(57)【要約】【課題】剥離工程における歩留まりを向上する。【解決手段】基板上に、厚さ０．１ｎｍ以上１０ｎｍ未満の剥離層を形成する第１の工程と、該剥離層上に、該剥離層と接する第１の層を含む被剥離層を形成する第２の工程と、該剥離層と該第１の層の一部を分離し、剥離の起点を形成する第３の工程と、該剥離層と該被剥離層とを分離する第４の工程と、を行う。薄い剥離層を用いることで、被剥離層の構成によらず、剥離工程における歩留まりを向上することができる。【選択図】図１
2019153795.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板上に剥離層を形成する第１の工程と、
前記剥離層上に被剥離層を形成する第２の工程と、
前記被剥離層上に接合層を形成する第３の工程と、
前記接合層上に第２の基板を形成する第４の工程と、
前記第１の基板側からレーザーを照射し、前記被剥離層の一部を除去する第５の工程と、
前記剥離層と前記被剥離層とを分離する第６の工程と、を有し、
前記剥離層は、０．１ｎｍ以上１０ｎｍ未満の厚さを有する剥離方法。
【請求項２】
第１の基板上に剥離層を形成する第１の工程と、
前記剥離層上に被剥離層を形成する第２の工程と、
前記被剥離層上に、第１の接合層、及び前記第１の接合層を囲う第２の接合層を形成する第３の工程と、
前記第１の接合層上及び前記第２の接合層上に、第２の基板を形成する第４の工程と、
前記第１の基板側からレーザーを照射し、前記被剥離層の一部を除去する第５の工程と、
前記剥離層と前記被剥離層とを分離する第６の工程と、を有し、
前記剥離層は、０．１ｎｍ以上１０ｎｍ未満の厚さを有する剥離方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記剥離層は、タングステンを有する膜である剥離方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記被剥離層は、第１の層を有し、
前記第１の層は、前記剥離層と接する領域を有し、
前記第５の工程において、前記第１の層の一部が除去される剥離方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、物、方法、又は製造方法に関する。また、本発明は、プロセス、マシン、マニ
ュファクチャ、又は組成物（コンポジション・オブ・マター）に関する。本発明の一態様
は、半導体装置、発光装置、表示装置、電子機器、照明装置、及びそれらの作製方法に関
する。特に、本発明の一態様は、有機エレクトロルミネッセンス（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍ
ｉｎｅｓｃｅｎｃｅ、以下ＥＬとも記す）現象を利用した発光装置とその作製方法に関す
る。特に、本発明の一態様は、剥離方法や、剥離工程を有する装置の作製方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、可撓性を有する基板（以下、可撓性基板とも記す）上に半導体素子、表示素子、発
光素子などの機能素子が設けられたフレキシブルデバイスの開発が進められている。フレ
キシブルデバイスの代表的な例としては、照明装置、画像表示装置の他、トランジスタな
どの半導体素子を有する種々の半導体回路などが挙げられる。
【０００３】
可撓性基板を用いた装置の作製方法としては、ガラス基板や石英基板などの作製基板上に
薄膜トランジスタや有機ＥＬ素子などの機能素子を作製したのち、可撓性基板に該機能素
子を転置する技術が開発されている。この方法では、作製基板から機能素子を含む層を剥
離する工程（剥離工程とも記す）が必要である。
【０００４】
例えば、特許文献１に開示されているレーザアブレーションを用いた剥離技術では、まず
、基板上に非晶質シリコンなどからなる分離層を設け、分離層上に薄膜素子からなる被剥
離層を設け、被剥離層を接着層により転写体に接着させる。そして、レーザ光の照射によ
り分離層をアブレーションさせることで、分離層に剥離を生じさせている。
【０００５】
また、特許文献２には人の手などの物理的な力で剥離を行う技術が記載されている。特許
文献２では、基板と酸化物層との間に金属層を形成し、酸化物層と金属層との界面の結合
が弱いことを利用して、酸化物層と金属層との界面で剥離を生じさせることで、被剥離層
と基板とを分離している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平１０−１２５９３１号公報
【特許文献２】特開２００３−１７４１５３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
剥離工程において、剥離界面における剥離性が劣ると、機能素子に大きな応力がかかり、
該機能素子を破壊してしまう場合がある。
【０００８】
本発明の一態様は、剥離工程における歩留まりを向上することを目的の一とする。
【０００９】
また、本発明の一態様は、半導体装置、発光装置、表示装置、電子機器、又は照明装置等
の装置の作製工程における歩留まりを向上することを目的の一とする。特に、軽量である
、薄型である、もしくは可撓性を有する半導体装置、発光装置、表示装置、電子機器、又
は照明装置等の装置の作製工程における歩留まりを向上することを目的の一とする。
【００１０】
また、本発明の一態様は、装置の作製工程におけるゴミの発生を低減することを目的の一
とする。また、本発明の一態様は、装置の作製工程における不純物の混入を抑制すること
を目的の一とする。また、本発明の一態様は、装置の作製工程における基板の貼り合わせ
の位置合わせ精度を高めることを目的の一とする。また、本発明の一態様は、信頼性の高
い発光装置などを提供することを目的の一とする。
【００１１】
また、本発明の一態様は、新規な発光装置、表示装置、電子機器、もしくは照明装置を提
供することを目的の一とする。また、本発明の一態様は、新規な剥離方法や装置の作製方
法を提供することを目的の一とする。
【００１２】
なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一
態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、これら以外の課題
は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図
面、請求項などの記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明の一態様は、基板上に、厚さ０．１ｎｍ以上１０ｎｍ未満の剥離層を形成する第１
の工程と、該剥離層上に、該剥離層と接する第１の層を含む被剥離層を形成する第２の工
程と、該剥離層と該第１の層の一部を分離し、剥離の起点を形成する第３の工程と、該剥
離層と該被剥離層とを分離する第４の工程と、を有する剥離方法である。
【００１４】
上記剥離方法において、該第２の工程では、該被剥離層として、該第１の層を含み、応力
が負の値である（圧縮応力である）積層体を少なくとも形成することが好ましい。例えば
、該積層体として、該剥離層上の、応力が負の値である該第１の層と、該第１の層上の、
応力が負の値である第２の層と、を少なくとも形成することが好ましい。または、該積層
体として、該剥離層上の、応力が負の値である該第１の層と、該第１の層上の、応力が負
の値である第２の層と、該第２の層上の、応力が負の値である第３の層と、該第３の層上
の、応力が正の値である（引張応力である）第４の層と、該第４の層上の、応力が負の値
である第５の層と、を少なくとも形成することが好ましい。例えば、該第１の層として酸
化物絶縁膜を形成し、該第２の層として窒化物絶縁膜を形成してもよい。
【００１５】
また、本発明の一態様は、基板上に、厚さ０．１ｎｍ以上１０ｎｍ未満の剥離層を形成す
る第１の工程と、該剥離層上に、該剥離層と接する第１の層を含む被剥離層を形成する第
２の工程と、該剥離層及び該被剥離層と重ねて接合層を硬化する第３の工程と、該接合層
と重なる該剥離層と該第１の層の一部を分離し、剥離の起点を形成する第４の工程と、該
剥離層と該被剥離層とを分離する第５の工程と、を有する剥離方法である。
【００１６】
また、本発明の一態様は、基板上に、厚さ０．１ｎｍ以上１０ｎｍ未満の剥離層を形成す
る第１の工程と、該剥離層上に、該剥離層と接する第１の層を含む被剥離層を形成する第
２の工程と、該剥離層及び該被剥離層と重ねて、第１の接合層、及び該第１の接合層を囲
う枠状の第２の接合層を硬化する第３の工程と、該第２の接合層と重なる該剥離層と該第
１の層の一部を分離し、剥離の起点を形成する第４の工程と、該剥離層と該被剥離層とを
分離する第５の工程と、を有する剥離方法である。
【発明の効果】
【００１７】
本発明の一態様では、剥離工程における歩留まりを向上させることができる。また、本発
明の一態様では、半導体装置、発光装置、表示装置、電子機器、又は照明装置の作製工程
における歩留まりを向上させることができる。特に、軽量である、薄型である、もしくは
可撓性を有する半導体装置、発光装置、表示装置、電子機器、又は照明装置の作製工程に
おける歩留まりを向上させることができる。
【００１８】
また、本発明の一態様により、新規な発光装置、表示装置、電子機器、もしくは照明装置
を提供することができる。また、本発明の一態様により、新規な剥離方法や装置の作製方
法を提供することができる。
【００１９】
なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一
態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果は
、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面
、請求項などの記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】剥離方法を説明する図。
【図２】剥離方法を説明する図。
【図３】剥離方法を説明する図。
【図４】剥離方法を説明する図。
【図５】剥離方法を説明する図。
【図６】剥離方法を説明する図。
【図７】剥離方法を説明する図。
【図８】剥離方法を説明する図。
【図９】剥離層の平面形状を説明する図、及び電子機器の一例を示す図。
【図１０】発光装置の一例を示す図。
【図１１】発光装置の一例を示す図。
【図１２】発光装置の一例を示す図。
【図１３】発光装置の一例を示す図。
【図１４】発光装置の一例を示す図。
【図１５】電子機器及び照明装置の一例を示す図。
【図１６】剥離方法を説明する図。
【図１７】実施例１に係る、試料と、評価に用いた装置と、を示す図。
【図１８】実施例１に係る、剥離に要する力の測定結果。
【図１９】実施例１に係る、剥離に要する力の測定結果。
【図２０】実施例２に係る、試料を示す図と、水蒸気透過率の測定結果と、水蒸気透過率測定器の構造を説明する図。
【図２１】実施例３に係る、保存試験前後の発光装置の光学顕微鏡写真。
【図２２】実施例４に係る、曲げ試験を説明する写真及び図。
【図２３】実施例５に係る、発光装置の表示状態を示す写真。
【図２４】発光装置の一例を示す図。
【図２５】実施例２に係る、水蒸気透過率の測定結果。
【図２６】実施例４に係る、折り曲げ部を説明する図。
【図２７】実施例４に係る、曲げ試験及び保存試験の結果を示す写真。
【図２８】実施例４に係る、曲げ試験及び保存試験の結果を示す写真。
【図２９】実施例４に係る、曲げ試験機の写真。
【図３０】実施例２に係る、マスク図面及び保存試験の結果を示す写真。
【図３１】実施例２に係る、評価試料の作製方法を説明する図。
【図３２】実施例２に係る、有機ＥＬ素子の特性を示すグラフ。
【図３３】実施例２に係る、有機ＥＬ素子の特性を示すグラフ。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定さ
れず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し
得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の
記載内容に限定して解釈されるものではない。
【００２２】
なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同
一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。また、同様の
機能を指す場合には、ハッチパターンを同じくし、特に符号を付さない場合がある。
【００２３】
また、図面等において示す各構成の、位置、大きさ、範囲などは、理解の簡単のため、実
際の位置、大きさ、範囲などを表していない場合がある。このため、開示する発明は、必
ずしも、図面等に開示された位置、大きさ、範囲などに限定されない。
【００２４】
作製基板上に被剥離層を形成した後、被剥離層を作製基板から剥離して別の基板に転置す
ることができる。この方法によれば、例えば、耐熱性の高い作製基板上で形成した被剥離
層を、耐熱性の低い基板に転置することができ、被剥離層の作製温度が、耐熱性の低い基
板によって制限されない。作製基板に比べて軽い、薄い、又は可撓性が高い基板等に被剥
離層を転置することで、半導体装置、発光装置、表示装置等の各種装置の軽量化、薄型化
、フレキシブル化を実現できる。
【００２５】
本発明の一態様を適用して作製できる装置は、機能素子を有する。機能素子としては、例
えば、トランジスタ等の半導体素子や、発光ダイオード、無機ＥＬ素子、有機ＥＬ素子等
の発光素子、液晶素子等の表示素子が挙げられる。例えば、トランジスタを封入した半導
体装置、発光素子を封入した発光装置（ここでは、トランジスタ及び発光素子を封入した
表示装置を含む）等も本発明の一態様を適用して作製できる装置の一例である。
【００２６】
例えば、水分などにより劣化しやすい有機ＥＬ素子を保護するために、ガスバリア性の高
い保護膜をガラス基板上に高温で形成し、可撓性を有する有機樹脂基板に転置することが
できる。有機樹脂基板に転置された保護膜上に有機ＥＬ素子を形成することで、該有機樹
脂基板の耐熱性やガスバリア性が低くても、信頼性の高いフレキシブルな発光装置を作製
できる。
【００２７】
また、別の例としては、ガスバリア性の高い保護膜をガラス基板上に高温で形成し、保護
膜上に有機ＥＬ素子を形成した後、保護膜及び有機ＥＬ素子をガラス基板から剥離し、耐
熱性やガスバリア性が低く、可撓性を有する有機樹脂基板に転置することができる。有機
樹脂基板に保護膜及び有機ＥＬ素子を転置することで、信頼性の高いフレキシブルな発光
装置を作製できる。
【００２８】
本発明の一態様は、このような剥離及び転置を用いた装置の作製方法に関し、特に剥離方
法に関する。実施の形態１及び実施の形態４では、本発明の一態様の剥離方法について説
明する。実施の形態２では、本発明の一態様を適用して作製できる装置の構成例として、
有機ＥＬ素子を用いたフレキシブルな発光装置について説明する。実施の形態３では、本
発明の一態様を適用して作製できる装置を用いた電子機器や照明装置について説明する。
最後に、本発明の一態様の剥離方法に係る実施例を示す。
【００２９】
（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様の剥離方法について図１〜図９を用いて説明する。
【００３０】
本発明の一態様の剥離方法は、基板上に、例えば厚さ０．１ｎｍ以上１０ｎｍ未満の剥離
層を形成する第１の工程と、該剥離層上に、該剥離層と接する第１の層を含む被剥離層を
形成する第２の工程と、該剥離層と該第１の層の一部を分離し、剥離の起点を形成する第
３の工程と、該剥離層と該被剥離層とを分離する第４の工程と、を有する。
【００３１】
剥離層と被剥離層を分離する際、被剥離層の引張応力が大きいと、小さい力で剥離するこ
とができても、被剥離層にクラックが入る（膜割れやひびが生じる）場合がある。また、
剥離層と被剥離層を分離する際、被剥離層の圧縮応力が大きいと、剥離に要する力が大き
くなる場合がある。このように被剥離層の構成によって、剥離の歩留まりが低下すること
がある。
【００３２】
ここで、本発明者らは、剥離に要する力は、被剥離層の応力だけでなく、剥離層にも依存
することを見出した。
【００３３】
本発明の一態様の剥離方法では、例えば厚さ０．１ｎｍ以上１０ｎｍ未満の剥離層を用い
る。このような薄い剥離層を用いることで、被剥離層の応力によらず、小さい力で剥離す
ることができる。また、このような薄い剥離層を用いることで、被剥離層の応力によらず
、剥離時に被剥離層にクラックが入ることを抑制できる。つまり、本発明の一態様を適用
することで、被剥離層の構成によらず、剥離工程における歩留まりを向上することができ
る。
【００３４】
上記剥離方法において、該第２の工程では、該被剥離層として、該第１の層を含み、応力
が負の値である（圧縮応力である）積層体を少なくとも形成することが好ましい。被剥離
層に含まれる積層体の応力が圧縮応力であると、剥離時に被剥離層にクラックが入ること
を抑制できる。
【００３５】
積層体全体の応力が圧縮応力であれば、該積層体を構成する各層の応力がすべて圧縮応力
である構成に限られず、応力が引張応力である層と圧縮応力である層で積層体が構成され
ていてもよい。
【００３６】
上記剥離方法において、該第１の工程と該第４の工程の間に、Ｎ２Ｏプラズマ処理を行わ
なくても、剥離工程における歩留まりを向上することができる。したがって、該剥離方法
を用いて作製する装置の作製工程を簡略化することができる。
【００３７】
例えば、剥離層としてタングステン膜を用いたときに、Ｎ２Ｏプラズマ処理を行うことで
、タングステン膜と第１の層の間に酸化タングステン膜を形成することができる。Ｎ２Ｏ
プラズマ処理を行い、酸化タングステン膜を形成することで、小さい力で被剥離層を剥離
することができる。
【００３８】
このとき、タングステン膜と酸化タングステン膜の界面で分離することで、被剥離層側に
酸化タングステン膜が残存する場合がある。そして、酸化タングステン膜が残存すること
で、トランジスタの特性に悪影響を及ぼすことがある。したがって、剥離層と被剥離層の
分離工程の後に、酸化タングステン膜を除去する工程を有することが好ましい。
【００３９】
なお、上述のように、本発明の一態様の剥離方法では、Ｎ２Ｏプラズマ処理を行わなくて
もよいため、酸化タングステン膜を除去する工程も削減できる。したがって、より簡便に
装置の作製を行うことができる。
【００４０】
また、本発明の一態様は、基板上に、厚さ０．１ｎｍ以上１０ｎｍ未満の剥離層を形成す
る第１の工程と、該剥離層上に、該剥離層と接する第１の層を含む被剥離層を形成する第
２の工程と、該剥離層及び該被剥離層と重ねて接合層を硬化する第３の工程と、該接合層
と重なる該剥離層と該第１の層の一部を分離し、剥離の起点を形成する第４の工程と、該
剥離層と該被剥離層とを分離する第５の工程と、を有する剥離方法である。
【００４１】
接合層、剥離層、及び第１の層が重なる領域で、剥離層と第１の層の一部を分離し、剥離
の起点を形成することで、剥離の歩留まりを向上することができる。
【００４２】
また、本発明の一態様は、基板上に、厚さ０．１ｎｍ以上１０ｎｍ未満の剥離層を形成す
る第１の工程と、該剥離層上に、該剥離層と接する第１の層を含む被剥離層を形成する第
２の工程と、該剥離層及び該被剥離層と重ねて、第１の接合層、及び該第１の接合層を囲
う枠状の第２の接合層を硬化する第３の工程と、該第２の接合層と重なる該剥離層と該第
１の層の一部を分離し、剥離の起点を形成する第４の工程と、該剥離層と該被剥離層とを
分離する第５の工程と、を有する剥離方法である。
【００４３】
第２の接合層、剥離層、及び第１の層が重なる領域で、剥離層と第１の層の一部を分離し
、剥離の起点を形成することで、剥離の歩留まりを向上することができる。また、第１の
接合層及び第２の接合層の双方で被剥離層を封止することができ、作製する装置の信頼性
を高めることができる。
【００４４】
以下では、本発明の一態様の剥離方法を４つ例示する。各剥離方法では、１０ｎｍ未満の
