(57)【要約】【課題】大きい反射率を有する反射基板を提供すること。【解決手段】本発明の反射基板は、金属基板と上記金属基板上に形成された反射層とを有する反射基板であって、上記反射層は、白色セラミック粒子とオルガノポリシロキサン架橋体とを含み、上記白色セラミック粒子は、比表面積が６ｍ2/ｇ以上５０ｍ2/ｇ以下であり、粒子径が０．２μｍ以上２μｍ以下である。本発明の反射基板の製造方法は、電着液を用いた電気泳動電着法により、金属基板上に、白色セラミック粒子とオルガノポリシロキサン架橋体を形成する成分とを含む電着層を形成する工程を含む。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属基板と前記金属基板上に形成された反射層とを有する反射基板であって、
前記反射層は、白色セラミック粒子とオルガノポリシロキサン架橋体とを含み、
前記白色セラミック粒子は、比表面積が６ｍ2/ｇ以上５０ｍ2/ｇ以下であり、粒子径が０．２μｍ以上２μｍ以下であることを特徴とする反射基板。
【請求項２】
電着液を用いた電気泳動電着法により、金属基板上に、白色セラミック粒子およびオルガノポリシロキサン架橋体を形成するための成分を含む電着層を形成する工程と、前記金属基板上に形成された前記電着層から、前記白色セラミック粒子およびオルガノポリシロキサン架橋体を含む反射層を形成する工程とを含み、
前記電着液は、前記白色セラミック粒子と、前記オルガノポリシロキサン架橋体を形成するための成分とを含み、
前記白色セラミック粒子は、比表面積が６ｍ2/ｇ以上５０ｍ2/ｇ以下であり、粒子径が０．２μｍ以上２μｍ以下であり、
前記オルガノポリシロキサン架橋体を形成するための成分は、金属アルコキシドまたは該金属アルコキシドの加水分解縮合物と、金属アルコキシドを末端に有するオルガノポリシロキサンとを含むことを特徴とする反射基板の製造方法。
【請求項３】
電気泳動電着法により、金属基板上に反射層を形成するための電着液であって、
白色セラミック粒子と、オルガノポリシロキサン架橋体を形成するための成分とを含み、
前記白色セラミック粒子は、比表面積が６ｍ2/ｇ以上５０ｍ2/ｇ以下であり、粒子径が０．２μｍ以上２μｍ以下であり、
前記オルガノポリシロキサン架橋体を形成するための成分は、金属アルコキシドまたは該金属アルコキシドの加水分解縮合物と、金属アルコキシドを末端に有するオルガノポリシロキサンとを含むことを特徴とする電着液。
【請求項４】
請求項１に記載の反射基板と、前記反射基板に実装されたＬＥＤ素子とを有することを特徴とするＬＥＤパッケージ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、反射基板、反射基板の製造方法、電着液およびＬＥＤパッケージに関する。
【背景技術】
【０００２】
アルミ基板と、上記アルミ基板上に設けられた複数の増反射処理層と、上記複数の増反射処理層上に装着されたＬＥＤ素子と、上記アルミ基板上で、上記複数の増反射処理層が設けられた領域以外の領域に接着されたプリント配線基板と、上記プリント配線基板と上記ＬＥＤ素子とを接続するワイヤと、上記ＬＥＤ素子の周囲に配置されたダム材と、上記ダム材の内側領域に配置された蛍光体樹脂と、を有するＬＥＤ（発光ダイオード）照明装置が知られている（特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１５−２０７７４３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記アルミ基板は反射率の点で改善の余地がある。また、その他の装置に応用される反射基板も反射率の点で改善の余地がある。
【０００５】
そこで、本発明の目的は、大きい反射率を有する反射基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係る反射基板は、金属基板と上記金属基板上に形成された反射層とを有する反射基板であって、上記反射層は、白色セラミック粒子とオルガノポリシロキサン架橋体とを含み、上記白色セラミック粒子は、比表面積が６ｍ2/ｇ以上５０ｍ2/ｇ以下であり、粒子径が０．２μｍ以上２μｍ以下であることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００７】
本発明の反射基板は、大きい反射率を有する。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】図１は、オルガノポリシロキサン架橋体の構造の具体例を示す図である。
【図２】図２は、電着液を用いた電気泳動電着法を説明するための図である。
【図３】図３は、電着液を用いた電気泳動電着法を説明するための図である。
【図４】図４は、実施形態に係るＬＥＤパッケージの平面図である。
