(57)【要約】【課題】共有内部電極層に隣接する高容量部側の誘電体層の厚さ＜共有内部電極層に隣接する低容量部側の誘電体層の厚さの関係がある場合でも、共有内部電極層とこの共有内部電極層に隣接する低容量部側の誘電体層との間に剥離が残存し難い積層セラミックコンデンサを提供する。【解決手段】積層セラミックコンデンサ１０は、コンデンサ本体１１内の容量部が、共有内部電極層１１ａ３を境として高容量部ＨＣと低容量部ＬＣとに第３方向ｄ３に二分されている。コンデンサ本体１１を第１方向ｄ１と直交する面で切断したときに現れる共有内部電極層１１ａ３の断面形状は、共有内部電極層１１ａ３と隣接する低容量部ＬＣ側の誘電体層１１ｂ２に向かって張り出した湾曲部ＣＰを第２方向ｄ２の両側とこれらの間に有する断面形状となっている。【選択図】図２
2019009290.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の内部電極層が誘電体層を介して積層された容量部を有する略直方体状のコンデンサ本体と、前記複数の内部電極層が交互に接続された１対の外部電極とを備えた積層セラミックコンデンサであって、
前記コンデンサ本体の相対する２つの面の対向方向（前記外部電極が向き合う方向）を第１方向、他の相対する２つの面の対向方向を第２方向、残りの相対する２つの面の対向方向（前記内部電極層が積層される方向）を第３方向とし、各方向に沿う寸法をそれぞれ第１方向寸法、第２方向寸法、第３方向寸法としたとき、
前記容量部は、共有内部電極層を境として高容量部と低容量部とに第３方向に二分され、かつ、前記高容量部の容量＞前記低容量部の容量の関係となっており、
前記コンデンサ本体を第１方向と直交する面で切断したときに現れる前記共有内部電極層の断面形状は、前記共有内部電極層と隣接する前記低容量部側の前記誘電体層に向かって張り出した湾曲部を少なくとも２箇所に有する断面形状となっている、
積層セラミックコンデンサ。
【請求項２】
前記共有内部電極層の断面形状は、前記湾曲部を、少なくとも前記共有内部電極層の第２方向両側に有する断面形状となっている、
請求項１に記載の積層セラミックコンデンサ。
【請求項３】
前記共有内部電極層の断面形状は、前記湾曲部を、前記共有内部電極層の第２方向両側とこれらの間に有する断面形状となっている、
請求項１または２に記載の積層セラミックコンデンサ。
【請求項４】
前記共有内部電極層の断面形状は、３個の前記湾曲部が第２方向に並んだ断面形状となっている、
請求項３に記載の積層セラミックコンデンサ。
【請求項５】
前記共有内部電極層の断面形状は、３個の前記湾曲部が前記平坦部を介して第２方向に並んだ断面形状となっている、
請求項３に記載の積層セラミックコンデンサ。
【請求項６】
前記共有内部電極層の断面形状は、前記湾曲部を、前記共有内部電極層の第２方向両側に有する断面形状となっている、
請求項１または２に記載の積層セラミックコンデンサ。
【請求項７】
前記共有内部電極層の断面形状は、２個の前記湾曲部が前記平坦部を介して第２方向に並んだ断面形状となっている、
請求項６に記載の積層セラミックコンデンサ。
【請求項８】
前記高容量部を構成する前記誘電体層の第３方向寸法は、０．３〜１．８μｍの範囲内で設定されている、
請求項１〜７のいずれか１項に記載の積層セラミックコンデンサ。
【請求項９】
前記高容量部を構成する前記誘電体層の第３方向寸法は、０．３〜０．８μｍの範囲内で設定されている、
請求項１〜７のいずれか１項に記載の積層セラミックコンデンサ。
【請求項１０】
前記高容量部を構成する前記誘電体層の第３方向寸法は、０．３〜０．６μｍの範囲内で設定されている、
請求項１〜７のいずれか１項に記載の積層セラミックコンデンサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、積層セラミックコンデンサに関する。
【背景技術】
【０００２】
後記特許文献１（特に図２および図６を参照）には、複数の内部電極層が誘電体層を介して積層された容量部を有する略直方体状のコンデンサ本体と、前記複数の内部電極層が交互に接続された１対の外部電極とを備え、容量部が共有内部電極層を境として高容量部と低容量部とに積層方向に二分された積層セラミックコンデンサが開示されている。高容量部の容量＞低容量部の容量の関係は、高容量部を構成する誘電体層の厚さ＜低容量部を構成する誘電体層の厚さの関係によって満足されている。
【０００３】
ところで、前掲の積層セラミックコンデンサは製造時に未焼成のコンデンサ本体を焼成する必要があるが、共有内部電極層に隣接する高容量部側の誘電体層の厚さ＜共有内部電極層に隣接する低容量部側の誘電体層の厚さを原因として、焼成過程で共有内部電極層とこの共有内部電極層に隣接する低容量部側の誘電体層との間に剥離が生じ、この剥離がコンデンサ本体内に残存する懸念がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０００−２４３６５７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明が解決しようとする課題は、共有内部電極層に隣接する高容量部側の誘電体層の厚さ＜共有内部電極層に隣接する低容量部側の誘電体層の厚さの関係がある場合でも、共有内部電極層とこの共有内部電極層に隣接する低容量部側の誘電体層との間に剥離が残存し難い積層セラミックコンデンサを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
