(57)【要約】【課題】半導体モジュールの信頼性を向上させることができる技術を提供する。【解決手段】半導体モジュールは、半導体基板と、半導体基板の第１表面に設けられている第１電極と、第１表面と反対側の半導体基板の表面である第２表面に設けられている第２電極と、第１はんだ層を介して第１電極に接続されている第１導電体と、第２はんだ層を介して第２電極に接続されている第２導電体と、を備える。第２電極が第１電極よりも広い。半導体基板の第２表面は、半導体基板の外周部から中央部に向かって、第２導電体側へ連続的又は段階的に変位する。【選択図】図１
2019149469.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体モジュールであって、
半導体基板と、
前記半導体基板の第１表面に設けられている第１電極と、
前記第１表面と反対側の前記半導体基板の表面である第２表面に設けられている第２電極と、
第１はんだ層を介して前記第１電極に接続されている第１導電体と、
第２はんだ層を介して前記第２電極に接続されている第２導電体と、を備え、
前記第２電極が前記第１電極よりも広く、
前記半導体基板の前記第２表面は、前記半導体基板の外周部から中央部に向かって、前記第２導電体側へ連続的又は段階的に変位する、
半導体モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本明細書が開示する技術は、半導体モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１に、半導体素子の両面に導電体がはんだによって接合された構造を有する半導体モジュールが開示されている。図１４は、特許文献１の半導体モジュールの一部分を拡大して示している。図１４に示すように、半導体素子４６０は、半導体基板４５０と、半導体基板４５０の第１表面４５０ａに設けられている第１電極４１０と、半導体基板４５０の表面である第２表面４５０ｂに設けられている第２電極４２０と、を備える。第１電極４１０は、第１はんだ層４１２を介して第１導電体４１４に接続されており、第２電極４２０は、第２はんだ層４２２を介して第２導電体４２４に接続されている。第２電極４２０が第１電極４１０よりも広く、半導体基板４５０の厚み寸法が全周に亘って一定である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１６−０４６４９７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１の半導体モジュールにおいて、第１導電体４１４と第２導電体４２４のそれぞれが、半導体基板４５０から熱を逃がす放熱部材として機能する。このため、半導体基板４５０の発熱時に、第１導電体４１４、第２導電体４２４及び半導体基板４５０のそれぞれが熱膨張する。このとき、第１導電体４１４の線膨張係数と第２導電体４２４の線膨張係数が半導体基板４５０の線膨張係数よりも大きいので、第１導電体４１４の膨張量と第２導電体４２４の膨張量が半導体基板４５０の膨張量よりも大きくなる。第１導電体４１４の熱膨張によって、第１はんだ層４１２が外周側に引っ張られる。また、第２導電体４２４の熱膨張によって、第２はんだ層４２２が外周側に引っ張られる。半導体基板４５０が繰り返し発熱することで、はんだ層４１２、４２２に繰り返し応力が加わる。すると、クリープ現象によって、図１４の矢印に示すように、第１はんだ層４１２の内部ではんだが外周側に移動し、第２はんだ層４２２の内部ではんだが外周側に移動する。さらにクリープ現象が進行すると、図１５の矢印４９０に示すように、第１はんだ層４１２の内部で外周側に移動したはんだが、第１電極４１０の外周縁４１０ａ近傍において半導体基板４５０を下方向に加圧する。その結果、図１５に示すように、半導体基板４５０が第１電極４１０の外周縁４１０ａで下方向に反る。