(57)【要約】【課題】煩雑な工程を要さずＤＡＦをデバイスチップ毎に分割することが出来る被加工物の加工方法を提供すること。【解決手段】被加工物の加工方法は、ＤＡＦが透過性を有する波長のレーザー光線の焦点をＤＡＦに設定してレーザー光線をＤＡＦに照射してＤＡＦの全体に改質層を形成するＤＡＦ改質層形成ステップＳＴ１と、被加工物が透過性を有する波長のレーザー光線の焦点を被加工物の内部に設定して分割予定ラインに沿ってレーザー光線を照射して被加工物に改質層を形成する破断起点形成ステップＳＴ２と、被加工物を裏面から研削し改質層に沿って被加工物をデバイスチップに分割する裏面研削ステップＳＴ３と、被加工物の裏面に改質層が形成されたＤＡＦを貼着するＤＡＦ貼着ステップＳＴ４と、ＤＡＦを拡張してＤＡＦをデバイスチップ毎に破断するＤＡＦ破断ステップＳＴ５とを備える。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面の分割予定ラインによって区画された領域にデバイスが形成された被加工物の加工方法であって、
ＤＡＦに、該ＤＡＦが透過性を有する波長のレーザー光線の焦点を該ＤＡＦに設定して該レーザー光線を照射して、該ＤＡＦの全体に改質層を形成するＤＡＦ改質層形成ステップと、
該分割予定ラインに沿って該被加工物が透過性を有する波長のレーザー光線の焦点を該被加工物の内部に設定して該レーザー光線を照射して、該被加工物に破断起点を形成する破断起点形成ステップと、
該破断起点形成ステップの実施後に、該被加工物を裏面から研削するとともに該破断起点に沿って該被加工物をデバイスチップに分割する裏面研削ステップと、
該裏面研削ステップの実施後に、該被加工物の裏面に該ＤＡＦ改質層形成ステップが実施された該ＤＡＦを貼着するＤＡＦ貼着ステップと、
該ＤＡＦを拡張して該ＤＡＦを該デバイスチップ毎に破断するＤＡＦ破断ステップ、を
備えることを特徴とする被加工物の加工方法。
【請求項２】
表面の分割予定ラインによって区画された領域にデバイスが形成された被加工物の加工方法であって、
ＤＡＦに該ＤＡＦが透過性を有する波長のレーザー光線の焦点を該ＤＡＦに設定して該レーザー光線を照射して、該ＤＡＦの全体に改質層を形成するＤＡＦ改質層形成ステップと、
該分割予定ラインに沿って該被加工物に切削ブレードでデバイスチップの仕上げ厚みに至る溝を形成する切削溝形成ステップと、
該切削溝形成ステップの実施後に、該被加工物を該仕上げ厚みまで裏面から研削するとともに該被加工物をデバイスチップに分割する裏面研削ステップと、
該裏面研削ステップの実施後に、該被加工物の裏面に該ＤＡＦ改質層形成ステップが実施された該ＤＡＦを貼着するＤＡＦ貼着ステップと、
該ＤＡＦを拡張して該ＤＡＦを該デバイスチップ毎に破断するＤＡＦ破断ステップ、を
備えることを特徴とする被加工物の加工方法。
【請求項３】
該ＤＡＦはエキスパンドテープに積層された粘着性部材であることを特徴とする、
請求項１又は請求項２に記載の被加工物の加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、被加工物の加工方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウェーハや光デバイスウェーハ等の被加工物を個々のデバイスチップに分割した後、デバイスを基板等に固定するためにＤＡＦ（Die  Attach  Film）が用いられてきた。ＤＡＦを用いた被加工物の加工方法は、分割予定ラインに沿って内部に改質層が形成された被加工物の裏面にＤＡＦとエキスパンドシートを貼着した後に、エキスパンドシートを拡張して、被加工物を個々のデバイスチップに分割するとともに、ＤＡＦをデバイスチップ毎に分割する。この加工方法は、加工条件によっては、ＤＡＦが完全に分割されずに、ＤＡＦをデバイスチップ毎に分割できない虞があった。
【０００３】
そこで、本願の出願人は、ＤＡＦに事前に被加工物の分割予定ラインと対応する溝または改質層を形成し、それと被加工物の分割予定ラインとを合わせるように貼着するという加工方法を提案している。(例えば、特許文献１参照)
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１４−０７２１７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１に示された加工方法は、ＤＡＦに形成された改質層が被加工物の分割予定ラインに重なるように、ＤＡＦを被加工物に貼着するには、特別な煩雑な工程が必要となっていた。
【０００６】
本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、煩雑な工程を要さずＤＡＦをデバイスチップ毎に分割することが出来る被加工物の加工方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明の被加工物の加工方法は、表面の分割予定ラインによって区画された領域にデバイスが形成された被加工物の加工方法であって、ＤＡＦに、該ＤＡＦが透過性を有する波長のレーザー光線の焦点を該ＤＡＦに設定して該レーザー光線を照射して、該ＤＡＦの全体に改質層を形成するＤＡＦ改質層形成ステップと、該分割予定ラインに沿って該被加工物が透過性を有する波長のレーザー光線の焦点を該被加工物の内部に設定して該レーザー光線を照射して、該被加工物に破断起点を形成する破断起点形成ステップと、該破断起点形成ステップの実施後に、該被加工物を裏面から研削するとともに該破断起点に沿って該被加工物をデバイスチップに分割する裏面研削ステップと、該裏面研削ステップの実施後に、該被加工物の裏面に該ＤＡＦ改質層形成ステップが実施された該ＤＡＦを貼着するＤＡＦ貼着ステップと、該ＤＡＦを拡張して該ＤＡＦを該デバイスチップ毎に破断するＤＡＦ破断ステップ、を備えることを特徴とする。
【０００８】
