(57)【要約】【課題】伝熱ガスの通孔において異常放電を防止する埋込部材を提供することを目的とする。【解決手段】被処理体が載置される載置面及び前記載置面に対する裏面を有し、前記載置面と前記裏面を貫通する第１の通孔が形成された板状部材と、前記板状部材を支持する支持面を有し、前記第１の通孔に連通する第２の通孔が形成された基台と、を有する載置台と、前記第１の通孔及び前記第２の通孔の内部に配置された埋込部材と、を備え、前記埋込部材は、前記第１の通孔に配置された第１の埋込部材と、前記第２の通孔に配置された第２の埋込部材とを有し、前記第１の埋込部材及び前記第２の埋込部材は、互いに固定されておらず、前記第１の埋込部材は、上端部の幅よりも下側に幅の広い部分を有する、プラズマ処理装置が提供される。【選択図】図２
2019149422.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理体が載置される載置面及び前記載置面に対する裏面を有し、前記載置面と前記裏面を貫通する第１の通孔が形成された板状部材と、前記板状部材を支持する支持面を有し、前記第１の通孔に連通する第２の通孔が形成された基台と、を有する載置台と、
前記第１の通孔及び前記第２の通孔の内部に配置された埋込部材と、を備え、
前記埋込部材は、前記第１の通孔に配置された第１の埋込部材と、前記第２の通孔に配置された第２の埋込部材とを有し、
前記第１の埋込部材及び前記第２の埋込部材は、互いに固定されておらず、
前記第１の埋込部材は、上端部の幅よりも下側に幅の広い部分を有する、
プラズマ処理装置。
【請求項２】
前記第１の埋込部材及び前記第２の埋込部材は、前記第１の通孔及び前記第２の通孔の内部に伝熱ガス経路を通すように形成される、
請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項３】
前記第２の埋込部材の上端部の周縁に凹部が形成される、
請求項２に記載のプラズマ処理装置。
【請求項４】
前記第１の埋込部材の厚さは、前記板状部材の厚さ以下である、
請求項１〜３のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
【請求項５】
前記第１の埋込部材は、凸形状、下端部に近付く程幅が広くなる形状、上端部と下端部との間に最も幅の広い部分を有する形状、上端部と下端部との間に最も幅の狭い部分を有する形状のいずれかである、
請求項１〜４のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
【請求項６】
上端部の幅よりも下側に幅の広い部分を有する第１の埋込部材の下端部に形成された凸部を第２の埋込部材の上端部に形成された凹部に嵌め込んだ埋込部材を用意し、
被処理体が載置される載置面及び前記載置面に対する裏面を有し、前記載置面と前記裏面を貫通する第１の通孔が形成された板状部材と、前記板状部材を支持する支持面を有し、前記第１の通孔に連通する第２の通孔が形成された基台と、を有する載置台に前記埋込部材を挿入し、
前記埋込部材を、前記第１の通孔及び前記第２の通孔の内部に伝熱ガス経路を設けるように配置し、
前記埋込部材を配置後に前記載置台からの応力により前記凸部を前記第１の埋込部材から分断させて前記第１の埋込部材及び前記第２の埋込部材を互いに固定されていない状態にする、
載置台の製造方法。
【請求項７】