また、下方向に沿った半導体基板４５０によって加圧されることによって、第２はんだ層４２２内のはんだが、加圧された部分から周囲に向かって移動する。その結果、第２はんだ層４２２内のはんだの一部が、図１５の矢印４９２に示すように、第１電極４１０の中央部の下部に向かって移動する。このため、第１電極４１０の中央部の位置で、第２はんだ層４２２が半導体基板４５０を上方向に加圧し、半導体基板４５０が上方向に反る。半導体基板４５０に図１５に示すような反りが生じることで、半導体基板４５０が劣化する。これによって、半導体モジュールの信頼性が低下する。なお、図１４、１５では、半導体素子４６０が絶縁樹脂に覆われているが、半導体素子が絶縁樹脂に覆われていない場合でも図１５と同様の反りが生じることが確認されている。従って、本明細書では、半導体モジュールにおいて、はんだのクリープ現象に起因する半導体基板の反りを抑制する技術を提案する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本明細書に開示する半導体モジュールは、半導体基板と、前記半導体基板の第１表面に設けられている第１電極と、前記第１表面と反対側の前記半導体基板の表面である第２表面に設けられている第２電極と、第１はんだ層を介して前記第１電極に接続されている第１導電体と、第２はんだ層を介して前記第２電極に接続されている第２導電体と、を備える。前記第２電極が前記第１電極よりも広く、前記半導体基板の前記第２表面は、前記半導体基板の外周部から中央部に向かって、前記第２導電体側へ連続的又は段階的に変位する。
【０００６】
上記の構成によれば、半導体基板の第２表面は、半導体基板の外周部から中央部に向かって、第２導電体側へ連続的又は段階的に変位する。この場合、第２はんだ層の厚み寸法は、第１電極の外周部の下部から中央部の下部に向かって大きくなる。即ち、第１電極の外周部の下部の第２はんだ層は比較的に高い弾性を有する。このため、第１はんだ層のクリープ現象によって第１電極の外周部の下部で半導体基板が下方向に加圧されても、第１電極の外周部の下部の第２はんだ層でクリープ現象が生じ難い。即ち、第２はんだ層が、第２電極の中央部の下部に凝集されることを抑制することができる。このため、第２はんだ層のクリープ現象に起因する半導体基板への圧力が生じ難く、半導体基板の反りを抑制することができる。従って、この半導体モジュールでは、半導体基板の経時的な劣化が生じ難い。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】第１実施例に係る半導体モジュール１０の断面図。
【図２】第１実施例に係る半導体素子２０とその周辺の拡大断面図。
【図３】第１実施例に係る半導体素子２０の下面図。
【図４】ウエハ１２０の上面図。
【図５】第１実施例に係る半導体素子２０の製造方法を示す図。
【図６】第２実施例に係る半導体素子２２０とその周辺の拡大断面図。
【図７】第２実施例に係る半導体素子２２０の下面図。
【図８】第２実施例に係る半導体素子２２０の製造方法を示す図。
【図９】第２実施例に係る半導体素子２２０の別の製造方法を示す図。
【図１０】第３実施例に係る半導体素子３２０とその周辺の拡大断面図。
【図１１】第３実施例に係る半導体素子３２０の下面図。
【図１２】第３実施例に係る半導体素子３２０の製造方法を示す図。
【図１３】第３実施例において、ウエハ１２０の下面に形成されるマスク３５０ａの一例を示す図。
【図１４】従来の半導体モジュールの半導体素子４６０とその周辺の拡大断面図。
【図１５】従来の半導体モジュールの半導体素子４６０とその周辺の拡大断面図。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
（第１実施例）
図１〜図３を参照して、本実施例の半導体モジュール１０について説明する。図１に示すように、半導体モジュール１０は、上部リードフレーム１２、金属ブロック１６、半導体素子２０、下部リードフレーム２４及び絶縁樹脂２６を有している。
