(57)【要約】      （修正有）【課題】有機ＥＬ表示装置において、所望の画素以外へのリーク電流によって生じる発光効率の低下、または、混色を抑制し、有機ＥＬ表示装置の画質の低下を抑制する。【解決手段】第１電極と、第１電極上に設けられ、発光層、及び正孔輸送層を含む複数の有機層と、有機層上に設けられた第２電極と、を含む発光素子と、第１電極の周辺部を覆い、第１電極を露出させる開口部を有する絶縁層と、を有し、発光層の正孔移動度をμh1とし、正孔輸送層の正孔移動度をμh2としたとき、2019153554.tif 000010であって、開口部によって露出された前記第１電極の一部の周囲長をＬとし、開口部によって露出された前記第１電極の一部の面積をＳ0としたとき、2019153554.tif 000011である表示装置。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１電極と、前記第１電極上に設けられ、発光層、及び正孔輸送層を含む複数の有機層と、前記有機層上に設けられた第２電極と、を含む発光素子と、
前記第１電極の一部を露出させる開口部を有し、かつ前記第１電極の周辺部を覆う絶縁層と、を有し、
前記発光層の正孔移動度をμh1とし、前記正孔輸送層の正孔移動度をμh2としたとき、
2019153554.tif 000008
であって、
前記開口部によって露出された前記第１電極の前記一部の周囲長をＬとし、前記開口部によって露出された前記第１電極の前記一部の面積をＳ0としたとき、
2019153554.tif 000009
である表示装置。
【請求項２】
前記開口部によって露出された前記第１電極の一部の形状は、略円状、又は、六角形以上の多角形状であって、
かつ、前記開口部によって露出された前記第１電極の一部の面積は、１０００μｍ2以上である請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記発光素子は、赤色で発光する第１発光素子と、緑色で発光する第２発光素子と、青色で発光する第３発光素子と、を含み、
前記第１発光素子における前記Ｌ／Ｓ0と、前記第２発光素子における前記Ｌ／Ｓ0と、前記第３発光素子における前記Ｌ／Ｓ0とはそれぞれ異なる、請求項１に記載の表示装置。
【請求項４】
前記正孔輸送層は、前記第１発光素子、前記第２発光素子、及び前記第３発光素子において、共通に設けられる、請求項３に記載の表示装置。
【請求項５】
前記第１発光素子における前記μh2／μh1と、前記第２発光素子における前記μh2／μh1と、及び前記第３発光素子における前記μh2／μh1とはそれぞれ異なる、請求項３又は請求項４に記載の表示装置。
【請求項６】
前記第１発光素子における前記μh2／μh1と、前記第２発光素子における前記μh2／μh1と、及び前記第３発光素子における前記μh2／μh1の数値が大きい順に、前記第１発光素子における前記Ｌ／Ｓ0と、前記第２発光素子における前記Ｌ／Ｓ0と、前記第３発光素子における前記Ｌ／Ｓ0とが小さい、請求項３乃至請求項５の何れか一項に記載の表示装置。
【請求項７】
前記第２発光素子における前記μh2／μh1を基準に決められたＬ／Ｓ0を有する前記第１発光素子と、前記第２発光素子における前記μh2／μh1を基準に決められたＬ／Ｓ0を有する前記第３発光素子と、を有する、請求項５に記載の表示装置。
【請求項８】
前記第１発光素子の発光効率と、前記第２発光素子の発光効率と、前記第３発光素子の発光効率とを平均した発光効率を基準に決められたＬ／Ｓ0を有する前記第１発光素子と、前記平均した発光効率を基準に決められたＬ／Ｓ0を有する前記第２発光素子と、前記平均した発光効率を基準に決められたＬ／Ｓ0を有する前記第３発光素子と、を有する、請求項５に記載の表示装置。
【請求項９】
前記発光層、前記正孔輸送層の何れかは、内部電界を有し、
前記内部電界の向きは、前記発光層に電子が注入される側から、前記発光層に正孔が注入される側に向かう方向である、請求項１に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記発光層、前記正孔輸送層の何れかは、内部電界を有し、
前記内部電界の向きは、前記発光層に正孔が注入される側から、前記発光層に電子が注入される側に向かう方向である、請求項１に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
表示装置の一つとして、有機ＥＬ表示装置（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ  Ｄｉｓｐｌａｙ）が知られている。有機ＥＬ表示装置は、有機エレクトロルミネッセンス材料（有機ＥＬ材料）を、表示部の各画素が有する発光素子（有機ＥＬ素子）に用いている。有機ＥＬ表示装置は、液晶表示装置等とは異なり、有機ＥＬ材料を発光させることにより表示を実現するいわゆる自発光型の表示装置である。
【０００３】
有機ＥＬ表示装置において、各発光素子は、一般的に、画素電極と対向電極との間に、発光層を含む有機層を有している。ここで、有機ＥＬ材料が発光層に用いられる。画素電極と対向電極とに、例えば１０Ｖ以上の電位差を与えると、画素電極と対向電極との間に電流が流れ、有機ＥＬ材料が発光する。発光層は、例えば、蒸着マスクを用いて画素毎に選択的に形成される。生産性の向上や、生産コストの削減を考える場合、有機層のうち発光層以外の層は、各画素で共通に形成されることが望ましい。しかしながら、例えば、有機層の一つである正孔注入層（ＨＩＬ）を各画素で共通化すると、正孔注入層の抵抗率が低いため、所望の画素以外の画素にも電流が流れる。この電流は、リーク電流、横方向のリーク電流、横リーク電流などと呼ばれる（本明細書中では第１リーク電流と呼ぶ）。第１リーク電流が流れることによって、所望の画素以外の画素が発光する。その結果、有機ＥＬ表示装置において、当該表示装置または発光素子の発光効率が低下し、かつ、混色が発生し、当該表示装置の画質が低下することがある。また、所望の画素の画素電極と対向電極とに１０Ｖ未満、例えば、２Ｖ程度の電位差を与えると、発光層近傍でリーク電流（横方向のリーク電流、横リーク電流とも呼ばれる）が生じる（本明細書中では第２リーク電流と呼ぶ）。第２リーク電流によって、当該表示装置または発光素子の発光効率が低下することがある。
【０００４】
例えば、特許文献１及び特許文献２には、隣接する画素が、第１リーク電流によって、意図せずに発光することを抑制する構造が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１６−１０３３９５号公報
【特許文献２】特開２０１６−０８５９１３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、有機ＥＬ表示装置において、所望の画素以外へのリーク電流（第１リーク電流及び第２リーク電流）によって生じる発光効率の低下、または、混色を抑制し、有機ＥＬ表示装置の画質の低下を抑制することを目的の一つとする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一実施形態に係る表示装置は、第１電極（画素電極）と、第１電極上に設けられ、発光層、及び正孔輸送層を含む複数の有機層と、有機層上に設けられた第２電極（対向電極）と、を含む発光素子と、第１電極の一部を露出させる開口部を有し、かつ第１電極の周辺部を覆う絶縁層と、を有し、発光層の正孔移動度をμh1とし、正孔輸送層の正孔移動度をμh2としたとき、
2019153554.tif 000002
であって、開口部によって露出された第１電極の一部の周囲長をＬとし、開口部によって露出された第１電極の面積をＳ0としたとき、
2019153554.tif 000003
である。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の一実施形態に係る表示装置を説明する平面図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る表示装置を説明する断面図である。
【図３】本発明の一実施形態に係る表示装置の横リーク電流を説明するための図である。
【図４】本発明の一実施形態に係る表示装置の横リーク電流を説明するための図である。
【図５】本発明の一実施形態に係る表示装置の横リーク電流を説明するための図である。
【図６】本発明の一実施形態に係る表示装置の電流密度に対する発光効率を示す図である。
【図７】本発明の一実施形態に係る表示装置の電流密度に対する発光効率低下の割合を示す図である。
【図８】本発明の一実施形態に係る表示装置の正孔移動度比に対する電力増大の割合を示す図である。
【図９】本発明の一実施形態に係る表示装置の正孔輸送性ホストの割合に対する正孔移動度比を示す図である。
【図１０】本発明の一実施形態に係る表示装置の正孔移動度比に対する発光効率低下の割合に対応する電流密度を示す図である。
【図１１】本発明の一実施形態に係る表示装置の開口部によって露出された画素電極の一部の面積と横リーク電流の面積を説明するための図である。
【図１２】本発明の一実施形態に係る表示装置の電流密度に対する発光効率を示す図である。
【図１３】本発明の一実施形態に係る表示装置の電流密度に対する横リーク電流が生じる長さを示す図である。
【図１４】本発明の一実施形態に係る表示装置の横リーク電流による発光効率低下を説明するための図である。
