(57)【要約】【課題】  封止前の状態においてベース基板とリードフレームとの間に十分な縁面放電距離を確保することにより、短絡の可能性が低減され、耐電性に優れた回路基板及びその製造方法を提供すること。【解決手段】  金属またはセラミックスからなるベース基板と、第１の絶縁層と、回路パターンとがこの順で積層された回路基板であって、前記回路パターンは、金属箔から一体成形されることにより前記回路パターンから外方へ延出したリードフレームを有し、前記リードフレームは、前記ベース基板の周縁から外方へ延出した部位を有し、前記第１の絶縁層は、前記リードフレームの前記延出部位の下面に積層配置された延長部を有することにより、前記リードフレームの前記延出部位の下面を被覆している回路基板。【選択図】  図１Ｂ
2019009164.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属またはセラミックスからなるベース基板と、第１の絶縁層と、回路パターンとがこの順で積層された回路基板であって、
前記回路パターンは、金属箔から一体成形されることにより前記回路パターンから外方へ延出したリードフレームを有し、
前記リードフレームは、前記ベース基板の周縁から外方へ延出した部位を有し、
前記第１の絶縁層は、前記リードフレームの前記延出部位の下面に積層配置された延長部を有することにより、前記リードフレームの前記延出部位の下面を被覆している回路基板。
【請求項２】
前記第１の絶縁層は、前記リードフレームの側面のうちの、前記延出部位に隣接した前記リードフレームの残部の側面であって、前記第１の絶縁層で被覆された前記リードフレームの下面と隣接した領域を更に被覆している請求項１に記載の回路基板。
【請求項３】
前記第１の絶縁層は、熱硬化性樹脂を含有する組成物含む絶縁層である請求項１又は２に記載の回路基板。
【請求項４】
前記回路パターンと前記リードフレームは、前記金属箔の打ち抜き加工により一体成形されたものである請求項１〜３のいずれか一つに記載の回路基板。
【請求項５】
前記第１の絶縁層の前記延長部は、前記ベース基板の側面のうちの、前記延長部に隣接する前記第１の絶縁層の残部で被覆された前記ベース基板の上面と隣接した領域を更に被覆している請求項１〜４のいずれか一つに記載の回路基板。
【請求項６】
前記ベース基板と前記第１の絶縁層との間に、第２の絶縁層を更に有する請求項１〜４のいずれか一つに記載の回路基板。
【請求項７】
前記第１の絶縁層及び前記第２の絶縁層は、双方が熱硬化性樹脂を含有する組成物を含む絶縁層であるか、あるいは、前記第１の絶縁層及び前記第２の絶縁層の一方が熱硬化性樹脂を含有する組成物を含む絶縁層であり、他方が粘着剤を含む絶縁層である請求項６に記載の回路基板。
【請求項８】
前記第１の絶縁層の前記延長部は、前記第２の絶縁層の側面のうちの、前記延長部に隣接する前記第１の絶縁層の残部で被覆された前記第２の絶縁層の上面と隣接した領域を、更に被覆しているか、あるいは、前記第２の絶縁層の側面のうちの、前記延長部に隣接する前記第１の絶縁層の残部で被覆された前記第２の絶縁層の上面と隣接した領域と、前記ベース基板の側面のうちの、前記第２の絶縁層の側面の前記領域に隣接した領域とを被覆している請求項６又は７に記載の回路基板。
【請求項９】
請求項１〜５のいずれか一つに記載の回路基板の製造方法であり、
前記金属箔の片面に前記第１の絶縁層を形成して第１の積層体を得ること、
前記第１の積層体を打ち抜き加工することにより、前記回路パターンと前記リードフレームが一体化されたリードフレーム一体型回路パターンと、前記第１の絶縁層を有する第２の積層体を得ること、及び
前記第２の積層体と前記ベース基板とを、前記第１の絶縁層を介して積層すること
を含む回路基板の製造方法。
【請求項１０】
積層される前の前記第１の絶縁層は、熱硬化性樹脂を含有する組成物のＢステージ状態の硬化物を含む絶縁層である請求項９に記載の回路基板の製造方法。
【請求項１１】
請求項６〜８のいずれか一つに記載の回路基板の製造方法であり、
前記金属箔の片面に前記第１の絶縁層を形成して第１の積層体を得ること、
前記第１の積層体を打ち抜き加工することにより、前記回路パターンと前記リードフレームが一体化されたリードフレーム一体型回路パターンと、前記第１の絶縁層を有する第２の積層体を得ること、
前記ベース基板の片面に前記第２の絶縁層を形成して第３の積層体を得ること、及び
前記第２の積層体と前記第３の積層体とを、前記第１の絶縁層及び前記第２の絶縁層を介して積層すること
を含む回路基板の製造方法。
【請求項１２】
積層される前の前記第１の絶縁層及び前記第２の絶縁層の少なくとも一方は、熱硬化性樹脂を含有する組成物のＢステージ状態の硬化物を含む絶縁層である請求項１１に記載の回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路基板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＬＥＤ用の回路基板やパワーモジュール用の回路基板において、放熱性の向上のため、金属ベース基板に絶縁層を介して直接リードフレームを積層する構造が開示されている（例えば、特許文献１、２を参照）。この場合、金属ベース基板とリードフレームとの間は縁面放電距離が短くなり、短絡のおそれがある。従来は、封止材で封止をしてリードフレームと金属ベース基板との間の短絡を防ぐことが行われていたが、封止の際に発生するボイド等により、短絡が起こる恐れは依然としてあった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特許第４２２０６４１号公報
