(57)【要約】 【課題】アスペクト比が高くても低抵抗で下層とコンタクトすることができる半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】本実施形態による半導体装置は下層を備える。第１膜が下層上に設けられている。第１側壁膜が、第１膜内に設けられたコンタクトホール内の側壁に、該コンタクトホールの下端から上端まで被覆する。第２側壁膜が、コンタクトホール内の側壁に第１側壁膜を介して設けられ、第１側壁膜の下端よりも高い位置からコンタクトホールの上端まで被覆する。導電体がコンタクトホール内の第１および第２側壁膜の内側に設けられている。上層が第１膜上に設けられている。【選択図】図１
2019153694.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下層と、
前記下層上に設けられた第１膜と、
前記第１膜内に設けられたコンタクトホール内の側壁に、該コンタクトホールの下端から上端まで被覆する第１側壁膜と、
前記コンタクトホール内の側壁に前記第１側壁膜を介して設けられ、前記第１側壁膜の下端よりも高い位置から前記コンタクトホールの上端まで被覆する第２側壁膜と、
前記コンタクトホール内の前記第１および第２側壁膜の内側に設けられた導電体と、
前記第１膜上に設けられた上層とを備えた半導体装置。
【請求項２】
前記コンタクトホールの下部における前記導電体と前記コンタクトホールの側壁との間には、前記第１側壁膜が設けられており、前記第２側壁膜は設けられておらず、
前記コンタクトホールの上部における前記導電体と前記コンタクトホールの側壁との間には、前記第１および第２側壁膜が設けられている、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第１および第２側壁膜には、シリコン酸化膜またはシリコン窒化膜が用いられている、請求項１または請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
下層上に第１膜を形成し、
前記第１膜に該第１膜の上面から前記下層まで達するコンタクトホールを形成し、
第１供給量の成膜原料ガスを供給して、前記コンタクトホール内の底面および側面に成膜して第１側壁膜を形成し、
前記第１供給量よりも少ない第２供給量で前記成膜原料ガスを供給して、前記コンタクトホール内の底面および側面の下部には成膜せずかつ該側面の上部に成膜して第２側壁膜を形成し、
前記第２側壁膜をマスクとして、前記コンタクトホールの底面上に形成された前記第１側壁膜を前記下層が露出されるまでエッチングし、
前記コンタクトホール内に導電体を埋め込むことを具備した半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記第２側壁膜の形成において、前記成膜原料ガスの供給時間は、前記第１側壁膜の形成時における前記成膜原料ガスの供給時間よりも短い、請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本実施形態は、半導体装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の微細化に伴い、基板または配線等の上に設けられるコンタクトプラグのアスペクト比が高くなっている。アスペクト比の高いコンタクトホールを形成する際に、コンタクトホールの内壁に堆積物が付着したり、逆にコンタクトホールの内壁が抉れると、コンタクトホールの底部の形状が、元の設計上のレイアウト形状と大きく異なり歪んだ形状となる。この場合、コンタクトホールの内面にスペーサ膜を形成したときに、スペーサ膜がコンタクトホールの底面において局所的に厚く形成されることがある。
【０００３】
スペーサ膜がコンタクトホールの底面に厚く形成されると、コンタクトホールの側面にスペーサ膜を残置させたまま、その底面のスペーサ膜を除去することが困難となる。この場合、下層に対するコンタクト抵抗が高くなり、コンタクト不良が生じる易くなる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００９−０６００７４号公報（米国特許公開第２００９／００６１６１５号公報）
【特許文献２】特開２００８−３０５９２１号公報
