(57)【要約】【課題】発振周波数の測定が実際に行われる測定温度の数を減らしながら、高い精度で発振周波数の温度補償が可能な温度補償型発振器を製造する方法を提供する。【解決手段】振動子及び半導体装置を含む温度補償型発振器の製造方法であって、温度補償型発振器の温度を、複数の所定の温度に設定して発振回路の発振周波数を測定することにより、複数の所定の温度に対応する補償データを求めるステップ（ａ）と、発振回路の発振周波数が最大となる頂点温度が、複数の異なる温度範囲の内のいずれに属するかを判定するステップ（ｂ）と、ステップ（ａ）において求められた補償データに基づいて、頂点温度が属する温度範囲に応じて、複数の所定の温度以外の複数の温度に対応する補償データを求めるステップ（ｃ）と、ステップ（ａ）及び（ｃ）において求められた補償データを格納部に格納するステップ（ｄ）とを備える。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
振動子及び半導体装置を含み、前記半導体装置が、前記振動子を用いて発振動作を行う発振回路と、補償データを格納する格納部と、補償データに基づいて前記発振回路の発振周波数の温度特性を補償する温度補償回路とを有する温度補償型発振器の製造方法であって、
前記温度補償型発振器の温度を、複数の所定の温度に設定して前記発振回路の発振周波数を測定することにより、前記複数の所定の温度に対応する補償データを求めるステップ（ａ）と、
前記発振回路の発振周波数が最大となる頂点温度が、複数の異なる温度範囲の内のいずれに属するかを判定するステップ（ｂ）と、
ステップ（ａ）において求められた補償データに基づいて、前記頂点温度が属する温度範囲に応じて、前記複数の所定の温度以外の複数の温度に対応する補償データを求めるステップ（ｃ）と、
ステップ（ａ）及び（ｃ）において求められた補償データを前記格納部に格納するステップ（ｄ）と、
を備える温度補償型発振器の製造方法。
【請求項２】
前記振動子及び前記半導体装置が、同一のパッケージ内に封止されており、
ステップ（ｂ）が、前記半導体装置を加熱することにより前記振動子の温度を設定して、前記頂点温度が前記複数の異なる温度範囲の内のいずれに属するかを判定することを含む、請求項１記載の温度補償型発振器の製造方法。
【請求項３】
前記半導体装置が、ヒーター抵抗をさらに有しており、
ステップ（ｂ）が、前記ヒーター抵抗に電流を供給して前記半導体装置を加熱することを含む、請求項２記載の温度補償型発振器の製造方法。
【請求項４】
ステップ（ｂ）が、第１の温度において前記発振回路の発振周波数を目標周波数に近付ける第１の補償データと、前記第１の温度と異なる第２の温度において前記発振回路の発振周波数を前記目標周波数に近付ける第２の補償データとを求め、前記第１の補償データと前記第２の補償データとの差値に基づいて、前記頂点温度が前記複数の異なる温度範囲の内のいずれに属するかを判定することを含む、請求項１〜３のいずれか１項記載の温度補償型発振器の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発振周波数の温度特性が補償される温度補償型発振器の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、水晶振動子を用いて発振動作を行い、発振周波数の温度特性が補償される温度補償型水晶発振器（ＴＣＸＯ）が広く利用されている。一般に、水晶振動子の共振周波数の温度特性は、加工時にばらつきを生じ、また、発振回路の特性にもばらつきが存在するので、製造される多数の発振器において発振周波数の温度特性を同一にすることは困難である。
【０００３】
そのため、温度補償型発振器は、個々の発振器の発振周波数の温度特性をそれぞれ調整できるように、補償データを格納するＰＲＯＭ（プログラマブル・リードオンリー・メモリー）等の格納部を内蔵している。温度補償型発振器を製造する際には、温度補償型発振器の温度を、複数の所定の温度に設定して発振周波数を測定することにより、複数の所定の温度において発振周波数を目標周波数に近付ける補償データが求められて格納部に格納される。
【０００４】
