(57)【要約】【課題】光電変換効率が高く外部との接続の機械的強度が高い光電変換素子、ならびに、かかる光電変換素子を備える信頼性の高い光電変換モジュールおよび電子機器を提供すること。【解決手段】半導体基板と、第１導電型不純物領域および第２導電型不純物領域と、前記第１導電型不純物領域および前記第２導電型不純物領域の少なくとも一方と電気的に接続されている接続部と、を備え、前記接続部は、前記半導体基板の主面を平面視したとき長手形状をなしており、前記長手形状の短軸方向における前記接続部の両側に前記第１導電型不純物領域および前記第２導電型不純物領域が位置するように配置されていることを特徴とする光電変換素子。【選択図】図８
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、
第１導電型不純物領域および第２導電型不純物領域と、
前記第１導電型不純物領域および前記第２導電型不純物領域の少なくとも一方と電気的に接続されている接続部と、
を備え、
前記接続部は、前記半導体基板の主面を平面視したとき長手形状をなしており、前記長手形状の短軸方向における前記接続部の両側に前記第１導電型不純物領域および前記第２導電型不純物領域が位置するように配置されていることを特徴とする光電変換素子。
【請求項２】
前記接続部は、前記半導体基板の主面を平面視したとき、前記第１導電型不純物領域および前記第２導電型不純物領域の双方とずれるように配置されている請求項１に記載の光電変換素子。
【請求項３】
前記半導体基板は、前記主面を平面視したとき長手形状をなしており、
前記接続部の長軸と、前記半導体基板の長軸と、が互いに交差している請求項１または２に記載の光電変換素子。
【請求項４】
前記第１導電型不純物領域および前記第２導電型不純物領域は、互いに異なる極性を有する不純物領域である請求項１ないし３のいずれか１項に記載の光電変換素子。
【請求項５】
前記第１導電型不純物領域および前記第２導電型不純物領域は、前記半導体基板の極性と異なる極性を有する不純物領域である、請求項１ないし３のいずれか１項に記載の光電変換素子。
【請求項６】
前記半導体基板の輪郭は、曲線を含んでいる請求項１ないし５のいずれか１項に記載の光電変換素子。
【請求項７】
前記接続部の前記短軸の長さは、０．１ｍｍ以上１ｍｍ以下である請求項１ないし６のいずれか１項に記載の光電変換素子。
【請求項８】
前記半導体基板は、単結晶性を有する請求項１ないし７のいずれか１項に記載の光電変換素子。
【請求項９】
請求項１ないし８のいずれか１項に記載の光電変換素子と、
前記光電変換素子と重なるように設けられている配線基板と、
を有することを特徴とする光電変換モジュール。
【請求項１０】
請求項１ないし８のいずれか１項に記載の光電変換素子を備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光電変換素子、光電変換モジュールおよび電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＧＰＳ（Global Positioning System）等の測位システムに用いられる位置情報衛星からの電波を受信し、測位信号に含まれる時刻を取得したり、現在位置を検出したりする装着型電子機器（腕時計）が提案されている。
【０００３】
例えば、特許文献１には、腕時計ケースと、文字板と、文字板の下側に配置され位置情報衛星からの電波を受信するアンテナを含む時計モジュールと、文字板と時計モジュールとの間に設けられたソーラーパネルと、を有する腕時計が開示されている。このような腕時計によれば、文字板が光透過性を有しているため、文字板を透過した外部光をソーラーパネルに照射することにより、時計モジュールの動作に必要な電力を発電することができる。
【０００４】
一方、位置情報衛星から送出される電波には極超短波が使用されているが、この極超短波を受信するためには高周波回路を作動させる必要がある。このため、腕時計の消費電力が大きくなるという問題がある。
【０００５】
特に、近年は、現在位置を検出する動作を高頻度に行うことで移動経路を記録する機能（データロガー）を搭載することが求められている。このような機能が搭載されると、高周波回路の作動時間も長くなるため、消費電力のさらなる増大が懸念される。そうなると、消費電力がソーラーパネルの発電電力を上回ってしまい、二次電池を外部電源から充電するための部品を別途用意せざるを得なくなったり、二次電池の容量を高める必要が生じたりする。その結果、腕時計の小型化および軽量化が妨げられることとなる。
【０００６】
他方、特許文献１に記載の腕時計では、外部光が文字板を透過する際、光量が減少してしまう。このため、ソーラーパネルにおいて十分な電力を発電することができないという問題がある。また、電力を確保するためにソーラーパネルを大型化した場合、それに伴って時計モジュールのような主要部位のサイズが制限されたり、腕時計の大型化を招いたりするという問題がある。
【０００７】
そこで、ソーラーパネルを腕時計の文字板と併設させることにより、光量の減少を回避することが検討されている。しかしながら、例えば、腕時計のようなデザイン性が重視される製品の場合、一般的には、ソーラーパネルの占有面積は少ないほど好ましい。したがって、光電変換効率の高いソーラーパネルとしてバックコンタクト型（裏面電極型）の太陽電池セルの適用が検討されている。
【０００８】
特許文献２には、シリコン基板と、シリコン基板の第１の面に形成されたＰ型拡散層およびＮ型拡散層のそれぞれに接続した一対のフィンガー電極と、フィンガー電極が集結する集結部における接続エリアと、接続エリア内に形成されたバリアー部と、を備える太陽電池セルが開示されている。
【０００９】
このような太陽電池セルによれば、接続エリアに設けられた接続パッドにはんだを供給してインターコネクトとの電気的接続を行う際、バリアー部によってはんだの濡れ拡がりが抑制される。これにより、例えば、正極の接続パッドの面積およびそれに接していたＰ型拡散層の面積を削減することができ、その分、Ｎ型拡散層が占める面積の拡大を図ることができる。その結果、太陽電池セルの発電効率の向上を図ることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開２０１６−１７６９５７号公報
【特許文献２】国際公開第２０１２／１４７３５２号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、シリコン基板（半導体基板）の形状によっては、発電効率を十分に高めることができないため、半導体基板の形状に制約が伴うという課題がある。すなわち、特許文献２に記載されているような正方形またはそれに準じた形状の場合には課題が顕在化しにくいが、それ以外の形状の場合には、発電効率を十分に高めることができないおそれがある。
【００１２】
また、接続パッドの面積を小さくした場合、その分、はんだを介した外部との接続における機械的強度も低下する。このため、太陽電池セルの信頼性が低下するおそれがある。特に、はんだを介した接続によって太陽電池セルの機械的支持の大部分を担っている場合には、この傾向が顕著になるおそれがある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明は、上述の課題を解決するためになされたものであり、以下の適用例として実現することが可能である。
【００１４】
本発明の適用例に係る光電変換素子は、半導体基板と、
第１導電型不純物領域および第２導電型不純物領域と、
前記第１導電型不純物領域および前記第２導電型不純物領域の少なくとも一方と電気的に接続されている接続部と、
を備え、
前記接続部は、前記半導体基板の主面を平面視したとき長手形状をなしており、前記長手形状の短軸方向における前記接続部の両側に前記第１導電型不純物領域および前記第２導電型不純物領域が位置するように配置されていることを特徴とする。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の電子機器の実施形態を適用した電子時計を示す斜視図である。
【図２】本発明の電子機器の実施形態を適用した電子時計を示す斜視図である。
【図３】図１、２に示す電子時計の平面図である。
【図４】図１、２に示す電子時計の縦断面図である。
【図５】図４に示す電子時計のうち光電変換モジュールのみを図示した平面図である。
【図６】図５に示す光電変換モジュールの分解斜視図である。
【図７】図５に示す光電変換モジュールの分解断面図である。
【図８】図６に示す光電変換素子の電極面を示す平面図である。
【図９】図８に示す平面図のうちフィンガー電極を選択的に示す図である。
【図１０】図８に示す平面図のうちバスバー電極および電極パッドを選択的に示す図である。
【図１１】図１０に示す平面図のうち電極パッドを選択的に示す図である。
【図１２】図８に示す光電変換素子の第１変形例を示す平面図である。
【図１３】図８に示す光電変換素子の第２変形例を示す平面図である。
【図１４】第２実施形態に係る光電変換モジュールを示す平面図である。
【図１５】図７に示す光電変換モジュールを製造する方法の一例を説明するための図である。
【図１６】図７に示す光電変換モジュールを製造する方法の一例を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明の光電変換素子、光電変換モジュールおよび電子機器について、添付図面に示す好適実施形態に基づいて詳細に説明する。
【００１７】
＜電子機器＞
まず、本発明の電子機器の実施形態を適用した電子時計について説明する。かかる電子時計は、受光面に光が照射されると、内蔵する太陽電池（光電変換モジュール）によって発電（光電変換）し、発電により得られた電力を駆動電力として利用するように構成されている。
【００１８】
図１、２は、それぞれ、本発明の電子機器の実施形態を適用した電子時計を示す斜視図である。このうち、図１は、電子時計の表側（受光面側）から見たときの外観を表す斜視図であり、図２は、電子時計の裏側から見たときの外観を表す斜視図である。また、図３は、図１、２に示す電子時計の平面図であり、図４は、図１、２に示す電子時計の縦断面図である。
【００１９】
