(57)【要約】【課題】モールド樹脂に混入されたフィラーの脱落を防止できるパッケージデバイスの製造方法を提供する。【解決手段】フィラーが混入されたモールド樹脂を含む樹脂パッケージ基板を分割して複数のパッケージデバイスを製造するパッケージデバイスの製造方法であって、モールド樹脂に対して吸収性を有し、フィラーに対して透過性を有する波長のレーザービームを樹脂パッケージ基板のモールド樹脂に照射して、モールド樹脂の一部を除去し、フィラーの大きさを超える幅の溝を形成することで、樹脂パッケージ基板を複数のパッケージデバイスへと分割する分割ステップと、分割された樹脂パッケージ基板の溝を含む露出部分に洗浄用の流体を供給し、分割ステップで除去されたモールド樹脂の一部に混入され分割ステップで除去されずに溝に残ったフィラーを溝から除去する洗浄ステップと、を含む。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
フィラーが混入されたモールド樹脂を含む樹脂パッケージ基板を分割して複数のパッケージデバイスを製造するパッケージデバイスの製造方法であって、
環状のフレームの開口に張られた粘着テープに該樹脂パッケージ基板を固定する固定ステップと、
該固定ステップの後、該モールド樹脂に対して吸収性を有し、該フィラーに対して透過性を有する波長のレーザービームを該樹脂パッケージ基板の該モールド樹脂に照射して、該モールド樹脂の一部を除去し、該フィラーの大きさを超える幅の溝を形成することで、該樹脂パッケージ基板を複数のパッケージデバイスへと分割する分割ステップと、
分割された該樹脂パッケージ基板の該溝を含む露出部分に洗浄用の流体を供給し、該分割ステップで除去された該モールド樹脂の一部に混入され該分割ステップで除去されずに該溝に残った該フィラーを該溝から除去する洗浄ステップと、を含むことを特徴とするパッケージデバイスの製造方法。
【請求項２】
該樹脂パッケージ基板は、デバイスチップを該モールド樹脂で被覆してなるモールド基板と、該モールド基板に重なるインターポーザー基板と、を備え、
該分割ステップの前に、該インターポーザー基板の露出した表面に液状の樹脂を塗布して保護膜を形成する液状樹脂塗布ステップを更に含み、
該固定ステップでは、該樹脂パッケージ基板の該モールド基板側を該粘着テープに固定し、
該分割ステップでは、該インターポーザー基板に対して吸収性を有する波長のレーザービームを該インターポーザー基板の該表面側から照射して、該インターポーザー基板を分割する第１溝を形成した後に、該モールド樹脂に対して吸収性を有し、該フィラーに対して透過性を有する波長のレーザービームを該第１溝の底に照射して、該第１溝に接続し該モールド樹脂を分割する第２溝を形成し、
該洗浄ステップでは、該分割ステップで除去されずに該溝に残ったフィラーを該溝から除去しながら、該保護膜を該インターポーザー基板の表面から除去することを特徴とする請求項１に記載のパッケージデバイスの製造方法。
【請求項３】
該流体は水であり、
該洗浄ステップでは、該水を５ＭＰａ以上１２ＭＰａ以下の圧力で該露出部分に供給することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のパッケージデバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、モールド樹脂を含む樹脂パッケージ基板を分割して複数のパッケージデバイスを製造するパッケージデバイスの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話機やパーソナルコンピュータに代表される電子機器では、電子回路等のデバイスを備えるデバイスチップが必須の構成要素になっている。デバイスチップは、例えば、シリコン等の半導体材料でなるウェーハの表面を複数の分割予定ライン（ストリート）で区画し、各領域にデバイスを形成した後、この分割予定ラインに沿ってウェーハを分割することで得られる。
【０００３】
上述のような方法で得られたデバイスチップは、例えば、ＣＳＰ（Chip Size Package）用のマザー基板に固定され、ワイヤボンデキング等の方法で電気的に接続された後に、表面側をモールド樹脂で封止される。このように、モールド樹脂によってデバイスチップを封止してパッケージデバイスを形成することで、衝撃、光、熱、水等の外的な要因からデバイスチップを保護できるようになる。
【０００４】