請求項６に記載の載置台の製造方法により製造された前記載置台を有するプラズマ処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマ処理装置及び載置台の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、プラズマを用いてウェハなどの被処理体にエッチング処理等を行うプラズマ処理装置が知られている（例えば、特許文献１を参照）。かかるプラズマ処理装置は、例えば、真空空間を構成可能な処理容器内に、電極を兼ねた被処理体を保持する載置台を有する。載置台には、載置台に置かれた被処理体の裏面と載置台の上面との間に伝熱ガスを供給するための通孔（貫通孔）が形成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０００−１９５９３５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、近年、プラズマ処理装置は、プラズマ処理を行うために載置台に印加される高周波電力が高電圧化されている。載置台に印加される高周波電力が高電圧化された場合、伝熱ガスを供給する通孔に高周波電力のエネルギーが集中して異常放電が発生する場合がある。伝熱ガスを供給する通孔にて異常放電が発生すると、プラズマ処理装置にて処理される被処理体の品質を悪化させ、歩留まりを低下させる要因となるおそれがある。
【０００５】
上記課題に対して、一側面では、本発明は、伝熱ガスの通孔において異常放電を防止する埋込部材を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、一の態様によれば、被処理体が載置される載置面及び前記載置面に対する裏面を有し、前記載置面と前記裏面を貫通する第１の通孔が形成された板状部材と、前記板状部材を支持する支持面を有し、前記第１の通孔に連通する第２の通孔が形成された基台と、を有する載置台と、前記第１の通孔及び前記第２の通孔の内部に配置された埋込部材と、を備え、前記埋込部材は、前記第１の通孔に配置された第１の埋込部材と、前記第２の通孔に配置された第２の埋込部材とを有し、前記第１の埋込部材及び前記第２の埋込部材は、互いに固定されておらず、前記第１の埋込部材は、上端部の幅よりも下側に幅の広い部分を有する、プラズマ処理装置が提供される。
【発明の効果】
【０００７】
一の側面によれば、伝熱ガスの通孔において異常放電を防止する埋込部材を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】一実施形態に係るプラズマ処理装置の構成の一例を示す概略断面図。
【図２】一実施形態に係る載置台を示す概略断面図。
【図３】比較例の埋込部材の破損の一例を示す図。
【図４】一実施形態に係る埋込部材の一例を示す図。
【図５】一実施形態に係る載置台の製造方法の一例を示す図。
【図６】一実施形態に係る第１の埋込部材の変形例を示す図。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本発明を実施するための形態について図面を参照して説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の構成については、同一の符号を付することにより重複した説明を省く。
【００１０】
［プラズマ処理装置の構成］
図１は、本実施形態に係るプラズマ処理装置１００の構成の一例を示す概略断面図である。プラズマ処理装置１００は、気密に構成され、電気的に接地電位とされた処理容器１を有している。この処理容器１は、円筒状とされ、例えばアルミニウム等から構成されている。処理容器１は、プラズマが生成される処理空間を画成する。処理容器１内には、被処理体（work-piece）である半導体ウェハ（以下、単に「ウェハ」という。）Ｗを水平に支持する載置台２が設けられている。載置台２は、基台２ａ及び静電チャック（ＥＳＣ:Electrostatic chuck）６を有する。基台２ａは、導電性の金属、例えばアルミニウム等で構成されており、下部電極としての機能を有する。静電チャック６は、セラミックス、例えばアルミナ等で構成されており、ウェハＷを静電吸着するための機能を有する。載置台２は、支持台４に支持されている。支持台４は、例えば石英等からなる支持部材３に支持されている。また、載置台２の上方の外周には、例えばシリコンで形成されたフォーカスリング５が設けられている。さらに、処理容器１内には、載置台２及び支持台４の周囲を囲むように、例えば石英等からなる円筒状の内壁部材３ａが設けられている。
