(57)【要約】【課題】有機ＥＬ表示装置において、発光不良の発生を確実に防止する。【解決手段】有機ＥＬ表示装置であって、複数の画素を備える表示領域と、前記表示領域に隣接する額縁領域とを有する基材と、前記複数の画素の各々が備える下部電極と、前記下部電極上に配置される有機材料層と、前記有機材料層上に配置され、前記表示領域を覆う上部電極と、前記額縁領域に設けられ、前記上部電極に接続される導電体部と、前記導電体部上に設けられたリブと、を備え、前記導電体部上に、前記リブを介して前記上部電極が配置され、前記額縁領域には、前記上部電極と前記導電体部とが接触する第１コンタクト部が位置し、前記リブは、前記第１コンタクト部の前記表示領域とは反対側に位置する側面を有し、前記上部電極の端部は、前記側面と対向する。【選択図】図４Ａ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素を備える表示領域と、前記表示領域に隣接する額縁領域とを有する基材と、
前記複数の画素の各々が備える下部電極と、
前記下部電極上に配置される有機材料層と、
前記有機材料層上に配置され、前記表示領域を覆う上部電極と、
前記額縁領域に設けられ、前記上部電極に接続される導電体部と、
前記導電体部上に設けられたリブと、を備え、
前記導電体部上に、前記リブを介して前記上部電極が配置され、
前記額縁領域には、前記上部電極と前記導電体部とが接触する第１コンタクト部が位置し、
前記リブは、前記第１コンタクト部の前記表示領域とは反対側に位置する側面を有し、
前記上部電極の端部は、前記側面と対向する、
有機ＥＬ表示装置。
【請求項２】
前記リブは、前記上部電極と前記導電体部との第１コンタクト部よりも前記表示領域とは反対側に設けられた第１リブと、前記第１リブの表示領域とは反対側に配置される第２リブとを含み、
前記上部電極の前記端部は、前記第１リブを乗り越えて前記第２リブまで達し、前記第１リブと前記第２リブとの間で前記上部電極と前記導電体部との第２コンタクト部が形成される、請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項３】
前記リブは前記導電体部の前記端部を覆う、請求項１または２に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項４】
前記上部電極と前記導電体部とのコンタクト部は上記リブで囲まれている、請求項１から３のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項５】
前記リブは平面視格子状に形成されている、請求項１から４のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項６】
前記導電体部を形成する材料と前記上部電極を形成する材料とは組成が異なる、請求項１から５のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項７】
前記リブは、前記導電体部よりも前記上部電極に対する密着性が高い、請求項１から６のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項８】
前記導電体部は、前記下部電極と同じ層で形成されている、請求項１から７のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項９】
前記導電体部は、前記下部電極を形成する材料と同じ材料を含む、請求項１から８のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項１０】
前記導電体部がＩｎ系酸化物を含む、請求項１から９のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項１１】
前記上部電極が金属を含む、請求項１から１０のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項１２】
前記上部電極と前記導電体部とのコンタクト部の幅が２５０μｍ以下である、請求項１から１１のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項１３】
前記上部電極と前記導電体部とのコンタクト部の幅が１００μｍ以上である、請求項１から１２のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項１４】
前記導電体部と前記上部電極との接触面積が、前記導電体部と前記上部電極との接触面積と前記導電体部と前記リブとの接触面積との和の８０％以上である、請求項１から１３のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項１５】
