(57)【要約】      （修正有）【課題】被処理物の昇温に伴う急峻なガス発生を可能な限り抑えて平準化させる熱処理装置の提供。【解決手段】回転炉１に供給された粉状又は粉粒状の被処理物Ｂを、回転炉の回転動作により回転炉の炉面に沿って回転炉の周方向θへ揺動させながら熱処理する熱処理装置であって、被処理物の供給口Ｂａ及び排出口Ｂｂと連通して回転自在に設けられる外熱式の回転炉と、回転炉の炉面に回転炉の軸方向へ分割して形成され、回転炉内に供給した被処理物がそれぞれ堆積する複数の加熱面部１２と、複数の加熱面部を温度制御する制御部６と、を備え、制御部は、複数の加熱面部に堆積される被処理物の堆積部Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３をガス発生温度域まで昇温させる一次昇温過程において、複数の加熱面部を被処理物の堆積部が軸方向へ所定の温度差で昇温されるように温度制御する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
回転炉に供給された粉状又は粉粒状の被処理物を、前記回転炉の回転動作により前記回転炉の炉面に沿って前記回転炉の周方向へ揺動させながら熱処理する熱処理装置であって、
前記被処理物の供給口及び排出口と連通して回転自在に設けられる外熱式の前記回転炉と、
前記回転炉の前記炉面に前記回転炉の軸方向へ分割して形成され、前記回転炉内に供給した前記被処理物がそれぞれ堆積する複数の加熱面部と、
前記複数の加熱面部を温度制御する制御部と、を備え、
前記制御部は、前記複数の加熱面部に堆積される前記被処理物の堆積部をガス発生温度域まで昇温させる一次昇温過程において、前記複数の加熱面部を前記被処理物の前記堆積部が前記軸方向へ所定の温度差で昇温されるように温度制御することを特徴とする熱処理装置。
【請求項２】
前記一次昇温過程の前期における前記複数の加熱面部の温度設定が、前記炉面において前記回転炉の軸方向の一端から他端に向かって順番に高低差を生じるように制御され、前記一次昇温過程の後期における前記複数の加熱面部の温度設定が、すべて略同じとなるように制御されることを特徴とする請求項１記載の熱処理装置。
【請求項３】
前記複数の加熱面部が、前記被処理物の前記堆積部のうち最初に目標温度に到達した一部分と対応する前記加熱面部から順番に降温制御されることを特徴とする請求項１又は２記載の熱処理装置。
【請求項４】
前記回転炉を所定角度に傾斜するように移動させる傾動機構を備え、
前記制御部により前記傾動機構は、前記複数の加熱面部の温度制御と連係して作動制御されることを特徴とする請求項１、２又は３記載の熱処理装置。
【請求項５】
前記傾動機構は、前記被処理物の前記堆積部がガス発生ピークを終えた状態で、前記制御部により前記回転炉を所定角度に傾斜移動するように作動制御されることを特徴とする請求項４記載の熱処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、粉状又は粉粒状などの被処理物を回転炉の回転動作により熱処理（加熱処理）するために用いられる熱処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、この種の熱処理装置として、上下方向に傾斜可能に設置された炉体の内周に電気ヒーターが配置され、電気ヒーターと同心に炉体を貫通して回転するレトルトの少なくとも一端が開放自在な蓋体で閉塞されてレトルトがほぼ閉塞されるようにしたバッチ式ロータリーキルンがある（例えば、特許文献１参照）。
バッチ式ロータリキルンの稼働は、レトルトを傾斜させて、レトルトの上側の端部から粉状または粒状の被処理物が投入される。その後、レトルトを水平姿勢にし、電気ヒーターに通電して発熱させるとともに、レトルトの回転に伴って被処理物が撹拌されながら加熱されて全体を均一に加熱する。そのとき、流通管からガスをレトルト内に導入し、レトルト外に排出してレトルト内の雰囲気を調節している。その後に加熱処理された被処理物は、レトルトを傾けて回転することにより排出される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００２−２７７１６６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、被処理物には、目標温度まで加熱する過程において被処理物からガスを発生（放出）する加熱時ガス発生タイプの粉状体や粉粒体などがある。この発生ガスの種類としては、水蒸気や水素などの可燃性ガス、塩素などの有害なガスなどがある。
しかし乍ら、特許文献１のような従来の熱処理装置では、レトルト（回転炉）の全体が電気ヒーター（熱源）により加熱されて被処理物の全体をほぼ同時に等しく温度上昇（昇温）させている。
このため、被処理物が加熱時ガス発生タイプの粉状体や粉粒体などである場合には、熱源により被処理物の温度が所定温度領域（ガス発生温度域）に達すると、被処理物の全体からガスが発生し始め、更なる昇温によりガスの発生量（放出量）が一気に増える。ガスの発生量が最大値まで増えた後は一気に減少し、被処理物の温度がガス発生温度域を越えると、粉状体や粉粒体などからのガス発生が止み、それ以降は目標温度まで昇温されてもガスの放出は無い。
このような被処理物の全体からの急峻なガス発生は、回転炉の内圧が急激に上昇して作動上の危険性があるだけでなく、回転炉外への排気量を無理して急増させるために排気能力アップの改造を必要とするという問題があった。さらに急峻なガス発生に伴い粉状体や粉粒体などが撹拌され、回転炉内に舞い上がって粉塵となる。この粉塵は、流通管から回転炉内へ導入されるガスに随伴して回転炉の外へ排出されてしまい、排出用の流通管が粉塵で閉塞し易くなることや、被処理物の回収率を低下させるという問題があった。
特に発生ガスが塩素などの有害なガスである場合には、回転炉外へ排気してからのガス後処理の負担が増えるという問題もあった。
