(57)【要約】【課題】複数の基板処理部において消費される瞬間最大電力を低減することが可能な基板処理装置、それに用いられる電力制御装置、基板処理方法および電力制御方法を提供する。【解決手段】プロセス状態にある基板処理部が待機状態にある基板処理部よりも高い優先度を有するように、複数の基板処理部の各々に優先度が動的に優先度設定部２６０により設定される。各基板処理部がプロセス状態を維持するために要求される電流および各基板処理部が待機状態を維持するために要求される電流を示す要求情報が情報取得部２３０により取得される。設定された複数の制御周期の各々において、複数の基板処理部に同時に供給される瞬時電流の合計が予め定められた上限値を超えないように、設定された優先度の高い順に、取得された各基板処理部に対応する要求情報に基づいて各基板処理部への電流の供給時間および供給タイミングが決定部２７０により決定される。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電源から電流を供給されて動作する基板処理装置であって、
前記電源から電流を供給されて基板に処理を行うプロセス状態と、前記プロセス状態の電流以下の電流を供給されて基板に処理を行わない待機状態とに遷移する複数の基板処理部と、
前記電源と前記複数の基板処理部との間にそれぞれ接続され、オン状態とオフ状態とに切り替え可能な複数の切替部と、
各基板処理部が前記プロセス状態にあるか前記待機状態にあるかを逐次判定する判定部と、
各基板処理部が前記プロセス状態を維持するために要求される電流および各基板処理部が前記待機状態を維持するために要求される電流を示す要求情報を取得する情報取得部と、
前記判定部による判定ごとに、前記プロセス状態にある基板処理部が前記待機状態にある基板処理部よりも高い優先度を有するように、前記複数の基板処理部の各々に優先度を動的に設定する優先度設定部と、
設定された複数の制御周期の各々において、前記複数の基板処理部に同時に供給される瞬時電流の合計が予め定められた上限値を超えないように、前記優先度設定部により設定された優先度の高い順に、前記情報取得部により取得された各基板処理部に対応する要求情報に基づいて各基板処理部への電流の供給時間および供給タイミングを決定する決定部と、
各制御周期内で、前記決定部により決定された供給時間および供給タイミングに基づいて前記電源から前記複数の基板処理部への電流の供給および遮断をそれぞれ指令する複数の指令信号を生成する指令部と、
前記指令部により生成された複数の指令信号に基づいて前記複数の切替部を前記オン状態または前記オフ状態にそれぞれ切り替える切替制御部とを備える、基板処理装置。
【請求項２】
前記決定部は、前記複数の基板処理部の各々についての電流の供給時間が各制御周期内において規則的に分散して設けられるように前記供給時間および前記供給タイミングを決定する、請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記決定部は、前記複数の基板処理部の各々について各制御周期に対する電流の供給時間の比を各制御周期における電流の供給時間として決定する、請求項１または２記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記複数の基板処理部の処理手順を示す工程情報を取得する工程取得部をさらに備え、
前記判定部は、前記工程取得部により取得された工程情報に基づいて前記複数の基板処理部の各々が前記プロセス状態にあるか、または前記待機状態にあるかを判定する、請求項１〜３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記指令部は、前記複数の基板処理部への電流の供給の制御が同期して行われるように前記指令信号を生成する、請求項１〜４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記複数の基板処理部の各々は、基板を所定の温度に加熱、冷却または維持する温度処理部を含む、請求項１〜５のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記情報取得部は、前記複数の基板処理部における温度をさらに取得し、
前記優先度設定部は、前記情報取得部により取得された温度に基づいて前記複数の基板処理部の優先度を設定する、請求項６記載の基板処理装置。
【請求項８】
各制御周期は、交流電流の複数のサイクルを含む、請求項１〜７のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項９】
電源から複数の基板処理部への電流の供給を制御する電力制御装置であって、
前記複数の基板処理部の各々は、前記電源から電流を供給されて基板に処理を行うプロセス状態と、前記プロセス状態の電流以下の電流を供給されて基板に処理を行わない待機状態とに遷移し、
各基板処理部が前記プロセス状態にあるか前記待機状態にあるかを逐次判定する判定部と、
各基板処理部が前記プロセス状態を維持するために要求される電流および各基板処理部が前記待機状態を維持するために要求される電流を示す要求情報を取得する情報取得部と、
前記判定部による判定ごとに、前記プロセス状態にある基板処理部が前記待機状態にある基板処理部よりも高い優先度を有するように、前記複数の基板処理部の各々に優先度を動的に設定する優先度設定部と、
設定された複数の制御周期の各々において、前記複数の基板処理部に同時に供給される瞬時電流の合計が予め定められた上限値を超えないように、前記優先度設定部により設定された優先度の高い順に、前記情報取得部により取得された各基板処理部に対応する要求情報に基づいて各基板処理部への電流の供給時間および供給タイミングを決定する決定部と、
各制御周期内で、前記決定部により決定された供給時間および供給タイミングに基づいて前記電源から前記複数の基板処理部への電流の供給および遮断をそれぞれ指令する複数の指令信号を生成する指令部とを備える、電力制御装置。
【請求項１０】
電源から電流を供給されて動作する基板処理装置による基板処理方法であって、
複数の基板処理部の各々が前記電源から電流を供給されて基板に処理を行うプロセス状態にあるか、前記プロセス状態の電流以下の電流を供給されて基板に処理を行わない待機状態にあるかを逐次判定するステップと、
各基板処理部が前記プロセス状態を維持するために要求される電流および各基板処理部が前記待機状態を維持するために要求される電流を示す要求情報を取得するステップと、
判定ごとに、前記プロセス状態にある基板処理部が前記待機状態にある基板処理部よりも高い優先度を有するように、前記複数の基板処理部の各々に優先度を動的に設定するステップと、
設定された複数の制御周期の各々において、前記複数の基板処理部に同時に供給される瞬時電流の合計が予め定められた上限値を超えないように、設定された優先度の高い順に、取得された各基板処理部に対応する要求情報に基づいて各基板処理部への電流の供給時間および供給タイミングを決定するステップと、
各制御周期内で、決定された供給時間および供給タイミングに基づいて前記電源から前記複数の基板処理部への電流の供給および遮断をそれぞれ指令する複数の指令信号を生成するステップと、
生成された複数の指令信号に基づいて前記電源と前記複数の基板処理部との間にそれぞれ接続された複数の切替部をオン状態またはオフ状態にそれぞれ切り替えるステップと、
プロセス状態にある基板処理部により基板に処理を行うステップと含む、基板処理方法。
【請求項１１】
前記供給時間および供給タイミングを決定するステップは、前記複数の基板処理部の各々についての電流の供給時間が各制御周期内において規則的に分散して設けられるように前記供給時間および前記供給タイミングを決定することを含む、請求項１０記載の基板処理方法。
【請求項１２】
前記供給時間および供給タイミングを決定するステップは、前記複数の基板処理部の各々について各制御周期に対する電流の供給時間の比を各制御周期における電流の供給時間として決定することを含む、請求項１０または１１記載の基板処理方法。
【請求項１３】
前記複数の基板処理部の処理手順を示す工程情報を取得するステップをさらに含み、
前記判定するステップは、取得された工程情報に基づいて前記複数の基板処理部の各々が前記プロセス状態にあるか、または前記待機状態にあるかを判定することを含む、請求項１０〜１２のいずれか一項に記載の基板処理方法。
【請求項１４】
前記指令信号を生成するステップは、前記複数の基板処理部への電流の供給の制御が同期して行われるように前記指令信号を生成することを含む、請求項１０〜１３のいずれか一項に記載の基板処理方法。
【請求項１５】
前記複数の基板処理部の各々は、基板を所定の温度に加熱、冷却または維持する温度処理部を含み、
前記基板に処理を行うステップは、前記温度処理部により基板を所定の温度に加熱、冷却または維持することを含む、請求項１０〜１４のいずれか一項に記載の基板処理方法。
【請求項１６】
前記要求情報を取得するステップは、前記複数の基板処理部における温度をさらに取得することを含み、
前記優先度を動的に設定するステップは、取得された温度に基づいて前記複数の基板処理部の優先度を設定することを含む、請求項１５記載の基板処理方法。
【請求項１７】
各制御周期は、交流電流の複数のサイクルを含む、請求項１０〜１６のいずれか一項に記載の基板処理方法。
【請求項１８】
電源から複数の基板処理部への電流の供給を制御する電力制御方法であって、
