(57)【要約】【課題】  外部からの制御信号を用いずに、ＲＦ信号の入力の有無に応じて、増幅器のＯＦＦ時の雑音を抑制することができるＲＦモジュールを得る。【解決手段】  入力されたＲＦ信号を分岐するカプラと、カプラに分岐された一方の信号を増幅する増幅器と、カプラに分岐された他方の信号を検波する検波部と、検波回路の出力信号に応じてＲＦ信号の入力の有無を判断する閾値以上である場合は増幅器のＯＮを指示する信号を出力し、閾値未満である場合は増幅器のＯＦＦを指示する信号を出力する閾値設定部を有する判断部と、判断部の指示より増幅器のＯＮ／ＯＦＦを制御する利得制御部とを備える。【選択図】  図１
2019068293.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力されたＲＦ信号を分岐するカプラと、前記カプラに分岐された一方の信号を増幅する増幅器と、前記カプラに分岐された他方の信号を検波する検波部と、前記検波部の出力信号に応じて前記増幅器のＯＮ／ＯＦＦを指示する信号を出力する判断部と、前記判断部の指示より前記増幅器のＯＮ／ＯＦＦを制御する利得制御部とを備え、
前記判断部は、前記検波部の出力信号が、前記ＲＦ信号の入力の有無を判断する閾値以上である場合は前記増幅器のＯＮを指示する信号を出力し、前記閾値未満である場合は前記増幅器のＯＦＦを指示する信号を出力する閾値設定部を有するＲＦモジュール。
【請求項２】
前記カプラに分岐された一方の信号を遅延させて前記増幅器に出力することで、前記増幅器の出力信号と前記利得制御部の出力信号とを同期させる第１の遅延設定部をさらに備える請求項１に記載のＲＦモジュール。
【請求項３】
前記判断部は、前記閾値設定部から出力された信号を、所定の時間だけ遅延させて出力する第２の遅延設定部をさらに備える請求項１または請求項２に記載のＲＦモジュール。
【請求項４】
前記判断部は、前記閾値設定部から出力された前記ＯＮを指示する信号の立ち上りの波形を制御して出力する波形整形部をさらに備える請求項１〜請求項３の何れか１項に記載のＲＦモジュール。
【請求項５】
前記判断部は、前記閾値設定部から出力された前記ＯＮを指示する信号の立ち下りの波形を制御して出力する波形整形部をさらに備える請求項３に記載のＲＦモジュール。
【請求項６】
前記判断部は、前記閾値設定部から出力された前記ＯＮを指示する信号の立ち上りの波形および立ち下りの波形を制御して出力する波形整形部をさらに備える請求項３に記載のＲＦモジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高周波信号（ＲＦ信号）を増幅するＲＦモジュールまたはＲＦモジュールを有する送受信装置（送信装置）に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、ＲＦモジュールは、Ｓｉ-ＢＪＴ（Ｂｉｐｏｌａｒ  Ｊｕｎｃｔｉｏｎ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）のＣ級増幅器を用いたものがある。近年、半導体技術の進歩に伴い、ＲＦモジュールを有する送信装置や送受信装置の最終段増幅器のような後段の増幅器に、より高性能なＧａＡｓ素子あるいはＧａＮ素子などの化合物半導体を用いたＡＢ級などの増幅器（ＨＥＭＴ：Ｈｉｇｈ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｏｂｉｌｉｔｙ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）にＳｉ-ＢＪＴから置き換える需要が増えている。
【０００３】
