(57)【要約】【課題】制御量の応答性を高めるとともに制御量のオーバーシュートを抑制することができるソレノイドの電流制御装置を提供する。【解決手段】過渡制御に移行したあと、励磁電流が目標電流Ｉｒｅｆを越えた先にある閾値、すなわちフルオン閾値ＴＨｏｎまたはフルオフ閾値ＴＨｏｆｆまで変化させられる。これにより、スプールを所望のオーバーストローク状態まで到達させることができる。そのため、出力油圧の変動遅れが抑制され、応答性を高めることができる。また、励磁電流がフルオン閾値ＴＨｏｎおよびフルオフ閾値ＴＨｏｆｆを跨ぐように比較的大きく変化させられるので、スプールの動摩擦状態が維持される。そのため、スプールの作動遅れに起因した出力油圧のオーバーシュートの発生を抑制することができる。【選択図】図７
2019060361.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ソレノイドバルブ（３１〜３６）のソレノイド（４３）の電流を制御する電流制御装置であって、
前記ソレノイドの励磁電流を取得する電流取得部（５７）と、
前記ソレノイドを通電したのち非通電にする作動を所定のオンオフ周期で繰り返して、前記励磁電流の平均値を目標電流付近に保つ定常制御を行う定常制御部（５９）と、
前記定常制御が行われているとき、前記オンオフ周期よりも短い所定の目標判定周期ごとに前記目標電流が変更されたか否かを判定する目標判定部（６２）と、
前記目標電流が上げ側に変更された後、前記オンオフ周期よりも短い所定の制御移行周期で到来する最初のタイミングで前記ソレノイドを常に通電するフルオン状態にするフルオン制御部（６３）と、
前記フルオン状態であるとき、前記励磁電流が前記目標電流よりも大きいフルオン閾値以上になったか否かを判定するフルオン判定部（６４）と、
前記励磁電流が前記フルオン閾値以上になった後、前記オンオフ周期よりも短い所定の通電切替周期で到来する最初のタイミングで前記ソレノイドを常に非通電とするフルオフ状態にするフルオフ制御部（６５）と、
前記フルオフ状態であるとき、前記励磁電流が前記目標電流よりも小さいフルオフ閾値以下になったか否かを判定するフルオフ判定部（６６）と、
前記励磁電流が前記フルオフ閾値以下になった後、前記制御移行周期で到来する最初のタイミングで前記定常制御に移行する制御移行部（６９）と、
を備える電流制御装置。
【請求項２】
前記定常制御部は、前記励磁電流の平均値を前記オンオフ周期よりも長いディザ周期で「前記目標電流＋ディザ振幅」から「前記目標電流−前記ディザ振幅」までの間で周期的に変化させ、
前記フルオン閾値は、「前記目標電流＋前記ディザ振幅」であり、
前記フルオフ閾値は、「前記目標電流−前記ディザ振幅」である請求項１に記載の電流制御装置。
【請求項３】
前記フルオン閾値および前記フルオフ閾値は、前記目標電流の変更幅、前記ソレノイドバルブが出力する流体の温度、および、前記電流制御装置の電圧の少なくとも１つに応じて設定される請求項１または２に記載の電流制御装置。
【請求項４】
前記電流取得部は、前記オンオフ周期よりも短い電流取得周期で前記励磁電流を取得し、
前記制御移行周期および前記通電切替周期の一方、または両方は、前記電流取得周期と同じである請求項１〜３のいずれか一項に記載の電流制御装置。
【請求項５】
前記電流取得部は、前記オンオフ周期よりも短い電流取得周期で前記励磁電流を取得し、
前記制御移行周期および前記通電切替周期の一方、または両方は、前記電流取得周期よりも短い請求項１〜３のいずれか一項に記載の電流制御装置。
【請求項６】
ソレノイドバルブのソレノイドの電流を制御する電流制御装置であって、
前記ソレノイドの励磁電流を取得する電流取得部と、
前記ソレノイドを通電したのち非通電にする作動を所定のオンオフ周期で繰り返して、前記励磁電流の平均値を目標電流付近に保つ定常制御を行う定常制御部と、
前記定常制御が行われているとき、前記オンオフ周期よりも短い所定の目標判定周期ごとに前記目標電流が変更されたか否かを判定する目標判定部と、