本発明の被加工物の加工方法は、表面の分割予定ラインによって区画された領域にデバイスが形成された被加工物の加工方法であって、ＤＡＦに該ＤＡＦが透過性を有する波長のレーザー光線の焦点を該ＤＡＦに設定して該レーザー光線を照射して、該ＤＡＦの全体に改質層を形成するＤＡＦ改質層形成ステップと、該分割予定ラインに沿って該被加工物に切削ブレードでデバイスチップの仕上げ厚みに至る溝を形成する切削溝形成ステップと、該切削溝形成ステップの実施後に、該被加工物を該仕上げ厚みまで裏面から研削するとともに該被加工物をデバイスチップに分割する裏面研削ステップと、該裏面研削ステップの実施後に、該被加工物の裏面に該ＤＡＦ改質層形成ステップが実施された該ＤＡＦを貼着するＤＡＦ貼着ステップと、該ＤＡＦを拡張して該ＤＡＦを該デバイスチップ毎に破断するＤＡＦ破断ステップ、を備えることを特徴とする。
【０００９】
前記被加工物の加工方法において、該ＤＡＦはエキスパンドテープに積層された粘着性部材であっても良い。
【発明の効果】
【００１０】
本発明は、煩雑な工程を要さずＤＡＦをデバイスチップ毎に分割することが出来るという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】図１は、実施形態１に係る被加工物の加工方法の加工対象の被加工物の一例を示す斜視図である。
【図２】図２は、実施形態１に係る被加工物の加工方法により製造されるデバイスチップを示す斜視図である。
【図３】図３は、実施形態１に係る被加工物の加工方法の流れを示すフローチャートである。
【図４】図４は、図３に示された被加工物の加工方法のＤＡＦ改質層形成ステップにおいて改質層が形成されるＤＡＦの斜視図である。
【図５】図５は、図４中のＶ−Ｖ線に沿う断面図である。
【図６】図６は、図３に示された被加工物の加工方法のＤＡＦ改質層形成ステップで用いられるレーザー加工装置の構成例を示す斜視図である。
【図７】図７は、図６に示されたレーザー加工装置の平面図である。
【図８】図８は、図６に示されたレーザー加工装置のレーザー光線照射ユニットの構成を示す図である。
【図９】図９は、図６に示されたレーザー加工装置の側面図である。
【図１０】図１０は、図３に示された被加工物の加工方法のＤＡＦ改質層形成ステップを示す側面図である。
【図１１】図１１は、図３に示された被加工物の加工方法のＤＡＦ改質層形成ステップにおいて改質層が形成されたＤＡＦ等を示す平面図である。
【図１２】図１２は、図３に示された被加工物の加工方法の破断起点形成ステップにおいて、被加工物の表面に保護部材を貼着する状態を示す斜視図である。
【図１３】図１３は、図３に示された被加工物の加工方法の破断起点形成ステップにおいて、被加工物に改質層を形成する状態を一部断面で示す側面図である。
【図１４】図１４は、図３に示された被加工物の加工方法の裏面研削ステップを示す側面図である。
【図１５】図１５は、図３に示された被加工物の加工方法のＤＡＦ貼着ステップを示す斜視図である。
【図１６】図１６は、図３に示された被加工物の加工方法のＤＡＦ貼着ステップ後の被加工物を示す斜視図である。
【図１７】図１７は、図３に示された被加工物の加工方法のＤＡＦ破断ステップにおいて、被加工物を拡張装置に保持した状態を示す断面図である。
【図１８】図１８は、図３に示された被加工物の加工方法のＤＡＦ破断ステップにおいて、ＤＡＦをデバイスチップ毎に分割した状態を示す断面図である。
【図１９】図１９は、実施形態２に係る被加工物の加工方法の流れを示すフローチャートである。
【図２０】図２０は、図１４に示された被加工物の加工方法の切削溝形成ステップを示す斜視図である。
【図２１】図２１は、図１４に示された被加工物の加工方法の切削溝形成ステップ後の被加工物の斜視図である。
【図２２】図２２は、図２１中のＸＸＩＩ−ＸＸＩＩ線に沿う断面図である。
【図２３】図２３は、図１４に示された被加工物の加工方法の裏面研削ステップにおいて、被加工物の表面に保護部材を貼着する状態を示す斜視図である。
【図２４】図２４は、図１４に示された被加工物の加工方法の裏面研削ステップを示す斜視図である。
【図２５】図２５は、図１４に示された被加工物の加工方法のＤＡＦ貼着ステップを示す斜視図である。
【図２６】図２６は、図１４に示された被加工物の加工方法のＤＡＦ貼着ステップ後の被加工物を示す斜視図である。
【図２７】図２７は、図１４に示された被加工物の加工方法のＤＡＦ破断ステップにおいて、被加工物を拡張装置に保持した状態を示す断面図である。
【図２８】図２８は、図１４に示された被加工物の加工方法のＤＡＦ破断ステップにおいて、ＤＡＦをデバイスチップ毎に分割した状態を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。
【００１３】
〔実施形態１〕
本発明の実施形態１に係る被加工物の加工方法を図面に基づいて説明する。図１は、実施形態１に係る被加工物の加工方法の加工対象の被加工物の一例を示す斜視図である。図２は、実施形態１に係る被加工物の加工方法により製造されるデバイスチップを示す斜視図である。図３は、実施形態１に係る被加工物の加工方法の流れを示すフローチャートである。
【００１４】
実施形態１に係る被加工物の加工方法は、図１に示す被加工物１の加工方法である。実施形態１では、被加工物１は、シリコン、サファイア、又はガリウムヒ素などを基材２とする円板状の半導体ウェーハや光デバイスウェーハである。被加工物１は、図１に示すように、基材２の表面３の複数の分割予定ライン４によって区画された領域にそれぞれデバイス５が形成されている。デバイス５は、例えば、ＩＣ（Integrated  Circuit）、又はＬＳＩ（Large  Scale  Integration）等の集積回路、ＣＣＤ（Charge  Coupled  Device）、又はＣＭＯＳ（Complementary  Metal  Oxide  Semiconductor）等のイメージセンサである。
【００１５】
