(57)【要約】【課題】本発明の課題は、ウエーハを所望の厚みに形成することができる加工装置を提供することにある。【解決手段】本発明によれば、ウエーハＷの面を加工する加工装置１であって、ウエーハＷを吸引保持する保持面１１１を有する吸引保持部７５と、吸引保持部７５の外周を囲繞する枠体７６と、枠体７６に形成され吸引源に連通する連通路と、を備えたチャックテーブル７１と、チャックテーブル７１に保持されたウエーハＷの面を加工する加工手段と、を少なくとも含み、吸引保持部７５は、吸引孔１０１が形成された基台１００と、基台１００に配設されウエーハＷを支持する複数の圧電素子１１０と、各圧電素子１１０に電圧を印加して各圧電素子１１０を保持面１１１に対して垂直方向に膨張させる電圧印加手段と、電圧印加手段を制御する制御手段１０と、から少なくとも構成され、電圧印加手段の作用によって各圧電素子１１０を膨張させてウエーハＷの高さを調整する加工装置１が提供される。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウエーハの面を加工する加工装置であって、
ウエーハを吸引保持する保持面を有する吸引保持部と、該吸引保持部の外周を囲繞する枠体と、該枠体に形成され吸引源に連通する連通路と、を備えたチャックテーブルと、
該チャックテーブルに保持されたウエーハの面を加工する加工手段と、を少なくとも含み、
該吸引保持部は、吸引孔が形成された基台と、該基台に配設されウエーハを支持する複数の圧電素子と、各圧電素子に電圧を印加して各圧電素子を該保持面に対して垂直方向に膨張させる電圧印加手段と、該電圧印加手段を制御する制御手段と、から少なくとも構成され、
該電圧印加手段の作用によって各圧電素子を膨張させてウエーハの高さを調整する加工装置。
【請求項２】
該チャックテーブルに保持されたウエーハの厚みを検出する厚み検出手段と、該厚み検出手段によって検出された厚みデータを記憶する記憶手段と、を備え、
該制御手段は、該記憶手段に記憶された厚みデータに基づいて該電圧印加手段を作動して各電圧素子を膨張させウエーハの高さを調整する請求項１に記載の加工装置。
【請求項３】
該加工手段は、ウエーハの面を研磨する研磨パッドを回転可能に備えた研磨手段である請求項１に記載の加工装置。
【請求項４】
該加工手段は、ウエーハの面を研削する研削砥石を環状に備えた研削ホイールを回転可能に備えた研削手段である請求項１に記載の加工装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウエーハの面を加工する加工装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣ、ＬＳＩ等の複数のデバイスが分割予定ラインによって区画され、表面に形成されたウエーハは、研削装置による裏面の研削、及び研磨装置による裏面の研磨等が施されて所望の厚み、及び粗さに仕上げた後、レーザー加工装置、ダイシング装置等の分割装置によって個々のデバイスに分割され携帯電話、パソコン等の電気機器に利用される。
【０００３】
研削装置は、ウエーハを保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持されたウエーハを研削する環状の研削砥石を回転可能に備えた研削手段と、該研削手段を該チャックテーブルに接近、及び離反させ該チャックテーブルに保持されたウエーハに該研削砥石を押圧及び離反させる送り手段と、から概ね構成されている（例えば、特許文献１を参照。）。
【０００４】
また、研磨装置も、上記研削装置と略同様の構成を備えており、ウエーハを保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持されたウエーハを研磨する研磨パッドを回転可能に備えた研磨手段と、該研磨手段を該チャックテーブルに接近、及び離反させ該チャックテーブルに保持されたウエーハに該研磨パッドを押圧及び離反させる送り手段と、から概ね構成されていて、ウエーハの裏面を研磨しながら所望の粗さに仕上げることができる（例えば、特許文献２を参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００５−２４６４９１号公報