【図５】図５は、図５のＡ−Ａ’断面図である。
【図６】図６は、実施形態に係るＬＥＤパッケージの変形例の断面図である。
【図７】図７は、他の実施形態に係るＬＥＤパッケージの断面図である。
【図８】図８は、比表面積に対する反射率の変化を示す図である。
【図９】図９は、粒子径に対する反射率の変化を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
本発明を実施するための形態（実施形態）につき、詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換または変更を行うことができる。
【００１０】
＜反射基板＞
実施形態に係る反射基板は、金属基板と上記金属基板上に形成された反射層とを有する。
【００１１】
上記金属基板としては、アルミニウム、ステンレス、チタン、銅などの基板が挙げられる。上記アルミニウム基板としては、具体的には、純アルミニウム基板、アルミニウムを主成分とする合金板、低純度のアルミニウムに高純度アルミニウムを蒸着させた基板、プラズマ電解酸化法を行ったアルミニウム基板などが挙げられる。上記金属基板の厚さは、特に限定されないが、たとえば０．１ｍｍ以上３ｍｍ以下である。
【００１２】
上記反射層は、白色セラミック粒子およびオルガノポリシロキサン架橋体を含む。
【００１３】
上記白色セラミック粒子としては、アルミナ（酸化アルミニウム）、ジルコニア（二酸化ジルコニウム）、チタニア（二酸化チタン）などの粒子が挙げられる。これらのうちで、ジルコニアが好適に用いられる。上記白色セラミック粒子は、１種単独で用いても、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００１４】
上記白色セラミック粒子は、比表面積が６ｍ2/ｇ以上５０ｍ2/ｇ以下であり、好ましくは６ｍ2/ｇ以上１３ｍ2/ｇ以下である。比表面積が上記範囲にあると、反射層の反射率を大きくできる。比表面積が６ｍ2/ｇよりも小さいとコストなどの点から大量生産が難しいことがある。ここで、比表面積は、ＪＩＳ  Ｒ１６２６に準拠し、気体吸着ＢＥＴ法によって求めた値である。
【００１５】
上記白色セラミック粒子は、粒子径が０．２μｍ以上２μｍ以下である。粒子径が上記範囲にあると、緻密な反射層が得られる。また、反射層の反射率を大きくできる。ここで、粒子径は、ＪＩＳ  Ｒ１６２９に準拠し、レーザ回折・散乱法によって求めた粒度分布の中央値（メジアン径、ｄ５０）である。
【００１６】
上記オルガノポリシロキサン架橋体は、上記白色セラミック粒子を結合するバインダの役割を有する。図１は、オルガノポリシロキサン架橋体の構造の具体例を示す図である。図１に示すように、このオルガノポリシロキサン架橋体では、オルガノポリシロキサン１はシリカガラス２を介して架橋されていると考えられる。上記オルガノポリシロキサン架橋体は、紫外線に強く、強度も大きい。このため、上記反射層は、ＬＥＤ素子を実装するために好適に用いられる。
【００１７】
上記反射層において、上記白色セラミック粒子は通常１０質量％以上９０質量％以下の量で含まれている。上記白色セラミック粒子の量が上記範囲にあると、反射層の反射率を大きくできる。
【００１８】
また、上記反射層の厚さは、通常５μｍ以上２００μｍ以下である。厚さが上記範囲にあると、反射層の反射率を大きくできる。
【００１９】
また、上記反射層の反射率は、通常９０％以上である。反射率が上記範囲にあると、ＬＥＤ素子を実装するための反射層として好適に用いられる。ここで、反射率は、実施例に記載する方法によって測定した値である。ところで、従来の誘電体多層膜では、反射率を９０％以上とすることは難しかった。これはＴｉＯ2が低波長側の光を吸収するためと考えられる。反射率を大きくするためには多層化が必要だが、コストが増大する問題があった。これに対して、実施形態に係る反射基板では、特定の比表面積および粒子径を有する白色セラミック粒子を用いているため、反射率が向上できる。
【００２０】
なお、上記反射層には、本発明の目的を阻害しない範囲で、炭化ケイ素等のその他のセラミック粒子、シリカなどがさらに含まれていてもよい。
【００２１】
＜反射基板の製造方法＞
上記反射基板の製造方法は、電着液を用いた電気泳動電着法により、金属基板上に、電着層を形成する工程（電着層形成工程）と、上記金属基板上に形成された上記電着層から反射層を形成する工程（反射層形成工程）と含む。
【００２２】
〔電着層形成工程〕
上記電着層形成工程に用いる電着液は、上記白色セラミック粒子と、上記オルガノポリシロキサン架橋体を形成するための成分とを含む。上記オルガノポリシロキサン架橋体を形成するための成分は、金属アルコキシド（Ａ−１）または金属アルコキシドの加水分解縮合物（Ａ−２）と、金属アルコキシドを末端に有するオルガノポリシロキサン（Ｂ）とを含む。本明細書において、上記金属アルコキシドを末端に有するオルガノポリシロキサンを変性オルガノポリシロキサン（Ｂ）ともいう。