実施形態１に係る被加工物の加工方法は、被加工物１を図２に示す個々のデバイスチップ１１に分割する方法である。デバイスチップ１１は、図２に示すように、仕上げ厚み８まで薄化された基材２と、基材２の表面３に形成されたデバイス５とを含む。被加工物の加工方法は、図３に示すように、ＤＡＦ改質層形成ステップＳＴ１と、破断起点形成ステップＳＴ２と、裏面研削ステップＳＴ３と、ＤＡＦ貼着ステップＳＴ４と、ＤＡＦ破断ステップＳＴ５とを備える。
【００１６】
（ＤＡＦ改質層形成ステップ）
図４は、図３に示された被加工物の加工方法のＤＡＦ改質層形成ステップにおいて改質層が形成されるＤＡＦの斜視図である。図５は、図４中のＶ−Ｖ線に沿う断面図である。図６は、図３に示された被加工物の加工方法のＤＡＦ改質層形成ステップで用いられるレーザー加工装置の構成例を示す斜視図である。図７は、図６に示されたレーザー加工装置の平面図である。図８は、図６に示されたレーザー加工装置のレーザー光線照射ユニットの構成を示す図である。図９は、図６に示されたレーザー加工装置の側面図である。図１０は、図３に示された被加工物の加工方法のＤＡＦ改質層形成ステップを示す側面図である。図１１は、図３に示された被加工物の加工方法のＤＡＦ改質層形成ステップにおいて改質層が形成されたＤＡＦ等を示す平面図である。
【００１７】
ＤＡＦ改質層形成ステップＳＴ１は、図４及び図５に示すＤＡＦ（Die  Attach  Film）２０に、ＤＡＦ２０が透過性を有する波長の図６に示すレーザー光線１００の焦点１０１をＤＡＦ２０の内部に設定して、レーザー光線１００を照射して、ＤＡＦ２０の全体に改質層２７を形成するステップである。なお、ＤＡＦ２０の内部に形成される改質層２７は、密度、屈折率、機械的強度やその他の物理的特性が周囲のそれとは異なる状態になった領域のことを意味し、溶融処理領域、クラック領域、絶縁破壊領域、屈折率変化領域、及びこれらの領域が混在した領域等を例示できる。実施形態１では、改質層２７の機械的な強度は、周囲の機械的な強度よりも低い。
【００１８】
ＤＡＦ２０は、個々に分割されたデバイスチップ１１を印刷配線板等の固定対象の部材（デバイスチップ１１が固定される部材をいう）に固定するための接着フィルムであり、実施形態１では、粘着性を有する合成樹脂で構成される粘着性部材のみで構成されている。即ち、実施形態１では、ＤＡＦ２０は、粘着材部材である。
【００１９】
また、実施形態１において、ＤＡＦ２０は、被加工物１よりも大径な円板状に形成され、かつ、図４及び図５に示すように、エキスパンドテープ２１の粘着層に貼着されて、エキスパンドテープ２１に積層されている。ＤＡＦ２０は、所定の間隔をあけてエキスパンドテープ２１に複数設けられる。ＤＡＦ２０は、例えばアクリル系接着フィルムや、ポリイミド系接着フィルム等を用いることができる。
【００２０】
エキスパンドテープ２１は、長尺なシート状の部材として成形され、伸縮性を有する合成樹脂から構成された基材層と、基材層上に積層されかつＤＡＦ２０を貼着した粘着層とを備える。エキスパンドテープ２１は、例えば、加熱された樹脂が第一方向２２に沿って移動されながら第一方向２２と、第一方向２２に対して直交する第二方向２３とに延伸されて、ロール２０１の外周面２０２に巻き付けられている。なお、実施形態１では、第一方向２２は、所謂流れ方向（ＭＤ：Machine  Direction方向）であり、第二方向２３は、所謂垂直方向（ＴＤ：Transverse  Direction方向）である。実施形態１において、エキスパンドテープ２１は、第一方向２２に沿って間隔をあけてＤＡＦ２０を粘着層上に積層しいている。また、実施形態１において、エキスパンドテープ２１の粘着層は、紫外線が照射されると硬化する紫外線硬化型の樹脂で構成されている。
【００２１】
また、エキスパンドテープ２１は、粘着層とＤＡＦ２０とが図５に示す剥離シート２４により覆われている。剥離シート２４は、エキスパンドテープ２１の粘着層及びＤＡＦ２０を保護するものである。なお、図４は、剥離シート２４を省略している。
【００２２】
次に、本明細書は、ＤＡＦ改質層形成ステップＳＴ１で用いられる図６に示すレーザー加工装置３０を説明する。レーザー加工装置３０は、エキスパンドテープ２１に積層されたＤＡＦ２０の内部に改質層２７を形成するものである。レーザー加工装置３０は、図６に示すように、本体部３１と、本体部３１から立設した壁部３２と、壁部３２からに連なって延びるアーム部３３と、レーザー光線照射ユニット３４、撮像ユニット３５及び制御ユニット３６とを備える。
【００２３】
本体部３１の上面には、第一方向２２に沿ってエキスパンドテープ２１が移動することを案内する一対のガイド部材３７が設けられている。ガイド部材３７は、第一方向２２と平行なＸ軸方向と平行な直線状に形成されている。一対のガイド部材３７は、第二方向２３と平行なＹ軸方向に間隔をあけて配置されている。なお、実施形態１では、一対のガイド部材３７は、剥離シート２４が下方に向けた状態でエキスパンドテープ２１を案内する。
【００２４】
レーザー光線照射ユニット３４及び撮像ユニット３５は、アーム部３３の先端に取り付けられて、ガイド部材３７により案内されるエキスパンドテープ２１と、鉛直方向と平行なＺ軸方向に沿って対向している。撮像ユニット３５は、ガイド部材３７により案内されるエキスパンドテープ２１に貼着されたＤＡＦ２０を撮像する。撮像ユニット３５は、ガイド部材３７により案内されるエキスパンドテープ２１に貼着されたＤＡＦ２０を撮像する図示しないＣＣＤ（Charge  Coupled  Device）撮像素子を備えている。撮像ユニット３５は、エキスパンドテープ２１に貼着されたＤＡＦ２０を撮像して、ＤＡＦ２０とレーザー光線照射ユニット３４との位置合わせを行なうアライメントを遂行するための画像を得て、得た画像を制御ユニット３６に出力する。
【００２５】