近年では、デバイスチップの表面とともに側面をモールド樹脂で覆う方法も検討されている（例えば、特許文献１参照）。この方法では、まず、ウェーハの表面側に設定されている分割予定ラインに沿って溝を形成する。次に、ウェーハの表面側をモールド樹脂で覆い、樹脂パッケージ基板を完成させる。この時、モールド樹脂は、ウェーハの溝にも充填される。その後、溝に沿って樹脂パッケージ基板を分割することで、デバイスチップの表面及び側面がモールド樹脂によって覆われた状態のパッケージデバイスが得られる。
【０００５】
この方法では、デバイスチップの側面が外部に露出しないので、上述した外的な要因に対する耐性は更に高まる。なお、溝に沿ってウェーハをパッケージデバイスへと分割する際には、レーザービームによるアブレーション加工を適用すると良い。このアブレーション加工では、切削ブレードによる切削加工等に比べてモールド樹脂の除去される幅（切り代）が狭くなるので、分割予定ラインの幅を狭く設定できるようになり、パッケージデバイスの取り数を増やせる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００２−１００７０９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、ウェーハやデバイスチップを封止する際に用いられるモールド樹脂の線膨張係数（熱膨張係数）と、ウェーハやデバイスチップの線膨張係数との間には、大きな差がある。そこで、この線膨張係数の差に起因する樹脂パッケージ基板の反りを防ぐために、シリカ等でなる粒状のフィラーをモールド樹脂に混入させている。
【０００８】
しかしながら、パッケージ基板を分割するアブレーション加工の際に照射されるレーザービームは、モールド樹脂には吸収されるが、フィラーには殆ど吸収されない。よって、完成したパッケージデバイスの側面に、露出した状態のフィラーが残ってしまう可能性がある。このフィラーが後に脱落すると、他の製品の製造工程等に悪影響を与えるため問題である。
【０００９】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、モールド樹脂に混入されたフィラーの脱落を防止できるパッケージデバイスの製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の一態様によれば、フィラーが混入されたモールド樹脂を含む樹脂パッケージ基板を分割して複数のパッケージデバイスを製造するパッケージデバイスの製造方法であって、環状のフレームの開口に張られた粘着テープに該樹脂パッケージ基板を固定する固定ステップと、該固定ステップの後、該モールド樹脂に対して吸収性を有し、該フィラーに対して透過性を有する波長のレーザービームを該樹脂パッケージ基板の該モールド樹脂に照射して、該モールド樹脂の一部を除去し、該フィラーの大きさを超える幅の溝を形成することで、該樹脂パッケージ基板を複数のパッケージデバイスへと分割する分割ステップと、分割された該樹脂パッケージ基板の該溝を含む露出部分に洗浄用の流体を供給し、該分割ステップで除去された該モールド樹脂の一部に混入され該分割ステップで除去されずに該溝に残った該フィラーを該溝から除去する洗浄ステップと、を含むパッケージデバイスの製造方法が提供される。
【００１１】
上述した本発明の一態様において、該樹脂パッケージ基板は、デバイスチップを該モールド樹脂で被覆してなるモールド基板と、該モールド基板に重なるインターポーザー基板と、を備え、該分割ステップの前に、該インターポーザー基板の露出した表面に液状の樹脂を塗布して保護膜を形成する液状樹脂塗布ステップを更に含み、該固定ステップでは、該樹脂パッケージ基板の該モールド基板側を該粘着テープに固定し、該分割ステップでは、該インターポーザー基板に対して吸収性を有する波長のレーザービームを該インターポーザー基板の該表面側から照射して、該インターポーザー基板を分割する第１溝を形成した後に、該モールド樹脂に対して吸収性を有し、該フィラーに対して透過性を有する波長のレーザービームを該第１溝の底に照射して、該第１溝に接続し該モールド樹脂を分割する第２溝を形成し、該洗浄ステップでは、該分割ステップで除去されずに該溝に残ったフィラーを該溝から除去しながら、該保護膜を該インターポーザー基板の表面から除去しても良い。
【００１２】
