(57)【要約】【課題】接着剤を用いずに生産性良く被加工基板を加工することができる基板の加工方法を提供する。【解決手段】基板の加工方法は、接合用溝部６を備えるサポート基板１と被加工基板２とを重ねて接合用溝部６を被加工基板２で蓋をして真空チャンバー１２内に設置し、真空チャンバー１２内を減圧した後で減圧を解除して被加工基板２と前記サポート基板１とを接合し、被加工基板２を加工し、サポート基板１が備える貫通孔４から圧縮気体５６を供給して被加工基板２を変形させて被加工基板２とサポート基板１との間の隙間から接合用溝部６に圧縮気体５６を流入し被加工基板２とサポート基板１とを分離する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
溝部を備えるサポート基板と被加工基板とを重ねて前記溝部を前記被加工基板で蓋をして密閉容器内に設置し、密閉容器内を減圧した後で減圧を解除して前記被加工基板と前記サポート基板とを接合し、
前記被加工基板を加工し、
前記サポート基板が備える貫通孔から高圧媒体を供給して前記被加工基板を変形させて前記被加工基板と前記サポート基板との間の隙間から前記溝部に前記高圧媒体を流入し前記被加工基板と前記サポート基板とを分離することを特徴とする基板の加工方法。
【請求項２】
請求項１に記載の基板の加工方法であって、
前記溝部は同心円状に配置された複数の第１溝部と前記複数の第１溝部を連結する第２溝部とを備え、
前記溝部の幅は５μｍ以上１０００μｍ以下であり、前記溝部の深さは１０μｍ以上であり、前記溝部が設置された場所の前記サポート基板の厚みは１００μｍ以上であり、前記複数の第１溝部の間隔は０．２ｍｍ以上１０ｍｍ以下であることを特徴とする基板の加工方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載の基板の加工方法であって、
前記サポート基板は厚み方向から見た形状が円であり、前記貫通孔は前記円の中心に設置されていることを特徴とする基板の加工方法。
【請求項４】
請求項１または２に記載の基板の加工方法であって、
前記貫通孔は前記サポート基板に複数設置され、前記サポート基板の厚み方向から見たとき前記溝部と重ならない場所に設置されていることを特徴とする基板の加工方法。
【請求項５】
平坦な面と、
前記平坦な面に設置された溝部と、厚み方向から見たときに前記溝部と重ならない場所に設置された貫通孔と、を有することを特徴とするサポート基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板の加工方法およびサポート基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
電気回路が設置された半導体基板やＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍｓ）が設置された半導体基板等の製造が広く行われている。これらの半導体基板は電子機器に組み込まれている。そして、電子機器を薄く軽量化して携帯性を良くするために半導体基板を薄くする要望がある。このため、半導体基板を薄くすることが行われている。このとき、薄い半導体基板は強度が弱く割れやすいのでサポート基板に接着固定する方法が特許文献１に開示されている。それによると、ポリイミドを含む接着剤にて半導体基板をサポート基板に接着している。サポート基板の材質には光透過性のあるガラスを用いていた。
【０００３】
そして、基板をサポート基板から剥離するときには、サポート基板を通してレーザー光を接着剤に照射して接着剤の接着力を弱めていた。そして、剥離しやすくなった基板をサポート基板から剥離した。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１３−４２０５２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１の場合にはサポート基板に接着剤を塗布する工程が必要である。次に、２つの基板を接合し、その後で加熱等の処理を施して接着する。基板をサポート基板から剥離するときには接着剤にレーザー光を照射して接着剤を変質させる。次に、基板をサポート基板から剥離し、基板を洗浄する。このように、接着剤を用いたときには多くの工程が必要になる。そこで、接着剤を用いずに生産性良く被加工基板を加工することができる基板の加工方法が望まれていた。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本願の基板の加工方法は、溝部を備えるサポート基板と被加工基板とを重ねて前記溝部を前記被加工基板で蓋をして密閉容器内に設置し、密閉容器内を減圧した後で減圧を解除して前記被加工基板と前記サポート基板とを接合し、前記被加工基板を加工し、前記サポート基板が備える貫通孔から高圧媒体を供給して前記被加工基板を変形させて前記被加工基板と前記サポート基板との間の隙間から前記溝部に前記高圧媒体を流入し前記被加工基板と前記サポート基板とを分離することを特徴とする。
【０００７】
上記の基板の加工方法は、前記溝部は同心円状に配置された複数の第１溝部と前記複数の第１溝部を連結する第２溝部とを備え、前記溝部の幅は５μｍ以上１０００μｍ以下であり、前記溝部の深さは１０μｍ以上であり、前記溝部が設置された場所の前記サポート基板の厚みは１００μｍ以上であり、前記複数の第１溝部の間隔は０．２ｍｍ以上１０ｍｍ以下であることが好ましい。
【０００８】
上記の基板の加工方法は、前記サポート基板は厚み方向から見た形状が円であり、前記貫通孔は前記円の中心に設置されていることが好ましい。
【０００９】
上記の基板の加工方法は、前記貫通孔は前記サポート基板に複数設置され、前記サポート基板の厚み方向から見たとき前記溝部と重ならない場所に設置されていることが好ましい。
【００１０】
本願のサポート基板は、平坦な面と、前記平坦な面に設置された溝部と、厚み方向から見たときに前記溝部と重ならない場所に設置された貫通孔と、を有することを特徴とする。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】第１の実施形態に係わるサポート基板の構成を示す概略斜視図。
【図２】サポート基板の構成を示す模式側断面図。
【図３】サポート基板の構成を示す模式側断面図。
【図４】分離用溝部の形状を説明するための模式図。
【図５】接合用溝部の形状を説明するための要部模式側断面図。
【図６】基板の加工方法のフローチャート。
【図７】基板の加工方法を説明するための図。
