(57)【要約】【課題】複数の半導体構造が接続された発光素子であっても、複数の発光セルそれぞれの電気特性を確認可能な発光素子を提供する。【解決手段】ｎ側半導体層と、活性層と、ｐ側半導体層とを有する第１及び第２発光セルと、第１及び第２発光セルを覆い、第１ｐ側開口部と、第１ｎ側開口部とを有する第１絶縁膜と、第１発光セルと第１ｎ側開口部で接続され、第２発光セルと第１ｐ側開口部で接続された配線電極と、第１発光セルと第１ｐ側開口部で接続された第１電極と、第２発光セルと第１ｎ側開口部で接続された第２電極と、第１電極の上方に設けられた第２ｐ側開口部と、第２電極の上方に設けられた第２ｎ側開口部と、配線電極の上方に設けられた第３開口部とを有する第２絶縁膜と、第２ｐ側開口部で第１電極に接続された第１外部接続部と、第２ｎ側開口部で第２電極に接続された第２外部接続部と、を備える。【選択図】図２Ａ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性の基板と、
前記基板の上面に設けられたｎ側半導体層と、前記ｎ側半導体層の上面における一部の領域を除く領域に設けられた活性層と、前記活性層の上面に設けられたｐ側半導体層と、をそれぞれが有する第１及び第２発光セルと、
前記第１及び第２発光セルそれぞれにおけるｐ側半導体層の上面に設けられた光反射性電極と、
前記第１及び第２発光セルを覆い、前記第１及び第２発光セルそれぞれについて、前記光反射性電極の上方に設けられた第１ｐ側開口部と、前記ｎ側半導体層の上面における一部の領域の上方に設けられた第１ｎ側開口部と、を有する第１絶縁膜と、
前記第１絶縁膜の上面に設けられるとともに、前記第１発光セルの前記ｎ側半導体層と前記第１ｎ側開口部にて接続され、前記第２発光セルの前記光反射性電極と前記第１ｐ側開口部にて接続された配線電極と、
前記第１絶縁膜の上面に設けられるとともに、前記第１発光セルの前記光反射性電極と前記第１ｐ側開口部にて接続された第１電極と、
前記第１絶縁膜の上面に設けられるとともに、前記第２発光セルの前記ｎ側半導体層と前記第１ｎ側開口部にて接続された第２電極と、
前記第１電極の上方に設けられた第２ｐ側開口部と、前記第２電極の上方に設けられた第２ｎ側開口部と、前記配線電極の上方に設けられた第３開口部と、を有する第２絶縁膜と、
前記第２ｐ側開口部にて前記第１電極に接続された第１外部接続部と、
前記第２ｎ側開口部にて前記第２電極に接続された第２外部接続部と、を有する発光素子。
【請求項２】
前記第３開口部は、前記第１及び第２発光セルが設けられていない領域に設けられる請求項１に記載の発光素子。
【請求項３】
前記第３開口部は、前記第１及び第２発光セルのうちいずれかの上方に設けられている請求項１に記載の発光素子。
【請求項４】
上面視において、前記第１及び第２発光セルの活性層のそれぞれは、同じ形状である請求項１から３のいずれか一項に記載の発光素子。
【請求項５】
上面視において、
前記第１ｎ側開口部は、前記第１及び第２発光セルのｐ側半導体層の外側に設けられ、
前記第１外部接続部は、前記第１発光セルのｐ側半導体層の内側に設けられ、
前記第２外部接続部は、前記第２発光セルのｐ側半導体層の内側に設けられている請求項１から４のいずれか一項に記載の発光素子。
【請求項６】
前記第３開口部は、前記第１外部接続部と前記第２外部接続部とが対向する領域に設けられている請求項１から５のいずれか一項に記載の発光素子。
【請求項７】
上面視において、前記第１外部接続部及び前記第２外部接続部は、同じ形状である請求項１から６のいずれか一項に記載の発光素子。
【請求項８】
絶縁性の基板と、
直列に接続された３以上の発光セルであって、前記３以上の発光セルは、直列回路の一端に位置する第１発光セルと直列回路の他端に位置する第２発光セルとを含むとともに、それぞれが、前記基板の上面に設けられたｎ側半導体層と、前記ｎ側半導体層の上面における一部の領域を除く領域に設けられた活性層と、前記活性層の上面に設けられたｐ側半導体層と、を有する３以上の発光セルと、
前記３以上の発光セルそれぞれにおけるｐ側半導体層の上面に設けられた光反射性電極と、
前記３以上の発光セルを覆い、前記３以上の発光セルそれぞれについて、前記光反射性電極の上方に設けられた第１ｐ側開口部と、前記ｎ側半導体層の上面における一部の領域の上方に設けられた第１ｎ側開口部と、を有する第１絶縁膜と、
前記第１絶縁膜の上面に設けられるとともに、前記第１発光セルの前記ｎ側半導体層と前記第１ｎ側開口部にて接続された第１配線電極と、前記第２発光セルの前記光反射性電極と前記第１ｐ側開口部にて接続された第２配線電極と、を含む複数の配線電極と、
前記第１絶縁膜の上面に設けられるとともに、前記第１発光セルの前記光反射性電極と前記第１ｐ側開口部にて接続された第１電極と、
前記第１絶縁膜の上面に設けられるとともに、前記第２発光セルの前記ｎ側半導体層と前記第１ｎ側開口部にて接続された第２電極と、
前記第１電極の上方に設けられた第２ｐ側開口部と、前記第２電極の上方に設けられた第２ｎ側開口部と、前記複数の配線電極のうちの少なくとも１つの上方に設けられた第３開口部と、を有する第２絶縁膜と、
前記第２ｐ側開口部にて前記第１電極に接続された第１外部接続部と、
前記第２ｎ側開口部にて前記第２電極に接続された第２外部接続部と、を有する発光素子。
【請求項９】
前記第３開口部は、前記３以上の発光セルが設けられていない領域に設けられる請求項８に記載の発光素子。
【請求項１０】
前記第３開口部は、前記３以上の発光セルのうちいずれかの前記発光セルの上方に設けられている請求項８に記載の発光素子。
【請求項１１】
上面視において、前記３以上の発光セルの活性層のそれぞれは、実質的に同じ形状である請求項８から１０のいずれか一項に記載の発光素子。
【請求項１２】
前記３以上の発光セルは、２行２列に設けられた４つの発光セルであり、
前記４つの発光セルは、前記第１発光セルと、前記第１発光セルと前記第１配線電極により接続される第３発光セルと、前記第２発光セルと前記第２配線電極により接続される第４発光セルと、前記第２発光セルと、からなり、
前記第２絶縁膜は、前記第３発光セルの前記光反射性電極の上方に設けられた第３ｐ側開口部と、前記第４発光セルの前記光反射性電極の上方に設けられた第４ｐ側開口部と、を有し、
前記第３ｐ側開口部にて前記配線電極に接続された第３外部接続部と、前記第４ｐ側開口部にて前記配線電極に接続された第４外部接続部と、を有する請求項８から１１のいずれか一項に記載の発光素子。
【請求項１３】
上面視において、
前記第１ｎ側開口部は、前記３以上の発光セルのｐ側半導体層の外側に設けられ、