また、上述した本発明の一態様において、該流体は水であり、該洗浄ステップでは、該水を５ＭＰａ以上１２ＭＰａ以下の圧力で該露出部分に供給することが好ましい。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の一態様に係るパッケージデバイスの製造方法では、樹脂パッケージ基板を複数のパッケージデバイスへと分割する際に、モールド樹脂に含まれるフィラーの大きさを超える幅の溝を形成するので、中央部が露出し、少なくとも両端部（２箇所）がモールド樹脂に固定された状態のフィラーが溝に残ることはない。すなわち、後の洗浄による除去が難しい状態のフィラーが溝に残ってしまうことはない。
【００１４】
そのため、溝に洗浄用の流体を供給することで、パッケージデバイスへの分割の際に溝に残ったフィラーを溝から除去できる。よって、完成したパッケージデバイスからフィラーが脱落してしまうこともない。このように、本発明の一態様によれば、モールド樹脂に混入されたフィラーの脱落を防止できるパッケージデバイスの製造方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】図１（Ａ）及び図１（Ｂ）は、固定ステップを示す斜視図である。
【図２】図２（Ａ）及び図２（Ｂ）は、液状樹脂塗布ステップを示す断面図である。
【図３】図３（Ａ）は、分割ステップでインターポーザー基板が分割される様子を示す断面図であり、図３（Ｂ）は、分割ステップでインターポーザー基板が分割された後の状態を拡大して示す断面図である。
【図４】図４（Ａ）は、分割ステップでモールド基板が分割される様子を示す断面図であり、図４（Ｂ）は、分割ステップでモールド基板が分割された後の状態を拡大して示す断面図である。
【図５】図５（Ａ）は、洗浄ステップを示す断面図であり、図５（Ｂ）は、洗浄ステップの後の状態を拡大して示す断面図である。
【図６】図６（Ａ）は、変形例に係る固定ステップを示す斜視図であり、図６（Ｂ）は、変形例に係る固定ステップの後の状態を拡大して示す断面図である。
【図７】図７（Ａ）は、変形例に係る分割ステップの後の状態を拡大して示す断面図であり、図７（Ｂ）は、変形例に係る洗浄ステップの後の状態を拡大して示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
添付図面を参照して、本発明の一態様に係る実施形態について説明する。本実施形態に係るパッケージデバイスの製造方法は、固定ステップ（図１（Ａ）、図１（Ｂ）参照）、液状樹脂塗布ステップ（図２（Ａ）、図２（Ｂ）参照）、分割ステップ（図３（Ａ）、図３（Ｂ）、図４（Ａ）、図４（Ｂ）参照）、及び洗浄ステップ（図５（Ａ）、図５（Ｂ）参照）を含む。
【００１７】
固定ステップでは、環状のフレームの開口に張られた粘着テープにモールド樹脂を含む樹脂パッケージ基板を固定する。液状樹脂塗布ステップでは、樹脂パッケージ基板に液状の樹脂を塗布して保護膜を形成する。分割ステップでは、樹脂パッケージ基板にレーザービームを照射して、この樹脂パッケージ基板を複数のパッケージデバイスへと分割する。具体的には、モールド樹脂に混入されているフィラーの大きさを超える幅の溝を形成することによって、この樹脂パッケージ基板を複数のパッケージデバイスへと分割する。
【００１８】
洗浄ステップでは、樹脂パッケージ基板の溝を含む露出部分に洗浄用の流体を供給し、分割ステップで除去されずに溝に残ったフィラーを溝から除去する。なお、この洗浄ステップでは、液状樹脂塗布ステップで形成される保護膜も併せて除去する。以下、本実施形態に係るパッケージデバイスの製造方法について詳述する。
【００１９】
本実施形態では、まず、樹脂パッケージ基板を固定する固定ステップを行う。図１（Ａ）及び図１（Ｂ）は、固定ステップを示す斜視図である。図１（Ａ）及び図１（Ｂ）に示すように、本実施形態で使用される樹脂パッケージ基板１は、円盤状のモールド基板３と、このモールド基板３に重なる円盤状のインターポーザー基板５と、を含んでいる。
【００２０】
モールド基板３は、例えば、複数のデバイスチップ（不図示）をモールド樹脂３ｂ（図３（Ｂ）参照）で被覆することにより形成される。このモールド樹脂３ｂには、線膨張係数（熱膨張係数）の違いに起因する樹脂パッケージ基板１の反りを抑制するために、シリカ等でなる粒状のフィラー３ｃ（図３（Ｂ）参照）が混入されている。
【００２１】
インターポーザー基板５は、例えば、シリコン（Ｓｉ）等の半導体材料でなるウェーハである。このインターポーザー基板５の表面５ａ側は、格子状に設定された分割予定ライン（ストリート）１３で複数の領域１５に区画されており、各領域１５には、モールド基板３内のデバイスチップに接続される配線や端子等が設けられている。なお、デバイスチップは、各領域１５に対応する位置にのみ配置され、平面視で分割予定ライン１３に重ならない。
