(57)【要約】      （修正有）【課題】膜特性の均一性に優れ、かつ、画像欠陥のない電子写真感光体を安定的に製造する。【解決手段】基体ホルダー１０１は、長手方向の両端の端部領域にばね設置機構が設けられ、第二の補助基体１０３には、内側の周方向に溝加工が施され、溝と、ばね機構１０６の一方とがカプラー機構を有し、円筒状基体設置時に、円筒状基体１０２の両端面は、第一１０４および第二の補助基体側から円筒状基体の長手方向の中央に向かい加圧されることが可能な構成を有する。【選択図】図１
2019060939.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子写真感光体用の円筒状基体を支持するためのホルダーであって、
前記ホルダーは、ホルダー本体、第一の補助基体、第二の補助基体を有するものであり、
前記ホルダー本体は、ホルダー基体部と、ホルダー基体部から突出する胴体部とを有しており、
前記ホルダーは、前記ホルダー基体部側から、前記胴体部を内包するように、第一の補助基体、円筒状基体、および第二の補助基体がこの順で配置された状態で、前記円筒状基体を支持するものであり、前記円筒状基体を支持した状態において、前記第一の補助基体のホルダー基体部側端部に対して、前記第一の補助基体を前記円筒状基体側に押圧する第一ばね機構を有し、
前記胴体部には、前記第二の補助基体と対向する領域に、前記胴体部から突出する突出部を有する第二ばね機構が設けられており、
前記第二の補助基体には、内周面に周方向に溝が形成されており、
前記突出部が前記溝にはまることにより、前記第二の補助基体を固定することができる構成となっており、
円筒状基体を支持した状態において、前記円筒状基体の両端面が、第一の補助基体あるいは第二の補助基体からそれぞれ押圧される構成であることを特徴とするホルダー。
【請求項２】
請求項１に記載のホルダーを用いて電子写真感光体を製造する製造方法であって、
前記ホルダー基体部側から、前記胴体部を内包するように、第一の補助基体、円筒状基体、および第二の補助基体がこの順となるように配置し、前記円筒状基体の両端面が第一の補助基体あるいは第二の補助基体によりそれぞれ押圧された状態で、前記基体ホルダーを減圧可能な反応容器内に設置し、前記反応容器の中に原料ガスを導入し、高周波電力を印加することにより、前記円筒状基体の上に堆積膜の形成を行う電子写真感光体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマＣＶＤ法を用いた電子写真感光体製造用の基体ホルダー及び電子写真感光体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、電子写真感光体として、アモルファスシリコン、例えば水素原子及び／又はハロゲン原子を含有し、シリコン原子を母体とするアモルファス材料で構成された堆積膜が提案され、その中のいくつかは実用に付されている。
【０００３】
そして、アモルファスシリコンからなる堆積膜の形成方法としては、高周波電力のグロー放電により堆積膜形成用ガスのプラズマを生成し、その分解種を基体の上に堆積させるプラズマＣＶＤ法がある。
【０００４】
これらの方法で、電子写真感光体のような大面積を有する堆積膜を形成する場合、膜特性の均一化が必要であり、そのために堆積膜を形成する装置の構成に関して各種提案がされている。
【０００５】
例えば、アモルファスシリコンからなる電子写真感光体を形成する場合、円筒状基体を真空反応容器の中に運搬ならびに保持する必要があることから、円筒状基体に基体ホルダーを挿入することが開示されている。また、堆積膜形成中に分解された化学種が基体の裏側へまわり込むことを防止する目的で基体の上部に補助基体を設けることが開示されている（特許文献１参照）。
【０００６】
また、別の提案には、円筒状基体と補助基体との間、及び円筒状基体と基体ホルダーとの間での高周波電力に対するアース面が不連続となるのを低減することを目的に、基体ホルダーに円筒状基体、補助基体を順に設置し、補助基体を加圧手段により円筒状基体の長手方向へ加圧し、補助基体を円筒状基体へ押圧した状態で堆積膜の形成を行うことが開示されている（特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０００−０７３１７３号公報