【００２３】
上記金属アルコキシド（Ａ−１）としては、アルコキシシランが好適に用いられる。上記アルコキシシランとしては、具体的には、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラ−ｎ−プロポキシシラン、テトラ−ｉ−プロポキシシラン、テトラ−ｎ−ブトキシシランなどのテトラアルコキシシラン類が好適に用いられる。上記金属アルコキシド（Ａ−１）は、１種単独で用いても、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００２４】
上記金属アルコキシドの加水分解縮合物（Ａ−２）（上記金属アルコキシド（Ａ−１）の部分加水分解オリゴマー）としては、アルコキシシランの加水分解縮合物（上記アルコキシシランの部分加水分解オリゴマー）が好適に用いられる。上記アルコキシシランの加水分解縮合物としては、具体的には、ポリメチルシリケート、ポリエチルシリケート、ポリプロポキシシリケート、ポリブトキシシリケートが挙げられる。これらのうちで、ポリエチルシリケートが特に好ましく用いられる。上記金属アルコキシドの加水分解縮合物は、１種単独で用いても、２種以上を組み合わせて用いてもよい。なお、上記金属アルコキシド（Ａ−１）および上記金属アルコキシドの加水分解縮合物（Ａ−２）を組み合わせて用いてもよい。
【００２５】
上記変性オルガノポリシロキサン（Ｂ）は、オルガノポリシロキサンの主鎖の片末端または両末端を、金属アルコキシドにて修飾したオルガノポリシロキサンである。あるいは、上記変性オルガノポリシロキサン（Ｂ）は、オルガノポリシロキサンの主鎖の片末端または両末端を、金属アルコキシドの加水分解縮合物（金属アルコキシドの部分加水分解オリゴマー）にて修飾したオルガノポリシロキサンである。修飾前のオルガノポリシロキサンは、たとえば下記式（１）で表される。また、修飾に用いる金属アルコキシドおよび金属アルコキシドの加水分解縮合物は、たとえば下記式（２）、（３）または（４）で表される。
【００２６】
【化１】
2019068026.tif 000002
【００２７】
上記式（１）中、Ｒ1およびＲ2は、それぞれ独立に、アルキル基、アリール基、アラルキル基、アルケニル基、またはシクロアルキル基である。これらの具体例としては、メチル基、エチル基、フェニル基、ベンジル基、メチレン基、エチレン基、シクロプロピル基、シクロヘキシル基が挙げられる。ｎは２以上の整数である。
【００２８】
上記修飾前のオルガノポリシロキサンとしては、具体的には、ポリジアルキルシロキサン、ポリジアリールシロキサン、ポリアルキルアリールシロキサンが好適に用いられ、ポリジメチルシロキサン、ポリジエチルシロキサン、ポリジフェニルシロキサン、ポリメチルフェニルシロキサン、ポリジフェニルジメチルシロキサンがより好適に用いられる。上記修飾前のオルガノポリシロキサンとしては、ポリジメチルシロキサンおよびポリジフェニルジメチルシロキサンが特に好ましく用いられる。上記修飾前のオルガノポリシロキサンは、１種単独で用いても、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００２９】
【化２】
2019068026.tif 000003
【００３０】
【化３】
2019068026.tif 000004
【００３１】
【化４】
2019068026.tif 000005
【００３２】
上記式（２）〜（４）中、Ｍは、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｚｒなどである。Ｒ3、Ｒ4およびＲ5は、それぞれ独立に、アルキル基、アリール基、アラルキル基、アルケニル基、またはシクロアルキル基である。これらの具体例としては、メチル基、エチル基、フェニル基、ベンジル基、メチレン基、エチレン基、シクロプロピル基、シクロヘキシル基が挙げられる。ＸおよびＹは、それぞれ独立に、水素、アルキル基、アリール基、アラルキル基、アルケニル基、またはシクロアルキル基である。これらの具体例としては、メチル基、エチル基、フェニル基、ベンジル基、メチレン基、エチレン基、シクロプロピル基、シクロヘキシル基が挙げられる。上記修飾に用いる成分が金属アルコキシドの場合は、ｍは１である。また、上記修飾に用いる成分が金属アルコキシドの加水分解縮合物の場合は、ｍは２以上の整数である。なお、上記式（２）、（３）中、Ｍは、Ａｌであってもよい。この場合、上記式（２）中、−Ｘはなく、−Ｙのみが存在し、上記式（３）中、−Ｘはなく、−ＯＲ4のみが存在する。
【００３３】