【特許文献３】特開平９−２２８８２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
アスペクト比が高くても低抵抗で下層とコンタクトすることができる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本実施形態による半導体装置は下層を備える。第１膜が下層上に設けられている。第１側壁膜が、第１膜内に設けられたコンタクトホール内の側壁に、該コンタクトホールの下端から上端まで被覆する。第２側壁膜が、コンタクトホール内の側壁に第１側壁膜を介して設けられ、第１側壁膜の下端よりも高い位置からコンタクトホールの上端まで被覆する。導電体がコンタクトホール内の第１および第２側壁膜の内側に設けられている。上層が第１膜上に設けられている。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本実施形態による半導体装置のコンタクト部の構成例を示す断面図。
【図２】歪んだコンタクトホールの底部の形状を示す断面図。
【図３】本実施形態によるコンタクトホールの底部の形状を示す断面図。
【図４】本実施形態による半導体装置の製造方法の一例を示す断面図。
【図５】コンタクトホールの底面形状の一例を示す平面図。
【図６】図４に続く、半導体装置の製造方法の一例を示す断面図。
【図７】図６に続く、半導体装置の製造方法の一例を示す断面図。
【図８】図７に続く、半導体装置の製造方法の一例を示す断面図。
【図９】図８に続く、半導体装置の製造方法の一例を示す断面図。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、図面を参照して本発明に係る実施形態を説明する。本実施形態は、本発明を限定するものではない。以下の実施形態において、半導体基板の上下方向は、半導体素子が設けられる面を上とした場合の相対方向を示し、重力加速度に従った上下方向と異なる場合がある。図面は模式的または概念的なものであり、各部分の比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。明細書と図面において、既出の図面に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
【０００９】
図１は、本実施形態による半導体装置のコンタクト部の構成例を示す断面図である。本実施形態による半導体装置１は、ＮＡＮＤ形ＥＥＰＲＯＭ（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory）等の半導体メモリであってもよく、その他の半導体集積回路装置であってもよい。コンタクト部ＣＮＴは、例えば、下層配線層と上層配線層との間を電気的に接続するコンタクトであってもよい。あるいは、コンタクト部ＣＮＴは、下層としての半導体基板と上層としての配線との間を電気的に接続してもよい。あるいは、コンタクト部ＣＮＴは、３次元的にメモリセルを配列した立体型メモリセルアレイのメモリホールに適用してもよい。
【００１０】
コンタクト部ＣＮＴは、下層１０と、層間絶縁膜２０と、上層３０と、第１側壁膜４０と、第２側壁膜５０と、コンタクトプラグ６０とを備えている。
【００１１】
下層１０は、例えば、半導体基板あるいは下層配線層等でよい。コンタクトプラグ６０は、半導体基板に設けられた不純物拡散層や下層配線層の配線に電気的に接続する。第１膜としての層間絶縁膜２０は、下層１０上に設けられており、下層１０と上層３０との間を電気的に分離している。上層３０は、層間絶縁膜２０上に設けられており、例えば、上層配線層等でよい。上層３０の配線は、コンタクトプラグ６０を介して下層１０の不純物拡散層や配線に電気的に接続される。
【００１２】
層間絶縁膜２０内には、コンタクトホールＣＨが設けられている。コンタクトホールＣＨは、層間絶縁膜２０の上面から下層１０の上面まで設けられており、その内部にはコンタクトプラグ６０が設けられている。コンタクトホールＣＨは、開口径にする深さの比（アスペクト比）において高い。例えば、アスペクト比は、約２０以上である。
【００１３】
第１側壁膜４０は、コンタクトホールＣＨ内の側面に、コンタクトホールＣＨの下部から上部まで被覆するように設けられている。即ち、第１側壁膜４０は、コンタクトホールＣＨの下端Ｅｂから上端Ｅｔまでの側面全体を被覆している。第１側壁膜４０には、例えば、シリコン酸化膜またはシリコン窒化膜等の絶縁膜を用いている。