前記目標電流が下げ側に変更された後、前記オンオフ周期よりも短い所定の制御移行周期で到来する最初のタイミングで前記ソレノイドを常に非通電とするフルオフ状態にするフルオフ制御部（６７）と、
前記フルオフ状態であるとき、前記励磁電流が前記目標電流よりも小さいフルオフ閾値以下になったか否かを判定するフルオフ判定部（６８）と、
前記励磁電流が前記フルオフ閾値以下になった後、前記制御移行周期で到来する最初のタイミングで前記定常制御に移行する制御移行部と、
を備える電流制御装置。
【請求項７】
前記定常制御部は、前記励磁電流の平均値を前記オンオフ周期よりも長いディザ周期で「前記目標電流＋ディザ振幅」から「前記目標電流−前記ディザ振幅」までの間で周期的に変化させ、
前記フルオフ閾値は、「前記目標電流−前記ディザ振幅」である請求項６に記載の電流制御装置。
【請求項８】
前記フルオフ閾値は、前記目標電流の変更幅、前記ソレノイドバルブが出力する流体の温度、および、前記電流制御装置の電圧の少なくとも１つに応じて設定される請求項６または７に記載の電流制御装置。
【請求項９】
前記電流取得部は、前記オンオフ周期よりも短い電流取得周期で前記励磁電流を取得し、
前記制御移行周期は前記電流取得周期と同じである請求項６〜８のいずれか一項に記載の電流制御装置。
【請求項１０】
前記電流取得部は、前記オンオフ周期よりも短い電流取得周期で前記励磁電流を取得し、
前記制御移行周期は前記電流取得周期よりも短い請求項６〜８のいずれか一項に記載の電流制御装置。
【請求項１１】
前記ソレノイドバルブはスプール式である請求項１〜１０のいずれか一項に記載の電流制御装置。
【請求項１２】
前記ソレノイドバルブは油圧制御に用いられる請求項１１に記載の電流制御装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ソレノイドバルブのソレノイドの電流を制御する電流制御装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ソレノイドの電流を制御する技術として特許文献１に開示されたものが知られている。特許文献１の電流制御装置が実行する電流制御モードには、定常モードと過渡モードがある。
定常モードは、目標電流が一定であるときに実行される。この定常モードでは、励磁電流の平均値が目標電流と一致するように、電流のオンオフ（すなわち、通電・非通電）が所定のＰＷＭ周期で繰り返される。
【０００３】
過渡モードは、目標電流が変更されたときに実行される。この過渡モードでは、電流が目標電流までフルオンされ、目標電流に到達したら定常モードのＰＷＭ周期よりも短い周期で電流のオンオフが繰り返され、定常モードのＰＷＭ周期と再同期させる準備がなされる。定常モードのＰＷＭ周期と合うタイミングになったとき、定常モードへの移行が行われる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】米国特許第６９３４１４０号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、特許文献１に開示されている電流制御技術をソレノイドバルブに適用することが考えられる。
しかし、特許文献１では、過渡モードで電流がフルオンされた後に目標電流でオフされる。そのため、ソレノイドバルブに適用した場合、弁体が所望のオーバーストローク状態（すなわち、高応答を実現するための適切な位置）まで到達できず、制御量の変動遅れが発生する懸念がある。
【０００６】
また、特許文献１では、過渡モードから定常モードに移行するとき、定常モードのＰＷＭ周期と合うタイミングになるまで比較的早い周波数で電流のオンオフを繰り返す待機期間がある。そのため、ソレノイドバルブに適用した場合、待機期間中の電流振幅がとても小さいために弁体が追従できず、弁体の動摩擦状態が維持されない。これが弁体の作動遅れにつながり、制御量のオーバーシュートが大きくなる懸念がある。
【０００７】