薄い剥離層を用いることで、被剥離層の構成によらず、小さい剥離力で作製基板から被剥
離層を剥離することができる。
【００４５】
なお、剥離層は、一例としては、層の全体にわたって、厚さが、０．１ｎｍ以上１０ｎｍ
未満であることが望ましい。ただし、本発明の実施形態の一態様は、これに限定されない
。例えば、剥離層は、少なくとも一部において、厚さ０．１ｎｍ以上１０ｎｍ未満の領域
を有していてもよい。または、剥離層は、望ましくは、剥離層の５０％以上の領域におい
て、より望ましくは、剥離層の９０％以上の領域において、厚さ０．１ｎｍ以上１０ｎｍ
未満の領域を有していてもよい。つまり、本発明の一態様では、剥離層の一部に厚さが０
．１ｍｍ未満の領域や、１０ｎｍ以上の領域を有していてもよい。
【００４６】
＜剥離方法１＞
はじめに、作製基板１０１上に厚さ１０ｎｍ未満の剥離層１０３を形成し、剥離層１０３
上に被剥離層１０５を形成する（図１（Ａ））。ここでは、島状の剥離層を形成する例を
示したがこれに限られない。また、被剥離層１０５を島状に形成してもよい。
【００４７】
この工程では、作製基板１０１から被剥離層１０５を剥離する際に、作製基板１０１と剥
離層１０３の界面、剥離層１０３と被剥離層１０５の界面、又は剥離層１０３中で剥離が
生じるような材料を選択する。本実施の形態では、被剥離層１０５と剥離層１０３の界面
で剥離が生じる場合を例示するが、剥離層１０３や被剥離層１０５に用いる材料の組み合
わせによってはこれに限られない。なお、被剥離層１０５が積層構造である場合、剥離層
１０３と接する層を特に第１の層と記す。
【００４８】
剥離層１０３の厚さは、例えば、１０ｎｍ未満、好ましくは８ｎｍ以下、より好ましくは
５ｎｍ以下、さらに好ましくは３ｎｍ以下とすればよい。剥離層１０３が薄いほど剥離の
歩留まりを向上でき好ましい。また、剥離層１０３の厚さは、例えば、０．１ｎｍ以上、
好ましくは０．５ｎｍ以上、より好ましくは１ｎｍ以上とすればよい。剥離層１０３が厚
いほど厚さの均一な膜を成膜でき好ましい。例えば、剥離層１０３の厚さは１ｎｍ以上８
ｎｍ以下が好ましい。本実施の形態では、厚さ５ｎｍのタングステン膜を用いる。
【００４９】
なお、剥離層１０３の厚さは、一例としては、層の全体にわたって、上記のような厚さで
あることが望ましい。ただし、本発明の実施形態の一態様は、これに限定されない。例え
ば、剥離層１０３は、少なくとも一部において、上記のような厚さの領域を有していても
よい。または、剥離層１０３は、望ましくは、剥離層の５０％以上の領域において、より
望ましくは、剥離層の９０％以上の領域において、上記のような厚さの領域を有していて
もよい。つまり、本発明の一態様では、剥離層１０３の一部に厚さが０．１ｍｍ未満の領
域や、１０ｎｍ以上の領域を有していてもよい。
【００５０】
作製基板１０１には、少なくとも作製工程中の処理温度に耐えうる耐熱性を有する基板を
用いる。作製基板１０１としては、例えばガラス基板、石英基板、サファイア基板、半導
体基板、セラミック基板、金属基板、樹脂基板、プラスチック基板などを用いることがで
きる。
【００５１】
なお、量産性を向上させるため、作製基板１０１として大型のガラス基板を用いることが
好ましい。例えば、第３世代（５５０ｍｍ×６５０ｍｍ）、第３．５世代（６００ｍｍ×
７２０ｍｍ、または６２０ｍｍ×７５０ｍｍ）、第４世代（６８０ｍｍ×８８０ｍｍ、ま
たは７３０ｍｍ×９２０ｍｍ）、第５世代（１１００ｍｍ×１３００ｍｍ）、第６世代（
１５００ｍｍ×１８５０ｍｍ）、第７世代（１８７０ｍｍ×２２００ｍｍ）、第８世代（
２２００ｍｍ×２４００ｍｍ）、第９世代（２４００ｍｍ×２８００ｍｍ、２４５０ｍｍ
×３０５０ｍｍ）、第１０世代（２９５０ｍｍ×３４００ｍｍ）等のガラス基板、又はこ
れよりも大型のガラス基板を用いることができる。
【００５２】
作製基板１０１にガラス基板を用いる場合、作製基板１０１と剥離層１０３との間に、下
地膜として、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン
膜等の絶縁膜を形成すると、ガラス基板からの汚染を防止でき、好ましい。
【００５３】
剥離層１０３は、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン、タンタル、ニオブ
、ニッケル、コバルト、ジルコニウム、亜鉛、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オス
ミウム、イリジウム、シリコンから選択された元素、該元素を含む合金材料、又は該元素
を含む化合物材料等を用いて形成できる。シリコンを含む層の結晶構造は、非晶質、微結
晶、多結晶のいずれでもよい。また、酸化アルミニウム、酸化ガリウム、酸化亜鉛、二酸
化チタン、酸化インジウム、インジウムスズ酸化物、インジウム亜鉛酸化物、Ｉｎ−Ｇａ
−Ｚｎ酸化物等の金属酸化物を用いてもよい。剥離層１０３に、タングステン、チタン、
モリブデンなどの高融点金属材料を用いると、被剥離層１０５の形成工程の自由度が高ま
るため好ましい。
【００５４】
剥離層１０３は、例えばスパッタリング法、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄ
ｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法（プラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、ＭＯＣＶＤ（Ｍｅｔａｌ  Ｏ
ｒｇａｎｉｃ  ＣＶＤ）法など）、ＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ  Ｌａｙｅｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔ
ｉｏｎ）法、塗布法（スピンコーティング法、液滴吐出法、ディスペンス法等を含む）、
印刷法、蒸着法等により形成できる。
【００５５】
剥離層１０３が単層構造の場合、タングステン膜、モリブデン膜、又はタングステンとモ
リブデンの混合物を含む膜を形成することが好ましい。また、タングステンの酸化物もし
くは酸化窒化物を含む膜、モリブデンの酸化物もしくは酸化窒化物を含む膜、又はタング
ステンとモリブデンの混合物の酸化物もしくは酸化窒化物を含む膜を形成してもよい。な
お、タングステンとモリブデンの混合物とは、例えば、タングステンとモリブデンの合金
に相当する。例えば、Ｍｏ：Ｗ＝３：１［原子数比］、Ｍｏ：Ｗ＝１：１［原子数比］、
又はＭｏ：Ｗ＝１：３［原子数比］などのモリブデンとタングステンの合金膜を用いても
よい。また、モリブデンとタングステンの合金膜は、例えば、Ｍｏ：Ｗ＝４９：５１［重
量％］、Ｍｏ：Ｗ＝６１：３９［重量％］、Ｍｏ：Ｗ＝１４．８：８５．２［重量％］の
組成の金属ターゲットを用いてスパッタリング法により形成することができる。
【００５６】
タングステン膜の表面状態を変えることにより、剥離層１０３と後に形成される被剥離層
との密着性を制御することが可能である。例えば、タングステンを含む膜の表面を、熱酸
化処理、酸素プラズマ処理、亜酸化窒素（Ｎ２Ｏ）プラズマ処理、オゾン水等の酸化力の
強い溶液での処理等を行ってタングステンの酸化物を含む膜を形成してもよい。またプラ
ズマ処理や加熱処理は、酸素、窒素、亜酸化窒素単独、あるいは該ガスとその他のガスと
の混合気体雰囲気下で行ってもよい。
【００５７】
本発明の一態様では、厚さ１０ｎｍ未満のタングステン膜を用いることで、小さい剥離力
で容易に剥離を行うことができるため、上記プラズマ処理や加熱処理を行わなくてもよい
。これにより、剥離工程、さらには装置の作製工程を簡略化でき好ましい。
【００５８】
被剥離層１０５として形成する層に特に限定は無い。本実施の形態では、被剥離層１０５
として、剥離層１０３上に接する絶縁層を作製する。さらに、絶縁層上に機能素子を作製
してもよい。被剥離層１０５として形成する層の具体例は、実施の形態２も参照できる。
【００５９】
剥離層１０３上の絶縁層は、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、又
は窒化酸化シリコン膜等を用いて、単層又は多層で形成することが好ましい。
【００６０】
該絶縁層は、スパッタリング法、ＣＶＤ法、ＡＬＤ法、塗布法、印刷法、蒸着法等を用い
て形成することが可能であり、例えば、プラズマＣＶＤ法によって成膜温度を２５０℃以
上４００℃以下として形成することで、緻密で非常にガスバリア性の高い膜とすることが
できる。なお、絶縁層の厚さは１０ｎｍ以上３０００ｎｍ以下、さらには２００ｎｍ以上
１５００ｎｍ以下が好ましい。
【００６１】
次に、被剥離層１０５と基板１０９とを接合層１０７を用いて貼り合わせ、接合層１０７
を硬化させる（図１（Ｂ））。ここで、図１（Ｂ）は図１（Ｃ）における一点鎖線Ａ１−
Ａ２間の断面図に相当する。なお、図１（Ｃ）は、基板１０９（図示しない）側から見た
平面図である。
【００６２】
ここで、接合層１０７は剥離層１０３及び被剥離層１０５と重なるように配置することが
好ましい。そして、図１（Ｂ）、（Ｃ）に示すように、接合層１０７の端部は、剥離層１
０３の端部よりも外側に位置しないことが好ましい。
【００６３】
例えば、別の構成例を図２（Ａ）に示す。図２（Ａ）には、基板１０９側から見た平面図
と、該平面図における一点鎖線Ｂ１−Ｂ２間の断面図を示す（平面図にて基板１０９は図
示しない）。図２（Ａ）の断面図に示す点線で囲った領域のように、作製基板１０１及び
基板１０９が剥離層１０３と重ならない領域で接合層１０７によって貼り合わされると、
その領域の広さや、接合層１０７と該接合層１０７に接する層との密着性の程度によって
、剥離不良が生じやすくなる場合がある。
【００６４】
したがって、接合層１０７は剥離層１０３の内側に位置する（図１（Ｂ）、（Ｃ）参照）
、もしくは、接合層１０７の端部と剥離層１０３の端部とが揃っていることが好ましい。
接合層１０７に、シート状の接着剤（接着シート）や流動性の低い材料を用いると、接合
層１０７が剥離層１０３の外側に広がらない（広がりにくい）ため、好ましい。
【００６５】
また、図２（Ｂ）には、基板１０９側から見た平面図と、該平面図における一点鎖線Ｃ１
−Ｃ２間の断面図を示す（平面図にて基板１０９は図示しない）。図２（Ｂ）に示すよう
に、被剥離層１０５上又は剥離層１０３上に枠状の接合層１１１を設け、枠状の接合層１
１１に囲まれた内部に接合層１０７を形成することが好ましい。これにより、剥離層１０
３の外側に接合層１０７が広がること、さらには、剥離工程の歩留まりが低下することを
抑制できる。図２（Ｂ）の構成であれば、接合層に液状の接着剤を用いることもでき、接
合層に適用できる材料の幅が広がり好ましい。
【００６６】
特に、剥離層１０３の端部よりも内側に枠状の接合層１１１の端部が位置することが好ま
しい。枠状の接合層１１１の端部が剥離層１０３の端部よりも内側に位置することで、接
合層１０７の端部も剥離層１０３の端部よりも内側に位置することができる。なお、枠状
の接合層１１１と剥離層１０３の端部が重なっていてもよい。
【００６７】
枠状の接合層１１１と接合層１０７の形成順序は問わない。例えば、スクリーン印刷法等
を用いて接合層１０７を形成した後、塗布法等を用いて枠状の接合層１１１を形成しても
よい。または、塗布法等を用いて枠状の接合層１１１を形成した後、ＯＤＦ（Ｏｎｅ  Ｄ
ｒｏｐ  Ｆｉｌｌ）方式の装置等を用いて接合層１０７を形成してもよい。
【００６８】
また、図２（Ｃ）に示すように、枠状の接合層１１１や接合層１０７の外側に、樹脂層１
１３を設けてもよい。図２（Ｃ）には、基板１０９側から見た平面図と、該平面図におけ
る一点鎖線Ｄ１−Ｄ２間の断面図を示す（平面図にて基板１０９は図示しない）。樹脂層
１１３を設けることで、作製工程中に大気雰囲気に露出しても、被剥離層１０５に水分等
の不純物が混入することを抑制できる。
【００６９】
なお、被剥離層１０５と基板１０９の貼り合わせは減圧雰囲気下で行うことが好ましい。
【００７０】
接合層１０７としては、紫外線硬化型等の光硬化型接着剤、反応硬化型接着剤、熱硬化型
接着剤、嫌気型接着剤などの各種硬化型接着剤を用いることができる。これら接着剤とし
てはエポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、
イミド樹脂、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）樹脂
、ＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）樹脂等が挙げられる。特に、エポキシ樹脂等の透
湿性が低い材料が好ましい。また、二液混合型の樹脂を用いてもよい。また、シート状の
接着剤を用いてもよい。
【００７１】
また、上記樹脂に乾燥剤を含んでいてもよい。例えば、アルカリ土類金属の酸化物（酸化
カルシウムや酸化バリウム等）のように、化学吸着によって水分を吸着する物質を用いる
ことができる。または、ゼオライトやシリカゲル等のように、物理吸着によって水分を吸
着する物質を用いてもよい。乾燥剤が含まれていると、大気中の水分の侵入による機能素
子の劣化を抑制でき、装置の信頼性が向上するため好ましい。
【００７２】
また、上記樹脂に屈折率の高いフィラーや光散乱部材を混合することにより、発光素子か
らの光取り出し効率を向上させることができる。例えば、酸化チタン、酸化バリウム、ゼ
オライト、ジルコニウム等を用いることができる。
【００７３】
また、接合層１０７として、水や溶媒に可溶なものや、紫外線などの照射により可塑化さ
せることが可能であるもののように、必要時に基板１０９と被剥離層１０５とを化学的も
しくは物理的に分離することが可能な接着剤を用いてもよい。例えば、水溶性樹脂を用い
てもよい。
【００７４】
基板１０９としては、作製基板１０１に用いることができる各種基板を適用できる。また
、フィルム等のような可撓性基板を用いてもよい。
【００７５】
枠状の接合層１１１及び樹脂層１１３に用いることができる材料は、いずれも接合層１０
７に用いることができる材料と同様である。
【００７６】
枠状の接合層１１１は、接合層１０７が剥離層１０３の外側に流れることをせき止められ
れば、硬化状態、半硬化状態、未硬化状態のいずれであってもよい。枠状の接合層１１１
が硬化状態である場合、後述する剥離の起点を枠状の接合層１１１と重なる領域に形成す
ることが好ましい。これにより、剥離後に、枠状の接合層１１１を、接合層１０７ととも
に被剥離層１０５を封止する層として用いることができ、大気中の水分の侵入による機能
素子の劣化を抑制することができる。これにより、信頼性の高い装置を作製できる。なお
、枠状の接合層１１１を硬化状態とするときは、剥離工程の歩留まりの低下を防ぐため、
枠状の接合層１１１の端部が剥離層１０３の端部よりも外側に位置しないようにすること
が好ましい。
【００７７】
接合層１０７や枠状の接合層１１１として光硬化樹脂を用いる場合、光硬化樹脂を硬化さ
せるための光を作製基板や剥離層、被剥離層が透過する必要がある。ここで、タングステ
ン膜等の金属膜のように、剥離層は、材料によっては、厚すぎると透光性が低くなり、光
硬化樹脂を硬化させるための光を透過しにくくなる。これにより、光硬化樹脂が硬化しな
い、又は光硬化樹脂を硬化させるのに長い時間を要する、等の問題が生じる。本発明の一
態様では厚さ１０ｎｍ未満の薄い剥離層を用いるため、接合層を確実に硬化させる、又は
短時間で硬化させることができる、剥離層の材料の幅が広く、好ましい。
【００７８】
また、樹脂層１１３は、硬化状態であると、作製基板１０１と基板１０９の密着性の程度
により、後の剥離工程の歩留まりが低下する場合がある。したがって、樹脂層１１３の少
なくとも一部を、半硬化状態又は未硬化状態とすることが好ましい。樹脂層１１３に粘度
の高い材料を用いることで、半硬化状態又は未硬化状態であっても、大気中の水分等の不
純物が被剥離層１０５に混入することを抑制する効果を高めることができる。
【００７９】
また、例えば、樹脂層１１３として、光硬化樹脂を用い、一部に光を照射することで、樹
脂層１１３の一部を硬化状態としてもよい。一部を硬化状態とすることで、工程中に、減
圧雰囲気から大気圧雰囲気に移動した場合でも、作製基板１０１及び基板１０９の間隔及
び位置を一定に保つことができ、好ましい。
【００８０】
次に、レーザ光の照射により、剥離の起点を形成する（図１（Ｂ）、（Ｄ））。
【００８１】
レーザ光の照射を用いることで、剥離の起点を形成するために基板の切断等をする必要が
なく、ゴミ等の発生を抑制でき、好ましい。
【００８２】
レーザ光は、硬化状態の接合層１０７と、被剥離層１０５と、剥離層１０３とが重なる領
域に対して照射する（図１（Ｂ）の矢印Ｐ１参照）。また、図２（Ｂ）、（Ｃ）において
、枠状の接合層１１１が硬化状態である場合、枠状の接合層１１１と被剥離層１０５と、
剥離層１０３とが重なる領域に対してレーザ光を照射することが好ましい。
【００８３】
レーザ光は、どちらの基板側から照射してもよいが、散乱した光が機能素子等に照射され
ることを抑制するため、剥離層１０３が設けられた作製基板１０１側から照射することが
好ましい。なお、レーザ光を照射する側の基板は、該レーザ光を透過する材料を用いる。
【００８４】
少なくとも第１の層（被剥離層１０５に含まれる、剥離層１０３と接する層）にクラック
を入れる（膜割れやひびを生じさせる）ことで、第１の層の一部を除去し、剥離の起点を
形成できる（図１（Ｄ）の点線で囲った領域参照）。このとき、第１の層だけでなく、被
剥離層１０５の他の層や、剥離層１０３、接合層１０７の一部を除去してもよい。レーザ
光の照射によって、膜の一部を溶解、蒸発、又は熱的に破壊することができる。また、剥
離の起点の形成方法は問わない。少なくとも第１の層の一部が剥離層から剥離されればよ
く、第１の層の一部を除去しなくてもよい。
【００８５】
剥離工程時、剥離の起点に、被剥離層１０５と剥離層１０３を引き離す力が集中すること
が好ましいため、硬化状態の接合層１０７の中央部よりも端部近傍に剥離の起点を形成す
ることが好ましい。特に、端部近傍の中でも、辺部近傍に比べて、角部近傍に剥離の起点
を形成することが好ましい。
【００８６】
また、接合層１０７の端部近傍に連続的もしくは断続的にレーザ光を照射することで、実
線状もしくは破線状に剥離の起点を形成すると、剥離が容易となるため好ましい。
【００８７】
剥離の起点を形成するために用いるレーザには特に限定はない。例えば、連続発振型のレ
ーザやパルス発振型のレーザを用いることができる。レーザ光の照射条件（周波数、パワ
ー密度、エネルギー密度、ビームプロファイル等）は、作製基板１０１や剥離層１０３の
厚さ、材料等を考慮して適宜制御する。
【００８８】
そして、形成した剥離の起点から、被剥離層１０５と作製基板１０１とを分離する（図１
（Ｅ）、（Ｆ））。これにより、被剥離層１０５を作製基板１０１から基板１０９に転置
することができる。このとき、一方の基板を吸着ステージ等に固定することが好ましい。
例えば、作製基板１０１を吸着ステージに固定し、作製基板１０１から被剥離層１０５を
剥離してもよい。また、基板１０９を吸着ステージに固定し、基板１０９から作製基板１
０１を剥離してもよい。なお、剥離の起点よりも外側に形成された接合層１０７は、作製
基板１０１又は基板１０９の少なくとも一方に残存することになる。図１（Ｅ）、（Ｆ）
では双方の側に残存する例を示すがこれに限られない。
【００８９】
例えば、剥離の起点から、物理的な力（人間の手や治具で引き剥がす処理や、ローラーを
回転させながら分離する処理等）によって被剥離層１０５と作製基板１０１とを分離すれ
ばよい。
【００９０】
また、剥離層１０３と被剥離層１０５との界面に水などの液体を浸透させて作製基板１０
１と被剥離層１０５とを分離してもよい。毛細管現象により液体が剥離層１０３と被剥離
層１０５の間にしみこむことで、容易に分離することができる。また、剥離時に生じる静
電気が、被剥離層１０５に含まれる機能素子に悪影響を及ぼすこと（半導体素子が静電気
により破壊されるなど）を抑制できる。なお、液体を霧状又は蒸気にして吹き付けてもよ