【図１５】本発明の一実施形態に係る表示装置の開口部によって露出された画素電極の一部の形状の例を示す図である。図１５（ａ）は開口部によって露出された画素電極の一部の形状が円状の例である。図１５（ｂ）は開口部によって露出された画素電極の一部の形状が八角形状の例である。図１５（ｃ）は開口部によって露出された画素電極の一部の形状が六角形状の例である。図１５（ｄ）は開口部によって露出された画素電極の一部の形状が正方形の例である。図１５（ｅ）は開口部によって露出された画素電極の一部の形状が長方形状の例である。図１５（ｆ）は開口部の形状がＬ字状の例である。
【図１６】本発明の一実施形態に係る表示装置の発光効率を説明するための図である。
【図１７】本発明の一実施形態に係る表示装置の正孔移動度比に対する発光効率を示す図である。
【図１８】本発明の一実施形態に係る表示装置の横リーク電流による発光効率低下を説明するための図である。
【図１９】本発明の一実施形態に係る表示装置の発光素子の正の内部分極を説明するための図である。
【図２０】本発明の一実施形態に係る表示装置の発光素子の正の内部分極を説明するための図である。
【図２１】本発明の一実施形態に係る表示装置の発光素子の正の内部分極を説明するための図である。
【図２２】本発明の一実施形態に係る表示装置の発光素子の正の内部分極を説明するための図である。
【図２３】本発明の一実施形態に係る表示装置の発光素子の負の内部分極を説明するための図である。
【図２４】本発明の一実施形態に係る表示装置の発光素子の負の内部分極を説明するための図である。
【図２５】本発明の一実施形態に係る表示装置の発光素子の負の内部分極を説明するための図である。
【図２６】本発明の一実施形態に係る表示装置の発光素子の負の内部分極を説明するための図である。
【図２７】本発明の一実施形態に係る表示装置の発光素子の正の内部分極における電流密度に対する発光効率を示す図である。
【図２８】本発明の一実施形態に係る表示装置の発光素子の負の内部分極における電流密度に対する発光効率を示す図である。
【図２９】図１に示す表示装置のＡ１−Ａ２線に沿った断面の概略図である。
【図３０】図１に示す表示装置のＡ１−Ａ２線に沿った断面の概略図である。
【図３１】図１に示す表示装置のＡ１−Ａ２線に沿った断面の概略図である。
【図３２】図１に示す表示装置のＡ１−Ａ２線に沿った断面の概略図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本発明の各実施の形態について、図面等を参照しつつ説明する。但し、本発明は、その要旨を逸脱しない範囲において様々な態様で実施することができ、以下に例示する実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。また、図面に関して、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて各部の幅、厚さ、形状等を模式的に表す場合があるが、それら模式的な図は一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。さらに、本明細書等と各図において、既出の図に関して説明したものと同一又は類似の要素には、同一の符号を付して、重複する説明を省略することがある。
【００１０】
本発明において、ある一つの膜を加工して複数の膜を形成した場合、これら複数の膜は異なる機能、役割を有することがある。しかしながら、これら複数の膜は同一の工程で同一層として形成された膜に由来し、同一の層構造、同一の材料を有する。したがって、これら複数の膜は同一層に存在しているものと定義する。
【００１１】
なお、本明細書等において、図面を説明する際の「上」、「下」などの表現は、着目する構造体と他の構造体との相対的な位置関係を表現している。本明細書等では、側面視において、後述する絶縁表面からバンクに向かう方向を「上」と定義し、その逆の方向を「下」と定義する。本明細書等及び特許請求の範囲において、ある構造体の上に他の構造体を配置する態様を表現するにあたり、単に「上に」と表記する場合、特に断りの無い限りは、ある構造体に接するように、直上に他の構造体を配置する場合と、ある構造体の上方に、さらに別の構造体を介して他の構造体を配置する場合との両方を含むものとする。
【００１２】
なお、本明細書等における「第１」、「第２」、「第３」などの序数は、説明を簡潔にするためだけに用いられており、限定的に解釈されるべきではない。
【００１３】
１．発明の背景
発明者らは、有機ＥＬ表示装置において、隣接する画素間のリーク電流を低減することを検討している。有機ＥＬ表示装置は、発光素子を有する。当該発光素子は、画素電極（第１電極）、画素電極上に積層された複数の有機層、及び、複数の有機層上に積層された対向電極（第２電極）を有する。例えば、画素電極は陽極（アノード）に電気的に接続され、対向電極は陰極（カソード）に電気的に接続される。複数の有機層は、発光層、電子ブロッキング層（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｂｌｏｃｋｉｎｇ  Ｌａｙｅｒ）、及び正孔輸送層（Ｈｏｌｅ  Ｔｒａｎｓｆｅｒ  Ｌａｙｅｒ）を有する。また、詳細は図２９乃至図３２において説明するが、有機ＥＬ表示装置は、画素電極の周辺部を覆い、画素電極の一部を露出させる開口部を有する第１絶縁層を有する。開口部によって露出された画素電極の一部は、複数の有機層のうち、画素電極に最も近い層と画素電極とが接する部分でもある。さらに、詳細は図１乃至図１４において説明するが、発明者らは、隣接する画素間のリーク電流を低減することを検討する過程において、正孔輸送層と電子ブロッキング層又は発光層との間での正孔の横方向への広がりが素子特性に影響することを見出した。そして、発明者らは、発光層又は電子ブロッキング層の正孔移動度と正孔輸送層の正孔移動度との比を１０3以下とし、開口部によって露出された画素電極の一部の周囲長と開口部によって露出された画素電極の一部の面積との比を０．０７以上としたとき、正孔注入層の抵抗率に関係し、所望の画素以外の画素を発光させる原因となる第１リーク電流、及び、当該表示装置または発光素子の発光効率を低下させる原因となる発光層近傍で生じる第２リーク電流を、抑制できることを見出した。
【００１４】
２．第１実施形態
本実施形態では、本発明の一実施形態に係る表示装置ついて、図１乃至図１４を参照し、説明する。
【００１５】
２−１．表示装置の構成
本発明の一実施形態に係る表示装置の構成について、図１及び図２を参照し、説明する。
【００１６】
図１は、本発明の一実施形態に係る表示装置１００の構成を示した概略図である。また、図１においては、表示装置１００を平面視した場合における概略構成を示している。本明細書等では、表示装置１００を画面（表示部）に垂直な方向から見た様子を「平面視」と呼ぶ。
【００１７】
表示装置１００は、絶縁表面上に形成された表示部１０３と、走査信号線駆動回路１０４と、ドライバＩＣ１０６と、を有する。また、表示部１０３、走査信号線駆動回路１０４の上方には、対向基板１０２が設けられている。走査信号線駆動回路１０４には、複数の走査信号線１０５が接続されている。複数の走査信号線１０５は表示装置１００のｘ方向に配置されている。ドライバＩＣ１０６は、走査信号線駆動回路１０４に信号を与える制御部として機能する。ドライバＩＣ１０６には、映像信号線駆動回路が内蔵されている。なお、図示は省略しているが、ドライバＩＣ１０６には、複数の映像信号線が接続されている。複数の映像信号線は、ｘ方向と交差するｙ方向に配置される。また、ドライバＩＣ１０６は、ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ  ｏｎ  Ｆｉｌｍ）方式でフレキシブルプリント基板１０８上に設けられているが、ドライバＩＣ１０６は、第１基板１０１上に設けられてもよい。フレキシブルプリント基板１０８は、周辺領域１１０に設けられた端子１０７と接続される。
【００１８】
ここで、絶縁表面は、第１基板１０１の表面である。第１基板１０１は、第１基板１０１の表面上に設けられるトランジスタ及び発光素子などを構成する各層を支持する。第１基板１０１としては、例えば、ガラス基板、半導体基板などを使用することができる。また、第１基板１０１としては、折り曲げ可能な基板を用いてもよい。折り曲げ可能な基板としては、例えば、ポリイミド、アクリル、エポキシ、ポリエチレンテレフタラートなどの有機樹脂材料を用いることができる。また、第１基板１０１としては、光を透過する材料でも光を透過しない材料でも構わない。また、対向基板１０２も、第１基板１０１と同様の基板を使用することができる。
【００１９】
表示部１０３には、複数の画素が、互いに交差するに方向（例えば、互いに交差するｘ方向及びｙ方向）に沿うようにマトリクス状に配置される。複数の画素の各々は、第１の色で発光する発光素子、第２の色で発光する発光素子、及び第３の色で発光する発光素子のいずれかを有する。本明細書等において、表示装置１００が、Ｒ（赤色）、Ｇ（緑色）、及びＢ（青色）の発光素子を有する場合、１画素とは、３色のうちのいずれか一色を発光する発光素子を有する領域をいう。なお、発光素子が発光する色は、３色に限定されず、４色以上であってもよい。図１においては、複数の赤色の画素１０９Ｒ（画素１０９Ｒ）、複数の緑色の画素１０９Ｇ（画素１０９Ｇ）、複数の青色の画素１０９Ｂ（画素１０９Ｂ）のそれぞれが、表示部１０３の一方向（ｙ方向）に沿って配置される、ストライプ配列の場合について説明する。
【００２０】
