(57)【要約】【課題】発光色の変化を抑えることを目的とする。【解決手段】エレクトロルミネセンス層４２は、複数の画素電極３８に対応して複数のセクションＳＣＴに分離されるセパレート層６０を含む。セパレート層６０は、複数のセクションＳＣＴのそれぞれで、複数のコンタクト領域ＣＡの対応する１つの中央部に重なる第１部分Ｐ１と、複数のコンタクト領域ＣＡの対応する１つの周縁部に重なって第１部分Ｐ１よりも薄い第２部分Ｐ２と、を含む。エレクトロルミネセンス層４２及びキャップ層４６の少なくとも一方は、第１部分Ｐ１及び第２部分Ｐ２に連続的に重なる基本層６２と、第１部分Ｐ１との少なくとも一部の重複を避けて第２部分Ｐ２に重なる調整層６４とを含む。基本層６２及び調整層６４は接触して重なって同じ材料からなる。エレクトロルミネセンス層４２で発生した光は、少なくとも、第１面Ｓ１と第４面Ｓ４の間で共振する。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素電極と、
前記複数の画素電極に接触する第１面及び前記第１面とは反対の第２面を有するエレクトロルミネセンス層と、
前記エレクトロルミネセンス層の前記第２面に接触する対向電極と、
前記対向電極の側の第３面及び前記第３面とは反対の第４面を有し、光取り出し効率を向上させて前記第４面に画像を表示するためのキャップ層と、
を含み、
前記第１面は、前記複数の画素電極にそれぞれ接触する複数のコンタクト領域を含み、
前記エレクトロルミネセンス層は、前記複数の画素電極に対応して複数のセクションに分離されるセパレート層を含み、
前記セパレート層は、前記複数のセクションのそれぞれで、前記複数のコンタクト領域の対応する１つの中央部に重なる第１部分と、前記複数のコンタクト領域の前記対応する１つの周縁部に重なって前記第１部分よりも薄い第２部分と、を含み、
前記エレクトロルミネセンス層及び前記キャップ層の少なくとも一方は、前記第１部分及び前記第２部分に連続的に重なる基本層と、前記第１部分との少なくとも一部の重複を避けて前記第２部分に重なる調整層とを含み、前記基本層及び前記調整層は接触して重なって同じ材料からなり、
前記エレクトロルミネセンス層で発生した光は、少なくとも、前記第１面と前記第４面の間で共振することを特徴とする表示装置。
【請求項２】
請求項１に記載された表示装置において、
前記セパレート層は、発光層であることを特徴とする表示装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載された表示装置において、
前記調整層は、第１方向に延びる複数の第１ストライプ層と、前記第１方向に交差する第２方向に延びる複数の第２ストライプ層から構成され、
隣同士の前記第１ストライプ層の間であって、隣同士の前記第２ストライプ層の間に、前記中央部及び前記第１部分があることを特徴とする表示装置。
【請求項４】
請求項１又は２に記載された表示装置において、
前記キャップ層が、前記基本層及び前記調整層を含むことを特徴とする表示装置。
【請求項５】
請求項４に記載された表示装置において、
前記基本層及び前記調整層は、有機材料からなることを特徴とする表示装置。
【請求項６】
請求項５に記載された表示装置において、
前記キャップ層は、無機層をさらに含むことを特徴とする表示装置。
【請求項７】
請求項６に記載された表示装置において、
前記基本層と前記無機層の間に前記調整層が介在し、
前記基本層が前記第３面を有し、
前記無機層が前記第４面を有することを特徴とする表示装置。
【請求項８】
請求項１から３のいずれか１項に記載された表示装置において、
前記エレクトロルミネセンス層が、前記基本層及び前記調整層を含むことを特徴とする表示装置。
【請求項９】
請求項８に記載された表示装置において、
前記基本層及び前記調整層は、正孔輸送層であることを特徴とする表示装置。
【請求項１０】
請求項１から９のいずれか１項に記載された表示装置において、
前記複数の画素電極のそれぞれの中央部を避けて周縁部に載る部分を有する絶縁層をさらに有し、