【特許文献２】特開２０１１−２５７６５７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
従来、上記のような方策により堆積膜の膜特性の均一化が図られてきた。
【０００９】
特に、近年では、電子写真装置のデジタル化、カラー化に伴い、電子写真感光体に利用される堆積膜の膜特性の均一性が従来以上に求められている。
【００１０】
例えば、電子写真プロセスを利用した高画質カラー装置では、階調性が向上されているため、従来は実用上問題のなかった堆積膜の膜特性の不均一性でも、形成画像に視覚可能なムラを生じさせる可能性がある。
【００１１】
先に示した特許文献２では、こうした課題を解決するために、高周波電力に対するアース面の僅かな不連続性に着目し、改善することで大きな効果を得ている。
【００１２】
また、画像ムラに加えて、いわゆる「ポチ」といわれる画像欠陥についても厳しい要求が課せられている。全面カラー画像においては、こうした僅かな「ポチ」でも視覚的には目立ってしまうのが実情である。
【００１３】
アモルファスシリコン感光体においては、「ポチ」の原因は、堆積膜形成前の基体に付着した異物を核とした球状突起と呼ばれる堆積膜の欠陥であることが分かっている。
【００１４】
そのため、アモルファスシリコン感光体の製造工程においては、基体への異物付着の低減が重要な課題となっている。異物付着の要因としては、円筒状基体を基体ホルダーにセットする工程での発塵などがある。
【００１５】
本発明は、上記のような従来技術に鑑みてなされたものであり、膜特性の均一性に優れ、かつ、画像欠陥のない電子写真感光体を安定的に製造することができる電子写真感光体製造用の基体ホルダー及び電子写真感光体の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
上記目的は、以下記載する本発明によって解決される。
【００１７】
本発明は、
電子写真感光体用の円筒状基体を支持するためのホルダーであって、
前記ホルダーは、ホルダー本体、第一の補助基体、第二の補助基体を有するものであり、
前記ホルダー本体は、ホルダー基体部と、ホルダー基体部から突出する胴体部とを有しており、
前記ホルダーは、前記ホルダー基体部側から、前記胴体部を内包するように、第一の補助基体、円筒状基体、および第二の補助基体がこの順で配置された状態で、前記円筒状基体を支持するものであり、前記円筒状基体を支持した状態において、前記第一の補助基体のホルダー基体部側端部に対して、前記第一の補助基体を前記円筒状基体側に押圧する第一ばね機構を有し、
前記胴体部には、前記第二の補助基体と対向する領域に、前記胴体部から突出する突出部を有する第二ばね機構が設けられており、
前記第二の補助基体には、内周面に周方向に溝が形成されており、
前記突出部が前記溝にはまることにより、前記第二の補助基体を固定することができる構成となっており、
円筒状基体を支持した状態において、前記円筒状基体の両端面が、第一の補助基体あるいは第二の補助基体からそれぞれ押圧される構成を有するホルダーに関する。
【００１８】
また、本発明は、前記ホルダー基体部側から、前記胴体部を内包するように、第一の補助基体、円筒状基体、および第二の補助基体がこの順となるように配置し、前記円筒状基体の両端面が第一の補助基体あるいは第二の補助基体によりそれぞれ押圧された状態で、前記基体ホルダーを減圧可能な反応容器内に設置し、前記反応容器の中に原料ガスを導入し、高周波電力を印加することにより、前記円筒状基体の上に堆積膜の形成を行う電子写真感光体の製造方法に関する。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、膜特性の均一性に優れ、かつ、画像欠陥の少ない電子写真感光体を形成することができる。また、円筒状基体を基体ホルダーにセットする作業効率が向上する。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明に係る円筒状基体、補助基体のセット方法を示した基体ホルダーの模式的断面図である。
