(57)【要約】【課題】  基板及び部材からなる電子デバイスを提供する。【解決手段】  絶縁層と、上記絶縁層の少なくとも一方の面に形成された導体層とからなる基板であって、上記基板には、上記絶縁層及び上記導体層を貫通する孔が形成されており、上記孔には、柱状の金属体が嵌め込まれており、上記金属体の一方の端部には、溶接用の表面処理層が形成されており、上記表面処理層は、リン含有量が３重量％未満のニッケルめっき層を含むことを特徴とする基板。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層と、前記絶縁層の少なくとも一方の面に形成された導体層とからなる基板であって、
前記基板には、前記絶縁層及び前記導体層を貫通する孔が形成されており、
前記孔には、柱状の金属体が嵌め込まれており、
前記金属体の一方の端部には、溶接用の表面処理層が形成されており、
前記表面処理層は、リン含有量が３重量％未満のニッケルめっき層を含むことを特徴とする基板。
【請求項２】
前記ニッケルめっき層には、金めっき層が積層されている請求項１に記載の基板。
【請求項３】
前記基板は、前記絶縁層が可撓性絶縁層であるフレキシブルプリント基板である請求項１又は２に記載の基板。
【請求項４】
前記ニッケルめっき層は、リンを含有しない電解ニッケルめっき層である請求項１〜３のいずれかに記載の基板。
【請求項５】
前記ニッケルめっき層は、リン含有量が３重量％未満の無電解ニッケルめっき層である請求項１〜３のいずれかに記載の基板。
【請求項６】
前記表面処理層が形成されている前記金属体の端部と反対側の端部には、表面保護層が形成されている請求項１〜５のいずれかに記載の基板。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれかに記載の基板と、前記基板に接続された金属製接続端子を有する部材とを備える電子デバイスであって、
前記基板の金属体の一方の端部と、前記部材の金属製接続端子とが前記表面処理層を介して溶接されていることを特徴とする電子デバイス。
【請求項８】
前記部材の金属製接続端子の溶接部分には、直径１μｍ以上のボイドが形成されていない請求項７に記載の電子デバイス。
【請求項９】
前記金属体の一方の端部と前記部材の金属製接続端子とが、対向する面の一部だけで溶接されている請求項７又は８に記載の電子デバイス。
【請求項１０】
基板と、前記基板に接続された金属製接続端子を有する部材とを備える電子デバイスの製造方法であって、
絶縁層と、前記絶縁層の少なくとも一方の面に形成された導体層とからなり、前記絶縁層及び前記導体層を貫通する孔が形成されており、前記孔には、柱状の金属体が嵌め込まれ、前記金属体の一方の端部に表面処理層が形成されている基板を準備する基板準備工程と、
金属製接続端子を備える部材を準備する部材準備工程と、
前記表面処理層を介し前記基板の金属体の一方の端部と、前記部材の金属製接続端子とを溶接する溶接工程とを含み、
前記基板準備工程では、リン含有量が３重量％未満のニッケルめっき層を前記表面処理層として形成することを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【請求項１１】
前記基板準備工程では、前記絶縁層が可撓性絶縁層であるフレキシブルプリント基板を準備する請求項１０に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項１２】
前記基板準備工程では、前記金属体の一方の端部に前記ニッケルめっき層を形成し、
前記ニッケルめっき層の表面にさらに金めっき層を形成する請求項１０又は１１に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項１３】
前記基板準備工程では、前記ニッケルめっき層として、電解めっきによりリンを含有しない電解ニッケルめっき層を形成する請求項１０〜１２のいずれかに記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項１４】
前記基板準備工程では、前記ニッケルめっき層として、無電解めっきによりリン含有量が３重量％未満の無電解ニッケルめっき層を形成する請求項１０〜１３のいずれかに記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項１５】