Ｓｉ−ＢＪＴを用いたＣ級増幅器においては、入力のＲＦ信号の有無に応じてＳｉ−ＢＪＴ素子が自動的にＯＮ／ＯＦＦされる。そのため、増幅器出力の雑音は送信ＯＮ時のみ出力され、ＲＦモジュールにおける受信区間のような、送信ＯＦＦ時に増幅器出力に雑音が出力されることは無い。このようなＲＦモジュールの増幅器を、高性能化などの目的で、ＧａＡｓ素子あるいはＧａＮ素子などの化合物半導体を用いたＡＢ級などの増幅器に置き換えた場合、増幅器へのＯＮ／ＯＦＦ制御信号が必要となる。しかし、一般的な構成では、外部から送受の切替信号を供給するが、従来のものが、Ｓｉ−ＢＪＴを用いたＣ級増幅器である場合、増幅器へのＯＮ／ＯＦＦ制御信号を備えていない。
【０００４】
一方、従来のドハティ増幅器には、外部からの制御信号を備えずに、片側の増幅器のＯＮ／ＯＦＦ制御をするものがある（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１５−２０７９４１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、ＧａＡｓ素子あるいはＧａＮ素子などの化合物半導体を用いたＡＢ級などの増幅器において、Ｃ級増幅器と同じ構成として、増幅器を所望の利得、出力を得るように動作させようとした場合、連続でＯＮさせておくことになる。その結果、ＯＮ時のみでなく、ＯＦＦ時においても増幅器のバイアスはＯＮであるため、増幅器出力の雑音が引き続き出力されるという課題がある。このような雑音は、例えば、ＲＦモジュールを有する送受信装置では、受信区間などに送信雑音が受信部に入力されることになり、送受信装置の受信感度の劣化、という不都合を生じる可能性がある。一方、上記の特許文献１に開示されるようなドハティ増幅器は、片側の増幅器をＯＮ／ＯＦＦすることで低消費電力化を実現しようとするものであり、雑音を抑制することは考えられていない。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係るＲＦモジュールは、入力されたＲＦ信号を分岐するカプラと、前記カプラに分岐された一方の信号を増幅する増幅器と、前記カプラに分岐された他方の信号を検波する検波部と、前記検波部の出力信号に応じて前記増幅器のＯＮ／ＯＦＦを指示する信号を出力する判断部と、前記判断部の指示より前記増幅器のＯＮ／ＯＦＦを制御する利得制御部とを備え、前記判断部は、前記検波部の出力信号が、前記ＲＦ信号の入力の有無を判断する閾値以上である場合は前記増幅器のＯＮを指示する信号を出力し、前記閾値未満である場合は前記増幅器のＯＦＦを指示する信号を出力する閾値設定部を有するものである。
【発明の効果】
【０００８】
この発明に係るＲＦモジュールによれば、ＲＦモジュールの外部からの制御信号を用いずに、ＲＦ信号の入力を用いて増幅器を制御することにより、ＯＦＦ時の雑音を抑制することができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の実施の形態１に係るＲＦモジュールのブロック図である。
【図２】本発明の実施の形態１に係るＲＦモジュールの各部における信号の波形を示す図である。
【図３】本発明の実施の形態２に係るＲＦモジュールのブロック図である。
【図４】本発明の実施の形態２に係るＲＦモジュールの各部における信号の波形を示す図である。
【図５】本発明の実施の形態３に係るＲＦモジュールのブロック図である。
【図６】本発明の実施の形態３に係るＲＦモジュールの各部における信号の波形を示す図である。
【図７】本発明の実施の形態４に係る送受信装置のブロック図である。