関連する技術として、特許文献１には、短時間でかつ高精度な補償データを作成することができる温度補償発振器の調整方法が開示されている。この温度補償発振器の調整方法は、温度補償発振器を温度槽に収納し、温度槽の温度を変化させて温度補償発振器からの出力信号を測定し、測定値のみに基づいて補償データを作成し、補償データを温度補償発振器に記憶させることを特徴とする。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００２−７６７７４号公報（段落０００６−０００７、００１４−００３１、図１、図４、図５）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１においては、図１に示されている３次関数発生回路１０２が、メモリー１０１に記憶された補償データに従って３次関数を発生し、温度センサー１０３の出力電圧Ｖｔｅｍｐに対応した３次関数の値を電圧Ｖｆｕｎｃとして出力する。メモリー１０１に記憶される補償データは、３次関数の３次係数、２次係数、１次係数、及び、０次係数であり、個々の発振器の発振周波数の温度特性に合わせて修正される。
【０００７】
補償データを修正する際には、スイッチ１０６を切替えて、３次関数発生回路１０２の出力電圧ＶｆｕｎｃがＶＣＸＯ１０４に入力されないようにしておき、制御電圧Ｖｃが温度補償発振器１００の端子１１５を介してＶＣＸＯ１０４に印加される。各測定点において、周波数Ｆが予め決められた基準周波数Ｆ０になるように制御電圧Ｖｃが調整され、Ｆ＝Ｆ０となった時点で電圧Ｖｆｕｎｃ及びＶｔｅｍｐが測定される。
【０００８】
測定が終了すると、各測定点におけるΔＶ＝Ｖｃ−Ｖｆｕｎｃが演算される。次に、最小２乗法又は最良近似方法を用いてΔＶを３次関数にカーブフィットさせて、３次関数の３次係数、２次係数、１次係数、及び、０次係数が求められ、さらに、ＶｆｕｎｃをΔＶだけ修正したＶ'ｆｕｎｃを表す３次関数の３次係数、２次係数、１次係数、及び、０次係数が求められる。
【０００９】
特許文献１の図５に示されているように、点Ａから点Ｂまでの間の１１ポイントで、予め決められた時間間隔毎に測定が行われるように設定されている。しかしながら、そのように多くのポイントで測定を行う場合には、測定のために多大な労力及び時間が費やされることになる。
【００１０】
また、温度補償電圧が温度の３次関数で表される場合には、４つの測定点（測定温度）において測定を行うことにより、３次関数の４つの係数を求めることも考えられる。しかしながら、その場合には、測定温度以外の温度における発振周波数の誤差が大きくなってしまうので、発振周波数の温度補償の精度を高くすることができない。
【００１１】
そこで、上記の点に鑑み、本発明の第１の目的は、発振周波数の測定が実際に行われる測定温度の数を減らしながら、高い精度で発振周波数の温度補償が可能な温度補償型発振器を製造する方法を提供することである。さらに、本発明の第２の目的は、そのような温度補償型発振器の製造方法において、補償データを求めるための測定に要する時間を短縮することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
以上の課題の少なくとも一部を解決するために、本発明の１つの観点に係る温度補償型発振器の製造方法は、振動子及び半導体装置を含み、半導体装置が、振動子を用いて発振動作を行う発振回路と、補償データを格納する格納部と、補償データに基づいて発振回路の発振周波数の温度特性を補償する温度補償回路とを有する温度補償型発振器の製造方法であって、温度補償型発振器の温度を、複数の所定の温度に設定して発振回路の発振周波数を測定することにより、複数の所定の温度に対応する補償データを求めるステップ（ａ）と、発振回路の発振周波数が最大となる頂点温度が、複数の異なる温度範囲の内のいずれに属するかを判定するステップ（ｂ）と、ステップ（ａ）において求められた補償データに基づいて、頂点温度が属する温度範囲に応じて、複数の所定の温度以外の複数の温度に対応する補償データを求めるステップ（ｃ）と、ステップ（ａ）及び（ｃ）において求められた補償データを格納部に格納するステップ（ｄ）とを備える。
【００１３】
