(57)【要約】【課題】半導体装置の信頼性を向上する。【解決手段】半導体装置の製造方法は、複数のデバイス形成領域がマトリクス状に配置されたリードフレームを準備する工程、各々のデバイス領域に半導体チップを搭載するダイボンディング工程、各々の半導体チップを個別に封止体で被覆する樹脂封止工程、封止体から露出した部分のリードのアウター部にメッキを施すリードメッキ工程、を有する。そして、樹脂封止工程とリードメッキ工程との間に、樹脂封止工程における不良品を検出する検査工程、および、不良品のデバイス領域を除去する不良品除去工程を有する。【選択図】図３
2019197796.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）ダイパッドと、インナー部およびアウター部を備えた複数本のリードと、を含む複数のデバイス領域がマトリクス状に配置されたリードフレームを準備する工程、
（ｂ）前記複数のデバイス領域の夫々において、前記ダイパッド上に接着層を介して半導体チップを搭載する工程、
（ｃ）前記複数のデバイス領域の夫々において、前記半導体チップ、前記リードの前記インナー部、前記接着層および前記ダイパッドを封止する封止体を形成する工程、
（ｄ）前記封止体から露出した前記リードの前記アウター部にメッキ層を形成する工程、
を有し、
前記工程（ｃ）と前記工程（ｄ）との間に、
（ｅ）複数のデバイス領域の夫々において、前記工程（ｃ）で発生した不良品を検出する工程、
（ｆ）前記不良品となった前記デバイス領域を、前記リードフレームから除去する工程、を有する、半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
さらに、前記工程（ｅ）と前記工程（ｆ）との間に、
（ｇ）レーザー装置を用いて、前記封止体に第１レーザー光を照射して、前記封止体にマークを付す工程、
を有する、半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項２に記載の半導体装置の製造方法において、
前記工程（ｆ）において、前記レーザー装置を用いて、前記リードフレームに第２レーザー光を照射して、前記リードフレームの複数の切断予定箇所に複数の溝を形成する、半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項３に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第２レーザー光の出力密度は、前記第１レーザー光の出力密度よりも高い、半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項３に記載の半導体装置の製造方法において、
前記工程（ｆ）において、前記複数の切断予定箇所に対して前記第２レーザー光を順に走査させ、前記走査を複数回繰り返すことにより前記複数の溝を形成する、半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項３に記載の半導体装置の製造方法において、
前記工程（ｆ）において、前記複数の溝の深さを、前記リードフレームの厚さ以上とする、半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項３に記載の半導体装置の製造方法において、
前記工程（ｆ）において、前記複数の溝の深さは、前記リードフレームの膜厚よりも小さい、半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記工程（ｆ）において、前記リードフレームから除去される前記デバイス領域には、前記封止体および前記リードの前記アウター部が含まれる、半導体装置の製造方法。
【請求項９】
（ａ）ダイパッドと、インナー部およびアウター部を備えた複数本のリードと、を含む複数のデバイス領域がマトリクス状に配置されたリードフレームを準備する工程、
（ｂ）前記複数のデバイス領域の夫々において、前記ダイパッド上に接着層を介して半導体チップを搭載する工程、
