(57)【要約】【課題】リード１４の面積を削減して小型の発光装置１を提供する。【解決手段】第１リード１４１および第２リード１４２を含むリード１４を有するパッケージ１０と、リード１４の上面に載置された発光素子２０および半導体素子３０と、発光素子２０、半導体素子３０、およびリード１４を接続する１つのワイヤ４０と、を有する発光装置１。【選択図】図１Ａ
2019153662.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１リードおよび第２リードを含むリードを有するパッケージと、
前記リードの上面に載置された発光素子および半導体素子と、
前記発光素子、前記半導体素子、および前記リードを接続する１つのワイヤと、を有する発光装置。
【請求項２】
前記発光素子のカソード電極および前記半導体素子のアノード電極は前記第１リードと電気的に接続され、
前記発光素子のアノード電極および前記半導体素子のカソード電極は前記１つのワイヤを介して前記第２リードに接続される請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記第１リードは、
本体部と、
前記本体部から延出し、上面視において前記延出の方向に対して垂直な方向における幅が前記本体部の幅よりも狭い幅狭部と、を有し、
前記発光素子は前記本体部上に載置され、
前記半導体素子は前記幅狭部上に載置される請求項１または２に記載の発光装置。
【請求項４】
前記リードはさらに第３リードを有し、
前記発光素子は前記第１リード上に載置され、
前記半導体素子は前記第３リード上に載置され、
前記発光素子のカソード電極は前記第１リードと電気的に接続され、
前記半導体素子のアノード電極は前記第３リードと電気的に接続され、
前記発光素子のアノード電極および前記半導体素子のカソード電極は前記１つのワイヤを介して前記第２リードに接続される請求項１に記載の発光装置。
【請求項５】
前記１つのワイヤは、
前記発光素子と前記第２リードとを接続する第１ワイヤ部と、
前記半導体素子と前記第２リードとを接続する第２ワイヤ部と、を有し、
前記第１ワイヤ部は、前記第２ワイヤ部よりも長く、直線状に配置される、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項６】
前記半導体素子は保護素子である請求項１乃至５のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項７】
前記発光素子の上面は、高さ方向において前記半導体素子の上面よりも高い位置にある、請求項１乃至６のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項８】
前記半導体素子は発光素子である請求項１乃至７のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項９】
第１リードおよび第２リードを含むリードを有するパッケージを準備する工程と、
前記リードの上面に発光素子および半導体素子を載置する工程と、
前記発光素子、前記リード、および前記半導体素子を連続して１つのワイヤで接続する工程と、を有する発光装置の製造方法。
【請求項１０】
前記発光素子および前記半導体素子を載置する工程において、前記発光素子のカソード電極および前記半導体素子のアノード電極は前記第１リードと電気的に接続され、
前記１つのワイヤで接続する工程において、前記発光素子のアノード電極、前記第２リード、および前記半導体素子のカソード電極はこの順で前記１つのワイヤを介して接続される請求項９に記載の発光装置の製造方法。
【請求項１１】
前記パッケージを準備する工程において、前記第１リードは、本体部と、前記本体部から延出し、上面視において前記延出の方向に対して垂直な方向における幅が前記本体部の幅よりも狭い幅狭部とを有し、
前記発光素子および前記半導体素子を載置する工程において、前記発光素子は前記本体部の上面に載置され、前記半導体素子は前記幅狭部の上面に載置される請求項９または１０に記載の発光装置の製造方法。
【請求項１２】
前記パッケージを準備する工程において、前記リードはさらに第３リードを有し、
前記発光素子および前記半導体素子を載置する工程において、前記発光素子は前記第１リード上に載置され、前記半導体素子は前記第３リード上に載置され、
前記１つのワイヤで接続する工程において、前記発光素子のアノード電極および前記半導体素子のカソード電極はこの順に前記１つのワイヤを介して前記第２リードに接続される請求項９に記載の発光装置の製造方法。
【請求項１３】