【図２】本発明に係る円筒状基体及び補助基体のセット方法を示した模式的投影図である。
【図３】本発明に係る円筒状基体及び補助基体がセットされた状態を示した模式的投影図である。
【図４】本発明に係る電子写真感光体の製造装置を示す模式的断面図である。
【図５】従来の円筒状基体、補助基体のセット方法を示した基体ホルダーの模式的断面図である。
【図６】従来円筒状基体及び補助基体のセット方法を示した模式的投影図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
本発明者らは電子写真感光体の画像特性の均一性を向上させるため、前述した基体ホルダーに円筒状基体、補助基体を順に設置し、補助基体を加圧手段により円筒状基体の長手方向へ加圧し、補助基体を円筒状基体へ押圧した状態で電子写真感光体を製造する検討を行っていた。
【００２２】
検討過程において、補助基体を円筒状基体へ押圧した状態で製造した電子写真感光体で形成した画像において、画像欠陥「ポチ」が従来の製造方法に比べてやや増加していることが判明した。
【００２３】
本発明者らは、「ポチ」が増加する原因を追及したところ、主たる原因は、補助基体を円筒状基体へ押圧した状態にするために基体ホルダーに円筒状基体をセットする工程で発生する発塵により、円筒状基体表面が汚染されているのではないかという推測に至った。
【００２４】
画像欠陥「ポチ」のレベルは、従来では全く問題ないレベルではあるが、将来的な製品レベルである高解像度、フルカラー機に搭載するにあたり、もう一段のレベルアップが望ましい。
【００２５】
以下、本発明者らが上記推測に至った検証実験について説明する。
【００２６】
図５は、従来方式による基体ホルダー及び円筒状基体がセットされた状態を示した模式断面図である。
【００２７】
図５において、基体ホルダー５０１に円筒状基体５０２、補助基体５０３をセットし、ネジ５０４にばね５０５を図に示すようにセットしてネジ５０４を基体ホルダー５０１に絞めつける。ネジ５０４を締め付けることにより、補助基体５０３は、円筒状基体５０２の片側端面を加圧する構成となっている。したがって、円筒状基体５０２は長手方向の中央に向かい加圧される。
【００２８】
本発明者らは、図５に示した従来の基体ホルダーのネジ絞め作業時のダスト測定数を行った。その結果、ネジ絞め作業を行ったときに、ダストの発生量が増加するという測定結果を得た。
【００２９】
本発明者らは、上述の推測、検証実験結果をもとに、円筒状基体をセットする工程で発生する発塵の低減には基体セット時のネジ絞め作業をなくすことが効果的であるという結論に至った。
【００３０】
こうした考えに基づき、本発明の構成の基体ホルダーを完成させるに至った。
【００３１】
以下、本発明の基体ホルダー（ホルダー）について詳細に説明する。
【００３２】
ホルダーは、ホルダー本体１０１、第一の補助基体１０４、第二の補助基体１０３を有するものであり、ホルダー本体は、ホルダー基体部（図１における第一ばね機構１０８が設置された部分）と、ホルダー基体部から突出する筒状の胴体部とを有する。そして、ホルダー基体部側から、胴体部を内包するように、第一の補助基体、円筒状基体、および第二の補助基体がこの順で配置された状態で、円筒状基体は支持される。
【００３３】
図１は、基体ホルダーに円筒状基体がセットされた状態を示した模式断面図である。
【００３４】
ホルダー基体部には、第一の補助基体のホルダー基体部側端部に対して、第一の補助基体を円筒状基体側に押圧する第一ばね機構１０８が設けられている。
【００３５】
円筒状基体の胴体部の第二の補助基体１０３と対向する領域には、胴体部から突出する突出部を有するばね機構が設けられている。また、第二の補助基体１０３の内周面には、溝１０９が形成されている。第二ばね機構１０６の有する突出部が溝１０９にはまることにより、第二の補助基体１０３が固定される（カプラー機構）。
【００３６】