（ｃ）前記複数のデバイス領域の夫々において、前記半導体チップ、前記リードの前記インナー部、前記接着層および前記ダイパッドを封止する封止体を形成する工程、
（ｄ）複数のデバイス領域の夫々において、前記工程（ｃ）における封止体に対して良品または不良品の判定をする工程、
（ｅ）レーザー装置を用いて、前記封止体に第１レーザー光を照射して、前記封止体にマークを付す工程、
（ｆ）前記封止体から露出した前記リードの前記アウター部にメッキ層を形成する工程、
を有し、
前記工程（ｄ）と前記工程（ｆ）との間に、
（ｇ）前記レーザー装置を用いて、前記リードフレームに第２レーザー光を照射して、前記不良品となった前記デバイス領域を、前記リードフレームから除去する工程、を有する、半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の半導体装置の製造方法において、
前記工程（ｇ）は、前記工程（ｅ）の後に実施する、半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載の半導体装置の製造方法において、
前記リードフレームの全ての良品に対して前記工程（ｅ）を実施した後に、前記工程（ｇ）を実施する、半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第２レーザー光の出力密度は、前記第１レーザー光の出力密度よりも高い、半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項９に記載の半導体装置の製造方法において、
前記工程（ｇ）において、前記リードフレームに前記第２レーザー光を照射して、前記リードフレームの複数の切断予定箇所に複数の溝を形成する、半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
請求項１３に記載の半導体装置の製造方法において、
前記工程（ｇ）において、前記複数の切断予定箇所に対して前記第２レーザー光を順に走査させ、前記走査を複数回繰り返すことにより前記複数の溝を形成する、半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
請求項９に記載の半導体装置の製造方法において、
前記工程（ｇ）において、前記リードフレームから除去される前記デバイス領域には、前記封止体および前記リードの前記アウター部が含まれる、半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば、樹脂封止型の半導体装置の製造方法に適用して有効な技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
特開２０１５−１７６９０７号公報（特許文献１）には、デバイス領域がマトリクス状に配置されたリードフレームを用いた半導体装置の製造方法が開示されている。そして、半導体装置の製造方法は、リードフレーム準備、ダイボンド、ワイヤボンド、モールド、リード切断（ダムバー切断）、マーク、メッキ、リード切断（ゲート切断）、リード成形、リード切断（角部切断）の工程を有している。
【０００３】
特開平７−１４８６７号公報（特許文献２）には、樹脂封止工程で発生した未充填半導体装置を検出する認識装置と、未充填半導体装置をリードフレームより切り離すための金型と、切り離した未充填半導体装置を収納する収納ボックスと、切り離した未充填半導体装置の収納数をカウントするカウンターとを備えた半導体装置用自動樹脂封止装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１５−１７６９０７号公報
【特許文献２】特開平７−１４８６７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
近年、デバイス領域がマトリクス状に配置されたリードフレームを用いた半導体装置のモールド工程において、封止樹脂の未充填不良が発生したリードフレームの数が増加する傾向にある。その要因は、例えば、半導体装置の薄型化、および、リードフレーム当たりのデバイス領域の数の増加、等にある。
