(57)【要約】      （修正有）【課題】長期間駆動させた場合にも光取り出し効率が低下しにくい発光装置を提供する。【解決手段】発光装置の金属部材とパッド電極とを接続するワイヤ１は、Ｃｕを主成分とする直径１０〜３０μｍの芯材１１と、その表面にコーティングされたＰｄを主成分とする厚さ３０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の中間層１２と、さらにその中間層１２の表面にコーティングされたＡｇを主成分とする厚さ４０ｎｍ以上３００ｎｍ以下の表層１３と、を少なくとも含む積層構造を備える。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
パッド電極を備える発光素子と、前記パッド電極とワイヤを介して接続される金属部材と、を備える発光装置であって、
前記ワイヤは、Ｃｕを主成分とする芯材と、Ｐｄを主成分とする中間層と、Ａｇを主成分とする表層と、とを備える発光装置。
【請求項２】
前記中間層の厚さは３０ｎｍ以上１００ｎｍ以下で、かつ、前記表層の厚さが４０ｎｍ以上３００ｎｍ以下である、請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記中間層は、Ｃｕ、Ｔｅ、Ｇｅ、Ｓｅ、Ａｕ、Ａｇから選択される少なくとも１種類以上を含有する、請求項１または２に記載の発光装置。
【請求項４】
前記表層は、Ｐｄ、Ａｕ、Ｓｅ、Ｓ、Ｃ、Ｎ、Ｏから選択される少なくとも１種類以上を含有する、請求項１から３のいずれか１項記載の発光装置。
【請求項５】
前記パッド電極は、表面がＡｌ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｒｕから選択される少なくとも１以上で構成される請求項１から４のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項６】
前記金属部材は、表面がＡｇ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｐｔから選択される少なくとも１以上を含む請求項１から５のいずれか１項に記載の発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体発光素子（以下、単に「発光素子」とも称する）のパッド電極とパッケージの電極とを接続するワイヤとして、Ｃｕを主成分とするワイヤ芯材を反射率の高い物質でコ−ティングした被覆ワイヤが提案されている(特許文献１、２)。
【０００３】
しかし、特許文献１では、ワイヤ芯材にＣｕを用いＡｇを用いることによって光取出し効率を高めているものの、表層のＡｇに芯材のＣｕが熱拡散しやすい。また、特許文献２では、Ｃｕからなる芯材、Ｐｄからなる中間層及びＡｇからなる表面層の被覆Ｃｕワイヤが提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−８０９９０号公報
【特許文献２】特開２０１２−０３９０７９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記の被覆ワイヤでは、長期間において光取り出し効率が低下し易い。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本開示は、以下の構成を含む。
パッド電極を備える発光素子と、パッド電極とワイヤを介して接続される金属部材と、を備える発光装置であって、ワイヤは、Ｃｕを主成分とする芯材と、Ｐｄを主成分とする中間層と、Ａｇを主成分とする表層と、とを備える発光装置。
【発明の効果】
【０００７】
以上により、発光装置を長期間駆動させた場合に光取り出し効率が低下しにくい発光装置とすることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１Ａ】一実施形態の発光装置を説明するための概略斜視図である。