【図８】基板の加工方法を説明するための図。
【図９】基板の加工方法を説明するための図。
【図１０】基板の加工方法を説明するための図。
【図１１】基板の加工方法を説明するための図。
【図１２】基板の加工方法を説明するための図。
【図１３】基板の加工方法を説明するための図。
【図１４】基板の加工方法を説明するための図。
【図１５】基板の加工方法を説明するための図。
【図１６】基板の加工方法を説明するための図。
【図１７】基板の加工方法を説明するための図。
【図１８】第２の実施形態に係わるサポート基板の構造を示す概略斜視図。
【図１９】サポート基板の構造を示す側断面図。
【図２０】分離装置の構造を示す模式平面図。
【図２１】分離装置の構造を示す模式側面図。
【図２２】成膜工程における接合基板の活用を説明するための図。
【図２３】現像工程における接合基板の活用を説明するための図。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、実施形態について図面に従って説明する。尚、各図面における各部材は、各図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各部材毎に縮尺を異ならせて図示している。
【００１３】
（第１の実施形態）
本実施形態では、サポート基板と、このサポート基板を用いて被加工基板を加工する基板の加工方法との特徴的な例について、図に従って説明する。第１の実施形態にかかわるサポート基板について図１〜図５に従って説明する。図１は、サポート基板の構成を示す概略斜視図である。図２及び図３はサポート基板の構成を示す模式側断面図である。図２は図１のＡＡ線に沿う断面側から見た図であり、図３は図１のＢＢ線に沿う断面側から見た図である。
【００１４】
図１〜図３に示すように、サポート基板１は円板状であり、被加工基板２と接合して使用される。換言すれば、サポート基板１は厚み方向から見た形状が円になっている。サポート基板１と被加工基板２とが接合された状態の基板を接合基板３とする。サポート基板１と被加工基板２とは分離可能である。そして、サポート基板１と被加工基板２とは接合と分離とを繰り返して行うことができる。
【００１５】
被加工基板２は円板状である。サポート基板１を厚み方向から見た直径は被加工基板２を厚み方向から見た直径と同じになっている。従って、接合基板３は側面に段差のない形状にすることができる。そして、接合基板３の側面を把持するとき接合基板３は被加工基板２より厚いので容易に力を加えて把持することができる。
【００１６】
接合基板３の直径は特に限定されないが、本実施形態では、例えば、１２５ｍｍまたは１５０ｍｍになっている。接合基板３の厚みも特に限定されないが、本実施形態では、例えば、６２５μｍになっている。
【００１７】
サポート基板１は基板１ａを備え、中心１ｂに貫通孔４が設置されている。サポート基板１において被加工基板２を接合する面を面としての第１面１ｃとする。第１面１ｃと反対側の面を第２面１ｄとする。第１面１ｃは平坦な面になっている。従って、サポート基板１は平坦な第１面１ｃを備える基板１ａを備えている。第１面１ｃには分離用溝部５及び溝部としての接合用溝部６が設置されている。中心１ｂに分離用溝部５が設置され、分離用溝部５の外周側に接合用溝部６が設置されている。分離用溝部５と接合用溝部６とは分離されている。基板１ａの厚み方向から見たときに接合用溝部６と重ならない場所に貫通孔４が設置されている。
【００１８】
貫通孔４及び分離用溝部５はサポート基板１と被加工基板２とを分離するときに使用される。接合用溝部６はサポート基板１と被加工基板２とを接合するときに使用される。
【００１９】
接合用溝部６は複数の第１溝部６ａと第２溝部６ｆとを備えている。複数の第１溝部６ａはサポート基板１の中心１ｂを中心とする同心円状に配置されている。第１溝部６ａを中心１ｂに近い方から順に第１円形溝６ｂ、第２円形溝６ｃ、第３円形溝６ｄ、第４円形溝６ｅとする。第２溝部６ｆは複数の第１溝部６ａを連結する。つまり、第２溝部６ｆは第１円形溝６ｂ〜第４円形溝６ｅの４つの溝を連結している。第２溝部６ｆは４つ設置され、４つの第２溝部６ｆがそれぞれ第１円形溝６ｂ〜第４円形溝６ｅの４つの溝を繋いでいる。
【００２０】
サポート基板１の材質は強度があれば良く特に限定されず、シリコン基板、ガラス基板、樹脂、金属等を用いることができる。被加工基板２の材質も特に限定されない。本実施形態では、例えば、被加工基板２の材質がシリコン基板であり、サポート基板１の材質にもシリコン基板を用いている。サポート基板１の材質を被加工基板２の材質と同じにすることにより熱膨張の影響を低減することができる。
【００２１】
図４は分離用溝部の形状を説明するための図である。図４に示すように、分離用溝部５は中心１ｂで直交する２方向に長い形状になっている。そして、分離用溝部５は貫通孔４と繋がっている。サポート基板１と被加工基板２とを分離するときに、貫通孔４に圧縮空気が供給される。圧縮空気は貫通孔４から分離用溝部５に流動する。そして、圧縮空気は被加工基板２に圧力を加える。このとき、圧縮空気が貫通孔４と分離用溝部５とから圧力を加えることにより、圧力を加える面積を広くしている。そして、被加工基板２に加えられる応力が１点に集中して被加工基板２が割れることを分離用溝部５が低減することができる。
【００２２】
図５は接合用溝部の形状を説明するための要部模式側断面図である。第１円形溝６ｂ〜第４円形溝６ｅの断面形状は同じ形状である。図５には第１溝部６ａの第１円形溝６ｂ及び第２円形溝６ｃを記載してある。第３円形溝６ｄ及び第４円形溝６ｅも第１円形溝６ｂ及び第２円形溝６ｃと同様の形状になっている。図５に示すように、第１円形溝６ｂ〜第４円形溝６ｅである第１溝部６ａ及び第２溝部６ｆの溝部の幅としての溝幅７は同じ幅であり５μｍ以上１０００μｍ以下になっている。そして、第１溝部６ａ及び第２溝部６ｆの溝部の深さとしての溝深さ８は１０μｍ以上になっている。このとき、気体や液体が接合用溝部６を抵抗少なく流動できる。
【００２３】
複数の第１溝部６ａの間隔である第１溝部の間隔としての溝部間隔９は０．２ｍｍ以上１０ｍｍ以下になっている。尚、溝部間隔９は隣り合う第１溝部６ａの中心の間隔である。例えば、第１円形溝６ｂの幅方向の中心と第２円形溝６ｃの幅方向の中心との距離を溝部間隔９とする。本実施形態では、例えば、図を見やすくするために本実施形態では第１溝部６ａを４つ設置してあるが、実際には第１溝部６ａの個数は５つ以上設置してもよい。このとき、第１面１ｃにおいて第１溝部６ａが占める割合を多くできる。従って、サポート基板１と被加工基板２とを確実に接合させることができる。