画素１０９Ｒ、画素１０９Ｇ、画素１０９Ｂの各々は、後述する画素電極と、発光素子と、を含む。発光素子は、当該画素電極の一部（アノード）と、該画素電極上に積層された発光層を含む有機層及び陰極（カソード）からなる。図１において、画素１０９Ｒ、画素１０９Ｇ、画素１０９Ｂの各々の画素電極を露出させる部分が開口部１７０である。詳細は後述するが、第１絶縁層１２６が有する開口部１７０は、画素電極の周辺部を覆い、画素電極を露出させる。また、開口部１７０によって露出された画素電極の一部１７１は、複数の有機層のうち、画素電極に最も近い層と接する。有機層と画素電極とが接する部分である。図１は、各画素の開口部１７０の面積が略同じである例を示しているが、各画素の開口部１７０の面積は、色毎に異なっていてもよい。また、図１は、開口部１７０によって露出された画素電極の一部１７１の形状は、長方形状である例を示しているが、当該形状は、後述するが、円状、多角形状であってもよい。
【００２１】
画素１０９Ｒ、画素１０９Ｇ、画素１０９Ｂの各々には、ドライバＩＣ１０６に内蔵された映像信号線駆動回路から画像データに応じたデータ信号が与えられる。例えば、画素１０９Ｒに設けられた画素電極に電気的に接続されたトランジスタが、画像データに応じたデータ信号に従って駆動されることによって、当該画像データに応じた画像が画素１０９Ｒに表示される。画素１０９Ｒと同様に、画素１０９Ｇ、及び画素１０９Ｂも駆動されることによって、表示装置１００は、画像データに応じた画像を、表示することができる。ここで、当該トランジスタは、例えば、薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：ＴＦＴ）を用いることができる。なお、当該画像データに応じた画像を画素に表示する素子は、トランジスタに限定されず、電流制御機能を備える素子であれば、如何なる素子を用いても良い。
【００２２】
図２は、図１に示す表示装置のＡ１−Ａ２線に沿った断面の概略図である。具体的には、図２は、画素１０９Ｒ、画素１０９Ｇ、画素１０９Ｂの各々における、発光素子の断面を示している。画素１０９Ｒは、発光素子１３０Ｒを有する。画素１０９Ｇは、発光素子１３０Ｇを有する。画素１０９Ｂは、発光素子１３０Ｂを有する。また、発光素子１３０Ｒは、有機層１２７Ｒを有する。発光素子１３０Ｇは、有機層１２７Ｇを有する。発光素子１３０Ｂは、有機層１２７Ｂを有する。
【００２３】
発光素子１３０Ｒ、発光素子１３０Ｇ、及び発光素子１３０Ｂの構成について詳細に説明する。画素１０９Ｒ、画素１０９Ｇ、及び画素１０９Ｂのそれぞれには、画素電極１２５が設けられる。即ち、画素電極１２５は、画素ごとに設けられている。図２において、画素電極１２５は、透過性を有する導電性材料で形成される画素電極１２５ｂと、反射性を有する導電性材料で形成される画素電極１２５ａとが積層されている例を示している。画素電極１２５は、透過性を有する導電性材料で形成される画素電極１２５ｂと、反射性を有する導電性材料で形成される画素電極１２５ａの何れか一方で構成されてもよい。画素電極１２５を、反射性を有する導電性材料と、透過性を有する導電性材料とが積層された構造にすることによって、発光素子を光の共振効果を利用したマイクロキャビティ構造にすることができる。発光素子をマイクロキャビティ構造にすることによって、赤色、緑色、青色の各色のＥＬスペクトルピーク波長を、画素電極と対向電極との間の光路長と合致させ、各色の最も強い光を取り出すことができる。
【００２４】
画素電極１２５上に、正孔注入層１６１が設けられている。正孔注入層１６１は、画素１０９Ｒ、画素１０９Ｇ、及び画素１０９Ｂにおいて共通に設けられている。
【００２５】
正孔注入層１６１上に、正孔輸送層１６２が設けられている。正孔輸送層１６２は、画素１０９Ｒ、画素１０９Ｇ、画素１０９Ｂに共通に設けられる。
【００２６】
正孔輸送層１６２上には、電子ブロッキング層１６３が設けられている。電子ブロッキング層１６３は、画素１０９Ｒ、画素１０９Ｇ、画素１０９Ｂに共通に設けられる。
【００２７】
電子ブロッキング層１６３上には、発光層１６４Ｒ、発光層１６４Ｇ、及び発光層１６４Ｂが設けられる。発光層１６４Ｒは、画素１０９Ｒに設けられる。発光層１６４Ｇは、画素１０９Ｇに設けられる。発光層１６４Ｂは、画素１０９Ｂに設けられる。発光層１６４Ｒ、発光層１６４Ｇ、及び発光層１６４Ｂは、いずれも、電子輸送性材料（電子輸送性ホスト）と正孔輸送性材料（正孔輸送性ホスト）との混合材料（混合ホスト）によって形成される。
【００２８】
正孔ブロッキング層１６５は、発光層１６４Ｒ、発光層１６４Ｇ、及び発光層１６４Ｂ上に、共通に設けられる。電子輸送層１６６は、正孔ブロッキング層１６５上に設けられる。電子注入層１６７が、電子輸送層１６６上に設けられる。即ち、正孔ブロッキング層１６５、電子輸送層１６６、及び電子注入層１６７は、画素１０９Ｒ、画素１０９Ｇ、及び画素１０９Ｂに共通に設けられる。
【００２９】
電子注入層１６７上には、対向電極１２８が設けられる。対向電極１２８は、画素１０９Ｒ、１０９Ｇ、及び１０９Ｂに共通して設けられる。対向電極１２８は、透過性を有する導電性材料で形成される。
【００３０】
以上説明したように、有機層１２７Ｒは、正孔注入層１６１、正孔輸送層１６２、電子ブロッキング層１６３、発光層１６４Ｒ、正孔ブロッキング層１６５、電子輸送層１６６、及び電子注入層１６７を有する。有機層１２７Ｇは、正孔注入層１６１、正孔輸送層１６２、電子ブロッキング層１６３、発光層１６４Ｇ、正孔ブロッキング層１６５、電子輸送層１６６、及び電子注入層１６７を有する。有機層１２７Ｂは、正孔注入層１６１、正孔輸送層１６２、電子ブロッキング層１６３、発光層１６４Ｂ、正孔ブロッキング層１６５、電子輸送層１６６、及び電子注入層１６７を有する。画素電極１２５から対向電極１２８までを積層することで、発光素子１３０Ｒ、発光素子１３０Ｇ、及び発光素子１３０Ｂを、それぞれ形成することができる。
【００３１】
本明細書中において、発光素子１３０Ｒは第１発光素子とよぶことがある。発光素子１３０Ｇは第２発光素子とよぶことがある。発光素子１３０Ｂは第３発光素子とよぶことがある。
【００３２】
図２においては、複数の有機層のうち、画素電極１２５に最も近い層は、正孔注入層１６１である。よって、開口部１７０（図１において図示）によって露出された画素電極の一部１７１は、正孔注入層１６１と接する。なお、複数の有機層のうち、画素電極１２５と接する層は、正孔注入層１６１に限定されない。複数の有機層のうち、画素電極１２５と接する層は、正孔輸送層１６２であってもよい。本発明の一実施形態を逸脱しない範囲において、画素電極及び複数の有機層を適宜検討し複数の有機層のうち、開口部１７０（図１において図示）によって露出された画素電極の一部１７１と接する層を決めればよい。
【００３３】
２−２．第１リーク電流、及び第２リーク電流
本発明の一実施形態に係る表示装置において、第１リーク電流、及び第２リーク電流について、図３乃至図５を参照し、説明する。
【００３４】
図３は、本発明の一実施形態における発光素子１３０Ｇにおいて、インピーダンス分光法を用いた解析（ＩＳ解析）を行ったときの周波数に対する容量のプロット図である。図４及び図５に示した積層構造は、図２に示した画素１０９Ｇの断面と同様である。図２と同様の説明は、ここでは省略する。図４は、図３に示す領域Ａにおける発光素子１３０Ｇの状態を示している。図５は、図３に示す領域Ｂにおける発光素子１３０Ｇの状態を示している。なお、ＩＳ解析とは、例えば、発光素子のような積層構造を解析する方法の一つである。ＩＳ解析は、積層構造を解析する一般的な方法であるから、ここでの説明は省略する。
【００３５】
図３の容量は、対向電極１２８と画素電極１２５との間の有機層１２７Ｇの容量である。図３に示す２つのプロットは、具体的には、対向電極１２８と画素電極１２５との間に印加する電圧が、それぞれ０．５Ｖ、２Ｖのときの、周波数に対する容量を示している。
【００３６】
ここで、図３の領域Ａ及び図４を参照する。対向電極１２８と画素電極１２５との間に印加する電圧が０．５Ｖにおいては、周波数が低くなるにつれて、容量がわずかに増加している。このことは、正孔注入層１６１から正孔輸送層１６２に注入された正孔が横方向に広がっていることを示唆している。即ち、このことは、横方向に電流がリークする“横方向リーク”が生じていることを示唆している。これが、第１リーク電流である。第１リーク電流が生じる原因は、正孔注入層１６１の抵抗率が低いためと考えられる。第１リーク電流が流れることによって、所望の画素以外の画素が発光する。その結果、有機ＥＬ表示装置において、当該表示装置または発光素子の発光効率が低下し、かつ、混色が発生し、当該表示装置の画質が低下する。
【００３７】
続いて、図３の領域Ｂ及び図５を参照する。対向電極１２８と画素電極１２５との間に印加する電圧が２Ｖにおいて、周波数が低くなるにつれて、容量が増大している。特に、周波数が１０Ｈｚ〜１Ｈｚにおいては、容量の変化は小さいが、周波痛が１Ｈｚ以下においては、容量が急激に増加している。このことは、発光層１６４Ｇ近傍の正孔と電子とが滞留していることを示唆している。換言すると、このことは、発光層１６４Ｇを形成する混合ホストのうち、電子輸送性ホストの輪依頼が大きくなるほど、発光層１６４Ｇ又は電子ブロッキング層１６３と正孔輸送層１６２との間、例えば、発光層１６４Ｇ又は電子ブロッキング層１６３と正孔輸送層１６２との界面において、正孔と電子とが滞留しやすくなることを示唆している。即ち、このことは、滞留している正孔などによって、横方向に電流がリークする“横方向リーク”が生じていることを示唆している。これが、第２リーク電流である。第２リーク電流が生じる原因は、発光層１６４Ｇ又は電子ブロッキング層１６３の正孔移動度μh1と、正孔輸送層１６２の正孔移動度μh2との差によるものと考えられる。第２リーク電流によって、当該表示装置または発光素子の発光効率が低下する。なお、電子ブロッキング層１６３は発光層１６４Ｇと直に接するが、電子ブロッキング層の膜厚は薄いため、正孔輸送層１６２の正孔が第２リーク電流の主要因と考えられる。