各基板処理部が前記電源から電流を供給されて基板に処理を行うプロセス状態にあるか、前記プロセス状態の電流以下の電流を供給されて基板に処理を行わない待機状態にあるかを逐次判定するステップと、
各基板処理部が前記プロセス状態を維持するために要求される電流および各基板処理部が前記待機状態を維持するために要求される電流を示す要求情報を取得するステップと、
判定ごとに、前記プロセス状態にある基板処理部が前記待機状態にある基板処理部よりも高い優先度を有するように、前記複数の基板処理部の各々に優先度を動的に設定するステップと、
設定された複数の制御周期の各々において、前記複数の基板処理部に同時に供給される瞬時電流の合計が予め定められた上限値を超えないように、設定された優先度の高い順に、取得された各基板処理部に対応する要求情報に基づいて各基板処理部への電流の供給時間および供給タイミングを決定するステップと、
各制御周期内で、決定された供給時間および供給タイミングに基づいて前記電源から前記複数の基板処理部への電流の供給および遮断をそれぞれ指令する複数の指令信号を生成するステップとを含む、電力制御方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数の基板処理部を備えた基板処理装置、複数の基板処理部への電力の供給を制御する電力制御装置、複数の基板処理部による基板処理方法および複数の基板処理部への電力の供給を制御する電力制御方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
基板処理装置においては、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板または光ディスク用ガラス基板等の基板に種々の処理を行う複数の処理ユニットが設けられる。各処理ユニットは、電力供給設備等の外部電源に接続され、外部電源から供給される電力により駆動される。
【０００３】
例えば、特許文献１には、複数の処理ユニットに加えて、ブレーカ、電源投入スイッチ、複数のスイッチおよび複数のタイマを含む基板処理装置が記載されている。複数のスイッチおよび複数のタイマは、それぞれ複数の処理ユニットに対応する。各処理ユニットは、対応するスイッチ、電源投入スイッチおよびブレーカを介して外部電源に接続される。
【０００４】
複数のタイマには、互いに異なる時間が予め設定される。電源投入スイッチがオンされると、各タイマは設定された時間の経過後に、対応するスイッチをオンさせる。したがって、電源投入スイッチのオン時に、複数のスイッチが一定時間ずつ遅延しながら順次オンする。これにより、複数の処理ユニットにそれぞれ異なるタイミングで電力が供給される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平１０−３２２９０６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１記載の基板処理装置によれば、電源投入直後の電力消費のタイミングを分散することにより、基板処理装置の全体で消費される瞬間最大電力を低減することができる。一方、複数の基板処理部の動作中に基板処理装置において消費される瞬間最大電力を低減することが望まれる。
【０００７】
本発明の目的は、複数の基板処理部において消費される瞬間最大電力を低減することが可能な基板処理装置、それに用いられる電力制御装置、基板処理方法および電力制御方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
（１）第１の発明に係る基板処理装置は、電源から電流を供給されて動作する基板処理装置であって、電源から電流を供給されて基板に処理を行うプロセス状態と、プロセス状態の電流以下の電流を供給されて基板に処理を行わない待機状態とに遷移する複数の基板処理部と、電源と複数の基板処理部との間にそれぞれ接続され、オン状態とオフ状態とに切り替え可能な複数の切替部と、各基板処理部がプロセス状態にあるか待機状態にあるかを逐次判定する判定部と、各基板処理部がプロセス状態を維持するために要求される電流および各基板処理部が待機状態を維持するために要求される電流を示す要求情報を取得する情報取得部と、判定部による判定ごとに、プロセス状態にある基板処理部が待機状態にある基板処理部よりも高い優先度を有するように、複数の基板処理部の各々に優先度を動的に設定する優先度設定部と、設定された複数の制御周期の各々において、複数の基板処理部に同時に供給される瞬時電流の合計が予め定められた上限値を超えないように、優先度設定部により設定された優先度の高い順に、情報取得部により取得された各基板処理部に対応する要求情報に基づいて各基板処理部への電流の供給時間および供給タイミングを決定する決定部と、各制御周期内で、決定部により決定された供給時間および供給タイミングに基づいて電源から複数の基板処理部への電流の供給および遮断をそれぞれ指令する複数の指令信号を生成する指令部と、指令部により生成された複数の指令信号に基づいて複数の切替部をオン状態またはオフ状態にそれぞれ切り替える切替制御部とを備える。
【０００９】
この基板処理装置においては、複数の基板処理部の各々が電源から電流を供給されて基板に処理を行うプロセス状態にあるか、プロセス状態の電流以下の電流を供給されて基板に処理を行わない待機状態にあるかが逐次判定される。また、判定ごとに、プロセス状態にある基板処理部が待機状態にある基板処理部よりも高い優先度を有するように、複数の基板処理部の各々に優先度が動的に設定される。さらに、各基板処理部がプロセス状態を維持するために要求される電流および各基板処理部が待機状態を維持するために要求される電流を示す要求情報が取得される。
【００１０】
設定された複数の制御周期の各々において、複数の基板処理部に同時に供給される瞬時電流の合計が予め定められた上限値を超えないように、設定された優先度の高い順に、取得された各基板処理部に対応する要求情報に基づいて各基板処理部への電流の供給時間および供給タイミングが決定される。各制御周期内で、決定された供給時間および供給タイミングに基づいて電源から複数の基板処理部への電流の供給および遮断をそれぞれ指令する複数の指令信号が生成される。生成された複数の指令信号に基づいて電源と複数の基板処理部との間にそれぞれ接続された複数の切替部がオン状態またはオフ状態にそれぞれ切り替えられる。
【００１１】
したがって、プロセス状態にある基板処理部には、待機状態にある基板処理部よりも優先して要求情報により示される電流が供給される。この場合、プロセス状態にある基板処理部により基板が適切に処理される。また、待機状態にある基板処理部には、瞬時電流の合計が上限値を超えない範囲で電流が供給される。そのため、次に当該基板処理部がプロセス状態に遷移した際には、当該基板処理部により基板の処理が即座に開始される。この構成によれば、複数の基板処理部により基板が効率的に処理されつつ、基板処理装置に供給される瞬時電流の合計が所定の上限値以下に維持される。その結果、複数の基板処理部において消費される瞬間最大電力を低減することができる。
【００１２】
（２）決定部は、複数の基板処理部の各々についての電流の供給時間が各制御周期内において規則的に分散して設けられるように供給時間および供給タイミングを決定してもよい。この場合、各基板処理部に供給される電流の変動が最小に抑制される。これにより、プロセス状態にある基板処理部により基板をより均一に処理することができる。また、待機状態にある基板処理部がプロセス状態に遷移した際には、当該基板処理部により基板の処理をより短時間で開始することができる。
【００１３】
（３）決定部は、複数の基板処理部の各々について各制御周期に対する電流の供給時間の比を各制御周期における電流の供給時間として決定してもよい。この場合、電流の供給時間を相対値として容易に決定することができる。
【００１４】
（４）基板処理装置は、複数の基板処理部の処理手順を示す工程情報を取得する工程取得部をさらに備え、判定部は、工程取得部により取得された工程情報に基づいて複数の基板処理部の各々がプロセス状態にあるか、または待機状態にあるかを判定してもよい。この場合、工程情報により基板処理部の処理手順が示される。これにより、基板処理部の各々がプロセス状態にあるか、または待機状態にあるかを容易に判定することができる。
【００１５】
（５）指令部は、複数の基板処理部への電流の供給の制御が同期して行われるように指令信号を生成してもよい。この場合、各基板処理部への電流の供給時間および供給タイミングを容易に決定することができる。
【００１６】
（６）複数の基板処理部の各々は、基板を所定の温度に加熱、冷却または維持する温度処理部を含んでもよい。この場合、プロセス状態にある温度処理部により基板を所定の温度に加熱、冷却または維持することができる。また、待機状態にある温度処理部にも、瞬時電流の合計が上限値を超えない範囲で電流が供給されるので、温度処理部の温度が変化することが防止される。これにより、当該温度処理部が次にプロセス状態に遷移した際には、当該基板処理部により基板の温度処理を短時間で開始することができる。
【００１７】
（７）情報取得部は、複数の基板処理部における温度をさらに取得し、優先度設定部は、情報取得部により取得された温度に基づいて複数の基板処理部の優先度を設定してもよい。この場合、プロセス状態にある温度処理部により基板の温度処理をより適切に行うことができる。また、複数の基板処理部が同じ動作状態（プロセス状態または待機状態）にある場合でも、温度に基づいてこれらの複数の基板処理部の間で優先度を容易に設定することができる。
