(57)【要約】      （修正有）【課題】気相エピタキシャル成長を行う製造工程の安全性が向上した処理システム及び処理方法を提供する。【解決手段】処理システム１は、容器５０と、搬送対象部と、液送部４０と、を備え、製造工程で発生する、大気との接触時燃焼性及び爆発性を示す液体の副生成物を、容器に回収する。生成物は、搬送対象部に搬送される。液送部は、容器及び搬送対象部の間に設けられ、生成物を排出するノズルと、不活性ガスでパージされる機構と、を有する第１部分を有する。【選択図】図１
2019009303.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液体の生成物を回収する容器と、
前記生成物が搬送される搬送対象部と、
前記容器及び前記搬送対象部の間に設けられ、前記生成物を排出するノズルと、不活性ガスでパージされる機構と、を有する第１部分を有する液送部と、
を備えた処理システム。
【請求項２】
前記液送部は、前記第１部分に連結される第２部分をさらに有し、
前記第２部分は、前記ノズルから排出された前記生成物を受ける受け部を有する請求項１記載の処理システム。
【請求項３】
前記ノズルは、前記受け部によって側面が囲まれた先端部を有する請求項２記載の処理システム。
【請求項４】
前記液送部は、前記第１部分及び前記第２部分を連結する第３部分をさらに備え、
前記受け部の一部は、前記第３部分を貫通する請求項２または３に記載の処理システム。
【請求項５】
前記第２部分は、ガイド部と、前記ガイド部に沿って伸縮する伸縮部と、をさらに有する請求項２〜４のいずれか１つに記載の処理システム。
【請求項６】
前記ノズルは、前記受け部に向かうにつれて段階的に幅が小さくなる請求項２〜５のいずれか１つに記載の処理システム。
【請求項７】
前記液送部は、前記ノズルの外壁面上に設けられ、内部に前記不活性ガスが流れる第１配管をさらに有する請求項１〜６のいずれか１つに記載の処理システム。
【請求項８】
前記第１配管の側面上に設けられた温度調整部をさらに備えた請求項７記載の処理システム。
【請求項９】
前記ノズルの内壁面上に設けられた保護膜をさらに備えた請求項１〜８のいずれか１つに記載の処理システム。
【請求項１０】
前記ノズルの先端部上に設けられ、前記ノズルからの前記生成物を排出するバルブをさらに備えた請求項１〜９のいずれか１つに記載の処理システム。
【請求項１１】
前記搬送対象部内の前記生成物を処理する処理装置をさらに備えた請求項１〜１０のいずれか１つに記載の処理システム。
【請求項１２】
前記搬送対象部は、可搬式容器であり、
前記液送部は、前記容器及び前記ノズルを連結する第２配管と、前記受け部及び前記可搬式容器を連結する第３配管と、をさらに有する請求項２〜１１のいずれか１つに記載の処理システム。
【請求項１３】
前記液送部は、前記液送部内の圧力を計測する圧力計をさらに有する請求項１〜１２のいずれか１つに記載の処理システム。
【請求項１４】
前記搬送対象部は、不活性ガスでパージされる機構をさらに有する請求項１〜１３のいずれか１つに記載の処理システム。
【請求項１５】
前記容器及び前記搬送対象部の少なくとも一方で状態信号の授受が行われる請求項１〜１４のいずれか１つに記載の処理システム。
【請求項１６】
前記液送部の圧力計、前記搬送対象部の機構、及び、前記状態信号の少なくともいずれかによる状態把握に基づいて動作を判断するインターロックをさらに備えた請求項１３〜１５のいずれか１つに記載の処理システム。
【請求項１７】
請求項１〜１６のいずれか１つに記載の処理システムを用いた処理方法であって、
前記液送部を介して前記容器から前記搬送対象部に前記生成物を搬送する工程を備えた処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
実施形態は、処理システム及び処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造工程において、基板上へのシリコン膜の成膜が行われることがある。成膜装置に接続された配管内には、シリコンを含む副生成物が堆積する場合がある。このような副生成物は大気中の水分と反応することで製造工程の安全性が阻害される虞がある。このため、副生成物を大気に触れることなく処理装置に搬送する技術が求められている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１１−１４２２５７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