前記複数のコンタクト領域のそれぞれは、前記複数の画素電極の対応する１つが前記絶縁層から露出する領域に接触することを特徴とする表示装置。
【請求項１１】
請求項１から１０のいずれか１項に記載された表示装置において、
前記複数の画素電極のそれぞれは、反射層を含み、
前記光は、前記反射層で反射することを特徴とする表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネッセンスディスプレイの一例として、画素ごとに異なる色の発光層が設けられることがある（特許文献１）。このような発光層は、マスクを使用した蒸着によってパターニング形成される。蒸着材料は、マスクの開口付近では、基板に付着しにくいために薄く成膜される。したがって、１画素において、発光層の厚みが均一ではない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１５−６９９５６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
発光層は、厚みが異なると光の輝度が変化する。光共振器を備える構造では、発光層の厚みの違いから共振器長が変化し、強め合う干渉が起きる波長が変化するので、光の色相が異なってくる。色の三属性である色相、明度及び彩度のうち、特に色相の変化は画質に大きな影響を与える。なお、マスクを使用して蒸着する限り、正孔輸入層であっても厚みの変化は生じる。
【０００５】
本発明は、発光色の変化を抑えることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係る表示装置は、複数の画素電極と、前記複数の画素電極に接触する第１面及び前記第１面とは反対の第２面を有するエレクトロルミネセンス層と、前記エレクトロルミネセンス層の前記第２面に接触する対向電極と、前記対向電極の側の第３面及び前記第３面とは反対の第４面を有し、光取り出し効率を向上させて前記第４面に画像を表示するためのキャップ層と、を含み、前記第１面は、前記複数の画素電極にそれぞれ接触する複数のコンタクト領域を含み、前記エレクトロルミネセンス層は、前記複数の画素電極に対応して複数のセクションに分離されるセパレート層を含み、前記セパレート層は、前記複数のセクションのそれぞれで、前記複数のコンタクト領域の対応する１つの中央部に重なる第１部分と、前記複数のコンタクト領域の前記対応する１つの周縁部に重なって前記第１部分よりも薄い第２部分と、を含み、前記エレクトロルミネセンス層及び前記キャップ層の少なくとも一方は、前記第１部分及び前記第２部分に連続的に重なる基本層と、前記第１部分との少なくとも一部の重複を避けて前記第２部分に重なる調整層とを含み、前記基本層及び前記調整層は接触して重なって同じ材料からなり、前記エレクトロルミネセンス層で発生した光は、少なくとも、前記第１面と前記第４面の間で共振することを特徴とする。
【０００７】
本発明によれば、第１部分よりも薄い第２部分に調整層が重なることで、コンタクト領域の中央部と周縁部とで共振器長が調整されて、発光色の変化が抑えられる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る表示装置の平面図である。
【図２】図１に示す表示装置のII−II線断面図である。
【図３】図１に示す表示装置の回路図である。
【図４】画素電極及びエレクトロルミネセンス層の詳細を示す図である。
【図５】エレクトロルミネセンス層の詳細を示す図である。
【図６】セパレート層の膜厚を示す図である。
【図７】基本層及び調整層の詳細を示す平面図である。
【図８】キャップ層の膜厚と色度座標の関係を示す図である。
【図９】第２の実施形態に係るエレクトロルミネセンス層の詳細を示す図である。
【図１０】基本層及び調整層の詳細を示す平面図である。