【０００９】
図２に示すように、半導体素子２０は、ＳｉＣ（炭化シリコン）基板３０と、上部電極３２と、下部電極３４と、を有している。ＳｉＣ基板３０の上面３０ａは、平坦である。ＳｉＣ基板３０の下面３０ｂは、厚み寸法がＳｉＣ基板３０の外周縁３０ｄから中心３０ｃに向かって大きくなるように、傾斜角αで傾斜している。ＳｉＣ基板３０の外周縁３０ｄの厚み寸法は厚みＴ１２であり、中心３０ｃの厚み寸法は厚みＴ１１である。図３に示すように、下面３０ｂは、四角錐形状をしている。
【００１０】
図２に示すように、上部電極３２は、ＳｉＣ基板３０の上面３０ａに接している。上部電極３２の中心３２ｃは、ＳｉＣ基板３０の中心３０ｃと一致する。上部電極３２は、ＳｉＣ基板３０の上面３０ａの中央部を覆っており、上面３０ａの周縁部を覆っていない。図示していないが、ＳｉＣ基板３０の上面３０ａの周縁部の一部には、信号電極が設けられている。信号電極は、ワイヤによって図示しない信号端子に接続されている。下部電極３４は、ＳｉＣ基板３０の下面３０ｂの全域を覆っている。従って、ＳｉＣ基板３０の厚み方向に沿って見たときに、下部電極３４は上部電極３２よりも広い。ＳｉＣ基板３０の内部には、ショットキーバリアダイオード等の半導体素子が形成されている。
【００１１】
金属ブロック１６は、金属（より詳細には、銅）により構成されている。図１、２に示すように、金属ブロック１６は、半導体素子２０の上部に配置されている。金属ブロック１６の下面は、はんだ層１８によって半導体素子２０の上部電極３２に接続されている。
【００１２】
上部リードフレーム１２は、金属（より詳細には、銅）により構成されている。図１に示すように、上部リードフレーム１２は、金属ブロック１６の上部に配置されている。上部リードフレーム１２の下面は、はんだ層１４によって金属ブロック１６の上面に接続されている。
【００１３】
下部リードフレーム２４は、金属（より詳細には、銅）により構成されている。図１、２に示すように、下部リードフレーム２４は、半導体素子２０の下部に配置されている。下部リードフレーム２４の上面は、はんだ層２２によって半導体素子２０の下部電極３４に接続されている。ＳｉＣ基板３０の下部のはんだ層２２の厚み寸法は、ＳｉＣ基板３０の中央部の下部から外周部の下部に向かって大きくなっている。
【００１４】
図１に示すように、上部リードフレーム１２、金属ブロック１６、半導体素子２０及び下部リードフレーム２４の積層体は、絶縁樹脂２６によって覆われている。上部リードフレーム１２の上面と下部リードフレーム２４の下面を除く積層体の表面全体が、絶縁樹脂２６によって覆われている。上部リードフレーム１２の上面と下部リードフレーム２４の下面は、図示しない冷却器に接続される。
【００１５】
本実施例の半導体素子２０によって得られる効果について説明する。上部リードフレーム１２と下部リードフレーム２４は、半導体モジュール１０の配線として機能する。上部リードフレーム１２と下部リードフレーム２４を介して、半導体素子２０に電流を流すことができる。また、上部リードフレーム１２と下部リードフレーム２４は、放熱板としても機能する。半導体素子２０に電流を流すと、半導体素子２０が発熱する。半導体素子２０で生じた熱は、下部リードフレーム２４を介して放熱されるとともに、金属ブロック１６と上部リードフレーム１２を介して放熱される。このため、半導体素子２０に電流を流すと、下部リードフレーム２４、金属ブロック１６及び上部リードフレーム１２が高温になる。下部リードフレーム２４の線膨張係数と金属ブロック１６の線膨張係数はＳｉＣ基板３０の線膨張係数よりも高い。このため、下部リードフレーム２４と金属ブロック１６の膨張量は、ＳｉＣ基板３０の膨張量よりも大きくなる。ＳｉＣ基板３０の膨張量が小さく、下部リードフレーム２４の膨張量が大きいので、これらの間のはんだ層２２に高い熱応力が加わる。このため、半導体素子２０に繰り返し通電すると、はんだ層２２に繰り返し熱応力が加わり、クリープ現象によってはんだ層２２の内部ではんだが外周側に向かって移動する。