【特許文献２】特許第４８６２６０１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、封止前の状態においてベース基板とリードフレームとの間に十分な縁面放電距離を確保することにより、短絡の可能性が低減され、耐電性に優れた回路基板及びその製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の第一側面によると、金属またはセラミックスからなるベース基板と、第１の絶縁層と、回路パターンとがこの順で積層された回路基板であって、上記回路パターンは、金属箔から一体成形されることにより上記回路パターンから外方へ延出したリードフレームを有し、上記リードフレームは、上記ベース基板の周縁から外方へ延出した部位を有し、上記第１の絶縁層は、上記リードフレームの上記延出部位の下面に積層配置された延長部を有することにより、上記リードフレームの上記延出部位の下面を被覆している回路基板が提供される。
【０００６】
本発明の他の側面によれば、上記第１の絶縁層は、上記リードフレームの側面のうちの、上記延出部位に隣接した前記リードフレームの残部の側面であって、上記第１の絶縁層で被覆された上記リードフレームの下面と隣接した領域を更に被覆している。
【０００７】
更に、本発明の他の側面によれば、上記第１の絶縁層は、熱硬化性樹脂を含有する組成物含む絶縁層である。
【０００８】
更に、本発明の他の側面によれば、上記回路パターンと上記リードフレームは、上記金属箔の打ち抜き加工により一体成形されたものである。
【０００９】
更に、本発明の他の側面によれば、上記第１の絶縁層は、上記第１の絶縁層の前記延長部は、上記ベース基板の側面のうちの、上記延長部に隣接する上記第１の絶縁層の残部で被覆された上記ベース基板の上面と隣接した領域を更に被覆している。
【００１０】
更に、本発明の他の側面によれば、上記ベース基板と上記第１の絶縁層との間に、第２の絶縁層を更に有する。
【００１１】
更に、本発明の他の側面によれば、上記第１の絶縁層及び上記第２の絶縁層は、双方が熱硬化性樹脂を含有する組成物を含む絶縁層であるか、あるいは、上記第１の絶縁層及び上記第２の絶縁層の一方が熱硬化性樹脂を含有する組成物を含む絶縁層であり、他方が粘着剤を含む絶縁層である。
【００１２】
更に、本発明の他の側面によれば、上記第１の絶縁層の上記延長部は、上記第２の絶縁層の側面のうちの、上記延長部に隣接する上記第１の絶縁層の残部で被覆された上記第２の絶縁層の上面と隣接した領域を、更に被覆しているか、あるいは、上記第２の絶縁層の側面のうちの、上記延長部に隣接する上記第１の絶縁層の残部で被覆された上記第２の絶縁層の上面と隣接した領域と、上記ベース基板の側面のうちの、上記第２の絶縁層の側面の上記領域に隣接した領域とを被覆している。
【００１３】
また、本発明の他の側面によると、上記回路基板の製造方法であり、上記金属箔の片面に上記第１の絶縁層を形成して第１の積層体を得ること、  上記第１の積層体を打ち抜き加工することにより、上記回路パターンと上記リードフレームが一体化されたリードフレーム一体型回路パターンと、上記第１の絶縁層を有する第２の積層体を得ること、及び、上記第２の積層体と上記ベース基板とを、上記第１の絶縁層を介して積層することを含む回路基板の製造方法が提供される。
【００１４】
本発明の他の側面によれば、積層される前の上記第１の絶縁層は、熱硬化性樹脂を含有する組成物のＢステージ状態の硬化物を含む絶縁層である。
【００１５】
また、本発明の他の側面によると、上記回路基板の製造方法であり、上記金属箔の片面に上記第１の絶縁層を形成して第１の積層体を得ること、上記第１の積層体を打ち抜き加工することにより、上記回路パターンと上記リードフレームが一体化されたリードフレーム一体型回路パターンと、上記第１の絶縁層を有する第２の積層体を得ること、上記ベース基板の片面に上記第２の絶縁層を形成して第３の積層体を得ること、及び、上記第２の積層体と上記第３の積層体とを、上記第１の絶縁層及び上記第２の絶縁層を介して積層することを含む回路基板の製造方法が提供される。
【００１６】
本発明の他の側面によれば、積層される前の上記第１の絶縁層及び上記第２の絶縁層の少なくとも一方は、熱硬化性樹脂を含有する組成物のＢステージ状態の硬化物を含む絶縁層である。
【発明の効果】
【００１７】
本発明により、封止前の状態でもベース基板とリードフレームとの間に十分な縁面放電距離が確保されるため、ベース基板とリードフレームとの間の短絡の可能性が低減され、耐電性に優れた回路基板及びその製造方法を提供することが可能となった。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１Ａ】図１Ａは、実施の形態１に係る回路基板の構成を模式的に示した上面図である。
【図１Ｂ】図１Ｂは、実施の形態１に係る回路基板の、図１Ａに示したＸ−Ｘ線に相当する位置における断面の構成を模式的に示した断面図である。
【図１Ｃ】図１Ｃは、実施の形態１に係る回路基板の、図１Ａに示したＹ−Ｙ線に相当する位置における断面の構成を模式的に示した断面図である。
【図１Ｄ】図１Ｄは、実施の形態１に係る回路基板の、図１Ｂに示した断面領域Ｄ１の拡大図である。
【図２Ａ】図２Ａは、実施の形態２に係る回路基板の構成を模式的に示した上面図である。
【図２Ｂ】図２Ｂは、実施の形態２に係る回路基板の、図２Ａに示したＸ−Ｘ線に相当する位置における断面の構成を模式的に示した断面図である。
【図２Ｃ】図２Ｃは、実施の形態２に係る回路基板の、図２Ａに示したＹ−Ｙ線に相当する位置における断面の構成を模式的に示した断面図である。
【図２Ｄ】図２Ｄは、実施の形態２に係る回路基板の、図２Ｂに示した断面領域Ｄ2の拡大図である。
【図３Ａ】図３Ａは、実施の形態１に係る回路基板を製造する工程を概略的に示した上面図である。
【図３Ｂ】図３Ｂは、実施の形態１に係る回路基板を製造する工程を概略的に示した図であって、図３Ａに示したＸ−Ｘ線に相当する位置における断面の構成を模式的に示した断面図である。
【図４Ａ】図４Ａは、実施の形態２に係る回路基板を製造する工程を概略的に示した上面図である。
【図４Ｂ】図４Ｂは、実施の形態２に係る回路基板を製造する工程を概略的に示した図であって、図４Ａに示したＸ−Ｘ線に相当する位置における断面の構成を模式的に示した断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。  
（実施の形態１）
