(57)【要約】【課題】バイパスダイオードを配置するために増大させなければならないスペースを極力小さくする。【解決手段】光電変換モジュール１０は、基板２０と、基板２０上に設けられた第１光電変換セル１２ａと、基板２０上に設けられ、電気接続部３２を介して第１光電変換セル１２ａと電気的に直列に接続された第２光電変換セル１２ｂと、第１光電変換セル１２ａと第２光電変換セル１２ｂとの間の非光電変換領域１４と、バイパスダイオード５０と、を有する。バイパスダイオード５０は、非光電変換領域１４に設けられている。【選択図】図３
2019009242.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に設けられた第１光電変換セルと、
前記基板上に設けられ、電気接続部を介して前記第１光電変換セルと電気的に直列に接続された第２光電変換セルと、
前記第１光電変換セルと前記第２光電変換セルとの間の非光電変換領域と、
バイパスダイオードと、を有し、
前記バイパスダイオードは、前記非光電変換領域に設けられている、光電変換モジュール。
【請求項２】
前記第１光電変換セル及び前記第２光電変換セルは、第１電極層と、第２電極層と、前記第１電極層と前記第２電極層との間の光電変換層と、を有し、
前記電気接続部は、前記第１光電変換セルの前記第２電極層と前記第２光電変換セルの前記第１電極層とを電気的に接続している、請求項１に記載の光電変換モジュール。
【請求項３】
前記バイパスダイオードは、前記基板と前記電気接続部との間に設けられている、請求項１又は２に記載の光電変換モジュール。
【請求項４】
前記バイパスダイオードは、前記第１光電変換セル及び前記第２光電変換セルの少なくとも一部と同じ材料を含む、請求項１から３のいずれか１項に記載の光電変換モジュール。
【請求項５】
前記第１光電変換セル及び前記第２光電変換セルは、ｐ型半導体及びｎ型半導体を有し、
前記バイパスダイオードは、前記第１光電変換セル及び前記第２光電変換セルの前記ｐ型半導体及び前記ｎ型半導体を構成する材料とそれぞれ同じ材料からなるｐ型半導体及びｎ型半導体を含む、請求項４に記載の光電変換モジュール。
【請求項６】
前記電気接続部と前記バイパスダイオードとを互いに絶縁する絶縁体を有する、請求項１から５のいずれか１項に記載の光電変換モジュール。
【請求項７】
前記バイパスダイオードの少なくとも一部を覆う遮光部を有する、請求項１から６のいずれか１項に記載の光電変換モジュール。
【請求項８】
前記遮光部は、前記電気接続部の少なくとも一部を含む、請求項７に記載の光電変換モジュール。
【請求項９】
前記電気接続部と前記バイパスダイオードとを互いに絶縁する絶縁体を有し、
前記遮光部は、前記絶縁体の少なくとも一部を含む、請求項７又は８に記載の光電変換モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数の光電変換セルを含む光電変換モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
複数の光電変換セルを含む太陽電池モジュールのような光電変換モジュールが知られている（下記特許文献１）。特許文献１に記載されたような集積型薄膜光電変換モジュールでは、複数の光電変換セルは、基板上で、互いに電気的に直列に接続される。
【０００３】
光電変換セルが影で覆われた場合、影で覆われた光電変換セルの電気抵抗値が増加するため、光電変換モジュールの光電変換効率が低下することがある。そのため、特許文献１は、バイパスダイオードを備えた光電変換モジュールを開示する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特表２００９−５３３８５６号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１に記載された太陽電池モジュールの構造では、基板上において、バイパスダイオードを配置するためのスペースが別途確保されている。すなわち、バイパスダイオードを配置するためのスペースの分だけ、光電変換に寄与しない非光電変換領域が大きくなる。これは、太陽電池モジュールの単位面積あたりでの光電変換効率を低下させる要因となる。
