(57)【要約】【課題】パターン欠陥の抑制に有利なインプリント方法を提供することを目的とする。【解決手段】基板上に未硬化のインプリント材を塗布し、未硬化のインプリント材と型とを接触させた状態で未硬化のインプリント材を硬化させることにより基板上に硬化したインプリント材のパターンを形成するインプリント方法であって、基板に形成されたショット領域に未硬化のインプリント材を塗布した後であって、接触を行う前に、ショット領域の一部の未硬化のインプリント材を硬化させる領域を設定し、設定された領域の硬化したインプリント材の位置と、基板又は型に設けられたマークの位置と、を計測し、硬化したインプリント材の位置とマークの位置に基づき、ショット領域のうち、一部を含む部分領域の未硬化のインプリント材を硬化させる照射領域を設定する【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に未硬化のインプリント材を塗布し、前記未硬化のインプリント材と型とを接触させた状態で前記未硬化のインプリント材を硬化させることにより前記基板上に硬化したインプリント材のパターンを形成するインプリント方法であって、
前記基板に形成されたショット領域に前記未硬化のインプリント材を塗布した後であって、前記接触を行う前に、前記ショット領域の一部の前記未硬化のインプリント材を硬化させる領域を設定し、
前記設定された領域の硬化したインプリント材の位置と、前記基板又は前記型に設けられたマークの位置と、を計測し、
前記硬化したインプリント材の位置と前記マークの位置に基づき、前記ショット領域のうち、前記一部を含む部分領域の前記未硬化のインプリント材を硬化させる照射領域を設定する、
ことを特徴とするインプリント方法。
【請求項２】
前記基板に設けられる前記マークは、前記部分領域の外に設けられ、前記型に設けられる前記マークは、前記部分領域に対応する領域外に設けられることを特徴とする請求項１に記載のインプリント方法。
【請求項３】
前記計測は、前記硬化したインプリント材の複数の位置と、前記基板又は前記型に設けられた複数のマークの位置と、に対して行われることを特徴とする請求項１又は２に記載のインプリント方法。
【請求項４】
前記計測の結果に基づいて、前記硬化したインプリント材の位置と、前記基板又は前記型に設けられたマークの位置との差を求め、前記差が所定の閾値を超えると判断した場合、前記ショット領域のうち、前記一部とは異なる領域について、前記設定および前記計測を行うことを特徴とする請求項１乃至３のうちいずれか１項に記載のインプリント方法。
【請求項５】
前記部分領域は、前記ショット領域の輪郭に沿った領域であることを特徴とする請求項１乃至４のうちいずれか１項に記載のインプリント方法。
【請求項６】
前記一部は、前記部分領域に含まれ、かつ、前記部分領域の輪郭に沿った領域であることを特徴とする請求項５に記載のインプリント方法。
【請求項７】
前記ショット領域の一部は、面状、線状または点状であることを特徴とする請求項６に記載のインプリント方法。
【請求項８】
前記一部の前記未硬化のインプリント材を硬化させる前に、前記基板と、前記型と、の位置合わせを行うことを特徴とする請求項１乃至７のうちいずれか１項に記載のインプリント方法。
【請求項９】
請求項１乃至８のうちいずれか１項に記載の方法をコンピュータに実行させることを特徴とするプログラム。
【請求項１０】
基板上に未硬化のインプリント材を塗布し、前記未硬化のインプリント材と型とを接触させた状態で前記未硬化のインプリント材を硬化させることにより前記基板上に硬化したインプリント材のパターンを形成するインプリント装置であって、
前記未硬化のインプリント材を硬化させる硬化部と、
前記硬化部により前記未硬化のインプリント材を硬化させる領域を設定する設定部と、
前記基板又は前記型に設けられたマークの位置と、前記硬化したインプリント材の位置と、を計測する計測部と、を有し、
前記設定部は、前記基板に形成されたショット領域に前記未硬化のインプリント材を塗布した後であって、前記接触を行う前に、前記ショット領域の一部の前記未硬化のインプリント材を硬化させる領域を設定し、
