(57)【要約】【課題】下地金属層と導電性樹脂層との界面剥離の発生を抑制している電子部品を提供する。【解決手段】外部電極は、素体１上に配置されている第一電極層Ｅ１（下地金属層）と、第一電極層Ｅ１上に配置されている第二電極層Ｅ２（導電性樹脂層）と、第二電極層Ｅ２上に配置されている第三電極層Ｅ３及び第四電極層Ｅ４（めっき層）と、を有している。第二電極層Ｅ２は、複数の導電性フィラーＦＬを含んでいる。複数の導電性フィラーＦＬの一部は、第一電極層Ｅ１と焼結していると共に、第一電極層Ｅ１に連結されている。複数の導電性フィラーＦＬの別の一部は、第二電極層Ｅ２の表面に露出している共に、第三電極層Ｅ３と接している。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
素体と、
前記素体上に配置されている外部電極と、を備え、
前記外部電極は、
前記素体上に配置されている下地金属層と、
前記下地金属層上に配置されており、複数の導電性フィラーを含んでいる導電性樹脂層と、
前記導電性樹脂層上に配置されているめっき層と、を有し、
前記複数の導電性フィラーの一部は、前記下地金属層と焼結していると共に前記下地金属層に連結されており、
前記複数の導電性フィラーの別の一部は、前記導電性樹脂層の表面に露出している共に前記めっき層と接している、電子部品。
【請求項２】
前記下地金属層と前記複数の導電性フィラーとが、同じ金属からなる、請求項１に記載の電子部品。
【請求項３】
前記下地金属層と前記複数の導電性フィラーとが、Ａｇからなる、請求項２に記載の電子部品。
【請求項４】
前記素体は、実装面を構成する主面を有しており、
前記下地金属層は、前記主面上に配置されていない、請求項１〜３のいずれか一項に記載の電子部品。
【請求項５】
前記導電性樹脂層は、前記主面上に配置されている、請求項４に記載の電子部品。
【請求項６】
前記素体の表面に形成されている非晶質ガラス層を更に備えており、
前記非晶質ガラス層は、前記導電性樹脂層の端縁と前記素体の前記表面との間に配置されていると共に前記導電性樹脂層の前記端縁と接している、請求項１〜５のいずれか一項に記載の電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
素体と、素体上に配置されている外部電極と、を備えている電子部品が知られている（たとえば、特許文献１参照）。この電子部品では、外部電極は、素体上に配置されている下地金属層と、下地金属層上に配置されている導電性樹脂層と、導電性樹脂層上に配置されているめっき層と、を有している。導電性樹脂層は、複数の導電性フィラーを含んでいる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１４−１４３３８７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
電子部品が電子機器に実装されている場合、電子機器から電子部品に作用する外力が、外部電極に応力として作用することがある。外力は、たとえば、電子機器が基板である場合、基板がたわむことにより電子部品に作用する。外部電極に作用する応力により、下地金属層と導電性樹脂層とが、下地金属層と導電性樹脂層との界面で剥離するおそれがある。
【０００５】
本発明の一つの態様は、下地金属層と導電性樹脂層との界面剥離の発生を抑制している電子部品を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一つの態様に係る電子部品は、素体と、素体上に配置されている外部電極と、を備えている。外部電極は、素体上に配置されている下地金属層と、下地金属層上に配置されている導電性樹脂層と、導電性樹脂層上に配置されているめっき層と、を有している。導電性樹脂層は、複数の導電性フィラーを含んでいる。複数の導電性フィラーの一部は、下地金属層と焼結していると共に、下地金属層に連結されている。複数の導電性フィラーの別の一部は、導電性樹脂層の表面に露出している共に、めっき層と接している。
【０００７】
上記一つの態様では、複数の導電性フィラーの一部が、下地金属層と焼結していると共に、下地金属層に連結されているので、上記一つの態様は、導電性フィラーが、下地金属層と焼結せず、かつ、下地金属層に連結されていない構成に比して、下地金属層と導電性樹脂層との接続強度が高い。したがって、上記一つの態様では、下地金属層と導電性樹脂層との界面剥離が発生し難い。
【０００８】
上記一つの態様では、下地金属層と複数の導電性フィラーとが、同じ金属からなっていてもよい。
下地金属層と複数の導電性フィラーとが異なる金属からなる構成では、以下の問題点が生じるおそれがある。下地金属層と導電性フィラーとが焼結する際に、合金層が下地金属層と導電性フィラーとの間に形成される。合金層が、下地金属層と導電性樹脂層との間の電気抵抗を増加させる。
下地金属層と複数の導電性フィラーとが、同じ金属からなる構成では、合金層が下地金属層と導電性フィラーとの間に形成され難い。したがって、本構成は、下地金属層と導電性樹脂層との間の電気抵抗の増加を抑制する。本構成では、下地金属層と複数の導電性フィラーとが、Ａｇからなっていてもよい。
【０００９】
上記一つの態様では、素体は、実装面を構成する主面を有していてもよい。この場合、下地金属層は、主面上に配置されていなくてもよい。
導電性樹脂層は、電子機器から電子部品に作用する外力が素体に作用するのを緩和し、クラックが素体に発生するのを抑制する。しかしながら、複数の導電性フィラーの一部が下地金属層に連結されている場合、外力が下地金属層に作用する傾向がある。下地金属層に作用する外力は、素体に応力として作用する。素体に作用する応力は、下地金属層の端縁に集中する傾向がある。下地金属層が実装面上に配置されている場合、下地金属層の端縁が起点となって、素体にクラックが発生するおそれがある。
下地金属層は、主面上に配置されていない構成では、下地金属層の端縁が主面上に位置しておらず、クラックの起点が実装面に存在し難い。したがって、本構成は、クラックが素体に発生するのを確実に抑制する。
【００１０】
上記一つの態様では、導電性樹脂層は、主面上に配置されていてもよい。本構成では、電子機器から電子部品に作用する外力が、実装面に作用し難い。したがって、本構成は、クラックが素体に発生するのをより一層確実に抑制する。