電子時計２００は、ケース３１と太陽電池８０（光電変換モジュール）と表示部５０と光センサー部４０を含む機器本体３０と、ケース３１に取り付けられた２つのバンド１０と、を有している。
【００２０】
なお、以下の説明では、太陽電池８０の受光面に直交する方向に延在する方向軸をＺ軸とする。また、電子時計の裏側から表側への向きを「＋Ｚ方向」とし、その反対向きを「−Ｚ方向」とする。
【００２１】
一方、Ｚ軸に直交する２つの軸を「Ｘ軸」および「Ｙ軸」とする。このうち、２つのバンド１０同士を結ぶ方向軸をＹ軸とし、Ｙ軸に直交する方向軸をＸ軸とする。また、表示部５０の上向きを「＋Ｙ方向」とし、下向きを「−Ｙ方向」とする。また、太陽電池８０の受光面を平面視したとき、右向きを「＋Ｘ方向」とし、左向きを「−Ｘ方向」とする。
【００２２】
以下、電子時計２００の構成について順次説明する。
（機器本体）
機器本体３０は、表側および裏側に開口したケース３１と、表側の開口部を塞ぐように設けられた風防板５５と、ケース３１の表面と風防板５５の側面とを覆うように設けられたベゼル５７と、裏側の開口部を塞ぐように設けられた透明カバー４４と、を備える筐体を有している。この筐体内には、後述する種々の構成要素が収容される。
【００２３】
筐体のうち、ケース３１は円環状をなしており、表側には風防板５５を嵌め込み可能な開口部３５を備え、裏側には透明カバー４４を嵌め込み可能な開口部（測定窓部４５）を備えている。
【００２４】
また、ケース３１の裏側の一部は、突出するように成形された凸状部３２になっている。この凸状部３２の頂部が開口しており、この開口部に透明カバー４４が嵌め込まれているとともに、透明カバー４４の一部が開口部から突出している。
【００２５】
ケース３１の構成材料としては、例えばステンレス鋼、チタン合金のような金属材料の他、樹脂材料、セラミックス材料等が挙げられる。また、ケース３１は、複数の部位の組み立て体であってもよく、その場合、部位同士で構成材料が異なっていてもよい。
【００２６】
また、ケース３１の外側面には、複数の操作部５８（操作ボタン）が設けられている。
また、ケース３１の表側に設けられた開口部３５の外縁には、＋Ｚ方向に突出する突起部３４が形成されている。そして、この突起部３４を覆うように、円環状をなすベゼル５７が設けられている。
【００２７】
さらに、ベゼル５７の内側には風防板５５が設けられている。そして、風防板５５の側面とベゼル５７との間が、パッキンや接着剤のような接合部材５６を介して接着されている。
【００２８】
風防板５５および透明カバー４４の構成材料としては、例えばガラス材料、セラミックス材料、樹脂材料等が挙げられる。また、風防板５５は透光性を有し、風防板５５を介して表示部５０の表示内容を視認することができるようになっている。さらに、透明カバー４４も透光性を有し、光センサー部４０を生体情報測定部として機能させることができる。
【００２９】
また、筐体の内部空間３６は、後述する種々の構成要素を収容可能な閉空間になっている。
【００３０】
機器本体３０は、それぞれ内部空間３６に収容される要素として、回路基板２０と、方位センサー２２（地磁気センサー）と、加速度センサー２３と、ＧＰＳアンテナ２８と、光センサー部４０と、表示部５０を構成する電気光学パネル６０および照明部６１と、二次電池７０と、太陽電池８０と、を備えている。また、機器本体３０は、これらの要素の他にも、標高や水深等を算出するための圧力センサー、温度を測定する温度センサー、角速度センサーのような各種センサー、バイブレーター等を備えていてもよい。
【００３１】
回路基板２０は、前述した要素同士を電気的に接続する配線を含む基板である。また、回路基板２０には、前述した要素の動作を制御する制御回路や駆動回路等を含むＣＰＵ２１（Central Processing Unit）および他の回路素子２４が搭載されている。
【００３２】
また、太陽電池８０、電気光学パネル６０、回路基板２０および光センサー部４０は、風防板５５側からこの順で配置されている。これにより、太陽電池８０は、風防板５５に近接して配置されることになり、多くの外部光が太陽電池８０に効率よく入射する。その結果、太陽電池８０における光電変換効率を最大限に高めることができる。
【００３３】
以下、機器本体３０に収容される要素についてさらに詳述する。
回路基板２０は、その端部が回路ケース７５を介してケース３１に取り付けられている。
【００３４】
また、回路基板２０には、接続配線部６３および接続配線部８１が電気的に接続されている。このうち、接続配線部６３を介して回路基板２０と電気光学パネル６０とが電気的に接続されている。また、接続配線部８１を介して回路基板２０と太陽電池８０とが電気的に接続されている。これらの接続配線部６３、８１は、例えばフレキシブル回路基板で構成され、内部空間３６の隙間に効率よく引き回される。
【００３５】
方位センサー２２および加速度センサー２３は、電子時計２００を装着したユーザーの体の動きに係る情報を検出することができる。方位センサー２２および加速度センサー２３は、ユーザーの体動に応じて変化する信号を出力し、ＣＰＵ２１に送信する。
【００３６】
ＣＰＵ２１は、ＧＰＳアンテナ２８を含むＧＰＳ受信部（図示せず）を制御する回路、光センサー部４０を駆動しユーザーの脈波等を測定する回路、表示部５０を駆動する回路、太陽電池８０の発電を制御する回路等を含む。
【００３７】
ＧＰＳアンテナ２８は、複数の位置情報衛星から電波を受信する。また、機器本体３０は、図示しない信号処理部を備えている。信号処理部は、ＧＰＳアンテナ２８が受信した複数の測位信号に基づいて測位計算を行い、時刻および位置情報を取得する。信号処理部は、これらの情報をＣＰＵ２１に送信する。
【００３８】
光センサー部４０は、ユーザーの脈波等を検出する生体情報測定部である。図４に示す光センサー部４０は、受光部４１と、受光部４１の外側に設けられた複数の発光部４２と、受光部４１および発光部４２が搭載されたセンサー基板４３と、を含む光電センサーである。また、受光部４１および発光部４２は、前述した透明カバー４４を介して、ケース３１の測定窓部４５に臨んでいる。また、機器本体３０が備える接続配線部４６を介して回路基板２０と光センサー部４０とが電気的に接続されている。
【００３９】
このような光センサー部４０は、発光部４２から射出した光を被検体（例えばユーザーの皮膚）に対して照射し、その反射光を受光部４１で受光することにより、脈波を検出する。光センサー部４０は、検出した脈波の情報をＣＰＵ２１に送信する。
【００４０】
なお、光電センサーに代えて、心電計、超音波センサーのような他のセンサーを用いるようにしてもよい。
【００４１】
また、機器本体３０は、図示しない通信部を備えている。この通信部は、機器本体３０が取得した各種の情報や記憶している情報、ＣＰＵ２１による演算結果等を外部に送信する。
【００４２】
表示部５０は、風防板５５を介して、電気光学パネル６０の表示内容をユーザーに視認させる。これにより、例えば前述した要素から取得した情報を、文字や画像として表示部５０に表示し、ユーザーに認識させることができる。
【００４３】
電気光学パネル６０としては、例えば、液晶表示素子、有機ＥＬ（Organic Electro Luminescence）表示素子、電気泳動表示素子、ＬＥＤ（Light Emitting Diode）表示素子等が挙げられる。
【００４４】
図４では、一例として、電気光学パネル６０が反射型の表示素子（例えば反射型液晶表示素子、電気泳動表示素子等）である場合を図示している。このため、表示部５０は、電気光学パネル６０が備える導光板（図示せず）の光入射面に設けられた照明部６１を備えている。照明部６１としては、例えばＬＥＤ素子が挙げられる。このような照明部６１および導光板は、反射型表示素子のフロントライトとして機能する。
【００４５】
なお、電気光学パネル６０が透過型の表示素子（例えば透過型液晶表示素子等）である場合には、フロントライトに代えてバックライトを設けるようにすればよい。
【００４６】
また、電気光学パネル６０が自発光型の表示素子（例えば有機ＥＬ表示素子、ＬＥＤ表示素子等）である場合や、自発光型ではないものの外光を利用する表示素子である場合には、フロントライトやバックライトを省略することができる。
【００４７】
二次電池７０は、図示しない配線を介して回路基板２０に接続されている。これにより、二次電池７０から出力される電力を、前述した要素の駆動に用いることができる。また、太陽電池８０で発電した電力によって、二次電池７０を充電することができる。
【００４８】
以上、電子時計２００について説明したが、本発明の電子機器の実施形態は電子時計に限定されず、例えば携帯電話端末、スマートフォン、タブレット端末、ウェアラブル端末、カメラ等であってもよい。
【００４９】
（太陽電池）
≪第１実施形態≫
次に、本発明の光電変換モジュールの第１実施形態を適用した太陽電池８０について詳述する。
【００５０】
太陽電池８０は、光エネルギーを電気エネルギーに変換する光電変換モジュールである。
【００５１】
図５は、図４に示す電子時計２００のうち太陽電池８０のみを図示した平面図である。また、図６は、図５に示す太陽電池８０の分解斜視図である。
【００５２】
図５に示す太陽電池８０（光電変換モジュール）は、風防板５５と電気光学パネル６０との間に設けられ、４つのセル８０ａ、８０ｂ、８０ｃ、８０ｄ（光電変換素子）と、４つのセル８０ａ、８０ｂ、８０ｃ、８０ｄと電気的に接続された配線基板８２と、を備えている。
【００５３】
セル８０ａ、８０ｂ、８０ｃ、８０ｄは、それぞれ板状をなしており、その主面はＺ軸方向に向いている。また、セル８０ａ、８０ｂ、８０ｃ、８０ｄの各主面のうち、風防板５５に臨む主面は、外部光を受光する受光面８４となる。一方、電気光学パネル６０に臨む主面は、発電した電力を取り出す電極パッドが設けられた電極面８５となる。
【００５４】
図５に示す太陽電池８０の平面視形状は、円環になっている。換言すれば、４つのセル８０ａ、８０ｂ、８０ｃ、８０ｄがわずかな隙間を介して並ぶことにより、全体の平面視形状は、内縁形状（内形形状）および外縁形状（外形形状）がそれぞれ円形である円環になっている。
【００５５】