い。液体としては、純水や有機溶剤などを用いることができ、中性、アルカリ性、もしく
は酸性の水溶液や、塩が溶けている水溶液などを用いてもよい。
【００９１】
なお、剥離後に、基板１０９上に残った、被剥離層１０５と基板１０９との接着に寄与し
ていない接合層１０７、枠状の接合層１１１、又は樹脂層１１３等を除去してもよい。除
去することで、後の工程で機能素子に悪影響を及ぼすこと（不純物の混入など）を抑制で
き好ましい。例えば、ふき取り、洗浄等によって、不要な樹脂を除去することができる。
【００９２】
以上に示した本発明の一態様の剥離方法では、レーザ光の照射により剥離の起点を形成し
、剥離層１０３と被剥離層１０５とを剥離しやすい状態にしてから、剥離を行う。これに
より、剥離工程の歩留まりを向上させることができる。
【００９３】
＜剥離方法２＞
まず、剥離方法１と同様に、作製基板１０１上に厚さ１０ｎｍ未満の剥離層１０３を形成
し、剥離層１０３上に被剥離層１０５を形成する（図１（Ａ））。そして、被剥離層１０
５と基板１０９とを接合層１０７及び枠状の接合層１１１を用いて貼り合わせ、接合層１
０７及び枠状の接合層１１１を硬化させる（図３（Ａ））。
【００９４】
次に、カッターなどの鋭利な刃物により、剥離の起点を形成する（図３（Ａ）、（Ｂ））
。
【００９５】
剥離層１０３が設けられていない側の基板１０９が刃物等で切断できる場合、基板１０９
、接合層１０７もしくは枠状の接合層１１１、及び被剥離層１０５に切り込みを入れても
よい（図３（Ａ）の矢印Ｐ２参照）。これにより、第１の層の一部を除去することができ
、剥離の起点を形成できる（図３（Ｂ）の点線で囲った領域参照）。ここでは、硬化状態
の枠状の接合層１１１と剥離層１０３とが重なる領域に枠状に切り込みを入れることで、
実線状に剥離の起点を形成する例を示すが、これに限られない。なお、剥離層１０３にも
切り込みが入っていてもよい。
【００９６】
そして、形成した剥離の起点から、被剥離層１０５と作製基板１０１とを分離する（図３
（Ｃ）、（Ｄ））。これにより、被剥離層１０５を作製基板１０１から基板１０９に転置
することができる。
【００９７】
以上に示した本発明の一態様の剥離方法では、鋭利な刃物等により剥離の起点を形成し、
剥離層１０３と被剥離層１０５とを剥離しやすい状態にしてから、剥離を行う。これによ
り、剥離工程の歩留まりを向上させることができる。また、硬化状態の枠状の接合層１１
１と剥離層１０３が重なる領域で剥離を始めることで、被剥離層１０５を接合層１０７及
び枠状の接合層１１１で２重に封止することができる。したがって、被剥離層１０５中に
水分等により劣化しやすい有機ＥＬ素子等を形成した場合でも、信頼性の高い発光装置を
作製できる。
【００９８】
＜剥離方法３＞
まず、作製基板２０１上に厚さ１０ｎｍ未満の剥離層２０３を形成し、剥離層２０３上に
被剥離層２０５を形成する（図４（Ａ））。また、作製基板２２１上に剥離層２２３を形
成し、剥離層２２３上に被剥離層２２５を形成する（図４（Ｂ））。
【００９９】
次に、作製基板２０１と作製基板２２１とを、それぞれの被剥離層が形成された面が対向
するように、接合層２０７及び枠状の接合層２１１を用いて貼り合わせ、接合層２０７及
び枠状の接合層２１１を硬化させる（図４（Ｃ））。ここでは、被剥離層２２５上に枠状
の接合層２１１と、枠状の接合層２１１の内側の接合層２０７とを設けた後、作製基板２
０１と作製基板２２１とを、対向させ、貼り合わせる。
【０１００】
なお、作製基板２０１と作製基板２２１の貼り合わせは減圧雰囲気下で行うことが好まし
い。
【０１０１】
なお、図４（Ｃ）では、剥離層２０３との剥離層２２３の大きさが異なる場合を示したが
、図４（Ｄ）に示すように、同じ大きさの剥離層を用いてもよい。
【０１０２】
接合層２０７は剥離層２０３、被剥離層２０５、被剥離層２２５、及び剥離層２２３と重
なるように配置する。そして、接合層２０７の端部は、剥離層２０３又は剥離層２２３の
少なくとも一方（先に剥離したい方）の端部よりも内側に位置することが好ましい。これ
により、作製基板２０１と作製基板２２１が強く密着することを抑制でき、後の剥離工程
の歩留まりが低下することを抑制できる。
【０１０３】
次に、レーザ光の照射により、剥離の起点を形成する（図５（Ａ）、（Ｂ））。
【０１０４】
作製基板２０１及び作製基板２２１はどちらから剥離してもよい。剥離層の大きさが異な
る場合、大きい剥離層を形成した基板から剥離してもよいし、小さい剥離層を形成した基
板から剥離してもよい。一方の基板上にのみ半導体素子、発光素子、表示素子等の素子を
作製した場合、素子を形成した側の基板から剥離してもよいし、他方の基板から剥離して
もよい。ここでは、作製基板２０１を先に剥離する例を示す。
【０１０５】
レーザ光は、硬化状態の接合層２０７又は硬化状態の枠状の接合層２１１と、被剥離層２
０５と、剥離層２０３とが重なる領域に対して照射する。ここでは、接合層２０７が硬化
状態であり、枠状の接合層２１１が硬化状態でない場合を例に示し、硬化状態の接合層２
０７にレーザ光を照射する（図５（Ａ）の矢印Ｐ３参照）。
【０１０６】
第１の層の一部を除去することで、剥離の起点を形成できる（図５（Ｂ）の点線で囲った
領域参照）。このとき、第１の層だけでなく、被剥離層２０５の他の層や、剥離層２０３
、接合層２０７の一部を除去してもよい。
【０１０７】
レーザ光は、剥離したい剥離層が設けられた基板側から照射することが好ましい。剥離層
２０３と剥離層２２３が重なる領域にレーザ光の照射をする場合は、被剥離層２０５及び
被剥離層２２５のうち被剥離層２０５のみにクラックを入れることで、選択的に作製基板
２０１及び剥離層２０３を剥離することができる（図５（Ｂ）の点線で囲った領域参照）
。
【０１０８】
剥離層２０３と剥離層２２３が重なる領域にレーザ光を照射する場合、剥離層２０３側の
被剥離層２０５と剥離層２２３側の被剥離層２２５の両方に剥離の起点を形成してしまう
と、一方の作製基板を選択的に剥離することが難しくなる恐れがある。したがって、一方
の被剥離層のみにクラックを入れられるよう、レーザ光の照射条件が制限される場合があ
る。
【０１０９】
このとき、図８（Ａ）に示した構成であると、レーザ光を、剥離層２０３と重なり、かつ
剥離層２２３と重ならない領域に照射することで、剥離層２０３と剥離層２２３の両方に
剥離の起点が形成されることを防止できる（図８（Ｂ）、（Ｃ））。したがって、レーザ
光の照射条件の制限が少なくなり好ましい。このときレーザ光は、どちらの基板側から照
射してもよいが、散乱した光が機能素子等に照射されることを抑制するため、剥離層２０
３が設けられた作製基板２０１側から照射することが好ましい。
【０１１０】
そして、形成した剥離の起点から、被剥離層２０５と作製基板２０１とを分離する（図５
（Ｃ）、（Ｄ））。これにより、被剥離層２０５を作製基板２０１から作製基板２２１に
転置することができる。なお、剥離の起点よりも外側に形成された接合層２０７や枠状の
接合層２１１は、作製基板２０１又は作製基板２２１の少なくとも一方に残存することに
なる。図５（Ｃ）、（Ｄ）では双方の側に残存する例を示すがこれに限られない。
【０１１１】
次に、露出した被剥離層２０５と基板２３１とを、接合層２３３を用いて貼り合わせ、接
合層２３３を硬化させる（図６（Ａ））。ここでは、被剥離層２２５上に枠状の接合層２
３５と、枠状の接合層２３５の内側の接合層２３３と、を設け、被剥離層２２５と基板２
３１とを貼り合わせる。
【０１１２】
なお、被剥離層２０５と基板２３１の貼り合わせは減圧雰囲気下で行うことが好ましい。
【０１１３】
次に、レーザ光の照射により、剥離の起点を形成する（図６（Ｂ）、（Ｃ））。
【０１１４】
ここでは、接合層２３３が硬化状態であり、枠状の接合層２３５が硬化状態でない場合を
例に示し、硬化状態の接合層２３３にレーザ光を照射する（図６（Ｂ）の矢印Ｐ４参照）
。第１の層の一部を除去することで、剥離の起点を形成できる（図６（Ｃ）の点線で囲っ
た領域参照）。このとき、第１の層だけでなく、被剥離層２２５の他の層や、剥離層２２
３、接合層２３３の一部を除去してもよい。
【０１１５】
レーザ光は、剥離層２２３が設けられた作製基板２２１側から照射することが好ましい。
【０１１６】
そして、形成した剥離の起点から、被剥離層２２５と作製基板２２１とを分離する（図６
（Ｄ））。これにより、被剥離層２０５及び被剥離層２２５を基板２３１に転置すること
ができる。
【０１１７】
以上に示した本発明の一態様の剥離方法では、それぞれ剥離層及び被剥離層が設けられた
一対の作製基板を貼り合わせた後、レーザ光の照射により剥離の起点を形成し、それぞれ
の剥離層と被剥離層とを剥離しやすい状態にしてから、剥離を行う。これにより、剥離工
程の歩留まりを向上させることができる。
【０１１８】
また、それぞれ被剥離層が形成された一対の作製基板をあらかじめ貼り合わせた後に、剥
離をし、作製したい装置を構成する基板を貼り合わせることができる。したがって、被剥
離層の貼り合わせの際に、可撓性が低い作製基板どうしを貼り合わせることができ、可撓
性基板どうしを貼り合わせた際よりも貼り合わせの位置合わせ精度を向上させることがで
きる。
【０１１９】
＜剥離方法４＞
剥離方法４は、１回目の剥離工程までは剥離方法３と同様に行う。以降では、図５（Ｄ）
の後の工程を詳述する。
【０１２０】
図５（Ｄ）に示す工程で作製基板２０１から剥離した被剥離層２０５と、基板２３１とを
接合層２３３を用いて貼り合わせ、接合層２３３を硬化させる（図７（Ａ））。
【０１２１】
次に、カッターなどの鋭利な刃物により、剥離の起点を形成する（図７（Ｂ）、（Ｃ））
。
【０１２２】
剥離層２２３が設けられていない側の基板２３１が刃物等で切断できる場合、基板２３１
、接合層２３３、及び被剥離層２２５に切り込みを入れてもよい（図７（Ｂ）の矢印Ｐ５
参照）。これにより、第１の層の一部を除去し、剥離の起点を形成できる（図７（Ｃ）の
点線で囲った領域参照）。
【０１２３】
図７（Ｂ）、（Ｃ）で示すように、作製基板２２１及び基板２３１が剥離層２２３と重な
らない領域で接合層２３３によって貼り合わされている場合、作製基板２２１と基板２３
１の密着性の程度により、後の剥離工程の歩留まりが低下することがある。したがって、
硬化状態の接合層２３３と剥離層２２３とが重なる領域に枠状に切り込みを入れ、実線状
に剥離の起点を形成することが好ましい。これにより、剥離工程の歩留まりを高めること
ができる。
【０１２４】
そして、形成した剥離の起点から、被剥離層２２５と作製基板２２１とを分離する（図７
（Ｄ））。これにより、被剥離層２２５を作製基板２２１から基板２３１に転置すること
ができる。
【０１２５】
以上に示した本発明の一態様の剥離方法では、鋭利な刃物等により剥離の起点を形成し、
剥離層と被剥離層とを剥離しやすい状態にしてから、剥離を行う。これにより、剥離工程
の歩留まりを向上させることができる。
【０１２６】
また、それぞれ被剥離層が形成された一対の作製基板をあらかじめ貼り合わせた後に、剥
離をし、作製したい装置を構成する基板を貼り合わせることができる。したがって、被剥
離層の貼り合わせの際に、可撓性が低い作製基板どうしを貼り合わせることができ、可撓
性基板どうしを貼り合わせた際よりも貼り合わせの位置合わせ精度を向上させることがで
きる。
【０１２７】
上記各剥離方法において、剥離及び転置できる領域の端部は、剥離層１０３の端部よりも
内側である。図９（Ａ）〜（Ｃ）に示すように、剥離したい被剥離層１０５の端部は、剥
離層１０３の端部よりも内側に位置するよう形成する。剥離したい被剥離層１０５が複数
ある場合、図９（Ｂ）に示すように、被剥離層１０５ごとに剥離層１０３を設けてもよい
し、図９（Ｃ）に示すように、１つの剥離層１０３上に複数の被剥離層１０５を設けても
よい。
【０１２８】
以上のように、本発明の一態様の剥離方法を用いることで、被剥離層の構成によらず、被
剥離層を小さい力で剥離することができる。また、本発明の一態様の剥離方法を用いるこ
とで、被剥離層の構成によらず、剥離工程時に、被剥離層にクラックが入ることを抑制で
きる。したがって、剥離工程における歩留まりの低下を抑制できる。
【０１２９】
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
【０１３０】
（実施の形態２）
本実施の形態では、本発明の一態様を適用して作製できるフレキシブルな発光装置につい
て、図１０〜図１４を用いて説明する。
【０１３１】
図１０〜図１４に発光素子として有機ＥＬ素子を用いたフレキシブルな発光装置の一例を
示す。本実施の形態のフレキシブルな発光装置は、例えば、曲率半径１ｍｍ以上１５０ｍ
ｍ以下で曲げることができる。曲げる方向は問わない。また、曲げる箇所は１か所であっ
ても２か所以上であってもよく、例えば、発光装置を二つ折りや三つ折りにすることがで
きる。
【０１３２】
例えば、本発明の一態様の発光装置は、第１の可撓性基板と、第２の可撓性基板と、該第
１の可撓性基板及び該第２の可撓性基板の間の発光素子と、該第１の可撓性基板及び該発
光素子の間の第１の絶縁層と、該第２の可撓性基板及び該発光素子の間の第１の接合層と
、を有し、該発光素子は、一対の電極間に発光性の有機化合物を含む層を有し、該第１の
絶縁層の水蒸気透過率は１×１０−５ｇ／ｍ２・ｄａｙ未満である。
【０１３３】
上記発光装置において、該第２の可撓性基板及び該第１の接合層の間の第２の絶縁層を有
し、該第２の絶縁層の水蒸気透過率は１×１０−５ｇ／ｍ２・ｄａｙ未満であることが好
ましい。また、上記発光装置において、該第１の接合層を囲う枠状の第２の接合層を有す
ることが好ましい。
【０１３４】
なお、本明細書中において、発光装置とは、発光素子を用いた表示装置を含む。また、発
光素子にコネクター、例えば異方導電性フィルム、もしくはＴＣＰ（Ｔａｐｅ  Ｃａｒｒ
ｉｅｒ  Ｐａｃｋａｇｅ）が取り付けられたモジュール、ＴＣＰの先にプリント配線板が
設けられたモジュール、又は発光素子にＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）方式によ
りＩＣ（集積回路）が直接実装されたモジュールも全て発光装置に含むものとする。さら
に、照明器具等に用いられる発光装置も含むものとする。
【０１３５】
＜構成例１＞
図１０（Ａ）に発光装置の平面図を示し、図１０（Ｂ）、（Ｃ）に、図１０（Ａ）の一点
鎖線Ｘ１−Ｙ１間の断面図の一例を示す。図１０（Ａ）〜（Ｃ）に示す発光装置はボトム
エミッション型の発光装置である。
【０１３６】
図１０（Ｂ）、（Ｃ）に示す発光装置は、可撓性基板４１９、接着層４２２、絶縁層４２
４、導電層４０６、導電層４１６、絶縁層４０５、有機ＥＬ素子４５０（第１の電極４０
１、ＥＬ層４０２、及び第２の電極４０３）、接合層４０７、及び可撓性基板４２８を有
する。第１の電極４０１、絶縁層４２４、接着層４２２、及び可撓性基板４１９は可視光
を透過する。
【０１３７】
可撓性基板４１９上には、接着層４２２及び絶縁層４２４を介して有機ＥＬ素子４５０が
設けられている。可撓性基板４１９、接合層４０７、及び可撓性基板４２８によって、有
機ＥＬ素子４５０は封止されている。有機ＥＬ素子４５０は、第１の電極４０１と、第１
の電極４０１上のＥＬ層４０２と、ＥＬ層４０２上の第２の電極４０３とを有する。第２
の電極４０３は可視光を反射することが好ましい。
【０１３８】
第１の電極４０１、導電層４０６、導電層４１６の端部は絶縁層４０５で覆われている。
導電層４０６は第１の電極４０１と電気的に接続し、導電層４１６は第２の電極４０３と
電気的に接続する。第１の電極４０１を介して絶縁層４０５に覆われた導電層４０６は、
補助配線として機能し、第１の電極４０１と電気的に接続する。有機ＥＬ素子の電極と電
気的に接続する補助配線を有すると、電極の抵抗に起因する電圧降下を抑制できるため、
好ましい。導電層４０６は、第１の電極４０１上に設けられていてもよい。また、絶縁層
４０５上等に、第２の電極４０３と電気的に接続する補助配線を有していてもよい。
【０１３９】
発光装置の光取り出し効率を高めるため、発光素子からの光を取り出す側に光取り出し構
造を有することが好ましい。図１０（Ｂ）では、発光素子からの光を取り出す側に位置す
る可撓性基板４１９が光取り出し構造を兼ねている例を示す。なお、本発明の一態様の発
光装置では、可撓性基板と重ねて、光を拡散させる機能を有するシートなどの光取り出し
構造や、タッチセンサを配置してもよい。また、偏光板や位相差板を配置してもよい。図
１０（Ｃ）では、可撓性基板４１９と重ねて拡散板４１１及びタッチセンサ４１３を配置
した場合の例を示す。以降の各構成例においても、タッチセンサ等を配置することができ
る。
【０１４０】
絶縁層４２４は、ガスバリア性が高いことが好ましい。これにより、可撓性基板４１９側
から水分や酸素が発光装置に侵入することを抑制できる。
【０１４１】
本明細書中において、ガスバリア性の高い層は、例えば、ガス透過率、酸素透過率、又は
水蒸気透過率が１×１０−５［ｇ／ｍ２・ｄａｙ］以下、好ましくは１×１０−６［ｇ／
ｍ２・ｄａｙ］以下、より好ましくは１×１０−７［ｇ／ｍ２・ｄａｙ］以下、さらに好
ましくは１×１０−８［ｇ／ｍ２・ｄａｙ］以下とする。
【０１４２】
構成例１として示す発光装置は、本発明の一態様の剥離方法を用いて歩留まりよく作製す
ることができる。特に、実施の形態１で例示した剥離方法１や剥離方法２を適用すること
ができる。本発明の一態様の剥離方法において、絶縁層４２４を被剥離層として作製基板
上に形成することで、絶縁層４２４を高温で形成することができる。高温をかけて形成し
たガスバリア性の高い絶縁層を絶縁層４２４として用いることで、信頼性の高い発光装置
を実現できる。なお、被剥離層として、絶縁層４２４だけでなく、有機ＥＬ素子４５０等
を形成してもよい。
【０１４３】
＜構成例２＞
図１１（Ａ）に発光装置の平面図を示し、図１１（Ｂ）、（Ｃ）に、図１１（Ａ）の一点
鎖線Ｘ２−Ｙ２間の断面図の一例を示す。図１１（Ａ）〜（Ｃ）に示す発光装置はトップ
エミッション型の発光装置である。
【０１４４】
図１１（Ｂ）、（Ｃ）に示す発光装置は、可撓性基板４２０、接着層４２２、絶縁層４２
４、導電層４０８、絶縁層４０５、有機ＥＬ素子４５０（第１の電極４０１、ＥＬ層４０
２、及び第２の電極４０３）、導電層４１０、枠状の接合層４０４、接合層４０７、可撓
性基板４２８、及び光取出し構造４０９を有する。第２の電極４０３、接合層４０７、可
撓性基板４２８、及び光取出し構造４０９は可視光を透過する。
【０１４５】
可撓性基板４２０上には、接着層４２２及び絶縁層４２４を介して有機ＥＬ素子４５０が
設けられている。可撓性基板４２０、接合層４０７、枠状の接合層４０４、及び可撓性基
板４２８によって、有機ＥＬ素子４５０は封止されている。有機ＥＬ素子４５０は、第１
の電極４０１と、第１の電極４０１上のＥＬ層４０２と、ＥＬ層４０２上の第２の電極４
０３とを有する。第１の電極４０１は可視光を反射することが好ましい。可撓性基板４２
８の表面には光取り出し構造４０９が貼り合わされている。
【０１４６】
第１の電極４０１、導電層４１０の端部は絶縁層４０５で覆われている。導電層４１０は
第１の電極４０１と同一の工程、同一の材料で形成することができ、第２の電極４０３と
電気的に接続する。
【０１４７】
絶縁層４０５上の導電層４０８は、補助配線として機能し、第２の電極４０３と電気的に
接続する。導電層４０８は、第２の電極４０３上に設けられていてもよい。また、構成例
１と同様に、第１の電極４０１と電気的に接続する補助配線を有していてもよい。
【０１４８】
ここで、本発明の一態様の発光装置は、一対の可撓性基板及び接合層によって封止された
発光素子を有する。
【０１４９】
接合層は発光装置の側面に露出する層であるため、該接合層のガスバリア性が低いと、有
機ＥＬ素子に外部から水分や酸素等の不純物が侵入してしまう。有機ＥＬ素子中に不純物
が侵入することで、例えば、発光部のシュリンク（ここでは、発光部端部からの輝度劣化
や、発光部の非発光領域の拡大を指す）が生じてしまう。したがって、有機ＥＬ素子を覆