【００１１】
上記一つの態様は、素体の表面に形成されている非晶質ガラス層を備えていてもよい。この場合、非晶質ガラス層は、導電性樹脂層の端縁と素体の表面との間に配置されていると共に、導電性樹脂層の端縁と接していてもよい。本構成は、導電性樹脂層の端縁が素体に直接的に配置されている構成に比して、導電性樹脂層の剥離を抑制する。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の一つの態様によれば、下地金属層と導電性樹脂層との界面剥離の発生を抑制している電子部品が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】一実施形態に係る積層コモンモードフィルタを示す斜視図である。
【図２】本実施形態に係る積層コモンモードフィルタを示す平面図である。
【図３】素体の構成を示す分解斜視図である。
【図４】本実施形態に係る積層コモンモードフィルタの断面構成を示す図である。
【図５】本実施形態に係る積層コモンモードフィルタの断面構成を示す図である。
【図６】外部電極の断面構成を示す図である。
【図７】本実施形態に係る積層コモンモードフィルタの実装構造を示す図である。
【図８】本実施形態に係る積層コモンモードフィルタの実装構造を示す図である。
【図９】本実施形態の変形例に係る積層コモンモードフィルタの断面構成を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、添付図面を参照して、本発明の実施形態について詳細に説明する。なお、説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には、同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。
【００１５】
図１〜図６を参照して、本実施形態に係る積層コモンモードフィルタＣＦの構成を説明する。図１は、本実施形態に係る積層コモンモードフィルタを示す斜視図である。図２は、本実施形態に係る積層コモンモードフィルタを示す平面図である。図３は、素体の構成を示す分解斜視図である。図４及び図５は、本実施形態に係る積層コモンモードフィルタの断面構成を示す図である。図６は、外部電極（端子電極）の断面構成を示す図である。図６では、断面を表すハッチングが省略されている。本実施形態では、電子部品は、たとえば、積層コモンモードフィルタＣＦである。
【００１６】
積層コモンモードフィルタＣＦは、図１〜図５に示されるように、素体１と、外部電極と、非晶質ガラス層Ｉと、を備えている。外部電極は、複数の端子電極１１，１２，１３，１４を含んでいる。本実施形態では、外部電極は、四つの端子電極１１，１２，１３，１４を含んでいる。積層コモンモードフィルタＣＦは、素体１、端子電極１１、端子電極１２、端子電極１３、及び端子電極１４を備えている。端子電極１１，１２，１３，１４は、互いに離間している。積層コモンモードフィルタＣＦは、端子電極１１、端子電極１２、端子電極１３、及び端子電極１４がそれぞれ信号ラインに接続されるように、電子機器にはんだ実装される。
【００１７】
素体１は、直方体形状を呈している。素体１は、互いに対向している主面１ａ及び主面１ｂと、互いに対向している側面１ｃ及び側面１ｄと、互いに対向している側面１ｅ及び側面１ｆと、を有している。積層コモンモードフィルタＣＦは、電子機器（たとえば、回路基板又は電子部品）に、はんだ実装される。積層コモンモードフィルタＣＦでは、主面１ａ又は主面１ｂが、電子機器に対向する実装面を構成する。
【００１８】
主面１ａと主面１ｂとが対向している方向が、第一方向Ｄ１である。側面１ｃと側面１ｄとが対向している方向が、第二方向Ｄ２である。側面１ｅと側面１ｆとが対向している方向が、第三方向Ｄ３である。本実施形態では、第一方向Ｄ１は、素体１の高さ方向である。第二方向Ｄ２は、素体１の長手方向である。第三方向Ｄ３は、素体１の幅方向である。直方体形状は、角部及び稜部が面取りされている直方体の形状、及び、角部及び稜部が丸められている直方体の形状を含む。
【００１９】
側面１ｃ及び側面１ｄは、主面１ａと主面１ｂとを連結するように第一方向Ｄ１に延在している。側面１ｃ及び側面１ｄは、主面１ａと隣り合っていると共に、主面１ｂとも隣り合っている。側面１ｃ及び側面１ｄは、第三方向Ｄ３にも延在している。第三方向Ｄ３は、主面１ａ及び主面１ｂの短辺方向でもある。側面１ｅ及び側面１ｆは、主面１ａと主面１ｂとを連結するように第一方向Ｄ１に延在している。側面１ｃ及び側面１ｄは、主面１ａと隣り合っていると共に、主面１ｂとも隣り合っている。側面１ｅ及び側面１ｆは、第二方向Ｄ２にも延在している。第二方向Ｄ２は、主面１ａ及び主面１ｂの長辺方向でもある。
【００２０】
素体１は、一対の稜線部１ｇと、一対の稜線部１ｈと、四つの稜線部１ｉと、一対の稜線部１ｊと、一対の稜線部１ｋと、を有している。稜線部１ｇは、主面１ａと側面１ｃ，１ｄの間に位置している。稜線部１ｈは、主面１ｂと側面１ｃ，１ｄとの間に位置している。各稜線部１ｉは、隣り合う二つの側面１ｃ，１ｄ，１ｅ，１ｆの間に位置している。稜線部１ｊは、主面１ａと側面１ｅ，１ｆとの間に位置している。稜線部１ｋは、主面１ｂと側面１ｅ，１ｆとの間に位置している。本実施形態では、各稜線部１ｇ，１ｈ，１ｉ，１ｊ，１ｋは、湾曲するように丸められている。素体１には、いわゆるＲ面取り加工が施されている。各稜線部１ｇ，１ｈ，１ｉ，１ｊ，１ｋは、所定の曲率半径を有している湾曲面である。本実施形態では、各稜線部１ｇ，１ｈ，１ｉ，１ｊ，１ｋ（各湾曲面）の曲率半径は、略同じである。各稜線部１ｇ，１ｈ，１ｉ，１ｊ，１ｋ（各湾曲面）の曲率半径は、異なっていてもよい。
【００２１】
主面１ａと側面１ｃ，１ｄとは、その間に稜線部１ｇを介在させた状態で、間接的に隣り合っている。主面１ｂと側面１ｃ，１ｄとは、その間に稜線部１ｈを介在させた状態で、間接的に隣り合っている。側面１ｃ，１ｄと側面１ｅ，１ｆとは、その間に稜線部１ｉを介在させた状態で、間接的に隣り合っている。主面１ａと側面１ｅ，１ｆとは、その間に稜線部１ｊを介在させた状態で、間接的に隣り合っている。主面１ｂと側面１ｅ，１ｆとは、その間に稜線部１ｋを介在させた状態で、間接的に隣り合っている。
