(57)【要約】【課題】デバイスに与えるダメージを抑制しながらもＤＡＦをデバイスチップ毎に分割することができる被加工物の加工方法を提供すること。【解決手段】被加工物の加工方法は、被加工物の表面に保護部材を貼着し裏面側からレーザー光線を分割予定ラインに沿って照射して改質層を形成する破断起点形成ステップＳＴ１と、被加工物の表面側を保持テーブルに保持し裏面側から研削して薄化すると共に被加工物を個々のデバイスチップに分割する薄化ステップＳＴ２と、被加工物の裏面にＤＡＦを貼着するＤＡＦ貼着ステップＳＴ３と、静電チャックテーブルに被加工物の裏面側を保持しＤＡＦの内部にレーザー光線の焦点を設定して静電チャックテーブル越しにレーザー光線をＤＡＦに照射し改質層を形成するＤＡＦ用改質層形成ステップＳＴ４と、ＤＡＦを拡張してＤＡＦを各デバイスチップに分割する分割ステップＳＴ５とを備える。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面の分割予定ラインによって区画された領域にデバイスが形成された被加工物の加工方法であって、
該被加工物の該表面に保護部材を貼着し、該表面に該保護部材が貼着された該被加工物の裏面側からレーザー光線を該分割予定ラインに沿って照射して、該分割予定ラインに沿った破断起点を形成する破断起点形成ステップと、
該破断起点形成ステップの実施後に、該保護部材を介して該被加工物の該表面側を保持テーブルに保持し、該被加工物を裏面側から仕上げ厚みまで研削して薄化すると共に、被加工物を個々のデバイスチップに分割する薄化ステップと、
該薄化ステップの実施後に、該被加工物の該裏面にＤＡＦを貼着するＤＡＦ貼着ステップと、
該ＤＡＦ貼着ステップの実施後に、レーザー光線に対し透過性を有する静電チャックテーブルに該ＤＡＦを介して該被加工物の該裏面側を保持し、該ＤＡＦの内部に該ＤＡＦが透過性を有する波長のレーザー光線の焦点を設定して、該静電チャックテーブル越しに該被加工物の該裏面側から該レーザー光線を該ＤＡＦに照射し改質層を形成するＤＡＦ用改質層形成ステップと、
該ＤＡＦ用改質層形成ステップの実施後に、該ＤＡＦを拡張して、各デバイスチップの間隔を広げるとともに該ＤＡＦを各デバイスチップに分割する分割ステップと、
を備える被加工物の加工方法。
【請求項２】
該ＤＡＦ用改質層形成ステップにおいて、
該改質層は該分割予定ラインに対応する領域に形成されることを特徴とする、
請求項１に記載の被加工物の加工方法。
【請求項３】
表面の分割予定ラインによって区画された領域にデバイスが形成された被加工物の加工方法であって、
該分割予定ラインに沿って切削ブレードでデバイスチップの仕上げ厚みに至る溝を形成する切削溝形成ステップと、
該切削溝形成ステップの実施後に、該被加工物を裏面から該仕上げ厚みまで研削するとともに該被加工物をデバイスチップに分割する裏面研削ステップと、
該裏面研削ステップの実施後に、該被加工物の裏面にＤＡＦを貼着するＤＡＦ貼着ステップと、
ＤＡＦ貼着ステップの実施後に、レーザー光線に対し透過性を有する静電チャックテーブルに該ＤＡＦを介して該被加工物の該裏面側を保持し、該ＤＡＦの内部に該ＤＡＦが透過性を有する波長のレーザー光線の焦点を設定して、該静電チャックテーブル越しに該被加工物の該裏面側から該レーザー光線を該ＤＡＦに照射し改質層を形成するＤＡＦ用改質層形成ステップと、
該ＤＡＦを拡張して該ＤＡＦを該デバイスチップ毎に分割する分割ステップと、
を備えることを特徴とする被加工物の加工方法。
【請求項４】
該ＤＡＦ用改質層形成ステップにおいて、
該改質層は該分割予定ラインに対応する領域に形成されることを特徴とする、
請求項３に記載の被加工物の加工方法。
【請求項５】
該ＤＡＦはエキスパンドテープに積層された粘着性部材であり、
該ＤＡＦ用改質層形成ステップでは、
該エキスパンドテープ越しにレーザー光線を照射し、
該分割ステップでは該エキスパンドテープを拡張することで該ＤＡＦを分割することを特徴とする、
請求項１から請求項４のうちいずれか一項に記載の被加工物の加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、被加工物の加工方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウェーハや光デバイスウェーハ等の被加工物を個々のデバイスチップに分割した後、デバイスを基板等に固定するためにＤＡＦ（Die  Attach  Film）が用いられてきた。ＤＡＦを用いた被加工物の加工方法は、分割予定ラインに沿って内部に改質層が形成された被加工物の裏面にＤＡＦとエキスパンドシートを貼着した後に、エキスパンドシートを拡張して、被加工物を個々のデバイスチップに分割するとともに、ＤＡＦをデバイスチップ毎に分割する。この加工方法は、加工条件によっては、ＤＡＦが完全に分割されずに、ＤＡＦをデバイスチップ毎に分割できない虞があった。
【０００３】
そこで、本願の出願人は、被加工物の表面側からレーザー光線を照射して、被加工物の内部とＤＡＦの内部との双方に改質層を形成する加工方法（例えば、特許文献１参照）を提案している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１１−０７７４２９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１に示された加工方法は、被加工物の表面側からレーザー光線を照射して、被加工物の内部とＤＡＦの内部との双方に改質層を形成するために、特に、ＤＡＦの内部に改質層を形成する際に、レーザー光線がデバイスに照射されてしまい、デバイスにダメージを与える恐れがあった。
【０００６】
