(57)【要約】【課題】効率よく確実に分割加工を行うことが可能なウェーハ及びウェーハの加工方法を提供する。【解決手段】ウェーハ基板（１１）の上面に第一の方向（ＣＨ１）及び該第一の方向と直交する第二の方向（ＣＨ２）に設定された分割予定ライン（Ｌ）を有するウェーハ（１０）において、ウェーハ基板は六方晶構造を有し、分割予定ラインの第一の方向及び第二の方向は、ウェーハ基板の結晶方位との角度差がそれぞれ同等となるように設定されている。これにより、第一の方向と第二の方向のそれぞれの分割予定ラインに対して均等に力を作用させて、未分割箇所を残さずに効率のよい分割を実現することができる。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウェーハ基板の上面に第一の方向及び該第一の方向と直交する第二の方向に設定された分割予定ラインを有するウェーハであって、
該ウェーハ基板は六方晶構造を有し、該第一の方向及び該第二の方向は、該ウェーハ基板の結晶方位との角度差がそれぞれ同等となるように設定されていること、を特徴とするウェーハ。
【請求項２】
請求項１記載のウェーハを該分割予定ラインに沿って格子状に分割するウェーハの加工方法であって、
該ウェーハの裏面に粘着テープを貼着する粘着テープ貼着ステップと、
該粘着テープ貼着ステップを実施した後に、該ウェーハ基板に対して透過性を有する波長のレーザー光線を該分割予定ラインに沿って照射して、該ウェーハ基板内部に改質層を形成する改質層形成ステップと、
該改質層形成ステップを実施した後に、該粘着テープをウェーハ径方向外側に拡張して、ウェーハを該改質層を起点に該分割予定ラインに沿って分割するテープ拡張ステップと、を備えることを特徴とするウェーハの加工方法。
【請求項３】
該粘着テープは、所定積算光量の紫外線を照射すると粘着層が硬化する紫外線硬化型粘着テープであり、
該テープ拡張ステップを実施する前に、該紫外線硬化型粘着テープの該粘着層に紫外線を照射して該粘着層を硬化する粘着層硬化ステップを実施すること、を特徴とする請求項２記載のウェーハの加工方法。
【請求項４】
該粘着テープ貼着ステップを実施する前に、該ウェーハの裏面をＵＶ洗浄するＵＶ洗浄ステップを実施すること、を特徴とする請求項２又は３記載のウェーハの加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウェーハ及びウェーハの加工方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ウェーハとして、例えば、サファイア基板上に積層されたＧａＮ系等の窒化物半導体を分割予定ラインで区画して、サファイア基板上の複数の区画のそれぞれにＬＥＤ（発光ダイオード）等の発光素子を形成したものが知られている。このようなウェーハは、分割予定ラインに沿って個々の発光素子に分割されて携帯機器、パーソナルコンピュータ、音響装置等の各種電子機器に使用される。サファイア基板はモース硬度が高いことから切削ブレードを用いたメカニカルダイシングを適用しにくい。そのため、レーザー加工を用いたウェーハの分割方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
特許文献１に記載の分割方法では、ウェーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線が照射され、ウェーハ内に分割予定ラインに沿った改質層が形成される。そして、ウェーハ内の改質層に外力が付与されることで、改質層を起点にしてウェーハが個々のデバイスに分割される。分割の際には、ブレーキングによってウェーハに対して外力が加えられる。ブレーキングでは、分割予定ライン上に押圧刃が押し付けられ、押圧刃の押圧力が改質層に作用することでウェーハが個々のデバイスチップに分割される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−６４９２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、ブレーキングで分割予定ラインに沿って１ラインずつウェーハを分割すると、加工時間が長くなって生産性が悪くなる。特に近年では、１ｍｍ角以下の小チップも開発されており、デバイスの小チップ化によって分割予定ラインが増加して生産性がさらに悪化するという問題があった。