上記オルガノポリシロキサンの修飾（変性）に用いる金属アルコキシドとしては、具体的には、アルコキシシランが好適に用いられる。
【００３４】
上記アルコキシシランとしては、より具体的には、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラ−ｎ−プロポキシシラン、テトラ−ｉ−プロポキシシラン、テトラ−ｎ−ブトキシシランなどのテトラアルコキシシラン類；
トリメトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、ｎ−プロピルトリメトキシシラン、ｎ−プロピルトリエトキシシラン、ｉ−プロピルトリメトキシシラン、ｉ−プロピルトリエトキシシラン、ｎ−ブチルトリメトキシシラン、ｎ−ブチルトリエトキシシラン、ｎ−ペンチルトリメトキシシラン、ｎ−ヘキシルトリメトキシシラン、ｎ−ヘプチルトリメトキシシラン、ｎ−オクチルトリメトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、シクロヘキシルトリメトキシシラン、シクロヘキシルトリエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、３−クロロプロピルトリメトキシシラン、３−クロロプロピルトリエトキシシラン、３，３，３−トリフルオロプロピルトリメトキシシラン、３，３，３−トリフルオロプロピルトリエトキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、２−ヒドロキシエチルトリメトキシシラン、２−ヒドロキシエチルトリエトキシシラン、２−ヒドロキシプロピルトリメトキシシラン、２−ヒドロキシプロピルトリエトキシシラン、３−ヒドロキシプロピルトリメトキシシラン、３−ヒドロキシプロピルトリエトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリエトキシシラン、３−イソシアナートプロピルトリメトキシシラン、３−イソシアナートプロピルトリエトキシシラン、３−（メタ）アクリルオキシプロピルトリメトキシシラン、３−（メタ）アクリルオキシプロピルトリエトキシシラン、３−ウレイドプロピルトリメトキシシラン、３−ウレイドプロピルトリエトキシシランなどのトリアルコキシシラン類；
ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジエチルジメトキシシラン、ジエチルジエトキシシラン、ジ−ｎ−プロピルジメトキシシラン、ジ−ｎ−プロピルジエトキシシラン、ジ−ｉ−プロピルジメトキシシラン、ジ−ｉ−プロピルジエトキシシラン、ジ−ｎ−ブチルジメトキシシラン、ジ−ｎ−ブチルジエトキシシラン、ジ−ｎ−ペンチルジメトキシシラン、ジ−ｎ−ペンチルジエトキシシラン、ジ−ｎ−ヘキシルジメトキシシラン、ジ−ｎ−ヘキシルジエトキシシラン、ジ−ｎ−ヘプチルジメトキシシラン、ジ−ｎ−ヘプチルジエトキシシラン、ジ−ｎ−オクチルジメトキシシラン、ジ−ｎ−オクチルジエトキシシラン、ジ−ｎ−シクロヘキシルジメトキシシラン、ジ−ｎ−シクロヘキシルジエトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、ジフェニルジエトキシシランなどのジアルコキシシラン類が挙げられる。上記アルコキシシランとしては、テトラメトキシシラン、トリメトキシメチルシランが特に好ましく用いられる。上記アルコキシシランは、１種単独で用いても、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００３５】
上記オルガノポリシロキサンの修飾（変性）に用いる金属アルコキシドの加水分解縮合物としては、具体的には、ポリメチルシリケート、ポリエチルシリケート、ポリプロポキシシリケート、ポリブトキシシリケートが好適に用いられる。上記金属アルコキシドの加水分解縮合物としては、ポリエチルシリケートが特に好ましく用いられる。上記金属アルコキシドの加水分解縮合物は、１種単独で用いても、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００３６】
上記変性オルガノポリシロキサンの質量平均分子量は、たとえば８０００以上７６０００以下である。
【００３７】
上記電着液は、脱水イソプロピルアルコール、脱水ｎ−プロピルアルコール、脱水ｎ−ブチルアルコール、脱水イソブチルアルコール、脱水ｎ−ペンチルアルコール、脱水２−ペンチルアルコール、脱水３−ペンチルアルコールなどの溶媒、モノクロロ酢酸、酢酸などの安定化剤をさらに含んでいてもよい。
【００３８】
上記電着液は、たとえば以下の手順で調製される。まず、白色セラミック粒子を加熱して乾燥させる。次いで、乾燥させた白色セラミック粒子に、必要に応じて溶媒および安定化剤を加え、攪拌して、白色セラミック粒子含有混合液を得る。攪拌には、たとえば超音波ホモジナイザー、超音波バスを用いる。白色セラミック粒子、溶媒および安定化剤の量、ならびに攪拌条件は、好適な反射層が得られるように適宜調整する。