本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、デバイスに与えるダメージを抑制しながらもＤＡＦをデバイスチップ毎に分割することができる被加工物の加工方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明の被加工物の加工方法は、表面の分割予定ラインによって区画された領域にデバイスが形成された被加工物の加工方法であって、該被加工物の該表面に保護部材を貼着し、該表面に該保護部材が貼着された該被加工物の裏面側からレーザー光線を該分割予定ラインに沿って照射して、該分割予定ラインに沿った破断起点を形成する破断起点形成ステップと、該破断起点形成ステップの実施後に、該保護部材を介して該被加工物の該表面側を保持テーブルに保持し、該被加工物を裏面側から仕上げ厚みまで研削して薄化すると共に、被加工物を個々のデバイスチップに分割する薄化ステップと、該薄化ステップの実施後に、該被加工物の該裏面にＤＡＦを貼着するＤＡＦ貼着ステップと、該ＤＡＦ貼着ステップの実施後に、レーザー光線に対し透過性を有する静電チャックテーブルに該ＤＡＦを介して該被加工物の該裏面側を保持し、該ＤＡＦの内部に該ＤＡＦが透過性を有する波長のレーザー光線の焦点を設定して、該静電チャックテーブル越しに該被加工物の該裏面側から該レーザー光線を該ＤＡＦに照射し改質層を形成するＤＡＦ用改質層形成ステップと、該ＤＡＦ用改質層形成ステップの実施後に、該ＤＡＦを拡張して、各デバイスチップの間隔を広げるとともに該ＤＡＦを各デバイスチップに分割する分割ステップと、を備えることを特徴とする。
【０００８】
前記被加工物の加工方法において、該ＤＡＦ用改質層形成ステップにおいて、該改質層は該分割予定ラインに対応する領域に形成されても良い。
【０００９】
本発明の被加工物の加工方法は、表面の分割予定ラインによって区画された領域にデバイスが形成された被加工物の加工方法であって、該分割予定ラインに沿って切削ブレードでデバイスチップの仕上げ厚みに至る溝を形成する切削溝形成ステップと、該切削溝形成ステップの実施後に、該被加工物を裏面から該仕上げ厚みまで研削するとともに該被加工物をデバイスチップに分割する裏面研削ステップと、該裏面研削ステップの実施後に、該被加工物の裏面にＤＡＦを貼着するＤＡＦ貼着ステップと、ＤＡＦ貼着ステップの実施後に、レーザー光線に対し透過性を有する静電チャックテーブルに該ＤＡＦを介して該被加工物の該裏面側を保持し、該ＤＡＦの内部に該ＤＡＦが透過性を有する波長のレーザー光線の焦点を設定して、該静電チャックテーブル越しに該被加工物の該裏面側から該レーザー光線を該ＤＡＦに照射し改質層を形成するＤＡＦ用改質層形成ステップと、該ＤＡＦを拡張して該ＤＡＦを該デバイスチップ毎に分割する分割ステップと、を備えることを特徴とする。
【００１０】
前記被加工物の加工方法において、該ＤＡＦ用改質層形成ステップにおいて、該改質層は該分割予定ラインに対応する領域に形成されても良い。
【００１１】
前記被加工物の加工方法において、該ＤＡＦはエキスパンドテープに積層された粘着性部材であり、該ＤＡＦ用改質層形成ステップでは、該エキスパンドテープ越しにレーザー光線を照射し、該分割ステップでは該エキスパンドテープを拡張することで該ＤＡＦを分割しても良い。
【発明の効果】
【００１２】
本発明は、デバイスに与えるダメージを抑制しながらもＤＡＦをデバイスチップ毎に分割することができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】図１は、実施形態１に係る被加工物の加工方法の加工対象の被加工物の一例を示す斜視図である。
【図２】図２は、実施形態１に係る被加工物の加工方法により製造されるデバイスチップを示す斜視図である。
【図３】図３は、実施形態１に係る被加工物の加工方法の流れを示すフローチャートである。
【図４】図４は、図３に示された被加工物の加工方法の破断起点形成ステップにおいて、被加工物の表面に保護部材を貼着する状態を示す斜視図である。
【図５】図５は、図３に示された被加工物の加工方法の破断起点形成ステップにおいて、被加工物に改質層を形成する状態を一部断面で示す側面図である。
【図６】図６は、図３に示された被加工物の加工方法の薄化ステップを示す側面図である。
【図７】図７は、図３に示された被加工物の加工方法のＤＡＦ貼着ステップを示す斜視図である。
【図８】図８は、図７中のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線に沿う断面図である。
【図９】図９は、図３に示された被加工物の加工方法のＤＡＦ貼着ステップ後の被加工物を示す斜視図である。
【図１０】図１０は、図３に示された被加工物の加工方法のＤＡＦ用改質層形成ステップを一部断面で示す側面図である。
【図１１】図１１は、図１０中のＸＩ部を拡大して示す図である。
【図１２】図１２は、図３に示された被加工物の加工方法のＤＡＦ用改質層形成ステップ中の被加工物の一部の平面図である。
【図１３】図１３は、図３に示された被加工物の加工方法の分割ステップにおいて、被加工物を拡張装置に保持した状態を示す断面図である。
【図１４】図１４は、図３に示された被加工物の加工方法の分割ステップにおいて、ＤＡＦをデバイスチップ毎に分割した状態を示す断面図である。
【図１５】図１５は、実施形態２に係る被加工物の加工方法の流れを示すフローチャートである。
【図１６】図１６は、図１５に示された被加工物の加工方法の切削溝形成ステップを示す斜視図である。
【図１７】図１７は、図１５に示された被加工物の加工方法の切削溝形成ステップ後の被加工物の斜視図である。
【図１８】図１８は、図１７中のＸＶＩＩＩ−ＸＶＩＩＩ線に沿う断面図である。
【図１９】図１９は、図１５に示された被加工物の加工方法の裏面研削ステップにおいて、被加工物の表面に保護部材を貼着する状態を示す斜視図である。
【図２０】図２０は、図１５に示された被加工物の加工方法の裏面研削ステップを示す斜視図である。
【図２１】図２１は、図１５に示された被加工物の加工方法のＤＡＦ貼着ステップを示す斜視図である。