本発明の１つの観点によれば、測定によって複数の所定の温度に対応する補償データを求め、発振回路の発振周波数が最大となる頂点温度が、複数の異なる温度範囲の内のいずれに属するかを判定することにより、測定によって求められた補償データに基づいて、頂点温度が属する温度範囲に応じて、複数の所定の温度以外の複数の温度に対応する補償データが求められる。
【００１４】
振動子の共振周波数の温度特性は、ばらつきを有しており、それによって温度に対する最適補償データのカーブも異なるので、頂点温度が属する温度範囲に応じて補償データを修正することにより、温度補償の精度を向上させることができる。その結果、発振周波数の測定が実際に行われる測定温度の数を減らしながら、高い精度で発振周波数の温度補償が可能な温度補償型発振器を製造する方法を提供することができる。
【００１５】
ここで、振動子及び半導体装置が、同一のパッケージ内に封止されており、ステップ（ｂ）が、半導体装置を加熱することにより振動子の温度を設定して、頂点温度が複数の異なる温度範囲の内のいずれに属するかを判定することを含むようにしても良い。その場合には、半導体装置の温度と振動子の温度とを略均一にして、頂点温度が属する温度範囲を正確に判定することができる。
【００１６】
その場合に、半導体装置が、ヒーター抵抗をさらに有しており、ステップ（ｂ）が、ヒーター抵抗に電流を供給して半導体装置を加熱することを含むようにしても良い。それにより、温度槽を用いなくても半導体装置を加熱することができるので、補償データを求めるための測定に要する時間を短縮することができる。
【００１７】
以上において、ステップ（ｂ）が、第１の温度において発振回路の発振周波数を目標周波数に近付ける第１の補償データと、第１の温度と異なる第２の温度において発振回路の発振周波数を目標周波数に近付ける第２の補償データとを求め、第１の補償データと第２の補償データとの差値に基づいて、頂点温度が複数の異なる温度範囲の内のいずれに属するかを判定することを含むようにしても良い。それにより、頂点温度が属する温度範囲を比較的簡単に判定することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の一実施形態に係る温度補償型発振器の構成例を示す図。
【図２】図１に示す温度補償型発振器の製造方法を示すフローチャート。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。
＜温度補償型発振器＞
図１は、本発明の一実施形態に係る温度補償型発振器の構成例を示す図である。図１に示すように、温度補償型発振器１００は、振動子（振動体）１１０及び半導体装置（ＩＣ）１２０を含んでいる。
【００２０】
振動子１１０及び半導体装置１２０は、同一のパッケージ内に封止されていることが望ましく、その場合には、振動子１１０の温度と半導体装置１２０の温度とを略均一にすることができる。以下においては、一例として、水晶振動子を用いて発振動作を行い、発振周波数の温度特性がデジタル方式で補償されるデジタル温度補償型水晶発振器（ＤＴＣＸＯ）について説明する。
【００２１】
半導体装置１２０は、発振回路１０と、温度センサー２０と、温度補償回路３０と、格納部４０と、ヒーター抵抗制御回路５０と、ヒーター抵抗Ｒ１とを有し、高電位側の電源電位ＶＤＤ及び低電位側の電源電位ＶＳＳが供給されて動作する。本実施形態においては、電源電位ＶＳＳが接地電位（０Ｖ）であるものとする。
【００２２】
発振回路１０は、第１の端子Ｐ１と第２の端子Ｐ２との間に接続された振動子１１０を用いて発振動作を行うことにより、発振信号Ｆｏｕｔを生成して出力端子Ｐ３に供給する。例えば、発振回路１０は、ＮＰＮバイポーラトランジスターを含み、ＮＰＮバイポーラトランジスターのベース及びコレクターが第１の端子Ｐ１及び第２の端子Ｐ２にそれぞれ接続されている。あるいは、発振回路１０は、インバーターを含み、インバーターの入力端子及び出力端子が第１の端子Ｐ１及び第２の端子Ｐ２にそれぞれ接続されている。
【００２３】
温度センサー２０は、例えば、ＰＮ接合ダイオード、バイポーラトランジスター、又は、サーミスターと、増幅回路と、ＡＤコンバーターとを含み、温度補償型発振器１００の温度を検出して検出信号を生成し、アナログの検出信号をデジタルの温度データに変換する。温度データは、外部接続端子Ｐ４、温度補償制御回路３１、及び、ヒーター抵抗制御回路５０に供給される。
