(57)【要約】【課題】波長の異なる複数のレーザ光を出射するマルチビーム半導体レーザを提供する。【解決手段】半導体レーザ１００Ａにおいては、レーザ光を出射する発光素子５０ｘＡ、５０ｙＡがサブマウント上に列設されている。各発光素子は、ＭＱＷ活性層４を含む複数の層が積み重ねて形成されている。各発光素子の発光部における発光により生じる熱は、前記複数の層の一部を伝ってサブマウントに伝達される。発光素子５０ｘＡ、５０ｙＡのそれぞれについて、発光部からサブマウントに至るまでの熱伝達経路における熱抵抗が異ならせてある。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザ光を出射する発光素子が、サブマウント上に複数個列設されたマルチビーム半導体レーザであって、
各発光素子は、活性層を含む複数の層を積み重ねて形成され、
各発光素子の発光部における発光により生じる熱は、前記複数の層の一部を伝ってサブマウントに伝達され、
前記複数の発光素子のそれぞれについて、発光部からサブマウントに至るまでの熱伝達経路における熱抵抗が異ならせてある
ことを特徴とするマルチビーム半導体レーザ。
【請求項２】
各発光素子は、第１電極層、絶縁体層、第１タイプのクラッド層、活性層、第２タイプのクラッド層及び第２電極層がこの順序で積層形成されているとともに、前記第１タイプのクラッド層の絶縁体層側表面から内部にかけて二条の溝が刻設され、この溝内に絶縁体層及び第１電極層を突出形成したリッジストライプタイプの半導体レーザであり、
前記複数の発光素子のそれぞれについて、溝内壁に位置する絶縁体層の厚みが異なっている
ことを特徴とする請求項１に記載のマルチビーム半導体レーザ。
【請求項３】
各発光素子は、第１電極層、絶縁体層、第１タイプのクラッド層、活性層、第２タイプのクラッド層及び第２電極層がこの順序で積層形成されているとともに、前記第１タイプのクラッド層の絶縁体層側表面から内部にかけて二条の溝が刻設され、この溝内に絶縁体層及び第１電極層を突出形成したリッジストライプタイプの半導体レーザであり、
前記複数の発光素子のそれぞれについて、溝内壁に位置する絶縁体層の熱伝導率が異なっている
ことを特徴とする請求項１に記載のマルチビーム半導体レーザ。
【請求項４】
前記マルチビーム半導体レーザは、二つの発光素子を有し、
第１の発光素子について、絶縁体層は、ＳｉＯ2 からなり、第２の発光素子について、絶縁体層は、ＳｉＮからなる
ことを特徴とする請求項３に記載のマルチビーム半導体レーザ。
【請求項５】
前記マルチビーム半導体レーザは、二つの発光素子を有し、
各発光素子は、第１電極層、絶縁体層、第１タイプのクラッド層、活性層、第２タイプのクラッド層及び第２電極層がこの順序で積層形成されているとともに、前記第１タイプのクラッド層の絶縁体層側表面から内部にかけて二条の溝が刻設され、この溝内に絶縁体層及び第１電極層を突出形成したリッジストライプタイプの半導体レーザであり、
第１の発光素子について、二条の溝間に存在するリッジストライプの両側壁に沿って、絶縁体層と第１電極層との間に空洞が設けられている
ことを特徴とする請求項１に記載のマルチビーム半導体レーザ。
【請求項６】
各発光素子は、第１電極層、絶縁体層、コンタクト層、第１タイプのクラッド層、活性層、第２タイプのクラッド層及び第２電極層がこの順序で積層形成されている半導体レーザであり、
前記複数の発光素子のそれぞれについて、コンタクト層の厚みが異なっている
ことを特徴とする請求項１に記載のマルチビーム半導体レーザ。
【請求項７】
各発光素子は、第１電極層、絶縁体層、第１タイプのクラッド層、活性層、第２タイプのクラッド層及び第２電極層がこの順序で積層形成されているとともに、前記第１タイプのクラッド層の絶縁体層側表面から内部にかけて二条の溝が刻設され、この溝内に絶縁体層及び第１電極層を突出形成したリッジストライプタイプの半導体レーザであり、
前記複数の発光素子のそれぞれについて、二条の溝間に存在するリッジストライプの先端側上方において前記絶縁体層が被覆された領域の面積が異なっている
ことを特徴とする請求項１に記載のマルチビーム半導体レーザ。
【請求項８】
各発光素子は、第１電極層、絶縁体層、第１タイプのクラッド層、活性層、第２タイプのクラッド層及び第２電極層がこの順序で積層形成されているとともに、前記第１タイプのクラッド層の絶縁体層側表面から内部にかけて二条の溝が刻設され、この溝内に絶縁体層及び第１電極層を突出形成したリッジストライプタイプの半導体レーザであり、
前記複数の発光素子のそれぞれについて、前記溝の幅が異なっている
ことを特徴とする請求項１に記載のマルチビーム半導体レーザ。
【請求項９】
レーザ光を出射する発光素子が、サブマウント上に複数個列設されたマルチビーム半導体レーザであって、
各発光素子は、活性層を含む複数の層を積み重ねて形成され、
前記複数の発光素子のそれぞれについて、活性層内の共振器の吸収損失が異なっている
ことを特徴とするマルチビーム半導体レーザ。
【請求項１０】
レーザ光を出射する発光素子が、サブマウント上に複数個列設されたマルチビーム半導体レーザであって、
各発光素子は、活性層を含む複数の層を積み重ねて形成され、
前記複数の発光素子のそれぞれについて、活性層内の共振器の長さが異なっている
ことを特徴とするマルチビーム半導体レーザ。
【請求項１１】
各発光素子は、レーザ光の出射面及びその反対側の面の少なくとも片側に、レーザ光を吸収しない窓領域を有し、
前記複数の発光素子のそれぞれについて、窓領域のレーザ光出射方向の長さが異なっている
ことを特徴とする請求項１０に記載のマルチビーム半導体レーザ。
【請求項１２】
レーザ光を出射する発光素子を複数個列設したマルチビーム半導体レーザがサブマウント上に配された半導体レーザ装置であって、
発光素子毎に、当該発光素子と前記サブマウントとが接着剤により接着され、
前記複数の発光素子について、発光素子とサブマウントとを接着する接着剤のレーザ光出射方向の長さが異なっている
ことを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項１３】
レーザ光を出射する発光素子が、サブマウント上に複数個列設された半導体レーザ装置の製造方法であって、
半導体基板を作製する第１工程と、
前記半導体基板の上方に、発光素子毎に、少なくとも、第２タイプのクラッド層、活性層、第１タイプのクラッド層を、順次、結晶成長させる第２工程と、
発光素子毎に、前記第１タイプのクラッド層の表面から内部にかけて二条の溝を刻設する第３工程と、
前記第１タイプのクラッド層の上方に、絶縁体層を形成する第４工程と、
前記半導体基板の下面及び前記絶縁体層の上面にそれぞれ第２電極層及び第１電極層を形成する第５工程と、
前記第１電極層側をサブマウント上に配設する第６工程とを含み、
前記第３工程又は前記第４工程において、前記複数の発光素子のそれぞれについて、活性層内の発光部からサブマウントに至るまでの熱伝達経路における熱抵抗を異ならせる
ことを特徴とする製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、波長の異なる複数のレーザ光を出射するマルチビーム半導体レーザに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、スペックルノイズの発生等を防止するため、波長の異なる複数のレーザ光を出射するマルチビーム半導体レーザが提案されている。スペックルノイズとは、波長が単一で、位相がそろった単色光であるレーザ光を投影した場合、レーザ光の干渉により発生するランダムな干渉パターンである。
【０００３】
下記に示す特許文献１、２、３では、半導体レーザにより、波長の異なる複数のレーザ光を出射することにより、スペックルノイズの発生を防止している。
【０００４】
特許文献１には、活性層と、当該活性層の下部に共振器方向に伸びる２つの台形状断面の凸部（リッジ）とを有し、当該リッジの上面の幅がそれぞれ異なっている構造を有する半導体レーザが開示されている。リッジの幅が小さくなると、レーザ光の波長は比較的長波長となり、リッジの幅が大きくなると比較的短波長となる。これにより、多波長のレーザ光を出射することができる。
【０００５】
また、特許文献２には、隣接する２つの半導体レーザチップに対し、それぞれの端面に塗布されたコート膜の膜厚を変えることにより、異なる波長で発振させる発明が開示されている。
【０００６】
また、特許文献３によると、半導体レーザ素子に外部から応力をかけることで、バンド構造が変化し、レーザ光の波長が変化することが知られている。複数の発光点が並ぶ半導体レーザアレイは、高い熱伝導性を有するヒートシンクの上面に接合固定されている。ヒートシンクを構成する材料の組成は、半導体レーザアレイの長手方向の一端部から他端部に向かって、徐々に変化している。半導体レーザアレイをヒートシンクにはんだ等で接合する際に、半導体レーザ材料とヒートシンク材料の線膨張係数の違いにより、半導体レーザアレイに応力が加わる。この場合、半導体レーザアレイに加わる応力の大きさは、ヒートシンクの材料の組成に応じて変わる。その結果、半導体レーザアレイにおいて、複数の発光点により発振されるレーザ光の波長が変わる。
【０００７】
さらに、下記に示す特許文献４、５では、半導体レーザにより、複数の発光部の放熱特性を変えることにより、波長の異なる複数のレーザ光を出射している。
