(57)【要約】【課題】ウエハ処理時にウエハを確実に保護できるとともに処理終了後は容易かつ糊残りなく剥離することができる半導体ウエハ保護テープ、及び、該半導体ウエハ保護テープを用いたウエハの処理方法を提供する。【解決手段】半導体ウエハに貼付することで半導体ウエハ処理時に半導体ウエハを確実に保護できるとともに処理終了後は容易かつ糊残りなく剥離することができる半導体ウエハ保護テープであって、前記半導体ウエハ保護テープは、官能基を有するポリマーと、光又は熱により活性化して前記官能基と反応する潜在性架橋剤とを含有する粘着剤層を有する半導体ウエハ保護テープ。【選択図】    なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウエハに貼付することで半導体ウエハ処理時に半導体ウエハを確実に保護できるとともに処理終了後は容易かつ糊残りなく剥離することができる半導体ウエハ保護テープであって、
前記半導体ウエハ保護テープは、官能基を有するポリマーと、光又は熱により活性化して前記官能基と反応する潜在性架橋剤とを含有する粘着剤層を有する
ことを特徴とする半導体ウエハ保護テープ。
【請求項２】
ポリマーの官能基が水酸基であり、かつ、潜在性架橋剤がイソシアネート系潜在性架橋剤であることを特徴とする請求項１記載の半導体ウエハ保護テープ。
【請求項３】
官能基を有するポリマーはアクリル系ポリマーであることを特徴とする請求項１又は２記載の半導体ウエハ保護テープ。
【請求項４】
潜在性架橋剤が、下記一般式（１）で表されるアミンイミドであることを特徴とする請求項１、２又は３記載の半導体ウエハ保護テープ。
【化１】
2019009387.tif 000007
式（１）中、Ｒ１はアルキレン基又はアリーレン基、Ｒ２〜Ｒ４は水素、水酸基、アミノ基、メルカプト基、ハロゲノ基、アルキル基、アルキレン基又はアリル基である。また、式（１）中のｎは１以上の整数である。
【請求項５】
半導体ウエハに半導体ウエハ保護テープを貼り付けるテープ貼付工程と、
前記半導体ウエハ保護テープが貼付された半導体ウエハに処理を施すウエハ処理工程と、
前記半導体ウエハに貼付された前記半導体ウエハ保護テープを熱または光によって硬化させる硬化工程と、
前記半導体ウエハから前記半導体ウエハ保護テープを剥離する剥離工程とを有するウエハの処理方法であって、
前記半導体ウエハ保護テープは、官能基を有するポリマーと、光又は熱により活性化して前記官能基と反応する潜在性架橋剤とを含有する粘着剤層を有する
ことを特徴とするウエハの処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエハに貼付することによってウエハ処理時にウエハを確実に保護できるとともに、処理終了後は容易かつ糊残りなく剥離することができる半導体ウエハ保護テープ、及び、該半導体ウエハ保護テープを用いたウエハの処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体チップの製造工程において、半導体チップの処理時の取扱いを容易にし、破損したりしないようにするために粘着テープ（半導体ウエハ保護テープ）によって半導体チップを補強することが一般的に行われている。例えば、高純度なシリコン単結晶等から切り出した厚膜ウエハを所定の厚さにまで研削して薄膜ウエハとする場合に、ウエハを保護する目的で粘着テープを貼付した上で研削工程が行われている。また、粘着テープでウエハを補強したまま、基板や他の半導体チップ上の電極と導電接続することも行われている。
【０００３】
このような半導体ウエハ保護テープには、加工工程中にウエハを強固に固定できるだけの高い接着性とともに、工程終了後にはウエハを損傷することなく剥離できることが求められる（以下、「高接着易剥離」ともいう。）。