前記発光素子および前記半導体素子を載置する工程において、前記半導体素子は保護素子である請求項１０乃至１２のいずれか１項に記載の発光装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は発光装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
発光素子や保護素子等の２つ以上の半導体素子を備え、これらの２つ以上の半導体素子がそれぞれワイヤを介して基板側のリードに接続される発光装置などが提案されている（特許文献１、２）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平１０−２５６６１０号公報
【特許文献２】特開２０１０−１８２８０３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、上記の発光装置などによると、リード上に、１つ目の半導体素子に繋がるワイヤを接続するための領域に加え、２つ目の半導体素子に繋がるワイヤを接続するための領域を確保する必要がある。また、１つ目の半導体素子とリードとをワイヤで接続する工程と、２つ目の半導体素子とリードとを別のワイヤで接続する工程とを、別々に行う必要がある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本開示は次の発明を含む。
【０００６】
第１リードおよび第２リードを含むリードを有するパッケージと、
前記リードの上面に載置された発光素子および半導体素子と、
前記発光素子、前記半導体素子、および前記リードを接続する１つのワイヤと、を有する発光装置。
【０００７】
第１リードおよび第２リードを含むリードを有するパッケージを準備する工程と、
前記リードの上面に発光素子および半導体素子を載置する工程と、
前記発光素子、前記リード、および前記半導体素子を連続して１つのワイヤで接続する工程と、を有する発光装置の製造方法。
【発明の効果】
【０００８】
上記した発光装置によれば、リード上において、ワイヤを接続するための領域を発光素子および半導体素子それぞれで確保する必要がないため、従来の発光装置と比べてリードの面積を削減してさらに小型の発光装置を提供することが可能になる。また、発光素子、リード、および半導体素子を連続して１つのワイヤで接続するため、発光装置の製造におけるリードタイムをさらに短縮することができる。したがって、上記した発光装置を効率良く生産することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１Ａ】実施形態１に係る発光装置の模式的平面図である。
【図１Ｂ】図１Ａ中の１Ｂ−１Ｂ線における断面を示す模式的断面図である。
【図１Ｃ】図１Ａ中の１Ｃ−１Ｃ線における断面を示す模式的断面図である。
【図１Ｄ】実施形態１に係る発光装置の模式的底面図である。
【図１Ｅ】実施形態１に係る発光装置が備える第１リードおよび第２リードの模式的平面図である。
【図１Ｆ】実施形態１に係る発光装置が備える第１リードおよび第２リードの模式的底面図である。
【図２Ａ】実施形態２に係る発光装置の模式的平面図である。
【図２Ｂ】図２Ａ中の２Ｂ−２Ｂ線における断面を示す模式的断面図である。
【図２Ｃ】実施形態２に係る発光装置の模式的底面図である。
【図３Ａ】実施形態１に係る発光装置の製造方法を説明する模式的平面図である。
【図３Ｂ】実施形態１に係る発光装置の製造方法を説明する模式的平面図である。
【図３Ｃ】実施形態１に係る発光装置の製造方法を説明する模式的平面図である。
【図３Ｄ】実施形態１に係る発光装置の製造方法を説明する模式的平面図である。
【図４Ａ】実施形態２に係る発光装置の製造方法を説明する模式的平面図である。
【図４Ｂ】実施形態２に係る発光装置の製造方法を説明する模式的平面図である。
【図４Ｃ】実施形態２に係る発光装置の製造方法を説明する模式的平面図である。
【図４Ｄ】実施形態２に係る発光装置の製造方法を説明する模式的平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、図面を参照しながら、本開示の発光装置を詳細に説明する。本開示の発光装置は、例示であり、以下で説明する発光装置に限られない。以下の説明では、特定の方向や位置を示す用語（例えば、「上」、「下」およびそれらの用語を含む別の用語）を用いる場合がある。それらの用語は、参照した図面における相対的な方向や位置を、分かり易さのために用いているに過ぎない。また、図面が示す構成要素の大きさや位置関係等は、分かり易さのため、誇張されている場合があり、実際の発光装置における大きさあるいは、実際の発光装置における構成要素間の大小関係を反映していない場合がある。