前記課題を解決するため、本発明に係る積層セラミックコンデンサは、複数の内部電極層が誘電体層を介して積層された容量部を有する略直方体状のコンデンサ本体と、前記複数の内部電極層が交互に接続された１対の外部電極とを備えた積層セラミックコンデンサであって、前記コンデンサ本体の相対する２つの面の対向方向（前記外部電極が向き合う方向）を第１方向、他の相対する２つの面の対向方向を第２方向、残りの相対する２つの面の対向方向（前記内部電極層が積層される方向）を第３方向とし、各方向に沿う寸法をそれぞれ第１方向寸法、第２方向寸法、第３方向寸法としたとき、前記容量部は、共有内部電極層を境として高容量部と低容量部とに第３方向に二分され、かつ、前記高容量部の容量＞前記低容量部の容量の関係となっており、前記コンデンサ本体を第１方向と直交する面で切断したときに現れる前記共有内部電極層の断面形状は、前記共有内部電極層と隣接する前記低容量部側の前記誘電体層に向かって張り出した湾曲部を少なくとも２箇所に有する断面形状となっている。
【発明の効果】
【０００７】
本発明に係る積層セラミックコンデンサによれば、共有内部電極層とこの共有内部電極層に隣接する低容量部側の誘電体層との間に剥離が残存し難い。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】図１は本発明を適用した積層セラミックコンデンサの側面図である。
【図２】図２は図１に示したコンデンサ本体をＡ−Ａ線に沿う面で切断した拡大断面図であり、共有内部電極層の第１断面形状ＣＳ１を示す図でもある
【図３】図３は共有内部電極層の第２断面形状ＣＳ２を示す図２対応の部分断面図である。
【図４】図４は共有内部電極層の第３断面形状ＣＳ３を示す図２対応の部分断面図である。
【図５】図５は共有内部電極層が第１断面形状ＣＳ１に係る検証結果を示す図である。
【図６】図６は共有内部電極層が第２断面形状ＣＳ２に係る検証結果を示す図である。
【図７】図７は共有内部電極層の第３断面形状ＣＳ３に係る検証結果を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
なお、以下の説明では、便宜上、後記コンデンサ本体１１の相対する２つの面の対向方向（図１の左右方向に相当、後記外部電極１２が向き合う方向に相当）を「第１方向ｄ１」、他の相対する２つの面の対向方向（図２の左右方向に相当）を「第２方向ｄ２」、残りの相対する２つの面の対向方向（図１および図２の上下方向に相当、後記内部電極層１１ａ１〜１１ａ３が積層される方向に相当）を「第３方向ｄ３」と表記する。また、各構成要素の第１方向ｄ１に沿う寸法を「第１方向寸法Ｄ１［構成要素の符号］」、第２方向ｄ２に沿う寸法を「第２方向寸法Ｄ２［構成要素の符号］」、第３方向ｄ３に沿う寸法を「第３方向寸法Ｄ３［構成要素の符号］」と表記する。ちなみに、各寸法Ｄ１［構成要素の符号］〜Ｄ３［構成要素の符号］は設計上の基準寸法を意味するものであって、製造上の寸法公差を含むものではない。
【００１０】
《積層セラミックコンデンサ１０の全体構成》
まず、図１および図２を用いて、本発明を適用した積層セラミックコンデンサ１０の全体構成について説明する。
【００１１】
参考までに、図１および図２の基になっているサンプル（積層セラミックコンデンサ１０）の第１方向寸法Ｄ１［１０］と第２方向寸法Ｄ２［１０］と第３方向寸法Ｄ３［１０］は、それぞれ１０００μｍと５００μｍと５００μｍである。
【００１２】
積層セラミックコンデンサ１０は、略直方体状のコンデンサ本体１１と１対の外部電極１２とを備えている。外部電極１２は、コンデンサ本体１１の第１方向ｄ１の端部それぞれに設けられている。
【００１３】
コンデンサ本体１１は、複数の内部電極層（１１ａ１〜１１ａ３）が誘電体層（１１ｂ１および１１ｂ２）を介して第３方向ｄ３に積層された容量部（符号省略）を内部に有している。この容量部は、共有内部電極層１１ａ３を境として高容量部ＨＣと低容量部ＬＣとに第３方向ｄ３に二分されている。
【００１４】
図１および図２に準じて説明すると、高容量部ＨＣは、３０層の内部電極層１１ａ１と１層の共有内部電極層１１ａ３とが誘電体層１１ｂ１を介して第３方向ｄ３に積層された構成となっている。一方、低容量部ＬＣは、６層の内部電極層１１ａ２と１層の共有内部電極層１１ａ３とが誘電体層１１ｂ２を介して第３方向ｄ３に積層された構成となっている。また、高容量部ＨＣを構成する３０層の誘電体層１１ｂ１それぞれの第３方向寸法Ｄ３［１１ｂ１］よりも、低容量部ＬＣを構成する６層の誘電体層１１ｂ２それぞれの第３方向寸法Ｄ３［１１ｂ２］は大きくなっている。
【００１５】
すなわち、高容量部ＨＣの容量＞低容量部ＬＣの容量の関係は、高容量部ＨＣを構成する各誘電体層１１ｂ１の第３方向寸法Ｄ３［１１ｂ１］＜低容量部ＬＣを構成する各誘電体層１１ｂ２の第３方向寸法Ｄ３［１１ｂ２］の関係によって満足されている。高容量部ＨＣと低容量部ＬＣとが第３方向ｄ３に二分される境界は、先に述べたように共有内部電極層１１ａ３となる。共有内部電極層１１ａ３を境界として、低容量部ＬＣを構成する各誘電体層１１ｂ２の第３方向寸法Ｄ３［１１ｂ２］は、高容量部ＨＣを構成する各誘電体層１１ｂ１の第３方向寸法Ｄ３［１１ｂ１］よりも大きくなっている。この各誘電体層１１ｂ２の第３方向寸法Ｄ３［１１ｂ２］と各誘電体層１１ｂ１の第３方向寸法Ｄ３［１１ｂ１］を比較する方法としては、例えば図２に示した断面において低容量部ＬＣを構成する各誘電体層１１ｂ２に対して異なる位置１０箇所で第３方向寸法Ｄ３［１１ｂ２］を測定してその平均値を算出し、高容量部ＨＣを構成する各誘電体層１１ｂ１に対して異なる位置１０箇所で第３方向寸法Ｄ３［１１ｂ１］を測定してその平均値を算出して、両平均値を比較する方法が採用できる。すなわち、このような方法を採用すれば、各誘電体層１１ｂ２の第３方向寸法Ｄ３［１１ｂ２］と各誘電体層１１ｂ１の第３方向寸法Ｄ３［１１ｂ１］の大小関係を正確に判断することができる。なお、この比較方法は、各内部電極層１１ａ１〜１１ａ３等の第３方向寸法Ｄ３を比較するときに適用しても良い。