【特許文献２】特開平０８−０９９２６５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記した研削装置、及び研磨装置によって、ウエーハが所望の厚みに研削され、及び所望の粗さに研磨される。しかし、加工が施されるウエーハの厚みが不均一で、裏面にウネリがあった場合は、ウネリに倣って研削加工、及び研磨加工が施されることになり、研削後、及び研磨後のウエーハの厚みが不均一のままとなり、意図しない厚みばらつきが残るという問題がある。また、たとえば、ウエーハの中心の厚みを外側よりも厚くしたりする等、意図的に厚みを不均一にしたい場合も、特許文献１、及び特許文献２に記載された技術では対応が困難であるという問題もある。
【０００７】
本発明は、上記事実に鑑みなされたものであり、その主たる技術課題は、ウエーハを所望の厚みに形成することができる加工装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、ウエーハの面を加工する加工装置であって、ウエーハを吸引保持する保持面を有する吸引保持部と、該吸引保持部の外周を囲繞する枠体と、該枠体に形成され吸引源に連通する連通路と、を備えたチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持されたウエーハの面を加工する加工手段と、を少なくとも含み、該吸引保持部は、吸引孔が形成された基台と、該基台に配設されウエーハを支持する複数の圧電素子と、各圧電素子に電圧を印加して各圧電素子を該保持面に対して垂直方向に膨張させる電圧印加手段と、該電圧印加手段を制御する制御手段と、から少なくとも構成され、該電圧印加手段の作用によって各圧電素子を膨張させてウエーハの高さを調整する加工装置が提供される。
【０００９】
該加工装置は、該チャックテーブルに保持されたウエーハの厚みを検出する厚み検出手段と、該厚み検出手段によって検出された厚みデータを記憶する記憶手段と、を備え、該制御手段は、該記憶手段に記憶された厚みデータに基づいて該電圧印加手段を作動して各電圧素子を膨張させウエーハの高さを調整するようにすることができる。
【００１０】
該加工手段は、ウエーハの面を研磨する研磨パッドを回転可能に備えた研磨手段であってもよく、ウエーハの面を研削する研削砥石を環状に備えた研削ホイールを回転可能に備えた研削手段であってもよい。
【発明の効果】
【００１１】
本発明に基づき構成される加工装置は、ウエーハを吸引保持する保持面を有する吸引保持部と、該吸引保持部の外周を囲繞する枠体と、該枠体に形成され吸引源に連通する連通路と、を備えたチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持されたウエーハの面を加工する加工手段と、を少なくとも含み、該吸引保持部は、吸引孔が形成された基台と、該基台に配設されウエーハを支持する複数の圧電素子と、各圧電素子に電圧を印加して各圧電素子を該保持面に対して垂直方向に膨張させる電圧印加手段と、該電圧印加手段を制御する制御手段と、から少なくとも構成され、該電圧印加手段の作用によって各圧電素子を膨張させてウエーハの高さを調整するので、ウエーハを均一な厚みに加工することができる。また、各圧電素子の膨張量を適宜調整することにより、ウエーハの厚みに所望の変化（ウエーハの中央を厚くする、ウエーハの中央を薄くする等）をもたらすことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本実施形態に係る研磨装置の全体斜視図である。
【図２】図１に示される研磨装置のチャックテーブルの一部拡大斜視図である。
【図３】図２に示されるチャックテーブルのＡ−Ａ断面図である。
【図４】厚み検出手段によりウエーハＷの厚みを検出する際の厚みデータの一部を抜粋して示すイメージ図である。
【図５】電圧印加手段により圧電素子毎に電圧を印加する際の印加電圧値の一部を抜粋して示すイメージ図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の実施形態に係る加工装置について添付図面を参照して、更に詳細に説明する。
【００１４】
図１に示す加工装置は、ウエーハの裏面を研磨する研磨装置１である。研磨装置１は、図に示すように、装置ハウジング２を備えている。この装置ハウジング２は、略直方体形状の主部２１と、主部２１の後端部（図１において右上端）に設けられ上方に延びる直立壁２２とを有している。直立壁２２の前面には、加工手段としての研磨ユニット３が上下方向に移動可能に装着されている。