複数の画素を備える表示領域と、前記表示領域に隣接する額縁領域とを有する基材と、
前記複数の画素の各々が備える下部電極と、
前記下部電極上に配置される有機材料層と、
前記有機材料層上に配置され、前記表示領域を覆う上部電極と、
前記額縁領域に設けられ、前記上部電極に接続される導電体部と、
前記導電体部上に設けられたリブと、を備え、
前記導電体部上に、前記リブを介して前記上部電極が配置され、
前記リブは、複数の突状部を有し、
前記導電体部上には、前記複数の前記突状部の間の領域が複数位置し、
前記複数の前記領域で、前記上部電極と前記導電体部とが電気的に接続し、
前記前記上部電極は、前記複数の前記突状部と前記複数の前記領域とに跨って位置する、
有機ＥＬ表示装置。
【請求項１６】
前記リブは、第１方向に延びる第１突状部と第２方向に延びる第２突状部とを含み、
前記第１突状部と第２突状部とは、互いに対向し、かつ互いに交差しない、請求項１５に記載の有機ＥＬ表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ：Organic Light Emitting Diode）と呼ばれる自発光体を用いた画像表示装置（以下、「有機ＥＬ（Electro-luminescent）表示装置」という。）が実用化されている。有機ＥＬ表示装置は、例えば、液晶表示装置と比較して、自発光体を用いているため、視認性、応答速度の点で優れているだけでなく、バックライトのような照明装置を要しないため、薄型化が可能となっている。
【０００３】
有機ＥＬ表示装置は、基材上に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）や有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）などが形成された表示パネルを備える。このような有機ＥＬ表示装置において、発光素子を水分等から保護するため、例えば、下記特許文献１に開示されるように、発光素子含む表示領域を封止する方法が採用されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１６−４６２１５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、封止領域に欠陥があると、例えば、水分が発光素子まで到達し、発光不良（例えば、ダークスポット不良）を引き起こすおそれがある。
【０００６】
本発明は、上記に鑑み、発光不良の発生を確実に防止可能な有機ＥＬ表示装置の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る有機ＥＬ表示装置は、複数の画素を備える表示領域と、前記表示領域に隣接する額縁領域とを有する基材と、前記複数の画素の各々が備える下部電極と、前記下部電極上に配置される有機材料層と、前記有機材料層上に配置され、前記表示領域を覆う上部電極と、前記額縁領域に設けられ、前記上部電極に接続される導電体部と、前記導電体部上に設けられたリブと、を備え、前記導電体部上に、前記リブを介して前記上部電極が配置され、前記額縁領域には、前記上部電極と前記導電体部とが接触する第１コンタクト部が位置し、前記リブは、前記第１コンタクト部の前記表示領域とは反対側に位置する側面を有し、前記上部電極の端部は、前記側面と対向する。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の１つの実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の概略の構成を示す模式図である。
【図２】図１に示す有機ＥＬ表示装置の表示パネルの一例を示す模式的な平面図である。
【図３】図２のIII−III断面の一例を示す概略図である。
【図４Ａ】図３に示す表示パネルのカソードコンタクト部の一例を示す拡大断面図である。
【図４Ｂ】図４Ａに示すリブの平面視形状の一部の一例を示す図である。
【図５】図３に示す表示パネルのカソードコンタクト部に設けられたリブの平面視形状の一部の変形例１を示す図である。
【図６】図３に示す表示パネルのカソードコンタクト部に設けられたリブの平面視形状の一部の変形例２を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に評される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して詳細な説明を適宜省略することがある。
【００１０】