【００２４】
接合用溝部６が設置された場所のサポート基板１の厚みである厚みとしての溝部板厚１０は１００μｍ以上になっている。従って、サポート基板１は剛性を確保できる。その結果、サポート基板１に接合された被加工基板２をハンドリングし易くでき、加工し易くできる。
【００２５】
次に上述した接合基板３を使用した基板の加工方法について図６〜図１７にて説明する。図６は、基板の加工方法のフローチャートであり、図７〜図１７は基板の加工方法を説明するための図である。図６のフローチャートにおいて、ステップＳ１は接合工程に相当し、サポート基板１と被加工基板２とを接合する工程である。次にステップＳ２に移行する。ステップＳ２は加工工程である。この工程は、被加工基板２を加工する工程である。次にステップＳ３に移行する。ステップＳ３は分離工程である。この工程は、サポート基板１と被加工基板２とを分離するする工程である。以上の工程で基板を加工する工程が終了する。
【００２６】
次に、図７〜図１７を用いて、図６に示したステップと対応させて、基板の加工方法を詳細に説明する。
図７〜図１０はステップＳ１の接合工程に対応する図である。図７に示すように、接合装置１１を用意する。接合装置１１は密閉容器としての真空チャンバー１２を備えている。真空チャンバー１２の内部は気圧の減圧に耐えられる構造になっている。真空チャンバー１２の内部には載置台１３が設置されている。操作者は載置台１３上にサポート基板１及び被加工基板２を設置する。このとき、接合用溝部６を備えるサポート基板１と被加工基板２とを重ねて接合用溝部６を被加工基板２で蓋をして真空チャンバー１２内に設置する。尚、サポート基板１の外形と被加工基板２の外形とが重なるように図示しない治具を用いても良い。
【００２７】
接合装置１１は真空ポンプ１４、電磁弁１５、気圧計１６及び制御装置１７を備えている。真空ポンプ１４は油回転型真空ポンプ等のポンプを用いることができる。本実施形態では、例えば、真空ポンプ１４にゲーテ型油回転式真空ポンプを用いている。ゲーテ型油回転式真空ポンプの到達真空度は１ｋＰａであり、常用真空度は４０ｋＰａである。真空ポンプ１４は真空チャンバー１２の内部の気体を排出して減圧する。電磁弁１５は減圧した真空チャンバー１２内に空気を供給する流路の開閉を行う弁である。電磁弁１５には流量を制限する機能を備えている。気圧計１６は真空チャンバー１２内の気圧を検出する装置である。真空ポンプ１４、電磁弁１５及び気圧計１６は制御装置１７と電気的に接続されている。気圧計１６は真空チャンバー１２内の気圧を検出する。そして、気圧計１６は真空チャンバー１２内の気圧を示す情報を制御装置１７に出力する。真空チャンバー１２内の気圧を示す情報に基づいて制御装置１７は真空ポンプ１４及び電磁弁１５を駆動させて真空チャンバー１２内の気圧を制御する。
【００２８】
図８は真空チャンバー内の気圧の推移を説明するための図である。図８において、縦軸は真空チャンバー１２内の気圧を示す。縦軸は図中上側が下側より高い気圧になっている。横軸は時間の推移を示し、時間は図中右側に推移する。気圧推移線１８は真空チャンバー１２内の気圧の推移を示している。
【００２９】
気圧推移線１８が示すように、真空ポンプ１４が減圧する前の真空チャンバー１２内の気圧は大気圧２１になっている。大気圧２１は接合装置１１を設置した場所の標高により異なるが、約１０１ｋＰａ〜９０ｋＰａである。制御装置１７は真空ポンプ１４を駆動させて真空チャンバー１２内の気圧を設定気圧２２まで減圧する。
【００３０】
設定気圧２２はサポート基板１と被加工基板２とが接合可能な気圧であれば良く特に限定されないが、５ｋＰａ以上４０ｋＰａ以下の気圧に設定されるのが好ましい。設定気圧２２が５ｋＰａより低すぎると減圧する設備が入手し難くなり、減圧する時間がかかる。設定気圧２２を４０ｋＰａ以上に設定するとサポート基板１と被加工基板２とが接合力が弱くなる。さらには、設定気圧２２は５ｋＰａ以上２５ｋＰａ以下の間に設定されるのが好ましい。さらには、設定気圧２２は５ｋＰａ以上１０ｋＰａ以下の間に設定されるのが好ましい。本実施形態では、例えば、設定気圧２２は６ｋＰａ以上８ｋＰａ以下の間に設定されている。
【００３１】
大気圧２１から設定気圧２２まで減圧する期間を減圧期間２３ａとする。減圧期間２３ａに要する時間は特に限定されないが３分以上５分以下の間に設定されている。減圧期間２３ａを３分より短くするには真空ポンプ１４の能力を高くする必要があるので真空ポンプ１４の入手が困難になる。また、減圧期間２３ａを５分より長くすると生産性が低下する。
【００３２】
真空チャンバー１２内の気圧が設定気圧２２に達したとき、制御装置１７は電磁弁１５を駆動する。電磁弁１５は減圧した真空チャンバー１２内に空気を供給する流路を開く。このタイミングを真空破壊タイミング２４とする。真空破壊タイミング２４の後では設定気圧２２から大気圧２１まで気圧を上昇させる。この期間を加圧期間２３ｂとする。加圧期間２３ｂに要する時間は特に限定されないが１分以上２分以下の間に設定されている。加圧期間２３ｂを１分未満にすると真空チャンバー１２内に衝撃波が発生して被加工基板２が破壊する可能性がある。加圧期間２３ｂが２分を超えるとサポート基板１と被加工基板２との間の接合力が低下する可能性がある。
【００３３】
図９は減圧期間２３ａの気流を説明するための図である。図９に示すように、被加工基板２は薄いので反っている。そして、第１面１ｃは平坦になっているので、第１面１ｃと被加工基板２との間には隙間ができている。真空ポンプ１４が真空チャンバー１２内を減圧するとき、接合用溝部６内の気体が気流２５になって流動する。そして、接合用溝部６内も減圧される。減圧期間２３ａでは徐々に減圧されるので、被加工基板２は反っている状態を維持する。従って、真空チャンバー１２内の気圧が下がっても第１面１ｃと被加工基板２との間には隙間ができている。そして、接合装置１１は接合用溝部６内を減圧することができる。
【００３４】
図１０は加圧期間２３ｂのサポート基板１と被加工基板２の動きを説明するための模式側断面図である。加圧期間２３ｂでは急速に真空チャンバー１２内の気圧が上昇する。図１０に示すように、第１面１ｃと被加工基板２との隙間が狭いので、接合用溝部６に気体が流入し難くなっている。このため、接合用溝部６の内部では気圧が上昇し難い。被加工基板２においてサポート基板１と反対側の面を加工面２ａとする。加工面２ａ側では気体が移動し易いので、被加工基板２にかかる圧力２６は大気圧２１になる。