高接着易剥離を実現した粘着テープとして特許文献１には、紫外線の照射により硬化する粘着剤を用いた粘着フィルムが開示されている。特許文献１の粘着フィルムを用いると、充分な粘着力でウエハを保護できるとともに、剥離の前に紫外線を照射して粘着フィルムを硬化させることで、粘着フィルムの粘着力が低下し容易に剥離することができる。
【０００４】
特許文献１のような従来の硬化型粘着テープは、粘着剤に二重結合を有するポリマーと重合開始剤が含有されており、ラジカル反応を用いてテープを硬化させている。しかしながら、ラジカル重合は大気中の酸素によって反応が阻害されるため、粘着剤が未硬化のまま残ることがあり、剥離の際にウエハに糊残りしてしまうという問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平１１−０１６８６３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、上記現状に鑑み、ウエハ処理時にウエハを確実に保護できるとともに処理終了後は容易かつ糊残りなく剥離することができる半導体ウエハ保護テープ、及び、該半導体ウエハ保護テープを用いたウエハの処理方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、半導体ウエハに貼付することで半導体ウエハ処理時に半導体ウエハを確実に保護できるとともに処理終了後は容易かつ糊残りなく剥離することができる半導体ウエハ保護テープであって、前記半導体ウエハ保護テープは、官能基を有するポリマーと、光又は熱により活性化して前記官能基と反応する潜在性架橋剤とを含有する粘着剤層を有する半導体ウエハ保護テープである。
以下に本発明を詳述する。
【０００８】
本発明者らは、鋭意検討した結果、硬化型粘着テープの粘着剤として官能基を有するポリマーと該官能基と反応する架橋剤を用い、ラジカル反応に拠らない架橋形成によってテープを硬化させることで、酸素による反応阻害が生じないことを見出した。更に、架橋剤を光又は熱によって活性化する潜在性架橋剤とすることで、充分な粘着力で貼り付けられウエハを確実に保護できるとともに、処理終了後にはテープを糊残りなく容易に剥離できることを見出し、本発明を完成させた。
【０００９】
本発明の半導体ウエハ保護テープは、粘着剤層に官能基を有するポリマーを含有する。
従来の半導体の製造に用いられる硬化型粘着テープは、重合開始剤を用いたラジカル反応によってテープを硬化させているため、粘着剤となるポリマーにラジカル重合の反応点として二重結合を導入する必要があった。二重結合を導入するためには主となるポリマーを合成した後に、二重結合を有する化合物を反応させなければならないため、粘着剤の製造工程が複雑化し、硬化型粘着テープのコストを高める原因となっていた。一方、本発明の半導体ウエハ保護テープでは、粘着剤に用いるポリマーは後述する潜在性架橋剤と反応する官能基を有してさえいればよく、ポリマーに二重結合を導入する必要がない。また、潜在性架橋剤と反応する官能基は、広く一般的に用いられている樹脂にも含まれているため、従来の硬化型粘着テープと比べてコストを大幅に削減することができる。
【００１０】
上記官能基は、後述する潜在性架橋剤と反応できれば特に限定されず、水酸基、カルボキシル基等が挙げられる。なかでも、架橋剤との反応性に優れていることから水酸基であることが好ましい。
【００１１】
上記官能基を有するポリマーは、後述する潜在性架橋剤と反応する官能基を有してさえいれば特に限定されないが、例えば、アクリル系ポリマー、エポキシ系ポリマー、ウレタン系ポリマー、シリコーン系ポリマー等が挙げられる。なかでも、耐熱性に優れ粘着力の調整が容易であることから、アクリル系ポリマーであることが好ましい。
【００１２】
上記アクリル系ポリマーは、アルキル基の炭素数が通常２〜１８の範囲にあるアクリル酸アルキルエステル及び／又はメタクリル酸アルキルエステルを主モノマーとし、これと上記官能基を有するモノマーと、更に必要に応じてこれらと共重合可能な他の改質用モノマーとを常法により共重合させることにより得られるものである。上記アクリル系ポリマーの重量平均分子量は通常２０万〜２００万程度である。