う接合層は、ガスバリア性が高い（特に水蒸気透過性や酸素透過性が低い）ことが好まし
い。
【０１５０】
また、接合層の材料として液状組成物を用いる場合、硬化に伴う体積の収縮が大きいと、
有機ＥＬ素子に応力が加わり、有機ＥＬ素子が損傷し、発光不良が生じる場合がある。し
たがって、接合層に用いる材料の硬化に伴う体積の収縮は小さいことが好ましい。
【０１５１】
また、接合層が有機ＥＬ素子の発光を透過する側に位置する場合は、発光装置の光取り出
し効率を高めるため、接合層の透光性は高いことが好ましい。同様の理由により、接合層
の屈折率は高いことが好ましい。
【０１５２】
このように、接合層に求められる性質は複数あり、接合層の材料がこれらのいずれか２つ
以上を両立することは非常に困難である。
【０１５３】
そこで、本発明の一態様の発光装置は、可撓性基板と有機ＥＬ素子との間に２種類以上の
接合層を用いる。具体的には、例えば、接合層を、該接合層よりもガスバリア性の高い接
合層で囲う。外側の接合層に、内側の接合層よりガスバリア性の高い材料を用いることで
、内側の接合層に、硬化時の体積の収縮が小さい、透光性（特に可視光の透過性）が高い
、もしくは屈折率が高い等の性質をもつガスバリア性の低い材料等を用いても、外部から
水分や酸素が発光装置に侵入することを抑制できる。したがって、発光部のシュリンクが
抑制された、信頼性の高い発光装置を実現することができる。
【０１５４】
構成例２に示す発光装置は、可撓性基板４２８及び有機ＥＬ素子４５０の間の接合層４０
７、及び接合層４０７を囲う枠状の接合層４０４と、を有する。
【０１５５】
枠状の接合層４０４は、接合層４０７よりもガスバリア性が高いことが好ましい。枠状の
接合層４０４は、例えば、ガス透過率、酸素透過率、又は水蒸気透過率が１×１０−５［
ｇ／ｍ２・ｄａｙ］以下、好ましくは１×１０−６［ｇ／ｍ２・ｄａｙ］以下、より好ま
しくは１×１０−７［ｇ／ｍ２・ｄａｙ］以下、さらに好ましくは１×１０−８［ｇ／ｍ
２・ｄａｙ］以下とする。
【０１５６】
構成例２では、接合層４０７を介して有機ＥＬ素子４５０の発光が発光装置から取り出さ
れる。したがって、接合層４０７は、枠状の接合層４０４に比べて透光性が高いことが好
ましい。また、接合層４０７は、枠状の接合層４０４に比べて屈折率が高いことが好まし
い。また、接合層４０７は、枠状の接合層４０４に比べて硬化時の体積の収縮が小さいこ
とが好ましい。
【０１５７】
図１１（Ｂ）に示すように、枠状の接合層４０４及び接合層４０７が可撓性基板４２８と
接していてもよいし、図１１（Ｃ）に示すように、枠状の接合層４０４が可撓性基板４２
８と接していなくてもよい。また、図１１（Ｂ）に示すように、発光装置の端部に枠状の
接合層４０４が位置していてもよいし、図１１（Ｃ）に示すように、発光装置の端部に枠
状の接合層４０４及び接合層４０７が位置していてもよい。
【０１５８】
構成例２として示す発光装置は、本発明の一態様の剥離方法を用いて歩留まりよく作製す
ることができる。特に、実施の形態１で例示した剥離方法１や剥離方法２を適用すること
ができる。本発明の一態様の剥離方法において、絶縁層４２４を被剥離層として作製基板
上に形成することで、絶縁層４２４を高温で形成することができる。高温をかけて形成し
たガスバリア性の高い絶縁層を絶縁層４２４として用いることで、信頼性の高い発光装置
を実現できる。なお、被剥離層として、絶縁層４２４だけでなく、有機ＥＬ素子４５０等
を形成してもよい。
【０１５９】
＜構成例３＞
図１２（Ａ１）に発光装置の平面図を示し、図１２（Ｂ）に、図１２（Ａ１）の一点鎖線
Ｘ３−Ｙ３間の断面図を示す。図１２（Ｂ）に示す発光装置は塗り分け方式を用いたトッ
プエミッション型の発光装置である。本実施の形態において、発光装置は、例えば、Ｒ（
赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３色の発光ユニットで１つの色を表現する構成や、Ｒ（赤）
、Ｇ（緑）、Ｂ（青）、Ｗ（白）の４色の発光ユニットで１つの色を表現する構成等が適
用できる。色要素としては特に限定はなく、ＲＧＢＷ以外の色を用いてもよく、例えば、
イエロー、シアン、マゼンタなどで構成されてもよい。
【０１６０】
図１２（Ａ１）に示す発光装置は、発光部４９１、駆動回路部４９３、ＦＰＣ（Ｆｌｅｘ
ｉｂｌｅ  Ｐｒｉｎｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）４９５を有する。発光部４９１及び駆動回
路部４９３に含まれる有機ＥＬ素子やトランジスタは可撓性基板４２０、可撓性基板４２
８、枠状の接合層４０４、及び接合層４０７によって封止されている。図１２（Ｂ）では
、枠状の接合層４０４の開口部において、導電層４５７と接続体４９７が接続している例
を示す。
【０１６１】
図１２（Ｂ）に示す発光装置は、可撓性基板４２０、接着層４２２、絶縁層４２４、トラ
ンジスタ４５５、絶縁層４６３、絶縁層４６５、絶縁層４０５、有機ＥＬ素子４５０（第
１の電極４０１、ＥＬ層４０２、及び第２の電極４０３）、枠状の接合層４０４、接合層
４０７、可撓性基板４２８、及び導電層４５７を有する。可撓性基板４２８、接合層４０
７、及び第２の電極４０３は可視光を透過する。
【０１６２】
図１２（Ｂ）に示す発光装置の発光部４９１では、接着層４２２及び絶縁層４２４を介し
て可撓性基板４２０上にトランジスタ４５５及び有機ＥＬ素子４５０が設けられている。
有機ＥＬ素子４５０は、絶縁層４６５上の第１の電極４０１と、第１の電極４０１上のＥ
Ｌ層４０２と、ＥＬ層４０２上の第２の電極４０３とを有する。第１の電極４０１は、ト
ランジスタ４５５のソース電極又はドレイン電極と電気的に接続している。第１の電極４
０１は可視光を反射することが好ましい。第１の電極４０１の端部は絶縁層４０５で覆わ
れている。
【０１６３】
駆動回路部４９３は、トランジスタを複数有する。図１２（Ｂ）では、駆動回路部４９３
が有するトランジスタのうち、１つのトランジスタを示している。
【０１６４】
導電層４５７は、駆動回路部４９３に外部からの信号（ビデオ信号、クロック信号、スタ
ート信号、又はリセット信号等）や電位を伝達する外部入力端子と電気的に接続する。こ
こでは、外部入力端子としてＦＰＣ４９５を設ける例を示している。
【０１６５】
工程数の増加を防ぐため、導電層４５７は、発光部や駆動回路部に用いる電極や配線と同
一の材料、同一の工程で作製することが好ましい。ここでは、導電層４５７を、トランジ
スタを構成する電極と同一の材料、同一の工程で作製した例を示す。
【０１６６】
絶縁層４６３は、トランジスタを構成する半導体への不純物の拡散を抑制する効果を奏す
る。また、絶縁層４６５は、トランジスタ起因の表面凹凸を低減するために平坦化機能を
有する絶縁層を選択することが好適である。
【０１６７】
枠状の接合層４０４は、接合層４０７よりもガスバリア性が高い層であることが好ましい
。これにより、外部から水分や酸素が発光装置に侵入することを抑制できる。したがって
、信頼性の高い発光装置を実現することができる。
【０１６８】
構成例３では、接合層４０７を介して有機ＥＬ素子４５０の発光が発光装置から取り出さ
れる。したがって、接合層４０７は、枠状の接合層４０４に比べて透光性が高いことが好
ましい。また、接合層４０７は、枠状の接合層４０４に比べて屈折率が高いことが好まし
い。また、接合層４０７は、枠状の接合層４０４に比べて硬化時の体積の収縮が小さいこ
とが好ましい。
【０１６９】
構成例３として示す発光装置は、本発明の一態様の剥離方法を用いて歩留まりよく作製す
ることができる。特に、実施の形態１で例示した剥離方法１や剥離方法２を適用すること
ができる。本発明の一態様の剥離方法において、絶縁層４２４や各トランジスタを被剥離
層として作製基板上に形成することで、絶縁層４２４やトランジスタを高温で形成するこ
とができる。高温をかけて形成した絶縁層４２４やトランジスタを用いることで、信頼性
の高い発光装置を実現できる。なお、被剥離層として、さらに有機ＥＬ素子４５０等を形
成してもよい。
【０１７０】
＜構成例４＞
図１２（Ａ２）に発光装置の平面図を示し、図１２（Ｃ）に、図１２（Ａ２）の一点鎖線
Ｘ４−Ｙ４間の断面図を示す。図１２（Ｃ）に示す発光装置はカラーフィルタ方式を用い
たボトムエミッション型の発光装置である。
【０１７１】
図１２（Ｃ）に示す発光装置は、可撓性基板４２０、接着層４２２、絶縁層４２４、トラ
ンジスタ４５４、トランジスタ４５５、絶縁層４６３、着色層４３２、絶縁層４６５、導
電層４３５、絶縁層４６７、絶縁層４０５、有機ＥＬ素子４５０（第１の電極４０１、Ｅ
Ｌ層４０２、及び第２の電極４０３）、接合層４０７、可撓性基板４２８、及び導電層４
５７を有する。可撓性基板４２０、接着層４２２、絶縁層４２４、絶縁層４６３、絶縁層
４６５、絶縁層４６７、及び第１の電極４０１は可視光を透過する。
【０１７２】
図１２（Ｃ）に示す発光装置の発光部４９１では、接着層４２２及び絶縁層４２４を介し
て可撓性基板４２０上にスイッチング用のトランジスタ４５４、電流制御用のトランジス
タ４５５、及び有機ＥＬ素子４５０が設けられている。有機ＥＬ素子４５０は、絶縁層４
６７上の第１の電極４０１と、第１の電極４０１上のＥＬ層４０２と、ＥＬ層４０２上の
第２の電極４０３とを有する。第１の電極４０１は、導電層４３５を介してトランジスタ
４５５のソース電極又はドレイン電極と電気的に接続している。第１の電極４０１の端部
は絶縁層４０５で覆われている。第２の電極４０３は可視光を反射することが好ましい。
また、発光装置は、絶縁層４６３上に有機ＥＬ素子４５０と重なる着色層４３２を有する
。
【０１７３】
駆動回路部４９３は、トランジスタを複数有する。図１２（Ｃ）では、駆動回路部４９３
が有するトランジスタのうち、２つのトランジスタを示している。
【０１７４】
導電層４５７は、駆動回路部４９３に外部からの信号や電位を伝達する外部入力端子と電
気的に接続する。ここでは、外部入力端子としてＦＰＣ４９５を設ける例を示している。
また、ここでは、導電層４５７を、導電層４３５と同一の材料、同一の工程で作製した例
を示す。
【０１７５】
絶縁層４６３は、トランジスタを構成する半導体への不純物の拡散を抑制する効果を奏す
る。また、絶縁層４６５及び絶縁層４６７は、トランジスタや配線起因の表面凹凸を低減
するために平坦化機能を有する絶縁層を選択することが好適である。
【０１７６】
なお、図１３（Ａ）に示すように、可撓性基板４２０と重ねてタッチセンサを設けてもよ
い。タッチセンサは、導電層４４１、導電層４４２、絶縁層４４３を有している。また、
図１３（Ｂ）に示すように、可撓性基板４２０とタッチセンサの間に、可撓性基板４４４
を設けてもよい。なお、タッチセンサは、可撓性基板４２０と可撓性基板４４４との間に
設けてもよい。タッチセンサ用のＦＰＣ４４５を有していてもよい。
【０１７７】
構成例４として示す発光装置は、本発明の一態様の剥離方法を用いて歩留まりよく作製す
ることができる。特に、実施の形態１で例示した剥離方法１や剥離方法２を適用すること
ができる。本発明の一態様の剥離方法において、絶縁層４２４や各トランジスタを被剥離
層として作製基板上に形成することで、絶縁層４２４やトランジスタを高温で形成するこ
とができる。高温をかけて形成した絶縁層４２４やトランジスタを用いることで、信頼性
の高い発光装置を実現できる。なお、被剥離層として、さらに有機ＥＬ素子４５０等を形
成してもよい。
【０１７８】
＜構成例５＞
図１４（Ａ１）に発光装置の平面図を示し、図１４（Ｂ）に、図１４（Ａ１）の一点鎖線
Ｘ５−Ｙ５間の断面図を示す。図１４（Ａ１）に示す発光装置はカラーフィルタ方式を用
いたトップエミッション型の発光装置である。
【０１７９】
図１４（Ｂ）に示す発光装置は、可撓性基板４２０、接着層４２２、絶縁層４２４、トラ
ンジスタ４５５、絶縁層４６３、絶縁層４６５、絶縁層４０５、スペーサ４９６、有機Ｅ
Ｌ素子４５０（第１の電極４０１、ＥＬ層４０２、及び第２の電極４０３）、接合層４０
７、オーバーコート４５３、遮光層４３１、着色層４３２、絶縁層２２６、接着層４２６
、可撓性基板４２８、及び導電層４５７を有する。可撓性基板４２８、接着層４２６、絶
縁層２２６、接合層４０７、オーバーコート４５３、及び第２の電極４０３は可視光を透
過する。
【０１８０】
図１４（Ｂ）に示す発光装置の発光部４９１では、接着層４２２及び絶縁層４２４を介し
て可撓性基板４２０上にトランジスタ４５５及び有機ＥＬ素子４５０が設けられている。
有機ＥＬ素子４５０は、絶縁層４６５上の第１の電極４０１と、第１の電極４０１上のＥ
Ｌ層４０２と、ＥＬ層４０２上の第２の電極４０３とを有する。第１の電極４０１は、ト
ランジスタ４５５のソース電極又はドレイン電極と電気的に接続している。第１の電極４
０１の端部は絶縁層４０５で覆われている。第１の電極４０１は可視光を反射することが
好ましい。絶縁層４０５上には、スペーサ４９６を有する。スペーサ４９６を設けること
で、可撓性基板４２０と可撓性基板４２８の間隔を調整することができる。
【０１８１】
また、発光装置は、接合層４０７を介して有機ＥＬ素子４５０と重なる着色層４３２を有
し、接合層４０７を介して絶縁層４０５と重なる遮光層４３１を有する。
【０１８２】
駆動回路部４９３は、トランジスタを複数有する。図１４（Ｂ）では、駆動回路部４９３
が有するトランジスタのうち、１つのトランジスタを示している。
【０１８３】
導電層４５７は、駆動回路部４９３に外部からの信号や電位を伝達する外部入力端子と電
気的に接続する。ここでは、外部入力端子としてＦＰＣ４９５を設ける例を示している。
また、ここでは、導電層４５７を、トランジスタ４５５を構成する電極と同一の材料、同
一の工程で作製した例を示す。
【０１８４】
図１４（Ｂ）に示す発光装置では、ＦＰＣ４９５が可撓性基板４２８と重なる。接続体４
９７は、可撓性基板４２８、接着層４２６、絶縁層２２６、接合層４０７、絶縁層４６５
、及び絶縁層４６３に設けられた開口を介して導電層４５７と接続している。また、接続
体４９７はＦＰＣ４９５に接続している。接続体４９７を介してＦＰＣ４９５と導電層４
５７は電気的に接続する。導電層４５７と可撓性基板４２８とが重なる場合には、可撓性
基板４２８を開口する（又は開口部を有する可撓性基板を用いる）ことで、導電層４５７
、接続体４９７、及びＦＰＣ４９５を電気的に接続させることができる。
【０１８５】
絶縁層４２４は、ガスバリア性が高いことが好ましい。これにより、可撓性基板４２０側
から水分や酸素が発光装置に侵入することを抑制できる。同様に、絶縁層２２６は、ガス
バリア性が高いことが好ましい。これにより、可撓性基板４２８側から水分や酸素が発光
装置に侵入することを抑制できる。
【０１８６】
構成例５として示す発光装置は、本発明の一態様の剥離方法を用いて歩留まりよく作製す
ることができる。特に、実施の形態１で例示した剥離方法３や剥離方法４を適用すること
ができる。本発明の一態様の剥離方法では、作製基板上に、絶縁層４２４や各トランジス
タ、有機ＥＬ素子４５０等を被剥離層として形成する。そして、別の作製基板上に、被剥
離層として、絶縁層２２６や着色層４３２、遮光層４３１等を被剥離層として形成する。
この２つの作製基板を貼り合わせた後、被剥離層と作製基板を分離し、被剥離層と可撓性
基板を接着層で貼り合わせることで、構成例５として示す発光装置を作製できる。
【０１８７】
本発明の一態様の剥離方法では、作製基板上で絶縁層やトランジスタを高温で形成するこ
とができる。高温をかけて形成した絶縁層４２４、絶縁層２２６及びトランジスタを用い
ることで、信頼性の高い発光装置を実現できる。有機ＥＬ素子４５０の上下に高温で形成
したガスバリア性の高い絶縁層（絶縁層２２６及び絶縁層４２４）を配置することができ
る。これにより、有機ＥＬ素子４５０に水分等の不純物が混入することを抑制できる。
【０１８８】
＜構成例６＞
図１４（Ａ２）に発光装置の平面図を示し、図１４（Ｃ）に、図１４（Ａ２）の一点鎖線
Ｘ６−Ｙ６間の断面図を示す。図１４（Ａ２）に示す発光装置はカラーフィルタ方式を用
いたトップエミッション型の発光装置である。
【０１８９】
図１４（Ｃ）に示す発光装置は、可撓性基板４２０、接着層４２２、絶縁層４２４、トラ
ンジスタ４５５、絶縁層４６３、絶縁層４６５、絶縁層４０５、有機ＥＬ素子４５０（第
１の電極４０１、ＥＬ層４０２、及び第２の電極４０３）、枠状の接合層４０４ａ、枠状
の接合層４０４ｂ、接合層４０７、オーバーコート４５３、遮光層４３１、着色層４３２
、絶縁層２２６、接着層４２６、可撓性基板４２８、及び導電層４５７を有する。可撓性
基板４２８、接着層４２６、絶縁層２２６、接合層４０７、オーバーコート４５３、及び
第２の電極４０３は可視光を透過する。
【０１９０】
図１４（Ｃ）に示す発光装置の発光部４９１では、接着層４２２及び絶縁層４２４を介し
て可撓性基板４２０上にトランジスタ４５５及び有機ＥＬ素子４５０が設けられている。
有機ＥＬ素子４５０は、絶縁層４６５上の第１の電極４０１と、第１の電極４０１上のＥ
Ｌ層４０２と、ＥＬ層４０２上の第２の電極４０３とを有する。第１の電極４０１は、ト
ランジスタ４５５のソース電極又はドレイン電極と電気的に接続している。第１の電極４
０１の端部は絶縁層４０５で覆われている。第１の電極４０１は可視光を反射することが
好ましい。また、発光装置は、接合層４０７を介して有機ＥＬ素子４５０と重なる着色層
４３２を有し、接合層４０７を介して絶縁層４０５と重なる遮光層４３１を有する。
【０１９１】
駆動回路部４９３は、トランジスタを複数有する。図１４（Ｃ）では、駆動回路部４９３
が有するトランジスタのうち、１つのトランジスタを示している。本実施の形態では、駆
動回路部４９３が枠状の接合層４０４ａ、ｂの内側に位置する例を示すが、一方又は両方
の外側に位置していてもよい。
【０１９２】
導電層４５７は、駆動回路部４９３に外部からの信号や電位を伝達する外部入力端子と電
気的に接続する。ここでは、外部入力端子としてＦＰＣ４９５を設ける例を示している。
また、ここでは、導電層４５７を、トランジスタ４５５を構成する電極と同一の材料、同
一の工程で作製した例を示す。図１４（Ｃ）に示すように、ＦＰＣ４９５と可撓性基板４
２８は重ならなくてもよい。接続体４９７は導電層４５７と接続している。また、接続体
４９７はＦＰＣ４９５に接続している。接続体４９７を介してＦＰＣ４９５と導電層４５
７は電気的に接続する。
【０１９３】
導電層４５７が枠状の接合層４０４ａの外側に位置することで、ＦＰＣ４９５と接続体４
９７の接続部、及び接続体４９７と導電層４５７の接続部において、水分等が侵入しやす
い場合でも、有機ＥＬ素子４５０に水分等の不純物が侵入することを抑制でき、好ましい
。
【０１９４】
図１４（Ｃ）は、絶縁層４６５が発光装置の側面に露出していない点で、図１４（Ｂ）と
異なる。絶縁層４６５の材料としてガスバリア性の低い有機絶縁材料等を用いる場合、絶
縁層４６５が発光装置の側面に露出しないことが好ましい。そして、ガスバリア性の高い
枠状の接合層が発光装置の側面に位置することで、発光装置の信頼性を高めることができ
るため好ましい。なお、絶縁層４６５の材料等によっては、図１４（Ｂ）に示すように、
発光装置の端部に絶縁層４６５が露出していてもよい。
【０１９５】
枠状の接合層４０４ａや枠状の接合層４０４ｂは、それぞれ接合層４０７よりもガスバリ
ア性が高いことが好ましい。これにより、発光装置の側面から水分や酸素が発光装置に侵
入することを抑制できる。したがって、信頼性の高い発光装置を実現することができる。
【０１９６】
例えば、接合層４０７、枠状の接合層４０４ａ、及び枠状の接合層４０４ｂのうち、水蒸
気透過率が最も低い層を枠状の接合層４０４ａとし、枠状の接合層４０４ｂに水分を吸着
する乾燥剤等を含むことで、枠状の接合層４０４ａで水分の侵入を抑制し、枠状の接合層
４０４ａを通過してしまった水分を枠状の接合層４０４ｂで吸着することで、接合層４０
７、さらには有機ＥＬ素子４５０に水分が侵入することを特に抑制できる。
【０１９７】
構成例６では、接合層４０７を介して有機ＥＬ素子４５０の発光が発光装置から取り出さ
れる。したがって、接合層４０７は、枠状の接合層４０４ａや枠状の接合層４０４ｂに比
