(57)【要約】【課題】誤動作の低減、低消費電力化が図られた、新規な構成の半導体装置を提供する。【解決手段】第１のラッチ回路及び第２のラッチ回路を有するフリップフロップと、不揮発性の記憶部を有するシャドーレジスタと、を有するデータ保持回路と、第１のラッチ回路に与える第１の制御信号、及び第２のラッチ回路に与える第２の制御信号を生成する制御信号生成回路と、を有する構成とする。シャドーレジスタは、退避制御信号又は復帰制御信号を基に、第１のラッチ回路及び第２のラッチ回路との間でデータの退避又は復帰が制御される回路とする。そして制御信号生成回路は、クロック信号、退避制御信号、及び復帰制御信号を基に、データの退避又は復帰する期間において、Ｌレベルとする第１の制御信号及び第２の制御信号を生成する回路とする。【選択図】図１
2019126095.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路は、クロック信号、第１の信号及び第２の信号を基に、第３の信号及び第４の信号を出力することができる機能を有し、
前記回路は、第１の組み合わせ回路と、第２の組み合わせ回路と、第３の組み合わせ回路と、第４の組み合わせ回路とを有し、
前記第１の組み合わせ回路は、前記クロック信号及び第５の信号を基に、第６の信号を出力することができる機能を有し、
前記第５の信号は、前記クロック信号を反転した第７の信号を、遅延させた信号であり、
前記第２の組み合わせ回路は、前記第７の信号及び第８の信号を基に、第９の信号を出力することができる機能を有し、
前記第８の信号は、前記クロック信号を遅延させた信号であり、
前記第１の組み合わせ回路及び前記第２の組み合わせ回路は、入力された信号の否定論理積を出力することができる機能を有し、
前記第３の組み合わせ回路は、前記第１の信号と、前記第２の信号と、前記第６の信号とを基に、前記第４の信号を出力することができる機能を有し、
前記第４の組み合わせ回路は、前記第１の信号と、前記第２の信号と、前記第９の信号とを基に、前記第３の信号を出力することができる機能を有し、
前記第３の組み合わせ回路及び前記第４の組み合わせ回路は、入力された信号の否定論理和を出力することができる機能を有する半導体装置。
【請求項２】
回路は、クロック信号、第１の信号及び第２の信号を基に、第３の信号及び第４の信号を出力することができる機能を有し、
前記回路は、第１の組み合わせ回路と、第２の組み合わせ回路と、第３の組み合わせ回路と、第４の組み合わせ回路と、を有し、
前記第１の組み合わせ回路は、前記第１の信号及び第２の信号を基に、第５の信号を出力することができる機能を有し、
前記第１の組み合わせ回路は、入力された信号の否定論理和を出力することができる機能を有し、
前記第２の組み合わせ回路は、前記クロック信号を反転した信号及び前記第５の信号を基に、第６の信号を出力することのできる機能を有し、
前記第２の組み合わせ回路は、入力された信号の否定論理積を出力することができる機能を有し、
前記第３の組み合わせ回路は、第７の信号及び第８の信号を基に、前記第３の信号を出力することができる機能を有し、
前記第７の信号は、前記第６の信号を遅延させた信号であり、
前記第８の信号は、前記第６の信号を反転させた信号であり、
前記第４の組み合わせ回路は、前記第６の信号及び第９の信号を基に、前記第４の信号を出力することができる機能を有し、
前記第９の信号は、前記第７の信号を、反転させた信号であり、
前記第３の組み合わせ回路及び前記第４の組み合わせ回路は、入力された信号の論理積を出力することができる機能を有する半導体装置。
【請求項３】
回路は、クロック信号、第１の信号及び第２の信号を基に、第３の信号及び第４の信号を出力することができる機能を有し、
前記回路は、第１の組み合わせ回路と、第２の組み合わせ回路と、第３の組み合わせ回路と、第４の組み合わせ回路と、第５の組みあわせ回路と、順序回路と、を有し、
前記第５の信号は、前記クロック信号を反転した第７の信号を、遅延させた信号であり、
前記第２の組み合わせ回路は、前記第７の信号及び第８の信号を基に、第９の信号を出力することができる機能を有し、
前記第８の信号は、前記クロック信号を遅延させた信号であり、
前記第１の組み合わせ回路及び前記第２の組み合わせ回路は、入力された信号の否定論理積を出力することができる機能を有し、
前記第３の組み合わせ回路は、前記第１の信号と、前記第２の信号とを基に、第１０の信号を出力することができる機能を有し、
前記第３の組み合わせ回路は、入力された信号の論理和を出力することができる機能を有し、
前記順序回路は、前記第９の信号と、前記第１０の信号とを基に、第１１の信号を出力する機能を有し、
前記順序回路は、フリップフロップとしての機能を有し、
前記第４の組み合わせ回路は、前記第６の信号及び前記第１１の信号を基に、前記第３の信号を出力することができる機能を有し、
前記第５の組み合わせ回路は、前記第９の信号及び前記第１１の信号を基に、前記第４の信号を出力することができる機能を有し、
前記第４の組み合わせ回路及び前記第５の組み合わせ回路は、入力された信号の否定論理和を出力することができる機能を有する半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の一態様は、半導体装置に関する。
【０００２】
なお本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する発明の技
術分野は、物、方法、または、製造方法に関するものである。または、本発明は、プロセ
ス、マシン、マニュファクチャ、または、組成物（コンポジション・オブ・マター）に関
するものである。そのため、より具体的に本明細書で開示する本発明の一態様の技術分野
としては、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置、それらの駆動方法、
または、それらの製造方法、を一例として挙げることができる。
【背景技術】
【０００３】
近年、揮発性の記憶部を有するフリップフロップ回路（以下、ＦＦ回路と略記する場合が
ある）と、不揮発性のシャドーレジスタ回路（以下、ＳＲ回路と略記する場合がある）と
を組み合わせることでデータの退避及び復帰を可能にした、データ保持回路の開発が進ん
でいる（例えば特許文献１を参照）。
【０００４】
このデータ保持回路は、電源遮断時においてデータをＦＦ回路からＳＲ回路に退避させ、
電源復帰時にデータをＳＲ回路からＦＦ回路に復帰させることで、電源停止時においても
データを保持する機能を有している。このデータの退避及び復帰の処理により、電源遮断
前のデータが電源復帰後であっても失われず、中断した演算処理を再開することが可能で
ある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１３−３４０４０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
消費電力の低減を図るためにＦＦ回路のパワーゲーティングを行う場合、ＦＦ回路内のデ
ータが消失してしまう。そのため、不揮発性のＳＲ回路にＦＦ回路内のデータを退避（バ
ックアップ）させ、電源の復帰後にデータを復帰（リカバリー）させることが必要になる
。
【０００７】
このデータの退避及び復帰を行う動作を、ＦＦ回路が動作中に適用する場合、データの退
避あるいは復帰に問題が生じる。ここでは第１のラッチ回路（マスターラッチともいう）
と第２のラッチ回路（スレーブラッチともいう）で構成される２相クロックのＦＦ回路に
ついて説明する。
【０００８】
具体的には、第１のラッチ回路及び第２のラッチ回路のそれぞれに与える制御信号（２相
クロックのいずれか一方に相当する信号）が、データの退避あるいは復帰中に変化した場
合、ＦＦ回路内の第１のラッチ回路あるいは第２のラッチ回路が新たなデータを取り込ん
でしまい、本来退避（または復帰）したいデータと異なってしまうといった問題が生じる
。
【０００９】
そこで、本発明の一態様は、上記のような誤動作を低減できる、新規な構成の半導体装置
等を提供することを課題の一とする。または、本発明の一態様は、消費電力を低減できる
、新規な構成の半導体装置等を提供することを課題の一とする。または、本発明の一態様
は、新規な半導体装置等を提供することを課題の一とする。
【００１０】
なお本発明の一態様の課題は、上記列挙した課題に限定されない。上記列挙した課題は、
他の課題の存在を妨げるものではない。なお他の課題は、以下の記載で述べる、本項目で
言及していない課題である。本項目で言及していない課題は、当業者であれば明細書又は
図面等の記載から導き出せるものであり、これらの記載から適宜抽出することができる。
なお、本発明の一態様は、上記列挙した記載、及び／又は他の課題のうち、少なくとも一
つの課題を解決するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の一態様は、第１の回路と第２の回路とを有する半導体装置であって、第１の回路
は、第３の回路と第４の回路とを有し、第３の回路は、第５の回路と第６の回路とを有し
、第４の回路は、不揮発性の記憶部として機能することができる回路を有し、第２の回路
は、クロック信号、第１の信号及び第２の信号を基に、第３の信号及び第４の信号を出力
することができる機能を有し、第５の回路及び第６の回路は、データをラッチすることが
できる機能を有し、第３の信号は、第５の回路を制御することができる機能を有し、第４
の信号は、第６の回路を制御することができる機能を有し、第４の回路は、第１の期間に
おいて、第１の信号を基に、第５の回路及び第６の回路から第４の回路へデータを退避さ
せることができる機能と、第２の期間において、第２の信号を基に、第４の回路から第５
の回路及び第６の回路へデータを復帰させることができる機能とを有し、第３の信号、及
び、第４の信号は、第１の期間及び第２の期間において、同じ論理レベルを有する信号で
ある半導体装置である。
【００１２】
なおその他の本発明の一態様については、以下で述べる実施の形態における説明、及び図
面に記載されている。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の一態様は、誤動作を低減できる、新規な構成の半導体装置等を提供することがで
きる。または、本発明の一態様は、消費電力を低減できる、新規な構成の半導体装置等を
提供することができる。または、本発明の一態様は、新規な半導体装置等を提供すること
ができる。
【００１４】
なお本発明の一態様の効果は、上記列挙した効果に限定されない。上記列挙した効果は、
他の効果の存在を妨げるものではない。なお他の効果は、以下の記載で述べる、本項目で
言及していない効果である。本項目で言及していない効果は、当業者であれば明細書又は
図面等の記載から導き出せるものであり、これらの記載から適宜抽出することができる。
なお、本発明の一態様は、上記列挙した効果、及び／又は他の効果のうち、少なくとも一
つの効果を有するものである。従って本発明の一態様は、場合によっては、上記列挙した
効果を有さない場合もある。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の一態様を説明するための回路ブロック図及びタイミングチャート図。
【図２】本発明の一態様を説明するための回路図及びタイミングチャート図。
【図３】本発明の一態様を説明するための回路図。
【図４】本発明の一態様を説明するためのタイミングチャート図。
【図５】本発明の一態様を説明するための回路図及びタイミングチャート図。
【図６】本発明の一態様を説明するための回路図及びタイミングチャート図。
【図７】本発明の一態様を説明するための回路図及びタイミングチャート図。
【図８】本発明の一態様を説明するためのブロック図。
【図９】本発明の一態様を説明するためのブロック図。
【図１０】本発明の一態様を説明するためのブロック図。
【図１１】電子機器の一例を示す図。