【図８】本発明の実施の形態１から３に係るＲＦモジュールにおけるＯＦＦ時の雑音の抑制を説明するための、Ｓｉ−ＢＪＴを用いたＣ級増幅器と、ＧａＮ素子、ＧａＡｓ素子などの化合物半導体を用いたＡＢ級などの増幅器との動作説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明の実施の形態１から４について図面を参照して詳細に説明する。なお図中、同一または同等の部分には同一の符号を付し、詳細説明を省略する場合がある。
【００１１】
実施の形態１．
図１は、実施の形態１に係るＲＦモジュールの各部の構成例を示すブロック図である。図１に示すように、実施の形態１に係るＲＦモジュール１００は、カプラ２と、増幅器３と、検波部４と、判断部５と、利得制御部６とで構成される。
【００１２】
カプラ２は、モジュール内に入力される高周波信号（ＲＦ信号）を分岐させるものである。分岐された信号のうち、一方の信号は増幅器３に入力され、他方の信号は検波部４に入力される。本発明の実施の形態（実施の形態１から４）では２分岐させているが、さらに分岐させる構成としてもよい。
【００１３】
増幅器３は、カプラ２によって分岐された一方の信号を増幅し、外部や、アンテナ等の後段に接続される回路へ出力する。例えば、ＧａＮ素子、ＧａＡｓ素子などの化合物半導体を用いたＡＢ級などのＨＰＡ（Ｈｉｇｈ  Ｐｏｗｅｒ  Ａｍｐｌｉｆｉｅｒ）である。検波部４は、入力された信号のレベルを検出し出力するものである。
【００１４】
判断部５は、検波部４の出力信号に応じて増幅器のＯＮを指示する信号またはＯＦＦを指示する信号（以降、二つの指示信号をまとめて「ＯＮ／ＯＦＦを指示する信号」と呼ぶ場合がある）を出力するものである。判断部５は、閾値設定部７により構成され、閾値設定部７は、ＲＦ信号の入力の有無を判断するための閾値を任意に設定することができる。閾値は、好ましくはＲＦモジュールの種類毎に設定されるものであり、カプラ２からＲＦモジュールへ入力されるＲＦ信号のうち、増幅する対象であるといえる強度のものかどうかを判断するために設定される。このような閾値を実施の形態１から４においてはＶＴＨとする。閾値設定部７に入力された信号が設定された閾値以上である場合は増幅器のＯＮを指示する信号を出力する。閾値設定部７に入力された信号が設定された閾値未満である場合は増幅器のＯＦＦを指示する信号を出力する。
【００１５】
利得制御部６は、判断部５からのＯＮ／ＯＦＦを指示する信号に従い、増幅器３の利得を制御する。利得制御部６としては、例えば、増幅器３にバイアスを供給するバイアス回路が用いられる。この場合、バイアス回路は、増幅器３のゲートバイアスを制御するゲートバイアス回路、ドレインバイアスを制御するドレインバイアス回路のいずれの構成でもよい。回路規模が大きくなるが、フェールセーフなどの目的で、ゲートバイアス回路およびドレインバイアス回路の双方を制御することも可能である。
【００１６】
次に、動作について説明する。図２は、本発明の実施の形態１に係るＲＦモジュールの各部における信号の波形を示す横軸が時間の図である。ＲＦモジュール１００に、入力されるＲＦ信号である（ＲＦ入力信号（１））が入力される。入力されたＲＦ信号はカプラ２によって２つに分岐される。分岐された信号（ＲＦ信号）のうち、一方の信号は増幅器３に入力され、他方の信号は検波部４に入力される。検波部４は入力された信号（ＲＦ信号）を検波して検波部出力信号（２）を出力する。
【００１７】
検波部４から出力された検波部出力信号（２）は判断部５に入力される。判断部５は、閾値設定部７を有しており、閾値設定部７に検波部出力信号（２）が入力される。閾値設定部７は、入力された検波部出力信号（２）が設定された閾値ＶＴＨ以上である場合は増幅器３のＯＮを指示する信号を閾値設定部出力信号（３）として出力し、入力された検波部出力信号（２）が設定された閾値ＶＴＨ未満である場合は増幅器３のＯＦＦを指示する信号を閾値設定部出力信号（３）として判断部５から出力する。
