(57)【要約】【課題】プレス圧力を特別に上げなくても、セラミック層間の剥がれ等が生じ難い積層セラミック電子部品の製造方法を提供する。【解決手段】セラミックグリーンシートを準備する工程と、セラミックグリーンシート上に内部電極用導電性ペーストを塗布して内部電極形成用導電パターンを形成する工程と、セラミックグリーンシートおよび内部電極形成用導電パターンが形成されたセラミックグリーンシートを複数枚積層し、積層シートを得る工程と、積層シートを積層方向にプレスし、積層ブロックを得る工程と、を有する、積層セラミック電子部品の製造方法である。そして、積層シートを構成するセラミックグリーンシート中には、可塑剤が含有されており、プレスの前に熱処理工程を有する。【選択図】図５
2019197845.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミックグリーンシートを準備する工程と、
前記セラミックグリーンシート上に内部電極用導電性ペーストを塗布して内部電極形成用導電パターンを形成する工程と、
前記セラミックグリーンシートおよび前記内部電極形成用導電パターンが形成されたセラミックグリーンシートを複数枚積層し、積層シートを得る工程と、
前記積層シートを積層方向にプレスし、積層ブロックを得る工程と、
を有する、積層セラミック電子部品の製造方法であって、
前記積層シートを構成する前記セラミックグリーンシート中には、可塑剤が含有されており、
前記プレスの前に熱処理工程を有すること
を特徴とする、積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項２】
前記セラミックグリーンシート中には、空隙が存在しており、
前記熱処理工程により、前記可塑剤を焼失させ、新たな空隙を得て、
前記プレスの際に、前記空隙および前記新たな空隙に前記セラミックグリーンシートを流動させる、請求項１に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項３】
前記可塑剤は、フタル酸ジオクチル、フタル酸ジイソノニル、フタル酸ジイソデシル、フタル酸ジブチル、アジピン酸ジオクチル、アジピン酸ジイソノニルから選ばれる、請求項２に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項４】
前記セラミックグリーンシート中には、揮発成分がさらに含有され、
前記熱処理工程により、前記揮発成分を揮発させ、新たな空隙を得て、
前記プレスの際に、前記空隙および前記新たな空隙に前記セラミックグリーンシートを流動させる、請求項２または請求項３に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項５】
前記熱処理工程の代わりに、減圧工程を有し、
前記減圧工程により、前記揮発成分を揮発させ、新たな空隙を得て、
前記プレスの際に、前記空隙および前記新たな空隙に前記セラミックグリーンシートを流動させる、請求項４に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項６】
減圧工程をさらに有し、
前記減圧工程により、前記揮発成分を揮発させ、新たな空隙を得て、
前記プレスの際に、前記空隙および前記新たな空隙に前記セラミックグリーンシートを流動させる、請求項４に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項７】
前記揮発成分は、ヨウ素、シュウ酸、パラジクロロベンゼン、サリチル酸、ナフタレン、テレフタル酸、ｎ−オクタノール、ベンジルアルコール、エチレングリコールモノブチルエーテル、シクロヘキサノン、酢酸ｎヘキシル、酢酸ｎヘプチルから選ばれる、請求項４ないし請求項６のいずれかに記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、たとえば、積層セラミックコンデンサ等を含む積層セラミック電子部品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的に、積層セラミック電子部品の製造工程では、セラミックグリーンシート同士をプレスにより接着させる工程が存在する（特許文献１参照）。
【０００３】
具体的には、たとえば、内部電極形成用導電パターンを有する複数のセラミックグリーンシートが、積み重ねられて成形型（図示せず）で挟まれ、静水圧プレスなどによってプレスが行われることで、内部電極形成用導電パターンを有する複数のセラミックグリーンシート同士が密着され、積層ブロックが得られる。
【０００４】
より具体的には、内部電極分の段差がある積層体ブロックを高温高圧下でプレスし、セラミックグリーンシートを流動させることにより、段差をなくし、セラミックグリーンシート間やセラミックグリーンシートと内部電極との間の密着を得て、積層体ブロックが得られる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００９−２７７８００号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、近年では、電子機器の高性能化により、積層セラミックコンデンサの大容量化が求められ、セラミックグリーンシートおよび内部電極層の積層枚数の増加に伴い、積層セラミックコンデンサ全体における段差量が増加し、セラミックグリーンシートの変形量だけでは、段差を埋められないことがある。その結果、積層セラミックコンデンサの内部において、剥がれなどの構造欠陥が生じてしまうことが考えられる。
【０００７】
それゆえに、本発明の主たる目的は、セラミックグリーンシートおよび内部電極層の積層枚数が増加に伴い、積層セラミック電子部品内において段差量が増加しても、積層セラミック電子部品の内部においてセラミック層間の剥がれ等の構造欠陥が生じがたい積層セラミック電子部品の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に係る積層セラミック電子部品の製造方法は、セラミックグリーンシートを準備する工程と、セラミックグリーンシート上に内部電極用導電性ペーストを塗布して内部電極形成用導電パターンを形成する工程と、セラミックグリーンシートおよび内部電極形成用導電パターンが形成されたセラミックグリーンシートを複数枚積層し、積層シートを得る工程と、積層シートを積層方向にプレスし、積層ブロックを得る工程と、を有する、積層セラミック電子部品の製造方法であって、積層シートを構成するセラミックグリーンシート中には、可塑剤が含有されており、プレスの前に熱処理工程を有することを特徴とする、積層セラミック電子部品の製造方法である。
【発明の効果】
【０００９】
この発明によれば、セラミックグリーンシートおよび内部電極層の積層枚数が増加に伴い、積層セラミック電子部品内において段差量が増加しても、積層セラミック電子部品の内部においてセラミック層間の剥がれ等の構造欠陥が生じがたい積層セラミック電子部品の製造方法が得られる。
【００１０】
本発明の上述の目的、その他の目的、特徴および利点は、図面を参照して行う以下の発明を実施するための形態の説明から一層明らかとなろう。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】この発明の実施の形態に係る積層セラミック電子部品として、積層セラミックコンデンサの一例を示す外観斜視図である。
【図２】図１の線ＩＩ−ＩＩにおける断面図である。
【図３】図１の線ＩＩＩ−ＩＩＩにおける断面図である。
【図４】図１の線ＩＶ−ＩＶにおける断面図である。
【図５】この発明の第１の実施の形態に係る積層セラミック電子部品の製造方法の一例を説明するためのフローチャートである。
【図６】この発明の第１の実施の形態に係る積層セラミック電子部品の製造方法の一例を説明するための模式断面図である。