【図１２】本発明の一態様を説明するための回路ブロック図。
【図１３】本発明の一態様を説明するためのブロック図。
【図１４】本発明の一態様を説明するための回路図。
【図１５】本発明の一態様を説明するための回路図。
【図１６】実施例の構成を説明するためのブロック図。
【図１７】実施例の構成を説明するための回路図。
【図１８】実施例の構成を説明するための回路図。
【図１９】実施例の構成を説明するための回路図。
【図２０】実施例の構成を説明するための写真図。
【図２１】実施例の構成を説明するためのブロック図。
【図２２】実施例の構成を説明するための波形図。
【図２３】実施例の構成を説明するためのブロック図。
【図２４】実施例の構成を説明するためのグラフ。
【図２５】実施例の構成を説明するためのグラフ。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、実施の形態について図面を参照しながら説明する。但し、実施の形態は多くの異な
る態様で実施することが可能であり、趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及
び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は、
以下の実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【００１７】
また、図面において、大きさ、層の厚さ、又は領域は、明瞭化のために誇張されている場
合がある。よって、必ずしもそのスケールに限定されない。なお図面は、理想的な例を模
式的に示したものであり、図面に示す形状又は値などに限定されない。例えば、ノイズに
よる信号、電圧、若しくは電流のばらつき、又は、タイミングのずれによる信号、電圧、
若しくは電流のばらつきなどを含むことが可能である。
【００１８】
また本明細書等において、トランジスタとは、ゲートと、ドレインと、ソースとを含む少
なくとも三つの端子を有する素子である。そして、ドレイン（ドレイン端子、ドレイン領
域又はドレイン電極）とソース（ソース端子、ソース領域又はソース電極）の間にチャネ
ル領域を有しており、ドレインとチャネル領域とソースとを介して電流を流すことができ
るものである。
【００１９】
ここで、ソースとドレインとは、トランジスタの構造又は動作条件等によって変わるため
、いずれがソース又はドレインであるかを限定することが困難である。そこで、ソースと
して機能する部分、及びドレインとして機能する部分を、ソース又はドレインと呼ばず、
ソースとドレインとの一方を第１電極と表記し、ソースとドレインとの他方を第２電極と
表記する場合がある。
【００２０】
なお本明細書にて用いる「第１」、「第２」、「第３」という序数詞は、構成要素の混同
を避けるために付したものであり、数的に限定するものではないことを付記する。
【００２１】
なお本明細書において、ＡとＢとが接続されている、とは、ＡとＢとが直接接続されてい
るものの他、電気的に接続されているものを含むものとする。ここで、ＡとＢとが電気的
に接続されているとは、ＡとＢとの間で、何らかの電気的作用を有する対象物が存在する
とき、ＡとＢとの電気信号の授受を可能とするものをいう。
【００２２】
なお、例えば、トランジスタのソース（又は第１の端子など）が、Ｚ１を介して（又は介
さず）、Ｘと電気的に接続され、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）が、Ｚ
２を介して（又は介さず）、Ｙと電気的に接続されている場合や、トランジスタのソース
（又は第１の端子など）が、Ｚ１の一部と直接的に接続され、Ｚ１の別の一部がＸと直接
的に接続され、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）が、Ｚ２の一部と直接的
に接続され、Ｚ２の別の一部がＹと直接的に接続されている場合では、以下のように表現
することが出来る。
【００２３】
例えば、「ＸとＹとトランジスタのソース（又は第１の端子など）とドレイン（又は第２
の端子など）とは、互いに電気的に接続されており、Ｘ、トランジスタのソース（又は第
１の端子など）、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）、Ｙの順序で電気的に
接続されている。」と表現することができる。または、「トランジスタのソース（又は第
１の端子など）は、Ｘと電気的に接続され、トランジスタのドレイン（又は第２の端子な
ど）はＹと電気的に接続され、Ｘ、トランジスタのソース（又は第１の端子など）、トラ
ンジスタのドレイン（又は第２の端子など）、Ｙは、この順序で電気的に接続されている
」と表現することができる。または、「Ｘは、トランジスタのソース（又は第１の端子な
ど）とドレイン（又は第２の端子など）とを介して、Ｙと電気的に接続され、Ｘ、トラン
ジスタのソース（又は第１の端子など）、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など
）、Ｙは、この接続順序で設けられている」と表現することができる。これらの例と同様
な表現方法を用いて、回路構成における接続の順序について規定することにより、トラン
ジスタのソース（又は第１の端子など）と、ドレイン（又は第２の端子など）とを、区別
して、技術的範囲を決定することができる。なお、これらの表現方法は、一例であり、こ
れらの表現方法に限定されない。ここで、Ｘ、Ｙ、Ｚ１、Ｚ２は、対象物（例えば、装置
、素子、回路、配線、電極、端子、導電膜、層、など）であるとする。
【００２４】
なお本明細書において、「上に」、「下に」などの配置を示す語句は、構成同士の位置関
係を、図面を参照して説明するために、便宜上用いている。また、構成同士の位置関係は
、各構成を描写する方向に応じて適宜変化するものである。従って、明細書で説明した語
句に限定されず、状況に応じて適切に言い換えることができる。
【００２５】
なお図面におけるブロック図の各回路ブロックの配置は、説明のため位置関係を特定する
ものであり、異なる回路ブロックで別々の機能を実現するよう示していても、実際の回路
ブロックにおいては同じ回路ブロック内で別々の機能を実現しうるように設けられている
場合もある。また図面における各回路ブロックの機能は、説明のため機能を特定するもの
であり、一つの回路ブロックとして示していても、実際の回路ブロックにおいては一つの
回路ブロックで行う処理を、複数の回路ブロックで行うよう設けられている場合もある。
【００２６】
（実施の形態１）
図１（Ａ）に示す回路ブロック図は、本発明の一態様による半導体装置として機能するデ
ータ保持回路１０、及び該データ保持回路１０を制御する信号を生成するための制御信号
生成回路１２を含む図である。
【００２７】
図１（Ａ）に示すデータ保持回路１０は、揮発性の記憶部を有するＦＦ回路１４（揮発性
のフリップフロップ回路）と不揮発性のＳＲ回路１６（シャドーレジスタ回路）と、を有
する順序回路である。データ保持回路１０は、電源線ＶＬ、ＶＳＳによって電源電圧が与
えられる。データ保持回路１０は、電源線の電位を切り替えることで、パワーゲーティン
グを行うことができる。データ保持回路１０で電源電圧の供給が行われる時にＦＦ回路１
４に保持されたデータは、電源電圧の供給を停止する前にＳＲ回路１６に退避する。退避
したデータは、電源電圧の供給を再開した後にＳＲ回路１６からＦＦ回路１４に復帰させ
る。なおデータ保持回路１０は、データを保持する回路であるため、記憶回路、あるいは
単に回路という場合がある。
【００２８】
図１（Ａ）に示す制御信号生成回路１２は、クロック信号ＣＬＫ、退避制御信号ＢＵＥＮ
、及び復帰制御信号ＲＥＥＮが与えられ、制御信号ｐｈ１、ｐｈ２を出力する回路である
。制御信号ｐｈ２は、第１のラッチ回路１８でのデータの転送・保持を制御するための信
号である。また、制御信号ｐｈ１は、第２のラッチ回路２０でのデータの転送・保持を制
御するための信号である。
【００２９】
なお制御信号生成回路１２は、データ保持回路１０が複数設けられる場合、データ保持回
路毎に設ける構成とすればよい。該構成とすることで、データ保持回路１０に入力される
制御信号ｐｈ１、ｐｈ２の遅延を抑制することができる。なお制御信号生成回路１２は、
単相のクロック信号を基に、組み合わせ回路を介して制御信号ｐｈ１、ｐｈ２を得る構成
とすればよい。
【００３０】
なお制御信号生成回路１２は、図１２に示すように、複数のデータ保持回路１０に対して
一つ設ける構成としてもよい。該構成とすることで、制御信号生成回路１２の数を減らし
、半導体装置の小型化を図ることができる。
【００３１】
図１（Ａ）に示すＦＦ回路１４は、第１のラッチ回路１８と第２のラッチ回路２０と、を
有する回路である。ＦＦ回路１４は、第１のラッチ回路１８に接続されたデータ端子Ｄよ
りデータが与えられる。ＦＦ回路１４は、第２のラッチ回路２０に接続された出力端子Ｑ
よりデータを出力する。第１のラッチ回路１８は、制御信号ｐｈ２がＨレベルでデータ端
子Ｄから第１のラッチ回路１８にデータを転送し、制御信号ｐｈ２がＬレベルで保持する
。また、第２のラッチ回路２０は、制御信号ｐｈ１がＨレベルで第１のラッチ回路１８か
ら第２のラッチ回路２０にデータを転送し、制御信号ｐｈ１がＬレベルで保持する。
【００３２】
なお制御信号ｐｈ１、制御信号ｐｈ２は、クロック信号と反転クロック信号に相当する信
号であるが、共にＬレベルとなる期間を有することでデータレーシングが生じにくくなる
利点を有する。なお制御信号ｐｈ１、制御信号ｐｈ２を２相クロック、特に共にＬレベル
となる期間を有する２相クロックをノンオーバーラップ２相クロックと呼ぶことがある。
【００３３】
ＦＦ回路１４は、電源電圧の供給が行われる状態で、制御信号ｐｈ１、ｐｈ２に従ってデ
ータを保持・出力するための順序回路である。なおＦＦ回路１４は、データを保持する回
路であるため、記憶回路、あるいは単に回路という場合がある。ＦＦ回路１４はデータを
転送するためのアナログスイッチ、及びラッチ回路を構成するためのインバータ回路、等
の組み合わせ回路により構成することができる。
【００３４】
第１のラッチ回路１８及び第２のラッチ回路２０を有する構成とすることで、交互にデー
タの転送及び保持を行う構成とすることができ、ＦＦ回路１４におけるデータのレーシン
グによる誤動作を防ぐことができる。また第１のラッチ回路１８及び第２のラッチ回路２
０は、データを保持するためのインバータループが形成される。該ラッチ回路が有するノ
ードのそれぞれには、データ端子Ｄより与えられたデータに応じた電位を保持することが
できる。
【００３５】
図１（Ａ）に示すＳＲ回路１６は、不揮発性記憶回路２２と不揮発性記憶回路２４と、を
有する回路である。
【００３６】
ＳＲ回路１６は、電源電圧の供給が停止している期間において、データの保持ができる回
路である。なおＳＲ回路１６は、データを保持する回路であるため、記憶回路、あるいは
単に回路という場合がある。ＳＲ回路１６は、不揮発性の記憶素子を有する回路である。
【００３７】
なお不揮発性の記憶素子としては、フラッシュメモリの他、強誘電体メモリ（ＦｅＲＡＭ
）、磁気抵抗メモリ（ＭＲＡＭ）、相変化メモリ（ＰＲＡＭ）、抵抗変化型メモリ（Ｒｅ
ＲＡＭ）等を用いることができる。あるいは酸化物半導体層を有するトランジスタにおい
てオフ電流が極めて小さいことを利用した、電荷の保持によりデータの保持を行う回路を
不揮発性の記憶素子としてもよい。酸化物半導体層を有するトランジスタを用いて不揮発
性の記憶素子を形成することで、シリコン層を有するトランジスタと積層して設けること
ができる。
【００３８】
なお、チャネル部に酸化物半導体層を有するトランジスタにおいて、オフ電流が極めて小
さいということを利用する記憶回路の場合には、情報を保持する期間において、トランジ
スタには、所定の電圧が供給され続けている場合がある。例えば、トランジスタのゲート
には、トランジスタが完全にオフ状態となるような電圧が供給され続けている場合がある