前記溶接工程は、レーザー溶接により行う請求項１０〜１４のいずれかに記載の電子デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板、電子デバイス及び電子デバイスの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、回路基板の貫通穴に嵌め込まれた金属塊と他の部材の金属片をスポット溶接することが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００９−１８７７４９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１に記載の方法では、溶接中に揮発して溶融金属中に空隙（ボイドともいう）を形成し、この空隙が溶接強度を低下させたり、溶接部分における熱伝導性を低下させてしまうという問題があった。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の基板は、絶縁層と、上記絶縁層の少なくとも一方の面に形成された導体層とからなる基板であって、上記基板には、上記絶縁層及び上記導体層を貫通する孔が形成されており、上記孔には、柱状の金属体が嵌め込まれており、上記金属体の一方の端部には、溶接用の表面処理層が形成されており、上記表面処理層は、リン含有量が３重量％未満のニッケルめっき層を含むことを特徴とする。
【０００６】
本発明の電子デバイスは、本発明の基板と、上記基板に接続された金属製接続端子を有する部材とを備える電子デバイスであって、上記基板の金属体の一方の端部と、上記部材の金属製接続端子とが上記表面処理層を介して溶接されていることを特徴とする。
【０００７】
本発明の電子デバイスの製造方法は、基板と、上記基板に接続された金属製接続端子を有する部材とを備える電子デバイスの製造方法であって、絶縁層と、上記絶縁層の少なくとも一方の面に形成された導体層とからなり、上記絶縁層及び上記導体層を貫通する孔が形成されており、上記孔には、柱状の金属体が嵌め込まれ、上記金属体の一方の端部に表面処理層が形成されている基板を準備する基板準備工程と、金属製接続端子を備える部材を準備する部材準備工程と、上記表面処理層を介し上記基板の金属体の一方の端部と、上記部材の金属製接続端子とを溶接する溶接工程とを含み、上記基板準備工程では、リン含有量が３重量％未満のニッケルめっき層を上記表面処理層として形成することを特徴とする。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】図１は、本発明の一実施形態の基板の一例を模式的に示す断面図である。
【図２】図２は、本発明の一実施形態の電子デバイスの一例を模式的に示す断面図である。
【図３】図３は、本発明の一実施形態の電子デバイスの一例を模式的に示す上面図である。
【図４】図４は、本発明の一実施形態の電子デバイスの一例を模式的に示す断面図であり、図３のＡ−Ａ’線断面図である。
【図５】図５は、本発明の一実施形態の電子デバイスの他の一例を模式的に示す上面図である。
【図６】図６は、本発明の一実施形態の電子デバイスの一例を模式的に示す断面図であり、図５のＢ−Ｂ’線断面図である。
【図７】図７は、本発明の一実施形態の電子デバイスの他の一例を模式的に示す断面図である。
【図８】図８（ａ）〜（ｅ）は、本発明の一実施形態の電子デバイスの製造方法を構成する基板準備工程の一例を模式的に順に示す工程図である。
【図９】図９（ａ）及び（ｂ）は、本発明の一実施形態の電子デバイスの製造方法を構成する部材準備工程により準備される部材の一例を模式的に示す模式図である。
【図１０】図１０（ａ）〜（ｃ）は、本発明の一実施形態の電子デバイスの製造方法を構成する溶接工程の一例を模式的に示す模式図である。
【図１１】図１１は、実施例１に係る電子デバイスにおける溶接部分の切断面のＳＥＭ画像である。
【図１２】図１２は、比較例１に係る電子デバイスにおける溶接部分の切断面のＳＥＭ画像である。
【０００９】
（発明の詳細な説明）
以下、本発明について具体的に説明する。本発明は、以下の記載に限定されるものではなく、本発明の要旨を変更しない範囲において適宜変更して適用することができる。
【００１０】
以下、本発明の一実施形態の基板の構成について、図面を用いて詳述する。