前記第１外部接続部は、前記第１発光セルのｐ側半導体層の内側に設けられ、
前記第２外部接続部は、前記第２発光セルのｐ側半導体層の内側に設けられ、
前記第３外部接続部は、前記第３発光セルのｐ側半導体層の内側に設けられ、
前記第４外部接続部は、前記第４発光セルのｐ側半導体層の内側に設けられている請求項１２に記載の発光素子。
【請求項１４】
前記第３開口部は、前記第１外部接続部と、前記第２外部接続部と、前記第３外部接続部と、前記第４外部接続部と、に囲まれる領域に設けられている請求項１２又は１３に記載の発光素子。
【請求項１５】
上面視において、前記第１外部接続部と、前記第２外部接続部と、前記第３外部接続部と、前記第４外部接続部と、は同じ形状である請求項１２から１４のいずれか一項に記載の発光素子。
【請求項１６】
前記第３開口部にて前記配線電極に接続された第５外部接続部を有する請求項１から１５のいずれか一項に記載の発光素子。
【請求項１７】
上面視において、
前記基板は矩形状であり、
前記第３開口部は、前記基板の中央領域に位置する請求項１から１６のいずれか一項に記載の発光素子。
【請求項１８】
前記基板の下面に、前記活性層からの光を反射する反射膜が設けられている請求項１７に記載の発光素子。
【請求項１９】
前記反射膜は、誘電体層が複数積層された誘電体多層膜である請求項１８に記載の発光素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、基板上に複数の発光セルが形成され、その複数の発光セルが配線電極により直列に接続された発光素子が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１６−１２７０７号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記した発光素子では、発光セルが直列に接続されているため、発光セルそれぞれの電気特性を評価することが難しく、リーク電流などの発生の有無を確認することができない場合がある。
【０００５】
そこで、本発明は、複数の半導体構造が配線電極により電気的に接続された発光素子であっても、複数の発光セルそれぞれにおける電気特性を確認可能な発光素子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一態様に係る発光素子は、絶縁性の基板と、前記基板の上面に設けられたｎ側半導体層と、前記ｎ側半導体層の上面における一部の領域を除く領域に設けられた活性層と、前記活性層の上面に設けられたｐ側半導体層と、をそれぞれが有する第１及び第２発光セルと、前記第１及び第２発光セルそれぞれにおけるｐ側半導体層の上面に設けられた光反射性電極と、前記第１及び第２発光セルを覆い、前記第１及び第２発光セルそれぞれについて、前記光反射性電極の上方に設けられた第１ｐ側開口部と、前記ｎ側半導体層の上面における一部の領域の上方に設けられた第１ｎ側開口部と、を有する第１絶縁膜と、前記第１絶縁膜の上面に設けられるとともに、前記第１発光セルの前記ｎ側半導体層と前記第１ｎ側開口部にて接続され、前記第２発光セルの前記光反射性電極と前記第１ｐ側開口部にて接続された配線電極と、前記第１絶縁膜の上面に設けられるとともに、前記第１発光セルの前記光反射性電極と前記第１ｐ側開口部にて接続された第１電極と、前記第１絶縁膜の上面に設けられるとともに、前記第２発光セルの前記ｎ側半導体層と前記第１ｎ側開口部にて接続された第２電極と、前記第１電極の上方に設けられた第２ｐ側開口部と、前記第２電極の上方に設けられた第２ｎ側開口部と、前記配線電極の上方に設けられた第３開口部と、を有する第２絶縁膜と、前記第２ｐ側開口部にて前記第１電極に接続された第１外部接続部と、前記第２ｎ側開口部にて前記第２電極に接続された第２外部接続部と、を備える。
【０００７】
本発明の他の態様に係る発光素子は、絶縁性の基板と、直列に接続された３以上の発光セルであって、前記３以上の発光セルは、直列回路の一端に位置する第１発光セルと直列回路の他端に位置する第２発光セルとを含むとともに、それぞれが、前記基板の上面に設けられたｎ側半導体層と、前記ｎ側半導体層の上面における一部の領域を除く領域に設けられた活性層と、前記活性層の上面に設けられたｐ側半導体層と、を有する３以上の発光セルと、前記３以上の発光セルそれぞれにおけるｐ側半導体層の上面に設けられた光反射性電極と、前記３以上の発光セルを覆い、前記３以上の発光セルそれぞれについて、前記光反射性電極の上方に設けられた第１ｐ側開口部と、前記ｎ側半導体層の上面における一部の領域の上方に設けられた第１ｎ側開口部と、を有する第１絶縁膜と、前記第１絶縁膜の上面に設けられるとともに、前記第１発光セルの前記ｎ側半導体層と前記第１ｎ側開口部にて接続された第１配線電極と、前記第２発光セルの前記光反射性電極と前記第１ｐ側開口部にて接続された第２配線電極と、を含む複数の配線電極と、前記第１絶縁膜の上面に設けられるとともに、前記第１発光セルの前記光反射性電極と前記第１ｐ側開口部にて接続された第１電極と、前記第１絶縁膜の上面に設けられるとともに、前記第２発光セルの前記ｎ側半導体層と前記第１ｎ側開口部にて接続された第２電極と、前記第１電極の上方に設けられた第２ｐ側開口部と、前記第２電極の上方に設けられた第２ｎ側開口部と、前記複数の配線電極のうちの少なくとも１つの上方に設けられた第３開口部と、を有する第２絶縁膜と、前記第２ｐ側開口部にて前記第１電極に接続された第１外部接続部と、前記第２ｎ側開口部にて前記第２電極に接続された第２外部接続部と、を備える。
【発明の効果】
【０００８】
以上の構成とすることにより、複数の発光セルが配線電極により電気的に接続された発光素子であっても、複数の発光セルそれぞれにおける電気特性を確認できるので、信頼性に優れた発光素子を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】実施形態１に係る発光素子の構成を模式的に示す上面図である。
【図２Ａ】実施形態１に係る発光素子の構成を模式的に示す断面図であり、図１のＩＩＡ−ＩＩＡ線における断面を示す。
【図２Ｂ】実施形態１に係る発光素子の構成を模式的に示す断面図であり、図１のＩＩＢ−ＩＩＢ線における断面を示す。
【図３】実施形態１に係る発光装置の構成を模式的に示す斜視図である。
【図４】実施形態１に係る発光装置の構成を模式的に示す断面図であり、図３のＩＶ−ＩＶ線における断面を示す。
【図５】実施形態２に係る発光素子の構成を模式的に示す上面図である。
【図６Ａ】実施形態２に係る発光装置の構成を模式的に示す断面図であり、図５のＶＩＡ−ＶＩＡ線における断面を示す。