そこで、前述した問題を解決するために、回転炉に対して熱源による総加熱量を低下させることや、熱源を一時的にＯＮ・ＯＦＦして、被処理物の全体からの急峻なガス発生を抑えるように温度制御することが考えられる。しかし、このような温度制御では、被処理物が目標温度に昇温されるまでの時間が大幅に遅れ、被処理物の熱処理全体に時間を要して、高速化が図れないという問題があった。
このような状況下で、熱源による総加熱量の低下や熱源の一時的なＯＮ・ＯＦＦを行うことなく、被処理物の昇温に伴う急峻なガス発生を可能な限り抑えて平準化させる温度制御構造が要望されている。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
このような課題を解決するために本発明に係る熱処理装置は、回転炉に供給された粉状又は粉粒状の被処理物を、前記回転炉の回転動作により前記回転炉の炉面に沿って前記回転炉の周方向へ揺動させながら熱処理する熱処理装置であって、前記被処理物の供給口及び排出口と連通して回転自在に設けられる外熱式の前記回転炉と、前記回転炉の前記炉面に前記回転炉の軸方向へ分割して形成され、前記回転炉内に供給した前記被処理物がそれぞれ堆積する複数の加熱面部と、前記複数の加熱面部を温度制御する制御部と、を備え、前記制御部は、前記複数の加熱面部に堆積される前記被処理物の堆積部をガス発生温度域まで昇温させる一次昇温過程において、前記複数の加熱面部を前記被処理物の前記堆積部が前記軸方向へ所定の温度差で昇温されるように温度制御することを特徴とする。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】本発明の実施形態に係る熱処理装置の全体構成を示す説明図であり、（ａ）が一次昇温過程（昇温初期工程）の縦断正面図、（ｂ）が図１（ａ）の（1BC）−（1BC）線に沿える被処理物の揺動（持ち上げ）時の拡大縦断側面図で、（ｃ）が被処理物の揺動（滑り移動）時の拡大縦断側面図である。
【図２】本発明の実施形態に係る熱処理装置の変形例を示す説明図であり、一次昇温過程（昇温初期工程）の縦断正面図である。
【図３】同説明図であり、一次昇温過程（昇温中期工程）の縦断正面図である。
【図４】同説明図であり、一次昇温過程（昇温後期工程）の縦断正面図である。
【図５】同説明図であり、一次昇温過程（昇温完了工程）の縦断正面図である。
【図６】本発明の実施形態に係る熱処理装置の変形例を示す説明図であり、一次昇温過程（昇温初期工程）の縦断正面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。
本発明の実施形態に係る熱処理装置Ａは、図１〜図６に示すように、回転炉１の内部に供給される被処理物Ｂを、回転炉１の回転動作により回転炉１の炉面１１に沿って回転炉１の周方向θへ揺動させながら熱処理（加熱処理）して排出するロータリーキルンなどである。
被処理物Ｂは、粉状体や粉粒体などからなり、チタン酸バリウム系の誘電体材料、チタン酸ジルコン酸鉛系の圧電体材料、リチウム電池材料、薄型ディスプレイパネル用蛍光体などの粉体材料が含まれる。
詳しく説明すると、本発明の実施形態に係る熱処理装置Ａは、被処理物Ｂの供給口Ｂａ及び排出口Ｂｂと連通して回転自在に設けられる円筒状の回転炉１と、回転炉１の外側に設けられる加熱機構２と、回転炉１の内部空間Ｓ１に回転炉１の軸方向Ｚへ回転炉１の外部空間Ｓ２と連通するように設けられる排気機構３と、を主要な構成要素として備えている。
なお、回転炉１の軸方向Ｚを以下「軸方向Ｚ」という。軸方向Ｚと交差する回転炉１の周方向θを以下「周方向θ」という。回転炉１の径方向Ｒを以下「径方向Ｒ」という。
【０００８】
被処理物Ｂの供給口Ｂａは、後述する回転炉１において被処理物Ｂの移送方向上流側に設けられ、被処理物Ｂが収容されたホッパーなどの供給源（図示しない）から回転炉１の内部空間Ｓ１に向け被処理物Ｂを連続して送り込む供給装置である。この供給装置としては、スクリューフィーダなどが用いられる。
供給口Ｂａの具体例として図１（ａ），図２，図３に示される場合には、スクリューフィーダのフィーダ管を回転炉１の内部空間Ｓ１に向けて回転炉１の軸線と略平行に配置している。
また、その他の例として図示しないが、供給口Ｂａにスクリューフィーダ以外の供給装置を用いることも可能である。供給口Ｂａと後述する回転炉１の内面との隙間を可能な限り小さくするためのシュートを設けて、被処理物Ｂが自由落下せずに滑り落ちる構造に変更することも可能である。
【０００９】
回転炉１は、その少なくとも内面側の一部又は全体を例えばセラミックやカーボンなどの耐熱性非金属や、例えばインコネル（登録商標）などのニッケル基合金、コバルト基合金、クロム基合金などの耐熱性金属を含む材料で円筒状に形成した炉心管である。
回転炉１は、その軸方向Ｚ全体が長尺状の一体管に形成される一体構造とするか、又は管全体若しくは一部を軸方向Ｚへ複数に分割して着脱自在に連結する分割構造に構成され、その軸線を中心として回転自在に支持される。
回転炉１は、その一部がモータなどの回転駆動部（図示しない）とチェーンなどの伝動部材（図示しない）を介して連係される。この回転駆動部の作動により、回転炉１は、その軸線を中心として連続的又は間欠的に回転移動させるように構成されている。
回転炉１の内部空間Ｓ１において軸方向Ｚの一端側には、被処理物Ｂの供給口Ｂａと連通する入口部１ａが形成され、軸方向Ｚの他端側には、被処理物Ｂの排出口Ｂｂと連通する出口部１ｂが形成される。
回転炉１の具体例として図１（ａ）などに示される場合には、入口部１ａ側に第一連通管１ｃが連結固定され、出口部１ｂ側に第二連通管１ｄが連結固定され、第一連通管１ｃ及び第二連通管１ｄを含めて回転炉１が一体化されるとともに、第一連通管１ｃと第二連通管１ｄをそれぞれ軸受部材１ｅで回転自在に支持している。