【０００８】
特許文献４の発明（１）によると、半導体レーザにおいて、複数の発光部を中心位置からずらして配置することにより、チップ内の温度分布が対称とならないようにしている。また、特許文献４の発明（２）〜（４）によると、（２）第１の発光素子に一つのボンディングワイヤを接続し、第２の発光素子に二つのボンディングワイヤを接続し、（３）第１の発光素子に接続するボンディングワイヤの形状と、第２の発光素子に接続するボンディングワイヤの形状とを変え、（４）第１の発光素子の電極層の表面積と、第２の発光素子の電極層の表面積とを変えている。このようにして、第１の発光素子と第２の発光素子の温度を変え、波長の異なる複数のレーザ光を出射している。
【０００９】
また、特許文献５によると、半導体レーザ装置は、ストライプ状の複数のリッジ部を端部側から中央側に向かって段階的に間隔が狭くなるように並列に形成している。これにより、複数のリッジ部を等間隔に配列した場合よりも、中央部の温度を増加させると共に、端部の温度を低減させている。このように、横方向に不均一な温度分布が生じるので、その温度分布に応じた波長のレーザ光が各発光領域から出射される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開平２−３７７８９号公報
【特許文献２】特開平３−９５８９号公報
【特許文献３】特開２００９−１１１２３０号公報
【特許文献４】特開２００５−７２０５２号公報
【特許文献５】特開２００８−４７４３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
特許文献４の発明（１）によると、半導体レーザにおいて、複数の発光部を中心位置からずらして配置している。このため、半導体レーザにおいて、発光部とは反対側に、発光に寄与しない部分が存在し、この結果、半導体レーザのサイズが大きくなるという問題がある。
【００１２】
また、特許文献４の発明（２）によると、第１の発光素子に一つのボンディングワイヤを接続し、第２の発光素子に二つのボンディングワイヤを接続している。この場合、第２の発光素子に接続する二つのボンディングワイヤのうち、一本のボンディングワイヤは、本来不要であり、無駄にボンディングワイヤが用いられている。
【００１３】
また、特許文献４の発明（３）によると、第１の発光素子に接続するボンディングワイヤの形状と、第２の発光素子に接続するボンディングワイヤの形状とを変えている。このため、ボンディングワイヤの種類数が増加するという問題がある。
【００１４】
また、特許文献４の発明（４）によると、第１の発光素子の電極層の表面積と、第２の発光素子の電極層の表面積とを変えている。これにより、第１の発光素子と第２の発光素子とで、活性層に供給される電流の特性が変わる可能性がある。
【００１５】
また、特許文献５の発明によると、半導体レーザ装置の両側部では、リッジ部の間隔が中央部と比較して広くなっている。このため、半導体レーザの両側部には、発光に寄与しない部分が存在し、この結果、半導体レーザのサイズが大きくなるという問題がある。
【００１６】
本発明は、上記の問題を解決し、波長の異なる複数のレーザ光を出射するマルチビーム半導体レーザ、半導体レーザ装置及び半導体レーザ装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
上記目的を達成するため、本発明は、レーザ光を出射する発光素子が、サブマウント上に複数個列設されたマルチビーム半導体レーザであって、各発光素子は、活性層を含む複数の層を積み重ねて形成され、各発光素子の発光部における発光により生じる熱は、前記複数の層の一部を伝ってサブマウントに伝達され、前記複数の発光素子のそれぞれについて、発光部からサブマウントに至るまでの熱伝達経路における熱抵抗が異ならせてあることを特徴とする。
【００１８】
ここで、各発光素子は、第１電極層、絶縁体層、第１タイプのクラッド層、活性層、第２タイプのクラッド層及び第２電極層がこの順序で積層形成されているとともに、前記第１タイプのクラッド層の絶縁体層側表面から内部にかけて二条の溝が刻設され、この溝内に絶縁体層及び第１電極層を突出形成したリッジストライプタイプの半導体レーザであり、前記複数の発光素子のそれぞれについて、溝内壁に位置する絶縁体層の厚みが異なっている、としてもよい。
【００１９】
ここで、各発光素子は、第１電極層、絶縁体層、第１タイプのクラッド層、活性層、第２タイプのクラッド層及び第２電極層がこの順序で積層形成されているとともに、前記第１タイプのクラッド層の絶縁体層側表面から内部にかけて二条の溝が刻設され、この溝内に絶縁体層及び第１電極層を突出形成したリッジストライプタイプの半導体レーザであり、前記複数の発光素子のそれぞれについて、溝内壁に位置する絶縁体層の熱伝導率が異なっている、としてもよい。
【００２０】
ここで、前記マルチビーム半導体レーザは、二つの発光素子を有し、第１の発光素子について、絶縁体層は、ＳｉＯ2 からなり、第２の発光素子について、絶縁体層は、ＳｉＮからなる、としてもよい。
【００２１】
ここで、前記マルチビーム半導体レーザは、二つの発光素子を有し、各発光素子は、第１電極層、絶縁体層、第１タイプのクラッド層、活性層、第２タイプのクラッド層及び第２電極層がこの順序で積層形成されているとともに、前記第１タイプのクラッド層の絶縁体層側表面から内部にかけて二条の溝が刻設され、この溝内に絶縁体層及び第１電極層を突出形成したリッジストライプタイプの半導体レーザであり、第１の発光素子について、二条の溝間に存在するリッジストライプの両側壁に沿って、絶縁体層と第１電極層との間に空洞が設けられている、としてもよい。
【００２２】
ここで、各発光素子は、第１電極層、絶縁体層、コンタクト層、第１タイプのクラッド層、活性層、第２タイプのクラッド層及び第２電極層がこの順序で積層形成されている半導体レーザであり、前記複数の発光素子のそれぞれについて、コンタクト層の厚みが異なっている、としてもよい。
【００２３】
ここで、各発光素子は、第１電極層、絶縁体層、第１タイプのクラッド層、活性層、第２タイプのクラッド層及び第２電極層がこの順序で積層形成されているとともに、前記第１タイプのクラッド層の絶縁体層側表面から内部にかけて二条の溝が刻設され、この溝内に絶縁体層及び第１電極層を突出形成したリッジストライプタイプの半導体レーザであり、前記複数の発光素子のそれぞれについて、二条の溝間に存在するリッジストライプの先端側上方において前記絶縁体層が被覆された領域の面積が異なっている、としてもよい。
【００２４】
ここで、各発光素子は、第１電極層、絶縁体層、第１タイプのクラッド層、活性層、第２タイプのクラッド層及び第２電極層がこの順序で積層形成されているとともに、前記第１タイプのクラッド層の絶縁体層側表面から内部にかけて二条の溝が刻設され、この溝内に絶縁体層及び第１電極層を突出形成したリッジストライプタイプの半導体レーザであり、前記複数の発光素子のそれぞれについて、前記溝の幅が異なっている、としてもよい。
【００２５】
また、本発明は、レーザ光を出射する発光素子が、サブマウント上に複数個列設されたマルチビーム半導体レーザであって、各発光素子は、活性層を含む複数の層を積み重ねて形成され、前記複数の発光素子のそれぞれについて、活性層内の共振器の吸収損失が異なっていることを特徴とする。
【００２６】
また、本発明は、レーザ光を出射する発光素子が、サブマウント上に複数個列設されたマルチビーム半導体レーザであって、各発光素子は、活性層を含む複数の層を積み重ねて形成され、前記複数の発光素子のそれぞれについて、活性層内の共振器の長さが異なっていることを特徴とする。
【００２７】
ここで、各発光素子は、レーザ光の出射面及びその反対側の面の少なくとも片側に、レーザ光を吸収しない窓領域を有し、前記複数の発光素子のそれぞれについて、窓領域のレーザ光出射方向の長さが異なっている、としてもよい。
【００２８】
また、本発明は、レーザ光を出射する発光素子を複数個列設したマルチビーム半導体レーザがサブマウント上に配された半導体レーザ装置であって、発光素子毎に、当該発光素子と前記サブマウントとが接着剤により接着され、前記複数の発光素子について、発光素子とサブマウントとを接着する接着剤のレーザ光出射方向の長さが異なっていることを特徴とする。
【００２９】
また、本発明は、レーザ光を出射する発光素子が、サブマウント上に複数個列設された半導体レーザ装置の製造方法であって、半導体基板を作製する第１工程と、前記半導体基板の上方に、発光素子毎に、少なくとも、第２タイプのクラッド層、活性層、第１タイプのクラッド層を、順次、結晶成長させる第２工程と、発光素子毎に、前記第１タイプのクラッド層の表面から内部にかけて二条の溝を刻設する第３工程と、前記第１タイプのクラッド層の上方に、絶縁体層を形成する第４工程と、前記半導体基板の下面及び前記絶縁体層の上面にそれぞれ第２電極層及び第１電極層を形成する第５工程と、前記第１電極層側をサブマウント上に配設する第６工程とを含み、前記第３工程又は前記第４工程において、前記複数の発光素子のそれぞれについて、活性層内の発光部からサブマウントに至るまでの熱伝達経路における熱抵抗を異ならせることを特徴とする。
【発明の効果】
【００３０】