レーザー光線照射ユニット３４は、ガイド部材３７により案内されるエキスパンドテープ２１に貼着されたＤＡＦ２０の内部に焦点１０１を設定して、ＤＡＦ２０が透過性を有する波長のレーザー光線１００を照射して、ＤＡＦ２０の内部に改質層２７を形成するものである。レーザー光線照射ユニット３４は、図８に示すように、レーザー光線発振器３８と、照射角度調整機構３９と、集光機構４０とを有する。
【００２６】
レーザー光線発振器３８は、予め設定される繰り返し周波数に基づいて、ＤＡＦ２０が透過性を有する波長のレーザー光線１００を発振する。
【００２７】
照射角度調整機構３９は、ミラー４１及びアクチュエータ４２を有する。ミラー４１は、アクチュエータ４２によりＸ軸方向と平行な軸心回りに回転されて、レーザー光線発振器３８から発振されたパルス状のレーザー光線１００の光軸をＹ軸方向に偏向する。アクチュエータ４２は、ミラー４１の軸心回りの角度を変更する。
【００２８】
集光機構４０は、照射角度調整機構３９により偏向されたレーザー光線１００をＤＡＦ２０の内部に集光するレンズ４３を備える。実施形態では、レンズ４３は、長手方向がＹ軸方向と平行なテレセントリックｆθレンズであり、照射角度調整機構３９により偏向されたレーザー光線１００をＤＡＦ２０の内部に集光し、焦点１０１をＹ軸方向に沿って走査させる機能を有する。
【００２９】
また、レーザー加工装置３０は、図９に示すように、外周面２０２にＤＡＦ２０が積層されたエキスパンドテープ２１が巻き付けられたロール２０１を軸心回りに回転自在に支持するロール支持部４４と、ロール支持部４４に支持されたロール２０１に巻き付けられたエキスパンドテープ２１をガイド部材３７の一端部に案内する一対の案内ロール４５と、ガイド部材３７の他端部から送り出されたエキスパンドテープ２１を巻き取る巻き取りロール２０３を軸心回りに回転自在に支持する巻き取りロール支持部４６と、ガイド部材３７の他端部から巻き取りロール２０３にエキスパンドテープ２１を案内する一対の案内ロール４７とを備える。
【００３０】
ロール支持部４４は、ロール２０１の軸心がＹ軸方向と平行となるようにロール２０１を回転自在に支持する。巻き取りロール支持部４６は、巻き取りロール２０３の軸心がＹ軸方向と平行となるように、巻き取りロール２０３を回転自在に支持する。巻き取りロール支持部４６は、図示しないモータにより巻き取りロール２０３を軸心回りに回転することで、エキスパンドテープ２１を巻き取って、エキスパンドテープ２１を本体部３１上でＸ軸方向に移動させる。一対の案内ロール４５は、ロール支持部４４と本体部３１との間に配置されている。一対の案内ロール４７は、本体部３１と、巻き取りロール支持部４６との間に配置されている。案内ロール４５，４７は、軸心回りに回転自在に支持され、軸心がＹ軸方向と平行に配置されている。
【００３１】
制御ユニット３６は、レーザー加工装置３０の上述した構成要素をそれぞれ制御して、ＤＡＦ２０に対する加工動作をレーザー加工装置３０に実施させるものである。なお、制御ユニット３６は、コンピュータである。制御ユニット３６、ＣＰＵ（central  processing  unit）のようなマイクロプロセッサを有する演算処理装置と、ＲＯＭ（read  only  memory）又はＲＡＭ（random  access  memory）のようなメモリを有する記憶装置と、入出力インターフェース装置とを有する。制御ユニット３６の演算処理装置は、記憶装置に記憶されているコンピュータプログラムに従って演算処理を実施して、レーザー加工装置３０を制御するための制御信号を、入出力インターフェース装置を介してレーザー加工装置３０の上述した構成要素に出力する。また、制御ユニット３６は、加工動作の状態や画像などを表示する液晶表示装置などにより構成される図示しない表示ユニット及びオペレータが加工内容情報などを登録する際に用いる図示しない入力ユニットと接続されている。入力ユニットは、表示ユニットに設けられたタッチパネルと、キーボード等の外部入力装置とのうち少なくとも一つにより構成される。
【００３２】
ＤＡＦ改質層形成ステップＳＴ１では、まず、レーザー加工装置３０のオペレータが制御ユニット３６に加工内容情報を登録し、外周面２０２にエキスパンドテープ２１が巻き付けられたロール２０１をロール支持部４４に支持させ、巻き取りロール２０３を巻き取りロール支持部４６に支持させる。ＤＡＦ改質層形成ステップＳＴ１では、オペレータがエキスパンドテープ２１の先端を一対の案内ロール４５間に通して、ガイド部材３７の一端部から他端部に通し、一対の案内ロール４７間に通して、巻き取りロール２０３に巻き付ける。ＤＡＦ改質層形成ステップＳＴ１では、制御ユニット３６がオペレータからの加工開始指示の入力を受け付けると、レーザー加工装置３０の加工動作を開始し、撮像ユニット３５でエキスパンドテープ２１を撮像しながら巻き取りロール２０３に巻き取って、エキスパンドテープ２１を本体部３１上でＸ軸方向に移動させる。
【００３３】
ＤＡＦ改質層形成ステップＳＴ１では、制御ユニット３６が、撮像ユニット３５が撮像した画像からＤＡＦ２０を検出すると、検出したＤＡＦ２０とレーザー光線照射ユニット３４との位置合わせを行うアライメントを遂行する。ＤＡＦ改質層形成ステップＳＴ１では、制御ユニット３６が、図１０に示すように、本体部３１上でエキスパンドテープ２１をＸ軸方向に移動させながら、レーザー光線１００の焦点１０１をＤＡＦ２０の内部に設定して、レーザー光線照射ユニット３４からパルス状のレーザー光線１００を所定の繰り返し周波数でエキスパンドテープ２１越しにＤＡＦ２０に照射する。
【００３４】
実施形態１において、ＤＡＦ改質層形成ステップＳＴ１では、制御ユニット３６が、本体部３１上でエキスパンドテープ２１を一定の送り量で間欠的に移動させ、エキスパンドテープ２１が停止している間にパルス状のレーザー光線１００をＹ軸方向に走査して、図１１に示すように、点状の改質層２７を第一方向２２と第二方向２３とに沿ってＤＡＦ２０の内部に等間隔に形成する。また、本発明では、ＤＡＦ改質層形成ステップＳＴ１では、線状の改質層２７を格子状にＤＡＦ２０の内部に等間隔に形成しても良い。このように、本発明でいうＤＡＦ２０の全体に改質層２７を形成するとは、ＤＡＦ２０の平面視において、互いに交差する二方向に沿って、間隔をあけ又は少なくとも一部が互いに連なるように、複数の改質層２７を形成することを示している。