【図１Ｂ】一実施形態の発光装置を説明するための概略断面図である。
【図２】一実施形態の複層ボンディングワイヤを説明するための概略断面図である。
【図３Ａ】実施例1のボンディングワイヤの表面を示す倍率１０００倍ＳＥＭ写真である。
【図３Ｂ】実施例1のボンディングワイヤの表面を示す倍率５０００倍ＳＥＭ写真である。
【図４】実施例1のボンディングワイヤの断面を示すＦＩＢ−ＳＥＭによる断面観察写真である。
【図５】本発明の一実施形態に関わる実施例の発光装置と比較例の発光装置の構造と測定結果を示す表である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
本発明を実施するための形態を、以下に図面を参照しながら説明する。ただし、以下に示す形態は、本発明の技術思想を具体化するための発光装置を例示するものであって、本発明を以下に限定するものではない。また、実施の形態に記載されている構成部品の寸法、材質、形状、その相対的配置等は、特定的な記載がない限り、本発明の範囲をそれのみに限定する趣旨ではなく、単なる例示にすぎない。なお、各図面が示す部材の大きさや位置関係等は、説明を明確にするために誇張していることがある。
【００１０】
図１Ａ及び１Ｂに、実施形態１に係る発光装置１００を示す。尚、図１Ａは、封止部材を省略している。発光装置１００は、パッケージ１０と、パッケージ１０に載置される発光素子３と、ワイヤ１と、を備える。パッケージ１０は、正負一対の電極として機能する金属部材２と、金属部材２を一体的に保持する樹脂成形体４と、を備える。発光素子３は、発光層を含む半導体の積層構造体３２と、積層構造体３２の上面に形成されたパッド電極３１と、を備える。ワイヤ１は、金属部材２とパッド電極３１とを接続している。金属部材２は、発光素子３が載置される載置部材として機能する。また、金属部材２は、ワイヤ１を介して発光素子３に通電させるための正負一対の電極として機能する。
【００１１】
本実施形態のワイヤ１は、図２の概略断面図に示すように、Ｃｕを主成分とする芯材１１と、Ｐｄを主成分とする中間層１２と、Ａｇを主成分とする表層１３とを含む。このＣｕを主成分とする芯材１１の直径は、たとえば１０μｍ〜３０μｍである。また、このＰｄを主成分とする中間層１２の厚さは、たとえば３０ｎｍ以上１００ｎｍ以下である。さらに、このＡｇを主成分とする表層１３の厚さは、たとえば４０ｎｍ以上３００ｎｍ以下である。
【００１２】
（ワイヤ１）
ワイヤ１は金属部材２と発光素子３のパッド電極３１金属部材金属部材とを電気的に接続する。図２にてワイヤ１を説明する。本実施形態のワイヤ１は、Ｃｕを主成分とする芯材１１と、その表面にコーティングされたＰｄを主成分とする中間層１２と、さらにその中間層１２表面にコーティングされたＡｇを主成分とする表層１３と、を少なくとも含む積層構造を備える。
【００１３】
芯材１１は、Ｃｕを主成分とし、好ましくはＣｕを少なくとも９５％以上含み、より好ましくは、Ｃｕを少なくとも９７％以上含む。芯材１１は、接合性、ボ−ル形成しやすさ、適切な伸び率、適切なル−プ形状、適切な硬さなど生産性や発光装置１００の形状などによって、適宜、Ａｕ、Ａｇ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｖ、Ｂ、Ｔｉ、Ｍｇ、Ｐ、Ｓなどの添加剤または合金金属が添加されたものでもよい。芯材１１の直径は、発光装置１００の形状や出力などに応じて適宜選択することができる。芯材１１の直径は、例えば、１０μｍ以上３０μｍ以下が好ましい。
【００１４】
中間層は、Ｃｕ、Ｔｅ、Ｇｅ、Ｓｅ、Ａｕ、Ａｇから選択される少なくとも１種類以上を含有することが好ましい。中間層１２は、Ｐｄを主成分とすることが好ましく、好ましくはＰｄを９０％以上含み、より好ましくはＰｄを９５％以上含む。中間層１２は、耐熱性、耐食性、耐酸化性、密着性、ボ−ル形成しやすさ、適切な伸び率、適切なル−プ形状、適切な硬さなど生産性や発光装置１００の形状などによって、適宜、添加剤または合金金属が添加されたものでもよい。中間層１２は、例えば、Ｓｅ、Ｇｅ、Ｂｉ、Ｔｅなどを微量含有してもよく、これにより耐熱性の向上が期待される。Ｐｄ中間層を電気めっき法で製作する場合は、使用するめっき液にこれらの添加剤を添加したものを使用してもよい。