【００１８】
（８）各制御周期は、交流電流の複数のサイクルを含んでもよい。この場合、制御周期に含まれる交流電流のサイクル数に基づいて供給時間および供給タイミングを容易に決定することができる。
【００１９】
（９）第２の発明に係る電力制御装置は、電源から複数の基板処理部への電流の供給を制御する電力制御装置であって、複数の基板処理部の各々は、電源から電流を供給されて基板に処理を行うプロセス状態と、プロセス状態の電流以下の電流を供給されて基板に処理を行わない待機状態とに遷移し、電力制御装置は、各基板処理部がプロセス状態にあるか待機状態にあるかを逐次判定する判定部と、各基板処理部がプロセス状態を維持するために要求される電流および各基板処理部が待機状態を維持するために要求される電流を示す要求情報を取得する情報取得部と、判定部による判定ごとに、プロセス状態にある基板処理部が待機状態にある基板処理部よりも高い優先度を有するように、複数の基板処理部の各々に優先度を動的に設定する優先度設定部と、設定された複数の制御周期の各々において、複数の基板処理部に同時に供給される瞬時電流の合計が予め定められた上限値を超えないように、優先度設定部により設定された優先度の高い順に、情報取得部により取得された各基板処理部に対応する要求情報に基づいて各基板処理部への電流の供給時間および供給タイミングを決定する決定部と、各制御周期内で、決定部により決定された供給時間および供給タイミングに基づいて電源から複数の基板処理部への電流の供給および遮断をそれぞれ指令する複数の指令信号を生成する指令部とを備える。
【００２０】
この構成によれば、複数の基板処理部により基板が効率的に処理されつつ、基板処理装置に供給される瞬時電流の合計が所定の上限値以下に維持されるように基板処理部に供給される電力が制御される。その結果、複数の基板処理部において消費される瞬間最大電力を低減することができる。
【００２１】
（１０）第３の発明に係る基板処理方法は、電源から電流を供給されて動作する基板処理装置による基板処理方法であって、複数の基板処理部の各々が電源から電流を供給されて基板に処理を行うプロセス状態にあるか、プロセス状態の電流以下の電流を供給されて基板に処理を行わない待機状態にあるかを逐次判定するステップと、各基板処理部がプロセス状態を維持するために要求される電流および各基板処理部が待機状態を維持するために要求される電流を示す要求情報を取得するステップと、判定ごとに、プロセス状態にある基板処理部が待機状態にある基板処理部よりも高い優先度を有するように、複数の基板処理部の各々に優先度を動的に設定するステップと、設定された複数の制御周期の各々において、複数の基板処理部に同時に供給される瞬時電流の合計が予め定められた上限値を超えないように、設定された優先度の高い順に、取得された各基板処理部に対応する要求情報に基づいて各基板処理部への電流の供給時間および供給タイミングを決定するステップと、各制御周期内で、決定された供給時間および供給タイミングに基づいて電源から複数の基板処理部への電流の供給および遮断をそれぞれ指令する複数の指令信号を生成するステップと、生成された複数の指令信号に基づいて電源と複数の基板処理部との間にそれぞれ接続された複数の切替部をオン状態またはオフ状態にそれぞれ切り替えるステップと、プロセス状態にある基板処理部により基板に処理を行うステップと含む。
【００２２】
この基板処理方法によれば、複数の基板処理部により基板が効率的に処理されつつ、基板処理装置に供給される瞬時電流の合計が所定の上限値以下に維持される。その結果、複数の基板処理部において消費される瞬間最大電力を低減することができる。
【００２３】
（１１）供給時間および供給タイミングを決定するステップは、複数の基板処理部の各々についての電流の供給時間が各制御周期内において規則的に分散して設けられるように供給時間および供給タイミングを決定することを含んでもよい。この場合、各基板処理部に供給される電流の変動が最小に抑制される。これにより、プロセス状態にある基板処理部により基板をより均一に処理することができる。また、待機状態にある基板処理部がプロセス状態に遷移した際には、当該基板処理部により基板の処理をより短時間で開始することができる。
【００２４】
（１２）供給時間および供給タイミングを決定するステップは、複数の基板処理部の各々について各制御周期に対する電流の供給時間の比を各制御周期における電流の供給時間として決定することを含んでもよい。この場合、電流の供給時間を相対値として容易に決定することができる。
【００２５】
（１３）基板処理方法は、複数の基板処理部の処理手順を示す工程情報を取得するステップをさらに含み、判定するステップは、取得された工程情報に基づいて複数の基板処理部の各々がプロセス状態にあるか、または待機状態にあるかを判定することを含んでもよい。この場合、工程情報により基板処理部の処理手順が示される。これにより、基板処理部の各々がプロセス状態にあるか、または待機状態にあるかを容易に判定することができる。
【００２６】
（１４）指令信号を生成するステップは、複数の基板処理部への電流の供給の制御が同期して行われるように指令信号を生成することを含んでもよい。この場合、各基板処理部への電流の供給時間および供給タイミングを容易に決定することができる。
【００２７】
（１５）複数の基板処理部の各々は、基板を所定の温度に加熱、冷却または維持する温度処理部を含み、基板に処理を行うステップは、温度処理部により基板を所定の温度に加熱、冷却または維持することを含んでもよい。この場合、プロセス状態にある温度処理部により基板を所定の温度に加熱、冷却または維持することができる。また、待機状態にある温度処理部にも、瞬時電流の合計が上限値を超えない範囲で電流が供給されるので、温度処理部の温度が変化することが防止される。これにより、当該温度処理部が次にプロセス状態に遷移した際には、当該基板処理部により基板の温度処理を短時間で開始することができる。
【００２８】
（１６）要求情報を取得するステップは、複数の基板処理部における温度をさらに取得することを含み、優先度を動的に設定するステップは、取得された温度に基づいて複数の基板処理部の優先度を設定することを含んでもよい。この場合、プロセス状態にある温度処理部により基板の温度処理をより適切に行うことができる。また、複数の基板処理部が同じ動作状態（プロセス状態または待機状態）にある場合でも、温度に基づいてこれらの複数の基板処理部の間で優先度を容易に設定することができる。
【００２９】
（１７）各制御周期は、交流電流の複数のサイクルを含んでもよい。この場合、制御周期に含まれる交流電流のサイクル数に基づいて供給時間および供給タイミングを容易に決定することができる。
【００３０】
（１８）第４の発明に係る電力制御方法は、電源から複数の基板処理部への電流の供給を制御する電力制御方法であって、各基板処理部が電源から電流を供給されて基板に処理を行うプロセス状態にあるか、プロセス状態の電流以下の電流を供給されて基板に処理を行わない待機状態にあるかを逐次判定するステップと、各基板処理部がプロセス状態を維持するために要求される電流および各基板処理部が待機状態を維持するために要求される電流を示す要求情報を取得するステップと、判定ごとに、プロセス状態にある基板処理部が待機状態にある基板処理部よりも高い優先度を有するように、複数の基板処理部の各々に優先度を動的に設定するステップと、設定された複数の制御周期の各々において、複数の基板処理部に同時に供給される瞬時電流の合計が予め定められた上限値を超えないように、設定された優先度の高い順に、取得された各基板処理部に対応する要求情報に基づいて各基板処理部への電流の供給時間および供給タイミングを決定するステップと、各制御周期内で、決定された供給時間および供給タイミングに基づいて電源から複数の基板処理部への電流の供給および遮断をそれぞれ指令する複数の指令信号を生成するステップとを含む。
【００３１】
この電力制御方法によれば、複数の基板処理部により基板が効率的に処理されつつ、基板処理装置に供給される瞬時電流の合計が所定の上限値以下に維持されるように基板処理部に供給される電力が制御される。その結果、複数の基板処理部において消費される瞬間最大電力を低減することができる。
【発明の効果】
【００３２】
本発明によれば、複数の基板処理部において消費される瞬間最大電力を低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】本発明の一実施の形態に係る基板処理装置の概略構成を示すブロック図である。
【図２】電力制御装置の構成を示すブロック図である。
【図３】図２の電力制御装置の動作の一例を示すタイムチャートである。
【図４】図２の電力制御装置の動作の一例を示すタイムチャートである。
【図５】図２の電力制御装置の動作の一例を示すタイムチャートである。
【図６】決定部により決定された切替部のオン時間およびオンタイミングを説明するための図である。
【図７】図２の電力制御装置により行われる電力制御処理を示すフローチャートである。
【図８】図１の切替制御部により行われる電力制御処理を示すフローチャートである。
【図９】基板処理装置の詳細な構成を示す模式的平面図である。
【図１０】主として図９の塗布処理部、現像処理部および洗浄乾燥処理部を示す基板処理装置の模式的側面図である。
【図１１】主として図９の熱処理部および洗浄乾燥処理部を示す基板処理装置の模式的側面図である。