図１Ａは、実施の形態１に係る回路基板１０の構成を模式的に示した上面図であり、図１Ｂは、実施の形態１に係る回路基板１０の、図１Ａに示したＸ−Ｘ線に相当する位置における断面の構成を模式的に示した断面図である。図１Ａ及び図１Ｂにおいて、回路基板１０は、ベース基板４と、第１の絶縁層３と、回路パターン１と、リードフレーム２とを有して構成されている。
【００２０】
回路パターン１とリードフレーム２は、金属箔からの一体成形により形成されたものであり、図１Ａ及び図２Ｂに示すように、回路パターン１とリードフレーム２は一体化されている。本明細書では、このように回路パターン１とリードフレーム２とが金属箔からの一体成形により一体化された構造を、「リードフレーム一体型回路パターン」などという。ここで形成した回路パターン１は、さらにエッチングをしてより微細な回路パターンとしてもよい。また、別に形成した回路基板を回路パターン１上に積層しても良い。なお、本明細書において、「リードフレーム」とは、外部配線と接続をする機能を有する部品（部位）を意味する。
【００２１】
図１Ａ及び図２Ｂに示すように、実施の形態１に係る回路基板１０は、リードフレーム一体型回路パターン（１、２）とベース基板４とが、第１の絶縁層３を介して積層されてなる構造を有している。
【００２２】
図１Ａ及び図１Ｂに示すように、リードフレーム２は、ベース基板４の周縁から外方へ延出した部位（以下、「延出部位Ａ１」という。）を有している。上述した通り、リードフレーム２は、金属箔からの一体成形により回路パターン１と共に形成されたものであり、図２Ｂにおいて、リードフレーム２は、上述した延出部位Ａ１と、延出部位Ａ１に隣接した部位（残部）Ａ２とからなる。
【００２３】
第１の絶縁層３は、リードフレーム２の延出部位Ａ１の下面に積層配置された延長部Ｂを有する。第１の絶縁層３の延長部Ｂが、リードフレーム２の延出部位Ａ１の下面を被覆することにより、封止前の状態でもベース基板４とリードフレーム２との間に十分な縁面放電距離が確保されるため、ベース基板４とリードフレーム２との間の短絡を防ぐことができる。
【００２４】
第１の絶縁層３の延長部Ｂによる、リードフレーム２の延出部位Ａ１の下面の被覆率は、好ましくは０．５〜１００％であり、より好ましくは２〜５０％であり、更に好ましくは５〜４０％である。
【００２５】
実施の形態１に係る回路基板１０において、第１の絶縁層３は、以下に説明するように、第１のフィレットと第２のフィレットとを有する。
【００２６】
図１Ｃは、実施の形態１に係る回路基板の、図１Ａに示したＹ−Ｙ線に相当する位置における断面の構成を模式的に示した断面図である。図１Ｃに示すように、リードフレーム２の端部（図１Ｃの破線枠Ｃで囲われた部分）が、第１の絶縁層３により被覆されている。この破線枠Ｃで囲われたリードフレーム２の端部から立ち上がっている側面は、リードフレーム２の側面のうちの、図１Ｂに示される延出部位Ａ１に隣接した残部Ａ２の側面である。すなわち、図１Ｃは、リードフレーム２の残部Ａ２の側面であって、第１の絶縁層３で被覆されたリードフレーム２の下面と隣接した領域が、第１の絶縁層３により被覆されている状態を示す。このように、リードフレーム２の残部Ａ２の下面だけでなく、残部Ａ２の側面であって、第１の絶縁層で被覆された下面と隣接した領域も第１の絶縁層３により被覆されることにより、ベース基板４とリードフレーム２との間の短絡の可能性が更に低減される。以下において、図１Ｃ中の３ａに示されるような、リードフレーム等の端部を被覆する絶縁層の形状を「フィレット形状」という。そして、図１Ｃ中の３ａに示される、リードフレーム２の延出部位Ａ１に隣接する残部Ａ２の端部が、第１の絶縁層３で被覆された形状を「第１のフィレット」という。
【００２７】
実施の形態１に係る回路基板１０において、第１の絶縁層３は、更に以下に説明する第２のフィレットを有する。  
図１Ｄは、実施の形態１に係る回路基板の、図１Ｂに示した断面領域Ｄ１の拡大図である。図１Ｂ及び図１Ｄに示すように、ベース基板４の端部（枠Ｄ１で囲われたベース基板４の部分）が、第１の絶縁層３により被覆され、フィレット形状が形成されている。このように、リードフレーム２の延出部位Ａ１の下面だけでなく、ベース基板４の側面のうちの枠Ｄ１で囲われた領域、すなわち、ベース基板４の側面のうちの、第１の絶縁層３の延長部Ｂに隣接する第１の絶縁層３の残部で被覆されたベース基板４の上面と隣接した領域も、第１の絶縁層３の延長部Ｂにより被覆されることにより、ベース基板４とリードフレーム２との間の短絡の可能性が更に低減される。以下において、図１Ｄ中の３ｂに示される、ベース基板４の端部が、第１の絶縁層３の延長部Ｂで被覆された形状を「第２のフィレット」という。
【００２８】
また、第１の絶縁層３が第２のフィレット３ｂを有することにより、ベース基板４とリードフレーム一体型回路パターンとの密着性が向上し、リードフレームの曲げ加工時などに、有利となる。
【００２９】
実施の形態１において、ベース基板４は、金属又はセラミックスからなる。  
ベース基板４としての金属基板は、例えば、単体金属又は合金からなる。金属基板の材料としては、例えば、アルミニウム、鉄、銅、アルミニウム合金、又はステンレスを使用することができる。金属基板は、炭素などの非金属を更に含んでいてもよい。例えば、ベース基板４としての金属基板は、炭素と複合化したアルミニウムを含んでいてもよい。また、金属基板は、単層構造を有していてもよく、多層構造を有していてもよい。
【００３０】
金属基板は、高い熱伝導率を有している。典型的には、金属基板２は、６０Ｗ・ｍ−１・Ｋ−１以上の熱伝導率を有している。  
金属基板は、可撓性を有していてもよく、可撓性を有していなくてもよい。金属基板の厚さは、例えば、０．２−５ｍｍの範囲内にある。
【００３１】
ベース基板４としてのセラミックス基板としては、例えば、アルミナ、窒化珪素、窒化アルミ、炭化ケイ素、窒化硼素を使用することができる。セラミックス基板の厚さは、例えば、０．２〜５ｍｍの範囲内にある。
【００３２】
実施の形態１において、第１の絶縁層３は、熱硬化性樹脂を含有する組成物を含むことが好ましく、熱硬化性樹脂と無機フィラーとを含有する組成物を含むことがより好ましい。第１の絶縁層３がこのような混合物を含有することにより、熱電導性及び放熱特性に優れた絶縁層となる。