【００３５】
接合用溝部６の内部は減圧されており、加工面２ａには大気圧２１の圧力２６が加わっている。従って、接合用溝部６では被加工基板２がサポート基板１に吸着される。その結果、被加工基板２はサポート基板１に接合されて接合基板３になる。このように、真空チャンバー１２内を減圧した後で減圧を解除して被加工基板２とサポート基板１とを接合する。
【００３６】
図１１はステップＳ２の加工工程に対応する図である。ステップＳ２では被加工基板２の加工面２ａに各種の加工が施される。各種の加工の１例として露光工程を示す。露光工程の前に被加工基板２は加工面２ａに感光性の樹脂膜が塗布される。そして、露光工程では被加工基板２に所定のパターンの光が照射される。この光を照射することを露光という。光が照射された場所では感光性の樹脂膜が変質する。露光工程の後工程において感光性の樹脂膜をエッチングすることにより感光性の樹脂膜を所定のパターンにすることができる。
【００３７】
図１１に示すように、露光工程では露光機２７を使用する。露光機２７はステージ２８を備えている。ステージ２８は基台３１を備えている。基台３１上にはＸステージ３２、Ｙステージ３３及び載置台３４が重ねて設定されている。尚、図中右側を向く方向を＋Ｙ方向とする。図中上側を向く方向を＋Ｚ方向とする。Ｙ方向及びＺ方向と直交する方向をＸ方向とする。
【００３８】
Ｘステージ３２はモーター３２ａとボールねじ３２ｂを備えている。ボールねじ３２ｂはモーター３２ａの軸に設置され、モーター３２ａがボールねじ３２ｂを回転するとＸステージ３２がＸ方向に移動する。同様に、Ｙステージ３３はモーター３３ａとボールねじ３３ｂを備えている。ボールねじ３３ｂはモーター３３ａの軸に設置され、モーター３３ａがボールねじ３３ｂを回転するとＹステージ３３がＹ方向に移動する。
【００３９】
載置台３４はＹステージ３３の上に設置され、Ｙステージ３３により移動される。サポート基板１と被加工基板２とが接合された接合基板３は載置台３４上に設置される。載置台３４には真空チャックが設置されている。そして、真空チャックにより接合基板３は載置台３４に分離可能に固定される。
【００４０】
ステージ２８の＋Ｚ方向側には水銀ランプ３５が設置されている。水銀ランプ３５が射出する光３６の波長は約３５０ｎｍから７５０ｎｍである。解像度のよい露光機２７では波長が３６５ｎｍのｉ線が使用される。水銀ランプ３５の＋Ｚ方向側には凹面鏡３７が設置されている。水銀ランプ３５が＋Ｚ方向に進行する光３６を凹面鏡３７が−Ｚ方向に進行させる。
【００４１】
水銀ランプ３５の−Ｚ方向側にはシャッター３８、中間光学系４１、レチクル４２、縮小投射レンズ４３が設置されている。尚、水銀ランプ３５、凹面鏡３７、シャッター３８、中間光学系４１、レチクル４２、縮小投射レンズ４３等は図示しない支持部に支持されている。
【００４２】
シャッター３８は光３６の通過と非通過とを切り替える。シャッター３８は所定の時間の間光３６を進行させる。そして、シャッター３８は被加工基板２に設置された感光性の樹脂膜を照射する時間を制御する。中間光学系４１には干渉フィルター、フライアレンズ、レチクルブラインド、コンデンサーレンズ等を備えている。
【００４３】
干渉フィルターは接合基板３に照射する光３６の波長を限定する。フライアレンズは照度分布の均一化を図る。レチクルブラインドはレチクル４２に当たる面積を調整する。コンデンサーレンズはレチクル４２に光３６を集光する。中間光学系４１はこれらの光学素子を通過させることにより光３６の波長や分布を調整する。
【００４４】
レチクル４２は感光性の樹脂膜に転写するパターンが描かれている光透過性の板である。レチクル４２には熱膨張係数の小さい石英板を用いられている。縮小投射レンズ４３はレチクル４２に描画されたパターンを１／２〜１／１０に縮小して投射する。
【００４５】
露光機２７は制御装置４４を備えている。制御装置４４には水銀ランプ３５、シャッター３８、モーター３２ａ及びモーター３３ａが接続されている。制御装置４４は水銀ランプ３５の点灯と消灯とを制御する。さらに、制御装置４４はステージ２８のモーター３２ａ及びモーター３３ａを制御する。そして、感光性の樹脂膜に光３６を照射する場所を移動する。そして、制御装置４４はシャッター３８を制御して所定の時間の間感光性の樹脂膜に光３６を照射する。
【００４６】
制御装置４４は接合基板３の移動と光３６の照射とを交互に行う。そして、予定していた総ての場所に光３６を照射して露光工程を終了する。続いて、予定していた各種の加工を行う。このように、ステップＳ２では各種の加工装置が被加工基板２を加工する。予定していた各種の加工が終了したところでステップＳ３に移行する。
【００４７】
図１２〜図１７はステップＳ３の分離工程に対応する図である。図１２及び図１３に示すように、ステップＳ３において分離装置４５を使用する。図１２は分離装置４５の模式平面図である。図１３は分離装置４５の模式側断面図であり、図１２のＣＣ線に沿う断面側から見た図である。図１２では分離装置４５に接合基板３が載置されておらず、図１３では分離装置４５に接合基板３が載置されている。
【００４８】
図１２及び図１３に示すように、分離装置４５は基板４５ａを備え、基板４５ａには平面視が円形の第１凹部４６が設置されている。基板４５ａの平面視で第１凹部４６の直径はサポート基板１の直径より少し大きくなっている。そして、第１凹部４６の底面４６ａには円環状の第２凹部４７が設置されている。第１凹部４６の側面には面取り４６ｂが設置されている。第１凹部４６に接合基板３を設置するとき、接合基板３が面取り４６ｂに沿って第１凹部４６に移動する。従って、接合基板３を第１凹部４６に設置し易くなっている。
【００４９】
分離装置４５は真空ポンプ４８を備えている。そして、真空ポンプ４８と第２凹部４７とを接続する第１配管４９が設置されている。真空ポンプ４８は第１配管４９を介して第２凹部４７の内部の気体を吸引する。第１凹部４６に接合基板３を設置すると第２凹部４７は接合基板３によって蓋がされる。そして、真空ポンプ４８が第２凹部４７の内部の気体を吸引することにより、第２凹部４７の内部は減圧される。その結果、接合基板３は第１凹部４６の底面４６ａに吸着される。
【００５０】
分離装置４５は圧縮ポンプ５０を備えている。そして、圧縮ポンプ５０と第１凹部４６の底面４６ａの中心とを接続する第２配管５１が設置されている。第１凹部４６に接合基板３を設置するときサポート基板１の貫通孔４と第２配管５１とが接続される。従って、圧縮ポンプ５０が第２配管５１に圧縮した気体を排出するとき、圧縮した気体は貫通孔４に供給される。