【０００６】
本願発明者の検討によれば、モールド工程（樹脂封止工程）で未充填不良が発生した半導体装置を含むリードフレームを、メッキ工程に進めると、メッキ不良が発生することが確認された。未充填不良の半導体装置では、例えば、半導体チップが封止体から露出している場合が有る。つまり、半導体チップの表面に形成されたポリイミド膜等の有機保護膜、または、半導体チップをダイパッドに接着するための銀ペースト等の接着層が封止体から露出している。その為、未充填不良の半導体装置を含むリードフレームをメッキ液に浸漬すると、前述の有機保護膜または接着層等から汚染物質がメッキ液中に混入してメッキ液が汚染される。そして、汚染されたメッキ液でメッキ処理を実施すると、未充填不良の半導体装置を含まないリードフレームにおいて、メッキ不良が発生してしまい、半導体装置の信頼性が低下する。
【０００７】
つまり、樹脂封止型の半導体装置において、信頼性の向上が求められている。
【０００８】
その他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
一実施の形態によれば、半導体装置の製造方法は、複数のデバイス形成領域がマトリクス状に配置されたリードフレームを準備する工程、各々のデバイス領域に半導体チップを搭載するダイボンディング工程、各々の半導体チップを個別に封止体で被覆する樹脂封止工程、封止体から露出した部分のリードのアウター部にメッキを施すリードメッキ工程、を有する。そして、樹脂封止工程とリードメッキ工程との間に、樹脂封止工程における不良品を検出する検査工程、および、不良品のデバイス領域を除去する不良品除去工程を有する。
【発明の効果】
【００１０】
一実施の形態によれば、半導体装置の信頼性を向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】実施の形態の半導体装置の一例を示す平面図である。
【図２】実施の形態の半導体装置の断面図である。
【図３】実施の形態の半導体装置の製造方法を示す工程フロー図である。
【図４】実施の形態の半導体装置の製造方法で用いるリードフレームの平面図である。
【図５】図４に示すデバイス領域の拡大平面図である。
【図６】ダイボンディング工程におけるデバイス領域の拡大平面図である。
【図７】図６のＡ−Ａ線に沿う断面図である。
【図８】ワイヤボンディング工程におけるデバイス領域の拡大平面図である。
【図９】図８のＡ−Ａ線に沿う断面図である。
【図１０】樹脂封止工程におけるデバイス領域の拡大平面図である。
【図１１】図１０のＡ−Ａ線に沿う断面図である。
【図１２】図１０のＢ−Ｂ線に沿う断面図である。
【図１３】検査工程におけるデバイス領域の断面図である。
【図１４】検査工程におけるリードフレームの平面図である。
【図１５】タイバー切断工程におけるデバイス領域の拡大平面図である。
【図１６】レーザーマーク工程におけるデバイス領域の拡大断面図である。
【図１７】レーザーマーク工程におけるデバイス領域の拡大平面図である。
【図１８】不良品除去工程におけるデバイス領域の拡大平面図である。
【図１９】不良品除去工程におけるリードフレームの平面図である。
【図２０】リードメッキ工程を示す断面図である。
【図２１】リードメッキ工程におけるデバイス領域の拡大断面図である。
【図２２】比較例であるリードフレームの部分断面図である。
【図２３】リード切断、成形工程におけるデバイス領域の拡大平面図である。
【図２４】変形例である半導体装置の製造方法を示す工程フロー図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下の実施の形態においては便宜上その必要があるときは、複数のセクションまたは実施の形態に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらはお互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、詳細、補足説明等の関係にある。
【００１３】