この構成によると、複数の発光素子を有するマルチビーム半導体レーザにおいて、前記複数の発光素子のそれぞれについて、熱伝達経路の熱抵抗が異なるようにすることで、複数の発光素子から発振されるレーザ光の波長差を設けることができ、これを光源として用いた場合のスペックルノイズを軽減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】半導体レーザ１００Ａ及びサブマウント６０から構成される半導体レーザ装置２００Ａの外観を示す外観斜視図である。
【図２】半導体レーザ１００Ａの断面を示す断面図である。
【図３】半導体レーザ１００Ａの製造工程を示す図である。
【図４】半導体レーザ１００Ｂの断面を示す断面図である。
【図５】半導体レーザ１００Ｂの製造工程を示す図である。
【図６】半導体レーザ１００Ｃの断面を示す断面図である。
【図７】半導体レーザ１００Ｃの製造工程を示す図である。
【図８】半導体レーザ１００Ｄの断面を示す断面図である。
【図９】半導体レーザ１００Ｄの製造工程を示す図である。
【図１０】半導体レーザ１００Ｅの断面を示す断面図である。
【図１１】半導体レーザ１００Ｅの製造工程を示す図である。
【図１２】半導体レーザ１００Ｆの断面を示す断面図である。
【図１３】半導体レーザ１００Ｆの製造工程を示す図である。
【図１４】半導体レーザ１００Ｇの断面を示す断面図である。
【図１５】（ａ）半導体レーザ１００Ｈの断面図である。（ｂ）半導体レーザ１００Ｈの発光素子５０ｘＨ側から見た側面図である。（ｃ）半導体レーザ１００Ｈの発光素子５０ｙＨ側から見た側面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３２】
１  実施形態１
実施形態１としての半導体レーザ装置２００Ａについて、図面を参照しながら説明する。
【００３３】
図１は、半導体レーザ装置２００Ａの外観斜視図である。
【００３４】
半導体レーザ装置２００Ａは、この図に示すように、サブマウント６０上に、半導体レーザ１００Ａが配された構成である。
【００３５】
半導体レーザ１００Ａのレーザ光の出射面である端面４０には、コーティング膜３０が形成され、端面４０とは、反対側の端面４３にも、コーティング膜３１が形成されている。コーティング膜３０の反射率は、一例として、５％であり、コーティング膜３１の反射率は、一例として、９０％である。
【００３６】
半導体レーザ１００Ａは、発光部４１ｘ、４１ｙが端面４０において露出している部位から、端面４０前方に向かって、レーザ光５１ｘＡ、５１ｙＡを出射する。なお、半導体レーザ１００Ａは、チャネル数が２個の場合を例として示している。
【００３７】
（発光素子の構造）
図２は、半導体レーザ１００Ａを端面４０と平行する面により切断した断面図である。なお、図２では、図１に示す半導体レーザ１００Ａの上下が反転するように、半導体レーザ１００Ａを１８０度だけ回転させた場合における断面図を示している。
【００３８】
半導体レーザ１００Ａは、２個の発光素子５０ｘＡ及び５０ｙＡを有する。発光素子５０ｘＡ及び５０ｙＡを、それぞれ、チャネル１（ｃｈ１）及びチャネル２（ｃｈ２）の発光素子とも呼ぶ。
【００３９】
発光素子５０ｘＡ及び５０ｙＡにおいては、図２に示すように、ｎ側金属電極層１の上に、ｎ型半導体基板２を配している。
【００４０】
発光素子５０ｘＡと発光素子５０ｙＡとは、ｎ型半導体基板２上において、溝部２７Ａにより、切り離されている。
【００４１】
発光素子５０ｘＡにおいては、ｎ型半導体基板２の上に、ｎ型クラッド層３、ＭＱＷ活性層４、ｐ型クラッド層５、ｐ型中間層６及びｐ型コンタクト層７を、この順序で配している。ｐ型クラッド層５、ｐ型中間層６及びｐ型コンタクト層７には、ＭＱＷ活性層４側、下方に向かって、二条の溝部２１ｘＡ及び溝部２２ｘＡが刻設され、溝部２１ｘＡ及び溝部２２ｘＡに挟まれる態様でリッジストライプ２３ｘＡが設けられている。溝部２１ｘＡ及び溝部２２ｘＡには、誘電体膜８ｘＡ及びｐ側金属電極層９ｘＡが形成されている。ＭＱＷ活性層４は、例えば、光ガイド層４ｃを２層の発光層４ｂ及び４ｄで挟み、さらにその両側に、光ガイド層４ａ及び４ｅを設けた構造で形成されている。
【００４２】
また、ｐ型コンタクト層７上、溝部２１ｘＡの内部（側面及び底面）、溝部２２ｘＡの内部（側面及び底面）には、リッジストライプ２３ｘＡの上方を除いて、誘電体膜８ｘＡが配されている。つまり、リッジストライプ２３ｘＡの側面にも、誘電体膜８ｘＡが配されている。また、リッジストライプ２３ｘＡの上方、ｐ型コンタクト層７上のリッジ開口部２４ｘＡにおいては、誘電体膜８ｘＡが除去されている。リッジ開口部２４ｘＡの開口幅は、一例として、１．３μｍである。リッジ開口部２４ｘＡを通して、電流がリッジストライプ２３ｘＡ内に流れ込む。
【００４３】
さらに、誘電体膜８ｘＡ上、及び、リッジストライプ２３ｘＡの上方のｐ型コンタクト層７上には、ｐ側金属電極層９ｘＡが配されている。
【００４４】
発光素子５０ｙＡも、発光素子５０ｘＡと同様に形成されている。
【００４５】
発光素子５０ｙＡにおいては、ｎ型半導体基板２の上に、ｎ型クラッド層３、ＭＱＷ活性層４、ｐ型クラッド層５、ｐ型中間層６及びｐ型コンタクト層７を、この順序で配している。ｐ型クラッド層５、ｐ型中間層６及びｐ型コンタクト層７には、ＭＱＷ活性層４側、下方に向かって、二条の溝部２１ｙＡ及び溝部２２ｙＡが刻設され、溝部２１ｙＡ及び溝部２２ｙＡに挟まれる態様でリッジストライプ２３ｙＡが設けられている。溝部２１ｙＡ及び溝部２２ｙＡには、誘電体膜８ｙＡ及びｐ側金属電極層９ｙＡが形成されている。ＭＱＷ活性層４については、上記の通りである。
【００４６】
また、ｐ型コンタクト層７上、溝部２１ｙＡの内部（側面及び底面）、溝部２２ｙＡの内部（側面及び底面）には、リッジストライプ２３ｙＡの上方を除いて、誘電体膜８ｙＡが配されている。つまり、リッジストライプ２３ｙＡの側面にも、誘電体膜８ｙＡが配されている。また、リッジストライプ２３ｙＡの上方、ｐ型コンタクト層７上のリッジ開口部２４ｙＡにおいては、誘電体膜８ｙＡが除去されている。リッジ開口部２４ｙＡの開口幅は、一例として、１．３μｍである。リッジ開口部２４ｙＡを通して、電流がリッジストライプ２３ｙＡ内に流れ込む。
【００４７】
さらに、誘電体膜８ｙＡ上、及び、リッジストライプ２３ｙＡの上方のｐ型コンタクト層７上には、ｐ側金属電極層９ｙＡが配されている。
【００４８】
発光素子５０ｘＡにおいては、誘電体膜８ｘＡを厚くしており、誘電体膜８ｘＡの厚みと比較して、発光素子５０ｙＡにおいては、誘電体膜８ｙＡを薄くしている。例えば、誘電体膜８ｘＡの厚みは、０．２μｍであり、誘電体膜８ｙＡの厚みは、０．０５μｍである。
【００４９】
このように形成した半導体レーザ素子である発光素子５０ｘＡ及び５０ｙＡにおいては、リッジストライプ２３ｘＡ、２３ｙＡの直下のＭＱＷ活性層４に電流が流れて発光し、端面４０、４３の間で、共振器が形成されることでレーザ発振に至る。
【００５０】
（半導体レーザ装置２００Ａの材料）
サブマウント６０は、例えば、ＡｌＮを材料としている。
【００５１】
また、ｎ型半導体基板２は、例えば、ＧａＡｓからなり、ｎ型クラッド層３は、例えば、ＡｌＧａＩｎＰからなり、ｐ型クラッド層５も、例えば、ＡｌＧａＩｎＰからなり、ｐ型中間層６は、例えば、ＧａＩｎＰからなり、ｐ型コンタクト層７は、例えば、ＧａＡｓからなる。また、各光ガイド層は、例えば、ＡｌＧａＩｎＰからなり、各発光層は、例えば、ＧａＩｎＰからなる。各誘電体膜は、例えば、ＳｉＯ2 からなり、各金属電極層は、例えば、Ａｕからなる。
【００５２】
（半導体レーザ装置２００Ａの製造方法）
図３は、半導体レーザ１００Ａの製造工程を示す図である。半導体レーザ１００Ａの製造方法について、図３を用いて、説明する。
【００５３】
最初に、ｎ型半導体基板２となるウェハを作製する（７０Ａ）。
【００５４】
次に、ｎ型半導体基板２の上方に、ｎ型クラッド層３、ＭＱＷ活性層４、ｐ型クラッド層５、ｐ型中間層６、ｐ型コンタクト層７を、例えば、液相エピタキシャル成長法を用いて、順次、結晶成長させる（７１Ａ）。
【００５５】
次に、ｎ型半導体基板２、ｎ型クラッド層３、ＭＱＷ活性層４、ｐ型クラッド層５、ｐ型中間層６及びｐ型コンタクト層７に、エッチングにより、溝部２１ｘＡ、２２ｘＡ、２１ｙＡ、２２ｙＡ、２７Ａを開けるとともに、リッジストライプ２３ｘＡ、２３ｙＡを形成する（７２Ａ）。
【００５６】
次に、ｐ型コンタクト層７上及び溝部２１ｘＡ、２２ｘＡ、２１ｙＡ、２２ｙＡ、２７Ａ内部（側面及び底面）に、誘電体膜８ｘＡを形成する（７３Ａ）。
【００５７】
次に、リッジストライプ２３ｘＡ、２３ｙＡの上方の誘電体膜８ｘＡを除去して、リッジ開口部２４ｘＡ及び２４ｙＡを露出させ、発光素子５０ｙＡ側に形成された誘電体膜８ｘＡの上面部分及び側面部分を除去して、薄膜の誘電体膜８ｙＡを形成する（７４Ａ）。
【００５８】
次に、ｎ型半導体基板２の下面に、蒸着により、ｎ側金属電極層１を形成し、発光素子５０ｘＡ及び発光素子５０ｙＡの誘電体膜８ｘＡ及び８ｙＡの上方、及び、リッジストライプ２３ｘＡ、２３ｙＡの上方、ｐ型コンタクト層７上に、蒸着及びメッキにより、ｐ側金属電極層９ｘＡ及び９ｙＡを形成する。ここで、ｐ側金属電極層９ｘＡ及び９ｙＡについては、蒸着により、Ａｕの電極層を形成し、さらに、メッキにより、厚くＡｕ層を積む。メッキの厚みは、１．０μｍ〜５．０μｍである。なお、図２及び図３では、ｐ側金属電極層９ｘＡ及び９ｙＡの表面は、平坦であるが、これには、限定されない。ｐ側金属電極層９ｘＡ及び９ｙＡのそれぞれの表面に、段差が残っていてもよい（７５Ａ）。