また、回転炉１は、被処理物Ｂの酸化防止や、熱処理により被処理物Ｂから発生した可燃性ガスの爆発防止などを目的として、少なくとも加熱時に内部空間Ｓ１を窒素又はアルゴンなどの雰囲気に保つことがある。この場合には、被処理物Ｂの供給口Ｂａ、回転炉１の入口部１ａ側、出口部１ｂ側、被処理物Ｂの排出口Ｂｂなどのいずれかに開閉弁（図示しない）を設けて、外部空間Ｓ２から回転炉１内への外気（酸素）の侵入を防ぐことが好ましい。
【００１０】
さらに回転炉１は、その内周に沿って形成される炉面１１を有する。炉面１１は、供給口Ｂａから供給した被処理物Ｂが堆積して接触する。
回転炉１の炉面１１は、回転炉１の内周面に沿って周方向θ及び軸方向Ｚへ凹凸の無い平滑な曲面状に形成され、炉面１１に堆積された被処理物Ｂを、回転炉１の回転動作により炉面１１に沿って周方向θの所定領域に亘って揺動させる。
つまり、回転炉１の回転動作により被処理物Ｂの粉状体や粉粒体などが、炉面１１に沿って周方向θへ揺動し、図１（ｂ）に示す被処理物Ｂが回転炉１の回転方向へ持ち上げられる「持ち上がり移動」と、図１（ｃ）に示す被処理物Ｂが自重により回転炉１の回転方向と逆向きへ滑り落ちる「滑落移動」を交互に繰り返す。
これに加えて被処理物Ｂは、この揺動と同時に熱処理される。所定の目標温度まで熱処理された被処理物Ｂは、排出口Ｂｂに向けて排出される。
【００１１】
ところで、被処理物Ｂには、目標温度まで加熱する過程において所定温度領域（ガス発生温度域）に達すると、水蒸気や水素などの可燃性ガスや塩素などの有害なガスを一気に発生（放出）する粉状体や粉粒体などがある。
このような被処理物Ｂの全体から急峻なガス発生は、回転炉１の内圧が急激な上昇、回転炉１外への排気量の急増、粉状体や粉粒体などの舞い上がりによる粉塵の急増、有害ガスの場合には回転炉１外へ排気してからのガス後処理の負担が増えるなどの問題がある。
この問題を解決するには、被処理物Ｂの昇温に伴う急峻なガス発生を可能な限り抑えて平準化させる必要がある。
そこで、本発明の実施形態に係る熱処理装置Ａでは、回転炉１の炉面１１に軸方向Ｚへ複数に分割して形成される加熱面部１２を有し、これら複数の加熱面部１２に亘って、供給口Ｂａから供給した被処理物Ｂがそれぞれ堆積され、複数の加熱面部１２と接触する。複数の加熱面部１２は、後述する加熱機構２で別々に加熱制御され、複数の加熱面部１２に堆積される被処理物Ｂの堆積部を所定の目標温度まで昇温するように構成される。
さらに、後述する制御部６により被処理物Ｂの堆積部をガス発生温度域まで昇温させる一次昇温過程では、複数の加熱面部１２を被処理物Ｂの堆積部が軸方向Ｚへ所定の温度差で昇温されるように温度制御している。
【００１２】
複数の加熱面部１２の一例として図１（ａ）（ｂ）（ｃ）及び図２〜図５に示される場合には、軸方向Ｚへ三分割され、被処理物Ｂの供給方向となる入口部１ａ側から出口部１ｂ側に向けて順番に第一加熱面部１２ａ，第二加熱面部１２ｂ，第三加熱面部１２ｃを形成している。これに伴い、被処理物Ｂの堆積部としては、第一加熱面部１２ａに堆積された粉状体や粉粒体などを第一堆積部Ｂ１とし、第二加熱面部１２ｂに堆積された粉状体や粉粒体などを第二堆積部Ｂ２とし、第三加熱面部１２ｃに堆積された粉状体や粉粒体などを第三堆積部Ｂ３としている。
図示例では、第一加熱面部１２ａ，第二加熱面部１２ｂ，第三加熱面部１２ｃの各面積（軸方向Ｚへの長さ寸法）が略同じとなるように設定している。
また、複数の加熱面部１２の他の例として図６に示される場合には、軸方向Ｚへ五分割され、入口部１ａ側から出口部１ｂ側に向けて順番に第一加熱面部１２ａ，第二加熱面部１２ｂ，第三加熱面部１２ｃ，第四加熱面部１２ｄ，第五加熱面部１２ｅを形成している。このため、被処理物Ｂの堆積部として、第四加熱面部１２ｄに堆積された粉状体や粉粒体などを第四堆積部Ｂ４とし、第五加熱面部１２ｅに堆積された粉状体や粉粒体などを第五堆積部Ｂ５としている。
図示例では、第一加熱面部１２ａ，第二加熱面部１２ｂ，第三加熱面部１２ｃ，第四加熱面部１２ｄ，第五加熱面部１２ｅの各面積（軸方向Ｚへの長さ寸法）が、第一加熱面部１２ａから第五加熱面部１２ｅに向かって徐々に大きくなるように設定している。
なお、それ以外の変形例として図示しないが、複数の加熱面部１２を軸方向Ｚへ二分割又は四分割若しくは六分割にすることや、各面積を図示例外の大きさに設定するなどの変更が可能である。
【００１３】
加熱機構２は、複数の加熱面部１２を加熱することで、回転炉１の内部空間Ｓ１に供給された被処理物Ｂを所定温度に熱処理するための加熱装置である。
加熱機構２から回転炉１への熱移動方法としては、回転炉１と非接触で加熱機構２が配置され、複数の加熱面部１２に対して、伝導や放射や対流などにより伝熱させることが好ましい。
詳しく説明すると、加熱機構２は、回転炉１の外側を覆うように設けられる加熱雰囲気２１と、加熱雰囲気２１に設けられる熱源２２と、を有することが好ましい。
加熱雰囲気２１は、回転炉１の外側に設けられた外壁２３で気密状に覆われる。外壁２３は、断熱材などからなり、角筒状や円筒状又はそれに類似した形状に形成される。
加熱機構２の熱源２２としては、電気ヒーターやガスバーナーなどの電気以外のものが用いられる。回転炉１の内部空間Ｓ１において被処理物Ｂとなる粉状体や粉粒体などを８５０〜１０００℃程度の焼成温度で熱処理する場合には、加熱雰囲気２１を１０００℃以上に加熱している。
加熱機構２の具体例として図１（ａ）（ｂ）（ｃ）〜図６に示される場合には、四角筒状の外壁２３で囲まれた加熱雰囲気２１に、熱源２２となる電気ヒーターを外壁２３の内側四面にそれぞれ配置している。
図示例では、回転炉１の入口部１ａ側に連結固定された第一連通管１ｃと、回転炉１の出口部１ｂ側に連結固定された第二連通管１ｄの末端部を、それぞれ外壁２３から軸方向Ｚへ突出させて非加熱としている。