図１は、本発明の１つの実施形態に係る表示装置の概略の構成を、有機ＥＬ表示装置を例にして示す模式図である。有機ＥＬ表示装置２は、画像を表示する画素アレイ部４と、画素アレイ部４を駆動する駆動部とを備える。有機ＥＬ表示装置２は、基材上に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）や有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）などの積層構造が形成されて構成される。なお、図１に示した概略図は一例であって、本実施形態はこれに限定されるものではない。
【００１１】
画素アレイ部４には、画素に対応してＯＬＥＤ６および画素回路８がマトリクス状に配置される。画素回路８は複数のＴＦＴ１０，１２やキャパシタ１４で構成される。
【００１２】
上記駆動部は、走査線駆動回路２０、映像線駆動回路２２、駆動電源回路２４および制御装置２６を含み、画素回路８を駆動しＯＬＥＤ６の発光を制御する。
【００１３】
走査線駆動回路２０は、画素の水平方向の並び（画素行）ごとに設けられた走査信号線２８に接続されている。走査線駆動回路２０は、制御装置２６から入力されるタイミング信号に応じて走査信号線２８を順番に選択し、選択した走査信号線２８に、点灯ＴＦＴ１０をオンする電圧を印加する。
【００１４】
映像線駆動回路２２は、画素の垂直方向の並び（画素列）ごとに設けられた映像信号線３０に接続されている。映像線駆動回路２２は、制御装置２６から映像信号を入力され、走査線駆動回路２０による走査信号線２８の選択に合わせて、選択された画素行の映像信号に応じた電圧を各映像信号線３０に出力する。当該電圧は、選択された画素行にて点灯ＴＦＴ１０を介してキャパシタ１４に書き込まれる。駆動ＴＦＴ１２は、書き込まれた電圧に応じた電流をＯＬＥＤ６に供給し、これにより、選択された走査信号線２８に対応する画素のＯＬＥＤ６が発光する。
【００１５】
駆動電源回路２４は、画素列ごとに設けられた駆動電源線３２に接続され、駆動電源線３２および選択された画素行の駆動ＴＦＴ１２を介してＯＬＥＤ６に電流を供給する。
【００１６】
ここで、ＯＬＥＤ６の下部電極は、駆動ＴＦＴ１２に接続される。一方、各ＯＬＥＤ６の上部電極は、全画素のＯＬＥＤ６に共通の電極で構成される。下部電極を陽極（アノード）として構成する場合は、高電位が入力され、上部電極は陰極（カソード）となって低電位が入力される。下部電極を陰極（カソード）として構成する場合は、低電位が入力され、上部電極は陽極（アノード）となって高電位が入力される。
【００１７】
図２は、図１に示す有機ＥＬ表示装置の表示パネルの一例を示す模式的な平面図である。表示パネル４０の表示領域４２に、図１に示した画素アレイ部４が設けられ、上述したように画素アレイ部４にはＯＬＥＤ６が配列される。上述したようにＯＬＥＤ６を構成する上部電極は、各画素に共通に形成され、表示領域４２全体を覆う。
【００１８】
矩形である表示パネル４０の一辺には、部品実装領域４６が設けられ、表示領域４２につながる配線が配置される。部品実装領域４６には、駆動部を構成するドライバＩＣ４８が搭載されたり、フレキシブルプリント基板（ＦＰＣ）５０が接続されたりする。ＦＰＣ５０は、制御装置２６やその他の回路２０，２２，２４等に接続されたり、その上にＩＣを搭載されたりする。
【００１９】
図３は、図２のIII−III断面の一例を示す概略図である。表示パネル４０は、例えば、可撓性を有する基材７０の上に、ＴＦＴ７２などが形成された回路層７４、ＯＬＥＤ６およびＯＬＥＤ６を封止する封止層１０６などが積層された構造を有する。可撓性を有する基材７０は、例えば、ポリイミド系樹脂などの樹脂を含む樹脂膜で構成される。この場合、基材７０は、例えば、樹脂材料を塗布により成膜して形成される。封止層１０６の上には保護膜１１４が積層される。具体的には、封止層１０６の上に接着層を介してシート状、あるいはフィルム状の保護膜１１４を貼り合わせる。本実施形態においては、画素アレイ部４はトップエミッション型であり、ＯＬＥＤ６で生じた光は、基材７０側とは反対側（図３において上向き）に出射される。なお、有機ＥＬ表示装置２におけるカラー化方式をカラーフィルタ方式とする場合には、例えば、封止層１０６と保護膜１１４との間、または、図示しない対向基板側にカラーフィルタが配置される。このカラーフィルタに、ＯＬＥＤ６にて生成した白色光を通すことで、例えば、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の光を作る。
【００２０】
表示領域４２の回路層７４には、上述した画素回路８、走査信号線２８、映像信号線３０、駆動電源線３２などが形成される。駆動部の少なくとも一部分は、基材７０上に回路層７４として表示領域４２に隣接する領域に形成することができる。上述したように、駆動部を構成するドライバＩＣ４８やＦＰＣ５０を、部品実装領域４６にて、回路層７４の配線１１６に接続することができる。
【００２１】