実施形態の目的は、製造工程の安全性が向上した処理システム及び処理方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
実施形態に係る処理システムは、容器と、搬送対象部と、液送部と、を備える。前記容器は、液体の生成物を回収する。前記生成物は、前記搬送対象部に搬送される。前記液送部は、前記容器及び前記搬送対象部の間に設けられ、前記生成物を排出するノズルと、不活性ガスでパージされる機構と、を有する第１部分を有する。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】実施形態に係る処理システムを示すブロック図である。
【図２】実施形態に係る処理システムの構成例を示す図である。
【図３】実施形態に係る処理システムの構成例を示す図である。
【図４】図４（ａ）及び図４（ｂ）は、実施形態に係る処理システムの一部をそれぞれ示す図である。
【図５】実施形態に係る処理システムの一部を示す図である。
【図６】図６（ａ）及び図６（ｂ）は、実施形態に係る処理システムの一部をそれぞれ示す図である。
【図７】実施形態の第１変形例に係る処理システムの一部を示す図である。
【図８】実施形態の第２変形例に係る処理システムの一部を示す図である。
【図９】実施形態の第３変形例に係る処理システムの一部を示す図である。
【図１０】図１０（ａ）及び図１０（ｂ）は、実施形態の第３変形例に係る処理システムの一部をそれぞれ示す図である。
【図１１】実施形態に係る処理方法を示すフロー図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下に、本発明の各実施の形態について図面を参照しつつ説明する。  
なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。  
なお、本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
【０００８】
（実施形態）
図１は、本実施形態に係る処理システム１を示すブロック図である。
図１に示すように、処理システム１には、反応炉１０と、排気部２０と、圧力調整部２５と、容器３０Ａと、容器３０Ｂと、液送部４０と、可搬式容器５０と、処理装置６０と、が設けられている。
【０００９】
反応炉１０は、例えば、基板上へのシリコンの成膜を行う成膜装置内の反応炉である。成膜装置は、例えば、エピタキシャル法によりシリコンを成長させることで膜形成する装置（エピタキシャル成長装置）である。
【００１０】
エピタキシャル成長は、例えば、気相中の成分を基板に堆積させる気相エピタキシャル成長（Vapor Phase Epitaxy）である。気相エピタキシャル成長において、シリコン含有ガスによる化学反応を生じさせることで基板の表面に膜が形成される。シリコン含有ガスは、例えば、モノシラン（ＳｉＨ４）ガス、ジシラン（Ｓｉ２Ｈ６）ガス、ジクロロシラン（ＳｉＨ２Ｃｌ２）ガス、トリクロロシラン（ＳｉＨＣｌ３）ガスである。
【００１１】
反応炉１０は、基板上への成膜を行うＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）装置内の反応炉でも良い。反応炉１０は、基板上に形成された膜の一部の除去を行うエッチング装置内の反応炉でも良い。
【００１２】
排気部２０は、例えば、ポンプを有する。排気部２０の一端は、圧力調整部２５を介して反応炉１０と接続されている。排気部２０の他端は、配管等を介して除害装置（図示せず）に接続されている。反応炉１０から発生したガスは排気部２０に送られる。また、排気部２０から排気されたガスは、除害装置によって処理された後、外部空間へ排出される（除害排気）。
圧力調整部２５は、例えば、バルブを有する。圧力調整部２５によって、容器３０Ａ、３０Ｂ内の圧力等が調整される。