【図７】この発明の第１の実施の形態に係る積層セラミック電子部品の製造方法を説明するための図であって、セラミックグリーンシート同士の界面の状態を示す模式拡大断面図である。
【図８】この発明の第２の実施の形態に係る積層セラミック電子部品の製造方法の一例を説明するためのフローチャートである。
【図９】この発明の第２の実施の形態に係る積層セラミック電子部品の製造方法の一例を説明するための模式断面図である。
【図１０】この発明の第２の実施の形態に係る積層セラミック電子部品の製造方法を説明するための図であって、セラミックグリーンシート同士の界面の状態を示す模式拡大断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
１．積層セラミック電子部品
この発明の実施の形態に係る積層セラミック電子部品について説明する。図１は、この発明の実施の形態に係る積層セラミック電子部品として、積層セラミックコンデンサの一例を示す外観斜視図である。図２は、図１の線ＩＩ−ＩＩにおける断面図であり、図３は、図１の線ＩＩＩ−ＩＩＩにおける断面図である。図４は、図１の線ＩＶ−ＩＶにおける断面図である。
【００１３】
以下、積層セラミック電子部品として、積層セラミックコンデンサを例にして説明する。なお、本実施の形態は、通常の２端子コンデンサを例にして説明するけれども、これに限定されるものではなく、多端子コンデンサにも適応することができる。
【００１４】
図１ないし図３に示すように、積層セラミックコンデンサ１０は、直方体状の積層体１２を含む。
【００１５】
積層体１２は、積層された複数のセラミック層１４と複数の内部電極層１６とを有する。さらに、積層体１２は、積層方向ｘに相対する第１の主面１２ａおよび第２の主面１２ｂと、積層方向ｘに直交する幅方向ｙに相対する第１の側面１２ｃおよび第２の側面１２ｄと、積層方向ｘおよび幅方向ｙに直交する長さ方向ｚに相対する第１の端面１２ｅおよび第２の端面１２ｆとを有する。積層体１２の寸法は、特に限定されない。ただし、積層体１２は、長さ方向ｚの寸法が幅方向ｙの寸法よりも必ずしも長いとは限らない。
【００１６】
この積層体１２には、角部および稜線部に丸みがつけられていることが好ましい。なお、角部とは、積層体の隣接する３面が交わる部分のことであり、稜線部とは、積層体の隣接する２面が交わる部分のことである。
【００１７】
セラミック層１４は、複数枚のセラミック層１４から構成される外層部１４ａと単数もしくは複数枚のセラミック層１４とそれらの上に配置される複数枚の内部電極層１６から構成される内層部１４ｂとを含む。外層部１４ａは、積層体１２の第１の主面１２ａ側および第２の主面１２ｂ側に位置し、第１の主面１２ａと最も第１の主面１２ａに近い内部電極層１６との間に位置する複数枚のセラミック層１４、および第２の主面１２ｂと最も第２の主面１２ｂに近い内部電極層１６との間に位置する複数枚のセラミック層１４の集合体である。そして、両外層部１４ａに挟まれた領域が内層部１４ｂである。
【００１８】
積層体１２の寸法は、特に限定されない。
【００１９】
セラミック層１４は、たとえば、誘電体材料により形成することができる。誘電体材料としては、たとえば、ＢａＴｉＯ3、ＣａＴｉＯ3、ＳｒＴｉＯ3、またはＣａＺｒＯ3などの成分を含む誘電体セラミックを用いることができる。上記の誘電体材料を主成分として含む場合、所望する積層体１２の特性に応じて、たとえば、Ｍｎ化合物、Ｆｅ化合物、Ｃｒ化合物、Ｃｏ化合物、Ｎｉ化合物などの主成分よりも含有量の少ない成分を添加したものを用いてもよい。
【００２０】
なお、積層体１２に、圧電体セラミックを用いた場合、積層セラミック電子部品は、セラミック圧電素子として機能する。圧電セラミック材料の具体例としては、たとえば、ＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）系セラミック材料などが挙げられる。
【００２１】
また、積層体１２に、半導体セラミックを用いた場合、積層セラミック電子部品は、サーミスタ素子として機能する。半導体セラミック材料の具体例としては、たとえば、スピネル系セラミック材料などが挙げられる。
【００２２】
また、積層体１２に、磁性体セラミックを用いた場合、積層セラミック電子部品は、インダクタ素子として機能する。また、インダクタ素子として機能する場合は、内部電極層１６は、コイル状の導体となる。磁性体セラミック材料の具体例としては、たとえば、フェライトセラミック材料などが挙げられる。
【００２３】
焼成後のセラミック層１４の厚みは、０．５μｍ以上１０μｍ以下であることが好ましい。
【００２４】
図２に示すように、積層体１２は、複数の内部電極層１６として、たとえば略矩形状の複数の第１の内部電極層１６ａおよび複数の第２の内部電極層１６ｂを有する。複数の第１の内部電極層１６ａおよび複数の第２の内部電極層１６ｂは、積層体１２の積層方向ｘに沿って等間隔に交互に配置されるように埋設されている。
【００２５】
第１の内部電極層１６ａの一端側には、積層体１２の第１の端面１２ｅに引き出された第１の引出電極部１８ａを有する。第２の内部電極層１６ｂの一端側には、積層体１２の第２の端面１２ｆに引き出された第２の引出電極部１８ｂを有する。具体的には、第１の内部電極層１６ａの一端側の第１の引出電極部１８ａは、積層体１２の第１の端面１２ｅに露出している。また、第２の内部電極層１６ｂの一端側の第２の引出電極部１８ｂは、積層体１２の第２の端面１２ｆに露出している。
【００２６】
積層体１２は、セラミック層１４の内層部１４ｂにおいて、第１の内部電極層１６ａと第２の内部電極層１６ｂとが対向する対向電極部２０ａを含む。また、積層体１２は、対向電極部２０ａの幅方向ｙの一端と第１の側面１２ｃとの間および対向電極部２０ａの幅方向ｙの他端と第２の側面１２ｄとの間に形成される積層体１２の側部（Ｗギャップ）２０ｂを含む。さらに、積層体１２は、第１の内部電極層１６ａの第１の引出電極部１８ａとは反対側の端部と第２の端面１２ｆとの間および第２の内部電極層１６ｂの第２の引出電極部１８ｂとは反対側の端部と第１の端面１２ｅとの間に形成される積層体１２の端部（Ｌギャップ）２０ｃを含む。
【００２７】
内部電極層１６は、たとえば、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｕなどの金属や、これらの金属の一種を含む、たとえば、Ａｇ−Ｐｄ合金などの、それらの金属の少なくとも一種を含む合金などの適宜の導電材料を含有している。内部電極層１６は、さらにセラミック層１４に含まれるセラミックスと同一組成系の誘電体粒子を含んでいてもよい。
内部電極層１６の厚みは、０．２μｍ以上２．０μｍ以下であることが好ましい。第１の内部電極層１６ａおよび第２の内部電極層１６ｂの枚数は、特に限定されない。
【００２８】
積層体１２の第１の端面１２ｅ側および第２の端面１２ｆ側には、外部電極２２が配置される。外部電極２２は、第１の外部電極２２ａおよび第２の外部電極２２ｂを有する。
第１の外部電極２２ａは、積層体１２の第１の端面１２ｅの表面に配置され、第１の端面１２ｅから延伸して第１の主面１２ａ、第２の主面１２ｂ、第１の側面１２ｃおよび第２の側面１２ｄのそれぞれの一部分を覆うように形成される。この場合、第１の外部電極２２ａは、第１の内部電極層１６ａの第１の引出電極部１８ａと電気的に接続される。
第２の外部電極２２ｂは、積層体１２の第２の端面１２ｆの表面に配置され、第２の端面１２ｆから延伸して第１の主面１２ａ、第２の主面１２ｂ、第１の側面１２ｃおよび第２の側面１２ｄのそれぞれの一部分を覆うように形成される。この場合、第２の外部電極２２ｂは、第２の内部電極層１６ｂの第２の引出電極部１８ｂと電気的に接続される。
【００２９】
積層体１２内においては、各対向電極部２０ａで第１の内部電極層１６ａと第２の内部電極層１６ｂとがセラミック層１４を介して対向することにより、静電容量が形成されている。そのため、第１の内部電極層１６ａが接続された第１の外部電極２２ａと第２の内部電極層１６ｂが接続された第２の外部電極２２ｂとの間に、静電容量を得ることができる。