【図６Ｂ】実施形態２に係る発光装置の構成を模式的に示す断面図であり、図５のＶＩＢ−ＶＩＢ線における断面を示す。
【図７】実施形態３に係る発光素子の構成を模式的に示す上面図である。
【図８Ａ】実施形態３に係る発光素子の構成を模式的に示す断面図であり、図７のＶＩＩＩＡ−ＶＩＩＩＡ線における断面を示す。
【図８Ｂ】実施形態３に係る発光素子の構成を模式的に示す断面図であり、図７のＶＩＩＩＢ−ＶＩＩＩＢ線における断面を示す。
【図９】実施形態４に係る発光素子の構成を模式的に示す上面図である。
【図１０Ａ】実施形態４に係る発光素子の構成を模式的に示す断面図であり、図９のＸＡ−ＸＡ線における断面を示す。
【図１０Ｂ】実施形態４に係る発光素子の構成を模式的に示す断面図であり、図９のＸＢ−ＸＢ線における断面を示す。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
図１は、実施形態１に係る発光素子１Ａの構成を模式的に示す上面図である。図２Ａは、発光素子１Ａの断面図であり、図１のＩＩＡ−ＩＩＡ線における断面を示す。図２Ｂは、発光素子１Ａの断面図であり、図１のＩＩＢ−ＩＩＢ線における断面を示す。図３は、発光素子１Ａを備える発光装置１００を模式的に示す斜視図である。図４は、発光装置１００の断面図であり、図３のＩＶ−ＩＶ線における断面を示す。図５は、実施形態２に係る発光素子１Ｂの構成を模式的に示す上面図である。図６Ａは、発光素子１Ｂの断面図であり、図５のＶＩＡ−ＶＩＡ線における断面を示す。図６Ｂは、発光素子１Ｂの断面図であり、図５のＶＩＢ−ＶＩＢ線における断面を示す。図７は、実施形態３に係る発光素子２Ａの構成を模式的に示す上面図である。図８Ａは、発光素子２Ａの断面図であり、図７のＶＩＩＩＡ−ＶＩＩＩＡ線における断面を示す。図８Ｂは、発光素子２Ａの断面図であり、図７のＶＩＩＩＢ−ＶＩＩＩＢ線における断面を示す。図９は、実施形態４に係る発光素子２Ｂの構成を模式的に示す上面図である。図１０Ａは、発光素子２Ｂの断面図であり、図９のＸＡ−ＸＡ線における断面を示す。図１０Ｂは、発光素子２Ｂの断面図であり、図９のＸＢ−ＸＢ線における断面を示す。
【００１１】
なお、以下の説明において参照する図面は、実施形態を概略的に示したものであるため、各部材のスケールや間隔、位置関係などが誇張、あるいは、部材の一部の図示が省略されている場合がある。また、上面図とその断面図において、各部材のスケールや間隔が一致しない場合もある。また、以下の説明では、同一の名称及び符号については原則として同一又は同質の部材を示しており、詳細な説明を適宜省略する。
【００１２】
＜実施形態１＞
発光素子１Ａは、図１、２Ａ、及び２Ｂに示すように、以下の構成を備える。
発光素子１Ａは、絶縁性の基板１１と、基板１１の上面に設けられたｎ側半導体層１２ｎと、ｎ側半導体層１２ｎの上面における一部の領域を除く領域に設けられた活性層１２ａと、活性層１２ａの上面に設けられたｐ側半導体層１２ｐと、をそれぞれが有する第１及び第２発光セル１２１、１２２と、を有している。そして、第１及び第２発光セル１２１，１２２それぞれにおけるｐ側半導体層１２ｐの上面に設けられた光反射性電極１３と、第１及び第２発光セル１２１，１２２を覆い、第１及び第２発光セル１２１，１２２それぞれについて、光反射性電極１３の上方に設けられた第１ｐ側開口部１７ｐと、ｎ側半導体層１２ｎの上面における一部の領域の上方に設けられた第１ｎ側開口部１７ｎと、を有する第１絶縁膜１７と、第１絶縁膜１７の上面に設けられるとともに、第１発光セル１２１のｎ側半導体層１２ｎと第１ｎ側開口部１７ｎにて接続され、第２発光セル１２２の光反射性電極１３と第１ｐ側開口部１７ｐにて接続された配線電極１４と、第１絶縁膜１７の上面に設けられるとともに、第１発光セル１２１の光反射性電極１３と第１ｐ側開口部１７ｐにて接続された第１電極１５と、第１絶縁膜１７の上面に設けられるとともに、第２発光セル１２２のｎ側半導体層１２ｎと第１ｎ側開口部１７ｎにて接続された第２電極１６と、をさらに有している。そして、第１電極１５の上方に設けられた第２ｐ側開口部１８ｐと、第２電極１６の上方に設けられた第２ｎ側開口部１８ｎと、配線電極１４の上方に設けられた第３開口部１８ｅと、を有する第２絶縁膜１８と、第２ｐ側開口部１８ｐにて第１電極１５に接続された第１外部接続部１９ｐと、第２ｎ側開口部１８ｎにて第２電極１６に接続された第２外部接続部１９ｎと、を有している。
【００１３】
これにより、基板１１の上面に設けられた第１発光セル１２１と第２発光セル１２２とが配線電極１４により接続された発光素子であっても、第１発光セル１２１及び第２発光セル１２２それぞれにおける電気特性を確認することができる。以下、この点について詳細に説明する。
【００１４】
２つの発光セルが配線電極で接続された発光素子では、一方の発光セルに電気的に接続された第１外部接続部と他方の発光セルに電気的に接続された第２外部接続部との間に電圧をかけることで、その発光素子の電気特性を確認することができる。しかしながら、確認できる電気特性は２つの発光セルが直列接続された状態のものであるため、２つの発光セルそれぞれの電気特性を確認することが難しい。そのため、例えば２つの発光セルのうち一方の発光セルに不具合が生じていたとしても、その不具合を検出することができない場合があり、発光素子の信頼性を低下させるおそれがある。特に、順方向電圧または逆方向電圧に対する電気特性に変動を起こさない程度の発光セルの微小なリーク電流に関しては、例えば、一方の発光セルが正常である場合には、直列接続された２つの発光セルの電流値を測定しても検出が困難である。このようなリーク電流は、発光素子を動作させたときに致命的な信頼性の低下に至る要因となる。また、複数の発光セルが直列接続された発光素子全体の順方向電圧または逆方向電圧の電気特性によってリーク電流を検出する場合に、それぞれの発光セルの電気特性が含まれる電圧降下の値から異常を検出する方法がある。しかしながら、それぞれの発光セルの持つ電気特性には正常と判断される基準値から少し大きい、あるいは少し小さいというようにばらつきが存在し、微小なリーク電流はそのばらつきにより検出が困難である。このような傾向は、直列に接続された発光セルの数が多くなるほど大きくなり、微小なリーク電流の検出はさらに困難になる。
【００１５】