一方、前述したケース３１の開口部３５は、円形をなしていることから、その内縁は曲線を含んでいる。
【００５６】
このような電子時計２００によれば、円形の開口部３５を有するケース３１に対して、表示部５０のような主要部位のスペースを確保しつつ、太陽電池８０を効率的に配置することができる。これにより、太陽電池８０を風防板５５に近接して配置することができるので、太陽電池８０の光電変換効率を十分に高めることができる。一方、表示部５０の配置スペースを、開口部３５の中心部に確保することができるので、表示部５０の視認性が良好になるとともに、表示部５０と太陽電池８０との配置のバランスも良好になる。その結果、太陽電池８０の光電変換効率と全体的な意匠性とを両立した電子時計２００が得られる。
【００５７】
なお、ケース３１の開口部３５（の内縁）は、例えば直線と曲線とを含んでいてもよい。
【００５８】
また、「太陽電池８０の外縁」とは、太陽電池８０の輪郭のうち、開口部３５の外側に臨む部分のことをいい、「太陽電池８０の内縁」とは、太陽電池８０の輪郭のうち、開口部３５の中心側に臨む部分のことをいう。
【００５９】
また、４つのセル８０ａ、８０ｂ、８０ｃ、８０ｄにおいて、それぞれの内縁および外縁は、互いに同じ中心を持つ円（同心円）の一部であることが好ましい。換言すれば、４つのセル８０ａ、８０ｂ、８０ｃ、８０ｄの集合体が円環をなすとき、その円環の内円と外円とが同心円であることが好ましい。これにより、とりわけ意匠性が高い電子時計２００を実現することができる。
【００６０】
なお、図３に示すように、太陽電池８０の内縁側には、表示部５０（電気光学パネル６０）が設けられるが、この表示部５０の外形形状は、太陽電池８０の内縁に沿っている。換言すれば、電子時計２００は、太陽電池８０の内縁に沿う外形形状を含む電気光学パネル６０を有する。このように配置することで、例えば太陽電池８０の内側に配される表示部５０の外形形状を円形にすることができるので、意匠性が高い電子時計２００を実現することができる。
【００６１】
また、太陽電池８０の少なくとも一部は、電気光学パネル６０の画素領域より外側と重なるように配置されている。これにより、例えば、太陽電池８０の受光面８４を正視するように電子時計２００を見たとき、太陽電池８０よりも遠い位置に表示部５０（電気光学パネル６０）が配置されれば、太陽電池８０は、電気光学パネル６０の画素領域の外側を覆う、いわゆる見切り板として機能することができる。
【００６２】
なお、本実施形態では、４つのセル８０ａ、８０ｂ、８０ｃ、８０ｄの集合体によって太陽電池８０が構成されているが、セルの数は、１つであってもよく、２つ以上の任意の数であってもよい。
【００６３】
また、本実施形態では、太陽電池８０の平面視形状が円環になっているが、多重の円環であってもよい。
【００６４】
また、４つのセル８０ａ、８０ｂ、８０ｃ、８０ｄのうち、１つ以上が省略されてもよく、セル同士の形状が互いに異なっていてもよい。
【００６５】
また、太陽電池８０が含む半導体基板は、非晶質性を有していてもよいが、結晶性を有していることが好ましい。この結晶性とは、単結晶性または多結晶性のことをいう。このような結晶性を有する半導体基板を含むことにより、非晶質性を有する半導体基板を含む場合に比べて、より光電変換効率の高い太陽電池８０が得られる。かかる太陽電池８０は、仮に同じ電力を発電する場合、より面積を小さくすることを可能にする。このため、結晶性を有する半導体基板を含むことにより、光電変換効率と意匠性とをより高度に両立させた電子時計２００が得られる。
【００６６】
特に、半導体基板は、単結晶性を有するものが好ましい。これにより、太陽電池８０の光電変換効率が特に高められる。したがって、光電変換効率と意匠性との両立を最大限に図ることができる。また、特に、太陽電池８０の省スペース化が図られることにより、電子時計２００の意匠性をより高めることができる。さらに、室内光のような低照度光においても光電変換効率が低下しにくいという利点もある。
【００６７】
半導体基板としては、例えばシリコン基板の他、化合物半導体基板（例えばＧａＡｓ基板）等が挙げられる。
【００６８】
なお、単結晶性を有するとは、半導体基板全体が単結晶である場合の他、一部が多結晶または非晶質である場合も含む。後者の場合、単結晶の体積が相対的に大きい（例えば全体の９０体積％以上である）ことが好ましい。
【００６９】
また、太陽電池８０は、好ましくは裏面電極型とされる。具体的には、図６に示すように、４つのセル８０ａ、８０ｂ、８０ｃ、８０ｄの電極面８５に、それぞれ電極パッド８６、８７（接続部）が設けられている。このうち、電極パッド８６は正極であり、一方、電極パッド８７は負極である。したがって、電極パッド８６および電極パッド８７から配線を介して電力を取り出すことができる。
【００７０】
裏面電極型では、全ての電極パッドを電極面８５（裏面）側に配置することができる。このため、受光面８４を最大限に大きくすることができ、受光面積の最大化に伴う発電量の向上を図ることができる。加えて、受光面８４側に電極パッドを設けることによる意匠性の低下を防止することができる。このため、電子時計２００の意匠性をさらに高めることができる。
【００７１】
また、太陽電池８０は、図５に示すように、電極パッド８６および電極パッド８７をそれぞれ複数含んでいるのが好ましい。これにより、セル８０ａ、８０ｂ、８０ｃ、８０ｄと配線基板８２との間を、電気的かつ機械的により確実に接続することができる。
【００７２】
また、複数の電極パッド８６は、太陽電池８０の外縁に沿って配置されている。一方、複数の電極パッド８７は、太陽電池８０の内縁に沿って配置されている。このような配置をとることにより、太陽電池８０の延在方向（周方向）に沿って接続点を確保することができる。このため、太陽電池８０をより確実に固定することができ、かつ、太陽電池８０と配線基板８２との間の接続抵抗を十分に低減させることができる。
なお、電極パッド８６、８７については、のちに詳述する。
【００７３】
図７は、図５に示す太陽電池８０の分解断面図である。なお、図７では、半導体基板としてＳｉ基板８００を用いた例を図示している。
図７に示す太陽電池８０は、セル８０ａと配線基板８２とを備えている。
【００７４】
このうち、セル８０ａは、Ｓｉ基板８００と、Ｓｉ基板８００に形成されたｐ＋不純物領域８０１およびｎ＋不純物領域８０２と、ｐ＋不純物領域８０１およびｎ＋不純物領域８０２に接続されているフィンガー電極８０４と、フィンガー電極８０４に接続されているバスバー電極８０５と、を備えている。なお、図７では、図示の便宜上、ｐ＋不純物領域８０１に接続されているバスバー電極８０５および電極パッド８６（正極）のみを図示し、ｎ＋不純物領域８０２に接続されているバスバー電極および電極パッド（負極）の図示を省略している。また、図７では、ｎ＋不純物領域８０２に接続されているフィンガー電極８０４について破線で示しており、このフィンガー電極８０４がバスバー電極８０５と電気的に接続されていないことを表している。
【００７５】
Ｓｉ基板８００としては、例えばＳｉ（１００）基板等が用いられる。なお、Ｓｉ基板８００の結晶面は、特に限定されず、Ｓｉ（１００）面以外の結晶面であってもよい。
【００７６】
Ｓｉ基板８００（半導体基板）の主要構成元素以外の不純物元素濃度は、できるだけ低いことが好ましいが、それぞれ１×１０１１［ａｔｏｍｓ／ｃｍ２］以下であるのがより好ましく、１×１０１０［ａｔｏｍｓ／ｃｍ２］以下であるのがさらに好ましい。不純物元素濃度が前記範囲内であることにより、Ｓｉ基板８００の不純物が光電変換に及ぼす影響を十分に小さく抑えることができる。これにより、小面積であっても十分な電力を発生させ得る太陽電池８０を実現することができる。さらに、室内光のような低照度光においても光電変換効率が低下しにくくなるという利点もある。
【００７７】
なお、Ｓｉ基板８００の不純物元素濃度は、例えばＩＣＰ−ＭＳ（Inductively Coupled Plasma - Mass Spectrometry）法により測定することができる。
【００７８】
また、ｐ＋不純物領域８０１に接続されているバスバー電極８０５の一部が露出し、前述した電極パッド８６を構成している。一方、ｎ＋不純物領域８０２に接続されているバスバー電極（図示せず）の一部が露出し、前述した電極パッド８７を構成している。
【００７９】
また、電極パッド８６は、図７に示すように、導電接続部８３を介して、配線基板８２と接続されている。同様に、電極パッド８７も、図示しない導電接続部を介して、配線基板８２と接続されている。
【００８０】
導電接続部８３としては、例えば導電ペースト、導電シート、金属材料、はんだ、ろう材等が挙げられる。
【００８１】
Ｓｉ基板８００の受光面８４には、テクスチャーが形成されている。このテクスチャーは、例えば任意の形状をなす凹凸形状のことをいう。具体的には、例えば受光面８４に形成された多数のピラミッド状突起で構成される。このようなテクスチャーを設けることにより、受光面８４における外部光の反射を抑制し、Ｓｉ基板８００に入射する光量の増大を図ることができる。
【００８２】
なお、Ｓｉ基板８００が例えばＳｉ（１００）面を主面とする基板である場合、Ｓｉ（１１１）面を傾斜面とするピラミッド状突起がテクスチャーとして好適に用いられる。
【００８３】
また、太陽電池８０は、受光面８４に設けられた、図示しないパッシベーション膜を備えている。なお、このパッシベーション膜は、反射防止膜の機能を有していてもよい。一方、太陽電池８０は、電極面８５に設けられたパッシベーション膜８０６を備えている。
【００８４】
また、フィンガー電極８０４とＳｉ基板８００との間、および、バスバー電極８０５とフィンガー電極８０４との間は、それぞれ層間絶縁膜８０７を介して絶縁されている。
【００８５】
パッシベーション膜８０６や層間絶縁膜８０７の構成材料としては、例えば、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、酸化アルミニウム等が挙げられる。
【００８６】
フィンガー電極８０４やバスバー電極８０５の構成材料としては、例えば、アルミニウム、チタン、銅のような金属の単体または合金等が挙げられる。
【００８７】