【００１５】
研磨ユニット３は、移動基台３１と移動基台３１に装着されたスピンドルユニット４、及び研磨パッド５を備えている。移動基台３１は、直立壁２２に配設された一対の案内レール２３、２３と摺動可能に係合するように構成されている。このように直立壁２２に設けられた一対の案内レール２３、２３に摺動可能に装着された移動基台３１の前面には、前方に突出した支持部を介してスピンドルユニット４が取り付けられる。
【００１６】
スピンドルユニット４は、スピンドルハウジング４１と、スピンドルハウジング４１に回転自在に配設された回転スピンドル４２と、回転スピンドル４２を回転駆動するための駆動源としてのサーボモータ４３とを備えている。スピンドルハウジング４１に回転可能に支持された回転スピンドル４２は、下方側の端部がスピンドルハウジング４１の下端から突出するように配設され、該端部には、ホイールマウント４４が設けられている。このホイールマウント４４の下面には、研磨パッド５が取り付けられる。回転スピンドル４２、サーボモータ４３、ホイールマウント４４の内部には、上下方向に貫通するスラリー供給路４６が形成されており、サーボモータ４３の上端部には、スラリー供給路４６に連通するスラリー投入口４５が形成されている。
【００１７】
研磨パッド５を、図１の左上方に下面が見える状態で示す。研磨パッド５は、ホイールマウント４４にボルトで固定される基台５１と、研磨シート５２とから構成される。基台５１は、ホイールマウント４４と同様の円板形状であり、たとえばアルミ合金で構成される。研磨シート５２は、たとえば発泡ウレタンシートで構成され、基台５１の下面に両面テープ等の接着手段により接着される。研磨シート５２の表面には、研磨加工時に供給されるスラリーＳが研磨シート５２の表面全体に行き渡るようにするための細溝５２ａが格子状に形成されている。研磨シート５２の中央には、スラリー供給孔５３が形成されており、スラリー投入口４５から投入されるスラリーＳは、スラリー供給路４６を介して、このスラリー供給孔５３から供給される。研磨シート５２は、所定時間使用された後、基台５１から剥がして、新しい研磨パッド５２に交換することができる。
【００１８】
図示の研磨装置１は、研磨ユニット３を一対の案内レール２３、２３に沿って上下方向（後述するチャックテーブルの保持面に対して垂直な方向）に移動させる研磨ユニット送り機構６を備えている。この研磨ユニット送り機構６は、直立壁２２の前側に配設され実質上鉛直に延びる雄ねじロッド６１、雄ねじロッド６１を回転駆動するための駆動源としてのパルスモータ６２を備え、移動基台３１の背面に備えられた図示しない雄ねじロッド６１の軸受部材等から構成される。このパルスモータ６２が正転すると研磨ユニット３が下降させられ、パルスモータ６２が逆転すると研磨ユニット３が上昇させられる。
【００１９】
上記ハウジング２の主部２１には、被加工物としての板状物（たとえば半導体のウエーハ。）を保持する保持手段としてのチャックテーブル機構７が配設されている。チャックテーブル機構７は、チャックテーブル７１と、チャックテーブル７１の周囲を覆うカバー部材７２と、カバー部材７２の前後に配設された蛇腹手段７３と、を備えている。装置ハウジング２の上面で、蛇腹手段７３が配設される領域の近傍には、チャックテーブル上のウエーハに供給されるスラリーを回収するための回収孔９が形成される。
【００２０】
チャックテーブル７１は、図示しない回転駆動手段によって回転可能に構成されると共に、図示しないチャックテーブル移動手段によって図１に示す被加工物載置域７１ａと研磨パッド５と対向する研磨域７１ｂとの間（矢印Ｘで示すＸ軸方向）で移動させられる。
【００２１】