【図１２】主として図９の搬送部を示す側面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３４】
（１）基板処理装置の概略構成
以下、本発明の実施の形態に係る電力制御装置、基板処理装置および電力制御方法について図面を用いて説明する。以下の説明において、基板とは、半導体基板、液晶表示装置もしくは有機ＥＬ（Electro Luminescence）表示装置等のＦＰＤ（Flat Panel Display）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板または太陽電池用基板等をいう。
【００３５】
図１は、本発明の一実施の形態に係る基板処理装置の概略構成を示すブロック図である。図１に示すように、基板処理装置１００は、複数（図１の例では３個）の処理ユニット１１０，１２０，１３０、電源１４０および電力制御装置２００を含む。本実施の形態においては、各処理ユニット１１０，１２０，１３０は熱処理ユニットである。電源１４０は、電力供給設備に設けられる交流電源であり、ライブ端子およびニュートラル端子を有する。
【００３６】
処理ユニット１１０は、基板処理部１１１、切替部１１２および切替制御部１１３を含む。処理ユニット１２０は、基板処理部１２１、切替部１２２および切替制御部１２３を含む。処理ユニット１３０は、基板処理部１３１、切替部１３２および切替制御部１３３を含む。処理ユニット１１０，１２０，１３０は互いに同様の構成を有するので、処理ユニット１１０，１２０，１３０を代表して処理ユニット１１０の構成を説明する。
【００３７】
本実施の形態では、基板処理部１１１は、例えば基板に熱処理を行う加熱プレートを含む加熱部または冷却プレートを含む冷却部等の温度処理部である。この場合、基板処理部１１１は抵抗負荷である。基板処理部１１１には温度センサが設けられている。基板処理部１１１は、基板に処理を行うプロセス状態と処理されるべき基板が搬入されるまで待機する待機状態とに遷移する。この基板処理部１１１は、プロセス状態では電源１４０から電流を供給されて基板に処理を行い、待機状態ではプロセス状態の電流以下の電流を供給されて待機する。待機状態では基板処理部１１１には基板が存在しない。ここで、本実施の形態に係る基板処理装置１００においては、基板処理部１１１，１２１，１３１の全部が同時にプロセス状態で動作するのではなく、基板処理部１１１，１２１，１３１の少なくとも一部は待機状態で動作する。
【００３８】
本実施の形態では、電源１４０は単相の交流電源である。基板処理部１１１と切替部１１２とは、電源１４０のライブ端子とニュートラル端子との間に直列接続される。切替部１１２は、例えば電磁リレーを含み、オン状態とオフ状態とに選択的に切り替え可能に構成される。切替部１１２がオン状態のときには、電源１４０から基板処理部１１１に電流が供給される。切替部１１２がオフ状態のときには、電源１４０から基板処理部１１１に電流が供給されない。本実施の形態では、基板処理部１１１が抵抗負荷であるため、基板処理部１１１に供給される電流は、基板処理部１１１に供給される電流の２乗にほぼ比例する。
【００３９】
切替制御部１１３は、例えば、基板処理部１１１の温度を設定された温度（以下、設定温度と呼ぶ。）に維持するように、基板処理部１１１の温度センサにより検出された温度（以下、検出温度と呼ぶ。）に基づいて切替部１１２をフィードバック制御する温度調整器である。切替制御部１１３は、電力制御装置２００から通知された制御周期内で検出温度を設定温度に維持するために必要な電流を示す要求情報を電力制御装置２００に通知する。切替制御部１１３は、要求情報とともに基板処理部１１１における現時点の検出温度を電力制御装置２００に通知してもよい。本例では、各制御周期における要求情報は、最大電流（例えば、基板処理部１１１の定格電流）に対する供給電流の比で表される。さらに、切替制御部１１３は、電力制御装置２００からの指令に基づいて、切替部１１２のオン状態とオフ状態との切り替えを制御する。
【００４０】
電力制御装置２００は、例えばＣＰＵ（中央演算処理装置）およびメモリ、またはマイクロコンピュータを含む。また、電力制御装置２００には、処理ユニット１１０，１２０，１３０の切替制御部１１３，１２３，１３３とそれぞれ通信を行うための複数のチャンネルＣＨ１，ＣＨ２，ＣＨ３が設けられる。電力制御装置２００は、チャンネルＣＨ１，ＣＨ２，ＣＨ３をそれぞれ通して処理ユニット１１０，１２０，１３０の切替制御部１１３，１２３，１３３を制御する。この場合、電力制御装置２００は、後述する工程情報に基づいて設定温度を切替制御部１１１，１２３，１３３にそれぞれ通知する。また、電力制御装置２００は、予め定められた制御周期を切替制御部１１３，１２３，１３３に通知する。本実施の形態では、電力制御装置２００が複数の切替制御部１１３，１２３，１３３を互いに同期して動作させる。
【００４１】
図２は、電力制御装置２００の構成を示すブロック図である。電力制御装置２００は、機能部として、周期設定部２１０、通知部２２０、情報取得部２３０、工程取得部２４０、判定部２５０、優先度設定部２６０、決定部２７０および指令部２８０を含む。電力制御装置２００の機能部は、例えばＣＰＵがメモリに記憶されたコンピュータプログラムを実行することにより実現される。なお、電力制御装置２００の機能部の一部または全部が電子回路等のハードウエアにより実現されてもよい。
【００４２】
周期設定部２１０は、制御周期を電力制御装置２００に設定する。通知部２２０は、チャンネルＣＨ１，ＣＨ２，ＣＨ３を通して処理ユニット１１０，１２０，１３０に制御周期を通知する。情報取得部２３０は、チャンネルＣＨ１〜ＣＨ３をそれぞれ通して処理ユニット１１０，１２０，１３０から要求情報を取得する。
【００４３】
工程取得部２４０は、処理ユニット１１０，１２０，１３０の処理手順（レシピ）を示す工程情報を取得する。ここで、工程取得部２４０は、基板処理装置１００の他の制御装置（例えば後述する図１１のローカル制御装置２またはローカル制御装置３）から工程情報を定期的に取得してもよい。あるいは、電力制御装置２００のメモリに工程情報が記憶されている場合には、工程取得部２４０は、メモリから工程情報を取得してもよい。判定部２５０は、工程取得部２４０により取得された工程情報に基づいて、各基板処理部１１１，１２１，１３１（図１）の動作状態がプロセス状態であるか待機状態であるかを逐次判定する。
【００４４】
優先度設定部２６０は、判定部２５０により判定された動作状態に基づいて、電流供給に関する基板処理部１１１，１２１，１３１の優先度を決定する。優先度設定部２６０は、プロセス状態にある基板処理部に待機状態にある基板処理部よりも高い優先度を設定する。また、優先度設定部２６０は、複数の基板処理部がプロセス状態にある場合には、各基板処理部についての検出温度に基づいて各基板処理部に優先度を設定する。
【００４５】
例えば、基板処理部１１１，１２１がプロセス状態にあり、基板処理部１１１についての検出温度が設定温度よりも低く、基板処理部１２１の検出温度が設定温度に等しい場合には、基板処理部１１１の優先度が基板処理部１２１の優先度よりも高く設定される。また、基板処理部１３１がプロセス状態から待機状態に遷移した直後には、基板処理部１３１の優先度が低く設定され、基板処理部１３１が次のプロセス状態へ遷移する直前には、基板処理部１３１の優先度が高く設定されてもよい。
【００４６】
この構成によれば、複数の基板処理部が同じ動作状態（プロセス状態または待機状態）にある場合でも、温度に基づいてこれらの複数の基板処理部の間で優先度を容易に設定することができる。複数の基板処理部の優先度の設定方法は、上記の例に限定されず、他の方法により優先度が設定されてもよい。
【００４７】
決定部２７０は、周期設定部２１０により設定された制御周期、情報取得部２３０により取得された要求情報、および優先度設定部２６０により設定された優先度に基づいて、各制御周期において各基板処理部１１１，１２１，１３１への電流の供給時間および電流の供給タイミングを決定する。ここで、基板処理部１１１，１２１，１３１への電流の供給時間および供給タイミングは、切替部１１２，１２２，１３２（図１）をオン状態にする時間（以下、オン時間と呼ぶ。）および切替部１１２，１２２，１３２（図１）をオン状態にするタイミング（以下、オンタイミングと呼ぶ。）に相当する。以下の説明では、基板処理部１１１，１２１，１３１への電流の供給時間および供給タイミングをオン時間およびオンタイミングと呼ぶ。
【００４８】
この場合、決定部２７０は、基板処理部１１１，１２１，１３１に同時に供給される電流の合計（以下、瞬時合計電流と呼ぶ。）が所定の上限値を超えないように各制御周期内で切替部１１２，１２２，１３２のオン時間およびオンタイミングを決定する。詳細には、まず、決定部２７０は、切替制御部１１３，１２３，１３３からの要求情報により示される電流が基板処理部１１１，１２１，１３１へそれぞれ供給されるように各制御周期内で切替部１１２，１２２，１３２のオン時間を決定する。本例では、各基板処理部１１１，１２１，１３１への制御周期内でのオン時間が、制御周期に対するオン時間の比で表される。また、決定部２７０は、瞬時合計電流がより低くなるように切替部１１２，１２２，１３２のオンタイミングを可能な限り分散させる。瞬時合計電流が上限値を超える場合、優先度の高い順に、対応する切替部のオン時間が設定される。低い優先度を有する基板処理部に対応する切替部のオン時間は、瞬時合計電流が上限値以下となるように短縮される。