【００１１】
基台２ａには、整合器１１ａを介して第１のＲＦ電源１０ａが接続され、整合器１１ｂを介して第２のＲＦ電源１０ｂが接続されている。第１のＲＦ電源１０ａは、所定の周波数のプラズマ発生用の高周波電力を載置台２の基台２ａに供給する。また、第２のＲＦ電源１０ｂは、第１のＲＦ電源１０ａの周波数よりも低い所定の周波数のイオン引き込み用（バイアス用）の高周波電力を載置台２の基台２ａに供給する。
【００１２】
載置台２の上方には、載置台２と平行に対向し、上部電極としての機能を有するシャワーヘッド１６が設けられている。シャワーヘッド１６と載置台２は、一対の電極（上部電極と下部電極）として機能する。
【００１３】
静電チャック６は、絶縁体６ｂの間に電極６ａを介在させて構成されており、電極６ａには直流電源１２が接続されている。そして電極６ａに直流電源１２から直流電圧が印加されることにより、クーロン力によってウェハＷが吸着される。
【００１４】
載置台２の内部には、冷媒流路２ｄが形成されており、冷媒流路２ｄには、冷媒入口配管２ｂ、冷媒出口配管２ｃが接続されている。そして、冷媒流路２ｄの中に適宜の冷媒、例えば冷却水等を循環させることによって、載置台２を所定の温度に制御する。また、載置台２等を貫通するように、ウェハＷの裏面にヘリウムガス等の冷熱伝達用ガス（以下、「伝熱ガス」ともいう。）を供給するためのガス供給管２１０が設けられており、ガス供給管２１０は、伝熱ガス供給部３１に接続されている。これらの構成によって、載置台２上のウェハＷが、所定の温度に制御される。なお、ガス供給管２１０の内部構造については、後述する。
【００１５】
載置台２には、複数、例えば３つのピン用貫通孔２００が設けられており（図１には１つのみ示す。）、これらのピン用貫通孔２００の内部には、夫々リフターピン６１が配設されている。リフターピン６１は、駆動機構６２に接続されており、駆動機構６２により上下動される。
【００１６】
上記したシャワーヘッド１６は、処理容器１の天壁部分に設けられている。シャワーヘッド１６は、本体部１６ａと電極板をなす上部天板１６ｂとを備えており、絶縁性部材９５を介して処理容器１の上部に支持される。本体部１６ａは、導電性材料、例えば表面が陽極酸化処理されたアルミニウムからなり、その下部の上部天板１６ｂを着脱自在に支持する。
【００１７】
本体部１６ａには、内部にガス拡散室１６ｃが設けられている。本体部１６ａには、ガス拡散室１６ｃの下部に位置するように、底部に、多数のガス通流孔１６ｄが形成されている。上部天板１６ｂには、厚さ方向にガス導入孔１６ｅが貫通し、ガス導入孔１６ｅは、上記したガス通流孔１６ｄと連通するように設けられている。
【００１８】
本体部１６ａには、ガス拡散室１６ｃへ処理ガスを導入するためのガス導入口１６ｇが形成されている。ガス導入口１６ｇには、ガス供給配管１５ａの一端が接続されている。ガス供給配管１５ａの他端には、処理ガスを供給するガス供給部１５が接続される。ガス供給配管１５ａには、上流側から順にマスフローコントローラ（ＭＦＣ）１５ｂ、及び開閉弁Ｖ２が設けられている。ガス拡散室１６ｃには、ガス供給配管１５ａを介して、ガス供給部１５からプラズマエッチングのための処理ガスが供給される。かかる構成により、ガス拡散室１６ｃに供給された処理ガスは、ガス通流孔１６ｄ及びガス導入孔１６ｅを介して処理容器１内にシャワー状に分散されて供給される。
【００１９】