本発明は、上述の点に鑑みてなされたものであり、その目的は、制御量の応答性を高めるとともに制御量のオーバーシュートを抑制することができるソレノイドの電流制御装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の第１態様および第２態様の電流制御装置は、電流取得部（５７）と、定常制御部（５９）と、目標判定部（６２）とを備えている。
電流取得部は、ソレノイドの励磁電流を取得する。
定常制御部は、ソレノイドを通電したのち非通電にする作動を所定のオンオフ周期で繰り返して、励磁電流の平均値を目標電流付近に保つ定常制御を行う。
目標判定部は、定常制御が行われているとき、オンオフ周期よりも短い所定の目標判定周期ごとに目標電流が変更されたか否かを判定する。
【０００９】
第１態様の電流制御装置は、フルオン制御部（６３）と、フルオン判定部（６４）と、フルオフ制御部（６５）と、フルオフ判定部（６６）と、制御移行部（６９）とをさらに備えている。
フルオン制御部は、目標電流が上げ側に変更された後、オンオフ周期よりも短い所定の制御移行周期で到来する最初のタイミングでソレノイドを常に通電するフルオン状態にする。
【００１０】
フルオン判定部は、フルオン状態であるとき、励磁電流が目標電流よりも大きいフルオン閾値以上になったか否かを判定する。
フルオフ制御部は、励磁電流がフルオン閾値以上になった後、オンオフ周期よりも短い所定の通電切替周期で到来する最初のタイミングでソレノイドを常に非通電とするフルオフ状態にする。
【００１１】
フルオフ判定部は、フルオフ状態であるとき、励磁電流が目標電流よりも小さいフルオフ閾値以下になったか否かを判定する。
制御移行部は、励磁電流がフルオフ閾値以下になった後、制御移行周期で到来する最初のタイミングで定常制御に移行する。
【００１２】
第２態様の電流制御装置は、フルオフ制御部（６７）と、フルオフ判定部（６８）と、制御移行部とをさらに備えている。
フルオフ制御部は、目標電流が下げ側に変更された後、オンオフ周期よりも短い所定の制御移行周期で到来する最初のタイミングでソレノイドを常に非通電とするフルオフ状態にする。
【００１３】
フルオフ判定部は、フルオフ状態であるとき、励磁電流が目標電流よりも小さいフルオフ閾値以下になったか否かを判定する。
制御移行部は、励磁電流がフルオフ閾値以下になった後、制御移行周期で到来する最初のタイミングで定常制御に移行する。
【００１４】
以上より、第１態様の電流制御装置は以下（Ａ）〜（Ｄ）、（Ｆ）の効果を得ることができ、また、第２態様の電流制御装置は以下（Ａ）〜（Ｃ）、（Ｅ）〜（Ｆ）の効果を得ることができる。
（Ａ）目標電流が変更された後、オンオフ周期が完了するタイミングを待たずにフルオン状態またはフルオフ状態にされるので、定常制御から過渡制御へ素早く移行することができる。
【００１５】
（Ｂ）過渡制御に移行したあと、励磁電流が目標電流を越えた先にある閾値（すなわち、フルオン閾値またはフルオフ閾値）まで変化させられるので、弁体を所望のオーバーストローク状態まで到達させることができる。そのため、制御量の変動遅れ（すなわち、立ち上がり遅れ又は立ち下がり遅れ）が抑制され、応答性を高めることができる。
（Ｃ）励磁電流がフルオン閾値以上またはフルオフ閾値以下になると比較的早いタイミングで通電が止められるので、弁体を所望のオーバーストローク状態で素早く止めることができる。そのため、制御量のオーバーシュートを好適に制御することができる。
【００１６】
（Ｄ）励磁電流がフルオン閾値到達後に比較的早くフルオフ閾値まで大きく変化させられるので、弁体をオーバーストローク状態から素早く定常位置に戻すことができる。また、励磁電流がフルオン閾値およびフルオフ閾値を跨ぐように比較的大きく変化させられるので、弁体の動摩擦状態が維持される。そのため、弁体の作動遅れに起因した制御量のオーバーシュートの発生を抑制することができる。
【００１７】
（Ｅ）励磁電流がフルオフ閾値を跨ぐように比較的大きく変化させられるので、弁体の動摩擦状態が維持される。そのため、弁体の作動遅れに起因した制御量のオーバーシュートの発生を抑制することができる。
（Ｆ）励磁電流がフルオフ閾値以下になると、オンオフ周期のタイミングとは関係なく比較的早いタイミングで通常制御に移行されるので、過渡制御から定常制御へ素早く移行することができる。