【００２２】
ただし、樹脂パッケージ基板１（モールド基板３、インターポーザー基板５）の材質、形状、構造、大きさ等に制限はない。他の半導体、セラミックス、樹脂、金属等の材料でなる樹脂パッケージ基板を用いることもできる。また、ウェーハの表面側をモールド樹脂で封止して得られるＷＬ−ＣＳＰ（Wafer Level Chip Size Package）基板等を樹脂パッケージ基板１としても良い。
【００２３】
図１（Ａ）に示すように、本実施形態の固定ステップでは、この樹脂パッケージ基板１が備えるモールド基板３の表面３ａ側に、樹脂パッケージ基板１よりも径が大きい円形の粘着テープ７の中央部分を貼付する。また、この粘着テープ７の外周部分を、樹脂パッケージ基板１よりも径が大きい開口を持つ環状のフレーム９の第１面９ａ側に貼付する。具体的には、モールド基板３の表面３ａとフレーム９の第１面９ａとに対して、粘着テープ７の粘着面７ａを密着させる。
【００２４】
これにより、樹脂パッケージ基板１は、インターポーザー基板５の表面５ａが露出した状態で、環状のフレーム９の開口に張られた粘着テープ７に固定される。すなわち、樹脂パッケージ基板１は、粘着テープ７を介してフレーム９に支持される。なお、本実施形態では、フレーム９に対応する形状及び大きさの粘着テープ７を用いているが、例えば、帯状の粘着テープを樹脂パッケージ基板（モールド基板）とフレームとに貼付してから、この粘着テープをフレームの形状に合わせてカットしても良い。
【００２５】
固定ステップの後には、樹脂パッケージ基板１に液状の樹脂を塗布して保護膜を形成する液状樹脂塗布ステップを行う。具体的には、樹脂パッケージ基板１が備えるインターポーザー基板５の表面５ａ側に液状の樹脂を塗布して保護膜を形成する。図２（Ａ）及び図２（Ｂ）は、液状樹脂塗布ステップを示す断面図である。
【００２６】
液状樹脂塗布ステップは、例えば、図２（Ａ）等に示すスピンコーター２を用いて行われる。スピンコーター２は、樹脂パッケージ基板１を保持するためのスピンナテーブル４を備えている。スピンナテーブル４は、モータ等の回転駆動源（不図示）に連結されており、鉛直方向に概ね平行な回転軸の周りに回転する。
【００２７】
スピンナテーブル４の上面の一部は、樹脂パッケージ基板１を保持するための保持面４ａになっている。保持面４ａは、概ね平坦且つ水平に形成されており、スピンナテーブル４の内部に設けられた吸引路４ｂ等を介して吸引源（不図示）に接続されている。このスピンナテーブル４の周囲には、フレーム９を固定するための複数のクランプ６が設けられている。また、スピンナテーブル４の上方には、保護膜の原料である液状の樹脂１７を滴下するためのノズル８が配置されている。
【００２８】
液状樹脂塗布ステップでは、まず、樹脂パッケージ基板１に貼付されている粘着テープ７の非粘着面７ｂをスピンナテーブル４の保持面４ａに接触させる。この状態で吸引源の負圧を作用させることにより、樹脂パッケージ基板１は、インターポーザー基板５の表面５ａ側が上方に露出した状態でスピンナテーブル４に保持される。
【００２９】
次に、図２（Ａ）に示すように、樹脂パッケージ基板１の上方に移動させたノズル８から樹脂パッケージ基板１に向けて液状の樹脂１７を滴下する。また、スピンナテーブル４を回転させて、インターポーザー基板５の表面５ａ側全体に液状の樹脂１７を被覆する。これにより、図２（Ｂ）に示す保護膜１９が完成する。なお、クランプ６は、スピンナテーブル４の回転により生じる遠心力を利用してフレーム９を固定する。
【００３０】
保護膜１９の原料である樹脂１７の種類等に特段の制限はない。本実施形態では、後の分割ステップでインターポーザー基板５の分割予定ライン１３を適切に検出して加工できるように、可視域で概ね透明な樹脂１７を用いる。また、本実施形態では、後の洗浄ステップで保護膜１９を容易に除去できるように、水溶性の樹脂１７を用いる。
【００３１】
樹脂パッケージ基板１に滴下する樹脂１７の分量は、例えば、５μｍ以下の厚みの保護膜１９を形成できる範囲で調整される。樹脂パッケージ基板１の直径が４インチの場合には、例えば、１０〜１５ｍｌ、代表的には、１２ｍｌ程度の樹脂１７を樹脂パッケージ基板１に滴下すれば良い。スピンナテーブル４の回転数は、例えば、２０００ｒｐｍ〜３０００ｒｐｍ、スピンナテーブル４の回転時間は、例えば、２０秒〜４０秒、代表的には、３０秒程度にする。
【００３２】