【図２２】図２２は、図１５に示された被加工物の加工方法のＤＡＦ貼着ステップ後の被加工物を示す斜視図である。
【図２３】図２３は、図１５に示された被加工物の加工方法のＤＡＦ用改質層形成ステップを一部断面で示す側面図である。
【図２４】図２４は、図２３中のＸＸＩＶ部を拡大して示す図である。
【図２５】図２５は、図１５に示された被加工物の加工方法のＤＡＦ用改質層形成ステップ中の被加工物の一部の平面図である。
【図２６】図２６は、図１５に示された被加工物の加工方法の分割ステップにおいて、被加工物を拡張装置に保持した状態を示す断面図である。
【図２７】図２７は、図１５に示された被加工物の加工方法の分割ステップにおいて、ＤＡＦをデバイスチップ毎に分割した状態を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。
【００１５】
〔実施形態１〕
本発明の実施形態１に係る被加工物の加工方法を図面に基づいて説明する。図１は、実施形態１に係る被加工物の加工方法の加工対象の被加工物の一例を示す斜視図である。図２は、実施形態１に係る被加工物の加工方法により製造されるデバイスチップを示す斜視図である。図３は、実施形態１に係る被加工物の加工方法の流れを示すフローチャートである。
【００１６】
実施形態１に係る被加工物の加工方法は、図１に示す被加工物１の加工方法である。実施形態１では、被加工物１は、シリコン、サファイア、又はガリウムヒ素などを基材２とする円板状の半導体ウェーハや光デバイスウェーハである。被加工物１は、図１に示すように、基材２の表面３の複数の分割予定ライン４によって区画された領域にそれぞれデバイス５が形成されている。デバイス５は、例えば、ＩＣ（Integrated  Circuit）、又はＬＳＩ（Large  Scale  Integration）等の集積回路、ＣＣＤ（Charge  Coupled  Device）、又はＣＭＯＳ（Complementary  Metal  Oxide  Semiconductor）等のイメージセンサである。
【００１７】
実施形態１に係る被加工物の加工方法は、被加工物１を図２に示す個々のデバイスチップ１１に分割する方法である。デバイスチップ１１は、図２に示すように、仕上げ厚み８まで薄化された基材２と、基材２の表面３に形成されたデバイス５とを含む。被加工物の加工方法は、図３に示すように、破断起点形成ステップＳＴ１と、薄化ステップＳＴ２と、ＤＡＦ貼着ステップＳＴ３と、ＤＡＦ用改質層形成ステップＳＴ４と、分割ステップＳＴ５とを備える。
【００１８】
（破断起点形成ステップ）
図４は、図３に示された被加工物の加工方法の破断起点形成ステップにおいて、被加工物の表面に保護部材を貼着する状態を示す斜視図である。図５は、図３に示された被加工物の加工方法の破断起点形成ステップにおいて、被加工物に改質層を形成する状態を一部断面で示す側面図である。
【００１９】
破断起点形成ステップＳＴ１は、被加工物１の表面３に図４に示す保護部材１０を貼着し、表面３に保護部材１０が貼着された被加工物１の表面３の裏側の裏面６側から被加工物１が透過性を有する波長のレーザー光線１００を分割予定ライン４に沿って照射して、分割予定ライン４に沿った破断起点である改質層７を形成するステップである。
【００２０】
なお、改質層７とは、密度、屈折率、機械的強度やその他の物理的特性が周囲のそれとは異なる状態になった領域のことを意味し、溶融処理領域、クラック領域、絶縁破壊領域、屈折率変化領域、及びこれらの領域が混在した領域等を例示できる。実施形態１では、改質層７の機械的な強度は、周囲の機械的な強度よりも低い。また、実施形態１において、被加工物１は、内部に破断起点となる改質層７が形成されるが、本発明では、被加工物１が吸収性を有する波長のレーザー光線が分割予定ラインに沿って照射されて、表面３側にレーザーアブレーション加工が施されて破断起点となるレーザー加工溝が形成されても良い。
【００２１】
破断起点形成ステップＳＴ１では、図４に示すように、被加工物１の表面３と保護部材１０の粘着層とを対向させた後、被加工物１の表面３に保護部材１０を貼着する。なお、実施形態１では、保護部材１０は、可撓性を有する合成樹脂から構成された基材層と、基材層上に積層されかつ被加工物１の表面３に貼着する粘着層とを備える。また、実施形態１では、保護部材１０は、被加工物１と外径が等しい円板状に形成されている。
【００２２】
破断起点形成ステップＳＴ１では、レーザー加工装置３０がチャックテーブル３１に保護部材１０を介して被加工物１の表面３を吸引保持し、図示しない赤外線カメラで被加工物１の裏面６側を撮像して、レーザー光線１００を照射するレーザー光線照射ユニット３２と被加工物１の分割予定ライン４との位置合わせを行なうアライメントを遂行する。破断起点形成ステップＳＴ１では、図５に示すように、レーザー加工装置３０が、レーザー光線１００の焦点１０１を被加工物１の内部に設定して、アライメント結果に基づいて分割予定ライン４に沿って被加工物１とレーザー光線照射ユニット３２とを相対的に移動させながら被加工物１の裏面６側からレーザー光線１００を分割予定ライン４に沿って照射する。破断起点形成ステップＳＴ１では、被加工物１の内部に分割予定ライン４に沿った改質層７を形成する。被加工物の加工方法は、破断起点形成ステップＳＴ１後、薄化ステップＳＴ２に進む。
【００２３】
（薄化ステップ）
図６は、図３に示された被加工物の加工方法の薄化ステップを示す側面図である。薄化ステップＳＴ２は、破断起点形成ステップＳＴ１の実施後に、保護部材１０を介して被加工物１の表面３側を研削装置４０の保持テーブル４１に保持し、被加工物１を裏面６側から仕上げ厚み８まで研削して薄化すると共に、被加工物１を個々のデバイスチップ１１に分割するステップである。
【００２４】
