(57)【要約】【課題】短絡を抑えつつ、駆動電圧の大幅な上昇を抑えることの可能な有機電界発光素子を提供する。【解決手段】本開示の一実施の形態の有機電界発光素子は、第１電極、有機発光層を含む有機層、界面調整層、抵抗層および第２電極をこの順に備えている。抵抗層は、第２電極よりも比抵抗の大きな層であり、界面調整層は、第２電極よりも比抵抗が大きく、抵抗層よりも比抵抗が小さな層である。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１電極、有機発光層を含む有機層、界面調整層、抵抗層および第２電極をこの順に備え、
前記抵抗層は、前記第２電極よりも比抵抗の大きな層であり、
前記界面調整層は、前記第２電極よりも比抵抗が大きく、前記抵抗層よりも比抵抗が小さな層である
有機電界発光素子。
【請求項２】
前記抵抗層は、比抵抗が１×１０4Ω・ｃｍ以上、５×１０6Ω・ｃｍ以下の材料で構成され、
前記界面調整層は、比抵抗が１×１０4Ω・ｃｍ未満の材料で構成されている
請求項１に記載の有機電界発光素子。
【請求項３】
前記抵抗層は、比抵抗が１×１０4Ω・ｃｍ以上、５×１０6Ω・ｃｍ以下の材料で構成され、
前記界面調整層は、比抵抗が１×１０3Ω・ｃｍ以上、１×１０4Ω・ｃｍ未満の材料で構成されている
請求項１に記載の有機電界発光素子。
【請求項４】
前記第２電極は、比抵抗が１×１０-4Ω・ｃｍ以上、１×１０3Ω・ｃｍ以下の材料で構成されている
請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の有機電界発光素子。
【請求項５】
前記界面調整層は、３ｎｍ以上１００ｎｍ以下となっている
請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の有機電界発光素子。
【請求項６】
前記界面調整層および前記抵抗層は、酸化ニオブ、酸化チタン、酸化モリブデン、酸化タンタル、酸化ニオブと酸化チタンとの混合材料、酸化チタンと酸化亜鉛との混合材料、酸化ケイ素と酸化スズとの混合材料、または、これらの材料のうち２つ以上を組み合わせた材料によって構成されている
請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の有機電界発光素子。
【請求項７】
前記界面調整層および前記抵抗層は、酸化ニオブ、酸化チタンまたはこれらの混合材料によって構成されている
請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の有機電界発光素子。
【請求項８】
前記界面調整層および前記抵抗層は、互いに共通の同一材料で構成されている
請求項１から請求項７のいずれか一項に記載の有機電界発光素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、有機電界発光素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、有機電界発光素子を用いた表示装置が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１３−２０７０１０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、有機電界発光素子では、一般的に、パーティクル（異物）や突起物の存在に起因する電極の短絡を抑制することが求められている。しかし、短絡抑制のために、特許文献１に記載したような抵抗層を設けた場合には、駆動電圧が大幅に上昇してしまうという問題がある。従って、短絡を抑えつつ、駆動電圧の大幅な上昇を抑えることの可能な有機電界発光素子を提供することが望ましい。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本開示の一実施の形態の有機電界発光素子は、第１電極、有機発光層を含む有機層、界面調整層、抵抗層および第２電極をこの順に備えている。抵抗層は、第２電極よりも比抵抗の大きな層であり、界面調整層は、第２電極よりも比抵抗が大きく、抵抗層よりも比抵抗が小さな層である。