【００１５】
表層は、Ｐｄ、Ａｕ、Ｓｅ、Ｓ、Ｃ、Ｎ、Ｏから選択される少なくとも１種類以上を含有することが好ましい。特にＡｇを主成分とする表層１３は、不可避な不純物以外含まない純度の高いＡｇが好ましい。表層１３は、耐熱性や光反射率の向上のため、Ｓｅ、Ｓなどの微量添加剤を含んでもよい。電気めっき法でＡｇを主成分とする表層１３を製作する場合は、使用するＡｇめっき液に添加剤として、適宜Ｓｅ化合物、Ｓ化合物を添加したものを使用してもよい。
【００１６】
ワイヤ１を製造する方法としては、まず、目的とするワイヤの直径よりも大きい直径の芯材１１を準備し、目的とする中間層及び表層よりも厚いめっき層を形成した後に、伸線加工を施す。尚、芯材、中間層、表層、ワイヤは、伸線加工の前後において、各部材は同じ名称を用いて説明する。
【００１７】
コイル状に巻き取った通常直径２ｍｍ−６ｍｍのＣｕを主成分とした芯材１１に、電気めっき法によって、まず中間層１２となるＰｄめっきを数μｍ程度の厚さでめっきした後、表層１３となるＡｇめっきを同様に数μｍ程度の厚さでめっきする。このように製作した直径数ｍｍのワイヤを、熱処理しながら、適切な孔形状の伸線ダイスを通して伸線加工を数段繰り返し、例えば、直径１０μｍ〜３０μｍのワイヤを製作することができる。伸線加工前のめっき工程において形成されるＰｄまたはＡｇのめっき厚は、後の伸線加工の程度によって調整することが好ましい。このように加熱しながら伸線加工を行うため、芯材１１と中間層１２と表層１３との界面近傍は、相互熱拡散するため、ある程度合金化している。合金化の程度は、熱処理の温度や時間などの条件を調整することによって、ワイヤ１の諸特性を調整することが好ましい。
【００１８】
なお、ワイヤ１としては、直径２５μｍのＣｕを主成分とした芯材１１を用いて、電気めっき法によってＰｄを含む中間層１２およびＡｇを含む表層１３をそれぞれめっきし、伸線加工することなく、所望のワイヤ１を製作することも可能である。
【００１９】
（パッケージ１０）
本実施形態の発光装置１００は、少なくとも金属部材２を備えるパッケージ１０を有する。これらのパッケージ１０は、金属部材２と、絶縁性の基体４を備えることができる。
【００２０】
パッケージ１０は、例えば、平面視において外周形状が四角であり、また上面に開口部を備えた凹部を有する。凹部は、例えば、底面に金属部材２が露出された、開口部の平面視形状が四角である。パッケージ１０の下面には、一対の金属部材２の一部が外部端子部として露出している。パッケージ１０の平面視形状は、四角形の外形の他、横長、多角形、更にそれらを組み合わせたような形状とすることができる。発光装置１００のパッケージ１０が凹部を有する場合、凹部の側壁部の内側面は図１Ｂに示すような、底面に対して傾斜した角度で設けるほか、略垂直な角度であってもよく、この内側面に段差面を有していてもよい。また、壁部の高さや開口部の形状等についても、目的や用途に応じて適宜選択することができる。凹部の内部には金属部材２が設けられることが好ましく、本実施形態のように底面部のほか、側壁部に金属部材を備えてもよい。
【００２１】
（金属部材２）
金属部材２は、発光素子３からの光に対する反射が高い光反射部材として機能させることができる。例えば、金属部材２は、ＡｕまたはＡｇ含有層を表面に有しており、発光素子３または後述する波長変換部材からの発光を効率よく反射するよう、発光装置１００に設けられる。
【００２２】