【００１６】
さらに、３０層の内部電極層１１ａ１の第３方向寸法Ｄ３［１１ａ１］（図示省略）と６層の内部電極層１１ａ２の第３方向寸法Ｄ３［１１ａ２］（図示省略）と１層の共有内部電極層１１ａ３の第３方向寸法Ｄ３［１１ａ３］（図示省略）は同じであり、第２方向寸法Ｄ２［１１ａ１］と第２方向寸法Ｄ２［１１ａ２］と第２方向寸法Ｄ２［１１ａ３］も同じであり、第１方向寸法Ｄ１［１１ａ１］（図示省略）と第１方向寸法Ｄ１［１１ａ２］（図示省略）と第１方向寸法Ｄ１［１１ａ３］（図示省略）も同じである。
【００１７】
参考までに、前記サンプルにおけるコンデンサ本体１１の第１方向寸法Ｄ１［１１］と第２方向寸法Ｄ２［１１］と第３方向寸法Ｄ３［１１］は、それぞれ９６０μｍと４６０μｍと４６０μｍである。また、前記サンプルにおける各内部電極層１１ａ１の第２方向寸法Ｄ２［１１ａ１］と、各内部電極層１１ａ２の第２方向寸法Ｄ２［１１ａ２］と、共有内部電極層１１ａ３の第２方向寸法Ｄ２［１１ａ３］は、それぞれ３９０μｍである。
【００１８】
図２から分かるように、高容量部ＨＣと低容量部ＬＣは、第３方向ｄ３両側の誘電体マージン部１１ｃと第２方向ｄ２両側の誘電体マージン部１１ｄによって囲まれている。また、図１から分かるように、各内部電極層１１ａ１と各内部電極層１１ａ２と共有内部電極層１１ａ３は、第１方向ｄ１において、１対の外部電極１２の後記基礎部分（符号省略）に交互に接続されている。
【００１９】
すなわち、高容量部ＨＣと低容量部ＬＣは１対の外部電極１２に並列に接続されており、高容量部ＨＣの低容量部ＬＣと合成容量が積層セラミックコンデンサ１０の容量となっている。なお、高容量部ＨＣの容量は当該高容量部ＨＣを構成する各誘電体層１１ｂ１の第３方向寸法Ｄ３［１１ｂ１］および各内部電極層１１ａ１の第３方向寸法Ｄ３［１１ａ１］等に基づいて計算でき、低容量部ＬＣの容量は当該低容量部ＬＣを構成する各誘電体層１１ｂ２の第３方向寸法Ｄ３［１１ｂ２］および各内部電極層１１ａ２の第３方向寸法Ｄ３［１１ａ２］等に基づいて計算できる。換言すれば、高容量部ＨＣの容量と低容量部ＬＣの容量との大小関係は、高容量部ＨＣを構成する各誘電体層１１ｂ１の第３方向寸法Ｄ３［１１ｂ１］および各内部電極層１１ａ１の第３方向寸法Ｄ３［１１ａ１］と、低容量部ＬＣを構成する各誘電体層１１ｂ２の第３方向寸法Ｄ３［１１ｂ２］および各内部電極層１１ａ２の第３方向寸法Ｄ３［１１ａ２］とから、推定することができる。勿論、高容量部ＨＣの容量と低容量部ＬＣの容量との大小関係は、積層セラミックコンデンサ１０から各外部電極１２を除去した後、高容量部ＨＣを構成する各内部電極層１１ａ１のみに接続する仮電極を形成し、かつ、低容量部ＬＣを構成する各内部電極層１１ａ２のみに接続する仮電極を形成して、高容量部ＨＣの容量と低容量部ＬＣの容量を個別に測定することによっても把握することもできる。
【００２０】
参考までに、前記サンプルの各誘電体マージン部１１ｃの第３方向寸法Ｄ３［１１ｃ］は６０μｍであり、各誘電体マージン部１１ｄの第２方向寸法Ｄ２［１１ｄ］は３５μｍである。
【００２１】
各外部電極１２は、コンデンサ本体１１の第１方向ｄ１の一面（図１の左面）または第１方向ｄ１の他面（図１の右面）に存する基礎部分（符号省略）と、コンデンサ本体１１の第３方向ｄ３の一面（図１の下面）に存する第１部分（符号省略）と、コンデンサ本体１１の第３方向ｄ３の他面（図１の上面）に存する第２部分（符号省略）と、コンデンサ本体１１の第２方向ｄ２の一面（図２の左面）に存する第３部分（符号省略）と、コンデンサ本体１１の第２方向ｄ２の他面（図２の右面）に存する第４部分（符号省略）とを連続して有する５面タイプの外部電極である。
【００２２】
図示を省略したが、各外部電極１２には、コンデンサ本体１１に接した下地金属膜とその外面に接した表面金属膜との２層構成や、これら下地金属膜と表面金属膜との間に少なくとも１つの中間金属膜を有する多層構成が採用されている。
【００２３】
参考までに、前記サンプルにおける各外部電極１２の第１部分〜第４部分の第１方向寸法（符号省略）は３００μｍ（好ましくは第１方向寸法Ｄ１［１０］の１／５〜２／５の範囲内で設定）である。また、前記サンプルにおける各外部電極１２の基礎部分の第１方向寸法（符号省略）と、第１部分および第２部分の第３方向寸法（符号省略）と、第３部分および第４部分の第２方向寸法（符号省略）は、それぞれ２０μｍ（好ましくは５〜２５μｍの範囲内で設定）である。
【００２４】
先に述べた各構成要素の材料について補足すると、コンデンサ本体１１の各内部電極層１１ａ１と各内部電極層１１ａ２と共有内部電極層１１ａ３の主成分は、好ましくはニッケル、銅、パラジウム、白金、銀、金、これらの合金等から選択した金属である。また、コンデンサ本体１１の各誘電層１１ｂ１と各誘電体層１１ｂ２と各誘電体マージン部１１ｃと各誘電体マージン部１１ｄの主成分は、好ましくはチタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、チタン酸マグネシウム、ジルコン酸カルシウム、チタン酸ジルコン酸カルシウム、ジルコン酸バリウム、酸化チタン等から選択した誘電体セラミックスである。ちなみに、一般的な積み重ね製法の場合、各誘電層１１ｂ１と各誘電体層１１ｂ２と各誘電体マージン部１１ｄの主成分は同じになるが、これら主成分と各誘電体マージン部１１ｃの主成分を異ならせることも可能である。