【図１１】正孔注入層の膜厚と色度座標の関係を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。但し、本発明は、その要旨を逸脱しない範囲において様々な態様で実施することができ、以下に例示する実施形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【００１０】
図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。本明細書と各図において、既出の図に関して説明したものと同様の機能を備えた要素には、同一の符号を付して、重複する説明を省略することがある。
【００１１】
さらに、本発明の詳細な説明において、ある構成物と他の構成物の位置関係を規定する際、「上に」「下に」とは、ある構成物の直上あるいは直下に位置する場合のみでなく、特に断りの無い限りは、間にさらに他の構成物を介在する場合を含むものとする。
【００１２】
［第１の実施形態］
図１は、本発明の第１の実施形態に係る表示装置の平面図である。表示装置は、例えば、有機エレクトロルミネセンス表示装置である。表示装置は、画像が表示される表示領域ＤＡを有する。表示領域ＤＡでは、例えば、赤、緑及び青からなる複数色の単位画素（サブピクセル）を組み合わせて、フルカラーの画素を形成し、フルカラーの画像が表示される。表示領域ＤＡの外側で表示装置には、フレキシブルプリント基板ＦＰが接続されている。フレキシブルプリント基板ＦＰには、画像を表示するための素子を駆動するための集積回路チップ（図示せず）を搭載してもよい。
【００１３】
図２は、図１に示す表示装置のII−II線断面図である。樹脂基板１０は、ポリイミドからなる。あるいは、シートディスプレイ又はフレキシブルディスプレイを構成するために十分な可撓性を有する他の樹脂材料を用いてもよい。樹脂基板１０の裏面には、感圧接着剤１２を介して、補強フィルム１４が貼り付けられている。
【００１４】
樹脂基板１０上に、バリア無機膜１６（アンダーコート層）が積層されている。バリア無機膜１６は、シリコン酸化膜１６ａシリコン窒化膜１６ｂ及びシリコン酸化膜１６ｃの三層積層構造である。最下層のシリコン酸化膜１６ａは、樹脂基板１０との密着性向上のため、中層のシリコン窒化膜１６ｂは、外部からの水分及び不純物のブロック膜として、最上層のシリコン酸化膜１６ｃは、シリコン窒化膜１６ｂ中に含有する水素原子が薄膜トランジスタＴＲの半導体層１８側に拡散しないようにするブロック膜として、それぞれ設けられるが、特にこの構造に限定するものではなく、さらに積層があってもよいし、単層あるいは二層積層であってもよい。
【００１５】
薄膜トランジスタＴＲを形成する箇所に合わせて付加膜２０を形成してもよい。付加膜２０は、チャネル裏面からの光の侵入等による薄膜トランジスタＴＲの特性の変化を抑制したり、導電材料で形成して所定の電位を与えることで、薄膜トランジスタＴＲにバックゲート効果を与えたりすることができる。ここでは、シリコン酸化膜１６ａを形成した後、薄膜トランジスタＴＲが形成される箇所に合わせて付加膜２０を島状に形成し、その後シリコン窒化膜１６ｂ及びシリコン酸化膜１６ｃを積層することで、バリア無機膜１６に付加膜２０を封入するように形成しているが、この限りではなく、樹脂基板１０上にまず付加膜２０を形成し、その後にバリア無機膜１６を形成してもよい。
【００１６】
バリア無機膜１６上に薄膜トランジスタＴＲが形成されている。ポリシリコン薄膜トランジスタを例に挙げて、ここではＮｃｈトランジスタのみを示しているが、Ｐｃｈトランジスタを同時に形成してもよい。薄膜トランジスタＴＲの半導体層１８は、チャネル領域とソース・ドレイン領域との間に、低濃度不純物領域を設けた構造を採る。ゲート絶縁膜２２としてはここではシリコン酸化膜を用いる。ゲート電極２４は、ＭｏＷから形成された第１配線層Ｗ１の一部である。第１配線層Ｗ１は、ゲート電極２４に加え、第１保持容量線ＣＬ１を有する。第１保持容量線ＣＬ１と半導体層１８（ソース・ドレイン領域）との間で、ゲート絶縁膜２２を介して、保持容量Ｃｓの一部が形成される。
【００１７】