また、その他の例として図示しないが、外壁２３の内側二面のみに熱源２２となる電気ヒーターを配置する構造や、加熱雰囲気２１を設けずに熱源２２で回転炉１が直接的に加熱される構造や、熱源２２及び外壁２３を図示例以外の構造に変更することが可能である。
【００１４】
さらに、加熱機構２の熱源２２は、複数の加熱面部１２にそれぞれ分割して堆積された被処理物Ｂを別々に加熱するため、複数の加熱面部１２と径方向Ｒへ対向して軸方向Ｚへ複数個配置することが好ましい。複数の熱源２２には、温度センサー２４がそれぞれ設けられ、後述する制御部６によって別個に温度制御される。
複数の熱源２２の一例として図１（ａ）（ｂ）（ｃ）及び図２〜図５に示される場合には、軸方向Ｚへ三個配置され、入口部１ａ側から出口部１ｂ側に向けて順番に第一熱源２２ａ，第二熱源２２ｂ，第三熱源２２ｃとし、それぞれが温度センサー２４ａ，２４ｂ，２４ｃを有している。
図示例では、複数の熱源２２の各発熱面積（軸方向Ｚへの長さ寸法）を第一熱源２２ａ，第二熱源２２ｂ，第三熱源２２ｃを略同じとなるように設定している。
また、複数の熱源２２の他の例として図６に示される場合には、軸方向Ｚへ五個配置され、入口部１ａ側から出口部１ｂ側に向けて順番に第一熱源２２ａ，第二熱源２２ｂ，第三熱源２２ｃ，第四熱源２２ｄ，第五熱源２２ｅとし、それぞれが温度センサー２４ａ，２４ｂ，２４ｃ，２４ｄ，２４ｅを有している。
図示例では、複数の熱源２２の各発熱面積（軸方向Ｚへの長さ寸法）を第一熱源２２ａから第五熱源２２ｅに向かって徐々に小さくなるように設定している。
なお、それ以外の変形例として図示しないが、複数の熱源２２を軸方向Ｚへ二個又は四個若しくは六個配置することや、各発熱面積を図示例外の大きさに設定するなどの変更が可能である。
【００１５】
排気機構３は、被処理物Ｂの熱処理に伴って発生した可燃性ガスや有害なガスなどの排出ガスを回転炉１の内部空間Ｓ１から外部空間Ｓ２に排気するための換気装置である。排気機構３は、回転炉１内の被処理物Ｂの表面から離れた位置を通って、回転炉１の入口部１ａ側及び出口部１ｂ側を連通するように形成される。
排気機構３は、回転炉１の出口部１ｂ側に向けて設けられる気体導入口３ａと、回転炉１の入口部１ａ側に設けられる通気口３ｂと、外部空間Ｓ２に向けて設けられる排気口３ｃと、を有している。
気体導入口３ａは、不活性ガスなどのキャリアガスや熱風などからなる気体の送風機（図示しない）と連通し、被処理物Ｂの排出方向と逆向き（上流方向）へ気体を送り込むように構成されている。気体導入口３ａの送風機は、被処理物Ｂとなる粉状体や粉粒体などが舞い上がらない風量及び風圧に設定されている。
これにより、被処理物Ｂの熱処理に伴って回転炉１の内部空間Ｓ１に排出ガスが発生しても、気体導入口３ａからの風圧で排出ガスが通気口３ｂ及び排気口３ｃを通って外部空間Ｓ２に排気される。このため、被処理物Ｂの加熱で発生した排出ガスを被処理物Ｂと確実に分離して排気可能となり、急峻なガス発生の発生に伴う回転炉１の急激な内圧上昇を防ぐことが可能となる。
排気機構３の具体例として図１（ａ）などに示される場合には、回転炉１の入口部１ａ側に連結固定された第一連通管１ｃに、被処理物Ｂの供給口Ｂａとなるフィーダ管が遊嵌状に貫通する通気口３ｂを形成している。回転炉１の出口部１ｂ側に連結固定された第二連通管１ｄの延長方向には、気体導入口３ａが通気口３ｂと軸方向Ｚへ一直線上に固定配置される。
また、その他の例として図示しないが、排気機構３を図示例以外の構造に変更することも可能である。
【００１６】
そして、熱処理装置Ａには、傾斜状態の回転炉１に連続供給された被処理物Ｂを熱処理して連続的に排出する連続式と、傾斜状態の回転炉１に供給された所定量の被処理物Ｂを水平状態の回転炉１で熱処理した後に回転炉１の傾斜によりすべて排出するバッチ式がある。
図１（ａ）（ｂ）（ｃ）〜図６では、バッチ式の熱処理装置Ａを示している。
バッチ式の熱処理装置Ａでは、回転炉１を所定角度に傾斜するように移動させる傾動機構４と、回転炉１を冷却する冷却機構５と、傾動機構４及び冷却機構５を作動制御する制御部６と、を備えている。
傾動機構４は、回転炉１をその回転中心が水平状態から設置床面Ｇに対し適宜角度まで移動自在に支持する昇降装置であり、油圧シリンダなどのアクチュエータを用いることが好ましい。
傾動機構４の具体例として図１（ａ）などに示される場合には、回転炉１の入口部１ａ側に連結固定した第一連通管１ｃの一部が、軸受部材１ｅと設置床面Ｇの間に設けた傾斜支点４ａを中心として昇降不能に支持され、回転炉１の出口部１ｂ側に連結固定された第二連通管１ｄを、軸受部材１ｅと設置床面Ｇの間に設けられるアクチュエータ４ｂで昇降自在に支持している。
冷却機構５は、加熱機構２の外壁２３に対し、加熱雰囲気２１及び回転炉１の外部空間Ｓ２を連通させる空冷口５ａと排熱口５ｂが、加熱雰囲気２１の全体を通り抜けるように開設され、強制的に冷却することが好ましい。
また、その他の例として図示しないが、傾動機構４や冷却機構５を図示例以外の構造に変更することが可能である。
【００１７】
制御部６は、回転炉１の回転駆動部や加熱機構２の熱源２２や傾動機構４や冷却機構５の他にも、被処理物Ｂの供給口Ｂａとなるスクリューフィーダ，排気機構３の送風機などともそれぞれ電気的に接続した制御回路（図示しない）を有するコントローラである。制御部６となるコントローラは、制御回路に予め設定されたプログラムに従って、予め設定されたタイミングで順次それぞれ作動制御している。
制御部６の制御回路に設定されたプログラムを、バッチ式の熱処理方法として説明する。