【００２５】
さらに、各外部電極１２が２層構成または多層構成の場合、下地金属膜の主成分は、好ましくはニッケル、銅、パラジウム、白金、銀、金、これらの合金等から選択した金属であり、表面金属膜の主成分は、好ましくは銅、スズ、パラジウム、金、亜鉛、これらの合金等から選択した金属であり、中間金属膜の主成分は、好ましくは白金、パラジウム、金、銅、ニッケル、これらの合金等から選択した金属である。ちなみに、下地金属膜は焼き付け金属膜とメッキ金属膜のいずれでも良く、表面金属膜は好ましくはメッキ金属膜から成り、中間金属膜は好ましくはメッキ金属膜から成る。
【００２６】
《共有内部電極層１１ａ３の断面形状》
つぎに、図２〜図４を用いて、コンデンサ本体１１を図１に示したＡ−Ａ線に沿う面、すなわち、第１方向ｄ１と直交する面で切断したときに現れる共有内部電極層１１ａ３の断面形状について説明する。
【００２７】
なお、後記湾曲部ＣＰは、共有内部電極層１１ａ３において当該共有内部電極層１１ａ３と隣接する低容量部ＬＣ側の誘電体層に向かって張り出した部分を指すものであって、断面形が綺麗な弓形や円弧のものに限らず、多少歪でも断面形が弓形や円弧の近似とみなせるものも含む。また、後記湾曲部ＣＰの第２方向寸法Ｄ２［ＣＰ］は、図２〜図４に示した共有内部電極層１１ａ３の非張り出し箇所の下面を基準とした張り出し箇所の同下面側の第２方向ｄ２の寸法を指す。さらに、後記湾曲部ＣＰの第３方向寸法Ｄ３［ＣＰ］（図示省略）は、図２〜図４に示した共有内部電極層１１ａ３の非張り出し箇所の下面を基準とした張り出し箇所の同下面側の第３方向ｄ３の最大寸法を指す。さらに、後記平坦部ＦＰは、共有内部電極層１１ａ３において当該共有内部電極層１１ａ３と隣接する低容量部ＬＣ側の誘電体層に向かって張り出していない部分を指すものであって、断面形が綺麗な直線のものに限らず、多少の凹凸があっても断面形が直線の近似とみなせるものも含む。
【００２８】
〈第１断面形状ＣＳ１（図２を参照）〉
図２に示した共有内部電極層１１ａ３の第１断面形状ＣＳ１は、共有内部電極層１１ａ３と隣接する低容量部ＬＣ側の誘電体層１１ｂ２に向かって張り出した湾曲部ＣＰを、第２方向ｄ２の両側とその間に有する断面形状となっている。つまり、３個の湾曲部ＣＰが第２方向ｄ２に並んだ断面形状となっている。図２には３個の湾曲部ＣＰの第２方向寸法Ｄ２［ＣＰ］と第３方向寸法Ｄ３［ＣＰ］（図号省略）が同じものを示してあるが、３個の湾曲部ＣＰの第２方向寸法Ｄ２［ＣＰ］は必ずしも同じでなくても良く、具体的には３個の湾曲部ＣＰのうちの１個または２個の第２方向寸法Ｄ２［ＣＰ］が残りの第２方向寸法Ｄ２［ＣＰ］と異なっていても良い。また、３個の湾曲部ＣＰの第３方向寸法Ｄ３［ＣＰ］も必ずしも同じでなくても良く、具体的には３個の湾曲部ＣＰのうちの１個または２個の第３方向寸法Ｄ３［ＣＰ］が残りの第３方向寸法Ｄ３［ＣＰ］と異なっていても良い。
【００２９】
〈第２断面形状ＣＳ２（図３を参照）〉
図３に示した共有内部電極層１１ａ３の第２断面形状ＣＳ２は、共有内部電極層１１ａ３と隣接する低容量部ＬＣ側の誘電体層１１ｂ２に向かって張り出した湾曲部ＣＰを、第２方向ｄ２の両側とその間に有し、かつ、第２方向ｄ２で隣接する湾曲部ＣＰの間に平坦部ＦＰ（非湾曲部分）を有する断面形状となっている。つまり、３個の湾曲部ＣＰが平坦部ＦＰを介して第２方向ｄ２に並んだ断面形状となっている。図３には３個の湾曲部ＣＰの第２方向寸法Ｄ２［ＣＰ］と第３方向寸法Ｄ３［ＣＰ］（図号省略）が同じものを示してあるが、３個の湾曲部ＣＰの第３方向寸法Ｄ３［ＣＰ］は必ずしも同じでなくても良く、具体的には３個の湾曲部ＣＰのうちの１個または２個の第２方向寸法Ｄ２［ＣＰ］が残りの第２方向寸法Ｄ２［ＣＰ］と異なっていても良い。また、３個の湾曲部ＣＰの第２方向寸法Ｄ２［ＣＰ］も必ずしも同じでなくても良く、具体的には３個の湾曲部ＣＰのうちの１個または２個の第３方向寸法Ｄ３［ＣＰ］が残りの第３方向寸法Ｄ３［ＣＰ］と異なっていても良い。
【００３０】
〈第３断面形状ＣＳ３（図４を参照）〉
図４に示した共有内部電極層１１ａ３の第３断面形状ＣＳ３は、共有内部電極層１１ａ３と隣接する低容量部ＬＣ側の誘電体層１１ｂ２に向かって張り出した湾曲部ＣＰを、第２方向ｄ２の両側に有し、かつ、第２方向ｄ２で隣接する湾曲部ＣＰの間に平坦部ＦＰ（非湾曲部分）を有する断面形状となっている。つまり、２個の湾曲部ＣＰが平坦部ＦＰを介して第２方向ｄ２に並んだ断面形状となっている。図４には２個の湾曲部ＣＰの第２方向寸法Ｄ２［ＣＰ］と第３方向寸法Ｄ３［ＣＰ］（図号省略）が同じものを示してあるが、２個の湾曲部ＣＰの第３方向寸法Ｄ３［ＣＰ］は必ずしも同じでなくても良く、具体的には２個の湾曲部ＣＰのうちの１個の第２方向寸法Ｄ２［ＣＰ］が残りの第２方向寸法Ｄ２［ＣＰ］と異なっていても良い。また、２個の湾曲部ＣＰの第２方向寸法Ｄ２［ＣＰ］も必ずしも同じでなくても良く、具体的には２個の湾曲部ＣＰのうちの１個の第３方向寸法Ｄ３［ＣＰ］が残りの第３方向寸法Ｄ３［ＣＰ］と異なっていても良い。
【００３１】
《各断面形状ＣＳ１〜ＣＳ３に基づいて課題が解決できるか否かの検証》
つぎに、図５〜図７を用いて、図２〜図４に示した共有内部電極層１１ａ３の第１断面形状ＣＳ１、第２断面形状ＣＳ２および第３断面形状ＣＳ３に基づいて課題が解決できるか否か、すなわち、剥離残存の抑制ができているか否かを検証した結果について説明する。
【００３２】
〈図５〜図７の説明〉