【００１８】
利得制御部６は、判断部５からのＯＮ／ＯＦＦを指示する信号に従って、増幅器３のＯＮ／ＯＦＦを制御する。増幅器３は、利得制御部６によりＯＮの状態とされている時に入力されたＲＦ信号の内、カプラ２によって分岐された一方の信号を増幅して、外部や、アンテナ等の後段に接続される回路へＲＦ出力信号（４）として出力する。
【００１９】
このように、実施の形態１に係るＲＦモジュールにおいては、ＲＦモジュールの外部からの制御信号を用いずに、ＲＦ信号の入力の有無に応じて、増幅器のＯＮ／ＯＦＦ制御を行うことで、ＯＦＦ時の雑音を抑制することができる。
【００２０】
図８は、増幅器がＯＮ／ＯＦＦ制御される場合とされない場合の動作の違いを示す図である。図８は、Ｓｉ−ＢＪＴを用いたＣ級増幅器（図８（ａ））と、ＧａＮ素子、ＧａＡｓなどの化合物半導体を用いたＡＢ級などの増幅器（図８（ｂ））との動作の違いを例示している。図８（ａ）図８（ｂ）において、左の波形が入力信号（ＲＦ入力信号）で右の波形が出力信号（ＲＦ出力信号）である。横軸は時間である。図８（ａ）に示すように、Ｓｉ−ＢＪＴを用いたＣ級増幅器などの増幅器では、増幅器が自動的にＯＮ／ＯＦＦされ、図の斜線部のように増幅器出力の雑音は送信ＯＮ時のみ出力される。そのため、ＧａＮ素子、ＧａＡｓ素子などの化合物半導体を用いたＡＢ級などの増幅器を用いた送受信装置における受信区間のような、送信ＯＦＦ時に、増幅器出力に雑音が出力されることは無い。しかし、図８（ｂ）に示すように、ＧａＡｓ素子あるいはＧａＮ素子などの化合物半導体を用いたＡＢ級などの増幅器は、増幅器のＯＮ／ＯＦＦ制御を行わない場合、図の斜線部のように送信ＯＮ時のみでなく、送信ＯＦＦ時においても増幅器のバイアスはＯＮであるため、増幅器出力の雑音が引き続き出力される。その結果、増幅器出力の雑音が近傍の回路に悪影響を与える。例えば、このような増幅器を有する送受信装置では、受信区間などに、送信雑音が受信部に入力されることになり、受信感度の劣化、という不都合を生じることとなる。本発明の実施の形態（実施の形態１から４）においては、このような場合に、ＲＦ信号の入力の有無に応じて、増幅器のＯＮ／ＯＦＦ制御を行うことができるため、図８の（ａ）に示す増幅器と同様に増幅器のＯＦＦ時の雑音増加等を防ぐことが可能である。また、近傍に送受信装置がある場合、送受信装置の受信感度の劣化を生じさせないようにすることが可能である。
【００２１】
実施の形態２．
図３は、本発明の実施の形態２に係るＲＦモジュールの各部の構成例を示すブロック図である。実施の形態２に係るＲＦモジュール２００は、カプラ２と増幅器３との間にＲＦ信号遅延部（第１の遅延設定部）１０をさらに設ける構成である。他の構成は、実施の形態１に係るＲＦモジュールと同様である。
【００２２】
ＲＦ信号遅延部１０は、カプラ２と増幅器３との間に設けられ、カプラ２により分岐された信号のうち、一方の信号が入力される。ＲＦ信号遅延部１０は、この入力された信号を所定の時間だけ遅延させて増幅器３に出力する。所定の時間は任意に設定することが可能である。実施の形態２では、例えば、カプラ２により分岐された信号のうち検波部４に入力された信号が利得制御部６から出力するまでに回路上で遅延時間（Ｔ１）が生じる場合がある。このような場合、ＲＦ信号遅延部１０は、増幅器３の出力信号と利得制御部６の出力信号とを同期させるために、ＲＦ信号遅延部１０に入力された信号を（Ｔ１）だけ遅延させる。
【００２３】