【００３０】
第１の外部電極２２ａは、図２に示すように、積層体１２側から順に、第１の下地電極層２４ａと第１の下地電極層２４ａの表面に配置された第１のめっき層２６ａとを有する。同様に、第２の外部電極２２ｂは、積層体１２側から順に、第２の下地電極層２４ｂと第２の下地電極層２４ｂの表面に配置された第２のめっき層２６ｂとを有する。
【００３１】
第１の下地電極層２４ａは、積層体１２の第１の端面１２ｅの表面に配置され、第１の端面１２ｅから延伸して第１の主面１２ａ、第２の主面１２ｂ、第１の側面１２ｃおよび第２の側面１２ｄのそれぞれの一部分を覆うように形成される。
第２の下地電極層２４ｂは、積層体１２の第２の端面１２ｆの表面に配置され、第２の端面１２ｆから延伸して第１の主面１２ａ、第２の主面１２ｂ、第１の側面１２ｃおよび第２の側面１２ｄのそれぞれの一部分を覆うように形成される。
なお、第１の下地電極層２４ａは、積層体１２の第１の端面１２ｅの表面のみに配置されてもよいし、第２の下地電極層２４ｂは、積層体１２の第２の端面１２ｆの表面にのみ配置されてもよい。
【００３２】
第１の下地電極層２４ａおよび第２の下地電極層２４ｂ（以下、単に下地電極層ともいう）は、それぞれ、焼付け層、導電性樹脂層、薄膜層などから選ばれる少なくとも１つを含む。
【００３３】
まず、下地電極層が、焼付け層で形成された第１の下地電極層２４ａおよび第２の下地電極層２４ｂについて説明する。
焼付け層は、ガラスと金属とを含む。焼付け層の金属としては、たとえば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｄ合金、Ａｕ等から選ばれる少なくとも１つを含む。また、焼付け層のガラスとしては、Ｂ、Ｓｉ、Ｂａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｌｉ等から選ばれる少なくとも１つを含む。焼付け層は、複数層であってもよい。焼付け層は、ガラスおよび金属を含む導電性ペーストを積層体１２に塗布して焼き付けたものであり、セラミック層１４および内部電極層１６と同時に焼成したものでもよく、セラミック層１４および内部電極層１６を焼成した後に焼き付けたものでもよい。
【００３４】
第１の端面１２ｅに位置する第１の下地電極層２４ａおよび第２の端面１２ｆに位置する第２の下地電極層２４ｂの高さ方向中央部におけるそれぞれの焼付け層の厚みは、１０μｍ以上２００μｍ以下であることが好ましい。
また、第１の主面１２ａおよび第２の主面１２ｂ、ならびに第１の側面１２ｃおよび第２の側面１２ｄの表面に下地電極層を設ける場合には、第１の主面１２ａおよび第２の主面１２ｂ、ならびに第１の側面１２ｃおよび第２の側面１２ｄの表面に位置する第１の下地電極層２４ａおよび第２の下地電極層２４ｂである長さ方向の中央部におけるそれぞれの焼付け層の厚みは、５μｍ以上５０μｍ以下程度であることが好ましい。
【００３５】
次に、下地電極層が、導電性樹脂層で形成された第１の下地電極層２４ａおよび第２の下地電極層２４ｂについて説明する。
導電性樹脂層は、焼付け層の表面に焼付け層を覆うように配置されるか、積層体１２の表面に直接配置されてもよい。
導電性樹脂層は、熱硬化性樹脂および金属を含む。導電性樹脂層は、熱硬化性樹脂を含むため、たとえば、めっき膜や導電性ペーストの焼成物からなる導電層よりも柔軟性に富んでいる。このため、積層セラミックコンデンサに物理的な衝撃や熱サイクルに起因する衝撃が加わった場合であっても、導電性樹脂層が緩衝層として機能し、積層セラミックコンデンサへのクラックを防止することができる。
【００３６】
導電性樹脂層に含まれる金属としては、Ａｇ、Ｃｕ、またはそれらの合金を使用することができる。また、金属粉の表面にＡｇコーティングされたものを使用することができる。金属粉の表面にＡｇコーティングされたものを使用する際には金属粉としてＣｕやＮｉを用いることが好ましい。また、Ｃｕに酸化防止処理を施したものを使用することもできる。特に、導電性樹脂層に含まれる金属としてＡｇの導電性金属粉を用いることは、Ａｇは金属の中でもっとも比抵抗が低いため電極材料に適しており、Ａｇは貴金属であるため酸化せず耐候性が高いため、好ましい。なお、導電性樹脂層に含まれる金属としてＡｇコーティングされた金属を用いることは、上記のＡｇの特性を保ちつつ、母材の金属を安価なものにすることが可能になるため、好ましい。
導電性樹脂層に含まれる金属は、導電性樹脂全体の体積に対して、３５ｖｏｌ％以上７５ｖｏｌ％以下で含まれていることが好ましい。
導電性樹脂層に含まれる金属（導電性フィラー）の形状は、特に限定されない。導電性フィラーは、球形状、扁平状などのものを用いることができるが、球形状金属粉と扁平状金属粉とを混合して用いるのが好ましい。
導電性樹脂層に含まれる金属（導電性フィラー）の平均粒径は、特に限定されない。導電性フィラーの平均粒径は、たとえば、０．３μｍ以上１０μｍ以下程度であってもよい。
導電性樹脂層に含まれる金属（導電性フィラー）は、主に導電性樹脂層の通電性を担う。具体的には、導電性フィラーどうしが接触することにより、導電性樹脂層内部に通電経路が形成される。
【００３７】
導電性樹脂層の樹脂としては、たとえば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂などの公知の種々の熱硬化性樹脂を使用することができる。その中でも、耐熱性、耐湿性、密着性などに優れたエポキシ樹脂は、最も適切な樹脂の一つである。
導電性樹脂層に含まれる樹脂は、導電性樹脂全体の体積に対して、２５ｖｏｌ％以上６５ｖｏｌ％以下で含まれていることが好ましい。
また、導電性樹脂層には、熱硬化性樹脂とともに、硬化剤を含むことが好ましい。ベース樹脂としてエポキシ樹脂を用いる場合、エポキシ樹脂の硬化剤としては、フェノール樹脂、アミン系、酸無水物系、イミダゾール系など公知の種々の化合物を使用することができる。
【００３８】
第１の端面１２ｅに位置する第１の下地電極層２４ａおよび第２の端面１２ｆに位置する第２の下地電極層２４ｂの高さ方向中央部におけるそれぞれの導電性樹脂層の厚みは、たとえば、１０μｍ以上２００μｍ以下程度であることが好ましい。
また、第１の主面１２ａおよび第２の主面１２ｂ、ならびに第１の側面１２ｃおよび第２の側面１２ｄの表面に下地電極層を設ける場合には、第１の主面１２ａおよび第２の主面１２ｂ、ならびに第１の側面１２ｃおよび第２の側面１２ｄの表面に位置する第１の下地電極層２４ａおよび第２の下地電極層２４ｂである長さ方向の中央部におけるそれぞれの導電性樹脂層の厚みは、５μｍ以上５０μｍ以下程度であることが好ましい。
【００３９】
また、下地電極層が薄膜層の場合、薄膜層は、スパッタ法または蒸着法等の薄膜形成法により形成され、金属粒子が堆積された１μｍ以下の層である。
【００４０】
第１のめっき層２６ａは、第１の下地電極層２４ａを覆うように配置される。具体的には、第１のめっき層２６ａは、第１の下地電極層２４ａの表面の第１の端面１２ｅに配置され、第１の下地電極層２４ａの表面の第１の主面１２ａ、第２の主面１２ｂ、第１の側面１２ｃおよび第２の側面１２ｄにも至るように設けられていることが好ましい。なお、第１のめっき層２６ａは、第１の端面１２ｅに配置される第１の下地電極層２４ａの表面のみに配置されてもよい。
第２のめっき層２６ｂは、第２の下地電極層２４ｂを覆うように配置される。具体的には、第２のめっき層２６ｂは、第２の下地電極層２４ｂの表面の第２の端面１２ｆに配置され、第２の下地電極層２４ｂの表面の第１の主面１２ａ、第２の主面１２ｂ、第１の側面１２ｃおよび第２の側面１２ｄにも至るように設けられていることが好ましい。なお、第２のめっき層２６ｂは、第２の端面１２ｆに配置される第２の下地電極層２４ｂの表面のみに配置されてもよい。