ゲート電極２４の上に、層間絶縁膜２６（シリコン酸化膜及びシリコン窒化膜）が積層されている。層間絶縁膜２６の上に、ソース・ドレイン電極２８となる部分を含む第２配線層Ｗ２が形成されている。ここでは、Ｔｉ、Ａｌ及びＴｉの三層積層構造を採用する。層間絶縁膜２６を介して、第１保持容量線ＣＬ１（第１配線層Ｗ１の一部）と第２保持容量線ＣＬ２（第２配線層Ｗ２の一部）とで、保持容量Ｃｓの他の一部が形成される。
【００１８】
ソース・ドレイン電極２８を覆うように平坦化有機膜３０が設けられている。平坦化有機膜３０は、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）等により形成される無機絶縁材料に比べ、表面の平坦性に優れることから、感光性アクリル等の樹脂が用いられる。平坦化有機膜３０は、画素コンタクト部３２では除去されて、その上に酸化インジウムスズ（Indium Tin Oxide：ＩＴＯ）膜３４が形成されている。酸化インジウムスズ膜３４は、相互に分離された第１透明導電膜３４ａ及び第２透明導電膜３４ｂを含む。
【００１９】
平坦化有機膜３０の除去により表面が露出した第２配線層Ｗ２は、第１透明導電膜３４ａにて被覆される。第１透明導電膜３４ａを被覆するように、平坦化有機膜３０の上にシリコン窒化膜３６が設けられている。シリコン窒化膜３６は、画素コンタクト部３２に開口を有し、この開口を介してソース・ドレイン電極２８に導通するように画素電極３８が積層されている。画素電極３８は、画素コンタクト部３２から側方に拡がり、薄膜トランジスタＴＲの上方に至る。
【００２０】
表示装置は、複数の画素電極３８を有する。第２透明導電膜３４ｂは、画素コンタクト部３２に隣接して、画素電極３８の下方（さらにシリコン窒化膜３６の下方）に設けられている。第２透明導電膜３４ｂシリコン窒化膜３６及び画素電極３８は重なっており、これらによって付加容量Ｃadが形成される。
【００２１】
平坦化有機膜３０の上であって例えば画素コンタクト部３２の上方に、バンク（リブ）と呼ばれて隣同士の画素領域の隔壁となる絶縁層４０が形成されている。絶縁層４０としては平坦化有機膜３０と同じく感光性アクリル等が用いられる。絶縁層４０は、画素電極３８の表面を発光領域として露出するように開口され、その開口端はなだらかなテーパー形状となるのが好ましい。開口端が急峻な形状になっていると、その上に形成されるエレクトロルミネセンス層４２のカバレッジ不良を生ずる。
【００２２】
平坦化有機膜３０と絶縁層４０は、両者間にあるシリコン窒化膜３６に設けた開口を通じて接触している。これにより、絶縁層４０の形成後の熱処理等を通じて、平坦化有機膜３０から脱離する水分や脱ガスを、絶縁層４０を通じて引き抜くことができる。
【００２３】
画素電極３８の上に、例えば有機材料からなるエレクトロルミネセンス層４２が積層されている。エレクトロルミネセンス層４２の上に、対向電極４４が設けられている。ここでは、トップエミッション構造としているため、対向電極４４は透明である。例えば、Ｍｇ層及びＡｇ層を、エレクトロルミネセンス層４２からの出射光が透過する程度の薄膜として形成する。前述のエレクトロルミネセンス層４２の形成順序に従うと、画素電極３８が陽極となり、対向電極４４が陰極となる。複数の画素電極３８と、対向電極４４と、複数の画素電極３８のそれぞれの中央部と対向電極４４の間に介在するエレクトロルミネセンス層４２と、で発光素子ＯＤが構成される。
【００２４】
対向電極４４の上に、光取り出し効率を向上させるためのキャップ層４６が積層している。キャップ層４６の上に、封止層４８が形成されている。封止層４８は、先に形成したエレクトロルミネセンス層４２を、外部からの水分侵入を防止することを機能の一としており、高いガスバリア性が要求される。封止層４８は、封止有機膜４８ｂ及びこれを上下で挟む一対の封止無機膜４８ａ、４８ｃ（例えばシリコン窒化膜）の積層構造になっている。一対の封止無機膜４８ａ，４８ｃは、封止有機膜４８ｂの周囲で、接触して重なる。封止無機膜４８ａ，４８ｃと封止有機膜４８ｂとの間には、密着性向上を目的の一として、シリコン酸化膜やアモルファスシリコン層を設けてもよい。封止層４８には、補強有機膜５０が積層されている。補強有機膜５０には、粘着層５２を介して、偏光板５４が貼り付けられている。偏光板５４は、例えば円偏光板である。