図１は、本発明の一実施形態の基板の一例を模式的に示す断面図である。
図１に示すように、基板１０は、絶縁層１１と、絶縁層１１の両面に形成された導体層１２とからなる。また、基板１０には、絶縁層１１及び導体層１２を貫通する孔１３が形成されており、孔１３には、柱状の金属体１４が嵌め込まれている。さらに、金属体１４の一方の端部１４ａには溶接用の表面処理層３０が形成されており、表面処理層３０は、リン含有量が３重量％未満のニッケルめっき層を含む。
【００１１】
表面処理層３０にはリン含有量が３重量％未満のニッケルめっき層が含まれているため、溶接時にボイドが発生することが抑制され、部材との接合強度が充分に強い。
従って、電子デバイスの使用時等において、基板と部材とが分離しにくい。
【００１２】
本発明の一実施形態の基板において、表面処理層は、金属体の一方の端部に形成されており、部材の金属製接続端子との溶接時において、金属体及び金属製接続端子と合金を形成する。
表面処理層はリン含有率が３重量％未満のニッケルめっき層を含む。
リン含有率が３重量％未満のニッケルめっき層を形成する方法としては、電解ニッケルめっき及び無電解ニッケルめっきが挙げられる。
電解ニッケルめっきではリンを含有しない電解ニッケルめっき層を容易に形成することができる。
無電解ニッケルめっきではめっき液としてリン含有率が低いものを選択することにより、リン含有率が３重量％未満の無電解ニッケルめっき層を形成することができる。
表面処理層にリン含有率が３重量％未満のニッケルめっき層を含む場合、基板及び部材との溶接時において、リン由来のボイドが発生しにくいため接合強度が低下しない。
なお、ニッケルめっき層が電解ニッケルめっき層であるか無電解ニッケルめっき層であるかについては、めっきリードの有無等により判別することができる。
【００１３】
さらに、表面処理層は金めっき層を含むことが望ましい。
本発明の一実施形態の基板では、金属体の一方の端部にリン含有量が３重量％未満のニッケルめっき層（以下、単にニッケルめっき層という）を形成する。
ニッケルめっき層が剥き出しの場合、ニッケルめっき層の表面に酸化被膜が形成されることになる。ニッケルめっき層の表面に酸化被膜が形成されると、溶接部分の接合強度が低下しやすくなり、基板の金属体と、部材の金属製接続端子との間の電気抵抗が上昇しやすくなる。
一方、ニッケルめっき層の表面に金めっき層を形成した場合、上記のような酸化被膜が形成されにくくなる。
従って、溶接部分の接合強度が低下しにくくなり、基板の金属体と、部材の金属製接続端子との間の電気抵抗が上昇しにくくなる。
なお、ニッケルめっき層の表面に金めっき層を形成した場合、基板の金属体と部材の金属製接続端子とを溶接する際に、金めっき層も溶融し、ニッケルと金とは合金を形成することになる。このとき、金属体が銅であると、銅、ニッケル、金の合金が形成されることになる。
【００１４】
表面処理層に含まれるニッケルめっき層の厚さは特に限定されないが、１〜５０μｍであることが好ましく、２〜２５μｍであることがより好ましい。
表面処理層に金が含まれる場合、金めっき層の厚さは特に限定されず０．００５〜０．２μｍであることが好ましい。
表面処理層は上記ニッケルめっき層及び金めっき層以外を含んでいてもよく、例えば銅めっき層が含まれていてもよい。
表面処理層に銅めっき層が含まれる場合、銅めっき層はニッケルめっき層よりも下側（表面処理層が形成されている面側）に配置されていることが好ましい。
ニッケルめっき層、金めっき層及び銅めっき層を含む表面処理層としては、例えば、表面処理層が形成されている面から順に、銅めっき層、ニッケルめっき層、金めっき層の順で積層されためっき層（以下、Ｃｕ／Ｎｉ／Ａｕめっき層ともいう）が挙げられる。
【００１５】
本発明の一実施形態の基板において、表面処理層が形成された金属体の端部と反対側の端部には表面保護層が形成されていることが望ましい。
表面処理層が形成された金属体の端部と反対側の端部に表面保護層が形成されていると、表面処理層が形成された金属体の端部と反対側の端部が腐食することを抑制することができる。
表面保護層は、表面処理層が形成された金属体の端部とは反対側の端部の腐食を抑制することができればその構成は特に限定されず、例えば表面処理層と同じめっき層を用いてもよく、表面処理層とは異なる種類のめっき層を用いてもよい。