【００１１】
［実施形態１に係る発光装置１］
図１Ａは実施形態１に係る発光装置の模式的平面図である。図１Ｂは図１Ａ中の１Ｂ−１Ｂ線における断面を示す模式的断面図であり、図１Ｃは図１Ａ中の１Ｃ−１Ｃ線における断面を示す模式的断面図である。図１Ｄは実施形態１に係る発光装置の模式的底面図である。図１Ｅは実施形態１に係る発光装置が備える第１リードおよび第２リードの模式的平面図であり、図１Ｆは実施形態１に係る発光装置が備える第１リードおよび第２リードの模式的底面図である。図１Ａにおいては、樹脂部や封止部材などに覆われて直接的には見えない部材または部材の一部分を点線で示している。ただし、ワイヤについては図１Ａにおいても実線で示している。
【００１２】
図１Ａから図１Ｆに示すように、実施形態１に係る発光装置１は、第１リード１４１および第２リード１４２を含むリード１４を有するパッケージ１０と、リード１４の上面に載置された発光素子２０および半導体素子３０と、発光素子２０、半導体素子３０およびリード１４を接続する１つのワイヤ４０と、を有する発光装置である。以下、発光装置１の各構成要素について詳細に説明する。
【００１３】
（パッケージ１０）
パッケージ１０は、発光素子２０および半導体素子３０を実装するための実装部材であり、第１リード１４１および第２リード１４２を含むリード１４を有する。また、パッケージ１０は樹脂部１２を有していてもよい。本実施形態におけるパッケージ１０は、リード１４と樹脂部１２が一体的に形成された樹脂パッケージであり、上面に凹部Ｘを有する。本実施形態において、凹部Ｘの底面ではリード１４の一部が露出している。具体的には、第１リード１４１の下面および第２リード１４２の下面がパッケージ１０の下面１０ｂにおいて露出している。凹部Ｘには封止部材５０が設けられている。
【００１４】
本実施形態におけるパッケージ１０は、上面１０ａおよび上面１０ａと反対側に位置する下面１０ｂとを有する。また、本実施形態におけるパッケージ１０は、上面視において略四角形の外形形状を有する。このため、パッケージ１０は、外側面１０ｃ、外側面１０ｃと反対側に位置する外側面１０ｄ、外側面１０ｅ、および外側面１０ｅと反対側に位置する外側面１０ｆの４つの外側面を有する。なお、上面視おけるパッケージ１０の外形形状は、四角形に限られず、他の形状を有していてもよい。
【００１５】
パッケージ１０は、上面視において、凹部Ｘの開口の１つの角部を面取りすることによって形成されたアノードマークまたはカソードマークを有していてもよい。アノードマークまたはカソードマークは、２つのリード１４１、１４２の極性を示すマークとして機能する。
【００１６】
（リード１４、第１リード１４１、第２リード１４２）
第１リード１４１および第２リード１４２は、導電性を有し、発光素子２０および半導体素子３０に給電するための電極として機能する。なお、後述の実施形態２のように、リード１４は第１リード１４１および第２リード１４２に加えて第３リード１４３を含んでいてもよい。この場合、第３リード１４３は、放熱部材として機能してもよいし、第１リード１４１および第２リード１４２と同様に電極として機能してもよい。
【００１７】
図１Ｅで示すように、第１リード１４１は、本体部１４１ａと、本体部１４１ａと連続する幅狭部１４１ｂと、を有していることが好ましい。幅狭部１４１ｂは、本体部１４１ａから延出し、上面視において延出の方向に対して垂直な方向における幅が本体部１４１ａの幅よりも狭い部位である。第２リード１４２は、略矩形形状の本体部１４２ａを有する。
【００１８】
第１リード１４１は、第１側部１４１１、第２側部１４１２、第３側部１４１３、第４側部１４１４、第５側部１４１５および第６側部１４１６を備え、第２リード１４２は、第１側部１４２１、第２側部１４２２、第３側部１４２３および第４側部１４２４を有する。第１リード１４１の第１側部１４１１と第２リード１４２の第１側部１４２１とは外側面１０ｃと対向し、第１リード１４１の第４側部１４１４と第２リード１４２の第４側部１４２４とは外側面１０ｆと対向し、第１リード１４１の第５側部１４１５は外側面１０ｄと対向し、第１リード１４１の第６側部１４１６は外側面１０ｅと対向している。また、第１リード１４１の第２側部１４１２と第２リード１４２の第２側部１４２２は対向し、第１リード１４１の第３側部１４１３と第２リード１４２の第３側部１４２３とが対向している。
【００１９】