また、以下の実施の形態において、要素の数等（個数、数値、量、範囲等を含む）に言及する場合、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合等を除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でもよい。
【００１４】
さらに、以下の実施の形態において、その構成要素（要素ステップ等も含む）は、特に明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。
【００１５】
同様に、以下の実施の形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に明らかにそうではないと考えられる場合等を除き、実質的にその形状等に近似または類似するもの等を含むものとする。このことは、上記数値および範囲についても同様である。
【００１６】
また、実施の形態を説明するための全図において、同一の部材には原則として同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。なお、図面をわかりやすくするために平面図であってもハッチングを付す場合がある。
【００１７】
（実施の形態）
＜半導体装置の構造＞
図１は実施の形態の半導体装置の一例を示す平面図、図２は実施の形態の半導体装置の断面図である。ここでは、半導体装置５の一例として、ＱＦＰ（Ｑｕａｄ  Ｆｌａｔ  Ｐａｃｋａｇｅ）を用いて説明する。
【００１８】
図１に示すように、半導体装置５は、略四角形の封止体３と複数のリード１ａを有する。略四角形を構成する４辺のそれぞれには外部接続端子である複数のリード１ａが配置されている。複数のリード１ａは、封止体３から突出し、各辺に直交する方向に延在している。複数のリード１ａにおいて、封止体３から露出した部分がアウター部１ａ２である。なお、平面視において、封止体３の角部は面取りされているが、必ずしも面取りする必要はない。つまり、四角形の封止体３としても良い。
【００１９】
また、封止体３の主面３ａには、マーク８が付されている。マークは、半導体装置５の製品番号、ロット番号等を示すものである。マーク８は、封止体３の主面３ａではなく、裏面に付しても良い。
【００２０】
図２に示すように、封止体３の内部には、ダイパッド１ｂ、接着層６、半導体チップ２、ワイヤ４、リード１ａのインナー部１ａ１が存在する。封止体３の外部には、リード１ａのアウター部１ａ２が存在する。半導体チップ２は、半導体チップ２の外部接続端子である複数のパッド電極２ａを有している。図示しないが、半導体チップ２には、多数の半導体素子が形成されており、これらの半導体素子で多数の論理回路が構成されている。パッド電極２ａおよび半導体素子は、半導体チップ２の主面側に形成されており、半導体チップ２の主面は、ポリイミド膜等で構成された有機保護膜２ｂで覆われている。半導体チップ２の裏面は、ダイパッド１ｂ上に接着層６で接着されている。接着層６としては、例えば銀ペーストが用いられる。銀ペーストは、銀とエポキシ樹脂を含んでいる。
【００２１】
リード１ａは、封止体３の内部の部分であるインナー部１ａ１と、封止体３から露出した部分であるアウター部１ａ２とを有する。アウター部１ａ２は、第１折り曲げ部および第２折り曲げ部を含むガルウイング形状を有する。封止体３の側面３ｃから突出したアウター部１ａ２は、第１折り曲げ部で封止体３の裏面３ｂ側に折れ曲がり、第２折り曲げ部で封止体３から離れる方向に折れ曲がっている。半導体チップ２のパッド電極２ａは、ワイヤ４でリード１ａのインナー部１ａ１に接続されている。ワイヤ４は、例えば金（Ａｕ）または銅（Ｃｕ）からなる。また、リード１ａのアウター部１ａ２は、メッキ層７で被覆されているが、インナー部１ａ１はメッキ層７で覆われていない。メッキ層７は、例えば、鉛フリー半田で構成されている。鉛フリー半田とは、鉛含有率が０．１ｗｔ％以下のものを意味し、例えば、ＳｎＢｉ系、ＳｎＡｇＣｕ系、ＳｎＣｕ系等の半田材が含まれる。
【００２２】