【００４９】
指令部２８０は、決定部２７０により決定されたオン時間およびオンタイミングに基づいて、切替部１１２のオン状態とオフ状態とを切り替えるための指令信号をチャンネルＣＨ１を通して切替制御部１１３（図１）に与える。同様に、指令部２８０は、切替部１２２のオン状態とオフ状態とを切り替えるための指令信号をチャンネルＣＨ２を通して切替制御部１２３に与える。また、指令部２８０は、切替部１３２のオン状態とオフ状態とを切り替えるための指令信号をチャンネルＣＨ３を通して切替制御部１３３に与える。
【００５０】
（２）電力制御装置の動作
図３、図４および図５は、図２の電力制御装置２００の動作の一例を示すタイムチャートである。本例では、複数の基板処理部１１１，１２１，１３１に同時に供給可能な最大電流は２００％であり、瞬時合計電流の上限値は各基板処理部１１１，１２１，１３１の定格電流の２倍である。したがって、各制御周期内での切替部１１２，１２２，１３２のオン時間の合計の上限値は２００％である。
【００５１】
図３に示すように、時点ｔ１において、通知部２２０は、処理ユニット１１０，１２０，１３０に制御周期を通知する。時点ｔ２において、周期設定部２１０は、時点ｔ１で通知した制御周期を電力制御装置２００に設定する。同時に、切替制御部１１３，１２３，１３３は、時点ｔ１で通知された制御周期を処理ユニット１１０，１２０，１３０にそれぞれ設定する。
【００５２】
時点ｔ１０において、工程取得部２４０は、基板処理装置１００の他の制御装置から工程情報を取得する。時点ｔ１１において、判定部２５０は、時点ｔ１０で取得された工程情報に基づいて基板処理部各１１１，１２１，１３１の動作状態を判定する。時点ｔ１２において、優先度設定部２６０は、時点ｔ１１で判定された動作状態に基づいて、基板処理部１１１，１２１，１３１の優先度を設定する。時点ｔ１２の例では、基板処理部１１１，１２１，１３１の優先度がそれぞれ「１」、「２」および「３」に設定される。
【００５３】
時点ｔ１３において、切替制御部１１３，１２３，１３３は、検出温度および設定温度に基づいて、各制御周期内において対応する基板処理部１１１，１２１，１３１に供給すべき電流を算出する。時点ｔ１３の例では、基板処理部１１１，１２１，１３１へ供給すべき電流がそれぞれ３５％、１００％および８０％に算出される。時点ｔ１４において、情報取得部２３０は、切替制御部１１３，１２３，１３３から時点ｔ１３で算出された電流を示す要求情報を取得する。
【００５４】
時点ｔ１５において、決定部２７０は、時点ｔ２で設定された制御周期、時点ｔ１２で設定された優先度、および時点ｔ１４で取得された要求情報に基づいて、瞬時合計電流が上限値２００％を超えないように各制御周期内での切替部１１２，１２２，１３２のオン時間およびオンタイミングを決定する。本例では、切替制御部１１３，１２３，１３３からの要求情報により示される電流の合計が最大電流２００％を超える。そのため、決定部２７０は、より高い優先度を有する基板処理部１１１，１２１に対応する切替部１１２，１２２のオン時間をそれぞれ３５％および１００％に決定し、最も低い優先度を有する基板処理部１３１に対応する切替部１３２のオン時間を６５％に短縮する。それにより、瞬時合計電流が上限値２００％を超えない。
【００５５】
この場合、基板処理部１３１に供給される電流は、対応する要求情報により示される電流よりも低いが、基板処理部１３１は待機状態にあるため、基板の処理に電流不足の影響が与えられない。
【００５６】
時点ｔ１６において、指令部２８０は、時点ｔ１５で決定されたオン時間およびオンタイミングに基づいて、切替部１１２，１２２，１３２の切り替えを指令する指令信号を生成する。時点ｔ１７において、切替制御部１１３，１２３，１３３は、時点ｔ１６の指令信号に基づいて切替部１１２，１２２，１３２のオン状態とオフ状態との切り替えをそれぞれ制御する。
【００５７】
その後、図４に示すように、時点ｔ２０〜ｔ２７において、それぞれ時点ｔ１０〜ｔ１７と同様の動作が行われる。時点ｔ２２の例では、基板処理部１１１，１２１，１３１の優先度がそれぞれ「２」、「３」および「１」に設定される。時点ｔ２３の例では、基板処理部１１１，１２１，１３１へ供給すべき電流がそれぞれ３５％、１００％および８５％に算出される。本例では、要求情報により示される電流の合計が最大電流２００％を超える。そのため、より高い優先度を有する基板処理部１３１，１１１に対応する切替部１３２，１１２のオン時間がそれぞれ８５％および３５％に決定され、最も低い優先度を有する基板処理部１２１に対応する切替部１２２のオン時間が８０％に短縮される。それにより、瞬時合計電流が上限値２００％を超えない。
【００５８】
この場合、基板処理部１２１に供給される電流は、対応する要求情報により示される電流よりも低いが、基板処理部１２１は待機状態であるため、基板の処理に電流不足の影響が与えられない。
【００５９】
その後、図５に示すように、時点ｔ３０〜ｔ３７において、それぞれ時点ｔ２０〜ｔ２７と同様の動作が行われる。時点ｔ３２の例では、基板処理部１１１，１２１，１３１の優先度がそれぞれ「２」、「１」および「３」に設定される。時点ｔ３３の例では、基板処理部１１１，１２１，１３１へ供給すべき電流がそれぞれ５０％、１００％および７０％に算出される。本例では、要求情報により示される電流の合計が最大電流２００％を超える。そのため、時点ｔ３５の例では、より高い優先度を有する基板処理部１２１，１１１に対応する切替部１２２，１１２のオン時間がそれぞれ１００％および５０％に決定され、最も低い優先度を有する基板処理部１３１に対応する切替部１３２のオン時間が５０％に短縮される。それにより、瞬時合計電流が上限値２００％を超えない。
【００６０】
この場合、基板処理部１３１に供給される電流は、対応する要求情報により示される電流よりも低いが、基板処理部１３１は待機状態にあるため、基板の処理に電流不足の影響が与えられない。
【００６１】
図６は、決定部２７０により決定された切替部１１２，１２２，１３２のオン時間およびオンタイミングを説明するための図である。図６（ａ）は切替部１１２の状態の時間変化を示し、図６（ｂ）は基板処理部１１１に供給される電流の時間変化を示す。図６（ｃ）は切替部１２２の状態の時間変化を示し、図６（ｄ）は基板処理部１２１に供給される電流の時間変化を示す。図６（ｅ）は切替部１３２の状態の時間変化を示し、図６（ｆ）は基板処理部１３１に供給される電流の時間変化を示す。図６（ｇ）は、瞬時合計電流の時間変化を示す。
【００６２】
なお、本実施の形態においては、電源１４０の周波数が６０Ｈｚの場合には制御周期は１００秒に設定され、電源１４０の周波数が５０Ｈｚの場合には制御周期は１２０秒に設定される。この場合、１制御周期当たり６０００サイクルの正弦波が含まれる。図６では、１制御周期当たりの正弦波のサイクル数が実際のサイクル数よりも少なく描かれている。
【００６３】
正弦波のサイクル数に基づいて切替部１１２，１２２，１３２のオン時間およびオンタイミングが決定される。図６（ａ），（ｃ），（ｅ）においては、正弦波０．５サイクル分の時間を最小単位として切替部１１２，１２２，１３２が切り替えられている。また、図６（ｂ），（ｄ），（ｆ）においては、基板処理部１１１，１２１，１３１への供給が停止された電流が点線により図示されている。
【００６４】
上記のように、時点ｔ１５において、切替制御部１１３，１２３，１３３からの要求情報が示す電流はそれぞれ３５％、１００％および８０％であるため、電流の合計は上限値２００％を超える。また、基板処理部１１１，１２１，１３１の優先度はそれぞれ「１」、「２」および「３」である。この場合、優先度が「１」の基板処理部１１１に対応する切替部１１２のオン時間は、要求情報が示す３５％に決定される。
【００６５】
ここで、供給可能な残りの電流は１６５％であり、優先度が「２」の基板処理部１２１に供給すべき電流１００％よりも大きい。この場合、切替部１２２のオン時間は、要求情報が示す１００％に決定される。その後、供給可能な残りの電流は６５％となり、優先度が「３」の基板処理部１３１に供給すべき電流８５％よりも小さくなる。この場合、切替部１３２のオン時間は、供給可能な残りの電流に相当する６５％に短縮される。
【００６６】
時点ｔ１７から時点ｔ２７までの間、時点ｔ１５で決定されたオン時間に基づいて切替部１１２，１２２，１３２のオン状態とオフ状態とが切り替えられる。切替部１１２のオンタイミングと切替部１３２のオンタイミングとは、互いに重ならないように分散される。これらの結果、瞬時合計電流は上限値２００％を超えない。
【００６７】
同様に、時点ｔ２５において、切替制御部１１３，１２３，１３３からの要求情報が示す電流はそれぞれ３５％、１００％および８５％であるため、電流の合計は上限値２００％を超える。また、基板処理部１１１，１２１，１３１の優先度はそれぞれ「２」、「３」および「１」である。この場合、優先度が「１」の基板処理部１３１に対応する切替部１３２のオン時間は、要求情報が示す８５％に決定される。
【００６８】
ここで、供給可能な残りの電流は１１５％であり、優先度が「２」の基板処理部１１１に供給すべき電流３５％よりも大きい。この場合、切替部１１２のオン時間は、要求情報が示す３５％に決定される。その後、供給可能な残りの電流は８０％となり、優先度が「３」の基板処理部１２１に供給すべき電流１００％よりも小さくなる。この場合、切替部１２２のオン時間は、供給可能な残りの電流に相当する８０％に短縮される。