【０００６】
したがって、バイパスダイオードを配置するために増大させなければならないスペースを極力小さくすることができる光電変換モジュールが望まれる。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
一態様に係る光電変換モジュールは、基板と、前記基板上に設けられた第１光電変換セルと、前記基板上に設けられ、電気接続部を介して前記第１光電変換セルと電気的に直列に接続された第２光電変換セルと、前記第１光電変換セルと前記第２光電変換セルとの間の非光電変換領域と、バイパスダイオードと、を有し、前記バイパスダイオードは、前記非光電変換領域に設けられている。
【発明の効果】
【０００８】
上記態様によれば、バイパスダイオードを配置するために増大させなければならないスペースを極力小さくすることができる光電変換モジュールを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】一実施形態に係る光電変換モジュールの上面図である。
【図２】図１の２Ａ領域の斜視図である。
【図３】図１の３Ａ−３Ａ線に沿った光電変換モジュールの断面図である。
【図４】一実施形態に係る光電変換モジュールの製造方法の一ステップを示す図である。
【図５】図４に続くステップを示す図である。
【図６】図５に続くステップを示す図である。
【図７】図６に続くステップを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、図面を参照して、実施形態について説明する。以下の図面において、同一又は類似の部分には、同一又は類似の符号を付している。ただし、図面は模式的なものであり、各寸法の比率等は現実のものとは異なることがあることに留意すべきである。
【００１１】
図１は、一実施形態に係る光電変換モジュールの上面図である。図２は、図１の２Ａ領域の斜視図である。すなわち、図２は、光電変換モジュールから切り出された一部分（２Ａ領域）を示す模式的斜視図である。図３は、図１の３Ａ−３Ａ線に沿った光電変換モジュールの断面図である。
【００１２】
本実施形態に係る光電変換モジュール１０は、基板２０上に集積された複数の光電変換セル１２ａ，１２ｂを含む薄膜型の光電変換モジュールであってよい。好ましくは、光電変換モジュール１０は、光エネルギーを電気的エネルギーに変換する太陽電池モジュールである。
【００１３】
図面では、図示の都合上、互いに隣接した第１光電変換セル１２ａと第２光電変換セル１２ｂが示されている。ただし、実際には、多数の光電変換セルが基板２０上に形成されていてよい。第１光電変換セル１２ａと第２光電変換セル１２ｂとの間には非光電変換領域１４が存在している。すなわち、第１光電変換セル１２ａと第２光電変換セル１２ｂとは互いに接触していなくてよい。図１に示すように、各々の光電変換セル１２ａ，１２ｂは、基板２０の主面に直交する方向から見て、実質的に帯状の形状を有していてよい。基板２０は、例えばガラス、セラミックス、樹脂又は金属などによって構成されていてよい。
【００１４】
光電変換モジュール１０は、主として光電変換に寄与する光電変換領域と、主として光電変換に寄与しない非光電変換領域１４と、を有する。本明細書においては、各々の光電変換セル１２ａ，１２ｂの領域が、光電変換領域に相当する。非光電変換領域１４は、光電変換セル１２ａ，１２ｂどうしの間の領域、すなわち光電変換領域どうしの間の領域に相当する。光電変換モジュール１０が太陽電池モジュールの場合、「光電変換領域」は「発電領域」とも呼ぶことができ、「非光電変換領域」は「非発電領域」とも呼ぶことができる。なお、図では、図示の都合上、非光電変換領域１４が広く示されているが、非光電変換領域１４の幅はより狭くてもよい。
【００１５】