なお、図２において、リード１ａおよびダイパッド１ｂの厚さは、およそ０．１２５ｍｍ、半導体チップ２の厚さは、および０．４ｍｍ、封止体３の厚さは、およそ１．４ｍｍである。
【００２３】
また、封止体３は、例えば、熱硬化性のエポキシ系樹脂からなる。ここでは、ダイパッド１ｂが封止体３内に位置する例で説明したが、半導体チップ２が搭載された側とは反対側の面が封止体３から露出した構造としても良い。
【００２４】
＜半導体装置の製造方法＞
図３は、実施の形態の半導体装置の製造方法を示す工程フロー図、図４は、実施の形態の半導体装置の製造方法で用いるリードフレームの平面図、図５は、図４に示すデバイス領域の拡大平面図、図６は、ダイボンディング工程におけるデバイス領域の拡大平面図、図７は、図６のＡ−Ａ線に沿う断面図、図８は、ワイヤボンディング工程におけるデバイス領域の拡大平面図、図９は、図８のＡ−Ａ線に沿う断面図、図１０は、樹脂封止工程におけるデバイス領域の拡大平面図、図１１は、図１０のＡ−Ａ線に沿う断面図、図１２は、図１０のＢ−Ｂ線に沿う断面図、図１３は、検査工程におけるデバイス領域の断面図、図１４は、検査工程におけるリードフレームの平面図、図１５は、タイバー切断工程におけるデバイス領域の拡大平面図、図１６は、レーザーマーク工程におけるデバイス領域の拡大断面図、図１７は、レーザーマーク工程におけるデバイス領域の拡大平面図、図１８は、不良品除去工程におけるデバイス領域の拡大平面図、図１９は、不良品除去工程におけるリードフレームの平面図、図２０は、リードメッキ工程を示す断面図、図２１は、リードメッキ工程におけるデバイス領域の拡大断面図、図２２は、比較例であるリードフレームの部分断面図、図２３は、リード切断、成形工程におけるデバイス領域の拡大平面図である。
【００２５】
まず、図３に示すリードフレーム準備工程では、図４に示すリードフレーム１を準備する。図４に示すように、長方形のリードフレーム１には、複数のデバイス領域１ｅがマトリクス状に配置されている。ここでは、Ｘ方向に１２個、Ｙ方向に４個、計４８個のデバイス領域１ｅがマトリクス状に配置されているが、その数はこれに限定されない。Ｘ方向およびＹ方向において、各デバイス領域１ｅの周囲は枠部１ｆで囲まれている。Ｘ方向に隣接するデバイス領域間の枠部１ｆにはＹ方向に延在するスリット１ｈが、Ｙ方向に沿って断続的に配置されている。スリット１ｈは、リードフレーム１にかかった応力がデバイス領域１ｅに及ぶのを防止する機能を有する。また、Ｘ方向に延在する枠部１ｆには、ガイド穴（位置決め穴）１ｇが複数設けられている。そして、ガイド穴１ｇを基準として、複数のデバイス領域１ｅの位置が特定できる。リードフレーム１は、例えば、銅板で構成されている。
【００２６】
次に、図５を用いて、デバイス領域１ｅについて説明する。デバイス領域１ｅには、１つのダイパッド１ｂが設けられており、その周囲に複数のリード１ａが設けられている。ダイパッド１ｂは、略四角形からなり、その４つの角部は吊りリード１ｄで支持され、枠部１ｆに接続されている。また、Ｙ方向に延在する複数のリード１ａは、インナー部１ａ１とアウター部１ａ２との境界近傍で、Ｘ方向に延在するダムバー１ｃで連結され、ダムバー１ｃは、枠部１ｆに接続されている。さらに、Ｙ方向に延在する複数のリード１ａのダイパッド１ｂ側の端部は互いに分離されており、枠部１ｆ側の端部は、Ｘ方向に延在する内枠部１ｆａで連結されている。同様に、Ｘ方向に延在する複数のリード１ａは、インナー部１ａ１とアウター部１ａ２との境界近傍で、Ｙ方向に延在するダムバー１ｃで連結され、ダムバー１ｃは、枠部１ｆに接続されている。さらに、Ｘ方向に延在する複数のリード１ａのダイパッド１ｂ側の端部は互いに分離されており、枠部１ｆ側の端部は、Ｙ方向に延在する内枠部１ｆａで連結されている。
【００２７】
図５に示すように、デバイス領域１ｅの周囲は、枠部１ｆに囲まれているが、デバイス領域１ｅの角部にも枠部１ｆが延びている。そして、デバイス領域１ｅの角部に位置する枠部１ｆに吊りリード１ｄおよびダムバー１ｃが接続されている。つまり、デバイス領域１ｅは、枠部１ｆの一部を含んでいる。
【００２８】