カプラー機構についてさらに詳しく説明する。第二ばね機構１０６の突出部は、ホルダー本体１０１の径方向に伸縮可能に設置されており、第二の補助基体１０３を設置する際には、突出部の先端が第二の補助基体１０３の内面に沿うように、第二ばね機構１０６が圧縮される。第二の補助基体１０３を所定の位置まで押しこむと、第二ばね機構１０６の突出部の先端が溝１０９に勘合するように伸長する。この結果、第二の補助基体１０３は所定の位置に固定される。本発明では上記の機能を有する溝１０９、第二ばね機構１０６の構成をカプラー機構と定義する。
【００３７】
なお、第二ばね機構１０６の突出部の先端部には、第二の補助基体１０３の内面との滑りを良くするため、球状の部材等を設置することもできる。
【００３８】
図１のように基体ホルダーにセットされた円筒状基体１０２の両端面は、カプラー機構により固定された第二の補助基体１０３と第一ばね機構１０８により円筒状基体の方側端面方向に加圧される第一の補助基体１０４とにより、それぞれ加圧されることになる。
【００３９】
ばね機構１０６、１０８は基体に対して圧力を加え得る弾性を有するものであればいずれのものであってもよい。たとえば、螺旋ばね、板ばね、皿ばね等の形状の変化によって弾性を得る形式がとれる。これらの場合、材質はステンレス等の金属材料の他、たとえば窒化ケイ素等のセラミックス材料や、樹脂材料を使用しても差し支えないが、耐熱性の観点から金属材料、セラミックス材料が好適である。ばね機構１０６、１０８はさらに、上記のようなばね形状を構成する物に限らず、ゴム等の弾性体のブロックで構成されたものも含む。
【００４０】
次に、ホルダーへの円筒状基体１０２のセット方法について説明する。
【００４１】
図２は、ホルダー本体１０１に、第二の補助基体１０３、第一の補助基体１０４及び円筒状基体１０２をセットする手順を示す斜投影図である。
【００４２】
図２の（ａ）は、第二の補助基体１０３、第一の補助基体１０４及び円筒状基体１０２を示している。
【００４３】
図２の（ｂ）に示すホルダー本体１０１に、図２の（ｃ）に示すように、第一の補助基体１０４、円筒状基体１０２、第二の補助基体１０３の順にセットする。
【００４４】
第二の補助基体１０３は、前述したカプラー機構によってホルダー本体１０１に固定され、円筒状基体１０２は、長手方向の中央に向かい加圧されることになる。
【００４５】
図３は、ホルダー本体１０１に円筒状基体、補助基体がセットされた状態を示した斜投影図である。
【００４６】
このようにして円筒状基体及び補助基体を基体ホルダーにセットする場合、前述したように、従来型の図５に示す基体ホルダーへのセットに比べ、セット時に発生する発塵が大幅に減少した。
【００４７】
更に、円筒状基体及び補助基体を基体ホルダーにセットする作業時間が大幅に削減され、作業効率が向上した。
【００４８】
こうしてホルダーにセットされた円筒状基体１０２は、図４に示す電子写真感光体製造用の堆積膜形成装置に設置され、電子写真感光体の製造がなされる。
【００４９】
以下、図４を用いて電子写真感光体の製造方法について説明する。
【００５０】
図４は、プラズマＣＶＤ法で用いられる堆積膜製造装置４００の一例を模式的に示した図である。堆積膜製造装置４００は、プラズマ処理によって円筒状基体１０２に堆積膜を製造する装置である。カソード電極４０３、絶縁体４０４、上壁４０５、ゲート弁４０６、底壁４０７により、減圧可能な反応容器４０１を形成している。
【００５１】
反応容器４０１の内部には、加熱用ヒータ４０８が設けられている。加熱用ヒータ４０８は、真空中で使用可能なものであればどのようなものを用いてもよい。具体的には、シース状ヒータ、板状ヒータ、セラミックヒータ、カーボンヒータの様な電気抵抗発熱体や、ハロゲンランプ、赤外線ランプの様な熱放射ランプや、液体、気体を熱媒とした熱交換手段が対象として挙げられる。
【００５２】
また、反応容器４０１の内部には、原料ガスを導入するための原料ガス導入管（原料ガス導入手段）４０９が設けられている。原料ガス導入管４０９は接続配管４２０、原料ガス流入バルブ４１９を介して、ガス供給系（不図示）に接続されている。