図示の研削装置１は、チャックテーブル７１に保持されるウエーハの厚みを計測する厚み検出手段８を備える。この厚み検出手段８は、図に示すように装置ハウジング２を構成する直方体形状の主部２１の上面において、チャックテーブル７１が被加工物載置領域７１ａから研磨域７１ｂ間を移動させられる経路途中の側方に配設されている。厚み検出手段８は、回転軸部８１と、回転軸部８１の先端から水平に延びる測定端子８２とからなり、図示しない駆動手段により回転軸部８１を中心に測定端子８２が回転する。測定端子８２の下面には、長手方向に配列される図示しない複数の発光部と、該発光部に対応して配設される図示しない受光部とが配設される。チャックテーブル７１上に保持されるウエーハの厚みを計測する場合は、回転軸部８１を回転することにより測定端子８２を蛇腹手段７３上に位置付け、チャックテーブル７１を被加工物載置領域７１ａと研磨域７１ｂとの間で移動させる。その際、測定端子８２の直下をウエーハが移動すると、該発光部からウエーハに入射した光の一部がウエーハの表面で反射し、他の一部がウエーハを透過した後、ウエーハとチャックテーブル７１の保持面との境界面で反射する。各反射光は、該受光部で検出され、検出値は、後述する制御手段１０（図２を参照。）に送られる。この２つの反射光にはウエーハの厚みに応じた光路差による位相ずれが生じることから干渉現象が起こる。制御手段１０は、予め記憶された制御プログラムによって、ウエーハの表面で反射した反射光と、ウエーハとチャックテーブル７１との境界面で反射した反射光との干渉で得られた分光干渉波形に基づき、チャックテーブル７１上の所定位置における厚みを算出する。なお、厚みを算出する方法については、種々の方法が知られており、詳細な説明については省略する。
【００２２】
図２、及び図３を参照しながら、チャックテーブル７１の構成についてさらに詳細に説明する。図２には、チャックテーブル機構７のカバー部材７２、及び蛇腹手段７３を省略して、チャックテーブル７１を斜視図で示している。チャックテーブル７１は、ウエーハを吸引保持するための吸引保持部７５と、吸引保持部７５の外周を囲繞する枠体７６と、枠体７６の下面中心部から下方に延びる軸部７７を備えている。軸部７７の内部には、枠体７６を図示しない吸引源に連通する連通路７７ａが形成されている。軸部７７は、図示しない駆動用モータに接続され、チャックテーブル７１は、所定の回転速度で駆動される。
【００２３】
図３に、図２で示すチャックテーブル７１のＡ−Ａ断面を示す。図３に示すように、枠体７６に囲繞されて保持される吸引保持部７５は、基台１００と、基台１００上に保持される複数の圧電素子１１０と、を備えており、圧電素子１１０の上面が、ウエーハを保持する保持面１１１を構成する。基台１００は、枠体７１に囲繞される円盤形状をなしており、枠体７６の内部に形成され空間部７６ａと外部とを連通する吸引孔１０１が複数形成されている。空間部７６ａは、連通路７７ａと接続されており、隣接する圧電素子１１０間に形成される空隙１１２と、基台１００の吸引孔１０１を介して保持面１１１側に吸引作用を生じさせる。本実施形態の圧電素子１１０は、印加される電圧に比例して垂直方向に膨張（厚みが変化）するものとして周知の構成であり、たとえば１Ｖの電圧に対して１μｍ膨張する。各圧電素子１１０には、基台１００を介して電圧を印加するための電圧供給線１２１と、接地（アース）用のアース線１２２が接続される。
【００２４】
図２、及び図３から理解されるように、電圧供給線１２１は、吸引保持部７５を構成する圧電素子１１０に対応して個々に配設されるものであり、アース線１２２は、各圧電素子１１０に共通する線である。チャックテーブル７１は回転するように構成されているため、軸部７７には、個々の電圧供給線１２１のそれぞれに接続される回転接点１２１Ａ、及びアース線１２２に接続される回転接点１２２Ａが配設される。
【００２５】
回転接点１２１Ａ、及び１２２Ａが配設されたチャックテーブル７１の軸部７７に隣接して、回転接点１２２Ａに接する接点１２、及び回転接点１２１Ａに接する接点１３が配設される。接点１２はアースに接続され、接点１３は配線１３１を介して制御手段１０に接続される。上記した接点１２、及び接点１３から圧電素子１１０まで形成される回路が、本実施形態の電圧印加手段を構成する。
【００２６】
制御手段１０は、コンピュータにより構成され、制御プログラムに従って演算処理する中央演算処理装置（ＣＰＵ）と、制御プログラム等を格納するリードオンリメモリ（ＲＯＭ）と、検出した検出値、演算結果等を一時的に格納するための読み書き可能なランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）と、入力インターフェース、及び出力インターフェースとを備えており、少なくとも厚み検出手段８からの検出値が入力され、チャックテーブル７１を移動させる移動手段（図示は省略する。）、及び上記電圧印加手段を制御する。
【００２７】