次に、図３に示すダイボンディング工程を説明する。図６および図７に示すように、複数のパッド電極２ａを有する半導体チップ２を、接着層６を介してダイパッド１ｂ上に搭載する。図７に示すように、半導体チップ２の表面には有機保護膜２ｂが設けられている。なお、図６およびそれ以降の平面図では、接着層６および有機保護膜２ｂを省略している。
【００２９】
次に、図３に示すワイヤボンディング工程を説明する。図８および図９に示すように、半導体チップ２のパッド電極２ａとリード１ａのインナー部１ａ１とをワイヤ４で電気的に接続する。
【００３０】
次に、図３に示す樹脂封止工程を説明する。図１０〜図１２に示すように、金型１０に設けられた空間であるキャビティ部１０ｃ内に半導体チップ２、ダイパッド１ｂ、ワイヤ４、リード１ａのインナー部１ａ１を配置し、ゲート部１２からキャビティ部１０ｃに封止樹脂を注入して封止体３を形成する。それぞれ凹部を有する第１金型１０ａおよび第２金型１０ｂでリードフレーム１ａを挟み込むことで、第１金型１０ａおよび第２金型１０ｂの凹部に対応する領域にキャビティ部１０ｃを形成される。そして、キャビティ部１０ｃに注入された封止樹脂が硬化して封止体３が形成される。図１０に示すように、平面視において、封止体３の４辺は、ダムバー１ｃよりも内側（半導体チップ２側）に位置している。そのため、封止体３とダムバー１ｃとの間であって、かつ、隣接するリード１ａの間の領域には、リード１ａの厚さに相当する樹脂が付着している。この領域の樹脂を「樹脂バリ」と呼ぶ。つまり、樹脂封止工程における良品では、キャビティ１０ｃの全域に封止樹脂が充填されているため、封止体３の４辺において、全ての隣接するリード１ａ間に樹脂バリが形成されている。一方、キャビティ１０ｃ内に封止樹脂の未充填部分が発生した場合には、例えば、封止体３の辺において、樹脂バリが形成されていない領域が存在することとなる。このように、キャビティ１０ｃ内に封止樹脂の未充填部分が存在する半導体装置５を未充填不良と呼ぶ。封止樹脂の未充填不良が発生する要因としては、半導体装置５の薄型化に伴い、封止樹脂の注入口のサイズが減少していることが挙げられる。封止樹脂の注入口とは、キャビティ部１０ｃとゲート部１２との境界であり、そのサイズは、厚さＴｇ＝０．２５ｍｍ、幅Ｔｗ＝０．３５ｍｍである。注入口のサイズが減少しているにもかかわらず、封止樹脂の粘度が高くなり、多量のシリカフィラーを含有しているため、未充填不良が発生しやすくなっている。
【００３１】
次に、図３に示す検査工程を説明する。図１３および図１４に示すように、リードフレーム１の全てのデバイス領域１ｅを対象に、樹脂封止工程の良品または不良品の判定検査を実施する。図１３に示すように、樹脂封止工程が完了したリードフレーム１に対して、封止体３の裏面３ｂ側に照明装置１３、封止体３の主面３ａ側にカメラ１４を配置して、樹脂封止工程における樹脂の未充填検査を実施する。照明装置１３は、例えば、複数の白色ＬＥＤがマトリクス配置された光源と、それらを覆う光拡散板と、からなる。カメラ１４は、例えば、ＣＣＤカメラからなる。全てのデバイス領域１ｅにおいて、前述の樹脂バリの有無を検査することで、樹脂封止工程における良品、不良品の判定を実施する。図１４は、破線で囲まれた不良品領域１６が４つ存在し、それ以外のデバイス領域１ｅは、良品領域１５である例を示している。不良品領域１６では、封止樹脂の未充填が発生し、図１８に示すように半導体チップ２およびダイパッド１ｂ等が封止体３から露出している。
【００３２】
次に、図３に示すダムバー切断工程を説明する。図１５に示すように、図１０に示すダムバー１ｃを切断し、隣接するリード１ａのアウター部１ａ２を互いに分離する。この工程で、前述の樹脂バリも除去することができる。
【００３３】
次に、図３に示すレーザーマーク工程を説明する。図１６および図１７に示すように、例えば、ＹＡＧレーザー等のレーザー装置１７を用い、封止体３の主面３ａにレーザー光１８を照射して封止体３の主面３ａにマーク８を付す。なお、マーク８は、前述の良品領域１５の半導体装置５の封止体３に対してのみ付す。不良品領域１６の封止体３に対しては、図１８に示す不良品マーク１６ａを付す。ここでは、レーザー光１８の出力密度Ｗ１を５Ｗ／０．００１ｍｍ２程度とする。