【００４１】
また、第１のめっき層２６ａおよび第２のめっき層２６ｂ（以下、単にめっき層ともいう）としては、たとえば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｄ合金、Ａｕ等から選ばれる少なくとも１つを含む。
めっき層は、複数層によって形成されてもよい。この場合、めっき層は、Ｎｉめっき層とＳｎめっき層の２層構造であることが好ましい。Ｎｉめっき層が、下地電極層の表面を覆うように設けられることで、積層セラミックコンデンサ１０を実装する際に、実装に用いられる半田によって下地電極層が侵食されることを防止することができる。また、Ｎｉめっき層の表面に、Ｓｎめっき層を設けることにより、積層セラミックコンデンサ１０を実装する際に、実装に用いられる半田の濡れ性を向上させ、容易に実装することができる。
【００４２】
めっき層一層あたりの厚みは、２μｍ以上１５μｍ以下であることが好ましい。
【００４３】
なお、下地電極層を設けずに、めっき層だけで外部電極２２を形成してもよい。以下、下地電極層を設けずに、めっき層を設ける構造について説明する。
第１の外部電極２２ａおよび第２の外部電極２２ｂのそれぞれは、下地電極層が設けられず、めっき層が積層体１２の表面に直接形成されていてもよい。すなわち、積層セラミックコンデンサ１０は、第１の内部電極層１６ａまたは第２の内部電極層１６ｂに電気的に接続されるめっき層を含む構造であってもよい。このような場合、前処理として積層体１２の表面に触媒を配設した後で、めっき層が形成されてもよい。
めっき層は、積層体１２の表面に形成される下層めっき電極と、下層めっき電極の表面に形成される上層めっき電極とを含むことが好ましい。
下層めっき電極および上層めっき電極はそれぞれ、たとえば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｄ、ＢｉまたはＺｎなどから選ばれる少なくとも１種の金属または当該金属を含む合金を含むことが好ましい。
下層めっき電極は、はんだバリア性能を有するＮｉを用いて形成されることが好ましく、上層めっき電極は、はんだ濡れ性が良好なＳｎやＡｕを用いて形成されることが好ましい。また、たとえば、第１の内部電極層１６ａおよび第２の内部電極層１６ｂがＮｉを用いて形成される場合、下層めっき電極は、Ｎｉと接合性のよいＣｕを用いて形成されることが好ましい。なお、上層めっき電極は、必要に応じて形成されればよく、第１の外部電極２２ａおよび第２の外部電極２２ｂはそれぞれ、下層めっき電極のみで構成されてもよい。
めっき層は、上層めっき電極を最外層としてもよいし、上層めっき電極の表面にさらに他のめっき電極を形成してもよい。
下地電極層を設けずに配置するめっき層の１層あたりの厚みは、１μｍ以上１５μｍ以下であることが好ましい。めっき層は、ガラスを含まないことが好ましい。めっき層の単位体積あたりの金属割合は、９９ｖｏｌ％以上であることが好ましい。
【００４４】
積層体１２、第１の外部電極２２ａおよび第２の外部電極２２ｂを含む積層セラミックコンデンサ１０の長さ方向ｚの寸法をＬ寸法とし、積層体１２、第１の外部電極２２ａおよび第２の外部電極２２ｂを含む積層セラミックコンデンサ１０の積層方向ｘの寸法をＴ寸法とし、積層体１２、第１の外部電極２２ａおよび第２の外部電極２２ｂを含む積層セラミックコンデンサ１０の幅方向ｙの寸法をＷ寸法とする。
積層セラミックコンデンサ１０の寸法は、特に限定されないが、たとえば、長さ方向ｚのＬ寸法が０．４ｍｍ以上６ｍｍ以下、幅方向ｙのＷ寸法が０．２ｍｍ以上６ｍｍ以下、積層方向ｘのＴ寸法が０．２ｍｍ以上３ｍｍ以下であることが好ましい。
【００４５】
２．積層セラミック電子部品の製造方法
次に、以上の構成からなる積層セラミック電子部品の製造方法の第１の実施の形態について説明する。図５は、この発明の第１の実施の形態に係る積層セラミック電子部品の製造方法の一例を説明するためのフローチャートである。図６は、この発明の第１の実施の形態に係る積層セラミック電子部品の製造方法の一例を説明するための模式断面図である。図７は、この発明の第１の実施の形態に係る積層セラミック電子部品の製造方法を説明するための図であって、セラミックグリーンシート同士の界面の状態を示す模式拡大断面図である。ここでは、積層セラミックコンデンサ１０の製造方法を例として説明する。
【００４６】
まず、工程Ｓ１で、可塑剤が含有されているセラミックグリーンシートが準備される。具体的には、セラミック粉末（誘電体粉末）、添加粉末およびバインダ樹脂の溶解液が用意され、分散混合することでセラミックスラリー（誘電体スラリー）が得られる。なお、この時、成形したセラミックグリーンシートに柔軟性を持たせるために可塑剤が添加される。
【００４７】
ここで、添加される可塑剤は、フタル酸ジオクチル（ＤＯＰ（ＤＥＨＰ）（Ｄｉｏｃｔｙｌ  ｐｈｔｈａｌａｔｅ））、フタル酸ジイソノニル（ＤＩＮＰ（Ｄｉｉｓｏｎｏｎｙｌ  ｐｈｔｈａｌａｔｅ））、フタル酸ジイソデシル（ＤＩＤＰ（Ｄｉｉｓｏｄｅｃｙｌ  ｐｈｔｈａｌａｔｅ））、フタル酸ジブチル（ＤＢＰ（Ｄｉｂｕｔｙｌ  ｐｈｔｈａｌａｔｅ））、アジピン酸ジオクチル（ＤＯＡ（ＤＥＨＡ）（Ｄｉｏｃｔｙｌ  ａｄｉｐａｔｅ））、アジピン酸ジイソノニル（ＤＩＮＡ（Ｄｉｉｓｏｎｏｎｙｌ  ａｄｉｐａｔｅ））から選ばれる可塑剤を用いるのが好ましい。これにより、本発明の効果をより確実なものにすることができる。
【００４８】
セラミックスラリーは、溶剤系であってもよいし、水系であってもよい。セラミックスラリーを水系塗料とする場合は、水溶性のバインダ樹脂や分散剤などを水に溶解させたセラミック原料が混合される。
【００４９】
セラミックスラリーは、ＰＥＴなどの支持フィルム上にシート状に成型され、セラミックグリーンシートとされる。シート状に成型される方法としては種々の方法があり、例えば支持フィルムを移動させながら塗布ヘッドからセラミックスラリーを押し出し、シート状に成型してもよい。セラミックグリーンシートの厚みは、支持フィルムの移動速度およびセラミックスラリーの押し出し量により決定される。支持フィルムに塗布されたセラミックスラリーは、雰囲気乾燥や冷凍乾燥や遠赤外線などを組み合わせることによって乾燥され、セラミック層１４となるセラミックグリーンシートが作製される。
【００５０】
次に、工程Ｓ２で、可塑剤を含有しているセラミックグリーンシートの上に、内部電極層１６を形成するための内部電極用導電性ペーストが、例えばスクリーン印刷法などによって所定のパターンに塗布され、内部電極形成用導電パターン３２が形成された複数枚のセラミックグリーンシート３０が準備される（図６（Ａ）参照）。
【００５１】
さらに、内部電極形成用導電パターンが形成されていない複数枚の外層用セラミックグリーンシートが、準備される。なお、セラミックスラリーおよび内部電極用導電性ペーストには、バインダ樹脂および溶媒が含まれるが、公知のバインダ樹脂や溶媒を用いてもよい。
【００５２】
次に、工程Ｓ３で、内部電極形成用導電パターンが形成されていない外層用セラミックグリーンシートが所定枚数積層され、その上に、内部電極形成用導電パターン３２が形成された可塑剤を含むセラミックグリーンシート３０が順次積層され、その上に、内部電極形成用導電パターンが形成されていない外層用セラミックグリーンシートが所定枚数積層（仮圧着）され、積層シート（マザー積層体ともいう）３４が作製される（図６（Ｂ）参照）。このとき、図７（Ａ）に示すように、各セラミックグリーンシート３０には、可塑剤４０と空隙４２ａとが存在している。
【００５３】
次に、工程Ｓ４で、積層シート３４は、静水圧プレスや剛体プレスなどの手段により積層方向ｘにプレスされて圧着される（図６（Ｄ）参照）。本実施の形態では、プレスを行う前に熱処理を行う熱処理工程を有する（図６（Ｃ））。熱処理工程は、熱処理オーブンを用いて、マザー積層体を８０℃以上１７０℃以下の条件で１５分以上２００分以下の熱処理時間で行うことが好ましい。