【００２４】
温度補償回路３０は、温度補償制御回路３１と、複数のキャパシターＣ１１、Ｃ１２、・・・、Ｃ２１、Ｃ２２、・・・と、複数のスイッチ回路ＳＷ１１、ＳＷ１２、・・・、ＳＷ２１、ＳＷ２２、・・・とを含み、外部接続端子Ｐ５又は格納部４０から供給される補償データに基づいて発振回路１０の発振周波数の温度特性を補償する。
【００２５】
キャパシターＣ１１、Ｃ１２、・・・の一端は、発振回路１０の第１の端子Ｐ１に接続されており、スイッチ回路ＳＷ１１、ＳＷ１２、・・・は、キャパシターＣ１１、Ｃ１２、・・・の他端と電源電位ＶＳＳの配線との間に接続されている。また、キャパシターＣ２１、Ｃ２２、・・・の一端は、発振回路１０の第２の端子Ｐ２に接続されており、スイッチ回路ＳＷ２１、ＳＷ２２、・・・は、キャパシターＣ２１、Ｃ２２、・・・の他端と電源電位ＶＳＳの配線との間に接続されている。
【００２６】
各々のスイッチ回路は、例えば、並列接続されたＰチャネルＭＯＳ（metal oxide semiconductor）トランジスター及びＮチャネルＭＯＳトランジスターで構成されるアナログスイッチを含んでいる。温度補償制御回路３１は、補償データに基づいて、スイッチ回路ＳＷ１１、ＳＷ１２、・・・、ＳＷ２１、ＳＷ２２、・・・を導通状態又は非導通状態に制御する。
【００２７】
例えば、補償データは、発振回路１０の第１の端子Ｐ１と電源電位ＶＳＳの配線との間に接続されるキャパシターＣ１１、Ｃ１２、・・・の数、及び、発振回路１０の第２の端子Ｐ２と電源電位ＶＳＳの配線との間に接続されるキャパシターＣ２１、Ｃ２２、・・・の数を表している。その場合に、補償データの値が大きくなると、発振回路１０の第１の端子Ｐ１又は第２の端子Ｐ２と電源電位ＶＳＳの配線との間に接続されるキャパシターの数が多くなるので、発振回路１０の発振周波数が低下する。
【００２８】
格納部４０は、例えば、ＰＲＯＭ又は電気的に書き換え可能な不揮発性メモリー等で構成され、外部接続端子Ｐ６から供給される温度データ及び補償データを互いに関連付けて格納する。従って、温度補償制御回路３１は、温度センサー２０から供給される温度データに関連付けられた補償データを格納部４０から読み出すことができる。
【００２９】
また、格納部４０は、外部接続端子Ｐ６から供給される設定温度データを格納しても良い。その場合に、ヒーター抵抗制御回路５０は、格納部４０から設定温度データを読み出し、温度センサー２０によって検出される温度が設定温度データで表される設定温度に近付くように、ヒーター抵抗Ｒ１に電流を供給する。あるいは、外部接続端子Ｐ７及びＰ８からヒーター抵抗Ｒ１に電流を供給しても良い。
【００３０】
ヒーター抵抗Ｒ１は、半導体装置１２０の内部又は表面に配置されている。半導体装置１２０の表面に配置されるヒーター抵抗Ｒ１としては、一対の電極膜の間に発熱膜が配置された発熱体が用いられる。発熱膜の材料としては、例えば、ＴａＳｉＯ２、Ｔａ２Ｎ５、又は、ＢａＴｉＯ３等を用いることができる。
【００３１】
あるいは、ヒーター抵抗Ｒ１を半導体装置１２０の外部に配置しても良い。例えば、ヒーター抵抗Ｒ１として、パッケージの表面に配置されたニクロム線等の発熱体が用いられる。いずれにしても、振動子１１０の温度と温度センサー２０の温度とが近いほど温度補償の精度が向上するので、ヒーター抵抗Ｒ１と、振動子１１０と、温度センサー２０とをできるだけ近くに配置することが望ましい。
【００３２】
＜温度補償型発振器の製造方法＞
図２は、図１に示す温度補償型発振器の製造方法を示すフローチャートである。図２に示すステップＳ１において、振動子１１０及び半導体装置１２０が用意される。ステップＳ２において、振動子１１０及び半導体装置１２０をモールド材で封止することにより、振動子１１０及び半導体装置１２０が同一のパッケージ内に封止された温度補償型発振器１００が形成される。ただし、この段階では、格納部４０にデータが格納されていない。
【００３３】
ステップＳ３において、温度補償型発振器１００の温度を、複数の所定の温度に設定して発振回路１０の発振周波数を測定することにより、複数の所定の温度に対応する補償データが求められる。そのために、温度補償型発振器１００を温度槽に収納し、温度槽の温度を変化させて所定の温度に設定しても良い。