制御手段１０のランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）内には、厚み検出手段８により検出された吸引保持部７５上の各座標位置における厚みデータを各座標位置に対応付けて記憶する記憶手段が設定される。そして、制御手段１０の記憶手段に記憶された厚みデータを参照しながら、上記した電圧印加手段を制御して、吸引保持部７５の各圧電素子１１０に印加される電圧を調整することで、各圧電素子１１０が膨張する量を制御し、吸引保持部７５の保持面１１１の高さを調整する。
【００２８】
本実施形態に係る研磨装置１は、概ね上記したように構成されており、以下、上記した研磨装置１を用いてウエーハを研磨する手順について説明する。
【００２９】
研磨作業を実施する作業者は、被加工物であるウエーハのデバイスが形成された表面側に保護テープを貼着し、図１に示す研磨装置１における被加工物載置域７１ａに位置付けられているチャックテーブル７１上に、ウエーハの保護テープ側を下にして載置する。次いで、図示しない吸引手段を作動することによって、軸部７７の連通路７７ａ、及び吸引保持部７５の吸引孔１０１を介して保持面１１１にウエーハを吸引保持する。従って、チャックテーブル７１上に吸引保持されたウエーハは、裏面が上側となる。
【００３０】
次に、制御手段１０は、チャックテーブル７１を移動させる図示しない移動手段を作動し、チャックテーブル７１を被加工物載置域７１ａから移動して研磨域７１ｂに位置付け、研磨パッド５の外周縁をチャックテーブル７１の回転中心を通過する位置に位置付ける。この過程で、厚み検出手段８を作動し、チャックテーブル７１上のウエーハを厚み検出手段８の測定端子８２の直下を通過させる。上記したように、チャックテーブル７１の吸引保持部７５は、複数の圧電素子１１０により構成されており、図４に示すように、各圧電素子１１０は、Ｘ−Ｙ座標軸でその位置が特定されるように配設されている。チャックテーブル７１が被加工物載置域７１ａから研磨域７１ｂに移動する際には、研磨装置１の装置ハウジング２上のＸ−Ｙ方向と、上記チャックテーブル７１のＸ−Ｙ方向が一致するように位置付けられ、各圧電素子１１０には電圧は印加されておらず、各圧電素子１１０によって構成される保持面１１１は均一の高さに設定されている。なお、図４では、チャックテーブル７１上にＷで示すウエーハが載置されている状態を示しており、ウエーハＷの裏面側にある圧電素子１１０を点線で示し、ウエーハＷの表面側に形成されたデバイスは、説明の都合上省略している。
【００３１】
上記したように厚み検出手段８を作動させてウエーハＷ全面の各Ｘ−Ｙ位置に対応する位置の厚みを計測し、図４の下方にその一部を示すように、制御手段１０のメモリに各Ｘ−Ｙ位置における厚みデータを記憶する。なお、制御手段１０のメモリに記憶される厚みデータは、検出された厚みの内、最も小さい値を基準値とした場合の該基準値との差であり、吸引保持部７５のＸ−Ｙ位置に関連付けられてμｍ単位で記憶される。より具体的には、図４に示すように、たとえば、Ｘ−Ｙ位置が７−１で特定される位置は、ウエーハＷの厚みが最も小さい位置であり、厚みデータは０μｍとなる。また、Ｘ−Ｙ位置が１０−３で特定される位置では、ウエーハＷの厚みデータが３μｍ（基準値より３μｍ厚い）であることが理解される。
【００３２】
次いで、制御手段１０は、記憶手段に記憶された上記ウエーハＷの厚みデータに基づいて、各Ｘ−Ｙ位置に対応する位置に配設された各圧電素子１１０に印加する電圧値を圧電素子１１０毎に演算する。図５には、図４に示したＸ−Ｙ位置におけるウエーハＷの厚みデータに基づいて演算された当該位置にある圧電素子１１０に対して印加する印加電圧値の一部を示している。より具体的には、図５に示すように、たとえば、Ｘ−Ｙ位置が７−１で特定される位置の圧電素子１１０に対しては、当該位置のウエーハＷの厚みデータが０μｍであることから、印加電圧値は０Ｖであり、また、Ｘ−Ｙ位置が１０−３で特定される位置の圧電素子１１０に対しては、当該位置のウエーハＷの厚みデータが３μｍであることから、印加電圧値は３Ｖである。このように、各圧電素子１１０に対する印加電圧値は、以下に示す式（１）に基づき演算される。
印加電圧値（Ｖ）＝厚みデータ（μｍ）  ×  １（Ｖ）  ・・・・・（１）
【００３３】