。または、トランジスタのバックゲートには、トランジスタのしきい値電圧がシフトして
、トランジスタがノーマリオフ状態になるような電圧が供給され続けている場合がある。
そのような場合には、情報を保持する期間において、記憶回路に電圧が供給されているこ
とになるが、電流がほとんど流れないため、電力をほとんど消費しない。したがって、電
力をほとんど消費しないことから、仮に、所定の電圧が記憶回路に供給されているとして
も、実質的には、記憶回路は不揮発性であると表現することができる。
【００３９】
ＳＲ回路１６で保持するデータは、退避制御信号ＢＵＥＮの制御によって、第１のラッチ
回路１８から不揮発性記憶回路２２、第２のラッチ回路２０から不揮発性記憶回路２４に
転送される。またＳＲ回路１６で保持されたデータは、復帰制御信号ＲＥＥＮの制御によ
って不揮発性記憶回路２２から第１のラッチ回路１８、不揮発性記憶回路２４から第２の
ラッチ回路２０に転送される。
【００４０】
なお不揮発性記憶回路２２及び不揮発性記憶回路２４は、それぞれ第１の不揮発性記憶回
路、第２の不揮発性記憶回路という場合がある。
【００４１】
不揮発性記憶回路２２は第１のラッチ回路１８が有するラッチに接続され、第１のラッチ
回路１８に保持されたデータを電源電圧の供給が停止する期間に保持する。不揮発性記憶
回路２４は第２のラッチ２０が有するラッチに接続され、第２のラッチ回路２０に保持さ
れたデータを電源電圧の供給が停止する期間に保持する。第１のラッチ回路１８と不揮発
性記憶回路２２、及び第２のラッチ回路２０と不揮発性記憶回路２４、との間でのデータ
の退避は退避制御信号ＢＵＥＮ、復帰は復帰制御信号ＲＥＥＮによって制御される。
【００４２】
退避制御信号ＢＵＥＮは、Ｈレベルで第１のラッチ回路１８及び第２のラッチ回路２０か
ら不揮発性記憶回路２２及び不揮発性記憶回路２４にデータを退避させ、Ｌレベルでデー
タを保持する信号である。復帰制御信号ＲＥＥＮは、Ｈレベルで不揮発性記憶回路２２及
び不揮発性記憶回路２４から第１のラッチ回路１８及び第２のラッチ回路２０にデータを
復帰させ、Ｌレベルで該データの復帰を停止する信号である。なお退避制御信号ＢＵＥＮ
は、単に制御信号、あるいは信号という場合がある。また復帰制御信号ＲＥＥＮは、単に
制御信号、あるいは信号という場合がある。
【００４３】
電源線ＶＬ、ＶＳＳは、データ保持回路１０へのパワーゲーティングを制御するための電
源線である。電源線ＶＬ、ＶＳＳは、与える電位を切り替えることで電源電圧の供給の停
止、あるいは再開を制御することで、データ保持回路１０へのパワーゲーティングを制御
することができる。なお、一例として、電源電圧の供給を停止する場合、電源線ＶＬの電
位はＶＳＳとし、電源線ＶＳＳのＶＳＳと等電位とする。また、電源電圧の供給を再開す
る場合、電源線ＶＬの電位はＶＤＤとし、電源線ＶＳＳの電位をＶＳＳとする。また、な
お電源線ＶＳＳの電位はＶＳＳとして説明するが、グラウンド電位でもよい。
【００４４】
本発明の一態様では、第１のラッチ回路及び第２のラッチ回路を有する揮発性の記憶部を
有するＦＦ回路と、不揮発性の記憶部を有するＳＲ回路と、を有するデータ保持回路と、
第１のラッチ回路に与える第１の制御信号、及び第２のラッチ回路に与える第２の制御信
号を生成する制御信号生成回路と、を有する構成とする。シャドーレジスタは、退避制御
信号又は復帰制御信号を基に、第１のラッチ回路及び第２のラッチ回路との間でデータの
退避又は復帰が制御される回路とする。そして制御信号生成回路は、クロック信号、退避
制御信号、及び復帰制御信号を基に、データの退避又は復帰する期間において、Ｌレベル
とする第１の制御信号及び第２の制御信号を生成する回路とする。
【００４５】
該構成とすることでデータ保持回路は、電源遮断時においてデータをＦＦ回路からＳＲ回
路に退避させ、電源復帰時にデータをＳＲ回路からＦＦ回路に復帰させることで、電源停
止時においてもデータを保持することができる。このデータの退避及び復帰の処理により
、電源遮断前のデータが電源復帰後であっても失われず、中断した演算処理を再開するこ
とが可能である。そのため、データ保持回路への間欠的なパワーゲーティングを図ること
ができるため、低消費電力化を図ることができる。
【００４６】
このデータの退避及び復帰を行う構成を第１のラッチ回路及び第２のラッチ回路を有する
ＦＦ回路に適用する場合、データのレーシングによる誤動作を防ぐことが必要になるが、
本発明の一態様では、制御信号生成回路において、クロック信号、退避制御信号、及び復
帰制御信号を基に、データの退避又は復帰する期間において、Ｌレベルとする第１の制御
信号及び第２の制御信号を生成する構成とする。そのため、第１のラッチ回路及び第２の
ラッチ回路のそれぞれに与える制御信号が、データの退避あるいは復帰中に変化した場合
、ＦＦ回路内の第１のラッチ回路あるいは第２のラッチ回路が新たなデータを取り込んで
しまい、本来退避（または復帰）したいデータと異なってしまうといった誤動作を低減す
ることができる。
【００４７】
次いで図１（Ａ）に示す回路ブロックに示すデータ保持回路１０及び制御信号生成回路１
２の動作について説明する。図１（Ｂ）には、図１（Ａ）に示す回路ブロックで入出力さ
れる各信号について、通常動作時、データ退避時、電源供給停止時、データ復帰時におけ
るタイミングチャートの模式図を示す。
【００４８】
なお図１（Ｂ）では、通常動作時の期間をＰ１、データ退避時の期間をＰ２、電源供給停
止時の期間をＰ３、データ復帰時の期間をＰ４として説明を行う。また図１（Ｂ）では、
図１（Ａ）に示すクロック信号ＣＬＫ、制御信号ｐｈ１、制御信号ｐｈ２、データ端子Ｄ
のデータ、第１のラッチ回路（Ｍ．Ｌａｔ．）で保持されるデータ、第２のラッチ回路（
Ｓ．Ｌａｔ．）で保持されるデータ、退避制御信号ＢＵＥＮ、復帰制御信号ＲＥＥＮ、不
揮発性記憶回路２２（ＭＥＭ．１）に保持されるデータ、不揮発性記憶回路２４（ＭＥＭ
．２）に保持されるデータ、電源線ＶＬの電位、についての各期間での変化について示す
。
【００４９】
なお、第１のラッチ回路１８及び第２のラッチ回路２０で保持されるデータとして、図１
（Ｂ）ではデータＤ０乃至Ｄ３で図示する。データＤ０乃至Ｄ３は、「１」又は「０」に
よる二値のデータであり、データ「１」をＨレベルの電位、データ「０」をＬレベルの電
位として保持する。なお第１のラッチ回路１８及び第２のラッチ回路２０は、インバータ
ループを有する。インバータループは、Ｈレベル又はＬレベルの電位を２つのノードで保
持する。各ノードに保持されたＨレベル又はＬレベルの電位は、不揮発性記憶回路２２及
び不揮発性記憶回路２４に保持される。
【００５０】
また第１のラッチ回路１８及び第２のラッチ回路２０は、制御信号ｐｈ１及び制御信号ｐ
ｈ２がＨレベルのときデータをラッチ回路に転送、そして保持を行う構成とする。また、
不揮発性記憶回路２２及び不揮発性記憶回路２４は、上述したように、退避制御信号ＢＵ
ＥＮがＨレベルで第１のラッチ回路１８及び第２のラッチ回路２０からデータが退避され
、Ｌレベルでデータを保持する。また、不揮発性記憶回路２２及び不揮発性記憶回路２４
は、復帰制御信号ＲＥＥＮがＨレベルで第１のラッチ回路１８及び第２のラッチ回路２０
にデータを復帰させ、Ｌレベルで該データの復帰を停止する。また、電源線ＶＬの電位は
通常動作時、データ退避時、データ復帰時にＶＤＤとし、電源供給停止時にＶＳＳとする
。
【００５１】
まず通常動作時（図１（Ｂ）中、期間Ｐ１）では、制御信号生成回路１２にクロック信号
ＣＬＫと、Ｌレベルの退避制御信号ＢＵＥＮ及び復帰制御信号ＲＥＥＮと、が与えられる
。そして制御信号ｐｈ１及び制御信号ｐｈ２が生成され、データ端子ＤのデータＤ０、Ｄ
１を第１のラッチ回路１８及び第２のラッチ回路２０が有するインバータループに転送し
、保持する。
【００５２】
次いでデータ退避時（図１（Ｂ）中、期間Ｐ２）では、制御信号生成回路１２にクロック
信号ＣＬＫが入力されるものの、退避制御信号ＢＵＥＮがＨレベルとなる。この場合、制
御信号生成回路１２は、制御信号ｐｈ１及び制御信号ｐｈ２がトグル動作を停止する信号
となるよう出力する。第１のラッチ回路１８及び第２のラッチ回路２０に保持されたデー
タＤ０、Ｄ１が、不揮発性記憶回路２２及び不揮発性記憶回路２４に退避される。
【００５３】
次いで電源供給停止時（図１（Ｂ）中、期間Ｐ３）では、電源線ＶＬをＶＳＳにし、電源
電圧の供給を停止する。この停止によって、クロック信号ＣＬＫ、退避制御信号ＢＵＥＮ
、復帰制御信号ＲＥＥＮをＬレベルにする。電源電圧の供給が停止することで、第１のラ
ッチ回路１８及び第２のラッチ回路２０が有するインバータループに保持されるデータは
消失するものの、不揮発性記憶回路２２及び不揮発性記憶回路２４にデータ退避時に退避
したデータが保持される。
【００５４】
次いでデータ復帰時（図１（Ｂ）中、期間Ｐ４）では、制御信号生成回路１２にクロック
信号ＣＬＫが入力されるものの、復帰制御信号ＲＥＥＮがＨレベルとなる。この場合、制
御信号生成回路１２は、制御信号ｐｈ１及び制御信号ｐｈ２がトグル動作を停止する信号
となるよう出力する。不揮発性記憶回路２２及び不揮発性記憶回路２４に保持されたデー
タＤ０、Ｄ１が、第１のラッチ回路１８及び第２のラッチ回路２０に復帰される。
【００５５】
再度、通常動作時（図１（Ｂ）中、期間Ｐ１）では、制御信号生成回路１２にクロック信
号ＣＬＫと、Ｌレベルの退避制御信号ＢＵＥＮ及び復帰制御信号ＲＥＥＮと、が与えられ
る。そして制御信号ｐｈ１及び制御信号ｐｈ２が生成され、データ端子ＤのデータＤ２、
Ｄ３を第１のラッチ回路１８及び第２のラッチ回路２０が有するインバータループに転送
し、保持する。
【００５６】
図１（Ｂ）に示すように本発明の一態様において、制御信号生成回路は、データ退避時及
びデータ復帰時に制御信号ｐｈ１及び制御信号ｐｈ２をＬレベルとなるよう出力する。該
構成とすることでデータ保持回路は、電源遮断時において、第１のラッチ回路１８及び第
２のラッチ回路２０と不揮発性記憶回路２２及び不揮発性記憶回路２４との間でデータを
退避・復帰させる際、第１のラッチ回路あるいは第２のラッチ回路が新たなデータを取り
込んでしまい、本来退避（または復帰）したいデータと異なってしまうといった誤動作を
低減することができる。
【００５７】
次に、データ退避時及びデータ復帰時に制御信号ｐｈ１及び制御信号ｐｈ２をＬレベルと
なるよう出力するための制御信号生成回路１２の具体的な構成について説明する。
【００５８】
図２（Ａ）には制御信号生成回路１２の回路構成の一例を示す。制御信号生成回路１２は
インバータ回路３０、遅延回路３２（図中、ｄｅｌａｙ  ｃｉｒ．と表記）、インバータ
回路３４、３６、ＮＡＮＤ回路３８、４０、ＮＯＲ回路４２、ＮＯＲ回路４４を有する。
なおＮＡＮＤ回路、ＮＯＲ回路等の組み合わせ回路は、同じ論理レベルの信号を出力でき
る組み合わせ回路に置き換えることが可能であり、一例としては図１４に示す回路のよう
に、ＮＡＮＤ回路３８、４０をＮＯＲ回路３９、４１、ＮＯＲ回路４２、４４をＮＡＮＤ
回路４３、４５に置き換えすることができる。
【００５９】
なお遅延回路３２として機能する回路の一例を図２（Ｂ）に示す。遅延回路３２は、複数
のインバータ回路４６及び容量素子４８を有する。なお容量素子４８は複数のインバータ
回路４６での信号の遅延を大きくするために設けられたものであり、必ずしも設ける必要
はない。
【００６０】
クロック信号ＣＬＫがインバータ回路３０に入力されると、反転したクロック信号が生成
される。反転したクロック信号は、遅延回路３２の入力部ＩＮに与えられることで出力部
ＯＵＴでは、遅延且つ反転したクロック信号が生成される。インバータ回路３４を介した
入力部ＩＮの信号と出力部ＯＵＴの信号をＮＡＮＤ回路３８に入力し、ノードＮＡ＿１で
の信号を得る。またインバータ回路３６を介した出力部ＯＵＴの信号と入力部ＩＮの信号
をＮＡＮＤ回路４０に入力し、ノードＮＡ＿２での信号を得る。ノードＮＡ＿１での信号