また、表面保護層は、表面処理層を形成する工程と同じ工程、又は、表面処理層を形成する工程によって表面処理層と同時に形成されたものであってもよい。
【００１６】
本発明の一実施形態の基板において、絶縁層は絶縁樹脂からなることが望ましく、可撓性絶縁樹脂からなることがより望ましい。可撓性絶縁樹脂の構成材料は、ポリイミド、ガラスエポキシ等が挙げられ、これらの中ではポリイミドであることが望ましい。可撓性絶縁樹脂がポリイミドであると、その可撓性絶縁樹脂は可撓性と絶縁性との双方を兼ね備える。従って、充分な絶縁性を確保しつつ用途に応じて形状を変形させることができる。
絶縁層の厚さは特に限定されないが、２０〜７０μｍであることが望ましい。２０μｍよりも小さいと曲がりやすく、さらに屈曲しやすい基板となるため、配線や他の部材との接合が破壊されやすくなる。また、７０μｍよりも大きいと、金属体を備えるためにパンチングを行って孔を形成した場合に孔の周辺にクラックが生じやすくなり、信頼性を低下させることがある。
【００１７】
なお、絶縁樹脂が可撓性絶縁樹脂からなる場合の絶縁層を可撓性絶縁層ともいう。
また、絶縁層が可撓性絶縁層である場合の基板をフレキシブルプリント基板ともいう。
すなわち、本発明の一実施形態の基板は、絶縁層が可撓性絶縁層であるフレキシブルプリント基板であることが望ましい。
【００１８】
本発明の一実施形態の基板において、導体層の構成材料は、特に限定されないが、銅、ニッケル等であることが望ましい。
これら構成材料は、電気伝導率が良好であり導体として適している。
導体層の厚さは特に限定されないが、絶縁層よりも厚いことが望ましい。また、第１導体層及び第２導体層の厚さはそれぞれ３０〜３００μｍであることが望ましい。３０μｍよりも小さいと、ハンドリングの際に導体層が破壊され易くなり、不良率が増加してしまう。また、３００μｍよりも大きいと、基板を曲げて使用する際に、曲げることで絶縁層への導体層からの圧縮応力が大きくかかるため、絶縁層が破壊されやすくなる。
【００１９】
本発明の一実施形態の基板において、金属体は、絶縁層及び導体層を貫通している。
また、金属体は金属ブロックであることが望ましく、銅ブロックであることがより望ましい。金属体は、絶縁層及び導体層を貫通するように設けられた孔に挿し込まれていることが望ましい。孔に挿し込まれた金属ブロックは、絶縁層及び導体部を貫通する金属体となる。
金属ブロックは、大電流を流すことに適しており、金属体の構成として他に考えられるスルーホールや有底フィルドビアといった構成である場合に比べて金属製接続端子との溶接に適している。
また、めっき等のケミカルプロセスを経てスルーホール内に形成されるフィルドビアとは異なり、内部にボイドが形成されたり、表面に陥没や盛り上がり等が生じたりすることがない。内部にボイドが形成されることがないため、金属ブロックの伝熱効率が小さくなることもなく、放熱性を確保することができる。また、金属ブロックは、フィルドビアと比べて容易に導体体積を大きくすることができる点でも望ましい。
また、金属ブロックの形状は、特に限定されないが、端部（底面）が平坦な柱状であることが望ましい。このような形状としては、例えば、円柱、四角柱、六角柱、八角柱等が挙げられる。
【００２０】
金属体を構成する金属は特に限定されないが、電気伝導率及び熱伝導率に優れる銅であることが望ましく、無酸素銅であることがより望ましい。
金属体を構成する金属が銅であると、表面処理層に含まれるニッケルと反応して溶接部分に銅−ニッケル合金が形成されるため、溶接部分の接合強度が充分に強くなる。
【００２１】
本発明の一実施形態の基板では、金属体の断面積は０．０５〜３．２ｍｍ２であることが望ましい。なお、本明細書において、「金属体の断面積」とは、金属体の高さ方向に垂直な方向の金属体の断面の面積のことを意味する。
金属体の断面積が０．０５ｍｍ２未満であると、金属体の断面積が小さすぎて放熱性が充分でないことがある。
金属体の断面積として３．２ｍｍ２を超える大きな金属体は通常は必要とされない。
なお、本明細書では、金属体の高さ方向に垂直な方向の金属体の断面における最大長さ（例えば円の場合は直径）が金属体の高さ方向の長さよりも長い場合であっても、便宜的に「柱状」とする。
【００２２】
以下、本発明の一実施形態の電子デバイスの構成について、図面を用いて詳述する。
図２は、本発明の一実施形態の電子デバイスの一例を模式的に示す断面図である。