【００１８】
ここで、「オーバーシュート」とは制御量の行き過ぎのことである。つまり、制御量が目標に向かって変化していくとき、目標を越えるように変化することである。現状の制御量よりも目標が大きい場合、制御量が目標よりも大きくなることである。また、現状の制御量よりも目標が小さい場合、制御量が目標よりも小さくなることである。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】第１実施形態の電流制御装置が適用された自動変速機を示す模式図である。
【図２】図１の油圧回路を示す模式図である。
【図３】図１の電流制御装置が実行する電流制御を説明するための第１のタイムチャートである。
【図４】図１の電流制御装置が実行する電流制御を説明するための第２のタイムチャートである。
【図５】図１の電流制御装置が備える機能部を説明するブロック図である。
【図６】図５の過渡制御部を説明するブロック図である。
【図７】図１の電流制御装置が過渡制御を実行するときのソレノイドの励磁電流を示す第１のタイムチャートである。
【図８】図１の電流制御装置が過渡制御を実行するときのソレノイドの励磁電流を示す第２のタイムチャートである。
【図９】図１の電流制御装置が定常制御および過渡制御のために実行する処理を説明するフローチャートである。
【図１０】第２実施形態の電流制御装置が実行する電流制御を説明するための第１のタイムチャートである。
【図１１】第２実施形態の電流制御装置が実行する電流制御を説明するための第２のタイムチャートである。
【図１２】第３実施形態の電流制御装置が実行する電流制御を説明するための第１のタイムチャートである。
【図１３】第３実施形態の電流制御装置が実行する電流制御を説明するための第２のタイムチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、複数の実施形態を図面に基づき説明する。実施形態同士で実質的に同一の構成には同一の符号を付して説明を省略する。
［第１実施形態］
第１実施形態の電流制御装置は、図１に示す自動変速機に適用されている。自動変速機１０は、変速機構１１、油圧回路１２および電流制御装置１３を備えている。
【００２１】
変速機構１１は、例えばクラッチやブレーキ等からなる複数の摩擦要素２１〜２６を有しており、各摩擦要素２１〜２６が選択的に係合されることで変速比を段階的に変化させる。
油圧回路１２は、オイルポンプ２８から圧送された作動油を調圧して摩擦要素２１〜２６に供給する複数のリニアソレノイドバルブ３１〜３６を有している。
【００２２】
図２に示すように、リニアソレノイドバルブ３１は、スリーブ４１と、弁体としてのスプール４２と、スプール４２を駆動するソレノイド４３とを有している。ソレノイド４３の内側のプランジャ４４は、ソレノイド４３の励磁電流の大きさに応じて軸方向に移動する。スプール４２は、可動鉄心４４と共に軸方向に移動し、軸方向位置に応じて出力油圧を変化させる。ダンパ４５および絞り弁４６は、油圧の脈動を低減するためのものである。
【００２３】
電流制御装置１３は、マイクロコンピュータ５１および駆動回路５２などから構成されている。マイクロコンピュータ５１は、各種センサの検出値に基づきプログラム処理を実行することにより、リニアソレノイドバルブ３１〜３６の出力油圧の目標値およびそれに対応するソレノイド４３の目標電流を算出し、この目標電流に応じた駆動信号を出力する。駆動回路５２は、駆動信号に応じてソレノイド４３を通電または非通電とする。電流制御装置１３は、ソレノイド４３の励磁電流を制御する。
【００２４】
＜電流制御＞
次に、電流制御装置１３が実行する電流制御について図３、図４を参照して説明する。
電流制御装置１３が実行する電流制御には、定常制御および過渡制御がある。