【０００６】
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、効率よく確実に分割加工を行うことが可能で生産性に優れるウェーハ及びウェーハの加工方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、ウェーハ基板の上面に第一の方向及び該第一の方向と直交する第二の方向に設定された分割予定ラインを有するウェーハであって、ウェーハ基板は六方晶構造を有し、第一の方向及び第二の方向は、ウェーハ基板の結晶方位との角度差がそれぞれ同等となるように設定されていることを特徴とする。
【０００８】
本発明はまた、前記のウェーハを分割予定ラインに沿って格子状に分割するウェーハの加工方法であって、ウェーハの裏面に粘着テープを貼着する粘着テープ貼着ステップと、粘着テープ貼着ステップを実施した後に、ウェーハ基板に対して透過性を有する波長のレーザー光線を分割予定ラインに沿って照射して、ウェーハ基板内部に改質層を形成する改質層形成ステップと、改質層形成ステップを実施した後に、粘着テープをウェーハ径方向外側に拡張して、ウェーハを改質層を起点に分割予定ラインに沿って分割するテープ拡張ステップと、を備えることを特徴とする。
【０００９】
以上のウェーハ及びウェーハ加工方法によれば、交差（直交）する２方向の分割予定ラインを結晶方位との角度差が同等になるように設定することで、粘着テープを拡張させるテープ拡張ステップ（エキスパンドブレーキング）時に各方向の分割予定ラインに対して均等に力が作用して分割される。従って、２方向の分割予定ラインが結晶方向に対して異なる角度差に設定されている場合に比べて、分割率が大幅に向上する。特に、ウェーハから小型のチップに分割する際の加工性を著しく向上させることができる。
【００１０】
粘着テープは、所定積算光量の紫外線を照射すると粘着層が硬化する紫外線硬化型粘着テープであり、テープ拡張ステップを実施する前に、紫外線硬化型粘着テープの粘着層に紫外線を照射して粘着層を硬化する粘着層硬化ステップを実施することが好ましい。
【００１１】
粘着テープ貼着ステップを実施する前に、ウェーハの裏面をＵＶ洗浄するＵＶ洗浄ステップを実施することが好ましい。
【発明の効果】
【００１２】
本発明のウェーハ及びウェーハの加工方法によれば、効率よく確実にウェーハの分割加工を行うことができ、ウェーハから生産される製品の生産性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本実施の形態のウェーハに粘着テープを貼着した状態の斜視図である。
【図２】本実施の形態のウェーハにおける分割予定ラインの設定を示す図である。
【図３】比較例のウェーハにおける分割予定ラインの設定の一例を示す図である。
【図４】本実施の形態の改質層形成ステップを示す図である。
【図５】本実施の形態の粘着層硬化ステップを示す図である。
【図６】紫外線照射による粘着テープの粘着力の変化を示す図である。
【図７】本実施の形態のテープ拡張ステップを示す図である。
【図８】本実施の形態のテープ拡張ステップを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、添付図面を参照して、本実施の形態のウェーハ及びウェーハの加工方法について説明する。まず、加工対象となるウェーハについて説明する。図１と図２は本実施の形態のウェーハと該ウェーハ上の分割予定ラインの設定を示す図であり、図３は比較例のウェーハ上の分割予定ラインの設定を示す図である。
【００１５】