べて透光性が高いことが好ましい。また、接合層４０７は、枠状の接合層４０４ａや枠状
の接合層４０４ｂに比べて屈折率が高いことが好ましい。また、接合層４０７は、枠状の
接合層４０４ａや枠状の接合層４０４ｂに比べて硬化時の体積の収縮が小さいことが好ま
しい。
【０１９８】
構成例６として示す発光装置は、本発明の一態様の剥離方法を用いて歩留まりよく作製す
ることができる。特に、実施の形態１で例示した剥離方法３や剥離方法４を適用すること
ができる。本発明の一態様の剥離方法では、作製基板上に、絶縁層４２４や各トランジス
タ、有機ＥＬ素子４５０等を被剥離層として形成する。そして、別の作製基板上に、被剥
離層として、絶縁層２２６や着色層４３２、遮光層４３１等を被剥離層として形成する。
この２つの作製基板を貼り合わせた後、被剥離層と作製基板を分離し、被剥離層と可撓性
基板を接着層で貼り合わせることで、構成例６として示す発光装置を作製できる。
【０１９９】
本発明の一態様の剥離方法では、作製基板上で絶縁層やトランジスタを高温で形成するこ
とができる。高温をかけて形成した絶縁層４２４、絶縁層２２６及びトランジスタを用い
ることで、信頼性の高い発光装置を実現できる。有機ＥＬ素子４５０の上下に高温で形成
したガスバリア性の高い絶縁層（絶縁層２２６及び絶縁層４２４）を配置することができ
る。これにより、有機ＥＬ素子４５０に水分等の不純物が混入することを抑制できる。
【０２００】
以上のように、構成例６では、絶縁層４２４、絶縁層２２６、枠状の接合層４０４ａ、ｂ
によって、発光装置の表面（表示面）、裏面（表示面と対向する面）、及び側面から、水
分等の不純物が有機ＥＬ素子４５０に侵入することを抑制できる。したがって、発光装置
の信頼性を高めることができる。
【０２０１】
なお、本発明の一態様では、画素に能動素子（アクティブ素子、非線形素子）を有するア
クティブマトリクス方式、又は画素に能動素子を有しないパッシブマトリクス方式を用い
ることができる。
【０２０２】
アクティブマトリクス方式では、能動素子として、トランジスタだけでなく、さまざまな
能動素子を用いることが出来る。例えば、ＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ  Ｍ
ｅｔａｌ）、又はＴＦＤ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｄｉｏｄｅ）などを用いることも可能で
ある。これらの素子は、製造工程が少ないため、製造コストの低減、又は歩留まりの向上
を図ることができる。また、これらの素子は、素子のサイズが小さいため、開口率を向上
させることができ、低消費電力化や高輝度化を図ることができる。
【０２０３】
パッシブマトリクス方式では、能動素子を用いないため、製造工程が少なく、製造コスト
の低減や歩留まりの向上を図ることができる。また、能動素子を用いないため、開口率を
向上させることができ、低消費電力化、又は高輝度化などを図ることができる。
【０２０４】
＜装置の材料＞
次に、発光装置に用いることができる材料の一例を示す。
【０２０５】
［可撓性基板］
可撓性基板には、可撓性を有する材料を用いる。例えば、有機樹脂や可撓性を有する程度
の厚さのガラスを用いることができる。さらに、発光装置における発光を取り出す側の基
板には、可視光を透過する材料を用いる。可撓性基板が可視光を透過しなくてもよい場合
、金属基板等も用いることができる。
【０２０６】
ガラスに比べて有機樹脂は比重が小さいため、可撓性基板として有機樹脂を用いると、ガ
ラスを用いる場合に比べて発光装置を軽量化でき、好ましい。
【０２０７】
可撓性及び透光性を有する材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ
）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル樹脂、ポリアクリロニトリル
樹脂、ポリイミド樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート（ＰＣ）樹脂
、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）樹脂、ポリアミド樹脂、シクロオレフィン樹脂、ポリ
スチレン樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂等が挙げられる。特に、熱膨
張率の低い材料を用いることが好ましく、例えば、ポリアミドイミド樹脂、ポリイミド樹
脂、ＰＥＴ等を好適に用いることができる。また、繊維体に樹脂を含浸した基板（プリプ
レグともいう）や、無機フィラーを有機樹脂に混ぜて熱膨張率を下げた基板を使用するこ
ともできる。
【０２０８】
可撓性及び透光性を有する材料中に繊維体が含まれている場合、繊維体は有機化合物又は
無機化合物の高強度繊維を用いる。高強度繊維とは、具体的には引張弾性率又はヤング率
の高い繊維のことをいい、代表例としては、ポリビニルアルコール系繊維、ポリエステル
系繊維、ポリアミド系繊維、ポリエチレン系繊維、アラミド系繊維、ポリパラフェニレン
ベンゾビスオキサゾール繊維、ガラス繊維、又は炭素繊維が挙げられる。ガラス繊維とし
ては、Ｅガラス、Ｓガラス、Ｄガラス、Ｑガラス等を用いたガラス繊維が挙げられる。こ
れらは、織布又は不織布の状態で用い、この繊維体に樹脂を含浸させ樹脂を硬化させた構
造物を可撓性基板として用いてもよい。可撓性基板として、繊維体と樹脂からなる構造物
を用いると、曲げや局所的押圧による破壊に対する信頼性が向上するため、好ましい。
【０２０９】
光の取り出し効率向上のためには、可撓性及び透光性を有する材料の屈折率は高い方が好
ましい。例えば、有機樹脂に屈折率の高い無機フィラーを分散させることで、該有機樹脂
のみからなる基板よりも屈折率の高い基板を実現できる。特に粒子径４０ｎｍ以下の小さ
な無機フィラーを使用すると、光学的な透明性を失わないため、好ましい。
【０２１０】
金属基板の厚さは、可撓性や曲げ性を得るために、１０μｍ以上２００μｍ以下、好まし
くは２０μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましい。金属基板は熱伝導性が高いため、
発光素子の発光に伴う発熱を効果的に放熱することができる。
【０２１１】
金属基板を構成する材料としては、特に限定はないが、例えば、アルミニウム、銅、ニッ
ケル、又は、アルミニウム合金もしくはステンレス等の金属の合金などを好適に用いるこ
とができる。
【０２１２】
可撓性基板としては、上記材料を用いた層が、装置の表面を傷などから保護するハードコ
ート層（例えば、窒化シリコン層など）や、押圧を分散可能な材質の層（例えば、アラミ
ド樹脂層など）等と積層されて構成されていてもよい。また、水分等による機能素子（特
に有機ＥＬ素子等）の寿命の低下を抑制するために、後述のガスバリア性の高い絶縁層を
備えていてもよい。
【０２１３】
可撓性基板は、複数の層を積層して用いることもできる。特に、ガラス層を有する構成と
すると、水や酸素に対するバリア性を向上させ、信頼性の高い発光装置とすることができ
る。
【０２１４】
例えば、有機ＥＬ素子に近い側からガラス層、接着層、及び有機樹脂層を積層した可撓性
基板を用いることができる。当該ガラス層の厚さとしては２０μｍ以上２００μｍ以下、
好ましくは２５μｍ以上１００μｍ以下とする。このような厚さのガラス層は、水や酸素
に対する高いバリア性と可撓性を同時に実現できる。また、有機樹脂層の厚さとしては、
１０μｍ以上２００μｍ以下、好ましくは２０μｍ以上５０μｍ以下とする。このような
有機樹脂層をガラス層よりも外側に設けることにより、ガラス層の割れやクラックを抑制
し、機械的強度を向上させることができる。このようなガラス材料と有機樹脂の複合材料
を基板に適用することにより、極めて信頼性が高いフレキシブルな発光装置とすることが
できる。
【０２１５】
［接着層、接合層］
接着層や接合層には、紫外線硬化型等の光硬化型接着剤、反応硬化型接着剤、熱硬化型接
着剤、嫌気型接着剤などの各種硬化型接着剤を用いることができる。これら接着剤として
はエポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、イ
ミド樹脂、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）樹脂、
ＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）樹脂等が挙げられる。特に、エポキシ樹脂等の透湿
性が低い材料が好ましい。また、二液混合型の樹脂を用いてもよい。また、接着シート等
を用いてもよい。
【０２１６】
また、上記樹脂に乾燥剤を含んでいてもよい。例えば、アルカリ土類金属の酸化物（酸化
カルシウムや酸化バリウム等）のように、化学吸着によって水分を吸着する物質を用いる
ことができる。または、ゼオライトやシリカゲル等のように、物理吸着によって水分を吸
着する物質を用いてもよい。乾燥剤が含まれていると、水分などの不純物が機能素子に侵
入することを抑制でき、発光装置の信頼性が向上するため好ましい。
【０２１７】
また、上記樹脂に屈折率の高いフィラーや光散乱部材を混合することにより、発光素子か
らの光取り出し効率を向上させることができる。例えば、酸化チタン、酸化バリウム、ゼ
オライト、ジルコニウム等を用いることができる。
【０２１８】
［絶縁層］
絶縁層４２４や絶縁層２２６には、ガスバリア性の高い絶縁層を用いることが好ましい。
また、接合層４０７と第２の電極４０３の間に、ガスバリア性の高い絶縁層が形成されて
いてもよい。
【０２１９】
ガスバリア性の高い絶縁層としては、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜等の窒素と珪
素を含む膜や、窒化アルミニウム膜等の窒素とアルミニウムを含む膜等が挙げられる。ま
た、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等を用いてもよい。
【０２２０】
例えば、ガスバリア性の高い絶縁層のガス透過率、酸素透過率、又は水蒸気透過率は、１
×１０−５［ｇ／ｍ２・ｄａｙ］以下、好ましくは１×１０−６［ｇ／ｍ２・ｄａｙ］以
下、より好ましくは１×１０−７［ｇ／ｍ２・ｄａｙ］以下、さらに好ましくは１×１０
−８［ｇ／ｍ２・ｄａｙ］以下とする。例えば、高温高湿環境（例えば温度６５℃、湿度
９５％）で上記を満たすことが好ましい。
【０２２１】
なお、上記に挙げた無機絶縁層は他の絶縁層にも用いることができる。
【０２２２】
絶縁層４６３としては、例えば、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウ
ム膜などの無機絶縁膜を用いることができる。また、絶縁層４６５や絶縁層４６７として
は、例えば、ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリイミドアミド、ベンゾシクロブテ
ン系樹脂等の有機材料を用いることができる。また、低誘電率材料（ｌｏｗ−ｋ材料）等
を用いることができる。また、絶縁層を複数積層させることで、絶縁層４６５や絶縁層４
６７を形成してもよい。
【０２２３】
絶縁層４０５としては、有機絶縁材料又は無機絶縁材料を用いて形成する。樹脂としては
、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、アクリル樹脂、シロキサン樹脂、エポキシ
樹脂、又はフェノール樹脂等を用いることができる。特に感光性の樹脂材料を用い、絶縁
層４０５の側壁が連続した曲率を持って形成される傾斜面となるように形成することが好
ましい。
【０２２４】
絶縁層４０５の形成方法は、特に限定されないが、フォトリソグラフィ法、スパッタ法、
蒸着法、液滴吐出法（インクジェット法等）、印刷法（スクリーン印刷、オフセット印刷
等）等を用いればよい。
【０２２５】
［スペーサ］
スペーサ４９６は、無機絶縁材料、有機絶縁材料、金属材料等を用いて形成することがで
きる。例えば、無機絶縁材料や有機絶縁材料としては、上記絶縁層に用いることができる
各種材料が挙げられる。金属材料としては、チタン、アルミニウムなどを用いることがで
きる。導電材料を含むスペーサ４９６と第２の電極４０３とを電気的に接続させる構成と
することで、第２の電極４０３の抵抗に起因した電位降下を抑制できる。また、スペーサ
４９６は、順テーパ形状であっても逆テーパ形状であってもよい。
【０２２６】
［トランジスタ］
本発明の一態様の発光装置に用いるトランジスタの構造は特に限定されない。例えば、ス
タガ型のトランジスタとしてもよいし、逆スタガ型のトランジスタとしてもよい。また、
トップゲート型又はボトムゲート型のトランジスタのいずれのトランジスタ構造としても
よい。また、トランジスタに用いる材料についても特に限定されない。例えば、シリコン
やゲルマニウム、酸化物半導体をチャネル形成領域に用いたトランジスタを適用すること
ができる。半導体の結晶性については特に限定されず、非晶質半導体、又は結晶性を有す
る半導体（微結晶半導体、多結晶半導体、又は一部に結晶領域を有する半導体）のいずれ
を用いてもよい。結晶性を有する半導体を用いると、トランジスタ特性の劣化が抑制され
るため好ましい。シリコンとしては、非晶質シリコン、単結晶シリコン、多結晶シリコン
等を用いることができ、酸化物半導体としては、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系金属酸化物等を
用いることができる。
【０２２７】
トランジスタの特性安定化等のため、下地膜を設けることが好ましい。下地膜としては、
酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜などの無機
絶縁膜を用い、単層で又は積層して作製することができる。下地膜はスパッタリング法、
ＣＶＤ法、ＡＬＤ法、塗布法、印刷法等を用いて形成できる。なお、下地膜は、必要で無
ければ設けなくてもよい。上記各構成例では、絶縁層４２４がトランジスタの下地膜を兼
ねることができる。
【０２２８】
［有機ＥＬ素子］
本発明の一態様の発光装置に用いる有機ＥＬ素子の構造は特に限定されない。トップエミ
ッション構造の有機ＥＬ素子を用いてもよいし、ボトムエミッション構造の有機ＥＬ素子
を用いてもよいし、デュアルエミッション構造の有機ＥＬ素子を用いてもよい。
【０２２９】
一対の電極間に有機ＥＬ素子の閾値電圧より高い電圧を印加すると、ＥＬ層４０２に陽極
側から正孔が注入され、陰極側から電子が注入される。注入された電子と正孔はＥＬ層４
０２において再結合し、ＥＬ層４０２に含まれる発光物質が発光する。
【０２３０】
有機ＥＬ素子において、光を取り出す側の電極には、可視光を透過する導電膜を用いる。
また、光を取り出さない側の電極には、可視光を反射する導電膜を用いることが好ましい
。
【０２３１】
可視光を透過する導電膜は、例えば、酸化インジウム、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ：Ｉ
ｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加
した酸化亜鉛などを用いて形成することができる。また、金、銀、白金、マグネシウム、
ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、もしく
はチタン等の金属材料、これら金属材料を含む合金、又はこれら金属材料の窒化物（例え
ば、窒化チタン）等も、透光性を有する程度に薄く形成することで用いることができる。
また、上記材料の積層膜を導電層として用いることができる。例えば、銀とマグネシウム
の合金とＩＴＯの積層膜などを用いると、導電性を高めることができるため好ましい。ま
た、グラフェン等を用いてもよい。
【０２３２】
可視光を反射する導電膜は、例えば、アルミニウム、金、白金、銀、ニッケル、タングス
テン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、もしくはパラジウム等の金属材料、又は
これら金属材料を含む合金を用いることができる。また、上記金属材料や合金に、ランタ
ン、ネオジム、又はゲルマニウム等が添加されていてもよい。また、アルミニウムとチタ
ンの合金、アルミニウムとニッケルの合金、アルミニウムとネオジムの合金等のアルミニ
ウムを含む合金（アルミニウム合金）や、銀と銅の合金、銀とパラジウムと銅の合金、銀
とマグネシウムの合金等の銀を含む合金を用いて形成することができる。銀と銅を含む合
金は、耐熱性が高いため好ましい。さらに、アルミニウム合金膜に接する金属膜又は金属
酸化物膜を積層することで、アルミニウム合金膜の酸化を抑制することができる。該金属
膜、金属酸化物膜の材料としては、チタン、酸化チタンなどが挙げられる。また、上記可
視光を透過する導電膜と金属材料からなる膜とを積層してもよい。例えば、銀とＩＴＯの
積層膜、銀とマグネシウムの合金とＩＴＯの積層膜などを用いることができる。
【０２３３】
電極は、それぞれ、蒸着法やスパッタリング法を用いて形成すればよい。そのほか、イン
クジェット法などの吐出法、スクリーン印刷法などの印刷法、又はメッキ法を用いて形成
することができる。
【０２３４】
ＥＬ層４０２は少なくとも発光層を有する。ＥＬ層４０２は、発光層以外の層として、正
孔注入性の高い物質、正孔輸送性の高い物質、正孔ブロック材料、電子輸送性の高い物質
、電子注入性の高い物質、又はバイポーラ性の物質（電子輸送性及び正孔輸送性が高い物
質）等を含む層をさらに有していてもよい。
【０２３５】
ＥＬ層４０２には低分子系化合物及び高分子系化合物のいずれを用いることもでき、無機
化合物を含んでいてもよい。ＥＬ層４０２を構成する層は、それぞれ、蒸着法（真空蒸着
法を含む）、転写法、印刷法、インクジェット法、塗布法等の方法で形成することができ
る。
【０２３６】
なお、ここでは、発光素子の一例として有機ＥＬ素子について述べたが、本発明の一態様
はこれに限定されず、他の表示素子、発光素子、半導体素子等を用いてもよい。
【０２３７】
例えば、本明細書等において、表示素子、表示素子を有する装置である表示装置、発光素
子、及び発光素子を有する装置である発光装置は、様々な形態を用いること、又は様々な
素子を有することが出来る。表示素子、表示装置、発光素子又は発光装置の一例としては
、ＥＬ素子（有機物及び無機物を含むＥＬ素子、有機ＥＬ素子、無機ＥＬ素子）、ＬＥＤ
（白色ＬＥＤ、赤色ＬＥＤ、緑色ＬＥＤ、青色ＬＥＤなど）、トランジスタ（電流に応じ
て発光するトランジスタ）、電子放出素子、液晶素子、電子インク、電気泳動素子、グレ
ーティングライトバルブ（ＧＬＶ）、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）、ＭＥＭＳ
（マイクロ・エレクトロ・メカニカル・システム）、デジタルマイクロミラーデバイス（
ＤＭＤ）、ＤＭＳ（デジタル・マイクロ・シャッター）、ＩＭＯＤ（インターフェアレン
ス・モジュレーション）素子、エレクトロウェッティング素子、圧電セラミックディスプ
レイ、カーボンナノチューブなど、電気磁気的作用により、コントラスト、輝度、反射率
、透過率などが変化する表示媒体を有するものがある。ＥＬ素子を用いた表示装置の一例
としては、ＥＬディスプレイなどがある。電子放出素子を用いた表示装置の一例としては
、フィールドエミッションディスプレイ（ＦＥＤ）又はＳＥＤ方式平面型ディスプレイ（
ＳＥＤ：Ｓｕｒｆａｃｅ−ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ−ｅｍｉｔｔｅｒ  
Ｄｉｓｐｌａｙ）などがある。液晶素子を用いた表示装置の一例としては、液晶ディスプ
レイ（透過型液晶ディスプレイ、半透過型液晶ディスプレイ、反射型液晶ディスプレイ、
直視型液晶ディスプレイ、投射型液晶ディスプレイ）などがある。電子インク又は電気泳
動素子を用いた表示装置の一例としては、電子ペーパーなどがある。
【０２３８】