【００５９】
以上の工程を経て、半導体レーザ１００Ａが形成される。
【００６０】
上記のように、複数の半導体レーザ１００Ａをエピウエハ内に作り付けた後、１チップに相当する長さ、例えば、１５００μｍでバーをへき開により割り出し、バーの両端面にコーティングを施して、前側の端面に反射率５％のコーティング膜を形成し、後側の端面に反射率９０％のコーティング膜を形成する。その後、バーを１チップに分割する。こうして、１個のレーザチップ、つまり、半導体レーザ１００Ａが製造される。
【００６１】
このようにして製造された半導体レーザ１００Ａを、サブマウント６０上に、例えば、ＡｕＳｎをろう材として、半導体レーザ１００Ａのｐ側面を接着する。その後、サブマウント６０を、例えば、５．６φステムパッケージ（図示していない）に接着し、ｎ側金属電極層１及びｐ側金属電極層９ｘＡ及び９ｙＡのそれぞれにコンタクトできるよう、Ａｕワイヤを配線する。このようにして、半導体レーザ装置２００Ａが製造される。
【００６２】
（まとめ）
このように形成した半導体レーザ１００Ａにおいては、発光素子５０ｘＡ及び５０ｙＡそれぞれのリッジストライプ２３ｘＡ、２３ｙＡの直下のＭＱＷ活性層４に電流が流れて発光し、端面４０と端面４３との間での共振器が形成されることでレーザ発振に至る。電流が流れる領域においては、ジュール熱による発熱が共振器が形成される部分を中心に生じる。
【００６３】
ここで発生した熱は、リッジストライプ２３ｘＡ、２３ｙＡの上方のリッジ開口部２４ｘＡ、２４ｙＡを中心とする放熱路（熱伝達経路）を通して、ｐ側金属電極層９ｘＡ、９ｙＡ、サブマウント６０及びステムパッケージへ広がりながら、ステムパッケージの下面から、ステムパッケージに配されている放熱部材へ放出される。ここで、ｐ側金属電極層９ｘＡ、９ｙＡの表面が、発光素子５０ｘＡ及び５０ｙＡからサブマウント６０へ熱を伝達するための伝達面となっている。上述したように、発光素子５０ｘＡにおいては、誘電体膜８ｘＡを厚くしており、発光素子５０ｙＡにおいては、誘電体膜８ｙＡを薄くしている。このため、発光素子５０ｘＡと発光素子５０ｙＡとでは、共振器が形成される発光部４１ｘ、４１ｙから、サブマウント６０に至るまでの放熱路における熱抵抗が異なっている。
【００６４】
誘電体膜８ｙＡを薄く形成した発光素子５０ｙＡでは、レーザ発光の広がりが誘電体膜８ｙＡ内で収束せず、その外側に形成されているｐ側金属電極層９ｙＡに達する。その結果、レーザ光は、ｐ側金属電極層９ｙＡにより吸収され、共振器内の光損失が増加する。つまり、発光素子５０ｘＡと発光素子５０ｙＡとでは、共振器内の光損失が異なっている。このため、誘電体膜８ｙＡを薄く形成した発光素子５０ｙＡでは、レーザ光の発振しきい値が高くなる。半導体レーザの発振しきい値が高くなると、レーザ光の波長は短くなる。この結果、発光素子５０ｘＡから発振されるレーザ光の波長は、発光素子５０ｙＡから発振されるレーザ波長より、長くなる。
【００６５】
また、誘電体膜は、半導体結晶や金属と比べると熱伝導率が小さい。このため、共振器が形成される部分からの放熱については、誘電体膜が厚い方が、誘電体膜を通しての放熱量が小さくなり（つまり、誘電体膜が厚い方が、熱抵抗が高くなり）、発光部の温度が上昇する。レーザ光の発光部を形成する半導体結晶の性質として、その温度が上昇するとレーザ光の波長は長くなる。その結果、発光素子５０ｘＡから発振されるレーザ光の波長は、発光素子５０ｙＡから発振されるレーザ光の波長より、長くなる。
【００６６】
実施形態１の例では、発光素子５０ｘＡ及び５０ｙＡのそれぞれについて、連続波発振動作（Continuous Wave Operation:CW Operation）により、室温２５℃、８０ｍＷの電力の条件の基で、発光素子５０ｘＡと発光素子５０ｙＡのレーザ光の波長の差を２〜３ｎｍと大きくすることができる。この結果、一つの半導体レーザ素子としてのレーザ光の波長として見た場合のスペクトル半値幅が広がり、スペックルノイズを軽減することができる。
【００６７】
実施形態１では、２個のチャネルを有する場合を例として説明したが、３個以上のチャネルを有するマルチチャネル半導体レーザの場合においても、上記と同様に、チャネル毎に誘電体膜の厚みを変えることで、より厚い誘電体膜を用いたチャネルにおいて、レーザ光の波長を長くすることができ、チャネル毎に波長差をつけることができる。この結果、一つの半導体レーザ素子としてのレーザ光の波長として見た場合のスペクトル半値幅が広がり、スペックルノイズを軽減することができる。
【００６８】
２  実施形態２
実施形態２としての半導体レーザ装置２００Ｂ（図示していない）について、図面を参照しながら説明する。
【００６９】
半導体レーザ装置２００Ｂの外観は、図１に示す半導体レーザ装置２００Ａと同一である。半導体レーザ装置２００Ｂは、サブマウント６０上に、半導体レーザ１００Ｂが配された構成である。
【００７０】
半導体レーザ１００Ｂの構成は、以下に説明する相違点を除いて、実施形態１の半導体レーザ１００Ａの構成と、同一である。ここでは、半導体レーザ１００Ａとの相違点を中心として、説明する。
【００７１】
図４は、図２と同様に、半導体レーザ１００Ｂを、レーザ光の出射面と平行する面により切断した断面図である。
【００７２】
半導体レーザ１００Ｂは、図４に示すように、発光素子５０ｘＢ及び５０ｙＢを有する。発光素子５０ｘＢは、誘電体膜８ｘＢを含んでおり、発光素子５０ｙＢは、誘電体膜８ｙＢを含んでいる。
【００７３】
発光素子５０ｘＢにおいては、誘電体膜８ｘＢを厚くしており、誘電体膜８ｘＢの厚みと比較して、発光素子５０ｙＢにおいては、誘電体膜８ｙＢを薄くしている。この点は、半導体レーザ１００Ａと同一である。
【００７４】
誘電体膜８ｘＢの材料は、ＳｉＯ2 である。一方、誘電体膜８ｙＢの材料は、ＳｉＮである。この点において、半導体レーザ１００Ａと相違している。
【００７５】
ＳｉＯ2 及びＳｉＮの熱伝導率は、それぞれ、１．４Ｗ／ｍ・Ｋ、２７Ｗ／ｍ・Ｋであり、ＳｉＯ2 の方が、ＳｉＮと比較すると、熱伝導率が低い。
【００７６】
このため、誘電体膜８ｘＢの熱伝導率は、誘電体膜８ｙＢの熱伝導率とは、異なっている。
【００７７】
（半導体レーザ装置２００Ｂの製造方法）
図５は、半導体レーザ１００Ｂの製造工程を示す図である。半導体レーザ１００Ｂの製造方法について、図５を用いて、説明する。
【００７８】
ｎ型半導体基板２となるウェハを作製し（７０Ｂ）、ｎ型半導体基板２の上方に、ｎ型クラッド層３、ＭＱＷ活性層４、ｐ型クラッド層５、ｐ型中間層６、ｐ型コンタクト層７を、順次、結晶成長させ（７１Ｂ）、エッチングにより、溝部２１ｘＢ、２２ｘＢ、２１ｙＢ、２２ｙＢ、２７Ｂを開けるとともに、リッジストライプ２３ｘＢ、２３ｙＢを形成する（７２Ｂ）。これらの工程は、図３に示す実施形態１の工程７０Ａ、７１Ａ、７２Ａと同一である。
【００７９】
次に、発光素子５０ｘＢにおいて、ｐ型コンタクト層７上及び溝部２１ｘＢ、２２ｘＢ内部（側面及び底面）に、ＳｉＯ2 を材料とする誘電体膜８ｘＢを形成し、リッジストライプ２３ｘＢの上方の誘電体膜８ｘＢを除去して、リッジ開口部２４ｘＢを露出させる（７３Ｂ）。
【００８０】
次に、発光素子５０ｙＢにおいて、ｐ型コンタクト層７上及び溝部２１ｙＢ、２２ｙＢ、２７Ｂ内部（側面及び底面）に、ＳｉＮを材料とする誘電体膜８ｙＢを形成し、リッジストライプ２３ｙＢの上方の誘電体膜８ｙＢを除去して、リッジ開口部２４ｙＢを露出させる（７４Ｂ）。
【００８１】
次に、ｎ型半導体基板２の下面に、ｎ側金属電極層１を形成し、発光素子５０ｘＢ及び発光素子５０ｙＢの誘電体膜８ｘＢ及び８ｙＢの上方、及び、リッジストライプ２３ｘＢ、２３ｙＢの上方、ｐ型コンタクト層７上に、ｐ側金属電極層９ｘＢ及び９ｙＢを形成する（７５Ｂ）。この工程は、図３に示す実施形態１の工程７５Ａと同一である。
【００８２】
以上の工程を経て、半導体レーザ１００Ｂが形成される。以降の工程については、実施形態１の工程と同一であるので、説明を省略する。
【００８３】
（まとめ）
実施形態２の半導体レーザ１００Ｂによると、実施形態１で説明したように誘電体膜の厚みの差に加えて、誘電体膜の熱伝導率が異なる結果、誘電体膜が厚く、熱伝導率が小さいＳｉＯ2 を用いた発光素子５０ｘＢの方が、発光素子５０ｙＢと比較して、発光部の温度が上がり、発光素子５０ｘＢにより発振されるレーザ光と、発光素子５０ｙＢにより発振されるレーザ光との波長差を、実施形態１の場合より、さらに拡大できる。
【００８４】
このように、発光素子５０ｘＢと発光素子５０ｙＢとでは、共振器が形成される発光部４１ｘ、４１ｙから、サブマウント６０に至るまでの放熱路における熱抵抗を異ならせている。
【００８５】
なお、実施形態２では、誘電体膜８ｘＢを厚くしており、誘電体膜８ｙＢを薄くしている。また、誘電体膜８ｘＢの材料は、ＳｉＯ2 であり、誘電体膜８ｙＢの材料は、ＳｉＮである。ここで、ＳｉＯ2 の方が、ＳｉＮと比較すると、熱伝導率が低い。しかし、これには、限定されない。
【００８６】
誘電体膜８ｘＢの厚みと、誘電体膜８ｙＢの厚みを同一とし、誘電体膜８ｘＢの材料をＳｉＯ2 とし、誘電体膜８ｙＢの材料をＳｉＮとしてもよい。このようにしても、発光素子５０ｘＢにより発振されるレーザ光の波長と、発光素子５０ｙＢにより発振されるレーザ光の波長が異なるようにすることができる。