金属部材２を、光反射部材として用いる場合は、発光素子３から出射された光を反射可能であれば、どのような形で発光装置１００に用いられていてもよい。例えば、図１Ａ等に示すように、発光素子３の下方に配置されてもよいし、発光素子３を取り囲むリフレクタ形状に設けられてもよい。また、金属部材２は、図１Ａ等に示すような板状のリードフレームであってもよく、絶縁性の基体上に形成された配線であってもよい。また、金属部材２は、発光素子３を載置する載置部材、放熱を行う放熱部材、発光素子３と電気的に接続される金属部材としての機能を兼ねていてもよい。このため、金属部材２は、その機能に応じて、放熱性、導電性やボンディング性に優れていることが好ましい。
【００２３】
金属部材２の表面は、可視光領域の波長の光に対する反射率が７０％以上、特に好ましくは８０％以上の反射率であることが好ましい。これにより、光取り出し効率を向上させることができる。また、高光沢であることが好ましく、光沢度は、０．５以上、より好ましくは１．０以上、更に好ましくは１．６以上である。ここで示される光沢度は、日本電色工業製  微小面色差計ＶＳＲ  ３００Ａを用い、４５°照射、垂直受光で得られる数字である。金属部材は、表面がＡｇ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｐｔから選択される少なくとも１以上を含むことが好ましい。特に、金属部材の表面は、ＡｕまたはＡｇを含む層が好ましい。
【００２４】
金属部材２のＡｕまたはＡｇ含有層は、金属部材２の全ての表面に設けてもよく、あるいは、金属部材２の表面に部分的に設けられていてもよい。つまり、金属部材２の表面の少なくとも一部に、ＡｕまたはＡｇ含有層を備えていればよい。例えば、図１Ａ、図１Ｂで示した発光装置１００では、金属部材２は凹部の底面に露出しており、このように発光素子３からの光が照射される部分の金属部材２の表面には、反射率の高いＡｇ含有層が設けられることが好ましい。また、金属部材２のうち、基体４の側壁部の内部に埋設された埋設部や、基体４の外部に露出した外部端子部、発光装置１００の下面側に露出した実装部には、その表面にＡｕまたはＡｇ含有層が設けられていなくてもよい。このように金属部材２の一部にＡｕまたはＡｇ含有層を設ける場合は、成膜する際にレジストや保護テープなどでＡｕまたはＡｇ含有層を形成しない部分をマスクで保護すること等によって行うことができる。
【００２５】
金属部材２のＡｕまたはＡｇ含有層は、全領域にわたって同等の厚みであってもよく、あるいは、厚みが異なっていてもよい。部分的にＡｕまたはＡｇ含有層の厚みを薄くすることにより、コストを低減することができる。例えば、ＡｕまたはＡｇ含有層が金属部材２の上面と下面とに設けられ、一方の面での厚みが他方よりも厚くすることができる。発光素子３が載置される金属部材２の上面や発光素子３の近傍の部分に、厚みの厚いＡｕまたはＡｇ含有層を設けることが光取り出し効率向上の観点から好ましい。反射率の高いＡｕまたはＡｇ含有層を金属部材の下面に設けないため、ＡｕまたはＡｇ等の材料の量を減らすことができ、コストを低減した金属部材２とすることができる。
【００２６】
金属部材２の表面にＡｕまたはＡｇ含有層を形成するには、量産性の観点から、めっき法が好ましい。特に、電解めっきで形成する際には、必要に応じてＳｅ系光沢剤、Ｓｂ系光沢剤、Ｓ系光沢剤、Ｔｌ添加剤、Ｐｂ添加剤、Ａｓ光沢剤、有機系光沢剤等の光沢剤や添加剤を併用することで、光沢度を向上させることができる。これにより、高い光沢度を有しつつ、耐食性にも優れた金属部材２を得ることができる。
【００２７】
また、金属部材２の光反射率を高めるため、母材の平坦度は、なるべく高いことが好ましい。例えば、表面粗さＲａが０．５μｍ以下とすることが好ましい。これにより、母材の上に設けるＡｕまたはＡｇ含有層の平坦度を高めることができ、金属部材２の光反射率を良好に高めることができる。母材の平坦度は、圧延処理、物理研磨、化学研磨等の処理を行うことで高めることができる。
【００２８】
（基体）
発光装置１００のパッケージ１０は、基体４を備える。基体４は、一対の金属部材２を一体的に保持する樹脂を基材とする部材である。
【００２９】