［着色層、遮光層、及びオーバーコート］
着色層は特定の波長帯域の光を透過する有色層である。例えば、赤色の波長帯域の光を透
過する赤色（Ｒ）のカラーフィルタ、緑色の波長帯域の光を透過する緑色（Ｇ）のカラー
フィルタ、青色の波長帯域の光を透過する青色（Ｂ）のカラーフィルタなどを用いること
ができる。各着色層は、様々な材料を用いて、印刷法、インクジェット法、フォトリソグ
ラフィ法を用いたエッチング方法などでそれぞれ所望の位置に形成する。
【０２３９】
遮光層は、隣接する着色層の間に設けられている。遮光層は隣接する有機ＥＬ素子からの
光を遮光し、隣接する有機ＥＬ素子間における混色を抑制する。ここで、着色層の端部を
、遮光層と重なるように設けることにより、光漏れを抑制することができる。遮光層とし
ては、有機ＥＬ素子からの発光を遮光する材料を用いることができ、例えば、金属材料や
顔料や染料を含む樹脂材料を用いてブラックマトリクスを形成すればよい。なお、遮光層
は、駆動回路部などの発光部以外の領域に設けると、導波光などによる意図しない光漏れ
を抑制できるため好ましい。
【０２４０】
また、着色層及び遮光層を覆うオーバーコートを設けてもよい。オーバーコートを設ける
ことで、着色層に含有された不純物等の有機ＥＬ素子への拡散を防止することができる。
オーバーコートは、有機ＥＬ素子からの発光を透過する材料から構成され、例えば窒化シ
リコン膜、酸化シリコン膜等の無機絶縁膜や、アクリル膜、ポリイミド膜等の有機絶縁膜
を用いることができ、有機絶縁膜と無機絶縁膜との積層構造としてもよい。
【０２４１】
また、接合層４０７の材料を着色層４３２及び遮光層４３１上に塗布する場合、オーバー
コートの材料として接合層４０７の材料に対してぬれ性の高い材料を用いることが好まし
い。例えば、オーバーコート４５３（図１４（Ｂ）、（Ｃ）参照）として、ＩＴＯ膜など
の酸化物導電膜や、透光性を有する程度に薄いＡｇ膜等の金属膜を用いることが好ましい
。
【０２４２】
［導電層］
トランジスタの電極や配線、又は有機ＥＬ素子の補助電極や補助配線等として機能する導
電層は、例えば、モリブデン、チタン、クロム、タンタル、タングステン、アルミニウム
、銅、ネオジム、スカンジウム等の金属材料又はこれらの元素を含む合金材料を用いて、
単層で又は積層して形成することができる。また、導電層は、導電性の金属酸化物を用い
て形成してもよい。導電性の金属酸化物としては酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３等）、酸化
スズ（ＳｎＯ２等）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、ＩＴＯ、インジウム亜鉛酸化物（Ｉｎ２Ｏ３
−ＺｎＯ等）又はこれらの金属酸化物材料に酸化シリコンを含ませたものを用いることが
できる。
【０２４３】
また、補助配線の厚さは、０．１μｍ以上３μｍ以下とすることができ、好ましくは、０
．１μｍ以上０．５μｍ以下である。
【０２４４】
補助配線の材料にペースト（銀ペーストなど）を用いると、補助配線を構成する金属が粒
状になって凝集する。そのため、補助配線の表面が粗く隙間の多い構成となり、ＥＬ層が
補助配線を完全に覆うことが難しく、上部電極と補助配線との電気的な接続をとることが
容易になり好ましい。
【０２４５】
［光取り出し構造］
光取り出し構造としては、半球レンズ、マイクロレンズアレイ、凹凸構造が施されたフィ
ルム、光拡散フィルム等を用いることができる。例えば、基板上に上記レンズやフィルム
を、該基板又は該レンズもしくはフィルムと同程度の屈折率を有する接着剤等を用いて接
着することで、光取り出し構造を形成することができる。
【０２４６】
［接続体］
接続体４９７としては、熱硬化性の樹脂に金属粒子を混ぜ合わせたペースト状又はシート
状の、熱圧着によって異方性の導電性を示す材料を用いることができる。金属粒子として
は、例えばニッケル粒子を金で被覆したものなど、２種類以上の金属が層状となった粒子
を用いることが好ましい。
【０２４７】
本実施の形態は、他の実施の形態と自由に組み合わせることができる。
【０２４８】
（実施の形態３）
本実施の形態では、本発明の一態様の剥離方法を適用して作製できる電子機器及び照明装
置について、図９（Ｄ）〜（Ｉ）、及び図１５を用いて説明する。
【０２４９】
電子機器や照明装置に用いることができる発光装置、表示装置、半導体装置等は、本発明
の一態様の剥離方法を適用して作製することで、歩留まりよく作製できる。また、本発明
の一態様の剥離方法を適用することで、生産性高く、フレキシブルな電子機器や照明装置
を作製できる。
【０２５０】
電子機器としては、例えば、テレビジョン装置（テレビ、又はテレビジョン受信機ともい
う）、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタル
フォトフレーム、携帯電話機（携帯電話、携帯電話装置ともいう）、携帯型ゲーム機、携
帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機などが挙げられる。
【０２５１】
また、本発明の一態様の剥離方法を適用して作製された装置は可撓性を有するため、家屋
やビルの内壁もしくは外壁、又は、自動車の内装もしくは外装の曲面に沿って組み込むこ
とも可能である。
【０２５２】
図１５（Ａ）は、携帯電話機の一例を示している。携帯電話機７４００は、筐体７４０１
に組み込まれた表示部７４０２のほか、操作ボタン７４０３、外部接続ポート７４０４、
スピーカ７４０５、マイク７４０６などを備えている。なお、携帯電話機７４００は、本
発明の一態様の剥離方法を適用して作製された表示装置を表示部７４０２に用いることに
より作製される。本発明の一態様により、湾曲した表示部を備え、且つ信頼性の高い携帯
電話機を歩留まりよく提供できる。
【０２５３】
図１５（Ａ）に示す携帯電話機７４００は、指などで表示部７４０２に触れることで、情
報を入力することができる。また、電話を掛ける、或いは文字を入力するなどのあらゆる
操作は、指などで表示部７４０２に触れることにより行うことができる。
【０２５４】
また、操作ボタン７４０３の操作により、電源のＯＮ、ＯＦＦ動作や、表示部７４０２に
表示される画像の種類を切り替えることができる。例えば、メール作成画面から、メイン
メニュー画面に切り替えることができる。
【０２５５】
図１５（Ｂ）は、腕時計型の携帯情報端末の一例を示している。携帯情報端末７１００は
、筐体７１０１、表示部７１０２、バンド７１０３、バックル７１０４、操作ボタン７１
０５、入出力端子７１０６などを備える。
【０２５６】
携帯情報端末７１００は、移動電話、電子メール、文章閲覧及び作成、音楽再生、インタ
ーネット通信、コンピュータゲームなどの種々のアプリケーションを実行することができ
る。
【０２５７】
表示部７１０２はその表示面が湾曲して設けられ、湾曲した表示面に沿って表示を行うこ
とができる。また、表示部７１０２はタッチセンサを備え、指やスタイラスなどで画面に
触れることで操作することができる。例えば、表示部７１０２に表示されたアイコン７１
０７に触れることで、アプリケーションを起動することができる。
【０２５８】
操作ボタン７１０５は、時刻設定のほか、電源のオン、オフ動作、無線通信のオン、オフ
動作、マナーモードの実行及び解除、省電力モードの実行及び解除など、様々な機能を持
たせることができる。例えば、携帯情報端末７１００に組み込まれたオペレーションシス
テムにより、操作ボタン７１０５の機能を自由に設定することもできる。
【０２５９】
また、携帯情報端末７１００は、通信規格された近距離無線通信を実行することが可能で
ある。例えば無線通信可能なヘッドセットと相互通信することによって、ハンズフリーで
通話することもできる。
【０２６０】
また、携帯情報端末７１００は入出力端子７１０６を備え、他の情報端末とコネクターを
介して直接データのやりとりを行うことができる。また入出力端子７１０６を介して充電
を行うこともできる。なお、充電動作は入出力端子７１０６を介さずに無線給電により行
ってもよい。
【０２６１】
携帯情報端末７１００の表示部７１０２には、本発明の一態様を適用して作製された発光
パネルが組み込まれている。本発明の一態様により、湾曲した表示部を備え、且つ信頼性
の高い携帯情報端末を歩留まりよく提供できる。
【０２６２】
図１５（Ｃ）〜（Ｅ）は、照明装置の一例を示している。照明装置７２００、照明装置７
２１０、及び照明装置７２２０は、それぞれ、操作スイッチ７２０３を備える台部７２０
１と、台部７２０１に支持される発光部を有する。
【０２６３】
図１５（Ｃ）に示す照明装置７２００は、波状の発光面を有する発光部７２０２を備える
。したがってデザイン性の高い照明装置となっている。
【０２６４】
図１５（Ｄ）に示す照明装置７２１０の備える発光部７２１２は、凸状に湾曲した２つの
発光部が対称的に配置された構成となっている。したがって照明装置７２１０を中心に全
方位を照らすことができる。
【０２６５】
図１５（Ｅ）に示す照明装置７２２０は、凹状に湾曲した発光部７２２２を備える。した
がって、発光部７２２２からの発光を、照明装置７２２０の前面に集光するため、特定の
範囲を明るく照らす場合に適している。
【０２６６】
また、照明装置７２００、照明装置７２１０及び照明装置７２２０の備える各々の発光部
はフレキシブル性を有しているため、発光部を可塑性の部材や可動なフレームなどの部材
で固定し、用途に合わせて発光部の発光面を自在に湾曲可能な構成としてもよい。
【０２６７】
なおここでは、台部によって発光部が支持された照明装置について例示したが、発光部を
備える筐体を天井に固定する、又は天井からつり下げるように用いることもできる。発光
面を湾曲させて用いることができるため、発光面を凹状に湾曲させて特定の領域を明るく
照らす、又は発光面を凸状に湾曲させて部屋全体を明るく照らすこともできる。
【０２６８】
ここで、各発光部には、本発明の一態様の剥離方法を適用して作製された発光装置が組み
込まれている。本発明の一態様により、湾曲した発光部を備え、且つ信頼性の高い照明装
置を歩留まりよく提供できる。
【０２６９】
図１５（Ｆ）には、携帯型の表示装置の一例を示している。表示装置７３００は、筐体７
３０１、表示部７３０２、操作ボタン７３０３、引き出し部材７３０４、制御部７３０５
を備える。
【０２７０】
表示装置７３００は、筒状の筐体７３０１内にロール状に巻かれたフレキシブルな表示部
７３０２を備える。
【０２７１】
また、表示装置７３００は制御部７３０５によって映像信号を受信可能で、受信した映像
を表示部７３０２に表示することができる。また、制御部７３０５にはバッテリをそなえ
る。また、制御部７３０５にコネクターを接続する端子部を備え、映像信号や電力を有線
により外部から直接供給する構成としてもよい。
【０２７２】
また、操作ボタン７３０３によって、電源のＯＮ、ＯＦＦ動作や表示する映像の切り替え
等を行うことができる。
【０２７３】
図１５（Ｇ）には、表示部７３０２を引き出し部材７３０４により引き出した状態の表示
装置７３００を示す。この状態で表示部７３０２に映像を表示することができる。また、
筐体７３０１の表面に配置された操作ボタン７３０３によって、片手で容易に操作するこ
とができる。また、図１５（Ｆ）のように操作ボタン７３０３を筐体７３０１の中央でな
く片側に寄せて配置することで、片手で容易に操作することができる。
【０２７４】
なお、表示部７３０２を引き出した際に表示部７３０２の表示面が平面状となるように固
定するため、表示部７３０２の側部に補強のためのフレームを設けていてもよい。
【０２７５】
なお、この構成以外に、筐体にスピーカを設け、映像信号と共に受信した音声信号によっ
て音声を出力する構成としてもよい。
【０２７６】
表示部７３０２には、本発明の一態様の剥離方法を適用して作製された表示装置が組み込
まれている。本発明の一態様により、軽量で、且つ信頼性の高い表示装置を歩留まりよく
提供できる。
【０２７７】
図９（Ｄ）〜（Ｆ）に、折りたたみ可能な携帯情報端末３１０を示す。図９（Ｄ）に展開
した状態の携帯情報端末３１０を示す。図９（Ｅ）に展開した状態又は折りたたんだ状態
の一方から他方に変化する途中の状態の携帯情報端末３１０を示す。図９（Ｆ）に折りた
たんだ状態の携帯情報端末３１０を示す。携帯情報端末３１０は、折りたたんだ状態では
可搬性に優れ、展開した状態では、継ぎ目のない広い表示領域により表示の一覧性に優れ
る。
【０２７８】
表示パネル３１１はヒンジ３１３によって連結された３つの筐体３１５に支持されている
。ヒンジ３１３を介して２つの筐体３１５間を屈曲させることにより、携帯情報端末３１
０を展開した状態から折りたたんだ状態に可逆的に変形させることができる。本発明の一
態様の剥離方法を適用して作製された表示装置を表示パネル３１１に用いることができる
。例えば、曲率半径１ｍｍ以上１５０ｍｍ以下で曲げることができる表示装置を適用でき
る。
【０２７９】
図９（Ｇ）は携帯情報端末３３０の外形を説明する斜視図である。図９（Ｈ）は、携帯情
報端末３３０の上面図である。図９（Ｉ）は携帯情報端末３４０の外形を説明する斜視図
である。
【０２８０】
携帯情報端末３３０、３４０は、例えば電話機、手帳又は情報閲覧装置等から選ばれた一
つまたは複数の機能を有する。具体的には、スマートフォンとしてそれぞれ用いることが
できる。
【０２８１】
携帯情報端末３３０、３４０は、文字や画像情報をその複数の面に表示することができる
。例えば、３つの操作ボタン３３９を一の面に表示することができる（図９（Ｇ）、（Ｉ
））。また、破線の矩形で示す情報３３７を他の面に表示することができる（図９（Ｈ）
、（Ｉ））。なお、情報３３７の例としては、ＳＮＳ（ソーシャル・ネットワーキング・
サービス）の通知、電子メールや電話などの着信を知らせる表示、電子メールなどの題名
もしくは送信者名、日時、時刻、バッテリの残量、アンテナ受信の強度などがある。また
は、情報３３７が表示されている位置に、情報３３７の代わりに、操作ボタン３３９、ア
イコンなどを表示してもよい。なお、図９（Ｇ）、（Ｈ）では、上側に情報３３７が表示
される例を示したが、本発明の一態様は、これに限定されない。例えば、図９（Ｉ）に示
す携帯情報端末３４０のように、横側に表示されていてもよい。
【０２８２】
例えば、携帯情報端末３３０の使用者は、洋服の胸ポケットに携帯情報端末３３０を収納
した状態で、その表示（ここでは情報３３７）を確認することができる。
【０２８３】
具体的には、着信した電話の発信者の電話番号又は氏名等を、携帯情報端末３３０の上方
から観察できる位置に表示する。使用者は、携帯情報端末３３０をポケットから取り出す
ことなく、表示を確認し、電話を受けるか否かを判断できる。
【０２８４】
携帯情報端末３３０の筐体３３５、携帯情報端末３４０の筐体３３６がそれぞれ有する表
示部３３３には、本発明の一態様の剥離方法を適用して作製された表示装置を用いること
ができる。本発明の一態様により、湾曲した表示部を備え、且つ信頼性の高い表示装置を
歩留まりよく提供できる。
【０２８５】
本実施の形態は、他の実施の形態と自由に組み合わせることができる。
【０２８６】
（実施の形態４）
本実施の形態では、本発明の一態様の剥離方法について図１６を用いて説明する。
【０２８７】
本発明の一態様の剥離方法では、作製基板１０１上に厚さ１０ｎｍ以上の剥離層１０３を
形成し、剥離層上に被剥離層１０５を形成する（図１６（Ａ））。
【０２８８】
本実施の形態では、厚さ３０ｎｍのタングステン膜を形成し、タングステン膜の表面に亜
酸化窒素（Ｎ２Ｏ）プラズマ処理を行う。これにより、作製基板１０１上のタングステン
膜３７３と、タングステン膜３７３上の酸化タングステン膜３７４を剥離層１０３として
形成できる。例えば、酸化タングステン膜３７４の厚さは１０ｎｍ程度とすることができ
る。
【０２８９】
剥離層の構成及び作製方法は上記に限定されない。例えば、実施の形態１で挙げた材料を
適用できる。タングステンを含む層を形成し、その上層に酸化物で形成される絶縁層を形
成することで、タングステンを含む層と絶縁層との界面に、タングステンの酸化物を含む
層が形成されることを活用してもよい。また、タングステンを含む層の表面を、熱酸化処
理、酸素プラズマ処理、オゾン水等の酸化力の強い溶液での処理等を行ってタングステン
の酸化物を含む層を形成してもよい。またプラズマ処理や加熱処理は、酸素、窒素、亜酸
化窒素単独、あるいは該ガスとその他のガスとの混合気体雰囲気下で行ってもよい。
【０２９０】
タングステン膜３７３と被剥離層１０５の間に酸化タングステン膜３７４を形成すること
で、剥離層と被剥離層との密着性を制御することが可能である。これにより、剥離工程の
歩留まりを高めることができる。
【０２９１】
次に、実施の形態１で示した剥離方法と同様に、被剥離層１０５と基板とを接合層を用い
て貼り合わせ、接合層を硬化させる。次に、剥離の起点を形成する。そして、形成した剥
離の起点から、被剥離層１０５と作製基板１０１とを分離する。
【０２９２】
ここで、タングステン膜３７３と酸化タングステン膜３７４との界面（又は界面近傍）で
剥離が生じることで、被剥離層１０５側に剥離層１０３の一部（ここでは酸化タングステ
ン膜３７４）が残る場合がある。作製基板１０１から剥離した後の被剥離層１０５上に残
る酸化タングステン膜３７４を示す断面ＴＥＭ写真を図１６（Ｂ）に示す。なお、図１６
（Ｂ）で層３７６は断面ＴＥＭ観察を行うために設けた炭素膜である。
【０２９３】
本発明の一態様の剥離方法を用いて作製する発光装置などの装置において、酸化タングス
テン膜３７４が残っていると、トランジスタの特性がシフトする等といった不具合が生じ
る場合がある。
【０２９４】
したがって、本発明の一態様の剥離方法では、タングステン膜３７３と酸化タングステン
膜３７４との界面（又は界面近傍）で剥離を行った後、被剥離層１０５上に残存した酸化
タングステン膜３７４を除去する工程を有する。酸化タングステン膜３７４を完全に除去
してもよいし、一部を除去してもよい。装置に不具合が生じない程度に、酸化タングステ
ン膜が残存していてもよい。
【０２９５】
酸化タングステン膜の除去には、例えば、水やアルカリ水溶液を用いることができる。ま
た、例えば、エタノール水溶液やＨ２Ｏ２水溶液を用いることができる。水や溶液は温度
によって酸化タングステン膜を除去できる速度が変わるため、適宜選択すればよい。例え
ば、常温の水に比べて６０℃程度の水は酸化タングステン膜をより除去しやすい。
【０２９６】
例えば、水や溶液を不織布ワイピングクロス等にしみこませ、酸化タングステン膜をふき
取ってもよいし、水や溶液に試料を浸漬させて酸化タングステン膜を除去してもよい。
【０２９７】
また、酸化タングステン膜を物理的に除去してもよい。例えば、やすりなどで研磨するこ
とで除去してもよい。
【０２９８】
本実施の形態では、エタノール水溶液をしみこませた不織布ワイピングクロスで酸化タン
グステン膜をふき取った後、Ｈ２Ｏ２水溶液をしみこませた不織布ワイピングクロスで酸
化タングステン膜をさらにふき取った。図１６（Ｃ）に酸化タングステン膜を除去した後
の断面ＴＥＭ写真を示す。なお、図１６（Ｃ）で層３７６は断面ＴＥＭ観察を行うために
設けた炭素膜である。
【０２９９】
以上のように、本発明の一態様の剥離方法では、剥離層としてタングステン膜と酸化タン
グステン膜の積層を用い、作製基板と被剥離層の分離後に、被剥離層上に残った酸化タン
グステン膜を除去する。これにより、剥離工程の歩留まりを高めることができる。また、
トランジスタの特性のシフト等の不具合を抑制することができる。
【０３００】
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
【実施例１】
【０３０１】
本実施例では、作製基板上に剥離層を介して被剥離層が形成された試料について、作製基
板から被剥離層を剥離するのに要する力を測定した結果について説明する。
【０３０２】
本実施例の各試料の構成を図１７（Ａ）に示す。各試料は、作製基板１０１、作製基板１
０１上の下地膜３０１、下地膜３０１上の剥離層１０３、剥離層１０３上の被剥離層１０