【００３５】
実施形態１に係る被加工物の加工方法は、ＤＡＦ改質層形成ステップＳＴ１において、制御ユニット３６が、ロール２０１に巻き付けられたエキスパンドテープ２１に貼着された全てのＤＡＦ２０に改質層２７を形成し、エキスパンドテープ２１を巻き取りロール２０３に巻き取ると、破断起点形成ステップＳＴ２に進む。
【００３６】
（破断起点形成ステップ）
図１２は、図３に示された被加工物の加工方法の破断起点形成ステップにおいて、被加工物の表面に保護部材を貼着する状態を示す斜視図である。図１３は、図３に示された被加工物の加工方法の破断起点形成ステップにおいて、被加工物に改質層を形成する状態を一部断面で示す側面図である。
【００３７】
破断起点形成ステップＳＴ２は、被加工物１の表面３に図１２に示す保護部材１０を貼着し、分割予定ライン４に沿って被加工物１が透過性を有する波長の図１３に示すレーザー光線１０２の焦点１０３を被加工物１の内部に設定してレーザー光線１０２を照射して、被加工物１に破断起点である改質層７を形成するステップである。
【００３８】
なお、改質層７とは、ＤＡＦ２０に形成する改質層２７と同様に、密度、屈折率、機械的強度やその他の物理的特性が周囲のそれとは異なる状態になった領域のことを意味し、溶融処理領域、クラック領域、絶縁破壊領域、屈折率変化領域、及びこれらの領域が混在した領域等を例示できる。実施形態１では、改質層７の機械的な強度は、周囲の機械的な強度よりも低い。
【００３９】
破断起点形成ステップＳＴ２では、図１２に示すように、被加工物１の表面３と保護部材１０の粘着層とを対向させた後、被加工物１の表面３に保護部材１０を貼着する。なお、実施形態１では、保護部材１０は、可撓性を有する合成樹脂から構成された基材層と、基材層上に積層されかつ被加工物１の表面３に貼着する粘着層とを備える。また、実施形態１では、保護部材１０は、被加工物１と外径が等しい円板状に形成されている。
【００４０】
破断起点形成ステップＳＴ２では、レーザー加工装置５０がチャックテーブル５１に保護部材１０を介して被加工物１の表面３を吸引保持し、図示しない赤外線カメラで被加工物１の裏面６側を撮像して、レーザー光線１０２を照射するレーザー光線照射ユニット５２と被加工物１の分割予定ライン４との位置合わせを行なうアライメントを遂行する。破断起点形成ステップＳＴ２では、図１３に示すように、レーザー加工装置５０が、レーザー光線１０２の焦点１０３を被加工物１の内部に設定して、アライメント結果に基づいて分割予定ライン４に沿って被加工物１とレーザー光線照射ユニット５２とを相対的に移動させながら被加工物１の裏面６側からレーザー光線１０２を分割予定ライン４に沿って照射する。破断起点形成ステップＳＴ２では、被加工物１の内部に分割予定ライン４に沿った改質層７を形成する。被加工物の加工方法は、破断起点形成ステップＳＴ２後、裏面研削ステップＳＴ３に進む。
【００４１】
（裏面研削ステップ）
図１４は、図３に示された被加工物の加工方法の裏面研削ステップを示す側面図である。裏面研削ステップＳＴ３は、破断起点形成ステップＳＴ２の実施後に、被加工物１を裏面６から研削するとともに改質層７に沿って被加工物１をデバイスチップ１１に分割するステップである。
【００４２】
裏面研削ステップＳＴ３では、図１４に示すように、研削装置６０が保持テーブル６１に保護部材１０を介して被加工物１の表面３を吸引保持し、保持テーブル６１を軸心回りに回転させつつ研削ユニット６２の研削砥石６３を軸心回りに回転させて被加工物１の裏面６に接触させて、裏面６を研削する。裏面研削ステップＳＴ３では、研削装置６０が仕上げ厚み８まで被加工物１を研削して薄化する。裏面研削ステップＳＴ３では、被加工物１の内部に分割予定ライン４に沿って改質層７が形成されているので、研削装置６０が被加工物１を研削している間に、被加工物１が改質層７を起点に個々のデバイスチップ１１に分割される。被加工物の加工方法は、裏面研削ステップＳＴ３後、ＤＡＦ貼着ステップＳＴ４に進む。
【００４３】
（ＤＡＦ貼着ステップ）
図１５は、図３に示された被加工物の加工方法のＤＡＦ貼着ステップを示す斜視図である。図１６は、図３に示された被加工物の加工方法のＤＡＦ貼着ステップ後の被加工物を示す斜視図である。
【００４４】
ＤＡＦ貼着ステップＳＴ４は、裏面研削ステップＳＴ３の実施後に、被加工物１の裏面６にＤＡＦ改質層形成ステップＳＴ１が実施されたＤＡＦ２０を貼着するステップである。
【００４５】
実施形態１において、ＤＡＦ貼着ステップＳＴ４では、図１５に示すように、周知のマウンタがエキスパンドテープ２１に貼着されたＤＡＦ２０を裏面研削ステップＳＴ３後の被加工物１の裏面６に対向させるとともに、エキスパンドテープ２１の粘着層を環状フレーム２５に対向させる。ＤＡＦ貼着ステップＳＴ４では、マウンタが、ＤＡＦ２０を被加工物１の裏面６に貼着するとともに、エキスパンドテープ２１の外縁部を環状フレーム２５貼着して、エキスパンドテープ２１を環状フレーム２５の内縁と外縁との間で切断する。ＤＡＦ貼着ステップＳＴ４では、図１６に示すように、裏面６にＤＡＦ２０が貼着された被加工物１を環状フレーム２５の開口２６内に支持する。実施形態１において、ＤＡＦ貼着ステップＳＴ４では、被加工物１の表面３から保護部材１０を剥がす。被加工物の加工方法は、ＤＡＦ貼着ステップＳＴ４後、ＤＡＦ破断ステップＳＴ５に進む。
【００４６】
（ＤＡＦ破断ステップ）
図１７は、図３に示された被加工物の加工方法のＤＡＦ破断ステップにおいて、被加工物を拡張装置に保持した状態を示す断面図である。図１８は、図３に示された被加工物の加工方法のＤＡＦ破断ステップにおいて、ＤＡＦをデバイスチップ毎に分割した状態を示す断面図である。