【００１３】
容器３０Ａ及び容器３０Ｂは、反応炉１０における化学反応の副生成物を回収する容器である。副生成物は、液体の化合物を含み、例えば、加水分解性を有する化合物を含む。副生成物は、例えば、シリコン化合物を含む。副生成物は、例えば、トリクロロシランやヘキサクロロジシラン（Ｓｉ２Ｃｌ６）を含む。
【００１４】
容器３０Ａ及び容器３０Ｂは、配管等を介して反応炉１０に接続されている。容器３０Ａは、反応炉１０に直接接続され、容器３０Ｂは、圧力調整部２５を介して反応炉１０に接続されている。
図１に示す例では、処理システム１に２つの容器３０Ａ及び容器３０Ｂが設けられているが、容器３０Ａ及び容器３０Ｂのいずれか一方が設けられても良い。
【００１５】
液送部４０は、容器３０Ａに回収された副生成物を可搬式容器５０または処理装置６０に搬送する。例えば、液送部４０内の圧力を調整することで可搬式容器５０または処理装置６０に副生成物を搬送する。例えば、液送部４０の上方から加圧することで可搬式容器５０または処理装置６０に副生成物を搬送する。なお、液送部４０内の圧力を調整せずに可搬式容器５０または処理装置６０に副生成物を搬送しても良い。
【００１６】
液送部４０は、容器３０Ａに接続されていると共に、可搬式容器５０及び処理装置６０に接続されている。図１に示す例では、液送部４０は容器３０Ａに接続されているが、液送部４０は容器３０Ｂに接続されても良い。この場合、液送部４０は、容器３０Ｂに接続されると共に、可搬式容器５０及び処理装置６０に接続される。また、液送部４０は、可搬式容器５０及び処理装置６０のいずれか一方に接続されていても良い。
液送部４０の構成については後に詳しく説明する。
【００１７】
可搬式容器５０は、液送部４０から搬送された副生成物を一時的に保管する容器である。副生成物を含む可搬式容器５０は処理装置６０に運ばれる。なお、副生成物は、可搬式容器５０に一時的に保管されずに、液送部４０から処理装置６０に搬送されても良い。つまり、可搬式容器５０及び処理装置６０は、容器３０Ａから液送部４０を介して副生成物を搬送する搬送対象部である。
処理装置６０は、可搬式容器５０から運ばれた副生成物を処理して無害化する。処理装置６０による無害化処理によって、シリコン化合物等の副生成物は無害化される。
【００１８】
処理システム１には、処理システム１内の種々の要素における動作を制御する制御部が設けられても良い。制御部は、例えばコンピューターであり、処理システム１内の種々の要素に制御信号を送信可能に構成される。
また、処理システム１には、作業者が処理システム１内の種々の要素における動作を監視する表示部が設けられても良い。表示部は、例えば、ディスプレイ等の表示装置である。
【００１９】
図２及び図３は、本実施形態に係る処理システム１の構成例を示す図である。
図２及び図３は、図１の破線で囲んだ部分の構成例をそれぞれ示している。図２は、液送部４０の本体部４０ｂが連結した形態を示しており、液送部４０を介した容器３０Ａ及び可搬式容器５０の接続を示している。図３は、液送部４０内の本体部４０ｂが連結していない形態を示しており、容器３０Ａ及び可搬式容器５０が接続されていないことを示している。
【００２０】
図２に示すように、反応炉１０には圧力計７０Ａが設けられている。圧力計７０Ａによって反応炉１０内の圧力が計測されて調整される。
反応炉１０及び圧力調整部２５の間には、トラップ部２６が設けられている。トラップ部２６は、反応炉１０から発生したガス等を気液分離する。
トラップ部２６及び容器３０Ａの間には、バルブ８０Ａ、８０Ｂが設けられている。バルブ８０Ａ、８０Ｂを開けることで、反応炉１０から容器３０Ａに副生成物が搬送される。
【００２１】
容器３０Ａには、圧力計７０Ｂ及びセンサ７５が設けられている。圧力計７０Ｂによって容器３０Ａ内の圧力が計測されて調整される。センサ７５は、液体レベルセンサであって、センサ７５によって、容器３０Ａ内の副生成物等の液体の液面の高さが計測される。
【００２２】
容器３０Ａ内には、配管を介してアルゴン（Ａｒ）や窒素（Ｎ）等の不活性ガスが流れる。バルブ８０Ｃ１がガス供給源（図示せず）及び容器３０Ａの間に設けられ、バルブ８０Ｃ１を開けることで不活性ガスが容器３０Ａ内に流れる。