【００２５】
図３は、図１に示す表示装置の回路図である。回路は、走査回路ＧＤに接続される複数の走査線ＧＬと、信号駆動回路ＳＤに接続される複数の信号線ＤＬを有する。隣接する２つの走査線ＧＬと隣接する２つの信号線ＤＬとで囲まれる領域が１つの画素ＰＸである。画素ＰＸは、駆動トランジスタとしての薄膜トランジスタＴＲ及びスイッチとしての薄膜トランジスタＴＲ２と保持容量Ｃｓと付加容量Ｃadを含む。走査線ＧＬにゲート電圧が印加されることにより、薄膜トランジスタＴＲ２がＯＮ状態となり、信号線ＤＬから映像信号が供給され、保持容量Ｃｓおよび付加容量Ｃadに電荷が蓄積される。保持容量Ｃｓに電荷が蓄積されることにより、薄膜トランジスタＴＲがＯＮ状態となり、電源線ＰＷＬから発光素子ＯＤに電流が流れる。この電流により発光素子ＯＤが発光する。
【００２６】
図４は、画素電極３８及びエレクトロルミネセンス層４２の詳細を示す図である。画素電極３８は、透明導電膜３８ａ（例えばＩＴＯ膜）、反射層３８ｂ（例えばＡｇ膜）、透明導電膜３８ｃ（例えばＩＴＯ膜）の三層積層構造になっている。ＩＴＯ膜に代わってＩＺＯ（酸化インジウムスズ）膜を用いてもよい。エレクトロルミネセンス層４２で発生した光は、透明導電膜３８ａを通過して反射層３８ｂで反射する。透明導電膜３８ａは、エレクトロルミネセンス層４２へのホール注入のために設けられ、仕事関数の大きい材料として、ＩＴＯやＩＺＯなどの酸化物導電材料が選択される。絶縁層４０は、複数の画素電極３８のそれぞれの中央部を避けて周縁部に載る部分を有する。
【００２７】
エレクトロルミネセンス層４２は、複数の画素電極３８に接触する第１面Ｓ１を有する。第１面Ｓ１は、複数の画素電極３８にそれぞれが接触する複数のコンタクト領域ＣＡを含む。複数のコンタクト領域ＣＡのそれぞれは、複数の画素電極３８の対応する１つが絶縁層４０から露出する領域に接触する。エレクトロルミネセンス層４２は、第１面Ｓ１とは反対の第２面Ｓ２を有する。対向電極４４は、エレクトロルミネセンス層４２の第２面Ｓ２に接触する。エレクトロルミネセンス層４２は、第１面Ｓ１を有する第１連続層５６と、第２面Ｓ２を有する第２連続層５８を含む。第１連続層５６及び第２連続層５８は、図１に示す表示領域ＤＡの全体にわたって連続的に形成されている。
【００２８】
図５は、エレクトロルミネセンス層４２の詳細を示す図である。正孔注入層ＨＩＬ、正孔輸送層ＨＴＬ及び電子ブロッキング層ＥＢＬが、陽極である画素電極３８から上に順に積層され、これらが第１連続層５６を構成している。また、電子注入層ＥＩＬ、電子輸送層ＥＴＬ及び正孔ブロッキング層ＨＢＬが、陰極である対向電極４４から下に順に積層され、これらが第２連続層５８を構成している。
【００２９】
エレクトロルミネセンス層４２は、第１連続層５６及び第２連続層５８の間に、セパレート層６０を含む。図４に示すように、セパレート層６０は、複数の画素電極３８に対応して分離された複数のセクションＳＣＴからなる。セパレート層６０は、発光層ＥＭＬである。それぞれのセクションＳＣＴは第１部分Ｐ１を有する。第１部分Ｐ１は、コンタクト領域ＣＡの中央部に重なる。それぞれのセクションＳＣＴは第２部分Ｐ２を含む。第２部分Ｐ２は、コンタクト領域ＣＡの周縁部に重なる。第２部分Ｐ２は、第１部分Ｐ１よりも薄い。
【００３０】
図６は、セパレート層６０の膜厚を示す図である。セパレート層６０（発光層ＥＭＬ）は、図示しないマスクを使用した蒸着によって形成する。マスクの開口付近では、蒸着材料が付着しにくいため、図４に示すように、厚さの異なる第１部分Ｐ１及び第２部分Ｐ２が形成される。図６において、マスクの開口はｘ座標の０〜２７ｎｍの範囲にわたり、開口の縁付近では膜厚が薄くなっている。セパレート層６０は、コンタクト領域ＣＡの内側で端部が薄くなる。そのため、図４に示すように、セパレート層６０（発光層ＥＭＬ）の上面には、コンタクト領域ＣＡの端部付近に窪みができる。