次に、動作について説明する。図４は、本発明の実施の形態２に係るＲＦモジュールの各部における信号の波形を示す横軸が時間の図である。ＲＦモジュール２００に、入力されるＲＦ信号である（ＲＦ入力信号（１））が入力される。入力されたＲＦ信号はカプラ２によって２つに分岐される。分岐された信号のうち、一方の信号は、ＲＦ信号遅延部１０に入力され、他方の信号は検波部４に入力される。検波部４は入力された信号を検波して検波部出力信号（２）を出力する。
【００２４】
検波部４から出力された検波部出力信号（２）は判断部５に入力される。判断部５は、閾値設定部７を有しており、閾値設定部７に検波部出力信号（２）が入力される。閾値設定部７は、入力された検波部出力信号（２）が設定された閾値ＶＴＨ以上である場合は増幅器３のＯＮを指示する閾値設定部出力信号（３）として出力し、入力された検波部出力信号（２）が設定された閾値ＶＴＨ未満である場合は増幅器３のＯＦＦを指示する閾値設定部出力信号（３）として判断部５から出力する。
【００２５】
ＲＦ信号遅延部１０は、カプラ２から入力された信号を、（Ｔ１）遅延させてＲＦ信号遅延部出力信号（５）として増幅器３に入力する。
【００２６】
利得制御部６は、判断部５からのＯＮ／ＯＦＦを指示する信号に従って、利得制御部出力信号（４）を出力し、増幅器３のＯＮ／ＯＦＦを制御する。増幅器３は、利得制御部６によりＯＮの状態とされている時に入力されたＲＦ信号の内、カプラ２によって分岐された一方の信号を増幅して、外部や、アンテナ等の後段に接続される回路へＲＦ出力信号（６）として出力する。
【００２７】
このように、実施の形態２に係るＲＦモジュールにおいては、ＲＦモジュールの外部からの制御信号を用いずに、ＲＦ信号の入力の有無に応じて、増幅器のＯＮ／ＯＦＦ制御を行うことができる。
【００２８】
図８は、増幅器がＯＮ／ＯＦＦ制御される場合とされない場合の動作の違いを示す図である。図８（ｂ）示すように、増幅器などで増幅器のＯＮ／ＯＦＦ制御を行わない場合、図の斜線部のように送信ＯＮ時のみでなく、送信ＯＦＦ時においても増幅器のバイアスはＯＮであるため、増幅器出力の雑音が引き続き出力される。その結果、増幅器出力の雑音が近傍の回路に悪影響を与える。例えば、このような増幅器を有する送受信装置では、受信区間などに、送信雑音が受信部に入力されることになり、受信感度の劣化、という不都合を生じることとなる。このような場合に、ＲＦ信号の入力の有無に応じて、増幅器のＯＮ／ＯＦＦ制御を行うことができるため、図８の（ａ）に示す増幅器と同様に増幅器のＯＦＦ時の雑音増加等を防ぐことが可能である。また、近傍に送受信装置がある場合、送受信装置の受信感度の劣化を生じさせないようにすることが可能である。
【００２９】
また、実施の形態２に係るＲＦモジュールは、カプラ２と増幅器３との間にＲＦ信号遅延部１０を設けることで、ＲＦ信号に対して、相対的に、どのタイミングで増幅器をＯＮ／ＯＦＦするかを任意に設定できるようにしたものであるといえる。
【００３０】
実施の形態３．
図５は、本発明の実施の形態３に係るＲＦモジュールの各部の構成例を示すブロック図である。実施の形態３に係るＲＦモジュール３００の判断部５は、閾値設定部７と遅延設定部（第２の遅延設定部）８と波形整形部９とにより構成される。また、カプラ２と増幅器３との間にＲＦ信号遅延部１０をさらに設ける。他の構成は、実施の形態１に係るＲＦモジュールおよび実施の形態２に係るＲＦモジュールと同様である。
【００３１】
判断部５は、閾値設定部７と遅延設定部８と波形整形部９とにより構成される。閾値設定部７は、ＲＦ信号の入力の有無を判断するための閾値を任意に設定することができる。閾値設定部７に入力された信号が設定された閾値以上である場合は増幅器のＯＮを指示する信号を出力する。閾値設定部７に入力された信号が設定された閾値未満である場合は増幅器のＯＦＦを指示する信号を出力する。
【００３２】