容器３０Ａと排気部２０の間には、バルブ８０Ｃ２、８０Ｃ３が設けられている。バルブ８０Ｃ２の開閉によって、容器３０Ａ内の圧力が調整される。バルブ８０Ｃ３を開けることで、容器３０Ａ内のガスが排気部２０及び除害装置に送られる。
【００２３】
液送部４０は、本体部４０ｂと、配管４０ｐ１、４０ｐ２、４０ｐ３、４０ｐ４と、バルブ４０ｖ１、４０ｖ２、４０ｖ３、４０ｖ４、４０ｖ５と、圧力計４０ｍ１、４０ｍ２と、を有する。
【００２４】
図３に示すように、本体部４０ｂは、第１部分４０ｂ１と、第２部分４０ｂ２と、連結部分４０ｂ３を有する。第１部分４０ｂ１及び第２部分４０ｂ２は、連結部分４０ｂ３によって本体部４０ｂ内で着脱可能に構成される。これにより、第１部分４０ｂ１及び第２部分４０ｂ２は連結部分４０ｂ３によって互いに連結する。
【００２５】
第１部分４０ｂ１及び第２部分４０ｂ２が連結していない状態では、第１部分ｂ１及び第２部分４０ｂ２は、配管９０Ａ及び配管９０Ｂを介してスクラバ装置（図示せず）に接続する。バルブ８０Ｄ１、８０Ｄ２を開けることで、配管９０Ａ、９０Ｂを介して第１部分ｂ１及び第２部分４０ｂ２から排気されたガスはスクラバ装置によって処理された後、外部空間へ排出される（スクラバ排気）。
【００２６】
配管４０ｐ１は、容器３０Ａ、及び、本体部４０ｂの第１部分４０ｂ１を接続する。
配管４０ｐ２は、本体部４０ｂの第２部分４０ｂ２、及び、可搬式容器５０を接続する。
配管４０ｐ３は、ガス供給源（図示せず）、及び、本体部４０ｂの第１部分４０ｂ１を接続する。
配管４０ｐ４は、ガス供給源（図示せず）、及び、本体部４０ｂの第２部分４０ｂ２を接続する。
【００２７】
バルブ４０ｖ１、４０ｖ２は、容器３０Ａ、及び、本体部４０ｂの第１部分４０ｂ１の間に設けられている。
バルブ４０ｖ３は、本体部４０ｂの第２部分４０ｂ２、及び、可搬式容器５０の間に設けられている。
バルブ４０ｖ４は、ガス供給源（図示せず）、及び、本体部４０ｂの第１部分４０ｂ１の間に設けられている。
バルブ４０ｖ５は、ガス供給源（図示せず）、及び、本体部４０ｂの第２部分４０ｂ２の間に設けられている。
【００２８】
バルブ４０ｖ１、４０ｖ２を開けることで、配管４０ｐ１を介して容器３０Ａから本体部４０ｂに副生成物が搬送される。
バルブ４０ｖ３を開けることで、配管４０ｐ２を介して本体部４０ｂから可搬式容器５０に副生成物が搬送される。
バルブ４０ｖ４、４０ｖ５を開けることで、配管４０ｐ３、４０ｐ４を介して不活性ガスが本体部４０ｂに流れる。
【００２９】
圧力計４０ｍ１及び圧力計４０ｍ２は、本体部４０ｂの第１部分４０ｂ１及び第２部分４０ｂ２にそれぞれ設けられている。圧力計４０ｍ１、４０ｍ２によって本体部４０ｂ内の圧力が計測されて調整される。また、例えば、圧力計４０ｍ１及び圧力計４０ｍ２の計測値に基づいて、本体部４０ｂへ不活性ガスが流れたり、本体部４０ｂへの不活性ガスの供給が停止したりする。
また、圧力計４０ｍ１及び圧力計４０ｍ２の計測値に基づいて、副生成物の搬送可否が判断されても良い。例えば、圧力計４０ｍ１及び圧力計４０ｍ２の計測値が所定の値であること、ならびに、本体部４０ｂ（例えば、後述する受け部４０ｂ５）から準備が出来ている旨の信号を受けていることに基づいて、副生成物の搬送可否が自動で判断される。このように副生成物の搬送可否が判断されることで、真空中にバルブ４０ｖ１、４０ｖ２、４０ｖ３が誤って開くことで大気が導入することを抑制する。
また、処理システム１は、副生成物の搬送先（例えば、可搬式容器５０や処理装置６０）、もしくは、副生成物の搬送元（例えば、容器３０Ａ）の双方で状態信号の授受が行われるように構成されても良い。
そして、処理システム１には、圧力計４０ｍ１、４０ｍ２及び本体部４０ｂの状態と、搬送先及び搬送元の状態信号とに基づいて動作を判断する機構、例えば、インターロックが設けられても良い。
【００３０】
図２に示すように、可搬式容器５０は、容器本体５０ａ及びカバー体５０ｂを有する。容器本体５０ａ内に、副生成物Ｐが保管される。カバー体５０ｂは、容器本体５０ａの周囲を覆う。カバー体５０ｂによって容器本体５０ａが保護され、副生成物Ｐが容器本体５０ａから漏れることを抑制する。
【００３１】