【００５１】
図１４は真空ポンプ４８が第２凹部４７の内部を減圧する説明をするための図である。図１４において、縦軸は第２凹部４７の内部の気圧である。縦軸は図中上側が下側より高い気圧になっている。横軸は時間の推移を示し、時間は図中右側に推移する。気圧推移線５２は第２凹部４７内の気圧の推移を示している。
【００５２】
大気圧２１から所定の気圧まで減圧する期間を減圧期間５３とする。減圧期間５３に要する時間は特に限定されないが約５秒に設定されている。接合基板３で蓋をされた第２凹部４７の空間は狭いので短時間で減圧される。接合基板３で蓋をされた第２凹部４７の空間が減圧されて、接合基板３が第１凹部４６の底面４６ａに吸着される。
【００５３】
図１５は圧縮ポンプ５０が貫通孔４を加圧する説明をするための図である。図１５において、縦軸は貫通孔４の内部の気圧である。縦軸は図中上側が下側より高い気圧になっている。横軸は時間の推移を示し、時間は図中右側に推移する。気圧推移線５４は貫通孔４内の気圧の推移を示している。
【００５４】
減圧期間５３が終了した後に圧縮ポンプ５０が作動する。圧縮ポンプ５０は貫通孔４内の気圧を大気圧２１から１５０ｋＰａまで上昇させる。貫通孔４内の気圧を１気圧から１．５気圧まで上昇させる期間を加圧期間５５とする。加圧期間５５に要する時間は特に限定されないが３分程度に設定されている。貫通孔４の気圧が上昇するとき、被加工基板２がサポート基板１から離脱する。そして、貫通孔４が露出するので、貫通孔４内の気圧は大気圧２１に下がる。
【００５５】
図１６は被加工基板２がサポート基板１から離れるようすを説明するための模式側断面図である。図１６に示すように、加圧期間５５では圧縮ポンプ５０から貫通孔４に高圧媒体としての圧縮気体５６が供給される。このため、貫通孔４及び分離用溝部５では気圧が上昇して、圧縮気体５６が被加工基板２を押圧する。分離用溝部５と対向する場所では被加工基板２が加工面２ａ側に突出する。そして、分離用溝部５と接合用溝部６との間ではサポート基板１と被加工基板２との間に隙間ができる。この隙間を通って圧縮気体５６が接合用溝部６に流入する。その結果、被加工基板２に蓋をされている接合用溝部６の内部の気圧が上昇する。そして、被加工基板２では加工面２ａ側の圧力と接合用溝部６の圧力との圧力差が少なくなる。そして、被加工基板２をサポート基板１に吸着させる力が減少する。
【００５６】
その結果、図１７に示すように、被加工基板２とサポート基板１とが分離する。このように、ステップＳ３ではサポート基板１が備える貫通孔４から圧縮気体５６を供給して被加工基板２を変形させている。そして、被加工基板２とサポート基板１との間の隙間から接合用溝部６に圧縮気体５６を流入し被加工基板２とサポート基板１とを分離している。
【００５７】
このように、サポート基板１には貫通孔４が設置されている。サポート基板１と被加工基板２とが重ねてあるので、貫通孔４は被加工基板２により蓋がされている。貫通孔４から圧縮気体５６を供給する。圧縮気体５６は１気圧をこえる気体である。圧縮気体５６により被加工基板２が変形し、被加工基板２とサポート基板１との間に隙間ができる。
【００５８】
隙間に圧縮気体５６が流入して接合用溝部６に圧縮気体５６が到達する。圧縮気体５６が接合用溝部６に入るので接合用溝部６の圧力が高くなる。そして、接合用溝部６では被加工基板２とサポート基板１とを接合させる力が弱くなり、被加工基板２とサポート基板１とが分離する。従って、接着剤を用いずにサポート基板１と被加工基板２とを接合している為、接着剤を剥離する作業が不要になる。その結果、生産性良く被加工基板２を加工することができる。以上の工程により被加工基板２を加工する工程が終了する。
【００５９】
上述したように、本実施形態によれば、以下の効果を有する。
（１）本実施形態によれば、サポート基板１は接合用溝部６を備えている。そして、サポート基板１と被加工基板２とを重ねる。このとき、接合用溝部６を被加工基板２で蓋をする。接合用溝部６は蓋をされるが被加工基板２は薄く反っているので接合用溝部６から気体が移動できる。そして、重ねられたサポート基板１と被加工基板２とを真空チャンバー１２内に設置して真空チャンバー１２内を減圧する。このとき、蓋をされた接合用溝部６の閉空間が減圧される。次に、減圧を解除することにより、サポート基板１と被加工基板２とに大気圧が加わる。大気圧により蓋となる被加工基板２が接合用溝部６に押圧されるので接合用溝部６が閉空間になる。そして、接合用溝部６では大気圧より圧力が低い状態が維持されるので、気圧差により被加工基板２及びサポート基板１が互いに接合される。
【００６０】
次に、被加工基板２を加工する。加工内容は特に限定されず公知の加工内容である。被加工基板２が薄くて加工やハンドリングをし難い場合でも、サポート基板１と被加工基板２とが重なっているので厚い接合基板３の状態で被加工基板２を加工しハンドリングすることができる。
【００６１】
加工が終了したところで、サポート基板１と被加工基板２とを分離する。サポート基板１には貫通孔４が設置されている。サポート基板１と被加工基板２とが重ねてあるので、貫通孔４は被加工基板２により蓋がされている。貫通孔４から圧縮気体５６を供給する。圧縮気体５６は１気圧をこえる気体である。圧縮気体５６により被加工基板２が変形し、被加工基板２とサポート基板１との間に隙間ができる。
【００６２】
隙間に圧縮気体５６が流入して接合用溝部６に圧縮気体５６が到達する。圧縮気体５６が接合用溝部６に入るので接合用溝部６の圧力が高くなる。そして、接合用溝部６では被加工基板２とサポート基板１とを接合させる力が弱くなり、被加工基板２とサポート基板１とが分離する。従って、接着剤を用いずにサポート基板１と被加工基板２とを接合している為、接着剤を剥離する作業が不要になる。その結果、生産性良く被加工基板２を加工することができる。
【００６３】
（２）本実施形態によれば、接合用溝部６は複数の第１溝部６ａを連結する第２溝部６ｆを備えている。複数の第１溝部６ａは同心円状に配置されており、第２溝部６ｆが第１溝部６ａを連結する。従って、接合用溝部６は繋がった状態になっている。接合用溝部６の幅は５μｍ以上１０００μｍ以下であり、接合用溝部６の深さは１０μｍ以上である。このとき、気体が接合用溝部６を抵抗少なく流動できる。また、第１溝部６ａの間隔は０．２ｍｍ以上１０ｍｍ以下であるので、第１溝部６ａが占める割合を多くできる。従って、サポート基板１と被加工基板２とを確実に接合させることができる。
【００６４】