【０００６】
本開示の一実施の形態の有機電界発光素子では、有機層と第２電極との間に、界面調整層および抵抗層が有機層側からこの順に設けられており、抵抗層は、第２電極よりも比抵抗の大きな層となっており、界面調整層は、第２電極よりも比抵抗が大きく、抵抗層よりも比抵抗が小さな層となっている。これにより、パーティクル（異物）や突起物の存在に起因する第１電極と第２電極との短絡が抑制される。さらに、有機層と抵抗層との電子準位差によって生じる界面障壁に起因する駆動電圧の上昇が、界面調整層によって緩和される。
【発明の効果】
【０００７】
本開示の一実施の形態の有機電界発光素子によれば、有機層と第２電極との間に、界面調整層および抵抗層を有機層側からこの順に設けたので、短絡を防止しつつ、駆動電圧の大幅な上昇を抑えることができる。なお、本開示の効果は、ここに記載された効果に必ずしも限定されず、本明細書中に記載されたいずれの効果であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本開示の一実施の形態に係る有機電界発光素子の断面構成例を表す図である。
【図２】スパッタプロセスでの酸素比と、スパッタプロセスで形成された酸化ニオブの比抵抗との関係の一例を表す図である。
【図３】エネルギーと光電子吸収率との関係の一例を表す図である。
【図４】スパッタプロセスでの酸素比と、駆動電圧の上昇量との関係の一例を表す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本開示を実施するための形態について、図面を参照して詳細に説明する。以下に説明する実施の形態は、いずれも本開示の好ましい一具体例を示すものである。したがって、以下の実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置位置及び接続形態などは、一例であって本開示を限定する主旨ではない。よって、以下の実施の形態における構成要素のうち、本開示の最上位概念を示す独立請求項に記載されていない構成要素については、任意の構成要素として説明される。なお、各図は、模式図であり、必ずしも厳密に図示されたものではない。また、各図において、実質的に同一の構成に対しては同一の符号を付しており、重複する説明は省略又は簡略化する。
【００１０】
[構成]
図１は、本開示の一実施の形態に係る有機電界発光素子１の断面構成の一例を表したものである。有機電界発光素子１は、例えば、基板１０上に設けられたものである。有機電界発光素子１は、例えば、基板１０上に、陽極１１と、発光層１４を含む有機層と、界面調整層１７Ａと、抵抗層１７Ｂと、陰極１８とをこの順に備えたものである。有機電界発光素子１は、例えば、基板１０上に、陽極１１、正孔注入層１２、正孔輸送層１３、発光層１４、電子輸送層１５、電子注入層１６、界面調整層１７Ａ、抵抗層１７Ｂ、陰極１８および封止層１９をこの順に備えたものである。陽極１１が、本開示の「第１電極」の一具体例に相当する。発光層１４が、本開示の「有機発光層」の一具体例に相当する。発光層１４、電子輸送層１５および電子注入層１６からなる層が、本開示の「有機層」の一具体例に相当する。陰極１８が、本開示の「第２電極」の一具体例に相当する。
【００１１】