【００３３】
第１の絶縁層３が含む樹脂組成物に含有される熱硬化性樹脂としては、例えば、シアネート樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、アクリル樹脂、ウレタン樹脂、マレイミド樹脂、ベンゾオキサジン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、シリコン樹脂、ジアリルフタレート樹脂、アルキド樹脂等を挙げることができる。熱硬化性樹脂として１種を単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００３４】
第１の絶縁層３が含む樹脂組成物に含有される無機フィラーとしては、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化ケイ素、酸化マグネシウム、酸化ケイ素等が挙げられる。これらの中から選ばれる１種又は２種以上を用いることが好ましい。
【００３５】
無機フィラーを含有する系においては、硬化に伴う発熱反応が無機充填材の存在によって抑制される傾向がある。具体的には、無機フィラーに反応熱が吸収されるため硬化反応が遅くなることや、無機フィラーの表面官能基によっては熱硬化性樹脂の硬化反応を阻害する等の問題が考えられる。このため、表面処理された無機フィラーを使用してもよいし、後述する硬化促進剤との適切な組み合わせにおいて無機フィラーを使用することが好ましい。無機フィラーの表面処理としては、例えば、無機フィラーの表面を熱硬化性樹脂と反応を伴って化学結合できる官能基で修飾してもよいし、もしくは熱硬化性樹脂と相溶性が高い官能基で修飾してもよく（例えば、シアネート基、エポキシ基、アミノ基、水酸基、カルボキシル基、ビニル基、スチリル基、メタクリル基、アクリル基、ウレイド基、メルカプト基、スルフィド基、イソシアネート基等）、例えば、シランカップリング処理やプラズマ処理などが用いられる。
【００３６】
実施の形態１において、第１の絶縁層３が含む樹脂組成物に含有される無機フィラーの割合は、熱硬化性樹脂成分の合計体積を基準として５０〜９０体積％であることが好ましい。無機フィラーの含有率は、より好ましくは６０〜８０体積％である。充填率が低すぎると、所望の熱伝導率が得られない上に、無機フィラーが沈殿する傾向がある。一方、充填率が高すぎると、粘度が高くなりすぎて均一な塗膜が得られず、気孔欠陥が増える原因となり得る。
【００３７】
第１の絶縁層３が含む樹脂組成物は、硬化促進剤を含有していてもよい。硬化促進剤としては、特に限定されるものではなく、例えば、ベンゾオキサジン化合物、ボレート錯体、ナフテン酸亜鉛、ナフテン酸コバルト、オクチル酸スズ、オクチル酸コバルト、ビスアセチルアセトナートコバルト（ＩＩ）、トリアセチルアセトナートコバルト（ＩＩＩ）等の有機金属塩、フェノール、ビスフェノールＡ、ノニルフェノール等のフェノール化合物、三級アミン、三級アミン塩、ホスフィン、ホスホニウム塩等が挙げられる。
【００３８】
第１の絶縁層３が含む樹脂組成物は、硬化剤を含有していてもよい。硬化剤としては、特に限定されるものではなく、例えば、アミン系、チオール系、酸無水物系、フェノール系、イミダゾール系、ジシアンジアミド、三フッ化ホウ素-アミン錯体等が挙げられる。
【００３９】
実施の形態１において、第１の絶縁層３が含む樹脂組成物は、更に他の成分を含有していてもよい。絶縁層が含有していてもよい他の成分としては、例えば、シランカップリング剤及びチタンカップリング剤などのカップリング剤、イオン吸着剤、沈降防止剤、加水分解防止剤、レベリング剤、酸化防止剤等などが挙げられる。
【００４０】
実施の形態１において、回路パターン１とリードフレーム２とが一体化されたリードフレーム一体型回路パターンは、金属箔からの一体成形（例えば、打ち抜き加工等）により得られる。金属箔は、例えば、単体金属又は合金からなる。金属箔の材料としては、例えば、銅又はアルミニウムを使用することができる。金属箔の厚さは、例えば、１０〜５００μｍの範囲である。
【００４１】
次に、実施の形態１に係る回路基板の製造方法について説明する。  
図３Ａは、実施の形態１に係る回路基板を製造する工程を概略的に示した上面図であり、図３Ｂは、図３Ａに示したＸ−Ｘ線に相当する位置における断面の構成を模式的に示した断面図である。
【００４２】
実施の形態１に係る回路基板の製造方法は、下記工程（ｉ）〜（ｉｉｉ）を含む。
【００４３】
(ｉ)金属箔Ｓ（１、２）の片面に第１の絶縁層３を形成することにより第１の積層体を得ること（図３Ａ(ａ)及び図３Ｂ（ａ））、
(ｉｉ)上記第１の積層体を打ち抜き加工することにより、回路パターン１とリードフレーム２が一体化されたリードフレーム一体型回路パターンと第１の絶縁層３を有する第２の積層体を得ること（図３Ａ(ｂ)及び図３Ｂ（ｂ））、及び、
(ｉｉｉ)第２の積層体とベース基板４とを、第１の絶縁層３を介して積層すること（図３Ａ(ｃ)及び図３Ｂ（ｃ））。
【００４４】
工程（ｉ）における金属箔Ｓ（１、２）上への第１の絶縁層３の形成は、公知の方法で行うことができる。例えば、絶縁層形成用組成物を、金属箔Ｓ（１、２）の片面に塗布し、必要に応じて塗膜を乾燥させる。絶縁層形成用組成物の塗布方法としては、例えば、ロールコート法、バーコート法、スクリーン印刷法などを利用することができる。塗布は、連続式で行ってもよく、単板式で行ってもよい。
【００４５】
また、他の態様において、絶縁層形成用組成物をＰＥＴフィルム等の基材に塗布し乾燥することにより予め塗膜を形成し、これを金属箔Ｓ（１、２）の片面に熱転写してもよい。
【００４６】
工程（ｉｉ）では、金属箔Ｓ（１、２）とこれに積層された第１の絶縁層３とが、打ち抜き加工により、一体的に所定形状にパターニングされ、リードフレーム一体型回路パターンと第１の絶縁層３との第２の積層体が得られる。
【００４７】
工程(ｉｉｉ)における、第２の積層体とベース基板４との積層は、公知の方法で行うことができる。例えば、熱ラミネート又は真空圧着により行うことができ、更に必要に応じて加熱してもよい。