【００３９】
次に、白色セラミック粒子含有混合液に対して、オルガノポリシロキサン架橋体を形成するための成分を加える。具体的には、上述した金属アルコキシド（Ａ−１）または金属アルコキシドの加水分解縮合物（Ａ−２）と、変性オルガノポリシロキサン（Ｂ）とを予め混合して、オルガノポリシロキサン架橋体を形成するための成分（組成物溶液）を調製しておく。白色セラミック粒子含有混合液に対して、このオルガノポリシロキサン架橋体を形成するための成分（組成物溶液）を加える。これにより、上記電着液が調製できる。
【００４０】
上記電着層形成工程では、上述のようにして調製された電着液を用いて、電気泳動電着法により、金属基板上に電着層を形成する。図２および図３は、電着液を用いた電気泳動電着法を説明するための図である。
【００４１】
電気泳動電着法は、具体的には、電着装置１０により行われる。図２に示すように、電着装置１０は、容器１２と、電極１４ａ、１４ｂと、電極１４ａ、１４ｂとに接続された電源１６とを備えている。容器１２には電着液２０が入れられ、電極１４ａ、１４ｂは電着液２０に浸される。
【００４２】
電極１４ａは、上述した金属基板で構成される。電極１４ｂはステンレス鋼材あるいは炭素材などにより構成される。電極１４ａには正の電圧が印加され、電極１４ｂには負の電圧が印加される。したがって、電極１４ａは陽極、電極１４ｂは陰極となる。本明細書において、電極１４ａを金属基板１４ａともいう。
【００４３】
電着液２０中には、白色セラミック粒子２２が浮遊している。前述モノクロロ酢酸を安定化剤とする電着液を用いた場合、電着液２０中にて、白色セラミック粒子２２が負電荷に帯電する。図３に示すように、電界印加により、白色セラミック粒子２２は陽極である金属基板１４ａに引き寄せられ、金属基板１４ａ上へ固定または堆積される。また、オルガノポリシロキサン架橋体を形成するための成分も、白色セラミック粒子２２とともに金属基板１４ａ上へ電着される。ここで、オルガノポリシロキサン架橋体を形成するための成分は、未硬化もしくは半硬化状態である。このようにして、金属基板１４ａ上に、白色セラミック粒子２２およびオルガノポリシロキサン架橋体を形成するための成分を含む電着層２４が形成される。
【００４４】
電流および電圧印加時間を適宜変更すると、最終的に得られる反射層の厚さなどの特性を調整できる。
【００４５】
〔反射層形成工程〕
反射層形成工程では、通常、上記電着層形成工程で形成された電着層を加熱して、反射層を形成する。電着層中のオルガノポリシロキサン架橋体を形成するための成分は、水の存在下で加水分解・脱水重縮合反応によって硬化して、オルガノポリシロキサン架橋体（硬化体）となる。なお、焼成を通常の大気下で行うことにより、反応に必要な水分として空気中の水分が利用できる。このようにして、金属基板上に、白色セラミック粒子およびオルガノポリシロキサン架橋体を含む反射層が形成される。反射層において、上記オルガノポリシロキサン架橋体は、バインダとして機能する。
【００４６】
加熱温度は、たとえば室温（具体的には２０℃）を超え３００℃以下である。加熱時間としては、通常、上記加水分解・脱水重縮合反応が終了するまでの時間を適宜設定する。また、室温で反射層を形成させてもよい。いいかえると、室温で、上記加水分解・脱水重縮合反応が終了するまでの時間、電着層を形成した金属基板を置いておいてもよい。
【００４７】
なお、図２に示した電着装置１０では、金属基板１４ａにおける電極１４ｂと対向する面に電着層２４が形成される。したがって、金属基板１４ａの両面に電着層２４を形成する場合には、金属基板１４ａの向きを裏返してもよい。あるいは、金属基板１４ａの両面と対向するように２つの電極１４ｂをそれぞれ配置してもよい。この場合は、最終的には金属基板の両面上に、白色セラミック粒子およびオルガノポリシロキサン架橋体を含む反射層が形成される。
【００４８】
なお、オルガノポリシロキサン架橋体を形成するための成分は、オルガノポリシロキサン系有機・無機ハイブリッド材料の原料液と呼ばれることがある。また、オルガノポリシロキサン架橋体は、オルガノポリシロキサン系有機・無機ハイブリッド材料と呼ばれることがある。
【００４９】
＜ＬＥＤパッケージ＞
実施形態に係るＬＥＤパッケージは、上述した反射基板と、上記反射基板に実装されたＬＥＤ素子とを有する。図４は、実施形態に係るＬＥＤパッケージの平面図である。図５は、図５のＡ−Ａ’断面図である。
【００５０】