図４、図５、図７、図８に示すように、ウェーハ１０は、サファイア等の結晶成長用基板であるウェーハ基板１１の上面に、エピタキシャル成長によって発光層１２が積層されている。なお、図４、図５、図７、図８は発光層１２を下向きにした状態のウェーハ１０を示している。図１に示すように、ウェーハ１０の発光層１２は格子状の分割予定ラインＬによって区画されており、発光層１２が区画されることでＬＥＤ等の光デバイスＰが形成されている。
【００１６】
図１及び図２に示すように、ウェーハ１０の分割予定ラインＬは、平行な複数の第１チャンネルＣＨ１（図２で右上がりに傾斜する破線として表している）と、平行な複数の第２チャンネルＣＨ２（図２で右下がりに傾斜する破線として表している）とからなる。第１チャンネルＣＨ１が延びる第一の方向と、第２チャンネルＣＨ２が延びる第二の方向は、互いに直交する関係にある。なお、図２では、分割予定ラインＬを識別しやすくするために、ウェーハ１０のサイズに対する分割予定ラインＬの間隔や光デバイスＰの大きさを、図１よりも拡大して概念的に描いている。
【００１７】
ウェーハ基板１１は六方晶構造を有しており、ウェーハ１０の外周部には結晶方位を示すオリエンテーションフラット１３が形成されている（図１及び図２参照）。図２の右下の丸囲み部分には、ウェーハ基板１１の結晶構造を表す連続した正六角形（正六角柱の底面）を概念的に示している。本実施の形態のウェーハ１０は、このような結晶構造が分割加工に及ぼす影響を考慮して、ウェーハ１０の分割加工性を向上させる分割予定ラインＬの方向を設定するという着眼で発案されたものである。すなわち、ウェーハ１０上の分割予定ラインＬは、六方晶構造のウェーハ基板１１の結晶方位（オリエンテーションフラット１３の方向）に対する第１チャンネルＣＨ１と第２チャンネルＣＨ２のそれぞれの角度差が同等となるように設定されている。
【００１８】
より詳しくは、図２に示すように、ウェーハ基板１１の六方晶構造を構成する正六角形（正六角柱）において、中心を通りウェーハ基板１１の厚み方向（図２の紙面に垂直な方向）に延びるｃ軸と、ｃ軸と正六角形の各頂点とを結ぶａ１軸、ａ２軸及びａ３軸を設定する。分割予定ラインＬの第１チャンネルＣＨ１と第２チャンネルＣＨ２は、ａ１軸に対してそれぞれ４５度と１３５度の角度に設定されている。別言すれば、第１チャンネルＣＨ１と第２チャンネルＣＨ２は、ａ１軸に対して正逆に４５度の傾きを有している。
【００１９】
ウェーハ１０のような結晶構造を持つ基板は、外力を加えた際に、結晶方位に沿って分割させる力が作用しやすい性質を有する。本実施の形態（図２）のように分割予定ラインＬの向きを設定すると、ウェーハ１０に対して径方向外側へ拡張させる外力が加わったときに、結晶方位との角度差が同等である第１チャンネルＣＨ１と第２チャンネルＣＨ２に対して、均等に力が作用しやすくなる。そのため、第１チャンネルＣＨ１と第２チャンネルＣＨ２の両方を偏りなく同等の効率で分割させることが可能となる。
【００２０】
図３に示す比較例は、分割予定ラインＬ’における第２チャンネルＣＨ２’の方向を結晶構造のａ１軸と平行に設定したものである。第１チャンネルＣＨ１’はａ１軸と直交する。このように分割予定ラインＬ’を設定すると、ウェーハに径方向外側へ拡張させる外力が加わったときに、ａ１軸と平行である（ａ１軸との角度差が無い）第２チャンネルＣＨ２’は割断されやすい。その一方で、ａ１軸に対する角度差が大きい（角度差が９０度である）第１チャンネルＣＨ１’には力が作用しにくく、第２チャンネルＣＨ２’に比して第１チャンネルＣＨ１’に未分割箇所が多発する可能性がある。第１チャンネルＣＨ１’を全て良好に割断させるためには、大きな外力が必要になる。しかし、分割の際に加える力が過大であると、デバイスの特性不良が生じるリスクが高くなってしまう。
【００２１】