【００５４】
可塑剤を含むセラミックグリーンシートを積層（仮圧着）し、プレスを行う前に熱処理工程を行うことで、セラミックグリーンシート内に存在している可塑剤を揮発させることができる。その結果、図７（Ｂ）に示すように、セラミックグリーンシート３０内に新たな空隙４２ｂを作ることができ、空隙の数を多くすることが可能となる。
【００５５】
その後、積層シート３４は、静水圧プレスや剛体プレスなどの手段によりプレスされて、積層ブロック３６とされる（図６（Ｄ）参照）。このプレスの際に、図７（Ｃ）に示すように、セラミックグリーンシート３０内に存在する空隙４２ａおよび新たな空隙４２ｂにセラミックグリーンシート３０が流動され、セラミックグリーンシート３０および内部電極形成用導電パターン３２の密着力が飛躍的に向上する。これにより、セラミックグリーンシート３０間の剥がれが生じることを抑制することが可能となる。
【００５６】
また、内部電極形成用導電パターンを有するセラミックグリーンシート同士の密着力を増加させる方法として、接着成分を単純に内部電極形成用導電パターンやセラミックグリーンシートに混ぜ込む方法も考えられるが、接着成分を混ぜたところで内部電極分の段差量が大きい積層ブロックでは、プレスによる圧力が十分にかからないため、セラミックグリーンシートの十分な変形が得られない。よって、十分な密着力を得ることができない。また、接着成分を過剰に混ぜ込んだ場合、積層ブロックの歪みの発生や脱脂が十分に行えない問題が生じる。本発明においては、このような問題も発生しない。
【００５７】
その後、プレス圧力が開放される。
【００５８】
なお、プレスする際は、金型に積層シート３４を収め、例えば静水圧プレスや剛体プレスによりプレスを行う。また、セラミックグリーンシート３０上に形成された内部電極形成用導電パターン３２と、内部電極形成用導電パターン３２が形成されていない部分のセラミックグリーンシート３０との間には段差が生じ易くなるため、金型と積層シート３４と間に弾性体を挟み、均一に圧力がかかるようにしてもよい。
【００５９】
次に、工程Ｓ５で、積層ブロック３６が所定の形状寸法にカットされ、焼成前の積層体が複数切り出される。具体的には、積層ブロック３６をテーブル上に固定させるため、粘着シートなどが積層ブロック３６の主面に貼られ、テーブルに固定される。積層ブロック３６の端部が切除され、内部に埋設された内部電極形成用導電パターン３２が露出させられる。位置合わせしながら、カット刃を積層ブロック３６に押し当てることによって押し切りし、積層ブロック３６が個々の焼成前の積層体に分割される。
なお、ダイサーによる分割であってもよいし、レーザーによる分割であってもよい。
【００６０】
このとき、焼成前の積層体に対してバレル研磨等を施し、稜線部や角部に丸みをつけてもよい。具体的には、焼成前の積層体を小型ポッドに研磨メディアとともに収容し、小型ポッドに外力をかけることによって、研磨メディアにより焼成前の積層体を研磨し、焼成前の積層体の稜線部や角部を丸めることで、稜線部や角部が一定の曲率半径を有するようになる。なお、このバレル研磨は、焼成前の積層体に対して行ってもよいし、焼成後の積層体に対して行ってもよい。
【００６１】
次に、工程Ｓ６で、焼成前の積層体が焼成され、焼成後の積層体１２（単に積層体１２ともいう）が作成される。焼成後の積層体１２は、内部に第１の内部電極層１６ａおよび第２の内部電極層１６ｂが配置され、第１の内部電極層１６ａの第１の引出電極部１８ａが焼成後の積層体１２の第１の端面１２ｅに引き出され、第２の内部電極層１６ｂの第２の引出電極部１８ｂが焼成後の積層体１２の第２の端面１２ｆに引き出されている。
【００６２】
具体的には、焼成前の積層体が焼成装置にセットされる。まず、焼成前の積層体に含まれるバインダを加熱して除去する脱バインダ工程が行われる。脱バインダ工程では、焼成前の積層体のセラミックグリーンシートおよび内部電極形成用導電パターンに含まれるバインダ樹脂が除去される。
なお、炉内雰囲気は空気雰囲気で行われるけれども、Ｎ2、Ｈ2、Ｈ2Ｏなどのガスを適量混合して調整してもよい。
【００６３】
次に、焼成前の積層体が焼結される焼成工程が行われる。焼成前の積層体は、設定された焼成温度で、所定時間加熱される。焼成前の積層体の焼成温度は、セラミックの材料や内部電極用導電性ペーストの材料に依存するが、９００℃以上１３００℃以下であることが好ましい。なお、炉内雰囲気は、Ｎ2、Ｈ2、Ｈ2Ｏなどのガスを適量調整したものである。こうして、焼結された焼成後の積層体１２が得られる。
【００６４】
焼成後は、アニール処理することが好ましい。アニールはセラミック層１４を再酸化する処理であり、これにより絶縁抵抗の寿命を長くすることができ、信頼性が向上する。アニール処理は、還元雰囲気より、高い酸素分圧雰囲気で行うことが好ましい。ただし、酸素濃度が高すぎると、内部電極層１６が絶縁化する傾向になる。
【００６５】
次に、工程Ｓ７で、第１の外部電極２２ａおよび第２の外部電極２２ｂが、焼成後の積層体１２の第１の端面１２ｅおよび第２の端面１２ｆに形成される。
具体的には、先ず、焼成後の積層体１２の第１の端面１２ｅおよび第２の端面１２ｆに、下地電極層用ペーストが塗布されて焼付けられ、第１の外部電極２２ａの第１の下地電極層２４ａおよび第２の外部電極２２ｂの第２の下地電極層２４ｂが形成される。第１の下地電極層２４ａおよび第２の下地電極層２４ｂの形成には、ディップ法またはスクリーン印刷法またはローラー塗布法などの方法が用いられるが、本実施の形態はディップ法で形成する。
【００６６】
ディップ法は、テーブル上に下地電極層用ペーストを膜状に塗布し、下地電極層用ペースト膜を形成する。
ここで、焼成により内部電極層１６が収縮し、積層体１２の第１の端面１２ｅおよび第２の端面１２ｆに内部電極層１６が露出していない場合は、第１の端面１２ｅおよび第２の端面１２ｆを研磨し内部電極層１６を露出させておく。
【００６７】
次に、内部電極層１６が露出した第１の端面１２ｅが、テーブル上の下地電極層用ペースト膜に対向するように、積層体１２が保持される。保持方法は、弾性体で積層体１２の第１の側面１２ｃおよび第２の側面１２ｄを弾性保持してもよいし、粘着剤で積層体１２の他方の第２の端面１２ｆを保持してもよい。その後、テーブル上の下地電極層用ペースト膜に、積層体１２の第１の端面１２ｅが浸漬され、第１の端面１２ｅが下地電極層用ペーストで覆われる。
【００６８】
なお、下地電極層用ペーストで覆われた第１の端面１２ｅを、下地電極層用ペースト膜が形成されていない平板に押し付けることによって、第１の端面１２ｅを覆った余剰の下地電極層用ペーストが取り除かれるようにしてもよい。また、テーブル上の下地電極層用ペースト膜に複数回、浸漬してもよい。また、下地電極層用ペーストが過剰に濡れ上がる場合、積層体１２に予め下地電極層用ペーストをはじくような処理をしておき、過剰な濡れ上がりを防止してもよい。
【００６９】
同様にして、内部電極層１６が露出した第２の端面１２ｆが、下地電極層用ペーストで覆われる。
【００７０】
次に、第１の下地電極層２４ａの表面に第１のめっき層２６ａが形成されると共に、第２の下地電極層２４ｂの表面に第２のめっき層２６ｂが形成される。なお、必要に応じて、第１の下地電極層２４ａと第１のめっき層２６ａとの間、および、第２の下地電極層２４ｂと第２のめっき層２６ｂとの間に、金属と樹脂とを含む樹脂電極層を設けてもよい。
【００７１】
第１のめっき層２６ａおよび第２のめっき層２６ｂは、めっき液で満たされためっき浴、カソード電極およびアノード電極を準備し、めっき液内でカソード電極とアノード電極間にめっき電圧を印加し、積層体１２に形成された第１の下地電極層２４ａおよび第２の下地電極層２４ｂにカソード電極が接触するように通電することによって、第１の下地電極層２４ａおよび第２の下地電極層２４ｂ上に析出させることで、形成することができる。