基体４としては、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂を用いることができ、特に、熱硬化性樹脂を用いるのが好ましい。熱硬化性樹脂としては、後述の封止部材６に用いられる樹脂に比してガス透過性の低い樹脂が好ましく、具体的にはエポキシ樹脂組成物、シリコーン樹脂組成物、シリコーン変性エポキシ樹脂などの変性エポキシ樹脂組成物、エポキシ変性シリコーン樹脂などの変性シリコーン樹脂組成物、ポリイミド樹脂組成物、変性ポリイミド樹脂組成物、ウレタン樹脂、変性ウレタン樹脂組成物などをあげることができる。このような基体４の基材に、充填材（フィラー）としてＴｉＯ２、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＭｇＣＯ３、ＣａＣＯ３、Ｍｇ（ＯＨ）２、Ｃａ（ＯＨ）２などの微粒子などを混入させることで光の透過率を調整し、発光素子からの光の約６０％以上を反射するよう、より好ましくは約９０％を反射するようにするのが好ましい。
【００３０】
なお、基体４は、上記のような樹脂を基材とするものに限られず、セラミックスやガラスや金属等の無機物で形成されてもよい。これにより、劣化等が少なく、信頼性の高い発光装置１００とすることができる。
【００３１】
（発光素子３）
発光素子３は、例えば、図１Ａに示すように、パッケージ１０の凹部の底面に露出された金属部材２上に載置することができる。発光素子３は、反射率及び／又は光沢度の高い金属部材２上に実装することが好ましい。これにより、発光装置１００の光取出し効率を向上させることができる。
【００３２】
発光素子３は、任意の波長の半導体発光素子を選択することができる。発光素子３は、発光層等を含む半導体層を備えた積層構造体３２と、パッド電極３１と、を備える。積層構造体３２としては、例えば、青色、緑色発光の発光素子３としては、ＩｎＧａＮ、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ等の窒化物系半導体やＧａＰを用いたものを用いることができる。また、赤色の発光素子としては、積層構造体３２は、ＧａＡｌＡｓ、ＡｌＩｎＧａＰなどを用いることができる。さらに、これ以外の材料からなる発光素子３を用いることもできる。用いる発光素子３の組成や発光色、大きさや、個数などは目的に応じて適宜選択することができる。
【００３３】
発光装置１００が波長変換部材を備える場合には、発光素子３の積層構造体３２としては、その波長変換部材を効率良く励起できる短波長が発光可能な窒化物半導体が好適に挙げられる。発光素子３の積層構造体３２は、半導体層の材料やその混晶比によって発光波長を種々選択することができる。また、可視光領域の光だけでなく、紫外線や赤外線を出力する発光素子３とすることができる。
【００３４】
発光素子３は、金属部材２と電気的に接続される正負のパッド電極３１を有している。これらの正負の電極は一面側に設けられていてもよく、発光素子３の上下両面に設けられていてもよい。パッド電極は、表面がＡｌ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｒｕから選択される少なくとも１以上で構成されることが好ましい。導電部材として機能する金属部材２と発光素子３との接続は、ワイヤ１のみであってもよく、あるいは、ワイヤ１に加えて、後述の接合部材５として導電性の接合部材５を、用いて接続されてもよい。
【００３５】
複数の発光素子３を備える場合は、発光素子３のパッド電極３１同士を、ワイヤ１で接続してもよい。また、複数の発光素子３を備える場合、図１Ａ及び１Ｂに示すように、それぞれの発光素子３ごとにリードを接続するように設けることもできる。
【００３６】
（接合部材５）