図３に示すように、基材７０上には、無機絶縁材料で形成された下地層８０が配置されている。無機絶縁材料としては、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮｙ）、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）およびこれらの複合体が用いられる。
【００２２】
表示領域４２においては、下地層８０を介して、基材７０上には、トップゲート型のＴＦＴ７２のチャネル部およびソース・ドレイン部となる半導体領域８２が形成されている。半導体領域８２は、例えば、ポリシリコン（ｐ−Ｓｉ）で形成される。半導体領域８２は、例えば、基材７０上に半導体層（ｐ−Ｓｉ膜）を設け、この半導体層をパターニングし、回路層７４で用いる箇所を選択的に残すことにより形成される。
【００２３】
ＴＦＴ７２のチャネル部の上には、ゲート絶縁膜８４を介してゲート電極８６が配置されている。ゲート絶縁膜８４は、代表的には、ＴＥＯＳで形成される。ゲート電極８６は、例えば、スパッタリング等で形成した金属膜をパターニングして形成される。ゲート電極８６上には、ゲート電極８６を覆うように層間絶縁層８８が配置されている。層間絶縁層８８は、例えば、上記無機絶縁材料で形成される。ＴＦＴ７２のソース・ドレイン部となる半導体領域８２（ｐ−Ｓｉ）には、イオン注入により不純物が導入され、さらにそれらに電気的に接続されたソース電極９０ａおよびドレイン電極９０ｂが形成され、ＴＦＴ７２が構成される。
【００２４】
ＴＦＴ７２上には、層間絶縁膜９２が配置されている。層間絶縁膜９２の表面には、配線９４が配置される。配線９４は、例えば、スパッタリング等で形成した金属膜をパターニングすることにより形成される。配線９４を形成する金属膜と、ゲート電極８６、ソース電極９０ａおよびドレイン電極９０ｂの形成に用いた金属膜とで、例えば、配線１１６および図１に示した走査信号線２８、映像信号線３０、駆動電源線３２を多層配線構造で形成することができる。この上に、平坦化膜９６およびパッシベーション膜９８が形成され、表示領域４２において、パッシベーション膜９８上にＯＬＥＤ６が形成されている。平坦化膜９６は、例えば、樹脂材料で形成される。パッシベーション膜９８は、例えば、ＳｉＮｙ等の無機絶縁材料で形成される。
【００２５】
ＯＬＥＤ６は、下部電極１００、有機材料層１０２および上部電極１０４を含む。ＯＬＥＤ６は、代表的には、下部電極１００、有機材料層１０２および上部電極１０４を基材７０側からこの順に積層して形成される。本実施形態では、下部電極１００がＯＬＥＤ６の陽極（アノード電極）であり、上部電極１０４が陰極（カソード電極）である。
【００２６】
図３に示すＴＦＴ７２が、ｎチャネルを有した駆動ＴＦＴ１２であるとすると、下部電極１００は、ＴＦＴ７２のソース電極９０ａに接続される。具体的には、上述した平坦化膜９６の形成後、下部電極１００をＴＦＴ７２に接続するためのコンタクトホール１１０が形成され、例えば、平坦化膜９６表面およびコンタクトホール１１０内に形成した導電体部をパターニングすることにより、ＴＦＴ７２に接続された下部電極１００が画素ごとに形成される。下部電極１００は、例えば、Ｉｎ系酸化物（例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）、ＩＴＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ））等の透明金属酸化物、Ａｇ、Ａｌ等の金属で形成される。
【００２７】
上記構造上には、画素を分離するバンク１１２が配置されている。例えば、下部電極１００の形成後、画素境界にバンク１１２を形成し、バンク１１２で囲まれた画素の有効領域（下部電極１００の露出する領域）に、有機材料層１０２および上部電極１０４が積層される。有機材料層１０２は、代表的には、アノード電極側から順に、ホール輸送層、発光層および電子輸送層を積層して形成されている。また、有機材料層１０２は、その他の層を有し得る。その他の層としては、例えば、アノード電極と発光層との間に配置されるホール注入層や電子ブロック層、カソード電極と発光層との間に配置される電子注入層やホールブロック層が挙げられる。上部電極１０４は、透過性導電膜で構成される。透過性導電膜は、例えば、金属（例えば、ＭｇとＡｇとの極薄合金）やＩＴＯ、ＩＺＯ、ＩＴＺＯ等の透明金属酸化物で形成される。
【００２８】
上部電極１０４上には、表示領域４２（上部電極１０４）全体を覆うように封止層１０６が配置されている。封止層１０６は、第１封止膜１６１、封止平坦化膜１６０および第２封止膜１６２をこの順で含む積層構造を有している。第１封止膜１６１および第２封止膜１６２は、無機材料（例えば、無機絶縁材料）で形成される。具体的には、化学気相成長（ＣＶＤ）法によりＳｉＮｙ膜を成膜することにより形成される。封止平坦化膜１６０は、有機材料（例えば、硬化性樹脂組成物等の樹脂材料）を用いて形成される。一方、部品実装領域４６では、封止層１０６は配置されていない。