【００４７】
ＤＡＦ破断ステップＳＴ５は、ＤＡＦ２０を拡張して、互いに隣り合うデバイスチップ１１の間隔を広げるとともにＤＡＦ２０を各デバイスチップ１１毎に分割するステップである。実施形態１において、ＤＡＦ破断ステップＳＴ５では、図１７に示すように、被加工物１の表面３側を上方に向けた状態で、拡張装置７０が環状フレーム２５をクランプ部７１で挟み込んで固定する。このとき、図１７に示すように、拡張装置７０は、円筒状の拡張ドラム７２をエキスパンドテープ２１の被加工物１と環状フレーム２５との間の領域２８に当接させておく。拡張ドラム７２は、環状フレーム２５の内径より小さく被加工物１及びＤＡＦ２０の外径より大きい内径および外径を有し、クランプ部７１により固定される環状フレーム２５と同軸となる位置に配置される。
【００４８】
実施形態１において、ＤＡＦ破断ステップＳＴ５では、図１８に示すように、拡張装置７０がクランプ部７１を下降させる。すると、エキスパンドテープ２１が拡張ドラム７２に当接しているために、エキスパンドテープ２１が面方向に拡張される。ＤＡＦ破断ステップＳＴ５では、拡張の結果、エキスパンドテープ２１は、放射状の引張力が作用する。このように被加工物１の裏面６側にＤＡＦ２０を介して貼着されたエキスパンドテープ２１に放射状に引張力が作用すると、被加工物１は、裏面研削ステップＳＴ３において個々のデバイスチップ１１に分割されているので、図１８に示すように、デバイスチップ１１間の間隔が広げられる。
【００４９】
また、実施形態１において、ＤＡＦ破断ステップＳＴ５では、拡張装置７０は、エキスパンドテープ２１に放射状に引張力が作用させて、被加工物１に貼着されたＤＡＦ２０を拡張する。ＤＡＦ２０は、改質層２７が形成されている。このために、分割ステップＳＴ６では、拡張装置７０は、図１８に示すように、分割予定ライン４に沿って形成された改質層２７を基点として、ＤＡＦ２０を個々のデバイスチップ１１毎に分割する。このとき、被加工物１がデバイスチップ１１に分割されているので、前述した引張力が複数の改質層２７のうちデバイスチップ１１の外縁に最も近接する改質層２７に集中する。このために、ＤＡＦ破断ステップＳＴ５では、ＤＡＦ２０は、各デバイスチップ１１の外縁に沿って分割することとなる。なお、図１８は、改質層２７がデバイスチップ１１の外縁と重なる位置に形成された例を示しているが、本発明は、改質層２７がデバイスチップ１１の外縁と重なる位置に形成されなくても良い。隣り合うもの同士の間隔が広げられたデバイスチップ１１は、ＤＡＦ２０とともに、ピックアップ装置によりエキスパンドテープ２１から取り外される。なお、実施形態１において、エキスパンドテープ２１は、デバイスチップ１１がＤＡＦ２０とともに取り外される前に、粘着層に紫外線が照射されて、粘着層が硬化される。被加工物の加工方法は、ＤＡＦ破断ステップＳＴ５を実施後、終了する。
【００５０】
実施形態１に係る被加工物の加工方法は、被加工物１の裏面６に貼着するＤＡＦ貼着ステップＳＴ４の前のＤＡＦ改質層形成ステップＳＴ１において、ＤＡＦ２０にレーザー光線１００を照射して、ＤＡＦ２０の全体に改質層２７をする。このために、実施形態１に係る被加工物の加工方法は、改質層２７が形成済のＤＡＦ２０を貼着する際に改質層２７を分割予定ライン４に位置合わせする必要が生じない。その結果、実施形態１に係る被加工物の加工方法は、煩雑な工程を要さずＤＡＦ２０をデバイスチップ１１毎に分割することが出来る。
【００５１】
また、実施形態１に係る被加工物の加工方法は、ＤＡＦ貼着ステップＳＴ４の前のＤＡＦ改質層形成ステップＳＴ１において、ＤＡＦ２０にレーザー光線１００を照射して、ＤＡＦ２０の全体に改質層２７をする。その結果、実施形態１に係る被加工物の加工方法は、被加工物１の表面３に形成されたデバイス５に、ＤＡＦ２０に改質層２７を形成するレーザー光線１００を照射する必要がないために、デバイス５に与えるダメージを抑制することができる。
【００５２】
また、実施形態１に係る被加工物の加工方法は、ＤＡＦ改質層形成ステップＳＴ１において、ＤＡＦ２０の全体に改質層２７を形成し、ＤＡＦ破断ステップＳＴ５において、改質層２７を起点にＤＡＦ２０を分割する。その結果、実施形態１に係る被加工物の加工方法は、ＤＡＦ２０をデバイスチップ１１毎に分割することができる。よって、実施形態１に係る被加工物の加工方法は、デバイス５に与えるダメージを抑制しながらもＤＡＦ２０をデバイスチップ１１毎に分割することができるという効果を奏する。
【００５３】
また、実施形態１に係る被加工物の加工方法は、被加工物１の表面３に形成されたデバイス５にＤＡＦ２０に改質層２７を形成するレーザー光線１００を照射する必要がないために、デバイス５に与えるダメージを抑制できるので、デバイス５がＣＣＤやＣＭＯＳ等のイメージセンサである場合に特に有効である。
【００５４】
実施形態１に係る被加工物の加工方法は、裏面研削ステップＳＴ３において、被加工物１を個々のデバイスチップ１１に分割しているが、本発明では、裏面研削ステップＳＴ３において、被加工物１を個々のデバイスチップ１１に分割しなくても良い。この場合、ＤＡＦ破断ステップＳＴ５は、被加工物１に貼着されたＤＡＦ２０を拡張して、被加工物１を改質層７を起点に個々のデバイスチップ１１に分割するとともに、ＤＡＦ２０を改質層２７を起点に各デバイスチップ１１毎に分割する。
【００５５】
〔実施形態２〕
本発明の実施形態２に係る被加工物の加工方法を図面に基づいて説明する。なお、本明細書は、実施形態２の説明に用いる各図において、実施形態１と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。図１９は、実施形態２に係る被加工物の加工方法の流れを示すフローチャートである。
【００５６】