可搬式容器５０には、圧力計７０Ｃ及び濃度計７６が設けられている。圧力計７０Ｃによって可搬式容器５０内の圧力が計測されて調整される。濃度計７６によって、可搬式容器５０内の酸素濃度や水分濃度が計測される。
可搬式容器５０内には配管を介して不活性ガスが流れる。バルブ８０Ｅ１がガス供給源（図示せず）及び可搬式容器５０の間に設けられ、バルブ８０Ｅ１を開けることで、不活性ガスが可搬式容器５０内に流れる。
可搬式容器５０は、配管を介してスクラバ装置（図示せず）に接続する。バルブ８０Ｅ２を開けることで、可搬式容器５０から排気されたガスはスクラバ装置によって処理された後、外部空間へ排出される（スクラバ排気）。
【００３２】
次に、液送部４０における本体部４０ｂの構成例について説明する。
図４（ａ）及び図４（ｂ）は、実施形態に係る処理システムの一部をそれぞれ示す図である。
図５は、実施形態に係る処理システムの一部を示す図である。
図４（ａ）、図４（ｂ）及び図５は、液送部４０において、本体部４０ｂの第１部分４０ｂ１及び第２部分４０ｂ２をそれぞれ示している。図４（ａ）及び図４（ｂ）は、本体部４０ｂの第１部分４０ｂ１及び第２部分４０ｂ２が連結した形態をそれぞれ示しており、図５は、本体部４０ｂの第１部分４０ｂ１及び第２部分４０ｂ２が連結していない形態を示している。
【００３３】
図４（ａ）及び図４（ｂ）に示すように、本体部４０ｂにおいて、第１部分４０ｂ１は内配管であって、第２部分４０ｂ２は受け側配管である。本体部４０ｂは、第１部分４０ｂ１及び第２部分４０ｂ２が連結部分４０ｂ３によって連結することで二重配管になるように構成されている。本体部４０ｂを二重配管にすることで副生成物が大気に触れることを抑制する。
【００３４】
第１部分４０ｂ１はノズル４０ｂ４を有する。ノズル４０ｂ４は、副生成物を排出する部分であって、例えば配管である。ノズル４０ｂ４は配管４０ｐ１に接続される。
第２部分４０ｂ２は、受け部４０ｂ５と、伸縮部４０ｂ６と、ガイド部４０ｂ７とを有する。受け部４０ｂ５は、ノズル４０ｂ４からの副生成物を受ける部分であって、例えば配管である。受け部４０ｂ５は、配管４０ｐ２に接続される。伸縮部４０ｂ６は、例えば、ばね等の弾性体を有する伸縮可能な部分である。伸縮部４０ｂ６の伸縮によって、本体部４０ｂはガイド部４０ｂ７に沿って伸縮する。
【００３５】
ノズル４０ｂ４は受け部４０ｂ５に重畳させることが望ましい。受け部４０ｂ５がノズル４０ｂ４の先端の側面を囲むことで、液送時に副生成物がノズル４０ｂ４の先端から飛散することを抑制する。
【００３６】
図４（ａ）に示すように、連結部分４０ｂ３によって第１部分４０ｂ１及び第２部分４０ｂ２が連結された後、図４（ｂ）に示すように、液送時（圧送時）、伸縮部４０ｂ６が縮むことで第２部分４０ｂ２が縮んで、受け部４０ｂ５の一部が連結部分４０ｂ３を貫通する。これにより、第１部分４０ｂ１のノズル４０ｂ４は、第２部分４０ｂ２の受け部４０ｂ５に重畳される。
図４（ａ）のように液送時でない場合に、受け部４０ｂ５の一部が連結部分４０ｂ３を貫通することで、ノズル４０ｂ４が受け部４０ｂ５に重畳されていても良い。
【００３７】
配管４０ｐ３を介して不活性ガスが本体部４０ｂの第１部分４０ｂ１に流れる。また、配管４０ｐ４を介して不活性ガスが本体部４０ｂの第２部分４０ｂ２に流れる。本体部４０ｂは、不活性ガスでパージされる。配管４０ｐ３、４０ｐ４を介して不活性ガスが本体部４０ｂに流れることで、本体部４０ｂ内に空気が入ることを抑制する。
【００３８】
図５に示すように、本体部４０ｂの第１部分４０ｂ１及び第２部分４０ｂ２が連結していない状態では、第１部分ｂ１及び第２部分４０ｂ２はスクラバ装置に接続され、第１部分ｂ１及び第２部分４０ｂ２から排気されたガスはスクラバ装置によって処理された後、外部空間へ排出される。
【００３９】
次に、液送部４０におけるノズル４０ｂ４の構成例について説明する。
図６（ａ）及び図６（ｂ）は、実施形態に係る処理システムの一部をそれぞれ示す図である。
図６（ａ）は、配管４０ｐ１及びノズル４０ｂ４を示した図である。図６（ｂ）は、図６（ａ）の破線で囲んだ部分の構成例を拡大して示している。
【００４０】