【００７２】
なお、めっき浴内に積層体１２と共に導電メディアを入れて、導電メディアを介して積層体１２に形成された第１の下地電極層２４ａおよび第２の下地電極層２４ｂに通電させてもよい。なお、導通させる方法としては、種々の方法があり、振動により積層体１２と導電メディアとを攪拌してめっきする振動めっき法、バレル内に入れられた導電メディアと積層体１２とを回転攪拌させながらめっきする回転バレルめっき法、または、バレルの遠心力により積層体１２を攪拌してめっきする遠心めっき法であってもよい。
【００７３】
上述のようにして、図１に示す積層セラミックコンデンサ１０が製造される。
【００７４】
次に、以上の構成からなる積層セラミック電子部品の製造方法の第２の実施の形態について説明する。図８は、この発明の第２の実施の形態に係る積層セラミック電子部品の製造方法の一例を説明するためのフローチャートである。図９は、この発明の第２の実施の形態に係る積層セラミック電子部品の製造方法の一例を説明するための模式断面図である。図１０は、この発明の第２の実施の形態に係る積層セラミック電子部品の製造方法を説明するための図であって、セラミックグリーンシート同士の界面の状態を示す模式拡大断面図である。ここでは、積層セラミックコンデンサ１０の製造方法を例として説明する。
なお、工程Ｓ２’、工程Ｓ３’、工程５’、工程６’および工程７’のそれぞれは、第１の実施の形態に係る積層セラミック電子部品の製造方法の工程Ｓ２、工程Ｓ３、工程５、工程６および工程７のそれぞれと略同一であるので、詳細な説明は省略する。
【００７５】
まず、工程Ｓ１’で、可塑剤および揮発成分が含有されているセラミックグリーンシートが準備される。具体的には、セラミック粉末（誘電体粉末）、添加粉末およびバインダ樹脂の溶解液が用意され、分散混合することでセラミックスラリー（誘電体スラリー）が得られる。なお、この時、成形したセラミックグリーンシートに柔軟性を持たせるために可塑剤も添加する。
【００７６】
ここで、添加される可塑剤は、フタル酸ジオクチル（ＤＯＰ（ＤＥＨＰ）（Ｄｉｏｃｔｙｌ  ｐｈｔｈａｌａｔｅ））、フタル酸ジイソノニル（ＤＩＮＰ（Ｄｉｉｓｏｎｏｎｙｌ  ｐｈｔｈａｌａｔｅ））、フタル酸ジイソデシル（ＤＩＤＰ（Ｄｉｉｓｏｄｅｃｙｌ  ｐｈｔｈａｌａｔｅ））、フタル酸ジブチル（ＤＢＰ（Ｄｉｂｕｔｙｌ  ｐｈｔｈａｌａｔｅ））、アジピン酸ジオクチル（ＤＯＡ（ＤＥＨＡ）（Ｄｉｏｃｔｙｌ  ａｄｉｐａｔｅ））、アジピン酸ジイソノニル（ＤＩＮＡ（Ｄｉｉｓｏｎｏｎｙｌ  ａｄｉｐａｔｅ））から選ばれる可塑剤を用いるのが好ましい。これにより、本発明の効果をより確実なものにすることができる。
【００７７】
さらに、セラミックスラリーには、揮発成分も添加される。揮発成分は、ヨウ素、シュウ酸、パラジクロロベンゼン、サリチル酸、ナフタレン、テレフタル酸、ｎ−オクタノール、ベンジルアルコール、エチレングリコールモノブチルエーテル、シクロヘキサノン、酢酸ｎヘキシル、酢酸ｎヘプチルから選ばれる揮発成分を用いるのが好ましい。これにより、本発明の効果をより確実なものにすることができる。
【００７８】
セラミックスラリーは、溶剤系であってもよいし、水系であってもよい。セラミックスラリーを水系塗料とする場合は、水溶性のバインダ樹脂や分散剤などを水に溶解させたセラミック原料が混合される。
【００７９】
セラミックスラリーは、ＰＥＴなどの支持フィルム上にシート状に成型され、セラミックグリーンシートとされる。シート状に成型される方法としては種々の方法があり、例えば支持フィルムを移動させながら塗布ヘッドからセラミックスラリーを押し出し、シート状に成型してもよい。セラミックグリーンシートの厚みは、支持フィルムの移動速度およびセラミックスラリーの押し出し量により決定される。支持フィルムに塗布されたセラミックスラリーは、雰囲気乾燥や冷凍乾燥や遠赤外線などを組み合わせることによって乾燥され、セラミック層１４となるセラミックグリーンシートが作製される。
【００８０】
次に、工程Ｓ２’で、可塑剤および揮発成分を含有しているセラミックグリーンシート上に、内部電極層１６を形成するための内部電極用導電性ペーストが、例えばスクリーン印刷法などによって所定のパターンに塗布され、内部電極形成用導電パターン３２が形成された複数枚のセラミックグリーンシート３０’が準備される（図９（Ａ）参照）。
さらに、内部電極形成用導電パターンが形成されていない複数枚の外層用セラミックグリーンシートが、準備される。
【００８１】
次に、工程Ｓ３’で、内部電極形成用導電パターンが形成されていない外層用セラミックグリーンシートが所定枚数積層され、その上に、内部電極形成用導電パターン３２が形成された可塑剤および揮発成分を含むセラミックグリーンシート３０’が順次積層され、その上に、内部電極形成用導電パターンが形成されていない外層用セラミックグリーンシートが所定枚数積層（仮圧着）され、積層シート（マザー積層体ともいう）３４が作製される（図９（Ｂ）参照）。このとき、図１０（Ａ）に示すように、各セラミックグリーンシート３０’には、可塑剤４０、空隙４２ａおよび揮発成分４４が存在している。
【００８２】
次に、工程Ｓ４’で、積層シート３４は、静水圧プレスや剛体プレスなどの手段により積層方向ｘにプレスされて圧着される（図９（Ｄ）参照）。本実施の形態では、プレスを行う前に熱処理を行う熱処理工程を有する（図９（Ｃ））。熱処理工程は、熱処理オーブンを用いて、マザー積層体を８０℃以上１７０℃以下の条件で１５分以上２００分以下の熱処理時間で行うことが好ましい。
【００８３】
可塑剤および揮発成分を含むセラミックグリーンシートを積層（仮圧着）し、プレスを行う前に熱処理工程を行うことで、セラミックグリーンシート内に存在している可塑剤や揮発成分を揮発させることができる。その結果、図１０（Ｂ）に示すように、セラミックグリーンシート３０’内に新たな空隙４２ｂを作ることができ、空隙の数をより多くすることが可能となる。そして、プレスの際に、図１０（Ｃ）に示すように、もともと存在する空隙４２ａや、可塑剤４０あるいは揮発成分４４によりできた新たな空隙４２ｂにセラミックグリーンシート３０’が流動され、セラミックグリーンシート３０’および内部電極形成用導電パターン３２の密着力が飛躍的に向上する。これにより、セラミックグリーンシード３０’間の剥がれが生じることを抑制することが可能となる。
【００８４】
なお、第２の実施の形態にかかる積層セラミック電子部品の製造方法では、熱処理工程の代わりに減圧工程を実施してもよい。減圧工程は、真空オーブンを用いて、真空度１ｋＰａ以上２０ｋＰａ以下を１５分以上２００分以下維持することが好ましい。これにより、揮発成分４４を揮発させ、新たな空隙４２ｂを作ることができ、図１０（Ｂ）に示すように、空隙の数をより多くすることが可能となる。そして、プレスの際に、図１０（Ｃ）に示すように、もともと存在する空隙４２ａや、可塑剤４０あるいは揮発成分４４によりできた新たな空隙４２ｂにセラミックグリーンシート３０’が流動され、セラミックグリーンシート３０’および内部電極形成用導電パターン３２の密着力が飛躍的に向上する。これにより、セラミックグリーンシード３０間の剥がれが生じることを抑制することが可能となる。
【００８５】
さらに、第２の実施の形態に係る積層セラミック電子部品の製造方法では、熱処理工程および減圧工程の両方を実施してもよい。これにより、同様に、揮発成分４４を揮発させ、新たな空隙４２ｂを作ることができ、図１０（Ｂ）に示すように、空隙の数をより多くすることが可能となる。そして、プレスの際に、図１０（Ｃ）に示すように、もともと存在する空隙４２ａや、可塑剤４０あるいは揮発成分４４によりできた新たな空隙４２ｂにセラミックグリーンシート３０’が流動され、セラミックグリーンシート３０’および内部電極形成用導電パターン３２の密着力が飛躍的に向上する。これにより、セラミックグリーンシード３０’間の剥がれが生じることを抑制することが可能となる。