また、ＳｉＣ基板３０の膨張量が小さく、金属ブロック１６の膨張量が大きいので、これらの間のはんだ層１８に高い熱応力が加わる。このため、半導体素子２０に繰り返し通電すると、はんだ層１８に繰り返し熱応力が加わり、クリープ現象によってはんだ層１８の内部ではんだが外周側に向かって移動する。はんだ層１８の内部ではんだが外周側に向かって移動すると、はんだ層１８の外周縁（すなわち、上部電極３２の外周縁３２ａ近傍）において圧力が高くなる。このため、はんだ層１８が、上部電極３２の外周縁３２ａ近傍において、ＳｉＣ基板３０を下方向に加圧する。圧力は、上部電極３２の外周縁３２ａの下部のはんだ層２２に加わる。上部電極３２の外周縁３２ａの下部のはんだ層２２の厚み寸法は、上部電極３２の中心３２ｃの下部のはんだ層２２の厚み寸法よりも大きい。このため、上部電極３２の外周縁３２ａの下部のはんだ層２２は、高い弾性を有し、塑性変形し難い。このため、上部電極３２の外周縁３２ａの下部のはんだ層２２に圧力が繰り返し加わっても、圧力によるはんだの移動が生じ難い。また、ＳｉＣ基板３０の下面３０ｂが、下方に突出する形状であるので、はんだ層２２の内部のはんだが中央部へ向かって移動することが妨げられる。このため、はんだ層２２では、図１５の矢印４９２のような中央部に向かうはんだの移動がほとんど生じない。このため、実施形態の半導体モジュール１０では、はんだ層２２がＳｉＣ基板３０の中央部を上側へ押し上げる圧力が生じ難い。このため、実施形態の半導体モジュール１０では、図１５のような半導体基板の反りが抑制される。従って、半導体モジュール１０によれば、ＳｉＣ基板３０の経時的な劣化が抑制され、高い信頼性を確保することができる。
【００１６】
（半導体素子２０の製造方法；図４、図５）
図４、図５を参照して、本実施例の半導体素子２０の製造方法について説明する。半導体素子２０は、円形状のウエハ１２０をダイシングブレードで切断すること（即ち、個片化すること）で形成される。なお、図４の破線は、後述する図５（ｂ）において、刃具５０の中心５０ｃが通過する領域を示している。
【００１７】
図５（ａ）において、ウエハ１２０の厚み寸法が厚みＴ１１となるように、ウエハ１２０の下面を研削する。
【００１８】
図５（ｂ）において、刃具５０を利用して、ウエハ１２０の下面に傾斜形状を形成する。刃具５０の上面５０ａは、刃具５０の厚み寸法が、中心５０ｃから外周縁に向かって小さくなるように、傾斜角αで傾斜している。また、刃具５０の幅方向寸法は幅Ｗ１１である。ウエハ１２０の下面を加工する際の刃具５０の上下方向の位置は、刃具５０の中心５０ｃ上のウエハ１２０の厚み寸法が厚みＴ１２となるように調整される。これにより、ウエハ１２０の下面に、傾斜角αで傾斜する傾斜形状が形成される。
【００１９】
図５（ｃ）において、ウエハ１２０の下面に、モリブデン（Ｍｏ）を材料とするＭｏ電極層３６ａと、ニッケル（Ｎｉ）を主成分とするＮｉ電極層３６ｂを形成する。具体的には、ウエハ１２０の下面に、Ｍｏ電極層３６ａ、Ｎｉ電極層３６ｂの順に、スパッタなどで積層する。
【００２０】
図５（ｄ）において、レーザアニールを実施して、ウエハ１２０の下面側を加熱して、ＭｏＣ及びＮｉシリサイドからなる下部オーミック電極３６を形成する。
【００２１】
図５（ｅ）において、下部オーミック電極３６の下面に、下部接合電極３８を形成する。下部接合電極３８は、チタン（Ｔｉ）層３８ａ、Ｎｉ層３８ｂ、金（Ａｕ）層３８ｃの順に、スパッタなどで積層することによって形成される。これにより、下部オーミック電極３６及び下部接合電極３８で構成される下部電極３４が形成される。
【００２２】