図６（ａ）に示すように、バルブ４０ｖ１、４０ｖ２を開けることで、配管４０ｐ１を介して容器３０Ａから本体部４０ｂに副生成物が搬送される。バルブ４０ｖ２内を洗浄するために、バルブ４０ｖ１及びバルブ４０ｖ２の間に配管４０ｐ５が設けられている。バルブ４０ｖ６を開けて、配管４０ｐ５を介してクリーニングガスや洗浄液を流すことで、バルブ４０ｖ２内を洗浄する。
【００４１】
図６（ｂ）に示すように、ノズル４０ｂ４は、幅広部分４０ｗ１及び幅狭部分４０ｗ２を有する。幅狭部分４０ｗ２は、幅広部分４０ｗ１と比較して幅が小さい部分である。幅広部分４０ｗ１及び幅狭部分４０ｗ２はつながっており、幅狭部分４０ｗ２はノズル４０ｂ４の先端に位置する。つまり、ノズル４０ｂ４は、受け部４０ｂ５に向かうにつれて段階的に幅が小さくなる。ノズル４０ｂ４が幅狭部分４０ｗ２を有するので、ノズル４０ｂ４の先端（幅狭部分４０ｗ２）内に副生成物Ｐが残ることを抑制し、副生成物Ｐがノズル４０ｂ４の先端から飛散することを抑制する。
【００４２】
配管４０ｐ３は、ノズル４０ｂ４の側面上に位置する。配管４０ｐ３は、ノズル４０ｂ４の側面を覆っており、配管４０ｐ３を介して不活性ガスが本体部４０ｂの第１部分４０ｂ１に流れる。配管４０ｐ３がノズル４０ｂ４の側面を覆うので、ノズル４０ｂ４の先端が大気に触れることを抑制する。
なお、配管４０ｐ３からの不活性ガスの排出と、ノズル４０ｂ４からの副生成物Ｐの排出とは同時に行わないことが望ましい。これにより、副生成物Ｐがノズル４０ｂ４の先端から飛散することを抑制する。
【００４３】
配管４０ｐ３の側面上には、温度調整部４０ｔが設けられている。温度調整部４０ｔによって、配管４０ｐ３を介してノズル４０ｂ４の温度が調整される。温度調整部４０ｔは、例えば、ヒーターを有する。例えば、液体の副生成物Ｐが高い粘性を有する場合、ヒーターによってノズル４０ｂ４の温度を高くして副生成物Ｐの粘度を低下させることが望ましい。ノズル４０ｂ４内に副生成物Ｐがつまることによって、副生成物Ｐがノズル４０ｂ４内に残留することを抑制する。
【００４４】
次に、液送部４０におけるノズル４０ｂ４の変形例について説明する。
図７及び図８は、実施形態の第１変形例及び第２変形例に係る処理システムの一部をそれぞれ示す図である。
図９、図１０（ａ）及び図１０（ｂ）は、実施形態の第３変形例に係る処理システムの一部を示す図である。
図７〜図９、図１０（ａ）及び図１０（ｂ）に示される領域は、図６（ｂ）に示される領域の一部にそれぞれ相当する。図９は、副生成物Ｐがノズル４０ｂ４の先端部４０ｔｐに達する前の形態を示しており、図１０（ａ）及び図１０（ｂ）は、バルブ４０ｖ７の開閉によって副生成物Ｐがノズル４０ｂ４の先端部４０ｔｐから排出される形態を示している。
【００４５】
図７に示すように、ノズル４０ｂ４の幅は概ね一定である。つまり、図６（ｂ）のノズル４０ｂ４と異なり、図７のノズル４０ｂ４には幅広部分４０ｗ１及び幅狭部分４０ｗ２が設けられていない。
【００４６】
図８に示すように、ノズル４０ｂ４の内壁面上には保護膜４０ｐｆが設けられている。保護膜４０ｐｆとしては、表面張力の小さい撥液性材料を選択することが望ましい。保護膜４０ｐｆによってノズル４０ｂ４の内壁面を覆うことで、ノズル４０ｂ４内に副生成物Ｐが残ることを抑制し、副生成物Ｐがノズル４０ｂ４の先端から飛散することを抑制する。
【００４７】
図９に示すように、ノズル４０ｂ４の先端部４０ｔｐに、バルブ４０ｖ７が設けられている。バルブ４０ｖ７は、例えば、樹脂を含む。バルブ４０ｖ７の伸縮性によって、ノズル４０ｂ４から排出せずに残った副生成物Ｐをノズル４０ｂ４内に溜めておくことができる。また、先端部４０ｔｐにバルブ４０ｖ７を設けることで、ノズル４０ｂ４の先端部４０ｔｐに残った副生成物Ｐが大気に触れることを抑制する。
なお、図９に示す例では、配管４０ｐ３はノズル４０ｂ４の側面を覆っておらず、温度調整部４０ｔがノズル４０ｂ４の側面上に位置する。
【００４８】
図１０（ａ）に示すように、液送時に液送部４０内の圧力が高くなると、バルブ４０ｖ７の伸縮性によって、バルブ４０ｖ７を介してノズル４０ｂ４から副生成物Ｐが排出される。図１０（ｂ）に示すように、副生成物Ｐの排出後、液送部４０内の圧力が低くなると、バルブ４０ｖ７の伸縮性によってバルブ４０ｖ７が閉じる。これにより、先端部４０ｔｐに残った副生成物Ｐがバルブ４０ｖ７によって覆われているので、副生成物Ｐが先端部４０ｔｐを介して大気に触れることを抑制する。