遅延設定部８は、閾値設定部７からの信号を、所定の時間だけ遅延させて出力するものである。所定の時間は任意に設定することが可能である。なお、実施の形態３では、この遅延時間は必要に応じて設ければよいので、遅延時間をゼロとし入力されるＲＦ信号に極力速く追随するように使用する場合などは、遅延時間を設けない構成としてもよい。
【００３３】
波形整形部９は、閾値設定部７からの信号の電圧波形を所定の電圧波形に制御して出力するものである。実施の形態３では、利得制御部６に出力するＯＮを指示する信号の立ち上がり／立ち下り波形を、特定の波形に制御（変調）することでＲＦモジュールから出力される送信波の近傍スプリアス抑制をする。波形整形部９としては、例えば、ＲＣの時定数回路を用いた構成や、ＲＯＭによるルックアップテーブルを用いた構成などが用いられる。なお、波形整形部９での立ち上がり／立ち下りの波形の制御は必要に応じて行えばよい。すなわち、立ち上がりの波形のみを制御する構成、立ち下りの波形のみを制御する構成、立ち上がりの波形および立ち下りの波形の双方を制御する構成の何れでもよい。必要のない場合は、波形整形部９を設けない構成としてもよい。
【００３４】
ここで、波形整形部９は立ち下りの波形を制御するために、予め入力されるＯＮ／ＯＦＦを指示する信号がＯＮからＯＦＦになるタイミング（立ち下り）を知る必要がある。そこで、遅延設定部８にて予め、閾値設定部７から入力されたＯＮ／ＯＦＦを指示する信号を立ち下りから（Ｔ２）だけ遅延させてから波形整形部９に入力する。この遅延時間（Ｔ２）は、立ち下りを検出した後、極力早い時間に設定することが望ましい。ただし、遅延時間（Ｔ２）は、立ち下りの波形制御に関わりなく、ＲＦ出力信号をＲＦ入力信号に対して遅延させたい場合などは、その時間によって決定する。
【００３５】
ＲＦ信号遅延部１０は、カプラ２と増幅器３との間に設けられ、カプラ２により分岐された信号のうち、一方の信号が入力される。ＲＦ信号遅延部１０は、この入力された信号を所定の時間だけ遅延させて増幅器３に出力する。所定の時間は任意に設定することが可能である。実施の形態３では、波形整形部９（判断部５）からの出力信号は、遅延設定部８にて遅延させた遅延時間（Ｔ２）だけ遅延されて出力される。そこで、波形整形部９の出力信号の立ち下りに、ＲＦ信号遅延部１０の出力信号の立ち下りを同期させるために、ＲＦ信号遅延部１０は入力された信号を遅延設定部８で遅延させた時間（Ｔ２）に波形整形に必要な時間を加算した時間（Ｔ３）だけ遅延させる。なお，立ち下がりの波形の制御を行わない場合等、遅延時間（Ｔ３）は、必要がなければ設けない構成としてもよい。
【００３６】
ここで、ＲＦ信号遅延部１０の出力信号を（Ｔ３）遅延させたことにより、ＲＦ信号遅延部１０の出力信号の立ち上りは波形整形部９が出力する信号の立ち上りよりも、遅延させた時間（Ｔ３）だけ遅延することになる。そこで、波形整形部９の出力信号の立ち上りに、ＲＦ信号遅延部１０の出力信号の立ち上りを同期させるために、遅延設定部８にて予め、閾値設定部７から入力された信号を立ち上りから（Ｔ４）だけ遅延させる。ここで遅延させる時間（Ｔ４）は、ＲＦ信号遅延部１０で遅延させた時間（Ｔ３）と一致させることが理想的であるが、遅延させる時間（Ｔ４）をＲＦ信号遅延部１０で遅延させた時間（Ｔ３）よりも大きく設定すると入力されるＲＦ信号に対して、出力されるＲＦ信号のパルス幅を小さくする効果が得られる。なお、遅延時間（Ｔ４）は必要に応じて設ければよいので、必要がなければ設けない構成としてもよい。
【００３７】