【００１３】
上記官能基がカルボキシル基である場合、上記官能基を有するポリマーの原料となるモノマーとしては、例えば、アクリル酸、メタクリル酸等が挙げられる。上記官能基が水酸基である場合、上記官能基を有するポリマーの原料となるモノマーとしては水酸基を構造に含有していれば特に限定されない。例えば、アクリル酸ヒドロキシエチル、メタクリル酸ヒドロキシエチル、アクリル酸４−ヒドロキシブチル、アクリル酸２−ヒドロキシプロピル等が挙げられる。
【００１４】
上記共重合可能な他の改質用モノマーとしては、例えば、酢酸ビニル、アクリロニトリル、スチレン等の一般の（メタ）アクリル系ポリマーに用いられている各種のモノマーが挙げられる。
【００１５】
上記官能基を有するポリマーは、水酸基価が５ｍｇＫＯＨ／ｇ以上であることが好ましい。
水酸基価が５ｍｇＫＯＨ／ｇ以上であることで、半導体ウエハ保護テープを硬化させた際に充分に硬化し、糊残りなく容易にテープを剥離することができる。上記官能基を有するポリマーの水酸基価の好ましい下限は１０ｍｇＫＯＨ／ｇである。
【００１６】
本発明の半導体ウエハ保護テープは、粘着剤層に光又は熱により活性化して前記官能基と反応する潜在性架橋剤を含有する。
従来の半導体の製造に用いられる硬化型粘着テープは、ラジカル反応によって硬化を行っていたため酸素による反応阻害が起こることがあり、ウエハに糊残りが生じる原因となっていた。本発明の半導体ウエハ保護テープでは、ラジカル反応に拠らない架橋形成によってテープを硬化させるため、酸素による反応阻害がなく、ウエハへの糊残りを防止することができる。また、光や熱といった刺激により活性化する潜在性架橋剤を用いることで、刺激を与えるまで架橋反応が起こらないことから半導体ウエハ保護テープの保存安定性を向上させることができる。なお、潜在性架橋剤とは、通常は架橋剤中の架橋基が置換基によってキャップされていて架橋剤として機能しないが、光又は熱を加えることによってキャップが外れ、架橋剤として機能するような架橋剤のことをいう。また、ここで活性化とは、架橋基をキャッピングしていた置換基が外れて架橋基が現れることを意味する。
【００１７】
上記潜在性架橋剤は、上記官能基に応じて適宜選択することができる。例えば、上記官能基が水酸基又はカルボキシル基である場合の潜在性架橋剤としては、イソシアネート系潜在性架橋剤、エポキシ系潜在性架橋剤等が挙げられる。なかでも、反応性に優れることからイソシアネート系潜在性架橋剤が好ましい。上記イソシアネート系潜在性架橋剤としては、下記一般式（１）で表されるアミンイミドが挙げられる。
【００１８】
【化１】
2019009387.tif 000002
【００１９】
式（１）中、Ｒ１はアルキレン基又はアリーレン基、Ｒ２〜Ｒ４は水素、水酸基、アミノ基、メルカプト基、ハロゲノ基、アルキル基、アルキレン基またはアリル基である。また、式（１）中のｎは１以上の整数である。
【００２０】
上記一般式（１）で表されるアミンイミドは、末端のアミン基によって架橋基がキャップされているため上記官能基を有するポリマーと混合しただけでは反応しないが、光又は熱を加えることで下記反応式のような開裂反応を経て多官能イソシアネート化合物となり、上記官能基を有するポリマーと架橋反応を起こすようになる。なお、上記アミンイミドを開裂させる刺激は、上記一般式（１）中のＲ１によって選択することができる。光によって開裂させたい場合はＲ１をフェニル基、ケチル基等にすればよく、熱によって開裂させたい場合はＲ１をアルキル基等にすればよい。上記一般式（１）で表されるアミンイミドとしては、例えば、ビストリメチルアミンアジパミド、ビズトリエチルアミンアジパミド、ｐ−ビストリメチルアミンイミドベンゼン等が挙げられる。但しこれらはこの発明を限定するものではない。