図５（ｆ）において、ダイシングブレードを利用して、ウエハ１２０を個片化する。具体的には、ウエハ１２０の厚み寸法が厚みＴ１１となる領域を、ダイシングブレードによって切断する。その後に、ＳｉＣ基板３０の上面３０ａに上部電極３２を形成する。これにより、図１〜図３に示す半導体素子２０が完成する。なお、その後に、半導体素子２０の下面（詳細には、下部電極３４）と下部リードフレーム２４をはんだ付けするリフロー工程などを実施することによって、半導体モジュール１０が製造される。このリフロー工程において、半導体素子２０の下面が傾斜しているため、半導体素子２０の下面が平坦である場合と比較して、はんだの流動性が促進される。このため、はんだ層２２にボイドが形成されることを抑制することができる。
【００２３】
（対応関係）
ＳｉＣ基板３０、上部電極３２、下部電極３４が、それぞれ、「半導体基板」、「第１電極」、「第２電極」の一例である。上面３０ａ、下面３０ｂが、それぞれ、「第１表面」、「第２表面」の一例である。はんだ層１８、はんだ層２２が、それぞれ、「第１はんだ層」、「第２はんだ層」の一例である。金属ブロック１６、下部リードフレーム２４が、それぞれ、「第１導電体」、「第２導電体」の一例である。
【００２４】
（第２実施例）
続いて、第２実施例の半導体モジュールについて説明する。第２実施例の半導体モジュールは、半導体素子２２０を除いて、第１実施例の半導体モジュール１０と同様の構造を有する。従って、以下では、図６、図７を参照して、半導体素子２２０について、特に説明する。なお、実施例間で共通する構造については、同じ符号を付して、その説明を省略する。図６は、半導体素子２２０とその周辺の拡大断面図であり、図７は、半導体素子２２０の下面図である。
【００２５】
図６に示すように、半導体素子２２０は、ＳｉＣ基板２３０と、上部電極２３２と、下部電極２３４と、を有している。ＳｉＣ基板２３０の上面２３０ａは、平坦である。ＳｉＣ基板２３０の下面２３０ｂは、多段の階段形状である。ＳｉＣ基板２３０の厚み寸法は、半導体素子２２０の外周縁２３０ｄから中心２３０ｃに向かうにつれて大きくなっている。具体的には、ＳｉＣ基板２３０の中心２３０ｃにおける厚み寸法は厚みＴ２１であり、幅Ｗ２１から幅Ｗ２２の間における厚み寸法は厚みＴ２２であり、幅Ｗ２２から幅Ｗ２３の間における厚み寸法は厚みＴ２３であり、幅Ｗ２３から外周縁２３０ｄの間における厚み寸法は厚みＴ２４である。図７に示すように、半導体素子２２０の下面の形状は、四角形の階段形状である。
【００２６】
図６に示すように、上部電極２３２は、ＳｉＣ基板２３０の上面２３０ａに接している。上部電極２３２の中心２３２ｃは、ＳｉＣ基板２３０の中心２３０ｃと一致する。上部電極２３２は、ＳｉＣ基板２３０の上面２３０ａの中央部を覆っており、上面２３０ａの外周部を覆っていない。下部電極２３４は、ＳｉＣ基板２３０の下面２３０ｂの全域を覆っており、多段の階段形状である。
【００２７】
上記の構成において、上部電極２３２の外周縁２３２ａの下部のはんだ層２２２の厚み寸法は、上部電極２３２の中心２３２ｃの下部のはんだ層２２の厚み寸法よりも大きい。従って、上記の構成によっても、第１実施例と同様の効果を奏することができる。
【００２８】
（半導体素子２２０の製造方法；図８）
図８を参照して、第２実施例の半導体素子２２０の製造方法について説明する。半導体素子２２０は、円形状のウエハ１２０（図３参照）をダイシングブレードで切断すること（即ち、個片化すること）で形成される。
【００２９】
図８（ａ）において、ウエハ１２０の厚み寸法が厚みＴ２１となるように、ウエハ１２０の下面を研削する。
【００３０】
図８（ｂ）において、刃具２５０ａを利用して、ウエハ１２０の一部の厚み寸法が厚みＴ２２となるように、ウエハ１２０の下面を研削する。刃具２５０ａの幅Ｗ２４は、図６の幅Ｗ２１の２倍の大きさである。
【００３１】
図８（ｃ）において、刃具２５０ｂを利用して、ウエハ１２０の一部の厚み寸法が厚みＴ２３なるように、ウエハ１２０の下面を研削する。刃具２５０ｂの幅Ｗ２５は、図６の幅Ｗ２２の２倍の大きさである。
【００３２】