そこで、本実施形態では、図１、２Ａ、及び２Ｂに示すように、第２絶縁膜１８に、第１外部接続部１９ｐを第１電極１５と接続させるための第２ｐ側開口部１８ｐと、第２外部接続部１９ｎを第２電極１６と接続させるための第２ｎ側開口部１８ｎの他に、配線電極１４の上方に第３開口部１８ｅを設けている。これにより、第１外部接続部１９ｐと第３開口部１８ｅにおける配線電極１４との間に電圧をかけることで第１発光セル１２１の電気特性を確認することができる。同様に、第２外部接続部１９ｎと第３開口部１８ｅにおける配線電極１４との間に電圧をかけることで第２発光セル１２２の電気特性を確認することができる。このように、本実施形態に係る発光素子１Ａによれば、第１発光セル１２１及び第２発光セル１２２のそれぞれにおける電気特性を確認できる。その結果、それぞれの発光セル１２における不具合の有無を正確に確認できるため発光素子の信頼性を向上させることができる。
【００１６】
以下、実施形態１に係る発光素子１Ａについて詳細に説明する。
【００１７】
発光素子１Ａは、図１に示すように、絶縁性の基板１１と、基板１１の上面に設けられたｎ側半導体層１２ｎと、ｎ側半導体層１２ｎの上面における一部の領域に設けられた活性層１２ａと、活性層１２ａの上面に設けられたｐ側半導体層１２ｐと、をそれぞれが有する第１発光セル１２１、第２発光セル１２２を備える。本実施形態では、溝部１２ｄにより分割された第１発光セル１２１、第２発光セル１２２を有している。各発光セル１２１、１２２は、それぞれＬＥＤ構造を有している。また、第１発光セル１２１と第２発光セル１２２とは、配線電極１４等により直列に接続されている。
【００１８】
第１発光セル１２１と第２発光セル１２２とを直列に接続したとき、第１発光セル１２１は、光反射性電極１３、第１電極１５、及び第１外部接続部１９ｐと接続されている。また、第２発光セル１２２は、第２電極１６、及び第２外部接続部１９ｎと接続されている。
【００１９】
発光素子１Ａは、第１外部接続部１９ｐと、第２外部接続部１９ｎとに電源を接続することで、第１発光セル１２１及び第２発光セル１２２が発光するように構成されている。また、ｐ側半導体層１２ｐの上面側に、光反射性電極１３と、配線電極１４とが設けられており、発光素子１Ａの下面側、例えば基板１１の下面から主に光が取り出される。また、発光素子１Ａは、第１外部接続部１９ｐと第２外部接続部１９ｎとが発光素子１Ａの上面側に設けられており、フリップチップ実装に適した構造を有している。
【００２０】
（基板）
基板１１は、絶縁性を備え、複数の発光セル１２を支持するものである。また、基板１１は、半導体層をエピタキシャル成長させるための成長基板であってもよい。基板１１としては、例えば、半導体構造に窒化物半導体を用いる場合、サファイア（Ａｌ２Ｏ３）基板を用いることができる。
【００２１】
基板１１の上面に、複数の凸部を設けてもよい。この複数の凸部により、発光セル１２からの光を散乱又は回折し発光素子から取り出されやすい角度とすることができるため、光取り出し効率を向上させることができる。凸部の高さは、例えば５ｎｍ程度以上とすることができる。また、凸部の高さは、基板１１の上面に設ける半導体積層体構造の総膜厚よりも低くすることが好ましい。凸部の上面視形状は、特に限定されない。例えば、凸部の上面視形状を円形、三角形、四角形とすることができる。
【００２２】
基板１１の上面視形状は、例えば、矩形状、正方形状とすることができる。本実施形態においては、基板１１は略矩形状である。基板１１の一辺の長さは、３００μｍ以上３０００μｍ以下程度、好ましくは５００μｍ以上１５００μｍ以下程度とすることができる。
【００２３】
（発光セル）
発光セル１２は、基板１１の上面側から、ｎ側半導体層１２ｎと、活性層１２ａと、ｐ側半導体層１２ｐとが順に積層されてなる半導体積層構造を有する。活性層１２ａは、ｎ側半導体層１２ｎの上面における一部の領域を除く領域に設けられる。ｐ側半導体層１２ｐは、活性層１２ａの上面に設けられている。したがって、ｎ側半導体層１２ｎの上面のうち一部の領域には、活性層１２ａ及びｐ側半導体層１２ｐが設けられていない。
【００２４】
図１、２Ａに示すように、基板１１の上面に設けられた第１発光セル１２１及び第２発光セル１２２は、底部が基板１１の上面が露出している溝部１２ｄにより分割されている。第１発光セル１２１及び第２発光セル１２２は、配線電極１４により直列に接続されているが、配線電極１４による接続を除けばそれらは互いに電気的に独立している。
【００２５】
第１発光セル１２１及び第２発光セル１２２それぞれには、ｐ側半導体層１２ｐ及び活性層１２ａが部分的に存在せず、ｎ側半導体層１２ｎの上面が露出した領域である第１露出部１２ｂが設けられている。第１露出部１２ｂは、発光セル１２において、ｐ側半導体層１２ｐの上面とｎ側半導体層１２ｎの上面とによる段差部が形成されている領域である。第１露出部１２ｂは、上面視において、ｐ側半導体層１２ｐの外縁に隣接して配置される。本実施形態では、第１発光セル１２１及び第２発光セル１２２それぞれには、６個の第１露出部１２ｂが設けられている。
【００２６】
第１発光セル１２１及び第２発光セル１２２のそれぞれには、基板１１の外周に沿って、ｎ側半導体層１２ｎがｐ側半導体層１２ｐ及び活性層１２ａから露出した領域である第２露出部１２ｃが設けられている。
【００２７】
図１に示すように、上面視において、第１発光セル１２１及び第２発光セル１２２の活性層１２ａのそれぞれは、実質的に同じ形状であることが好ましい。活性層１２ａの形状が同じであることで、それぞれの発光セルからの輝度が同じとなりやすく、発光素子の輝度むらを軽減できる。
【００２８】
ｎ側半導体層１２ｎ、活性層１２ａ及びｐ側半導体層１２ｐは、ＩｎＸＡｌＹＧａ１−Ｘ−ＹＮ（０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ＜１）などの窒化物半導体を用いることができる。活性層１２ａが発する光のピーク波長は、例えば、例えば３６０ｎｍ〜６５０ｎｍの範囲である。
【００２９】
（光反射性電極）
光反射性電極１３は、ｐ側半導体層１２ｐの広い領域に電流を流すために、第１電極１５、第２電極１６、及び配線電極１４から供給された電流を拡散させる電流拡散層として機能するとともに、光反射層としても機能する。光反射性電極１３は、第１発光セル１２１及び第２発光セル１２２それぞれにおけるｐ側半導体層１２ｐの上面の略全領域に設けられている。
【００３０】
光反射性電極１３は、良好な導電性と光反射性とを有する金属材料からなる金属層を有することが好ましい。このような金属材料としては、例えば、Ａｇ、Ａｌ又はこれらの何れかの金属を主成分とする合金を用いることができる。また、光反射性電極１３は、複数の金属層が積層された積層構造としてもよい。例えば、下層側にＡｇ又はその合金などの光反射性の良好な材料を用いた光反射層を設け、上層側に光反射層に用いた金属材料のマイグレーションを低減するためのバリア層を設けるようにしてもよい。バリア層は、光反射性電極１３を覆うように設けることが好ましい。バリア層には、絶縁性の部材で形成することが好ましく、例えば、ＳｉＮやＳｉＯ２を用いることができる。