図２に示す本実施の形態では、ウェーハ１０の結晶方位を基準にした場合に、第１チャンネルＣＨ１と第２チャンネルＣＨ２の割れやすさに差が無く、図３の比較例における第１チャンネルＣＨ１’のように特定の部分だけ割れにくいという問題が生じない。従って、本実施の形態のウェーハ１０は、図３の比較例に比して容易且つ確実に全ての分割予定ラインＬを分割させることができ、効率的な分割加工によって高い生産性を実現できる。
【００２２】
続いて、以上のように構成されたウェーハ１０を分割する加工を説明する。この加工は、ＵＶ洗浄ステップ、粘着テープ貼着ステップ（図１参照）、改質層形成ステップ（図４参照）、粘着層硬化ステップ（図５、図６参照）、テープ拡張ステップ（図７、図８参照）を含む。なお、以下の加工方法の説明では、後述する粘着テープＴを貼着する側の面を、ウェーハ１０における裏面とする。本実施の形態ではウェーハ１０のうち発光層１２側を粘着テープＴの貼着対象としているが、ウェーハのどちらの面に粘着テープを貼着するかは任意に選択可能であり、ウェーハ基板１１のうち発光層１２と反対側の面に粘着テープを貼着してもよい。
【００２３】
ＵＶ洗浄ステップでは、粘着テープを貼着する前のウェーハ１０の裏面をＵＶ洗浄する。ＵＶ洗浄ステップで用いる洗浄装置の図示は省略しているが、ウェーハ１０に対して紫外線を照射可能な紫外線ランプ（低圧水銀ランプ等）を備えている。ウェーハ１０に付着した有機化合物を紫外線の照射により分解すると共に、紫外線によって発生したオゾンから分離した活性酸素が有機化合物と結合して揮発性物質になることにより、ウェーハ１０が洗浄される。
【００２４】
粘着テープ貼着ステップは、図示を省略するテープマウンタにウェーハ１０を搬送して実施され、ウェーハ１０の裏面に粘着テープＴを貼着する。ウェーハ１０のうち発光層１２が形成された面を下向きにして、下方から粘着テープＴが貼着される。図４、図５、図７、図８に示すように、粘着テープＴは、テープ基材１５上に粘着層１６が塗布された構成である。粘着層１６は紫外線硬化型の粘着材により形成されている。
【００２５】
図１は粘着テープ貼着ステップが完了した状態を示している。図１に示すように、粘着テープＴの外周に環状のリングフレームＦが貼着されており、リングフレームＦの内周部に囲まれる開口の内側に露出した粘着テープＴの粘着層１６に対してウェーハ１０が貼着されている。ウェーハ１０は、粘着テープＴを介してリングフレームＦに支持された図１の状態で搬送される。
【００２６】
続いて、図４に示す改質層形成ステップが実施される。改質層形成ステップでは、リングフレームＦ及び粘着テープＴに支持されたウェーハ１０が、レーザー加工装置２０に搬送される。レーザー加工装置２０の保持テーブル２１上に粘着テープＴを介してウェーハ１０が保持され、ウェーハ１０の周囲のリングフレームＦが環状テーブル２２上にクランプ部２３で保持される。
【００２７】
保持テーブル２１上に保持された状態のウェーハ１０に対して、レーザー加工装置２０の加工ヘッド２４の出射口が分割予定ラインＬの真上に位置付けられ、加工ヘッド２４からウェーハ１０に向けてレーザー光線ＬＺが照射される。レーザー光線ＬＺは、ウェーハ基板１１に対して透過性を有する波長であり、ウェーハ基板１１の内部で集光するように調整されている。加工ヘッド２４はウェーハ１０に対して水平方向に相対移動可能である。
【００２８】
そして、レーザー光線ＬＺの集光点が調整されながら、ウェーハ１０に対して加工ヘッド２４が保持テーブル２１に対して相対的に移動されることで、ウェーハ基板１１の内部に分割予定ラインＬに沿った改質層１４が形成される。例えば、まずウェーハ基板１１のうち発光層１２に近い位置に集光点が調整され、全ての分割予定ラインＬに沿って１段目の改質層１４が形成されるようにレーザー加工される。そして、集光点の高さを発光層１２から遠い側にずらして、全ての分割予定ラインＬに沿ってレーザー加工を繰り返し、２段目の改質層１４を形成する。このようにして、ウェーハ１０の内部に分割予定ラインＬ（第１チャンネルＣＨ１と第２チャンネルＣＨ２）に沿った分割起点が形成される。
【００２９】