【００２９】
例えば、表示パネル４０の表面の機械的な強度を確保するため、表示領域４２の表面に保護膜１１４が積層される。一方、部品実装領域４６にはＩＣやＦＰＣを接続し易くするため保護膜１１４を設けない。
【００３０】
表示領域４２に隣接する額縁領域４４には、カソードコンタクト部が形成されている。図示例では、アノード電極１００と同じ層で導電体部１０１が形成され、導電体部１０１にカソード電極１０４が接続され、導電体部１０１はカソード電圧供給配線として機能し得る。すなわち、導電体部１０１とカソード電極１０４とが、カソードコンタクト部で電気的に接続している。１つの実施形態においては、導電体部１０１は、表示領域４２において、アノード電極１００を形成する際に、アノード電極１００を形成する材料と同一の材料を用いて形成される。例えば、導電体部１０１は、アノード電極１００においてホール注入効率を確保するために好適に用いられる材料で形成される。具体的には、導電体部１０１は、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＩＴＺＯ等のＩｎ系酸化物で形成される。
【００３１】
図４Ａは図３に示す表示パネルのカソードコンタクト部の一例を示す拡大断面図であり、図４Ｂは図４Ａに示すリブの平面視形状の一部の一例を示す図である。なお、図４Ａにおいては、図３に示すアノード電極１００より下に配置される構造を下部構造層１０８と簡略化して示し、保護膜１１４を省略している。
【００３２】
図４Ａに示すように、アノード電極１００と同じ層で形成された導電体部１０１の上にはリブ１１３が設けられ、導電体部１０１上にリブ１１３を介してカソード電極１０４が配置されている。図４Ｂに示すように、リブ１１３は、第１方向に延びる突状部と第２方向に延びる突状部とが互いに交差するように、平面視格子状に形成されている。そして、リブ１１３が形成されていない部分において、導電体部１０１とカソード電極１０４とが接続するようになっている。後述するカソードコンタクト部の密着性を向上させる観点から、導電体部１０１とカソード電極１０４とのコンタクト部１０１ａ，１０１ｂは、図示するように、リブ１１３に囲まれて（例えば、３方向以上から囲まれて）、カソードコンタクト部が細分化されていることが好ましい。図４Ａ、図４Ｂの記載から明らかなように、コンタクト部１０１ａ，１０１ｂは、複数の突状部の間の領域ということができる。
【００３３】
リブ１１３は、例えば、有機材料（例えば、感光性樹脂組成物等の樹脂材料）を用いて形成される。１つの実施形態においては、リブ１１３は、表示領域４２においてバンク１１２を形成する際に形成される。
【００３４】
図４Ａに示すように、導電体部１０１上には、表示領域４２側から順に、カソード電極１０４と導電体部１０１とが接触する第１コンタクト部１０１ａ、第１リブ１１３ａ、カソード電極１０４と導電体部１０１とが接触する第２コンタクト部１０１ｂ、第２リブ１１３ｂが形成されており、カソード電極１０４の端部は、第２リブ１１３ｂの表示領域４２とは反対側の側面に達している。
【００３５】
導電体部１０１を形成する無機材料は、組成の異なる他の無機膜（例えば、金属膜、金属酸化物膜、無機絶縁材料膜）との密着性が低い傾向にある。例えば、導電体部１０１をＩｎ系酸化物で形成し、カソード電極１０４を、電子注入効率の確保、発光効率の向上の観点から、金属（例えば、ＭｇとＡｇとの合金）で形成すると、導電体部１０１とカソード電極１０４との界面で剥がれ・浮きが生じる傾向にある。
【００３６】
導電体部１０１上に無機膜よりも密着性の高い材料（例えば、有機材料）から形成されるリブ１１３を設け、カソード電極１０４の端部がリブ１１３を乗り越えて、少なくとも、リブ１１３の表示領域４２とは反対側の側面に達することで、カソードコンタクト部における密着性を格段に向上させることができる。こうして、導電体部１０１とカソード電極１０４との界面で生じる剥がれ・浮きが抑制され、この剥がれ・浮きにより生じる不具合を防止することができる。具体的には、カソード電極１０４上に配置される封止層１０６に歪み等の欠陥が生じるのを防止し、封止層１０６の欠陥から侵入する水分により引き起こされる発光不良を防止することができる。
【００３７】
上記剥がれ・浮きを効果的に抑制する観点から、図示例では、カソード電極１０４の端部は、１以上のリブ１１３（第１リブ１１３ａ）を乗り越えて第２リブ１１３ｂまで達し、第１コンタクト部１０１ａの表示領域４２とは反対側に第２コンタクト部１０１ｂが形成されている。
【００３８】