【００８７】
３  実施形態３
実施形態３としての半導体レーザ装置２００Ｃ（図示していない）について、図面を参照しながら説明する。
【００８８】
半導体レーザ装置２００Ｃの外観は、図１に示す半導体レーザ装置２００Ａと同一である。半導体レーザ装置２００Ｃは、サブマウント６０上に、半導体レーザ１００Ｃが配された構成である。
【００８９】
半導体レーザ１００Ｃの構成は、以下に説明する相違点を除いて、実施形態１の半導体レーザ１００Ａの構成と、同一である。ここでは、半導体レーザ１００Ａとの相違点を中心として、説明する。
【００９０】
図６は、図２と同様に、半導体レーザ１００Ｃを、レーザ光の出射面と平行する面により切断した断面図である。
【００９１】
半導体レーザ１００Ｃは、図６に示すように、発光素子５０ｘＣ及び５０ｙＣを有する。発光素子５０ｘＣは、誘電体膜８ｘＣを含んでおり、発光素子５０ｙＣは、誘電体膜８ｙＣを含んでいる。
【００９２】
発光素子５０ｘＣにおいては、誘電体膜８ｘＣを厚くしており、誘電体膜８ｘＣの厚みと比較して、発光素子５０ｙＣにおいては、誘電体膜８ｙＣを薄くしている。また、発光素子５０ｘＣ、５０ｙＣにおいて、リッジストライプ２３ｘＣ、２３ｙＣが設けられている。これらの点は、半導体レーザ１００Ａと同一である。
【００９３】
発光素子５０ｘＣのリッジストライプ２３ｘＣの両側面と、リッジストライプ２３ｘＣ上に形成されたｐ型中間層６の両側面には、これらの側面に沿ってレーザ光の出射方向に延伸する長尺状の凹部１１ａＣ、１１ｂＣが開けられている。誘電体膜８ｘＣは、これらの側面にも形成されている。つまり、誘電体膜８ｘＣの断面は、これらの側面に沿って、リッジストライプ２３ｘＣの中心側及びリッジストライプ２３ｘＣ上に形成されたｐ型中間層６の中心側に向かって、凹形状をなしている。これらの凹部を参照符号１２ａＣ及び１２ｂＣで示す。誘電体膜８ｘＣ上には、ｐ側金属電極層９ｘＣが形成される。ｐ側金属電極層９ｘＣが形成された後、凹部１２ａＣ及び１２ｂＣは、誘電体膜８ｘＣとｐ側金属電極層９ｘＣとの間において、レーザ光の出射方向に延伸する長尺状の空洞部として維持される。以下、これらの空洞部を参照符号１２ａＣ及び１２ｂＣにより示す。以上の点において、半導体レーザ１００Ａと相違している。
【００９４】
一方、発光素子５０ｙＣには、空洞部は存在しない。
【００９５】
空洞部１２ａＣ、１２ｂＣには、空気が充填されている。空気が充填されている空洞部１２ａＣ、１２ｂＣは、誘電体膜８ｘＣよりさらに熱伝導率が低い。
【００９６】
（半導体レーザ装置２００Ｃの製造方法）
図７は、半導体レーザ１００Ｃの製造工程を示す図である。半導体レーザ１００Ｃの製造方法について、図７を用いて、説明する。
【００９７】
ｎ型半導体基板２となるウェハを作製し（７０Ｃ）、ｎ型半導体基板２の上方に、ｎ型クラッド層３、ＭＱＷ活性層４、ｐ型クラッド層５、ｐ型中間層６、ｐ型コンタクト層７を、順次、結晶成長させる（７１Ｃ）。これらの工程は、図３に示す実施形態１の工程７０Ａ、７１Ａと同一である。
【００９８】
次に、ｎ型半導体基板２、ｎ型クラッド層３、ＭＱＷ活性層４、ｐ型クラッド層５、ｐ型中間層６及びｐ型コンタクト層７に、エッチングにより、溝部２７Ｃを開けて、発光素子５０ｘＣと５０ｙＣとを切り離すとともに、発光素子５０ｘＣ側において、溝部２１ｘＣ、２２ｘＣを開けて、リッジストライプ２３ｘＣを形成し、発光素子５０ｙＣ側においても、溝部２１ｙＣ、２２ｙＣを開けて、リッジストライプ２３ｙＣを形成する。ここで、溝部２１ｘＣを開ける際に、選択エッチングによるサイドエッチで、溝部２１ｘＣのリッジストライプ２３ｘＣ側の内壁のｐ型クラッド層５及びｐ型中間層６を削り取る。また、溝部２２ｘＣを開ける際に、選択エッチングによるサイドエッチで、溝部２２ｘＣのリッジストライプ２３ｘＣ側の内壁のｐ型クラッド層５及びｐ型中間層６を削り取る。この結果、リッジストライプ２３ｘＣの幅を狭くするとともに、リッジストライプ２３ｘＣの上方に存するｐ型中間層６の幅も狭くする。こうして、ｐ型クラッド層５の削り取られた部分、及び、ｐ型中間層６の削り取られた部分は、凹部１１ａＣ及び１１ｂＣに相当する（７２Ｃ）。
【００９９】
次に、発光素子５０ｘＣ側において、ｐ型コンタクト層７上及び溝部２１ｘＣ、２２ｘＣ内部（側面及び底面。）に、誘電体膜８ｘＣを形成する。このとき、凹部１２ａＣ及び１２ｂＣが形成される。また、溝部２７Ｃ内部（側面及び底面）に、誘電体膜８ｘＣを形成する。さらに、発光素子５０ｙＣ側において、ｐ型コンタクト層７上及び溝部２１ｙＣ、２２ｙＣ内部（側面及び底面）に、誘電体膜８ｘＣを形成する（７３Ｃ）。
【０１００】
次に、リッジストライプ２３ｘＣ、２３ｙＣの上方の誘電体膜８ｘＣを除去して、リッジ開口部２４ｘＣ及び２４ｙＣを露出させ、発光素子５０ｙＣ側に形成された誘電体膜８ｘＣの上面部分及び側面部分を除去して、薄膜の誘電体膜８ｙＣを形成する（７４Ｃ）。
【０１０１】
次に、ｎ型半導体基板２の下面に、ｎ側金属電極層１を形成し、発光素子５０ｘＣ及び発光素子５０ｙＣの誘電体膜８ｘＣ及び８ｙＣの上方、及び、リッジストライプ２３ｘＣ、２３ｙＣの上方、ｐ型コンタクト層７上に、蒸着及びメッキにより、ｐ側金属電極層９ｘＣ及び９ｙＣを形成する。このメッキによる金属電極層の形成時に、凹部１２ａＣ、１２ｂｃには、メッキが形成されず、凹部１２ａＣ、１２ｂｃは、空洞部１２ａＣ、１２ｂｃとして維持される（７５Ｃ）。
【０１０２】
以上の工程を経て、半導体レーザ１００Ｃが形成される。以降の工程については、実施形態１の工程と同一であるので、説明を省略する。
【０１０３】
（まとめ）
実施形態３では、実施形態１と同様に、発光素子５０ｘＣと発光素子５０ｙＣとで、誘電体膜の厚みを変えている。実施形態３では、これに加えて、発光素子５０ｘＣのリッジストライプ２３ｘＣの両側の、誘電体膜８ｘＣとｐ側金属電極層９ｘＣとの間において、空洞部１２ａＣ、１２ｂＣを開けている。
【０１０４】
つまり、発光素子５０ｘＣ側のみ、リッジストライプ２３ｘＣを形成した後で、選択エッチングによるサイドエッチで、ｐ型クラッド層５及びｐ型中間層６のみ、それらの幅を狭くすることにより、ｐ型コンタクト層７のみその幅を広くした庇構造を形成している。こうして、庇の下部には、凹部１１ａＣ、１１ｂＣが開けられる。凹部１１ａＣ、１１ｂＣの両側面に沿って、誘電体膜８ｘＣを形成するので、誘電体膜８ｘＣの側面に凹部１２ａＣ及び１２ｂＣが形成される。次に、蒸着及びメッキにより、ｐ側金属電極層９ｘＣ及び９ｙＣを形成する。このメッキによる金属電極層の形成時に、凹部１２ａＣ、１２ｂｃには、メッキが形成されず、凹部１２ａＣ、１２ｂｃは、空洞部１２ａＣ、１２ｂｃとして維持される。
【０１０５】
誘電体膜８ｘＣとｐ側金属電極層９ｘＣとの間の空洞部１２ａＣ、１２ｂＣには、空気が充填されており、空気が充填されている空洞部１２ａＣ、１２ｂＣは、誘電体膜８ｘＣよりさらに熱伝導率が低い。その結果、発光素子５０ｘＣ側の温度が高くなり、発光素子５０ｘＣにより発振されるレーザ光と、発光素子５０ｙＣにより発振されるレーザ光との波長差を、実施形態１の場合より、さらに拡大することができる。
【０１０６】
このように、発光素子５０ｘＣと発光素子５０ｙＣとでは、共振器が形成される発光部４１ｘ、４１ｙから、サブマウント６０に至るまでの放熱路における熱抵抗を異ならせている。
【０１０７】
なお、実施形態３では、誘電体膜８ｘＣを厚くしており、誘電体膜８ｙＣを薄くしている。また、発光素子５０ｘＣに、空洞部１２ａＣ、１２ｂＣを開け、発光素子５０ｙＣには、空洞部は、存在しない。しかし、これには、限定されない。
【０１０８】
誘電体膜８ｘＣの厚みと、誘電体膜８ｙＣの厚みを同一とし、発光素子５０ｘＣに、空洞部１２ａＣ、１２ｂＣを開け、発光素子５０ｙＣには、空洞部は、存在しない、としてもよい。このようにしても、発光素子５０ｘＣにより発振されるレーザ光の波長と、発光素子５０ｙＣにより発振されるレーザ光の波長が異なるようにすることができる。
【０１０９】
４  実施形態４
実施形態４としての半導体レーザ装置２００Ｄ（図示していない）について、図面を参照しながら説明する。
【０１１０】
半導体レーザ装置２００Ｄの外観は、図１に示す半導体レーザ装置２００Ａと同一である。半導体レーザ装置２００Ｄは、サブマウント６０上に、半導体レーザ１００Ｄが配された構成である。
【０１１１】
半導体レーザ１００Ｄの構成は、以下に説明する相違点を除いて、実施形態１の半導体レーザ１００Ａの構成と、同一である。ここでは、半導体レーザ１００Ａとの相違点を中心として、説明する。
【０１１２】
図８は、図２と同様に、半導体レーザ１００Ｄを、レーザ光の出射面と平行する面により切断した断面図である。
【０１１３】
半導体レーザ１００Ｄは、図８に示すように、発光素子５０ｘＤ及び５０ｙＤを有する。発光素子５０ｘＤは、誘電体膜８ｘＤを含んでおり、発光素子５０ｙＤは、誘電体膜８ｙＤを含んでいる。
【０１１４】
発光素子５０ｘＤにおいては、誘電体膜８ｘＤを厚くしており、誘電体膜８ｘＤの厚みと比較して、発光素子５０ｙＤにおいては、誘電体膜８ｙＤを薄くしている。この点は、半導体レーザ１００Ａと同一である。
【０１１５】
また、発光素子５０ｘＤ側において、リッジストライプ２３ｘＤを形成し、発光素子５０ｙＣ側においても、リッジストライプ２３ｙＣを形成し、発光素子５０ｘＤのリッジ開口部２４ｘＤの幅（面積）を、発光素子５０ｙＤのリッジ開口部２４ｙＤの幅（面積）と比較して、狭く形成している。