ＬＥＤパッケージ１００は、上述したような反射基板３０を有する。反射基板３０は、金属基板３２と、金属基板３２上に形成された反射層３４とを有する。さらに、ＬＥＤパッケージ１００は、プリント配線基板３６、ダム材３８、ＬＥＤ素子４０、蛍光体樹脂４２などから構成される。また、プリント配線基板３６は、基台３６ａ、電極３６ｂ（電極３６ｂ−１、３６ｂ−２）、レジスト３６ｃから構成される。
【００５１】
ＬＥＤ素子４０は、シリコーン樹脂などによって略円形に配置されたダム材３８によって仕切られた領域（素子実装領域４４）に、ダイボンド材４６により接着され、実装される。この素子実装領域４４において、金属基板３２上に反射層３４が積層されている。したがって、ＬＥＤ素子４０は、反射層３４の表面に接着されている。なお、プリント配線基板３６は、素子実装領域４４の周囲に接着シート４８により接着されている。
【００５２】
素子実装領域４４には、プリント配線基板３６上の電極３６ｂ−１と電極３６ｂ−２との間に、１２個ずつ直列に接続された３グループのＬＥＤ素子４０が並列に接続されている。接続には通常金ワイヤ５０が用いられる。電極３６ｂ−１および電極３６ｂ−２間に所定の電圧が供給されると、ＬＥＤ素子４０が発光する。
【００５３】
ＬＥＤ素子４０の周囲で、ダム材３８の内側には、ＬＥＤ素子４０を保護するための蛍光体樹脂４２が存在している。蛍光体樹脂４２には、たとえば透明性のあるエポキシ樹脂、シリコーン樹脂が用いられる。蛍光体樹脂４２には、樹脂とともに蛍光体が含まれている。蛍光体は、ＬＥＤ素子４０から発光された青色光の一部を吸収し、波長変換した黄色光を発光する。このため、青色光と黄色光とが混ざり合い、ＬＥＤパッケージ１００からは白色光が出射される。
【００５４】
反射層３４は、上述したように、上記白色セラミック粒子と、上記オルガノポリシロキサン架橋体とを含むため、反射率が大きい。したがって、ＬＥＤパッケージ１００は、ＬＥＤ素子４０の発光を効率よく活用できる。
【００５５】
なお、実施形態に係るＬＥＤパッケージ１００では、１２個ずつ直列に接続された３グループのＬＥＤ素子４０が並列に接続されている。しかしながら、直列に接続されるＬＥＤ素子４０の数、並列に接続されるグループ数は、これに限らない。
【００５６】
また、図６は、実施形態に係るＬＥＤパッケージの変形例の断面図である。図６に示した変形例では、金属基板３２全面に反射層３４を設け、その上にプリント配線基板３６を接着シート４８により接着している。その他の点については、図４および図５に示した実施形態に係るＬＥＤパッケージと同じであるため、説明を省略する。変形例もＬＥＤ素子の発光を効率よく活用できる。さらに、基台３６ａおよび反射層３４が積層され、両者で絶縁基板の役割を果たすようになるため、絶縁耐圧が向上する。また、ＬＥＤパッケージの製造においてマスキングが不要となり、一括処理できるため、生産的（コスト的）にも有利である。
【００５７】
さらに、実施形態に係るＬＥＤパッケージは、以下の構成を有するＬＥＤパッケージであってもよい。図７は、他の実施形態に係るＬＥＤパッケージの断面図である。他の実施形態に係るＬＥＤパッケージ２００は、上述したような反射基板６０を有する。反射基板６０は、金属基板６２と、金属基板６２上に形成された反射層６４とを有する。さらに、ＬＥＤパッケージ２００は、配線６６、配線６６と電気的に接合されたＬＥＤ素子６８などから構成される。図示していないが、ＬＥＤパッケージ２００は、配線６６およびＬＥＤ素子６８が蛍光体樹脂でモールドされていてもよい。配線６６に所定の電圧が供給されると、ＬＥＤ素子６８が発光する。
【００５８】
反射層６４は、上述したように、上記白色セラミック粒子と、上記オルガノポリシロキサン架橋体とを含むため、反射率が大きい。したがって、ＬＥＤパッケージ２００は、ＬＥＤ素子６８の発光を効率よく活用できる。
【００５９】
なお、実施形態に係るＬＥＤパッケージにおいては、青色ＬＥＤ素子と黄色蛍光体とを組み合わせた「擬似白色発光型」を例に挙げて説明した。しかしながら、これに限らない。実施形態に係るＬＥＤパッケージは、たとえば、紫外〜近紫外ＬＥＤ素子と、赤色蛍光体、緑色蛍光体および青色蛍光体などとを組み合わせた「紫外〜近紫外光源型」であってもよい。さらに、赤色ＬＥＤ素子、緑色ＬＥＤ素子および青色ＬＥＤ素子の３光源で白色発光させる「ＲＧＢ光源型」であってもよい。
【００６０】
なお、上述した反射基板は、ＬＥＤパッケージ以外のその他の装置にも好適に応用できる。これにより、上記装置においても反射率を改善できる。
【００６１】
以上より、本発明は以下に関する。
［１］  金属基板と上記金属基板上に形成された反射層とを有する反射基板であって、上記反射層は、白色セラミック粒子とオルガノポリシロキサン架橋体とを含み、上記白色セラミック粒子は、比表面積が６ｍ2/ｇ以上５０ｍ2/ｇ以下であり、粒子径が０．２μｍ以上２μｍ以下であることを特徴とする反射基板。
上記反射基板は、大きい反射率を有する。