導電体部１０１の端部に配置されるリブ１１３ｂ，１１３ｃは、導電体部１０１の端部を上面からから側面にかけて覆うように形成されている。導電体部１０１の端部は、上記剥がれ・浮きによる不具合が発生しやすい傾向にあることから、導電体部１０１の端部は、カソード電極１０４とは接触しないようになっている。また、図示するように、導電体部１０１の端部は、封止層１０６と接触しないことが好ましい。無機膜との密着性が低い導電体部１０１と封止層１０６（第１封止膜１６１）との間で剥がれ・浮きが生じるのを抑制し得るからである。
【００３９】
リブ１１３の幅（ｄ１）は、例えば、３μｍ〜１０μｍである。リブ１１３の高さ（ｈ）は、例えば、１μｍ〜３μｍである。リブ１１３間の距離（ｄ２）は、カソードコンタクト部の大きさ等にもよるが、上記剥がれ・浮きを効果的に抑制する観点から、２５０μｍ以下であることが好ましく、さらに好ましくは２００μｍ以下である。一方で、カソード電極１０４の抵抗値を下げて、例えば、電圧降下による輝度低下を防ぐ観点から、導電体部１０１とカソード電極１０４との接触面積が、導電体部１０１とカソード電極１０４との接触面積と導電体部１０１とリブ１１３との接触面積との和の８０％以上となることが好ましい。例えば、リブ１１３間の距離（ｄ２）は、１００μｍ以上であることが好ましい。なお、リブ１１３間の距離は、カソード電極１０４と導電体部１０１とのコンタクト部の幅に相当し得る。
【００４０】
図５は図３に示す表示パネルのカソードコンタクト部に設けられたリブの平面視形状の一部の変形例１を示す図であり、図６は図３に示す表示パネルのカソードコンタクト部に設けられたリブの平面視形状の一部の変形例２を示す図である。本変形例では、例えば、カソード電極１０４の低抵抗化の観点から、第１方向に延びる突状部と第２方向に延びる突状部とが交差しない部分が形成されている点で上記実施形態と異なる。リブの平面視形状は、第１方向に延びる突状部と第２方向に延びる突状部とが、互いに対向し、かつ互いに交差しない構造であってもよい。
【００４１】
［実施例］
ＩＴＯで形成された導電体層表面に、図４Ｂに示すように、アクリル系感光性樹脂組成物で、幅（ｄ１）４μｍ、高さ（ｈ）２μｍのリブを格子状に形成した。ここで、リブ間の距離（ｄ２）が異なるサンプルを複数作製した。具体的には、リブ間の距離（ｄ２）が１００μｍ、１５０μｍ、２００μｍ、２５０μｍおよび３００μｍのサンプルを作製した。その後、それぞれのサンプルに対して、図４Ａに示すように、導電体層およびリブ表面に、Ｍｇ−Ａｇ膜を共蒸着により形成して試験サンプルを得た。
【００４２】
なお、リブを形成しなかったこと以外は上記と同様にして、比較サンプルも準備した。
【００４３】
得られた試験サンプルおよび比較サンプルを信頼性試験（条件：温度８０℃、湿度６０％、５００時間）に供した。信頼性試験後、各サンプルについて、導電体（ＩＴＯ）層−合金（Ｍｇ−Ａｇ）膜間の剥がれが生じているか否かを目視で観察した。観察結果を表１にまとめる。
【００４４】
【表１】
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【００４５】
本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、上記実施形態で示した構成と実質的に同一の構成、同一の作用効果を奏する構成または同一の目的を達成することができる構成で置き換えることができる。
【符号の説明】
【００４６】
２  有機ＥＬ表示装置、４  画素アレイ部、６  ＯＬＥＤ、８  画素回路、１０  点灯ＴＦＴ、１２  駆動ＴＦＴ、１４  キャパシタ、２０  走査線駆動回路、２２  映像線駆動回路、２４  駆動電源回路、２６  制御装置、２８  走査信号線、３０  映像信号線、３２  駆動電源線、４０  表示パネル、４２  表示領域、４４  額縁領域、４６  部品実装領域、４８  ドライバＩＣ、５０  ＦＰＣ、７０  基材、７２  ＴＦＴ、７４  回路層、８０  下地層、８２  半導体領域、８４  ゲート絶縁膜、８６  ゲート電極、８８  層間絶縁層、９０ａ  ソース電極、９０ｂ  ドレイン電極、９２  層間絶縁膜、９４  配線、９６  平坦化膜、９８  パッシベーション膜、１００  下部電極（アノード電極）、１０１  導電体部、１０２  有機材料層、１０４  上部電極（カソード電極）、１０６  封止層、１０８  下部構造層、１１０  コンタクトホール、１１２  バンク、１１３  リブ、１１４  保護膜、１１６  配線。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５】
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【図６】
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