と、退避制御信号ＢＵＥＮ及び復帰制御信号ＲＥＥＮとが、ＮＯＲ回路４２に入力され、
制御信号ｐｈ１を得る。また、ノードＮＡ＿２での信号と、退避制御信号ＢＵＥＮ及び復
帰制御信号ＲＥＥＮとが、ＮＯＲ回路４４に入力され、制御信号ｐｈ２を得る。
【００６１】
図２（Ｃ）には図２（Ａ）に示す制御信号生成回路１２で得られる信号のタイミングチャ
ート図を示す。図２（Ｃ）では、図１（Ｂ）と同様に、図２（Ａ）に示す各信号について
、Ｐ１乃至Ｐ４時におけるタイミングチャートの模式図を示す。
【００６２】
図２（Ｃ）に示すように本発明の一態様において、制御信号生成回路は、データ退避時及
びデータ復帰時に制御信号ｐｈ１及び制御信号ｐｈ２をＬレベルとなるよう出力すること
ができる。該構成とすることでデータ保持回路は、電源遮断時において、第１のラッチ回
路１８及び第２のラッチ回路２０と不揮発性記憶回路２２及び不揮発性記憶回路２４との
間でデータを退避・復帰させる際、第１のラッチ回路あるいは第２のラッチ回路が新たな
データを取り込んでしまい、本来退避（または復帰）したいデータと異なってしまうとい
った誤動作を低減することができる。
【００６３】
次いで、電源電圧の供給が行われる期間ではＦＦ回路１４でデータを保持し、電源電圧の
供給が停止している期間ではＳＲ回路１６でデータの保持を行うことのできるデータ保持
回路１０の具体的な構成について図３を用いて説明する。
【００６４】
ＦＦ回路１４は、第１のラッチ回路１８及び第２のラッチ回路２０を有する。第１のラッ
チ回路１８は、アナログスイッチ５０、ＮＡＮＤ回路５２及びインバータ回路５４を有す
る。第２のラッチ回路２０は、アナログスイッチ５６、インバータ回路５８及びＮＡＮＤ
回路６０を有する。なおＮＡＮＤ回路、ＮＯＲ回路等の組み合わせ回路は、同じ論理レベ
ルの信号を出力できる組み合わせ回路に置き換えることが可能であり、一例としては図１
５に示すデータ保持回路１０ｍのように、ＮＡＮＤ回路５２、６０をＮＯＲ回路５２Ａ、
６０Ａに置き換えすることができる。
【００６５】
制御信号ｐｈ２及びインバータ回路６２を介して反転した制御信号ｐｈ２は、アナログス
イッチ５０とインバータ回路５４とが交互に導通状態となるよう制御するための信号であ
る。また制御信号ｐｈ１及びインバータ回路６４を介して反転した制御信号ｐｈ１は、ア
ナログスイッチ５０とインバータ回路５４とが交互に導通状態となるよう制御するための
信号である。
【００６６】
具体的には、制御信号ｐｈ２がＨレベルのときアナログスイッチ５０が導通状態となり、
データ端子ＤのデータがＮＡＮＤ回路５２の第１の入力端子に与えられ、インバータ回路
５４の出力はハイインピーダンスとなる。制御信号ｐｈ２がＬレベルのときアナログスイ
ッチ５０が非導通状態となり、ＮＡＮＤ回路５２及びインバータ回路５４の双方がインバ
ータ回路として機能し、ＮＡＮＤ回路５２の第１の入力端子に与えられたデータを保持す
る。
【００６７】
また制御信号ｐｈ１がＨレベルのときアナログスイッチ５６が導通状態となり、ＮＡＮＤ
回路５２の出力データがインバータ回路５８を介してＮＡＮＤ回路６０の第１の入力端子
に与えられ、ＮＡＮＤ回路６０の出力はハイインピーダンスとなる。制御信号ｐｈ１がＬ
レベルのときアナログスイッチ５６が非導通状態となり、ＮＡＮＤ回路６０及びインバー
タ回路５８の双方がインバータ回路として機能し、ＮＡＮＤ回路６０の第１の入力端子に
与えられたデータを保持する。
【００６８】
なおＮＡＮＤ回路５２及びＮＡＮＤ回路６０の第２の入力端子には、リセット信号ＲＥＳ
ＥＴが入力される。リセット信号ＲＥＳＥＴをＨレベルとすることで、ＮＡＮＤ回路５２
及びＮＡＮＤ回路６０をインバータ回路として機能させ、Ｌレベルとすることで出力端子
の信号をＨレベルにする。
【００６９】
ＳＲ回路１６は、不揮発性記憶回路２２及び不揮発性記憶回路２４を有する。なお図３で
は、不揮発性記憶回路２２及び不揮発性記憶回路２４が有する不揮発性の記憶素子として
酸化物半導体層を有するトランジスタを用いた回路を用いて構成する。酸化物半導体層を
有するトランジスタは、オフ電流が極めて小さいため、電荷を保持することができ、この
電荷の保持を利用してデータの保持を行う回路として用いることができる。
【００７０】
不揮発性記憶回路２２は、第１のラッチ回路１８が有するインバータループを構成する２
つのノードに接続される記憶回路６６Ａ、６６Ｂを有する。また不揮発性記憶回路２４は
、第２のラッチ回路２０が有するインバータループを構成する２つのノードに接続される
記憶回路６６Ｃ、６６Ｄを有する。なお記憶回路６６Ａ、６６Ｂ、６６Ｃ、６６Ｄは同じ
回路構成のため、記憶回路６６Ａの回路構成について詳述する。
【００７１】
記憶回路６６Ａは、インバータ回路６８、トランジスタ７０、容量素子７２、トランジス
タ７４、トランジスタ７６を有する。また、記憶回路６６Ａは、少なくとも電源電圧の供
給が停止している期間において、データ「１」又は「０」に対応する電位を保持すること
が可能なノードＦ１を有する。記憶回路６６Ｂ、６６Ｃ、６６Ｄでは、記憶回路６６Ａの
ノードＦ１に対応するノードとしてノードＦ２乃至Ｆ４を有する。なお記憶回路６６Ａが
有するトランジスタ７４、７６は、ｎチャネル型のトランジスタとして説明するが、退避
制御信号ＢＵＥＮ及び復帰制御信号ＲＥＥＮの論理レベルを反転させることでｐチャネル
型のトランジスタにも適用可能である。
【００７２】
ノードＦ１は、少なくとも電源電圧の供給が停止する期間において、第１のラッチ回路１
８が有するインバータループを構成する２つのノードの一方の電位を保持する。ノードＦ
２は、少なくとも電源電圧の供給が停止する期間において、第１のラッチ回路１８が有す
るインバータループを構成する２つのノードの他方の電位を保持する。ノードＦ３は、少
なくとも電源電圧の供給が停止する期間において、第２のラッチ回路２０が有するインバ
ータループを構成する２つのノードの一方の電位を保持する。ノードＦ４は、少なくとも
電源電圧の供給が停止する期間において、第２のラッチ回路２０が有するインバータルー
プを構成する２つのノードの他方の電位を保持する。
【００７３】
インバータ回路６８の入力端子は、第１のラッチ回路１８が有するインバータループを構
成する２つのノードの一方に接続されている。インバータ回路６８の出力端子は、トラン
ジスタ７０のソース及びドレインの一方に接続されている。
【００７４】
トランジスタ７０は、ゲートが退避制御信号ＢＵＥＮを与えられる配線に接続されている
。トランジスタ７０は、ソース及びドレインの他方がトランジスタ７４のゲート、容量素
子７２の一方の電極に接続されている。そしてトランジスタ７０のソース及びドレインの
他方、トランジスタ７４のゲート、容量素子７２の一方の電極を接続するノードをノード
Ｆ１としている。容量素子７２は、他方の電極がＶＳＳを与える電源線に接続されている
が、別の電位（例えばＧＮＤ）であってもよい。なお容量素子７２は、トランジスタ７４
のゲート容量等の寄生容量を大きくしておくことで、省略することが可能である。
【００７５】
トランジスタ７４はソース及びドレインの一方がＶＳＳを与える電源線に接続され、ソー
ス及びドレインの他方が、トランジスタ７６のソース及びドレインの一方に接続されてい
る。
【００７６】
トランジスタ７６は、ゲートが復帰制御信号ＲＥＥＮを与えられる配線に接続されている
。トランジスタ７６は、ソース及びドレインの他方が、第１のラッチ回路１８が有するイ
ンバータループを構成する２つのノードの一方に接続されている。
【００７７】
退避制御信号ＢＵＥＮはＬレベルからＨレベルに切り替えることでトランジスタ７０が導
通状態となり、第１のラッチ回路１８のデータを反転したデータをノードＦ１に転送する
ことができる。退避制御信号ＢＵＥＮをＬレベルにすることで、トランジスタ７０は非導
通状態となり、ノードＦ１の電荷が保持される。この電荷に応じた電位は、第１のラッチ
回路１８のデータを反転したデータの電位に相当する。そのため、ノードＦ１では、第１
のラッチ回路１８のデータを保持することができる。
【００７８】
復帰制御信号ＲＥＥＮはＬレベルからＨレベルに切り替えることで、トランジスタ７６が
導通状態となる。そしてトランジスタ７４の導通状態又は非導通状態はノードＦ１の電位
、すなわち第１のラッチ回路１８のデータを反転したデータの電位によって決まる。例え
ば、第１のラッチ回路１８のデータがＨレベルであれば、ノードＦ１の電位はＬレベルと
なり、トランジスタ７４が非導通状態（高抵抗状態）となる。一方で第１のラッチ回路１
８のデータがＬレベルであれば、ノードＦ１の電位はＨレベルとなり、トランジスタ７４
が導通状態（低抵抗状態）となる。
【００７９】
ここまで第１のラッチ回路１８のデータを退避、復帰する記憶回路６６Ａについて説明し
たが、同じく第１のラッチ回路１８のデータを退避、復帰する記憶回路６６Ｂについても
同じ動作を行う。記憶回路６６ＢのノードＦ２では、ノードＦ１とは異なる論理レベルの
データを保持する。例えば、ノードＦ１の電位がＨレベルであれば、ノードＦ２の電位は
Ｌレベルとなり、記憶回路６６Ｂ内のトランジスタ７４が非導通状態（高抵抗状態）とな
る。一方でノードＦ１の電位がＬレベルであれば、ノードＦ２の電位はＨレベルとなり、
記憶回路６６Ｂ内のトランジスタ７４が導通状態（低抵抗状態）となる。
【００８０】
また第２のラッチ回路２０のデータを退避、復帰する記憶回路６６Ｃ、６６Ｄは、記憶回
路６６Ａ、６６Ｂと同じ回路構成を有する。そのため記憶回路６６ＣのノードＦ３では、
記憶回路６６ＤのノードＦ４とは異なる論理レベルのデータを保持する。すなわち、ノー
ドＦ３、Ｆ４のうち一方のノードの電位がＨレベルであれば、ノードＦ３、Ｆ４のうち他
方のノードの電位はＬレベルとなり、記憶回路６６Ｃ、６６Ｄ内のトランジスタ７４が導
通状態（低抵抗状態）又は不導通状態（高抵抗状態）となる。
【００８１】
ノードＦ１乃至Ｆ４の電位によって決まる、各記憶回路でのトランジスタ７４の導通状態
（低抵抗状態）、非導通状態（高抵抗状態）は、記憶回路６６Ａ、６６Ｂ、あるいは記憶
回路６６Ａと６６Ｂといった組み合わせでそれぞれ異なるように決まる。そのため、トラ
ンジスタ７６を導通状態とした状態でインバータループへの電源電圧の供給を再開するこ
とで、第１のラッチ回路１８が有するインバータループを構成する２つのノードに電位差
が生じる。この電位差を利用して第１のラッチ回路１８が有するインバータループの電位
を元のデータの電位にする。同様に復帰制御信号ＲＥＥＮをＬレベルからＨレベルに切り
替えることで、第２のラッチ回路２０のデータを保持するノードＦ３またはＦ４に保持さ
れたＨレベルが、第２のラッチ回路２０が有するインバータループを構成する２つのノー
ドの一方の電位を元のデータの電位にする。そのため、第１のラッチ回路１８及び第２の
ラッチ回路２０では、データの復帰を図ることができる。
【００８２】
図３のデータ保持回路の構成では、退避制御信号ＢＵＥＮのＨレベルの電位は、トランジ
スタ７０のしきい値電圧よりも高い電位であればよい。退避制御信号ＢＵＥＮのＬレベル
の電位は、トランジスタ７０のしきい値電圧よりも低い電位であればよい。なお、この構
成では、ノードＦ１乃至Ｆ４には、インバータループを構成するノードで保持する電位よ
りも、トランジスタ７０のしきい値電圧分だけ低下した電位を、データとして保持するこ
とになる。
【００８３】
また図３のデータ保持回路の構成は、ノードＦ１とＦ２、ノードＦ３とＦ４の電位差を用
いて、ＦＦ回路１４のデータの復元を行う。そのため、ノードＦ１とＦ２、ノードＦ３と
Ｆ４の一方の電位が相対的に高ければ、ＳＲ回路１６でのデータの保持が可能である。従
ってノードＦ１とＦ２、ノードＦ３とＦ４にトランジスタ７０のしきい値電圧分だけ低下
した電位が保持されたとしても、ＦＦ回路１４のデータの復元を行うことができる。
【００８４】
また図３のデータ保持回路の構成では、ノードＦ１とＦ２、ノードＦ３とＦ４に保持され