バッチ式の熱処理方法は、先ず、傾動機構４により回転炉１を一時的に傾斜させて、供給口Ｂａから所定量の被処理物Ｂが回転炉１の内部空間Ｓ１に供給される。次に、回転炉１を略水平に戻してから、熱源２２により複数の加熱面部１２を加熱して被処理物Ｂの堆積部をそれぞれ昇温させる。被処理物Ｂの堆積部がガス発生温度域に順次達し、その後に目標温度に到達した後は、一定の保持時間が経過してから、複数の加熱面部１２による被処理物Ｂの昇温を停止させるとともに、冷却機構５により回転炉１の降温を行う。回転炉１が目的温度まで降温して一連の熱処理が完了した後は、回転炉１を傾斜させ、被処理物Ｂが炉面１１に沿って出口部１ｂから排出口Ｂｂに排出される。回転炉１内の被処理物Ｂがすべて排出口Ｂｂに排出された後は、供給口Ｂａから被処理物Ｂの供給が開始されて、前述した動作が繰り返される。
【００１８】
複数の加熱面部１２の温度制御方法は、被処理物Ｂの堆積部をガス発生温度域まで昇温させる一次昇温過程と、これに続き被処理物Ｂの堆積部を目的温度まで昇温させる二次昇温過程と、被処理物Ｂの堆積部を目的温度から降温させる降温過程と、を主要な過程として含んでいる。つまり、一次昇温過程において被処理物Ｂの堆積部の全てがガス発生温度域に達し、被処理物Ｂの堆積部の全てから排出ガスが放出される。
詳しく説明すると、一次昇温過程における複数の熱源２２の温度設定を、相互に所定の温度差が生じた状態ですべての昇温速度が略同率となるように加熱制御するか、又は一次昇温過程における温度設定をすべて略同じとするが各昇温速度を同率とせず変えて加熱制御することが好ましい。これにより、複数の加熱面部１２に堆積される被処理物Ｂの堆積部（第一堆積部Ｂ１，第二堆積部Ｂ２，第三堆積部Ｂ３など）が、それぞれ時間差をもってガス発生温度域に到達する。
特に、一次昇温過程における複数の熱源２２の温度設定としては、複数の加熱面部１２のうち、炉面１１において回転炉１の軸方向Ｚの一端に配置される加熱面部１２から、他端に配置される加熱面部１２へ向かって順番に高低差を生じるように温度制御することが好ましい。その後の二次昇温過程における温度設定としては、すべてを略同じとなるように温度制御することが好ましい。
さらに、降温過程における複数の加熱面部１２の加熱制御方法としては、被処理物Ｂの堆積部のうち最初に目標温度に到達した一部分と対応する加熱面部１２から順番に降温制御することが好ましい。
【００１９】
一方、複数の加熱面部１２の加熱制御方法には、回転炉１を傾斜させずに水平状態で複数の加熱面部１２を複数の熱源２２により別々に加熱する水平加熱制御方法と、回転炉１の傾斜角度を変化させながら複数の加熱面部１２を複数の熱源２２により別々に加熱する傾斜加熱制御方法と、がある。
水平加熱制御方法においては、図１（ａ）（ｂ）（ｃ）に示されるように、回転炉１の炉面１１に沿った複数の加熱面部１２が傾斜せず水平状態であるから、複数の加熱面部１２に堆積される被処理物Ｂの堆積部（第一堆積部Ｂ１，第二堆積部Ｂ２，第三堆積部Ｂ３など）の堆積量（堆積深さ）がすべて略同じとなる。
このため、水平加熱制御方法は、複数の熱源２２の温度制御のみで、複数の加熱面部１２に軸方向Ｚへ所定の温度差が生じるように加熱している。
これにより、被処理物Ｂの堆積部（第一堆積部Ｂ１，第二堆積部Ｂ２，第三堆積部Ｂ３など）が高温側から低温側へ段階的に昇温され、ガス発生タイミングに達する時間をずらしている。
【００２０】
水平加熱制御方法の一例として図１（ａ）（ｂ）（ｃ）に示される一次昇温過程の場合には、複数の熱源２２となる第一熱源２２ａ，第二熱源２２ｂ，第三熱源２２ｃの加熱温度をそれぞれに温度差が付くように設定することにより、複数の加熱面部１２となる第一加熱面部１２ａ，第二加熱面部１２ｂ，第三加熱面部１２ｃの昇温に一定の温度差を与えている。
図１（ａ）（ｂ）（ｃ）に示す例では、加熱温度を第一熱源２２ａ＞第二熱源２２ｂ＞第三熱源２２ｃの順に低くなるように温度制御している。またこれと逆に第一熱源２２ａ＜第二熱源２２ｂ＜第三熱源２２ｃの順に高くなるように加熱制御すること可能である。なお図示例では、加熱温度の差を矢印の数で表現している。
このため、入口部１ａ側に配置される第一加熱面部１２ａ（又は出口部１ｂ側の第三加熱面部１２ｃ）が最高温度に加熱され、この次に低い温度で第二加熱面部１２ｂが加熱され、その次に低い温度で第三加熱面部１２ｃ（又は第一加熱面部１２ａ）が加熱される。
これにより、第一加熱面部１２ａ上の第一堆積部Ｂ１（又は第三加熱面部１２ｃ上の第三堆積部Ｂ３）が最も早いタイミングで昇温して先にガス発生温度域に達し、この次に第二加熱面部１２ｂ上の第二堆積部Ｂ２がガス発生温度域に達する。最後に第三加熱面部１２ｃ上の第三堆積部Ｂ３（又は第一加熱面部１２ａ上の第一堆積部Ｂ１）がガス発生温度域に達する。その後、ガス発生温度域を順次通過して目標温度に到達する。
さらに二次昇温過程（図示しない）では、第三加熱面部１２ｃ上の第三堆積部Ｂ３（又は第一加熱面部１２ａ上の第一堆積部Ｂ１）が最後に目標温度に到達した後も、二次昇温過程の温度制御を維持して所定時間に亘り温度保持する。降温過程では、第一堆積部Ｂ１（又は第三堆積部Ｂ３）と対応する第一加熱面部１２ａ（又は第三加熱面部１２ｃ）から順番に降温制御している。
また、水平加熱制御方法の他の例として図示しないが、複数の熱源２２の昇温速度を一次昇温過程における複数の熱源２２の温度設定をすべて略同じとするが各昇温速度を同率とせず変えて加熱制御することことも可能である。
【００２１】
なお、一次昇温過程における複数の熱源２２の温度設定をすべて略同じとし且つ昇温速度を略同率とするものの、複数の熱源２２により複数の加熱面部１２のすべてがガス発生温度域の最低温度に達したら、複数の熱源２２の昇温速度を緩やかにして、順番にガス発生温度域の最高温度まで昇温させ、複数の熱源２２により複数の加熱面部１２のすべてがガス発生温度域の最高温度に達したら、複数の熱源２２のすべての昇温速度を略同率に戻して目標温度まで昇温させることも可能である。
この際、複数の熱源２２をガス発生温度域の最低温度から最高温度へ昇温させるタイミングは、被処理物Ｂの堆積部（第一堆積部Ｂ１，第二堆積部Ｂ２，第三堆積部Ｂ３など）からのガス発生タイミングが重複しないように、相互間に遅延時間を設けることが好ましい。