図２に示すように、電子デバイス１は、基板１０と、基板１０に接続された金属製接続端子２１を有する部材２０とを備える電子デバイスである。
そして、電子デバイス１では、基板１０の金属体１４の一方の端部１４ａと、部材２０の金属製接続端子２１とが表面処理層３０を介して溶接されている。より具体的には、表面処理層３０の一部がその近傍に存在する金属体１４及び金属製接続端子２１と共に溶融することによって溶接部分３１を形成しており、溶接部分３１により金属体１４の一方の端部１４ａと金属製接続端子２１とが溶接されている。
【００２３】
本発明の一実施形態の電子デバイスにおいて、部材は、金属製接続端子を備える部材であれば特に限定されるものではなく、例えば、電池、リジッド基板、ヒートシンク、マザーボード、発光素子（ＬＥＤチップ等）が挙げられる。
なお、部材自身が金属製である場合、部材の表面を金属製接続端子として、部材の表面と基板とを溶接してもよい。
【００２４】
以下、部材が電池、リジッド基板、ヒートシンクである例についてそれぞれ図面を用いて説明する。
【００２５】
図３は、本発明の一実施形態の電子デバイスの一例を模式的に示す上面図である。
図４は、本発明の一実施形態の電子デバイスの一例を模式的に示す断面図であり、図３のＡ−Ａ’線断面図である。
図３及び図４に示す電子デバイス１０１は、部材が電池１２０であり、基板１１０の金属体１１４の一方の端部１１４ａと、電池１２０の電極１２１とが、表面処理層１３０を介してレーザー溶接により溶接されている。
電池１２０の電極１２１は、部材の金属製接続端子に相当する。
レーザー溶接のため、表面処理層１３０の一部がその近傍に存在する金属体１１４及び電極１２１と共に溶融して溶接部分１３１を形成することによって、金属体１１４の一方の端部１１４ａと電池１２０の電極１２１とが、対向する面の一部だけで溶接されている。
また金属体１１４の他方の端部１１４ｂには、表面保護層１１５が形成されている。
なお、電池１２０の電極１２１のどの部分に金属体１１４の一方の端部１１４ａが溶接されるかは特に限定されるものではない。
【００２６】
図５は、本発明の一実施形態の電子デバイスの他の一例を模式的に示す上面図である。
図６は、本発明の一実施形態の電子デバイスの一例を模式的に示す断面図であり、図５のＢ−Ｂ’線断面図である。
図５及び図６に示す電子デバイス２０１は、部材がリジッド基板２２０であり、基板２１０の金属体２１４と、リジッド基板２２０に形成された導体パターン２２１とが表面処理層２３０を介してレーザー溶接により溶接されている。
リジッド基板２２０の導体パターン２２１は、金属製接続端子に相当する。
レーザー溶接のため、表面処理層２３０の一部が、その近傍に存在する金属体２１４及び導体パターン２２１と共に溶融して溶接部分２３１を形成することによって、金属体２１４の一方の端部２１４ａとリジッド基板２２０の導体パターン２２１とが、対向する面の一部だけで溶接されている。
また金属体２１４の他方の端部２１４ｂには、表面保護層２１５が形成されている。
リジッド基板２２０の導体パターン２２１のどの部分に金属体２１４の一方の端部２１４ａが溶接されるかは特に限定されるものではない。
【００２７】
図７は、本発明の一実施形態の電子デバイスの他の一例を模式的に示す断面図である。
図７に示す電子デバイス３０１は、部材がヒートシンク３２０であり、基板３１０の金属体３１４の一方の端部３１４ａと、ヒートシンク３２０の表面３２１とが表面処理層３３０を介してレーザー溶接により溶接されている。
ヒートシンク３２０の表面３２１は、部材の金属製接続端子に相当する。
レーザー溶接のため、表面処理層３３０の一部が、その近傍に存在する金属体３１４及びヒートシンクの表面３２１と共に溶融して溶接部分３３１を形成することによって、金属体３１４の一方の端部３１４ａとヒートシンク３２０の表面３２１とが、対向する面の一部だけで溶接されている。
また金属体３１４の他方の端部３１４ｂには、表面保護層３１５が形成されている。
なお、ヒートシンク３２０の表面３２１のどの部分に金属体３１４の一方の端部３１４ａが溶接されるかは特に限定されるものではない。図７には複数（２つ）の金属体がそれぞれヒートシンクに溶接されている態様を示している。
【００２８】
次に、本発明の一実施形態の電子デバイスの製造方法について説明する。
本発明の一実施形態の電子デバイスの製造方法は、（１）基板準備工程と、（２）部材準備工程と、（３）溶接工程とを含むことを特徴とする。