【００４９】
図１１は、実施形態に係る処理方法を示すフロー図である。
以下において、一例として、図２の処理システム１における副生成物の処理方法を説明する。
図１１に示すように、液送部４０において、配管４０ｐ３、４０ｐ４を介して不活性ガスを流した状態で、連結部分４０ｂ３によって本体部４０ｂの第１部分４０ｂ１及び第２部分４０ｂ２を連結する（Ｓ１１０）。第１部分４０ｂ１及び第２部分４０ｂ２が連結されると、圧力計４０ｍ１、４０ｍ２によって本体部４０ｂ内の圧力を計測する。その後、例えば制御部の制御信号によって、不活性ガスの供給が停止する。
【００５０】
次に、可搬式容器５０内のガス等の残留物を取り除く（Ｓ１２０）。不活性ガスによって可搬式容器５０内の残留物を取り除く（ガスパージ）。不活性ガスによるパージは所定の時間行われる。不活性ガスによるパージは、例えば、制御部の制御信号によって自動で行われる。不活性ガスによるパージは、作業者がバルブ８０Ｅ１を開閉することによって手動で行われても良い。また、不活性ガスによるパージの代わりに、圧力計７０Ｃの計測値に基づいてスクラバ排気が行われても良い。
【００５１】
次に、液送部４０のバルブ４０ｖ３を開ける（Ｓ１３０）。バルブ４０ｖ３は、本体部４０ｂ（第２部分４０ｂ２）及び可搬式容器５０の間に設けられている。例えば、バルブ４０ｖ３には、可搬式容器５０の状態と連動させたインターロックを設けても良い。例えば、可搬式容器５０の圧力計７０Ｃや濃度計７６の計測値と、液送部４０の圧力計４０ｍ２の計測値とが設定値を満たした場合、バルブ４０ｖ３を開けるようにする。
【００５２】
次に、液送部４０のバルブ４０ｖ１、４０ｖ２を開けて、液送部４０を介して容器３０Ａから可搬式容器５０に副生成物を搬送する（Ｓ１４０）。容器３０Ａに回収された副生成物を搬送する場合、容器３０Ａの圧力計７０Ｂが所定の値（例えば、常圧以上の値）であって、バルブ８０Ｃ１を開けて不活性ガスを容器３０Ａ内に所定の時間流すようにする。例えば、バルブ４０ｖ１、４０ｖ２には、容器３０Ａの状態と連動させたインターロックを設けても良い。例えば、容器３０Ａの圧力計７０Ｂの計測値が設定値を満たした場合、バルブ４０ｖ１、４０ｖ２を開けるようにする。
【００５３】
容器３０Ａの状態、可搬式容器５０の状態、及び、バルブ４０ｖ１、４０ｖ２、４０ｖ３の開閉状態によって液送作業を開始することができる。液送作業は、例えば、制御部の制御信号によって自動で行われる。液送作業は、作業者が表示部を監視して手動で行われても良い。また、液送作業の安全性を高めるために、処理システム１にはフェイルセーフ等のインターロックを設けても良い。
【００５４】
次に、可搬式容器５０に副生成物を搬送した後、可搬式容器５０を処理装置６０に運ぶ（Ｓ１５０）。処理装置６０によって、可搬式容器５０内の副生成物は無害化される。
例えば、可搬式容器５０への副生成物の搬送後、バルブ４０ｖ１、４０ｖ２を閉めて所定の時間経過した後に、バルブ４０ｖ３を閉める。このようにバルブ４０ｖ１、４０ｖ２、４０ｖ３を閉めると、液送部４０内に残った副生成物を液送部４０の下方に集めることができる。続いて、圧力計４０ｍ１、４０ｍ２の計測によって配管４０ｐ３、４０ｐ４を介して不活性ガスを流した状態で、本体部４０ｂの第１部分４０ｂ１及び第２部分４０ｂ２を切り離す。不活性ガスを流した状態で第１部分４０ｂ１及び第２部分４０ｂ２を切り離すことで、第１部分４０ｂ１のノズル４０ｂ４の先端が保護される。その後、可搬式容器５０を処理装置６０に運ぶ。
このようにして、液送部４０によって容器３０Ａから可搬式容器５０に副生成物を搬送した後、処理装置６０によって可搬式容器５０内の副生成物を無害化する。
【００５５】
次に、本実施形態の効果について説明する。