接合部材５は、発光素子３をパッケージ１０に固定し実装する部材である。好ましい材料としては、導電性の接合部材５としては、銀、金、パラジウムなどの導電性ペーストや、Ａｕ−Ｓｎ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕなどの共晶はんだ材料、低融点金属等のろう材、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕの粒子や皮膜を用いた同材料間の接合等を用いることができる。絶縁性の接合部材５としては、エポキシ樹脂組成物、シリコーン樹脂組成物、ポリイミド樹脂組成物やその変性樹脂、ハイブリッド樹脂等を用いることができる。これらの樹脂を用いる場合は、発光素子３からの光や熱による劣化を考慮して、発光素子３の実装面にＡｌ膜やＡｇ膜などの反射率の高い金属層や誘電体反射膜を設けることができる。
【００３７】
（封止部材６）
発光装置１００は、封止部材６を備えていてもよい。封止部材６を発光素子３、金属部材２、ワイヤ１や後述の保護膜等の部材を被覆するよう設けることで、被覆した部材を塵芥や水分、更には外力などから保護することができ、発光装置１００の信頼性を高めることができる。特に、保護膜を形成した後に封止部材６を保護膜上に設けることで、保護膜を保護することができるため、信頼性が高まり好ましい。
【００３８】
封止部材６は、発光素子３からの光を透過可能な透光性を有し、且つ、光によって劣化しにくい耐光性を有するものが好ましい。具体的な材料としては、シリコーン樹脂組成物、変性シリコーン樹脂組成物、変性エポキシ樹脂組成物、フッ素樹脂組成物など、発光素子からの光を透過可能な透光性を有する絶縁樹脂組成物を挙げることができる。特にジメチルシリコーン、フェニル含有量の少ないフェニルシリコーン、フッ素系シリコーン樹脂などシロキサン骨格をベースに持つ樹脂を少なくとも１種以上含むハイブリッド樹脂等も用いることができる。
【００３９】
封止部材６の形成方法は、封止部材６が樹脂である場合、ポッティング（滴下）法、圧縮成型法、印刷法、トランスファモールド法、ジェットディスペンス法、スプレー塗布などを用いることができる。図１Ａ及び１Ｂのような凹部を有するパッケージ１０の場合は、ポッティング法が好ましく、平板状のパッケージを用いる場合は、圧縮成型法やトランスファモールド法が好ましい。
【００４０】
封止部材６は、図１Ｂに示すように、基体４の凹部内を充填するよう設けることができる。
【００４１】
封止部材６の外表面の形状については、発光装置１００に求められる配光特性などに応じて種々選択することができる。例えば、上面を凸状レンズ形状、凹状レンズ形状、フレネルレンズ形状、粗面などとすることで、発光装置の指向特性や光取出し効率を調整することができる。
【００４２】
封止部材６には、着色剤、光拡散剤、金属部材、各種フィラー、波長変換部材などを含有させることもできる。
【００４３】
波長変換部材は、発光素子３の光を波長変換させる材料である。発光素子３からの発光が青色光の場合、波長変換部材としては、アルミニウム酸化物系蛍光体の一種であるイットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体（以下、「ＹＡＧ：Ｃｅ」と呼ぶ。）が好適に用いられる。ＹＡＧ：Ｃｅ蛍光体は、発光素子からの青色系の光を一部吸収して補色となる黄色系の光を発するため、白色系の混色光を発する高出力な発光装置１００を、比較的簡単に形成することができる。
【００４４】
（保護膜）
発光装置１００はさらに、保護膜を備えてもよい。保護膜は、金属部材２、ワイヤ１等を被覆する絶縁性の部材である。詳細には、保護膜は、ワイヤ１または金属部材２の表面に設けられたＡｇ含有層を少なくとも被覆する、主としてワイヤ１及び金属部材２の表面のＡｇ含有層の変色または腐食を抑制する部材である。さらに、任意に、ワイヤ１、発光素子３、接合部材５、基体（樹脂成形体）４等の金属部材２以外の部材の表面やＡｇ含有層が設けられていない金属部材２の表面を被覆してもよい。保護膜は、透光性部材である。そのため、ワイヤ１の表層１３の高い反射率を維持することができる。保護膜の材料としては、例えば、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、ＺｎＯ、Ｎｂ２Ｏ５、ＭｇＯ、Ｉｎ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５、ＨｆＯ２、ＳｅＯ、Ｙ２Ｏ３、ＳｎＯ２等の酸化物や、ＡｌＮ、ＴｉＮ、ＺｒＮ等の窒化物、ＺｎＦ２、ＳｒＦ２等のフッ化物が挙げられる。これらは、単独で用いてもよいし、混合して用いてもよい。或いは、積層させるようにしてもよい。