【００３４】
例えば、温度補償型発振器１００を製造するための製造装置として設置されたパーソナルコンピューター（「製造用コンピューター」ともいう）が、外部接続端子Ｐ４から出力される温度データに基づいて温度槽の温度を所定の温度に設定すると共に、外部接続端子Ｐ５に供給する補償データを変化させながら、出力端子Ｐ３から出力される発振信号Ｆｏｕｔの周波数を周波数カウンター等で測定する。それにより、製造用コンピューターは、発振信号Ｆｏｕｔの周波数が目標周波数に最も近くなるときの補償データ（「最適補償データ」ともいう）を求めて、対応する温度データと共に内部メモリー等に格納する。
【００３５】
さらに、製造用コンピューターは、複数の所定の温度に対応する最適補償データに基づいて、使用温度範囲における補償データの値を近似的に表す温度補償関数を求める。温度補償関数として、所定の温度が４つである場合には３次関数を求めることが可能であり、所定の温度が３つである場合には２次関数を求めることが可能である。以下においては、所定の温度が、−４０℃、８５℃、及び、２５℃の３つであるものとする。その場合に、室温を２５℃に設定することにより、２５℃における測定を室内（温度槽の外）で行っても良い。
【００３６】
ステップＳ４において、発振回路１０の発振周波数が最大となる頂点温度が、複数の異なる温度範囲の内のいずれに属するかが判定される。振動子１１０の共振周波数の温度特性は、ばらつきを有しており、それによって温度に対する最適補償データのカーブも異なるので、頂点温度が属する温度範囲に応じて補償データを修正することにより、温度補償の精度を向上させることができる。
【００３７】
振動子１１０及び半導体装置１２０が同一のパッケージ内に封止されている場合には、ステップＳ４において、半導体装置１２０を加熱することにより振動子１１０の温度を設定して、頂点温度が複数の異なる温度範囲の内のいずれに属するかを判定するようにしても良い。その場合には、半導体装置１２０の温度と振動子１１０の温度とを略均一にして、頂点温度が属する温度範囲を正確に判定することができる。
【００３８】
図１に示すように、半導体装置１２０がヒーター抵抗Ｒ１を有する場合には、ステップＳ４において、ヒーター抵抗Ｒ１に電流を供給して半導体装置１２０を加熱するようにしても良い。それにより、温度槽を用いなくても半導体装置１２０を加熱することができるので、補償データを求めるための測定に要する時間を短縮することができる。
【００３９】
また、ステップＳ４において、第１の温度において発振回路１０の発振周波数を目標周波数に近付ける第１の補償データと、第１の温度と異なる第２の温度において発振回路１０の発振周波数を目標周波数に近付ける第２の補償データとを求め、第１の補償データと第２の補償データとの差値に基づいて、頂点温度が複数の異なる温度範囲の内のいずれに属するかを判定しても良い。それにより、頂点温度が属する温度範囲を比較的簡単に判定することができる。
【００４０】
水晶振動子の共振周波数は、一般に２５℃の近傍で最大となるが、２０℃又は３０℃の近傍で最大となるものもあるので、複数の異なる温度範囲として、例えば、２２．５℃よりも低い温度範囲と、２２．５℃以上で２７．５℃以下の温度範囲と、２７．５℃よりも高い温度範囲とが設定される。
【００４１】
また、第１の温度として２５℃が設定され、第２の温度として３０℃が設定されても良い。その場合には、２５℃の室内で第１の補償データを求めた後に、ヒーター抵抗Ｒ１に電流を供給して温度補償型発振器１００の温度を３０℃に設定し、第２の補償データを求めることができる。
【００４２】
例えば、製造用コンピューターのハードディスク等には、過去に製造された温度補償型発振器の複数のサンプルについて測定された第１の補償データと第２の補償データとの差値と頂点温度との関係を表す頂点温度データが蓄積されている。製造用コンピューターは、蓄積された頂点温度データを参照することにより、測定対象である温度補償型発振器１００の頂点温度が、複数の異なる温度範囲の内のいずれに属するかを判定する。
【００４３】