【００３８】
図３乃至図５から、正孔輸送層と電子ブロッキング層又は発光層との間での正孔の横方向への広がり、即ち、“横方向リーク”である第１リーク電流及び第２リーク電流が、素子特性に影響することがわかる。したがって、正孔輸送層と電子ブロッキング層又は発光層との正孔移動度の比を規定することによって、第１リーク電流及び第２リーク電流を抑制することができる。
【００３９】
２−３．発光効率、電流密度、及び正孔移動度の比
本発明の一実施形態に係る表示装置において、発光効率、電流密度、及び正孔移動度の比について、図６乃至図１０を参照し、説明する。
【００４０】
図６は、発光素子１３０Ｇにおける電流密度に対する発光効率を示している。Ｘは、発光素子１３０Ｇが有する発光層１６４Ｇを形成する電子輸送性ホストの割合を示している。よって、Ｘ−１００は、発光素子１３０Ｇが有する発光層１６４Ｇを形成する正孔輸送性ホストの割合である。例えば、図３において、Ｘ＝７５％の点線は、発光層１６４Ｇは、電子輸送性ホストが７５％と正孔輸送性ホストが２５％の混合ホストによって形成されていることを示している。例えば、発光層１６４Ｇにおいて、電流密度が０．０１ｍＡ／ｃｍ2で、発光効率が８０％以上を達成する場合、発光層１６４Ｇには電子輸送性ホストが７５％以上含まれる必要がある。なお、図６における、Ｘ＝１００％の実線、Ｘ＝７５％の点線などの線は、計算から求めた数値をプロットしており、各点はそれぞれの線の実測値である。図６は、実測値と計算値とが比較的あっていることがわかる。
【００４１】
図７は、発光素子１３０Ｇにおける電流密度に対する発光効率低下の割合を示している。図７は、図６の縦軸の値を１から減算することで、図６の縦軸の発光効率を発光効率の低下に換算した図である。なお、図７の横軸は、図６の横軸を対数表示から線形表示に換算している。なお、図７における、１００％、７５％、５０％、２５％、及び０％は、図６における電子輸送性ホストの割合Ｘと同じである。なお、図７においても、図６と同様に、Ｘ＝１００％の実線、Ｘ＝７５％の点線などの線は、計算から求めた数値をプロットしており、各点はそれぞれの線の実測値である。
【００４２】
図８は、正孔移動度の比（正孔輸送層の正孔移動度μh2／発光層又は電子ブロッキング層の正孔移動度μh1）に対する電力増大の割合を示している。図８の縦軸は、図６における任意の電流密度範囲で積分した値を、即ち、当該電流密度範囲での発光効率低下分を、電力増大の値に置き換えた値である。図８では、電流密度０〜１０ｍＡ／ｃｍ2、電流密度０〜２０ｍＡ／ｃｍ2、電流密度０〜５０ｍＡ／ｃｍ2、及び電流密度０〜１００ｍＡ／ｃｍ2の各電流密度範囲で積分した値を、電力増大の値へ置き換えている。ここで、表示装置において、一般的に、表示装置又は発光素子の発光効率が低下すると、所定の輝度を発光させるために必要な電力が増加する。
【００４３】
図８によれば、正孔移動度の比（正孔輸送層の正孔移動度μh2／発光層又は電子ブロッキング層の正孔移動度μh1）が、１０3より大きい場合、各電流密度範囲におけるグラフの傾きが急峻になっている。即ち、正孔移動度の比（正孔輸送層の正孔移動度μh2／発光層又は電子ブロッキング層の正孔移動度μh1）が、１０3より大きい場合、電力が急激に増大することがわかる。
【００４４】
図９は、電子輸送性ホストの割合Ｘに対する正孔移動度の比（正孔輸送層の正孔移動度μh2／発光層又は電子ブロッキング層の正孔移動度μh1）を示している。図９によれば、正孔移動度の比（正孔輸送層の正孔移動度μh2／発光層又は電子ブロッキング層の正孔移動度μh1）が１０3のとき、電子輸送性ホストの割合Ｘは７５％である。
【００４５】
図１０は、正孔移動度の比（正孔輸送層の正孔移動度μh2／発光層又は電子ブロッキング層の正孔移動度μh1）に対する、発光効率の低下の割合に対応する電流密度を示している。図１０によれば、正孔移動度の比が１０3であって、電流密度が０．０１ｍＡ／ｃｍ2のとき、発光効率の低下が２０％であることがわかる。
【００４６】
図６乃至図１０で示したように、電力の急激な増大は正孔移動度の比（正孔輸送層の正孔移動度μh2／発光層又は電子ブロッキング層の正孔移動度μh1）が、１０3より大きい場合に生じる。正孔移動度の比が１０3のとき、発光効率の低下は２０％である。したがって、正孔移動度の比が１０3以下（数式１）、即ち、発光効率の低下が２０％以下であることによって、発光素子の電力の増大を抑制できる。その結果、表示装置の電力の増大も抑制できる。なお、正孔移動度の比が１０3以下、及び発光効率の低下が２０％以下のとき、電流密度は０．０１ｍＡ／ｃｍ2であり、電子輸送性ホストの割合Ｘは７５％であり、正孔輸送性ホストの割合１００−Ｘは２５％である。
【００４７】
【数１】
2019153554.tif 000004
【００４８】
また、図６乃至図１０、特に図１０を参照すれば、表示装置において、発光素子の電流密度が０．１ｍＡ／ｃｍ2であって、発光効率の低下が２０％までを許容したとすると、正孔移動度の比（正孔輸送層の正孔移動度μh2／発光層又は電子ブロッキング層の正孔移動度μh1）は、１０5以下とすればよい。このとき、電子輸送性ホストの割合Ｘは２５％であり、正孔輸送性ホストの割合１００−Ｘは７５％である。発光素子の電流密度が０．１ｍＡ／ｃｍ2であって、正孔移動度の比が１０5以下、即ち、発光効率の低下が２０％以下、であることによって、発光素子の電力の増大を抑制できる。
【００４９】
２−４．開口部によって露出された画素電極の一部の面積、及び開口部によって露出された画素電極の一部の周囲長
本発明の一実施形態に係る表示装置において、開口部によって露出された画素電極の一部の面積、及び開口部によって露出された画素電極の一部の周囲長について、図１１乃至図１４を参照し、説明する。
【００５０】
図１１は、本発明の一実施形態に係る表示装置の開口部によって露出された画素電極の一部の面積とリーク電流の面積を示している。
【００５１】
開口部によって露出された画素電極の一部の面積をＳ0、横リーク電流を含む開口部によって露出された画素電極の一部の面積をＳ、開口部によって露出された画素電極の一部の周囲長をＬ、横リーク電流の幅をΔｄとすると、開口部によって露出された画素電極の一部の面積Ｓは数式２で表すことができる。なお、本明細書において、数式における横リーク電流は、第１リーク電流及び第２リーク電流を含むものとする。なお、本明細書等においては、前提として、横リーク電流Δｄの部分は発光効率に寄与しない（実際距離の関数）とした。また、横リーク電流を含む開口部の面積Ｓは横リーク電流を加味した、仮想的な開口部によって露出された画素電極の一部の面積とした。さらに、理解の促進のため、開口部によって露出された画素電極の一部の形状は正方形とした。
【００５２】
【数２】
2019153554.tif 000005
【００５３】
発光効率は、一般的に、発光素子が発光する面積に依存する。よって、発光効率の低下は、開口部によって露出された画素電極の一部の面積Ｓ0と横リーク電流を含む開口部によって露出された画素電極の一部の面積Ｓとの比、Ｓ0／Ｓで表すことができる。数式２から、Ｓ0／Ｓは、数式３で表すことができる。
【００５４】
【数３】
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【００５５】
数式３から、発光率の低下Ｓ0／Ｓは、Ｌ／Ｓ0（開口部によって露出された画素電極の一部の周囲長Ｌと、開口部によって露出された画素電極の一部の面積Ｓ0との比）、で表すことができる。即ち、Ｓ0／Ｓは、Ｌ／Ｓ0に反比例する。したがって、Ｓ0が非常に大きければ、横リーク電流は発光効率の低下にほぼ影響を及ぼさない。Ｓ0が小さい場合は、Ｓ0に対して、Ｌが無視できなくなるため、横リーク電流は発光効率の低下に大きな影響を及ぼす。
【００５６】
なお、発光素子の画素電極と対向電極とに印加される電圧が大きいとき、即ち高電界のとき（電界強度が大きいとき）、横リーク電流が多くなる。発光素子の画素電極と対向電極とに印加される電圧が小さい又は０のとき、即ち、低電界のとき（電界強度が小さいとき）、横リーク電流が少なくなる。
【００５７】
図１２は、本発明の一実施形態に係る表示装置の電流密度に対する発光効率を示す図である。ＴＥＧ１、ＴＥＧ２、ＴＥＧ３、ＴＥＧ４、及びＴＥＧ５の５種類の発光素子１３０ＧのＴＥＧにおいて、電流密度に対する発光効率を示している。ＴＥＧ１、ＴＥＧ２、ＴＥＧ３、ＴＥＧ４、及びＴＥＧ５は、開口部１７０によって露出された画素電極の一部の面積がそれぞれ異なるＴＥＧである。例えば、ＴＥＧ１の形状は、面積は、開口部１７０によって露出された画素電極の一部の面積が２０００μｍ×２０００μｍである。本明細書等においては、ＴＥＧ１は、開口部１７０によって露出された画素電極の一部の面積が非常に大きいため、ＴＥＧ１は横リーク電流が生じないと仮定している。したがって、ＴＥＧ１は発光効率の低下が０％であると仮定している。なお、図１２において、各ＴＥＧのマーカーは、実測値である。
【００５８】
図１３は図１２の実測値に基づき、例えば、ＴＥＧ１とＴＥＧ２において、同一の電流密度における発光効率の差がＬ／Ｓ0であると仮定し、Ｌ／Ｓ0と開口部によって露出された画素電極の一部の面積Ｓから数式３に基づき、Δｄを算出した結果である。この結果は、ＴＥＧ１とＴＥＧ３、ＴＥＧ１とＴＥＧ４、ＴＥＧ１とＴＥＧ５においても、概ね同等の結果が得られている。即ち、図１３は、電流密度が同じとき、開口部１７０によって露出された画素電極の一部の面積が異なっていても、横リーク電流の幅Δｄは略同じであることを示している。図１３から、例えば、電流密度が０．０１ｍＡ／ｃｍ2においては、横リーク電流の幅Δｄは１．９２μｍである。例えば、電流密度が０．１ｍＡ／ｃｍ2においては、横リーク電流の幅Δｄは０．９９３μｍである。