【００４５】
ワイヤ１は、表層１３がＡｇを主成分としているため、ワイヤ１の表面を保護膜で被覆することで、表層１３の硫化や酸化を抑制することができる。さらに、金属部材２の表面がＡｇを含む場合、その表面を保護膜で被覆することで、Ａｇが硫化や酸化によって変色することを防止することができる。
【００４６】
保護膜は、ＡｕまたはＡｇ含有層を含む金属部材２の表面から、ワイヤ１、発光素子３、接合部材５、および基体４等の表面に連続して設けられている。
【００４７】
保護膜は、スパッタ−法、化学蒸着法で形成されることもできるが、特に原子層堆積法（ＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ  Ｌａｙｅｒ  Ｄｅｐｏｓｉｓｉｏｎ）法）によって形成されることが好ましい。ＡＬＤ法によれば、非常に均一な保護膜を成膜することができるとともに、形成された保護膜が他の成膜方法で得られる保護膜に比較して緻密であるため、ワイヤ１または金属部材２の表面のＡｇ含有層の硫化を非常に有効に防止することができる。
【００４８】
発光装置１００は、上記の他、種々の部材を備えることができる。例えば、保護素子としてツェナーダイオードを搭載することができる。
【実施例】
【００４９】
実施例１〜４として、図５に示すワイヤ１を準備し、図１Ａ及び１Ｂに示す発光装置１００を製造した。
【００５０】
実施例１〜４では、伸線加工時の熱処理影響を避けるため、芯材１１として、市販の直径２５μｍのＣｕワイヤを準備した。このＣｕワイヤを脱脂処理したあと、１０％硫酸水溶液で酸中和処理した。
【００５１】
次に、以下の浴組成を用いて中間層１２のめっきを行った。
（Ｐｄめっき液）
テトラアンミンパラジウム塩化物、Ｐｄメタルとして＝５ｇ／Ｌ
硝酸アンモニウム＝１５０ｇ／Ｌ
３ピリジンスルホン酸ナトリウム＝３ｇ／Ｌ
ｐＨ８．５  アンモニア水にて調整
Ｐｄめっきは、液温５０℃、電流密度１Ａ／ｄｍ２で行った。
【００５２】
Ｐｄめっきしたあと、水洗し、その後続けて以下の浴組成を用いて表層１３のめっきを行った。
（Ａｇめっき液）
シアン化銀カリウム＝７０ｇ／Ｌ
シアン化カリウム＝１２０ｇ／Ｌ
炭酸カリウム＝３０ｇ／Ｌ
Ａｇめっきは、液温３０℃、電流密度２Ａ／ｄｍ２でめっきしてワイヤ１を作成した。
【００５３】
中間層（Ｐｄめっき）１２と表層（Ａｇめっき）１３のめっき厚さは、それぞれめっき時間によって調整した。それぞれのめっき厚さは、作成したワイヤ１をＦＩＢ−ＳＥＭ装置によって，断面を１００，０００倍にＳＥＭ写真として３枚、任意の箇所を撮影した。３枚の写真において最大と最小膜厚の平均値を中間層（Ｐｄめっき）１２の膜厚及び表層（Ａｇめっき）１３の膜厚とした。
【００５４】
図３に、実施例１のワイヤの表面ＳＥＭ写真を示した。また、ＦＩＢ−ＳＥＭによる断面観察写真を図４に示した。
【００５５】
次に、三菱伸銅製のオ−リン１９４Ｃｕ合金の母材からなる表面に、厚み２μｍのＮｉめっき層、次に厚み０．０３μｍのＰｄめっき層、さらに厚み０．００４μｍのＡｕめっき層、その上に厚み２．５μｍのＡｇ層を順に電解めっきにて形成した一対のリードフレームである金属部材２を用意した。
【００５６】
さらに、図１Ａ及び１Ｂに示すような、このようなリードが、トランスファモ−ルド成形によって、それぞれ基体４に埋設されたパッケージ１０を形成した。なお、発光装置１００が個片化されるまでは、一対のリードが複数連結された状態のリードフレームに、複数の基体４が成形されたパッケージ１０の集合体の状態で各工程を経るが、便宜上、図１Ａ及び１Ｂに示す１つの発光装置１００（単数）で説明する。