上記した上部電極としてのシャワーヘッド１６には、ローパスフィルタ（ＬＰＦ）７１を介して可変直流電源７２が電気的に接続されている。この可変直流電源７２は、オン・オフスイッチ７３により給電のオン・オフが可能になっている。可変直流電源７２の電流・電圧ならびにオン・オフスイッチ７３のオン・オフは、制御部９０によって制御される。なお、第１のＲＦ電源１０ａ、第２のＲＦ電源１０ｂから高周波（ＲＦ）が載置台２に印加されて処理空間にプラズマが発生する際には、必要に応じて制御部９０によりオン・オフスイッチ７３がオンとされ、シャワーヘッド１６に所定の直流電圧が印加される。
【００２０】
処理容器１の側壁からシャワーヘッド１６の高さ位置よりも上方に延びるように円筒状の接地導体１ａが設けられている。この円筒状の接地導体１ａは、その上部に天壁を有している。
【００２１】
処理容器１の底部には、排気口８１が形成されている。排気口８１には、排気管８２を介して排気装置８３が接続されている。排気装置８３は、真空ポンプを有しており、この真空ポンプを作動させることにより処理容器１内を所定の真空度まで減圧する。処理容器１内の側壁には、ウェハＷの搬入出口８４が設けられており、搬入出口８４には、当該搬入出口８４を開閉するゲートバルブ８５が設けられている。
【００２２】
処理容器１の側部内側には、内壁面に沿ってデポシールド８６が設けられている。デポシールド８６は、処理容器１にエッチング副生成物（デポ）が付着することを防止する。このデポシールド８６のウェハＷと略同じ高さ位置には、グランドに対する電位が制御可能に接続された導電性部材（ＧＮＤブロック）８９が設けられており、これにより異常放電が防止される。また、デポシールド８６の下端部には、内壁部材３ａに沿って延在するデポシールド８７が設けられている。デポシールド８６，８７は、着脱自在とされている。
【００２３】
上記構成のプラズマ処理装置１００は、制御部９０によって、その動作が統括的に制御される。この制御部９０には、プラズマ処理装置１００の各部を制御するＣＰＵ９１と、インターフェース９２と、メモリ９３とが設けられている。
【００２４】
インターフェース９２は、工程管理者がプラズマ処理装置１００を管理するためにコマンドの入力操作を行うキーボードや、プラズマ処理装置１００の稼働状況を可視化して表示するディスプレイ等から構成されている。
【００２５】
メモリ９３には、プラズマ処理装置１００で実行される各種処理をＣＰＵ９１の制御にて実現するための制御プログラム（ソフトウェア）や処理条件データ等が記憶されたレシピが格納されている。そして、必要に応じて、インターフェース９２からの入力操作に応じた指示等にて任意のレシピをメモリ９３から呼び出してＣＰＵ９１に実行させることで、ＣＰＵ９１の制御下で、プラズマ処理装置１００での所望の処理が行われる。また、制御プログラムや処理条件データ等のレシピは、コンピュータで読取り可能なコンピュータ記憶媒体（例えば、ハードディスク、ＣＤ、フレキシブルディスク、半導体メモリ等）などに格納された状態のものを利用したり、又は、他の装置から、例えば専用回線を介して随時伝送させてオンラインで使用したりすることが可能である。
【００２６】
［載置台の構成］
次に、図２を参照して、載置台２の構成の一例について説明する。図２は、本実施形態に係る載置台２を示す概略断面図である。上述のとおり、載置台２は、基台２ａと、静電チャック６とを有する。載置台２は、静電チャック６は、円板状であり、同じく円板状のウェハＷを載置するための載置面２１と、当該載置面２１に対向する裏面２２とを有している。基台２ａは、静電チャック６の裏面２２に接合されている。
【００２７】
載置面２１には、ガス供給管２１０の端部（ガス孔）が形成されている。ガス供給管２１０は、貫通孔２１０ａ及び貫通孔２１０ｂを形成し、ヘリウムガス等の伝熱ガスをウェハＷの裏面に供給する。貫通孔２１０ａは、静電チャック６の裏面２２から載置面２１までを貫通するように設けられている。すなわち、貫通孔２１０ａの内壁は、静電チャック６によって形成されている。一方、貫通孔２１０ｂは、基台２ａの裏面から静電チャック６との接合面までを貫通するように設けられている。すなわち、貫通孔２１０ｂの内壁は、基台２ａによって形成されている。