詳しく説明すると、複数の熱源２２により複数の加熱面部１２のすべてがガス発生温度域の最低温度に達した後は、第一加熱面部１２ａ（又は第三加熱面部１２ｃ）の昇温速度を緩やかにして昇温させ、第二熱源２２ｂ及び第三加熱面部１２ｃ（又は第一熱源２２ａ）をガス発生温度域の最低温度に保持する。第一加熱面部１２ａ（又は第三加熱面部１２ｃ）がガス発生温度域の最高温度に達した後は最高温度に保持し、その後には隣に配置される第二熱源２２ｂの昇温速度を緩やかにして昇温させる。第二熱源２２ｂがガス発生温度域の最高温度に達した後は最高温度に保持し、その後には第三加熱面部１２ｃ（又は第一熱源２２ａ）の昇温速度を緩やかにして昇温させる。第三加熱面部１２ｃ（又は第一熱源２２ａ）がガス発生温度域の最高温度に達した後は、複数の熱源２２のすべての昇温速度を戻して目標温度まで昇温させる。これにより、複数の熱源２２で被処理物Ｂの堆積部（第一堆積部Ｂ１，第二堆積部Ｂ２，第三堆積部Ｂ３など）が時間差を付けて加熱されるため、ガス発生量が時間的に分割され平準化して瞬間的なガス発生量の増大を抑制できる。
【００２２】
傾斜加熱制御方法においては、図２〜図６に示されるように、回転炉１の傾斜角度を傾動機構４で変化させると、複数の加熱面部１２に堆積される被処理物Ｂの堆積部（第一堆積部Ｂ１，第二堆積部Ｂ２，第三堆積部Ｂ３など）の堆積量（堆積深さ）がそれぞれ可変する。
このため、傾斜加熱制御方法は、複数の熱源２２の温度制御に加えて、傾動機構４により回転炉１の傾斜角度の制御を行うことで、被処理物Ｂの堆積部（第一堆積部Ｂ１，第二堆積部Ｂ２，第三堆積部Ｂ３など）の堆積量を可変させながら、被処理物Ｂの堆積部（第一堆積部Ｂ１，第二堆積部Ｂ２，第三堆積部Ｂ３など）の粉状体や粉粒体などに対する熱容量を変えている。
これにより、傾斜加熱制御方法は、前述した水平加熱制御方法に比べ、被処理物Ｂの堆積部（第一堆積部Ｂ１，第二堆積部Ｂ２，第三堆積部Ｂ３など）がガス発生タイミングに達する時間を大幅にずらすことが可能となって好ましい。
【００２３】
傾斜加熱制御方法の一例として図２〜図５に示される場合には、一次昇温過程において複数の熱源２２となる第一熱源２２ａ，第二熱源２２ｂ，第三熱源２２ｃの加熱温度を、回転炉１の傾斜角度の変化に合わせてそれぞれに温度差が付くように設定することにより、複数の加熱面部１２となる第一加熱面部１２ａ，第二加熱面部１２ｂ，第三加熱面部１２ｃの昇温に一定の温度差を与えている。
図２に示す例では、回転炉１の傾斜角度が急な一次昇温過程（昇温初期工程）における加熱温度を第一熱源２２ａ＞第二熱源２２ｂ＞第三熱源２２ｃの順に低くなるように温度制御している。図３に示す回転炉１の傾斜角度が緩い一次昇温過程（昇温中期工程）における加熱温度では、加熱温度を第一熱源２２ａ＝第二熱源２２ｂ＞第三熱源２２ｃとなるように温度制御している。図４に示す回転炉１の傾斜角度が水平な一次昇温過程（昇温後期工程）における加熱温度では、第一熱源２２ａ＝第二熱源２２ｂ＝第三熱源２２ｃ又はすべてを略同じとなるように温度制御している。図５に示す回転炉１の傾斜角度が水平な一次昇温過程（昇温完了工程）における加熱温度では、第一熱源２２ａ＜第二熱源２２ｂ＝第三熱源２２ｃから第一熱源２２ａ＜第二熱源２２ｂ＜第三熱源２２ｃの順に低くなるように温度制御している。
これにより、回転炉１の傾斜に伴い第一加熱面部１２ａ上で最小堆積量の第一堆積部Ｂ１が最も早いタイミングで昇温して先にガス発生温度域に達し、この次に第二加熱面部１２ｂ上で二番目に堆積量が少ない第二堆積部Ｂ２がガス発生温度域に達する。最後に第三熱源２２ｃ上で最大堆積量の第三堆積部Ｂ３がガス発生温度域に達する。その後、ガス発生温度域を順次通過して目標温度に到達する。
これに加えて二次昇温過程の後（図示しない）では、一次昇温過程（昇温後期工程）の温度制御を戻して所定時間に亘り温度保持する。その後は、降温過程として第一堆積部Ｂ１と対応する第一熱源２２ａから順番に降温制御している。
【００２４】
また、傾斜加熱制御方法の他の例として図６に示される場合には、一次昇温過程（昇温初期工程）において複数の熱源２２となる第一熱源２２ａ，第二熱源２２ｂ，第三熱源２２ｃ，第四熱源２２ｄ，第五熱源２２ｅの加熱温度を、回転炉１の傾斜角度の変化に合わせてそれぞれに温度差が付くように設定することにより、複数の加熱面部１２となる第一加熱面部１２ａ，第二加熱面部１２ｂ，第三加熱面部１２ｃ，第四加熱面部１２ｄ，第五加熱面部１２ｅの昇温に一定の温度差を与えている。
図６に示す例では、回転炉１の傾斜角度が急な一次昇温過程（昇温初期工程）における加熱温度を、最大発熱面積の第一熱源２２ａ＞次に大きな発熱面積の第二熱源２２ｂ＞次に大きな発熱面積の第三熱源２２ｃ＞次に大きな発熱面積の第四熱源２２ｄ＞最小発熱面積の第五熱源２２ｅの順に低くなるように温度制御している。その以降は図２〜図５の例と同様に作動制御される。
これにより、回転炉１の傾斜に伴い最小発熱面積の第一加熱面部１２ａ上で最小堆積量の第一堆積部Ｂ１が最も早いタイミングで昇温して先にガス発生温度域に達し、この次に第二加熱面部１２ｂ上で二番目に堆積量が少ない第二堆積部Ｂ２がガス発生温度域に達する。その後、第三熱源２２ｃ上で三番目に堆積量が少ない第三堆積部Ｂ３と、第四熱源２２ｄ上で四番目に堆積量が少ない第四堆積部Ｂ４が順次ガス発生温度域に達する。最後に第五熱源２２ｅ上で最大堆積量の第五堆積部Ｂ５がガス発生温度域に達する。その後、ガス発生温度域を順次通過して目標温度に到達する。
【００２５】
また、回転炉１において軸方向Ｚの両端に配置される加熱面部１２（第一加熱面部１２ａ，第三加熱面部１２ｃ又は第五熱源２２ｅ）の温度は、放熱による影響で軸方向Ｚの中央に配置される加熱面部１２（第二加熱面部１２ｂ又は第二加熱面部１２ｂ，第三加熱面部１２ｃ，第四加熱面部１２ｄ）の温度に比べて低くなる傾向がある。この影響によって、被処理物Ｂの堆積部のうち回転炉１の軸方向Ｚの両端に位置する両端部分（第一堆積部Ｂ１，第三堆積部Ｂ３又は第五堆積部Ｂ５など）の温度は、中央側部分（第二堆積部Ｂ２又は第二堆積部Ｂ２，第三堆積部Ｂ３，第四堆積部Ｂ４）の温度よりも低くなるおそれがある。