【００４８】
工程(ｉｉｉ)における第２の積層体とベース基板４との積層は、第１の絶縁層３に上述した第１のフィレット３ａ及び第２のフィレット３ｂが形成されるように行うことが好ましい。すなわち、リードフレームの残部Ａ２の端部が、第１の絶縁層３で被覆された第１のフィレット３ａと（図１Ａ〜図１Ｃ）、ベース基板４の端部が、第１の絶縁層３の延長部Ｂで被覆された第２のフィレット３ｂ（図１Ａ、図１Ｂ、図１Ｄ）とが形成されるよう行うことが好ましい。このような構造を得るために、工程(ｉｉｉ)における第２の積層体とベース基板４との積層は、圧着によりなされることが好ましく、また、工程(ｉｉｉ)で圧着される前の第１の絶縁層３は、熱硬化性樹脂含有組成物のＢステージ状態の硬化物を含む絶縁層であることが好ましい。
【００４９】
ここで、「Ｂステージ」とは、熱硬化性樹脂の反応の中間的な段階であって、材料は加熱により軟化して膨張するが、ある種の液体と接触しても、完全には溶融又は溶解しない段階をいう。
【００５０】
上記製造方法では、金属箔Ｓ（１、２）と第１の絶縁層３とを一体的に打ち抜き加工して得られる積層体の形態で、ベース基板４に積層するため、図１Ａ及び図１Ｂに示すように、リードフレーム２の延出部位Ａ１の下面が、第１の絶縁層３の延長部Ｂにより被覆された構造をとることができる。回路基板において、金属箔の打ち抜き加工により形成されたリードフレーム一体型回路パターンを使用することは公知技術であるが（例えば、特許文献２）、絶縁層が積層されていないリードフレーム一体型回路パターンを、絶縁層が形成されたベース基板に積層するものであったため、延出部位Ａ１の下面が、絶縁層の延長部により被覆された構造をとることはなかった。また、特許文献１に記載の回路基板の製造方法は、ベース基板に絶縁層を形成した後、リードフレームを真空プレス等で圧着するものであり、同様に、延出部位Ａ１の下面が、絶縁層の延長部により被覆された構造をとることはなかった。
【００５１】
（実施の形態２）
図２Ａは、実施の形態２に係る回路基板２０の構成を模式的に示した上面図であり、図２Ｂは、実施の形態２に係る回路基板２０の、図２Ａに示したＸ−Ｘ線に相当する位置における断面の構成を模式的に示した断面図である。図２Ａ及び図２Ｂにおいて、回路基板２０は、ベース基板１４と、第２の絶縁層１５と、第１の絶縁層１３と、回路パターン１１と、リードフレーム１２とを有して構成されている。
【００５２】
回路パターン１１とリードフレーム１２は、金属箔からの一体成形により形成されたものであり、図２Ａ及び図２Ｂに示すように、回路パターン１１とリードフレーム１２は一体化されたリードフレーム一体型回路パターンを構成している。
【００５３】
図２Ａ及び図２Ｂに示すように、実施の形態２に係る回路基板２０は、リードフレーム一体型回路パターン（１１、１２）とベース基板１４とが、第１の絶縁層１３および第２の絶縁層１５を介して積層されてなる構造を有している。
【００５４】
図２Ａ及び図２Ｂに示すように、リードフレーム１２は、ベース基板１４の周縁から外方へ延出した延出部位Ａ１と、延出部位Ａ１に隣接した残部Ａ２とからなる。第１の絶縁層１３は、リードフレーム１２の延出部位Ａ１の下面に積層配置された延長部Ｂを有する。第１の絶縁層１３の延長部Ｂが、リードフレーム２の延出部位Ａ１の下面を被覆することにより、樹脂封止前の状態でもベース基板１４とリードフレーム１２との間に十分な縁面放電距離を確保できるため、ベース基板１４とリードフレーム１２との間の短絡を防ぐことができる。
【００５５】
第１の絶縁層１３の延長部Ｂによる、リードフレーム１２の延出部位Ａ１の下面の好ましい被覆率は、上述した実施の形態１に係る回路基板と同様である。
【００５６】
実施の形態２に係る回路基板２０において、第１の絶縁層１３は、上述した実施の形態１に係る回路基板１０における第１の絶縁層３と同様、第１のフィレットと第２のフィレットとを有する。
【００５７】
図２Ｃは、実施の形態２に係る回路基板の、図２Ａに示したＹ−Ｙ線に相当する位置における断面の構成を模式的に示した断面図である。  
図２Ｃに示すように、実施の形態２に係る回路基板２０において、第１の絶縁層１３は、上述した実施の形態１に係る回路基板１０と同様、リードフレーム１２の延出部位Ａ１に隣接するリードフレームの残部Ａ２の端部が、第１の絶縁層１３で被覆された第１のフィレットを有する。第１の絶縁層１３が、第１のフィレット形状を有すること、すなわち、リードフレーム１２の残部Ａ２の下面だけでなく、残部Ａ２の側面であって、第１の絶縁層で被覆された下面と隣接した領域も第１の絶縁層１３により被覆されることにより、ベース基板１４とリードフレーム１２との間の短絡の可能性が更に低減される。
【００５８】
実施の形態２に係る回路基板２０において、第１の絶縁層１３は、上述した実施の形態１に係る回路基板１０と同様、更に第２のフィレットを有する。  
図２Ｄは、実施の形態２に係る回路基板の、図２Ｂに示した断面領域Ｄ２の拡大図である。図２Ｂ及び図２Ｄに示すように、ベース基板１４及び第２の絶縁層１５から構成される積層体（以下、「第３の積層体」という。）の端部（枠Ｄ２で囲われた第３の積層体の部分）が、第１の絶縁層１３により被覆され、第２のフィレット１３ｂが形成されている。このように、リードフレーム１２の延出部位Ａ１の下面だけでなく、第３の積層体の側面のうちの枠Ｄ１で囲われた領域、すなわち、第３の積層体の側面のうちの、第１の絶縁層１３の延長部Ｂに隣接する第１の絶縁層１３の残部で被覆された第３の積層体の上面と隣接した領域も、第１の絶縁層１３の延長部Ｂにより被覆されることにより、ベース基板１４とリードフレーム１２との間の短絡の可能性が更に低減される。
【００５９】
また、第１の絶縁層１３が第２のフィレット１３ｂを有することにより、ベース基板１４及び第２の絶縁層１５を有する第３の積層体とリードフレーム一体型回路パターンとの密着性が向上し、リードフレームの曲げ加工時などに、有利となる。
尚、図２Ｂ及び図２Ｄでは、第２のフィレット１３ｂが第２の絶縁層１５及びベース基板４の双方の側面を被覆しているが、第２のフィレット１３ｂが第２の絶縁層１５の側面のみを被覆する形態であってもよい。