【００２２】
素体１は、非磁性体部３と、一対の磁性体部５とを有している。一対の磁性体部５は、第一方向Ｄ１で非磁性体部３を挟むように配置されている。素体１は、積層されている複数の絶縁体層を有している。非磁性体部３では、複数の非磁性体層４が積層されている。非磁性体部３は、積層された複数の非磁性体層４を有している。各磁性体部５では、複数の磁性体層６が積層されている。各磁性体部５は、積層された複数の磁性体層６を含んでいる。複数の絶縁体層は、複数の非磁性体層４と複数の磁性体層６とを含んでいる。
【００２３】
各非磁性体層４は、たとえば、非磁性材料を含むセラミックグリーンシートの焼結体で構成される。非磁性材料は、たとえば、Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト材料、誘電体材料、又はガラスセラミック材料である。各磁性体層６は、たとえば、磁性材料を含むセラミックグリーンシートの焼結体で構成される。磁性材料は、たとえば、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト材料、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ−Ｍｇ系フェライト材料、又はＮｉ−Ｃｕ系フェライト材料である。本実施形態では、各磁性体部５は、フェライト材料からなる。実際の素体１では、各非磁性体層４及び各磁性体層６は、層間の境界が視認できない程度に一体化されている。第一方向Ｄ１（主面１ａと主面１ｂとが対向している方向）は、複数の絶縁体層（複数の非磁性体層４及び複数の磁性体層６）が積層されている方向と一致する。
【００２４】
積層コモンモードフィルタＣＦは、非晶質ガラス層Ｉを備えている。非晶質ガラス層Ｉは、素体１の表面に形成されている。非晶質ガラス層Ｉは、素体１（非磁性体部３及び磁性体部５）を覆っている。非晶質ガラス層Ｉは、素体１の表面（主面１ａ，１ｂ、側面１ｃ，１ｄ，１ｅ，１ｆ、及び稜線部１ｇ，１ｈ，１ｉ，１ｊ，１ｋ）に接している。非晶質ガラス層Ｉは、主面１ａ，１ｂと、側面１ｃ，１ｄ，１ｅ，１ｆと、稜線部１ｇ，１ｈ，１ｉ，１ｊ，１ｋと、を覆っている。本実施形態では、非晶質ガラス層Ｉは、素体１の表面全体を覆っている。磁性体部５の表面は、主面１ａ，１ｂを含んでいる。非晶質ガラス層Ｉは、磁性体部５の表面に形成されている。非晶質ガラス層Ｉの表面粗さは、磁性体部５の表面粗さよりも小さい。非晶質ガラス層Ｉは、非晶質ガラス材料からなる。非晶質ガラス材料は、たとえば、シリカ系ガラス（ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−ＺｒＯ２−Ｒ２Ｏ系ガラス）である。
【００２５】
積層コモンモードフィルタＣＦは、図３に示されるように、複数のコイル導体２１，２２，２３，２４を備えている。複数のコイル導体２１，２２，２３，２４は、素体１内に配置されている。本実施形態では、積層コモンモードフィルタＣＦは、四つのコイル導体２１，２２，２３，２４を備えている。四つのコイル導体２１，２２，２３，２４は、非磁性体部３に配置されている。各コイル導体２１，２２，２３，２４は、素体１内に配置されている内部導体である。各コイル導体２１，２２，２３，２４は、導電性材料を含んでいる。導電性材料は、Ａｇ又はＰｄを含んでいる。各コイル導体２１，２２，２３，２４は、導電性材料粉末を含む導電性ペーストの焼結体として構成されている。導電性材料粉末は、たとえば、Ａｇ粉末又はＰｄ粉末を含んでいる。
【００２６】
コイル導体２１は、渦巻き形状を呈している。コイル導体２１は、第一方向Ｄ１に隣り合っている一対の非磁性体層４の間に配置されている。コイル導体２１の一端（外側端）２１ａは、側面１ｃに露出している。コイル導体２１の他端（内側端）２１ｂは、パッド導体４１と接続されている。パッド導体４１は、コイル導体２１と同じ層に位置している。本実施形態では、コイル導体２１とパッド導体４１とは、一体的に形成されている。
【００２７】
コイル導体２２は、渦巻き形状を呈している。コイル導体２２は、第一方向Ｄ１に隣り合っている一対の非磁性体層４の間に配置されている。コイル導体２２の一端（外側端）２２ａは、側面１ｄに露出している。コイル導体２２の他端（内側端）２２ｂは、パッド導体４２と接続されている。パッド導体４２は、コイル導体２２と同じ層に位置している。本実施形態では、コイル導体２２とパッド導体４２とは、一体的に形成されている。
【００２８】
コイル導体２３は、渦巻き形状を呈している。コイル導体２３は、第一方向Ｄ１に隣り合っている一対の非磁性体層４の間に配置されている。コイル導体２３の一端（外側端）２３ａは、側面１ｃに露出している。コイル導体２３の他端（内側端）２３ｂは、パッド導体４３と接続されている。パッド導体４３は、コイル導体２３と同じ層に位置している。本実施形態では、コイル導体２３とパッド導体４３とは、一体的に形成されている。
【００２９】
コイル導体２４は、渦巻き形状を呈している。コイル導体２４は、第一方向Ｄ１に隣り合っている一対の非磁性体層４の間に配置されている。コイル導体２４の一端（外側端）２４ａは、側面１ｄに露出している。コイル導体２４の他端（内側端）２４ｂは、パッド導体４４と接続されている。パッド導体４４は、コイル導体２４と同じ層に位置している。本実施形態では、コイル導体２４とパッド導体４４とは、一体的に形成されている。
【００３０】
コイル導体２１とコイル導体２３とは、コイル導体２１とコイル導体２３との間に非磁性体層４が介在している状態で、第一方向Ｄ１で互いに隣り合っている。非磁性体層４は、コイル導体２１とコイル導体２３とで挟まれている。コイル導体２２とコイル導体２４とは、コイル導体２２とコイル導体２４との間に非磁性体層４が介在している状態で、第一方向Ｄ１で互いに隣り合っている。非磁性体層４は、コイル導体２２とコイル導体２４とで挟まれている。第一方向Ｄ１でコイル導体２３がコイル導体２１とコイル導体２２との間に位置している。四つのコイル導体２１，２２，２３，２４は、第一方向Ｄ１において、コイル導体２１、コイル導体２３、コイル導体２２、コイル導体２４の順に配置されている。各コイル導体２１，２２，２３，２４は、第一方向Ｄ１から見て、同じ方向に巻き回されていると共に、互いに重なり合うように位置している。