各々の光電変換セル１２ａ，１２ｂは、少なくとも第１電極層２２と、第２電極層２４と、光電変換層２６と、を含んでいてよい。光電変換層２６は、第１電極層２２と第２電極層２４との間に設けられる。第１電極層２２は、光電変換層２６と基板２０との間に設けられている。本実施形態では、第２電極層２４は、光電変換層２６よりも受光面側に設けられる。
【００１６】
第１電極層２２は、例えば、モリブデン、チタン又はクロムのような金属によって形成されていてよい。第１光電変換セル１２ａの第１電極層２２は、非光電変換領域１４に設けられた分割部Ｐ１によって、第２光電変換セル１２ｂの第１電極層２２と電気的に分断されている。
【００１７】
第２電極層２４は、透明電極によって形成されることが好ましい。本実施形態では、第２電極層２４は、ｎ型半導体、より具体的には、ｎ型の導電性を有し、禁制帯幅が広く、比較的低抵抗の材料によって形成される。第２電極層２４は、例えば、ＩＩＩ族元素を添加した酸化亜鉛（ZnO）や、酸化インジウムスズ（Indium Tin Oxide: ITO）によって構成されていてよい。
【００１８】
光電変換層２６は、例えば、ｐ型の半導体を含んでいてよい。ＣＩＳ系の光電変換子ジュールの一例では、光電変換層２６は、I族元素（Cu、Ag、Au等）、III族元素（Al、Ga、In等）及びVI族元素（S、Se、Te等）を含む化合物半導体で形成される。光電変換層２６は、前述したものに限定されず、光電変換を起こす任意の材料によって構成されていてよい。
【００１９】
光電変換層２６と第２電極層２４との間に不図示のバッファ層が設けられていてもよい。この場合、バッファ層は、第２電極層２４とは同じ導電型を有する半導体材料であってもよく、異なる導電型を有する半導体材料であってもよく、第２電極層２４よりも電気抵抗の高い材料によって構成されていればよい。
【００２０】
光電変換セル１２ａ，１２ｂの構成は、上記態様に限定されず、様々な態様をとり得ることに留意されたい。例えば、光電変換セル１２ａ，１２ｂは、ｎ型半導体とｐ型半導体の両方が第１電極層と第２電極層との間に挟まれた構成を有していてもよい。この場合、第２電極層はｎ型半導体によって構成されていなくてよい。また、光電変換セル１２ａ，１２ｂは、ｐ−ｎ結合型の構造に限らず、ｎ型半導体とｐ型半導体との間に真性半導体層（ｉ型半導体）を含むｐ−ｉ−ｎ結合型の構造を有していてもよい。
【００２１】
それぞれの光電変換セル１２ａ，１２ｂ上、具体的には第２電極層２４上に金属グリッド３０が設けられていてもよい。金属グリッド３０は、光電変換セル１２ａ，１２ｂ上に複数並んで設けられている。各々の金属グリッド３０は、光電変換セル１２ａ，１２ｂを横断する方向（図１における横方向）に沿って延びていてよい。金属グリッド３０は、第２電極層２４よりも導電性の高い材料によって構成されていてよい。代替的に、光電変換モジュール１０は、金属グリッド３０を備えていなくてもよい。
【００２２】
第１光電変換セル１２ａは、一方向（図１における縦方向）に延びる第２分割部Ｐ２及び第３分割部Ｐ３によって第２光電変換セル１２ｂから分断されている。なお、本実施形態では、非光電変換領域１４は、第２分割部Ｐ２と第３分割部Ｐ３との間の領域によって規定される。
【００２３】
第１光電変換セル１２ａは、電気接続部３２を介して第２光電変換セル１２ｂと電気的に直列に接続されている。電気接続部３２は、非光電変換領域１４に設けられている。電気接続部３２は、第１光電変換セル１２ａの第２電極層２４と、第２光電変換セル１２ｂの第１電極層２２と、を電気的に接続する。本実施形態では、電気接続部３２は、第１光電変換セル１２ａ上の金属グリッド３０から連続する部分によって形成されている。この場合、電気接続部３２は、金属グリッド３０と同じ材料から構成されていてよい。この代わりに、電気接続部３２は、金属グリッド３０と異なる導電材料から構成されていてもよい。
【００２４】
電気接続部３２は、非光電変換領域１４において光電変換モジュール１０の厚み方向に延びることで、第２光電変換セル１２ｂの第１電極層２２から非光電変換領域１４に延びた部分と電気的に接続されている。