【００６０】
実施の形態２に係る回路基板が有する第１の絶縁層１３及び第２の絶縁層１５について、以下に説明する。  
実施の形態２において、第１の絶縁層１３及び上記第２の絶縁層１５の少なくとも一方は、熱硬化性樹脂を含有する組成物を含むことが好ましく、熱硬化性樹脂と無機フィラーとを含有する組成物を含むことがより好ましい。少なくとも一方の絶縁層がこのような混合物を含有することにより、熱電導性及び放熱特性に優れた絶縁層となる。
【００６１】
熱硬化性樹脂を含有する組成物が含む熱硬化性樹脂は、上述した実施の形態１において説明したものと同様である。また、熱硬化性樹脂を含有する組成物が含んでもよい無機フィラー、硬化促進剤、他の成分についても、上述した実施の形態１において説明したものと同様である。
【００６２】
実施の形態２において、第１の絶縁層１３及び第２の絶縁層１５は、双方が熱硬化性樹脂を含有する組成物を含む絶縁層であってもよいし、第１の絶縁層１３及び第２の絶縁層１５の一方が熱硬化性樹脂を含有する組成物を含む絶縁層であり、他方が粘着剤を含む絶縁層であってもよい。
【００６３】
粘着剤としては、特に限定されるものではないが、例えば、天然ゴム、アクリル酸エステル共重合体、シリコーンゴム、ウレタン樹脂等が挙げられる。
【００６４】
実施の形態２において、回路パターン１１とリードフレーム１２とが一体化されたリードフレーム一体型回路パターンは、金属箔からの一体成形（例えば、打ち抜き加工等）により得られる。金属箔は、上述した実施の形態１において使用される金属箔と同様である。  
実施の形態２において、ベース基板１４は、上述した実施の形態１において使用されるベース基板４と同様である。
【００６５】
次に、実施の形態２に係る回路基板の製造方法について説明する。  
図４Ａは、実施の形態２に係る回路基板を製造する工程を概略的に示した上面図であり、図４Ｂは、図４Ａに示したＸ−Ｘ線に相当する位置における断面の構成を模式的に示した断面図である。
【００６６】
実施の形態２に係る回路基板の製造方法は、下記工程（ｉ）〜（ｉｖ）を含む。
【００６７】
(ｉ)金属箔Ｓ（１、２）の片面に第１の絶縁層１３を形成することにより第１の積層体を得ること（図４Ａ(ａ)及び図４Ｂ（ａ））、
(ｉｉ)上記第１の積層体を打ち抜き加工することにより、回路パターン１１とリードフレーム１２が一体化されたリードフレーム一体型回路パターンと、第１の絶縁層１３を有する第２の積層体を得ること（図４(ｂ)及び図４Ｂ（ｂ））、
(ｉｉｉ)ベース基板１４の片面に第２の絶縁層１５を形成して第３の積層体を得ること（図４(ｄ)及び図３Ｂ（ｄ））、及び、
(ｉｖ)第２の積層体と第３の積層体とを、第１の絶縁層１３及び第２の絶縁層１５を介して積層すること（図４(ｅ)及び図４Ｂ（ｅ））。
【００６８】
工程（ｉ）における金属箔Ｓ（１、２）上への第１の絶縁層３の形成は、公知の方法で行うことができる。例えば、上述した実施の形態２に係る回路基板の製造方法において説明した通りである。
【００６９】
工程（ｉｉ）では、金属箔Ｓ（１、２）とこれに積層された第１の絶縁層１３とが、打ち抜き加工により、一体的に所定形状にパターニングされ、リードフレーム一体型回路パターンと第１の絶縁層１３との第２の積層体が得られる。
【００７０】
工程（ｉｉｉ）におけるベース基板１４上への第２の絶縁層１５の形成は、公知の方法で行うことができる。例えば、絶縁層形成用組成物を、ベース基板１４の片面に塗布し、必要に応じて塗膜を乾燥させる。絶縁層形成用組成物の塗布方法としては、例えば、ロールコート法、バーコート法、スクリーン印刷法などを利用することができる。塗布は、連続式で行ってもよく、単板式で行ってもよい。
【００７１】
また、他の態様において、絶縁層形成用組成物をＰＥＴフィルム等の基材に塗布し乾燥することにより予め塗膜を形成し、これをベース基板１４の片面に熱転写してもよい。
【００７２】
工程(ｉｖ)における、第２の積層体と第３の積層体との積層は、公知の方法で行うことができる。例えば、熱ラミネート又は真空圧着により行うことができ、更に必要に応じて加熱してもよい。
【００７３】
工程(ｉｖ)における第２の積層体と第３の積層体との積層は、第１の絶縁層１３に上述した第１のフィレット１３ａ及び第２のフィレット１３ｂが形成されるように行うことが好ましい。すなわち、リードフレームの残部Ａ２の端部が、第１の絶縁層１３で被覆された第１のフィレット１３ａと（図２Ａ〜図２Ｃ）、第３の積層体の端部が、第１の絶縁層１３の延長部Ｂで被覆された第２のフィレット１３ｂ（図２Ａ、図２Ｂ、図２Ｄ）とが形成されるよう行うことが好ましい。このような構造を得るために、工程(ｉｖ)における第２の積層体と第３の積層体との積層は、圧着によりなされることが好ましく、また、工程（ｉｖ）で圧着される前の第１の絶縁層１３及び第２の絶縁層１５の少なくとも一方は、熱硬化性樹脂含有組成物のＢステージ状態の硬化物を含む絶縁層であることが好ましい。
【００７４】
上記製造方法では、金属箔Ｓ（１、２）と第１の絶縁層１３とを一体的に打ち抜き加工して得られる積層体の形態で、ベース基板１４を含む積層体に積層するため、図２Ａ及び図２Ｂに示すように、リードフレーム１２の延出部位Ａ１の下面が、第１の絶縁層１３の延長部Ｂにより被覆された構造をとることができる。
【実施例】
【００７５】
以下に、本発明の例を記載する。本発明はこれらに限定されるものでない。  
＜絶縁層用材料＞
絶縁層用材料として、以下に示す熱硬化性樹脂組成物１及び粘着剤１を使用した。
（樹脂組成物１）
ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（以下、「ＢＡ型エポキシ樹脂」ともいう。）（商品名「ＥＸＥ８５０」；ＤＩＣ株式会社製）１００質量部と、硬化剤としてイミダゾール（商品名「２Ｅ４ＭＺ」；四国化成工業株式会社製）を２質量部添加した後、アルミナ（「ＡＳ４０」；昭和電工株式会社製）を樹脂全体に対して５０体積％添加し、常温で遊星式攪拌装置にて混合物が均一になるまで撹拌することにより、熱硬化性樹脂組成物（樹脂組成物１）を得た。