次に、動作について説明する。図６は、本発明の実施の形態２に係るＲＦモジュールの各部における信号の波形を示す横軸が時間の図である。ＲＦモジュール３００に、入力されるＲＦ信号である（ＲＦ入力信号（１））が入力される。入力されたＲＦ信号はカプラ２によって２つに分岐される。分岐された信号のうち、一方の信号はＲＦ信号遅延部１０に入力され、他方の信号は検波部４に入力される。検波部４は入力された信号を検波して検波部出力信号（２）を出力する。
【００３８】
検波部４から出力された検波部出力信号（２）は判断部５に入力される。判断部５は、閾値設定部７、遅延設定部８、波形整形部９を有しており、閾値設定部７に検波部出力信号（２）が入力される。閾値設定部７は、入力された検波部出力信号（２）が設定された閾値ＶＴＨ以上である場合は増幅器３のＯＮを指示する信号を閾値設定部出力信号（３）として出力し、入力された検波部出力信号（２）が設定された閾値ＶＴＨ未満である場合は増幅器３のＯＦＦを指示する信号を閾値設定部出力信号（３）として出力する。次に、遅延設定部８に閾値設定部出力信号（３）が入力される。遅延設定部８は、閾値設定部出力信号（３）を立ち上りから（Ｔ４）、立ち下りから（Ｔ２）だけ遅延させて遅延設定部出力信号（４）として出力する。出力された遅延設定部出力信号（４）は、波形整形部９に入力される。波形整形部９は、遅延設定部出力信号（４）の立ち上がりおよび立ち下り波形を制御して、波形整形部出力信号（５）として判断部５から出力する。
【００３９】
ＲＦ信号遅延部１０は、カプラ２から入力された信号を（Ｔ３）遅延させてＲＦ信号遅延部出力信号（６）として増幅器３に入力する。
【００４０】
利得制御部６は、判断部５からのＯＮ／ＯＦＦを指示する信号に従って、増幅器３のＯＮ／ＯＦＦを制御する。増幅器３は、利得制御部６によりＯＮの状態とされている時に入力されたＲＦ信号の内、カプラ２によって分岐された一方の信号を増幅して、外部や、アンテナ等の後段に接続される回路へＲＦ出力信号（７）を出力する。
【００４１】
このように、実施の形態３に係るＲＦモジュールにおいては、ＲＦモジュールの外部からの制御信号を用いずに、ＲＦ信号の入力の有無に応じて、増幅器のＯＮ／ＯＦＦ制御を行うことができる。
【００４２】
図８は、増幅器がＯＮ／ＯＦＦ制御される場合とされない場合の動作の違いを示す図である。図８（ｂ）示すように、増幅器などで増幅器のＯＮ／ＯＦＦ制御を行わない場合、図の斜線部のように送信ＯＮ時のみでなく、送信ＯＦＦ時においても増幅器のバイアスはＯＮであるため、増幅器出力の雑音が引き続き出力される。その結果、ＲＦモジュールにおける受信区間などに、送信雑音が受信部に入力されることになり、受信感度の劣化、という不都合を生じることとなる。このような場合に、ＲＦ信号の入力の有無に応じて、増幅器のＯＮ／ＯＦＦ制御を行うことができるため、図８の（ａ）に示す増幅器と同様に増幅器のＯＦＦ時の雑音増加等を防ぐことが可能である。また、近傍に送受信装置がある場合、送受信装置の受信感度の劣化を生じさせないようにすることが可能である。
【００４３】
また、実施の形態３に係るＲＦモジュールは、検波部の出力に遅延設定部８を設けることで、ＲＦ信号に対して、相対的に、どのタイミングで増幅器をＯＮ／ＯＦＦするかを任意に設定できるようにしたものであるといえる。さらに、実施の形態３に係るＲＦモジュールは、ＯＮ／ＯＦＦを指示する信号の立ち上がり／立ち下り波形を制御することでＲＦモジュールから出力される送信波の近傍スプリアスを抑制することをできるようにしたものであるといえる。
【００４４】
実施の形態４．
図７は、本発明の実施の形態４に係る送受信装置の各部の構成例を示すブロック図である。実施の形態４に係る送受信装置４００は、実施の形態１に、ＬＮＡ（Ｌｏｗ  Ｎｏｉｓｅ  Ａｍｐｌｉｆｉｅｒ）１１、送受分波器１２、アンテナ１３をさらに備える構成である。
【００４５】