基板１０は、例えば、透明基板等の光透過性を有する透光基板であり、例えば、ガラス材からなるガラス基板である。なお、基板１０は、ガラス基板に限るものではなく、ポリカーボネート樹脂やアクリル樹脂等の透光性樹脂材料からなる透光性樹脂基板や、有機ＥＬ表示装置のバックプレーンであるＴＦＴ（薄膜トランジスタ）基板であってもよい。
【００１２】
陽極１１は、例えば、基板１０の上に形成されている。陽極１１は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム合金、白金（Ｐｔ），金（Ａｕ）、クロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）などの光反射材料で構成された反射電極である。なお、陽極１１は、反射電極に限るものではなく、例えば、透光性を有する透明電極であってもよい。透明電極の材料としては、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）又はＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）等の透明導電性材料が挙げられる。陽極１１は、反射電極と透明電極とが積層されたものであってもよい。
【００１３】
正孔注入層１２は、正孔注入効率を高めるための層である。正孔注入層１２は、陽極１１から注入された正孔を発光層１４へ注入する機能を有する。正孔注入層１２は、例えば、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、バナジウム（Ｖ）、タングステン（Ｗ）、ニッケル（Ｎｉ）、イリジウム（Ｉｒ）などの酸化物、あるいは、ＰＥＤＯＴ（ポリチオフェンとポリスチレンスルホン酸との混合物）などの導電性ポリマー材料によって構成されている。正孔注入層１２は、単層で構成されていてもよいし、複数の層が積層された構造となっていてもよい。
【００１４】
正孔輸送層１３は、陽極１１から注入された正孔を発光層１４へ輸送する機能を有する。正孔輸送層１３は、例えば、陽極１１から注入された正孔を発光層１４へ輸送する機能を有する材料（正孔輸送性材料）によって構成されている。上記の正孔輸送性材料としては、例えば、アリールアミン誘導体、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、ブタジエン化合物、ポリスチレン誘導体、ヒドラゾン誘導体、トリフェニルメタン誘導体、テトラフェニルベンジン誘導体等、または、これらの組み合わせからなる材料が挙げられる。正孔注入層１２と正孔輸送層１３の各材料のＨＯＭＯ(最高被占軌道，Highest occupied molecular orbital)レベルの差異は、ホール注入性を考慮すると、０．５ｅＶ以下となっていることが好ましい。
【００１５】
発光層１４は、陽極１１から注入された正孔と、陰極１８から注入された電子とが、発光層１４内で再結合することで励起子が生成されて発光する層である。発光層１４は、例えば、有機発光材料によって構成されている。
【００１６】
発光層１４の原料（材料）である有機発光材料は、例えば、ホスト材料とドーパント材料とが組み合わされた材料である。発光層１４の原料（材料）である有機発光材料は、ドーパント材料単独であってもよい。ホスト材料は、主に電子又は正孔の電荷輸送の機能を担っており、ドーパント材料は、発光の機能を担っている。ホスト材料およびドーパント材料は１種類のみに限られるものではなく、２種類以上の組み合わせであってもよい。
【００１７】
