが剥がれて、保護シートＰＳがウェハに貼り付いた状態が維持される剥離ミスが生じてしまうのである。
【００４０】
これに対し、図１３は、図７〜図１１に示す本実施の形態における剥離方法では、剥離ミスが生じにくくなるメカニズムを説明する図である。図１３において、ウェハに貼り付けられた保護シートＰＳ上には、剥離シートＲＳが貼り付けられている。そして、本実施の形態では、この剥離シートＲＳを剥がす際、保護シートＰＳもウェハから一体的に剥がすことが容易になる結果、剥離ミスの発生を抑制することができる。
【００４１】
具体的に、図１３に示す本実施の形態において、剥離シートＲＳによるウェハからの保護シートＰＳの剥離開始時点では、ウェハの裏面に形成されている分離起点部ＳＬを起点とした小片ＦＧの分離が生じている。この結果、線状領域２００に剥離シートＲＳによる引き剥がし力が加わることになる。すなわち、上述した関連技術では、剥離シートＲＳによるウェハからの保護シートＰＳの剥離開始時点では、点領域１００（ピンポイント領域）にだけ剥離シートＲＳによる引き剥がし力が加わる。これに対し、本実施の形態における剥離方法では、剥離シートＲＳによるウェハからの保護シートＰＳの剥離開始時に、点領域１００（ピンポイント領域）よりも大きい線状領域２００に剥離シートＲＳによる引き剥がし力が加わる（第１優位性）。
【００４２】
さらに、本実施の形態における剥離方法では、図１３に示すように、剥離シートＲＳによるウェハからの保護シートＰＳの剥離開始時に、ウェハの裏面に形成されている分離起点部ＳＬを起点とした小片ＦＧの分離が生じている。このことから、本実施の形態では、剥離開始時点においても、小片ＦＧのウェハからの分離に起因して、小片ＦＧと剥離シートＲＳとの重複領域３００に相当する分の剥離シートＲＳと保護シートＰＳとの接着領域が確保されることになる。このことは、本実施の形態では、重複領域３００に相当する剥離シートＲＳと保護シートＰＳとの接着領域が確保される結果、関連技術よりも、剥離開始時点における剥離シートＲＳと保護シートＰＳとの接着力を確保できることを意味する。したがって、本実施の形態では、剥離シートＲＳに引き剥がし力を加え続けると、重複領域３００における剥離シートＲＳと保護シートＰＳとの接着力が非常に強いことに起因して、保護シートＰＳとウェハとの間の接着が剥がれる前に、重複領域３００における剥離シートＲＳと保護シートＰＳとの剥離が生じてしまうことを効果的に抑制することができる（第２優位性）。つまり、本実施の形態における剥離方法では、剥離シートＲＳと保護シートＰＳとの接着を維持しながら、保護シートＰＳとウェハとの間の接着を容易に剥がすことができるようになるのである。
【００４３】
以上のことから、本実施の形態における剥離方法では、関連技術に対して、上述した第１優位性と第２優位性を有している。このことから、本実施の形態における剥離方法によれば、この第１優位性と第２優位性との相乗効果によって、剥離シートＲＳだけが剥がれて、保護シートＰＳがウェハに貼り付いた状態が維持される剥離ミスを容易に防止することができる。これにより、本実施の形態によれば、保護シートＰＳの剥離工程を有する半導体装置の製造方法において、製造歩留りの向上を図ることができる。
【００４４】
特に、本実施の形態は、製造コストの上昇を招く接着材の材料変更に頼ることなく、剥離ミスを防止できる工夫を実現している点で有用な技術的思想である。このように、本実施の形態によれば、半導体装置の製造コストの上昇を抑制しながら、保護シートＰＳの剥離工程で生じる剥離ミスを低減することができる。したがって、本実施の形態は、半導体装置の製造コストと製造歩留りの向上とを両立できる点で、優れた技術的思想であることがわかる。
【００４５】
＜＜変形例＞＞
実施の形態では、剥離シートＲＳを剥がす工程において、分離起点部ＳＬで小片ＦＧをウェハＷＦから分離する構成例について説明したが、本実施の形態は、これに限らず、例えば、保護シートＰＳ上に剥離シートＲＳを貼り付ける工程において、分離起点部ＳＬで小片ＦＧをウェハＷＦから分離する構成によっても実現できる。