薄化ステップＳＴ２では、図６に示すように、研削装置４０が保持テーブル４１に保護部材１０を介して被加工物１の表面３を吸引保持し、保持テーブル４１を軸心回りに回転させつつ研削ユニット４２の研削砥石４３を軸心回りに回転させて被加工物１の裏面６に接触させて、裏面６を研削する。薄化ステップＳＴ２では、研削装置４０が仕上げ厚み８まで被加工物１を研削して薄化する。薄化ステップＳＴ２では、被加工物１の内部に分割予定ライン４に沿って改質層７が形成されているので、研削装置４０が被加工物１を研削している間に、被加工物１が改質層７を起点に個々のデバイスチップ１１に分割される。被加工物の加工方法は、薄化ステップＳＴ２後、ＤＡＦ貼着ステップＳＴ３に進む。
【００２５】
（ＤＡＦ貼着ステップ）
図７は、図３に示された被加工物の加工方法のＤＡＦ貼着ステップを示す斜視図である。図８は、図７中のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線に沿う断面図である。図９は、図３に示された被加工物の加工方法のＤＡＦ貼着ステップ後の被加工物を示す斜視図である。
【００２６】
ＤＡＦ貼着ステップＳＴ３は、薄化ステップＳＴ２の実施後に、被加工物１の裏面６にＤＡＦ（Die  Attach  Film）２０を貼着するステップである。ＤＡＦ２０は、個々に分割されたデバイスチップ１１を印刷配線板等の固定対象の部材（デバイスチップ１１が固定される部材をいう）に固定するための接着フィルムであり、実施形態１では、粘着性を有する合成樹脂で構成される粘着性部材のみで構成されている。即ち、実施形態１では、ＤＡＦ２０は、粘着材部材である。
【００２７】
また、実施形態１において、ＤＡＦ２０は、被加工物１よりも大径な円板状に形成され、かつ、図７及び図８に示すように、エキスパンドテープ２１の粘着層に貼着されて、エキスパンドテープ２１に積層されている。エキスパンドテープ２１は、伸縮性を有する合成樹脂から構成された基材層と、基材層上に積層されかつＤＡＦ２０を貼着した粘着層とを備える。実施形態１において、エキスパンドテープ２１の粘着層は、紫外線が照射されると硬化する紫外線硬化型の樹脂で構成されている。また、実施形態１では、エキスパンドテープ２１は、ＤＡＦ２０よりも大径な円板状に形成され、中央部にＤＡＦ２０を配置している。
【００２８】
実施形態１において、ＤＡＦ貼着ステップＳＴ３では、図７に示すように、周知のマウンタがＤＡＦ２０を貼着したエキスパンドテープ２１を薄化ステップＳＴ２後の被加工物１の裏面６と、リング状でかつ内径がＤＡＦ２０よりも大径な環状フレーム２２とに対向させる。ＤＡＦ貼着ステップＳＴ３では、マウンタが、図９に示すように、ＤＡＦ２０を被加工物１の裏面６に貼着するとともに、エキスパンドテープ２１の外縁部を環状フレーム２２貼着する。ＤＡＦ貼着ステップＳＴ３では、裏面６にＤＡＦ２０が貼着された被加工物１を環状フレーム２２の開口２３内に支持する。実施形態１において、ＤＡＦ貼着ステップＳＴ３では、図９に示すように、被加工物１の表面３から保護部材１０を剥がす。被加工物の加工方法は、ＤＡＦ貼着ステップＳＴ３後、ＤＡＦ用改質層形成ステップＳＴ４に進む。
【００２９】
（ＤＡＦ用改質層形成ステップ）
図１０は、図３に示された被加工物の加工方法のＤＡＦ用改質層形成ステップを一部断面で示す側面図である。図１１は、図１０中のＸＩ部を拡大して示す図である。図１２は、図３に示された被加工物の加工方法のＤＡＦ用改質層形成ステップ中の被加工物の一部の平面図である。
【００３０】
ＤＡＦ用改質層形成ステップＳＴ４は、ＤＡＦ貼着ステップＳＴ３の実施後に、ＤＡＦ２０及びエキスパンドテープ２１が透過性を有する波長の図１０に示すレーザー光線１０２に対して透過性を有する静電チャックテーブル５１にＤＡＦ２０を介して被加工物１の裏面６側を保持する。ＤＡＦ用改質層形成ステップＳＴ４は、ＤＡＦ２０の内部にレーザー光線１０２の焦点１０３を設定して、静電チャックテーブル５１越しに被加工物１の裏面６側からレーザー光線１０２をＤＡＦ２０に照射しＤＡＦ２０の内部に改質層２７を形成するステップである。
【００３１】
なお、ＤＡＦ用改質層形成ステップＳＴ４で用いられる静電チャックテーブル５１は、図１０に示すレーザー加工装置５０を構成する。静電チャックテーブル５１は、保持面である上面５２にエキスパンドテープ２１及びＤＡＦ２０を介して被加工物１の裏面６を保持するものである。静電チャックテーブル５１は、図１０に示すように、レーザー光線１０２に対し透過性を備える板状の基台部５３と、レーザー光線１０２に対し透過性を有する静電吸着用の電極部５４と、レーザー光線１０２に対し透過性を有する樹脂層５５とを備える。基台部５３は、石英ガラス等により構成され、上面及び下面が水平方向に沿って平坦に形成された円盤状に形成されている。実施形態１において、基台部５３の厚みは、１ｍｍであるが、本発明では、１ｍｍに限定されない。
【００３２】
電極部５４は、基台部５３の上面に積層されている。電極部５４は、酸化インジウムスズ（Indium  Tin  Oxide：ＩＴＯ）等により構成される。電極部５４は、正極電極５４−１と、負極電極５４−２とを備える。正極電極５４−１と負極電極５４−２とは、基台部５３の上面では互いに電気的に絶縁されている。正極電極５４−１と、負極電極５４−２とは、同じ形状で同じ大きさの半円形に形成され、かつ基台部５３の上面に積層され、基台部５３の上面において互いに間隔をあけて配置されている。
【００３３】
正極電極５４−１は、被加工物１の保持中、図示しない常時電源からプラスの電圧が印加され、負極電極５４−２は、被加工物１の保持中、常時電源からマイナスの電圧が印加される。
【００３４】
樹脂層５５は、電極部５４を覆い、かつＵＶ接着剤５６により構成される。ＵＶ接着剤５６は、レーザー光線１０２に対し透過性を有するとともに、紫外線が照射されると硬化するものであり、絶縁性を有するものである。実施形態１において、ＵＶ接着剤５６は、米国Ｎｏｒｌａｎｄ  Ｐｒｏｄｕｃｔｓ社製のＮＯＲＬＡＮＤ光学接着剤であるが、本発明では、これに限定されない。