具体的には、入力されたＲＦ信号を分岐するカプラ２と、カプラ２に分岐された一方の信号を増幅する増幅器３と、カプラ２に分岐された他方の信号を検波する検波部４と、検波部４の出力信号に応じて増幅器３のＯＮ／ＯＦＦを指示する信号を出力する判断部５と、判断部５の指示より増幅器３のＯＮ／ＯＦＦを制御する利得制御部６と、アンテナ１３と、アンテナ１３からの受信信号を増幅するＬＮＡ１１と、増幅器３からの出力信号をアンテナ１３に出力し、アンテナ１３からの受信信号をＬＮＡ１１に出力する送受分波器１２とを備えるものである。ここで判断部５は、検波部４の出力信号が、ＲＦ信号の入力の有無を判断する閾値以上である場合は増幅器３のＯＮを指示する信号を出力し、閾値未満である場合は増幅器３のＯＦＦを指示する信号を出力する閾値設定部７から構成される。
【００４６】
ＬＮＡ１１は、送受分波器１２を介して増幅器３の近傍に備えられる。ＬＮＡ１１は、送受分波器１２を介して入力されたアンテナ１３からの受信信号を増幅する。送受分波器１２は、増幅器３からの出力信号である送信信号とアンテナ１３からの受信信号を分波するものである。送受分波器１２は、増幅器３からの出力信号をアンテナ１３に出力させ、アンテナ１３からの受信信号をＬＮＡ１１に出力させる。例えば、サーキュレータやフィルターである。なお、図７では、送受分波器１２がサーキュレータの場合を例示している。
【００４７】
なお、実施の形態４に係る送受信装置は、実施の形態１に係るＲＦモジュールに、ＬＮＡ１１、送受分波器１２、アンテナ１３をさらに備える構成を用いて説明した。しかし、実施の形態４に係る送受信装置は、実施の形態２または実施の形態３に係るＲＦモジュールに、同様の構成でＬＮＡ１１、送受分波器１２、アンテナ１３をさらに備えるようにしてもよい。すなわち、送受信装置４００は、ＲＦモジュール１００、ＲＦモジュール２００、ＲＦモジュール３００のいずれかの構成に加えて、ＬＮＡ１１、送受分波器１２、アンテナ１３をさらに備えたものであるといえる。
【００４８】
実施の形態４に係る送受信装置のように、増幅器の近傍にＬＮＡが配置されている構成では、増幅器のＯＦＦ時の雑音増加等を防ぐことでＬＮＡへのノイズの入力を防止できるため、受信感度の劣化防止により効果的である。
【００４９】
実施の形態１から４にて説明したＲＦモジュールまたはＲＦモジュールを有する送受信装置（送信装置）は、高周波信号（ＲＦ信号）を増幅するものである。また、ＲＦモジュールを有する送受信装置（送信装置）は、通信、レーダ、ＥＷ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ  Ｗａｒｆａｒｅ）に好適なものである。よって、実施の形態４に係る送受信装置の送受分波器１２は、増幅器３からの出力信号を送信信号（妨害信号）としてアンテナ１３に送信させ、受信信号（反射信号）をアンテナ１３からＬＮＡ１１へ出力させるものであるといえる。
【符号の説明】
【００５０】
１００、２００、３００  ＲＦモジュール
４００  送受信装置
２  カプラ
３  増幅器
４  検波部
５  判断部
６  利得制御部
７  閾値設定部
８  遅延設定部（第２の遅延設定部）
９  波形整形部
１０  ＲＦ信号遅延部（第１の遅延設定部）
１１  ＬＮＡ
１２  送受分波器
１３  アンテナ
【図１】
2019068293.tif 000003
【図２】
2019068293.tif 000004
【図３】
2019068293.tif 000005
【図４】
2019068293.tif 000006
【図５】
2019068293.tif 000007
【図６】
2019068293.tif 000008
【図７】
2019068293.tif 000009
【図８】
2019068293.tif 000010