図５のサンプル０１は比較のためのサンプルであり、サンプル０２〜１２は図２に示した共有内部電極層１１ａ３の第１断面形状ＣＳ１に対応したサンプルである。また、図５の最も左の「Ｄ２［ＣＰ］・Ｄ３［ＣＰ］」は図２に示した左側の湾曲部ＣＰの第２方向寸法Ｄ２［ＣＰ］および第３方向寸法Ｄ３［ＣＰ］であり、その右の「Ｄ２［ＣＰ］・Ｄ３［ＣＰ］」は図２に示した中央の湾曲部ＣＰの第２方向寸法Ｄ２［ＣＰ］および第３方向寸法Ｄ３［ＣＰ］であり、その右の「Ｄ２［ＣＰ］・Ｄ３［ＣＰ］」は図２に示した右側の湾曲部ＣＰの第２方向寸法Ｄ２［ＣＰ］および第３方向寸法Ｄ３［ＣＰ］である。
【００３３】
図６のサンプル１３は比較のためのサンプルであり、サンプル１４〜２４は図３に示した共有内部電極層１１ａ３の第２断面形状ＣＳ２に対応したサンプルである。また、図６の最も左の「Ｄ２［ＣＰ］・Ｄ３［ＣＰ］」は図３に示した左側の湾曲部ＣＰの第２方向寸法Ｄ２［ＣＰ］および第３方向寸法Ｄ３［ＣＰ］であり、その右の「Ｄ２［ＦＰ］」は図３に示した左側の平坦部ＦＰの第２方向寸法Ｄ２［ＦＰ］であり、その右の「Ｄ２［ＣＰ］・Ｄ３［ＣＰ］」は図３に示した中央の湾曲部ＣＰの第２方向寸法Ｄ２［ＣＰ］および第３方向寸法Ｄ３［ＣＰ］であり、その右の「Ｄ２［ＦＰ］」は図３に示した右側の平坦部ＦＰの第２方向寸法Ｄ２［ＦＰ］であり、その右の「Ｄ２［ＣＰ］・Ｄ３［ＣＰ］」は図３に示した右側の湾曲部ＣＰの第２方向寸法Ｄ２［ＣＰ］および第３方向寸法Ｄ３［ＣＰ］である。
【００３４】
図７のサンプル２５は比較のためのサンプルであり、サンプル２６〜３６は図４に示した共有内部電極層１１ａ３の第３断面形状ＣＳ３に対応したサンプルである。また、図７の最も左の「Ｄ２［ＣＰ］・Ｄ３［ＣＰ］」は図４に示した左側の湾曲部ＣＰの第２方向寸法Ｄ２［ＣＰ］および第３方向寸法Ｄ３［ＣＰ］であり、その右の「Ｄ２［ＦＰ］」は図４に示した平坦部ＦＰの第２方向寸法Ｄ２［ＦＰ］であり、その右の「Ｄ２［ＣＰ］・Ｄ３［ＣＰ］」は図４に示した右側の湾曲部ＣＰの第２方向寸法Ｄ２［ＣＰ］および第３方向寸法Ｄ３［ＣＰ］である。
【００３５】
図５のサンプル０１と図６のサンプル１３と図７のサンプル２５は同じものであるが、各断面形状ＣＳ１〜ＣＳ３に対応したサンプル０２〜１２、１４〜２４および２６〜３６と対比し易いように、サンプル番号を代えて各図の筆頭に記載してある。
【００３６】
〈サンプルの作製方法および仕様の説明〉
各断面形状ＣＳ１〜ＣＳ３に対応したサンプル０２〜１２、１４〜２４および２６〜３６を作製するときには、最初に、チタン酸バリウムを主成分とする厚さが異なる第１グリーンシートと、チタン酸バリウムを主成分とし、かつ、第１グリーンシートよりも厚さが大きい第２グリーンシートと、ニッケルを主成分とする内部電極層パターン群を第１グリーンシートの表面に形成した第３グリーンシートと、ニッケルを主成分とする内部電極層パターン群を第２グリーンシートの表面に形成した第４グリーンシートとを用意する。
【００３７】
続いて、第１グリーンシートまたは第２グリーンシートから取り出した単位シートを所定枚数に達するまで積み重ねて熱圧着する作業を繰り返すことにより、一方の誘電体マージン部１１ｃに対応した部位を形成し、そして、第４グリーンシートから取り出した単位シート（内部電極層パターン群を含む）を所定枚数に達するまで積み重ねて熱圧着する作業を繰り返すことにより、低容量部ＬＣに対応した部位を形成する。
【００３８】
続いて、最上位の内部電極層パターン群（共有内部電極層１１ａ３となる内部電極層パターン群）に整形板を押し当てて各内部電極層パターンを局部的に窪ませ、各内部電極層パターンに湾曲部ＣＰに対応した箇所を形成する。整形板の押圧面には、断面形が弓形または円弧を成す微細凸部が設けられている。
【００３９】
続いて、第３グリーンシートから取り出した単位シート（内部電極層パターン群を含む）を所定枚数に達するまで積み重ねて熱圧着する作業を繰り返すことにより、高容量部ＨＣに対応した部位を形成し、そして、第１グリーンシートまたは第２グリーンシートから取り出した単位シートを所定枚数に達するまで積み重ねて熱圧着する作業を繰り返すことにより、他方の誘電体マージン部１１ｃに対応した部位を形成する。
【００４０】
続いて、積み重ねたもの全体に対して熱圧着を施すことにより、多数個取りに対応した未焼成の積層シートを作製する。続いて、多数個取りに対応した未焼成の積層シートを格子状に切断することにより、未焼成のコンデンサ本体１１を作製する。続いて、未焼成のコンデンサ本体１１を焼成炉に投入し、還元雰囲気においてチタン酸バリウムとニッケルに応じた温度プロファイルにて多数個一括で焼成（脱バインダ処理と焼成処理を含む）する。
【００４１】
これにより、各断面形状ＣＳ１〜ＣＳ３に対応したサンプル０２〜１２、１４〜２４および２６〜３６に該当するコンデンサ本体１１が作製される。比較のためのサンプル０１、１３および２５を作製する方法は、第４グリーンシートから取り出した単位シート（内部電極層パターン群を含む）を積み重ねて熱圧着した後に最上位の内部電極層パターン群（共有内部電極層１１ａ３となる内部電極層パターン群）に整形板を押し当てる作業を除外した他は、前記方法と同じである。
【００４２】
なお、図２〜図４において、各共有内部電極層１１ａ３と第３方向ｄ３で近い位置に存する複数の内部電極層１１ａ１および１１ａ２を、各共有内部電極層１１ａ３の断面形状と相似の断面形状としてあるのは、
・第４グリーンシートから取り出した単位シート（内部電極層パターン群を含む）を積み
重ねて熱圧着した後に最上位の内部電極層パターン群（共有内部電極層１１ａ３となる
内部電極層パターン群）に整形板を押し当てたときに、その下側の内部電極層パターン
群にも局部的な張り出し（窪み）が相似的に形成されること