【００３５】
樹脂層５５を構成するＵＶ接着剤５６は、電極部５４を被覆し、正極電極５４−１と負極電極５４−２との間、正極電極５４−１及び負極電極５４−２の外縁と基台部５３の外縁との間に充填されて、硬化している。また、硬化したＵＶ接着剤５６即ち樹脂層５５の屈折率は、電極部５４を構成する酸化インジウムスズの屈折率と略等しい。屈折率が略等しいとは、屈折率が等しいことと、レーザー光線１０２によりＤＡＦ２０の所望の位置に改質層２７を形成することができる程度に屈折率が異なることとをいう。樹脂層５５の上面５２は、前述した保持面である。
【００３６】
静電チャックテーブル５１は、樹脂層５５の上面５２にエキスパンドテープ２１及びＤＡＦ２０を介して被加工物１が重ねられ、正極電極５４−１にプラスの電圧が印加され、負極電極５４−２にマイナスの電圧が印加されることにより、電極５４−１，５４−２間に発生した静電吸着力によって被加工物１を上面５２に吸着保持する。
【００３７】
ＤＡＦ用改質層形成ステップＳＴ４では、図１０に示すように、レーザー加工装置５０が静電チャックテーブル５１の上面５２にエキスパンドテープ２１及びＤＡＦ２０を介して被加工物１の裏面６を吸着保持し、図示しないクランプ部で環状フレーム２２をクランプする。このように、実施形態１において、ＤＡＦ用改質層形成ステップＳＴ４は、表面３を上方に向けた状態で、静電チャックテーブル５１に被加工物１を保持する。
【００３８】
実施形態１において、ＤＡＦ用改質層形成ステップＳＴ４では、レーザー加工装置５０が図示しない撮像ユニットで被加工物１の表面３側を撮像して、静電チャックテーブル５１に保持された被加工物１の分割予定ライン４を検出し、レーザー光線１０２を照射するレーザー光線照射ユニット５７と被加工物１の分割予定ライン４との位置合わせを行なうアライメントを遂行する。
【００３９】
実施形態１において、ＤＡＦ用改質層形成ステップＳＴ４では、レーザー加工装置５０が、静電チャックテーブル５１越しに被加工物１の裏面６側と対向するレーザー光線照射ユニット５７が照射するレーザー光線１０２の焦点１０３をＤＡＦ２０の内部に設定する。即ち、実施形態１では、レーザー光線照射ユニット５７は、静電チャックテーブル５１の下方に配置されている。実施形態１において、ＤＡＦ用改質層形成ステップＳＴ４では、図１０及び図１１に示すように、アライメント結果に基づいて分割予定ライン４に沿って被加工物１とレーザー光線照射ユニット５７とを相対的に移動させながら被加工物１の裏面６側から静電チャックテーブル５１及びエキスパンドテープ２１越しにパルス状のレーザー光線１０２を分割予定ライン４に沿って所定の繰り返し周波数でＤＡＦ２０に照射する。
【００４０】
実施形態１において、ＤＡＦ用改質層形成ステップＳＴ４では、図１２に示すように、レーザー加工装置５０が、ＤＡＦ２０の内部の分割予定ライン４に対応する領域である分割予定ライン４と厚み方向に重なる位置に、分割予定ライン４に沿った改質層２７を形成する。即ち、実施形態１では、ＤＡＦ用改質層形成ステップＳＴ４において、改質層２７は、ＤＡＦ２０の内部の分割予定ライン４に対応する領域である分割予定ライン４と厚み方向に重なる位置に形成される。また、実施形態１では、ＤＡＦ用改質層形成ステップＳＴ４では、レーザー加工装置５０が、分割予定ライン４の幅方向の中央に改質層２７を形成する。なお、ＤＡＦ２０の内部に形成される改質層２７は、被加工物１の内部に形成される改質層７と同様に、密度、屈折率、機械的強度やその他の物理的特性が周囲のそれとは異なる状態になった領域のことを意味し、溶融処理領域、クラック領域、絶縁破壊領域、屈折率変化領域、及びこれらの領域が混在した領域等を例示できる。実施形態１では、改質層２７の機械的な強度は、周囲の機械的な強度よりも低い。被加工物の加工方法は、ＤＡＦ用改質層形成ステップＳＴ４後、分割ステップＳＴ５に進む。
【００４１】
（分割ステップ）
図１３は、図３に示された被加工物の加工方法の分割ステップにおいて、被加工物を拡張装置に保持した状態を示す断面図である。図１４は、図３に示された被加工物の加工方法の分割ステップにおいて、ＤＡＦをデバイスチップ毎に分割した状態を示す断面図である。
【００４２】
分割ステップＳＴ５は、ＤＡＦ用改質層形成ステップＳＴ４の実施後に、ＤＡＦ２０を拡張して、互いに隣り合うデバイスチップ１１の間隔を広げるとともにＤＡＦ２０を各デバイスチップ１１に分割するステップである。実施形態１において、分割ステップＳＴ５では、図１３に示すように、被加工物１の表面３側を上方に向けた状態で、拡張装置６０が環状フレーム２２をクランプ部６１で挟み込んで固定する。このとき、図１３に示すように、拡張装置６０は、円筒状の拡張ドラム６２をエキスパンドテープ２１の被加工物１と環状フレーム２２との間の領域２４に当接させておく。拡張ドラム６２は、環状フレーム２２の内径より小さく被加工物１及びＤＡＦ２０の外径より大きい内径および外径を有し、クランプ部６１により固定される環状フレーム２２と同軸となる位置に配置される。
【００４３】
実施形態１において、分割ステップＳＴ５では、図１４に示すように、拡張装置６０がクランプ部６１を下降させる。すると、エキスパンドテープ２１が拡張ドラム６２に当接しているために、エキスパンドテープ２１が面方向に拡張される。分割ステップＳＴ５では、拡張の結果、エキスパンドテープ２１は、放射状の引張力が作用する。このように被加工物１の裏面６側にＤＡＦ２０を介して貼着されたエキスパンドテープ２１に放射状に引張力が作用すると、被加工物１は、薄化ステップＳＴ２において個々のデバイスチップ１１に分割されているので、図１４に示すように、デバイスチップ１１間の間隔が広げられる。
【００４４】