そして、接合用溝部６が設置された場所のサポート基板１の厚みは１００μｍ以上あるので、サポート基板１は剛性を確保できる。その結果、サポート基板１に接合された被加工基板２をハンドリングし易くでき、加工し易くできる。
【００６５】
（３）本実施形態によれば、サポート基板１は厚み方向から見た形状が円形である。そして、貫通孔４は円形の中心に設置されている。従って、サポート基板１に接合された被加工基板２の中央に圧縮気体５６を当てることができる。被加工基板２が円形のときには円形の中央に圧力を加えた方が端に圧力を加えたときに比べて、被加工基板２の変位を小さくできる。その結果、被加工基板２が破壊することを低減することができる。
【００６６】
（４）本実施形態によれば、サポート基板１は平坦な第１面１ｃを備え、平坦な第１面１ｃに接合用溝部６が設置されている。平坦な第１面１ｃに被加工基板２を合わせて設置することで接合用溝部６を被加工基板２が蓋をして閉空間を形成できる。この状態で、サポート基板１と被加工基板２とを真空チャンバー１２内に設置して真空チャンバー１２内を減圧する。このとき、被加工基板２により蓋をされた接合用溝部６の閉空間が減圧される。次に、減圧を解除することにより、サポート基板１と被加工基板２とに大気圧が加わる。被加工基板２により蓋をされた接合用溝部６の閉空間では大気圧より圧力が低い状態が維持されるので、気圧差により被加工基板２及びサポート基板１が互いに接合される。被加工基板２が薄くてもサポート基板１と被加工基板２とが重なっているので厚い接合基板３の状態で被加工基板２をハンドリングすることができる。
【００６７】
そして、サポート基板１にはサポート基板１の厚み方向から見たときに接合用溝部６と重ならない場所に貫通孔４が設置されている。サポート基板１と被加工基板２とが重ねてあるので、貫通孔４は被加工基板２により蓋がされている。貫通孔４から圧縮気体５６を供給する。圧縮気体５６により被加工基板２が変形し、被加工基板２とサポート基板１との間に隙間ができる。
【００６８】
隙間に圧縮気体５６が流入して接合用溝部６に到達する。圧縮気体５６が接合用溝部６に入るので接合用溝部６の圧力が高くなり被加工基板２とサポート基板１とが分離する。従って、接着剤を用いずにサポート基板１と被加工基板２とを接合できるので、接着剤を剥離する作業が不要になる。従って、サポート基板１を用いることにより生産性良く被加工基板２を加工することができる。
【００６９】
（第２の実施形態）
次に、サポート基板の一実施形態について図１８〜図２１を用いて説明する。本実施形態が第１の実施形態と異なるところは、貫通孔４に相当する孔が複数設置されている点にある。尚、第１の実施形態と同じ点については説明を省略する。
【００７０】
図１８は、サポート基板の構造を示す概略斜視図である。図１９は、サポート基板の構造を示す側断面図であり、図１８のＤＤ線に沿う側から見た側断面図である。図１８及び図１９に示すように、サポート基板５９は基板５９ａを備え、中心５９ｂに貫通孔４が設置されている。サポート基板５９において被加工基板２を接合する面を面としての第１面５９ｃとする。第１面５９ｃと反対側の面を第２面５９ｄとする。第１面５９ｃは平坦な面になっている。従って、サポート基板５９は平坦な第１面５９ｃを備える基板５９ａを備えている。第１面５９ｃには分離用溝部５及び溝部としての接合用溝部６が設置されている。中心５９ｂに分離用溝部５が設置され、分離用溝部５の外周側に接合用溝部６が設置されている。分離用溝部５と接合用溝部６とは分離されている。基板５９ａの厚み方向から見たときに接合用溝部６と重ならない場所に貫通孔４が設置されている。
【００７１】
基板５９ａには第１円形溝６ｂと第２円形溝６ｃとの間に貫通孔６０が設置されている。貫通孔６０は第２円形溝６ｃと第３円形溝６ｄとの間にも設置され、第３円形溝６ｄと第４円形溝６ｅとの間にも設置されている。このように、貫通孔６０はサポート基板５９に複数設置され、サポート基板５９の厚み方向から見たとき接合用溝部６と重ならない場所に設置されている。
【００７２】
図２０は分離装置の構造を示す模式平面図である。図２１は分離装置の構造を示す模式側面図であり、図２０のＥＥ線に沿う断面側から見た図である。図２０に示すように、分離装置６１は基板６１ａを備え、基板６１ａには平面視が円形の第１凹部４６が設置されている。そして、第１凹部４６の底面４６ａには扇状の第２凹部６２が設置されている。
【００７３】
基板６１ａには真空ポンプ４８と第２凹部６２とを接続する第１配管６３が設置されている。真空ポンプ４８は第１配管６３を介して第２凹部６２の内部の気体を吸引する。
【００７４】
第１凹部４６の底面４６ａには排気孔６４が設置されている。基板６１ａには圧縮ポンプ５０と排気孔６４とを接続する第２配管６５が設置されている。サポート基板５９と被加工基板２とを接合した基板を接合基板６６とする。接合基板６６は接合基板３に相当する基板である。第１凹部４６に接合基板６６を設置するときサポート基板５９の貫通孔４及び貫通孔６０と第２配管６５とが接続される。従って、圧縮ポンプ５０が第２配管６５に圧縮した気体を排出するとき、圧縮した気体は貫通孔４及び貫通孔６０に供給される。その結果、被加工基板２はサポート基板５９から分離される。
【００７５】
上述したように、本実施形態によれば、以下の効果を有する。
（１）本実施形態によれば、サポート基板５９には貫通孔６０が複数設置されている。貫通孔６０が多い方が少ないときより弱い圧力で被加工基板２をサポート基板５９から剥離することができる。従って、被加工基板２の変位を小さくできる為、被加工基板２が破壊することを低減することができる。また、サポート基板５９の厚み方向から見たとき接合用溝部６と重ならない場所に貫通孔６０が設置されている。従って、接合用溝部６と被加工基板２とは離れている。その結果、サポート基板５９と被加工基板２とを重ねたとき、接合用溝部６を被加工基板２が蓋をして閉空間を形成できる。
【００７６】
尚、本実施形態は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想内で当分野において通常の知識を有する者により種々の変更や改良を加えることも可能である。変形例を以下に述べる。
（変形例１）
前記第１の実施形態では、貫通孔４に圧縮気体５６を供給した。貫通孔４に液体を供給してもよい。このときにも、被加工基板２をサポート基板１から剥離できる。そして、接合用溝部６の幅は５μｍ以上１０００μｍ以下であり、接合用溝部６の深さは１０μｍ以上である。このとき、液体が溝部を抵抗少なく流動できる。
【００７７】
（変形例２）