配線基板８２は、絶縁基板８２１と、その上に設けられた導電膜８２２と、を備えている。
【００８８】
絶縁基板８２１としては、例えばポリイミド基板、ポリエチレンテレフタレート基板のような各種樹脂基板が挙げられる。導電膜８２２の構成材料としては、例えば銅または銅合金、アルミニウムまたはアルミニウム合金、銀または銀合金等が挙げられる。
【００８９】
また、各セル８０ａ、８０ｂ、８０ｃ、８０ｄ同士の隙間の長さｄ（図３参照）は、特に限定されないが、０．０５ｍｍ以上３ｍｍ以下であるのが好ましく、０．１ｍｍ以上１ｍｍ以下であるのがより好ましい。隙間の長さｄを前記範囲内に設定することにより、受光面８４側から太陽電池８０を見たとき、図７に示す端面８０８がより見えにくくなる。また、隙間の長さｄが短すぎることによる、太陽電池８０の組み立てにくさやセル同士が接触しやすくなるという問題を回避するという観点からも有用である。
【００９０】
また、各セル８０ａ、８０ｂ、８０ｃ、８０ｄの厚さは、特に限定されないが、５０μｍ以上５００μｍ以下であるのが好ましく、１００μｍ以上３００μｍ以下であるのがより好ましい。これにより、太陽電池８０の光電変換効率と機械的特性との両立を図ることができる。また、電子時計２００の薄型化にも貢献することができる。
【００９１】
配線基板８２は、４つのセル８０ａ、８０ｂ、８０ｃ、８０ｄと重なるように設けられている。このような配線基板８２は、絶縁基板８２１と、その上に設けられた導電膜８２２と、導電膜８２２と重なる部分に開口部８２４を含む絶縁膜８２３と、を備えている。
【００９２】
なお、「配線基板８２が４つのセル８０ａ、８０ｂ、８０ｃ、８０ｄと重なる」とは、配線基板８２の平面視において、配線基板８２が少なくとも１つのセルと重なって見える状態をいう。また、その場合、１つのセルの全体と重なっている必要はなく、その少なくとも一部と重なっていればよい。
【００９３】
なお、本実施形態では、配線基板８２が４つのセル８０ａ、８０ｂ、８０ｃ、８０ｄと重なっている。
【００９４】
絶縁基板８２１としては、例えばポリイミド基板、ポリエチレンテレフタレート基板のような各種樹脂基板が挙げられる。
【００９５】
導電膜８２２の構成材料としては、例えば銅または銅合金、アルミニウムまたはアルミニウム合金、銀または銀合金等が挙げられる。
【００９６】
絶縁膜８２３の構成材料としては、例えばポリイミド樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂のような各種樹脂材料が挙げられる。
【００９７】
また、絶縁基板８２１と絶縁膜８２３との間は、接着層８２５を介して接着されている。
【００９８】
接着層８２５の構成材料としては、例えばエポキシ系接着材、シリコーン系接着材、オレフィン系接着材、アクリル系接着材等が挙げられる。
【００９９】
配線基板８２の厚さは、特に限定されないが、５０μｍ以上５００μｍ以下であるのが好ましく、１００μｍ以上３００μｍ以下であるのがより好ましい。配線基板８２の厚さを前記範囲内に設定することにより、配線基板８２に適度な可撓性が付与される。このため、配線基板８２に適度な変形能が付与されることとなり、セル８０ａに応力が発生したとしても、配線基板８２の変形によってその応力の集中を緩和することができる。その結果、セル８０ａに反り等の不具合が発生するのを抑制することができる。
【０１００】
以下、各部についてさらに詳述する。
−電極および電極パッド（接続部）−
図８は、図６に示すセル８０ａの電極面８５を示す平面図である。なお、図８では、前述したパッシベーション膜８０６に覆われているフィンガー電極８０４やバスバー電極８０５を透視するように図示している。
【０１０１】
また、図９は、図８に示す平面図のうちフィンガー電極８０４を選択的に示す図であり、図１０は、図８に示す平面図のうちバスバー電極８０５および電極パッド８６、８７を選択的に示す図である。フィンガー電極８０４およびバスバー電極８０５は、互いに階層が異なるため、図９および図１０において階層別に分けて図示している。
【０１０２】
なお、以下の説明では、セル８０ａを代表として説明するが、その説明はセル８０ｂ、８０ｃ、８０ｄについても同様である。
【０１０３】
セル８０ａは、図８〜図１０に示すように、Ｓｉ基板８００を備えている。このＳｉ基板８００は、輪郭に２つの円弧を含んでいる。このうち、図５に示す円環の外縁の一部に相当する円弧が基板外縁８００ａであり、円環の内縁の一部に相当する円弧が基板内縁８００ｂである。
【０１０４】
また、図８〜図１０に示すセル８０ａは、Ｓｉ基板８００に形成された図７に示すｐ＋不純物領域８０１（第１導電型不純物領域）を覆うように設けられたｐ型フィンガー電極８０４ｐ（第１電極）と、ｐ＋不純物領域８０１とｐ型フィンガー電極８０４ｐとの間を電気的に接続するｐ＋コンタクト８１１ｐと、を備えている。
【０１０５】
また、図８〜図１０に示すセル８０ａは、Ｓｉ基板８００に形成された図７に示すｎ＋不純物領域８０２（第２導電型不純物領域）を覆うように設けられたｎ型フィンガー電極８０４ｎ（第２電極）と、ｎ＋不純物領域８０２とｎ型フィンガー電極８０４ｎとの間を電気的に接続するｎ＋コンタクト８１１ｎと、を備えている。
【０１０６】
そして、ｐ＋コンタクト８１１ｐは、１つのｐ型フィンガー電極８０４ｐに対して複数設けられている。したがって、それに応じて、図７に示すｐ＋不純物領域８０１も、１つのｐ型フィンガー電極８０４ｐに対して複数設けられている。これにより、受光によって発生した正孔（キャリア）を効率よく取り出すことができる。
【０１０７】
同様に、ｎ＋コンタクト８１１ｎは、１つのｎ型フィンガー電極８０４ｎに対して複数設けられている。したがって、それに応じて、図７に示すｎ＋不純物領域８０２も、１つのｎ型フィンガー電極８０４ｎに対して複数設けられている。これにより、受光によって発生した電子（キャリア）を効率よく取り出すことができる。
【０１０８】
ｐ＋コンタクト８１１ｐおよびｎ＋コンタクト８１１ｎの構成材料は、例えば、前述したフィンガー電極８０４の構成材料と同様のものから適宜選択される。
【０１０９】
なお、前述したフィンガー電極８０４は、ｐ型フィンガー電極８０４ｐおよびｎ型フィンガー電極８０４ｎの双方を指している。
【０１１０】
また、図８および図９では、ｐ＋コンタクト８１１ｐおよびｎ＋コンタクト８１１ｎに対して相対的に密なドットを付し、フィンガー電極８０４に対して相対的に疎なドットを付している。
【０１１１】
さらに、図８では、パッシベーション膜８０６で覆われている部位は、破線または鎖線で示し、パッシベーション膜８０６から露出している部位を、実線で示している。
【０１１２】
図８に示すように、ｐ型バスバー電極８０５ｐおよびｎ型バスバー電極８０５ｎは、それぞれパッシベーション膜８０６に覆われている。これにより、外部環境からこれらの電極が保護されている。
【０１１３】
・電極パッド（接続部）
一方、パッシベーション膜８０６の一部にはビアホールが設けられ、ｐ型バスバー電極８０５ｐおよびｎ型バスバー電極８０５ｎの一部が露出している。このうち、ｐ型バスバー電極８０５ｐの露出面が前述した電極パッド８６（正極の接続部）となり、ｎ型バスバー電極８０５ｎの露出面が前述した電極パッド８７（負極の接続部）となる。すなわち、ｐ型バスバー電極８０５ｐの一部であり、パッシベーション膜８０６に設けられたビアホールから露出したｐ型バスバー電極８０５ｐの露出面を電極パッド８６といい、同様に、ｎ型バスバー電極８０５ｎの一部であり、パッシベーション膜８０６に設けられたビアホールから露出してｎ型バスバー電極８０５ｎの露出面を電極パッド８７という。
【０１１４】
また、本実施形態に係るセル８０ａは、図１０に示すように、電極パッド８６および電極パッド８７をそれぞれ複数含んでいる。この電極パッド８６、８７と配線基板８２の導電膜８２２との間に導電接続部８３（図７参照）を設けることにより、セル８０ａと配線基板８２との間を、電気的かつ機械的に接続することができる。
【０１１５】
また、複数の電極パッド８６は、図８および図１０に示すように、基板外縁８００ａに沿って配列されている。つまり、電極パッド８６の配列軸が基板外縁８００ａとほぼ平行になっている。一方、複数の電極パッド８７は、基板内縁８００ｂに沿って配列されている。つまり、電極パッド８７の配列軸が基板内縁８００ｂとほぼ平行になっている。このような配置をとることにより、セル８０ａの延在方向（基板外縁８００ａに含まれる円弧の周方向）に沿って配線基板８２との接続点を確保することができる。このため、セル８０ａを配線基板８２に対してより確実に固定することができ、かつ、セル８０ａと配線基板８２との間の接続抵抗を十分に低減させることができる。
【０１１６】
ここで、図８に示すセル８０ａは、３個の電極パッド８６（正極の接続部）と２個の電極パッド８７（負極の接続部）とを備えている。
【０１１７】
これらの電極パッド８６、８７は、Ｓｉ基板８００（半導体基板）の主面を平面視したとき、Ｓｉ基板８００の基板外縁８００ａと直交する方向に長軸を持つ長手形状をなしている。そして、電極パッド８６、８７は、それぞれ、図７および図８に示すように、その長手形状の長軸と直交する短軸方向における電極パッド８６、８７の両側に、ｐ＋不純物領域８０１（第１導電型不純物領域）およびｎ＋不純物領域８０２（第２導電型不純物領域）が位置するように配置されている。つまり、電極パッド８６、８７は、それぞれ、ｐ＋不純物領域８０１（第１導電型不純物領域）とｎ＋不純物領域８０２（第２導電型不純物領域）との間に挟まれるように配置され、かつ、長手形状の長辺はこれらのｐ＋不純物領域８０１およびｎ＋不純物領域８０２に臨んでいる。
【０１１８】
電極パッド８６、８７の短軸方向における両側にｐ＋不純物領域８０１およびｎ＋不純物領域８０２が配置されていることにより、電極パッド８６、８７がＳｉ基板８００の端部に配置されている場合（不純物領域同士の間に挟まれていない場合）に比べて、より多くのキャリアを収集することができる。すなわち、本実施形態では、図７に示すように、電極パッド８６の直上に位置する領域８９の近傍には、ｐ＋不純物領域８０１およびｎ＋不純物領域８０２が配置されていないものの、このような領域８９に発生したキャリアについても、領域８９にｐ＋不純物領域８０１およびｎ＋不純物領域８０２が隣接することによって、効率よく収集することが可能になる。このため、従来であれば光電変換に寄与し得なかった領域８９についても、光電変換に利用することができるようになり、従来よりも光電変換に利用可能な面積を拡大することができる。また、図示しないものの、電極パッド８７の直上に位置する領域についても、領域８９と同様、光電変換に利用することができるようになる。その結果、セル８０ａの光電変換効率をより高めることができる。