また、実施形態１において、分割ステップＳＴ５では、エキスパンドテープ２１に放射状に引張力が作用すると、ＤＡＦ２０は、分割予定ライン４と厚み方向に重なる位置に分割予定ライン４に沿った改質層２７が形成されているので、図１３に示すように、分割予定ライン４に沿って形成された改質層２７を基点として、個々のデバイスチップ１１毎に分割される。こうして、実施形態１において、分割ステップＳＴ５では、エキスパンドテープ２１を拡張することで、ＤＡＦ２０をデバイスチップ１１毎に分割する。隣り合うもの同士の間隔が広げられたデバイスチップ１１は、ＤＡＦ２０とともに、ピックアップ装置によりエキスパンドテープ２１から取り外される。なお、実施形態１において、エキスパンドテープ２１は、デバイスチップ１１がＤＡＦ２０とともに取り外される前に、粘着層に紫外線が照射されて、粘着層が硬化される。被加工物の加工方法は、分割ステップＳＴ５を実施後、終了する。
【００４５】
実施形態１に係る被加工物の加工方法は、ＤＡＦ用改質層形成ステップＳＴ４において、静電チャックテーブル５１及びエキスパンドテープ２１越しに被加工物１の裏面６側にレーザー光線１０２を照射する。その結果、実施形態１に係る被加工物の加工方法は、被加工物１の表面３に形成されたデバイス５に照射されるレーザー光線１０２の光量を抑制することができ、デバイス５に与えるダメージを抑制することができる。
【００４６】
また、実施形態１に係る被加工物の加工方法は、ＤＡＦ用改質層形成ステップＳＴ４において、ＤＡＦ２０の分割予定ライン４と厚み方向に重なる位置に分割予定ライン４に沿った改質層２７を形成し、分割ステップＳＴ５において、改質層２７を起点にＤＡＦ２０を分割する。その結果、実施形態１に係る被加工物の加工方法は、ＤＡＦ２０をデバイスチップ１１毎に分割することができる。よって、実施形態１に係る被加工物の加工方法は、デバイス５に与えるダメージを抑制しながらもＤＡＦ２０をデバイスチップ１１毎に分割することができるという効果を奏する。
【００４７】
また、実施形態１に係る被加工物の加工方法は、デバイス５に照射されるレーザー光線１０２の光量を抑制することができ、デバイス５に与えるダメージを抑制できるので、デバイス５がＣＣＤやＣＭＯＳ等のイメージセンサである場合に特に有効である。
【００４８】
また、実施形態１に係る被加工物の加工方法は、被加工物１の裏面６に貼着されたＤＡＦ２０にレーザー光線１０２を照射するので、改質層が形成済の接着テープを貼着する際に形成済の改質層を分割予定ライン４に位置合わせする必要が生じない。
【００４９】
実施形態１に係る被加工物の加工方法は、薄化ステップＳＴ２において、被加工物１を個々のデバイスチップ１１に分割しているが、本発明では、薄化ステップＳＴ２において、被加工物１を個々のデバイスチップ１１に分割しなくても良い。この場合、分割ステップＳＴ５は、被加工物１に貼着されたＤＡＦ２０を拡張して、被加工物１を改質層７を起点に個々のデバイスチップ１１に分割するとともに、ＤＡＦ２０を改質層２７を起点に各デバイスチップ１１毎に分割する。
【００５０】
〔実施形態２〕
本発明の実施形態２に係る被加工物の加工方法を図面に基づいて説明する。なお、本明細書は、実施形態２の説明に用いる各図において、実施形態１と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。図１５は、実施形態２に係る被加工物の加工方法の流れを示すフローチャートである。
【００５１】
実施形態２に係る被加工物の加工方法は、実施形態１と同様に、被加工物１を個々のデバイスチップ１１に分割する方法である。被加工物の加工方法は、図１５に示すように、切削溝形成ステップＳＴ１１と、裏面研削ステップＳＴ１２と、ＤＡＦ貼着ステップＳＴ１３と、ＤＡＦ用改質層形成ステップＳＴ１４と、分割ステップＳＴ１５とを備える。
【００５２】
（切削溝形成ステップ）
図１６は、図１５に示された被加工物の加工方法の切削溝形成ステップを示す斜視図である。図１７は、図１５に示された被加工物の加工方法の切削溝形成ステップ後の被加工物の斜視図である。図１８は、図１７中のＸＶＩＩＩ−ＸＶＩＩＩ線に沿う断面図である。
【００５３】
切削溝形成ステップＳＴ１１は、分割予定ライン４に沿って切削ブレード７１でデバイスチップ１１の仕上げ厚み８に至る溝９を形成するステップである。切削溝形成ステップＳＴ１１では、切削装置７０が図示しないチャックテーブルに被加工物１の裏面６を吸引保持し、図示しない撮像ユニットで被加工物１の表面３を撮像して、切削ユニット７２の切削ブレード７１と被加工物１の分割予定ライン４との位置合わせを行なうアライメントを遂行する。
【００５４】
切削溝形成ステップＳＴ１１では、図１６に示すように、切削装置７０が、アライメント結果に基づいて分割予定ライン４に沿って被加工物１と切削ブレード７１とを相対的に移動させながら切削ブレード７１を仕上げ厚み８より若干深く被加工物１に切り込ませ、分割予定ライン４に仕上げ厚み８に至る溝９を形成する。切削溝形成ステップＳＴ１１では、図１７に示すように、切削装置７０が、全ての分割予定ライン４に溝９を形成すると、切削を終了して、チャックテーブルの被加工物１の吸引保持を解除する。なお、実施形態１において、切削溝形成ステップＳＴ１１では、図１８に示す表面３からの深さ９１が仕上げ厚み８と等しい溝９を被加工物１の各分割予定ライン４に形成する。被加工物の加工方法は、切削溝形成ステップＳＴ１１後、裏面研削ステップＳＴ１２に進む。
【００５５】
（裏面研削ステップ）
図１９は、図１５に示された被加工物の加工方法の裏面研削ステップにおいて、被加工物の表面に保護部材を貼着する状態を示す斜視図である。図２０は、図１５に示された被加工物の加工方法の裏面研削ステップを示す斜視図である。
【００５６】
裏面研削ステップＳＴ１２は、切削溝形成ステップＳＴ１１の実施後に、被加工物１を裏面６から仕上げ厚み８まで研削するとともに、被加工物１をデバイスチップ１１に分割するステップである。実施形態１において、裏面研削ステップＳＴ１２では、図１９に示すように、被加工物１の表面３に保護部材１０を貼着する。