この課題を解決するための手段（傾斜加熱制御方法）としては、前述した二次昇温過程が行われて、ガス発生温度域に達した被処理物Ｂの堆積部（第一堆積部Ｂ１，第二堆積部Ｂ２，第三堆積部Ｂ３など）がガス発生ピークを終えた状態で、制御部６により傾動機構４を作動制御することが好ましい。すなわち、被処理物Ｂの堆積部（第一堆積部Ｂ１，第二堆積部Ｂ２，第三堆積部Ｂ３など）からのガス発生が沈静化した段階か、又は被処理物Ｂの堆積部（第一堆積部Ｂ１，第二堆積部Ｂ２，第三堆積部Ｂ３など）が目標温度に到達した段階で、傾動機構４による回転炉１の傾斜角度の制御を所定回数（一回又は複数回）繰り返す。
さらにこの段階では、三次昇温過程として複数の熱源２２による温度制御を一次昇温過程（昇温後期工程）の温度制御（第一熱源２２ａ＝第二熱源２２ｂ＝第三熱源２２ｃなど）に戻して所定時間に亘り温度保持し、その後に降温過程を行うことが好ましい。
【００２６】
このような本発明の実施形態に係る熱処理装置Ａによると、粉状又は粉粒状の被処理物Ｂを供給口Ｂａから回転炉１内（内部空間Ｓ１）に供給することにより、炉面１１に沿って軸方向Ｚへ分割した複数の加熱面部１２（第一加熱面部１２ａ，第二加熱面部１２ｂ，第三加熱面部１２ｃなど）に対し、被処理物Ｂが堆積されて堆積部（第一堆積部Ｂ１，第二堆積部Ｂ２，第三堆積部Ｂ３など）となる。
一次昇温過程（昇温初期工程〜昇温完了期工程）では、複数の加熱面部１２（第一加熱面部１２ａ，第二加熱面部１２ｂ，第三加熱面部１２ｃなど）により、被処理物Ｂの堆積部（第一堆積部Ｂ１，第二堆積部Ｂ２，第三堆積部Ｂ３など）が軸方向Ｚへ所定の温度差を生じるようにガス発生温度域まで昇温される。
このため、被処理物Ｂの堆積部（第一堆積部Ｂ１，第二堆積部Ｂ２，第三堆積部Ｂ３など）のうち、高温側の加熱面部１２（第一加熱面部１２ａなど）で昇温した高温側の堆積部（第一堆積部Ｂ１など）の温度がガス発生温度域に達しても、低温側の加熱面部１２（第二加熱面部１２ｂ，第三加熱面部１２ｃなど）で昇温した低温側の堆積部（第二堆積部Ｂ２，第三堆積部Ｂ３など）の温度は、ガス発生温度域に至らない。
これにより、被処理物Ｂの堆積部（第一堆積部Ｂ１，第二堆積部Ｂ２，第三堆積部Ｂ３など）は、高温側から低温側へ段階的に昇温され、それぞれのガス発生タイミングやガス発生ピークに時間的なズレが生じる。
したがって、被処理物Ｂの昇温に伴う急峻なガス発生を可能な限り抑えて平準化させることができる。
その結果、レトルトの全体が電気ヒーターにより加熱されて被処理物の全体をほぼ同時に等しく昇温させる従来のものに比べ、被処理物Ｂが加熱時ガス発生タイプの粉状体や粉粒体などであっても、被処理物Ｂの堆積部（第一堆積部Ｂ１，第二堆積部Ｂ２，第三堆積部Ｂ３など）が段階的にガス発生温度域を通過して目標温度まで加熱できる。このため、回転炉１の内圧が急激に上昇せず安全性に優れ、回転炉１外への排気量を無理して急増させる必要もないから、熱処理装置Ａの基本構成を維持できてコストアップにならない。
これに加えて、急峻なガス発生に伴い粉状体や粉粒体などが撹拌され、回転炉内に舞い上がって粉塵となる従来のものに比べ、被処理物Ｂの回収率が低下せず、粉塵の排出防止用フィルタなどを設置する必要もないから、熱処理装置Ａの基本構成を維持できてコストアップにならない。発生ガスが塩素などの有害なガスであっも、回転炉１から排気後にガス後処理する必要がならず経済性に優れる。
また、回転炉に対して熱源による総加熱量を低下させるものや、熱源を一時的にＯＮ・ＯＦＦして、被処理物の全体からの急峻なガス発生を抑えるように温度制御するものに比べ、熱源２２による総加熱量の低下制御や熱源２２の一時的なＯＮ・ＯＦＦ制御する必要がないので、被処理物Ｂが目標温度に昇温されるまでの時間が大幅に遅れず、被処理物Ｂの熱処理全体に時間を要しないから、加熱処理量の増大化を図れる。
【００２７】
特に、一次昇温過程の前期（昇温初期工程、昇温中期工程）における複数の加熱面部１２の温度設定が、炉面１１において回転炉１の軸方向Ｚの一端から他端に向かって順番に高低差を生じるように制御され、一次昇温過程の後期（昇温後期工程）における複数の加熱面部１２の温度設定を、すべて略同じとなるように制御することが好ましい。
この場合には、図１（ａ），図２，図３，図６に示されるように、一次昇温過程の前期（昇温初期工程、昇温中期工程）において回転炉１の軸方向Ｚの一端に配置した加熱面部１２（第一加熱面部１２ａ又は第三加熱面部１２ｃや第五熱源２２ｅ）の温度を最高とし、他端に配置される加熱面部１２（第三加熱面部１２ｃや第五熱源２２ｅ又は第一加熱面部１２ａ）の温度を最低とすることにより、複数の加熱面部１２に温度勾配が作られる。この時点で他端の加熱面部１２（第三加熱面部１２ｃや第五熱源２２ｅ又は第一加熱面部１２ａ）は、それ以外に比べて位置的に加熱不足となり易い。
しかし、一次昇温過程の後期（昇温後期工程）では、複数の加熱面部１２がすべて略同じに温度制御することにより、一次昇温過程の前期（昇温初期工程、昇温中期工程）からの熱量蓄積で、他端の加熱面部１２（第三加熱面部１２ｃや第五熱源２２ｅ又は第一加熱面部１２ａ）の加熱不足が解消される。
このため、被処理物Ｂの堆積部のうち位置的に加熱不足となり易い軸方向Ｚの一端側（第一堆積部Ｂ１）又は他端側（第三堆積部Ｂ３や第五堆積部Ｂ５）が確実に熱処理される。
したがって、回転炉１内における堆積位置と関係なく被処理物Ｂの昇温に伴う急峻なガス発生を可能な限り抑えて平準化させることができる。
その結果、回転炉１の内圧の急激な上昇や回転炉１外へ粉塵の排出増大を確実に防止できる。
【００２８】