第１リード１４１の第１側部１４１１および第２リード１４２の第１側部１４２１は、上面視において、略面一になる、又は、第２リード１４２の第１側部１４２１が第１リード１４１の第１側部１４１１よりも内側に位置することが好ましい。同様に、第１リード１４１の第４側部１４１４および第２リード１４２の第４側部１４２４は、上面視において、略面一になる、又は、第２リード１４２の第４側部１４２４が第１リード１４１の第４側部１４１４よりも内側に位置することが好ましい。これにより、上面視において、第１リード１４１の上下方向および左右方向の最大幅がリード１４の最大幅となり、発光装置１の小型化が可能となる。
【００２０】
第１リード１４１が本体部１４１ａと幅狭部１４１ｂとを有し、第１リード１４１の第２側部１４１２および第３側部１４１３と第２リード１４２の第２側部１４２２および第３側部１４２３とを対向して配置させることで、図１Ｆで示すように、第１リード１４１と第２リード１４２との離間領域Ｐ、Ｑそれぞれの仮想延長線上にいずれもリード１４が位置するので、パッケージ１０の強度を向上させることができる。
【００２１】
第１リード１４１が本体部１４１ａと幅狭部１４１ｂとを有する場合、発光素子２０は本体部１４１ａ上に載置され、半導体素子３０は幅狭部１４１ｂ上に載置されることが好ましい。これにより、例えば、発光素子２０および半導体素子３０それぞれをリード１４に接続するハンダやバンプなどの接合部材が意図せず他方の接合部材と接触することを抑制することができる。また、後述する１つのワイヤ４０の第１ワイヤ部４１と第２ワイヤ部４２とをそれぞれ第１リード１４１の第２側部１４１２と第３側部１４１３から延ばすことで、各ワイヤ部同士の接触を抑制でき、不要な電気的な抵抗の発生を抑制することができる。
【００２２】
上面視における各側部には延伸部Ｙが設けられていてもよい。本実施形態におけるリード１４では、第１リード１４１の第４側部１４１４、第６側部１４１６および第２リード１４２の第４側部１４２４の中央近傍に延伸部Ｙが設けられている。延伸部Ｙは、第１リード１４１および第２リード１４２の一部であり、第１リード１４１および第２リード１４２の本体部１４１ａまたは幅狭部１４１ｂからパッケージ１０の外側面１０ｅ、１０ｆに向かって延伸している。延伸部Ｙは、上面視において延出の方向に対して垂直な方向における幅が本体部１４１ａの幅および幅狭部１４１ｂの幅よりも狭い。第１リード１４１の第４側部１４１４、第６側部１４１６および第２リード１４２の第４側部１４２４にある延伸部Ｙの端面は、パッケージ１０の外側面１０ｅ、１０ｆにおいて露出している。また、パッケージ１０の外側面１０ｅ、１０ｆにおいて、延伸部Ｙの端面は、樹脂部１２と略同一平面となっている。
【００２３】
リード１４の上面には、溝Ｔが設けられていてもよい。本実施形態におけるリード１４では、溝Ｔは、パッケージ１０の外周に沿って第１リード１４１の上面の一部および第２リード１４２の上面の一部に配置されている。溝Ｔ内には、樹脂部１２の一部が充填される。このような溝Ｔを設けることで、樹脂部１２とリード１４との接合強度が向上する。溝は、１つのリード１４において、連続した１つの溝であってもよいし、本実施形態におけるように、１つのリード１４に２つ以上の溝Ｔが形成され、溝と溝の間に平坦領域を有するように配置してもよい。
【００２４】
第１リード１４１および第２リード１４２は、各側部に沿って、各側部の下面側に側縁溝部（網掛けのハッチングで示す）を有する。側縁溝部は、下面から上面側に窪んでいる。側縁溝部は、エッチング加工やプレス加工等によって形成することができる。
【００２５】
リード１４は、それぞれ、基材と基材を被覆する金属層とを有する。基材は、板状の部材であることが好ましい。基材は、例えば、銅、アルミニウム、金、銀、鉄、ニッケル、又はこれらの合金、燐青銅、鉄入り銅などの金属を含む。これらは単層であってもよいし、積層構造（例えば、クラッド材）であってもよい。特に、基材には安価で放熱性が高い銅を用いることが好ましい。金属層は、例えば、銀、アルミニウム、ニッケル、パラジウム、ロジウム、金、銅、又はこれらの合金などを含む。なお、リードは、金属層が設けられていない領域を有していてもよい。また、リードの上面に形成される金属層と、リードの下面に形成される金属層とが異なっていてもよい。例えば、リードの上面に形成される金属層は、ニッケルの金属層を含む複数層からなる金属層であり、リードの下面に形成される金属層は、ニッケルの金属層を含まない金属層である。また、リードの最表面に銀を含むメッキ層が形成される場合は、銀を含むメッキ層の表面に酸化ケイ素等の保護層が設けられることが好ましい。これにより、大気中の硫黄成分等により銀を含むメッキ層が変色することを抑制できる。保護層の成膜方法は、例えばスパッタ等の真空プロセスによって成膜することができるが、その他の既知の方法を用いてもよい。
【００２６】