る電荷が時間の経過により少なくなったとしても、データの保持後の動作を正常に行う許
容範囲を広げることができる。例えば、ノードＦ１に電位Ｖ１が保持され、ノードＦ２に
電位Ｖ２（＜Ｖ１）が保持されていたとする。この場合、時間の経過と共に電荷が減少し
て双方のノードからΔＶだけ電位が減少したとすると、ノードＦ１は、電位（Ｖ１ーΔＶ
）となる。また、ノードＦ２は、電位Ｖ２がＶＳＳの場合、電位Ｖ２がＧＮＤより小さい
場合、電位（Ｖ２＋ΔＶ）となる。このような場合であっても本実施の形態の構成では、
ノードＦ１及びノードＦ２の一方（ここではノードＦ１）が相対的に高い電位を保持して
いれば、データの保持後の動作を正常に行うことができる。従って、ＳＲ回路１６におけ
る、データの保持時間を延長することが容易になる。
【００８５】
また図３のデータ保持回路の構成では、上述したように、ノードＦ１とＦ２のいずれか一
方、ノードＦ３とＦ４のいずれか一方の電位が相対的に高い電位であればよいため、予め
退避制御信号ＢＵＥＮのＨレベルの電位を高くするなどの対策は不要とすることが可能で
ある。従って、データ保持回路に電源電圧を供給する電源回路で生成される電圧レベルの
数を低減でき、退避制御信号ＢＵＥＮの振幅を小さくした駆動を行うことができる。
【００８６】
なお、トランジスタ７０は、半導体層に酸化物半導体を用いたトランジスタとすることで
、ノードＦ１乃至Ｆ４から漏れる電荷の経路は、トランジスタ７０のソース及びドレイン
を介する経路が支配的となる。ただし、半導体層に酸化物半導体を用いたトランジスタの
オフ電流値は著しく小さい。よって、当該トランジスタがオフする期間においては、ノー
ドＦ１乃至Ｆ４の電位を概略一定に保持することが可能である。その結果、ノードＦ１乃
至Ｆ４は、電源電圧が供給されるか否かに依存せずにデータを保持することが可能である
。
【００８７】
またトランジスタ７４、トランジスタ７６は、各種の半導体材料を用いて構成することが
可能である。例えば、シリコン又はゲルマニウムなどの材料を用いることができる。また
、化合物半導体又は酸化物半導体を用いることも可能である。なお、トランジスタ７４、
７６としては、移動度が高いトランジスタ（例えば、チャネルが単結晶シリコンに形成さ
れるトランジスタなど）を適用することが好ましい。
【００８８】
次に、図３に示すデータ保持回路１０の動作について図４に示すタイミングチャート図を
用いて説明する。
【００８９】
図４において、ＶＤＤはデータ保持回路１０に電源電位を与える電源線の電位を表す。ま
た、ＲＥＳＥＴはリセット信号を与える配線の電位を表す。また、ｐｈ１は制御信号ｐｈ
１、ｐｈ２は制御信号ｐｈ２の信号の変化を表す。また、Ｄはデータ端子のデータを表す
。また、Ｑは出力端子のデータを表す。また、Ｍ．Ｌａｔ．は第１のラッチ回路で保持す
るデータを表す。また、Ｓ．Ｌａｔ．は第２のラッチ回路で保持するデータを表す。また
、ＢＵＥＮは退避制御信号ＢＵＥＮの信号の変化を表す。また、ＲＥＥＮは復帰制御信号
ＲＥＥＮの信号の変化を表す。また、Ｆ１乃至Ｆ４はノードＦ１乃至Ｆ４で保持するデー
タを表す。
【００９０】
入出力、または保持されるデータは、ＨレベルまたはＬレベルの電位であるが、ここでは
入力される順に”Ｄ０”乃至”Ｄ３”のように表記する。また、”Ｄ０”の反転値には、
”Ｄ０＿ｂ”として表記する。また図面においては、”Ｄ０”の反転値を”Ｄ０”の上側
に線を付して表記する。
【００９１】
図４に示すタイミングチャート図において、期間Ｐ１乃至Ｐ４は、図１（Ｂ）で説明した
通常動作時、データ退避時、電源供給停止時、データ復帰時を表している。
【００９２】
期間Ｐ１では、退避制御信号ＢＵＥＮ及び復帰制御信号ＲＥＥＮがＬレベルであり、制御
信号ｐｈ１及びｐｈ２がＨレベルのとき、第１のラッチ回路、第２のラッチ回路にデータ
が転送される。転送されたデータは、第１のラッチ回路及び第２のラッチ回路が有する双
方のインバータループに保持される。なお期間Ｐ１では、ノードＦ１乃至Ｆ４の電位は、
不定値（ｕｎｋｎｏｗｎ）として示しているが、前の期間に書き込まれたデータを記憶し
ている場合もある。
【００９３】
次いで期間Ｐ２で、退避制御信号ＢＵＥＮをＨレベルにすることで、制御信号ｐｈ１及び
ｐｈ２をＬレベルに固定する。このとき、第１のラッチ回路は取り込んだデータ”Ｄ１”
をインバータループで保持する。また、第２のラッチ回路は取り込んだデータ”Ｄ０”を
インバータループで保持する。取り込んだデータは、反転した論理レベルの電位がノード
Ｆ１乃至Ｆ４に与えられるため、ノードＦ１の電位は、”Ｄ１＿ｂ”となる。同様に、ノ
ードＦ２乃至Ｆ４について”Ｄ１”、”Ｄ０”、”Ｄ０＿ｂ”となる。
【００９４】
期間Ｐ３で、電源電圧の供給を停止し、退避制御信号ＢＵＥＮをＬレベルにする。このと
き、ノードＦ１乃至Ｆ４は浮遊状態となり、データを記憶する。このように、ＳＲ回路１
６にデータが記憶され、ＦＦ回路１４のデータは消失する。
【００９５】
期間Ｐ４で、電源電圧の供給を再開し、復帰制御信号ＲＥＥＮをＨレベルとすることで、
制御信号ｐｈ１及びｐｈ２をＬレベルに固定する。このとき、第１のラッチ回路及び第２
のラッチ回路が有するインバータループを構成するノードの電位は、記憶回路６６Ａ乃至
６６Ｄが有するトランジスタ７４でのチャネル抵抗の差で決定される。そのため、第１の
ラッチ回路及び第２のラッチ回路が有するインバータループを構成するノードの電位に電
位差が生じ、常にノードＦ１乃至Ｆ４に従ったデータの復元を行うことができる。
【００９６】
再度期間Ｐ１で、復帰制御信号ＲＥＥＮがＬレベルになり、これ以降、通常動作期間にな
り、データの転送と保持が再開される。
【００９７】
本実施の形態で示すデータ保持回路では、図２で説明した制御信号生成回路１２により、
データ退避時及びデータ復帰時に制御信号ｐｈ１及び制御信号ｐｈ２をＬレベルとなるよ
う出力することができる。図３及び図４で説明するデータ保持回路は、電源遮断時におい
て、第１のラッチ回路１８及び第２のラッチ回路２０と不揮発性記憶回路２２及び不揮発
性記憶回路２４との間でデータを退避・復帰させる際、第１のラッチ回路あるいは第２の
ラッチ回路が新たなデータを取り込んでしまい、本来退避（または復帰）したいデータと
異なってしまうといった誤動作を低減することができる。
【００９８】
以上説明した本実施の形態の構成では、第１のラッチ回路及び第２のラッチ回路を有する
揮発性の記憶部を有するＦＦ回路と、不揮発性の記憶部を有するＳＲ回路と、を有するデ
ータ保持回路と、第１のラッチ回路に与える第１の制御信号、及び第２のラッチ回路に与
える第２の制御信号を生成する制御信号生成回路と、を有する構成とする。シャドーレジ
スタは、退避制御信号又は復帰制御信号を基に、第１のラッチ回路及び第２のラッチ回路
との間でデータの退避又は復帰が制御される回路とする。そして制御信号生成回路は、ク
ロック信号、退避制御信号、及び復帰制御信号を基に、データの退避又は復帰する期間に
おいて、Ｌレベルとする第１の制御信号及び第２の制御信号を生成する回路とする。
【００９９】
該構成とすることでデータ保持回路は、電源遮断時においてデータをＦＦ回路からＳＲ回
路に退避させ、電源復帰時にデータをＳＲ回路からＦＦ回路に復帰させることで、電源停
止時においてもデータを保持することができる。このデータの退避及び復帰の処理により
、電源遮断前のデータが電源復帰後であっても失われず、中断した演算処理を再開するこ
とが可能である。そのため、データ保持回路への間欠的なパワーゲーティングを図ること
ができるため、低消費電力化を図ることができる。
【０１００】
このデータの退避及び復帰を行う構成を第１のラッチ回路及び第２のラッチ回路を有する
ＦＦ回路に適用する場合、データのレーシングによる誤動作を防ぐことが必要になるが、
本発明の一態様では、制御信号生成回路において、クロック信号、退避制御信号、及び復
帰制御信号を基に、データの退避又は復帰する期間において、Ｌレベルとする第１の制御
信号及び第２の制御信号を生成する構成とする。そのため、第１のラッチ回路及び第２の
ラッチ回路のそれぞれに与える制御信号が、データの退避あるいは復帰中に変化した場合
、ＦＦ回路内の第１のラッチ回路あるいは第２のラッチ回路が新たなデータを取り込んで
しまい、本来退避（または復帰）したいデータと異なってしまうといった誤動作を低減す
ることができる。
【０１０１】
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。
【０１０２】
（実施の形態２）
本実施の形態では、上記実施の形態１で説明した制御信号生成回路１２の変形例について
説明する。
【０１０３】
≪変形例１≫
図５（Ａ）には図２で示した制御信号生成回路１２の変形例の回路構成の一例を示す。制
御信号生成回路１２ＡはＮＡＮＤ回路８０、ＮＯＲ回路８１、遅延回路３２、インバータ
回路３４、３６、ＮＡＮＤ回路３８、４０、インバータ回路８２、インバータ回路８４を
有する。
【０１０４】
退避制御信号ＢＵＥＮ及び復帰制御信号ＲＥＥＮをＮＯＲ回路８１に入力して出力される
信号と、クロック信号ＣＬＫとをＮＡＮＤ回路８０に入力すると、通常動作時にのみトグ
ル動作を行うクロック信号の波形が入力部ＩＮで得られる。入力部ＩＮで得られる信号は
、遅延回路３２の入力部ＩＮに与えられることで出力部ＯＵＴでは、遅延した信号が生成
される。インバータ回路３４を介した入力部ＩＮの信号と出力部ＯＵＴの信号をＮＡＮＤ
回路３８に入力し、さらにインバータ回路８２で反転させて制御信号ｐｈ１を得る。また
インバータ回路３６を介した出力部ＯＵＴの信号と入力部ＩＮの信号をＮＡＮＤ回路４０
に入力し、さらにインバータ回路８４で反転させて制御信号ｐｈ２を得る。
【０１０５】
図５（Ｂ）には図５（Ａ）に示す制御信号生成回路１２Ａで得られる信号のタイミングチ
ャート図を示す。図５（Ｂ）では、図１（Ｂ）と同様に、図５（Ａ）に示す各信号につい
て、Ｐ１乃至Ｐ４時におけるタイミングチャートの模式図を示す。
【０１０６】
図５（Ｂ）に示すように本発明の一態様において、制御信号生成回路は、データ退避時及
びデータ復帰時に制御信号ｐｈ１及び制御信号ｐｈ２をＬレベルとなるよう出力すること
ができる。該構成とすることでデータ保持回路は、電源遮断時において、第１のラッチ回
路１８及び第２のラッチ回路２０と不揮発性記憶回路２２及び不揮発性記憶回路２４との
間でデータを退避・復帰させる際、第１のラッチ回路あるいは第２のラッチ回路が新たな
データを取り込んでしまい、本来退避（または復帰）したいデータと異なってしまうとい
った誤動作を低減することができる。
【０１０７】
加えて図５（Ａ）の制御信号生成回路の構成では、データ退避時及びデータ復帰時に入力
部ＩＮの信号をＬレベルとなるよう制御することができる。該構成とすることで制御信号
生成回路１２Ａが有する遅延回路３２、インバータ回路３４、３６、ＮＡＮＤ回路３８、
４０が出力する信号を、データ退避時及びデータ復帰時において、Ｌレベルにすることが
できる。そのため、配線を充放電するために要する、動的な消費電力を削減することがで
きる。
【０１０８】
≪変形例２≫
図６（Ａ）には図２で示した制御信号生成回路１２の変形例の回路構成の一例を示す。制
御信号生成回路１２Ｂはインバータ回路３０、遅延回路３２、インバータ回路３４、３６
、ＮＡＮＤ回路３８、４０、ＮＯＲ回路４２、ＮＯＲ回路４４、ＯＲ回路８６、Ｄフリッ
プフロップ回路８８（以下、ＤＦＦ回路８８）を有する。
【０１０９】
クロック信号ＣＬＫがインバータ回路３０に入力されると、反転したクロック信号が生成
される。反転したクロック信号は、遅延回路３２の入力部ＩＮに与えられることで出力部
ＯＵＴでは、遅延且つ反転したクロック信号が生成される。インバータ回路３４を介した
入力部ＩＮの信号と出力部ＯＵＴの信号をＮＡＮＤ回路３８に入力し、ノードＮＡ＿１で
の信号を得る。またインバータ回路３６を介した出力部ＯＵＴの信号と入力部ＩＮの信号
をＮＡＮＤ回路４０に入力し、ノードＮＡ＿２での信号を得る。