ステップＳ５において、ステップＳ３において求められた補償データに基づいて、頂点温度が属する温度範囲に応じて、複数の所定の温度以外の複数の温度に対応する補償データが求められる。例えば、製造用コンピューターのハードディスク等には、過去に製造された温度補償型発振器の複数のサンプルについて、複数の所定の温度以外の幾つかの温度に対応して、温度補償関数を用いて算出された補償データと実測された最適補償データとの誤差を表す誤差データが蓄積されている。
【００４４】
製造用コンピューターは、測定対象である温度補償型発振器１００について、温度補償関数を用いて複数の所定の温度以外の幾つかの温度に対応する補償データを算出し、蓄積された誤差データを参照することにより、算出された補償データを修正する。それにより、製造用コンピューターは、複数の所定の温度において実測された最適補償データと、複数の所定の温度以外の幾つかの温度について算出された補償データを修正して求めた補償データとに基づいて、修正された温度補償関数を求める。
【００４５】
例えば、ステップＳ３において求められた３つの最適補償データと、温度補償関数を用いて算出された補償データを修正して求めた１つの補償データとに基づいて、修正された温度補償関数として３次関数を求めることができる。あるいは、修正された温度補償関数として、複数の温度範囲毎に複数の関数を求めても良い。
【００４６】
また、修正された温度補償関数を求める際に、ステップＳ４において第２の温度について実測された第２の補償データが、実測された最適補償データとして用いられても良い。製造用コンピューターは、修正された温度補償関数を用いて、複数の所定の温度以外の複数の温度に対応する補償データを求める。
【００４７】
ステップＳ６において、製造用コンピューターが、ステップＳ３及びステップＳ５において求められた補償データを格納部４０に格納する。それにより、温度センサー２０から供給され得る全ての温度データに対応する補償データが格納部４０に格納されて、温度補償型発振器１００の製造が完了する。
【００４８】
その後、温度補償型発振器１００が起動されると、温度補償制御回路３１が、温度センサー２０から供給される温度データに関連付けられた補償データを格納部４０から読み出して、補償データを用いて複数のスイッチ回路ＳＷ１１、ＳＷ１２、・・・、ＳＷ２１、ＳＷ２２、・・・を制御することにより、発振回路１０の発振周波数の温度特性を補償することができる。
【００４９】
本実施形態によれば、測定によって複数の所定の温度に対応する補償データを求め、発振回路１０の発振周波数が最大となる頂点温度が、複数の異なる温度範囲の内のいずれに属するかを判定することにより、測定によって求められた補償データに基づいて、頂点温度が属する温度範囲に応じて、複数の所定の温度以外の複数の温度に対応する補償データが求められる。
【００５０】
振動子１１０の共振周波数の温度特性は、ばらつきを有しており、それによって温度に対する最適補償データのカーブも異なるので、頂点温度が属する温度範囲に応じて補償データを修正することにより、温度補償の精度を向上させることができる。その結果、発振周波数の測定が実際に行われる測定温度の数を減らしながら、高い精度で発振周波数の温度補償が可能な温度補償型発振器１００を製造する方法を提供することができる。
【００５１】
上記の実施形態においては、水晶振動子を用いる温度補償型発振器について説明したが、本発明は、以上説明した実施形態に限定されるものではなく、水晶振動子以外の圧電振動子を用いる温度補償型圧電発振器にも適用することができる。このように、当該技術分野において通常の知識を有する者によって、本発明の技術的思想内で多くの変形が可能である。
【符号の説明】
【００５２】
１０…発振回路、２０…温度センサー、３０…温度補償回路、３１…温度補償制御回路、４０…格納部、５０…ヒーター抵抗制御回路、１００…温度補償型発振器、１１０…振動子、１２０…半導体装置、Ｃ１１〜Ｃ２２…キャパシター、ＳＷ１１〜ＳＷ２２…スイッチ回路、Ｒ１…ヒーター抵抗、Ｐ１…第１の端子、Ｐ２…第２の端子、Ｐ３…出力端子、Ｐ４〜Ｐ８…外部接続端子
【図１】
2019149668.tif 000003
【図２】
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