【００５９】
図１２における、各ＴＥＧの実線、破線などの線は、図１３の各電流密度に対する横リーク電流の幅Δｄと、各ＴＥＧの開口部によって露出された画素電極の一部の面積などから計算した計算値に基づいている。即ち、開口部によって露出された画素電極の一部の形状が異なっても、横リーク電流の影響による発光効率の低下は、計算とほぼ一致する。よって、発光素子を形成する材料が同じ場合、開口部によって露出された画素電極の一部の形状が異なっていても、数式３に基づき、発光効率の低下Ｓ0／Ｓは、Ｌ／Ｓ0（開口部によって露出された画素電極の一部の周囲長Ｌと、開口部によって露出された画素電極の一部の面積Ｓ0との比）、で表すことができる。
【００６０】
図１４は、本発明の一実施形態に係る表示装置の横リーク電流による発光効率低下を示している。図６乃至図１０において説明したように、電流密度が０．０１ｍＡ／ｃｍ2において、発光効率の低下Ｓ0／Ｓを２０％以内（発光効率を８０％以上）にするためには、Ｌ／Ｓ0を０．０７よりも小さくする必要がある。しかしながら、Ｌ／Ｓ0を０．０７よりも小さくすることは、開口部によって露出された画素電極の一部の面積Ｓ0を大きくすることになる。したがって、表示装置の高精細化に対しては、Ｌ／Ｓ０を０．０７以上（数式４）にすることが好ましい。
【００６１】
【数４】
2019153554.tif 000007
【００６２】
なお、本実施形態においては、画素１０９Ｇが有する発光素子１３０Ｇ、発光層１６４Ｇを例に説明した。画素１０９Ｒが有する発光素子１３０Ｒ、発光層１６４Ｒについても、画素１０９Ｇが有する発光素子１３０Ｇ、発光層１６４Ｇと同様に測定を行い、測定値及び計算値を算出することによって、画素１０９Ｇが有する発光素子１３０Ｇ、発光層１６４Ｇと同様に扱うことができる。画素１０９Ｂが有する発光素子１３０Ｂ、発光層１６４Ｂについても、画素１０９Ｇが有する発光素子１３０Ｇ、発光層１６４Ｇと同様に測定を行い、測定値及び計算値を算出することによって、画素１０９Ｇが有する発光素子１３０Ｇ、発光層１６４Ｇと同様に扱うことができる。
【００６３】
以上説明したように、本発明の一実施形態に係る表示装置においては、Ｌ／Ｓ0（開口部によって露出された画素電極の一部の周囲長Ｌと、開口部によって露出された画素電極の一部の面積Ｓ0との比）を０．０７以上とすることによって、表示装置を高精細化することができる。また、本発明の一実施形態に係る表示装置においては、正孔移動度の比（正孔輸送層の正孔移動度μh2／発光層又は電子ブロッキング層の正孔移動度μh1）を１０3以下とすることによって、発光素子の電力の増大を抑制できる。その結果、表示装置の電力の増大も抑制できる。さらに、本発明の一実施形態に係る表示装置においては、正孔移動度の比（正孔輸送層の正孔移動度μh2／発光層又は電子ブロッキング層の正孔移動度μh1）を１０3以下とすることによって、正孔輸送層において発生する横リーク電流（第１リーク電流）、及び、発光層又は電子ブロッキング層と正孔輸送層とにおいて発生する横リーク電流（第２リーク電流）の両方を抑制することができる。本発明の一実施形態に係る表示装置によって、所望の画素以外の画素が発光する混色を抑制し、発光効率の低下も抑制することができる表示装置を提供することができる。
【００６４】
３．第２実施形態
本実施形態では、第１実施形態とは開口部によって露出された画素電極の一部の形状が異なる例について、図１５（ａ）乃至図１５（ｆ）を参照し、説明する。なお、発明の背景及び第１実施形態と同様の構成に関しては説明を省略することがある。
【００６５】
図１では、開口部１７０によって露出された画素電極の一部１７１の形状が長方形である例を示した。本実施形態における開口部１７０によって露出された画素電極の一部１７１の形状を、図１５（ａ）乃至図１５（ｆ）に示す。図１５（ａ）に示す開口部１７０によって露出された画素電極の一部１７１の形状は、円形状、又は円状である。図１５（ｂ）乃至図１５（ｆ）に示す開口部１７０によって露出された画素電極の一部１７１の形状は、多角形状である。具体的には、図１５（ｂ）に示す開口部１７０によって露出された画素電極の一部１７１の形状は、八角形状である。図１５（ｂ）に示す八角形は、正八角形である例を示している。図１５（ｃ）に示す開口部１７０によって露出された画素電極の一部１７１の形状は、六角形状である。図１５（ｃ）に示す六角形は、正六角形である例を示している。図１５（ｄ）に示す開口部１７０によって露出された画素電極の一部１７１の形状は、正方形状である。図１５（ｄ）は正方形を例に示しているが、四角形であれば正方形でなくてもよい。図１５（ｅ）に示す開口部１７０によって露出された画素電極の一部１７１の形状は、図１に示した長方形において、短辺と長辺を変えた例を示している。図１５（ｆ）に示す開口部１７０によって露出された画素電極の一部１７１の形状は、Ｌ字状である。なお、図４、図１５（ａ）乃至図１５（ｆ）に示す開口部１７０によって露出された画素電極の一部１７１の形状は、一例であって、開口部１７０の形状は、本発明の一実施形態を満たす形状を逸脱しない範囲において、適宜、検討すればよい。
【００６６】
図１６は、図１５（ａ）乃至図１５（ｆ）に示した開口部１７０によって露出された画素電極の一部１７１の形状において、開口部１７０によって露出された画素電極の一部１７１の面積Ｓ0に対して、発光効率をプロットした図である。ここで、図１６では、横リーク電流の幅Δｄは１．６μｍである例を示した。なお、横リーク電流は、第１リーク電流及び第２リーク電流を含む。
【００６７】
図１６によれば、開口部によって露出された画素電極の一部の形状は、長方形状、及び正方形よりも、正多角形状、円状の方が、発光効率が大きい。即ち、開口部によって露出された画素電極の一部の形状の対称性が高いほど、発光効率が大きいことがわかる。即ち、正多角形状、円状のように、開口部によって露出された画素電極の一部の形状の対称性が高いほど、横リーク電流の影響を抑制することができる。また、図１６によれば、開口部によって露出された画素電極の一部の面積Ｓ0が１０００μｍ2よりも小さくなると、発光効率の低下の割合は、次第に大きくなる。また、図１６によれば、開口部によって露出された画素電極の一部の面積Ｓ0が６００μｍ2よりも小さくなると、発光効率の低下の割合は、さらに大きくなる。また、図１６によれば、開口部によって露出された画素電極の一部の面積Ｓ0が４００μｍ2よりも小さくなると、発光効率の低下の割合は、より大きくなる。したがって、開口部によって露出された画素電極の一部の面積Ｓ0が４００μｍ2以上において、発光効率の低下を抑制することができる。また、好ましくは、開口部によって露出された画素電極の一部の面積Ｓ0が６００μｍ2以上において、発光効率の低下を抑制することができる。また、さらに好ましくは、開口部によって露出された画素電極の一部の面積Ｓ0が１０００μｍ2以上において、発光効率の低下を抑制することができる。
【００６８】
以上説明したように、本発明の一実施形態に係る表示装置においては、開口部によって露出された画素電極の一部の形状を正多角形状、円状にすることによって、横リーク電流の影響を抑制することができる。したがって、発光素子の発光効率の低下を抑制し、発光素子の発光効率を大きくすることができる。また、開口部によって露出された画素電極の一部の面積を１０００μｍ2以上にすることで発光効率の低下を抑制することができる。
【００６９】
４．第３実施形態
本実施形態では、第１実施形態とは異なる表示装置について、図１７及び図１８を参照し、説明する。なお、発明の背景、第１実施形態及び第２実施形態と同様の構成に関しては説明を省略することがある。
【００７０】
一般的に、有機ＥＬ表示装置は、図４及び図５において説明したように、発光素子１３０Ｒ、発光素子１３０Ｇ、及び発光素子１３０Ｂを有する。発光素子１３０Ｒが有する発光層１６４Ｒと、発光素子１３０Ｇが有する発光層１６４Ｇと、発光素子１３０Ｂが有する発光層１６４Ｂは、それぞれ異なる材料によって形成される。発光素子１３０Ｒ、発光素子１３０Ｇ、及び発光素子１３０Ｂは、表示装置の仕様や目的などに合わせて、発光効率、印加される電圧、発光寿命などが適宜検討された材料が用いられる。したがって、発光素子１３０Ｒ、発光素子１３０Ｇ、及び発光素子１３０Ｂのそれぞれの、正孔移動度の比（正孔輸送層の正孔移動度μh2／発光層又は電子ブロッキング層の正孔移動度μh1）は異なることが多い。
【００７１】
本実施形態においては、発光素子１３０Ｒ、発光素子１３０Ｇ、及び発光素子１３０ＢのそれぞれのＬ／Ｓ0（開口部によって露出された画素電極の一部の周囲長Ｌと、開口部によって露出された画素電極の一部の面積Ｓ0との比）を調整することによって、それぞれの発光素子における横リーク電流の影響を略同じにする。具体的には、発光素子１３０Ｒ、発光素子１３０Ｇ、及び発光素子１３０Ｂのそれぞれにおいて、正孔移動度の比（正孔輸送層の正孔移動度μh2／発光層又は電子ブロッキング層の正孔移動度μh1）が大きい順にＬ／Ｓ0を小さくする。
【００７２】
図１７に、本発明の一実施形態に係る表示装置の正孔移動度の比に対する発光効率を示す図である。なお、図１７においては、各発光素子の開口部によって露出された画素電極の一部の形状は同じである。また、図１７においては、電流密度が０．１ｍＡ／ｃｍ2、Ｌ／Ｓ0＝０．２１の例を示す。図１７において、発光素子１３０Ｒは、正孔移動度の比が６．４ｅ４に対して、発光効率が８９％である。同様に、発光素子１３０Ｇは、正孔移動度の比が６．６ｅ３に対して、発光効率が８２％である。同様に、発光素子１３０Ｂは、正孔移動度の比が７．２ｅ２に対して、発光効率が７３％である。