【０１１０】
退避制御信号ＢＵＥＮと復帰制御信号ＲＥＥＮは、ＯＲ回路８６に入力される。ＯＲ回路
８６で得られる信号（ＯＲ＿ＯＵＴ）は、ＤＦＦ回路８８の入力データＤとして与えられ
る。この入力データはノードＮＡ＿２での信号の立ち上がりエッジでフリップフロップ回
路内のラッチ回路に取り込まれる。保持する電位の変化に従ってＤＦＦ回路８８の出力信
号が得られる。
【０１１１】
なおＤＦＦ回路８８として機能する回路の一例を図６（Ｂ）に示す。ＤＦＦ回路８８は、
インバータ回路９０、アナログスイッチ９２、ラッチ回路９４、アナログスイッチ９６及
びラッチ回路９８を有する。なおＤＦＦ回路８８は、ノードＮＡ＿２での信号がＬレベル
の際の信号をラッチ回路９４に取り込み、立ち上がりエッジでラッチ回路９８に保持する
ことで、ＤＦＦ回路８８からＮＯＲ回路４４に与える信号（ノードＦＦ＿１の信号）を生
成することができる。
【０１１２】
ノードＦＦ＿１の信号は、退避制御信号ＢＵＥＮ又は復帰制御信号ＲＥＥＮのいずれかの
信号がＨレベルになった後、ノードＮＡ＿２での信号の立ち上がりエッジが出現した後に
Ｈレベルとなる信号である。すなわちノードＦＦ＿１の信号は、制御信号ｐｈ２がＨレベ
ルを出力した後に、Ｈレベルとなる信号である。この場合、制御信号ｐｈ２が立ち上がる
前、あるいは途中に退避制御信号ＢＵＥＮ又は復帰制御信号ＲＥＥＮがＨレベルになって
データの取り込みが行われないといったことがない。そのため、制御信号ｐｈ２が立ち上
がり、データの取り込みが完了した後にデータ退避期間、データ復帰期間とすることがで
きる。
【０１１３】
ＤＦＦ回路８８で得られるノードＦＦ＿１の信号と、ノードＮＡ＿１での信号とが、ＮＯ
Ｒ回路４２に入力され、制御信号ｐｈ１を得る。また、ＤＦＦ回路８８で得られるノード
ＦＦ＿１の信号と、ノードＮＡ＿２での信号とが、ＮＯＲ回路４４に入力され、制御信号
ｐｈ２を得る。
【０１１４】
図６（Ｃ）には図６（Ａ）に示す制御信号生成回路１２Ｂで得られる信号のタイミングチ
ャート図を示す。図６（Ｃ）では、図１（Ｂ）と同様に、図６（Ａ）に示す各信号につい
て、Ｐ１乃至Ｐ４時におけるタイミングチャートの模式図を示す。
【０１１５】
図６（Ｃ）に示すように本発明の一態様において、制御信号生成回路は、データ退避時及
びデータ復帰時に制御信号ｐｈ１及び制御信号ｐｈ２をＬレベルとなるよう出力すること
ができる。該構成とすることでデータ保持回路は、電源遮断時において、第１のラッチ回
路１８及び第２のラッチ回路２０と不揮発性記憶回路２２及び不揮発性記憶回路２４との
間でデータを退避・復帰させる際、第１のラッチ回路あるいは第２のラッチ回路が新たな
データを取り込んでしまい、本来退避（または復帰）したいデータと異なってしまうとい
った誤動作を低減することができる。
【０１１６】
加えて図６（Ｃ）の制御信号生成回路の構成では、制御信号ｐｈ２が立ち上がり、データ
の取り込みが完了した後に、ノードＦＦ＿１の信号をＨレベルとし、制御信号ｐｈ１及び
制御信号ｐｈ２をＬレベルとなるデータ退避期間とすることができる。また、図６（Ｃ）
の制御信号生成回路の構成では、制御信号ｐｈ２が立ち上がり、次に制御信号ｐｈ１がＨ
レベルとなるタイミングで、ノードＦＦ＿１の信号をＨレベルからＬレベルにし、データ
復帰期間とすることができる。この場合、退避制御信号ＢＵＥＮ及び復帰制御信号ＲＥＥ
Ｎの変化によらず、データ退避期間及びデータ復帰期間での動作を行うことができる。そ
のため、誤動作が低減された、データ退避期間及びデータ復帰期間での制御信号ｐｈ１及
び制御信号ｐｈ２の生成を行うことができる。
【０１１７】
≪変形例３≫
図７（Ａ）には図６（Ｂ）で示したＤＦＦ回路８８の変形例の回路構成の一例を示す。Ｄ
ＦＦ回路８８Ａはインバータ回路９０、アナログスイッチ９２、ラッチ回路９４Ａ、アナ
ログスイッチ９６及びラッチ回路９８Ａを有する。ラッチ回路９４Ａ及びラッチ回路９８
Ａは、インバータ回路、及びリセット信号ＦＦ＿ＲＥＳが与えられるＮＡＮＤ回路で構成
される。
【０１１８】
ＤＦＦ回路８８Ａは、ラッチ回路９４Ａ及びラッチ回路９８Ａにリセット信号ＦＦ＿ＲＥ
ＳのＬレベルの信号を与えることで、強制的にＨレベルを保持するよう制御することがで
きる。この場合、電源供給停止時においてＤＦＦ回路８８への電源電圧の供給を停止して
も、再開後に強制的にノードＦＦ＿１の信号をＨレベルに保持することができる。そのた
め電源電圧の供給を停止後に再開しても、制御信号生成回路の機能を維持することができ
る。なおリセット信号ＦＦ＿ＲＥＳは、電源電圧の供給を停止するよりも直前にＬレベル
とすればよく、電源電圧の供給を再開する直後にＬレベルとすればよい。該構成とするこ
とで、制御信号ｐｈ１及び制御信号ｐｈ２をＬレベルとするデータ退避期間及びデータ復
帰期間とすることができる。
【０１１９】
図７（Ｂ）には図７（Ａ）に示すＤＦＦ回路８８Ａを図６（Ａ）に示す制御信号生成回路
１２Ｂで適用した場合に得られる信号のタイミングチャート図を示す。図７（Ｂ）では、
図６（Ａ）に示す各信号、及びリセット信号ＦＦ＿ＲＥＳについて、Ｐ１乃至Ｐ４時にお
けるタイミングチャートの模式図を示す。
【０１２０】
図７（Ｂ）に示すように本発明の一態様において、制御信号生成回路は、データ退避時及
びデータ復帰時に制御信号ｐｈ１及び制御信号ｐｈ２をＬレベルとなるよう出力すること
ができる。該構成とすることでデータ保持回路は、電源遮断時において、第１のラッチ回
路１８及び第２のラッチ回路２０と不揮発性記憶回路２２及び不揮発性記憶回路２４との
間でデータを退避・復帰させる際、第１のラッチ回路あるいは第２のラッチ回路が新たな
データを取り込んでしまい、本来退避（または復帰）したいデータと異なってしまうとい
った誤動作を低減することができる。
【０１２１】
加えて図７（Ａ）に示すＤＦＦ回路８８Ａを図６（Ａ）に示す制御信号生成回路１２Ｂで
適用した場合では、ＤＦＦ回路８８への電源電圧の供給を停止しても、再開後に強制的に
ノードＦＦ＿１の信号をＨレベルに保持することができる。そのため、誤動作が低減され
、かつ消費電力が低減できる動作を行うことができる。
【０１２２】
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。
【０１２３】
（実施の形態３）
本実施の形態では、半導体装置の応用例について具体例を挙げて説明する。特に本実施の
形態では、ＰＬＤ（Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ  Ｌｏｇｉｃ  Ｄｅｖｉｃｅ）、あるいは
ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｕｎｉｔ）への半導体装置の応用例に
ついて説明する。
【０１２４】
図８はＰＬＤが有するロジックアレイのブロック図についての一例を示す図である。ロジ
ックアレイ３００は、アレイ状の複数のＬＥ（Ｌｏｇｉｃ  Ｅｌｅｍｅｎｔ）３０１を有
する。ここでアレイ状とは、行列状にロジックエレメントが周期的に配列していることを
指し、配列は図８の配列に限られない。
【０１２５】
また、ＬＥ３０１を囲むように、複数の配線が形成されている。図８においては、これら
の配線は複数の水平な配線群３０３と複数の垂直な配線群３０４とにより構成される。配
線群とは、複数の配線からなる配線の束である。水平な配線群３０３と垂直な配線群３０
４とが交わる部分にはスイッチ部３０２が設けられる。また、水平な配線群３０３及び垂
直な配線群３０４は入出力端子３０５に接続され、ロジックアレイ３００の外部回路と信
号の授受を行う。
【０１２６】
複数のＬＥ３０１の入出力端子は、それぞれ周囲に設けられた水平な配線群３０３や垂直
な配線群３０４に接続している。例えば、ＬＥ３０１の入出力端子は図８においてそれぞ
れ上下左右の側で水平な配線群３０３や垂直な配線群３０４と接続している。この入出力
端子を用いることで、ＬＥ３０１は他のＬＥ３０１に接続することができる。任意のＬＥ
３０１と、これと異なるＬＥ３０１との接続経路は、スイッチ部３０２内に設けられた配
線間の接続を切り替えるためのスイッチによって決定される。
【０１２７】
スイッチ部３０２内における、配線間の接続を切り替えるスイッチのオン又はオフは、コ
ンフィギュレーションデータを記憶するコンフィギュレーションメモリに応じて決定され
る。スイッチ部３０２に設けられるコンフィギュレーションメモリは、書き換え可能な構
成とする場合、記憶するコンフィギュレーションデータがパワーゲーティング時の電源の
停止により消失しないよう、不揮発性の記憶素子を有する構成とすることが好ましい。
【０１２８】
なお不揮発性の記憶素子としては、フラッシュメモリの他、強誘電体メモリ（ＦｅＲＡＭ
）、磁気抵抗メモリ（ＭＲＡＭ）、相変化メモリ（ＰＲＡＭ）、抵抗変化型メモリ（Ｒｅ
ＲＡＭ）等を用いることができる。あるいは酸化物半導体層を有するトランジスタにおい
てオフ電流が極めて小さいことを利用した、電荷の保持によりデータの保持を行う回路を
不揮発性記憶素子としてもよい。酸化物半導体層を有するトランジスタを用いて不揮発性
の記憶素子を形成することで、シリコン層を有するトランジスタと積層して設けることが
できる。
【０１２９】
図９は図８で示したＬＥ３０１のブロック図の一例を示す図である。図９に示すＬＥ３０
１は、一例として、ＬＵＴ３１１（Ｌｏｏｋ  Ｕｐ  Ｔａｂｌｅ）、データ保持回路３１
２、及びマルチプレクサ３１３を有する。また図９では、ＬＵＴ３１１及びマルチプレク
サ３１３に接続されて、コンフィギュレーションメモリ３１４、３１５が設けられている
。また図９では、データ保持回路３１２に接続されて、制御信号生成回路３１０が設けら
れている。
【０１３０】
なお図９では制御信号生成回路３１０をＬＥ３０１内に設ける構成としたが、図１３に示
すように、ＬＥ３０１の外部に設ける構成としてもよい。該構成とすることで、制御信号
生成回路３１０の数を減らし、ＬＥ３１０の回路規模を縮小することができる。
【０１３１】
なおコンフィギュレーションメモリ３１４、３１５は、書き換え可能な構成とする場合、
記憶するコンフィギュレーションデータがパワーゲーティング時の電源の停止により消失
しないよう、不揮発性の記憶素子を有する構成とすることが好ましい。
【０１３２】
なおコンフィギュレーションデータとは、一例としては、ＬＵＴ３１１のデータ、マルチ
プレクサ３１３の入力信号の選択情報、スイッチ部３０２の導通又は非導通を選択するデ
ータをいう。またコンフィギュレーションメモリとは、コンフィギュレーションデータを
記憶する記憶素子をいう。
【０１３３】
ＬＵＴ３１１は、コンフィギュレーションメモリ３１４に記憶されたコンフィギュレーシ
ョンデータの内容によって、定められる論理回路が異なる。そして、コンフィギュレーシ
ョンデータが確定すると、ＬＵＴ３１１は、入力端子３１６に与えられた複数の入力信号
の入力値に対する、一の出力値が定まる。そして、ＬＵＴ３１１からは、上記出力値を含
む信号が出力される。
【０１３４】
データ保持回路３１２は、上記実施の形態で説明したデータ保持回路である。データ保持
回路３１２は、制御信号生成回路３１０より出力される制御信号ｐｈ１、ｐｈ２に同期し
てＬＵＴ３１１から出力される信号を保持し、マルチプレクサ３１３に出力する。また退
避制御信号ＢＵＥＮ、復帰制御信号ＲＥＥＮにより保持するデータがパワーゲーティング
時の電源の停止により消失しないよう、ＦＦ回路とＳＲ回路との間でデータの退避又は復
帰が制御される。
【０１３５】
制御信号生成回路３１０は、上記実施の形態で説明した制御信号生成回路である。制御信
号生成回路３１０は、クロック信号ＣＬＫ、退避制御信号ＢＵＥＮ、復帰制御信号ＲＥＥ
Ｎをもとに制御信号ｐｈ１、ｐｈ２を生成することができる。生成された制御信号ｐｈ１
、ｐｈ２は、上記実施の形態で説明したように、データの退避時又は復帰時において、誤
動作がないように第１のラッチ回路及び第２のラッチ回路を制御することができる信号で
ある。