発光層１４のホスト材料としては、例えば、アミン化合物、縮合多環芳香族化合物、ヘテロ環化合物が用いられる。アミン化合物としては、例えば、モノアミン誘導体、ジアミン誘導体、トリアミン誘導体、テトラアミン誘導体が用いられる。縮合多環芳香族化合物としては、例えば、アントラセン誘導体、ナフタレン誘導体、ナフタセン誘導体、フェナントレン誘導体、クリセン誘導体、フルオランテン誘導体、トリフェニレン誘導体、ペンタセン誘導体、または、ペリレン誘導体等が挙げられる。ヘテロ環化合物としては、例えば、カルバゾール誘導体、フラン誘導体、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、トリアジン誘導体、イミダゾール誘導体、ピラゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、ピロール誘導体、インドール誘導体、アザインドール誘導体、アザカルバゾール、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、または、フタロシアニン誘導体等が挙げられる。
【００１８】
また、発光層１４のドーパント材料としては、例えば、ピレン誘導体、フルオランテン誘導体、アリールアセチレン誘導体、フルオレン誘導体、ペリレン誘導体、オキサジアゾール誘導体、アントラセン誘導体、または、クリセン誘導体が用いられる。また、発光層１４の蛍光ドーパント材料としては、金属錯体が用いられてもよい。金属錯体としては、例えば、イリジウム（Ｉｒ）、白金（Ｐｔ）、オスミウム（Ｏｓ）、金（Ａｕ）、レニウム（Ｒｅ）、もしくは、ルテニウム（Ｒｕ）等の金属原子と配位子とを有するものが挙げられる。
【００１９】
電子輸送層１５は、陰極１８から注入された電子を発光層１４へ輸送する機能を有する。電子輸送層１５は、例えば、陰極１８から注入された電子を発光層１４へ輸送する機能を有する材料（電子輸送性材料）を含んで構成されている。電子輸送層１５は、発光層１４から陰極１８への電荷（正孔）の突き抜けを抑制する電荷ブロック機能や、発光層１４の励起状態の消光を抑制する機能等を有していることが好ましい。
【００２０】
上記の電子輸送性材料は、例えば、分子内にヘテロ原子を１個以上含有する芳香族ヘテロ環化合物である。芳香族ヘテロ環化合物としては、例えば、ピリジン環、ピリミジン環、トリアジン環、ベンズイミダゾール環、フェナントロリン環、キナゾリン環等を骨格に含む化合物が挙げられる。上記の電子輸送性材料には、電子輸送性を有する金属がドープされている場合がある。この場合、電子輸送層１５は、ドープ金属を含む有機電子輸送層である。電子輸送性を有する金属が電子輸送層１５に含まれていることで、電子輸送層１５の電子輸送性を向上できる。
【００２１】
電子注入層１６は、陰極１８から注入された電子を電子輸送層１５、発光層１４へ注入する機能を有する。電子注入層１６は、例えば、陰極１８から電子輸送層１５、発光層１４への電子の注入を促進させる機能を有する材料（電子注入性材料）によって構成されている。上記の電子注入性材料は、例えば、電子注入性を有する有機材料に、電子注入性を有する金属がドープされたものであってもよい。電子注入層１６に含まれるドープ金属は、例えば、電子輸送層１５に含まれるドープ金属と同じ金属である。
【００２２】
陰極１８は、例えば、ＩＴＯ膜等の透明電極である。なお、陰極１８は、透明電極に限るものではなく、光反射性を有する反射電極であってもよい。反射電極の材料としては、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、銀（Ａｇ）、アルミニウム−リチウム合金、マグネシウム−銀合金等が用いられる。本実施の形態において、基板１０及び陽極１１が反射性を有し、陰極１８が透光性を有している場合には、有機電界発光素子１は、陰極１８側から光が放出するトップエミッション構造となっている。なお、本実施の形態において、基板１０及び陽極１１が透光性を有し、陰極１８が反射性を有している場合には、有機電界発光素子１は、基板１０側から光が放出するボトムエミッション構造となっている。
【００２３】