【００６９】
時点ｔ２７から時点ｔ３７までの間、時点ｔ２５で決定されたオン時間に基づいて切替部１１２，１２２，１３２のオン状態とオフ状態とが切り替えられる。切替部１１２のオンタイミングと切替部１２２のオンタイミングと切替部１３２のオンタイミングとは、一部が互いに重ならないように分散される。これらの結果、瞬時合計電流は上限値２００％を超えない。
【００７０】
時点ｔ３５において、切替制御部１１３，１２３，１３３からの要求情報が示す電流はそれぞれ５０％、１００％および７０％であるため、電流の合計は上限値２００％を超える。また、基板処理部１１１，１２１，１３１の優先度はそれぞれ「２」、「１」および「３」である。この場合、優先度が「１」の基板処理部１２１に対応する切替部１２２のオン時間は、要求情報が示す１００％に決定される。
【００７１】
ここで、供給可能な残りの電流は１００％であり、優先度が「２」の基板処理部１１１に供給すべき電流５０％よりも大きい。この場合、切替部１１２のオン時間は、要求情報が示す５０％に決定される。その後、供給可能な残りの電流は５０％となり、優先度が「３」の基板処理部１３１に供給すべき電流７０％よりも小さくなる。この場合、切替部１３２のオン時間は、供給可能な残りの電流に相当する５０％に短縮される。
【００７２】
時点ｔ３７以降、時点ｔ３５で決定されたオン時間に基づいて切替部１１２，１２２，１３２のオン状態とオフ状態とが切り替えられる。切替部１１２のオンタイミングと切替部１３２のオンタイミングとは、互いに重ならないように分散される。これらの結果、瞬時合計電流は上限値２００％を超えない。
【００７３】
上記の切り替えによれば、図６（ｇ）に示すように、瞬時合計電流を各基板処理部１１１，１２１，１３１の定格電流の２倍以下に制限しつつ、基板処理部１１１，１２１，１３１のうちプロセス状態の基板処理部を所定の温度に維持することができる。また、切替部１１２，１２２，１３２のオンタイミングは、各制御周期内において規則的に分散するように決定される。これにより、各基板処理部１１１，１２１，１３１に供給される電流の変動を最小に抑制することができる。その結果、プロセス状態にある基板処理部１１１，１２１，１３１により基板をより均一に処理することができる。また、待機状態にある基板処理部１１１，１２１，１３１がプロセス状態に遷移した際には、当該基板処理部１１１，１２１，１３１により基板の処理を短時間で開始することができる。
【００７４】
（３）電力制御処理
図７は、図２の電力制御装置２００により行われる電力制御処理を示すフローチャートである。以下、図２を用いて電力制御装置２００により行われる電力制御処理を説明する。まず、通知部２２０は、制御周期を各処理ユニット１１０，１２０，１３０に通知する（ステップＳ１）。次に、周期設定部２１０は、ステップＳ１で通知した制御周期を電力制御装置２００に設定する（ステップＳ２）。
【００７５】
続いて、工程取得部２４０は、基板処理装置１００の他の制御装置から工程情報が取得されたか否かを判定する（ステップＳ３）。工程情報が取得されない場合、工程取得部２４０は、工程情報が取得されるまで待機する。工程情報が取得された場合、判定部２５０は、当該工程情報に基づいて各基板処理部１１１，１２１，１３１の動作状態を判定する（ステップＳ４）。その後、優先度設定部２６０は、ステップＳ４で判定された動作状態に基づいて複数の基板処理部１１１，１２１，１３１の優先度を設定する（ステップＳ５）。
【００７６】
次に、情報取得部２３０は、切替制御部１１３，１２３，１３３から要求情報を取得したか否かを判定する（ステップＳ６）。要求情報が取得されない場合、情報取得部２３０は要求情報が取得されるまで待機する。要求情報が取得された場合、決定部２７０は、当該要求情報、ステップＳ２で設定された制御周期、およびステップＳ５で設定された優先度に基づいて各切替部１１２，１２２，１３２のオン時間およびオンタイミングを決定する（ステップＳ７）。
【００７７】
続いて、指令部２８０は、ステップＳ７で決定されたオン時間およびオンタイミングに基づいて、各切替部１１２，１２２，１３２の切り替えを、対応する切替制御部１１３，１２３，１３３に指令する（ステップＳ８）。その後、工程取得部２４０は、基板処理装置１００の他の制御装置から電力制御処理の終了が指示されたか否かを判定する（ステップＳ９）。電力制御処理の終了が指示されていない場合、工程取得部２４０は、基板処理装置１００の他の制御装置から新たな工程情報が取得されたか否かを判定する（ステップＳ１０）。
【００７８】
新たな工程情報が取得されない場合、工程取得部２４０はステップＳ８に戻る。この場合、各切替制御部１１３，１２３，１３３への、対応する切替部１１２，１２２，１３２の切り替えの指令が継続される。新たな工程情報が取得された場合、工程取得部２４０はステップＳ４に戻る。この場合、新たな工程情報に基づいてステップＳ４〜Ｓ８が実行される。ステップＳ９で電力制御処理の終了が指示された場合、工程取得部２４０は、その旨を各切替制御部１１３，１２３，１３３に通知し（ステップＳ１１）、電力制御処理を終了する。
【００７９】
図８は、図１の切替制御部１１３，１２３，１３３により行われる電力制御処理を示すフローチャートである。以下、切替制御部１１３，１２３，１３３を代表して、切替制御部１１３により行われる電力制御処理を説明する。まず、切替制御部１１３は、電力制御装置２００から制御周期が通知されたか否かを判定する（ステップＳ２１）。
【００８０】
制御周期が通知されていない場合、切替制御部１１３は、制御周期が通知されるまで待機する。制御周期が通知された場合、切替制御部１１３は、当該制御周期を処理ユニット１１０に設定する（ステップＳ２２）。ステップＳ２２は、図７のステップＳ２と同時に行われる。
【００８１】
次に、切替制御部１１３は、ステップＳ２２で設定された制御周期に基づいて、基板処理部１１１へ供給すべき電流を算出する（ステップＳ２３）。続いて、切替制御部１１３は、ステップＳ２３で算出された電流を示す要求情報を電力制御装置２００に通知する（ステップＳ２４）。
【００８２】
その後、切替制御部１１３は、電力制御装置２００から基板処理部１１１の切り替えが指令されたか否かを判定する（ステップＳ２５）。基板処理部１１１の切り替えが指令されていない場合、切替制御部１１３はステップＳ２３に戻る。この場合、基板処理部１１１の切り替えが指令されるまでステップＳ２３〜Ｓ２５が繰り返される。基板処理部１１１の切り替えが指令された場合、切替制御部１１３は、当該指令に基づいて基板処理部１１１の切り替えを制御する（ステップＳ２６）。
【００８３】
その後、切替制御部１１３は、電力制御装置２００から電力制御処理の終了が通知されたか否かを判定する（ステップＳ２７）。電力制御処理の終了が通知されていない場合、切替制御部１１３はステップＳ２３に戻る。この場合、電力制御処理の終了が通知されるまでステップＳ２３〜Ｓ２７が繰り返される。電力制御処理の終了が通知された場合、切替制御部１１３は電力制御処理を終了する。
【００８４】
（４）実施の形態の効果
本実施の形態に係る基板処理装置１００においては、プロセス状態にある基板処理部１１１，１２１，１３１には、待機状態にある基板処理部１１１，１２１，１３１よりも優先して要求情報により示される電流が供給される。この場合、プロセス状態にある基板処理部１１１，１２１，１３１により基板が適切に温度処理される。
【００８５】
また、待機状態にある基板処理部１１１，１２１，１３１には、瞬時電流の合計が上限値を超えない範囲で電流が供給される。したがって、基板処理部１１１，１２１，１３１の温度が変化することが防止される。これにより、当該基板処理部１１１，１２１，１３１が次にプロセス状態に遷移した際には、当該基板処理部１１１，１２１，１３１により基板の温度処理を短時間で開始することができる。
【００８６】
この構成によれば、複数の基板処理部１１１，１２１，１３１により基板が効率的に処理されつつ、基板処理装置１００に供給される瞬時電流の合計が所定の上限値以下に維持される。その結果、複数の基板処理部１１１，１２１，１３１において消費される瞬間最大電力を低減することができる。
【００８７】
（５）他の実施の形態
上記実施の形態では、複数の処理ユニット１１０，１２０，１３０が単相の電源１４０に接続されるが、複数の処理ユニットが３相の交流電源の各相に接続されてもよい。この場合、各相に接続された複数の処理ユニットに所定の上限値を超える電流が供給されないので、３相の交流電源における消費電流の不平衡が抑制される。したがって、消費電流の不平衡による無効電力が減少する。その結果、消費エネルギーの低減が可能となる。
【００８８】
上記実施の形態では、各処理ユニット１１０，１２０，１３０の切替制御部１１３，１２３，１３３とは別個に電力制御装置２００が設けられているが、切替制御部１１３，１２３，１３３の少なくとも１つが電力制御装置２００の機能を有し、切替制御部１１３，１２３，１３３間で優先度および要求情報が互いに通信により送受信されてもよい。
【００８９】
上記実施の形態では、各基板処理部１１１，１２１，１３１が加熱部または冷却部等の温度処理部であるが、各基板処理部が待機状態とプロセス状態とで遷移する他の基板処理部であってもよい。例えば、各基板処理部が基板に紫外線を照射する露光装置であってもよい。この場合、各基板処理部は、基板への紫外線の照射時にプロセス状態となり、プロセス状態の前に待機状態となる。