前記第１の実施形態では、ステップＳ２の加工工程で露光工程の例を示した。ステップＳ２の加工工程は特に限定されない。ステップＳ２の加工工程で成膜工程や現像工程を行っても良い。図２２は成膜工程における接合基板の活用を説明するための図である。成膜工程は第１の実施形態の露光工程の前に行われる工程である。
【００７８】
図２２に示すように、成膜工程では塗布機６９を用いる。塗布機６９はレジストコーターともいう。塗布機６９は基台７０を備え、基台７０の上に回転テーブル７１が設置されている。基台７０の内部にはモーター７２が設置され、モーター７２の軸に回転テーブル７１が固定されている。そして、モーター７２は回転テーブル７１を回転する。
【００７９】
回転テーブル７１上には被加工基板２とサポート基板７３とが接合された接合基板７４が設置されている。サポート基板７３にはサポート基板１またはサポート基板５９が用いられている。従って、接合基板７４は接合基板３または接合基板６６に相当する。
【００８０】
回転テーブル７１には真空チャックが内蔵されている。そして、接合基板７４は回転テーブル７１に固定されている。従って、回転テーブル７１が回転するとき接合基板７４も回転する。
【００８１】
塗布機６９は第１吐出装置７５及び第２吐出装置７６を備えている。第１吐出装置７５は第１タンク７５ａを備え、第１タンク７５ａには洗浄液７７が入っている。洗浄液７７はリンス液ともいう。第２吐出装置７６は第２タンク７６ａを備え、第２タンク７６ａにはレジスト材料液７８が入っている。
【００８２】
接合基板７４が設置される前に回転テーブル７１に洗浄液７７が吐出されて、回転テーブル７１が回転される。これにより回転テーブル７１に付着するレジスト材料液７８が除去される。
【００８３】
接合基板７４が設置された後で回転テーブル７１にレジスト材料液７８が吐出されて、回転テーブル７１が回転される。これにより接合基板７４にレジスト材料液７８の膜が形成される。
【００８４】
被加工基板２にはサポート基板７３が接合されている。従って、被加工基板２を接合基板７４の形態で取り扱うので、被加工基板２を回転テーブル７１に設置しやすくなっている。そして、被加工基板２を回転テーブル７１から取り外し易くなっている。また、被加工基板２が割れることを低減することができる。
【００８５】
図２３は現像工程における接合基板の活用を説明するための図である。現像工程は第１の実施形態の露光工程の後に行われる工程である。図２３に示すように、現像工程では現像機７９を用いる。現像機７９はデベロッパともいう。現像機７９は基台８０を備え、基台８０の上に回転テーブル８１が設置されている。基台８０の内部にはモーター８２が設置され、モーター８２の軸に回転テーブル８１が固定されている。そして、モーター８２は回転テーブル８１を回転する。
【００８６】
回転テーブル８１上には被加工基板２とサポート基板７３とが接合された接合基板７４が設置されている。サポート基板７３にはサポート基板１またはサポート基板５９が用いられている。従って、接合基板７４は接合基板３または接合基板６６に相当する。
【００８７】
回転テーブル８１には真空チャックが内蔵されている。そして、接合基板７４は回転テーブル８１に固定されている。従って、回転テーブル８１が回転するとき接合基板７４も回転する。
【００８８】
現像機７９は第１吐出装置８３及び第２吐出装置８４を備えている。第１吐出装置８３は第１タンク８３ａを備え、第１タンク８３ａには洗浄液８５が入っている。洗浄液８５はリンス液ともいう。第２吐出装置８４は第２タンク８４ａを備え、第２タンク８４ａには現像液８６が入っている。
【００８９】
接合基板７４が設置された後で接合基板７４に現像液８６が吐出されて、回転テーブル８１が回転される。これにより接合基板７４上のレジスト膜が現像される。
【００９０】
次に、接合基板７４に洗浄液８５が吐出されて、回転テーブル８１が回転される。これにより不要なレジスト膜が除去される。
【００９１】
被加工基板２にはサポート基板７３が接合されている。従って、被加工基板２を接合基板７４の形態で取り扱うので、被加工基板２を回転テーブル８１に設置しやすくなっている。そして、被加工基板２を回転テーブル８１から取り外し易くなっている。また、被加工基板２に応力が加わって割れることを低減することができる。
【００９２】
他にも、ステップＳ２の加工工程では成膜工程、エッチング工程、アッシング工程、実装工程、移送工程を行っても良い。成膜工程では、蒸着、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、スパッタリング、ＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ  Ｌａｙｅｒ．  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、印刷等の各種の方法を行っても良い。
【００９３】
エッチング工程ではイオンエッチング等のドライエッチングやエッチング液に浸漬するウエットエッチングを行っても良い。アッシング工程では紫外線等の光を照射してガスとレジストの化学反応を使ってレジスト剥離をする光励起アッシングやガスを高周波等でプラズマ化し、そのプラズマを利用してレジストを剥離するプラズマアッシング等を行っても良い。実装工程では、ワイヤーボンディングや導電膜を使用した配線の接続を行っても良い。移送工程では移動テーブルや移動装置が接合基板３や接合基板６６を移送する。
【００９４】
各種の加工工程において被加工基板２をサポート基板１またはサポート基板７３に接続することにより生産性良く被加工基板を加工することができる。そして、被加工基板２に応力が加わって割れることを低減することができる。
【００９５】
以下に実施形態から導き出せる内容を記載する。
【００９６】
基板の加工方法は、溝部を備えるサポート基板と被加工基板とを重ねて前記溝部を前記被加工基板で蓋をして密閉容器内に設置し、密閉容器内を減圧した後で減圧を解除して前記被加工基板と前記サポート基板とを接合し、前記被加工基板を加工し、前記サポート基板が備える貫通孔から高圧媒体を供給して前記被加工基板を変形させて前記被加工基板と前記サポート基板との間の隙間から前記溝部に前記高圧媒体を流入し前記被加工基板と前記サポート基板とを分離することを特徴とする。
【００９７】