【０１１６】
ここで、リッジ開口部２４ｘＤの幅は、一例として、１．０μｍであり、リッジ開口部２４ｙＤの幅は、一例として、１．７μｍである。
【０１１７】
（半導体レーザ装置２００Ｄの製造方法）
図９は、半導体レーザ１００Ｄの製造工程を示す図である。半導体レーザ１００Ｄの製造方法について、図９を用いて、説明する。
【０１１８】
ｎ型半導体基板２となるウェハを作製し（７０Ｄ）、次に、ｎ型半導体基板２の上方に、ｎ型クラッド層３、ＭＱＷ活性層４、ｐ型クラッド層５、ｐ型中間層６、ｐ型コンタクト層７を、順次、結晶成長させる（７１Ｄ）。次に、ｎ型半導体基板２、ｎ型クラッド層３、ＭＱＷ活性層４、ｐ型クラッド層５、ｐ型中間層６及びｐ型コンタクト層７に、エッチングにより、溝部２１ｘＤ、２２ｘＤ、２１ｙＤ、２２ｙＤ、２７Ｄを開けるとともに、リッジストライプ２３ｘＤ、２３ｙＤを形成する（７２Ｄ）。次に、ｐ型コンタクト層７上及び溝部２１ｘＤ、２２ｘＤ、２１ｙＤ、２２ｙＤ、２７Ｄ内部（側面及び底面）に、誘電体膜８ｘＤを形成する（７３Ｄ）。これらの工程は、図３に示す実施形態１の工程７０Ａ〜７３Ａと同一である。
【０１１９】
次に、リッジストライプ２３ｘＤの上方の誘電体膜８ｘＤの一部を除去して、リッジ開口部２４ｘＤを露出させる。ここで、リッジ開口部２４ｘＤの幅を、リッジ開口部２４ｙＤの幅よりも、狭くする。次に、リッジストライプ２３ｙＤの上方の誘電体膜８ｘＤを除去して、リッジ開口部２４ｙＤを露出させ、発光素子５０ｙＤ側に形成された誘電体膜８ｘＤの上面部分及び側面部分を除去して、薄膜の誘電体膜８ｙＤを形成する（７４Ｄ）。
【０１２０】
次に、ｎ型半導体基板２の下面に、蒸着により、ｎ側金属電極層１を形成し、発光素子５０ｘＤ及び発光素子５０ｙＤの誘電体膜８ｘＤ及び８ｙＤの上方、及び、リッジストライプ２３ｘＤ、２３ｙＤの上方、ｐ型コンタクト層７上に、蒸着及びメッキにより、ｐ側金属電極層９ｘＤ及び９ｙＤを形成する（７５Ｄ）。
【０１２１】
以上の工程を経て、半導体レーザ１００Ｄが形成される。以降の工程については、実施形態１の工程と同一であるので、説明を省略する。
【０１２２】
（まとめ）
実施形態４では、発光素子５０ｘＤのリッジ開口部２４ｘＤの幅（面積）を、発光素子５０ｙＤのリッジ開口部２４ｙＤの幅（面積）と比較して、狭く形成している。つまり、リッジ開口部２４ｘＤの幅（面積）と、リッジ開口部２４ｙＤの幅（面積）とは、異なっている。
【０１２３】
発光素子５０ｘＤ及び５０ｙＤにおいて、各共振器が形成される部分から発生する熱は、各リッジストライプを通って、リッジストライプ上部の誘電体膜が除去されたリッジ開口部２４ｘＤ、２４ｙＤから放熱される。リッジ開口部２４ｘＤの幅を狭く形成した発光素子５０ｘＤ側では、放熱路が狭くなり、発生する熱が、発光素子５０ｙＤと比較して、逃げにくくなる。その結果、発光素子５０ｘＤ側の温度が高くなり、発光素子５０ｘＤにより発振されるレーザ光と、発光素子５０ｙＤにより発振されるレーザ光との波長差を、実施形態１の場合より、さらに拡大することができる。
【０１２４】
このように、発光素子５０ｘＤと発光素子５０ｙＤとでは、共振器が形成される発光部４１ｘ、４１ｙから、サブマウント６０に至るまでの放熱路における熱抵抗を異ならせている。
【０１２５】
なお、実施形態４では、誘電体膜８ｘＤを厚くしており、誘電体膜８ｙＤを薄くしている。また、発光素子５０ｘＤのリッジ開口部２４ｘＤの幅（面積）を、発光素子５０ｙＤのリッジ開口部２４ｙＤの幅（面積）と比較して、狭く形成している。しかし、これには、限定されない。
【０１２６】
誘電体膜８ｘＤの厚みと、誘電体膜８ｙＤの厚みを同一とし、発光素子５０ｘＤのリッジ開口部２４ｘＤの幅（面積）を、発光素子５０ｙＤのリッジ開口部２４ｙＤの幅（面積）と比較して、狭く形成してもよい。このようにしても、発光素子５０ｘＤにより発振されるレーザ光の波長と、発光素子５０ｙＤにより発振されるレーザ光の波長が異なるようにすることができる。
【０１２７】
５  実施形態５
実施形態５としての半導体レーザ装置２００Ｅ（図示していない）について、図面を参照しながら説明する。
【０１２８】
半導体レーザ装置２００Ｅの外観は、図１に示す半導体レーザ装置２００Ａと同一である。半導体レーザ装置２００Ｅは、サブマウント６０上に、半導体レーザ１００Ｅが配された構成である。
【０１２９】
半導体レーザ１００Ｅの構成は、以下に説明する相違点を除いて、実施形態１の半導体レーザ１００Ａの構成と、同一である。ここでは、半導体レーザ１００Ａとの相違点を中心として、説明する。
【０１３０】
図１０は、図２と同様に、半導体レーザ１００Ｅを、レーザ光の出射面と平行する面により切断した断面図である。
【０１３１】
半導体レーザ１００Ｅは、図１０に示すように、発光素子５０ｘＥ及び５０ｙＥを有する。発光素子５０ｘＥは、ｐ型コンタクト層７ｘＥ及び誘電体膜８ｘＥを含んでおり、発光素子５０ｙＥは、ｐ型コンタクト層７ｙＥ及び誘電体膜８ｙＥを含んでいる。
【０１３２】
発光素子５０ｘＥにおいて、誘電体膜８ｘＥを厚くしており、誘電体膜８ｘＥの厚みと比較して、発光素子５０ｙＥにおいて、誘電体膜８ｙＥを薄くしている。この点は、半導体レーザ１００Ａと同一である。
【０１３３】
また、半導体レーザ１００Ｅにおいては、上記に加えて、発光素子５０ｘＥにおいて、ｐ型コンタクト層７ｘＥを厚くしており、ｐ型コンタクト層７ｘＥの厚みと比較して、発光素子５０ｙＥにおいて、ｐ型コンタクト層７ｙＥを薄くしている。この点において、半導体レーザ１００Ａと相違している。
【０１３４】
ｐ型コンタクト層７ｘＥの厚みは、一例として、１．２μｍであり、ｐ型コンタクト層７ｙＥの厚みは、一例として、０．２μｍである。
【０１３５】
このように、ｐ型コンタクト層７ｘＥの厚みと、ｐ型コンタクト層７ｙＥの厚みとは、異なっている。
【０１３６】
（半導体レーザ装置２００Ｅの製造方法）
図１１は、半導体レーザ１００Ｅの製造工程を示す図である。半導体レーザ１００Ｅの製造方法について、図１１を用いて、説明する。
【０１３７】
ｎ型半導体基板２となるウェハを作製し（７０Ｅ）、ｎ型半導体基板２の上方に、ｎ型クラッド層３、ＭＱＷ活性層４、ｐ型クラッド層５、ｐ型中間層６、ｐ型コンタクト層７Ｅを、順次、結晶成長させる。ここで、ｐ型コンタクト層７Ｅを、実施形態１のｐ型コンタクト層７の厚みより、厚く形成する（７１Ｅ）。
【０１３８】
次に、発光素子５０ｙＥ側において、ｐ型コンタクト層７Ｅを薄く削り取って、ｐ型コンタクト層７ｙＥとする。ｐ型コンタクト層７ｙＥの厚みは、実施形態１のｐ型コンタクト層７の厚みと等しい。次に、ｎ型半導体基板２、ｎ型クラッド層３、ＭＱＷ活性層４、ｐ型クラッド層５、ｐ型中間層６及びｐ型コンタクト層７ｘＥ、７ｙＥに、エッチングにより、溝部２１ｘＥ、２２ｘＥ、２１ｙＥ、２２ｙＥ、２７Ｅを開けるとともに、リッジストライプ２３ｘＥ、２３ｙＥを形成する（７２Ｅ）。
【０１３９】
次に、ｐ型コンタクト層７ｘＥ上、溝部２１ｘＥの内部（側面及び底面）、溝部２２ｘＥの内部（側面及び底面）、溝部２７Ａの内部（側面及び底面）、ｐ型コンタクト層７ｙＥ上、溝部２１ｙＥの内部（側面及び底面）及び溝部２２ｙＥの内部（側面及び底面）に、誘電体膜８ｘＥを形成する（７３Ｅ）。
【０１４０】
次に、リッジストライプ２３ｘＥの上方の誘電体膜８ｘＥを除去して、リッジ開口部２４ｘＥを露出させ、発光素子５０ｙＥ側に形成された誘電体膜８ｙＥの上面部分及び側面部分を除去して、薄膜の誘電体膜８ｙＥを形成し、さらに、リッジストライプ２３ｙＥの上方の誘電体膜８ｙＥを除去して、リッジ開口部２４ｙＡを露出させる（７４Ｅ）。
【０１４１】
次に、ｎ型半導体基板２の下面に、蒸着により、ｎ側金属電極層１を形成し、発光素子５０ｘＥ及び発光素子５０ｙＥの誘電体膜８ｘＥ及び８ｙＥの上方、及び、リッジストライプ２３ｘＥ、２３ｙＥの上方、ｐ型コンタクト層７ｘＥ、７ｙＥ上に、蒸着及びメッキにより、ｐ側金属電極層９ｘＥ及び９ｙＥを形成する（７５Ｅ）。
【０１４２】
以上の工程を経て、半導体レーザ１００Ｅが形成される。以降の工程については、実施形態１の工程と同一であるので、説明を省略する。
【０１４３】
（まとめ）
実施形態５においては、ｐ型コンタクト層７ｘＥを厚くし、ｐ型コンタクト層７ｘＥの厚みと比較して、ｐ型コンタクト層７ｙＥを薄くしている。
【０１４４】
リッジストライプ２３ｘＥ、２３ｙＥの下方の各共振器が形成される部分に電流を流すことで発生する熱は、リッジストライプ２３ｘＥ、２３ｙＥを通って、リッジ上部の誘電体膜が除去されたリッジ開口部２４ｘＥ、２４ｙＥから放熱される。放熱路となるｐ型コンタクト層７ｘＥを厚く形成した発光素子５０ｘＥ側では、放熱路が長くなる結果、発生した熱が発光素子５０ｙＥ側よりも逃げにくくなる。その結果、発光素子５０ｘＥ側の温度が高くなり、発光素子５０ｘＥにより発振されるレーザ光と、発光素子５０ｙＥにより発振されるレーザ光との波長差を、実施形態１の場合より、さらに拡大することができる。
【０１４５】
このように、発光素子５０ｘＥと発光素子５０ｙＥとでは、共振器が形成される発光部４１ｘ、４１ｙから、サブマウント６０に至るまでの放熱路における熱抵抗を異ならせている。
【０１４６】