液状樹脂塗布ステップの後には、樹脂パッケージ基板１を複数のパッケージデバイスへと分割する分割ステップを行う。具体的には、樹脂パッケージ基板１に対してレーザービームを照射し、この樹脂パッケージ基板１をアブレーション加工することで、樹脂パッケージ基板１を複数のパッケージデバイスへと分割する。
【００３３】
図３（Ａ）は、分割ステップでインターポーザー基板５が分割される様子を示す断面図であり、図３（Ｂ）は、分割ステップでインターポーザー基板５が分割された後の状態を拡大して示す断面図である。また、図４（Ａ）は、分割ステップでモールド基板３が分割される様子を示す断面図であり、図４（Ｂ）は、分割ステップでモールド基板３が分割された後の状態を拡大して示す断面図である。
【００３４】
分割ステップは、例えば、図３（Ａ）や図４（Ａ）等に示すレーザー加工装置１２を用いて行われる。レーザー加工装置１２は、樹脂パッケージ基板１を保持するためのチャックテーブル１４を備えている。チャックテーブル１４は、モータ等の回転駆動源（不図示）に連結されており、鉛直方向に概ね平行な回転軸の周りに回転する。
【００３５】
また、チャックテーブル１４の下方には、移動機構（不図示）が設けられている。チャックテーブル１４は、この移動機構によって加工送り方向（第１水平方向）及び割り出し送り方向（第２水平方向）に移動する。
【００３６】
チャックテーブル１４の上面の一部は、樹脂パッケージ基板１を保持するための保持面１４ａになっている。保持面１４ａは、チャックテーブル１４の内部に形成された吸引路１４ｂ等を介して吸引源（不図示）に接続されている。このチャックテーブル１４の周囲には、フレーム９を固定するための複数のクランプ１６が設けられている。
【００３７】
チャックテーブル１４の上方には、レーザー照射ユニット１８が配置されている。レーザー照射ユニット１８は、例えば、レーザー発振器（不図示）でパルス発振されたレーザービーム１８ａ，１８ｂを所定の位置に照射、集光する。レーザー発振器は、インターポーザー基板５に対して吸収性を有する波長のレーザービーム１８ａと、モールド樹脂３ｂに対して吸収性を有し、フィラー３ｃに対して透過性を有する波長のレーザービーム１８ｂと、を選択的にパルス発振できるように構成されている。
【００３８】
分割ステップでは、まず、樹脂パッケージ基板１に貼付されている粘着テープ７の非粘着面７ｂをチャックテーブル１４の保持面１４ａに接触させる。併せて、クランプ１６でフレーム９を固定する。この状態で吸引源の負圧を作用させることにより、樹脂パッケージ基板１は、保護膜１９側が上方に露出した状態でチャックテーブル１４に保持される。
【００３９】
その後、チャックテーブル１４を回転、移動させて、樹脂パッケージ基板１とレーザー照射ユニット１８との位置関係を調整する。そして、インターポーザー基板５を分割予定ライン１３に沿ってアブレーション加工する。具体的には、図３（Ａ）に示すように、レーザー照射ユニット１８からレーザービーム１８ａを照射しながら、このレーザービーム１８ａが分割予定ライン１３に沿って照射されるようにチャックテーブル１４を移動させる。
【００４０】
上述のように、レーザー照射ユニット１８から照射されるレーザービーム１８ａは、インターポーザー基板５に対して吸収性を有している。よって、図３（Ａ）に示すように、インターポーザー基板５の表面５ａ側から分割予定ライン１３に沿ってレーザービーム１８ａを照射することで、インターポーザー基板５はアブレーション加工され、図３（Ｂ）に示すように、分割予定ライン１３に沿ってインターポーザー基板５を分割する第１溝５ｂが形成される。
【００４１】
ここで、第１溝５ｂの幅は、モールド樹脂３ｂに混入されているフィラー３ｃの大きさを超えるように設定される。具体的には、例えば、第１溝５ｂの幅を、フィラー３ｃの粒径（例えば、平均粒径）の１．２倍以上に設定することが望ましい。これにより、後の洗浄ステップでフィラー３ｃを適切に除去できるようになる。フィラー３ｃの粒径は任意に設定されるが、代表的には、５μｍ〜２５μｍ程度である。
【００４２】
上述のような動作を繰り返し、全ての分割予定ライン１３に沿って第１溝５ｂを形成した後には、モールド基板３を第１溝５ｂに沿ってアブレーション加工する。具体的には、図４（Ａ）に示すように、レーザー照射ユニット１８からレーザービーム１８ｂを照射しながら、このレーザービーム１８ｂが第１溝５ｂの底に沿って照射されるようにチャックテーブル１４を移動させる。
【００４３】