【００８６】
次に、工程Ｓ５’で、積層ブロック３６が所定の形状寸法にカットされ、焼成前の積層体が複数切り出される。
【００８７】
続いて、工程Ｓ６’で、焼成前の積層体が焼成され、焼成後の積層体１２（単に積層体１２ともいう）が作成される。
【００８８】
次に、工程Ｓ７’で、第１の外部電極２２ａおよび第２の外部電極２２ｂが、焼成後の積層体１２の第１の端面１２ｅおよび第２の端面１２ｆに形成される。
【００８９】
上述のようにして、図１に示す積層セラミックコンデンサ１０が製造される。
【００９０】
３．実験例１
次に、上述した第１の実施の形態にかかる積層セラミック電子部品の製造方法の効果を確認するために、第１の実施の形態の製造方法に基づき積層セラミックコンデンサを製造し、セラミック層間剥がれの有無の確認とショート率の評価を行った。
【００９１】
（１）実験例１における試料の作製条件
実施例１−１ないし実施例１−６は、第１の実施の形態にかかる積層セラミック電子部品の製造方法に従って、後に記載の仕様の積層セラミックコンデンサを作製した。実施例１−１ないし実施例１−６は、誘電体粉末、電気特性を調整する添加粉末およびバインダ樹脂の溶解液が準備され、分散混合することによって誘電体スラリーが作成された。その誘電体スラリーに、可塑剤がＢａＴｉＯ3に対して１．０ｗｔ％以上３．０ｗｔ％以下の範囲で添加された後、混合されて、可塑剤を含有している誘電体スラリーが作成された。この誘電体スラリーを用いて誘電体グリーンシートを成形した。可塑剤は、実施例１−３ではアジピン酸ジオクチルが使用され、それ以外の実施例では、フタル酸ジオクチルが使用された。
【００９２】
一方、比較例１−１および比較例１−２は、熱処理工程を実施しない以外は、第１の実施の形態にかかる積層セラミック電子部品の製造方法に従って、後に記載の仕様の積層セラミックコンデンサを作製した。比較例１−１および比較例１−２は、誘電体粉末、電気特性を調整する添加粉末およびバインダ樹脂の溶解液が準備され、分散混合することによって誘電体スラリーが作成された。比較例１−１では、その誘電体スラリーに、可塑剤がＢａＴｉＯ3に対して２．０ｗｔ％、比較例１−２では、その誘電体スラリーに、可塑剤がＢａＴｉＯ3に対して０．５ｗｔ％をそれぞれ添加された後、混合されて可塑剤を含有している誘電体スラリーが作成された。この誘電体スラリーを用いて誘電体グリーンシートを成形した。可塑剤は、フタル酸ジオクチルが使用された。
【００９３】
実験例１における実施例１−１ないし実施例１−６ならびに比較例１−１および比較例１−２に用いた試料である積層セラミックコンデンサの仕様は、以下のとおりである。
・サイズＬ×Ｗ×Ｔ（設計値）：３．２ｍｍ×２．５ｍｍ×２．５ｍｍ
・セラミック材料：ＢａＴｉＯ3
・静電容量：１０μＦ
・定格電圧：２５Ｖ
・内部電極層：Ｎｉ
・外部電極：下地電極層とめっき層とで構成
下地電極層は、Ｃｕとガラスを含む電極層
めっき層は、Ｎｉめっき層とＳｎめっき層の２層構造
【００９４】
なお、実施例１−１ないし実施例１−６の試料の製造時における熱処理工程は、熱処理オーブンを用いて、マザー積層体を１３０℃以上１７０℃の条件で３０分行った。
【００９５】
（２）各測定方法
（ａ）重量減少率の測定方法
熱処理前のマザー積層体の重量を測定し、熱処理後、真空引き後の重量を測定した。熱処理前の重量に対する重量減少量を、重量減少率とした。
【００９６】
（ｂ）シート厚さの測定方法
フィルム厚みの測定機を用いて、誘電体グリーンシートの５箇所の厚みを測定し、その平均値をシート厚さとした。
【００９７】
（ｃ）剥がれの有無の確認方法
剥がれの有無の確認方法は、焼成後の積層体のＷＴ面を１００００個確認し、セラミック層間で１μｍ以上の剥離が発生しているものを、剥がれが発生しているとした。
【００９８】
（ｄ）ショート率の評価方法
ショート率の評価方法は、外部電極のめっき層まで形成された１０００個の積層セラミックコンデンサについて、測定選別機を用いて２．５Ｖの測定条件で、積層セラミックコンデンサがショートしているか否かを確認した。
【００９９】
評価結果が表１および表２に示される。
【０１００】
【表１】
2019197845.tif 000003
【０１０１】
【表２】
2019197845.tif 000004
【０１０２】
表１より、実施例１−１ないし実施例１−６は、製造方法の工程に熱処理工程を実施することで、剥がれ発生率を低く抑えることができた。特に、重量減少率が０．８ｗｔ％以上の比較的高い実施例１−３、実施例１−４および実施例１−６では、剥がれ発生率が０．１０％未満であり、良好であった。これは、重量減少率が高い場合、空隙が多く発生しえいると考えられるからである。
また、実施例１−１ないし実施例１−６は、可塑剤を含有するため、ショート率についても、いずれの実施例も５％以下であった。これは、積層時に、一定量の可塑剤がなければ、設備内における搬送時にシートが破れてしまうため、このことがショート率の発生に影響を与えるためであるところ、実施例１−１ないし実施例１−６では、いずれも誘電体グリーンシートに所定量の可塑剤が含有されているため、シートの破れを抑制することができたためである。
【０１０３】
一方、表２より、比較例１−１は、誘電体グリーンシート中に可塑剤が含有されているものの、熱処理工程がないため、静水圧プレス時の誘電体グリーンシートの流動が少なくなり、ＷギャップあるいはＬギャップの部分に剥がれが多く見受けられたため、剥がれ発生率が０．９７％と各実施例と比較して高かった。
また、比較例１−２は、誘電体グリーンシート中に可塑剤が含有されているものの、その可塑剤の含有量が比較的少ないため可塑剤が作用せず、シート搬送時に破れが発生し、ショート率が高い結果となった。
【０１０４】
以上より、本発明にかかる積層セラミック電子部品の製造方法によれば、可塑剤を含む誘電体グリーンシート（セラミックグリーンシート）を積層し、プレスを行う前に熱処理工程を行うことにより、誘電体グリーンシート内に存在している可塑剤を揮発させることで、新たな空隙を作ることができ、空隙の数を多くすることが可能となる。よって、プレスの際に誘電体グリーンシートが流動しやすくなり、内部電極および誘電体グリーンシートの密着力を飛躍的に向上させることができる。そのため、積層セラミック電子部品において誘電体層間の剥がれの発生やショート不良の発生を抑制することが可能となることが確認された。
【０１０５】
４．実験例２
実験例２では、上述した第２の実施の形態にかかる積層セラミックコンデンサの製造方法の効果を確認するために、第２の実施の形態の製造方法に基づき積層セラミックコンデンサを製造し、セラミック層間剥がれの有無の確認とショート率の評価を行った。
【０１０６】
（１）実験例２における試料の作製条件
実施例２−１ないし実施例２−８は、第２の実施の形態にかかる積層セラミック電子部品の製造方法に従って、後に記載の仕様の積層セラミックコンデンサを作製した。実施例２−１ないし実施例２−８は、誘電体粉末、電気特性を調整する添加粉末およびバインダ樹脂の溶解液が準備され、分散混合することによって誘電体スラリーが作成された。その誘電体スラリーに、可塑剤がＢａＴｉＯ3に対して１．０ｗｔ％以上２．０ｗｔ％以下の範囲で添加され、揮発成分が１．０ｗｔ％以上２．０ｗｔ％以下の範囲で添加された後、混合されて、可塑剤および揮発成分を含有している誘電体スラリーが作成された。この誘電体スラリーを用いて誘電体グリーンシートを成形した。可塑剤は、実施例２−１ないし実施例２−８ではフタル酸ジオクチルが使用され、揮発成分は、実施例２−１ないし実施例２−６ではナフタレンが使用され、実施例２−７ではｎ−オクタノールが使用され、実施例２−８ではサリチル酸が使用された。
【０１０７】
実験例２における実施例２−１ないし実施例２−８に用いた試料である積層セラミックコンデンサの仕様は、以下のとおりである。