樹脂部１２は、母材となる樹脂材料として、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂などを用いることができる。具体的には、エポキシ樹脂組成物、シリコーン樹脂組成物、シリコーン変性エポキシ樹脂などの変性エポキシ樹脂組成物、エポキシ変性シリコーン樹脂などの変性シリコーン樹脂組成物、不飽和ポリエステル樹脂、飽和ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂組成物、変性ポリイミド樹脂組成物等の硬化体、ポリフタルアミド（ＰＰＡ）、ポリカーボネート樹脂、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）、液晶ポリマー（ＬＣＰ）、ＡＢＳ樹脂、フェノール樹脂、アクリル樹脂、ＰＢＴ樹脂等の樹脂を用いることができる。特に、エポキシ樹脂組成物や変性シリコーン樹脂組成物の熱硬化性樹脂を用いることが好ましい。
【００２７】
樹脂部１２は、光反射性物質を含有することができる。光反射性物質としては、発光素子からの光を吸収しにくく、かつ、母材となる樹脂材料に対して屈折率差の大きい材料を用いることができる。このような光反射性物質の例は、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化ケイ素、酸化ジルコニウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム等である。
【００２８】
樹脂部１２は、発光装置１のコントラストを向上させるために、発光装置１の外光（多くの場合、太陽光）に対して光反射率が低いものを用いてもよい。この場合、通常は黒色ないしそれに近似した色であることが好ましい。この時の充填剤としてはアセチレンブラック、活性炭、黒鉛などのカーボンや、酸化鉄、二酸化マンガン、酸化コバルト、酸化モリブデンなどの遷移金属酸化物、もしくは有色有機顔料などを目的に応じて利用することができる。
【００２９】
（発光素子２０、半導体素子３０）
発光素子２０と半導体素子３０は、いずれも、リード１４の上面に載置される。発光素子２０には発光ダイオード素子などが用いられる。半導体素子３０には保護素子や、発光ダイオード素子などの発光素子などが用いられる。発光素子は、特に、紫外〜可視域の発光が可能な窒化物半導体（ＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ、０≦ｘ、０≦ｙ、ｘ＋ｙ≦１）を含むことが好ましい。本実施形態では、発光装置１は、１つの発光素子２０と１つの半導体素子３０とを備えているが、これに限らない。例えば、発光装置は、発光素子および／または半導体素子をそれぞれ２つ以上備えることができる。また、発光装置は、１つの発光素子と１つの半導体素子として、２つの発光素子を備えることができる。発光装置が２つの発光素子を備える場合は、例えば、青色光を出射する発光素子と緑色光を出射する発光素子を用いることができる。発光装置が、３つの発光素子を備える場合、青色光を出射する発光素子、緑色光を出射する発光素子および赤色光を出射する発光素子を用いることができる。
【００３０】
発光素子２０の上面と半導体素子３０の上面とは、高さ方向において、異なる高さに位置させることができる。例えば、発光素子２０の上面は、高さ方向において半導体素子３０の上面よりも高い位置にある。これにより、後述するワイヤ接続工程において、発光素子２０側から半導体素子３０側へのワイヤ４０の接続を容易にする。なお、発光素子２０の上面と半導体素子３０の上面とは同じ高さであってもよく、また半導体素子３０の上面が発光素子２０の上面よりも高くてもよい。
【００３１】
発光素子２０と半導体素子３０は、いずれもアノード電極とカソード電極を有している。発光素子２０および半導体素子３０は、後述するワイヤ４０によって、またはワイヤ４０とその他のワイヤ及び接合部材によってリード１４と接合される。接合部材としては、例えば、錫−ビスマス系、錫−銅系、錫−銀系、金−錫系などの半田、銀、金、パラジウムなどの導電性ペースト、バンプ、異方性導電材、低融点金属などのろう材等を用いることができる。
【００３２】
（１つのワイヤ４０）
発光装置１は、発光素子２０、半導体素子３０およびリード１４を接続する１つのワイヤ４０を有している。具体的には、発光素子２０のアノード電極２２、半導体素子３０のカソード電極および第２リード１４２を接続する１つのワイヤ４０を有している。このように１つのワイヤ４０で発光素子２０、半導体素子３０およびリード１４を接続することにより、リード１４上において、ワイヤ４０を接続するための領域を発光素子２０および半導体素子３０のそれぞれで確保する必要がなくなる。その結果、リード１４の面積を削減して小型の発光装置１を提供することが可能になる。