図８（ｄ）において、刃具２５０ｃを利用して、ウエハ１２０の一部の厚み寸法が厚みＴ２４となるように、ウエハ１２０の下面を研削する。刃具２５０ｃの幅Ｗ２６は、図６の幅Ｗ２３の２倍の大きさである。これにより、ウエハ１２０の下面が階段形状になる。
【００３３】
図８（ｅ）、（ｆ）、（ｇ）で実施される処理内容は、それぞれ、図５の（ｃ）、（ｄ）、（ｅ）で実施される処理内容と同様である。即ち、図８（ｅ）において、ウエハ１２０の下面に、Ｍｏ電極層２３６ａとＮｉ電極層２３６ｂとが形成され、図８（ｆ）において、ＭｏＣ及びＮｉシリサイドからなる下部オーミック電極２３６が形成される。そして、図８（ｇ）において、Ｔｉ層２３８ａ、Ｎｉ層２３８ｂ、Ａｕ層２３８ｃで構成される下部接合電極２３８が形成され、下部オーミック電極２３６及び下部接合電極２３８で構成される下部電極２３４が形成される。
【００３４】
図８（ｈ）において、ダイシングブレードを利用して、ウエハ１２０を個片化する。具体的には、ウエハ１２０の厚み寸法が厚みＴ２４となる領域の中心を、ダイシングブレードによって切断する。その後に、ＳｉＣ基板２３０の上面２３０ａに上部電極２３２を形成する。これにより、図６、図７に示す半導体素子２２０が完成する。
【００３５】
（半導体素子２２０の別の製造方法；図９）
続いて、図９を参照して、第２実施例の半導体素子２２０の別の製造方法について説明する。図９の製造方法では、刃具２５０ｄのみを利用して、ウエハ１２０の下面を加工する点が、図８の製造方法と異なる。刃具２５０ｄの幅寸法の幅Ｗ２７は、図８の刃具２５０ｃの幅Ｗ２６よりもわずかに小さい。なお、図９（ａ）、（ｅ）〜（ｈ）で実施される処理内容は、図８（ａ）、（ｅ）〜（ｈ）で実施される処理内容と同様である。従って、図９（ａ）、（ｅ）〜（ｈ）の重複説明を省略する。
【００３６】
図９（ｂ）において、刃具２５０ｄを利用して、ウエハ１２０の一部の厚み寸法が厚みＴ２２となるように、ウエハ１２０の下面を研削する。具体的には、ウエハ１２０の厚み寸法が厚みＴ２２となる領域の幅寸法が幅Ｗ２４となるように、ウエハ１２０の下面を研削する。
【００３７】
図９（ｃ）において、刃具２５０ｄを利用して、ウエハ１２０の一部の厚み寸法が厚みＴ２３となるように、ウエハ１２０の下面をさらに研削する。具体的には、ウエハ１２０の厚み寸法が厚みＴ２３となる領域の幅寸法が幅Ｗ２５となるように、ウエハ１２０の下面を研削する。
【００３８】
図９（ｄ）において、刃具２５０ｄを利用して、ウエハ１２０の一部の厚み寸法が厚みＴ２４となるように、ウエハ１２０の下面をさらに研削する。具体的には、ウエハ１２０の厚み寸法が厚みＴ２４となる領域の幅寸法が幅Ｗ２６となるように、ウエハ１２０の下面を研削する。これにより、図８（ｄ）と同様の階段形状が、ウエハ１２０の下面に形成される。
【００３９】
（対応関係）
ＳｉＣ基板２３０、上部電極２３２、下部電極２３４が、それぞれ、「半導体基板」、「第１電極」、「第２電極」の一例である。上面２３０ａ、下面２３０ｂが、それぞれ、「第１表面」、「第２表面」の一例である。はんだ層１８、はんだ層２２２が、それぞれ、「第１はんだ層」、「第２はんだ層」の一例である。
【００４０】
（第３実施例）
続いて、第３実施例の半導体モジュールについて説明する。第３実施例の半導体モジュールは、半導体素子３２０を除いて、第２実施例の半導体モジュールと同様の構造を有する。図１０に示すように、半導体素子３２０の断面形状は、第２実施例における半導体素子２２０の断面形状と同じ形状である。従って、図６の２００番台の参照番号を３００番台に読み替えることによって、重複説明を省略する。一方、図１１に示すように、半導体素子３２０の下面の形状は、第２実施例の半導体素子２２０の下面の形状と異なる。具体的には、半導体素子３２０の下面は、円形の階段形状である。
【００４１】
（半導体素子３２０の製造方法；図１２）