なお、改質層１４とは、レーザー光線の照射によってウェーハ１０の内部の密度、屈折率、機械的強度やその他の物理的特性が周囲と異なる状態となり、周囲よりも強度が低下する領域のことをいう。また、改質層１４は、例えば、溶融処理領域、クラック領域、絶縁破壊領域、屈折率変化領域であり、これらが混在した領域でもよい。また、本実施の形態では、ウェーハ１０の内部に２段の改質層１４が形成されているが、この構成に限定されない。改質層１４は、ウェーハ１０の分割起点になるように形成されていればよく、例えば、ウェーハ１０が薄い場合等には改質層１４が１段だけ形成されていてもよいし、逆に３段以上の改質層１４が形成されてもよい。
【００３０】
改質層形成ステップの後に、図５に示す粘着層硬化ステップが実施される。粘着層硬化ステップでは、リングフレームＦ及び粘着テープＴに支持されたウェーハ１０が、紫外線照射装置３０に搬送される。紫外線照射装置３０の支持テーブル３１上に粘着テープＴを介してウェーハ１０が支持される。支持テーブル３１はガラス製であり、紫外線透過性を有する。そして、支持テーブル３１の下方に設けられたＵＶ照射器３２から粘着テープＴの粘着層１６に紫外線が照射される。これにより、紫外線硬化型の粘着層１６の粘着力が減少し、ウェーハ１０と粘着テープＴの粘着性が低下する。また、粘着層１６が硬化されて柔軟性が低下する。
【００３１】
ＵＶ照射器３２は、ウェーハ１０の直径よりも僅かに大きな照射面を有しており、粘着テープＴの粘着層１６のうちウェーハ１０が粘着された箇所に対して紫外線を照射する。これにより、粘着テープＴの粘着層１６のうちリングフレームＦに貼着された箇所には紫外線が照射されることがなく、リングフレームＦに対する粘着テープＴの粘着力の低下を防ぐことができる。よって、粘着テープＴからリングフレームＦが外れることなく、リングフレームＦを介してウェーハ１０を搬送することができる。
【００３２】
図６は紫外線の照射による粘着層１６の粘着力の変化を示したグラフである。粘着層１６は、照射された紫外線の積算光量が１６０［ｍＪ／ｃｍ２］になるまでは粘着力が急激に減少し、積算光量が１６０［ｍＪ／ｃｍ２］を超えると粘着力が緩やかに減少する。このため、１６０［ｍＪ／ｃｍ２］を所定積算光量として、所定積算光量以下の紫外線を粘着層１６に照射することで、粘着層１６の粘着力を確保しつつ粘着層１６を硬化させることができる。例えば、５０［ｍＪ／ｃｍ２］の紫外線を照射することで、通常の半分の粘着力を残しつつ粘着層１６を半硬化させることができ、後述するテープ拡張ステップにおける粘着テープＴからのウェーハ１０の剥離を抑えることができる。このように、粘着層硬化ステップでは、粘着層１６を硬化させるのに必要な所定積算光量以下の紫外線を照射することが好ましい。
【００３３】
粘着層１６に対して紫外線を所定積算光量に達するまで照射すると、粘着層１６の粘着力が大幅に低下する。しかしながら、後述するテープ拡張ステップでは、主に粘着テープＴの径方向に力が作用し、粘着テープＴとウェーハ１０の剥離方向には強い力が作用しないため、粘着層硬化ステップでは、所定積算光量に近い値まで紫外線を粘着層１６に照射して硬化の度合いを高めてもよい。
【００３４】
粘着層硬化ステップの後に、図７及び図８に示すテープ拡張ステップが実施される。テープ拡張ステップでは、リングフレームＦ及び粘着テープＴに支持されたウェーハ１０が、エキスパンド装置４０に搬送される。図７に示すように、エキスパンド装置４０の環状テーブル４１上にリングフレームＦがクランプ部４２で保持され、粘着テープＴの下方に拡張ドラム４３が配置される。拡張ドラム４３は上面視で略円形の外周形状を有し、拡張ドラム４３の外周部がウェーハ１０とリングフレームＦの間に位置する。この拡張ドラム４３の外周部には、回転可能な複数の転接ローラ４４が設けられている。拡張ドラム４３は複数の昇降機構４５によって昇降可能に支持されている。
【００３５】