前記計測部は、前記設定によって前記硬化部が硬化した前記インプリント材の位置と前記マークの位置とを計測し、
前記設定部は、前記計測結果に基づいて前記ショット領域のうち、前記一部を含む部分領域の前記未硬化のインプリント材を硬化させる領域を設定する、
ことを特徴とするインプリント装置。
【請求項１１】
請求項１乃至８のうちいずれか１項に記載のインプリント方法を用いて基板にパターンを形成する工程と、
前記工程でパターンを形成された前記基板を加工する工程と、
を含むことを特徴とする物品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インプリント方法、インプリント装置、プログラム、および物品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスや液晶表示装置等の物品を製造するリソグラフィ方法の一つとしてインプリント方法がある。インプリント方法は、基板上の未硬化のインプリント材に型を接触させて微細パターンの形成を行う方法である。インプリント方法において、基板上のパターンを形成する領域以外の領域に未硬化のインプリント材が拡がってしまう場合がある。この場合、パターン欠陥、歩留まり低下などの問題が起こりうる。特許文献１では、基板上のパターン形成領域とパターンを形成しない外周領域との境界近傍の未硬化のレジストを先に硬化させて、基板裏面に未硬化のレジストが拡がることを防止している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１３−６９９１９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、所望の領域の未硬化のレジストを狙ったとおりに硬化させることができない場合、特許文献１の方法では、未硬化のインプリント材がパターンを形成する領域以外の領域に拡がってしまいうる。
【０００５】
本発明は、例えば、パターン欠陥の抑制に有利なインプリント方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、本発明は、基板上に未硬化のインプリント材を塗布し、未硬化のインプリント材と型とを接触させた状態で未硬化のインプリント材を硬化させることにより基板上に硬化したインプリント材のパターンを形成するインプリント方法であって、基板に形成されたショット領域に未硬化のインプリント材を塗布した後であって、接触を行う前に、ショット領域の一部の未硬化のインプリント材を硬化させる領域を設定し、設定された領域の硬化したインプリント材の位置と、基板又は型に設けられたマークの位置と、を計測し、硬化したインプリント材の位置とマークの位置に基づき、ショット領域のうち、一部を含む部分領域の未硬化のインプリント材を硬化させる照射領域を設定する、ことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、例えば、パターン欠陥の抑制に有利なインプリント方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】第１実施形態に係るインプリント方法を用いるインプリント装置の構成を示す概略図である。
【図２】第１実施形態に係るインプリント方法を説明する基板及びショット領域の一例を示す図である。
【図３】第１実施形態に係るインプリント方法において、アライメントスコープにより検出されるアライメントマークの一例を示す図である。
【図４】第１実施形態に係るインプリント方法を示すフローチャートである。
【図５】第１実施形態に係る部分領域露光を説明する図である。
【図６】第２実施形態に係るインプリント方法を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本発明を実施するための形態について図面などを参照して説明する。
【００１０】
（第１実施形態）