【００５３】
堆積膜製造装置４００が備える排気系は、排気手段である排気ユニット４３１が、排気配管４２３を介して、底壁４０７の排気口４２４に接続されている。排気配管４２３には、排気メインバルブ４２５が設けられている。また、反応容器４０１には、その内部の圧力を測定する真空計４２６が取り付けられている。これらを用いて、反応容器４０１の内部を、各工程に適した所定の圧力に維持することができる。排気ユニットには、例えばロータリーポンプや、メカニカルブースターポンプを用いることができる。
【００５４】
円筒状のカソード電極４０３には、整合回路を有するマッチングボックス４１０を介して高周波電源（印加手段）４１１が電気的に接続されている。カソード電極４０３の上下は、セラミックスからなる絶縁体４０４により上壁４０５および底壁４０７と絶縁されている。上壁４０５には反応容器４０１の内部と外部とを連通させる開閉部であるゲート弁４０６が設置されており、ここから反応容器４０１の中に、円筒状基体１０２を保持する基体ホルダーが搬入・設置・搬出される。
【００５５】
反応容器４０１の下部には、基体ホルダーを回転可能に保持する回転保持機構４３０が設けられている。
【００５６】
次いで、上述の堆積膜製造装置を用いて堆積膜を製造する手順の一例について説明する。
【００５７】
まず、反応容器内に、円筒状基体１０２および第二の補助基体１０３、第一の補助基体１０４が装着された基体ホルダーを搬入し、回転保持機構４３０の上に載置した後、ゲート弁４０６を閉める。
【００５８】
その後、排気ユニット４３１により排気された反応容器４０１の内部に、原料ガス流入バルブ４１９、接続配管４２０および原料ガス導入管４０９を介して、円筒状基体１０２の加熱に必要な、例えばＡｒ，Ｈｅガスを導入する。
【００５９】
そして、反応容器４０１の内部を所定の圧力になるように、真空計４２６を確認しながら排気ユニット４３１の排気能力を調整する。この調整は、例えば、排気ユニット４３１のメカニカルブースターポンプの回転周波数を調整することによって行うことができる。
【００６０】
次に、所定の圧力になった後、加熱用ヒータ４０８により円筒状基体１０２の温度を２００［℃］〜４５０［℃］、より好ましくは２５０［℃］〜３５０［℃］の所定の温度に制御する。
【００６１】
以上の手順によって堆積膜を製造する準備が完了した後、円筒状基体１０２の外周面上に堆積膜の製造を行う。このために、まず、堆積膜製造用の原料ガスとして、ケイ素原子供給用の原料ガスと、水素原子供給用の原料ガス、必要に応じて希釈ガスおよび特性改善ガスを混合して導入し、導入ガスが所定の流量になるように調整する。その際、反応容器４０１の内部の圧力が１３．３［ｍＰａ］〜１３３０［Ｐａ］の所定の圧力になるように、真空計４２６を確認しながら排気ユニット４３１の排気能力を調整する。
【００６２】
ケイ素原子を供給しえる原料ガスとしては、シラン（ＳｉＨ４）ジシラン（Ｓｉ２Ｈ６）等のシラン類が好適に使用できる。また、水素原子を供給しえる原料ガスとしては、上記シラン類に加えて、水素（Ｈ２）も好適に使用できる。
【００６３】
希釈ガスとしては、水素（Ｈ２）、アルゴン（Ａｒ）、ヘリウム（Ｈｅ）を用いることができる。また、特性改善ガスとして、窒素原子を含むもの、酸素原子を含むもの、炭素原子を含むもの、またはフッ素原子を含むもの、あるいはこれらの混合ガスを併用してもよい。それぞれの原子を含むガス状、または容易にガス化しえる物質を材料として適宜使用すればよい。
【００６４】
次に、反応容器４０１の内部の圧力が安定した後、高周波電源４１１を所定の電力に設定して、高周波電力を、マッチングボックス４１０を介してカソード電極４０３に供給することで、高周波グロー放電を生起させる。供給電力は、例えば、１３．５６［ＭＨｚ］の周波数とすることができる。この放電エネルギーによって、反応容器４０１の中に導入された堆積膜製造用の原料ガスが励起されて励起種が生成され、すなわち分解されて、円筒状基体１０２の外周面上に堆積膜が製造される。
【００６５】