【００２５】
図に示す実施形態では、電気接続部３２は、前述したように、金属グリッド３０から連続する部分によって構成されている。この代わりに、電気接続部３２は、第１光電変換セル１２ａの第２電極層２４と同じ材料によって構成されていてもよい。すなわち、第１光電変換セル１２ａの第２電極層２４が、非光電変換領域１４まで延びていてよい。この場合であっても、電気接続部３２は、非光電変換領域１４において光電変換モジュール１０の厚み方向に延びることで、第２光電変換セル１２ｂの第１電極層２２から非光電変換領域１４に延びた部分と電気的に接続される。なお、この場合、光電変換モジュール１０は金属グリッド３０を有していなくてもよい。
【００２６】
各々の光電変換セル１２ａ，１２ｂの光電変換層２６に光が照射されると起電力が生じ、第１電極層２２及び第２電極層２４がそれぞれ正極及び負極となる。したがって、第１光電変換セル１２ａで生じた自由電子は、第２電極層２４から電気接続部３２を通って第２光電変換セル１２ｂの第１電極層２２に移動する。よって、電流は、第２光電変換セル１２ｂから電気接続部３２を介して第１光電変換セル１２ａに向かって流れることになる。
【００２７】
バイパスダイオード４０は、電気的に直列に接続された第１光電変換セル１２ａと第２光電変換セル１２ｂとの間の領域（非光電変換領域１４）に設けられている。バイパスダイオード４０は、厚み方向において、基板２０と電気接続部３２との間に設けられていてよい。バイパスダイオード４０は、整流性を有しており、例えばｐ型半導体４２とｎ型半導体４４を有していてよい。
【００２８】
バイパスダイオード４０は、第２分割部Ｐ２及び第３分割部Ｐ３が延びている方向（図１における縦方向）に沿って延びていてよい。好ましくは、バイパスダイオード４０は、第２分割部Ｐ２及び第３分割部Ｐ３が延びている方向において、第１光電変換セル１２ａ及び第２光電変換セル１２ｂの長さと実質的に同じ長さを有する。
【００２９】
本実施形態では、バイパスダイオード４０を構成するｐ型半導体４２は、第２光電変換セル１２ｂの第１電極層２２から連続的に延びた層上に設けられている。バイパスダイオード４０を構成するｎ型半導体４４はｐ型半導体４２上に設けられている。
【００３０】
また、光電変換モジュール１０は、ｎ型半導体４４と第１光電変換セル１２ａの第１電極層２２とを電気的に接続する導電部５２を有していてもよい。これにより、バイパスダイオード４０は、第１光電変換セル１２ａの第１電極層２２と第２光電変換セル１２ｂの第１電極層２２とを結ぶ電気経路上に配置されることになる。なお、必要に応じて、光電変換モジュール１０は、電気接続部３２とバイパスダイオード４０とを互いに絶縁する絶縁体５０を有していてよい。
【００３１】
本実施形態では、一例として、電気経路上において、ｐ型半導体４２が第２光電変換セル１２ｂの第１電極層２２側に配置され、ｎ型半導体４４が第１光電変換セル１２ａの第１電極層２２側に配置される。これにより、バイパスダイオード４０は、第２光電変換セル１２ｂの第１電極層２２から第１光電変換セル１２ａの第１電極層２２へ向かう方向にのみ電流を流し易い整流性を有し得る。
【００３２】
仮に、第２光電変換セル１２ｂに光が照射され、第１光電変換セル１２ａが影で覆われた場合、第２光電変換セル１２ｂに起電力が生じるものの、第１光電変換セル１２ａの光吸収層２６が電気抵抗として働くことがある。したがって、電流は、第２光電変換セル１２ｂの第１電極層２２から電気接続部３２を通って第１光電変換セル１２ａへ流れ難くなることがある。この場合であっても、バイパスダイオード４０が、第１光電変換セル１２ａの光電変換層２６を迂回する電気経路上に設けられているため、電流は、第２光電変換セル１２ｂの第１電極層２２からバイパスダイオード４０を通って第１光電変換セル１２ａの第１電極層２２へ容易に流れることができる。これにより、影による光電変換効率の低下を抑制することができる。
【００３３】