図１は、本実施形態に係るインプリント方法を用いるインプリント装置１００の構成を示す概略図である。ここでは、一例として、光硬化法を用いたインプリント装置として、紫外線の照射によって基板上の未硬化のインプリント材を硬化させる紫外線硬化型インプリント装置を使用した。ただし、インプリント材の硬化方法として、他の波長域の光の照射による方法や、他のエネルギー（例えば、熱）による方法を用いてもよい。
【００１１】
インプリント装置１００は、例えば、硬化部１１０と、型保持部１２０と、型変形部１３０と、ディスペンサ１４０と、基板保持部１５０と、計測部１６０と、制御部１７０と、スコープ１８０と、を含みうる。インプリント装置１００は、インプリントサイクルを繰り返すことによって基板上のショット領域にパターンを形成する。ここで、インプリントサイクルとは、型Ｍをインプリント材Ｒに押し付けた状態でインプリント材Ｒを硬化させることによって基板の１つのショット領域にパターンを形成するサイクルである。
【００１２】
硬化部１１０は、型Ｍを介してインプリント材Ｒに光を照射し、インプリント材Ｒを硬化させる。インプリント材Ｒは、この実施形態では、紫外光硬化樹脂である。硬化部１１０は、例えば、光源１１１と、レンズを含む光学系１１２と、設定部１１３と、ハーフミラー１１４と、を含む。光源１１１は、例えば、紫外光（例えば、ｉ線、ｇ線）を発生するハロゲンランプなどの光源と、該光源が発生させた光を集光する楕円鏡とを含みうる。
【００１３】
光学系１１２は、インプリント材Ｒを硬化させるための光を、基板Ｗ上のパターン形成領域（ショット領域）内のインプリント材に照射するためのレンズを含む。設定部１１３は、画角制御や外周遮光制御に使用され、例えば、ＤＭＤ、アパーチャ、可変視野絞り等である。画角制御によって目標とするショット領域のみを照明することができ、外周遮光制御によって紫外光が基板Ｗのショット領域を超えて照射されることを制限することができる。硬化部１１０は、設定部１１３を用いることによって基板Ｗ上の任意の領域を照明することができる。ハーフミラー１１４は、設定部１１３からの光の光路を基板Ｗに向かう方向に変更する。光学系１１２は、基板Ｗ（型Ｍ）を均一に照明するためにオプティカルインテグレータを含んでもよい。設定部１１３によってエネルギー（光）の照射領域が規定された光は、結像系（不図示）と型Ｍを介して基板Ｗ上のインプリント材Ｒに入射する。
【００１４】
型保持部１２０は、例えば、型Ｍを保持する型チャック１２１と、型チャック１２１を駆動させることで、型Ｍを移動させる駆動部１２２と、駆動部１２２を支持するベース１２３と、を含む。型チャック１２１による型Ｍの保持は、例えば、真空吸引力や静電気力等による。駆動部１２２は、型Ｍの位置を６軸に関して制御したり、型Ｍを基板Ｗの上のインプリント材Ｒに接触させたり、硬化したインプリント材Ｒから型Ｍを剥離（離型）したりする。ここで、６軸は、ＸＹＺ座標系におけるＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸およびそれらの各軸回りの回転である。
【００１５】
型Ｍは、例えば、外周部が矩形であり、基板Ｗに対向する面において、所定の凹凸パターンが３次元状に形成されており、紫外線を透過する材料（石英など）で構成される。型Ｍには、アライメントマークＡＭＭが形成される。型Ｍは、不図示の型搬送装置によって搬送されうる。型搬送装置は、例えば、真空チャック等のチャックを有する搬送ロボットを含む。
【００１６】
型変形部１３０は、例えば、型チャック１２１に搭載され、空気や油等の流体で作動するシリンダ（アクチュエータ）を用いて型Ｍを外周方向から加圧することによって型Ｍを変形させることができる。型変形部１３０としては、型Ｍの温度を制御する温度制御部をさらに備え、型Ｍの温度を制御することによって型Ｍを変形させてもよい。基板Ｗは、熱処理などのプロセスを経ることによって変形（典型的には、膨張又は収縮）しうる。型変形部１３０は、このような基板Ｗの変形に応じて、基板Ｗと型Ｍとの位置が合うように型Ｍの形状を補正する。また、インプリント装置１００には、基板Ｗの温度を制御する温度制御部をさらに備え、基板Ｗの温度を制御することによって基板Ｗを意図的に変形させてもよい。