【００２１】
【化２】
2019009387.tif 000003
【００２２】
上記潜在性架橋剤を活性化させる刺激が光である場合の光照射の条件は、潜在性架橋剤の種類により適宜選択すればよい。例えば、上記潜在性架橋剤が下記構造式（２）で表されるｐ−ビストリメチルアミンイミドベンゼンである場合、２５４ｎｍ以上の波長の光を好ましくは５ｍＷ／ｃｍ２以上、より好ましくは２０ｍＷ／ｃｍ２以上の照度で照射することにより、活性化させることができる。また、波長２５４ｎｍの光を１５００ｍＪ／ｃｍ２以上の積算照度で照射することが好ましく、３０００ｍＪ／ｃｍ２以上、４５００ｍＪ／ｃｍ２以下の積算照度で照射することがより好ましい。
より具体的には例えば、超高圧水銀灯を用いて、２５４ｎｍの紫外線を粘着材層の表面への照射強度が２０ｍＷ／ｃｍ２となるよう照度を調節して２分間照射することにより潜在性架橋剤を活性化させることができる。
【００２３】
【化３】
2019009387.tif 000004
【００２４】
上記潜在性架橋剤を活性化させる刺激が熱である場合の温度条件は、潜在性架橋剤の種類により適宜選択される。例えば、上記潜在性架橋剤が下記構造式（３）で表されるビストリメチルアミンアジパミドである場合、１８０℃以上、２４０℃以下の温度範囲で３分以上、６０分以下加熱することが好ましく、２００℃以上、２４０℃以下の温度範囲で１０分以上、３０分以下加熱することがより好ましい。
【００２５】
【化４】
2019009387.tif 000005
【００２６】
上記光又は熱により活性化する潜在性架橋剤の含有量は特に限定されないが、上記官能基を有するポリマー１００重量部に対する好ましい下限が０．０１重量部、好ましい上限が３０重量部である。上記光又は熱により活性化する潜在性架橋剤の含有量が上記範囲であることによって上記官能基を有するポリマーと充分に反応して確実に粘着剤層を硬化させることができる。上記官能基を有するポリマー１００重量部に対する上記光又は熱により活性化する潜在性架橋剤の含有量のより好ましい下限は１重量部、より好ましい上限は１０重量部である。
【００２７】
上記粘着剤層は、刺激により気体を発生する気体発生剤を含有してもよい。上記粘着剤層が気体発生剤を含有することによって、ウエハから半導体ウエハ保護テープを剥離する際、粘着剤層に刺激を与えて上記気体発生剤から気体を発生させることにより、より容易に、かつ、糊残りすることなく剥離することができる。
【００２８】
上記気体発生剤は特に限定されず、例えば、アゾ化合物、アジド化合物、テトラゾール化合物、ケトプロフェン化合物等の従来公知の気体発生剤を用いることができる。なかでも、ケトプロフェンや２−キサントン酢酸等のカルボン酸化合物又はその塩や、１Ｈ−テトラゾール、５，５’−ビステトラゾールジアンモニウム塩、５，５’−ビステトラゾールアミンモノアンモニウム塩等のテトラゾール化合物又はその塩等の耐熱性に優れる気体発生剤を用いることが好ましい。
【００２９】
上記粘着剤層中の上記気体発生剤の含有量は特に限定されないが、上記官能基を有するポリマー１００重量部に対する好ましい下限が５重量部、好ましい上限が５０重量部である。上記気体発生剤の含有量がこの範囲内にあると、充分な剥離性向上効果が得られる。上記気体発生剤の含有量のより好ましい下限は１０重量部、より好ましい上限は３０重量部である。
【００３０】
上記粘着剤層は、更に、ヒュームドシリカ等の無機フィラーを含有してもよい。無機フィラーを配合することにより上記粘着剤層の凝集力が上がるため、半導体ウエハ保護テープを半導体チップから糊残りすることなく容易に剥離できる。
【００３１】
上記粘着剤層は、更に、上記官能基を有するポリマーと架橋可能な官能基を有するシリコーン化合物を含有してもよい。
【００３２】
上記粘着剤層は、更に、可塑剤、樹脂、界面活性剤、ワックス、微粒子充填剤等の公知の添加剤を含有してもよい。