【００４６】
具体的に、例えば、ローラＲＬによるウェハＷＦへの押し付け力を大きくすることにより、分離起点部ＳＬを起点とするウェハＷＦの割れを発生させて、ウェハＷＦから分離した小片を形成することもできる。
【００４７】
図１４は、本変形例における保護シートの剥がし工程（Ｓ１０７）の詳細を説明するフローチャートである。
【００４８】
ウェハの表面に保護シートを貼り付ける工程（Ｓ１０４）から裏面電極の形成工程（Ｓ１０６）は前述の通りである。
【００４９】
裏面電極の形成工程後、ウェハの裏面に分離起点部を形成する（Ｓ３０１）。分離起点部とは、ウェハから小片を分離するための起点である。ここで、分離起点部ＳＬは、例えば、ウェハ外周部において、保護シートをウェハから剥がす方向と交差する方向に延在している。
【００５０】
次に、保護シート上に剥離シートを貼り付ける（Ｓ３０２）。このとき、本変形例では、ウェハの裏面に形成されている分離起点部を起点とするウェハの割れが発生して、ウェハから小片が分離される。その後、剥離シートとともに保護シートを剥がす（Ｓ３０３）。このとき、本変形例では、保護シートを剥がす工程において、ウェハから分離された小片が付着した保護シートが、剥離シートと一体化して、ウェハから剥がれる。以上のようにして、本変形例においても、剥離シートを使用した保護シートのウェハからの剥離が実施される。
【００５１】
＜実施の形態における半導体製造装置＞
次に、本実施の形態における基本思想を具現化する半導体製造装置（シート剥離装置）について、図面を参照しながら説明する。
【００５２】
＜＜半導体製造装置の構成＞＞
図１５は、本実施の形態におけるシート剥離装置ＲＡの模式的な構成を示す図である。図１５に示すように、本実施の形態におけるシート剥離装置ＲＡは、分離起点形成部１０と、剥離動作部２０と、搬送部３０とを有している。
【００５３】
分離起点形成部１０は、表面に貼り付けられた保護シートを有するウェハから小片を分離するための分離起点部を、ウェハの裏面のうち、平面視において剥離シートと重なる部分に形成するように構成されている。例えば、分離起点形成部１０は、ダイヤモンドカッタやレーザ加工によって、分離起点部を形成するように構成されている。このため、分離起点形成部１０には、ダイヤモンドカッタやレーザが備え付けられている。
【００５４】
図１６は、シート剥離装置ＲＡの分離起点形成部１０によって、ウェハＷＦ上に形成された分離起点部ＳＬの一例を示す図である。図１６において、ウェハＷＦの表面は、（１１０）面となっており、このウェハＷＦの表面には、複数のチップ領域ＣＲが形成されている。そして、複数のチップ領域ＣＲのそれぞれには、例えば、パワートランジスタが形成されている。このとき、図１６に示すように、平面視において、複数のチップ領域ＣＲと重ならない領域、すなわちウェハ外周部に、分離起点部ＳＬが形成されている。
【００５５】
ここで、（１１０）面においては、分離起点部ＳＬの延在方向が、ウェハＷＦの中心とウェハＷＦに形成されたノッチＮＴとを結ぶ中心線の延在方向（ｙ方向）と並行または直交する方向となることが望ましい。言い換えれば、ウェハＷＦの表面が（１１０）面の場合、分離起点部ＳＬの延在方向が、複数のチップ領域ＣＲを区画するスクライブ領域の延在方向（ｘ方向あるいはｙ方向）と並行する方向となることが望ましい。なぜなら、（１１０）面においては、この方向にウェハＷＦが割れやすいからである。特に、図１６では、
分離起点部ＳＬの延在方向が、ウェハＷＦの中心とウェハＷＦに形成されたノッチＮＴとを結ぶ中心線の延在方向と直交する方向となる例が示されている。
【００５６】