なお、実施形態５では、誘電体膜８ｘＥを厚くしており、誘電体膜８ｙＥを薄くしている。また、ｐ型コンタクト層７ｘＥを厚くし、ｐ型コンタクト層７ｘＥの厚みと比較して、ｐ型コンタクト層７ｙＥを薄くしている。しかし、これには、限定されない。
【０１４７】
誘電体膜８ｘＥの厚みと、誘電体膜８ｙＥの厚みを同一とし、ｐ型コンタクト層７ｘＥを厚くし、ｐ型コンタクト層７ｘＥの厚みと比較して、ｐ型コンタクト層７ｙＥを薄くしてもよい。このようにしても、発光素子５０ｘＥにより発振されるレーザ光の波長と、発光素子５０ｙＥにより発振されるレーザ光の波長とが異なるようにすることができる。
【０１４８】
６  実施形態６
実施形態６としての半導体レーザ装置２００Ｆ（図示していない）について、図面を参照しながら説明する。
【０１４９】
半導体レーザ装置２００Ｆの外観は、図１に示す半導体レーザ装置２００Ａと同一である。半導体レーザ装置２００Ｆは、サブマウント６０上に、半導体レーザ１００Ｆが配された構成である。
【０１５０】
半導体レーザ１００Ｆの構成は、以下に説明する相違点を除いて、実施形態１の半導体レーザ１００Ａの構成と、同一である。ここでは、半導体レーザ１００Ａとの相違点を中心として、説明する。
【０１５１】
図１２は、図２と同様に、半導体レーザ１００Ｆを、レーザ光の出射面と平行する面により切断した断面図である。
【０１５２】
半導体レーザ１００Ｆは、図１２に示すように、発光素子５０ｘＦ及び５０ｙＦを有する。
【０１５３】
発光素子５０ｘＦにおいては、ｎ型半導体基板２の上に、ｎ型クラッド層３、ＭＱＷ活性層４、ｐ型クラッド層５ｘＦ、ｐ型中間層６ｘＦ及びｐ型コンタクト層７ｘＦが、この順序で配されている。ｐ型クラッド層５ｘＦ、ｐ型中間層６ｘＦ及びｐ型コンタクト層７ｘＦには、ＭＱＷ活性層４側、下方に向かって、溝部２１ｘＦ及び溝部２２ｘＦが開けられ、溝部２１ｘＦ及び溝部２２ｘＦに挟まれる態様でリッジストライプ２３ｘＦが設けられている。溝部２１ｘＦ及び溝部２２ｘＦの幅は、それぞれ、一例として、５μｍである。
【０１５４】
一方、発光素子５０ｘＦにおいても、ｎ型半導体基板２の上に、ｎ型クラッド層３、ＭＱＷ活性層４、ｐ型クラッド層５ｙＦ、ｐ型中間層６ｙＦ及びｐ型コンタクト層７ｙＦが、この順序で配されている。ｐ型クラッド層５ｙＦ、ｐ型中間層６ｙＦ及びｐ型コンタクト層７ｙＦには、ＭＱＷ活性層４側、下方に向かって、溝部２１ｙＦ及び溝部２２ｙＦが開けられ、溝部２１ｙＦ及び溝部２２ｙＦに挟まれる態様でリッジストライプ２３ｙＦが設けられている。溝部２１ｙＦ及び溝部２２ｙＦの幅は、それぞれ、一例として、５０μｍである。
【０１５５】
このように、溝部２１ｘＦ及び溝部２２ｘＦの幅は、溝部２１ｙＦ及び溝部２２ｙＦの幅より、狭い。つまり、溝部２１ｘＦ及び溝部２２ｘＦの幅と、溝部２１ｙＦ及び溝部２２ｙＦの幅とは、異なっている。この点において、半導体レーザ１００Ａと相違している。
【０１５６】
（半導体レーザ装置２００Ｆの製造方法）
図１３は、半導体レーザ１００Ｆの製造工程を示す図である。半導体レーザ１００Ｆの製造方法について、図１３を用いて、説明する。
【０１５７】
ｎ型半導体基板２となるウェハを作製し（７０Ｆ）、次に、ｎ型半導体基板２の上方に、ｎ型クラッド層３、ＭＱＷ活性層４、ｐ型クラッド層５、ｐ型中間層６、ｐ型コンタクト層７を、順次、結晶成長させる（７１Ｆ）。これらの工程は、図３に示す実施形態１の工程７０Ａ、７１Ａと同一である。
【０１５８】
次に、ｎ型半導体基板２、ｎ型クラッド層３、ＭＱＷ活性層４、ｐ型クラッド層５、ｐ型中間層６及びｐ型コンタクト層７に、エッチングにより、溝部２１ｘＦ、２２ｘＦ、２１ｙＦ、２２ｙＦ、２７Ｆを開けるとともに、リッジストライプ２３ｘＦ、２３ｙＦを形成する。上記の通り、溝部２１ｘＦ及び溝部２２ｘＦの幅は、溝部２１ｙＦ及び溝部２２ｙＦの幅より、狭い。ここで、発光素子５０ｘＦ側のｐ型クラッド層５、ｐ型中間層６及びｐ型コンタクト層７を、それぞれ、ｐ型クラッド層５ｘＦ、ｐ型中間層６ｘＦ及びｐ型コンタクト層７ｘＦと称する。また、発光素子５０ｙＦ側のｐ型クラッド層５、ｐ型中間層６及びｐ型コンタクト層７を、それぞれ、ｐ型クラッド層５ｙＦ、ｐ型中間層６ｙＦ及びｐ型コンタクト層７ｙＦと称する（７２Ｆ）。
【０１５９】
次に、ｐ型コンタクト層７ｘＦ、７ｙＦ上、溝部２１ｘＦ、２２ｘＦ、２１ｙＦ、２２ｙＦ、２７Ｆの内部（側面及び底面）に、誘電体膜８ｘＦを形成する（７３Ｆ）。
【０１６０】
次に、リッジストライプ２３ｘＦの上方の誘電体膜８ｘＦを除去して、リッジ開口部２４ｘＦを露出させる。次に、発光素子５０ｙＡ側に形成された誘電体膜８ｘＦの上面部分及び側面部分を除去して、薄膜の誘電体膜８ｙＦを形成し、リッジストライプ２３ｙＦの上方の誘電体膜８ｙＦを除去して、リッジ開口部２４ｙＦを露出させる（７４Ｆ）。
【０１６１】
次に、ｎ型半導体基板２の下面に、蒸着により、ｎ側金属電極層１を形成し、発光素子５０ｘＦ及び発光素子５０ｙＦの誘電体膜８ｘＦ及び８ｙＦの上方、及び、リッジストライプ２３ｘＦ、２３ｙＦの上方、ｐ型コンタクト層７ｘＦ及び７ｙＦ上に、蒸着及びメッキにより、ｐ側金属電極層９ｘＦ及び９ｙＦを形成する（７５Ｆ）。
【０１６２】
以上の工程を経て、半導体レーザ１００Ｆが形成される。以降の工程については、実施形態１の工程と同一であるので、説明を省略する。
【０１６３】
（まとめ）
実施形態６では、溝部２１ｘＦ及び溝部２２ｘＦの幅は、溝部２１ｙＦ及び溝部２２ｙＦの幅より、狭い。
【０１６４】
リッジストライプ２３ｘＦ、２３ｙＦの下方の各共振器が形成される部分に電流を流すことで発生する熱は、リッジストライプ２３ｘＦ、２３ｙＦを通って、リッジストライプ上方の誘電体膜が除去されたリッジ開口部２４ｘＦ、２４ｙＦから放熱される。これに加えて、発生する熱は、リッジストライプ２３ｘＦ、２３ｙＦの両側の溝部２１ｘＦ、溝部２２ｘＦ、溝部２１ｙＦ、溝部２２ｙＦへ広がり、熱伝導が良い金属が埋まっているこれらの溝部を通って放熱される。ここで、上記の通り、溝部２１ｘＦ及び溝部２２ｘＦの幅は、溝部２１ｙＦ及び溝部２２ｙＦの幅より、狭いので、発光素子５０ｘＦ側では、発生した熱が発光素子５０ｙＦ側よりも逃げにくくなる。その結果、発光素子５０ｘＦ側の温度が高くなり、発光素子５０ｘＦにより発振されるレーザ光と、発光素子５０ｙＦにより発振されるレーザ光との波長差を、実施形態１の場合より、さらに拡大することができる。
【０１６５】
このように、発光素子５０ｘＦと発光素子５０ｙＦとでは、共振器が形成される発光部４１ｘ、４１ｙから、サブマウント６０に至るまでの放熱路における熱抵抗を異ならせている。
【０１６６】
なお、実施形態６では、誘電体膜８ｘＦを厚くしており、誘電体膜８ｙＦを薄くしている。また、溝部２１ｘＦ及び溝部２２ｘＦの幅は、溝部２１ｙＦ及び溝部２２ｙＦの幅より、狭い。しかし、これには、限定されない。
【０１６７】
誘電体膜８ｘＦの厚みと、誘電体膜８ｙＦの厚みを同一とし、溝部２１ｘＦ及び溝部２２ｘＦの幅は、溝部２１ｙＦ及び溝部２２ｙＦの幅より、狭くしてもよい。このようにしても、発光素子５０ｘＦにより発振されるレーザ光の波長と、発光素子５０ｙＦにより発振されるレーザ光の波長とが異なるようにすることができる。
【０１６８】
７  実施形態７
実施形態７としての半導体レーザ装置２００Ｇ（図示していない）について、図面を参照しながら説明する。
【０１６９】
実施形態１から実施形態６までの例においては、チャネル１の発光素子とチャネル２の発光素子において発振するレーザ光の波長を変える手段として、共振器における吸収損失の大きさを変えること、及び、放熱性に差をつけることについて、説明している。実施形態７では、チャネル１の発光素子とチャネル２の発光素子において発振するレーザ光の波長を変えるため、別の手段を適用した例について説明する。
【０１７０】
高い出力を要求される半導体レーザにおいては、高出力での端面破壊、いわゆる、ＣＯＤ（Catastrophic Optical Damage）による故障を防止するために、端面に近い領域において、レーザ光を吸収しない窓領域を形成する技術が公知である。
【０１７１】
具体的には、端面の窓領域だけに、半導体中で拡散係数が大きい不純物、例えば、Ｚｎを表面から熱拡散することで、活性層領域の結晶に相互拡散で混晶化する。これにより、端面に近い領域は、レーザ光よりバッドギャップの大きな結晶で構成されることになり、レーザ光を吸収しない窓領域が形成される。この窓領域に流れる電流は、無効電流となるため、窓領域を有する半導体レーザでは、電流が流れている共振器の長さ、いわゆる実効的な共振器の長さは、端面間の長さから窓領域の長さを引いた長さになり、この長さで半導体レーザのしきい値電流が決まる。つまり、同じ端面間の長さの半導体レーザであっても、窓領域を長くすると、実効的な共振器の長さは短くなり、しきい値電流密度が増加する結果、レーザ光の波長が短くなる。
【０１７２】
半導体レーザ装置２００Ｇの外観は、図１に示す半導体レーザ装置２００Ａと同一である。半導体レーザ装置２００Ｇは、サブマウント６０上に、半導体レーザ１００Ｇが配された構成である。
【０１７３】
図１４は、半導体レーザ１００Ｇを、ＭＱＷ活性層に沿って切断した断面図である。
【０１７４】
半導体レーザ１００Ｇには、実施形態１に説明したようにして、発光素子５０ｘＧ及び５０ｙＧが形成されて、発光素子５０ｘＧ及び５０ｙＧには、ＭＱＷ活性層が含まれている。また、発光素子５０ｘＧ及び５０ｙＧには、図１４に示すように、電流が流れることにより、共振器１５ｘＧ及び１５ｙＧが形成される。