【００３１】
（第１絶縁膜）
第１絶縁膜１７は、図２Ａ、２Ｂに示すように、第１発光セル１２１及び第２発光セル１２２を連続して被覆している。第１絶縁膜１７は、第１発光セル１２１及び第２発光セル１２２それぞれにおいて、光反射性電極１３の上方に設けられた第１ｐ側開口部１７ｐと、ｎ側半導体層１２ｎの上面における一部の領域の上方に設けられた第１ｎ側開口部１７ｎと、を有する。本実施形態では、第１ｎ側開口部１７ｎが、発光セル１２それぞれに設けられた６つの第１露出部１２ｂごとに設けられている。第１ｎ側開口部１７ｎは、上面視において、第１発光セル１２１及び第２発光セル１２２のｐ側半導体層１２ｐの外側に設けられている。そして、第１外部接続部１９ｐは、第１発光セル１２１のｐ側半導体層１２ｐの内側に設けられ、第２外部接続部１９ｎは、第２発光セル１２２のｐ側半導体層１２ｐの内側に設けられている。これにより、外部接続部１９を設ける場合に、発光セル１２の上方の比較的大きい領域に第１ｎ側開口部１７ｎを覆うことなく設けることができる。外部接続部１９を第１ｎ側開口部１７ｎを覆うように設けた場合、実装時の熱応力などにより第１ｎ側開口部１７ｎ内において第２電極１６や第１絶縁膜１７の剥離などの不具合が生じるおそれがある。しかしながら、本実施形態によれば、上記した不具合の発生を低減しつつ、外部接続部１９を広範囲に設けることができるので、信頼性を維持しつつ実装性を向上させることができる。
【００３２】
第１絶縁膜１７は、例えば、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ａｌ、Ｈｆからなる群より選択された少なくとも一種を含有する酸化物又は窒化物を用いることができる。これらの中で、可視光に対する透光性が高く、屈折率の低いＳｉＯ２を用いることが好ましい。半導体構造や基板１１よりも屈折率が低く、かつ、半導体構造や基板１１との屈折率差が大きな材料を用いることで、これらの部材と第１絶縁膜１７との界面で、効率的に光を反射させることができる。このような界面での光反射率を高めることで、発光素子１Ａの上面側から、すなわち光取り出し面とは反対側からの漏れ光を低減することができる。
【００３３】
（配線電極）
配線電極１４は、図１、２Ａ、２Ｂに示すように、第１絶縁膜１７の上面に設けられるとともに、第１発光セル１２１と第２発光セル１２２とを接続させるためのものである。配線電極１４は、第１発光セル１２１のｎ側半導体層１２ｎと第１ｎ側開口部１７ｎにて接続され、第２発光セル１２２の光反射性電極１３と第１ｐ側開口部１７ｐにて接続されている。配線電極１４は、光反射性電極１３の上面に設けられた第１ｐ側開口部１７ｐにて、光反射性電極１３を介してｐ側半導体層１２ｐと電気的に接続されている。配線電極１４は、第１発光セル１２１及び第２発光セル１２２の上面、側面及びその間の領域を連続して被覆するように設けられている。
【００３４】
配線電極１４は、導電性及び光反射性が良好な金属材料からなる金属層を有することが好ましい。このような金属材料としては、Ａｇ、Ａｌ又はこれらの金属の合金を用いることができる。Ａｌ又はＡｌ合金は、光反射性が高く、Ａｇに比べてマイグレーションが起こり難いため、配線電極１４として好適である。
【００３５】
（第１電極、第２電極）
第１電極１５は、第１絶縁膜１７の上面に設けられるとともに、第１発光セル１２１の光反射性電極１３と第１ｐ側開口部１７ｐにて接続されている。第２電極１６は、第１絶縁膜１７の上面に設けられるとともに、第２発光セルのｎ側半導体層１２ｎと第１ｎ側開口部１７ｎにて接続されている。第１電極１５の上方には、後記する第２絶縁膜１８の第２ｐ側開口部１８ｐが設けられ、第２電極１６の上方には、後記する第２絶縁膜１８の第２ｎ側開口部１８ｎが設けられる。
【００３６】
第１電極１５及び第２電極１６は、導電性及び光反射性が良好な金属材料からなる金属層を有することが好ましい。このような金属材料としては、上記した配線電極１４と同様の金属材料を用いることができる。
【００３７】
（第２絶縁膜）
第２絶縁膜１８は、図１、２Ａ、２Ｂに示すように、第１電極１５、第２電極１６、配線電極１４、及び第１絶縁膜１７の表面の略全領域を連続して被覆している。第２絶縁膜１８は、第１電極１５の上方に設けられた第２ｐ側開口部１８ｐと、第２電極１６の上方に設けられた第２ｎ側開口部１８ｎと、配線電極１４の上方に設けられた第３開口部１８ｅを有している。本実施形態では、第２絶縁膜１８に、第２ｐ側開口部１８ｐと、第２ｎ側開口部１８ｎとがそれぞれ１つ設けられている。なお、第２ｐ側開口部１８ｐ及び第２ｎ側開口部１８ｎの配置数や形状は特に限定されるものではない。
【００３８】
第３開口部１８ｅは、図１に示すように、第１発光セル１２１及び第２発光セル１２２が設けられていない領域に設けられている。これにより、第３開口部１８ｅを第１発光セル１２１及び第２発光セル１２２が設けられている領域に設ける場合に比較して、各発光セル１２からの光を阻害することが低減できる。また、後記する外部接続部との距離が近くなりすぎる事態も避けることができ、第３開口部１８ｅと外部接続部とが電気的に接続されにくくなる。本実施形態では、第３開口部１８ｅは、溝部１２ｄにより第１発光セル１２１及び第２発光セル１２２から分離された半導体層上に設けられた配線電極１４の上方に設けられている。これにより、例えば、上記したように基板１１の上面に複数の凸部が設けられている場合に、配線電極１４を凸部による断線などが生じることなく所望の形状に設けることができる。なお、例えば、基板１１上に凸部が設けられていない場合には、半導体層を設けずに基板１１の上面が露出した領域の上方に配線電極１４を設け、その配線電極１４の上方に第３開口部１８ｅを設けてもよい。
【００３９】
第３開口部１８ｅは、図１、２Ａに示すように、第１外部接続部１９ｐと第２外部接続部１９ｎとが対向する領域に設けられている。これにより、第３開口部１８ｅと第１外部接続部１９ｐとの距離、第３開口部１８ｅと第２外部接続部１９ｎとの距離を同様の距離にしやすい。そのため、第３開口部１８ｅと第１外部接続部１９ｐとの間における測定と、第３開口部１８ｅと第２外部接続部１９ｎとの間における測定と、を容易に行うことができる。
【００４０】
第２絶縁膜１８は、第１電極１５、第２電極１６、及び配線電極１４を保護する保護膜としても機能する。第２絶縁膜１８は、前記した第１絶縁膜１７と同様の材料を用いることができる。なお、第１絶縁膜１７と第２絶縁膜１８とは、異なる材料を用いてもよい。
【００４１】