図１７は、シート剥離装置ＲＡの分離起点形成部１０によって、ウェハＷＦ上に形成された分離起点部ＳＬの他の一例を示す図である。図１７において、ウェハＷＦの表面は、（１００）面となっており、このウェハＷＦの表面には、複数のチップ領域ＣＲが形成されている。そして、複数のチップ領域ＣＲのそれぞれには、例えば、パワートランジスタが形成されている。このとき、図１７に示すように、平面視において、複数のチップ領域ＣＲと重ならない領域に、分離起点部ＳＬが形成されている。
【００５７】
ここで、（１００）面においては、分離起点部ＳＬの延在方向が、ウェハＷＦの中心とウェハＷＦに形成されたノッチＮＴとを結ぶ中心線の延在方向（ｙ方向）とのなす角度が＋４５°または−４５°の方向となることが望ましい。言い換えれば、ウェハＷＦの表面が（１００）面の場合、分離起点部ＳＬの延在方向が、複数のチップ領域ＣＲを区画するスクライブ領域の延在方向（ｘ方向あるいはｙ方向）とのなす角度が＋４５°または−４５°の方向となることが望ましい。なぜなら、（１００）面においては、この方向にウェハＷＦが割れやすいからである。
【００５８】
このように、（１１０）面の表面を有するウェハＷＦと、（１００）面の表面を有するウェハＷＦでは、それぞれ、分離起点部ＳＬの延在方向が相違する。したがって、本実施の形態におけるシート剥離装置ＲＡは、両方のウェハＷＦに対応できるようにするため、例えば、分離起点形成部１０は、表面が（１１０）面のウェハＷＦの割れやすい方向に分離起点部ＳＬの延在方向を揃えることができるとともに、表面が（１００）面のウェハＷＦの割れやすい方向に分離起点部ＳＬの延在方向を揃えることができるように、ウェハＷＦの向きを調整するアライメント部を備えていることが望ましい。
【００５９】
このため、本実施の形態における分離起点形成部１０は、ウェハＷＦに形成される分離起点部ＳＬの延在方向を調整するために、ウェハＷＦの向きを調整するアライメント部を含むように構成されている。
【００６０】
次に、剥離動作部２０は、分離起点形成部１０により分離起点部ＳＬが形成されたウェハＷＦに貼り付けられている保護シート上に剥離シートを貼り付ける動作と、剥離シートに引き剥がし力を加えることにより、剥離シートとともに、小片が付着した保護シートをウェハＷＦから剥がす動作とを実現できるように構成されている。ここで、剥離動作部２０は、剥離シートに引き剥がし力を加える際に、分離起点部ＳＬで小片をウェハＷＦから分離するように構成されていてもよいし、保護シート上に剥離シートを貼り付ける際に、分離起点部ＳＬで小片をウェハＷＦから分離するように構成されていてもよい。
【００６１】
この剥離動作部２０は、例えば、図１８に示すように、ウェハＷＦを吸着するチャックＣＫを有する。そして、剥離動作部２０は、ウェハＷＦの裏面のうちの小片となる領域を除く領域をチャックＣＫで吸着するように構成されている。これにより、ウェハＷＦの裏面に形成されている分離起点部ＳＬを起点とする小片の形成が容易となる。
【００６２】
＜＜半導体製造装置の動作＞＞
本実施の形態におけるシート剥離装置ＲＡは、上記のように構成されており、以下に、その動作について、図面を参照しながら説明する。
【００６３】
図１９は、本実施の形態におけるシート剥離装置ＲＡの動作を説明するフローチャートである。まず、シート剥離装置ＲＡの分離起点形成部１０において、ウェハＷＦに形成される分離起点部ＳＬの延在方向を調整するために、ウェハＷＦの向きを調整する（Ｓ４０１）。次に、分離起点形成部１０は、例えば、ダイヤモンドカッタやレーザ加工によって、分離起点部ＳＬを形成する（Ｓ４０２）。その後、分離起点部ＳＬが形成されたウェハＷＦは、搬送部３０によって、分離起点形成部１０から剥離動作部２０に搬送される（Ｓ４０３）。続いて、剥離動作部２０は、ウェハＷＦの裏面のうちの小片となる領域を除く領域をチャックで吸着する（Ｓ４０４）。そして、剥離動作部２０は、ウェハＷＦに貼り付けられている保護シート上に剥離シートを貼り付けた後（Ｓ４０５）、剥離シートに引き剥がし力を加えることにより、剥離シートとともに保護シートをウェハＷＦから剥がす（Ｓ４０６）。