【００２８】
なお、貫通孔２１０ａは、ウェハＷが載置される載置面２１及び載置面２１に対する裏面２２を貫通する第１の通孔の一例であり、貫通孔２１０ｂは、基台２ａに形成された、第１の通孔に連通する第２の通孔の一例である。また、静電チャック６は、第１の通孔が形成された板状部材の一例である。ただし、第１の通孔が形成された板状部材は、静電チャック６の機能を有さなくてもよい。
【００２９】
貫通孔２１０ａは段差部を有し、段差部よりも上の孔径は段差部よりも下の孔径よりも小さくなっている。また、貫通孔２１０ｂの孔径は、貫通孔２１０ａの段差部よりも下の孔径に等しい。そして、貫通孔２１０ａおよび貫通孔２１０ｂは、例えば、常温において位置が一致するように形成される。ガス供給管２１０には、アルミナで形成されたガス用スリーブ２０３が配置されている。ガス供給管２１０の内壁には、スペーサが設けられてもよい。
【００３０】
［埋込部材］
ガス供給管２１０の内部には、埋込部材２１９が配置されている。具体的には、貫通孔２１０ａ及び貫通孔２１０ｂの内部には、それぞれに対応して第１の埋込部材２２１と第２の埋込部材２２０とが配置されている。
【００３１】
第１の埋込部材２２１の厚さは、静電チャック６の厚さと同じである。ただし、第１の埋込部材２２１の厚さは、静電チャック６の厚さより薄くてもよい。第１の埋込部材２２１には段差部２２１ａが形成されている。第１の埋込部材２２１の段差部２２１ａよりも上の径は段差部２２１ａよりも下の径よりも小さく、第１の埋込部材２２１の縦断面は凸状になっている。
【００３２】
第１の埋込部材２２１は、プラズマ耐性のあるセラミックス等の材質により形成されている。例えば、第１の埋込部材２２１は、石英、シリコンカーバイト、シリコンナイトライド、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、イットリア、酸化チタン、タングステンカーバイトのいずれかにより形成されてもよい。また、第１の埋込部材２２１は、プラズマ耐性の低い材質により形成されてもよい。例えば、プラズマ耐性の低い材質は、シリコン、タングステン、チタン、シリコーン、テフロン（登録商標）、エラストマー、フッ素樹脂のいずれかにより形成されてもよい。
【００３３】
第２の埋込部材２２０は、第１の埋込部材２２１の下に配置される。第２の埋込部材２２０は、例えば、アルミナで形成されている。第２の埋込部材２２０の上端部の周縁には、切欠き２２０ａが設けられている。切欠き２２０ａは、第２の埋込部材２２０の上端部の周縁部に形成される凹部の一例である。
【００３４】
第１の埋込部材２２１の径は、貫通孔２１０ａの孔径よりも小さい。第２の埋込部材２２０の径は、貫通孔２１０ｂの孔径よりも小さい。これにより、第１の埋込部材２２１及び第２の埋込部材２２０は、ガス供給管２１０の内壁と所定の間隔を設けて配置され、貫通孔２１０ａ及び貫通孔２１０ｂの内部に伝熱ガス経路が設けられる。
【００３５】
さらに、第２の埋込部材２２０の上端部の切欠き２２０ａにより、第１の埋込部材２２１と第２の埋込部材２２０とが横方向にずれた場合にも、十分に伝熱ガスが流れるように伝熱ガス経路を確保することができる。ただし、切欠き２２０ａの幅を不必要に大きくすると異常放電が発生するおそれがあるため、切欠き２２０ａの幅は、第１の埋込部材２２１と第２の埋込部材２２０とが横方向にずれた場合にも伝熱ガス経路が確保できる程度の幅であればよい。また、切欠き２２０ａは全周にわたって形成されてもよいし、半月状又は扇状に形成されてもよい。
【００３６】
ところで、プラズマ処理装置１００は、載置台２に印加される高周波電力が高電圧化されている。載置台２に印加される高周波電力が高電圧化された場合、貫通孔２１０ａ付近で異常放電が発生する場合がある。