均一な堆積膜を製造するために、堆積膜を製造するのと同時期、あるいは円筒状基体１０２を加熱する段階から、円筒状の円筒状基体１０２を回転させてもよい。この回転は、０．５［ｒｐｍ］〜２０［ｒｐｍ］、例えば１０［ｒｐｍ］の回転速度とする。こうすることで円筒状基体１０２の周方向に均一な堆積膜が製造される。
【００６６】
以上のようにして円筒状基体１０２の外周面上にケイ素原子及び水素原子を含む非晶質材料からなる堆積膜が製造される。
【００６７】
堆積膜を積層して電子写真感光体を製造する場合、所定の層構成毎に条件を設定し、上述の手順を繰り返すことで製造することができる。
【００６８】
例えば、電子写真感光体の表面保護層を製造する場合、反応容器４０１の中を排気し、堆積膜製造用の原料ガスとして炭素原子供給用の原料ガスを導入し、導入ガスが所定の流量になるように調整する。その際、反応容器４０１の内部の圧力が１３．３［ｍＰａ］〜１３３０［Ｐａ］の所定の圧力になるように、真空計４２６を確認しながら排気ユニット４３１の排気能力を調整する。
【００６９】
炭素原子を供給しえる原料ガスは、メタン（ＣＨ４）、アセチレン（Ｃ２Ｈ２）等のガスが好適に使用できる。
【００７０】
その後は、上述と同様の方法で円筒状基体１０２の外周面上に既に製造されている堆積膜の上に新たな堆積膜が製造される。
【００７１】
堆積膜が製造された後には、堆積膜製造用の原料ガスおよび高周波電力、加熱用ヒータ４０８の電力の供給を停止し、反応容器４０１の中を排気する。その後、反応容器４０１および原料ガス導入管４０９内をパージガス、例えばＡｒやＨｅの様な不活性ガスおよびＮ２の少なくとも一方を用いてパージ処理する。パージ処理完了後、円筒状基体１０２が装着された基体ホルダーを反応容器４０１の中から搬出する。
【実施例】
【００７２】
以下、実施例および比較例により本発明をさらに詳しく説明するが、本発明はこれらに制限されるものではない。
【００７３】
［実施例１］
基体ホルダーに、直径８４ｍｍ、長さ３８１ｍｍの円筒状基体及び補助基体をセットする。基体ホルダーへのセット方法は、図１及び図２に示す状態でセットし、図３はセットされた状態を示している。
【００７４】
本実施例では、図１〜３に示すように基体ホルダーに円筒状基体をセットすることで、円筒状基体の長手方向の中央に向かい加圧された状態で堆積膜を形成して電子写真感光体を製造する。
【００７５】
このように円筒状基体がセットされた基体ホルダーを、図４に示した電子写真感光体用製造用装置に設置し、表１に示す条件にて電子写真感光体を製造した。
【００７６】
【表１】
2019060939.tif 000003
【００７７】
［比較例１］
基体ホルダーに、直径８４ｍｍ、長さ３８１ｍｍの円筒状基体及び補助基体をセットする。基体ホルダーへのセット方法は、図５に示す状態でセットする。
【００７８】
本比較例では、図５に示すように基体ホルダーに円筒状基体をセットすることで、実施例１と同様に円筒状基体の長手方向の中央に向かい加圧された状態で堆積膜を形成して電子写真感光体を製造する。
【００７９】
このように円筒状基体がセットされた基体ホルダーを、実施例１と同様に、図４に示した電子写真感光体用製造用装置に設置し、表１に示す条件にて電子写真感光体を製造した。
【００８０】
［比較例２］
基体ホルダーに、直径８４ｍｍ、長さ３８１ｍｍの円筒状基体及び補助基体をセットする。基体ホルダーへのセット方法は、図６に示す状態でセットする。
【００８１】
本比較例では、図６に示すように基体ホルダーには図１〜図３に示すカプラー機構は設けられていない。
【００８２】
このように円筒状基体がセットされた基体ホルダーを、実施例１と同様に、図４に示した電子写真感光体用製造用装置に設置し、表１に示す条件にて電子写真感光体を製造した。
【００８３】
実施例１及び比較例１、２にて作製した電子写真感光体をキヤノン社製ｉＲＣ６８００をマイナス帯電で画像部を露光するイメージ露光方法で露光部を現像する反転現像に改造した改造機に設置し、端部領域での帯電ムラ、画像濃度ムラ、ポチの電子写真特性について評価を行った。
【００８４】
各項目は、以下の方法で作成した電子写真感光体１０本全てについて評価を行った。