定常制御は、目標電流が一定であるときに実行される制御であり、ソレノイド４３を通電したのち非通電にする作動をＰＷＭ周期で繰り返して、ソレノイド４３の励磁電流の平均値を目標電流付近に保つ。本実施形態では、励磁電流の平均値は、ＰＷＭ周期よりも長いディザ周期で「目標電流＋ディザ振幅」から「目標電流−ディザ振幅」までの間で周期的に変化させられる。励磁電流をディザ周期で周期的に変化させることにより、スプール４２が微振動し、スプール４２の動摩擦状態が維持される。
【００２５】
過渡制御は、目標電流が変更されたときに実行される制御であり、励磁電流を変更後の目標電流付近まで可及的に早く変化させる。図３に示すように、目標電流が上げ側に変更された場合、ソレノイド４３をフルオン状態にしたあとフルオフ状態にする。フルオン状態とはソレノイド４３を常に通電することである。フルオフ状態とはソレノイド４３を常に非通電にすることである。フルオン状態は、励磁電流がフルオン閾値以上になるまで維持される。フルオフ状態は、励磁電流がフルオフ閾値以下になるまで維持される。図４に示すように、目標電流が下げ側に変更された場合、ソレノイド４３をフルオフ状態にする。過渡制御の後、電流制御は定常制御に移行される。
【００２６】
＜電流制御装置の機能部＞
次に、電流制御装置１３が備える機能部について図５〜図８を参照して説明する。
電流制御装置１３は、設定部５５、ディザ付与部５６、電流取得部５７、電流比較部５８、定常制御部５９および過渡制御部６１を備えている。
【００２７】
設定部５５は、ＰＷＭ周期Ｔｐｗｍ（またはＰＷＭ周波数）、ディザ周期Ｔｄｔｈ（またはディザ周波数）、ディザ振幅Ａｄｔｈ、目標電流Ｉｒｅｆ、フルオン閾値ＴＨｏｎおよびフルオフ閾値ＴＨｏｆｆを設定する。例えば、ディザ振幅Ａｄｔｈは、油圧回路１２の油温および電流制御装置１３の電圧に応じて設定される。フルオン閾値ＴＨｏｎは、「目標電流Ｉｒｅｆ＋ディザ振幅Ａｄｔｈ」に設定される。フルオフ閾値ＴＨｏｆｆは、「目標電流Ｉｒｅｆ−ディザ振幅Ａｄｔｈ」に設定される。
【００２８】
ディザ付与部５６は、定常制御時に励磁電流をディザ周期Ｔｄｔｈで周期的に変化させるために、駆動信号Ｓｐｗｍ（すなわちＰＷＭ信号）を生成する元となる指令電流Ｉｃｏｍを「目標電流Ｉｒｅｆ＋ディザ振幅Ａｄｔｈ」から「目標電流Ｉｒｅｆ−ディザ振幅Ａｄｔｈ」までの間で周期的に変化させる。
【００２９】
電流取得部５７は、ＰＷＭ周期Ｔｐｗｍよりも短い電流取得周期Ｔａｄで到来する電流取得タイミングごとに励磁電流を取得する。本実施形態では、例えば電流取得周期ＴａｄはＰＷＭ周期Ｔｐｗｍの１／４程度である。
電流比較部５８は、所定期間の励磁電流の平均値と指令電流Ｉｃｏｍとを比較する。この比較は図７、図８のＦ／Ｂ演算タイミングで行われる。
定常制御部５９は、指令電流Ｉｃｏｍに基づき、励磁電流の平均値と指令電流Ｉｃｏｍとの差が小さくなるように駆動信号Ｓｐｗｍを生成して出力し、定常制御を実行する。
【００３０】
過渡制御部６１は、過渡制御を実行する。過渡制御部６１は、目標判定部６２、フルオン制御部６３、フルオン判定部６４、第１フルオフ制御部６５、第１フルオフ判定部６６、第２フルオフ制御部６７、第２フルオフ判定部６８、および制御移行部６９を含む。
目標判定部６２は、定常制御が行われているとき、ＰＷＭ周期Ｔｐｗｍよりも短い所定の目標判定周期ごとに目標電流Ｉｒｅｆが変更されたか否かを判定する。目標判定周期は、電流取得周期Ｔａｄよりも短い。図７では、時点ｔ１で目標電流Ｉｒｅｆが変更され、時点ｔ１〜ｔ２の間で目標判定部６２が目標変更を判定する。図８では、時点ｔ１１で目標電流Ｉｒｅｆが変更され、時点ｔ１１〜ｔ１２の間で目標判定部６２が目標変更を判定する。
【００３１】
フルオン制御部６３は、目標電流Ｉｒｅｆが上げ側に変更された後、ＰＷＭ周期Ｔｐｗｍよりも短い所定の制御移行周期で到来する最初のタイミングでソレノイド４３をフルオン状態にする。フルオン状態はデューティ比１００％となる。本実施形態では、制御移行周期は、電流取得周期Ｔａｄと同じである。図７では時点ｔ２でフルオン状態が開始されている。
【００３２】
フルオン判定部６４は、フルオン制御部６３によるフルオン状態であるとき、励磁電流が目標電流Ｉｒｅｆよりも大きいフルオン閾値ＴＨｏｎ以上になったか否かを判定する。図７では、時点ｔ３で励磁電流がフルオン閾値ＴＨｏｎ以上になり、時点ｔ３〜ｔ４の間でフルオン判定部６４がフルオン閾値ＴＨｏｎ以上になったことを判定する。