【００１４】
第２側壁膜５０は、コンタクトホールＣＨ内の側面に第１側壁膜４０を介して設けられている。第２側壁膜５０は、第１側壁膜４０の下端Ｅｂよりも高い中間位置ＥｍからコンタクトホールＣＨの上端Ｅｔまで被覆している。第２側壁膜５０には、例えば、シリコン酸化膜またはシリコン窒化膜等の絶縁膜を用いている。
【００１５】
このように、第１側壁膜４０は、コンタクトホールＣＨの内壁の全体を被覆している。これに対し、第２側壁膜５０は、コンタクトホールＣＨの内壁の上部を被覆しているものの、その内壁の下部には設けられていない。即ち、コンタクトホールの下部において、コンタクトプラグ６０とコンタクトホールＣＨの側面との間には、第１側壁膜４０が一層だけ設けられており、第２側壁膜５０は設けられていない。一方、コンタクトホールの上部においては、コンタクトプラグ６０とコンタクトホールＣＨの側面との間には、第１および第２側壁膜４０、５０がともに設けられており、二層となっている。
【００１６】
これにより、後述するように、コンタクトプラグ６０の底面と下層１０との接触面積が過剰に狭くなることを抑制し、コンタクトプラグ６０と下層１０とのコンタクト抵抗を比較的低く維持することができる。
【００１７】
もし、コンタクトホールＣＨを形成する際に、コンタクトホールＣＨの内壁に堆積物が付着したり、逆にコンタクトホールＣＨの内壁が抉れると、コンタクトホールＣＨの底部の形状が、もとのレイアウト形状から大きく異なり歪んだ形状となる。例えば、図２は、歪んだコンタクトホールＣＨの底部の形状を示す断面図である。尚、図２には、スペーサ膜４１を成膜した直後のコンタクトホールＣＨの断面を示す。コンタクトホールＣＨの内壁に堆積物が付着したり、あるいは、内壁が抉れると、図２に示すようにコンタクトホールＣＨの底部の形状が先細ってしまうことがある。この場合、スペーサ膜４１をカバレッジの良い条件で一度に成膜すると、スペーサ膜４１は、コンタクトホールＣＨの底部において局所的に厚く形成される場合がある。図２では、スペーサ膜４１は、コンタクトホールＣＨの底部にＴＨ１の厚みで形成されている。ＴＨ１は、コンタクトホールＣＨの側面に設けられたＴＨ２よりもかなり厚い。コンタクトホールＣＨの底部は、コンタクトプラグ６０が下層１０に接触するために開口する必要がある。しかし、図２に示すようにスペーサ膜４１がコンタクトホールＣＨの底部に非常に厚く形成されると、コンタクトホールＣＨの底部はエッチバックしても貫通し難くなってしまう。
【００１８】
これに対し、図３は、本実施形態によるコンタクトホールＣＨの底部の形状を示す断面図である。尚、図３も、コンタクトホール内に側壁膜を成膜した直後のコンタクトホールＣＨの断面を示す。コンタクトホールＣＨは、図２に示すコンタクトホールＣＨと同様に、底部の形状が先細っている。ここで、スペーサ膜４１よりも膜厚の薄い第１側壁膜４０は、コンタクトホールＣＨの内壁の全体を比較的薄く被覆している。第１側壁膜４０は、図２に示すスペーサ膜４１と同様にカバレッジの良い成膜条件で形成されるが、スペーサ膜４１よりも薄く形成される。従って、図３に示すように、コンタクトホールＣＨの底部における第１側壁膜４０の厚みＴＨ１１は、コンタクトホールＣＨの側面における厚みＴＨ１２よりも厚いものの、それらの膜厚差は小さい。
【００１９】
さらに、本実施形態では、第２側壁膜５０は、第１側壁膜４０よりもカバレッジの悪い成膜条件で形成されている。これにより、第２側壁膜５０がコンタクトホールＣＨの内壁の上部を被覆し、その下部には設けられていない。即ち、コンタクトホールＣＨの下部においては、その側壁に第１側壁膜４０の一層が設けられており、コンタクトホールＣＨの上部においては、その側壁に第１および第２側壁膜４０、５０の二層が設けられている。
【００２０】
これにより、コンタクトホールＣＨの底部には、膜厚の比較的薄い第１側壁膜４０が設けられているだけである。従って、コンタクトホールＣＨの底部の第１側壁膜４０は、エッチバックによって、比較的容易に除去することができる。
【００２１】