封止層１９は、陰極１８の上に形成されている。封止層１９は、例えば、陰極１８の上面に接して形成されている。封止層１９は、例えば、樹脂材料からなる。封止層１９に用いられる樹脂材料としては、例えば、エポキシ樹脂や、ビニル系樹脂などが挙げられる。封止層１９は、例えば、ＳｉＮｘ、ＳｉＯｘ、ＳｉＯＮなどで形成されていてもよい。また、封止層１９は、例えば、樹脂材料からなる層と、ＳｉＮｘ、ＳｉＯｘ、ＳｉＯＮなどからなる層との積層構造となっていてもよい。
【００２４】
次に、界面調整層１７Ａおよび抵抗層１７Ｂについて説明する。
【００２５】
抵抗層１７Ｂは、パーティクル（異物）や突起物の存在に起因する陽極１１と陰極１８との短絡を抑制するための層である。界面調整層１７Ａは、抵抗層１７Ｂの陽極１１側の面に接して配置されている。界面調整層１７Ａは、電子注入層１６と抵抗層１７Ｂとの電子準位差によって生じる界面障壁に起因する駆動電圧の上昇を低減するための層である。
【００２６】
界面調整層１７Ａおよび抵抗層１７Ｂは、それぞれ、発光層１４から発せられる光に対して光透過性を有する材料によって構成されている。界面調整層１７Ａおよび抵抗層１７Ｂは、互いに共通の材料によって構成されており、例えば、酸化物半導体によって構成されている。界面調整層１７Ａおよび抵抗層１７Ｂに用いられる酸化物半導体としては、例えば、酸化ニオブ（Ｎｂ2 Ｏ5 ）、酸化チタン（ＴｉＯ2 ）、酸化モリブデン（ＭｏＯ2 、ＭｏＯ3 ）、酸化タンタル（Ｔａ2 Ｏ5 ）、酸化ニオブと酸化チタンとの混合材料、酸化チタンと酸化亜鉛（ＺｎＯ）との混合材料、酸化ケイ素（ＳｉＯ2 ）と酸化スズ（ＳｎＯ2 ）との混合材料、または、これらの材料のうち２つ以上を適宜組み合わせた材料などが挙げられる。
【００２７】
抵抗層１７Ｂは、陰極１８よりも抵抗値の大きな層となっている。界面調整層１７Ａは、陰極１８よりも抵抗値が大きく、抵抗層１７Ｂよりも抵抗値が小さな層となっている。
【００２８】
抵抗層１７Ｂは、陰極１８よりも比抵抗の大きな層となっている。界面調整層１７Ａは、陰極１８よりも比抵抗が大きく、抵抗層１７Ｂよりも比抵抗が小さな層となっている。抵抗層１７Ｂは、比抵抗が１×１０4Ω・ｃｍ以上、５×１０6Ω・ｃｍ以下の材料で構成されている。すなわち、界面調整層１７Ａは、比抵抗が１×１０4Ω・ｃｍ未満の材料で構成されている。なお、界面調整層１７Ａは、駆動電流を十分に抑えるという観点からは、比抵抗が１×１０3Ω・ｃｍ未満の材料で構成されていることが好ましく、界面調整層１７Ａ自身の光吸収を抑えるとい観点からは、比抵抗が１×１０3Ω・ｃｍ以上、１×１０4Ω・ｃｍ未満の材料で構成されていることが好ましい。界面調整層１７Ａの比抵抗は、有機電界発光素子に求められる仕様によって決められる。なお、陰極１８は、比抵抗が１×１０-4Ω・ｃｍ以上、１×１０3Ω・ｃｍ以下の材料で構成されている。
【００２９】
界面調整層１７Ａは、界面調整層１７Ａ自身の光吸収を考慮すると、薄い方が好ましく、例えば、３ｎｍ以上１００ｎｍ以下となっている。抵抗層１７Ｂは、短絡抑制機能を発揮できる厚みとなっており、例えば、３０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下となっている。本実施形態においては、界面調整層１７Ａは、抵抗層１７Ｂよりも薄くなっている。
【００３０】
界面調整層１７Ａおよび抵抗層１７Ｂは、例えば、製造過程において、スパッタプロセスの酸素濃度比を互いに異ならせることにより形成される。例えば、図２の右上のグレーの領域で示した酸素比（１．０％以上、２．０％以下）でスパッタプロセスを行うことにより、比抵抗が１×１０4Ω・ｃｍ以上、５×１０6Ω・ｃｍ以下の抵抗層１７Ｂを形成することができる。また、例えば、図２の右下のグレーの領域で示した酸素比（０．０％以上、１．０％未満）でスパッタプロセスを行うことにより、比抵抗が１×１０4Ω・ｃｍ未満の界面調整層１７Ａを形成することができる。なお、図２は、スパッタプロセスでの酸素比と、スパッタプロセスで形成された酸化ニオブの比抵抗との関係の一例を表したものである。