【０１１９】
なお、電極パッド８６、８７の短軸方向における両側に不純物領域が設けられない場合、例えば一端側にしか不純物領域が設けられない場合、領域８９のうち特に他端側で発生したキャリアを収集することができないため、そのキャリアを光電変換に利用することができない。そのため、その分、光電変換効率の低下を招いてしまうことになる。
これに対し、本実施形態によれば、かかる光電変換効率の低下を避けることができる。
【０１２０】
また、電極パッド８６、８７がこのような形状および配置を満たすことにより、電極パッド８６、８７を挟んだｐ＋不純物領域８０１とｎ＋不純物領域８０２との離間距離をより小さく抑えつつ、電極パッド８６、８７の面積をより大きく確保することが可能になる。これにより、電極パッド８６、８７を設けることに伴うキャリアの収集ロスを少なく抑えることができ、光電変換効率の低下を抑制することができる。
【０１２１】
また、電極パッド８６、８７に接合される導電接続部８３の接合面積が大きくなるため、外部配線である配線基板８２との接続における接続抵抗の低減および接続強度の向上を図ることができる。
【０１２２】
なお、前述したように、セル８０ａは複数のフィンガー電極８０４を備えているが、その本数は特に限定されず、Ｓｉ基板８００ならびにフィンガー電極８０４の大きさおよびピッチ等に応じて適宜設定される。
【０１２３】
ここで、図１２は、図８に示す光電変換素子の第１変形例を示す平面図であって、フィンガー電極８０４の本数を図８とは異ならせた例である。なお、図１２では、セル８０ａのうち、Ｓｉ基板８００、フィンガー電極８０４および電極パッド８６、８７以外の部位の図示を省略している。また、図１２では、ｐ型フィンガー電極８０４ｐに密なドットを付し、ｎ型フィンガー電極８０４ｎに疎なドットを付している。
【０１２４】
このようにしてフィンガー電極８０４の本数を増やす、つまり、ｐ＋不純物領域８０１やｎ＋不純物領域８０２の配設密度を高めることにより、セル８０ａにおける光電変換効率を高めやすくなる。
【０１２５】
また、図１２では、フィンガー電極８０４が並ぶ方向において、ｐ型フィンガー電極８０４ｐとｎ型フィンガー電極８０４ｎとが交互に配列されたパターンになっている。
【０１２６】
さらに、電極パッド８６、８７を挟む両側については、前述したように、電極パッド８６、８７を挟んでｐ型フィンガー電極８０４ｐとｎ型フィンガー電極８０４ｎとが向かい合っている。つまり、図１２では、図８と同様、電極パッド８６、８７の短軸方向における両側に位置する不純物領域は、互いに異なる極性を有する不純物領域になっている。
【０１２７】
このため、本実施形態では、第１導電型不純物領域がｐ＋不純物領域８０１であり、第２導電型不純物領域がｎ＋不純物領域８０２とされる。
【０１２８】
そして、ｐ＋不純物領域８０１がｐ型フィンガー電極８０４ｐ（第１電極）およびｐ型バスバー電極８０５ｐを介して電極パッド８６に接続され、ｎ＋不純物領域８０２がｎ型フィンガー電極８０４ｎ（第２電極）およびｎ型バスバー電極８０５ｎを介して電極パッド８７に接続されている。これにより、電極パッド８６、８７の直上（近傍）で発生した正孔および電子の双方を効率よく収集することができる。その結果、キャリアの再結合に伴う損失を抑制することができ、光電変換効率のさらなる向上を図ることができる。
【０１２９】
なお、本実施形態とは反対に、第１導電型不純物領域がｎ＋不純物領域８０２であり、第２導電型不純物領域がｐ＋不純物領域８０１であってもよい。
【０１３０】
また、図１３は、図８に示す光電変換素子の第２変形例を示す平面図であって、フィンガー電極の配列パターンを図１２とは異ならせた例である。なお、図１３では、セル８０ａのうち、Ｓｉ基板８００、フィンガー電極８０４および電極パッド８６、８７以外の部位の図示を省略している。また、図１３では、ｐ型フィンガー電極８０４ｐに密なドットを付し、ｎ型フィンガー電極８０４ｎに疎なドットを付している。
【０１３１】
フィンガー電極８０４が並ぶ方向において、図１３に示すｐ型フィンガー電極８０４ｐとｎ型フィンガー電極８０４ｎの配列パターンは、電極パッド８６、８７を挟む両側において、図１２のそれと異なっている。
【０１３２】
すなわち、前述した図１２に示す配列パターンでは、電極パッド８６、８７を挟んでｐ型フィンガー電極８０４ｐとｎ型フィンガー電極８０４ｎとが向かい合っているのに対し、図１３に示す配列パターンでは、電極パッド８６、８７を挟んでｐ型フィンガー電極８０４ｐ同士が向かい合っている。
【０１３３】
したがって、第２変形例では、電極パッド８６、８７の短軸方向における両側に位置する不純物領域がいずれもｐ＋不純物領域になっている（図示せず）。よって、これらのｐ＋不純物領域は、その一方を第１導電型不純物領域とみなし、他方を第２導電型不純物領域とみなすことができる。そして、その場合、双方のｐ＋不純物領域は、いずれも正極である電極パッド８６に接続されることとなる。
【０１３４】
換言すれば、第２変形例では、例えばＳｉ基板８００がｎ型の極性を有しているｎ型半導体基板である場合、その極性とは逆の極性を有するｐ＋不純物領域が、電極パッド８６、８７を介して向かい合うことになる。このような第２変形例では、受光により発生した少数キャリアをより効率よく収集することができる。その結果、光電変換効率のさらなる向上を図ることができる。
【０１３５】
なお、第２変形例とは反対に、例えばＳｉ基板８００がｐ型の極性を有しているｐ型半導体基板である場合、その極性とは逆の極性を有するｎ＋不純物領域が、電極パッド８６、８７を介して向かい合うようにすればよい。
【０１３６】
その場合、電極パッド８６、８７の短軸方向における両側に位置する不純物領域がいずれもｎ＋不純物領域になり、その一方を第１導電型不純物領域とみなし、他方を第２導電型不純物領域とみなすことができる。そして、その場合、双方のｎ＋不純物領域は、いずれも負極である電極パッド８７に接続されることとなる。
【０１３７】
以上のように、第１変形例および第２変形例では、電極パッド８６、８７の短軸方向における両側に位置する第１導電型不純物領域および第２導電型不純物領域の双方が、Ｓｉ基板８００の極性とは異なる極性を有する不純物領域とされる。つまり、これらの変形例では、第１導電型不純物領域および第２導電型不純物領域が、互いに同じ極性を有する不純物領域になっている。
【０１３８】
したがって、第１実施形態と上述したその変形例とを踏まえると、第１導電型不純物領域および第２導電型不純物領域は、その少なくとも一方が接続部（電極パッド８６または電極パッド８７）に接続されていればよい。
【０１３９】
以上をまとめると、セル８０ａは、Ｓｉ基板８００と、ｐ＋不純物領域８０１（第１導電型不純物領域）およびｎ＋不純物領域８０２（第２導電型不純物領域）と、ｐ＋不純物領域８０１およびｎ＋不純物領域８０２の少なくとも一方と電気的に接続されている接続部（電極パッド８６または電極パッド８７）と、を備えている。そして、電極パッド８６、８７は、Ｓｉ基板８００の主面を平面視したとき長手形状をなしており、その長手形状の短軸Ａ２方向における電極パッド８６、８７の両側にｐ＋不純物領域８０１およびｎ＋不純物領域８０２が位置するように配置されている。
【０１４０】
このようなセル８０ａによれば、キャリアを効率よく収集することができ、光電変換効率を高めることができる。また、電極パッド８６、８７において、外部配線である配線基板８２との接続における接続抵抗の低減および接続強度（機械的強度）の向上を図ることができる。
【０１４１】
ここで、図１１は、図１０に示す平面図のうち電極パッド８６、８７を選択的に示す図である。
【０１４２】
電極パッド８６、８７の長手形状とは、その長軸をＡ１とし、短軸をＡ２としたとき、長軸Ａ１の長さＬ１と短軸Ａ２の長さＬ２との間に差があるような形状のことをいう。
【０１４３】
長軸Ａ１の長さＬ１は、短軸Ａ２の長さＬ２の１．０１倍以上１００倍以下であるのが好ましく、１．５倍以上５０倍以下であるのがより好ましく、２倍以上１０倍以下であるのがさらに好ましい。長軸Ａ１と短軸Ａ２の長さ比を前記範囲内に設定することにより、前述した電極パッド８６、８７の面積の確保と、ｐ＋不純物領域８０１とｎ＋不純物領域８０２との離間距離の抑制と、を両立させることができる。
【０１４４】
また、電極パッド８６、８７の短軸Ａ２の長さＬ２は、Ｓｉ基板８００の大きさに応じて若干異なるものの、０．１ｍｍ以上１ｍｍ以下であるのが好ましく、０．２ｍｍ以上０．８ｍｍ以下であるのがより好ましい。これにより、電極パッド８６、８７を介して隣り合うｐ＋不純物領域８０１とｎ＋不純物領域８０２との離間距離についても、長さＬ２と同程度にすることができる。この程度の距離であれば、例えばＳｉ基板８００のキャリア移動度が高い場合には、電極パッド８６、８７の直上で発生したキャリアについても、隣接するフィンガー電極８０４に収集することが可能になる。したがって、電極パッド８６、８７を設けたことによる光電変換効率の低下を最小限に留めることができる。
【０１４５】
また、本実施形態に係るＳｉ基板８００は、図１１に示すように、その主面を平面視したとき、長手形状をなしている。具体的には、Ｓｉ基板８００の長軸をＡ３とし、短軸をＡ４としたとき、長軸Ａ３の長さと短軸Ａ４の長さとの間に差があるような形状をなしている。
【０１４６】