図示した実施形態では、バイパスダイオード４０が、第１光電変換セル１２ａの光電変換層２６を迂回する電気経路上に設けられている。この代わりに、バイパスダイオード４０は、第２光電変換セル１２ｂの光電変換層２６を迂回する電気経路上、すなわち第１光電変換セル１２ａの第２電極層２４と第２光電変換セル１２ｂの第２電極層２４とを電気的に接続する経路上に設けられていてもよい。この場合、第２光電変換セル１２ｂが影で覆われたときに電流がバイパスダイオード４０を通るようになる。なお、このような構成は、非光電変換領域１４における電極層やバイパスダイオード４０等の配置を適宜変更することによって実現可能である。
【００３４】
一般的に、光電変換モジュール１０では、電気的に直列に接続される光電変換セル（光電変換領域）１２ａ，１２ｂどうしの間に非光電変換領域１４が存在する。バイパスダイオード４０が非光電変換領域１４に設けられることによって、バイパスダイオード４０を配置するために増大させなければならないスペースを極力小さくすることができる。すなわち、本来存在する非光電変換領域１４を、バイパスダイオード４０を設置するためのスペースとして有効に利用することができる。その結果、光電変換モジュールの面積の増加を抑えることができ、光電変換モジュールの単位面積あたりの光電変換効率を向上させることも可能となる。
【００３５】
光電変換モジュール１０は、バイパスダイオード４０の少なくとも一部を覆う遮光部を有していてよい。遮光部は、バイパスダイオード４０の上面全体を覆うことが好ましく、バイパスダイオード４０の上面と側面を囲むことがより好ましい。
【００３６】
バイパスダイオード４０に光が当たった場合、バイパスダイオード４０に起電力が生じることがある。バイパスダイオード４０の起電力によって生じた電流は、光電変換セル１２ａ，１２ｂの起電力によって生じた電流を低減させ、光電変換モジュール１０の性能を低下させることがある。遮光部によって、バイパスダイオード４０に光が当たらないようにすることで、上記のような光電変換モジュール１０の性能の低下を抑制することができる。
【００３７】
前述の遮光部は、絶縁体５０の少なくとも一部、好ましくは全部を含んでいてもよい。すなわち、バイパスダイオード４０と電気接続部３２とを電気的に絶縁する絶縁体５０は、遮光性を有していてよい。この場合、絶縁体５０よりも受光面側に配置される電気接続部３２は、遮光性を有していてもよく、遮光性を有していなくてもよい。
【００３８】
また、遮光部は、電気接続部３２の少なくとも一部、好ましくは全部を含んでいてもよい。すなわち、バイパスダイオード４０より受光面側に配置される電気接続部３２は、遮光性を有する金属から構成されていてよい。この場合、電気接続部３２は、非光電変換領域１４において、バイパスダイオード４０の領域に合わせた形状を有することが好ましい。具体的には、電気接続部３２は、非光電変換領域１４において、第１分割部Ｐ１，第２分割部Ｐ２及び第３分割部Ｐ３が延びる方向に沿って延びた帯び形状を有していてよい。なお、遮光部は、絶縁体５０と電気接続部３２の両方によって構成されていてもよい。
【００３９】
バイパスダイオード４０は、第１光電変換セル１２ａ及び第２光電変換セル１２ｂの少なくとも一部と同じ材料を含んでいてよい。好ましくは、バイパスダイオード４０は、第１光電変換セル１２ａ及び第２光電変換セル１２ｂを構成するｐ型半導体２６及びｎ型半導体２４を構成する材料とそれぞれ同じ材料からなるｐ型半導体４２及びｎ型半導体４４を含む。より好ましくは、ｐ型半導体４２及びｎ型半導体４４は、第１光電変換セル１２ａ及び第２光電変換セル１２ｂを構成するｐ型半導体２６とｎ型半導体２４と同じ順番で積層されている。これにより、バイパスダイオード４０の少なくとも一部は、光電変換セル１２ａ，１２ｂの形成と同じステップによって形成することができる。そのため、光電変換モジュール１０の製造が容易になり、光電変換モジュールを製造するために必要な材料を抑制することもできる。
【００４０】