【００９０】
上記実施の形態では、各制御周期において瞬時合計電流が上限値を超えないように、最も低い優先度を有する基板処理部に対応する切替部のオン時間が短縮されるが、優先度の低い順に複数の基板処理部に対応する複数の切替部のオン時間が短縮されてもよい。
【００９１】
上記実施の形態では、オン時間が、制御周期に対するオン時間の比（相対値）で表されるが、絶対値で表されてもよい。したがって、処理ユニット１１０，１２０，１３０は、交流の電源１４０に限定されず、直流の電源に接続されてもよい。
【００９２】
（６）基板処理装置の詳細な構成
図９は、基板処理装置１００の詳細な構成を示す模式的平面図である。図９に示すように、基板処理装置１００は、インデクサブロック１５０、塗布ブロック１６０、現像ブロック１７０およびインターフェイスブロック１８０を備える。インターフェイスブロック１８０に隣接するように露光装置３００が配置される。露光装置３００においては、基板Ｗに露光処理が行われる。
【００９３】
インデクサブロック１５０は、複数のキャリア載置部１５１および搬送部１５２を含む。各キャリア載置部１５１には、複数の基板Ｗを多段に収納するキャリア１５３が載置される。搬送部１５２には、メイン制御装置１および搬送装置（搬送ロボット）１１が設けられる。メイン制御装置１は、予め設定された工程情報に従って、基板処理装置１００の種々の構成要素を制御する。搬送装置１１は、基板Ｗを保持しつつその基板Ｗを搬送する。
【００９４】
塗布ブロック１６０は、塗布処理部１６１、搬送部１６２および熱処理部１６３を含む。塗布処理部１６１および熱処理部１６３は、搬送部１６２を挟んで対向するように設けられる。現像ブロック１７０は、現像処理部１７１、搬送部１７２および熱処理部１７３を含む。現像処理部１７１および熱処理部１７３は、搬送部１７２を挟んで対向するように設けられる。
【００９５】
インターフェイスブロック１８０は、洗浄乾燥処理ブロック１８１および搬入搬出ブロック１８２により構成される。洗浄乾燥処理ブロック１８１は、洗浄乾燥処理部１８３，１８４および搬送部１８５を含む。洗浄乾燥処理部１８３，１８４は、搬送部１８５を挟んで対向するように設けられる。搬送部１８５には、搬送装置１６，１７が設けられる。搬入搬出ブロック１８２には、搬送装置１８が設けられる。搬送装置１８は、露光装置３００に対する基板Ｗの搬入および搬出を行う。
【００９６】
図１０は、主として図９の塗布処理部１６１、現像処理部１７１および洗浄乾燥処理部１８３を示す基板処理装置１００の模式的側面図である。図１０に示すように、塗布処理部１６１には、塗布処理室２１，２２，２３，２４が階層的に設けられる。塗布処理室２１〜２４の各々には、塗布処理ユニット（スピンコータ）１６４が設けられる。各塗布処理ユニット１６４は、基板Ｗを保持するスピンチャック２５、移動機構２６（図９）、スピンチャック２５の周囲を覆うカップ２７および複数の処理ノズル２８（図９）を備える。
【００９７】
図示しない駆動装置によりスピンチャック２５が回転されるとともに、いずれかの処理ノズル２８が移動機構２６により基板Ｗの上方に移動され、その処理ノズル２８から処理液が吐出される。なお、塗布処理室２２，２４の塗布処理ユニット１６４の処理ノズル２８からは、反射防止膜用の処理液が吐出される。塗布処理室２１，２３の塗布処理ユニット１６４の処理ノズル２８からは、レジスト膜用の処理液が吐出される。それにより、基板Ｗ上に処理液が塗布される。また、図示しないエッジリンスノズルから、基板Ｗの周縁部にリンス液が吐出される。それにより、基板Ｗの周縁部に付着する処理液が除去される。
【００９８】
現像処理部１７１には、現像処理室３１〜３４が階層的に設けられる。現像処理室３１〜３４の各々には現像処理ユニット（スピンデベロッパ）１７４が設けられる。各現像処理ユニット１７４は、塗布処理ユニット１６４と同様に、スピンチャック３５およびカップ３７を備える。また、図９に示すように、現像処理ユニット１７４は、現像液を吐出する２つの現像ノズル３８および移動機構３６を備える。
【００９９】
図示しない駆動装置によりスピンチャック３５が回転されるとともに、一方の現像ノズル３８が移動機構３６により一方向に移動しつつ各基板Ｗに現像液を供給し、その後、他方の現像ノズル３８が移動しつつ各基板Ｗに現像液を供給する。この場合、基板Ｗに現像液が供給されることにより、基板Ｗの現像処理が行われる。
【０１００】
洗浄乾燥処理部１８３には、複数（本例では４つ）の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１が設けられる。洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１においては、露光処理前の基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われる。
【０１０１】
図１１は、主として図９の熱処理部１６３，１７３および洗浄乾燥処理部１８４を示す基板処理装置１００の模式的側面図である。図１１に示すように、熱処理部１６３は、上段熱処理部１０１および下段熱処理部１０２を有する。上段熱処理部１０１および下段熱処理部１０２には、複数の加熱ユニットＰＨＰ、複数の密着強化処理ユニットＰＡＨＰおよび複数の冷却ユニットＣＰが設けられる。熱処理部１６３の最上部には、ローカル制御装置２が設けられる。
【０１０２】
熱処理部１６３における加熱ユニットＰＨＰ、密着強化処理ユニットＰＡＨＰおよび冷却ユニットＣＰの各々が図１の処理ユニット１１０，１２０，１３０のいずれかに該当する。上段熱処理部１０１と下段熱処理部１０２との間に図１の電力制御装置２００が配置される。熱処理部１６３の電力制御装置２００は、ローカル制御装置２から工程情報を取得する。
【０１０３】
ローカル制御装置２は、図９のメイン制御装置１からの指令に基づいて、塗布処理部１６１、搬送部１６２および熱処理部１６３の動作を制御する。加熱ユニットＰＨＰにおいては、基板Ｗの加熱処理が行われる。密着強化処理ユニットＰＡＨＰにおいては、基板Ｗと反射防止膜との密着性を向上させるための密着強化処理が行われる。冷却ユニットＣＰにおいては、基板Ｗの冷却処理が行われる。
【０１０４】
熱処理部１７３は、上段熱処理部１０３および下段熱処理部１０４を有する。上段熱処理部１０３および下段熱処理部１０４には、冷却ユニットＣＰ、複数の加熱ユニットＰＨＰおよびエッジ露光部ＥＥＷが設けられる。熱処理部１７３の最上部には、ローカル制御装置３が設けられる。
【０１０５】
熱処理部１７３における冷却ユニットＣＰおよび加熱ユニットＰＨＰの各々が図１の処理ユニット１１０，１２０，１３０のいずれかに該当する。上段熱処理部１０３と下段熱処理部１０４との間に図１の電力制御装置２００が配置される。熱処理部１７３の電力制御装置２００は、ローカル制御装置３から工程情報を取得する。
【０１０６】
ローカル制御装置３は、図９のメイン制御装置１からの指令に基づいて、現像処理部１７１、搬送部１７２および熱処理部１７３の動作を制御する。エッジ露光部ＥＥＷにおいては、基板Ｗ上に形成されたレジスト膜の周縁部の一定幅の領域に露光処理（エッジ露光処理）が行われる。上段熱処理部１０３および下段熱処理部１０４において、洗浄乾燥処理ブロック１８１に隣り合うように設けられる加熱ユニットＰＨＰは、洗浄乾燥処理ブロック１８１からの基板Ｗの搬入が可能に構成される。
【０１０７】
洗浄乾燥処理部１８４には、複数（本例では５つ）の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２が設けられる。洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２においては、露光処理後の基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われる。
【０１０８】
図１２は、主として図９の搬送部１６２，１７２，１８５を示す側面図である。図１２に示すように、搬送部１６２は、上段搬送室１６５および下段搬送室１６６を有する。上段搬送室１６５には搬送装置１２が設けられ、下段搬送室１６６には搬送装置１３が設けられる。搬送部１７２は、上段搬送室１７５および下段搬送室１７６を有する。上段搬送室１７５には搬送装置１４が設けられ、下段搬送室１７６には搬送装置１５が設けられる。搬送装置１２〜１５の各々は、基板Ｗを保持しつつその基板Ｗを搬送する。
【０１０９】
搬送部１５２と上段搬送室１６５との間には、基板載置部Ｐ１，Ｐ２が設けられ、搬送部１５２と下段搬送室１６６との間には、基板載置部Ｐ３，Ｐ４が設けられる。上段搬送室１６５と上段搬送室１７５との間には、基板載置部Ｐ５，Ｐ６が設けられ、下段搬送室１６６と下段搬送室１７６との間には、基板載置部Ｐ７，Ｐ８が設けられる。
【０１１０】
上段搬送室１７５と搬送部１８５との間には、載置兼バッファ部ＰＢ１が設けられ、下段搬送室１７６と搬送部１８５との間には載置兼バッファ部ＰＢ２が設けられる。搬送部１８５において搬入搬出ブロック１８２と隣接するように、基板載置部Ｐ９および複数の載置兼冷却部ＰＣが設けられる。
【０１１１】
（７）基板処理装置の動作
図９〜図１２を参照しながら基板処理装置１００の動作を説明する。インデクサブロック１５０のキャリア載置部１５１（図９）に、未処理の基板Ｗが収容されたキャリア１５３が載置される。搬送装置１１は、キャリア１５３から基板載置部Ｐ１，Ｐ３（図１２）に未処理の基板Ｗを搬送する。また、搬送装置１１は、基板載置部Ｐ２，Ｐ４（図１２）に載置された処理済の基板Ｗをキャリア１５３に搬送する。