【００３３】
上記粘着剤層の厚みは特に限定されないが、好ましい下限は５μｍ、好ましい上限は２００μｍである。上記粘着剤層の厚みがこの範囲内にあると、充分な粘着力でウエハを保護することができ、かつ、ウエハ処理後には糊残りなく容易に半導体ウエハ保護テープを剥離することができる。上記粘着剤層の厚みのより好ましい下限は１０μｍ、より好ましい上限は１００μｍである。
【００３４】
本発明の半導体ウエハ保護テープは基材を有するサポートタイプであってもよく、基材を有さないノンサポートタイプであってもよい。本発明の半導体ウエハ保護テープが基材を有する場合、基材を構成する材料は特に限定されず、有機材料であっても無機材料であってもよいが、耐熱性を持つ材料であることが好ましい。耐熱性の有機材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリアセタール、ポリアミド、ポリカーボネート、ポリフェニレンエーテル、ポリブチレンテレフタレート、超高分子量ポリエチレン、シンジオタクチックポリスチレン、ポリアリレート、ポリサルフォン、ポリエーテルサルフォン、ポリフェニレンサルファイド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、フッ素樹脂、液晶ポリマー等が挙げられる。なかでも、耐熱性に優れることからポリエチレンナフタレートが好ましい。また、耐熱性の無機材料としては薄板ガラス等が挙げられる。
【００３５】
上記基材の形状は特に限定されず、例えば、シート状、網目状の構造を有するシート状、孔が開けられたシート状等が挙げられる。また、上記基材は、サンドブラスト処理や表面コロナ処理といった粘着剤との密着力を向上させる処理や、スパッタ膜形成や導電膜蒸着といった導電性を付与する処理等が施された基材であってもよい。
【００３６】
上記基材の厚さは特に限定されないが、好ましい下限は５μｍ、好ましい上限は１００μｍである。上記基材の厚さがこの範囲内であると、適度なコシがあって、取り扱い性に優れる半導体ウエハ保護テープとすることができる。上記基材の厚さのより好ましい下限は１０μｍ、より好ましい上限は５０μｍである。
【００３７】
本発明の半導体ウエハ保護テープを製造する方法は特に限定されない。例えば、基材を有するサポートタイプの場合、上記官能基を有するポリマー、上記光又は熱により活性化する潜在性架橋剤、及び、必要に応じて他の成分を、溶剤を用いて溶解混合して粘着剤溶液とし、粘着剤溶液を塗工して乾燥させた後で基材層上に積層する方法や、基材層上に直接塗工して乾燥する方法によって製造することができる。基材を有さないノンサポートタイプの場合は、例えば、離型処理を施したフィルム上に上記粘着剤溶液を塗工、乾燥させて粘着剤層を形成し、その上に離型処理を施したフィルムを積層する方法等によって製造することができる。
【００３８】
本発明の半導体ウエハ保護テープは、ウエハに貼付することで製造工程中のウエハを保護する用途で用いられ、光又は熱によって硬化させた後に剥離する。本発明の半導体ウエハ保護テープは、ラジカル反応に拠らない架橋形成によってテープを硬化させるため、従来のラジカル重合による硬化と違い酸素による反応阻害を受けない。そのため、剥離時に容易かつ糊残りなくテープを剥離することができる。また、粘着剤として安価な汎用樹脂を用いることができるため従来の硬化型粘着テープと比べてコストを大幅に下げることができる。また、本発明の半導体ウエハ保護テープは、どのようなウエハに対しても効果を発揮できるものであるが、特に４０μｍ以上の段差を有するハイバンプウエハを保護する場合は、テープとウエハの間に生じた隙間において酸素による反応阻害が起こりやすいことから、本発明の糊残り防止の効果が大きく発揮される。
【００３９】