上述のように、レーザー照射ユニット１８から照射されるレーザービーム１８ｂは、モールド樹脂３ｂに対して吸収性を有し、フィラー３ｃに対して透過性を有している。よって、図４（Ａ）に示すように、インターポーザー基板５の表面５ａ側から第１溝５ｂの底に沿ってレーザービーム１８ｂを照射することで、モールド基板３のモールド樹脂３ｂをアブレーション加工できる。
【００４４】
一方で、上述のようなレーザービーム１８ｂでは、モールド基板３のフィラー３ｃを殆どアブレーション加工できない。そのため、このレーザービーム１８ｂの照射によって、図４（Ｂ）に示すように、第１溝５ｄに接続されモールド基板３（モールド樹脂３ｂ）を分割する第２溝３ｄが形成される一方で、第２溝３ｄには、一部がモールド樹脂３ｂから露出した状態のフィラー３ｃが残る。
【００４５】
ここで、第２溝３ｄの幅は、モールド樹脂３ｂに混入されているフィラー３ｃの大きさを超えるように設定される。具体的には、例えば、第２溝３ｄの幅を、フィラー３ｃの粒径（例えば、平均粒径）の１．２倍以上に設定することが望ましい。これにより、第２溝３ｄに残ったフィラー３ｃを後の洗浄ステップで適切に除去できるようになる。
【００４６】
上述のような動作を繰り返し、全ての分割予定ライン１３に沿って第２溝３ｄが形成され、樹脂パッケージ基板１が複数のパッケージデバイス２１へと分割されると、分割ステップは終了する。なお、本実施形態では、インターポーザー基板５の表面５ａ側が保護膜１９によって覆われているので、アブレーション加工の際に発生する屑（デブリ）がインターポーザー基板５の表面５ａに付着することは殆どない。よって、品質の良いパッケージデバイス２１が得られる。
【００４７】
分割ステップの後には、樹脂パッケージ基板１の第１溝５ｂ及び第２溝３ｄを含む露出部分に洗浄用の流体を供給して樹脂パッケージ基板１を洗浄する洗浄ステップを行う。図５（Ａ）は、洗浄ステップを示す断面図であり、図５（Ｂ）は、洗浄ステップの後の状態を拡大して示す断面図である。
【００４８】
洗浄ステップは、例えば、図５（Ａ）等に示す洗浄装置２２を用いて行われる。洗浄装置２２は、樹脂パッケージ基板１を保持するためのスピンナテーブル２４を備えている。スピンナテーブル２４は、モータ等の回転駆動源（不図示）に連結されており、鉛直方向に概ね平行な回転軸の周りに回転する。
【００４９】
スピンナテーブル２４の上面の一部は、樹脂パッケージ基板１を保持するための保持面２４ａになっている。保持面２４ａは、概ね平坦且つ水平に形成されており、スピンナテーブル２４の内部に設けられた吸引路２４ｂ等を介して吸引源（不図示）に接続されている。このスピンナテーブル２４の周囲には、フレーム９を固定するための複数のクランプ２６が設けられている。また、スピンナテーブル２４の上方には、洗浄用の流体を噴射するためのノズル２８が配置されている。
【００５０】
洗浄ステップでは、まず、樹脂パッケージ基板１に貼付されている粘着テープ７の非粘着面７ｂをスピンナテーブル２４の保持面２４ａに接触させる。この状態で吸引源の負圧を作用させることにより、樹脂パッケージ基板１は、保護膜１９側が上方に露出した状態でスピンナテーブル２４に保持される。
【００５１】
次に、図５（Ａ）に示すように、スピンナテーブル２４を回転させて、樹脂パッケージ基板１の上方に移動させたノズル２８から樹脂パッケージ基板１に向けて洗浄用の流体２３を噴射する。これにより、樹脂パッケージ基板１の第１溝５ｂ及び第２溝３ｄを含む露出部分に洗浄用の流体を供給して樹脂パッケージ基板１を洗浄できる。なお、クランプ２６は、スピンナテーブル２４の回転により生じる遠心力を利用してフレーム９を固定する。
【００５２】
洗浄用の流体２３の種類や噴射の圧力等に特段の制限はないが、本実施形態では、水を洗浄用の流体２３として用い、噴射の圧力を５ＭＰａ以上１２ＭＰａ以下とする。これにより、パッケージデバイス２１に対して不具合を生じさせることなく、一部がモールド樹脂３ｂから露出した状態のフィラー３ｃを、この第２溝３ｄから除去できる。
【００５３】
表１には、洗浄用の流体２３として水を用いる場合の噴射の圧力について調査した結果を示す。
【００５４】
【表１】
2019009176.tif 000003
【００５５】
表１に示すように、圧力が３ＭＰａの場合には、第２溝３ｄにフィラー３ｃが残る。一方で、圧力が１４ＭＰａの場合には、パッケージデバイス２１が粘着テープ７から剥がれて飛散してしまう。よって、洗浄用の流体２３として水を用いる場合には、噴射の圧力を５ＭＰａ以上１２ＭＰａ以下とするのが望ましい。より望ましくは、１０ＭＰａ以上１２ＭＰａ以下である。