【００５７】
本実施例のパッケージ１０は、凹部を有しており、凹部の底面に金属部材２が露出されている。その金属部材２の上に、透光性の樹脂を接合部材５として、上面に正負の電極を備える発光素子３を載置し、接合した。その後、金属部材２と発光素子３のパッド電極との間を、上記のように製作したワイヤ１にて、接続した。なお、パッケージ１０は、支持台上に載置されており、その支持台は、ヒーター温度が１８０℃で加熱された状態で、以下のワイヤ接続工程を行った。
【００５８】
ワイヤ１の接続条件の一例を以下に挙げる。
ワイヤ１をパッド電極３１上に接続する際の接続条件（ファ−ストボンド条件）は、加重が７０ｇ、超音波の発振周波数が１５０ｋＨｚ、超音波の印加時間が３０ｍｓｅｃである。
【００５９】
パッド電極３１上に接続されたワイヤ１を延伸させて、金属部材２上の接続部に接続する際の接続条件（セカンドボンド条件は、加重が６５ｇ、超音波の発振周波数が６０ｋＨｚ、超音波印加時間が１０ｍｓｅｃである。
【００６０】
その後、ＡＬＤ法を用いて保護膜としてＳiＯ２を６０ｎｍの厚さで形成した後、凹部内にＹＡＧ蛍光体を含有する透光性樹脂の封止部材脂６を形成した。
【００６１】
このように製造された発光装置について、全光束の測定を行った結果を図５に示す。
また、初期の全光束と電流６５ｍＡによる発光信頼性試験後(硫化試験)の全光束の維持率も合わせて図５に示す。硫化試験の条件は、Ｈ２Ｓ、ＮＯ２混合ガス雰囲気内に発光装置を配置して行うものである。具体的には、Ｈ２Ｓ：２ｐｐｍ、ＮＯ２：４ｐｐｍの濃度で、温度４０℃、相対湿度７５％の雰囲気中で、発光装置１００を、６００時間保管する試験である。光束維持率は、この硫化試験前の出力に対する出力比である。
【００６２】
上記実施例１と同様に、実施例２〜４として、図５に示すように、各種めっき仕様のワイヤ１を用意し、同様に発光装置１００を用意した。
【００６３】
また、比較例1として、直径１８μｍのＡｕ線を用いた以外は、実施例１と同様にした発光装置を製作した。
【００６４】
また、比較列２として、芯材Ｃｕ上にＰｄ４０ｎｍのみめっきした以外は、実施例１と同様にした発光装置を製作した。さらに、比較例３として、図５に示すように、各種めっき仕様のワイヤ１を用意し、同様に発光装置１００を用意した。
【００６５】
このように製造された発光装置について、全光束の測定を行った結果を図５に示す。
【００６６】
図５に示すように、実施例１〜４の発光装置は、表層（Ａｇめっき）１３の厚みを問わず、いずれも、高い初期全光束を示した上、信頼性試験においても高い光束維持率を維持できる。しかし、比較例の発光装置では、比較例１または２のようにＡｕ線、Ａｇ表層１３がない場合は、低い初期全光束しか得られなかった。一方、比較例３のようにＰｄ中間層がない場合には、高い初期全光束を得ることができたものの、長期信頼性試験の結果では、全光束の低下を示した。
【００６７】
いずれの実施例によっても、Ａｇ含有層の反射率が向上され、発光装置の光取り出し効率が向上することが期待できるほか、発光信頼性試験による全光束維持率も安定していることが判明した。
【符号の説明】
【００６８】
１００…発光装置
１…ワイヤ
２…金属部材
３…発光素子（３１…パッド電極、３２…積層構造体）
４…基体（樹脂成形体）
５…接合部材
６…封止部材
１０…パッケージ
１１…Ｃｕを主成分とする芯材
１２…Ｐｄを主成分とする中間層
１３…Ａｇを主成分とする表層
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図４】
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【図５】
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