（外部接続部）
図１、２Ａ、２Ｂに示すように、第１外部接続部１９ｐは、第２絶縁膜１８の上面に設けられ、第２ｐ側開口部１８ｐにて第１電極１５に接続されている。また、第２外部接続部１９ｎは、第２絶縁膜１８の上面に設けられ、第２ｎ側開口部１８ｎにて第２電極１６に接続されている。第１外部接続部１９ｐ及び第２外部接続部１９ｎは、外部と接続するために設けられ、例えば、後記する基体２３の導電部２４と電気的に接続される。
【００４２】
第３開口部１８ｅに、配線電極１４と接続された第５外部接続部１９ｅが設けられている。これにより、第１外部接続部１９ｐ及び第２外部接続部１９ｎの高さと、第５外部接続部１９ｅとの高さのずれが小さくなる。その結果、プローブ針などを使用して電気特性を測定する際に、これらの外部接続部１９に対してプローブ針を接触させやすくなるので測定を容易に行うことできる。なお、第５外部接続部１９ｅは、第１外部接続部１９ｐ及び第２外部接続部１９ｎのように基体２３の導電部２４と電気的に接続させるために設ける部材ではなく、発光セル１２の電気特性を測定する際にプローブ針などを接触させる測定用の部材である。第５外部接続部１９ｅの上面視における大きさは、第１外部接続部１９ｐ及び第２外部接続部１９ｎの大きさよりも小さくすることが好ましい。これにより、測定用の部材としての役割を果たすことができるとともに、第１外部接続部１９ｐ及び第２外部接続部１９ｎが設けられる領域をより大きくできるため、実装性及び放熱性を向上させることができる。
【００４３】
第１外部接続部１９ｐ及び第２外部接続部１９ｎのそれぞれは、図１に示すように、上面視において、略同じ形状を有している。このような形状とすることで、実装時に生じる力が、第１外部接続部１９ｐ側、または第２外部接続部１９ｎ側に偏ることを低減し、実装精度を向上できる。
【００４４】
第１外部接続部１９ｐの上面視形状は、図１に示すように、第５外部接続部１９ｅが配置されている領域に対向する部分が、第５外部接続部１９ｅが配置されている領域の反対側に向かって窪んだ形状になっている。また、第２外部接続部１９ｎの上面視形状も同様に、第５外部接続部１９ｅが配置されている領域に対向する部分が、第５外部接続部１９ｅが配置されている領域の反対側に向かって窪んだ形状になっている。このような形状とすることで、第５外部接続部１９ｅと、第１外部接続部１９ｐ及び第２外部接続部１９ｎそれぞれとの距離を比較的大きくできる。そのため、第５外部接続部１９ｅ及び第１外部接続部１９ｐと、第５外部接続部１９ｅ及び第２外部接続部１９ｎと、が実装時に使用する半田材料などの接合部材により電気的に導通してしまう事態を抑制できる。
【００４５】
本実施形態では、第１外部接続部１９ｐ及び第２外部接続部１９ｎをメッキ法で形成している。この場合、第１外部接続部１９ｐ及び第２外部接続部１９ｎは、第１電極１５または第２電極１６と電気的に接続される金属層であるシード層２０と、シード層２０の上面に積層形成されたメッキ層２１とから構成される。シード層２０は、メッキ層２１を電解メッキ法で形成する際の電流経路となる金属層であり、スパッタリング法や蒸着法などによって形成することができる。
【００４６】
シード層２０には、導電性及び光反射性が良好な金属材料からなる金属層を有することが好ましい。このような金属材料としては、Ａｌ、Ａｇ、Ａｌ合金及びＡｇ合金を挙げることができる。更に、シード層２０は、当該Ａｌ、Ａｇ、Ａｌ合金又はＡｇ合金からなる金属層が、第２絶縁膜１８と接触するように設けられることが好ましい。これによって、半導体構造から基体２３側に向かう光を発光素子１Ａの光取り出し面側に効率よく反射することができる。
【００４７】
メッキ層２１には、Ｃｕ、Ａｕ、Ｎｉなどの金属を用いることができる。また、メッキ層２１を複数種類の金属を用いた積層構造としてもよい。外部接続部１９は、腐食防止及びＡｕ−Ｓｎ共晶半田などのＡｕ合金系の接着部材を用いた基体２３との接合性を高めるために、少なくとも最上層をＡｕで形成することが好ましい。
【００４８】
基板１１の下面に、活性層１２ａからの光を反射する反射膜を設けることができる。反射膜には、活性層１２ａからの光に対して高い反射率を有する金属膜や、複数の誘電体層が積層された誘電体多層膜を用いることができる。誘電体多層膜としては、活性層１２ａからの光が反射されるようにそれぞれ誘電体層の膜厚を適宜設定したものが好ましい。このような反射膜を設けられることで、基板１１の下面側から光が取り出されにくく、基板１１の側面側から主に光が取り出されることになり、例えば、発光素子の正面側ではなく側方へ光を取り出したい場合などに好適に用いることができる。
【００４９】
次に、発光素子１Ａを備える発光装置１００について、図３、４を参照しながら説明する。図３は、発光装置１００の構成を示す斜視図であり、図４は、図３のＩＶ−ＩＶ線における断面図を示す。
【００５０】
（基体、導電部）
図４に示すように、基体２３と、導電部２４とは一体に形成されており、発光素子１Ａは導電部２４と接合され導通されている。本実施形態では、基体２３には２つの導電部２４が設けられており、第１外部接続部１９ｐ及び第２外部接続部１９ｎそれぞれは、導電部２４に接合されている。発光素子１Ａは、基体２３に接合することで発光装置１００として用いることができる。また、導電部２４の側面のうち、図４において発光素子１Ａが接合されている側とは反対側の側面が実装基板などに実装される。
【００５１】
外部接続部１９と、導電部２４との接合には、例えば、Ａｕ−Ｓｎ系、Ａｇ−Ｓｎ系のはんだなどの接合部材を用いることができる。
【００５２】
基体２３には、熱硬化性樹脂や熱可塑性樹脂を用いることができる。具体的には、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂などを用いることができる。また、基体２３に光反射性物質を含有させてもよい。光反射性物質としては、酸化チタン、酸化ケイ素、酸化ジルコニウムなどを用いることができる。
【００５３】
導電部２４には、例えば、良好な放熱性を備えるＣｕ、またはＣｕを主成分とする金属材料を用いることができる。また、導電部２４の表面には、金属層を形成してもよい。例えば、導電部２４の最表面にＡｇ、Ａｌなどの金属材料からなる金属層を形成することができる。
【００５４】
（光反射部材）
光反射性部材２５は、図４に示すように、発光素子１Ａの上面を除く部分を覆うように設けられている。光反射性部材２５は、基体２３側に向かって漏れ出た光を発光素子１Ａの光取り出し面側に向かって反射させるために設けられている。光反射性部材２５には、上記した基体２３と同様の部材を用いることが好ましく、例えば、光反射物質が含有された樹脂を用いることができる。