【００３１】
ここで、例えば、所定の酸素比（例えば０．８％以上、１．０％未満）でスパッタプロセスを行うことにより、比抵抗が１×１０3Ω・ｃｍ以上１×１０4Ω・ｃｍ未満の界面調整層１７Ａを形成することができる。また、例えば、所定の酸素比（例えば０．０％以上、０．８％未満）でスパッタプロセスを行うことにより、比抵抗が１×１０3Ω・ｃｍ未満の界面調整層１７Ａを形成することができる。
【００３２】
[効果]
次に、本実施の形態の有機電界発光素子１の効果について説明する。
【００３３】
有機電界発光素子では、一般的に、パーティクル（異物）や突起物の存在に起因する電極の短絡を抑制することが求められている。しかし、短絡抑制のために、特許文献１に記載したような抵抗層を設けた場合には、電子注入層と抵抗層との電子準位差が２．０ｅＶ以上となる。そのため、電子注入層と抵抗層との間の界面障壁により、駆動電圧が６Ｖ以上となってしまうという問題がある。
【００３４】
なお、電子準位差とは、電子注入層および抵抗層の仕事関数を電位準位と定義したときに、これらの仕事関数の差分を指している。ここで、仕事関数とは、エネルギーをｘとし、光電子収率をｙとしたとき、ｘとｙは、ｙ0.5＝ｘという関数で表され、この関数を、ｘ軸と、ｙ0.5軸とで表したグラフ（図３参照）の接線とｘ軸とが互いに交差する箇所のｘの値を指している。図３には、抵抗層２７Ｂのスパッタプロセスの酸素比を０．４％、０．７％、１．１％、１．４％、１．８％としたときのそれぞれのグラフが示されている。図３には、さらに、それぞれのグラフの接線とＸ軸との交点のエネルギー（５．３ｅＶ、５．４４ｅＶ、５．４６ｅＶ、５．３７ｅＶ、５．４７ｅＶ）も示されている。電子注入層１６の仕事関数が２．６ｅＶのとき、電子注入層１６の電子準位と各抵抗層２７Ｂの電子準位との差である電子準位差は、２ｅＶ以上となっており、具体的には、２．７ｅＶ、２．８４ｅＶ、２．８６ｅＶ、２．７７ｅＶ、２．８７ｅＶとなっている。
【００３５】
本実施の形態でも、電子注入層１６と陰極１８との間に、陰極１８よりも抵抗値の大きな抵抗層１７Ｂが設けられている。そのため、パーティクル（異物）や突起物の存在に起因する陽極１１と陰極１８との短絡が抑制される一方で、特許文献１と同様、電子注入層１６と抵抗層１７Ｂとの電子準位差が２．０ｅＶ以上となる。しかし、本実施の形態では、電子注入層１６と抵抗層１７Ｂとの間に、陰極１８よりも抵抗値が大きく、抵抗層１７Ｂよりも抵抗値が小さな界面調整層１７Ａが設けられている。これにより、電子注入層１６と抵抗層１７Ｂとの電子準位差によって生じる界面障壁に起因する駆動電圧の上昇が、界面調整層１７Ａによって緩和される。
【００３６】
図４は、スパッタプロセスでの酸素比と、駆動電圧の上昇量との関係の一例を表す図である。図４から、界面調整層１７Ａを設けずに、酸素比を１．４％としてスパッタプロセスを行うことにより抵抗層１７Ｂを形成した場合、界面調整層１７Ａおよび抵抗層１７Ｂを設けなかったときと比べて、駆動電圧が約１Ｖ上昇することがわかる。また、図４から、界面調整層１７Ａを設けずに、酸素比を１．８％としてスパッタプロセスを行うことにより抵抗層１７Ｂを形成した場合、界面調整層１７Ａおよび抵抗層１７Ｂを設けなかったときと比べて、駆動電圧が約６．７Ｖも上昇することがわかる。
【００３７】