【００７３】
図１８に、本発明の一実施形態に係る表示装置における、Ｌ／Ｓ0（開口部によって露出された画素電極の一部の周囲長Ｌと、開口部によって露出された画素電極の一部の面積Ｓ0との比）に対する、発光効率の低下Ｓ0／Ｓを示す。図１８は、図１２に基づいて図１４に示した発光効率０．１ｍＡ／ｃｍ2のグラフを抜粋している。そして、抜粋したグラフ上に、図１７に示した発光素子１３０Ｒ、発光素子１３０Ｇ、及び発光素子１３０Ｂのそれぞれの正孔移動度の比に応じて、Ｌ／Ｓ0を調整した結果をプロットしている。このとき、正孔移動度の比が大きい順にＬ／Ｓ0を小さくする。また、発光素子１３０Ｒ、発光素子１３０Ｇ、及び発光素子１３０Ｂのそれぞれの発光効率が、均一になるように調整した。即ち、均一化された発光効率は、図１７の発光素子１３０Ｒ、発光素子１３０Ｇ、及び発光素子１３０Ｂのそれぞれの発光効率を平均した８１．３％である。
【００７４】
例えば、本発明の一実施形態に係る表示装置において、発光素子１３０Ｇを基準とする。発光素子１３０ＧにおけるＬ／Ｓ0は、以下のようになる。発光素子１３０Ｇにおいて、正孔移動度の比が６．６ｅ３に対する発光効率は８２％である。均一化された発光効率８１．３％は、発光素子１３０Ｇの発光効率８２％の９９．１％である。図１７において、Ｌ／Ｓ0は０．２１であるから、発光素子１３０Ｇの調整後のＬ／Ｓ0は、０．２１を９９．１％で除算し、０．２２となる。よって、発光素子１３０ＧのＬ／Ｓ0は０．２２、Ｓ0／Ｓは０．８１となる。
【００７５】
発光素子１３０Ｒにおいて、正孔移動度の比が６．４ｅ４に対する発光効率は８９％である。均一化された発光効率８１．３％は、発光素子１３０Ｒの発光効率８９％の９１．３％である。発光素子１３０Ｇを基準にすると、発光効率８２％に対して、９１．３％は、０．７５である。即ち、Ｓ／Ｓ0＝０．７５である。図１８のグラフから、Ｓ／Ｓ0＝０．７５のとき、Ｌ／Ｓ0は０．３１である。したがって、発光素子１３０ＲのＬ／Ｓ0は０．３１、Ｓ0／Ｓは０．７５となる。同様にして、発光素子１３０Ｂにおいて、正孔移動度の比が７．２ｅ２に対する発光効率は７３％である。均一化された発光効率８１．３％は、発光素子１３０Ｂの発光効率７３％の１１１．４％である。発光素子１３０Ｇを基準にすると、発光効率８２％に対して、１１１．４％は、０．９１である。即ち、Ｓ／Ｓ0＝０．９１である。図１８のグラフから、Ｓ／Ｓ0＝０．９１のとき、Ｌ／Ｓ0は０。０９である。したがって、発光素子１３０ＢのＬ／Ｓ0は０．０９、Ｓ0／Ｓは０．９１となる。
【００７６】
以上説明したように、発光素子１３０Ｒ、発光素子１３０Ｇ、及び発光素子１３０Ｂのそれぞれにおいて、正孔移動度の比が大きい順にＬ／Ｓ0を小さくすることによって、横リーク電流が生じることを抑制することができる。また、発光素子１３０Ｒ、発光素子１３０Ｇ、及び発光素子１３０Ｂのそれぞれにおいて、横リーク電流を略同じ（均等ともよぶ）にすることによって、発光効率の電流密度依存を均一にすることができる。さらに、発光素子１３０Ｒ、発光素子１３０Ｇ、及び発光素子１３０Ｂのそれぞれにおいて、横リーク電流を略同じにすることによって、色度も均一にすることができる。その結果、表示装置の表示品位を向上させることができる。
【００７７】
５．第４実施形態
本実施形態では、本発明の一実施形態に係る表示装置について、図１９乃至図２８を参照し、説明する。なお、発明の背景、第１実施形態乃至第３実施形態と同様の構成に関しては説明を省略することがある。また、図１９乃至図２８では、電子注入層、電子ブロッキング層、正孔ブロッキング層、及び正孔注入層は図示を省略している。
【００７８】
有機ＥＬ表示装置が有する有機ＥＬ材料は、当該有機ＥＬ材料に含まれる分子の形状などにより、当該分子の双極子モーメントが配向するものがある。例えば、当該分子の双極子モーメントが配向すると、自発分極により、内部電界が生じる。
【００７９】
図１９は、画素１０９Ｇの発光素子１３０Ｇの発光層１６４Ｇにおいて正の内部電界が発生した例である。正の内部電界をＶ、発光層１６４Ｇの厚さをｄ、自発分極をＰ0、真空中の誘電率をε0、比誘電率をεrとしたとき、Ｖ＝Ｐ0×ｄ／ε、ε＝（εr−１）ε0と表される。発光素子に内部電界が生じているとき、正孔及び電子の注入は、内部電界が生じていないときと比較して、低電圧で起きる。正孔及び電子は、発光素子における内部電界が相殺されるまで、注入され続ける。したがって、発光素子における内部電界が相殺されるまで、正孔または電子は、例えば発光層内に蓄積される。なお、図１９は、Ｖが０以下の例を示している。
【００８０】
図２０は、画素電極１２５に印加される電圧と対向電極に印加される電圧との差が０Ｖ近傍における、正孔または電子の状態の例である。画素電極１２５に正の電圧が印加され、対向電極１２８に例えば０Ｖが印加されている例を示している。したがって、画素電極１２５近傍には正孔が、対向電極１２８近傍には電子が励起されている。
【００８１】
図２１は、画素電極１２５に印加される電圧と対向電極に印加される電圧との差が０Ｖよりも大きいときの、正孔及び電子の状態の例である。正孔輸送層１６２から発光層１６４Ｇに向かって正孔が移動し、電子輸送層１６６から発光層１６４Ｇに向かって電子が移動している。即ち、正の内部電界によって励起された正孔及び電子と、移動した正孔及び移動した電子が、発光層１６４Ｇ近傍で滞留する。画素電極１２５の幅よりも広い幅で正孔が広がり、横方向リーク電流が生じている。即ち、所望の画素以外の画素にも正孔が広がり、横方向リーク電流が生じている。
【００８２】
図２２は、画素電極１２５に印加される電圧と対向電極に印加される電圧との差が、発光素子１３０Ｇが発光する電圧以上のときの、正孔及び電子の状態の例である。画素電極１２５に印加される電圧と対向電極とに電圧を印加し続けると、移動した正孔及び移動した電子によって、正の内部電界によって励起された正孔及び電子が、相殺される。さらに、移動した正孔及び移動した電子によって、発光素子１３０Ｇが発光する電圧以上になると、発光素子１３０Ｇは発光する。
【００８３】
図２３は、発光層１６４Ｇにおいて負の内部電界が発生した例である。負の内部電界の向きは、発光層に正孔が注入される側から、発光層に電子が注入される側に向かう方向である。図１９で説明した正の内部電界と同様に、負の内部電界をＶ、発光層１６４Ｇの厚さをｄ、自発分極をＰ0、真空中の誘電率をε0、比誘電率をεrとしたとき、Ｖ＝Ｐ0×ｄ／ε、ε＝（εr−１）ε0と表される。なお、正の内部電界は、対向電極１２８側から、画素電極１２５側に向かう側であるのに対し、負の内部電界は、画素電極１２５側から、対向電極１２８側に向かう側である。即ち、正の内部電界と負の内部電界とは、電界の向きが互いに逆である。
【００８４】
図２４は、画素電極１２５に印加される電圧と対向電極に印加される電圧との差が０Ｖ近傍における、正孔または電子の状態の例である。画素電極１２５に正の電圧が印加され、対向電極１２８に例えば０Ｖが印加されている例を示している。したがって、画素電極１２５近傍には正孔が、対向電極１２８近傍には電子が励起されている。
【００８５】
図２５は、画素電極１２５に印加される電圧と対向電極に印加される電圧との差が０Ｖよりも大きいときの、正孔及び電子の状態の例である。正孔輸送層１６２から発光層１６４Ｇに向かって正孔が移動し、電子輸送層１６６から発光層１６４Ｇに向かって電子が移動している。発光層１６４Ｇに負の内部電界が生じているとき、負の内部電界によって励起された正孔に、正孔輸送層１６２から発光層１６４Ｇに向かって正孔が移動する。発光層１６４Ｇに負の内部電界が生じているとき、負の内部電界によって励起された電子に、電子輸送層１６６から発光層１６４Ｇに向かって電子が移動する。したがって、正孔及び電子が、発光層１６４Ｇ近傍で滞留することがない。したがって、画素電極１２５の幅よりも広い幅で正孔が広がることがなく、横方向リーク電流が生じることもない。即ち、所望の画素以外の画素に正孔が広がることがなく、横方向リーク電流も生じない。
【００８６】
図２６は、画素電極１２５に印加される電圧と対向電極に印加される電圧との差が、発光素子１３０Ｇが発光する電圧以上のときの、正孔及び電子の状態の例である。画素電極１２５に印加される電圧と対向電極に印加される電圧との差が、発光素子１３０Ｇが発光する電圧以上になり、発光素子１３０Ｇは発光する。
【００８７】
図２７は、材料１を発光層１６４Ｇに用いたＴＥＧ１及びＴＥＧ６において、電流密度と発光効率を示した図である。なお、材料１は、正の内部電界を生じる材料である。正の内部電界を生じる材料の例として、例えば、アルミキノリン（Ａｌｑ）系の材料がある。ＴＥＧ１は図１２において説明した通り、開口部によって露出された画素電極の一部の面積が２０００μｍ×２０００μｍである。ＴＥＧ５は、開口部によって露出された画素電極の一部の面積が３０μｍ×３０μｍである。開口部によって露出された画素電極の一部の面積が小さい方が、発光効率が小さいことがわかる。本明細書等においては、図１２において説明した通り、ＴＥＧ１は、開口部によって露出された画素電極の一部の面積が非常に大きいため、ＴＥＧ１は横リーク電流が生じないと仮定している。しかし、正の内部電界を生じる材料を発光層１６４Ｇに用いたとき、ＴＥＧ１の電流密度が０．０１ｍＡ／ｃｍ2においても、発光効率は１００％にならない。即ち、図２７から、正の内部電界を生じる材料を発光層１６４Ｇに用いると、横方向のリーク電流が生じていることがわかる。
【００８８】