・整形板を押し当てた後に第３グリーンシートから取り出した単位シート（内部電極層パ
ターン群を含む）を積み重ねて熱圧着したときに、最上位の内部電極層パターン群（共
有内部電極層１１ａ３となる内部電極層パターン群）よりも上側の内部電極層パターン
群にも局部的な張り出し（窪み）が相似的に形成されること
に基づいている。
【００４３】
各断面形状ＣＳ１〜ＣＳ３に対応したサンプル０２〜１２、１４〜２４および２６〜３６の仕様（共有内部電極層の湾曲部を除く）は、図１および図２に示したコンデンサ本体１１に照らして説明すると、
・コンデンサ本体１１の第１方向寸法Ｄ１［１１］と第２方向寸法Ｄ２［１１］と第３方
向寸法Ｄ３［１１］は、それぞれ９６０μｍと４６０μｍと４６０μｍ
・各内部電極層１１ａ１の第２方向寸法Ｄ２［１１ａ１］と各内部電極層１１ａ２の第２
方向寸法Ｄ２［１１ａ２］と共有内部電極層１１ａ３の第２方向寸法Ｄ２［１１ａ３］
は、それぞれ３９０μｍ
・各内部電極層１１ａ１の第３方向寸法Ｄ３［１１ａ１］と各内部電極層１１ａ２の第３
方向寸法Ｄ３［１１ａ２］と共有内部電極層１１ａ３の第３方向寸法Ｄ３［１１ａ３］
は、それぞれ１μｍ
・各誘電体層１１ｂ１の第３方向寸法Ｄ３［１１ｂ１］は１．５μｍ、各誘電体層１１ｂ
２の第３方向寸法Ｄ３［１１ｂ２］は６μｍ
・各誘電体マージン部１１ｃの第３方向寸法Ｄ３［１１ｃ］は６０μｍ、各誘電体マージ
ン部１１ｄの第２方向寸法Ｄ２［１１ｄ］は３５μｍ
であり、比較のためのサンプル０１、１１および２１の仕様もこれと同様である。
【００４４】
〈検証方法の説明〉
各断面形状ＣＳ１〜ＣＳ３に対応したサンプル０２〜１２、１４〜２４および２６〜３６を図１に示したＡ−Ａ線に沿う面、すなわち、第１方向ｄ１と直交する面で切断し、切断面を研磨した後、切断面を走査型電子顕微鏡（Ｓｃａｎｎｉｎｇ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）にて観察して、共有内部電極層１１ａ３とこの共有内部電極層１１ａ３に隣接する低容量部ＬＣ側の誘電体層１１ｂ２との間に剥離が存在するか否かを確認した。剥離については、共有内部電極層１１ａ３とこの共有内部電極層１１ａ３に隣接する低容量部ＬＣ側の誘電体層１１ｂ２との間に第２方向ｄ２において５μｍ以上の連続した離反が確認できた場合に、これを剥離有りと判定した。また、比較のためのサンプル０１、１１および２１についても、これと同様の方法によって剥離が存在するか否かを確認した。図５〜図７の最も右の「剥離」には、各サンプル１０個のうちで剥離の存在が確認されたものの数をｎ／１０で記してある。
【００４５】
〈第１断面形状ＣＳ１の検証結果（図５を参照）〉
サンプル０２〜０８は、３個の湾曲部ＣＰの第２方向寸法Ｄ２［ＣＰ］を１３０μｍとし、各湾曲部ＣＰの第３方向寸法Ｄ３［ＣＰ］を１〜１５μｍの間で段階的に増加させたものである。サンプル０９は、３個の湾曲部ＣＰの第２方向寸法Ｄ２［ＣＰ］を１３０μｍとし、左右の湾曲部ＣＰの第３方向寸法Ｄ３［ＣＰ］を１５μｍとし、中央の湾曲部ＣＰの第３方向寸法Ｄ３［ＣＰ］を１０μｍとしたものである。サンプル１０は、３個の湾曲部ＣＰの第２方向寸法Ｄ２［ＣＰ］を１３０μｍとし、左右の湾曲部ＣＰの第３方向寸法Ｄ３［ＣＰ］を２μｍとし、中央の湾曲部ＣＰの第３方向寸法Ｄ３［ＣＰ］を１μｍとしたものである。サンプル１１は、左右の湾曲部ＣＰの第２方向寸法Ｄ２［ＣＰ］を１６０μｍ、中央の湾曲部ＣＰの第２方向寸法Ｄ２［ＣＰ］を７０μｍとし、左側の湾曲部ＣＰの第３方向寸法Ｄ３［ＣＰ］を６μｍとし、中央の湾曲部ＣＰの第３方向寸法Ｄ３［ＣＰ］を４μｍとし、右側の湾曲部ＣＰの第３方向寸法Ｄ３［ＣＰ］を８μｍとしたものである。サンプル１２は、左側の湾曲部ＣＰの第２方向寸法Ｄ２［ＣＰ］を７０μｍ、中央の湾曲部ＣＰの第２方向寸法Ｄ２［ＣＰ］を１７０μｍ、右側の湾曲部ＣＰの第２方向寸法Ｄ２［ＣＰ］を１５０μｍとし、３個の湾曲部ＣＰの第３方向寸法Ｄ３［ＣＰ］を１μｍとしたものである。
【００４６】
サンプル０２〜１２は、いずれも、比較のためのサンプル０１に比べて剥離の存在が確認されたものの数が極めて少ない。すなわち、図２に示した共有内部電極層１１ａ３の第１断面形状ＣＳ１に対応したサンプル０２〜１２は、いずれも、課題（剥離残存の抑制）が確実に解決できている。
【００４７】
また、サンプル０２〜０８のうち、サンプル０２および０３で剥離の存在が確認されたもののサンプル０４〜０８では剥離の存在は確認されなかった。この理由は、サンプル０４〜０８における各湾曲部ＣＰの第３方向寸法Ｄ３［ＣＰ］がサンプル０２および０３における各湾曲部ＣＰの第３方向寸法Ｄ３［ＣＰ］よりも大きく、これにより接触面積が増して剥離が発生し難くなったと推測される。さらに、サンプル０３および１０の「剥離」の結果を比較すると、中央の湾曲部ＣＰの第３方向寸法Ｄ３［ＣＰ］を左右の湾曲部ＣＰの第３方向寸法Ｄ３［ＣＰ］よりも小さくすることが、剥離の発生を抑制するために好ましいと推測される。さらに、各湾曲部ＣＰの第３方向寸法Ｄ３［ＣＰ］を４〜１５μｍの範囲内、換言すれば、各湾曲部ＣＰの第３方向寸法Ｄ３［ＣＰ］を各誘電体層１１ｂ２の第３方向寸法Ｄ３［１１ｂ２］の６６〜２５０％の範囲内に設定することが好ましいと推測される。
【００４８】
さらに、サンプル０９〜１２の「剥離」の結果からすると、３個の湾曲部ＣＰの第３方向寸法Ｄ３［ＣＰ］は必ずしも同じでなくても剥離残存の抑制を図ることができると推測できるとともに、３個の湾曲部ＣＰの第２方向寸法Ｄ２［ＣＰ］は必ずしも同じでなくても剥離残存の抑制を図ることができると推測される。
【００４９】
〈第２断面形状ＣＳ２の検証結果（図６を参照）〉