半導体ウエハに本発明の半導体ウエハ保護テープを貼り付けるテープ貼付工程と、前記半導体ウエハ保護テープが貼付された半導体ウエハに処理を施すウエハ処理工程と、前記半導体ウエハに貼付された前記半導体ウエハ保護テープを熱または光によって硬化させる硬化工程と、前記半導体ウエハから前記半導体ウエハ保護テープを剥離する剥離工程とを有するウエハの処理方法であって、前記半導体ウエハ保護テープは、官能基を有するポリマーと、光又は熱により活性化して前記官能基と反応する潜在性架橋剤とを含有する粘着剤層を有するウエハの処理方法もまた本発明の１つである。
【００４０】
本発明のウエハの処理方法は、まず、半導体ウエハに半導体ウエハ保護テープを貼り付けるテープ貼付工程を行う。
半導体ウエハに半導体ウエハ保護テープ貼りつけることにより、加工時の取扱いを容易にし、ウエハの損傷を防ぐことができる。
【００４１】
本発明のウエハの処理方法は、次いで、上記半導体ウエハ保護テープが貼付された半導体ウエハに処理を施すウエハ処理工程を行う。
上記半導体ウエハへの処理としては、例えば、ウエハを一定の厚みになるまで研削するグラインド処理や、薬液処理、加熱処理又は発熱を伴う処理が挙げられる。薬液処理としては、例えば、電解めっき、無電解めっき等のめっき処理、フッ酸、水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液（ＴＭＡＨ）等によるウェットエッチング処理、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、モノエタノールアミン、ＤＭＳＯ等によるレジスト剥離プロセス、濃硫酸、アンモニア水、過酸化水素水等による洗浄プロセス等が挙げられる。加熱処理又は発熱を伴う処理としては、例えば、スパッタリング、蒸着、エッチング、化学気相成長法（ＣＶＤ）、物理気相成長法（ＰＶＤ）、レジスト塗布・パターンニング、リフロー等が挙げられる。なお、上記ウエハ処理工程が加熱又は発熱を伴う処理である場合、後述する硬化工程をテープ貼付工程からウエハ処理工程の前までの間に行うことが好ましい。硬化工程を加熱又は発熱を伴う処理の前に行うことで、高温による接着昂進が抑えられるため、ウエハの処理終了後に半導体ウエハ保護テープをより容易に剥離することができる。
【００４２】
本発明のウエハの処理方法は、次いで、上記半導体ウエハに貼付された上記半導体ウエハ保護テープを熱または光によって硬化させる硬化工程を行う。
上記半導体ウエハ保護テープを硬化させることで粘着力が低下し、ウエハを損傷することなく容易にテープを剥離することができる。また、上記半導体ウエハ保護テープは架橋反応によって硬化するため、従来のラジカル反応で硬化する粘着テープと違い大気中の酸素による反応阻害が起こらない。そのため、テープを確実に硬化させることができ、ウエハへの糊残りを防止することができる。特に、ウエハが４０μｍ以上の段差を持つハイバンプウエハである場合は、ウエハとテープが完全に密着せずに隙間が生じやすく、この隙間に閉じ込められた大気中の酸素がラジカル反応を阻害することから、本発明の効果が大きく発揮される。なお、上記半導体ウエハ保護テープを硬化させる条件は上記光及び熱の条件を用いることができる。なお、上述のように、上記ウエハ処理工程が加熱又は発熱を伴う処理である場合は、上記硬化工程を上記テープ貼付工程から上記ウエハ処理工程の前までに行うことが好ましい。
【００４３】
本発明のウエハの処理方法は、次いで、上記半導体ウエハから上記半導体ウエハ保護テープを剥離する剥離工程を行う。
半導体ウエハ保護テープは上記硬化工程によって粘着力が低下しているため、ウエハからテープを容易かつ糊残りなく剥離することができる。なお、上記半導体ウエハ保護テープの粘着剤層が上記気体発生剤を含有している場合は、剥離工程の際に粘着剤層に刺激を与えて上記気体発生剤から気体を発生させることにより、より容易に、かつ、糊残りすることなくテープを剥離することができる。
【発明の効果】