図２８は、材料２を発光層１６４Ｇに用いたＴＥＧ１及びＴＥＧ６において、電流密度と発光効率を示した図である。なお、材料２は、負の内部電界を生じる材料である。負の内部電界を生じる材料の例として、例えば、Ａｌ（７−Ｐｒｇ）３などの材料がある。負の内部電界を生じる材料を発光層１６４Ｇに用いたとき、ＴＥＧ１の電流密度が０．０１ｍＡ／ｃｍ2においても、発光効率は１００％になっている。また、負の内部電界を生じる材料を発光層１６４Ｇに用いたとき、正の内部電界を生じる材料を発光層１６４Ｇに用いたときと比較して、開口部によって露出された画素電極の一部の面積が小さくても、発光効率が大きい。即ち、図２８から、負の内部電界を生じる材料を発光層１６４Ｇに用いることによって、横方向のリーク電流を抑制することができる。
【００８９】
図１９乃至図２８では、画素１０９Ｇの発光素子１３０Ｇの発光層１６４Ｇに対して、負の内部電界が生じる材料を用いることによって、横方向のリーク電流を抑制することができる例を示した。本実施形態においても、発明の背景、実施形態１乃至実施形態３と同様に、横方向のリーク電流は、第１リーク電流、及び第２リーク電流を含む。また、負の内部電界が生じるのは、画素１０９Ｒの発光素子１３０Ｒの発光層１６４Ｒ、画素１０９Ｇの発光素子１３０Ｇの発光層１６４Ｇ、画素１０９Ｂの発光素子１３０Ｂの発光層の１６４Ｂの少なくとも一つであってもよい。発光層１６４Ｇと同様に、発光層１６４Ｒ、発光層１６４Ｂにおいて、負の内部電界が生じる材料を適宜選択すればよい。なお、負の内部電界が生じるのは、正孔輸送層、正孔ブロッキング層の何れかであってもよい。発光層１６４Ｇ、と同様に、正孔輸送層、正孔ブロッキング層において、負の内部電界が生じる材料を適宜選択すればよい。
【００９０】
本明細書などでは、画素電極が陽極（アノード）である例を示した。画素電極は陰極（カソード）であってもよい。画素電極が陰極（カソード）の時、例えば、図１９乃至図２６で示した断面の積層順序が逆になる。即ち、下から、対向電極１２８、電子注入層１６７、電子輸送層１６６、正孔ブロッキング層１６５（図示せず）、発光層１６４Ｇ、電子ブロッキング層１６３、正孔輸送層１６２、正孔注入層１６１、画素電極１２５となる。このとき、負の内部電界の向きは、発光層に電子が注入される側から、発光層に正孔が注入される側に向かう方向である。
【００９１】
以上説明したように、発光素子において、負の内部電界が発生する材料を用いることによって、所望の画素以外の画素に正孔が広がることを抑制することができる。その結果、横リーク電流が生じることを抑制することができる。また、その結果、発光効率の低下を抑制することができる。発光素子において、負の内部電界が発生する材料を用いることによって、表示装置の表示品位を向上させることができる。
【００９２】
６．第５実施形態
本実施形態では、表示装置の製造方法について、図２９乃至図３２を参照し、説明する。なお、発明の背景、第１実施形態乃至第４実施形態と同様の構成に関しては説明を省略することがある。
【００９３】
図２９乃至図３２は、本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する断面図である。なお、図２９乃至図３２は、表示部１０３に含まれる画素１０９Ｒ、画素１０９Ｇ、及び画素１０９Ｂの３つの画素の断面を示す。
【００９４】
図２９に示すように、表示装置１００は、第１基板１０１、及び第２基板１１２を有する。第１基板１０１、及び第２基板１１２は、例えば、ガラス基板、石英基板、又はフレキシブル基板（ポリイミド、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、トリアセチルセルロース、環状オレフィン・コポリマー、シクロオレフィンポリマー、その他の可撓性を有する樹脂基板）を用いることができる。第１基板１０１、及び第２基板１１２が透光性を有する必要がない場合には、金属基板、セラミックス基板、又は半導体基板を用いてもよい。本実施形態では、第１基板１０１はポリイミドを用い、第２基板１１２はポリエチレンテレフタラートを用いる。
【００９５】
はじめに、第１基板１０１上に、下地膜１１３を形成する。下地膜１１３は、絶縁層である。下地膜１１３を形成する材料は、例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、又は酸化アルミニウム等の無機材料である。本実施形態では、下地膜１１３は、一つの層で形成される例を示すが、例えば、酸化シリコン層と窒化シリコン層とを積層し、形成してもよい。下地膜１１３は、第１基板１０１との密着性や、後述するトランジスタ１２０に対するガスバリア性を考慮して適宜決定すれば良い。
【００９６】
次に、下地膜１１３上に、トランジスタ１２０を形成する。トランジスタ１２０の構造は、トップゲート型であってもボトムゲート型であってもよい。本実施形態では、トランジスタ１２０は、下地膜１１３上に設けられた半導体層１１４、半導体層１１４を覆うゲート絶縁膜１１５、及び、ゲート絶縁膜１１５上に設けられたゲート電極１１６を含む。また、トランジスタ１２０上には、ゲート電極１１６を覆う層間絶縁層１２２が形成される。さらに、層間絶縁層１２２上には、ソース電極又はドレイン電極１１７、及び、ソース電極又はドレイン電極１１８が形成される。ソース電極又はドレイン電極１１７、及び、ソース電極又はドレイン電極１１８は、半導体層１１４に電気的に接続される。なお、本実施形態では、層間絶縁層１２２は一つの層で形成される例を示すが、例えば、層間絶縁層１２２は二つ以上の層が積層され、形成されてもよい。
【００９７】
トランジスタ１２０を構成する各層の材料は、公知の材料を用いればよく、特に限定はない。半導体層１１４を形成する材料は、例えば、ポリシリコン、アモルファスシリコン又は酸化物半導体を用いることができる。ゲート絶縁膜１１５を形成する材料は、例えば、酸化シリコン又は窒化シリコンを用いることができる。ゲート電極１１６を形成する材料は、例えば、銅、モリブデン、タンタル、タングステン、アルミニウムなどの金属材料を用いることができる。層間絶縁層１２２を形成する材料は、例えば、酸化シリコン又は窒化シリコンを用いることができる。ソース電極又はドレイン電極１１７、及び、ソース電極又はドレイン電極１１８を形成する材料は、銅、チタン、モリブデン、又はアルミニウムなどの金属材料を用いることができる。
【００９８】
なお、図示を省略するが、ゲート電極１１６と同じ層には、ゲート電極１１６を形成する金属材料と同一の金属材料で形成された第１配線を設けることができる。第１配線は、例えば、走査信号線駆動回路１０４によって駆動される走査信号線である。また、図示を省略するが、ソース電極又はドレイン電極１１７、及び、ソース電極又はドレイン電極１１８と同じ層には、第１配線と交差する方向に延在する第２配線を設けることができる。第２配線は、例えば、映像信号線駆動回路によって駆動される映像信号線である。
【００９９】
続いて、トランジスタ１２０上に、平坦化膜１２３を形成する。平坦化膜１２３は、有機樹脂材料を含む。有機樹脂材料は、公知の有機樹脂材料を用いることができる。例えば、有機樹脂材料は、ポリイミド、ポリアミド、アクリル、又はエポキシ等である。平坦化膜１２３は、トランジスタ１２０を構成するゲート電極１１６、ソース電極又はドレイン電極１１７、及び、ソース電極又はドレイン電極１１８などの、凹凸を緩和し、膜の表面を略平坦にすることができる。平坦化膜１２３は、例えば、溶液塗布法により形成される。なお、本実施形態では、平坦化膜１２３は、一つの層で形成される例を示すが、例えば、有機樹脂材料を含む層と無機絶縁層とが積層され、形成されてもよい。
【０１００】
続いて、平坦化膜１２３に、コンタクトホールを形成する。コンタクトホールは、ソース電極又はドレイン電極１１８の一部を露出させる。また、後述する画素電極１２５とソース電極又はドレイン電極１１８が、コンタクトホールによって、電気的に接続される。したがって、コンタクトホールは、ソース電極又はドレイン電極１１８の一部に重畳して設けられる。コンタクトホールの底面では、ソース電極又はドレイン電極１１８が露出される。
【０１０１】
続いて、平坦化膜１２３上に、保護膜１２４を形成する。保護膜１２４は、平坦化膜１２３に形成されたコンタクトホールに重畳する。保護膜１２４は、水分や酸素に対するバリア機能を有することが好ましい。保護膜１２４を形成する材料は、例えば、窒化シリコン膜、又は酸化アルミニウムなどの無機絶縁材料を用いることができる。
【０１０２】
引き続き、保護膜１２４上に、画素電極１２５を形成する。画素電極１２５は、保護膜１２４及び平坦化膜１２３に設けられたコンタクトホールを介して、ソース電極又はドレイン電極１１８と電気的に接続される。本実施形態の表示装置１００において、画素電極１２５は、発光素子１３０を構成する陽極（アノード）として機能する。画素電極１２５は、表示装置１００がトップエミッション型であるかボトムエミッション型であるかで異なる構成とする。例えば、表示装置１００がトップエミッション型である場合、画素電極１２５を形成する材料は、反射率の高い金属材料を用いる。また、表示装置１００がトップエミッション型である場合、画素電極１２５を形成する材料は、酸化インジウム系透明導電性材料（例えば、Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ（ＩＴＯ））や酸化亜鉛系透明導電性材料（例えば、Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ（ＩＺＯ）、Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ（ＺｎＯ））といった仕事関数の高い透明導電性材料と金属材料との積層構造を用いることもできる。また、例えば、表示装置１００がボトムエミッション型である場合、画素電極１２５の材料は、上述した透明導電性材料を用いる。本実施形態では、トップエミッション型の有機ＥＬ表示装置を例に挙げて説明する。