５、被剥離層１０５上の接合層１０７、接合層１０７上の基板１０９を有する。
【０３０３】
各試料の作製条件の違いを表１に示す。
【０３０４】
【表１】
2019153795.tif 000003
【０３０５】
まず、作製基板１０１であるガラス基板上に厚さ約２００ｎｍの酸化窒化シリコン膜を下
地膜３０１として形成した。酸化窒化シリコン膜は、プラズマＣＶＤ法にて、シランガス
とＮ２Ｏガスの流量をそれぞれ１０ｓｃｃｍ、１２００ｓｃｃｍとし、電源電力３０Ｗ、
圧力２２Ｐａ、基板温度３３０℃の条件で形成した。
【０３０６】
次に、下地膜３０１上にタングステン膜を剥離層１０３として形成した。タングステン膜
の厚さは試料によって異なる。各試料では、表１に示す厚さになるように剥離層としてタ
ングステン膜を形成した。タングステン膜は、スパッタリング法にて、Ａｒガスの流量を
１００ｓｃｃｍとし、電源電力６０ｋＷ、圧力２Ｐａ、基板温度１００℃の条件で形成し
た。
【０３０７】
次に、亜酸化窒素（Ｎ２Ｏ）プラズマ処理を行った。Ｎ２Ｏプラズマ処理は、Ｎ２Ｏガス
の流量を１００ｓｃｃｍとし、電源電力５００Ｗ、圧力１００Ｐａ、基板温度３３０℃、
２４０秒間の条件で行った。Ｎ２Ｏプラズマ処理の有無は、試料によって異なる（表１参
照）。
【０３０８】
次に、剥離層１０３上に被剥離層１０５を形成した。被剥離層１０５は、第１の酸化窒化
シリコン膜３０３と絶縁層３０５の積層構造である。被剥離層１０５の構成は表１に示す
ように試料によって異なる。
【０３０９】
［被剥離層１０５の構成１］
まず、剥離層１０３上に、厚さ約６００ｎｍの第１の酸化窒化シリコン膜３０３を形成し
た。第１の酸化窒化シリコン膜３０３は、プラズマＣＶＤ法にて、シランガスとＮ２Ｏガ
スの流量をそれぞれ７５ｓｃｃｍ、１２００ｓｃｃｍとし、電源電力１２０Ｗ、圧力７０
Ｐａ、基板温度３３０℃の条件で形成した。
【０３１０】
その後、第１の酸化窒化シリコン膜３０３をウェットエッチングにより島状に加工し、剥
離層１０３をドライエッチングにより島状に加工した。
【０３１１】
次に、第１の酸化窒化シリコン膜３０３上に絶縁層３０５を形成した。被剥離層の構成１
における絶縁層３０５は、第１の窒化シリコン膜、第２の酸化窒化シリコン膜、窒化酸化
シリコン膜、第３の酸化窒化シリコン膜の４層構造である。
【０３１２】
まず、第１の酸化窒化シリコン膜３０３上に、厚さ約２００ｎｍの第１の窒化シリコン膜
を形成した。第１の窒化シリコン膜は、プラズマＣＶＤ法にて、シランガス、Ｈ２ガス及
びＮＨ３ガスの流量をそれぞれ３０ｓｃｃｍ、８００ｓｃｃｍ、３００ｓｃｃｍとし、電
源電力６００Ｗ、圧力６０Ｐａ、基板温度３３０℃の条件で形成した。
【０３１３】
次に、第１の窒化シリコン膜上に、厚さ約２００ｎｍの第２の酸化窒化シリコン膜を形成
した。第２の酸化窒化シリコン膜は、プラズマＣＶＤ法にて、シランガスとＮ２Ｏガスの
流量をそれぞれ５０ｓｃｃｍ、１２００ｓｃｃｍとし、電源電力１２０Ｗ、圧力７０Ｐａ
、基板温度３３０℃の条件で形成した。
【０３１４】
次に、第２の酸化窒化シリコン膜上に、厚さ約１４０ｎｍの窒化酸化シリコン膜を形成し
た。窒化酸化シリコン膜は、プラズマＣＶＤ法にて、シランガス、Ｈ２ガス、Ｎ２ガス、
ＮＨ３ガス、Ｎ２Ｏガスの流量をそれぞれ１１０ｓｃｃｍ、８００ｓｃｃｍ、８００ｓｃ
ｃｍ、８００ｓｃｃｍ、７０ｓｃｃｍとし、電源電力３２０Ｗ、圧力１００Ｐａ、基板温
度３３０℃の条件で形成した。
【０３１５】
次に、窒化酸化シリコン膜上に、厚さ約１００ｎｍの第３の酸化窒化シリコン膜を形成し
た。第３の酸化窒化シリコン膜は、下地膜３０１と同様の条件で形成した。
【０３１６】
［被剥離層１０５の構成２］
第１の酸化窒化シリコン膜３０３は構成１と同様に形成した。絶縁層３０５は、第２の窒
化シリコン膜の単層構造である。
【０３１７】
具体的には、第１の酸化窒化シリコン膜３０３上に、厚さ約２００ｎｍの第２の窒化シリ
コン膜を形成した。第２の窒化シリコン膜は、プラズマＣＶＤ法にて、シランガス、Ｎ２
ガス、ＮＨ３ガスの流量をそれぞれ３８ｓｃｃｍ、１０００ｓｃｃｍ、２５０ｓｃｃｍと
し、電源電力１５０Ｗ、圧力５０Ｐａ、基板温度３３０℃の条件で形成した。
【０３１８】
［被剥離層１０５の構成３］
第１の酸化窒化シリコン膜３０３は構成１と同様に形成した。絶縁層３０５は、第１の窒
化シリコン膜の単層構造である。
【０３１９】
具体的には、第１の酸化窒化シリコン膜３０３上に、厚さ約２００ｎｍの第１の窒化シリ
コン膜を形成した。第１の窒化シリコン膜は、構成１と同様の条件で形成した。
【０３２０】
上記構成１〜３のいずれかの被剥離層を形成した後、窒素雰囲気下、４５０℃で１時間の
加熱処理を行った。
【０３２１】
そして、被剥離層１０５と接着剤つきフィルムを貼り合わせることで、被剥離層１０５上
に接合層１０７及び基板１０９を形成した。
【０３２２】
上記の条件で作製した各試料において、作製基板から被剥離層を剥離するのに要する力の
評価を行った。評価には、図１７（Ｂ）に示すような治具を用いた。図１７（Ｂ）に示す
治具は、複数のガイドローラ１５４と、サポートローラ１５３を有する。測定方法として
は、まず、予め作製基板１０１上に形成された被剥離層を含む層１５０にテープ１５１を
貼り付け、端部を一部剥離しておく。次に、テープ１５１をサポートローラ１５３に引っ
掛けるように作製基板１０１を治具に取り付け、テープ１５１及び被剥離層を含む層１５
０が作製基板１０１に対して垂直方向になるようにする。ここで、テープ１５１を作製基
板１０１に対して垂直方向に引っ張り（速度２０ｍｍ／ｍｉｎ）、被剥離層を含む層１５
０を作製基板１０１から剥離する際に、垂直方向に引っ張る力を測定することで、剥離に
要する力を測定することができる。ここで、剥離が進行している間、剥離層１０３が露出
した状態で作製基板１０１がガイドローラ１５４に沿ってその面方向に走行する。サポー
トローラ１５３及びガイドローラ１５４は、被剥離層を含む層１５０及び作製基板１０１
の走行中の摩擦の影響を無くすために回転可能に設けられている。
【０３２３】
剥離試験には、島津製作所製の小型卓上試験機（ＥＺ−ＴＥＳＴ  ＥＺ−Ｓ−５０Ｎ）を
用いた。剥離試験方法には、日本工業規格（ＪＩＳ）の規格番号ＪＩＳ  Ｚ０２３７に準
拠する粘着テープ・粘着シート試験方法を参考にした。各試料の寸法は、１２６ｍｍ×２
５ｍｍとした。
【０３２４】
図１８に、試料１〜試料４における剥離に要する力を示す。また、表２に、被剥離層１０
５に用いた各層の応力と、被剥離層１０５の応力を示す。
【０３２５】
【表２】
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【０３２６】
なお、本実施例において、剥離に要する力が０．１４Ｎ以上の場合、剥離試験後に作製基
板１０１側に被剥離層１０５が残存することがある。一方、剥離に要する力が０．１４未
満の場合では、被剥離層１０５が作製基板１０１側に残存することなく、良好に剥離を行
うことができる。そのため、以降の剥離試験では、剥離に要する力が０．１４Ｎ未満であ
る場合に剥離可能な条件であるとする。
【０３２７】
表２より、被剥離層の構成２を用いた場合、被剥離層１０５の応力は正の値（引張応力）
であることがわかった。図１８より、被剥離層の構成２を用いた試料２では、剥離に要す
る力が小さいものの、剥離時にクラックが発生するという不具合が生じた。
【０３２８】
表２より、被剥離層の構成１、３を用いた場合、被剥離層１０５の応力は負の値（圧縮応
力）であることがわかった。図１８より、試料３の剥離に要する力が０．１４Ｎ以上であ
り、剥離工程の歩留まりが低いと示唆される。試料１の剥離に要する力は０．１４Ｎ未満
であるものの、試料２に比べると大きい。また、試料１と試料４を比較すると、Ｎ２Ｏプ
ラズマ処理を行うことで、剥離に要する力が減少することがわかる。
【０３２９】
図１８の結果から、剥離層１０３の厚さが３０ｎｍのとき、被剥離層１０５の構成によっ
ては、剥離に要する力が大きい場合（例えば、被剥離層の圧縮応力が大きい場合）がある
ことがわかった。また、工程（例えば、Ｎ２Ｏプラズマ処理）を増やすことで、剥離に要
する力を小さくできることがわかった。
【０３３０】
図１８、表２の結果から、被剥離層１０５の応力が正の値（引張応力）であると、負の値
（圧縮応力）である場合に比べて剥離に要する力が小さくなることがわかった。図１８、
表２の結果から、被剥離層１０５の応力が負の値（圧縮応力）であると、正の値（引張応
力）である場合に比べて、剥離時にクラックが発生しにくいことがわかった。
【０３３１】
図１９に、試料１、試料５〜試料８における剥離に要する力を示す。試料５〜試料８にお
いても、表２に示す被剥離層１０５に用いた各層の応力と、被剥離層１０５の応力を参照
できる。
【０３３２】
図１９の結果から、絶縁層３０５の構成１を適用した場合、タングステン膜の厚さが薄く
なるほど剥離に要する力が小さくなることがわかった。また、タングステン膜の厚さが５
ｎｍの場合、絶縁層３０５の構成１、３のいずれであっても、剥離に要する力が同程度に
小さいことがわかった。試料８に示すように、厚さ３０ｎｍのタングステン膜を用いたと
きには剥離が困難だった圧縮応力の大きい被剥離層を、タングステン膜の厚さを５ｎｍに
することで、より小さい力で剥離することができた。
【０３３３】
以上のことから、厚さが５ｎｍのタングステン膜を剥離層１０３に用いることで、被剥離
層１０５の応力が正の値か負の値かによらず、小さい力で作製基板１０１から被剥離層１
０５を剥離できることがわかった。
【０３３４】
なお、タングステン膜の応力を測定したところ、厚さ３０ｎｍのときに１１４５．８ＭＰ
ａであり、厚さ５０ｎｍのときに７７３．２ＭＰａであり、厚さ１００ｎｍのときに６０
７．６ＭＰａであった。このことから、タングステン膜の厚さを薄くすることで、引張応
力を大きくできることがわかった。
【実施例２】
【０３３５】
本実施例では、本発明の一態様に用いることのできる絶縁層の水蒸気透過率を測定した。
【０３３６】
まず、ガラス基板上に下地膜として厚さ約２００ｎｍの酸化窒化シリコン膜をプラズマＣ
ＶＤ法により形成した。次いで、剥離層として厚さ約３０ｎｍのタングステン膜をスパッ
タリング法により成膜した。
【０３３７】
次いで、タングステン膜の表面にＮ２Ｏプラズマ処理を施した後、絶縁層を５層積層した
（図２０（Ａ）では絶縁層３９２として示す）。まず、第１の絶縁層として、厚さ約６０
０ｎｍの酸化窒化シリコン膜を形成した。酸化窒化シリコン膜は、シランガスとＮ２Ｏガ
スの流量をそれぞれ７５ｓｃｃｍ、１２００ｓｃｃｍとし、電源電力１２０Ｗ、圧力７０
Ｐａ、基板温度３３０℃の条件で形成した。
【０３３８】
その後、第２の絶縁層として、厚さ約２００ｎｍの窒化シリコン膜を形成した。窒化シリ
コン膜は、シランガス、Ｈ２ガス及びＮＨ３ガスの流量をそれぞれ３０ｓｃｃｍ、８００
ｓｃｃｍ、３００ｓｃｃｍとし、電源電力６００Ｗ、圧力６０Ｐａ、基板温度３３０℃の
条件で形成した。
【０３３９】
続いて、第３の絶縁層として、厚さ約２００ｎｍの酸化窒化シリコン膜を形成した。酸化
窒化シリコン膜は、シランガスとＮ２Ｏガスの流量をそれぞれ５０ｓｃｃｍ、１２００ｓ
ｃｃｍとし、電力１２０Ｗ、圧力７０Ｐａ、基板温度３３０℃の条件で形成した。
【０３４０】
続いて、第４の絶縁層として、厚さ約１４０ｎｍの窒化酸化シリコン膜を成膜した。窒化
酸化シリコン膜は、シランガス、Ｈ２ガス、Ｎ２ガス、ＮＨ３ガス、Ｎ２Ｏガスの流量を
それぞれ１１０ｓｃｃｍ、８００ｓｃｃｍ、８００ｓｃｃｍ、８００ｓｃｃｍ、７０ｓｃ
ｃｍとし、電源電力３２０Ｗ、圧力１００Ｐａ、基板温度３３０℃の条件で形成した。
【０３４１】
続いて、第５の絶縁層として、厚さ約１００ｎｍの酸化窒化シリコン膜を成膜した。酸化
窒化シリコン膜は、シランガスとＮ２Ｏガスの流量をそれぞれ１０ｓｃｃｍ、１２００ｓ
ｃｃｍとし、電源電力３０Ｗ、圧力２２Ｐａ、基板温度３３０℃の条件で形成した。
【０３４２】
その後、窒素雰囲気下、４５０℃で１時間の加熱処理を行った。
【０３４３】
続いて、封止樹脂３９０として二液性エポキシ接着剤（株式会社アルテコ製、商品名：Ｒ
２００７／Ｈ−１０１０）を塗布し、２４時間室温にて静置して硬化させた。続いて封止
樹脂３９０上にＵＶ剥離型のテープを貼り付けた。その後、剥離層と第１の絶縁層の界面
で剥離を行い、下地膜及び剥離層が形成されたガラス基板を除去した。
【０３４４】
続いて、露出した第１の絶縁層の表面に対して、接着層３９４として上述の二液性エポキ
シ接着剤を塗布し、次いで基板３９６として厚さ２０μｍのフィルムをラミネータにより
貼り付けた。そして、接着層３９４が硬化した後に、上述のＵＶ剥離型のフィルムに対し
てＵＶを照射し、当該フィルムを剥離した。
【０３４５】
作製した試料について、水蒸気透過率を測定した。測定は高感度水蒸気透過率測定器（フ
ラウンホーファーＩＷＳ社製、商品名：ＨｉＢａｒＳｅｎｓ）を用い、測定モードとして
拡散制御法を用いた。水蒸気供給側（水蒸気充填室１７３側に相当）の設定として、温度
３８．０℃、相対湿度９０％ＲＨとした。測定は２度行った。
【０３４６】
本実施例で用いた測定器は静的制御法、動的制御法、拡散制御法という３つの手法に対応
しており、水蒸気透過率について高精度、かつ高感度な測定を行うことができる。１０−
５〜１０−６ｇ／ｍ２・ｄａｙが測定限界である測定器も多いが、本実施例で用いた測定
器では、１０−７ｇ／ｍ２・ｄａｙまで高精度に測定することが可能である。
【０３４７】
本実施例で用いた測定器は１つのチャンバーをもっているが、図２０（Ｃ）のようにセッ
トした試料１７１により２つのチャンバーに分けられる。その一方は水蒸気を供給する水
蒸気充填室１７３となり、もう一方は水蒸気濃度を測定する水蒸気透過室１７５となる。
水蒸気充填室１７３には、温度と湿度が一定の水蒸気が供給されており、水蒸気が試料１
７１を通して水蒸気透過室１７５に移る量を測定している。水蒸気透過室１７５には乾燥
窒素を流すことができる。測定法に応じてバルブを開閉することで、乾燥窒素を流すか否
か切り替えることができる。またレーザ光源とディテクタが備わっており、チャンバー内
に２ｍの光路長をもつ。レーザ強度の減衰率を測定することで水蒸気透過室内の水蒸気濃
度を測定することができる。
【０３４８】
系全体の水蒸気量の変動ＪＳＹＳは、水蒸気透過率をＷＶＴＲ、チャンバー内壁における
水分子の脱着による変動をｊｃｅｌｌ、試料表面における水分子の脱着による変動をｊｓ
ａｍｐｌｅ、配管内壁における水分子の脱着による変動をｊｔｕｂｅｓとするとＪＳＹＳ
＝ＷＶＴＲ＋ｊｃｅｌｌ＋ｊｓａｍｐｌｅ＋ｊｔｕｂｅｓで表される。
【０３４９】
平衡状態においては、ｊｃｅｌｌ＝ｊｓａｍｐｌｅ＝ｊｔｕｂｅｓ＝０が成り立つため、
系全体の水蒸気量の変動を測定することにより、水蒸気透過率を見積もることができる。
【０３５０】
測定方法としては、３つのモードがある。１つ目は動的測定法である。この場合、測定チ
ャンバー内に常に一定流量で乾燥窒素を流しており、ＷＶＴＲが一定の値をとることを利
用して、平衡状態の水蒸気濃度からＷＶＴＲを見積もる方法である。１０−４台までのＷ
ＶＴＲを精度よく測定するのに向いている。
【０３５１】
２つ目は静的測定法である。この場合、測定チャンバー内の乾燥窒素を止め、試料を透過
してくる水蒸気が測定チャンバー内に次第に溜まっていく変化を測定してＷＶＴＲを見積
もる方法である。１０−６台のＷＶＴＲでも感度よく測定することができるが、精度が低
くなる傾向がある。
【０３５２】
３つ目は拡散制御法である。この場合も測定チャンバー内の乾燥窒素は止めるが、測定チ
ャンバーより細管を引き出しており、その先に乾燥窒素を流している。Ｆｉｃｋの法則を
利用することによりＷＶＴＲを見積もる方法で、動的測定法と静的測定法のそれぞれの利
点を兼ねている。あらかじめＷＶＴＲが小さいと解かっているサンプルに対して測定する
のに向いている。
【０３５３】
測定方法の概略図を図２０（Ａ）に示す。測定は、試料の基板３９６側から水蒸気を供給
し、封止樹脂３９０側に透過した水蒸気を検出することにより、水蒸気透過率を測定する
ことができる。
【０３５４】
測定した結果を図２０（Ｂ）及び図２５に示す。図２０（Ｂ）及び図２５中、横軸は経過
時間を示し、縦軸は水蒸気透過率（ＷＶＴＲ）を示している。図２０（Ｂ）及び図２５に
示すように、本試料の平衡状態における水蒸気透過率は１×１０−５ｇ／ｍ２・ｄａｙ未
満であることが確認できた。さらに、本試料の平衡状態における水蒸気透過率は、本測定
における測定下限値である７×１０−６ｇ／ｍ２・ｄａｙ以下であることが確認できた。
【０３５５】
比較として、例えば一般的なアルミホイルでは１．５×１０−４ｇ／ｍ２・ｄａｙであり
、高いバリア性を有するフィルムであっても２×１０−５ｇ／ｍ２・ｄａｙ程度である。
本実施例で作製した試料は、水蒸気の透過率がこれらに比べて極めて小さいことが確認で
きた。
【０３５６】
次に上記で作製した絶縁層３９２の構成を用いて発光装置を作製し、保存試験を行った。
【０３５７】
保存試験の評価試料のマスク図面を図３０（Ａ）に示す。具体的には、評価試料の端部か
ら１０ｍｍ以上離れた２ｍｍ角の発光領域について、評価した。これは、試料側面からの
水分等の不純物の侵入の影響をなくすためである。
【０３５８】
評価試料の作製方法を図３１（Ａ）〜（Ｃ）を用いて説明する。まず、ガラス基板１８１
上に下地膜として厚さ約２００ｎｍの酸化窒化シリコン膜をプラズマＣＶＤ法により形成
した。次いで、剥離層１８３として厚さ約３０ｎｍのタングステン膜をスパッタリング法
により形成した。
【０３５９】
次いで、タングステン膜の表面にＮ２Ｏプラズマ処理を施した後、絶縁層１８５を形成し
た。絶縁層１８５は、上述の絶縁層３９２（図２０（Ａ））と構成及び作製方法が同様で
あるため、説明は省略する。その後、窒素雰囲気下、４５０℃で１時間の加熱処理を行っ
た。そして、絶縁層１８５上に素子層１８７を形成した。
【０３６０】
素子層１８７は青色の有機ＥＬ素子を有する。評価試料の側面からの水分等の不純物の侵
入、及び接合層に用いる樹脂からの脱ガスによる、有機ＥＬ素子の劣化を抑制するため、
保護層１８９として、厚さ１００ｎｍの酸化シリコン膜及び厚さ１００ｎｍの窒化シリコ
ン膜をスパッタリング法により形成した。そして、接合層１９１を用いて保護層１８９と
ガラス基板１９３を貼り合わせた（図３１（Ａ））。接合層１９１としては、紫外線硬化
型エポキシ樹脂を用いた。そして、ガラス基板１８１を剥離し（図３１（Ｂ））、露出し
た絶縁層１８５と樹脂基板１９７を接合層１９５で貼り合わせた（図３１（Ｃ））。接合
層１９５としては、二液混合型エポキシ樹脂を用いた。
【０３６１】
なお、ガラス基板１８１を剥離し、樹脂基板１９７に素子層１８７を転置することで、有
機ＥＬ素子の特性が変化しないかの確認を行った。図３２（Ａ）に、剥離・転置工程前後
の有機ＥＬ素子の電流−電圧特性を示す。工程前後で特性に差は見られないため、剥離・
転置工程によってショートや接触抵抗の増加等の電気的特性の不具合はないことがわかる
。また、図３２（Ｂ）に、剥離・転置工程前後の有機ＥＬ素子の輝度−電圧特性を示す。
輝度の電圧依存性、立ち上がり電圧にも違いが見られないことから、有機ＥＬ素子を構成
する材料へのダメージや光取り出し効率の変化等もないといえる。以上のように、剥離・
転置工程を用いた発光装置の作製方法は、有機ＥＬ素子の特性に影響を与えないことが確
認できた。
【０３６２】
次に、保存試験を行った。具体的には、評価試料を温度６５℃、湿度９０％の環境下で５
００時間保存した。保存試験前後の発光写真を図３０（Ｂ）に示す。図３０（Ｂ）には、
保存試験前、保存試験開始から２４０時間後、及び５００時間後の３種類の発光写真を示
す。ここでは、光学顕微鏡を使用し、５０倍の倍率で観察を行った。保存試験開始から５
００時間後においてもダークスポットの増加はなく、シュリンクも確認されなかった。
【０３６３】
また、保存試験前後の有機ＥＬ素子の特性について説明する。図３３（Ａ）に、保存試験
前後の有機ＥＬ素子の電流−電圧特性を示し、図３３（Ｂ）に、保存試験前後の有機ＥＬ