【００３１】
パッド導体４１とパッド導体４２とは、第一方向Ｄ１から見て、互いに重なり合うように位置している。パッド導体４１とパッド導体４２との間には、パッド導体４５が、第一方向Ｄ１から見てパッド導体４１，４２と互いに重なり合うように、配置されている。パッド導体４５は、コイル導体２３と同じ層に位置している。パッド導体４１とパッド導体４５とは、パッド導体４１とパッド導体４５との間に非磁性体層４が介在している状態で、第一方向Ｄ１で互いに隣り合っている。非磁性体層４は、パッド導体４１とパッド導体４５とで挟まれている。パッド導体４５とパッド導体４２とは、パッド導体４５とパッド導体４２との間に非磁性体層４が介在している状態で、第一方向Ｄ１で互いに隣り合っている。非磁性体層４は、パッド導体４５とパッド導体４２とで挟まれている。
【００３２】
パッド導体４１とパッド導体４５とパッド導体４２とは、それぞれスルーホール導体５１を通して接続されている。スルーホール導体５１は、パッド導体４１とパッド導体４５との間に位置する非磁性体層４と、パッド導体４５とパッド導体４２との間に位置する非磁性体層４と、を貫通している。
【００３３】
パッド導体４３とパッド導体４４とは、第一方向Ｄ１から見て、互いに重なり合うように位置している。パッド導体４３とパッド導体４４との間には、パッド導体４６が、第一方向Ｄ１から見てパッド導体４３，４４と互いに重なり合うように、配置されている。パッド導体４６は、コイル導体２２と同じ層に位置している。パッド導体４３とパッド導体４６とは、パッド導体４３とパッド導体４６との間に非磁性体層４が介在している状態で、第一方向Ｄ１で互いに隣り合っている。非磁性体層４は、パッド導体４３とパッド導体４６とで挟まれている。パッド導体４６とパッド導体４４とは、パッド導体４６とパッド導体４４との間に非磁性体層４が介在している状態で、第一方向Ｄ１で互いに隣り合っている。非磁性体層４は、パッド導体４６とパッド導体４４とで挟まれている。
【００３４】
パッド導体４３とパッド導体４６とパッド導体４４とは、それぞれスルーホール導体５２を通して接続されている。スルーホール導体５２は、パッド導体４３とパッド導体４６との間に位置する非磁性体層４と、パッド導体４６とパッド導体４４との間に位置する非磁性体層４と、を貫通している。
【００３５】
コイル導体２１とコイル導体２２とは、パッド導体４１、パッド導体４５、パッド導体４２、及びスルーホール導体５１を通して、電気的に接続されている。コイル導体２１とコイル導体２２とは、コイルＣ１を構成している。コイル導体２３とコイル導体２４とは、パッド導体４３、パッド導体４６、パッド導体４４、及びスルーホール導体５２を通して、電気的に接続されている。コイル導体２３とコイル導体２４とは、コイルＣ２を構成している。
【００３６】
積層コモンモードフィルタＣＦは、素体１（非磁性体部３）内に、コイルＣ１とコイルＣ２を備えている。コイルＣ１とコイルＣ２とは、コイル導体２１とコイル導体２３とが第一方向Ｄ１で互いに隣り合い、かつ、コイル導体２３とコイル導体２２とが第一方向Ｄ１で互いに隣り合い、かつ、コイル導体２２とコイル導体２４とが第一方向Ｄ１で互いに隣り合うように、非磁性体部３内に配置されている。コイルＣ１とコイルＣ２とは、互いに磁気結合する。
【００３７】
パッド導体４５，４６及びスルーホール導体５１，５２は、導電性材料を含んでいる。導電性材料は、Ａｇ又はＰｄを含んでいる。パッド導体４５，４６及びスルーホール導体５１，５２は、導電性材料粉末を含む導電性ペーストの焼結体として構成されている。導電性材料粉末は、たとえば、Ａｇ粉末又はＰｄ粉末を含んでいる。スルーホール導体５１，５２は、対応する非磁性体層４を構成することとなるセラミックグリーンシートに形成された貫通孔に充填された導電性ペーストが焼結することにより形成される。
【００３８】
端子電極１１及び端子電極１３は、素体１の側面１ｃ側に配置されている。端子電極１１及び端子電極１３は、第二方向Ｄ２での素体１の一方の端部に配置されている。端子電極１１及び端子電極１３は、側面１ｃの一部を第一方向Ｄ１に沿って覆うように側面１ｃ上に配置されていると共に、主面１ａの一部上と主面１ｂの一部上とに配置されている。端子電極１１は、側面１ｅ寄りに位置している。端子電極１３は、側面１ｆ寄りに位置している。端子電極１１は、端子電極１１と素体１との間に非晶質ガラス層Ｉが介在するように、素体１上に配置されている。端子電極１３は、端子電極１３と素体１との間に非晶質ガラス層Ｉが介在するように、素体１上に配置されている。端子電極１１及び端子電極１３は、間接的に、素体１上に配置されている。
【００３９】
端子電極１２及び端子電極１４は、素体１の側面１ｄ側に配置されている。端子電極１２及び端子電極１４は、第二方向Ｄ２での素体１の他方の端部に配置されている。端子電極１２及び端子電極１４は、側面１ｄの一部を第一方向Ｄ１に沿って覆うように側面１ｄ上に配置されていると共に、主面１ａの一部上と主面１ｂの一部上とに配置されている。端子電極１２は、側面１ｅ寄りに位置している。端子電極１４は、側面１ｆ寄りに位置している。端子電極１２は、端子電極１２と素体１との間に非晶質ガラス層Ｉが介在するように、素体１上に配置されている。端子電極１４は、端子電極１４と素体１との間に非晶質ガラス層Ｉが介在するように、素体１上に配置されている。端子電極１２及び端子電極１４は、間接的に、素体１上に配置されている。
【００４０】
端子電極１１は、図４に示されるように、複数の電極部１１ａ，１１ｂ，１１ｃを有している。本実施形態では、端子電極１１は、三つの電極部１１ａ，１１ｂ，１１ｃを有している。電極部１１ａ，１１ｂ，１１ｃは、間接的に、素体１上に配置されている。電極部１１ａは、主面１ａ上に配置されている。電極部１１ｂは、主面１ｂ上に配置されている。電極部１１ｃは、側面１ｃ上及び稜線部１ｇ，１ｈ上に配置されている。端子電極１１は、側面１ｄ、側面１ｅ、側面１ｆ、及び稜線部１ｉ，１ｊ，１ｋには配置されていない。端子電極１１は、三つの面（主面１ａ，１ｂ及び側面１ｃ）のみに配置されている。電極部１１ａ，１１ｂは、非晶質ガラス層Ｉ上に配置されており、非晶質ガラス層Ｉと接している。
【００４１】