【０１３６】
マルチプレクサ３１３は、ＬＵＴ３１１からの出力信号と、データ保持回路３１２からの
出力信号とが入力されている。そして、マルチプレクサ３１３は、コンフィギュレーショ
ンメモリ３１５に保持されているコンフィギュレーションデータに従って、上記２つの出
力信号のいずれか一方に切り替えて出力する。マルチプレクサ３１３からの出力信号は、
出力端子３１７から出力される。
【０１３７】
本発明の一態様では、上記実施の形態で説明したデータ保持回路、及び制御信号生成回路
といった回路をＬＥ内に有する。そのため、データの退避又は復帰時において誤動作を防
ぐことができる。またパワーゲーティングによる電源の停止を図ることで低消費電力化を
図ることができる。
【０１３８】
次いで図１０は、ＣＰＵのブロック図の一例を示す図である。
【０１３９】
ＣＰＵ４００は、一例として、プログラムカウンタ４１１、命令レジスタ４１２、命令デ
コーダ４１３、汎用レジスタ４１４、及びＡＬＵ４１５（Ａｒｉｔｈｍｅｔｉｃ  Ｌｏｇ
ｉｃ  Ｕｎｉｔ）を有する。ＣＰＵ４００の外部には、ＣＰＵ４００とのデータの入出力
を行うための主記憶装置４０１が設けられる。
【０１４０】
プログラムカウンタ４１１は、読み出す（フェッチする）命令（コマンド）のアドレスを
記憶するレジスタである。命令レジスタ４１２は、主記憶装置４０１から命令デコーダ４
１３に送られるデータを一時的に記憶しておくレジスタである。命令デコーダ４１３は、
入力されたデータをデコードし、汎用レジスタ４１４でのレジスタ指定、及びＡＬＵ４１
５での演算方法指定等の信号を生成する回路である。汎用レジスタ４１４は、主記憶装置
４０１から読み出されたデータ、ＡＬＵ４１５の演算処理の途中で得られたデータ、或い
はＡＬＵ４１５の演算処理の結果得られたデータ、などを記憶することができる。ＡＬＵ
４１５は、四則演算、論理演算などの各種演算処理を行う機能を有する。なお、ＣＰＵ４
００には、別途データキャッシュ等、すなわち演算結果などを一時的に記憶する回路があ
ってもよい。
【０１４１】
次いで、ＣＰＵ４００の動作について説明する。
【０１４２】
ＣＰＵ４００は、プログラムカウンタ４１１で指定された、読み出す命令のアドレスを主
記憶装置４０１に出力するよう、指示を行う。次いで主記憶装置４０１に記憶された、実
行する命令のアドレスからデータを読み出し、命令レジスタ４１２に記憶させる。
【０１４３】
命令デコーダ４１３は、命令レジスタ４１２に記憶されたデータをデコードし、命令を実
行する。具体的には、汎用レジスタ４１４でのレジスタ指定、及びＡＬＵ４１５での演算
方法指定等の信号を生成する。
【０１４４】
汎用レジスタ４１４では、命令に従って、命令デコーダ４１３で指定されたデータをＡＬ
Ｕ４１５又は主記憶装置４０１に出力する。ＡＬＵでは、命令デコーダ４１３で指定され
た演算方法に基づいて、演算処理を実行し、演算結果を汎用レジスタ４１４に記憶する。
【０１４５】
そして、命令の実行が終了すると、ＣＰＵ４００は、命令を読み出し、命令レジスタ４１
２から読み出したデータをデコード、命令を実行するという動作を繰り返す。
【０１４６】
本発明の一態様では、プログラムカウンタ４１１、命令レジスタ４１２、命令デコーダ４
１３、汎用レジスタ４１４といった回路内における一時的なデータの記憶を行うレジスタ
に、上記実施の形態で示した半導体装置を用いることで、データの退避又は復帰時におい
て誤動作を防ぐことができる。またパワーゲーティングによる電源の停止を図ることで低
消費電力化を図ることができる。よって、ＣＰＵ４００誤動作、消費電力を小さく抑える
ことができる。
【０１４７】
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。
【０１４８】
（実施の形態４）
本発明の一態様に係る半導体装置は、表示機器、パーソナルコンピュータ、記録媒体を備
えた画像再生装置（代表的にはＤＶＤ：Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ  Ｄｉｓｃ
等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうるディスプレイを有する装置）に用いること
ができる。その他に、本発明の一態様に係る半導体装置を用いることができる電子機器と
して、携帯電話、携帯型を含むゲーム機、携帯情報端末、電子書籍、ビデオカメラ、デジ
タルスチルカメラなどのカメラ、ゴーグル型ディスプレイ（ヘッドマウントディスプレイ
）、ナビゲーションシステム、音響再生装置（カーオーディオ、デジタルオーディオプレ
イヤー等）、複写機、ファクシミリ、プリンター、プリンター複合機、現金自動預け入れ
払い機（ＡＴＭ）、自動販売機などが挙げられる。これら電子機器の具体例を図１１に示
す。
【０１４９】
図１１（Ａ）は携帯型ゲーム機であり、筐体５００１、筐体５００２、表示部５００３、
表示部５００４、マイクロホン５００５、スピーカ５００６、操作キー５００７、スタイ
ラス５００８等を有する。なお、図１１（Ａ）に示した携帯型ゲーム機は、２つの表示部
５００３と表示部５００４とを有しているが、携帯型ゲーム機が有する表示部の数は、こ
れに限定されない。
【０１５０】
図１１（Ｂ）は携帯情報端末であり、第１の筐体５６０１、第２の筐体５６０２、第１の
表示部５６０３、第２の表示部５６０４、接続部５６０５、操作キー５６０６等を有する
。第１の表示部５６０３は第１の筐体５６０１に設けられており、第２の表示部５６０４
は第２の筐体５６０２に設けられている。そして、第１の筐体５６０１と第２の筐体５６
０２とは、接続部５６０５により接続されており、第１の筐体５６０１と第２の筐体５６
０２の間の角度は、接続部５６０５により変更が可能となっている。第１の表示部５６０
３における映像の切り替えを、接続部５６０５における第１の筐体５６０１と第２の筐体
５６０２との間の角度に従って、行う構成としても良い。また、第１の表示部５６０３及
び第２の表示部５６０４の少なくとも一方に、位置入力装置としての機能が付加された表
示装置を用いるようにしても良い。なお、位置入力装置としての機能は、表示装置にタッ
チパネルを設けることで付加することができる。あるいは、位置入力装置としての機能は
、フォトセンサとも呼ばれる光電変換素子を表示装置の画素部に設けることでも、付加す
ることができる。
【０１５１】
図１１（Ｃ）はノート型パーソナルコンピュータであり、筐体５４０１、表示部５４０２
、キーボード５４０３、ポインティングデバイス５４０４等を有する。
【０１５２】
図１１（Ｄ）は電気冷凍冷蔵庫であり、筐体５３０１、冷蔵室用扉５３０２、冷凍室用扉
５３０３等を有する。
【０１５３】
図１１（Ｅ）はビデオカメラであり、第１の筐体５８０１、第２の筐体５８０２、表示部
５８０３、操作キー５８０４、レンズ５８０５、接続部５８０６等を有する。操作キー５
８０４及びレンズ５８０５は第１の筐体５８０１に設けられており、表示部５８０３は第
２の筐体５８０２に設けられている。そして、第１の筐体５８０１と第２筐体５８０２と
は、接続部５８０６により接続されており、第１の筐体５８０１と第２筐体５８０２の間
の角度は、接続部５８０６により変更が可能となっている。表示部５８０３における映像
の切り替えを、接続部５８０６における第１の筐体５８０１と第２の筐体５８０２との間
の角度に従って行う構成としても良い。
【０１５４】
図１１（Ｆ）は普通自動車であり、車体５１０１、車輪５１０２、ダッシュボード５１０
３、ライト５１０４等を有する。
【０１５５】
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。
【実施例】
【０１５６】
２相クロックを用いた半導体装置の応用例として、ＰＬＤの一種であるＦＰＧＡ（Ｆｉｅ
ｌｄ  Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ  Ｇａｔｅ  Ａｒｒａｙ）を作製した。本実施例では、
ＦＰＧＡの具体的な構成について説明する。作製したＦＰＧＡは、不揮発性のシャドーレ
ジスタを有するＰＬＥ（Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ  Ｌｏｇｉｃ  Ｅｌｅｍｅｎｔ）毎に
パワーゲーティング可能な、マルチコンテキストＦＰＧＡである。
【０１５７】
図１６には、作製した、マルチコンテキストＦＰＧＡのブロック図を示す。なお以降の説
明では図面との対応を図るために上記説明した退避制御信号ＢＵＥＮをφＳとし、復帰制
御信号をφＬとする。同様に、クロック信号ＣＬＫをＣＬＫＳＹＳとする。同様に、リセ
ット信号をφＲとする。また、コンテキストを切り替えるための信号をφＣＴＸとする。
また、ロジックエレメントＬＥは、ＰＬＥ＜０＞、ＰＬＥ＜１＞のように連番を付して示
す。また、スイッチ部は、ルーティングスイッチを表すＲＳとして示す。
【０１５８】
図１６は、制御信号生成回路６０１（図中、Ｃｌｏｃｋ  Ｇｅｎｅｒａｔｏｒという場合
もある）、コンフィギュラブル入出力回路６０２（図中、Ｃｏｎｆｉｇｕｒａｂｌｅ  Ｉ
／Ｏという場合もある）、ロウデコーダ６０３（図中、Ｒｏｗ  Ｄｒｉｖｅｒという場合
もある）、カラムデコーダ６０４（図中、Ｃｏｌｕｍｎ  Ｄｒｉｖｅｒという場合もある
）、コンフィギュレーションコントローラ６０５を示す。また、ロジックエレメントとし
てプログラマブルロジックエレメントＰＬＥ＜０＞、ＰＬＥ＜１＞、スイッチ部としてル
ーティングスイッチＲＳを示す。
【０１５９】
プログラマブルロジックエレメントＰＬＥ＜０＞、ＰＬＥ＜１＞は、コンフィギュレーシ
ョンメモリに記憶されたコンフィギュレーションデータに応じて、機能を切り替えること
ができる。ルーティングスイッチＲＳは、コンフィギュレーションデータを記憶するコン
フィギュレーションメモリに応じて、配線間の接続を切り替えることができる。
【０１６０】
図１７（Ａ）には、プログラマブルロジックエレメントＰＬＥ＜０＞、ＰＬＥ＜１＞に適
用可能なＰＬＥの構成例を示す。図１７（Ａ）は、４入力ルックアップテーブルＬＵＴ、
不揮発性レジスタＮＶＲｅｇ、等を有する。また、ＰＬＥは、パワーゲーティングを行う
ためのパワースイッチＰＳＷが接続される。
【０１６１】
ルックアップテーブルＬＵＴ等において、コンテキスト数に応じて切り替え可能なコンフ
ィギュレーションメモリセットＣＭを有する。ＰＬＥは、コンフィギュレーションメモリ
セットＣＭに記憶されるコンフィギュレーションデータを、コンテキストを切り替える信
号φＣＴＸに従って切り替えて、機能を切り替えることができる。
【０１６２】
パワースイッチＰＳＷにおいて、ゲートにコンフィギュレーションメモリセットＣＭが接
続される。パワースイッチＰＳＷは、コンフィギュレーションメモリセットＣＭに記憶さ
れるコンフィギュレーションデータに従ってオンまたはオフが制御され、コンテキスト数
に応じて電位ＶＤＤＰＬＥを切り替えてパワーゲーティングする。
【０１６３】
不揮発性レジスタＮＶＲｅｇは、コンテキスト数に応じた複数のシャドーレジスタを有す
るレジスタである。不揮発性レジスタＮＶＲｅｇは、コンテキストに対応するφＳとφＬ
に従ってデータの退避あるいは復帰を制御することができる。
【０１６４】
図１７（Ｂ）には、コンフィギュレーションメモリセットＣＭの構成例を示す。コンフィ
ギュレーションメモリセットＣＭは、信号φＣＴＸに従ってコンフィギュレーションメモ
リのいずれか一の出力信号をＯＵＴに出力する。
【０１６５】
図１７（Ｂ）には、コンフィギュレーションメモリの回路構成の一例を併せて示す。図１
７（Ｂ）では、トランジスタＭ１乃至Ｍ４、容量素子Ｃ１，Ｃ２を示している。コンフィ
ギュレーションメモリは、トランジスタＭ１、Ｍ２をＯＳトランジスタとし、ＯＳトラン
ジスタのオフ電流が低い特性を利用してデータを保持する。具体的には、ｗｌｉｎｅをハ
イレベルとしてトランジスタＭ１、Ｍ２をオンにし、ノードＦＮ１、ＦＮ２にｂｌｉｎｅ