【００３７】
つまり、プラズマ処理装置１００では、載置台２に高周波電力が印加されると、静電チャック６の静電容量に起因して、ウェハＷと静電チャック６の裏面２２の間で電位差が発生する。これにより、貫通孔２１０ａ内に発生するＲＦ電位の電位差が、放電が発生する限界値を超えると、異常放電が発生する。
【００３８】
一方、貫通孔２１０ａの内部における伝熱ガスの荷電粒子の直進可能距離を短くすることで異常放電の発生が防止されることが経験的に知られている。そこで、本実施形態では、ガス供給管２１０の内部に埋込部材２１９を配置し、異常放電が生じることを防止する。以下では、比較例に係る埋込部材３００の構造上の課題について説明した後、本実施形態に係る埋込部材２１９の構造について説明する。
【００３９】
［比較例の埋込部材の破損］
図３を参照して、比較例の埋込部材３００の破損の一例を説明する。比較例にかかる埋込部材３００は、ガス供給管２１０の内壁と所定の間隔を設けて配置されている。
【００４０】
貫通孔２１０ａでの異常放電は、埋込部材３００と貫通孔２１０ａとの間隔を小さくすることで防止できる。また、貫通孔２１０ａでの異常放電は、伝熱ガス経路の直線部分を短くすることによっても防止できる。これにより、伝熱ガス中の電子はエネルギーを低下することができるためである。そこで、図３の上側の図に示すように、貫通孔２１０ｂの径を貫通孔２１０ａの径よりも大きく形成し、また、埋込部材３００の貫通孔２１０ｂに対応する部分を、貫通孔２１０ａに対応する部分よりも太く形成することが考えられる。
【００４１】
しかし、この場合、埋込部材３００が破損する場合がある。例えば、載置台２の温度は、プラズマ処理を行われた場合、例えば１００℃から２００℃と高温になる。静電チャック６はセラミックスで形成され、基台２ａは金属で形成されており、線熱膨張係数が異なる。このため、静電チャック６および基台２ａの温度が高温になると、静電チャック６と基台２ａの熱膨張差により、図３の下側の図に一例を示すように、貫通孔２１０ａと貫通孔２１０ｂに位置ずれが発生する。この場合、埋込部材３００に基台２ａからのせん断応力が加わる。この結果、埋込部材３００の貫通孔２１０ａに対応する部分が静電チャック６と接触し、埋込部材３００が破損する場合がある。
【００４２】
［本実施形態の埋込部材］
（埋込部材の破損防止）
そこで、図４の上側の図に示すように、本実施形態に係る埋込部材２１９は、熱膨張による破損の危険性がないように、第２の埋込部材２２０の上に配置される第１の埋込部材２２１は、第２の埋込部材２２０に固定されていない構成となっている。かかる構成により、図４の下側の図に一例を示すように、熱膨張による貫通孔２１０ａと貫通孔２１０ｂの位置のずれが生じた場合、埋込部材２１９に基台２ａからのせん断応力が加わる。この場合、本実施形態では、第２の埋込部材２２０が第１の埋込部材２２１からずれることで、埋込部材２１９の破損を防止することができる。
【００４３】
また、第２の埋込部材２２０の切欠き２２０ａにより、第１の埋込部材２２１と第２の埋込部材２２０とがずれた状態においても、ガス供給管２１０内の伝熱ガス経路が確保される。これにより、ウェハＷの裏面に伝熱ガスを十分に供給することができる。
【００４４】
（埋込部材の飛散防止）
図１に示した排気装置８３により処理容器１の内部が真空引きされる際、埋込部材２１９が配置されているガス供給管２１０の内部も処理空間側に真空引きされる。そのとき、ウェハＷが静電チャック６に載置されていないと、第１の埋込部材２２１は、第２の埋込部材２２０に固定されていないため、貫通孔２１０ａから静電チャック６上方の処理空間に飛び出すおそれがある。
【００４５】