このような形状のＳｉ基板８００を用いる場合、電極パッド８６、８７の長軸Ａ１と、Ｓｉ基板８００の長軸Ａ３と、が互いに交差していることが好ましい。これにより、長手形状をなすＳｉ基板８００を用いた場合でも、接続抵抗の低減および接続強度の向上を図りつつ、光電変換効率の低下を抑制することができる。すなわち、図８の例では、比較的線幅が細いフィンガー電極８０４の線長を短く抑えつつ、電極パッド８６、８７を設けるためのスペースも狭くすることができる。つまり、電極パッド８６、８７の面積を十分に確保しつつ、電極パッド８６、８７を介して隣り合うｐ＋不純物領域８０１とｎ＋不純物領域８０２との離間距離をより小さく抑えることが可能になる。その結果、フィンガー電極８０４における抵抗損失を抑えるとともに、キャリアの収集ロスをより少なく抑えることができ、光電変換効率の低下をより確実に抑制することができる。
【０１４７】
長軸Ａ３の長さは、短軸Ａ４の長さの１．０１倍以上１００倍以下であるのが好ましく、１．５倍以上５０倍以下であるのがより好ましく、２倍以上１０倍以下であるのがさらに好ましい。長軸Ａ３と短軸Ａ４の長さ比を前記範囲内に設定することにより、例えば細長い円環状をなす太陽電池８０を実現することができる。このため、意匠性が高い電子時計２００を実現することができる。また、Ｓｉ基板８００の形状に制約を持たせなくても、光電変換効率の高いセル８０ａを実現することができる。
【０１４８】
また、長軸Ａ１と長軸Ａ３とが互いに交差している場合、その小角側の交差角α（図１１参照）は、４０°以上９０°以下であるのが好ましく、６０°以上９０°以下であるのがより好ましい。これにより、前述した効果がより顕著になる。
【０１４９】
なお、Ｓｉ基板８００の平面視形状は、上記に限定されず、いかなる形状であってもよい。
【０１５０】
また、本実施形態に係るセル８０ａでは、前述したように、電極パッド８６、８７がそれぞれ複数個ずつ設けられている。このような配置になっていることにより、これらの接続部に接合される導電接続部８３も同様の配置になる。したがって、セル８０ａは、これらの端子の位置を支持点として、配線基板８２に多点支持されることとなる。これにより、接続抵抗の低減および接続強度の向上をより強化することができる。
【０１５１】
電極パッド８６、８７の１つの面積は、Ｓｉ基板８００の大きさに応じて若干異なるものの、０．０５ｍｍ２以上５ｍｍ２以下であることが好ましく、０．１ｍｍ２以上３ｍｍ２以下であることがより好ましい。これにより、接続抵抗の低減および接続強度の向上を十分に高めつつ、電極パッド８６、８７を設けることに伴うキャリアの収集ロスも十分に抑えることができる。
【０１５２】
なお、電極パッド８６、８７の配置は、図示のものに限定されず、例えば電極パッド８６の列の位置と電極パッド８７の列の位置とが入れ替わっていてもよい。すなわち、正極の接続部が基板内縁８００ｂ側に配置され、負極の接続部が基板外縁８００ａ側に配置されていてもよい。
【０１５３】
一方、電極パッド８６、８７とＳｉ基板８００の輪郭との最短距離をＬ３とするとき、最短距離Ｌ３は、０．０５ｍｍ以上１ｍｍ以下であるのが好ましく、０．１ｍｍ以上０．８ｍｍ以下であるのがより好ましい。最短距離Ｌ３が前記範囲内であることにより、電極パッド８６、８７は、Ｓｉ基板８００の内側に位置するものとなるため、例えば電極パッド８６、８７からはんだ等が溢れた場合でも、そのはんだが端面８０８に及んでしまうのを抑制することができる。また、導電接続部８３を介して電極パッド８６、８７を支持するとき、最短距離Ｌ３が前記範囲内であることにより、セル８０ａをバランスよく支持することができる。その結果、信頼性の高い太陽電池８０を実現することができる。
【０１５４】
また、電極パッド８６、８７の形状も、特に限定されず、いかなる形状であってもよい。一例として、図１１に示す電極パッド８６、８７の形状は、それぞれ長方形であるが、真円、楕円、長円のような円形であってもよく、三角形、六角形、八角形のような多角形であってもよく、それ以外の形状であってもよい。
【０１５５】
さらに、電極パッド８６同士、電極パッド８７同士、および、電極パッド８６と電極パッド８７との間で、互いに形状が同じであるのが好ましいが、互いに異なっていてもよい。
【０１５６】
また、基板外縁８００ａおよび基板内縁８００ｂは、互いに同心の円弧を含むことが好ましい。すなわち、基板外縁８００ａは、相対的に大径の円弧を含み、基板内縁８００ｂは、相対的に小径の円弧を含むことが好ましい。これにより、フィンガー電極８０４およびバスバー電極８０５の設計が容易になるとともに、セル８０ａの構造のバランスが最適化される。その結果、セル８０ａにおいて反り等の変形が発生しにくくなる。
【０１５７】
なお、基板外縁８００ａおよび基板内縁８００ｂは、その一部または全部が直線であってもよいし、円弧以外の曲線を含んでいてもよいし、互いに同心ではない円弧を含んでいてもよい。
【０１５８】
ただし、本実施形態では、Ｓｉ基板８００の輪郭は、曲線を含んでいる。これにより、セル８０ａは、電子時計２００の意匠性をより高めることに寄与する。
【０１５９】
なお、本明細書における曲線は、製造技術の制約上、角数の多い多角形の一部として製造される場合もあるが、そのような多角形の一部についても含む概念である。
【０１６０】
また、基板外縁８００ａは基板内縁８００ｂよりも長くなる。これを考慮すれば、基板外縁８００ａ側に位置する電極パッド８６の数は、基板内縁８００ｂ側に位置する電極パッド８７の数よりも多いことが好ましい。
【０１６１】
また、本実施形態では、電極パッド８６、８７が設けられている部分には、ｐ＋不純物領域８０１（図７参照）、ｎ＋不純物領域８０２（図７参照）、ｐ＋コンタクト８１１ｐおよびｎ＋コンタクト８１１ｎが、それぞれ平面視で重ならないように配置されている（図８参照）。
【０１６２】
すなわち、Ｓｉ基板８００の主面を平面視したとき、電極パッド８６（接続部）は、ｐ＋不純物領域８０１およびｎ＋不純物領域８０２とずれるように配置されている。また、それにより自ずと、電極パッド８６は、ｐ＋コンタクト８１１ｐおよびｎ＋コンタクト８１１ｎとずれるように配置されている。
【０１６３】
同様に、Ｓｉ基板８００の主面を平面視したとき、電極パッド８７（接続部）は、ｐ＋不純物領域８０１およびｎ＋不純物領域８０２とずれるように配置されている。また、それにより自ずと、電極パッド８７は、ｐ＋コンタクト８１１ｐおよびｎ＋コンタクト８１１ｎとずれるように配置されている。
【０１６４】
これにより、例えば電極パッド８６、８７に導電接続部８３が接合された後、その接合部が破損したとしても、ｐ＋不純物領域８０１およびｎ＋不純物領域８０２に損傷が及んでしまうのを抑制することができる。したがって、より信頼性の高いセル８０ａが得られる。
【０１６５】
また、上記のような配置であることにより、電極パッド８６、８７は、その平坦性等の形状においてｐ＋不純物領域８０１やｎ＋不純物領域８０２の影響を受けることがなくなる。このため、平坦性が高く、接触不良を発生させにくい電極パッド８６、８７が得られる。
【０１６６】
なお、このような配置は、必ずしも限定されるものではなく、例えば、電極パッド８６、８７は、ｐ＋不純物領域８０１、ｎ＋不純物領域８０２、ｐ＋コンタクト８１１ｐおよびｎ＋コンタクト８１１ｎのいずれかと平面視で重なっていてもよい。
【０１６７】
・フィンガー電極
フィンガー電極８０４は、図９に示すように、基板外縁８００ａが含む曲線の垂線ＰＬの延伸方向に延在しているのが好ましい。すなわち、セル８０ａは、曲線を含む基板外縁８００ａと、基板外縁８００ａの内側に位置し曲線を含む基板内縁８００ｂと、を有するＳｉ基板８００と、Ｓｉ基板８００の一方の面に設けられている複数のフィンガー電極８０４と、を備え、フィンガー電極８０４は、基板外縁８００ａが含む曲線の垂線方向に延在しているのが好ましい。これにより、基板外縁８００ａが円弧である場合、フィンガー電極８０４は、その円弧の中心Ｏから放射状に延伸する直線に沿って延在することとなる。
【０１６８】
一方、本実施形態に係るセル８０ａでは、前述した垂線ＰＬが基板内縁８００ｂにも直交している。
【０１６９】
また、前述した垂線ＰＬは、基板外縁８００ａの円弧の中心Ｏを通過していることが好ましい。すなわち、この円弧が真円またはそれに近い形状の一部であることが好ましい。これにより、フィンガー電極８０４の設計が容易になるとともに、セル８０ａの構造のバランスが最適化される。その結果、セル８０ａにおける反り等の変形がより発生しにくくなる。
【０１７０】
また、セル８０ａには、複数のフィンガー電極８０４が設けられている。このため、これらのフィンガー電極８０４は、基板外縁８００ａに沿って配列される（並ぶ）こととなる。換言すれば、配列軸が基板外縁８００ａとほぼ平行であるということができる。このように配列させることで、各フィンガー電極８０４の形状や面積を均一化することができ、セル８０ａの構造の均一化を図ることができる。その結果、セル８０ａにおける反り等の変形が発生しにくくなる。加えて、フィンガー電極８０４を、Ｓｉ基板８００に対してできるだけ隙間なく敷き詰めることができる。これにより、フィンガー電極８０４は、セル８０ａの電極面８５側において、受光面８４から入射した光を反射するための反射膜としても機能する。すなわち、フィンガー電極８０４が隙間なく敷き詰められることにより、受光面８４から入射しＳｉ基板８００を透過してしまった光を、フィンガー電極８０４においてより高い確率で反射させることができる。これにより、光電変換に寄与する光量を増やすことでき、光電変換効率の向上を図ることができる。
【０１７１】
さらに、少なくとも互いに隣り合うフィンガー電極８０４同士は、互いに同一形状であり、かつ、互いに同一面積であることが好ましい。これにより、セル８０ａの構造のさらなる均一化が図られることとなる。
【０１７２】
なお、同一形状、同一面積および平行とは、それぞれ、製造時に発生する誤差を許容する概念である。
【０１７３】
また、フィンガー電極８０４が基板外縁８００ａに沿って配列される場合、ｐ型フィンガー電極８０４ｐとｎ型フィンガー電極８０４ｎとが交互に並んでいるのが好ましいが、このような配列パターンに限定されるものではなく、一部または全部が異なる配列パターンであってもよい。
【０１７４】
また、フィンガー電極８０４の輪郭は、いかなる形状であってもよいが、図９では、基板外縁８００ａに臨むフィンガー電極外縁８１２と、基板内縁８００ｂに臨むフィンガー電極内縁８１３と、を有している。そして、フィンガー電極外縁８１２の長さは、フィンガー電極内縁８１３の長さより長くなっている。つまり、図９に示すフィンガー電極８０４は、基板外縁８００ａの延在方向における長さを「幅」とするとき、フィンガー電極内縁８１３からフィンガー電極外縁８１２に向かうにつれて徐々に幅が広くなっている。