，ｂｌｉｎｅｂの論理レベルが判定した信号を書きこみ、保持する。そして、トランジス
タＭ３又はＭ４の一方の導通状態を選択される状態として、ハイレベル又はローレベルの
出力信号を得る。
【０１６６】
図１８には、不揮発性レジスタＮＶＲｅｇの構成例を示す。不揮発性レジスタＮＶＲｅｇ
は、上記実施の形態１の図３で説明したＦＦ回路１４、及びＳＲ回路１６（シャドーレジ
スタ）を有する。ＳＲ回路は、コンテキスト数に応じて設けられ、ＳＲ回路１６＿１、１
６＿２としている。
【０１６７】
ＦＦ回路１４には、データＤ、信号φＲ、制御信号ｐｈ１、ｐｈ２が与えられ、出力信号
Ｑを出力する。回路構成は、上記実施の形態１の図３を参照すればよい。
【０１６８】
ＳＲ回路１６＿１、１６＿２は、切り替えられるコンテキストに対応してφＳ＜１＞、φ
Ｌ＜１＞、あるいはφＳ＜２＞、φＬ＜２＞が与えられる。例えばコンテキスト１であれ
ば、ＳＲ回路１６＿１を選択するφＳ＜１＞、φＬ＜１＞によってデータの退避あるいは
復帰を制御すればよい。同様に、コンテキスト２であれば、ＳＲ回路１６＿２を選択する
φＳ＜２＞、φＬ＜２＞によってデータの退避あるいは復帰を制御すればよい。
【０１６９】
図１９には、ルーティングスイッチＲＳの構成例を示す。ルーティングスイッチＲＳは、
コンテキストに対応してコンフィギュレーションメモリを有し、信号φＣＴＸに従ってＰ
ＬＥ＜ｉ＞とＰＬＥ＜ｊ＞との接続を切り替える。
【０１７０】
図１９には、ルーティングスイッチＲＳが有するコンフィギュレーションメモリの回路構
成の一例を併せて示す。図１９では、トランジスタＭ５、Ｍ６及び容量素子Ｃ３を示して
いる。図１９のコンフィギュレーションメモリは、トランジスタＭ５をＯＳトランジスタ
とし、ＯＳトランジスタのオフ電流が低い特性を利用してデータを保持する。具体的には
、ｗｌｉｎｅをハイレベルとしてトランジスタＭ５をオンにし、ノードＦＮ３にｂｌｉｎ
ｅの信号を書きこみ、保持する。そして、トランジスタＭ５又はトランジスタＭ６の一方
の導通状態を選択してｉｎとｏｕｔの間の接続を切り替える。
【０１７１】
図２０に、実際に作製したＦＰＧＡのチップ写真を示す。図２０には、図１６で説明した
各回路が配置されている。なお図２０に示すＦＰＧＡは、図２１に示すブロック図で表す
ことができる。実際に作製したＦＰＧＡのダイ（Ｄｉｅ）では、プログラマブルロジック
エレメントを２０個（ＰＬＥ＜０＞乃至ＰＬＥ＜１９＞）配置した。
【０１７２】
図２２に、コンテキストを切り替えて、ＦＰＧＡの機能を切り替えた際の出力波形を示す
。コンテキストの切り替えによってＣｏｎｔｅｘｔ＜１＞ではＦＰＧＡをシフタ―として
機能させ、Ｃｏｎｔｅｘｔ＜２＞ではＦＰＧＡをカウンターとして機能させた。いずれも
良好な波形が得られた。
【０１７３】
作製したＦＰＧＡの消費電力削減効果を検証した。比較のため、ＴｙｐｅＡとして上記作
製したＦＰＧＡ、ＴｙｐｅＢとして揮発性のシャドーレジスタを有するＦＰＧＡ、Ｔｙｐ
ｅＣとしてパワーゲーティング機能を省略したＦＰＧＡ、ＴｙｐｅＤとしてパワーゲーテ
ィング機能、シャドーレジスタ機能を省略したＦＰＧＡの消費電力を測定した。
【０１７４】
比較するＴｙｐｅＡ乃至ＴｙｐｅＤでは、図２２で示す機能を切り替えて消費電力の測定
を行った。Ｃｏｎｔｅｘｔ＜１＞をＴａｓｋ１とし、Ｃｏｎｔｅｘｔ＜２＞をＴａｓｋ２
とした。
【０１７５】
ＴｙｐｅＡでは、Ｔａｓｋ１の機能を実現するためにＦＰＧＡが有するＰＬＥ＜０＞乃至
ＰＬＥ＜７＞を利用し、Ｔａｓｋ２の機能を実現するためにＰＬＥ＜０＞乃至ＰＬＥ＜４
＞を利用する。その他のＰＬＥ＜８＞乃至ＰＬＥ＜１９＞は、パワーゲーティング機能に
よって電源供給が停止される。
【０１７６】
図２３では、前述した、ＴｙｐｅＡ乃至ＴｙｐｅＤのＰＬＥ＜０＞乃至ＰＬＥ＜１９＞の
機能の切り替えの様子を可視化して示している。ＴｙｐｅＡ乃至ＴｙｐｅＤを上段から順
に示している。
【０１７７】
図２３の左列には、Ｃｏｎｔｅｘｔ＜１＞でシフター回路を実現する為に必要なＰＬＥを
一点鎖線で囲み、Ｃｏｎｔｅｘｔ＜２＞でカウンター回路を実現する為に必要なＰＬＥを
太い二点鎖線で囲んでいる。また、動作に不要なＰＬＥは、図中ハッチングを付して示し
ている。ＴｙｐｅＤでは、シャドーレジスタがないため、Ｔａｓｋ２の機能を実現するＣ
ｏｎｔｅｘｔ＜２＞のカウンター回路を実現する為に必要なＰＬＥは、ＰＬＥ＜１０＞乃
至ＰＬＥ＜１４＞を利用している。
【０１７８】
図２３の中列には、Ｔａｓｋ１において、パワーゲーティングされるＰＬＥにハッチング
を付して示している。ＴｙｐｅＣ、ＴｙｐｅＤでは、パワーゲーティング機能がないため
、パワーゲーティングされない。
【０１７９】
図２３の右列には、Ｔａｓｋ２において、パワーゲーティングされるＰＬＥにハッチング
を付して示している。ＴｙｐｅＢでは、揮発性レジスタにデータを退避、あるいは復帰が
できないため、使用しないＰＬＥ＜５＞乃至＜７＞でもパワーゲーティングできない。ま
た、ＴｙｐｅＣ、ＴｙｐｅＤでは、パワーゲーティング機能がないため、パワーゲーティ
ングされない。
【０１８０】
図２４では、Ｔａｓｋ１において、各ＰＬＥが消費する電力の総計をＴｙｐｅＡ乃至Ｔｙ
ｐｅＤで比較して示す。図中、左側がクロック信号の周波数を１ＭＨｚとし、右側がクロ
ック信号の周波数を２０ＭＨｚとしたものである。演算に使用するＰＬＥ＜０＞乃至ＰＬ
Ｅ＜７＞では、ＴｙｐｅＡ乃至ＴｙｐｅＤでも一様に電力を消費する。一方で、演算に寄
与しないＰＬＥ＜８＞乃至ＰＬＥ＜１９＞は、ＴｙｐｅＡ及びＴｙｐｅＢでほとんど消費
電力がないものの、パワーゲーティング機能のないＴｙｐｅＣ及びＴｙｐｅＤで消費電力
が増える要因となった。
【０１８１】
図２５では、Ｔａｓｋ２において、各ＰＬＥが消費する電力の総計をＴｙｐｅＡ乃至Ｔｙ
ｐｅＤで比較して示す。図中、左側がクロック信号の周波数を１ＭＨｚとし、右側がクロ
ック信号の周波数を２０ＭＨｚとしたものである。演算に使用するＰＬＥ＜０＞乃至ＰＬ
Ｅ＜４＞では、ＴｙｐｅＡ乃至ＴｙｐｅＤでも一様に電力を消費する。一方で、演算に寄
与しないＰＬＥ＜８＞乃至ＰＬＥ＜１９＞は、ＴｙｐｅＡ及びＴｙｐｅＢでほとんど消費
電力がないものの、パワーゲーティング機能のないＴｙｐｅＣ及びＴｙｐｅＤで消費電力
が増える要因となった。また、ＴｙｐｅＢは、データの退避及び復帰ができず、パワーゲ
ーティングができないため、ＰＬＥ＜５＞乃至ＰＬＥ＜７＞における消費電力の分だけＴ
ｙｐｅＡよりも消費電力が増える要因となった。
【０１８２】
以上の結果より、２相クロックを用いた半導体装置の応用例として示した、不揮発性のシ
ャドーレジスタを有することで、ＰＬＥのパワーゲーティング可能な、マルチコンテキス
トＦＰＧＡは、消費電力が比較的小さいことがわかった。
【符号の説明】
【０１８３】
Ｆ１    ノード
Ｆ２    ノード
Ｆ３    ノード
Ｆ４    ノード
ＦＦ＿１    ノード
ＮＡ＿１    ノード
ＮＡ＿２    ノード
Ｐ１    期間
Ｐ２    期間
Ｐ３    期間
Ｐ４    期間
ｐｈ１    制御信号
ｐｈ２    制御信号
ＲＥＥＮ    復帰制御信号
ＢＵＥＮ    退避制御信号
Ｖ１    電位
Ｖ２    電位
１０    データ保持回路
１２    制御信号生成回路
１２Ａ    制御信号生成回路
１２Ｂ    制御信号生成回路
１４    ＦＦ回路
１６    ＳＲ回路
１８    第１のラッチ回路
２０    第２のラッチ回路
２２    不揮発性記憶回路
２４    不揮発性記憶回路
３０    インバータ回路
３２    遅延回路
３４    インバータ回路
３６    インバータ回路
３８    ＮＡＮＤ回路
３９    ＮＯＲ回路
４０    ＮＡＮＤ回路
４１    ＮＯＲ回路
４２    ＮＯＲ回路
４３    ＮＡＮＤ回路
４４    ＮＯＲ回路
４５    ＮＡＮＤ回路
４６    インバータ回路
４８    容量素子
５０    アナログスイッチ
５２    ＮＡＮＤ回路
５２Ａ    ＮＯＲ回路
５４    インバータ回路
５６    アナログスイッチ
５８    インバータ回路
６０    ＮＡＮＤ回路
６０Ａ    ＮＯＲ回路
６２    インバータ回路
６４    インバータ回路
６６Ａ    記憶回路
６６Ｂ    記憶回路
６６Ｃ    記憶回路
６６Ｄ    記憶回路
６８    インバータ回路
７０    トランジスタ
７２    容量素子
７４    トランジスタ
７６    トランジスタ
８０    ＮＡＮＤ回路
８１    ＮＯＲ回路
８２    インバータ回路
８４    インバータ回路
８６    ＯＲ回路
８８    ＤＦＦ回路
８８Ａ    ＤＦＦ回路
９０    インバータ回路
９２    アナログスイッチ
９４    ラッチ回路
９４Ａ    ラッチ回路
９６    アナログスイッチ
９８    ラッチ回路
９８Ａ    ラッチ回路
３００    ロジックアレイ
３０１    ＬＥ
３０２    スイッチ部
３０３    配線群
３０４    配線群
３０５    入出力端子
３１０    制御信号生成回路
３１１    ＬＵＴ
３１２    データ保持回路
３１３    マルチプレクサ
３１４    コンフィギュレーションメモリ
３１５    コンフィギュレーションメモリ
３１６    入力端子
３１７    出力端子
４００    ＣＰＵ
４０１    主記憶装置
４１１    プログラムカウンタ
４１２    命令レジスタ
４１３    命令デコーダ
４１４    汎用レジスタ
４１５    ＡＬＵ
５００１    筐体
５００２    筐体
５００３    表示部
５００４    表示部
５００５    マイクロホン
５００６    スピーカ
５００７    操作キー
５００８    スタイラス
５１０１    車体
５１０２    車輪
５１０３    ダッシュボード
５１０４    ライト
５３０１    筐体
５３０２    冷蔵室用扉
５３０３    冷凍室用扉
５４０１    筐体
５４０２    表示部
５４０３    キーボード
５４０４    ポインティングデバイス
５６０１    筐体
５６０２    筐体
５６０３    表示部
５６０４    表示部
５６０５    接続部
５６０６    操作キー
５８０１    筐体
５８０２    筐体
５８０３    表示部
５８０４    操作キー
５８０５    レンズ
５８０６    接続部
【図１】
2019126095.tif 000003
【図２】
2019126095.tif 000004
【図３】
2019126095.tif 000005
【図４】
2019126095.tif 000006
【図５】
2019126095.tif 000007
【図６】
2019126095.tif 000008
【図７】
2019126095.tif 000009
【図８】
2019126095.tif 000010
【図９】
2019126095.tif 000011
【図１０】
2019126095.tif 000012
【図１１】
2019126095.tif 000013
【図１２】
2019126095.tif 000014
【図１３】
2019126095.tif 000015
【図１４】
2019126095.tif 000016
【図１５】
2019126095.tif 000017
【図１６】
2019126095.tif 000018
【図１７】
2019126095.tif 000019
【図１８】
2019126095.tif 000020
【図１９】
2019126095.tif 000021
【図２０】
2019126095.tif 000022
【図２１】
2019126095.tif 000023
【図２２】
2019126095.tif 000024
【図２３】
2019126095.tif 000025
【図２４】
2019126095.tif 000026
【図２５】
2019126095.tif 000027