素子の輝度−電圧特性を示す。保存試験前と、保存試験開始から５００時間後とで、有機
ＥＬ素子の電流−電圧特性及び輝度−電圧特性に変化はなく、本実施例で作製した絶縁層
を用いることで、有機ＥＬ素子の劣化を抑制できることがわかった。
【実施例３】
【０３６４】
本実施例では、実施例２で作製した絶縁層３９２を適用した発光装置を作製し、その信頼
性を評価した。
【０３６５】
本実施例で作製した発光装置は、実施の形態２で説明した構成例５（図１４（Ｂ）参照）
と同様であるため説明は省略する。本実施例では、実施例２で作製した絶縁層３９２を、
絶縁層４２４及び絶縁層２２６に適用した。
【０３６６】
作製した発光装置について、温度６５℃、湿度９０％ＲＨの環境下で１０００時間保存す
る試験を行った。
【０３６７】
保存試験前後における、発光装置の中央部における発光状態を示す光学顕微鏡写真を図２
１（Ａ）、（Ｂ）に示す。図２１（Ａ）は保存試験前の光学顕微鏡写真であり、図２１（
Ｂ）は１０００時間の保存試験後における光学顕微鏡写真である。
【０３６８】
図２１（Ｂ）に示すように、保存試験後であっても輝度の劣化や非発光領域の形成などの
不良が発生していないことが確認できる。すなわち、実施例２で示したように、水蒸気透
過率が極めて低い絶縁層を絶縁層４２４及び絶縁層２２６に適用することで、極めて信頼
性の高い有機ＥＬパネルを実現できることが確認できた。
【実施例４】
【０３６９】
本実施例では、実施例２で作製した絶縁層３９２を適用した発光装置を作製し、その信頼
性を評価した。本実施例で作製した発光装置は、ベンダブルディスプレイである。
【０３７０】
本実施例で作製した発光装置を図２４（Ａ）、（Ｂ）に示す。図２４（Ａ）は発光装置の
平面図であり、図２４（Ｂ）は図２４（Ａ）の一点鎖線Ｘ７−Ｙ７間の断面図を示す。本
実施例で作製した発光装置は、可撓性基板４２８の大きさが可撓性基板４２０より小さい
点で、実施の形態２で説明した構成例５（図１４（Ｂ））と異なる。その他は構成例５の
説明を参照できる。
【０３７１】
本実施例では、実施の形態１に示す剥離方法４を用いて発光装置を作製した。
【０３７２】
まず、作製基板２０１であるガラス基板上に剥離層２０３を形成し、剥離層２０３上に被
剥離層２０５を形成した。また、作製基板２２１であるガラス基板上に剥離層２２３を形
成し、剥離層２２３上に被剥離層２２５を形成した。次に、作製基板２０１と作製基板２
２１とを、それぞれの被剥離層が形成された面が対向するように貼り合わせた。そして、
２つの作製基板をそれぞれ被剥離層から剥離し、それぞれの被剥離層に可撓性基板を貼り
合わせた。以下に各層の材料を示す。
【０３７３】
剥離層２０３及び剥離層２２３としては、タングステン膜と、該タングステン膜上の酸化
タングステン膜の積層構造を形成した。具体的には、厚さ約３０ｎｍのタングステン膜を
スパッタリング法により形成し、Ｎ２Ｏプラズマ処理を施した後、被剥離層を形成した。
【０３７４】
剥離層を構成する積層構造は、成膜直後の剥離性は低いが、加熱処理により無機絶縁膜と
の反応が起こることで、界面状態が変化し脆性を示す。そして、剥離の起点を形成するこ
とで、物理的に剥離することができるようになる。
【０３７５】
被剥離層２０５としては、絶縁層４２４と、トランジスタと、有機ＥＬ素子４５０である
有機ＥＬ素子と、を形成した。被剥離層２２５としては、カラーフィルタ（着色層４３２
に相当）等を作製した。
【０３７６】
絶縁層４２４及び絶縁層２２６には、実施例２で作製した絶縁層３９２を適用した。
【０３７７】
トランジスタには、ＣＡＡＣ−ＯＳ（Ｃ  Ａｘｉｓ  Ａｌｉｇｎｅｄ  Ｃｒｙｓｔａｌｌ
ｉｎｅ  Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）を用いたトランジスタを適用した。
ＣＡＡＣ−ＯＳは非晶質ではないため、欠陥準位が少なく、トランジスタの信頼性を高め
ることができる。また、ＣＡＡＣ−ＯＳは結晶粒界を有さないため、可撓性を有する装置
を湾曲させたときの応力によってＣＡＡＣ−ＯＳ膜にクラックが生じにくい。
【０３７８】
ＣＡＡＣ−ＯＳは、膜面に垂直にｃ軸配向した酸化物半導体のことである。酸化物半導体
としては他にナノスケールの微結晶集合体であるｎａｎｏ−ｃｒｙｓｔａｌ（ｎｃ−ＯＳ
）など、アモルファスや単結晶とは異なる多彩な構造が存在することが確認されている。
ＣＡＡＣ−ＯＳは、単結晶よりも結晶性が低いが、アモルファスやｎｃ−ＯＳに比べて結
晶性が高い。
【０３７９】
本実施例では、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物を用いたチャネルエッチ型のトランジスタを用
いた。該トランジスタは、ガラス基板上で５００℃未満のプロセスで作製可能である。
【０３８０】
プラスチック基板等の有機樹脂上に直接トランジスタ等の素子を作製する方法では、素子
の作製工程の温度を、有機樹脂の耐熱温度よりも低くしなくてはならない。本実施例では
、作製基板がガラス基板であり、また、無機膜である剥離層の耐熱性が高いため、ガラス
基板上にトランジスタを作製する場合と同じ温度でトランジスタを作製することができる
ため、トランジスタの性能、信頼性を容易に確保できる。
【０３８１】
有機ＥＬ素子４５０には、青色の光を呈する発光層を有する蛍光発光ユニットと、緑色の
光を呈する発光層及び赤色の光を呈する発光層を有する燐光発光ユニットと、を有するタ
ンデム型の有機ＥＬ素子を用いた。有機ＥＬ素子４５０は、トップエミッション型である
。有機ＥＬ素子４５０の第１の電極４０１としては、アルミニウム膜上にチタン膜を積層
し、チタン膜上に光学調整層として機能するＩＴＯ膜を積層した。光学調整層の膜厚は、
各画素の色に応じて変化させた。カラーフィルタとマイクロキャビティ構造との組み合わ
せにより、本実施例で作製した発光装置からは、色純度の高い光を取り出すことができる
。可撓性基板４２０及び可撓性基板４２８としては、厚さ２０μｍの有機樹脂フィルムを
用いた。
【０３８２】
図２６に本実施例で作製した発光装置を示す。作製した発光装置は、発光部（画素部）の
サイズを対角３．４インチ、画素数を５４０×９６０×３（ＲＧＢ）、画素ピッチを０．
０７８ｍｍ×０．０７８ｍｍ、解像度を３２６ｐｐｉ、開口率を５６．９％とした。スキ
ャンドライバ（ゲートドライバ）及びソースドライバは内蔵である。発光装置の厚さ１０
０μｍ以下であり、重さは２ｇであった。なお、曲げ試験ごとに、異なる発光装置を用い
た。
【０３８３】
そして、作製した発光装置を、画像を表示させた状態で、繰り返し折り曲げた。図２６に
示すように、折り曲げた部分（Ｂｅｎｔ  ｐｏｒｔｉｏｎ）は発光装置の中央部であり、
発光部とスキャンドライバを含む。図２２（Ａ）は発光装置が配置された曲げ試験機の外
観を示す写真である。図２２（Ｂ）は、曲げ試験の様子を示す写真である。ＦＰＣ側を固
定することで、発光装置を駆動しながら、曲げ試験を行うことが可能である。図２２（Ｃ
）に示すように、発光装置９９を曲げる際の曲率半径を金属製の棒９８で設定した。棒９
８として、直径１０ｍｍ、直径６ｍｍ、直径４ｍｍ、及び直径２ｍｍの４種類を用いた。
つまり、曲率半径５ｍｍ、曲率半径３ｍｍ、曲率半径２ｍｍ、及び曲率半径１ｍｍの４種
類の曲げ試験を行った。なお、ここでは、発光装置の表示面を外側にした場合を外曲げ、
内側にした場合を内曲げと記す。例えば、図２２（Ｂ）は、内曲げの試験中の様子を示し
ている。曲げ試験は１回の曲げを約２秒の速さで行った。曲げ試験の結果、曲率半径５ｍ
ｍでは、外曲げ、内曲げいずれの場合も、１０万回の曲げを行った後で、表示部に欠陥の
発生はなく、ドライバも正常に動作した。また、曲率半径３ｍｍで、１０万回、内曲げを
行ったところ、表示部に欠陥の発生はなく、ドライバも正常に動作した。また、曲率半径
２ｍｍで、１０万回、内曲げを行ったところ、表示部に欠陥の発生はなく、ドライバも正
常に動作した。また、曲率半径１ｍｍで、４千回、内曲げを行ったところ、表示部に欠陥
の発生はなく、ドライバも正常に動作した。また、同様の構成の発光装置を、曲率半径５
ｍｍで３０万回、内曲げした場合においても、表示部に欠陥の発生はなく、ドライバも正
常に動作した。
【０３８４】
曲率半径５ｍｍで１０万回曲げ試験を行った後の発光装置について、図２７（Ａ）に外観
を示し、図２７（Ｂ）に、曲げ試験前後の表示状態を示す。図２７（Ａ）に示すように、
発光装置には、曲げ癖や表面の傷は発生しているものの、表示状態やドライバの動作に不
良は見られなかった。さらに、曲げ試験後に、１００時間、６５℃９０％の環境下で、高
温高湿保存試験を行った。保存試験前後の発光装置の表示状態を図２７（Ｃ）に示す。保
存試験後も、曲げ部分での不良は見られておらず、発光装置内部における無機絶縁膜等の
クラックも発生していないと考えられる。
【０３８５】
曲率半径２ｍｍで１０万回曲げ試験を行った後の発光装置について、図２８（Ａ）に外観
を示し、図２８（Ｂ）に、曲げ試験前後の表示状態を示す。図２８（Ａ）に示すように、
発光装置には、曲げ癖や表面の傷は発生しているものの、表示状態やドライバの動作に不
良は見られなかった。さらに、曲げ試験後に、１００時間、６５℃９０％の環境下で高温
高湿保存試験を行った。保存試験前後の発光装置の表示状態を図２８（Ｃ）に示す。保存
試験後も、曲げ部分での不良は見られておらず、発光装置内部における無機絶縁膜等のク
ラックも発生していないと考えられる。
【０３８６】
上記で用いた曲げ試験機では、単純な曲げだけでなく、引張応力や押し付け応力、摩擦等
の要因も加わっている。
【０３８７】
以下では、曲げ耐性のみを評価できるブック型の曲げ試験機により、再度評価を行った。
本曲げ試験機はブックの様に開いた状態（図２９（Ａ）参照）と閉じた状態（図２９（Ｂ
）参照）を繰り返すことで曲げ試験を行う。曲げた際の板と板との間の距離を定めること
で、発光装置の曲げの曲率半径を決めている。
【０３８８】
ブック型曲げ試験機を用いて評価した発光装置の曲げ特性を示す。曲率半径５ｍｍ、曲率
半径３ｍｍ、曲率半径２ｍｍのそれぞれで、１０万回、内曲げを行ったところ、表示部に
欠陥の発生はなく、ドライバも正常に動作した。また、曲率半径１ｍｍで、９千回、内曲
げを行ったところ、表示部に欠陥の発生はなく、ドライバも正常に動作した。また、同様
の構成の発光装置を、曲率半径５ｍｍで３０万回、内曲げした場合においても、表示部に
欠陥の発生はなく、ドライバも正常に動作した。そして、ブック型曲げ試験機を用いるこ
とで、先に用いた曲げ試験機を用いた場合に比べ、曲げ試験後の曲げ癖は大きく低減して
おり、曲率半径５ｍｍの試験後では、ほぼ曲げ癖は見られなかった。
【０３８９】
以上のように、本実施例では、繰り返しの折り曲げに強い信頼性の高いフレキシブルな発
光装置を作製することができた。
【実施例５】
【０３９０】
本実施例では、実施例２で作製した絶縁層３９２を適用した発光装置を作製した。本実施
例で作製した発光装置は、本のように繰り返し２つに折りたたむことができるブックタイ
プのフレキシブルＯＬＥＤ（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄ
ｅ）ディスプレイである。該発光装置は、表示面を内側に曲げることができる。該発光装
置は、ベンダブルディスプレイともいえる。
【０３９１】
本実施例で作製した発光装置を図２４（Ａ）、（Ｂ）に示す。該発光装置における、絶縁
層４２４、絶縁層２２６、トランジスタ、有機ＥＬ素子４５０、第１の電極４０１、可撓
性基板４２０、及び可撓性基板４２８の構成は、実施例４で作製した発光装置と同様であ
るため説明は省略する。また、発光装置の作製方法や作製に用いた剥離層も、実施例４と
同様である。
【０３９２】
作製した発光装置は、発光部（画素部）のサイズを対角５．９インチ、画素数を７２０×
１２８０×３（ＲＧＢ）、画素ピッチを０．１０２ｍｍ×０．１０２ｍｍ、解像度を２４
９ｐｐｉ、開口率を４５．２％とした。スキャンドライバは内蔵であり、ソースドライバ
はＣＯＦ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｆｉｌｍ）を用いて外付けした。
【０３９３】
図２３に、本実施例で作製した発光装置の表示写真を示す。図２３（Ａ）は発光装置を展
開した状態、図２３（Ｂ）は発光装置を展開した状態から折りたたんだ状態に変化させる
途中の状態、図２３（Ｃ）は発光装置を折りたたんだ状態における、発光装置の表示写真
である。折り曲げる部分の曲率半径は５ｍｍとした。本実施例の発光装置は、画像を表示
したまま折りたたんでも、表示や駆動に問題は生じなかった。
【０３９４】
そして、作製した発光装置を、画像を表示させた状態で、繰り返し折り曲げた。曲げ試験
の方法は実施例４と同様である。曲率半径５ｍｍで、１０万回、内曲げを行ったところ、
表示部に欠陥の発生はなく、ドライバも正常に動作した。
【０３９５】
以上のように、本実施例では、繰り返しの折り曲げに強い信頼性の高いフレキシブルな発
光装置を作製することができた。
【符号の説明】
【０３９６】
１０１    作製基板
１０３    剥離層
１０５    被剥離層
１０７    接合層
１０９    基板
１１１    接合層
１１３    樹脂層
１５０    被剥離層を含む層
１５１    テープ
１５３    サポートローラ
１５４    ガイドローラ
１７１    試料
１７３    水蒸気充填室
１７５    水蒸気透過室
１８１    ガラス基板
１８３    剥離層
１８５    絶縁層
１８７    素子層
１８９    保護層
１９１    接合層
１９３    ガラス基板
１９５    接合層
１９７    樹脂基板
２０１    作製基板
２０３    剥離層
２０５    被剥離層
２０７    接合層
２１１    接合層
２２１    作製基板
２２３    剥離層
２２５    被剥離層
２２６    絶縁層
２３１    基板
２３３    接合層
２３５    接合層
３０１    下地膜
３０３    酸化窒化シリコン膜
３０５    絶縁層
３１０    携帯情報端末
３１１    表示パネル
３１３    ヒンジ
３１５    筐体
３３０    携帯情報端末
３３３    表示部
３３５    筐体
３３６    筐体
３３７    情報
３３９    操作ボタン
３４０    携帯情報端末
３７３    タングステン膜
３７４    酸化タングステン膜
３７６    層
３９０    封止樹脂
３９２    絶縁層
３９４    接着層
３９６    基板
４０１    電極
４０２    ＥＬ層
４０３    電極
４０４    接合層
４０４ａ    接合層
４０４ｂ    接合層
４０５    絶縁層
４０６    導電層
４０７    接合層
４０８    導電層
４０９    構造
４１０    導電層
４１１    拡散板
４１３    タッチセンサ
４１６    導電層
４１９    可撓性基板
４２０    可撓性基板
４２２    接着層
４２４    絶縁層
４２６    接着層
４２８    可撓性基板
４３１    遮光層
４３２    着色層
４３５    導電層
４４１    導電層
４４２    導電層
４４３    絶縁層
４４４    可撓性基板
４４５    ＦＰＣ
４５０    有機ＥＬ素子
４５３    オーバーコート
４５４    トランジスタ
４５５    トランジスタ
４５７    導電層
４６３    絶縁層
４６５    絶縁層
４６７    絶縁層
４９１    発光部
４９３    駆動回路部
４９５    ＦＰＣ
４９６    スペーサ
４９７    接続体
７１００    携帯情報端末
７１０１    筐体
７１０２    表示部
７１０３    バンド
７１０４    バックル
７１０５    操作ボタン
７１０６    入出力端子
７２００    照明装置
７２０１    台部
７２０２    発光部
７２０３    操作スイッチ
７２１０    照明装置
７２１２    発光部
７２２０    照明装置
７２２２    発光部
７３００    表示装置
７３０１    筐体
７３０２    表示部
７３０３    操作ボタン
７３０４    部材
７３０５    制御部
７４００    携帯電話機
７４０１    筐体
７４０２    表示部
７４０３    操作ボタン
７４０４    外部接続ポート
７４０５    スピーカ
７４０６    マイク
【図１】
2019153795.tif 000005
【図２】
2019153795.tif 000006
【図３】
2019153795.tif 000007
【図４】
2019153795.tif 000008
【図５】
2019153795.tif 000009
【図６】
2019153795.tif 000010
【図７】
2019153795.tif 000011
【図８】
2019153795.tif 000012
【図９】
2019153795.tif 000013
【図１０】
2019153795.tif 000014
【図１１】
2019153795.tif 000015
【図１２】
2019153795.tif 000016
【図１３】
2019153795.tif 000017
【図１４】
2019153795.tif 000018
【図１５】
2019153795.tif 000019
【図１６】
2019153795.tif 000020
【図１７】
2019153795.tif 000021
【図１８】
2019153795.tif 000022
【図１９】
2019153795.tif 000023
【図２０】
2019153795.tif 000024
【図２１】
2019153795.tif 000025
【図２２】
2019153795.tif 000026
【図２３】
2019153795.tif 000027
【図２４】
2019153795.tif 000028
【図２５】
2019153795.tif 000029
【図２６】
2019153795.tif 000030
【図２７】
2019153795.tif 000031
【図２８】
2019153795.tif 000032
【図２９】
2019153795.tif 000033
【図３０】
2019153795.tif 000034
【図３１】
2019153795.tif 000035
【図３２】
2019153795.tif 000036
【図３３】
2019153795.tif 000037
【手続補正書】
【提出日】平成31年4月29日(2019.4.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板上に剥離層を形成する第１の工程と、
前記剥離層上に被剥離層を形成する第２の工程と、
前記被剥離層上に接合層を形成する第３の工程と、
前記接合層上に第２の基板を形成する第４の工程と、
前記第１の基板側からレーザ光を照射し、前記被剥離層の一部を除去する第５の工程と、
前記剥離層と前記被剥離層とを分離する第６の工程と、を有し、
前記剥離層は、０．１ｎｍ以上１０ｎｍ未満の厚さを有する剥離方法。
【請求項２】
第１の基板上に剥離層を形成する第１の工程と、
前記剥離層上に被剥離層を形成する第２の工程と、
前記被剥離層上に、第１の接合層、及び前記第１の接合層を囲う第２の接合層を形成する第３の工程と、
前記第１の接合層上及び前記第２の接合層上に、第２の基板を形成する第４の工程と、
前記第１の基板側からレーザ光を照射し、前記被剥離層の一部を除去する第５の工程と、
前記剥離層と前記被剥離層とを分離する第６の工程と、を有し、
前記剥離層は、０．１ｎｍ以上１０ｎｍ未満の厚さを有する剥離方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記剥離層は、タングステンを有する膜である剥離方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記被剥離層は、第１の層を有し、
前記第１の層は、前記剥離層と接する領域を有し、
前記第５の工程において、前記第１の層の一部が除去される剥離方法。