また、コンタクトホールＣＨの上部においては、第１および第２側壁膜４０、５０の二層が比較的厚く形成されている。従って、コンタクトホールＣＨの底部の第１側壁膜４０をエッチバックする際に、第２側壁膜５０がマスクとして機能する。これにより、エッチバックの際に、コンタクトホールＣＨの側壁にある厚みの比較的薄い第１側壁膜４０を過剰に除去することなく、コンタクトホールＣＨの底部にある厚みの比較的厚い第１側壁膜４０を選択的にかつ確実に除去することができる。その結果、図１のコンタクトプラグ６０は、コンタクトホールＣＨのアスペクト比が高くても低抵抗で下層１０とコンタクトすることができる。
【００２２】
次に、本実施形態による半導体装置１の製造方法について説明する。
【００２３】
図４は、本実施形態による半導体装置の製造方法の一例を示す断面図である。まず、半導体基板上に半導体素子（図示せず）を形成した後、半導体基板上に配線を形成する。本実施形態による下層１０は、例えば、半導体基板または配線でよい。
【００２４】
次に、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法等を用いて、下層１０上に第１膜としての層間絶縁膜２０が形成される。層間絶縁膜２０は、例えば、シリコン酸化膜との絶縁膜である。
【００２５】
次に、リソグラフィ技術およびＲＩＥ（Reactive Ion Etching）法を用いて、図４に示すように、層間絶縁膜２０の上面から下層１０に達するようにコンタクトホールＣＨを形成する。コンタクトホールＣＨのアスペクト比は、非常に高い。例えば、コンタクトホールＣＨの深さは約９μｍであり、コンタクトホールＣＨの開口径は約２００ｎｍであり、コンタクトホールＣＨの底面の径は、約１５０ｎｍである。
【００２６】
アスペクト比の高いコンタクトホールＣＨを形成する際に、コンタクトホールＣＨの内壁に堆積物が付着したり、コンタクトホールＣＨの内壁が抉れると、その堆積物や抉れをマスクとしてコンタクトホールＣＨがエッチングされる。このため、コンタクトホールＣＨの底面形状が歪んだ形状となる。例えば、図５（Ａ）および図５（Ｂ）は、コンタクトホールＣＨの底面形状の一例を示す平面図である。例えば、設計上の平面レイアウトが円形であっても、コンタクトホールＣＨの底面形状は、図５（Ａ）に示すように円形とは異なる歪んだ形状になってしまう場合がある。また、設計上の平面レイアウトが長円形あるいは楕円形であっても、コンタクトホールＣＨの底面形状は、図５（Ｂ）に示すように長円形あるいは楕円形とは異なる歪んだ形状になってしまう場合がある。このような場合、上述の通り、コンタクトホールＣＨの底面は、図４に示すように平坦でなく、凹凸状になる場合がある。
【００２７】
次に、低温ＣＶＤ（ＬＴＯ−ＣＶＤ（Low-Temperature Oxide Chemical Vapor Deposition））法または低温ＡＬＤ（ＬＴＯ−ＡＬＤ（Atomic Layer Deposition））法を用いて、図６に示すように第１側壁膜４０をコンタクトホールＣＨの内壁に薄く形成する。このとき、成膜原料ガスは、コンタクトホールＣＨの底部まで届くように、比較的多い第１供給量で供給される。これにより、第１側壁膜４０は、コンタクトホールＣＨ内の底面および側面の全体にカバレッジ良く成膜される。例えば、成膜原料ガスは、アミノシラン系ガスであり、成膜温度は、例えば、約３００℃である。このアミノシラン系ガスの供給量は、第２側壁膜５０における供給量の約１０倍である。これにより、第１側壁膜４０として、例えば、シリコン酸化膜またはシリコン窒化膜がコンタクトホールＣＨ内の底面および側面の全体にカバレッジ良く成膜される。
【００２８】
次に、ＰＥ−ＣＶＤ（Plasma Enhanced-CVD）法またはＰＥ−ＡＬＤ（Plasma Enhanced-ALD）法を用いて、図７に示すように、第２側壁膜５０をコンタクトホールＣＨの内壁の第１側壁膜４０上に形成する。このとき、成膜原料ガスは、コンタクトホールＣＨの底部まで届かないよう、比較的少ない第２供給量で供給される。これにより、第２側壁膜５０は、コンタクトホールＣＨ内の底面に形成されず、その上部側面に成膜される。即ち、第２側壁膜５０は、カバレッジの悪い成膜条件で形成される。例えば、成膜原料ガスは、アミノシラン系ガスであり、成膜温度は、例えば、１００℃以下である。このアミノシラン系ガスの供給量は、第１側壁膜４０における供給量の約１／１０である。これにより、第２側壁膜５０として、例えば、シリコン酸化膜またはシリコン窒化膜がコンタクトホールＣＨの上部側面のみに比較的厚く形成される。
【００２９】