シランガスを用いたエピタキシャル成長装置等の半導体製造装置では、製造工程において、例えば、シリコン化合物を含む液状の副生成物が発生し、半導体製造装置に接続した配管内に溜まる場合がある。配管内に溜まった副生成物は、メンテナンス時に大気暴露すると、大気中の水分と化学反応を起こして毒性を有する塩化水素ガスや水素ガスが発生する。また、製造工程に塩化シランガスを用いた場合、トリクロロシランやヘキサクロロジシランを含む副生成物が発生する。トリクロロシランやヘキサクロロジシランは加水分解性を有するので、これらの塩化シランポリマーが大気暴露によって加水分解すると、シリコシュウ酸（Ｈ２Ｓｉ２Ｏ４）等が発生する。シリコシュウ酸は燃焼性及び爆発性の高い化合物であるので、このような副生成物による化学反応は、製造工程の安全性に影響を及ぼすことになる。
【００５６】
ここで、副生成物は、配管を介して反応炉から回収容器や処理装置に搬送（例えば、液送）される場合がある。しかし、副生成物を廃棄するために、回収容器や処理装置に副生成物を搬送するときに、副生成物が大気暴露することで加水分解する虞がある。
【００５７】
また、配管を介して回収容器や処理装置に搬送する場合、回収容器や処理装置を設置する位置及びスペースが制限され易くなる。さらに、回収容器や処理装置への配管が長く形成される場合があり、配管の長さが長くなるにつれて、副生成物が大気暴露することで加水分解する危険性が高くなる。
【００５８】
また、副生成物が高い粘性を有すると、回収容器や処理装置と、配管との間の接続部分には、副生成物が付着して残留し易い。このような配管の接続部分が脱着可能に構成されている場合、脱着時、接続部分に残留した副生成物が大気暴露することで加水分解する危険性がある。さらに、例えば、不活性ガスを用いて配管内に副生成物を液送すると、液体の副生成物が気泡と共に飛散して接続部分に付着して残留し易くなる。副生成物が接続部分に残留していると、副生成物が大気暴露することで加水分解する虞がある。
【００５９】
本実施形態の処理システム１には、容器３０Ａ及び可搬式容器５０の間に、本体部４０ｂを有する液送部４０が設けられている。また、液送部４０の本体部４０ｂは、互いに連結し、ノズル４０ｂ４を有する第１部分４０ｂ１と、受け部４０ｂ５を有する第２部分４０ｂ２と、を有する。ノズル４０ｂ４は、容器３０Ａに回収された副生成物を受け部４０ｂ５に排出する。このような液送部４０を設けることで、容器３０Ａから可搬式容器５０に副生成物を搬送するときに副生成物が大気に触れることを抑制する。これにより、副生成物が大気暴露して加水分解することを抑制し、製造工程の安全性を向上できる。
本実施形態によれば、製造工程の安全性が向上した処理システム及び処理方法を提供する。
【００６０】
以上、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これらの新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明及びその等価物の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００６１】
１：処理システム、１０：反応炉、２０：排気部、２５：圧力調整部、２６：トラップ部、３０Ａ、３０Ｂ：容器、４０：液送部、４０ｂ：本体部、４０ｂ１：第１部分、４０ｂ２：第２部分、４０ｂ３：連結部分、４０ｂ４：ノズル、４０ｂ５：受け部、４０ｂ６：伸縮部、４０ｂ７：ガイド部、４０ｍ１、４０ｍ２、７０Ａ〜７０Ｃ：圧力計、４０ｐ１〜４０ｐ４、９０Ａ、９０Ｂ：配管、４０ｐｆ：保護膜、４０ｔ：温度調整部、４０ｔｐ：先端部、４０ｖ１〜４０ｖ５、８０Ａ、８０Ｂ、８０Ｃ１〜８０Ｃ３、８０Ｄ１、８０Ｄ２、８０Ｅ１、８０Ｅ２：バルブ、４０ｗ１：幅広部分、４０ｗ２：幅狭部分、５０：可搬式容器、５０ａ：容器本体、５０ｂ：カバー体、６０：処理装置、７５：センサ、７６：濃度計、Ｐ：副生成物
【図１】
2019009303.tif 000003
【図２】
2019009303.tif 000004
【図３】
2019009303.tif 000005
【図４】
2019009303.tif 000006
【図５】
2019009303.tif 000007
【図６】
2019009303.tif 000008
【図７】
2019009303.tif 000009
【図８】
2019009303.tif 000010
【図９】
2019009303.tif 000011
【図１０】
2019009303.tif 000012
【図１１】
2019009303.tif 000013