また、図４から、酸素比を０．４％としてスパッタプロセスを行うことにより界面調整層１７Ａを設けるとともに、酸素比を１．４％としてスパッタプロセスを行うことにより抵抗層１７Ｂを形成した場合、界面調整層１７Ａおよび抵抗層１７Ｂを設けなかったときと比べて、駆動電圧が約０．１３Ｖしか上昇しないことがわかる。また、図４から、酸素比を０．４％としてスパッタプロセスを行うことにより界面調整層１７Ａを設けるとともに、酸素比を１．８％としてスパッタプロセスを行うことにより抵抗層１７Ｂを形成した場合、界面調整層１７Ａおよび抵抗層１７Ｂを設けなかったときと比べて、駆動電圧が約０．３６Ｖしか上昇しないことがわかる。
【００３８】
また、図４から、酸素比を０．７％としてスパッタプロセスを行うことにより界面調整層１７Ａを設けるとともに、酸素比を１．４％としてスパッタプロセスを行うことにより抵抗層１７Ｂを形成した場合、界面調整層１７Ａおよび抵抗層１７Ｂを設けなかったときと比べて、駆動電圧が約０．３４Ｖしか上昇しないことがわかる。また、図４から、酸素比を０．７％としてスパッタプロセスを行うことにより界面調整層１７Ａを設けるとともに、酸素比を１．８％としてスパッタプロセスを行うことにより抵抗層１７Ｂを形成した場合、界面調整層１７Ａおよび抵抗層１７Ｂを設けなかったときと比べて、駆動電圧が約０．７１Ｖしか上昇しないことがわかる。
【００３９】
このように、本実施の形態では、界面調整層１７Ａを設けることにより、抵抗層１７Ｂに起因する駆動電圧の上昇が、界面調整層１７Ａによって緩和される。その結果、短絡を防止しつつ、駆動電圧の大幅な上昇を抑えることができる。
【００４０】
次に、抵抗層１７Ｂを形成する際のスパッタプロセスの酸素比の範囲について説明する。界面調整層１７Ａを設けないで、駆動電圧上昇を１Ｖ以下に抑える場合、抵抗層１７Ｂを形成する際のスパッタプロセスの酸素比の範囲は、図４から、１．１％〜１．５％となっている。一方で、酸素比を０．４％としてスパッタプロセスを行うことにより界面調整層１７Ａを設けた場合に、駆動電圧上昇を１Ｖ以下に抑えるとしたときには、抵抗層１７Ｂを形成する際のスパッタプロセスの酸素比の範囲は、図４から、１．１％〜２．０となっている。また、酸素比を０．７％としてスパッタプロセスを行うことにより界面調整層１７Ａを設けた場合に、駆動電圧上昇を１Ｖ以下に抑えるとしたときには、抵抗層１７Ｂを形成する際のスパッタプロセスの酸素比の範囲は、図４から、１．１％〜１．７５となっている。
【００４１】
このように、本実施の形態では、本実施の形態では、界面調整層１７Ａを設けることにより、駆動電圧上昇を１Ｖ以下に抑えるのに必要な、抵抗層１７Ｂを形成する際のスパッタプロセスの酸素比の範囲を、界面調整層１７Ａを設けない場合と比べて、広げることができる。
【００４２】
また、本実施の形態では、抵抗層１７Ｂは、比抵抗が１×１０4Ω・ｃｍ以上、５×１０6Ω・ｃｍ以下の材料で構成されており、界面調整層１７Ａは、比抵抗が１×１０4Ω・ｃｍ未満の材料で構成されている。これにより、電子注入層１６と抵抗層１７Ｂとの電子準位差によって生じる界面障壁に起因する駆動電圧の上昇を大幅に抑えることができる。その結果、短絡を防止しつつ、駆動電圧の上昇を大幅に抑えることができる。
【００４３】
また、本実施の形態では、抵抗層１７Ｂは、比抵抗が１×１０4Ω・ｃｍ以上、５×１０6Ω・ｃｍ以下の材料で構成されており、界面調整層１７Ａは、比抵抗が１×１０3Ω・ｃｍ以上、１×１０4Ω・ｃｍ未満の材料で構成されている。これにより、電子注入層１６と抵抗層１７Ｂとの電子準位差によって生じる界面障壁に起因する駆動電圧の上昇を抑えつつ、界面調整層１７Ａによる光吸収も抑えることができる。その結果、短絡を防止しつつ、駆動電圧の上昇や光吸収を抑えることができる。
【００４４】