各工程について、以下に図面を用いて詳述する。
【００２９】
（１）基板準備工程
図８（ａ）〜（ｅ）は、本発明の一実施形態の電子デバイスの製造方法を構成する基板準備工程の一例を模式的に順に示す工程図である。
【００３０】
まず、図８（ａ）に示すように、絶縁層１１と、絶縁層１１の両面に形成された導体層１２からなる両面導体基板１０ａを準備する。
絶縁層１１及び導体層１２を構成する材料としては上記本発明の一実施形態の電子デバイスの説明で述べたものと同様であるためその説明は省略する。
【００３１】
次に、図８（ｂ）に示すように、絶縁層１１及び導体層１２を貫通する孔１３を形成する。
孔１３は、図８（ａ）に示すように、パンチング８０により形成することが望ましい。
【００３２】
次に、図８（ｃ）に示すように、柱状の金属ブロック１４´を孔１３に挿し込むことによって、図８（ｄ）に示すように、絶縁層１１及び導体層１２を貫通する金属体１４を形成する。金属ブロック１４´の挿し込みは、パンチングを行った側の面とは逆側の面から行うことが好ましい。
さらに、必要に応じて、導体層に対してパターン形成を行って必要な配線を形成してもよい。また、金属体の端部の平面度を向上させるためのコイニングを行ってもよい。
【００３３】
最後に、図８（ｅ）に示すように、金属体１４の一方の端部１４ａの表面に表面処理層３０を形成する。
表面処理層は、基板の金属体の一方の端部だけでなく、金属製接続端子に形成してもよい。
表面処理層の形成方法は、例えば、電解ニッケルめっきによってリンを含有しない電解ニッケルめっき層を形成する方法や、無電解ニッケルめっきによってリン含有量が３重量％未満である無電解ニッケルめっき層を形成する方法等が挙げられる。
【００３４】
以上の工程を経て、図８（ｅ）に示すような絶縁層１１と、絶縁層１１の両面に形成された導体層１２とからなり、絶縁層１１及び導体層１２を貫通する孔１３が形成されており、孔１３には、柱状の金属体１４が嵌め込まれており、金属体１４の一方の端部１４ａに表面処理層３０が形成された基板１０を準備することができる。
【００３５】
（２）部材準備工程
図９（ａ）及び（ｂ）は、本発明の一実施形態の電子デバイスの製造方法を構成する部材準備工程により準備される部材の一例を模式的に示す模式図である。
部材準備工程により準備される部材は、図９（ａ）に示すように、金属製接続端子２１を有する部材２０であってもよく、図９（ｂ）に示すように、金属製接続端子２１の表面に表面処理層３０を形成したものであってもよい。
金属製接続端子２１の表面に表面処理層３０を形成する方法としては、基板を構成する表面処理層３０と同様の方法を用いることができる。
このような部材としては、電池、リジッド基板、ヒートシンク、マザーボード、発光素子（ＬＥＤチップ等）が挙げられる。
【００３６】
（３）溶接工程
次に、表面処理層を介し上記基板の金属体の一方の端部と、部材の金属製接続端子とを溶接する。
【００３７】
図１０（ａ）〜（ｃ）は、本発明の一実施形態の電子デバイスの製造方法を構成する溶接工程の一例を模式的に示す模式図である。
溶接工程では、図１０（ａ）に示すように、基板１０の金属体１４の一方の端部１４ａに形成された表面処理層３０と部材２０の金属製接続端子２１とを接触させる。
続いて、図１０（ｂ）に示すように、金属体１４の表面処理層３０が形成されていない端部１４ｂの上方からレーザー９１を照射する。
図１０（ｃ）に示すように、レーザー９１が照射された領域及びその下方（部材２０に向かう方向）に存在する金属体１４、表面処理層３０及び金属製接続端子２１が溶融することにより、表面処理層３０の一部が溶融した溶接部３１が形成されることにより、金属体１４の一方の端部１４ａと金属製接続端子２１とが、対向する面の一部だけで溶接される。
【００３８】
溶接工程で用いられる溶接方法は、レーザー溶接であることが好ましい。
レーザーの種類、出力、照射時間、レーザー径等は、基板、金属体、部材等の材質や形状に応じて適宜変更することができる。
ここで、溶接のために金属体の端部に照射するレーザーの径は、金属体の径よりも小さいことが好ましく、照射されたレーザーが金属体のみに照射されることが好ましい。
【００３９】
以上の工程を経て、電子デバイス１を製造することができる。
【００４０】
（実施例）