続いて、図１２を参照して、第３実施例の半導体素子３２０の製造方法について説明する。本製造方法では、ドライエッチング技術を利用して、ウエハ１２０の下面が加工される。なお、図１２（ａ）、（ｅ）〜（ｈ）で実施される処理内容は、図８（ａ）、（ｅ）〜（ｈ）で実施される処理内容と同様である。従って、図８（ａ）、（ｅ）〜（ｈ）の２００番台の参照番号を３００番台に読み替えることによって、重複説明を省略する。
【００４２】
図１２（ｂ）において、ウエハ１２０の下面にパターン転写したマスク３５０ａを形成する。具体的には、図１３に示すように、直径Ｄ３１の孔３５２ａを有するマスク３５０ａをウエハ１２０の下面に形成する。そして、ドライエッチング技術を利用して、マスク３５０ａによって覆われていない領域のウエハ１２０の厚み寸法をＴ２２に加工する。
【００４３】
図１２（ｃ）において、ウエハ１２０の下面に、さらに、マスク３５０ｂを形成する。マスク３５０ｂは、マスク３５０ｂが有する孔の直径寸法が直径Ｄ３２である点が、マスク３５０ａと異なる。なお、マスク３５０ｂが有する孔の中心は、マスク３５０ａの孔３５２ａの中心に一致する。そして、ドライエッチング技術を利用して、マスク３５０ｂによって覆われていない領域のウエハ１２０の厚み寸法をＴ２３に加工する。
【００４４】
図１２（ｄ）において、ウエハ１２０の下面に、さらに、マスク３５０ｃを形成する。マスク３５０ｃは、マスク３５０ｃが有する孔の直径寸法が直径Ｄ３３である点が、マスク３５０ａと異なる。なお、マスク３５０ｃが有する孔の中心は、マスク３５０ａの孔３５２ａの中心に一致する。そして、ドライエッチング技術を利用して、マスク３５０ｃによって覆われていない領域のウエハ１２０の厚み寸法をＴ２４に加工する。
【００４５】
（対応関係）
ＳｉＣ基板３３０、上部電極３３２、下部電極３３４が、それぞれ、「半導体基板」、「第１電極」、「第２電極」の一例である。上面３３０ａ、下面３３０ｂが、それぞれ、「第１表面」、「第２表面」の一例である。はんだ層１８、はんだ層３２２が、それぞれ、「第１はんだ層」、「第２はんだ層」の一例である。
【００４６】
以上、本発明の具体例を詳細に説明したが、これらは例示に過ぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。また、本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組合せに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成し得るものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。
【符号の説明】
【００４７】
１０      ：半導体モジュール
１２      ：上部リードフレーム
１４      ：はんだ層
１６      ：金属ブロック
１８      ：はんだ層
２０      ：半導体素子
２２      ：はんだ層
２４      ：下部リードフレーム
２６      ：絶縁樹脂
３０      ：ＳｉＣ基板
３２      ：上部電極
３４      ：下部電極
１２０    ：ウエハ
【図１】
2019149469.tif 000003
【図２】
2019149469.tif 000004
【図３】
2019149469.tif 000005
【図４】
2019149469.tif 000006
【図５】
2019149469.tif 000007
【図６】
2019149469.tif 000008
【図７】
2019149469.tif 000009
【図８】
2019149469.tif 000010
【図９】
2019149469.tif 000011
【図１０】
2019149469.tif 000012
【図１１】
2019149469.tif 000013
【図１２】
2019149469.tif 000014
【図１３】
2019149469.tif 000015
【図１４】
2019149469.tif 000016
【図１５】
2019149469.tif 000017