この構成によれば、サポート基板は溝部を備えている。そして、サポート基板と被加工基板とを重ねる。このとき、溝部を被加工基板で蓋をする。溝部は蓋をされるが被加工基板は薄く反っているので溝部から気体が移動できる。そして、重ねられたサポート基板と被加工基板とを密閉容器内に設置して密閉容器内を減圧する。このとき、被加工基板により蓋をされた溝部の空間が減圧される。次に、減圧を解除することにより、サポート基板と被加工基板とに大気圧が加わる。大気圧により蓋となる被加工基板が溝部に押圧されるので溝部が閉空間になる。そして、溝部では大気圧より圧力が低い状態が維持されるので、気圧差により被加工基板及びサポート基板が互いに接合される。
【００９８】
次に、被加工基板を加工する。加工内容は特に限定されず公知の加工内容である。被加工基板が薄くて加工やハンドリングをし難い場合でも、サポート基板と被加工基板とが重なっているので厚い基板の状態で被加工基板を加工しハンドリングすることができる。
【００９９】
加工が終了したところで、サポート基板と被加工基板とを分離する。サポート基板には貫通孔が設置されている。サポート基板と被加工基板とが重ねてあるので、貫通孔は被加工基板により蓋がされている。貫通孔から高圧媒体を供給する。尚、高圧媒体は１気圧をこえる気体や液体を示す。高圧媒体により被加工基板が変形し、被加工基板とサポート基板との間に隙間ができる。
【０１００】
隙間に高圧媒体が流入して溝部に高圧媒体が到達する。高圧媒体が溝部に入るので溝部の圧力が高くなる。そして、溝部では被加工基板とサポート基板とを接合させる力が弱くなり、被加工基板とサポート基板とが分離する。従って、接着剤を用いずにサポート基板と被加工基板とを接合している為、接着剤を剥離する作業が不要になる。その結果、生産性良く被加工基板を加工することができる。
【０１０１】
上記の基板の加工方法は、前記溝部は同心円状に配置された複数の第１溝部と前記複数の第１溝部を連結する第２溝部とを備え、前記溝部の幅は５μｍ以上１０００μｍ以下であり、前記溝部の深さは１０μｍ以上であり、前記溝部が設置された場所の前記サポート基板の厚みは１００μｍ以上であり、前記複数の第１溝部の間隔は０．２ｍｍ以上１０ｍｍ以下であることが好ましい。
【０１０２】
この構成によれば、溝部は複数の第１溝部を連結する第２溝部を備えている。複数の第１溝部は同心円状に配置されており、第２溝部が第１溝部を連結する。従って、溝部は繋がった状態になっている。溝部の幅は５μｍ以上１０００μｍ以下であり、溝部の深さは１０μｍ以上である。このとき、気体や液体が溝部を抵抗少なく流動できる。また、第１溝部の間隔は０．２ｍｍ以上１０ｍｍ以下であるので、第１溝部が占める割合を多くできる。従って、サポート基板と被加工基板とを確実に接合させることができる。
【０１０３】
そして、溝部が設置された場所のサポート基板の厚みは１００μｍ以上あるので、サポート基板は剛性を確保できる。その結果、サポート基板に接合された被加工基板をハンドリングし易くでき、加工し易くできる。
【０１０４】
上記の基板の加工方法は、前記サポート基板は厚み方向から見た形状が円であり、前記貫通孔は前記円の中心に設置されていることが好ましい。
【０１０５】
この構成によれば、サポート基板は厚み方向から見た形状が円形である。そして、貫通孔は円形の中心に設置されている。従って、サポート基板に接合された被加工基板の中央に高圧媒体を当てることができる。被加工基板が円形のときには円形の中央に圧力を加えた方が端に圧力を加えたときに比べて、被加工基板の変位を小さくできる。その結果、被加工基板が破壊することを低減することができる。
【０１０６】
上記の基板の加工方法は、前記貫通孔は前記サポート基板に複数設置され、前記サポート基板の厚み方向から見たとき前記溝部と重ならない場所に設置されていることが好ましい。
【０１０７】
この構成によれば、サポート基板には貫通孔が複数設置されている。貫通孔が多い方が少ないときより弱い圧力で被加工基板をサポート基板から剥離することができる。従って、被加工基板の変位を小さくできる為、被加工基板が破壊することを低減することができる。また、サポート基板の厚み方向から見たとき溝部と重ならない場所に貫通孔が設置されている。従って、溝部と被加工基板とは離れている。その結果、サポート基板と被加工基板とを重ねたとき、溝部を被加工基板が蓋をして閉空間を形成できる。
【０１０８】
本願のサポート基板は、平坦な面と、前記平坦な面に設置された溝部と、厚み方向から見たときに前記溝部と重ならない場所に設置された貫通孔と、を有することを特徴とする。
【０１０９】
この構成によれば、サポート基板は平坦な面を備え、平坦な面に溝部が設置されている。平坦な面に被加工基板を合わせて設置することで溝部を被加工基板が蓋をして閉空間を形成できる。この状態で、サポート基板と被加工基板と密閉容器内に設置して密閉容器内を減圧する。このとき、被加工基板により蓋をされた溝部の閉空間が減圧される。次に、減圧を解除することにより、サポート基板と被加工基板とに大気圧が加わる。被加工基板により蓋をされた溝部の閉空間では大気圧より圧力が低い状態が維持されるので、気圧差により被加工基板及びサポート基板が互いに接合される。被加工基板が薄くてもサポート基板と被加工基板とが重なっているので、サポート基板で補強された状態の被加工基板をハンドリングすることができる。
【０１１０】
そして、サポート基板にはサポート基板の厚み方向から見たときに溝部と重ならない場所に貫通孔が設置されている。サポート基板と被加工基板とが重ねてあるので、貫通孔は被加工基板により蓋がされている。貫通孔から高圧媒体を供給する。高圧媒体により被加工基板が変形し、被加工基板とサポート基板との間に隙間ができる。
【０１１１】
隙間に高圧媒体が流入して溝部に到達する。高圧媒体が溝部に入るので溝部の圧力が高くなり被加工基板とサポート基板とが分離する。従って、接着剤を用いずにサポート基板と被加工基板とを接合できるので、接着剤を剥離する作業が不要になる。従って、サポート基板を用いることにより生産性良く被加工基板を加工することができる。
【符号の説明】
【０１１２】
１…サポート基板、１ｃ…面としての第１面、２…被加工基板、４，６０…貫通孔、６…溝部としての接合用溝部、６ａ…第１溝部、６ｆ…第２溝部、７…溝部の幅としての溝幅、８…溝部の深さとしての溝深さ、９…第１溝部の間隔としての溝部間隔、１０…厚みとしての溝部板厚、１２…密閉容器としての真空チャンバー、５６…高圧媒体としての圧縮気体。
【図１】
2019153729.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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