【００３４】
次に、図３に示す不良品除去工程を説明する。図１８に示すように、レーザー装置１７を用いて、リードフレーム１に存在する全ての不良品領域１６の半導体装置５を除去する。まず、レーザーマーク工程で、不良品領域１６の封止体３に付した不良品マーク１６ａをカメラ等で検出して、不良品領域１６を特定する。続いて、図１８に示す複数の切断箇所１９にレーザー光を照射して、リードフレーム１に溝を形成することで、不良品領域１６の半導体装置５を除去する。ここでは、レーザーマーク工程におけるレーザー装置１７を用い、レーザー光１８の出力密度Ｗ２を１０Ｗ／０．００１ｍｍ２程度（１３Ｗ／０．００１ｍｍ２以下）とする。リードフレーム１に溝を形成する為に、出力密度Ｗ２を出力密度Ｗ１より大きくする（Ｗ２＞Ｗ１）ことが好適である。ただし、出力密度Ｗ２を大きくし過ぎると、リードフレーム１の切断箇所１９が高温となるため、そこから異物が飛散して良品領域１５に飛散する恐れがある。従って、複数の切断箇所１９を順に走査しながら、前記走査を複数回実施することにより溝を形成するのが好適である。このように、走査を繰り返すことにより溝の深さをリードフレーム１の厚さ以上とすることで、リードフレーム１の枠部１ｆからリード１ａのアウター部１ａ２を切り離すことができる。また、溝の深さはリードフレーム１の厚さより小さくし、溝形成後に不良品領域１６を押圧することにより、不良品領域１６を枠部１ｆから除去することも出来る。
【００３５】
また、切断箇所１９は、リード１ａのアウター部１ａ２と枠部１ｆとの境界とすることが好適である。言い換えると、不良品領域１６において、半導体チップ２、ダイパッド１ｂ、封止体３、ワイヤ４、ならびに、リード１ａのインナー部１ａ１およびアウター部１ａ２を除去することが好適である。こうして、図１９に示すように、リードフレーム１の不良品領域１６には、開口２０が形成される。もちろん、開口は、全ての不良品領域１６に対して形成される。
【００３６】
上記のとおり、１つのレーザー装置１７を用いて、レーザーマーク工程および不良品除去工程を実施するため、製造コストの低減および製造時間の短縮を実現することができる。１枚のリードフレーム１に対して、レーザーマーク工程および不良品除去工程を連続して実施するため、レーザー装置１７に対するリードフレーム１の位置合せ工程が１回で済むため、製造時間の短縮を図ることができる。なお、レーザーマーク工程および不良品除去工程の順序は、逆にすることも出来る。
【００３７】
また、レーザーマーク工程および不良品除去工程において、レーザー光の出力密度を変更する必要があるため、例えば、リードフレーム１の全ての良品に対してレーザーマーク工程を実施した後に、不良品に対して不良品除去工程を実施するのが好適である。なお、レーザーマーク工程および不良品除去工程の順序は、逆にすることも出来る。
【００３８】
次に、図３に示すリードメッキ工程を説明する。図２０および図２１に示すように、不良品領域１６を除去したリードフレーム１に対して、電解メッキ法により、リード１ａのアウター部１ａ２にメッキ層７を形成する。メッキ装置２１は、メッキ槽２２内にメッキ液２３が充填されており、メッキ液２３内には、陽極２４と陰極になるリードフレーム１とが配置されている。メッキ液２１中にはＳｎ２＋、Ｂｉ３＋等の金属塩が含まれており、アウター部１ａ２には、ＳｎＢｉ系の鉛フリー半田からなるメッキ層７が形成される。
【００３９】