そこで、本実施形態に係る第１の埋込部材２２１は、段差部２２１ａを有し、段差部２２１ａの上の径よりも段差部２２１ａの下の径が大きい形状になっている。これにより、処理容器１内を真空引きする場合やウェハＷの裏面に伝熱ガスを供給するときに、第１の埋込部材２２１が処理空間に飛散することを防止できる。
【００４６】
なお、第１の埋込部材２２１は、凸状に限らず、上述したように、第１の埋込部材２２１の上端部の幅よりも下側に幅の広い部分を有する形状であればよい。かかる形状により、第１の埋込部材２２１が、ガス供給管２１０から飛び出さないようにすることができる。
【００４７】
［載置台の製造方法］
次に、本実施形態に係る載置台２の製造方法の一例について、図５を参照しながら説明する。図５は、本実施形態に係る載置台２の製造方法の一例を示す図である。本製造方法では、図５（ａ）に示すように、まず、静電チャック６を貫通する貫通孔２１０ａと基台２ａを貫通する貫通孔２１０ｂとの位置を合わせて載置台２を貫通するガス供給管２１０を形成しておく。ガス供給管２１０は、載置台２の所定位置に１２〜１８個程度形成される。なお、貫通孔２１０ｂは、アルミナで形成されたガス用スリーブ２０３を配置することにより形成される。
【００４８】
本実施形態では、第１の埋込部材２２１の下端部に下側に突出する棒状の凸部２２１ｂが形成されている。その凸部２２１ｂを、第２の埋込部材２２０の上端部に形成された凹部に嵌め込んだ埋込部材２１９を用意する。本実施形態に係る第１の埋込部材２２１は、第２の埋込部材２２０と別体となっている。よって、本製造方法では、第１の埋込部材２２１の下端部に形成された凸部２２１ｂを用いて、第１の埋込部材２２１と第２の埋込部材２２０の中心線Ｏが合致するように位置決めした埋込部材２１９を用意することができる。
【００４９】
次に、図５（ｂ）に示すように、貫通孔２１０ａ及び貫通孔２１０ｂに埋込部材２１９を挿入する。埋込部材２１９は、貫通孔２１０ａ及び貫通孔２１０ｂとの間に伝熱ガス経路となる所定の隙間を有するように、ガス供給管２１０の内部に配置される。これにより、第１の埋込部材２２１は、貫通孔２１０ａに配置され、第２の埋込部材２２０は、貫通孔２１０ｂに配置される。
【００５０】
上述したように、プラズマ処理時、載置台２の温度は、例えば１００℃から２００℃と高温になる。載置台２の温度が高温となると、静電チャック６および基台２ａの熱膨張差により貫通孔２１０ａと貫通孔２１０ｂには位置のずれが発生する。
【００５１】
この場合、埋込部材２１９に基台２ａからのせん断応力が加わると、第２の埋込部材２２０が第１の埋込部材２２１からずれ、凸部２２１ｂが第１の埋込部材２２１から分断される。この結果、図５（ｃ）に示すように、第１の埋込部材２２１及び第２の埋込部材２２０は、互いに固定されていない状態になる。かかる構成により、本実施形態に係る載置台2の製造方法によれば、熱膨張による貫通孔２１０ａと貫通孔２１０ｂの位置のずれによっても埋込部材２１９が破損しないように載置台２を製造することができる。
【００５２】
ただし、この製造方法では、凸部２２１ｂが第１の埋込部材２２１から分断される例を挙げて説明したが、これに限らず、例えば、凸部２２１ｂは第１の埋込部材２２１から分断されなくてもよい。また、凸部２２１ｂは樹脂などの変形可能な柔らかい部材から形成され、熱膨張による貫通孔２１０ａと貫通孔２１０ｂの位置のずれに応じて変形するようにしてもよい。これによっても、埋込部材２１９が破損しないように載置台２を製造することができる。
【００５３】
また、凸部２２１ｂは、第１の埋込部材２２１と第２の埋込部材２２０との位置決めと製造時の仮固定ができればよく、第１の埋込部材２２１の下面のいずれかの位置に１又は複数設けられてもよい。また、凸部２２１ｂは、棒状に限らず、ネジ状等であってもよい。
【００５４】
［変形例］