【００３３】
発光装置１において、発光素子２０は、発光素子２０の上面側にカソード電極２４およびアノード電極２２の双方が位置する。半導体素子３０は、半導体素子３０の上面側にカソード電極が位置し、下面側にアノード電極が位置している。１つのワイヤ４０は、発光素子２０のアノード電極２２と半導体素子３０のカソード電極と第２リード１４２とを電気的に接続している。また、発光素子２０のカソード電極２４は、１つのワイヤ４０とは別のワイヤ４３で第１リード１４１と電気的に接続され、半導体素子３０のアノード電極は前述した接合部材を介して第１リード１４１と電気的に接続されている。このように接続することで、実施形態１の発光装置１では、発光素子２０と半導体素子３０が並列に接続される。半導体素子３０としてツェナーダイオード等の保護素子を用いた場合、発光素子２０に過度な逆電流が流れることを抑制でき、発光装置１の静電耐圧を向上させることができる。なお、第１リード１４１、発光素子２０および半導体素子３０の接続方法は、上記に限られない。例えば、発光素子のカソード電極が発光素子の下面側に位置する場合は、発光素子のカソード電極は接合部材を介して第１リードと電気的に接続してもよい。また、半導体素子が上面側にカソード電極およびアノード電極の双方が位置する場合は、さらに別のワイヤを用いて半導体素子のアノード電極と第１リードとを電気的に接続してよい。
【００３４】
１つのワイヤ４０は、発光素子２０と第２リード１４２とを接続する第１ワイヤ部４１と、半導体素子３０と第２リード１４２とを接続する第２ワイヤ部４２とを有する。本実施形態では、第１ワイヤ部４１は、第１リード１４１の第２側部１４１２および第２リード１４２の第２側部１４２２の上方を通って発光素子２０と第２リード１４２とを接続している。第２ワイヤ部４２は、第１リード１４１の第３側部１４１３および第２リード１４２の第３側部１４２３の上方を通って、半導体素子３０と第２リード１４２とを接続している。このように各ワイヤ４０部それぞれが延びる方向を異ならせることで各ワイヤ部の意図しない接触を抑制することができる。
【００３５】
また、第１ワイヤ部４１または第２ワイヤ部４２のうち、長さの長いワイヤ部は、他方のワイヤ部よりも湾曲していないことが好ましい。これにより、長さの長いワイヤ部の下方に位置する封止部材５０の体積を減らすことができ、封止部材５０に熱が加わったときの封止部材５０の伸縮による応力によりワイヤ４０が断線することを抑制することができる。本実施形態における発光装置１では、第１ワイヤ部４１の長さが第２ワイヤ部４２の長さより長く、第１ワイヤ部４１は直線状になっており、第２ワイヤ部４２は上方向に湾曲する形状になっている。
【００３６】
１つのワイヤ４０等のワイヤは、具体的には、金、銅、銀、白金、アルミニウム、パラジウム等の金属またはこれらの合金の金属線を用いることができる。特に、封止部材５０からの応力による破断が生じにくく、熱抵抗などに優れる金線または金合金線が好ましい。また、光反射性を高めるために、少なくとも表面が銀または銀合金で構成されていてもよい。ワイヤが金と銀を含む合金ワイヤである場合、銀の含有比率は、例えば、１５〜２０％、４５〜５５％、７０〜９０％または９５％〜９９％とすることができる。ワイヤの線径は、適宜選択できるが、５μｍ以上５０μｍ以下が好ましく、１０μｍ以上４０μｍ以下がより好ましく、１５μｍ以上３０μｍ以下がよりいっそう好ましい。
【００３７】
（封止部材５０）
パッケージ１０の凹部Ｘには、発光素子２０や半導体素子３０を保護すべく、封止部材５０が設けられていることが好ましい。封止部材５０には蛍光体や拡散剤などが含有されていてもよい。
【００３８】
以上説明した実施形態１に係る発光装置１によれば、発光素子２０、半導体素子３０およびリード１４が１つのワイヤ４０で接続されるため、リード１４上において、ワイヤ４０を接続するための領域を発光素子２０および半導体素子３０のそれぞれで確保する必要がない。したがって、リード１４の面積を削減して小型の発光装置１を提供することが可能になる。
【００３９】
［実施形態２に係る発光装置２］
図２Ａは実施形態２に係る発光装置の模式的平面図である。図２Ｂは図２Ａ中の２Ｂ−２Ｂ線における断面を示す模式的断面図であり、図２Ｃは実施形態２に係る発光装置の模式的底面図である。図２Ａにおいては、樹脂部や封止部材などに覆われて直接的には見えない部材または部材の一部分を点線で示している。ただし、ワイヤについては図２Ａにおいても実線で示している。
【００４０】