図８に示すように、テープ拡張ステップでは、昇降機構４５を駆動して拡張ドラム４３を上方に移動させて粘着テープＴを突き上げる。拡張ドラム４３により突き上げられる中央部分と、環状テーブル４１及びクランプ部４２により保持されて移動が規制されている外周部分との差により、粘着テープＴには図８に矢印Ｅで示す引張力が加わる。すると、粘着テープＴのうちウェーハ１０に貼着されている部分が径方向外側に拡張される。このとき、拡張ドラム４３の外縁部分は転接ローラ４４を介して粘着テープＴに接触しているため、粘着テープＴの拡張時に生じる摩擦力や粘着テープＴに対する負荷が抑えられる。また、先に実施した粘着層硬化ステップ（図５）の結果、粘着テープＴの粘着層１６が硬化しているため、粘着層１６の伸び等によって引張力を大きく減衰させることがなく、粘着テープＴを介してウェーハ１０の改質層１４へ効率的に引張力が付与される。その結果、ウェーハ１０は強度が低下した改質層１４を分割起点として、分割予定ラインＬに沿って個々の光デバイスＰ（図１）を有するデバイスチップＱに分割される（図８参照）。
【００３６】
詳細には、粘着テープＴが径方向外側に拡張されると、テープ基材１５の拡張に連れられて粘着層１６に引張力が作用する。硬化させる前の粘着層１６は柔軟性が高く、テープ基材１５に接する面とウェーハ１０に接する面との動作の連動性が低い（外力を吸収しやすい）ため、テープ基材１５から引張力が作用したときに、ウェーハ１０の改質層１４に十分な外力を付与しにくい。これに対して、紫外線照射によって硬化させた状態の粘着層１６は、テープ基材１５側からウェーハ１０側へ引張力を伝えやすくなっている。そのため、粘着層１６が伸びずに亀裂が入って破断し、粘着層１６上に支持されたウェーハ１０にも径方向外側に拡張させようとする力が強く作用して、ウェーハ１０の内部の改質層１４に十分な強さの外力が付与される。
【００３７】
これにより、図８に拡大して示すように、ウェーハ１０の内部の改質層１４を分割起点にしてウェーハ１０に亀裂が入り、分割予定ラインＬに沿う分割溝１７が形成され、ウェーハ１０が個々のデバイスチップＱ（図８参照）に分割される。このとき、先の粘着層硬化ステップ（図５）において、粘着層１６を硬化させるのに必要な所定積算光量（図６参照）以下の紫外線を照射して、粘着層１６に多少の粘着力を残しておく（半硬化状態にしておく）ことで、テープ拡張中に粘着テープＴからのデバイスチップＱの脱落を防ぐことができる。このように、紫外線硬化型の粘着テープＴの粘着力を適切な度合いで弱める紫外線照射処理をウェーハ１０の分割前に実施することで、テープ拡張ステップで一括してウェーハ１０を分割させやくなる。
【００３８】
テープ拡張ステップでは、粘着テープＴの拡張によってウェーハ１０が一括で分割されるため、個々の分割予定ラインに対するブレーキングによる分割加工と比較して短時間に実施可能である。本実施の形態ではさらに、ウェーハ１０の結晶方位に対する第１チャンネルＣＨ１と第２チャンネルＣＨ２の角度差を同等に設定することで（図２参照）、テープ拡張ステップでウェーハ１０に対して径方向外側への外力が加わったときに、第１チャンネルＣＨ１と第２チャンネルＣＨ２に対して偏りなく力を及ぼして、全ての分割予定ラインＬを均等に分割させることができる。そのため、ウェーハ１０に未分割箇所が発生しにくく、デバイスチップＱの生産性を向上させることができる。
【００３９】
また、本実施の形態では、ウェーハ１０の結晶方位に対する第１チャンネルＣＨ１と第２チャンネルＣＨ２の角度差は、ある程度小さく抑えられている（例えば、図２では軸ａ１に対して正逆で４５度である）ため、図３に示す比較例の第１チャンネルＣＨ１’のように結晶方位に対する角度差が大きい（軸ａ１に対する角度差が９０度である）場合に比べて、分割に必要な粘着テープＴの引張力が小さくて済む。つまり、テープ拡張ステップにおいて、拡張ドラム４３による粘着テープＴの突き上げ量を小さく抑えながら、ウェーハ１０を良好に分割させることができ、生産性の向上に加えて、エキスパンド装置４０における省力化や負荷軽減といった効果も得られる。