ここで、図２２を用いて比較例を説明する。実施の形態では、図１８および図１９で説明したように不良品領域１６を除去した後にリードフレーム１にメッキ層７を形成するが、比較例では、不良品領域１６を残したまま、リードフレーム１にメッキ層７を形成する場合を想定している。図１８に示したように、不良品領域１６では、封止体３から半導体チップ２およびダイパッド１ｂが露出している。言い換えると、半導体チップ２とダイパッド１ｂ間に存在する接着層６または半導体チップ２上に形成された有機保護膜２ｂも封止体３から露出している。不良品領域１６を残したリードフレーム１をメッキ液２３に浸けると、接着層６または有機保護膜２ｂから金属異物または絶縁物異物がメッキ液２３中に混入し、メッキ液２３が汚染されてしまう。そして、後続のリードフレーム１に対してリードメッキ工程を実施する際に、メッキ不良が発生する危険性がある。例えば、図２２に示すように、リードフレーム１の表面に金属等の異物２７が付着していると、その部分でメッキの異常成長２８が発生し、例えば、隣接するリード１ａ間が短絡する不良が発生する危険性がある。また、リードフレーム１の表面に絶縁物が付着している場合には、その部分にメッキ層７が形成されないという問題が発生する。
【００４０】
実施の形態では、このようなメッキ液２３の汚染を防止することができるため、メッキ不良を低減でき、半導体装置の信頼性、歩留りを向上することができる。
【００４１】
次に、図３に示すリード切断、成形工程を説明する。図２３に示すように、リード１ａのアウター部１ａ２の端部を連結していた内枠部１ｆａを除去し、隣接するアウター部１ａ２を互いに分離する。次に、アウター部１ａ２を図２に示すようにガルウイング形状に成形する。なお、図３に示すタイバー切断工程を、リード切断、成形工程におけるリード切断工程で実施することもできる。つまり、リード切断工程で使用する治具を用いてタイバー切断工程をし、同様の治具を用いてリード切断工程を実施することができる。
【００４２】
次に、図３に示す切り離し工程を説明する。図２３に示す吊りリード１ｄを切断することで、半導体装置５を枠部１ｆから切り離す。
【００４３】
次に、図３に示す信頼性試験工程を説明する。個別に切り離された半導体装置５に対して、電気的な試験等を実施し、樹脂封止工程以外の不良を検出し、不良品を除去する。こうして、最終的に良品の半導体装置５が完成する。
【００４４】
また、図２４は、変形例である半導体装置の製造方法を示す工程フロー図である。図２４に示すように、レーザーマーク工程をリード切断、成形工程と切り離し工程との間に実施することも出来る。
【００４５】
以上、本発明者によってなされた発明をその実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。例えば、上記実施の形態は、ＱＦＰ型の半導体装置を用いて説明したが、ＱＦＪ（Ｑｕａｄ  Ｆｌａｔ  Ｊ−ｌｅａｄｅｄ  Ｐａｃｋａｇｅ）、ＳＯＰ（Ｓｍａｌｌ  Ｏｕｔｌｉｎｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）、ＳＯＪ（Ｓｍａｌｌ  Ｏｕｔｌｉｎｅ  Ｊ−ｌｅａｄｅｄ  Ｐａｃｋａｇｅ）またはＱＦＮ（Ｑｕａｄ  Ｆｌａｔ  Ｎｏｎ  Ｌｅａｄ）型の半導体装置に適用することができる。
【符号の説明】
【００４６】
１  リードフレーム
１ａ  リード
１ａ１  インナー部（インナーリード）
１ａ２  アウター部（アウターリード）
１ｂ  ダイパッド
１ｃ  ダムバー
１ｄ  吊りリード
１ｅ  デバイス領域
１ｆ  枠部
１ｆａ  内枠部
１ｇ  ガイド穴（位置決め穴）
１ｈ  スリット
２  半導体チップ
２ａ  パッド電極
２ｂ  有機保護膜
３  封止体（ボディ）
３ａ  主面
３ｂ  裏面
３ｃ  側面
４  ワイヤ
５  半導体装置
６  接着層（導電性接着層）
７  メッキ層
８  マーク
１０  金型
１０ａ  第１金型
１０ｂ  第２金型
１０ｃ  キャビティ部
１２  ゲート部
１２ａ  ゲート部樹脂
１３  照明装置
１４  カメラ
１５  良品領域
１６  不良品領域
１６ａ  不良品マーク
１７  レーザー装置
１８  レーザー光
１９  切断箇所
２０  開口
２１  メッキ装置
２２  メッキ槽
２３  メッキ液
２４  陽極
２５  保持治具
２６  電源
２７  異物
２８  異常成長
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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