【０１０３】
画素電極１２５上に、第１絶縁層１２６を形成する。第１絶縁層１２６を形成する材料は、有機樹脂材料が用いられる。有機樹脂材料は、例えば、ポリイミド系、ポリアミド系、アクリル系、エポキシ系もしくはシロキサン系といった公知の樹脂材料を用いることができる。第１絶縁層１２６は、開口部１７０を有する。開口部１７０は、画素電極１２５上の一部を露出させる（露出された画素電極の一部１７１）。第１絶縁層１２６は、互いに隣接する画素電極１２５の間に、画素電極１２５の周辺部（端部、エッジ部）を覆うように設けられる。したがって、第１絶縁層１２６は、隣接する画素電極１２５を離隔する部材として機能する。第１絶縁層１２６は、一般的に「隔壁」、「バンク」とも呼ばれる。第１絶縁層１２６の開口部１７０は、内壁がテーパー形状となるようにしておくことが好ましい。第１絶縁層１２６の開口部１７０の内壁をテーパー形状とすることによって、後述する発光層の形成時に、画素電極１２５の端部におけるカバレッジ不良を低減することができる。また、第１絶縁層１２６は、画素電極１２５の端部を覆うだけでなく、平坦化膜１２３及び保護膜１２４が有するコンタクトホールに起因する凹部を埋める充填材として機能させてもよい。
【０１０４】
画素電極１２５上に、有機層１２７を形成する。有機層１２７は、少なくとも有機材料で構成される発光層を有し、発光層の少なくとも一部が発光素子１３０の発光領域として機能する。有機層１２７には、発光層以外に、図２において説明した正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層といった各種の層が含まれる。有機層１２７は、第１絶縁層１２６の開口部１７０を覆うように設けられる。即ち、開口部１７０によって、複数の有機層のうち、画素電極１２５に最も近い層と画素電極１２５とが接する。
【０１０５】
なお、本実施形態では、所望の色の光を発する発光層を含む有機層１２７を設ける。また、本実施形態では、各画素電極１２５上には、異なる発光層を含む有機層１２７を形成することで、ＲＧＢの各色を表示する構成とする。本実施形態において、有機層の発光層は、隣接する画素電極１２５の間では不連続である。なお、有機層１２７は、公知の構造や公知の材料で形成することが可能であり、特に本実施形態の構成に限定されるものではない。
【０１０６】
有機層１２７上及び第１絶縁層１２６上に、対向電極１２８を形成する。対向電極１２８は、発光素子１３０を構成する陰極（カソード）として機能する。本実施形態の表示装置１００は、トップエミッション型であるため、対向電極１２８は透明電極を用いる。透明電極を構成する薄膜は、ＭｇＡｇ薄膜、もしくは、ＩＴＯやＩＺＯなどの材料を用いた透明導電層を用いる。対向電極１２８は、画素１０９Ｒ、画素１０９Ｇ、及び画素１０９Ｂ間を跨いで第１絶縁層１２６上にも設けられる。対向電極１２８は、表示部１０３の端部付近の周辺領域において、下層の導電層を介して外部端子へと電気的に接続される。上述したように、本実施形態において、発光素子１３０は、第１絶縁層１２６から露出した画素電極１２５の一部（アノード）、有機層及び対向電極１２８（カソード）によって構成される。
【０１０７】
次に、図３０に示すように、画素１０９Ｒ、画素１０９Ｇ、及び画素１０９Ｂにおいて、各々の発光素子上に、光路長調整膜１５１、及び光路長調整膜１５４を形成する。光路長調整膜１５１、及び光路長調整膜１５４を形成する材料は、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ2）などの無機絶縁材料を用いて形成することができる。図４では、各々の発光素子上に、二つの層の光路長調整膜を形成する例を示したが、各々の発光素子上に形成される光路長調整膜は、一つの層であってもよいし、三つ以上の層であってもよい。
【０１０８】
次に、図３１に示すように、表示部１０３上に、有機絶縁層１３２、及び無機絶縁層１３３を形成する。有機絶縁層１３２、及び無機絶縁層１３３は、発光素子１３０に水や酸素が侵入することを防止するための封止膜として機能する。表示部１０３上に封止膜を設けることにより、発光素子１３０に水や酸素が侵入することを防止して、表示装置の信頼性を向上させることができる。無機絶縁層１３３を形成する材料は、例えば、窒化シリコン（ＳｉxＮy）、酸化窒化シリコン（ＳｉＯxＮy）、窒化酸化シリコン（ＳｉＮxＯy）、酸化アルミニウム（ＡｌxＯy）、窒化アルミニウム（ＡｌxＮy）、酸化窒化アルミニウム（ＡｌxＯyＮz））、窒化酸化アルミニウム（ＡｌxＮyＯz）などを用いることができる（ｘ、ｙ、ｚは任意）。また、有機絶縁層１３２を形成する材料は、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、シリコン樹脂、フッ素樹脂、シロキサン樹脂などを用いることができる。なお、有機絶縁層１３２の膜厚は、１μｍ以上であって２０μｍ以下程度とする。無機絶縁層１３３の膜厚は、０．１μｍ以上であって３μｍ以下程度とする。
【０１０９】
次に、図３２に示すように、無機絶縁層１３３上には、粘着層１３５によって対向基板１０２が貼り合わされる。粘着層１３５を形成する材料は、例えば、アクリル系、ゴム系、シリコン系、ウレタン系の粘着材を用いることができる。また、粘着層１３５は、カルシウムやゼオライトなどの吸水物質が含まれていてもよい。粘着層１３５に吸水物質が含まれることにより、表示装置１００の内部に水分が侵入した場合であっても、発光素子１３０に水分が到達することを遅らせることができる。また、粘着層１３５には、スペーサが設けられてもよい。粘着層１３５にスペーサを設けることによって、第１基板１０１と対向基板１０２との間の間隙を確保することができる。なお、当該スペーサは粘着層１３５に混ぜられてもよいし、当該スペーサは第１基板１０１上に樹脂等により形成されてもよい。また、対向基板１０２を形成する材料は、第１基板１０１及び第２基板１１２で例示した材料と同じ材料を使用することができる。
【０１１０】
対向基板１０２には、例えば、平坦化を兼ねてオーバーコート層が設けられてもよい。また、有機層が白色光を発光する場合、対向基板１０２には、主面（第１基板１０１に対向する面）にＲＧＢの各色のそれぞれに対応するカラーフィルタが設けられてもよい。また、ＲＧＢの各色のそれぞれに対応するカラーフィルタ間には、ブラックマトリクスが設けられていてもよい。なお、対向基板１０２側にカラーフィルタを形成しない場合、例えば、封止膜上に直接カラーフィルタを形成し、その上から粘着層１３５を形成すればよい。また、対向基板１０２の裏面（表示面側）には、偏光板１３８が設けられている。
【０１１１】
以上説明した製造方法を用いることによって、所望の画素以外の画素が発光する混色を抑制し、発光効率の低下も抑制することができる表示装置を提供することができる。
【０１１２】
本発明の実施形態として上述した各実施形態は、相互に矛盾しない限りにおいて、適宜組み合わせて実施することができる。また、各実施形態の表示装置を基にして、当業者が適宜構成要素の追加、削除もしくは設計変更を行ったもの、又は、工程の追加、省略もしくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。
【０１１３】
本明細書においては、開示例として主に有機ＥＬ表示装置を例示した。また、本発明の実施形態として上述した各実施形態は、中小型の表示装置から大型の表示装置まで、特に限定することなく適用が可能である。
【０１１４】
上述した各実施形態の態様によりもたらされる作用効果とは異なる他の作用効果であっても、本明細書の記載から明らかなもの、又は、当業者において容易に予測し得るものについては、当然に、本発明によりもたらされるものと解される。
【符号の説明】
【０１１５】
１：材料、２：材料、１００：表示装置、１０１：第１基板、１０２：対向基板、１０３：表示部、１０４：走査信号線駆動回路、１０５：走査信号線、１０７：端子、１０８：フレキシブルプリント基板、１０９Ｂ：画素、１０９Ｇ：画素、１０９Ｒ：画素、１１０：周辺領域、１１２：第２基板、１１３：下地膜、１１４：半導体層、１１５：ゲート絶縁膜、１１６：ゲート電極、１１７：ドレイン電極、１１８：ドレイン電極、１２０：トランジスタ、１２２：層間絶縁層、１２３：平坦化膜、１２４：保護膜、１２５：画素電極、１２５ａ：画素電極、１２５ｂ：画素電極、１２５ｃ：画素電極、１２５ｄ：画素電極、１２６：第１絶縁層、１２７：有機層、１２７Ｂ：有機層、１２７Ｇ：有機層、１２７Ｒ：有機層、１２８：対向電極、１３０：発光素子、１３０Ｂ：発光素子、１３０Ｇ：発光素子、１３０Ｒ：発光素子、１３１：コンタクト電極、１３２：有機絶縁層、１３３：無機絶縁層、１３５：粘着層、１３８：偏光板、１４０：封止領域、１４２：カソード配線、１５１：光路長調整膜、１５２：光路長調整膜、１５３：光路長調整膜、１５４：光路長調整膜、１６１：正孔注入層、１６２：正孔輸送層、１６３：電子ブロッキング層、１６４Ｂ：発光層、１６４Ｇ：発光層、１６４Ｒ：発光層、１６５：正孔ブロッキング層、１６６：電子輸送層、１６７：電子注入層、１７０：開口部、１７１：露出された画素電極の一部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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