【００５５】
（封止部材）
封止部材２６は、図３、４に示すように、発光素子１Ａの光取り出し面側を覆うように設けられている。封止部材２６は、発光素子１Ａを外力や埃、水分などから保護するとともに、発光素子１Ａの耐熱性、耐候性、耐光性を向上させる機能を有する。封止部材２６には、上記した基体２３と同様の部材を用いることが好ましい。
【００５６】
以上、発光素子１Ａについて説明したが、発光セル１２の上面視形状は、特に限定されず、正方形や六角形などの多角形、円形、楕円形などであってもよい。また、発光セル１２の個数は２個に限定されず、２個以上であればよい。また、複数の発光セル１２は、全てが直列に接続されるものに限定されず、２個以上の直列接続が１つ以上あればよく、並列接続が含まれていてもよい。
【００５７】
＜実施形態２＞
本発明の実施形態２に係る発光素子１Ｂについて、図５、６Ａ、６Ｂを参照して説明する。以下では、実施形態１に対応する部材には同じ符号を付している。
【００５８】
発光素子１Ｂは、第３開口部１８ｅが、第２発光セル１２２から連続したｎ側半導体層１２ｎ上に位置していることが主に実施形態１と異なっている。これにより、実施形態１に比較して、配線電極１４の一部を溝部１２ｄが配置されていない領域上に設けることができる。配線電極１４が溝部１２ｄ上を覆うように設けられている場合、段差が大きく配線電極１４の断線等が生じやすくなり信頼性を悪化させる要因となる。しかしながら、本実施形態では、溝部１２ｄに設けられる配線電極１４の領域をより少なくできるので上記した信頼性の悪化を低減できる。なお、本実施形態では、第３開口部１８ｅを第２発光セル１２２から連続したｎ側半導体層１２ｎ上に配置したが、第１発光セル１２１から連続したｎ側半導体層１２ｎ上に配置してもよい。
【００５９】
発光素子１Ｂにおいても、発光素子１Ａと同様の効果を奏することができる。また、発光素子１Ｂは、発光素子１Ａと同様に基体２３に接合し発光装置１００として使用できることはいうまでもない。
【００６０】
＜実施形態３＞
本発明の実施形態３に係る発光素子２Ａについて、図７、８Ａ、８Ｂを参照して説明する。以下では、実施形態１に対応する部材には同じ符号を付している。また実施形態１と同様の構成に関しては適宜説明を省略する。
【００６１】
発光素子２Ａは、図７、８Ａ、８Ｂに示すように、以下の構成を備える。
絶縁性の基板１１と、直列に接続された３以上の発光セル１２１〜１２４であって、３以上の発光セル１２１〜１２４は、直列回路の一端に位置する第１発光セル１２１と直列回路の他端に位置する第２発光セル１２２とを含むとともに、それぞれが、基板１１の上面に設けられたｎ側半導体層１２ｎと、ｎ側半導体層１２ｎの上面における一部の領域を除く領域に設けられた活性層１２ａと、活性層１２ａの上面に設けられたｐ側半導体層と、を有する３以上の発光セル１２１〜１２４と、を有している。そして、３以上の発光セル１２１〜１２４それぞれにおけるｐ側半導体層１２ｐの上面に設けられた光反射性電極１３と、３以上の発光セル１２１〜１２４を覆い、３以上の発光セル１２１〜１２４それぞれについて、光反射性電極１３の上方に設けられた第１ｐ側開口部１７ｐと、ｎ側半導体層１２ｎの上面における一部の領域の上方に設けられた第１ｎ側開口部１７ｎと、を有する第１絶縁膜１７と、第１絶縁膜１７の上面に設けられるとともに、第１発光セル１２１のｎ側半導体層１２ｎと第１ｎ側開口部１７ｎにて接続された第１配線電極１４１と、第２発光セル１２２の光反射性電極１３と第１ｐ側開口部１７ｐにて接続された第２配線電極１４２と、を含む複数の配線電極１４１〜１４３と、第１絶縁膜１７の上面に設けられるとともに、第１発光セル１２１の光反射性電極１３と第１ｐ側開口部１７ｐにて接続された第１電極１５と、第１絶縁膜１７の上面に設けられるとともに、第２発光セル１２２のｎ側半導体層１２ｎと第１ｎ側開口部１７ｎにて接続された第２電極１６と、をさらに有している。そして、第１電極１５の上方に設けられた第２ｐ側開口部１８ｐと、第２電極１６の上方に設けられた第２ｎ側開口部１８ｎと、複数の配線電極１４１〜１４３のうちの少なくとも１つの上方に設けられた第３開口部１８ｅと、を有する第２絶縁膜１８と、第２ｐ側開口部１８ｐにて第１電極１５に接続された第１外部接続部１９ｐと、第２ｎ側開口部１８ｎにて第２電極１６に接続された第２外部接続部１９ｎと、を有している。
【００６２】
本実施形態では、上面視形状が略正方形状の基板１１の上面に、第１〜第４発光セル１２１〜１２４が２行２列に設けられており、第１〜第４発光セル１２１〜１２４が複数の配線電極１４１〜１４３により接続されていることが主に実施形態１と異なっている。第１配線電極１４１は、第１発光セル１２１のｎ側半導体層１２ｎと第１ｎ側開口部１７ｎにて接続され、第３発光セル１２３の上面に設けられた光反射性電極１３と第１ｐ側開口部１７ｐにて接続されている。第２配線電極１４２は、第４発光セル１２４のｎ側半導体層１２ｎと第１ｎ側開口部１７ｎにて接続され、第２発光セル１２２の上面に設けられた光反射性電極１３と第１ｐ側開口部１７ｐにて接続されている。第３配線電極１４３は、第３発光セル１２３のｎ側半導体層１２ｎと第１ｎ側開口部１７ｎにて接続され、第４発光セル１２４の上面に設けられた光反射性電極１３と第１ｐ側開口部１７ｐにて接続されている。このように、第１〜第４発光セル１２１〜１２４は、第１〜第３配線電極１４１〜１４３により直列に接続されている。
【００６３】
第１〜第４発光セル１２１〜１２４それぞれには、６個の第１露出部１２ｂが設けられている。そして、第１露出部１２ｂが設けられている領域には、第１ｎ側開口部１７ｎがそれぞれ設けられている。第１ｎ側開口部１７ｎは、第１〜第４発光セル１２１〜１２４のｐ側半導体層１２ｐの外側に設けられている。第１外部接続部１９ｐは、第１発光セル１２１のｐ側半導体層１２ｐの内側に設けられている。第２外部接続部１９ｎは、第２発光セル１２２のｐ側半導体層１２ｐの内側に設けられている。第３外部接続部１９ｃは、第３発光セル１２３のｐ側半導体層１２ｐの内側に設けられている。第４外部接続部１９ｄは、第４発光セル１２４のｐ側半導体層１２ｐの内側に設けられている。
【００６４】