【００１７】
ディスペンサ１４０は、例えば、インプリント材を収容するタンク１４１と、該タンクから供給路を通して供給されるインプリント材を基板に対して吐出するノズル１４２（吐出口）とを有しうる。さらにディスペンサ１４０は、供給路に設けられたバルブ（不図示）と、供給量制御部（不図示）とを有しうる。ディスペンサ１４０は、基板Ｗの複数のショット領域に一括してインプリント材を塗布（供給）してもよいし、ショット領域毎にインプリント材を塗布してもよい。なお、装置内に構成されたディスペンサ１４０を使用せず、外部装置（塗布装置）にて基板Ｗの表面に一括塗布を行っても良い。供給量制御部は、バルブを制御して基板Ｗへのインプリント材の供給量を制御する。
【００１８】
基板保持部１５０は、基板Ｗを保持する基板チャック１５１と、基板チャック１５１を駆動することによって基板Ｗを移動させる基板ステージ１５２と、不図示の駆動機構を含みうる。基板チャック１５１は、例えば、真空吸着パッド等により基板Ｗを保持する。基板ステージ１５２は、基板チャック１５１を保持し、不図示の駆動機構により駆動して基板Ｗを６軸に移動させることで基板Ｗと型Ｍとの位置合わせを行う。基板Ｗは、不図示の基板搬送装置によって搬送されうる。
【００１９】
図２は、本実施形態に係る基板及びショット領域の一例を示す図である。基板Ｗは、型Ｍによって、凹凸パターンが転写される基板であって、例えば、単結晶シリコン基板やＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板などを含む。基板Ｗには複数のショット領域Ｓが形成され、各ショット領域Ｓ内に複数のアライメントマークＡＭＷが形成されている。なお、本実施形態において、基板Ｗには、既に少なくとも１層のパターンが形成されているものとする。
【００２０】
図１に戻り、計測部１６０は、アライメントスコープ１６１と、アライメントステージ１６２と、を含みうる。アライメントスコープ１６１は、型Ｍと基板Ｗ上のショット領域とを位置合わせする自動調節スコープ（Ａｕｔｏｍａｔｉｃ  Ａｄｊｕｓｔｍｅｎｔ  Ｓｃｏｐｅ：ＡＡＳ）を含みうる。アライメントスコープ１６１は、型Ｍに形成されているアライメントマークＡＭＭと、基板Ｗに形成されているアライメントマークＡＭＷとを型Ｍを介して検出する。
【００２１】
図３は、本実施形態において、アライメントスコープ１６１により検出されるアライメントマークの一例を示す図である。型Ｍ上のアライメントマークＡＭＭと基板Ｗ上のアライメントマークＡＭＷは、後述する位置合わせ（アライメント）を行う際に、互いに重ならないように形成されている。アライメントスコープ１６１は、型ＭのアライメントマークＡＭＭを透過して、アライメントマークＡＭＭと基板ＷのアライメントマークＡＭＷとの相対位置を計測することが可能である。本実施形態では、ダイバイダイ方式により位置合わせが行われる。アライメントステージ１６２は、アライメントスコープ１６１を位置決めする。
【００２２】
図１における制御部１７０は、インプリント装置１００の各構成要素の動作、及び調整処理等を制御する。制御部１７０は、例えば、インプリント装置の各構成要素に回線により接続された、磁気記憶媒体等の記憶手段を有するコンピュータ、又はシーケンサ等（不図示）で構成される。本実施形態に係る方法は、プログラムとしてコンピュータに実行されうる。制御部１７０は、インプリント装置１００内に設けてもよいし、インプリント装置１００とは別の場所に設置し遠隔で制御しても良い。本図においては、主な構成要素と制御部１７０との接続関係のみを示している。
【００２３】
スコープ１８０は、ショット領域全体を観察する撮像部であり、インプリントの状態や押型やインプリント材Ｒの充填の進み具合を確認する。また、インプリント装置１００は、図示を省略しているが、型保持部１２０を保持するための定盤、除振器（ダンパ）を含む。定盤は、インプリント装置１００全体を支えると共に基板ステージ１５２が移動する際の基準平面を形成する。除振器は、床からの振動を除去し、定盤を支える。