【００５６】
なお、本実施形態では、上述のように、水溶性の樹脂１７を用いて保護膜１９を形成している。よって、洗浄用の流体２３として水を用いることで、分割ステップで除去されずに第２溝３ｄに残ったフィラー３ｃを第２溝３ｄから除去しながら、インターポーザー基板５の表面５ａから保護膜１９を除去できる。洗浄用の流体２３としては、他にも、水とエアーとを混合した混合流体（２流体）等を用いることができる。
【００５７】
以上のように、本実施形態に係るパッケージデバイスの製造方法では、樹脂パッケージ基板１を複数のパッケージデバイス２１へと分割する際に、モールド樹脂３ｂに含まれるフィラー３ｃの大きさを超える幅の第２溝３ｄ（及び第１溝５ｂ）を形成するので、中央部が露出し、少なくとも両端部（２箇所）がモールド樹脂３ｂに固定された状態のフィラー３ｃが第２溝３ｄに残ることはない。すなわち、後の洗浄による除去が難しい状態のフィラー３ｃが第２溝３ｄに残ってしまうことはない。
【００５８】
そのため、第２溝３ｄに洗浄用の流体２３を供給することで、パッケージデバイス２１への分割の際に第２溝３ｄに残ったフィラー３ｃを第２溝３ｄ（及び第１溝５ｂ）から除去できる。よって、完成したパッケージデバイス２１からフィラー３ｃが脱落してしまうこともない。
【００５９】
なお、本発明は、上記実施形態の記載に制限されず種々変更して実施できる。例えば、上記実施形態では、モールド基板３とインターポーザー基板５とで構成された樹脂パッケージ基板１を分割して、複数のパッケージデバイス２１を製造しているが、他の態様の樹脂パッケージ基板から複数のパッケージデバイスを製造することもできる。
【００６０】
図６（Ａ）は、変形例に係る固定ステップを示す斜視図であり、図６（Ｂ）は、変形例に係る固定ステップの後の状態を拡大して示す断面図である。また、図７（Ａ）は、変形例に係る分割ステップの後の状態を拡大して示す断面図であり、図７（Ｂ）は、変形例に係る洗浄ステップの後の状態を拡大して示す断面図である。
【００６１】
図６（Ａ）及び図６（Ｂ）に示すように、変形例で使用される樹脂パッケージ基板３１は、円盤状のデバイスウェーハ３３と、このデバイスウェーハ３３の表面３３ａ側等を被覆するモールド樹脂膜３５と、モールド樹脂膜３５から露出する球状の電極３７と、を含んでいる。
【００６２】
デバイスウェーハ３３は、格子状に形成された溝３３ｃによって複数のチップに分離されており、各チップの表面３３ａ側には、ＩＣ（Integrated Circuit）等のデバイス３９が設けられている。一方で、モールド樹脂膜３５は、モールド樹脂３５ａと、モールド樹脂３５ａに混入された粒状のフィラー３５ｂとで構成され、溝３３ｃに充填されるとともに、デバイスウェーハ３３の表面３３ａ側の中央部分（デバイス３９が設けられた領域）を覆っている。電極３７は、デバイス３９の端子に接続されている。
【００６３】
変形例に係る固定ステップでは、この樹脂パッケージ基板３１が備えるデバイスウェーハ３３の裏面３３ｂ側に、樹脂パッケージ基板３１よりも径が大きい円形の粘着テープ７の中央部分を貼付する。また、この粘着テープ７の外周部分を、樹脂パッケージ基板３１よりも径が大きい開口を持つ環状のフレーム９の第１面９ａ側に貼付する。
【００６４】
具体的には、デバイスウェーハ３３の裏面３３ｂとフレーム９の第１面９ａとに対して、粘着テープ７の粘着面７ａを密着させる。これにより、樹脂パッケージ基板３１は、モールド樹脂膜３５及び電極３７が露出した状態で、環状のフレーム９の開口に張られた粘着テープ７に固定される。すなわち、樹脂パッケージ基板３１は、粘着テープ７を介してフレーム９に支持される。
【００６５】
固定ステップの後には、分割ステップを行う。変形例に係る分割ステップは、図３（Ａ）や図４（Ａ）等に示すレーザー加工装置１２を用いて行うことができる。この分割ステップでは、まず、樹脂パッケージ基板３１に貼付されている粘着テープ７の非粘着面７ｂをチャックテーブル１４の保持面１４ａに接触させる。併せて、クランプ１６でフレーム９を固定する。この状態で吸引源の負圧を作用させることにより、樹脂パッケージ基板３１は、モールド樹脂膜３５及び電極３７が上方に露出した状態でチャックテーブル１４に保持される。
【００６６】
その後、チャックテーブル１４を回転、移動させて、樹脂パッケージ基板３１とレーザー照射ユニット１８との位置関係を調整する。そして、溝３３ｃに沿ってモールド樹脂膜３５をアブレーション加工する。具体的には、レーザー照射ユニット１８からレーザービーム１８ｂを照射しながら、このレーザービーム１８ｂが溝３３ｃに沿って照射されるようにチャックテーブル１４を移動させる。