実施形態２に係る被加工物の加工方法は、実施形態１と同様に、被加工物１を個々のデバイスチップ１１に分割する方法である。被加工物の加工方法は、図１９に示すように、ＤＡＦ改質層形成ステップＳＴ１１と、切削溝形成ステップＳＴ１２と、裏面研削ステップＳＴ１３と、ＤＡＦ貼着ステップＳＴ１４と、ＤＡＦ破断ステップＳＴ１５とを備える。
【００５７】
（ＤＡＦ改質層形成ステップ）
ＤＡＦ改質層形成ステップＳＴ１１は、実施形態１のＤＡＦ改質層形成ステップＳＴ１と同様に、ＤＡＦ２０に、レーザー光線１００の焦点１０１をＤＡＦ２０の内部に設定して、レーザー光線１００をＤＡＦ２０に照射して、ＤＡＦ２０の全体に改質層２７を形成するステップである。ＤＡＦ改質層形成ステップＳＴ１１では、レーザー加工装置３０が、実施形態１のＤＡＦ改質層形成ステップＳＴ１と同様に、ＤＡＦ２０の全体に改質層２７を形成する。被加工物の加工方法は、ＤＡＦ改質層形成ステップＳＴ１１後、切削溝形成ステップＳＴ１２に進む。
【００５８】
（切削溝形成ステップ）
図２０は、図１４に示された被加工物の加工方法の切削溝形成ステップを示す斜視図である。図２１は、図１４に示された被加工物の加工方法の切削溝形成ステップ後の被加工物の斜視図である。図２２は、図２１中のＸＸＩＩ−ＸＸＩＩ線に沿う断面図である。
【００５９】
切削溝形成ステップＳＴ１２は、分割予定ライン４に沿って切削ブレード８１でデバイスチップ１１の仕上げ厚み８に至る溝９を形成するステップである。切削溝形成ステップＳＴ１２では、切削装置８０が図示しないチャックテーブルに被加工物１の裏面６を吸引保持し、図示しない撮像ユニットで被加工物１の表面３を撮像して、切削ユニット８２の切削ブレード８１と被加工物１の分割予定ライン４との位置合わせを行なうアライメントを遂行する。
【００６０】
切削溝形成ステップＳＴ１２では、図２０に示すように、切削装置８０が、アライメント結果に基づいて分割予定ライン４に沿って被加工物１と切削ブレード８１とを相対的に移動させながら切削ブレード８１を仕上げ厚み８分、被加工物１に切り込ませ、分割予定ライン４に溝９を形成する。切削溝形成ステップＳＴ１２では、図２１に示すように、切削装置８０が、全ての分割予定ライン４に溝９を形成すると、切削を終了して、チャックテーブルの被加工物１の吸引保持を解除する。なお、実施形態１において、切削溝形成ステップＳＴ１２では、図２２に示す表面３からの深さ９１が仕上げ厚み８と等しい溝９を被加工物１の各分割予定ライン４に形成する。被加工物の加工方法は、切削溝形成ステップＳＴ１２後、裏面研削ステップＳＴ１３に進む。
【００６１】
（裏面研削ステップ）
図２３は、図１４に示された被加工物の加工方法の裏面研削ステップにおいて、被加工物の表面に保護部材を貼着する状態を示す斜視図である。図２４は、図１４に示された被加工物の加工方法の裏面研削ステップを示す斜視図である。
【００６２】
裏面研削ステップＳＴ１３は、切削溝形成ステップＳＴ１２の実施後に、被加工物１を裏面６から仕上げ厚み８まで研削するとともに、被加工物１をデバイスチップ１１に分割するステップである。裏面研削ステップＳＴ１３では、図２３に示すように、被加工物１の表面３に保護部材１０を貼着する。
【００６３】
裏面研削ステップＳＴ１３では、図２４に示すように、研削装置６０が保持テーブル６１に保護部材１０を介して被加工物１の表面３を吸引保持し、保持テーブル６１を軸心回りに回転させつつ研削ユニット６２の研削砥石６３を軸心回りに回転させて被加工物１の裏面６に接触させて、裏面６を研削する。裏面研削ステップＳＴ１３では、研削装置６０が仕上げ厚み８まで被加工物１を研削して薄化する。裏面研削ステップＳＴ１３では、被加工物１に表面３側から深さ９１が仕上げ厚み８に等しい溝９が形成されているので、研削装置６０が被加工物１を仕上げ厚み８まで薄化すると、図２４に示すように。裏面６側に溝９が露出して、被加工物１が個々のデバイスチップ１１に分割される。なお、溝９は、裏面６側に露出して、被加工物１を個々のデバイスチップ１１に分割すると、分割溝９−１となる。被加工物の加工方法は、裏面研削ステップＳＴ１３後、ＤＡＦ貼着ステップＳＴ１４に進む。
【００６４】
（ＤＡＦ貼着ステップ）
図２５は、図１４に示された被加工物の加工方法のＤＡＦ貼着ステップを示す斜視図である。図２６は、図１４に示された被加工物の加工方法のＤＡＦ貼着ステップ後の被加工物を示す斜視図である。
【００６５】
ＤＡＦ貼着ステップＳＴ１４は、裏面研削ステップＳＴ１３の実施後に、被加工物１の裏面６にＤＡＦ改質層形成ステップＳＴ１１が実施されたＤＡＦ２０を貼着するステップである。ＤＡＦ２０は、実施形態２では、実施形態１と同様に、粘着材部材である。
【００６６】
実施形態２において、ＤＡＦ貼着ステップＳＴ１４では、実施形態１と同様に、周知のマウンタが図２５に示すＤＡＦ２０を被加工物１の裏面６に貼着し、エキスパンドテープ２１を環状フレーム２５に貼着するとともに、エキスパンドテープ２１を環状フレーム２５の内縁と外縁との間で切断する。ＤＡＦ貼着ステップＳＴ１４では、実施形態１と同様に、図２６に示すように、被加工物１を環状フレーム２５の開口２６内に支持するとともに、被加工物１の表面３から保護部材１０を剥がす。被加工物の加工方法は、ＤＡＦ貼着ステップＳＴ１４後、ＤＡＦ破断ステップＳＴ１５に進む。
【００６７】
（ＤＡＦ破断ステップ）
図２７は、図１４に示された被加工物の加工方法のＤＡＦ破断ステップにおいて、被加工物を拡張装置に保持した状態を示す断面図である。図２８は、図１４に示された被加工物の加工方法のＤＡＦ破断ステップにおいて、ＤＡＦをデバイスチップ毎に分割した状態を示す断面図である。
【００６８】
ＤＡＦ破断ステップＳＴ１５は、ＤＡＦ改質層形成ステップＳＴ１１の実施後に、ＤＡＦ２０を拡張して、互いに隣り合うデバイスチップ１１の間隔を広げるとともにＤＡＦ２０を各デバイスチップ１１毎に分割するステップである。実施形態２において、ＤＡＦ破断ステップＳＴ１５では、図２５に示すように、実施形態１と同様に、拡張装置７０が環状フレーム２５をクランプ部７１で挟み込んで固定する。