【００３３】
第１フルオフ制御部６５は、励磁電流がフルオン閾値ＴＨｏｎ以上になった後、ＰＷＭ周期Ｔｐｗｍよりも短い所定の通電切替周期で到来する最初のタイミングでソレノイド４３をフルオフ状態にする。フルオフ状態はデューティ比０％となる。本実施形態では、通電切替周期は、電流取得周期Ｔａｄと同じである。図７では時点ｔ４でフルオフ状態が開始されている。
【００３４】
第１フルオフ判定部６６は、第１フルオフ制御部６５によるフルオフ状態であるとき、励磁電流が目標電流Ｉｒｅｆよりも小さいフルオフ閾値ＴＨｏｆｆ以下になったか否かを判定する。図７では、時点ｔ５で励磁電流がフルオフ閾値ＴＨｏｆｆ以下になり、時点ｔ５〜ｔ６の間で第１フルオフ判定部６６がフルオフ閾値ＴＨｏｆｆ以下になったことを判定する。
【００３５】
第２フルオフ制御部６７は、目標電流Ｉｒｅｆが下げ側に変更された後、制御移行周期で到来する最初のタイミングでソレノイド４３をフルオフ状態にする。図８では時点ｔ１２でフルオフ状態が開始されている。
第２フルオフ判定部６８は、第２フルオフ制御部６７によるフルオフ状態であるとき、励磁電流がフルオフ閾値ＴＨｏｆｆ以下になったか否かを判定する。図８では、時点ｔ１３で励磁電流がフルオフ閾値ＴＨｏｆｆ以下になり、時点ｔ１３〜ｔ１４の間で第２フルオフ判定部６８がフルオフ閾値ＴＨｏｆｆ以下になったことを判定する。
【００３６】
制御移行部６９は、励磁電流がフルオフ閾値ＴＨｏｆｆ以下になった後、制御移行周期で到来する最初のタイミングで定常制御に移行する。定常制御に移行するとは、第１フルオフ制御部６５または第２フルオフ制御部６７によるフルオフ状態を終了させて、定常制御部５９による定常制御の実行を許可することを意味する。図７では、時点ｔ６で定常制御に移行され、図８では、時点ｔ１４で定常制御に移行されている。このとき定常制御部５９は、時点ｔ６、ｔ１４から新たにリセットされたＰＷＭ周期Ｔｐｗｍで定常制御を実行する。
【００３７】
電流制御装置１３が有する各機能部５５〜５９、６１〜６９は、専用の論理回路によるハードウェア処理により実現されてもよいし、コンピュータ読み出し可能非一時的有形記録媒体等のメモリに予め記憶されたプログラムをＣＰＵで実行することによるソフトウェア処理により実現されてもよいし、あるいは、両者の組み合わせで実現されてもよい。各機能部５５〜５９、６１〜６９のうちどの部分をハードウェア処理により実現し、どの部分をソフトウェア処理により実現するかは、適宜選択可能である。
【００３８】
＜電流制御装置が実行する処理＞
次に、電流制御装置１３が定常制御および過渡制御のために実行する処理について図９を参照して説明する。図９に示すルーチンは、電流制御装置１３の起動後に定常制御が実行開始されてから、目標判定周期で繰り返し実行される。以降、「Ｓ」はステップを意味する。
【００３９】
図９のＳ１では、目標電流Ｉｒｅｆが変更されたか否かが判定される。
目標電流Ｉｒｅｆが変更されず一定である場合（Ｓ１：ＹＥＳ）、処理はＳ２に移行する。
目標電流Ｉｒｅｆが変更された場合（Ｓ１：ＮＯ）、処理はＳ３に移行する。
【００４０】
Ｓ２では、定常制御が維持される。Ｓ２の後、処理は図９のルーチンを抜ける。
Ｓ３では、次の電流取得タイミングで過渡制御に移行される。過渡制御に移行するとは、フルオン制御部６３または第２フルオフ制御部６７による電流制御の実行を許可することを意味する。Ｓ３の後、処理はＳ４に移行する。
【００４１】
Ｓ４では、目標電流Ｉｒｅｆが上げ側に変更されたか否かが判定される。
目標電流Ｉｒｅｆの変更が上げ側である場合（Ｓ４：ＹＥＳ）、処理はＳ５に移行する。
目標電流Ｉｒｅｆの変更が上げ側ではない（すなわち、下げ側である）である場合（Ｓ４：ＮＯ）、処理はＳ１１に移行する。
【００４２】
Ｓ５では、次の電流取得タイミングでソレノイド４３がフルオン状態にされる。Ｓ５の後、処理はＳ６に移行する。
Ｓ６では、フルオン閾値ＴＨｏｎが設定される。Ｓ６の後、処理はＳ７に移行する。