互いに隣り合う電極部１１ａ，１１ｃは、稜線部１ｇ上において接続されており、電気的に接続されている。互いに隣り合う電極部１１ｂ，１１ｃは、稜線部１ｈ上において接続されており、電気的に接続されている。電極部１１ｃは、コイル導体２１の側面１ｃに露出している端をすべて覆っている。コイル導体２１は、側面１ｃに露出している端で電極部１１ｃと接続されている。端子電極１１とコイル導体２１とは、電気的に接続されている。コイル導体２１の一端２１ａは、端子電極１１と接続する接続導体として機能する。
【００４２】
端子電極１２は、図４に示されるように、複数の電極部１２ａ，１２ｂ，１２ｃを有している。本実施形態では、端子電極１２は、三つの電極部１２ａ，１２ｂ，１２ｃを有している。電極部１２ａ，１２ｂ，１２ｃは、間接的に、素体１上に配置されている。電極部１２ａは、主面１ａ上に配置されている。電極部１２ｂは、主面１ｂ上に配置されている。電極部１２ｃは、側面１ｄ上及び稜線部１ｇ，１ｈ上に配置されている。端子電極１２は、側面１ｃ、側面１ｅ、側面１ｆ、及び稜線部１ｉ，１ｊ，１ｋには配置されていない。端子電極１２は、三つの面（主面１ａ，１ｂ及び側面１ｄ）のみに配置されている。電極部１２ａ，１２ｂは、非晶質ガラス層Ｉ上に配置されており、非晶質ガラス層Ｉと接している。
【００４３】
互いに隣り合う電極部１２ａ，１２ｃは、稜線部１ｇ上において接続されており、電気的に接続されている。互いに隣り合う電極部１２ｂ，１２ｃは、稜線部１ｈ上において接続されており、電気的に接続されている。電極部１２ｃは、コイル導体２２の側面１ｄに露出している端をすべて覆っている。コイル導体２２は、側面１ｄに露出している端で電極部１２ｃと接続されている。端子電極１２とコイル導体２２とは、電気的に接続されている。コイル導体２２の一端２２ａは、端子電極１２と接続する接続導体として機能する。
【００４４】
端子電極１３は、図５に示されるように、複数の電極部１３ａ，１３ｂ，１３ｃを有している。本実施形態では、端子電極１３は、三つの電極部１３ａ，１３ｂ，１３ｃを有している。電極部１３ａ，１３ｂ，１３ｃは、間接的に、素体１上に配置されている。電極部１３ａは、主面１ａ上に配置されている。電極部１３ｂは、主面１ｂ上に配置されている。電極部１３ｃは、側面１ｃ上及び稜線部１ｇ，１ｈ上に配置されている。端子電極１３は、側面１ｄ、側面１ｅ、側面１ｆ、及び稜線部１ｉ，１ｊ，１ｋには配置されていない。端子電極１３は、三つの面（主面１ａ，１ｂ及び側面１ｃ）のみに配置されている。電極部１３ａ，１３ｂは、非晶質ガラス層Ｉ上に配置されており、非晶質ガラス層Ｉと接している。
【００４５】
互いに隣り合う電極部１３ａ，１３ｃは、稜線部１ｇ上において接続されており、電気的に接続されている。互いに隣り合う電極部１３ｂ，１３ｃは、稜線部１ｈ上において接続されており、電気的に接続されている。電極部１３ｃは、コイル導体２３の側面１ｃに露出している端をすべて覆っている。コイル導体２３は、側面１ｃに露出している端で電極部１３ｃと接続されている。端子電極１３とコイル導体２３とは、電気的に接続されている。コイル導体２３の一端２３ａは、端子電極１３と接続する接続導体として機能する。
【００４６】
端子電極１４は、図５に示されるように、複数の電極部１４ａ，１４ｂ，１４ｃを有している。本実施形態では、端子電極１４は、三つの電極部１４ａ，１４ｂ，１４ｃを有している。電極部１４ａ，１４ｂ，１４ｃは、間接的に、素体１上に配置されている。電極部１４ａは、主面１ａ上に配置されている。電極部１４ｂは、主面１ｂ上に配置されている。電極部１４ｃは、側面１ｄ上及び稜線部１ｇ，１ｈ上に配置されている。端子電極１４は、側面１ｃ、側面１ｅ、側面１ｆ、及び稜線部１ｉ，１ｊ，１ｋには配置されていない。端子電極１４は、三つの面（主面１ａ，１ｂ及び側面１ｄ）のみに配置されている。電極部１４ａ，１４ｂは、非晶質ガラス層Ｉ上に配置されており、非晶質ガラス層Ｉと接している。
【００４７】
互いに隣り合う電極部１４ａ，１４ｃは、稜線部１ｇ上において接続されており、電気的に接続されている。互いに隣り合う電極部１４ｂ，１４ｃは、稜線部１ｈ上において接続されており、電気的に接続されている。電極部１４ｃは、コイル導体２４の側面１ｄに露出している端をすべて覆っている。コイル導体２４は、側面１ｄに露出している端で電極部１４ｃと接続されている。端子電極１４とコイル導体２４とは、電気的に接続されている。コイル導体２４の一端２４ａは、端子電極１４と接続する接続導体として機能する。
【００４８】
各端子電極１１，１２，１３，１４は、図４及び図５に示されるように、第一電極層Ｅ１、第二電極層Ｅ２、第三電極層Ｅ３、及び第四電極層Ｅ４を含んでいる。本実施形態では、各電極部１１ｃ，１２ｃ，１３ｃ，１４ｃは、図６に示されるように、第一電極層Ｅ１、第二電極層Ｅ２、第三電極層Ｅ３、及び第四電極層Ｅ４を含んでいる。各電極部１１ａ，１１ｂ，１２ａ，１２ｂ，１３ａ，１３ｂ，１４ａ，１４ｂは、第二電極層Ｅ２、第三電極層Ｅ３、及び第四電極層Ｅ４を含んでいる。各電極部１１ａ，１１ｂ，１２ａ，１２ｂ，１３ａ，１３ｂ，１４ａ，１４ｂは、第一電極層Ｅ１を含んでいない。各端子電極１１，１３は、側面１ｃ上及び稜線部１ｇ，１ｈ上では四層構造を有しており、各主面１ａ，１ｂ上では三層構造を有している。各端子電極１２，１４は、側面１ｄ上及び稜線部１ｇ，１ｈ上では四層構造を有しており、各主面１ａ，１ｂ上では三層構造を有している。第四電極層Ｅ４は、対応する端子電極１１，１２，１３，１４の最外層を構成している。
【００４９】
第一電極層Ｅ１は、導電性ペーストを焼き付けることにより形成されている。第一電極層Ｅ１は、導電性ペーストに含まれる金属成分（金属粉末）が焼結することにより形成されている。第一電極層Ｅ１は、下地金属層である。本実施形態では、第一電極層Ｅ１は、焼結金属層である。第一電極層Ｅ１は、意図的に、一対の主面１ａ，１ｂ上に形成されていない。たとえば製造誤差などにより、第一電極層Ｅ１が意図せず主面１ａ，１ｂ上に形成されていてもよい。本実施形態では、第一電極層Ｅ１は、Ａｇからなる下地金属層である。第一電極層Ｅ１は、Ｐｄからなる下地金属層であってもよい。導電性ペーストは、たとえば、Ａｇ又はＰｄからなる粉末、ガラスフリット、有機バインダ、及び有機溶剤を含んでいる。第一電極層Ｅ１は、物理蒸着法（ＰＶＤ法）又は化学蒸着法（ＣＶＤ法）により形成されていてもよい。