バイパスダイオード４０は、上記構成に限定されず、種々の構成を有していてもよい。例えば、バイパスダイオード４０を構成するｐ型半導体４２とｎ型半導体４４は、厚み方向に交差する方向に互いに隣接していてもよい。この場合、ｎ型半導体４４が第１光電変換セル１２ａの第１電極層２２に隣接し、ｐ型半導体４２が第２光電変換セル１２ｂの第１電極層２２に隣接して配置されていればよい。この場合、例えば導電部５２は不要となる。
【００４１】
光電変換モジュール１０は、例えば不図示の透明の封止材によって封止されていてもよい。
【００４２】
次に、図４〜図７を参照し、一実施形態に係る光電変換モジュールを製造する方法について説明する。なお、以下の各ステップにおいて、各層は、スパッタ法や蒸着法などの成膜手段によって適宜形成することができる。
【００４３】
第１ステップにおいて、基板２０上に、光電変換セル１２ａ，１２ｂを構成する材料を積層する。具体的には、第１ステップにおいて、まず、基板２０上に第１電極層２２を構成する材料を形成する（図４参照）。第１電極層２２を構成する材料は、複数の光電変換セル１２ａ，１２ｂにわたる領域に形成される。基板２０及び第１電極層２２の材料は、前述したとおりである。次に、第１電極層２２を構成する材料の一部を細線状に除去することによって、第１電極層２２を複数の帯状に成形するための第１分割部Ｐ１を形成する。第１電極層２２を構成する材料の一部の除去は、レーザ又はニードルのような手段によって実施することができる。次に、第１電極層２２上に光電変換層２６を構成する材料を形成し、それから光電変換層２６を構成する材料の上に第２電極層２４を構成する材料を形成する（図５参照）。光電変換層２６及び第２電極層２４の材料は、非光電変換領域１４に相当する部分にも形成される。光電変換層２６及び第２電極層２４の材料は、前述したとおりである。この際、光電変換層２６を構成する材料は、第１分割部Ｐ１内にも充填されてもよい。また、第１分割部Ｐ１内には、光電変換層２６を構成する材料とは異なる、別の絶縁部材で充填されてもよい。
【００４４】
次に、第２ステップにおいて、第１光電変換セル１２ａに相当する領域と第２光電変換セル１２ｂに相当する領域との間の領域（非光電変換領域１４）に、バイパスダイオード４０を成形する（図６参照）。
【００４５】
具体的一例として、第２ステップでは、第１光電変換セル１２ａに相当する領域と第２光電変換セル１２ｂに相当する領域にわたって形成された光電変換層２６及び第２電極層２４を構成する材料の一部を細線状に除去することで第２分割部Ｐ２及び第３分割部Ｐ３を形成する。光電変換層２６及び第２電極層２４を構成する材料の一部の除去は、レーザ又はニードルのような手段によって実施することができる。これにより、非光電変換領域１４において、光電変換層２６及び第２電極層２４を構成する材料の一部が、第１光電変換セル１２ａ及び第２光電変換セル１２ｂから区画されて帯状に形成される。このように、非光電変換領域１４に残存した光電変換層２６及び第２電極層２４を構成する材料の一部が、それぞれバイパスダイオード４０を構成するｐ型半導体４２及びｎ型半導体４４を構成する。
【００４６】
別の例として、第２ステップにおいて、第２分割部Ｐ２及び第３分割部Ｐ３を形成した後に、非光電変換領域１４に残存した第２電極層（ｎ型半導体）２４を構成する材料を除去し、それから光電変換層２６の残存部分として形成されたｐ型半導体４２の上に、別のｎ型半導体を積層してもよい。この場合であっても、非光電変換領域１４に、バイパスダイオード４０を成形することができる。
【００４７】
さらに別の例として、第２ステップにおいて、非光電変換領域１４に残存した光電変換層２６及び第２電極層２４を全て除去した後に、非光電変換領域１４に、バイパスダイオード４０を成形してもよい。この場合、光電変換セル１２ａ，１２ｂとは異なる材料によってバイパスダイオード４０を成形することができる。
【００４８】