【００４３】
Ｓ７では、励磁電流がフルオン閾値ＴＨｏｎ以上になったか否かが判定される。
励磁電流がフルオン閾値ＴＨｏｎ以上になった場合（Ｓ７：ＹＥＳ）、処理はＳ８に移行する。
励磁電流がフルオン閾値ＴＨｏｎよりも小さい場合（Ｓ７：ＮＯ）、処理はＳ７を繰り返す。
【００４４】
Ｓ８では、次の電流取得タイミングでソレノイド４３がフルオフ状態にされる。Ｓ８の後、処理はＳ９に移行する。
Ｓ９では、フルオフ閾値ＴＨｏｆｆが設定される。Ｓ９の後、処理はＳ１０に移行する。
【００４５】
Ｓ１０では、励磁電流がフルオフ閾値ＴＨｏｆｆ以下になったか否かが判定される。
励磁電流がフルオフ閾値ＴＨｏｆｆ以下になった場合（Ｓ１０：ＹＥＳ）、処理はＳ１４に移行する。
励磁電流がフルオフ閾値ＴＨｏｆｆよりも大きい場合（Ｓ１０：ＮＯ）、処理はＳ１０を繰り返す。
【００４６】
Ｓ１１では、次の電流取得タイミングでソレノイド４３がフルオフ状態にされる。Ｓ１１の後、処理はＳ１２に移行する。
Ｓ１２では、フルオフ閾値ＴＨｏｆｆが設定される。Ｓ１２の後、処理はＳ１３に移行する。
【００４７】
Ｓ１３では、励磁電流がフルオフ閾値ＴＨｏｆｆ以下になったか否かが判定される。
励磁電流がフルオフ閾値ＴＨｏｆｆ以下になった場合（Ｓ１３：ＹＥＳ）、処理はＳ１４に移行する。
励磁電流がフルオフ閾値ＴＨｏｆｆよりも大きい場合（Ｓ１３：ＮＯ）、処理はＳ１３を繰り返す。
【００４８】
Ｓ１４では、次の電流取得タイミングで定常制御に移行される。このときの定常制御は、新たにリセットされたＰＷＭ周期Ｔｐｗｍで実行開始される。Ｓ１４の後、処理は図９のルーチンを抜ける。
【００４９】
＜効果＞
以上説明したように、第１実施形態では、目標電流Ｉｒｅｆが変更された後、ＰＷＭ周期が完了するタイミングを待たずにフルオン状態またはフルオフ状態にされる。そのため、定常制御から過渡制御へ素早く移行することができる。
【００５０】
また、過渡制御に移行したあと、励磁電流が目標電流Ｉｒｅｆを越えた先にある閾値（すなわち、フルオン閾値ＴＨｏｎまたはフルオフ閾値ＴＨｏｆｆ）まで変化させられる。これにより、スプール４２を所望のオーバーストローク状態まで到達させることができる。そのため、出力油圧の変動遅れが抑制され、応答性を高めることができる。
【００５１】
また、励磁電流がフルオン閾値ＴＨｏｎ以上またはフルオフ閾値ＴＨｏｆｆ以下になると比較的早いタイミングで通電が止められる。これにより、スプール４２を所望のオーバーストローク状態で素早く止めることができる。そのため、出力油圧のオーバーシュートを好適に制御することができる。
【００５２】
また、目標電流Ｉｒｅｆが上げ側に変更された場合において、励磁電流がフルオン閾値ＴＨｏｎ到達後に比較的早くフルオフ閾値ＴＨｏｆｆまで大きく変化させられるので、スプール４２をオーバーストローク状態から素早く定常位置に戻すことができる。また、励磁電流がフルオン閾値ＴＨｏｎおよびフルオフ閾値ＴＨｏｆｆを跨ぐように比較的大きく変化させられるので、スプール４２の動摩擦状態が維持される。そのため、スプール４２の作動遅れに起因した出力油圧のオーバーシュートの発生を抑制することができる。
【００５３】
また、目標電流Ｉｒｅｆが下げ側に変更された場合において、励磁電流がフルオフ閾値ＴＨｏｆｆを跨ぐように比較的大きく変化させられる。これにより、スプール４２の動摩擦状態が維持される。そのため、スプール４２の作動遅れに起因した出力油圧のオーバーシュートの発生を抑制することができる。
【００５４】
また、励磁電流がフルオフ閾値ＴＨｏｆｆ以下になると、ＰＷＭ周期Ｔｐｗｍのタイミングとは関係なく比較的早いタイミングで通常制御に移行される。そのため、過渡制御から定常制御へ素早く移行することができる。
【００５５】
また、フルオン閾値ＴＨｏｎは「目標電流Ｉｒｅｆ＋ディザ振幅Ａｄｔｈ」であり、フルオフ閾値ＴＨｏｆｆは「目標電流Ｉｒｅｆ−ディザ振幅Ａｄｔｈ」である。そのため、ディザ振幅Ａｄｔｈに応じてフルオン閾値ＴＨｏｎおよびフルオフ閾値ＴＨｏｆｆが設定される。