【００５７】
裏面研削ステップＳＴ１２では、図２０に示すように、研削装置４０が保持テーブル４１に保護部材１０を介して被加工物１の表面３を吸引保持し、保持テーブル４１を軸心回りに回転させつつ研削ユニット４２の研削砥石４３を軸心回りに回転させて被加工物１の裏面６に接触させて、裏面６を研削する。裏面研削ステップＳＴ１２では、研削装置４０が仕上げ厚み８まで被加工物１を研削して薄化する。裏面研削ステップＳＴ１２では、被加工物１に表面３側から深さ９１が仕上げ厚み８に至る溝９が形成されているので、研削装置４０が被加工物１を仕上げ厚み８まで薄化すると、図２０に示すように。裏面６側に溝９が露出して、被加工物１が個々のデバイスチップ１１に分割される。なお、溝９は、裏面６側に露出して、被加工物１を個々のデバイスチップ１１に分割すると、分割溝９−１となる。被加工物の加工方法は、裏面研削ステップＳＴ１２後、ＤＡＦ貼着ステップＳＴ１３に進む。
【００５８】
（ＤＡＦ貼着ステップ）
図２１は、図１５に示された被加工物の加工方法のＤＡＦ貼着ステップを示す斜視図である。図２２は、図１５に示された被加工物の加工方法のＤＡＦ貼着ステップ後の被加工物を示す斜視図である。
【００５９】
ＤＡＦ貼着ステップＳＴ１３は、裏面研削ステップＳＴ１２の実施後に、被加工物１の裏面６に図２１に示すＤＡＦ２０を貼着するステップである。ＤＡＦ２０は、実施形態２では、実施形態１と同様に、粘着材部材である。
【００６０】
実施形態２において、ＤＡＦ貼着ステップＳＴ１３では、図２２に示すように、実施形態１と同様に、周知のマウンタがＤＡＦ２０を被加工物１の裏面６に貼着し、エキスパンドテープ２１を環状フレーム２２に貼着する。また、ＤＡＦ貼着ステップＳＴ１３では、図２２に示すように、実施形態１と同様に、被加工物１を環状フレーム２２の開口２３内に支持するとともに、被加工物１の表面３から保護部材１０を剥がす。被加工物の加工方法は、ＤＡＦ貼着ステップＳＴ１３後、ＤＡＦ用改質層形成ステップＳＴ１４に進む。
【００６１】
（ＤＡＦ用改質層形成ステップ）
図２３は、図１５に示された被加工物の加工方法のＤＡＦ用改質層形成ステップを一部断面で示す側面図である。図２４は、図２３中のＸＸＩＶ部を拡大して示す図である。図２５は、図１５に示された被加工物の加工方法のＤＡＦ用改質層形成ステップ中の被加工物の一部の平面図である。
【００６２】
ＤＡＦ用改質層形成ステップＳＴ１４は、実施形態１と同様に、ＤＡＦ貼着ステップＳＴ１３の実施後に、静電チャックテーブル５１にＤＡＦ２０を介して被加工物１の裏面６側を保持し、ＤＡＦ２０の内部にレーザー光線１０２の焦点１０３を設定して、静電チャックテーブル５１越しに被加工物１の裏面６側からレーザー光線１０２をＤＡＦ２０に照射しＤＡＦ２０の内部に改質層２７を形成するステップである。
【００６３】
ＤＡＦ用改質層形成ステップＳＴ１４では、実施形態１と同様に、図２３に示すように、レーザー加工装置５０が被加工物１の表面３を上方に向けた状態で、静電チャックテーブル５１に被加工物１の裏面６側を吸着保持する。
【００６４】
実施形態２において、ＤＡＦ用改質層形成ステップＳＴ１４では、実施形態１と同様に、レーザー加工装置５０が、アライメントを遂行し、レーザー光線１０２の焦点１０３をＤＡＦ２０の内部に設定して、図２２及び図２４に示すように、被加工物１の裏面６側から静電チャックテーブル５１及びエキスパンドテープ２１越しにパルス状のレーザー光線１０２を分割予定ライン４に沿って所定の繰り返し周波数でＤＡＦ２０に照射する。
【００６５】
実施形態２において、ＤＡＦ用改質層形成ステップＳＴ１４では、図２５に示すように、レーザー加工装置５０が、実施形態１と同様に、分割予定ライン４と厚み方向に重なる位置に、分割予定ライン４に沿った改質層２７を形成する。また、実施形態２では、ＤＡＦ用改質層形成ステップＳＴ１４では、レーザー加工装置５０が、分割予定ライン４の幅方向の中央でかつ分割溝９−１と対応する位置である分割溝９−１と厚み方向に重なる位置に改質層２７を形成する。被加工物の加工方法は、ＤＡＦ用改質層形成ステップＳＴ１４後、分割ステップＳＴ１５に進む。
【００６６】
（分割ステップ）
図２６は、図１５に示された被加工物の加工方法の分割ステップにおいて、被加工物を拡張装置に保持した状態を示す断面図である。図２７は、図１５に示された被加工物の加工方法の分割ステップにおいて、ＤＡＦをデバイスチップ毎に分割した状態を示す断面図である。
【００６７】
分割ステップＳＴ１５は、ＤＡＦ用改質層形成ステップＳＴ１４の実施後に、ＤＡＦ２０を拡張して、互いに隣り合うデバイスチップ１１の間隔を広げるとともにＤＡＦ２０を各デバイスチップ１１毎に分割するステップである。実施形態２において、分割ステップＳＴ１５では、図２６に示すように、実施形態１と同様に、拡張装置６０が環状フレーム２２をクランプ部６１で挟み込んで固定する。
【００６８】
実施形態２において、分割ステップＳＴ１５では、図２７に示すように、拡張装置６０がクランプ部６１を下降させて、被加工物１の裏面６側にＤＡＦ２０を介して貼着されたエキスパンドテープ２１に放射状に引張力を作用させて、被加工物１の分割溝９−１の幅を拡張して、デバイスチップ１１間の間隔を広げる。
【００６９】
また、実施形態２において、分割ステップＳＴ１５では、拡張装置６０が被加工物１の分割溝９−１の幅を拡張して、ＤＡＦ２０を分割予定ライン４に沿って形成された改質層２７を基点として、個々のデバイスチップ１１毎に分割する。こうして、分割ステップＳＴ１５は、エキスパンドテープ２１を拡張することで、分割溝９−１の幅を拡張して、ＤＡＦ２０をデバイスチップ１１毎に分割（破断）する。被加工物の加工方法は、分割ステップＳＴ１５を実施後、終了する。
【００７０】