最後に、本実施形態に係る第１の埋込部材２２１の変形例について、図６を参照して説明する。図６は、本実施形態に係る第１の埋込部材２２１の変形例を示す図である。第１の埋込部材２２１は、凸形状、下端部に近付く程幅が広くなる形状、上端部と下端部との間に最も幅の広い部分を有する形状、上端部と下端部との間に最も幅の狭い部分を有する形状（例えば、上端部と下端部とがフラットなひょうたん形状）のいずれかであってもよい。
【００５５】
図６（ａ）に示す第１の埋込部材２２１は、下端部に近付く程幅が広くなる形状の一例であり、第１の埋込部材２２１の縦断面が略三角形（上端部がフラット）の円錐形状である。
【００５６】
図６（ｂ）に示す第１の埋込部材２２１は、上端部と下端部との間に最も幅の広い部分を有する形状の一例であり、第１の埋込部材２２１の縦断面が略菱形（上下端部がフラット）の形状である。
【００５７】
図６（ｃ）に示す第１の埋込部材２２１は、上端部と下端部との間に窪みがあり、第１の埋込部材２２１の縦断面が上端部と下端部とがフラットなひょうたん形状である。
【００５８】
図６（ａ）〜図６（ｃ）に示す第１の埋込部材２２１は、いずれも、上端部の幅よりも下側に幅の広い部分を有する第１の埋込部材２２１の一例であり、第１の埋込部材２２１は、上端部の幅よりも下側に幅の広い部分を有する形状であれば、これに限らない。
【００５９】
プラズマ処理装置１００は、図５に示した製造方法により製造した載置台２を有するプラズマ処理装置であってもよい。本実施形態に係るプラズマ処理装置１００及び載置台２の製造方法によれば、第１の埋込部材２２１が飛散せず、かつ、埋込部材２１９の破損を防止することができる。
【００６０】
また、ガス供給管２１０に埋込部材２１９を配置することで、十分に伝熱ガスをウェハＷの裏面に供給しながら、基台２ａに印加された高周波の電力により、貫通孔２１０ａにおいて異常放電が生じることを防止することができる。
【００６１】
以上、プラズマ処理装置及び載置台の製造方法を上記実施形態により説明したが、本発明にかかるプラズマ処理装置及び載置台の製造方法は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲内で種々の変形及び改良が可能である。上記複数の実施形態に記載された事項は、矛盾しない範囲で組み合わせることができる。
【００６２】
本発明に係るプラズマ処理装置は、Capacitively Coupled Plasma(CCP)、Inductively Coupled Plasma(ICP)、Radial Line Slot Antenna、Electron Cyclotron Resonance Plasma(ECR)、Helicon Wave Plasma(HWP)のどのタイプでも適用可能である。
【００６３】
また、本明細書では、プラズマ処理装置にて処理される被処理体の一例としてウェハＷを挙げて説明した。しかし、被処理体は、これに限らず、LCD(Liquid Crystal Display)、FPD(Flat Panel Display)に用いられる各種基板、ＣＤ基板、プリント基板等であっても良い。
【符号の説明】
【００６４】
Ｗ        ウェハ
２        載置台
２ａ      基台
６        静電チャック
６ｃ      導電膜
６ｄ      筒状部材
１５      ガス供給部
１６      シャワーヘッド
２１      載置面
２２      裏面
３１      伝熱ガス供給部
１００    プラズマ処理装置
２１０    ガス供給管
２１０ａ  貫通孔
２１０ｂ  貫通孔
２１９    埋込部材
２２１    第１の埋込部材
２２１ａ  段差部
２２１ｂ  凸部
２２０    第２の埋込部材
２２０ａ  切欠き
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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