【０１１２】
塗布ブロック１６０において、搬送装置１２（図１２）は、基板載置部Ｐ１に載置された基板Ｗを密着強化処理ユニットＰＡＨＰ（図１１）、冷却ユニットＣＰ（図１１）および塗布処理室２２（図１０）に順に搬送する。次に、搬送装置１２は、塗布処理室２２により反射防止膜が形成された基板Ｗを加熱ユニットＰＨＰ（図１１）、冷却ユニットＣＰ（図１１）および塗布処理室２１（図１０）に順に搬送する。続いて、搬送装置１２は、塗布処理室２１によりレジスト膜が形成された基板Ｗを、加熱ユニットＰＨＰ（図１１）および基板載置部Ｐ５（図１２）に順に搬送する。
【０１１３】
この場合、密着強化処理ユニットＰＡＨＰにおいて、基板Ｗに密着強化処理が行われた後、冷却ユニットＣＰにおいて、反射防止膜の形成に適した温度に基板Ｗが冷却される。次に、塗布処理室２２において、塗布処理ユニット１６４（図１０）により基板Ｗ上に反射防止膜が形成される。続いて、加熱ユニットＰＨＰにおいて、基板Ｗの熱処理が行われた後、冷却ユニットＣＰにおいて、レジスト膜の形成に適した温度に基板Ｗが冷却される。次に、塗布処理室２１において、塗布処理ユニット１６４（図１０）により、基板Ｗ上にレジスト膜が形成される。その後、加熱ユニットＰＨＰにおいて、基板Ｗの熱処理が行われ、その基板Ｗが基板載置部Ｐ５に載置される。
【０１１４】
また、搬送装置１２は、基板載置部Ｐ６（図１２）に載置された現像処理後の基板Ｗを基板載置部Ｐ２（図１２）に搬送する。
【０１１５】
搬送装置１３（図１２）は、基板載置部Ｐ３に載置された基板Ｗを密着強化処理ユニットＰＡＨＰ（図１１）、冷却ユニットＣＰ（図１１）および塗布処理室２４（図１０）に順に搬送する。次に、搬送装置１３は、塗布処理室２４により反射防止膜が形成された基板Ｗを加熱ユニットＰＨＰ（図１１）、冷却ユニットＣＰ（図１１）および塗布処理室２３（図１０）に順に搬送する。続いて、搬送装置１３は、塗布処理室２３によりレジスト膜が形成された基板Ｗを加熱ユニットＰＨＰ（図１１）および基板載置部Ｐ７（図１２）に順に搬送する。
【０１１６】
また、搬送装置１３（図１２）は、基板載置部Ｐ８（図１２）に載置された現像処理後の基板Ｗを基板載置部Ｐ４（図１２）に搬送する。塗布処理室２３，２４（図１０）および下段熱処理部１０２（図１１）における基板Ｗの処理内容は、上記の塗布処理室２１，２２（図１０）および上段熱処理部１０１（図１１）における基板Ｗの処理内容と同様である。
【０１１７】
現像ブロック１７０において、搬送装置１４（図１２）は、基板載置部Ｐ５に載置されたレジスト膜形成後の基板Ｗをエッジ露光部ＥＥＷ（図１１）および載置兼バッファ部ＰＢ１（図１２）に順に搬送する。この場合、エッジ露光部ＥＥＷにおいて、基板Ｗにエッジ露光処理が行われる。エッジ露光処理後の基板Ｗが載置兼バッファ部ＰＢ１に載置される。
【０１１８】
また、搬送装置１４（図１２）は、洗浄乾燥処理ブロック１８１に隣接する加熱ユニットＰＨＰ（図１１）から露光装置３００による露光処理後でかつ熱処理後の基板Ｗを取り出す。搬送装置１４は、その基板Ｗを冷却ユニットＣＰ（図１１）、現像処理室３１，３２（図１０）のいずれか一方、加熱ユニットＰＨＰ（図１１）および基板載置部Ｐ６（図１２）に順に搬送する。
【０１１９】
この場合、冷却ユニットＣＰにおいて、現像処理に適した温度に基板Ｗが冷却された後、現像処理室３１，３２のいずれか一方において、現像処理ユニット１７４により基板Ｗの現像処理が行われる。その後、加熱ユニットＰＨＰにおいて、基板Ｗの熱処理が行われ、その基板Ｗが基板載置部Ｐ６に載置される。
【０１２０】
搬送装置１５（図１２）は、エッジ露光部ＥＥＷ（図１１）および載置兼バッファ部ＰＢ２（図１２）に順に搬送する。また、搬送装置１５（図１２）は、洗浄乾燥処理ブロック１８１に隣接する加熱ユニットＰＨＰ（図１１）から露光装置３００による露光処理後でかつ熱処理後の基板Ｗを取り出す。搬送装置１５は、その基板Ｗを冷却ユニットＣＰ（図１１）、現像処理室３３，３４（図１０）のいずれか一方、加熱ユニットＰＨＰ（図１１）および基板載置部Ｐ８（図１２）に順に搬送する。現像処理室３３，３４および下段熱処理部１０４における基板Ｗの処理内容は、上記の現像処理室３１，３２（図１０）および上段熱処理部１０３（図１１）における基板Ｗの処理内容と同様である。
【０１２１】
洗浄乾燥処理ブロック１８１において、搬送装置１６（図９）は、載置兼バッファ部ＰＢ１，ＰＢ２（図１２）に載置された基板Ｗを洗浄乾燥処理部１８３の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１（図１０）に搬送する。続いて、搬送装置１６は、基板Ｗを洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１から載置兼冷却部ＰＣ（図１２）に搬送する。この場合、洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１において、基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われた後、載置兼冷却部ＰＣにおいて、露光装置３００（図９）における露光処理に適した温度に基板Ｗが冷却される。
【０１２２】
搬送装置１７（図９）は、基板載置部Ｐ９（図１２）に載置された露光処理後の基板Ｗを洗浄乾燥処理部１８４の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２（図１１）に搬送する。また、搬送装置１７は、洗浄および乾燥処理後の基板Ｗを洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２から上段熱処理部１０３の加熱ユニットＰＨＰ（図１１）または下段熱処理部１０４の加熱ユニットＰＨＰ（図１１）に搬送する。この加熱ユニットＰＨＰにおいては、露光後ベーク（ＰＥＢ）処理が行われる。
【０１２３】
搬入搬出ブロック１８２において、搬送装置１８（図９）は、載置兼冷却部ＰＣ（図１２）に載置された露光処理前の基板Ｗを露光装置３００に搬送する。また、搬送装置１８（図９）は、露光装置３００から露光処理後の基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部Ｐ９（図１２）に搬送する。
【０１２４】
図９〜図１２の基板処理装置１００においては、熱処理部１６３，１７３において瞬時合計電流が低減されるので、工場の電源設備に要求される電力の低減が可能となる。それにより、工場の電源設備の小型化が可能となる。また、３相交流電源が用いられる場合には、熱処理部１６３，１７３における無効電力が低減されるので、省エネルギー化が可能となる。
【０１２５】
（８）請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応関係
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。
【０１２６】
上記の実施の形態では、電源１４０が電源の例であり、基板処理装置１００が基板処理装置の例であり、基板処理部１１１，１２１，１３１が基板処理部または温度処理部の例である。切替部１１２，１２２，１３２が切替部の例であり、判定部２５０が判定部の例であり、情報取得部２３０が情報取得部の例であり、優先度設定部２６０が優先度設定部の例であり、決定部２７０が決定部の例である。指令部２８０が指令部の例であり、切替制御部１１３，１２３，１３３が切替制御部の例であり、工程取得部２４０が工程取得部の例であり、電力制御装置２００が電力制御装置の例である。
【符号の説明】
【０１２７】
１…メイン制御装置，２，３…ローカル制御装置，１１〜１８…搬送装置，２１〜２４…塗布処理室，２５，３５…スピンチャック，２６，３６…移動機構，２７，３７…カップ，２８…処理ノズル，３１〜３４…現像処理室，３８…現像ノズル，１００…基板処理装置，１０１，１０３…上段熱処理部，１０２，１０４…下段熱処理部，１１０，１２０，１３０…処理ユニット，１１１，１２１，１３１…基板処理部，１１２，１２２，１３２…切替部，１１３，１２３，１３３…切替制御部，１４０…電源，１５０…インデクサブロック，１５１…キャリア載置部，１５２，１６２，１７２，１８５…搬送部，１５３…キャリア，１６０…塗布ブロック，１６１…塗布処理部，１６３，１７３…熱処理部，１６４…塗布処理ユニット，１６５，１７５…上段搬送室，１６６，１７６…下段搬送室，１７０…現像ブロック，１７１…現像処理部，１７４…現像処理ユニット，１８０…インターフェイスブロック，１８１…洗浄乾燥処理ブロック，１８２…搬入搬出ブロック，１８３，１８４…洗浄乾燥処理部，２００…電力制御装置，２１０…周期設定部，２２０…通知部，２３０…情報取得部，２４０…工程取得部，２５０…判定部，２６０…優先度設定部，２７０…決定部，２８０…指令部，３００…露光装置，ＣＰ…冷却ユニット，ＥＥＷ…エッジ露光部，Ｐ１〜Ｐ９…基板載置部，ＰＡＨＰ…密着強化処理ユニット，ＰＢ１，ＰＢ２…載置兼バッファ部，ＰＣ…載置兼冷却部，ＰＨＰ…加熱ユニット，ＳＤ１，ＳＤ２…洗浄乾燥処理ユニット，Ｗ…基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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