【００４４】
本発明によれば、ウエハ処理時にウエハを確実に保護できるとともに処理終了後は容易かつ糊残りなく剥離することができる半導体ウエハ保護テープ、及び、該半導体ウエハ保護テープを用いたウエハの処理方法を提供できる。
【発明を実施するための形態】
【００４５】
以下に実施例を挙げて本発明の態様を更に詳しく説明するが、本発明はこれら実施例にのみ限定されるものではない。
【００４６】
（実施例１）
（１）粘着剤Ａの調製
温度計、攪拌機、冷却管を備えた反応器を用意し、この反応器内に、（メタ）アクリル酸アルキルエステルとして２−エチルヘキシルアクリレート、官能基含有モノマーとしてメタクリル酸ヒドロキシエチル、ラウリルメルカプタンと、酢酸エチルを加えた後、反応器を加熱して還流を開始した。続いて、上記反応器内に、重合開始剤として１，１−ビス（ｔ−ヘキシルパーオキシ）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサンを添加し、還流下で重合を開始させた。次に、重合開始から１時間後及び２時間後にも、１，１−ビス（ｔ−ヘキシルパーオキシ）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサンを添加し、更に、重合開始から４時間後にｔ−ヘキシルパーオキシピバレートを添加して重合反応を継続させた。そして、重合開始から８時間後に、固形分５５重量％、重量平均分子量６０万、水酸基価５６．２ｍｇＫＯＨ／ｇの水酸基含有アクリル系ポリマーの酢酸エチル溶液を得た。
得られた水酸基含有アクリル系ポリマーを含む酢酸エチル溶液の樹脂固形分１００重量部に対して、エポキシ架橋剤０．５重量部、エポキシ架橋触媒０．０５重量部、ＵＶ活性型アミンイミド架橋剤５重量部を加えて混合し、粘着剤Ａの酢酸エチル溶液を得た。なお、エポキシ架橋剤、エポキシ架橋触媒、ＵＶ活性型アミンイミド架橋剤は以下のものを用いた。
エポキシ架橋剤：Ｅ−５ＸＭ、綜研化学社製
エポキシ架橋触媒：テトラブチルアンモニウムブロマイド、和光純薬社製
ＵＶ活性型アミンイミド架橋剤：ｐ−ビストリメチルアミンイミドベンゼン
【００４７】
（２）半導体ウエハ保護テープの製造
得られた粘着剤Ａの酢酸エチル溶液を、片面にコロナ処理を施した厚さ５０μｍの透明なポリエチレンナフタレートフィルムのコロナ処理面上に、粘着剤層の厚さが３０μｍとなるようにドクターナイフで塗工し、１１０℃、５分間加熱して塗工溶液を乾燥させた。その後、４０℃、３日間静置養生を行い、半導体ウエハ保護テープを得た。
【００４８】
（実施例２）
ＵＶ活性型アミンイミド架橋剤の代わりに熱活性型アミンイミド架橋剤（ビズテトラメチルアミンアジパミド）を用いた以外は実施例１と同様にして半導体ウエハ保護テープを得た。
【００４９】
（実施例３）
粘着剤Ａの製造においてメタクリル酸ヒドロキシエチルの配合量を変更し、水酸基価を表１の通りとしたことと、その他の配合を表１の通りとした以外は実施例１と同様にして半導体ウエハ保護テープを得た。
【００５０】
（比較例１）
ＵＶ活性型アミンイミド架橋剤を加えなかった以外は実施例１と同様にして半導体ウエハ保護テープを得た。
【００５１】
（比較例２）
（１）粘着剤Ｂの製造
温度計、攪拌機、冷却管を備えた反応器を用意し、この反応器内に、（メタ）アクリル酸アルキルエステルとして２−エチルヘキシルアクリレート、官能基含有モノマーとしてメタクリル酸ヒドロキシエチル、ラウリルメルカプタンと、酢酸エチルを加えた後、反応器を加熱して還流を開始した。続いて、上記反応器内に、重合開始剤として１，１−ビス（ｔ−ヘキシルパーオキシ）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサンを添加し、還流下で重合を開始させた。次に、重合開始から１時間後及び２時間後にも、１，１−ビス（ｔ−ヘキシルパーオキシ）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサンを添加し、更に、重合開始から４時間後にｔ−ヘキシルパーオキシピバレートを添加して重合反応を継続させた。そして、重合開始から８時間後に、固形分５５重量％、重量平均分子量６０万の官能基含有アクリル系ポリマーの酢酸エチル溶液を得た。