【００８５】
判定は１０本の電子写真感光体の平均値を用いた。
【００８６】
＜端部領域帯電ムラ＞
主帯電器の電流値を−１０００μＡの条件にして電子写真感光体を帯電した。この時、表面電位計により電子写真感光体の暗部表面電位を測定した。暗部表面電位は周方向の平均値とした。電子写真感光体の端部から１０ｃｍの領域について２ｃｍおきに暗部表面電位を測定し、得られた各位置の値の最大値と最小値の電位差を求めた。電子写真感光体の両端部で暗部表面電位の電位差を求め、得られた２つの値の和を暗部表面電位の端部領域帯電ムラとした。
【００８７】
そして比較例２の電子写真感光体の帯電ムラを１００％とした相対評価を行い、以下のように分類した。数値が小さい方が良好な結果である。
Ａ      ８０％未満
Ｂ      ８０％以上９０％未満
Ｃ      ９０％以上１１０％未満
Ｄ      １１０％以上
【００８８】
＜画像濃度ムラ＞
中間調チャートを原稿台に置き画像濃度が０．３となるように調整してＡ３用紙にコピーし、得られたＡ３コピー画像の縦方向及び横方向夫々３ｃｍおきに反射濃度計（Ｘ−Ｒｉｔｅ  Ｉｎｃ製：５０４  分光濃度計）で画像濃度を測定した。Ａ３コピー画像の画像濃度の最大値と最小値の差を画像濃度ムラとした。
【００８９】
そして比較例２の電子写真感光体の画像濃度ムラを１００％とした相対評価を行い、以下のように分類した。数値が小さい方が良好な結果である。
Ａ      ８０％未満
Ｂ      ８０％以上９０％未満
Ｃ      ９０％以上１１０％未満
Ｄ      １１０％以上
【００９０】
＜画像欠陥＞
Ａ３サイズの白原稿を原稿台に置きＡ３用紙にマゼンタ色、イエロー色、シアン色の３色で複写した。こうして得られた画像領域にある直径０．０５ｍｍ以上画像欠陥（シアン色のポチ）の個数を数えた。
【００９１】
得られた結果は、比較例１での個数を１００％とした場合の相対比較でランク付けを行った。数値が小さい方が良好な結果である。
Ａ      ６０％未満
Ｂ      ６０％以上９０％未満
Ｃ      ９０％以上１１０％未満
Ｄ      １１０％以上
【００９２】
＜作業効率の評価＞
実施例１及び比較例１、２での円筒状基体を基体ホルダーにセットする作業時間を計測した。
【００９３】
作業時間は、比較例１でかかった時間を１００％とした時の相対比較でランク付けを行った。数値が小さい方がセットする作業時間が短く、効率が良い結果である。
Ａ      ６０％未満
Ｂ      ６０％以上９０％未満
Ｃ      ９０％以上１１０％未満
Ｄ      １１０％以上
各評価結果を表２にまとめて示す。
【００９４】
【表２】
2019060939.tif 000004
【００９５】
表２に示すように、本発明の実施例においては、従来方式である比較例１に比べ、画像欠陥のレベルが改善している。また、基体ホルダーへセットする作業効率も向上している。
【符号の説明】
【００９６】
１０１、５０１、６０１  ホルダー本体
１０２、５０２、６０２  円筒状基体
１０３  第二の補助基体
１０４  第一の補助基体
５０３、６０３、６０４  補助基体
１０６  第二ばね機構
１０８  第一ばね機構
４００  堆積膜製造装置
４０１  反応容器
４０３  カソード電極
４０４  絶縁体
４０５  上壁
４０６  ゲート弁
４０７  底壁
４０８  加熱用ヒータ
４０９  原料ガス導入管
４１０  マッチングボックス
４１１  高周波電源
４１９  原料ガス流入バルブ
４２０  接続配管
４２３  排気配管
４２４  排気口
４２５  排気メインバルブ
４２６  真空計
４３０  回転保持機構
４３１  排気ユニット
【図１】
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【図２】
2019060939.tif 000006
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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