サンプル１４〜２０は、３個の湾曲部ＣＰの第２方向寸法Ｄ２［ＣＰ］を９０μｍとし、２個の平坦部ＦＰの第２方向寸法Ｄ２［ＦＰ］を６０μｍとし、各湾曲部ＣＰの第３方向寸法Ｄ３［ＣＰ］を１〜１５μｍの間で段階的に増加させたものである。サンプル２１は、３個の湾曲部ＣＰの第２方向寸法Ｄ２［ＣＰ］を９０μｍとし、２個の平坦部ＦＰの第２方向寸法Ｄ２［ＦＰ］を６０μｍとし、左右の湾曲部ＣＰの第３方向寸法Ｄ３［ＣＰ］を１５μｍとし、中央の湾曲部ＣＰの第３方向寸法Ｄ３［ＣＰ］を１０μｍとしたものである。サンプル２２は、３個の湾曲部ＣＰの第２方向寸法Ｄ２［ＣＰ］を９０μｍとし、２個の平坦部ＦＰの第２方向寸法Ｄ２［ＦＰ］を６０μｍとし、左右の湾曲部ＣＰの第３方向寸法Ｄ３［ＣＰ］を２μｍとし、中央の湾曲部ＣＰの第３方向寸法Ｄ３［ＣＰ］を１μｍとしたものである。サンプル２３は、左右の湾曲部ＣＰの第２方向寸法Ｄ２［ＣＰ］を１１０μｍ、中央の湾曲部ＣＰの第２方向寸法Ｄ２［ＣＰ］を５０μｍとし、２個の平坦部ＦＰの第２方向寸法Ｄ２［ＦＰ］を６０μｍとし、左側の湾曲部ＣＰの第３方向寸法Ｄ３［ＣＰ］を６μｍとし、中央の湾曲部ＣＰの第３方向寸法Ｄ３［ＣＰ］を４μｍとし、右側の湾曲部ＣＰの第３方向寸法Ｄ３［ＣＰ］を１１μｍとしたものである。サンプル２４は、左側の湾曲部ＣＰの第２方向寸法Ｄ２［ＣＰ］を３０μｍ、中央の湾曲部ＣＰの第２方向寸法Ｄ２［ＣＰ］を１３０μｍ、右側の湾曲部ＣＰの第２方向寸法Ｄ２［ＣＰ］を７０μｍとし、２個の平坦部ＦＰの第２方向寸法Ｄ２［ＦＰ］を８０μｍとし、３個の湾曲部ＣＰの第３方向寸法Ｄ３［ＣＰ］を１μｍとしたものである。
【００５０】
サンプル１４〜２４は、いずれも、比較のためのサンプル１３に比べて剥離の存在が確認されたものの数が極めて少ない。すなわち、図３に示した共有内部電極層１１ａ３の第２断面形状ＣＳ２に対応したサンプル１４〜２４は、いずれも、課題（剥離残存の抑制）が確実に解決できている。
【００５１】
また、サンプル１４〜２０のうち、サンプル１４および１５で剥離の存在が確認されたもののサンプル１６〜２０では剥離の存在は確認されなかった。サンプル１４および１５よりもサンプル１６〜２０の剥離数が少ないことが確認された。この理由は、サンプル１６〜２０における各湾曲部ＣＰの第３方向寸法Ｄ３［ＣＰ］がサンプル１４および１５における各湾曲部ＣＰの第３方向寸法Ｄ３［ＣＰ］よりも大きく、これにより接触面積が増して剥離が発生し難くなったと推測される。さらに、サンプル１５および２２の「剥離」の結果を比較すると、中央の湾曲部ＣＰの第３方向寸法Ｄ３［ＣＰ］を左右の湾曲部ＣＰの第３方向寸法Ｄ３［ＣＰ］よりも小さくすることが、剥離の発生を抑制するために好ましいと推測される。さらに、各湾曲部ＣＰの第３方向寸法Ｄ３［ＣＰ］を４〜１５μｍの範囲内、換言すれば、各湾曲部ＣＰの第３方向寸法Ｄ３［ＣＰ］を各誘電体層１１ｂ２の第３方向寸法Ｄ３［１１ｂ２］の６６〜２５０％の範囲内に設定することが好ましいと推測される。
【００５２】
さらに、サンプル２１〜２４の「剥離」の結果からすると、３個の湾曲部ＣＰの第３方向寸法Ｄ３［ＣＰ］は必ずしも同じでなくても剥離残存の抑制を図ることができると推測できるとともに、３個の湾曲部ＣＰの第２方向寸法Ｄ２［ＣＰ］は必ずしも同じでなくても剥離残存の抑制を図ることができると推測できる。
【００５３】
〈第３断面形状ＣＳ３の検証結果（図７を参照）〉
サンプル２４〜３２は、２個の湾曲部ＣＰの第２方向寸法Ｄ２［ＣＰ］を１３０μｍとし、１個の平坦部ＦＰの第２方向寸法Ｄ２［ＦＰ］を１３０μｍとし、各湾曲部ＣＰの第３方向寸法Ｄ３［ＣＰ］を１〜１５μｍの間で段階的に増加させたものである。サンプル３３は、２個の湾曲部ＣＰの第２方向寸法Ｄ２［ＣＰ］を１３０μｍとし、１個の平坦部ＦＰの第２方向寸法Ｄ２［ＦＰ］を１３０μｍとし、左側の湾曲部ＣＰの第３方向寸法Ｄ３［ＣＰ］を１５μｍとし、右側の湾曲部ＣＰの第３方向寸法Ｄ３［ＣＰ］を１０μｍとしたものである。サンプル３４は、２個の湾曲部ＣＰの第２方向寸法Ｄ２［ＣＰ］を１３０μｍとし、１個の平坦部ＦＰの第２方向寸法Ｄ２［ＦＰ］を１３０μｍとし、左側の湾曲部ＣＰの第３方向寸法Ｄ３［ＣＰ］を１μｍとし、右側の湾曲部ＣＰの第３方向寸法Ｄ３［ＣＰ］を１．５μｍとしたものである。サンプル３５は、２個の湾曲部ＣＰの第２方向寸法Ｄ２［ＣＰ］を１６０μｍとし、１個の平坦部ＦＰの第２方向寸法Ｄ２［ＦＰ］を７０μｍとし、２個の湾曲部ＣＰの第３方向寸法Ｄ３［ＣＰ］を１μｍとしたものである。サンプル３６は、左側の湾曲部ＣＰの第２方向寸法Ｄ２［ＣＰ］を１００μｍとし、右側の湾曲部ＣＰの第２方向寸法Ｄ２［ＣＰ］を９０μｍとし、１個の平坦部ＦＰの第２方向寸法Ｄ２［ＦＰ］を２００μｍとし、２個の湾曲部ＣＰの第３方向寸法Ｄ３［ＣＰ］を１μｍとしたものである。
【００５４】
サンプル２６〜３６は、いずれも、比較のためのサンプル２５に比べて剥離の存在が確認されたものの数が極めて少ない。すなわち、図４に示した共有内部電極層１１ａ３の第３断面形状ＣＳ３に対応したサンプル２６〜３６は、いずれも、課題（剥離残存の抑制）が確実に解決できている。
【００５５】
また、サンプル２６〜３２のうち、サンプル２６および２７よりもサンプル２８〜３２の剥離数が少ないことが確認された。この理由は、サンプル２８〜３２における各湾曲部ＣＰの第３方向寸法Ｄ３［ＣＰ］がサンプル２６および２７における各湾曲部ＣＰの第３方向寸法Ｄ３［ＣＰ］よりも大きく、これにより接触面積が増して剥離が発生し難くなったと推測される。さらに、各湾曲部ＣＰの第３方向寸法Ｄ３［ＣＰ］を４〜１５μｍの範囲内、換言すれば、各湾曲部ＣＰの第３方向寸法Ｄ３［ＣＰ］を各誘電体層１１ｂ２の第３方向寸法Ｄ３［１１ｂ２］の６６〜２５０％の範囲内に設定することが好ましいと推測される。