［２］  電着液を用いた電気泳動電着法により、金属基板上に、白色セラミック粒子およびオルガノポリシロキサン架橋体を形成するための成分を含む電着層を形成する工程と、上記金属基板上に形成された上記電着層から、上記白色セラミック粒子およびオルガノポリシロキサン架橋体を含む反射層を形成する工程とを含み、上記電着液は、上記白色セラミック粒子と、上記オルガノポリシロキサン架橋体を形成するための成分とを含み、上記白色セラミック粒子は、比表面積が６ｍ2/ｇ以上５０ｍ2/ｇ以下であり、粒子径が０．２μｍ以上２μｍ以下であり、上記オルガノポリシロキサン架橋体を形成するための成分は、金属アルコキシドまたは該金属アルコキシドの加水分解縮合物と、金属アルコキシドを末端に有するオルガノポリシロキサンとを含むことを特徴とする反射基板の製造方法。
上記反射基板の製造方法によれば、大きい反射率を有する反射基板が得られる。
［３］  電気泳動電着法により、金属基板上に反射層を形成するための電着液であって、白色セラミック粒子と、オルガノポリシロキサン架橋体を形成するための成分とを含み、上記白色セラミック粒子は、比表面積が６ｍ2/ｇ以上５０ｍ2/ｇ以下であり、粒子径が０．２μｍ以上２μｍ以下であり、上記オルガノポリシロキサン架橋体を形成するための成分は、金属アルコキシドまたは該金属アルコキシドの加水分解縮合物と、金属アルコキシドを末端に有するオルガノポリシロキサンとを含むことを特徴とする電着液。
上記電着液を用いると、大きい反射率を有する反射基板が製造できる。
［４］  ［１］に記載の反射基板と、上記反射基板に実装されたＬＥＤ素子とを有することを特徴とするＬＥＤパッケージ。
上記ＬＥＤパッケージは、上記反射基板を有するため、ＬＥＤ素子の発光を効率よく活用できる。
【００６２】
以下、実施例に基づいて本発明をさらに具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【００６３】
［実施例］
【００６４】
［実施例１−１］
（ジルコニア粒子含有混合液の調製）
まず、球状のジルコニア（ＺｒＯ2）粒子を用意した。上記ジルコニア粒子は、比表面積が８ｍ2/ｇであり、粒子径が０．５５μｍであった。上記ジルコニア粒子を、１３０℃で１時間乾燥させた。次いで、上記ジルコニア粒子に、脱水イソプロピルアルコール（ＩＰＡ、和光純薬工業株式会社製、２−プロパノール（超脱水））およびモノクロロ酢酸（ＭＣＡＡ、和光純薬工業株式会社製、Ｃｈｌｏｒｏａｃｅｔｉｃ  Ａｃｉｄ）を加えた。ここで、得られた溶液には、ジルコニア粒子が１５質量％、ＭＣＡＡが１２．７５質量％および脱水ＩＰＡが７２．２５質量％の濃度となるように配合した。
次に、上記溶液に対して、ｈｉｅｌｓｃｈｅｒ製、ＵＰ１００Ｈによる超音波ホモジナイザー処理３分、Ｆｉｎｅ製、ＦＵ−３Ｈによる超音波バス処理１時間を行った。これらの処理は、脱水ＩＰＡおよびＭＣＡＡ内にジルコニア粒子が均一に混合されるように、上記溶液を攪拌しながら行った。これにより、ジルコニア粒子含有混合液を得た。
【００６５】
（オルガノポリシロキサン架橋体を形成するための成分の調製）
エチルシリケート末端変性ポリジメチルシロキサン（以下、ＥＳ−ＰＤＭＳ−Ｂともいう。）と、エチルシリケート（以下、ＥＳともいう。）とを混合して、オルガノポリシロキサン架橋体を形成するための成分を調製した。
ＥＳ−ＰＤＭＳ−Ｂは、質量平均分子量２２０００であり、下記式（５）で表される。ＥＳ−ＰＤＭＳ−Ｂは、特開２０１６−６５２３４号公報に記載された方法で作製した。また、ＥＳは、下記式（６）で表される。ここで、下記式（５）、（６）中、ｎは８以上１０以下の整数である。
【００６６】
【化５】
2019068026.tif 000006
【００６７】
【化６】
2019068026.tif 000007
【００６８】
（電着液の調製）
【００６９】
ジルコニア粒子含有混合液を攪拌しながら、オルガノポリシロキサン架橋体を形成するための成分を添加して、電着液を得た。配合の例としては、前記のジルコニア粒子含有混合液１００ｇに対して、ＥＳ、ＥＳ−ＰＤＭＳ−Ｂをそれぞれ５．１ｇ、１５．１ｇである。
【００７０】
（電着層形成工程）
上記電着液２０を用いて、電気泳動電着法により、アルミニウム基板１４ａ上に電着層２４を形成した（図２、図３）。
電気泳動電着法は、具体的には、電着装置１０により行った。容器１２に電着液２０を入れ、該電着液２０にアルミニウム基板１４ａおよびステンレス鋼材１４ｂを浸した。ここで、電源装置１６として、Ａｎａｔｅｃｈ製、Ｐｒｏ−３９００を用いた。
電界印加により、アルミニウム基板１４ａに、電着液２０中のジルコニア粒子２２を固定または堆積した。また、オルガノポリシロキサン架橋体を形成するための成分も、白ジルコニア粒子２２とともにアルミニウム基板１４ａ上へ電着した。このようにして、アルミニウム基板１４ａ上に、ジルコニア粒子２２およびオルガノポリシロキサン架橋体を形成するための成分を含む電着層２４を形成した。