【０１７５】
このような輪郭形状を有するフィンガー電極８０４によれば、フィンガー電極８０４同士の隙間を一定にしながら、フィンガー電極８０４をＳｉ基板８００に対してできるだけ隙間なく敷き詰めることが可能になる。このため、フィンガー電極８０４同士の絶縁性を確保しつつ、フィンガー電極８０４による反射膜としての機能をより高めることができる。
【０１７６】
なお、本実施形態では、電極パッド８６、８７を通過するように図９に示す垂線ＰＬと同様の垂線を引いたとき、その垂線上には、ｐ＋不純物領域８０１（図７参照）およびｎ＋不純物領域８０２（図７参照）が設けられていない。また、それに伴って、フィンガー電極８０４も設けられていない。
【０１７７】
このような本実施形態では、構造を比較的単純にしやすいため、製造容易性が高く、製造歩留まりが高いものとなる。また、電極パッド８６、８７を通過するように引かれた垂線上にｐ＋不純物領域８０１およびｎ＋不純物領域８０２が設けられていなくても、電極パッド８６、８７の短軸Ａ２（図１１参照）が十分に短いことから、発生したキャリアを大きく損失することなく収集することができる。したがって、光電変換効率の低下を抑制することができる。
【０１７８】
なお、上記構成は、これに限定されるものではなく、例えば、電極パッド８６、８７を通過する垂線上にも、ｐ＋不純物領域８０１およびｎ＋不純物領域８０２が設けられていてもよい。
【０１７９】
また、図９に示す２本の垂線ＰＬは、互いに隣り合う２つのフィンガー電極８０４の幅の中心を通過している。また、前述したように各垂線ＰＬは、基板外縁８００ａの円弧の中心Ｏを通過している。したがって、２本の垂線ＰＬ同士がなす角度θは、隣り合うフィンガー電極８０４同士のピッチに相当する。この角度θは、Ｓｉ基板８００におけるキャリア移動度等に応じて適宜設定されるが、一例として０．０５°以上１°以下であるのが好ましく、０．１°以上０．５°以下であるのがより好ましい。これにより、各フィンガー電極８０４に対応して設けられるコンタクト同士のピッチやドーパント領域同士のピッチが最適化されるため、受光により発生したキャリアの取り出し効率が向上する。その結果、光電変換効率が特に高いセル８０ａが得られる。
【０１８０】
また、フィンガー電極８０４の幅は、上記と同様の観点から、５μｍ以上１００μｍ以下であるのが好ましく、１０μｍ以上５０μｍ以下であるのがより好ましい。
【０１８１】
一方、フィンガー電極８０４同士の間隔は、１μｍ以上５０μｍ以下であるのが好ましく、３μｍ以上３０μｍ以下であるのがより好ましい。これにより、フィンガー電極８０４同士の絶縁を図りつつ、フィンガー電極８０４が占める面積を十分に大きくすることができる。
【０１８２】
また、電極パッド８６、８７の長軸Ａ１は、Ｓｉ基板８００の長軸Ａ３と交差していることが好ましい旨、前述したが、本実施形態では、さらに、長軸Ａ１が前述した円弧の中心Ｏを指向していることが好ましい。これにより、長軸Ａおよびフィンガー電極８０４の長手方向の双方が中心Ｏを指向することになる。このため、隣り合うフィンガー電極８０４同士の間に電極パッド８６、８７を効率よく配置することができる。このため、電極パッド８６、８７の面積を十分に確保しつつ、電極パッド８６、８７を介して隣り合うｐ＋不純物領域８０１とｎ＋不純物領域８０２との離間距離をより小さく抑えることが可能になる。
【０１８３】
なお、長軸Ａ１が中心Ｏを指向しているとは、長軸Ａ１の延長線が中心Ｏを通過することを指すが、製造誤差等に伴う多少のずれがあってもよい。
【０１８４】
・バスバー電極
一方、セル８０ａは、図８および図１０に示すように、複数のフィンガー電極８０４を跨ぐように、かつ、これらのフィンガー電極８０４を覆うように設けられたｐ型バスバー電極８０５ｐおよびｎ型バスバー電極８０５ｎを備えている。そして、ｐ型バスバー電極８０５ｐは、ｐ型ビア配線８１４ｐを介して複数のｐ型フィンガー電極８０４ｐと電気的に接続されており、ｎ型バスバー電極８０５ｎは、ｎ型ビア配線８１４ｎを介して複数のｎ型フィンガー電極８０４ｎと電気的に接続されている。
【０１８５】
また、ｐ型ビア配線８１４ｐは、１つのｐ型バスバー電極８０５ｐに対して複数設けられている。同様に、ｎ型ビア配線８１４ｎも、１つのｎ型バスバー電極８０５ｎに対して複数設けられている。
【０１８６】
ｐ型ビア配線８１４ｐおよびｎ型ビア配線８１４ｎの構成材料は、例えば、前述したバスバー電極８０５の構成材料と同様のものから適宜選択される。
【０１８７】
なお、前述したバスバー電極８０５は、ｐ型バスバー電極８０５ｐおよびｎ型バスバー電極８０５ｎの双方を指している。
【０１８８】
また、図１０では、ｐ型ビア配線８１４ｐおよびｎ型ビア配線８１４ｎに対して相対的に密なドットを付し、バスバー電極８０５に対して相対的に疎なドットを付している。
【０１８９】
ここで、バスバー電極８０５の延在方向は、図８および図１０に示すように、フィンガー電極８０４の延在方向と交差している。すなわち、前述したように、フィンガー電極８０４が基板外縁８００ａの垂線方向に延在しているのに対し、バスバー電極８０５は、基板外縁８００ａと平行な方向に延在している。したがって、図８に示すようにＳｉ基板８００を平面視したとき、フィンガー電極８０４とバスバー電極８０５とがほぼ直交することとなる。これにより、複数のフィンガー電極８０４を跨ぐようにバスバー電極８０５が配置されることになるので、双方の交差部にｐ型ビア配線８１４ｐまたはｎ型ビア配線８１４ｎが配置された場合、バスバー電極８０５が効果的な集電体となる。
【０１９０】
なお、「平行な方向」とは、バスバー電極８０５と基板外縁８００ａとがほぼ一定の距離を保ちながら変位している状態を指す。そして、「一定の距離を保ちながら」とは、バスバー電極８０５の全長にわたって、双方の離間距離の変化幅が、離間距離の最大値の１００％以下（好ましくは離間距離の平均値の１０％以下）である状態を指す。
【０１９１】
また、フィンガー電極８０４とバスバー電極８０５との交差角度は、９０°に限定されず、鋭角側の角度が３０°以上９０°未満程度であってもよい。また、バスバー電極８０５は、必ずしも基板外縁８００ａと平行でなくてもよく、直線状に延在するものであってもよい。
【０１９２】
また、前述したように、本実施形態に係るバスバー電極８０５は、Ｓｉ基板８００の厚さ方向においてフィンガー電極８０４と重なっている。これにより、バスバー電極８０５の配置に必要なスペースを確保する必要がないため、Ｓｉ基板８００においてフィンガー電極８０４やｐ＋不純物領域８０１およびｎ＋不純物領域８０２を配置するスペースをより広く確保することができる。その結果、取り出せるキャリアの数が増えるとともに、フィンガー電極８０４およびバスバー電極８０５の反射膜としての機能が向上するため、光電変換効率をより高めることができる。
【０１９３】
なお、バスバー電極８０５は、その大部分においては図７に示す層間絶縁膜８０７を介してフィンガー電極８０４と絶縁されている一方、層間絶縁膜８０７の一部を貫通するｐ型ビア配線８１４ｐおよびｎ型ビア配線８１４ｎを介してフィンガー電極８０４と電気的に接続されている。
【０１９４】
このとき、Ｓｉ基板８００の平面視におけるｐ型ビア配線８１４ｐの位置は、ｐ＋コンタクト８１１ｐの位置と重なっていてもよいが、ずれていることが好ましい。同様に、Ｓｉ基板８００の平面視におけるｎ型ビア配線８１４ｎの位置は、ｎ＋コンタクト８１１ｎの位置と重なっていてもよいが、ずれていることが好ましい。これにより、ｐ型ビア配線８１４ｐおよびｎ型ビア配線８１４ｎの下地の平坦性が高くなるため、形成位置のずれや製造不良等が生じにくくなる。このため、セル８０ａの製造歩留まりの低下を抑制することができる。
【０１９５】
なお、好ましくは、ｐ型ビア配線８１４ｐの位置は、ｐ＋コンタクト８１１ｐ同士の中間に設けられ、ｎ型ビア配線８１４ｎの位置は、ｎ＋コンタクト８１１ｎ同士の中間に設けられる。
【０１９６】
また、バスバー電極８０５の輪郭は、いかなる形状であってもよいが、図１０では、基板外縁８００ａに臨むバスバー電極外縁８１５と、基板内縁８００ｂに臨むバスバー電極内縁８１６と、を有する形状をなしている。そして、バスバー電極外縁８１５の長さは、バスバー電極内縁８１６の長さより長くなっている。つまり、図１０に示すバスバー電極８０５は、基板外縁８００ａの延在方向における長さを「幅」とするとき、バスバー電極内縁８１６からバスバー電極外縁８１５に向かうにつれて徐々に幅が広くなっている。
【０１９７】
このような輪郭形状を有するバスバー電極８０５によれば、Ｓｉ基板８００と同様の形状、すなわち、円環の一部を切り出したような形状となる。このため、Ｓｉ基板８００の全体に敷き詰められている複数のフィンガー電極８０４に対して、バスバー電極８０５を交差させやすくなるとともに、ｐ型バスバー電極８０５ｐとｎ型バスバー電極８０５ｎの複数本を配置しやすくなる。
【０１９８】
また、かかるバスバー電極８０５は、前述したように、フィンガー電極８０４とバスバー電極８０５とがほぼ直交することになる。このため、双方の交差部にｐ型ビア配線８１４ｐおよびｎ型ビア配線８１４ｎが配置されやすくなるといった効果を享受することができる。
【０１９９】
なお、バスバー電極外縁８１５が基板外縁８００ａに臨むとは、双方がほぼ一定の距離を保ちながら変位している状態を指す。そして、「一定の距離を保ちながら」とは、バスバー電極外縁８１５の全長にわたって、双方の離間距離の変化幅が、離間距離の最大値の１００％以下（好ましくは離間距離の平均値の１０％以下）である状態を指す。
【０２００】
同様に、バスバー電極内縁８１６が基板内縁８００ｂに臨むとは、双方がほぼ一定の距離を保ちながら変位している状態を指す。そして、「一定の距離を保ちながら」とは、バスバー電極内縁８１６の全長にわたって、双方の離間距離の変化幅が、離間距離の最大値の１００％以下（好ましくは離間距離の平均値の１０％以下）である状態を指す。
【０２０１】