・サイズＬ×Ｗ×Ｔ（設計値）：３．２ｍｍ×２．５ｍｍ×２．５ｍｍ
・セラミック材料：ＢａＴｉＯ3
・静電容量：１０μＦ
・定格電圧：２５Ｖ
・内部電極層：Ｎｉ
・外部電極：下地電極層とめっき層とで構成
下地電極層は、Ｃｕとガラスを含む電極層
めっき層は、Ｎｉめっき層とＳｎめっき層の２層構造
【０１０８】
なお、実施例２−１ないし実施例２−８の試料の製造時において、誘電体グリーンシートを複数枚積層し、積層シートを得る工程と、積層シートを積層方向にプレスし、積層ブロックを得る工程との間に熱処理工程を行った。この熱処理工程は、熱処理オーブンを用いて、マザー積層体を８０℃以上１５０℃の条件で３０分行った。
【０１０９】
なお、（ａ）重量減少率の測定方法、（ｂ）シート厚さの測定方法、（ｃ）剥がれの有無の確認方法、および（ｄ）ショート率の評価方法のそれぞれの方法は、実験例１と同一である。
【０１１０】
評価結果が、表３に示される。
【０１１１】
【表３】
2019197845.tif 000005
【０１１２】
実施例２−１ないし実施例２−８では、いずれの実施例においても誘電体グリーンシートに可塑剤だけでなく揮発成分を含有しているので、その揮発成分を揮発させることで、新たに空隙を多く作ることができていると考えられ、その結果、誘電体グリーンシートの流動性をより確保することができ、剥がれの発生率をより低く抑えることができることが確認された。また、いずれの実施例においても誘電体グリーンシート内に可塑剤も所定量含有しているので、ショートの発生率も低く抑えられた。
【０１１３】
以上より、本発明にかかる積層セラミック電子部品の製造方法によれば、可塑剤および揮発成分を含む誘電体グリーンシート（セラミックグリーンシート）を積層し、プレスを行う前に熱処理工程を行うことにより、誘電体グリーンシート内に存在している可塑剤と揮発成分を揮発させることで、新たな空隙を作ることができ、空隙の数をより多くすることが可能となる。よって、プレスの際に誘電体グリーンシートが流動しやすくなり、内部電極および誘電体グリーンシートの密着力を飛躍的に向上させることができる。そのため、積層セラミック電子部品において誘電体層間の剥がれの発生やショート不良の発生を抑制することが可能となることが確認された。
【０１１４】
５．実験例３
実験例３では、上述した第２の実施の形態にかかる積層セラミックコンデンサの製造方法の効果を確認するために、第２の実施の形態の製造方法に基づき積層セラミックコンデンサを製造し、セラミック層間剥がれの有無の確認とショート率の評価を行った。
【０１１５】
（１）実験例３における試料の作製条件
実施例３−１ないし実施例３−３は、第２の実施の形態にかかる積層セラミック電子部品の製造方法に従って、後に記載の仕様の積層セラミックコンデンサを作製した。実施例３−１ないし実施例３−３は、誘電体粉末、電気特性を調整する添加粉末およびバインダ樹脂の溶解液が準備され、分散混合することによって誘電体スラリーが作成された。その誘電体スラリーに、可塑剤がＢａＴｉＯ3に対して２．０ｗｔ％添加され、揮発成分が１．０ｗｔ％以上２．０ｗｔ％以下の範囲で添加された後、混合されて、可塑剤および揮発成分を含有している誘電体スラリーが作成された。この誘電体スラリーを用いて誘電体グリーンシートを成形した。可塑剤はフタル酸ジオクチルが使用され、揮発成分はナフタレンが使用された。
【０１１６】
実験例３における実施例３−１ないし実施例３−３に用いた試料である積層セラミックコンデンサの仕様は、以下のとおりである。
・サイズＬ×Ｗ×Ｔ（設計値）：３．２ｍｍ×２．５ｍｍ×２．５ｍｍ
・セラミック材料：ＢａＴｉＯ3
・静電容量：１０μＦ
・定格電圧：２５Ｖ
・内部電極層：Ｎｉ
・外部電極：下地電極層とめっき層とで構成
下地電極層は、Ｃｕとガラスを含む電極層
めっき層は、Ｎｉめっき層とＳｎめっき層の２層構造
【０１１７】
なお、実施例３−１および実施例３−２の試料の製造時においては、誘電体グリーンシートを複数枚積層し、積層シートを得る工程と、積層シートを積層方向にプレスし、積層ブロックを得る工程との間に減圧工程を行い、実施例３−３の試料の製造時においては、熱処理工程および減圧工程を行った。減圧工程は、真空オーブンを用いて、真空度３ｋＰａ以下を３０分間維持するとした。また、熱処理工程は、熱処理オーブンを用いて、マザー積層体を１５０℃の条件で３０分行った。
【０１１８】
なお、（ａ）重量減少率の測定方法、（ｂ）シート厚さの測定方法、（ｃ）剥がれの有無の確認方法、および（ｄ）ショート率の評価方法のそれぞれの方法は、実験例１と同一である。
【０１１９】
評価結果が、表４に示される。
【０１２０】
【表４】
2019197845.tif 000006
【０１２１】
実施例３−１ないし実施例３−３では、いずれの実施例においても誘電体グリーンシートに可塑剤だけでなく揮発成分を含有しているので、その揮発成分を揮発させることで、新たに空隙を多く作ることができていると考えられ、その結果、誘電体グリーンシートの流動性をより確保することができ、剥がれの発生率をより低く抑えることができることが確認された。また、いずれの実施例においても誘電体グリーンシート内に可塑剤も所定量含有しているので、ショートの発生率も低く抑えられた。
【０１２２】
以上より、本発明にかかる積層セラミック電子部品の製造方法によれば、可塑剤および揮発成分を含む誘電体グリーンシート（セラミックグリーンシート）を積層し、プレスを行う前に減圧工程、あるいは熱処理工程および減圧工程を行うことにより、誘電体グリーンシート内に存在している可塑剤と揮発成分を揮発させることで、新たな空隙を作ることができ、空隙の数をより多くすることが可能となる。よって、プレスの際に誘電体グリーンシートが流動しやすくなり、内部電極および誘電体グリーンシートの密着力を飛躍的に向上させることができる。そのため、積層セラミック電子部品において誘電体層間の剥がれの発生やショート不良の発生を抑制することが可能となることが確認された。
【０１２３】
なお、以上のように、本発明の実施の形態は、前記記載で開示されているが、本発明は、これに限定されるものではない。
すなわち、本発明の技術的思想及び目的の範囲から逸脱することなく、以上説明した実施の形態に対し、機序、形状、材質、数量、位置又は配置等に関して、様々の変更を加えることができるものであり、それらは、本発明に含まれるものである。
【符号の説明】
【０１２４】
１０  積層セラミックコンデンサ
１２  積層体
１４  セラミック層
１４ａ  外層部
１４ｂ  内層部
１６  内部電極層
１６ａ  第１の内部電極層
１６ｂ  第２の内部電極層
１８ａ  第１の引出電極部
１８ｂ  第２の引出電極部
２０ａ  対向電極部
２０ｂ  側部（Ｗギャップ）
２０ｃ  端部（Ｌギャップ）
２２  外部電極
２２ａ  第１の外部電極
２２ｂ  第２の外部電極
２４ａ  第１の下地電極層
２４ｂ  第２の下地電極層
２６ａ  第１のめっき層
２６ｂ  第２のめっき層
３０、３０’  セラミックグリーンシート
３２  内部電極形成用導電パターン
３４  積層シート
３６  積層ブロック
４０  可塑剤
４２ａ  空隙
４２ｂ  新たな空隙
４４  揮発成分
ｘ  積層方向
ｙ  幅方向
ｚ  長さ方向
【図１】
2019197845.tif 000007
【図２】
2019197845.tif 000008
【図３】
2019197845.tif 000009
【図４】
2019197845.tif 000010
【図５】
2019197845.tif 000011
【図６】
2019197845.tif 000012
【図７】
2019197845.tif 000013
【図８】
2019197845.tif 000014
【図９】
2019197845.tif 000015
【図１０】
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