さらに、複数の加熱面部１２を、被処理物Ｂの堆積部（第一堆積部Ｂ１，第二堆積部Ｂ２，第三堆積部Ｂ３など）のうち最初に目標温度に到達した一部分と対応する加熱面部１２から順番に降温制御することが好ましい。
この場合には、被処理物Ｂの堆積部のうち最初に目標温度に到達した一部分（第一堆積部Ｂ１又は第三堆積部Ｂ３）と対応する加熱面部１２（第一加熱面部１２ａ又は第三加熱面部１２ｃ）から順番に降温させることにより、被処理物Ｂの堆積部（第一堆積部Ｂ１，第二堆積部Ｂ２，第三堆積部Ｂ３など）のすべてが目標温度まで加熱され、目標温度を越えずに温度保持することが可能となる。
したがって、被処理物Ｂの堆積部（第一堆積部Ｂ１，第二堆積部Ｂ２，第三堆積部Ｂ３など）を最小熱量で確実に熱処理することができる。
その結果、熱処理装置Ａの基本構成を維持しながら回転炉１の加熱制御を変更対応できて使用勝手に優れる。
【００２９】
また、回転炉１を所定角度に傾斜するように移動させる傾動機構４を備え、制御部６により傾動機構４を複数の加熱面部１２の温度制御と連係して作動制御することが好ましい。
この場合には、傾動機構４で回転炉１を傾斜させることにより、複数の加熱面部１２（第一加熱面部１２ａ，第二加熱面部１２ｂ，第三加熱面部１２ｃなど）に堆積した被処理物Ｂの表面が水平に保たれるため、被処理物Ｂの堆積部（第一堆積部Ｂ１，第二堆積部Ｂ２，第三堆積部Ｂ３など）の堆積量（堆積深さ）が調整可能になる。
図２〜図４に示されるように、一次昇温過程（昇温初期工程〜昇温後期工程）において回転炉１の傾斜角度を段階的に緩めることにより、被処理物Ｂの高低差で被処理物Ｂの堆積部（第一堆積部Ｂ１，第二堆積部Ｂ２，第三堆積部Ｂ３など）の堆積量が相互に増減される。
この堆積量の増減に対応して複数の加熱面部１２（第一加熱面部１２ａ，第二加熱面部１２ｂ，第三加熱面部１２ｃなど）を温度制御することにより、一次昇温過程（昇温初期工程、昇温中期工程）において高位側の堆積部（第一堆積部Ｂ１，第二堆積部Ｂ２）が少量ずつ集中的に加熱される。このため、一次昇温過程（昇温初期工程〜昇温後期工程）における発ガス量が抑制される。
したがって、主に一次昇温過程（昇温初期工程〜昇温後期工程）の急峻なガス発生を可能な限り抑えて平準化させることができる。
その結果、ロータリーキルンなどの熱処理装置Ａに備えられる回転炉１の傾動機構４を有効利用して、一次昇温過程（昇温初期工程〜昇温後期工程）における回転炉１の内圧の急激な上昇や回転炉１外へ粉塵の排出増大を確実に防止できる。
【００３０】
またさらに、被処理物Ｂの堆積部（第一堆積部Ｂ１，第二堆積部Ｂ２，第三堆積部Ｂ３など）がガス発生ピークを終えた状態で、制御部６により傾動機構４を作動制御することが好ましい。
この場合には、傾動機構４で回転炉１を一回又は複数回繰り返して傾斜移動させることにより、被処理物Ｂの堆積部のうち回転炉１の軸方向Ｚの両端に位置する両端部分（第一堆積部Ｂ１，第三堆積部Ｂ３又は第五堆積部Ｂ５など）の粉状体や粉粒体などが、回転炉１の軸方向Ｚの中央に位置する加熱面部１２（第二加熱面部１２ｂ又は第二加熱面部１２ｂ，第三加熱面部１２ｃ，第四加熱面部１２ｄ）へ向け一時的に移動する。
このため、被処理物Ｂの堆積部の両端部分（第一堆積部Ｂ１，第三堆積部Ｂ３又は第五堆積部Ｂ５など）の粉状体や粉粒体などと、中央側部分（第二堆積部Ｂ２又は第二堆積部Ｂ２，第三堆積部Ｂ３，第四堆積部Ｂ４）の粉状体や粉粒体などが混ざり合う。これにより、被処理物Ｂの堆積部（第一堆積部Ｂ１，第二堆積部Ｂ２，第三堆積部Ｂ３など）のすべてにおいて軸方向Ｚへの温度差が減少する。
特に、被処理物Ｂの堆積部（第一堆積部Ｂ１，第二堆積部Ｂ２，第三堆積部Ｂ３など）のすべてが目標温度に到達した後は、複数の加熱面部１２（第一加熱面部１２ａ，第二加熱面部１２ｂ，第三加熱面部１２ｃなど）の温度設定がすべて略同じで且つ所定時間に亘り温度保持されるように温度制御することが好ましい。
この場合には、複数の加熱面部１２の温度制御に加えて回転炉１の傾斜角度の制御により、被処理物Ｂの堆積部（第一堆積部Ｂ１，第二堆積部Ｂ２，第三堆積部Ｂ３など）の粉状体や粉粒体などが目標温度に到達した段階で、部分的な加熱不足によりガス発生が不十分だった粉状体や粉粒体などが存在しても、更なる回転炉１の傾斜角度の制御により、ガス発生が不十分だった粉状体や粉粒体などからガスの発生を促すことが可能になる。このため、目標温度に到達時における粉状体や粉粒体などからのガス発生残りが減少する。
したがって、被処理物Ｂの堆積部（第一堆積部Ｂ１，第二堆積部Ｂ２，第三堆積部Ｂ３など）が目標温度に到達した後で、すべての粉状体や粉粒体などの温度を確実に均一化（均熱化）させることができる。
その結果、粉状又は粉粒状の被処理物Ｂからのガス発生量を更に平準化させることができる。
【００３１】
なお、前示の実施形態において図示例では、バッチ式の熱処理装置Ａについてのみ説明したが、これに限定されず、連続式の熱処理装置Ａに用いることも可能である。
さらに加熱機構２の熱源２２として電気ヒーターを用いたが、これに限定されず、ガスバーナーなどの電気以外のものを用いてもよい。
【符号の説明】
【００３２】
Ａ  熱処理装置                      １  回転炉
１１  炉面                          １２  加熱面部
４  傾動機構                        ６  制御部
Ｂ  被処理物                        Ｂａ  供給口
Ｂｂ  排出口                        Ｂ１，Ｂ２，Ｂ３，Ｂ４，Ｂ５  堆積部
Ｒ  回転炉の径方向                  Ｚ  回転炉の軸方向
θ  回転炉の周方向
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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