発光素子２Ａは、実施形態１、２で説明した第１外部接続部１９ｐ及び第２外部接続部１９ｎの他に、第３外部接続部１９ｃ、第４外部接続部１９ｄ、及び第５外部接続部１９ｅを有している。第３外部接続部１９ｃは、第３発光セル１２３の光反射性電極１３の上方に設けられた第３ｐ側開口部１８ｃにて第１配線電極１４１に接続されている。第４外部接続部１９ｄは、第４発光セル１２４の光反射性電極１３の上方に設けられた第４ｐ側開口部１８ｄにて第３配線電極１４３に接続されている。第５外部接続部１９ｅは、第３開口部１８ｅにて第２配線電極１４２に接続されている。このような外部接続部１９を第１〜第４発光セル１２１〜１２４のそれぞれに設けることで、第１〜第４発光セル１２１〜１２４それぞれの電気特性を確認することができる。具体的には、第１外部接続部１９ｐと第３外部接続部１９ｃとの間に電圧をかけることで第１発光セル１２１の電気特性を確認できる。第３外部接続部１９ｃと第４外部接続部１９ｄとの間に電圧をかけることで第３発光セル１２３の電気特性を確認できる。第４外部接続部１９ｄと第５外部接続部１９ｅとの間に電圧をかけることで第４発光セル１２４の電気特性を確認できる。第５外部接続部１９ｅと第２外部接続部１９ｎとの間に電圧をかけることで第２発光セル１２２の電気特性を確認できる。
【００６５】
第１〜第４発光セル１２１〜１２４のそれぞれに設けられた外部接続部１９は、上記した導電部２４にそれぞれ接続される。そのため、発光素子２Ａを実装基板の実装面に対する傾きを低減した状態で実装することができる。また、第１〜第４発光セル１２１〜１２４のそれぞれに設けられた外部接続部１９の高さは、同じにすることが好ましく、さらに実装面に対する傾きを低減した状態で実装が可能となる。
【００６６】
上面視において、第１外部接続部１９ｐ、第２外部接続部１９ｎ、第３外部接続部１９ｃ、及び第４外部接続部１９ｄはそれぞれ略同じ形状を有している。このような形状とすることで、実装時に生じる力がいずれかの外部接続部１９に偏ることが低減され実装精度を向上できる。
【００６７】
上面視において、第１〜第４発光セル１２１〜１２４が有する活性層のそれぞれは、実質的に同じ形状である。これにより、発光セル１２間における輝度むらを低減でき、このような第１〜第４発光セル１２１〜１２４が２行２列に配置されることで発光素子全体としての輝度むらを向上することができる。
【００６８】
本実施形態では、図７、８Ａ、８Ｂに示すように、第３開口部１８ｅは、第１〜第４発光セル１２１〜１２４が設けられていない領域に設けられている。具体的には、半導体層の上面に設けられた第２配線電極１４２の上方に設けられ、溝部１２ｄで囲まれた領域に位置している。
【００６９】
第３開口部１８ｅは、上面視形状が略正方形状の基板１１の中央領域に位置している。活性層１２ａが主な放熱経路となる外部接続部１９から比較的遠くに位置する場合に発光素子の放熱性を悪化させる場合がある。本実施形態においては、中央領域に活性層１２ａを含まない半導体層上に第３開口部１８ｅが配置されていることで放熱性の悪化を低減できる。
【００７０】
第３開口部１８ｅは、第１外部接続部１９ｐと、第２外部接続部１９ｎと、第３外部接続部１９ｃと、第４外部接続部１９ｄと、に囲まれる領域に設けられている。これにより、第３開口部１８ｅに設けられた第５外部接続部１９ｅと、第１外部接続部１９ｐ、第２外部接続部１９ｎ、第３外部接続部１９ｃ、及び第４外部接続部１９ｄそれぞれとの距離を均等にしやすくなる。そのため、上記した第１〜第４発光セル１２１〜１２４の電気特性を確認する際に、外部接続部１９に対して電圧を印加しやすくできるので確認に要する時間を短縮できる。
【００７１】
発光素子２Ａにおいても、発光素子１Ａと同様の効果を奏することができる。また、発光素子２Ａは、発光素子１Ａと同様に基体２３に接合し発光装置１００として使用できることはいうまでもない。
【００７２】
＜実施形態４＞
本発明の実施形態４に係る発光素子２Ｂについて、図９、１０Ａ、１０Ｂを参照して説明する。以下では、実施形態１に対応する部材には同じ符号を付している。また実施形態２、３と同様の構成に関しては適宜説明を省略する。
【００７３】
発光素子２Ｂは、第３開口部１８ｅが、実施形態２と同様に、第２発光セル１２２から連続したｎ側半導体層１２ｎ上に位置していることが主に実施形態３と異なっている。これにより、実施形態３に比較して、配線電極１４の一部を溝部１２ｄが配置されていない領域上に設けることができるので信頼性の悪化を低減できる。なお、本実施形態では、第３開口部１８ｅを第２発光セル１２２から連続したｎ側半導体層１２ｎ上に配置したが、第１発光セル１２１、第３発光セル１２３、及び第４発光セル１２４のいずれかから連続したｎ側半導体層１２ｎ上に配置してもよい。
【００７４】
発光素子２Ｂにおいても、発光素子２Ａと同様の効果を奏することができる。また、発光素子２Ｂは、発光素子２Ａと同様に基体２３に接合し発光装置１００として使用できることはいうまでもない。
【００７５】
以上、本発明に係る発光素子について、発明を実施するための形態により具体的に説明したが、本発明の趣旨はこれらの記載に限定されるものではなく、特許請求の範囲の記載に基づいて広く解釈されなければならない。また、これらの記載に基づいて種々変更、改変などしたものも本発明の趣旨に含まれることはいうまでもない。
【符号の説明】
【００７６】
１Ａ、１Ｂ、２Ａ、２Ｂ  発光素子
１１  基板
１２  発光セル
１２１〜１２４  第１〜第４発光セル
１２ｎ  ｎ側半導体層
１２ａ  活性層
１２ｐ  ｐ側半導体層
１２ｂ  第１露出部
１２ｃ  第２露出部
１２ｄ  溝部
１３  光反射性電極
１４  配線電極
１４１〜１４３  第１〜第３配線電極
１５  第１電極
１６  第２電極
１７  第１絶縁膜
１７ｐ  第１ｐ側開口部
１７ｎ  第１ｎ側開口部
１８  第２絶縁膜
１８ｐ  第２ｐ側開口部
１８ｎ  第２ｎ側開口部
１８ｃ  第３ｐ側開口部
１８ｄ  第４ｐ側開口部
１８ｅ  第３開口部
１９ｐ  第１外部接続部
１９ｎ  第２外部接続部
１９ｃ  第３外部接続部
１９ｄ  第４外部接続部
１９ｅ  第５外部接続部
２０  シード層
２１  メッキ層
２３  基体
２４  導電部
２５  光反射性部材
２６  封止部材
１００  発光装置
【図１】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図７】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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【図９】
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【図１０Ａ】
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【図１０Ｂ】
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