（粘着剤１）
アクリル樹脂系の粘着剤
【００７６】
（実施例１）
第１の絶縁層：樹脂組成物１（Ｂステージ）／第２の絶縁層：なし
（工程１）
上で得られた樹脂組成物１を、回路基板形成後の絶縁層の厚みが１５０μｍとなるように離型処理が施されたＰＥＴフィルムに塗布して絶縁層を形成した。次いで、予備加熱により銅箔に熱転写ができるレベルまで上記絶縁層をＢステージ化し、銅箔にラミネートした。（図３Ａ（ａ）及び図３Ｂ（ａ）参照）  
（工程２）
工程１で得られた積層体をプレスで打ち抜き加工し、リードフレーム一体型の積層体を得た。（図３Ａ（ｂ）及び図３Ｂ（ｂ）参照）  
【００７７】
（工程３）
工程２で得られたリードフレーム一体型の積層体からＰＥＴフィルムを剥がし、ベース基板としてのアルミに、貼り合わせ面にボイドが入らないように、熱ラミネート加工により積層した。  
（工程４）
工程３で得られた積層体を加熱硬化により接着し、ベース基板に第１の絶縁層を介してリードフレーム一体型回路パターンが積層された回路基板１を作製した。（図３Ａ（ｃ）及び図３Ｂ（ｃ）参照）
【００７８】
（実施例２）
第１の絶縁層：樹脂組成物１（Ｂステージ）／第２の絶縁層：樹脂組成物１（Ｃステージ）
（工程１）
上で得られた樹脂組成物１を、回路基板形成後の回路パターン側の絶縁層の厚みが７５μｍとなるように離型処理が施されたＰＥＴフィルムに塗布して絶縁層を形成した。次いで、予備加熱により銅箔に熱転写ができるレベルまで上記絶縁層をＢステージ化し、銅箔にラミネートした。（図４Ａ（ａ）及び図４Ｂ（ａ）参照）
（工程２）
工程１で得られた積層体をプレスで打ち抜き加工し、リードフレーム一体型の積層体を得た。（図４Ａ（ｂ）及び図４Ｂ（ｂ）参照）
【００７９】
（工程３）
樹脂組成物１を、回路基板形成後のベース基板側絶縁層の厚みが７５μｍとなるように離型処理が施された工程１とは別のＰＥＴフィルムに塗布して絶縁層を形成した。次いで、予備加熱によりベース基板に熱転写ができるレベルまで上記絶縁層をＢステージ化し、ベース基板としてのアルミにラミネートした。その後、Ｃステージまで加熱処理した。（図４Ａ（ｄ）及び図４Ｂ（ｄ）参照）
（工程４）
工程２で得られたリードフレーム一体型の積層体からＰＥＴフィルムを剥がし、工程３で得られた積層体に、貼り合わせ面にボイドが入らないように、熱ラミネート加工により積層した。
（工程５）
工程４で得られた積層体を加熱硬化により接着し、ベース基板に第１の絶縁層及び第２の絶縁層を介してリードフレーム一体型回路パターンが積層された回路基板２を作製した。（図４Ａ（ｅ）及び図４Ｂ（ｅ）参照）
【００８０】
（実施例３）
第１の絶縁層：樹脂組成物１（Ｂステージ）／第２の絶縁層：樹脂組成物１（Ｂステージ）
（工程１）
上で得られた樹脂組成物１を、回路基板形成後の回路パターン側の絶縁層の厚みが７５μｍとなるように離型処理が施されたＰＥＴフィルムに塗布して絶縁層を形成した。次いで、予備加熱により銅箔に熱転写ができるレベルまで上記絶縁層をＢステージ化し、銅箔にラミネートした。（図４Ａ（ａ）及び図４Ｂ（ａ）参照）
（工程２）
工程１で得られた積層体をプレス等で打ち抜き加工し、リードフレーム一体型の積層体を得た。（図４Ａ（ｂ）及び図４Ｂ（ｂ）参照）
【００８１】
（工程３）
樹脂組成物１を、回路基板形成後のベース基板側絶縁層の厚みが７５μｍとなるように離型処理が施された工程１とは別のＰＥＴフィルムに塗布して絶縁層を形成した。次いで、予備加熱によりベース基板としてのアルミに熱転写ができるレベルまで上記絶縁層をＢステージ化し、ベース基板にラミネートした。（図４Ａ（ｄ）及び図４Ｂ（ｄ）参照）
（工程４）
工程２で得られたリードフレーム一体型の積層体および工程３で得られた積層体から、それぞれＰＥＴフィルムを剥がし、貼り合わせ面にボイドが入らないように、熱ラミネート加工により双方を積層した。
【００８２】
（工程５）
工程４で得られた積層体を加熱硬化により接着し、ベース基板に第１の絶縁層及び第２の絶縁層を介してリードフレーム一体型回路パターンが積層された回路基板３を作製した。（図４Ａ（ｅ）及び図４Ｂ（ｅ）参照）
【００８３】
（実施例４）
第１の絶縁層：樹脂組成物１（Ｃステージ）／第２の絶縁層：樹脂組成物１（Ｂステージ）
（工程１）
上で得られた樹脂組成物１を、回路基板形成後の回路パターン側の絶縁層の厚みが７５μｍとなるように離型処理が施されたＰＥＴフィルムに塗布して絶縁層を形成した。次いで、予備加熱により銅箔に熱転写ができるレベルまで上記絶縁層をＢステージ化し、銅箔にラミネートした。（図４Ａ（ａ）及び図４Ｂ（ａ）参照）。
【００８４】
（工程２）
工程１で得られた積層体を、加熱処理してＣステージ化した後に、プレスで打ち抜き加工し、リードフレーム一体型の積層体を得た。（図４Ａ（ｂ）及び図４Ｂ（ｂ）参照）。  
なお、Ｂステージ状態の絶縁層をＣステージ化する時期はこれに限らない。例えば、工程１で得られた積層体を、プレスで打ち抜き加工しリードフレーム一体型の積層体を得た後で加熱処理し、Ｃステージ化してもよい。
【００８５】
（工程３）
樹脂組成物１を、回路基板形成後のベース基板側絶縁層の厚みが７５μｍとなるように離型処理が施された工程１とは別のＰＥＴフィルムに塗布して絶縁層を形成した。次いで、予備加熱によりベース基板としてのアルミに熱転写ができるレベルまで上記絶縁層をＢステージ化し、ベース基板にラミネートした。（図４Ａ（ｄ）及び図４Ｂ（ｄ）参照）。
【００８６】
（工程４）
工程３で得られた積層体からＰＥＴフィルムを剥がし、工程２で得られたリードフレーム一体型の積層体に対して、貼り合わせ面にボイドが入らないように、熱ラミネート加工により積層した。
（工程５）
工程４で得られた積層体を加熱硬化により接着し、ベース基板に第１の絶縁層及び第２の絶縁層を介してリードフレーム一体型回路パターンが積層された回路基板４を作製した。（図４Ａ（ｅ）及び図４Ｂ（ｅ）参照）。
【００８７】
（実施例５）
第１の絶縁層：粘着剤／第２の絶縁層：樹脂組成物１（Ｃステージ）
（工程１）