具体的に、剥離動作部２０は、ローラを回転させながらウェハＷＦ上を第１方向に移動させることにより、保護シート上に剥離シートを貼り付けた後、ローラを逆回転させながらウェハＷＦ上を第１方向とは逆方向の第２方向に移動させることにより、剥離シートと保護シートとを一体的にウェハＷＦから剥離する。このとき、本実施の形態では、剥離動作部２０において剥離シートを剥がす際、ウェハＷＦの裏面に形成されている分離起点部ＳＬを起点とするウェハＷＦの割れが発生して、ウェハＷＦから小片が分離され、ウェハＷＦから分離されたこの小片が付着した保護シートは、剥離シートと一体化して、ウェハＷＦから剥がれる。以上のようにして、シート剥離装置ＲＡを動作させることができる。
【００６４】
以上、本発明者によってなされた発明をその実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。
【００６５】
前記実施の形態は、以下の形態を含む。
【００６６】
（付記１）
表面と、前記表面とは反対側に位置する裏面とを有し、かつ、前記表面に貼り付けられた保護シートを有するウェハから小片を分離するための分離起点部を、前記裏面のうち、平面視において前記剥離シートと重なる部分に形成する分離起点形成部と、
前記分離起点形成部により前記分離起点部が形成されたウェハに貼り付けられている前記保護シート上に剥離シートを貼り付けた後、前記剥離シートに引き剥がし力を加えることにより、前記剥離シートとともに、前記小片が付着した前記保護シートを前記ウェハから剥がす剥離動作部と、
を備える、半導体製造装置。
【００６７】
（付記２）
付記１に記載の半導体製造装置において、
前記剥離動作部は、前記剥離シートに引き剥がし力を加える際に、前記分離起点部で前記小片を前記ウェハから分離する、半導体製造装置。
【００６８】
（付記３）
付記１に記載の半導体製造装置において、
前記剥離動作部は、前記保護シート上に剥離シートを貼り付ける際に、前記分離起点部で前記小片を前記ウェハから分離する、半導体製造装置。
【００６９】
（付記４）
付記１に記載の半導体製造装置において、
前記分離起点形成部は、前記ウェハに形成される前記分離起点部の延在方向を調整するために、前記ウェハの向きを調整するアライメント部を含む、半導体製造装置。
【００７０】
（付記５）
付記１に記載の半導体製造装置において、
前記分離起点形成部は、前記分離起点部を形成するためのダイヤモンドカッタを有する、半導体製造装置。
【００７１】
（付記６）
付記１に記載の半導体製造装置において、
前記分離起点形成部は、前記分離起点部を形成するためのレーザを有する、半導体製造装置。
【００７２】
（付記７）
付記１に記載の半導体製造装置において、
前記剥離動作部は、前記ウェハを吸着するチャックを有する、半導体製造装置。
【００７３】
（付記８）
付記７に記載の半導体製造装置において、
前記剥離動作部は、前記裏面のうちの前記小片となる領域を除く領域を前記チャックで吸着する、半導体製造装置。
【００７４】
（付記９）
付記１に記載の半導体製造装置において、
前記剥離動作部は、前記剥離シートと密着するローラを有し、
前記剥離動作部は、前記ローラを回転させながら前記ウェハ上を第１方向に移動させることにより、前記保護シート上に前記剥離シートを貼り付けた後、前記ローラを逆回転させながら前記ウェハ上を前記第１方向とは逆方向の第２方向に移動させることにより、前記剥離シートと前記保護シートとを一体的に前記ウェハから剥離する、半導体製造装置。
【符号の説明】
【００７５】
１０  分離起点形成部
２０  剥離動作部
３０  搬送部
ＣＫ  チャック
ＦＧ  小片
ＮＴ  ノッチ
ＰＳ  保護シート
ＲＡ  シート剥離装置
ＲＬ  ローラ
ＲＳ  剥離シート
ＳＬ  分離起点部
ＷＦ  ウェハ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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