【００５０】
本実施形態では、第一電極層Ｅ１は、非晶質ガラス層Ｉ上に配置されている。第一電極層Ｅ１は、第一電極層Ｅ１と素体１との間に非晶質ガラス層Ｉが介在するように、素体１上に配置されている。実際には、図６に示されているように、第一電極層Ｅ１には、非晶質ガラス層Ｉに含まれるガラス成分Ｇ１と、導電性ペーストに含まれていたガラス成分Ｇ２とが混在している。ガラス成分Ｇ１は、非晶質ガラス材料からなる。
【００５１】
第一電極層Ｅ１は、各電極部１１ｃ，１２ｃ，１３ｃ，１４ｃに含まれている。各電極部１１ｃ，１３ｃに含まれている第一電極層Ｅ１は、側面１ｃ上及び稜線部１ｇ，１ｈ上に配置されている。各電極部１２ｃ，１４ｃに含まれている第一電極層Ｅ１は、側面１ｄ上及び稜線部１ｇ，１ｈ上に配置されている。本実施形態では、第一電極層Ｅ１は、主面１ａ，１ｂ上には配置されていない。コイル導体２１の一端２１ａは、非晶質ガラス層Ｉを貫通していると共に、電極部１１ｃに含まれている第一電極層Ｅ１に接続されている。コイル導体２２の一端２２ａは、非晶質ガラス層Ｉを貫通していると共に、電極部１２ｃに含まれている第一電極層Ｅ１に接続されている。コイル導体２３の一端２３ａは、非晶質ガラス層Ｉを貫通していると共に、電極部１３ｃに含まれている第一電極層Ｅ１に接続されている。コイル導体２４の一端２４ａは、非晶質ガラス層Ｉを貫通していると共に、電極部１４ｃに含まれている第一電極層Ｅ１に接続されている。
【００５２】
第二電極層Ｅ２は、第一電極層Ｅ１を覆うように付与された導電性樹脂ペーストを硬化させることにより形成されている。第二電極層Ｅ２は、導電性樹脂層である。第二電極層Ｅ２は、第一電極層Ｅ１と接している。第二電極層Ｅ２は、図６に示されるように、複数の導電性フィラーＦＬと、樹脂Ｒとを含んでいる。導電性フィラーＦＬは、たとえば、金属粉末である。本実施形態では、金属粉末は、Ａｇ粉末である。したがって、本実施形態では、第一電極層Ｅ１と導電性フィラーＦＬとは、同じ金属からなる。金属粉末は、Ａｇ粉末以外、たとえば、Ｃｕ粉末又はＮｉ粉末であってもよい。樹脂Ｒは、たとえば、熱硬化性樹脂である。熱硬化性樹脂は、たとえば、フェノール樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、又はポリイミド樹脂である。導電性樹脂ペーストは、たとえば、複数の導電性フィラーＦＬ、熱硬化性樹脂、及び有機溶媒を含んでいる。
【００５３】
第二電極層Ｅ２は、各電極部１１ａ〜１１ｃ，１２ａ〜１２ｃ，１３ａ〜１３ｃ，１４ａ〜１４ｃに含まれている。第二電極層Ｅ２は、各電極部１１ｃ，１２ｃ，１３ｃ，１４ｃにおいて、第一電極層Ｅ１上に配置されていると共に、第一電極層Ｅ１と接している。各電極部１１ａ，１１ｂ，１２ａ，１２ｂ，１３ａ，１３ｂ，１４ａ，１４ｂに含まれている第二電極層Ｅ２は、非晶質ガラス層Ｉと接している。各電極部１１ａ，１２ａ，１３ａ，１４ａに含まれている第二電極層Ｅ２は、主面１ａと第二電極層Ｅ２との間に非晶質ガラス層Ｉが介在している状態で、主面１ａ上に配置されている。各電極部１１ｂ，１２ｂ，１３ｂ，１４ｂに含まれている第二電極層Ｅ２は、主面１ｂと第二電極層Ｅ２との間に非晶質ガラス層Ｉが介在している状態で、主面１ｂ上に配置されている。第二電極層Ｅ２は、素体１と直接接していない。
【００５４】
複数の導電性フィラーＦＬは、第二電極層Ｅ２内に、複数の導電経路を形成している。複数の導電性フィラーＦＬのうち一部の導電性フィラーＦＬは、第一電極層Ｅ１と焼結している。第一電極層Ｅ１と焼結している導電性フィラーＦＬは、第一電極層Ｅ１に連結されている。複数の導電性フィラーＦＬのうち別の一部の導電性フィラーＦＬは、第二電極層Ｅ２の表面に露出している。
【００５５】
第三電極層Ｅ３は、第二電極層Ｅ２上にめっき法により形成されている。第三電極層Ｅ３は、めっき層である。本実施形態では、第三電極層Ｅ３は、Ｎｉめっきにより形成されたＮｉめっき層である。第三電極層Ｅ３は、Ｃｕめっき層であってもよい。第三電極層Ｅ３は、たとえば、Ｎｉ又はＣｕを含んでいる。第三電極層Ｅ３は、第二電極層Ｅ２と接している。第二電極層Ｅ２の表面に露出している導電性フィラーＦＬは、第三電極層Ｅ３と接している。
【００５６】
第四電極層Ｅ４は、第三電極層Ｅ３上にめっき法により形成されている。第四電極層Ｅ４は、めっき層である。本実施形態では、第四電極層Ｅ４は、Ｓｎめっきにより形成されたＳｎめっき層である。第四電極層Ｅ４は、たとえば、Ｓｎを含んでいる。第四電極層Ｅ４は、第三電極層Ｅ３と接している。第三電極層Ｅ３と第四電極層Ｅ４とは、第二電極層Ｅ２上に配置されているめっき層を構成している。第二電極層Ｅ２の全体が、第三電極層Ｅ３及び第四電極層Ｅ４で構成されているめっき層で覆われている。本実施形態では、第二電極層Ｅ２に形成されるめっき層は、二層構造を有している。
【００５７】
第二電極層Ｅ２は、各電極部１１ａ〜１１ｃ，１２ａ〜１２ｃ，１３ａ〜１３ｃ，１４ａ〜１４ｃにおいて、一体的に形成されている。第三電極層Ｅ３は、各電極部１１ａ〜１１ｃ，１２ａ〜１２ｃ，１３ａ〜１３ｃ，１４ａ〜１４ｃにおいて、一体的に形成されている。第四電極層Ｅ４は、各電極部１１ａ〜１１ｃ，１２ａ〜１２ｃ，１３ａ〜１３ｃ，１４ａ〜１４ｃにおいて、一体的に形成されている。
【００５８】
電極部１１ａ，１１ｂは、第二電極層Ｅ２の端縁Ａ１、第三電極層Ｅ３の端縁、及び第四電極層Ｅ４の端縁を含んでいる。電極部１２ａ，１２ｂは、第二電極層Ｅ２の端縁Ａ２、第三電極層Ｅ３の端縁、及び第四電極層Ｅ４の端縁を含んでいる。電極部１３ａ，１３ｂは、第二電極層Ｅ２の端縁Ａ３、第三電極層Ｅ３の端縁、及び第四電極層Ｅ４の端縁を含んでいる。電極部１４ａ，１４ｂは、第二電極層Ｅ２の端縁Ａ４、第三電極層Ｅ３の端縁、及び第四電極層Ｅ４の端縁を含んでいる。
【００５９】
非晶質ガラス層Ｉは、電極部１１ａ，１１ｂ，１２ａ，１２ｂ，１３ａ，１３ｂ，１４ａ，１４ｂの第二電極層Ｅ２の端縁Ａ１，Ａ２，Ａ３，Ａ４と、磁性体部５との間に位置している。本実施形態では、第二電極層Ｅ２の端縁Ａ１，Ａ２，Ａ３，Ａ４は、非晶質ガラス層Ｉと接している。非晶質ガラス層Ｉは、主面１ａ，１ｂと第二電極層Ｅ２の端縁Ａ１，Ａ２，Ａ３，Ａ４との間に配置されている。非晶質ガラス層Ｉは、主面１ａ，１ｂと第二電極層Ｅ２の端縁Ａ１，Ａ２，Ａ３，Ａ４とで挟まれている。