アクリル樹脂系の粘着剤を、回路基板形成後の回路パターン側の絶縁層の厚みが２０μｍとなるように離型処理が施されたＰＥＴフィルムに塗布して絶縁層を形成し、銅箔にラミネートした。（図４Ａ（ａ）及び図４Ｂ（ａ）参照）。
（工程２）
工程１で得られた積層体を、プレスで打ち抜き加工し、リードフレーム一体型の積層体を得た。（図４Ａ（ｂ）及び図４Ｂ（ｂ）参照）。
【００８８】
（工程３）
樹脂組成物１を、回路基板形成後のベース基板側の絶縁層の厚みが１３０μｍとなるように離型処理が施された工程１とは別のＰＥＴフィルムに塗布して絶縁層を形成した。次いで、予備加熱によりベース基板としてのアルミに熱転写ができるレベルまで上記絶縁層をＢステージ化し、ベース基板にラミネートした。その後、Ｃステージまで加熱処理した。（図４Ａ（ｄ）及び図４Ｂ（ｄ）参照）。
（工程４）
工程２で得られたリードフレーム形状の積層体からＰＥＴフィルムを剥がし、工程２で得られた積層体に対して、貼り合わせ面にボイドが入らないように、熱ラミネート加工により積層した。これにより、ベース基板に第１の絶縁層及び第２の絶縁層絶縁層を介してリードフレーム一体型回路パターンが積層された回路基板５を作製した。（図４Ａ（ｅ）及び図４Ｂ（ｅ）参照）
【００８９】
（実施例６）
第１の絶縁層：樹脂組成物１（Ｂステージ）／第２の絶縁層：粘着剤
（工程１）
上で得られた樹脂組成物１を、回路基板形成後の回路パターン側の絶縁層の厚みが１３０μｍとなるように離型処理が施されたＰＥＴフィルムに塗布して絶縁層を形成した。次いで、予備加熱により銅箔に熱転写ができるレベルまで上記絶縁層をＢステージ化し、銅箔にラミネートした。（図４Ａ（ａ）及び図４Ｂ（ａ）参照）。
（工程２）
工程１で得られた積層体を、プレスで打ち抜き加工し、リードフレーム一体型の積層体を得た。（図４Ａ（ｂ）及び図４Ｂ（ｂ）参照）。
【００９０】
（工程３）
アクリル樹脂系の粘着剤を、回路基板形成後のベース基板側の絶縁層の厚みが２０μｍとなるように離型処理が施されたＰＥＴフィルムに塗工し、予備加熱によりベース基板に熱転写ができるレベルまでＢステージ化し、ベース基板としてのアルミにラミネートした。（図４Ａ（ｄ）及び図４Ｂ（ｄ）参照）。
（工程４）
工程２で得られたリードフレーム一体型の積層体および工程３で得られた積層体から、それぞれＰＥＴフィルムを剥がし、貼り合わせ面にボイドが入らないように、熱ラミネート加工により双方を積層した。
（工程５）
工程４で得られた積層体を加熱硬化により接着し、ベース基板に第１の絶縁層及び第２の絶縁層を介してリードフレーム一体型回路パターンが積層された回路基板６を作製した。（図４Ａ（ｅ）及び図４Ｂ（ｅ）参照）。
【００９１】
（比較例）
第１の絶縁層：なし／第２の絶縁層：樹脂組成物１（Ｂステージ）
（工程１）
樹脂組成物１を、離型処理が施されたＰＥＴフィルムに塗布して塗膜を形成した。次いで、予備加熱によりベース基板に熱転写ができるレベルまで上記絶縁層をＢステージ化し、ベース基板としてのアルミにラミネートした。
【００９２】
（工程２）
銅箔をプレスで打ち抜き加工し、リードフレーム一体型の回路パターンを得た。
（工程３）
工程１で得られた積層体からＰＥＴフィルムを剥がし、工程２で得られたリードフレーム一体型の回路パターンに対して、貼り合わせ面にボイドが入らないように、熱ラミネート加工により積層した。
（工程４）
工程３で得られた積層体を加熱硬化により接着し、ベース基板に絶縁層２を介してリードフレーム一体型回路パターンが積層された回路基板１Ｒを作製した。
【００９３】
（評価方法）
下記方法で耐電圧を測定することにより、回路とベース金属間の絶縁性を評価した。
［耐電圧の測定方法］
三菱電線工業株式会社製Ｂ０１０を用い、試験電圧０．５ｋ∨からスタートし、クリアするごとに０．５ｋ∨ずつ上げていき、絶縁破壊もしくは縁面放電した時点の電圧を耐電圧とした。測定条件は試験電圧までの昇圧時間２５秒、保持時間５秒、降圧時間１５秒とした。結果を表１に示す。
【００９４】
【表１】
2019009164.tif 000003
【００９５】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で種々に変形することが可能である。また、各実施形態は適宜組み合わせて実施してもよく、その場合組み合わせた効果が得られる。更に、上記実施形態には種々の発明が含まれており、開示される複数の構成要件から選択された組み合わせにより種々の発明が抽出され得る。例えば、実施形態に示される全構成要件からいくつかの構成要件が削除されても、課題が解決でき、効果が得られる場合には、この構成要件が削除された構成が発明として抽出され得る。
【符号の説明】
【００９６】
１      回路パターン
２      リードフレーム
３      第１の絶縁層
４      ベース基板
１０      回路基板
１１      回路パターン
１２      リードフレーム
１３      第１の絶縁層
１４      ベース基板
１５      第２の絶縁層
２０      回路基板
Ａ１      リードフレームの延出部位
Ａ２      リードフレームの延出部位Ａ１に隣接したリードフレームの残部
Ｂ      第１又は第２絶縁層の延長部
Ｃ      第１又は第２絶縁層で被覆されたリードフレームの端面
３ａ、１３ａ      第１のフィレット
３ｂ、１３ｂ      第２のフィレット
【図１Ａ】
2019009164.tif 000004
【図１Ｂ】
2019009164.tif 000005
【図１Ｃ】
2019009164.tif 000006
【図１Ｄ】
2019009164.tif 000007
【図２Ａ】
2019009164.tif 000008
【図２Ｂ】
2019009164.tif 000009
【図２Ｃ】
2019009164.tif 000010
【図２Ｄ】
2019009164.tif 000011
【図３Ａ】
2019009164.tif 000012
【図３Ｂ】
2019009164.tif 000013
【図４Ａ】
2019009164.tif 000014
【図４Ｂ】
2019009164.tif 000015