【０１７５】
発光素子５０ｘＧの両方の端面には、窓領域１３ｘＧ及び１４ｘＧが設けられている。また、発光素子５０ｙＧの両方の端面にも、窓領域１３ｙＧ及び１４ｙＧが設けられている。
【０１７６】
窓領域１３ｘＧ、１４ｘＧ及び窓領域１３ｙＧ、１４ｙＧには、上記の通り、半導体中で拡散係数が大きい不純物、例えば、Ｚｎが表面から熱拡散されている。
【０１７７】
半導体レーザ１００Ｇのチップ長さは、一例として、１５００μｍであり、窓領域１３ｘＧの長さと窓領域１４ｘＧの長さの合計は、一例として、４０μｍであり、窓領域１３ｙＧの長さと窓領域１４ｙＧの長さの合計は、一例として、２００μｍである。ここで、それぞれの長さは、レーザ光を出射する方向の長さを言う。
【０１７８】
このように、発光素子５０ｘＧと発光素子５０ｙＧとで、窓領域の長さが異なっている。つまり、実効的な共振器の長さは、発光素子５０ｘＧ側の方が、発光素子５０ｙＧ側より、長くなっており、発光素子５０ｘＧと発光素子５０ｙＧとで、共振器の長さが異なっている。このようにして、発光素子５０ｘＧ側のレーザ光の波長を、発光素子５０ｙＧ側のレーザ光の波長より長くすることができる。この結果、発光素子５０ｘＧにより発振されるレーザ光と、発光素子５０ｙＧにより発振されるレーザ光との波長差を、実施形態１の場合より、さらに拡大することができる。
【０１７９】
なお、実施形態７では、発光素子５０ｘＧの誘電体膜を厚くしており、発光素子５０ｙＧの誘電体膜を薄くしている。また、発光素子５０ｘＧと発光素子５０ｙＧとで、窓領域の長さを異ならせている。しかし、これには、限定されない。
【０１８０】
発光素子５０ｘＧの誘電体膜の厚みと、発光素子５０ｙＧの誘電体膜の厚みを同一とし、発光素子５０ｘＧと発光素子５０ｙＧとで、窓領域の長さを異ならせてもよい。これにより、発光素子５０ｘＧ側のレーザ光の波長と、発光素子５０ｙＧ側のレーザ光の波長とを異ならせることができる。
【０１８１】
また、発光素子５０ｘＧ及び発光素子５０ｙＧは、実施形態２〜実施形態６において説明した構造を有している、としてもよい。
【０１８２】
８  実施形態８
実施形態８としての半導体レーザ装置２００Ｈについて、図面を参照しながら説明する。
【０１８３】
半導体レーザ装置２００Ｈの外観は、図１に示す半導体レーザ装置２００Ａと同一である。半導体レーザ装置２００Ｈは、サブマウント６０Ｈ上に、半導体レーザ１００Ｈが配された構成である。また、半導体レーザ１００Ｈは、発光素子５０ｘＨ及び５０ｙＨを有する。なお、発光素子５０ｘＨ及び５０ｙＨの構造は、実施形態１において説明した通りである。
【０１８４】
半導体レーザ１００Ｈは、駆動時の発熱を逃がすために、サブマウント６０Ｈ上に、接着剤であるろう材１７ｘＨ、１７ｙＨにより接着されている。具体的には、発光素子５０ｘＨ側のｐ側面が、レーザ光の出射方向に長尺状に配されたろう材１７ｘＨにより、サブマウント６０Ｈ上に接着される。また、発光素子５０ｙＨ側のｐ側面が、レーザ光の出射方向に長尺状に配されたろう材１７ｙＨにより、サブマウント６０Ｈ上に接着される。ろう材は、例えば、ＡｕＳｎ合金を材料とし、サブマウント６０Ｈは、例えば、ＡｌＮを材料とする。
【０１８５】
ろう材１７ｘＨ、１７ｙＨにより、サブマウント６０Ｈ上に接着された半導体レーザ１００Ｈを、サブマウント６０Ｈ側から見た場合の、接着面における断面図を図１５（ａ）に示す。また、発光素子５０ｘＨ側から見た場合の、半導体レーザ装置２００Ｈの側面図を図１５（ｂ）に示し、発光素子５０ｙＨ側から見た場合の、半導体レーザ装置２００Ｈの側面図を図１５（ｃ）に示す。
【０１８６】
なお、図１５（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）において、レーザ光の出射面は、端面４０Ｈであり、端面４３Ｈは、レーザ光の出射面とは反対側の後面である。
【０１８７】
半導体レーザ装置２００Ｈでは、発光素子５０ｘＨ側において、ろう材１７ｘＨの長さを、半導体レーザ１００Ｈの長さよりも、端面４３Ｈ側で短くしており、後面側での放熱性を悪くしている。一方、発光素子５０ｙＨ側において、ろう材１７ｙＨの長さを、半導体レーザ１００Ｈの長さと一致させている。ここで、それぞれの長さは、レーザ光を出射する方向の長さを言う。
【０１８８】
ろう材１７ｘＨの長さは、一例として、１３００μｍであり、ろう材１７ｙＨの長さは、一例として、１５００μｍである。このように、発光素子５０ｘＨ側のろう材１７ｘＨの長さと、発光素子５０ｙＨ側のろう材１７ｙＨの長さとは、異なっている。
【０１８９】
この結果、発光素子５０ｙＨ側と比較して、発光素子５０ｘＨ側において、電流が流れる場合における共振器の温度が上昇する。このようにして、発光素子５０ｘＨ側のレーザ光の波長を、発光素子５０ｙＨ側のレーザ光の波長より長くすることができる。この結果、発光素子５０ｘＨにより発振されるレーザ光と、発光素子５０ｙＨにより発振されるレーザ光との波長差を、実施形態１の場合より、さらに拡大することができる。
【０１９０】
なお、半導体レーザ１００Ｈでは、実施形態７の場合と同様に、発光素子５０ｘＨの両方の端面には、それぞれ、窓領域が設けられ、また、発光素子５０ｙＨの両方の端面には、それぞれ、窓領域が設けられている、としてもよい。各窓領域には、半導体中で拡散係数が大きい不純物、例えば、Ｚｎが表面から熱拡散されている。発光素子５０ｘＨ側の窓領域の合計の長さは、一例として、４０μｍであり、発光素子５０ｙＨ側の窓領域の合計の長さは、一例として、２００μｍである。これにより、発光素子５０ｘＨにより発振されるレーザ光の波長を、発光素子５０ｙＨにより発振されるレーザ光の波長より長くすることができる。
【０１９１】
実施形態８では、発光素子５０ｘＨ側のろう材１７ｘＨを、半導体レーザ１００Ｈの後側の端面４３Ｈで短くしているが、前面側の端面４０Ｈにおいて、又は、半導体レーザ１００Ｈの中心付近において、一部にろう材がない領域を作っても同様な効果が得られる。
【０１９２】
なお、端面４０Ｈの放熱性を低くした場合には、端面４０Ｈの温度が上がる。この場合、レーザ光の出射面の温度上昇によりＣＯＤ低下の懸念があるので、図１５（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）に示すように、後面側の端面４３Ｈ側のろう材を短くすることが望ましい。
【０１９３】
また、発光素子５０ｘＨ及び発光素子５０ｘＨは、実施形態２〜実施形態６において説明した構造を有している、としてもよい。
【０１９４】
９  その他の変形例
上述したように、実施形態１では、（ａ）誘電体膜８ｘＡを厚くしており、誘電体膜８ｙＡを薄くしている。実施形態２では、（ｂ）誘電体膜８ｘＢの材料は、ＳｉＯ2 であり、誘電体膜８ｙＢの材料は、ＳｉＮである。ここで、ＳｉＯ2 の方が、ＳｉＮと比較すると、熱伝導率が低い。つまり、誘電体膜８ｘＢと誘電体膜８ｙＢとで、熱伝導率が異なるように、異なる材料を用いている。実施形態３では、（ｃ）発光素子５０ｘＣに、空洞部１２ａＣ、１２ｂＣを開け、発光素子５０ｙＣには、空洞部は、存在しない。実施形態４では、（ｄ）発光素子５０ｘＤのリッジ開口部２４ｘＤの幅（面積）を、発光素子５０ｙＤのリッジ開口部２４ｙＤの幅（面積）と比較して、狭く形成している。実施形態５では、（ｅ）ｐ型コンタクト層７ｘＥを厚くし、ｐ型コンタクト層７ｘＥの厚みと比較して、ｐ型コンタクト層７ｙＥを薄くしている。実施形態６では、（ｆ）溝部２１ｘＦ及び溝部２２ｘＦの幅は、溝部２１ｙＦ及び溝部２２ｙＦの幅より、狭い。実施形態７では、（ｇ）発光素子５０ｘＧと発光素子５０ｙＧとで、窓領域の長さを異ならせている。実施形態８では、（ｆ）発光素子５０ｘＨ側において、ろう材１７ｘＨの長さを、半導体レーザ１００Ｈの長さよりも、端面４３Ｈ側で短くし、発光素子５０ｙＨ側において、ろう材１７ｙＨの長さを、半導体レーザ１００Ｈの長さと一致させている。
【０１９５】
しかし、本発明は、上記には、限定されない。上述した特徴（ａ）〜（ｆ）から選択した２つ以上の特徴を組み合わせてもよい。
【産業上の利用可能性】
【０１９６】
本発明に係るマルチビーム半導体レーザは、複数の発光素子により発振されるレーザ光の波長差を設けることにより、これを光源として用いた場合のスペックルノイズを軽減することができ、レーザ光を出射する半導体レーザとして有用である。
【符号の説明】
【０１９７】
２００Ａ〜２００Ｈ  半導体レーザ装置
１００Ａ〜１００Ｈ  半導体レーザ
１    ｎ側金属電極層
２    ｎ型半導体基板
３    ｎ型クラッド層
４    ＭＱＷ活性層
５    ｐ型クラッド層
６    ｐ型中間層
７    ｐ型コンタクト層
８ｘＡ〜８ｘＦ、８ｙＡ〜８ｙＦ  誘電体膜
９ｘＡ〜９ｘＦ、９ｙＡ〜９ｙＦ  ｐ側金属電極層
２３ｘＡ〜２３ｘＦ、２３ｙＡ〜２３ｙＦ  リッジストライプ
２４ｘＡ〜２４ｘＦ、２４ｙＡ〜２４ｙＦ  リッジ開口部
３０、３１    コーティング膜
４０、４３    端面
５０ｘＡ〜５０ｘＨ、５０ｙＡ〜５０ｙＨ  発光素子
６０    サブマウント
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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