【００２４】
図４は、本実施形態に係るインプリント方法を示すフローチャートである。各フローは、主に制御部１７０による各部の制御により実行される。
【００２５】
図４（Ａ）は本実施形態に係るインプリント方法全体のフローチャートである。工程Ｓ４１０では、型Ｍが、不図示の型搬送装置により、型チャック１２１に搬入され、位置決めされる。位置決めされた型Ｍは、型チャック１２１によって保持される。工程Ｓ４２０では、基板Ｗが、不図示の基板搬送装置により、基板チャック１５１に搬入される。基板チャック１５１は、搬入された基板Ｗを保持する。工程Ｓ４３０では、ディスペンサ１４０により、基板Ｗの全面にインプリント材Ｒが塗布される。なお、上述の通り、装置内に構成されたディスペンサ１４０を使用せず、外部装置にて一括塗布を行っても良い。
【００２６】
工程Ｓ４４０では、アライメントステージ１６２により、アライメントスコープ１６１が、型Ｍ上のアライメントマークＡＭＭの位置に移動される。アライメントステージ１６２は、アライメントスコープ１６１を、位置決めする。
【００２７】
工程Ｓ４５０では、基板Ｗ上に形成されたショット領域Ｓの端部である部分領域を露光する。図５は、部分領域の露光を説明する図である。例えば、型Ｍと基板Ｗとを接触させた際に、インプリント材Ｒが非所望領域に拡がることを防止するために、型Ｍと基板Ｗとを接触させる前に、図５（Ａ）のように、ショット領域Ｓの端部である部分領域５０１の未硬化インプリント材に予め光を照射する。しかしながら、設定部１１３によって光の照射領域を部分領域５０１に設定して部分領域５０１上の未硬化のインプリント材Ｒを硬化しようとしても、型Ｍや設定部１１３の設置誤差等により、狙い通りの領域のインプリント材を硬化できない場合があり得る。例えば、図５（Ｂ）に示す硬化領域５０２のように部分領域５０１とはずれた領域のインプリント材Ｒが硬化され得る。本実施形態では、部分領域５０１をショット領域Ｓの輪郭に沿った領域とする。
【００２８】
図４（Ｂ）は、部分領域の露光方法を示すフローチャートである。本実施形態では、工程Ｓ４５０において、ショット領域の一部であって、部分領域５０１内の一部である領域のインプリント材Ｒを硬化しアライメントマークＡＭとの位置差を計測する。その計測結果に応じて設定部１１３による設定を補正することで、光の照射領域が部分領域５０１からずれることを防止する。本実施形態において、工程Ｓ４５０は、工程Ｓ４５１〜Ｓ４５６を含む。領域５０３は、部分領域５０１内の部分領域の輪郭に沿った領域であり、一定の面積をもつ面状の領域である。
【００２９】
領域５０３の形状は、硬化したインプリント材ＲとアライメントマークＡＭＷとの位置差が計測可能であればよく、例えば、面状、線状、ドット（点状）であってもよい。領域５０３の面積が小さくなることで、例えば、下記工程Ｓ４５２において、光が、部分領域５０１外に照射されることを低減することが可能である。
【００３０】
工程Ｓ４５１では、図５（Ｃ）のように、設定部１１３をショット領域の一部であって、部分領域５０１内の一部の領域５０３に設定する。工程Ｓ４５２では、硬化部１１０が領域５０３に光を照射する。工程Ｓ４５１において、部分領域５０１内の一部の領域５０３に設定することにより、工程Ｓ４５２における照射領域が、部分領域５０１からはみ出すことを防止することができる。従来のインプリント装置における、型Ｍや設定部１１３の設置誤差は、１０μ以下となっているため、領域５０３の幅５０４は、１０μ以下であることが望ましい。
【００３１】