図２Ａから図２Ｃに示すように、実施形態２に係る発光装置２では、リード１４はさらに第３リード１４３を有し、発光素子２０は第１リード１４１上に載置され、半導体素子３０は第３リード１４３上に載置される。また、発光素子２０のカソード電極は第１リード１４１と電気的に接続され、半導体素子３０のアノード電極は第３リード１４３と電気的に接続され、発光素子２０のアノード電極および半導体素子３０のカソード電極は１つのワイヤ４０を介して第２リード１４２に接続される。実施形態２に係る発光装置２によっても、発光素子２０、半導体素子３０およびリード１４が１つのワイヤ４０で接続されるため、リード１４上において、ワイヤ４０を接続するための領域を発光素子２０および半導体素子３０のそれぞれで確保する必要がない。したがって、リード１４の面積を削減して小型の発光装置２を提供することが可能になる。
【００４１】
なお、本実施形態においては、半導体素子３０として発光素子を用いることができる。これにより、例えば、２つの発光素子の電極間を１つのワイヤ４０で接続することができるため、発光素子からの光がワイヤによって吸収される割合を低減することができる。また、第１リード１４１上には保護素子８０を載置することが好ましい。この場合、保護素子８０のアノード電極は接合部材を介して第１リード１４１に電気的に接続することができ、保護素子８０のアノード電極はワイヤ９０を介して第３リード１４３に電気的に接続することができる。
【００４２】
［実施形態１に係る発光装置１の製造方法］
図３Ａから図３Ｄは、実施形態１に係る発光装置の製造方法を説明する模式的平面図である。図３Ｄにおいては、樹脂部や封止部材などに覆われて直接的には見えない部材または部材の一部分を点線で示している。ただし、ワイヤについては図３Ｄにおいても実線で示している。
【００４３】
図３Ａから図３Ｄに示すように、実施形態１に係るに係る発光装置１の製造方法は、第１リード１４１および第２リード１４２を含むリード１４を有するパッケージ１０を準備する工程（図３Ａ参照）と、リード１４の上面に発光素子２０および半導体素子３０を載置する工程（図３Ｂ参照）と、発光素子２０、リード１４、および半導体素子３０を連続して１つのワイヤ４０で接続する工程（図３Ｃ参照）と、封止部材５０を設ける工程（図３Ｄ参照）と、を有する。以下、各工程について説明する。
【００４４】
（パッケージ１０を準備する工程）
まず、図３Ａに示すように、第１リード１４１および第２リード１４２を含むリード１４を有するパッケージ１０を準備する。本工程において、例えば、第１リード１４１は、本体部１４１ａと、本体部１４１ａから延出し、上面視において延出の方向に対して垂直な方向における幅が本体部１４１ａの幅よりも狭い幅狭部１４１ｂとを有している。
【００４５】
（発光素子２０および半導体素子３０を載置する工程）
次に、図３Ｂに示すように、リード１４の上面に発光素子２０および半導体素子３０を載置する。本工程において、例えば、発光素子２０は本体部１４１ａの上面に載置され、半導体素子３０は幅狭部１４１ｂの上面に載置される。また、半導体素子３０は例えば保護素子である。また、発光素子２０のカソード電極２４はワイヤ４３を介して第１リード１４１に電気的に接続され、半導体素子３０のカソード電極は接合部材を介して第１リード１４１と電気的に接続される。
【００４６】
（ワイヤ４０で接続する工程）
次に、図３Ｃに示すように、発光素子２０、リード１４、および半導体素子３０を連続して１つのワイヤ４０で接続する。１つのワイヤ４０の軌跡としては、例えば、発光素子２０の電極を始点として、発光素子２０の電極、第２リード１４２および保護素子３０の上面の順で接続される。ワイヤ４０が接する各部において、ワイヤに荷重および／または超音波振動を加えることが好ましい。これにより、一つのワイヤ４０と各部との密着強度が向上する。ワイヤに加える荷重および／または超音波振動は、各部で同じであってもよく、また各部で異なっていてもよい。例えば、１つのワイヤの終点（例えば、保護素子３０の上面）で加える荷重および／または超音波振動は、中間点（例えば、第２リード１４２）で加える荷重および／または超音波振動よりも大きくすることができる。本工程の一例において、発光素子２０のアノード電極２２、第２リード１４２、および半導体素子３０のカソード電極はこの順で１つのワイヤ４０を介して接続される。なお、半導体素子３０を始点として、逆方向の順番で接続することも可能である。
【００４７】
（封止部材５０を設ける工程）
封止部材５０を設ける工程では、例えば、ポッティングなどによって、パッケージ１０の凹部Ｘに封止部材５０を充填する。
【００４８】