また、制御移行周期および通電切替周期は、電流取得周期と同じである。そのため、ＰＷＭ周期が完了するタイミングを待たずに電流制御の移行および通電切替がなされる。
【００５６】
［第２実施形態］
第２実施形態では、図１０、図１１に示すように、設定部は、フルオン閾値ＴＨｏｎおよびフルオフ閾値ＴＨｏｆｆを、目標電流Ｉｒｅｆの変更幅、油圧回路１２の油温および電流制御装置１３の電圧に応じて設定する。目標電流Ｉｒｅｆの変更幅、油圧回路１２の油温および電流制御装置１３の電圧が大きいほど、フルオン閾値ＴＨｏｎおよびフルオフ閾値ＴＨｏｆｆは小さく設定される。
このようにソレノイド４３や油圧回路１２の仕様等に応じてフルオン閾値ＴＨｏｎおよびフルオフ閾値ＴＨｏｆｆを設定することで、所望の油圧性能に調整することができる。
【００５７】
［第３実施形態］
第３実施形態では、図１２に示すように、フルオン制御部は、目標電流Ｉｒｅｆが上げ側に変更された後、電流取得周期Ｔａｄよりも短い制御移行周期で到来する最初のタイミング（制御移行タイミング）でフルオン状態にする。
また、第１フルオフ制御部は、励磁電流がフルオン閾値ＴＨｏｎ以上になった後、電流取得周期Ｔａｄよりも短い通電切替周期で到来する最初のタイミング（通電切替タイミング）でソレノイド４３をフルオフ状態にする。
【００５８】
また、図１３に示すように、第２フルオフ制御部は、目標電流Ｉｒｅｆが下げ側に変更された後、電流取得周期Ｔａｄよりも短い制御移行周期で到来する最初のタイミング（制御移行タイミング）でフルオフ状態にする。
また、図１２、図１３に示すように、制御移行部は、励磁電流がフルオフ閾値ＴＨｏｆｆ以下になった後、電流取得周期Ｔａｄよりも短い制御移行周期で到来する最初のタイミング（制御移行タイミング）で定常制御に移行する。
【００５９】
このように制御移行周期および通電切替周期を電流取得周期よりも短く設定することで、スプール４２を最適な状態により素早く制御することができ、油圧性能を向上させることができる。
【００６０】
［他の実施形態］
他の実施形態では、目標電流が変更されたときに定常制御部と同様の電流制御を行う通常制御部が新たに設けられてもよい。そして、目標電流の変更幅に応じて過渡制御時の制御内容が変更されてもよい。例えば、目標電流の変更幅が所定値よりも小さい場合、通常制御部が電流制御を実行し、目標電流の変更幅が所定値以上である場合、フルオン制御部６３、フルオン判定部６４、第１フルオフ制御部６５、第１フルオフ判定部６６、第２フルオフ制御部６７、第２フルオフ判定部６８が電流制御を実行するように構成してもよい。
【００６１】
他の実施形態では、フルオン閾値およびフルオフ閾値は、目標電流の変更幅、油圧回路の油温、および、電流制御装置の電圧のうちいずれか１つ以上に応じて設定されてもよい。
他の実施形態では、電流制御装置は、リニアソレノイドバルブに限らず、他の形式のソレノイドバルブに適用されてもよい。また、ソレノイドバルブは、スプール式に限らず、他の形式のバルブであってもよい。また、電流制御装置は、油圧制御に限らず、他の制御量を制御するものであってもよい。
本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく、発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々の形態で実施可能である。
【符号の説明】
【００６２】
３１〜３６・・・リニアソレノイドバルブ（ソレノイドバルブ）
４３・・・ソレノイド
５７・・・電流取得部
５９・・・定常制御部
６２・・・目標判定部
６３・・・フルオン制御部
６４・・・フルオン判定部
６５・・・第１フルオフ制御部（フルオフ制御部）
６６・・・第１フルオフ判定部（フルオフ判定部）
６７・・・第２フルオフ制御部（フルオフ制御部）
６８・・・第２フルオフ判定部（フルオフ判定部）
６９・・・制御移行部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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