工程Ｓ４５３では、工程Ｓ４５２における光の照射により硬化した領域５０３上のインプリント材Ｒを潜像パターンとしてアライメントスコープ１６１で観察し、硬化したインプリント材とアライメントマークＡＭＷとの位置差を計測する。図５（Ｄ）は、硬化したインプリント材５０５の一例を示すである。位置差は、例えば、図５（Ｄ）に示すように、基板Ｗ上に設置されたアライメントマークＡＭＷの基準点５０６から、ショット領域を成す辺に対し垂直な２方向それぞれについて計測される。本実施形態では、基準点５０６と硬化したインプリント材５０５との距離Ｌ１、Ｌ２が位置差となる。なお、硬化したインプリント材は目視することが可能である。例えば、本実施形態のようにアライメントマークＡＭＷが基板上のショット領域の角近傍であって、部分領域５０１以外に設けられている場合においては、２以上の角近傍に形成されているアライメントマークＡＭＷとの位置差を計測してもよい。各角近傍に形成されている全てのアライメントマークＡＭＷを用いれば、さらに精度は向上する。なお、位置差の基準として型Ｍ上に設けられたアライメントマークＡＭＭを用いることも可能である。例えば、型Ｍ上の部分領域５０１に対応する領域外に設けられたアライメントマークＡＭＭなどである。
【００３２】
工程Ｓ４５４では、工程Ｓ４５３において計測した位置差が所定の閾値以下であるか否かの判定を行う。所定の閾値は、型Ｍや設定部１１３の設置誤差等により決定される。位置差が閾値以下であると判断した場合（ＹＥＳ）、工程Ｓ４５５を行う。工程Ｓ４５４において、位置差が、閾値を超えると判定された場合（ＮＯ）、再度工程Ｓ４５１を行う。再度工程Ｓ４５１を行う場合、設定部１１３は、位置差に基づき、前回の工程Ｓ４５１で設定された領域とは異なる新たな領域を設定し、位置差が閾値以下となるまで、工程Ｓ４５１〜工程Ｓ４５３を繰り返す。これにより、例えば、所望の部分領域に光を照射する精度が向上する。なお、工程Ｓ４５３において計測した位置差が閾値以下でない場合であっても、計測した位置差に基づいて工程Ｓ４５５で部分領域の照射領域を設定してもよい。
【００３３】
工程Ｓ４５５では、制御部１７０が、領域５０３に設定していた設定部１１３を、部分領域５０１全体に設定するように制御する。工程Ｓ４５６では、硬化部１１０が、部分領域全体に光を照射する。以上で、工程Ｓ４５０が完了する。これにより、例えば部分領域５０１からずれることなく、部分領域のインプリント材Ｒを硬化させることができ、非所望領域にインプリント材Ｒが拡がることを防止することができる。
【００３４】
工程Ｓ４６０では、制御部１７０が、駆動部１２２を制御して、型Ｍとインプリント材Ｒとを接触させる。なお、制御部１７０が、基板不図示の駆動機構を制御して、基板Ｗを上昇させ、型Ｍとインプリント材Ｒとを接触させても良い。接触の荷重は、例えば、駆動部１２２に内蔵された荷重センサを使って制御されうる。
【００３５】
工程Ｓ４７０では、型Ｍに形成されたパターンにインプリント材Ｒを充填させ、ダイバイダイアライメント方式に従って、アライメントを行う。アライメントでは、アライメントスコープ１６１が、型ＭのアライメントマークＡＭＭと基板ＷのアライメントマークＡＭＷを検出し、撮像する。不図示の画像処理装置は、撮像された画像から、アライメントマークＡＭＭと、アライメントマークＡＭＷの相対位置を計測する。制御部１７０は、アライメントマークＡＭの相対位置計測の結果に基づいて、型Ｍと基板Ｗとのショット形状の差（座標、回転、倍率、台形成分など）を計測し、型Ｍと基板Ｗと位置合わせを行う。工程Ｓ４８０では、制御部１７０が、充填が完了したか否かを判断する。充填が完了していないと判断した場合（ＮＯ）、工程Ｓ４７０を充填が完了するまで繰り返し行う。完了したと判断した場合（ＹＥＳ）、工程Ｓ４９０を行う。
【００３６】
工程Ｓ４９０では、制御部１７０が、硬化部１１０を制御し、型Ｍを介して、インプリント材Ｒに紫外線を照射して硬化させる。工程Ｓ４９１では、型保持部１２０または基板保持部１５０を制御して、硬化したインプリント材Ｒから型Ｍを剥離する。工程Ｓ４９２では、制御部１７０が、基板Ｗ上の全ショット領域に対しインプリント処理が完了したか否かを判断する。完了していない場合（ＮＯ）、工程Ｓ４４０〜工程Ｓ４９２を繰り返す。完了したら（ＹＥＳ）、工程Ｓ４９３にて、制御部１７０が不図示の搬送装置を制御して基板Ｗを搬出する。
【００３７】
本実施形態において、設定部１１３をＤＭＤやアパーチャや可変視野絞り等が使用されうると記述したが、スキャン可能なレーザなどを用いて塗りつぶすように部分領域に光を照射してもよい。その場合も、部分領域の一部の領域にスキャンレーザで光を照射し、硬化したインプリント材を計測し、スキャンする場所を補正することで所望の領域を硬化させることができる。