次に、図８に示すように、第２側壁膜５０をマスクとして用いて、コンタクトホールＣＨの底面上に形成された第１側壁膜４０を、下層１０が露出されるまでＲＩＥ法でエッチングする。このように第２側壁膜５０がマスクとして機能するので、コンタクトホールＣＨの側壁にある厚みの比較的薄い第１側壁膜４０を過剰に除去することなく、コンタクトホールＣＨの底部にある厚みの比較的厚い第１側壁膜４０を選択的にかつ確実に除去することができる。従って、層間絶縁膜２０の側面にスペーサ膜として側壁膜４０、５０を形成しつつ、コンタクトホールＣＨの底部において下層１０を確実に露出させることができる。
【００３０】
次に、図９に示すように、コンタクトホールＣＨ内にコンタクトプラグ６０の材料を埋め込む。コンタクトプラグ６０の材料は、例えば、タングステン等の低抵抗の金属材料である。次に、ＣＭＰ法を用いてコンタクトプラグ６０の材料を平坦化することによって、コンタクトプラグ６０が形成される。
【００３１】
その後、他の層間絶縁膜、配線層あるいはメモリセルアレイ等（図示せず）を形成することにより、本実施形態による半導体装置１が完成する。
【００３２】
本実施形態によれば、コンタクトホールＣＨは、底部の形状が平坦でなく、凹凸状に形成されている。しかし、第１側壁膜４０がカバレッジの良い成膜条件でコンタクトホールＣＨの内壁の全体を比較的薄く被覆し、第２側壁膜５０がカバレッジの悪い成膜条件でコンタクトホールＣＨの内壁の上部を被覆する。第２側壁膜５０は、コンタクトホールＣＨの下部には設けられていない。
【００３３】
これにより、コンタクトホールＣＨの底部に設けられるスペーサ膜は、厚みの比較的薄い第１側壁膜４０で形成される。よって、第１側壁膜４０は、エッチバックによって比較的容易に除去することができる。一方、コンタクトホールの上部の側面においては、第１および第２側壁膜４０、５０の二層が、下部の側よりも比較的厚く形成されている。従って、コンタクトホールＣＨの底部の第１側壁膜４０をエッチバックする際に、第２側壁膜５０がマスクとして機能する。これにより、コンタクトホールＣＨの側壁の第１および第２側壁膜４０、５０を過剰に除去することなく、その底部にある第１側壁膜４０を選択的にかつ確実に除去することができる。その結果、コンタクトプラグ６０は、図９に示すように、低抵抗で下層１０とコンタクトすることができる。
【００３４】
（変形例）
上記実施形態において、第１および第２側壁膜４０、５０の形成において、両者のカバレッジを相違させるために、成膜原料ガスの供給量を相違させている。
【００３５】
これに対し、本変形例では、第１および第２側壁膜４０、５０のカバレッジを相違させるために、第２側壁膜５０の成膜原料ガスの供給時間を第１側壁膜４０の成膜原料ガスの供給時間より短くしている。ガス流量が一定の場合には、このように、アミノシラン系ガスの供給量は時間で制御すればよい。これにより、実質的に、第２側壁膜５０の成膜原料ガスの供給量が第１側壁膜４０の成膜原料ガスの供給量より少なくなる。例えば、第１側壁膜４０の成膜時間は、第２側壁膜５０の成膜時間の約１０倍とする。このとき、第１および第２側壁膜４０、５０の他の成膜条件は、等しくてよい。例えば、第１および第２側壁膜４０、５０の成膜原料ガスの流量は、ともに等しく、成膜温度は、それぞれ３００℃および１００℃以下でよい。これにより、膜厚の比較的薄い第１側壁膜４０をカバレッジ良くコンタクトホールＣＨ内の内面全体に形成し、膜厚の比較的厚い第２側壁膜５０をカバレッジ悪くコンタクトホールＣＨの上部内面のみに形成することができる。このようにしても、本実施形態による効果は失われない。
【００３６】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。
【符号の説明】
【００３７】
ＣＮＴ  コンタクト部、１０  下層、２０  層間絶縁膜、３０  上層、４０  第１側壁膜、５０  第２側壁膜、６０  コンタクトプラグ、ＣＨ  コンタクトホール
【図１】
2019153694.tif 000003
【図２】
2019153694.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2019153694.tif 000009
【図８】
2019153694.tif 000010
【図９】
2019153694.tif 000011