また、第２ステップにおいては、必要に応じて、バイパスダイオード４０と第１光電変換セル１２ａの第１電極層２２とを電気的に接続するための導電部５２を形成してもよい。導電部５２は、任意の方法によって形成することができる。例えば、第２分割部Ｐ２の一部（第１光電変換セルの光電変換層２６および第２電極層２４に接することがないよう）に導電性ペーストを塗布することによって導電部５２を形成することができる。この代わりに、第２分割部Ｐ２に面するバイパスダイオード４０の側面にレーザを照射することによって、ｐ型半導体４２及びｎ型半導体４４の側面を導電性を有するように改質することによっても導電部５２を形成することができる。
【００４９】
次に、必要に応じて、バイパスダイオード４０及び導電部５２を覆う絶縁体５０を形成する。絶縁体５０は、後に形成される電気接続部３２とバイパスダイオード４０とを電気的に絶縁する。なお、絶縁体５０は、バイパスダイオード４０全体を覆ってもよいし、電気接続部３２に対応する箇所のみに設けられてもよい。ただし、絶縁体５０が前述の遮光部を構成する場合には、絶縁体５０は、バイパスダイオード４０全体を覆うように形成されることが好ましい。
【００５０】
次に、第３ステップにおいて、第１光電変換セル１２ａの第２電極層２４と第２光電変換セル１２ｂの第１電極層２２とを電気的に接続する電気接続部３２を形成する（図７参照）。電気接続部３２は、バイパスダイオード４０の上及び第３分割部Ｐ３内に導電性材料を成膜することにより形成することができる。この際、第１光電変換セル１２ａと第２光電変換セル１２ｂが短絡しないように、第３分割部Ｐ３に部分的に空隙を残しておくことが好ましい。この代わりに、第３分割部Ｐ３に導電性材料を充填した後に、導電性材料を部分的に除去することによって再度第３分割部Ｐ３のところに空隙をあけてもよい。第３分割部Ｐ３の空隙は、必要に応じて不図示の絶縁体で埋められていてもよい。
【００５１】
第３ステップにおいて、必要に応じて、第１光電変換セル１２ａ及び第２光電変換セル１２ｂの第２電極層２４上に金属グリッド３０を形成してもよい。金属グリッド３０と電気接続部３２とは、同じ材料にて同時に形成することができる。その代わりに、金属グリッド３０と電気接続部３２は、別の材料にて別の工程で形成してもよい。
【００５２】
上記のステップを実施することにより、図１〜３に示す光電変換モジュール１０が得られる。
【００５３】
上述したように、実施形態を通じて本発明の内容を開示したが、この開示の一部をなす論述及び図面は、本発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替の実施形態、実施例及び運用技術が明らかとなる。したがって、本発明の技術的範囲は、上述の説明から妥当な特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定められるものである。
【００５４】
例えば、上記実施形態では、互いに隣接する２つの光電変換セル１２ａ，１２ｂについて詳細に説明したが、光電変換モジュール１０は、電気的に直列に接続された多数の光電変換セルを有していてよい。この場合、各々の光電変換セル（光電変換領域）は、前述した第１光電変換セル１２ａ及び第２光電変換セル１２ｂと同様の構成を有していてよい。さらに、電気的に直列に接続された光電変換セルどうしの間の領域のうちの少なくとも１つ、好ましくは複数、より好ましくはすべての領域に、バイパスダイオード４０が設けられていてよい。
【符号の説明】
【００５５】
１０    光電変換モジュール
１２ａ  第１光電変換セル
１２ｂ  第２光電変換セル
１４    非光電変換領域
２０    基板
２２    第１電極層
２４    第２電極層（ｎ型半導体）
２６    光電変換層（ｐ型半導体）
３２    電気接続部（遮光部）
４０    バイパスダイオード
５０    絶縁体（遮光部）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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