【００４０】
テープ拡張ステップの完了後に、拡張ドラム４３の突き上げ動作を解除してエキスパンド装置４０を図７の状態に戻す。そして、ウェーハ１０（分割されたデバイスチップＱ）から粘着テープＴを剥がす。粘着テープＴは、先の粘着層硬化ステップで粘着層１６が硬化されることで剥がしやすくなっている。
【００４１】
なお、本実施の形態のウェーハ１０は、サファイア基板であるウェーハ基板１１に光デバイスＰが形成された光デバイスウェーハであるが、本発明を適用するウェーハは、所定の結晶構造を有して分割加工を実施できるものであれば、サファイア基板以外でもよい。またウェーハ上に形成するデバイスは、光デバイス以外のものでもよい。
【００４２】
生産効率の観点から、ウェーハに対する分割加工は先に説明したテープエキスパンドが好適であるが、テープエキスパンド以外の方法で分割されるウェーハに本発明を適用することも可能である。テープエキスパンドによる分割加工を行う場合、本実施の形態におけるＵＶ洗浄ステップ等は省略することも可能である。また、粘着テープの粘着層を硬化させなくても、テープ拡張ステップにおいて粘着テープからウェーハに対して十分な外力を付与できる場合には、粘着層硬化ステップを省略することも可能である。
【００４３】
本実施の形態におけるレーザー加工装置２０、紫外線照射装置３０、エキスパンド装置４０等の装置構成は一例であり、これ以外の構成の加工装置によってウェーハの加工を行ってもよい。
【００４４】
また、本発明の各実施の形態を説明したが、本発明の他の実施の形態として、上記実施の形態及び変形例を全体的又は部分的に組み合わせたものでもよい。
【００４５】
また、本発明の実施の形態は上記の実施の形態及び変形例に限定されるものではなく、本発明の技術的思想の趣旨を逸脱しない範囲において様々に変更、置換、変形されてもよい。さらには、技術の進歩又は派生する別技術によって、本発明の技術的思想を別の仕方で実現することができれば、その方法を用いて実施されてもよい。したがって、特許請求の範囲は、本発明の技術的思想の範囲内に含まれ得る全ての実施形態をカバーしている。
【産業上の利用可能性】
【００４６】
以上説明したように、本発明のウェーハ及びウェーハの加工方法によれば、ウェーハ基板の結晶方位を基準とした分割のしやすさが分割予定ラインの第一の方向と第二の方向で同等となるため、ウェーハの分割加工性に優れており、ウェーハから生産される製品の生産性向上に寄与することができる。
【符号の説明】
【００４７】
１０    ウェーハ
１１    ウェーハ基板
１２    発光層
１３    オリエンテーションフラット
１４    改質層
１５    テープ基材
１６    粘着層
１７    分割溝
２０    レーザー加工装置
２１    保持テーブル
２２    環状テーブル
２３    クランプ部
２４    加工ヘッド
３０    紫外線照射装置
３１    支持テーブル
３２    ＵＶ照射器
４０    エキスパンド装置
４１    環状テーブル
４２    クランプ部
４３    拡張ドラム
４４    転接ローラ
４５    昇降機構
ＣＨ１  第１チャンネル
ＣＨ２  第２チャンネル
Ｆ      リングフレーム
Ｌ      分割予定ライン
ＬＺ    レーザー光線
Ｐ      光デバイス
Ｑ      デバイスチップ
Ｔ      粘着テープ（紫外線硬化型粘着テープ）
【図１】
2019009199.tif 000003
【図２】
2019009199.tif 000004
【図３】
2019009199.tif 000005
【図４】
2019009199.tif 000006
【図５】
2019009199.tif 000007
【図６】
2019009199.tif 000008
【図７】
2019009199.tif 000009
【図８】
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