チャックテーブル７１が研磨域７１ｂに移動され、研磨パッド５とチャックテーブル７１が所定の位置関係にセットされたならば、制御手段１０は図示しない回転駆動手段を駆動してチャックテーブル７１を例えば３００ｒｐｍの回転速度で回転するとともに、上記したサーボモータ４３を駆動して研磨パッド５を例えば６０００ｒｐｍの回転速度で回転する。そして、研磨シート５２とウエーハＷの境界部に対してスラリーＳを供給しつつ、研磨ユニット送り機構６のパルスモータ６２を正転駆動し研磨パッド５を下降し、研磨シート５２をウエーハの上面（裏面側）である被研磨面に所定の圧力で押圧する。この際、制御手段１０によって電圧印加手段が制御されることにより、吸引保持部７５に配設された各圧電素子１１０に対して図５に示したウエーハの厚みデータに応じた電圧が印加される。その結果、研磨されるウエーハＷの高さが各位置の厚みに応じて調整され、高い位置に調整されたウエーハＷの特定位置が、より重点的に研磨され、ウエーハＷの全体が均一な厚みになるように研磨される。研磨加工が施された後のウエーハＷは、適宜洗浄工程等の次工程に搬送される。なお、図１には示されていないが、研磨装置１には、加工前、加工後のウエーハＷを収容するカセットを載置するカセットテーブル、カセットから搬出されたウエーハＷの位置合わせを行う位置合わせテーブル、加工後のウエーハＷを洗浄する洗浄手段、及びそれらの間においてウエーハＷを搬送する搬送手段等を備えていてもよい。
【００３４】
上記した実施形態では、加工手段としてウエーハＷを研磨する研磨ユニット３を備えた研磨装置１の例を提示したが、本発明はこれに限定されず、特許文献１に示されるような研削装置に適用してもよい。研削装置に適用する場合は、たとえば、加工手段として、ウエーハＷの面を研削する研削砥石を環状に備えた研削ホイールを回転可能に備えた研削手段を備えるようにすればよい。本発明を研削装置に適用する場合にも、上記研磨装置１と同様に、チャックテーブルの吸引保持部に複数の圧電素子を配置し、各圧電素子に電圧を印加して各圧電素子を保持面に対して垂直方向に膨張させる電圧印加手段を制御する。これにより、吸引保持部に保持されるウエーハＷの高さを調整し、所望の厚みに加工することができる。
【００３５】
上記した実施形態では、研磨装置１によってウエーハＷに対して研磨加工を施す際に、記憶手段に記憶された厚みデータに基づいて電圧印加手段を作動しウエーハＷの高さを調整して、加工後のウエーハＷの厚みが均一になるようにしたが、本発明はこれに限定されない。例えば、研磨加工後のウエーハＷの厚みを、ウエーハの中心側で厚く、外周側で薄くなるようにする場合は、ウエーハＷの中心側に位置付けられる圧電素子１１０に印加される印加電圧値を小さく、外周側に位置付けられる圧電素子１１０に対する印加電圧値が徐々に大きくなるように印加電圧値を調整してもよい。また、加工前のウエーハＷの厚みが分かっている場合は、必ずしもウエーハＷ全域の厚みを検出する厚み検出手段８を備えなくてもよく、省略することも可能である。
【００３６】
上記した実施形態では、厚みデータに基づき圧電素子１１０に印加される印加電圧値を上記した式（１）に基づき演算したが、印加電圧値の演算式は、これに限定されず、圧電素子１１０の膨張特性、或いは、適用される研削装置、及び研磨装置の加工特性に応じて、適宜変更することが可能である。
【符号の説明】
【００３７】
１：研磨装置
２：装置ハウジング
３：研磨ユニット
３１：移動基台
４：スピンドルユニット
４１：スピンドルハウジング
４２：回転スピンドル
４３：サーボモータ
４４：ホイールマウント
４６：スラリー供給路
５：研磨パッド
５１：基台
５２：研磨シート
５３：スラリー供給孔
７：チャックテーブル機構
７１：チャックテーブル
７２：カバー部材
７３、７４：蛇腹手段
７５：吸引保持部
７６：枠体
７６ａ：空間部
７７：軸部
７７ａ：連通路
８：厚み検出手段
１０：制御手段
１２、１３：接点
１００：基台
１０１：吸引孔
１１０：圧電素子
１１１：保持面
１２１：電圧供給線
１２１Ａ、１２２Ａ：回転接点
【図１】
2019149461.tif 000003
【図２】
2019149461.tif 000004
【図３】
2019149461.tif 000005
【図４】
2019149461.tif 000006
【図５】
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