【００６７】
ここで、レーザー照射ユニット１８から照射されるレーザービーム１８ｂは、モールド樹脂３５ａに対して吸収性を有し、フィラー３５ｂに対して透過性を有している。よって、モールド樹脂膜３５の表面側から溝３３ｃに沿ってレーザービーム１８ｂを照射することで、モールド樹脂膜３５のモールド樹脂３５ａをアブレーション加工できる。
【００６８】
一方で、上述のようなレーザービーム１８ｂでは、モールド樹脂膜３５のフィラー３５ｂを殆どアブレーション加工できない。そのため、このレーザービーム１８ｂの照射によって、図７（Ａ）に示すように、モールド樹脂膜３５（モールド樹脂３５ａ）を分割する溝３５ｃが形成される一方で、溝３５ｃには、一部がモールド樹脂３５ａから露出した状態のフィラー３５ｂが残る。
【００６９】
ここで、溝３５ｃの幅は、モールド樹脂３５ａに混入されているフィラー３５ｂの大きさを超えるように設定される。具体的には、例えば、溝３５ｃの幅を、フィラー３５ｂの粒径（例えば、平均粒径）の１．２倍以上に設定することが望ましい。これにより、溝３５ｃに残ったフィラー３５ｂを後の洗浄ステップで適切に除去できるようになる。
【００７０】
上述のような動作を繰り返し、全ての溝３３ｃに沿って溝３５ｃが形成され、樹脂パッケージ基板３１が複数のパッケージデバイス４１へと分割されると、分割ステップは終了する。
【００７１】
分割ステップの後には、樹脂パッケージ基板３１の溝３５ｃを含む露出部分に洗浄用の流体を供給して樹脂パッケージ基板３１を洗浄する洗浄ステップを行う。変形例に係る洗浄ステップは、図５（Ａ）等に示す洗浄装置２２を用いて行うことができる。
【００７２】
この洗浄ステップでは、まず、樹脂パッケージ基板３１に貼付されている粘着テープ７の非粘着面７ｂをスピンナテーブル２４の保持面２４ａに接触させる。この状態で吸引源の負圧を作用させることにより、樹脂パッケージ基板３１は、モールド樹脂膜３５及び電極３７が上方に露出した状態でスピンナテーブル２４に保持される。
【００７３】
次に、スピンナテーブル２４を回転させて、樹脂パッケージ基板３１の上方に移動させたノズル２８から樹脂パッケージ基板３１に向けて洗浄用の流体２３を噴射する。これにより、樹脂パッケージ基板３１の溝３５ｃを含む露出部分に洗浄用の流体２３を供給して樹脂パッケージ基板３１を洗浄できる。
【００７４】
洗浄用の流体２３の種類や噴射の圧力等に特段の制限はないが、本実施形態では、水を洗浄用の流体２３として用い、噴射の圧力を５ＭＰａ以上１２ＭＰａ以下とする。これにより、パッケージデバイス４１に対して不具合を生じさせることなく、一部がモールド樹脂３５ａから露出した状態のフィラー３５ｂを、この溝３５ｃから除去できる。
【００７５】
その他、上記実施形態や変形例等に係る構造、方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。
【符号の説明】
【００７６】
１  樹脂パッケージ基板
３  モールド基板
３ａ  表面
３ｂ  モールド樹脂
３ｃ  フィラー
３ｄ  第２溝
５  インターポーザー基板
５ａ  表面
５ｂ  第１溝
７  粘着テープ
７ａ  粘着面
７ｂ  非粘着面
９  フレーム
９ａ  第１面
１３  分割予定ライン（ストリート）
１５  領域
１７  樹脂
１９  保護膜
２１  パッケージデバイス
２３  流体
３１  樹脂パッケージ基板
３３  デバイスウェーハ
３３ａ  表面
３３ｂ  裏面
３３ｃ  溝
３５  モールド樹脂膜
３５ａ  モールド樹脂
３５ｂ  フィラー
３５ｃ  溝
３７  電極
３９  デバイス
４１  パッケージデバイス
２  スピンコーター
４  スピンナテーブル
４ａ  保持面
４ｂ  吸引路
６  クランプ
８  ノズル
１２  レーザー加工装置
１４  チャックテーブル
１４ａ  保持面
１４ｂ  吸引路
１６  クランプ
１８  レーザー照射ユニット
１８ａ，１８ｂ  レーザービーム
２２  洗浄装置
２４  スピンナテーブル
２４ａ  保持面
２４ｂ  吸引路
２６  クランプ
２８  ノズル
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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