電着は、電流を一定とし、電着層２４の膜さが５０μｍとなるように電着時間を適宜調整して行った。
【００７１】
（反射層形成工程）
アルミニウム基板１４ａ上に形成された電着層２４から反射層を形成した。具体的には、電着層２４が形成されたアルミニウム基板１４ａを、２５０℃で２時間加熱した。ここで、オルガノポリシロキサン架橋体を形成するための成分は、加熱により、加水分解・脱水重縮合反応によって硬化して、オルガノポリシロキサン架橋体（硬化体）となった。このようにして、ジルコニア粒子２２およびオルガノポリシロキサン架橋体を含む反射層を形成した。
以上のようにして、アルミニウム基板と上記アルミニウム基板上に形成された反射層とを有する反射基板を作製した。
【００７２】
［実施例１−２］
比表面積が１３ｍ2/ｇであり、粒子径が０．５５μｍであるジルコニア粒子を用いた他は、実施例１−１と同様にして、反射基板を作製した。
【００７３】
［実施例１−３］
比表面積が３６ｍ2/ｇであり、粒子径が０．５５μｍであるジルコニア粒子を用いた他は、実施例１−１と同様にして、反射基板を作製した。
【００７４】
［比較例１−１］
比表面積が５４ｍ2/ｇであり、粒子径が０．５５μｍであるジルコニア粒子を用いた他は、実施例１−１と同様にして、反射基板を作製した。
【００７５】
［比較例１−２］
比表面積が６８ｍ2/ｇであり、粒子径が０．５５μｍであるジルコニア粒子を用いた他は、実施例１−１と同様にして、反射基板を作製した。
【００７６】
［比較例１−３］
比表面積が８２ｍ2/ｇであり、粒子径が０．５５μｍであるジルコニア粒子を用いた他は、実施例１−１と同様にして、反射基板を作製した。
【００７７】
［実施例２−１］
比表面積が１０ｍ2/ｇであり、粒子径が０．２μｍであるジルコニア粒子を用いた他は、実施例１−１と同様にして、反射基板を作製した。
【００７８】
［実施例２−２］
比表面積が６．５ｍ2/ｇであり、粒子径が２μｍであるジルコニア粒子を用いた他は、実施例１−１と同様にして、反射基板を作製した。
【００７９】
［比較例２−１］
比表面積が１０ｍ2/ｇであり、粒子径が１７μｍであるジルコニア粒子を用いた他は、実施例１−１と同様にして、反射基板を作製した。
【００８０】
＜反射率＞
作製した反射基板について、分光測色計ＣＭ−２６００ｄ（コニカミノルタセンシング株式会社製）を用いて、波長３６０ｎｍ以上７４０ｎｍ以下の全反射率（ｄ／８  ＳＣＩ）を測定した。この値を反射率とした。得られた結果を表１、表２および図８、図９に示す。
【００８１】
【表１】
2019068026.tif 000008
【００８２】
（粒子径：０．５５μｍ）
【００８３】
【表２】
2019068026.tif 000009
【００８４】
図８には、実施例１−１〜１−３および比較例１−１〜１−３の反射率の結果を示した。２次曲線（ｙ＝−０．００２２ｘ2＋０．０４３１ｘ＋９３．２８７）でフィッティングしたところ、白色セラミック粒子の比表面積が５０ｍ2/ｇ以下であると、反射率が９０％以上となることが分かった。図９には、実施例２−１、１−１、２−２および比較例２−１の反射率の結果を示した。白色セラミック粒子の比表面積が６ｍ2/ｇ以上５０ｍ2/ｇ以下であり、粒子径が０．２μｍ以上２μｍ以下であると、反射率が９０％以上となることが分かった。
【符号の説明】
【００８５】
１    オルガノポリシロキサン
２    シリカガラス
１０    電着装置
１２    容器
１４ａ、１４ｂ    電極
１６    電源
２０    電着液
２２    白色セラミック粒子
２４    電着層
１００、２００  ＬＥＤパッケージ
３０、６０    反射基板
３２、６２    金属基板
３４、６４    反射層
３６    プリント配線基板
３６ａ  基台
３６ｂ（３６ｂ−１、３６ｂ−２）    電極
３６ｃ    レジスト
３８    ダム材
４０、６８    ＬＥＤ素子
４２    蛍光体樹脂
４４    素子実装領域
４６    ダイボンド材
４８    接着シート
５０    金ワイヤ
６６    配線
【図１】
2019068026.tif 000010
【図２】
2019068026.tif 000011
【図３】
2019068026.tif 000012
【図４】
2019068026.tif 000013
【図５】
2019068026.tif 000014
【図６】
2019068026.tif 000015
【図７】
2019068026.tif 000016
【図８】
2019068026.tif 000017
【図９】
2019068026.tif 000018