【００３１】
図４に示すように、エレクトロルミネセンス層４２に積層する対向電極４４も、コンタクト領域ＣＡの端部付近に窪みができる。キャップ層４６は、対向電極４４の側の第３面Ｓ３を有する。キャップ層４６は、第３面Ｓ３とは反対の第４面Ｓ４を有する。キャップ層４６は、光取り出し効率を向上させて第４面Ｓ４に画像を表示する。
【００３２】
エレクトロルミネセンス層４２及びキャップ層４６の少なくとも一方（例えばキャップ層４６）は、第１部分Ｐ１及び第２部分Ｐ２に連続的に重なる基本層６２を含む。エレクトロルミネセンス層４２及びキャップ層４６の少なくとも一方（例えばキャップ層４６）は、第１部分Ｐ１との重複を避けて第２部分Ｐ２に重なる調整層６４を含む。基本層６２及び調整層６４は接触して重なっている。つまり、基本層６２及び調整層６４からなる層は、第２部分Ｐ２の上方で、第１部分Ｐ１の上方よりも厚くなっている。キャップ層４６が、基本層６２及び調整層６４を含む。基本層６２及び調整層６４は同じ材料（例えば有機材料）からなる。
【００３３】
図７は、基本層６２及び調整層６４の詳細を示す平面図である。基本層６２は、図１に示す表示領域ＤＡの全体にわたって連続的に形成されている。調整層６４は、第１方向Ｄ１に延びる複数の第１ストライプ層６６を含む。調整層６４は、第１方向Ｄ１に交差する第２方向Ｄ２に延びる複数の第２ストライプ層６８を含む。第１ストライプ層６６及び第２ストライプ層６８がある位置でキャップ層４６が厚くなる。隣同士の第１ストライプ層６６の間であって、隣同士の第２ストライプ層６８の間に、コンタクト領域ＣＡの中央部及びセパレート層６０（セクションＳＣＴ）の第１部分Ｐ１がある。
【００３４】
図４に示すように、キャップ層４６は、無機層７０をさらに含む。基本層６２と無機層７０の間に調整層６４が介在する。基本層６２が第３面Ｓ３を有する。無機層７０が第４面Ｓ４を有する。エレクトロルミネセンス層４２で発生した光は、少なくとも、第１面Ｓ１と第４面Ｓ４の間で共振する。例えば、光は、反射層３８ｂで反射する。すなわち、表示装置は共振器を備える。本実施形態によれば、第１部分Ｐ１よりも薄い第２部分Ｐ２に調整層６４が重なることで、コンタクト領域ＣＡの中央部と周縁部とで共振器長が調整されて、発光色の変化が抑えられる。
【００３５】
図８は、キャップ層４６の膜厚と色度座標の関係を示す図である。キャップ層４６の膜厚が均一であるときこれを１とする。コンタクト領域ＣＡの中央部では、キャップ層４６の膜厚が均一であれば、色度座標は設計値通りであり、0.000となる。コンタクト領域ＣＡの周縁部では、キャップ層４６の膜厚が均一であれば、中央部よりも発光層ＥＭＬ（セパレート層６０）が薄いため、色度座標が設計値からずれる。本実施形態では、上述したように、キャップ層４６に厚い部分を形成する。これにより、コンタクト領域ＣＡの周縁部でも、キャップ層４６を1.6にすることで、色度座標をほぼ設計値（0.000）にすることができる。
【００３６】
［第２の実施形態］
図９は、第２の実施形態に係るエレクトロルミネセンス層の詳細を示す図である。本実施形態では、エレクトロルミネセンス層２４２が、基本層２６２及び調整層２６４を含む。
【００３７】
正孔注入層ＨＩＬが、図１に示す表示領域ＤＡの全体にわたって、陽極である画素電極２３８に積層されている。正孔注入層ＨＩＬに積層される正孔輸送層ＨＴＬが、基本層２６２及び調整層２６４を含む。基本層２６２は、図１に示す表示領域ＤＡの全体にわたって連続的に形成されている。調整層２６４は、図１０に示すコンタクト領域ＣＡの中央部（第１部分Ｐ１）との重複を避けて周縁部（第２部分Ｐ２）に重なる。
【００３８】