以上説明した実施形態１に係る発光装置１の製造方法によれば、発光素子２０、リード１４、および半導体素子３０を連続して１つのワイヤ４０で接続するため、リードタイムを短縮することができる。したがって、上記した実施形態１に係る発光装置１を効率良く生産することが可能になる。
【００４９】
［実施形態２に係る発光装置２の製造方法］
図４Ａから図４Ｄは、実施形態２に係る発光装置の製造方法を説明する模式的平面図である。図４Ｄにおいては、樹脂部や封止部材などに覆われて直接的には見えない部材または部材の一部分を点線で示している。ただし、ワイヤについては図４Ｄにおいても実線で示している。
【００５０】
図４Ａから図４Ｄに示すように、実施形態２に係るに係る発光装置２の製造方法も、実施形態１に係るに係る発光装置１の製造方法と同様に、第１リード１４１、第２リード１４２および第３リード１４３を含むリード１４を有するパッケージ１０を準備する工程（図４Ａ参照）と、リード１４の上面に発光素子２０および半導体素子３０を載置する工程（図４Ｂ参照）と、発光素子２０、リード１４、および半導体素子３０を連続して１つのワイヤ４０で接続する工程（図４Ｃ参照）と、封止部材５０を設ける工程（図４Ｄ参照）と、を有する。ただし、次の点で、実施形態２に係る発光装置２の製造方法は、実施形態１に係る発光装置１の製造方法とは異なる。
【００５１】
（パッケージ１０を準備する工程）
実施形態２に係る発光装置２の製造方法では、パッケージ１０を準備する工程において、リード１４はさらに第３リード１４３を有している。
【００５２】
（発光素子２０および半導体素子３０を載置する工程）
実施形態２に係る発光装置２の製造方法では、発光素子２０および半導体素子３０を載置する工程において、発光素子２０は第１リード１４１上に載置され、半導体素子３０は第３リード１４３上に載置される。また、発光素子２０のカソード電極はワイヤ６０を介して第１リード１４１と電気的に接続され、半導体素子３０のアノード電極はワイヤ７０を介して第３リード１４３と電気的に接続される。
【００５３】
以上説明した実施形態２に係る発光装置２の製造方法によれば、発光素子２０、リード１４、および半導体素子３０（例えば、発光素子）を連続して１つのワイヤ４０で接続するため、リードタイムを短縮することができる。したがって、上記した実施形態２に係る発光装置２を効率良く生産することが可能になる。
【００５４】
以上、実施形態について説明したが、これらの説明によって特許請求の範囲に記載された構成は何ら限定されるものではない。
【符号の説明】
【００５５】
１、２  発光装置
１０    パッケージ
１０ａ  パッケージの上面
１０ｂ  パッケージの下面
１０ｃ、１０ｄ、１０ｅ、１０ｆ  パッケージの外側面
１２    樹脂部
１４      リード
１４１    第１リード
１４１ａ  本体部
１４１ｂ  幅狭部
１４１１  第１リードの第１側部
１４１２  第１リードの第２側部
１４１３  第１リードの第３側部
１４１４  第１リードの第４側部
１４１５  第１リードの第５側部
１４１６  第１リードの第６側部
１４２    第２リード
１４２ａ  本体部
１４２１  第２リードの第１側部
１４２２  第２リードの第２側部
１４２３  第２リードの第３側部
１４２４  第２リードの第４側部
１４３    第３リード
２０  発光素子
２２  発光素子のアノード電極
２４  発光素子のカソード電極
３０  半導体素子
４０  ワイヤ
４１  第１ワイヤ部
４２  第２ワイヤ部
５０  封止部材
６０  ワイヤ
７０  ワイヤ
８０  保護素子
９０  ワイヤ
Ｘ    凹部
Ｙ    延伸部
Ｔ    溝 
【図１Ａ】
2019153662.tif 000003
【図１Ｂ】
2019153662.tif 000004
【図１Ｃ】
2019153662.tif 000005
【図１Ｄ】
2019153662.tif 000006
【図１Ｅ】
2019153662.tif 000007
【図１Ｆ】
2019153662.tif 000008
【図２Ａ】
2019153662.tif 000009
【図２Ｂ】
2019153662.tif 000010
【図２Ｃ】
2019153662.tif 000011
【図３Ａ】
2019153662.tif 000012
【図３Ｂ】
2019153662.tif 000013
【図３Ｃ】
2019153662.tif 000014
【図３Ｄ】
2019153662.tif 000015
【図４Ａ】
2019153662.tif 000016
【図４Ｂ】
2019153662.tif 000017
【図４Ｃ】
2019153662.tif 000018
【図４Ｄ】
2019153662.tif 000019