また、本実施の形態では、陰極１８が、比抵抗が１×１０-4Ω・ｃｍ以上、１×１０3Ω・ｃｍ以下の材料で構成されている。これにより、例えば、複数の有機電界発光素子１を行列状に配置し、陰極１８を介して、各有機電界発光素子１に電圧を印加した場合であっても、陰極１８による電圧降下を少なくすることができる。その結果、電圧降下が少ない分だけ、陰極１８への印加電圧のマージンを小さくすることができ、陰極１８への印加電圧の上昇を抑えることができる。
【００４５】
また、本実施の形態では、界面調整層１７Ａは、３ｎｍ以上１００ｎｍ以下となっている。これにより、電子注入層１６と抵抗層１７Ｂとの電子準位差によって生じる界面障壁に起因する駆動電圧の上昇を抑えつつ、界面調整層１７Ａによる光吸収も抑えることができる。その結果、短絡を防止しつつ、駆動電圧の上昇や光吸収を抑えることができる。
【００４６】
また、本実施の形態において、界面調整層１７Ａおよび抵抗層１７Ｂは、ともに、酸化ニオブ、酸化チタンまたはこれらの混合材料によって構成されている場合には、スパッタプロセスでの酸素比に対する比抵抗の制御が容易となる。
【００４７】
以上、実施の形態を挙げて本開示を説明したが、本開示は実施の形態に限定されるものではなく、種々変形が可能である。なお、本明細書中に記載された効果は、あくまで例示である。本開示の効果は、本明細書中に記載された効果に限定されるものではない。本開示が、本明細書中に記載された効果以外の効果を持っていてもよい。
【００４８】
また、例えば、本開示は以下のような構成を取ることができる。
（１）
第１電極、有機発光層を含む有機層、界面調整層、抵抗層および第２電極をこの順に備え、
前記抵抗層は、前記第２電極よりも比抵抗の大きな層であり、
前記界面調整層は、前記第２電極よりも比抵抗が大きく、前記抵抗層よりも比抵抗が小さな層である
有機電界発光素子。
（２）
前記抵抗層は、比抵抗が１×１０4Ω・ｃｍ以上、５×１０6Ω・ｃｍ以下の材料で構成され、
前記界面調整層は、比抵抗が１×１０4Ω・ｃｍ未満の材料で構成されている
（１）に記載の有機電界発光素子。
（３）
前記抵抗層は、比抵抗が１×１０4Ω・ｃｍ以上、５×１０6Ω・ｃｍ以下の材料で構成され、
前記界面調整層は、比抵抗が１×１０3Ω・ｃｍ以上、１×１０4Ω・ｃｍ未満の材料で構成されている
（１）に記載の有機電界発光素子。
（４）
前記第２電極は、比抵抗が１×１０-4Ω・ｃｍ以上、１×１０3Ω・ｃｍ以下の材料で構成されている
（１）から（３）のいずれか１つに記載の有機電界発光素子。
（５）
前記界面調整層は、３ｎｍ以上１００ｎｍ以下となっている
（１）から（４）のいずれか１つに記載の有機電界発光素子。
（６）
前記界面調整層および前記抵抗層は、酸化ニオブ、酸化チタン、酸化モリブデン、酸化タンタル、酸化ニオブと酸化チタンとの混合材料、酸化チタンと酸化亜鉛との混合材料、酸化ケイ素と酸化スズとの混合材料、または、これらの材料のうち２つ以上を組み合わせた材料によって構成されている
（１）から（５）のいずれか１つに記載の有機電界発光素子。
（７）
前記界面調整層および前記抵抗層は、酸化ニオブ、酸化チタンまたはこれらの混合材料によって構成されている
（１）から（５）のいずれか１つに記載の有機電界発光素子。
（８）
前記界面調整層および前記抵抗層は、互いに共通の同一材料で構成されている
（１）から（７）のいずれか１つに記載の有機電界発光素子。
【符号の説明】
【００４９】
１…有機電界発光素子、１０…基板、１１…陽極、１２…正孔注入層、１３…正孔輸送層、１４…発光層、１５…電子輸送層、１６…電子注入層、１７Ａ…界面調整層、１７Ｂ…抵抗層、１８…陰極、１９…封止層。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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