図１０は、基本層２６２及び調整層２６４の詳細を示す平面図である。基本層２６２は、図１に示す表示領域ＤＡの全体にわたって連続的に形成される。調整層２６４は、第１方向Ｄ１に延びる複数の第１ストライプ層２６６を含む。調整層２６４は、第１方向Ｄ１に交差する第２方向Ｄ２に延びる複数の第２ストライプ層２６８を含む。第１ストライプ層２６６及び第２ストライプ層２６８によって、正孔輸送層ＨＴＬが厚くなる。厚い部分は、発光層ＥＭＬ（セパレート層２６０）の薄い第２部分Ｐ２の下方においてである。隣同士の第１ストライプ層２６６の間であって、隣同士の第２ストライプ層２６８の間に、コンタクト領域ＣＡの中央部及びセパレート層２６０（セクションＳＣＴ）の第１部分Ｐ１がある。
【００３９】
図１１は、正孔注入層ＨＩＬの膜厚と色度座標の関係を示す図である。正孔輸送層ＨＴＬの膜厚が均一であるときこれを1.00とする。コンタクト領域ＣＡの中央部では、正孔輸送層ＨＴＬの膜厚が均一であれば、色度座標は設計値通りであり、0.00となる。コンタクト領域ＣＡの周縁部では、正孔輸送層ＨＴＬの膜厚が均一であれば、中央部よりも発光層ＥＭＬ（セパレート層２６０）が薄いため、色度座標がずれる。本実施形態では、上述したように、正孔輸送層ＨＴＬに厚い部分を形成する。これにより、コンタクト領域ＣＡの周縁部でも、正孔輸送層ＨＴＬを1.13にすることで、色度座標をほぼ設計値（0.00）にすることができる。
【００４０】
なお、表示装置は、有機エレクトロルミネッセンス表示装置には限定されず、量子ドット発光素子（ＱＬＥＤ：Quantum‐Dot Light Emitting Diode）のような発光素子を各画素に備えた表示装置であってもよい。
【００４１】
本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく種々の変形が可能である。例えば、実施形態で説明した構成は、実質的に同一の構成、同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成で置き換えることができる。
【符号の説明】
【００４２】
１０  樹脂基板、１２  感圧接着剤、１４  補強フィルム、１６  バリア無機膜、１６ａ  シリコン酸化膜、１６ｂ  シリコン窒化膜、１６ｃ  シリコン酸化膜、１８  半導体層、２０  付加膜、２２  ゲート絶縁膜、２４  ゲート電極、２６  層間絶縁膜、２８  ソース・ドレイン電極、３０  平坦化有機膜、３２  画素コンタクト部、３４  酸化インジウムスズ膜、３４ａ  第１透明導電膜、３４ｂ  第２透明導電膜、３６  シリコン窒化膜、３８  画素電極、３８ａ  透明導電膜、３８ｂ  反射層、３８ｃ  透明導電膜、４０  絶縁層、４２  エレクトロルミネセンス層、４４  対向電極、４６  キャップ層、４８  封止層、４８ａ  封止無機膜、４８ｂ  封止有機膜、４８ｃ  封止無機膜、５０  補強有機膜、５２  粘着層、５４  偏光板、５６  第１連続層、５８  第２連続層、６０  セパレート層、６２  基本層、６４  調整層、６６  第１ストライプ層、６８  第２ストライプ層、７０  無機層、２３８  画素電極、２４２  エレクトロルミネセンス層、２６０  セパレート層、２６２  基本層、２６４  調整層、２６６  第１ストライプ層、２６８  第２ストライプ層、Ｃad  付加容量、ＣＡ  コンタクト領域、ＣＬ１  第１保持容量線、ＣＬ２  第２保持容量線、Ｃｓ  保持容量、Ｄ１  第１方向、Ｄ２  第２方向、ＤＡ  表示領域、ＤＬ  信号線、ＥＢＬ  電子ブロッキング層、ＥＩＬ  電子注入層、ＥＭＬ  発光層、ＥＴＬ  電子輸送層、ＦＰ  フレキシブルプリント基板、ＧＤ  走査回路、ＧＬ  走査線、ＨＢＬ  正孔ブロッキング層、ＨＩＬ  正孔注入層、ＨＴＬ  正孔輸送層、ＯＤ  発光素子、Ｐ１  第１部分、Ｐ２  第２部分、ＰＷＬ  電源線、ＰＸ  画素、Ｓ１  第１面、Ｓ２  第２面、Ｓ３  第３面、Ｓ４  第４面、ＳＣＴ  セクション、ＳＤ  信号駆動回路、ＴＲ  薄膜トランジスタ、ＴＲ２  薄膜トランジスタ、Ｗ１  第１配線層、Ｗ２  第２配線層。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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