【００５６】
さらに、サンプル３３〜３６の「剥離」の結果からすると、２個の湾曲部ＣＰの第３方向寸法Ｄ３［ＣＰ］は必ずしも同じでなくても剥離残存の抑制を図ることができる推測できるともに、２個の湾曲部ＣＰの第２方向寸法Ｄ２［ＣＰ］は必ずしも同じでなくても剥離残存の抑制を図ることができると推測できる。
【００５７】
〈補足〉
各断面形状ＣＳ１〜ＣＳ３に対応したサンプル０２〜１２、１４〜２４および２６〜３６に基づく各検証結果は前記のとおりであるが、これら検証結果を踏まえると以下のことも言える。
（１）共有内部電極層１１ａ３が有する湾曲部ＣＰの第３方向寸法Ｄ３［ＣＰ］を第３方
向ｄ３で大きく取ると、剥離を効果的に抑制できる。
（２）共有内部電極層１１ａ３が有する湾曲部ＣＰの個数は２個よりも３個の方が、剥離
を効果的に抑制できる。
（３）共有内部電極層１１ａ３が有する湾曲部ＣＰの個数が３個の場合、左右の湾曲部ＣＰの第３方向寸法Ｄ３［ＣＰ］よりも中央の湾曲部ＣＰの第３方向寸法Ｄ３［ＣＰ］を小さくすると、剥離を効果的に抑制できる。
【００５８】
《変形例》
つぎに、前述の積層セラミックコンデンサ１０の変形例について説明する。
【００５９】
〈Ｍ１〉積層セラミックコンデンサ１０として第１方向寸法Ｄ１［１０］＞第２方向寸法Ｄ２［１０］＝第３方向寸法Ｄ３［１０］の関係を有するものを示したが、第１方向寸法Ｄ１［１０］＞第２方向寸法Ｄ２［１０］＞第３方向寸法Ｄ３［１０］の関係や、第１方向寸法Ｄ１［１０］＞第３方向寸法Ｄ３［１０］＞第２方向寸法Ｄ２［１０］の関係や、第２方向寸法Ｄ２［１０］＞第１方向寸法Ｄ１［１０］＝第３方向寸法Ｄ３［１０］の関係や、第２方向寸法Ｄ２［１０］＞第１方向寸法Ｄ１［１０］＞第３方向寸法Ｄ３［１０］の関係や、第２方向寸法Ｄ２［１０］＞第３方向寸法Ｄ３［１０］＞第１方向寸法Ｄ１［１０］の積層セラミックコンデンサであっても、前記同様の効果を得ることができる。
【００６０】
〈Ｍ２〉積層セラミックコンデンサ１０として３０層の内部電極層１１ａ１と６層の内部電極層１１ａ２を示したが、高容量部ＨＣを構成する各誘電体層１１ｂ１の第３方向寸法Ｄ３［１１ｂ１］よりも低容量部ＬＣを構成する各誘電体層１１ｂ２の第３方向寸法Ｄ３［１１ｂ２］が大きいという関係が満足されていれば、前記同様の効果を得ることができる。
【００６１】
〈Ｍ３〉積層セラミックコンデンサ１０の各外部電極１２として５面タイプの外部電極を示したが、コンデンサ本体１１の第１方向ｄ１の一面（図１の左面）または第１方向ｄ１の他面（図１の右面）に存する基礎部分（符号省略）と、コンデンサ本体１１の第３方向ｄ３の一面（図１の下面）に存する第１部分（符号省略）と、コンデンサ本体１１の第３方向ｄ３の他面（図１の上面）に存する第２部分（符号省略）とを連続して有する３面タイプの外部電極や、コンデンサ本体１１の第１方向ｄ１の一面（図１の左面）または第１方向ｄ１の他面（図１の右面）に存する基礎部分（符号省略）と、コンデンサ本体１１の第３方向ｄ３の一面（図１の下面）に存する第１部分（符号省略）とを連続して有する２面タイプの外部電極であっても、前記同様の効果を得ることができる。
【００６２】
〈Ｍ４〉高容量部ＨＣを構成する各誘電体層１１ｂ１の第３方向寸法Ｄ３［１１ｂ１］として１．５μｍを例示したが、同第３方向寸法Ｄ３［１１ｂ１］は０．３〜１．８μｍの範囲内で適宜設定可能である。この範囲は０．３〜０．８μｍとしても良く、０．３〜０．６μｍとしても良い。すなわち、高容量部ＨＣを構成する各誘電体層１１ｂ１の第３方向寸法Ｄ３［１１ｂ１］を小さくすれば、積層セラミックコンデンサの小型化と高容量化を実現できる。
【００６３】
〈Ｍ５〉各断面形状ＣＳ１〜ＣＳ３に対応したサンプル０２〜１２、１４〜２４および２６〜３６の仕様（共有内部電極層の湾曲部を除く）、換言すれば、コンデンサ本体１１の仕様は、課題（剥離残存の抑制）が解決できるか否かを検証するための一例である。すなわち、
・コンデンサ本体１１の第１方向寸法Ｄ１［１１］と第２方向寸法Ｄ２［１１］と第３方
向寸法Ｄ３［１１］
・各内部電極層１１ａ１の第２方向寸法Ｄ２［１１ａ１］と各内部電極層１１ａ２の第２
方向寸法Ｄ２［１１ａ２］と共有内部電極層１１ａ３の第２方向寸法Ｄ２［１１ａ３］
・各内部電極層１１ａ１の第３方向寸法Ｄ３［１１ａ１］と各内部電極層１１ａ２の第３
方向寸法Ｄ３［１１ａ２］と共有内部電極層１１ａ３の第３方向寸法Ｄ３［１１ａ３］
・各誘電体層１１ｂ１の第３方向寸法Ｄ３［１１ｂ１］と各誘電体層１１ｂ２の第３方向
寸法Ｄ３［１１ｂ２］
・各誘電体マージン部１１ｃの第３方向寸法Ｄ３［１１ｃ］と第２方向ｄ２両側の誘電体
マージン部１１ｄの第２方向寸法Ｄ２［１１ｄ］
のそれぞれを他の数値に変えても前記同様の効果を得ることができる。
【符号の説明】
【００６４】
１０…積層セラミックコンデンサ、１１…コンデンサ本体、ＨＣ…高容量部、ＬＣ…低容量部、１１ａ１，１１ａ２…内部電極層、１１ａ３…共有内部電極層、１１ｂ１…高容量部の誘電体層、１１ｂ２…低容量部の誘電体層、ＣＰ…共有内部電極層の湾曲部、ＦＰ…共有内部電極層の平坦部。
【図１】
2019009290.tif 000003
【図２】
2019009290.tif 000004
【図３】
2019009290.tif 000005
【図４】
2019009290.tif 000006
【図５】
2019009290.tif 000007
【図６】
2019009290.tif 000008
【図７】
2019009290.tif 000009