以上、セル８０ａを代表に説明したが、太陽電池８０（光電変換モジュール）は、このようなセル８０ａ（光電変換素子）と、このセル８０ａと重なるように設けられている配線基板８２と、セル８０ａの電極パッド８６、８７と配線基板８２の導電膜８２２とを電気的に接続する導電接続部８３と、を有する。したがって、太陽電池８０は、光電変換効率が高く、かつ、外部配線である配線基板８２との接続の機械的強度が高く、信頼性の高いものとなる。
【０２０２】
−配線基板−
また、配線基板８２によってセル８０ａの電極面８５の少なくとも一部が覆われることになるため、電極面８５が保護される。このため、電極面８５に異物が付着したり、外力が加わったりすることが抑制される。その結果、電極面８５の信頼性を確保することができる。
【０２０３】
換言すれば、受光面８４を平面視したとき、導電接続部８３は、セル８０ａの陰に隠れている（セル８０ａと重なっている）ことが好ましい。これにより、上述した信頼性の確保という効果に加え、導電接続部８３が視認されないことによる太陽電池８０の美的外観の向上を図ることができる。このため、より意匠性の高い電子時計２００を実現することができる。
【０２０４】
なお、導電接続部８３は、セル８０ａと配線基板８２とを電気的のみならず、機械的にも接続している。このため、導電接続部８３の機械的特性を最適化することにより、前述したセル８０ａにおける応力の集中を緩和することができる。
【０２０５】
具体的には、導電接続部８３のヤング率は、０．５ＧＰａ以上１５ＧＰａ以下であるのが好ましく、１ＧＰａ以上１０ＧＰａ以下であるのがより好ましく、１．５ＧＰａ以上６．５ＧＰａ以下であるのがさらに好ましい。導電接続部８３のヤング率を前記範囲内に設定することにより、導電接続部８３に求められる接着強度を確保しつつ、導電接続部８３において歪み等を吸収することができる。このため、高い機械的特性に基づく機械的接続の信頼性と、セル８０ａに発生する応力の集中を緩和する特性と、を両立させることができる。
【０２０６】
なお、導電接続部８３のヤング率が前記下限値を下回ると、導電接続部８３の機械的特性が低くなるため、セル８０ａの仕様等によっては、求められる接着強度を満たすことができないおそれがある。一方、導電接続部８３のヤング率が前記上限値を上回ると、導電接続部８３の変形能が低下するため、セル８０ａの仕様等によっては、導電接続部８３においてセル８０ａの歪みを十分に吸収することができず、セル８０ａに反り等の不具合を発生させるおそれがある。
【０２０７】
また、導電接続部８３のヤング率は、例えば２５℃において動的粘弾性測定装置（ＤＭＡ）により測定される。
【０２０８】
また、上述したヤング率の観点からすれば、導電接続部８３としては、特に樹脂材料を含む導電性接着剤が好ましく用いられる。
【０２０９】
導電性接着剤に含まれる樹脂材料としては、例えば、エポキシ系樹脂、ウレタン系樹脂、シリコーン系樹脂、アクリル系樹脂等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を混合して用いられる。
【０２１０】
また、電子時計２００（電子機器）は、このような４つのセル８０ａ、８０ｂ、８０ｃ、８０ｄ（光電変換素子）を含む太陽電池８０を備えている。このため、信頼性の高い電子時計２００が得られる。
【０２１１】
≪第２実施形態≫
次に、本発明の光電変換モジュールの第２実施形態を適用した太陽電池８０について詳述する。
図１２は、第２実施形態に係る光電変換モジュールを示す平面図である。
【０２１２】
以下、第２実施形態について説明するが、以下の説明では第１実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項についてはその説明を省略する。なお、図１２において、前述した第１実施形態と同様の構成には、同一符号を付してある。
【０２１３】
前述した第１実施形態では、フィンガー電極８０４とバスバー電極８０５とを互いに異なる階層に設けていたところ、第２実施形態では、フィンガー電極８０４とバスバー電極８０５とを同一の階層に設けている。そして、それ以外の構成は、第１実施形態に係る太陽電池８０とほぼ同様である。
【０２１４】
具体的には、ｐ型バスバー電極８０５ｐ’は、フィンガー電極８０４と同一の階層であって、かつ、フィンガー電極８０４よりも基板外縁８００ａ側に配置されている。
【０２１５】
そして、ｐ型フィンガー電極８０４ｐとｐ型バスバー電極８０５ｐ’とが接続されている一方、ｎ型フィンガー電極８０４ｎとｐ型バスバー電極８０５ｐ’との間は離間し絶縁されている。
【０２１６】
一方、ｎ型バスバー電極８０５ｎ’は、フィンガー電極８０４と同一の階層であって、かつ、フィンガー電極８０４よりも基板内縁８００ｂ側に配置されている。
【０２１７】
そして、ｎ型フィンガー電極８０４ｎとｎ型バスバー電極８０５ｎ’とが接続されている一方、ｐ型フィンガー電極８０４ｐとｎ型バスバー電極８０５ｎ’との間は離間し絶縁されている。
【０２１８】
したがって、図１２に示すフィンガー電極８０４およびバスバー電極８０５は、いわゆる櫛歯電極の形状をなしている。
【０２１９】
また、電極パッド８６は、ｐ型バスバー電極８０５ｐ’から分岐してなる分岐部８０９ｐに重なる位置に設けられている。
【０２２０】
一方、電極パッド８７は、ｎ型バスバー電極８０５ｎ’から分岐してなる分岐部８０９ｎに重なる位置に設けられている。
【０２２１】
このような第２実施形態によれば、フィンガー電極８０４とバスバー電極８０５とを同一の階層に設けることができるので、太陽電池８０の構造の簡素化および低コスト化を図ることができる。
以上のような第２実施形態においても前述した第１実施形態と同様の効果が奏される。
【０２２２】
＜光電変換モジュールの製造方法＞
次に、太陽電池８０（光電変換モジュール）を製造する方法の一例について説明する。
【０２２３】
図１３および図１４は、それぞれ図７に示す太陽電池（光電変換モジュール）を製造する方法の一例を説明するための図である。
【０２２４】
［１］まず、セル８０ａを準備する。このセル８０ａは、例えば、半導体ウエハーに不純物領域等を形成した後、電極やコンタクト、絶縁膜を成膜することにより形成し、その後、個片化することにより製造される。電極やコンタクト、絶縁膜等の形成には、例えば各種蒸着技術、および、それにより形成された膜をパターニングするフォトリソグラフィー技術が用いられる。
【０２２５】
［２］次に、セル８０ａおよび開口部８２４の少なくとも一方に、導電性の導電接続部８３を配置する。具体的には、図１３に示すように、セル８０ａの電極パッド８６に導電接続部８３を配置するようにしてもよく、図１４に示すように、配線基板８２の開口部８２４に導電接続部８３を配置するようにしてもよい。なお、電極パッド８６や導電膜８２２には、あらかじめ金属バンプ等を形成しておいてもよい。
【０２２６】
図１３に示す導電接続部８３は、セル８０ａの電極パッド８６に接するとともに、図１３の下方に向かって突出するように配置される。一方、図１４に示す導電接続部８３は、配線基板８２の開口部８２４の内側において、図１４の上方に向かって突出するように配置される。このようにして配置された導電接続部８３は、後述する積層工程においてセル８０ａの電極パッド８６と配線基板８２の導電膜８２２との間を電気的に接続する。
【０２２７】
［３］次に、図１３または図１４に示すように、導電接続部８３を介して、セル８０ａと配線基板８２とを重ね合わせる（積層工程）。
【０２２８】
具体的には、セル８０ａと配線基板８２とを重ね合わせた後、セル８０ａと絶縁膜８２３とが接するまで互いに近づける。これにより、導電接続部８３は、荷重を受けて変形し、開口部８２４の内側の空間に広がる。その結果、導電接続部８３は、セル８０ａの電極パッド８６と配線基板８２の導電膜８２２の双方に接触し、双方の間を電気的に接続することができる。
【０２２９】
以上のようにして太陽電池８０が得られる。
以上、本発明を図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。
【０２３０】
例えば、本発明の光電変換素子、光電変換モジュールおよび電子機器は、前記実施形態の要素の一部が、同等の機能を有する任意の要素に代替されたものであってもよく、また、前記実施形態に任意の要素が付加されたものであってもよい。
【符号の説明】
【０２３１】
１０…バンド、２０…回路基板、２１…ＣＰＵ、２２…方位センサー、２３…加速度センサー、２４…回路素子、２８…ＧＰＳアンテナ、３０…機器本体、３１…ケース、３２…凸状部、３４…突起部、３５…開口部、３６…内部空間、４０…光センサー部、４１…受光部、４２…発光部、４３…センサー基板、４４…透明カバー、４５…測定窓部、４６…接続配線部、５０…表示部、５５…風防板、５６…接合部材、５７…ベゼル、５８…操作部、６０…電気光学パネル、６１…照明部、６３…接続配線部、７０…二次電池、７５…回路ケース、８０…太陽電池、８０ａ…セル、８０ｂ…セル、８０ｃ…セル、８０ｄ…セル、８１…接続配線部、８２…配線基板、８３…導電接続部、８４…受光面、８５…電極面、８６…電極パッド、８７…電極パッド、８９…領域、２００…電子時計、８００…Ｓｉ基板、８００ａ…基板外縁、８００ｂ…基板内縁、８０１…ｐ＋不純物領域、８０２…ｎ＋不純物領域、８０４…フィンガー電極、８０４ｎ…ｎ型フィンガー電極、８０４ｐ…ｐ型フィンガー電極、８０５…バスバー電極、８０５ｎ…ｎ型バスバー電極、８０５ｎ’…ｎ型バスバー電極、８０５ｐ…ｐ型バスバー電極、８０５ｐ’…ｐ型バスバー電極、８０６…パッシベーション膜、８０７…層間絶縁膜、８０８…端面、８０９ｎ…分岐部、８０９ｐ…分岐部、８１１ｎ…コンタクト、８１１ｐ…コンタクト、８１２…フィンガー電極外縁、８１３…フィンガー電極内縁、８１４ｎ…ｎ型ビア配線、８１４ｐ…ｐ型ビア配線、８１５…バスバー電極外縁、８１６…バスバー電極内縁、８２１…絶縁基板、８２２…導電膜、８２３…絶縁膜、８２４…開口部、８２５…接着層、Ａ１…長軸、Ａ２…短軸、Ａ３…長軸、Ａ４…短軸、Ｌ１…長さ、Ｌ２…長さ、Ｌ３…最短距離、Ｏ…中心、ＰＬ…垂線、α…交差角、θ…角度
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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