以下、本発明の実施例を示す。なお、本発明は、これらの実施例のみに限定されるものではない。
【００４１】
（実施例１）
（１）基板準備工程
厚さ２５μｍのポリイミドシートを絶縁層とし、絶縁層の両面に導体層となる厚さ３５μｍの銅層を形成し、厚さ９５μｍの両面導体基板を作製した。
続いて、両面導体基板に、絶縁層及び導体層を貫通する直径０．８ｍｍの孔を形成し、該孔に長さ（厚さ）１０５μｍの円筒形の無酸素銅製の金属ブロックを嵌め込み、コイニングにより金属ブロックの両端部が平坦となるように加工した。
その後、基板の金属ブロックの両端部に厚さ１０μｍの銅めっき層を形成した。続いて、銅めっき層の表面にそれぞれ厚さ４μｍのリンを含有しない電解ニッケルめっき層を形成した。最後に、電解ニッケルめっき層の表面にそれぞれ厚さ０．１μｍの金めっき層を形成することにより、金属ブロックの一方の端部に溶接用の表面処理層であるＣｕ／Ｎｉ／Ａｕめっき層（Ｎｉめっき層はリンを含有しない電解ニッケルめっき層）を形成し、他方の端部に表面保護層であるＣｕ／Ｎｉ／Ａｕめっき層（Ｎｉめっき層はリンを含有しない電解ニッケルめっき層）を形成した実施例１に係る基板を得た。
【００４２】
（２）部材準備工程
部材として厚さ３００μｍのステンレス板を準備した。
【００４３】
（３）溶接工程
実施例１に係る基板と部材とを、基板の表面処理層と部材とが接触するように配置し、基板の表面保護層が形成されている領域に対して、表面処理層と金属製接続端子との接触面に対して略垂直な方向にレーザー照射を行うことにより、部材と基板とをレーザー溶接し、実施例１に係る電子デバイスを得た。
レーザー溶接の条件は、以下の通りである。
装置名：走査式シングルモードファイバーレーザー
出力：７１０Ｗ
スキャン速度：８００ｍｍ／ｓ
レーザー径（スポット径）：５０μｍ
溶接された部材と基板との溶接部位を厚さ方向に切断し、切断面を研磨後、走査型電子顕微鏡（以下、ＳＥＭともいう）で切断面を観察した。結果を図１１に示す。図１１に示すように、溶接部には直径１μｍ以上のボイド及びクラックが形成されていない。
【００４４】
（実施例２）
実施例１の（１）基板準備工程で形成される電解ニッケルめっき層を無電解ニッケルめっき層（リン含有量２重量％の無電解ニッケルめっき層）に変更したほかは、実施例１と同様の手順で部材と基板とをレーザー溶接して実施例２に係る電子デバイスを得た。実施例１と同様の手順で溶接部を切断し、切断面をＳＥＭにより観察したところ、実施例１に係る電子デバイスと同様、溶接部には直径１μｍ以上のボイド及びクラックが形成されていないことを確認した。
【００４５】
（比較例１）
実施例１の（１）基板準備工程で形成される電解ニッケルめっき層を無電解ニッケルめっき層（リン含有量７重量％の無電解ニッケルめっき層）に変更したほかは、実施例１と同様の手順で部材と基板とをレーザー溶接して比較例１に係る電子デバイスを得た。実施例１と同様の手順で溶接部を切断し、切断面をＳＥＭにより観察した。結果を図１２に示す。図１２に示すように、溶接部には直径１μｍ以上のボイド及びクラックが形成されていることを確認した。そのため、比較例１に係る電子デバイスでは基板の金属体と部材の金属製接続端子との接合強度が低い。
図１１及び図１２より、実施例に係る基板はレーザー溶接における溶接強度の低下を抑制することができることがわかる。また実施例に係る電子デバイスは溶接強度に優れることがわかる。
【符号の説明】
【００４６】
１、１０１、２０１、３０１  電子デバイス
１０、１１０、２１０、３１０  基板
１１  絶縁層
１２  導体層
１３  孔
１４、１１４、２１４、３１４  金属体
１４´  金属ブロック
１４ａ、１１４ａ、２１４ａ、３１４ａ  金属体の一方の端部
１４ｂ、１１５ｂ、２１５ｂ、３１５ｂ  金属体の他方の端部
２０  部材
２１  金属製接続端子
３０、１３０、２３０、３３０  表面処理層
１１５、２１５、３１５  表面保護層
３１、１３１、２３１、３３１  溶融部
９１    レーザー
１２０  電池
１２１  電極
２２０  リジッド基板
２２１  導体パターン
３２０  ヒートシンク
３２１  ヒートシンクの表面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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