【００６０】
以上のように、  積層コモンモードフィルタＣＦでは、電極部１１ａ，１２ａ，１３ａ，１４ａが、第二電極層Ｅ２を含んでいる。したがって、積層コモンモードフィルタＣＦに外力が作用する場合でも、第二電極層Ｅ２により外力が緩和される。素体１に応力が生じ難い。この結果、積層コモンモードフィルタＣＦは、クラックが素体１に発生するのが抑制する。
【００６１】
積層コモンモードフィルタＣＦでは、一部の導電性フィラーＦＬが、第一電極層Ｅ１と焼結していると共に、第一電極層Ｅ１に連結されている。したがって、積層コモンモードフィルタＣＦは、導電性フィラーＦＬが、第一電極層Ｅ１と焼結せず、かつ、第一電極層Ｅ１に連結されていない構成に比して、第一電極層Ｅ１と第二電極層Ｅ２との接続強度が高い。この結果、積層コモンモードフィルタＣＦでは、第一電極層Ｅ１と第二電極層Ｅ２との界面剥離が発生し難い。すなわち、積層コモンモードフィルタＣＦは、第一電極層Ｅ１と第二電極層Ｅ２との界面剥離の発生を抑制する。
【００６２】
第一電極層Ｅ１と複数の導電性フィラーＦＬとが異なる金属からなる構成では、以下の問題点が生じるおそれがある。第一電極層Ｅ１と導電性フィラーＦＬとが焼結する際に、合金層が第一電極層Ｅ１と導電性フィラーＦＬとの間に形成される。合金層が、第一電極層Ｅ１と第二電極層Ｅ２との間の電気抵抗を増加させる。
積層コモンモードフィルタＣＦでは、第一電極層Ｅ１と複数の導電性フィラーＦＬとが、同じ金属からなる。したがって、合金層が第一電極層Ｅ１と導電性フィラーＦＬとの間に形成され難い。この結果、積層コモンモードフィルタＣＦは、第一電極層Ｅ１と第二電極層Ｅ２との間の電気抵抗の増加を抑制する。積層コモンモードフィルタＣＦでは、第一電極層Ｅ１と複数の導電性フィラーＦＬとが、Ａｇからなっている。
【００６３】
上述したように、第二電極層Ｅ２は、電子機器から積層コモンモードフィルタＣＦに作用する外力が素体１に作用するのを緩和し、クラックが素体１に発生するのを抑制する。しかしながら、一部の導電性フィラーＦＬが第一電極層Ｅ１に連結されている場合、外力が第一電極層Ｅ１に作用する傾向がある。第一電極層Ｅ１に作用する外力は、素体１に応力として作用する。素体１に作用する応力は、第一電極層Ｅ１の端縁に集中する傾向がある。第一電極層Ｅ１が実装面（主面１ａ又は主面１ｂ）上に配置されている場合、第一電極層Ｅ１の端縁が起点となって、素体１にクラックが発生するおそれがある。
積層コモンモードフィルタＣＦでは、第一電極層Ｅ１は、主面１ａ，１ｂ上に配置されていない。したがって、第一電極層Ｅ１の端縁が主面１ａ，１ｂ上に位置しておらず、クラックの起点が主面１ａ，１ｂに存在し難い。この結果、積層コモンモードフィルタＣＦは、クラックが素体１に発生するのを確実に抑制する。
【００６４】
積層コモンモードフィルタＣＦでは、第二電極層Ｅ２は、主面１ａ，１ｂ上に配置されている。積層コモンモードフィルタＣＦでは、電子機器から積層コモンモードフィルタＣＦに作用する外力が、実装面（主面１ａ又は主面１ｂ）に作用し難い。したがって、積層コモンモードフィルタＣＦは、クラックが素体１に発生するのをより一層確実に抑制する。
【００６５】
積層コモンモードフィルタＣＦは、コイル導体２１，２２，２３，２４を備えている。電極部１１ｃ，１２ｃ，１３ｃ，１４ｃは、第一電極層Ｅ１を含んでいる。電極部１１ｃ，１２ｃ，１３ｃ，１４ｃが含んでいる第二電極層Ｅ２は、第二電極層Ｅ２と素体１との間に第一電極層Ｅ１及び非晶質ガラス層Ｉが介在するように、素体１上に配置されている。各コイル導体２１，２２，２３，２４は、第一電極層Ｅ１を通して、第二電極層Ｅ２と電気的に接続される。したがって、積層コモンモードフィルタＣＦでは、各コイル導体２１，２２，２３，２４と第二電極層Ｅ２とが直接接続される積層コモンモードフィルタに比して、各コイル導体２１，２２，２３，２４と対応する端子電極１１，１２，１３，１４との接続強度が高い。各コイル導体２１，２２，２３，２４と対応する端子電極１１，１２，１３，１４とが、確実に電気的に接続される。
【００６６】
積層コモンモードフィルタＣＦは、非晶質ガラス層Ｉを備えている。非晶質ガラス層Ｉは、第二電極層Ｅ２の端縁Ａ１，Ａ２，Ａ３，Ａ４と素体１の表面との間に配置されていると共に、第二電極層Ｅ２の端縁Ａ１，Ａ２，Ａ３，Ａ４と接している。積層コモンモードフィルタＣＦは、第二電極層Ｅ２の端縁Ａ１，Ａ２，Ａ３，Ａ４が素体１に直接的に配置されている構成に比して、第二電極層Ｅ２の剥離を抑制する。
【００６７】
積層コモンモードフィルタＣＦでは、非晶質ガラス層Ｉは、磁性体部５の表面（主面１ａ，１ｂ）に形成されている。非晶質ガラス層Ｉは、端子電極１１，１２，１３，１４において、第二電極層Ｅ２の端縁Ａ１，Ａ２，Ａ３，Ａ４と磁性体部５の表面との間に配置されている。非晶質ガラス層Ｉの表面は磁性体部５の表面に比して滑らかであるにもかかわらず、積層コモンモードフィルタＣＦは、磁性体部５に第二電極層Ｅ２が直接的に配置されている積層コモンモードフィルタに比して、第二電極層Ｅ２の剥離を抑制する。
【００６８】
積層コモンモードフィルタＣＦでは、外部電極は、複数の端子電極１１，１２，１３，１４を含んでいる。各端子電極１１，１２，１３，１４は、第二電極層Ｅ２を含んでいる。複数の端子電極が素体１上に配置されている構成では、端子電極の数が一つである構成に比して、各端子電極の第二電極層Ｅ２と素体１との接触面積が小さい。第二電極層Ｅ２と素体１との接触面積が小さい場合、第二電極層Ｅ２が素体１から剥離するおそれがある。
積層コモンモードフィルタＣＦでは、非晶質ガラス層Ｉが、第二電極層Ｅ２の端縁Ａ１，Ａ２，Ａ３，Ａ４と磁性体部５の表面との間に配置されている。したがって、第二電極層Ｅ２が素体１（非晶質ガラス層Ｉ）から剥離し難い。
【００６９】
次に、図７及び図８を参照して、積層コモンモードフィルタＣＦの実装構造を説明する。図７及び図８は、本実施形態に係る積層コモンモードフィルタの実装構造を示す図である。
【００７０】