実施形態２に係る被加工物の加工方法は、ＤＡＦ用改質層形成ステップＳＴ１４において、静電チャックテーブル５１及びエキスパンドテープ２１越しにＤＡＦ２０にレーザー光線１００を照射するので、デバイス５に照射されるレーザー光線１０２の光量を抑制することができ、デバイス５に与えるダメージを抑制することができる。
【００７１】
また、実施形態２に係る被加工物の加工方法は、ＤＡＦ用改質層形成ステップＳＴ１４において、ＤＡＦ２０に分割予定ライン４に沿った改質層２７が形成し、分割ステップＳＴ１５において、改質層２７を起点にＤＡＦ２０を分割するので、ＤＡＦ２０をデバイスチップ１１毎に分割することができる。よって、実施形態２に係る被加工物の加工方法は、実施形態１と同様に。デバイス５に与えるダメージを抑制しながらもＤＡＦ２０をデバイスチップ１１毎に分割することができるという効果を奏する。
【００７２】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。即ち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。実施形態１及び実施形態２に係る被加工物の加工方法は、ＤＡＦ用改質層形成ステップＳＴ４，ＳＴ１４において、ＤＡＦ２０の分割予定ライン４と厚み方向に重なる位置に分割予定ライン４に沿った改質層２７を形成している。しかしながら、本発明は、ＤＡＦ用改質層形成ステップＳＴ４，ＳＴ１４において、ＤＡＦ２０の内部に所定の間隔（等間隔でも良く、等間隔でなくても良い）で、ＤＡＦ２０の平面視における全体に改質層２７を形成しても良い。
【００７３】
また、実施形態１及び実施形態２に係る被加工物の加工方法は、ＤＡＦ貼着ステップＳＴ３，ＳＴ１３において、エキスパンドテープ２１に積層されたＤＡＦ２０を被加工物１の裏面６に貼着し、ＤＡＦ用改質層形成ステップＳＴ４，ＳＴ１４において、静電チャックテーブル５１及びエキスパンドテープ２１越しにＤＡＦ２０にレーザー光線１０２を照射している。しかしながら、本発明では、被加工物の加工方法は、ＤＡＦ貼着ステップＳＴ３，ＳＴ１３において、ＤＡＦ２０のみを被加工物１の裏面６に貼着し、ＤＡＦ用改質層形成ステップＳＴ４，ＳＴ１４において、静電チャックテーブル５１越しにＤＡＦ２０にレーザー光線１０２を照射して改質層２７を形成した後に、ＤＡＦ２０にエキスパンドテープ２１を貼着しても良い。
【００７４】
また、実施形態１及び実施形態２に係る被加工物の加工方法では、ＤＡＦ２０は、粘着性を有する粘着性部材のみで構成されているが、本発明では、粘着材部材と、粘着性を有しない合成樹脂からなりかつ粘着性部材を積層した基材層とを備えて構成されても良い。
【００７５】
また、実施形態１及び実施形態２に係る被加工物の加工方法は、ＤＡＦ貼着ステップＳＴ３，ＳＴ１３において、保護部材１０を剥がしている。しかしながら、本発明では、被加工物の加工方法は、ＤＡＦ貼着ステップＳＴ３，ＳＴ１３において、環状フレーム２２の開口２３に被加工物１を支持した後、保護部材１０を剥がさなくても良い。この場合、被加工物の加工方法は、分割ステップＳＴ５の前までに、保護部材１０を剥がすのが望ましい。
【００７６】
また、実施形態１及び実施形態２に係る被加工物の加工方法は、ＤＡＦ用改質層形成ステップＳＴ４，ＳＴ１４において、静電チャックテーブル５１の上面に被加工物１の裏面６側を吸着保持して、静電チャックテーブル５１の下方に配置されたレーザー光線照射ユニット５７からレーザー光線１０２を静電チャックテーブル５１越しにＤＡＦ２０に照射している。しかしながら、本発明は、レーザー光線照射ユニット５７を静電チャックテーブル５１の上方に配置し、ＤＡＦ用改質層形成ステップＳＴ４，ＳＴ１４において、静電チャックテーブル５１の下面に被加工物１の裏面６側を吸着保持して、レーザー光線照射ユニット５７からレーザー光線１０２を静電チャックテーブル５１越しにＤＡＦ２０に照射しても良い。
【符号の説明】
【００７７】
１  被加工物
３  表面
４  分割予定ライン
５  デバイス
６  裏面
７  改質層（破断起点）
８  仕上げ厚み
９  溝
１０  保護部材
１１  デバイスチップ
２０  ＤＡＦ
２１  エキスパンドテープ
２７  改質層
４１  保持テーブル
５１  静電チャックテーブル
１００  レーザー光線
１０１  焦点
１０２  レーザー光線
１０３  焦点
ＳＴ１  破断起点形成ステップ
ＳＴ２  薄化ステップ
ＳＴ３  ＤＡＦ貼着ステップ
ＳＴ４  ＤＡＦ用改質層形成ステップ
ＳＴ５  分割ステップ
ＳＴ１１  切削溝形成ステップ
ＳＴ１２  裏面研削ステップ
ＳＴ１３  ＤＡＦ貼着ステップ
ＳＴ１４  ＤＡＦ用改質層形成ステップ
ＳＴ１５  分割ステップ
【図１】
2019197807.tif 000003
【図２】
2019197807.tif 000004
【図３】
2019197807.tif 000005
【図４】
2019197807.tif 000006
【図５】
2019197807.tif 000007
【図６】
2019197807.tif 000008
【図７】
2019197807.tif 000009
【図８】
2019197807.tif 000010
【図９】
2019197807.tif 000011
【図１０】
2019197807.tif 000012
【図１１】
2019197807.tif 000013
【図１２】
2019197807.tif 000014
【図１３】
2019197807.tif 000015
【図１４】
2019197807.tif 000016
【図１５】
2019197807.tif 000017
【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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