【００３８】
また、計測部１６０を使用するアライメントについて記述したが、スコープ１８０を使用してアライメントを行ってもよい。スコープ１８０はショット内すべてのアライメントマークを観察できるので駆動の必要はない。
【００３９】
本実施形態では、一例として、インプリント材Ｒを基板Ｗの複数のショット領域に一括で塗布する方法を用いたが、インプリント材Ｒを１つのショット領域ごとに塗布する方法を用いても良い。この場合、工程Ｓ４９２において、基板Ｗ上の全ショット領域に対しインプリント処理が完了していないと判断した場合（ＮＯ）工程Ｓ４３０〜工程Ｓ４９２を繰り返す。
【００４０】
（第２実施形態）
図６は、第２実施形態に係るインプリント方法を示すフローチャートである。第１実施形態と同様の工程及び構成は同符号で示し、説明は省略する。本実施形態では、部分領域露光（工程Ｓ４５０）を行う前に、アライメントを行う。工程Ｓ４４０において、アライメントスコープ１６１の位置決めが完了したら、工程Ｓ６０１を行う。
【００４１】
工程Ｓ６０１では、ダイバイダイアライメント方式に従って、アライメントを行う。アライメントは、Ｓ４７０における相対位置の計測と同様に、アライメントマークＡＭＭと、アライメントマークＡＭＷの相対位置を計測する。工程Ｓ６０２では、工程Ｓ４７０における位置合わせと同様に、型Ｍと基板Ｗとの位置合わせを行う。ここで、必要に応じて、型変形部１３０は、基板Ｗのショット領域Ｓの形状に合わせるために、型Ｍの形状を変形させ、補正する。
【００４２】
工程Ｓ６０２における型Ｍの形状補正は型変形部１３０の駆動誤差等により補正誤差が生じる場合がある。そこで、工程Ｓ６０３では、型Ｍと基板Ｗのショット領域Ｓの形状との形状差のトレランス判定を行う。制御部１７０は、形状差があらかじめ定められたトレランスを超えると判定した場合（ＮＯ）には、工程Ｓ６０１〜工程Ｓ６０２を繰り返す。制御部１７０は、形状差がトレランス以下であると判断した場合（ＹＥＳ）、工程Ｓ４０５０を行う。
【００４３】
本実施形態によれば、例えば、型Ｍと基板Ｗとの位置合わせの精度がより向上する。また、工程Ｓ４５３において、すでに位置合わせされたアライメントマークＡＭを用いることも可能となる。
【００４４】
（物品の製造方法）
物品としてのデバイス（半導体集積回路素子、液晶表示素子等）の製造方法は、上述した方法を用いたインプリント装置により、基板（ウエハ、ガラスプレート、フィルム状基板）にパターンを形成する工程を含む。さらに、該製造方法は、パターンを形成された基板をエッチングする工程を含みうる。なお、パターンドメディア（記録媒体）や光学素子などの他の物品を製造する場合には、該製造方法は、エッチングの代わりにパターンを形成された基板を加工する他の処理を含みうる。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。
【００４５】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されず、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。
【符号の説明】
【００４６】
１００  インプリント装置
１１０  硬化部
１２０  型保持部
１３０  型変形部
１４０  ディスペンサ
１５０  基板保持部
１６０  計測部
１７０  制御部
Ｍ      型
Ｗ      基板
【図１】
2019009226.tif 000003
【図２】
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【図３】
2019009226.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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