【００５２】
得られた官能基含有アクリル系ポリマーを含む酢酸エチル溶液の樹脂固形分１００重量部に対して、官能基含有不飽和化合物として２−イソシアナトエチルメタクリレートを加えて反応させて二重結合含有アクリル系ポリマーを得た。その後、得られた重合性ポリマーの酢酸エチル溶液の樹脂固形分１００重量部に対して、シリコーンアクリレート２０重量部、シリカフィラー２０重量部、エポキシ架橋剤０．５重量部、エポキシ架橋触媒０．０５重量部、光重合開始剤１重量部を混合し、粘着剤Ｂの酢酸エチル溶液を得た。なお、シリコーンアクリレート、シリカフィラー、エポキシ架橋剤、エポキシ架橋触媒及び光重合開始剤は以下のものを用いた。
シリコーンアクリレート：ＥＢＥＣＲＹＬ  ３５０、ダイセル・オルネクス社製
シリカフィラー：レオロシール  ＭＴ−１０、トクヤマ社製
エポキシ架橋剤：Ｅ−５ＸＭ、総研化学製
エポキシ架橋触媒：テトラブチルアンモニウムブロマイド、和光純薬社製
光重合開始剤：エサキュアワン、日本シイベルヘグナー社製
【００５３】
（２）半導体ウエハ保護テープの製造
得られた粘着剤Ｂの酢酸エチル溶液を用いた以外は実施例１と同様の方法で半導体ウエハ保護テープを製造した。
【００５４】
（比較例３）
光重合開始剤を加えなかった以外は比較例２と同様にして半導体ウエハ保護テープを得た。
【００５５】
＜評価＞
実施例及び比較例で得られた半導体ウエハ保護テープについて、以下の方法により評価を行った。結果を表１に示した。
【００５６】
（１）ウエハの処理
半導体ウエハ保護テープを、直径２０ｃｍ、厚さ約７５０μｍの回路が形成されたシリコンウエハに貼り付けた。次いで、半導体ウエハ保護テープ側から超高圧水銀灯を用いて、２５４ｎｍの紫外線を半導体ウエハ保護テープ表面への照射強度が２５ｍＷ／ｃｍ２となるよう照度を調節して２分間照射して、粘着剤層を架橋、硬化させた。その後、半導体ウエハ保護テープを剥離した。なお、実施例２については、紫外線照射の代わりに２００℃、３０分の熱処理を行って粘着剤層を架橋、硬化させた。
その後、回路が形成されたシリコンウエハの代わりに最大高さが８０μｍのバンプが形成された、直径２０ｃｍ、厚さ約７５０μｍのハイバンプウエハを用いて同様の処理を行った。
【００５７】
（２）粘着剤硬化の評価
剥離後の半導体ウエハ保護テープを２０ｍｍ×４０ｍｍの平面長方形状に裁断して試験片を作製した。試験片を酢酸エチル中に２３℃にて２４時間浸漬した後、試験片を酢酸エチルから取り出して、１１０℃の条件下で１時間乾燥させた。乾燥後の試験片の重量を測定し、下記式を用いてゲル分率を算出した。
ゲル分率（重量％）＝１００×（Ｗ２−Ｗ０）／（Ｗ１−Ｗ０）
（Ｗ０：基材の重量、Ｗ１：浸漬前の試験片の重量、Ｗ２：浸漬、乾燥後の試験片の重量）
得られたゲル分率が９５％以上の場合を「◎」、８５％以上９５％未満の場合を「〇」、８５％未満の場合を「×」として粘着剤硬化を評価した。
【００５８】
（３）糊残りの評価
半導体ウエハ保護テープ剥離後のウエハを光学顕微鏡にて観察し、ウエハに糊残りがなかった場合を「〇」、ウエハに糊残りがあった場合を「×」として糊残りを評価した。
【００５９】
【表１】
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【産業上の利用可能性】
【００６０】
本発明によれば、ウエハ処理時にウエハを確実に保護できるとともに処理終了後は容易かつ糊残りなく剥離することができる半導体ウエハ保護テープ、及び、該半導体ウエハ保護テープを用いたウエハの処理方法を提供できる。