【００６９】
実施形態２において、ＤＡＦ破断ステップＳＴ１５では、図２８に示すように、拡張装置７０がクランプ部７１を下降させて、被加工物１の裏面６側にＤＡＦ２０を介して貼着されたエキスパンドテープ２１に放射状に引張力を作用させて、被加工物１の分割溝９−１の幅を拡張して、デバイスチップ１１間の間隔を広げる。
【００７０】
また、実施形態２において、ＤＡＦ破断ステップＳＴ１５では、拡張装置７０が被加工物１の分割溝９−１の幅を拡張して、ＤＡＦ２０を分割予定ライン４に沿って形成された改質層２７を基点として、個々のデバイスチップ１１毎に分割する。このとき、被加工物１がデバイスチップ１１に分割されているので、前述した引張力が複数の改質層２７のうち分割溝９−１に最も近接する改質層２７に集中する。このために、ＤＡＦ破断ステップＳＴ１５では、ＤＡＦ２０は、各分割溝９−１に沿って分割することとなる。なお、図２８は、改質層２７が分割溝９−１と重なる位置に形成された例を示しているが、本発明は、改質層２７が分割溝９−１と重なる位置に形成されなくても良い。こうして、ＤＡＦ破断ステップＳＴ１５は、エキスパンドテープ２１を拡張することで、分割溝９−１の幅を拡張して、ＤＡＦ２０をデバイスチップ１１毎に分割（破断）する。被加工物の加工方法は、ＤＡＦ破断ステップＳＴ１５を実施後、終了する。
【００７１】
実施形態２に係る被加工物の加工方法は、実施形態１と同様に、ＤＡＦ貼着ステップＳＴ１４の前のＤＡＦ改質層形成ステップＳＴ１１において、ＤＡＦ２０にレーザー光線１００を照射して、ＤＡＦ２０の全体に改質層２７をするために、改質層２７が形成済のＤＡＦ２０を貼着する際に改質層２７を分割予定ライン４に位置合わせする必要が生じない。その結果、実施形態２に係る被加工物の加工方法は、実施形態１と同様に、煩雑な工程を要さずＤＡＦ２０をデバイスチップ１１毎に分割することが出来る。
【００７２】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。即ち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。実施形態１及び実施形態２に係る被加工物の加工方法は、ＤＡＦ改質層形成ステップＳＴ１，ＳＴ１１において、レーザー光線１００を照射して、ＤＡＦ２０の内部に改質層２７を形成している。しかしながら、本発明では、被加工物の加工方法は、ＤＡＦ改質層形成ステップＳＴ１，ＳＴ１１において、ＤＡＦ２０に切削装置の切削ブレードを切り込ませて、ＤＡＦ２０に切削溝を形成しても良い。この場合、被加工物の加工方法は、ＤＡＦ２０に格子状に切削溝を形成するのが望ましい。
【００７３】
また、実施形態１及び実施形態２に係る被加工物の加工方法は、ＤＡＦ改質層形成ステップＳＴ１，ＳＴ１１において、エキスパンドテープ２１の粘着層に積層されたＤＡＦ２０に改質層２７を形成し、ＤＡＦ貼着ステップＳＴ４，ＳＴ１４において、ＤＡＦ２０及びエキスパンドテープ２１を被加工物１の裏面６に貼着している。しかしながら、本発明では、被加工物の加工方法は、ＤＡＦ改質層形成ステップＳＴ１，ＳＴ１１において、エキスパンドテープ２１に積層されていない状態のＤＡＦ２０に改質層２７を形成し、ＤＡＦ貼着ステップＳＴ４，ＳＴ１４において、ＤＡＦ２０とエキスパンドテープ２１を順に被加工物１の裏面６に貼着しても良い。
【００７４】
また、実施形態１及び実施形態２に係る被加工物の加工方法では、ＤＡＦ２０は、粘着性を有する粘着性部材のみで構成されているが、本発明では、粘着材部材と、粘着性を有しない合成樹脂からなりかつ粘着性部材を積層した基材層とを備えて構成されても良い。
【００７５】
また、実施形態１に係る被加工物の加工方法は、破断起点形成ステップＳＴ２において、保護部材１０を被加工物１の表面３に貼着し、保護部材１０を介して表面３側をチャックテーブル５１に保持して、裏面６側からレーザー光線１０２を照射している。しかしながら、本発明は、破断起点形成ステップＳＴ２において、保護部材１０を被加工物１の表面３に貼着せずに、裏面６側をチャックテーブル５１に保持して、表面３側からレーザー光線１０２を照射しても良い。この場合、本発明は、裏面研削ステップＳＴ３において、保持テーブル６１に被加工物１を保持する前に、保護部材１０を被加工物１の表面３に貼着するのが望ましい。
【００７６】
また、実施形態１及び実施形態２に係る被加工物の加工方法は、ＤＡＦ貼着ステップＳＴ４，ＳＴ１４において、保護部材１０を剥がしている。しかしながら、本発明では、被加工物の加工方法は、ＤＡＦ貼着ステップＳＴ４，ＳＴ１４において、環状フレーム２５の開口２６に被加工物１を支持した後、保護部材１０を剥がさなくても良い。この場合、被加工物の加工方法は、ＤＡＦ破断ステップＳＴ５，ＳＴ１５の前までに、保護部材１０を剥がすのが望ましい。
【符号の説明】
【００７７】
１  被加工物
３  表面
４  分割予定ライン
５  デバイス
６  裏面
７  改質層（破断起点）
８  仕上げ厚み
９  溝
１１  デバイスチップ
２０  ＤＡＦ
２１  エキスパンドテープ
８１  切削ブレード
１００  レーザー光線
１０１  焦点
１０２  レーザー光線
１０３  焦点
ＳＴ１  ＤＡＦ改質層形成ステップ
ＳＴ２  破断起点形成ステップ
ＳＴ３  裏面研削ステップ
ＳＴ４  ＤＡＦ貼着ステップ
ＳＴ５  ＤＡＦ破断ステップ
ＳＴ１１  ＤＡＦ改質層形成ステップ
ＳＴ１２  切削溝形成ステップ
ＳＴ１３  裏面研削ステップ
ＳＴ１４  ＤＡＦ貼着ステップ
ＳＴ１５  ＤＡＦ破断ステップ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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