図７及び図８に示されるように、電子部品装置は、積層コモンモードフィルタＣＦと、電子機器ＥＤと、を備えている。積層コモンモードフィルタＣＦは、電子機器ＥＤにはんだ実装されている。電子機器ＥＤは、たとえば、回路基板又は電子部品である。端子電極１１、端子電極１２、端子電極１３、及び端子電極１４には、溶融したハンダが固化することにより、はんだフィレットＳＦが形成されている。
【００７１】
図７及び図８に示された電子部品装置は、上述したように、第一電極層Ｅ１と第二電極層Ｅ２との界面剥離が発生し難い。したがって、電子部品装置は、第一電極層Ｅ１と第二電極層Ｅ２との界面剥離の発生を抑制する。
【００７２】
たとえば、積層コモンモードフィルタＣＦが、主面１ａが電子機器ＥＤと対向している状態で、電子機器ＥＤにはんだ実装される場合、電子機器ＥＤから積層コモンモードフィルタＣＦに作用する外力が、電極部１１ａ，１２ａ，１３ａ，１４ａに応力として作用する傾向がある。外力が電極部１１ａ，１２ａ，１３ａ，１４ａに作用した場合、電極部１１ａ，１２ａ，１３ａ，１４ａに含まれている第二電極層Ｅ２が素体１（非晶質ガラス層Ｉ）から剥離するおそれがある。
積層コモンモードフィルタＣＦでは、非晶質ガラス層Ｉが第二電極層Ｅ２の端縁Ａ１，Ａ２，Ａ３，Ａ４と主面１ａとの間に配置されている。したがって、電子機器ＥＤに実装された場合でも、第二電極層Ｅ２が素体１（非晶質ガラス層Ｉ）から剥離し難い。
【００７３】
次に、図９を参照して、本実施形態の変形例に係る積層コモンモードフィルタＣＦの構成を説明する。図９は、本変形例に係る積層コモンモードフィルタの断面構成を示す図である。端子電極１３及び端子電極１４を含む断面構成は、図９に示された端子電極１１及び端子電極１２を含む断面構成と同じである。したがって、端子電極１３及び端子電極１４を含む断面構成の図示を省略する。
【００７４】
本変形例に係る積層コモンモードフィルタＣＦは、概ね、上述した実施形態に係る積層コモンモードフィルタＣＦと類似又は同じであるが、本変形例は、端子電極１１，１２，１３，１４のめっき層の構成に関して、上述した実施形態と相違する。以下、上述した実施形態と本変形例との相違点を主として説明する。
【００７５】
図９に示された積層コモンモードフィルタＣＦでは、第二電極層Ｅ２と第三電極層Ｅ３との間に、第五電極層Ｅ５が配置されている。第五電極層Ｅ５は、第二電極層Ｅ２上にめっき法により形成されている。第五電極層Ｅ５は、めっき層である。第五電極層Ｅ５は、たとえば、Ｃｕめっきにより形成されたＣｕめっき層である。第三電極層Ｅ３は、第五電極層Ｅ５上にめっき法により形成されている。第五電極層Ｅ５は、第二電極層Ｅ２と接している。第二電極層Ｅ２の表面に露出している導電性フィラーＦＬは、第五電極層Ｅ５と接している。第五電極層Ｅ５は、第三電極層Ｅ３と接している。
【００７６】
本変形例では、第二電極層Ｅ２に形成されるめっき層は、三層構造を有している。各電極部１１ａ〜１１ｃ，１２ａ〜１２ｃ，１３ａ〜１３ｃ，１４ａ〜１４ｃでは、第二電極層Ｅ２の全体が、第五電極層Ｅ５、第三電極層Ｅ３、第四電極層Ｅ４の順で積層されているめっき層で覆われている。第五電極層Ｅ５は、各電極部１１ａ〜１１ｃ，１２ａ〜１２ｃ，１３ａ〜１３ｃ，１４ａ〜１４ｃにおいて、一体的に形成されている。第五電極層Ｅ５の端縁は、電極部１１ａ，１１ｂ，１２ａ，１２ｂ，１３ａ，１３ｂ，１４ａ，１４ｂに含まれている。
【００７７】
以上、本発明の実施形態及び変形例について説明してきたが、本発明は必ずしも上述した実施形態及び変形例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変更が可能である。
【００７８】
第二電極層Ｅ２と複数の導電性フィラーＦＬと、異なる金属からなっていてもよい。第二電極層Ｅ２と複数の導電性フィラーＦＬと、異なる金属からなっている場合、上述したように、積層コモンモードフィルタＣＦは、第一電極層Ｅ１と第二電極層Ｅ２との間の電気抵抗の増加を抑制する。
積層コモンモードフィルタＣＦは、非晶質ガラス層Ｉを備えていなくてもよい。この場合、端子電極１１，１２，１３，１４は、素体１上に直接的に配置される。積層コモンモードフィルタＣＦが、非晶質ガラス層Ｉを備えている場合、上述したように、積層コモンモードフィルタＣＦは、第二電極層Ｅ２の剥離を抑制する。
端子電極１１，１２，１３，１４は、必ずしも、電極部１１ｂ，１２ｂ，１３ｂ，１４ｂを有していなくてもよい。端子電極１１及び端子電極１３は、二つの面（主面１ａ及び側面１ｃ）のみに配置されていてもよく、端子電極１２及び端子電極１４は、二つの面（主面１ａ及び側面１ｄ）のみに配置されていてもよい。
第二電極層Ｅ２上に配置されるめっき層は、必ずしも、二層構造又は三層構造を有していなくてもよい。第二電極層Ｅ２上に配置されるめっき層は、一層でもよく、また、四層以上の積層構造を有していてもよい。
素体１の第二方向Ｄ２での端部にそれぞれ配置されている端子電極の数は、「二つ」に限られない。素体１の第二方向Ｄ２での端部にそれぞれ配置されている端子電極の数は、「三つ」以上であってもよい。
積層コモンモードフィルタＣＦでは、複数のコイル導体が一つのコイルを構成しているが、一つのコイル導体が一つのコイルを構成していてもよい。一つのコイル導体が一つのコイルを構成する場合、一つのコイル導体の両端が、対応する端子電極に接続される。積層コモンモードフィルタＣＦでは、素体内に、二つのコイルを備えているが、コイルの数は「３つ」以上であってもよい。
上記実施形態及び変形例では、電子部品が積層コモンモードフィルタＣＦであるが、本発明が適用可能な電子部品は、積層コモンモードフィルタに限られない。本発明が適用可能な電子部品は、たとえば、積層コンデンサ、積層インダクタ、積層バリスタ、積層圧電アクチュエータ、積層サーミスタ、もしくは積層複合部品などの積層電子部品、又は、積層電子部品以外の電子部品である。
【符号の説明】
【００７９】
１…素体、１ａ，１ｂ…主面、１１，１２，１３，１４…端子電極、Ａ１，Ａ２，Ａ３，Ａ４…第二電極層の端縁、ＣＦ…積層コモンモードフィルタ、Ｅ１…第一電極層、Ｅ２…第二電極層、Ｅ３…第三電極層、Ｅ４…第四電極層、Ｅ５…第五電極層、ＦＬ…導電性フィラー、Ｉ…非晶質ガラス層、Ｒ…樹脂。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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